(57)【要約】【課題】絶縁層と導体パターンとの間の十分な密着力を得ることができるとともに、高周波特性の劣化を防止することができる配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】所定の厚みを有する金属補強板１０を用意する。その金属補強板１０上に所定の厚みでベース絶縁層１を形成する。ベース絶縁層１としては、例えば感光性ポリイミド樹脂を用いる。次に、部分的に透過率の異なるフォトマスクＰＭを用いてベース絶縁層１を所定のパターンで露光する。これにより、ベース絶縁層１の上面における２本の導体パターンの形成領域に溝部Ｄ１，Ｄ２が形成される。溝部Ｄ１，Ｄ２は後の工程で形成される２本の導体パターンの下面の形状に沿うように形成される。【選択図】図１
2007109755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の一面上に形成された配線用の導体パターンとを備え、
前記絶縁層と前記導体パターンとの接触領域において前記絶縁層および前記導体パターンの一方に前記導体パターンに沿って延びる溝部が形成され、前記絶縁層および前記導体パターンの他方に前記溝部に嵌合する突条部が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記溝部および突条部は、複数形成されたことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記溝部は、前記絶縁層に形成され、
前記突条部は、前記導体パターンに形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記溝部は、前記導体パターンに形成され、
前記突条部は、前記絶縁層に形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記絶縁層の他面に金属補強板が形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記絶縁層の前記一面上でかつ前記絶縁層および前記導体パターンの露出部に、絶縁性のカバー膜が形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の一面上に配線用の導体パターンを形成するステップとを備え、
前記絶縁層を形成するステップは、前記導体パターンとの接触領域に前記導体パターンに沿って延びる溝部または突条部を形成するステップを含み、
前記導体パターンを形成するステップは、前記絶縁層の前記溝部または突条部と嵌合する溝部または突条部を形成するステップを含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層を形成するステップは、感光性材料からなる前記絶縁層を形成するステップをさらに含み、
前記溝部または突条部を形成するステップは、前記絶縁層を異なる複数の光量で露光し、露光後の絶縁層を現像および硬化することにより前記導体パターンとの接触領域に前記導体パターンに沿って延びる溝部または突条部を形成するステップを含むことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化および多機能化に伴い、配線回路基板の配線の高密度化が要求されている。このような要求に対応すべく、ファインピッチの導体パターンを備える配線回路基板の開発が進められている。
【０００３】
配線回路基板において、導体パターンは絶縁層上に形成される。ファインピッチの導体パターンはその配線幅を小さく設定する必要があるため、絶縁層との接触面積が小さい。したがって、絶縁層と導体パターンとの間の密着力が弱いと導体パターンが絶縁層から剥離され易く、短絡等の要因となる。
【０００４】
絶縁層と導体パターンとの密着力を強化するために、導体パターンが形成される絶縁層の表面に微細な凹凸を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この場合、その絶縁層上に導体パターンを形成すると、絶縁層と導体パターンとの間で強力なアンカー効果を得ることができる。その結果、絶縁層と導体パターンとの間の十分な密着力を得ることができる。
【特許文献１】特開平５−１６７２４８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、配線回路基板に実装される電子部品に高周波信号が用いられると、導体パターンに流れる電流がその表面に集中する表皮効果が発生する。
【０００６】
上記のように粗面化された絶縁層上に導体パターンが形成されると、導体パターンの絶縁層との接合面も粗面化される。それにより、導体パターンの接合面では、電流の進行方向における凹凸形状が導体パターンの実効的な抵抗値の増大を招く。その結果、高周波信号が大きく減衰してしまい、高周波特性が劣化する。
【０００７】
本発明の目的は、絶縁層と導体パターンとの間の十分な密着力を得ることができるとともに、高周波特性の劣化を防止することができる配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面上に形成された配線用の導体パターンとを備え、絶縁層と導体パターンとの接触領域において絶縁層および導体パターンの一方に導体パターンに沿って延びる溝部が形成され、絶縁層および導体パターンの他方に溝部に嵌合する突条部が形成されたものである。
【０００９】
この発明に係る配線回路基板においては、絶縁層および導体パターンの一方に導体パターンに沿って延びるように形成される溝部と、絶縁層および導体パターンの他方に形成される突条部とが、絶縁層と導体パターンとの接触領域で嵌合する。
【００１０】
これにより、絶縁層および導体パターンの一方に形成された溝部により、絶縁層および導体パターンの他方が係止される。その結果、絶縁層と導体パターンとの間で十分な密着力を得ることができる。
【００１１】
特に、溝部および突条部により、絶縁層と導体パターンとの接触面積が大きくなるので、絶縁層と導体パターンとの間でより十分な密着力を得ることができる。
【００１２】
また、溝部および突条部が導体パターンに沿って延びるように形成されることにより、導体パターンにおける電流の進行方向に凹凸形状が存在しない。
【００１３】
したがって、配線回路基板に実装される電子部品に高周波信号が用いられたときに、導体パターンに流れる電流がそれらの表面に集中する表皮効果が発生する場合でも、導体パターンの実効的な抵抗値の増大が防止される。その結果、配線回路基板の高周波特性の劣化を防止することができる。
【００１４】
（２）溝部および突条部は、複数形成されてもよい。この場合、絶縁層と導体パターンとの接触面積がさらに大きくなるので、絶縁層と導体パターンとの間でさらに十分な密着力を得ることができる。
【００１５】
（３）溝部は、絶縁層に形成され、突条部は、導体パターンに形成されてもよい。この場合、絶縁層に形成された溝部に導体パターンの突条部が係止される。それにより、絶縁層と導体パターンとの間で十分な密着力を得ることができる。
【００１６】
（４）溝部は、導体パターンに形成され、突条部は、絶縁層に形成されてもよい。この場合、導体パターンに形成された溝部に絶縁層の突条部が係止される。それにより、絶縁層と導体パターンとの間で十分な密着力を得ることができる。
【００１７】
（５）絶縁層の他面に金属補強板が形成されてもよい。この場合、配線回路基板の強度および保形性が向上する。
【００１８】
（６）絶縁層の一面上でかつ絶縁層および導体パターンの露出部に、絶縁性のカバー膜が形成されてもよい。この場合、絶縁層の一面上に形成される導体パターンがカバー膜により覆われ、導体パターンの腐食が防止される。
【００１９】
（７）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層を形成するステップと、絶縁層の一面上に配線用の導体パターンを形成するステップとを備え、絶縁層を形成するステップは、導体パターンとの接触領域に導体パターンに沿って延びる溝部または突条部を形成するステップを含み、導体パターンを形成するステップは、絶縁層の溝部または突条部と嵌合する溝部または突条部を形成するステップを含むものである。
【００２０】
この発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が形成され、絶縁層の一面上に配線用の導体パターンが形成される。特に、絶縁層が形成される際には、導体パターンとの接触領域に導体パターンに沿って延びる溝部または突条部が形成される。また、導体パターンが形成される際には、絶縁層の溝部または突条部と嵌合する溝部または突条部が形成される。
【００２１】
これにより、絶縁層および導体パターンの一方に形成された溝部により、絶縁層および導体パターンの他方が係止される。その結果、絶縁層と導体パターンとの間で十分な密着力を得ることができる。
【００２２】
特に、溝部および突条部により、絶縁層と導体パターンとの接触面積が大きくなるので、絶縁層と導体パターンとの間でより十分な密着力を得ることができる。
【００２３】
また、溝部および突条部が導体パターンに沿って延びるように形成されることにより、導体パターンにおける電流の進行方向に凹凸形状が存在しない。
【００２４】
したがって、配線回路基板に実装される電子部品に高周波信号が用いられたときに、導体パターンに流れる電流がそれらの表面に集中する表皮効果が発生する場合でも、導体パターンの実効的な抵抗値の増大が防止される。その結果、配線回路基板の高周波特性の劣化を防止することができる。
【００２５】
（８）絶縁層を形成するステップは、感光性材料からなる絶縁層を形成するステップをさらに含み、溝部または突条部を形成するステップは、絶縁層を異なる複数の光量で露光し、露光後の絶縁層を現像および硬化することにより導体パターンとの接触領域に導体パターンに沿って延びる溝部または突条部を形成するステップを含んでもよい。
【００２６】
この場合、絶縁層を形成する際に、感光性材料からなる絶縁層が形成され、溝部または突条部を形成する際に、絶縁層が異なる複数の光量で露光される。また、露光後の絶縁層が現像および硬化されることにより導体パターンとの接触領域に導体パターンに沿って延びる溝部または突条部が形成される。このように、絶縁層に対して露光、現像および硬化処理を行うことにより、溝部または突条部を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る配線回路基板においては、絶縁層および導体パターンの一方に導体パターンに沿って延びるように形成される溝部と、絶縁層および導体パターンの他方に形成される突条部とが、絶縁層と導体パターンとの接触領域で嵌合する。
【００２８】
これにより、絶縁層および導体パターンの一方に形成された溝部により、絶縁層および導体パターンの他方が係止される。その結果、絶縁層と導体パターンとの間で十分な密着力を得ることができる。
【００２９】
特に、溝部および突条部により、絶縁層と導体パターンとの接触面積が大きくなるので、絶縁層と導体パターンとの間でより十分な密着力を得ることができる。
【００３０】
また、溝部および突条部が導体パターンに沿って延びるように形成されることにより、導体パターンにおける電流の進行方向に凹凸形状が存在しない。
【００３１】
したがって、配線回路基板に実装される電子部品に高周波信号が用いられたときに、導体パターンに流れる電流がそれらの表面に集中する表皮効果が発生する場合でも、導体パターンの実効的な抵抗値の増大が防止される。その結果、配線回路基板の高周波特性の劣化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について説明する。
【００３３】
（配線回路基板の製造方法）
図１〜図３は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図１〜図３においては、金属補強板上に形成される配線用の導体パターンの長手方向に垂直な方向の断面が示されている。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、所定の厚みを有する金属補強板１０を用意する。金属補強板１０としては、例えば厚み２５μｍのステンレス基板を用いる。
【００３５】
次に、図１（ｂ）に示すように、金属補強板１０上に所定の厚みでベース絶縁層１を形成する。このベース絶縁層１の厚みは、７〜３５μｍであることが好ましく、７〜１０μｍであることがより好ましい。
【００３６】
ベース絶縁層１を構成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の合成樹脂を用いることができる。
【００３７】
これらの合成樹脂のうち、感光性樹脂を用いることが好ましく、感光性ポリイミド樹脂を用いることがより好ましい。本実施の形態では、ベース絶縁層１として感光性樹脂であるポジ型の感光性ポリイミド樹脂を用いる。
【００３８】
ここで、図１（ｃ）に示すように、フォトマスクＰＭを用いてベース絶縁層１を所定のパターンで露光する。
【００３９】
本実施の形態において、ベース絶縁層１のパターニングに用いられるフォトマスクＰＭは、第１の透過率を有する第１の領域Ｔ１と、第２の透過率を有する第２の領域Ｔ２と、第３の透過率を有する第３の領域Ｔ３とを備える。このフォトマスクＰＭは、例えば、第１〜第３の領域Ｔ１〜Ｔ３毎に粗面化等の表面処理を施したり、照射光を吸収するフィルムを貼着したり、金属薄膜を蒸着法を用いて形成することにより作製することができる。
【００４０】
図１（ｃ）の例では、フォトマスクＰＭの両端部に第１の領域Ｔ１が配置され、その内側に第２および第３の領域Ｔ２，Ｔ３が交互に並んでいる。
【００４１】
第１〜第３の領域Ｔ１〜Ｔ３における第１〜第３の透過率は、例えば３００〜４５０ｎｍの波長を有する照射光に対して、それぞれ０％、１００％および約５０％である。
【００４２】
ベース絶縁層１が感光性ポリイミド樹脂である場合、露光のための照射光は、３００〜４５０ｎｍの波長を有することが好ましく、３５０〜４２０ｎｍの波長を有することがより好ましい。
【００４３】
また、その露光時の積算光量は、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。
【００４４】
ベース絶縁層１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂を用いる場合、露光後のベース絶縁層１を１３０℃以上１５０℃未満の温度範囲で加熱する。その後、現像処理することにより、ベース絶縁層１の露光部分が可溶化される。
【００４５】
ここで、ベース絶縁層１の可溶化領域の深さは照射光の受光量に応じて変化する。したがって、本実施の形態では、例えばフォトマスクＰＭの第１の領域Ｔ１に対応するベース絶縁層１の部分が全て可溶化され、第２の領域Ｔ２に対応するベース絶縁層１の部分が可溶化されず、第３の領域Ｔ３に対応するベース絶縁層１の部分が約半分の深さまで可溶化される。
【００４６】
その後、現像処理後のベース絶縁層１を例えば２７５℃以上の温度で加熱することにより硬化処理を行う。それにより、ベース絶縁層１の可溶化されていない部分が硬化され、所定のパターンが形成される。
【００４７】
なお、本実施の形態ではベース絶縁層１としてポジ型の感光性ポリイミド樹脂を用いるが、ネガ型の感光性ポリイミド樹脂を用いてもよい。この場合、フォトマスクＰＭの第１〜第３の透過率をそれぞれ１００％、０％および約５０％に設定する。また、露光後のベース絶縁層１を１５０℃以上１８０℃以下の温度範囲で加熱する。その後、現像処理することにより、ベース絶縁層１の露光部分が不溶化される。さらに、２７５℃以上の温度で加熱することにより、所定のパターンが形成される。
【００４８】
図１（ｄ）にパターニングされたベース絶縁層１が示されている。上述のように、第３の領域Ｔ３に対応するベース絶縁層１の部分は、約半分の深さまで可溶化され、硬化処理される。それにより、図１（ｄ）に示すようにベース絶縁層１の上面には溝部Ｄ１，Ｄ２が形成される。本実施の形態では、溝部Ｄ１，Ｄ２は矩形の断面形状を有する。これらの溝部Ｄ１，Ｄ２の幅は、３〜５μｍであることが好ましい。また、溝部Ｄ１，Ｄ２の深さは、３〜６μｍであることが好ましい。
【００４９】
次に、図２（ｅ）に示すように、露出した金属補強板１０の上面、ベース絶縁層１の上面、ベース絶縁層１の側面および溝部Ｄ１，Ｄ２の内表面を覆うように金属薄膜層２を形成する。この金属薄膜層２の形成は、例えば蒸着法、スパッタリング法または無電解めっき等により行う。
【００５０】
そして、金属薄膜層２の上面に、例えば感光性樹脂等からなるめっきレジスト層３を形成する。そして、めっきレジスト層３を所定のパターンに露光処理および現像処理する。これにより、図２（ｆ）に示すように、所定のパターンを有するめっきレジスト層３が金属薄膜層２上に形成される。それにより、後の工程で形成される配線用の導体パターンの部分で金属薄膜層２が露出する。なお、めっきレジスト層３は、感光性樹脂以外の他の材料により形成されてもよい。
【００５１】
続いて、図２（ｇ）に示すように、電解めっき法により、露出した金属薄膜層２上に金属めっき層４を形成する。金属めっき層４としては、例えば、ニッケル、銅、金またははんだが用いられる。
【００５２】
図３（ｈ）に示すように、めっきレジスト層３を除去する。また、図３（ｉ）に示すように、めっきレジスト層３の形成領域における金属薄膜層２を除去する。これにより、金属薄膜層２および金属めっき層４からなる導体パターン２０ａ，２０ｂが形成される。これらの導体パターン２０ａ，２０ｂの厚みは、３〜２０μｍであることが好ましく、３〜１７μｍであることがより好ましい。
【００５３】
また、導体パターン２０ａ，２０ｂの幅は１０〜１００μｍであることが好ましく、２０〜４０μｍであることがより好ましい。
【００５４】
なお、これら導体パターン２０ａ，２０ｂは、ともに溝部Ｄ１，Ｄ２上に形成されるので、それぞれの溝部Ｄ１，Ｄ２と嵌合する突条部を有する。
【００５５】
最後に、図３（ｊ）に示すように、ベース絶縁層１および導体パターン２０ａ，２０ｂの上面にカバー絶縁層５を形成する。カバー絶縁層５の厚みは１〜４０μｍであることが好ましく、１〜７μｍであることがより好ましい。
【００５６】
これにより、本実施の形態に係る配線回路基板１００が完成する。
【００５７】
上記の配線回路基板１００において、ベース絶縁層１ならびに導体パターン２０ａ，２０ｂ間および導体パターン２０ａ，２０ｂならびにカバー絶縁層５間には、必要に応じて接着剤層が存在してもよい。
【００５８】
また、配線回路基板１００の導体パターン２０ａ，２０ｂは金属薄膜層２および金属めっき層４の二層構造を有するが、導体パターン２０ａ，２０ｂは一層構造を有してもよいし、二層以上の多層構造を有してもよい。
【００５９】
上記では、セミアディティブ法による導体パターン２０ａ，２０ｂの形成について説明したが、これに限らず、導体パターン２０ａ，２０ｂはアディティブ法またはサブトラクティブ法により形成されてもよい。
【００６０】
（ベース絶縁層の溝部について）
ここで、ベース絶縁層１に形成される溝部Ｄ１，Ｄ２について説明する。
【００６１】
本実施の形態において、溝部Ｄ１，Ｄ２は所定の方向に延びる導体パターン２０ａ，２０ｂの下面の形状に沿うように形成する。特に、溝部Ｄ１，Ｄ２は導体パターン２０ａ，２０ｂと平行となるように形成されることが好ましい。
【００６２】
したがって、導体パターン２０ａ，２０ｂが曲線状に形成される場合には、溝部Ｄ１，Ｄ２も導体パターン２０ａ，２０ｂの形状に沿って曲線状に形成される。このように溝部Ｄ１，Ｄ２を形成することにより、配線回路基板１００は以下の効果を得ることができる。
【００６３】
（効果）
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、導体パターン２０ａ，２０ｂが形成されるベース絶縁層１の一面に、それら導体パターン２０ａ，２０ｂの下面の形状に沿うようにそれぞれ溝部Ｄ１，Ｄ２が形成される。
【００６４】
これにより、ベース絶縁層１上の導体パターン２０ａ，２０ｂが、溝部Ｄ１，Ｄ２により係止される。その結果、ファインピッチの導体パターン２０ａ，２０ｂとベース絶縁層１との間の十分な密着力を得ることができる。
【００６５】
また、溝部Ｄ１，Ｄ２がそれぞれ導体パターン２０ａ，２０ｂの下面の形状に沿うように形成されることにより、導体パターン２０ａ，２０ｂにおける電流の進行方向に凹凸形状が存在しない。
【００６６】
したがって、配線回路基板１００に実装される電子部品に高周波信号が用いられたときに、導体パターン２０ａ，２０ｂに流れる電流がそれらの表面に集中する表皮効果が発生する場合でも、導体パターン２０ａ，２０ｂの実効的な抵抗値の増大が防止される。その結果、配線回路基板１００の高周波特性の劣化を防止することができる。
【００６７】
上述のように、溝部Ｄ１，Ｄ２は矩形の断面形状を有するが、溝部Ｄ１，Ｄ２の断面形状はこれに限定されず、三角形の断面形状を有してもよいし、半円形の断面形状を有してもよい。
【００６８】
配線回路基板１００では、ベース絶縁層１における導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域に、それぞれ溝部Ｄ１，Ｄ２が１本ずつ形成されているが、各導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域に形成される溝部の本数は１本に限らず、複数本であってもよい。この場合、導体パターン２０ａ，２０ｂとベース絶縁層１との間のより十分な密着力を得ることができる。
【００６９】
また、ベース絶縁層１における導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域に、それぞれ溝部Ｄ１，Ｄ２に代えて、連続的に延びる突条部を形成してもよい。この場合、突条部は矩形の断面形状を有してもよいし、三角形の断面形状を有してもよいし、半円形の断面形状を有してもよい。これらの場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【００７０】
本実施の形態では、ベース絶縁層１として感光性樹脂を用いる例を説明したが、ベース絶縁層１が感光性樹脂以外の絶縁材料により形成される場合には、ウェットエッチング等により、溝部Ｄ１，Ｄ２が形成されるようにベース絶縁層１のパターニングを行う。
【００７１】
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、溝部Ｄ１，Ｄ２に嵌合するように形成される導体パターン２０ａ，２０ｂの突条部が突条部に相当する。
【実施例】
【００７２】
上記の配線回路基板およびその製造方法に基づいて実施例１、実施例２および比較例１の回路付サスペンション基板を作製した。実施例１、実施例２および比較例１の回路付サスペンション基板はともに同様の外観を有する。
【００７３】
図４は、実施例１、実施例２および比較例１の回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００の外観斜視図である。なお、これらの回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００には、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）が実装される。
【００７４】
回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００は、磁気ヘッドと相対的に回転される磁気ディスク（図示せず）の表面との間に微少な間隔を形成し、その間隔を維持するように当該磁気ヘッドを支持するものである。
【００７５】
図４に示すように、回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００においては、略Ｌ字形状を有する金属補強板１０上にベース絶縁層１が形成されている。
【００７６】
回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００の先端部には磁気ヘッドを実装するためのジンバル１５が形成されている。また、後端部には複数の端子部３０が形成されている。
【００７７】
ベース絶縁層１上には、先端部に形成されるジンバル１５から後端部に形成される端子部３０へと延びるように導体パターン２０が形成されている。図４では、配線として４本の導体パターン２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが示されている。
【００７８】
図５には、図４の回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００のＺ部の拡大断面図が示されている。
【００７９】
図５（ａ）に実施例１の回路付サスペンション基板１００ａが示され、図５（ｂ）に実施例２の回路付サスペンション基板１００ｂが示され、図５（ｃ）に比較例１の回路付サスペンション基板２００が示されている。
【００８０】
[実施例１]
実施例１の回路付サスペンション基板１００ａの作製時においては、上記実施の形態と同様にベース絶縁層１のパターニングを行い、セミアディティブ法により導体パターン２０ａ、２０ｂを形成した。以下、詳細を説明する。
【００８１】
初めに、金属補強板１０として厚み２５μｍのステンレス基板を用意した。そして、ベース絶縁層１として厚み１０μｍのポジ型の感光性ポリイミド樹脂を金属補強板１０上に形成した。
【００８２】
そこで、導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域における略中央部（幅方向）に、それぞれ１つの溝部Ｄ１，Ｄ２が形成されるように、ベース絶縁層１の露光、現像および硬化処理を行った。なお、ここで用いたフォトマスクは、図１（ｃ）のフォトマスクＰＭと同じである。
【００８３】
すなわち、本例で用いたフォトマスクＰＭは、ベース絶縁層１の非形成領域に対応する第１の領域Ｔ１と、ベース絶縁層１の形成領域に対応する第２の領域Ｔ２と、溝部Ｄ１，Ｄ２に対応する第３の領域Ｔ３を備える。
【００８４】
フォトマスクＰＭの第１〜第３の領域Ｔ１〜Ｔ３の透過率はそれぞれ０％、１００％および約５０％に設定した。
【００８５】
これにより、ベース絶縁層１上に幅ｄａ，ｄｂが４μｍ、深さが４μｍの溝部Ｄ１，Ｄ２が形成された。
【００８６】
次に、ベース絶縁層１の上面側に連続スパッタリングによりクロムおよび銅からなる金属薄膜層２を形成した。ここで、金属薄膜層２の厚みは１００ｎｍであった。
【００８７】
続いて、金属薄膜層２の上面側に、感光性樹脂からなるめっきレジスト層３を形成した。そこで、めっきレジスト層３を所定のパターンで露光処理および現像処理する。これにより、所定のパターンを有するめっきレジスト層３が金属薄膜層２上に形成された。
【００８８】
次に、露出した金属薄膜層２上に厚み１０μｍの銅からなる金属めっき層４を形成した。そして、めっきレジスト層３を除去するとともに、めっきレジスト層３の形成領域における金属薄膜層２を除去した。
【００８９】
これにより、ベース絶縁層１上に金属薄膜層２および金属めっき層４からなる導体パターン２０ａ，２０ｂが形成された。
【００９０】
これらの導体パターン２０ａ，２０ｂは、厚みｈａ，ｈｂがともに１０μｍで、幅ｗａ，ｗｂがともに２０μｍであった。また、互いの間隔ｃｌ１が２０μｍであった。
【００９１】
最後に、ベース絶縁層１および導体パターン２０ａ，２０ｂの上面側に、感光性ポリイミドを用いて、厚み４μｍのカバー絶縁層５を形成した。これにより、実施例１の配線回路基板１０が完成した。
【００９２】
[実施例２]
実施例２の回路付サスペンション基板１００ｂは、以下の点で実施例１の回路付サスペンション基板１００ａと異なる。図５（ｂ）に示すように、実施例２の回路付サスペンション基板１００ｂにおいては、ベース絶縁層１に４本の溝部Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂを形成した。
【００９３】
すなわち、ベース絶縁層１上の一方の導体パターン２０ａの形成領域に２本の溝部Ｄ１ａ，Ｄ１ｂを形成し、他方の導体パターン２０ｂの形成領域に２本の溝部Ｄ２ａ，Ｄ２ｂを形成した。４本の溝部Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂの幅ｄａ１，ｄａ２，ｄｂ１，ｄｂ２は４μｍ、深さを４μｍとした。
【００９４】
また、互いに隣接する２つの溝部Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ間の間隔ｃｌａは４μｍとし、２つの溝部Ｄ２ａ，Ｄ２ｂ間の間隔ｃｌｂも４μｍとした。
【００９５】
[比較例１]
比較例１の回路付サスペンション基板２００は、以下の点で実施例１の回路付サスペンション基板１００ａと異なる。図５（ｃ）に示すように、比較例１の回路付サスペンション基板２００においては、ベース絶縁層１に溝部Ｄ１，Ｄ２が形成されていない。
【００９６】
（評価）
実施例１、実施例２および比較例１の回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂ，２００について、それぞれベース絶縁層１に対する導体パターン２０ａ，２０ｂのピール強度を「ＪＩＳ（日本工業規格）Ｃ５０１６」に準拠する方法で測定した。
【００９７】
その結果、実施例１および実施例２の回路付サスペンション基板１００ａ，１００ｂでは、比較例１の回路付サスペンション基板２００に対してそれぞれ１．３４倍および１．５４倍の強さのピール強度が測定された。
【００９８】
このような結果から、ベース絶縁層１上の導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域に溝部Ｄ１，Ｄ２を形成することにより、ベース絶縁層１と導体パターン２０ａ，２０ｂとの間で十分な密着力が得られることが明らかとなった。
【００９９】
また、ベース絶縁層１上の導体パターン２０ａ，２０ｂの形成領域にそれぞれ複数の溝部Ｄ１ａ，Ｄ１ｂおよび溝部Ｄ２ａ，Ｄ２ｂを形成することにより、ベース絶縁層１と導体パターン２０ａ，２０ｂとの間でさらに十分な密着力が得られることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、絶縁層および導体層を備える配線回路基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】実施例１、実施例２および比較例１の回路付サスペンション基板の外観斜視図である。
【図５】図４の回路付サスペンション基板のＺ部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１  ベース絶縁層
２  金属薄膜層
３  めっきレジスト層
４  金属めっき層
５  カバー絶縁層
１０  金属補強板
２０ａ，２０ｂ  導体パターン
１００  配線回路基板
１００ａ，１００ｂ，２００  回路付サスペンション基板
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂ  溝部
【図１】
2007109755.tif 000003
【図２】
2007109755.tif 000004
【図３】
2007109755.tif 000005
【図４】
2007109755.tif 000006
【図５】
2007109755.tif 000007