(57)【要約】【課題】セミアディティブ法による回路形成法において、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができる経済的な回路形成法を提供する。【解決手段】銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程と、該レジスト層の開口部に露出する銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし、回路部を形成する工程と、めっき法によって形成された銅の回路部の表面に有機保護膜を形成する工程と、該レジスト層を除去する工程と、それによって露出する銅めっき導体層をエッチング除去する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程と、該レジスト層の開口部に露出する銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし、回路部を形成する工程と、めっき法によって形成された銅の回路部の表面に有機保護膜を形成する工程と、該レジスト層を除去する工程と、それによって露出する銅めっき導体層をエッチング除去する工程と、を含むことを特徴とする回路形成法。
【請求項２】
前記有機保護膜がアルキルイミダゾール膜であることを特徴とする請求項１に記載の回路形成法。
【請求項３】
さらに、回路部の表面に残存する有機保護膜を希硫酸溶液で除去する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の回路形成法。
【請求項４】
前記レジスト層を除去する工程とエッチング除去する工程とは、アルカリ性エッチング液を用いて行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかにに記載の回路形成法。
【請求項５】
前記銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板は、銅被覆ポリイミド基板であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の回路形成法。
【請求項６】
前記銅被覆ポリイミド基板は、ポリイミドフィルム上に、スパッタリング法によりニッケルクロム合金層と銅被膜を形成した後に、銅めっき導体層を形成したものであることを特徴とする請求項５に記載の回路形成法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成法に関し、さらに詳しくは、銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程、該レジストの開口部に露出された銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし回路部を形成する工程、該めっきレジスト層を除去する工程、それによって露出した銅めっき導体層をエッチング除去する工程を含む回路形成法（以下、セミアディティブ法と呼称する場合がある。）において、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができる経済的な回路形成法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶画面表示用ドライバーＩＣチップを実装する手法として、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）が注目されている。ＣＯＦは、従来の実装法の主流であったＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）に比べて、ファインピッチ実装が可能であるとともに、ドライバーＩＣの小型化、及びコストダウンを図ることが容易であるという特徴がある。
【０００３】
ＣＯＦの一般的な製造方法としては、高耐熱性かつ高絶縁性樹脂であるポリイミドフィルムに良導電体である銅層を密着させてなる金属被覆ポリイミド基板を使用し、その基板上の銅層をフォトリソグラフィー技法によってファインパターニングした後、さらに所望の箇所をスズめっき及びソルダーレジストで被覆する方法がとられる。
【０００４】
前記ポリイミドフィルム表面に金属層を形成する方法としては、まず、スパッタリング法により、ニッケル−クロム合金等の金属層を形成し、続いて、良導電性を付与するために銅層を形成する。このとき、一般的には、前記スパッタリング法によって形成される金属層の厚さは、およそ１００〜５００ｎｍである。さらに、厚膜化が必要である場合には、一般的には、電気めっき、又は電気めっきと無電解めっきの併用によって、前記金属層上に銅めっき層の形成を行う。なお、銅めっき層の厚さは、８〜１２μｍが一般的である。ここで、前記ポリイミドフィルムとしては、Ｋａｐｔｏｎ  ＥＮ（東レ・デュポン製）、Ｕｐｉｌｅｘ  Ｓ（宇部興産製）、ＮＰＩ（カネカ製）等の市販品が用いられ、また、一般的には２５〜３８μｍの厚さを有するものが使用されている。
【０００５】
前記フォトリソグラフィー技法による回路形成法としては、銅めっき層表面にフォトレジスト層を形成し、所望な形状のマスクを用い露光を行った後、現像処理を行い回路部表面にエッチングレジスト層を形成する。その後、塩化第二鉄などの銅の溶解液を用いて露出した銅めっき層をエッチング除去し、回路を形成する。その後、エッチングレジスト層を除去し、回路の所望部に無電解めっき法によってすずめっき皮膜、及びソルダーレジスト層を形成することによってＣＯＦを得る。このような回路形成法は、いわゆるサブトラクティブ法と呼ばれる。
【０００６】
また、よりファインピッチな回路を形成する手法として、セミアディティブ法が検討されている。この方法では、まず、上記ポリイミドフィルム表面に無電解めっき法、あるいはスパッタリング法によって金属層を形成した後、電気銅めっき法などによって銅厚１μｍ程度の銅めっき層を形成する。次に、この銅めっき層を導体層として、該銅めっき層の表面に回路厚みと同等程度以上の厚みを有するめっきレジスト層をフォトリソグラフィー技法などによって形成する。次いで、レジスト開口部に露出した銅めっき層表面に電気銅めっき法によって所望の厚みまで銅の厚付けを行なう。その後、めっきレジスト層を除去し、露出した銅めっき層及びスパッタリング層等導体層をエッチング除去することによって回路を形成する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
ここで、セミアディティブ法の長所は、前述のサブトラクティブ法によって回路を形成する場合には回路部の断面形状が山型となるのに対して、形成される回路部の断面形状は、フォトリソグラフィー技法によって形成されるめっきレジストの形状によって決定されるので、ほぼ矩形となるため、特に回路幅及び回路間隔が狭いファインパターニングに適した回路形成法である。ところが、セミアディティブ法の最大の課題は、回路を形成した後に回路間を絶縁するために行う導体層等のエッチング除去の際に、回路部、特に回路上底部もエッチングされるため、回路断面が矩形と成り難い点である。
【０００８】
この解決策として、銅めっきによって回路部を形成した後、回路部表面に導体層とは異なる種類の金属層を保護膜として形成する方法が提案されている。例えば、銅めっきによって回路部を形成した後、真空下に曝すことによってレジスト部を収縮させて回路側壁とレジスト側壁に空隙を設け、さらにスパッタリングによって回路上底部、側壁部、及びレジスト上底部に導体層とは異なる金属層をエッチングレジストとして形成する。ここで、導体層としては銅、ニッケル、クロム、金、アルミニウム、亜鉛、スズ、鉛、銀のいずれか、また、保護膜としては導体層とは異なる金属種で銅、ニッケル、クロム、金、アルミニウム、亜鉛、スズ、鉛、銀のいずれかを形成することが開示されている。具体的には、導体層として銅、保護膜としてスズを用いて、かつ導体層のエッチング除去は塩化第２鉄水溶液を用いる方法と、導通層としてアルミニウム、保護膜としてニッケルを用いて、かつ導体層のエッチング除去は水酸化ナトリウム水溶液を用いる方法（例えば、特許文献２参照。）が開示されている。
【０００９】
ところで、ＣＯＦ等の電子部品では、実際上、回路部の金属種としては導電性、信頼性、経済性等の観点から銅を用いるのが一般的であり、この場合、保護膜としてスズを用いるのが好適であるが、無電解めっき法によってスズ膜を形成する場合には、通常６０℃以上の高温で、かつ硼ふっ酸等の強腐食性溶液をめっき液として用いるため、レジスト層の剥離により導体層表面でのスズめっき皮膜析出の問題が発生する。このような場合、スズが析出した部分の導体層は、導体層のエッチング時に残留し易く、場合によって回路間の短絡等の問題を引き起こすことになる。また、保護膜としてスズ以外の金属を形成する場合としては、金が候補として挙げられるが経済性に問題がある。これ以外の金属を保護膜として形成する場合は、スパッタリング法等の真空成膜プロセスを用いる必要があり、この場合には、回路上底部は勿論、レジスト部表面にも膜が形成されるため、その後のレジスト除去を困難にするばかりでなく経済性にも問題がある。
【００１０】
以上の状況から、セミアディティブ法による回路形成法において、経済的な方法で、回路部の断面形状を矩形に保つとともに、確実に回路間の絶縁を確保することができる回路形成法が求められている。
【特許文献１】特開平０５−０３７１０４号公報（第１頁、第２頁）
【特許文献２】特開２００４−６３６４３号公報（第１頁、第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、上記の従来技術の問題点に鑑み、セミアディティブ法による回路形成法において、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができる経済的な回路形成法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記目的を達成するために、セミアディティブ法による回路形成法について、鋭意研究を重ねた結果、銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程、該レジストの開口部に露出された銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし回路部を形成する工程、該めっきレジスト層を除去する工程、それによって露出した銅めっき導体層をエッチング除去する工程を含む回路形成法において、前記めっきレジスト層の除去する工程に先だって、回路部の銅の表面に有機保護膜を形成する工程を行なったところ、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができることを見出し、本発明を完成した。
【００１３】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程と、該レジスト層の開口部に露出する銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし、回路部を形成する工程と、めっき法によって形成された銅の回路部の表面に有機保護膜を形成する工程と、該レジスト層を除去する工程と、それによって露出する銅めっき導体層をエッチング除去する工程と、を含むことを特徴とする回路形成法が提供される。
【００１４】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、前記有機保護膜がアルキルイミダゾール膜であることを特徴とする回路形成法が提供される。
【００１５】
また、本発明の第３の発明によれば、第２の発明において、さらに、回路部の表面に残存する有機保護膜を希硫酸溶液で除去する工程を含むことを特徴とする回路形成法が提供される。
【００１６】
また、本発明の第４の発明によれば、第１〜３いずれかの発明において、前記レジスト層を除去する工程とエッチング除去する工程とは、アルカリ性エッチング液を用いて行われることを特徴とする回路形成法が提供される。
【００１７】
また、本発明の第５の発明によれば、第１〜４いずれかの発明において、前記銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板は、銅被覆ポリイミド基板であることを特徴とする回路形成法が提供される。
【００１８】
また、本発明の第６の発明によれば、第５の発明において、前記銅被覆ポリイミド基板は、ポリイミドフィルム上に、スパッタリング法によりニッケルクロム合金層と銅被膜を形成した後に、銅めっき導体層を形成したものであることを特徴とする回路形成法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の回路形成法は、セミアディティブ法による回路形成法において、回路上底部の銅めっき表面にエッチングの保護膜として有機保護膜を形成することにより、レジスト層の除去により露出した銅めっき導体層をエッチング除去する際に、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができるので、その工業的価値は極めて大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の回路形成法を詳細に説明する。
本発明の回路形成法は、銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程と、該レジスト層の開口部に露出する銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし、回路部を形成する工程と、めっき法によって形成された銅の回路部の表面に有機保護膜を形成する工程と、該レジスト層を除去する工程と、それによって露出する銅めっき導体層をエッチング除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の方法において、回路部を形成する銅の表面に有機保護膜を形成することが重要である。これによって、レジスト層の除去により露出した銅めっき導体層をエッチング除去する際に、エッチングの保護膜として作用して、回路部の断面形状を矩形に保ち、かつ確実に回路間の絶縁を確保することができる。すなわち、前述のように、ＣＯＦ等の電子部品の回路は一般に銅で形成される。また、セミアディティブ法において、通常回路は電気めっき法によって形成されるので、電気めっきのための導体層は良導電性金属が望ましく、これも銅を用いることが望まれる。したがって、本発明に用いるエッチングの保護膜としては、レジスト層の表面には被膜を形成せず、銅表面にのみ選択的に被膜を形成することができ、かつ銅めっき導体層をエッチング除去する際に耐性がある特性を有する有機保護膜を用いる。これによって、前述の金属保護膜の問題点が解消される。
【００２２】
本発明の方法に用いる有機保護膜としては、特に限定されるものではなく、銅表面に選択的に被膜を形成することができ、かつ銅めっき導体層をエッチング除去する際に耐性がある特性を有するアゾール類、チアゾール類、ピリジニウム化合物等の膜が挙げられるが、この中で、特に上記特性に優れているアルキルイミダゾール膜が好ましい。すなわち、アルキルイミダゾール膜は、銅表面にのみ選択的に吸着し、一方アルカリ性溶液に対して耐性があり、かつ酸性溶液に対して溶解しやすい特性を有する。一般に、アルキルイミダゾールは銅と結合する際、分子膜レベルでの厚さとなる。したがって、保護膜としてアルキルイミダゾール膜を用いる場合には、銅めっき導体層をエッチング除去する場合はアルカリ性溶液を用い、さらに、回路表面に部分的にスズ皮膜を形成する電子部品の場合のように、その後アルキルイミダゾール膜を剥離する必要がある場合には、回路部の銅の溶解を伴わない範囲内で酸性溶液を用いればよい。
【００２３】
上記方法に用いる銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板としては、特に限定されるものではなく、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、アラミド、液晶ポリマー等のフィルム、あるいはガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス布基材ビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂板が用いられるが、この中で、高耐熱性かつ高絶縁性樹脂であるポリイミドフィルム表面に良導電体である銅層を密着させてなる銅被覆ポリイミド基板が好ましい。
【００２４】
上記銅被覆ポリイミド基板としては、ポリイミドフィルムと銅箔とを接着剤を介して接合した３層からなる銅被覆ポリイミド基板と、ポリイミドフィルムに直接金属層を形成した２層からなる銅被覆ポリイミド基板（以下、２層基板と呼称する場合がある。）が挙げられ、さらに、２層基板としては、市販の銅箔上にポリイミドを成膜したキャスティング基板と、市販のポリイミドフィルム上に、直接スパッタリング法によりニッケルクロム合金層等のシード層を形成し、さらにその上に電気めっき法若しくは無電解めっき法、又はその両者を併用する方法により、銅を積層することにより製造された２層めっき基板が挙げられるが、この中で２層めっき基板が好ましい。これによって、ＣＯＦ等のファインピッチな回路を形成することができる。
【００２５】
上記ポリイミドフィルムとしては、特に限定されるものではないが、液晶表示用ドライバーＩＣの実装法であるＣＯＦの素材として用いる際には、厚さとしては２５〜５０μｍが好ましく、３０〜４０μｍがより好ましい。例えば、Ｋａｐｔｏｎ  １５０ＥＮ（東レ・デュポン製）、Ｕｐｉｌｅｘ  ３５Ｓ（宇部興産製）等が好適である。
【００２６】
上記ニッケルクロム合金層の合金組成及び厚みとしては、特に限定されるものではないが、ポリイミドフィルムとの密着性、回路間の絶縁信頼性、及び各種特性の長期安定性とともに、銅導体層とエッチング性が類似であれば経済的にエッチングすることができることを考慮すると、合金層中のクロム濃度は５〜３０重量％、合金層の厚さは５〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００２７】
上記２層めっき基板としては、ポリイミドフィルム上に、スパッタリング法によりニッケルクロム合金層と銅被膜を形成した後に、銅めっき導体層を形成したものが好ましい。すなわち、スパッタリングによってニッケルクロム合金層を形成した後、電気めっきを施す前に、スパッタリング層の導電性を確保するために引き続きスパッタリングによって銅被膜を形成することができる。この銅被膜は、電気めっきによる析出を均一かつ円滑に行うべく、シード層に導電性を付与するために形成されるものであり、その厚みとしては、５０〜５００ｎｍが好ましい。すなわち、厚みが５０ｎｍ未満では、十分な導電性が得られず、その後の電気めっきによる銅の析出均一性に悪影響を及ぼす可能性がある。一方、厚みが５００ｎｍを超えると、導電性を付与する点では好都合であるが、スパッタリングによるポリイミドフィルムへの熱履歴強度が高まることによる基板の寸法変化、変形等の影響によって、ＣＯＦ等の得られる製品への悪影響が懸念される。
【００２８】
また、銅被膜と銅めっき導体層を含めた銅導体層の厚みとしては、回路の導電性、エッチング性等を考慮すると１００ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましい。すなわち、厚みが１００ｎｍ未満では、後工程のレジストの開口部にめっきによって形成される回路部の厚みにばらつきが発生しやすくなり、さらに後工程であるＩＬＢ又はＯＬＢ工程でボンディング不良を生じさせる可能性がある。一方、厚みが２０００ｎｍを超えると、導電性という点では好都合であるが、銅めっき導体層のエッチング除去の際にエッチング処理強度を強化する必要が生じ、このため回路断面形状の矩形を維持することが難しくなる可能性がある。
【００２９】
以下に、本発明の方法に用いるセミアディティブ法による回路形成法について、説明する。上記回路形成法としては、銅めっき導体層で被覆された絶縁体基板の表面の一部にめっきレジスト層を形成する工程、該レジストの開口部に露出された銅めっき導体層上にめっき法によって銅を厚付けし回路部を形成する工程、該回路部の銅の表面に有機保護膜を形成する工程、該めっきレジスト層を除去する工程、それによって露出した銅めっき導体層をエッチング除去する工程を含む回路形成法であるが、例えば、各工程は以下のように行なわれる。
【００３０】
上記めっきレジスト層を形成する工程では、銅導体膜表面に感光性樹脂層を形成し、所望の形状のマスクを透過させた紫外線によって感光性樹脂層の一部を重合させ、その後弱アルカリ性溶液等を用い、未感光部分を溶解除去し、残存した樹脂部をベーキングによって硬化させ、めっきレジストを得る。ここで、レジスト層の厚さとしては、所望の回路厚を得るために必要な厚さであればよく、例えば、導体層の厚さを１μｍ、及び回路の総厚を８μｍとする場合は、レジストの厚さを７μｍ以上にすればよい。ここで、上記感光性樹脂層としては、特に限定されるものではなく、液状タイプ、フィルムタイプ等から選択される。
【００３１】
上記レジストの開口部に銅を厚付けし回路部を形成する工程では、一般的な硫酸銅浴を用いる銅めっき法で行なわれる。
上記回路部の銅の表面に有機保護膜を形成する工程では、例えばアルキルイミダゾール膜を用いる場合には、アルキルイミダゾールを含有した溶液で銅表面を処理することによって銅表面にのみアルキルイミダゾールを吸着させ、その後、必要に応じて熱処理によって膜としての強度を強化する方法で行なわれる。
【００３２】
上記めっきレジスト層を除去する工程では、一般には強アルカリ溶液によって溶解、又は膨潤剥離することによって行われる。
上記露出した銅めっき導体層をエッチング除去する工程では、前述のようにアルカリ性溶液を用いれば良く、例えばアンモニア性溶液によってエッチング除去できる。
【００３３】
その後、銅導体層のエッチング除去処理後に、ポリイミドフィルム表面にニッケルクロム合金層が残留する場合は、銅存在下においてニッケルクロム合金層を選択的に溶解できる溶液を用いて処理される。また、必要であれば有機保護膜を剥離除去すればよく、アルキルイミダゾール膜であれば、希硫酸溶液を用いれば銅をほとんど溶解せずに剥離除去できる。
【実施例】
【００３４】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で用いためっき液の分析は、ＩＣＰ発光分析法で行った。
【００３５】
（実施例１）
本発明のセミアディティブ法に基づく回路形成法を図１の工程に従って説明する。図１に本発明の回路形成法の工程（１）〜（８）を示す。
図１の工程（１）において、ポリイミドフィルム１としてＫａｐｔｏｎ  １５０ＥＮ（東レ・デュポン製）を用い、真空度０．０１〜０．１Ｐａに保持されたチャンバー内で１５０℃で１分間の加熱処理を行った。引き続き、クロムを２０重量％含有するニッケルクロム合金ターゲット及び銅ターゲットを用い、スパッタリングにより、ポリイミドフィルム表面に厚さ２０ｎｍのニッケルクロム合金層２と厚さ１００ｎｍの銅被膜３を形成した。その後、銅被膜３の表面に硫酸を１８０ｇ／Ｌ、硫酸銅を８０ｇ／Ｌ、塩素イオンを５０ｍｇ／Ｌ、及びめっき表面を平滑にする作用を有した有機添加剤を含有しためっき液を用い、電気めっき法によって厚さ１μｍの銅めっき導体層４を形成することによって、銅導体層で被覆された銅被覆ポリイミド基板を得た。
【００３６】
工程（２）において、前記銅被覆ポリイミド基板の銅表面に東京応化工業社製アルカリ現像型フォトレジストＰＭＥＲを塗布し、プリベーキングした後、厚さ８μｍのレジスト層を形成した。その後、インナーリード部において１５μｍピッチとなるような紫外線照射用マスクを介してレジスト層に紫外線を照射し、次にアルカリ性溶液を用い紫外線未照射部を溶解除去した後、ポストベーキングを行いめっきレジスト層５を形成した。
【００３７】
工程（３）において、工程（２）によって形成されたレジスト開口部に露出された銅めっき導体層４の表面に対し、上記めっき液を用いて厚さ８μｍで銅を厚付けし、回路部６を形成した。
工程（４）において、アルキルイミダゾールを含有した四国化成社製グリコートＴを用い、３０℃で２０秒間銅めっき表面を処理した後、８０℃で１０分間乾燥することによって回路部６の表面にアルキルイミダゾール膜７を形成した。
工程（５）において、水酸化ナトリウム水溶液を使用して、前記めっきレジスト層５を溶解除去した。
【００３８】
工程（６）において、工程（５）により露出された銅めっき導体層４を、塩化第２銅を１００ｇ／Ｌ、塩化アンモニウムを１００ｇ／Ｌ、２９％アンモニア水を４００ｍＬ／Ｌ、炭酸アンモニウムを１０ｇ／Ｌ含有する溶液を用い、２５℃で１分間処理することによって銅めっき層４及び銅被膜３をエッチング除去した。
工程（７）において、奥野製薬社製トップリップＢＴを使用し、２５℃で２分間処理することによって回路間に残存するニッケルクロム合金スパッタ層２を除去した。
工程（８）において、アルキルイミダゾール膜７をエッチング除去して、回路が形成された基板を得た。
【００３９】
以上の工程によってインナーリードピッチ１５μｍの回路を形成した。得られた回路のインナーリード部の断面を測長した結果、高さが８μｍ、上底が１２μｍ、及び下底が１２μｍの矩形形状であった。また、回路間の絶縁を確保することができた。
【００４０】
（比較例１）
図１に示す工程（４）のアルキルイミダゾール膜の形成を省略したこと以外は、実施例１と同様に行ない、インナーリード部１５μｍピッチの回路を形成した。得られた回路のインナーリード部の断面を測長した結果、高さが７μｍ、上底が７μｍ、及び下底が１２μｍの蒲鉾形状であり、これは実施例１で得られた回路と比較して導電性に劣る。
【００４１】
以上より、実施例１では、セミアディティブ法による回路形成法において、有機保護膜としてアルキルイミダゾール膜を形成し、本発明の方法に従って行なわれたので、回路部の矩形形状が保持され、かつ回路間の絶縁を確保することができることが分かる。これに対して、比較例１では、有機保護膜の形成が行なわれなかったので、回路部の矩形形状が保持されない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上述べたように、本発明の方法によって得られる回路部を有するＣＯＦ等の半導体パッケージは、セミアディティブ法が本来有する長所である矩形の断面形状を有する回路が得られるため、ファインピッチ化及び高密度実装に十分貢献できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の回路形成法の工程を説明する図である。（実施例１）
【符号の説明】
【００４４】
１    ポリイミドフィルム
２    ニッケルクロム合金層
３    銅被膜
４    銅めっき導体層
５    めっきレジスト層
６    回路部
７    アルキルイミダゾール膜
【図１】
2007173676.tif 000002