(57)【要約】      （修正有）【課題】酸化電位の低い高分子化合物、還元電位の高い高分子化合物であって発光効率の高い高分子化合物を提供する。【解決手段】アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを繰り返し単位として含む主鎖を有し、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を含む機能性側鎖を有する発光性又は電荷輸送性の高分子化合物であって、該機能性側鎖は−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基を表し、ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ')であり、Ｘで主鎖に結合している）を介して該主鎖に結合している。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを繰り返し単位として含む主鎖を有し、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を含む機能性側鎖を有する発光性又は電荷輸送性の高分子化合物であって、該機能性側鎖は−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ')であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該主鎖に結合していることを特徴とする上記高分子化合物。
【請求項２】
アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを繰り返し単位として含む主鎖を有し、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を含む機能性側鎖を有する発光性又は電荷輸送性の高分子化合物であって、該機能性側鎖は−Ｒｊ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。）を介して該主鎖に結合していることを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項３】
前記機能性側鎖が機能性基として正孔注入輸送基を有する請求項１又は２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
前記正孔注入輸送基が１個以上のヘテロ原子を含む請求項３記載の高分子化合物。
【請求項５】
前記正孔注入輸送基が１個以上の窒素原子を含む請求項４記載の高分子化合物。
【請求項６】
前記正孔注入輸送基がカルバゾール骨格を有する請求項５記載の高分子化合物。
【請求項７】
前記正孔注入輸送基が下記式（Ｈ−Ａ）、（Ｈ−Ｂ）又は（Ｈ−Ｃ）で示される基である請求項５記載の高分子化合物。
【化１】
2007119763.tif 000066
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ａ、ｅ及びｈは０〜３から選ばれる整数を表し、ｂ、ｃ及びｄは０〜４から選ばれる整数を表し、ｆ及びｇは０〜５から選ばれる整数を表す。）
【請求項８】
前記機能性側鎖が機能性基として電子注入輸送基を有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項９】
前記電子注入輸送基が１個以上のヘテロ原子を含む請求項８記載の高分子化合物。
【請求項１０】
前記電子注入輸送基が１個以上の窒素原子を含む請求項９記載の高分子化合物。
【請求項１１】
前記電子注入輸送基が下記式（Ｅ−Ａ）、（Ｅ−Ｂ）又は（Ｅ−Ｃ）で示される基である請求項１０記載の高分子化合物。
【化２】
2007119763.tif 000067
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ｉ及びｋは０〜４から選ばれる整数を表し、ｊ、ｌ及びｍは０〜５から選ばれる整数を表す。）
【請求項１２】
前記機能性側鎖が機能性基として発光基を有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１３】
前記発光基が複素環又は縮合多環式芳香族炭化水素を含む請求項１２記載の高分子化合物。
【請求項１４】
前記電子注入輸送基が下記式（Ｌ−Ａ）、（Ｌ−Ｂ）又は（Ｌ−Ｃ）で示される基である請求項１３記載の高分子化合物。
【化３】
2007119763.tif 000068
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ｎ及びｐは０〜９から選ばれる整数を表し、ｏは０〜７から選ばれる整数を表す。）
【請求項１５】
前記高分子化合物のＨＯＭＯの絶対値が５．６ｅＶ以下である請求項１〜１４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１６】
高分子化合物のＬＵＭＯの絶対値が２．２ｅＶ以上である請求項１〜１５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１７】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8である請求項１〜１６のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１８】
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも１種類を含有することを特徴とする組成物。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物を少なくとも２種類含有することを特徴とする組成物。
【請求項２０】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。
【請求項２１】
請求項１８〜１９のいずれか一項に記載の組成物を含有することを特徴とする溶液。
【請求項２２】
２種類以上の有機溶媒を含有する請求項２０又は２１記載の溶液。
【請求項２３】
粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の溶液。
【請求項２４】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
【請求項２５】
発光の量子収率が５０％以上である請求項２４記載の発光性薄膜。
【請求項２６】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする導電性薄膜。
【請求項２７】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする有機半導体薄膜。
【請求項２８】
請求項２７に記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２９】
インクジェット法を用いることを特徴とする請求項２４〜２７のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
【請求項３０】
陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１８〜１９のいずれか一項に記載の組成物を含む有機層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項３１】
前記有機層が発光層である請求項３０記載の高分子発光素子。
【請求項３２】
前記発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料又は発光材料を含む請求項３１記載の高分子発光素子。
【請求項３３】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１８〜１９のいずれか一項に記載の組成物を含む請求項３０記載の高分子発光素子。
【請求項３４】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜１７のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１８〜１９のいずれか一項に記載の組成物を含む請求項３０記載の高分子発光素子。
【請求項３５】
請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とする面状光源。
【請求項３６】
請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項３７】
請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項３８】
請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３９】
下記式（Ｍ−Ａ）で示される化合物
【化４】
2007119763.tif 000069
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表す。）
を１級アミンの存在下で還元剤と反応させて、
式（Ｍ−Ｂ）で示される化合物
【化５】
2007119763.tif 000070
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）
を製造し、
上記式（Ｍ−Ｂ）で示される化合物を塩基の存在下でＸ−Ｊ1−Ｘ（式中Ｊ1はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と反応させることを特徴とする、
式（Ｍ−Ｃ）で示される有機ＥＬ材料の中間体化合物
【化６】
2007119763.tif 000071
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ1はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
の製造方法。
【請求項４０】
上記式（Ｍ−Ｃ）で示される化合物を塩基の存在下で、
式（Ｍ−Ｄ）で示される化合物
【化７】
2007119763.tif 000072
（式中Ａｒbはアリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミンを表す。Ｘはハロゲン原子を表す。）
と反応させることにより、
式（Ｍ−Ｅ）又は式（Ｍ−Ｆ）で示される化合物
【化８】
2007119763.tif 000073
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ1はアルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ａｒcは３価の芳香族炭化水素基、３価の複素環基又は３価の芳香族アミンを表し、Ａｒdは４価の芳香族炭化水素基、４価の複素環基又は４価の芳香族アミンを表す。）
を合成し、
式（Ｍ−Ｅ）又は式（Ｍ−Ｆ）で示される化合物を重合することにより高分子化合物を合成する
ことを特徴とする高分子化合物の製造方法。
【請求項４１】
下記式（Ｍ−Ｇ）で示される部分構造を有する化合物。
【化９】
2007119763.tif 000074
（式中Ｒ'''は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ２はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
【請求項４２】
下記式（Ｍ−Ｈ）で示される中間体化合物。
【化１０】
2007119763.tif 000075
（式中Ｊ３はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
【請求項４３】
請求項４１記載の化合物の、機能性高分子化合物の機能性側鎖としての使用。
【請求項４４】
アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを有するモノマーであって、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を有する上記モノマーを含む原料モノマーを重合することを含む、発光性又は電荷輸送性の高分子化合物の製造方法であって、該機能性基が、−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ’)であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該モノマーに結合していることを特徴とする上記製造方法。
【請求項４５】
−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ’)であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して機能性側鎖を主鎖に結合させることを特徴とする高分子化合物の主鎖への機能性側鎖の導入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は低分子量のそれらとは異なり、溶媒に可溶で塗布法により発光素子における有機層を形成できることから種々検討されている。その例として、繰り返し単位として、シクロペンタジエン環に、２個のベンゼン環が縮合した下記の構造を有する高分子化合物が知られている（例えば、非特許文献１及び特許文献１参照）。
【化１】
2007119763.tif 000002
【０００３】
また、共役した主鎖の側鎖に正孔注入輸送基、電子注入輸送基又は発光基などの機能性置換基を有する高分子化合物が知られている（例えば、特許文献２、特許文献３、非特許文献２及び非特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第９９／５４３８５号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−２７７５６８号公報
【特許文献３】国際公開第２００１−６２８２２号パンフレット
【非特許文献１】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  １９９９年９巻１０号  ７９８頁
【非特許文献２】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ；２００２，１４（１１），８０９−８１１．
【非特許文献３】Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ＰａｒｔＡ；２００５，４３（３），８５９−８６９．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高分子化合物を発光素子用の発光材料として用いる場合、高効率で発光するためには、高分子化合物の正の電荷（正孔）及び負の電荷（電子）の注入性が良いことが必要である。電荷の注入性は様々な要因で決定されるが、高分子化合物の酸化電位が低くなればその最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）が高くなり正孔の注入性が向上することが期待される。また、高分子化合物の還元電位が高くなれば最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）が低くなり電子の注入性が向上することが期待される。上記公知の高分子化合物では特性が未だ十分とはいえず、酸化電位がより低い高分子化合物、還元電位がより高い高分子化合物であって発光効率の高い高分子化合物が望まれていた。
【０００６】
本発明の目的は、酸化電位の低い高分子化合物、還元電位の高い高分子化合物であって発光効率の高い高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち本発明は、アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを繰り返し単位として含む主鎖を有し、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を含む機能性側鎖を有する発光性又は電荷輸送性の高分子化合物であって、該機能性側鎖は−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ')であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該主鎖に結合していることを特徴とする上記高分子化合物を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の高分子化合物は、正孔及び／又は電子の注入性が高く、発光効率が高いという効果を有する。例えば側鎖に正孔注入輸送基を有する場合はＨＯＭＯが高くなり正孔注入性が向上する効果があり、側鎖に電子注入輸送基を有する場合はＬＵＭＯが低くなり電子輸送性が向上する効果があり、発光基を有する場合は発光効率の向上やＨＯＭＯが高くＬＵＭＯが低くなり、正孔及び／又は電子の注入性が向上する効果がある。
したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の高分子化合物は主鎖にアリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを含む。
【００１０】
アリーレン基とは芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。
アリーレン基が置換基を有する場合、機能性側鎖以外に０〜４個から選ばれる整数個の置換基を有していてもよく、該置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基から選ばれるものであることが好ましい。
【００１１】
アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが例示される。
【００１２】
アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが例示される。
【００１３】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが例示される。
【００１４】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００１５】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００１６】
アリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示される。
【００１７】
アリールアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが例示される。
【００１８】
アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示される。
【００１９】
アリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基などが例示される。
【００２０】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００２１】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００２２】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【００２３】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００２４】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００２５】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００２６】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００２７】
イミン残基は、炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基などが例示される。
【化２】
2007119763.tif 000003
【００２８】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。
【００２９】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。
【化３】
2007119763.tif 000004
【００３０】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００３１】
置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００３２】
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、  ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、縮合環化合物基（下式２９〜３５）、インデノナフタレン−ジイル（下式Ｇ〜Ｎ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、インデノナフタレン−ジイル基が好ましい。
【００３３】
【化４】
2007119763.tif 000005
【００３４】
【化５】
2007119763.tif 000006
【００３５】
【化６】
2007119763.tif 000007
【００３６】
【化７】
2007119763.tif 000008
【００３７】
【化８】
2007119763.tif 000009
【００３８】
【化９】
2007119763.tif 000010
【００３９】
上記式１〜３８及び上記式Ｇ〜Ｎ中のＲはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。
【００４０】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、及び置換カルボキシル基としては前記置換基の例示と同様である。
【００４１】
２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。２価の６員環単環の複素環基［下式（１−１）〜（１−６）］、２価の５員環単環の複素環基［下式（１−７）〜（１−１１）］、１個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基［下式（１−１２）〜（１−２６）］、２個の６員環が縮合した複素環基［下式（１−２７）〜（１−３３）］、２個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基［下式（１−３４）〜（１−３８）］及び３個の６員環が縮合した複素環基［下式（１−３９）〜（１−５１）］が例示される。
【００４２】
【化１０】
2007119763.tif 000011
【００４３】
【化１１】
2007119763.tif 000012
【００４４】
【化１２】
2007119763.tif 000013
【００４５】
【化１３】
2007119763.tif 000014
【００４６】
【化１４】
2007119763.tif 000015
【００４７】
【化１５】
2007119763.tif 000016
【００４８】
上記式（１−１）〜（１−５１）中、Ｘ1〜Ｘ86はそれぞれ独立に、窒素原子、ホウ素原子、−Ｓｉ（Ｒ1）＝、−Ｐ＝、−Ｐ（Ｒ2）（Ｒ3）＝及びＰ（＝Ｏ）＝を表す。
【００４９】
上記式（１−１）〜（１−５１）中、Ｙ1〜Ｙ29はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、−Ｎ（Ｒ4）−、−Ｂ（Ｒ5）−、Ｓｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−、−Ｐ（Ｒ8）−及びＰ（＝Ｏ）（Ｒ9）−を表す。
【００５０】
Ｒ1〜Ｒ9は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基及び１価の複素環基を表す。
【００５１】
アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基及び１価の複素環基としては、前記置換基における例示と同様である。
【００５２】
発光効率の観点から２価の複素環基としては、２価の６員環単環の複素環基、１個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基、２個の６員環が縮合した複素環基、２個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基、及び３個の６員環が縮合した複素環基が好ましく、１個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基、２個の６員環が縮合した複素環基、２個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基、及び３個の６員環が縮合した複素環基がより好ましく、２個の６員環が縮合した複素環基、２個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基、及び３個の６員環が縮合した複素環基がさらに好ましい。
【００５３】
発光効率の観点から２価の６員環単環の複素環基の中では、上記式（１−１）〜（１−５）であることが好ましく、上記式（１−１）〜（１−３）及び（１−５）であることがより好ましく、上記式（１−１）〜（１−３）であることがさらに好ましい。
【００５４】
発光効率の観点から２価の５員環単環の複素環基の中では上記式（１−７）〜（１−１０）であることが好ましく、（１−７）及び（１−８）であることがより好ましい。
【００５５】
発光効率の観点から１個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基の中では、上記式（１−１２）〜（１−１６）、（１−２０）、（１−２１）、（１−２４）及び（１−２５）であることが好ましく、上記式（１−１２）、（１−１６）、（１−２０）、（１−２１）、（１−２４）及び（１−２５）であることがより好ましく、上記式（１−１２）、（１−１６）、（１−２０）及び（１−２４）であることがさらに好ましい。
【００５６】
発光効率の観点から２個の６員環が縮合した複素環基の中では、上記式（１−２７）〜（１−３２）であることが好ましく、上記式（１−２７）、（１−２８）、（１−３０）及び（１−３１）であることがより好ましく、上記式（１−２８）及び（１−３０）であることがさらに好ましい。
【００５７】
発光効率の観点から２個の６員環と１個の５員環が縮合した複素環基の中では、上記式（１−３４）〜（１−３６）であることが好ましく、上記式（１−３４）及び（１−３５）であることがより好ましく、上記式（１−３４）であることがさらに好ましい。
【００５８】
発光効率の観点から３個の６員環が縮合した複素環基の中では、上記式（１−３９）〜（１−４１）、（１−４４）、（１−４５）及び（１−４８）〜（１−５０）であることが好ましく、（１−３９）〜（１−４１）、（１−４４）、（１−４５）、（１−４８）及び（１−４９）であることがより好ましく、（１−３９）、（１−４１）、（１−４４）、（１−４５）及び（１−４８）であることがさらに好ましい。
【００５９】
合成の容易さの観点から、Ｘ1〜Ｘ86が窒素原子、ホウ素原子及び−Ｓｉ（Ｒ1）＝であることが好ましく、窒素原子及び−Ｓｉ（Ｒ1）＝であることがより好ましく、窒素原子であることがさらに好ましい。
【００６０】
合成の容易さの観点から、Ｙ1〜Ｙ29が酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−、−Ｂ（Ｒ5）−、−Ｓｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−及び−Ｐ（Ｒ8）−であることが好ましく、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−、−Ｂ（Ｒ5）−及び−Ｓｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−であることがより好ましく、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−及び−Ｓｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−であることがさらに好ましい。
【００６１】
２価の芳香族アミンとは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常５〜１００程度であり、好ましくは１５〜６０である。なお、芳香族アミンの炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
【００６２】
２価の芳香族アミンとしては例えば下記式（４）で表される基が例示される。
【化１６】
2007119763.tif 000017
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ5、Ａｒ6及びＡｒ7はそれぞれ独立にアリール基又は１価の複素環基を示す。Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は置換基を有していてもよい。ｋ及びｌはそれぞれ独立に０以上の整数を示す。）
【００６３】
ここにいうアリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
【００６４】
また、２価の複素環基とは、前記と同様の基を表す。
【００６５】
アリール基及び１価の複素環基としては前記と同様の基を示す。
【００６６】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は置換基を有する場合、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基が挙げられる。
【００６７】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基としては前記置換基の例示と同様である。
【００６８】
合成の容易さの観点から上記式（４）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基であることが好ましく、上記式１〜１２の２価の基であることがより好ましく、上記式１、２、４、７及び１２の基であることがさらに好ましく、上記式１の基であることが最も好ましい。
【００６９】
合成の容易さの観点から上記式（４）中、Ａｒ5、Ａｒ6及びＡｒ7はそれぞれ独立にアリール基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基であることがより好ましく、置換基としてアルキル基を有しているフェニル基であることがさらに好ましい。
【００７０】
また発光効率の観点から上記式（４）中、ｋ及びｌはそれぞれ独立に０以上２以下の整数であることが好ましく、０以上１以下の整数であることがより好ましく、０以上１以下の整数であり、かつ０≦ｋ＋ｌ≦１であることがさらに好ましい。
【００７１】
また本発明の高分子化合物は、側鎖に正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を含む機能性側鎖を有する。
【００７２】
該機能性側鎖は−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−を介して該主鎖に結合していることがより好ましい。
【００７３】
正孔注入輸送基とは、主鎖に比べ正孔注入性が良い１価の基又は正孔輸送性の良い１価の基が挙げられる。
【００７４】
正孔の注入性は一般的に高分子化合物の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の値に依存しており、ＨＯＭＯの絶対値の値が小さい程、正孔の注入性がよい。
【００７５】
主鎖に比べ正孔注入性が良い１価の基とは、主鎖に比べＨＯＭＯの絶対値が小さい１価の基が挙げられる。
【００７６】
ＨＯＭＯの計測は、例えば、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）を用いて高分子化合物の酸化電位を測定し、酸化電位の値から計算することができる。本発明の高分子化合物の場合、酸化電位が低くなるほどＨＯＭＯの絶対値が小さくなり、正孔注入性が向上する。
【００７７】
正孔の輸送性は一般的に高分子化合物の正孔の移動度に依存しており、正孔の移動度が高いほど、正孔の注入性がよい。
【００７８】
主鎖に比べ正孔輸送が良い１価の基とは、主鎖に比べ正孔の移動度が高い１価の基が挙げられる。
【００７９】
正孔の移動度の計測は、特に限定されないが、例えば、Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）法を用いて高分子化合物の正孔の移動度を測定することができる。
【００８０】
電子注入輸送基とは、主鎖に比べ電子注入性が良い１価の基又は電子輸送性の良い１価の基が挙げられる。
【００８１】
電子の注入性は一般的に高分子化合物の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）の値に依存しており、ＬＵＭＯの絶対値の値が大きい程、電子の注入性が良い。
【００８２】
主鎖に比べ電子注入性が良い１価の基とは、主鎖に比べＬＵＭＯの絶対値が大きい１価の基が挙げられる。
【００８３】
ＬＵＭＯの計測は、例えば、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）を用いて高分子化合物の還元電位を測定し、還元電位の値から計算することができる。本発明の高分子化合物の場合、還元電位は負の値になり、還元電位が高くなるほど（還元電位の絶対値が小さくなるほど）ＬＵＭＯの絶対値が大きくなり、電子注入性が向上する。
【００８４】
電子の輸送性は一般的に高分子化合物の電子の移動度に依存しており、電子の移動度が高いほど、電子の注入性が良い。
【００８５】
主鎖に比べ電子輸送が良い１価の基とは、主鎖に比べ電子の移動度が高い１価の基が挙げられる。
【００８６】
電子の移動度の計測は、特に限定されないが、例えば、Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）法を用いて高分子化合物の電子の移動度を測定することができる。
【００８７】
発光基とは主鎖と異なった波長の発光色を与える１価の基である。
【００８８】
ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの計測は、前記と同様である。
【００８９】
正孔注入輸送基としては１個以上のヘテロ原子を含むことが好ましく、１個以上の窒素原子を含むことがより好ましい。
【００９０】
正孔注入輸送基としては、窒素原子を２個以上含む１価の芳香族アミン、窒素原子を２個以上含む１価のカルバゾール誘導体、窒素原子を２個以上含む１価の金属錯体、１個以上の窒素原子と１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含む１価の基、窒素原子以外のヘテロ原子を含む１価の基及びヘテロ原子として１個の窒素原子のみを含む１価の基が挙げられる。
【００９１】
窒素原子を２個以上含む１価の芳香族アミンとしては、下記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−１４）、窒素原子を２個以上含む１価のカルバゾール誘導体としては下記式（Ｈ−１５）〜（Ｈ−１９）、窒素原子を２個以上含む１価の金属錯体としては下記式（Ｈ−２０）〜（Ｈ−２２）、１個以上の窒素原子と１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含む１価の基としては下記式（Ｈ−２３）〜（Ｈ−２５）、窒素原子以外のヘテロ原子を含む１価の基としては下記式（Ｈ−２６）〜（Ｈ−２９）、ヘテロ原子として１個の窒素原子のみを含む１価の基としては下記式（Ｈ−３０）〜（Ｈ−３１）から、それぞれ１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が例示される。
【００９２】
【化１７−１】
2007119763.tif 000018
【化１７−２】
2007119763.tif 000019
【００９３】
【化１８】
2007119763.tif 000020
【００９４】
【化１９】
2007119763.tif 000021
【００９５】
【化２０】
2007119763.tif 000022
【００９６】
【化２１】
2007119763.tif 000023
【００９７】
【化２２】
2007119763.tif 000024
【００９８】
上記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−３１）中Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基から選ばれるものであることが好ましい。
【００９９】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基は上記置換基の例示と同様の基を表す。
【０１００】
上記式（Ｈ−２６）及び（Ｈ−３０）中Ｒ’は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基及び１価の複素環基から選ばれるものであることが好ましい。
【０１０１】
アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基及び１価の複素環基は上記置換基の例示と同様の基を表す。
【０１０２】
正孔注入輸送基としてはオリゴマーやポリマーでもよい。
具体的には上記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−３１）に示す同一又は２個以上の異なる化合物がＲと結合している炭素原子同士で２個以上結合した化合物から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられる。
正孔輸送性向上の観点から正孔注入輸送基は、下記式（Ｈ−Ａ）、（Ｈ−Ｂ）又は（Ｈ−Ｃ）で示される基であることが好ましい。
【化２３】
2007119763.tif 000025
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ａ、ｅ及びｈは０〜３から選ばれる整数を表し、ｂ、ｃ及びｄは０〜４から選ばれる整数を表し、ｆ及びｇは０〜５から選ばれる整数を表す。）
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、及び置換カルボキシル基は上記置換基の例示と同様の基を表す。
【０１０３】
電子注入輸送基としては１個以上のヘテロ原子を含むことが好ましく、１個以上の窒素原子を含むことがより好ましい。
【０１０４】
電子注入輸送基としては、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含むＡｌ又はＺｎの１価の金属錯体、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子と周期表で第２〜第４周期から選ばれる元素を含むＡｌ及びＺｎ以外の金属の１価の金属錯体、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子と１個以上の窒素原子を含む１価の基、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子のみを含む１価の基、ヘテロ原子として２個以上の窒素原子のみを含む１価の基、及びヘテロ原子として１個の窒素原子のみを含む１価の基が挙げられる。
【０１０５】
１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含むＡｌ又はＺｎの１価の金属錯体としては下記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−１０）、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子と周期表で第２〜第４周期から選ばれる元素を含むＡｌ及びＺｎ以外の金属の１価の金属錯体としては下記式（Ｅ−１１）〜（Ｅ−１６）、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子と１個以上の窒素原子を含む１価の基としては下記式（Ｅ−１７）〜（Ｅ−２８）、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子のみを含む１価の基としては下記式（Ｅ−２９）〜（Ｅ−３２）、ヘテロ原子として２個以上の窒素原子のみを含む１価の基としては下記式（Ｅ−３３）〜（Ｅ−４１）、ヘテロ原子として１個の窒素原子のみを含む１価の基としては下記式（Ｅ−４２）〜（Ｅ−４５）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が例示される。
【０１０６】
【化２４】
2007119763.tif 000026
【０１０７】
【化２５】
2007119763.tif 000027
【０１０８】
【化２６】
2007119763.tif 000028
【０１０９】
【化２７】
2007119763.tif 000029
【０１１０】
【化２８】
2007119763.tif 000030
【０１１１】
【化２９】
2007119763.tif 000031
【０１１２】
上記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４５）中Ｒは、（Ｈ−１）〜（Ｈ−２９）で示したものと同じものが例示される。
【０１１３】
電子注入輸送基としてはオリゴマーやポリマーでもよい。
具体的には上記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４５）に示す同一又は２個以上の異なる化合物がＲと結合している炭素原子同士で２個以上結合した化合物から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられる。
【０１１４】
電子輸送性向上の観点から電子注入輸送基は、下記式（Ｅ−Ａ）、（Ｅ−Ｂ）又は（Ｅ−Ｃ）で示される基であることが好ましい。
【化３０】
2007119763.tif 000032
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ''は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ｉ及びｋは０〜４から選ばれる整数を表し、ｊ、ｌ及びｍは０〜５から選ばれる整数を表す。）
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、及び置換カルボキシル基は上記置換基の例示と同様の基を表す。
【０１１５】
発光基としては、１価の縮合多環式芳香族炭化水素基、２個以上の縮合多環式芳香族炭化水素基が結合した１価の基、ヘテロ原子として１個以上の窒素原子及び／又は酸素原子のみを含む１価の複素環基、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子を含む１価の複素環基が挙げられる。
【０１１６】
１価の縮合多環式芳香族炭化水素基としては下記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）、２個以上の縮合多環式芳香族炭化水素基が結合した１価の基としては下記式（Ｌ−６）〜（Ｌ−８）、及び（Ｌ−２３）〜（Ｌ−２６）、ヘテロ原子として１個以上の窒素原子及び／又は酸素原子のみを含む１価の複素環基としては下記式（Ｌ−９）〜（Ｌ−１５）、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子を含む１価の複素環基としては下記式（Ｌ−１６）〜（Ｌ−２２）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が例示される。
【０１１７】
【化３１】
2007119763.tif 000033
【０１１８】
【化３２】
2007119763.tif 000034
【０１１９】
【化３３】
2007119763.tif 000035
【０１２０】
【化３４】
2007119763.tif 000036
【０１２１】
【化３５】
2007119763.tif 000037
【０１２２】
上記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２６）中Ｒは、（Ｈ−１）〜（Ｈ−２９）で示したものと同じものが例示される。
【０１２３】
上記式（Ｌ−９）、（Ｌ−１０）、（Ｌ−１９）、（Ｌ−２０）及び（Ｌ−２１）中Ｒ’は、（Ｈ−２６）及び（Ｈ−３０）で示したものと同じものが例示される。
【０１２４】
発光基としてはオリゴマーやポリマーでもよい。
具体的には上記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２６）に示す同一又は２個以上の異なる化合物がＲと結合している炭素原子同士で２個以上結合した化合物から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられる。
発光効率向上の観点から電子注入輸送基は、下記式（Ｌ−Ａ）、（Ｌ−Ｂ）又は（Ｌ−Ｃ）で示される基であることが好ましい。
【化３６】
2007119763.tif 000038
（式中Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ''は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、ｎ及びｐは０〜９から選ばれる整数を表し、ｏは０〜７から選ばれる整数を表す。）
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、及び置換カルボキシル基は上記置換基の例示と同様の基を表す。
【０１２５】
機能性側鎖は単独で存在していてもよいし、２個以上の異なる機能性側鎖が存在していてもよい。
【０１２６】
正孔輸送性向上の観点からは、機能性側鎖が正孔注入輸送基であることが好ましく、窒素原子を２個以上含む１価の芳香族アミン、窒素原子を２個以上含む１価のカルバゾール誘導体、窒素原子を２個以上含む１価の金属錯体及び１個以上の窒素原子と１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含む１価の基であることがより好ましく、窒素原子を２個以上含む１価の芳香族アミン、窒素原子を２個以上含む１価のカルバゾール誘導体及び窒素原子を２個以上含む１価の金属錯体であることがさらに好ましく、窒素原子を２個以上含む１価の芳香族アミン及び窒素原子を２個以上含む１価のカルバゾール誘導体であることが最も好ましい。
【０１２７】
電子輸送性向上の観点からは、機能性側鎖が電子注入輸送基であることが好ましく、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含むＡｌ又はＺｎの１価の金属錯体、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子と周期表で第２〜第４周期から選ばれる元素を含むＡｌ及びＺｎ以外の金属の１価の金属錯体、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子のみを含む１価の基及びヘテロ原子として２個以上の窒素原子のみを含む１価の基であることがより好ましく、１個以上の窒素原子以外のヘテロ原子を含むＡｌ又はＺｎの１価の金属錯体、ヘテロ原子として１個以上の硫黄原子のみを含む１価の基及びヘテロ原子として２個以上の窒素原子のみを含む１価の基であることがさらに好ましい。
【０１２８】
発光効率向上の観点からは、機能性側鎖が発光基であることが好ましく、１価の縮合多環式芳香族炭化水素基、２個以上の縮合多環式芳香族炭化水素基が結合した１価の基及びヘテロ原子として１個以上の窒素原子及び／又は酸素原子のみを含む１価の複素環基であることがより好ましく、２個以上の縮合多環式芳香族炭化水素基が結合した１価の基及びヘテロ原子として１個以上の窒素原子及び／又は酸素原子のみを含む１価の複素環基であることがさらに好ましい。
【０１２９】
本発明の高分子化合物は、上記機能性側鎖が−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ')であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該主鎖に結合していることを特徴とする。
【０１３０】
側鎖が窒素置換アルキレン基−Ｒｊ−を介して該主鎖に結合しているとは、窒素置換アルキレン基の片側末端の原子が側鎖に結合し、もう一方の片側末端の原子が主鎖に結合していることを表す。主鎖に結合している原子は、炭素であってもよいが、他に−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ2−、−ＳＯ−、―ＳＯ2―、−ＳｉＲ8Ｒ9−、−ＮＲ10−、−ＢＲ11−、−ＰＲ12−、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ13）―からなる群から選ばれる基であってもよい。
【０１３１】
窒素置換アルキレン基は、その炭素数は置換基に含まれる炭素数を除いて通常１〜１２程度であり、その置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基等が挙げられる。
アルキレン基の好ましい例としては、−Ｃ3Ｈ6−、−Ｃ4Ｈ8−、−Ｃ5Ｈ10−、−Ｃ6Ｈ12−、−Ｃ8Ｈ16−、−Ｃ10Ｈ20−等が挙げられる。
【０１３２】
ここにＲ8〜Ｒ13とはＲ1〜Ｒ7中に記載したものと同じものが例示される。
【０１３３】
また本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であることが好ましく、１０3〜１０7であることがより好ましく、１０4〜１０7であることがさらに好ましい。
【０１３４】
また本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０3〜１０8であることが好ましく、１０3〜１０7であることがより好ましい。
【０１３５】
ここで、数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求めることができる。
【０１３６】
ここに本発明における高分子化合物の好ましい例を記載する。
【０１３７】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、機能性側鎖が結合している主鎖中の繰り返し単位が２価の複素環基である場合は、下記式（５−１）〜（５−１５）であることが好ましく、２価のアリーレン基である場合は下記式（５−１６）〜（５〜４１）であることが好ましく、２価の芳香族アミン基である場合は下記式（５−４２）〜（５−４６）であることが好ましい。
下記式（５−１）〜（５−４６）は置換基を有していてもよい。
置換基としては前記置換基と同じものが挙げられる。
【０１３８】
【化３７】
2007119763.tif 000039
【０１３９】
【化３８−１】
2007119763.tif 000040
【化３８−２】
2007119763.tif 000041
【０１４０】
【化３９】
2007119763.tif 000042
（式中Ｘ87〜Ｘ101は前記Ｘ1〜Ｘ86における例示と同じものを表し、Ｙ30〜Ｙ34は前記Ｙ1〜Ｙ29における例示と同じものを表し、Ｊは前記窒素置換アルキレン基Ｒｊを表し、Ｆｕｎは機能性側鎖を表し、ＲW1〜ＲW4及びＲX1〜ＲX4は前記ＲW〜ＲXにおける例示と同じものを表す。）
【０１４１】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中Ｘ87〜Ｘ101が窒素原子、ホウ素原子及び−Ｓｉ（Ｒ1）＝であることが好ましく、窒素原子及び−Ｓｉ（Ｒ1）＝であることがより好ましく、窒素原子であることがさらに好ましい。
【０１４２】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中Ｙ30〜Ｙ34が、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−、−Ｂ（Ｒ5）−、Ｓｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−及び−Ｐ（Ｒ8）−であることが好ましく、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−、−Ｂ（Ｒ5）−及びＳｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−であることがより好ましく、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ4）−及びＳｉ（Ｒ6）（Ｒ7）−であることがさらに好ましい。
【０１４３】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中、Ｊで表される窒素置換アルキレン基が置換基を有する場合、Ｊは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基であることがさらに好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基であることが最も好ましい。
【０１４４】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、窒素置換アルキレン基における主鎖と結合している原子は、炭素原子であっても、他の原子であってもよい。該原子が炭素以外の原子である場合は、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、―、−ＳｉＲ8Ｒ9−、−ＮＲ10−、−ＢＲ11−であることが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ8Ｒ9−、−ＮＲ10−であることがより好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ10−であることがさらに好ましく、−Ｏ−、−ＮＲ10−であることが最も好ましい。
【０１４５】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中、Ｆｕｎが正孔注入輸送基である場合は、上記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−３１）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることが好ましく、上記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−３）、（Ｈ−５）、（Ｈ−１５）〜（Ｈ−１７）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがより好ましく、上記式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−１５）、（Ｈ−１６）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがさらに好ましい。
【０１４６】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中、Ｆｕｎが電子注入輸送基である場合は、上記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４４）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることが好ましく、上記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−１０）、（Ｅ−２８）〜（Ｅ−３１）、（Ｅ−４１）〜（Ｅ−４４）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがより好ましく、上記式（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｅ−４）〜（Ｅ−６）、（Ｅ−２８）、（Ｅ−３１）、（Ｅ−４１）、（Ｅ−４２）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがさらに好ましく、（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｅ−２８）、（Ｅ−３１）、（Ｅ−４１）、（Ｅ−４２）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることが最も好ましい。
【０１４７】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）中、Ｆｕｎが発光基である場合は、上記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２６）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることが好ましく、上記式（Ｌ−６）〜（Ｌ−８）、（Ｌ−９）〜（Ｌ−１６）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがより好ましく、上記式（Ｌ−６）、（Ｌ−７）、（Ｌ−９）〜（Ｌ−１４）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることがさらに好ましく、上記式（Ｌ−６）、（Ｌ−７）、（Ｌ−９）〜（Ｌ−１４）から１個のＲ又はＲ上の水素原子を除いた残基であることが最も好ましい。
【０１４８】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（Ｈ−１）〜（Ｈ−３１）、（Ｅ−１）〜（Ｅ−４４）、（Ｌ−１）〜（Ｌ−２６）中Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基であることがさらに好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基であることが最も好ましい。
【０１４９】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、主鎖の繰り返し単位が２価の複素環基である上記式（５−１）〜（５−１５）の中では、上記式（５−１）〜（５−４）、（５−７）〜（５−９）、（５−１２）、（５−１３）であることが好ましく、（５−１）、（５−２）、（５−７）〜（５−９）、（５−１２）、（５−１３）であることがより好ましく、（５−７）、（５−８）、（５−１３）であることがさらに好ましい。
【０１５０】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、アリーレン基である上記式（５−１６）〜（５−４１）の中では、上記式（５−１６）〜（５−１９）、（５−２２）〜（５−２５）、（５−２６）、（５−２７）、（５−３０）、（５−３２）〜（５−３４）、（５−３６）〜（５−３８）、（５−４０）であることが好ましく、（５−１６）、（５−１７）、（５−２２）〜（５−２５）、（５−２６）、（５−２７）であることがより好ましく、（５−２３）、（５−２４）（５−３０）〜（５−３４）、（５−３５）であることがさらに好ましい。
【０１５１】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、２価の芳香族アミンである上記式（５−４２）〜（５−４６）の中では、上記式（５−４２）〜（５−４４）であることが最も好ましい。
【０１５２】
発光効率、素子の耐久性及び合成の容易さの観点から、上記式（５−１）〜（５−４６）で示される基が置換基を有する場合、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基であることがさらに好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基であることが最も好ましい。
【０１５３】
本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記繰り返し単位に加え、それ以外の繰り返し単位を１種類以上含む共重合体が好ましい。上記繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、下記式（８）で示される繰り返し単位が好ましい。
−Ａｒ8−    （８）
式中、Ａｒ8はそれぞれ独立に金属錯体構造を有する２価の基を示す。
【０１５４】
また、Ａｒ1における金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
【０１５５】
金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の式１２６〜１３２が例示される。
【化４０−１】
2007119763.tif 000043
【化４０−２】
2007119763.tif 000044
【０１５６】
上記の式１２６〜１３２においてＲは、前記と同じものが例示される。
【０１５７】
また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１５８】
また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。末端基は主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１５９】
本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【０１６０】
次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
即ち、本発明は、アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを有するモノマーであって、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を有する上記モノマーを含む原料モノマーを重合することを含む、発光性又は電荷輸送性の高分子化合物の製造方法であって、該機能性基が、−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ')であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該モノマーに結合していることを特徴とする上記製造方法に関する。
例えば、本発明の高分子化合物は、Ｖ1−Ｑ−Ｖ2で示される化合物を原料モノマーの一つとして用いて縮合重合させることにより製造することができる。ここで、Ｑは、側鎖に機能性置換基を含んでいてもよいアリーレン基、２価の複素環基、又は２価の芳香族アミン基を表す。Ｖ1及びＶ2はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。
【０１６１】
また、本発明の高分子化合物が、−Ｑ−以外の繰り返し単位を有する場合には、−Ｑ−以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を原料モノマーに共存させて縮合重合させればよい。
【０１６２】
−Ｑ−で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、Ｖ3−Ａｒ8−Ｖ4の化合物が例示される（式中、Ａｒ8は前記と同じである。Ｖ3及びＶ4はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。）。
即ち、本発明の高分子化合物はまた、Ｖ1−Ｑ−Ｖ2で示される化合物に加えて、Ｖ3−Ａｒ8−Ｖ4で示される化合物を縮合重合させることにより製造することができる。
【０１６３】
本発明の製造方法において、縮合重合に関与する置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）2、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。
【０１６４】
ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１６５】
アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１６６】
ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。
【化４１】
2007119763.tif 000045
式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【０１６７】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｘ-、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｘ-
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１６８】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｘ-（Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１６９】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ’）2（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１７０】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０１７１】
縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）2などが挙げられる。
【０１７２】
本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で実施することができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１７３】
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合の方法としては、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。
【０１７４】
例えば、該当するモノマーをＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、又は電気化学的に酸化重合する方法、又は適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１７５】
これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１７６】
本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１７７】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１７８】
また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）2）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常  Ｋ／Ｊ  は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。
【０１７９】
この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１８０】
溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様の理由により脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１８１】
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，  Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、又はこれらの混合溶媒を用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。
【０１８２】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１８３】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１８４】
次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光又は燐光を発し、高分子発光体（高分子量の発光材料）として用いることができる。
また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
【０１８５】
また本発明は、下記式（Ｍ−Ａ）で示される化合物
【化４２】
2007119763.tif 000046
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表す。）
を１級アミンの存在下で、還元剤と反応させて、
式（Ｍ−Ｂ）で示される化合物
【化４３】
2007119763.tif 000047
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）
を製造し、
上記式（Ｍ−Ｂ）で示される化合物を塩基の存在下でＸ−Ｊ1−Ｘ（式中Ｊ1はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と反応させることを特徴とする、
式（Ｍ−Ｃ）で示される有機ＥＬ材料の中間体化合物
【化４４】
2007119763.tif 000048
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ1はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
の製造方法を提供するものである。
【０１８６】
アリール基、１価の複素環基及び１価の芳香族アミンは前記と同様の意味を表す。
アルキル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、ハロゲン原子及びアルキレン基は、前記と同様の意味を表す。
１級アミンとしては芳香族アミン、アルキルアミンが例示され、芳香族アミンとしては、アニリン、２−ピリジルアミン等が好ましく、アルキルアミンとしてはメチルアミン、プロピルアミン、オクチルアミン等が好ましい。
還元剤としては、含ホウ素化合物又は含アルミニウム化合物が好ましく、含ホウ素化合物としては水素化ホウ素ナトリウムが例示され、含アルミニウム化合物としては、水素化アルミニウムリチウムが挙げられる。
塩基としては無機塩基及びルイス塩基が好ましく、無機塩基としては炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物等が例示され、炭酸塩としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムが例示され、炭酸水素塩としては炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウムが例示され、水酸化物としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが例示される。
ルイス塩基としては、３級アミン類がより好ましく、その例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどの３級アミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンなどの多座の３級アミン類；ピリジン、Ｎ，  Ｎ−ジメチルアミノピリジンなどの置換ピリジン類が例示される。
反応の方法は特に限定されないが、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、溶媒存在の下に実施することができる。反応温度は−１００℃〜溶媒の沸点が例示され、−１００℃〜１０℃が好ましい。反応時間は３０分から２００時間程度である。
反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類及びこれらの混合物が例示される。
【０１８７】
また本発明は、上記式（Ｍ−Ｃ）で示される化合物を塩基の存在下で、
式（Ｍ−Ｄ）で示される化合物
【化４５】
2007119763.tif 000049
（式中Ａｒbはアリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミンを表す。Ｘaはハロゲン原子を表す。）
と反応させることにより、
式（Ｍ−Ｅ）又は式（Ｍ−Ｆ）で示される化合物
【化４６】
2007119763.tif 000050
（式中Ａｒaはアリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミンを表し、Ｒ''は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ1はアルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基を表し、Ｘaはハロゲン原子を表し、Ａｒcは３価の芳香族炭化水素基、３価の複素環基又は３価の芳香族アミンを表し、Ａｒdは４価の芳香族炭化水素基、４価の複素環基又は４価の芳香族アミンを表す。）
を合成し、
式（Ｍ−Ｅ）又は式（Ｍ−Ｆ）で示される化合物を重合することにより高分子化合物を合成する
ことを特徴とする高分子化合物の製造方法を提供するものである。
【０１８８】
アリーレン基、２価の複素環基又は２価の芳香族アミンは前記と同様の基を表す。
３価の芳香族炭化水素基とはアリーレン基がさらにもうひとつの結合手をもち、３つの結合手を持つ基である。具体的にはアリーレン基で例示した１つのＲ又はＲ上の水素原子の１つを取り除いた残基である。
３価の複素環基とは２価の複素環基がさらにもうひとつの結合手をもち、３つの結合手を持つ基である。具体的には２価の複素環基で例示した１つのＲ又はＲ上の水素原子の１つを取り除いた残基である。
３価の芳香族アミンとは２価の芳香族アミンがさらにもうひとつの結合手をもち、３つの結合手を持つ基である。具体的には２価の芳香族アミンで例示した１つのＲ又はＲ上の水素原子の１つを取り除いた残基である。
４価の芳香族炭化水素基とはアリーレン基がさらにもうふたつの結合手をもち、４つの結合手を持つ基である。具体的にはアリーレン基で例示した２つのＲ又はＲ上の水素原子の２つを取り除いた残基である。
４価の複素環基とは２価の複素環基がさらにもうふたつの結合手をもち、４つの結合手を持つ基である。具体的には２価の複素環基で例示した２つのＲ又はＲ上の水素原子の２つを取り除いた残基である。
４価の芳香族アミンとは２価の芳香族アミンがさらにもうふたつの結合手をもち、４つの結合手を持つ基である。具体的には２価の芳香族アミンで例示した２つのＲ又はＲ上の水素原子の２つを取り除いた残基である。
塩基としては無機塩基及びルイス塩基が好ましく、無機塩基としては炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物等が例示され、炭酸塩としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムが例示され、炭酸水素塩としては炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウムが例示され、水酸化物としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが例示される。
ルイス塩基としては、３級アミン類がより好ましく、その例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどの３級アミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンなどの多座の３級アミン類；ピリジン、Ｎ，  Ｎ−ジメチルアミノピリジンなどの置換ピリジン類が例示される。
【０１８９】
反応の方法は特に限定されないが、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、溶媒存在の下に実施することができる。反応温度は−１００℃〜溶媒の沸点が例示され、−１００℃〜１０℃が好ましい。反応時間は３０分から２００時間程度である。
反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類及びこれらの混合物が例示される。
化合物の重合方法は特に限定されないが、前記したＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、又は適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１９０】
さらに本発明は、下記式（Ｍ−Ｇ）で示される部分構造を有する化合物を提供するものである。
【化４７】
2007119763.tif 000051
（式中Ｒ'''は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ２はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、アルキレン基及びハロゲン原子は前記と同様の意味を表す。
【０１９１】
さらに上記式（Ｍ−Ｇ）としては１つのカルバゾール骨格を有する化合物（Ｍ−Ｇ１）〜（Ｍ−Ｇ４）、２つのカルバゾール骨格を有する化合物（Ｍ−Ｇ５）〜（Ｍ−Ｇ７）、３つ以上のカルバゾール骨格を有する化合物（Ｍ−Ｇ８）が例示され、発光効率の観点から、１つもしくは２つのカルバゾール骨格を有する化合物が好ましい。
【化４８−１】
2007119763.tif 000052
【化４８−２】
2007119763.tif 000053
【０１９２】
上記式（Ｍ−Ｇ１）〜（Ｍ−Ｇ８）中のＲは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。
上記式（Ｍ−Ｇ１）〜（Ｍ−Ｇ８）中Ｒ'''は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表し、Ｊ2はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、ハロゲン原子、及びアルキレン基は前記置換基の例示と同様である。
有機合成上の観点から、Ｘbは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子、ヨウ素原子であることがさらに好ましい。
【０１９３】
有機合成上の観点から、Ｒ''’はアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることが最も好ましい。
さらに本発明は、下記式（Ｍ−Ｈ）で示される化合物を提供するものである。
【化４９】
2007119763.tif 000054
（式中Ｊ３はアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
アルキレン基及びハロゲン原子は前記と同様の意味を表す。
本発明はまた、アリーレン基、２価の複素環基及び２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる少なくとも１つを有するモノマーであって、正孔注入輸送基、電子注入輸送基及び発光基からなる群から選ばれる少なくとも一つの機能性基を有する上記モノマーを含む原料モノマーを重合することを含む、発光性又は電荷輸送性の高分子化合物の製造方法であって、該機能性基が、−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ’)であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して該モノマーに結合していることを特徴とする上記製造方法を提供するものである。
本発明はまた、−Ｒｊ−又は−Ｒｊ−Ｘ−（Ｒｊは、アルキレン基を構成する１個以上の炭素原子が、窒素原子で置き換えられた構成を有する基（以下、窒素置換アルキレン基ともいう。）を表し、該窒素置換アルキレン基は置換基を有していてもよい。ＸはＯ、Ｓ、又はＮ(Ｒ’)であり、Ｘで主鎖に結合している。Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。）を介して機能性側鎖を主鎖に結合させることを特徴とする高分子化合物の主鎖への機能性側鎖の導入方法を提供するものである。
【０１９４】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、インターレイヤー層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。また、インターレイヤー層とは、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、若しくは発光層と、正孔注入層又は正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層のことである。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料又は発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことを言う。
【０１９５】
本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％である。従って本発明の高分子化合物の含有量は９８ｗｔ％〜１ｗｔ％、好ましくは９０ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。
混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、及び発光性材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体又は高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。
高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０１９６】
三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）3、Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ等が挙げられる。
【化５０】
2007119763.tif 000055
【化５１】
2007119763.tif 000056
【化５２】
2007119763.tif 000057
【化５３】
2007119763.tif 000058
【０１９７】
三重項発光錯体として具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。
【０１９８】
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物を含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合（以下、このインク組成物を単に溶液又は本発明の溶液ということもある）の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましくは８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物が吐出装置を経由する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１９９】
本発明の溶液は、発明の高分子化合物の他に、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すればよい。
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、又は本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量は、５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。
また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。
インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
これらのうち、高分子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。
溶液中に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。
溶液中に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。
本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的にはリチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。
【０２００】
本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液を、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、又はインクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度でベークすることが可能であり、１３０℃の温度でベークしても素子特性の低下が非常に小さい。また、高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度でベークすることも可能である。
本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、及び有機半導体薄膜が例示される。
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ｋΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０-3ｃｍ2／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０-1ｃｍ2／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ2などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０２０１】
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【０２０２】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける以下の構造も例示される。
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
【０２０３】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。
【０２０４】
具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２０５】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０２０６】
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２０７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２０８】
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【０２０９】
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２１０】
ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
【０２１１】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１２】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２１３】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２１４】
正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１５】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
【０２１６】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２１７】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２１８】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０２１９】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２２０】
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２２１】
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２２２】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２２３】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０２２４】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。
【０２２５】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０２２６】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1以下がさらに好ましい。
【０２２７】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２２８】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２２９】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２３０】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２３１】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。
【０２３２】
上記の構造ａ）〜ａｂ）にインターレイヤー層を適用する構造について、インターレイヤー層としては、陽極と発光層との間に設けられ、陽極又は正孔注入層若しくは正孔輸送層と、発光層を構成する高分子化合物との中間のイオン化ポテンシャルを有する材料で構成されることが好ましい。
インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
インターレイヤー層の成膜の方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２３３】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２３４】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２３５】
インターレイヤー層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２３６】
該インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２つの層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与える場合がある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２つの層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成した後、該インターレイヤー層を加熱して発光層作成に用いる有機溶媒に対して不溶化してから、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は通常１５０℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱した後、発光層を形成する前に、該インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り除くことができる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、溶媒によるリンスを省略することができる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、インターレイヤー層に用いる高分子化合物として分子内に少なくとも一つの重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。さらには重合可能な基の数が、分子内の繰り返し単位の数に対して５％以上であることが好ましい。
【０２３７】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２３８】
通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２３９】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又はそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２４０】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０２４１】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策を採ることが好ましい。
【０２４２】
本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２４３】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２４４】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２４５】
（合成例１）
化合物Ｍ−１の合成
【化５４】
2007119763.tif 000059
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ四つ口フラスコ中でＣＢＰ（０．１２ｍｍｏｌ）、ＰＯＣｌ3（１．３ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（２．０ｍｍｏｌ）、及びジクロロメタンを混合し、４時間、８０℃に加熱した。反応終了後、水酸化ナトリウム水溶液でクエンチし、クロロホルムで抽出し、有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ベンゼン：ヘキサン＝１：３）で精製することにより、化合物Ｍ−１を得た。
【０２４６】
（合成例２）
化合物Ｍ−２の合成
【化５５】
2007119763.tif 000060
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ四つ口フラスコ中で化合物Ｍ−１、イソブチルアミン、及び脱水エタノールを混合し、１２時間還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水素化ホウ素ナトリウムを加え、４時間撹拌した。炭酸水素ナトリウムでクエンチした後、酢酸エチルで抽出し、有機層を濃縮することにより化合物Ｍ−２を得た。
【０２４７】
（合成例３）
化合物Ｍ−３の合成
【化５６】
2007119763.tif 000061
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ−三つ口フラスコ中で、化合物Ｍ−２、大過剰の１，８−ジブロモオクタン、炭酸カリウム、及びトルエンを混合し、１２時間還流を行った。反応溶液を室温まで冷却した後、クエンチし、酢酸エチルで抽出し、有機層を濃縮乾固した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で２回精製することにより化合物Ｍ−３を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ；δ０．９０（３Ｈ，ｔ），１．２４−１．４０（１０Ｈ，ｍ），１．５８（８Ｈ，ｍ），３．３９（２Ｈ，ｔ），３．７７（２Ｈ，ｓ），７．２９−７．３６（３Ｈ，ｍ），７．４１−７．５３（８Ｈ，ｍ），７．７１（４Ｈ，ｄｄ），７．９２（４Ｈ，ｄｄ），８．１０−８．１９（４Ｈ，ｍ）．ＦＡＢ−ＭＳ；ｍ／ｚ  ７４６．８（Ｍ+）．
【０２４８】
（合成例４）
化合物Ｍ−５の合成
【化５７】
2007119763.tif 000062
アルゴン雰囲気下、２当量の化合物Ｍ−３、１当量の化合物Ｍ−４、１０当量の炭酸カリウム、及び溶媒量のトルエンを混合し還流させることで反応を進行させる。反応終了後に、有機層を水で洗い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物Ｍ−５を得ることができる。
なお化合物Ｍ−４はＥＰ１３４４７８８記載の方法で合成できる。
【０２４９】
（合成例５）
化合物Ｍ−７の合成
【化５８】
2007119763.tif 000063
アルゴン雰囲気下、２当量の化合物Ｍ−３、１当量の化合物Ｍ−６、１０当量の炭酸カリウム、及び溶媒量のトルエンを混合し、還流させることで反応を進行させる。反応終了後に、有機層を水で洗い、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物Ｍ−７を得ることができる。
【０２５０】
（合成例６）
化合物Ｍ−９の合成
【化５９】
2007119763.tif 000064
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ三つ口フラスコの中でM-8（６８μmol）、６０％水素化ナトリウム（０．４７mmol）、１，５−ジヨードペンタン（０．７mmol）、THFを混合し、室温で4日間攪拌した。水を加えてクエンチした後、クロロホルムで抽出した。有機層を濃縮して得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ベンゼン：ヘキサン＝１：１）で精製することにより、化合物M-9を得た。
1H−NMR ；δ  １．５２−１．５５（２H，ｍ），１．６８（２H，ｑｕｉnｔ），１．８７（２H，ｑｕｉnｔ），３．２０（２H，ｔ），３．５５（２H，ｔ），４．７１（２H，ｓ），７．３１−７．３５（３H，ｍ），７．４４−７．５５（８H，ｍ），７．６８−７．７５（４H，ｍ），７．９０−７．９４（４H，ｍ），８．１５−８．２１（４H，ｍ）．ＦＡＢ−ＭＳ；ｍ/ｚ  710（Ｍ+）．
【０２５１】
（合成例７）
化合物Ｍ−１０の合成
【化６０】
2007119763.tif 000065
アルゴン雰囲気下、５０ｍＬ三つ口フラスコの中でM-8（０．１６mmol）、６０％水素化ナトリウム（１．６mmol）、１，５−ジブロモペンタン（１．６mmol）とTHFを混合し、室温で３日間攪拌した。水を加えてクエンチした後、クロロホルムで抽出した。有機層を濃縮して得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ベンゼン：ヘキサン＝２：１）で精製することにより、化合物M-10を得た。
1H−NMR ；δ  １．５５−１．６４（２H，ｍ），１．７１（２H，ｑｕｉnｔ），１．９２（２H，ｑｕｉnｔ），３．４４（２H，ｔ），３．５７（２H，ｔ），４．７３（２H，ｓ），
７．３２−７．３７（３H，ｍ），７．４４−７．５７（８H，ｍ），７．６９−７．７６（４H，ｍ），７．９１−７．９５（４H，ｍ），８．１５−８．２３（４H，ｍ）．ＦＡＢ−ＭＳ；ｍ/ｚ  ６６２（Ｍ+for 79Br）．
【０２５２】
（実施例１）
高分子化合物Ｐ−１の合成
不活性雰囲気下、化合物Ｍ−５、２，２’−ビピリジルをあらかじめアルゴンでバブリングした脱水テトラヒドロフランに溶解する。次に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝を加えて攪拌し、この溶液を６０℃まで昇温後、３時間反応させる。反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１ｍＬ／メタノール／イオン交換水混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥する。つづいてトルエンに溶解させ、ラヂオライトを加えて攪拌し、不溶解物を濾過した後、濾液をアルミナカラムを通して精製を行う。次に４％アンモニア水を加え、攪拌した後に水層を除去する。さらに有機層にイオン交換水約を加え攪拌した後、水層を除去する。その後、有機層を減圧濃縮し、メタノールに注加して攪拌する。そして析出した沈殿をろ過して減圧乾燥することにより高分子化合物Ｐ−１を合成することができる。
【０２５３】
（実施例２）
高分子化合物Ｐ−２の合成
不活性雰囲気下、化合物Ｍ−５、２，２’−ビピリジルをあらかじめアルゴンでバブリングした脱水テトラヒドロフランに溶解する。次に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝を加えて攪拌し、この溶液を６０℃まで昇温後、３時間反応させる。反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１ｍＬ／メタノール／イオン交換水混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥する。つづいてトルエンに溶解させ、ラヂオライトを加えて攪拌し、不溶解物を濾過した後、濾液をアルミナカラムを通して精製を行う。次に４％アンモニア水を加え、攪拌した後に水層を除去する。さらに有機層にイオン交換水約を加え攪拌した後、水層を除去する。その後、有機層を減圧濃縮し、メタノールに注加して攪拌する。そして析出した沈殿をろ過して減圧乾燥することにより高分子化合物Ｐ−２を合成することができる。
【０２５４】
ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの測定にはサイクリックボルタンメトリー（ビー・エー・エス製：ＡＬＳ６００）を用い、０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−テトラフルオロボレートを含むアセトニトリル溶媒中で測定を行うことができる。高分子化合物をクロロホルムに約０．２ｗｔ％となるように溶解し、作用極上に高分子化合物のクロロホルム溶液を１ｍＬ塗布し、クロロホルムを気化させて高分子化合物の薄膜を形成することができる。測定は、参照電極に銀／銀イオン電極、作用極にグラッシーカーボン電極、対極に白金電極を用い、窒素で置換したグローブボックス中で行うことができる。また、電位の掃引速度は共に５０ｍＶ／ｓで測定することができる。
【０２５５】
＜酸化電位の測定＞
（実施例３）
高分子化合物Ｐ−１は前述の方法で酸化電位を測定でき、ＨＯＭＯを求めることができる。高分子化合物Ｐ−１は側鎖基が付いていない高分子化合物に比べ、ＨＯＭＯの絶対値が低いことが期待される。
【０２５６】
（実施例４）
高分子化合物Ｐ−２は前述の方法で酸化電位を測定でき、ＨＯＭＯを求めることができる。高分子化合物Ｐ−２は側鎖基が付いていない高分子化合物に比べ、ＨＯＭＯの絶対値が低いことが期待される。
【０２５７】
（実施例５）
溶液の調製
上記で得た高分子化合物Ｐ−１をトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のトルエン溶液を作製する。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥する。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより１０００ｒｐｍの回転速度で製膜する。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥し、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約７２ｎｍ蒸着することによりＥＬ素子を作製することができる。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始する。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子からＥＬ発光を観測することができる。
【０２５８】
（実施例６）
溶液の調製
上記で得た高分子化合物Ｐ−２をトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のトルエン溶液を作製する。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥する。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより１０００ｒｐｍの回転速度で製膜する。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥し、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約７２ｎｍ蒸着することによりＥＬ素子を作製することができる。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始する。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子からＥＬ発光を観測することができる。