(57)【要約】【課題】寄生静電容量が小さい半導体光素子の作製方法及び半導体光素子を提供すること。【解決手段】コンタクト部１２及びクラッド部１１を含む半導体メサ１３を有する半導体部３と、半導体メサ１３の上面Ａ５に設けられており半導体メサ１３の側面Ａ３との間に空隙Ｂ１が形成されるように湾曲した絶縁部１６と、絶縁部１６に設けられており半導体メサ１３の上面Ａ５に達するコンタクトホールＢ２と、コンタクトホールＢ２及び絶縁部１６上に設けられた電極部１８とを備える。【選択図】図１
2007173392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッド層上に設けられたコンタクト層上に、パターニングされた形状の絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁部をマスクとして用いて前記コンタクト層及び前記クラッド層をエッチングすることにより、前記クラッド層の一部と前記コンタクト層の一部とを含む半導体メサ及び前記絶縁部の庇を形成する工程と、
前記庇と前記半導体メサの側面との間に空隙が形成されるように該庇を加熱により湾曲させる工程と、
前記半導体メサの上面に達するコンタクトホールを前記絶縁部に形成する工程と、
前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に電極部を形成する工程と
を有する、ことを特徴とする半導体光素子の作製方法。
【請求項２】
クラッド層と該クラッド層上に設けられたコンタクト層とをエッチングすることにより、前記クラッド層の一部と前記コンタクト層の一部とを含む複数の半導体メサを形成する工程と、
前記半導体メサ間にレジスト部を形成する工程と、
前記半導体メサの上面と前記レジスト部の上面のうち該半導体メサの上面から延び出した周辺領域とに、パターニングされた形状の絶縁部を形成する工程と、
前記レジスト部を除去して前記絶縁部の庇を形成する工程と、
前記庇と前記半導体メサの側面との間に空隙が形成されるように該庇を加熱により湾曲させる工程と、
前記半導体メサの上面に達するコンタクトホールを前記絶縁部に形成する工程と、
前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に電極部を形成する工程と
を有する、ことを特徴とする半導体光素子の作製方法。
【請求項３】
前記絶縁部は、常圧ＣＶＤ法を用いて形成されたシリコン酸化物を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光素子の作製方法。
【請求項４】
前記絶縁部は、テトラエトキシシランを原料としたＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いて形成されたシリコン酸化物を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光素子の作製方法。
【請求項５】
前記絶縁部を形成する工程は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化物を含む第１の絶縁層を形成し、
当該方法は、前記庇を湾曲させる工程に先立って、前記半導体メサ及び前記絶縁部の庇を形成した後に、常圧ＣＶＤ法又はＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化物を含む第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程を更に含み、
前記庇を湾曲させる工程は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを加熱により湾曲させる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光素子の作製方法。
【請求項６】
所定の軸に沿って順に配列された第１〜第２の部分及び該第２の部分上に設けられた半導体メサを含む第１導電型半導体領域と、第２導電型半導体領域と、前記第１導電型半導体領域と前記第２導電型半導体領域との間に設けられた活性層とを有する半導体部と、
第１〜第３の部分及び該第３の部分に設けられたコンタクトホールを有しており前記半導体部上に設けられた絶縁部と、
前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に設けられた電極部と
を備え、
前記絶縁部の前記第１の部分は、前記半導体部の前記第１の部分に設けられており、
前記絶縁部の前記第３の部分は、前記半導体メサ上に位置しており、
前記絶縁部の前記第２の部分は、前記絶縁部の前記第３の部分の一端から前記絶縁部の前記第１の部分に向けて湾曲しており、
前記絶縁部の前記第２の部分と前記半導体メサの側面との間には空隙がある
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項７】
前記絶縁部は、互いに異なる熱膨張係数を有する第１及び第２の絶縁層を含む、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光素子の作製方法と半導体光素子とに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１及び特許文献２には、半導体素子に設けられるエアーブリッジ配線に係る技術が記載されている。このようなエアーブリッジ配線は、半導体素子が有する支持体（半導体基体）の表面上に設けられている。このため、このエアーブリッジ配線により、配線と支持体との間に空隙が設けられる。
【特許文献１】特開昭６３−３７６３９号公報
【特許文献２】特開平５−１５２４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１及び２の半導体素子とは異なる種類の、例えば、半導体レーザ等の半導体光素子が知られている。このような半導体光素子には、メサの上面と電気的に接続された電気配線が設けられる。この電気配線は、メサの上面及び側面に金属層が設けられる。半導体光素子を高速変調する場合には、この電気配線の寄生静電容量を低減させることが必要となる。寄生静電容量を低減するためには、メサが、素子表面から略垂直に延びるメサか或いは逆メサであるのが好ましい。しかし、このような形状のメサに対し電気配線を設ける場合、メサの側面あたりで電気配線に断線等が生じる可能性が高い。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、寄生静電容量が小さい半導体光素子の作製方法及び半導体光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体光素子の作製方法は、ａ）クラッド層上に設けられたコンタクト層上に、パターニングされた形状の絶縁部を形成する工程と、ｂ）前記絶縁部をマスクとして用いて前記コンタクト層及び前記クラッド層をエッチングすることにより、前記クラッド層の一部と前記コンタクト層の一部とを含む半導体メサ及び前記絶縁部の庇を形成する工程と、ｃ）前記庇と前記半導体メサの側面との間に空隙が形成されるように該庇を加熱により湾曲させる工程と、ｄ）前記半導体メサの上面に達するコンタクトホールを前記絶縁部に形成する工程と、ｅ）前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に電極部を形成する工程とを有する、ことを特徴とする。
【０００６】
従って、本発明によれば、絶縁部が形成された後に、この絶縁部をマスクとして用いたエッチングを行うことにより、絶縁部に庇が生じるように半導体メサが形成できる。また、この庇を加熱によって湾曲させれば、庇と半導体メサの側面との間に空隙が形成される。その後、電極部が、この絶縁部の庇上に設けられる。このため、電極部と半導体メサの側面との間に空隙が形成される。従って、この空隙により、電極部の寄生静電容量は低減される。更に、電極部は、湾曲した絶縁部の庇上に形成される。このため、電極部の断線等が回避できる。
【０００７】
また、本発明の半導体光素子の作製方法は、ａ）クラッド層と該クラッド層上に設けられたコンタクト層とをエッチングすることにより、前記クラッド層の一部と前記コンタクト層の一部とを含む複数の半導体メサを形成する工程と、ｂ）前記半導体メサ間にレジスト部を形成する工程と、ｃ）前記半導体メサの上面と前記レジスト部の上面のうち該半導体メサの上面から延び出した周辺領域とに、パターニングされた形状の絶縁部を形成する工程と、ｄ）前記レジスト部を除去して前記絶縁部の庇を形成する工程と、ｅ）前記庇と前記半導体メサの側面との間に空隙が形成されるように該庇を加熱により湾曲させる工程と、ｆ）前記半導体メサの上面に達するコンタクトホールを前記絶縁部に形成する工程と、ｇ）前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に電極部を形成する工程とを有する、ことを特徴とする。
【０００８】
従って、本発明によれば、半導体メサ及びレジスト部の上面に絶縁部が形成され、この絶縁部の形成後にレジスト部が除去される。このため、レジスト部の上面に形成された絶縁部の部位が庇となる。そして、この庇を加熱によって湾曲させれば、庇と半導体メサの側面との間に空隙が形成される。その後、電極部が、この絶縁部の庇上に設けられる。このため、電極部と半導体メサの側面との間に空隙が形成される。従って、この空隙により、電極部の寄生静電容量は低減される。更に、電極部は、湾曲した絶縁部の庇上に形成される。このため、電極部の断線等が回避できる。
【０００９】
更に、本発明では、前記絶縁部は、常圧ＣＶＤ法を用いて形成されたシリコン酸化物を含むのが好ましく、又、前記絶縁部は、テトラエトキシシランを原料としたＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いて形成されたシリコン酸化物を含むのが好ましい。シリコン酸化物及びシリコン窒化物は熱により変形するため、これらシリコン酸化物及びシリコン窒化物から成る絶縁部の湾曲変形が加熱により容易に行える。
【００１０】
更に、本発明では、ａ）前記絶縁部を形成する工程は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化物を含む第１の絶縁層を形成し、ｂ）当該方法は、前記庇を湾曲させる工程に先立って、前記半導体メサ及び前記絶縁部の庇を形成した後に、常圧ＣＶＤ法又はＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化物を含む第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程を更に含み、ｃ）前記庇を湾曲させる工程は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを加熱により湾曲させるのが好ましい。この場合、絶縁部は、シリコン酸化物から成る絶縁層と、シリコン窒化物から成る絶縁層とが重なって成る。これら各絶縁層の熱膨張係数の違いにより、絶縁部の湾曲変形が容易且つ精度よく行える。
【００１１】
また、本発明の半導体光素子は、ａ）所定の軸に沿って順に配列された第１〜第２の部分及び該第２の部分上に設けられた半導体メサを含む第１導電型半導体領域と、第２導電型半導体領域と、前記第１導電型半導体領域と前記第２導電型半導体領域との間に設けられた活性層とを有する半導体部と、ｂ）第１〜第３の部分及び該第３の部分に設けられたコンタクトホールを有しており前記半導体部上に設けられた絶縁部と、ｄ）前記コンタクトホール及び前記絶縁部上に設けられた電極部とを備え、前記絶縁部の前記第１の部分は、前記半導体部の前記第１の部分に設けられており、前記絶縁部の前記第３の部分は、前記半導体メサ上に位置しており、前記絶縁部の前記第２の部分は、前記絶縁部の前記第３の部分の一端から前記絶縁部の前記第１の部分に向けて湾曲しており、前記絶縁部の前記第２の部分と前記半導体メサの側面との間には空隙がある、ことを特徴とする。
【００１２】
従って、本発明によれば、電極部が半導体メサの側面との間に空隙を成す。従って、この空隙により、電極部の寄生静電容量は低減される。更に、電極部は、湾曲した絶縁部上に設けられる。このため、電極部の断線等が回避できる。
【００１３】
更に、本発明では、前記絶縁部は、互いに異なる熱膨張係数を有する第１及び第２の絶縁層を含むのが好ましい。このため、熱膨張係数の違いにより、重なり合った第１及び第２の絶縁層全体の湾曲変形が容易且つ精度よく行える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、寄生静電容量が小さい半導体光素子の作製方法及び半導体光素子が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図１〜図５を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、可能な場合に、図面の説明においては同一要素には同一符号を付す。
【００１６】
図１及び図２を参照して、実施形態に係る半導体光素子１の構成について説明する。図１及び図２に示す半導体光素子１は、電極層２、半導体部３、絶縁部１４、絶縁部１６及び電極部１８を備える。半導体光素子１は、例えば、半導体レーザ素子である。なお、以下の説明では、図示のｘｙｚ座標を用いる。
【００１７】
電極層２は、Ａｌ等の金属によって成る。半導体部３は、複数の半導体層から成り電極層２上に設けられる。半導体部３は、第１導電型（以下、ｐ型）半導体領域３ａ、第２導電型（以下、ｎ型）半導体領域３ｂ及び活性層８を有しており、第１導電型半導体領域３ａと第２導電型半導体領域３ｂとの間に活性層８が設けられる。第１導電型半導体領域３ａは、活性層８上に設けられたクラッド層１０と、コンタクト部１２とを有する。クラッド層１０にはｘ軸方向に延びるクラッド部１１が設けられており、コンタクト部１２は、このクラッド部１１の上面Ａ１に設けられる。クラッド部１１はクラッド層１０と一体に構成されている。クラッド部１１及びコンタクト部１２は半導体メサ１３を構成する。ｘｙ平面に平行にとった半導体メサ１３の断面は、例えば、クラッド層１０の表面Ａ２からｚ軸に沿って離れるに従い拡がっていくメサ状の立体形状（逆メサ状）を有しているとする。すなわち、半導体メサ１３の側面Ａ３と、この側面Ａ３に連続するクラッド層１０の表面Ａ２との成す角度θは９０度未満である。なお、角度θは略９０度であってもよい。また、第２導電型半導体領域３ｂは、電極層２上に設けられた基板４と、基板４上に設けられたクラッド層６とを含む。
【００１８】
絶縁部１４は、クラッド層１０の表面Ａ２のうちｘ軸方向からみて半導体メサ１３の両側にあって、ｚ軸方向からみて半導体メサ１３により覆われていない領域Ａ４に設けられており、各絶縁部１４は、半導体メサ１３からｙ軸方向に所定距離だけ離隔して設けられている。絶縁部１６は、ｘ軸方向からみて半導体メサ１３の両側に設けられており、各絶縁部１６は、コンタクト部１２の上面Ａ５に設けられた一の端部Ｃ１と、絶縁部１４の表面Ａ６上に設けられたもう一方の端部Ｃ２とを有する。すなわち、絶縁部１６は、コンタクト部１２の上面Ａ５と、絶縁部１４の表面Ａ６とを架橋する。ここで、各絶縁部１６は傾斜しているため、絶縁部１６と半導体メサ１３の側面Ａ３との間には空隙Ｂ１が形成される。絶縁部１６は、上面Ａ５に接続する第１の絶縁層１６１と、この第１の絶縁層１６１上に設けられた第２の絶縁層１６２とによって成る。
【００１９】
電極部１８は、後述のコンタクトホールＢ２及び絶縁部１６の表面Ａ７上に設けられており、コンタクトホールＢ２を介してコンタクト部１２と電気的に接続する。コンタクトホールＢ２は、上面Ａ５上において、ｘ軸方向からみて半導体メサ１３の両側の各絶縁部１６間に設けられる。
【００２０】
次に、図２を参照して、絶縁部１６の形状について詳細に説明する。ここでは、第１の部分１６ａ、第２の部分１６ｂ、第３の部分１６ｃ、第４の部分１６ｄ及び第５の部分１６ｅに絶縁部１６を分ける。第３の部分１６ｃにはコンタクトホールＢ２が設けられる。更に、ｙ軸に沿って順に配列された第１の部分１０ａ、第２の部分１０ｂ及び第３の部分１０ｃにクラッド層１０を分ける。第２の部分１０ｂ上には半導体メサ１３が設けられる。
【００２１】
絶縁部１６の第１の部分１６ａおよび第５の部分１６ｅは、それぞれ、クラッド層１０の第１の部分１０ａおよび第３の部分１０ｃに絶縁部１４を介して設けられている。絶縁部１６の第３の部分１６ｃは、半導体メサ１３（コンタクト部１２）の上面Ａ５に位置している。絶縁部１６の第２の部分１６ｂは、第３の部分１６ｃの一端から第１の部分１６ａに向けて湾曲しており、絶縁部１６の第４の部分１６ｄは、第３の部分１６ｃの他端から第５の部分１６ｅに向けて湾曲している。絶縁部１６の第２の部分１６ｂと半導体メサ１３の側面Ａ３との間、及び、絶縁部１６の第４の部分１６ｄと半導体メサ１３の側面Ａ３との間には何れも空隙Ｂ１がある。
【００２２】
なお、電極部１８は、Ａｌ等の導電性金属から成る。また、第１の絶縁層１６１は、例えばシリコン窒化物から成り、厚みが１００ｎｍ程度である。第２の絶縁層１６２及び絶縁部１４は、例えばシリコン酸化物から成り、厚みが１００ｎｍ程度である。コンタクト部１２は、例えば、電極部１８とオーミック接触可能な第１導電型のＩｎＧａＡｓＰ等から成る。クラッド層１０（クラッド部１１）は、例えば、第１導電型のＩｎＰ等から成る。活性層８は、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ等のＩＩＩ−Ｖ化合物から成る。クラッド層６は、例えば、第２導電型のＩｎＰ等から成る。基板４は、第２導電型のＩｎＰ等から成る。電極層２は、Ａｌ等の導電性金属から成る。
【００２３】
上記説明した半導体光素子１では、電極層２と電極部１８とにバイアス電圧が印加されると、活性層８内でレーザ光が生成される。
【００２４】
なお、本発明は上述の実施形態に限らない。絶縁部１６は、シリコン窒化物から成る第１の絶縁層１６１とシリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２とにより構成されるとしたが、これに限らず、シリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２のみにより構成されていてもよい。
【００２５】
（第１の作製方法）
次に、図３及び図４を参照して、半導体光素子１の作製方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、クラッド層６、活性層８、クラッド層２２及びコンタクト層２４がエピタキシャル成長によって基板４上に順次形成された半導体部３を用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、ＰＥ−ＣＶＤ法等を用いてシリコン窒化物から成る絶縁層２６をコンタクト層２４上に１００ｎｍ程度の厚みに形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層２６を、ｘ軸方向に延びるストライプ形状の第１の絶縁層１６１にパターニングする。次に、図３（ｄ）に示すように、コンタクト層２４とクラッド層２２とを、第１の絶縁層１６１をマスクとして用いてエッチングすることにより、コンタクト層２４の一部とクラッド層２２の一部とを含む半導体メサ１３を、第１の絶縁層１６１に庇Ａ８が生じるように形成する。このエッチングにより、クラッド部１１を含むクラッド層１０と、コンタクト部１２とが形成される。半導体メサ１３の側面Ａ３とクラッド層１０の表面Ａ２との間の角度θは、略９０度又は９０度未満とする。
【００２６】
次に、図４（ａ）に示すように、常圧ＣＶＤ法又はテトラエトキシシランを原料としたＩＣＰ−ＣＶＤ法等を用いて、シリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２を第１の絶縁層１６１上に１００ｎｍ程度の厚みに形成し、シリコン酸化物から成る絶縁部１４を、クラッド層１０の表面Ａ２に含まれる領域Ａ４上に１００ｎｍ程度の厚みに形成する。これにより、第１の絶縁層１６１と第２の絶縁層１６２とから成る絶縁部１６が形成される。次に、図４（ｂ）に示すように、摂氏略６５５度程度のＮ２雰囲気内で略２０分間熱処理を行うことにより、庇Ａ８と半導体メサ１３の側面Ａ３との間に空隙Ｂ１が形成されるように庇Ａ８を湾曲させる。そして、絶縁部１６の端部Ｃ２を絶縁部１４の表面Ａ６に接続する。この場合、シリコン窒化物及びシリコン酸化物の各熱膨張係数が異なることにより庇Ａ８が湾曲する。次に、図４（ｃ）に示すように、コンタクト部１２の上面Ａ５に達するコンタクトホールＢ２を絶縁部１６に形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、電極部１８を、コンタクトホールＢ２及び絶縁部１６の上面Ａ７上に形成する。電極部１８の形成法としては、例えば蒸着法やスパッタ法などがある。これにより、電極部１８が、コンタクトホールＢ２を介してコンタクト部１２と電気的に接続される。また、電極層２を基板４上に形成する。最後に、ＩＩ−ＩＩ線に沿ったサイディングを施すことにより、図１に示す半導体光素子１が得られる。
【００２７】
従って、第１の作製方法では、電極部１８が、半導体メサ１３の側面Ａ３との間に空隙Ｂ１を成す絶縁部１６（庇Ａ８）の表面Ａ７上に設けられる。このため、電極部１８と半導体メサ１３の側面Ａ３との間の空隙Ｂ１が、容易に形成される。このように、電極部１８と半導体メサ１３の側面Ａ３との間に空隙Ｂ１が形成されるため、電極部１８の寄生静電容量は低減される。従って、低寄生静電容量の半導体光素子１が容易に作製できる。更に、電極部１８は絶縁部１６により支持されるため、電極部１８の機械的強度は向上する。このため、電極部１８に断線等が生じる可能性が低減される。更に、絶縁部１６は、シリコン窒化物から成る第１の絶縁層１６１と、シリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２とが重なって設けられる。これら第１の絶縁層１６１及び第２の絶縁層１６２の熱膨張係数の違いにより、絶縁部１６の湾曲変形が容易且つ精度よく行える。また、エアーブリッジ配線を用いて電気配線を設ける方法も考えられる。しかし、エアーブリッジ配線を用いても、配線が長い（配線と支持体との間の空洞が大きい）場合には、配線の強度や自重等による断線等が生じる可能性が高い。この点、本実施形態の半導体光素子１では、絶縁部１６の表面Ａ７上に電極部１８が形成されるため、電極部１８の機械的強度が向上される。このため、配線に断線等が生じる可能性が低減される。
【００２８】
（第２の作製方法）
なお、半導体光素子１の作製方法は、図３及び図４に示す方法に限らない。図５等を参照して、半導体光素子１の他の作製方法について説明する。まず、図５（ａ）に示すように、クラッド層６、活性層８、クラッド層２２及びコンタクト層２４が、エピタキシャル成長によって基板４上に順次形成された半導体部３を用意する。次に、図５（ｂ）に示すように、コンタクト層２４とクラッド層２２とをエッチングすることにより、半導体メサ１３をｘ軸方向に延びるストライプ状に複数形成する。このエッチングにより、クラッド部１１を含むクラッド層１０と、コンタクト部１２とが形成される。半導体メサ１３の側面Ａ３とクラッド層１０の表面Ａ２との間の角度θは、略９０度又は９０度未満とする。次に図５（ｃ）に示すように、半導体メサ１３間にレジスト部３０を形成する。ここで、コンタクト部１２の上面Ａ５とレジスト部３０の上面Ａ９とが平坦化される。平坦化法としては、例えば、酸素ドライエッチングによるエッチバック法などがある。エッチバック法では、スピンナなどで塗布したレジストを前面酸素でメサ上部が出現するぎりぎりまでドライエッチングする。その後、図５（ｄ）に示すように、コンタクト部１２の上面Ａ５と、レジスト部３０の上面Ａ９のうち上面Ａ５から延び出した周辺領域Ａ１０とを覆うようにパターンングされた形状のシリコン窒化物から成る第１の絶縁層１６１を１００ｎｍ程度の厚みに形成する（なお、シリコン酸化膜形成にはＳＰＧ膜の利用が可能）。この第１の絶縁層１６１の形成後、レジスト部３０をエッチングにより除去する。そして、図４（ａ）〜図４（ｄ）を参照して上記説明した処理と同様の処理を行って半導体光素子１を作製する。
【００２９】
従って、第２の作製方法では、上述の第１の作製方法による効果に加え、更に、次のような効果を奏する。すなわち、レジスト部３０の上面Ａ９に第１の絶縁層１６１が形成され、この第１の絶縁層１６１の形成後にレジスト部３０が除去される。このため、第１の絶縁層１６１の庇Ａ８の形成が容易となる。
【００３０】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００３１】
例えば、上述の第１の作製方法及び第２の作製方法においては、第１の絶縁層１６１と第２の絶縁層１６２とによって絶縁部１６を構成するとしたが、これに限らず、本発明では、シリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２のみから絶縁部１６を構成してもよい。シリコン酸化物から成る第２の絶縁層１６２は、例えば、テトラエトキシシランを原料としたＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いて構成できる。この場合、摂氏略６５５度のＮ２雰囲気内で略２０分間熱処理を行うことにより、シリコン酸化物の組成が変化して絶縁部１６（第２の絶縁層１６２）内に応力が発生する。この応力により絶縁部１６が湾曲する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施形態に係る半導体光素子の斜視図である。
【図２】図１に示すＩ−Ｉ線に沿ってとられた半導体光素子の断面図である。
【図３】実施形態に係る半導体光素子の作製方法を説明するための断面図である。
【図４】実施形態に係る半導体光素子の作製方法を説明するための断面図である。
【図５】実施形態に係る半導体光素子の他の作製方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…半導体光素子、２…電極層、３…半導体部、３ａ…第１導電型半導体領域、３ｂ…第２導電型半導体領域、４…基板、６，１０，２２…クラッド層、８…活性層、１１…クラッド部、１２…コンタクト部、１３…半導体メサ、１４，１６…絶縁部、１６１…第１の絶縁層，１６２…第２の絶縁層、１８…電極部、２４…コンタクト層、２６…絶縁層、３０…レジスト部、Ｂ１…空隙、Ｂ２…コンタクトホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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