(57)【要約】【課題】信号入力部となるポスト電極部と半導体基板間に寄生容量が発生した結果、基板抵抗を介した接地パスが生じ高周波特性を劣化させる。【解決手段】主表面を有する半導体素子と、前記半導体素子の主表面に形成される絶縁層と、前記半導体素子の主表面に形成されるシールド配線層と、信号入出力用のポストと、電位固定用のポストとを備え、前記シールド配線層は、前記半導体主表面と前記信号入出力用のポストとの間に配置され、前記電位固定用ポストと接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体素子と、前記半導体素子の主表面に形成される絶縁層と、前記半導体素子の主表面に形成されるシールド配線層と、信号入出力用のポストと、電位固定用のポストとを備え、前記シールド配線層は、前記半導体主表面と前記信号入出力用のポストとの間に配置され、前記電位固定用ポストと接続されていることを特徴とする低雑音増幅器。
【請求項２】
主表面を有する半導体素子と、前記半導体素子の主表面に形成される第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に形成される絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に形成されるシールド配線層と、信号入出力用のポストと、電位固定用のポストとを備え、前記シールド配線層は、前記半導体主表面と前記信号入出力用のポストとの間に配置され、前記電位固定用ポストと接続されていることを特徴とする低雑音増幅器。
【請求項３】
前記信号入出力用ポストは信号入力端子であることを特徴とする請求項１および２のいずれか１項に記載の低雑音増幅器。
【請求項４】
前記半導体素子と前記ポストはＷＬＣＳＰ構造を有していることを特徴とする請求項１および２のいずれか１項に記載の低雑音増幅器。
【請求項５】
前記電位固定用ポストは接地されていることを特徴とする請求項１および２のいずれか１項に記載の低雑音増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低雑音増幅器に係り、特に高周波低雑音増幅器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表される無線システムの受信機では、アンテナで受信した信号は、初段の低雑音増幅器によって増幅される。この初段増幅器は、低雑音かつ高利得の特性を有することが必要とされる。低雑音増幅器に用いるトランジスタとしては、低コスト化のため、Ｓｉ系のトランジスタを使うことが好ましい。
【０００３】
ところが、Ｓｉ系トランジスタの低雑音特性は化合物系のＦＥＴに劣るのが現状である。Ｓｉ系トランジスタの雑音特性が化合物系のＦＥＴに劣る主な原因は、用いているＳｉ基板に導電性があるためである。つまり、配線や電極パッドは導電性基板との間で寄生容量を形成し、信号入力部において、基板抵抗を介して接地されるパスが生じる。
【０００４】
更に、基板の抵抗は熱雑音を発生するため、この基板抵抗を介したパスを通じて、基板熱雑音電圧が信号入力部に印加される。このためこの分だけ本来の雑音指数が劣化する。Ｓｉ系トランジスタの雑音指数を改善するには、上記寄生接地パスの影響を低減するか、基板熱雑音が伝わらない構造にすればよい。このためには、パッドと基板の間に導伝シールド層を設けて、そこを一定電位に固定して基板の熱雑音電圧が伝わらないようにすればよい。このような手法の一例として、特許文献１のような構造が提案されている。図４を用いてパッド構造を説明する。図４（ａ）は、パッド構造の一具体例の構成の概要を示す平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）中のＢ−Ｂ’部の断面図である。
【０００５】
図中の半導体基板１７上に形成されたトランジスタ１４が配線層１２、配線間コンタクト１３を介して層間絶縁膜１６上に形成された電極パッド１１に接続される。電極パッド１１の直下に一定電位に固定された金属層１５を形成することにより基板抵抗を介して接地されるパスの影響を減少させることができる。
【０００６】
一方、このような低雑音増幅器には樹脂封止型の半導体装置が用いられることが多い。そのうちのひとつに、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる樹脂封止型半導体装置がある。このような樹脂封止型半導体装置の一例として特許文献２が挙げられる。以下、図５を用いてＣＳＰの構造について説明する。図５（ａ）は、ＣＳＰ構造の一具体例の構成の概要を示す平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）中のＣ−Ｃ’部の断面図である。半導体基板１７の表面には、酸化シリコン等からなる絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６にはポリイミド等からなる保護膜２１が形成されている。この構造により、電極パッド１１の表面の一部が保護膜２１によって規定された開口部によって露出されている。
【０００７】
電極パッド１１には絶縁層１６の開口部において配線間コンタクト１３を介して配線層１２の一端が接続されている。配線層１２は電極パッド１１から柱状電極２３の下部に至るまで保護膜２１上に延在している。柱状電極２３の上部表面を除く絶縁層上には、エポキシ系樹脂などからなる封止樹脂２２が形成されている。柱状電極２３の上部表面上には、外部端子２４が形成されている。
【特許文献１】特開２０００−２９９３１９号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のシールド構造で、ＣＳＰ構造を採用した場合、金属パッド部は導電層によりシールドされるが、信号入力部となるポスト電極部と半導体基板間には寄生容量が発生し、基板抵抗を介した接地パスが残り高周波特性、特に雑音特性を劣化させるという課題があった。
【０００９】
本発明は、前記従来の問題を解決し、高周波特性、特に雑音特性を劣化させることの無い低雑音増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明に係る低雑音増幅器は、主表面を有する半導体素子と、前記半導体素子の主表面に形成される絶縁層と、前記半導体素子の主表面に形成されるシールド配線層と、信号入出力用のポストと、電位固定用のポストとを備え、前記シールド配線層は、前記半導体主表面と前記信号入出力用のポストとの間に配置され、前記電位固定用ポストと接続されていることを特徴とする。
【００１１】
また、主表面を有する半導体素子と、前記半導体素子の主表面に形成される第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に形成される絶縁層と、前記第１の絶縁層の表面に形成されるシールド配線層と、信号入出力用のポストと、電位固定用のポストとを備え、前記シールド配線層は、前記半導体主表面と前記信号入出力用のポストとの間に配置され、前記電位固定用ポストと接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る低雑音増幅器によれば、ＣＳＰを用いた樹脂封止型半導体装置でも基板抵抗を介した接地パスを抑制し、高周波特性、特に雑音特性の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１に係る低雑音増幅器の構成例であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’部の断面図である。
【００１４】
半導体基板１７の表面には、酸化シリコン等からなる絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６にはポリイミド等からなる保護膜２１が形成されている。この構造により、電極パッド１１の表面の一部が保護膜２１によって規定された開口部によって露出されている。
【００１５】
電極パッド１１には絶縁層１６の開口部において配線間コンタクト１３を介して配線層１２の一端が接続されている。配線層１２は電極パッド１１から柱状電極２３の下部に至るまで保護膜２１上に延在している。柱状電極２３の上部表面を除く絶縁層上には、エポキシ系樹脂などからなる封止樹脂２２が形成されている。柱状電極２３の上部表面上には、外部端子２４が形成されている。
【００１６】
電極パッド１１はトランジスタ入力部などに接続され、電極パッド１１から外部端子２４までは信号の入力ラインを構成する。
【００１７】
半導体基板１７上に、柱状電極２３を覆う範囲で金属電極１５が形成され、保護膜２１の開口部を介して柱状電極２５に接続されている。柱状電極２５の上部表面上には、外部端子２６が形成され、接地されるか、一定電位に固定される。
【００１８】
一定電位に固定された金属層１５を形成することにより柱状電極２３と半導体基板１７間に発生する基板抵抗を介した接地パスの影響を減少させることができ、ＷＬＣＳＰ構造を採用した場合においても高周波特性の劣化を回避できる。
【００１９】
図２に本構造を採用した場合の高周波回路の最大有能電力（Ｍａｘｉｍｕｍ  Ａｖａｉｌａｂｌｅ  ｐｏｗｅｒ  Ｇａｉｎ、ＭＡＧ）の評価例を示す。シールド金属層を形成した場合、５．４ＧＨｚにおいてＭＡＧが約１ｄＢ向上している。
【００２０】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について図面を参照しながら説明する。図３は本発明の実施の形態２に係る低雑音増幅器の断面図である。
【００２１】
半導体基板１７の表面には、酸化シリコン等からなる絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６にはポリイミド等からなる保護膜２１が形成されている。この構造により、電極パッド１１の表面の一部が保護膜２１によって規定された開口部によって露出されている。
【００２２】
電極パッド１１には絶縁層１６の開口部において配線間コンタクト１３を介して配線層１２の一端が接続されている。配線層１２は電極パッド１１から柱状電極２３の下部に至るまで保護膜２１上に延在している。柱状電極２３の上部表面を除く絶縁層上には、エポキシ系樹脂などからなる封止樹脂２２が形成されている。柱状電極２３の上部表面上には、外部端子２４が形成されている。
【００２３】
電極パッド１１はトランジスタ入力部などに接続され、電極パッド１１から外部端子２４までは信号の入力ラインを構成する。
【００２４】
保護膜２１層間に、柱状電極２３を覆う範囲で金属電極１５が形成され、柱状電極２５に接続されている。柱状電極２５の上部表面上には、外部端子２６が形成され、接地されるか、一定電位に固定される。
【００２５】
一定電位に固定された金属層１５を形成することにより柱状電極２３と半導体基板１７間に発生する基板抵抗を介した接地パスの影響を減少させることができ、ＷＬＣＳＰ構造を採用した場合においても高周波特性の劣化を回避できる。
【００２６】
なお、本構造により半導体基板１７上に金属層を形成する必要が無くなり、より半導体基板１７上の配線レイアウト面積を有効に活用できる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明は、携帯電話などの無線回路などに用いられる高周波低雑音増幅器に適用され、特にＣＳＰを用いた樹脂封止型の高周波低雑音増幅器に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の具体例であるシールド電極を使用した半導体装置の構造の平面図、（ｂ）はその断面図
【図２】低雑音増幅器の特性評価例を示すグラフ
【図３】本発明の第２の具体例であるシールド電極を使用した半導体装置の構造の断面図
【図４】（ａ）は、従来の半導体装置の構造の平面図、（ｂ）はその断面図
【図５】（ａ）は、ＷＬＣＳＰの構造の平面図、（ｂ）はその断面図
【符号の説明】
【００２９】
１１  電極パッド
１２  配線層
１３  配線間コンタクト
１４  トランジスタ部
１５  シールド金属層
１６  絶縁層
１７  半導体基板
２１  保護膜
２２  封止樹脂
２３  柱状電極
２４  外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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