(57)【要約】【課題】酸、特に硫酸の使用を回避し、そして該プロセス時に適した非イオン性洗浄剤を利用したマスクブランクを洗浄する有効なプロセスを提供すること。【解決手段】以下のプロセス工程、すなわち、ａ）ＵＶ−処理工程、ｂ）フルジェット洗浄工程、ｃ）メガソニック洗浄工程、ｄ）ＤＩ水リンス工程、及び必要なら基板を乾燥する工程を含む基板を洗浄するための方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のプロセス工程、すなわち、
ａ）ＵＶ−処理工程、
ｂ）フルジェット洗浄工程、
ｃ）メガソニック洗浄工程、
ｄ）ＤＩ水リンス工程、及び
必要なら基板を乾燥する工程、からなる基板を洗浄するための方法。
【請求項２】
前記基板はマスクブランク又はそれらの前駆体である、請求項１に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項３】
前記基板の表面と裏面の２つのＵＶ処理工程を施し、そして次の工程ｂ）ないし工程ｄ）を乾燥前に少なくとも１回繰り返す、請求項１又は請求項２に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項４】
前記工程ｂ）ないし工程ｄ）を全体で３回繰り返す、請求項３に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項５】
前記工程ｂ）ないし工程ｄ）を前記基板の表面、裏面そして再度表面に施す、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項６】
前記工程ｂ）ないし工程ｃ）において、水酸化アンモニウムと過酸化水素をメガソニック及び／又はフルジェット洗浄と組み合わせて使用する、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項７】
何ら酸を利用しない請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項８】
基板又はマスクブランクの金属膜面をフルジェット及び／又はメガソニック洗浄時に非イオン性洗浄剤組成物で処理する、請求項１又は請求項２に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項９】
前記非イオン性洗浄剤組成物は、８ないし１２．７のｐＨ値を有する、請求項８に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１０】
前記非イオン性洗浄剤組成物は、１２０ないし１２，６６０μＳ／ｃｍの伝導率を有する、請求項８又は請求項９に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１１】
前記非イオン性洗浄剤組成物は、非イオン性洗浄剤と脱イオン化水の比率が１対１０００部で混合する、請求項８ないし請求項１０のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１２】
前記基板の表面は金属膜である、請求項８ないし請求項１１のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１３】
前記基板の表面に超音波出力の形態で近接スクラビング効果及び機械的攪拌を行う工程を更に含む、請求項８ないし請求項１２のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１４】
前記ＤＩ水リンス時に、炭酸ＤＩ水混合物を使用する、請求項８ないし請求項１３のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１５】
スピンリンス乾燥（ＳＲＤ）により、３００ないし１４００ｒｐｍで前記基板を乾燥する工程を更に含む、請求項８ないし請求項１４のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１６】
スピン−乾燥段階時に製造者の湿式加工シールドに加えて別のシールドを使用してスプラッシュ水が該ツールの電気的部品にかからないようにする、請求項８ないし請求項１５のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１７】
洗浄後、前記基板表面に金属膜を付着させる工程を更に含む、請求項８ないし請求項１６のいずれか１項に記載の基板を洗浄するための方法。
【請求項１８】
８ないし１２のｐＨ値を有する非イオン性洗浄剤組成物からなる、基板を洗浄するためのキット。
【請求項１９】
前記非イオン性洗浄剤溶液は、非イオン性洗浄剤と脱イオン化水を、非イオン性洗浄剤に対する脱イオン化水の比率を１対１０００部で含む、基板を洗浄するためのキット。
【請求項２０】
基板表面上の粒子、欠陥、金属、有機又は無機汚染物質をアルカリ非イオン性洗浄剤で処理することにより洗浄し、調整し、及び／又は制御する、請求項１８に記載のキットの用途。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、特にマスク及びマスクブランクあるいはそれらの前駆体を洗浄するための新しい有利な方法に関する。この発明によれば、マスクブランクは、１つの金属化合物又は複数金属化合物の混合物から成る少なくとも１つのコーティング層を有する基板と定義される。マスクブランク（マスクに対して）はフォトレジストを含まない。マスクブランクの前駆体は、本発明によれば、まだ存在していない少なくとも１つの層（レジスト以外）を備えた少なくとも１つのコーティング層を有する基板と定義される。まだ存在していない層の例としてＥＵＶＬマスクのバッファー又は吸収体層あるいは帯電防止層、反射防止層、エッチング停止層などがある。
【背景技術】
【０００２】
二層及び位相シフトマスクブランクの場合、一般に、薄膜系の上部の光吸収層又は吸収層又はマスキング層又は遮光層がある。この吸収層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ及び／又はそれらの窒化物からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含むことができ、そして多くとも１０原子％のＣ、Ｏ又はそれらの混合物のような少量を含有することができる。前に述べたように、マスクブランクは、例えば１つ又はそれ以上の帯電防止層、反射防止層、エッチング停止層などの他の層を更に含むことができる。
【０００３】
位相シフトマスク（ＰＳＭ）の場合、単層及び二層系を該位相シフト層に使用することができる。二層位相シフト系は透過制御サブ層及び位相シフト制御サブ層を備えることができる。この透過制御サブ層はエッチング停止機能も好適に示す。また位相シフト制御サブ層は、Ｓｉ又はＡｌ及びそれらの混合物の酸化物及び酸窒化物からなる群から選択された材料を好適には少なくとも９０原子％、より好適には少なくとも９５原子％の量で好ましく含有する。この位相シフト制御サブ層はまた、少量のＣあるいはＭｇ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ及びそれらの混合物からなる群から選択された金属を含有することができる。該位相シフト制御サブ層は例えばＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＭｏＳｉＯ，ＭｏＳｉＯＮ，ＭｏＳｉＮ等の成分を含んでもよい。透過制御サブ層は高い不透明度を有する少なくとも１種の材料から形成することができ、また、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの金属又は金属の窒化物、及び２種以上のこれらの金属又は窒化物の混合物からなる群から選択された材料を好ましくは含有することができる。この透過制御サブ層はＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料を含むことがより好ましい。高透過マスクブランクの場合には、この透過制御サブ層は、上記のように金属の酸化物又は酸窒化物を含有する。二層位相シフト系の例としてＴａ／Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ／ＳｉＯ２，Ｔａ／ＳｉＯＮ，Ｔａ／ＡｌＮ，Ｔａ／ＡｌＯＮ，Ｃｒ／Ａｌ２Ｏ３，Ｃｒ／ＳｉＯ２，Ｃｒ／ＳｉＯＮ，Ｃｒ／ＡｌＮ，Ｃｒ／ＡｌＯＮ，ＭｏＳｉ／ＳｉＯ２，ＭｏＳｉ／ＳｉＯＮ，ＭｏＳｉ／ＳｉＮ等の組み合わせがある。
【０００４】
二層あるいは位相シフトマスクブランク用に適した基板はフッ化カルシウム基板、石英基板又はフッ素ドープト石英基板である。
この発明に係る方法は、ＵＶ処理、フルジェット洗浄、メガソニック洗浄及びＤＩ（脱イオン化：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ）水洗浄を含む連続プロセス工程を特徴としている。この方法は酸洗工程を含まず、乾燥工程を含んでいてもよい。
「フルジェット」は、対象物表面へのスプレーパターン全体に所望の流体散布を、閉塞を最小限とした流体通路で可能なスプレーノズルを意味する。
半導体分野において、対象物表面へのフルジェットの適用は、対象物領域への液滴の著しく均質の散布を保証する。液滴は特定のケースに沿うよう小径から大径が選択されうる。本発明の一実施態様においてはフルジェットによって、非イオン水への水酸化アンモニウム溶液が特徴的（ｐｏｉｎｔ−ｏｆ−ｕｅｓ）に使用される。
【０００５】
この発明に係る好ましいプロセスの実施形態は、金属膜コーティングされた面への近接タイプのスクラビング(こすり洗浄)に加えて更に好ましい非イオン性洗浄剤−ＤＩ水混合物を利用する。好ましいプロセスは以下の工程を有する。すなわち、
(i)金属膜面に対する１７２ｎｍＵＶの露光；
(ii)メガソニック洗浄及びリンスに加え金属膜面に対する非イオン性洗浄剤による近接タイプのスクラビング洗浄；
(iii) プレートの金属膜及び何もない側の非イオン性洗浄剤洗浄、メガソニック洗浄及びリンス、スピン（脱水）、及び乾燥に加え赤外線加熱；
(iV)ジェット流熱イオン化窒素ガスを使用するサンプルの裏側及び表側の近接タイプ乾燥。
【０００６】
好ましい非イオン性洗浄剤は、異なった反射率（ＲＥＦ）と光学濃度（ＯＤ）を備えた複数の金属膜面の表面クリーング用の種々のｐＨ値及び伝導率を有するアルカリベースの組成物とすることができる。
本発明はそのような組成物を有するキットも言及する。
この発明に係る方法で、被洗浄基板の金属膜面の粒子の制御及び該プレートのガラス面への最小欠陥維持を達成することができる。
すなわち、本発明は、洗浄プロセス時に何ら酸を使用せずに、基板、特に、マスク及びマスクブランクを洗浄するための新規で有利な方法に関する。
【０００７】
マスクブランクは、回路パターンをウエハーに転写するときにマスターとして機能するフォトマスクのベースである。フォトマスクの表面に形成されたこの回路パターンがその表面に臨界解像度を越える量で欠陥や異パターンを有すれば、それら欠陥がパターンの一部としてウエハーに転写される場合がある。従って、基板、特にマスク及びマスクブランクの洗浄は大きな問題であり、それぞれの方法を高精度結果に導く必要がある。
マスクハウスでは、２つの異なった洗浄方法、つまり後時的ストリップ及び最終洗浄方法が使用される。その双方の方法は、粒子を、例えばガラス基板上のクロムの場合に構築されたクロム側面から除去する目的を有する。公知の洗浄方法は、ＩＴＲＳ（半導体の国際技術ロードマップの略）ロードマップによる所定の仕様を達成する広範囲の化学薬品を含む。多くの場合、利用された化学薬品は更なる問題を引き起こす。特に、洗浄プロセス時に使用される硫酸の硫酸塩残渣は周知のしみ（ｈａｚｅ）の元である。
【０００８】
マスクブランク製造の非常に早い段階では別の種類の問題が発生する。従って、洗浄方法は効率的である必要があり、そして有効な結果をもたらす必要がある。例えば、ガラス基板上のクロムの場合、洗浄プロセスの有効性がガラス側及びクロム側の双方にそれぞれ発揮される必要がある。この理由から、適切な洗浄プロセスを柔軟性を持つことが必要であると同時に、予想される汚染源（硫酸塩のように）を回避する必要がある。
マスクブランクの製造時の洗浄プロセスは、ブランクの最終品質を決定する非常に重要な工程の一つである。また、基板の汚染履歴を考慮すれば、粒子面の相互作用は、マスク製造プロセス時にストリップ及び予備洗浄後の最終洗浄プロセスと比べて、マスクブランク製造時は別である。すなわち、マスクブランクの製造時に適用される洗浄プロセスは最高の要求を満たさなければならない。
【０００９】
ＵＳ６，２４２，１６５は、半導体装置の製造時の際、ウエハー面のような構造物の製造において超臨界状態にある１つの化合物を有する組成物を利用することで有機材料を除去する方法を論じている。この化合物は酸化剤、好適には三酸化硫黄、あるいは一酸化炭素、アンモニア、水及び不活性ガスなどの化合物から選択される。
ＵＳ６，４２３，１４７は、過酸化水素、アンモニア及び脱イオン化水を、特定の比率で含む半導体ウエハーから小さな粒子を除去する洗浄溶液の使用を開示している。
ＷＯ０４／０７４９３１はメガソニック洗浄プロセスを利用する半導体洗浄の方法に言及している。
ＵＳ６，２７７，２０５は、フォトマスクを洗浄する多工程プロセスを言及し、そしてＵＳ６，８４１，３１１はＰＳＭ（位相シフトマスク）を洗浄するための多工程プロセスを言及しているが、その双方の先行技術文献によれば、硫酸が該プロセス時に使用されている。しかし、前にも述べたように、硫酸塩残渣が、望ましくない汚染となり、そして最終的には除去する必要があるしみとなる。
【００１０】
「ＳＣ１」としても公知の「ＲＣＡクリーン−１」は４０年以上も前に開発され、ブランク及びマスクブランク面を処理する多くのウェット洗浄プロセスの今なおベースである。しかし、ＳＣ１洗浄後に表面に残ることが多い残渣が、化学的に敷延されるレジストのような幾つかのレジストに悪影響を及ぼす。そのような欠点は回避する必要がある。
ＵＳ５，８６９，４４０は、室温で水に一部溶解するが、加熱するかあるいは他の界面活性剤と混合したときによく溶解する非イオン性界面活性剤を開示している。しかし、温度に関係なく使用できる非イオン性洗浄剤は開示されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、酸、特に硫酸の使用を回避し、そして該プロセス時に、適した非イオン性洗浄剤を利用するマスクブランクを洗浄する有効な方法に対して強いニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明によれば、基板、特にマスクブランク用の有効な前面、裏面洗浄方法が提供されている。この方法は４つの異なった基本的な洗浄構成要素、すなわちＵＶ処理、フルジェット洗浄、メガソニック洗浄及びＤＩ水リンスから構成されている。異なった洗浄構成要素（洗浄工程）の効率は、ガラス基板などの異なった基板及びマスク面、ガラス基板上のクロム及びタンタル−シリカコーティングＰＳＭなどの位相シフト材料用に最適化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
１つの実施形態によれば、この発明はＳＣ１（標準クリーン−１）化学薬品無しでアルカリベースの非イオン性溶液を所定の順序で利用する洗浄方法に関する。この溶液のｐＨ値及びそれらの伝導率は洗浄される基板の表面特性に従って調整される。
この発明によれば、非イオン性アルカリ洗浄剤はＤＩ水によって適切な比率で恐らく希釈され、そして公知反射率及び光学濃度の７０ｎｍ表面用の金属面からなる調整用面に使用される。７０ｎｍ面の希釈は１００ｎｍ面に適したそれぞれの希釈とは別である。この理由は７０ｎｍ面の反射率及び光学濃度が、１００ｎｍ面とは異なり、異なった洗浄技術と非イオン性洗浄剤組成物の異なった濃度を必要とするからである。
【００１４】
この発明に係る方法を利用して、軽い有機粒子が、金属膜沈積及びそれに続くＵＶ処理後に取り除かれる。
最新の二層品、主に７０ｎｍ及び１００ｎｍは２つの金属膜層を必要とする。この発明の１つの実施形態によれば、Ｃｒのみが反射防止コーティング（ＡＲＣ）又は層に加えて金属層として使用される。この反射防止コーティングは拡散層として作用する。７０ｎｍ製品は、２４８ｎｍの波長で高い反射率値を示し、４０％を超える入射光がその表面から反射される。１００ｎｍ製品は、３６５ｎｍ及び４８８ｎｍの波長で低い反射率値を示し、２０％より低い入射光が表面から反射される。７０ｎｍ及び１００ｎｍ製品の双方が今日の市場に非常に適している。
【００１５】
本発明は、この発明の方法を実施するために設計されあるいはその実施に有効な適切なアルカリベースの非イオン性組成物を有するキットも提供する。
このアルカリベースの非イオン性洗浄剤組成物は、非イオン性洗浄剤と脱イオン化水（ＤＩ水又はＤＩＷ）の混合物を１部の非イオン性洗浄剤に対して１０００部のＤＩ水の希釈率で、好ましくは１部対２００部、最も好ましくは１部から２０部の希釈率で含む。このアルカリベースの非イオン性洗浄剤のｐＨ値は８ないし１２．７であり、１０．５〜１２．７のｐＨ範囲が好ましく、１０．９〜１２．５のｐＨ値が最も好ましい。このｐＨ値によれば、非イオン性洗浄剤とＤＩ水混合物の伝導率は１２０〜１２，６６０μＳ／ｃｍであり、好ましくは９３０〜７１２０μＳ／ｃｍ、及び最も好ましくは３５９０〜７１２０μＳ／ｃｍである。
【００１６】
この発明に係る方法に有効な非イオン性洗浄剤は、例えば高アルコールの酸化エチレン付加物（ａｄｄｕｃｔ）、アルキルフェノールの酸化エチレン付加物、脂肪酸の酸化エチレン付加物、多価アルコール−脂肪酸エステルの酸化エチレン付加物、高アルキルアミンの酸化エチレン付加物、脂肪酸アミドの酸化エチレン付加物、油の酸化エチレン付加物、プロピレングリコールの酸化エチレン付加物、グリセロールの脂肪酸エステルで例示された多価アルコール型非イオン性界面活性剤、ペンタエリトリトールの脂肪酸エステル、ソルビトール又はソルビタンの脂肪酸エステル、サッカロースの脂肪酸、多価アルコールアルキルエーテル、脂肪酸アルカノールアミド及び酸化アルキルアミンなどのポリエチレングリコール型非イオン性洗浄剤（界面活性剤）を含む。非イオン性界面活性剤の他の例として、８〜２２の多数の炭素原子を備えたアルキル基又はアルキルフェニル基を有し、５〜２０モルの酸化エチレン又は酸化プロピレンが付加されるアルコール又はフェノールがある。酸化アミンも適している。そのアルキル基が８〜２０の多数の炭素原子を有するＮ−アルキル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン酸化物、例えばＮ−ラウリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン酸化物を使用することもできる。Ｎ−メチルモルホリノアミン酸化物又はＮ−メチルピペリジノアミン酸化物などの環状アミン酸化物も使用可能である。
【００１７】
この発明の態様によれば、中にアンモニウム基が存在している非イオン洗浄剤は使用されずに、それによって、アミン基で生じる化学的に敷延されたレジスト面に対する損傷を回避することができる。
本発明の方法はアルカリ洗浄剤で行われ、すなわち、被洗浄又は被処理基板面と接触する酸溶液での処理が回避されるのが好ましい。
この発明に係る方法で、金属膜沈積の前に基板、特にマスクブランクの安定した高洗浄効率を達成することができる。
【００１８】
本発明の以下の特定の実施形態は、請求されている１つの適切な方法のパラメータを詳細に示している。
１．１７２ｎｍで５分間以内でのＵＶ光によるマスクブランクの露光；
２．適切な希釈率で、しかも８０℃以下、好ましくは３０〜８０℃、より好ましくは２５〜５０℃の周囲温度でＤＩ水と非イオン性洗浄剤との混合物で面の表面と裏面双方の処理；
３．工程２の後、ＣＯ２−ＤＩ水による基板の表面と裏面のリンス。基板の表面と裏面の双方が処理時及びプロセス工程時間のアイドル時間時に一定のＣＯ２−ＤＩ水リンスを受ける；
４．基板の裏面に対してスクラビング効果及び／又は機械的攪拌を行うがこの際、該スクラビングは近接型スクラビングに限定され、機械的攪拌は例えばメガソニックノズルで行われる；近接スクラビング用ブラシ（ブラシは表面に触れない）は、非イオン性洗浄剤と両立する必要があり、そして全体のプロセス工程は水−動力学的に制御される（表面とブラシとの間の距離は洗浄に重要である）；
５．金属膜面の前面（表面）を非イオン性洗浄剤処理時にＣＯ２−ＤＩ水でリンスする；
６．スクラビング効果及び／又は機械的攪拌が金属膜面の表面で行われ、この際、該スクラビングは近接型スクラビングに限定され、機械的攪拌は例えばメガソニックノズルにより達成される；
７．近接スクラビング用ブラシは非イオン性洗浄剤と両立する必要があり、そして全体のプロセス工程は水−動力学的に制御される。表面とブラシとの間の距離は洗浄に重要である；
８．金属膜の裏面を非イオン性洗浄剤処理時にＣＯ２−ＤＩＷリンスでリンスする；
９．金属膜を好ましくはスピンリンス乾燥（ＳＲＤ）でしかもＩＰＡなどの溶剤も何ら無しで、毎分高速回転で、例えば３００〜１４００ｒｐｍで乾燥を開始する。好ましいスピン回転は８００〜１４００ｒｐｍであり、最も好ましくは１１００〜１２００ｒｐｍであり、最後に、
１０．サンプルの裏面及び表面の近接型乾燥を、ジェット流熱イオン化窒素ガスを使用して行う。
【００１９】
最終工程に対して、熱イオン化窒素をプレートの裏面及び表面の双方に移送するための非常に多くの１／６４インチ出口からなる上下２つのマニホールドを使用することができる。最終乾燥工程は疎水性表面を維持するために適している。乾燥工程はまた、５０℃以上の表面温度の赤外線ランプを利用する金属膜乾燥からもなっていてもよい。
【００２０】
図３はこの発明により請求された方法の好ましい実施形態を実施するために適した装置を概略線図で示す。
図３と図４との違いは、図３が脱水ベーキング及び冷却ステーションを含まないことである。クロムスパッタリングの前に湿気の除去が重要であり、そしてまたレジストコーティング前にも非常に重要である。
この発明の１つの実施形態によれば、基板を１７２ｎｍＵＶ波長に最大６０秒間さらして、遊離したあるいは除去しにくい有機物をその表面から取り除く。このプロセスの後に直ぐにプレートの表面、裏面及び端部のＤＩＷリンスを続ける。
【００２１】
プレートの裏面をメガソニック洗浄と共に非イオン性界面活性剤で更に洗浄し、リンスしそして濡れたものをスピンリンス乾燥ステーション（ＳＲＤ）に移送する。そのＳＲＤでは、表面をメガソニック洗浄と共に非イオン性界面活性剤で同様に処理し、リンスし、約１２００ｒｐｍでスピン乾燥する。次に、基板を脱水ベーキングステーションに移して、ＳＲＤ後に残る残留水分を除去する。ベーキング温度は約１２０℃であり、その後、直ぐに、１８℃にセットされている脱水冷却を続ける。
この発明に係る方法は最小のソフトな欠陥除去と注意深いＰＳＭ洗浄の新規な性能を特徴としており、そのため９０ｎｍ及び６５ｎｍ生成及びそれ以上のフォトマスク及び半導体産業のニーズに貢献している。
【００２２】
この発明に係る方法を適用する有効な装置は、ＳＴＥＡＧ  ＨａｍａＴｅｃｈ製の改良単一基板水洗浄システム、ＡＳＣ５５００である。この装置は特に、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ及びＥＵＶ（超ＵＶ、すなわち１００ｎｍ未満、現在約１９ｎｍ）で露光されたマスクの無欠陥洗浄の重要な課題に対して設計されている。このツールにはこの方法に関連するステーション、すなわちＵＶランプ、フルジェット及びメガソニックアームが装備されている。
【００２３】
この発明に係る洗浄方法時に、オゾンと原子酸素発生用エキシマランプ（λ＝１７２ｎｍ）を使用して表面の調整、すなわち存在する有機汚染を低下させ、使用化学薬品の濡れ性を増大させる。マスクブランクの表面を濡らすことは必要であり、そうしないと粒子が残ってしまう。
この発明に係る方法は酸不存在であり、それによりしみの発生を回避し、ＤＩ水、水酸化アンモニウム及び過酸化水素をフルジェット及び／又はメガソニック作用時に洗浄媒体として利用するだけを特徴としている。
【００２４】
この発明に係る洗浄方法は種々の無数のパラメータにより種々の基板に適用することができる。それらのパラメータは以下の通りである。すなわち
＃ＵＶランプの窒素、酸素又はアルゴン流
窒素流に関して、０〜１０リットル／分が有効であり、０〜８リットル／分が好ましい。酸素流に関して、０〜１０リットル／分が有効であり、０〜２リットル／分が好ましい。アルゴン流に関して、０〜１０リットル／分の流速が有効であり、０〜５リットル／分が好ましい。
＃媒体の流れ
ＤＩ水の流れに関して、０〜６リットル／分の流速が有効であり、０〜４リットル／分が好ましく、１〜４リットル／分がより好ましい。水酸化アンモニウムと過酸化水素の流れは０〜５リットル／分に調整可能であり、０〜３リットル／分が好ましい。
【００２５】
＃薬品濃度
水酸化アンモニウムの適切な薬品濃度は０〜３％であり、過酸化水素の場合は０〜２％である。
＃スイベルアームの速度
スイベルアームの速度に関して、適切な範囲は例えば０〜３６０度／秒であり、０〜２０度／秒が好ましく、０〜１０度／秒がより好ましく、１〜６度／秒が最も好ましい（メガソニック及びフルジェットに対して）。
＃ブランクの動き（水平方向の）
適切な範囲は例えば０〜３０００ｒｐｍであり、０〜１０００ｒｐｍが好ましい。乾式あるいは湿式プロセス時、１０〜５００ｒｐｍが適切であり、スピン乾燥プロセス時１０〜１５００ｒｐｍである。
【００２６】
＃ブランクの動き（垂直）
適切な範囲は例えば０〜２５０ｍｍ／秒であり、０〜１００ｍｍ／秒が好ましく、５〜５０ｍｍ／秒がより好ましい。
＃フルジェット圧力
この圧力は、０〜１２×１０５Ｎ／ｍ２間で変化することができる。適切な媒体は水酸化アンモニウム及び／又は過酸化水素及び／又はＤＩ水である。
＃メガソニック性能及び周波数。
これらの値に関して、好ましい媒体が水酸化アンモニウム及び／又は過酸化水素及び／又はＤＩ水で、１〜５ＭＨｚあるいは１〜３ＭＨｚで、３０〜１００％出力が適切であり、２５〜１００％が好ましく、５０〜８０％が最もこのましい。
【００２７】
＃ＤＩ水の温度
適切な温度は２０℃〜９５℃の範囲にあり、好ましくは２０℃〜９０℃である。
メガソニック洗浄プロセスに設定された最適なパラメータはマスク洗浄に及びブランク洗浄プロセスに、すなわち、異なった基板に適用することができる。パラメータを調整する場合、高いメガソニック出力強度で損傷を受けることがあるマスク上の小さな構造の状況を考慮することができる。
この発明に係る方法は範囲を限定しないで発明を例示するように提示された実施例に更に記載されている。
【実施例１】
【００２８】
図１はこの発明に係るプロセス時に適用される構成要素の概略図を示す。図から明らかなように、ＵＶ処理の後にフルジェット洗浄工程、次にメガソニック洗浄そして最終のＤＩ水リンスが行われる。この洗浄の後、該基板を乾燥する。
図２は、この発明に係る方法の好ましい実施形態であるマスク又はマスクブランクの表面及び裏面洗浄の概略図を示す。
【００２９】
ＵＶ処理を表面に次に裏面に行い、、それからその表面を洗浄し、それから裏面を洗浄し、そしてまた表面を洗浄する。そのようなプロセスはガラス基板上のクロムに対して好ましい。ガラス基板の場合、ＵＶ処理を裏面に、次に表面に、そして次に裏面に行い、そして、その後、表面を洗浄する。そのような方法は例えば位相シフト材及びＥＵＶ多層ブランクで適している。当業者はそれぞれの基板に対し適切なシーケンスを選択するだろう。
【実施例２】
【００３０】
９０及び６５ｎｍノードの性能を示すために、ゼロ欠陥＞０，３μｍの高目的マスクブランクを使用して（ＳＣＨＯＴＴリソテックで入手可能）、粒子＜０，３μｍの高い洗浄効率でのマスク及びマスクブランクの洗浄方法を開発した。
マスクブランクの洗浄の場合、原則として２種類の異なった表面、すなわちクロム面とガラス面を対象とする必要がある。クロム面を洗浄する場合、クロム面と粒子の相互作用がガラス面に対する相互作用とは異なるため、異なった一組のパラメータが必要である。クロム層はガラス面より洗浄するのが更に困難である。このプロセスの流れを変えずに維持したまま、各工程のプロセス期間が各基板タイプに適合される。
【００３１】
しかし、この発明に係るモジュール方式の方法によりそれぞれの表面にそれぞれのパラメータを完全に適用できる。このモジュールをマスク又はマスクブランクの裏面及び表面の異なったパラメータで繰り返すことができるため、この方法により、異なった基板の調整された仕様洗浄が可能となる。
例えば、Ｔａ／ＳｉＯ２面を備えた位相シフトマスクブランクが、ガラス基板洗浄に有効なソフト洗浄プロセスと同様の該プロセスの使用を可能にする。この新しい洗浄方法から得られた結果は、現存の標準洗浄方法と比べて洗浄サイクルにつき劇的に低下した位相シフトや透過変化を示す。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１はこの発明に係るプロセス時に適用される構成要素の概略図を示す。
【図２】図２は、この発明に係る方法の好ましい実施形態であるマスク又はマスクブランクの表面及び裏面洗浄の概略図を示す。
【図３】図３はこの発明により請求された方法の好ましい実施形態を実施するために適した装置を概略線図で示す。
【図４】図３に脱水ベーキング及び冷却ステーションを含んだ以外は図３と同じ装置を示す概略線図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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