(57)【要約】  【課題】  耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率の低いシリカ系被膜、該シリカ系被膜の形成に好適なシリカ系被膜形成用材料等の提供。  【解決手段】  本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを含む。ｘは、０〜２の整数を表す。シリコーンポリマーが一般式（１）〜（３）で表されるシリコン化合物と、一般式（４）〜（７）で表されるシリコン化合物とを加水分解縮重合反応させて得られる態様等が好ましい。【化１３】2007016177.tif 000022【化１４】2007016177.tif 000023  一般式（１）〜（７）中、ｎは０又は１を表す。Ｒ１はｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素のいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基のいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１〜４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は炭素数１〜３の炭化水素及び芳香族炭化水素のいずれかを表す。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを少なくとも含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用材料。
ただし、前記ｘは、０〜２の整数を表す。
【請求項２】
シリコーンポリマーが、下記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、下記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを、加水分解縮重合反応させて得られる請求項１に記載のシリカ系被膜形成用材料。
【化１】
2007016177.tif 000020
【化２】
2007016177.tif 000021
ただし、前記一般式（１）から（７）中、ｎは、０又は１を表す。Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、ｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素の少なくともいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
【請求項３】
請求項１から２のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことを特徴とするシリカ系被膜の製造方法。
【請求項４】
熱処理が、５０〜４００℃の不活性ガスの存在下にて行われる請求項３に記載のシリカ系被膜の製造方法。
【請求項５】
請求項３から４のいずれかに記載のシリカ系被膜の製造方法により製造されたことを特徴とするシリカ系被膜。
【請求項６】
ドライエッチングの際のハードマスク、及び化学的機械研磨の際の保護膜のいずれかとして用いられる請求項５に記載のシリカ系被膜。
【請求項７】
請求項５から６のいずれかに記載のシリカ系被膜を少なくとも有することを特徴とする多層配線。
【請求項８】
請求項７に記載の多層配線を製造する方法であって、請求項１から２のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことによりシリカ系被膜を形成するシリカ系被膜形成工程と、配線を形成する配線形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする多層配線の製造方法。
【請求項９】
請求項５から６のいずれかに記載のシリカ系被膜を、層間絶縁膜及び該層間絶縁膜の表面に形成される保護膜のいずれかとして有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置を製造する方法であって、被加工面上に請求項１から２のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜を形成するシリカ系被膜形成工程と、該シリカ系被膜をマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路における多層配線に好適なシリカ系被膜形成用材料、該シリカ系被膜形成用材料を用いて形成したシリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、該シリカ系被膜を層間絶縁膜、保護膜等として有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の集積度の増加及び素子密度の向上に伴い、特に半導体素子の多層化への要求が高まっている。この半導体集積回路の高集積化に伴い、配線間隔は更に狭くなることから、配線間の容量増大による配線遅延が問題となっている。ここで、前記配線遅延（Ｔ）は、次式、Ｔ∝ＣＲ、で表され、配線抵抗（Ｒ）及び配線間の容量（Ｃ）に影響を受ける。そして、前記誘電率（ε）と前記配線間の容量（Ｃ）との関係は、次式、Ｃ＝ε０εｒ・Ｓ／ｄ、で表される。なお、該式において、Ｓは電極面積、ε０は真空の誘電率、εｒは絶縁膜の誘電率、ｄは配線間隔をそれぞれ表す。前記配線間の容量（Ｃ）は、配線厚を薄くし電極面積を小さくすることで低減できるものの、配線厚を薄くすると、更に前記配線抵抗（Ｔ）の上昇を招くために高速化を達成し得ない。したがって、前記配線遅延（Ｔ）を小さくし、高速化を図るためには、絶縁膜の低誘電率化が有効な手段となる。
【０００３】
近時、半導体集積回路の集積度の増加及び素子密度の向上に伴い、多層配線構造を有する半導体装置においては、金属配線間隔が狭くなる傾向にあり、静電誘導による金属配線のインピーダンスが増大し、応答速度の遅延や消費電力の増大が懸念されている。このため、半導体基板と金属配線との間、又は金属配線間に設けられる層間絶縁膜の比誘電率をできる限り小さくすることが必要となる。
【０００４】
従来の絶縁膜の材料としては、二酸化珪素(ＳｉＯ２)、窒化珪素(ＳｉＮ)、燐珪酸ガラス(ＰＳＧ)等の無機材料、又はポリイミド等の有機系高分子材料が用いられている。しかし、半導体装置で多用されているＣＶＤ−ＳｉＯ２膜の誘電率は４程度と高いものである。また、低誘電率ＣＶＤ膜として検討されているＳｉＯＦ膜は誘電率が約３．３〜３．５であるが、吸湿性が高く、誘電率が経時的に上昇してしまうという問題がある。更に、多孔質化したシリカ系低誘電率膜が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この多孔質化被膜の製造方法は、熱分解性成分を加熱し、分解させて孔を形成する工程を有するため、一層の低誘電率化が可能となる。
【０００５】
しかし、前記シロキサン樹脂の多孔質化被膜の場合には、その被膜の性質上、エッチングによる加工が困難であり、該被膜を保護するために、誘電率が４．５程度のＳｉＣＨ膜等のプラズマＣＶＤ膜を保護膜として形成することが必要となり、前記多孔質被膜の低誘電率特性を有効に利用することができないという問題がある。また、０．１μｍ以下の微細な配線を形成する場合、絶縁膜ハードマスクや三層レジスト等が適用されているが、前記多孔質膜や前記保護膜とのドライエッチングの選択比が充分に取れないため、配線ショートや絶縁膜リークを生ずるという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５３１４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率の低いシリカ系被膜及びその効率的な製造方法、該シリカ系被膜の形成に好適なシリカ系被膜形成用材料、配線間の寄生容量が低減可能な多層配線及びその効率的な製造方法、並びに、前記シリカ系被膜を層間絶縁膜、保護膜等として有する高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。即ち、
本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを少なくとも含むことを特徴とする。
ただし、前記ｘは、０〜２の整数を表す。
該シリコーンポリマーは、下記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、下記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを、加水分解縮重合反応させて得られるのが好ましい。
【化３】
2007016177.tif 000002
【化４】
2007016177.tif 000003
ただし、前記一般式（１）から（７）中、ｎは、０又は１を表す。Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、ｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素の少なくともいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
該シリカ系被膜形成用材料においては、前記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物が、優れた耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性を有し、前記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物が、優れた密着性を有するため、これらのシリコン化合物が加水分解縮重合反応されて得られたシリコーンポリマーは、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性及び密着性の総てに優れる。このため、シリカ系被膜、多層配線の形成に好適に使用可能であり、各種半導体装置などに好適であり、本発明のシリカ系被膜、本発明の多層配線、及び本発明の半導体装置の製造に特に好適に使用可能である。
【０００９】
本発明のシリカ系被膜の製造方法は、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことを特徴とする。該シリカ系被膜の製造方法においては、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料が前記被加工面上に塗布された後、熱処理が行われる。その結果、シリカ系被膜が効率的に形成される。該シリカ系被膜の製造方法は、本発明のシリカ系被膜の形成に特に好適である。
【００１０】
本発明のシリカ系被膜は、本発明の前記シリカ系被膜の製造方法により製造される。また、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料により形成されるので、耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、しかも下地層との密着性が良好である。このため、ドライエッチングの際のハードマスクとして用いることができ、微細パターンの形成が容易となる。また、例えば、多孔質化された膜のように接触面積の狭いものが下地層である場合にも密着性が良好であり、前記下地層からの剥がれが防止される。更に、誘電率が低いため、寄生容量が低減され、信号伝播速度の高速化が可能であり、応答速度の高速化が要求される、ＩＣ、ＬＳＩ等の高集積度の半導体集積回路等に特に好適である。
従来より、絶縁膜の寄生容量による信号伝播速度の低下が知られていたが、半導体デバイスの配線間隔が１μｍ以上の世代では配線遅延のデバイス全体への影響は少なかった。近時、半導体集積回路が高集積化され、多層配線構造化されるようになり、配線幅・間隔が狭くなり、特に配線間隔が１μｍ以下では、配線抵抗の上昇と配線間の寄生容量の増大が問題となってきている。前記半導体集積回路等のデバイスの性能を支配する大きな要素である、前記配線抵抗と前記配線間の寄生容量とによって、該半導体集積回路の多層配線構造における信号伝播速度が決定されることから、該配線抵抗の上昇と該配線間の寄生容量の増大は前記信号伝播速度の低下を招く原因として、克服しなければならない大きな問題である。該信号伝播速度の向上を図るためには、前記配線抵抗の低下と前記配線間の寄生容量（絶縁膜の誘電率）の低下とが必須である。前記配線間の寄生容量は、配線を薄くして断面積を小さくすると低減できるものの、配線を薄くすると前記配線抵抗が上昇してしまう。つまり、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とは二律背反の関係にあるため、前記信号伝播速度の向上は容易ではない。しかし、低誘電率で、応答速度の高速化に寄与し得る本発明のシリカ系被膜によれば、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とを達成することができ、前記信号伝播速度の高速化が可能となる。
【００１１】
本発明の多層配線は、本発明の前記シリカ系被膜を少なくとも有することを特徴とする。該多層配線においては、より低誘電率で寄生容量が低減された本発明の前記シリカ系被膜を有するので、信号伝播速度の高速化が可能であり、応答速度の高速化が要求される半導体集積回路等に特に好適である。
本発明の多層配線の製造方法は、本発明の前記多層配線を製造する方法であって、シリカ系被膜形成工程と配線形成工程とを、少なくとも含むことを特徴とする。該多層配線の製造方法では、前記シリカ系被膜形成工程において、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料が前記被加工面上に塗布された後、熱処理が行われて前記シリカ系被膜が形成される。前記配線形成工程において、前記配線が形成される。そして、前記シリカ系被膜形成工程及び前記配線形成工程を含む一連の工程を繰り返し行うことにより、本発明の多層配線が効率的に形成される。該多層配線の製造方法は、本発明の前記多層配線の製造に特に好適である。
【００１２】
本発明の半導体装置は、本発明の前記シリカ系被膜を少なくとも有することを特徴とする。該半導体装置においては、本発明の前記シリカ系被膜を有するので、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とが達成され、高速で信頼性の高いフラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ＭＯＳトランジスタ、などに特に好適である。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリカ系被膜形成工程とパターニング工程とを少なくとも含むことを特徴とする。該半導体装置の製造方法では、まず、前記シリカ系被膜形成工程において、多層配線が形成される対象である被加工面上に本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜が形成される。次に、前記パターニンング工程において、得られたシリカ系被膜をマスクとしてエッチングにより前記被加工面がパターニングされる。その結果、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とを達成することができ、信号伝播速度の高速化が可能で高性能な半導体装置が効率よく製造される。該半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置の製造に特に好適である。
従来、半導体装置の製造は、低誘電率絶縁膜（層間絶縁膜）の形成、プラズマＣＶＤによる保護層の形成、及びエッチングストッパ層の形成により行われているが、該製造方法では、層間絶縁膜を真空チャンバとキュア炉とを往復させて形成する必要があり、製造コストが高いという問題があった。しかし、本発明の半導体装置の製造方法によれば、本発明の前記シリカ系被膜を形成する工程を含むので、絶縁膜積層コストの低減と、低誘電率化による寄生容量の低減とを実現することができ、信号伝播速度の高速化が可能となる。また、前記シリカ系被膜は、耐エッチング性等に優れるので、ドライエッチングにおけるハードマスクとして用いることができ、微細パターンの形成に有効であり、より効率よく半導体装置が製造される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、エッチング耐性及び耐薬品性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率の低いシリカ系被膜及びその効率的な製造方法、該シリカ系被膜の形成に好適なシリカ系被膜形成用材料、配線間の寄生容量が低減可能な多層配線及びその効率的な製造方法、並びに、前記シリカ系被膜を層間絶縁膜等として有する高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（シリカ系被膜形成用材料）
本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを少なくとも含んでなり、更に必要に応じて、有機溶剤、その他の成分等を含んでなる。
【００１６】
−シリコーンポリマー−
前記シリコーンポリマーは、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有することが必要である。ただし、前記ｘは、０〜２の整数を表す。この場合、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性、及び密着性の総てに優れたシリカ系被膜形成用材料が得られる。
前記シリコーンポリマーにおける、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の存在を確認する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、赤外分光分析を用いて吸収ピークを測定することにより、これらの構造を総て含んでいることを分析することができる。
【００１７】
前記シリコーンポリマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、下記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを、加水分解縮重合反応させて得られるものが好ましい。
下記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物は、骨格に炭化水素又は芳香族炭化水素を有し、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性などを付与することができ、下記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物は、機械的強度、下地層との密着性などを付与することができる。
【００１８】
【化５】
2007016177.tif 000004
【化６】
2007016177.tif 000005
ただし、前記一般式（１）から（７）中、ｎは、０又は１を表す。Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、ｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素の少なくともいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
【００１９】
前記加水分解縮重合反応に用いるシリコン化合物の組合せとしては、前記一般式（１）から（７）中、ｎの数により異なり、具体的にはｎが１であるか、０であるかにより、以下に示す組合せが挙げられる。
【００２０】
前記一般式（１）から（７）中、ｎ＝１のとき、下記構造式（１）から（３）で表されるシリコン化合物と、下記構造式（４）から（７）で表されるシリコン化合物との組合せが好適に使用可能である。
【００２１】
【化７】
2007016177.tif 000006
【化８】
2007016177.tif 000007
ただし、前記構造式（１）から（７）中、Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
【００２２】
前記構造式（１）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(トリメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリメトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリメトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリメトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリメトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、ビス(トリプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(トリイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリメトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリメトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリメトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリメトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(トリブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリブトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリブトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリブトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリブトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(トリｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(トリアセトキシシリル)メタン、１，３−ビス(トリアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(トリフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(トリフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(トリフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(トリフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(トリブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(トリブトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリブトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
前記構造式（２）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロポキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシエチルシリル)ブタン、１，３−ビス(ジメトキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシエチルシリル)ブタン、１，３−ビス(ジエトキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシエチルシリル)ブタン、１，３−ビス(ジプロポキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシエチルシリル)ブタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロポキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシプロピルシリル)プロパン、１，４−���ス(ジイソプロポキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロポキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロポキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロ��キシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジメトキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジメトキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメトキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメトキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジエトキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジエトキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエトキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエトキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジプロポキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロポキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロポキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロポキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロポキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロポキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロポキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロポキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロポキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロポキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシイソプロピルシリル)エタン
、１，３−ビス(ジアセトキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔ)ブトキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシブチルシリル)ベンゼン、１，２−ビス(ジブトキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシフェニルシリル)エタン、１，２−ビス(ジブトキシフェニルシリル)プロパン、１，２−ビス(ジブトキシフェニルシリル)ブタン、１，２−ビス(ジブトキシフェニルシリル)ベンゼン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシフェニルシリル)エタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシフェニルシリル)プロパン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシフェニルシリル)ブタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシフェニルシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
前記構造式（３）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(ジメチルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルメトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルメトキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジエチルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルエトキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジエチルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルプロポキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジエチルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルイソプロポキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジエチルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルメトキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジプロピルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルエトキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジプロピルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルプロポキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジプロピルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−���ス(ジプロピルイソプロポキシシリル)ブタン、１，３−ビス(ジプロピルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルメトキシシリル)エタン、１，３-ビス(ジイソプロピルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルメトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルメトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルメトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルプロポキシシリル)プロパン、１，４ビス(ジｔｅｒｔブチルプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔ���チルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルメトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルメトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルメトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルメトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルメトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルエトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルエトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルエトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルエトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルエトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルイソプロポキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルイソプロポキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルイソプロポキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルイソプロポキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルイソプロポキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルアセ��キシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルアセトキシシリル)エタン、
１，３−ビス(ジイソプロピルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルアセトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルフェノキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルフェノキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルフェノキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルフェノキシシリル)ベンゼン、ビス(ジブトキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブトキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブトキシｔ��ｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジアセトキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジアセトキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジアセトキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジアセトキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジアセトキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェノキシｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェノキシｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェノキシｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェノキシｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェノキシｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルｔｅｒｔブトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルｔｅｒｔブトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルｔｅｒｔブトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルｔｅｒｔブトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルｔｅｒｔブトキシシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルアセトキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルアセトキシシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルアセトキシシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルアセトキシシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルアセトキシシリル)ベンゼン、１，２−ビス(ジフェニルフェノキシシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルフェノキシシリル)エタン、１，２−ビス(ジフェニルフェノキシシリル)プロパン、１，２−ビス(ジフェニルフェノキシシリル)ブタン、１，２−ビス(ジフェニルフェノキシシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
前記構造式（４）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラｔｅｒｔブトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２６】
前記構造式（５）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリプロポキシシラン、イソプロピルトリプロポキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリプロポキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、トリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、プロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリブトキシシラン、プロピルトリブトキシシラン、イソプロピルトリブトキシシラン、ブチルトリブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリブトキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、トリブトキシシラン、エチルトリｔｅｒｔブトキシシラン、プロピルトリｔｅｒｔブトキシシラン、イソプロピルトリｔｅｒｔブトキシシラン、ブチルトリｔｅｒｔブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルトリｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルメチルジｔｅｒｔブトキシシラン、トリｔｅｒｔブトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、イソプロピルトリアセトキシシラン、ブチルトリアセトキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリアセトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、トリアセトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、プロピルトリフェノキシシラン、イソプロピルトリフェノキシシラン、ブチルトリフェノキシシラン、ｔｅｒｔブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、フェニルプロピルジフェノキシシラン、トリフェノキシシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
前記構造式（６）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルフェニルメトキシシラン、フェニルエチルジメトキシシラン、フェニルプロピルジメトキシシラン、フェニルイソプロピルジメトキシシラン、フェニルブチルジメトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジメトキシシラン、ジメトキシシラン、メチルジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、プロピルジメトキシシラン、イソプロピルジメトキシシラン、ブチルジメトキシシラン、ｔｅｒｔブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジブチルジエトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルエチルジエトキシシラン、フェニルプロピルジエトキシシラン、フェニルイソプロピルジエトキシシラン、フェニルブチルジエトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジエトキシシラン、ジエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、エチルジエトキシシラン、プロピルジエトキシシラン、イソプロピルジエトキシシラン、ブチルジエトキシシラン、ｔｅｒｔブチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、ジイソプロピルジプロポキシシラン、ジブチルジプロポキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジプロポキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、フェニルメチルジプロポキシシラン、フェニルエチルジプロポキシシラン、フェニルプロピルジプロポキシシラン、フェニルイソプロピルジプロポキシシラン、フェニルブチルジプロポキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジプロポキシシラン、ジプロポキシシラン、メチルジプロポキシシラン、エチルジプロポキシシラン、エチルプロポキシシラン、プロピルジプロポキシシラン、イソプロピルジプロポキシシラン、ブチルジプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルジプロポキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジプロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジブチルジイソプロポキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、フェニルメチルジイソプロポキシシラン、フェニルエチルジイソプロポキシシラン、フェニルプロピルジイソプロポキシシラン、フェニルイソプロピルジイソプロポキシシラン、フェニルブチルジイソプロポキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジイソプロポキシシラン、ジイソプロポキシシラン、メチルジイソプロポキシシラン、エチルジイソプロポキシシラン、プロピルジイソプロポキシシラン、イソプロピルジイソプロポキシシラン、ブチルジイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、ジメチルジブトキシシラン、ジエチルジブトキシシラン、ジプロピルジブトキシシラン、ジイソプロピルジブトキシシラン、ジブチルジブトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジブトキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、フェニルメチルジブトキシシラン、フェニルエチルジブトキシシラン、フェニルプロピルジブトキシシラン、フェニルイソプロピルジブトキシシラン、フェニルブチルジブトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジブトキシシラン、ジブトキシシラン、メチルジブトキシシラン、エチルジブトキシシラン、プロピルジブトキシシラン、イソプロピルジブトキシシラン、ブチルジブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルジブトキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、ジエチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジプロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジイソプロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルジｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルエチルジｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルプロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルイソプロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジｔｅｒｔブトキシシラン、メチルジｔｅｒｔブトキシシラン、エチルジｔｅｒｔブトキシシラン、プロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、イソプロピルジｔｅｒｔブトキシシラン、ブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルジｔｅｒｔブトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジエチルジアセトキシシラン、ジプロピルジアセトキシシラン、ジイソプロピルジアセトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、フェニルメチルジアセトキシシラン、フェニルエチルジアセトキシシラン、フェニルプロピルジアセトキシシラン、フェニルイソプロピルジアセトキシシラン、フェニルブチルジアセトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジアセトキシシラン、ジアセトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、エチルジアセトキシシラン、プロピルジアセトキシシラン、イソプロピルジアセトキシシラン、ブチルジアセトキシシラン、ｔｅｒｔブチルジアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジプロピルジフェノキシシラン、ジイソプロピルジフェノキシシラン、ジブチルジフェノキシシラン、ジｔｅｒｔブチルジフェノキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、フェニルメチルジフェノキシシラン、フェニルエチルジフェノキシシラン、フェニルイソプロピルジフェノキシシラン、フェニルブチルジフェノキシシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジフェノキシシラン、ジフェノキシシラン、メチルジフェノキシシラン、エチルジフェノキシシラン、プロピルジフェノキシシラン、イソプロピルジフェノキシシラン、ブチルジフェノキシシラン、ｔｅｒｔブチルジフェノキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２８】
前記構造式（７）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、トリメチルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリイソプロピルメトキシシラン、トリブチルメトキシシラン、トリｔｅｒｔブチルメトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、ジフェニルメチルメトキシシラン、ジエチルフェニルメトキシシラン、ジフェニルエチルメトキシシラン、ジプロピルフェニルメトキシシラン、ジフェニルプロピルメトキシシラン、ジイソプロピルフェニルメトキシシラン、ジフェニルイソプロピルメトキシシラン、ジブチルフェニルメトキシシラン、ジブチルメチルメトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルメトキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルメトキシシラン、モノメトキシシラン、メチルメトキシシラン、エチルメトキシシラン、プロピルメトキシシラン、イソプロピルメトキシシラン、ブチルメトキシシラン、ｔｅｒｔブチルメトキシシラン、フェニルメトキシシラン、メチルフェニルメトキシシラン、エチルフェニルエトキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルメトキシシラン、ブチルフェニルメトキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン、トリイソプロピルエトキシシラン、トリブチルエトキシシラン、トリｔｅｒｔブチルエトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、ジエチルフェニルエトキシシラン、ジフェニルエチルエトキシシラン、ジプロピルフェニルエトキシシラン、ジフェニルプロピルエトキシシラン、ジイソプロピルフェニルエトキシシラン、ジフェニルイソプロピルエトキシシラン、ジブチルフェニルエトキシシラン、ジブチルメチルエトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルエトキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルエトキシシラン、モノエトキシシラン、メチルエトキシシラン、エチルエトキシシラン、プロピルエトキシシラン、イソプロピルエトキシシラン、ブチルエトキシシラン、ｔｅｒｔブチルエトキシシラン、フェニルエトキシシラン、メチルフェニルエトキシシラン、エチルフェニルエトキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルエトキシシラン、ブチルフェニルエトキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルプロポキシシラン、トリイソプロピルプロポキシシラン、トリブチルプロポキシシラン、トリｔｅｒｔブチルプロポキシシラン、トリフェニルプロポキシシラン、ジメチルフェニルプロポキシシラン、ジフェニルメチルプロポキシシラン、ジエチルフェニルプロポキシシラン、ジフェニルエチルプロポキシシラン、ジプロピルフェニルプロポキシシラン、ジフェニルプロピルプロポキシシラン、ジイソプロピルフェニルプロポキシシラン、ジフェニルイソプロピルプロポキシシラン、ジブチルフェニルプロポキシシラン、ジブチルメチルプロポキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルプロポキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルプロポキシシラン、モノプロポキシシラン、メチルプロポキシシラン、プロピルプロポキシシラン、イソプロピルプロポキシシラン、ブチルプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルプロポキシシラン、フェニルプロポキシシラン、メチルフェニルプロポキシシラン、エチルフェニルプロポキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルプロポキシシラン、ブチルフェニルプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルプロポキシシラン、トリメチルイソプロポキシシラン、トリエチルイソプロポキシシラン、トリプロピルイソプロポキシシラン、トリイソプロピルイソプロポキシシラン、ブチルトリイソプロポキシシラン、トリブチルイソプロポキシシラン、トリｔｅｒｔブチルイソプロポキシシラン、トリフェニルイソプロポキシシラン、ジメチルフェニルイソプロポキシシラン、ジフェニルメチルイソプロポキシシラン、ジエチルフェニルイソプロポキシシラン、ジフェニルエチルイソプロポキシシラン、ジプロピルフェニルイソプロポキシシラン、ジフェニルプロピルイソプロポキシシラン、ジイソプロピルフェニルイソプロポキシシラン、ジフェニルイソプロピルイソプロポキシシラン、ジブチルフェニルイソプロポキシシラン、ジブチルメチルイソプロポキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルイソプロポキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルイソプロポキシシラン、モノイソプロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、プロピルイソプロポキシシラン、イソプロピルイソプロポキシシラン、ブチルイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルイソプロポキシシラン、フェニルイソプロポキシシラン、メチルフェニルイソプロポキシシラン、エチルフェニルイソプロポキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルイソプロポキシシラン、ブチルフェニルイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルイソプロポキシシラン、トリメチルブトキシシラン、トリエチルブトキシシラン、トリプロピルブトキシシラン、トリイソプロピルブトキシシラン、トリブチルブトキシシラン、トリｔｅｒｔブチルブトキシシラン、トリフェニルブトキシシラン、ジメチルフェニルブトキシシラン、ジフェニルメチルブトキシシラン、ジエチルフェニルブトキシシラン、ジフェニルエチルブトキシシラン、ジプロピルフェニルブトキシシラン、ジフェニルプロピルブトキシシラン、ジイソプロピルフェニルブトキシシラン、ジフェニルイソプロピルブトキシシラン、ジブチルフェニルブトキシシラン、ジブチルメチルブトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルブトキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルブトキシシラン、モノブトキシシラン、メチルブトキシシラン、エチルブトキシシラン、プロピルブトキシシラン、イソプロピルブトキシシラン、ブチルブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルブトキシシラン、フェニルブトキシシラン、メチルフェニルブトキシシラン、エチルフェニルブトキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルブトキシシラン、ブチルフェニルブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルブトキシシラン、メチルトリｔｅｒｔブトキシシラン、ジメチルジｔｅｒｔブトキシシラン、トリメチルｔｅｒｔブトキシシラン、トリエチルｔｅｒｔブトキシシラン、トリプロピルｔｅｒｔブトキシシラン、トリイソプロピルｔｅｒｔブトキシシラン、トリブチルｔｅｒｔブトキシシラン、トリｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシラン、トリフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジメチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルメチルｔｅｒｔブトキシシラン、ジエチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルエチルｔｅｒｔブトキシシラン、ジプロピルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルプロピルｔｅｒｔブトキシシラン、ジイソプロピルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルイソプロピルｔｅｒｔブトキシシラン、ジブチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジブチルメチルｔｅｒｔブトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシラン、モノｔｅｒｔブトキシシラン、メチルｔｅｒｔブトキシシラン、エチルｔｅｒｔブトキシシラン、プロピルｔｅｒｔブトキシシラン、イソプロピルｔｅｒｔブトキシシラン、ブチルｔｅｒｔブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルｔｅｒｔブトキシシラン、フェニルｔｅｒｔブトキシシラン、メチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、エチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ブチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルｔｅｒｔブトキシシラン、トリメチルアセトキシシラン、トリエチルアセトキシシラン、トリプロピルアセトキシシラン、トリイソプロピルアセトキシシラン、ジブチルジアセトキシシラン、トリブチルアセトキシシラン、トリｔｅｒｔブチルアセトキシシラン、トリフェニルアセトキシシラン、ジメチルフェニルアセトキシシラン、ジフェニルメチルアセトキシシラン、ジエチルフェニルアセトキシシラン、ジフェニルエチルアセトキシシラン、ジプロピルフェニルアセトキシシラン、ジフェニルプロピルアセトキシシラン、ジイソプロピルフェニルアセトキシシラン、ジフェニルイソプロピルアセトキシシラン、ジブチルフェニルアセトキシシラン、ジブチルメチルアセトキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルアセトキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルアセトキシシラン、モノアセトキシシラン、メチルアセトキシシラン、エチルアセトキシシラン、プロピルアセトキシシラン、イソプロピルアセトキシシラン、ブチルアセトキシシラン、ｔｅｒｔブチルアセトキシシラン、フェニルアセトキシシラン、メチルフェニルアセトキシシラン、エチルフェニルアセトキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルアセトキシシラン、ブチルフェニルアセトキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルアセトキシシラン、トリメチルフェノキシシラン、トリエチルフェノキシシラン、トリプロピルフェノキシシラン、トリイソプロピルフェノキシシラン、トリブチルフェノキシシラン、トリｔｅｒｔブチルフェノキシシラン、トリフェニルフェノキシシラン、ジメチルフェニルフェノキシシラン、ジフェニルメチルフェノキシシラン、ジエチルフェニルフェノキシシラン、ジフェニルエチルフェノキシシラン、ジプロピルフェニルフェノキシシラン、ジフェニルプロピルフェノキシシラン、ジイソプロピルフェニルフェノキシシラン、ジフェニルイソプロピルフェノキシシラン、ジブチルフェニルフェノキシシラン、ジブチルメチルフェノキシシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルフェノキシシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルフェノキシシラン、モノフェノキシシラン、メチルフェノキシシラン、エチルフェノキシシラン、プロピルフェノキシシラン、イソプロピルフェノキシシラン、ブチルフェノキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェノキシシラン、フェニルフェノキシシラン、メチルフェニルフェノキシシラン、エチルフェニルフェノキシシラン、プロピルフェニルエトキシシラン、イソプロピルフェニルフェノキシシラン、ブチルフェニルフェノキシシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルフェノキシシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２９】
また、前記一般式（１）から（７）中、ｎ＝０のとき、下記構造式（８）から（１０）で表されるシリコン化合物と、下記構造式（１１）から（１４）で表されるシリコン化合物との組合せが好適に使用可能である。
【００３０】
【化９】
2007016177.tif 000008
【化１０】
2007016177.tif 000009
ただし、前記構造式（８）から（１４）中、Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、塩素、臭素、フッ素及び水素の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
【００３１】
前記構造式（８）で表されるシリカ化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(トリクロロシリル)メタン、１，２−ビス(トリクロロメチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリクロロメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリクロロメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリクロロメチルシリル)ベンゼン、ビス(トリフロロシリル)メタン、１，２−ビス(トリフロロシリル)エタン、１，３−ビス(トリフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(トリフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(トリフロロシリル)ベンゼン、ビス(トリブロモシリル)メタン、１，２−ビス(トリブロモシリル)エタン、１，３−ビス(トリブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(トリブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(トリブロモシリル)ベンゼン、ビス(トリヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(トリヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(トリヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(トリヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(トリヒドロシリル)ベンゼン、ビス(トリクロロシリル)メタン、１，２−ビス(トリクロロｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(トリクロロｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(トリクロロｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(トリクロロｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
前記構造式（９）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(ジクロロメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロメチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロメチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロメチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロメチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロメチルシリル)ベンゼン、ビス(ジクロロエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモエチルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロエチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロエチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロエチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロエチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロエチルシリル)ベンゼン、１ビス(ジクロロプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロプロピルシリル)メタン、１，３−ビス(ジフロロプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジクロロイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロイソプロピルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロイソプロピルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロイソプロピルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロイソプロピルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロイソプロピルシリル)ベンゼン、ビス(ジクロロブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジクロロｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジクロロｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロｔｅｒｔブチルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロｔｅｒｔブチルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロｔｅｒｔブチルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロｔｅｒｔブチルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロｔｅｒｔブチルシリル)ベンゼン、ビス(ジクロロフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジクロロフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジクロロフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジクロロフェニルシリル)���タン、１，４−ビス(ジクロロフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジフロロフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジフロロフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジフロロフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフロロフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフロロフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジブロモフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジブロモフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジブロモフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブロモフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブロモフェニルシリル)ベンゼン、ビス(ジヒドロフェニルシリル)メタン、１，２−ビス(ジヒドロフェニルシリル)エタン、１，３−ビス(ジヒドロフェニルシリル)プロパン、１，４−ビス(ジヒドロフェニルシリル)ブタン、１，４−ビス(ジヒドロフェニルシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
前記構造式（１０）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ビス(ジメチルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジメチルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジメチルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジメチルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジメチルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジメチルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジエチルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジエチルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジエチルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジエチルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジエチルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジプロピルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジプロピルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジプロピルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジプロピルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジプロピルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジイソプロピルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジイソプロピルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジイソプロピルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジイソプロピルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジイソプロピルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルクロロシリル)エタン、１，４−ビス(ジブチルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジブチルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジブチルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジブチルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジブチルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジブチルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルクロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジｔｅｒｔブチルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジｔｅｒｔブチルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジｔｅｒｔブチルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジｔｅｒｔブチルヒドロシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルクロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルクロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルクロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルクロロシリル)���タン、１，４−ビス(ジフェニルクロロシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルフロロシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルフロロシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルフロロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルフロロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルフロロシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルブロモシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルブロモシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルブロモシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルブロモシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルブロモシリル)ベンゼン、ビス(ジフェニルヒドロシリル)メタン、１，２−ビス(ジフェニルヒドロシリル)エタン、１，３−ビス(ジフェニルヒドロシリル)プロパン、１，４−ビス(ジフェニルヒドロシリル)ブタン、１，４−ビス(ジフェニルヒドロシリル)ベンゼン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
前記構造式（１１）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、テトラクロロシラン、テトラフロロシラン、テトラブロモシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
前記構造式（１２）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、イソプロピルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、ｔｅｒｔブチルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロシラン、メチルトリフロロシラン、エチルトリフロロシラン、トリエチルフロロシラン、プロピルトリフロロシラン、イソプロピルトリフロロシラン、ブチルトリフロロシラン、ｔｅｒｔブチルトリフロロシラン、フェニルトリフロロシラン、トリフロロシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリブロモシラン、プロピルトリブロモシラン、イソプロピルトリブロモシラン、ブチルトリブロモシラン、ｔｅｒｔブチルトリブロモシラン、フェニルトリブロモシラン、トリブロモシラン、ジブロモシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３６】
前記構造式（１３）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、ジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラン、ジイソプロピルジクロロシラン、ジブチルジクロロシラン、ジｔｅｒｔブチルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、フェニルエチルジクロロシラン、フェニルプロピルジクロロシラン、フェニルイソプロピルジクロロシラン、フェニルブチルジクロロシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ジクロロシラン、メチルジクロロシラン、エチルジクロロシラン、プロピルジクロロシラン、イソプロピルジクロロシラン、ブチルジクロロシラン、ｔｅｒｔブチルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジメチルジフロロシラン、ジエチルジフロロシラン、ジプロピルジフロロシラン、ジイソプロピルジフロロシラン、ジブチルジフロロシラン、ジｔｅｒｔブチルジフロロシラン、ジフェニルジフロロシラン、フェニルメチルジフロロシラン、フェニルエチルジフロロシラン、フェニルプロピルジフロロシラン、フェニルイソプロピルジフロロシラン、フェニルブチルジフロロシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジフロロシラン、ジフロロシラン、メチルジフロロシラン、エチルジフロロシラン、プロピルジフロロシラン、イソプロピルジフロロシラン、ブチルジフロロシラン、ｔｅｒｔブチルジフロロシラン、ジフェニルジフロロシラン、ジメチルジブロモシラン、ジエチルジブロモシラン、ジプロピルジブロモシラン、ジイソプロピルジブロモシラン、ジブチルジブロモシラン、ジｔｅｒｔブチルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン、フェニルメチルジブロモシラン、フェニルエチルジブロモシラン、フェニルプロピルジブロモシラン、フェニルイソプロピルジブロモシラン、フェニルブチルジブロモシラン、フェニルｔｅｒｔブチルジブロモシラン、メチルジブロモシラン、エチルジブロモシラン、プロピルジブロモシラン、イソプロピルジブロモシラン、ブチルジブロモシラン、ｔｅｒｔブチルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
前記構造式（１４）で表されるシリコン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的には、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラン、トリプロピルクロロシラン、トリイソプロピルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、トリｔｅｒｔブチルクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、ジエチルフェニルクロロシラン、ジフェニルエチルクロロシラン、ジプロピルフェニルクロロシラン、ジフェニルプロピルクロロシラン、ジイソプロピルフェニルクロロシラン、ジフェニルイソプロピルクロロシラン、ジブチルフェニルクロロシラン、ジブチルメチルクロロシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルクロロシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルクロロシラン、モノクロロシラン、メチルクロロシラン、エチルクロロシラン、プロピルクロロシラン、イソプロピルクロロシラン、ブチルクロロシラン、ｔｅｒｔブチルクロロシラン、フェニルクロロシラン、メチルフェニルクロロシラン、イソプロピルフェニルクロロシラン、ブチルフェニルクロロシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルクロロシラン、トリメチルフロロシラン、トリプロピルフロロシラン、トリイソプロピルフロロシラン、トリブチルフロロシラン、トリｔｅｒｔブチルフロロシラン、トリフェニルフロロシラン、ジメチルフェニルフロロシラン、ジフェニルメチルフロロシラン、ジエチルフェニルフロロシラン、ジフェニルエチルフロロシラン、ジプロピルフェニルフロロシラン、ジフェニルプロピルフロロシラン、ジイソプロピルフェニルフロロシラン、ジフェニルイソプロピルフロロシラン、ジブチルフェニルフロロシラン、ジブチルメチルフロロシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルフロロシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルフロロシラン、モノフロロシラン、メチルフロロシラン、エチルフロロシラン、プロピルフロロシラン、イソプロピルフロロシラン、ｔｅｒｔブチルフロロシラン、ブチルフロロシラン、フェニルフロロシラン、メチルフェニルフロロシラン、エチルフェニルエトキシシラン、プロピルフェニルエチキシシラン、イソプロピルフェニルフロロシラン、ブチルフェニルフロロシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルフロロシラン、トリメチルブロモシラン、トリエチルブロモシラン、トリプロピルブロモシラン、トリイソプロピルブロモシラン、トリブチルブロモシラン、トリｔｅｒｔブチルブロモシラン、トリフェニルブロモシラン、ジメチルフェニルブロモシラン、ジフェニルメチルブロモシラン、ジエチルフェニルブロモシラン、ジフェニルエチルブロモシラン、ジプロピルフェニルブロモシラン、ジフェニルプロピルブロモシラン、ジイソプロピルフェニルブロモシラン、ジフェニルイソプロピルブロモシラン、ジブチルフェニルブロモシラン、ジブチルメチルブロモシラン、ジｔｅｒｔブチルフェニルブロモシラン、ジフェニルｔｅｒｔブチルブロモシラン、モノブロモシラン、メチルブロモシラン、エチルブロモシラン、プロピルブロモシラン、イソプロピルブロモシラン、ブチルブロモシラン、ｔｅｒｔブチルブロモシラン、フェニルブロモシラン、メチルフェニルブロモシラン、エチルフェニルエトキシシラン、プロピルフェニルエチキシシラン、イソプロピルフェニルブロモシラン、ブチルフェニルブロモシラン、ｔｅｒｔブチルフェニルブロモシランなどが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
前記シリコーンポリマーの合成方法としては、前記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、前記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを加水分解縮合反応させる限り、その反応条件等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルカリ又は酸性の水溶液を触媒として用いるのが好ましい。
【００３９】
前記酸性又はアルカリ性の水溶液のｐＨとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１〜１１であるのが好ましい。
前記ｐＨの水溶液が、１１を超えると、シロキサン結合が分解することがある。
なお、前記酸性又はアルカリ性の水溶液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、シュウ酸、マレイン酸、蟻酸、酢酸、アンモニア、テトメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムオキサイド、テトラプロピルアンモニウムオキサイド、テトラブチルアンモニウムオキサイドなどが挙げられる。なお、前記酸性の水溶液としては、シロキサン結合が分解されるため、フッ化水素酸を用いないのが好ましい。
【００４０】
前記加水分解縮重合反応における前記シリコン化合物の共重合比としては、特に制限はなく、前記シリカ系被膜の使用目的に応じて適宜選択することができる。例えば、前記シリカ系被膜を化学的機械研磨（ＣＭＰ）の際の保護膜として用いる場合、機械的強度に加えて耐薬品性、及び下地層との密着性が要求されるため、骨格に炭化水素又は芳香族炭化水素を有し耐薬品性及び耐湿性を付与する、前記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物と、機械的強度及び下地層との密着性付与を目的として、前記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物とを、１：５の比で用いるのが好ましく、機械的強度及び下地層との密着性をより向上させることができる点で、前記構造式（８）で表されるシリコン化合物と、前記構造式（１１）で表されるシリコン化合物とを、１：２の比で用いるのがより好ましい。
【００４１】
また、例えば、前記シリカ系被膜を多層配線の製造工程においてドライエッチングのハードマスクや、多層レジストの中間層として用いる場合、骨格に炭化水素又は芳香族炭化水素を有し耐エッチング性を付与する、前記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物に対し、前記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物の使用量を適宜変更することによりエッチング選択比を調整するのが好ましい。なお、前記多層レジストの中間層として使用する場合には、光の反射防止を目的として、骨格に芳香族炭化水素を有するものを用いるか、前記シリコーンポリマーにおけるシロキサン結合の側鎖に芳香族炭化水素を導入するのが好ましい。
【００４２】
前記加水分解縮重合反応の反応条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、反応温度としては、例えば、３０〜８０℃が好ましく、３５〜６０℃がより好ましい。前記攪拌時間としては、例えば、１〜７２時間が好ましく、１０〜４８時間がより好ましい。
【００４３】
−有機溶剤−
前記シリカ系被膜形成用材料を用いて前記シリカ系被膜を形成する場合、成膜が容易な点で、塗布により行うのが好ましく、該シリカ系被膜形成用材料が有機溶剤を含むのが好ましい。
前記有機溶剤としては、前記シリコーンポリマーが溶解可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ-ブチルアルコール等のアルコール系；フェノール、クレゾール、ジエチルフェノール、トリエチルフェノール、プロピルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、アリルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール系；シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン等のケトン系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系；ヘキサン、オクタン、デカン等の炭化水素系；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコール系などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、公知の各種添加剤などが挙げられる。
前記その他の成分の前記シリカ系被膜形成用材料における含有量としては、前記一般式（１）から（７）で表されるシリコン化合物、前記有機溶剤等の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
【００４５】
本発明のシリカ系被膜形成用材料は、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマー（ただし、前記ｘは、０〜２の整数を表す）を含み、該シリコーンポリマーは、優れた耐エッチング性及び耐薬品性を有する、前記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、優れた密着性を有する、前記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを加水分解縮重合反応させて得られるので、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性及び密着性の総てに優れ、しかも誘電率の低いシリカ系被膜を形成することができ、以下の本発明のシリカ系被膜、本発明の多層配線、本発明の半導体装置の製造などに好適に使用することができる。
【００４６】
（シリカ系被膜及びその製造方法）
本発明のシリカ系被膜は、本発明のシリカ系被膜の製造方法により得られる。
本発明のシリカ系被膜の製造方法においては、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
以下、本発明のシリカ系被膜の製造方法の説明を通じて、本発明のシリカ系被膜の詳細も明らかにする。
【００４７】
＜塗布工程＞
前記塗布工程は、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布する工程である。
なお、前記シリカ系被膜形成用材料の詳細については、上述した通りである。
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ニーダーコート法、カーテンコート法、ブレードコート法、などが挙げられる。これらの中でも、塗布効率等の点で、スピンコート法、ディップコート法等が好ましい。該スピンコート法の場合、その条件としては例えば、回転数が１００〜１０，０００ｒｐｍ程度であり、８００〜５，０００ｒｐｍが好ましく、時間が１秒〜１０分程度であり、１０〜９０秒が好ましい。
【００４８】
前記被加工面としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記シリカ系被膜が半導体装置に形成される場合には、該被加工面としては、半導体基板の表面が挙げられ、具体的には、シリコンウェハー等の基板、各種酸化膜、多孔質化シリカ膜等の低誘電率膜、などの表面が好適に挙げられる。
以上の工程により、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料が前記被加工面上に塗布される。
【００４９】
＜熱処理工程＞
前記熱処理工程は、前記被加工面上に塗布された本発明の前記シリカ系被膜形成用材料に対して熱処理を行う工程である。
前記熱処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機溶剤を乾燥させ、前記シリカ系被膜形成用材料を焼成するのが好ましい。この場合、前記シリカ系被膜形成用材料中の前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖に導入された炭化水素や芳香族炭化水素などの酸化を抑制することができる。
前記熱処理は、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜４００℃が好ましく、８０〜３５０℃がより好ましい。
前記温度が、５０℃未満であると、前記有機溶剤が膜中に残留し、充分な強度が得られないことがあり、４００℃を越えると、前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖の珪素−炭化水素結合が分解してしまうことがある。
前記雰囲気としては、大気中では酸素の取り込みによる誘電率の上昇が懸念されるため、不活性ガスの存在下、減圧下、などが好ましく、前記不活性ガスとしては、例えば、窒素などが好適に挙げられる。
なお、前記熱処理工程は、前記シリカ系被膜の下地層が、例えばスピンコート法により成膜される多孔質シリカ膜である場合には、該多孔質シリカ膜を形成する材料を塗布し、溶媒乾燥を行った後、この上に前記シリカ系被膜形成用材料を塗布し、一括で前記熱処理工程を行ってもよい。この場合、成膜コストの低減を図ることができる。
【００５０】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、パターン形成工程、などが好適に挙げられる。
前記パターン形成工程は、前記塗布工程及び前記熱処理工程により形成した前記シリカ系被膜に対し選択露光及び現像を行ってパターンを形成する工程である。
前記パターン形成工程は、公知のパターン形成方法に従って行うことができる。
なお、前記露光と前記現像との間で、反応を促進させる観点からベーク処理を行ってもよい。
【００５１】
ここで、本発明のシリカ系被膜の製造方法の具体的な態様について説明する。例えば、まず、前記塗布工程において、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料をスピンコート法により被加工面（例えば、多孔質シリカ膜等の低誘電率膜）上に塗布し、５０〜４００℃で加熱し、溶剤を乾燥させ、焼成することによりシリカ系被膜を形成する。その結果、本発明の前期シリカ系被膜が形成される。なお、更に、前記パターン形成工程により、前記露光を選択的に行い、前記現像を行い、所望の形状のパターンを形成すると、パターン状の前記シリカ系被膜が形成される。
【００５２】
本発明のシリカ系被膜の製造方法は、各種分野において好適に用いることができるが、以下の本発明のシリカ系被膜の製造に特に好適に用いることができる。
【００５３】
本発明のシリカ系被膜としては、前記シリコーンポリマーを少なくとも含む限り、その形状、構造、大きさなどの諸物性については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、多層配線、半導体装置に好適に使用可能な以下の厚み、誘電率、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性、密着強度などを有するのが好ましい。
【００５４】
前記シリコーンポリマーの存在確認方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、赤外分光分析などにより行うことができ、例えば、前記シリカ系被膜における、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の吸収ピークを測定し、これらの構造を総て含んでいることを分析することにより、前記シリコーンポリマーの存在を確認することができる。
【００５５】
前記形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記被加工面の全面に形成されたベタの膜形状、パターン状などが挙げられる。
前記ベタの膜形状を有するシリカ系被膜の形成方法としては、例えば、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料に前記被加工面を有する基材を浸漬し、該基材表面（被加工面）の全面にベタのシリカ系被膜を形成する方法、などが挙げられる。
前記パターン状のシリカ系被膜の形成方法としては、例えば、前記被加工面上にレジストでパターン（例えば、ライン状）を形成して前記シリカ系被膜形成用材料を塗布し、パターン状のシリカ系被膜を形成する方法、ベタ膜のシリカ系被膜を形成後にレジストを塗布し所望のパターンを形成した後に、ウェット又はドライでエッチングする方法などが挙げられる。
【００５６】
前記構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記シリカ系被膜が、前記パターン状である場合、及び前記積層構造を有する場合、各パターン及び各層における誘電率は、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
前記大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記シリカ系被膜を多層配線、半導体装置などに使用する場合には、既存の半導体装置の大きさに対応した大きさが好ましい。
【００５７】
前記厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記シリカ系被膜を、多層配線、半導体装置などに用いる場合、その構造上、通常１０ｎｍ〜１μｍであり、１０〜５００ｎｍが好ましく、１０〜３００ｎｍがより好ましい。
前記厚みが、１０ｎｍ未満であると、ピンホール等の構造欠陥が発生することがあり、５００ｎｍを超えると、特にドライエッチングで加工する際に、レジストパターンとの選択比が取り難いことがある。
【００５８】
前記誘電率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３．０以下であるのが好ましく、２．８以下であるのがより好ましい。
なお、前記誘電率は、例えば、シリカ系被膜上に金電極を形成し、誘電率測定器等を用いて測定することができる。
【００５９】
前記耐エッチング性はエッチング速度により評価することができ、該エッチング速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ガス種、圧力、電圧などにより変化し、例えば、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスをエッチングガスとして用いたとき、低誘電率膜（例えば、多孔質シリカ膜）のエッチング速度との比（前記シリカ系被膜：前記低誘電率膜）が、１：１．５〜１：１０．０であるのが好ましい。
なお、前記エッチング速度は、例えば、公知のエッチング装置を用いて所定時間エッチング処理を行い試料の減膜量を測定し、単位時間当たりの減膜量を算出することにより測定することができる
【００６０】
前記耐薬品性としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．５質量％ＨＦに浸漬したときのエッチング速度が、１〜１００ｎｍ／ｍｉｎであるのが好ましい。
前記耐湿性としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記シリカ系被膜を室温にて１週間放置し、１ＭＨｚ、１Ｖの交流電源を接続したプローバを用いて容量を測定し、該容量と前記シリカ系被膜の膜厚とから算出した誘電率変化が、０．３以内であるのが好ましく、０．２以内であるのがより好ましい。
前記密着強度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、密着強度測定装置（「セバスチャンファイブ」；クアッドグループ社製）により測定した強度が、５．８８ＧＰａ（６００ｋｇｆ／ｍｍ２）より大きいのが好ましい。
【００６１】
本発明のシリカ系被膜は、低誘電率であるため、絶縁層として好適に使用することができ、一般的な低誘電率膜（層間絶縁膜）そのものとして使用することもできるし、該低誘電率膜の表面に形成される保護膜として使用することもできるが、本発明のシリカ系被膜は、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性、及び密着性に優れる点で、前記保護膜として特に好適に使用可能である。このため、後述する本発明の多層配線の製造方法、本発明の半導体装置の製造方法において、ドライエッチングの際のハードマスクとして好適に使用することができ、この場合、微細かつ高精細な配線パターンを形成することができる。
また、優れた耐薬品性を有する前記シリカ系被膜は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）の際の保護膜として好適に使用することができる。この場合、研磨の対象となる部分以外の部位を保護し、高精細な研磨を行うことができる。
【００６２】
本発明のシリカ系被膜は、耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも低誘電率であり、応答速度の高速化に寄与するものであるので、応答速度の高速化が要求される、多層配線、半導体集積回路等の半導体装置に好適であり、以下の本発明の多層配線、本発明の半導体装置に特に好適である。
【００６３】
（多層配線及びその製造方法）
本発明の多層配線は、本発明の前記シリカ系被膜を少なくとも有する。
本発明の多層配線の製造方法は、本発明の前記多層配線を製造する方法であって、シリカ系被膜形成工程と配線形成工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
以下、本発明の多層配線の製造方法の説明を通じで、本発明の多層配線の詳細も明らかにする。
【００６４】
＜シリカ系被膜形成工程＞
前記シリカ系被膜形成工程は、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことによりシリカ系被膜を形成する工程である。
前記シリカ系被膜形成工程は、本発明の前記シリカ系被膜の製造方法により好適に行うことができる。
なお、前記被加工面、前記塗布、などの詳細については、上述した通りである。
【００６５】
前記熱処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機溶剤を乾燥させ、前記シリカ系被膜形成用材料を焼成するのが好ましい。この場合、前記シリカ系被膜形成用材料中の前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖に導入された炭化水素や芳香族炭化水素などの酸化を抑制することができる。
前記熱処理は、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜４００℃が好ましく、８０〜３５０℃がより好ましい。
前記温度が、５０℃未満であると、前記有機溶剤が膜中に残留してしまい、充分な強度が得られないことがあり、４００℃を越えると、前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖の珪素−炭化水素結合が分解するしてしまうことがある。
前記雰囲気としては、大気中では酸素の取り込みによる誘電率の上昇が懸念されるため、不活性ガスの存在下、減圧下、などが好ましく、前記不活性ガスとしては、例えば、窒素などが好適に挙げられる。
なお、前記熱処理工程は、前記シリカ系被膜の下地層が、例えばスピンコート法により成膜される膜（例えば、多孔質シリカ膜等の低誘電率膜）である場合には、該低誘電率膜を形成する材料を塗布し、溶媒乾燥を行った後、この上に前記シリカ系被膜形成用材料を塗布し、一括で前記熱処理工程を行ってもよい。この場合、成膜コストの低減を図ることができる。
【００６６】
＜配線形成工程＞
前記配線形成工程は、配線を形成する工程である。
前記多層配線を形成する場合、前記配線形成工程は、スルービア形成工程、導体メッキ工程などの適宜選択したその他の工程を含むのが好ましい。
【００６７】
−スルービア形成工程−
前記スルービア形成工程は、前記被加工面上に形成された前記シリカ系被膜の最上層に形成される配線と接続するためにスルービアを形成する工程である。
前記スルービアの形成は、例えば、前記スルービア部分に適当な露光量のレーザ光を照射することにより行う。
前記レーザ光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザなどが挙げられる。
【００６８】
−導体メッキ工程−
前記導体メッキ工程は、前記被加工面上に形成された前記シリカ系被膜上に、配線前駆体としての導体を全面に被覆し、導体メッキ層を形成する工程である。
前記導体メッキの方法としては、例えば、無電解メッキ、電解メッキなどの常用メッキ法を用いて行うことができる。
【００６９】
前記配線の形成は、前記導体メッキ工程により形成された前記導体メッキ層を、所望の配線パターンに従ってエッチングする。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、常用のエッチング法を使用することができる。
【００７０】
以上の工程により、前記配線が形成される。
前記シリカ系被膜形成工程及び前記配線形成工程（前記スルービア形成工程、前記導体メッキ工程を含む）の一連の工程は、必要に応じて繰り返し行うことにより、回路の集積度の高い多層配線を製造することができる。
【００７１】
本発明の多層配線の製造方法は、各種分野において好適に用いることができるが、以下の本発明の多層配線の製造に特に好適に用いることができる。
本発明の多層配線は、耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、誘電率が低い、本発明の前記シリカ系被膜を低誘電率膜上に有するので、寄生容量が低減され、信号伝播速度の高速化が可能であり、応答速度の高速化が要求される、半導体集積回路等の半導体装置に好適であり、以下の本発明の半導体装置に特に好適である。
【００７２】
（半導体装置及びその製造方法）
本発明の半導体装置は、本発明の前記シリカ系被膜を層間絶縁膜及び該層間絶縁膜の表面に形成される保護膜のいずれかとして有する。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の前記半導体装置を製造する方法であって、シリカ系被膜形成工程と、パターニング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
以下、本発明の半導体装置の製造方法の説明を通じて、本発明の半導体装置の詳細も明らかにする。
【００７３】
＜シリカ系被膜形成工程＞
前記シリカ系被膜形成工程は、前記被加工面上に本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜を形成する工程である。
なお、前記被加工面、前記シリカ系被膜形成用材料などの詳細については、上述した通りである。
【００７４】
前記シリカ系被膜形成工程は、前記被加工面上に本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を塗布し、熱処理を行うことを含むのが好ましく、本発明の前記シリカ系被膜の製造方法により好適に行うことができる。なお、前記塗布の方法については、本発明の前記シリカ系被膜の製造方法の説明において詳述した通りである。
【００７５】
前記熱処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機溶剤を乾燥させ、前記シリカ系被膜形成用材料を焼成するのが好ましい。この場合、前記シリカ系被膜形成用材料中の前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖に導入された炭化水素や芳香族炭化水素などの酸化を抑制することができる。
前記熱処理は、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜４００℃が好ましく、８０〜３５０℃がより好ましい。
前記温度が、５０℃未満であると、前記有機溶剤が膜中に残留してしまい、充分な強度が得られないことがあり、４００℃を越えると、前記シリコーンポリマーの骨格や側鎖の珪素−炭化水素結合が分解してしまうことがある。
前記雰囲気としては、大気中では酸素の取り込みによる誘電率の上昇が懸念されるため、不活性ガスの存在下、減圧下、などが好ましく、前記不活性ガスとしては、例えば、窒素などが好適に挙げられる。
なお、前記熱処理工程は、前記シリカ系被膜の下地層が、例えばスピンコート法により成膜される膜（例えば、多孔質シリカ膜等の低誘電率膜）である場合には、該低誘電率膜を形成する材料を塗布し、溶媒乾燥を行った後、この上に前記シリカ系被膜形成用材料を塗布し、一括で前記熱処理工程を行ってもよい。この場合、成膜コストの低減を図ることができる。
【００７６】
＜パターニング工程＞
前記パターニング工程は、前記シリカ系被膜形成工程により得られた前記シリカ系被膜をマスクとして、エッチングにより前記被加工面をパターニングする工程である。
前記パターニング工程においては、前記シリカ系被膜に対し選択露光及び現像を行って所望のパターンを形成した後、該パターンを用いてエッチングするのが好ましい。この場合所望のパターン状に容易にエッチングを行うことができる。
前記パターンは、公知のパターン形成方法に従って形成することができる。
なお、前記露光と前記現像との間で、反応を促進させる観点からベーク処理を行ってもよい。
【００７７】
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングが好適に挙げられる。本発明の前記シリカ系被膜は、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性、及び下地層との密着性に優れるため、高精細にパターニングを行うことができる。
【００７８】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線形成工程が挙げられる。
前記配線形成工程は、配線を形成する工程であり、その詳細については、前記多層配線の製造方法の説明において、詳述した通りである。
前記シリカ系被膜形成工程、前記パターニング工程、及び前記配線形成工程（前記スルービア形成工程、前記導体メッキ工程を含む）の一連の工程は、必要に応じて繰り返し行うことにより、回路の集積度の高い多層配線を有する半導体装置を製造することができる。
【００７９】
以下に、本発明の半導体装置の一例について、図面を参照しながら説明する。
本発明の半導体装置は、例えば、以下のようにして得られる。即ち、まず、図１に示すような、素子間分離膜２で分離され、ソース拡散層５ａとドレイン拡散層５ｂ、サイドウォール絶縁膜３を有するゲート電極４を形成したトランンジスタ層が形成されたシリコンウェハー１に、図２に示すように、層間絶縁膜６（リンガラス）及びストッパー膜７（ＳｉＣ）を形成した後、電極取り出し用のコンタクトホールを形成する。図３に示すように、スパッタ法によりこのコンタクトホ−ルにバリア膜８（ＴｉＮ）を厚みが５０ｎｍとなるように形成した後、ＷＦ６と水素とを混合し、還元することにより、Ｗによる導体プラグ９（ブランケット）を該コンタクトホールに埋め込み、ビアを形成すると共に、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により該ビア以外の部分を除去する。
【００８０】
続いて、図４に示すように、前記ビアが形成されたストッパー膜７上に、ＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜１０を厚みが３０ｎｍとなるように形成し、この上に多孔質シリカ膜（低誘電率膜；配線分離絶縁膜）１１を厚みが１６０ｎｍとなるように積層し、該多孔質シリカ膜１１上に、本発明のシリカ系被膜形成用材料を用いて、本発明のシリカ系被膜１２を厚みが３０ｎｍとなるように成膜する。更に、図５に示すように、シリカ系被膜１２に対し、配線幅１００ｎｍ、スペース１００ｎｍの第１層目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にて加工を行い、配線溝を形成する。そして、図６に示すように、形成した配線溝に、スパッタ法により、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１１へ拡散するのを防ぐバリア膜１３（ＴａＮ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成する。続いて、前記配線溝に形成したバリア膜１３の表面に、電解メッキの際に電極として機能するシード層（Ｃｕ）を厚みが１０ｎｍとなるようにスパッタ法により形成する。次に、電解メッキ法により、銅配線１４（Ｃｕ）を厚み６００ｎｍ程度積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外の銅を除去し、前記第１層目の配線層（銅）上に、ストッパー膜（拡散防止膜）１５としてのＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜を厚みが３０ｎｍとなるように形成し、第１層目の配線層（銅）を形成する。ここで、ストッパー膜（拡散防止膜）１５は、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１１へ拡散するのを防ぐ目的で、シランとアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００８１】
次に、図７に示すように、ストッパー膜（拡散防止膜）１５上に、多孔質シリカ膜（低誘電率膜；配線分離絶縁膜、ＳｉＯＣ膜）１６を厚みが１８０ｎｍとなるように積層する。多孔質シリカ膜１６上に、本発明のシリカ系被膜形成用材料を用いて本発明のシリカ系被膜１７を厚みが３０ｎｍとなるように形成した後、更に、図８に示すように、該シリカ系被膜１７上に多孔質シリカ膜（低誘電率膜）１８を厚みが１６０ｎｍとなるように形成し、本発明のシリカ系被膜形成用材料を用いて本発明のシリカ系被膜１９を厚みが３０ｎｍとなるように積層する。
ここで、図９に示すように、これらの絶縁層に対し、ビアパターンを形成したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にてガス組成及び圧力を変えることにより、シリカ系被膜１９、多孔質シリカ膜１８、シリカ系被膜１７、及び多孔質シリカ膜１６の順に加工を行いビアを形成する。次いで、第２層目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にて加工を行い、配線溝を形成する。図１０に示すように、形成したビアと配線溝とに対し、スパッタ法により、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１８へ拡散するのを防ぐバリア膜２０（ＴａＮ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成する。続いて、前記配線溝に形成したバリア膜２０の表面に、電解メッキの際に電極として機能するシード層（Ｃｕ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成する。次に、電解メッキ法により、銅配線２１（Ｃｕ）を厚み１，４００ｎｍ程度積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外の銅を除去し、図１１に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜２２を３０ｎｍの厚みとなるように形成し、第２層目のビア及び配線層（銅）を形成する。
以下、前記第２層目のビア及び配線層（銅）の形成を再度行うことにより、３層目のビア及び配線層（銅）を有する３層構造の銅配線（該銅配線は、本発明の前記多層配線に相当する）を有する半導体装置を製造することができる。
【００８２】
本発明の前記半導体装置の製造方法によれば、多層配線を有する半導体装置の製造に好適に使用することができ、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とを達成し、信号伝播速度の高速化が可能で高性能な半導体装置が効率よく製造される。該半導体装置の製造方法は、本発明のシリカ系被膜を層間絶縁膜、保護膜等として有する本発明の半導体装置の製造に特に好適である。
【００８３】
本発明の半導体装置は、本発明の前記シリカ系被膜形成用材料を用いて形成された本発明の前記シリカ系被膜を層間絶縁膜又は該層間絶縁膜の表面に形成される保護膜として有する。本発明の前記シリカ系被膜は、誘電率が低いため、前記層間絶縁膜として有すると、各層の層間の絶縁性に優れ、前記配線間の寄生容量の低下と前記配線抵抗の低下とを達成することができ、高速で信頼性の高い半導体装置が得られる。また、前記シリカ系被膜は、耐エッチング性、耐薬品性、耐湿性及び密着性に優れるため、前記保護膜として有すると、前記層間絶縁膜を保護して微細な配線を形成することができる。
本発明の半導体装置は、例えば、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ＭＯＳトランジスタ、などに特に好適である。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００８５】
（実施例１〜２７）
−シリカ系被膜形成用材料の調製−
前記構造式（３）で表されるシリコン化合物としての、１，２−ビス（ジメチルエトキシシリル）エタン（１，２−ＤＭＥＳＥ）、及び１，４−ビス（ジメチルエトキシシリル）ベンゼン（１，４−ＤＭＥＳＢ）、前記構造式（４）で表されるシリコン化合物としてのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、前記構造式（５）で表されるシリコン化合物としての、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、及びフェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）、更に５００ｐｐｍ硝酸水、並びに前記有機溶剤としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルを、それぞれ表１〜３に示す分量で四ツ口フラスコに仕込み、５０℃で２時間にわたって加水分解縮重合反応を行い、シリカ系被膜形成用材料を調製した。
【００８６】
−シリカ系被膜の作製−
得られたシリカ系被膜形成用材料を、シリコンウェハー上にスピンコート法により、回転数１，５００ｒｐｍ、塗布時間１分間で、厚みが１μｍとなるように塗布した。次いで、該シリコンウェハーを１５０℃に設定したホットプレートに載せ、Ｎ２ガス中にて３分間、前記有機溶剤の乾燥を行った。更に、４００℃に設定した電気炉を用い、Ｎ２ガス中にて３０分間焼成し、シリカ系被膜を作製した。
得られたシリカ系被膜中のシリコーンポリマーの存在を、赤外分光分析により確認した。実施例１のシリカ系被膜におけるポリマーの組成を、図１２に示す。図１２より、実施例１のシリカ系被膜中には、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の存在が確認され、これらの構造を総て有するシリコーンポリマーが含まれていることが判った。
【００８７】
＜誘電率の測定＞
得られたシリカ系被膜上に直径１ｍｍの金属極を作製し、１ＭＨｚ、１Ｖの交流電源を接続したプローバを用いて容量を測定し、該容量と前記膜厚とから誘電率を算出した。結果を表１〜３に示す。
【００８８】
＜密着性の評価＞
−積層膜の作製−
多孔質シリカ膜（低誘電率膜、「セラメート  ＮＣＳ」；触媒化成工業製）をシリコン基板上に成膜し、次いで、実施例１〜２７のシリカ系被膜形成用材料をスピンコート法により、回転数１，５００ｒｐｍ、塗布時間１分間で、０．２μｍの厚みとなるように塗布した。次いで、前記シリコン基板を１５０℃に設定したホットプレートに載せ、Ｎ２ガス中にて３分間、前記有機溶剤の乾燥を行った。更に、４００℃に設定した電気炉を用い、Ｎ２ガス中にて３０分間焼成し、多孔質シリカ膜上にシリカ系被膜が積層された積層膜を作製した。
得られた積層膜における、多孔質シリカ膜とシリカ系被膜との密着強度を、密着強度測定器（「セバスチャンファイブ」；クアッドグループ社製）を用いて測定した。結果を表１〜３に示す。
【００８９】
＜エッチングレートの測定＞
得られた積層膜に対し、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマによりドライエッチングを行い、多孔質シリカ膜とシリカ系被膜とのエッチングレート比を測定した。結果を表１〜３に示す。
【００９０】
＜耐エッチング性の評価＞
シリコン基板上にノボラック樹脂を１５０ｎｍの厚みで成膜した後、実施例１〜２７のシリカ系被膜形成用材料を用い、厚み４００ｎｍのシリカ系被膜を作製した。該シリカ系被膜上に、ＡｒＦレジストを用いて２００ｎｍピッチの配線パターンを露光及び現像し、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日立製作所製）を用いて観察し、レジストパターンの形状を確認した。結果を表１〜３に示す。
次いで、レジストパターンの形状が良好であったシリカ系被膜に対し、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマによりドライエッチングを行い、エッチングシフト量を前記ＳＥＭにより測定した。結果を表１〜３に示す。
なお、前記エッチングシフト量は、所定のエッチングサイズに対する、実際のエッチングサイズの変位量を表す。
【００９１】
＜耐薬品性及び耐湿性の評価＞
前記耐薬品性の評価は、０．５質量％ＨＦに対するエッチングレートを測定することにより行った。即ち、実施例１〜２７のシリカ系被膜形成用材料をスピンコート法により、回転数１，５００ｒｐｍ、塗布時間１分間で、１μｍの厚みとなるように塗布した。次いで、前記シリコン基板を１５０℃に設定したホットプレートに載せ、Ｎ２ガス中にて３分間、前記有機溶剤の乾燥を行った。更に、４００℃に設定した電気炉を用い、Ｎ２ガス中にて３０分間焼成し、シリカ系被膜を作製した。該シリカ系被膜が形成されたシリコン基板を、０．５質量％ＨＦに１分間浸漬してウェットエッチングを行い、減膜量を測定することによりエッチングレートを算出した。
前記耐湿性の評価は、誘電率の変化（７日間放置後の誘電率）を測定することにより行った。即ち、前記耐薬品性の評価におけるシリカ系被膜の形成方法と同様にして、実施例１〜２７のシリカ系被膜形成用材料を用い、１５０ｎｍの厚みのシリカ系被膜を作製した。該シリカ系被膜を、室温にて７日間放置した後、１ＭＨｚ、１Ｖの交流電源を接続したプローバを用いて容量を測定した。該容量とシリカ系被膜の膜厚とから誘電率を算出した。結果を表１〜３に示す。
【００９２】
【表１】
2007016177.tif 000010
【００９３】
【表２】
2007016177.tif 000011
【００９４】
【表３】
2007016177.tif 000012
【００９５】
表１〜３の結果より、実施例１〜２７のシリカ系被膜形成用材料を用いて作製したシリカ系被膜は、誘電率が低く、該誘電率はシリカ系被膜を７日間放置後も変化せず、耐湿性、耐薬品性及び耐エッチング性（エッチングレート比）に優れ、エッチングシフト量も小さく、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれに対する耐性をも有し、密着強度の結果も良好であることが判った。
【００９６】
（比較例１〜８）
前記構造式（３）で表されるシリコン化合物としての、１，２−ビス（ジメチルエトキシシリル）エタン（１，２−ＤＭＥＳＥ）及び１，４−ビス（ジメチルエトキシシリル）ベンゼン（１，４−ＤＭＥＳＢ）と、前記構造式（４）で表されるシリコン化合物としてのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、前記構造式（５）であらわされる化合物としての、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、及びフェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＯＳ）との加水分解縮合反応を行わず、いずれか一方のシリコン化合物を、表４に示す分量で使用した以外は、実施例１と同様にして、シリカ系被膜形成用材料を調製し、シリカ系被膜を作製した。また、シリカ系被膜の諸物性を実施例１と同様にして評価し、表４に併せて示した。
なお、得られたシリカ系被膜中のシリコーンポリマーの存在を、赤外分光分析により確認した。比較例４のシリカ系被膜におけるポリマーの組成を、図１２に示す。図１２より、比較例４のシリカ系被膜中には、Ｓｉ−ＣＨｘ−結合の存在が確認されず、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の総ての構造を有するシリコーンポリマーが含まれていないことが判った。
【００９７】
【表４】
2007016177.tif 000013
【００９８】
表４の結果より、比較例１〜８のシリカ系被膜形成用材料を用いて作製したシリカ系被膜は、誘電率が高く、該誘電率はシリカ系被膜を７日間放置すると更に高くなり、耐湿性に劣り、耐薬品性及び耐エッチング性（エッチングレート比）の結果も不良で、エッチングシフト量が大きく、ウェットエッチング及びドライエッチングに対する耐性が低く、密着強度も低いことが判った。
【００９９】
（実施例２８〜５４）
−シリカ系被膜形成用材料の調製−
前記構造式（１０）で表されるシリコン化合物としての、１，２−ビス（ジメチルクロロシリル）エタン（１，２−ＤＭＣＳＥ）、及び１，４−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン（１，４−ＤＭＣＳＢ）、前記構造式（１１）で表されるシリコン化合物としての、テトラクロロシラン（ＴＣＳ）、前記構造式（１２）で表されるシリコン化合物としての、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）及びフェニルトリクロロシラン（ＰＴＣＳ）、更に５００ｐｐｍ硝酸水、並びに前記有機溶剤としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルを、それぞれ表５〜７に示す分量で四ツ口フラスコに仕込み、５０℃で２時間にわたって加水分解縮重合反応を行い、シリカ系被膜形成用材料を調製した。
【０１００】
得られたシリカ系被膜形成用材料を用い、実施例１と同様にしてシリカ系被膜を作製した。また、シリカ系被膜の諸物性を実施例１と同様にして評価し、それぞれ表５〜７に併せて示した。
なお、得られたシリカ系被膜中のシリコーンポリマーの存在を、赤外分光分析により確認した。実施例２８のシリカ系被膜におけるポリマーの組成を、図１２に示す。図１２により、実施例２８のシリカ系被膜中には、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の存在が確認され、これらの構造を総て有するシリコーンポリマーが含まれていることが判った。
【０１０１】
【表５】
2007016177.tif 000014
【０１０２】
【表６】
2007016177.tif 000015
【０１０３】
【表７】
2007016177.tif 000016
【０１０４】
表５〜７の結果より、実施例２８〜５４のシリカ系被膜形成用材料を用いて作製したシリカ系被膜は、実施例１〜２７で得られたシリカ系被膜と同様、誘電率が低く、該誘電率はシリカ系被膜を７日間放置後も変化せず、耐湿性、耐薬品性及び耐エッチング性（エッチングレート比）に優れ、エッチングシフト量も小さく、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれに対する耐性をも有し、密着強度の結果も良好であることが判った。
【０１０５】
（比較例９〜１６）
前記構造式（１０）で表されるシリコン化合物としての、１，２−ビス（ジメチルクロロシリル）エタン（１，２−ＤＭＣＳＥ）及び１，４−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン（１，４−ＤＭＣＳＢ）と、前記構造式（１１）で表されるシリコン化合物としてのテトラクロロシラン（ＴＣＳ）、前記構造式（１２）で表されるシリコン化合物としての、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）及びフェニルトリクロロシラン（ＰＴＣＳ）との加水分解縮合反応を行わず、いずれか一方のシリコン化合物を、表８に示す分量で使用した以外は、実施例１と同様にして、シリカ系被膜形成用材料を調製し、シリカ系被膜を作製した。また、シリカ系被膜の諸物性を実施例１と同様にして評価し、表８に併せて示した。
なお、得られたシリカ系被膜中のシリコーンポリマーの存在を、赤外分光分析により確認した。比較例１２のシリカ系被膜におけるポリマーの組成を、図１２に示す。図１２より、比較例１２のシリカ系被膜中には、Ｓｉ−ＣＨｘ−結合の存在が確認されず、ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合の総ての構造を有するシリコーンポリマーが含まれていないことが判った。
【０１０６】
【表８】
2007016177.tif 000017
【０１０７】
表８の結果より、比較例９〜１６のシリカ系被膜形成用材料を用いて作製したシリカ系被膜は、比較例１〜８で得られたシリカ系被膜同様、誘電率が高く、該誘電率はシリカ系被膜を７日間放置すると更に高くなり、耐湿性に劣り、耐薬品性及び耐エッチング性（エッチングレート比）の結果も不良で、エッチングシフト量が大きく、ウェットエッチング及びドライエッチングに対する耐性が低く、密着強度も低いことが判った。
【０１０８】
（実施例５５）
−多層配線及び半導体装置の製造−
本発明の多層配線及び半導体装置を以下のようにして製造した。まず、図１に示すように、素子間分離膜２で分離され、ソース拡散層５ａとドレイン拡散層５ｂ、サイドウォール絶縁膜３を有するゲート電極４を形成したトランンジスタ層が形成されたシリコンウェハー１に、図２に示すように、層間絶縁膜６（リンガラス）及びストッパー膜７（ＳｉＣ）を形成した後、電極取り出し用のコンタクトホールを形成した。図３に示すように、スパッタ法によりこのコンタクトホ−ルにバリア膜８（ＴｉＮ）を厚みが５０ｎｍとなるように形成した後、ＷＦ６と水素とを混合し、還元することにより、Ｗによる導体プラグ９（ブランケット）を該コンタクトホールに埋め込み、ビアを形成すると共に、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により該ビア以外の部分を除去した。
【０１０９】
続いて、図４に示すように、前記ビアが形成されたストッパー膜７上に、ＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜１０を厚みが３０ｎｍとなるように形成し、この上に多孔質シリカ膜（低誘電率膜；配線分離絶縁膜）１１を厚みが１６０ｎｍとなるように積層し、該多孔質シリカ膜１１上に、実施例１で得られたシリカ系被膜形成用材料を用いて、シリカ系被膜１２を厚みが３０ｎｍとなるように成膜した。更に、図５に示すように、シリカ系被膜１２に対し、配線幅１００ｎｍ、スペース１００ｎｍの第１層目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にて加工を行い、配線溝を形成した。そして、図６に示すように、形成した配線溝に、スパッタ法により、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１１へ拡散するのを防ぐバリア膜１３（ＴａＮ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成した。続いて、前記配線溝に形成したバリア膜１３の表面に、電解メッキの際に電極として機能するシード層（Ｃｕ）を厚みが１０ｎｍとなるようにスパッタ法により形成した。次に、電解メッキ法により、銅配線１４（Ｃｕ）を厚み６００ｎｍ程度積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外の銅を除去し、前記第１層目の配線層（銅）上に、ストッパー膜（拡散防止膜）１５としてのＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜を厚みが３０ｎｍとなるように形成し、第１層目の配線層（銅）を形成した。ここで、ストッパー膜（拡散防止膜）１５は、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１１へ拡散するのを防ぐ目的で、シランとアンモニアガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した。
【０１１０】
次に、図７に示すように、ストッパー膜（拡散防止膜）１５上に、多孔質シリカ膜（低誘電率膜；配線分離絶縁膜、ＳｉＯＣ膜）１６を厚みが１８０ｎｍとなるように積層した。多孔質シリカ膜１６上に、実施例１のシリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜１７を厚みが３０ｎｍとなるように形成した後、更に、図８に示すように、該シリカ系被膜１７上に多孔質シリカ膜（低誘電率膜）１８を厚みが１６０ｎｍとなるように形成した後、実施例１のシリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜１９を厚みが３０ｎｍとなるように積層した。
ここで、図９に示すように、これらの絶縁層に対し、ビアパターンを形成したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にてガス組成及び圧力を変えることにより、シリカ系被膜１９、多孔質シリカ膜１８、シリカ系被膜１７、及び多孔質シリカ膜１６の順に加工を行いビアを形成した。次いで、第２層目配線パターンを施したレジスト層をマスクとして用い、ＣＦ４／ＣＨＦ３ガスを原料としたＦプラズマ法にて加工を行い、配線溝を形成した。図１０に示すように、形成したビアと配線溝とに対し、スパッタ法により、配線材料（銅）が多孔質シリカ膜１８へ拡散するのを防ぐバリア膜２０（ＴａＮ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成した。続いて、前記配線溝に形成したバリア膜２０の表面に、電解メッキの際に電極として機能するシード層（Ｃｕ）を厚みが１０ｎｍとなるように形成した。次に、電解メッキ法により、銅配線２１（Ｃｕ）を厚み１４００ｎｍ程度積層した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により配線パターン部以外の銅を除去し、図１１に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜２２を３０ｎｍの厚みとなるように形成し、第２層目のビア及び配線層（銅）を形成した。
以下、前記第２層目のビア及び配線層（銅）の形成を再度行うことにより、３層目のビア及び配線層（銅）を有する３層構造の銅配線（該銅配線は、本発明の前記多層配線に相当する）を有する半導体装置を製造した。以上のようにして、ビアと銅配線とが連続した連続ビアを有する半導体装置を１００万個製造したところ、該連続ビアの歩留まりは９１％あった。また、実効的な誘電率を層間容量により算出したところ、２．６であった。更に２００℃の高温にて３，０００時間放置後の配線抵抗を、抵抗測定器（「ＨＰ４２８４Ａ」；アジレント製）を用いて測定したところ、抵抗上昇は観られなかった。
【０１１１】
（実施例５６）
実施例５５において、実施例１で得られたシリカ系被膜形成用材料を、実施例２８で得られたシリカ系被膜形成用材料に代えた以外は、実施例５５と同様にしてシリカ系被膜１２、１７及び１９をそれぞれ形成し、多層配線及び半導体装置を製造した。
ビアと銅配線とが連続した連続ビアを有する半導体装置を１００万個製造したときの該連続ビアの歩留まりは９６％あった。また、実効的な誘電率を層間容量により算出したところ、２．５５であった。更に２００℃の高温にて３，０００時間放置後の配線抵抗を、抵抗測定器（「ＨＰ４２８４Ａ」；アジレント製）を用いて測定したところ、抵抗上昇は観られなかった。
【０１１２】
（比較例１７）
実施例５５において、実施例１で得られたシリカ系被膜形成用材料を、比較例１で得られたシリカ系被膜形成用材料に代えた以外は、実施例５５と同様にしてシリカ系被膜１２、１７、及び１９をそれぞれ形成し、多層配線及び半導体装置を製造した。
ビアと銅配線とが連続した連続ビアを有する半導体装置を１００万個製造したところ、該連続ビアの歩留まりは３４％あった。また、実効的な誘電率を層間容量により算出したところ、３．８と高いことが判った。更に２００℃の高温にて３，０００時間放置後の配線抵抗を、抵抗測定器（「ＨＰ４２８４Ａ」；アジレント製）を用いて測定したところ、抵抗上昇は観られた。
【０１１３】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  ＣＨｘ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、及びＳｉ−ＣＨｘ−結合を構造の一部に有するシリコーンポリマーを少なくとも含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用材料。
ただし、前記ｘは、０〜２の整数を表す。
（付記２）  シリコーンポリマーが、下記一般式（１）から（３）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種と、下記一般式（４）から（７）で表されるシリコン化合物から選択される少なくとも１種とを、加水分解縮重合反応させて得られる付記１に記載のシリカ系被膜形成用材料。
【化１１】
2007016177.tif 000018
【化１２】
2007016177.tif 000019
ただし、前記一般式（１）から（７）中、ｎは、０又は１を表す。Ｒ１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、ｎ＝０のとき、塩素、臭素、フッ素及び水素の少なくともいずれかを表し、ｎ＝１のとき、炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、水素、カルボキシル基の少なくともいずれかを表す。Ｒ２は炭素数１から４の炭化水素、芳香族炭化水素、及び水素のいずれかを表す。Ｒ３は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、炭素数１から３の炭化水素及び芳香族炭化水素の少なくともいずれかを表す。
（付記３）  加水分解縮重合反応が、ｐＨが１〜１１の水溶液を用いて行われる付記２に記載のシリカ系被膜形成用材料。
（付記４）  付記１から３のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことを特徴とするシリカ系被膜の製造方法。
（付記５）  熱処理が、５０〜４００℃で行われる付記４に記載のシリカ系被膜の製造方法。
（付記６）  熱処理が、不活性ガスの存在下にて行われる付記４から５のいずれかに記載のシリカ系被膜の製造方法。
（付記７）  付記４から６のいずれかに記載のシリカ系被膜の製造方法により製造されたことを特徴とするシリカ系被膜。
（付記８）  ドライエッチングの際のハードマスクとして用いられる付記７に記載のシリカ系被膜。
（付記９）  化学的機械研磨の際の保護膜として用いられる付記７から８のいずれかに記載のシリカ系被膜。
（付記１０）  厚みが０．０１〜１μｍである付記７から９のいずれかに記載のシリカ系被膜。
（付記１１）  付記７から１０のいずれかに記載のシリカ系被膜を少なくとも有することを特徴とする多層配線。
（付記１２）  付記１１に記載の多層配線を製造する方法であって、付記１から２のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことによりシリカ系被膜を形成するシリカ系被膜形成工程と、配線を形成する配線形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする多層配線の製造方法。
（付記１３）  熱処理が、５０〜４００℃の不活性ガスの存在かにて行われる付記１２に記載の多層配線の製造方法。
（付記１４）  付記７から１０のいずれかに記載のシリカ系被膜を、層間絶縁膜及び該層間絶縁膜の表面に形成される保護膜のいずれかとして有することを特徴とする半導体装置。
（付記１５）  付記１４に記載の半導体装置を製造する方法であって、被加工面上に付記１から３のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を用いてシリカ系被膜を形成するシリカ系被膜形成工程と、該シリカ系被膜をマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１６）  シリカ系被膜形成工程が、付記１から３のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用材料を被加工面上に塗布し、熱処理を行うことにより行われる付記１５に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）  熱処理が、５０〜４００℃で行われる付記１６に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）  熱処理が、不活性ガスの存在下にて行われる付記１６から１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）  エッチングが、ドライエッチング及びウェットエッチングのいずれかにより行われる付記１５から１８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記２０）  配線を形成する配線形成工程を含む付記１５から１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明のシリカ系被膜形成用材料は、耐エッチング性、耐薬品性及び耐湿性に優れ、密着性が良好であり、しかも誘電率が低いので、層間絶縁膜乃至該層間絶縁膜の表面に形成される保護膜に好適に使用することができ、特に本発明のシリカ系被膜、本発明の多層配線、本発明の半導体装置の製造に好適に使用することができる。
本発明のシリカ系被膜の製造方法は、層間絶縁膜、保護膜等の各種低誘電率膜、特に本発明のシリカ系被膜の製造に好適に用いることができる。
本発明のシリカ系被膜は、耐エッチング性、耐薬品性、及び耐湿性に優れ、しかも下地層との密着性が良好であり、応答速度の高速化が要求される半導体集積回路等に特に好適である。
本発明の多層配線の製造方法は、本発明の多層配線の製造に好適に用いることができる。
本発明の多層配線は、信号伝播速度の高速化が可能であり、応答速度の高速化が要求される半導体集積回路等に特に好適である。
本発明の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、ＭＯＳトランジスタ等を初めとする各種半導体装置、特に本発明の半導体装置の製造に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置は、配線間の寄生容量の低下と配線抵抗の低下とが達成され、高速で信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】図１は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１）である。
【図２】図２は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その２）である。
【図３】図３は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その３）である。
【図４】図４は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その４）である。
【図５】図５は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その５）である。
【図６】図６は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その６）である。
【図７】図７は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その７）である。
【図８】図８は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その８）である。
【図９】図９は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その９）である。
【図１０】図１０は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１０）である。
【図１１】図１１は、本発明のシリカ系被膜を有する本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１１）である。
【図１２】図１２は、実施例及び比較例で得られたシリカ系被膜の赤外分光分析結果を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１              シリコン基板
２              素子間分離膜
３              サイドウォール絶縁膜
４              ゲート電極
５ａ            ソース拡散層
５ｂ            ドレイン拡散層
６              層間絶縁膜（リンガラス）
７              ストッパー膜
８              バリア膜（ＴｉＮ）
９              導体プラグ（Ｗ）
１０，１５，２２  ＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜
１１，１６，１８  多孔質シリカ膜（低誘電率膜；配線分離絶縁膜）
１２，１７，１９  シリカ系被膜
１３，２０        バリア膜（ＴａＮ）
１４，２１        銅配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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