(57)【要約】【課題】  絶縁分離型半導体装置の絶縁分離を行う絶縁部の絶縁不良を確実に検出することができる検査装置及び検査方法を実現する。【解決手段】  第１及び第２の電圧印加パッド２０ｃ、３０ｃに、第１及び第２の電圧印加プローブ４１、４２をそれぞれ接触させることにより所定電圧を印加し、素子形成領域２０及び分離領域３０間に流れる電流を検出するとともに、検査パッド３１ｃに検査プローブ４３を接触させ、第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３間の電圧を検出することにより、第２の電圧印加パッド３０ｃ及び第２の電圧印加プローブ４２間の導通を検出し、電流が検出されず、かつ、導通が検出された場合に、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁状態であると判定する。【選択図】  図２
2007305905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に絶縁された素子形成領域及び分離領域を有し、それぞれの領域の各表面に、検査電圧印加用の電極がそれぞれ形成された絶縁分離型半導体装置の前記素子形成領域及び前記分離領域間の絶縁を検査する検査装置であって、
前記素子形成領域の前記電極に接触させる第１の電圧印加プローブと、
前記分離領域の前記電極に接触させ、前記各電極間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブと、
前記分離領域の前記電極に接触させることにより、前記分離領域の前記電極と前記第２の電圧印加プローブとの導通を検出可能な検査プローブと、を備えたことを特徴とする絶縁分離型半導体装置の検査装置。
【請求項２】
前記分離領域には、前記電極が複数箇所形成されており、
前記第２の電圧印加プローブは、前記複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に接触可能に設けられ、
前記検査プローブは、前記複数箇所形成された電極のうち、前記１つの電極以外の電極に接触可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁分離型半導体装置の検査装置。
【請求項３】
相互に絶縁された素子形成領域及び分離領域を有し、それぞれの領域の各表面に、検査電圧印加用の電極がそれぞれ形成された絶縁分離型半導体装置と、
前記素子形成領域の前記電極に接触させる第１の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させ、前記各電極間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させることにより、前記分離領域の前記電極と前記第２の電圧印加プローブとの導通を検出可能な検査プローブと、を備えた絶縁分離型半導体装置の検査装置と、を用意し、
前記分離領域及び前記素子形成領域の前記各電極に、前記第１及び第２の電圧印加プローブをそれぞれ接触させることにより所定電圧を印加し、前記分離領域及び前記素子形成領域間に流れる電流を検出するとともに、
前記分離領域に形成された電極に、前記検査プローブを接触させ、前記第２の電圧印加プローブ及び前記検査プローブ間の電圧を検出することにより、前記分離領域の前記電極及び前記第２の電圧印加プローブ間の導通を検出し、前記電流が検出されず、かつ、前記導通が検出された場合に、前記素子形成領域及び前記分離領域間が絶縁状態であると判定することを特徴とする絶縁分離型半導体装置の検査方法。
【請求項４】
前記分離領域には、前記電極が複数箇所形成されており、
前記複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に、前記第２の電圧印加プローブを接触させ、
前記複数箇所形成された電極のうち、前記１つの電極以外の電極に接触可能に設けられている前記検査プローブを、前記１つの電極以外の電極にそれぞれ接触させることを特徴とする請求項３に記載の絶縁分離型半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この本発明は、相互に絶縁された素子形成領域及び分離領域を有する絶縁分離型半導体装置の検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁分離型半導体装置は、支持基材の半導体基板に、例えば、酸化膜等の絶縁膜を形成し、その上に半導体層を形成し、更に半導体層の表面から絶縁膜に達するように絶縁分離部を形成し、素子領域を区画したものである。このような絶縁分離構造を有する半導体装置において、半導体基板と素子領域を分離している絶縁膜、あるいは素子領域間を分離している絶縁分離部に欠陥、製造中の異物混入などによる異常が存在する場合、絶縁膜を介して半導体基板上に形成される素子と半導体基板との分離耐圧の低下、素子特性劣化、半導体装置としての信頼性の低下という問題が発生する。
そのため、絶縁分離の健全性を検査するための検査方法として、例えば、特許文献１に、図５に示すように、半導体装置１０１の絶縁分離部１１２を介して隣接する素子領域１１３とフィールド領域１１４との間に直流電圧源１４４により電圧を印加し、電流計１４５によりリーク電流を検出することによって、素子領域１１３とフィールド領域１１４との絶縁不良を検出する検査方法が開示されている。
【特許文献１】特開平８−８３８３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、検査プローブ１０９、１１０を素子領域１１３及びフィールド領域１１４に形成された電極パッドにそれぞれ接触させることにより電圧の印加を行う場合、検査プローブ１０９、１１０が、電極パッドに接触しているということを前提としている。検査プローブ１０９、１１０が電極パッドに接触していない場合には、素子領域１１３及びフィールド領域１１４間に電圧を印加することができないため、絶縁不良があってもリーク電流が流れないので、絶縁不良を検出できないという問題があった。
【０００４】
そこで、この発明は、絶縁分離型半導体装置の絶縁分離を行う絶縁部の絶縁不良を確実に検出することができる検査装置及び検査方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、相互に絶縁された素子形成領域及び分離領域を有し、それぞれの領域の各表面に、検査電圧印加用の電極がそれぞれ形成された絶縁分離型半導体装置の前記素子形成領域及び前記分離領域間の絶縁を検査する検査装置であって、前記素子形成領域の前記電極に接触させる第１の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させ、前記各電極間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させることにより、前記分離領域の前記電極と前記第２の電圧印加プローブとの導通を検出可能な検査プローブと、を備えた、という技術的手段を用いる。
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、絶縁分離型半導体装置の検査装置は、素子形成領域の検査電圧印加用の電極に接触させる第１の電圧印加プローブと、分離領域の検査電圧印加用の電極に接触させ、各電極間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブと、分離領域の当該電極に接触させることにより、分離領域の当該電極と第２の電圧印加プローブとの導通を検出可能な検査プローブと、を備えているため、分離領域の当該電極と第２の電圧印加プローブとの導通を確認することにより、第２の電圧印加プローブが分離領域の当該電極に接触していることを確認することができる。
これにより、各電極間に所定電圧を印加可能な状態であることを確認することができるので、素子形成領域及び分離領域間の絶縁を確実に検査することができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の絶縁分離型半導体装置の検査装置において、前記分離領域には、前記電極が複数箇所形成されており、前記第２の電圧印加プローブは、前記複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に接触可能に設けられ、前記検査プローブは、前記複数箇所形成された電極のうち、前記１つの電極以外の電極に接触可能に設けられている、という技術的手段を用いる。
【０００８】
請求項２に記載の発明によれば、分離領域には、電極が複数箇所形成されており、第２の電圧印加プローブは、複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に接触可能に設けられ、検査プローブは、複数箇所形成された電極のうち、当該１つの電極以外の電極に接触可能に設けられているため、分離領域の複数箇所において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとの導通を確認することができる。
ある１つの電極において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとが導通していても、例えば、半導体装置が傾いている場合には、第１の電圧印加プローブが電極と接触しておらず、各電極間に電圧が印加できないおそれがある。このような場合でも、複数箇所形成された電極のうち、他の電極において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとが導通していないものがある場合には、その電極に検査プローブが接触していないので、半導体装置が傾いているおそれがあると判断することができる。
従って、例えば、半導体装置の傾きにより、第１の電圧印加プローブが素子形成領域の電極に接触していない場合を判断することができるため、各電極間に所定電圧を印加可能な状態であるかどうかを確認することができるので、より確実に素子形成領域及び分離領域間の絶縁を検査することができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、絶縁分離型半導体装置の検査方法において、相互に絶縁された素子形成領域及び分離領域を有し、それぞれの領域の各表面に、検査電圧印加用の電極がそれぞれ形成された絶縁分離型半導体装置と、前記素子形成領域の前記電極に接触させる第１の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させ、前記各電極間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブと、前記分離領域の前記電極に接触させることにより、前記分離領域の前記電極と前記第２の電圧印加プローブとの導通を検出可能な検査プローブと、を備えた絶縁分離型半導体装置の検査装置と、を用意し、前記分離領域及び前記素子形成領域の前記各電極に、前記第１及び第２の電圧印加プローブをそれぞれ接触させることにより所定電圧を印加し、前記分離領域及び前記素子形成領域間に流れる電流を検出するとともに、前記分離領域に形成された電極に、前記検査プローブを接触させ、前記第２の電圧印加プローブ及び前記検査プローブ間の電圧を検出することにより、前記分離領域の前記電極及び前記第２の電圧印加プローブ間の導通を検出し、前記電流が検出されず、かつ、前記導通が検出された場合に、前記素子形成領域及び前記分離領域間が絶縁状態であると判定する、という技術的手段を用いる。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、分離領域及び素子形成領域の各電極に、第１及び第２の電圧印加プローブをそれぞれ接触させることにより所定電圧を印加し、分離領域及び素子形成領域間に流れる電流を検出するとともに、分離領域に形成された電極に、検査プローブを接触させ、第２の電圧印加プローブ及び検査プローブ間の電圧を検出することにより、分離領域の電極及び第２の電圧印加プローブ間の導通を検出し、電流が検出されず、かつ、導通が検出された場合に、素子形成領域及び分離領域間が絶縁状態であると判定することができる。
これにより、第２の電圧印加プローブが分離領域の電極に対して接触不良であるために、分離領域及び素子形成領域間の電流が検出されなかった場合には、第２の電圧印加プローブ及び検査プローブ間の導通が検出されないため、素子形成領域及び分離領域間が絶縁状態であると判定しないので、絶縁状態を誤って判定するおそれがない。
従って、各電極間に所定電圧を印加可能な状態であることを確認することができるので、素子形成領域及び分離領域間の絶縁を確実に検査することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の絶縁分離型半導体装置の検査方法において、前記分離領域には、前記電極が複数箇所形成されており、前記複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に、前記第２の電圧印加プローブを接触させ、前記複数箇所形成された電極のうち、前記１つの電極以外の電極に接触可能に設けられている前記検査プローブを、前記１つの電極以外の電極にそれぞれ接触させる、という技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項４に記載の発明によれば、分離領域には、電極が複数箇所形成されており、複数箇所形成された電極のうちの１つの電極に、第２の電圧印加プローブを接触させ、複数箇所形成された電極のうち、当該１つの電極以外の電極に接触可能に設けられている検査プローブを、当該１つの電極以外の電極にそれぞれ接触させるため、分離領域の複数箇所において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとの導通を確認することができる。
ある１つの電極において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとが導通していても、例えば、半導体装置が傾いている場合には、第１の電圧印加プローブが電極と接触しておらず、各電極間に電圧が印加できないおそれがある。このような場合でも、複数箇所形成された電極のうち、他の電極において、分離領域の電極と第２の電圧印加プローブとが導通していないものがある場合には、その電極に検査プローブが接触していないので、半導体装置が傾いているおそれがあると判断することができる。
従って、例えば、半導体装置の傾きにより、第１の電圧印加プローブが素子形成領域の電極に接触していない場合を判断することができるため、各電極間に所定電圧を印加可能な状態であるかどうかを確認することができるので、より確実に素子形成領域及び分離領域間の絶縁を検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１実施形態］
この発明の第１実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の検査装置及び検査方法について、図を参照して説明する。図１は、絶縁分離型半導体装置の縦断面図及び検査装置の構成の説明図である。図２は、絶縁分離型半導体装置の平面図及び検査装置の構成の説明図である。図３は、第１実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の検査装置の変更例を示す説明図である。
なお、各図では、説明のために一部を拡大して示している。
【００１４】
（絶縁分離型半導体装置の構造）
最初に、本実施形態で使用する絶縁分離型半導体装置の構造について説明する。図１に示すように、絶縁分離型半導体装置１の半導体基板１０には、シリコン基板１１上に、酸化物などにより形成された絶縁膜１２を介して、単結晶シリコン層からなる半導体領域１３が形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が用いられている。
図１及び図２に示すように、半導体領域１３は、半導体領域１３の表面から絶縁膜１２まで達する矩形枠形状に形成された絶縁トレンチ１４により、トランジスタ、ダイオードなどの素子が形成された素子形成領域２０と、素子が形成されていない分離領域３０とに区画されている。つまり、素子形成領域２０及び分離領域３０は、表面以外の領域が、絶縁膜１２及び絶縁トレンチ１４により囲まれており、相互に絶縁された状態で区画形成されている。絶縁トレンチ１４は、例えば、半導体領域１３に絶縁膜１２に到達するトレンチを形成し、このトレンチ内に、例えば、ＣＶＤ法を利用して酸化シリコンを充填した絶縁分離構造となっている。
本実施形態では、素子形成領域２０において、Ｎ+ 領域のコレクタ２１、Ｐ+領域のベース２２、ベース２２に設けられたＮ+ 領域のエミッタ２３から構成されるＮＰＮトランジスタが形成されている。コレクタ２１、ベース２２及びエミッタ２３には、半導体装置１から外部回路素子に接続するために図示しない入出力端子が電気的に接続されている。
【００１５】
図２に示すように、分離領域３０の表面には、素子形成領域２０の表面に形成されたコンタクト電極２０ａからＡｌ配線２０ｂを介して電気的に接続された検査電圧印加用の第１の電圧印加パッド２０ｃと、分離領域３０の表面に形成されたコンタクト電極３０ａからＡｌ配線３０ｂを介して電気的に接続された検査電圧印加用の第２の電圧印加パッド３０ｃと、コンタクト電極３０ａからＡｌ配線３１ｂを介して電気的に接続された検査プローブを接触させる検査パッド３１ｃと、が並列して形成されている。
ここで、各Ａｌ配線２０ｂ、３０ｂ、３１ｂ、第１の電圧印加パッド２０ｃ、３０ｃ及び検査パッド３１ｃは、図示しない絶縁層により分離領域３０と絶縁されている。
【００１６】
（検査装置の構成）
図１及び図２に示すように、検査装置２は、第１の電圧印加パッド２０ｃと接触可能に設けられた第１の電圧印加プローブ４１と、第２の電圧印加パッド３０ｃと接触可能に設けられた第２の電圧印加プローブ４２と、検査パッド３１ｃと接触可能に設けられた検査プローブ４３と、第１の電圧印加パッド２０ｃ、３０ｃ間に検査電圧を印加するための直流電圧源４４と、電流計４５と、電圧計４６とを備えている。
第１の電圧印加プローブ４１と、第２の電圧印加プローブ４２と、検査プローブ４３とは、半導体装置１の表面との距離がそれぞれほぼ等しくなるように配置されており、各プローブを同時に第１の電圧印加パッド２０ｃ、３０ｃ及び検査パッド３１ｃにそれぞれ接触させることができる。
【００１７】
直流電圧源４４は、第２の電圧印加プローブ４２側が高電位となるように、第２の電圧印加プローブ４２と接続されている。ここで、電圧の極性は任意であり、第１の電圧印加プローブ４１側が高電位となるようにしてもよい。直流電圧源４４と第１の電圧印加プローブ４１との間には電流計４５が挿入されている。
第１の電圧印加プローブ４１が第１の電圧印加パッド２０ｃに、第２の電圧印加プローブ４２が第２の電圧印加パッド３０ｃにそれぞれ接触することにより、絶縁トレンチ１４を介して素子形成領域２０及び分離領域３０間に電圧を印加可能な直流回路５１が構成される。
検査プローブ４３は、電圧計４６と接続されており、検査パッド３１ｃに接触することにより、第２の電圧印加パッド３０ｃ及び検査パッド３１ｃ間の電圧が測定可能な直流回路５２が構成される。
【００１８】
（絶縁分離型半導体装置の検査方法）
素子形成領域２０及び分離領域３０間の絶縁を検査する検査方法について説明する。
まず、検査装置２の各プローブを半導体装置１に近づけて、第１の電圧印加プローブ４１を第１の電圧印加パッド２０ｃに、第２の電圧印加プローブ４２を第２の電圧印加パッド３０ｃに、検査プローブ４３を検査パッド３１ｃにそれぞれ接触させる。
次に、直流回路５１において、直流電圧源４４により、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に、素子形成領域２０及び分離領域３０間の絶縁耐圧を保証するための所定電圧を印加する。
このとき、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁トレンチ１４により所定電圧に対して絶縁されていない場合には、素子形成領域２０と分離領域３０との間にリーク電流が流れるため、電流計４５により検出することができる。
これにより、電流計４５によりリーク電流が検出された場合には、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁不良であると判断することができる。
【００１９】
電流計４５によりリーク電流が検出されなかった場合には、直流回路５２における第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３間に設けられた電圧計４６の出力に基づいて、素子形成領域２０及び分離領域３０間の絶縁を判断する。
電圧計４６において、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に印加した所定電圧が検出された場合には、第２の電圧印加プローブ４２が第２の電圧印加パッド３０ｃに接触している状態である。
第１の電圧印加プローブ４１と、第２の電圧印加プローブ４２と、検査プローブ４３とは、半導体装置１の表面との距離がそれぞれほぼ等しくなるように配置されており、第２の電圧印加プローブ４２が第２の電圧印加パッド３０ｃに接触しているならば、第１の電圧印加プローブ４１も第１の電圧印加パッド２０ｃと接触しているので、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に所定電圧が印加されていることになる。従って、素子形成領域２０と分離領域３０とは絶縁されていると判断することができる。
【００２０】
一方、電圧計４６において上記の所定電圧が検出されなかった場合には、第２の電圧印加プローブ４２が適正に第２の電圧印加パッド３０ｃと接触していないことになるので、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に所定電圧を印加されておらず、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁されているかどうかは検査されていないことになる。
このように、電流計４５により第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間のリーク電流を測定するだけでは判断できない第２の電圧印加プローブ４２の第２の電圧印加パッド３０ｃに対する接触不良を検出することができるので、素子形成領域２０及び分離領域３０間の所定電圧における絶縁を確実に検査することができる。
なお、本実施形態では、第２の電圧印加プローブ４２と第２の電圧印加パッド３０ｃとの接触を電圧計４６を用いて確認したが、電流計と適当な抵抗を用いて電流を測定することによっても確認することができる。
【００２１】
本実施形態では、直流電圧源４４により、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に電圧を印加する検査方法を示したが、電流源を用いて、素子形成領域２０及び分離領域３０間に絶縁トレンチ１４の必要耐圧に応じた電流を流して、その際に生じるリーク電流を検出することで、絶縁耐圧を測定するようにしてもよい。
また、素子形成領域２０が隣接して設けられており、形成されている素子が電位的に互いに独立である場合には、これら素子形成領域２０間に所定電圧を印加し、リーク電流を測定する構成を用いてもよい。
【００２２】
（変更例）
図３に示すように、第２の電圧印加パッド３０ｃを第２の電圧印加プローブ４２と検査プローブ４３とで共用し、第２の電圧印加プローブ４２と検査プローブ４３とが第２の電圧印加パッド３０ｃに接触可能に構成してもよい。
また、素子形成領域２０は複数箇所設けてもよい。図３では、素子形成領域２０を２箇所に設けた構成について示しているが、３箇所以上に設けることもできる。素子形成領域２０に形成された素子は、相互に電気的に接続され、所定の特性を発現するものであってもよい。
【００２３】
［第１実施形態の効果］
本発明に係る絶縁分離型半導体装置１の検査装置２及び検査方法によれば、素子形成領域２０の第１の電圧印加パッド２０ｃに接触させる第１の電圧印加プローブ４１と、分離領域３０の第２の電圧印加パッド３０ｃに接触させ、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に所定電圧を印加可能な第２の電圧印加プローブ４２と、検査パッド３１ｃに接触させることにより、第２の電圧印加パッド３０ｃと第２の電圧印加プローブ４２との導通を検出可能な検査プローブ４３と、を備えているため、第１及び第２の電圧印加パッド２０ｃ、３０ｃに、第１及び第２の電圧印加プローブ４１、４２をそれぞれ接触させることにより所定電圧を印加し、素子形成領域２０及び分離領域３０間に流れる電流を検出するとともに、検査パッド３１ｃに検査プローブ４３を接触させ、第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３間の電圧を検出することにより、第２の電圧印加パッド３０ｃ及び第２の電圧印加プローブ４２間の導通を検出し、電流が検出されず、かつ、導通が検出された場合に、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁状態であると判定することができる。
これにより、第２の電圧印加プローブ４２が第２の電圧印加パッド３０ｃに対して接触不良であるために、素子形成領域２０及び分離領域３０間の電流が検出されなかった場合には、第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３間の導通が検出されないため、素子形成領域２０及び分離領域３０間が絶縁状態であると判定しないので、絶縁状態を誤って判定するおそれがない。
従って、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に所定電圧を印加可能な状態かどうかを確認することができるので、素子形成領域２０及び分離領域３０間の絶縁を確実に検査することができる。
【００２４】
〈第２実施形態〉
第２実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の検査方法及び検査装置について、図４を参照して説明する。図４は、第２実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の平面図及び検査装置の構成の説明図である。
なお、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
【００２５】
図４に示すように、本実施形態で用いる半導体装置３は、検査パッド３２ａ〜３２ｄが半導体装置３の角部近傍の４箇所に配置されている点において、第１実施形態における半導体装置１と異なっている。本実施形態の検査装置４では、４箇所に設けられた検査パッド３２ａ〜３２ｄにそれぞれ対応して、４個の検査プローブ４３ａ〜４３ｄがそれぞれ接触可能に設けられている。
検査パッド３２ａにおいては、第１実施形態同様に、第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３ａ間の導通を検出することができる。
第２の電圧印加プローブ４２及び検査プローブ４３ａ間が導通している場合、第２の電圧印加プローブ４２は第２の電圧印加パッド３０ｃと接触しているので、検査プローブ４３ｂ〜４３ｄ及び第２の電圧印加プローブ４２間の電圧を電圧計４６で測定することにより、その他の３箇所の検査パッド３２ａ〜３２ｄにおける検査プローブ４３ｂ〜４３ｄの接触の有無を判断することができる。
【００２６】
これにより、検査装置４に対して半導体装置３が傾いている場合に、第１の電圧印加プローブ４１及び第１の電圧印加パッド２０ｃ間に接触不良が生じるおそれを判断することができる。
例えば、検査パッド３２ａにおいて検査プローブ４３ａと第２の電圧印加プローブ４２とが導通していても、検査プローブ４３ｂにおいて検査プローブ４３ｂと第２の電圧印加プローブ４２とが導通していない場合には、検査装置４に対して半導体装置３が傾いているために、検査プローブ４３ｂが検査パッド３２ｂと接触していないおそれがある。
このような場合には、第１の電圧印加プローブ４１が、第１の電圧印加パッド２０ｃと接触しているという保証はなく、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に電圧が印加できないおそれがある。
以上のように、検査プローブ４３ｂ〜４３ｄのうち、第２の電圧印加プローブ４２と導通していないものがある場合、つまり、検査パッド３２ｂ〜３２ｄにおいて、接触していない検査プローブ４３ｂ〜４３ｄがある場合には、検査装置４に対して半導体装置３が傾いているおそれがあるため、絶縁と判断しないことができる。
【００２７】
［第２実施形態の効果］
分離領域３０には、第２の電圧印加パッド３０ｃと検査パッド３２ａ〜３２ｄとが形成されており、第２の電圧印加パッド３０ｃに第２の電圧印加プローブ４２を接触させ、検査パッド３２ａ〜３２ｄに検査プローブ４３ａ〜４３ｄをそれぞれ接触させるため、分離領域３０の複数箇所において、第２の電圧印加プローブ４２と検査プローブ４３ａ〜４３ｄとの導通を確認することができる。
例えば、検査パッド３２ａにおいて、検査プローブ４３ａと第２の電圧印加プローブ４２とが導通していても、検査装置４に対して半導体装置３が傾いている場合には、第１の電圧印加プローブ４１が第１の電圧印加パッド２０ｃと接触しておらず、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に電圧が印加できないおそれがある。
このような場合でも、検査パッド３２ｂ〜３２ｄのうち、検査プローブ４３ａ〜４３ｄと第２の電圧印加プローブ４２とが導通していないものがある場合、例えば、検査パッド３２ｂにおいて、検査プローブ４３ｂと第２の電圧印加プローブ４２とが導通していない場合には、検査パッド３２ｂに検査プローブ４３ｂが接触していないので、検査装置４に対して半導体装置３が傾いているおそれがあると判断することができる。
従って、例えば、検査装置４に対する半導体装置３の傾きにより、第１の電圧印加プローブ４１が第１の電圧印加パッド２０ｃに接触していない場合を判断することができるため、第１の電圧印加パッド２０ｃ及び第２の電圧印加パッド３０ｃ間に所定電圧を印加可能な状態であるかどうかを確認することができるので、より確実に素子形成領域２０及び分離領域３０間の絶縁を検査することができる。
【００２８】
〈その他の実施形態〉
半導体基板１０として、シリコン基板１１を支持基板としたＳＯＩ基板を用いる構成を示したが、支持基板の材料としては、シリコン基板に限らず、他の半導体基板或いは絶縁性を有するセラミック基板やガラス基板などを用いることができる。絶縁性を有する基板としては、例えば、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板を用いることができ、この場合には、絶縁膜１２を形成する必要がない。
【００２９】
［各請求項と実施形態との対応関係］
第１の電圧印加パッド２０ｃ、第１の電圧印加パッド３０ｃ及び検査パッド３１ｃが請求項１に記載の検査電圧印加用の電極にそれぞれ対応する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】絶縁分離型半導体装置の縦断面図及び検査装置の構成の説明図である。
【図２】絶縁分離型半導体装置の平面図及び検査装置の構成の説明図である。
【図３】第１実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の検査装置の変更例を示す説明図である。
【図４】第２実施形態に係る絶縁分離型半導体装置の平面図及び検査装置の構成の説明図である。
【図５】従来の絶縁分離型半導体装置の検査装置の説明図である。
【符号の説明】
【００３１】
１，３  半導体装置
２，４  検査装置
２０    素子形成領域
２０ｃ  第１の電圧印加パッド（検査電圧印加用の電極）
３０    分離領域
３０ｃ  第２の電圧印加パッド（検査電圧印加用の電極）
３１ｃ、３２ａ〜３２ｄ  検査パッド（検査電圧印加用の電極）
４１    第１の電圧印加プローブ
４２    第２の電圧印加プローブ
４３、４３ａ〜４３ｄ  検査プローブ
【図１】
2007305905.tif 000003
【図２】
2007305905.tif 000004
【図３】
2007305905.tif 000005
【図４】
2007305905.tif 000006
【図５】
2007305905.tif 000007