(57)【要約】【課題】スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる、平面型表示装置において使用されるスペーサ、並びに、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置を提供する。【解決手段】第１パネルと、第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第１パネルと第２パネルとの間に配置されるスペーサ１４０であって、スペーサ１４０は、スペーサ基材１４０Ａと、スペーサ基材１４０Ａの側面上に設けられた帯電防止膜１４０Ｂとから成り、スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足する。【選択図】  図１
2007109498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、スペーサが第１パネルと第２パネルとの間に配置され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
０．０７５×Ｈ0≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、スペーサが第１パネルと第２パネルとの間に配置され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0、スペーサの側面部における後方散乱電子の入射量が最大になる位置迄の距離をＬとするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする平面型表示装置。
【請求項４】
１．５×Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
スペーサ基材は、セラミック材料から成ることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
帯電防止膜は、金属酸化物から成ることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の平面型表示装置。
【請求項７】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第１パネルと第２パネルとの間に配置されるスペーサであって、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とするスペーサ。
【請求項８】
０．０７５×Ｈ0≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする請求項７に記載のスペーサ。
【請求項９】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第１パネルと第２パネルとの間に配置されるスペーサであって、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0、スペーサの側面部における後方散乱電子の入射量が最大になる位置迄の距離をＬとするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とするスペーサ。
【請求項１０】
１．５×Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする請求項９に記載のスペーサ。
【請求項１１】
スペーサ基材は、セラミック材料から成ることを特徴とする請求項７又は請求項９に記載のスペーサ。
【請求項１２】
帯電防止膜は、金属酸化物から成ることを特徴とする請求項７又は請求項９に記載のスペーサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、文字や画像等の情報を表示する平面型表示装置において使用されるスペーサ、並びに、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出源を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出源として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの電子放出源を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出源としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリックス状に配列された各画素（カラー表示の場合には、各サブピクセル）に対応した電子放出領域を有する第１パネル（カソードパネル）と、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有する第２パネル（アノードパネル）とが、真空状態とされた空間を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図５に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図６に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は、第１の方向（図５及び図６においてＹ方向）に延びている。ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図５及び図６においてＸ方向）に延びている。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルの領域に相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（表示装置の表示領域に対応する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号４０は例えば板状のスペーサを表し、参照番号２６は枠体を表し、参照番号１６は収束電極を表す。図６においては、隔壁やスペーサ、収束電極の図示を省略した。
【０００７】
アノード電極２４は、蛍光体層２２からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層２２の帯電防止といった機能を有する。
【０００８】
１サブピクセルは、カソードパネルＣＰ側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体層２２とによって構成されている。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【０００９】
そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように配置し、周縁部において枠体２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ４０を配設しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ４０は、スペーサ基材４０Ａと、スペーサ基材４０Ａの側面部上に設けられた帯電防止膜４０Ｂとから成る。これらについては後述する。
【００１１】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極１６には収束電極制御回路（図示せず）から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。あるいは、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体層２２に衝突する。その結果、蛍光体層２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及び、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【００１２】
スペーサ４０を構成するスペーサ基材４０Ａは、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム等のセラミック、あるいは、ガラス等の高抵抗剛性材料から成る。スペーサ４０は、その両端が、それぞれ、アノード電極２４と、収束電極１６とに接している。従って、スペーサ４０の両端間には、アノード電極２４に印加される電圧と、収束電極１６に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。尚、表示装置の形式によっては、スペーサのカソード側はゲート電極と接する。この場合には、スペーサの両端間には、アノード電極に印加される電圧と、ゲート電極に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。従って、スペーサ４０に過大な電流が流れないように、スペーサ４０は基本的に高抵抗であることが必要とされる。また、スペーサ４０の両端における電位差（電圧）が、スペーサ４０の両端間で均等に分圧される必要がある。従って、スペーサ基材４０Ａを構成する高抵抗剛性材料の比抵抗は、所定の範囲内の値であり、かつ、できるだけ均一であることが好ましい。例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等には、高抵抗剛性材料として、種々のセラミック材料が開示されている。
【００１３】
図７の（Ａ）及び（Ｂ）に、スペーサ４０の近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す。図７の（Ａ）に示すように、電子放出部１５から放出された電子は、蛍光体層２２に向かう。アノードパネルＡＰにおけるアノード電極２４を通過し、蛍光体層２２に衝突した電子の一部は、蛍光体層２２によって後方に散乱する（以下、これらの電子を総称して、後方散乱電子と呼ぶ）。この後方散乱電子の一部はスペーサ４０の側面部に衝突する（図７の（Ｂ）参照）。スペーサ４０の側面部に電子が衝突すると、その表面から２次電子が放出される。スペーサ４０に衝突する電子とスペーサから放出される２次電子の量に差がある場合には、スペーサ４０が帯電して電子の軌道に影響を与える。このため、２次電子放出係数が１に近い材料から成る帯電防止膜、例えばＣｒＯx等から成る帯電防止膜４０Ｂが、スペーサ基材４０Ａの側面部上に設けられている。帯電防止膜を構成する材料（２次電子放出係数が１に近い材料）として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等が知られており、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に種々の材料が開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特表２００３−５２４２８０号公報
【特許文献２】特表２００４−５００６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、長時間に亘りスペーサ４０の側面部に後方散乱電子の一部が衝突することによって、スペーサ４０近傍の電界分布が変化する場合がある。先に述べたように、スペーサ基材４０Ａの側面部上に、帯電防止膜４０Ｂとして例えばＣｒＯxから成る金属酸化膜が設けられているとき、この金属酸化膜が電子の衝突により還元され、その電気抵抗が変動する場合がある。帯電防止膜４０Ｂの電気抵抗特性が変化すると、スペーサ４０近傍の電界が変化し、電子ビーム軌道が湾曲する（図８参照）。これにより、表示装置のスペーサ４０近傍の画素における輝度特性も変化する。
【００１６】
帯電防止膜４０Ｂの電気抵抗特性の変動は、通常、表示装置の動作時間に応じて大きくなる。従って、上述した電子ビーム軌道の湾曲も、表示装置の動作時間に応じて、その程度が大きくなる。これに伴い、表示装置のスペーサ４０近傍の画素における輝度特性は、経時変化を示す。一方、スペーサ４０から離れた画素については、上記の現象は生じない。このため、表示装置の表示画面において、スペーサ４０に沿った画素に相対的な輝度変化が生じ、表示画面の均一性が悪化する。
【００１７】
従って、本発明の目的は、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる平面型表示装置、並びに、平面型表示装置において使用されるスペーサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置は、電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、スペーサが第１パネルと第２パネルとの間に配置され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置に関する。
【００１９】
また、上記の目的を達成するための本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサは、電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、第１パネルと第２パネルとの間に配置されるスペーサに関する。
【００２０】
そして、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様に係るスペーサにあっては、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様に係るスペーサにあっては、後方散乱電子が専ら第２パネル近傍に分布することに注目し、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満たす構成、即ち、スペーサ側面部のうち第２パネル近傍の部分（換言すれば、第２端部近傍の部分）には帯電防止膜が存在しない構成とした。従って、後方散乱電子の少なくとも一部は帯電防止膜には衝突せずスペーサ基材に衝突する。一般に、スペーサ基材を構成する材料は帯電防止膜を構成する材料よりも還元され難いので、帯電防止膜の還元による電気抵抗特性の変化が低減される。特に、０．０７５×Ｈ0≦Ｈ1を満たす場合には、距離Ｈ0の絶対値により左右されるものの、通常、スペーサ基材の側面部における第２端部から後方散乱電子の入射量が最大となる位置（これについては後述する）には、帯電防止膜が存在しない構成となり、より帯電防止膜の還元による電気抵抗特性の変化が低減する。尚、後方散乱電子がスペーサ基材に衝突することにより、第２パネル側のスペーサ基材が帯電する。しかし、第１パネルの電子放出源から放出された電子は、第２パネル付近では充分加速されているので、スペーサ基材の帯電による電子軌道への影響は、相対的に小さい。スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足すれば、第２パネル側のスペーサ基材の帯電は、実用上悪影響を及ぼさない。これにより、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる。
【００２２】
また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第２の態様に係るスペーサにあっては、
スペーサは、スペーサ基材と、スペーサ基材の側面部上に設けられた帯電防止膜とから成り、
スペーサ基材の側面部における第２パネル側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部における第１パネル側の第１端部迄の距離をＨ0、スペーサの側面部における後方散乱電子の入射量が最大になる位置迄の距離をＬとするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足することを特徴とする。
【００２３】
本発明の第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第２の態様に係るスペーサにあっては、スペーサの側面部における後方散乱電子の入射量が最大になる位置に着目し、Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満たす構成、即ち、第２パネル近傍のスペーサ側面部には、スペーサ基材の側面部における第２端部からＬ以上の幅で帯電防止膜が存在しない構成とした。従って、後方散乱電子の少なくとも一部は帯電防止膜には衝突せずスペーサ基材に衝突する。一般に、スペーサ基材を構成する材料は帯電防止膜を構成する材料よりも還元され難いので、帯電防止膜の還元による電気抵抗特性の変化が低減される。特に、１．５×Ｌ≦Ｈ1を満たす場合には、後方散乱電子の大部分はスペーサ基材に衝突し、帯電防止膜の還元による電気抵抗特性の変化が低減する。尚、第１の態様において説明したと同様に、後方散乱電子がスペーサ基材に衝突することにより、第２パネル側のスペーサ基材が帯電する。しかし、第１パネルの電子放出源から放出された電子は、第２パネル付近では充分加速されているので、スペーサ基材の帯電による電子軌道への影響は、相対的に小さい。スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足すれば、第２パネル側のスペーサ基材の帯電は、実用上悪影響を及ぼさない。これにより、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる。
【００２４】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサにあっては、スペーサ基材の側面部における第１端部とは、スペーサ基材の側面部における電位がスペーサ基材が接する第１パネルに設けられている電極の電位と同電位であって、かつ、最も第２パネル側に近い境界部を意味する。また、スペーサ基材の側面部における第２端部とは、スペーサ基材の側面部における電位が第２パネルに設けられているアノード電極の電位と同電位であって、かつ、最も第１パネル側に近い境界部を意味する。例えば、図９の（Ａ）に示すように、スペーサ基材４０Ａの端面が直接アノード電極２４と接する場合には、スペーサ基材４０Ａの側面部におけるアノード電極側の端部が第２端部となり、図９の（Ｂ）に示すように、スペーサ基材４０Ａが例えばスペーサ基材４０Ａの端面上に設けられた端部電極を介してアノード電極２４と接する場合には、スペーサ基材４０Ａの側面部における端部電極とスペーサ基材４０Ａとの界面部が第２端部となる。また、図１０の（Ａ）に示すように、端部電極がスペーサ基材４０Ａの側面部上にも延びて形成されている場合には、側面部上に設けられている端部電極の境界部が第２端部となる。この場合において、図１０（Ｂ）に示すように、第１パネルにスペーサを保持するスペーサ保持部が設けられており、アノード電極２４がスペーサ保持部に倣うように形成されており、スペーサ基材４０Ａの側面部上に接するアノード電極２４の境界部がより第１パネル側に近くなる場合には、側面部上のアノード電極２４の境界部が第２端部となる。逆に、図１０（Ｃ）に示すように、スペーサ基材４０Ａの側面部上に接するアノード電極２４の境界部よりも、側面部上に設けられている端部電極の境界部がより第１パネル側に近くなる場合には、端部電極の境界部が第２端部となる。スペーサ基材が端部電極を介して第１パネルと接する場合や、第１パネルにスペーサ保持部が設けられている場合の第１端部についても、第２端部で説明したと同様に取り扱うことができる。尚、図９の（Ａ）及び（Ｂ）、図１０の（Ａ）〜（Ｃ）においては、帯電防止膜４０Ｂの図示を省略し、第１パネルを単にＣＰ、第２パネルを単にＡＰと示した。
【００２５】
ここで、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサにあっては、スペーサを構成するスペーサ基材を、セラミックやガラス等の高抵抗剛性材料から成る構成とすることができる。セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミック材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料を用いることもできる。
【００２６】
また、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサにあっては、帯電防止膜を構成する２次電子放出係数が１に近い材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅx等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＮｄＯx、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢx、ＴｉＢx等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳx、ＷＳx等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜が単層構造である場合には、その層が単一の種類の材料から成るものであってもよいし、その層が複数の種類の材料の混合物から成るものであってもよい。また、帯電防止膜は、複数層が積層した構造であってもよい。この場合には、各層は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料の混合物から成るものであってもよい。帯電防止膜を、金属酸化物から成る構成とすることができるが、この場合には、帯電防止膜を構成する層を（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の混合物から構成することもできる。（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の組み合わせとして、（クロム酸化物，チタン酸化物）、（クロム酸化物，インジウム酸化物）、（マンガン酸化物，チタン酸化物）、（マンガン酸化物，インジウム酸化物）、（亜鉛酸化物，チタン酸化物）あるいは（亜鉛酸化物，インジウム酸化物）を挙げることができる。これらの膜は、スパッタリング法、蒸着法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等、周知の方法により形成することができる。帯電防止膜を形成する際に、ハードマスクを用いることにより、帯電防止膜を所定の高さＨ1に形成することができる。あるいは又、所謂リフトオフ法により帯電防止膜の一部を除去することにより、帯電防止膜を所定の高さＨ1に形成することもできる。帯電防止膜は、スペーサ基材の側面部上に直接設けられていてもよいし、例えば、密着性改善用等の下地膜がスペーサ基材の上に形成されており、下地膜の上に帯電防止膜が形成されていてもよい。
【００２７】
以下、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置、又は、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサを、単に、本発明と呼ぶ場合がある。また、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置を構成するスペーサ、又は、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るスペーサを、単に、本発明のスペーサと呼ぶ場合がある。更には、本発明の平面型表示装置を、単に、本発明の表示装置と呼ぶ場合がある。
【００２８】
本発明において、スペーサ基材をセラミック材料から成る構成とする場合には、スペーサ基材を構成するセラミック基材を、例えば、
（ａ）セラミック粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得、その後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより得ることができる。スペーサ基材を構成するセラミック材料は、グリーンシート用スラリー内のセラミック粉末が焼結されることにより形成される。グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミック粉末を構成する材料として、上述のスペーサ基材の説明において例示したと同様の材料を挙げることができる。尚、必要な場合には、スラリーに導電性付与材料を分散質として加えてもよい。導電性付与材料は、スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。導電性付与材料は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の導電性付与材料も焼成されるが、焼成された導電性付与材料が導電性を示すものであればよい。グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料として、例えば、金や白金等の貴金属；モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物等の金属酸化物；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩を挙げることができる。更には、これらの混合物であってもよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００２９】
平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出源を構成する冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）は、第１パネル（カソードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられ、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。
【００３０】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００３１】
第１パネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分は電子放出領域に該当し、電子放出領域が２次元マトリックス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００３２】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、第２パネル（アノードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられたアノード電極によって第２パネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。
【００３３】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００３４】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３５】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３６】
電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。
【００３７】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【００３８】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００３９】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
【００４０】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４１】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００４２】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４３】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００４４】
第１パネルを構成する支持体として、あるいは又、第２パネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。
【００４５】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００４６】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
【００４７】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００４８】
アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００４９】
蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式はドット状である。具体的には、表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、表示装置において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００５０】
蛍光体層は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００５１】
蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラック・マトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００５２】
蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するための、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が隔壁を越えて他の蛍光体層に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００５３】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５４】
隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリックス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリックス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５５】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５６】
スペーサの形状は、板状であってもよいし、柱状であってもよい。柱状のスペーサをその長手方向と直交する仮想平面で切断したときの断面形状は、例えば略円形であってもよいし、十字形であってもよい。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定することもできるし、第１パネル及び／又は第２パネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定することもできる。あるいは又、スペーサと第１パネル及び／又は第２パネルを、フリットガラスや低融点金属等によって固定することもできる。
【００５７】
第１パネルと第２パネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミック等から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、第１パネルと第２パネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００５８】
第１パネルと第２パネルと枠体の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階で第１パネル又は第２パネルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階で第１パネル又は第２パネルの他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、第１パネルと第２パネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、第１パネルと第２パネルと枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００５９】
排気を行う場合、排気は、第１パネル及び／又は第２パネルに予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属、合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から構成され、第１パネル及び／又は第２パネルの無効領域（表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通部の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００６０】
本発明において、電子放出源として、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【発明の効果】
【００６１】
本発明の平面型表示装置に用いられるスペーサ、あるいは、本発明のスペーサにあっては、スペーサ近傍の電界分布の経時変化を少なくすることができる。従って、スペーサに沿った画素に発生する相対的な輝度変化を低減することができる。これにより、経時変化による表示画面の均一性の悪化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例】
【００６３】
実施例の平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図を、図１に示す。実施例における平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）であり、この表示装置を構成する第１パネル（カソードパネルＣＰ）及び第２パネル（アノードパネルＡＰ）は、図５及び図６を参照して説明した表示装置におけるカソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰと同じ構成、構造を有する。即ち、実施例の表示装置にあっては、電子を放出する電子放出源に相当するスピント型電界放出素子が支持体１０に複数、形成されて成る第１パネル（カソードパネルＣＰ）と、電子放出源（スピント型電界放出素子）から放出された電子が衝突する蛍光体層２２及びアノード電極２４が基板２０に形成されて成る第２パネル（アノードパネルＡＰ）とが、それらの周縁部において接合され、スペーサ１４０が第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）との間に配置され、第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）とによって挟まれた空間が真空に保持されている。これらの構成、動作、及び、作用については、背景技術で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。尚、以下の説明においては、第１パネルをカソードパネルＣＰと呼び、第２パネルをアノードパネルＡＰと呼ぶ。
【００６４】
実施例のスペーサ１４０は、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間に配置されるスペーサであって、スペーサ基材１４０Ａと、スペーサ基材１４０Ａの側面部上に設けられた帯電防止膜１４０Ｂとから成る。
【００６５】
そして、実施例のスペーサ１４０にあっては、スペーサ基材の側面部におけるアノードパネルＡＰ側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部におけるカソードパネルＣＰ側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、０＜Ｈ1≦０．５×Ｈ0、より具体的には、０．０７５×Ｈ0≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足する。
【００６６】
あるいは又、実施例のスペーサ１４０にあっては、スペーサ基材の側面部におけるアノードパネルＡＰ側の第２端部を基準とし、スペーサ基材の側面部におけるカソードパネルＣＰ側の第１端部迄の距離をＨ0、スペーサの側面部における後方散乱電子の入射量が最大になる位置迄の距離をＬとするとき、スペーサ基材の側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜が設けられており、Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0、より具体的には、１．５×Ｌ≦Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足する。
【００６７】
図２に示すように、実施例の表示装置にあっては、電子放出部１５から放出された電子は、アノードパネルＡＰにおけるアノード電極２４を通過し、蛍光体層２２に衝突した電子の一部は、蛍光体層２２で後方散乱され、後方散乱電子の一部はスペーサ１４０の側面部に入射する。一方、スペーサ１４０のアノードパネル側の側面部上には、帯電防止膜１４０Ｂが形成されていない領域が存在し、後方散乱電子の大部分はこの領域に入射する。従って、帯電防止膜１４０Ｂの還元による電気抵抗特性の変化が低減する。
【００６８】
図３の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例のスペーサ１４０について説明する。図３の（Ａ）は、実施例のスペーサ１４０の一部を切り欠いた模式的な斜視図であり、図３の（Ｂ）は、実施例のスペーサ１４０において、後述するシミュレーションにより求めた後方散乱電子の入射量と、帯電防止膜との関係を説明するための模式的な一部断面図である。
【００６９】
図３に示すように、実施例のスペーサ１４０においては、スペーサ基材１４０Ａの側面部におけるアノードパネルＡＰ側の第２端部を基準とし、スペーサ基材１４０Ａの側面部におけるカソードパネルＣＰ側の第１端部迄の距離をＨ0とするとき、スペーサ基材１４０Ａの側面部における距離Ｈ1の位置から第１端部迄、帯電防止膜１４０Ｂが設けられている。
【００７０】
電子放出部１５から放出された電子は、その一部が後方散乱され、スペーサ１４０の側面部に入射する。スペーサ１４０に入射する後方散乱電子は、アノードパネルＡＰ側の近傍に入射するような分布を示す。最も電子が多く入射する位置は、例えば、下記に示す条件の下でモンテカルロ法を用いたシミュレーションを行うことにより、求めることができる。図３の（Ｂ）において、図の左側のグラフは、シミュレーションにより求めた後方散乱電子の入射量を示す。このグラフにおいて、縦軸はスペーサ１４０の第１端部を基準とした高さ方向の位置を示し、横軸は後方散乱電子の入射量を示す。尚、このグラフにおいて、縦軸は距離Ｈ0を１とするように正規化されており、横軸は後方散乱電子の入射量の最大値を１とするように正規化されている。実験により、スペーサ１４０の側面部における後方散乱電子の入射量が最大となる位置迄の距離（図３の（Ｂ）においては、第２端部から距離Ｌ）よりも、距離Ｈ1が長い場合には、スペーサ１４０に沿った画素に発生する相対的な輝度変化が低減することが確かめられた。好ましくは、１．５×Ｌ≦Ｈ1であることが望ましい。また、距離Ｈ0（換言すれば、スペーサ１４０の高さ）の絶対値により左右されるものの、通常、０．０７５×Ｈ0≦Ｈ1を満たす場合には、スペーサ基材１４０Ａの側面部における第２端部からＬ以上の幅で帯電防止膜が存在しない構成となる。尚、実験の結果、Ｈ1≦０．５×Ｈ0を満足すれば、アノードパネルＡＰ側のスペーサ基材の帯電は、実用上問題が無いことを確認した。実験結果を、表１に掲げる。表１については後述する。
【００７１】
［シミュレーションの条件］
（１）電子放出部１５から放出された電子が後方散乱される際には、弾性散乱と非弾性散乱とが混在する。
（２）弾性散乱はscreened Rutherford散乱に従う。
（３）非弾性散乱はBetheの阻止能式（あるいはBetheのエネルギー損失則）に従う。（screened Rutherford散乱、Betheの阻止能式については下記文献１及び文献２を参照）
［文献１］
R. Shimizu, T. Ikura, and K. Murata,
The Monte Carlo technique as applied to the fundamentals of EPMA and SEM
Journal of Applied Physics, Vol.43, No.10, p.4233-4249 (1972)
［文献２］
藤田和久
２次電子を考慮した電子線リソグラフィー・シミュレータの開発
富士総研技報 Vol.5 No.1 (1995)
【００７２】
次いで、実施例のスペーサの製造方法、及び、実施例の表示装置の製造方法を説明する。
【００７３】
［工程−１００］
先ず、グリーンシート用スラリーを調製する。平均粒径が１〜２μｍとなるように粉砕・分級したアルミナ粉末（アルコア インコーポレイテッド製）、チタニア粉末（関東化学株式会社製）を、体積比が９８：２となるように混合し、ポリビニール・ブチラール系樹脂のバインダーと界面活性剤とを加えて、トルエンとエタノールの混合溶媒に分散し、ボールミルによって攪拌し、スラリーを得ることができる。
【００７４】
［工程−１１０］
次いで、グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得る。実施例では、調製したスラリーをブレードコート法によって厚さ約１００μｍのシートとし、１００゜Ｃで充分に乾燥させることで、グリーンシートを得たが、これに限定するものではない。
【００７５】
［工程−１２０］
その後、グリーンシートを焼成し、セラミック材料を得る。上記のシートをモリブデン製のセッターの上に載せ、１６５０゜Ｃ、窒素：水素＝１：３の雰囲気下で、約１時間焼成することにより、セラミック材料を得たが、これに限定するものではない。
【００７６】
［工程−１３０］
次いで、セラミック材料を切断することにより、スペーサ基材１４０Ａを得る。実施例において、スペーサ基材１４０Ａの寸法を、長手方向（図１においてＸ方向）に１５０ｍｍ、厚さ方向（図１においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１においてＺ方向）に２ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。
【００７７】
［工程−１４０］
その後、スペーサ基材１４０Ａの側面部上に帯電防止膜１４０Ｂを設けることにより、セラミック材料から成るスペーサ基材１４０Ａと、スペーサ基材１４０Ａの側面部上に設けられた帯電防止膜１４０Ｂとから成るスペーサ１４０を得る。スペーサ１４０における距離Ｈ0、距離Ｈ1を、表１に掲げる。実施例においては、リフトオフ法とスパッタリング法を用いて帯電防止膜１４０Ｂを所定の高さに形成するが、これに限定するものではない。スパッタリング法に用いるターゲットの構造あるいは組成を説明する。ターゲットは、クロム酸化物である。このターゲットの製造方法を説明する。粒子状のクロム酸化物を、一般的な真空ホットプレス法によって焼結することにより、スパッタリング法に用いるターゲットを製造することができる。このターゲットを用いて、下記の表２に例示する条件にて帯電防止膜１４０Ｂを形成する。実施例においては、膜厚が約２〜２０ｎｍの帯電防止膜１４０Ｂを形成する。
【００７８】
上記の［工程−１００］〜［工程−１４０］によって、スペーサ基材１４０Ａと帯電防止膜１４０Ｂとから成る実施例のスペーサ１４０を製造することができる。
【００７９】
［工程−１５０］
次いで、図１に示す表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ１４０を介して、蛍光体層２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置する。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、支持体１０と基板２０）とを、例えば枠体２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、枠体２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とを貼り合わせ、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とフリットガラスとによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、実施例の表示装置を完成させることができる。
【００８０】
実施例の表示装置を用いて、スペーサ１４０近傍の画素における輝度特性の経時変化を測定した。具体的には、カラー表示の表示装置を用いて、表示領域全面に白色を表示して、スペーサ１４０近傍の画素（実施例においては１サブピクセル）について、以下に説明する方法により、輝度重心の測定を行なった。尚、表示装置の駆動条件を、アノードパネルＡＰ（より具体的には、アノード電極２４）に印加される電圧を約１０ｋＶとし、この電圧とアノードパネルに流れる電流量の実効値から計算される電力が略２０Ｗとなるように設定した。尚、表示装置の表示領域は約４０ｃｍ×３０ｃｍである。
【００８１】
表１における実施例、及び、比較例について簡単に説明する。実施例として第２端部から帯電防止膜１４０Ｂ迄の距離Ｈ1を変えた４種類のスペーサを、比較例として、側面部が全て帯電防止膜で覆われている従前のスペーサを用意し、これらを組み込んだ表示装置を用いて評価を行った。
【００８２】
先ず、図４の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、輝度重心の求め方について説明する。図４の（Ａ）は、スペーサ１４０の近傍に位置する画素（実施例においては１サブピクセル）における電子ビームの軌道を模式的に示した図である。図４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）に示す状態において、蛍光体層２２の輝度分布を模式的に示した図である。通常、蛍光体層２２の周囲部の輝度は、蛍光体層２２の中央部の輝度よりも、相対的に低くなる傾向がある。図４の（Ｂ）における破線は、蛍光体層２２における輝度の等高線を模式的に示したものである。図４の（Ｂ）に示すように、蛍光体層２２の右上端部を原点（０，０）とし、蛍光体層２２上の点（ｘi，ｙj）における輝度がＬ（ｘi，ｙj）で与えられるとき、以下の式（１）、式（２）により、輝度の重心の座標（ＸC，ＹC）を求めることができる。
【００８３】
2007109498.tif 000003
【００８４】
2007109498.tif 000004
【００８５】
測定対象となる画素について、表示装置の動作直後の輝度重心（以下、初期状態の輝度重心と呼ぶことがある）と、動作状態で所定時間が経過した後の輝度重心（以下、経時変化後の輝度重心と呼ぶことがある）を測定した。具体的には、点灯直後の表示装置の測定対象となる画素について、その内部の輝度の分布を、ＣＣＤカメラ等により測定した。その測定結果を用いて、輝度Ｌ（ｘi，ｙj）を求めることができる。次いで、求めた輝度Ｌ（ｘi，ｙj）を用いて、初期状態の輝度重心の座標（ＸCS，ＹCS）を計算した。次いで、表示装置を動作状態で所定時間が経過した後、上記と同様の手順により、経時変化後の輝度重心の座標（ＸCT，ＹCT）を計算した。
【００８６】
初期状態の輝度重心の座標（ＸCS，ＹCS）と、経時変化後の輝度重心の座標（ＸCT，ＹCT）とを用いて、輝度重心の位置変化量が求まる。具体的には、両者の輝度重心の距離を計算で求めればよい。実施例の表示装置と、比較例の表示装置について、上記の作業を行い、スペーサ近傍に位置する画素の輝度重心が５μｍ移動するまでの動作時間を算出した。算出した動作時間を、表１に掲げる。尚、発明者の実験によれば、輝度重心の移動量が５μｍ以下であれば、表示画像においてその影響を視認することができず、画像表示の品質は保持される。
【００８７】
表１に示すように、実施例の表示装置にあっては、輝度重心が５μｍ移動するまでの動作時間が、比較例の表示装置よりも２．５倍〜５倍程度長い。即ち、実施例の表示装置は、輝度重心の位置変化が、比較例の表示装置よりも遅い。従って、実施例のスペーサを表示装置に用いることによって、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる。尚、距離Ｈ1が長くなる程、消費電力を上げたときに、スペーサの帯電に起因する影響が顕著になる。従って、距離Ｈ1は、表示装置の動作仕様に応じて、適宜好適な値を選択すればよい。
【００８８】
［表１］
2007109498.tif 000005
【００８９】
［表２］
［スパッタリング法による帯電防止膜の成膜条件］
スペーサ基材温度    ：２５゜Ｃ
成膜速度            ：０．２ｎｍ／秒
圧力                ：０．５Ｐａ
プロセスガス        ：Ａｒ
スパッタリング方法  ：ＲＦスパッタリング
【００９０】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【００９１】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００９２】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出源を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子を第２パネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出源を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】図１は、実施例の平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図である。
【図２】図２は、スペーサの近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示した図である。
【図３】図３の（Ａ）は、実施例のスペーサの一部を切り欠いた模式的な斜視図であり、図３の（Ｂ）は、実施例のスペーサにおいて、シミュレーションにより求めた後方散乱電子の入射量と、帯電防止膜との関係を説明するための模式的な一部断面図である。
【図４】図４の（Ａ）は、スペーサの近傍に位置する画素（実施例においては１サブピクセル）における電子ビームの軌道を模式的に示した図であり、図４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）に示す状態において、蛍光体層の輝度分布を模式的に示した図である。
【図５】図５は、スピント型電界放出素子を有する従来の冷陰極電界電子放出表示装置の概念的な一部端面図である。
【図６】図６は、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、スペーサの近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示した図である。
【図８】図８は、スペーサの近傍に位置する画素において、帯電防止膜の電気抵抗特性が変化することにより電子ビーム軌道が湾曲することを説明するための模式的な図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、スペーサ基材の側面部における第１端部、第２端部を説明するための、平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）〜（Ｃ）は、図９の（Ｂ）に引き続き、スペーサ基材の側面部における第１端部、第２端部を説明するための、平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図である。
【符号の説明】
【００９４】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・収束電極、２０・・・基板、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・光吸収層、２４・・・アノード電極、２６・・・枠体、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、４０Ａ・・・スペーサ基材、４０Ｂ・・・帯電防止膜、１４０・・・スペーサ、１４０Ａ・・・スペーサ基材、１４０Ｂ・・・帯電防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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