(57)【要約】【課題】デバイスパターン像とモニタパターン像とを転写する際において、製品の歩留まりを向上する。【解決手段】フォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷの面において区画された複数の露光単位領域ＲＡごとに、露光を順次実施する際において、フォトマスクＰＭに形成されたデバイスパターンＤＰについては、フォトマスクＰＭに形成されたモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態にして、デバイスパターン像をベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写させる。一方で、そのモニタパターンＭＰについては、デバイスパターンＤＰへ照明される光を遮光した状態にして、そのモニタパターン像がベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合と、そのモニタパターン像がデフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合とのいずれかになるように照明する。【選択図】図４
2007317728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、ベストフォーカスおよびデフォーカスのそれぞれで照明されることによりプロセスをモニタするモニタマークを形成するためのモニタパターンとのそれぞれがマスクパターンとしてマスク基板に形成されているフォトマスクを照明することによって、前記フォトマスクにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハに形成されたフォトレジスト膜へ転写する露光を実施する露光方法であって、
前記フォトレジスト膜が形成されたウエハの面において区画された複数の露光単位領域ごとに前記露光を順次実施する露光ステップ
を有し、
前記露光ステップでは、
前記デバイスパターンについては、前記モニタパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記デバイスパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写されるように照明し、
前記モニタパターンについては、前記デバイスパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記モニタパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合と、前記モニタパターン像がデフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合とを含むように照明する
露光方法。
【請求項２】
デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、ベストフォーカスおよびデフォーカスのそれぞれで照明されることによりプロセスをモニタするモニタマークを形成するためのモニタパターンとのそれぞれがマスクパターンとしてマスク基板に形成されているフォトマスクを照明することによって、前記フォトマスクにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハに形成されたフォトレジスト膜へ転写する露光を実施する露光装置であって、
前記フォトレジスト膜が形成された前記ウエハを複数の露光単位領域に区画し、当該区画した複数の露光単位領域ごとに前記露光を順次実施する露光制御部
を有し、
前記露光制御部は、
前記デバイスパターンについては、前記モニタパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記デバイスパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写されるように照明し、
前記モニタパターンについては、前記デバイスパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記モニタパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合と、前記モニタパターン像がデフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合とを含むように照明する
露光装置。
【請求項３】
前記フォトマスクは、前記デバイスパターンが前記マスク基板において照明される照明領域に含まれるデバイスパターン形成領域に形成されており、前記モニタパターンが前記照明領域において前記デバイスパターン形成領域と異なる位置に形成されている
請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光制御部は、前記露光単位領域において前記モニタパターン像が転写される領域と、当該露光単位領域に隣接する他の露光単位領域において前記デバイスパターン像が転写される領域とが互いに重複する部分を含むように、前記複数の露光単位領域を区画し、
前記フォトマスクは、前記露光単位領域について前記露光が実施され、前記モニタパターン像が転写された後に、当該露光単位領域に隣接する他の露光単位領域について前記露光を実施する際に、前記モニタパターン像が転写された部分へ照明されないように、前記モニタパターン像が転写された部分へ照明される光を遮光する遮光パターンが、前記デバイスパターン領域に形成されている
請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記フォトマスクへ照明される光を遮光することによって成形するブラインド部
を有し、
前記ブラインド部は
前記フォトマスクにおいて前記デバイスパターンへ照明される光を透過するように開口が形成されており、前記モニタパターンへ照明される光を遮光する第１遮光板と、
前記フォトマスクにおいて前記モニタパターンへ照明される光を透過するように開口が形成されており、前記デバイスパターンへ照明される光を遮光する第２遮光板と、
を含み、
前記露光制御部は、前記デバイスパターンを照明する際には、前記第１遮光板が前記モニタパターンへ照明される光を遮光すると共に、前記デバイスパターンへ照明される光を開口から透過するように、前記第１遮光板を前記フォトマスクへ移動し、前記モニタパターンを照明する際には、前記第２遮光板が前記デバイスパターンへ照明される光を遮光すると共に、前記モニタパターンへ照明される光を開口から透過するように、前記第２遮光板を前記フォトマスクへ移動する
請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記フォトマスクへ照明された光を遮光することによって前記フォトマスクの照明領域の一部を照明するように形成されているスリットを、前記照明領域に対応するように移動するスリット部
を含み、
前記露光制御部は、前記デバイスパターンと前記モニタパターンとのそれぞれを順次照明するように、前記スリット部が前記スリットを移動する動作を制御する
請求項４に記載の露光装置。
【請求項７】
露光において光が照明されることによってマスクパターン像を生ずるマスクパターンがマスク基板に形成されており、ウエハに形成されたフォトレジスト膜に前記マスクパターン像が転写されるフォトマスクであって、
前記マスクパターンは、
ベストフォーカスで照明されるデバイスパターンと、
ベストフォーカスとデフォーカスとのそれぞれにて照明されるモニタパターンと
を有しており、
前記デバイスパターンは、前記マスク基板において照明される照明領域にて区画されるデバイスパターン形成領域に形成されており、
前記モニタパターンは、前記照明領域において前記デバイスパターン形成領域と異なる位置に形成されている
フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法，露光装置，フォトマスクに関する。特に、デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、ベストフォーカスおよびデフォーカスのそれぞれで照明されることによりプロセスをモニタするモニタマークを形成するためのモニタパターンとのそれぞれがマスクパターンとしてマスク基板に形成されているフォトマスクに関する。また、そのフォトマスクを照明することによって、そのフォトマスクにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハに形成されたフォトレジスト膜へ転写する露光を実施する露光方法および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際においては、リソグラフィ技術を用いて、微細なパターンを加工している。
【０００３】
ここでは、まず、感光性材料からなるレジスト膜をウエハの表面に形成した後に、マスクパターンが形成されたフォトマスクを照明する露光を、露光装置が実施することによって、そのウエハ上に形成されたフォトレジスト膜にマスクパターン像を転写する。
【０００４】
たとえば、露光装置は、ステッパであり、ウエハにおいて区画された複数の露光単位領域のそれぞれを順次露光する。つまり、複数の露光単位領域の１つにマスクパターン像を縮小投影して転写する露光を実施した後に、そのウエハをステージがステップ状に移動し、他の露光単位領域を同様に露光する。そして、この動作を繰り返すことによって、ウエハにて区画された複数の露光単位領域の全てを露光する。また、たとえば、露光装置は、スキャナであり、ウエハにおいて区画される複数の露光単位領域のそれぞれを、その露光単位領域より狭いスリットを透過した光でスキャンするように、順次、露光する（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
そして、この露光の実施によってマスクパターン像が転写され、感光したフォトレジスト膜を現像することにより、そのフォトレジスト膜をパターン加工して、レジストパターンをウエハの表面に形成する。その後、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング処理を実施することによって、ウエハをパターン加工する。
【０００６】
上記のようにレジストパターンを形成した後には、そのレジストパターンの形状をモニタする。そして、そのモニタされたレジストパターンの形状のモニタ結果を用いて、露光を実施した際の露光量や焦点位置の実測値が設定値から変動した値を算出する。その後、その算出した変動値を露光装置にフィードバックし、その露光量や焦点位置が設定値に近づくように露光装置が露光動作を制御して、次の露光を実施する。このように露光条件を調整することによって、装置の製造歩留まりの向上を実現させている（たとえば、特許文献２，特許文献３，特許文献４参照）。
【０００７】
この場合には、デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、露光量や焦点位置の変動値をモニタするためのモニタマークの形状に対応するように形成されたモニタパターンとの両者が、マスクパターンとして形成されたフォトマスクを用いている。そして、そのフォトマスクを用いて露光を実施することによって、ウエハ上のフォトレジスト膜に、デバイスパターン像とモニタパターン像とを同時に転写する。その後、そのデバイスパターン像とモニタパターン像とが転写されたフォトレジスト膜を現像し、デバイスの形状に対応した転写パターンと、モニタマークとをウエハ上に形成する。そして、たとえば、そのモニタマークの線幅や、そのモニタマークからの回折光を計測した後、その計測データに基づいて、露光量の変動値を算出する。
【０００８】
一方、焦点位置の変動値を計測する場合には、焦点を合わせたベストフォーカスの状態でモニタパターン像を転写してモニタマークを形成すると共に、焦点を外したデフォーカスの状態でモニタマークを形成する。そして、この複数のモニタマーク間における形状の違いから、焦点位置の変動値を算出する。
【０００９】
たとえば、露光量と焦点位置との両者について同時に算出することができるモニタパターンとして、ＭＰＸが知られている（たとえば、非特許文献１，非特許文献２，非特許文献３，非特許文献４参照）。この場合においても、ベストフォーカスの状態と、デフォーカスの状態とのそれぞれにおいてモニタパターン像の転写を実施して、ＭＰＸを形成する。
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１１６８４８号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９２０５号公報
【特許文献３】特開２００４−２５９７６５号公報
【特許文献４】特表２００５−５１００５８号公報
【非特許文献１】Ｃ．Ｐ．Ａｕｓｓｃｈｎｉｔｔ，  “Ｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈｉｎｇ  ｄｏｓｅ  ａｎｄ  ｄｅｆｏｃｕｓ  ｆｏｒ  ｉｎ−ｌｉｎｅ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｃｏｎｔｒｏｌ”，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  ３６７７，  １４０−１４７  （１９９９）
【非特許文献２】Ｃ．Ｐ．Ａｕｓｓｃｈｎｉｔｔ，  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｗｉｎｄｏｗ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ”，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  ３９９８，  １５８−１６６  （２０００）
【非特許文献３】Ｃ．Ｐ．Ａｕｓｓｃｈｎｉｔｔ，  ｅｔ  ａｌ．，  “ＣＤ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  ｌｏｗ  ｋ−ｆａｃｔｏｒ  ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  ４３４６，  １５８−１６６  （２００１）
【非特許文献４】Ｂ．  Ｅｉｃｈｅｌｂｅｒｇｅｒ，  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ｄｏｓｅ  ａｎｄ  Ｆｏｃｕｓ  Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  ”  ，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  ５０３８，  ２４７−２５４（２００３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記のように焦点位置の変動値を計測する際には、ベストフォーカスの状態の他にデフォーカスの状態にてモニタパターン像とデバイスパターン像との両者の転写を実施するために、デフォーカス状態でデバイスパターン像が転写される部分を含む。よって、そのデフォーカスの状態にてデバイスパターン像が転写された領域については、デバイスに対応した形状で形成されないことになり、デバイスを製造することができない。すなわち、焦点位置の変動値などのプロセス条件をモニタするためには、犠牲ショットと呼ばれるデフォーカス状態での露光を実施しなければならないため、製品の歩留まりが低下する不具合が発生する。
【００１２】
たとえば、モニタマークがＭＰＸである場合には、焦点位置を求める関数が放物線関数であるために、ＭＰＸにおける複数のグレーティング間距離に対応する焦点位置の解が２つ得られてしまう。このため、ベストフォーカスの状態と、デフォーカスの状態とのそれぞれにおいて、モニタパターン像の転写を実施し、ＭＰＸをそれぞれ形成する。そして、ベストフォーカスの状態にて形成されたＭＰＸと、デフォーカスの状態にて形成されたＭＰＸとを用いて、２つの解のいずれが正しいかを判定しなければならない。よって、上述したように、デフォーカス状態での犠牲ショットにてデバイスパターン像が転写されるために、製品の歩留まりが低下する不具合が発生する。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、デバイスパターン像とモニタパターン像とを転写する際において、製品の歩留まりを向上することが可能な露光方法，露光装置，フォトマスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の露光方法は、デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、ベストフォーカスおよびデフォーカスのそれぞれで照明されることによりプロセスをモニタするモニタマークを形成するためのモニタパターンとのそれぞれがマスクパターンとしてマスク基板に形成されているフォトマスクを照明することによって、前記フォトマスクにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハに形成されたフォトレジスト膜へ転写する露光を実施する露光方法であって、前記フォトレジスト膜が形成されたウエハの面において区画された複数の露光単位領域ごとに前記露光を順次実施する露光ステップを有し、前記露光ステップでは、前記デバイスパターンについては、前記モニタパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記デバイスパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写されるように照明し、前記モニタパターンについては、前記デバイスパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記モニタパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合と、前記モニタパターン像がデフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合とのいずれかになるように照明する。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、デバイスの形状に対応するように形成されたデバイスパターンと、ベストフォーカスおよびデフォーカスのそれぞれで照明されることによりプロセスをモニタするモニタマークを形成するためのモニタパターンとのそれぞれがマスクパターンとしてマスク基板に形成されているフォトマスクを照明することによって、前記フォトマスクにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハに形成されたフォトレジスト膜へ転写する露光を実施する露光装置であって、前記フォトレジスト膜が形成された前記ウエハを複数の露光単位領域に区画し、当該区画した複数の露光単位領域ごとに前記露光を順次実施する露光制御部を有し、前記露光制御部は、前記デバイスパターンについては、前記モニタパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記デバイスパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写されるように照明し、前記モニタパターンについては、前記デバイスパターンへ照明される光を遮光した状態で、前記モニタパターン像がベストフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合と、前記モニタパターン像がデフォーカスで前記露光単位領域に転写される場合とのいずれかになるように照明する。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明のフォトマスクは、露光において光が照明されることによってマスクパターン像を生ずるマスクパターンがマスク基板に形成されており、ウエハに形成されたフォトレジスト膜に前記マスクパターン像が転写されるフォトマスクであって、前記マスクパターンは、ベストフォーカスで照明されるデバイスパターンと、ベストフォーカスとデフォーカスとのそれぞれにて照明されるモニタパターンとを有しており、前記デバイスパターンは、前記マスク基板において照明される照明領域にて区画されるデバイスパターン形成領域に形成されており、前記モニタパターンは、前記照明領域において前記デバイスパターン形成領域と異なる位置に形成されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、デバイスパターン像とモニタパターン像とを転写する際において、製品の歩留まりを向上することが可能な露光方法，露光装置，フォトマスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜実施形態１＞
本発明にかかる実施形態１について説明する。
【００１９】
（装置構成）
図１は、本発明にかかる実施形態１において、露光装置１を示す図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１は、フォトマスク支持部１１と、ウエハ支持部２１と、レーザー光源３１と、照明光学系４０と、ブラインド部４１と、投影光学系５１と、制御部７１とを有しており、フォトマスクＰＭを照明し、そのフォトマスクＰＭにて生ずるデバイスパターン像とモニタパターン像とを、ウエハＷに形成されたフォトレジスト膜ＰＲへ転写する露光を実施する。本実施形態の露光装置１は、ステッパであり、ステップ・アンド・リピート方式にて露光を実施する。
【００２１】
各部について、順次、説明する。
【００２２】
フォトマスク支持部１１は、図１に示すように、ステージを含み、マスクパターンが形成されたフォトマスクＰＭを支持する。フォトマスク支持部１１は、マスク搬送系（図示なし）によって装置外部から搬送されたフォトマスクＰＭを、たとえば、真空吸着によって固定する。フォトマスク支持部１１は、反射鏡（図示なし）が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザー干渉計（図示なし）によって、位置および傾きが検出される。そして、フォトマスク支持部１１は、駆動モータ（図示なし）を含み、その支持しているフォトマスクＰＭの表面に沿ったｘ方向と、そのフォトマスクＰＭの表面においてｘ方向に直交するｙ方向と、そのフォトマスクＰＭの表面に垂直なｚ方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、そのフォトマスクＰＭを駆動モータによって回転移動させて、そのフォトマスクＰＭの表面の傾きが調整される。ここでは、レーザー干渉計によって検出されたフォトマスク支持部１１の位置および傾きに基づいて制御部７１が駆動モータを制御して、フォトマスク支持部１１の位置および傾きが調整される。
【００２３】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、フォトマスク支持部１１によって支持されるフォトマスクＰＭを示す平面図である。
【００２４】
フォトマスクＰＭは、図２に示すように、露光において光が照明されることによってマスクパターン像を生ずるマスクパターンＰがマスク基板Ｍ１に形成されており、ウエハＷに形成されたフォトレジスト膜ＰＲにマスクパターン像が転写される。具体的には、マスクパターンＰの部分で光を透過し、マスクパターンＭＰ以外の部分で光を遮光するようにフォトマスクＰＭが形成されている。
【００２５】
このフォトマスクＰＭにおいて、マスクパターンＰは、図２に示すように、デバイスパターンＤＰとモニタパターンＭＰとを含むようにマスク基板Ｍ１に形成されている。
【００２６】
ここでは、デバイスパターンＤＰは、デバイスの形状に対応するような形状（図示なし）で形成されている。たとえば、デバイスパターンＤＰは、回路の配線構造に対応するような形状で形成されており、ベストフォーカスの状態で照明される。本実施形態においては、デバイスパターンＤＰは、図２に示すように、マスク基板Ｍ１において、照明光学系４０によって照明される照明領域ＳＡにて区画されるデバイスパターン形成領域ＤＡに形成される。具体的には、ｘ方向とｙ方向とに延在した辺で区画される矩形形状のデバイスパターン形成領域ＤＡに、デバイスパターンＤＰが形成される。そして、詳細については後述するが、デバイスパターンＤＰにおいては、ステップ・アンド・リピート方式にて各露光単位領域を、デバイスパターン形成領域ＤＡが互いに近接するように順次露光する際に、先に露光された露光単位領域においてモニタパターン像が転写された部分を露光しないように、そのモニタパターン像が転写された部分へ照明される光を遮光する遮光パターンＳＰが形成されている。本実施形態においては、図２に示すように、遮光パターンＳＰは、モニタパターンＭＰと同じ形状である。そして、遮光パターンＳＰは、モニタパターンＭＰの下端部とデバイスパターン形成領域ＤＡの上端部との間の距離に対応するように、遮光パターンＳＰの下端部がデバイスパターン形成領域ＤＡの下端部から離れた位置に形成されている。
【００２７】
一方、モニタパターンＭＰは、プロセスをモニタするモニタマークの形状に対応するような形状で形成されている。たとえば、モニタパターンＭＰは、前述したＭＰＸに対応するような形状でマスク基板Ｍ１に形成されており、ベストフォーカスとデフォーカスとのそれぞれの状態にて照明される。また、本実施形態においては、モニタパターンＭＰは、照明領域ＳＡにおいてデバイスパターン形成領域ＤＡと異なる位置に形成されている。ここでは、デバイスパターン形成領域ＤＡの上端から間隔を隔てるように、モニタパターンＭＰが形成されている。
【００２８】
ウエハ支持部２１は、図１に示すように、ステージを含み、フォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷを、そのステージで支持する。具体的には、ウエハ支持部２１は、レジスト塗布装置（図示なし）にてフォトレジスト液が塗布され、加熱処理装置（図示なし）にてプリベーク処理されることによってフォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷが、ウエハ搬送系（図示なし）によって外部から搬送される。そして、そのフォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷを、たとえば、真空吸着によってステージに固定する。また、ウエハ支持部２１は、反射鏡（図示なし）が設けられており、その反射鏡に対応するように設置されたレーザー干渉計（図示なし）によって、位置および傾きが検出される。そして、ウエハ支持部２１は、駆動モータ（図示なし）を含み、その支持しているウエハＷの表面に沿ったｘ方向と、そのウエハＷの表面においてｘ方向に直交するｙ方向と、そのウエハＷの表面に垂直なｚ方向とのそれぞれの方向へ駆動モータによって移動する。そして、駆動モータによって、ｘ方向，ｙ方向，ｚ方向の各軸の回転方向へ、そのウエハＷを回転移動させて、そのウエハＷの表面の傾きが調整される。ここでは、前述のレーザー干渉計によって検出されたウエハ支持部２１の位置および傾きに基づいて制御部７１が駆動モータを制御して、ウエハ支持部２１の位置および傾きが調整される。
【００２９】
レーザー光源３１は、図１に示すように、レーザー光Ｌを照射する。レーザー光源３１は、たとえば、ＡｒＦエキシマレーザー光源を含み、波長が１９３ｎｍであるレーザー光Ｌを照明光学系４０へ出射する。ここでは、ほぼ直線偏光であって、半値幅が１ｐｍ以下になるように狭幅化されたレーザー光Ｌを出射する。なお、レーザー光源３１は、この他に、ＫｒＦレーザー，Ｆ２レーザーなどの光源にて構成されていてもよい。
【００３０】
照明光学系４０は、図１に示すように、リレー光学系１４１と、ビーム整形部１４３と、オプティカルインテグレータ１４４と、コンデンサレンズ１４６と、開口絞り１４７と、結像レンズ１４８と、ミラー１４９とを有している。照明光学系４０においては、各部が駆動系を含み、制御部７１からの指令に基づいて、その駆動系が各部を駆動して、レーザー光源３１から照射されたレーザー光Ｌを、フォトマスク支持部１１によって支持されたフォトマスクＰＭへ照明する。具体的には、照明光学系４０においては、レーザー光源３１から照射されたレーザー光Ｌを、リレー光学系１４１がビーム整形部１４３へリレーする。そして、ビーム整形部１４３が整形し、オプティカルインテグレータ１４４へ射出する。そして、このレーザー光Ｌをオプティカルインテグレータ１４４が変換する。ここでは、オプティカルインテグレータ１４４は、フライアレイレンズを含み、その入射したレーザー光Ｌをフライアレイレンズが２次光源化して、コンデンサレンズ１４６へ射出する。そして、そのレーザー光Ｌをコンデンサレンズ１４６が集光し、開口絞り１４７へ射出する。そして、そのレーザー光Ｌを開口絞り１４７が一部を遮光して成形し、結像レンズ１４８へ射出する。そして、そのレーザー光Ｌを、フォトマスク支持部１１によって支持されたフォトマスクＰＭへ、ミラー１４９を介して結像レンズ１４８が結像して照明する。
【００３１】
ブラインド部４１は、照明光学系４０からフォトマスクＰＭへ照明されるレーザー光Ｌを遮光して成形する。本実施形態においては、ブラインド部４１は、第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとを有しており、第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとのいずれか一方が、フォトマスクＰＭへ照明されるレーザー光Ｌの光路に移動されるように、制御部７１からの指令に基づいて第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとのそれぞれを駆動系が移動する。
【００３２】
図３は、本発明にかかる実施形態において、ブラインド部４１を構成する第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとを示す平面図である。図３において、図３（ａ）は、第１遮光板４１ａがフォトマスクＰＭの前に移動された様子を示しており、図３（ｂ）は、第２遮光板４１ｂがフォトマスクＰＭの前に移動された様子を示している。なお、図３においては、フォトマスクＰＭにおいて第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとの背面となり、照明されたレーザー光Ｌが遮光される領域の輪郭部分については、点線で示している。
【００３３】
第１遮光板４１ａは、図３（ａ）に示すように、フォトマスクＰＭにおいてデバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを透過するように開口Ａ１が形成されると共に、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光するように形成されている。
【００３４】
第２遮光板４１ｂは、図３（ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭにおいてモニタパターンＭＰへ照明される光を透過するように開口Ａ２が形成されると共に、デバイスパターンＤＰへ照明される光を遮光するように形成されている。
【００３５】
そして、ブラインド部４１は、デバイスパターンＤＰを照明する際には、図３（ａ）に示すように、第１遮光板４１ａがモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ１から透過するように、制御部７１からの指令に基づいて駆動系（図示なし）が第１遮光板４１ａをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、駆動系が第２遮光板４１ｂをフォトマスクＰＭの前から取り除く。一方で、モニタパターンＭＰを照明する際には、図３（ｂ）に示すように、第２遮光板４１ｂがデバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ２から透過するように、制御部７１からの指令に基づいて駆動系が第２遮光板４１ｂをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、駆動系が第１遮光板４１ａをフォトマスクＰＭの前から取り除く。
【００３６】
投影光学系５１は、図１に示すように、投影レンズ群５２と、開口絞り５３とを有しており、ウエハ支持部２１によって支持されたウエハＷに形成されたフォトレジスト膜ＰＲへ、照明光学系４０によってレーザー光Ｌが照明されたフォトマスクＰＭによって生ずるマスクパターン像を投影する。
【００３７】
制御部７１は、コンピュータと、このコンピュータを所定手段として機能させるプログラムを記憶しているメモリとを有しており、各部を制御する。本実施形態においては、制御部７１は、ウエハ支持部２１に支持され、フォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷを、複数の露光単位領域に区画し、その区画した複数の露光単位領域ごとに露光を順次実施するように、各部を制御する。
【００３８】
詳細については、後述するが、ここでは、まず、その露光単位領域においてモニタパターン像が転写される領域と、その露光単位領域に隣接する他の露光単位領域においてデバイスパターン像が転写される領域とが、互いに重複する部分を含むように、制御部７１が複数の露光単位領域を区画する。
【００３９】
そして、デバイスパターンＤＰについての露光を実施する場合には、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態で、デバイスパターン像がベストフォーカスで露光単位領域に転写されるように、制御部７１が各部を制御する。具体的には、デバイスパターンＤＰを照明する際には、第１遮光板４１ａがモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ１から透過するように、第１遮光板４１ａをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、ベストフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、デバイスパターンＤＰについての露光を、露光単位領域ごとに順次実施する。
【００４０】
一方、モニタパターンＭＰについての露光を実施する場合には、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態で、モニタパターン像がベストフォーカスで露光単位領域に転写される場合と、モニタパターン像がデフォーカスで露光単位領域に転写される場合とのいずれかになるように、制御部７１が各部を制御する。具体的には、モニタパターンＭＰを照明する際には、第２遮光板４１ｂがデバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ２から透過するように、第２遮光板４１ｂをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、ベストフォーカス状態で露光を実施する場合には、ベストフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、モニタパターンＭＰについての露光を、複数の露光単位領域において露光対象とした露光単位領域に実施する。また、デフォーカス状態で露光を実施する場合には、デフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、モニタパターンＭＰについての露光を、複数の露光単位領域においてベストフォーカス状態で露光を実施した露光単位領域以外の露光単位領域に実施する。
【００４１】
（動作）
以下より、本実施形態の露光装置１の動作について説明する。
【００４２】
図４は、本発明にかかる実施形態１において、露光装置１の動作の要部を示すフロー図である。
【００４３】
まず、図４に示すように、露光単位領域ＲＡを設定する（Ｓ１１）。
【００４４】
ここでは、フォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷの面を、ステップ・アンド・リピート方式によって露光するように、制御部７１が複数の露光単位領域ＲＡに区画し設定する。
【００４５】
図５は、本発明にかかる実施形態１において、ウエハＷの面にて設定された複数の露光単位領域ＲＡを示す平面図である。図５において、図５（ａ）は、ウエハＷの面にて転写されるデバイスパターン像ＤＩとモニタパターン像ＭＩとを示す平面図である。また、図５（ｂ）は、そのデバイスパターン像ＤＩとモニタパターン像ＭＩとを転写するために配置された露光単位領域ＲＡの一部を示す平面図である。また、図５（ｃ）は、その露光単位領域ＲＡを全て配置した様子を示す平面図である。
【００４６】
本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、デバイスパターン像ＤＩとモニタパターン像ＭＩとを、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにマトリクス状に並んで転写する。
【００４７】
たとえば、デバイスパターン像ＤＩについては、図５（ａ）に示すように、第１のデバイスパターン像ＤＩ１と第２のデバイスパターン像ＤＩ２と第３のデバイスパターン像ＤＩ３とを、ｘ方向において、順次、右方向へ向かって並ぶように転写する。そして、第４のデバイスパターン像ＤＩ４と第５のデバイスパターン像ＤＩ５と第６のデバイスパターン像ＤＩ６とを、ｘ方向において、順次、左方向へ向かって並ぶように転写する。そして、第７のデバイスパターン像ＤＩ７と第８のデバイスパターン像ＤＩ８と第９のデバイスパターン像ＤＩ９とを、ｘ方向において、順次、右方向へ向かって並ぶように転写する。
【００４８】
また、モニタパターン像ＭＩについては、たとえば、図５（ａ）に示すように、第１のモニタパターン像ＭＩ１と第２のモニタパターン像ＭＩ２と第３のモニタパターン像ＭＩ３とを、ｘ方向において、順次、右方向へ向かって並ぶように転写する。そして、第４のモニタパターン像ＭＩ４と第５のモニタパターン像ＭＩ５と第６のモニタパターン像ＭＩ６とを、ｘ方向において、順次、左方向へ向かって並ぶように転写する。そして、第７のモニタパターン像ＭＩ７と第８のモニタパターン像ＭＩ８と第９のモニタパターン像ＭＩ９とを、ｘ方向において、順次、右方向へ向かって並ぶように転写する。
【００４９】
このように、デバイスパターン像ＤＩとモニタパターン像ＭＩとを転写するために、本実施形態においては、図５（ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭにおいてレーザー光Ｌが照明される照明領域ＳＡ（図２参照）に対応する形状になるように露光単位領域ＲＡを区画する。まず、ここでは、図５（ｂ）に示すように、この露光単位領域ＲＡとして、第１のデバイスパターン像ＤＩ１と第１のモニタパターン像ＭＩ１とを転写する領域を含むように、第１の露光単位領域ＲＡ１を配置する。
【００５０】
そして、図５（ｃ）に示すように、その露光単位領域ＲＡにおいてモニタパターン像ＭＩが転写されるモニタパターン像転写領域ＭＴと、その露光単位領域ＲＡに隣接する他の露光単位領域ＲＡにおいてデバイスパターン像ＤＩが転写されるデバイスパターン像転写領域ＤＴとが、互いに重複する部分を含むように、その露光単位領域ＲＡを、マトリクス状に制御部７１が複数配置する。
【００５１】
たとえば、図５（ｃ）に示すように、露光単位領域ＲＡとして、第１の露光単位領域ＲＡ１と第２の露光単位領域ＲＡ２と第３の露光単位領域ＲＡ３とを、ｘ方向において、順次、右方向へ向かって並ぶように、順次、近接させて配置する。その後、その第３の露光単位領域ＲＡ３におけるデバイスパターン像転写領域ＤＴの上端部に、下端部が近接するように第４の露光単位領域ＲＡ４を配置する。つまり、第３の露光単位領域ＲＡ３と第４の露光単位領域ＲＡ４とのそれぞれが、第３の露光単位領域ＲＡ３にて上端側に位置するモニタパターン像転写領域ＭＴにおいて、互いに重複するように配置する。そして、その第４の露光単位領域ＲＡ４から左方向へ向かって並ぶように、第５の露光単位領域ＲＡ５と第６の露光単位領域ＲＡ６とを、順次、近接させて配置する。そして、第６の露光単位領域ＲＡ６におけるデバイスパターン像転写領域ＤＴの上端部に、下端部が近接するように第７の露光単位領域ＲＡ７を配置した後に、その第７の露光単位領域ＲＡ７から右方向へ向かって並ぶように、第８の露光単位領域ＲＡ８と第９の露光単位領域ＲＡ９とを近接させて配置する。
【００５２】
つぎに、図４に示すように、ベストフォーカス状態でデバイスパターンＤＰについての露光を実施する（Ｓ２１）。
【００５３】
ここでは、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態で、デバイスパターン像がベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写されるように、制御部７１が各部を制御する。
【００５４】
具体的には、前述の図３（ａ）に示すように、第１遮光板４１ａがモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ１から透過するように、第１遮光板４１ａをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、ベストフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、デバイスパターンＤＰについての露光を、露光単位領域ＲＡごとに順次実施する。
【００５５】
たとえば、図５（ｃ）に示す複数の露光単位領域ＲＡにおいて、第１の露光単位領域ＲＡ１，第２の露光単位領域ＲＡ２，第３の露光単位領域ＲＡ３，第４の露光単位領域ＲＡ４，第５の露光単位領域ＲＡ５，第６の露光単位領域ＲＡ６，第７の露光単位領域ＲＡ７，第８の露光単位領域ＲＡ８，第９の露光単位領域ＲＡ９の順で露光を実施する。これにより、図５（ａ）に示すように、各デバイスパターン像ＤＩが転写される。
【００５６】
つぎに、図４に示すように、ベストフォーカス状態でモニタパターンＭＰについての露光を実施する（Ｓ３１）。
【００５７】
ここでは、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態で、モニタパターン像ＭＩがベストフォーカス状態で露光単位領域ＲＡに転写されるように、制御部７１が各部を制御する。
【００５８】
具体的には、前述の図３（ｂ）に示すように、第２遮光板４１ｂがデバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ２から透過するように、第２遮光板４１ｂをフォトマスクＰＭの前へ移動する。そして、ベストフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、モニタパターンＭＰについての露光を、複数の露光単位領域ＲＡにおいて露光対象とした露光単位領域ＲＡに実施する。
【００５９】
たとえば、図５（ｃ）に示す複数の露光単位領域ＲＡにおいて、第９の露光単位領域ＲＡ９，第８の露光単位領域ＲＡ８，第７の露光単位領域ＲＡ７，第６の露光単位領域ＲＡ６，第５の露光単位領域ＲＡ５，第４の露光単位領域ＲＡ４，第３の露光単位領域ＲＡ３の順で露光を実施する。これにより、図５（ａ）に示すように、各モニタパターン像ＭＩにおいて、第１のモニタパターン像ＭＩ１と第２のモニタパターン像ＭＩ２とを除く、第３のモニタパターン像ＭＩ３，第４のモニタパターン像ＭＩ４，第５のモニタパターン像ＭＩ５，第６のモニタパターン像ＭＩ６，第７のモニタパターン像ＭＩ７，第８のモニタパターン像ＭＩ８，第９のモニタパターン像ＭＩ９が転写される。
【００６０】
つぎに、図４に示すように、デフォーカス状態でモニタパターンＭＰについての露光を実施する（Ｓ４１）。
【００６１】
ここでは、前工程と同様に、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態を維持する。そして、その前工程と異なり、モニタパターン像ＭＩがデフォーカス状態で露光単位領域ＲＡに転写されるように、制御部７１が各部を制御する。
【００６２】
具体的には、前工程と同様に、前述の図３（ｂ）に示すように、第２遮光板４１ｂがデバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光すると共に、モニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを開口Ａ２から透過するように、第２遮光板４１ｂがフォトマスクＰＭの前へ移動された状態を維持する。そして、デフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、モニタパターンＭＰについての露光を、複数の露光単位領域ＲＡにおいてベストフォーカス状態で露光を実施した露光単位領域ＲＡ以外の露光単位領域ＲＡに実施する。
【００６３】
すなわち、本実施形態においては、図５（ｃ）に示す複数の露光単位領域ＲＡにおいて、第２の露光単位領域ＲＡ２，第１の露光単位領域ＲＡ１の順で露光を実施する。これにより、図５（ａ）に示すように、各モニタパターン像ＭＩにおいて、第１のモニタパターン像ＭＩ１と第２のモニタパターン像ＭＩ２とが、デフォーカス状態で転写される。
【００６４】
以上のように、本実施形態は、フォトレジスト膜ＰＲが形成されたウエハＷの面において区画された複数の露光単位領域ＲＡごとに、露光を順次実施する際において、フォトマスクＰＭに形成されたデバイスパターンＤＰについては、フォトマスクＰＭに形成されたモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態にして、デバイスパターン像をベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写させる。一方で、そのモニタパターンＭＰについては、デバイスパターンＤＰへ照明される光を遮光した状態にして、そのモニタパターン像がベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合と、そのモニタパターン像がデフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合とのいずれかになるように照明する。
【００６５】
このように、本実施形態は、露光単位領域ＲＡにデフォーカスの状態にてモニタパターン像ＭＩの転写を実施する際に、デバイスパターンＤＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光するために、デフォーカス状態でデバイスパターン像ＤＩが露光単位領域ＲＡに転写されない。このため、別途、ベストフォーカス状態でデバイスパターン像ＤＩを露光単位領域ＲＡに転写することができる。よって、その露光単位領域ＲＡにおいて、デバイスに対応した形状でデバイスパターン像ＤＩが転写されることになるため、その領域にて、デバイスを製造することができる。したがって、本実施形態は、焦点位置の変動値などのプロセス条件をモニタするために必要であった犠牲ショットが不要になるため、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００６６】
＜実施形態２＞
本発明にかかる実施形態２について説明する。
【００６７】
（装置構成）
図６は、本発明にかかる実施形態２において、露光装置１ｂを示す図である。
【００６８】
図６に示すように、本実施形態の露光装置１ｂは、スキャナであり、実施形態１のブラインド部４１に代えて、スリット部４２が配置されており、ステップ・アンド・スキャン方式にて露光を実施する。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する個所については、説明を省略する。
【００６９】
本実施形態の露光装置１ｂにおいて、スリット部４２は、フォトマスクＰＭへ照明されたレーザー光Ｌを遮光することによって、そのフォトマスクＰＭの照明領域ＲＡの一部を照明するスリットＳＬが形成されており、制御部７１からの指令に基づいて、そのスリットＳＬを照明領域ＲＡに対応するように移動する。
【００７０】
図７は、本発明にかかる実施形態２において、フォトマスクＰＭに対してスリット部４２がスリットＳＬを移動する様子を示す図である。
【００７１】
図７に示すように、スリット部４２は、フォトマスクＰＭの照明領域ＲＡにおいて、ｙ方向に並ぶデバイスパターンＤＰとモニタパターンＭＰとのそれぞれを順次照明するように、その照明領域ＲＡにおけるｙ方向の下端部から上端部の範囲で、スリットＳＬを移動する。つまり、図７において太い実線で示すように照明領域ＲＡにおけるｙ方向の下端部にスリットＳＬを配置した状態から、図７において太い破線で示すように照明領域ＲＡにおけるｙ方向の上端部にスリットＳＬが配置される状態になるように、スリット部４２がスリットＳＬを順次移動する。
【００７２】
（動作）
以下より、本実施形態の露光装置１ｂの動作について説明する。
【００７３】
図８は、本発明にかかる実施形態２において、露光装置１ｂの動作の要部を示すフロー図である。
【００７４】
まず、図８に示すように、露光単位領域ＲＡを設定する（Ｓ１１１）。
【００７５】
ここでは、実施形態１と同様に、露光単位領域ＲＡを設定する。
【００７６】
つぎに、図８に示すように、露光を実施する（Ｓ１２１）。
【００７７】
ここでは、まず、ベストフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整する。そして、露光単位領域ＲＡごとに露光を順次実施する。
【００７８】
本実施形態においては、たとえば、図５（ｃ）に示す複数の露光単位領域ＲＡにおいて、第８の露光単位領域ＲＡ８，第９の露光単位領域ＲＡ９を除き、第１の露光単位領域ＲＡ１，第２の露光単位領域ＲＡ２，第３の露光単位領域ＲＡ３，第４の露光単位領域ＲＡ４，第５の露光単位領域ＲＡ５，第６の露光単位領域ＲＡ６，第７の露光単位領域ＲＡ７の順で、露光を逐次実施する。つまり、ベストフォーカスを維持した状態において、前述の図７に示すように、フォトマスクＰＭの照明領域ＲＡにてｙ方向に並ぶデバイスパターンＤＰとモニタパターンＭＰとのそれぞれを順次照明するように、ｙ方向の下端部から上端部へスリット部４２にスリットＳＬを移動させることによって、制御部７１が各露光単位領域ＲＡの露光を実施する。これにより、図５（ａ）に示す各デバイスパターン像ＤＩにおいて、第１のデバイスパターン像ＤＩ１と第２のデバイスパターン像ＤＩ２と第３のデバイスパターン像ＤＩ３と第４のデバイスパターン像ＤＩ４と第５のデバイスパターン像ＤＩ５と第６のデバイスパターン像ＤＩ６と第７のデバイスパターン像ＤＩ７とが、ベストフォーカスの状態で転写される。そして、これらと共に、図５（ａ）に示す各モニタパターン像ＭＩにおいて、第１のモニタパターン像ＭＩ１と第２のモニタパターン像ＭＩ２と第３のモニタパターン像ＭＩ３と第４のモニタパターン像ＭＩ４と第５のモニタパターン像ＭＩ５と第６のモニタパターン像ＭＩ６と第７のモニタパターン像ＭＩ７とが、ベストフォーカスの状態で転写される。
【００７９】
この後、上記で露光を実施しなかった他の露光単位領域ＲＡについて、露光を順次実施する。ここでは、デバイスパターンＤＰについてはベストフォーカスの状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整して露光を実施し、モニタパターンＭＰについては、デフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整して、露光を実施する。
【００８０】
本実施形態においては、図５（ｃ）に示す複数の露光単位領域ＲＡにおいて、第８の露光単位領域ＲＡ８，第９の露光単位領域ＲＡ９の順で露光を実施する。ここでは、まず、ベストフォーカスを維持した状態において、前述の図７に示すように、フォトマスクＰＭの照明領域ＲＡにてｙ方向に並ぶデバイスパターンＤＰを順次照明するように、ｙ方向の下端部から上端部の側へスリット部４２にスリットＳＬを移動させることによって、制御部７１が第８の露光単位領域ＲＡ８におけるデバイスパターンＤＰを照明する。そして、ｙ方向の下端部から上端部へスリット部４２にスリットＳＬを移動させた際に、そのスリットＳＬがモニタパターンＭＰに対応する位置に移動された場合には、デフォーカス状態になるようにウエハ支持部２１が支持するウエハＷの位置を調整し、そのモニタパターンＭＰを照明する。つまり、図７において太い破線で示すように照明領域ＲＡにおけるｙ方向の上端部にスリットＳＬが移動された際には、レーザー光ＬをモニタパターンＭＰにおいてデフォーカス状態で照明する。この後、第９の露光単位領域ＲＡ９についても、この動作で露光を実施する。これにより、図５（ａ）に示す各デバイスパターン像ＤＩにおいて、第８のデバイスパターン像ＤＩ８と第９のデバイスパターン像ＤＩ９とが、ベストフォーカスの状態で転写される。そして、これらと共に、図５（ａ）に示す各モニタパターン像ＭＩにおいて、第７のモニタパターン像ＭＩ７と第８のモニタパターン像ＭＩ８とが、デフォーカスの状態で転写される。
【００８１】
以上のように、本実施形態は、実施形態１と同様に、フォトマスクＰＭに形成されたデバイスパターンＤＰについては、フォトマスクＰＭに形成されたモニタパターンＭＰへ照明されるレーザー光Ｌを遮光した状態にして、デバイスパターン像をベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写させる。そして、モニタパターンＭＰについても、実施形態１と同様に、デバイスパターンＤＰへ照明される光を遮光した状態にして、そのモニタパターン像がベストフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合と、そのモニタパターン像がデフォーカスで露光単位領域ＲＡに転写される場合とのいずれかになるように照明する。このため、本実施形態は、実施形態１と同様に、焦点位置の変動値などのプロセス条件をモニタするために必要であった犠牲ショットが不要になるため、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００８２】
また、本実施形態は、実施形態１と異なり、露光単位領域ＲＡにおいてスリットＳＬを移動させてスキャンしているために、そのスキャン内にて、ベストフォーカスでデバイスパターンＤＳを照明し、デフォーカスでモニタパターンＭＰを照明して、露光することができる。よって、露光単位領域ＲＡを複数回露光していないために、スループットを向上することができる。
【００８３】
なお、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００８４】
たとえば、露光単位領域ＲＡごとに露光をステップ・アンド・リピート方式にて順次実施する際においては、上記の実施形態に示すような順序で露光単位領域ＲＡを逐次露光する場合に限らない。たとえば、一の露光単位領域ＲＡについて、第１遮光板４１ａをフォトマスクＰＭの前へ移動してデバイスパターン像ＤＩを転写する動作と、第２遮光板４１ｂをフォトマスクＰＭの前へ移動してモニタパターン像ＭＩを転写する動作との両者を実施した後に、隣接する他の露光単位領域ＲＡへ移動して、同様に露光を実施してもよい。
【００８５】
また、たとえば、モニタパターンＭＰについては、ＭＰＸに対応するように形成する場合に限らない。たとえば、Ｂｏｘ  ｉｎ  Ｂｏｘ，Ｂａｒ  ｉｎ  Ｂａｒ，ＡＩＭ，十字マークなどの合わせ精度評価マークや、測長ＳＥＭ用パターン，スキャットロメトリ用パターンなどのモニタマークに対応するように形成する場合においても、適用可能である。
【００８６】
また、たとえば、モニタパターン像がデバイスパターン像転写領域内において形成される場合について示したが、これに限定されない。たとえば、デバイスパターン像転写領域とモニタパターン像転写領域とを重複させずに、デバイスパターン像転写領域とモニタパターン像転写領域との端部が対応するように各露光単位領域を配置することによって、モニタパターン像がデバイスパターン像転写領域外に形成される場合においても適用してもよい。すなわち、デバイスパターン像転写領域の周囲においてスクライブラインがされるスクライブライン形成領域として機能するモニタパターン像転写領域に、モニタパターン像が転写される場合においても、適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、露光装置１を示す図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、フォトマスク支持部１１によって支持されるフォトマスクＰＭを示す平面図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態において、ブラインド部４１を構成する第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂとを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、露光装置１の動作の要部を示すフロー図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、ウエハＷの面にて設定された複数の露光単位領域ＲＡを示す平面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態２において、露光装置１ｂを示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態２において、フォトマスクＰＭに対してスリット部４２がスリットＳＬを移動する様子を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態２において、露光装置１ｂの動作の要部を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…露光装置、
１１…フォトマスク支持部、
２１…ウエハ支持部、
３１…レーザー光源、
４０…照明光学系、
４１…ブラインド部
４１ｂ…スリット部、
５１…投影光学系、
７１…制御部（露光制御部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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