(57)【要約】【課題】磁気特性に優れ寸法精度が高いことで、小型アクチュエータや小型モータなどに最適な多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石と、材料ロスが少なく効率的にそれを得ることができる製造方法を提供。【解決手段】平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にバックグラインドテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側を研削機に固定し、研削する工程と、研削された平板状希土類ボンド磁石をテープが貼り付いたまま取り外した後、該テープを剥がす工程と、平板状希土類ボンド磁石の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切り出された多角柱状希土類ボンド磁石をテープが貼り付いたまま取り外した後、該テープを剥がす工程とを含む製造方法などによって提供。【選択図】図１
2007109963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にバックグラインドテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された平板状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程と、平板状希土類ボンド磁石の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切り出された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項２】
平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切断された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープの貼り付けていない側の平面にバックグラインドテープを貼り付ける工程と、ダイシングテープを剥がした後、バックグラインドテープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された多角柱状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項３】
前記平板状希土類ボンド磁石は、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項４】
前記平板状希土類ボンド磁石は、希土類元素を含む磁性粉末、およびラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂バインダーを含むボンド磁石用組成物を薄肉状に射出成形したものであることを特徴とする請求項３に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項５】
前記磁性粉末が、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系の異方性磁性粉末であることを特徴とする請求項４に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項６】
前記磁性粉末の平均粒径が、２μｍ以上４μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項７】
前記磁性粉末の表面が、シリケート皮膜で被覆されていることを特徴とする請求項４に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項８】
前記熱硬化性樹脂は、不飽和ポリエステル樹脂又はビニルエステル樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項９】
前記ダイシングテープ又はバックグラインドテープは、紫外線照射によってその粘着性を喪失させた状態にした後、平板状希土類ボンド磁石から剥がされることを特徴とする請求項１又は２に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法。
【請求項１０】
前記平板状希土類ボンド磁石は、研削及び／又は切断の後で洗浄されることを特徴とする請求項１又は２に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載された方法により得られた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石。
【請求項１２】
最大エネルギー積が、４５ｋＪ／ｍ３以上であることを特徴とする請求項１１に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石。
【請求項１３】
アウトガス評価によって、シロキサンガスが実質的に検出されないことを特徴とする請求項１１に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石。
【請求項１４】
磁石の形状が、略四角柱、略六角柱、略八角柱、又は略十二角柱のいずれかであることを特徴とする請求項１１に記載の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石とその製造方法に関し、より詳しくは、磁気特性に優れ寸法精度が高く、小型アクチュエータや小型モータなどに最適な多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石と、それを少ない材料ロスで効率的に得ることができる製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイルコンピュータなどの情報機器が普及し、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの軽薄短小化を支える材料として、小型で性能を発揮する磁石材料が使用されている。従来、高精度な動作を行うアクチュエータ用小型磁石として、異方性磁石でかつ適度な磁気特性を有する、円柱形状のＳｍ−Ｃｏ系の焼結磁石が用いられてきた。
これまで、ＨＤＤのほとんどが３．５インチタイプの比較的大きなものであったが、数年前から、ＨＤＤの小型ドライブは２．５インチから１．８インチへ、１．８インチから１．０インチへ、そして１．０インチから０．８５インチへと急速に小型化への開発が進められている。
【０００３】
ＨＤＤの中には、ＶＣＭ（ヘッド制御のためのボイスコイルモータ）、スピンドル、ヘッドラッチ、などに各種の磁石が組み込まれており、このほかにも、同じ小型ＨＤＤ用の軸受けとして、小型磁石が使われている。磁性流体を使用した動流体軸受けで磁性流体を局部に閉じ込めるためには、例えば０．８５インチのＨＤＤでは、概寸で０．８ｍｍ以下の薄い小型磁石が必要となる。このように、従来ではセンチメーターサイズだった小型モータや小型アクチュエータも、例えば１インチを切るような小型ＨＤＤに適用するためには、ミリメーターサイズの小型モータや小型アクチュエータが要求される。
特に、該ＨＤＤ中に使用されるアクチュエータ用の磁石には、形状が円柱、多角柱いずれの形状でも問題ないが、該アクチュエータ用磁石の寸法については、円柱形状であれば、直径および厚みが、サブミリメーターサイズ（１ｍｍ以下）であり、多角柱形状であれば、各辺の長さ、および各辺と辺との距離および厚みが、サブミリメーターサイズ（１ｍｍ以下）であることが要求されている。また、特に高精度な動作を行うマイクロアクチュエータ用小型磁石には、着磁の際に磁界方向の誤差が少ない異方性の磁石が使われている。
【０００４】
円柱形状のＳｍ−Ｃｏ系の焼結磁石を加工する例として、芯なし研削盤により外周研削を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この芯なし研削盤を用いた加工方法は、磁石の外径形状がミリメーターサイズまでは十分に対応できる。
しかし、特許文献１の方法では、磁石の外径形状がより小さいサブミリサイズになると、焼結磁石に起因するもろさから、加工中に割れや欠けが発生し、効率よく加工することが難しくなる。さらに、磁石には加工の際にひずみが残留し、取り扱い時やアセンブリ後に割れや欠けが発生するだけでなく、品質を低下させていた。そのため、例えば０．８５インチのＨＤＤに必要とされる、概寸で０．８ｍｍ以下の薄い小型磁石を製造することは困難といわざるをえない。
【０００５】
一方、アモルファス薄帯を作製し、これを打ち抜き加工し、加工後に結晶化させることで、厚みの薄い磁石を得る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法で高精度な動作を行うマクロアクチュエータ用小型磁石を作製するには、急冷法でアモルファス薄帯を作製しなければならないものの、その小型磁石の厚みは、０．５ｍｍ程度まで薄くすることができる。
しかし、アモルファス薄帯後に結晶化するため、等方性の磁石しか得ることが出来ず、マイクロアクチュエータ用小型磁石に求められている最大エネルギー積（ＢＨｍａｘ）を得ることができない。また、打ち抜き加工等を行い最終的に必要な磁石形状にした後に、結晶化熱処理を行う必要があり、十分な機械強度が得られず、高精度な動作を行うマイクロアクチュエータ用小型磁石には適用できない。
【０００６】
これに対して、異方性Ｎｄ―Ｆｅ―Ｂ系焼結磁石をワイヤーソーによって０．５ｍｍの寸法に切断加工する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。これにより切断された異方性Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石は、最大エネルギー積が高く、発生磁束量が高すぎるため、微妙な動作を行う高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石には使用できないが、この加工方法を上記Ｓｍ−Ｃｏ系焼結磁石の切断に適用して、サブミリサイズ加工することが考えられる。
しかしながら、焼結磁石のもろさから、加工中に割れや欠けが発生し効率よく加工することが難しく、また磁石に加工中のひずみが残留し、取り扱い時やアセンブリ後に割れや欠けが発生するので、生産性が低く品質を低下させる。
【０００７】
かかる問題を解決するため、小型磁石の材料をこれまでのＳｍ−Ｃｏ系の焼結磁石から、寸法精度が高く、生産性の高い方法で加工が可能で、かつ機械的強度に優れる異方性の希土類ボンド磁石に切り替える検討がなされている。
従来、この異方性をもつ希土類ボンド磁石は、希土類粉末と熱可塑性樹脂を混合し、射出成形法もしくは、押出成形法によって磁場配向させながら（つまり磁場をかけながら）成形するか、希土類粉末と熱硬化性樹脂を混合し、圧縮成形法によって磁場配向させながら（つまり磁場をかけながら）成形する方法で板状の成形体を得ている。
しかし、このような従来の成形法では、その成形体の厚みをサブミリメーターサイズにすることが困難で、０．５ｍｍ以下の薄い成形品を得ようとした場合、機械加工の工数が増えるだけでなく、材料ロスも大きなものとなる点で問題があった。
【０００８】
従って、平板状希土類ボンド磁石を、寸法精度が高く、効率良くサブミリメーターサイズに加工でき、多角柱状のマイクロアクチュエータ用小型磁石を製造できる方法が切望されていた。
【特許文献１】特開２００１−１１８７３７号公報
【特許文献２】特開平１０−３１７１０９号公報
【特許文献３】特開２０００−１４１１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、磁気特性に優れ寸法精度が高く、小型アクチュエータや小型モータなどに最適な多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石と、それを少ない材料ロスで効率的に得ることができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記の目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、従来の焼結磁石に代えて平板状希土類ボンド磁石を用い、先ず、その一方の平面にグラインドテープを貼ってから、テープが貼られていない面を研削機で研削した後、テープを剥がし、次に、研削された平板状希土類ボンド磁石の平面にダイシングテープを貼り、ダイシングソーに固定し、テープが貼られていない面の平板状希土類ボンド磁石を多角柱に切り出した後、テープを剥がすことで、ＨＤＤなどのマイクロアクチュエータ用小型磁石を従来よりも材料ロスを低減して容易に製造でき、更には上記研削と切断の手順を入れ替えると、より作業効率が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にバックグラインドテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された平板状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程と、平板状希土類ボンド磁石の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切り出された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
【００１２】
一方、本発明の第２の発明によれば、平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切断された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープの貼り付けていない側の平面にバックグラインドテープを貼り付ける工程と、ダイシングテープを剥がした後、バックグラインドテープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された多角柱状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の第３の発明によれば、第１又は２の発明において、前記平板状希土類ボンド磁石は、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上であることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
また、本発明の第４の発明によれば、第３の発明において、前記平板状希土類ボンド磁石は、希土類元素を含む磁性粉末、およびラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂バインダーを含むボンド磁石用組成物を薄肉状に射出成形したものであることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
さらに、本発明の第５の発明によれば、第４の発明において、前記磁性粉末が、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系の異方性磁性粉末であることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
【００１４】
一方、本発明の第６の発明によれば、第４の発明において、前記磁性粉末の平均粒径が、２μｍ以上４μｍ以下であることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
また、本発明の第７の発明によれば、第４の発明において、前記磁性粉末の表面が、シリケート皮膜で被覆されていることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
また、本発明の第８の発明によれば、第４の発明において、前記熱硬化性樹脂は、不飽和ポリエステル樹脂又はビニルエステル樹脂のいずれかであることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
また、本発明の第９の発明によれば、第１又は２の発明において、前記ダイシングテープ又はバックグラインドテープは、紫外線照射によってその粘着性を喪失させた状態にした後、平板状希土類ボンド磁石から剥がされることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
さらに、本発明の第１０の発明によれば、第１又は２の発明において、前記平板状希土類ボンド磁石は、切削及び／又は切断の後で洗浄されることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法が提供される。
【００１５】
一方、本発明の第１１の発明によれば、第１〜１０のいずれかの発明に係る発明の方法により得られた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石が提供される。
また、本発明の第１２の発明によれば、第１１の発明において、最大エネルギー積が、４５ｋＪ／ｍ３以上であることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石が提供される。
また、本発明の第１３の発明によれば、第１１の発明において、アウトガス評価によって、シロキサンガスが実質的に検出されないことを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石が提供される。
さらに、本発明の第１４の発明によれば、第１１の発明において、磁石の形状が、略四角柱、略六角柱、略八角柱、又は略十二角柱のいずれかであることを特徴とする多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、薄肉の平板状希土類ボンド磁石を、研削機およびダイシングソーを用いて順次加工するので、保磁力や配向度および最大エネルギー積等の磁気特性に優れた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を、サブミリメーターサイズに高い寸法精度で製造できる。また、大判の平板状希土類ボンド磁石から、サブミリサイズの多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を切り出すので、一度に大量製作が可能であり、材料ロスが少なく生産性も高い。
従って、得られた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石は、ＨＤＤなど小型アクチュエータや小型モータを大量に使用する情報機器、ＯＡ機器など精密電気機械分野において幅広く適用する事が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石とその製造方法を、図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
１．多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法
本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法は、平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にバックグラインドテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された平板状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程と、平板状希土類ボンド磁石の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切り出された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする（以下、これを第１の方法ともいう）。
また、平板状希土類ボンド磁石の一方の平面にダイシングテープを貼り付けた後、該テープの貼り付けた側をダイシング装置に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を切断して多角柱状希土類ボンド磁石を切り出す工程と、切断された多角柱状希土類ボンド磁石をダイシングテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープの貼り付けていない側の平面にバックグラインドテープを貼り付ける工程と、ダイシングテープを剥がした後、バックグラインドテープの貼り付けた側を研削機に固定し、該テープの貼り付けていない側の平面を研削する工程と、研削された多角柱状希土類ボンド磁石をバックグラインドテープが貼り付いた状態のままで取り外した後、該テープを剥がす工程とを含むことを特徴とする（以下、これを第２の方法ともいう）。
【００１９】
（１）平板状希土類ボンド磁石を研削後、ダイシングする方法
この第１の方法は、図１に示したように、平板状希土類ボンド磁石（以下、平板状ボンド磁石ともいう）１の一方の平面２に、バックグラインドテープ３を貼り付け、このテープ３側を研削機のチャックテーブルに固定し、それと反対側の平面５を研削機で研削する方法である。
【００２０】
バックグラインドテープ３は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂からなる基材の片面に粘着剤層が形成されたものである。上記バックグラインドテープ３は、特に制限されるものではないが、紫外線を照射すると粘着剤層が粘着性を喪失する物を用いるのが好ましい。市販のバックグラインドテープとしては、電気化学工業のＢＧＰ‐１０１Ｂなどがある。基材の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂などが挙げられる。
また、粘着剤層を形成する粘着剤として、例えばアクリル酸エステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリルウレタン樹脂などが挙げられる。粘着剤としては、重合性オリゴマーを含有し、これが重合架橋することにより粘着力が低下するものが好ましい。かかる粘着剤としては、例えば、分子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の多官能オリゴマー（又はモノマー）とを主成分として含んでなる光硬化型粘着剤等が挙げられる。上記光硬化型粘着剤は、光の照射により光発泡性粘着剤層の全体が均一かつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の増加が著しくなり、粘着力が大きく低下する。この場合、基材が紫外線を透過する物質であれば、基材側から紫外線を照射することにより、半導体ウエハと基材とを剥離することができる。
【００２１】
平板状ボンド磁石１にバックグラインドテープ３を貼り付ける前に、該ボンド磁石１の平面２を、アルコール等の溶剤を染み込ませた綿棒等で洗浄し、脱脂するとともに異物を除去することが望ましい。そして、これを貼り付ける際には、平板状ボンド磁石１の平面２とバックグラインドテープ３の粘着層側の面４との間に、気泡や異物が入らないように注意する。気泡や異物が混入すると、平板状ボンド磁石１を均一に研削することができない。
【００２２】
平板状ボンド磁石１を研削するための研削機は、シリコンウエハーなど半導体の研削に用いられている市販の装置（バックグラインド装置）を使用できる。そのバックグラインド装置の定盤（チャックテーブルともいう）に、平板状ボンド磁石１のバックグラインドテープ３を固定する。また、確実に固定するために、バックグラインド装置の定盤（あるいは、ホルダー、サセプタなど）の上に多孔質の金属プレートを介して平板状ボンド磁石１を載置することもできる。バックグラインド装置で定盤と平板状ボンド磁石１との間に配置される多孔質の金属プレートは、特に限定されるものではない。多孔質の金属プレートは、通常エアチャックによって固定されるので、金属繊維や金属粒子をプレート状に成形し、焼結することによって製造された十分な空隙を有しているものが好ましい。
平板状ボンド磁石１の研削は、必要とされる寸法精度により適宜研削番手を選択し、グラインダ研削、もしくはラップ研削のいずれかを施すか、又はグラインダ研削を施した後、次いでラップ研削を施せばよい。半導体の加工に多用されている、グラインダ研削やラップ研削を施すことにより、厚み寸法のばらつきを幅０．０５ｍｍ以下に加工することが可能であり、更に高精度に制御した場合には幅０．０３ｍｍ以下で加工することが可能である。
次に、研削後、研削機のチャックテーブルから、平板状ボンド磁石６をバックグラインドテープ３ごと取り外す。研削機のチャックテーブルから取り外した平板状ボンド磁石６の表面には、研削かす等が付着しているので、流水洗浄するか、または純水、もしくはアルコール等の有機溶媒で超音波洗浄し汚れを除去することが望ましい。汚れが付着した状態で平板状ボンド磁石６を乾燥させてしまうと、汚れを除去することが出来なくなるため好ましくない。
【００２３】
その後、平板状ボンド磁石６の平面２からテープ３を剥がす。バックグラインドテープ３を剥がすには、その粘着剤層に光、熱、超音波又は衝撃の刺激を与えて接着力を低下させればよい。基材が透明なものであれば、基材側から光を照射することにより容易に刺激を与えることができる。光を照射する場合、バックグラインドテープ３側から紫外線を照射後、テープ３の粘着性を完全に喪失させなければならない。バックグラインドテープ３の粘着性が完全に喪失していない状態で剥がすと、平板状ボンド磁石６が割れたり欠けたりするので好ましくない。
次に、平板状ボンド磁石６の平面７にダイシングテープ８を貼り付ける。ダイシングテープ８を貼り付ける際は、バックグラインドテープ３を貼り付けた際と同様に平板状ボンド磁石６の貼り付ける平面７を脱脂洗浄することが好ましい。
この工程で使用するダイシングテープ８は、上記したバックグラインドテープ３と同様に、熱可塑性樹脂からなる基材の片面に粘着剤層が形成されてなるものである。半導体ウエハのダイシングの際、ウエハをフレームに固定するのに使用されているダイシングテープであれば制限なく使用できる。中でも、紫外線を照射すると粘着性を喪失する物を用いるのが好適である。タック力・粘着力・凝集力の３要素のバランスを保ちつつ凝集力を上げることによって、耐チッピング性を大幅に向上した紫外線硬化型フルカットダイシングテープとして、住友ベークライト製のダイシングテープ「スミライト（登録商標）ＦＳＬ」や、電気化学工業のＵＨＰ‐１１０Ｍ３などがある。
前記したバックグラインドテープ３を貼り付ける際と同様に、平板状ボンド磁石６の平面７とダイシングテープの粘着層側の面９間に、気泡や異物が入らないように注意する。気泡や異物が混入すると、局部的に粘着力が低下するためダイシングソーで加工中の多角柱に試料の飛散やチッピング（局所的な欠けの事）クラック（割れ）が発生し、ダイシング中にダイシングブレード（刃）が割れ、高精度で加工することが出来ない。
【００２４】
ダイシングソーは、シリコンウエハーのダイシングなど、半導体をダイシングする事が可能な機種であれば特に制限がない。水平方向に可動なウエハ固定テーブルと、このウエハ固定テーブルに固定された平板状ボンド磁石に対して鉛直方向に進退される高速回転可能なダイシングブレードとを備えており、コントローラによる制御下、デバイス間に形成されるスクライブラインの中心線上をダイシングブレードにより平板状ボンド磁石を切断できるよう構成することが望ましい。
また、ダイシングソーに用いるブレードは、レジン系、電鋳系、金属系どれでも良く特に制限はなく、例えば、ダイアモンド粒を結合剤で固めた薄い回転刃（ブレード）が使用できる。また、磁石の種類、用途によって、ダイアモンド粒の大きさや結合剤の種類が適切なものを選び、切断面を滑らかにし、加工部の欠けを少なくするには、ダイアモンド粒が小さいレジンボンド・ブレードを選ぶとよい。
【００２５】
ダイシングテープ８側をダイシングソーのチャックテーブルに固定し、ブレードを先端だけ突出するジグに挟み込んで高速回転させ、ダイシングソーにより平板状ボンド磁石６から多角柱に切り出す。このとき、テーブルの送り速度や回転速度などを最適な値にすることが重要である。半導体の加工方法として確立された、ダイシングソーを利用し切断することにより、寸法ばらつきを通常で幅０．０５ｍｍ以下、高精度に制御した場合には幅０．０３ｍｍ以下で加工することが出来る。
切断された平板状ボンド磁石を後工程で搬送し易くするために、ダイシングは、平板状ボンド磁石６だけでなくテープ３の表面に若干食い込む、いわゆるフルカットで行うことが望ましい。フルカットするためには最初にブレードを基準の高さにセットアップする必要がある。ダイシングブレードの平板状ボンド磁石に対する角度を変えることにより、平板状ボンド磁石を略四角柱、略六角柱、略八角柱、略十二角柱など様々な形状の多角形状に加工することができる。
【００２６】
次に、ダイシングソーのチャックテーブルから、多角柱状に切断された希土類ボンド磁石（以下、多角柱状ボンド磁石ともいう）１１をダイシングテープ８ごと取り外す。ダイシング後の多角柱状ボンド磁石１１の表面１０は、磁粉等汚れが付着しているので、流水洗浄か、または純水、もしくはアルコール等の有機溶媒で超音波洗浄し、汚れを除去することが好ましい。また、汚れが付着した状態で多角柱状ボンド磁石１１を乾燥させてしまうと、汚れを除去することが出来ないため好ましくない。
最後に、多角柱状ボンド磁石１１からダイシングテープ８を剥がして、洗浄する。テープを剥がす際は、上記グラインドテープを剥がすときのように紫外線をダイシングテープ８側から照射し、ダイシングテープ８の粘着性を完全に喪失させてから剥がさなければならない。
ダイシングテープ８の粘着性が完全に喪失していない状態で剥がすと、多角柱状ボンド磁石１１が割れたり欠けたりして好ましくない。その後、多角柱状ボンド磁石１１を洗浄する。洗浄は、超音波洗浄器を用いることが好ましいが、多角柱状ボンド磁石１１から汚れを除去することが出来れば特に制限はない。また、洗浄液は、純水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、界面活性剤などから、単数もしくは複数を適宜選択して使用する。
【００２７】
（２）平板状希土類ボンド磁石をダイシング後、研削する方法
この第２の方法は、上記第１の方法において、大きな相違点は、研削工程と切断工程の順を入れ替えたものである。
【００２８】
先ず、平板状ボンド磁石１の一方の平面２に、ダイシングテープ８を貼り付け、ダイシングテープ８側をダイシングソーのチャックテーブルに固定し、ダイシングソーにより平板状ボンド磁石１から多角柱を切り出す。次に、ダイシングソーのチャックテーブルから、多角柱状に切り出された希土類ボンド磁石１１をダイシングテープ８ごと取り外し、多角柱状ボンド磁石１１の切り出し平面１２側にバックグラインドテープ３を貼り付ける。その後、ダイシングテープ８を剥がし、バックグラインドテープ３側を研削機のチャックテーブルに固定し、多角柱状ボンド磁石の切り出し平面１２と反対側の平面１３を研削機で研削する。次に、研削機のチャックテーブルから、バックグラインドテープ３が貼りついた状態で多角柱状ボンド磁石１１を取り外し、バックグラインドテープ３から多角柱状ボンド磁石１１を剥がし、最後に、多角柱状ボンド磁石１１を洗浄し多角柱上マイクロアクチュエータ用小型磁石を得る。
【００２９】
より具体的に説明すると、切断工程においては、平板状ボンド磁石１にダイシングテープ８を貼り付ける際は、第１の方法と同様、平板状ボンド磁石の平面２を脱脂洗浄し、次いでダイシングテープ８の粘着層側の面９との間に、気泡や異物が入らないように貼り付ける。この場合、平板状ボンド磁石１の面１２側がダイシングソーで多角柱に切り出す面になる。ここで、ダイシングテープとダイシングソーは、前記と同じものを使用できる。ダイシングソーのチャックテーブルから、ダイシングテープ８が貼りついた多角柱状ボンド磁石１１を取り外した後は、多角柱状ボンド磁石１１の切り出し面側１２に磁粉等汚れが付着しているので、流水洗浄か、または純水で超音波洗浄し汚れを除去する。汚れが付着した状態で多角柱状状希土類ボンド磁石１１を乾燥させてしまうと、汚れを除去できにくくなるため好ましくない。
【００３０】
次に、研削工程に入る前に、ダイシングテープ８が接着した状態の多角柱状ボンド磁石１１の裏側に、バックグラインドテープ３を貼り付ける。その際、多角柱状ボンド磁石１１の切り出し平面１２とバックグラインドテープ３の粘着層側の面４間に、気泡や異物が入らないように貼り付けなくてはならない。気泡や異物が混入すると、局部的に粘着力が低下しているため、研削機で多角柱状ボンド磁石１１を研削中に、該ボンド磁石１１の飛散や、チッピング（局所的な欠けの事）クラック（割れ）が発生するので、高精度に加工できない。多角柱状ボンド磁石１１からダイシングテープ８を剥がす際は、上記第１の方法と同様に、紫外線をダイシングテープ８側から照射し、ダイシングテープ８の粘着性を完全に喪失させる。ダイシングテープ８の粘着性が完全に喪失していない状態で剥がそうとすると、多角柱状ボンド磁石１１が割れたり欠けたり脱落することがある。
【００３１】
研削工程では、多角柱状ボンド磁石１１を研削する研削機は、前記第１の方法と同様に半導体を研削できる機能があれば特に制限がない。多角柱状ボンド磁石の研削は、必要とされる寸法精度により適宜研削番手を選択し、グラインダ研削とラップ研削のいずれか、またはグラインダ研削、次いでラップ研削の順に研削を施せばよい。研削機のチャックテーブルから、バックグラインドテープ３が貼りついた多角柱状ボンド磁石１１を取り出す際、多角柱状ボンド磁石１１の表面１３に磁粉等汚れが付着しているので、流水洗浄か、または純水で超音波洗浄し汚れを除去することが好ましい。また、汚れが付着した状態で多角柱状状希土類ボンド磁石１１を乾燥させてしまうと、簡易に汚れを除去することが出来ないため好ましくない。
【００３２】
その後、洗浄工程に入る前に、多角柱状ボンド磁石１１からバックグラインドテープ３を剥がす際は、前記第１の方法と同様に紫外線をバックグラインドテープ３側から照射し、バックグラインドテープ３の粘着性を完全に喪失させる。バックグラインドテープ３の粘着性が完全に喪失していない状態では、多角柱状ボンド磁石１１が割れたり欠けたりすることがある。
最後に、加工処理が終わった多角柱状ボンド磁石１１を洗浄する。洗浄は、超音波洗浄器を用いることが好ましいが、多角柱状ボンド磁石から汚れを除去できるものであれば特に制限はない。また、洗浄液は、純水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、界面活性剤などから、適宜選択して使用する。
【００３３】
以上の第１の方法、または第２の方法により平板状希土類ボンド磁石を加工することで、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を高精度で効率よく加工することができる。
このうち、第１の方法は、平板状希土類ボンド磁石をダイシングソーで加工前に研削を行うので、小型磁石に対して機械的ストレスが少なく、高い歩留まりを得ることができる。これに対して、第２の方法は、平板状希土類ボンド磁石をダイシングソーで多角柱状に切り出した後に、磁石の切り出し面と反対側の面を研削するので、ダイシングテープの粘着物の付着がないため、磁石の洗浄がより簡易になる。本発明において、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を高精度で効率よく加工する場合、特に第２の方法を採用することが好ましい。
【００３４】
２．平板状希土類ボンド磁石の製造方法
本発明において、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石のベースとなる希土類ボンド磁石は、特に限定されるわけではないが、希土類元素を含む磁性粉末（Ａ）、およびラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂バインダー（Ｂ）を含む組成物を成形して得られる希土類ボンド磁石（Ｃ）を用いることが望ましい。
【００３５】
この平板状希土類ボンド磁石は、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上であるものが好ましい。全表面積と体積の比が１．０ｍｍ−１以上とは、成形体の少なくとも一部が薄肉形状であることを意味しており、例えば、長さ４０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ１．５ｍｍであれば、表面積／体積＝１．６ｍｍ−１となる。全表面積と体積の比が１．０ｍｍ−１未満であると、平板状希土類ボンド磁石の厚みが増し、前記研削加工での研削量が多くなり材料効率が悪くなる。
【００３６】
また、平板状希土類ボンド磁石は、次の式（１）で表される配向度が９０％以上、もしくは９３％以上、特に９７％以上であることが好ましい。
配向度＝［（成形後の樹脂結合型磁石の磁化）／（磁性粉１００％での磁化×成形後の樹脂結合型磁石の磁性粉体積率）］×１００…（１）
この式（１）において、配向度は、成形時に配向されたボンド磁石がもつ磁化の度合いを示し、これが大きいほど原料の磁性粉がもつ磁化に近いことになり、磁気特性が良好であることになる。
【００３７】
（Ａ）磁性粉末
本発明において、磁性粉末は、希土類元素を含む磁性粉末でなければならない。特に、高精度なアクチュエータに使用する多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石は、該アクチュエータの誤作動防止の観点から、成形後に所定の最大エネルギー積を得ることができる希土類元素を含む異方性磁性粉末を用いることが好ましい。
【００３８】
希土類元素としては、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＧｄ等が挙げられ、単独若しくは混合物として使用できる。これらの中では、特にＳｍ又はＮｄを５〜４０原子％、Ｆｅを５０〜９０原子％含有するものが好ましい。希土類元素を含む鉄系磁石合金粉（粗粉）は、溶解法あるいは還元拡散法等を用いて製造される。
異方性磁性粉末は、特に制限されるわけではないが、例えばＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系、Ｓｍ−Ｃｏ系、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の異方性磁性粉末が挙げられる。このうち、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末が好ましい。特に、Ｓｍ量が磁石粉末全体に対して２３．２〜２３．６重量％のものが一層好ましい。
【００３９】
Ｓｍ−Ｃｏ系の異方性磁性粉末は、材料の磁気特性が低いので、これを用いた平板状希土類ボンド磁石を加工し、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石にしても、所定の最大エネルギー積が得られない場合があるが、製造条件を調整することで、高精度なアクチュエータに使用できるものが得られる可能性がある。
また、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の異方性磁性粉末では、平均粒径（粒度分布計で測定した粒径の頻度の平均値）が数十〜数百μｍと大きいので、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上の平板状希土類ボンド磁石に成形し難く、また成形後の平板状希土類ボンド磁石の機械的強度も低いため、加工性が悪いが製造条件を調整することで、高精度なアクチュエータに使用できるものが得られる可能性がある。
【００４０】
異方性磁性粉末の平均粒径は、平板状希土類ボンド磁石の機械的強度と加工性の向上、および加工後の磁石の表面磁束の均一性に影響する。高精度な多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の場合、希土類元素を含む磁性粉末は、磁気特性に優れ、平均粒径が２μｍ以上４μｍ以下であることが望ましい。平均粒径が２μｍ未満であると、平板状希土類ボンド磁石の残留磁化とともに、最大エネルギー積も低下し、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石に加工後、所定の最大エネルギー積を得ることができない。また、平均粒径が４μｍを越えると、平板状希土類ボンド磁石の保磁力とともに、最大エネルギー積も低下し、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石に加工後、所定の最大エネルギー積を得ることができない。
【００４１】
本発明において、磁石合金粉は、その表面が耐候性の皮膜で被覆されていることが望ましい。鉄と希土類元素の金属リン酸塩、及びアルミニウム、亜鉛、マンガン、銅又はカルシウムのいずれか１種以上を金属成分として含む金属リン酸塩が複合化した被膜で均一に被覆されていることが望ましい。ここで、均一に被覆されるとは、磁石合金粉表面の８０％以上、好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上が複合金属リン酸塩被膜で覆われていることをいう。
本発明においては、上記複合金属リン酸被膜の他に、シリケート被膜が形成されているものが好ましい。このシリケート被膜は、その材料によって限定されるものではなく、シリカ粉を機械的に付着する方法、アルコキシシリケートを加水分解して被覆する方法、エチルシリケートを原料とするゾルゲル反応、又はプラズマ化学蒸着法で被覆する方法などによって得ることができるが、アルコキシシリケートを加水分解して得る方法が好適である。
アルコキシシリケートとは、アルコキシ基を有するシリケート化合物であり、具体的には、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルコキシシランが部分加水分解縮合反応により、２〜１００個結合したポリアルコキシポリシロキサンである。このようなアルコキシシリケートとしては、ＭＫシリケートＭＳ５１（商品名、シリカ換算濃度が５２重量％であるメチルシリケートオリゴマー、三菱化学（株）製）、ＭＫシリケートＭＳ５６Ｓ（商品名、シリカ換算濃度が重量％であるメチルシリケートオリゴマー、三菱化学（株）製）、ＥＳ４０（商品名、ヒュルスジャパン社製）のようなエチルシリケートの部分加水分解縮合物などを挙げることができる。
本発明においては、上記磁石粉のシリケート被膜には、更に、樹脂バインダーに対して親和性のあるカップリング剤処理被膜を形成したものが好適である。ここで、カップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤のいずれかが挙げられる。この中でも、シラン系カップリング剤が好ましく、磁性粉表面のシリケート被膜、更に詳しくは表面活性シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）と縮合反応を起こすとともに樹脂と十分な親和性を有するものであれば特に特定するものではない。
【００４２】
上記の被膜形成後には、処理溶液と該磁石合金粉は、１００〜５００°Ｃの真空オーブン中で１〜３０時間乾燥させることが好ましい。この時、加熱処理を不活性ガス中または真空中で行うことが好ましい。１００°Ｃ未満で加熱処理を施すと、該磁石合金粉の乾燥が十分進まずに、安定な表面被膜の形成が阻害される。また、５００°Ｃを超える温度で加熱処理を施すと、磁石合金粉が熱的なダメージを受け、保磁力がかなり低くなるという問題がある。上記したように、この被膜の合計の膜厚は、平均で１〜１００ｎｍの厚さが好ましい。平均厚さが１ｎｍ未満であると十分な耐塩水性、機械強度が得られず、一方、１００ｎｍを越えると磁気特性が低下し、またボンド磁石を作製する際には混練性や成形性が低下してしまう。
【００４３】
なお、ＨＤＤ用に適用する多角柱状マイクロアクチュエータ用磁石には、シリコーンフリー化された磁性粉であることが好ましい。
その理由としては、ＨＤＤ内部は、クリーンルーム内で製造されており、使用される部材についてもアウトガスを発生しない事が求められるからである。特に、シリコーン系材料から発生するシロキサンガスは、ＨＤＤへ付着し動作不良の原因となる。そのため、磁性粉末の乾燥工程では、潤滑剤が不要なシリケート粉等を用いれば良い。
【００４４】
（Ｂ）樹脂バインダー
本発明において、樹脂バインダーは、熱硬化性樹脂である。ラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂であれば、特に限定されるものではないが、ビニルエステル樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、及び不飽和ポリエステル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、その中でも不飽和ポリエステル樹脂またはビニルエステル樹脂であることが最も好ましい。
【００４５】
先ず、不飽和ポリエステル樹脂は、成形時の金型内で硬化して磁性粉末のバインダーとして働くものであれば、特にその種類に限定されることはなく、一般に市販されている不飽和ポリエステル樹脂を用いることができる。
この不飽和ポリエステル樹脂は、例えば、不飽和多塩基酸および／または飽和多塩基酸とグリコール類を分子量５０００程度以下に予備的に重合させてオリゴマーやプレポリマー化させたものを主剤とし、後述する架橋剤を兼ねるモノマー類、反応を開始させる硬化剤、長期の保存性を確保するための重合防止剤、及びその他の添加剤等を配合して用いるものである。
不飽和多塩基酸としては、例えば無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等を、また、飽和多塩基酸としては、無水フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ヘット酸、テトラブロム無水フタル酸等が挙げられる。
また、グリコール類としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、１，３−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、水素化ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡプロピレンオキシド付加物、ジブロムネオペンチルグリコール、ペンタエリスリットジアリルエーテル、アリルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００４６】
次に、ビニルエステル樹脂は、特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ化合物と不飽和一塩基酸とをエステル化触媒を用いて反応させることによって得ることができる。
上記ビニルエステル樹脂の原料として用いられるエポキシ化合物としては、分子中に、少なくとも１個のエポキシ基を有する化合物であれば、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類と、エピハロヒドリンとの縮合反応により得られるエピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フェノール、クレゾール、ビスフェノールとホルマリンとの縮合物であるノボラックとエピハロヒドリンとの縮合反応により得られるノボラックタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、安息香酸とエピハロヒドリンとの縮合反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；水添加ビスフェノールやグリコール類とエピハロヒドリンとの縮合反応により得られるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；ヒダントインやシアヌール酸とエピハロヒドリンとの縮合反応により得られる含アミングリシジルエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
また、これらエポキシ樹脂と多塩基酸類および／またはビスフェノール類との付加反応により分子中にエポキシ基を有する化合物であってもよい。これらエポキシ化合物は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。
さらに、上記ビニルエステル樹脂の原料として用いられる不飽和一塩基酸としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、アクリル酸、メタアクリル酸、クロトン酸等が挙げられる。また、マレイン酸、イタコン酸等のハーフエステル等を用いてもよい。さらに、これらの化合物と、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等の多価カルボン酸や、酢酸、プロピオン酸、ラウリル酸、パルチミン酸等の飽和一価カルボン酸や、フタル酸等の飽和多価カルボン酸またはその無水物や、末端基がカルボキシル基である飽和あるいは不飽和アルキッド等の化合物とを併用してもよい。これら不飽和一塩基酸は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。
上記エステル化触媒としては、具体的には、例えば、ジメチルベンジルアミン、トリブチルアミン等の第三級アミン類；トリメチルベンジルアンモニウムクロライド等の第四級アンモニウム塩；塩化リチウム、塩化クロム等の無機塩；２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；テトラメチルホスフォニウムクロライド、ジエチルフェニルプロピルホスフォニウムクロライド、トリエチルフェニルホスフォニウムクロライド、ベンジルトリエチルフェニルホスフォニウムクロライド、ジベンジルエチルメチルホスフォニウムクロライド、ベンジルメチルジフェニルホスフォニウムクロライド、テトラフェニルホスフォニウムブロマイド等のホスフォニウム塩；第二級アミン類；テトラブチル尿素；トリフェニルホスフィン；トリトリルホスフィン；トリフェニルスチビン等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これらエステル化触媒は、一種類のみを用いてもよいし、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。
【００４７】
また、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリイソシアネートとポリヒドロキシ化合物あるいは多価アルコール類とを反応させた後、さらに水酸基含有（メタ）アクリル化合物および必要に応じて水酸基含有アリルエーテル化合物を反応させることによって得ることができる。また、水酸基含有（メタ）アクリル化合物とポリヒドロキシ化合物あるいは多価アルコール類とを反応させた後、さらにポリイソシアネートを反応させてもよい。
上記ウレタン（メタ）アクリレート樹脂の原料として用いられるポリイソシアネートとしては、具体的には、例えば、２，４−トリレンジイソシアネートおよびその異性体、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、ナフタリンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、バーノックＤ  ７５０、クリスポンＮＸ（商品名；大日本インキ化学工業株式会社製）、デスモジュールＬ（商品名；住友バイエル社製）、コロネートＬ（商品名；日本ポリウレタン社製）、タケネートＤ１０２（商品名；武田薬品社製）、イソネート１４３Ｌ（商品名；三菱化成社製）等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これらポリイソシアネートは、一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
また、上記ウレタン（メタ）アクリレート樹脂の原料として用いられる多価アルコール類としては、具体的には、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、ビスフェノールＡとプロピレンオキシドまたはエチレンオキシドとの付加物、１，２，３，４−テトラヒドロキシブタン、グリセリン、トリメチロールプロパン、１，３−プロパンジオール、１，２−シクロヘキサングリコール、１，３−シクロヘキサングリコール、１，４−シクロヘキサングリコール、パラキシレングリコール、ビシクロヘキシル−４，４’−ジオール、２，６−デカリングリコール、２，７−デカリングリコール等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これら多価アルコール類は、一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００４８】
さらに、上記ウレタン（メタ）アクリレート樹脂の原料として用いられるポリヒドロキシ化合物としては、例えば、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等が挙げられ、具体的には、例えば、グリセリンエチレンオキシド付加物、グリセリンプロピレンオキシド付加物、グリセリンテトラヒドロフラン付加物、グリセリンエチレンオキシドプロピレンオキシド付加物、トリメチロールプロパンエチレンオキシド付加物、トリメチロールプロパンプロピレンオキシド付加物、トリメチロールプロパンテトラヒドロフラン付加物、トリメチロールプロパンエチレンオキシドプロピレンオキシド付加物、ペンタエリスリトールエチレンオキシド付加物、ペンタエリスリトールプロピレンオキシド付加物、ペンタエリスリトールテトラヒドロフラン付加物、ペンタエリスリトールエチレンオキシドプロピレンオキシド付加物、ジペンタエリスリトールエチレンオキシド付加物、ジペンタエリスリトールプロピレンオキシド付加物、ジペンタエリスリトールテトラヒドロフラン付加物、ジペンタエリスリトールエチレンオキシドプロピレンオキシド付加物等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これらポリヒドロキシ化合物は、一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
上記ウレタン（メタ）アクリレート樹脂の原料として用いられる水酸基含有（メタ）アクリル化合物としては、特に限定されるものではないが、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、具体的には、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌル酸のジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これら水酸基含有（メタ）アクリル化合物は、一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
上記ウレタン（メタ）アクリレート樹脂の原料として必要に応じて用いられる水酸基含有アリルエーテル化合物としては、具体的には、例えば、エチレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテル、ポリエチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノアリルエーテル、ジプロピレングリコールモノアリルエーテル、トリプロピレングリコールモノアリルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアリルエーテル、１，２−ブチレングリコールモノアリルエーテル、１，３−ブチレングリコールモノアリルエーテル、ヘキシレングリコールモノアリルエーテル、オクチレングリコールモノアリルエーテル、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、グリセリンジアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル等が挙げられるが、特に限定されるものではない。これら水酸基含有アリルエーテル化合物は、一種類のみを用いてもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００４９】
（Ｃ）平板状に成形された希土類ボンド磁石
本発明において平板状希土類ボンド磁石は、上記希土類元素を含む磁性粉末（Ａ）およびラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂（Ｂ）を主成分とする樹脂バインダーを含む組成物を射出成形あるいは圧縮成形などにより成形して得られたものであり、その製造方法は特に限定されないが、例えば、樹脂バインダーの粘度を特定範囲にしてから、この樹脂バインダーに予め粒度調整した磁性粉末を添加し混合し、得られた磁石用組成物を成形して製造することが好ましい。
【００５０】
本出願人は、薄肉な形状で保磁力や配向度および最大エネルギー積等の磁気特性に優れた希土類ボンド磁石の製造方法を提案している（特開２００４−７９９４１号公報）。ここに記載されている希土類ボンド磁石の製造方法を用いれば、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上のサブミリメーターサイズの厚みを有する平板状希土類ボンド磁石を容易に得ることができる。例えば、該平板状希土類ボンド磁石の厚みを１ｍｍ以下とすれば、縦寸法と横寸法が十数ｍｍを越える大判な平板状希土類ボンド磁石の成形品を得ることができる。
【００５１】
まず、樹脂バインダーの粘度調整を行う。この工程は、樹脂バインダーの調整ラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂バインダーに架橋剤及び硬化剤などを配合し、−２０℃〜１５０℃のいずれかの成形温度で粘度（回転粘度測定法）が１０〜５００００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１００〜１００００ｍＰａ・ｓになるように混合調製する工程である。
【００５２】
熱硬化性樹脂には、架橋剤を兼ねるモノマー類、硬化剤が配合される。架橋剤を兼ねるモノマー類としては、例えば、（Ｉ）スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、メタクリル酸メチル、酢酸ビニル等のビニルモノマー類、（ＩＩ）ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、トリアリルイソフタレート、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルテトラブロムフタレート等のアリルモノマー類、（ＩＩＩ）フェノキシエチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート等のアクリル酸エステル類等が挙げられる。
熱硬化性樹脂に配合される硬化剤としては、一般的に有機過酸化物が用いられ、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルセトンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジ−イソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、メンタンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−クミルパーオキサイド、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−イソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３等のジアルキルパーオキサイド類、アセチルパーオキサイド、イソブチルパーオキサイド、オクタノニルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、サクシニック酸パーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、トルオイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類、ジ−イソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルペロキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルペジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルペロキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルペロキシジカーボネート、ビス−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペロキシジカーボネート、ジ−ミリスチルペロキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルペロキシジカーボネート、ジ−メトキシイソプロピルペロキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）ペロキシジカーボネート、ジアリルペロキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート類、ｔ−ブチルペロキシアセテート、ｔ−ブチルペロキシイソブチレート、ｔ−ブチルペロキシピバレート、ｔ−ブチルペロキシネオデカノエート、クミルペロキシネオデカノエート、ｔ−ブチルペロキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペロキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペロキシラウレート、ｔ−ブチルペロキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルペロキシイソフタレート、２，５−ジメチル−２、５−ジ（ベンゾイルペロキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルペロキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルペロキシイソプロピルカーボネート、クミルペロキシオクトエート、ｔ−ヘキシルペロキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルペロキシピバレート、ｔ−ブチルペロキシネオヘキサノエート、ｔ−ヘキシルペロキシネオヘキサノエー��、クミルペロキシネオヘキサノエート等のパーオキシエステル類やアセチルシクロヘキシルスルフォニルペロキサイド、ｔ−ブチルペロキシアリルカーボネート等が挙げられる。
これらの有機過酸化物は、単独で用いることができる物もあるが、種類によっては炭化水素溶液類やフタル酸エステル類に希釈した状態、もしくは固形粉末に吸収させた状態で用いることがある。いずれにせよ、半減期１０時間を得るための分解温度が１５０°Ｃ以下の性質を有する過酸化物を使用するのが望ましく、更には、同半減期を得るための温度が４０°Ｃ以上１２０°Ｃ以下の過酸化物がより望ましい。
該半減期が１５０°Ｃを超える物を選択すると、充分な硬化成形体を得るための硬化温度が高くなり好ましくない。また、４０°Ｃよりも低くなると過酸化物自体の取り扱い性が困難になるばかりでなく、希土類ボンド磁石用組成物の保管特性が悪くなり生産性に欠ける結果を招く。
これら過酸化物の添加量は、希釈率や活性酸素量によって異なるため規定はできないが、一般的にはラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂に対して０．０１〜５ｗｔ％が添加される。
これらの過酸化物は、単独もしくは２種以上の混合系で用いることができるが、例えばナフテン酸コバルトやオクチル酸コバルト等のコバルト有機酸塩、アセチルアセトン、アセト酢酸エチル、ジメドン等のβ−ジケトン類、ジメチルアニリン等の芳香族３級アミン類、メルカプタン類、トリフェニルホスフィン、２−エチルヘキシルホスファイト等の燐化合物類、第４級アンモニウム塩類等の促進剤やアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、芳香族カルボニル化合物、ピナコン誘導体等との併用を行っても良い。
本発明に用いるラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂バインダーは、これらの各種成分以外にも、長期の保存性を確保するための重合防止剤、各反応性樹脂類や成形性改善剤など種々の有機添加剤を加えることができる。
重合防止剤としては、ｐ−ベンゾキノン、ナフトキノン、フェナンスラキノン、トルキノン、２，５−ジフェニル−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジアセトキシ−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジカプロキシ−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジアシロキシ−ｐ−ベンゾキノン等のキノン類、ハイドロキノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，５−ジ−ｔ−ブチルハイドロキノン、モノ−ジ−ｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルハイドロキノン等のハイドロキノン類、ジ−ｔ−ブチル・パラクレゾールハイドロキノンモノメチルエーテル、アルファナフトール等のフェノール類、ナフテン酸銅等の有機ならびに無機の銅塩類、アセトアミジンアセテート、アセトアミジンサルフェート等のアミジン類、フェニルヒドラジン塩酸塩、ヒドラジン塩酸塩等のヒドラジン類、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、ラウリルピリジニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、フェニルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメチルベンジルアンモニウムオキザレート、ジ（トリメチルベンジルアンモニウム）オキザレート、トリメチルベンジルアンモニウムマレエート、トリメチルベンジルアンモニウムタータレート、トリメチルベンジルアンモニウムグリコレート等の第４級アンモニウム塩類、フェニル−β−ナフチルアミン、パラベンジルアミノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフェニレンジアミン等のアミン類、ニトロベンゼン、トリニトロトルエン、ピクリン酸等のニトロ化合物、キノンジオキシム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシム類、ピロガロール、タンニン酸、レゾルシン等の多価フェノール類、トリエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、ジブチルアミン塩酸塩等のアミン塩酸塩類等が挙げられ、これらの１種もしくは２種以上を混合して使用することができる。
また、エポキシ樹脂を原料としたノボラック型やビスフェノール型のビニルエステル樹脂類、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ビス・マレイミドトリアジン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の各反応性樹脂類や、成形性の改善を目的とした、例えばパラフィンワックス、流動パラフィン、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、エステルワックス、カルナウバ、マイクロワックス等のワックス類、ステアリン酸、１，２−オキシステアリン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン酸等の脂肪酸類、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸アルミニウム、ラウリン酸カルシウム、リノール酸亜鉛、リシノール酸カルシウム、２−エチルヘキソイン酸亜鉛等の脂肪酸塩（金属石鹸類）ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、ベヘン酸アミド、パルミチン酸アミド、ラウリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、ジステアリルアジピン酸アミド、エチレンビスオレイン酸アミド、ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ−ステアリルステアリン酸アミド等脂肪酸アミド類、ステアリン酸ブチル等の脂肪酸エステル、エチレングリコール、ステアリルアルコール等のアルコール類、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、及びこれら変性物からなるポリエーテル類、ジメチルポリシロキサン、シリコングリース等のポリシロキサン類、弗素系オイル、弗素系グリース、含弗素樹脂粉末といった弗素化合物等を１種もしくは２種以上添加することができる。
これらの有機添加物以外にも、必要に応じ、無機充填材や顔料等も任意に添加してもよい。これらは、例えば、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、アルミナ、二酸化珪素、二硫化モリブデン等の無機化合物粉体、ストロンチウムフェライト系、バリウムフェライト系等のフェライト類磁性粉、鉄等の軟磁性粉、タングステン等の密度調整用高比重金属粉、三酸化アンチモン等の難燃剤、酸化チタン等の顔料等が挙げられる。
これら混合されるラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂バインダーの各成分は、重合度や分子量に制約されることはないが、磁性粉末を加える前の添加剤等を含めた混合調製状態でのバインダーとして、１５０°Ｃ以下の成形温度（金型またはダイスに入る直前の組成物温度）における回転粘度測定法での動的粘度が１０ｍＰａ・ｓ〜５００００ｍＰａ・ｓの範囲に含まれるものでなければならない。
この粘度に調整するために、数種類の粘度や性状の異なるラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂同士を混合し、あるいは酸化ベリリウム、酸化マグネシウム等の二価金属の酸化物類や水酸化物類、ジイソシアナート類、アリジリン化合物類、アルミニウムイソプロポキシド等を加えても差し支えない。
よって、ラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂バインダーを構成する各成分の性状は、特に限定されないが、磁性粉との均一混合性や成形性から考えると必要成分の均一混合後に常温、例えば２５°Ｃにおいて液状の性質を示すことが望ましい。また、これらの異なる樹脂や異なる分子量、性状の物を１種または２種以上組み合わせて混合することも差し支えない。
これらの熱硬化性樹脂を主とする最終混合バインダーの粘度は、ＪＩＳ  Ｋ７１１７（液状樹脂の回転粘度計による粘度試験方法）に準じて測定されるが、測定温度は、成形温度（成形時のシリンダー温度）にあわせた恒温漕内で測定される。−２０℃〜１５０℃のいずれかの成形温度での測定値が１０ｍＰａ・ｓ〜５００００ｍＰａ・ｓであるものを用いるのが望ましいが、中でも３０ｍＰａ・ｓ〜３００００ｍＰａ・ｓ、特に１００〜１００００ｍＰａ・ｓのものが好ましい。
この粘度が、１０ｍＰａ・ｓ未満であると射出成形時に磁性粉とバインダーの分離現象が生じるため成形できない。また、５００００ｍＰａ・ｓ以上であると混練時の著しい混練トルクの上昇に伴う発熱によって硬化反応を招き、著しい流動性の低下が生じて成形困難になる。
【００５３】
次に、樹脂バインダーと磁性粉末を混合する。この工程は、得られた樹脂バインダーを予め粒度調整された希土類元素を含む磁性粉末に添加し、混合攪拌して平板状希土類ボンド磁石用組成物を得る工程である。
【００５４】
熱硬化性樹脂バインダーの添加量は、各構成成分を含めた状態で、該磁性粉１００重量部に対して５重量部以上５０重量部以下の割合で添加されるが、好ましくは７重量部以上１５重量部以下、さらに、１０重量部以上１３重量部以下がより好ましい。
熱硬化性樹脂バインダーの添加量が該磁性粉１００重量部に対して５重量部未満の場合は、著しい成形体強度の低下、成形時の流動性の低下、混練時の発熱に伴う硬化反応を招き、一方、５０重量部を超える場合は所望の磁気特性が得られない。
本発明において、各成分の混合方法は、特に限定されず、例えばリボンブレンダー、タンブラー、ナウターミキサー、ヘンシェルミキサー、スーパーミキサー等の混合機あるいは、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、ニーダールーダー、単軸押出機、二軸押出機等の混練機を使用して実施される。平板状希土類ボンド磁石用組成物は、各成分が混合されることで塊状となる。
【００５５】
最後に、得られた平板状ボンド磁石用組成物（単にボンド磁石用組成物ともいう）を成形する。この工程は、ボンド磁石用組成物を所定の成形手段、すなわち射出成形法、射出圧縮成形法、射出プレス成形法、またはトランスファー成形法から選ばれるいずれかの成形法で成形する工程である。
【００５６】
ボンド磁石用組成物は、射出成形機やトランスファー成形機、圧縮成形機等の各種熱硬化性樹脂用成形機、特に好ましくは射出成形機により平板状希土類ボンド磁石に成形される。また、射出圧縮成形や射出プレスの機能を付加した成形機や押出成形機で成形しても良い。
平板状希土類ボンド磁石は、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石に求められる寸法を考慮し、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．０ｍｍ−１以上の関係を満たす縦寸法、横寸法および厚さ寸法で成形することが必要である。
該多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の厚さ寸法は、先に述べた研削工程により寸法出しを行う。従って、成形後の平板状希土類ボンド磁石の厚さは、平面度と平面内の厚さのばらつき、および研削加工精度を考慮して決め、材料ロスを出来るだけ少なくすることが重要である。
平均粒径が２μｍ以上４μｍ以下のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の異方性磁性粉末を用いて成形された平板状希土類ボンド磁石は、成形体としてサブミリサイズの厚みを実現でき、機械的強度も優れており、良好な加工性を有する。
【００５７】
３．多角柱状マイクロアクチュエータ用磁石
本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石は、上記の製造方法により得られた小型磁石である。
【００５８】
前記のとおり、ＨＤＤの中には、ＶＣＭ（ヘッド制御のためのボイスコイルモータ）、スピンドル、ヘッドラッチ、などに各種の磁石が組み込まれており、このほかにも、同じ小型ＨＤＤ用の軸受けとして、小型磁石が使われている。磁性流体を使用した動流体軸受けで磁性流体を局部に閉じ込めるためには、例えば０．８５インチのＨＤＤでは、概寸で０．８ｍｍ以下の薄い小型磁石が必要となる。従来ではセンチメーターサイズだった小型モータや小型アクチュエータも、最近登場している、例えば１インチを切るような小型ＨＤＤに適用するためには、ミリメーターサイズの小型モータや小型アクチュエータへの設計変更が要求される。
ＨＤＤ中に使用されるアクチュエータ用の多角柱状アクチュエータ用磁石は、各辺の長さおよび、各辺と辺との距離および厚みが、サブミリメーターサイズ（１ｍｍ以下）でなければならない。
【００５９】
本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石は、その最大エネルギー積が４５ｋＪ／ｍ３以上であり、特に５５ｋＪ／ｍ３以上１００ｋＪ／ｍ３以下の磁気特性を有する事が望ましい。
最大エネルギー積が４５ｋＪ／ｍ３未満であると、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の磁束量が相対的に低下し、稼動のための吸着量が小さくなり、マイクロアクチュエータの動作が不安定となり好ましくない。また、稼動のための吸着量を最適にするには、該多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の形状を大きくすることで磁束量低下を補うため、アクチュエータの構成を小型化するのが困難になり好ましくない。一方、最大エネルギー積が、１００ｋＪ／ｍ３を超える場合は、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の磁束量が相対的に増加し、ラッチへの吸着力が大きくなり、マイクロアクチュエータの動作を制御するのが難しくなる。
【００６０】
上記マイクロアクチュエータ用小型磁石の形状は、略四角柱、略六角柱、略八角柱、略十二角柱などから使途により適宜選択すれば良い。磁石の厚みが一定な場合、略四角柱、略六角柱、略八角柱、略十二角柱の中から形状を適宜選択することで、磁束量の微調整が可能なため、仕様の異なるマイクロアクチュエータにも、母材となる希土類ボンド磁石シートを多種用意する必要がなく生産効率に優れている。
【実施例】
【００６１】
以下に本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の製造方法に関する実施例を比較例とともに示すが、本発明は、これら実施例にのみ限定されるものではない。
なお、平板状希土類ボンド磁石の研削量、得られた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石の外観・形状及び磁気特性などは、以下に示す方法で評価を行った。
【００６２】
（Ｉ）研削量
平板状希土類ボンド磁石の厚みを、デジタルマイクロメータ（ミツトヨ製：２９３−１１１）により、面内（２×３）６点で厚みを測定し、その平均値を研削前の厚みとした。次に、得られた多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石から任意の２０個を抜き取り、上記同様に厚みを測定し、その平均値を研削後の厚みとした。
上記研削前の厚みと研削後の厚みの差を研削量とした。
（ＩＩ）外観・形状
外観は、得られた各多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石から任意の１００個を抜き取り、実体顕微鏡（ニコン製：ＳＭＺ）を用い倍率２０倍で、粘着物付着状態、クラック発生の有無、チッピング発生の有無を肉眼観察し評価した。
粘着物の付着状態の評価基準は、非磁性ピンセット（材質Ｔｉ・アズワン製）で、自然乾燥後、多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石をつまんで、右から左に落とす動作（つまり取り扱い動作）を行い、落とす際に、ピンセットに付着して、ピンセット離れがしなかった個数が、１００個中ゼロ個の場合を◎、１００個中１０個未満を○、１００個中１０個以上を×とした。
クラックの評価基準は、上記観察で辺の１／５の長さを持つワレを不合格とした。チッピングの評価基準は、厚みの１／３以上を不合格とした。
寸法は、得られた各多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石から任意の１００個を抜き取り、対向する辺と辺との距離をマイクロエンコーダ付きのＸ−Ｙステージが付属している工具顕微鏡（東京ユニオン製：ＳＧＶ）を使用し、１００倍で測定した。
（ＩＩＩ）磁気特性
最大エネルギー積と磁束量の評価は、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系とＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、加工前の平板状希土類ボンド磁石の一部をサンプルとし、Ｓｍ−Ｃｏ焼結磁石は、その一部をサンプルとして、直流自記自記磁束計（型式名；ＴＲＦ、東英工業（株）製）で測定した。
（ＩＶ）アウトガス評価
アウトガスの評価は、ＧＣ／ＭＳ法（島津製作所：ＧＣ−１７Ａ／ＱＰ−５０００）でシロキサンガスの有無を調べた。シロキサンガスが検出されたものを×、シロキサンガスが検出されなかったものを○とした。
【００６３】
［実施例１］
希土類元素を含む磁性粉末として、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末（住友金属鉱山（株）製）の表面にシリケート処理を施し、シリコーン系の潤滑剤を使用しないで乾燥させた（シリコーンフリー化）、平均粒径３μｍのものを用意した。
ラジカル重合反応性を有する熱硬化樹脂として、不飽和ポリエステル樹脂（ＵＰ樹脂）（商品名：リゴラックＭ−５００Ｄ、昭和高分子（株）製）、該熱硬化性樹脂の硬化剤として、パーオキシエステル系過酸化物（ｔ−ブチルパーオキシべンゾエート）（商品名：パーブチルＺ、日本油脂（株）製）を用意した。
次に、上記Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末１００重量部、ラジカル重合反応性熱硬化性樹脂１１．０重量部、硬化剤０．１重量部と添加剤を加え、水冷ジャケット付きプラネタリーミキサー中で十分混合撹拌（４０ｒｐｍ，３０°Ｃ）し、平板状希土類ボンド磁石用組成物を得た。
この平板状希土類ボンド磁石用組成物を、射出成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度１５０°Ｃ）で１１９０（ｋＡ／ｍ）〜１５９０（ｋＡ／ｍ）の磁場中金型内にて、成形時間９０（ｓｅｃ）とし、５０（ｍｍ）×８０（ｍｍ）×０．３７（ｍｍ）で、全表面積と体積の比（表面積／体積）が５．５ｍｍ−１のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の該平板状希土類ボンド磁石には、１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
得られた平板状希土類ボンド磁石に、バックグラインドテープ（電気化学工業製／ＢＧＰ−１０１Ｂ）を貼り付ける面をエタノールで脱脂洗浄し、バックグラインドテープを平板状希土類ボンド磁石に貼り付けた。次に、グラインダ研削機（（株）ディスコ製／ＤＡＧ８１０）のチャックテーブルに、平板状希土類ボンド磁石のバックグラインドテープ側を固定し、グラインダ研削を行った。グラインダ研削の条件は、研削量設定０．０７（ｍｍ）、砥粒径：＃６００、砥石径：φ２００（ｍｍ）、スピンドル回転数：２０００（ｒｐｍ）、Ｚ軸切り込み送り速度：１．２（μｍ／ｓｅｃ）、テーブル回転数：１５０（ｒｐｍ）、テーブル切り込み速度：１（ｍｍ／ｓｅｃ）で行った。
グラインダ研削後、該グラインダ研削機のチャックテーブルから、該バックグラインドテープが貼りついた状態で該平板状希土類ボンド磁石を取り出し、次いで純水で超音波洗浄し、グラインダ研削時に平板状希土類ボンド磁石に付着した汚れを除去した。次に、バックグラインドテープ側から平板状希土類ボンド磁石に紫外線を照射し、該バックグラインドテープの粘着性を完全に除去して取り外し、グラインダ研削を施した平板状希土類ボンド磁石を得た。
その後、該平板状希土類ボンド磁石にダイシングテープ（ＵＨＰ−１１０Ｍ３／電気化学工業製）を貼り付ける面をエタノールで脱脂洗浄し、該ダイシングテープを貼り付けた。次に、ダイシングソー（（株）ディスコ製・ＤＡＤ３２１）のチャックテーブルに、平板状希土類ボンド磁石のダイシングテープ側を固定し、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３ｍｍの四角柱にダイシングした。ダイシングの条件は、ブレード・レジン系、砥粒径＃５００、ブレード厚み：０．１５（ｍｍ）、主軸回転数４００００（ｒｐｍ）、送り速度：３．５（ｍｍ／ｓｅｃ）で行った。
ダイシング後、ダイシングソーのチャックテーブルから、ダイシングテープが貼り付いた状態で四角柱状の希土類ボンド磁石を取り出し、次いで純水で超音波洗浄し、ダイシング時に該四角柱状の希土類ボンド磁石に付着した汚れを除去した。次いで、ダイシングテープ側から紫外線を照射し、四角柱状の希土類ボンド磁石をダイシングテープから取り外した。取り外し後、四角柱状の希土類ボンド磁石を、純水→アセトン→純水→メタノールの順で超音波洗浄した。洗浄後、室温で自然乾燥させ、四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０７ｍｍであり、研削が少なく、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法でほぼ粘着物が除去されている結果となった。またチッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度については、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００３で、ともに良好な結果を得た。また磁気特性は、最大エネルギー積が８４（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価では、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６４】
［実施例２］
実施例１に示した方法で製造したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１の手順とは異なり、まず、平板状希土類ボンド磁石のダイシングテープを貼り付ける面をエタノールで脱脂洗浄し、ダイシングテープ（実施例１と同じ）を貼り付けた。
次に、実施例１と同様の方法により、ダイシングソーで０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱にダイシングした。ダイシング後は、ダイシングテープが四角柱状の希土類ボンド磁石に貼り付いた状態で、純水で超音波洗浄し、ダイシング時に四角柱状の希土類ボンド磁石に付着した汚れを除去した。その後、四角柱状の希土類ボンド磁石の切断面側を、エタノールで脱脂洗浄後、該切断面側にバックグラインドテープ（実施例１と同じ）を貼りつけ、次いでダイシングテープ側から紫外線を照射し該四角柱状の希土類ボンド磁石から該ダイシングテープを取り外した。
次に、実施例１と同様の方法によりグラインダ研削機で、グラインダ研削を行った。グラインダ研削後は、バックグラインドテープが四角柱状の希土類ボンド磁石に貼り付いた状態で、純水で超音波洗浄し、グラインダ研削時に四角柱の希土類ボンド磁石に付着した汚れを除去した。次いで、バックグラインドテープ側から紫外線を照射し、バックグラインドテープの粘着性を完全に除去し、バックグラインドテープから四角柱状の希土類ボンド磁石を取り外した。
バックグラインドテープを取り外し後、四角柱状の希土類ボンド磁石を、純水→アセトン→純水→メタノールの順で超音波洗浄した。洗浄後室温で自然乾燥させ、四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０６ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。またチッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００２、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。また、磁気特性は、最大エネルギー積が８４（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価では、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６５】
［実施例３］
実施例１に示した方法で製造したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例２で行ったグラインダ研削の代わりに、ラップ研削機（テクノライズ（株）製・ＴＲ１５Ｍ）でラップ研削を行った。
ラップ研削の条件は、研削量設定０．０７（ｍｍ）、砥粒径：＃１２００、砥石径：φ３８０ｍｍ、研削加工圧：２００ｇ／ｃｍ２、テーブル回転数：６０ｒｐｍで行った。ラップ研削後は、実施例２と同じ手順と方法で、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０６ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。またチッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００４、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８４（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６６】
［実施例４］
平均粒径２μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末を用いた以外は、実施例１と同じ方法でＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を成形した。これを用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０７ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００２、厚み寸法の標準偏差も０．００５でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８０（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６７】
［実施例５］
平均粒径４μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末を用いた以外は、実施例１と同じ方法で成形したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
実施例５の平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０６ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。
洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８１（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６８】
［実施例６］
実施例１で使用したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末、熱硬化樹脂、硬化剤および添加剤を用い、実施例１と同じ方法で、平板状希土類ボンド磁石用組成物を得た。
次に、該組成物を、射出圧縮成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度１５０°Ｃ、成形圧力０．５ｔ／ｃｍ２）で１１９０（ｋＡ／ｍ）〜１５９０（ｋＡ／ｍ）の磁場中金型内にて、成形時間９０（ｓｅｃ）で４０（ｍｍ）×２０（ｍｍ）×０．３５（ｍｍ）の、全表面積と体積の比（表面積／体積）が５．９ｍｍ−１のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の平板状希土類ボンド磁石には、実施例１と同様に１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
次に該平板状希土類ボンド磁石（４０ｍｍ×２０ｍｍ×０．３５ｍｍ）を用い、研削量０．０３（ｍｍ）の設定で実施例１と同じ方法でグラインダ研削を行い、次いで研削量０．０２（ｍｍ）の設定で実施例３と同じ方法でラップ研削を施した。
次いで、研削を施した平板状希土類ボンド磁石に実施例１と同じ方法でダイシングを行い、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０４ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００２でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が９０（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００６９】
［実施例７］
実施例１で使用したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末、熱硬化樹脂、硬化剤および添加剤を用い、実施例１と同じ方法で、平板状希土類ボンド磁石用組成物を得た。
次に、該組成物を、射出プレス成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度３０°Ｃ、成形圧力１ｔ／ｃｍ２）で１１９０（ｋＡ／ｍ）〜１５９０（ｋＡ／ｍ）の磁場中金型内にて、成形時間１０（ｓｅｃ）で４０（ｍｍ）×２０（ｍｍ）×１．０（ｍｍ）、全表面積と体積の比（表面積／体積）が２．２ｍｍ−１のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の平板状希土類ボンド磁石には、実施例１と同様に１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
次に、上記平板状希土類ボンド磁石（４０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍｍ）に、研削量１．８（ｍｍ）の設定で実施例１と同じ方法でグラインダ研削を行い、次いで実施例１と同じ方法でダイシングを行い、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．６９ｍｍであり、良好な材料効率の結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。また、チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００５でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が９９（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００７０】
［実施例８］
実施例１で使用したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末、熱硬化樹脂、硬化剤および添加剤を用い、実施例１と同じ方法で、平板状希土類ボンド磁石用組成物を得た。
次に、該組成物を、トランスファー成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度１５０°Ｃ）で１１９０（ｋＡ／ｍ）〜１５９０（ｋＡ／ｍ）の磁場中金型内にて、成形時間１００（ｓｅｃ）として５０（ｍｍ）×８０（ｍｍ）×１．９（ｍｍ）、全表面積と体積の比（表面積／体積）が１．９ｍｍ−１のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の該平板状希土類ボンド磁石には、実施例１と同様に１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
次に、該平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×１．１ｍｍ）に、研削量０．８（ｍｍ）の設定で実施例１と同じ方法でグラインダ研削を行い、次いで実施例１と同じ方法でダイシングを行い、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．８ｍｍであり、良好な材料効率の結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００４、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８２（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。アウトガス評価でシロキサンガスは検出されなかった。
【００７１】
［実施例９］
実施例１で得たＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、研削量０．０７（ｍｍ）設定で実施例１と同じ方法でグラインダ研削を行った。
次いで、実施例１と同じダイシングソーを用い、ダイシングプログラムを変更して、研削を施した平板状希土類ボンド磁石から、対向する辺と辺の距離が０．８（ｍｍ）の六角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０６ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８５（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。また、実施例１と比較し、形状の変化とともに磁極面積が増加したことで、より大きな磁束量が得られた。アウトガス評価でシロキサンガスは検出されなかった。
【００７２】
［実施例１０］
実施例１で得たＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、研削量０．０７（ｍｍ）の設定で実施例１と同様のグラインダ研削を行った。
次いで、実施例１と同じダイシングソーを用い、ダイシングプログラムを変更して、該研削を施した平板状希土類ボンド磁石から、対向する辺と辺の距離が０．８（ｍｍ）の八角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石の研削量は、０．０６ｍｍであり、材料効率にすぐれた結果となった。洗浄後の粘着物評価は、規定の洗浄方法で粘着物が除去されている結果となった。チッピング、クラックとも良好な結果を得た。寸法精度は、辺距離の標準偏差が０．００３、厚み寸法の標準偏差も０．００４でともに良好な結果を得た。磁気特性は、最大エネルギー積が８５（ｋＪ／ｍ３）であり良好な結果を得た。また、実施例１と比較し、形状の変化とともに磁極面積が増加したことで、より大きな磁束量が得られた。アウトガス評価は、シロキサンガスは検出されなかった。
【００７３】
［実施例１１］
平均粒径１μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末を用いた以外は、実施例１と同じ方法で成形したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末の平均粒径が１μｍのため、最大エネルギー積が５２（ｋＪ／ｍ３）となり、また、該最大エネルギー積と共に磁束量が低下しているが、製造条件を変更することで高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石が得られる場合がある。
【００７４】
［実施例１２］
平均粒径６μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末を用いた以外は、実施例１と同じ方法で成形したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性磁性粉末の平均粒径が６μｍのため、最大エネルギー積が５３（ｋＪ／ｍ３）となり、また、該最大エネルギー積と共に磁束量が低下しているが、製造条件を変更することで高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石が得られる場合がある。
【００７５】
［実施例１３］
平均粒径２５μｍのＳｍ−Ｃｏ系異方性希土類磁性粉末を使用し、ラジカル重合反応性を有する熱硬化樹脂として不飽和ポリエステル樹脂（ＵＰ樹脂）（商品名：リゴラックＭ−５００Ｄ、昭和高分子（株）製）を使用した。
硬化剤は、パーオキシエステル系過酸化物（ｔ−ブチルパーオキシべンゾエート）（商品名：パーブチルＺ、日本油脂（株）製）を使用した。
該異方性磁性粉末１００重量部、該ラジカル重合反応性熱硬化性樹脂１１．０重量部、該硬化剤０．１重量部と添加剤を加え、実施例１と同じ方法で、平板状希土類ボンド磁石成形前の組成物を得た。
次に、該組成物を、射出成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度１５０°Ｃ）で１１９０（ｋＡ／ｍ）から１５９０（ｋＡ／ｍ）の磁場中金型内にて、成形時間２０（ｓｅｃ）で５０（ｍｍ）×８０（ｍｍ）×０．３７（ｍｍ）、全表面積と体積の比（表面積／体積）が５．５ｍｍ−１のＳｍ−Ｃｏ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の該平板状希土類ボンド磁石には、１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
次いで、上記平板状希土類ボンド磁石を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平均粒径２５μｍのＳｍ−Ｃｏ系異方性希土類磁性粉末を使用したため、最大エネルギー積が４７（ｋＪ／ｍ３）となり、また、該最大エネルギー積と共に磁束量が低下しているが、製造条件を変更することで高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石が得られる場合がある。
【００７６】
［実施例１４］
平均粒径１５０μｍのＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系異方性希土類磁性粉末（（株）ＮＥＯＭＡＸ製）を使用し、ラジカル重合反応性を有する熱硬化樹脂として不飽和ポリエステル樹脂（ＵＰ樹脂）（商品名：リゴラックＭ−５００Ｄ、昭和高分子（株）製）を使用した。硬化剤は、パーオキシエステル系過酸化物（ｔ−ブチルパーオキシべンゾエート）（商品名：パーブチルＺ、日本油脂（株）製）を使用した。
異方性磁性粉末１００重量部、ラジカル重合反応性熱硬化性樹脂１１．０重量部、硬化剤０．１重量部と添加剤を加え、実施例１と同じ方法で平板状希土類ボンド磁石成形前の組成物を得た。
次に、該組成物を、射出成形法（成形温度３０°Ｃ、金型温度１５０°Ｃ）で１１９０から１５９０ｋＡ／ｍの磁場中金型内にて、成形時間２０（ｓｅｃ）で５０（ｍｍ）×８０（ｍｍ）×０．３７（ｍｍ）、全表面積と体積の比（表面積／体積）が５．５ｍｍ−１のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。成形後の平板状希土類ボンド磁石には、１５０°Ｃ−１時間のアフターキュアを行った。
次いで、上記平板状希土類ボンド磁石を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平均粒径１５０μｍのＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系異方性希土類磁性粉末を使用したため、成形後の平板状希土類ボンド磁石機械的強度が低いため、所々に欠けが見られた。また、該平板状希土類ボンド磁石を研削してダイシングした結果、チッピングが５個、クラックが３個発生し、加工収率が良くない結果となったが、製造条件を変更することで高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石が得られる場合がある。
【００７７】
［比較例１］
最大エネルギー積が１０（ＭＧＯｅ）で異方性のあるＳｍ−Ｃｏ系の平板状希土類焼結磁石（住友金属鉱山（株）製、３０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍ）を用い、実施例１と同様のグラインダ研削とダイシングを施し、０．５５ｍｍ×０．５５ｍｍ×０．３ｍｍの四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
加工後にチッピングが２３個、クラックが３１個発生し加工収率が悪い結果となった。
【００７８】
［比較例２］
実施例１で用いたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性希土類磁性粉末１００重量部と、ナイロン１２（商品名：ダイアミド  Ａ−１７０９Ｐ、ダイセル・ヒュルス（株）製）７．０重量部とを用い、２０ｍｍφのシングル押出機（Ｌ／Ｄ＝２５、ＣＲ＝２．０、回転数＝２０ｒｐｍ、５ｍｍφのストランドダイ使用、シリンダー温度は２００°Ｃ、ダイス温度は２００°Ｃ）で押し出した後、ホットカットペレタイザーを用いて平板状希土類ボンド磁石成形前のペレットコンパウンドを得た。
次に、該ペレットコンパウンドを、射出成形法（成形温度２２０°Ｃ、金型温度１４０°Ｃ）で１１９０〜１５９０ｋＡ／ｍの磁場中金型内にて、成形時間９０（ｓｅｃ）で２０（ｍｍ）×５０（ｍｍ）×２．５（ｍｍ）、全表面積と体積の比（表面積／体積）が０．９ｍｍ−１のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を成形した。
次に、実施例１と同じ方法で、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（２０ｍｍ×５０ｍｍ×２．５ｍｍ）を用い、研削量２．２（ｍｍ）の設定で実施例１と同じ方法によりグラインダ研削を施した。次いで実施例１と同じ方法でダイシングを行い、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
樹脂にナイロン１２を用いたので、平板状希土類ボンド磁石の研削量が２．１９ｍｍとなり、材料効率に劣る結果となった。また磁気特性は、最大エネルギー積が１１０（ｋＪ／ｍ３）となり、高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石には使用できない結果となった。
【００７９】
［比較例３］
実施例１で得たＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１と同じ方法でダイシングを行い、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３７（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
平板状希土類ボンド磁石に研削を施してないため、厚み寸法の標準偏差が０．０２２となり、高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石には使用できない結果となった。
【００８０】
［比較例４］
実施例１で得たＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石（５０ｍｍ×８０ｍｍ×０．３７ｍｍ）を用い、実施例１と同じ条件で該平板状希土類ボンド磁石にグラインダ研削を施した。
次いで、グラインダ研削を施した平板状希土類ボンド磁石を１００（ｍｍ）×１００（ｍｍ）×５（ｍｍ）のガラス板（パイレックス（登録商標））にワックス（商品名：ＣＢワックス／日化精工）で固定し、次いで、ワイヤーソー（（株）安永製、Ｕ−４００）の台座にガラス板を固定し、次いでワイヤー加工（ワイヤー径：φ０．１５ｍｍ、ワイヤー線速：２５０ｍ／ｍｉｎ、加工送り速度：３０ｍｍ／ｈ）を行い、該グラインダ研削を施した平板状希土類ボンド磁石から、０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状に切り出した。
切り出し後、ワックス固定した状態の四角柱状の希土類ボンド磁石をガラス板ごとアセトンで超音波洗浄し、四角柱状の希土類ボンド磁石をガラス板より取り外した。
取り外した四角柱状の希土類ボンド磁石を、純水→アセトン→純水→メタノールの順で超音波洗浄した。洗浄後に室温で自然乾燥させ、四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
ワイヤーソーで平板状希土類ボンド磁石を四角柱に切り出すため、平板状希土類ボンド磁石をワックスで保持しているため、通常の洗浄条件では十分粘着物を除去することができない結果となった。また、チッピングが５個、クラックが１０個あり加工収率が悪く、また辺寸法の寸法精度は、標準偏差が０．０１５となり、高精度なマイクロアクチュエータ用小型磁石に使用するには好ましくない結果となった。
【００８１】
［比較例５］
乾燥時にシリコーンを用いて製造した、平均粒径３μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性希土類磁性粉末を使用した以外は、実施例１と同じ方法で、５０（ｍｍ）×８０（ｍｍ）×０．３７（ｍｍ）のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系の平板状希土類ボンド磁石を得た。
次いで、この平板状希土類ボンド磁石を用い、実施例１と同じ方法で０．５５（ｍｍ）×０．５５（ｍｍ）×０．３（ｍｍ）の四角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石を得た。
シリコーンフリー化していない平均粒径３μｍのＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系異方性希土類磁性粉末を使用したので、シロキサンガスが検出された。ＨＤＤ用のマイクロアクチュエータ用小型磁石には使用できない結果となった。
【００８２】
【表１】
2007109963.tif 000003
【００８３】
【表２】
2007109963.tif 000004
【００８４】
【表３】
2007109963.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の多角柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石は、１ｍｍ以下のサブミリサイズであることから、デバイスのサイズがミリメーターサイズの小型アクチュエータのみならず、同サイズの小型モータ、センサーユニット等に利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の方法で、平板状希土類ボンド磁石を多角形柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石に加工する手順を示した説明図である。
【図２】本発明の第２の方法で、平板状希土類ボンド磁石を多角形柱状マイクロアクチュエータ用小型磁石に加工する手順を示した説明図である。
【符号の説明】
【００８７】
１：平板状希土類ボンド磁石
２：磁石の一方の平面
３：バックグラインドテープ
４：テープの粘着層
５：磁石の反対側の平面
６：研削した平板状希土類ボンド磁石
７：テープを貼り付ける面
８：ダイシングテープ
９：テープの粘着層
１０：磁石の切り出し面
１１：多角柱状の希土類ボンド磁石
１２：磁石の切り出し平面
１３：磁石の研削面
【図１】
2007109963.tif 000006
【図２】
2007109963.tif 000007