(57)【要約】【課題】本発明は、輝度ムラを抑制しつつ、さらに、簡易的に製造可能な光源装置、バックライト装置及び表示装置を提供する。【解決手段】実装基板と、前記実装基板の上にマウントされた複数のパッケージと、前記実装基板の上に設けられ、前記複数のパッケージのそれぞれを覆う導光樹脂と、を備え、前記複数のパッケージのそれぞれは、半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を有し、前記パッケージから放出された光を前記導光樹脂を介して取り出し可能としたことを特徴とする光源装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
前記実装基板の上にマウントされた複数のパッケージと、
前記実装基板の上に設けられ、前記複数のパッケージのそれぞれを覆う導光樹脂と、
を備え、
前記複数のパッケージのそれぞれは、
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を有し、
前記パッケージから放出された光を前記導光樹脂を介して取り出し可能としたことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記導光樹脂は、前記複数のパッケージのそれぞれを封止することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記複数のパッケージのそれぞれと前記導光樹脂との間に、空隙が設けられたことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項４】
前記空隙に面する前記導光樹脂の内壁面に、凹凸が形成されてなることを特徴とする請求項３記載の光源装置。
【請求項５】
前記導光樹脂は、成形硬化された後に、前記実装基板の上に設けられたことを特徴とする請求項１、３及び４のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項６】
前記実装基板上には、光の反射層が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項７】
前記導光樹脂に、前記パッケージから放出される光を散乱する散乱材が分散されてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項８】
前記封止樹脂に蛍光体が分散され、
前記蛍光体は、前記半導体発光素子から放出された光を吸収し異なる波長の光を放出することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、シリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の光源装置と、
前記光源装置から放出された光を導き、かつ外方へと放出する導光手段と、
を備えたことを特徴とするバックライト装置。
【請求項１１】
請求項１０記載のバックライト装置と、
前記バックライト装置から放出された光を制御する表示パネル部と、
と備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置、バックライト装置及び表示装置に関し、より詳細には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を利用した光源装置、バックライト装置及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、テレビ、カーナビゲーション、パソコン、携帯電話を始め様々な機器に搭載され、大画面化や高精細化、製造コストの低下などが望まれている。これら液晶表示装置の多くは、液晶パネルの背面に光源として設けられたバックライトから照射された光を液晶パネルに透過させることにより、液晶パネルの前面に設けられた画面に映像を表示させる。 
このようなバックライトの光源として、従来の冷陰極管の代わりにＬＥＤを用いると、消費電力が低下し、製品寿命を長くすることができる。さらには、水銀を含まない材料であるため環境にも優しいなどの効果も得られる。
【０００３】
しかし、バックライトの光源としてＬＥＤを用いる場合、部品コストや製造コストなどの観点からは、なるべく搭載するＬＥＤの個数を減らしたい。ところが、ＬＥＤの個数を減らすと、輝度ムラが著しくなり、表示品質が低下するという問題が生じる。  
これに対して、ＬＥＤユニットからの光を均一化させる方法として、例えば、ＬＥＤ素子間と、ＬＥＤユニットの発光面と、に、それぞれグレーディング等のパターニングを設けたＬＥＤユニットが開示されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−１９１７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、輝度ムラを抑制しつつ、さらに、簡易的に製造可能な光源装置、バックライト装置及び表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
実装基板と、
前記実装基板の上にマウントされた複数のパッケージと、
前記実装基板の上に設けられ、前記複数のパッケージのそれぞれを覆う導光樹脂と、
を備え、
前記複数のパッケージのそれぞれは、
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を有し、
前記パッケージから放出された光を前記導光樹脂を介して取り出し可能としたことを特徴とする光源装置が提供される。
【０００６】
また、本発明の一態様によれば、
上記の光源装置と、
前記光源装置から放出された光を導き、かつ外方へと放出する導光手段とを備えたことを特徴とするバックライト装置が提供される。
【０００７】
また  本発明の一態様によれば、
上記のバックライト装置と、
前記バックライト装置から放出された光を制御する液晶パネル表示部と
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、輝度ムラを抑制しつつ、さらに、簡易的に製造可能な光源装置、バックライト装置及び表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の一例として、本発明の実施の形態について説明する。  図１は、本実施形態にかかるバックライトを搭載した液晶表示装置の基本構造を例示する模式斜視図である。  
また、図２は、図１のＡ面における模式断面図である。  
本実施形態の液晶パネル装置９０は、ＬＥＤユニット５５を有するバックライトユニット８０と、液晶パネルユニット８５と、を備える。なお、図１においては、説明の便宜上、ＬＥＤユニット５５とバックライトユニット８０と液晶パネルユニット８５とをやや分離させた状態で図示したが、実際の液晶表示装置においては、これらユニットはほぼ密着した状態とされることもある。
【００１０】
ＬＥＤユニット５５は、複数のＬＥＤパッケージ２０を有し、バックライトユニット８０に光を供給する役割を果たす。  
バックライトユニット８０は、ＬＥＤユニット５５と、背面側に斜面を有し、かつ複数のＬＥＤユニット５５から、（即ちＬＥＤパッケージ２０から）放出され、入射した光を導き液晶パネルユニット８５へと出射し、放出する導光板７５と、その斜面上に設けられた反射シート７３と、導光板７５の画面側に設けられた光量調整シート７４と、を有する。ここで、光量調整シート７４は、例えば、導光板７５の画面上に、光拡散フィルムとプリズムシートとがこの順で積層された構造を有する。なお、ＬＥＤユニット５５の発光角度が広がるように、ＬＥＤユニット５５と導光板７５の側面との間には、例えば約１〜４ミリメートル程度の間隙を設けてもよい。
【００１１】
一方、液晶パネルユニット８５は、例えば、バックライトユニット８０から照射される光を受光する第１の偏光板と、カラーフィルタと、対向電極とアレイ電極とに挟持された電極液晶と、第２の偏光板と、がこの順に積層された構造を有する。
【００１２】
ＬＥＤユニット５５から放射された光は、導光板７５の側面からその内部に入射し、導光板７５の斜面側に設けられた反射シート７３により適宜反射されて、導光板７５の発光面から放出される。放出された光は、光量調整シート７４を介して、光量が均一化され、バックライトユニット８０から放射される。この光が、液晶パネルユニット８５を透過する際に、そのスペクトルと透過量が画素（図示せず）毎に調整され、所定の映像９５が表示される。  
以上、本実施形態のバックライトを搭載した液晶パネル装置９０の基本構造について説明した。
【００１３】
次に、本実施形態において用いることができるＬＥＤユニット５５について説明する。  図３は、本実施形態において用いることができるＬＥＤユニット５５を例示する模式断面図であり、  
図４は、図３のＡ−Ａ’線模式断面図である。  
また、図５は、本具体例のＬＥＤユニット５５に搭載されるＬＥＤパッケージ２０の模式断面図である。
【００１４】
本具体例のＬＥＤユニット５５は、実装基板４０と、その上に所定の間隔で配置された複数のＬＥＤパッケージ２０と、ＬＥＤパッケージ２０を覆うように設けられた導光樹脂５０と、を有する。また、実装基板４０の表面には、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光を反射または散乱する反射散乱層４５が適宜設けられる。反射散乱層４５は、実装基板４０とは別体のシート状あるいは膜状のものでもよく、または、実装基板４０の表面を鏡面加工したり微細な凹凸状に加工したものであってもよい。
【００１５】
ＬＥＤパッケージ２０としては、例えば、素子基板１５と、ＬＥＤチップ１０と、封止樹脂３０と、を有するＳＭＤ（Surface Mounted Device）形式のものを用いることができる。素子基板１５には、第１のリード１７と第２のリード１８とが設けられ、ＬＥＤチップ１０は、第２のリード１８の上にマウントされている。また、ＬＥＤチップ１０の上には電極１２が設けられ、第１のリード１７との間がボンディングワイヤ２２により接続されている。なお、ＬＥＤチップ１０の上に２つの電極を設けて、リード１７、１８にそれぞれボンディングワイヤ２２などにより接続してもよい。
【００１６】
実装基板４０の表面には、図示しない電極パターンが形成され、ＬＥＤパッケージ２０を実装基板４０の上に接着剤やハンダなどによりマウントすると、これら電極パターンが第１及び第２のリード１７、１８と接続されて電気的な結線が完了する。
【００１７】
液晶表示装置のバックライトとして用いる場合には、白色光を生ずることが望ましい。このために、ＬＥＤチップ１０として例えば、窒化ガリウム系の材料を用いて紫外線領域の発光を生じさせ、一方、封止樹脂３０に蛍光体を混入して、紫外線を波長変換して放出させることができる。例えば、ＬＥＤチップ１０から放出される紫外線を吸収して、赤色光（Ｒ）を放出する第１の蛍光体と、緑色光（Ｇ）を放出する第２の蛍光体と、青色光（Ｂ）を放出する第３の蛍光体と、を封止樹脂３０に混入することにより、白色光が得られる。
【００１８】
または、ＬＥＤチップ１０から青色光を放出させ、これを吸収して赤色光（Ｒ）を放出する第１の蛍光体と、緑色光（Ｇ）を放出する第２の蛍光体と、を封止樹脂に混入しても、白色光を得ることができる。
【００１９】
また、このように紫外線や青色光を放出するＬＥＤチップ１０を用いる場合、これを封止する封止樹脂３０の材料としては、シリコーン樹脂を用いることが望ましい。これは、従来から用いられてきたエポキシ樹脂などを、短波長光を放出するＬＥＤチップの封止樹脂として用いると、時間とともに変色などが生ずることがあるからである。また、シリコーン樹脂のなかでも、特に、「ゲル状」のものよりも「ゴム状」のものを用いることが望ましい。これは、ゲル状のシリコーン樹脂は機械的な強度が低いために、ＬＥＤパッケージ２０のハンドリングが容易ではなく、マウントなどの作業に支障がでることがあるからである。
【００２０】
一方、導光樹脂５０は、ＬＥＤパッケージ２０を封止するように樹脂をモールド成形して形成することができる。導光樹脂５０の材料としては、ＬＥＤパッケージ２０の封止樹脂３０と同質のシリコーン樹脂や、その他、高硬度シリコーン樹枝、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。これら材料をトランスファモールド法またはインジェクションモールド法によりモールド成形して導光樹脂５０を形成することができる。ＬＥＤチップ１０が紫外線を放出する場合でも、その紫外線はＬＥＤパッケージ２０において可視光に変換されるので、導光樹脂５０の材料としてシリコーン樹脂以外の樹脂を用いても変色や劣化などが生ずることはない。また、導光樹脂５０の材料としてアクリルやエポキシ樹脂を用いた場合には、シリコーン樹脂よりも機械的な強度を上げることも可能となる。
【００２１】
本実施形態によれば、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光を導光樹脂５０の中で拡散させ、ほぼ均一な線状光源を実現できる。すなわち、図３に例示したように、ＬＥＤチップ１０から放出された紫外線または青色などの一次光は、封止樹脂３０に混入された蛍光体（図示せず）に吸収され、赤色光、緑色光、青色光などの２次光として放出される。つまり、２次光の放出源は、封止樹脂３０の中に分散して配置されている。
【００２２】
このようにして封止樹脂３０に分散された蛍光体から放出された２次光のうちで、上方に向かう光Ｌ１は、導光樹脂５０から外に放出される。この時、導光樹脂５０と空気との屈折率の差により、図３に例示した如く、光Ｌ１は、その広がり角度が拡大する方向に屈折する。
【００２３】
一方、封止樹脂３０に分散された蛍光体（図示せず）から放出された２次光のうちで、導光樹脂５０の外面に対してさらに斜めに入射した光Ｌ２は全反射される。そして、全反射された光Ｌ２は、反射散乱層４５により反射される。このように、光Ｌ２は、全反射と反射とを繰り返しながら、導光樹脂５０の中を伝搬する。また、光Ｌ２が、反射散乱層４５などにおいて散乱されると、その出射方向が多様に変化するので、その散乱光の一部は、導光樹脂５０の外面で全反射されずに外部に放出される。このように反射散乱層４５などにおいて散乱された光の一部を外部に少しずつ取り出すことにより、導光樹脂５０の内部を伝搬する光を均一な分布で外部に放出させることができる。
【００２４】
なお、ＬＥＤユニット５５に設けるＬＥＤパッケージ２０の数は、バックライトに必要とされる総光束（ルーメン）をＬＥＤパッケージ１個あたりの光束で除して算出した数である。例えば、対角サイズが８インチの液晶表示装置の場合、必要総光束はおよそ１５０ルーメンである。従って、ＬＥＤパッケージ２０の１個当たりの光束が、例えば、１２．５ルーメンの場合、ＬＥＤユニット５５に用いるＬＥＤパッケージ２０の個数は１２個とすることができる。
【００２５】
そして、本実施形態によれば、これら１２個のＬＥＤパッケージ２０から放出される光を均一化させ、ほぼ線状光源として機能するバックライトを実現できる。
【００２６】
次に、本実施形態のＬＥＤユニット５５の製造方法について、比較例と対比しつつ説明する。  
図６は、本実施形態に係るＬＥＤユニット５５の製造工程を例示するフローチャートである。  
また、図７は、本実施形態に係るＬＥＤユニット５５の製造工程を例示する工程断面図である。  
一方、図８は、比較例のＬＥＤユニットを表す模式図であり、
図９は、本比較例のＬＥＤユニットの製造工程を例示するフローチャートである。
【００２７】
また、図１０は、本比較例のＬＥＤユニットの製造工程を例示する工程断面図である。
【００２８】
まず、図８〜図１０を参照しつつ、比較例の製造方法について説明する。  
本比較例のＬＥＤユニットは、実装基板４０の上にＬＥＤチップ１０が直接マウントされ、導光樹脂５０により埋め込まれた構造を有する。
【００２９】
その製造方法について説明すると、まず、図１０（ａ）に表したように、実装基板４０の主面上に形成された電極パターン１０５の上に、ＬＥＤチップ１０をマウントする（ステップＳ２００）。  
次に、図１０（ｂ）に表したように、ＬＥＤチップ１０に形成された電極（図示せず）と実装基板４０の上に形成された電極パターン１０５とをワイヤ２２により接続する（ステップＳ２１０）。  
次に、図１０（ｃ）に表したように、実装基板４０の主面上に、反射散乱層４５を形成する（ステップＳ２２０）。  
しかる後に、図１０（ｄ）に表したように、ＬＥＤチップ１０を導光樹脂５０により封止する（ステップＳ２３０）。
【００３０】
以上説明した工程においては、例えば、図１０（ｂ）に表したようにＬＥＤチップ１０を実装基板４０の上にマウントする工程や、図１０（ｃ）に表したようにワイヤ２２をボンディングする工程において専用の組立装置が必要とされる。すなわち、ＬＥＤチップ１００は、通常はそのサイズが１ミリメータ以下と小さく、これを所定の精度でマウントするためには、専用のマウント装置が必要である。また、ワイヤ２２をボンディングする工程においても、ＬＥＤチップ１００に設けられた１００マイクロメータ程度の電極（ボンディングパッド）に太さが５０マイクロメータ程度の金（Ａｕ）などからなるワイヤを接続する必要があり、このために高い精度を有するワイヤボンディング装置が必要である。
【００３１】
しかし、ＬＥＤユニットを製造する場合、そのサイズは、液晶表示装置のサイズに応じて多種多様である。つまり、実装基板４０のサイズや、そこに搭載すべきＬＥＤチップ１０の数及び配置は、多種多様である。これに対して、高い精度が要求されるマウント装置やワイヤボンディング装置は、多種多様なサイズの実装基板に対応することが容易ではない。従って、実装基板４０のサイズ毎に専用のマウント装置やワイヤボンディング装置を用意しなければならず、コストが非常に高くなってしまうおそれがある。
【００３２】
これに対して、本実施形態によれば、ＬＥＤパッケージ２０を実装基板４０の上にマウントする構造であるので、高い精度の専用機は不要となり、多種多様なサイズのバックライトを低コストで製造できるようになる。
【００３３】
以下、図６及び図７を参照しつつ、本実施形態のＬＥＤユニット５５の製造方法について説明する。  
本実施形態においては、ＬＥＤパッケージ２０は予め専用機を用いて製造することができる。このようにして製造されたＬＥＤパッケージ２０を、図７（ａ）に表したように、実装基板４０の上にマウントする（ステップＳ１１０）。この際に、実装基板４０の上には図示しない電極パターンが形成されており、この電極パターンに合わせてＬＥＤパッケージ２０を位置決めしてマウントする必要がある。しかし、この際に要求される位置精度は、図１０（ａ）に関して前述したようにＬＥＤチップ１０をマウントする際に要求される精度よりも一般的に低い。従って、多種多様なサイズの実装基板４０に対して、ＬＥＤパッケージ２０をマウントするマウント装置を実現することは比較的容易である。
【００３４】
次に、図７（ｂ）に表したように、反射散乱層４５を形成する（ステップＳ１１０）。  反射散乱層４５は、例えば、反射率の高い酸化チタンなどの微粒子をコーティングすることにより形成できる。また、実装基板４０の表面を鏡面加工したり、また凹凸を設けて光を散乱させるようにしてもよい。なお、反射散乱層４５の形成は、ＬＥＤパッケージ２０をマウントする前に実施してもよい。
【００３５】
次に、ＬＥＤパッケージ２０を導光樹脂５０により埋め込む（ステップＳ１２０）。すなわち、シリコーン樹脂、アクリル、エポキシ樹脂などの樹脂材料をモールドし、ＬＥＤパッケージ２０を封止することによって導光樹脂５０を形成することができる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、予め形成したＬＥＤパッケージ２０を実装基板４０の上にマウントする構造とすることにより、多種多様なサイズの実装基板に対応可能なマウント装置を用いることができ、製造コストを抑制できる。
【００３７】
図１１は、本実施形態において用いることができるＬＥＤパッケージ２０の変型例を表す模式断面図である。  
このＬＥＤパッケージ２０は、ＬＥＤチップ１０を取り囲むように設けられた反射樹脂２５を有する。反射樹脂２５は、例えば酸化チタンなどの光反射率の高い材料の粉末が混入されている。ＬＥＤチップ１０から放出された光は、周囲を取り囲む反射樹脂２５の反射面において反射され、上方に放出される。図３に関して前述したように、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光は、導光樹脂５０の中で反射や散乱を繰り返しながら拡がる。従って、ＬＥＤパッケージ２０から放出される光の配光特性を適宜調整することにより、導光樹脂５０の中の光の拡がりを調整し、理想的な光出力分布を得ることが可能である。このために、本変型例の如く反射樹脂２５を設けると、ＬＥＤパッケージ２０から放出される光の配向特性を制御することができる。
【００３８】
図１２は、本実施形態の他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。  また、図１３は、図１２のＡ−Ａ’線模式断面図である。  
本具体例においては、導光樹脂５０に散乱材が混入されている。すなわち、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などからなる導光樹脂５０に、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光を散乱する散乱材が分散配置されている。散乱材としては、例えば、平均粒径が０．１〜５０マイクロメータ程度、酸化チタン（ＴｉＯ２）や、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）などの粒子を用いることができる。このように散乱材を分散させることにより、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光は、導光樹脂５０の中を拡がるうちに適宜散乱され、強度分布が均一化されて外部に取り出すことができる。散乱材の密度や分布を適宜調整することにより、ＬＥＤパッケージ２０から放出される光強度の分布を均一化させることが可能となる。
【００３９】
図１４は、本実施形態の他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。  また、図１５は、図１４のＡ−Ａ’線模式断面図である。  
本具体例においては、導光樹脂５０は、ＬＥＤパッケージ２０に密着しておらず、ＬＥＤパッケージ２０と導光樹脂５０との間には、空隙５１が設けられている。本具体例においても、導光樹脂５０は、例えば、高硬度シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などにより形成することができる。ただし、これら樹脂を実装基板４０の上に一体的にモールド成形せず、別体の部品として導光樹脂５０を成形硬化させて形成した後に、実装基板４０の上に被せることにより組み立てる。このようにすると、実装基板４０の上で樹脂をモールドする必要がなくなるため、製造工程をさらに簡素にすることができる。また、ＬＥＤパッケージ２０と導光樹脂５０との間に空隙を設けることにより、ＬＥＤパッケージ２０から放出される光を均一化でき、光強度の分布の均一化が容易になるという効果も得られる。
【００４０】
図１６は、本実施形態のさらに他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。  
また、図１７は、図１６のＡ−Ａ’線模式断面図である。  
本具体例においても、導光樹脂５０は、ＬＥＤパッケージ２０に密着しておらず、ＬＥＤパッケージ２０と導光樹脂５０との間には、空隙５１が設けられている。すなわち、図１４及び図１５に関して前述したものと同様に、別体の部品として導光樹脂５０を形成した後に、実装基板４０の上に被せることにより組み立てられる。
【００４１】
そして、ＬＥＤパッケージ２０に対向する導光樹脂５０の内壁面には、プリズム状の凹凸５２が設けられている。このようにすると、ＬＥＤパッケージ２０から放出された光を散乱させ、光の強度分布を均一化させることが容易となる。なお、導光樹脂５０の内壁面に設ける凹凸５２の形状は、プリズム状に限定されず、角錐状や、半球状などであってもよい。また、凹凸５２を微細化させて、導光樹脂５０の内壁面を粗面化させても光の拡散効果が得られる。
【００４２】
またさらに、これら凹凸５２を設ける場合についても、図６に例示した如くＬＥＤパッケージ２０の上方のみには限定されず、ＬＥＤパッケージ２０の側方に対向する導光樹脂５０の内壁面に凹凸５２を設けてもよい。
【００４３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これら具体例には限定されない。例えば、封止樹脂、導光樹脂、ＬＥＤチップ、散乱材をはじめとする表示装置あるいはバックライトを構成する各要素の材料、形状、サイズ、配置関係などについて当業者が適宜変更したものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて、本発明の範囲に包含される。
【００４４】
また、上述した各具体例のいずれか２つ以上を組み合わせたものも本発明の範囲に包含される。例えば、図１４及び図１５に表した具体例において、導光樹脂５０に散乱材を分散させたものも本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態にかかるバックライトユニット８０を搭載した液晶表示装置の基本構造を例示する模式斜視図である。
【図２】図１のＡ面における模式断面図である。
【図３】本発明の実施形態において用いることができるＬＥＤユニット５５を例示する模式断面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線模式断面図である。
【図５】本発明の具体例のＬＥＤユニット５５に搭載されるＬＥＤパッケージ２０の模式断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るＬＥＤユニット５５の製造工程を例示するフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態に係るＬＥＤユニット５５の製造工程を例示する工程断面図である。
【図８】比較例のＬＥＤユニットを表す模式図であり、
【図９】比較例のＬＥＤユニットの製造工程を例示するフローチャートである。
【図１０】比較例のＬＥＤユニットの製造工程を例示する工程断面図である。
【図１１】本発明の実施形態において用いることができるＬＥＤパッケージ２０の変型例を表す模式断面図である。
【図１２】本発明の実施形態の他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ’線模式断面図である。
【図１４】本発明の実施形態の他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ’線模式断面図である。
【図１６】本発明の実施形態のさらに他の具体例にかかるＬＥＤユニット５５を表す模式断面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ’線模式断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０ ＬＥＤチップ、１２ 電極、１５ 素子基板、１７、１８ リード、２０ ＬＥＤパッケージ、２２ ボンディングワイヤ、２５ 反射樹脂、３０ 封止樹脂、４０ 実装基板、４５ 反射散乱層、５０ 導光樹脂、５１ 空隙、５２ 凹凸、５５ ＬＥＤユニット、７３ 反射シート、７４ 光量調整シート、７５ 導光板、 ８０ バックライトユニット、８５ 液晶パネルユニット、９０ 液晶パネル装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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