(57)【要約】      （修正有）【課題】複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うための方法を提供する。【解決手段】この方法は、基板Ｗ上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取ることと、受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成を行うようフリップチップ実装用バンプ処理装置を使用すること、とを含む。【選択図】図１
2007305995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うための方法であって、
基板上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取ることと、
受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うようフリップチップ実装用バンプ処理装置を使用すること、とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記データは、当該基板またはデバイス数及び配置が同じである他の基板へのリソグラフィによるデバイス形成中に使用されたデータを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
リソグラフィによるデバイス形成が行われた場所から前記バンプ処理装置へと前記データを転送することをさらに含み、該データ転送はデータキャリアまたは電子的データ転送を使用して行われることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記データは複数の基板に関連することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の基板はリソグラフィによるデバイス形成が行われた場所から前記バンプ処理装置へと基板キャリアを使用して移送され、該基板キャリアには内部に前記データキャリアが収納されていることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の基板は前記データに含まれる識別子に対応する識別子を含み、該データは前記バンプ処理装置に電子的に転送されかつ該バンプ処理装置が該複数の基板を受け取るまで該バンプ処理装置に記憶されており、該データが該複数の基板のために使用されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記データは、
基板上のアライメントマークの配置、
欠陥デバイスの配置または欠陥基板の特定、
基板の特定層に投影されたアライメントマークの配置、
基板に実行された処理、
リソグラフィ中に特定層に適用されたアライメント補正、
デバイスの配置と、アライメントマーク、ノッチ、または基板上に存在するデバイス形状の配置との関係、
基板上に存在するアライメントマークとノッチの配置間の関係、及び
基板の表面トポグラフィに関する情報、
から選択されるデータのうち少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
直接配置、印刷、電気メッキ、蒸着、またはリソグラフィを用いて基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行う前にデバイスにボンドパッドを準備することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
バンプ材料は、６３Ｓｎ／３７Ｐｂ共晶はんだ、高鉛はんだ、９５Ｐｂ５Ｓｎ、スズ、ＳｎＣｕＡｇ、ＳｎＡｇ３．５、またはＳｎＣｕを含むはんだを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板上のデバイス数及び配置を含むフリップチップ実装バンプ用データファイル。
【請求項１２】
当該基板またはデバイス数及び配置が同じである他の基板へのリソグラフィによるデバイス形成中に使用されたデータを含むことを特徴とする請求項１１に記載のデータファイル。
【請求項１３】
基板上のアライメントマークの配置、
欠陥デバイスの配置または欠陥基板の特定、
基板の特定層に投影されたアライメントマークの配置、
基板に実行された処理、
リソグラフィ中に特定層に適用されたアライメント補正、
デバイスの配置と、アライメントマーク、ノッチ、または基板上に存在するデバイス形状の配置との関係、
基板上に存在するアライメントマークとノッチの配置間の関係、及び
基板の表面トポグラフィに関する情報、
から選択されるデータのうち少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のデータファイル。
【請求項１４】
データキャリアにデータが保持されていることを特徴とする請求項１１に記載のデータファイル。
【請求項１５】
データに関連する複数の基板を識別する識別子を含むことを特徴とする請求項１１に記載のデータファイル。
【請求項１６】
複数の基板を運ぶための基板キャリアであって、該複数の基板のデバイス数及び配置を含むデータを保持するデータキャリアを収容する区画または他の形状を含むことを特徴とする基板キャリア。
【請求項１７】
複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うためのフリップチップ実装用バンプ処理装置であって、
基板上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取り、受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うよう構成されていることを特徴とするバンプ処理装置。
【請求項１８】
直接配置、印刷、電気メッキ、蒸着、またはリソグラフィを用いて基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うよう構成されていることを特徴とする請求項１７に記載のバンプ処理装置。
【請求項１９】
前記データは、当該基板またはデバイス数及び配置が同じである他の基板へのリソグラフィによるデバイス形成中に使用されたデータを含むことを特徴とする請求項１７に記載のバンプ処理装置。
【請求項２０】
前記データは、
基板上のアライメントマークの配置、
欠陥デバイスの配置または欠陥基板の特定、
基板の特定層に投影されたアライメントマークの配置、
基板に実行された処理、
リソグラフィ中に特定層に適用されたアライメント補正、
デバイスの配置と、アライメントマーク、ノッチ、または基板上に存在するデバイス形状の配置との関係、
基板上に存在するアライメントマークとノッチの配置間の関係、及び
基板の表面トポグラフィに関する情報、
から選択されるデータのうち少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のバンプ処理装置。
【請求項２１】
複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うためのフリップチップ実装用バンプ処理装置であって、
該装置はイメージ検出器及びパターン認識ソフトウェアを備え、該装置は該イメージ検出器と基板とを互いにスキャンするよう構成されており、該パターン認識ソフトウェアは該イメージ検出器からの入力に基づいて基板上のデバイス配置を決定するよう構成されていることを特徴とするバンプ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバンプの配置及び／または形成のための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の製造には通常リソグラフィが用いられる。ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成にはパターニング用デバイス（これはマスクまたはレチクルとも称される）が使用される。このパターンは放射感応材料層（レジスト）を有する基板（例えばシリコンウエハ）上の（１つまたは複数のダイ、あるいはダイの一部分からなる）目標部分に結像される。一般に１枚の基板にはネットワーク状に隣接する複数の目標部分が含まれており、これらの目標部分は順次露光される。
【０００３】
通常、１枚の基板には多数の層が形成される。各層においては次の層が形成される前にパターンがその層に永久的に固定されるよう処理される。すべての層にパターン形成処理がなされると、基板は個々のＩＣへと切断され各ＩＣはボードにマウントされる。各ボードにはＩＣとの電気接続のための足が複数設けられており、これによりＩＣとの電気信号の送受信が可能となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来からボードにＩＣを接続するのにワイヤボンディングが用いられている。しかし、近年ではワイヤが接続される位置間の距離がかなり小さくなってきているために、ワイヤボンディングを用いることが難しくなっている。そこでワイヤでの接続に代えて、フリップチップ実装として知られる処理がボードへのＩＣの接続に多く使われるようになってきている。このフリップチップ実装のためのバンプ処理においては、はんだ又は他の金属（例えば金）等の少量の材料が基板上の各ＩＣに対して複数の特定位置に設けられる。この基板は反転され、金属材料の加熱溶融及び再冷却によりボードに接合される。フリップチップ実装のバンプ処理を用いるときに生じる問題点は、基板上のＩＣの位置を決定するのが、つまり基板上での少量材料の位置を正確に決めるのが困難あるいは時間を要するおそれがあるということである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うための方法であって、基板上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取ることと、受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うようフリップチップ実装用バンプ処理装置を使用すること、とを含むことを特徴とする方法が提供される。
【０００６】
本発明の更なる一態様によれば、基板上のデバイス数及び配置を含むフリップチップ実装バンプ用データファイルが提供される。
【０００７】
本発明の更なる一態様によれば、複数の基板を運ぶための基板キャリアであって、該複数の基板のデバイス数及び配置を含むデータを保持するデータキャリアを収容する区画または他の形状を含むことを特徴とする基板キャリアが提供される。
【０００８】
本発明の更なる一態様によれば、複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うためのフリップチップ実装用バンプ処理装置であって、基板上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取り、受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うよう構成されていることを特徴とするバンプ処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の更なる一態様によれば、複数のデバイスを有する基板におけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成の双方を行うためのフリップチップ実装用バンプ処理装置であって、該装置はイメージ検出器及びパターン認識ソフトウェアを備え、該装置は該イメージ検出器と基板とを互いにスキャンするよう構成されており、該パターン認識ソフトウェアは該イメージ検出器からの入力に基づいて基板上のデバイス配置を決定するよう構成されていることを特徴とするバンプ処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＰＢ（例えば紫外（ＵＶ）光または極紫外（ＥＵＶ）光）を調整するよう構成されている照明系（照明器）ＩＬと、
パターニング用デバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、要素ＰＬに対してパターニング用デバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め手段ＰＭに接続されている第１の支持構造部（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストでコーティングされた基板）Ｗを支持するよう構成され、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め手段ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと、
パターニング用デバイスＭＡによりビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに結像する投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＬと、を備える。
【００１１】
図示されるように本装置は透過型（例えば透過型マスクを用いる）である。また、反射型（例えば上述のプログラマブルミラーアレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。
【００１２】
照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、放射源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当なダイレクトミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源は露光装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００１３】
照明器ＩＬは放射ビームの角照度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器ＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも半径方向外周部及び／または内周部での量（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００１４】
調整済のビームＰＢは、支持構造部ＭＴに保持されているパターニング用デバイスＭＡに入射する。パターニング用デバイスＭＡを通過したビームＰＢは、更に投影系ＰＬを通過して基板Ｗの目標部分Ｃで合焦される。第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、例えばビームＰＢの経路に対して異なる目標部分Ｃが順次位置決めされる。同様に、（マスクテーブルＭＴを動作させる）第１の位置決め手段ＰＭ及び（図１に明示されていない）もう１つの位置センサは、例えばマスクライブラリからのマスクの機械的取付後または走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターニング用デバイスＭＡを正確に位置決めするのに用いられる。パターニング用デバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニング用デバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされる。
【００１５】
パターニング用デバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニング用デバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィーの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように独立に傾斜されるというものがある。このようにして反射ビームにパターンが付与される。
【００１６】
基板Ｗへのパターン投影に続いて基板は処理される。この処理は通常トラックという露光されたレジストを現像する装置で行われる。なおトラックは露光前に基板にレジストを塗布する機能も備えてもよい。現像されたレジストは、（例えば適宜の半導体又は金属でパターン中の溝部を埋める等により）所望の電気特性を現像済の層にもたらすように処理される。多数の層がこのように処理されて複数の集積回路（ＩＣ）が同時に形成される。ここで「基板」という用語は多数の層が処理済みである基板も含むものとする。
【００１７】
基板上にＩＣが形成されると、その基板はフリップチップ実装のためのバンプ処理装置に送られてボードへのＩＣの接着（及び電気的接続）がなされる。普通はこのバンプ処理装置はリソグラフィ装置とは異なる場所に設置されている。
【００１８】
図２は、通常のフリップチップ実装用のバンプ処理の概要を説明するためのフローチャートである。フリップチップ処理の最初のステップは、基板上でのＩＣの配置を決定することである。ＩＣ配置はオペレータにより顕微鏡を使用してマニュアル測定により決定され記録されてもよい。このＩＣ配置はＩＣへのバンプ形成を正確に行うためにバンプ処理装置に入力されてもよい。
【００１９】
ＩＣ配置が決定されると次に行われるステップは、ボンドパッド（ボードへのＩＣの接続用の金属領域）をＩＣに準備する処理である。この処理は、例えばボンドパッドをクリーニングする処理、絶縁性の酸化物を除去する処理、バンプとボードとの良好な機械的及び電気的接続を可能とする金属層でボンドパッドを形成する処理を含んでもよい。
【００２０】
そしてボンドパッドにバンプが形成される。バンプの形成・配置は、例えば直接形成、印刷、電気メッキ、蒸着、またはリソグラフィにより可能である。バンプがリソグラフィにより形成される場合には、バンプ処理装置として図１に模式的に示されるようなタイプの装置を用いてもよい。バンプ処理装置はパターニング用デバイス（例えばマスク）ＭＡを備える。パターニング用デバイスＭＡは所望のバンプに応じたパターンを有しており、基板上のレジスト厚層（つまり通常のリソグラフィで使用されるレジスト層よりも厚い）のバンプが形成されるべき位置にパターンが結像される。次いでレジストは、バンプが形成されるべき位置に溝部が形成されるよう現像処理される。そして、レジストの溝部にはんだ等の材料が電気メッキされる。その後レジストが除去され、基板の上面から上方にバンプが突出することになる。この現像及び電気メッキ処理はバンプ処理装置または別個の従来型装置により行われる。
【００２１】
一般にフリップチップ実装用のバンプ処理装置の解像度は、バンプ配置の必要精度が通常１ミクロン程度であることから、低くてもよい。これは、高解像度のリソグラフィ装置により実現される数十ナノメートル程度の精度に比べて極めて低い精度である。なお、この記述は特定解像度（あるいは解像度範囲）に限定することを意図したものではないものと理解されたい。
【００２２】
次の処理として、基板は個々のＩＣに切断される。この切断は、ＩＣ間に設けられスクライブラインとして知られている道筋に沿って行われる。
【００２３】
次にボードが所定ＩＣのバンプに接触される。ボード及びＩＣは、バンプが溶融してボードに接着され（かつ接着状態が継続され）るように加熱される。このようにしてＩＣ及びボード間に機械的及び電気的接続がもたらされる。この加熱は例えば炉を用いて行われる。この処理は、バンプを基板の下面に位置させ（かつボードをバンプの下側に位置させ）るように基板を反転させる処理を含んでもよい。
【００２４】
フリップチップ実装処理の最終ステップは、ＩＣ及びボード間の間隙（この間隙はバンプの高さにより規定されるものである）を接着剤または他の適切な材料によって埋めることである。この処理はアンダーフィルとして知られており、機械的強度の付与に加えて、湿気または周囲環境に起因する他の損傷要因からバンプを保護することができる。
【００２５】
本発明の一実施形態によれば、ＩＣ配置のマニュアルでの決定に代えて、基板の各層へのリソグラフィ投影中に使用されるデータがＩＣ配置の決定にも使用される。
【００２６】
一実施例においては、リソグラフィ装置を用いて基板に第１のＩＣ層を結像させるときには、そのＩＣ層に関するデータがリソグラフィ装置により使用される。このデータは電子的な形式を有しており、ＩＣの数及び各ＩＣの配置を含んでいる。このデータは、（基板上の位置を示すのに通常用いられる）Ｘ方向及びＹ方向に関してＩＣ間の間隔を示す格子を表現するものであるともいえる。このデータは、以前のリソグラフィ工程で基板に設けられている１つ以上のアライメントマークにより形成される格子位置を示していてもよい。ここでのアライメントマークは従来のアライメントマークでもよいし、スクライブラインアライメントマークでもよい。また、このデータは、基板に設けられているノッチに関して格子位置を示すものであってもよい。
【００２７】
データが保持され、かつすべてのＩＣ層へのリソグラフィ投影処理が完了すると（すなわちＩＣが形成されると）、基板とともにデータはバンプ処理装置２に送られる。
【００２８】
１つ以上のアライメントマークまたは１つの基板ノッチに関する格子位置を示すデータの代わりに、基板上の複数のＩＣにおける１つ以上の回路形状に関する格子位置を示すデータを用いてもよい。この場合、例えば最終層（あるいは最終層が形成された後であっても１つ前の層が見える場合にはその１つ前の層）が基板に投影される際にデータが生成され使用されてもよい。同様に、例えば最終層（あるいは最終層が形成された後であっても１つ前の層が見える場合にはその１つ前の層）が基板に投影される際に形成される１つ以上のアライメントマークに関する格子位置をこのデータが示してもよい。
【００２９】
このデータによりＩＣの数及び位置（さらにはＩＣの大きさも決定可能）を示す基板上の格子がバンプ処理装置にもたらされる。アライメントマーク、ノッチ、または基板上のＩＣ回路形状に関する格子配置もこのデータにより示される。バンプ処理装置はアライメントマーク、ノッチ、または基板上のＩＣ回路形状の位置を測定し、この格子を基板に適用する。このようにして、アライメントマーク、ノッチ、または基板上のＩＣ回路形状に関してＩＣ配置を決定することができる。これに続いてフリップチップ実装用のバンプ処理が行われる。バンプ処理は例えば、基板のレジスト層へのパターニング用デバイスＭＡからの（所望のバンプ位置を有する）パターンのリソグラフィ投影による。このデータは、パターニング用デバイスのパターンの基板への毎回の投影の際の基板位置決めのために使用される。つまりパターニング用デバイスにＩＣを位置合わせするのに使用される。各ＩＣでバンプが形成されるべき位置は、パターニング用デバイスに形成されているパターンにより決定される。このパターンはボンドパッドの位置に対応している。パターニング用デバイス上のパターンを決定するためにボンドパッドのレイアウトが使用される。
【００３０】
レジストが現像処理され、バンプが形成されるべき位置に溝部が形成される。次いで、はんだ等の材料がレジストの溝部に電気メッキされる。その後レジストが除去されて、基板の上面から上方にバンプが突出して形成される。
【００３１】
このバンプ処理はＩＣへのボンドパッドの準備を含んでもよい。この準備には、例えばボンドパッドのクリーニング、絶縁性の酸化物の除去、及びバンプとボードとの良好な機械的及び電気的接続のための金属層によるボンドパッドの形成を含んでもよい。これらは例えば上述の装置を用いるリソグラフィにより実現されてもよい。
【００３２】
バンプ処理装置に入力されるデータの重要性は、パターンが投影されるべき位置を示しているという点にある。位置決定にこのデータを使用することにより、視覚的に基板を検査するのに比べて高速かつ容易な処理が可能となる。
【００３３】
あるＩＣが設計上の位置（データに記録されている位置）から若干ずれた位置に形成される場合がある。ところが、このようなずれはバンプ位置の必要精度（通常１ミクロン程度）に比べて極めて小さく、このずれによってバンプが大きく位置ずれすることはない。よってＩＣとボードとの間の電気的接続がバンプにより引き続き確保される。
【００３４】
通常、基板は、同条件下でリソグラフィ処理が行われる例えば２５枚の基板からなるバッチのうちの１枚である。１つのバッチにおける各基板上には同じ位置にＩＣが形成されるものと考えられる。よって、特定の１枚の基板に関してＩＣの配置が決定されれば、同じバッチの他の基板のＩＣ配置も同様であるとみなすことができる。しかしながら、各基板がその基板自身のＩＣ配置データを有していてもよい。
【００３５】
リソグラフィ装置１からのデータ転送は例えば、ディスクまたは他のデータキャリアにデータを記憶した上で、そのデータが適用されるべきバッチに保持することにより行われる。図３及び図４に示されるようにデータキャリア２１は例えば、複数基板のバッチを運ぶのに用いられる基板キャリア２０の一部をなす専用保持区画または他の部位に保持される。１つのバッチへのバンプ処理が開始されるときにデータキャリアからデータが読み出されてバンプ処理装置２（あるいは関連する他の制御コンピュータ）へと転送される。
【００３６】
また、データにはバッチを識別する番号に関連するファイル番号が付与されてもよい。そして、バッチとは別々にデータがバンプ処理装置に受け渡されてもよい。この別々に行われる受け渡しは、図３に示されるように例えば電子メールまたは他の電子的リンク１０によって行われてもよい。受け渡されたデータは、そのデータが適用されるべきバッチをバンプ処理装置が受け取るまでバンプ処理装置に記憶されている。バッチの識別番号がオペレータによりバンプ処理装置（または関連する他の制御コンピュータ）に入力されてもよい。オペレータは、バッチを運ぶキャリア２０から識別番号を読み取ってもよいし、基板にラベルが付してあれば基板から読み取ってもよい。あるいは付随書類から読み取ってもよい。また、バッチ識別番号を読み取って入力するために自動読み取り機が用いられてもよい。
【００３７】
１つのバッチだけではなく、複数のバッチ用にデータを形成してもよい。例えば、バッチ間でＩＣ配置が大きく変化しない場合にそのようにしてもよい。複数のバッチには同一の識別番号を付与するか、あるいは連続の識別番号を付与してもよい。これらの番号を参照してＩＣ配置を決定するために用いられるべきデータが決定される。
【００３８】
データには、例えば基板のノッチに対するアライメントマーク（またはアライメントに用い得るＩＣ回路形状）の位置などの付加的情報が含まれていてもよい。この情報を用いてバンプ処理装置はアライメントマーク（またはアライメントに用い得るＩＣ回路形状）を検出し位置を測定することができる。このようにすれば、バンプ処理装置がアライメントマーク（またはアライメントに用い得るＩＣ回路形状）を検出するために基板表面の広い領域をスキャンする必要性を回避することができる。
【００３９】
データは、リソグラフィ装置（例えばアライメントシステム）により実行されるメトロロジ測定を通じて収集されてもよい。メトロロジ測定は、リソグラフィ装置のパフォーマンスをモニタするために用いられるメトロロジ装置３により実行されてもよい。
【００４０】
データは、基板になされた処理に関する情報や、リソグラフィ中に特定層に適用されたアライメント補正に関するデータを含んでもよい。
【００４１】
データは更なる情報を含んでもよい。例えば欠陥ＩＣの位置、欠陥基板の特定などの情報を含んでもよい。欠陥ＩＣの位置は、例えば個々の基板に関連づけて記録されてもよい。この情報は、バンプ処理装置が欠陥ＩＣへの処理をスキップしてバンプを形成しないようにするために用いられてもよい。
【００４２】
データは、基板の表面トポグラフィ（例えば各基板の高さマップ）に関する情報を含んでもよい。
【００４３】
特定の基板に関する情報が使用される場合には、バンプ処理装置が個々の基板を識別できるように個々の基板に識別番号を与えてもよい。また、１つのバッチにおいて各基板の順序が固定されている場合には、バンプ処理装置は１つのバッチにおいて処理された基板の枚数をカウントすることにより所定の基板を特定するようにしてもよい。
【００４４】
上述の説明においてはバンプ処理は、はんだを用いる処理を一例として述べている。「はんだ」という用語は適切な金属または合金を含むことを意図しており、６３Ｓｎ／３７Ｐｂ共晶はんだ、高鉛はんだ、９５Ｐｂ５Ｓｎ、スズ、ＳｎＣｕＡｇ、ＳｎＡｇ３．５、及びＳｎＣｕを含みこれらに限られない。他の適切な材料を使用することも可能であり、これらの材料は公知である。データは、１つのバッチにどの材料が使用されているのかを示す情報を含んでもよい。
【００４５】
上述の本発明の実施形態はバンプを配置するのにリソグラフィを用いているが、バンプを配置・形成するための他の技術を用いてもよい。例えば直接形成、印刷、電気メッキ、または蒸着等の他の技術が用いられる場合にも、同様にデータを使用可能である（すなわちＩＣ配置を決定してバンプを正確に配置させることができる）。
【００４６】
本発明の変形例として、バンプ処理装置はイメージ検出器４及びＩＣ位置決定のためのパターン認識ソフトウェアを備えてもよい。この場合、イメージ検出器は、（検出器及び基板の一方または双方の移動により）基板表面全体をスキャンする。各ＩＣは通常同じ外見を有しているため、ＩＣ配置（及びＩＣ数及び大きさ）の決定にパターン認識ソフトウェアを使用することができる。その後に上述同様バンプ材料が供給される。一実施例においては、イメージ検出器及びパターン認識ソフトウェアは例えば装置３のようにバンプ処理装置から分離されて設けられていてもよい。この場合、装置３はバンプ処理装置２と有線または無線で接続される。
【００４７】
上述の説明はＩＣのフリップチップ実装についてなされているが、本発明は光集積回路システムや磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのフリップチップ実装といった他の分野にも適用可能である。上述の説明ではＩＣを適用対象としているが、ＩＣであるか否かにかかわらず種々のデバイスに適用可能であるものと理解されたい。
【００４８】
上述のように本発明の具体的な実施形態が説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な１以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録された（半導体メモリや磁気・光ディスクなどの）データ記録媒体の形式をとってもよい。
【００４９】
本発明は上述の実施例以外の実施例で実施することも可能である。また、発明の詳細な説明は本発明を限定することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】リソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【図２】フリップチップ実装のバンプ処理のフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係るフリップチップ実装用バンプ処理装置を模式的に示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板キャリアを模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  リソグラフィ装置、  ２  バンプ処理装置、  ３  メトロロジ装置、  ４  イメージ検出器、  Ｃ  目標部分、  ＩＬ  照明光学系、  ＰＢ  放射ビーム、  ＰＤ  パターニング用デバイス、  ＰＬ  投影光学系、  ＳＯ  放射源、  Ｗ  基板、  ＷＴ  基板テーブル。
【図１】
2007305995.tif 000003
【図２】
2007305995.tif 000004
【図３】
2007305995.tif 000005
【図４】
2007305995.tif 000006
【外国語明細書】
2007305995.tif 000007
2007305995.tif 000008
2007305995.tif 000009
2007305995.tif 000010
2007305995.tif 000011
2007305995.tif 000012
2007305995.tif 000013
2007305995.tif 000014
2007305995.tif 000015
2007305995.tif 000016
2007305995.tif 000017
2007305995.tif 000018
2007305995.tif 000019
2007305995.tif 000020
2007305995.tif 000021
2007305995.tif 000022
2007305995.tif 000023
2007305995.tif 000024
2007305995.tif 000025