(57)【要約】【課題】液晶表示装置において、レーザー照射により保護ダイオードを配線から切断する際に、配線の破片が液晶層中へ拡散するのを防止することを目的とする。【解決手段】保護ダイオード４に接続された共通配線３の切断部６をシール材８に対応するように配置することで、アレイ基板１の下部から照射されたレーザーによって切断された共通配線３の破片に対して、シール材８が障壁になるようにしている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有する表示領域、当該表示領域の周囲に配線された共通配線、当該共通配線に接続された保護ダイオードを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置され、前記画素電極に対応して配置された対向電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板及び前記対向基板の間に保持される液晶層と、
前記アレイ基板及び前記対向基板を一定の間隙を置いて接着させるシール材とを有し、
前記保護ダイオードを前記共通配線から切断するための当該共通配線の一部領域が、前記シール材に対応する部分に配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記共通配線の一部領域は、５μｍ以上１０μｍ以下の幅であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、アレイ基板上の配線を保護するための保護ダイオードを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の製造過程において、基板内部に異物などが混入した場合には、異物に帯電した電荷が放電する静電気放電（以下ＥＳＤと称する）により、例えば、アレイ基板上の配線に短絡欠陥が生じ、このため、製造の歩留まりが低下してしまうという問題がある。
【０００３】
このような問題を解決するために、一般に、液晶表示装置は、アレイ基板上に保護ダイオードを備える。保護ダイオードは、例えば、ＥＳＤにより損傷を受けた配線が短絡し、配線に異常な電圧が発生した場合に、電圧値に応じた方向に電流を流すことで、電位を正常値に戻し配線を保護する。そして、基板の組み立て時において、レーザー照射により、保護ダイオードを配線から切り離す（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１５９８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レーザー照射により切断された配線の破片は液晶層中へ拡散し、さらには液晶層を越えて、対向基板上の対向電極まで到達する場合がある。このため、対向基板上の対向電極に破片が付着し配線の短絡などが生じ、表示画素の不良の原因になってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、液晶表示装置において、レーザー照射により保護ダイオードを配線から切断する際に、配線の破片が液晶層中へ拡散するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素電極を有する表示領域、表示領域の周囲に配線された共通配線、共通配線に接続された保護ダイオードを有するアレイ基板と、アレイ基板に対向配置され、画素電極に対応して配置された対向電極を有する対向基板と、アレイ基板及び対向基板の間に保持される液晶層と、アレイ基板及び対向基板を一定の間隙を置いて接着させるシール材とを有し、保護ダイオードを共通配線から切断するための共通配線の一部領域が、シール材に対応する部分に配置されることを特徴とする。
【０００７】
本発明にあっては、保護ダイオードに接続された共通配線の一部領域をシール材に対応する部分に配置することで、レーザー照射によって保護ダイオードを共通配線から切断する際に、切断された共通配線の破片に対してシール材が障壁となるようにしている。
【０００８】
上記共通配線の一部領域は、５μｍ以上１０μｍ以下の幅であることを特徴とする。
【０００９】
本発明にあっては、シール材に対応する部分に配置された共通配線の一部領域の幅を上記の範囲としたことで、レーザーをより効率的に共通配線に照射することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の液晶表示装置によれば、レーザー照射により、保護ダイオードを配線から切断する際に、配線の破片が液晶層中へ拡散するのを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態に係る液晶表示装置におけるアレイ基板１上の概略的な構成を示す平面図である。同図に示すように、アレイ基板１は、表示領域２、共通配線３、保護ダイオード４を有する。
【００１３】
表示領域２は、互いに交差して配線された複数の信号線及び複数の走査線の交差部に配置された複数の画素電極を有する。ここで表示領域２の周囲には、各画素電極が有する補助容量に接続された補助容量線５が配線されている。
【００１４】
共通配線３は、表示領域２の周囲に配線され、画素電極に対応して対向基板７上に配置された対向電極に接続される。一方で、共通配線３は、ＯＬＢにより図示しないアレイテスタに接続され、アレイテスタにより電位を測定することができる。
【００１５】
ここで例えば、対向電極の電位と補助容量線５の電位とは同電位で駆動するため、共通配線３及び補助容量線５は互いに接続点を有する。
【００１６】
保護ダイオード４は、共通配線３に接続され、共通配線３を保護する。ここでは対向電極の電位と補助容量線５の電位とは同電位で駆動するため補助容量線５にも接続されている。
【００１７】
次に、保護ダイオード４の動作について、図２を用いて簡単に説明する。図２は、保護ダイオード４の概略的な構成を示す回路図である。同図に示すように、保護ダイオード４は、例えば一対のダイオードＤ１、ダイオードＤ２で構成される。共通配線３の正常な電圧値をＶＮとすると、Ｄ１のカソード側に接続されたアレイ基板１上の配線４１には正常な電圧値ＶＮよりも高い電圧値ＶＨが印加され、Ｄ２のアノード側に接続されたアレイ基板１上の配線４２には正常な電圧値ＶＮよりも低い電圧値ＶＬが印加される。このとき、実際の共通配線３の電位が正常な場合には、２つのダイオードＤ１，Ｄ２は共にオフ状態となり電流は流れない。
【００１８】
ここで、ＥＳＤにより損傷を受けた共通配線３に異常な電圧が発生した場合について説明する。共通配線３の電位が、正常な電圧値ＶＮよりも高くなり電圧値ＶＨを上回ると、Ｄ１がオン状態となり共通配線３と配線４１との間に電流が流れる。この電流は共通配線３の電位が徐々に戻り、配線４１の電位よりも低くなるまで流れ続ける。一方で、共通配線３の電位が、正常な電圧値ＶＮよりも低くなり電圧値ＶＬを下回ると、Ｄ２がオン状態となり共通配線３と配線４２との間に電流が流れる。この電流は共通配線３の電位が徐々に戻り、配線４２の電位よりも高くなるまで流れ続ける。
【００１９】
このように、保護ダイオード４は、共通配線３に発生した異常な電圧を配線４１、４２を通じて外部に逃がす若しくは内部に取り込むことで、共通配線３をＥＳＤによる破壊から保護する。共通配線３に接続されている補助容量線５に対しても同様である。
【００２０】
そして、アレイ基板上の回路で消費される余分な電力を軽減させるために、液晶表示装置の完成時において、レーザー照射により保護ダイオード４を共通配線３から切断する。
【００２１】
次に、本発明の特徴である共通配線から保護ダイオードを切り離す切断部の構成について、図３の平面図と図４の断面図を用いて説明する。図３は、図１の保護ダイオード４に接続された共通配線３の一部領域である切断部６周辺の拡大図である。同図に示すように、切断部６において、保護ダイオード４に接続される共通配線３は、アレイ基板１と対向基板７を接着させるために塗布されるシール材８まで延出され、シール材８に対応する部分に配置されている。
【００２２】
図４は、図３の共通配線の切断部における破線部Ａ−Ｂの断面図である。同図に示すように、アレイ基板１と対向基板７は対向配置されている。アレイ基板１と対向基板７との間には液晶層９が保持され、両基板を一定の間隙を置いて接着させるようにシール材８が塗布される。
【００２３】
共通配線３は、アレイ基板１上に形成されたゲート絶縁膜１０上に形成され、さらに層間絶縁膜１１、保護絶縁膜１２、有機絶縁膜１３が形成される。このとき、共通配線３を、シール材８の下部に位置するように形成する。ここで共通配線３には、表示領域内に形成される画素電極若しくは薄膜トランジスタなどと同層の金属膜が使用される。
【００２４】
このように、保護ダイオード４に接続された共通配線３の切断部６をシール材８に対応するように配置することで、アレイ基板１の下部から照射されたレーザーによって切断された共通配線３の破片に対して、シール材８が障壁となるようにしている。
【００２５】
さらに、本発明の共通配線の一部領域である切断部は次に示す特徴を有する。図５は、図３の共通配線３の切断部６を拡大した平面拡大図である。同図に示すように、共通配線３の切断部６は、幅が８μｍのレーザー照射部１４を有する。これにより、レーザーをより効率的に共通配線３の切断部６に照射することができる。
【００２６】
ここで、レーザー照射部１４の幅が１０μｍ以上の場合は、レーザーを幾度となく照射する必要が生じ、その際には共通配線３の破片が多く発生してしまう。一方で５μｍ以下の場合は、レーザーの照射精度等の問題があるため非効率であることから、レーザー照射部１４の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが望ましい。
【００２７】
したがって、本実施の形態によれば、保護ダイオード４に接続された共通配線３の切断部６をシール材８に対応するように配置することで、アレイ基板１の下部から照射されたレーザーによって切断された共通配線３の破片に対して、シール材８が障壁となるようにしている。よって、レーザー照射により、保護ダイオード４を共通配線３から切断する際に、共通配線３の破片が液晶層９中へ拡散するのを防止することが可能となる。
【００２８】
また、本実施の形態によれば、シール材８の下に配置された共通配線３の一部領域である切断部６が有するレーザー照射部１４の幅を、５μｍ以上１０μｍ以下の範囲とすることで、レーザーをより効率的に共通配線に照射することができる。
【００２９】
尚、本実施の形態においては、保護ダイオードを、共通配線および補助容量線に接続し、共通配線に接続された対向電極の電位と補助容量線の電位とを同電位で駆動する構成としたが、これだけに限られるものでなく、例えば、図６に示すように、アレイ基板１上の保護ダイオード４を共通配線３に接続し、共通配線３に接続された対向電極の電位と補助容量線の電位とを異なる電位で駆動する構成にしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施の形態に係る液晶表示装置におけるアレイ基板上の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図１の保護ダイオードの概略的な構成を示す回路図である。
【図３】図１の保護ダイオードに接続された共通配線の一部領域である切断部周辺の拡大図である。
【図４】図３の共通配線の切断部における破線部Ａ−Ｂの断面図である。
【図５】図３の共通配線の切断部を拡大した平面拡大図である。
【図６】アレイ基板上の保護ダイオードと共通配線との第２の接続例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１…アレイ基板
２…表示領域
３…共通配線
４…保護ダイオード
５…補助容量線
６…切断部
７…対向基板
８…シール材
９…液晶層
１０…ゲート絶縁膜
１１…層間絶縁膜
１２…保護絶縁膜
１３…有機絶縁膜
１４…レーザー照射部
４１…ダイオードＤ１のカソード側に接続されたアレイ基板上の配線
４２…ダイオードＤ２のアノード側に接続されたアレイ基板上の配線
Ｄ１、Ｄ２…ダイオード
ＶＮ…共通配線の正常な電圧値
ＶＨ…ダイオードＤ１のカソード側の配線に印加する電圧値
ＶＬ…ダイオードＤ２のアノード側の配線に印加する電圧値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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