(57)【要約】【課題】キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を備え、特性に優れた電子デバイスおよび信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子１が備える本発明の電子デバイス用基板は、有機半導体材料を主材料として構成された発光層（有機半導体層）５と、少なくとも表面付近が無機酸化物（ただし、シリコン酸化物を除く）を主材料として構成された陽極（電極）７と、発光層５と陽極７との間に設けられ、キャリアを輸送する機能を有する有機物を主材料として構成される中間層４とを有しており、陽極７と中間層４との界面付近において、前記無機酸化物と前記有機物とが化学結合しており、かつ、この化学結合は、実質的にシリコン原子を含まないことを特徴とする。【選択図】図１
2007207961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料を主材料として構成された有機半導体層と、
少なくとも表面付近が無機酸化物（ただし、シリコン酸化物を除く）を主材料として構成された電極と、
前記有機半導体層と前記電極との間に設けられ、キャリアを輸送する機能を有する有機物を主材料として構成される中間層とを有し、
前記電極と前記中間層との界面付近において、前記無機酸化物と前記有機物とが化学結合しており、かつ、該化学結合は、実質的にシリコン原子を含まないことを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項２】
前記有機物は、キャリアを輸送する機能を有するキャリア輸送部と、該キャリア輸送部と前記電極とを結合する結合部とを有する化合物である請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項３】
前記結合部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、３〜１０である請求項２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記結合部は、その末端に水酸基を含むものである請求項２または３に記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
前記化学結合は、エーテル結合である請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項６】
前記中間層と前記有機半導体層とが接触し、
前記キャリア輸送部は、前記有機半導体材料と親和性の高い構造を含むものである請求項１ないし５のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項７】
前記キャリア輸送部は、アリールアミン骨格を含むものである請求項６に記載の電子デバイス用基板。
【請求項８】
前記有機物は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物を主成分とする請求項７に記載の電子デバイス用基板。
【化１】
2007207961.tif 000022
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基または下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４のうちの少なくとも１つは、下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、その他のものは、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。また、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
2007207961.tif 000023
［式中、ｎは、１〜８の整数を表す。］
【請求項９】
置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４は、いずれも上記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表す請求項８に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１０】
基Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含み、炭素原子と水素原子とで構成されている請求項８または９に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１１】
基Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む請求項８または９に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１２】
前記中間層は、その平均厚さが１〜５０ｎｍである請求項１ないし１１のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項１３】
前記電極には、その表面積が増大する処理が施されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
当該電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１４に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体層と電極とを備え、これらのものがお互いに接触するように設けられた電子デバイス用基板を備える電子デバイスとして、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）等がある。
この有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００４】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機半導体材料で構成される有機半導体層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
【０００５】
そこで、発光層と有機半導体層（以下、これらを併せて「有機半導体層」ということもある。）とを、陽極と陰極との間に積層した構成の有機ＥＬ素子において、高い発光効率を得るために、有機半導体材料の分子構造や分子の集合状態、さらには、有機半導体層の積層する数や位置等について検討が行われている。
しかしながら、このような構成の有機ＥＬ素子においても、発光効率等の特性の向上が期待するほど得られていないのが実情であった（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
そして、このことは、有機半導体材料と電極の構成材料（無機材料）との相互作用よりも有機半導体材料同士間の相互作用が大きく、有機半導体材料と無機材料とが反発するため、有機半導体層と電極との密着性が十分に得られず、これらの層同士間でキャリアの受け渡しが円滑に行われていないことに起因していることが判ってきた。
このような問題を解決する方法として、キャリア輸送能を有するキャリア輸送部を備えるシランカップリング剤を電極に化学結合させることにより、このシランカップリング剤を含む有機半導体層と電極との密着性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、このような方法を用いた場合においても、シランカップリング剤に含まれるシリコン原子によりキャリア（正孔または電子）が捕捉されることに起因して、電極から有機半導体層へのキャリアの注入が円滑に行われず、有機ＥＬ素子の特性の向上は十分に得られていない。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−２５５７７４号公報
【特許文献２】特開２００４−３０７８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を備え、特性に優れた電子デバイスおよび信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板は、有機半導体材料を主材料として構成された有機半導体層と、
少なくとも表面付近が無機酸化物（ただし、シリコン酸化物を除く）を主材料として構成された電極と、
前記有機半導体層と前記電極との間に設けられ、キャリアを輸送する機能を有する有機物を主材料として構成される中間層とを有し、
前記電極と前記中間層との界面付近において、前記無機酸化物と前記有機物とが化学結合しており、かつ、該化学結合は、実質的にシリコン原子を含まないことを特徴とする。
これにより、電極から中間層へのキャリアの注入が円滑に行われ、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板とすることができる。
【００１０】
本発明の電子デバイス用基板では、前記有機物は、キャリアを輸送する機能を有するキャリア輸送部と、該キャリア輸送部と前記電極とを結合する結合部とを有する化合物であることが好ましい。
本発明の電子デバイス用基板では、前記結合部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、３〜１０であることが好ましい。
この直鎖状に連結するものの個数をかかる範囲内に設定することにより、無機酸化物からキャリア輸送部へのキャリアの受け渡しが円滑に行え得るように結合部の長さが設定され、無機酸化物からキャリア輸送部へのキャリアの受け渡しをより円滑に行うことができる。
【００１１】
本発明の電子デバイス用基板では、前記結合部は、その末端に水酸基を含むものであることが好ましい。
これにより、結合部の末端に含まれる水酸基と電極の表面から露出する水酸基との間で脱水反応を進行させて、無機酸化物と有機物とをエーテル結合により結合させることができる。
【００１２】
本発明の電子デバイス用基板では、前記化学結合は、エーテル結合であることが好ましい。
エーテル結合は、実質的にシリコン原子を含むことなく、水酸基同士間で比較的容易に形成される化学結合である。そのため、有機物と無機酸化物との結合率を向上させることができる。これにより、化学結合（エーテル結合）を介した電極から中間層へのキャリアの注入をより円滑に行うことができる。
さらに、水酸基同士間の脱水反応で副生成物として生成される水は、加熱により比較的容易に除去し得るものであることから、副生成物が中間層中に残存するのを確実に防止することができる。
【００１３】
本発明の電子デバイス用基板では、前記中間層と前記有機半導体層とが接触し、
前記キャリア輸送部は、前記有機半導体材料と親和性の高い構造を含むものであることが好ましい。
これにより、中間層と有機半導体層との界面における密着性が向上することとなり、中間層から有機半導体層へのキャリアの注入効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明の電子デバイス用基板では、前記キャリア輸送部は、アリールアミン骨格を含むものであることが好ましい。
ここで、有機半導体材料としては、π電子共役系の構造を有する化合物が好適に用いられ、アリールアミン骨格は、この化合物に対して優れた親和性を有することから、アリールアミン骨格を有するキャリア輸送部は、有機半導体材料に対して優れた親和性を示すこととなる。また、アリールアミン骨格は、特に優れたキャリア輸送能を発揮するものである。これらのことから、キャリア輸送部として、アリールアミン骨格を含むものが特に好適に用いられる。
【００１５】
本発明の電子デバイス用基板では、前記有機物は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物を主成分とすることが好ましい。
【化１】
2007207961.tif 000003
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基または下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４のうちの少なくとも１つは、下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、その他のものは、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。また、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
2007207961.tif 000004
［式中、ｎは、１〜８の整数を表す。］
これにより、電極から中間層へのキャリアの注入が円滑に行われ、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板とすることができる。
【００１６】
本発明の電子デバイス用基板では、置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４は、いずれも上記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表すことが好ましい。
これにより、上記一般式（Ｂ１）で表される置換基以外の部分で構成される主骨格を、電極の表面に沿うように結合させることができる。その結果、この主骨格が電極上に重なるようにして積層することにより中間層が形成されることから、中間層中のキャリアの受け渡しをより円滑に行うことができる。
【００１７】
本発明の電子デバイス用基板では、基Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含み、炭素原子と水素原子とで構成されていることが好ましい。
これにより、前記一般式（Ａ１）で表される化合物を、正孔輸送能を発揮するものとすることができる。
本発明の電子デバイス用基板では、基Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
これにより、前記一般式（Ａ１）で表される化合物におけるキャリア輸送能の特性をより容易に調整することができる。
【００１８】
本発明の電子デバイス用基板では、前記中間層は、その平均厚さが１〜５０ｎｍであることが好ましい。
中間層をかかる範囲内に設定することにより、中間層を介した電極から有機半導体層へのキャリアの受け渡しを確実に行うことができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記電極には、その表面積が増大する処理が施されていることが好ましい。
これにより、電極の表面積が増大することとなり、電極から露出する水酸基の数量が多くなる。そのため、無機酸化物に結合する有機物の数量をも増加させることができる。その結果、電極と中間層との密着性がより向上して、電極から中間層へのキャリアの注入がより円滑に行われることとなる。
【００１９】
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする。
これにより、特性に優れた電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスでは、当該電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、発光効率等の特性に優れた有機ＥＬ素子が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
まず、本発明の電子デバイスを、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合を一例として説明する。
【００２１】
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、陽極７と、陰極３と、陽極７と陰極３との間に、陽極７側から順次積層された中間層４と、発光層５とからなる積層体９を備えるものである。そして、有機ＥＬ素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材８で封止されている。
なお、本実施形態では、この有機ＥＬ素子１において、陽極（電極）７と中間層４と発光層（有機半導体層）５とにより本発明の電子デバイス用基板が構成される。
【００２２】
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものである。有機ＥＬ素子１が基板２と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）である場合、基板２および陽極７には、それぞれ、透明性は、特に要求されない。また、有機ＥＬ素子１が基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）である場合、基板２および陽極７には、それぞれ、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）性を有するものが用いられる。
【００２３】
基板２としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等で構成される透明基板や、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、不透明な樹脂材料で構成された基板のような不透明基板を用いることができる。
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２４】
陽極７は、後述する中間層４に正孔を注入する電極である。
この陽極（電極）７は、主として導電性に優れた材料により構成され、本発明では、その少なくとも表面付近が、後述する中間層４に含まれるキャリアを輸送する機能を有する有機物（以下、単に「有機物」ということもある。）と化学結合により結合する無機酸化物を主材料として構成される。
これらの有機物と無機酸化物との間で形成される化学結合については、後に詳述する。
【００２５】
このような無機酸化物としては、有機物との間で化学結合を形成することができ、かつ、陽極７から中間層４への正孔の注入を円滑に行え得るものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｖ２Ｏ５およびＹ２Ｏ３等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、この無機酸化物としては、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物を除くものとする。これは、後に説明する無機酸化物と有機物との間で形成される化学結合にシリコン原子が含まれると、陽極（電極）７から中間層４へのキャリアの注入効率が向上しないのと同様の理由によるものである。
【００２６】
陽極７の少なくとも表面付近を上述したような無機酸化物を主材料として構成することにより、陽極７は、その表面から水酸基を露出したものとなる。これにより、後に詳述する有機物を、この水酸基を介して陽極７に比較的容易に化学結合により結合させることができる。
このような陽極７の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極７の厚さが薄すぎると、陽極７としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極７が厚すぎると、発光層５において電子と正孔とを効率よく再結合させることができず、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
【００２７】
また、陽極７の表面抵抗は、低い程好ましく、具体的には、１００Ω／□以下であるのが好ましく、５０Ω／□以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限定されないが、通常０．１Ω／□程度であるのが好ましい。
【００２８】
一方、陰極３は、後述する発光層５に電子を注入する電極である。この陰極３の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極３の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
特に、陰極３の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ、ＬｉＦ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極３の構成材料として用いることにより、陰極３の後述する発光層５への電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極３の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極３の厚さが薄すぎると比抵抗が高くなって電圧降下を生じたり、酸化反応により電気導電特性が不安定となり、陰極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがある。一方、陰極３が厚過ぎると、真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて陰極３を形成する際に、膜中の温度が著しく上昇したり、残留応力が増加して、下層として設けられている発光層５を破壊したり、陰極３や発光層５がはがれてしまい、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
【００３０】
また、陰極３の表面抵抗も低い程好ましく、具体的には、５０Ω／□以下であるのが好ましく、２０Ω／□以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限定されないが、通常０．１Ω／□程度であるのが好ましい。
さて、本実施形態では、陽極７と陰極３との間には、中間層４と発光層（有機半導体層）５とがこの順で陽極７側から積層された積層体９が陽極７と陰極３とに接触するように形成されている。
【００３１】
そして、陽極７と陰極３との間に通電（電圧を印加）すると、後述する中間層４中を正孔が、また、発光層５中を電子が移動し、主に発光層５の中間層４側の界面付近において正孔と電子とでエキシトン（励起子）が生成する。このエキシトンは、一定時間で再結合するがその際に、前記エキシトン生成で蓄積された励起エネルギー分を主として蛍光やりん光等の光として放出する。これがエレクトロルミネセンス発光である。
【００３２】
この発光層５の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極７側から正孔を、また、陰極３側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるπ電子共役系の構造を有する化合物が好適に用いられる。
このような発光材料（有機半導体材料）には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３３】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００３４】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【００３５】
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層５が得られるため、発光層５の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層５の形成を容易に行うことができる。
発光層５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層５の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層５の発光効率をより向上させることができる。
【００３６】
また、中間層４は、陽極７から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
ここで、本発明の電子デバイス（本発明の電子デバイス用基板を備える電子デバイス）では、この中間層４がキャリアを輸送する機能を有する有機物を主材料として構成され、陽極（電極）７と中間層４との界面付近において、陽極７を構成する無機酸化物と前記有機物とが化学結合を形成しており、かつ、この化学結合は、実質的にシリコン原子を含まないことに特徴を有する。
【００３７】
無機酸化物と有機物とが化学結合により結合する構成、すなわち、陽極７と中間層４とが、その界面付近において化学結合により連結される構成とすることにより、陽極７と中間層４との界面付近における密着性を向上させることができる。
さらに、無機酸化物と有機物との間で形成される化学結合に、シリコン原子が含まれると、このシリコン原子にキャリア（本実施形態では正孔）が捕捉されるのに起因して、この化学結合を介した陽極７から中間層４へのキャリアの注入効率を十分に向上させることができないが、本発明の電子デバイスでは、この化学結合に、実質的にシリコン原子が含まれないことから、陽極７から中間層４への正孔の注入を円滑に行うことができる。
【００３８】
また、有機物は、キャリア（本実施形態では正孔）を輸送する機能を有することから、中間層４中での正孔の輸送も、円滑に行うことができる。
これらのことから、中間層４は、優れたキャリア（正孔）輸送能を発揮するものとなる。すなわち、電子デバイス用基板は、優れたキャリア輸送能を発揮するものとなる。
このような有機物は、キャリアを輸送する機能を有するキャリア輸送部と、このキャリア輸送部と無機酸化物（陽極７）とを結合する結合部とを有する化合物である。
【００３９】
ここで、結合部は、無機酸化物からキャリア輸送部へのキャリア（正孔）の受け渡し（注入）が円滑に行え得るようにその長さが設定されており、この連結部を構成する原子のうち直鎖状に連結するものの個数は、好ましくは３〜１０であり、より好ましくは３〜５であるのが好適である。この個数をかかる範囲内に設定することにより、無機酸化物（陽極７）からキャリア輸送部へのキャリア（正孔）の受け渡し（注入）をより円滑に行うことができる。
【００４０】
また、結合部は、無機酸化物と実質的にシリコン原子を含まない化学結合を形成し得るように、その末端に反応基を備えている。この反応基としては、特に限定されないが、例えば、水酸基、アルコキシド基、チオール基およびクロライド基等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
ところで、本発明では、陽極７は、その少なくとも表面付近が前述したような無機酸化物を主材料として構成されていることから、その表面から水酸基が露出しているものとなっている。
そのため、この水酸基と結合部とを反応させるという観点から、結合部としては、その末端に水酸基を含むものを選択するのが好ましい。これにより、これら水酸基同士間で脱水反応を進行させて、無機酸化物（陽極７）と有機物とをエーテル結合により結合させることができる。
【００４１】
エーテル結合は、実質的にシリコン原子を含むことなく、水酸基同士間で比較的容易に形成される化学結合である。そのため、有機物と無機酸化物との結合率を向上させることができる。これにより、化学結合（エーテル結合）を介した陽極７から中間層４へのキャリア（正孔）の注入をより円滑に行うことができる。
さらに、水酸基同士間の脱水反応で副生成物として生成される水は、加熱により比較的容易に気化（除去）し得るものであることから、金属塩のような副生成物が中間層４中に残存するのを確実に防止することができる。
【００４２】
次に、キャリア輸送部は、キャリアを輸送する機能を有するものであればいかなるものであってもよいが、中間層４の上側で接触する発光層（有機半導体層）５と親和性の高い構造を含むものであるのが好ましい。これにより、中間層４と発光層５との界面における密着性が向上することとなり、中間層４から発光層５への正孔（キャリア）の注入効率を向上させることができる。
【００４３】
ここで、前述したように、発光層５の構成材料（発光材料）は、π電子共役系の構造を有する化合物が好適に用いられることから、キャリア輸送部としては、このπ電子共役系の構造と親和性の高い構造を含むものが好適に選択され、例えば、アリールアミン骨格、イミダゾール骨格、チオフェン骨格、セレノフェン骨格、トリアゾール骨格、フルオレン骨格、スピロ骨格およびオキサジアゾール骨格等を含むものが挙げられる。これらの中でも、アリールアミン骨格は、π電子共役系の構造に対して優れた親和性を有し、かつ、特に優れたキャリア輸送能を発揮するものであることから、キャリア輸送部として、特に好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、有機物としては、下記一般式（Ａ１）で表される化合物（以下、単に「化合物（Ａ１）」という。）を主成分とするのが好ましい。
【００４４】
【化３】
2007207961.tif 000005
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基または下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４のうちの少なくとも１つは、下記一般式（Ｂ１）で表される置換基を表し、その他のものは、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。また、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【００４５】
【化４】
2007207961.tif 000006
［式中、ｎは、１〜８の整数を表す。］
【００４６】
化合物（Ａ１）において、上記一般式（Ｂ１）で表される置換基（以下、単に「置換基（Ｂ１）」という。）が結合部を構成し、それ以外の部分すなわち化合物（Ａ１）の主骨格がキャリア輸送部を構成する。
置換基（Ｂ１）をかかる構成とすることにより、置換基（Ｂ１）に含まれる水酸基と陽極７で露出する水酸基とが化学結合（エーテル結合）を形成して、実質的にシリコン原子を含むことなく無機酸化物に化合物（Ａ１）を結合させることができる。
【００４７】
また、置換基（Ｂ１）中のｎの数を適宜設定することにより、連結部を構成する原子のうち直鎖状に連結するものの個数を調整することができ、置換基（Ｂ１）中のｎは、好ましくは１〜８、より好ましくは１〜３であるのが好適である。これにより、無機酸化物からキャリア輸送部（主骨格）へのキャリア（正孔）の受け渡し（注入）をより円滑に行うことができる。
【００４８】
また、置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４（以下、これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）は、これらのうちの少なくとも１つが置換基（Ｂ１）とされるが、好ましくは２つ、より好ましくは３つ、さらに好ましくは４つが置換基（Ｂ１）とされるのが好適である。
置換基Ｘを置換基（Ｂ１）で構成することにより、主骨格を置換基（Ｂ１）を介して無機酸化物（陽極７）に結合させることができ、また、その数を増加させることにより、陽極７の表面に沿うように主骨格を結合させることができる。その結果、主骨格が陽極７上に重なるようにして積層することにより中間層４が形成されることから、中間層４中のキャリア（正孔）の受け渡しをより円滑に行うことができる。
【００４９】
また、置換基Ｘのうち複数が、置換基（Ｂ１）で構成される場合、各置換基（Ｂ１）のｎは、ほぼ同一であるのが好ましく、同一であるのがより好ましい。これにより、陽極７の表面に沿うように主骨格を確実に結合し得ることから、上述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、無機酸化物と主骨格との離間距離をより適切な大きさに保つことができる。その結果、無機酸化物から主骨格への正孔の受け渡しをより円滑に行うことができる。
【００５０】
なお、置換基Ｘのうち、置換基（Ｂ１）で構成されるもの以外は、水素原子、メチル基またはエチル基を表すが、これらの選択は、置換基（Ｂ１）で構成されるもののｎの大きさに応じて行うようにすればよい。例えば、置換基（Ｂ１）で構成されるもののｎが大きい場合には、それ以外のものは、水素原子を選択し、置換基（Ｂ１）で構成されるものｎが小さい場合には、それ以外のものは、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
【００５１】
次に、正孔（キャリア）の輸送に寄与する主骨格（キャリア輸送部）について説明する。
この主骨格において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、化合物（Ａ１）のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、化合物（Ａ１）において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
【００５２】
そこで、基Ｙには、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、これらの芳香族炭化水素環および／または複素環の種類を適宜選択することにより、化合物（Ａ１）におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。換言すれば、基Ｙは、発光層５の構成材料の種類等に応じて、得られる有機ＥＬ素子１が優れた特性を発揮し得るものが選択させる。
【００５３】
例えば、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含み、炭素原子と水素原子とで構成されているものを選択することにより、得られる化合物（Ａ１）を、正孔輸送能を発揮するものとすることができる。
具体的には、無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含み、炭素原子と水素原子とで構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｃ１）〜（Ｃ１７）で表されるものが挙げられる。
【００５４】
【化５】
2007207961.tif 000007
【００５５】
また、このような基Ｙにおいて、その総炭素数は、６〜３０であるのが好ましく、１０〜２５であるのがより好ましく、１０〜２０であるのがさらに好ましい。
さらに、基Ｙにおいて、芳香族炭化水素環の数は、１〜５であるのが好ましく、２〜５であるのがより好ましく、２または３であるのがさらに好ましい。
これらのことを考慮すると、基Ｙとしては、前記化学式（Ｃ１）で表されるビフェニレン基またはその誘導体が特に好ましい構造である。
かかる基を選択することにより、化合物（Ａ１）の正孔輸送能が優れたものとなり、形成される中間層４は、正孔輸送能に特に優れたものとなる。
【００５６】
次に、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含むものを選択することにより、得られる化合物（Ａ１）におけるキャリア輸送能の特性をより容易に調整することができる。
このような複素環としては、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、化合物（Ａ１）の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることが特に容易となる。
【００５７】
また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、化合物（Ａ１）のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、化合物（Ａ１）の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
【００５８】
また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘの種類によっては、化合物（Ａ１）の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示すおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、化合物（Ａ１）におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、無置換の複素環により構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ１７）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００５９】
【化６ａ】
2007207961.tif 000008
【化６ｂ】
2007207961.tif 000009
［これらの式中、各Ｑ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各Ｑ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｑ３は、Ｎ−Ｔ３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ３は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５またはＰｈを表す。）を表す。］
【００６０】
さらに、基（結合基）Ｙとして、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環、および、置換もしくは無置換の複素環の双方を少なくとも１つ含むものを選択することにより、前述したようなそれぞれの特性を相乗的に付与することができる。
このような基Ｙは、化合物（Ａ１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、化合物（Ａ１）中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、化合物（Ａ１）のキャリア輸送能が均一なものとなる。
このことを考慮すると、無置換の芳香族炭化水素環および無置換の複素環により構成される構造としては、例えば、下記化学式（Ｅ１）〜（Ｅ３）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００６１】
【化７】
2007207961.tif 000010
［これらの式中、各Ｑ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００６２】
このように、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、例えば、基Ｙとして前記化学式（Ｅ１）、（Ｅ３）、（Ｄ２）および（Ｄ１６）のうちのいずれかを選択して得られる化合物（Ａ１）は、特に優れた正孔輸送能を発揮するものとなる。
以上のように、基Ｙに含まれる芳香族炭化水素環および／または複素環の種類を適宜選択することにより、化合物（Ａ１）におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができることから、発光層５の構成材料の種類等に応じて、得られる有機ＥＬ素子１が優れた特性を発揮し得るように基Ｙを選択するようにすればよい。
【００６３】
また、基Ｙに含まれる無置換の芳香族炭化水素環や無置換の複素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、メチル基またはエチル基のような比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
さらに、置換基Ｒは、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒも、置換基Ｘのうち、置換基（Ｂ１）で構成されるもののｎの大きさに応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基（Ｂ１）で構成されるもののｎが大きい場合には、置換基Ｒとしては、水素原子を選択し、置換基（Ｂ１）で構成されるものｎが小さい場合には、置換基Ｒとしては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
【００６４】
このような中間層４の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。中間層４の厚さが薄過ぎると、ピンホールが生じ、中間層４を介した陽極７から発光層５への正孔の受け渡しが行われなくなるおそれがある。また、中間層４の厚さが厚過ぎると、中間層４の厚さ方向に対する抵抗値が増大し、有機ＥＬ素子１の消費電力が増大し好ましくない。
【００６５】
また、封止部材８は、陽極７、中間層４、発光層５および陰極３を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材８を設けることにより、特に陰極３の酸化を抑制または防止して，有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
封止部材８の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。
【００６６】
また、封止部材８は、平板状として、基板２と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、陰極３が負、陽極７が正となるようにして、０．５Ｖの電圧を印加したとき、その抵抗値が、１００Ω／ｃｍ２以上となる特性を有するのが好ましく、１ｋΩ／ｃｍ２以上となる特性を有するのがより好ましい。かかる特性は、有機ＥＬ素子１において、陰極３と陽極７との間での短絡（リーク）が好適に防止または抑制されていることを示すものであり、このような特性を有する有機ＥＬ素子１は、発光効率が特に高いものとなる。
【００６７】
なお、本実施形態では、陽極７と発光層５との間に、これらの双方に接触するように中間層４を設ける場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、中間層４と発光層５との間に、中間層４から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにしてもよい。
この正孔輸送層の構成材料は、正孔輸送能力を有するものであればいかなるのもであっても良いが、以下に示すような、各種低分子の正孔輸送材料、各種高分子の正孔輸送材料を基本構造とし、共役系の化合物であるのが好ましい。共役系の化合物は、その特有な電子雲の広がりによる性質上、極めて円滑に正孔を輸送できるため、正孔輸送能力に特に優れる。
【００６８】
低分子の正孔輸送材料としては、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタンｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）のようなチオフェン系化合物、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベ���ジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い正孔輸送能を有している。
【００６９】
高分子の正孔輸送材料としては、前記モノマーやオリゴマー（低分子の正孔輸送材料）化合物を主鎖または側鎖に有するプレポリマーやポリマー（高分子の正孔輸送材料）として用いることができる。
また、陰極３と発光層５との間に、陰極３から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにしてもよい。
【００７０】
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００７１】
また、陰極３を前述したような構成材料に代えて、陽極７で説明した無機酸化物でその少なくとも表面付近を構成する場合には、陰極３と発光層５との間に、中間層を設けるようにしてもよい。すなわち、陰極（電極）３と中間層と発光層（有機半導体層）５とにより本発明の電子デバイス用基板を構成するようにしてもよい。
この場合、キャリアを輸送する機能を有するキャリア輸送部は、電子輸送能に優れるものが好適に選択される。そのため、有機物として化合物（Ａ１）を用いる場合、基Ｙとしては、前記化学式（Ｄ７）、（Ｅ２）および（Ｄ１７）のうちのいずれかを選択するのが好ましい。基Ｙとしてかかる化学式のものを選択することにより、得られる化合物（Ａ１）は、特に優れた電子輸送能を発揮するものとなる。
【００７２】
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１Ａ］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極７を形成する。
陽極７は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等の１種または２種以上を組み合わせて用いることにより形成することができる。
【００７３】
なお、陽極７には、その表面積が増大する処理が施されていてもよい。陽極７の表面積を増大させることにより、陽極７から露出する水酸基の数量が多くなることから、次工程［２Ａ］において中間層４を形成する際に、無機酸化物に結合する有機物の数量をも増加させることができる。その結果、陽極７と中間層４との密着性がより向上して、陽極７から中間層４へのキャリア（正孔）の注入がより円滑に行われることとなる。
陽極７の表面積を増大させる方法としては、特に限定されないが、例えば、陽極７の表面を多孔質膜で構成する方法、陽極７の表面にラビング処理を施す方法および陽極７の表面を酸化させる陽極酸化法等が挙げられる。
【００７４】
［２Ａ］中間層形成工程
［２Ａ−１］  まず、キャリアを輸送する機能を有する有機物を含有する中間層形成用材料を陽極７上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、中間層形成用材料を比較的容易に陽極７上に供給することができる。
【００７５】
有機物を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００７６】
［２Ａ−２］  次に、陽極７上に供給された中間層形成用材料に所定の処理を施す。
これにより、この中間層形成用材料中に含まれる有機物が、陽極７の表面付近に存在する無機酸化物に化学結合により結合されて、陽極７上に中間層４が形成される。
中間層形成用材料に施す所定の処理としては、特に限定されず、例えば、加熱処理、赤外線照射処理、紫外線照射処理およびマイクロ波処理等が挙げられるが、有機物として化合物（Ａ１）を用いる場合、加熱処理を選択するのが好ましい。加熱処理によれば、陽極７の表面で露出する水酸基と、置換基（Ｂ１）の末端に存在する水酸基との間で脱水反応を進行させて、比較的容易にエーテル結合を形成して、無機酸化物（陽極７）に化合物（Ａ１）を結合させることができる。
【００７７】
加熱処理を施す際の温度は、８０〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱処理の加熱時間は、２０〜１８０分程度であるのが好ましく、４０〜１００分程度であるのがより好ましい。
加熱処理の温度および加熱時間をかかる範囲にすることにより、無機酸化物と化合物（Ａ１）との間でエーテル結合が形成される速度を比較的容易に制御することができる。
【００７８】
なお、得られた中間層４には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において第２の加熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、中間層４の乾燥（脱溶媒または脱分散媒）、固化等を行うことができる。なお、中間層４は、第２の加熱処理によらず乾燥してもよい。
また、有機物を陽極７の表面付近で無機酸化物と結合させた後、無機酸化物に結合していない有機物を、溶解し得る溶媒に溶解させて、中間層４から除去するようにしてもよい。
【００７９】
［３Ａ］発光層形成工程
次に、中間層４上すなわち、中間層４の陽極７と反対側の面に発光層５を形成する。
発光層５は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層形成用材料を、中間層４上に塗布（供給）した後、発光層形成用材料に含まれる溶媒または分散媒を除去することにより、得ることができる。
中間層４上に発光層形成用材料を供給する方法、および、溶媒または分散媒としては、前記工程［２Ａ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００８０】
［４Ａ］陰極形成工程
次に、発光層５上に陰極３を形成する。
陰極３は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［５Ａ］封止部材形成工程
次に、陽極７、中間層４、発光層５、および陰極３を覆うように、封止部材８を形成する。
【００８１】
封止部材８は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
【００８２】
なお、本実施形態では、陰極３上に、中間層４と発光層５と正孔輸送層と陽極７とを順次積層して、有機ＥＬ素子１を製造する場合について説明したが、このような場合に限定されるものではない。
例えば、陽極７上に中間層４が形成された積層体と、陰極３上に発光層５とが積層された積層体とをそれぞれ用意し、中間層４と発光層５とを対向させた状態で、これらを接触させて貼り合せることにより製造するようにしてもよい。
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ装置用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
【００８３】
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイ装置用に用いる場合、複数の有機ＥＬ素子１がディスプレイ装置に設けられるが、このようなディスプレイ装置は、例えば、次のようなものが挙げられる。
図２は、有機ＥＬ素子を複数備えるディスプレイ装置を示す縦断面図である。
図２に示すディスプレイ装置１００は、基体２０と、この基体２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子１とで構成されている。
【００８４】
基体２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
回路部２２は、基板２１上に形成された、例えば酸化シリコン層からなる保護層２３と、保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１が設けられている。また、隣接する有機ＥＬ素子１同士は、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２により区画されている。
【００８５】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極７は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、各有機ＥＬ素子１の陰極３は、共通電極とされている。
そして、各有機ＥＬ素子１を覆うように封止部材（図示せず）が基体２０に接合され、各有機ＥＬ素子１が封止されている。
ディスプレイ装置１００は、単色表示であってもよく、各有機ＥＬ素子１に用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
【００８６】
＜電子機器＞
前述したような、有機ＥＬ素子１（本発明の電子デバイス）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００８７】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の有機ＥＬ素子１を備えている。
【００８８】
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の有機ＥＬ素子１を備えている。
【００８９】
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の有機ＥＬ素子１を備えている。
【００９１】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００９２】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００９３】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００９４】
以上、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイス用基板を備える本発明の電子デバイスは、上述した有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、光電変換素子、レーザー素子、プリンタヘッド素子、白色発光素子等に適用することができる。
【実施例】
【００９５】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｊ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、４−メトキシベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
【００９６】
次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【００９７】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、４，４’−ジヨードビフェニル６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
【００９８】
【化８】
2007207961.tif 000011
【００９９】
＜化合物（Ｂ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、４−メトキシベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに施したのと同様の処理により、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールから、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した乾燥物（ベンジルエーテル誘導体）を得た。
【０１００】
次に、６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０１０１】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、４，４’−ジヨードビフェニル６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｂ）であることを確認した。
【０１０２】
【化９】
2007207961.tif 000012
【０１０３】
＜化合物（Ｃ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−メチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
【０１０４】
【化１０】
2007207961.tif 000013
【０１０５】
＜化合物（Ｄ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて３−（ｐ−アミノフェニル）プロパノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−プロピルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
【０１０６】
【化１１】
2007207961.tif 000014
【０１０７】
＜化合物（Ｅ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−ブチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
【０１０８】
【化１２】
2007207961.tif 000015
【０１０９】
＜化合物（Ｆ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−オクチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
【０１１０】
【化１３】
2007207961.tif 000016
【０１１１】
＜化合物（Ｇ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
【０１１２】
【化１４】
2007207961.tif 000017
【０１１３】
＜化合物（Ｈ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
【０１１４】
【化１５】
2007207961.tif 000018
【０１１５】
＜化合物（Ｉ）＞
まず、ｐ−ターフェニルを、四塩化炭素に溶解し、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルとＮ−ブロモスクシンイミドとを用いてブロモ化して、１−ブロモ−ｐ−ターフェニルを得た。
次に、１−ブロモ−ｐ−ターフェニルをトルエンに溶解し、得られた溶液を攪拌しつつ、窒素ガス共存下の四塩化ケイ素ガスをこの溶液に供給した後、乾燥することにより化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｉ）表されるターフェニルトリクロロシランであることを確認した。
【０１１６】
【化１６】
2007207961.tif 000019
【０１１７】
＜化合物（Ｊ）＞
下記化合物（Ｊ）として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−ベンジジン（トスコ社製、「ＯＳＡ６１４０」）を用意した。
【０１１８】
【化１７】
2007207961.tif 000020
【０１１９】
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１）
［中間層形成用材料の調製］
有機物として化合物（Ａ）を用意し、化合物（Ａ）をキシレンに溶解させて中間層形成用材料を得た。
【０１２０】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ａ−  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意し、このガラス基板上に真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ａ−  次に、ＩＴＯ電極上に、先に調製した中間層形成用材料を、スピンコート法により塗布（供給）した。
その後、この中間層形成用材料を大気圧雰囲気下で１５０℃×４０分の条件下で加熱・乾燥させることにより、化合物（Ａ）をＩＴＯ電極にエーテル結合させて、平均厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。
【０１２１】
−３Ａ−  次に、中間層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ａ−  次に、発光層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−５Ａ−  次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０１２２】
（実施例２）
有機物として化合物（Ｂ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例３）
有機物として化合物（Ｅ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２３】
（実施例４）
有機物として化合物（Ｆ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例５）
有機物として化合物（Ｃ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２４】
（実施例６）
有機物として化合物（Ｄ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例７）
有機物として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１２５】
（実施例８）
［中間層形成用材料の調製］
有機物として化合物（Ｈ）を用意し、化合物（Ｈ）をキシレンに溶解させて中間層形成用材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｂ−  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意し、このガラス基板上に真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陰極）を形成した。
−２Ｂ−  次に、陰極上に、先に調製した中間層形成用材料を、スピンコート法により塗布（供給）した。
その後、この中間層形成用材料を大気圧雰囲気下で１５０℃×４０分の条件下で加熱・乾燥させることにより、化合物（Ｈ）をＩＴＯ電極（陰極）にエーテル結合させて、平均厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。
【０１２６】
−３Ｂ−  次に、中間層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ｂ−  次に、前記工程−１Ｂ−と同様にして、発光層上に、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陰極）を形成した。
−５Ｂ−  次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０１２７】
（実施例９）
［第１の中間層形成用材料の調製］
有機物として化合物（Ａ）を用意し、化合物（Ａ）をキシレンに溶解させて第１の中間層形成用材料を得た。
［第２の中間層形成用材料の調製］
有機物として化合物（Ｈ）を用意し、化合物（Ｈ）をキシレンに溶解させて第２の中間層形成用材料を得た。
【０１２８】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｃ−  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意し、このガラス基板上に真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ｃ−  次に、ＩＴＯ電極上に、先に調製した第１の中間層形成用材料を、スピンコート法により塗布（供給）した。
その後、この第１の中間層形成用材料を大気圧雰囲気下で１５０℃×４０分の条件下で加熱・乾燥させることにより、化合物（Ａ）をＩＴＯ電極にエーテル結合させて、平均厚さ１０ｎｍの第１の中間層を形成した。
【０１２９】
−３Ｃ−  次に、第１の中間層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、第１の塗膜を形成した。
−４Ｃ−  次に、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意し、このガラス基板上に真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陰極）を形成した。
【０１３０】
−５Ｃ−  次に、陰極上に、先に調製した第２の中間層形成用材料を、スピンコート法により塗布（供給）した。
その後、この第２の中間層形成用材料を大気圧雰囲気下で１５０℃×４０分の条件下で加熱・乾燥させることにより、化合物（Ｈ）をＩＴＯ電極（陰極）にエーテル結合させて、平均厚さ１０ｎｍの第２の中間層を形成した。
【０１３１】
−６Ｃ−  次に、第２の中間層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、第２の塗膜を形成した。
−７Ｃ−  次に、第１の塗膜を備えるガラス基板と、第２の塗膜を備えるガラス基板とを、第１の塗膜と第２の塗膜とを対向させた状態で接近させて、２つの塗膜を接触させた。
【０１３２】
−８Ｃ−  次に、２つの塗膜を接触させた状態で、大気雰囲気中、温度１４０℃×時間１５分で加熱して２つの塗膜を溶融させることにより一体化させて、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−９Ｃ−  次に、形成した各層の側面を覆うように、インクジェット法により、紫外線硬化性樹脂を供給した後、紫外線照射により硬化させることにより封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０１３３】
（実施例１０）
前記−２Ａ−の後、中間層上にキシレンを供給して、この中間層中に含まれＩＴＯ電極と結合していない化合物（Ａ）をキシレンに溶解させて除去した以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
なお、ＩＴＯ電極と結合していない化合物（Ａ）が除去された中間層の平均厚さは、５ｎｍであった。
【０１３４】
（比較例１）
［中間層形成用材料の調製］
化合物（Ｉ）をｎ−ヘキサデカンに溶解させて、中間層形成用材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−に代えて、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板を、不活性雰囲気下で先に調製した中間層形成用材料中に５分間浸漬させることにより平均厚さ２ｎｍの中間層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１３５】
（比較例２）
有機物として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、中間層形成用材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例３）
前記工程−２Ａ−すなわち中間層の形成を省略した以外は、前記実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造した。
【０１３６】
２．評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子について求めた。
【０１３７】
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例３で測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０１３８】
◎：比較例３の測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例３の測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例３の測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例３の測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。
【０１３９】
【表１】
2007207961.tif 000021
【０１４０】
表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層を備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、比較例２および３の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子では、電極と中間層との界面における密着性が向上したため、電極から中間層へのキャリア（正孔または電子）の注入が円滑に行われていることが明らかとなった。
【０１４１】
さらに、各実施例の有機ＥＬ素子は、いずれも、比較例１の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子では、比較例１の有機ＥＬ素子のようにシランカップリング剤に含まれるシリコン原子により正孔が捕捉されることが防止されているため、電極から中間層への正孔の注入がより円滑に行われているものと推察された。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子を備えるディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１……有機ＥＬ素子  ２……基板  ３……陰極  ４……中間層  ５……発光層  ７……陽極  ８……封止部材  ９……積層体  １００……ディスプレイ装置  ２０……基体  ２１……基板  ２２……回路部  ２３……保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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