(57)【要約】【課題】ビアホール及び配線パターンのファインピッチ化や多層化に容易に対応できるフレキシブル配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂層１０ａとその下面に設けられた補強金属層１０ｂとにより構成されるテープ状基板１０を用意し、テープ状基板１０の樹脂層１０ａをレーザ加工することにより補強金属層１０ｂに到達する深さのビアホール１０ｘを形成した後に、セミアディティブ法により、ビアホール１０ｘを介して補強金属層１０ｂに接続される配線パターン１６を樹脂層１０ａの上に形成する。補強金属層１０ｂはパターニングされて配線パターン１６に接続される接続パッドＣになるか又は除去される。【選択図】図５
2007173371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と、該樹脂層の下面に設けられた補強金属層とにより構成されるテープ状基板を用意する工程と、
前記テープ状基板の前記樹脂層を加工することにより、前記補強金属層に到達する深さのビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内及び前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記ビアホールを含む領域に開口部が設けられたレジスト膜を前記シード層上に形成する工程と、
前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記ビアホール内から前記レジスト膜の開口部に金属層を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記金属層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、前記ビアホールを介して前記補強金属層に接続される配線パターンを前記樹脂層の上に形成する工程とを有することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記テープ状基板は、リールから引き出されて搬送される長尺状のものであることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンを形成する工程の後に、前記補強金属層をパターニングすることにより、前記配線パターンに接続される接続パッドを前記樹脂層の下面側に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線パターンを形成する工程の後に、前記補強金属層を除去して前記ビアホール内の配線パターンの下面を露出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ビアホールを形成する工程において、マスクを介さないで前記樹脂層をレーザで直接加工して形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線パターンを形成した後に、前記配線パターンの形成方法と同一の方法により、前記配線パターンに接続されるｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を、前記テープ状基板の上面側に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂層はポリイミドからなり、前記補強金属層は銅箔からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項８】
樹脂層と、該樹脂層の下面に設けられた補強金属層とにより構成されるテープ状基板を用意する工程と、
前記テープ状基板の前記樹脂層を加工することにより、前記補強金属層に到達する深さのビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内及び前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記ビアホールを含む領域に開口部が設けられたレジスト膜を前記シード層上に形成する工程と、
前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記ビアホール内から前記レジスト膜の開口部に金属層を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記金属層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、前記ビアホールを介して前記補強金属層に接続される配線パターンを前記樹脂層の上に形成する工程と、
前記配線パターンに接続される電子部品を実装する工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品を実装する工程の後に、前記補強金属層をパターニングすることにより、前記配線パターンに接続される接続パッドを前記樹脂層の下面側に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品を実装する工程の後に、前記補強金属層を除去して前記ビアホール内の配線パターンの下面を露出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブル配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法に係り、さらに詳しくは、テープＢＧＡ、テープＣＳＰなどのテープパッケージに適用できるフレキシブル配線基板の製造方法及びその配線基板に電子部品を実装するための電子部品実装構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ポリイミドテープを基板に使用したテープＢＧＡ(Ball Grid Array)やテープＣＳＰ(Chip Size Package)などのテープパッケージがある。従来のテープパッケージの製造方法の一例は、図１（ａ）に示すように、まず、両面側に上側Ｃｕ層１０２ａ及び下側Ｃｕ層１０２ｂがそれぞれ設けられたポリイミドテープ１００を用意する。その後に、図１（ｂ）に示すように、開口部１０４ｘが設けられたドライフィルムレジスト１０４（エッチングレジスト）を上側Ｃｕ層１０２ａ上に形成し、その開口部１０４ｘを通して上側Ｃｕ層１０２ａをウェットエッチングすることにより、上側Ｃｕ層１０２ａに開口部１０２ｘを形成する。
【０００３】
その後に、図１（ｃ）に示すように、ドライフィルムレジスト１０４が除去される。
【０００４】
さらに、図１（ｄ）に示すように、開口部１０２ｘが設けられた上側Ｃｕ層１０２ａをコンフォーマルマスクとして利用し、その開口部１０２ｘを通してポリイミドテープ１００をレーザ加工することにより、下側Ｃｕ層１０２ｂに到達する深さのビアホール１００ｘを形成する。
【０００５】
続いて、図２（ａ）に示すように、ビアホール１００ｘ内及び上側Ｃｕ層１０２ａ上にシード層（不図示）を形成した後に、電解めっきによってビアホール１００ｘを介して下側Ｃｕ層１０２ｂに接続される上側金属めっき層１０６ａをシード層の上に形成する。このとき、下側Ｃｕ層１０２ｂの上にも下側金属めっき層１０６ｂが形成される。
【０００６】
次いで、図２（ｂ）に示すように、上側金属めっき層１０６ａ上にドライフィルムレジスト１０５ａをパターニングして形成し、それをマスクにして上側金属めっき層１０６ａ、シード層及び上側Ｃｕ層１０２ａをウェットエッチングした後に、ドライフィルムレジスト１０５ａを除去する。さらに、同様に、下側金属めっき層１０６ｂの上にドライフィルムレジスト１０５ｂを設け、下側金属めっき層１０６ｂ及び下側Ｃｕ層１０２ｂをエッチングした後にドライフィルムレジスト１０５ｂを除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、ポリイミドテープ１００の上面に、上側Ｃｕ層１０２ａ、シード層（不図示）及び上側金属めっき層１０６ａにより構成される上側配線パターン１０８ａが形成される。また、ポリイミドテープ１００の下面に、下側Ｃｕ層１０２ｂ及び下側金属めっき層１０６ｂにより構成される下側配線パターン１０８ｂが形成される。
【０００７】
以上により、ポリイミドテープ１００の両面側に、ビアホール１００ｘを介して相互接続される上側配線パターン１０８ａ及び下側配線パターン１０８ｂがそれぞれ形成される。
【０００８】
このようなテープパッケージに関連する技術としては、特許文献１には、テープ状キャリアの上に多層配線層を形成した後に、テープ状キャリアを除去する方法が記載されている。
【０００９】
また、特許文献２には、感光性の有機高分子材料を製版して接続孔を形成し、これを硬化させて絶縁層とし、めっき法によって接続孔に銅を埋め込み、さらに絶縁層上に配線を形成する方法が記載されている。
【００１０】
また、特許文献３には、ポリイミドテープの上に配線層が設けられた長尺状の可撓生のベース基材の上に、多層配線層を形成する方法が記載されている。
【００１１】
さらに、特許文献４には、金属板に設けられたバンプ形成用の窪みに金属層を形成し、その上に多層配線層を形成し、半導体チップを実装した後に、金属板を除去して下面側にバンプを露出させる方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−３６３１６９号公報
【特許文献２】特開平１０−１７８２７１号公報
【特許文献３】特開２００２−１９０５４３号公報
【特許文献４】特開平９−２８３９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述の図１〜図２で説明した従来技術では、いわゆるサブトラクティブ法によって配線パターンを形成するので、ビアホールの径を画定するコンフォーマルマスクを形成する工程（図１（ｂ）〜（ｃ））や配線パターンを形成する工程（図２（ｂ）〜（ｃ））において、比較的厚膜（１８μｍ程度）の金属層をウェットエッチングする必要がある。このため、配線パターンはドライフィルムレジストのパターンから内側に後退して形成されるので、ファインピッチ（例えば３０μｍピッチ（ライン：スペース＝１５：１５μｍ）のビアホール及び配線パターンを形成することは困難である。
【００１３】
さらには、近年ではさらなる多層配線化が要求されており、従来技術ではポリイミドテープの両面側に多層配線層を形成する必要がある場合が想定され、パターニング工程が煩雑になって技術的に困難を極めるようになる。
【００１４】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、ビアホール及び配線パターンのファインピッチ化や多層化に容易に対応できるフレキシブル配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明はフレキジブル配線基板の製造方法に係り、樹脂層と、該樹脂層の下面に設けられた補強金属層とにより構成されるテープ状基板を用意する工程と、前記テープ状基板の前記樹脂層を加工することにより、前記補強金属層に到達する深さのビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内及び前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記ビアホールを含む領域に開口部が設けられたレジスト膜を前記シード層上に形成する工程と、前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記ビアホール内から前記レジスト膜の開口部に金属層を形成する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記金属層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、前記ビアホールを介して前記補強金属層に接続される配線パターンを前記樹脂層の上に形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明では、まず、樹脂層（ポリイミドなど）とその下面に設けられた補強金属層（銅箔など）とから構成されるテープ状基板を用意する。テープ状基板はその下面に補強金属層が設けられているので、リールツーリール方式で各種の製造装置に搬送する場合に、基板の伸縮が抑制され、しかも搬送時にトラブルが発生しにくい。
【００１７】
次いで、テープ状基板の樹脂層を好適にはレーザでダイレクト加工することにより補強金属層に到達する深さのビアホールを形成する。本発明では、コンフォーマルマスクを使用せずに樹脂層を直接レーザ加工できるので、狭小ピッチのビアホールを形成することができる。続いて、セミアディティブ法により、ビアホールを介して補強金属層に接続される所要のビルドアップ配線層を樹脂層の上に形成する。セミアディティブ法を採用することにより、テープ状基板の上にファインピッチの配線パターンを形成することができる。しかも、補強金属層が設けられたテープ状基板を使用することから基板の伸縮が抑制されるので、ビアホールと配線パターンが高精度で位置合わせされて多層化されたビルドアップ配線層を形成することができる。
【００１８】
その後に、配線基板の用途に合わせて、補強金属層をパターニングして配線パターンに接続される接続パッドを形成するか、あるいは補強金属層を除去してビアホール内の配線パターンの下面を露出させる。
【００１９】
本発明に係るフレキシブル配線基板に電子部品を実装する場合は、裏面全体に補強金属層が存在する状態で、ビルドアップ配線層の最上層に電子部品（半導体チップ）が接続されて実装される。その後に、補強金属層がパターニングされるか又は除去される。このようにすることにより、反りの影響を受けなくなって搬送や取り扱いが容易になるので、電子部品をテープ状基板の上方に信頼性よく実装することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明では、フレキシブル配線基板の製造において、ビアホール及び配線パターンのファインピッチ化や多層化に容易に対応できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図３〜図５は本発明の第１実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法を示す断面図である。本発明の第１実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法は、図３（ａ）の上図に示すように、まず、リール（巻回体）５から引き出されて長手方向に搬送される長尺状のテープ状基板１０を用意する。テープ状基板１０は、図３（ａ）の下図に示すように、樹脂層１０ａとその下面に設けられた補強金属層１０ｂとによって構成されている。例えば、樹脂層１０ａは膜厚が２５μｍ程度のポリイミド層から形成され、補強金属層１０ｂは膜厚が１５〜１８μｍの銅箔から形成される。
【００２３】
テープ状基板１０はリール５から引き出されてロール６によってテンション（伸引処理）がかけられた状態で各種の製造装置７内に搬送され（リールツーリール方式）、テープ状基板１０の上に配線パターンや樹脂層などが形成される。テープ状基板１０は下面側に補強金属層１０ｂを備えることで可撓性とある程度の剛性を併せもつようになり、リールツーリール方式で各種の製造装置７に搬送される際に、基板の伸縮が抑制され、しかも搬送時にトラブルが発生しにくい。また、補強金属層１０ｂを設けることで、樹脂層１０ａの薄膜化が可能になる利点もある。
【００２４】
その後に、図３（ｂ）に示すように、テープ状基板１０の樹脂層１０ａの所要部分を直接レーザ加工することにより、補強金属層１０ｂに到達する深さの第１ビアホール１０ｘを形成する。本実施形態では、コンフォーマルマスクを使用せずに、レーザによるダイレクト加工によってビアホールを形成するので、第１ビアホール１０ｘのファインピッチ化（ピッチ：３０μｍ（ビア径：１５μｍ）以下）に容易に対応することができる。しかも、テープ状基板１０の下面側に補強金属層１０ｂが設けられているので、ポリイミドテープのみ使用する場合と違ってテープ状基板１０の伸縮が抑制されるので、位置合わせ精度を向上させることができ、所望の位置に第１ビアホール１０ｘを形成することができる。
【００２５】
レーザ加工に他に、開口部が設けられたレジスト膜を樹脂層１０ａ上に形成し、そのレジスト膜をマスクにしてＲＩＥによって樹脂層１０ａをエッチングする方法を採用しても同様にファインピッチの第１ビアホール１０ｘを形成することができる。
【００２６】
次いで、図３（ｃ）に示すように、無電解めっき又はスパッタ法により、第１ビアホール１０ｘ内及び樹脂層１０ａ上に銅などなからなる膜厚が１μｍ以下のシード層１２を形成する。続いて、図４（ａ）に示すように、配線パターンが形成される部分に開口部１３ｘが設けられたレジスト膜１３をシード層１２上に形成する。レジスト膜１３は、ドライフィルムレジストであってもよいし、あるいは液状のレジストを塗布して形成してもよい。さらに、図４（ｂ）に示すように、シード層１２をめっき給電層に利用する電解めっきにより、第１ビアホール１０ｘ内からレジスト膜１３の開口部１３ｘにかけて銅などからなる膜厚が１５〜１８μｍの金属層１４を形成する。このとき、シード層１２と共に、補強金属層１０ｂもめっき給電層として用いてもよい。
【００２７】
次いで、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜１３を除去してシード層１２を露出させる。さらに、図４（ｄ）に示すように、金属層１４をマスクにしてシード層１２をウェットエッチングする。これにより、シード層１２及び金属層１４から構成されて、第１ビアホール１０ｘを介して補強金属層１０ｂに電気的に接続される第１配線パターン１６が樹脂層１０ａ上に形成される。
【００２８】
以上のように、本実施形態では、テープ状基板１０の上にセミアディティブ法によって第１配線パターン１６が形成される。このため、サブトラクティブ法と違って厚膜（１８μｍ程度）の金属層をウェットエッチングする必要がなく、薄膜（１μｍ以下）のシード層１２をウェットエッチングすることで配線パターンを得ることができるので、レジスト膜１３の開口部１３ｘにほぼ対応した線幅の第１配線パターン１６を形成することができる。このような配線形成方法を採用することにより、３０μｍピッチ（ライン：スペース＝１５：１５μｍ）以下の配線パターンを容易に形成することができる。
【００２９】
また、第１配線パターン１６を形成する際においても、テープ状基板１０の下面側には補強金属層１０ｂが設けられていることから伸縮が抑制されるので、第１配線パターン１６をビアホール１０ｘに高精度に位置合わせした状態で形成することができる。
【００３０】
次いで、図５（ａ）に示すように、第１配線パターン１６及び樹脂層１０ａを被覆する上側樹脂層２０を形成した後に、第１ビアホール１０ｘの形成方法と同様なレーザ加工で上側樹脂層２０を加工することにより、第１配線パターン１６に到達する深さの第２ビアホール２０ｘを形成する。さらに、上記したセミアディティブ法と同様な方法により、シード層１２と金属層１４により構成されて、第２ビアホール２０ｘを介して第１配線パターン１６に電気的に接続される第２配線パターン２６を上側樹脂層２０の上に形成する。
【００３１】
なお、本実施形態では、フィルム状基板１０の上に２層のビルドアップ配線層を形成する形態を例示するが、セミアディティブ法を使用してｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００３２】
なお、図５（ａ）の状態で、第２配線パターン２６のパッド部を露出させるソルダレジスト膜を上側樹脂層２０及び第２配線パターン２６の上に設けるようにしてもよい。
【００３３】
本実施形態では、テープ状基板１０の片面側に配線パターンを積層することで多層配線基板を得ることができるので、基板の両面側に配線パターンを積層する方法よりも成膜工程やパターニング工程を簡易とすることはでき、製造コストの低減を図ることができる。
【００３４】
その後に、図５（ｂ）に示すように、テープ状基板１０の下面側の補強金属層１０ｂ上にレジスト膜（不図示）をパターニングして形成した後に、そのレジスト膜をマスクにして補強金属層１０ｂをウェットエッチングすることにより第１配線パターン１６に接続される接続パッドＣを樹脂層１０ａの下面側に形成する。接続パッドＣを形成する工程では、サブトラクティブ法が採用されるが、接続パッドＣははんだボールなどの外部接続端子が設けられる電極であるので、第１、第２配線パターン１６，２６のようなファインパターンで形成する必要はない。
【００３５】
なお、必要に応じて、テープ状基板１０の下面側に、接続パッドＣに接続されるビルドアップ配線層を形成することも可能である。また、接続パッドＣにニッケル、金などのめっきを施しても良い。
【００３６】
以上により、本実施形態のフレキシブル配線基板１が得られる。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法では、まず、樹脂層１０ａとその下面に設けられた補強金属層１０ｂとから構成されるテープ状基板１０を用意する。テープ状基板１０はその下面に補強金属層１０ｂが設けられているので、リールツーリール方式で各種の製造装置に搬送する際に、基板の伸縮が抑えられ、しかも搬送時にトラブルが発生しにくい。
【００３８】
次いで、テープ状基板１０の樹脂層１０ａをレーザ加工することにより第１ビアホール１０ｘを形成する。本実施形態では、コンフォーマルマスクを使用せずに樹脂層１０ａを直接レーザ加工するので、狭小ピッチの第１ビアホール１０ｘを形成することができる。続いて、セミアディティブ法により、第１ビアホール１０ｘを介して補強金属層１０ｂに接続される所要のビルドアップ配線層（第１、第２配線パターン１６，２６）を形成する。セミアディティブ法を採用することにより、テープ状基板１０の上にファインピッチの配線パターンを形成することができる。しかも、補強金属層１０ｂが設けられたテープ状基板１０を使用することから基板の伸縮が抑制されるので、ビアホールと配線パターンが高精度で位置合わせされて多層化されたビルドアップ配線層を形成することができる。
【００３９】
さらには、樹脂層１０ａの下面に補強金属層１０ｂを設けたことから、樹脂層１０ａの膜厚を薄くできるので、フレキシブル配線基板の薄型化が可能になる。
【００４０】
次に、第１実施形態の変形例のフレキシブル配線基板の製造方法を説明する。変形例の製造方法は、テープ状基板１０の補強金属層１０ｂが最終的に除去される形態である。
【００４１】
図６（ａ）に示すように、前述した製造方法により、テープ状基板１０の樹脂層１０ａに第１ビアホール１０ｘを形成した後に、第１ビアホール１０ｘの底面に露出する補強金属層１０ｂの上にパッド用めっき層１１を形成する。パッド用めっき層１１としては、下から順に、金層／ニッケル層、又は金層／パラジウム層／ニッケル層などが使用される。
【００４２】
次いで、前述したシード層１２を形成する工程（図３（ｃ））から第２配線パターン２６を形成する工程（図５（ａ））までを遂行することにより、図６（ｂ）に示すように、図５（ａ）の構造体の第１ビアホール１０ｘの底部において、補強金属層１０ｂとシード層１２との間にパッド用めっき層１１が設けられた構造体が得られる。第１配線パターン１６はパッド用めっき層１１を含んで形成される。
【００４３】
次いで、図６（ｃ）に示すように、ウェットエッチングなどで補強金属層１０ｂを除去することにより、下面にパッド用めっき層１１（第１配線パターン１６の下面）を露出させて接続パッドＣとする。上記したような金属材料からなるパッド用めっき層１１（最下が金層）は、補強金属層１０ｂ（銅箔）を除去する際のウェットエッチングで溶解しないので、補強金属層１０ｂはパッド用めっき層１１に対して選択的に除去される。パッド用めっき層１１として上記した金属材料を使用する場合は、接続パッドＣの下面に金層が露出する。
【００４４】
以上により、本実施形態の変形例のフレキシブル配線基板１ａが得られる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図７〜図１０は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体及びその製造方法を示す断面図である。第２実施形態では、本発明のフレキシブル配線基板の製造方法の技術思想に基づいて、フレキシブル配線基板上に電子部品を実装する形態を説明する。第２実施形態では、第１実施形態と同一要素には同一符合を付してその説明を省略する。
【００４６】
図７（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様な方法により、テープ状基板１０の上に所要のビルドアップ配線層を形成する。図７（ａ）には、第１実施形態と同様に、テープ状基板１０の上に第１、第２配線パターン１６，２６が積層された例が示されている。さらに、第２配線パターン２６の接続部上に開口部２２ｘが設けられたソルダレジスト膜２２が形成される。その後に、必要に応じて、ソルダレジスト膜２２の開口部２２ｘ内の第２配線パターン２６にＮｉ／Ａｕめっきを施してコンタクト層（不図示）を形成する。
【００４７】
続いて、図７（ｂ）に示すように、半導体チップ３０のバンプ３０ａをソルダレジスト膜２２の開口部２２ｘ内の第２配線パターン２６にフリップチップ接続する。さらに、半導体チップ３０の下側の隙間を埋め込むと共に、半導体チップ３０を被覆するモールド樹脂２４を形成する。本実施形態では、最下に補強金属層１０ｂが残された状態の配線基板の上に半導体チップ３０を実装するので、反りの影響を受けることなく搬送や取り扱いが容易になるので、半導体チップ３０を信頼性よく実装することができる。
【００４８】
その後に、図７（ｃ）に示すように、テープ状基板１０の下面側の補強金属層１０ｂをパターニングすることにより、第１配線パターン１６に接続される接続パッドＣを形成する。以上により、本実施形態の第１の電子部品実装構造体２が得られる。
【００４９】
図８には本実施形態の第２の電子部品実装構造体が示されている。前述した第１実施形態の変形例のように、図７（ａ）の第１ビアホール１０ｘ内において補強金属層１０ｂとシード層１２との間に同様な金属材料からなるパッド用めっき層１１が設けられ、補強金属層１０ｂが除去されてパッド用めっき層１１が露出して接続パッドＣとなる。これにより、第２実施形態の第２の電子部品実装構造体２ａが得られる。他の製造工程は第１の電子部品実装構造体２の製造方法と同一であるのでその説明を省略する。
【００５０】
図９（ａ）及び（ｂ）には、本実施形態の第３の電子部品実装構造体の製造方法が示されている。図９（ａ）に示すように、ソルダレジスト膜２２の上に半導体チップ３０をその接続部が上側になるようにして固着し、半導体チップ３０の接続部とソルダレジスト膜２２の開口部２２ｘ内の第２配線パターン２６とをワイヤボンディング法によるワイヤ２６によって電気的に接続して実装するようにしてもよい。そして、半導体チップ３０がモールド樹脂２４によって封止される。その後に、図９（ｂ）に示すように、テープ状基板１０の下面側の補強金属層１０ｂがパターニングされて第１配線パターン１６に接続される接続パッドＣが形成される。これにより、本実施形態の第３の電子部品実装構造体２ｂが得られる。
【００５１】
図１０には本実施形態の第４の電子部品実装構造体が示されている。第４の電子部品実装構造体２ｃは、第２の電子部品実装構造体２ａ（図８）と同様に、図９（ａ）の第１ビアホール１０ｘ内において補強金属層１０ｂとシード層１２との間にパッド用めっき層１１が設けられ、補強金属層１０ｂが除去されてパッド用めっき層１１が露出して接続パッドＣとなる形態である。その他の工程は第３の電子部品構造体２ｂの製造方法と同一であるのでその説明を省略する。
【００５２】
本実施形態では、長尺状のテープ基板１０の上に設けたビルドアップ配線層に半導体チップ３０を搭載し、それをモールド樹脂２４で封止し、補強金属層１０ｂをパターニングするか又は除去した後に、その構造体を切断することにより個々の電子部品実装構造体２〜２ｃ（半導体装置）が得られる。補強金属層１０ｂを残した状態で切断することも可能である。
【００５３】
図７（ｃ）や図９（ｂ）の例では、外部接続方式をＬＧＡ（Land Grid Array）型として使用する例が示されており、接続パッドＣがランドとして使用される。ＢＧＡ（Ball Grid Array）型として使用する場合は、接続パッドＣにはんだボールなどが搭載されて外部接続端子が設けられる。また、ＰＧＡ（Pin Grid Array）型として使用する場合は、接続パッドＣにリードピンが設けられる。
【００５４】
なお、図７（ｃ）及び図９（ｂ）において、接続パッドＣにニッケル、金などのめっきを施しても良い。また、電子部品として半導体チップ３０を例示したが、キャパシタ部品などの各種の電子部品を実装することができる。また、電子部品の実装方法は、フリップチップ実装やワイヤボンディングの他に各種の実装方法を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は従来技術のテープパッケージの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は従来技術のテープパッケージの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の変形例のフレキシブル配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の第１の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の第２の電子部品実装構造体を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の第３の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明の第２実施形態の第４の電子部品実装構造体を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１ａ…フレキシブル配線基板、２，２ａ，２ｂ、２ｃ…電子部品実装構造体、５…リール、６…ロール、７…製造装置、１０…テープ状基板、１０ａ…樹脂層、１０ｂ…補強金属層、１０ｘ…第１ビアホール、１１…パッド用めっき層、１２…シード層、１３…レジスト膜、１３ｘ，２２ｘ…開口部、１４…金属層、１６…第１配線パターン、２６…第２配線パターン、２０…上側樹脂層、２０ｘ…第２ビアホール、２２…ソルダレジスト膜、２４…モールド樹脂、２６…ワイヤ、３０…半導体チップ、３０ａ…バンプ、Ｃ…接続パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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