(57)【要約】      （修正有）【課題】単層構造の電荷転送電極間の短ギャップ化が可能でかつ電気的耐圧が高く、低消費電力で高速駆動可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】光電変換部３０と、電荷転送部４０とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、電極間絶縁膜４を形成すべき領域から所定の間隔だけ離間した位置に少なくとも２つのダミーパターン４Ｓを形成する工程と、前記ダミーパターン４Ｓ上を覆うとともに、段差間に所望の幅の凹部を形成するように、絶縁膜４を形成する工程と、レジストＲ２を塗布し、前記凹部にのみ所定幅のレジストＲ２を残留させる工程と、前記レジストをマスクとして、前記絶縁膜４をパターニングし、電極間絶縁膜４を形成する工程と、前記ダミーパターン４Ｓを除去する工程と、前記電極間絶縁膜４上に導電性膜３を形成し、平坦化処理を行い、前記電極間絶縁膜４の間に導電性膜を形成し、電荷転送電極３を形成する工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送部とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送部の形成工程が、
半導体基板表面に、電極間絶縁膜を形成すべき領域から所定の間隔だけ離間した位置に少なくとも２つのダミーパターンを形成する工程と、
前記ダミーパターン上を覆うとともに、ダミーパターンによって形成される段差間に所望の幅の凹部を形成するように、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の形成された前記半導体基板表面に、レジストを塗布し、前記凹部にのみ所定幅のレジストを残留させる工程と、
前記レジストをマスクとして、前記絶縁膜をパターニングし、電極間絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーパターンを除去する工程と、
前記電極間絶縁膜上に導電性膜を形成し、平坦化処理を行い、前記電極間絶縁膜の間に導電性膜を形成し、電荷転送電極を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記ダミーパターンは、前記絶縁膜と同一材料で構成された固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記ダミーパターンは、酸化シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記絶縁膜を形成する工程は、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送電極を形成する工程は、シリコン系導電性膜を形成する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記シリコン系導電性膜は、多結晶シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記シリコン系導電性膜は、アモルファスシリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送電極を形成する工程は、ＣＭＰ法により前記導電性膜を平坦化する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送電極を形成する工程は、レジストエッチバック法により前記導電性膜を平坦化する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法を用いて形成された固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の固体撮像素子であって、
前記電荷転送電極の電極間距離は、０．１μｍ以下である固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子にかかり、特に固体撮像素子の電荷転送電極のギャップ形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどからなる光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
近年、カメラの小型化に伴い、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。
【０００４】
一方、撮影画素数の増加により光電変換部領域が狭くなる傾向にあるが、狭い領域で多くの光を集めるためには、光電変換部表面に対して電荷転送電極形成部などの光電変換部周辺の高さをより低くして電極による光のけられ（遮断）を低減することが重要である。そのため、電荷転送電極を互いに重なることなく配置したいわゆる単層構造の電荷転送電極が提案されている。電荷転送電極を単層構造とすると、段差が低減され、転送電極部上の遮光膜の被覆性が向上し、より効果的である。
【０００５】
しかし、単層構造の電荷転送電極を高速パルスで駆動する場合、隣接する電荷転送電極の電極間距離（ギャップ）を狭く形成する（０．１μｍ以下）必要がある。このため、フォトリソグラフィプロセスにおけるマージンが厳しくなりＤＣリークが多発する。そこで、この程度のパターンサイズを得るためには平坦な表面でＥＢ直描法を用いるなど、高価なステッパを使用する必要があり、コストの高騰を免れ得ない。また、エッチングなどのプロセス中の異物によるＤＣリークが多発し、歩留まりの低下を招くことになる。また、電極パターンを得ることができたとしても、微細な電極間領域に絶縁膜を充填するのは極めて困難であり、耐圧劣化の原因ともなり、実用上は充分でなかった。
そこで、絶縁物からなる隔壁の側部に沿ってゲート電極を形成した固体撮像素子が提案されている（たとえば特許文献１、２）。
この方法では、ゲート電極となる高融点金属を埋め込んだ後の熱工程を回避できるため、高融点金属が収縮したりするのを防ぐことが可能となる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−６６７１号公報。
【特許文献２】特開２００４−１１９７９５号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、高速駆動をはかるために、隣接する電荷転送電極間の電極間距離は、望ましくは０．１μｍ程度以下と小さくする必要があり、かつ高い電気的耐圧が要求される。
【０００８】
しかしながらこの方法でも隔壁の形成に際し、幅０．１μｍ程度以下となるように制御性よく形成するのは困難であった。
【０００９】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、単層構造の電荷転送電極間の狭ギャップ化が可能でかつ電気的耐圧が高く、低消費電力で高速駆動可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで本発明は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送部とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記電荷転送部の形成工程が、半導体基板表面に、電極間絶縁膜を形成すべき領域から所定の間隔だけ離間した位置に少なくとも２つのダミーパターンを形成する工程と、前記ダミーパターン上を覆うとともに、ダミーパターン間に形成される段差間に所望の幅の凹部を形成するように、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の形成された前記半導体基板表面に、レジストを塗布し、前記凹部にのみ所定幅のレジストを残留させる工程と、前記レジストをマスクとして、前記絶縁膜をパターニングし、電極間絶縁膜を形成する工程と、前記ダミーパターンを除去する工程と、前記電極間絶縁膜上に導電性膜を形成し、平坦化処理を行い、前記電極間絶縁膜の間に導電性膜を形成し、電荷転送電極を形成する工程とを含む。
この構成によれば、ダミーパターンを覆うように絶縁膜を形成することによって形成されるダミーパターン間の凹部にレジストを残留させ、このレジストをマスクとしてこの絶縁膜をパターニングすることにより、微細幅の電極間絶縁膜を精度よく形成することが可能となる。
【００１１】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記ダミーパターンが、前記絶縁膜と同一材料で構成されたものを含む。
この構成によれば、電極間絶縁膜のパターニング工程において同時にダミーパターンをエッチング除去することができる。
【００１２】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記ダミーパターンは、酸化シリコン膜であるものを含む。
この構成によれば、成膜もエッチング精度も高いため高精度のパターンを容易に形成することが可能となる。
【００１３】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、温度や圧力、ガス種などを調整することにより、制御性よく凹部（段差）の幅および高さを調整することができる。
【００１４】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送電極を形成する工程は、シリコン系導電性膜を形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、多結晶シリコン膜、アモルファスシリコン膜、などのシリコン系導電性膜を用いることにより、容易にエッチバックやＣＭＰなどにより平坦化を行うことが可能となる。
【００１５】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記シリコン系導電性膜は、多結晶シリコン膜であるものを含む。
【００１６】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記シリコン系導電性膜は、アモルファスシリコン膜であるものを含む。
【００１７】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送電極を形成する工程は、ＣＭＰ法により前記導電性膜を平坦化する工程を含むものを含む。
【００１８】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送電極を形成する工程は、レジストエッチバック法により前記導電性膜を平坦化する工程を含むものを含む。
【００１９】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、信頼性の高い固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００２０】
また本発明は、前記固体撮像素子において、前記電荷転送電極の電極間距離は、０．１μｍ以下である。
この構成により、通常の方法では形成し得なかった微細な電極間距離を持つ固体撮像素子を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、解像限界を超えた微細な電極間絶縁膜を容易に形成することが可能となり、微細で、高速動作の可能な固体撮像素子を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（第１の実施の形態）
この固体撮像素子は、図３乃至図６にその製造工程を示すように、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、電極間絶縁膜が、電極間絶縁膜を形成すべき領域から所定の間隔だけ離間した位置に少なくとも２つのダミーパターンを形成した後、このダミーパターン上を覆うとともに、ダミーパターンの段差間に所望の幅の凹部を形成するように、絶縁膜を形成し、この凹部に所定幅のレジストを残留させ、このレジストをマスクとして、絶縁膜をパターニングし、電極間絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。
本実施の形態では、前記電荷転送電極は、シリコン基板１表面に形成されたゲート絶縁膜２上に電極間絶縁膜４をはさんで交互に並置して構成された、アモルファスシリコンからなる前記電荷転送電極３が上部絶縁膜５を介して、前記電荷転送電極の周りに形成され、タングステン薄膜からなる遮光膜７を具備し、前記電荷転送電極の上層に形成された、ＢＰＳＧ（borophospho  silicate  glass）膜からなる絶縁膜１０上に、裏面露光によって前記遮光膜７に自己整合的に層内レンズ２０が形成されている。そして、層内レンズ２０の上層に平坦化膜２２、カラーフィルタ５０、フィルタ上平坦化膜６１、レンズ６０が順次積層されている。ここで図１は断面概要図、図２は平面概要図であり、図１は図２のＡ−Ａ断面図である。
【００２３】
上記構成によれば、電荷転送電極３の電極間絶縁膜が上記方法でパターニングされ、この電極間絶縁膜で形成された壁に囲まれた領域に電極材料として多結晶シリコン層を充填し、平坦化することにより、０．１μｍ以下の狭ギャップの電荷転送電極を形成することができるものである。
【００２４】
他の構成は電極間絶縁膜のサイズを除いては通例の固体撮像素子と同様であり、光電変換部３０と、前記光電変換部３０で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部４０とを具備し、光電変換部に開口を持つように形成された遮光膜７の上層に、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填されたＢＰＳＧ膜からなる絶縁膜１０が形成されており、絶縁膜１０の上層は、層内レンズ２０、透光性の有機系膜からなる平坦化膜２２を形成し、さらにこの上に、カラーフィルタ５０およびレンズ６０が形成される。６１はフィルタ上平坦化膜である。
【００２５】
これにより、良好に表面の平坦化をはかることができる。
【００２６】
なおこのゲート酸化膜２は、酸化シリコン膜２ａと窒化シリコン膜２ｂと酸化シリコン膜２ｃとの３層構造膜で構成される。
【００２７】
また、シリコン基板１には、複数のフォトダイオード領域からなる光電変換部３０が形成され、光電変換部３０で検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、光電変換部３０の間に形成される。
【００２８】
電荷転送電極によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図２では図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、形成される。
【００２９】
なお、図２においては、電極間絶縁膜の内、フォトダイオード領域３０と電荷転送部４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【００３０】
また図１に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード領域３０を構成する光電変換部（３０ａ、３０ｂ）、電荷転送チャネル３３、チャネルストップ領域３２、電荷読み出し領域３４が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、電荷転送電極（第１層導電性膜からなる第１層電極、第２層導電性膜からなる第２層電極）が、電極間絶縁膜４をはさんで並置されるように形成され、単層電極構造を構成している。５は電荷転送電極上を覆う上部絶縁膜である。
【００３１】
また、この例では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、正方格子型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００３２】
次にこの固体撮像素子の製造工程について図３乃至図６を参照しつつ詳細に説明する。
まず、通例の方法で、シリコン基板１上に光電変換部と電荷転送部とを形成する。例えば電荷転送部は以下のように形成される。不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５〜２５ｎｍの酸化シリコン膜２ａと、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜２ｂと、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜２ｃを形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する（図３（ａ））。続いてこのゲート酸化膜２上に、減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの酸化シリコン膜４Ｓを形成する。このときの基板温度は５００℃とする。
【００３３】
続いて、この上層にレジストパターン（図示せず）を厚さ０．８〜１．４μｍとなるように塗布する。
そしてフォトリソグラフィにより、所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、パターン幅０．３５μｍのレジストパターンを形成する。このとき解像限界が０．３５μｍであった（図３（ｂ））。
【００３４】
この後、図３（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングによりレジストパターンをマスクとし、ゲート酸化膜２の窒化シリコン膜２ｂをエッチングストッパとして酸化シリコン膜４Ｓを選択的にエッチング除去したのち、レジストパターンを剥離除去する。ここではＥＣＲあるいはＩＣＰなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００３５】
そして図４（ａ）に示すように、この上層に減圧ＣＶＤ法によりダミーパターンによって形成された段差間の距離が、０．１μｍとなるよう、膜厚を調整し、酸化シリコン膜（電極間絶縁膜４）を形成する。
【００３６】
そして図４（ｂ）に示すように、レジストＲ２を塗布する。
この後図４（ｃ）に示すように、レジストＲ２をエッチバックし、酸化シリコン膜４によって形成された凹部にのみ残留させる。
【００３７】
この後図５（ａ）に示すように、反応性イオンエッチング（異方性エッチング）により、垂直方向にのみエッチングを進行させ、レジストＲ２をマスクとして酸化シリコン膜４をパターニングし電極間絶縁膜４を形成する。このとき、幅０．１μｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を形成する。
【００３８】
そして、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＨ４とＰＨ３の混合ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により膜厚０．４〜１．４μｍの高濃度ドープの多結晶シリコン膜３を形成する。このときの基板温度は５００℃であった。
【００３９】
そして、図５（ｃ）に示すように、ＣＭＰにより前記基板表面を研磨および化学的エッチングを行い、電極間絶縁膜４の上面が露呈するまでエッチングする。
【００４０】
この後、図６（ａ）に示すように、レジストパターンＲ３を形成し、このレジストパターンＲ３をマスクとして電荷転送電極３をパターニングする（図６（ｂ））。
このようにして多結晶シリコン膜３からなる電荷転送電極を電極間絶縁膜４によって個々に分離し、電荷転送部が形成される。
【００４１】
続いて、このまわりに酸化シリコン膜５を形成する（図７（ａ））。なお図示しないが光電変換部上に窒化シリコン膜からなる反射防止膜が形成される。
【００４２】
この後、ＣＶＤ法によりタングステン薄膜７を形成する（図７（ｂ））。
【００４３】
そして、フォトリソグラフィにより、フォトダイオード領域３０に開口を有するレジストパターンＲ４を形成する（図７（ｃ））。そしてこのフォトレジストＲ４をマスクとして異方性エッチング（反応性イオンエッチング）によりタングステン薄膜をパターニングする（図８（ａ））。
【００４４】
そしてフォトレジストＲ４を除去し（図８（ｂ））、続いて、この上層にＢＰＳＧ膜を形成し、加熱リフローすることにより、平坦化膜１０を形成する（図８（ｃ））。
【００４５】
そしてこの上層にＣＶＤ法により層内レンズ材としての窒化シリコン膜２０を形成する（図９（ａ））。
【００４６】
そしてこの上層にレジストＲ５を塗布する（図９（ｂ））。
この後フォトリソグラフィにより、露光領域ＲＡが形成される（図１０（ａ））。
そして現像処理を行うことにより、フォトダイオード領域３０上にのみレジストパターンＲ５が形成される（図１０（ｂ））。
さらにこの状態で加熱し、レジストパターンＲ５を溶融し、表面張力により半球状に成形する（図１１（ａ））。
そしてこの半球状に成形されたレジストパターンＲ５をマスクとしてエッチバックを行い（図１１（ｂ））、レジストパターンＲ５の形状を転写し、窒化シリコン膜からなる層内レンズ２０を形成する（図１１（ｃ））。
【００４７】
続いて、有機膜を塗布し平坦化膜２２を形成した後、カラーフィルタ５０、フィルタ上平坦化膜６１を形成し、最後にマイクロレンズ６０を形成して、図１に示した固体撮像素子が形成される。
【００４８】
この方法によれば、電極間絶縁膜としての絶縁膜のパターンを形成する際、ダミーパターン（ここでは酸化シリコン膜）の上層に形成した絶縁膜上にできる凹部に残留するレジストをマスクとして異方性エッチングにより、パターニングしており、微細でかつ信頼性の高い電極間絶縁膜が容易に形成される。従って、解像限界よりも小さな、微細な電極間絶縁膜を有する固体撮像素子を形成することが可能となる。ここで、酸化シリコン膜の膜厚と成膜方法、ダミーパターン間の距離などに応じてこの凹部の形状が変わり、電極間絶縁膜の幅が制御されることになる。なお図示しないが光電変換部上に窒化シリコン膜からなる反射防止膜が形成される。
【００４９】
なお、前記第1の実施の形態では、電極を構成する導電性膜は多結晶シリコン膜で構成したが、電荷転送電極の低抵抗化をはかるために、導電性膜の表面に金属膜を形成し、２層構造の電荷転送電極を形成するようにしてもよい。
例えば、裏面露光により層内レンズをパターニングする場合、多結晶シリコン膜からなる電荷転送電極上にタングステンなどを形成し熱処理によりタングステンシリサイドを形成して電極間絶縁膜上のタングステン膜を除去し、電荷転送電極をポリサイド構造とすることにより、遮光膜を形成することなく、狭ギャップの電荷転送電極をそのまま遮光部として使用することも可能であるため、光学系のパターニングに際して信頼性の高い光学系の形成が可能となる。そして光軸をあわせることができ、上方から大量の光を取り込み、光のとじこめを行うことにより、集光効率の高い層内レンズを形成することができる。ここで電荷転送電極の膜厚を２００ｎｍ程度としたとき、電極間距離は０．１μｍ以下であると、半導体基板裏面からの光は電荷転送電極上にはほとんど到達しない。
【００５０】
また、層内レンズ２０は、電荷転送電極を覆う遮光膜７に自己整合的に形成されるため、位置ずれの低減をはかることができるとともに、集光性が良好で高精度で信頼性の高い固体撮像素子の形成が可能となる。
【００５１】
また、この様な狭ギャップの電荷転送電極を用いた場合、層内レンズだけでなく、光導波路構造あるいはマイクロレンズの形成に際しても適用可能である。
【００５２】
また、遮光性の金属膜としてはタングステンに限定されることなくチタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）など適宜変更可能である。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。
また電極間絶縁膜は酸化シリコン膜で構成し、ダミーパターンも酸化シリコンで構成したため、酸化シリコンのパターニングに際してダミーパターンも同時に除去されたが、別の材料で構成してもよい。この場合は、レジストをマスクとして酸化シリコン膜をパターニングした後、ダミーパターンを除去する。
すなわち、ダミーパターンとしてタングステン膜などの金属膜４Ｍを形成する。そして図１２（ａ）に示すように、この上層に減圧ＣＶＤ法によりダミーパターンによって形成された段差間の距離が、０．１μｍ以下となる様、膜厚を調整し、酸化シリコン膜（電極間絶縁膜４）を形成する。
【００５４】
そして図１２（ｂ）に示すように、レジストＲ６を塗布する。
この後図１２（ｃ）に示すように、レジストＲ６をエッチバックし、酸化シリコン膜４によって形成された凹部にのみ残留させる。
【００５５】
この後図１３（ａ）に示すように、反応性イオンエッチング（異方性エッチング）により、垂直方向にのみエッチングを進行させ、レジストＲ６をマスクとして酸化シリコン膜４をパターニングし電極間絶縁膜４を形成する。このとき、幅０．１μｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を形成する。このときダミーパターンは残留しているため、再度エッチングによりダミーパターンを除去する（図１３（ｂ））
【００５６】
後は前記実施の形態１の図５（ｂ）の工程で電極材料を形成する。後は同様の工程で形成する。
【００５７】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。
また実施の形態１では電極間絶縁膜は酸化シリコン膜で構成し、ダミーパターンも酸化シリコンで構成し、酸化シリコンのパターニングに際してダミーパターンも同時に除去されるようにしたが、レジストを用いてダミーパターンを形成するようにしてもよい。この場合は、熱硬化温度のより高いレジストをダミーパターンに用いるのが望ましい。レジストをマスクとして酸化シリコン膜をパターニングした後、レジストを剥離する工程で同時にダミーパターンを除去することができる。
すなわち、ダミーパターンとして熱硬化温度の高い第１のフォトレジストＲ７を形成する。そして図１４（ａ）に示すように、この上層に減圧ＣＶＤ法によりダミーパターンによって形成された段差間の距離を調整しながら、膜厚３０ｎｍの酸化シリコン膜（電極間絶縁膜４）を形成する。
【００５８】
そして図１４（ｂ）に示すように、レジストＲ８を塗布する。
この後図１４（ｃ）に示すように、レジストＲ８をエッチバックし、酸化シリコン膜４によって形成された凹部にのみ残留させる。
【００５９】
この後図１５（ａ）に示すように、反応性イオンエッチング（異方性エッチング）により、垂直方向にのみエッチングを進行させ、レジストＲ８をマスクとして酸化シリコン膜４をパターニングし電極間絶縁膜４を形成する。このとき、幅０．１μｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４が形成され、レジスト８は電極間絶縁膜４となった酸化シリコン上に残留すると共に、レジスト７はその両側に残留している。そしてレジストＲ８を剥離する際、前記フォトレジストＲ７が除去される（図１５（ｃ））
【００６０】
後は前記実施の形態１の図５（ｂ）の工程で電極材料を形成する。後は同様の工程で形成する。
【００６１】
なお前記実施の形態では、熱硬化温度の異なるレジストをダミーパターンとして用いたが、同一材料で構成し、ダミーパターンを熱処理あるいはガス処理などにより、硬化した後に、酸化シリコン膜を形成するようにしてもよい。ここで酸化シリコン膜の成膜温度はレジストの劣化を生じない程度の温度である必要がある。
【００６２】
なお、製造方法については前記実施の形態に限定されることなく適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上説明してきたように、本発明によれば、狭いギャップの単層電極構造の固体撮像素子を得ることができることから小型カメラなど、微細でかつ高感度の固体撮像装置の形成に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態２の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態２の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態３の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態３の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態３の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  シリコン基板
２  ゲート酸化膜
３ａ  第１層多結晶シリコン膜
３ｂ  第２層多結晶シリコン膜
４  電極間絶縁膜
５  酸化シリコン膜（絶縁膜）
７  遮光膜
８  反射防止膜
１０  平坦化膜（ＢＰＳＧ膜）
２２  透光性膜
３０  光電変換部
４０  電荷転送部
５０  カラーフィルタ
６０  マイクロレンズ
６１  平坦化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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