(57)【要約】【課題】ボロンにより汚染されることのないようにシリコン原料を溶解鋳造して高純度シリコンインゴットを製造するためのるつぼを提供する。【解決手段】るつぼの内面に、溶融シリカ粉末がシリカによって結合された内層を形成した構造を有するシリコン原料を溶解し鋳造してシリコンインゴットを製造するためのるつぼにおいて前記内層は元素周期表における６ａ族元素を含む高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ、並びにこのるつぼを用いた高純度シリコンインゴットを製造する方法およびこの方法により得られた高純度シリコンインゴット。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
るつぼの内面に溶融シリカ粉末がシリカによって結合された内層を形成した構造を有するシリコン原料を溶解し鋳造してシリコンインゴットを製造するためのるつぼにおいて、前記内層は元素周期表における６ａ族元素を含むことを特徴とする高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ。
【請求項２】
前記シリコン溶解鋳造用るつぼの内面に形成された内層に含まれる元素周期表における６ａ族元素の量は、原子比で前記内層に含まれるボロン含有量と同量以上、内層を構成するシリカに対し０．１原子％以下の範囲内で含まれることを特徴とする請求項１記載の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ。
【請求項３】
前記元素周期表における６ａ族元素は、Ｍｏ、ＷおよびＣｒの内のいずれかの元素であることを特徴とする請求項１または２記載の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ。
【請求項４】
シリコン原料を請求項１、２または３記載の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼを用いて溶解し鋳造することを特徴とする高純度シリコンインゴットの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法で製造した高純度シリコンインゴット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は高純度シリコン溶解鋳造用るつぼに関するものであり、さらにこの発明はシリコン原料を前記高純度シリコン溶解鋳造用るつぼを溶解し鋳造して高純度シリコンインゴットを製造する方法に関するものであり、さらにこの発明は前記方法で製造した高純度シリコンインゴットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン原料を溶解し鋳造してシリコンインゴットを製造するためのるつぼの一つとして、石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼの内側に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂をシリカで結合してなる内層が被覆された構造を有するシリコンインゴット鋳造用るつぼが知られている。この微細溶融シリカ砂をシリカで結合してなる内層は、るつぼの内壁から剥離しやすいところから、シリコン原料をるつぼ内で溶解し凝固させてシリコンインゴットを作製する際に、シリコン溶湯が凝固時に収縮しシリコンインゴットの外周がるつぼ内壁面に引っ張られる現象が発生しても、前記内層はるつぼ内面から剥離し、それによってシリコンインゴットに内部応力が残留せず、従って、シリコンインゴット製造時の内部応力割れが発生することはないので歩留まりが向上し、さらにこの内部応力残留の少ない径の大きな優れたシリコンインゴットを作製することができるとされている。
【０００３】
そして、この石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼの内側に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂をシリカで結合してなる内層が被覆された構造を有するシリコン溶解鋳造用るつぼは、コロイダルシリカに０．２〜４．０μｍの超微細な溶融シリカ粉末を混合して得られたスラリーをるつぼの内側に塗布または吹き付けてスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し、このスタッコ層の上にさらに前記スラリーを塗布または吹き付けて最表面スラリー層を形成し、ついで、乾燥し焼成することにより製造することも知られている。そして、このスラリー層の表面に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作は複数回繰り返し施してもよいとされている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２４４９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記溶融シリカ砂をシリカで結合してなる内層を石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼの内側に形成した従来のシリコン溶解鋳造用るつぼは、シリカおよび溶融シリカ砂に０．２ｐｐｍ程度の微量のボロンが不可避不純物として含まれているために、この従来の内層を有する石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼを用いてシリコン原料を溶解し鋳造してシリコンインゴットを製造すると、内層のシリカおよび溶融シリカ砂に含まれるボロンが溶解中にシリコンに混入し、そのためボロンドープ量の少ない高抵抗の高純度シリコンインゴットを作製することは難しかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明者らは、前記シリカおよび溶融シリカ砂を主体とした内層を石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼの内側に形成したるつぼを用いてボロンドープ量の少ないシリコンインゴットを製造すべく研究を行なった結果、
（ａ）石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼの内側に、微細溶融シリカ砂をシリカで結合してなりかつ元素周期表における６ａ族元素（以下、６ａ族元素と記す）を含有する内層を形成したるつぼを作製し、このるつぼにシリコン原料を充填し溶解し鋳造して得られたシリコンインゴットは、Ｓｉとボロンの結合よりもＭｏ、Ｗ、Ｃｒなどの６ａ族元素とボロンの結合の方がより強いところから、るつぼの焼成中に前記内層のシリカおよび微細溶融シリカ砂に不可避不純物として含まれるボロンを６ａ族元素が硼化物として固定し、内層に含まれるボロンが溶解中にシリコンに混入することがない、
（ｂ）前記ボロンは主として６ａ族元素とＭｏＢ、ＷＢ、ＣｒＢの形の硼化物として固定されると考えられるので、内層のシリカおよび微細溶融シリカ砂に不可避不純物として含まれるボロンをあらかじめ原子％で測定しておき、その測定値（原子％）と同量の６ａ族元素を含有させる必要があるが、内層に６ａ族元素が多く入りすぎると６ａ族元素そのものがコンタミになる可能性があるところから、その上限は、内層を構成するシリカに対し０．１％であることが好ましい、などの研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、係る研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）るつぼの内面に、溶融シリカ粉末がシリカによって結合された内層を形成した構造を有するシリコン原料を溶解し鋳造してシリコンインゴットを製造するためのるつぼにおいて、前記内層は元素周期表における６ａ族元素を含む高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ、
（２）前記シリコン溶解鋳造用るつぼの内面に形成された内層に含まれる元素周期表における６ａ族元素の量は、原子比で前記内層に含まれるボロン含有量と同量以上、内層を構成するシリカに対し０．１原子％以下となるように含まれる前記（１）記載の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼ、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼの製造方法を以下に説明する。まず、石英ガラス又は黒鉛からなるるつぼを用意する。このるつぼの内側に、コロイダルシリカに０．２〜４．０μｍの超微細な溶融シリカ粉末および水溶性の６ａ族元素塩（例えば、モリブデン酸Ｈ２ＭｏＯ４、タングステン酸Ｈ２ＷＯ４、クロム酸Ｈ２ＣｒＯ４）を混合した６ａ族元素塩含有スラリーを作製し、この６ａ族元素塩含有スラリーをるつぼの内側に塗布または吹き付けて６ａ族元素塩含有スラリー層を形成し、さらに、この６ａ族元素塩含有スラリー層の表面に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂粉末を散布してスタッコ層を形成し、このスタッコ層の上にさらに前記６ａ族元素塩含有スラリーを塗布または吹き付けて最表面スラリー層を形成する。このるつぼ内側に形成した６ａ族元素塩含有スラリー層およびスタッコ層を形成したるつぼを乾燥し焼成することによりこの発明の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼを製造することができる。そして、６ａ族元素塩含有スラリー層の表面に５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂粉末を散布してスタッコ層を形成する操作は複数回繰り返し行ってもよい。
スラリーに含まれる水溶性の６ａ族元素塩の添加量は６ａ族元素換算で内層に含まれるボロン含有量の同量以上、内層を構成するシリカの０．１原子％以下となるように添加する。
【０００８】
このようにして得られたこの発明の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼを用いてシリコン原料を溶解し鋳造すると、ボロン混入量の少ない高純度シリコンインゴットを製造することができる。したがって、この発明は、
（４）シリコン原料を前記（１）〜（３）記載の高純度シリコン溶解鋳造用るつぼを用いて溶解し鋳造する高純度シリコンインゴットの製造方法。
（５）前記（４）記載の方法で製造した高純度シリコンインゴット、に特徴を有するものである。
【発明の効果】
【０００９】
従来の内層を有するシリコン溶解鋳造用るつぼに比べて、ボロン混入量の少ない高純度シリコンインゴットを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
内径：１７０ｍｍ、外径：１９０ｍｍ、深さ：１５０ｍｍの寸法を有する石英ガラスるつぼを用意した。
さらに、市販の平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末および平均粒径：１５０μｍの微細溶融シリカ砂を用意した。前記超微粉シリカ粉末および微細溶融シリカ砂に含まれるボロン含有量を測定した結果、超微粉シリカ粉末に含まれるボロン含有量は０．２３ｐｐｍであり、また微細溶融シリカ砂に含まれるボロン含有量は０．２１ｐｐｍであった。
さらに、平均粒径：１０ｎｍ以下のシリカ（ボロン含有量は０．２１ｐｐｍ）：３０容量％を含有し、残部：水からなるコロイダルシリカを用意した。
さらに、モリブデン酸水溶液、タングステン酸水溶液、クロム酸水溶液をそれぞれ含む水溶液を用意した。
【００１１】
実施例１
先に用意したコロイダルシリカに対して先に用意したモリブデン酸水溶液を１００ｐｐｍ（ｗｔ換算）添加し溶解することによりモリブデン酸含有コロイダルシリカを作製した。このモリブデン酸含有コロイダルシリカ：３０容量％に対してさらに先に用意した平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末：６０容量％を添加混合しモリブデン酸含有スラリーを作製した。
さらに、先に用意したコロイダルシリカに対して先に用意した平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末：６０容量％を添加混合した通常のスラリーを作製した。
前記モリブデン酸含有スラリーを前記石英ガラスるつぼの内側に塗布してモリブデン酸含有スラリー層を形成し、このモリブデン酸含有スラリー層の表面に先に用意した平均粒径：１５０μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成した。この操作を３回繰り返したのち、最後にモリブデン酸含有スラリー層を形成し、ついで大気雰囲気中、温度：１０００℃で２時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラスるつぼの内側に、合計厚さ：３ｍｍの内層を有する本発明るつぼ１を作製した。この本発明るつぼ１の内層に含まれるＭｏは原子比で内層に含まれるボロンの２倍であり、内層を構成するシリカの０．０００２２原子％であった。
【００１２】
実施例２
先に用意したコロイダルシリカに対して先に用意したタングステン酸水溶液を１００ｐｐｍ（ｗｔ換算）添加し溶解することによりタングステン酸含有コロイダルシリカを作製した。このタングステン酸含有コロイダルシリカ：３０容量％に対してさらに先に用意した平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末：６０容量％を添加混合しタングステン酸含有スラリーを作製した。
前記タングステン酸含有スラリーを前記石英ガラスるつぼの内側に塗布してタングステン酸含有スラリー層を形成し、このタングステン酸含有スラリー層の表面に先に用意した平均粒径：１５０μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成した。この操作を３回繰り返したのち、最後にタングステン酸含有スラリー層を形成し、ついで大気雰囲気中、温度：１０００℃で２時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラスるつぼの内側に、合計厚さ：３ｍｍの内層を有する本発明るつぼ２を作製した。この本発明るつぼ２の内層に含まれるＷは原子比で内層に含まれるボロンの２．４倍であり、内層を構成するシリカの０．０００２３原子％であった。
【００１３】
実施例３
先に用意したコロイダルシリカに対して先に用意したクロム酸水溶液を１００ｐｐｍ（ｗｔ換算）添加し溶解することによりクロム酸含有コロイダルシリカを作製した。このクロム酸含有コロイダルシリカ：３０容量％に対してさらに先に用意した平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末：６０容量％を添加混合しクロム酸含有スラリーを作製した。
前記クロム酸含有スラリーを前記石英ガラスるつぼの内側に塗布してクロム酸含有スラリー層を形成し、このクロム酸含有スラリー層の表面に先に用意した平均粒径：１５０μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成した。この操作を３回繰り返したのち、最後にクロム酸含有スラリー層を形成し、ついで大気雰囲気中、温度：１０００℃で２時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラスるつぼの内側に、合計厚さ：３ｍｍの内層を有する本発明るつぼ３を作製した。この本発明るつぼ３の内層に含まれるＨｆは原子比で内層に含まれるボロンの３倍であり、内層を構成するシリカの０．０００３原子％であった。
【００１４】
従来例
先に用意したコロイダルシリカに対して先に用意した平均粒径：１．０μｍの超微粉シリカ粉末：６０％を添加混合して通常のスラリーを作製し、前記通常のスラリーを前記石英ガラスるつぼの内側に塗布して通常のスラリー層を形成し、この通常のスラリー層の表面に平均粒径：１５０μｍの微細溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し、この操作を３回繰り返したのち、最後に通常のスラリー層を形成し、ついで大気雰囲気中、温度：１０００℃で２時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラスるつぼの内側に、合計厚さ：３ｍｍの内層を有する従来シリコン溶解鋳造用るつぼ（以下、従来るつぼという）を作製した。
【００１５】
このようにして作製した本発明るつぼ１〜３および従来るつぼに、ボロン含有量：０．０１ｐｐｍ未満、抵抗値：２００Ωｍのシリコン原料を装入し、温度：１５００℃で溶解鋳造してシリコンインゴットを作製した。この作製したシリコンインゴットの抵抗値およびシリコンインゴットに含まれるボロン量をＩＣＰ法により測定し、その結果を表１に示した。
【００１６】
【表１】
2007130687.tif 000002
【００１７】
表１に示される結果から、本発明るつぼ１〜３を用いて作製したシリコンインゴットは、従来るつぼを用いて作製したシリコンインゴットに比べてボロン濃度の増加が見られないところから、本発明るつぼ１〜３は、溶解鋳造時のボロンによる汚染が少ないことが分かる。
【００１８】
さらに、溶解鋳造して作製したシリコンインゴットの表面に付着している本発明るつぼ１〜３および従来るつぼの内層に含まれるボロン量をＩＣＰ法により測定し、溶解前後の内層に含まれるボロン量を表２に示した。
【００１９】
【表２】
2007130687.tif 000003
【００２０】
表２に示される結果から、本発明るつぼ１〜３によるシリコン原料溶解鋳造後の本発明るつぼ１〜３の内層に含まれるボロン量は、溶解鋳造前と比較して大きな変化が見られないが、従来るつぼによるシリコン原料溶解鋳造後の従来るつぼの内層に含まれるボロン量は、溶解鋳造前と比較して大きく減少するところから、本発明るつぼ１〜３は従来るつぼに比べてシリコン原料の溶解鋳造時に内層から溶け出すボロン量が極めて少ないことがわかる。