(57)【要約】【課題】  磁気転写用マスター記録媒体の剥離性を向上させ変形を少なくする。【解決手段】  磁気記録媒体に情報を転写するための凹凸パターンが表面に形成され、前記凹凸パターンの形成された領域と前記磁気記録媒体を密着させて、磁界を印加することにより前記凹凸パターンにより記録されている情報を前記磁気記録媒体に転写するために用いられるマスター記録媒体において、前記マスター記録媒体の凸部は、サーボ信号に関する情報が記録されたサーボフレームと、隣接するサーボフレーム間に設けられた１以上のダミーフレームからなるものであり、前記ダミーフレームは、サーボ信号に関する情報とは異なるパターンにより構成されているものであることを特徴とするマスター記録媒体を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図６
2007317333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に情報を転写するための凹凸パターンが表面に形成され、前記凹凸パターンの形成された領域と前記磁気記録媒体を密着させて、磁界を印加することにより前記凹凸パターンにより記録されている情報を前記磁気記録媒体に転写するために用いられるマスター記録媒体において、
前記マスター記録媒体の凸部は、サーボ信号に関する情報が記録されたサーボフレームと、隣接するサーボフレーム間に設けられた１以上のダミーフレームからなるものであり、
前記ダミーフレームは、サーボ信号に関する情報とは異なるパターンにより構成されているものであることを特徴とするマスター記録媒体。
【請求項２】
前記マスター記録媒体において、前記サーボフレームと前記ダミーフレームとの間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体。
【請求項３】
前記ダミーフレームが、前記隣接するサーボフレーム間に２以上設けられており、前記ダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項２に記載のマスター記録媒体。
【請求項４】
情報を転写するための凹凸パターンが表面に形成されたマスター記録媒体と磁気転写媒体とを密着させる工程と、
密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気転写媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に前記凹凸パターンにより記録されている情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する工程からなる磁気転写方法において、
前記マスター記録媒体の凸部は、サーボ信号に関する情報が記録されたサーボフレームと、隣接するサーボフレーム間に設けられた１以上のダミーフレームからなるものであり、
前記ダミーフレームは、サーボ信号に関する情報とは異なるパターンにより構成されていることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項５】
前記マスター記録媒体において、前記サーボフレームと前記ダミーフレームとの間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項４に記載の磁気転写方法。
【請求項６】
前記ダミーフレームが、前記隣接するサーボフレーム間に２以上設けられており、前記ダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項５に記載の磁気転写方法。
【請求項７】
請求項４から６のいずれかに記載の磁気転写方法により磁気転写されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項７に記載された磁気記録媒体を備えていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスター記録媒体、磁気転写方法、及びこれにより作製された磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置に関するものであり、特に、磁気転写媒体との剥離性の高いマスター記録媒体、このマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、及び、この磁気転写方法により作製された磁気記録媒体並びに磁気転写方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量を実現するために、記録密度の高密度化の傾向にあり、特に、代表的な磁気記憶装置であるハードディスクドライブの分野では、技術の進歩が急激である。
【０００３】
このような、磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体は、情報記録領域が狭トラックで構成されており、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査させて高いＳ／Ｎで信号を再生するために、いわゆるトラッキングサーボ技術が大きな役割を担っている。このトラッキングサーボを行うために、従来よりセクターサーボ方式が広く採用されている。
【０００４】
セクターサーボ方式とは、磁気ディスク等の磁気記録媒体のデータ面において、一定角度等で正しく配列されたサーボフィールドに、トラック位置決めのためのサーボ信号や、そのトラックのアドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を記録しておき、磁気ヘッドが、このサーボフィールドを走査してサーボ情報を読み取り自らの位置を確認しつつ修正する方式である。
【０００５】
このサーボ情報は、磁気記録媒体の製造時にプリフォーマットとして予め磁気記録媒体に記録する必要があり、現在は専用のサーボ記録装置を用いてプリフォーマットが行われている。現在用いられているサーボ記録装置は、例えばトラックピッチの７５％程度のヘッド幅を有する磁気ヘッドを備え、磁気ヘッドを磁気ディスクに近接させた状態で、磁気ディスクを回転させつつ、１／２トラック毎に磁気ディスクの外周から内周に移動させながらサーボ信号を記録する。そのため、１枚の磁気ディスクのプリフォーマット記録に長時間を要し、生産効率の点で問題があり、コストアップの要因となっている。
【０００６】
このため、プリフォーマットを正確にかつ効率的に行う方法として、特許文献１から４に記載されているように、サーボ情報に対応したパターンが形成されているマスター記録媒体の情報を磁気記録媒体に磁気転写する方法が開示されている。
【０００７】
この磁気転写は、転写用磁気ディスク等の磁気記録媒体（スレーブ媒体）に転写すべき情報に応じて凹凸パターンを有するマスター記録媒体を用い、このマスター記録媒体と磁気記録媒体とを密着させた状態で、記録用磁界を印加することにより、マスター記録媒体の凹凸パターンにより記録されている情報（例えばサーボ情報）に対応する磁気パターンを磁気記録媒体に磁気的に転写するものである。この方法では、マスター記録媒体と磁気記録媒体との相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、正確なプリフォーマット情報の記録が可能であり、しかも記録に要する時間も極めて短時間という利点を有している。このような磁気転写方法としては、転写される磁化情報が、磁気記録媒体に垂直に磁化され記録される垂直磁気記録と、磁気記録媒体に平行に磁化され記録される面内磁気記録の２種類存在している。
【特許文献１】特開２００２−２５１７２１号公報
【特許文献２】特開２００２−７４６５５号公報
【特許文献３】特開２００４−７９０５９号公報
【特許文献４】特開２００４−１７７７８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、凹凸パターンの形成されたマスター記録媒体と磁気転写媒体を密着させて磁気転写を行う方法は、短時間で、かつ、高い再現性で、磁気転写媒体に記録を行うことができるという特徴を有している。この磁気転写においては、凹凸パターンの形成されたマスター記録媒体と磁気転写媒体とを所定の押圧力で密着させるが、これにより、マスター記録媒体の凹部における変形といった問題や、マスター記録媒体の情報の記録されていない領域で、潤滑剤を介し磁気記録媒体と接触してしまうため、磁気転写を行った後に、マスター記録媒体を磁気記録媒体から剥離する際の剥離性が悪くなるといった問題があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、剥離性の向上と、変形を防止するためにサーボフレーム間にダミーフレームを設けたマスター記録媒体、前記マスター記録媒体を用いた磁気転写方法、前記磁気転写方法により作製される磁気記録媒体、並びに、磁気記録再生装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、磁気記録媒体に情報を転写するための凹凸パターンが表面に形成され、前記凹凸パターンの形成された領域と前記磁気記録媒体を密着させて、磁界を印加することにより前記凹凸パターンにより記録されている情報を前記磁気記録媒体に転写するために用いられるマスター記録媒体において、前記マスター記録媒体の凸部は、サーボ信号に関する情報が記録されたサーボフレームと、隣接するサーボフレーム間に設けられた１以上のダミーフレームからなるものであり、前記ダミーフレームは、サーボ信号に関する情報とは異なるパターンにより構成されているものであることを特徴とするマスター記録媒体である。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記マスター記録媒体において、前記サーボフレームと前記ダミーフレームとの間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体である。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記ダミーフレームが、前記隣接するサーボフレーム間に２以上設けられており、前記ダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項２に記載のマスター記録媒体である。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、情報を転写するための凹凸パターンが表面に形成されたマスター記録媒体と磁気転写媒体とを密着させる工程と、密着させた前記マスター記録媒体と前記磁気転写媒体に磁界を印加することにより、前記マスター記録媒体に前記凹凸パターンにより記録されている情報を前記磁気記録媒体に磁気転写する工程からなる磁気転写方法において、前記マスター記録媒体の凸部は、サーボ信号に関する情報が記録されたサーボフレームと、隣接するサーボフレーム間に設けられた１以上のダミーフレームからなるものであり、前記ダミーフレームは、サーボ信号に関する情報とは異なるパターンにより構成されていることを特徴とする磁気転写方法である。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記マスター記録媒体において、前記サーボフレームと前記ダミーフレームとの間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項４に記載の磁気転写方法である。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記ダミーフレームが、前記隣接するサーボフレーム間に２以上設けられており、前記ダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることを特徴とする請求項５に記載の磁気転写方法である。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項４から６のいずれかに記載の磁気転写方法により磁気転写されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載された磁気記録媒体を備えていることを特徴とする磁気記録再生装置である。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明によるマスター記録媒体並びに、このマスター記録媒体を用いた磁気転写方法によれば、マスター記録媒体の変形を防ぐと共に、剥離性を向上させることができ、量産性を高めることができる。また、この製造方法により製造された磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置は歩留まりが高く、低い不良率、故障率の磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。
【００２０】
〔転写用磁気ディスク〕
図１（ａ）に示すように、最初に磁気記録媒体である転写用磁気ディスク６０の初期磁化を行うが、まず、これに用いられる転写用磁気ディスク６０について説明する。
【００２１】
転写用磁気ディスク６０は円盤状の基板の表面の片面或いは、両面に垂直磁化膜からなる磁性層が形成されたものであり、具体的には、高密度ハードディスク等が挙げられる。
【００２２】
円盤状の基板は、ガラスやＡｌ（アルミニウム）等の材料から構成されており、この基板上に非磁性層を形成した後、磁性層を形成する。
【００２３】
非磁性層は、後に形成する磁性層の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）等が好ましい。非磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層の厚さは、１０〜１５０〔ｎｍ〕であることが好ましく、２０〜８０〔ｎｍ〕であることが更に好ましい。
【００２４】
磁性層は、垂直磁化膜により形成されており、磁性層に情報が記録される。磁性層に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより垂直の磁気異方性を有している。磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層の厚さは、１０〜５００〔ｎｍ〕であることが好ましく、２０〜２００〔ｎｍ〕であることが更に好ましい。
【００２５】
尚、必要に応じて、基板と非磁性層との間に、軟磁性層を設ける場合がある。磁性層の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるためである。軟磁性層の厚さは、５０〜２０００〔ｎｍ〕であることが好ましく、８０〜４００〔ｎｍ〕であることが更に好ましい。
【００２６】
本実施の形態では、転写用磁気ディスクの基板として、外形６５〔ｍｍ〕の円盤状のガラス基板を用い、スパッタリング装置のチャンバー内にガラス基板を設置し、１．３３×１０−５〔Ｐａ〕（１．０×１０−７〔Ｔｏｒｒ〕）まで減圧した後、チャンバー内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、ＣｒＴｉターゲットを用い、基板温度が２００〔℃〕の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｒＴｉからなる非磁性層を６０ｎｍ成膜する。
【００２７】
この後、上記と同様にＡｒガスを導入し、同じチャンバー内にあるＣｏＣｒＰｔターゲットを用い、同じく基板温度が２００〔℃〕の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｏＣｒＰｔからなる磁性層を２５〔ｎｍ〕成膜する。
【００２８】
以上のプロセスにより、ガラス基板に、非磁性層と磁性層が成膜された転写用磁気ディスク６０を作製した。
【００２９】
〔転写用磁気ディスクの初期磁化〕
次に、形成した転写用磁気ディスク６０の初期磁化を行う。図１（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク６０の初期磁化（直流磁化）は、転写用磁気ディスク６０に対し垂直に磁界を印加することができる不図示の磁界印加手段により初期化磁界Ｈｉを発生させ、図２（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍについて、一方向に初期磁化Ｐｉさせる。具体的には、初期化磁界Ｈｉとして転写用磁気ディスク６０の保磁力Ｈｃ近傍の強度の磁界を発生させることにより行う。
【００３０】
尚、初期磁化は、転写用磁気ディスク６０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００３１】
〔マスターディスク〕
次に、マスター記録媒体であるマスターディスクについて説明する。
【００３２】
最初に、図３〜図５に基づきマスターディスク６６の製造方法について説明する。本実施の形態では、プレス原盤を用いるため、プレス原盤の作製工程より説明する。図３（ａ）に示すように、表面が平滑なガラスや石英ガラスからなる円形の基板５０上に、フォトレジスト層をスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、この円形の基板５０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジスト層に照射し、フォトレジスト層の略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光した基板５０を現像液に浸漬することにより、フォトレジスト層の露光された部分が除去され、基板５０上の所定の領域にフォトレジスト層５１が形成されたガラス原盤５２が作製される。フォトレジスト層５１は、後述するように、サーボマーク信号を含むサーボフレームと、サーボ信号に関する情報を含まないダミーフレームが所定の領域に設けられる。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス原盤５２上のフォトレジスト層５１が形成されている面の表面に、Ｎｉメッキ（電鋳）を行うことにより、表面にポジ状の凹凸パターンを有するＮｉ原盤５３を所定の厚さまで形成する。この後、このＮｉ原盤５３をガラス原盤５２から剥離する。
【００３４】
このＮｉ原盤５３をスタンパー用のプレス原盤（金型）として用いることも可能であるが、必要に応じてこのＮｉ原盤５３に凹凸バターン上に軟磁性層、保護膜等を被覆してスタンパー用のプレス原盤（金型）とする。このように軟磁性層、保護膜等を形成することにより、その後に作製する転写用磁気ディスクの磁気特性が向上するからである。
【００３５】
Ｎｉ原盤５３を構成する材料としては、Ｎｉ及びＮｉ合金が主に用いられる。このＮｉ原盤５３を形成する方法としては、先に説明した無電解メッキ等によるメッキ法の他、スパッタリングやイオンプレーティングといった真空成膜法によっても作製することが可能である。また、上記真空成膜を行った後、電解メッキ等を行うことによっても作製可能である。尚、基板５０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光パターンが反転することに注意する必要がある。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、剥離したＮｉ原盤５３をプレス原盤として、射出成型等により樹脂基板６７を作製する。樹脂基板６７の樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが挙げられる。これらの樹脂材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点から、現在のところポリカーボネートが好ましい。
【００３７】
射出成型により樹脂基板６７を形成した場合、成型品である樹脂基板６７にバリ等が生じる場合があるが、このようなバリ等はバーニシュ又は研磨加工により除去する。
【００３８】
また、射出成型以外の方法により樹脂基板６７を形成する方法として、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂などを使用する方法もある。この場合、プレス原盤に紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂をスピンコート、バーコート等の手法により塗布した後、紫外線或いは電子線を照射することにより硬化させた後、プレス原盤より剥離することにより樹脂基板６７が形成される。
【００３９】
以上の工程により、図３（ｄ）に示すように、高さが、３０〜１５０〔ｎｍ〕の突起状パターンが形成された樹脂基板６７が形成される。
【００４０】
樹脂基板６７を製造するためのＮｉ原盤５３の製造方法については、これ以外の方法であってもよい。上記以外の方法の一例を図４に基づき説明する。
【００４１】
表面が平滑な略円形のＳｉ基板７０上に、フォトレジストをスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、このＳｉ基板７０を回転させながら、記録する信号に対して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジストに照射し、フォトレジストの略全面について所定のパターンを露光する。その後、露光したＳｉ基板７０を現像液に浸漬させ、フォトレジストの露光された部分を除去することにより、図４（ａ）に示すように、Ｓｉ基板７０上の所定の領域にフォトレジスト層７１が形成されたものが作製される。フォトレジスト層７１は、後述するように、サーボマーク信号を含むサーボフレームと、サーボ信号に関する情報を含まないダミーフレームが所定の領域に設けられる。
【００４２】
次に、図４（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板７０のフォトレジスト層７１が形成された面について、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等によるドライエッチングを行う。具体的には、フォトレジスト層７１が形成されたＳｉ基板７０をＲＩＥ装置の減圧チャンバー内に設置した後、ＲＩＥ装置の減圧チャンバーを減圧した後、減圧チャンバー内に塩素（Ｃｌ２）ガスを導入し、ＲＦ電力を印加しプラズマを発生させることにより行った。ＲＩＥでは、フォトレジスト層７１に対しＳｉ基板７０が選択的にエッチングされるため、Ｓｉ基板７０のフォトレジスト層７１の形成されていない領域のみエッチングがなされる。
【００４３】
この後、Ｓｉ基板７０上のフォトレジスト層７１を有機溶剤等により除去することにより、表面に凹凸パターンの形成されたＳｉ基板７０が作製される。この後、図４（ｃ）に示すように、Ｓｉ基板７０の凹凸パターンの形成された面にスパッタリングにより金属材料等からなる導電膜を成膜し、更に、Ｎｉ電鋳を行うことにより、Ｎｉ原盤５３を形成する。この後、図４（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板７０から剥離することによりＮｉ原盤５３が作製される。ここで作製されるＮｉ原盤５３は、図３（ｂ）において作製されるＮｉ原盤５３と同様のものであり、図３（ｃ）に示す方法と同様の方法により、射出成型により樹脂基板６７の作製をすることができるものである。
【００４４】
次に、このように形成された樹脂基板６７について、図５（ａ）に示すように、形成された樹脂基板６７の突起状パターンの形成されている面にスピンコーター等によりフォトレジスト６９を塗布し、フォトレジスト６９を硬化させる。具体的には、フォトレジスト６９がネガレジストである場合には、紫外線等を照射して重合させる。一方、ポジレジストである場合には、ベーキング処理を行って重合させる。フォトレジスト６９はスピンコーター等では均一に広がるため、樹脂基板６７の表面の突起状パターンである凸部では薄く、それ以外の凹部では厚く形成される。
【００４５】
この後、図５（ｂ）に示すように、酸素ガスを導入したアッシングを行うことにより、フォトレジスト６９の表面の一部を除去する。具体的には、樹脂基板６７の突起状パターンの表面が露出したところで、アッシングを停止する。アッシングでは、厚さ方向に均等にレジスト６９が除去されるが、樹脂基板６７の突起状パターンの凸部の表面が露出しても、凹部ではレジスト６９が厚く形成されているため、この領域のレジスト６９は残存している。
【００４６】
この後、図５（ｃ）に示すように、軟磁性体からなる磁性膜５５をメッキあるいは真空蒸着等による成膜をおこなう。磁性膜５５を構成する材料は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性材料により構成されていることが好ましい。具体的には、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）等が挙げられる。特に好ましいのは、磁気特性からＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉである。又、磁性膜５５の厚さは、４０〜３２０〔ｎｍ〕の範囲が好ましく、特に、１００〜３００〔ｎｍ〕の範囲が更に好ましい。磁性膜５５は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングや無電解メッキ等により形成される。
【００４７】
尚、本実施の形態で作製されたマスターディスク６６に形成される磁性層６８は、Ｎｉからなるものであり、内径１２〔ｍｍ〕、外形３２．５〔ｍｍ〕の範囲において、厚さが、１５０〜３００〔μｍ〕となるように形成されている。
【００４８】
この後、リフトオフによりレジスト６９上に形成されている磁性膜の除去をおこなう。具体的には、磁性膜５５が成膜された基板６７を有機溶剤等に浸漬させることにより、図５（ｄ）に示すように、レジスト６９の上に形成された磁性膜５５が、レジスト６９とともに除去される。
【００４９】
以上のプロセスにより、図６に示すように、樹脂基板６７と磁性層６８からなるマスターディスク６６の表面には、突起状パターンであるサーボフレーム５６と、ダミーフレーム５７が形成される。サーボフレーム５６とダミーフレーム５７間のトラック方向（周方向）の間隔ＳＦ１と、ダミーフレーム間のトラック方向（周方向）の間隔ＳＦ２は、ともに、０．８〔ｍｍ〕以下で形成される。また、形成されるダミーフレーム５７のトラック方向の幅ＤＭは、サーボフレーム５６のトラック方向の幅ＳＭの半分以下である。本実施の形態では、サーボフレーム５６のトラック方向の幅ＳＭは７０〔μｍ〕であり、ダミーフレーム５７のトラック方向の幅ＤＭは３５〔μｍ〕である。このように、各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボフレーム５６並びにダミーフレーム５７の突起状のパターンが形成されたマスターディスク６６が出来上がる。尚、ダミーフレーム５７は、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性の向上、マスターディスク６６の変形防止のために設けられるものである。従って、磁気転写された転写用磁気ディスク６０のサーボフレーム５６と混同を生じないよう、即ち、磁気転写された転写用磁気ディスク６０の再生を行った際、ダミーフレーム５７の再生時の出力がサーボ信号のサーボフレーム５６の再生信号よりも、充分低い値となるように形成されている。本実施の形態では、ダミーフレーム５７からの再生信号出力が、サーボフレーム５６からの再生信号出力の３０〔％〕以下であり、この値であれば充分磁気ヘッドのサーボが可能である。
【００５０】
形成されるマスターディスク６６には、サーボセクタ数は１５０であり、マスターディスク６６において、サーボフレーム５６が形成される範囲は、半径１２．５〜３２．０〔ｍｍ〕の領域であり、ダミーフレーム５７が形成される範囲は、半径１２〜３２．５〔ｍｍ〕の領域である。
【００５１】
又、磁性層６８の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。後述するように、マスターディスク６６は、転写用磁気ディスク６０と密着させるが、密着させた際に磁性層６８が傷つきやすく、マスターディスク６６として使用できなくなってしまうことを防止するためである。また、潤滑剤層は、転写用磁気ディスク６０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果がある。
【００５２】
具体的に、保護膜として、厚さが５〜３０〔ｎｍ〕のダイヤモンドライクカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層６８と、保護膜との密着性を強化するため、磁性層６８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護膜を形成してもよい。
【００５３】
〔密着工程〕
次に、図１（ｂ）に示すように密着工程において、上記工程により作製したマスターディスク６６の突起状パターンの形成されている面と、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍの形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。本実施の形態では、押圧力は、７〜９〔ｋｇ／ｃｍ２〕で密着させる。
【００５４】
本実施の形態では、マスターディスク６６のサーボフレーム５６間にダミーフレーム５７を設けているため、マスターディスク６６であるマスター記録媒体の凹部における変形といった問題や、マスター記録媒体の情報の記録されていない領域で、潤滑剤を介し磁気記録媒体と接触してしまうため、磁気転写を行った後に、マスター記録媒体を磁気記録媒体から剥離する際の剥離性が悪くなるといった問題は発生しない。即ち、マスター記録媒体が変形した場合、マスター記録媒体の寿命を縮めると共に、変形の繰り返しにより、マスター記録媒体に形成されている凹凸の位置が微妙に変化し、所望の磁気転写が磁気記録媒体に行われないといった問題や、剥離性が悪くなり、剥離の際に磁気記録媒体の磁性層を破損するといった問題や、剥離のために長時間要し、生産性の低下といった問題、更には、これらに起因して、製造された磁気記録媒体や磁気記録再生装置の故障率や不良率が上昇するといった問題が生じやすくなるが、これらの問題が解消されるのである。
【００５５】
転写用磁気ディスク６０には、マスターディスク６６に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００５６】
尚、密着工程では、図１（ｂ）に示すように、転写用磁気ディスク６０の片面にマスターディスク６６を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスク６０について、両面からマスターディスク６６を密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００５７】
〔磁気転写工程〕
次に、図１（ｃ）に基づき磁気転写工程を説明する。
【００５８】
上記密着工程により転写用磁気ディスク６０とマスターディスク６６とを密着させたものについて、不図示の磁界印加手段により初期化磁界Ｈｉの向きと反対方向に記録用磁界Ｈｄを発生させる。記録用磁界Ｈｄを発生させることにより生じた磁束が転写用磁気ディスク６０とマスターディスク６６に進入することにより磁気転写が行われる。
【００５９】
本実施の形態では、記録用磁界Ｈｄの大きさは、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍを構成する磁性材料のＨｃと略同じ値である。
【００６０】
磁気転写は、転写用磁気ディスク６０及びマスターディスク６６を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク６６に記録されている突起状のパターンからなる情報を転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍに磁気転写する。尚、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、転写用磁気ディスク６０及びマスターディスク６６に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００６１】
磁気転写工程における、転写用磁気ディスク６０とマスターディスク６６の断面の様子を図２（ｂ）に示す。
【００６２】
図２（ｂ）に示すように、基板６７表面に突起状のパターンが形成され、その上に磁性層６８が形成されたマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とが密着した状態においては、マスターディスク６６の凸領域では、マスターディスク６６の磁性層６８と転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍとが接触している。
【００６３】
このため、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束はマスターディスク６６の凸領域、即ち、マスターディスク６６の磁性層６８と転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍと接触している領域では、記録用磁界Ｈｄにより、マスターディスク６６の磁性層６８の磁化向きが記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍに磁気情報が転写される。一方、マスターディスク６６の凹領域、即ち、マスターディスク６６の磁性層６８が形成されていない領域では、マスターディスク６６の磁性層６８が存在しないため、記録用磁界Ｈｄの印加によって、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍの磁化向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。
【００６４】
この後、転写用磁気ディスク６０をマスターディスク６６から取り外す。これにより、図２（ｃ）に示すように、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍには、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となる記録磁化Ｐｄとして記録される。尚、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍは垂直磁化膜であることから、初期磁化Ｐｉと記録磁化Ｐｄは境界には磁壁Ｄが形成される。
【００６５】
又、マスターディスク６６の基板６７に形成された突起状のパターンは、図６に示すポジパターンと反対のネガパターンであってもよい。この場合、初期化磁界Ｈｉの方向及び記録用磁界Ｈｄの方向を各々逆方向にすることにより、転写用磁気ディスク６０の磁性層６０Ｍに、同様の磁化パターンを磁気転写することができるからである。
【００６６】
尚、本実施の形態では、磁界印加手段は、電磁石の場合について説明したが、同様に磁界が発生する永久磁石を用いても良い。
【００６７】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、面内磁気転写を行う方法に関するものである。従って、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍは、第１の実施の形態と異なり、面内磁性膜により構成されている。最初に転写用磁気ディスク４０の初期磁化を行う。
【００６８】
図７（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の初期磁化（直流磁化）は、磁界印加手段３０により行う。磁界印加手段３０は、不図示の電磁石により矢印の方向に初期化磁界Ｈｉを発生させることができるものであり、コア３２による転写用磁気ディスク４０の半径方向に延びるギャップ３１を有している。このギャップ３１より漏れる初期化磁界Ｈｉにより、図８（ａ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍをトラック方向（円周方向）の一方向に初期磁化を行う。具体的には、この初期磁化は、転写用磁気ディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界をギャップ３１に発生させ、転写用磁気ディスク４０を回転させることにより、転写用磁気ディスク４０の全トラックの初期磁化を行う。図９に初期化磁界Ｈｉの印加方法を示す。初期化磁界Ｈｉは転写用磁気ディスク４０のトラック４０Ａとほぼ平行に矢印の方向に印加する。尚、初期磁化は、転写用磁気ディスク４０を回転させるのではなく、磁界印加手段３０を転写用磁気ディスク４０に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００６９】
次に、マスター記録媒体であるマスターディスクについて説明する。
【００７０】
マスターディスク４６の形成方法は、フォトファブリケーション法や、フォトファブリケーション法により作製した原盤を用いたスタンパー法等により作製する。
【００７１】
以下、図１０に基づき、スタンパー法によりマスターディスク４６の製造方法について説明する。スタンパー法では、プレス原盤を用いるため、最初に、プレス原盤の作製工程について説明する。図１０（ａ）に示すように、表面が平滑なガラスや石英ガラスからなる円形の基板５０上に、フォトレジスト層をスピンコーター等により塗布し、プリベーク後に、この円形の基板５０を回転させながら、記録する信号に対応して変調したレーザ光（或いは電子ビーム）をフォトレジスト層に照射し、フォトレジスト層の略全面に所定のパターンを露光する。その後、露光した基板５０を現像液に浸漬することにより、フォトレジスト層の露光された部分が除去され、基板５０上の所定の領域にフォトレジスト層５１が形成されたガラス原盤５２が作製される。フォトレジスト層５１は、後述するように、サーボマーク信号を含むサーボフレームと、サーボ信号に関する情報を含まないダミーフレームが所定の領域に形成されるように形成される。
【００７２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ガラス原盤５２上のフォトレジスト層５１が形成されている面の表面に、Ｎｉメッキ（電鋳）を行うことにより、表面にポジ状の凹凸パターンを有するＮｉ原盤５３を所定の厚さまで形成する。この後、このＮｉ原盤５３をガラス原盤５２から剥離する。
【００７３】
このＮｉ原盤５３をスタンパー用のプレス原盤（金型）として用いることも可能であるが、必要に応じてこのＮｉ原盤５３に凹凸バターン上に軟磁性層、保護膜等を被覆してスタンパー用のプレス原盤（金型）とする。このように軟磁性層、保護膜等を形成することにより、その後に作製する転写用磁気ディスクの磁気特性が向上するからである。
【００７４】
尚、現像後所定の領域にフォトレジスト層の形成されたガラス原盤の表面にメッキを施して、第２の原盤を作製し、第２の原盤の表面に更にＮｉメッキを施して、ネガ状の凹凸を有するＮｉ原盤を作製してもよい。更に、第２の原盤の表面にメッキを施すか、低粘度の樹脂を押し付けて硬化させることにより第３の原盤を作製し、第３の原盤の表面にＮｉメッキを施すことにより、ポジ状の凹凸を有するＮｉ原盤を作製してもよい。
【００７５】
Ｎｉ原盤５３を構成する材料としては、Ｎｉ及びＮｉ合金が主に用いられる。このＮｉ原盤５３を形成する方法としては、先に説明した無電解メッキ等によるメッキ法の他、スパッタリングやイオンプレーティングといった真空成膜法によっても作製することが可能である。また、上記真空成膜を行った後、電解メッキ等を行うことによっても作製可能である。尚、基板５０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光パターンが反転することに注意する必要がある。
【００７６】
次に、図１０（ｃ）に示すように、剥離したＮｉ原盤５３をプレス原盤として、射出成型等により樹脂基板４７を作製する。樹脂基板４７の樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが挙げられる。これらの樹脂材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点から、現在のところポリカーボネートが好ましい。
【００７７】
射出成型により樹脂基板４７を形成した場合、成型品である樹脂基板４７にバリ等が生じる場合があるが、このようなバリ等はバーニシュ又は研磨加工により除去する。
【００７８】
また、射出成型以外の方法により樹脂基板４７を形成する方法として、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂などを使用する方法もある。この場合、プレス原盤に紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂をスピンコート、バーコート等の手法により塗布した後、紫外線或いは電子線を照射することにより硬化させた後、プレス原盤より剥離することにより樹脂基板４７が形成される。
【００７９】
以上の工程により、本実施の形態では、樹脂基板４７の表面には、高さ（深さ）が、３０〜１５０〔ｎｍ〕の突起状パターンが形成される。
【００８０】
この後、図１０（ｄ）に示すように、樹脂基板４７の突起状パターンの形成されている面に軟磁性体からなる磁性層４８の成膜をおこなう。これによりマスターディスク４６が作製される。磁性層４８を構成する材料は、保磁力Ｈｃが４８〔ｋＡ／ｍ〕（≒６００〔Ｏｅ〕）以下の軟磁性材料により構成されていることが好ましい。具体的には、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）等が挙げられる。特に好ましいのは、磁気特性からＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉである。又、磁性層４８の厚さは、４０〜３２０〔ｎｍ〕の範囲が好ましく、特に、１００〜３００〔ｎｍ〕の範囲が更に好ましい。磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングや無電解メッキ等により形成される。
【００８１】
尚、本実施の形態で作製されたマスターディスク４６に形成される磁性層４８は、Ｎｉからなるものであり、内径１２〔ｍｍ〕、外形３２．５〔ｍｍ〕の範囲において、厚さが、１５０〜３００〔μｍ〕となるよう形成される。
【００８２】
以上のプロセスにより、図１１に示すように、樹脂基板４７と磁性層４８からなるマスターディスク４６の表面には、突起状パターンであるサーボフレーム５６と、ダミーフレーム５７が形成される。サーボフレーム５６とダミーフレーム５７間のトラック方向（周方向）の間隔ＳＦ１と、ダミーフレーム間のトラック方向（周方向）の間隔ＳＦ２は、ともに、０．８〔ｍｍ〕以下で形成される。また、形成されるダミーフレーム５７のトラック方向の幅ＤＭは、サーボフレーム５６のトラック方向の幅ＳＭの半分以下である。本実施の形態では、サーボフレーム５６のトラック方向の幅ＳＭは７０〔μｍ〕であり、ダミーフレーム５７のトラック方向の幅ＤＭは３５〔μｍ〕である。このように、各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボフレーム５６並びにダミーフレーム５７の突起状のパターンが形成されたマスターディスク４６が出来上がる。尚、ダミーフレーム５７は、マスターディスク４６と転写用磁気ディスク４０との剥離性の向上、マスターディスク４６の変形防止のために設けられるものである。従って、磁気転写された転写用磁気ディスク４０のサーボフレーム５６と混同を生じないよう、即ち、磁気転写された転写用磁気ディスク４０の再生を行った際、ダミーフレーム５７の再生時の出力がサーボ信号のサーボフレーム５６の再生信号よりも、充分低い値となるように形成されている。本実施の形態では、ダミーフレーム５７からの再生信号出力が、サーボフレーム５６からの再生信号出力の３０％以下であり、この値であれば充分磁気ヘッドのサーボが可能である。形成されるマスターディスク４６には、サーボセクタ数は１５０であり、マスターディスク４６において、サーボフレーム５６が形成される範囲は、半径１２．５〜３２．０〔ｍｍ〕の領域であり、ダミーフレーム５７が形成される範囲は、半径１２〜３２．５〔ｍｍ〕の領域である。
【００８３】
又、磁性層４８の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。後述するように、マスターディスク４６は、転写用磁気ディスク４０と密着させるが、密着させた際に磁性層４８が傷つきやすく、マスターディスク４６として使用できなくなってしまうことを防止するためである。また、潤滑剤層は、転写用磁気ディスク４０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果がある。
【００８４】
具体的に、保護膜として、厚さが５〜３０〔ｎｍ〕のダイヤモンドライクカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層４８と、保護膜との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護膜を形成してもよい。
【００８５】
次に、図７（ｂ）に示すように密着工程において、上記工程により作製したマスターディスク４６の突起状パターンの形成されている面と、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍの形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。本実施の形態では、押圧力は、７〜９〔ｋｇ／ｃｍ２〕で密着させる。
【００８６】
転写用磁気ディスク４０には、マスターディスク４６に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００８７】
尚、密着工程では、図７（ｂ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の片面にマスターディスク４６を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスク４０について、両面からマスターディスク４６を密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００８８】
次に、図７（ｃ）に基づき磁気転写工程を説明する。
【００８９】
上記密着工程により転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６とを密着させたものについて、磁界印加手段３０により初期磁化の向きと反対方向に磁界を発生させる。磁界を発生させることにより生じた磁束はコア３２内において矢印の向きに生じ、ギャップ３１より漏れた記録用磁界Ｈｄの磁束が転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６に進入することにより磁気転写が行われる。本実施の形態では、記録用磁界Ｈｄの大きさは、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍを構成する磁性材料のＨｃと、ほぼ同じ値である。
【００９０】
図１２は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について、更に詳細に示したものである。磁気転写装置１０は、コア３２にコイル３３が巻きつけられた電磁石３４からなる磁界印加手段３０を有するものであり、このコイル３３に電流を流すことによりギャップ３１に磁界が発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル３３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段３０のコイル３３に、初期磁化したときにコイル３３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。尚、図７では、磁界印加手段３０は、密着させた転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６を介し上下に設けられており、上下に設けられた磁界印加手段３０により、ギャップ３１に同じ方向に磁界を発生させることができる構成のものである。
【００９１】
磁気転写は、転写用磁気ディスク４０及びマスターディスク４６を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段３０によって記録用磁界を印加し、マスターディスク４６に記録されている突起状のパターンからなる情報を転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに磁気転写する。尚、この構成以外にも、磁界印加手段３０を回転させる機構を設け、転写用磁気ディスク４０及びマスターディスク４６に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００９２】
磁気転写工程における、転写用磁気ディスク４０とマスターディスク４６の断面の様子を図８（ｂ）に示す。
【００９３】
図８（ｂ）に示すように、基板４７表面に突起状のパターンが形成され、その上に磁性層４８が形成されたマスターディスク４６と転写用磁気ディスク４０とが密着した状態においては、マスターディスク４６の凸領域では、マスターディスク４６の磁性層４８と転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍとが接触している。
【００９４】
このため、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束は、マスターディスク４６の凸領域、即ち、マスターディスク４６の磁性層４８と転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍと接触している領域では、磁束はマスターディスク４６の磁性層４８を貫くこととなる。これは、マスターディスク４６に形成された磁性層４８が軟磁性材料に形成されているためである。一方、マスターディスク４６の凹領域、即ち、マスターディスク４６の磁性層４８と転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍが接触していない領域では、磁束は、マスターディスク４６の磁性層４８、及び転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍを貫くこととなる。
【００９５】
従って、記録用磁界Ｈｄを印加することにより生じた磁束は、マスターディスク４６の凹領域に対応する転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに進入し、この領域の磁化向きを記録用磁界Ｈｄと同一の磁化向きに反転させる。一方、マスターディスク４６の凸領域では、磁束は転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍへは殆ど進入しないため、この領域において磁化向きは反転することなく、初期磁化された向きを保っている。
【００９６】
これにより、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに、マスターディスク４６に設けられた突起状のパターンによる情報が、面内の磁気パターンとして記録される。
【００９７】
更に、この様子を立体的に示したものが図１３である。図に示すように記録用磁界Ｈｄ（太矢印）を印加することにより、マスターディスク４６の凸領域に接している転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍのみ記録用磁界Ｈｄにより磁化反転し、マスターディスク４６の凹領域の磁性層４０Ｍは、反転されることなく初期磁化された状態を保ったままとなる。
【００９８】
この後、転写用磁気ディスク４０をマスターディスク４６から取り外す。これにより、図８（ｃ）に示すように、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍには、サーボ信号等の磁気パターンが情報として記録される。
【００９９】
尚、マスターディスク４６の基板４７に形成された突起状のパターンは、本実施の形態と逆のパターンであってもよい。この場合、初期化磁界Ｈｉの方向及び記録用磁界Ｈｄの方向を各々逆方向にすることにより、転写用磁気ディスク４０の磁性層４０Ｍに、同様の磁化パターンを磁気転写することができるからである。
【０１００】
尚、本実施の形態では、磁界印加手段３０は、電磁石の場合について説明したが、同様に磁界が発生する永久磁石を用いても良い。
【実施例】
【０１０１】
以下、本発明の第１の形態における実施例について表１に基づき説明する。
【０１０２】
尚、磁気転写された再生信号の測定は、電磁変換特性測定装置（協同電子社製ＬＳ−９０）により行った。この際、磁気ヘッドには、再生ヘッドギャップが０．０６〔μｍ〕、再生トラック幅が０．１４〔μｍ〕、記録ヘッドギャップが０．４〔μｍ〕、記録トラック幅が２．４μｍであるＭＲヘッドを使用した。読み込んだ信号をスペクトロアナライザーで周波数分解し、１次信号のピーク強度を測定した。又、ダミーフレーム５７有とは、サーボフレーム５６間に、３本のダミーフレーム５７を設けた構成のものである。従って、ダミーフレームを有しないサーボフレーム５６のみからなるマスターディスク６６では、半径方向に依存して、サーボフレーム５６間の間隔は、０．６〜１．５〔ｍｍ〕まで変化するのに対し、ダミーフレーム５７を有しているマスターディスク６６では、半径方向に依存して、ダミーフレーム５７間の間隔、及び、ダミーフレーム５７とサーボフレーム５６の間隔は、約０．１５〜０．３７５〔ｍｍ〕まで変化する。
【０１０３】
実施例１では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを７〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１０４】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１０５】
実施例２では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１０６】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１０７】
実施例３では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを９〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１０８】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１０９】
実施例４では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、７０〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１１０】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１１１】
実施例５では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、３０〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１１２】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１１３】
実施例６では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、２００〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１１４】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１１５】
実施例７では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６の他、ダミーフレーム５７を有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、３００〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１１６】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は良好であり、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１１７】
比較例１では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６のみ有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを７〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１１８】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は悪く、転写用磁気ディスク６０の半径２２．５〔ｍｍ〕以下の領域においてのみ、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１１９】
比較例２では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６のみ有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを８〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１２０】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は悪く、転写用磁気ディスク６０の半径２０．５〔ｍｍ〕以下の領域においてのみ、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１２１】
比較例３では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６のみ有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、１５０〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを９〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１２２】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は悪く、転写用磁気ディスク６０の半径１８．５〔ｍｍ〕以下の領域においてのみ、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１２３】
比較例４では、マスターディスク６６上に、サーボフレーム５６のみ有しており、マスターディスク６６の磁性層６８の厚さが、３００〔μｍ〕、突起状のパターンの高さが、１００〔ｎｍ〕であり、このマスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０とを７〔ｋｇ／ｃｍ２〕の圧力で密着させ磁気転写を行った場合である。
【０１２４】
この結果、マスターディスク６６と転写用磁気ディスク６０との剥離性は、ダミーフレームを設けたものよりも劣っており、転写用磁気ディスク６０の半径２８．５〔ｍｍ〕以下の領域においてのみ、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１２５】
以上より、本発明に係るマスターディスク６６を用いた実施例１から７においては、良好な剥離性が示されると共に、転写用磁気ディスク６０の全面において、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。これに対し、従来からあるマスターディスクを用いた比較例１から４においては、剥離性は、悪いか、実施例１から７よりも劣るものであり、転写用磁気ディスク６０の一部においてのみ、サーボ領域におけるサーボ信号出力に対し、サーボ領域以外における平均信号出力が３０〔％〕以下であった。
【０１２６】
このように、本発明に係るマスターディスク６６を用い、このマスターディスク６６を用いた磁気転写方法により磁気転写された転写用磁気ディスク６０では、上記のような効果があることが確認された。
【０１２７】
次に、フレーム間隔の依存性について説明する。
【０１２８】
また、図１４は、上記比較例３の条件により形成した転写用磁気ディスク６０において、サーボフレーム間の長さと、データ領域（サーボ信号領域以外の領域）の出力平均と、この領域におけるある値以上の信号出力の発生頻度の関係を示す。尚、図中の点線は、サーボ信号振幅の値の３０〔％〕となる値を示す。ここで、ある値以上の信号出力の発生頻度とは、データ領域（サーボ領域以外の領域）における信号出力の平均値が、サーボ信号振幅の３０〔％〕を超える値の信号出力の発生頻度を意味する。これより、サーボフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であれば、発生頻度は０であり、データ領域も安定していることが解る。これより、サーボフレーム間の間隔、或いは、サーボフレームとサーボフレームに代わるものの間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であれば、同様の効果を得ることができるものと考えられる。このことより、サーボフレームに代わるものとして、ダミーフレームを形成し、サーボフレームとダミーフレームの間隔、ダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であれば、上記発生頻度を低減させることが可能である。
【０１２９】
従って、実施例１から７、比較例１から３にも示されるように、良好な剥離性で、サーボ信号に悪影響を与えないためには、サーボフレームとダミーフレームとの間隔、及びダミーフレーム間の間隔が、０．８〔ｍｍ〕以下であることが必要となる。
【０１３０】
このように作製された転写用磁気ディスク６０をハードディスク等の磁気ディスクドライブに組み込むことにより、トラッキング精度の高いハードディスクを得ることができる。
【０１３１】
以上、本発明に係る磁気転写に用いられるマスター記録媒体、磁気転写方法、磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行うことは可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の第１の実施の形態における磁気転写方法の工程の概要図
【図２】本発明の第１の実施の形態における磁気転写方法の各工程における転写用磁気ディスクの断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるマスターディスクの形成方法の工程図
【図４】本発明の第１の実施の形態における別のマスターディスクの形成方法の工程図
【図５】本発明の第１の実施の形態におけるマスターディスクの形成方法の工程図
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるマスターディスクのトラック方向断面図
【図７】本発明の第２の実施の形態における磁気転写方法の工程の概要図
【図８】本発明の第２の実施の形態における磁気転写方法の各工程における転写用磁気ディスクの断面図
【図９】本発明の第２の実施の形態における初期化磁界の印加方向を説明する平面図
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるマスターディスクの形成方法の工程図
【図１１】本発明の第２の実施の形態におけるマスターディスクのトラック方向断面図
【図１２】本発明の第２の実施の形態における磁気転写装置の要部斜視図
【図１３】本発明の第２の実施の形態における磁気転写の様子を示す斜視図
【図１４】サーボフレーム間距離と発生頻度、データ領域出力平均との関係図
【符号の説明】
【０１３３】
１０…磁気転写装置、３０…磁界印加手段、３１…ギャップ、３２…コア、３３…コイル、３４…電磁石、４０…転写用磁気ディスク（スレーブディスク）、４０Ｍ…磁性層、４６…マスターディスク、４７…基板、４８…磁性層、５６…サーボフレーム、５７…ダミーフレーム、６０…転写用磁気ディスク（スレーブディスク）、６０Ｍ…磁性層、６６…マスターディスク、６７…基板、６８…磁性層、ＳＭ…サーボフレームのトラック方向幅、ＤＭ…ダミーフレームのトラック方向幅、ＳＦ１…サーボフレームとダミーフレーム間のトラック方向間隔、ＳＦ２…ダミーフレーム間のトラック方向間隔、Ｇ…磁束、Ｈｉ…初期化磁界、Ｈｄ…記録用磁界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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