(57)【要約】【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して製造し得る堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】堆積膜形成装置において、反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０７が同一円周上に配置され、複数の円筒状基体１０７を取り囲むように放電電極１０１が設置されている。この堆積膜形成装置を用い、高周波電力を印加することによって複数の円筒状基体１０７上に堆積膜を形成する際に、円筒状基体１０７の表面での堆積速度を、放電電極と対向する面（Ｂ位置）での堆積速度に対する、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の中心に向いた面（Ａ位置）での堆積速度の比が５％以上かつ３０％以下となるように設定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器と、該反応容器内部にて同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、前記複数の円筒状基体を取り囲むように設置された放電電極とを用い、該放電電極に高周波電力を印加し、前記反応容器内にグロー放電を発生させることにより、該反応容器内に導入された原料ガスを分解し、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記円筒状基体の表面での堆積速度を、前記放電電極と対向する面での堆積速度に対する、前記複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積速度の比が５％以上かつ３０％以下となるように設定することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記堆積速度の比が８％以上かつ２０％以下となるように設定することを特徴とする、請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記複数の円筒状基体同士の間の最近接距離が１ｍｍ以上かつ１０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記放電電極に印加する高周波電力が１ＭＨｚ以上かつ２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記放電電極に印加する高周波電力が１３．５６ＭＨｚであることを特徴とする、請求項４に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
前記堆積膜が、シリコンを母体とし少なくとも水素を含有する非単結晶材料により構成されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項７】
前記円筒状基体の本数が３本または４本であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項８】
前記円筒状基体を回転させながら成膜を行うことを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項９】
電子写真感光体の製造に用いられる、請求項１から８のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グロー放電プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって基体上に堆積膜を形成する装置および方法と、電子写真感光体に関する。とりわけ、本発明は機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等に用いられる堆積膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体に用いられる素子部材を、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）等の各種材料から構成する技術が提案されている。中でもａ−Ｓｉに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素および／またはハロゲン（例えばフッ素や塩素等）で補償されたａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜が提案されている。このようなアモルファス堆積膜は、高性能、高耐久、無公害な感光体であり、実用化されているものもある。このような堆積膜の形成法として、従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法等、多数の方法が知られている。プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを直流または高周波（ＲＦやＶＨＦ）やマイクロ波などのグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基体上に薄膜状堆積膜を形成する。このプラズマＣＶＤ法は、電子写真用ａ−Ｓｉ堆積膜の形成方法等において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。
【０００３】
例えば、以下に記載する光導電層の上に表面保護層が設けられた光導電部材が知られている。この光導電部材の光導電層は、シリコン原子を主体とし、水素原子またはハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料で構成されている。そして、表面保護層は、シリコン原子および炭素原子を母体とし、水素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成されている。
【０００４】
これらの従来の技術によりａ−Ｓｉ等からなる堆積膜を形成する方法は、例えば次のように行われる。
【０００５】
図５は、電子写真感光体を作成するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法を行う堆積膜形成装置の一例（特許文献１参照）を模式的に示している。
【０００６】
この堆積膜形成装置は、反応容器４０１と、反応容器４０１内を減圧するための排気装置４０８から構成されている。反応容器４０１内には、アースに接続された導電性受け台４０７の上に円筒状基体４０２が設置され、さらに円筒状基体４０２のための基体加熱ヒーター４０３と、原料ガス導入管４０５が設置されている。また、導電性材料からなる放電電極４０６が設置され、絶縁碍子４１３によって絶縁されている。放電電極４０６にはマッチングボックス４１１を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源４１２が接続されている。
【０００７】
不図示の原料ガス供給手段を構成する各ボンベは、原料ガス導入バルブ４０９を介して反応容器４０１内のガス導入管４０５に接続されている。
【０００８】
以下、図５の装置を用いた、従来の電子写真感光体の形成方法の一例について説明する。
【０００９】
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体４０２を、反応容器４０１内の基体加熱ヒーター４０３を取り囲むように導電性受け台４０７に取り付ける。
【００１０】
次に、メインバルブ４１５を開いて反応容器４０１および原料ガス導入管４０５内を排気する。真空計４１０の読みが０．６７Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ４０９を開き、加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原料ガス導入管４０５より反応容器４０１に導入する。そして、反応容器４０１内が所望の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量と、メインバルブ４１５の開口あるいは排気装置４０８の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて基体加熱ヒーター４０３により円筒状基体４０２を加熱し、円筒状基体４０２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。円筒状基体４０２が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、成膜用の所定の原料ガスを反応容器４０１内に徐々に導入する。原料ガスは、例えば、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6などの材料ガスや、Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3などのドーピングガスであり、不図示のガス供給手段により混合された後に、反応容器４０１内に導入される。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際に、反応容器４０１内を０．１Ｐａから数百Ｐａの圧力に維持するように、真空計４１０を見ながらメインバルブ４１５の開口あるいは排気装置４０８の排気速度を調整する。
【００１１】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体４０２上に光導電層の形成を行なう。内圧が安定したのを確認した後に、高周波電源４１２を所望の電力に設定して高周波電力を放電電極４０６に供給し高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス４１１を調整して、反射波が最小となるようにし、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた実効値を所望の値にする。この放電エネルギーによって、反応容器４０１内に導入した原料ガスが分解され、円筒状基体４０２上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は円筒状基体４０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させてもよい。所望の膜厚の堆積膜の形成が行われた後に、高周波電力の供給を止め、反応容器４０１への原料ガスの流入を止めて反応容器４０１内を一旦高真空に引き上げてから堆積膜形成工程を終える。前記した操作を繰り返し行うことによって、光導電層を形成する。
【００１２】
本発明のａ−Ｓｉ系の表面保護層を形成する場合にも、必要となる原料ガスが変わるだけで、前記したのと同様の手順で行うことができる。
【００１３】
これらの技術により、電気的、光学的、および光導電率的特性が向上し、さらに、画像品位の向上も可能になっている。
【特許文献１】特開平１０−６３０２４号公報
【特許文献２】特開昭６０−１６８１５６号公報
【特許文献３】特開昭６０−１７８４５７号公報
【特許文献４】特開昭６０−２２５８５４号公報
【特許文献５】特開昭６１−２３１５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
このような従来の堆積膜形成方法および装置により、ある程度実用的な特性と均一性を持つ堆積膜を得ることが可能になった。特に、プラズマＣＶＤ法による成膜方法の中でも、高周波電力としてＲＦ帯を用いるＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の膜を容易に得られるという特徴があるため、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体の製造などに広く用いられている。
【００１５】
しかし、近年、電子写真装置において、市場からの要求スペックが年々厳しくなり、さらなる高画質化、高速化、高耐久性、高機能化が求められるのみならず、本体価格やランニングコストの低減を図る価格競争も激化している。これに伴って、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体にも従来のような電気特性の向上や画像品質の向上にとどまらず、よりコストの低い、安価な部材が要求されるようになってきた。
【００１６】
ところが、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体は、ａ−Ｓｉの誘電率の高さゆえに、充分な帯電能を得るためには厚膜にせざるを得ず、場合によっては１０μｍ〜１００μｍもの厚さを有する堆積膜を形成しなければならない。しかし、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた製造方法では、堆積速度を速くすることが難しいため、成膜工程に長時間を要し、生産コストが上昇しがちであった。
【００１７】
また、従来のプラズマＣＶＤ装置は、図５に示したとおり、同軸型の成膜装置が多く、この場合、円筒状基体４０２の周囲のプラズマ状態が対称であり、均一な膜厚および膜質が得られるというメリットがある。しかし、このプラズマＣＶＤ装置は、成膜炉１炉当たり１本の電子写真感光体しか得ることができず、成膜炉１台当たりの生産量がどうしても低くならざるを得ないというデメリットもある。
【００１８】
従来、成膜炉１台当たりの生産量を増やす一つの試みとして、堆積速度の向上が検討されてきた。しかし、堆積速度を速めるとどうしても堆積膜の膜質が低下してしまい、電子写真感光体としての特性が劣化するという、生産能力と特性のトレードオフが発生し、充分に満足する結果が得られていないのが現状であった。
【００１９】
そこで本発明の目的は、前記した従来の電子写真感光体における諸問題を解決し、具体的には電気的特性を犠牲にすることなく製造コストを下げ、かつ歩留まりよく安定して製造し得る堆積膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の特徴は、減圧可能な反応容器と、反応容器内部にて同一円周上に配置された複数の円筒状基体と、原料ガス導入手段と、複数の円筒状基体を取り囲むように設置された放電電極とを用い、放電電極に高周波電力を印加し、反応容器内にグロー放電を発生させることにより、反応容器内に導入された原料ガスを分解し、複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、円筒状基体の表面での堆積速度を、放電電極と対向する面での堆積速度に対する、複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積速度の比が５％以上かつ３０％以下となるように設定するところにある。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、電気的特性を犠牲にすることなく製造コストを下げ、歩留まりよく安定して製造し得る、堆積膜形成方法を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２３】
まず、本発明に至った経緯について説明する。本発明者らは前記した目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、従来の同軸型の堆積膜形成装置の考え方を捨て、複数の円筒状基体を同一円周上に等間隔に配置し、その円筒状基体を取り囲む放電電極を設置した構成の堆積膜形成装置を考えた。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加して、円筒状基体と放電電極の間にグロー放電を発生させることにより、一回の成膜で多数の電子写真感光体を製造できる。この場合、成膜装置１台当たりの感光体の製造数量が大幅に増加するため、結果的に大幅なコストダウンが見込める。
【００２４】
ところが、実際に実験を行ってみると、得られた電子写真感光体の電気特性は、何れも同軸型の堆積膜形成装置（１本取り炉）で得られた感光体より劣っており、それと同等の特性を得るのは難しいことが判明した。この原因を探るために、円筒状基体を静止した状態で成膜を行い、周方向の特性のムラを調べた。その結果、反応容器の外側に向いた面、すなわち放電電極と対向する面での堆積膜の特性は、同軸型の１本取り炉の場合と同等かそれ以上の良好な結果が得られた。しかし、反応容器の内側に向いた面、すなわち円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積膜の特性は、同軸型の１本取り炉の場合に比べてかなり劣っていることが判明した。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加しており、その放電電極の対向電極として機能しているのは内部に設置された複数の円筒状基体である。つまり、円筒状基体の、放電電極と対向する表面には十分な高周波電界が働いており、良好な膜質の堆積膜が形成される。しかし、その反対側の表面、すなわち円筒状基体に囲まれた中央空間に面する領域には、放電電極からの高周波電力が充分に働いておらず、弱電界になる。そのため、原料ガスの分解および励起が不充分になり、堆積膜の膜特性が悪化したものと想像される。
【００２５】
本発明者らは、この問題を解決する方法として、円筒状基体に囲まれた空間に面する領域で堆積する堆積膜の付着量をできるだけ減らせばよいのではないかと考えた。すなわち、同一円周上に等間隔に設置された複数の円筒状基体同士の間隔を接近させ、プラズマが内側（中央空間側）に回り込まないようにすることを考えた。その結果、放電電極に対向する面での堆積速度に比べて、円筒状基体に囲まれた中央空間に面した領域での堆積速度をかなり低くすることができた。
【００２６】
なお、「放電電極と対向する面での堆積速度」とは、複数の円筒状基体が周上に位置する円の中心点と円筒状基体の中心軸とを結んだ直線と、円筒状基体の、放電電極側の表面とが交わる点における堆積速度である。一方、「複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積速度」とは、前記した円の中心点と円筒状基体の中心軸とを結んだ直線と、円筒状基体の、放電電極と反対側の表面とが交わる点における堆積速度である。これは、「複数の円筒状基体に囲まれた中央空間に面した領域での堆積速度」と同じ意味であると言える。
【００２７】
本発明では、円筒状基体の、放電電極と対向する面での堆積速度に対する、円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積速度の比と、電子写真感光体としての特性の関係を詳細に調べた。その結果、堆積速度の比を５％以上かつ３０％以下とした場合に、同軸型の１本取り炉で得られた電子写真感光体と遜色のない特性の感光体が得られることが判明した。複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面での堆積速度の堆積速度を、放電電極と対向する面での堆積速度の３０％以下とすることで、特性の劣った堆積膜の膜厚を薄くして、その実質的な影響をなくすことができる。しかし、それらの堆積速度の比を５％未満にすると、回転しながら成膜される円筒状基体のうち、複数の円筒状基体に囲まれた中央空間側に向いた部分にはほとんど堆積膜が付着せず、そこに明確な界面が形成されてしまう。このことは、特に膜厚方向にキャリアを走行させる電子写真感光体の場合に、走行特性に悪影響を与え、電子写真特性を悪化させるおそれがある。よって、本発明においては、堆積速度の比率を５％以上かつ３０％以下、より好ましくは８％以上かつ２０％以下にすることにより、良好な結果が得られる。
【００２８】
さらに、本発明者らは前記した構成とは逆に、複数の円筒状基体が周上に位置する円の中心に放電電極を設置した構成についても検討を行った。この場合、複数の円筒状基体によって取り囲まれた中央空間に放電を生起させることになる。この場合に得られた電子写真感光体の電気特性は、やはり同軸型の１本取り炉で得られた感光体よりも劣っていることが判明した。また、静止状態で成膜した堆積膜の周方向の特性むらは、円筒状基体の、中央空間に設置された放電電極と向き合っている部分の特性は良好であるものの、中央空間の外側に堆積した膜の膜質が劣っていることが判明した。そこで、前記したのと同様の考え方で、円筒状基体同士の間隔を狭めて外側に放電が漏れないようにして、膜質の劣っている膜が堆積しないようにした。しかしその場合にも、電子写真特性は完全には改善しなかった。
【００２９】
この原因として、放電電極を、複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の内部に設けた場合に、複数の円筒状基体の外側に設置した場合よりも、円筒状基体の周方向において良好な特性の膜が堆積される割合が小さいことが考えられる。それによって、円筒状基体の回転時の平均の電子写真特性の低下が起きたものと考えられる。従って、良好な特性を有する電子写真感光体を低コストで生産するという本発明の目的には、複数の円筒状基体の外側に放電電極を設置する構成を取ることが望ましいことが分かった。
【００３０】
また、本発明は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法やＶＨＦプラズマＣＶＤ法といった、ＲＦ帯以外を用いたプラズマＣＶＤ法を用いた場合に比べて、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた場合に特に大きな効果が得られる。その詳細な理由は現在不明である。ただし、成膜中の内圧がＲＦプラズマＣＶＤ法では数十Ｐａ〜数百Ｐａであるのに対して、マイクロ波プラズマＣＶＤ法やＶＨＦプラズマＣＶＤ法では数Ｐａであり、この内圧の大きな相違が関係している可能性が考えられる。
【００３１】
ＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の膜を容易に得られやすいという特徴がある反面、唯一の欠点が堆積速度が低く生産コストが高い点であった。しかし、本発明によって一度に多数の電子写真感光体を成膜できるようになることで、この欠点が解消され、製造方法としての完成度が非常に高まる。
【００３２】
本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。以下、本発明の堆積膜形成方法および堆積膜形成装置について図面を参照して詳細に説明する。図１は、複数の電子写真用感光体を同時に形成できる、生産性の極めて高い本発明の堆積膜形成装置の一例を模式的に示したものである。図１（ａ）はその概略縦断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線に沿って切断した概略横断面図である。
【００３３】
本発明の堆積膜形成装置は、反応容器１００と、反応容器１００内部にて同一円周上に配置された複数の円筒状基体１０７と、原料ガス導入手段であるガス導入管１０６と、複数の円筒状基体１０７を取り囲むように設置された放電電極１０１を有している。そして、放電電極１０１に高周波電力を印加し、反応容器１００内にグロー放電を発生させることにより、反応容器１００内に導入された原料ガスを分解し、複数の円筒状基体１０７上に堆積膜を形成するものである。さらに、円筒状基体１０７の、放電電極１０１と対向する面での堆積速度に対する、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の中心に向いた面での堆積速度の比が、５％以上かつ３０％以下である。
【００３４】
この堆積膜形成装置の構成を、より詳細に説明する。反応容器１００は、反応炉壁を兼ねる放電電極１０１とベースプレート１０２と上蓋１０３により構成され、減圧可能になっている。放電電極１０１とベースプレート１０２と上蓋１０３は碍子１０４で絶縁されている。反応容器１００の内部にはガス導入管１０６が設置されている。ベースプレート１０２の下部には排気配管１０５が接続され、排気配管１０５の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続され、真空排気可能になっている。放電電極１０１には、整合器（マッチングボックス）１１０を介して高周波電源１０９が接続されている。
【００３５】
反応容器１００の内部には、堆積膜が形成される複数の円筒状基体１０７が、互いに平行に、かつ互いに近接するように、同一円周上に配置される。複数の円筒状基体１０７は、不図示の基体加熱用ヒーターを内蔵した回転軸１０８によってそれぞれ保持されている。回転軸１０８は不図示の駆動装置により回転可能になっている。複数の円筒状基体１０７は互いに近接して配置されているため、放電電極１０１との間で生起したグロー放電が、円筒状基体１０７に取り囲まれた中央空間１１１に回り込むことが防げる。円筒状基体１０７同士を接近させるほど、中央空間１１１側に回り込む放電は減少し、円筒状基体１０７の中央空間側の表面への、特性の劣った堆積膜の付着を防ぐことができる。なお、円筒状基体１０７同士の間隔は、堆積膜形成装置の形状や円筒状基体１０７のサイズおよび本数等により異なるが、概ね１０ｍｍ以下で、かつ互いに接触しない距離（機械的な精度を考慮すると実用的には１ｍｍ以上）である。
【００３６】
それによって、本発明では、放電電極１０１に対向する面（Ｂ位置）での堆積速度に対して、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の中心に向いた面（Ａ位置）での堆積速度を５％以上かつ３０％以下にしている。さらに、より好ましくは、この堆積速度比を８％以上かつ２０％以下にする。堆積速度比がこの範囲に入るように成膜を行うことにより、同軸型の１本取り炉で得られた電子写真感光体と同等レベルの特性の感光体が得られる。
【００３７】
この堆積膜形成装置の放電電極１０１、ベースプレート１０２、および上蓋１０３は導電性材料から成る。導電性材料なら何でも使用できるが、アルミニウム、鉄、ステンレス、金、銀、銅、ニッケル、クロム、チタンなどの金属材料から構成する場合、加工が容易で耐久性が高く、また再利用の利便性などの点でも好ましい。また、これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００３８】
本発明において用いられる高周波電力は、いかなる周波数帯でもよいが、良好な電子写真特性が得られやすいのは１ＭＨｚ以上かつ２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯、代表的には１３．５６ＭＨｚであった。これは、分解種として良好な膜質を得やすいＳｉＨ3が安定的に得られることや、プラズマ均一性や安定性と関係しているのであろうと推測される。また、高周波電源１０９は、堆積膜形成装置に適した高周波電力を発生することができればいかなるものでも好適に使用できる。さらに、高周波電源１０９の出力変動率には特に制限は無い。
【００３９】
本発明で使用されるマッチングボックス１１０は、高周波電源１０９と負荷の整合を取ることができるものであればいかなる構成のものでも好適に使用できる。また、負荷の整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果に全く影響は無い。また、マッチングボックス１１０が配置される位置に関しては、負荷の整合が取れる範囲においてどこに設置してもなんら問題はない。ただし、マッチングボックス１１０から放電電極１０１までの配線のインダクタンスをできるだけ小さくするような配置とした方が、広い負荷条件で整合を取ることが可能になるため望ましい。
【００４０】
円筒状基体１０７は、互いに近接して配置するために３本以上設置されるが、良好な特性の電子写真感光体を得る上では、あまり本数を多くし過ぎないことが大切である。これは、円筒状基体１０７の本数が増えるほど円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の体積が増加し、円筒状基体１０７同士の僅かな隙間からプラズマが回り込み、中央空間１１１の内部で放電が発生し易くなるからである。従って、本発明における円筒状基体１０７の設置本数は、実用的には６本以下、最適には４本以下とすることが望ましい。なお、ここで言う「設置本数」とは、言い換えれば円筒状基体１０７を取り付ける回転軸１０８の本数を意味している。例えば、円筒状基体１０７を２段重ねで成膜する構成の堆積膜形成装置においては、設置本数が３本の場合は、一度に２倍の６本の円筒状基体１０７に成膜できることになる。
【００４１】
本発明において使用される円筒状基体１０７は、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性の基体としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、合成樹脂のフィルムまたはシートや、ガラス、セラミック等の電気絶縁性基体の、少なくとも堆積膜形成側の表面を導電処理した基体も用いることができる。合成樹脂の例としては、例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等が挙げられる。
【００４２】
本発明において使用される円筒状基体１０７の形状は、平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状、または板状無端ベルトからなる円筒状であってもよく、その厚さは、所望の電子写真感光体を形成し得るように適宜決定される。電子写真感光体としての可撓性が要求される場合には、円筒状基体１０７としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら一般には、製造時および取り扱い時の機械的強度等の点から、円筒状基体１０７の厚さは、通常は１０μｍ以上とする。
【００４３】
特にレーザー光などの可干渉性光を用いて画像記録を行う場合に、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するために、円筒状基体１０７の表面に凹凸を設けてもよい。円筒状基体１０７の表面に設けられる凹凸は、特許文献２〜４に記載された公知の方法により作成してもよい。また、レーザー光などの可干渉光を用いて画像記録を行う場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の方法として、円筒状基体１０７の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、円筒状基体１０７の表面が、電子写真用光受容部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、その凹凸は複数の球状痕跡窪みによるものであってもよい。基体の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特許文献５に記載された公知の方法により作成してもよい。
【００４４】
以上説明した図１の堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００４５】
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工が施された複数の円筒状基体１０７を反応容器１００内に設置し、不図示の排気装置により排気配管１０５を通して反応容器１００内を排気する。充分に排気ができた段階で、不図示のガス供給装置からガス導入管（ガス導入手段）１０６を介して、加熱用の不活性ガス、例えばアルゴンを反応容器１００内に導入する。そして、反応容器１００内が所望の圧力になるように、加熱用ガスの流量あるいは不図示の排気装置の排気速度を調整する。続いて、不図示の基体加熱用ヒーターにより円筒状基体１０７を加熱し、５０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。
【００４６】
円筒状基体１０７が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、成膜用の所定の原料ガスを反応容器１００内に徐々に導入する。原料ガスは、例えばＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6などの材料ガスや、Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3などのドーピングガスであり、不図示のガス供給手段により混合された後に、反応容器１００内に導入される。次に、原料ガスの流量を設定流量に調節し、不図示の排気装置の排気速度を調整して反応容器１００内の圧力を０．１Ｐａから数百Ｐａの所望の圧力にする。こうして所望の流量および圧力になったことを確認した後に、高周波電源１０９からマッチングボックス１１０を介して放電電極１０１へ所定の高周波電力を供給する。このときマッチングボックス１１０を調整し、反射波が最小となるようにし、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた実効値を所望の値にする。この高周波電力によって、反応容器１００内にグロー放電が生起する。このとき、回転軸１０８に取り付けられた不図示の回転手段により円筒状基体１０７を回転させる。
【００４７】
放電は、円筒状基体１０７と放電電極１０１の間で生起するが、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の内部には放電は発生しないか、あるいは放電が非常に弱くなっている。これは、円筒状基体１０７が接近して設置されているために、放電が中央空間１１１の内部まで回り込みにくいからである。こうして励起して解離した分解種は円筒状基体１０７の外周面に堆積するが、前記したように円筒状基体１０７を回転させているので、円筒状基体１０７の全周に亘って均一な堆積膜が形成される。
【００４８】
所望の膜厚の堆積膜形成が行なわれた後に、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように１つの層の形成が終了した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のためのガス流量および圧力に設定が変更された後に、再度放電を生起して次層の形成を行ってもよい。あるいは、１つの層の形成を終了した後に一定時間かけて、ガス流量と圧力と高周波電力を次層のための設定値に徐々に変化させ、連続的に複数層を形成してもよい。また、各層の形成工程の間に、一旦、反応容器１０１内の残留ガスを充分真空引きすることで、層毎に異なるガス種を使う場合の汚染を最小限に抑えることができる。
【００４９】
本発明を用いることにより、例えば図２（ａ）〜（ｄ）に示す様々なａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材が形成可能である。
【００５０】
図２（ａ）に示す電子写真用感光体３００は、支持体３０１の上に、水素原子またはハロゲン原子を構成要素として含むアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ））を有し光導電性を有する光導電層３０２が設けられた構成である。
【００５１】
図２（ｂ）に示す電子写真用感光体３００は、支持体３０１の上に、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなり光導電性を有する光導電層３０２と、アモルファスシリコン系またはアモルファス炭素系の表面層３０３が設けられた構成である。
【００５２】
図２（ｃ）に示す電子写真用感光体３００は、支持体３０１の上に、アモルファスシリコン系の下部阻止層３０４と、光導電層３０２と、表面層３０３が設けられた構成である。前記したのと同様に、光導電層３０２はａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなり光導電性を有し、表面層３０３はアモルファスシリコン系またはアモルファス炭素系の層である。
【００５３】
図２（ｄ）に示す電子写真用感光体３００も、支持体３０１の上に、光導電層３０２と表面層３０３が設けられた構成である。この光導電層３０２は、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなる電荷発生層３０５および電荷輸送層３０６とからなり、表面層３０３はアモルファスシリコン系またはアモルファス炭素系の層である。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明のより具体的な実施例についてさらに詳しく説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
【００５５】
（実施例１）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に円筒状基体１０７（図２の支持体３０１に相当）として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本設置した。具体的には、まず、軸方向中央部に幅１ｃｍの耐熱テープを周方向に貼り付けることにより一部分をマスクした円筒状基体１０７を、ベースプレート１０２上に４本設置した。そして、静止状態で、表１に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。
【００５６】
【表１】
2007119839.tif 000003
【００５７】
成膜終了後、耐熱テープを剥がすことによって、堆積膜の付着しない部分（円筒状基体１０７の地肌が露出した部分）と、膜が堆積した部分の間に段差を形成した。この段差を利用し、後述する方法で、外側（図１（ｂ）のＢ位置）での堆積速度と内側（図１（ｂ）のＡ位置）での堆積速度を求め、外側の堆積速度に対する内側の堆積速度の比を調べた。このような手順に従い、円筒状基体１０７同士の間隔をさまざまに変化させながら、内側と外側の堆積速度比が５％以上かつ３０％以下となる６条件を選び出した。
【００５８】
以上の準備が整った後に、上記で求めた６条件それぞれについて、円筒状部材１０７を５ｒｐｍで回転させながら表１に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。こうして、内側と外側の堆積速度比が５％以上かつ３０％以下となるようにして成膜した、６種類の電子写真感光体を作製した。
【００５９】
（比較例１）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、実施例１と同様の手順で電子写真感光体の形成を行った。本比較例では、円筒状基体１０７の内側と外側の堆積速度比が３％と４０％になる条件で２種類の電子写真感光体を作成した。
【００６０】
（実施例１と比較例１の評価）
実施例１と比較例１で作製したａ−Ｓｉ電子写真感光体について、下記の方法で評価を行った。
【００６１】
（堆積速度比）
静止状態で成膜した円筒状基体１０７の表面上の、堆積膜が堆積した部分と付着しない部分（円筒状基体１０７の地肌が露出した部分）との段差を利用して、堆積膜の膜厚を測定した。測定は、ケーエルエー・テンコール株式会社製アルファステップ５００（商品名）を用いて、以下に記す測定条件で行った。
測定条件
・測定環境：気温２５℃、湿度６０％、１気圧
・スタイラス先端径：５μｍ
・スタイラス押し当て圧：８ｍｇ
・スキャン長さ：４００μｍ
・スキャンスピード：５０μｍ／ｓｅｃ
・スキャン方法：連続移動
・データサンプリングレート：５０Ｈｚ
・水平分解能：１μｍ
・垂直分解能：０．１ｎｍ
・短波長カットオフフィルタ：１２．５μｍ
・長波長カットオフフィルタ：ＯＦＦ
この測定条件で、予め、標準試験片で較正を行った。標準試験片として、ＶＬＳＩスタンダード株式会社製  Step Height Standard モデルナンバー：ＳＨＳ−９４００ＱＣ（商品名）を用いた。アルファステップ５００のキャリブレーションモードで、標準試験片の較正された段差を測定し、較正値を入力することでキャリブレーションファクターが決定される。キャリブレーションを行っておくことによって、容易に正しく膜厚を測定することが可能になる。その他の具体的な操作や測定作業は、すべてアルファステップ５００付属の取扱説明書（Alpha Step 500 User's Manual 1994年10月、Software Version 1.7）の記載に従って行った。
【００６２】
次に、前記した測定条件下でアルファステップ５００を用いて、円筒状基体１０７の中央部の膜が堆積している部分から、円筒状基体１０７が露出している部分へ触針をスキャンして膜厚を測定した。測定は５回行い、その平均値を求めた。こうして得られた膜厚を成膜時間で割ることで堆積速度を求めることができる。
【００６３】
このようにして、円筒状基体１０７の軸方向中央部において、放電電極と対向する面（Ｂ位置）での堆積速度と、複数の円筒状基体１０７に囲まれた中央空間１１１の中心に対いた面（Ａ位置）での堆積速度を求めた。そして、前者で後者を割ることによって堆積速度比を求めた。その結果、前記した通り、実施例１で作製した６つの電子写真感光体の堆積速度比は５％以上かつ３０％以下の範囲であり、比較例１で作製した２つの電子写真感光体の堆積速度比はそれぞれ３％と４０％であったことが確認された。
【００６４】
（帯電能）
実施例１および比較例１にて作製した電子写真感光体を電子写真装置にセットし、主帯電器に一定の電流（例えば８００μＡ）を流し、現像器位置にセットした表面電位計の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好である。本実施例では、電子写真装置として、キヤノン株式会社製複写機ＧＰ５５（商品名）を実験用に改造したものを用い、表面電位計として、米国のトレック・インコーポレーテッド社製Ｍｏｄｅｌ３４４（商品名）を用いた。なお、帯電能測定は感光体の母線方向中央部で行った。この帯電能の評価結果は、比較例１の堆積速度比４０％の感光体の結果を基準として、表２に以下の記号にて示している。
◎…２０％以上の良化
○〜◎…１５％以上２０％未満の良化
○…１０％以上１５％未満の良化
△〜○…５％以上１０％未満の良化
△…５％未満の良化
×…悪化
【００６５】
【表２】
2007119839.tif 000004
【００６６】
（感度）
前記した電子写真装置において、現像器位置での暗部電位が一定値（例えば４５０Ｖ）となるように主帯電器への電流を調整した後に、原稿として反射濃度０．１以下の所定の白紙を用いて感度を求めた。具体的には、現像器位置での明部電位が所定の値（例えば５０Ｖ）となるように像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を調整した際の像露光量によって感度を評価した。したがって、像露光量が少ないほど感度が良好である。なお、感度測定は感光体の母線方向の中央部で行った。この感度の評価結果は、比較例１の堆積速度比４０％の感光体の結果を基準として、前記した表２に以下の記号にて示している。
◎…２０％以上の良化
○〜◎…１５％以上２０％未満の良化
○…１０％以上１５％未満の良化
△〜○…５％以上１０％未満の良化
△…５％未満の良化
×…悪化
（残留電位）
電子写真感光体を一定の暗部表面電位（例えば４５０Ｖ）に帯電させ、直ちに一定光量の像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）の比較的強い光（例えば１．５μＪ）を照射した。この時、表面電位計により電子写真感光体の母線方向の中央部の明部表面電位を測定した。したがって、明部電位が小さいほど残留電位が良好である。この残留電位の評価結果は、比較例１の堆積速度比４０％の感光体の結果を基準として、前記した表２に以下の記号にて示している。
◎…４０％以上の良化
○〜◎…３０％以上４０％未満の良化
○…２０％以上３０％未満の良化
△〜○…１０％以上２０％未満の良化
△…１０％未満の良化
×…悪化
（光メモリー）
現像器位置における暗部電位が所定の値（例えば４５０Ｖ）となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値（例えば５０Ｖ）となるよう像露光光量を調整した。そして、縦２９７ｍｍ、幅８０ｍｍの白紙原稿に、反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたゴーストチャートを原稿台の左端に置き、その上にＡ３の反射濃度０．３の中間調チャートを重ねて置いてコピーを行った。このコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と、中間調部分の反射濃度との差を測定することにより、光メモリーの評価を行った。したがって、数値が小さいほど光メモリーは良好である。なお、光メモリーの測定は、感光体の軸方向の中央部で行った。この光メモリーの評価結果は、この帯電能の評価結果は、比較例１の堆積速度比４０％の感光体の結果を基準として、前記した表２に以下の記号にて示している。
◎…４０％以上の良化
○〜◎…３０％以上４０％未満の良化
○…２０％以上３０％未満の良化
△〜○…１０％以上２０％未満の良化
△…１０％未満の良化
×…悪化
表２から実施例１と比較例１の評価結果を見ると、堆積速度比を５％以上かつ３０％以下とすることによって電子写真感光体の特性が改善することが判明した。また、堆積速度比を８％以上かつ２０％以下とすることで、さらに良好な特性が得られることも判明した。
【００６７】
（実施例２）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に類似しているが６本の円筒状基体１０７を処理可能な堆積膜形成装置（図３（ｃ）参照）を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、円筒状基体１０７および回転軸１０８の数のみが異なり、それ以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを６本設置した。
【００６８】
本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表３に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。
【００６９】
【表３】
2007119839.tif 000005
【００７０】
そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。このような手順に従い、円筒状基体１０７同士の間隔をさまざまに変化させながら、外側と内側の堆積速度比が２０％となるような条件（円筒状基体１０７同士の間隔）を求めた。
【００７１】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を１ｒｐｍで回転させながら表３に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。この時、前記した条件に従って、外側と内側の堆積速度比が２０％となるようにした。
【００７２】
（比較例２）
本比較例で用いた堆積膜形成装置は、図４に示すように、６本の円筒状基体５０７に囲まれた中央空間の中心に放電電極５１１を有し、６本の円筒状基体５０７の外側に、放電電極ではなく単なる円筒状の外壁５０１を有している。この外壁５０１の内部には排気配管５０５およびガス導入管５０６が設置され、外壁５０１の外側には、放電電極５１１に接続された高周波電源５０９およびマッチングボックス５１０が設置されている。
【００７３】
本比較例において、円筒状基体５０７としては、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを用いた。この堆積膜形成装置では、プラズマ放電は円筒状基体５０７に囲まれた中央空間内で励起するため、円筒状基体５０７の、内側の表面の堆積速度が高く、外側の面の堆積速度は低くなっている。本比較例では、実施例２と同様にして、外側と内側の堆積速度比が２０％である電子写真感光体を作製した。
【００７４】
（実施例２と比較例２の評価）
実施例２と比較例２で作製した電子写真感光体について、実施例１および比較例１と同様の方法で特性（帯電能、感度、残留電位、光メモリー）の評価を行った。それらの結果を、表２と同様の表示方法で表４に示した。
【００７５】
【表４】
2007119839.tif 000006
【００７６】
表４によると、円筒状基体の外側に放電電極を設置した場合の方が、円筒状基体１０７の内側に放電電極を設置した場合よりも、特性が優れていることが分かる。
【００７７】
（実施例３）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に類似しているが３本の円筒状基体１０７を処理可能な堆積膜形成装置（図３（ａ）参照）を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、円筒状基体１０７および回転軸１０８の数のみが異なり、それ以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを３本設置した。円筒状基体１０７同士の間隔は１ｍｍに設定した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表５に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。
【００７８】
【表５】
2007119839.tif 000007
【００７９】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を３ｒｐｍで回転させながら表５に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。
【００８０】
（実施例４）
図１に示す堆積膜形成装置に、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本設置した。円筒状基体１０７同士の間隔は１ｍｍに設定した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表６に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。
【００８１】
【表６】
2007119839.tif 000008
【００８２】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を３ｒｐｍで回転させながら表６に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。
【００８３】
（実施例５）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に類似しているが５本の円筒状基体１０７を処理可能な堆積膜形成装置（図３（ｂ）参照）を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、円筒状基体１０７および回転軸１０８の数のみが異なり、それ以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを５本設置した。円筒状基体１０７同士の間隔は１ｍｍに設定した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表７に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。
【００８４】
【表７】
2007119839.tif 000009
【００８５】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を３ｒｐｍで回転させながら表７に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。
【００８６】
（実施例６）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に類似しているが６本の円筒状基体１０７を処理可能な堆積膜形成装置（図３（ｃ）参照）を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、円筒状基体１０７および回転軸１０８の数のみが異なり、それ以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを６本設置した。円筒状基体１０７同士の間隔は１ｍｍに設定した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表８に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。
【００８７】
【表８】
2007119839.tif 000010
【００８８】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を３ｒｐｍで回転させながら表８に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。
【００８９】
（実施例７）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に類似しているが７本の円筒状基体１０７を処理可能な堆積膜形成装置（図３（ｄ）参照）を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、円筒状基体１０７および回転軸１０８の数のみが異なり、それ以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを７本設置した。円筒状基体１０７同士の間隔は１ｍｍに設定した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表９に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。
【００９０】
【表９】
2007119839.tif 000011
【００９１】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を３ｒｐｍで回転させながら表９に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。
【００９２】
（実施例３〜７の評価）
実施例３〜７で作製した電子写真感光体について、実施例１と同様の方法で特性（堆積速度、帯電能、感度、残留電位、光メモリー）の評価を行い、その結果を表１０に示している。
【００９３】
【表１０】
2007119839.tif 000012
【００９４】
表１０から明らかなように、堆積膜形成装置１つ当たりの円筒状基体の本数を３〜７本の範囲で変化させても、何れの場合にも良好な結果が得られたが、中でも４本以下にすることが特に効果的であった。
【００９５】
（実施例８）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置と実質的に同一であるが、高周波電源１０９として１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を有する堆積膜形成装置を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、高周波電源１０９以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本設置した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表１１に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。このような手順に従い、円筒状基体１０７同士の間隔をさまざまに変化させながら、外側と内側の堆積速度比が５％以上かつ３０％以下となるような５条件（円筒状基体１０７同士の間隔）を求めた。
【００９６】
【表１１】
2007119839.tif 000013
【００９７】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を１０ｒｐｍで回転させながら表１１に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。この時、前記した条件に従って、外側と内側の堆積速度比が５〜３０％となるようにした、５種類の電子写真感光体を作製した。
【００９８】
（比較例３）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、実施例８と同様の手順で電子写真感光体の形成を行った。本比較例では、円筒状基体１０７の内側と外側の堆積速度比が４０％になる条件で電子写真感光体を作成した。
【００９９】
（実施例９）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置と実質的に同一であるが、高周波電源１０９として１０５ＭＨｚのＶＨＦ電源を有する堆積膜形成装置を用いた。この堆積膜形成装置は図１に示されているものと比べて、高周波電源１０９以外の構成は同じであるので、同じ符号を付与し説明を省略する。本実施例では、円筒状基体１０７として直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本設置した。本実施例においても、実施例１と同様に、軸方向中央部の一部分をマスクした円筒状基体１０７に対し、静止状態で、表１２に示す光導電層３０２の条件で１５分間成膜を行った。そして、実施例１と同様の手順により、円筒状基体１０７の外側での堆積速度に対する内側での堆積速度の比を調べた。このような手順に従い、円筒状基体１０７同士の間隔をさまざまに変化させながら、外側と内側の堆積速度比が５％以上かつ３０％以下となるような５条件（円筒状基体１０７同士の間隔）を求めた。
【０１００】
【表１２】
2007119839.tif 000014
【０１０１】
以上の準備が整った後に、円筒状部材を１０ｒｐｍで回転させながら表１２に示す条件下で、下部阻止層３０４、光導電層３０２、および表面層３０３から成る電子写真感光体を形成した。この時、前記した条件に従って、外側と内側の堆積速度比が５％以上かつ３０％以下となるようにした、５種類の電子写真感光体を作製した。
【０１０２】
（比較例４）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、実施例９と同様の手順で電子写真感光体の形成を行った。本比較例では、円筒状基体１０７の内側と外側の堆積速度比が４０％になる条件で電子写真感光体を作成した。
【０１０３】
（実施例８，９および比較例３、４の評価）
実施例８および比較例３で作製した電子写真感光体と、実施例９および比較例４で作製した電子写真感光体について、実施例１と同様の方法で特性（堆積速度、帯電能、感度、残留電位、光メモリー）の評価を行い、その結果を表１３、１４にそれぞれ示している。
【０１０４】
【表１３】
2007119839.tif 000015
【０１０５】
【表１４】
2007119839.tif 000016
【０１０６】
表１３，１４から明らかなように、本発明は、堆積膜形成装置においてＲＦ帯の高周波電源１０９を用いた場合に特に著しい効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】（ａ）は本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な縦断面図、（ｂ）はその模式的な横断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に基づいて形成される電子写真感光体の層構成の様々な例を示す模式的な拡大図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の堆積膜形成装置の様々な変形例を示す模式的な横断面図である。
【図４】堆積膜形成装置の比較例を示す模式的な横断面図である。
【図５】堆積膜形成装置の従来例を示す模式的な縦断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１００  反応容器
１０１  放電電極
１０６  ガス導入管（原料ガス導入手段）
１０７  円筒状基体
１１１  中央空間
Ａ      複数の円筒状基体に囲まれた中央空間の中心に向いた面を示す位置
Ｂ      放電電極に対向する面を示す位置
【図１】
2007119839.tif 000017
【図２】
2007119839.tif 000018
【図３】
2007119839.tif 000019
【図４】
2007119839.tif 000020
【図５】
2007119839.tif 000021