(57)【要約】【課題】  ＰＤＩＣゲイン切り替え時の位相補償容量による出力電圧の不安定化を回避し、正確な信号検出を実現する。【解決手段】  ＰＤＩＣ１１の増幅器の位相補償用として機能していない容量は、前記増幅器の出力と前記増幅器の非反転入力が接続された基準電圧との間に接続する。このため、ＰＤＩＣ１１のゲイン切り替えに伴い前記容量が位相補償用として前記増幅器の出力と反転入力との間に接続されたとき、前記容量は接続される直前の前記増幅器の出力電圧でチャージされた状態になっている。このため、従来のようにチャージされていない容量を位相補償用として前記増幅器の出力と反転入力との間に接続したときに生じるＰＤＩＣ１１の出力波形の不安定化を回避でき、安定した正しい出力波形が得られ、高倍速においても正確な信号検出が可能となる。【選択図】図２
2007305272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを光記録媒体に照射する発光素子と、前記光ビームが前記光記録媒体で反射された反射光ビームを受光して各種情報を検出する信号検出用受光素子とを備えた光ピックアップ装置であって、
前記信号検出用受光素子は、
前記発光素子の発光波形の複数のレベルにそれぞれ対応する、受光した反射光ビームから各種情報を検出する増幅器の増幅度を規定する複数の帰還抵抗素子と、
前記発光素子の発光波形のレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する前記帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択し、前記増幅器の出力と反転入力との間に接続する抵抗素子スイッチ回路と、
前記帰還抵抗素子により規定される増幅器の増幅度にそれぞれ対応した前記増幅器の位相補償量を付与し、前記増幅器の出力端に一方の端子が共通接続された複数の容量素子と、
前記抵抗素子スイッチ回路により選択される前記帰還抵抗素子により規定される前記増幅器の増幅度に対応した前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子の他方の端子を、前記制御信号をもとに前記増幅器の反転入力端へ接続するとともに、前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子以外の残りの全ての容量素子の他方の端子を、前記増幅器の非反転入力端が接続した基準電圧へ接続する容量素子スイッチ回路と、
を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記抵抗素子スイッチ回路は、データ書き込み中における前記発光素子の発光波形のレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択することを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記抵抗素子スイッチ回路は、データ書き込み中における前記発光素子の発光波形のピークパワーおよびバイアスパワーのレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択することを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段により回転駆動する前記光記録媒体に対し光ビームを照射し、前記光記録媒体からの反射光ビームを検出する光ピックアップ装置とを有し、前記光記録媒体に対し記録および／または再生を行う光ディスク装置であって、
前記光ピックアップ装置は、前記光ビームを出射する発光素子と、前記反射光ビームを受光して各種情報を検出する信号検出用受光素子とを備え、
前記信号検出用受光素子は、
前記発光素子の発光波形の複数のレベルにそれぞれ対応する、受光した反射光ビームから各種情報を検出する増幅器の増幅度を規定する複数の帰還抵抗素子と、
前記発光素子の発光波形のレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する前記帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択し、前記増幅器の出力と反転入力との間に接続する抵抗素子スイッチ回路と、
前記帰還抵抗素子により規定される増幅器の増幅度にそれぞれ対応した前記増幅器の位相補償量を付与し、前記増幅器の出力端に一方の端子が共通接続された複数の容量素子と、
前記抵抗素子スイッチ回路により選択される前記帰還抵抗素子により規定される前記増幅器の増幅度に対応した前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子の他方の端子を、前記制御信号をもとに前記増幅器の反転入力端へ接続するとともに、前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子以外の残りの全ての容量素子の他方の端子を、前記増幅器の非反転入力端が接続した基準電圧へ接続する容量素子スイッチ回路と、
を備えることを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号検出用受光素子（以下、ＰＤＩＣという）のゲイン切り替え時における位相補償容量の切り替えの際の信号検出出力の不安定化を回避できる光ピックアップ装置および光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録系光ディスクにおいては記録スピードの高倍速化が進んでいる。また、リード時とライト時の光量の差が大きくなっている。このため、受光アンプ回路の負帰還回路を、データ読み出し用、データ書き込み用などのように複数設け、データの読み出し時と書き込み時に応じ、これら複数の負帰還回路から対応する回路をスイッチ回路により選択し、受光アンプ回路の増幅特性を劣化させることなく、周波数帯域やゲインを入力信号に応じた最適値に切り替える受光アンプ回路が提案されている（特許文献１参照）。
また、反射光の光量が大きく変化するような状況である記録時と再生時に対し、アンプの入力側に分流回路を挿入し、前記アンプへの信号の入力レベルが記録時と再生時とで等しくなるようにする光ディスク装置が提案されている（特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２３４６２３号公報
【特許文献２】特開平６−３１８３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、従来の光ピックアップ装置および光ディスク装置、特に前者の受光アンプ回路においては、受光アンプ回路の増幅器の出力と反転入力端子との間に接続される帰還抵抗の切り替えによるゲインの切り替えと同時に位相補償のための容量の切り替えも行う必要がある。この容量の切り替え時には、受光アンプ回路の増幅器の出力と反転入力端子との間に接続される容量には電荷はチャージされていない。このため、前記位相補償のための容量の切り替え直後から暫くの間は出力電圧は安定化されず、正しい出力とはならず、正確な信号検出が困難であるという問題がある。
【０００５】
さらに近年ではディスクのアドレスはウォーブルアドレスを使用しているフォーマットが多く、精度の高いアドレス検出のためにはライト中もバイアスパワーとピークパワーの両方の発光時の信号からアドレス検出を行う必要がある。しかしながら、これらバイアスパワーとピークパワーの両方の発光時の信号のレベル差が大きいためアドレス検出を行うことが困難になっている。このため、ライト中も高速記録の光ディスクにおいては、ダイナミックレンジを圧縮するため、ＰＤＩＣのゲインをバイアスパワー時とピークパワー時で切り替えることが提案されている。
図５は、光ディスクに対するデータ書き込み中におけるレーザダイオード発光波形のバイアスパワーとピークパワーを示す説明図である。
図５（ａ）は、ライト期間中にレーザダイオードから照射されたレーザ光により高速記録の光ディスクへ書き込まれるマークを示している。また同図（ｂ）は、ライト期間に前記マークを書き込むレーザダイオードの発光波形を示し、前記マークを書き込むときのレーザダイオードのパワーレベルがピークパワー、それ以外の期間やリード期間のレーザダイオードのパワーレベルがバイアスパワーである。また、同図（ｃ）は、ライト期間におけるレーザダイオードの発光波形のバイアスパワー時とピークパワー時で切り替えられるＰＤＩＣのゲインを示している。図４は、データ書き込み中におけるレーザダイオードの発光波形と、従来のＰＤＩＣのトランスインピーダンスアンプの出力信号波形を示す説明図である。
【０００６】
このようにＰＤＩＣのゲインをバイアスパワー時とピークパワー時で切り替えた場合、ＰＤＩＣのゲインの切り替えに伴う位相補償のための容量の切り替え時には、ＰＤＩＣのトランスインピーダンスアンプの出力と反転入力端子との間に接続される容量には電荷はチャージされていないことから、前記位相補償のための容量の切り替え直後から暫くの間、図４（ｃ）に示すように出力電圧は安定化されず、正しい出力とはならず、特に高倍速になると正確な信号検出が困難であるという課題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ＰＤＩＣゲイン切り替え時の位相補償容量による出力電圧の不安定化を回避し、正確な信号検出を実現できる光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明にかかる光ピックアップ装置は、光ビームを光記録媒体に照射する発光素子と、前記光ビームが前記光記録媒体で反射された反射光ビームを受光して各種情報を検出する信号検出用受光素子とを備えた光ピックアップ装置であって、記信号検出用受光素子は、前記発光素子の発光波形の複数のレベルにそれぞれ対応する、受光した反射光ビームから各種情報を検出する増幅器の増幅度を規定する複数の帰還抵抗素子と、前記発光素子の発光波形のレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する前記帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択し、前記増幅器の出力と反転入力との間に接続する抵抗素子スイッチ回路と、前記帰還抵抗素子により規定される増幅器の増幅度にそれぞれ対応した前記増幅器の位相補償量を付与し、前記増幅器の出力端に一方の端子が共通接続された複数の容量素子と、前記抵抗素子スイッチ回路により選択される前記帰還抵抗素子により規定される前記増幅器の増幅度に対応した前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子の他方の端子を、前記制御信号をもとに前記増幅器の反転入力端へ接続するとともに、前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子以外の残りの全ての容量素子の他方の端子を、前記増幅器の非反転入力端が接続した基準電圧へ接続する容量素子スイッチ回路とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、上述の目的を達成するため、本発明にかかる光ディスク装置は、光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段により回転駆動する前記光記録媒体に対し光ビームを照射し、前記光記録媒体からの反射光ビームを検出する光ピックアップ装置とを有し、前記光記録媒体に対し記録および／または再生を行う光ディスク装置であって、
前記光ピックアップ装置は、前記光ビームを出射する発光素子と、前記反射光ビームを受光して各種情報を検出する信号検出用受光素子とを備え、前記信号検出用受光素子は、前記発光素子の発光波形の複数のレベルにそれぞれ対応する、受光した反射光ビームから各種情報を検出する増幅器の増幅度を規定する複数の帰還抵抗素子と、前記発光素子の発光波形のレベルに対応して前記増幅器の増幅度を制御する制御信号をもとに、前記発光素子の発光波形のレベルに対応した前記増幅器の増幅度を規定する前記帰還抵抗素子を前記複数の帰還抵抗素子の中から選択し、前記増幅器の出力と反転入力との間に接続する抵抗素子スイッチ回路と、前記帰還抵抗素子により規定される増幅器の増幅度にそれぞれ対応した前記増幅器の位相補償量を付与し、前記増幅器の出力端に一方の端子が共通接続された複数の容量素子と、前記抵抗素子スイッチ回路により選択される前記帰還抵抗素子により規定される前記増幅器の増幅度に対応した前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子の他方の端子を、前記制御信号をもとに前記増幅器の反転入力端へ接続するとともに、前記増幅器の位相補償量を付与する前記容量素子以外の残りの全ての容量素子の他方の端子を、前記増幅器の非反転入力端が接続した基準電圧へ接続する容量素子スイッチ回路とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＰＤＩＣの増幅器の増幅度の切り替えに伴って位相補償用の容量を切り替えるとき、その容量素子は、前記増幅度の切り替え直前の前記増幅器の出力電圧により充電された状態になっている。このため、前記増幅器の出力と反転入力との間に充電されていない容量素子を接続したときの充電電流による前記増幅器の出力電圧への悪影響が回避され、前記増幅器の出力電圧が安定化し、正確な信号検出を実現できる光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の実施の形態の光ディスク装置の全体構成を示すブロック図である。
この光ディスク装置は、光ディスク１をスピンドルモータ２により回転駆動する。この際、ディスクサーボ回路３によりスピンドルモータ２を制御し、光ディスク１を所定の回転速度で回転させる。そして、この状態で光ピックアップ装置４により光ディスク１に光ビームを照射する。
【００１２】
また、この光ディスク装置は、記録時においては、光ピックアップ装置４により光ビームの光量を記録用光量に増大させ光ディスク１へ間欠的に照射し、データを記録する。また、再生時においては、所定の再生用光量で光ビームを光ディスク１のデータが記録されている記録面に連続的に照射し、前記記録面からの反射光を受光してデータを再生する。
【００１３】
光ピックアップ装置４は、ＰＤＩＣ１１と、レーザダイオード４１およびレーザダイオードドライバ４２と、コリメータレンズ４３、４６、対物レンズ４５、ビームスプリッタ４４などから構成された光学系と、レーザダイオード４１から出射された光ビームのパワーモニター用のＦＰＤＩＣ１２などを備えている。
【００１４】
レーザダイオード４１はレーザダイオードドライバ４２により駆動され、所定のタイミングで光ビームを出射する。コリメータレンズ４３は、前記レーザダイオード４１から出射された光ビームを平行光線に変換し、ビームスプリッタ４４を透過させて対物レンズ４５へ導く。対物レンズ４５は、ビームスプリッタ４４を透過した前記光ビームを光ディスク１の記録面に集光するとともに、この結果得られる反射光をビームスプリッタ４４へ導く。ビームスプリッタ４４は、光ディスク１からの反射光を反射させコリメータレンズ４６へ出射する。コリメータレンズ４６は、ビームスプリッタ４４から出射された前記光ディスク１からの反射光をフォトダイオード５１の受光面に集光する。
【００１５】
ＰＤＩＣ１１は、前記フォトダイオード５１とトランスインピーダンスアンプ５２とを備えている。
フォトダイオード５１は、コリメータレンズ４６で集光された反射光を受光する受光面を有し、本実施の形態では受光面が４分割されており、言い換えると、フォトダイオード５１は４つのフォトダイオードで構成されている。
そして、前記４つのフォトダイオードの各出力がそれぞれ対応するトランスインピーダンスアンプ５２により増幅される出力される。
【００１６】
この光ディスク装置においては、前記フォトダイオード５１の全入射光量にもとづいて記録されているデータを再生する。また、前記フォトダイオード５１の各受光面間で受光結果を信号処理部５により演算処理することでトラッキングエラー信号ＴＥおよびフォーカスエラー信号ＦＥを生成する。
【００１７】
トラッキングアクチュエータ２１は、信号処理部５において生成された前記トラッキングエラー信号ＴＥをもとに対物レンズ４５をトラッキング方向に移動させ、トラッキング制御を実現する。また、フォーカスアクチュエータ２２は、信号処理部５において生成された前記フォーカスエラー信号ＦＥをもとに対物レンズ４５をフォーカシング方向に移動させ、フォーカス制御を実現する。
【００１８】
システム制御部６は、この光ディスク装置の各部の制御を行うものであり、外部との間で各種信号の授受を行うためのインタフェースを備え、また、信号処理部５、エンコーダ７、タイミング制御部８およびディスクサーボ回路３との間で各種信号の授受を行う。そして、システム制御部６は、ＰＤＩＣゲイン制御、レーザダイオード発光タイミング制御およびレーザダイオードパワー制御を含む各種制御のための信号をエンコーダ７を介して出力する。
【００１９】
タイミング制御部８は、システム制御部６からエンコーダ７を介して出力された前記信号をもとに、ＰＤＩＣゲイン制御、レーザダイオード発光タイミング制御およびレーザダイオードパワー制御のタイミングを制御する回路である。
【００２０】
レーザダイオードパワー制御回路９は、タイミング制御部８からの指示やＦＰＤＩＣ１２の出力をもとにレーザダイオード４１から出射された光ビームをモニタし、レーザダイオードドライバ４２に対しレーザダイオード４１を駆動する際のパワー設定を行う。
【００２１】
図２は、この実施の形態の光ディスク装置に用いられるＰＤＩＣ１１の構成を示す回路図である。
ＰＤＩＣ１１は、フォトダイオード５１およびトランスインピーダンスアンプ５２と、トランスインピーダンスアンプ５２の増幅度を規定する帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２と位相補償用として機能させたときに位相補償特性を付与する容量Ｃ１、Ｃ２と、帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２および容量Ｃ１、Ｃ２のトランスインピーダンスアンプ５２に対する接続構成を切り替え、トランスインピーダンスアンプ５２の増幅度や位相補償特性を切り替えるためのスイッチ回路６１、６２、６３を備えている。
【００２２】
トランスインピーダンスアンプ５２の非反転入力端子は基準電圧、この実施の形態ではグランドへ接続されている。
トランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子はフォトダイオード５１のカソードへ接続され、フォトダイオード５１のアノードはグランドへ接続されている。
トランスインピーダンスアンプ５１の出力はＰＤＩＣ１１の出力であり、信号処理部５へ接続されている。さらに、トランスインピーダンスアンプ５２の増幅度を規定する帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２および位相補償特性を付与する容量Ｃ１、Ｃ２のそれぞれの一方の端子が共通接続されてトランスインピーダンスアンプ５２の出力に接続されている。
【００２３】
スイッチ回路６１は、容量Ｃ１の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の非反転入力端子が接続されている基準電圧またはトランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子の何れか一方へ切り替え接続するための回路である。
【００２４】
スイッチ回路６２は、容量Ｃ２の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の非反転入力端子が接続されている基準電圧またはトランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子の何れか一方へ切り替え接続するための回路である。
【００２５】
スイッチ回路６３はトランスインピーダンスアンプ５２の増幅度を規定する帰還抵抗Ｒ１または帰還抵抗Ｒ２の何れか一方の他方の端子を、トランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子へ切り替え接続するための回路である。
【００２６】
スイッチ回路６１、６２、６３の切り替えはタイミング制御部８から出力されるＰＤＩＣゲイン制御信号により制御される。
また、スイッチ回路６１、６２、６３の切り替えはＰＤＩＣゲイン制御信号に同期して行われ、例えばＰＤＩＣゲイン制御信号が“Ｈｉｇｈ”レベルであると、トランスインピーダンスアンプ５２の増幅度が大きくなるように帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２の一方と、その増幅度に応じた容量Ｃ１、Ｃ２の一方を、位相補償用容量としてトランスインピーダンスアンプ５２の出力と反転入力端子との間に接続する。
また、ＰＤＩＣゲイン制御信号が“Ｌｏｗ”レベルであると、トランスインピーダンスアンプ５２の増幅度が小さくなるように帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２の他方と、その増幅度に応じた容量Ｃ１、Ｃ２の他方を、位相補償用の容量としてトランスインピーダンスアンプ５２の出力と反転入力端子との間に接続する。
そして、スイッチ回路６１、６２の切り替えは、ＰＤＩＣゲイン制御信号が“Ｈｉｇｈ”レベルまたは“Ｌｏｗ”レベルの何れに設定されている状態であっても、容量Ｃ１、Ｃ２のうち位相補償用として用いられる容量については、その他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５２の出力へ接続し、かつ、容量Ｃ１、Ｃ２のうち位相補償用として用いられない方の容量については、その他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５２の非反転入力端子が接続されている基準電圧へ接続するようになされる。
【００２７】
図２に示す例では、ＰＤＩＣゲイン制御信号が“Ｈｉｇｈ”レベルであると、スイッチ回路６１は、位相補償用の容量として容量Ｃ１の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子へ接続するように切り替える。
このとき、スイッチ回路６２は容量Ｃ２の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５２の非反転入力端子が接続されている基準電圧へ接続するように切り替える。
また、スイッチ回路６３は帰還抵抗Ｒ１の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子へ接続し、帰還抵抗Ｒ２の他方の端子を開放された状態に切り替える。
【００２８】
また、ＰＤＩＣゲイン制御信号が“Ｌｏｗ”レベルであると、スイッチ回路６１は、容量Ｃ１の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の非反転入力端子が接続された基準電圧へ接続するように切り替える。
また、スイッチ回路６２は位相補償用の容量として容量Ｃ２の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子へ接続するように切り替える。
また、スイッチ回路６３は帰還抵抗Ｒ１の他方の端子を開放された状態に切り替え、帰還抵抗Ｒ２の他方の端子をトランスインピーダンスアンプ５１の反転入力端子へ接続するように切り替える。
【００２９】
次に動作について説明する。
図３は、この実施の形態の光ディスク装置のデータ書き込み中におけるレーザダイオード４１の発光波形と、ＰＤＩＣゲイン制御信号によりゲインが制御されるＰＤＩＣ１１の出力信号波形を示す説明図である。
データ書き込み中におけるレーザダイオードの発光波形は、図３（ａ）に示すように、マークを書き込む期間、ピークパワーのレベルに制御される。また、前記マークを書き込む期間以外の期間においては、レーザダイオードの発光波形はバイアスパワーのレベルに制御される。これらデータ書き込み中におけるレーザダイオードの発光波形のピークパワーとバイアスパワーの制御は、タイミング制御部８からレーザダイオードドライバ４２へ出力されるレーザダイオード発光タイミング制御信号と、レーザダイオードパワー制御回路からレーザダイオードドライバ４２へ出力されるパワー設定信号をもとに行われる。
そして、ウォーブルアドレスを使用しているフォーマットのディスクでは、データ書き込み中においてもピークパワーとバイアスパワーの両方の発光時の信号から精度の高いアドレス検出を行う。
【００３０】
この実施の形態の光ディスク装置では、タイミング制御部８は、前記レーザダイオード発光タイミング制御信号と同期するＰＤＩＣゲイン制御信号をＰＤＩＣ１１へ出力する。ＰＤＩＣゲイン制御信号は、レーザダイオード４１の発光波形のバイアスパワー時とピークパワー時に応じてＰＤＩＣ１１のゲイン、すなわちＰＤＩＣ１１が備えているトランスインピーダンスアンプ５２のゲインを制御する信号である。
このＰＤＩＣゲイン制御信号は、例えばレーザダイオードの発光波形をピークパワーに制御するピークパワー制御期間では“Ｈｉｇｈ”レベル、それ以外のバイアスパワーに制御するバイアスパワー制御期間では“Ｌｏｗ”レベルとなる信号である。このＰＤＩＣゲイン制御信号は、ＰＤＩＣ１１の図２に示すスイッチ回路６１、６２、６３へ出力される。
【００３１】
この結果、レーザダイオードの発光波形がバイアスパワーに制御されるバイアスパワー制御期間では、容量Ｃ１の他方の端子がスイッチ回路６１により切り替えられてトランスインピーダンスアンプ５２の非反転入力端子へ接続され、また、容量Ｃ２の他方の端子はスイッチ回路６２により切り替えられてトランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子へ接続され、また、帰還抵抗Ｒ１の他方の端子はスイッチ回路６３により切り替えられどこにも接続されていない開放されている状態になる。一方、帰還抵抗Ｒ２の他方の端子はスイッチ回路６３により切り替えられてトランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子へ接続された状態になる。
【００３２】
この結果、トランスインピーダンスアンプ５２は、容量Ｃ２により付与される位相補償特性で帰還抵抗Ｒ２により規定される増幅度によりフォトダイオード５１の出力を増幅し出力する。このとき、容量Ｃ１はトランスインピーダンスアンプ５２の出力と非反転入力端子が接続されている基準電圧との間に接続されているため、トランスインピーダンスアンプ５２の出力電圧でチャージされた状態にある。
【００３３】
このバイアスパワー制御期間から、レーザダイオードの発光波形がピークパワーに制御されるピークパワー制御期間になると、図２に示されているように容量Ｃ１の他方の端子がスイッチ回路６１により切り替えられてトランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子へ接続され、また、容量Ｃ２の他方の端子はスイッチ回路６２により切り替えられトランスインピーダンスアンプ５２の非反転入力端子が接続されている基準電圧へ接続され、また、帰還抵抗Ｒ１の他方の端子がスイッチ回路６３により切り替えられてトランスインピーダンスアンプ５２の反転入力端子へ接続された状態になる。
これにより、ピークパワー制御期間に移行するとトランスインピーダンスアンプ５２は、容量Ｃ１により付与される位相補償特性で帰還抵抗Ｒ１により規定される増幅度によりフォトダイオード５１の出力を増幅し出力する。このとき、直前のバイアスパワー制御期間中、容量Ｃ１はトランスインピーダンスアンプ５２の出力と非反転入力端子が接続されている基準電圧との間に接続されていたため、前記バイアスパワー制御期間のトランスインピーダンスアンプ５２の出力電圧でチャージされた状態にある。
この結果、前記ピークパワー制御期間へ切り替わった直後のトランスインピーダンスアンプ５２の出力信号は、従来のように容量Ｃ１がチャージされていない場合に比べて、図３（ｃ）に示すように位相補償用の容量への充電電流による影響のない安定した正しい出力波形となり、高速記録の光ディスク、高倍速においても正確な信号検出が可能となる。
【００３４】
以上説明したように、この実施の形態によれば、ＰＤＩＣ１１のトランスインピーダンスアンプ５２のゲイン切り替えに伴い、トランスインピーダンスアンプ５２の出力と反転入力端子との間へ位相補償用として接続される容量は、前記ゲイン切り替え直前のバイアスパワー制御期間またはピークパワー制御期間におけるトランスインピーダンスアンプ５２の出力電圧によりチャージされていることになる。
そして、この状態の容量が、前記トランスインピーダンスアンプ５２のゲイン切り替え時に位相補償用の容量としてトランスインピーダンスアンプ５２の出力と反転力端子との間へ接続されるため、前記容量が充電されていない状態でトランスインピーダンスアンプ５２の出力と反転入力との間に接続されたときに比べ前記容量への充電電流によるトランスインピーダンスアンプ５２の出力電圧の不安定化が回避され、高倍速においても正確な信号検出が実現できる光ピックアップ装置および光ディスク装置を提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態の光ディスク装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態の光ディスク装置に用いられるＰＤＩＣの構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施の形態の光ディスク装置のデータ書き込み中におけるレーザダイオードの発光波形と、ＰＤＩＣゲイン制御信号によりゲインが制御されるＰＤＩＣの出力信号波形を示す説明図である。
【図４】データ書き込み中におけるレーザダイオードの発光波形と、従来のＰＤＩＣのトランスインピーダンスアンプの出力信号波形を示す説明図である。
【図５】光ディスクに対するデータ書き込み中におけるレーザダイオード発光波形のバイアスパワーとピークパワーを示す説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１……光ディスク（光記憶媒体）、４……光ピックアップ装置、１１……ＰＤＩＣ（信号検出用受光素子）、１２……ＦＰＤＩＣ（モニタ用受光素子）、４１……レーザダイオード（発光素子）、４２……レーザダイオードドライバ（駆動回路）、４３……コリメータレンズ（光学部品）、４４……ビームスプリッタ（光学部品）、４６……コリメータレンズ（光学部品）、４５……対物レンズ（集光手段）、５１……フォトダイオード、５２……トランスインピーダンスアンプ（増幅器）、６１、６２……容量素子スイッチ回路、６３……抵抗素子スイッチ回路、Ｃ１、Ｃ２……容量（容量素子）、Ｒ１、Ｒ２……帰還抵抗（帰還抵抗素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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