(57)【要約】【課題】  半導体ウェハを収容する際の工数を少なくすることができるウェハ収容容器を提供する。【解決手段】本発明に係るウェハ収容容器は、上面が開口しており、底面に対して略垂直な状態で半導体ウェハ１を収容する容器本体１０と、容器本体１０の上面を覆う蓋２０と、蓋２０に設けられた開口部２２と、開口部２２に嵌め込まれ、位置決めされながら上下に移動可能なベース部材３２と、ベース部材３２の下面に設けられ、半導体ウェハ１の上端部が差し込まれる溝を有するガイド溝部材３４とを具備する。オリフラが上を向いていてガイド溝部材３４に差し込まれる場合には、ベース部材３２を下に位置させればよい。また、半導体ウェハ１のオリフラ以外の部分がガイド溝部材３４に差し込まれる場合には、ベース部材３２を上に位置させればよい。従って、蓋２０を乗せかえる必要がなくなり、半導体ウェハ１をウェハ収容容器に収容する際の工数が少なくなる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面が開口しており、底面に対して略垂直な状態で半導体ウェハを収容する容器本体と、
前記容器本体の上面を覆う蓋と、
前記蓋に設けられた開口部と、
前記開口部に嵌め込まれ、位置決めされながら上下に移動可能なベース部材と、
前記ベース部材の下面に設けられ、前記半導体ウェハの上端部が差し込まれる溝を有するガイド溝部材と、
を具備するウェハ収容容器。
【請求項２】
前記ベース部材は上段と下段の２段階に上下に移動可能であり、
前記ベース部材の側面に設けられた第１の凸部又は凹部と、
前記開口部の内側面に設けられ、前記ベース部材が上段に移動した場合に前記第１の凸部又は凹部がはめ込まれる第２の凹部又は凸部と、
前記開口部の内側面に設けられ、前記第２の凹部又は凸部より下方に位置し、前記ベース部材が下段に移動した場合に前記第１の凸部又は凹部がはめ込まれる第３の凹部又は凸部と、
を具備する請求項１に記載のウェハ収容容器。
【請求項３】
ウェハ収容容器に半導体ウェハを収容するウェハ収容方法であって、
前記ウェハ収容容器は、
上面が開口しており、底面に対して略垂直な状態で半導体ウェハを収容する容器本体と、
前記容器本体の上面を覆う蓋と、
前記蓋に設けられた開口部と、
前記開口部に嵌め込まれ、位置決めされながら上下に移動可能なベース部材と、
前記ベース部材の下面に設けられ、前記半導体ウェハの上端部が差し込まれる溝を有するガイド溝部材と、
を具備し、
前記容器本体に前記半導体ウェハを収容し、前記半導体ウェハの上端部の高さにあわせて前記ベース部材を上下に移動させ、
前記蓋を前記容器本体の上面に嵌め込むとともに、前記ガイド溝部材に前記半導体ウェハの上部を差し込む、ウェハ収容方法。
【請求項４】
前記ベース部材は上段と下段の２段階に上下に移動可能であり、
前記半導体ウェハはオリフラを有しており、
前記オリフラが上を向いていて前記ガイド溝部材に差し込まれる場合に、前記ベース部材は下段に位置し、
前記オリフラが上以外の方向を向いていて、前記半導体ウェハの前記オリフラ以外の部分が前記ガイド溝部材に差し込まれる場合に、前記ベース部材は上段に位置する請求項３に記載のウェハ収容方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ収容容器及びウェハ収容方法に関する。特に本発明は、半導体ウェハを収容する際の工数を少なくすることができるウェハ収容容器及びウェハ収容方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来のウェハ収容容器の構成を説明する為の断面図である。このウェハ収容容器は、収容容器本体１１０及び蓋１２０を有しており、複数のシリコンウェハ１００を、収容容器本体１１０の底面に対して略垂直な状態で収容する。収容容器本体１１０の内側の側面には、複数のフィン１１１が設けられており、これらのフィン１１１によって、複数のシリコンウェハ１００それぞれが、互いに接触しないように保持される。
【０００３】
蓋１２０の底面には、第１のガイド溝部材１２２及び第２のガイド溝部材１２４が、それぞれ２つずつ設けられている。第１のガイド溝部材１２２の先端部には、シリコンウェハ１００の上端部が差し込まれる溝（図示せず）が設けられており、第２のガイド溝部材１２４の先端部には、シリコンウェハ１００の上部が差し込まれる溝（図示せず）が設けられている。シリコンウェハ１００は、上端部及び上部が第１及び第２のガイド溝部材１２２，１２４に差し込まれることにより上下方向に移動することが抑制される。このため、搬送時にシリコンウェハ１００がウェハ収容容器内で上下動することを抑制できる（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】実開昭５９−８３０３８号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オリフラを有する半導体ウェハをウェハ収容容器内に収容する際に、半導体ウェハを取り出す工程の詳細によって、半導体ウェハのオリフラを上に向ける必要がある場合と、その必要がない場合がある。オリフラを上に向けた場合、半導体ウェハの上端の高さが、他の場合と比べて低くなる。このため、上端部が差し込まれるガイド溝部材の位置を、オリフラを上に向ける必要がある場合に合わせて低くしていた。しかし、オリフラを上に向ける必要がない場合でもオリフラを上に向ける為の作業が必要になり、半導体ウェハをウェハ収容容器内に収容する際の工数が増えていた。
【０００５】
また、半導体ウェハのオリフラを上に向ける必要がある場合と、その必要がない場合とで、ウェハ収容容器の蓋を変えるという方法も考えられる。しかし、この方法においても、蓋を乗せ換えるための作業が必要になるため、半導体ウェハをウェハ収容容器内に収容する際の工数が増えていた。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体ウェハを収容する際の工数を少なくすることができるウェハ収容容器及びウェハ収容方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係るウェハ収容容器は、上面が開口しており、底面に対して略垂直な状態で半導体ウェハを収容する容器本体と、
前記容器本体の上面を覆う蓋と、
前記蓋に設けられた開口部と、
前記開口部に嵌め込まれ、位置決めされながら上下に移動可能なベース部材と、
前記ベース部材の下面に設けられ、前記半導体ウェハの上端部が差し込まれる溝を有するガイド溝部材とを具備する。
【０００８】
このウェハ収容容器によれば、前記ベース部材を上下に移動させることにより、前記ガイド溝部材の高さを変更することができる。このため、半導体ウェハがオリフラを有している場合、前記オリフラが上を向いていて前記ガイド溝部材に差し込まれる場合には、前記ベース部材を下に位置させればよい。また、前記半導体ウェハの前記オリフラ以外の部分が前記ガイド溝部材に差し込まれる場合には、前記ベース部材を上に位置させればよい。従って、前記蓋を乗せかえる必要がなくなり、半導体ウェハをウェハ収容容器に収容する際の工数が少なくなる。
【０００９】
前記ベース部材が上段と下段の２段階に上下に移動可能である場合、前記ベース部材の側面に設けられた第１の凸部又は凹部と、前記開口部の内側面に設けられ、前記ベース部材が上段に移動した場合に前記第１の凸部又は凹部がはめ込まれる第２の凹部又は凸部と、前記開口部の内側面に設けられ、前記第２の凹部又は凸部より下方に位置し、前記ベース部材が下段に移動した場合に前記第１の凸部又は凹部がはめ込まれる第３の凹部又は凸部とを具備してもよい。
【００１０】
本発明に係るウェハ収容方法は、ウェハ収容容器に半導体ウェハを収容するウェハ収容方法であって、
前記ウェハ収容容器は、
上面が開口しており、底面に対して略垂直な状態で半導体ウェハを収容する容器本体と、
前記容器本体の上面を覆う蓋と、
前記蓋に設けられた開口部と、
前記開口部に嵌め込まれ、位置決めされながら上下に移動可能なベース部材と、
前記ベース部材の下面に設けられ、前記半導体ウェハの上端部が差し込まれる溝を有するガイド溝部材と、
を具備し、
前記容器本体に前記半導体ウェハを収容し、前記半導体ウェハの上端部の高さにあわせて前記ベース部材を上下に移動させ、
前記蓋を前記容器本体の上面に嵌め込むとともに、前記ガイド溝部材に前記半導体ウェハの上部を差し込むものである。
【００１１】
前記ベース部材が上段と下段の２段階に上下に移動可能であり、かつ前記半導体ウェハがオリフラを有している場合、以下のようにすればよい。まず、前記オリフラが上を向いていて、前記ガイド溝部材に差し込まれる場合には、前記ベース部材を下段に位置させる。また、前記オリフラが上以外の方向を向いていて、前記半導体ウェハの前記オリフラ以外の部分が前記ガイド溝部材に差し込まれる場合には、前記ベース部材は上段に位置させる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るウェハ収容容器の構成を説明する為の断面図である。このウェハ収容容器は、収容容器本体１０と、蓋２０を有しており、複数のシリコンウェハ１を、収容容器本体１０の底面に対して略垂直な状態で収容する。収容容器本体１０の内側の側面には、複数のフィン１１が設けられており、これらのフィン１１によって、複数のシリコンウェハ１それぞれが、互いに接触しないように保持される。
【００１３】
図２は、蓋２０の構成を説明する為の分解断面図である。本図及び図１に示すように、蓋２０には開口部２２が設けられている。開口部２２は、シリコンウェハ１と平行な方向において、蓋２０の略中央部に位置している。開口部２２の内側面には溝２２ａ、及び溝２２ａより下方に位置する溝２２ｂそれぞれが設けられている。
【００１４】
開口部２２には、ガイド部材３０が嵌め込まれる。ガイド部材３０は、板状のベース部材３２の底面に、第１のガイド溝部材３４を２つ設け、かつ、ベース部材３２の側面に凸部３６を設けたものである。第１のガイド溝部材３４には、シリコンウェハ１の上端部が差し込まれる溝（図示せず）が設けられている。凸部３６は、ガイド部材３０が開口部２２に嵌め込まれる際に、溝２２ａ又は溝２２ｂに嵌め込まれる。凸部３６が溝２２ａに嵌め込まれた場合、ガイド部材３０は上段に位置し、凸部３６が溝２２ｂに嵌め込まれた場合、ガイド部材３０は下段に位置する。このため、ベース部材３２を手で上下方向に押すことにより、ガイド部材３０を位置決めしつつ上下に移動することができる。
【００１５】
また、蓋２０の底面の縁は、シリコンウェハ１に対して垂直方向に延伸する部分が、他と比べて下方に突出している。この下方に突出した縁の内側面からは、第２のガイド溝部材２４が内側に向けて延伸している。第２のガイド溝部材２４の先端部には、シリコンウェハ１の上部が差し込まれる溝（図示せず）が設けられている。
【００１６】
図３は、シリコンウェハ１が、オリフラを上に向けた状態でウェハ収容容器内に収容された例を示す断面図である。オリフラが上に向いている場合、シリコンウェハ１の上端の高さは、それ以外の場合と比べて低くなる。これに対し、本例では、ガイド部材３０を下段に位置させるために、ガイド部材３０の凸部３６が溝２２ｂに嵌め込まれている。このため、収容容器本体１０に蓋２０を取り付けた場合、第１のガイド溝部材３４の先端部は宙に浮かず、シリコンウェハ１の上端すなわちオリフラを差し込まれる。なお、第２のガイド溝部材２４には、シリコンウェハ１のうちオリフラ以外の部分が差し込まれる。
【００１７】
図４は、シリコンウェハ１が、オリフラを上以外の方向（例えば下方向）に向けた状態でウェハ収容容器内に収容された例を示す断面図である。本例では、ガイド部材３０を上段に位置させるために、ガイド部材３０の凸部３６は溝２２ａに嵌め込まれている。収容容器本体１０に蓋２０を取り付けた場合、第１のガイド溝部材３４にはシリコンウェハ１の上端が差し込まれる。この際、ガイド部材３０は上段に位置しているため、シリコンウェハ１に余分な力は加わらない。なお、第２のガイド溝部材２４には、シリコンウェハ１のうちオリフラ以外の部分が差し込まれる。
【００１８】
以上、本発明の実施形態によれば、ウェハ収容容器の蓋２０に開口部２２を設け、開口部２２に、第１のガイド溝部材３４を有するガイド部材３０を嵌め込んでいる。ガイド部材３０は、開口部２２内を、位置決めしつつ上下に移動することができる。従って、収容されたシリコンウェハ１のオリフラが上に向いている場合、及びそれ以外の場合それぞれにおいて、ガイド部材３０の上下の位置を変更することにより、同一の蓋２０を用いることができる。
【００１９】
このため、オリフラを上に向ける必要がある場合と、その必要がない場合とで、ウェハ収容容器の蓋を載せかえる必要がなくなる。従って、半導体ウェハを収容する際の工数を少なくすることができる。
【００２０】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係るウェハ収容容器の構成を説明する為の断面図。
【図２】蓋２０の構成を説明する為の分解断面図。
【図３】シリコンウェハ１が、オリフラを上に向けた状態でウェハ収容容器内に収容された例を示す断面図。
【図４】シリコンウェハ１が、オリフラを上以外の方向（例えば下方向）に向けた状態でウェハ収容容器内に収容された例を示す断面図。
【図５】従来のウェハ収容容器の構成を説明する為の断面図。
【符号の説明】
【００２２】
１，１００…シリコンウェハ、１０，１１０…収容容器本体、１１，１１１…フィン、２０，１２０…蓋、２２…開口部、２２ａ，２２ｂ…溝、２４，１２４…第２のガイド溝部材、３０…ガイド部材、３２…ベース部材、３４，１２２…第１のガイド溝部材、３６…凸部
【図１】
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【図２】
2007109877.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007109877.tif 000006
【図５】
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