(57)【要約】【課題】絶縁基板２の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出形成によるモールド体１３を，当該モールド体における側面１３ａ，１３ｂが前記絶縁基板の側面２ａ，２ｂと同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所７，８を設け，この凹所の内面に，端子電極９，１０を形成して成る面実装型電子部品において，半田付け実装の良否の確認が容易にできる。【解決手段】前記凹所の内部に，半田接合可能な金属体１５，１６を，絶縁基板の側面と同一平面又は略同一平面になるように中実状に充填するか，或いは，天井を有する中空状に充填し，この金属体を前記端子電極に接合固着する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出成形によるモールド体を，当該モールド体における側面が前記絶縁基板の側面と同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所を設け，この凹所の内面に，端子電極を形成して成る面実装型電子部品において，
前記凹所の内部に，半田接合可能な金属体を，絶縁基板の側面と実質的に同一平面になるように充填して，この金属体を端子電極に接合固着することを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，凹所内に充填する金属体が，前記絶縁基板における上面側の部分に天井を有する中空状であることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品。
【請求項３】
一つの電子部品を構成する絶縁基板の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る素材基板を，当該素材基板のうち前記各絶縁基板ごとの境界線上の箇所に貫通孔を穿設して製造する工程と，前記素材基板における各貫通孔の内面に，端子電極用の電極膜を形成する工程と，前記素材基板の上面に前記各絶縁基板ごとの合成樹脂製の各モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形する工程と，前記素材基板を前記各絶縁基板ごとの境界線に沿って切断する工程とを備えて成る製造方法において，
前記貫通孔の内面に電極膜を形成する工程と前記各モールド体を成形する工程との間に，前記各貫通孔の内部に半田接合可能な金属片を，当該貫通孔の内面における前記電極膜に接合固着するように充填する工程を備えていることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記請求項３の記載において，前記金属片を充填する工程が，当該金属片を前記絶縁基板の上面側の部分に天井を有する中空状にする工程であることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記請求項３又は４の記載において，前記貫通孔内に金属体を充填する工程が，金属の電気又は無電解メッキ処理であることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記請求項３又は４の記載において，前記貫通孔内に金属体を充填する工程が，溶融半田へのデップ処理であることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記請求項３又は４の記載において，前記貫通孔内に金属体を充填する工程が，前記各貫通孔内への半田ペーストの充填と，その後における溶融加熱処理とであることを特徴とするモールド体を備えた面実装型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，絶縁基板の上面に，当該上面に搭載した半導体チップ等の素子をパッケージ（密封）又は囲うためのモールド体を，合成樹脂のトランスファ成形又は射出成形にて設ける一方，前記絶縁基板の側面に半田付け用の端子電極を設けることによって，プリント回路基板等に対して面実装できるように構成して成る電子部品と，その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来，このように，絶縁基板の上面に合成樹脂のトランスファ成形によるモールド体を設けて成る面実装型電子部品においては，例えば，特許文献１等に記載されているように，前記絶縁基板における側面を，その上面におけるモールド体における側面と実質的に同一平面にして，この側面に凹所を設け，この凹所の内面に，半田付け用の端子電極を形成するという構成にしている。
【０００３】
そして，前記した構成の面実装型電子部品の製造に際しては，先ず，前記絶縁基板の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る素材基板を用意し，この素材基板のうち前記各絶縁基板ごとの境界線上の箇所に貫通孔（スルーホール）を穿設し，この貫通孔の内面に，端子電極用の電極膜を形成し，次いで，前記素材基板の上面に，当該上面に対する前記各貫通孔の開口部をレジスト膜にて塞いだ状態にして，前記各絶縁基板ごとの各モールド体を一体にしてトランスファ成形し，次いで，前記素材基板を，前記各絶縁基板ごとの境界線に沿ってダイシングカッターにて切断することにより，前記各絶縁基板ごと分割して，この絶縁基板の側面に，前記貫通孔内における電極膜が，凹所内に形成した端子電極として露出するという方法を採用している。
【特許文献１】特開２００３−２４３７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし，前記従来の面実装型電子部品においては，プリント回路基板等に対する半田付けを，上面側が側面を実質的に同一平面にしたモールド体にて塞がれた凹所内において行うことにより，換言すると，前記半田付けの際に半田フレットの盛り上りが前記凹所内に位置するから，前記半田フレットの盛り上りによって半田付けの良否を目視にて確認することがきわめて困難であるという問題があった。
【０００５】
また，前記従来の製造方法においては，前記素材基板の上面に，当該上面に対する前記各貫通孔の開口部をレジスト膜にて塞いだ状態にして，前記各絶縁基板ごとの各モールド体を一体にしてトランスファ成形するときに，前記レジスト膜が，前記トランスファ成形のときの高い成形圧力によって破れて，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入するおそれが大きいから，前記貫通孔の電極膜が端子電極として露出していないという不良品の発生率が高いという問題があった。
【０００６】
本発明は，これらの問題を解消した面実装型電子部品と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この技術的課題を達成するため本発明における電子部品は，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出成形によるモールド体を，当該モールド体における側面が前記絶縁基板の側面と同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所を設け，この凹所の内面に，端子電極を形成して成る面実装型電子部品において，
前記凹所の内部に，半田接合可能な金属体を，絶縁基板の側面と実質的に同一平面になるように充填して，この金属体を端子電極に接合固着する。」
ことを特徴としている。
【０００８】
また，本発明における製造方法は，請求項３に記載したように，
「一つの電子部品を構成する絶縁基板の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る素材基板を，当該素材基板のうち前記各絶縁基板ごとの境界線上の箇所に貫通孔を穿設して製造する工程と，前記素材基板における各貫通孔の内面に，端子電極用の電極膜を形成する工程と，前記素材基板の上面に前記各絶縁基板ごとの合成樹脂製の各モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形する工程と，前記素材基板を前記各絶縁基板ごとの境界線に沿って切断する工程とを備えて成る製造方法において，
前記貫通孔の内面に電極膜を形成する工程と前記各モールド体を成形する工程との間に，前記各貫通孔の内部に半田接合可能な金属片を，当該貫通孔の内面における前記電極膜に接合固着するように充填する工程を備えている。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１に記載したように構成することにより，プリント回路基板等に対する半田付けは，凹所内に，絶縁基板の側面と実質的に同一平面になるように充填した金属体によって行われ，換言すると，半田付けの際における半田フレットが，この金属体によって前記絶縁基板の側面より突出するように盛り上がることになって，この半田フレットの盛り上がりを容易に目視することができるから，半田フレットによる半田付け良否の判別が至極容易に且つ確実にできる。
【００１０】
この場合，前記凹所内に充填する金属体を，請求項２に記載したように，前記絶縁基板における上面側の部分に天井を有する中空状にした場合においても，半田付けに際しての半田フレットが，前記金属体における天井を伝って前記絶縁基板の側面より突出するように盛り上がることになるから，同様に，半田フレットによる半田付け良否の判別が至極容易に且つ確実にできる。
【００１１】
また，請求項２に記載した製造方法によると，素材基板における各貫通孔には，その内面に電極膜を形成した上で金属体が充填されていることにより，前記素材基板の上面に合成樹脂製の各モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入することを前記金属にて確実に阻止できて，不良品の発生率を，前記従来の場合によりも大幅に低減できる。
【００１２】
この場合において，前記金属体を，請求項４に記載したように，前記絶縁基板の上面側部分に天井を有する中空状にすることにより，モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入することを前記金属体における天井によって確実に阻止できる一方，前記金属体を中空状にする分だけその材料の使用量を節減できる利点がある。
【００１３】
なお，前記各貫通孔内に半田接合可能な金属を充填するに際しては，請求項５〜７に記載した方法を採用することができ，いずれの方法においても，低コストの大幅なアップを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下，本発明の実施の形態を，面実装型電子部品としての発光ダイオード装置に適用した場合の図面について説明する。
【００１５】
図１〜図３は，第１の実施の形態による発光ダイオード装置１を示す。
【００１６】
この第１の実施の形態による発光ダイオード装置１は，以下に述べるように構成されている。
【００１７】
すなわち，ガラスエポシキ樹脂等による絶縁基板２を備え，この絶縁基板２の上面に，一対の配線パターン３，４が形成され，この両配線パターン３，４のうち一方の配線パターン３には，発光ダイオードチップ５がダイボンディングされ，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間は，細い金属線６のワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００１８】
また，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂの各々には，凹所７，８を設けて，この両凹所７，８のうち一方の凹所７における内面には，端子電極９が前記一方の配線パターン３に電気的に接続するように形成され，他方の凹所８における内面には，端子電極１０が前記他方の配線パターン４に電気的に接続するように形成されている。
【００１９】
なお，本第１の実施の形態の場合，前記絶縁基板２における下面の一端部に，半田付け用の下面電極１１が前記一方の端子電極９に電気的に接続するように形成され，下面の他端部に，同じく半田付け用の下面電極１２が前記他方の端子電極１０に電気的に接続するように形成されており，場合によっては，この両下面電極１１，１２を形成しない場合も存在する。
【００２０】
前記絶縁基板２の上面には，不透明合成樹脂にて前記発光ダイオードチップ５の周囲を囲うように構成したモールド体１３が，トランファ成形又は射出成形によって設けられている。
【００２１】
このモールド体１３における左右両側面１３ａ，１３ｂは，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂと，例えば，同一平面にするか，或いは略同一平面とするように実質的に同一平面であり，このモールド体１３の内部には，透明合成樹脂又は着色した透明合成樹脂或いは蛍光物質の粉末を含む透明合成樹脂１４が，前記発光ダイオードチップ５を密封するように充填されている。
【００２２】
そして，前記絶縁基板２の左右両側面２ａ，２ｂにおける凹所７，８の内部に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体１５，１６を，当該金属１５，１６が絶縁基板２の両側面２ａ，２ｂと，例えば，同一平面にするか，或いは略同一平面とするように実質的に同一平面になるように無垢状に充填して，前記端子電極９，１０に接合・固着するという構成にしている。
【００２３】
この構成において，発光ダイオード装置１のプリント回路基板等に対する半田付け実装は，凹所７，８内に，前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂと実質的に同一平面になるように充填した金属体１５，１６によって行われ，換言すると，半田付けに際における半田フレットが，この金属体１５，１６に前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂより突出するように盛り上がることになるから，この半田フレットの盛り上がりを容易に目視することができる。
【００２４】
次に，前記した構成の第１の実施の形態による発光ダイオード装置１の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００２５】
この製造方法は，先ず，図４及び図５に示すように，前記一つの発光ダイオード装置１を構成する絶縁基板２の複数個を縦及び横方向に並べて一体化して成る素材基板Ａを製造する工程と，この素材基板Ａにおける各絶縁基板２のうち前記凹所７，８に該当する部分に，貫通孔（スルーホール）Ａ１を穿設する工程とを備えている。
【００２６】
なお，この素材基板Ａは，詳しくは後述するように，前記各絶縁基板２ごとの縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断することにより，前記各絶縁基板２ごとに分割されるものであり，前記各貫通孔Ａ１は，前記縦方向の境界線Ａ２上に位置している。
【００２７】
前記工程に次いで，図６及び図７に示すように，前記素材基板Ａの上面における各前記各絶縁基板２の箇所に一対の配線パターン３，４を形成する工程，前記素材基板Ａの下面における前記各絶縁基板２の箇所に一対の下面電極１１，１２を形成する工程，及び，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１の内面に，端子電極９，１０用の電極膜Ａ４を形成する工程を備えている。
【００２８】
この場合，前記配線パターン３，４を形成する工程，下面電極１１，１２を形成する工程及び電極膜Ａ４を形成する工程は，その順序を適宜入れ換えることができる。
【００２９】
前記工程に次いで，図８に示すように，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１の内部に，半田又は銅或いはニッケル等のように半田接合可能な金属体Ａ５を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして無垢状に充填する工程を備えている。
【００３０】
この金属体Ａ５を無垢状にして充填する工程は，以下に述べる方法を採用することが好ましい。
【００３１】
すなわち，図８に二点鎖線で示すように，前記素材基板Ａの上面には，前記配線パターン３，４を塞ぐカバーコートＡ６を，前記素材基板Ａの下面には，前記下面電極１１，１２を塞ぐカバーコートＡ７を各々剥離可能に設け，この状態で，半田，銅又はニッケルによる電気メッキ処理を行うか，又は，無電解メッキ処理を行うか，或いは，溶融した半田にデップ（浸漬）することによって行う。このメッキ処理又はデップ（浸漬）処理した後において，前記カバーコートＡ６，Ａ７を剥離除去する。
【００３２】
また，前記金属体Ａ５を無垢状にして充填する方法には，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１内に，半田ペーストをスクリーン印刷等にて充填したのち，半田溶融温度まで加熱するという方法をも採用することができる。
【００３３】
前記した工程に次いで，図９に示すように，前記素材基板Ａの上面に対して成形用金型Ｂを押圧し，この金型ＢにおけるキャビティーＢ１内に，合成樹脂を溶融した状態で圧入することにより，図１０に示すように，前記素材基板Ａにおける各絶縁基板２の箇所にモールド体１３を，隣接同士一体にしてトランスファ成形又は射出成形する工程を備えている。
【００３４】
この合成樹脂によるトランスファ成形又は射出成形に際して，前記各貫通孔Ａ１の内部は，無垢状の金属体Ａ５にて完全に塞がれていることにより，この各貫通孔Ａ１の内部に溶融合成樹脂が侵入することを確実に阻止できる。
【００３５】
前記した工程に次いで，図１１に示すように，前記素材基板Ａにおける各絶縁基板２の上面に，発光ダイオードチップ５をダイボンディングしたのち，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間を金属線６によるワイヤボンディングを行う工程を備えている。
【００３６】
前記した工程に次いで，図１２に示すように，前記素材基板Ａの各絶縁基板２におけるモールド体１３内に，透明合成樹脂１４を充填する工程を備えている。
【００３７】
前記した工程に次いで，図１３に示すように，前記素材基板Ａの下面に，エキスパンションフィルムＣを剥離可能に貼着し，この状態で，図１４に示すように，ダイシングカッターＤにて，前記素材基板Ａを，縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断することにより，各絶縁基板２ごとに分割したのち，前記エキスパンションフィルムＣから剥離する工程を備えている。
【００３８】
この切断に際して，前記各貫通孔Ａ１の内部は，無垢状の金属体Ａ５にて完全に塞がれていることにより，前記貫通孔Ａ１の内面に形成される電極膜Ａ４を切断するときの切削バリが発生することを回避できる。
【００３９】
これにより，前記の切断の際に発生する切削バリが前記金属体Ａ５における半田付け性を阻害することを確実に回避できる。
【００４０】
そして，これらの各工程を経ることにより，前記図１〜図３に示す構成の発光ダイオード装置１を製造することができる。
【００４１】
次に，図１５は，第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′を示す。
【００４２】
この第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′は，前記第１の実施の形態による発光ダイオード装置１と略同様に，以下に述べるように構成されている。
【００４３】
すなわち，ガラスエポシキ樹脂等による絶縁基板２を備え，この絶縁基板２の上面に，一対の配線パターン３，４が形成され，この両配線パターン３，４のうち一方の配線パターン３には，発光ダイオードチップ５がダイボンディングされ，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間は，細い金属線６のワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４４】
また，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂの各々には，凹所７，８を設けて，この両凹所７，８のうち一方の凹所７における内面には，端子電極９が前記一方の配線パターン３に電気的に接続するように形成され，他方の凹所８における内面には，端子電極１０が前記他方の配線パターン４に電気的に接続するように形成されている。
【００４５】
このモールド体１３における左右両側面１３ａ，１３ｂは，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂと実質的に同一平面であり，このモールド体１３の内部には，透明合成樹脂又は着色した透明合成樹脂或いは蛍光物質の粉末を含む透明合成樹脂１４が，前記発光ダイオードチップ５を密封するように充填されている。
【００４６】
そして，前記絶縁基板２の左右両側面２ａ，２ｂにおける凹所７，８の内部に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体１５′，１６′を，前記絶縁基板２における上面側の部分に天井１５ａ′，１６ａ′を有する中空状になるように充填して，前記端子電極９，１０に接合・固着するという構成にしている。
【００４７】
この構成によると，半田付けに際しての半田フレットが，前記金属体１５′，１６′における天井１５ａ′，１６ａ′を伝って前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂより突出するように盛り上がることになる。
【００４８】
この第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′を製造するには，図１６又は図１７に示す方法を採用することができる。
【００４９】
先ず，図１６に示す方法は，前記図４〜図１４に示す製造工程のうち素材基板Ａの上面に，配線パターン３，４を形成する工程において，この配線パターン３，４にて，前記素材基板Ａに穿設されている貫通孔Ａ１を塞ぐようにし，次いで，前記各貫通孔Ａ１の内面に電極膜Ａ４を形成したあとにおいて，前記各貫通孔Ａ１内に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体Ａ５′を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして，前記素材基板Ａの上面側の部分に天井Ａ５ａ′を有する中空状に充填する工程を備えており，以後は，前記第１の実施の形態の場合と同様に，モールド体１３をトランスファ成形又は射出成形する工程，発光ダイオードチップ５をダイボンディングする工程，金属線６によるワイヤボンディングを行う工程，透明合成樹脂１４を充填する工程，及び前記素材基板Ａを縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断する工程を備えている。
【００５０】
この方法において，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１には，その内面に天井Ａ５ａ′を有するように中空状にした金属体Ａ５′が充填されていることにより，前記素材基板Ａの上面に合成樹脂製の各モールド体１３を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔Ａ１内に合成樹脂が侵入することを前記金属体Ａ５′にて確実に阻止できる。
【００５１】
次に，図１７に示す方法は，前記図４〜図１４に示す製造工程のうち素材基板Ａの上面に，配線パターン３，４を形成する工程の後に，素材基板Ａの上面に，絶縁体層Ｅを形成することによって，前記素材基板Ａに穿設されている貫通孔Ａ１を塞ぐようにし，次いで，前記各貫通孔Ａ１の内面に電極膜Ａ４を形成したあとにおいて，前記各貫通孔Ａ１内に，半田又は銅或いはニッケル等のように半田接合可能な金属体Ａ５″を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして，前記素材基板Ａの上面側に天井Ａ５ａ″を有する中空状に充填する工程を備えており，以後は，前記第１の実施の形態の場合と同様に，モールド体１３をトランスファ成形又は射出成形する工程，発光ダイオードチップ５をダイボンディングする工程，金属線６によるワイヤボンディングを行う工程，透明合成樹脂１４を充填する工程，及び前記素材基板Ａを縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断する工程を備えている。
【００５２】
この方法によると，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１には，その上面側が前記絶縁体層Ｅにて塞がれていることに加えて，その内面に天井Ａ５ａ″を有するように中空状にした金属体Ａ５″が充填されていることにより，前記素材基板Ａの上面に合成樹脂製の各モールド体１３を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔Ａ１内に合成樹脂が侵入することを前記絶縁体層Ｅ及び前記金属体Ａ５″にて確実に阻止できる。
【００５３】
この図１７の場合，前記絶縁体層Ｅは，その下面に予め配線パターン１３，１４を形成したプリント基板にして，これを前記素材基板Ａの上面に貼り合わせるようにしても良い。
【００５４】
なお，前記図１６に示す方法及び図１７に示す方法において，貫通孔Ａ１内に，金属体Ａ５′，Ａ５″を，天井Ａ５ａ′，Ａ５ａ″を有する中空状にして充填するに際しては，前記したように，電気又は無電解によるメッキ方法，溶融半田へのデップ処理又は半田ペーストの充填とその後における溶融加熱処理を採用できることはいうまでもない。
【００５５】
そして，前記した各実施の形態は，モールド体を備えた面実装型電子部品としての発光ダイオード装置に適用した場合を示したが，本発明は，これに限らず，トランジスター又は発光ダイオード装置等のように，絶縁基板の上面に，当該上面にダイボンディングした半導体チップ等の素子を密封するモールド体を，トランスファ成形又は射出成形する場合においても同様に適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施の形態による発光ダイオード装置を示す縦断正面図である。
【図２】図１のII−II視平断面図である。
【図３】図１の底面図である。
【図４】前記第１の実施の形態による発光ダイオード装置の製造に際して第１の製造工程を示す斜視図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。
【図６】第２の製造工程を示す斜視図である。
【図７】図６のVII −VII 視拡大断面図である。
【図８】第３の製造工程を示す断面図である。
【図９】第４の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第５の製造工程を示す断面図である。
【図１１】第６の製造工程を示す断面図である。
【図１２】第７の製造工程を示す断面図である。
【図１３】第８の製造工程を示す断面図である。
【図１４】第９の製造工程を示す断面図である。
【図１５】第２の実施の形態による発光ダイオード装置を示す縦断正面図である。
【図１６】前記第２の実施の形態による発光ダイオード装置の製造方法を示す図である。
【図１７】前記第２の実施の形態による発光ダイオード装置の別の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１                                発光ダイオード装置
２                                絶縁基板
２ａ，２ｂ                        絶縁基板の側面
３，４                            配線パターン
５                                発光ダイオードチップ
６                                金属線
７，８                            凹所
９，１０                          端子電極
１１，１２                        下面電極
１３                              モールド体
１４                              透明合成樹脂
１５，１５′，１６，１６′        金属体
１５ａ′，１６ａ′                金属体の天井
【図１】
2007116046.tif 000003
【図２】
2007116046.tif 000004
【図３】
2007116046.tif 000005
【図４】
2007116046.tif 000006
【図５】
2007116046.tif 000007
【図６】
2007116046.tif 000008
【図７】
2007116046.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，絶縁基板の上面に，当該上面に搭載した半導体チップ等の素子をパッケージ（密封）又は囲うためのモールド体を，合成樹脂のトランスファ成形又は射出成形にて設ける一方，前記絶縁基板の側面に半田付け用の端子電極を設けることによって，プリント回路基板等に対して面実装できるように構成して成る電子部品と，その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来，このように，絶縁基板の上面に合成樹脂のトランスファ成形によるモールド体を設けて成る面実装型電子部品においては，例えば，特許文献１等に記載されているように，前記絶縁基板における側面を，その上面におけるモールド体における側面と実質的に同一平面にして，この側面に凹所を設け，この凹所の内面に，半田付け用の端子電極を形成するという構成にしている。
【０００３】
そして，前記した構成の面実装型電子部品の製造に際しては，先ず，前記絶縁基板の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る素材基板を用意し，この素材基板のうち前記各絶縁基板ごとの境界線上の箇所に貫通孔（スルーホール）を穿設し，この貫通孔の内面に，端子電極用の電極膜を形成し，次いで，前記素材基板の上面に，当該上面に対する前記各貫通孔の開口部をレジスト膜にて塞いだ状態にして，前記各絶縁基板ごとの各モールド体を一体にしてトランスファ成形し，次いで，前記素材基板を，前記各絶縁基板ごとの境界線に沿ってダイシングカッターにて切断することにより，前記各絶縁基板ごと分割して，この絶縁基板の側面に，前記貫通孔内における電極膜が，凹所内に形成した端子電極として露出するという方法を採用している。
【特許文献１】特開２００３−２４３７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし，前記従来の面実装型電子部品においては，プリント回路基板等に対する半田付けを，上面側が側面を実質的に同一平面にしたモールド体にて塞がれた凹所内において行うことにより，換言すると，前記半田付けの際に半田フレットの盛り上りが前記凹所内に位置するから，前記半田フレットの盛り上りによって半田付けの良否を目視にて確認することがきわめて困難であるという問題があった。
【０００５】
また，前記従来の製造方法においては，前記素材基板の上面に，当該上面に対する前記各貫通孔の開口部をレジスト膜にて塞いだ状態にして，前記各絶縁基板ごとの各モールド体を一体にしてトランスファ成形するときに，前記レジスト膜が，前記トランスファ成形のときの高い成形圧力によって破れて，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入するおそれが大きいから，前記貫通孔の電極膜が端子電極として露出していないという不良品の発生率が高いという問題があった。
【０００６】
本発明は，これらの問題を解消した面実装型電子部品と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この技術的課題を達成するため本発明における電子部品は，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出成形によるモールド体を，当該モールド体における側面が前記絶縁基板の側面と同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所を設け，この凹所の内面に，端子電極を形成して成る面実装型電子部品において，
前記凹所の内部に，半田接合可能な金属体を，絶縁基板の側面と実質的に同一平面になるように充填して，この金属体を端子電極に接合固着する。」
ことを特徴としている。
【０００８】
また，本発明における製造方法は，請求項３に記載したように，
「一つの電子部品を構成する絶縁基板の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る素材基板を，当該素材基板のうち前記各絶縁基板ごとの境界線上の箇所に貫通孔を穿設して製造する工程と，前記素材基板における各貫通孔の内面に，端子電極用の電極膜を形成する工程と，前記素材基板の上面に前記各絶縁基板ごとの合成樹脂製の各モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形する工程と，前記素材基板を前記各絶縁基板ごとの境界線に沿って切断する工程とを備えて成る製造方法において，
前記貫通孔の内面に電極膜を形成する工程と前記各モールド体を成形する工程との間に，前記各貫通孔の内部に半田接合可能な金属片を，当該貫通孔の内面における前記電極膜に接合固着するように充填する工程を備えている。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１に記載したように構成することにより，プリント回路基板等に対する半田付けは，凹所内に，絶縁基板の側面と実質的に同一平面になるように充填した金属体によって行われ，換言すると，半田付けの際における半田フレットが，この金属体によって前記絶縁基板の側面より突出するように盛り上がることになって，この半田フレットの盛り上がりを容易に目視することができるから，半田フレットによる半田付け良否の判別が至極容易に且つ確実にできる。
【００１０】
この場合，前記凹所内に充填する金属体を，請求項２に記載したように，前記絶縁基板における上面側の部分に天井を有する中空状にした場合においても，半田付けに際しての半田フレットが，前記金属体における天井を伝って前記絶縁基板の側面より突出するように盛り上がることになるから，同様に，半田フレットによる半田付け良否の判別が至極容易に且つ確実にできる。
【００１１】
また，請求項２に記載した製造方法によると，素材基板における各貫通孔には，その内面に電極膜を形成した上で金属体が充填されていることにより，前記素材基板の上面に合成樹脂製の各モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入することを前記金属にて確実に阻止できて，不良品の発生率を，前記従来の場合によりも大幅に低減できる。
【００１２】
この場合において，前記金属体を，請求項４に記載したように，前記絶縁基板の上面側部分に天井を有する中空状にすることにより，モールド体を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔内に合成樹脂が侵入することを前記金属体における天井によって確実に阻止できる一方，前記金属体を中空状にする分だけその材料の使用量を節減できる利点がある。
【００１３】
なお，前記各貫通孔内に半田接合可能な金属を充填するに際しては，請求項５〜７に記載した方法を採用することができ，いずれの方法においても，低コストの大幅なアップを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下，本発明の実施の形態を，面実装型電子部品としての発光ダイオード装置に適用した場合の図面について説明する。
【００１５】
図１〜図３は，第１の実施の形態による発光ダイオード装置１を示す。
【００１６】
この第１の実施の形態による発光ダイオード装置１は，以下に述べるように構成されている。
【００１７】
すなわち，ガラスエポシキ樹脂等による絶縁基板２を備え，この絶縁基板２の上面に，一対の配線パターン３，４が形成され，この両配線パターン３，４のうち一方の配線パターン３には，発光ダイオードチップ５がダイボンディングされ，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間は，細い金属線６のワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００１８】
また，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂの各々には，凹所７，８を設けて，この両凹所７，８のうち一方の凹所７における内面には，端子電極９が前記一方の配線パターン３に電気的に接続するように形成され，他方の凹所８における内面には，端子電極１０が前記他方の配線パターン４に電気的に接続するように形成されている。
【００１９】
なお，本第１の実施の形態の場合，前記絶縁基板２における下面の一端部に，半田付け用の下面電極１１が前記一方の端子電極９に電気的に接続するように形成され，下面の他端部に，同じく半田付け用の下面電極１２が前記他方の端子電極１０に電気的に接続するように形成されており，場合によっては，この両下面電極１１，１２を形成しない場合も存在する。
【００２０】
前記絶縁基板２の上面には，不透明合成樹脂にて前記発光ダイオードチップ５の周囲を囲うように構成したモールド体１３が，トランスファ成形又は射出成形によって設けられている。
【００２１】
このモールド体１３における左右両側面１３ａ，１３ｂは，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂと，例えば，同一平面にするか，或いは略同一平面とするように実質的に同一平面であり，このモールド体１３の内部には，透明合成樹脂又は着色した透明合成樹脂或いは蛍光物質の粉末を含む透明合成樹脂１４が，前記発光ダイオードチップ５を密封するように充填されている。
【００２２】
そして，前記絶縁基板２の左右両側面２ａ，２ｂにおける凹所７，８の内部に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体１５，１６を，当該金属１５，１６が絶縁基板２の両側面２ａ，２ｂと，例えば，同一平面にするか，或いは略同一平面とするように実質的に同一平面になるように中が詰まった中実状に充填して，前記端子電極９，１０に接合・固着するという構成にしている。
【００２３】
この構成において，発光ダイオード装置１のプリント回路基板等に対する半田付け実装は，凹所７，８内に，前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂと実質的に同一平面になるように充填した金属体１５，１６によって行われ，換言すると，半田付けに際における半田フレットが，この金属体１５，１６に前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂより突出するように盛り上がることになるから，この半田フレットの盛り上がりを容易に目視することができる。
【００２４】
次に，前記した構成の第１の実施の形態による発光ダイオード装置１の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００２５】
この製造方法は，先ず，図４及び図５に示すように，前記一つの発光ダイオード装置１を構成する絶縁基板２の複数個を縦及び横方向に並べて一体化して成る素材基板Ａを製造する工程と，この素材基板Ａにおける各絶縁基板２のうち前記凹所７，８に該当する部分に，貫通孔（スルーホール）Ａ１を穿設する工程とを備えている。
【００２６】
なお，この素材基板Ａは，詳しくは後述するように，前記各絶縁基板２ごとの縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断することにより，前記各絶縁基板２ごとに分割されるものであり，前記各貫通孔Ａ１は，前記縦方向の境界線Ａ２上に位置している。
【００２７】
前記工程に次いで，図６及び図７に示すように，前記素材基板Ａの上面における各前記各絶縁基板２の箇所に一対の配線パターン３，４を形成する工程，前記素材基板Ａの下面における前記各絶縁基板２の箇所に一対の下面電極１１，１２を形成する工程，及び，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１の内面に，端子電極９，１０用の電極膜Ａ４を形成する工程を備えている。
【００２８】
この場合，前記配線パターン３，４を形成する工程，下面電極１１，１２を形成する工程及び電極膜Ａ４を形成する工程は，その順序を適宜入れ換えることができる。
【００２９】
前記工程に次いで，図８に示すように，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１の内部に，半田又は銅或いはニッケル等のように半田接合可能な金属体Ａ５を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして中実状に充填する工程を備えている。
【００３０】
この金属体Ａ５を中実状にして充填する工程は，以下に述べる方法を採用することが好ましい。
【００３１】
すなわち，図８に二点鎖線で示すように，前記素材基板Ａの上面には，前記配線パターン３，４を塞ぐカバーコートＡ６を，前記素材基板Ａの下面には，前記下面電極１１，１２を塞ぐカバーコートＡ７を各々剥離可能に設け，この状態で，半田，銅又はニッケルによる電気メッキ処理を行うか，又は，無電解メッキ処理を行うか，或いは，溶融した半田にデップ（浸漬）することによって行う。このメッキ処理又はデップ（浸漬）処理した後において，前記カバーコートＡ６，Ａ７を剥離除去する。
【００３２】
また，前記金属体Ａ５を中実状にして充填する方法には，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１内に，半田ペーストをスクリーン印刷等にて充填したのち，半田溶融温度まで加熱するという方法をも採用することができる。
【００３３】
前記した工程に次いで，図９に示すように，前記素材基板Ａの上面に対して成形用金型Ｂを押圧し，この金型ＢにおけるキャビティーＢ１内に，合成樹脂を溶融した状態で圧入することにより，図１０に示すように，前記素材基板Ａにおける各絶縁基板２の箇所にモールド体１３を，隣接同士一体にしてトランスファ成形又は射出成形する工程を備えている。
【００３４】
この合成樹脂によるトランスファ成形又は射出成形に際して，前記各貫通孔Ａ１の内部は，中実状の金属体Ａ５にて完全に塞がれていることにより，この各貫通孔Ａ１の内部に溶融合成樹脂が侵入することを確実に阻止できる。
【００３５】
前記した工程に次いで，図１１に示すように，前記素材基板Ａにおける各絶縁基板２の上面に，発光ダイオードチップ５をダイボンディングしたのち，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間を金属線６によるワイヤボンディングを行う工程を備えている。
【００３６】
前記した工程に次いで，図１２に示すように，前記素材基板Ａの各絶縁基板２におけるモールド体１３内に，透明合成樹脂１４を充填する工程を備えている。
【００３７】
前記した工程に次いで，図１３に示すように，前記素材基板Ａの下面に，エキスパンションフィルムＣを剥離可能に貼着し，この状態で，図１４に示すように，ダイシングカッターＤにて，前記素材基板Ａを，縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断することにより，各絶縁基板２ごとに分割したのち，前記エキスパンションフィルムＣから剥離する工程を備えている。
【００３８】
この切断に際して，前記各貫通孔Ａ１の内部は，中実状の金属体Ａ５にて完全に塞がれていることにより，前記貫通孔Ａ１の内面に形成される電極膜Ａ４を切断するときの切削バリが発生することを回避できる。  
【００３９】
これにより，前記の切断の際に発生する切削バリが前記金属体Ａ５における半田付け性を阻害することを確実に回避できる。
【００４０】
そして，これらの各工程を経ることにより，前記図１〜図３に示す構成の発光ダイオード装置１を製造することができる。
【００４１】
次に，図１５は，第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′を示す。
【００４２】
この第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′は，前記第１の実施の形態による発光ダイオード装置１と略同様に，以下に述べるように構成されている。
【００４３】
すなわち，ガラスエポシキ樹脂等による絶縁基板２を備え，この絶縁基板２の上面に，一対の配線パターン３，４が形成され，この両配線パターン３，４のうち一方の配線パターン３には，発光ダイオードチップ５がダイボンディングされ，この発光ダイオードチップ５と他方の配線パターン４との間は，細い金属線６のワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４４】
また，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂの各々には，凹所７，８を設けて，この両凹所７，８のうち一方の凹所７における内面には，端子電極９が前記一方の配線パターン３に電気的に接続するように形成され，他方の凹所８における内面には，端子電極１０が前記他方の配線パターン４に電気的に接続するように形成されている。
【００４５】
このモールド体１３における左右両側面１３ａ，１３ｂは，前記絶縁基板２における左右両側面２ａ，２ｂと実質的に同一平面であり，このモールド体１３の内部には，透明合成樹脂又は着色した透明合成樹脂或いは蛍光物質の粉末を含む透明合成樹脂１４が，前記発光ダイオードチップ５を密封するように充填されている。
【００４６】
そして，前記絶縁基板２の左右両側面２ａ，２ｂにおける凹所７，８の内部に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体１５′，１６′を，前記絶縁基板２における上面側の部分に天井１５ａ′，１６ａ′を有する中空状になるように充填して，前記端子電極９，１０に接合・固着するという構成にしている。
【００４７】
この構成によると，半田付けに際しての半田フレットが，前記金属体１５′，１６′における天井１５ａ′，１６ａ′を伝って前記絶縁基板２の側面２ａ，２ｂより突出するように盛り上がることになる。
【００４８】
この第２の実施の形態による発光ダイオード装置１′を製造するには，図１６又は図１７に示す方法を採用することができる。
【００４９】
先ず，図１６に示す方法は，前記図４〜図１４に示す製造工程のうち素材基板Ａの上面に，配線パターン３，４を形成する工程において，この配線パターン３，４にて，前記素材基板Ａに穿設されている貫通孔Ａ１を塞ぐようにし，次いで，前記各貫通孔Ａ１の内面に電極膜Ａ４を形成したあとにおいて，前記各貫通孔Ａ１内に，半田又は銅或いはニッケル等にように半田接合可能な金属体Ａ５′を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして，前記素材基板Ａの上面側の部分に天井Ａ５ａ′を有する中空状に充填する工程を備えており，以後は，前記第１の実施の形態の場合と同様に，モールド体１３をトランスファ成形又は射出成形する工程，発光ダイオードチップ５をダイボンディングする工程，金属線６によるワイヤボンディングを行う工程，透明合成樹脂１４を充填する工程，及び前記素材基板Ａを縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断する工程を備えている。
【００５０】
この方法において，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１には，その内面に天井Ａ５ａ′を有するように中空状にした金属体Ａ５′が充填されていることにより，前記素材基板Ａの上面に合成樹脂製の各モールド体１３を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔Ａ１内に合成樹脂が侵入することを前記金属体Ａ５′にて確実に阻止できる。
【００５１】
次に，図１７に示す方法は，前記図４〜図１４に示す製造工程のうち素材基板Ａの上面に，配線パターン３，４を形成する工程の後に，素材基板Ａの上面に，絶縁体層Ｅを形成することによって，前記素材基板Ａに穿設されている貫通孔Ａ１を塞ぐようにし，次いで，前記各貫通孔Ａ１の内面に電極膜Ａ４を形成したあとにおいて，前記各貫通孔Ａ１内に，半田又は銅或いはニッケル等のように半田接合可能な金属体Ａ５″を，当該貫通孔Ａ１の内面における前記電極膜Ａ４に接合固着するようにして，前記素材基板Ａの上面側に天井Ａ５ａ″を有する中空状に充填する工程を備えており，以後は，前記第１の実施の形態の場合と同様に，モールド体１３をトランスファ成形又は射出成形する工程，発光ダイオードチップ５をダイボンディングする工程，金属線６によるワイヤボンディングを行う工程，透明合成樹脂１４を充填する工程，及び前記素材基板Ａを縦方向の境界線Ａ２及び横方向の境界線Ａ３に沿って切断する工程を備えている。
【００５２】
この方法によると，前記素材基板Ａにおける各貫通孔Ａ１には，その上面側が前記絶縁体層Ｅにて塞がれていることに加えて，その内面に天井Ａ５ａ″を有するように中空状にした金属体Ａ５″が充填されていることにより，前記素材基板Ａの上面に合成樹脂製の各モールド体１３を一体にしてトランスファ成形又は射出成形するに際して，前記貫通孔Ａ１内に合成樹脂が侵入することを前記絶縁体層Ｅ及び前記金属体Ａ５″にて確実に阻止できる。
【００５３】
この図１７の場合，前記絶縁体層Ｅは，その下面に予め配線パターン１３，１４を形成したプリント基板にして，これを前記素材基板Ａの上面に貼り合わせるようにしても良い。
【００５４】
なお，前記図１６に示す方法及び図１７に示す方法において，貫通孔Ａ１内に，金属体Ａ５′，Ａ５″を，天井Ａ５ａ′，Ａ５ａ″を有する中空状にして充填するに際しては，前記したように，電気又は無電解によるメッキ方法，溶融半田へのデップ処理又は半田ペーストの充填とその後における溶融加熱処理を採用できることはいうまでもない。
【００５５】
そして，前記した各実施の形態は，モールド体を備えた面実装型電子部品としての発光ダイオード装置に適用した場合を示したが，本発明は，これに限らず，トランジスター又は発光ダイオード装置等のように，絶縁基板の上面に，当該上面にダイボンディングした半導体チップ等の素子を密封するモールド体を，トランスファ成形又は射出成形する場合においても同様に適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施の形態による発光ダイオード装置を示す縦断正面図である。
【図２】図１のII−II視平断面図である。
【図３】図１の底面図である。
【図４】前記第１の実施の形態による発光ダイオード装置の製造に際して第１の製造    工程を示す斜視図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。
【図６】第２の製造工程を示す斜視図である。
【図７】図６のVII −VII 視拡大断面図である。
【図８】第３の製造工程を示す断面図である。
【図９】第４の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第５の製造工程を示す断面図である。
【図１１】第６の製造工程を示す断面図である。
【図１２】第７の製造工程を示す断面図である。
【図１３】第８の製造工程を示す断面図である。
【図１４】第９の製造工程を示す断面図である。
【図１５】第２の実施の形態による発光ダイオード装置を示す縦断正面図である。
【図１６】前記第２の実施の形態による発光ダイオード装置の製造方法を示す図であ    る。
【図１７】前記第２の実施の形態による発光ダイオード装置の別の製造方法を示す図    である。
【符号の説明】
【００５７】
１                                発光ダイオード装置
２                                絶縁基板
２ａ，２ｂ                        絶縁基板の側面
３，４                            配線パターン
５                                発光ダイオードチップ
６                                金属線
７，８                            凹所
９，１０                          端子電極
１１，１２                        下面電極
１３                              モールド体
１４                              透明合成樹脂
１５，１５′，１６，１６′        金属体
１５ａ′，１６ａ′                金属体の天井