(57)【要約】【課題】本発明は、特性バラツキの極めて少ないプリプレグ材料で回路基板を製造し、ひいては特性面、あるいは構造面で多種多様化していく回路基板の要求を克服することである。【解決手段】本発明は、前記複数枚のプリプレグのうち少なくとも１枚のプリプレグのガラス転移温度を測定し、特定のガラス転移温度範囲内のガラス転移温度を有するプリプレグのみを選択し、そのプリプレグを基板材料として回路基板を製造するものである。【選択図】図１
2007288087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも補強材と半硬化樹脂とからなるプリプレグを複数枚準備する工程と、
前記複数枚のプリプレグのうち少なくとも１枚のプリプレグのガラス転移温度を測定する工程と、
特定のガラス転移温度範囲内のガラス転移温度を有するプリプレグのみを選択する工程と、
選択されたプリプレグの両面に金属箔を重ねて積層体を形成する工程あるいはコア基板と選択されたプリプレグと金属箔とを重ねて積層体を形成する工程のうち少なくとも一つの工程と、
前記積層体を加熱加圧する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
ガラス転移温度の測定は、プリプレグを直接またはその一部をサンプリングし、それを低温から高温へと加熱していく過程において、前記プリプレグ中の半硬化樹脂の状態が変化する温度を判定指標とする方法により行うことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
ガラス転移温度は、動的粘弾性測定法により求められることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
動的粘弾性測定法により貯蔵弾性率と損失弾性率との位相差である損失Ｔａｎδを求めることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
損失Ｔａｎδがピークとなる温度を求めることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
プリプレグは、アラミド不織布補強材にエポキシ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
プリプレグは、ガラス繊維補強材に樹脂を含浸してなり、前記樹脂の含浸比率は４０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
プリプレグは、ガラス繊維補強材にフィラーが充填された樹脂を含浸してなり、前記フィラーの充填比率は２０〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
プリプレグは、ガラス繊維補強材にノンフロータイプ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
プリプレグは、ガラス繊維補強材に熱可塑性樹脂とエポキシ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
プリプレグは、有機フィルム補強材の両面あるいは片面に熱硬化性樹脂を塗布してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
特定のガラス転移温度範囲は、５０℃〜１００℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
選択されたプリプレグの両面に金属箔を重ねて積層体を形成する工程は、
前記プリプレグの両面に有機質フィルムをラミネートする工程と、それに貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴に導電性ペーストを充填する工程と、前記有機質フィルムを剥離する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に利用される回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、高密度実装化に伴い、回路基板に対して、多層化、微細配線等の高い配線収容性と高密度実装性が強く要望されるようになってきた。
【０００３】
従来の回路基板の製造方法について以下に説明する。
【０００４】
図４（ａ）に示す基板材料２１は回路基板に用いられるガラス繊維織布に熱硬化性のエポキシ樹脂等を含浸し乾燥等の方法により半硬化状態としたいわゆるプリプレグである。その基板材料２１には、図４（ｂ）に示すように、熱ロール等を用いたラミネート法により有機質フィルム２２が両面に張り付けられている。
【０００５】
次に、図４（ｃ）に示すように、レーザ等の加工法により基板材料２１に貫通穴２３を形成した後、貫通穴２３に銅粉等の導電性粒子と熱硬化性樹脂、硬化剤、溶剤などを混練しペースト状にした導電性ペースト２４を印刷法等で充填し、図４（ｄ）に示す構成を得る。
【０００６】
次に、有機質フィルム２２を剥離し、図４（ｅ）に示すような導電性ペースト２４が突出した形状を得る。そして、その両側に銅箔２５を配置し、さらにＳＵＳ等の金属中間板で挟み熱プレス（図示せず）によって加熱加圧することで、図４（ｆ）に示すように基板材料２１は熱硬化し、導電性ペースト２４は圧縮されて表裏の銅箔２５が電気的にビア接続される。
【０００７】
さらにフォトリソエッチング等の方法で銅箔２５を所望のパターンに加工して回路配線層２６とし、図４（ｇ）に示すような両面の回路基板を得る。
【０００８】
図４では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジストあるいは回路配線層２６へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【０００９】
また、多層回路基板を製造する際は、図５（ａ）に示すように一旦完成したコア基板３１の上下に図４で説明した製造方法で得られた基板材料３６と銅箔３４とを、位置合わせをしながら重ね合わせて熱プレスすることで図５（ｃ）に示すような積層硬化物を得ることができる。
【００１０】
その積層硬化物の表層をフォトリソエッチング等の方法で銅箔３４を所望のパターンに加工して回路配線層３７とし、図５（ｄ）に示すような多層回路基板を得る。
【００１１】
図５では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジストあるいは回路配線層３７へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【００１２】
なお、上記製造方法を繰り返すことでより多層化された回路基板を得ることができる。
【００１３】
このような回路基板では、複数層の回路パターンの間をインタースティシャルビアホールで電気的に接続する方法が不可欠なものになっている。例えば、導電性ペーストによってインタースティシャルビアホールを形成する構成や表層に数層のレーザーめっきビアを有する薄いファイン層を設けた構成の高密度実装用の回路基板が提案されている。これらの回路基板に対して、その絶縁層を形成するための材料であるプリプレグの特性の把握について、従来より厳格な管理を必要とすることがある。
【００１４】
つまり、一般の回路基板より絶縁層が薄くなるため、実際の製造に使用するプリプレグの性能や特性のバラツキが大きい場合、回路基板の平坦性、絶縁層厚み等の回路基板としての性能のバラツキも大きくなり、部品実装性あるいはインピーダンス等の基板特性に悪影響を及ぼすことがある。
【００１５】
特に、上記のペースト接続のビアを有する新しい形態の構成の回路基板では、プリプレグの性能や特性のバラツキがビアの電気的接続に大きく影響する。
【００１６】
その一方で、前述の回路基板の高密度化への流れに伴って、高周波対応、部品内蔵あるいは超薄型化等といった性能を備えた回路基板も要求され、多様化も進んでいる。
【００１７】
この近年の流れに伴い、要求されるプリプレグ材料の性能も多種多様となり、そのため、プリプレグ材料の特性把握の正確さは、従来に比べて厳格さが要求されてきている。
【００１８】
以上のように今後の回路基板に対して、プリプレグ特性の把握およびその管理は、今まで以上に厳格であり、正確性が求められ、極めて重要な事項となる。
【００１９】
しかしながら、従来のプリプレグ特性の試験方法は、ＪＩＳ規格Ｃ６５２１で規定されている樹脂分、樹脂流れ、硬化時間等の試験での判定が一般的である。
【００２０】
特に重要な試験項目は、回路基板の成形性に影響する樹脂流れと硬化時間であり、これらの項目は、プリプレグ樹脂の半硬化状態を間接的に数値として表現し、これをプリプレグの性能の判定値として用いている。
【００２１】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開平６−２６８３４５号公報
【特許文献２】特開平７−２７７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
従来のプリプレグ特性の試験方法について、以下に説明する。
【００２３】
まず、樹脂流れの試験法は、所定サイズ、例えば１００ｍｍ角にプリプレグをサンプリングして、それを所定温度、例えば１７５℃の熱プレスで加熱加圧した後、所定サイズ、例えば７０．７ｍｍ角に切り取り、プレス前後の重量変化を測定し、樹脂の流動性を評価判定する方法である。
【００２４】
この方法の欠点は、プリプレグ樹脂の溶融粘度が極端に小さい場合、あるいはプリプレグの樹脂分が少ない場合等に測定が不可能であったり、バラツキが著しく大きくなったりする場合がある。
【００２５】
次に、硬化時間の試験法は、プリプレグから樹脂を揉み落として、樹脂だけを取り出し、それを規定の温度、例えば１７０℃の熱盤上において、ゲル化するまでの時間を測定する方法である。
【００２６】
この方法の欠点は、ゲル化状態の判定が測定者に依存する場合があり、硬化時間の中に測定者バラツキを多分に含むことである。
【００２７】
さらにプリプレグ樹脂の溶融粘度が極端に小さい場合、あるいはプリプレグの樹脂分が少ない場合等にプリプレグから樹脂だけを取り出すことが極めて困難かつ煩雑となる。
【００２８】
以上のように従来のプリプレグ特性の試験方法は簡便であるため、プリプレグの生産現場に非常に適した試験法であるが、プリプレグ樹脂の硬化状態をバラツキなく管理する点では限界がある。
【００２９】
また、上記したように、要求されるプリプレグ材料の性能も多種多様となり、従来の試験方法ではその性能を十分に把握することができないプリプレグ材料も使用されはじめてきた。
【００３０】
具体的にはサンプリングが困難なプリプレグ、あるいはバラツキが大きいフィラー高充填タイプの樹脂を含浸させたプリプレグ、あるいは樹脂流れを極端に押さえたノンフロータイプのプリプレグ、あるいはフィルムタイプのプリプレグ等である。
【００３１】
したがって、従来のプリプレグ特性の試験方法においては、それらのプリプレグ材料の特性を正確に把握し、かつ管理・選別して回路基板を製造しなければ、今後の回路基板に対する多種多様の要求に応え、実現供給していくことは困難である。
【００３２】
すなわち、本発明は、従来のプリプレグ試験方法の欠点を克服するべく、プリプレグ樹脂の半硬化状態をバラツキなく数値化し、かつプリプレグに含浸された樹脂の種類あるいは構造に影響されないプリプレグ試験方法によりプリプレグを選別し、特性バラツキの極めて少ないプリプレグ材料を用いて回路基板を製造することである。
【００３３】
これにより、プリプレグ特性に起因する成型不良が起こらない回路基板の製造方法を提供し、特性面あるいは構造面において多種多様な要求を実現し、信頼性の高い回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
上記課題を解決するために本発明は、少なくとも補強材と半硬化樹脂とからなるプリプレグを複数枚準備する工程と、前記複数枚のプリプレグのうち少なくとも１枚のプリプレグのガラス転移温度を測定する工程と、特定のガラス転移温度範囲内のガラス転移温度を有するプリプレグのみを選択する工程と、選択されたプリプレグの両面に金属箔を重ねて積層体を形成する工程あるいはコア基板と選択されたプリプレグと金属箔とを重ねて積層体を形成する工程のうち少なくとも一つの工程と、前記積層体を加熱加圧する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法を提供するものである。
【００３５】
前記のガラス転移温度（軟化温度という場合もある）は、樹脂状態の変化する温度であり、具体的にプリプレグを加熱することで樹脂の弾性率、熱膨張、比熱等の樹脂物性が急激に変化する温度である。
【００３６】
本発明者は、ガラス転移温度は、半硬化樹脂の分子構造が直接的に反映されるため、これをプリプレグ特性、具体的にはプリプレグ樹脂の物性を数値評価するには極めて有効であることを把握した。
【００３７】
換言すれば、ガラス転移温度は、プリプレグ特性の振れを敏感に、かつバラツキなく検出することができるため、これを管理指標として用いれば、その特性管理の精度および信頼性を大幅に向上することができる。
【００３８】
これを詳細に説明すると、以下の通りである。
【００３９】
すなわち、従来の測定法において、樹脂量が一定であれば、樹脂流れと硬化時間との間に相関関係が成立するはずである。
【００４０】
しかし、厳しい公差が要求される場合、それらの相関がほとんど見られず、これは公差に対する測定バラツキの占める割合が大きいためである。
【００４１】
例えば、硬化時間１００秒のプリプレグにおいて、その公差として１０％が必要な場合、その測定法によるバラツキが約８％含まれる。つまり、公差の８０％が測定法のバラツキとなる。そのため、硬化時間として公差１０％を要求されるプリプレグ製造は極めて困難であり、事実上不可能に近い。樹脂流れについても同様のことが言える。
【００４２】
以上のことから、近年の回路基板のファイン化、多層化および多様化が進むに伴い、プリプレグに対する要求スペックの公差も自ずと厳しくなることが十分想定される。
【００４３】
したがって、回路基板の技術発展のためには、その基本的な材料であるプリプレグを如何にバラツキなく製造・管理できるかが課題である。
【００４４】
本発明は、これに応えるべく、プリプレグの特性試験上におけるバラツキを皆無に近い状態にすることができ、厳しい要求交差に対応しうる物理的な測定手法をプリプレグの特性試験方法に用いて、要求交差を満たすプリプレグを選択し、選択された良品のみを基板材料として回路基板を製造することを特徴とするものである。
【００４５】
また、本発明者は、このガラス転移温度を測定する具体的な手法として、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）、公差熱走査熱量測定（ＤＳＣ）、熱機械測定（ＴＭＡ）等があり、ＤＭＡは弾性率の変化、ＤＳＣは比熱の変化、ＴＭＡは熱膨張率の変化によって、ガラス転移温度を求めることができることを確認した。
【００４６】
すなわち本発明者が確認したＤＭＡで測定されるガラス転移温度は、樹脂の分子構造に対して敏感に反応するため、この測定法が最も好ましいことを、実験評価を繰り返すことにより把握したものである。
【００４７】
特に、この方法は、プリプレグを所定の大きさに切り出し、そのまま測定装置で測定できるため、測定者による判定バラツキが含まれず、かつサンプルからの樹脂取り出し、あるいはサンプルの加熱加圧といった処理がないため、サンプル処理によるバラツキも含まれない。
【００４８】
また、サンプル処理が不要であるため、一般的なガラスエポキシプリプレグや近年量産化されたアラミドエポキシプリプレグは勿論のこと、従来法が適用しないフィラー高充填タイプ、熱可塑性樹脂ブレンドタイプ、ノンフロータイプ、フィルムタイプ等のプリプレグ特性の管理が高精度にできる。
【００４９】
次に、本発明の特許請求の範囲の各請求項に記載された発明とその作用効果を以下に示す。
【００５０】
本発明の請求項１に記載の発明は、少なくとも補強材と半硬化樹脂とからなるプリプレグを複数枚準備する工程と、前記複数枚のプリプレグのうち少なくとも１枚のプリプレグのガラス転移温度を測定する工程と、特定のガラス転移温度範囲内のガラス転移温度を有するプリプレグのみを選択する工程と、選択されたプリプレグの両面に金属箔を重ねて積層体を形成する工程あるいはコア基板と選択されたプリプレグと金属箔とを重ねて積層体を形成する工程のうち少なくとも一つの工程と、前記積層体を加熱加圧する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法というものであり、これにより、プリプレグ樹脂の半硬化状態を直接的に物性値として数値化することができ、測定バラツキがなく、精度および信頼性に優れ要求公差を満たすプリプレグのみを選択することができる。そして、選択されたプリプレグを基板材料として回路基板を製造することで、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供することができる。
【００５１】
本発明の請求項２に記載の発明は、ガラス転移温度の測定は、プリプレグを直接またはその一部をサンプリングし、それを低温から高温へと加熱していく過程において、前記プリプレグ中の半硬化樹脂の状態が変化する温度を判定指標とする方法により行うことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、特に、ガラス転移温度は、半硬化樹脂の分子構造が直接的に反映されるため、プリプレグ樹脂の物性を数値評価するには極めて有効かつ容易であるという効果を有する。
【００５２】
また、サンプル処理の必要がなく、そのままプリプレグ状態で測定することが可能であるため、プリプレグの樹脂系、構造等に測定の可否が依存することのない適用範囲の広いプリプレグの特性試験方法により、要求交差を満たすプリプレグのみを選択することができ、選択されたプリプレグを基板材料として回路基板を製造することで、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供することができる。
【００５３】
本発明の請求項３に記載の発明は、ガラス転移温度は、動的粘弾性測定法により求められることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法というものであり、動的粘弾性測定法は、樹脂の分子構造に対して敏感に反応するため、測定でのバラツキがなく精度の高いプリプレグを選択することができる。
【００５４】
本発明の請求項４に記載の発明は、動的粘弾性測定法により貯蔵弾性率と損失弾性率との位相差である損失Ｔａｎδを求めることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法というものであり、特に動的粘弾性測定法における貯蔵弾性率と損失弾性率は、樹脂の分子構造に対して敏感に反応し、測定結果を正確かつ容易に求めることができ、その位相差である損失Ｔａｎδを算出することで、測定でのバラツキがなく精度の高いプリプレグを選択することができる。
【００５５】
本発明の請求項５に記載の発明は、損失Ｔａｎδがピークとなる温度を求めることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法というもので、損失Ｔａｎδがピークとなる温度は容易かつ正確に求めることができ、これにより測定での誤差やバラツキがない高精度のプリプレグを選択することができる。
【００５６】
本発明の請求項６に記載の発明は、プリプレグは、アラミド不織布補強材にエポキシ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というもので、従来法におけるアラミド不織布での樹脂サンプリングに起因する測定結果のバラツキを解消し、誤差やバラツキがない高精度のプリプレグの特性試験を行うことが可能となる。これにより、平坦性、部品実装性あるいはインピーダンス等において高い性能を要求される回路基板にアラミド不織布補強材を備えたプリプレグを採用することができるという効果を有する。
【００５７】
本発明の請求項７に記載の発明は、プリプレグは、ガラス繊維補強材に樹脂を含浸してなり、前記樹脂の含浸比率は４０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、樹脂の含浸比率は４０ｗｔ％以下となるような低樹脂分タイプのプリプレグは樹脂流れが少なく、樹脂の半硬化状態を検出する感度が悪く、それに起因する従来法での測定結果の誤差やバラツキを解消し、高精度のプリプレグを選択することが可能となる。
【００５８】
特に、樹脂特性の温度変化を直接的に測定するため、樹脂分が極めて少なくなっても物性変化は検出することができるため、プリプレグ特性を測定するには極めて有効である。
【００５９】
これにより、低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグを採用することが可能となり、回路基板の薄板化を容易かつ高い工程歩留まりで生産し、提供することができるという効果を有する。
【００６０】
本発明の請求項８に記載の発明は、プリプレグは、ガラス繊維補強材にフィラーが充填された樹脂を含浸してなり、前記フィラーの充填比率は２０〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、プリプレグ中のフィラーの存在による樹脂サンプルのバラツキや樹脂流動の抑制のため、特性試験ができなかったという問題点を解決し、高精度のプリプレグを選択することが可能となる。これにより、フィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグを採用することが可能となり、耐熱性、誘電特性、機械的強度に優れた回路基板を容易かつ高い工程歩留まりで生産し提供することができるという効果を有する。
【００６１】
本発明の請求項９に記載の発明は、プリプレグは、ガラス繊維補強材にノンフロータイプ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、このタイプのプリプレグは、樹脂が溶融せず樹脂流れがなく、従来法での特性試験では測定不能であったという問題点を解決し、高精度のプリプレグを選択することが可能となる。これにより、ノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグを採用することが可能となり、平坦性、寸法安定性に優れた回路基板を容易かつ高い工程歩留まりで生産し、提供することができるという効果を有する。
【００６２】
本発明の請求項１０に記載の発明は、プリプレグは、ガラス繊維補強材に熱可塑性樹脂とエポキシ樹脂を含浸してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、この熱可塑性ブレンドタイプのプリプレグは、測定温度が変わるため、従来法での特性試験では測定不能であったという問題点を解決し、高精度のプリプレグを選択することが可能となる。これにより、熱可塑性ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグを採用することが可能となり、新タイプの回路基板を容易かつ高い工程歩留まりで生産し、提供することができるという効果を有する。
【００６３】
本発明の請求項１１に記載の発明は、プリプレグは、有機フィルム補強材の両面あるいは片面に熱硬化性樹脂を塗布してなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、このフィルムタイプのプリプレグは、その薄さからサンプリングあるいは測定自体が極めて困難となり、従来法での特性試験では測定不能であったという問題点を解決し、高精度のプリプレグを選択することが可能となる。これにより、両面接着剤付ポリイミドフィルムを採用することが可能となり、薄板化、及び可とう性を備えた新規回路基板を容易かつ高い工程歩留まりで生産し、提供することができるという効果を有する。
【００６４】
本発明の請求項１２に記載の発明は、特定のガラス転移温度範囲は、５０℃〜１００℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法というものであり、ガラス転移温度範囲５０℃〜１００℃を良否の判定基準としてプリプレグを選別し、前記温度範囲内を良品として選択することで、選択の判断を数値化することが可能となる。そして、選択されたプリプレグを基板材料として回路基板を製造することで、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００６５】
以上のように、本発明の回路基板の製造方法であれば、プリプレグ樹脂の半硬化状態を直接的に物性値として数値化することができるため、極めてバラツキなく、精度および信頼性に優れた良品のみのプリプレグを選択することが可能である。
【００６６】
また、サンプル処理の必要がなく、そのままプリプレグ状態で測定することが可能であるため、プリプレグの樹脂系、構造等に測定の可否が依存することのない適用範囲の広いプリプレグを選択し、選択された良品のプリプレグのみを基板材料として、回路基板を製造することで、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供することができる。かつ、従来では製造管理上、良品の回路基板を製造することが困難であった新タイプの回路基板をも提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
（実施の形態）
本発明について、具体的な実施の形態を用いて以下に説明する。
【００６８】
まず、本発明の回路基板の製造方法の構成要件であるプリプレグのガラス転移温度を測定する工程、すなわち、プリプレグの試験方法について説明する。
【００６９】
特に、本実施の形態における試験方法は、ＤＭＡ（動的粘弾性測定装置）によるプリプレグのガラス転移温度を測定値として用いた。
【００７０】
以下に具体的な試験方法とサンプルについて説明する。
【００７１】
サンプルを長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍに切り出し、下記の測定設備および測定条件にてサンプルのＤＭＡ測定を行った。
【００７２】
その測定結果として、図３のように材料の貯蔵弾性率Ｅ’と損失弾性率Ｅ”、それらの位相差である損失Ｔａｎδが数値データとして得られる。
【００７３】
本実施の形態における試験方法において、判定手法として用いる数値データは、図３のＴａｎδのピーク温度であり、材料の弾性率が急激に変化する温度、すなわちＤＭＡでのガラス転移温度である。
【００７４】
測定装置：ＤＭＳ６１００（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）
測定条件：周波数  １０Ｈｚ
昇温速度  ３℃／ｍｉｎ
測定温度範囲  ２５〜１００℃
次に比較例として従来の試験方法について説明する。
【００７５】
（従来法１）
樹脂だけからなるサンプルを１７０℃一定に保持した熱盤上に０．２ｇ乗せ、樹脂が溶融した後テフロン（登録商標）製のかき混ぜ棒で樹脂を一定速度で攪拌して、樹脂が硬化してゲル化するまでの時間をストップウォッチで計測する。この硬化時間を判定数値データとして用いた。
【００７６】
なお、測定開始は、熱盤上にすべての樹脂が乗せ終わった時点を０とした。また、樹脂サンプルはプリプレグを揉み解して樹脂を採取、あるいは５０ｍｍ×５０ｍｍのプリプレグ１０枚を重ね、その両面に離形フィルムを重ね、温度１３０℃に保持した熱プレスで３０秒間、５．０ＭＰａで加熱加圧して樹脂を押し出して採取のいずれかで行った。
【００７７】
（従来法２）
サンプルを１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚切り出し、３枚の重量Ｗ１をｍｇ単位まで測定した。次に３枚重ねのサンプルの上下に離形シートを重ねて、温度１７０℃に保持した熱プレス熱盤上に設置し、圧力１．５ＭＰａで１０分間加熱加圧した。
【００７８】
次に加熱加圧されたサンプルを取り出し、離形シートを取り除き、さらにサンプルからはみ出した樹脂分を取り除いた。このときのサンプル重量Ｗ２を同様にｍｇ単位まで測定した。
【００７９】
それぞれのサンプルの重量を以下の計算式に当てはめて、樹脂流れ量を求め、これを判定数値データとして用いた。
【００８０】
計算式：（Ｗ２−Ｗ１）／Ｗ１×１００（％）
以上のことから、本実施の形態における試験方法は、プリプレグの半硬化状態を直接的に測定する手法であることがわかる。
【００８１】
すなわち、従来法１であれば、樹脂分を取り出す処理が必要であり、従来法２であれば、プレス成型の処理が必要である。
【００８２】
さらに従来法１では、ゲル化判定が測定者に依存することがあり、測定者間でのバラツキが評価判定に含まれる。
【００８３】
本実施の形態における試験方法と、従来の試験方法である（従来法１）、（従来法２）との比較をプリプレグタイプ別に以下、詳細に説明する。
【００８４】
１．ガラスエポキシプリプレグでの比較
（実施例１）
樹脂分が６０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのガラスエポキシプリプレグからバイアス方向に長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００８５】
（比較例１）
樹脂分が６０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのガラスエポキシプリプレグを手で揉み解して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００８６】
（比較例２）
樹脂分が６０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのガラスエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００８７】
２．アラミドエポキシプリプレグでの比較
（実施例２）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのアラミドエポキシプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００８８】
（比較例３）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのアラミドエポキシプリプレグから、５０ｍｍ×５０ｍｍに１０枚切り出し、それらを重ね、さらにその上下に離形シートを重ねて、温度１３０℃に保持した熱プレス熱盤上に設置し、圧力５．０ＭＰａで３０秒間加熱加圧して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００８９】
（比較例４）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのアラミドエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９０】
３．低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグでの比較
（実施例３）
樹脂分が４０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍの低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９１】
（比較例５）
樹脂分が４０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍの低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグを手で揉み解して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９２】
（比較例６）
樹脂分が４０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍの低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９３】
４．フィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグでの比較
（実施例４）
樹脂分が３０ｗｔ％、フィラーが２０〜３０ｗｔ％で、厚み０．１ｍｍのフィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９４】
（比較例７）
樹脂分が３０ｗｔ％、フィラーが２０〜３０ｗｔ％で、厚み０．１ｍｍのフィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグを手で揉み解して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９５】
（比較例８）
樹脂分が３０ｗｔ％、フィラーが２０〜３０ｗｔ％で、厚み０．１ｍｍのフィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９６】
５．ノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグでの比較
（実施例５）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９７】
（比較例９）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグを手で揉み解して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９８】
（比較例１０）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【００９９】
６．熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグでの比較
（実施例６）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのＰＰＯ樹脂とエポキシ樹脂からなる熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１００】
（比較例１１）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのＰＰＯ樹脂とエポキシ樹脂からなる熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグを手で揉み解して樹脂分だけをサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１０１】
（比較例１２）
樹脂分が５０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍのＰＰＯ樹脂とエポキシ樹脂からなる熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに３枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１０２】
７．両面接着剤付ポリイミドフィルムでの比較
（実施例７）
０．０１２ｍｍのポリイミドフィルムの両面に厚み０．００５ｍｍの樹脂層を具備したフィルムタイプのプリプレグから長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングして、そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１０３】
（比較例１３）
０．０１２ｍｍのポリイミドフィルムの両面に厚み０．００５ｍｍの樹脂層を具備したフィルムタイプのプリプレグから樹脂分だけを表面から削りとってサンプリングした。その樹脂サンプルを用いて、従来法１にて硬化時間を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１０４】
（比較例１４）
０．０１２ｍｍのポリイミドフィルムの両面に厚み０．００５ｍｍの樹脂層を具備したフィルムタイプのプリプレグから１００ｍｍ×１００ｍｍに１５枚サンプリングして、そのサンプルを従来法２で樹脂流れ量を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求めた。
【０１０５】
以上の実施例１〜７および比較例１〜１４までについて、その内容と結果を（表１）にまとめた。
【０１０６】
なお、表の精度の評価結果の○△×の判定は、次のとおりである。
【０１０７】
○：要求公差に対するバラツキの占有率が３０％以内
△：要求公差に対するバラツキの占有率が６０％以内
×：要求公差に対するバラツキの占有率が６０％以上あるいは測定不能の場合を示すものである。
【０１０８】
また、表中の「測定方法」の項目における「実施の形態」は、本実施の形態における試験方法を示すものである。
【０１０９】
【表１】
2007288087.tif 000003
【０１１０】
以上の結果を踏まえ、上記の７タイプのプリプレグに関し、以下に考察を述べる。
【０１１１】
（１）ガラスエポキシプリプレグ（実施例１、比較例１、２）について
汎用的なガラスエポキシプリプレグについては、これまでに説明してきたように従来法１の硬化時間の測定法の精度が測定者依存の性質のため、本発明の実施例１より劣る。
【０１１２】
しかし、従来法２の樹脂流れについては、サンプル処理の有無の違いだけで、測定精度については大きな差は認められない。
【０１１３】
したがって、汎用的なガラスエポキシであれば、従来法でもプリプレグ特性を問題なく管理することは可能である。
【０１１４】
しかし、プリプレグタイプ２〜７（実施例２〜７および比較例３〜１４）においては、（従来法１）、（従来法２）の試験方法ではプリプレグの特性の把握が困難であり、管理上の限界に到るプリプレグタイプである。
【０１１５】
これらのプリプレグは、回路基板の高密度化、基板特性の多様化等を実現するための高付加価値を生むプリプレグであり、今後ますますこのようなプリプレグが増加すると予想される。
【０１１６】
これらの点を踏まえて、プリプレグタイプ２〜７について、以下に説明する。
【０１１７】
（２）アラミドエポキシプリプレグ（実施例２、比較例３、４）について
ここで使用したプリプレグは、アラミドエポキシプリプレグであり、アラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸したプリプレグである。
【０１１８】
これを用いた回路基板は、導電性ペーストをインタースティシャルビアに用いた回路基板が代表的である。最近では、一部を回路基板の表層のビルドアップ層に用いた例もある。
【０１１９】
さて、（表１）より、そのアラミドエポキシプリプレグについての結果をみると本実施の形態における試験方法の精度が優れていることがわかる。この差の理由として、従来法１では、これまでに説明してきた測定者によるサンプリングや測定の影響を受けやすい。
【０１２０】
さらに、アラミドプリプレグの場合、樹脂サンプリングに問題があり、不織布のため樹脂をガラスエポキシのように揉みだすことができない。そのため、プレス等によって樹脂を溶融させて押し出す必要があり、測定前のサンプルに一時的に熱がかかることになり、バラツキを増大させる因子となる。
【０１２１】
一方、従来法２では、不織布というランダムな構造のため、プリプレグ内部での樹脂流動が複雑になり、結果として樹脂流れのバラツキ増大の要因となる。
【０１２２】
これらに対して、実施例２では、プリプレグをそのまま所定の大きさに切り出し、樹脂特性の温度変化を直接的に測定するため、測定者に依存する可能性が低く、樹脂サンプリングが不要であり、さらには不織布の構造的な影響を受けにくく、プリプレグ特性を測定するには極めて優れることが言える。
【０１２３】
（３）低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグ（実施例３、比較例５、６）について
ここで使用したプリプレグは、上記のガラスエポキシプリプレグ（実施例１、比較例１、２）に比較して低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグであり、回路基板の薄板化の際に要求されるプリプレグである。
【０１２４】
実施例３と比較例５〜６における差は、従来法１ではすでに説明したとおり、測定者に依存されるものである。
【０１２５】
さらに低樹脂分タイプの場合、プリプレグの樹脂分が少ないため、従来法２による重量差が少なくなる。したがって、プリプレグの処理前後の重量差から求める樹脂流れは、その差が小さくなるため、樹脂の半硬化状態を検出する感度が必然的に悪くなる。
【０１２６】
一方、実施例３では、樹脂特性の温度変化を直接的に測定するため、樹脂分が極めて少なくなっても物性変化は検出することができるため、プリプレグ特性を測定するには極めて優れることが言える。
【０１２７】
（４）フィラー高充填タイプのガラスエポキシプリプレグ（実施例４、比較例７、８）、ノンフロータイプのガラスエポキシプリプレグ（実施例５、比較例９、１０）、熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグ（実施例６、比較例１１、１２）、両面接着剤付ポリイミドフィルム（実施例７、比較例１３、１４）について
いずれの場合も（表１）の備考に示した理由で従来法で測定が困難である。
【０１２８】
この中で熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグ（実施例６、比較例１１、１２）は、測定温度を変更する（例えば２００℃）ことで測定が可能になるものの、これまで説明したきた測定法そのものの精度の問題はある。
【０１２９】
この場合、測定温度が変わるため、別種のプリプレグ特性との横並び比較は不可能となり、回路基板の成型条件を求める際に蓄積されてきた成型条件との比較ができなくなる。
【０１３０】
したがって、これは新タイプの回路基板の開発効率に対してデメリットとなる。
【０１３１】
さらに、フィルムタイプのような全く新規なプリプレグについては、その薄さからサンプリングあるいは測定自体が極めて困難となり、従来法でのプリプレグ特性の管理は不可能である。
【０１３２】
一方、本実施の形態における試験方法であれば、サンプル処理の必要がなく、そのままプリプレグ状態で装置によって測定することが可能であるため、プリプレグの樹脂系、構造等に依存することがない。したがって、本実施の形態における試験方法を用いれば、精度および信頼性に優れ、かつ適用範囲の広いプリプレグ特性の管理を実現することができる。
【０１３３】
本実施の形態における試験方法を用いた場合の事例として、低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグを基板材料として用いた回路基板の製造方法について説明する。
【０１３４】
まず、使用するプリプレグは、回路基板の薄板化の際に用いられるプリプレグであって、今後、採用される機会が増えていくことが予想される。
【０１３５】
具体的には、ガラス繊維織布に熱硬化性のエポキシ樹脂等を含浸し乾燥等の方法により半硬化状態とした基板材料としてのプリプレグであって、樹脂分が４０ｗｔ％、厚み０．１ｍｍであり、低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグと呼ばれるものである。
【０１３６】
まず、回路基板の製造における管理上、複数枚を１ロットとし、さらに複数のロットより構成されているプリプレグが準備される。
【０１３７】
本実施の形態においては、１ロットが３０枚のプリプレグを５ロット、すなわちプリプレグが１５０枚準備されている事例について説明する。
【０１３８】
次に、上記で説明した本実施の形態における試験方法を用いてプリプレグ特性の測定を以下の手順で行う。
【０１３９】
(1)製品としての回路基板に影響しない部分、例えば、プリプレグの端部から長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍにサンプリングする。
【０１４０】
(2)そのサンプルを本実施の形態における試験方法でガラス転移温度を測定し、それをプリプレグの半硬化状態の数値データとして求める。
【０１４１】
(3)ガラス転移温度範囲５０℃〜１００℃のガラス転移温度を有するプリプレグを良品として判定し、そのプリプレグを基板材料として選択する。
【０１４２】
なお、プリプレグの測定の頻度は、１５０枚全数であってもよく、抜き取りであってもよい。本実施の形態においては、１ロット中１枚目、１５枚目、３０枚目の３枚を抜き取るものとし、５ロットで合計１５枚のプリプレグの特性を測定した。
【０１４３】
１ロット目〜４ロット目の測定結果は、１２枚全てが良品として判定された。その一方、５ロット目の測定結果は、３枚中２枚は良品として判定され、１枚はガラス転移温度範囲外であった。
【０１４４】
次に、本発明の回路基板の製造方法について、図面を用いて以下に説明する。
【０１４５】
まず、図１（ａ）に示すように、本実施の形態における試験方法により良品として選別し、選択されたプリプレグ１を準備する。
【０１４６】
次に、図１（ｂ）に示すように、熱ロール等を用いたラミネート法によりプリプレグ１の両面に有機質フィルム２を張り付ける。
【０１４７】
次に、図１（ｃ）に示すように、レーザ等の加工法によりプリプレグ１に貫通穴３を形成した後、貫通穴３に銅粉等の導電性粒子と熱硬化性樹脂、硬化剤、溶剤などを混練しペースト状にした導電性ペースト４を印刷法等で充填し、図１（ｄ）に示す構成を得る。
【０１４８】
次に、有機質フィルム２を剥離し、図１（ｅ）に示すような導電性ペースト４が突出した形状を得る。そして、その両側に銅箔５を配置し、さらにＳＵＳ等の金属中間板で挟み熱プレス（図示せず）によって加熱加圧することで、図１（ｆ）に示すように、プリプレグ１が硬化成型され、導電性ペースト４は圧縮されて表裏の銅箔５が電気的に接続される。
【０１４９】
さらにフォトリソエッチング等の方法で銅箔５を所望のパターンに加工して回路配線層６とし、図１（ｇ）に示すような両面の回路基板を得る。
【０１５０】
図１では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジストあるいは回路配線層６へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【０１５１】
また、多層回路基板を製造する際は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように一旦完成したコア基板１１の上下に、上記の図１（ａ）〜図１（ｄ）で説明した選別されたプリプレグおよび製造方法により別途準備されたプリプレグを層間接着用の基板材料１６と、さらに銅箔１４とを、位置合わせをしながら重ね合わせて熱プレスすることで図２（ｃ）に示すような積層硬化物を得ることができる。
【０１５２】
その積層硬化物の表層をフォトリソエッチング等の方法で銅箔１４を所望のパターンに加工して回路配線層１７とし、図２（ｄ）に示すような多層回路基板を得る。
【０１５３】
図２では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジストあるいは回路配線層１７へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【０１５４】
なお、上記製造方法を繰り返すことでより多層化された回路基板を得ることができる。
【０１５５】
本発明の回路基板の製造方法により、良品として選別された１ロット目〜４ロット目のプリプレグ１２０枚を基板材料として、図２（ｄ）に示すような多層の回路基板を製造したところ、成型不良は発生しなかった。
【０１５６】
ガラス転移温度範囲外のプリプレグが１枚検出された５ロット目については、本実施の形態における試験方法により、再度全数検査を実施したところ、３０枚のプリプレグのうち、２枚がガラス転移温度範囲外として検出された。
【０１５７】
一方、５ロット目のプリプレグ３０枚を従来法１で測定したところ、全数がガラス転移温度範囲であった。
【０１５８】
なお、従来法２は、プリプレグに含浸された樹脂分が少なく、測定が極めて困難であったため、実施していない。
【０１５９】
次に、上記の回路基板の製造方法により、５ロット目のプリプレグ３０枚を基板材料として、図２（ｄ）に示すような多層の回路基板を製造したところ、成型不良が２枚発生し、本実施の形態における試験方法により、ガラス転移温度範囲外として検出されたものと一致した。
【０１６０】
以上のことから、従来法で試験管理されたプリプレグを用いた場合、要求公差に対して試験結果が満足しているにも関わらず突発的に形成不良が発生する場合があった。
【０１６１】
これは、従来法での測定バラツキによって、見かけ上プリプレグ特性が要求公差を満たしているものの、実際はプリプレグ特性が要求公差に収まっていないことを示すものである。
【０１６２】
それに対し、本発明の回路基板の製造方法におけるプリプレグのガラス転移温度を測定する工程は、測定バラツキが極めて小さいことから、要求公差を満たす良品のプリプレグのみが選択された場合、それを基板材料として回路基板を製造すると、回路基板の成型不良を防ぐことができることを示している。
【０１６３】
すなわち、本発明の回路基板の製造方法は、本実施の形態における試験方法によりプリプレグの特性を測定し、要求公差を満たすプリプレグのみを選択し、そのプリプレグに穴加工、ペースト充填、積層、加熱加圧等の工程を経て回路基板を製造することにより、突発的な成型不良が生じることがなく、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供できる。
【０１６４】
なお、本実施の形態における回路基板の製造方法は、低樹脂分タイプのガラスエポキシプリプレグを基板材料として用いた場合を示したが、汎用的なガラスエポキシプリプレグやアラミドエポキシプリプレグを基板材料として用いた場合においても有効である。
【０１６５】
特に、従来法ではプリプレグ特性の測定が困難であったノンフロータイプ、フィラー高充填タイプ、熱可塑性樹脂ブレンドタイプのガラスエポキシプリプレグ、および両面接着剤付ポリイミドフィルムを基板材料として用いた場合、本発明の効果は顕著であり、本発明の回路基板の製造方法を用いることで、これらの基板材料を採用することも可能となり、その結果、新タイプの回路基板を提供することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１６６】
以上のように本発明の回路基板の製造方法は、プリプレグ樹脂の半硬化状態をバラツキなく数値化し、かつプリプレグの樹脂系あるいは構造に依存されないプリプレグ特性の試験方法を製造方法のプロセスに含むものであり、要求公差を満たす良品のプリプレグの選択が容易となる。そして前記の良品のプリプレグを用いて回路基板を製造することで、精度および信頼性に優れた高品質の回路基板を提供でき、産業上の利用可能性は大といえる。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態におけるプリプレグの動的粘弾性（ＤＭＡ）測定データを示す図
【図４】従来の回路基板の製造方法を示す断面図
【図５】従来の回路基板の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【０１６８】
１  プリプレグ
２  有機質フィルム
３  貫通穴
４  導電性ペースト
５、１４  銅箔
６、１７  回路配線層
１１  コア基板
１６  基板材料
【図１】
2007288087.tif 000004
【図２】
2007288087.tif 000005
【図３】
2007288087.tif 000006
【図４】
2007288087.tif 000007
【図５】
2007288087.tif 000008