(57)【要約】【課題】絶縁被膜の形成精度が良好で、絶縁破壊の恐れの無い回路基板を提供すること。【解決手段】本発明の回路基板において、絶縁基板１には、四角形状の被膜除去部７ａを有する絶縁被膜７が設けられ、導電パターン２の複数のランド部４は、被膜除去部７ａ内に位置するようにしたため、高密度化に対応してランド部４のピッチが狭くなっても、被膜除去部７ａは複数のランド部４に対して共通となって、その結果、絶縁皮膜７の形状が簡素化され、絶縁皮膜形成のためのレジスト等の印刷の精度の良好なものが得られると共に、ランド部４に繋がって被膜除去部７ａ内に位置するパターン部３は、被膜除去部７ａの辺７ｂに対して垂直状態にしたため、高密度化に対応してもパターン部３間の間隔を大きくできて、絶縁破壊の恐れの無いものが得られる。【選択図】図２
2007116040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる導電パターンが形成された絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられた絶縁被膜とを備え、前記導電パターンは、複数のランド部と、このランド部に接続されたパターン部を有すると共に、前記絶縁被膜には、四角形状の被膜除去部が設けられ、複数の前記ランド部は、前記被膜除去部内に位置すると共に、前記ランド部に繋がって前記被膜除去部内に位置する前記パターン部は、前記被膜除去部の辺に対して垂直状態にしたことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
複数の前記ランド部は、前記被膜除去部の辺に沿って配設されたことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記導電パターンは、電気信号が流れる前記パターン部、及び前記ランド部と、電気信号が流れないＮＣランド部、及びこのＮＣランド部に接続された延設パターン部を有し、前記ＮＣランド部は、前記被膜除去部内に位置すると共に、前記ＮＣランド部に繋がって前記被膜除去部内に位置する前記延設パターン部は、前記被膜除去部の辺に対して垂直状態にしたことを特徴とする請求項１，又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記ランド部と前記ＮＣランド部は、前記被膜除去部の辺に沿って少なくとも一列に配設されたことを特徴とする請求項３記載の回路基板。
【請求項５】
複数の電極を有する半導体部品を備え、前記電極がランド部と前記ＮＣランド部に半田付けされたことを特徴とする請求項３、又は４記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器や電子回路ユニット等に使用され、特に、半導体部品の取付に適した回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体部品の取付に使用される従来の回路基板を図３に基づいて説明すると、絶縁基板５１に設けられた導電パターン５２は、電気信号が流れるパターン部５３と、このパターン部５３の一端に設けられたランド部５４を有し、このパターン部５３は、ランド部５４に対して不規則な位置から引き出されており、また、絶縁基板５１上には絶縁被膜５５が設けられ、個々のランド部５４と、パターン部５３のランド部５４の近傍部５３ａは、絶縁被膜５５に設けられた丸形被膜除去部５５ａによって露出され、露出したランド部５４と近傍部５３ａには、半導体部品の電極が半田付けされるようになって、従来の回路基板が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−６８８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、近年の高密度化の要求における従来の回路基板にあっては、個々のランド部５４が絶縁被膜５５に設けられた個々の丸形被膜除去部５５ａによって露出されるようになっているため、高密度化に対応してランド部５４のピッチが狭くなると、丸形被膜除去部５５ａ同士が互いに重なり合うようになり、その結果、絶縁皮膜５５の形状が複雑となって、絶縁皮膜５５形成のためのレジスト等の印刷に高い精度が必要になり、また、パターン部５３は、ランド部５４に対して不規則な位置から引き出されているため、高密度化に対応したパターン部５３間の間隔が狭くなって、半田ブリッジによるショートを起こす恐れがあるという問題がある。
【０００４】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁被膜の形成精度が良好で、絶縁破壊の恐れの無い回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の解決手段として、金属からなる導電パターンが形成された絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられた絶縁被膜とを備え、前記導電パターンは、複数のランド部と、このランド部に接続されたパターン部を有すると共に、前記絶縁被膜には、四角形状の被膜除去部が設けられ、複数の前記ランド部は、前記被膜除去部内に位置すると共に、前記ランド部に繋がって前記被膜除去部内に位置する前記パターン部は、前記被膜除去部の辺に対して垂直状態にした構成とした。
【０００６】
また、第２の解決手段として、複数の前記ランド部は、前記被膜除去部の辺に沿って配設された構成とした。
【０００７】
また、第３の解決手段として、前記導電パターンは、電気信号が流れる前記パターン部、及び前記ランド部と、電気信号が流れないＮＣランド部、及びこのＮＣランド部に接続された延設パターン部を有し、前記ＮＣランド部は、前記被膜除去部内に位置すると共に、前記ＮＣランド部に繋がって前記被膜除去部内に位置する前記延設パターン部は、前記被膜除去部の辺に対して垂直状態にした構成とした。
【０００８】
また、第４の解決手段として、前記ランド部と前記ＮＣランド部は、前記被膜除去部の辺に沿って少なくとも一列に配設された構成とした。
【０００９】
また、第５の解決手段として、複数の電極を有する半導体部品を備え、前記電極がランド部と前記ＮＣランド部に半田付けされた構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路基板において、絶縁基板には、四角形状の被膜除去部を有する絶縁被膜が設けられ、導電パターンの複数のランド部は、被膜除去部内に位置するようにしたため、高密度化に対応してランド部のピッチが狭くなっても、被膜除去部は複数のランド部に対して共通となって、その結果、絶縁皮膜の形状が簡素化され、絶縁皮膜形成のためのレジスト等の印刷の精度の良好なものが得られると共に、ランド部に繋がって被膜除去部内に位置するパターン部は、被膜除去部の辺に対して垂直状態にしたため、高密度化に対応してもパターン部間の間隔を大きくできて、絶縁破壊の恐れの無いものが得られる。
【００１１】
また、複数のランド部は、被膜除去部の辺に沿って配設されたため、被膜除去部内に露出したパターン部の表面積を等しくでき、半導体部品の半田付を行った際、半田の盛り上がりを等しくできて、半田の平坦度（コプラナリティ）が得られ、半導体部品の半田付の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、導電パターンは、被膜除去部内に位置し、電気信号が流れないＮＣランド部が設けられたため、半導体部品の半田付を行った際、半導体部品がＮＣランド部にも半田付けされて、半導体部品の取付が確実になると共に、ＮＣランド部に繋がって被膜除去部内に位置する延設パターン部は、被膜除去部の辺に対して垂直状態にしたため、高密度化に対応してもパターン部と延設パターン部間の間隔を大きくできる。
【００１３】
また、ランド部とＮＣランド部は、被膜除去部の辺に沿って少なくとも一列に配設されたため、被膜除去部内に露出したパターン部と延設パターン部の表面積を等しくでき、半導体部品の半田付を行った際、半田の盛り上がりを等しくできて、半田の平坦度（コプラナリティ）が得られ、半導体部品の半田付の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また、複数の電極を有する半導体部品を備え、電極がランド部とＮＣランド部に半田付けされたため、半導体部品の取付が確実にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の回路基板に係り、半導体部品を取り付けた状態の要部の拡大断面図、図２は本発明の回路基板に係る要部の平面図であり、次に、本発明の回路基板に係る構成を図１，図２に基づいて説明すると、セラミック等からなる絶縁基板１には、導電パターン２が設けられ、この導電パターン２は、電気信号が流れるパターン部３と、このパターン部３の一端に設けられた複数のランド部４と、電気的にノンコネクション（非接続）の複数のＮＣランド部５と、このＮＣランド部５に接続された電気的にノンコネクション（非接続）の延設パターン部６を有しており、そして、ランド部４とＮＣランド部５は、表面積が等しく形成されると共に、パターン部３と延設パターン部６は、互いにパターン幅が等しく形成されている。
【００１６】
また、絶縁基板１上には、レジストを印刷して形成された絶縁被膜７が設けられ、この絶縁被膜７は、四角形状の被膜除去部７ａが設けられ、この皮膜除去部７ａ内には、ランド部４とＮＣランド部５が皮膜除去部７ａの辺７ｂに沿って一列に配設されると共に、皮膜除去部７ａ内で露出するパターン部３の露出部３ａと延設パターン部６の露出部６ａは、被膜除去部７ａの辺７ｂに対して垂直状態となって、本発明の回路基板が形成されている。
【００１７】
このような本発明の回路基板には、図１に示すように、ベアチップ等からなる四角形状をなした半導体部品８の複数の電極９が露出部３ａを含むランド部４、及び露出部６ａを含むＮＣランド部５上に半田１０付されるようになっており、この時、露出部３ａを含むランド部４と露出部６ａを含むＮＣランド部５は、露出表面積が等しいため、半田１０の盛り上がりを等しくできて、半田１０の平坦度（コプラナリティ）が得られ、半導体部品の半田１０付の信頼性を向上させることができる。また、ＮＣランド部５は、一般的には半導体部品８の半田付強度を増大させたり、将来の半導体回路の増加のために予備的に設けたり、或いは、現在では使用されなくなった半導体回路の残存用として存在している。
【００１８】
なお、上記実施例では、図２に示すように、四角形状の全体に皮膜除去部７ａが設けられたもので説明したが、図２に示す二点鎖線の範囲に絶縁皮膜７を設けて、皮膜除去部７ａを帯状の四角形状としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の回路基板に係り、半導体部品を取り付けた状態の要部の拡大断面図である。
【図２】本発明の回路基板に係る要部の平面図である。
【図３】従来の回路基板に係る要部の平面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  絶縁基板
２  導電パターン
３  パターン部
３ａ  露出部
４  ランド部
５  ＮＣランド部
６  延設パターン部
６ａ  露出部
７  絶縁被膜
７ａ  皮膜除去部
７ｂ  辺
８  半導体部品
９  電極
１０  半田
【図１】
2007116040.tif 000003
【図２】
2007116040.tif 000004
【図３】
2007116040.tif 000005