(57)【要約】【課題】Ｘ線分析などを利用したリバースエンジニアリングに対して防御機能を有する半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体集積回路１００は、複数の回路素子を接続する実配線パターンが形成されている配線層１０１，１０２と、配線層１０１，１０２の上部の層に、実配線パターンに重なるように配置され、複数の回路素子と実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第１の擬似配線パターン群１１３と、第１の擬似配線パターン群１１３の上部の層に、第１の擬似配線パターン群１１３に重なるように配置され、複数の回路素子と実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第２の擬似配線パターン群１１４とを備え、第１の擬似配線パターン群１１３における擬似配線パターンの間隔と第２の擬似配線パターン群１１４における擬似配線パターンの間隔との差がＸ線の波長程度である。【選択図】図１
2007317922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に複数の回路素子を集積した半導体集積回路であって、
前記複数の回路素子を接続する実配線パターンが形成されている複数の配線層と、
前記複数の配線層における所定の配線層の上部および下部のいずれかの層に、前記実配線パターンに重なるように配置され、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第１の擬似配線パターン群と、
前記第１の擬似配線パターン群の上部の層に、前記第１の擬似配線パターン群に重なるように配置され、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第２の擬似配線パターン群と
を備え、
前記第１の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔と前記第２の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔との差がＸ線の波長程度である
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、線状の擬似配線パターンから構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、点状の擬似配線パターンから構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、複数の擬似配線パターンから構成され、所定の擬似配線パターンと、前記所定の擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとが分離されて間に間隙を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、複数の擬似配線パターンから構成され、所定の擬似配線パターンと、前記所定の擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとが分離されず間に段差を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、斜めに配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、前記複数の配線層のいずれかに形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、前記複数の配線層のいずれかの下層に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、重金属で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、前記半導体基板に重金属を拡散させて形成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
前記第１の擬似配線パターン群および前記第２の擬似配線パターン群のいずれかは、前記半導体基板に重金属を注入して形成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
半導体基板に複数の回路素子を集積した半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法であって、
前記複数の回路素子を接続する実配線パターンを複数の配線層に形成し、
前記複数の配線層における所定の配線層の上部および下部のいずれかの層に、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンからなる第１の擬似配線パターン群を、前記配線パターンに重なるように配置して形成し、
前記第１の擬似配線パターン群の上部の層に、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンからなる第２の擬似配線パターン群を、前記第１の擬似配線パターン群に重なるように配置して形成し、
前記第１の擬似配線パターン群と前記第２の擬似配線パターンとを形成するにあたって、前記第１の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔と前記第２の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔との差がＸ線の波長程度になるように、前記第１の擬似配線パターン群と前記第２の擬似配線パターンとを配置して形成する
ことを特徴とする半導体集積回路製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線などを利用したリバースエンジニアリングに対する防御機能を有する半導体集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特定の半導体集積回路の内容を不正に解析する行為、いわゆるリバースエンジニアリングが横行している。そして、正当な権利を有さない企業や個人（以下、不正業者と呼称する。）が機能同等品を無断で製造して販売するケースが後をたたない。例えば、これらの不正業者は、正規機器を不正にコピーして正規機器と機能同等のコピー品を製造し、正当な権利を有さないまま、コピー品を不正に販売したり、半導体集積回路に埋め込まれているコピー防止回路に対する回避装置を開発し、正規機器上でのみ動作するはずの正規のコンテンツを不正にコピーして販売したりするケースが多く見受けられる。
【０００３】
ここで、コピー品を製造するにあたって、半導体集積回路に記憶されている情報および半導体集積回路に形成されている回路を解析する必要がある。これについては、光学顕微鏡を利用して半導体集積回路の回路パターンを観測した上で、半導体集積回路の動作信号および記憶情報に依存した出力電圧および電流等を測定することにより、半導体集積回路の動作状態を解析することができる。
【０００４】
具体的には、パッケージングされているＩＣチップから半導体集積回路を露出させる。光学顕微鏡を利用して、露出させた半導体集積回路の配線パターンを光学的に観測する。このとき、半導体集積回路の配線パターンが１μｍ以下であると、配線パターンの観測が困難になる。これは、光学顕微鏡で用いられる観察光の波長と配線パターンの幅とが近づくことになり、回折の影響を受けるためである。これに対して、配線パターンの幅よりも波長が短いレーザ光を利用することで、配線パターンに対する分解能および焦点深度の向上を図ることができる。これにより、回折の影響を抑えて、半導体集積回路の配線パターンを観測することができる。このように観測した上で、電子ビームテスタを利用して半導体集積回路の配線パターン上に設けられた表面保護膜および絶縁体分離膜の上から直下の配線パターンとの電位を測定する。これにより、半導体集積回路の動作状態を解析することができる。
【０００５】
これに対して、遮光性以外に絶縁性や導電性を有する遮蔽膜などを利用して、光学的に回路が解析されることを防止した半導体集積回路が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この半導体集積回路では、機械的研磨法を用いて各配線層や配線層と同じ層に形成された遮蔽層を順次に削り取ることにより、削り取った各配線層や遮蔽層などの下層の配線層を光学的に観察することができる。回路が解析されたり、半導体集積回路の配線層の構造が把握されたりすると、構造が把握された配線層の下層である配線層が、遮蔽膜により覆われている状態で集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置などを利用して露出させることができる。その結果、電子ビームテスタを利用して各遮蔽層の直下にある配線の電位を測定することができるおそれがある。そのため、この半導体集積回路では、偽装的な回路配線を用いてリバースエンジニアリングを防ぐ手段がとられている。
【特許文献１】特開平１０−２７０５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、製品寿命が長いものであれば、その一つ一つの半導体集積回路が製品化されて消費者にいきわたった後で、リバースエンジニアリングが行われて解析され、再度、マスク設計、試作、製品検査が可能である。しかし、デジタル家電のように、製品受命の短命化に伴い、同等の製品が同時に市場に向けて商品化されるため、このような破壊を伴うリバースエンジニアリングは一歩遅れたものになり、コスト、リスクの面から現実的ではない。
【０００８】
実際には、製品開発段階において、一つ一つの試作サンプルや設計確認サンプルが外部に流出し、非破壊で内部観察をされる場合の方が多いと考えられる。この場合、非破壊で検査されるために、元の開発元では確認のしようがない。コンピュータを用いた高度な解析装置を用いて回路構成の非破壊Ｘ線解析を行うことが行われた場合、想定される方法としては、Ｘ線の濃淡から割り出した配線、および、回路素子とチップ周辺から半導体パッケージに接続されているワイヤー、それと、公開されている半導体パッケージのピン配置から、経路分析を行うと考えられる。高度に集積された回路では、この経路分析はＣＡＤと組み合わせて分析されると思われる。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、特に、非破壊検査の代表的な方法であるＸ線分析などを利用したリバースエンジニアリングに対して、防御機能を有する半導体集積回路を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係わる半導体集積回路は、（ａ）半導体基板に複数の回路素子を集積した半導体集積回路であって、（ａ１）前記複数の回路素子を接続する実配線パターンが形成されている複数の配線層と、（ａ２）前記複数の配線層の上部に、前記実配線パターンに重なるように配置され、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第１の擬似配線パターン群と、（ａ３）前記第１の擬似配線パターン群の上部に、前記第１の擬似配線パターン群に重なるように配置され、前記複数の回路素子と前記実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第２の擬似配線パターン群とを備え、（ａ４）前記第１の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔と前記第２の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔との差がＸ線の波長程度である。
【００１１】
これによって、Ｘ線を利用して上から観測をした場合に、配線パターンと擬似配線パターンとが重なり合って、あたかもその配線層のコンタクトパターンとして機能しているように観測されたり、擬似配線パターンそのものが配線パターンと誤認されやすくなったりする。すなわち、非破壊検査の代表的な方法であるＸ線分析などを利用したリバースエンジニアリングを阻害することができる。
【００１２】
なお、本発明は、半導体集積回路として実現されるだけではなく、半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法などとして実現されるとしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数の配線層（第１層あるいは第２層）に形成された実配線パターンの上部に擬似配線パターンが形成されており、上からＸ線観測をした場合、実配線パターンと擬似配線パターンとが重なり合って、あたかもその配線層のコンタクトパターンとして機能しているように観測されたり、擬似配線パターンそのものが実配線パターンと同じような配線パターンと誤認されやすくなったりする。
【００１４】
さらに、Ｘ線分析では、上層と下層とで濃淡差がでたりして上下関係がわかってしまうことがある。しかし、擬似配線パターンをＸ線に対して有効に機能するスリットとして形成することによって、濃淡を調整することができ、混同されやすくなり、実配線パターンの解析が困難になり、不正コピーの横行や不正使用目的の回路解析の横行などを抑止できるなどの効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施の形態）
以下、本発明に係わる第１の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
本実施の形態における半導体集積回路は、（ａ）半導体基板に複数の回路素子を集積した半導体集積回路であって、（ａ１）複数の回路素子を接続する実配線パターンが形成されている複数の配線層と、（ａ２）複数の配線層における所定の配線層の上部および下部のいずれかの層に、実配線パターンに重なるように配置され、複数の回路素子と実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第１の擬似配線パターン群と、（ａ３）第１の擬似配線パターン群の上部の層に、第１の擬似配線パターン群に重なるように配置され、複数の回路素子と実配線パターンとのいずれにも接続されない擬似配線パターンとして形成されている第２の擬似配線パターン群とを備え、（ａ４）第１の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔と第２の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔との差がＸ線の波長程度であることを特徴とする。
【００１７】
以上の点を踏まえて本実施の形態における半導体集積回路について説明する。
【００１８】
図１（ａ）は、第１の実施の形態における半導体集積回路の概略を示す平面図であり、（ｂ）は、半導体集積回路を切断線Ａ−Ａ’で切断して矢視方向にみた断面図である。図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、半導体集積回路１００は、シリコンやガリウム砒素などの半導体基板１０８を有する。さらに、半導体基板１０８の表面上に多数の回路素子１０６およびトランジスタ１０５が高密度に組み込まれ、回路素子部１１０を構成する。この回路素子部１１０に対する接続用の配線パターンとして、第１層１１１と第２層１１２とが設けられている。
【００１９】
第１層１１１は、所定の厚みを有したＳｉＯ2などの酸化膜１０３と、酸化膜１０３の上面に蒸着およびエッチング処理などの手法によって実配線パターンが形成された第１の配線層１０１とで構成されている。また、酸化膜１０３には回路素子部１１０とのコンタクトをとるためのコンタクトホール１０７が複数形成されている。同様に、第２層１１２も、所定の厚みを有したＳｉＯ2などの酸化膜１０４と、酸化膜１０４の上面に蒸着およびエッチング処理などの手法によって実配線パターンが形成された第２の配線層１０２とで構成されている。
【００２０】
そして、第１の配線層１０１に形成された実配線パターンの上部と、第２の配線層１０２に形成された実配線パターンの上部とに、擬似配線パターンがそれぞれ形成されている。これらの擬似配線パターンは、実際には、回路素子部１１０や実配線パターンに接続されてはいない。しかし、Ｘ線分析を利用して観測すると、あたかも、回路素子部１１０や実配線パターンに接続されているように配置されている。また、擬似配線パターンは、スリットとして機能するように、線状の配線パターンで形成されている。ここでは、一例として、擬似配線パターンとして、第１の擬似配線パターン群１１３と第２の擬似配線パターン群１１４とが形成されている。
【００２１】
第１の擬似配線パターン群１１３は、保護層１１５の上面に、擬似配線パターンと、その擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとが分離されて間に間隙を有するようにして形成されている。上からみて、回路として機能していない回路素子１０６が実回路とあたかも接続されていると誤認されるように配置されている。このように配置されることで、下部にある実配線パターンに対しての容量による影響を小さくすることができる。さらに、下部にある実配線パターンに対して平行に配置されているため、経年変化に対してショート等の発生による不具合の可能性を小さくすることができる。また、実配線パターンに対して横切るように配置されているため、ショート等の発生を小さくすることができる。これによって、半導体プロセスで作成可能な酸化膜厚の下限まで、膜厚を薄くすることができる。もし、上層から機械的研磨や収束イオンビーム（ＦＩＢ）等によって露出を試みたとしても、下部にある実配線パターンも同時に研磨されてしまう可能性を高め、配線パターンを誤認させやすくすることができる。
【００２２】
第２の擬似配線パターン群１１４は、保護層１１６の上面に、擬似配線パターンと、その擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとが分離されて間に間隙を有するようにして形成されている。上からみて、第１の擬似配線パターン群１１３と重ね合わさるようにして配置されている。これによって、第１の擬似配線パターン群１１３と重ね合わさってモアレが発生する。この「モアレ」を利用することによって、擬似配線パターンと隣接する擬似配線パターンとの間隙がＸ線の波長よりも大きくても、半導体集積回路を透過するＸ線を調整することができる。これは、２種類の擬似配線パターン群において、擬似配線パターンの間隔が種類によって僅かに異なっており、間隔の異なる２種類の擬似配線パターン群の重ね合わせによって、モアレ縞が形成されるためである。
【００２３】
なお、Ｘ線は、光と同じく電磁波の一種である。可視光の波長が４００〜８００ｎｍであるのに対して、Ｘ線の波長は、もっと短く、１０ｎｍである。このような短い波長のＸ線を干渉させてモアレを発生させるにあたって、第１の擬似配線パターン群１１３や第２の擬似配線パターン群１１４を形成するにあたり、擬似配線パターンと隣接する擬似配線パターンとの間隙を極めて小さくして形成する必要がある。
【００２４】
なお、モアレ縞の発生原理は、音のうなりと同様に考えることができる。うなりは波長の異なる２つの波が重なり合ったときに発生する。２つの波の周波数をそれぞれω１、ω２とすると、うなりの周波数はω１−ω２である。モアレ縞は、第１の擬似配線パターン群１１３の間隔と第２の擬似配線パターン群１１４の間隔との重ね合わせで発生する。２つの間隔の空間周波数をそれぞれωａ、ωｂとすると、この場合におけるモアレ縞の空間周波数はωａ−ωｂとなる。この差は、（１）２つの間隔をＸ線波長分ずらす、あるいは、（２）斜めに配置することで実現できる。ここで、（２）については、２つの間隔の差が０から少しずつ増えるのでどこかの位置でＸ線の波長に一致する。しかし、いずれも、Ｘ線の波長よりもはるかに長い間隔で形成してもモアレを発生させることができる。このため、工程上の難しさが発生しないというメリットがある。
【００２５】
なお、擬似配線パターンを構成する物質として、通常のＡｌやＡｕなどの代わりに、例えば、Ｃｒ、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂｒ，Ｂａなどのような重金属としてもよい。これによって、擬似配線パターンの部分は、より強くＸ線を吸収することができる。
【００２６】
なお、２種類の擬似配線パターン群の代わりに、それ以上の種類の擬似配線パターン群を重ね合わせて発生するモアレを利用するとしてもよい。これによって、同様の効果が出ることはいうまでもない。
【００２７】
なお、実配線パターンが形成されている配線層の上部の層に２種類の擬似配線パターン群を形成しているが、その配線層において使用されていない領域やその配線層の下部の層に、２種類の擬似配線パターン群を形成するとしてもよいし、いずれかの擬似配線パターン群を形成するとしてもよい。同様の効果が出ることはいうまでもない。
【００２８】
なお、擬似配線パターン群を配線層に形成する代わりに、金属ないし重金属を半導体基板に拡散させたり注入したりすることで、擬似配線パターン群を形成するとしてもよい。同様の効果がえられることは言うまでもない。
【００２９】
なお、本実施の形態における半導体集積回路では、一方向からのＸ線による透過分析を想定している。しかし、例えば、Ｘ線ＣＴ（Computed Tomography）による分析に対しても、２種類の擬似配線パターン群における擬似配線パターンの間隔を調整する。これによって、偽の配線パターンとして結像する配線パターンが実配線パターンと同じ層にする事ができるので、実配線パターンと擬似配線パターンとが混同しやすくなり、有効である。
【００３０】
なお、Ｘ線ＣＴは、試料の内部構造を非破壊的に分析する装置であり、透過像のほかにＣＴ断面（断層像）を得ることができる。Ｘ線の物質を透過する性質と発生源から扇型に広がる性質を利用している。Ｘ線が物質を透過するときの透過量は、Ｘ線の強度および物質の構成元素・密度・厚さなどによって異なる。この透過量の差異をＣＣＤ（Charge Coupled Devices）カメラで検出することにより、物質の透過像を得ている。ＣＴ断面は試料に対し多方向からＸ線を照射し、観察したい箇所を中心として一定の厚さ（μｍオーダー）でのＸ線透過データを投影データとして集積し、コンピュータで断層画像を再構成することにより測定を行う。実際にはＸ線管と検出器、または、試料を３６０°回転することにより、ＣＴ断面の撮影を行う。また、コーンビーム技術の採用により、３次元画像を生成することができる。
【００３１】
以上、本実施の形態における半導体集積回路によれば、実配線パターンが形成されている配線層の上部に擬似配線パターン群が形成されている。さらに、Ｘ線で見たときの濃淡が下部の実配線パターンと同等になるように形成されている。これにより、不正コピーを目的としたＸ線分析を困難にすることができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
次に、本発明に係わる第２の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図２（ａ）は、第２の実施の形態における半導体集積回路の概略を示す平面図であり、（ｂ）は、半導体集積回路を切断線Ｂ−Ｂ’で切断して矢視方向にみた断面図である。図２（ａ）、図２（ｂ）に示されるように、半導体集積回路２００は、第１の実施の形態における半導体集積回路１００と比べて、擬似配線パターンの形状を線状の代わりに点状にする点が異なる。すなわち、第１の擬似配線パターン群２１３および第２の擬似配線パターン群２１４は、擬似配線パターンの形状が点状である。
【００３４】
第１の実施の形態では、擬似配線パターンの間隔の差により、モアレが発生していた。しかし、本実施の形態のように点状の擬似配線パターンが形成された場合は、その点状の擬似配線パターンの直径と配置とでモアレが発生する。つまり、上面からみて、上層と下層のそれぞれの点状の擬似配線パターンの間の距離と上下の点状の擬似配線パターン間のずれの距離の足し算がＸ線の波長と一致したときにＸ線は暗くなる。この暗くなる部分は線状の擬似配線パターンの場合と違い曲線状のモアレ像が現れる。これによって、例えば、ＶＩＡホール等の曲線で構成された物体と誤認させる事が可能になる。
【００３５】
なお、点状の配線パターンの形状として丸を想定しているが、四角などであっても、モアレ縞が現れる。これによって、形状の持つ距離と配置の関係とが丸とは異なるため、また、別の形のモアレ縞が現れて、誤認させる形状の種類を増やすことができる。
【００３６】
（第３の実施の形態）
次に、本発明に係わる第３の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３７】
図３は、第３の実施の形態における第１の擬似配線パターン群の断面図である。図３に示されるように、第１の擬似配線パターン群３１３は、第１の実施の形態における第１の擬似配線パターン群１１３と比べて、擬似配線パターンと、その擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとが分離されて間に間隙を有する代わりに、分離されずに間に段差を有する点が異なる。なお、本実施の形態における第２の擬似配線パターン群（不図示）については、第１の擬似配線パターン群３１３と同様により説明を省略する。
【００３８】
原理としては、第１の実施の形態と同じである。ただし、本実施の形態における第１の擬似配線パターン群３１３は、段差を有することにより、厚みの薄い部分と厚い部分とができる。薄い部分と厚い部分とのＸ線透過量の違いによってモアレを発生させる。これによって、擬似配線パターンと、その擬似配線パターンに隣接する擬似配線パターンとの間に間隙を完全に形成せずに、段差にしているので、エッチング工程での形成上の困難さがない。
【００３９】
なお、本実施の形態では、段差が綺麗に形成されている例を示しているが、例えば、各段差の深さが揃っていない場合などのように、段差が綺麗に形成されていないとしてもよい。これは、段差が綺麗に形成されていなくとも、完全にモアレ縞がなくなるわけではなく、ぼんやりとしたＸ線像になるので、完全に誤認されなくなるわけではない。
【００４０】
なお、本実施の形態では、各段差が整然と並列で配置されている例を示しているが、必ずしも、各段差が整然と並列で配置されていなくてもよい。これは、各段差の方向が揃っていなくとも、完全にモアレ縞がなくなるわけではなく、ぼんやりとしたＸ線像になるので、完全に誤認されなくなるわけではないからである。
【００４１】
なお、本実施の形態では、各段差のエッジが綺麗に形成されている例を示しているが、必ずしも、各段差のエッジが綺麗に形成されていなくてもよい。これは、各段差のエッジが綺麗に形成されていなくても、完全にモアレがなくなるわけではなく、ぼんやりとしたＸ線像になるので、完全に誤認されなくなるわけではないからである。
【００４２】
なお、本実施の形態では、擬似配線パターンの形状を線状とする代わりに点状としてもよい。
【００４３】
（その他）
なお、第１の実施の形態から第３の実施の形態において説明した第１の擬似配線パターン群と第２の擬似配線パターン群とを組み合わせるとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、Ｘ線などを利用したリバースエンジニアリングに対する防御機能を有する半導体集積回路などとして、利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は、本発明に係わる第１の実施の形態における半導体集積回路の概略を示す平面図であり、（ｂ）は、半導体集積回路を切断線Ａ−Ａ’で切断して矢視方向にみた断面図
【図２】（ａ）は、本発明に係わる第２の実施の形態における半導体集積回路の概略を示す平面図であり、（ｂ）は、半導体集積回路を切断線Ｂ−Ｂ’で切断して矢視方向にみた断面図
【図３】本発明に係わる第３の実施の形態における第１の擬似配線パターン群の断面図
【符号の説明】
【００４６】
１００  半導体集積回路
１０１  第１の配線層
１０２  第２の配線層
１０３  酸化膜
１０４  酸化膜
１０５  トランジスタ
１０６  回路素子
１０７  コンタクトホール
１０８  半導体基板
１０９  分離
１１０  回路素子部
１１１  第１層
１１２  第２層
１１３  第１の擬似配線パターン群
１１４  第２の擬似配線パターン群
１１５  保護層
１１６  保護層
２００  半導体集積回路
２１３  第１の擬似配線パターン群
２１４  第２の擬似配線パターン群
３１３  第１の擬似配線パターン群
【図１】
2007317922.tif 000003
【図２】
2007317922.tif 000004
【図３】
2007317922.tif 000005