(57)【要約】【課題】シリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができるシリコンインゴッドのスライス方法を提供する。【解決手段】シリコンインゴッドをワイヤソーのワイヤによりスライスする方法であって、シリコンインゴッドにダミー材を接着する工程と、ダミー材の接着後にダミー材からワイヤによるスライスを開始し、ダミー材のスライスに引き続いてワイヤによるシリコンインゴッドのスライスを行なう工程と、を含む、シリコンインゴッドのスライス方法である。【選択図】図１
2007173721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンインゴッドをワイヤソーのワイヤによりスライスする方法であって、
シリコンインゴッドにダミー材を接着する工程と、
前記ダミー材の接着後に前記ダミー材から前記ワイヤによるスライスを開始し、前記ダミー材のスライスに引き続いて前記ワイヤによる前記シリコンインゴッドのスライスを行なう工程と、
を含む、シリコンインゴッドのスライス方法。
【請求項２】
前記ワイヤの走行方向における前記ダミー材の長さが、前記ワイヤの走行方向における前記シリコンインゴッドの長さ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のシリコンインゴッドのスライス方法。
【請求項３】
前記ダミー材の接着にエポキシ系接着剤が用いられることを特徴とする、請求項１または２に記載のシリコンインゴッドのスライス方法。
【請求項４】
前記ダミー材のスライス開始時における前記ワイヤの走行速度が前記シリコンインゴッドのスライス時における前記ワイヤの走行速度よりも小さいことを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のシリコンインゴッドのスライス方法。
【請求項５】
前記ダミー材のスライス開始時におけるスラリ供給量が前記シリコンインゴッドのスライス時におけるスラリ供給量よりも少ないことを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載のシリコンインゴッドのスライス方法。
【請求項６】
前記ダミー材のスライス開始時における前記ダミー材の設置側への前記ワイヤソーに対する前記シリコンインゴッドの相対速度が前記シリコンインゴッドのスライス時における前記ダミー材の設置側への前記ワイヤソーに対する前記シリコンインゴッドの相対速度よりも大きいことを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載のシリコンインゴッドのスライス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンインゴッドのスライス方法に関し、特にシリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができるシリコンインゴッドのスライス方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１に、マルチワイヤソーを用いた従来のシリコンインゴッドのスライス方法を図解する模式的な斜視図を示す。ここで、捨板５および支持台４が順次貼り付けられたシリコンインゴッド１がインゴッド保持部３に取り付けられている。そして、４本の軸７にはワイヤ２が隣接するワイヤ２との間隔が等間隔となるように設置されており、ワイヤ２は所定の速度で走行している。この走行しているワイヤ２に砥粒が分散液に分散されたスラリを供給しながら、シリコンインゴッド１を図１１に示される矢印の方向に所定の移動速度で移動させることによって、ワイヤ２によりシリコンインゴッド１がスライスされ、複数枚のウエハが同時に得られる。
【０００３】
従来のシリコンインゴッドのスライス方法においては、シリコンインゴッドのスライスはスライス開始時からスライス完了時まで一定の条件で実施される。その条件の一例としては、シリコンインゴッドの移動速度が０．２５ｍｍ／分、ワイヤの走行速度が１２ｍ／分、スラリ供給量が１５０ｋｇ／分、ワイヤのテンションが２５Ｎ、スラリに含まれる砥粒の番手が８００番、スラリを構成する分散液が水溶性クーラント、ワイヤの直径が０．１５ｍｍであることなどが挙げられる。
【０００４】
しかしながら、この従来のシリコンインゴッドのスライス方法においては、一定の条件でスライスが実施されるために、１枚おきに厚いウエハと薄いウエハとが交互に発生し、シリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みにばらつきが生じるという問題があった。
【０００５】
そこで、特許文献１においては、円筒状のシリコンインゴッドの両側にこのシリコンインゴッドよりも硬度が高い２枚の板状のダミー材をそれぞれ立てて配置し、ダミー材とともにシリコンインゴッドをスライスすることによりウエハの厚みのばらつきを低減する方法が開示されている（特許文献１の請求項１および図１参照）。
【０００６】
しかしながら、この特許文献１に開示されている方法においてもウエハの厚みのばらつきを十分に低減することができないという問題があった。すなわち、特許文献１に開示されている方法においては、スライス開始直後におけるワイヤの暴れを解消できるだけの上向きの力の発生が期待できないためにウエハの厚みのばらつきを十分に低減することができない。
【特許文献１】特開２００３−１１７７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、シリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができるシリコンインゴッドのスライス方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、シリコンインゴッドをワイヤソーのワイヤによりスライスする方法であって、シリコンインゴッドにダミー材を接着する工程と、ダミー材の接着後にダミー材からワイヤによるスライスを開始し、ダミー材のスライスに引き続いてワイヤによるシリコンインゴッドのスライスを行なう工程と、を含む、シリコンインゴッドのスライス方法である。
【０００９】
ここで、本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においては、ワイヤの走行方向におけるダミー材の長さが、ワイヤの走行方向におけるシリコンインゴッドの長さ以下であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においては、ダミー材の接着にエポキシ系接着剤が用いられることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においては、ダミー材のスライス開始時におけるワイヤの走行速度がシリコンインゴッドのスライス時におけるワイヤの走行速度よりも小さいことが好ましい。
【００１２】
また、本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においては、ダミー材のスライス開始時におけるスラリ供給量がシリコンインゴッドのスライス時におけるスラリ供給量よりも少ないことが好ましい。
【００１３】
また、本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においては、ダミー材のスライス開始時におけるダミー材の設置側へのワイヤソーに対するシリコンインゴッドの相対速度がシリコンインゴッドのスライス時におけるダミー材の設置側へのワイヤソーに対するシリコンインゴッドの相対速度よりも大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができるシリコンインゴッドのスライス方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１６】
図１に、マルチワイヤソーを用いた本発明のシリコンインゴッドのスライス方法を図解する模式的な斜視図を示す。ここで、本発明においては、シリコンインゴッド１の捨板５および支持台４が貼り付けられている表面と反対側の表面にたとえばガラス板などのダミー材６が接着されていることに特徴がある。これは、本発明者らが鋭意検討した結果、シリコンインゴッド１の表面にダミー材６を接着した後に、マルチワイヤソーのワイヤ２によるスライスをダミー材６から開始し、ダミー材６のスライスに引き続いてシリコンインゴッド１のスライスを行なうことによって、シリコンインゴッド１のスライス後に得られるウエハの厚みのばらつきを低減できることを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
【００１７】
従来におけるシリコンインゴッドのスライス方法を詳細に検討したところ、以下の事実が判明した。すなわち、スライス開始時においてはワイヤにテンションが掛かっているのみでワイヤが撓むことによる上方への力がワイヤに発生していないため、シリコンインゴッドによる下方への力を逃がそうとワイヤが移動してワイヤの間隔が等間隔でない状態となる。そして、そのワイヤの間隔が等間隔でない状態でシリコンインゴッドのスライスが開始されるため、たとえば図２の模式的平面図に示すように、シリコンインゴッド１のスライス開始側の表面には、互いの間隔にばらつきのあるスライスライン８が形成される。
【００１８】
そして、シリコンインゴッドのスライス開始後においては、ワイヤの撓み量が次第に増大していき、ワイヤの撓み量が最大となった時点で安定化する。ワイヤの撓み量が最大となったとき、ワイヤの撓みに反発する上方への力がワイヤに発生するとともに、ワイヤの間隔が等間隔でない状態から等間隔である状態に戻そうとする力がワイヤに働く。
【００１９】
そこで、本発明においては、上記のワイヤの挙動をシリコンインゴッドの表面に接着されたダミー材のスライス時に発生させることによって、ダミー材がスライスされた後のシリコンインゴッドのスライス開始時においてはワイヤの間隔が等間隔の状態でスライスを進行させることができるため、たとえば図３の模式的平面図に示すように、シリコンインゴッド１のスライス開始側の表面には、ワイヤの間隔にほとんどばらつきのないスライスライン８が形成され、シリコンインゴッド１をスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを従来の方法と比べて低減することができる。
【００２０】
ここで、本発明においては、ダミー材を除去する分だけシリコンインゴッドのスライス時間が従来と比べて長くなることから、スライス時間の短縮のため、ダミー材のスライス開始時におけるワイヤの走行速度をシリコンインゴッドのスライス時におけるワイヤの走行速度よりも小さくすることが好ましい。この場合には、ダミー材のスライス開始時におけるワイヤの切れ味を落とすことができるため、ダミー材のスライス開始時においてワイヤの撓み量が最大となる状態を早く発生させることができる。これにより、ワイヤの撓み量が最大となる状態が早く発生した分だけワイヤの間隔が等間隔となる時間を早めることができる。
【００２１】
また、上記と同様にワイヤの撓み量が最大となる状態を早く発生させてスライス時間の短縮化を図る観点からは、ダミー材のスライス開始時におけるスラリ供給量をシリコンインゴッドのスライス時におけるスラリ供給量よりも少なくすることが好ましい。この場合にも、ダミー材のスライス開始時におけるワイヤの切れ味を落とすことができることから、上記と同様の理由でスライス時間の短縮化が可能となる。
【００２２】
さらに、上記と同様にワイヤが最大限撓む状態を早く発生させてスライス時間の短縮化を図る観点からは、ダミー材のスライス開始時におけるダミー材の設置側へのワイヤソーに対するシリコンインゴッドの相対速度をシリコンインゴッドのスライス時におけるダミー材の設置側へのワイヤソーに対するシリコンインゴッドの相対速度よりも大きくすることが好ましい。この場合には、ワイヤの撓み量が最大となる状態を早く発生させることができることから、上記と同様の理由によりスライス時間の短縮化が可能となる。なお、以下において、「ダミー材の設置側へのワイヤソーに対するシリコンインゴッドの相対速度」を「シリコンインゴッドの相対速度」という。
【００２３】
したがって、ワイヤの撓み量が最大となる状態を早く発生させてスライス時間の短縮化を図る観点からは、ダミー材のスライス開始時におけるシリコンインゴッドの相対速度をシリコンインゴッドのスライス時におけるシリコンインゴッドの相対速度よりも小さくする形態、ダミー材のスライス開始時におけるスラリ供給量をシリコンインゴッドのスライス時におけるスラリ供給量よりも少なくする形態、およびダミー材のスライス開始時におけるワイヤの走行速度をシリコンインゴッドのスライス時におけるワイヤの走行速度よりも小さくする形態の少なくとも２形態を組み合わせることがより好ましく、上記の３形態すべてを組み合わせることが特に好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、たとえば図４の模式的拡大側面図に示すように、図４に示すワイヤ２の走行方向におけるダミー材６の長さＬｄが、ワイヤ２の走行方向におけるシリコンインゴッド１の長さＬｓ以下であることが好ましい。ダミー材６としてはたとえば安価なガラス板などを用いることができるが、ダミー材６の大きさを小さくすることによってコストを低減することができるためである。
【００２５】
また、ダミー材６の長さＬｄと厚さＨｄとは、図５（ａ）を参照して、ワイヤ２の撓み量が一定となったときの撓み角α３を用いて、ｔａｎα３＝Ｈｄ／Ｌｄの関係を満たすように設定されることが好ましい。ここで、撓み角α３は、図５（ｂ）を参照して、α３＝ｔａｎ-1{（Ｈ２−Ｈ１）／Ｌｓ}の関係を満たす。なお、図５（ｂ）を参照して、Ｈ２＝（Ｌ１＋Ｌｓ）・ｔａｎα２であり、Ｈ１＝Ｌ１・ｔａｎα１である。
【００２６】
また、本発明において、シリコンインゴッドとダミー材の接着に用いられる接着剤は特に限定されないが、なかでもエポキシ系接着剤であることが好ましい。シリコンインゴッドとダミー材の接着に用いられる接着剤としてエポキシ系接着剤を用いた場合には、後工程でのシリコンインゴッドとダミー材の剥離の際に同一の液（たとえば乳酸の濃度が５０質量％で６０℃の水溶液）で剥離することができる傾向にある。なお、本発明において、エポキシ系接着剤としては従来から公知のものを用いることができ、特に限定はされない。本発明において用いられるエポキシ系接着剤としては、たとえば接着成分としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂または液ゴム変性エポキシ樹脂などの一分子中にエポキシ基を１個以上有するエポキシ樹脂を含むものなどが挙げられる。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明の実施例について説明する。ここでは、太陽電池用シリコンウエハを作製する場合について説明するが、本発明は太陽電池用シリコンウエハを作製する場合に限定されない。
【００２８】
（実施例１）
幅１５５ｍｍ、長さ２００ｍｍおよび厚さ１５５ｍｍのシリコンインゴッドを４本用意し、図１に示すようにこれら４本のシリコンインゴッド１を配列して、シリコンインゴッド１の一方の表面上に１枚のガラス板からなる捨板５をエポキシ系接着剤により接着し、さらに捨板５の表面上に１枚の鋼板からなる支持台４をエポキシ系接着剤により接着した。また、シリコンインゴッド１の他方の表面上には、幅２０ｍｍ、長さ４００ｍｍおよび厚さ１０ｍｍのガラス板からなるダミー材６をエポキシ系接着剤により接着した。そして、シリコンインゴッド１の幅方向がマルチワイヤソーのワイヤ２の走行方向と同一になるように、支持台４とインゴッド保持部３とをねじにより連結することによって、シリコンインゴッド１をマルチワイヤソーに取り付けた。なお、実施例１においては、ワイヤ２の走行方向におけるダミー材６の幅（２０ｍｍ）が、ワイヤの走行方向におけるシリコンインゴッドの幅（１５５ｍｍ）よりも短くなった。また、実施例１においては、ワイヤ２の走行方向におけるダミー材６の幅Ｌｄ（２０ｍｍ）と厚さＨｄ（１０ｍｍ）とは、ワイヤ２の撓み量が一定となったときの撓み角α３（図５（ａ）参照）を用いて、ｔａｎα３＝Ｈｄ／Ｌｄの関係を満たすように設定された。
【００２９】
また、図１に示すワイヤ２にスラリを供給するためのスラリタンク（図示せず）としては２００Ｌの容量のものを用い、スラリとしては比重３．２１で番手が８００番の砥粒を比重１の水溶性クーラントからなる分散液に分散させたものを用いた。ここで、スラリを構成する砥粒と分散液との質量比は砥粒：分散液＝１：１であった。
【００３０】
そして、シリコンインゴッド１のスライス後の太陽電池用シリコンウエハのそれぞれの厚みが２５０μｍとなるように、以下のスライス条件で、図１に示す矢印の方向にシリコンインゴッド１を移動させ、ダミー材６からワイヤ２によるスライスを開始し、ダミー材６のスライスに引き続いてワイヤ２によるシリコンインゴッド１のスライスを行なった。
【００３１】
＜スライス条件＞
シリコンインゴッドの相対速度：０．２５ｍｍ／分
ワイヤの走行速度：１２ｍ／分
スラリ供給量：１５０ｋｇ／分
ワイヤのテンション：２５Ｎ
ワイヤの直径：０．１５ｍｍ
その後、隣り合う２枚の太陽電池用シリコンウエハのスライス開始側の端部のそれぞれの厚さについて測定し、２２０μｍ以下の厚さのものと２８０μｍ以上の厚さのものとが隣り合う場合、２２０μｍ以下の厚さのものが隣り合う場合、および２８０μｍ以上の厚さのものが隣り合う場合のそれぞれの場合を太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生の基準とした。そして、上記の基準により、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生とされた太陽電池用シリコンウエハの合計枚数をシリコンインゴッド１のスライスにより得られた太陽電池用シリコンウエハの総数で割ることによって太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率（％）を算出した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は５％であった。
【００３２】
（実施例２）
シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させたこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００３３】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は０．０１％であった。
【００３４】
なお、図６に示すように、シリコンインゴッドの相対速度は、ダミー材のスライス開始時においては３７５μｍ／分であり、ダミー材のスライス完了までこの相対速度が維持されたが、シリコンインゴッドのスライス開始時から直線状に減少し、シリコンインゴッドのスライスが１０ｍｍの厚さ進行した時点で２５０μｍ／分となって、その相対速度でシリコンインゴッドのスライス完了時まで維持された。
【００３５】
また、図７に示すように、ワイヤの走行速度は、ダミー材のスライス開始時においては２００ｍ／分を少し超えたぐらいであり、ダミー材のスライス完了までこの走行速度が維持されたが、シリコンインゴッドのスライス開始時から増大し、シリコンインゴッドのスライスが２０ｍｍ程度の厚さ進行した時点で７００ｍ／分を少し超えたぐらいとなって、その走行速度でシリコンインゴッドのスライス完了時まで維持された。
【００３６】
また、図８に示すように、スラリ供給量は、ダミー材のスライス開始時においては６０ｋｇ／分であり、ダミー材のスライス完了までこのスラリ供給量が維持されたが、シリコンインゴッドのスライス開始時から直線状に増大し、シリコンインゴッドのスライスが１０ｍｍの厚さ進行した時点で１００ｋｇ／分となって、そのスラリ供給量でシリコンインゴッドのスライス完了時まで維持された。
【００３７】
また、図６、図７および図８の横軸はスライス位置を示しており、スライスが開始されるダミー材の表面を図６、図７および図８の横軸の０．０で示し、スライスが１ｍｍずつ進行するにしたがって横軸のスライス位置の数値が１ずつ増えていき、シリコンインゴッドの捨板接着側の表面が図６、図７および図８のそれぞれの横軸の１７５．０で示される。また、図６の縦軸はシリコンインゴッドの相対速度（単位：μｍ／分）を示し、図７の縦軸はワイヤの走行速度（単位：ｍ／分）を示し、図８の縦軸はスラリ供給量（単位：ｋｇ／分）を示している。
【００３８】
（比較例１）
ガラス板からなるダミー材を接着せずにシリコンインゴッドからワイヤによるスライスを開始したこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００３９】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は７０％であった。
【００４０】
（対比）
上記の結果から、シリコンインゴッドの表面上にガラス板からなるダミー材をエポキシ系接着剤により接着し、ダミー材からワイヤによるスライスを開始し、ダミー材のスライスに引き続きシリコンインゴッドのスライスを行なった実施例１および実施例２においては、ダミー材が接着されずにシリコンインゴッドからスライスが開始された比較例１と比べて、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００４１】
また、シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させた実施例２においては、シリコンインゴッドの相対速度、ワイヤの走行速度およびスラリ供給量が一定の条件でスライスが行なわれた実施例１と比べて太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００４２】
また、実施例１、実施例２および比較例１のそれぞれのシリコンインゴッドのスライス時間を測定したところ、実施例１では７００分、実施例２では６３０分、比較例１では６６０分となって、実施例２においては実施例１および比較例１よりもスライス時間を短縮することができた。
【００４３】
また、実施例１において、スライス開始時からスライス終了時までのワイヤの撓み量を測定したところ、図９に示す結果となった。ここで、図９の横軸は図６〜図８と同様のスライス位置を示しており、縦軸はワイヤの撓み量（単位：ｍｍ）を示している。図９に示すように、ダミー材のスライス開始時からダミー材のスライス完了時までワイヤの撓み量は増加し、シリコンインゴッドのスライス開始時からシリコンインゴッドのスライス完了時まではワイヤの撓み量は最大の１０ｍｍで一定となる。なお、図９のワイヤの撓み量は、図１０に示すように、撓む前のワイヤ２ａと撓んでいるワイヤ２ｂとの間隔ｄのことである。
【００４４】
（実施例３）
シリコンインゴッドのスライス後の太陽電池用シリコンウエハのそれぞれの厚みが２００μｍとなるようにスライスしたこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００４５】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は０．８％であった。
【００４６】
（実施例４）
シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させたこと以外は実施例３と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００４７】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は０．０２％であった。
【００４８】
（比較例２）
ガラス板からなるダミー材を接着せずにシリコンインゴッドからワイヤによるスライスを開始したこと以外は実施例３と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００４９】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は８０％であった。
【００５０】
（対比）
上記の結果から、シリコンインゴッドの表面上にガラス板からなるダミー材をエポキシ系接着剤により接着し、ダミー材からワイヤによるスライスを開始し、ダミー材のスライスに引き続きシリコンインゴッドのスライスを行なった実施例３および実施例４においては、ダミー材が接着されずにシリコンインゴッドからスライスが開始された比較例２と比べて、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００５１】
また、シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させた実施例４においては、シリコンインゴッドの相対速度、ワイヤの走行速度およびワイヤへのスラリ供給量が一定の条件でスライスが行なわれた実施例３と比べて、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００５２】
（実施例５）
シリコンインゴッドのスライス後の太陽電池用シリコンウエハのそれぞれの厚みが１２０μｍとなるようにスライスしたこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００５３】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は１％であった。
【００５４】
（実施例６）
シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させたこと以外は実施例５と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００５５】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は０．０５％であった。
【００５６】
（比較例３）
ガラス板からなるダミー材を接着せずにシリコンインゴッドからワイヤによるスライスを開始したこと以外は実施例５と同一の方法および同一の条件でシリコンインゴッドのスライスを行ない、太陽電池用シリコンウエハを作製した。
【００５７】
そして、実施例１と同一の方法で太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率を評価した。その結果、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率は８５％であった。
【００５８】
（対比）
上記の結果から、シリコンインゴッドの表面上にガラス板からなるダミー材をエポキシ系接着剤により接着し、ダミー材からワイヤによるスライスを開始し、ダミー材のスライスに引き続きシリコンインゴッドのスライスを行なった実施例５および実施例６においては、ダミー材が接着されずにシリコンインゴッドからスライスが開始された比較例３と比べて、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００５９】
また、シリコンインゴッドの相対速度を図６に示すように変化させ、ワイヤの走行速度を図７に示すように変化させ、スラリ供給量を図８に示すように変化させた実施例６においては、シリコンインゴッドの相対速度、ワイヤの走行速度およびスラリ供給量が一定の条件でスライスが行なわれた実施例５と比べて、太陽電池用シリコンウエハの厚みのばらつきの発生率が大幅に低減できていることが確認された。
【００６０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明によればシリコンインゴッドをスライスして得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができるシリコンインゴッドのスライス方法を提供することができるため、本発明はたとえば太陽電池用シリコンウエハなどの作製に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】マルチワイヤソーを用いた本発明のシリコンインゴッドのスライス方法を図解する模式的な斜視図である。
【図２】従来のシリコンインゴッドのスライス方法によりスライスされたシリコンインゴッドのスライス側の表面の模式的な平面図である。
【図３】本発明のシリコンインゴッドのスライス方法によりスライスされたシリコンインゴッドのスライス側の表面の模式的な平面図である。
【図４】本発明のシリコンインゴッドのスライス方法を図解する模式的な拡大側面図である。
【図５】（ａ）は本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においてワイヤの撓み量が一定となったときの状態を図解する模式的な拡大側面図であり、（ｂ）は本発明のシリコンインゴッドのスライス方法においてワイヤの撓み量が一定となったときの状態を図解する模式的な側面図である。
【図６】本発明の実施例２、実施例４および実施例６において、シリコンインゴッドの相対速度の変化を示した図である。
【図７】本発明の実施例２、実施例４および実施例６において、ワイヤの走行速度の変化を示した図である。
【図８】本発明の実施例２、実施例４および実施例６において、スラリ供給量の変化を示した図である。
【図９】本発明の実施例１において、スライス開始時からスライス終了時までのワイヤの撓み量を測定した結果を示す図である。
【図１０】図９のワイヤの撓み量を図解する模式的な側面図である。
【図１１】マルチワイヤソーを用いた従来のシリコンインゴッドのスライス方法を図解する模式的な斜視図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  シリコンインゴッド、２  ワイヤ、２ａ  撓む前のワイヤ、２ｂ  撓んでいるワイヤ、３  インゴッド保持部、４  支持台、５  捨板、６  ダミー材、７  軸、８  スライスライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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