(57)【要約】【課題】金属電極上にガラス材を配置して焼成することで誘電体層を形成する際、電極の厚みと誘電体層の厚みを考慮することで、金属電極とガラスとの反応による泡の発生を抑制して、誘電体層中の泡の残留を防止する。【解決手段】基板上に一定の方向に複数の金属電極を形成し、それらの金属電極上にガラス材を焼成してなる誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、金属電極を６μｍ以下の膜厚で形成し、誘電体層を２５μｍ以下の膜厚で形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に一定の方向に複数の金属電極を形成し、それらの金属電極上にガラス材を焼成してなる誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
金属電極を６μｍ以下の膜厚で形成し、誘電体層を２５μｍ以下の膜厚で形成してなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層は、膜厚１２μm以下の第１の誘電体層と、その上に積層された膜厚１３μm以下の第２の誘電体層とからなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
基板上に一定の方向に複数の金属電極を形成し、それらの金属電極上に誘電体層を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
金属電極を６μｍ以下の膜厚で形成した後、ガラス材を２５μｍ以下の膜厚で配置して焼成することにより誘電体層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記ガラス材を配置することが、無鉛系のガラスフリット、バインダー樹脂、および溶媒からなるガラスペーストを塗布することからなり、
前記無鉛系のガラスフリットが、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラス、またはこれらのガラス系にアルカリ・アルカリ土類酸化物が混入されたガラスである請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記誘電体層が、第１の誘電体層を１２μｍ以下の膜厚で形成し、その上に第２の誘電体層を１３μｍ以下の膜厚で形成することで形成されてなる請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記金属電極が、基板上にＣｒ層を、その上にＣｕ層を、その上にＣｒ層を、それぞれ気相成膜法で形成し、その三層の金属膜上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をフォトリソグラフの手法でパターニングした後、不要部分の金属膜をエッチングで除去することによって形成した、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層構造の金属電極である請求項３〜５のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という）の構造および製造方法に関し、さらに詳しくは、金属電極を被覆するガラス材の誘電体層中に気泡を生じていないＰＤＰの構造および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰとして、ＡＣ駆動型の３電極面放電型ＰＤＰが知られている。このＰＤＰは、前面側の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部を１つのセル（単位発光領域）とするものである。１画素は、赤色（Ｒ）セルと、緑色（Ｇ）セルと、青色（Ｂ）セルとの３つのセルで構成される。
ＰＤＰは、このように作製した前面側の基板と背面側の基板とを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより製造されている。
【０００３】
上述のＰＤＰでは、前面側の基板を作製する際、ガラス基板上に複数の表示電極を形成する。この表示電極は、通常、透明電極と金属電極とで構成される。
透明電極は、基板上にＩＴＯやＳｎＯ2などを成膜してパターニングすることにより形成される。
【０００４】
金属電極は、電極の配線抵抗を低下させるためのものであり、バス電極とも呼ばれる。この金属電極は、透明電極上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層の金属膜を成膜してパターニングすることにより、三層構造の金属電極が形成される。あるいは透明電極上に銀ペーストを塗布して焼成することにより形成される。
このようにして表示電極が形成された後、その表示電極の上に誘電体層が形成され、その上に保護膜が形成される。
【０００５】
背面側の基板の作製においては、ガラス基板上に表示電極と交差する方向に金属製のアドレス電極が形成され、その上に誘電体層が形成され、その上に隔壁が形成され、隔壁と隔壁との間の細長い凹溝内に蛍光体層が形成される。
これらの誘電体層の材料は、加工形成が容易であるという理由から、通常、鉛を含む低融点ガラスが使用されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−３３５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年では、環境負荷の軽減のために家電製品の無鉛化が進められており、ＰＤＰの分野においても材料の無鉛化が急務となっている。
【０００７】
しかしながら、ガラス材を配置して焼成することで誘電体層を形成する場合、ガラス材に無鉛系の材料を用いると、ガラスの軟化点が上昇し、ガラス材の焼成の際にガラスの流動性が損なわれる。その結果、焼成工程時に金属電極とガラスとの電気化学反応によりガラス材料中から発生する泡が焼成工程中に抜けにくくなり、誘電体層中に残る。この残った泡（ボイド）の影響によって、絶縁不良や光透過性の劣化による輝度低下といった製品不良が発生する。
【０００８】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、金属電極上にガラス材を配置して焼成することで誘電体層を形成する際、電極の厚みと誘電体層の厚みを考慮することで、金属電極とガラスとの反応による泡の発生を抑制して、誘電体層中の泡の残留を防止し、誘電体層の形成に際して無鉛系のガラス材を使用可能にするとともに、製造されたパネル性能の向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上に一定の方向に複数の金属電極を形成し、それらの金属電極上にガラス材を焼成してなる誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、金属電極を６μｍ以下の膜厚で形成し、誘電体層を２５μｍ以下の膜厚で形成してなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電体層中への泡の残留をなくすことができるので、絶縁不良や輝度低下といった製品不良の発生を防止することができる。また、誘電体層の無鉛化を可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明において、基板としては、ガラス、石英、セラミックス等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１２】
複数の金属電極は、基板上に一定の方向に形成されたものであればよい。この金属電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。電極に用いられる材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００１３】
誘電体層は、金属電極上にガラス材を配置して焼成することにより形成されたものであればよい。この誘電体層は、無鉛系のガラスフリット（ガラス粉末）、バインダー樹脂、および溶媒からなるガラスペーストを基板上に金属電極を覆ってスクリーン印刷法で塗布するか、無鉛系のガラス粉末のグリーンシート（未焼結の誘電体シート）を貼り付けて、焼成することで形成することができる。無鉛系のガラスフリットとしては、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラス、またはこれらのガラス系にアルカリ・アルカリ土類酸化物が混入されたガラスを適用することができる。
【００１４】
本発明において、誘電体層は、二層または三層のように複数の誘電体層を積層することで形成してもよい。たとえば誘電体層を二層に形成する場合であれば、第１の誘電体層を１２μｍ以下の膜厚で形成し、その上に第２の誘電体層を１３μｍ以下の膜厚で形成するようにしてもよい。
【００１５】
金属電極は、基板上にＣｒ層を、その上にＣｕ層を、その上にＣｒ層を、それぞれ気相成膜法で形成し、その三層の金属膜上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をフォトリソグラフの手法でパターニングした後、不要部分の金属膜をエッチングで除去することによって形成した、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層構造の金属電極であってもよい。
【００１６】
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００１７】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明の製造方法によって製造したＰＤＰの構成を示す説明図である。図１（ａ）はＰＤＰの全体図、図１（ｂ）はＰＤＰの部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ駆動型の３電極面放電型ＰＤＰである。
【００１８】
ＰＤＰ１０は、ＰＤＰとして機能する構成要素が形成された前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板等を使用することができる。
【００１９】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置されている。隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２０】
なお、本ＰＤＰでは、表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置され、隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる、いわゆるＡＬＩＳ構造のＰＤＰを示したが、対となる表示電極Ｘ，Ｙが放電の発生しない間隔（非放電ギャップ）を隔てて配置された構造のＰＤＰであっても、本発明を適用することができる。
【００２１】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、無鉛系のガラスフリット、バインダー樹脂、および溶媒からなるガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００２２】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。保護膜は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成することができる。
【００２３】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００２４】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、ストライプ状の複数の隔壁２９が形成されている。隔壁２９の形状はこれに限定されず、放電空間をセルごとに区画するメッシュ状（ボックス状）であってもよい。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００２５】
隔壁２９間の凹溝状の放電空間の側面及び底面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００２６】
ＰＤＰは、このような構成要素を形成した前面側の基板１１と背面側の基板２１とを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封着し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０にＸｅとＮｅ等とを混合した放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が、表示の最小単位である１つのセル（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００２７】
図２は前面側の基板の部分断面図である。
前面側のガラス基板１１の上には、表示電極Ｘ，Ｙが形成されている。表示電極Ｘ（Ｘ電極）と表示電極Ｙ（Ｙ電極）は同じ構造であり、それぞれ透明電極１１の上に金属製のバス電極１２が形成された構造となっている。
【００２８】
透明電極１１は５００〜２０００Åの膜厚で形成している。バス電極１２はＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層構造であり、Ｃｒは５００〜２０００Å、Ｃｕは約３μｍで形成している。したがって、表示電極Ｘ，Ｙの厚みＴＥは約３〜４μｍである。表示電極Ｘ，Ｙの上には誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７の厚みＴＤは約２０μｍである。
【００２９】
図３（ａ）および図３（ｂ）は前面側の基板の製造方法の第１例を示す説明図である。
前面側の基板は次のようにして製造する。まず、ガラス基板１１上にＩＴＯからなる透明導電膜を蒸着法やスパッタ法などで形成し、その透明導電膜をフォトリソグラフの手法でパターニングすることにより透明電極１２を形成する。そして、透明電極１２の上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層の金属導電膜を蒸着法やスパッタ法などで形成し、その金属導電膜上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をフォトリソグラフの手法でパターニングした後、不要部分の金属導電膜をエッチングで除去することでバス電極１３を形成する。このようにして、表示電極Ｘと表示電極Ｙを同時に形成する（図３（ａ）参照）。表示電極Ｘ，Ｙは６μｍ以下の厚みで形成する。バス電極１３のＣｕ部分の膜厚は３〜４μｍである。
【００３０】
次に、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように、無鉛系のガラスフリットにバインダイー樹脂と溶媒を混合したガラスペースト（ガラス材）を、ガラス基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させて乾燥膜とした後、ガラス基板１１を焼成炉内に搬入して、ガラス材の乾燥膜を６００〜６１０℃の温度で焼成することにより、誘電体層１７を形成する（図３（ｂ）参照）。誘電体層１７は約２０μｍの厚みで形成する。
【００３１】
誘電体層１７は、この他に、無鉛系のガラス粉末を混入したグリーンシート（未焼結の誘電体シート）を前面側の基板１１上に貼り付けて、焼成することで形成してもよい。
【００３２】
上記無鉛系のガラスフリットには、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラス、またはこれらのガラス系にアルカリ・アルカリ土類酸化物が混入されたガラスを用いる。
【００３３】
上記ガラス材の乾燥膜を焼成する際には、ガラス材が溶融する。この時ガラス材と金属のバス電極１３との電気化学反応により、ガラス材料中に泡が発生する。この泡の発生原因は、主としてＣｕとガラスの化学反応である。ＣｕはＣｒで挟まれているため、直接ガラス材と接触することはないが、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層の金属導電膜をウエットエッチングなどでエッチングすると、ＣｒとＣｒの間からＣｕが露出した状態となり、その露出したＣｕがガラス材と接触して反応を起し、ガラス材料中に泡が発生する。
【００３４】
この泡の発生を少なくするため、泡の発生源であるバス電極１３の厚さを薄く形成する。特にＣｕの厚さを薄く形成する。具体的には、上記したように、バス電極１３の厚さを６μｍ以下とし、Ｃｕの厚さを３〜４μｍとする。
【００３５】
また、従来では、誘電体層のガラス材として、鉛を含んだ低融点ガラスフリットがよく用いられていた。これに対し、近年では環境負荷の軽減という観点から、無鉛系のガラス材を用いることが試みられている。しかし、無鉛系のガラス材を用いると、ガラス材の融点（ガラス軟化点）が高くなる。このため、焼成時のガラスの流動性が低下し、焼成時にガラス材中に発生した泡が抜けにくくなり、誘電体層中に残留する。
【００３６】
このガラス材中の泡の抜けをよくするため、誘電体層１７の膜厚を薄くする。具合的には、上記したように、誘電体層の膜厚を２５μｍ以下にする。これにより、たとえ無鉛系のガラス材を用いてガラス材の流動性が低下したとしても、発生した泡が浮遊脱泡し易いので、焼成完了時に誘電体層１７中の泡を少なくすることができる。
【００３７】
このように、電極の厚さを薄くして発生する泡の絶対量を減らし、かつ誘電体層の膜厚を薄くしてガラス材中の泡の抜けをよくすることにより、焼成完了時に誘電体層１７中の泡を少なくすることができる。誘電体層１７中の泡を少なくすることによって、絶縁不良や輝度低下といった不具合の発生を防止することができる。
【００３８】
表示電極間の放電電圧は誘電体層の膜厚に関係する。また、誘電体層の膜厚は誘電体層の静電容量に関係する。そして、誘電体層の静電容量は表示電極間の放電量に関係する。したがって、表示電極間に適切な放電電圧を印加して適切な放電量を得るには、上記のように誘電体層の膜厚を２５μｍ以下にした場合、誘電体層は１ｃｍ2あたり０．２ｎＦ以上の電荷を蓄積することが可能なものであることが望ましい。
【００３９】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は前面側の基板の製造方法の第２例を示す説明図である。
誘電体層は、複数の誘電体層を積層することで形成してもよい。たとえば誘電体層を二層または三層に形成してもよい。誘電体層を二層に形成する場合であれば、たとえば第１の誘電体層を１２μｍ以下の膜厚で形成し、その上に第２の誘電体層を１３μｍ以下の膜厚で形成する。
【００４０】
まず、前述した第１例と同じ材料を用い、同じ方法で、前面側のガラス基板１１上に透明電極１２とバス電極１３を形成する。（図４（ａ）参照）。表示電極Ｘ，Ｙは６μｍ以下の厚みで形成する。バス電極１３のＣｕ部分の膜厚は３〜４μｍである。
【００４１】
次に、本例では、誘電体層を２層プロセスで形成する。すなわち、無鉛系のガラスペースト（軟化点が６００℃程度）を、ガラス基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させて乾燥膜とした後、焼成炉内に搬入してガラス材の乾燥膜を６００〜６１０℃の温度で焼成し、第１の誘電体層１７ａを５〜１０μｍの厚みで形成する（図４（ｂ）参照）。そして、さらに、無鉛系のガラスペースト（軟化点が５５０℃程度）を、焼成後の第１の誘電体層１７ａ上にスクリーン印刷法で塗布し、乾燥させて乾燥膜とした後、焼成炉内に搬入してガラス材の乾燥膜を５５０〜５６０℃の温度で焼成し、第２の誘電体層１７ｂを１０〜１５μｍの厚みで形成する（図４（ｃ）参照）。第１誘電体層１７ａと第２誘電体層１７ｂは、合計の厚みが約２０μｍとなるように形成する。
【００４２】
この場合、第１誘電体層１７ａの焼成時には、第１誘電体層１７ａが薄いので第１誘電体層の脱泡性が極めてよい。また、第２誘電体層１７ｂの焼成時には、第２誘電体層１７ｂがバス電極と接触しないので、金属とガラスとの電気化学的反応がなく、第２誘電体層中の発泡がない。したがって、誘電体層中の泡を一層の場合よりもさらに少なくすることができる。
【００４３】
図５は誘電体層の膜厚と泡の数との関係を示す表である。図６は図５の表をグラフ化したものである。なお、誘電体層の膜厚は誘電体膜厚として示した。
これらの表とグラフは以下の結果を示す。すなわち、３〜４μｍの厚みで表示電極が形成されたガラス基板上に、無鉛系のガラス粉末を混入したグリーンシートを貼り付けて、６００〜６１０℃で焼成することで、焼成後の誘電体層の膜厚が２０μｍとなるように誘電体層を形成した。表とグラフは、このときの誘電体層の膜厚（μｍ）と泡の数（個）との関係を示したものである。グラフ中、実線は直径５〜１０μｍ大きさの泡の数を示し、点線は直径１０μｍ以上の大きさの泡の数を示している。
【００４４】
これらの表とグラフに示すように、
(i)誘電体層の膜厚が１０μｍである場合には、φ５〜１０μｍの泡は「０」個、φ１０μｍ以上の泡も「０」個であった。
(ii)誘電体層の膜厚が２０μｍである場合には、φ５〜１０μｍの泡は「２」個、φ１０μｍ以上の泡は「０」個であった。
(iii)誘電体層の膜厚が２５μｍである場合には、φ５〜１０μｍの泡は「１０」個、φ１０μｍ以上の泡は「３」個であった。
(iv)誘電体層の膜厚が３５μｍである場合には、φ５〜１０μｍの泡は「５８」個、φ１０μｍ以上の泡は「７」個であった。
(v)誘電体層の膜厚が４５μｍである場合には、φ５〜１０μｍの泡は「５１」個、φ１０μｍ以上の泡は「１６」個であった。
【００４５】
このように、表示電極を３〜４μｍの厚みで形成し、無鉛系のガラス材を用いて誘電体層を約２０μｍの膜厚で形成した場合には、誘電体層中に泡が残存していないことを確認した。これをパネル化したところ、絶縁不良や輝度低下といった問題が起こらないことを確認した。
【００４６】
以上述べたように、本発明によれば、金属電極の厚さを薄くし（６μｍ以下）、かつ誘電体層の膜厚を薄くする（２５μｍ以下）ことにより、焼成完了時に誘電体層中の泡を無くすことができる。これにより、誘電体層の材料として無鉛系のガラス材を使用しても、パネルの絶縁不良や輝度低下といった問題の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の製造方法によって製造したＰＤＰの構成を示す説明図である。
【図２】前面側の基板の部分断面図である。
【図３】前面側の基板の製造方法の第１例を示す説明図である。
【図４】前面側の基板の製造方法の第２例を示す説明図である。
【図５】誘電体層の膜厚と泡の数との関係を示す表である。
【図６】誘電体層の膜厚と泡の数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４８】
１０  ＰＤＰ
１１  前面側の基板
１２  透明電極
１３  バス電極
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
２１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
Ａ  アドレス電極
Ｌ  表示ライン
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
2007305528.tif 000003
【図２】
2007305528.tif 000004
【図３】
2007305528.tif 000005
【図４】
2007305528.tif 000006
【図５】
2007305528.tif 000007
【図６】
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