(57)【要約】      （修正有）【課題】ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程においてエッチング停止膜によるキャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。及び、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】  所定の構造が形成された半導体基板１０１の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜１０２，１０４を形成し、層間絶縁膜１０３，１０５を形成する段階;及び上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む。【選択図】図２（ｃ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の構造が形成された半導体基板の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜を形成した後、層間絶縁膜を形成する段階;及び
上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
上記エッチング停止膜は、アモルファスカーボン、SiOCまたはSiOCHのいずれか一つを用いて形成する請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
さらに、上記ダマシンパターンの上部に拡散防止膜を形成し、金属シード層及び金属層を形成して金属配線を形成する段階を含む請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関するものであり、特に、ダマシン工程で層間絶縁膜をパターニングしてトレンチ及びビアホールを形成する時、エッチング停止膜として誘電定数が低い物質を用いることにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の金属配線としては、タングステンとアルミニウム合金が使われるが、半導体素子の高集積化によりタングステンとアルミニウム合金は比抵抗が大きく、エレクトロマイグレーション(electro migration)やストレスマイグレーション(stress migration)により信頼性が低下する。これを解決するために、比抵抗が小さく、信頼性に優れた銅が金属配線材料として登場した。ところが、銅は、一般的なエッチング工程ではエッチングし難いため、層間絶縁膜を形成した後、プラグを形成するためのビアホールと配線を形成するためのトレンチを形成し、銅を埋め込むデュアルダマシン工程を用いて銅配線を形成する。
【０００３】
層間絶縁膜をエッチングしてビアホール及びトレンチを形成するためには、層間絶縁膜の下部に層間絶縁膜のエッチングが停止するようにするエッチング停止膜を形成しなければならない。エッチング停止膜としては、層間絶縁膜とエッチング選択比が異なる物質を用いて形成するが、例えば、層間絶縁膜を酸化膜で形成するため、エッチング停止膜は窒化膜を利用して形成する。ところが、窒化膜は誘電定数が高いため、金属配線間のキャパシタンスを増加させるようになり、これによりRCディレイが大きくなる。従って、配線間の間隔が狭くなれば、素子の動作に致命的な悪影響を及ぼすようになり、窒化膜を利用したエッチング停止膜は配線間の間隔を最小化することが限界として作用するようになる。図1は、窒化膜をエッチング停止膜として用いる場合、窒化膜の膜厚によるビットラインのRCディレイを示したグラフである。ここで、Aは酸化膜によるRCディレイを示したものであり、Bは100Åの厚さで窒化膜を形成した場合、Cは200Åの厚さで窒化膜を形成した場合、そして、Dは300Åの厚さで窒化膜を形成した場合のRCディレイを示したものである。示されている通り、窒化膜厚の増加につけてRCディレイが大きくなることが分かる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程においてエッチング停止膜によるキャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例による半導体素子の製造方法は、所定の構造が形成された半導体基板の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜を形成した後、層間絶縁膜を形成する段階;及び上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む。
【０００７】
上記エッチング停止膜は、アモルファスカーボン、SiOCまたはSiOCHのいずれか一つを用いて形成する。
【０００８】
上記ダマシンパターンの上部に拡散防止膜を形成し、金属シード層及び金属層を形成して金属配線を形成する段階をさらに含む。
【発明の効果】
【０００９】
上述した通り、本発明によればダマシン工程で層間絶縁膜をエッチングしてビアホール及びトレンチを形成する工程において誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、既存の誘電定数が高い物質を用いたエッチング停止膜によるキャパシタンスの増加を防止することができるため、RCディレイを減少させることができ、これにより素子の動作速度を高速化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付した図面を参照し、本発明の一実施例を詳細に説明する。
【００１１】
図2(a)〜図2(c)は、本発明の一実施例による半導体素子の製造方法を説明するために順序的に示した素子の断面図であり、デュアルダマシン工程を用いた銅配線の形成方法を説明する。
【００１２】
図2(a)に示すように、所定の構造が形成された半導体基板(101)の上部に第1エッチング停止膜(102)、第1層間絶縁膜(103)、第2エッチング停止膜(104)及び第2層間絶縁膜(105)を順に形成する。ここで、第1及び第2エッチング停止膜(102及び104)は、従来使われた窒化膜より誘電定数が低い物質、例えば、アモルファスカーボン、SiOCまたはSiOCHを用いて形成する。また、第1及び第2層間絶縁膜(103及び105)は、酸化膜系列の物質を用いて形成する。一般に知られた物質の誘電定数を説明すれば、酸化膜(SiO2)は、約4.0、窒化膜は約7.0、アモルファスカーボンは2〜3、SiOCは約2.5の誘電定数を有する。従って、アモルファスカーボン、SiOCまたはSiOCHを用いて形成した第1及び第2エッチング停止膜(102及び104)は、従来エッチング停止膜として使われた窒化膜または第1及び第2層間窒化膜(103及び105)より誘電定数が非常に低いため、キャパシタンスが増加しない。また、上記誘電定数が低い物質は、酸化膜に対するエッチング選択比が窒化膜より高いため、例えば、アモルファスカーボンは窒化膜に比べて酸化膜に対するエッチング選択比が約3倍さらに高い。従って、誘電定数が低い物質をエッチング停止膜として用いるのに何ら問題がない。
【００１３】
図2(b)に示すように、ビアホールマスクを用いた写真及びエッチング工程により第2層間絶縁膜(105)の所定領域をエッチングし、第2エッチング停止膜(104)が露出される時点でエッチング工程が終了するようにする。
【００１４】
図2(c)に示すように、トレンチマスクを用いた写真及びエッチング工程により第2層間絶縁膜(105)の所定領域をエッチングし、第2エッチング停止膜(104)が露出される時点でエッチング工程が終了するようにしてトレンチ(10)を形成すると共に第2層間絶縁膜(105)のエッチングされた部位を通じて第1層間絶縁膜(103)がエッチングされてビアホール(20)を形成する。従って、トレンチ(10)及びビアホール(20)を含むデュアルダマシンパターンが形成される。
【００１５】
以後、トレンチ(10)及びビアホール(20)を含む全体構造の上部に拡散防止膜及び金属シード層を形成した後、トレンチ(10)及びビアホール(20)が埋め込まれるように銅金属層を電気メッキ法などを用いて形成することにより金属配線を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】窒化膜をエッチング停止膜として用いる場合、窒化膜の膜厚によるRCディレイを示したグラフ。
【図２（ａ）】半導体素子の製造方法を説明するために順序的に示した素子の断面図。
【図２（ｂ）】半導体素子の製造方法を説明するために順序的に示した素子の断面図。
【図２（ｃ）】半導体素子の製造方法を説明するために順序的に示した素子の断面図。
【符号の説明】
【００１７】
101:半導体基板,
102:第1エッチング停止膜,
103:第1層間絶縁膜,
104:第2エッチング停止膜,
105:第2層間絶縁膜,
10:トレンチ,
20:ビアホール
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図２（ｃ）】
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