(57)【要約】【課題】簡易な方法で、製造コストを抑えることが可能な有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供すること。【解決手段】基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層１５を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、複数の第１電極１４を形成する工程と、複数の第１電極１４を区画する隔壁１７を形成する工程と、隔壁１７に区画された領域に有機機能層１５を形成する工程と、隔壁１７及び有機機能層１５上に第２電極２１を形成する工程と、ディスペンサ３０を用いて導電材料を塗布することにより、隔壁１７上の第２電極２１上に補助電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図６
2007213999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁に区画された領域に前記有機機能層を形成する工程と、
前記隔壁上及び前記有機機能層上に第２電極を形成する工程と、
ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、前記隔壁上の前記第２電極上に補助電極を形成する工程とを備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁に区画された領域に前記有機機能層を形成する工程と、
ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、前記隔壁上に補助電極を形成する工程と、
前記有機機能層及び前記補助電極上に第２電極を形成する工程とを備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記画素の配列方向に沿うとともに、２列以上の画素列ごとに前記補助電極を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素の配列方向に沿うとともに、少なくとも１画素ごとに前記補助電極を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記少なくとも１画素ごとに、前記基板と前記ディスペンサとの間隔を調整することを特徴とすることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法及びこの有機ＥＬ装置の製造方法により製造された有機ＥＬ装置に関する。
に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。
【０００３】
トップエミッション構造の有機ＥＬ装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）膜等によって形成されている。このようなＩＴＯ膜やＩＺＯ膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、基板上に抵抗が小さい補助電極を形成し、この補助電極と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止したものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この特許文献１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板全面に絶縁層を形成した後、絶縁層上に第１電極及び補助電極を形成する。そして、この補助電極上に隔壁を形成し、さらに、隔壁に補助電極を露出するコンタクト部を形成した後、隔壁内にＲ，Ｇ，Ｂに対応する位置に、有機発光材料を吐出する。その後、基板全面に第２電極を成膜する方法である。
【０００５】
また、補助配線を有機膜が成膜される前に形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。この特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法では、画素間隔壁側の面に、補助陰極としてタンタルをスパッタリング法によって成膜した後、画素間隔壁と同様のパターンとなるように、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって補助電極を形成している。そして、補助電極を形成した後、蒸着法により、隔壁内にＲ，Ｇ，Ｂに対応する位置に、有機発光材料を吐出する。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の技術には以下のような課題が残されている。すなわち、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法では、白色の有機層（発光層）を全面に蒸着する場合、補助電極が露出しているため、補助電極上に有機層が形成されることになる。したがって、この有機層上に陰極を成膜しても、補助電極と陰極とは導通できないという問題が生じる。
また、特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法では、各有機層を形成する際、蒸着法により形成しているため、蒸着位置の精度や、蒸着に用いられるマスクの製作，管理方法によるコストの高騰等の問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡易な方法で、製造コストを抑えることが可能な有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、複数の第１電極を形成する工程と、前記複数の第１電極を区画する隔壁を形成する工程と、前記隔壁に区画された領域に前記有機機能層を形成する工程と、前記隔壁上及び前記有機機能層上に第２電極を形成する工程と、ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、前記隔壁上の前記第２電極上に補助電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、隔壁に区画された領域に有機機能層を形成した後、隔壁及び有機機能層上に第２電極を形成し、隔壁上の第２電極上に補助電極を形成する。この補助電極は、ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、形成されているので、蒸着法で形成する場合に比べて、補助電極の膜厚を厚く、かつ、幅広に形成することができる。したがって、このような補助電極を第２電極上に形成することにより、電極全体の抵抗を下げることができる。すなわち、簡易な方法で、電極面内の電圧を均一にすることができるため、有機ＥＬ装置全体において、均一に発光させることが可能となる。また、有機機能層として白色の発光層を用いることもできるため、蒸着法により、隔壁内にＲ，Ｇ，Ｂに対応する位置に、有機発光材料を吐出する場合に比べ、マスクの位置合わせや、マスクの製作等の必要がないため、コストを低減することも可能である。
さらに、有機機能層及び第２電極を蒸着法等の同じ方法により形成した後、ディスペンサを用いて補助電極を形成することができるため、効率的に有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に、複数の画素に対応して形成された有機機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、複数の第１電極を形成する工程と、前記複数の第１電極を区画する隔壁を形成する工程と、前記隔壁に区画された領域に前記有機機能層を形成する工程と、ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、前記隔壁上に補助電極を形成する工程と、前記有機機能層及び前記補助電極上に第２電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、隔壁に区画された領域に有機機能層を形成した後、有機機能層上に補助電極を形成し、有機機能層及び補助電極上に第２電極を形成する。この補助電極は、ディスペンサを用いて導電材料を塗布することにより、形成されているので、蒸着法で形成する場合に比べて、補助電極の膜厚を厚く、かつ、幅広に形成することができる。したがって、このような補助電極を隔壁上に形成することにより、電極全体の抵抗を下げることができる。すなわち、簡易な方法で、電極面内の電圧を均一にすることができるため、有機ＥＬ装置全体において、均一に発光させることが可能となる。また、有機機能層を形成した後、補助電極を形成しているため、有機機能層として白色の発光層を用いることもできるので、従来のように、蒸着法により、隔壁内にＲ，Ｇ，Ｂに対応する位置に、有機発光材料を吐出する場合に比べ、隔壁により区画された領域をＲ，Ｇ，Ｂに塗り分ける場合に比べ、マスクの位置合わせや、マスクの製作等の必要がないため、コストを低減することも可能である。
さらに、補助電極上に第２電極が形成されているため、第２電極と補助電極との導通を良好に保つことが可能となる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記画素の配列方向に沿うとともに、２列以上の画素列ごとに前記補助電極を形成することが好ましい。
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、補助電極を２列以上の画素列ごとに形成することにより、２列以上の画素列をまとめて配置することができる。したがって、画素開口率の向上させることや、補助電極をより幅広に形成することができるため、電極の抵抗を十分に低くすることができる。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記画素の配列方向に沿うとともに、少なくとも１画素ごとに前記補助電極を形成することが好ましい。
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、補助電極を少なくとも１画素ごとに形成することにより、補助電極を画素の配列方向に沿って間欠的に形成することができる。すなわち、例えば、あらかじめ電極の抵抗が高くなる箇所にのみ、補助電極を形成することができるので、電極面内における電圧の不均一をより効率的に低減することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記少なくとも１画素ごとに、前記基板と前記ディスペンサとの間隔を調整することが好ましい。
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、所定の画素分の長さの補助電極を形成した後、基板とディスペンサとの間隔を調整するため、この間隔のズレに起因する補助電極の厚み及び膜厚の不均一さを低減することができる。したがって、補助電極を幅広に形成するとともに、電極面内の電圧をより均一にすることが可能となる。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ装置は、上記に記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る有機ＥＬ装置では、電極面内において電圧が均一であるため、輝度ムラがなく、均一な発光を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。
【００１７】
〔有機ＥＬ装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置について説明する。
図１は、本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ装置）１の配線構造を示す図である。
有機ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
なお、以下の説明では、有機ＥＬ表示装置１を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続される。
【００１９】
さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ５と、この駆動用ＴＦＴ５を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）１４と、この画素電極１４と共通電極（第２電極）２１との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子（有機機能層）１５とが設けられる。
【００２０】
この有機ＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ５のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ５のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１４に電流が流れ、さらに有機機能層１５を介して共通電極２１に電流が流れる。有機機能層５は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２１】
次に、有機ＥＬ表示装置１の具体的な構成について、図２及び図３を参照して説明する。
有機ＥＬ表示装置１は、図２に示すように、電気絶縁性を備えた基板２と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部Ｇ（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
【００２２】
画素部Ｇは、中央部分の実表示領域Ｌ（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域Ｌの周囲に配置されたダミー領域Ｄ（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域Ｌには、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域Ｌの図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置される。これら走査線駆動回路８０は、ダミー領域Ｄの下側に配置されたものである。
【００２３】
さらに、実表示領域Ｌの図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域Ｄの下側に配置されたものである。
【００２４】
図３は、本実施形態によって製造された有機ＥＬ装置１の構成を示す平面図を示すであり、図４は上記平面図におけるＸ−Ｘ矢視断面図である。
この有機ＥＬ表示装置１は、図３に示すように、基板２上には三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応する長円形状の画素領域３が行列状（Ｘ方向及びＹ方向）に複数配置すると共に、一方向（Ｙ方向）に配列する画素領域３間に、一方向と直交する他方向（Ｘ方向）に向かって延在する帯状の補助配線（補助電極）４が複数本配置されている。
【００２５】
また、図４に示すように、基板２上には駆動用ＴＦＴ５が形成されている。この駆動用ＴＦＴ５は、半導体膜６に形成されたソース領域５ａ、ドレイン領域５ｂ、及びチャネル領域５ｃと、半導体膜６の表面に形成されたゲート絶縁膜７を介してチャネル領域５ｃに対向するゲート電極５ｄとによって主に構成されている。また、半導体膜６及びゲート絶縁膜７を覆う第１層間絶縁膜８が形成されており、この第１層間絶縁膜８を貫通して半導体膜６に達するコンタクトホール９，１０内に、それぞれドレイン電極１１、ソース電極１２が埋設され、この各電極は上記ドレイン領域５ｂ、ソース領域５ａに導電接続されている。
【００２６】
上記第１層間絶縁膜８上には第２平坦化絶縁膜１３が形成されており、また、この第２平坦化絶縁膜１３上には画素電極（第１電極）１４が形成されている。画素電極１４の一部は、第２平坦化絶縁膜１３に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極１１と導電接続されている。また、画素電極１４の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク１６が形成されている。この無機バンク１６上には、有機材料からなるバンク（隔壁）１７が積層されている。
【００２７】
上記有機ＥＬ素子（有機機能層）１５は、画素電極１４、当該画素電極１４上に形成された正孔注入／輸送層１８、当該正孔注入／輸送層１８上に形成された白色の発光層１９、当該発光層１９上に形成された電子注入／輸送層２０及び当該電子注入／輸送層２０上に形成された共通電極（第２電極）２１によって構成されている。これら正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、有機機能層を構成している。そして、バンク１７上の共通電極２１上には、補助配線４が形成されており、共通電極２１と補助配線４とは導通している。この補助配線４の膜厚は、数十μｍであり、銀ペーストにより形成されている。なお、補助配線４の材料としては、銀ペーストに限らず、金属粒子と有機樹脂との混合物であれば良い。また、共通電極２１の厚みは、約１０ｎｍであり、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）により形成されている。
【００２８】
基板２としては、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ素子１５が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。また、画素電極１４は、トップエミッション構造の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【００２９】
本実施形態における有機ＥＬ素子１５は、共通電極２１に透明な材料を用いることにより、発光層１９で発光する光を共通電極２１側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いる事ができる。
【００３０】
さらに、基板２と対向してカラーフィルタ基板２２が設けられている。このカラーフィルタ基板２２上には、三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応するカラーフィルタ２３と遮光用のＢＭ（Black Matrix）パターン２４が形成されている。また、カラーフィルタ基板２２は、基板２側の画素領域３とカラーフィルタ２３とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板２２にはガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【００３１】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態では、ガラス等の基板２上に各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程、該駆動用ＴＦＴ５上に画素電極１４を形成する工程、当該画素電極１４上に隔壁（無機バンク１６及びバンク１７）を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、有機機能層上に共通電極２１を形成する工程、当該共通電極２１上に補助配線４を形成する工程を実施することにより、有機ＥＬ装置１を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用ＴＦＴ５等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００３２】
（１）画素電極
図５（ａ）に示すように、基板２上に駆動用ＴＦＴ５、半導体膜６、ゲート絶縁膜７、第１層間絶縁膜８、ドレイン電極１１、ソース電極１２及び第２平坦化絶縁膜１３が形成されると、蒸着法により第２平坦化絶縁膜１３上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図５（ｂ）に示すように画素電極１４を形成する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極１４は、透明である必要がないので、よって上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成することができる。
【００３３】
（２）隔壁形成工程
次に、図５（ｃ）に示すように、第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４上に第１の隔壁として無機バンク１６を形成し、さらに図５（ｄ）に示すように、第２の隔壁としてバンク１７を形成する。無機バンク１６は、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって第２平坦化絶縁膜１３、画素電極１４上の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク１６は、第２平坦化絶縁膜１３上、画素電極１４の周縁部上のみに設けられ、画素電極１４の中央近傍に位置する電極面１４ａは露出している。
【００３４】
次いで、上記無機バンク１６上にバンク１７を形成する。このバンク１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク１７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク１７をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク１７の開口部は、図５（ｄ）に示すように、無機バンク１６の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【００３５】
このようにしてバンク１７が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極１４の電極面１４ａを活性化するものであり、画素電極１４の電極面１４ａの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【００３６】
（３）有機機能層形成工程
次に、図６に示すように、画素電極１４、無機バンク１６及びバンク１７の全面に正孔注入／輸送層１８を形成し、さらにその上に発光層１９を形成し、さらにその上に電子注入／輸送層２０を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入／輸送層１８、発光層１９及び電子注入／輸送層２０は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００３７】
発光層１９の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入／輸送層２０の蒸着材料としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【００３８】
（４）共通電極形成工程
そして、図６に示すように、電子注入／輸送層２０上の全面に、共通電極２１を形成する。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯを共通電極２１として成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極２１とする。また、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子１５の劣化を防止するために、共通電極２１上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【００３９】
（５）補助配線形成工程
次に、図６に示すように、ディスペンサ３０により、画素３の配列方向に沿って、共通電極２１上に連続的に補助配線４を塗布する。このとき、Ｙ方向の画素３の間隔に応じてディスペンサ３０から吐出させる銀ペーストの速度を調節する。すなわち、ディスペンサ３０より吐出される銀ペーストの吐出量が調整されるため、画素３の間隔に応じた補助配線４の幅を設定することができる。また、補助配線４の幅は、画素３の間隔と略同一である。
【００４０】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、補助配線４をディスペンサ３０により形成することにより、蒸着法で形成する場合に比べて、補助配線４の膜厚を厚く、かつ、幅広に形成することができる。したがって、このような補助配線４を共通電極２１上に形成することにより、共通電極２１全体の抵抗を下げることができる。すなわち、簡易な方法で、共通電極４面内の電圧を均一にすることができるため、有機ＥＬ装置１全体において、均一に発光させることが可能となる。また、ディスペンサ３０を用いた場合、ディスペンサ３０から吐出量を変化させ、補助配線４の幅を変えることができるが、マスクを用いた蒸着法では、画素３の間隔に応じてマスクを製作する必要がとなる。したがって、ディスペンサ３０を用いることにより、生産コストを低減することが可能となる。
さらに、発光層１９として白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料を用いることにより、隔壁により区画された領域をＲ，Ｇ，Ｂに塗り分ける場合に比べ、マスクの位置合わせや、マスクの製作等の必要がないため、コストを低減することも可能である。
【００４１】
なお、本実施形態では、補助配線４が共通電極２１上に形成された有機ＥＬ装置１の製造方法について説明したが、図７に示すように、補助配線３６を電子注入／輸送層２０と共通電極２１との間に形成した有機ＥＬ装置３５を製造することも可能である。この構成の場合、電子注入／輸送層２０を蒸着法により成膜した後、ディスペンサ３０により補助配線３６を形成し、この補助配線３６を覆うように、蒸着法により共通電極２１を形成する。このとき、補助電極３６と共通電極２１とは導通している。これにより、上記実施形態と同様に、共通電極２１全体の抵抗を下げることができる。
【００４２】
次に、本発明に係る第２実施形態について、図８を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置４０において、補助配線（補助電極）４１が、画素４２の配列方向に沿うとともに、２列の画素列４２ａごとに形成されている点において、第１実施形態と異なる。すなわち、補助配線４１は、第１実施形態とほぼ同じ幅であり、画素４２の開口率が、第１実施形態の画素３の開口率より大きく形成されている。また、補助配線４１は、第１実施形態と同様に、ディスペンサ３０により形成されている。
【００４３】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、補助配線４１を２列の画素列４２ａごとに形成することにより、２列以上の画素列をまとめて配置することができる。したがって、画素４２ａの開口率の向上させることや、補助配線４１をより幅広に形成することができるため、共通電極２１の抵抗を十分に低くすることができ、均一に発光させることが可能になる。
【００４４】
なお、本実施形態において、補助配線４１を２列の画素列４２ａごとに形成する構成にしたが、２列以上であれば良いため、例えば、３列ごとに形成しても良い。このように、３列ごとに補助配線を形成した場合、３列ごとに形成した補助配線の幅を２列ごとに形成した補助配線の幅より大きくすることや、画素開口率を向上させることが可能となる。すなわち、共通電極２１の電圧のバラツキが全体的に小さい場合は、複数列ごとに補助配線を形成することが好適である。
【００４５】
次に、本発明に係る第３実施形態について、図９を参照して説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置５０において、補助電極５１が、画素５２の配列方向に沿うとともに、３画素５２ａごとに、所定の間隔をあけて形成されている点において、第１実施形態と異なる。すなわち、補助電極５１の幅及び画素５２の開口率は、第１実施形態と同じである。また、補助電極５１は、第１実施形態と同様に、ディスペンサ３０により形成されている。
【００４６】
次に、補助電極５１の形成方法について説明する。
まず、図６に示すように、ディスペンサ３０により、画素３の配列方向に沿って、共通電極２１上に補助電極５１を塗布する。このとき、３画素５２ａごとに、有機ＥＬ素子１５が形成された基板２とディスペンサ３０との間隔Ｌを測定する。そして、あらかじめ定められた間隔と差が生じた場合、ディスペンサを調整し、間隔Ｌをあらかじめ定められた間隔に合わせる。
【００４７】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、３画素５２ａごとに基板２とディスペンサ３０の間隔Ｌを調整するため、この間隔Ｌのズレに起因する補助電極５１の幅や膜厚の不均一さを低減することができる。したがって、補助電極５１を幅広に形成するとともに、共通電極２１面内の電圧をより均一にすることが可能となる。
【００４８】
なお、本実施形態では、３画素５２ａごとに基板２とディスペンサ３０との間隔Ｌの調整を行いながら、補助電極５１を形成したが、補助配線５１の膜厚や幅の良好な精度が必要でない場合は、間隔Ｌの調整は必ずしも行う必要はない。
また、３画素５２ａごとに、補助電極５１を設けたが、少なくとも１画素であればよいため、１画素ごとや２画素ごとに補助電極を形成しても良い。このように、補助電極を少なくとも１画素ごとに形成することにより、補助電極を画素５２の配列方向に沿って間欠的に形成することができる。すなわち、例えば、あらかじめ共通電極２１の抵抗が高くなる箇所にのみ、補助電極を形成することができるので、共通電極２１面内における電圧の不均一をより効率的に低減することが可能となる。
さらに、補助電極５１を３画素５２ａごとに所定の間隔をあけて形成したが、隣接する補助電極５１を接触して形成しても良い。
【００４９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、電子注入／輸送層２０と共通電極２１との間に補助配線３６を形成した有機ＥＬ装置３５に、第２，第３実施形態で示した補助配線４１，５１を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線矢視における断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の変形例を示す平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１，３５，４０，５０…有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ装置）、４…補助配線（補助電極）、１４…画素電極（第１電極）、１５…有機ＥＬ素子（有機機能層）、１７…バンク（隔壁）、２１…共通電極（第２電極）、３０…ディスペンサ、４１…補助配線（補助配線）、５１…補助電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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