(57)【要約】【課題】スクライブライン領域に形成するプロセスモニタの規模を大規模化できるようにすると共に大規模化されたプロセスモニタを測定する際にも測定用治具に対する汎用性を維持できるようにする。【解決手段】リソグラフィ技術のステッパの１ショット領域１００の縦方向スクライブライン領域１１１Ｃと横方向スクライブライン領域１１２Ｃとにプロセスモニタ群１５９が形成され、プロセスモニタ群１５９を測定するためにプロセスモニタ群と電気的に接続された電極パッド群１６９は縦方向スクライブライン領域１１１Ｃにのみ形成されており、プロセスモニタ群１５９の一部と電極パッド群１６９の一部とは、交差領域１１３に形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に行方向及び列方向に互いに交差して延びる複数のスクライブライン領域を有する半導体基板と、
前記複数のスクライブライン領域のうちの少なくとも行方向のスクライブライン領域に形成され、それぞれ製造プロセスをモニタする素子である複数の第１のプロセスモニタと、
前記複数のスクライブライン領域のうちの列方向のスクライブライン領域に形成され、前記複数の第１のプロセスモニタとそれぞれ電気的に接続された複数の第１の電極パッドとを備え、
前記複数の第１のプロセスモニタが形成された領域の一部と、前記複数の第１の電極パッドが形成された領域の一部とは、前記スクライブライン領域が交差する一の交差領域に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の第１の電極パッドの中間位置は、前記複数の第１のプロセスモニタと前記複数の第１の電極パッドとが位置する前記交差領域に含まれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のスクライブライン領域のうち列方向のスクライブライン領域に形成され、それぞれ前記製造プロセスをモニタする素子である複数の第２のプロセスモニタと、
前記複数のスクライブライン領域のうちの列方向のスクライブライン領域に形成され、前記複数の第２のプロセスモニタとそれぞれ電気的に接続された複数の第２の電極パッドとをさらに備え、
前記複数の第１の電極パッドのピッチ配置と、前記複数の第２の電極パッドのピッチ配置とは互いに同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、特に、スクライブライン領域に形成されるプロセスモニタを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の製造プロセス管理のために、半導体基本素子の電気的特性である素子を測定し評価するプロセスモニタを半導体集積回路と同一の半導体基板上に形成している。
【０００３】
ここで、プロセスモニタとは、半導体集積回路を構成するＭＯＳ（metal-oxide-semiconductor）トランジスタ、抵抗素子又はコンタクトプラグ等の素子若しくは部材をいう。
【０００４】
特に、半導体集積回路の生産数（取れ数）への影響が少ないようにするため、半導体集積回路を個々に切断するために設けられたスクライブライン領域にプロセスモニタを形成することが多い。しかし、スクライブライン領域には半導体製造リソグラフィ技術のステッパ用アライメントパターン等が配置されているため、プロセスモニタはスクライブライン領域のステッパ用アライメントパターン等が配置されていない空き領域に配置しなければならない（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００５】
一方、半導体素子の微細化が進み、半導体素子の特性ばらつきが半導体集積回路の歩留りに大きな影響を及ぼすようになってきている。特性ばらつきを把握するためには多数の素子特性を測定する必要があり、プロセスモニタの規模は素子が微細化するにもかかわらず、大きくなる傾向にある。
【０００６】
通常、スクライブライン領域に形成されるプロセスモニタは、測定時間の短縮及び測定用治具であるプローブカードの共通化等の観点から、複数の電極パッドを配置する際にピッチ配置が同一である複数の電極パッドを１ユニットとして構成され、該１ユニットを構成する電極パッド群により種々のプロセスモニタが測定される。また、種々のプロセスモニタを評価するために、１チップ上には複数のユニットが形成されている。
【０００７】
図３はスクライブライン領域にプロセスモニタを形成した従来の半導体装置の平面構成であって、半導体集積回路を製造するためのリソグラフィ技術のステッパの１ショット領域の一例を示している。リソグラフィ技術のステッパの１ショット領域３００には、複数の（本従来例では９個の）半導体集積回路３１０が形成され、個々の半導体集積回路３１０に切断するための縦方向スクライブライン領域３１１Ａ、３１１Ｂ、３１１Ｃ及び３１１Ｄ並びに横方向スクライブライン領域３１２Ａ、３１２Ｂ、３１２Ｃ及び３１２Ｄがそれぞれ設けられている。
【０００８】
縦方向スクライブライン領域３１１Ｂには、半導体プロセスの様々なプロセスモニタ３２１〜３２７を１ユニットとするプロセスモニタ群３２９と、プロセスモニタ３２１〜３２７の特性を測定するための電極パッド３３１〜３３８を１ユニットとする電極パッド群３３９とが形成されている。
【０００９】
また、プロセスモニタ群３２９が形成されたスクライブライン領域と同一方向である縦方向スクライブライン領域３１１Ｃには、プロセスモニタ３５１〜３５６を１ユニットとするプロセスモニタ群３５９とプロセスモニタ３５１〜３５６を測定するための電極バッド群３６９とが形成されており、電極パッド群３６９及び電極パッド群３３９を構成する電極パッドのピッチ配置は、互いに同一である。
【特許文献１】特開２００２−３１９６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述した従来の構成、すなわち、電極パッド群と同一方向のスクライブライン領域にのみプロセスモニタを形成する構成によりプロセスモニタを大規模化するには、以下に示す３つの方法が考えられる。
【００１１】
１）電極パッド同士の間に規模が大きいプロセスモニタを形成する方法
２）電極パッド群の端部の外側に規模が大きいプロセスモニタを形成する方法
３）プロセスモニタ群及び電極パッド群の１ユニットに含まれる素子数を減らしスクライブライン領域の空き領域にプロセスモニタ群と電極パッド群とを形成する方法
しかしながら、前記の３つの方法にはそれぞれ以下に示すような問題がある。
【００１２】
１）プロセスモニタは、プロセスモニタの違いによる素子特性の差を排除したいがためと、半導体集積回路が異なる度に該半導体集積回路のサイズに最適なプロセスモニタを再設計するのに要する工数及び評価プログラム環境の構築に要する工数を削除したいがためとの理由により、半導体集積回路の構成が異なっても同じプロセスなら同じ構造を有するプロセスモニタを形成したいと考えられている。従って、各プロセスモニタの特性を測定するための電極パッド同士の間に大規模なプロセスモニタを形成する方法では、電極パッド群自体の大きさも大きくなる。
【００１３】
電極パッド群が大きくなるとサイズが異なる半導体集積回路に複数個の電極パッド群を形成することが困難になると共に該電極パッド群の汎用性がなくなる。このように電極パッド同士の間に大規模なプロセスモニタを形成するということは、チップサイズが大きい半導体集積回路、すなわちスクライブライン領域が小さい半導体集積回路への形成が不可能になる。
【００１４】
２）電極パッド群の端部の外側に大規模なプロセスモニタを形成する方法は、電極パッドで埋められているスクライブライン領域に電極パッドが配置されている方向と同一の方向に大規模なプロセスモニタを形成することは困難である。また、電極パッド群の端部の外側に大規模なプロセスモニタを形成し、該大規模なプロセスモニタから複数の電極パッドへの接続が必要な場合において、電極パッドとの接続配線が長くなる。このため、長配線による抵抗が影響するプロセスモニタには適用できない。さらには、長配線による抵抗が影響しないようにプロセスモニタのレイアウトを工夫しなければならないこと等の煩雑な制約事項が加わる。
【００１５】
３）プロセスモニタ群を構成するプロセスモニタの個数及びそのプロセスモニタ群を測定するための電極パッド群を構成する電極パッドの個数を少なくして、スクライブライン領域の空き領域にプロセスモニタ群と電極パッド群とを形成する方法は、複数のプロセスモニタ群を測定する必要があるために各プロセスモニタ群の測定時間に加えて測定対象へのプローブ針の移動時間を要するため、測定時間が長時間化する。
【００１６】
本発明は、前記従来の問題に鑑み、スクライブライン領域に形成するプロセスモニタの規模を大規模化できるようにすると共に、大規模化されたプロセスモニタを測定する際にも測定用治具に対する汎用性を維持できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、該半導体装置に互いに交差して設けられるスクライブライン領域のうち一方向の領域にプロセスモニタ群を形成し、且つ、他方向の領域に電極パッド群を形成すると共に、プロセスモニタ群及び電極パッド群のそれぞれの一部がスクライブラインの一の交差領域に位置する構成とする。
【００１８】
具体的に、本発明に係る半導体装置は、主面上に行方向及び列方向に互いに交差して延びる複数のスクライブライン領域を有する半導体基板と、複数のスクライブライン領域のうちの少なくとも行方向のスクライブライン領域に形成され、それぞれ製造プロセスをモニタする素子である複数の第１のプロセスモニタと、複数のスクライブライン領域のうちの列方向のスクライブライン領域に形成され、複数の第１のプロセスモニタとそれぞれ電気的に接続された複数の第１の電極パッドとを備え、複数の第１のプロセスモニタが形成された領域の一部と、複数の第１の電極パッドが形成された領域の一部とは、スクライブライン領域が交差する一の交差領域に位置していることを特徴とする。
【００１９】
本発明の半導体装置によると、半導体基板の主面上に行方向及び列方向に互いに交差して延びる複数のスクライブライン領域において、複数の第１のプロセスモニタは少なくとも行方向に形成され、且つ、複数の第１の電極パッドは列方向に形成されている。このため、複数の電極パッドのレイアウトに依存することなく、また、複数の第１の電極パッドが形成されていない比較的に空き領域が大きい行方向のスクライブライン領域に複数の第１のプロセスモニタを形成しているので、大規模なプロセスモニタを形成することができる。
【００２０】
本発明の半導体装置において、複数の第１の電極パッドの中間位置は、複数の第１のプロセスモニタと複数の第１の電極パッドとが位置する交差領域に含まれることが好ましい。
【００２１】
この構成とすることにより、第１のプロセスモニタと第１の電極パッドとを接続する配線の配線長が長くなることを防げるため、長配線抵抗による第１のプロセスモニタへの影響を低減することができる。また、特に複数の第１のプロセスモニタと複数の第１の電極パッドとが交差するように形成されている場合は、接続の自由度が増え、第１のプロセスモニタと第１の電極パッドとを接続する配線の長配線化を容易に避けることができる。
【００２２】
本発明の半導体装置において、複数のスクライブライン領域のうち列方向のスクライブライン領域に形成され、それぞれ製造プロセスをモニタする素子である複数の第２のプロセスモニタと、複数のスクライブライン領域のうち列方向のスクライブライン領域に形成され、複数の第２のプロセスモニタとそれぞれ電気的に接続された複数の第２の電極パッドとをさらに備え、複数の第１の電極パッドのピッチ配置と、複数の第２の電極パッドのピッチ配置とは互いに同一であることが好ましい。
【００２３】
このように、複数の第１の電極パッド及び複数の第２の電極パッドは、共に列方向のスクライブライン領域に形成され且つピッチ配置が同一であるため、共通のプローブカードにより第１及び第２のプロセスモニタ素子特性の測定を行うことができるので、測定時間を短縮することができる。また、本発明の半導体装置以外の他の半導体装置とも共通のプローブカードによる測定が可能となるため、半導体装置毎にプローブカードを準備する必要がなくなるので、安価な測定が可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る半導体装置によると、半導体基板のスクライブライン領域に大規模なプロセスモニタを形成できると共に、該大規模なプロセスモニタの測定の汎用性を維持することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体基板のスクライブライン領域に形成された複数のプロセスモニタを含む半導体装置と半導体集積回路とを製造する際のリソグラフィ技術のステッパの１ショット領域の平面構成の一例を示している。
【００２７】
図１に示すように、半導体基板１０におけるリソグラフィ技術のステッパの１ショット領域１００には、複数の（本実施形態では９個）半導体集積回路１１０が形成され、個々の半導体集積回路１１０に切断するための縦方向スクライブライン領域１１１Ａ，１１１Ｂ、１１１Ｃ及び１１１Ｄ並びに横方向スクライブライン領域１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ及び１１２Ｄが設けられている。縦方向スクライブライン領域１１１Ｂに形成されたプロセスモニタ１２１〜１２７を１ユニットとするプロセスモニタ群１２９と、プロセスモニタ群１２９を測定するための電極パッド１３１〜１３８を１ユニットとする電極パッド群１３９（基本電極パッド）とは、互いに配線により接続されている。
【００２８】
縦方向スクライブライン領域１１１Ｃに形成されたプロセスモニタ１５１〜１５６並びに横方向スクライブライン領域１１２Ｃに形成されたプロセスモニタ１５７及び１５８を１ユニットとするプロセスモニタ群１５９と、縦方向スクライブライン領域１１１Ｃに形成された電極パッド１６１〜１６８を１ユニットとする電極パッド群１６９とは、互いに配線により接続されている。電極パッド群１３９と電極パッド群１６９とはピッチ配置が互いに同一の電極パッド群である。
【００２９】
ここで、半導体プロセスの種々の素子特性を評価するためのプロセスモニタを測定する電極パッド群として基本電極パッドを形成する理由を以下に述べる。
【００３０】
１チップ内に形成した複数のプロセスモニタを測定する場合は、各プロセスモニタを測定するための電極パッドの配置及びピッチが各プロセスモニタ又は複数のプロセスモニタで構成されるプロセスモニタ群毎に異なっていると、電極パッドと接続するためのプローブカードを複数種類準備する必要がある。また、測定するプロセスモニタに合ったプローブカードを測定の都度付け替える作業が必要となるため、測定工数が増大して現実的ではない。
【００３１】
さらに、電極パッドが群を構成していないと、単体のプロセスモニタを測定することになるため、実際にプロセスモニタを測定する時間に加え、プローブカードがプロセスモニタ同士の間を移動する（実際にはプローブカードは固定されており、プロセスモニタを有する半導体基板が移動する）ために要する時間が加わることになり、測定時間が長くなってしまう。
【００３２】
従って、複数の電極パッドを１つの群としてまとめ、まとめられた電極パッド群を基本電極パッドとして、１チップ内に形成した複数のプロセスモニタを測定する方法が、測定に関しては容易であり、測定時間の長期化を防ぐことができる。
【００３３】
これらのことにより、本実施形態においては、プロセスモニタ群１２９を測定するための電極パッド群１３９と、プロセスモニタ群１５９を測定するための電極パッド群１６９とは、ピッチ配置が互いに同一の電極パッド群である。
【００３４】
プロセスモニタ群１５９は縦方向スクライブライン領域１１１Ｃに形成されたプロセスモニタ１５１〜１５６並びに横方向スクライブライン領域１１２Ｃに形成されたプロセスモニタ１５７及び１５８により構成されている。プロセスモニタ１５７及び１５８が形成されている領域は、縦方向スクライブライン領域１１１Ｃと横方向スクライブライン領域１１２Ｃとが交差する交差領域１１３を含め横方向スクライブライン領域１１２Ｃにも形成されている。
【００３５】
このように、プロセスモニタ１５７及び１５８は横方向スクライブライン領域１１２Ｃに形成され、各プロセスモニタ１５７及び１５８を測定する電極パッド群１６９は縦方向スクライブライン領域１１１Ｃにのみ形成されている。また、電極パッド群１６９は同一チップ内に形成される他の電極パッド群１３９とピッチ配置が同一であり、且つ、同一方向のスクライブライン領域に形成されている。
【００３６】
このような構成とすることにより、電極パッドのレイアウトに依存せず、且つ、電極パッド群が形成されていないため、比較的に空き領域が大きい横方向スクライブライン領域にプロセスモニタを形成することができるため、大規模なプロセスモニタを容易に且つ確実に形成することができる。
【００３７】
また、電極パッド群１３９と電極パッド群１６９とは同一のピッチ配置を有し、且つ、同一方向のスクライブライン領域に形成されているため、それぞれの電極パッド群を測定するための余計な測定工数や特別なプローブカードを用意する必要がなくなるので時間を短縮することができる。
【００３８】
なお、本実施形態においては縦方向スクライブライン領域にプロセスモニタと電極パッドとを配置すると共に、横方向スクライブライン領域にプロセスモニタを配置する構成を示したが、逆に、横方向スクライブライン領域にプロセスモニタと電極パッドとを配置し、縦方向スクライブライン領域にプロセスモニタのみを配置する構成でもよい。
【００３９】
また、本実施形態においては、プロセスモニタは縦方向スクライブライン領域及び横方向スクライブライン領域の交差領域を中心に対称的に配置する例を示したが、これに限られず、少なくともスクライブライン領域の交差領域を含み縦方向及び横方向の各スクライブライン領域にプロセスモニタを配置していれば、縦方向又は横方向に対称的な配置でなくてもよい。
【００４０】
さらに、電極パッドを形成する方向と異なる他の方向のスクライブライン領域の１行にのみプロセスモニタを形成する例を示したが、他の方向のスクライブライン領域の複数行にプロセスモニタを形成してもよい。
【００４１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４２】
図２は本発明の第２の実施形態に係る半導体基板のスクライブライン領域に形成された複数のプロセスモニタを含む半導体装置と半導体集積回路とを製造する際のリソグラフィ技術のステッパの１ショット領域の平面構成の一例を示している。
【００４３】
図２に示すように、リソグラフィ技術のステッパの１ショット領域２００には、複数の（本実施形態では９個）半導体集積回路２１０が形成され、個々の半導体集積回路２１０に切断するための縦方向スクライブライン領域２１１Ａ、２１１Ｂ、２１１Ｃ及び２１１Ｄ並びに横方向スクライブライン領域２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ及び２１２Ｄが設けられている。
【００４４】
半導体プロセスの様々な素子特性を評価するために、プロセスモニタ２２１及び２２２が横方向スクライブライン領域２１２Ｂに形成され、プロセスモニタ２２１及び２２２を測定するための電極パッド群２３９は縦方向スクライブライン領域２１１Ｂに形成され、プロセスモニタ２２１及び２２２と電極パッド群２３９とは互いに配線２４１〜２４６により接続されて半導体素子２８５を形成している。また、プロセスモニタ２５１及び２５２が横方向スクライブライン領域２１２Ｃに形成され、プロセスモニタ２５１及び２５２を測定するための電極パッド群２６９は縦方向スクライブライン領域２１１Ｃに形成され、プロセスモニタ２５１及び２５２と電極パッド群２６９とは互いに配線２７２〜２７７により接続されて半導体素子２９５を形成している。電極パッド群２３９と電極パッド群２６９とはピッチ配置が互いに同一であるため、電極パッド群２３９及び電極パッド群２６９の縦方向スクライブライン領域に延びる距離Ｌは同一である。
【００４５】
半導体素子２８５は、プロセスモニタ２２１及び２２２とプロセスモニタ２２１及び２２２を測定するための電極パッド群２３９とを備え、該電極パッド群２３９は他のプロセスモニタを測定するための電極パッド群とピッチ配置が同一で且つ同一方向スクライブライン領域に形成されている。縦方向スクライブライン領域２１１Ｂに形成された電極パッド群２３９の縦方向の中間地点２８６には、横方向スクライブライン領域が存在しないため、プロセスモニタ２２１及び２２２が存在しない構成である。
【００４６】
一方、半導体素子２９５はプロセスモニタ２５１及び２５２とプロセスモニタ２５１及び２５２を測定するための電極パッド群２６９とを備え、該電極パッド群２６９は他のプロセスモニタを測定するための電極パッドとピッチ配置が同一で且つ同一方向スクライブライン領域に形成されている。縦方向スクライブライン領域２１１Ｃに形成された電極パッド群２６９の縦方向の中間地点２９６に、横方向スクライブライン領域２１２Ｃがあるため、プロセスモニタ２５１及び２５２も電極パッド群２６９の縦方向の中間地点２９６に形成されている構成である。
【００４７】
以上のように、半導体素子２８５は、プロセスモニタ２２１及び２２２の配置位置が電極パッド群２３９の縦方向の中間地点でないため、プロセスモニタ２２１及び２２２と電極パッド群２３９との配線２４１〜２４６において特に配線２４５、２４６が長くならざるを得ないが、半導体素子２９５は、プロセスモニタ２５１及び２５２が横方向スクライブライン領域２１２Ｃで、且つ、電極パッド群２６９の縦方向の中間地点２９６に形成されているために、プロセスモニタと電極パッドとを接続するための配線２７２〜２７７の配線長が長くなることを防げる。さらに、半導体素子２９５はプロセスモニタ２５１及び２５２が電極パッド群２６９の中間地点２９６に形成されているために各電極パッドへの接続の自由度が増えると共に、電極パッドへの接続する配線の長配線化を容易に避けることができるため長配線抵抗がプロセスモニタの特性に与える影響を低減することができる。
【００４８】
なお、本実施形態においては横方向スクライブライン領域にプロセスモニタを配置すると共に縦方向スクライブライン領域に電極パッドを配置する構成を示したが、逆に、縦方向スクライブライン領域にプロセスモニタを配置すると共に横方向スクライブライン領域に電極パッドを配置する構成でもよい。
【００４９】
また、本実施形態においては、プロセスモニタは縦方向スクライブライン及び横方向スクライブライン領域の交差領域を中心に対称的に配置する例を示したが、これに限られず、少なくともスクライブライン領域の交差領域を含むどちらかのスクライブライン領域にプロセスモニタを配置していれば、縦方向又は横方向に対称的な配置でなくてもよい。
【００５０】
さらに、本実施形態においては、１つの電極パッド群に対して１行のスクライブライン領域にのみ形成されたプロセスモニタを配置する例を示したが、少なくとも１つのプロセスモニタが電極パッド群の中間地点を含み電極パッド群とは別方向（本実施例では横方向）に延伸するスクライブライン上に形成していれば、複数行のスクライブライン領域にプロセスモニタを配置して、１つの電極パッド群に配線により接続してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板のスクライブライン領域に大規模なプロセスモニタを形成できると共に、該大規模なプロセスモニタの測定の汎用性が維持され、スクライブライン領域に形成されるプロセスモニタを有する半導体装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図３】従来の半導体装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０    半導体基板
１００  １ショット領域
１１０  半導体集積回路
１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃ、１１１Ｄ  縦方向スクライブライン領域
１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ  横方向スクライブライン領域
１１３  交差領域
１２１〜１２７  プロセスモニタ
１２９  プロセスモニタ群
１３１〜１３８  電極パッド
１３９  電極パッド群
１５１〜１５８  プロセスモニタ
１５９  プロセスモニタ群
１６１〜１６８  電極パッド
１６９  電極パッド群
２００  １ショット領域
２１０  半導体集積回路
２１１Ａ、２１１Ｂ、２１１Ｃ、２１１Ｄ  縦方向スクライブライン領域
２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、２１２Ｄ  横方向スクライブライン領域
２２１、２２２  プロセスモニタ
２３９  電極パッド群
２４１〜２４６  配線
２５１、２５２  プロセスモニタ
２６９  電極パッド群
２７２〜２７７  配線
２８５  半導体素子
２８６  中間地点
２９５  半導体素子
２９６  中間地点
３００  １ショット領域
３１０  半導体集積回路
３１１Ａ、３１１Ｂ、３１１Ｃ、３１１Ｄ  縦方向スクライブライン領域
３１２Ａ、３１２Ｂ、３１２Ｃ、３１２Ｄ  横方向スクライブライン領域
３２１〜３２７  プロセスモニタ
３２９  プロセスモニタ群
３３１〜３３８  電極パッド
３３９  電極パッド群
３５１〜３５６  プロセスモニタ
３５９  プロセスモニタ群
３６９  電極パッド群
【図１】
2007173350.tif 000003
【図２】
2007173350.tif 000004
【図３】
2007173350.tif 000005