(57)【要約】【課題】交叉汚染の影響を抑制して、ミニ・エンバイロメント環境を実現し、それにより、高精度、高品質での局所クリーン化ロボット搬送工場、ロボット搬送式製造方法を提供する。【解決手段】複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・と、中間生成物を収納して搬送する密閉型搬送容器を保存する容器一時保存庫５２ａ，５２ｂと、容器一時保存庫に保存された複数の密閉型搬送容器のうちから、搬送タイプ１又は２の密閉型搬送容器を、弁別・選定する容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂと、複数の製造装置、容器弁別選定装置の動作を制御し、特定工程間搬送経路に搬送タイプ２の密閉型搬送容器を移動させ、それ以外の工程間搬送経路に搬送タイプ１の密閉型搬送容器を移動させる装置群制御サーバ５１とを備える。【選択図】      図１
2007317944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の製造装置と、
製造工程の流れに従い、前記複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、前記製造工程の中間生成物を収納して搬送する密閉型搬送容器を、複数保存する容器一時保存庫と、
該容器一時保存庫に保存された複数の密閉型搬送容器の内から、搬送タイプ１の密閉型搬送容器と、搬送タイプ２の密閉型搬送容器とを、それぞれ弁別し、選定する容器弁別選定装置と、
前記複数の製造装置、前記容器弁別選定装置の動作を一括して制御し、且つ、特定工程間搬送経路に前記搬送タイプ２の密閉型搬送容器を移動させ、前記特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路に前記搬送タイプ１の密閉型搬送容器を移動させるように制御する装置群制御サーバ、
とを備えることを特徴とする局所クリーン化ロボット搬送工場。
【請求項２】
前記複数の密閉型搬送容器は、それぞれ前記搬送タイプ１密閉型搬送容器であるか、前記搬送タイプ２の密閉型搬送容器であるかを識別するタイプ識別情報を少なくとも含む容器識別情報を出力する容器識別情報出力手段を備え、
前記容器弁別選定装置は、前記容器識別情報出力手段が出力した前記容器識別情報を用いて、前記容器一時保存庫に保存された複数の密閉型搬送容器の内から、前記搬送タイプ１の密閉型搬送容器と、前記搬送タイプ２の密閉型搬送容器とを、それぞれ弁別することを特徴とする請求項１に記載の局所クリーン化ロボット搬送工場。
【請求項３】
装置群制御サーバに制御された複数の製造装置を用い、製造工程の流れに従い前記複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、密閉型搬送容器に前記製造工程の中間生成物を収納して搬送するロボット搬送式製造方法において、
特定の工程による汚染因子による前記密閉型搬送容器を介した交叉汚染が生じる工程間搬送経路を特定工程間搬送経路とし、前記装置群制御サーバの制御により、前記特定工程間搬送経路でのみ搬送タイプ２の密閉型搬送容器を用い、前記特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路では、搬送タイプ１の密閉型搬送容器のみを用いることを特徴とするロボット搬送式製造方法。
【請求項４】
前記複数の密閉型搬送容器に、それぞれ前記搬送タイプ１の密閉型搬送容器であるか、前記搬送タイプ２の密閉型搬送容器であるかを識別するタイプ識別情報を少なくとも含む容器識別情報を出力する容器識別情報出力手段を設け、前記容器識別情報を電磁波若しくは光学的に読み取り、前記搬送タイプ１の密閉型搬送容器と、前記搬送タイプ２の密閉型搬送容器とを弁別することを特徴とする請求項３に記載のロボット搬送式製造方法。
【請求項５】
製造工程の流れに従い複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、密閉型搬送容器に前記製造工程の中間生成物を収納して搬送するロボット搬送式製造方法において、
過水素化シラザン若しくはポリシラシラザンを含む塗布剤の塗布装置まで、搬送タイプ１の密閉型搬送容器を用いて前記中間生成物を搬送し、
前記塗布剤の塗布後のベーキング工程、該ベーキング工程後の酸化工程、及び該酸化により形成された酸化膜上に、前記過水素化シラザン若しくはポリシラシラザン以外の材料からなる薄膜を形成する工程に用いる製造装置への前記中間生成物の搬送に、搬送タイプ２の密閉型搬送容器を用い、
前記薄膜の形成工程に用いた製造装置から、その後の工程に用いる製造装置への、前記中間生成物の搬送に、前記搬送タイプ１の密閉型搬送容器を用い、
目的とする工業製品を製造することを特徴とするロボット搬送式製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密閉型搬送容器を搬送してミニ・エンバイロメント環境を実現する局所クリーン化ロボット搬送工場、及びそれにより実施されるロボット搬送式製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、１枚のウェハからとれるチップの収率を上げるため２００ｍｍΦウェハから３００ｍｍΦウェハへの移行が進んでいる。従来、清浄化を必要とする工業製品の製造においては、クリーンルームを利用する方法がとられてきた。しかし、この方法では、ＬＳＩの様な微細化で商品価値を高めて行くものについては、微細化が進展するとより高い清浄度が必要になってくる。クリーン化性能の向上がうまく行かなければ、製品の良品率（歩留まり）は減少し、利益を上げることができなくなる。又、クリーン化清浄度を向上するためのクリーンルームの建設コストと運転コストが膨大なものとなってくるので、これも利益減少に直結する。２００ｍｍΦ世代までのクリーンルームはクリーンルーム全体をダウンフローによりクリーン化する方法がとられてきたが、このような、スーパークリーンテクノロジーの設備投資の金額が膨大な額になりつつあり、３００ｍｍΦ時代では、ウェハ周りの局所空間を徹底的にクリーン化するミニ・エンバイロメント手法が主流となりつつある。
【０００３】
ミニ・エンバイロメント手法は、スーパークリーンテクノロジーの対極的な考え方であり、前開き一体形ポッド（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）と称される密閉型ウェハ搬送用容器に２５枚程度の半導体ウェハを箱に入れ、そこだけを特に清浄な環境にする局所クリーン化技術であり、これにより、初期投資だけでなく、運用コストの低減をも図るような方向になりつつある（特許文献１参照。）。
【０００４】
「ＦＯＵＰ」とは半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ：Semiconductor Equipment and Materials Institute）の規格に準拠している３００ミリウェハ用の搬送容器であり、ミニ・エンバイロメント方式と同程度のクリーン度を保つ密閉ポッドである。ＦＯＵＰは、半導体ウェハをある工程のミニ・エンバイロメントから別の工程のミニエンバイロメントヘロボット搬送する時、或いは、半導体製造装置に半導体ウェハを機械的に自動出し入れする時に使われる。
【０００５】
しかしながら、ＦＯＵＰ内は密閉容器となるためＦＯＵＰ材料を経由する汚染物質（汚染因子）の交叉汚染（クロス・コンタミネーション）があった場合、製造ラインのダウンや歩留まりの低下が生じ、半導体装置の製造工程の管理が困難となり、深刻な問題となる。
【０００６】
ＦＯＵＰに代表される密閉容器によるミニ・エンバイロメント方式は、現在半導体装置の製造以外でも、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等の液晶装置、ハードディスク等の記録媒体の分野でも着目されており、これらの他の技術分野におけるロボット搬送型製造技術においても、深刻な問題となる。
【特許文献１】米国特許第４，５３２，９７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、特定の工程で発生する汚染因子の交叉汚染（クロス・コンタミネーション）の影響を抑制して、複数の製造装置からなるミニ・エンバイロメント環境を実現し、それにより、高精度、高品質で高い製造歩留まりで工業製品を製造できる局所クリーン化ロボット搬送工場、及びこれによるロボット搬送式製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、（イ）複数の製造装置と、（ロ）製造工程の流れに従い、複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、製造工程の中間生成物を収納して搬送する密閉型搬送容器を、複数保存する容器一時保存庫と、（ハ）この容器一時保存庫に保存された複数の密閉型搬送容器の内から、搬送タイプ１の密閉型搬送容器と、搬送タイプ２の密閉型搬送容器とを、それぞれ弁別し、選定する容器弁別選定装置と、（ニ）複数の製造装置、容器弁別選定装置の動作を一括して制御し、且つ、特定工程間搬送経路に搬送タイプ２の密閉型搬送容器を移動させ、特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路に搬送タイプ１の密閉型搬送容器を移動させるように制御する装置群制御サーバとを備える局所クリーン化ロボット搬送工場であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の態様は、装置群制御サーバに制御された複数の製造装置を用い、製造工程の流れに従い複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、密閉型搬送容器に製造工程の中間生成物を収納して搬送するロボット搬送式製造方法に関する。即ち、本発明の他の態様に係るロボット搬送式製造方法は、特定の工程による汚染因子による密閉型搬送容器を介した交叉汚染が生じる工程間搬送経路を特定工程間搬送経路とし、装置群制御サーバの制御により、特定工程間搬送経路でのみ搬送タイプ２の密閉型搬送容器を用い、特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路では、搬送タイプ１の密閉型搬送容器のみを用いることを特徴とする。
【００１０】
本発明の更に他の態様は、製造工程の流れに従い複数の製造装置間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、密閉型搬送容器に製造工程の中間生成物を収納して搬送するロボット搬送式製造方法に関する。即ち、本発明の更に他の態様に係るロボット搬送式製造方法は、（イ）過水素化シラザン若しくはポリシラシラザンを含む塗布剤の塗布装置まで、搬送タイプ１の密閉型搬送容器を用いて中間生成物を搬送し、（ロ）塗布剤の塗布後のベーキング工程、このベーキング工程後の酸化工程、及びこの酸化により形成された酸化膜上に、過水素化シラザン若しくはポリシラシラザン以外の材料からなる薄膜を形成する工程に用いる製造装置への中間生成物の搬送に、搬送タイプ２の密閉型搬送容器を用い、（ハ）薄膜の形成工程に用いた製造装置から、その後の工程に用いる製造装置への、中間生成物の搬送に、搬送タイプ１の密閉型搬送容器を用い、目的とする工業製品を製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、特定の工程で発生する汚染因子の交叉汚染の影響を抑制して、複数の製造装置からなるミニ・エンバイロメント環境を実現し、それにより、高精度、高品質で高い製造歩留まりで工業製品を製造できる局所クリーン化ロボット搬送工場、及びこれによるロボット搬送式製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１３】
なお、以下に示す実施の形態では、半導体装置（半導体記憶装置）の製造方法に着目して、例示的に説明するが、本発明は、液晶装置、磁気記録媒体、光記録媒体、薄膜磁気ヘッド、超伝導素子等種々の清浄化を必要とする技術分野におけるロボット搬送式製造方法に適用できることは勿論である。即ち、以下に示す実施の形態は、本発明の局所クリーン化ロボット搬送工場やロボット搬送式製造方法に係る技術的思想を具体化するための設備、装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、交叉汚染（クロス・コンタミネーション）の原因となる汚染因子、密閉型搬送容器部品の材質、形状、構造、ロボット搬送工場の配置等を下記の実施の形態の説明内容に特定するものでない。
【００１４】
（局所クリーン化ロボット搬送工場）
本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場は、図１に示すように、目的とする工業製品の製造に必要な  複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・と、工業製品の製造工程の流れに従い、複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・間に規定される複数の工程間搬送経路に沿い、製造工程の中間生成物を収納して搬送する密閉型搬送容器を、複数保存する容器一時保存庫５２ａ，５２ｂと、この容器一時保存庫５２ａ，５２ｂに保存された複数の密閉型搬送容器の内から、搬送タイプ１の密閉型搬送容器と、搬送タイプ２の密閉型搬送容器とを、それぞれ弁別し、選定する容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂと、複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂの動作を一括して制御し、且つ、特定工程間搬送経路に搬送タイプ２の密閉型搬送容器を移動させ、特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路に搬送タイプ１の密閉型搬送容器を移動させるように制御する装置群制御サーバ５１とを備える。
【００１５】
ここで「工程間搬送経路」とは、時系列に配置された複数の工程間にそれぞれ定義される論理的な搬送経路であるので、現実の機械的（物理的）な搬送経路は、同一の製造装置を複数の異なる工程で用いる等の場合（事情）があるので、互いにその一部若しくは全部が重複する物理的経路が存在しうる。
【００１６】
又、「特定工程間搬送経路」とは、特定の工程による汚染因子による密閉型搬送容器を介した交叉汚染（クロス・コンタミネーション）が生じる等の、特定の問題や目的を有する特定の工程間搬送経路を意味する。「特定工程間搬送経路」は、予備実験等の経験則に基づき、工業製品の製造工程の開始前に、予め定めておく。この場合、汚染因子が必ずしも特定されている必要はなく、交叉汚染の実験的事実をもって、「特定工程間搬送経路」を決定することも可能である。交叉汚染（クロス・コンタミネーション）については、後述するが、汚染因子とは有機物質、無機物質等の汚染物質の他、バイオテクノロジーや医薬品の製造等であれば、細菌等の生物も含まれうる。「特定の目的を有する工程間搬送経路」とは、逆に、意図的に特定の不純物をドーピングしたり、他の汚染物質による汚染を補償するために意図的に他の化学物質等を導入するような目的を有する場合である。
【００１７】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場は、更に、各製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・間で定義される工程間搬送経路、及び容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂと各製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・間で、工業製品の中間生成物を収納した密閉型搬送容器をロボット搬送可能なように構成された搬送レール５４を備える。
【００１８】
なお、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場には、目的とする工業製品の製造に必要なすべての製造装置が配置されている必要はなく、他の局所クリーン化ロボット搬送工場に一部の工程を分担させるような構成でも構わない。上述したように、「工程間搬送経路」は、論理的な搬送経路として定義しているので、他の局所クリーン化ロボット搬送工場に一部の工程を分担させるような場合は、図１に示す搬送レール５４は、すべての製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・間の工程間搬送経路に対応しないものが存在しうる。
【００１９】
図示を省略しているが、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場は、図１に示したベイエリア以外の他のベイエリアや建築物を有していても良く、この他のベイエリアや建築物に他の製造装置を配置するような構成でも良い。他のベイエリアや建築物は、複数存在しても良い。このため、図１の上方に示すように、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場は、ベイ間容器搬送レール５０を有し、図示を省略した他のベイエリア（第２ベイエリア、第３ベイエリア、第４のベイエリア、・・・・・）に配置された他の製造装置用の他の搬送レール（第２搬送レール、第３搬送レール、第４の搬送レール、・・・・・）との間を接続する。
【００２０】
「搬送タイプ１」の密閉型搬送容器、及び「搬送タイプ２」の密閉型搬送容器は、それぞれ複数存在しても構わない。又、一定の基準を満たす規格の範囲内であれば、「搬送タイプ１」の密閉型搬送容器の内壁処理（内壁構造）と「搬送タイプ２」の密閉型搬送容器の内壁処理（内壁構造）とが、異なるように構成されていても構わない。
【００２１】
容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、装置群制御サーバ５１からの命令に従い、搬送タイプ２及び２の密閉型搬送容器を弁別し、それぞれの工程間に用いる密閉型搬送容器を選定し、搬送レール５４に送り出す。搬送レール５４は、ベイエリア（容器搬送エリア）を周回するように配置され、製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・は、それぞれの転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・を介して、搬送レール５４に接続されている。
【００２２】
より詳細には、局所クリーン化された転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・には、図１に示すように、搬送レール５４に接続されたロード用容器出入機構（ローダ）５５i,５５i+1,５５i+2,５５i+3,・・・・・及びアンロード用容器出入機構（アンローダ）５６i,５６i+1,５６i+2,５６i+3,・・・・・が設けられている（詳細は図３参照。）。そして、ロード用容器出入機構（ローダ）５５i,５５i+1,５５i+2,５５i+3,・・・・・中で、自動的に密閉型搬送容器の蓋が開けられ、局所クリーン化された転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・を介して、各製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・に密閉型搬送容器から中間生成物が転送され、所定の工程の処理がなされる。その工程の処理が終了した中間生成物は、それぞれの転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・を介して、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６i,５６i+1,５６i+2,５６i+3,・・・・・に転送され、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６i,５６i+1,５６i+2,５６i+3,・・・・・の内部で、自動的に中間生成物が収納される。更に、自動的に密閉型搬送容器の蓋が閉じられ、その後、搬送レール５４を介して、次の工程の装置まで密閉型搬送容器が、ロボット搬送される。
【００２３】
図１に示す装置群制御サーバ５１は、生産進捗管理システム（ＭＥＳ）サーバの機能を持たせ、本社のビジネス系システムである企業資源計画（ＥＲＰ）パッケージと、製造現場の機械を動かす制御系のシステム群との間をつなぐ、工場管理のためのシステム群を構成することが可能である。したがって、図１に示すように、複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・、装置群制御サーバ５１、及び容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）等を介して、互いに接続されば良い。ＭＥＳサーバの機能を有する装置群制御サーバ５１から複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・に、個別具体的な処理の指示（ジョブの指示）が送信されと当時に、各装置間の中間生成物の搬送に用いる密閉型搬送容器として、搬送タイプ２の密閉型搬送容器を用いるか、搬送タイプ１の密閉型搬送容器を用いるかの指示が出される。なお、図１には単一の装置群制御サーバ５１が示されているがこれは例示であり、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わないことは、勿論である。
【００２４】
図１には、例示的に、半導体工場を意図した局所クリーン化ロボット搬送工場を示した。このため、図１では、酸溶液や純水等により中間生成物としての半導体ウェハの表面を洗浄し、或いはレジストを除去する洗浄装置５８i、トンネル酸化膜等の薄いシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）を形成するゲート酸化（熱酸化）装置５８i+1、ポリシリコン膜を堆積するポリシリコン減圧化学的気相堆積（ＣＶＤ）装置５８i+2、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）を堆積する窒化膜減圧ＣＶＤ装置５８i+3、フォトレジスト膜をスピンコートするスピンコート装置（スピンナー）５８i+4、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト膜を露光し所望のパターンを転写し、パターニングするステッパー（露光装置）５８i+5、露光後のフォトレジスト膜を現像する現像装置５８i+6、中間生成物（半導体ウェハ）表面や中間生成物（半導体ウェハ）上に形成された薄膜をエッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置５８i+7、過水素化シラザンを塗布する過水素化シラザン塗布装置５８i+8、過水素化シラザンの塗布後、過水素化シラザンを熱処理してポリシラザン（ＰＳＺ）膜を形成する過水素化シラザンベーク装置５８i+9、ＰＳＺ膜を酸化するＰＳＺ膜酸化装置５８i+10、中間生成物（半導体ウェハ）の表面を研磨する化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）装置５８i+11、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）、ストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）膜、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）膜、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）膜、イットリウム酸化物（Ｙ2Ｏ3）膜、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ2）膜、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ2）膜、タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）膜、ビスマス酸化物（Ｂｉ2Ｏ3）膜、ハフニウム・アルミネート（ＨｆＡｌＯ）膜のような３元系の化合物からなる絶縁膜等の電極間絶縁膜を堆積する電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12、中間生成物（半導体ウェハ）に所望の不純物イオンを注入するイオン注入装置５８i+13、イオン注入後の中間生成物（半導体ウェハ）を熱処理し、注入されたイオンを活性化するアニール炉５８i+14、ＳｉＯ2膜、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）などの層間絶縁膜を堆積する層間絶縁膜ＣＶＤ装置５８i+15が、それぞれの局所クリーン化された転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・をベイエリアを囲むように配置した構成を示している。但し、図１の配置は模式的な例示であり、この配置に限定されるものではない。例えば、イオン注入装置５８i+13、は、不純物イオン、ドーズ量、目的とする工程等により分けて複数台存在していても構わない。同様に、ＲＩＥ装置５８i+7もエッチングの対象物に合わせて複数台設けても良いし、その方がメンテナンス等が容易である。一方、電極間絶縁膜にＳｉ3Ｎ4膜を用いるのであれば、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12の代わりに窒化膜減圧ＣＶＤ装置５８i+3を用い、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12を省略しても良い。
【００２５】
更に、フォトリソグラフィ技術に関連するスピンナー５８i+4、ステッパー５８i+5及び現像装置５８i+6をストリームライン化しクリーンエリアを内部搬送することにより、共通のロード用容器出入機構（ローダ）及びアンロード用容器出入機構（アンローダ）をこれらのストリームラインの入り口及び出口に設け、一体の製造装置として構成しても構わない。同様に、過水素化シラザン塗布装置５８i+8、過水素化シラザンベーク装置５８i+9及びＰＳＺ膜酸化装置５８i+10をストリームライン化しクリーンエリアを内部搬送することにより、共通のローダ及びアンローダをこれらのストリームラインの入り口及び出口に設け、一体の製造装置として構成しても構わない。
【００２６】
更に、図１に示した構成に加え、中間生成物（半導体ウェハ）表面をエッチング液でエッチングするウェットエッチング装置、中間生成物（半導体ウェハ）に不純物元素を気相から拡散する不純物拡散処理装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などをリフロー（メルト）する熱処理装置、ＣＶＤ酸化膜などのデンシファイ等をする熱処理装置、シリサイド膜などを形成するための熱処理をする熱処理装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置、真空蒸着装置、更に金属配線層をメッキにより形成するメッキ処理装置、ダイシング装置、ダイシングされたチップ状の半導体装置の電極をリードフレームに接続するボンディング装置など様々な半導体製造装置が含まれて良いことは勿論である。図１の上方には、ベイ間容器搬送レール５０を示したが、他のベイエリアを囲む領域や他の建築物にこれらの種々の製造装置を配置しても良い。これらの複数の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・は、バッチ式装置或いは枚葉式装置のいずれにでも構わない。
【００２７】
又、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場には、干渉式膜厚計、エリプソメータ、接触式膜厚計、顕微鏡、抵抗測定装置等の種々の検査装置、測定装置も含まれる構成でも構わない。更に、密閉型搬送容器による中間生成物の搬送とは、関係がなくなるが、局所クリーン化ロボット搬送工場としては、更に、純水製造装置やガスの純化装置等の付帯設備が含まれていても良いことは勿論である。
【００２８】
図２に示す密閉型搬送容器は、ＳＥＭＩスタンダードに準拠した３００ミリウェハ用の前開き一体形ポッド（ＦＯＵＰ）を意図した模式図であるが、必ずしもＦＯＵＰに限定されるものではない。例えば、ＳＥＭＩスタンダードに準拠した２００ミリウェハ用の密閉型搬送容器は、「スミフ（ＳＭＩＦ：Standard of Mechanical Interface） ポッド」と称されるが、ＳＭＩＦポッドでもよい。ＳＭＩＦポッドは、垂直ローディングでウェハトレイ内蔵であるが、ＦＯＵＰは、水平ローディングでウェハトレイ無しの違いがあるが、本発明の実施の形態に係る密閉型搬送容器は、ＦＯＵＰ、ＳＭＩＦポッド及びこれらに類似なロボット搬送され、自動開閉される局所クリーン化技術に対応する容器を包括する概念として用いられている点に留意する必要がある。但し、後述する説明から明らかになるであろうが、ウェハトレイ内蔵型の容器よりも、ウェハトレイを用いない形式の容器において、より本発明の実施の形態に係る密閉型搬送容器の効果が期待できる。又、密閉型搬送容器には、高純度窒素ガス（Ｎ2）等のパージラインが設けられていても良い。
【００２９】
本発明の実施の形態に係る密閉型搬送容器の容器本体６１には、密閉型搬送容器識別用の「容器識別情報出力手段」としてのＲＦタグが取り付けられている。図２（ａ）は、密閉型搬送容器の前開きの蓋６２が開けられた状態であり、容器本体６１の内側に切られた溝（スロット）を介して、２４枚の中間生成物（半導体ウェハ）が容器本体６１の内部に収納された状態を示している。一方、図２（ｂ）は、密閉型搬送容器の前開きの蓋６２が閉じられ、密閉状態を示している。
【００３０】
容器本体６１の側面に取り付けられたＲＦタグ（容器識別情報出力手段）６４には、容器番号、特定工程間搬送経路で規定された搬送タイプ２の密閉型搬送容器であるか、それ以外の工程間搬送経路に用いる搬送タイプ１の密閉型搬送容器であるかのタイプ識別情報を少なくとも含む容器識別情報が登録されている。ＲＦタグ６４には、更に、その密閉型搬送容器に収納される中間生成物（半導体ウェハ）に関する製品名、工程名、ロット番号、そのロットに含まれる中間生成物番号等の製品情報をも記録し、密閉型搬送容器の履歴を容器識別情報に追加するようにしても良い。
【００３１】
なお、容器識別情報出力手段は、ＲＦタグ６４に限られず、データ・マトリクス、ＱＲコード、ＰＤＦ４１７、マキシコード、ベリコード等種々の２次元コードが採用可能である。更に、２次元コード以外の英数字等の文字コード、図形、１次元コード、１次元コードと２次元コードとの組み合わせ等の画像コード等、種々のコードが使用可能であり、バーコード（１次元コード）を、２次元的に積み重ねたスタックバーコード等の１次元コードと２次元コードとの中間的なコードでも良い（但し、単位面積あたりの情報量の点では、２次元コードが好ましい。）。
【００３２】
図２に示す密閉型搬送容器は、模式的な一例であり、ＲＦタグ６４やＲＦタグ６４に等価な２次元コード等の容器識別情報出力手段の取り付け位置は、図２に示す側面である必要はなく、容器本体６１の裏面、上面、下面等の位置でも構わない。即ち、ＲＦタグ受信器や２次元コード等を読み取るイメージセンサ等のホスト機器（容器識別情報入力手段）が、容器識別情報を読み取ることが可能な位置であれば、どこでも構わない。
【００３３】
図３は、図１に示した製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・、転送室（装置前室）５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・、ロード用容器出入機構（ローダ）５５i,５５i+1,５５i+2,５５i+3,・・・・・、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６i,５６i+1,５６i+2,５６i+3,・・・・・の内の特定の一組を代表として選び、それを包括的に製造装置（製造装置本体）５８、転送室（装置前室）５７、ロード用容器出入機構（ローダ）５５、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６として示した図である。クリーンエリアにより局所クリーン化された転送室（装置前室）５７には、図２に示したＲＦタグ（容器識別情報出力手段）６４からの信号を受信する「容器識別情報入力手段」としてのＲＦタグ受信器５９が備えられている。ＲＦタグ受信器（容器識別情報入力手段）５９は、転送室（装置前室）５７ではなく、ロード用容器出入機構（ローダ）５５及びアンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に備えるようにしても良い。又、ＲＦタグ６４の代わりに２次元コードを用いる場合は、容器識別情報入力手段としての２次元コード読み取り装置が、ロード用容器出入機構（ローダ）５５及びアンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に備えるようにすれば良い。
【００３４】
（自動搬送によるロット処理）
本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場における自動搬送によるロット処理の一例としての概略を、図３に示した製造装置（製造装置本体）５８に着目して説明すると、おおよそ以下のようである（上述したように、製造装置５８は、図１で説明したような、リソグラフィ、エッチング、熱処理、イオン注入、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、洗浄等の、目的とする工業製品（半導体装置）の製造及びそのインライン検査に必要な種々の製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・のいずれかである。）：
（イ）先ず、製造装置（製造装置本体）５８は、図１に示した装置群制御サーバ５１からロット処理指示命令を受信すると、「ジョブ(Job)」と称される処理指示単位を生成し、装置群制御サーバ５１に通知する。処理指示単位には装置群制御サーバ５１が発番したジョブのＩＤ番号（以下において「ジョブ識別番号」という。）が付けられ、以後装置群制御サーバ５１は製造装置５８から報告されるこのジョブ識別番号によってロットの進捗管理を行う（ＳＥＭＩスタンダード準拠）。
【００３５】
（ロ）装置群制御サーバ５１は製造装置５８から、製造装置５８がジョブを生成したことを受信すると、そのジョブ識別番号から製品名、工程名、ロット番号、そのロットに含まれる中間生成物番号等の製品情報を認識する。更に、装置群制御サーバ５１は製品情報から、製造装置５８に対応した密閉型搬送容器６０に関する容器情報を生成し、製造装置５８に通知する。
【００３６】
（ハ）装置群制御サーバ５１から製造装置５８へ容器情報が通知されると、クリーンエリアにより局所クリーン化された転送室（装置前室）５７に備えられたＲＦタグ受信器（容器識別情報入力手段）５９は、密閉型搬送容器６０に設けられたＲＦタグ（容器識別情報出力手段）６４からの信号（容器識別情報）を読み込み、ロード用容器出入機構（ローダ）５５に搬送レール５４を介して搬送された密閉型搬送容器６０が正しい搬送タイプの密閉型搬送容器６０であるか否かの判定する。即ち、着目した製造装置５８の工程とその一つ前の工程との間で、搬送されるべきであった搬送タイプ２の密閉型搬送容器であるのか、搬送タイプ１の密閉型搬送容器であるのかの搬送タイプの判定をＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて行う。搬送タイプの判定が正しければ、ロード用容器出入機構（ローダ）５５の内部で、自動的に密閉型搬送容器６０の蓋が開けられ、クリーンエリアにより局所クリーン化された転送室（装置前室）５７を介して、製造装置５８に、密閉型搬送容器６０から中間生成物が転送される。密閉型搬送容器６０の搬送タイプの判定が正しくなければ、装置群制御サーバ５１に「タイプ不合格」の通知がなされる。その場合は、装置群制御サーバ５１から製造装置５８の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、アラーム処理がなされると共に、工程管理者及び工場管理者に通報され、そのロットの処理を中止する。
【００３７】
（ニ）密閉型搬送容器６０の搬送タイプの判定が正しければ、製造装置５８では、対応するリソグラフィ、エッチング、熱処理、イオン注入、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、洗浄等のロット処理が、所定のレシピに従い開始される。所定のレシピは、図１に示した装置群制御サーバ５１が管理する。
【００３８】
（ホ）製造装置５８が所定のレシピに従い、対応するロット処理をしている間、装置群制御サーバ５１は、製品情報から製造装置５８が現在処理している次の工程を導出し、次の工程の製造装置に中間生成物を搬送する際に用いる密閉型搬送容器６０のタイプに関する容器情報を生成し、製造装置５８に通知する。次の工程への搬送において、密閉型搬送容器６０のタイプ変更がなければ、ロード用容器出入機構（ローダ）５５から空の密閉型搬送容器６０をアンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に移動し、製造装置５８の所定の工程の処理の処理が終了するまで待機する。
【００３９】
（ヘ）一方、次の工程への中間生成物の搬送に際し、密閉型搬送容器６０のタイプ変更がある場合は、ロード用容器出入機構（ローダ）５５から空の密閉型搬送容器６０を、搬送レール５４を介して、図１に示す容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂに搬送する。そして、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、図１に示す容器一時保存庫５２ａ，５２ｂから、ＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて、次の工程への中間生成物の搬送に用いるべき搬送タイプの密閉型搬送容器６０を選定する。即ち、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、装置群制御サーバ５１からの命令に従い、搬送タイプ２又は２の密閉型搬送容器を選定し、選定された密閉型搬送容器６０を、搬送レール５４を介してアンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に移動する。移動が完了したら、転送室（装置前室）５７に備えられたＲＦタグ受信器５９は、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に搬送された新たな密閉型搬送容器６０が、次の工程への中間生成物の搬送に用いるべき正しい搬送タイプの密閉型搬送容器６０であるか否かを、ＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて確認判定する。確認判定で搬送タイプが正しいと確認されば、製造装置５８の現在進行中の処理が終了するまで待機する。確認判定で搬送タイプが不合格であれば、装置群制御サーバ５１に「タイプ不合格」の通知がなされ、再度、搬送レール５４を介して、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂに密閉型搬送容器を戻し、ＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて、更に新たな密閉型搬送容器の再選定がなされると同時に、工場管理者に再選定がなされた旨の通報がされる。
【００４０】
（ヘ）レシピに従い所定の工程の処理が製造装置５８でなされ、その工程の処理が終了すれば、中間生成物は、クリーンエリアにより局所クリーン化された転送室（装置前室）５７を介して、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６に転送される。アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６の内部で、自動的に中間生成物が密閉型搬送容器６０の内部に収納される。更に、自動的に密閉型搬送容器６０の蓋が閉じられ、その後、装置群制御サーバ５１からの命令に従い、搬送レール５４を介して、次の工程の製造装置のロード用容器出入機構（ローダ）まで密閉型搬送容器６０が、ロボット搬送される。
【００４１】
なお、上記においては、製造装置５８が対応する工程の処理をしている間に、装置群制御サーバが、次の工程の製造装置に中間生成物を搬送する際に用いる密閉型搬送容器６０のタイプに関する容器情報を生成する方法を説明したが例示に過ぎない。例えば、ロットがスタートする前に、すべての工程間搬送経路の容器情報を予め決定し、決定された容器情報に従い、すべての工程間搬送経路の密閉型搬送容器の搬送タイプを予めプログラムしておき、そのプログラムをプログラム記憶装置に格納しておき、プログラム記憶装置に格納されたプログラムに従って、密閉型搬送容器６０を逐次交換するようにしても構わない。
【００４２】
（ＰＳＺ膜による密閉型搬送容器を介した交叉汚染：その１）
半導体装置の素子分離にはシャロー・トレンチ分離（ＳＴＩ）構造が広く用いられている。これは、半導体基板の素子分離領域に溝を形成し、この溝に素子分離絶縁膜となるシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜などを埋め込む方法である。半導体装置の微細化に伴って溝のアスペクト比が大きくなり、従来のオゾン（Ｏ3）−テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）ＣＶＤ酸化（ＳｉＯ2）膜や高密度プラズマ（ＨＤＰ）ＣＶＤ酸化（ＳｉＯ2）膜では、ＳＴＩの溝の中に、ボイドやシームを発生させずに埋め込むことが困難になってきている。
【００４３】
このため，１００ｎｍ世代以降の半導体装置の製造方法では、塗布型溶液ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）を用いてＳＴＩ溝に素子分離絶縁膜を埋め込むことが提案されている。特にＳＯＧ系の薬液の中では比較的体積収縮の少ない過水素化シラザン重合体溶液が近年注目されている。
【化１】
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【００４４】
過水素化シラザンは、式（１）に示すように、−(ＳｉＨ2−ＮＨ)n−の構造を持つ物質であるので、大気中の水（Ｈ2Ｏ）と反応してアンモニア（ＮＨ3）を発生する。一方、密閉型搬送容器はポリカーボネート（ＰＣ）或いはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）からできているので、これらの密閉型搬送容器の材質とＮＨ3とが反応する。即ち、以下に説明するように、過水素化シラザン塗布膜をベーキングして形成したポリシラザン（ＰＳＺ）膜が露出した段階の半導体ウェハを密閉型搬送容器に保管すると、ＰＳＺ膜から発生したＮＨ3が密閉型搬送容器の材質と反応し、交叉汚染（クロス・コンタミネーション）を発生させてしまう。
【００４５】
即ち、図４（ａ）に密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１，図４（ｂ）に密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２，図４（ｃ）に密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３を示すように、密閉型搬送容器を３個用意し、以下の手順で、ＰＳＺ膜による密閉型搬送容器の汚染を調べた。図４（ａ）に示す密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１は、標準（リファレンス）試料作成用の密閉型搬送容器である：
（イ）先ず、「中間生成物」として、３００ｍｍΦの半導体ウェハ（Ｓｉウェハ）４８枚のそれぞれに過水素化シラザン重合体溶液を６００ｎｍの厚さにスピンコート法により塗布し、その後、１５０℃で３分の過水素化シラザン塗布膜のベーキングを行い、４８枚の半導体ウェハのそれぞれの上にＰＳＺ膜を形成する。
【００４６】
（ロ）そして、標準（リファレンス）試料作成用の密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１は、図４（ａ）に示すように、空のままクリーンルーム内に７日間保管した。一方、図４（ｂ）及び（ｃ）にそれぞれ示すように、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２と密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３には、上記において、ＰＳＺ膜を形成した半導体ウェハを２４枚ずつに分け、それぞれ、溝（スロット）１〜２４に挿入されるように入れて収納し、７日間保管した。
【００４７】
（ハ）その後、図４（ａ）に示すように、標準（リファレンス）試料作成用の密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１には、交叉汚染（クロス・コンタミネーション）チェック用のＰＳＺ膜以外のＳＯＧ膜（以下において「非シラザンＳＯＧ膜」という。）付きウェハ２枚（ＳＯＧ１）を溝（スロット）１及び２４に入れて３日間保管した。一方、図４（ｂ）に示すように、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２からＰＳＺ膜を形成した半導体ウェハ２４枚を取り出した後、そのまま、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２に、交叉汚染チェック用の非シラザンＳＯＧ膜付きウェハ２枚（ＳＯＧ２）を溝（スロット）１及び２４に入れて３日間保管した。これに対し、図４（ｃ）に示すように、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３からＰＳＺ膜を形成した半導体ウェハ２４枚を取り出した後、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３は、容器自動洗浄装置にて洗浄を行う。そして、図４（ｃ）に示すように、洗浄を行った後に、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３に、交叉汚染チェック用の非シラザンＳＯＧ膜付きウェハ２枚（ＳＯＧ３）を溝（スロット）１及び２４に入れて３日間保管した。  
（ニ）その後、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１，２，３のそれぞれの内壁を純水を含ませたウェスでふき取り、ウェスを純水抽出してイオンクロマトグラフにより密閉型搬送容器に付着したＮＨ3量を求めた。更に、交叉汚染チェック用の非シラザンＳＯＧ膜１，２，３に吸着したＮＨ3も、純水抽出してイオンクロマトグラフにより測定した。
【００４８】
以上の手順（イ）〜（ニ）による過水素化シラザンによる密閉型搬送容器の汚染の調査結果を表１に示す。
【表１】
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【００４９】
表１に示すように、ＰＳＺ膜付きウェハを保管した密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２の内壁にはリファレンスの密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１の内壁の４倍程度のＮＨ3が吸着していることが分かる。一方、ＰＳＺ膜付きウェハを保管した密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３の内壁にはリファレンスの密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１の内壁の吸着量よりも少ないＮＨ3の吸着量であるので、吸着したＮＨ3は密閉型搬送容器の洗浄によりなくなることが分かる。
【００５０】
しかし、表１の右欄に示した、半導体ウェハの表面に形成した非シラザンＳＯＧ膜に吸着した交叉汚染（クロス・コンタミネーション）の結果を見ると、ＮＨ3が内壁に吸着している密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２に保管したＳＯＧウェハ（ＳＯＧ２）だけでなく、洗浄した密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３に保管したＳＯＧウェハ（ＳＯＧ３）からもＮＨ3汚染が検出された。これは、密閉型搬送容器の内壁表面に吸着したＮＨ3は洗浄により取れても、密閉型搬送容器の材質中に取り込まれたＮＨ3が存在し、それがじわじわと密閉型搬送容器内に出てきているため、それが、収納された半導体ウェハの表面に形成した非シラザンＳＯＧ膜に吸着して交叉汚染（クロス・コンタミネーション）を生じることを示している。
【００５１】
（ＰＳＺ膜による密閉型搬送容器を介した交叉汚染：その２）
次に、１５０℃で３分の過水素化シラザン塗布膜のベーキングにより形成したポリシラザン（ＰＳＺ）膜を、更に、２００℃より高く６００℃以下の温度で水蒸気を含んだ雰囲気で酸化処理を行ったＰＳＺ膜からのＮＨ3の交叉汚染（クロス・コンタミネーション）について述べる。ＰＳＺ膜の酸化処理の温度が４００℃より低い低温の場合には、ＰＳＺ膜中には、Ｓｉ−Ｈ，Ｎ−Ｈ，Ｓｉ−Ｎなどシラザン構造が残留している。即ち、ＰＳＺ膜は完全なＳｉＯ2膜ではない。そこで：
（イ）先ず、「中間生成物」として、３００ｍｍΦの半導体ウェハ（Ｓｉウェハ）２４枚のそれぞれに過水素化シラザン重合体溶液を６００ｎｍの厚さにスピンコート法により塗布して１５０℃で３分のベーキングを行って形成したＰＳＺ膜を、更に４００℃より低い温度として３００℃で水蒸気を含んだ酸化を行ったＰＳＺ膜（以下において「酸化ＰＳＺ膜」という。）」を表面に有する半導体ウェハを２４枚用意した。
【００５２】
（ロ）そして、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）４の溝（スロット）１〜２４に、酸化ＰＳＺ膜を形成した半導体ウェハ２４枚を、それぞれ挿入し、３日間保管した。
【００５３】
（ハ）３日間経過後、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）４から酸化ＰＳＺ膜を形成した半導体ウェハ２４枚を取り出す。その後、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）４に、交叉汚染チェック用の非シラザンＳＯＧ膜付きウェハ２枚（ＳＯＧ４）を溝（スロット）１及び２４に入れて３日間保管した。  
（ニ）その後、密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）から非シラザンＳＯＧ膜付きウェハ２枚（ＳＯＧ４）を取り出し、交叉汚染チェック用の非シラザンＳＯＧ膜４に吸着したＮＨ3を、純水抽出してイオンクロマトグラフにより測定した。
【００５４】
イオンクロマトグラフ測定によれば、３００℃で酸化処理を行った酸化ＰＳＺ膜からも９．５μｇのＮＨ3の交叉汚染が検出された。表１の結果と比較すれば、表１の場合よりも高温の３００℃での酸化処理を行ったＰＳＺ膜からの交叉汚染も深刻であることが分かる。
【００５５】
（交叉汚染の製造工程への影響）
以上説明したように、ＮＨ3汚染が密閉型搬送容器に存在すると、その後に密閉型搬送容器に収納された「中間生成物」としての半導体ウェハを汚染する交叉汚染（クロス・コンタミネーション）を引き起こすことが分かる。
【００５６】
種類にもよるが、フォトレジスト膜の中にはＮＨ3と反応するものが存在する。そのようなフォトレジスト膜は、密着不良や、パターンの形状くずれを起こす。特に、細いラインアンドスペースの形状に加工された後にＮＨ3の汚染と反応すると、図５（ｂ）に示すような「すそ引き」と呼ばれる形状を引き起こし、図５（ａ）に示すような非汚染状態（標準状態）のフォトレジスト膜に対し、形状不良となる。
【００５７】
（密閉型搬送容器を弁別したロボット搬送式製造方法）
図９〜図２２を用いて、ＰＳＺ膜が露出した状態の半導体ウェハが搬送される工程間搬送経路を、「特定工程間搬送経路」として定め、過水素化シラザン重合体溶液をＳＴＩ埋め込み剤として用いたＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置の製造方法を説明するが、その前に、先ず、図６〜図８を用いて、完成後のＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置を説明する。
【００５８】
図６はＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）の模式的回路構成を示すブロック図である。メモリセルアレイ５２０の周辺にはトップ・ページバッファ５２１、ボトム・ページバッファ５２２、レフト・ロウデコーダ／チャージポンプ５２３、ライト・ロウデコーダ／チャージポンプ５２４等の周辺回路（２１，２２，２３，２４）が配置されている。メモリセルアレイ５２０は、図７に示すように、行方向に配列される複数のワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・と、このワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・と直交する列方向に配列される複数のビット線ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j+1，・・・・・を備えている。そして、図７の列方向には、複数のワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・のいずれかにより、それぞれ電荷蓄積状態を制御される電荷蓄積層を有するメモリセルトランジスタが配列されている。そして、ＰＳＺ膜からなる素子分離絶縁膜１８が、図７の平面図に示すように、列方向（カラム方向）に平行に走行し、ＰＳＺ膜からなる素子分離絶縁膜１８を介して隣接するメモリセルトランジスタを分離している。図６及び図７の場合は、列方向に３２個のメモリセルトランジスタが配列されてメモリセルカラムを構成した場合を示している。このメモリセルカラムの配列の両端には、列方向に隣接して配置され、メモリセルカラムに配列された一群のメモリセルトランジスタを選択する一対の選択トランジスタが配置されている。この一対の選択トランジスタのそれぞれのゲートには、一対の選択ゲート配線ＳＧＤk，ＳＧＳkが接続されている。トップ・ページバッファ５２１及びボトム・ページバッファ５２２は、ビット線ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j+1，・・・・・に接続され、それぞれのメモリセルカラム情報を読み出す場合のバッファである。レフト・ロウデコーダ／チャージポンプ５２３、ライト・ロウデコーダ／チャージポンプ５２４はワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・に接続され、メモリセルカラムを構成している各メモリセルトランジスタの電荷蓄積状態を制御する。
【００５９】
図８は図７のＡ−Ａ方向（行方向）から見たメモリセルアレイ５２０の一部を示す模式的な断面図である。即ち、図８は図６のビット線ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j+1，・・・・・方向に沿った切断面に相当する。図８の断面図に示すように、ｐ型の半導体基板１１の表面にメモリセルトランジスタのソース・ドレイン領域２５が形成され、それぞれのソース・ドレイン領域２５の間に定義されるチャネル領域上にゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）１２が配置されている。ソース・ドレイン領域２５は、ｐ型の半導体基板１１中に高濃度にｎ型不純物をドープしたｎ+型の半導体領域である。図８では図示を省略しているが、図６及び図７から明らかなように、メモリセルカラムの端部にはメモリセルトランジスタとほぼ同様な構造の選択トランジスタが位置し、選択トランジスタのソース・ドレイン領域が、ビット線コンタクト領域として機能している。ｐ型の半導体基板１１の代わりに、ｎ型の半導体基板中に設けられたｐ型のウェル領域（ｐウェル）でも良い。
【００６０】
そして、このゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）１２上には、電荷を蓄積するための浮遊電極１３と、浮遊電極１３上の電極間絶縁膜２０と、電極間絶縁膜２０上の制御電極２２が配置され、それぞれのメモリセルトランジスタのゲート電極を構成している。図示を省略しているが、選択トランジスタも、ゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）１２、浮遊電極１３、電極間絶縁膜２０、電極間絶縁膜２０中の開口部で浮遊電極１３と電気的に導通した制御電極２２からなるゲート電極構造を備えているが、電極間絶縁膜２０の電極間絶縁膜短絡窓を介して、制御電極２２と浮遊電極１３とが電気的に導通している。図７から理解できるであろうが、隣接するメモリセルカラムにそれぞれ属するメモリセルトランジスタの浮遊電極１３は、ＳＴＩを構成するＰＳＺ膜からなる素子分離絶縁膜１８を介して行方向（ワード線方向）に対向している。
【００６１】
電荷蓄積層となる浮遊電極１３は、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）等のｎ型不純物をドープした多結晶シリコン（以下において「ドープド多結晶シリコン膜」という。）膜で形成されている。
【００６２】
制御電極２２は、ｎ型不純物をドープした多結晶シリコン膜、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）膜及びキャップ絶縁膜の３層構造から構成されていても良い。シリサイド膜としては、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）膜の他、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ2）膜、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）膜、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）膜等の金属シリサイド膜が使用可能である。シリサイド膜の代わりに、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属でも良く、更には、これらのシリサイド膜を用いたポリサイド膜で構成しても良い。シリサイド膜の代わりに、アルミニウム（Ａｌ）或いは銅（Ｃｕ）等の高導電率の金属膜を多結晶シリコン膜の上に配置して、この高導電率の金属膜がワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・を兼用するようにしても良い。又、タングステン窒化物（ＷＮ）膜、チタン窒化物（ＴｉＮ，Ｔｉ2Ｎ）膜のいずれか１つ或いは複数の積層膜を、シリサイド膜の代わりに多結晶シリコン膜の上に配置しても良い。
【００６３】
なお、図示を省略しているが、周辺トランジスタは、選択トランジスタとほぼ同じ積層構造、若しくは、選択トランジスタの積層構造から、浮遊電極１３及び電極間絶縁膜２０分を除去した、制御電極２２のみの構造に対応するようなゲート電極を有するトランジスタで構成される。
【００６４】
図８に示すビット線方向に沿った断面図に明らかなように、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置では、各メモリセルトランジスタの浮遊電極１３が、層間絶縁膜２６を介して対向している。この際、列方向に配設された複数のメモリセルトランジスタのそれぞれの浮遊電極１３間に、３．９よりも比誘電率εrの低い層間絶縁膜２６の埋め込みを行えば、同一カラム内で列方向に隣接するメモリセルトランジスタ間で生じる列方向近接セル間干渉効果による誤書き込みを抑制することができる。
【００６５】
なお、図８では、詳細な構造の図示を省略しているが、例えば、多結晶シリコン膜（第１導電層）１３、電極間絶縁膜２０、制御電極２２からなる積層構造（１３，２０，２２）の側壁に、厚さ６ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなるセル分離下地膜を形成しても良い。又、行方向に隣接するセルカラムの選択トランジスタの間には、層間絶縁膜２６とコア充填絶縁膜との２層構造を用いても良い。コア充填絶縁膜としては、例えば、ＢＰＳＧ膜等が使用可能である。即ち、層間絶縁膜２６の構成する凹部の中央を充填するように、コア充填絶縁膜が配置され、このコア充填絶縁膜の中央部を貫通して、コンタクトプラグを埋め込むようにしても良い。コンタクトプラグは、低いコンタクト抵抗で、ビット線コンタクト領域（図示省略）にオーミック接触をしている。コンタクトプラグは、層間絶縁膜２６の上に配置されたビット線（ＢＬ2j）２７に接続されている。図８では、ビット線２７が層間絶縁膜２６の上に配置されているが、層間絶縁膜２６にダマシン溝を形成し、このダマシン溝の内部に、銅（Ｃｕ）を主成分とする金属配線を埋め込んで、ダマシン配線としても構わない。
【００６６】
前置きが長くなったが、図９〜図２２を用いて、本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明する。ここで図９〜図１８は、図７に示したワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・に平行で、且つ特定のワード線を切る断面図であり、図１９〜図２２は、図７のＡ−Ａ方向に対応するビット線ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j+1，・・・・・に平行な断面図である。
【００６７】
図９〜図２２に示す製造工程の流れは、本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための便宜上のものであり、現実には、閾値制御のイオン注入工程等の工程等、他のいくつかの工程が、以下の（イ）〜（ム）に示すＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）の製造方法の流れに追加されていても良い。即ち、以下に説明するＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、ロボット搬送式製造方法の内容を理解するための一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造工程の流れにより、ＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置の製造が、本発明の趣旨のもとで可能であることは勿論である。
【００６８】
（イ）説明の簡略化をし、既に、図１に示した装置群制御サーバ５１からの命令に従い、搬送タイプ１の密閉型搬送容器が選定され、この搬送タイプ１の密閉型搬送容器に、「中間生成物」としてのｐ型シリコン基板１１（若しくはｎ型シリコン基板中にｐ型ウェルを形成したもの）が収納されているものとする。さて、このシリコン基板１１（若しくはｎ型シリコン基板中にｐ型ウェルを形成したもの）が、収納された搬送タイプ１の密閉型搬送容器（以下において「タイプ１容器」という。）が、搬送レール５４を介して洗浄装置５８iのロード用容器出入機構（ローダ）５５iに搬送される。図１に示した装置群制御サーバ５１から通知された容器情報をもとに、転送室５７iに備えられたＲＦタグ受信器（容器識別情報入力手段）５９は、タイプ１容器に設けられたＲＦタグ（容器識別情報出力手段）６４からの信号（容器識別情報）を読み込み、ローダ５５iに搬送されたタイプ１容器が正しい搬送タイプの密閉型搬送容器であるか否かの判定する。搬送タイプの判定が正しければ、ローダ５５i中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、局所クリーン化された転送室５７iを介して、洗浄装置５８iにタイプ１容器から半導体ウェハ（シリコン基板）１１が転送される（なお、以下の（ロ）〜（ム）の説明では、対応する各５５i,５５i+1,５５i+2,５５i+3,・・・・・の内部における密閉型搬送容器の搬送タイプの判定の処理の説明を省略する。）。半導体ウェハ（シリコン基板）１１が転送された洗浄装置５８iは、半導体ウェハ（シリコン基板）１１の洗浄処理を開始する。装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、洗浄処理が終了した半導体ウェハ１１は、転送室５７iを介して、アンロード用容器出入機構（アンローダ）５６iに転送され、アンローダ５６iの内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、その後、搬送レール５４を介して、ゲート酸化装置５８i+1のローダ５５i+1までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００６９】
（ロ）ゲート酸化装置５８i+1のローダ５５i+1中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、局所クリーン化された転送室５７i+1を介して、ゲート酸化装置５８i+1にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、半導体ウェハ１１の上にトンネル酸化膜１２ｐが形成される。トンネル酸化膜１２ｐの厚さが、１−１５ｎｍ程度、例えば８ｎｍ程度まで形成された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+1を介して、アンローダ５６i+1に転送され、アンローダ５６i+1の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、その後、搬送レール５４を介して、ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2のローダ５５i+2までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７０】
（ハ）ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2のローダ５５i+2中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+2を介して、ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、トンネル酸化膜１２ｐ上に浮遊電極１３となる多結晶シリコン膜（第１導電層）１３ｐを堆積する。第１導電層（多結晶シリコン膜）１３ｐの厚さが、１０−２００ｎｍ程度、例えば１５０ｎｍ程度まで堆積された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+2を介して、アンローダ５６i+2に転送され、アンローダ５６i+2の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、窒化膜減圧ＣＶＤ装置５８i+3のローダ５５i+3までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７１】
（ニ）窒化膜減圧ＣＶＤ装置５８i+3のローダ５５i+3中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+3を介して、窒化膜減圧ＣＶＤ装置５８i+3にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、第１導電層（多結晶シリコン膜）１３ｐ上にＣＭＰストッパ層１４ｐとしてのＳｉ3 Ｎ4膜を堆積する。ＣＭＰストッパ層（Ｓｉ3 Ｎ4膜）１４ｐの厚さが、８０−３００ｎｍ程度、例えば１００ｎｍ程度まで堆積された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+3を介して、アンローダ５６i+3に転送され、アンローダ５６i+3の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、スピンナー５８i+4のローダ５５i+4までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７２】
（ホ）スピンナー５８i+4のローダ５５i+4中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+4を介して、スピンナー５８i+4の回転ステージにタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、ＣＭＰストッパ層１４ｐ上にフォトレジスト膜１５が全面に塗布される。フォトレジスト膜１５が塗布された半導体ウェハ１１は、プレベーク後、転送室５７i+4を介して、アンローダ５６i+4に転送され、アンローダ５６i+4の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ステッパー５８i+5のローダ５５i+5までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７３】
（ヘ）ステッパー５８i+5のローダ５５i+5中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+5を介して、ステッパー５８i+5の露光ステージにタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、フォトレジスト膜１５に所定のマスクパターンの像がステップ・アンド・リピート方式で投影露光され、所望のマスクパターンの像が転写される。マスクパターンの像が転写された半導体ウェハ１１は、ポストベーク後、転送室５７i+5を介して、アンローダ５６i+5に転送され、アンローダ５６i+5の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、現像装置５８i+6のローダ５５i+6までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７４】
（ト）現像装置５８i+6のローダ５５i+6中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+6を介して、現像装置５８i+6にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、フォトレジスト膜１５が現像液により現像される。この結果、図９に示すように、レジストマスク１５がＣＭＰストッパ層１４ｐ上に形成される。レジストマスク１５が形成された半導体ウェハ１１は、レジストキュア後、転送室５７i+6を介して、アンローダ５６i+6に転送され、アンローダ５６i+6の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ＲＩＥ装置５８i+7のローダ５５i+7までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７５】
（チ）ＲＩＥ装置５８i+7のローダ５５i+7中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+7を介して、ＲＩＥ装置５８i+7のエッチングチャンバー中にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、レジストマスク１５を用いて、ＣＭＰストッパ層１４ｐ、第１導電層１３ｐ、トンネル酸化膜１２ｐを連続的にエッチングし、トンネル酸化膜１２、第１導電層１３、シリコン窒化膜１４及びレジストマスク１５のパターンが順に積層したパターンを形成する。更に、ＲＩＥ装置５８i+7のエッチングチャンバー中で連続的なＲＩＥを継続し、シリコン基板１１をエッチングする。連続的なＲＩＥが終了した半導体ウェハ１１は、転送室５７i+7を介して、アンローダ５６i+7に転送され、アンローダ５６i+7の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、洗浄装置５８iのローダ５５iまでタイプ１容器がロボット搬送される。
【００７６】
（リ）洗浄装置５８iのローダ５５i中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７iを介して、洗浄装置５８iのタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、レジストマスク１５が除去される。レジストマスク１５が除去すれば、図１０に示すように、シリコン基板１１中に素子分離溝３１が形成される。図１０において、素子分離溝３１は紙面に垂直方向に、互いに平行に延伸するストライプとして形成される。両側を素子分離溝３１で挟まれた半導体基板１１からなる凸部が活性領域（ＡＡ）となる。レジストマスク１５の除去工程中に、図１に示す装置群制御サーバ５１は、製品情報から次の工程が、過水素化シラザン重合体溶液１８ｐの塗布工程であること導出し、過水素化シラザン塗布装置５８i+8への工程間搬送経路が「特定工程間搬送経路」になると判定する。装置群制御サーバ５１は、「特定工程間搬送経路」の容器情報を生成し、洗浄装置５８iに通知し、密閉型搬送容器６０のタイプ変更を指示する。この結果、洗浄装置５８iのローダ５５i中から空のタイプ１容器を搬送レール５４を介して、図１に示す容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂに搬送する。そして、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、図１に示す容器一時保存庫５２ａ，５２ｂから、ＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて、搬送タイプ２の密閉型搬送容器（以下において「タイプ２容器」という。）を選定する。即ち、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、装置群制御サーバ５１からの命令に従い、タイプ２容器を選定し、選定されたタイプ２容器を、搬送レール５４を介して洗浄装置５８iのアンローダ５６iに移動する。そして、レジストマスク１５が除去された半導体ウェハ１１は、転送室５７iを介して、アンローダ５６iに転送され、アンローダ５６iの内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、過水素化シラザン塗布装置５８i+8のローダ５５i+8までタイプ２容器がロボット搬送される。
【００７７】
（ヌ）過水素化シラザン塗布装置５８i+8のローダ５５i+8中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+8を介して、過水素化シラザン塗布装置５８i+8の回転ステージにタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、スピンコーティング法により、素子分離溝３１内が完全に埋まるように、シリコン基板１１、トンネル酸化膜１２ｐ、浮遊電極１３及びＳｉ3 Ｎ4膜１４の全面上に過水素化シラザン重合体溶液１８ｐが、図１１に示すように、塗布される。過水素化シラザン重合体溶液１８ｐが、５００−１０００ｎｍ程度、例えば６００ｎｍ程度の厚さに塗布されされた半導体ウェハ１１は、転送室５７i+8を介して、アンローダ５６i+8に転送され、アンローダ５６i+8の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、過水素化シラザンベーク装置５８i+9のローダ５５i+9までタイプ２容器がロボット搬送される。
【００７８】
（ル）過水素化シラザンベーク装置５８i+9のローダ５５i+9中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+9を介して、過水素化シラザンベーク装置５８i+9にタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、過水素化シラザン塗布装置５８i+8により塗布された過水素化シラザン重合体溶液（過水素化シラザン塗布膜）１８ｐに対して、２００℃以下、例えば、１５０℃程度で３分程度のベーキング処理を行う。このベーキング処理により、過水素化シラザン重合体溶液１８ｐの溶媒が揮発され、図１２に示すように、ポリシラザン（ＰＳＺ）膜１８ｑが形成される。ＰＳＺ膜１８ｑが形成された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+9を介して、アンローダ５６i+9に転送され、アンローダ５６i+9の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ＰＳＺ膜酸化装置５８i+10のローダ５５i+10までタイプ２容器がロボット搬送される。
【００７９】
（ヲ）ＰＳＺ膜酸化装置５８i+10のローダ５５i+10中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+10を介して、ＰＳＺ膜酸化装置５８i+10にタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、過水素化シラザンベーク装置５８i+9により形成されたＰＳＺ膜１８ｑに対して、２００℃より高く６００℃以下の温度で酸化処理を行う。この酸化処理によって、ＰＳＺ膜１８ｑがＳｉＯ2膜１８ｒに変換される。ＰＳＺ膜１８ｑがＳｉＯ2膜１８ｒに変換された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+10を介して、アンローダ５６i+10に転送され、アンローダ５６i+10の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ＣＭＰ装置５８i+11のローダ５５i+1１までタイプ２容器がロボット搬送される。
【００８０】
（ワ）ＣＭＰ装置５８i+11のローダ５５i+1１中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+1１を介して、ＣＭＰ装置５８i+11にタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、Ｓｉ3 Ｎ4膜をＣＭＰストッパ層１４に用いて、ＣＭＰプロセスにより、トレンチ外のＳｉＯ2膜１８ｒを図１３に示すように研磨し、且つ、表面を平坦化する。表面が平坦化された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+1１を介して、アンローダ５６i+1１に転送され、アンローダ５６i+1１の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４とベイ間容器搬送レール５０を介して、図示を省略した隣接するベイエリアのウェットエッチング装置５８i+qのローダ５５i+q（図示省略）までタイプ２容器がロボット搬送される。
【００８１】
（カ）ＣＭＰ装置５８i+qのローダ５５i+q中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+q（図示省略）を介して、ＣＭＰ装置５８i+qにタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、希フッ酸（ＨＦ）溶液を用いたウェットエッチングによりＳｉＯ2膜１８ｒの上部を、図１４に示すように除去し、素子分離絶縁膜１８を素子分離溝３１の奥に埋め込む。更にリン酸（Ｈ3 ＰＯ4）溶液を用いたウェットエッチングによりＳｉ3 Ｎ4膜（ＣＭＰストッパ層）１４を、図１５に示すように除去する。この結果ＳｉＯ2膜１８ｒの上部が除去されることにより、浮遊電極１３の側面の上部が、図１５に示すように、例えば１００ｎｍ程度、素子分離絶縁膜１８の上面から露出する。図１５に示す状態の半導体ウェハ１１は、電極間絶縁膜の減圧ＣＶＤの前処理としての所定の洗浄をした後、転送室５７i+qを介して、アンローダ５６i+q（図示省略）に転送され、アンローダ５６i+qの内部で、半導体ウェハ１１がタイプ２容器の内部に収納される。更に、タイプ２容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４とベイ間容器搬送レール５０を介して、図１に示す電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12のローダ５５i+12までタイプ２容器がロボット搬送される。  
（ヨ）電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12のローダ５５i+12中で、タイプ２容器の蓋が開けられ、転送室５７i+12を介して、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12にタイプ２容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、図１６に示すように、浮遊電極１３及び素子分離絶縁膜１８の上に電極間絶縁膜２０が堆積される。電極間絶縁膜２０の堆積工程中に、図１に示す装置群制御サーバ５１は、製品情報から次の工程が、制御電極２２となる第２導電層２２ｐを形成するためのポリシリコンＣＶＤ工程であることを導出する。更に、装置群制御サーバ５１は製品情報から、ＰＳＺ膜１８ｑを熱酸化により変換したＳｉＯ2膜からなる素子分離絶縁膜１８が、電極間絶縁膜２０により被覆された状態で、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12からポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2に搬送されるので、「特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路」になると判定する。この結果、装置群制御サーバ５１は、「特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路」の容器情報を生成し、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12に通知し、密閉型搬送容器６０のタイプ変更を指示する。この結果、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12のローダ５５i+12中から空のタイプ１容器を搬送レール５４を介して、図１に示す容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂに搬送する。そして、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、図１に示す容器一時保存庫５２ａ，５２ｂから、ＲＦタグ６４の信号（容器識別情報）を用いて、タイプ１容器を選定する。即ち、容器弁別選定装置５３ａ，５３ｂは、装置群制御サーバ５１からの命令に従い、タイプ１容器を選定し、選定されたタイプ１容器を、搬送レール５４を介して電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12のアンローダ５６iに移動する。図１６に示すように、素子分離絶縁膜１８を電極間絶縁膜２０で被覆した半導体ウェハ１１は、転送室５７i+12を介して、アンローダ５６i+12に転送され、アンローダ５６i+12の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2のローダ５５i+２までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８２】
（タ）ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2のローダ５５i+2中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+2を介して、ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、図１７に示すように、電極間絶縁膜２０上に、図８に示した制御電極２２となる第２導電層２２ｐを堆積する。例えば、多結晶シリコン膜が１０−２００ｎｍの厚さに減圧ＣＶＤ法を用いて電極間絶縁膜２０上に堆積された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+2を介して、アンローダ５６i+2に転送され、アンローダ５６i+2の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、スピンナー５８i+4のローダ５５i+3までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８３】
（レ）スピンナー５８i+4、その後のステッパー５８i+5、更にその後の現像装置５８i+6による工程は、上述した（ホ）〜（ト）の工程と同様であり、ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置５８i+2で形成された第２導電層２２ｐ上にフォトレジスト膜２４が塗布され、ステッパー５８i+5による投影露光と、その後の現像装置５８i+6による現像工程により、パターニングされる。この結果、図１８に示すように、フォトレジスト膜２４のパターンが第２導電層２２ｐ上に形成される。フォトレジスト膜２４のパターンが形成された半導体ウェハ１１は、レジストキュア後、転送室５７i+6を介して、アンローダ５６i+6に転送され、アンローダ５６i+6の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、ＲＩＥ装置５８i+7のローダ５５i+7までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８４】
（ソ）ＲＩＥ装置５８i+7のローダ５５i+7中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+7を介して、ＲＩＥ装置５８i+7のエッチングチャンバー中にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、フォトレジスト膜２４のパターンをカラム内セル分離用エッチングマスクとして、第２導電層２２ｐ、電極間絶縁膜２０、第１導電層１３及びゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）１２を、シリコン基板１１が露出するまで選択的にエッチングし、行方向（ワード線方向）に延びる複数のスリット状のセル分離溝を形成する。この結果、図１９に示すように、セルカラム内のメモリセルトランジスタが分離される（図１９に示す断面構造は図１８の紙面に垂直なＡ−Ａ方向から見た断面である。即ち、図９〜図１８までの説明では、図７に示したワード線ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・に平行で、且つ特定のワード線を切る断面図に着目していたが、以後の図１９−図２２は、図７のＡ−Ａ方向に対応するビット線ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j，・・・・・に平行な断面図に着目して説明する。）。セル分離溝により、それぞれのセルカラム内の各メモリセルトランジスタの制御電極２２、第１導電層からなる浮遊電極１３が分離する。図示を省略しているが、選択トランジスタもカラム方向（列方向）において、メモリセルトランジスタからセル分離溝分離する。連続的なＲＩＥが終了した半導体ウェハ１１は、転送室５７i+7を介して、アンローダ５６i+7に転送され、アンローダ５６i+7の内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、洗浄装置５８iのローダ５５iまでタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８５】
（ツ）洗浄装置５８iのローダ５５i中で、タイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７iを介して、洗浄装置５８iのタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、レジストマスク２４が除去される。レジストマスク２４が除去された半導体ウェハ１１は、転送室５７iを介して、アンローダ５６iに転送され、アンローダ５６iの内部で、半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、タイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、イオン注入装置５８i+13のローダ５５i+13までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８６】
（ネ）イオン注入装置５８i+13のローダ５５i+13中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+13を介して、イオン注入装置５８i+13にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、セル分離溝で互いに分離されたゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）１２、浮遊電極１３、電極間絶縁膜２０、制御電極２２からなる積層構造（１２，１３，２０，２２）をマスクとして、図２０に示すように、自己整合的に、セル分離溝に露出した半導体基板１１に砒素イオン(75Ａｓ+）、或いは燐イオン(31Ｐ+）等のｎ型不純物のイオンを注入する。図２０では、破線で活性化されない状態のイオン注入領域２５ｉを示している。ｎ型不純物のイオンが注入された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+13を介して、アンローダ５６i+13に転送され、アンローダ５６i+13の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、アニール炉５８i+14のローダ５５i+14までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８７】
（ナ）アニール炉５８i+14のローダ５５i+14中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+14を介して、アニール炉５８i+14にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、イオン注入後の活性化アニールがなされる。この結果、図２１に示すように、半導体基板１１の表面に、ソース・ドレイン領域２５が形成され、各メモリセルトランジスタが構成される。ソース・ドレイン領域２５が形成された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+14を介して、アンローダ５６i+14に転送され、アンローダ５６i+14の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、層間絶縁膜ＣＶＤ装置５８i+15のローダ５５i+15までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８８】
（ラ）層間絶縁膜ＣＶＤ装置５８i+15のローダ５５i+15中で、自動的にタイプ１容器の蓋が開けられ、転送室５７i+15を介して、層間絶縁膜ＣＶＤ装置５８i+15にタイプ１容器から半導体ウェハ１１が転送され、装置群制御サーバ５１から送信されたレシピに従い、例えば、ジフロロシラン（ＳｉＨ2Ｆ2）ガスを使用したＨＤＰ法により、ＳｉＯＦ膜を層間絶縁膜２６として堆積する。この結果、図２２に示すように、セル分離溝で互いに分離したメモリセルトランジスタのそれぞれの間、及びメモリセルトランジスタと選択トランジスタ（図示省略）の間が層間絶縁膜２６で埋め込まれる。層間絶縁膜２６が堆積された半導体ウェハ１１は、転送室５７i+15を介して、アンローダ５６i+15に転送され、アンローダ５６i+15の内部で、自動的に半導体ウェハ１１がタイプ１容器の内部に収納される。更に、自動的にタイプ１容器の蓋が閉じられ、搬送レール５４を介して、スピンナー５８i+4のローダ５５i+4までタイプ１容器がロボット搬送される。
【００８９】
（ム）スピンナー５８i+4、その後のステッパー５８i+5、更にその後の現像装置５８i+6による工程は、上述した（ホ）〜（ト）の工程と同様であるが、新たなフォトレジスト膜を全面に塗布後、通常のフォトリソグラフィ技術により新たなフォトレジスト膜をパターニングし、この新たなフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、ＲＩＥ装置５８i+7により、２つの選択トランジスタの間にビアホール（コンタクトホール）を開口する。このコンタクトホールに、図示を省略した隣接するベイエリアのスパッタリング装置、真空蒸着装置、金属ＣＶＤ装置等によりタングステン等の導電体をコンタクトプラグを埋め込む。更に、これらのスパッタリング装置、真空蒸着装置、金属ＣＶＤ装置等により金属膜（導電体膜）を堆積する。その後、金属膜（導電体膜）のパターニングを上述した（ホ）〜（ト）の工程と同様のフォトリソグラフィ技術や、（チ）の工程と同様なＲＩＥを用いて行えば（或いはダマシン技術を用いて行えば）、層間絶縁膜２６の上に、図８に示すようなビット線２７の配線がなされ、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置が完成する。なお、図８では図示を省略しているが、ビット線２７の配線の上には、シリコン窒化膜やポリイミド膜等の絶縁膜がパッシベーション膜として形成されても良いことは、通常のＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）の製造工程と同様である。
【００９０】
上記の（イ）〜（ム）に例示した本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法によれば、過水素化シラザン重合体溶液の塗布工程、この塗布工程後のベーキング工程、このベーキング工程後の酸化工程に係る搬送時に発生する汚染因子（ＮＨ3が）の密閉型搬送容器を介した交叉汚染の影響を抑制できるので、特に、フォトリソグラフィ工程におけるフォトレジスト膜の微細パターンの形状異常がなくなるため、多数の製造装置（半導体製造装置）からなる半導体製造ラインを密閉型搬送容器を用いてミニ・エンバイロメント化し、それにより、高精度、高品質のＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）を、高い製造歩留まりで製造できる。
【００９１】
なお、上記のロボット搬送式製造方法においては、洗浄装置５８iがレジストマスク１５の除去工程中に、装置群制御サーバ５１が次の過水素化シラザン塗布装置５８i+8への工程間搬送経路が「特定工程間搬送経路」になると判定し、「特定工程間搬送経路」の容器情報を生成し、洗浄装置５８iに密閉型搬送容器６０のタイプ変更を指示する方法、及び電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12が電極間絶縁膜２０の堆積工程中に、装置群制御サーバ５１が次の第２導電層２２ｐのポリシリコンＣＶＤ工程への工程間搬送経路が「特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路」になると判定し、電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置５８i+12に密閉型搬送容器６０のタイプ変更を指示する方法を説明したが、あくまでも例示に過ぎない。例えば、上記の（イ）〜（ム）に示したＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）の製造方法にしたがったロットがスタートする前に、装置群制御サーバ５１が（イ）〜（ム）を含むすべての工程間搬送経路の容器情報を予め決定し、決定された容器情報に従い、すべての工程間搬送経路の密閉型搬送容器の搬送タイプを予めプログラムしておく方法でも良い。即ち、容器情報に関するプログラムをプログラム記憶装置に格納しておき、プログラム記憶装置に格納されたプログラムに従って、装置群制御サーバ５１が対応する各製造装置５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・に、それぞれ容器情報の通知及びタイプ変更の指示を出すようにし、これにより、密閉型搬送容器６０を必要な工程間搬送経路において、逐次交換するように構成しても構わない。
【００９２】
又、上記の（ラ）の工程における層間絶縁膜２６を、セル分離溝で互いに分離したメモリセルトランジスタのそれぞれの間、及びメモリセルトランジスタと選択トランジスタの間に埋め込む工程に、過水素化シラザン塗布装置５８i+8、過水素化シラザンベーク装置５８i+9及びＰＳＺ膜酸化装置５８i+10の用い、セル分離溝にＰＳＺ膜を埋め込むようにしても良い。この場合は、更にタイプ１容器からタイプ２容器へのタイプ変更及び、その後のタイプ２容器からタイプ１容器へのタイプ変更が追加されることになる。
【００９３】
又、上記の（イ）〜（ム）に示したＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）の製造方法の流れは、本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための便宜上のものであり、現実には、図２０に示すイオン注入の工程の前に、８００℃程度、１２０秒程度の窒素雰囲気で加熱し、更に１０００℃程度の酸化性雰囲気で加熱することで厚さ６ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる下地膜を、半導体基板１１の表面、制御電極（ＣＶＤ制御電極）２２のセル分離溝に露出した側壁部、及び浮遊電極（１３，１９）のセル分離溝に露出した側壁部に形成し、その後、この下地膜を介して図２０に示すようなイオン注入をしても良く、その他種々の追加の工程が可能である。特に、上記の（ム）ではメタライゼーション工程を簡略化して説明しているが、現実には、記載を省略した複数の工程により、多層配線技術としてメタライゼーション工程が、実施されても良いことは、勿論である。
【００９４】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００９５】
既に述べた実施の形態の説明においては、ＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）に着目し、その製造方法を例示的に説明したが、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ以外のＡＮＤ型のフラッシュメモリやＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ等にも同様に適用可能であり、更にはＤＲＡＭやＳＲＡＭ等の他の種々の半導体記憶装置等にも、適用可能である。更には、論理集積回路等種々の半導体装置の製造にも適用可能であることは勿論である。
【００９６】
又、清浄化を必要とする技術分野の代表例は、半導体装置の製造分野がその筆頭であろうが、半導体装置の製造分野以外でも、液晶装置、磁気記録媒体、光記録媒体、薄膜磁気ヘッド、超伝導素子、音響電気変換素子、バイオテクノロジー製品、化学薬品等の製造方法においても、清浄化の要請は増大しており、本発明はこれらの種々の分野の局所クリーン化技術における密閉型搬送容器の運用（ロボット搬送式製造方法）やこれによる局所クリーン化ロボット搬送工場に適用できることは、上記説明から容易に理解できるであろう。
【００９７】
既に述べた実施の形態の説明においては、ＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置（フラッシュメモリ）に着目し、過水素化シラザンに起因したアンモニア（ＮＨ3）が密閉型搬送容器の材質と反応し、交叉汚染を発生させる場合について例示的に説明したが、以下の式（２）で示されるポリシラシラザン：
【化２】
2007317944.tif 000005
【００９８】
の溶液を、スピンコーティング法により、素子分離溝に埋め込む工程によっても、関連する工程間搬送経路でＮＨ3による交叉汚染がありうる。したがって、本発明は、過水素化シラザン重合体溶液を使う製造工程の場合に限定されるものでない。
【００９９】
更に、密閉型搬送容器の材質と反応し、それにより交叉汚染を発生させる汚染因子（化学物質）としては、ＮＨ3の他、酸化窒素（ＮＯx）、酸化硫黄（ＳＯx）、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）などのハロゲン類、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）等のアミン類、フタル酸エステル、シロキサン化合物等も、技術分野や製品の仕様や汚染レベルによって、その交叉汚染が問題になりうるし、場合によれば洗浄工程に付随した水分による問題、ＣＭＰ工程に付随したパーティクルの問題等も、技術分野や製品の仕様等により、考えられ得るので、上記の実施の形態の説明に限定されて、本発明を解釈すべきではない。
【０１００】
又、これらの種々の分野の実際においては、「特定工程間搬送経路」が複数存在して構わないし、製品の仕様等により、２種の特定工程間搬送経路の一部が重複するような場合でも構わない。つまり、上記の説明では、予め定められた特定工程間搬送経路で半導体ウェハを搬送する搬送タイプ２の密閉型搬送容器と、この特定工程間搬送経路以外の工程間搬送経路で半導体ウェハを搬送する搬送タイプ１の密閉型搬送容器との２種の搬送タイプの密閉型搬送容器を用いる例を説明したが、特定工程間搬送経路が複数であれば、３種以上の搬送タイプの密閉型搬送容器が採用されうることは論理的な帰結として、当然であろう。
【０１０１】
又、汚染因子が特定されない場合でも、「特定工程間搬送経路」を定義可能である。特に、重金属やアルカリイオンによる汚染が問題となるゲート酸化においては、ゲート酸化の前処理をする洗浄装置５８iからゲート酸化装置５８i+1までの経路を「特定工程間搬送経路」として定義しても良い。更に、ゲート酸化の特定工程間搬送経路に用いる密閉型搬送容器には、その内壁に塩素ガスを意図的に含ませる等の特別な処理をしても良い。
【０１０２】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場の概略を模式的に説明する平面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る密閉型搬送容器の前開きの蓋が開けられた状態を、図２（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る密閉型搬送容器の前開きの蓋が閉じられた状態を示す鳥瞰図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の実施の形態に係る局所クリーン化ロボット搬送工場に用いるミニエンバイロメント方式の基本構成を、特定の半導体製造装置に着目して、模式的に説明する平面図で、図３（ｂ）は対応する側面図である。
【図４】図４（ａ）に示す密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）１，図４（ｂ）に示す密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）２，図４（ｃ）に示す密閉型搬送容器（ＦＯＵＰ）３を用いて、ポリシラザン（ＰＳＺ）膜による密閉型搬送容器の交叉汚染を調べた手順を説明する模式図である。
【図５】図５（ａ）は、非汚染状態のフォトレジスト膜のパターンの模式的断面図で、図５（ｂ）は、交叉汚染により、「すそ引き」と呼ばれる形状不良を生じた様子を説明する模式的断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置（不揮発性半導体記憶装置：ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）の論理的な回路構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示した半導体記憶装置のメモリセルアレイの一部の物理的なレイアウトパターン構成を示す模式的な平面図である。
【図８】図７のビット線に沿った方向（Ａ−Ａ方向）で切断したメモリセルアレイの一部（ＮＡＮＤセルカラム）を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を、半導体記憶装置（不揮発性半導体記憶装置）の製造方法を例示して説明するための、図７に示したワード線に平行な工程断面図である（その１）。
【図１０】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図６である（その２）。
【図１１】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その３）。
【図１２】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その４）。
【図１３】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その５）。
【図１４】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その６）。
【図１５】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その７）。
【図１６】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その８）。
【図１７】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その９）。
【図１８】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ワード線に平行な工程断面図である（その１０）。
【図１９】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、図７のビット線に平行な工程断面図である（その１１）。
【図２０】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ビット線に平行な工程断面図である（その１２）。
【図２１】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ビット線に平行な工程断面図である（その１１）。
【図２２】本発明の実施の形態に係るロボット搬送式製造方法を説明するための、ビット線に平行な工程断面図である（その１２）。
【符号の説明】
【０１０４】
１１…「中間生成物」としてのシリコン基板（半導体ウェハ；半導体基板）
１２，１２ｐ…トンネル酸化膜
１３…浮遊電極
１３ｐ…第１導電層
１４，１４ｐ…ＣＭＰストッパ層
１５…フォトレジスト膜（レジストマスク）
１８…素子分離絶縁膜
１８ｐ…過水素化シラザン重合体溶液
１８ｑ…ポリシラザン（ＰＳＺ）膜
１８ｒ…シリコン酸化（ＳｉＯ2）膜
２０…電極間絶縁膜
２２…制御電極
２２ｐ…第２導電層
２４…フォトレジスト膜（レジストマスク）
２５…ソース・ドレイン領域
２５ｉ…イオン注入領域
２６…層間絶縁膜
２７…ビット線
３１…素子分離溝
５０…ベイ間容器搬送レール
５１…装置群制御サーバ
５２ａ，５２ｂ…容器一時保存庫
５３ａ，５３ｂ…容器弁別選定装置
５４…搬送レール
５５，５５i,５５i+1,５５i+2,５５i+3,・・・・・…ロード用容器出入機構（ローダ）
５６，５６i,５６i+1,５６i+2,５６i+3,・・・・・…アンロード用容器出入機構（アンローダ）
５７，５７i,５７i+1,５７i+2,５７i+3,・・・・・…転送室（装置前室）
５８，５８i,５８i+1,５８i+2,５８i+3,・・・・・…製造装置
５８i…洗浄装置                             
５８i+1…ゲート酸化装置             
５８i+2…ポリシリコン減圧ＣＶＤ装置
５８i+3…窒化膜減圧ＣＶＤ装置     
５８i+4…スピンナー                 
５８i+5…ステッパー                 
５８i+6…現像装置                   
５８i+7…ＲＩＥ装置                 
５８i+8…過水素化シラザン塗布装置
５８i+9…過水素化シラザンベーク装置
５８i+10…ＰＳＺ膜酸化装置          
５８i+11…ＣＭＰ装置                
５８i+12…電極間絶縁膜減圧ＣＶＤ装置
５８i+13…イオン注入装置            
５８i+14…アニール炉                
５８i+15…層間絶縁膜ＣＶＤ装置      
５９…ＲＦタグ受信器
６０…密閉型搬送容器
６１…容器本体
６２…蓋
６４…ＲＦタグ
５２０…メモリセルアレイ
５２１…トップ・ページバッファ
５２２…ボトム・ページバッファ
５２３…レフト・ロウデコーダ／チャージポンプ
５２４…ライト・ロウデコーダ／チャージポンプ
ＢＬ2j-1，ＢＬ2j，ＢＬ2j+1，・・・・・…ビット線
ＳＧＤk，ＳＧＳk…選択ゲート配線
ＷＬ1k，ＷＬ2k，・・・・・，ＷＬ32k，ＷＬ1k-1，・・・・・…ワード線
【図１】
2007317944.tif 000006
【図２】
2007317944.tif 000007
【図３】
2007317944.tif 000008
【図４】
2007317944.tif 000009
【図５】
2007317944.tif 000010
【図６】
2007317944.tif 000011
【図７】
2007317944.tif 000012
【図８】
2007317944.tif 000013
【図９】
2007317944.tif 000014
【図１０】
2007317944.tif 000015
【図１１】
2007317944.tif 000016
【図１２】
2007317944.tif 000017
【図１３】
2007317944.tif 000018
【図１４】
2007317944.tif 000019
【図１５】
2007317944.tif 000020
【図１６】
2007317944.tif 000021
【図１７】
2007317944.tif 000022
【図１８】
2007317944.tif 000023
【図１９】
2007317944.tif 000024
【図２０】
2007317944.tif 000025
【図２１】
2007317944.tif 000026
【図２２】
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