(57)【要約】【課題】高温、高電圧下で、高い比誘電率を有し、静電容量変化率および高温負荷寿命の優れた誘電体磁器組成物と、この該誘電体磁器組成物を含むことにより信頼性が高められた積層セラミックコンデンサ等の電子部品とを提供すること。【解決手段】本願発明に係る誘電体磁器組成物は、組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  、０．８≦ｍ≦１．３、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０、０．２＜ｔ≦０．４５で示される誘電体酸化物を含む主成分と、Ｍｎの酸化物を含む第１副成分と、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅのいずれかの酸化物を含む第２副成分と、シリコン酸化物を含む第３副成分と、希土類元素の酸化物を含む第４副成分とを有し、主成分に対する各成分の比率（モル％）が、０．３≦第１副成分≦０．７、０＜第２副成分≦１５、０＜第３副成分≦２０、０．２≦第４副成分≦０．４５である。【選択図】図２
2007119293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示され、前記組成式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ、ｙ、ｚ、ｔが、０．８≦ｍ≦１．３、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０、０．２＜ｔ≦０．４５の関係にある誘電体酸化物を含む主成分と、
Ｍｎの酸化物を含む第１副成分と、
Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅの少なくともいずれか１つの酸化物を含む第２副成分と、
シリコン酸化物を含む第３副成分と、
希土類元素の酸化物を含む第４副成分とを有する誘電体組成物であって、
前記主成分１００モルに対する各成分の比率が、
前記第１副成分：０．３モル≦第１副成分≦０．７モル、
前記第２副成分：０モル＜第２副成分≦１５モル、
前記第３副成分：０モル＜第３副成分≦２０モル、
前記第４副成分：０．２モル≦第４副成分≦０．４５モル、
である誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記第３副成分が化学式ＭｘＳｉＯ３で表されるガラス成分であって、前記化学式ＭｘＳｉＯ３中のＭが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｂの少なくともいずれか１つの元素を含み、ｘが２／３〜２の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第４副成分がＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの少なくともいずれか１つの酸化物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
誘電体層を有する電子部品であって、
前記誘電体層が、請求項１〜３に記載の誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
前記誘電体層の厚みが５〜５０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、卑金属を主成分とする内部電極層とが交互に積層してある素子本体を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、請求項１〜３に記載の誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記誘電体層の厚みが５〜５０μｍであることを特徴とする請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる電子部品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一例である積層型セラミックコンデンサは、所定の組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、各種金属を主成分とする内部電極層とが交互に複数積層してあるコンデンサ素子本体を有する。この種の積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体磁器組成物からなるグリーンシート上に導電ペーストを印刷し、該導電ペーストを印刷した複数枚のグリーンシートを積層し、グリーンシートと内部電極とを一体的に焼成し、形成される。
【０００３】
近年、電子機器の小型化により、積層セラミックコンデンサなどの積層型電子部品の小型化、高性能化が進み、また、その用途が広がっている。例えば、自動車の分野でも、電子制御技術の発達に伴って、中耐圧用の積層セラミックコンデンサが多用される。その用途として、例えば、ＥＣＭ(Ｅｎｇｉｎｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）、燃料噴射装置、電子制御スロットル、インバータ、コンバータ、ＨＩＤ（Ｈｉｇｈ  Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）ヘッドランプユニット、ハイブリッドエンジンのバッテリーコントロールユニットなどが挙げられる。一般に、車載用の電子部品には、安全性の観点から厳しい信頼性が求められる。車載用の積層セラミックコンデンサにおいては、高温および高電圧下で静電容量変化率が小さく、絶縁抵抗の加速寿命（以下の説明では、単に高温負荷寿命という）が長いことが要求される。
【０００４】
積層セラミックコンデンサの耐電圧を向上させるには、誘電体層を充分に厚くすることが必要となる。しかし、誘電体層を厚くすると、コンデンサの静電容量が低下してしまう。よって、コンデンサの静電容量を低下させることなく、耐電圧を向上させるためには、比誘電率の高い誘電体磁器組成物を誘電体層に用いることが不可欠となる。ところが、積層セラミックチップコンデンサにおける比誘電率などの電気特性と、静電容量変化率や高温負荷寿命といった温度特性とは相反する関係にある。よって、高温および高電圧下において、高い比誘電率を有しつつ、静電容量変化率や高温負荷寿命の優れた誘電体磁器組成物が求められる。
【０００５】
誘電体磁器組成物の高温負荷寿命を改善し、この誘電体磁器組成物を用いて積層セラミックコンデンサの信頼性を向上させるために、種々の提案がなされている。特許文献１では、主成分が組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示される誘電体磁器組成物が開示してある。しかし、本発明者による実験では、特許文献１に示された誘電体磁器組成物では、優れた高温負荷寿命を得られないことが判明した。
【０００６】
特許文献２では、主成分が組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示される誘電体磁器組成物が開示してある。しかし、特許文献２では、中耐圧用積層セラミックコンデンサを目的としておらず、４８〜５７程度の比誘電率を有する誘電体磁器組成物の高温負荷寿命について記載されているのみである。さらに比誘電率の高い誘電体磁器組成物が求められる。
【特許文献１】特開平１１−２２４８２７号公報
【特許文献２】特開２００４−２６２６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、高温および高電圧下において、高い比誘電率を有しつつ、静電容量変化率および高温負荷寿命の優れた誘電体磁器組成物と、この該誘電体磁器組成物を含むことにより信頼性が高められた積層セラミックコンデンサなどの電子部品とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明によれば、
組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示され、前記組成式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ、ｙ、ｚ、ｔが、０．８≦ｍ≦１．３、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０、０．２＜ｔ≦０．４５の関係にある誘電体酸化物を含む主成分と、
Ｍｎの酸化物を含む第１副成分と、
Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅの少なくともいずれか１つの酸化物を含む第２副成分と、
シリコン酸化物を含む第３副成分と、
希土類元素の酸化物を含む第４副成分とを有する誘電体組成物であって、
前記主成分１００モルに対する各成分の比率が、
前記第１副成分：０．３モル≦第１副成分≦０．７モル、
前記第２副成分：０モル＜第２副成分≦１５モル、
前記第３副成分：０モル＜第３副成分≦２０モル、
前記第４副成分：０．２モル≦第４副成分≦０．４５モル、
である誘電体磁器組成物が提供される。
【０００９】
前記主成分に含まれるＢａおよびＴｉの含有比率を増加させることで、前記誘電体磁器組成物の比誘電率が向上する。また、前記誘電体磁器組成物に前記第１〜４副成分を所定量含有させることで、ＢａおよびＴｉの含有比率の増加によって起りうる高温負荷寿命と静電容量変化率の悪化が防止される。
【００１０】
好ましくは、前記第３副成分が化学式ＭｘＳｉＯ３で表されるガラス成分であって、前記化学式ＭｘＳｉＯ３中のＭが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｂの少なくともいずれか１つの元素を含み、ｘが２／３〜２の範囲にある。
【００１１】
好ましくは、前記第４副成分がＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの少なくともいずれか１つの酸化物を含む。
【００１２】
本発明に係る電子部品は、誘電体層を有し、前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物から構成される。
【００１３】
本発明に係る電子部品は、誘電体層を有するものであれば、特に限定されない。
【００１４】
好ましくは、前記電子部品の前記誘電体層の厚みは５〜５０μｍである。
【００１５】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、卑金属を主成分とする内部電極層とが交互に積層してある素子本体を有し、前記誘電体層が、前記誘電体磁器組成物から構成される。
【００１６】
好ましくは、積層セラミックコンデンサの前記誘電体層の厚みは５〜５０μｍである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る誘電体磁器組成物では、特定組成の誘電体酸化物を含む主成分に対して、特定の第１〜４副成分を所定量含有することにより、第１〜４副成分を適量で含有しない場合に比べて、比誘電率が高く、しかも、高温および高電圧下における静電容量変化率と高温負荷寿命が向上する。
【００１８】
本発明に係る積層セラミックコンデンサなどの電子部品では、その誘電体層が本発明に係る誘電体磁器組成物から構成されるため、高温および高電圧下において比誘電率が高く、しかも、静電容量変化率と高温負荷寿命が向上する。その結果、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の信頼性が大幅に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物の主成分｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２    におけるＢａの組成比ｘ、Ｃａの組成比ｙ、Ｓｒの組成比ｚの関係図である。
【００２０】
積層セラミックコンデンサの構造
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と内部電極層１２とが交互に複数積層された構成のコンデンサ素子本体４を有する。コンデンサ素子本体４の両端部には、素子本体４の内部で交互に配置された内部電極層１２と各々導通する一対の外部電極６、８が形成してある。コンデンサ素子本体４の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．４〜６．０ｍｍ）×（０．２〜５．４ｍｍ）×（０．２〜５．０ｍｍ）程度である。
【００２１】
内部電極層１２は、各端面がコンデンサ素子本体４の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極６、８は、コンデンサ素子本体４の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層１２の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００２２】
誘電体磁器組成物
誘電体層１０は、本発明に係る誘電体磁器組成物を含有する。本発明に係る誘電体磁器組成物は、組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示される誘電体酸化物を含む主成分と、Ｍｎの酸化物を含む第１副成分と、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅの少なくともいずれか１つの酸化物を含む第２副成分と、シリコン酸化物を含む第３副成分と、希土類元素の酸化物を含む第４副成分とを有する。
【００２３】
前記組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  におけるｘは、Ｂａの原子数を表す。ｘは、０．１≦ｘ≦１．０、好ましくは０．２≦ｘ≦０．８である。ｘがこの範囲にある場合、比誘電率が高く、静電容量変化率および高温負荷寿命が優れている。ｘが小さすぎる場合、誘電体組成物の比誘電率が低くなる傾向がある。
【００２４】
前記組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  におけるｙは、Ｃａの原子数を表す。ｙは、０．０≦ｙ≦０．５、好ましくは０．１≦ｙ≦０．４である。ｙがこの範囲にある場合、比誘電率が高く、静電容量変化率および高温負荷寿命が優れている。ｙが大き過ぎる場合、比誘電率が低くなる傾向がある。
【００２５】
前記組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  におけるｚは、Ｓｒの原子数を表す。前記組成式におけるｘ、ｙ、ｚはｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０の関係式を常に満たす。よって、Ｂａの原子数ｘ、Ｃａの原子数ｙが決まると、Ｓｒの原子数ｚは式ｚ＝１．０−（ｘ＋ｙ）によって自動的に決まる。本発明においては、ｘ、ｙの範囲はそれぞれ、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．５であるため、ｚの範囲は、自動的に０．０≦ｚ≦０．９となる。また、ｘ、ｙ、ｚの比を変えることで、誘電体組成物の結晶の相転移点を任意にシフトさせることが可能となる。そのため、容量温度係数や比誘電率を任意に制御することができる。本発明においては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒの原子数の比は上記の範囲内において任意である。例えば、主成分が、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒのうちＢａだけを含有するものであってもよい。
【００２６】
前記組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  におけるｍは、０．８≦ｍ≦１．３、好ましくは０．９７０≦ｍ≦１．０３０である。ｍを０．８以上にすることにより、還元雰囲気下での焼成における誘電体組成物の半導体化が防止され、ｍを１．３以下にすることにより焼成温度を高くしなくとも緻密な焼結体を得ることができる。
【００２７】
前記組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  におけるｔは、０．２＜ｔ≦０．４５、好ましくは０．３≦ｔ≦０．４である。ｔはＴｉ原子数を表す。ＴｉＯ２  に比べＺｒＯ２  は還元されにくい。よって、ＴｉをＺｒに置換することにより耐還元性が増す傾向がある。ｔが大き過ぎる場合、高温負荷寿命が短くなる。また、ｔが小さ過ぎる場合、比誘電率が低くなる。
【００２８】
本発明に係る誘電体磁器組成物の主な特徴は、ｘが０．１≦ｘ≦１．０、ｔが０．２＜ｔ≦０．４５の範囲でＢａおよびＴｉを主成分に含有させるとともに、第１副成分、第２副成分、第３副成分、第４副成分の含有量を調整する点にある。主成分に含有されるＢａおよびＴｉの比率を増加させることで、誘電体磁器組成物の比誘電率が向上する。しかし、ＢａおよびＴｉの比率の増加により、誘電体磁器組成物の高温および高電圧下での高温負荷寿命および静電容量変化率は悪化する。そこで、誘電体磁器組成物に各副成分を所定量含有させることで高温負荷寿命と静電容量変化率の悪化を防止することができる。つまり、本発明により得られる積層セラミックコンデンサは、高温および高電圧下で高温負荷寿命および静電容量変化率を悪化させることなく、高い比誘電率を維持する。引いては、高温および高電圧下での積層セラミックコンデンサの信頼性が大幅に向上する。
【００２９】
第１副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、ＭｎＣＯ３  換算で、０．３モル≦第１副成分≦０．７モル、好ましくは０．５モル≦第１副成分≦０．７モルである。第１副成分の含有率をこの範囲にすることにより、積層セラミックコンデンサは、高温および高電圧下で高温負荷寿命および静電容量変化率を悪化させることなく、高い比誘電率を維持する。第１副成分は、誘電体磁器組成物の焼成を促進し、コンデンサの初期絶縁抵抗不良を防止する。第１副成分の添加量が少な過ぎる場合、コンデンサの初期絶縁抵抗不良が生じる。第１副成分の添加量が多過ぎる場合、コンデンサの高温負荷寿命および静電容量変化率が悪化する。
【００３０】
第２副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｇａ２  Ｏ３、ＧｅＯ２のいずれかの換算で、０モル＜第２副成分≦１５モル、好ましくは０．１モル≦第２副成分≦３．０モルである。第２副成分の含有率をこの範囲にすることにより、積層セラミックコンデンサは、高温および高電圧下で高温負荷寿命および静電容量変化率を悪化させることなく、高い比誘電率を維持する。第２副成分は、低温での焼成を促進し、コンデンサの焼結性を向上させ、絶縁抵抗不良を防止する。第２副成分の添加量が少な過ぎる場合、コンデンサの焼結性が低下し、絶縁抵抗不良が生じる。第２副成分の添加量が多過ぎる場合、コンデンサの比誘電率が低下する。
【００３１】
第３副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、シリコン酸化物の換算で、０モル＜第３副成分≦２０モル、好ましくは０．１モル≦第３副成分≦５．０モルである。第３副成分の含有率をこの範囲にすることにより、積層セラミックコンデンサは、高温および高電圧下で高温負荷寿命および静電容量変化率を悪化させることなく、高い比誘電率を維持する。第３副成分は、低温での焼成を促進し、コンデンサの焼結性を向上させ、絶縁抵抗不良を防止する。第３副成分の含有率をこの範囲にすることにより、高温および高電圧下での高温負荷寿命および静電容量変化率が大幅に改善する。第３副成分の添加量が多過ぎる場合、コンデンサの比誘電率が低下する。
【００３２】
第３副成分は、好ましくは、化学式ＭｘＳｉＯ３で表されるガラス成分で、前記化学式ＭｘＳｉＯ３中のＭが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｂの少なくともいずれか１つの元素を含み、ｘが２／３〜２の範囲にある。第３副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、ＭｘＳｉＯ３を１モルと換算した値である。
【００３３】
第４副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、酸化物の換算で、０．２モル≦第４副成分≦０．４５モル、好ましくは０．２モル≦第４副成分≦０．４モルである。第４副成分の含有率をこの範囲にすることにより、積層セラミックコンデンサは、高温および高電圧下で高温負荷寿命および静電容量変化率を悪化させることなく、高い比誘電率を維持する。第４副成分は、高温負荷寿命を向上させる。第４副成分の添加量が過小あるいは過多の場合、コンデンサの高温負荷寿命が悪化する。
【００３４】
第４副成分は、好ましくは、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの少なくともいずれか１つの酸化物を含む。第４副成分の主成分１００モルに対する含有比率は、Ｙ２  Ｏ３  、Ｇｄ２  Ｏ３  、Ｔｂ２  Ｏ３、Ｄｙ２  Ｏ３、Ｈｏ２  Ｏ３のいずれかの酸化物を１モルと換算した値である。
【００３５】
誘電体層１０の厚みは、好ましくは５〜５０μｍ、さらに好ましくは１０〜３０μｍである。本願発明に係る積層セラミックコンデンサは、例えば自動車向けの中耐圧コンデンサとして使用される。耐電圧を向上させるためには、誘電体層が充分に厚いことが要求される。一方、コンデンサの誘電率を高めるためには、誘電体層は薄層化される。しかし、本願発明に係る積層セラミックコンデンサ２の誘電体層１０は高い比誘電率を有するため、薄層化する必要がない。よって、誘電体層１０は、５〜５０μｍ程度の充分な厚みがあるため、優れた耐電圧性を有することができる。
【００３６】
なお、誘電体層１０の積層数や厚み等の諸条件は、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。また、誘電体層１０は、グレインと粒界相とで構成され、誘電体層１０のグレインの平均粒子径は、０．１〜５μｍ程度あることが好ましい。この粒界相は、通常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程中に不純物として混入する材質の酸化物を成分とし、通常ガラスないしガラス質で構成されている。
【００３７】
電極層組成物
内部電極層１２に含有される導電材は、特に限定されないが、誘電体層１０の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ、Ｆｅ、Ｍｇ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．３〜３μｍ、特に０．５〜２μｍ程度であることが好ましい。
【００３８】
外部電極６、８に含有される導電材は、特に限定されないが、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ合金等を用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、もちろん使用可能である。なお、本実施形態では、安価なＮｉ、Ｃｕや、これらの合金を用いる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、５〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】
積層セラミックコンデンサの製造方法
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサ２は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００４０】
まず、誘電体層用ペースト、内部電極用ペースト、外部電極用ペーストをそれぞれ製造する。
【００４１】
誘電体層用ペーストを製造するに際しては、まず、これに含まれる誘電体磁器組成物原料を準備する。誘電体磁器組成物原料には、主成分原料と、第１〜第４などの副成分原料が含まれる。
【００４２】
主成分原料としては、組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２で表される原料が用いられる。この主成分原料は、いわゆる固相法の他、いわゆる液相法により得られるものであってもよい。固相法は、たとえば、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２  を出発原料として用いる場合、これらを所定量秤量して混合、仮焼き、粉砕することにより、原料を得る方法である。液相合成法としては、しゅう酸塩法、水熱合成法、ゾルゲル法などが挙げられる。
【００４３】
第１副成分原料としては、Ｍｎの酸化物および／または焼成によりＭｎの酸化物になる化合物が用いられる。第２副成分原料としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅの少なくともいずれか１つの酸化物および／または焼成によりこれらの酸化物になる化合物が用いられる。第３副成分原料としては、Ｓｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｂの少なくともいずれか１つの酸化物および／または焼成によりこれらの酸化物になる化合物が用いられる。第４副成分原料としては、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの少なくともいずれか１つの酸化物および／または焼成によりこれらの酸化物になる化合物が用いられる。
【００４４】
誘電体磁器組成物原料の製造方法は、本発明では特に限定されず、たとえば、主成分原料を製造する際に、前記出発原料に第１〜第４副成分原料などを混合しておき、固相法や液相法などにより主成分原料を製造すると同時に誘電体磁器組成物原料を得ても良い。あるいは、一旦、前記主成分原料を固相法や液相法などにより製造しておき、これに第１〜第４副成分原料などを添加することによって、誘電体磁器組成物原料を得てもよい。
【００４５】
以下、固相法により主成分原料を製造する際に、第１〜第４副成分原料を混合させて誘電体磁器組成物原料を得る方法を例に採り説明する。
【００４６】
まず、たとえばＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などの各主成分原料の出発原料の他に、最終組成に対する少なくとも一部の第１副成分原料（たとえばＭｎＣＯ３  ）、第２副成分原料（たとえばＡｌ２  Ｏ３  ）、第３副成分原料（たとえば（Ｂａ０．６  Ｃａ０．４  ）ＳｉＯ３    ）および第４副成分原料（たとえばＹ２  Ｏ３）を所定量秤量して混合、乾燥することにより、仮焼き前原料を準備する。
【００４７】
次に、準備された仮焼前粉体を仮焼きする。仮焼き条件は、特に限定されないが、次に示す条件で行うことが好ましい。昇温速度は、好ましくは５０〜４００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間である。保持温度は、１０００〜１３００℃が好ましい。温度保持時間は、好ましくは０．５〜６時間、より好ましくは１〜３時間である。処理雰囲気は、空気中、窒素中および還元雰囲気中の何れでも構わない。
【００４８】
仮焼きされた仮焼済粉末は、アルミナロールなどにより粗粉砕された後、必要に応じて、残りの添加物（第１〜第４副成分原料の残部も含む）を添加して、最終組成にする。その後、この混合粉末を、必要に応じて、ボールミルなどによって混合し、乾燥することによって、本発明の組成を持つ誘電体磁器組成物原料（粉末）を得る。
【００４９】
次に、この誘電体磁器組成物原料を塗料化して、誘電体層用ペーストを調整する。誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００５０】
誘電体磁器組成物原料としては、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。誘電体磁器組成物原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００５１】
塗料化する前の状態で、誘電体磁器組成物粉末の粒径は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ程度である。
【００５２】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００５３】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００５４】
内部電極用ペーストは、各種導電性金属や合金からなる導電材料あるいは焼成後に上述した導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上述した有機ビヒクルとを混練して調製される。
【００５５】
外部電極用ペーストも、この内部電極用ペーストと同様にして調製される。
【００５６】
印刷法を用いる場合は、誘電体ペーストおよび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離することでグリーンチップとする。これに対して、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００５７】
次に、このグリーンチップを脱バインダ処理および焼成してチップ焼結体とした後、アニール（熱処理）を施してコンデンサ焼成体を得る。
【００５８】
次に、得られたコンデンサ焼成体に、たとえば、バレル研磨やサンドブラストにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極６、８を形成する。そして、必要に応じて外部電極６、８の表面にメッキ等により被覆層（パッド層）を形成する。
【００５９】
このようにして製造された本実施形態のセラミックコンデンサ２は、はんだ付け等によってプリント基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。
【００６０】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。電子部品としては、チップバリスタ、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００６３】
実施例１
本実施例では、以下に示す手順で積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。
【００６４】
各ペーストの調製
まず、誘電体材料を作製するための出発原料として、それぞれ平均粒径０．１〜１μｍの主成分原料（ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２）および第１〜第４副成分原料を用意した。本実施例では、第１副成分原料として、ＭｎＣＯ３を用いた。第２副成分原料として、Ａｌ２  Ｏ３を用いた。第３副成分原料として、（Ｂａ０．６  Ｃａ０．４  ）ＳｉＯ３  を用いた。第４副成分原料として、Ｙ２  Ｏ３を用いた。
【００６５】
なお、第３副成分原料の（Ｂａ０．６  Ｃａ０．４  ）ＳｉＯ３は、ＢａＣＯ３  、ＣａＣＯ３  、およびＳｉＯ２  をボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥後、１０００〜１３００℃で空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより１００時間湿式粉砕することにより得た。
【００６６】
次に、焼成後の誘電体磁器組成物において、組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０で示される主成分中の Ｂａの組成比ｘ、Ｃａの組成比ｙ、Ｓｒの組成比ｚ、Ｚｒの組成比１−ｔ、Ｔｉの組成比ｔ、および主成分１００ｍｏｌ％に対する第１〜第４副成分の含有率（ｍｏｌ％）が表１の実施例１に示す値となるように、主成分原料および第１〜第４副成分原料を秤量して混合し、乾燥した後、仮焼前粉体を得た。なお、表中では、第３副成分をＢＣＧと表す。
【００６７】
【表１】
2007119293.tif 000003
【００６８】
次に、仮焼前粉体を仮焼きした。仮焼きは、以下の条件で行った。
昇温速度：３００℃／時間
保持温度：１０００〜１３００℃
温度保持時間：２時間
雰囲気：空気。
【００６９】
次に、仮焼きによって得られた材料をアルミナロールで粉砕して、仮焼き済粉体（誘電体磁器組成物原料）を得た。
【００７０】
次に、誘電体磁器組成物原料と、アクリル樹脂、酢酸エチル、ミネラルスピリットおよびアセトンを、ボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。
【００７１】
平均粒径０．１〜０．８μｍのＮｉ粒子と、有機ビヒクルと、ブチルカルビトールとを３本ロールにより混練してペースト化し、内部電極層用ペーストを得た。
【００７２】
平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子と、有機ビヒクルと、ブチルカルビトールとを混練してペースト化し、外部電極用ペーストを得た。
【００７３】
グリーンチップの作製
次に、上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、厚さ３０μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷したのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離した。
【００７４】
次に、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを積層、圧着して、所定の形状に切断した後に、グリーンチップを得た。内部電極を有するシートの積層数は１０層とした。
【００７５】
次に、得られたグリーンチップを脱バインダ処理した。脱バインダ処理は下記の条件で行った。
加熱速度：  １５℃／時間
保持温度：  ２８０℃
保持時間：  ８時間
冷却速度：  ２００℃／時間
雰囲気：空気。
【００７６】
次に、グリーンチップを焼成した。焼成は下記の条件で行った。雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用いた。
加熱速度：  ２００℃／時間
保持温度：  １２２０〜１３２０℃
保持時間：  ２時間
冷却速度：  ３００℃／時間
雰囲気：  加湿したＮ２  ＋Ｈ２  混合ガス雰囲気、酸素分圧２×１０−７〜５×１０−４Ｐａ。
【００７７】
次に、焼成したグリーンチップをアニール処理（再酸化処理）して、積層セラミック焼成体を得た。アニール処理は下記の条件で行った。雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用いた。
加熱速度：  ２００℃／時間
保持温度：  １０５０℃
保持時間：  ２時間
冷却速度：  ２００℃／時間
雰囲気：  加湿したＮ２  、ウェッター温度２０℃、酸素分圧１．４×１０−７ＭＰａ。
【００７８】
次に、積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿したＮ２  ＋Ｈ２  雰囲気中において、８００℃で１０分間焼成して外部電極を形成して、図１に示す構成の積層セラミックコンデンサ２のサンプルを得た。積層セラミックコンデンサのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであった。誘電体層数は１０、各誘電体層の厚さは２０μｍであった。
【００７９】
得られた積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、下記の特性を評価した。各特性値として、コンデンサの試料数ｎ＝２０個を用いて測定した値の平均値を求めた。
【００８０】
比誘電率（εｓ）の測定
積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）を用いて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓ、基準温度２５℃の条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容量と、積層セラミックコンデンサの電極寸法および電極間距離とから、比誘電率（εｓ：単位はなし）を算出した。結果を表１に示す。比誘電率εｓは、高誘電率を有する小型の積層セラミックコンデンサを作製するために重要な特性であるため、これを評価基準として用いた。比誘電率εｓが８０以上となることが好ましい。
【００８１】
静電容量変化率の測定
積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）を用いて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件下で、基準温度２５℃および１５０℃各々における静電容量を測定した。次に、静電容量変化率△Ｃ（単位：％）を、下記式１により算出した。結果を表１に示す。
△Ｃ＝１００×（Ｃ１５０−Ｃ２５）／Ｃ２５  …式１
ただし、式１中のＣ１５０は１５０℃における静電容量、Ｃ２５は基準温度２５℃における静電容量を表す。静電容量変化率△Ｃは、高温下で大きな静電容量を有する小型の積層セラミックコンデンサを作製するための重要な特性であるため、これを評価基準として用いた。静電容量変化率△Ｃが±３０％以内となることが好ましい。
【００８２】
高温負荷寿命の測定
コンデンサのサンプルに対し、２００℃で４０Ｖ／μｍの直流電圧の印加状態に保持することにより、高温負荷寿命(単位：時間）を測定した。結果を表１に示す。高温負荷寿命は、電圧印加を開始してから抵抗が一桁落ちるまでの時間と定義した。高温負荷寿命は、高温および高電圧下で耐久性を有する小型の積層セラミックコンデンサを作製するために重要な特性であるため、これを評価基準として用いた。高温負荷寿命が１０時間以上となることが好ましい。
【００８３】
実施例２〜５および比較例１、２
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第４副成分のＹ２  Ｏ３  を、表１に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例２〜５および比較例１、２の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例２〜５および比較例１、２で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表１に示す。
【００８４】
評価１
表１に示すように、実施例１〜５と比較例１、２とを比較することで、誘電体磁器組成物の第１副成分であるＭｎＣＯ３の含有比率が、０．３ｍｏｌ％以上０．７ｍｏｌ％以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例２では、第１副成分であるＭｎＣＯ３の含有率が０．７５ｍｏｌ％であったため、高温負荷寿命が著しく短かった。また、比較例１では、第１副成分であるＭｎＣＯ３の含有率が０．２５ｍｏｌ％であったため、初期ＩＲ不良が発生してしまい、高温負荷寿命が著しく短かった。
【００８５】
実施例６〜９および比較例３、４
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第２副成分のＡｌ２  Ｏ３を、表２に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例６〜９および比較例３、４の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例６〜９および比較例３、４で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表２に示す。
【００８６】
【表２】
2007119293.tif 000004
【００８７】
評価２
表２に示すように、実施例６〜９と比較例３、４とを比較することで、誘電体磁器組成物の第２副成分であるＡｌ２  Ｏ３の含有率が０ｍｏｌ％より大きく１５ｍｏｌ％以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例３では、第２副成分であるＡｌ２  Ｏ３の含有率が０ｍｏｌ％であったため、高温負荷寿命が著しく短かった。また、比較例４では、第２副成分であるＡｌ２  Ｏ３の含有率が１６ｍｏｌ％であったため、比誘電率が小さかった。
【００８８】
実施例１０〜１３および比較例５
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第３副成分の（Ｂａ０．６  Ｃａ０．４  ）ＳｉＯ３  を、表３に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例１０〜１３および比較例５の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例１０〜１３および比較例５で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表３に示す。
【００８９】
【表３】
2007119293.tif 000005
【００９０】
評価３
表３に示すように、実施例１０〜１３と比較例５とを比較することで、誘電体磁器組成物の第３副成分であるＭｘＳｉＯ３の含有率が０ｍｏｌ％より大きく２０ｍｏｌ％以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例５では、化学式ＭｘＳｉＯ３で表される第３副成分の含有率が２１ｍｏｌ％であったため、比誘電率が小さかった。
【００９１】
実施例１４、１５および比較例６、７
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第４副成分のＹ２  Ｏ３  を、表４に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例１４、１５および比較例６、７の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例１４、１５および比較例６、７で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表４に示す。
【００９２】
【表４】
2007119293.tif 000006
【００９３】
評価４
表４に示すように、実施例１４、１５と比較例６、７とを比較することで、誘電体磁器組成物の第４副成分であるＹ２  Ｏ３  の含有率が０．２ｍｏｌ％以上０．４５ｍｏｌ％以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例６では、誘電体磁器組成物の第４副成分であるＹ２  Ｏ３  の含有率が０．１５ｍｏｌ％であったため、高温負荷寿命が著しく短かった。また、比較例７では、誘電体磁器組成物の第４副成分であるＹ２  Ｏ３  の含有率が０．５０ｍｏｌ％であったため、高温負荷寿命が著しく短かった。
【００９４】
実施例１６〜１９、２７、２８および比較例８、９
組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示される主成分中の Ｂａの組成比ｘ、Ｃａの組成比ｙ、Ｓｒの組成比ｚ、第１副成分のＭｎＣＯ３、および第４副成分のＹ２  Ｏ３  を、表５に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例１６〜１９、２７、２８および比較例８、９の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例１６〜１９、２７、２８および比較例８、９で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表５に示す。
【００９５】
【表５】
2007119293.tif 000007
【００９６】
評価５
表５に示すように、実施例１６〜１９、２７、２８と比較例８、９とを比較することで、誘電体磁器組成物の主成分｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２    におけるＢａの組成比ｘが０．１以上１．０以下であり、Ｃａの組成比ｙが０．０以上０．５以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。すなわち、ｘ、ｙ、ｚが図２の太線で囲まれた範囲内にあるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例８、９では、Ｃａの組成比ｙが０．６であったため、比誘電率が小さかった。なお、図２において、図中の黒丸が実施例を示し、白丸が比較例を示す。
【００９７】
実施例２０および比較例１０、１１
組成式｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２  で示される主成分中の Ｂａの組成比ｘ、Ｃａの組成比ｙ、Ｓｒの組成比ｚ、Ｔｉの組成比ｔ、およびＺｒの組成比１−ｔを、表６に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例２０および比較例１０、１１の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例２０および比較例１０、１１で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表６に示す。
【００９８】
【表６】
2007119293.tif 000008
【００９９】
評価６
表６に示すように、実施例２０と比較例１０、１１とを比較することで、誘電体磁器組成物の主成分｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２におけるＴｉの組成比ｔが０．２より大きく０．４５以下であるとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例１０では、Ｔｉの組成比ｔが０．５であったため、高温負荷寿命が短かった。また、比較例１１では、Ｔｉの組成比ｔが０．２であったため、比誘電率が小さかった。
【０１００】
実施例２１〜２４、および比較例１２
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第４副成分であるＧｄ２  Ｏ３  、Ｔｂ２  Ｏ３、Ｄｙ２  Ｏ３、Ｈｏ２  Ｏ３あるいはＳｃ２  Ｏ３のいずれか（Ｙ２  Ｏ３は除く）を、表７に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例２１〜２４および比較例１２の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例２１〜２４および比較例１２で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表７に示す。
【０１０１】
【表７】
2007119293.tif 000009
【０１０２】
評価７
表７に示すように、実施例２１〜２４と比較例１２とを比較することで、誘電体磁器組成物の第４成分として、Ｇｄ２  Ｏ３  、Ｔｂ２  Ｏ３、Ｄｙ２  Ｏ３、Ｈｏ２  Ｏ３ のいずれかを用いたとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。比較例１２では、第４副成分としてＳｃ２  Ｏ３を用いたため、高温負荷寿命が著しく短かった。
【０１０３】
実施例２５、２６
第１副成分のＭｎＣＯ３、および第２副成分であるＧａ２  Ｏ３、ＧｅＯ２のいずれか（Ａｌ２  Ｏ３は除く）を、表８に示す各々の含有率で誘電体磁器組成物に含有させた以外は、実施例１と同じ条件下で、実施例２５、２６の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。また、実施例２５、２６で得た各積層セラミックコンデンサのサンプルに対して、実施例１と同じ条件下で比誘電率、静電容量変化率、高温負荷寿命を測定した。結果を表８に示す。
【０１０４】
【表８】
2007119293.tif 000010
【０１０５】
評価８
表８に示すように、実施例２５、２６によって、誘電体磁器組成物の第２成分として、Ｇａ２  Ｏ３、ＧｅＯ２の少なくともいずれかを用いたとき、比誘電率が大きく、静電容量変化率が小さく、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを作製できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】図１は本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２の概略断面図である。
【図２】図２は本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物の主成分｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ  ）Ｏ｝ｍ  ・（Ｚｒ１−ｔ  Ｔｉｔ  ）Ｏ２    におけるＢａの組成比ｘ、Ｃａの組成比ｙ、Ｓｒの組成比ｚの関係図である。
【符号の説明】
【０１０７】
２…  積層セラミックコンデンサ
４…  コンデンサ素子本体
６、８…  外部電極
１０…  誘電体層
１２…  内部電極層
【図１】
2007119293.tif 000011
【図２】
2007119293.tif 000012