(57)【要約】【課題】第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実施されて、例えば回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良等が解消され、高密度，微細，精細な回路が形成されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れた、メッキ基板のエッチング装置を提案する。【解決手段】このエッチング装置３は、回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材Ａにエッチング液を噴射してエッチングするものであり、基板材Ａの前端部Ｅのオーバーエッチングを解消するエリア１３が、付設されている。このエリア１３は、左右の幅方向Ｋに配設されたスプレー管１４と、スプレー管１４に取付けられエッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えている。そして、このスプレーノズルは、基板材Ａの前端部Ｅの通過時において、エッチング液の噴射を、ストップするか低い噴射圧で実施する。【選択図】図１
2007109987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送される基板材を、スプレーノズルからエッチング液を噴射してエッチングするエッチング装置において、
該基板材の前端部のオーバーエッチングを解消するエリアが付設されていること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載した基板のエッチング装置において、該基板材は、装置本体でのエッチングにより、前端部で、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じるが、該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、
もって前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項３】
請求項２に記載した基板のエッチング装置において、該エリアは、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、該基板材にエッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えており、
該エリアのスプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材のサイズ情報や位置情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前端部の通過時においては、エッチング液の噴射を、ストップするか又は該装置本体より低い噴射圧で実施すべく制御されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項４】
請求項３に記載した基板のエッチング装置において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に後端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じるが、
該エリアが更に、該基板材の後端部のこのようなオーバーエッチングを解消すべく用いられ、該エリアのスプレーノズルは、該基板材の後端部の通過時においては、エッチング液の噴射を、ストップするか又は該装置本体より低い噴射圧で実施すべく制御され、
もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項５】
請求項３に記載した基板のエッチング装置において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に左右端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じるが、
該基板材の左右端部のこのようなオーバーエッチングを解消するエリアが付設されており、該エリアは、左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、該基板材にエッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えており、
該エリアのスプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向位置するものが、該基板材の中央部に対向位置するものより、エッチング液の噴射をより低い噴射圧で実施すべく制御され、もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項６】
請求項３に記載した基板のエッチング装置において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に左右端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じるが、
該基板材の左右端部のこのようなオーバーエッチングを解消するエリアが付設されており、該エリアは、左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管の左右を除く中央に複数取付けられ、エッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えており、
該エリアのスプレーノズルは、該基板材の左右端部を除く中央部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御され、もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項７】
請求項３，４，５又は６に記載した基板のエッチング装置において、該エリアの該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送され、
該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前端部，後端部，又は左右端部についての寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を調整すべく制御されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項８】
請求項３，４，５又は６に記載した基板のエッチング装置において、該エリアの該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送され、
該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前端部，後端部，又は左右端部についての寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を調整すべく制御されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【請求項９】
請求項３，４，５又は６に記載した基板のエッチング装置において、該エリアの該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に斜めに傾斜した噴射角度で、該スプレー管に取付けられており、
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板のエッチング装置に関する。すなわち、回路基板の製造工程において使用され、コンベヤにて水平搬送される基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする、エッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子機器やＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、その基幹をなすプリント配線基板等の回路基板も、高精度化，ファイン化，極薄化，多様化が進み、形成される回路の高密度化，微細化，精細化が著しい。
そして、このような回路基板の製造工程では、銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けてから、→回路のネガフィルムを当てて、露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現象により溶解除去し、→回路形成部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥膜除去することにより、→基板材の外表面に、銅箔にて回路が形成され、→もって、回路基板が製造されている。
【０００３】
《従来技術》
図８は、この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
回路基板の製造工程で使用されるこの種のエッチング装置１では、コンベヤにて水平搬送される基板材Ａに対し、スプレー管２に取付けられたスプレーノズルからエッチング液Ｂを噴射して（図８では図示を省略）、エッチングが行われ、もって回路が形成される。
そして、エッチング装置１に供給される基板材Ａは、図２の（１）図，（３）図，（５）図の断面説明図にも示したように、絶縁層Ｃの外表面に銅箔Ｄが張り付けられた銅張り積層板よりなり、その前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈについて、銅箔Ｄが平均的にエッチングされ、もって銅箔の肉厚が均一化されていることが、高品質な回路形成にとって極めて重要である。
そこで、エッチング装置１にあっては、このような平均的エッチングをめざし、従来より種々の方式が開発，採用されている。
例えば、図８の（１）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆるオシレーション方式よりなり、その各スプレー管２が、左右の幅方向Ｋに向け横向きに若干傾斜して水平配設されると共に、左右の幅方向Ｋに首振り揺動される。これに対し、図８の（２）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆる横移動方式よりなり、その各スプレー管２が、左右の幅方向Ｋに若干水平往復動される。
【０００４】
《先行技術文献情報》
このような従来例としては、例えば、次の特許文献１中に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２０００−２１２７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような従来例のエッチング装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、基板材Ａについて、依然としてエッチングが平均的に行われず、高密度，微細，精密な回路形成が困難化する、という問題が指摘されていた。
すなわち、前述したこの種従来例のエッチング装置１は、各種方式の採用等により、基板材Ａの銅箔Ｄの平均的エッチング，肉厚の均一化，均一な回路形成を目ざしたが、依然として、エッチングの不均一，銅箔Ｄの肉厚不均一，回路の厚み誤差発生が指摘されていた。
特に、図２の（３）図の断面説明図や（４）図の平面説明図に示したように、搬送される基板材Ａの前端部Ｅは、噴射された新鮮なエッチング液Ｂのみに晒されるので、エッチングの進行が早くなり、オーバーエッチング現象が発生し、銅箔Ｄの肉厚が薄くなる傾向が顕著化していた。
更に、図２の（５）図の断面説明図や（６）図の平面説明図に示したように、搬送される基板材Ａの前端部Ｅに加え、後端部Ｆや左右端部Ｇについても、中央部Ｈ等に噴射されたエッチング液Ｂの流入により、エッチングの進行が早くなり、オーバーエッチング現象が発生し、銅箔Ｄの肉厚が薄くなることが、多々発生していた。
【０００６】
又、このような基板材Ａの前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ等のオーバーエッチング現象、銅箔Ｄの肉厚の薄化は、基板材Ａの上面側において顕著化していた。又、薄物基板の製造過程においても顕著化していた。更に、エッチング装置１は通常、複数台が直列に連続して使用されるので、このようなオーバーエッチング現象が一段と顕著化していた。
そして、このように基板材Ａの前端部Ｅ、更には後端部Ｆや左右端部Ｇについて、銅箔Ｄの平均的エッチングが阻害されるので、銅箔Dにて形成される回路について、回路の過不足・バラツキ・偏差・誤差・不良が発生し、回路の高密度化，微細化，精細化の障害となり、生産性・歩留まり・品質低下が指摘されていた。
【０００７】
《第２の問題点》
第２に、そこでこの種従来例のエッチング装置１では、コンベヤの途中に方向転換機構を組み込み、もって途中で基板材Ａを９０度回転させることも、行われていた（前述した特許文献１を参照）。
そして、この種のエッチング装置１では、基板材Ａについて、回転前まで前端部Ｅとして銅箔Ｄの肉厚が薄かった箇所を、回転後は左右端部Ｇとし（回転前の左右端部Ｇを、回転後は前端部Ｅや後端部Ｆとする）、もって基板材Ａについて、左右端部Ｇ，前端部Ｅ，後端部Ｆ，中央部Ｈを通し、全体的に銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングを均一化，平均化して、前述した第１の問題点を解消せんとすることも試みられていた。
しかしながら、これでは回転前の左右端部Ｇが、回転後は前端部Ｅとなって、銅箔Ｄの肉厚が薄化することになる。又、オーバーエッチング現象そして銅箔Ｄの肉厚の薄化は、前述したように、基板材Ａの前端部Ｅのみならず左右端部Ｇ等でも多々発生するので、これでは益々、前端部Ｅ，後端部Ｆの銅箔Ｄの薄化が進行することになる。
又、この種のエッチング装置１については、途中に、回転可能かつ上下動可能なターンテーブル等を備えた方向転換機構を組み込むので、コストアップが著しいと共に、装置が長大化し設置スペースを取る、という問題が指摘されていた。又、エッチング装置１自体も、各スプレー管２を首振り揺動させたり横移動させるオシレーション方式や横移動方式を採用することが多く、この面からも、コスト面に問題が指摘されていた。
【０００８】
《本発明について》
本発明に係るエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、発明者の鋭意研究努力の結果なされたものである。
そして本発明は、第１に、銅箔の厚みが均一化され、平均化されたエッチングが実現されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に、コスト面やスペース面にも優れて実現される、エッチング装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず請求項１に
ついては、次のとおり。請求項１の基板のエッチング装置は、回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送される基板材を、スプレーノズルからエッチング液を噴射してエッチングする。そして、該基板材の前端部のオーバーエッチングを解消するエリアが、付設されていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。請求項２の基板のエッチング装置は、請求項１において、該基板材は、装置本体でのエッチングにより、前端部で、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じることになるが、該エリアで該銅箔の肉厚が補正される。もって前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。請求項３の基板のエッチング装置は、請求項２において、該エリアは、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、該基板材にエッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えている。
そして、該エリアのスプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材のサイズ情報や位置情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前端部の通過時においては、エッチング液の噴射を、ストップするか又は該装置本体より低い噴射圧で実施すべく制御されること、を特徴とする。
【００１０】
請求項４については、次のとおり。請求項４の基板のエッチング装置は、請求項３において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に後端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じる。
そこで該エリアが更に、該基板材の後端部のこのようなオーバーエッチングを解消すべく用いられ、該エリアのスプレーノズルは、該基板材の後端部の通過時においては、エッチング液の噴射を、ストップするか又は該装置本体より低い噴射圧で実施すべく制御される。もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。請求項５の基板のエッチング装置は、請求項３において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に左右端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じることになる。
そこで、該基板材の左右端部のこのようなオーバーエッチングを解消するエリアが付設されており、該エリアは、左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、該基板材にエッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えている。
そして、該エリアのスプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向位置するものが、該基板材の中央部に対向位置するものより、エッチング液の噴射をより低い噴射圧で実施すべく制御され、もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。請求項６の基板のエッチング装置は、請求項３に記載した基板のエッチング装置において、該基板材は、該装置本体でのエッチングにより、更に左右端部でも、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が生じることになる。
そこで、該基板材の左右端部のこのようなオーバーエッチングを解消するエリアが付設されており、該エリアは、左右の幅方向に配設されたスプレー管と、該スプレー管の左右を除く中央に複数取付けられ、エッチング液を噴射可能なスプレーノズルと、を備えている。
そして、該エリアのスプレーノズルは、該基板材の左右端部を除く中央部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御され、もって該エリアで該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり該銅箔の肉厚が均一化されること、を特徴とする基板のエッチング装置。
【００１１】
請求項７については、次のとおり。請求項７の基板のエッチング装置は、請求項３，４，５又は６において、該エリアの該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送される。そして、該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前端部，後端部，又は左右端部について寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項８については、次のとおり。請求項８の基板のエッチング装置は、請求項３，４，５又は６において、該エリアの該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送される。そして、該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前端部，後端部，又は左右端部についての寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項９については、次のとおり。請求項９の基板のエッチング装置は、請求項３，４，５又は６において、該エリアの該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に斜めに傾斜した噴射角度で、該スプレー管に取付けられている。
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とする。
【００１２】
《作用等》
本発明の基板のエッチング装置は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）エッチング装置では、搬送される基板材にエッチング液が噴射される。
（２）そして、エッチング装置の装置本体でのエッチングにより、そのままでは、基板材の前端部について、外表面の銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が発生する虞がある。更に、後端部や左右端部についても、銅箔の肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が発生する虞がある。
（３）そこで、このエッチング装置には、このようなオーバーエッチング発生を回避するエリアが付設されており、同エリアは、左右の幅方向に配設されたスプレー管と、スプレー管に取付けられエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。
【００１３】
（４）まず、前端部や後端部用のエリアのスプレーノズルは、スプレー管に全体的に取付けられており、センサーにて検出された基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御される。そして、基板材の前端部や後端部の通過時において、エッチング液の噴射をストップするか、又はエッチング液を低い噴射圧で噴射すべく制御される。
（５）又、左右端部用のエリアのスプレーノズルは、スプレー管の中央に取付けられ、もって基板材の中央部のみにエッチング液を噴射するか、又は、スプレー管に全体的に取付けられ、もって基板材の左右端部に対向するものがエッチング液を低い噴射圧で噴射すべく制御される。
（６）そして、両エリアのスプレー管には、それぞれ専用のポンプ又は電磁弁を介して、エッチング液が圧送される。もって、このポンプにより又はこの電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材の前端部，後端部，又は左右端部の寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧が調整される。
（７）更に、両エリアのスプレーノズルは、左右に向けられ斜めに傾斜してスプレー管に取付けられている。又、搬送される基板材について、スプレーノズル等に対向する領域の前後には、規制ローラーが対をなして配設，圧接されている。
そこでエッチング液は、左右に傾斜した噴射角度で噴射されると共に、規制ローラーにて規制され、もって基板材を左右方向にのみ流れるので、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００１４】
（８）さて基板材は、前述したように装置本体でのエッチングのみでは、前端部，後端部，左右端部について、オーバーエッチング現象が発生し、銅箔の肉厚が薄くなる虞がある。そこで、上述したエリアの付設により、前端部，後端部，左右端部のオーバーエッチング発生が防止され、もって銅箔の肉厚が均一化され、基板材のエッチングが平均化される。
（９）しかも、このようなエッチングの平均化は、エッチング装置について、スプレーノズル付のスプレー管が配設されたエリアを、追加付設しただけで、簡単な構成により容易に実現される。
（１０）さてそこで、本発明の基板のエッチング装置は、次の第１，第２の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１５】
《第１の効果》
第１に、銅箔の厚みが均一化され、平均化されたエッチングが実現されて、高密度，微細，精細な回路が形成される。
すなわち、本発明の基板のエッチング装置では、基板材の前端部，後端部，左右端部，中央部の銅箔の肉厚が均一化され、平均化されたエッチングが実現される。
そこで、前述したこの種従来例のエッチング装置のように、製造された回路基板について、エッチング不足やエッチング過多の箇所は発生せず、回路の過不足・バラツキ・偏差・誤差・不良が解消されて、高密化，微細化，精細化された回路を製造可能となる。もって、生産性・歩留まり・品質が向上する。
【００１６】
《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単な構成により容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れている。
すなわち、本発明の基板のエッチング装置は、スプレーノズル付のスプレー管を備えたエリアを追加付設して、ポンプや電磁弁で制御する方式を採用してなり、簡単な構成により上述した第１の点が容易に実現される。
前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチングの平均化のため、途中に方向転換機構を組み込んだり、オシレーション方式や横移動方式等を採用する必要もない。もってコスト面に優れると共に、装置が長大化することもなくスペース面にも優れている。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
《図面について》
以下、本発明に係る基板のエッチング装置を、図面に示した発明を実施するための最良の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３は、本発明を実施するための最良の形態の説明に供する。
そして、図１の（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
図２の（１）図，（２）図は、本発明におけるエッチング後の基板材を示し、（１）図は、側面の断面説明図、（２）図は平面説明図である。図２の（３）図，（４）図は、この種従来例におけるエッチング後の基板材の１例を示し、（３）図は、側面の断面説明図、（４）図は平面説明図である。図２の（５）図，（６）図は、この種従来例におけるエッチング後の基板材の他の例を示し、（５）図は、正面の断面説明図、（６）図は、平面説明図である。
図３の（１）図，（２）図は、前（後）端部用エリアのスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。図３の（３）図，（４）図は、左右端部用エリアのスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。図３の（５）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図である。図３の（６）図は、制御用のブロック図である。
図４，図５，図６は、エッチング装置本体の正面説明図，平面説明図，側面説明図である。図７は、エッチング装置本体等のそれぞれ要部を示し、（１）図は、正面の断面説明図、（２）図は、別の正面の断面説明図、（３）図は、側面説明図、（４）図は、平面説明図である。図９は、回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【００１８】
《回路基板Ｌについて》
本発明のエッチング装置３は、回路基板Ｌの製造工程で使用される。そこでまず、図９を参照して、回路基板Ｌの概略について説明しておく。
回路基板Ｌは、ＡＶ機器，パソコン，携帯電話，デジカメ，その他各種の電子機器，ＩＴ関連機器において、その基幹をなす電気的接続用に用いられており、半導体部品間を接続するための回路Ｍパターンが、絶縁層の外表面や内部に形成されている。
そして回路基板Ｌは、片面基板と両面基板とに分けられる他、多層基板（含、最近のビルドアップ法のもの）、その他各種のものがあり、又、硬質のリジット系基板とフィルム状のフレキシブル系基板とにも、分けられる。フレキシブル系基板の絶縁層は、ポリイミド製フィルム、その他の樹脂製フィルムよりなる。
又、このような回路基板Ｌの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｍと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型のパッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｍと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまりプラズマディスプレイＰＤＰ用のガラス基板や液晶ＬＣＤ用のガラス基板、更にはＣＳＰ，ＰＢＧＡ等も出現している。本明細書において回路基板Ｌとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも広く包含する。
【００１９】
そして回路基板Ｌは、電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、高精度化，ファイン化，そして極薄化，柔軟化，フレキシブル化，更には多層化，多様化等が進み、外表面（表面や裏面の一方又は双方）に形成される回路Ｍ、更には内部に形成される回路Ｍの高密度化，微細化，精細化が著しい。
回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、製造に際しての１枚の縦横のカットサイズが、例えば５００ｍｍ×４００ｍｍ程度よりなる。肉厚は、絶縁層（コア材）Ｃ部分が、従来の１．６ｍｍから１．０ｍｍ〜６０μｍ程度、昨今では５０μｍから１０μｍ前後まで、極薄化されている。回路Ｍ部分（銅箔Ｄ部分）の肉厚も、７０μｍ〜３５μｍ、昨今では１２μｍ〜３μｍ前後まで、極薄化されている。
多層基板の場合でも、全体の肉厚が１．０ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで、極薄化されつつある。回路Ｍ幅や回路Ｍ間スペースも、３０μｍ〜１５μｍ程度、昨今では１０μｍ前後まで微細化傾向にある。
そして、このような回路基板Ｌの回路Ｍは、基板材Ａの銅箔Ｄにて形成されるが、この銅箔Ｄとしては、その外表面が銅メッキされたものも包含する。つまり、この明細書において銅箔Ｄとは、銅メッキが付加されたものも包含する。
回路基板Ｌは、概略このようになっている。
【００２０】
《回路基板Ｌの製造方法の１例について》
次に、本発明のエッチング装置３が使用される、回路基板Ｌの製造方法について、図９，図２の（１）図，（３）図，（５）図等を参照して説明する。まず、第１例の製造方法について述べる。この製造方法において、回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、次のステップを辿って製造される。
最初に、紙フェノール製，ガラスエポキシ製，ガラスクロス製，セラミックス製、又はポリイミド製その他のフィルム状樹脂製等よりなる絶縁層（コア材）Ｃの外表面に、銅箔Ｄが熱プレス，圧延，電解等により張り付けられた、銅張り積層板である基板材Ａが準備される。
そして、このように準備された基板材Ａについて、張り付けられた銅箔Ｄ表面を粗化する表面粗化処理（ソフトエッチング）が行われた後、短尺のワークサイズの各葉に切断される。表面粗化処理は、従来は、機械研磨によって行われていたが、最近は、表面粗化液の噴射によって行われることが多い。
そして多くの場合、スルホールＮ用の孔あけ加工が、レーザ等を使用して実施される。スルホールＮは、基板材Ａ（回路基板Ｌ）の外表面間の微細な貫通孔よりなり、１枚について、極小径のものが数百個以上形成され、その径は、０．５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度以下のものが多くなっている。そしてスルホールＮは、外表面の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間や多層基板の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間の導通接続用や、回路Ｍに実装される半導体部品の取り付け用として使用される。
なお最近は、孔あけ加工を要するスルホールＮに代えて、小突起状・略円錐台状の接点たるバンプを形成し、もって多層基板等について、このバンプにより、スルホールＮと同様の機能を実現する技術も開発されている。バンプは、回路Ｍに準じ、現像工程，エッチング工程，剥膜工程等の表面処理工程を辿って、製造される。
【００２１】
さてしかる後、基板材Ａの銅箔Ｄの外表面に、感光性のレジストドライフィルムが膜状に塗布又は張り付けられる。それから、回路Ｍのネガマスクフィルムつまり予め回路Ｍ設計された回路Ｍ写真を当てて、露光することにより、外表面のレジストは、露光されて硬化した回路Ｍ形成部分を残し、その他の不要部分が、アルカリ性の現像液の噴射により溶解除去される。
それから、このような基板材Ａの銅箔Ｄは、レジストが硬化して被覆された回路Ｍ形成部分（保護膜部分）を残し、現像によりレジストが溶解除去されて露出した不要部分が、エッチング液Ｂ（塩化第二銅系，塩化第二鉄系，アルカリ系，その他の腐食液）の噴射により、溶解除去・エッチングされる。それから、残っていた回路Ｍ形成部分のレジストが、アルカリ性の剥離液の噴射により剥膜除去され、もって、残った回路Ｍ形成部分の銅箔Ｄにて、基板材Ａの外表面に所定導体パターンの回路Ｍが形成され、回路基板Ｌが製造される。
又、上述した現像工程，エッチング工程，剥膜工程には、それぞれ後処理用に又は剥膜工程の後にまとめて後処理用に、水洗液，中和剤液，その他の洗浄液を噴射する洗浄工程が付設されている。この洗浄工程では、基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）に付着していた現像液，エッチング液Ｂ，剥離液等の処理液が、洗浄，除去される。
更に、洗浄工程の後には、乾燥工程が付設されている。すなわち、洗浄工程で洗浄された基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）には、水洗液その他の洗浄液や，それらの水分が付着しているので、酸化防止等のためこれらを除去すべく、事後直ちに乾燥工程において乾燥処理される。
第１例の製造方法は、このようなウェットプロセス法のパターニングステップよりなる。第１例の製造方法は、このようになっている。
【００２２】
《回路基板Ｌの製造方法の他の例について》
次に、第２例の製造方法について述べる。回路基板Ｌ例えばプリント配線基板の製造方法としては、上述した第１例のウェットプロセス法が代表的であるが、第２例のセミアディティブ法のパターニングステップも多用されつつある。
セミアディティブ法では、まず、予めスルホールＮが形成された基板材Ａの外表面に、無電解銅メッキが施される。→それから、この無電解銅メッキに、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けた後、→回路Ｍフィルムである回路Ｍ写真を当てて、露光する。→そしてレジストは、露光されて硬化した部分を残し、他の部分つまり回路Ｍ形成部分が、現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、→回路Ｍ形成部分、すなわち現像によりレジストが溶解除去されたメッキパターン部分、つまり無電解銅メッキが露出した部分に対し、電解銅メッキが施されて、→回路Ｍが形成される。→なお、残っていた硬化した回路Ｍ形成部分以外のレジストは、剥離液の噴射により剥膜除去され、→露出した無電解銅メッキが、エッチング液Ｂの噴射によりクイックエッチングされて、融解除去される。→なお、各工程の後処理用として、前述した所に準じ、洗浄工程や乾燥工程が付設される。
第２例のセミアディティブ法では、このようにして、電解銅メッキにて回路Ｍが形成され、もって回路基板Ｌが製造される。第２例の製造方法は、このようになっている。
ところで、プリント配線基板その他の回路基板Ｌの製造方法は、最近ますます多様化しつつあり、上述した第１例，第２例以外にも、各種方法が開発，使用されている。本発明は勿論、このような各種の製造方法にも適用される。
回路基板Ｌの製造方法は、このようになっている。
【００２３】
《エッチング装置３の装置本体４について》
次に、図４，図５，図６，図７等を参照して、本発明の前提となるエッチング装置３の装置本体４について、説明する。
エッチング装置３は、前述した回路基板Ｌの製造工程中のエッチング工程において使用され、水平搬送される基板材Ａに対しエッチング液Ｂを噴射して、エッチング処理（薬液処理，表面処理）する。
そして、処理室であるチャンバー５内に、基板材Ａを搬送方向Ｊに水平姿勢で搬送するコンベヤ６と、搬送される基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル７とを、備えている。又、エッチング装置３は、通常、複数台が搬送方向Ｊに直列に連続して使用される。
【００２４】
まず、エッチング装置３のコンベヤ６について述べる。コンベヤ６は、基板材Ａを上下から圧接して挟んで送る搬送ローラー８を、備えている（図４，図６を参照）。そして搬送ローラー８は、スプレーゾーンＰを除き、上下方向Ｑに上下対をなし、接触回転すべく組み合わせて配設され、上下共に前後の搬送方向Ｊに向け多数列設されている。少なくとも下位の搬送ローラー８は、回転駆動される駆動ローラーよりなる。
又、図示例の搬送ローラー８はストレートローラーよりなり、上下共に３個置きに、その１個分に相当するスプレーゾーンＰが形成されており（１個分の搬送ローラー８が欠如せしめられており）、上側のスプレーゾーンＰと下側のスプレーゾーンＰとは、対向位置せずに搬送方向Ｊにずれて位置している。
そして、スプレーゾーンＰの前後の搬送ローラー８が、規制ローラー９としても兼用され、機能している（図６，図７の（３）図，（４）図を参照）。
すなわち、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れて、乱流や液溜まりとなることを阻止し、もって左右の幅方向Ｋにのみ流れるように規制する規制ローラー９が、スプレーゾーンＰ（後述するスプレー管１０やスプレーノズル７に対向する領域）の前後に、対をなして配設され、もって搬送される基板材Ａに圧接している。
【００２５】
次に、エッチング装置３のスプレーノズル７について述べる。スプレーノズル７は、スプレーゾーンＰにおいて、搬送される基板材Ａに対し、その上下に対向配設されており、エッチング液Ｂを噴射する。
スプレーノズル７としては、一般的なフルコーンノズルやスリットノズルが使用され、コンベヤ６の搬送ローラー８にて水平搬送される基板材Ａの真上や真下に、それぞれ上下間隔を存すると共に、前後の搬送方向Ｊと左右の幅方向Ｋにわたって、所定ピッチ間隔を置きつつ多数配列されている。
そしてエッチング液Ｂは、液槽１１からポンプや配管１２を介した後、スプレー管１０を経由して、各スプレーノズル７に圧送され、もって基板材Ａに噴射される。そして、基板材Ａの外表面を流れつつ表面処理した後、基板材Ａの左右両サイドから流下されて、液槽１１に回収され、事後も循環使用される。
【００２６】
そして、図示例のスプレー管１０は、配管１２から分岐された後、左右の幅方向Ｋに平行に沿うと共に、前後の搬送方向Ｊに向け一定ピッチで、多数本配設されている（図５を参照）。そして、このような各スプレー管１０に、スプレーノズル７が、幅方向Ｋに一定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。
そこで、チャンバー５内全体において、スプレーノズル７は、前後，左右にそれぞれ一定ピッチ間隔を置きつつ、多数配設されていることになる。
又、スプレーノズル７は、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αでスプレー管１０に取付けられている（図４，図７の（１）図，（２）図を参照）。そこで、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂは、幅方向Ｋの左方向又は右方向に向け斜めに傾斜した噴射角度αで、基板材Ａに対して噴射され、もって基板材Ａの外表面を、左方向又は右方向に向け液溜まりや乱流のない規則的な流れを形成して、エッチングした後、左右両サイドから流下する。
そして、幅方向Ｋの左方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列と、幅方向Ｋの右方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列とが、前後の搬送方向Ｊに順次交互に配されている（図５を参照）。
エッチング装置３の装置本体４は、このようになっている。
【００２７】
《オーバーエッチング解消用のエリア１３，１３’について》
以下、図１，図２，図３等を参照して、本発明について説明する。このエッチング装置３には、基板材Ａの前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇのオーバーエッチングを解消するエリア１３，１３’が、付設されている。
このエリア１３，エリア１３’は、エッチング装置３のチャンバー５内の図示例では上流側に、上下に追加付設されている。そして、それぞれ前後の搬送方向Ｊと９０度直交する左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射可能なスプレーノズル１６，１７と、を備えている。
基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆ用のエリア１３は、スプレー管１４そしてスプレーノズル１６を備え、左右端部Ｇ用のエリア１３’は、スプレー管１５そしてスプレーノズル１７を備えている。
【００２８】
このようなエリア１３，エリア１３’の概要について、更に詳述する。まず、この種のエッチング装置３の装置本体４では、図２の（３）図，（４）図に示したように、搬送される基板材Ａの前端部Ｅについて、エッチングの進行が早くなり、オーバーエッチング現象が発生して、銅箔Ｄの肉厚が中央部Ｈ等より薄くなる傾向が顕著化する。
これは、搬送される基板材Ａの先行する前端部Ｅは、その後方の中央部Ｈ等に比し、噴射されたばかりの常に新鮮なエッチング液Ｂのみに接触して、エッチングされることに起因する（これに対し中央部Ｈ等は、そこに噴射されたエッチング液Ｂに、他所に噴射されて流れてきた古いエッチング液Ｂが接触，混入してエッチングされ、もってエッチング液Ｂの更新度合が遅れる）、と推測される。
更に、この種のエッチング装置３の装置本体４では、図２の（５）図，（６）図に示したように、搬送される基板材Ａの前端部Ｅに加え後端部Ｆや左右端部Ｇについても、エッチングの進行が早くなり、オーバーエッチング現象が発生して、銅箔Ｄの肉厚が中央部Ｈより薄くなることが、多々発生する。
これは後端部Ｆについては、中央部Ｈに噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａの搬送に伴い多量に流入することに起因すると、推測される。又、左右端部Ｇについては、中央部Ｈに噴射されたエッチング液Ｂのほとんどすべてが、多量に、前後の搬送方向Ｊと直交する左右の幅方向Ｋへと順次流れて両サイドから流下することに起因すると共に、その際の基板材Ａの搬送に伴う液ダレ現象にも起因する、と推測される。
又、このような基板材Ａの前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇのオーバーエッチング現象の発生、つまり銅箔Ｄの肉厚の薄化は、基板材Ａの外表面の下面（裏面）側よりも上面（表面）側において顕著化すると共に、薄物基板において顕著化していた。
上面側については、上面側に噴射されたエッチング液Ｂは、上面上を流れるのに対し、下面側に噴射されたエッチング液Ｂは、すぐに重力落下することに起因する、と推測される。薄物基板（フレキシブル系基板等）については、上面に噴射されたエッチング液Ｂの重さと下面に接触する搬送ローラー８とにより、基板材Ａが上下に凹凸状化し易く、噴射されたエッチング液Ｂの流れが増幅されることに起因する、と推測される。
【００２９】
そこで、このエッチング装置３では、前述した装置本体４におけるエッチングと共に、エリア１３，１３’において、基板材Ａの外表面の前端部Ｅ、更には後端部Ｆ，左右端部Ｇのオーバーエッチング発生が防止される。
すなわち基板材Ａは、装置本体４を通過すると共に、エリア１３，エリア１３’を通過することにより、トータルで観察するとオーバーエッチングが解消され、前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたりエッチングが平均化され、銅箔Ｄの肉厚が補正されて均一化される（図２の（１）図，（２）図を参照）。
なおエリア１３，１３’は、図１の例ではエッチング装置３のチャンバー５内において、装置本体４の上流側に追加配設されているが、これによらず、下流側や途中の中間部に追加付設するようにしてもよい。又、エリア１３とエリア１３’とは、図１の例のように共に用いてもよいが、これによらず、エリア１３のみを用いることも可能である。更にエリア１３やエリア１３’は、図示例では、搬送される基板材Ａの上下に配設されているが、これによらず、上側のみに配設するようにしてもよい。
オーバーエッチング解消用のエリア１３，１３’は、概略このようになっている。
【００３０】
《エリア１３について》
まず、図１の（１）図，（２）図，図３の（１）図，（２）図，（６）図等を参照して、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆ用のエリア１３について、説明する。
このエリア１３、つまり、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆについてオーバーエッチングを解消し、銅箔Ｄの肉厚を補正するエリア１３は、前後の搬送方向Ｊと直交する左右の幅方向Ｋに配設されたスプレー管１４と、スプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射可能なスプレーノズル１６と、を備えている。
そしてスプレーノズル１６は、センサー１８にて検出された基板材Ａのサイズ情報や位置情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御され、もって、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆの通過時においては、エッチング液Ｂの噴射をストップするか、又は装置本体４より低い噴射圧でエッチング液Ｂの噴射を実施すべく、制御される。
【００３１】
このようなエリア１３のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、更に詳述する。図示例では、基板材Ａの前端部Ｅおよび後端部Ｆ用のスプレー管１４が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１６は、スプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４に取付けられている。更に図示例では、２本の内、１本のスプレー管１４に取付けられたスプレーノズル１６は、幅方向Ｋに左方向に向けられ、他の１本に取付けられたスプレーノズル１６は、幅方向Ｋに右方向に向けられている（図３の（１）図，（２）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。スプレーノズル１６の噴射角度αは、例えば１度〜３０度程度の間で可変であり、適宜選択設定される。
又、スプレーノズル１６から噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れることを阻止して、左右の幅方向Ｋにのみ流れるように規制する規制ローラー９が、スプレー管１４そしてスプレーノズル１６に対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される基板材Ａに圧接している。
なお、このスプレー管１４やスプレーノズル１６について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の装置本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７について、前述した所に準じるので（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、装置本体４において前述した所に準じるので、その説明は省略する。
【００３２】
そしてセンサー１８は、位置センサーよりなり、基板材Ａの先端と後端の通過を検出して、検出された基板材Ａの位置情報やワークサイズ情報を、例えばパルス波にてコントローラー１９に送出する。
コントローラー１９は、このように送出されてきた位置情報やワークサイズ情報と共に、入力部２０を利用して予め入力されていた基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆの幅寸法情報（種々可能であるが、例えば、前端部Ｅの前後幅寸法が３０ｍｍ、後端部Ｆの前後幅寸法が１０ｍｍ）や、銅箔Ｄの肉厚寸法情報（種々可能であるが、例えば５μｍ）をも勘案しつつ、予め読込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号を、図１の（１）図の例では電磁弁２２に対し、図１の（２）図の例ではインバーター２１を介しポンプ２３に送出する。
このような駆動制御信号に基づき、電磁弁２２やポンプ２３が駆動され、もって、基板材Ａの前端部Ｅと後端部Ｆが通過する時間的タイミングで、その間は、スプレーノズル１６からのエッチング液Ｂの噴射を停止するか、又は、スプレーノズル１６がエッチング液Ｂを選択された低い噴射圧（例えば０．０１ＭＰａ）で噴射する。そしてスプレーノズル１６は、中央部Ｈが通過する間は、通常の噴射圧（例えば０．０２ＭＰａ）でエッチング液Ｂを噴射する。
又、このような制御は、タイミング制御の部分を除き、例えば噴射圧に関しては、マニアルで段階切換えする方式も可能である。又、２本のスプレー管１４のうち、２本共使用するか１本のみを選択使用するか等、使用本数の選択制御についても、同様である。
更に、図示例のように複数本のスプレー管１４について、相互のスプレーノズル１６の噴射圧に若干の差をつけ、もって中央部Ｈとの間で、徐々に噴射圧が変化するように設定することも考えられる。又、図示例ではエリア１３のスプレーノズル１６は、基板材Ａの前端部Ｅと後端部Ｆの通過時において、エッチング液Ｂの噴射が制御されたが、これによらず、前端部Ｅの通過時のみ制御し、後端部Ｆの通過時は制御を実施せず、中央部Ｈと同一噴射圧でのエッチング液Ｂの噴射を実施することも可能である。
エリア１３は、このようになっている。
【００３３】
《エリア１３’について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図３の（３）図，（４）図，（５）図，（６）図等を参照して、基板材Ａの左右端部Ｇ用のエリア１３’について、説明する。
このエリア１３’、つまり基板材Ａの左右端部Ｇのオーバーエッチングを解消し、銅箔Ｄの肉厚を補正するエリア１３’は、まず、図３の（３）図，（４）図に示した例では、左右の幅方向Ｋに配設されたスプレー管１５と、スプレー管１５に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられ、基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射可能なスプレーノズル１７と、を備えている。
そして、そのスプレーノズル１７は、基板材Ａの左右端部Ｇに対向位置するものが、基板材Ａの中央部Ｈに対向位置するものより、エッチング液Ｂの噴射をより低い噴射圧で実施すべく制御される。中央部Ｈに対向位置するスプレーノズル１７は、装置本体４と同一噴射圧でエッチング液Ｂの噴射を実施する。
これに対し、図３の（５）図に示した例のエリア１３’は、左右の幅方向Ｋに配設されたスプレー管１５と、スプレー管１５の左右を除く中央に複数取付けられ、もってエッチング液Ｂを噴射可能なスプレーノズル１７と、を備えている。
そして、そのスプレーノズル１７は、基板材Ａの左右端部Ｇを除く中央部Ｈに対してのみ、限定的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
【００３４】
このようなエリア１３’のスプレー管１５やスプレーノズル１７について、更に詳述する。まず図示例では、スプレー管１５が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されているが、図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そして、スプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、図示例では、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１５に取付けられている（図２の（３）図，（４）図，（５）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。更に２本の内、１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、左方向に向けられ、他の１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、右方向に向けられている。
なお、このスプレー管１５やスプレーノズル１７について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の装置本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７、更には前端部Ｅや後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、前述した所に準じるので、その説明は省略する。又、このエリア１３’におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、同様である（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）。
【００３５】
そして、図３の（３）図，（４）図の例では、コントローラー１９には、基板材Ａの左右端部Ｇの幅寸法情報（種々可能であるが、例えば左右幅寸法が１０ｍｍ）や銅箔Ｄの肉厚寸法情報（種々可能であるが、例えば５μｍ）が、入力部２０を利用して予め入力されており、予め読み込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号が電磁弁２２又はインバーター２１を介しポンプ２３に送出され、左右端部Ｇに対向位置するスプレーノズル１７が、選択された低い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射する。
この制御内容については、前端部Ｅや後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６やスプレー管１４について、前述したところに準じるので説明は省略するが、この左右端部Ｇ用のエリア１３’の場合は、通常、タイミング制御は実施されず、エッチング液Ｂがスプレーノズル１７から連続的に噴射される。
なお図１の図示例では、このような左右端部Ｇ用のエリア１３’が、前端部Ｅ用や後端部Ｆ用のエリア１３より上流側に配されているが、逆の順序で配することも可能である。
エリア１３’は、このようになっている。
【００３６】
《ポンプ２３や電磁弁２２について》
ここで、図１の（１）図，（２）図，図３の（６）図を参照して、使用されるポンプ２３や電磁弁２２について、説明しておく。
まず、図１の（２）図に示した例では、エリア１３のスプレー管１４やエリア１３’のスプレー管１５には、それぞれ専用のポンプ２３を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２３は、インバーター２１を介することにより、その吐出力の程度や駆動オンオフ等がコントロールされ、もって、エリア１３ではスプレーノズル１６、エリア１３’ではスプレーノズル１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が、制御される。
又、図１の（１）図に示した例では、エリア１３のスプレー管１４やエリア１３’のスプレー管１５には、それぞれ専用の電磁弁２２を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２２は、スプレー管１４，１５をバイパスさせる方式や、径を途中で変更する方式や、弁自体の開度を変更可能とする方式、等々によりコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
ポンプ２３や電磁弁２２は、このようになっている。
【００３７】
《作用等について》
本発明のエッチング装置３は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）回路基板Ｌの製造工程中、エッチング工程のエッチング装置３では、コンベヤ６にて水平搬送される基板材Ａに対しエッチング液Ｂを噴射し、もって基板材Ａの銅箔Ｄをエッチングする（図４，図５，図６を参照）。
【００３８】
（２）ところで、このようなエッチング装置３の装置本体４でのエッチングにより、そのままでは、基板材Ａの前端部Ｅについて、外表面の銅箔Ｄの肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が発生する（図２の（３）図，（４）図を参照）。
更にそのままでは、基板材Ａの後端部Ｆや左右端部Ｇについても、外表面の銅箔Ｄの肉厚が薄くなるオーバーエッチング現象が発生することが多い（図２の（５）図，（６）図を参照）。
【００３９】
（３）そこで、このエッチング装置３には、基板材Ａのこのようなオーバーエッチングを、事前，途中又は事後に解消するエリア１３やエリア１３’が、図示例では上下にそれぞれ付設されている（図１を参照）。
すなわち、このエリア１３，エリア１３’は、エッチング装置３の装置本体４の図示例では上流側に、追加付設されており、同エリア１３，エリア１３’は、それぞれ、左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、各スプレー管１４，１５に取付けられて基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射可能なスプレーノズル１６，１７と、を備えている。
【００４０】
（４）まず、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４やスプレーノズル１６については、次のとおり（図１の（１）図，（２）図，図３の（１）図，（２）図等を参照）。
すなわち、このエリア１３のスプレーノズル１６は、そのスプレー管１４に全体的に多数取付けられており、センサー１８にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
そして、２つのタイプが可能である。すなわち、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆの通過時においては、前端部Ｅや後端部Ｆに対しエッチング液Ｂの噴射をストップすべく制御されるタイプと、これによらず、基板材Ａの前端部Ｅや後端部Ｆの通過時においては、前端部Ｅや後端部Ｆに対しエッチング液Ｂを低い噴射圧で噴射すると共に、中央部Ｈの通過時においては、より高い噴射圧で噴射すべく制御されるタイプとが、可能である。
【００４１】
（５）次に、基板材Ａの左右端部Ｇ用のエリア１３’のスプレー管１５やスプレーノズル１７については、次の２つのタイプが可能である（図１の（１）図，（２）図，図３の（３）図，（４）図，（５）図等を参照）。
すなわち第１のタイプでは、スプレーノズル１７は、そのスプレー管１５の中央位置のみに取付けられており（図３の（５）図を参照）、基板材Ａの中央部Ｈに対向している。そして、基板材Ａの中央部Ｈに対してのみ、エッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
第２のタイプでは、スプレーノズル１７は、そのスプレー管１５に全体的に多数取付けられている。そしてその内、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂを低い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射すべく制御される。
【００４２】
（６）又、エリア１３，エリア１３’のスプレー管１４，１５やスプレーノズル１６，１７のこのような制御は、ポンプ２３による方式か電磁弁２２を利用する方式にて、行われる。
まず、ポンプ２３による方式の場合は（図１の（２）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介してエッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２３により、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ等の幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を、更に若干の幅で高低調整すべく制御される。
又、電磁弁２２を利用する方式の場合は（図１の（１）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２２を介してエッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２２を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ等の幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を、更に若干の幅で高低調整すべく制御される。
【００４３】
（７）そして、エリア１３，エリア１３’のスプレーノズル１６，１７は、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４，１５に取付けられている（図３の（１）図，（２）図，（３）図，（４）図，（５）図等を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。
これと共に、搬送される基板材Ａについて、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７に対向する領域の前後には、規制ローラー９が、対をなして配設され圧接されている（図７の（３）図，（４）図も参照）。
そこでエッチング液Ｂは、スプレーノズル１６，１７から左右の幅方向Ｋに向け傾斜した噴射角度αで噴射され、もって基板材Ａに噴射された後は、規制ローラー９にて規制されて、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れることがなく、液溜まりが発生することもなく、左右の幅方向Ｋにのみ流れるようになる。もって、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００４４】
（８）さて、基板材Ａは、前述したように、エッチング装置３の装置本体４でのエッチングにより、前端部Ｅ、更には後端部Ｆや左右端部Ｇについて、オーバーエッチング現象発生が予測され、そのままでは銅箔Ｄの肉厚が薄くなる（図２の（３）図，（４）図，（５）図，（６）図を参照）。
そこで、このエッチング装置３には、前述したように、エリア１３およびエリア１３’が追加付設されており、もって基板材Ａの前端部Ｅ、更には後端部Ｆや左右端部Ｇのオーバーエッチング発生が防止される。
すなわち、エリア１３では、前端部Ｅや後端部Ｆの通過時は、スプレーノズル１６のエッチング液Ｂを、ストップするか低い噴射圧で噴射する。又、エリア１３’では、左右端部Ｇに対し、スプレーノズル１７のエッチング液Ｂを低い噴射圧で噴射するか、噴射しないようにする。
基板材Ａは、このようなエッチング装置３のエリア１３やエリア１３’を通過することにより、装置本体４でのエッチングと相俟って、前端部Ｅ，後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり、エッチングが平均化され、銅箔Ｄの肉厚が均一化される（図２の（１）図，（２）図を参照）。
なお、この種のエッチング装置３は、通常、複数台が直列に連続して使用されるが、各エッチング装置３毎に、エリア１３やエリア１３’が付設されているので、オーバーエッチング発生は、各エッチング装置３毎に確実に回避される。
【００４５】
（９）しかも、基板材Ａのこのような銅箔Ｄの肉厚の均一化、そしてエッチングの平均化は、エッチング装置３に、エリア１３やエリア１３’を追加付設しただけで実現される。そして、このエリア１３やエリア１３’には、スプレーノズル１６，１７が取付けられたスプレー管１４，１５が配設されて、ポンプ２３や電磁弁２２にて制御される方式よりなる。
このように、このエッチング装置３では、エッチングの平均化が、簡単な構成により容易に実現される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る基板のエッチング装置について、発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図２】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図，（２）図は、本発明におけるエッチング後の基板材を示し、（１）図は、側面の断面説明図、（２）図は平面説明図である。  （３）図，（４）図は、この種従来例におけるエッチング後の基板材の１例を示し、（３）図は、側面の断面説明図、（４）図は平面説明図である。（５）図，（６）図は、この種従来例におけるエッチング後の基板材の他の例を示し、（５）図は、正面の断面説明図、（６）図は、平面説明図である。
【図３】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図，（２）図は、前（後）端部用エリアのスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。  （３）図，（４）図は、左右端部用エリアのスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。（５）図は、左右端部用エリアのスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図である。（６）図は、制御用のブロック図である。
【図４】エッチング装置本体の正面説明図である。
【図５】エッチング装置本体の平面説明図である。
【図６】エッチング装置本体の側面説明図である。
【図７】エッチング装置本体等のそれぞれ要部を示し、（１）図は、正面の断面説明図、（２）図は、別の正面の断面説明図、（３）図は、側面説明図、（４）図は、平面説明図である。
【図８】この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図９】回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  エッチング装置（従来例）
２  スプレー管（従来例）
３  エッチング装置（本発明）
４  装置本体
５  チャンバー
６  コンベヤ
７  スプレーノズル
８  搬送ローラー
９  規制ローラー
１０  スプレー管
１１  液槽
１２  配管
１３  エリア
１３’エリア
１４  スプレー管（本発明）
１５  スプレー管（本発明）
１６  スプレーノズル（本発明）
１７  スプレーノズル（本発明）
１８  センサー
１９  コントローラー
２０  入力部
２１  インバーター
２２  電磁弁
２３  ポンプ
Ａ  基板材
Ｂ  エッチング液
Ｃ  絶縁層
Ｄ  銅箔
Ｅ  前端部
Ｆ  後端部
Ｇ  左右端部
Ｈ  中央部
Ｊ  搬送方向
Ｋ  幅方向
Ｌ  回路基板
Ｍ  回路
Ｎ  スルホール
Ｐ  スプレーゾーン
Ｑ  上下方向
α  噴射角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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