(57)【要約】【課題】高信頼性、長寿命の有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、基板と、その主表面に形成された複数のＴＦＴと、これらの上側を覆い、有機樹脂からなる平坦化膜１５と、平坦化膜１５の上側に配置され、上記複数のＴＦＴの各々に電気的に接続された複数のアノード電極１６と、上記複数のアノード電極１６を個別に絶縁隔離するように形成され、有機樹脂からなる分離膜１７と、上記アノード電極１６に電気的に接続するように上記アノード電極の上側に配置された有機ＥＬ層１８と、有機ＥＬ層１８に電気的に接続するように有機ＥＬ層１８の上側に配置されたカソード電極１９とを備える。アノード電極１６は上記基板に近い側から順に、下部透明導電膜１６ａ、反射金属膜１６ｂ、上部透明導電膜１６ｃの３層を含む。反射金属膜１６ｂは上面、下面および側面のすべてが透明導電膜で被覆されている。【選択図】図２
2007317606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主表面に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの上側を覆い、有機樹脂からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜の上側に配置され、前記複数の薄膜トランジスタの各々に電気的に接続された複数のアノード電極と、
前記複数のアノード電極を個別に絶縁隔離するように形成され、有機樹脂からなる分離膜と、
前記アノード電極に電気的に接続するように前記アノード電極の上側に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層に電気的に接続するように前記有機ＥＬ層の上側に配置されたカソード電極とを備え、
前記アノード電極は前記基板に近い側から順に、下部透明導電膜、反射金属膜、上部透明導電膜の３層を含み、
前記反射金属膜は上面、下面および側面のすべてが透明導電膜で被覆されている、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記反射金属膜の外周側面がテーパ状となっている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記下部透明導電膜が前記上部透明導電膜より厚い、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記反射金属膜がアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記反射金属膜が銀または銀を主成分とする合金からなる、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記下部透明導電膜および前記上部透明導電膜がＩＺＯ、ＩＴＯ、ＺｎＯからなる群から選択されたいずれかの材料からなる、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
基板の主表面に複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記複数の薄膜トランジスタの上側を覆うように有機樹脂で平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の上側に、前記基板に近い側から順に、下部透明導電膜、反射金属膜、上部透明導電膜の３層をそれぞれ含む複数のアノード電極を、前記複数の薄膜トランジスタの各々に個別に電気的に接続するように形成する工程と、
前記複数のアノード電極を個別に絶縁隔離しつつ、前記複数のアノード電極の一部を開口部を通じて露出させるように、有機樹脂で分離膜を形成する工程と、
前記開口部内において前記アノード電極に電気的に接続するように前記アノード電極の上側に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層に電気的に接続するように前記有機ＥＬ層の上側にカソード電極を形成する工程とを含み、
前記複数のアノード電極を形成する工程では、前記反射金属膜は上面、下面、側面のすべてが透明導電膜で被覆されるように形成される、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数のアノード電極を形成する工程では、前記反射金属膜は外周側面がテーパ状となるように形成される、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陽極電極（以下「アノード電極」という。）と陰極電極（以下「カソード電極」という。）との間に有機材料からなる正孔輸送層や発光層、電子注入層を積層させた構造を備えており、低電圧直流電流を印加することで発光する。有機ＥＬ素子は、直流電流印加から発光までの応答速度が速いので動画表示に優れる。また、有機ＥＬ素子は自発光素子であるため、液晶表示素子の場合のような補助光源が不要であり、薄型表示装置に適しているという点で注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、低電圧直流を印加・駆動するための方式によって、パッシブマトリックス駆動型と各画素にスイッチ素子を備えたアクティブマトリックス駆動型とに区別される。さらに、有機ＥＬ素子からの発光を取り出す向きによって区別され、有機ＥＬ素子が積層されている基板の側へ取り出すボトムエミッション型と、積層されている基板とは逆向きに取り出すトップエミッション型とに分けられる。
【０００４】
アクティブマトリックス駆動型でトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の例が特開２００５−２８５３９５号公報（特許文献１）、特開２００５−３２２５６４号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００５】
特許文献１では、層間絶縁膜のコンタクトホール以外の部分の上面を覆うように反射板がＡｌ系金属で形成され、ＩＴＯからなる膜厚１００ｎｍの陽極が反射板の上側を被覆している。ＴＦＴのドレイン電極からの低電圧直流電流はこの透明な陽極を介して有機ＥＬ層に印加される。
【特許文献１】特開２００５−２８５３９５号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されている有機ＥＬ表示装置では、光の取出し効率を向上させて明るい有機ＥＬ表示装置を得るためには、光学設計上、「陽極」と称されているＩＴＯ膜の膜厚を薄くし、かつ特定の膜厚にすることが望ましい。しかし、このＩＴＯ膜が薄くなると、抵抗値が増大してしまう。また、コンタクトホールまたは反射板の段差部でのＩＴＯ膜による被覆性が低下する。その結果、抵抗値増大や断線によって発光不良、非発光になる。そこで、ＩＴＯ膜の膜厚を薄くし、なおかつ、被覆性の低下を補うためにＡｌ系金属からなる反射板も薄くした場合、反射板による反射率が低下し、光の取出し効率が悪化してしまう。
【０００７】
特許文献２に開示されている有機ＥＬ表示装置では、アノード電極の役割を果たす「下部電極」がＩＴＯ−Ａｇ−ＩＴＯの３層構造となっている。ここではＡｇ膜が反射膜の役割を果たしていると考えられ、Ａｇ膜であれば高反射率であり透明導電膜としてのＩＴＯ膜との接触抵抗も低く抑えられている。しかし、このような構造の場合、透明導電膜と反射膜との間に低抵抗の電気的接続が必要であり、反射金属膜、透明導電膜の材質が制限される。
【０００８】
また、本発明者らは、金属膜と有機樹脂とが接触し、かつ熱が加わることで水分およびガスの放出量が増大することを見出した。一方、有機ＥＬ層は水分に弱い。有機ＥＬ表示装置内に金属膜と有機樹脂膜との接触構造が含まれている場合、長期駆動による発熱または、炎天下などの高温使用環境により、有機ＥＬ表示装置内に水分、ガスが生じて有機ＥＬ層が劣化する。
【０００９】
特許文献１の構造では金属からなる「反射板５０」と有機樹脂からなる「層間絶縁膜３６」とが接触している。特許文献２の構造では「下部電極１５」に含まれるＡｇ膜の側面が有機樹脂からなる「絶縁膜１６」と接触している。したがって、特許文献１，２のいずれにおいても、長期駆動による発熱または、炎天下などの高温使用環境により水分、ガスが生じて有機ＥＬ層が劣化する。
【００１０】
そこで、本発明は、高信頼性、長寿命の有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に基づく有機ＥＬ表示装置は、基板と、上記基板の主表面に形成された複数の薄膜トランジスタと、上記複数の薄膜トランジスタの上側を覆い、有機樹脂からなる平坦化膜と、上記平坦化膜の上側に配置され、上記複数の薄膜トランジスタの各々に電気的に接続された複数のアノード電極と、上記複数のアノード電極を個別に絶縁隔離するように形成され、有機樹脂からなる分離膜と、上記アノード電極に電気的に接続するように上記アノード電極の上側に配置された有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層に電気的に接続するように上記有機ＥＬ層の上側に配置されたカソード電極とを備え、上記アノード電極は上記基板に近い側から順に、下部透明導電膜、反射金属膜、上部透明導電膜の３層を含み、上記反射金属膜は上面、下面および側面のすべてが透明導電膜で被覆されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、反射金属膜の上面、下面、側面のすべてが透明導電膜により被覆され、その結果、金属膜と有機樹脂からなる膜とが直接接触する箇所がない構成となっているので、内部での水分およびガスの発生を低減することができ、高信頼性、長寿命の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
発明者らは、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ層の長寿命化のために鋭意研究を重ねた結果、金属膜と有機樹脂膜とが接触している状態に比べて、透明導電膜と有機樹脂膜とが接触している状態の方が、水分およびガスの放出量が大幅に少なく、有機ＥＬ層の寿命が延びることを見出した。この知見に基づいて、以下の発明はなされた。
【００１４】
（実施の形態１）
（構成）
図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１５】
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板の主表面に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの上側を覆い、有機樹脂からなる平坦化膜と、前記平坦化膜の上側に配置され、前記複数の薄膜トランジスタの各々に電気的に接続された複数のアノード電極と、前記複数のアノード電極を個別に絶縁隔離するように形成され、有機樹脂からなる分離膜と、前記アノード電極に電気的に接続するように前記アノード電極の上側に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層に電気的に接続するように前記有機ＥＬ層の上側に配置されたカソード電極とを備え、前記アノード電極は前記基板に近い側から順に、下部透明導電膜、反射金属膜、上部透明導電膜の３層を含み、前記反射金属膜は上面、下面および側面のすべてが透明導電膜で被覆されている。
【００１６】
この有機ＥＬ表示装置の平面図を図１に示し、断面図を図２に示す。この有機ＥＬ表示装置は、スイッチ素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置である。図１には３つの画素に相当する領域が示されている。図２は代表して１つの画素を取り出して切ったところを示している。この有機ＥＬ表示装置は、基板としてガラス基板１を備え、ガラス基板１の表面を覆うように下から順に窒化珪素膜２、酸化珪素膜３が設けられている。あるいは、ガラス基板１に窒化珪素膜２、酸化珪素膜３を合わせたものを「基板」と捉えてもよい。
【００１７】
ガラス基板１の主表面には複数のＴＦＴが設けられている。図２では複数のＴＦＴのうち１つのみを代表的に表示している。ＴＦＴは、ポリシリコン膜７、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６、ソース電極１１およびドレイン電極１２を含む。ポリシリコン膜７はチャネル領域７ａを中央に有し、両端にソース領域７ｂ、ドレイン領域７ｃをそれぞれ有する。ゲート絶縁膜５はポリシリコン膜７の上側を覆うように設けられている。ゲート絶縁膜５の上側にゲート電極６が配置されている。ゲート電極６の上側を覆うように第１層間絶縁膜８が設けられている。第１層間絶縁膜８の上側にソース電極１１、ドレイン電極１２が配置されている。ソース電極１１、ドレイン電極１２は第１層間絶縁膜８を貫通してソース領域７ｂ、ドレイン領域７ｃにそれぞれ電気的に接続している。ソース電極１１、ドレイン電極１２の上側を覆うように第２層間絶縁膜１３が設けられている。
【００１８】
第２層間絶縁膜１３の上側には、上述の複数のＴＦＴの上側を覆うように有機樹脂からなる平坦化膜１５が設けられている。平坦化膜１５の上側には複数のアノード電極１６が設けられ、接続孔１４を通じてＴＦＴの各々に電気的に接続されている。図２では複数のアノード電極１６のうち１つのみを代表的に表示している。分離膜１７は有機樹脂からなり、複数のアノード電極１６を個別に絶縁隔離するように形成されている。有機ＥＬ層１８はアノード電極１６に電気的に接続するようにアノード電極１６の上側に配置されている。有機ＥＬ層１８は、下から順にホール輸送層１８ａ、発光層１８ｂ、電子輸送層１８ｃの３層の積層構造となっている。カソード電極１９は、有機ＥＬ層１８に電気的に接続するように有機ＥＬ層１８の上側に配置されている。アノード電極１６はガラス基板１に近い側から順に、下部透明導電膜１６ａ、反射金属膜１６ｂ、上部透明導電膜１６ｃの３層を含む。反射金属膜１６ｂは上面、下面および側面のすべてが透明導電膜で被覆されている。
【００１９】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置は、反射金属膜１６ｂの上面、下面、側面のすべてが透明導電膜により被覆され、その結果、金属膜と有機樹脂からなる膜とが直接接触する箇所がない構成となっている。したがって、長期駆動による発熱や炎天下などの高温使用環境による有機ＥＬ表示装置内部での水分とガスの発生を低減することができる。これにより、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置は、高信頼性、長寿命の有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００２０】
さらに、上部透明導電膜１６ｃと下部透明導電膜１６ａとが反射金属膜１６ｂを介さずに直接電気的に接続されるため、透明導電膜に対する接触抵抗が高いＡｌなどの材料を反射金属膜１６ｂに用いた場合でも、アノード電極１６の抵抗を減らすことができ、発光効率が高い有機ＥＬ表示装置とすることができる。このように本実施の形態では、Ａｌなどの材料を反射金属膜１６ｂに用いることも問題なく行なえるので、反射金属膜１６ｂはアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなることが好ましい。反射金属膜１６ｂの光反射率を高くすることができるからである。
【００２１】
あるいは、反射金属膜１６ｂは銀または銀を主成分とする合金からなることが好ましい。このような構成にすれば、反射金属膜１６ｂの電気抵抗の低くすることができるからである。
【００２２】
下部透明導電膜１６ａおよび上部透明導電膜１６ｃは、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯからなる群から選択されたいずれかの材料からなることが好ましい。容易に透明な導電膜を形成することができるからである。
【００２３】
また、上部透明導電膜１６ｃと下部透明導電膜１６ａとが反射金属膜１６ｂを介さずに直接電気的に接続されるため、反射金属膜１６ｂは電気的接続に寄与しないものであってもよい。したがって、電気的接続のために反射金属膜１６ｂに従来添加していた添加物、混合物の比率を低減することができ、その結果、反射金属膜１６ｂの反射率が向上して光の取出し効率が向上する。
【００２４】
また、本実施の形態では、下部透明導電膜１６ａが上部透明導電膜１６ｃより厚いことが好ましい。これは光学設計の観点からいえることである。このようにして上部透明導電膜１６ｂの膜厚を薄く最適化すれば、光の取出し効率が向上する。下部透明導電膜によって導通は十分に図られるので、アノード電極１６の抵抗増大や断線による発光不良のない有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００２５】
なお、図３に示すように、反射金属膜１６ｂの外周側面はテーパ状となっていることが好ましい。反射金属膜１６ｂの外周側面がテーパ状となっていれば、上部透明導電膜１６ｃの被覆性が向上するからである。そのため、反射金属膜１６ｂと透明導電膜との接触抵抗が高くなるＡｌ系金属などを反射金属膜１６ｂの材料として用いた場合や、反射金属膜１６ｂの膜厚が上部透明導電膜１６ｃの膜厚に比べて著しく厚い場合においてもアノード電極１６の抵抗を減らすことができ、発光効率が高い有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【００２６】
（実施の形態２）
（製造方法）
図４〜図８、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００２７】
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板の主表面に複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、前記複数の薄膜トランジスタの上側を覆うように有機樹脂で平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜の上側に、前記基板に近い側から順に、下部透明導電膜、反射金属膜、上部透明導電膜の３層をそれぞれ含む複数のアノード電極を、前記複数の薄膜トランジスタの各々に個別に電気的に接続するように形成する工程と、前記複数のアノード電極を個別に絶縁隔離しつつ、前記複数のアノード電極の一部を開口部を通じて露出させるように、有機樹脂で分離膜を形成する工程と、前記開口部内において前記アノード電極に電気的に接続するように前記アノード電極の上側に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層に電気的に接続するように前記有機ＥＬ層の上側にカソード電極を形成する工程とを含む。前記複数のアノード電極を形成する工程では、前記反射金属膜は上面、下面、側面のすべてが透明導電膜で被覆されるように形成される。
【００２８】
以下、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法を各工程別に図面を参照しながら示す。図４に示すように、まず、基板の主表面に複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。ここでいう「基板」とは、ガラス基板１に窒化珪素膜２、酸化珪素膜３を合わせたものである。図４では１つの画素に相当する領域の断面図となっているので１つのＴＦＴしか表示されていないが、実際には表示領域全域にわたって多数のＴＦＴが形成される。ＴＦＴの形成は公知技術を用いて行なうことができる。
【００２９】
次に、図５に示すように第２層間絶縁膜１３を形成する。第２層間絶縁膜１３は窒化珪素膜であり、ＣＶＤ法で成膜することができる。写真製版技術およびエッチング技術を用いて第２層間絶縁膜１３を貫通するように接続孔１４の下部を形成する。さらに図５に示すように、複数のＴＦＴの上側を覆うように有機樹脂で平坦化膜１５を形成する。平坦化膜１５は感光性を有したアクリル系樹脂によって形成することができる。写真製版技術により平坦化膜１５を貫通するように接続孔１４の上部を形成する。その後、２３０℃で焼成を行なう。
【００３０】
さらに、図６に示すように、平坦化膜１５の上側に、前記基板に近い側から順に、下部透明導電膜１６ａ、反射金属膜１６ｂ、上部透明導電膜１６ｃの３層をそれぞれ含む複数のアノード電極１６を、前記複数のＴＦＴの各々に個別に電気的に接続するように形成する。下部透明導電膜１６ａはＩＺＯで厚み２００ｎｍになるように、反射金属膜１６ｂはＡｌ合金で厚み５０ｎｍになるように、それぞれスパッタ法によって連続して成膜する。このスパッタ法によって当初は広い範囲に形成される反射金属膜１６ｂの上に、写真製版技術を用いて、下部透明導電膜１６ａに比べて小さな面積のみを覆うように島状のレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとしてエッチング技術を用いて反射金属膜１６ｂをエッチングし、図６に示すように所望の領域にのみ残るようにする。このエッチングの際には、エッチング液を適当に選択することにより反射金属膜１６ｂのエッジ、すなわち外周側面をテーパ状とすることができる。たとえば反射金属膜１６ｂがアルミニウムからなる場合、酢酸の比率を高くしたエッチング液を用いると、外周側面をテーパ状とすることができる。その後、レジスト膜を除去する。さらにその後にＵＶ処理やオゾン水による洗浄処理を実施する。上部透明導電膜１６ｃはＩＺＯで厚み２０ｎｍになるようにスパッタ法によって成膜する。上部透明導電膜１６ｃを成膜することによって反射金属膜１６ｂの全体が上部透明導電膜１６ｃによって覆われる。その後、写真製版技術を用いて、反射金属膜１６ｂより広い領域にわたるアノード電極１６用のレジストパターンを形成する。エッチング技術により、上部透明導電膜１６ｃおよび下部透明導電膜１６ａを同時にエッチングし、レジストパターンを除去する。このようにして、反射金属膜１６ｂがＩＺＯからなる透明導電膜によって完全に包み込まれ、なおかつ、全体として所望形状となったアノード電極１６を得る。アノード電極１６は接続孔１４を通じてＴＦＴに電気的に接続されている。
【００３１】
さらに、図７に示すように、前記複数のアノード電極１６を個別に絶縁隔離しつつ、前記複数のアノード電極１６の一部を開口部を通じて露出させるように、有機樹脂で分離膜１７を形成する。分離膜１７は感光性を有したポリイミド樹脂によって形成することができる。写真製版技術を用いて形成し、２３０℃で焼成する。分離膜１７は、この後の工程において真空蒸着法で有機ＥＬ層１８を形成する際に用いるメタルマスクと有機ＥＬ層１８が形成されるべき場所であるアノード電極１６の表面とが互いに接触しないようにするためのリブ材の役割も果たす。アノード電極１６表面の清浄度を高めるために、ＵＶ処理やキレート、オゾン水などによる洗浄処理を行なう。
【００３２】
次に、図８に示すように、前記開口部内においてアノード電極１６に電気的に接続するようにアノード電極１６の上側に有機ＥＬ層１８を形成する。この有機ＥＬ層１８の成膜は、真空加熱脱水処理の後、真空雰囲気を維持したままの状態で行なう。有機ＥＬ層１８は、ホール輸送層１８ａ、発光層１８ｂおよび電子輸送層１８ｃを含む有機材料の層であり、電圧を印加することにより発光する性質を有する。
【００３３】
さらに、有機ＥＬ層１８に電気的に接続するように有機ＥＬ層１８の上側にカソード電極１９を形成する。このカソード電極１９の形成は真空雰囲気を維持したまま行なう。こうして、図２に示す構造の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。さらに、この有機ＥＬ表示装置の上面を保護するために、上側にカバーガラスを被せるか保護層を形成することが好ましい。
【００３４】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、実施の形態１で説明した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。すなわち、反射金属膜１６ｂの上面、下面、側面のすべてが透明導電膜により被覆され、金属膜と有機樹脂からなる膜とが直接接触する箇所がないように有機ＥＬ表示装置を製造することができる。したがって、長期駆動による発熱や炎天下などの高温使用環境による内部での水分とガスの発生を低減した有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００３５】
なお、実施の形態１で図３に示した構造の有機ＥＬ表示装置を得るためには、図６に示すようにアノード電極１６を形成する工程において、図９に示すように、反射金属膜１６ｂの外周側面がテーパ状となるように形成すればよい。反射金属膜１６ｂをこのように形成すれば上部透明導電膜１６ｃもテーパ状となる。このような工程を含ませれば、実施の形態１で図３に示した構造の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００３６】
なお、実施の形態１，２では、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置のスイッチ素子としてトップゲート型シングルゲートＴＦＴを採用した例について説明したが、スイッチ素子は、スイッチ機能を有する素子であれば他のものであってもよく、たとえばボトムゲート型ＴＦＴや薄膜ダイオード、有機トランジスタであってもよい。また、本発明の適用対象となる有機ＥＬ表示装置はアクティブマトリックス型に限るものではなく、スイッチ素子を持たないパッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００３７】
実施の形態１，２で例示した有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型であったが、ボトムエミッション型であってもよい。
【００３８】
実施の形態１，２では、透明導電膜にＩＺＯを用いたが、ＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜を用いてもよく、電気的接続が可能であれば上部透明導電膜１６ｃと下部透明導電膜１６ａとで材質が異なってもよい。また、上部透明導電膜１６ｃの膜厚は有機ＥＬ層の構成や透明導電膜自体の屈折率、吸収係数から決定されるべきであるため、実施の形態１，２で示したものと異なってもよい。さらに、下部透明導電膜１６ａは、被覆性と電気抵抗を考慮して決定されるべきであるため、実施の形態１，２で示したものと異なってもよい。
【００３９】
実施の形態１，２では、有機ＥＬ層１８をホール輸送層１８ａ、発光層１８ｂ、電子輸送層１８ｃの３層の積層構造として説明したが、有機ＥＬ層１８は、発光層１８ｂの単層であってもよく、発光層１８ｂを含む多層膜であってもよい。
【００４０】
実施の形態１，２では、平坦化膜１５にはアクリル系樹脂を、分離膜１７にはポリイミド系樹脂を用いた例について説明したが、平坦化膜１５と分離膜１７とが同じ材料であってもよく、たとえばアクリル系樹脂やポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂などのうちのいずれか１種類の材料で統一してもよい。
【００４１】
有機ＥＬ素子の封止は、不活性ガスと封止材との組合せ（図示せず）によって行なうことができるが、たとえば窒化珪素膜や有機樹脂などの積層構造で行なってもよい。
【００４２】
本発明は有機ＥＬ表示装置に関するものであるが、金属膜と有機樹脂が接触する構造を備える表示装置、半導体装置にも適用可能である。他の種類の表示装置としては、たとえば、半透過型、反射型の液晶表示装置にも応用が可能である。液晶表示装置の場合、本発明を適用することで液晶への水分混入が低減されるので、液晶の保持容量の変動が抑えられ、焼付きがきわめて少ない液晶表示装置とすることができる。
【００４３】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の好ましい例の断面図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第５の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法に含まれる一工程の変形例の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  ガラス基板、２  窒化珪素膜、３  酸化珪素膜、５  ゲート絶縁膜、６  ゲート電極、７  ポリシリコン膜、７ａ  チャネル領域、７ｂ  ソース領域、７ｃ  ドレイン領域、８  第１層間絶縁膜、１１  ソース電極、１２  ドレイン電極、１３  第２層間絶縁膜、１４  接続孔、１５  平坦化膜、１６  アノード電極、１６ａ  下部透明導電膜、１６ｂ  反射金属膜、１６ｃ  上部透明導電膜、１７  分離膜、１８  有機ＥＬ層、１８ａ  ホール輸送層、１８ｂ  発光層、１８ｃ  電子輸送層、１９  カソード電極。
【図１】
2007317606.tif 000003
【図２】
2007317606.tif 000004
【図３】
2007317606.tif 000005
【図４】
2007317606.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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