(57)【要約】【課題】  実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】  主面上に複数の接続電極（パッド）３を有する複数の半導体チップ１、２と、内側に半導体チップ１の接続電極３と接する内部接続端子５及び外側に外部接続端子を有するソケット４と、ソケット４が取付けられた実装基板とを備えている。チップ同士は接着剤で接合する。半導体チップ裏面に放熱板を貼り付け、放熱板と共に半導体チップをソケットに出し入れすることができる。放熱板により放熱性を高く維持できる。【選択図】  図１
2007109932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に複数の接続電極を有する複数の半導体チップと、
内側に前記半導体チップの前記接続電極と接する内部接続端子及び外側に外部接続端子を有するソケットと、
前記ソケットが取付けられた実装基板とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の半導体チップは、前記ソケットに挿入する前に貼合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
主面上に複数の接続電極を有する少なくとも１つの半導体チップと、
前記半導体チップ裏面に貼付けられた放熱板と、
内側に前記半導体チップの前記接続電極と接する内部接続端子及び外側に外部接続端子を有するソケットと、
前記ソケットが取付けられた実装基板とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記ソケットに挿入する前に前記放熱板の片面もしくは両面に少なくとも１つ貼合わされることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの主面もしくは主面及び裏面は、前記接続電極が形成されている領域を除いて絶縁膜により被覆保護されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージングされていない半導体チップがソケットを介して実装基板に実装された半導体装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の実装基板への実装方法は、主としてパッケージングされた半導体チップをハンダにより実装基板に接合する、パソコンのＣＰＵのように、パッケージングされた半導体チップをソケットに挿入して実装基板に実装する、半導体チップをバンプ等を介して実装するなどの方法が知られている。これらの方法は、いずれも実装基板に対して平行に実装している。
しかしながら、これらの方法では、実装基板の面積は、半導体チップの主面の面積に依存し、且つその制限を受けることになる。また、ハンダによる実装の場合は、半導体チップに問題が生じても、これを実装基板から剥離したり再実装する場合に手間が掛かり、コストが上がるという問題があった。
【０００３】
従来技術が記載された特許文献１には、ベアチップ状態の半導体ペレットの一辺にコンタクト部が形成され、チップとの接続端子を内部に外部接続端子を外部に備えるソケットに半導体ペレットを実装し、半導体ペレットの金属膜がソケットの接続端子に機械的に接続され、ソケットへの半導体ペレットの挿入及び抜き取りが容易であり、複数の半導体ペレットが平行して実装することが可能な半導体装置が開示されている。しかし、この技術では、半導体チップは、実装基板に垂直に配置されるので、半導体チップを実装基板に寝かせて配置する従来の方法より半導体チップから発生する熱が実装基板を伝わって逃げることが少なく、放熱性に問題がある。
【特許文献１】特開平１１−６７９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、放熱性を損なわずに実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換が容易な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置の一態様は、主面上に複数の接続電極を有する複数の半導体チップと、内側に前記半導体チップの前記接続電極と接する内部接続端子及び外側に外部接続端子を有するソケットと、前記ソケットが取付けられた実装基板とを備えていることを特徴としている。
また、本発明の半導体装置の一態様は、主面上に複数の接続電極を有する少なくとも１つの半導体チップと、前記半導体チップ裏面に貼付けられた放熱板と、内側に前記半導体チップの前記接続電極と接する内部接続端子及び外側に外部接続端子を有するソケットと、前記ソケットが取付けられた実装基板とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換が容易な半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【０００８】
図１乃至図４を参照して実施例１を説明する。
図１は、本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図、図２は、半導体チップ主面の接続電極（以下、パッドという）の配置を説明する平面図、図３は、半導体チップのパッド構造を説明する断面図及び図４は、ソケットを実装基板に搭載した状態の実装基板の斜視図である。この実施例では、２枚の半導体チップを貼り合せ、１つのソケットに挿入する例を説明する。
この実施例で用いられる半導体チップは、第１の半導体チップ１（チップＡ）及び第２の半導体チップ２（チップＢ）である。第１の半導体チップ１には内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッド３に電気的に接続されている。一方、第２の半導体チップ２には内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド（図示しない）を介して隣の半導体チップ１の半導体集積回路に電気的に接続されている。
【０００９】
図２及び図３は、半導体チップ１に形成されたパッド３の構造を説明している。半導体チップ１主面には、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とするパッド３が配置密度を高めるために千鳥状に形成されている（図２）。そして、パッド３表面は、酸化を防ぐために金メッキ６が施されている。さらに、パッド３が形成されている領域以外の主面及び裏面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜７により被覆保護されている。
図１に示すように、第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ２をエポキシ樹脂などの接着剤で貼合わせる（図１（ａ））。第２の半導体チップ２に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド（図示しない）を介して隣の半導体チップ１に形成された半導体集積回路に電気的に接続されている。パッド３は、第１の半導体チップ１の主面に形成されている。ソケット４は、一面に開口部を有する筐体からなり、筐体内部には複数の内部接続端子５が設けられている。
【００１０】
筐体外部には外部接続端子（図示しない）が形成され、外部接続端子は、内部接続端子５に内部配線を介して電気的に接続され、且つソケット４が実装基板に取り付けられるときに実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。図１（ｂ）に示すように、ソケット４の筐体内部に貼合わせた第１及び第２の半導体チップ１、２が挿入される。挿入する際には図の位置を１８０度反転させて、パッド３が内部接続端子５に対向するように挿入し、パッド３と内部接続端子５とを電気的に接続する。図４に示すように、ソケット４は、実装基板１０に取り付けられる。その時、ソケット４は、実装基板１０の配線（図示しない）に接続される接続電極（図示しない）に電気的に接続される。ソケットは、複数個同じ実装基板に搭載することができる。なお、チップ形状、チップ上のパッド形状、ソケット形状等は、この実施例に限定されるものではない。
【００１１】
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、複数の半導体チップを重ねてソケットに挿入しているので実装効率を高め、実装密度をあげることができる。また、従来インゴットから切り出されたウェーハは、パッケージングするので、ラッピングして厚さを薄くしている。しかし、この実施例ではパッケージングを行わず、絶縁膜で表面保護しているのみであるのでラッピングしないですますことができる。
【実施例２】
【００１２】
次に、図５乃至図７を参照して実施例２を説明する。
図５乃至図７は、この実施例に用いられる半導体装置を構成する半導体チップの組合せ構造を示す断面図である。
この実施例では複数の半導体チップを貼り合せて１つのソケットに挿入するものである。したがって、半導体装置は、複数の半導体チップと、複数の半導体チップを受容する少なくとも１つのソケットと、ソケットを搭載する実装基板とから構成される。
図５で用いられる半導体チップは、第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ２２である。第１の半導体チップ１には内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッド２３に電気的に接続されている。パッド２３は、金メッキあるいはハンダメッキなどのメッキ層２６により保護されている。
【００１３】
一方、第２の半導体チップ２２には内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド２０を介して隣の半導体チップ２１の半導体集積回路に電気的に接続されている。半導体チップ２１主面に形成されたパッド２３は、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために千鳥状に形成されている。さらに、パッド２３が形成されている領域以外の主面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜２７により被覆保護されている。第２の半導体チップ２２の裏面には絶縁膜は施されていない。第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２とはエポキシ樹脂などの接着剤２４により接合され、第１の半導体チップ２１内部の半導体集積回路と第２の半導体チップ２２内部の半導体集積回路とは半導体チップ２１、２２間に介在する複数のチップ接続パッド２０により電気的に接続される。
【００１４】
次に、貼り合わされた第１及び第２の半導体チップ２１、２２は、例えば、図１（ｂ）に示すようなソケット内部に挿入される。挿入する際には第１の半導体チップ２１のパッド２３がソケットの筐体内部に設けられた内部接続端子に対向するように挿入し、パッド２３と内部接続端子とを電気的に接続する。このソケットは、例えば、図４に示すように、実装基板に取り付ける。この時、ソケットは、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケットは複数個同じ実装基板に搭載することができる。
【００１５】
図６で用いられる半導体チップは、第１の半導体チップ２１及び第２の半導体チップ２２である。第１の半導体チップ２１内部に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッド２３に電気的に接続されている。パッド２３は、金メッキあるいはハンダメッキなどのメッキ層２６により保護されている。一方、第２の半導体チップ２２内部に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド２０を介して隣の第１の半導体チップ２１の半導体集積回路に電気的に接続されている。この実施例では、第２の半導体チップ２２主面の表面に複数のパッド２３ａが形成され、これが第２の半導体チップ２２内部の半導体集積回路に電気的に接続されている。第１及び第２の半導体チップ２１、２２主面に形成されたパッド２３、２３ａは、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために千鳥状に形成されている。さらに、パッド２３、２３ａが形成されている領域以外の第１及び第２の半導体チップ２１、２２主面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜２７、２７ａにより被覆保護されている。第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２とはエポキシ樹脂などの接着剤２４により接合されている。
【００１６】
次に、貼り合わされた第１及び第２の半導体チップ２１、２２は、例えば、図１（ｂ）に示すようなソケット内部に挿入される。挿入する際には半導体チップ２１、２２のパッド２３、２３ａがソケットの筐体内部に設けられた内部接続端子に対向するように挿入し、パッド２３、２３ａと内部接続端子とを電気的に接続する。このソケットは、例えば、図４に示すように、実装基板に取り付ける。この時、ソケットは、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケットは複数個同じ実装基板に搭載することができる。
【００１７】
図７で用いられる半導体チップは、第１の半導体チップ２１、第２の半導体チップ２２及び第３の半導体チップ２５である。第１の半導体チップ１内部に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッド２３に電気的に接続されている。パッド２３は、金メッキあるいはハンダメッキなどのメッキ層２６により保護されている。第２の半導体チップ２２内部に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド２０を介して隣の第１の半導体チップ２１の半導体集積回路に電気的に接続されている。さらに、第３の半導体チップ２５内部に形成された半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）及びこの配線層に接続されたチップ接続パッド２０ａを介して隣の第２の半導体チップ２２の半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００１８】
この実施例では、第３の半導体チップ２５主面の表面に複数のパッド２３ａが形成され、これが第３の半導体チップ２５内部の半導体集積回路に電気的に接続されている。第１及び第３の半導体チップ２１、２５主面に形成されたパッド２３、２３ａは、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために千鳥状に形成されている。さらに、パッド２３、２３ａが形成されている領域以外の第１及び第３の半導体チップ２１、２５主面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜２７、２７ａにより被覆保護されている。第１の半導体チップ２１と第２の半導体チップ２２とはエポキシ樹脂などの接着剤２４により接合されている。第２の半導体チップ２２と第３の半導体チップ２５とはエポキシ樹脂などの接着剤２４ａにより接合されている。
【００１９】
次に、貼り合わされた第１、第２及び第３の半導体チップ２１、２２、２５は、例えば、図１（ｂ）に示すようなソケット内部に挿入される。挿入する際には第１の半導体チップ２１、２５のパッド２３、２３ａがソケットの筐体内部に設けられた内部接続端子に対向するように挿入し、パッド２３、２３ａと内部接続端子とを電気的に接続する。このソケットは、例えば、図４に示すように、実装基板に取り付ける。この時、ソケットは、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケットは複数個同じ実装基板に搭載することができる。
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、複数の半導体チップを重ねてソケットに挿入しているので実装効率を高め、実装密度をあげることができる。また、従来インゴットから切り出されたウェーハは、パッケージングするので、ラッピングして厚さを薄くしている。しかし、この実施例ではパッケージングを行わず、絶縁膜で表面保護しているのみであるのでラッピングしないですますことができる。
【実施例３】
【００２０】
図８を参照して実施例３を説明する。
図８は、本発明の一実施例である実施例３に係る半導体装置における放熱板を有する半導体チップをソケットに挿入する工程を説明する斜視図である。
この実施例で用いられる半導体チップ３１は、一枚である。半導体チップ３１には内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッド３３に電気的に接続されている。一方、半導体チップ３１の裏面には放熱板３２が接合されている。
パッド３３は、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために、例えば、半導体チップ３１主面に千鳥状に形成されている。そして、パッド３３表面は、酸化を防ぐために金メッキが施されている。さらに、パッド３３が形成されている領域以外の主面及び裏面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜により被覆保護されている。
【００２１】
半導体チップ３１及び放熱板３２をエポキシ樹脂などの接着剤で貼合わせる。ソケット３４は、一面に開口部を有する筐体からなり、筐体内部には複数の内部接続端子３５が設けられている。筐体外部には外部接続端子（図示しない）が形成され、外部接続端子は、内部接続端子３５に内部配線を介して電気的に接続され、且つソケット３４が実装基板に取り付けられるときに実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケット３４の筐体内部に貼合わせた半導体チップ３１及び放熱板３２が挿入される。ソケット３４は、実装基板に取り付けられる時、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される（図４参照）。ソケットは、複数個同じ実装基板に搭載することができる。
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、放熱板を半導体チップと共に１つのソケットに挿入しているので放熱特性を維持しながら実装効率を高めることができる。
【００２２】
また、放熱板には、アルミニウム、銅などの熱伝導性の高い金属及びアルミナなどの熱伝導性の高いセラミックスを用いることができる。このような放熱板を用いることにより、放熱効果を上げ、さらに半導体チップの抜き差し時の強度を上げることが可能になる。なお、チップ形状、チップ上のパッド形状、ソケット形状及び放熱板形状ならびに材質は、実施例に限定されるものではない。
実施例１、２ではラッピングを不要にすることができるが、この実施例では放熱板を用いることにより半導体チップの強度を上げることができるので、薄いウェーハを用いても半導体チップのソケットからの出し入れを容易にすることができる。
【実施例４】
【００２３】
図９を参照して実施例４を説明する。
図９は、本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置における放熱板を有する半導体チップをソケットに挿入する工程を説明する斜視図である。
この実施例では１枚の放熱板と４枚の半導体チップを用いる。アルミニウムなどの放熱板４２の一面には第１及び第２の半導体チップ４１、４６が貼り付けられ、他面には第３の半導体チップ４７及び第４の半導体チップ（図示しない）が貼り付けられている。半導体チップには内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッドに電気的に接続されている。この実施例では半導体チップ４１、４６にパッド４３、４３ａが設けられており、第３の半導体チップ４７及び第４の半導体チップにはソケット内で電気的な接続を行うパッドは設けられていない。
【００２４】
パッド４３は、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために、例えば、半導体チップ４１、４６主面に千鳥状に形成されている。そして、パッド４３、４３ａ表面は、酸化を防ぐために金メッキが施されている。さらに、パッドが形成されている領域以外の主面及び裏面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜により被覆保護されている。
半導体チップ４１、４６、４７及び放熱板４２は、エポキシ樹脂などの接着剤で貼合わされる。ソケット４４は、一面に開口部を有する筐体からなり、筐体内部には複数の内部接続端子４５が設けられている。筐体外部には外部接続端子（図示しない）が形成され、外部接続端子は、内部接続端子４５に内部配線を介して電気的に接続され、且つソケット４４が実装基板に取り付けられるときに実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケット４４の筐体内部に貼合わせた半導体チップ４１、４６、４７及び放熱板４２が挿入される。ソケット４４は、実装基板に取り付けられる時、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される（図４参照）。ソケットは、複数個を同じ実装基板に搭載することができる。
【００２５】
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、放熱板を複数の半導体チップと共に１つのソケットに挿入しているので放熱特性を維持しながら実装効率を高めることができる。
また、放熱板には、アルミニウム、銅などの熱伝導性の高い金属及びアルミナなどの熱伝導性の高いセラミックスを用いることができる。この放熱板を用いることにより、放熱効果を上げ、さらに半導体チップの抜き差し時の強度を上げることが可能になる。なお、チップ形状、チップ上のパッド形状、ソケット形状及び放熱板形状ならびに材質は、実施例に限定されるものではない。
【実施例５】
【００２６】
図１０を参照して実施例５を説明する。
図１０は、本発明の一実施例である実施例５に係る半導体装置における放熱板を有する半導体チップをソケットに挿入する工程を説明する斜視図である。
この実施例では１枚の放熱板と４枚の半導体チップを用いる。アルミニウムなどの放熱板５２の一面には第１及び第２の半導体チップ５１、５６が貼り付けられ、他面には第３の半導体チップ５７及び第４の半導体チップ（図示しない）が貼り付けられている。半導体チップには内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッドに電気的に接続されている。この実施例では半導体チップ５１、５６にパッド５３、５３ａが設けられており、第３の半導体チップ５７及び第４の半導体チップにはソケット内で電気的な接続を行うパッドは設けられていない。
【００２７】
この実施例の構造は、図９のものと同じであるが、半導体チップのパッド５３、５３ａを除いて４つの半導体チップ５１、５６、５７の表面がポッティング樹脂５８で被覆されていることに特徴がある。これにより半導体チップ表面の保護及び強度の向上を図ることが出来る。
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、放熱板を複数の半導体チップと共に１つのソケットに挿入しているので放熱特性を維持しながら実装効率を高めることができる。
また、放熱板には、アルミニウム、銅などの熱伝導性の高い金属及びアルミナなどの熱伝導性の高いセラミックスを用いることができる。この放熱板を用いることにより、放熱効果を上げ、さらに半導体チップの抜き差し時の強度を上げることが可能になる。なお、チップ形状、チップ上のパッド形状、ソケット形状及び放熱板形状ならびに材質は、実施例に限定されるものではない。
【実施例６】
【００２８】
図１１及び図１２を参照して実施例６を説明する。
図１１は、本発明の一実施例である実施例６に係る半導体装置における放熱板を有する半導体チップをソケットに挿入する工程を説明する斜視図、図１２は、この実施例の変形例を示す断面図である。
この実施例では１枚の放熱板と４枚の半導体チップを用いる。アルミニウムなどの放熱板６２の一面には第１乃至第４の半導体チップ６１、６６、６７、６８が貼り付けられている。半導体チップには内部に半導体集積回路（図示しない）が形成され、半導体集積回路は、表面の配線層（図示しない）を介して表面の複数のパッドに電気的に接続されている。この実施例では全ての半導体チップ６１、６６、６７、６８にパッド６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃが設けられている。パッド６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃは、アルミニウム、銅もしくはそれらの合金を材料とし、配置密度を高めるために、半導体チップ６１、６６、６７、６８主面に、例えば、千鳥状に形成されている。そして、パッド６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ表面は、酸化を防ぐために金メッキが施されている。さらに、パッドが形成されている領域以外の主面及び裏面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜により被覆保護されている。
【００２９】
半導体チップ６１、６６、６７及び６８は、放熱板６２の一面にエポキシ樹脂などの接着剤で貼合わされる。ソケット６４は、一面に開口部を有する筐体からなり、筐体内部には複数の内部接続端子６５が設けられている。筐体外部には外部接続端子（図示しない）が形成され、外部接続端子は、内部接続端子６５に内部配線を介して電気的に接続され、且つソケット６４が実装基板に取り付けられるときに実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される。ソケット６４の筐体内部に貼合わせた半導体チップ６１、６６、６７、６８及び放熱板６２が挿入される。ソケット６４は、実装基板に取り付けられる時、実装基板の配線に接続される接続電極に電気的に接続される（図４参照）。ソケットは、複数個を同じ実装基板に搭載することができる。
【００３０】
以上、この実施例では実装基板に立置きしているので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換を容易にすることができる。また、放熱板を複数の半導体チップと共に１つのソケットに挿入しているので放熱特性を維持しながら実装効率を高めることができる。放熱板には、アルミニウム、銅などの熱伝導性の高い金属及びアルミナなどの熱伝導性の高いセラミックスを用いることができる。この放熱板を用いることにより、放熱効果を上げ、さらに半導体チップの抜き差し時の強度を上げることが可能になる。なお、チップ形状、チップ上のパッド形状、ソケット形状及び放熱板形状ならびに材質は、実施例に限定されるものではない。
この実施例では、チップ形状が長方形である。このようにチップの形状を長方形にすることで、パッドの本数を確保すること及びチップの抜き差しを容易化することが図れる。
【００３１】
次に、図１２を参照して半導体チップを実装基板に立て置きして搭載する例を説明する。実装基板７０には、アルミニウムもしくは銅あるいはこれらの合金などからなる接続電極（パッド）７２が形成され、これは実装基板７０の表面もしくは内部の配線パターン（図示しない）に電気的に接続されている。このパッド７２に近接して溝７４が設けられている。この実装基板７０のパッド７２及び溝７４がソケットの機能を有する。溝７４に挿入される半導体チップ７１には、パッド７３が、例えば、千鳥状に複数形成され、その上にハンダバンプ７５が形成されている。さらに、パッド７３が形成されている領域以外の主面及び裏面は、例えば、ポリイミドなどの絶縁膜７７、７７ａにより被覆保護されている。この半導体チップ７１が挿入されたときに、半導体チップ７１のパッド７３と実装基板７０のパッド７２は、ハンダバンプ７５により電気的に接続される。溝は実装基板に複数形成することができる。
【００３２】
以上、この実施例では立て置きがなされるので、実装基板の面積を縮小することができ、且つ半導体チップの交換が容易な半導体装置が得られる。また、ソケットが実装基板に一体化されているので構造が簡略化される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置を製造する工程を説明する斜視図。
【図２】図１の半導体チップ主面のパッドの配置を説明する平面図。
【図３】図１の半導体チップのパッド構造を説明する断面図。
【図４】図１のソケットを実装基板に搭載した状態の実装基板の断面図。
【図５】本発明の一実施例である実施例２の半導体装置を構成する半導体チップの組合せ構造を示す断面図。
【図６】本発明の一実施例である実施例２の半導体装置を構成する半導体チップの組合せ構造を示す断面図。
【図７】本発明の一実施例である実施例２の半導体装置を構成する半導体チップの組合せ構造を示す断面図。
【図８】本発明の一実施例である実施例３に係る半導体装置の放熱板を備えた半導体チップ及びソケットを示す斜視図。
【図９】本発明の一実施例である実施例４に係る半導体装置の放熱板を備えた半導体チップ及びソケットを示す斜視図。
【図１０】本発明の一実施例である実施例５に係る半導体装置の放熱板を備えた半導体チップ及びソケットを示す斜視図。
【図１１】本発明の一実施例である実施例６に係る半導体装置の放熱板を備えた半導体チップ及びソケットを示す斜視図。
【図１２】本発明の一実施例である実施例６に係る半導体装置の変形例を示す断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１、２、２１、２２、２５、３１、４１、４６、４７、５１、５６、５７、６１、６６、６７、６８、７１・・・半導体チップ
３、２３、２３ａ、３３、４３、４３ａ、５３、５３ａ、６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、７３・・・パッド（接続電極）
４、３４、４４，５４、６４・・・ソケット
５、３５、４５，５５、６５・・・ソケットの内部接続端子
６、２６、２６ａ・・・金メッキ層
７、７ａ、２７、２７ａ、７７、７７ａ・・・絶縁膜
８・・・外部接続端子    ９・・・ハンダ層    １０、７０・・・実装基板
２０、２０ａ・・・チップ接続パッド    ２４、２４ａ・・・接着剤
３２、４２，５２・・・放熱板    ５８・・・ポッティング樹脂
７２・・・実装基板のパッド（接続電極）    ７４・・・実装基板の溝
７５・・・ハンダバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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