(57)【要約】【課題】Ｑ値の高い、高性能な圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】圧電薄膜共振子１００は、基板１と、前記基板１の上方に形成された共振部１０であって、下部電極層１２と、圧電体層１４と、上部電極層１６とを有し、前記下部電極層１２と前記上部電極層１６とによって前記圧電体層１４に電界を与えることにより、前記圧電体層１４の厚み方向に音響振動が生成される共振部１０と、を含む。平面視において、前記圧電体層１４は、前記下部電極層１２の領域内に含まれる。【選択図】図１
2007288504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成された共振部であって、下部電極層と、圧電体層と、上部電極層とを有し、前記下部電極層と前記上部電極層とによって前記圧電体層に電界を与えることにより、前記圧電体層の厚み方向に音響振動が生成される共振部と、
を含み、
平面視において、前記圧電体層は、前記下部電極層の領域内に含まれる、圧電薄膜共振子。
【請求項２】
請求項１において、
前記圧電体層と前記上部電極層とは同一の工程でパターニングされ、前記圧電体層の上面と前記上部電極層の下面とは同一の形状を有する、圧電薄膜共振子。
【請求項３】
請求項１または２において、
少なくとも前記圧電体層および前記上部電極層を覆うパッシベーション層を有する、圧電薄膜共振子。
【請求項４】
請求項３において、
前記パッシベーション層における、前記上部電極層の上に位置する部分に開口部を有し、該開口部を経由して前記上部電極層と接続された配線層を有する、圧電薄膜共振子。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
平面視において、前記圧電体層と前記上部電極層とが重なった部分は、前記基板に形成された開口部からなる自由振動領域内に含まれる、圧電薄膜共振子。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記基板の上方に形成された音響多層膜を有し、
前記共振部は、前記音響多層膜の上方に形成され、かつ、平面視において、前記圧電体層と前記上部電極層とが重なった部分は、前記音響多層膜の領域内に含まれる、圧電薄膜共振子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛あるいはチタン酸ジルコン酸鉛固溶体からなる、圧電薄膜共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電体膜の厚み縦振動を利用した圧電薄膜共振子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話機などの通信機器では高周波化や小型化が進展しつつあり、このために、ＲＦ回路部の高性能化や小型化が要求されるようになってきている。この中で、通信機器の送受信部に用いられる高周波フィルタ等の高周波素子として、従来のＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子と同等の性能を実現することが可能で、しかも、ＳＡＷ素子よりも高周波化および小型化の容易なＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）素子が注目されている。このＢＡＷ素子は、圧電体層を電極で挟んだ積層構造を有し、圧電体層に厚み方向の音響波を生じさせるものであり、高周波化が容易、耐電圧性が良好、小型化が容易などの利点を備えている（例えば、以下の特許文献１および２参照）。
【０００３】
上記のＢＡＷ素子としては、シリコン基板等からなる基板上に上記の積層構造を形成し、その後、積層構造の下の基板部分をエッチングなどによって除去することによって共振部の縦振動を可能にした、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型の素子構造を備えたもの（特許文献１の図１および図３）と、音響インピーダンスの異なる層を交互に繰り返し積層してなる音響反射多層膜を上記の積層構造と基板との間に配置した、ＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型の素子構造を備えたもの（特許文献１の図２）と、が知られている。
【０００４】
ところで、このような薄膜圧電共振子においては、圧電体層の材質によっては、良好な結晶成長が行われないことがある。その場合、圧電体層のモフォロジーやリーク電流などに起因して十分なＱ値を得られないことがある。
【特許文献１】特開２００１−１５６５８２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、Ｑ値が大きく高性能な圧電薄膜共振子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる圧電薄膜共振子は、
基板と、
前記基板の上方に形成された共振部であって、下部電極層と、圧電体層と、上部電極層とを有し、前記下部電極層と前記上部電極層とによって前記圧電体層に電界を与えることにより、前記圧電体層の厚み方向に音響振動が生成される共振部と、
を含み、
平面視において、前記圧電体層が、前記下部電極層の領域内に含まれる。
【０００７】
この圧電薄膜共振子によれば、圧電体層が下部電極層を用いて良好な結晶成長を行うことができるため、圧電体層のモフォロジーやリーク電流が低減され、Ｑ値の高い高性能な圧電薄膜共振子を得ることができる。
【０００８】
本発明において、特定のＡ部材の上方に形成された特定のＢ部材というとき、Ａ部材の上に直接Ｂ部材が形成された場合と、Ａ部材の上に他の部材を介してＢ部材が形成された場合とを含む意味である。
【０００９】
本発明において、「平面視において」とは、基板に垂直な方向から見るという意味である。
【００１０】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記圧電体層と前記上部電極層とは同一の工程でパターニングされ、前記圧電体層の上面と前記上部電極層の下面とは同一の形状を有することができる。
【００１１】
本発明の圧電薄膜共振子において、少なくとも前記圧電体層および前記上部電極層を覆うパッシベーション層を有することができる。
【００１２】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記パッシベーション層における、前記上部電極層の上に位置する部分に開口部を有し、該開口部を経由して前記上部電極層と接続された配線層を有することができる。
【００１３】
本発明の圧電薄膜共振子において、平面視において、前記圧電体層と前記上部電極層とが重なった部分は、前記基板に形成された開口部からなる自由振動領域内に含まれることができる。
【００１４】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記基板の上方に形成された音響多層膜を有し、前記共振部は、前記音響多層膜の上方に形成され、かつ、平面視において、前記圧電体層と前記上部電極層とが重なった部分は、前記音響多層膜の領域内に含まれることができる。
【００１５】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛あるいはチタン酸ジルコン酸鉛固溶体からなることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
１．第１実施形態
図１は、本実施形態の圧電薄膜共振子１００の構造を模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示す圧電薄膜共振子１００の構造を模式的に示す平面図である。
【００１８】
圧電薄膜共振子１００は、図１および図２に示すように、基板１上に、下地層２が形成されている。さらに、下地層２上に、共振部１０が形成されている。
【００１９】
基板１には、キャビティと呼ばれる開口部１ａが形成されている。開口部１ａは、基板１の裏面からのエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）によって形成される。この開口部１ａは、後述する下地層２をエッチングストップ層として用いて形成することができる。開口部１ａを設けることで、後述する共振部１０に対する機械的拘束力が低減され、共振部１０が自由に振動できるように構成される。図示例は、ＦＢＡＲ型の素子構造を示している。
【００２０】
基板１は、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、セラミックス基板等の各種の基板を用いることができる。特に、シリコン基板等の半導体基板を用いることによって、基板１内に各種の半導体回路を作り込むことができるため、圧電体薄膜共振子と回路とを一体化することができる。この中でも、シリコン基板を用いることが一般的な半導体製造技術を利用できる点で有利である。
【００２１】
基板１上には、下地層２が形成されている。下地層２は、酸化シリコン層（ＳｉＯ２）、窒化シリコン層（Ｓｉ３Ｎ４）等の絶縁膜であり、２層以上の複合層で構成されていてもよい。下地層２は熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などで形成することができる。
【００２２】
図３に示すように、共振部１０は、下部電極層１２、圧電体層１４、上部電極層１６が順次に積層されて構成される。下部電極層１２は、圧電体層１４および上部電極層１６より広い領域に亘って形成されている。そして、平面視において、圧電体層１４は、下部電極層１２の領域内に含まれる。すなわち、圧電体層１４は、その下面全体が下部電極層１２と接触する状態で形成されている。このような積層構造を有することにより、圧電体層１４の材質として例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ；Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）あるいはニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ；Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３）を用いた場合、下部電極層１２を選択することで該下部電極層１２上に結晶性やモフォロジーの優れた圧電体層１４を形成することができる。その結果、高いＱ値を有し、長期信頼性に優れた圧電薄膜共振子を得ることができる。
【００２３】
ＰＺＴやＰＺＴＮなどのペロブスカイト型酸化物は、結晶化する際に下地層となる下部電極層の影響を受けるため、下部電極層があるところと下部電極層がないところは結晶化条件が異なる。そのため、下部電極層のない領域では、圧電体層のモフォロジーの劣化、圧電体層の組成変化によるリーク電流の増大などに起因して、Ｑ値が減少する問題を生じやすいが、本実施形態ではかかる問題を回避できる。
【００２４】
圧電体層１４および上部電極層１６は適宜の平面形状となるようにパターニングされる。工程数を少なくするために、圧電体層１４と上部電極層１６とは同一の工程でパターニングされることが望ましい。この場合、圧電体層１４の上面と上部電極層１６の下面とは同一の形状を有する。例えば、図３に示すように、下地層２上に、第１電極層１２のための第１導電層、圧電体層１４のための圧電体層および第２電極層１６のための第２導電層を順次成膜した後、第２導電層と圧電体層とをエッチングによってパターニングすることにより、平面視において、圧電体層１４と第２電極層１６とが第１電極層１２の領域内に含まれるように形成される。本実施形態においては、下部電極層１２の領域上で圧電体層１４が形成されるため、圧電体層１２の面内均一性に優れ、上述したように優れた結晶性を有する。ただし、下部電極層１２については、パターニングされる圧電体層１２の領域より大きければ、あらかじめパターニングされていても構わない。
【００２５】
圧電体層１４および上部電極層１６のパターニングは、通常のフォトリソグラフィ法によって行うことができる。エッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やイオンミリングなどのドライエッチング法を用いることができる。
【００２６】
本実施形態では、少なくとも圧電体層１４および上部電極層１６を覆うパッシベーション層２０を有する。図示の例では、パッシベーション層２０は、下部電極層１２，圧電体層１４および上部電極層１６の全体を覆う状態で形成されている。そして、パッシベーション層２０には、下部電極層１２上に電極取出し用の第1開口部２２が形成され、上部電極層１６上に電極取出し用の第２開口部２４が形成されている。この開口部２４を経由して上部電極層１６と接続された配線層３０が形成されている。配線層３０は、任意の配線材料をもちいることができ、例えば金、アルミニウムを用いることができる。
【００２７】
パッシベーション層２０は、酸化シリコン層（ＳｉＯ２）、窒化シリコン層（Ｓｉ３Ｎ４）等の絶縁膜であり、２層以上の複合層で構成されていてもよい。パッシベーション層２０は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などで形成することができる。パッシベーション層２０を形成することにより、圧電薄膜共振子１００の長期信頼性を高めることができる。
【００２８】
本実施形態では、平面視において、圧電体層１４と上部電極層１６とが重なった部分は、基板１に形成された開口部１ａからなる自由振動領域内に含まれることができる。このように圧電体層１４と上部電極層１６とが配置されることにより、基板１などの拘束部分を振動させることがなく、振動エネルギーの損失が少ない高効率の圧電薄膜共振子１００を得ることができる。
【００２９】
下部電極層１２は、任意の電極材料を用いることができる。例えば、圧電体層１４がＰＺあるいはＰＺＴＮで構成される場合には、下部電極層１２に白金を用いることが好ましい。下部電極層１２は、基板１（下地層２）上に蒸着法、スパッタリング法等を用いて形成できる。下部電極層１２は、上述した条件を満たせば、必要に応じて適宜の平面形状となるようにパターニングされる。下地電極層１１の厚さはλ／４程度、或いはそれ以下であることが好ましい。実際には充分に低い電気抵抗値が得られるのであれば、音響振動に影響を与えないようにするために、λ／４の十分の一以下であることが望ましい。下部電極層１２の厚さは１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００３０】
圧電体層１４は、任意の圧電材料を用いることができ、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛などを例示できる。圧電体層１４の膜厚ｈは、共振波長をλとした場合、０．９×λ／２以上、１．１×λ／２以下であることが好ましく、特に圧電体層１４の膜厚ｈはλ／２であることが望ましい。これは、圧電体層１４内に積層方向の音響波を閉じ込めたときの波長λでの共振条件を成立させるためである。共振周波数を高くすることにこだわらないのであれば、上記λ／２の代わりにその自然数倍の値を用いることができる。圧電体層１４の厚さは、１００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることができる。
【００３１】
本実施形態の場合には、下部電極層１２と上部電極層１６の間には圧電体層１４のみが存在するが、両電極間に上記の圧電体層１４以外の層を形成しても構わない。この場合、共振条件に応じて圧電体層１４の膜厚を適宜に変更すればよい。
【００３２】
圧電体層１４は、蒸着法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、ＣＶＤ法などの種々の方法で形成することができる。例えば、レーザーアブレーション法を用いてＰＺＴＮからなる圧電体層１４を形成する場合には、レーザー光をチタン酸ジルコン酸鉛用ターゲット、例えば、Ｐｂ１．０５Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８ＮｂＯ３のターゲットに照射し、このターゲットから鉛原子、ジルコニウム原子、チタン原子、および酸素原子をアブレーションによって放出させ、レーザーエネルギーによってプルームを発生させ、このプルームを基板１に向けて照射する。このようにすると、下部電極層１２上にチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜が形成される。
【００３３】
上部電極層１６は、任意の電極材料を用いることができ、Ｐｔなどを例示できる。上部電極層１６は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって形成することができる。上部電極層１６の厚さは、λ／４程度、あるいはそれ以下であることが好ましい。実際には充分に低い電気抵抗値が得られるのであれば、音響振動に影響を与えないようにするために、λ／４の十分の一以下であることが望ましい。下部電極層１２の厚さは、１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００３４】
本実施形態の圧電薄膜共振子１００にいては、下部電極層１２と上部電極層１６とによって圧電体層１４に電界を与えることにより、圧電体層１４の厚み方向に音響振動が生成される。
【００３５】
以下に、共振部１０の構成例について述べる。
【００３６】
（Ａ）第１の構成例においては、下部電極層１２の厚みが０．０５μｍ、圧電体層１２の厚みが２．０μｍ、上部電極層１３の厚みが０．０５μｍとする。縦波速度が２０００ｍ／ｓのとき、共振周波数は１ＧＨｚとなる。このとき、インピーダンスの周波数依存から求めたＱ値は５００となり、下部電極層１２を先にパターニングした場合に得られるＱ値１００に比べて増大している。
【００３７】
（Ｂ）第２の構成例においては、下部電極層１２の厚みが０．０５μｍ、圧電体層１４の厚みが２．０μｍ、上部電極層１６の厚みが０．０５μｍとする。縦波速度が２０００ｍ／ｓのとき、共振周波数は１ＧＨｚとなる。このとき、インピーダンスの周波数依存から求めたＱ値は５００となるが、１ヶ月後、１年後のＱ値は、パシベーション層２０がない場合と比較して、大きな値となる。従って、パシベーション層２０を形成することによって長期信頼性に優れた圧電薄膜共振子を得ることが可能となる。
【００３８】
本実施形態によれば、以下のような特徴を有する。すなわち、平面視において、圧電体層１４は、下部電極層１２の領域内に含まれる。すなわち、圧電体層１４は、その下面全体が下部電極層１２と接触する状態で形成されている。このような積層構造を有することにより、圧電体層１４の材質として例えばＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）あるいはＰＺＴＮ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３）を用いた場合、下部電極層１２を選択することで該下部電極層１２上に結晶性やモフォロジーの優れた圧電体層１４を形成することができる。その結果、高いＱ値を有し、長期信頼性に優れた圧電薄膜共振子１００を得ることができる。
【００３９】
また、本実施形態では、下部電極層１２、圧電体層１４および上部電極層１６を覆うパッシベーション層２０を形成することにより、大気中の水蒸気などの影響を回避でき、圧電薄膜共振子１００の長期信頼性を高めることができる。
【００４０】
２．第２実施形態
図４は、本実施形態の圧電薄膜共振子２００の構造を模式的に示す断面図である。図１および図２に示す、第１実施形態の圧電薄膜共振子１００と実質的に同じ部材には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第２実施形態の圧電薄膜共振子２００は、第１実施形態の圧電薄膜共振子１００と、自由振動領域を構成する開口部の構造が異なる。
【００４１】
圧電薄膜共振子２００は、図４に示すように、基板１上に、下地層２が形成されている。さらに、下地層２上に、共振部１０が形成されている。図示はしないが、本実施形態でも、第１実施形態と同様に、パッシベーション層および配線層を有することができる。
【００４２】
基板１には、エアギャップといわれる開口部１ｂが形成されている。開口部１ｂは、第１実施形態の開口部１ａと異なり、基板１の途中まで掘られている。このような開口部１ｂは、基板１の表面から基板１の途中までエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）することによって形成される。開口部１ａを設けることで、共振部１０に対する機械的拘束力が低減され、共振部１０が自由に振動できるように構成される。図示例は、ＦＢＡＲ型の素子構造を示している。基板１としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。
【００４３】
エアギャップ構造の開口部１ｂは、公知の方法で形成することができる。例えば、開口部１ｂは、図５（Ａ）ないし（Ｃ）に示す方法で形成することができる。
【００４４】
まず、図５（Ａ）で示すように、基板１に凹部１ｃを形成する。凹部１ｃは、公知のフォトリソグラフィーおよびエッチングによって形成することができる。
【００４５】
次いで、図５（Ｂ）で示すように、凹部１ｃの表面に沿ってエッチングストッパ層１ｄを形成する。エッチングストッパ層１ｄは、基板１とエッチングにおいて選択比の異なる材料を用いて形成される。例えば、基板１がシリコン基板の場合、エッチングストッパ層１ｄとしては酸化シリコン層を用いることができる。さらに、エッチングストッパ層１ｄの内部に犠牲層１ｅを形成する。犠牲層１ｅとしては、基板１およびエッチングストッパ層１ｄとエッチングにおいて選択比の異なる材料を用いて形成される。基板１がシリコン基板で、エッチングストッパ層１ｄが酸化シリコン層の場合、犠牲層１ｅとして、例えばポリシリコンを用いることができる。
【００４６】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、基板１、エッチングストッパ層１ｄおよび犠牲層１ｄ上に、下地層２を形成する。下地層２としては、第１実施形態で述べたと同様のものを用いることができる。さらに、下地層２上に、第１実施形態で述べたように、下部電極層１２，圧電体層１４および上部電極層１６を形成する。その後、下地層２にエッチング液を供給するための開口部２ａを形成する。そして、この開口部２ａを介して犠牲層１ｅをエッチングするためのエッチャント（エッチング液やエッチングガス）を供給することによって、犠牲層１ｅをエッチングする。以上の工程によって、図４に示す開口部１ｂを形成することができる。
【００４７】
本実施形態においても、第１実施形態と同様な共振部１０を有する。そして、本実施形態においても、平面視において、圧電体層１４と上部電極層１６とが重なった部分は、基板１に形成された開口部１ａからなる自由振動領域内に収まるように配置されている。
【００４８】
本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、高いＱ値を有し、長期信頼性に優れた圧電薄膜共振子１００を得ることができる。
【００４９】
３．第３実施形態
図６は、本実施形態の圧電薄膜共振子３００の構造を模式的に示す断面図である。図１および図２に示す、第１実施形態の圧電薄膜共振子１００と実質的に同じ部材には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第３実施形態の圧電薄膜共振子３００は、第１実施形態の圧電薄膜共振子１００と自由振動領域を構成する領域の構造が異なり、ＳＭＲ型素子である。
【００５０】
圧電薄膜共振子３００は、図６に示すように、基板１上に、音響多層膜３が形成されている。さらに、音響多層膜３上に、共振部１０が形成されている。基板１としては、第１実施形態で述べたものと同様のものを用いることができる。本実施形態でも、第１実施形態と同様に、図示しないパッシベーション層および配線層を有することができる。
【００５１】
音響多層膜３は、音響インピーダンスの異なる層を繰り返し積層して構成される。具体的には、音響インピーダンスの低い層と音響インピーダンスの高い層が交互に積層されている。音響インピーダンスが低い層としては、例えば酸化シリコン層を、音響インピーダンスが高い層としては、例えばタングステン層や窒化アルミニウム層を用いることができる。
【００５２】
音響多層膜３は、第１実施形態および第２実施形態の開口部１ａ、１ｂと同様の機能を有し、弾性波を反射することができる。音響多層膜３は、公知の方法で形成することができる。例えば、基板１上に、上述した音響インピーダンスの高い層と、音響インピーダンスの低い層とを公知の成膜方法、例えばスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法で交互に成膜することで形成できる。
【００５３】
本実施形態においても、第１実施形態と同様な共振部１０を有する。そして、本実施形態においても、平面視において、圧電体層１４と上部電極層１６とが重なる部分は、基板１に形成された音響多層膜３からなる自由振動領域内に収まるように配置されている。
【００５４】
本実施形態によれば、第１実施形態、第２実施形態と同様に、高いＱ値を有し、長期信頼性に優れた圧電薄膜共振子１００を得ることができる。
【００５５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態の圧電薄膜共振子の構造を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態の圧電薄膜共振子の構造を模式的に示す平面図。
【図３】第１実施形態の圧電薄膜共振子の共振部を模式的に示す断面図。
【図４】第２実施形態の圧電薄膜共振子の構造を模式的に示す断面図。
【図５】（Ａ）ないし（Ｃ）は、第２実施形態の圧電薄膜共振子の製造方法を模式的に示す図。
【図６】第３実施形態の圧電薄膜共振子の構造を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…基板、１ａ…開口部、１ｂ…開口部、２…下地層、３…音響多層膜、１０…共振部、１２…下部電極層、１４…圧電体層、１６…上部電極層、２０…パッシベーション層、２２，２４…開口部、３０…配線層、１００，２００，３００…圧電薄膜共振子
【図１】
2007288504.tif 000003
【図２】
2007288504.tif 000004
【図３】
2007288504.tif 000005
【図４】
2007288504.tif 000006
【図５】
2007288504.tif 000007
【図６】
2007288504.tif 000008