(57)【要約】【課題】レジストからのアウトガスによるドーズシフトを十分に低減し、高精度のイオン注入を実現すること。【解決手段】レジストを有せずにウェハ表面を露出させた第１のテストウェハに対して、注入するイオン種ならびに注入エネルギーを所定の一定条件として所定のドーズ量でイオン注入を行った後、イオン注入領域の電気物理特性を測定してドーズ量と電気物理特性との関係を求める第1のステップと、ウェハ表面にレジストが形成されると共にレジストの一部にウェハ表面を露出させる開口を有する第２のテストウェハに対して、第１のステップと同じイオン種と注入エネルギーの条件でイオン注入してイオン注入領域の電気物理特性を測定する第２のステップと、第２のステップで測定された電気物理特性と第１のステップで求めた同じドーズ量における電気物理特性とを比較してドーズ量のずれを評価する第３のステップと、を有した。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストの形成されたウェハにイオン注入する際、前記レジストから発生するアウトガスによって生じるドーズシフト量を評価するドーズシフト量評価方法であって、
レジストを有せずにウェハ表面を露出させた第１のテストウェハに対して、注入するイオン種ならびに注入エネルギーを所定の一定条件として前記第１のテストウェハに所定のドーズ量でイオン注入を行った後、前記第１のテストウェハのイオン注入領域の電気物理特性を測定して、前記第１のテストウェハにおけるドーズ量と前記電気物理特性との関係を求める第1のステップと、
ウェハ表面にレジストが形成されると共に前記レジストの一部にウェハ表面を露出させる開口を有する第２のテストウェハに対して、前記第１のステップと同じイオン種と注入エネルギーの条件で所望のドーズ量設定値で前記レジストの開口から露出する前記第２のテストウェハのウェハ表面に選択的にイオン注入して、前記第２のテストウェハのイオン注入領域の前記電気物理特性を測定する第２のステップと、
前記第２のステップで測定された電気物理特性と前記第１のステップで求めた同じドーズ量における電気物理特性とを比較してドーズ量のずれを評価する第３のステップと、を有することを特徴とするドーズシフト評価方法。
【請求項２】
請求項１記載のドーズシフト評価方法であって、
前記第１のステップが、前記第１のテストウェハを複数枚用いて、前記第１のテストウェハそれぞれのドーズ量をそれぞれ異なる複数の段階に設定して前記イオン注入を行い、イオン注入後の各第１テストウェハに対してそれぞれ前記電気物理特性の測定を行い、種々のドーズ設定量に対する前記電気物理特性の検量線を求めることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のドーズシフト評価方法であって、
前記電気物理特性がシート抵抗値であることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のドーズシフト評価方法であって、
前記電気物理特性が、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析方法）によって測定された前記ウェハの深さ方向の不純物濃度分布特性であることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置における、レジストからのアウトガスに起因するドーズシフト量を評価するドーズシフト評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入装置は、半導体ウェハに不純物を導入するイオン注入工程で使用される。イオン注入工程では、半導体ウェハへのイオン注入量を精密に制御することが求められる。一般に、イオン注入量は、イオンビームのビーム電流値を半導体ウェハの背後や両隣等に配置したファラデーカップで測定してドーズコントローラで制御する。イオン注入量の精密制御のためには、適切なビーム電流値を設定すると共に、ビーム電流値を正確に測定することが要求される。
【０００３】
図６は、従来のイオン注入の概要と、その問題点を説明するための図である。
シリコンウェハ１３の表面には酸化膜や窒化膜（不図示）が形成され、その上に、注入マスクとなる、パターニングされたレジスト１２が形成される。そして、シリコンウェハ１３に対して加速管１０によりイオン注入がなされる。
しかし、上記従来の技術では、レジスト１２に対しイオン注入を行うことにより、レジスト１２内部よりアウトガス（主にＨ２ガス）１１が発生し、イオン注入装置内の真空悪化が生じる。このため、ファラデーカップ１４によるビーム電流の計測値に誤差が生じ、したがって、実際のイオン注入量が、所望値からずれてしまう問題が生じる。つまり、真空悪化によるイオン注入量の変動の問題が生じる。
【０００４】
図７（ａ），（ｂ）は各々、レジストから発生するアウトガスに起因するイオン注入量の変動について説明するための図である。図７（ａ）では、２価のプラスイオンＩ１が、アウトガス１１から電子をもらう結果、価数が減少して、１価のプラスイオンＩ２となっている。図７（ｂ）では、１価のプラスイオンＩ３が、アウトガス１１から電子をもらう結果、中性の原子Ｉ４となっている。
【０００５】
すなわち、半導体ウェハの近傍を通過したイオンビームは、一部が半導体ウェハに塗布されたレジストからイオン注入中に発生するアウトガス１１から電荷をもらい（あるいは奪われ）てしまう。アウトガス１１の主成分は、上記のとおりＨ２ガスである。イオンがアウトガス１１に衝突すると価数が減少し、あるいは中性化されて原子となる。この衝突過程で運動エネルギーはほとんど減少せず、原子は基板中に不純物として導入される。
【０００６】
例えば、イオンが中性化された場合を考える。イオンの割合はアウトガスの圧力にもよるが、例えば、１００個のイオンが加速されてきたと仮定すると、９０個程度はイオンのまま基板に到達するが、１０個程度はアウトガス１１と衝突して電荷を失い中性化される。ここで、半導体ウェハ１３中の不純物量は実際には１００個であるが、ファラデーカップ１４は９０個程度の不純物を注入したと測定してしまい、このため、さらに、１０個のイオンに相当するビーム電流が流れるまでイオン注入が継続されることになる。
【０００７】
よって、オーバードーズ（イオン注入量の超過）状態となり、不純物層により形成される抵抗の抵抗値は、所望値よりも減少してしまう。注入イオンの価数が減少する場合も、同様の問題が生じる。ただし、常にオーバードーズとなるわけではなく、注入条件（特に高エネルギー側）によっては、プラスイオンからの電子の剥離が生じて、アンダードーズ（イオン注入量の不足）状態が生じる。
【０００８】
このアウトガスに対する対策としては、例えば、特許文献１に記載される方法が提案されている。特許文献１に記載される方法では、レジストをプリベークすることによって、レジストからのアウトガスを事前に低減している。
【特許文献１】特開平１０−１０６９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、レジストにプリベーキングを施したとしても、アウトガスの発生が完全になくなるわけではなく、ある程度の真空悪化は避けられない。したがって、ドーズ量測定に誤差が生じる場合があり、依然として真空悪化の影響を被ることとなる。
【００１０】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、レジストからのアウトガスによるドーズシフトを十分に低減し、より高精度のイオン注入を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明にかかる上記目的は、下記構成によって達成される。
（１）表面にレジストの形成されたウェハにイオン注入する際、前記レジストから発生するアウトガスによって生じるドーズシフト量を評価するドーズシフト量評価方法であって、レジストを有せずにウェハ表面を露出させた第１のテストウェハに対して、注入するイオン種ならびに注入エネルギーを所定の一定条件として前記第１のテストウェハに所定のドーズ量でイオン注入を行った後、前記第１のテストウェハのイオン注入領域の電気物理特性を測定して、前記第１のテストウェハにおけるドーズ量と前記電気物理特性との関係を求める第1のステップと、ウェハ表面にレジストが形成されると共に前記レジストの一部にウェハ表面を露出させる開口を有する第２のテストウェハに対して、前記第１のステップと同じイオン種と注入エネルギーの条件で所望のドーズ量設定値で前記レジストの開口から露出する前記第２のテストウェハのウェハ表面に選択的にイオン注入して、前記第２のテストウェハのイオン注入領域の前記電気物理特性を測定する第２のステップと、前記第２のステップで測定された電気物理特性と前記第１のステップで求めた同じドーズ量における電気物理特性とを比較してドーズ量のずれを評価する第３のステップと、を有することを特徴とするドーズシフト評価方法。
【００１２】
このドーズシフト評価方法によれば、第２のテストウェハの表面には、所定サイズの開口をもつ所定膜厚のレジストが設けられているため、イオン注入を行うことによって、実際の製品にイオン注入するときと同様にアウトガスが発生し、そのアウトガスが存在する環境下で、レジストの開口を介してイオンをウェハ内部に注入することができ、一枚のテストウェハにより、アウトガスが存在する条件下でのイオン注入を簡単に実現することができる。そして、その第２のテストウェハのイオン打ち込みされた領域の電気物理特性を測定し、その測定結果を、レジストが形成されていない第１のテストウェハを用いて予め取得されている電気物理特性と比較することによって、所定のドーズ量のときに、どれだけのドーズシフトが発生するかを容易に判断することができる。
【００１３】
（２）  （１）記載のドーズシフト評価方法であって、前記第１のステップが、前記第１のテストウェハを複数枚用いて、前記第１のテストウェハそれぞれのドーズ量をそれぞれ異なる複数の段階に設定して前記イオン注入を行い、イオン注入後の各第１テストウェハに対してそれぞれ前記電気物理特性の測定を行い、種々のドーズ設定量に対する前記電気物理特性の検量線を求めることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【００１４】
このドーズシフト評価方法によれば、第１のテストウェハを複数枚用いて、異なるドーズ量の設定でイオン注入を行うことで、種々のドーズ設定量に対する電気物理特性の検量線を求めることができ、ドーズシフトの評価精度を向上できる。
【００１５】
（３）  （１）または（２）項記載のドーズシフト評価方法であって、前記電気物理特性がシート抵抗値であることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【００１６】
このドーズシフト評価方法によれば、４深針のシート抵抗測定装置等によってシート抵抗（表面抵抗）を実測して、不純物が導入された領域の電気物理特性を評価することができる。
【００１７】
（４）  （１）または（２）項記載のドーズシフト評価方法であって、前記電気物理特性が、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析方法）によって測定された前記ウェハの深さ方向の不純物濃度分布特性であることを特徴とするドーズシフト評価方法。
【００１８】
このドーズシフト評価方法によれば、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析方法）によって測定された、ウェハの深さ方向の不純物濃度分布特性によって、不純物が導入された領域の不純物濃度特性を高精度に評価することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のドーズシフト評価方法によれば、枚葉式のイオン注入装置であっても、精度の高いドーズシフト評価を効率的に行うことが可能となる。特に近年、大電流イオン注入装置においては、より高精度なイオン注入を実現するために枚葉式の装置が使用されるようになってきたが、枚葉式の場合、バッチ式と異なり一枚毎にウェハを処理するため、レジストを使用してアウトガスによる真空悪化の状態をつくりだしつつ、ウェハ内にイオン注入を行うことが難しく、ドーズシフトの評価にも困難が伴う。本発明によれば、枚葉式のイオン注入装置において、アウトガスが存在する条件下でのイオン注入を簡単に実現することができ、ドーズシフト量の評価を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明に係るドーズシフト評価方法の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明のドーズシフト評価方法を実施するイオン注入装置の主要な構成を示すブロック図である。なお、ここでは枚葉式の中電流イオン注入装置とする。
【００２１】
図示されるように、イオン注入装置本体１００は、ガス系１０２と、イオン源１０４と、イオン引き出し高電圧加速系１０６と、質量分析系１０８と、後段加速系１１０と、ビーム収束系１１２と、ファラデーカップ１１４と、ターゲットとなるウェハ１１６を吸引しつつ載置するためのロードロックチャンバ１１８と、ロード／アンロード機構ならびにカセットステーション１２０と、を有する。
【００２２】
また、イオン注入装置本体１００の動作を制御するための制御系としては、ドーズコントローラ１３０と、コントロールコンソール（制御表示パネル）１３２とを有する。
【００２３】
そして、製品ウェハ１１６に対してイオン注入を実施する場合、オペレータは、コントロールコンソール（制御表示パネル）１３２によって、イオン種、注入エネルギーならびにドーズ量を設定する。このようにしてイオン注入条件が入力されると、ドーズコントローラ１３０は、ドーズ量に基づく標準ビーム電流値でイオン注入を実施する。
【００２４】
なお、ファラデーカップ１１４は、半導体ウェハ１１６にイオンビーム６を照射中は、そのイオンビーム６に接触しない位置にあり、必要に応じてイオンビーム６を捉えられる位置に移動して測定を行う。図１では、ファラデーカップ１１４は、半導体ウェハ１１６の前方に設けられているが、後方に設けられる場合もあり、また、半導体ウェハ１１６の周辺に設けられる場合もある。大電流イオン注入装置では、例えば、約２００ｍｓｅｃの周期で、イオンビームの電流値を測定することが可能である。
【００２５】
図２は、図１の枚葉式の高エネルギーイオン注入装置の一例におけるプラテンの移動と、ファラデーカップによるビーム電流値の測定について説明するための図である。図２において、図１と同じ部分には同じ参照符号を付してある。
【００２６】
ウェハ１１６を保持するプラテン５は、図中、点線で示されるように、搬送時には水平状態を保っており、イオン注入時には、矢印のとおり９０度回転して垂直な状態となる。これによって、ウェハ１１６の表面がイオンビーム６に対して垂直となり、イオン注入が可能である。
【００２７】
また、図２では、ファラデーカップ１１４は、半導体ウェハ１１６の後方に設けられている。このファラデーカップ１１４によってビーム電流を測定する場合には、図中の太い矢印で示されるように、プラテン５が下方向に沈み、これによって、イオンビーム６がファラデーカップ１１４に到達するようになっている。上記構成は一例であって、他の構成であっても勿論よい。
【００２８】
ここで、図１のイオン注入装置の制御方法の主要な手順を説明する。
先に説明したとおり、イオン注入時には、オペレータが、コントロールコンソール（制御表示パネル）１３２からドーズ量等の条件（その他、イオン種、注入エネルギー等）を入力する。上記条件としては、詳細を後述する予め実測された補正値を用いて、標準ビーム電流値を補正処理した結果が含まれる。そして、補正されたビーム電流値を目標値として、イオン注入を実施する。
【００２９】
本実施形態のイオン注入制御方法によれば、以下に説明するドーズシフト評価方法によって得られたドーズシフト評価情報を参照して、適正なビーム電流値を設定するため、オーバードーズ（あるいはアンダードーズ）の発生を十分に抑制することができる。したがって、レジストからのアウトガスの影響を最小限に抑制して、従来にない高精度のイオン注入が可能となる。
【００３０】
次に、上記のドーズシフト評価方法について説明する。
本実施形態では、２種類のテストウェハを用いてドーズシフト評価を行い、ビーム電流を補正する。
図３（ａ），（ｂ）は、本発明のドーズシフト評価に使用するテストウェハの種類について説明するためのウェハの平面図であり、（ａ）は、所定の被覆率（開口率）をもつレジスト付きのテストウェハ（第２のテストウェハ）の平面図であり、（ｂ）はレジスト無しのテストウェハ（第１のテストウェハ）の平面図である。ただし、双方のテストウェハの表面には、１００Åの熱酸化膜が形成されている。
【００３１】
図３（ａ）に示されるように、第１のテストウェハ１１５ａの表面には、所定膜厚のレジストが設けられており、かつ、そのレジストの中央には、四角形の開口（横方向のサイズＬ１，縦方向のサイズＬ２）が形成されている。ここでは、Ｌ１＝Ｌ２＝４０ｍｍとする。
【００３２】
第２のテストウェハ１１５ａの表面には、所定サイズの開口をもつ所定膜厚のレジストが設けられているため、イオン注入を行うことによって、実際の製品にイオン注入するときと同様に、アウトガスが発生し、そのアウトガスが存在する環境下で、レジストの開口を介してイオンをウェハ内部に注入することができる。したがって、枚葉式のイオン注入装置であっても、一枚のテストウェハにより、アウトガスが存在する条件下でのイオン注入を簡単に実現することができる。
【００３３】
図４は、第１および第１のテストウェハにイオン注入を実施し、ドーズ量と各テストウェハのイオン注入領域におけるシート抵抗との関係を求めた結果の一例を示す図である。
【００３４】
第１のテストウェハ１１５ｂ（レジスト無し）に対しては、トリプルチャージのＡｓ（質量数７５）をイオン種とし、６００ｋｅＶの注入エネルギーにて、３つのドーズ量（Ｄ１〜Ｄ３）を設定してイオン注入を実施し、イオン注入領域のシート抵抗（表面抵抗）を調べた。ドーズ量Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は各々、４．７×１０１３，５．０×１０１３，５．３×１０１３である。
【００３５】
ドーズ量Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に対応するシート抵抗値は、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３である。そして、Ｄ１〜Ｄ３とＰ１〜Ｐ３の各々によって規定される点（ｘ１〜ｘ３）をプロットし、これによって検量線Ｙが得られる。検量線Ｙは、アウトガスに起因するドーズシフト量を判定するための基準となる特性線である。
【００３６】
続いて、第２のテストウェハ（開口をもつレジスト付きのテストウェハ）１１５ａに対して、ドーズ量Ｄ２（中央の点ｘ２に対応するドーズ量である）にて、第１のテストウェハ１１５ｂに対するイオン注入条件と同一の条件下でイオン注入を実施する。
【００３７】
このとき、通常は、アウトガスに起因してイオン種の価数の減少（あるいは中性化）が生じてオーバードーズ（イオン注入量の超過）となる。したがって、シート抵抗値は、Ｐ２よりも低いＰ４となる。つまり、検量線Ｙ上の点ｘ２が、その検量線Ｙの下側に位置する点Ｑ１に移動することになる。ただし、高エネルギーのイオン種から電子が奪われたときは、アンダードーズ（イオン注入不足）となり、シート抵抗値がＰ５となる場合もある。この場合は、検量線Ｙ上の点ｘ２が、その検量線Ｙの上側に位置する点Ｑ２に移動することになる。
【００３８】
ここでは、オーバードーズ（イオン注入量の超過）となって、シート抵抗値は、Ｐ２よりも低いＰ４に移動した（つまり、検量線Ｙ上の点ｘ２が、その検量線Ｙの下側に位置する点Ｑ１に移動した）場合を想定する。この場合、シート抵抗値Ｐ４における、ドーズ量Ｄ４に対するドーズ量Ｄ２との差分（Ｄ４−Ｄ２）が、ドーズシフト量となる。
【００３９】
つまり、所定膜厚のレジストに４０ｍｍ×４０ｍｍの開口を設けた場合の、ドーズ量Ｄ４におけるドーズシフト量は、（Ｄ２−Ｄ４）となる。このドーズシフトを抑制するためには、ビーム電流値を低下させて、イオン注入量を減少させる必要がある。
【００４０】
そこで、図４の実験結果に基づいて、ビーム電流補正値を求める。つまり、所定膜厚のレジストに４０ｍｍ×４０ｍｍの開口を設けた場合であって、トリプルチャージのＡｓ（質量数７５）をイオン種とし、６００ｋｅＶの注入エネルギーの場合には、ドーズ量の補正値を「Ｄ４−Ｄ２」としてビーム電流値を補正する。
【００４１】
そして、図１のイオン注入装置によって、実際の製品に対してイオン注入が実施される場合には、ドーズ量に応じたビーム電流標準値に、ドーズシフト量を加味して、補正されたドーズ量を求め、この補正されたドーズ量に対するビーム電流値でイオン注入を実施する。
【００４２】
上記の例では、その第２のテストウェハ１１５ａのイオン打ち込みされた領域のシート抵抗を測定してドーズシフトを評価したが、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析方法）によって不純物濃度特性（不純物の表面濃度、濃度プロファイル特性）を測定し、その測定結果に基づいて、ドーズシフト量を評価してもよい。その場合、アウトガスにより加速できずに打ち込んだイオンがある場合に、ＳＩＭＳで判別が確実に行えるため、一層正確な評価が可能となる。
【００４３】
このように、第１のテストウェハを用いた測定結果によって検量線を描き、第２のテストウェハの測定結果を検量線と比較することによって、所定のドーズ量のときに、どれだけのドーズシフトが発生するかを容易に検出することができる。そして、ドーズシフト量のデータを蓄積することによって、種々のドーズ量についての、あるいは、異なる条件下でのドーズシフト量を求めることができ、精度の高いドーズシフト評価を効率的に行うことが可能となる。
【００４４】
例えば、第２のテストウェハ１１５ａのレジストによる被覆率を種々変更することによって、レジストの被覆率との関連においてドーズシフトを評価することが可能となる。半導体製造工程では、種々のパターンのレジストが形成されるが、ウェハ全体に対するレジストの被覆率は既知であるから、実際の製品のウェハのレジストによる被覆率に合わせて第２のテストウェハ１１５ａを製造すれば、アウトガスに起因して実際の製品において生じるであろうドーズシフト量を、事前に的確に把握することが可能となる。
【００４５】
また、第２のテストウェハ１１５ａのレジストの膜厚を種々変更することによって、レジストの膜厚との関連においてドーズシフトを評価することが可能となる。半導体製造工程では、種々の膜厚のレジストが形成されるが、レジストの膜厚は既知であるから、実際の製品のウェハにおけるレジストの膜厚に合わせて第２のテストウェハ１１５ａを製造すれば、アウトガスに起因して実際の製品において生じるであろうドーズシフト量を、事前に的確に把握することが可能となる。
【００４６】
図５は、本実施形態にて説明したドーズシフト評価方法の主要な手順を示すフロー図である。
まず、ドーズ量を設定し（Ｓ１）、レジスト無しのテストウェハ（第１のテストウェハ１１５ｂ）に対してイオン注入を実施する（Ｓ２）。ドーズ量を変更しつつ複数回のイオン注入を実施し、検量線の作成に足る数のイオン注入が実施されると、イオン注入を終了する（Ｓ３）。
【００４７】
次に、レジスト付きのテストウェハ（第２のテストウェハ１１５ａ）に対して所定条件下でイオン注入を実施し（Ｓ４）、各テストウェハについて、ドーズ量と、例えばシート抵抗値との関係をプロットする。次に、レジスト付きのテストウェハにおけるシート抵抗値と、検量線とのずれ量を求め（Ｓ５）、そのずれ量（ドーズシフト量）に基づいて、ビーム電流値を補正する（Ｓ６）。
【００４８】
このように、本発明のドーズシフト評価方法によれば、枚葉式の装置であっても、アウトガスに起因するドーズシフト量を簡単に、効率的に知ることができ、その評価結果を、製品へのイオン注入に反映させることによって、より高精度のイオン注入が実現される。
【００４９】
以上説明したように、本発明によれば、精度の高いドーズシフト評価を効率的に行うことが可能となり、また、実際の製品のウェハにおけるレジストによる被覆率やレジストの膜厚に合わせて第２のテストウェハを製造すれば、アウトガスに起因して実際の製品において生じるであろうドーズシフト量を、事前に的確に把握することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のドーズシフト評価方法を実施するイオン注入装置の主要な構成を示すブロック図である。
【図２】図１の枚葉式の高エネルギーイオン注入装置におけるプラテンの移動と、ファラデーカップによるビーム電流値の測定について説明するための図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明のドーズシフト評価に使用するテストウェハの種類について説明するための図であり、（ａ）は、所定の被覆率（開口率）をもつレジスト付きのテストウェハ（第２のテストウェハ）の平面図、（ｂ）はレジスト無しのテストウェハ（第１のテストウェハ）の平面図である。
【図４】第１および第２のテストウェハにイオン注入を実施し、ドーズ量と各テストウェハのイオン注入領域におけるシート抵抗との関係を求めた結果の一例を示す図である。
【図５】本実施形態にて説明したドーズシフト評価方法の主要な手順を示すフロー図である。
【図６】従来のイオン注入の概要と、その問題点を説明するための図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は各々、レジストから発生するアウトガスに起因するイオン注入量の変動について説明するための図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００  イオン注入装置本体
１０２  ガス系
１０４  イオン源
１０６  イオン引き出し高電圧加速系
１０８  質量分析系
１１０  後段加速系
１１２  ビーム収束系
１１４  ファラデーカップ
１１５ａ  第２のテストウェハ
１１５ｂ  第１のテストウェハ
１１６  ターゲットとなるウェハ
１１８  ロードロックチャンバ
１２０  ロード／アンロード機構ならびにカセットステーション
１３０  ドーズコントローラ
１３２  コントロールコンソール（制御表示パネル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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