(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子が実装される接続導体間の間隔を近接させることができる配線基板を提供する。【解決手段】基材３と、この基材３上に形成された表側導体パターン８と、この表側導体パターン８上に設けられた絶縁膜５とを備え、前記絶縁膜５の不形成部に前記表側導体パターン８と接続されて設けられるとともに、半導体素子１５のパッド１７に当接して接続する転写突起導体１２を有し、前記転写突起導体１２は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから形成されたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、この基材上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜とを備え、前記絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子のパッドに接続される転写突起導体を有し、前記転写突起導体は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから成るバンプ付き配線基板。
【請求項２】
基材と、この基材上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の所定位置に前記導体パターンの一部を露出させる絶縁膜不形成部とを備え、前記絶縁膜不形成部で前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子のパッドに接続される転写突起導体を有し、前記転写突起導体は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから成るバンプ付き配線基板。
【請求項３】
転写突起樹脂の先端側は、基材側より狭くした請求項１または２に記載のバンプ付き配線基板。
【請求項４】
転写突起樹脂の側面は、下方に向かって広がる方向に傾斜した請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項５】
転写突起樹脂の先端には、フィレットを設けた請求項１または２に記載のバンプ付き配線基板。
【請求項６】
転写突起樹脂の先端は、平坦とした請求項１または２に記載のバンプ付き配線基板。
【請求項７】
請求項１あるいは２に記載のバンプ付き配線基板と、この配線基板の転写突起導体とパッドとが当接してフリップチップ実装された半導体素子と、この半導体素子と前記配線基板との間に注入された樹脂とを有したモジュール。
【請求項８】
請求項１あるいは２に記載のバンプ付き配線基板と、この配線基板の転写突起導体に異方導電性フィルムを介してフリップチップ実装された半導体素子と、この半導体素子と前記配線基板との間に挿入された樹脂とを有したモジュール。
【請求項９】
フィルムに凹部を加工し、その後で前記凹部に樹脂ペーストを充填し、その後で基材あるいは回路基板上に前記凹部に充填された前記樹脂ペーストを転写して転写突起樹脂を形成し、その後で前記転写突起樹脂と前記基材上に所定形状の金属膜を形成することで転写突起導体を形成するバンプ付き配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）や非導電性ペースト（ＮＣＰ）などを用いて、半導体素子がフリップチップ実装されるバンプ付配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、半導体素子をフリップチップ実装する従来の配線基板について説明する。従来の配線基板は、基材上に配線パターンが配線され、この配線パターン上にはんだレジスト膜が形成される。そして、このはんだレジスト膜には、複数のはんだレジスト不形成部が設けられている。これによって、はんだレジスト不形成部において、配線パターンの一部が露出されることとなり、接続ランドが形成される。
【０００３】
ここで従来の配線基板において、配線パターンやはんだレジスト膜はスクリーン印刷によって形成され、はんだレジスト不形成部はこのスクリーンをマスクすることで形成される。そしてこのようにして形成された接続ランド上に、はんだバンプなどを介して半導体素子がフリップチップ実装される。なおこの半導体素子における半導体回路の端子間同士の間隔は非常に短く、この間隔のままでは配線基板上に実装することができない。そこで一般的には、半導体素子のパッシベーション上に、端子とはんだバンプとの間を接続する導体を配線（いわゆる再配線）することで、接続ランドと対応する位置にまで端子を引き出している。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２２９２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながらこのような従来の配線基板では、配線パターンやはんだレジスト膜はスクリーン印刷で形成される。従って、スクリーンの位置ずれや、印刷にじみや印刷かすれなどにより、接続ランドの位置精度や形状の寸法精度が悪く、隣接するバンプ同士の間隔を小さくすることができないという課題があった。
【０００６】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、隣接するバンプ同士を近接させることができる配線基板を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明のバンプ付き配線基板では、絶縁膜の不形成部に導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子のパッドと接続するための転写突起導体を形成するものである。そしてこの転写突起導体は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから形成する。これによって、所期の目的を達成することができる。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように本発明によれば、基材と、この基材上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜とを備え、前記絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子のパッドに接続される転写突起導体を有し、前記転写突起導体は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから成るバンプ付き配線基板であり、これにより転写突起樹脂は凹版転写によって形成され、その上に金属膜が形成されるので、転写突起導体の形状の寸法精度が良く、隣接した転写突起導体同士の間隔を小さくすることができる。
【０００９】
また、転写突起樹脂は、樹脂であるので、基材と半導体素子間での熱に対する膨張や収縮を吸収できる。従って、接続の信頼性が高くできる。
【００１０】
さらに、導体パターンと金属膜とは同時に形成することも可能であり、この場合にはさらに生産性が良く、低価格なバンプ付配線基板が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態における配線基板１とモジュール２について図面を用いて説明する。図１は、本実施の形態における配線基板１を用いたモジュール２の断面図である。最初に図１を用いて配線基板１について説明する。本実施の形態における配線基板１の基材３は、ガラスエポキシ製の樹脂基板であり、この基材３の表面４側には、表側導体パターン５が形成され、裏面６側には裏側導体パターン７が形成される。そして、基材３の両面と、表側導体パターン５および裏側導体パターン７上には、約２０ミクロンメートルの厚みの絶縁膜８が形成される。なおこれらの表側導体パターン５と裏側導体パターン７の厚み高さは、約３５ミクロンメートルである。本実施の形態において、基材３には両面基板を用いたが、これは片面基板や多層基板を用いてもよい。
【００１２】
さらに表面４の絶縁膜８には、絶縁膜不形成部９ａと絶縁膜不形成部９ｂとを有し、裏面６に絶縁膜不形成部９ｃが形成される。そして、この絶縁膜不形成部９ａには、チップ部品１０を搭載するための接続ランド１１が設けられる。また、絶縁膜不形成部９ｂには、転写突起導体１２が３個形成され、絶縁膜不形成部９ｃには装着用ランド１３が形成される。そしてこれらの接続ランド１１と転写突起導体１２の夫々は、表側導体パターン５に接続され、装着用ランド１３は裏側導体パターン７に接続される。なお、表側導体パターン５と裏側導体パターン７とは、スルーホール１４によって接続されている。なお本実施の形態において転写突起導体１２は、約２００μｍのピッチで並んでいる。
【００１３】
ここで転写突起導体１２のそれぞれには、表側導体パターン５上に形成された台座部分１２ａと、この台座部分１２ａの上に形成された細径部１２ｂとから形成される。そしてこれら台座部分１２ａと細径部１２ｂとは、ともにほぼ円柱形状を成している。なお本実施の形態における台座部分１２ａは、直径を約１２０μｍとし、高さを約７０μｍとしている。一方細径部１２ｂは、直径を約８０μｍとし、高さを約４０μｍとしている。これによって本実施の形態において、隣接した台座部分１２ａ同士の側面間の距離は、約８０μｍしかなく、非常に近接して形成している。なお、本実施の形態において、台座部分１２ａの下に設けられる表側導体パターン５の大きさは直径が１４０μｍとしている。これにより後述する樹脂転写工程３４においてフィルム５２の貼り付けがずれても、確実に表側導体パターン５と金属膜とを接続できる。従って、フィルム５２を貼り合わせる位置にずれが生じても、表側導体パターン５と転写突起導体１２との間の導通抵抗を変化し難くできる。
【００１４】
図２は、同要部拡大断面図である。図２において、これら転写突起導体１２の中心部には、凹版転写によって形成された転写突起樹脂２１が形成されている。そしてこの転写突起樹脂２１の表層部には、金属膜２２が形成される。
【００１５】
ここで、台座部分１２ａや細径部１２ｂの夫々は、転写突起導体１２の先端側から基材３側に向かって徐々に直径を大きくしている。つまりこれらの側面は、先端側から基材３側に向かって広がる方向の傾斜２３が設けられているわけである。これにより凹版転写において、凹版の版抜け性が良好となるので、転写突起導体１２に欠損などが発生し難くなる。さらに本実施の形態では、細径部１２ｂにおける先端には平坦部２４を設けている。これにより、細径部１２ｂにおける先端での強度が大きくなるので、先端での導体欠損が発生し難くなる。なお、本実施の形態における細径部１２ｂの先端は平坦部２４としたが、丸み（いわゆるフィレット）を設けてもよい。また、本実施の形態における転写突起樹脂２１には台座部分１２ａと細径部１２ｂとを有した階段状の形状としたが、これは円錐や円柱状の形状としても良い。円錐状である場合には、段差が無いので、転写突起導体１２が途中で折れるようなことが発生し難くなる。また、円柱状とすればさらに転写突起導体１２の強度を大きくできるので、欠損などをさらに少なくできる。なお、本実施の形態における平坦部２４の幅は、約５０ミクロンメートルとしている。
【００１６】
次に、以上のような配線基板１を用いたモジュール２について説明する。このモジュール２では、配線基板１の表面４にチップ部品１０や半導体素子１５が実装される。チップ部品１０はクリームはんだ１６によって接続ランド１１上に接続され、半導体素子１５は、パッド１７が転写突起導体１２に接触することで電気的に接続される（いわゆるＮＣＰによる接続である）。そして半導体素子１５と転写突起導体１２間での電気的接続と機械的接続強度を維持するために、半導体素子１５と配線基板１との間の隙間１８に樹脂１９が設けられる。
【００１７】
なお本実施の形態において、転写突起樹脂２１や樹脂１９には、熱硬化樹脂を用いている。これは、モジュール２が親基板（図示せず）へ実装されるときのリフロー熱などが加わっても樹脂１９が再溶融しないので、信頼性が良好であるためである。なお、本実施の形態では、ＮＣＰによって半導体素子１５を配線基板に接続したが、これは異方導電性フィルム（いわゆるＡＣＦ）を用いた接続方法としても良い。
【００１８】
そしてここで、転写突起樹脂２１の熱膨張係数は、樹脂１９の熱膨張係数の大きさ以上としておくことが望ましい。これによって、モジュール２の温度が変化しても、転写突起導体１２とパッド１７との間で良好な接触信頼性を維持できる。なお、本実施の形態では転写突起樹脂２１の熱膨張係数は、樹脂１９の熱膨張係数とほぼ同じ大きさの樹脂を用いている。従って温度変化に対して転写突起導体１２と樹脂１９との間で伸縮量はほぼ同じとなるので、モジュール２の温度が変化してもさらに良好な接触信頼性を確保できる。
【００１９】
以上のような構成により転写突起導体１２は、凹版転写による転写突起樹脂２１で形成されるので、形状の寸法精度が良い。これにより、隣接した転写突起導体１２同士の間隔を小さくすることができる。従って、小型の半導体素子１５を実装できるので、小型のモジュール２を実現できることになる。また、高さの精度も良好であり、高さのばらつきが小さいので、転写突起導体１２とパッド１７との間で良好に接触させることができる。
【００２０】
さらに、半導体素子１５の端子位置の直下となる位置に転写突起導体１２を形成させることも可能となるので、半導体素子１５の再配線の箇所を少なくできる。従って、モジュール２に装着される半導体素子１５が低価格となる。
【００２１】
さらにまた、転写突起導体１２の中心は樹脂であるので、基材３と半導体素子１５との熱膨張係数の差により発生する接続箇所へのストレスを緩和させることができる。従って、基材３と半導体素子１５との間の接続信頼性を高くできる。
【００２２】
さらにまた、凹版転写を用いているので凹部５１の深さを深くすれば、容易に転写突起樹脂２１の高さを高くすることができる。そこで、転写突起導体１２を絶縁膜８の高さより高くなるようにすることで、半導体素子１５と基材３との間の隙間１８を大きくできる。これにより、樹脂１９の注入性が良く、作業性が良い。さらに、隙間１８を大きくすることで、半導体素子１５の線膨張係数と基材３の線膨張係数との差によって発生する熱ストレスも緩和し易くなる。
【００２３】
以上のように本実施の形態の配線基板１における転写突起導体１２は、凹版転写によって形成されるものであり、次にこの配線基板１とモジュール２の製造方法（凹版転写）について図面を用いて説明する。図３は、本実施の形態における配線基板１の製造フローチャートであり、図４は同、凹部５１の要部拡大断面図である。図３において図１や図２と同じものは同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
【００２４】
図３、図４において凹版製造工程３１では、転写突起樹脂２１の形状に対応する形状の凹部５１をフィルム５２に加工する。導体充填工程３２では、凹版製造工程３１で製造された凹版に対し、凹部５１に樹脂ペーストを充填した後に、溶剤を蒸発させて予め樹脂ペーストを硬化させておく。なお、本実施の形態におけるフィルム５２の材料にはポリイミドを用い、このフィルム５２にエキシマレーザを照射することで、凹部５１を加工している。そしてこれらの凹部５１は開口側に向かって幅や径などが広くなる方向の傾斜５３を設けている。なおこの凹部５１は、絶縁膜不形成部によって露出され、半導体素子１５が装着される表側導体パターン５に対応する位置に設けられる。
【００２５】
一方、基材３は両面基板であり、この基材３の表面４と裏面６にはそれぞれ表側導体パターン５と裏側導体パターン７とが形成されている。そして樹脂転写工程３４では、基材３と樹脂ペーストが充填された凹版とを、凹部５１が基材３と対向する方向で貼り合わせる。そして、この状態で熱プレスなどによって、圧力と熱とを加えて接着剤を硬化させ、樹脂ペーストと基材３とを確りと接着させる。この状態で凹版を基材３から剥離すれば、基材３上には凹部５１の形状が略忠実に再生され、転写突起樹脂２１が完成する（なお、本発明ではこのようにして転写突起樹脂２１を形成することを凹版転写という）。
【００２６】
なおこのときに重要な点は、樹脂ペーストの凹部５１に対するヌケ性である。このヌケ性が悪いと、凹版を基材３からはがすときに樹脂ペーストが凹部５１に残留し、基材３上の樹脂ペーストに欠損が生じてしまう。そこで、本実施の形態において傾斜５３は、６度とすることで、ヌケ性を改善している。このようにすることにより、転写突起樹脂２１の側面に基材３側に向かって広がる方向の傾斜２３が形成される。
【００２７】
孔加工工程３５は、樹脂転写工程の後で基材３にスルーホール１４のビア２０孔を加工する。そしてその後に金属膜形成工程３６で、金属膜２２を形成する。これは、まず無電解メッキ３７によって、転写突起樹脂２１と表面４およびビア２０孔内とに金属膜２２を形成する。そして、フォトリソ３８などによって不要な箇所の金属膜２２を除去することで、所定の位置に表側導体パターン５が形成される。そしてこのとき、表側導体パターン５と転写突起導体１２間を接続するパターンと、転写突起導体１２の表面に形成される金属膜２２や、スルーホール１４も同時に形成される。従って、表側導体パターン５と金属膜２２とスルーホール１４とが同時に形成できるので、生産性が良好であり、低価格な配線基板１が実現できる。
【００２８】
そして絶縁膜形成工程３９では、金属膜形成工程３６の後で、基材３へスクリーン印刷などでエポキシ系のレジストインクを印刷し、硬化する。これによって基材３や表側導体パターン５、裏側導体パターン７の上に絶縁膜８が形成される。ただし、転写突起導体１２や接続ランド１１や装着用ランド１３にはレジストが塗布されないようにスクリーンにマスクが施される。これによって、転写突起導体１２、接続ランド１１や、装着用ランド１３に対応する位置に、絶縁膜不形成部９ａ、絶縁膜不形成部９ｂや絶縁膜不形成部９ｃが形成され、配線基板１が完成する。
【００２９】
なお本実施の形態では、絶縁膜形成工程３９において絶縁膜８を形成したが、これは基材３の状態において先に形成しておいても構わない。
【００３０】
また、ここでは表側導体パターン５上に転写突起導体１２を形成したが、これは基材の上に直接形成することもできる。そしてこの場合においても、金属膜形成工程３６において金属膜２２の形成および、転写突起導体１２と表側導体パターン５との間の接続とを同時に行うことができるので、生産性が良好である。
【００３１】
次に、この配線基板１を用いてモジュール２を製造する方法について、図面を用いて説明する。図５は、本実施の形態におけるモジュール２の製造フローチャートであり、図６は、樹脂注入工程６５におけるモジュール２の要部拡大断面図である。図５において、接続部材塗布工程６１では、配線基板１の接続ランド１１上にクリームはんだ１６を印刷する。
【００３２】
チップ部品実装工程６２では、配線基板の表面側にクリームはんだ１６を印刷し、チップ部品１０を実装する。そしてチップ部品１０が実装された後に配線基板１は、リフロー工程６３で加熱されることで、チップ部品１０や半導体素子１５が接続基板の所定の位置に精度良く接続される。これは、溶融したクリームはんだ１６の表面張力によって発生するセルフアライメント効果によるものである。
【００３３】
一方半導体素子実装工程６４では転写突起導体１２に半導体素子１５を実装する。このとき、転写突起導体１２の細径部は、台座部分１２ａに比べて径を小さくしているので、半導体素子１５が例え転写突起導体１２の中心からズレて装着された場合においても、半導体素子１５のパッド１７は転写突起導体１２に確実に当接されることとなる。本実施の形態ではパッド１７の直径が１００μｍであり、細径部１２ｂの径が８０μｍであるので、装着時に例え１０μｍのズレが発生した場合でも接続不良などは発生し難くなる。
【００３４】
図６は樹脂注入工程６５におけるモジュール２の断面図である。樹脂注入工程６５では、図６に示すように、熱硬化性の樹脂１９を半導体素子１５と配線基板１との間の隙間１８へ注入し、約２００℃の温度で加熱することで樹脂１９を硬化させる。これによって、パッド１７と転写突起導体１２とが、電気的、機械的に完全に接続される。なおこのとき、チップ部品１０と配線基板１との間のクリームはんだ１６が溶融しないようにすることが望ましい。従って、本実施の形態では、クリームはんだ１６には融点が２３０℃の高融点はんだを用いている。
【００３５】
以上のように転写突起導体１２は、凹版転写を用いて形成されるので、にじみなどが小さく、隣接する転写突起導体１２間同士の間隔を小さくできる。従って、小型の半導体素子１５を用いることができるので、小型のモジュール２を実現できる。
【００３６】
なお、凹版転写ではスクリーン印刷などに比べて転写突起導体１２の高さを高くできる。これにより半導体素子１５と配線基板１との間の隙間１８を大きくできるので、樹脂１９を注入し易くなる。従って、樹脂１９中にポイドなどが発生し難くなり、信頼性が良好となる。
【００３７】
本実施の形態では表側導体パターン５上に転写突起導体１２を形成したが、これは絶縁膜８上に形成しても良い。この場合、転写突起導体１２の下に絶縁膜８を介して表側導体パターン５の配線やスルーホール１４を配置することが可能となるので、高密度な配線が可能となる。またこの場合において、転写突起導体１２と絶縁膜不形成部９ｂにおいて露出された表側導体パターンとの間は、金属膜形成工程３６で同時に形成できるので、生産性が良好である。
【００３８】
（実施の形態２）
本実施の形態について以下図面を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態１における金属膜形成工程３６に対して他の方法で金属膜２２を得るものである。図７は、実施の形態２における金属膜加工工程の製造フローチャートであり、図８は、同、金属膜加工工程の各工程での転写突起導体１２の要部拡大断面図である。図８（ａ）から図８（ｅ）に示す工程は、それぞれ無電解銅メッキ工程１１１、メッキレジスト形成工程１１２、電解メッキ工程１１４、メッキレジスト剥離工程１１５、エッチング工程１１６である。
【００３９】
なお、図７、図８において図１から図６と同じものは同じ番号を使用し、その説明は簡略化している。では本実施の形態における金属膜形成工程３６について、図８に示した工程の順に説明する。
【００４０】
図７、図８において無電解銅メッキ工程１１１では、樹脂転写工程３４で転写突起樹脂２１が形成された基材３全面に無電解にて銅メッキ膜１２１を形成する。なお、この銅メッキ膜１２１は、後に電解メッキを行う為の電極として用いられるものである。なおこの銅メッキ１２１は、電極として用いるだけであるので、１μｍ以下の非常に薄い厚みのメッキで良い。
【００４１】
無電解銅メッキ工程１１１の後には、メッキレジスト形成工程１１２が行われる。このメッキレジスト形成工程１１２では、基材３の両面にメッキレジスト１１３を塗布する。このとき転写突起樹脂２１はメッキレジストの不形成部１２２としている。本実施の形態では液状レジストを基材３へ塗布し、転写突起樹脂２１に対応する箇所のメッキレジスト１１３をフォトリソプロセスによって除去することで、不形成部１２２を得ている。
【００４２】
メッキレジスト形成工程１１２の後には、電解メッキ工程１１４が行われる。この電解メッキ工程１１４では、電解メッキによってメッキレジストの不形成部１２２に銅メッキ層１２３を形成する工程である。なお本実施の形態において銅メッキ層１２３の厚みは、略１０μｍとしている。
【００４３】
電解メッキ工程１１４の後には、メッキレジスト剥離工程１１５が行われる。このメッキレジスト剥離工程１１５では、メッキレジスト１１３を取り除いて、無電解メッキ層を露出させるものである。そして、このメッキレジスト剥離工程１１５の後では、エッチング工程１１６が行われ、不要な部分の銅メッキ１２１ａが除去される。以上のような工程によって、転写突起樹脂２１の表面上には銅メッキ膜１２１ｂと銅メッキ層１２３とによる金属膜２２が形成される。そして同時に、金属膜２２と表側導体パターン５との接続も完了する。
【００４４】
そしてエッチング工程１１６の後では、研磨工程１１７が行われる。この研磨工程１１７では、転写突起導体１２の高さを合わせるために、先端部を研磨し、高さを揃える。そして本実施の形態では、この研磨工程で銅メッキ層の厚みが約６μｍとなるまで研磨する。このようにして研磨工程１１７によって転写突起導体１２の高さ精度を高くしているので、半導体素子のパッド１７と転写突起導体１２とを確実に接触させることができ、高い信頼性を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明にかかる配線基板は、隣接する接続ランド同士を近接させることができるという効果を有し、特に半導体素子をＮＣＰやＡＣＦ実装するための配線基板等として用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるモジュールの断面図
【図２】同、転写突起導体の拡大断面図
【図３】同、配線基板の製造フローチャート
【図４】同、凹版の拡大断面図
【図５】同、モジュールの製造フローチャート
【図６】同、樹脂注入工程におけるモジュールの断面図
【図７】本発明の実施の形態２における金属形成工程の製造フローチャート
【図８】（ａ）同、無電解銅メッキ工程での転写突起樹脂の要部拡大断面図、（ｂ）同、メッキレジスト形成工程での転写突起樹脂の要部拡大断面図、（ｃ）同、電解メッキ工程での転写突起樹脂の要部拡大断面図、（ｄ）同、メッキレジスト剥離工程での転写突起樹脂の要部拡大断面図、（ｅ）同、エッチング工程での転写突起樹脂の要部拡大断面図
【符号の説明】
【００４７】
３  基材
５  表側導体パターン
８  絶縁膜
１２  転写突起導体
１５  半導体素子
２１  転写突起樹脂
２２  金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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