(57)【要約】【課題】  簡単な方法によって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができるカーボンナノチューブの成長方法の提供。【解決手段】  カーボンナノチューブの成長方法は、アルミニウム薄膜が大気に曝されて得られる下地アルミニウム薄膜上に担持されたコバルトよりなる触媒微粒子を、アルコール蒸気を含有するカーボンナノチューブ成長用ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。コバルトよりなる触媒微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍの範囲にあるものであることが好ましい。また、アルミニウム薄膜が、蒸着膜であることが好ましく、さらに、このアルミニウム薄膜の厚みが、５〜１００ｎｍであることが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム薄膜が大気に曝されて得られる下地アルミニウム薄膜上に担持されたコバルトよりなる触媒微粒子を、アルコール蒸気を含有するカーボンナノチューブ成長用ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項２】
コバルトよりなる触媒微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍの範囲にあるものであることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項３】
アルミニウム薄膜が、蒸着膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項４】
アルミニウム薄膜の厚みが、５〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブの成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブは、黒鉛シートが円筒状に丸まった構造を有していて化学的、力学的に安定しているなどの特長から、例えば電子デバイス・光素子デバイスなどに応用が期待されており、近年、広く研究されている。
このようなカーボンナノチューブは、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって成長させることができる（例えば、特許文献１〜３参照。）。カーボンナノチューブをＣＶＤ法によって成長させるためには、微粒子状の触媒と炭素含有ガスが必要であり、この触媒としては、主に鉄、コバルト、ニッケルなどの鉄族元素、あるいはこれらにモリブデンなどの添加元素を加えたものが挙げられ、また、炭素含有ガスとしては、メタン、エタン、アセチレンなどの炭化水素ガス；メチルアルコール、エタノールなどのアルコール蒸気を含んだガスが広く用いられている。
さらに、上記の触媒元素がシリコン基板や金属基板と化学反応してその触媒作用を失うことを防止するために、化学的に安定なアルミニウム酸化膜やシリコン酸化膜を基板と触媒との間に介在させた状態で、カーボンナノチューブを形成させることが行われている（例えは、特許文献４参照。）。
【０００３】
ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブの成長方法において、特に、酢酸コバルトおよび酢酸モリブデンをエタノールに添加し、これをシリコン酸化物の表面に金属の微粒子として析出させて触媒微粒子とし、エタノール中をバブリングしてエタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素の混合ガスを原料として化学気相成長を行う（以下、「アルコールＣＶＤ法」という。）と、高密度で単層カーボンナノチューブが成長することが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。
このように高密度で単層カーボンナノチューブが成長すると、その高い密度によって隣接する単層カーボンナノチューブ同士が支えあい、基板に垂直な方向に配向した単層カーボンナノチューブが得られる。
一方向に配向した単層カーボンナノチューブは、そのままの状態で方向性を利用した光学素子に応用したり、単層カーボンナノチューブを用いたシートや混合材料の作製に応用することができ、単層カーボンナノチューブの材料技術に多大な進歩をもたらすと期待されている。
【０００４】
然るに、アルコールＣＶＤ法によっては、垂直に配向した単層カーボンナノチューブが得られるものの、その長さは短く、長さ数μｍを超えるものは得られていない。
カーボンナノチューブの長さが短いと光学素子材料としての用途が限定されてしまう。
【０００５】
一方、より長い単層カーボンナノチューブを得る方法として、供給する炭素含有ガスに微量な水分を含有させるスーパーグロース法が提案されており、長さ数ｍｍの垂直に配向した単層カーボンナノチューブが得られることが報告されている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００６】
しかしながら、スーパーグロース法は、複雑な水分制御装置が必要であるなどの問題がある。
【特許文献１】特開２００５−２３９５４１号公報
【特許文献２】特開２００４−０２６５３２号公報
【特許文献３】特開２００４−０１８３０９号公報
【特許文献４】特開２００５−３１４２０６号公報
【非特許文献１】Ｙ．Ｍｕｒａｋａｍｉ，Ｓ．Ｃｈｉａｓｈｉ，Ｙ．Ｍｉｙａｕｃｈｉ，Ｍ．Ｈｕ，Ｍ．Ｏｇｕｒａ，Ｔ．Ｏｋｕｂｏ  ａｎｄ  Ｓ．Ｍａｒｕｙａｍａ：Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｓｉｎｇｌｅ‐ｗａｌｌｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ  ｆｉｌｍｓ  ｏｎ  ｑｕａｒｔｚ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ，Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３８５，２９８‐３０３（２００４）
【非特許文献２】Ｋ．Ｈａｔａ，Ｄ．Ｎ．Ｆｕｔａｂａ，Ｋ．Ｍｉｚｕｎｏ，Ｔ．Ｎａｍａｉ，Ｍ．Ｙｕｍｕｒａ  ａｎｄ  Ｓ．Ｉｉｊｉｍａ：Ｗａｔｅｒ‐ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｈｉｇｈｌｙ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｏｆ  ｉｍｐｕｒｉｔｙ‐ｆｒｅｅ  ｓｉｎｇｌｅ‐ｗａｌｌｅｄ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，Ｓｃｉｅｎｃｅ  ３０６，１３６２‐１３６４（２００４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであって、その目的は、簡単な方法によって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができるカーボンナノチューブの成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、コバルトよりなる触媒微粒子（以下、「触媒コバルト微粒子」ともいう。）を用いてＣＶＤ法により単層カーボンナノチューブを得る場合に使用する下地層として、格別の酸化工程を経ることなくアルミニウム薄膜を単に大気に曝して得られる下地アルミニウム薄膜を使用することによって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】
本発明のカーボンナノチューブの成長方法は、アルミニウム薄膜が大気に曝されて得られる下地アルミニウム薄膜上に担持されたコバルトよりなる触媒微粒子を、アルコール蒸気を含有するカーボンナノチューブ成長用ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明のカーボンナノチューブの成長方法においては、コバルトよりなる触媒微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍの範囲にあるものであることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のカーボンナノチューブの成長方法においては、アルミニウム薄膜が、蒸着膜であることが好ましく、さらに、このアルミニウム薄膜の厚みが、５〜１００ｎｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のカーボンナノチューブの成長方法によれば、触媒コバルト微粒子を、アルミニウム薄膜を大気に曝して得られる下地アルミニウム薄膜上に担持させ、アルコール蒸気含有ガスを供給するという特定の簡便な方法によって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について具体的に説明する。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明のカーボンナノチューブの成長方法の一例を示すブロック図である。
【００１５】
このカーボンナノチューブの成長方法は、基板上に形成されたアルミニウム薄膜を大気に曝して得られる下地アルミニウム薄膜上に、触媒コバルト微粒子を担持させ、この触媒コバルト微粒子が担持された基板に、アルコール蒸気を含有するカーボンナノチューブ成長用ガス（以下、「アルコール蒸気含有ガス」ともいう。）を作用させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むものである。
具体的には、適宜の材質の基板上に例えば真空蒸着法により形成したアルミニウム薄膜を大気に曝して下地アルミニウム薄膜を得る下地アルミニウム薄膜形成工程、および、下地アルミニウム薄膜上に真空蒸着法、スパッタ法およびアーク放電法などの堆積法を用いてコバルトを堆積させ、加熱処理して下地アルミニウム薄膜上に触媒コバルト微粒子を担持させる触媒コバルト微粒子担持工程を行い、次いで、この触媒コバルト微粒子が担持された基板をカーボンナノチューブ成長用のアルコール蒸気含有ガス雰囲気中において、基板をカーボンナノチューブの成長温度に加熱して当該基板上にカーボンナノチューブをＣＶＤ法によって成長させるカーボンナノチューブ成長工程を行うことにより、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得るものである。
触媒コバルト微粒子担持工程の加熱処理は、実際上は、カーボンナノチューブ成長工程を行う前段階である昇温工程においてカーボンナノチューブの成長温度まで昇温させることにより、行われる。
【００１６】
カーボンナノチューブを成長させるための基板としては特に限定されず、例えばシリコン、シリコン熱酸化膜などよりなる半導体基板、金属基板、石英基板、アルミナ基板、サファイア基板などを適宜に使用することができる。
【００１７】
下地アルミニウム薄膜形成工程において形成されるアルミニウム薄膜は、膜厚が５〜１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍである。
アルミニウム薄膜の膜厚が上記の範囲であることにより、確実に垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができる。
この下地アルミニウム薄膜形成工程は、基板を加熱することなく行うことができる。
【００１８】
触媒コバルト微粒子は、カーボンナノチューブの成長に寄与する触媒として作用するものである。
【００１９】
この触媒コバルト微粒子は、粒径が０．４〜１０ｎｍ、実用的には１〜１０ｎｍの範囲にあることが好ましい。触媒コバルト微粒子の粒径がこの範囲であることにより、垂直に配向した単層のカーボンナノチューブを得ることができる。これは、ほぼ１００％の高い収率で単層カーボンナノチューブが成長することに起因して垂直成長が促進されたものと推察される。また、確実に垂直に配向した単層のカーボンナノチューブが得られることから、触媒コバルト微粒子の粒径が１〜５ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
【００２０】
このような触媒コバルト微粒子は、下地アルミニウム薄膜上にコバルトを例えば真空蒸着法によってバルクの膜厚換算で０.１〜０.５ｎｍ相当量、好ましくはバルクの膜厚換算で０．１〜０．３ｎｍ相当量を堆積させ、これを昇温工程において加熱処理することにより、前記下地アルミニウム薄膜上に担持させることができる。
触媒コバルト微粒子を構成すべきコバルトをバルクの膜厚換算で０．１〜０．５ｎｍ相当量を堆積させることにより、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある触媒コバルト微粒子を得ることができ、また、当該コバルトをバルクの膜厚換算で０．１〜０．３ｎｍ相当量を堆積させることにより、粒径が１〜５ｎｍの範囲にある触媒コバルト微粒子を得ることができる。
また、コバルトを上記の厚さに堆積させることにより、昇温工程において加熱処理されることによって下地アルミニウム薄膜上に特定の小粒径の触媒コバルト微粒子が高い密度で分散された状態を得ることができ、その結果、カーボンナノチューブ成長工程において単層カーボンナノチューブが垂直に配向した状態で成長される。
【００２１】
触媒コバルト微粒子担持工程における加熱処理、すなわち、カーボンナノチューブ成長工程を行う前段階の昇温工程は、ヘリウムガス、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガス、およびこれらの混合ガスよりなる不活性ガスを例えば流量５０〜３００ｓｃｃｍ、圧力５００〜９００Ｔｏｒｒになるように調節して流すことにより、あるいは、真空雰囲気において、行うことができる。
この昇温工程においては、カーボンナノチューブの成長温度、例えば好ましくは８００〜９００℃、より好ましくは８５０℃まで昇温させる。
【００２２】
カーボンナノチューブ成長工程を行うカーボンナノチューブ成長用のアルコール蒸気含有ガス雰囲気を構成するアルコール蒸気含有ガスは、アルコール蒸気ガスあるいはアルコール蒸気を含む混合ガスよりなるものである。
アルコールとしては、エタノール、メチルアルコール、イソプロピルアルコールを用いることもできる。
アルコール蒸気を含むためのガスとしては、ヘリウムガス、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガスなどの不活性ガス、およびこれらの混合ガスなどが挙げられるが、例えばアルゴンガスのみよりなるガスである場合に比して、高い収率で垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができるため、このアルコール蒸気を含むためのガスとしてアルゴンガスおよび水素ガスの混合ガスを使用することが好ましい。
アルコール蒸気含有ガスの具体的な一例としては、エタノール中をバブリングしてエタノール蒸気を含ませたアルゴンガスおよび水素ガスの混合ガスを挙げることができる。
【００２３】
カーボンナノチューブ成長工程においては、加熱条件を８００〜９００℃とすることが好ましく、圧力条件を５００〜９００Ｔｏｒｒとすることが好ましく、また、アルコール蒸気含有ガスの流量を、５０〜３００ｓｃｃｍとすることが好ましく、５０〜１００ｓｃｃｍとすることがより好ましい。
以上の加熱条件および圧力条件でカーボンナノチューブの成長を行うことにより、確実に垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができる。
【００２４】
カーボンナノチューブ成長工程における成長時間は、適宜に設定することができ、具体的には、得られるカーボンナノチューブの長さがこの成長時間に依存し、すなわち長さ１ｍｍのカーボンナノチューブを得るためにカーボンナノチューブの成長時間は約３０分とされるなど、所望の長さに対応する時間に設定すればよい。
【００２５】
以上のカーボンナノチューブの成長方法によって得られるカーボンナノチューブの直径は、例えば１〜７ｎｍである。得られるカーボンナノチューブの直径は、例えば使用される触媒コバルト微粒子の粒径や、カーボンナノチューブ成長工程において供給されるアルコール蒸気含有ガスの圧力条件および温度条件を制御することによって調整することができる。
ここに、カーボンナノチューブの直径は、例えばラマンスペクトルを測定することにより算出することができる。具体的には、ラジアルブリージングモード（ＲＢＭ）とよばれるカーボンナノチューブの直径の伸縮に起因するピークが現れる波数領域νについて、カーボンナノチューブの直径ｄ（ｎｍ）と波数νとの関係式；ｄ＝２４８／νより、得ることができる。
【００２６】
また、以上のカーボンナノチューブの成長方法によって得られるカーボンナノチューブの長さは、カーボンナノチューブ成長工程における成長時間によっても異なるが、１００μｍ〜１ｍｍの範囲である。
【００２７】
以上のカーボンナノチューブの成長方法によれば、触媒コバルト微粒子を、アルミニウム薄膜を大気に曝して得られる下地アルミニウム薄膜上に担持させ、アルコール蒸気含有ガスを供給するという特定の簡便な方法によって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができる。
【００２８】
以上のカーボンナノチューブの成長方法においては、種々の変更を加えてもよい。
例えば、触媒コバルト微粒子担持工程は、図２に示されるように、移流堆積法によって触媒コバルト微粒子を下地アルミニウム薄膜上に担持させるものであってもよい。
【００２９】
具体的には、下地アルミニウム薄膜が形成された基板を、エタノールに溶解した酢酸コバルト溶液に浸漬して垂直に引き上げることにより、下地アルミニウム薄膜上に触媒コバルト微粒子が分散された状態で析出されて当該下地アルミニウム薄膜上に触媒コバルト微粒子が担持される。
【００３０】
酢酸コバルト溶液の濃度は、０．１〜０．５質量％であることが好ましく、また、基板の引き上げ速度は、４〜２０ｃｍ／ｍｉｎであることが好ましい。
下地アルミニウム薄膜上に担持される触媒コバルト微粒子の密度は、酢酸コバルト溶液の濃度および基板の引き上げ速度を制御することにより、調整することができ、酢酸コバルト溶液の濃度および基板の引き上げ速度が上記の範囲であることにより、粒径が１〜１０ｎｍである触媒コバルト微粒子を得ることができる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
〔実施例１〕
図１に示すカーボンナノチューブの成長方法に従い、カーボンナノチューブを得た。具体的には、真空蒸着装置を用い、膜厚１００ｎｍのシリコン熱酸化膜の表面上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのアルミニウム薄膜を形成させ、このアルミニウム薄膜を大気に曝した（操作１）。次いで、真空蒸着法により下地アルミニウム薄膜上に厚さ０．２ｎｍにコバルトを堆積させた（操作２）。これを真空蒸着装置から取り出し、加熱炉の石英管内に入れ、石英管内部を１Ｔｏｒｒまで排気し、次いで、アルゴンと水素（体積比３％）の混合ガスを、石英管内部の圧力が７００Ｔｏｒｒ、流量が３００ｓｃｃｍになるように調節して流し、室温からカーボンナノチューブの成長温度８５０℃まで１５分間で昇温した（操作３）。次いで、エタノール中をバブリングしてエタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素（体積比３％）の混合ガスを、石英管内部の圧力が７００Ｔｏｒｒ、流量が５０ｓｃｃｍになるように、混合ガスの流量と真空ポンプによる排気を調整して、３０分間、カーボンナノチューブ成長を継続させた（操作４）。この後、エタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素の混合ガスをアルゴンガスに切換え、炉の温度を下げて基板を取り出し、カーボンナノチューブ〔Ａ〕を得た。
【００３３】
このカーボンナノチューブ〔Ａ〕についてＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真およびＴＥＭ写真を撮影した。結果を図３および図４に示す。
この図３および図４より、直径が約３ｎｍ、長さが最大約０．６ｍｍの単層カーボンナノチューブが、基板と垂直な方向に配向した状態に成長していることが確認された。
【００３４】
〔実施例２〕
図２に示すカーボンナノチューブの成長方法に従い、カーボンナノチューブを得た。具体的には、真空蒸着装置を用い、膜厚１００ｎｍのシリコン熱酸化膜の表面に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのアルミニウム薄膜を形成させ、このアルミニウム薄膜を大気に曝した。次いで、基板を濃度０．２質量％の酢酸コバルトのエタノール溶液に浸し、引き上げた速度１２ｍｍ／ｍｉｎで垂直に引き上げ、触媒コバルト微粒子を析出させた。この基板を加熱炉の石英管内に入れ、石英管内部を１Ｔｏｒｒ以下まで排気し、次いで、アルゴンと水素（体積比３％）の混合ガスを、流量３００ｓｃｃｍ、圧力７００Ｔｏｒｒになるように調節して流し、室温からカーボンナノチューブの成長温度８５０℃まで１５分間で昇温した。次いで、エタノール中をバブリングしてエタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素（体積比３％）の混合ガスを、石英管内部の圧力が７００Ｔｏｒｒ、流量が５０ｓｃｃｍになるように、真空ポンプによる排気を調整して、３０分間、カーボンナノチューブの成長を継続させた後、エタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素の混合ガスをアルゴンガスに切換え、炉の温度を下げて基板を取り出し、カーボンナノチューブ〔Ｂ〕を得た。
【００３５】
このカーボンナノチューブ〔Ｂ〕についてＳＥＭ写真およびＴＥＭ写真を撮影したところ、直径が約３ｎｍ、長さが最大約０．６ｍｍの単層カーボンナノチューブが、基板と垂直な方向に配向した状態に成長していることが確認された。
【００３６】
〔比較例１〕
操作１を、真空蒸着装置を用い、膜厚１００ｎｍのシリコン熱酸化膜の表面上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのアルミニウム薄膜を形成させ、次いで、このアルミニウム薄膜を酸化雰囲気中において完全に酸化させて行ったことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔１〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔１〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００３７】
〔比較例２〕
操作１および操作２を、真空蒸着装置を用い、膜厚１００ｎｍのシリコン熱酸化膜の表面上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのアルミニウム薄膜を形成させ、次いで当該真空蒸着装置において、このアルミニウム薄膜上に厚さ０．２ｎｍにコバルトを堆積させ、このアルミニウム薄膜およびコバルトを担持した基板を大気に曝して行ったことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔２〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔２〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００３８】
〔比較例３〕
操作１を、真空蒸着装置を用い、膜厚１００ｎｍのシリコン熱酸化膜の表面上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのアルミニウム薄膜を形成させ、次いで、このアルミニウム薄膜が形成された基板を水中において煮沸し、アルミニウムを水酸化物化させて行ったことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔３〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔３〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００３９】
〔比較例４〕
シリコン熱酸化膜上にアルミニウム薄膜を設けず、直接、コバルトを堆積させたことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔４〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔４〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００４０】
〔比較例５〕
触媒としてコバルトではなく、鉄を用いたことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔５〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔５〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００４１】
〔比較例６〕
触媒としてコバルトではなく、ニッケルを用いたことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔６〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔６〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【００４２】
〔比較例７〕
エタノール中をバブリングしてエタノール蒸気を含ませたアルゴンと水素（体積比３％）の混合ガスの代わりにメタンガスを用いたことの他は実施例１と同様にしてカーボンナノチューブを成長させて比較用カーボンナノチューブ〔７〕を得、この比較用のカーボンナノチューブ〔７〕についてＳＥＭ写真を撮影したところ、観察されたカーボンナノチューブは、基板と垂直な方向に成長せず、全てが基板表面を這う状態に成長していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のカーボンナノチューブの成長方法の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明のカーボンナノチューブの成長方法の他の一例を示すブロック図である。
【図３】実施例１において得られたカーボンナノチューブのＳＥＭ写真である。
【図４】実施例１において得られたカーボンナノチューブのＴＥＭ写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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