(57)【要約】【課題】不純物ガスによる放電電圧の上昇を抑えることが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供すること。【解決手段】保護膜形成工程後から封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜に不純物ガスが吸着した場合であっても、放電電圧の上昇を抑えることが可能となる。また、この保護膜形成工程後から封着工程までは、必ずしも減圧しなくても良いため、大掛かりな真空装置が必要なく、製造に要する時間を短縮することができるという利点がある。【選択図】図２
2007317488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程と
を具備し、
前記保護膜形成工程後から前記封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行う
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記保護膜形成工程後、前記封着工程前に、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを前記保護膜の周囲に供給する不活性ガス供給工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記不活性ガス供給工程では、前記保護膜上を流通するように前記不活性ガスを供給する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、
前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に保護膜を形成する保護膜形成部と、
前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部と、
前記保護膜形成部と前記封着部とを接続する接続部と、
前記接続部及び前記封着部のうち少なくとも一方を、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気に調整する雰囲気調整手段と
を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項５】
前記雰囲気調整手段が、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを前記接続部及び前記封着部に供給する不活性ガス供給機構を有することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項６】
前記雰囲気調整手段が、前記不活性ガスを前記接続部及び前記封着部から排出する不活性ガス排出機構を有することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、維持電極および走査電極が形成された前面基板と、アドレス電極および蛍光体が形成された背面基板とを備えている。両基板は周縁部に配置された封着材によって貼り合わされており、両基板の間には放電ガスが封入されている。各電極の間に電圧を印加すると、放電ガスがプラズマ化して紫外線が放射される。この紫外線が蛍光体に入射して蛍光体が励起され、可視光が放出されるようになっている。
【０００３】
維持電極及び走査電極は誘電体層によって覆われており、誘電体層を覆うように保護膜が形成されている。この保護膜は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層を保護するものであり、一般的にはＭｇＯによって形成された保護膜が知られている。ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の２次電子放出係数に依存することが知られている。すなわち、保護膜の２次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧を低電圧化することが知られている。
【０００４】
このようなＰＤＰを製造する場合、前面基板と背面基板とを別個に形成した後、両基板を貼り合わせて製造する手法が一般的に行われている。この製法においては、前面基板に保護膜を形成してから前面基板と背面基板とを貼り合わせるまでの間、周囲の雰囲気に含まれるＨ２ＯやＣＯ２などの不純物ガスが保護膜に吸着することが多い。これらの不純物ガスが付着した状態では、保護膜の２次電子放出係数が小さくなってしまい、ＰＤＰの放電時に放電電圧が高くなる虞がある。このため、前面基板及び背面基板の周囲を真空雰囲気にして、保護膜の形成や、両基板の貼り合わせを行うようにしている（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開２００２−５６７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前面基板や背面基板の周囲を真空雰囲気にする場合であっても完全に真空にするのは困難であり、実際には幾らかの残留ガスが存在している。この残留ガスに不純物ガスが含まれている場合、当該不純物ガスが保護膜に吸着し、放電電圧が高くなる虞がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、不純物ガスによる放電電圧の上昇を抑えることが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程とを具備し、前記保護膜形成工程後から前記封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことを特徴とする。
【０００８】
本発明者らは、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中であれば、保護膜に不純物ガス（特にＨ２Ｏ）が吸着した場合であっても、放電電圧にほとんど影響を与えずに済むことを見出した。そこで、本発明では、保護膜形成工程後から封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜に不純物ガスが吸着した場合であっても、放電電圧の上昇を抑えることが可能となる。また、本発明では、保護膜形成工程後から封着工程までの間を真空にしなくても良いため、大掛かりな真空装置が必要なく、製造に要する時間を短縮することができるという利点がある。
【０００９】
また、前記保護膜形成工程後、前記封着工程前に、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを前記保護膜の周囲に供給する不活性ガス供給工程を更に具備することが好ましい。  
本発明によれば、保護膜形成工程後、封着工程前に、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを保護膜の周囲に供給することとしたので、確実に保護膜の周囲を残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気にすることができる。
【００１０】
また、前記不活性ガス供給工程では、前記保護膜上を流通するように前記不活性ガスを供給することが好ましい。  
保護膜上に吸着した不純物ガスは、周囲の温度等によって再び周囲に放出される場合がある。不活性ガスが保護膜上に滞留すると、保護膜の周囲に放出された不純物ガスが再度保護膜に吸着してしまう虞がある。本発明によれば、不活性ガス供給工程では、保護膜上を流通するように不活性ガスを供給することとしたので、不活性ガスが保護膜上に滞留するのを回避することができる。これにより、保護膜に不純物ガスが吸着するのを一層確実に防ぐことができる。
【００１１】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に保護膜を形成する保護膜形成部と、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部と、前記保護膜形成部と前記封着部とを接続する接続部と、前記接続部及び前記封着部のうち少なくとも一方を、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気に調整する雰囲気調整手段とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に保護膜を形成する保護膜形成部と、第１基板と第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部と、保護膜形成部と前記封着部とを接続する接続部と、当該接続部及び当該封着部のうち少なくとも一方を、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気に調整する雰囲気調整手段とを具備することとしたので、放電電圧が上昇しにくいプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００１３】
また、前記雰囲気調整手段が、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを前記接続部及び前記封着部に供給する不活性ガス供給機構と、前記不活性ガスを前記接続部及び前記封着部から排出する不活性ガス排出機構とを有することが好ましい。  
本発明によれば、雰囲気調整手段が、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを接続部及び封着部に供給する不活性ガス供給機構を有するので、確実に接続部内及び封着部内を残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気にすることができる。
【００１４】
また、前記雰囲気調整手段が、前記不活性ガスを前記接続部及び前記封着部から排出する不活性ガス排出機構を有することが好ましい。  
本発明によれば、不活性ガスを接続部及び封着部から排出する不活性ガス排出機構を有するので、接続部内及び封着部内の不活性ガスを排気することができる。不活性ガス供給機構と不活性ガス排出機構とを作動することによって、不活性ガスは、不活性ガス供給機構から不活性ガス排出機構へと、接続部内及び封着部内を流通することになる。これにより、接続部内及び封着部内の不活性ガスが滞留するのを回避することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、保護膜形成工程後から封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜に不純物ガスが吸着した場合であっても、放電電圧の上昇を抑えることが可能となる。また、必ずしも減圧しなくても良いため、大掛かりな真空装置が必要なく、製造に要する時間を短縮することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。  
（プラズマディスプレイパネル）  
図１は、３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。  
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）１００は、背面基板（第１基板）１と前面基板（第２基板）２とが対向配置され、当該背面基板１と前面基板２との間に複数の放電室１６を有する構成になっている。
【００１７】
背面基板１の内面（前面基板２との対向面）には、複数のアドレス電極（第１電極）１１が所定の間隔でストライプ状に配置されている。この複数のアドレス電極１１の表面上には、誘電体層１９が設けられている。誘電体層１９は、アドレス電極１１上を含めた背面基板１の全面に設けられており、誘電体層１９の表面は平坦になっている。
【００１８】
誘電体層１９の表面上のうち隣接するアドレス電極１１の間の領域には、当該アドレス電極１１の延在方向に沿って隔壁（リブ）１５がそれぞれ設けられている。隣接する隔壁１５間には、それぞれ誘電体層１９の上面および隔壁１５の側面を覆うように、赤色、緑色又は青色の蛍光を発光する蛍光体１７が配置されている。
【００１９】
一方、前面基板２の内面（背面基板１との対向面）には、表示電極（第２電極）１２を構成する走査電極１２ａと維持電極１２ｂとが交互に所定の間隔でストライプ状に配置されている。表示電極１２は、ＩＴＯ等の透明導電性材料によって構成され、アドレス電極１１と直交する方向に延在している。このアドレス電極１１と表示電極１２との交点が、ＰＤＰ１００の画素になっている。交点において、アドレス電極１１と表示電極１２との間の距離（放電ギャップ）は、８０μｍ程度になっている。
【００２０】
表示電極１２上には、当該表示電極１２及び前面基板２の内面を覆うように誘電体層１３が形成されている。誘電体層１３上には、当該誘電体層１３を覆うように保護膜１４が形成されている。保護膜１４は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層１３を保護するものであり、主成分としてＭｇＯを含んでいる。ＭｇＯを主成分として含ませることで耐スパッタ性が高い保護膜１４になっている。保護膜１４の膜厚は、８０００Å程度になっている。
【００２１】
このように構成された背面基板１と前面基板２とが例えば封着材によって貼り合わされ、隣接する隔壁１５の間に放電室１６が形成されている。この放電室１６の内部には、ＮｅおよびＸｅの混合ガス等の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入されている。放電ガス中には、Ｘｅガスが４体積％程度含まれている。
【００２２】
画素を点灯する場合には、アドレス電極１１と走査電極１２ａとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極１２ａと維持電極１２ｂとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。放電により放電室１６内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体１７が励起され、可視光が前面基板２から放出されるようになっている。このときの放電電圧は第１セル点灯電圧と呼ばれている。
【００２３】
（プラズマディスプレイパネルの製造装置）  
次に、図２に基づいて、本実施形態に係るＰＤＰ製造装置を説明する。  
同図に示すように、ＰＤＰ製造装置３０は、前面基板２と背面基板１とを導入し、真空処理によってＰＤＰ１００を製造するものであり、前面基板ロード室３１、蒸着室（保護膜形成部）３２、冷却室（接続部）３３、背面基板ロード室３４、背面基板脱ガス室３５、搬送室（接続部）３６、アライメント・封着室（封着部）３７、アンロード室３８を有している。各室の内壁はステンレスで構成されている。
【００２４】
蒸着室３２、背面基板脱ガス室３５には、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなど、室内を真空雰囲気にするための真空排気機構４６が取り付けられている。冷却室３３、搬送室３６、アライメント・封着室３７には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構４８と、これら各室内から不活性ガスを排出する不活性ガス排出機構４９とが取り付けられている（雰囲気調整手段）。不活性ガスとしては、例えば乾燥窒素ガス、乾燥アルゴンガス、乾燥キセノンガスなどを用いることができる。いずれの不活性ガスについても、その残留水分濃度は１０．６ｐｐｍ（露点−６０℃）以下に乾燥させてある。残留水分濃度を１０．６ｐｐｍ以下にする理由については、［実施例］において詳述する。
【００２５】
前面基板ロード室３１は、前面基板２を搬入するスペースであり、蒸着室３２に接続されている。前面基板ロード室３１に搬入された前面基板２を蒸着室３２に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
蒸着室３２は、前面基板２に保護膜１４を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室３１及び冷却室３３に接続されている。蒸着室３２には、前面基板２を加熱する加熱機構と、ＭｇＯを主成分とする蒸発材料と、当該蒸発材料に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃とが配置されている。蒸発材料に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室３２には、蒸着時に当該蒸着室３２内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構が設けられている。
【００２６】
冷却室３３は、蒸着室３２において加熱された前面基板２を冷却するスペースであり、上述の蒸着室３２及び搬送室３６に接続されている。冷却室３３には、前面基板２を支持する支持台と当該支持台の上方に設けられた冷却機構とが設けられている。冷却機構には図示しない制御部が設けられており、支持台によって支持された前面基板２の基板温度を冷却し、所定の温度に制御することができるようになっている。
【００２７】
背面基板ロード室３４は、背面基板１を搬入するスペースであり、背面基板脱ガス室３５に接続されている。背面基板ロード室３４に搬入された背面基板１を背面基板脱ガス室３５に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
背面基板脱ガス室３５は、背面基板１を加熱して当該背面基板１に吸着したガス（水蒸気など）を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室３４及び搬送室３６に接続されている。背面基板脱ガス室３５内には、背面基板１を加熱する加熱機構４６が設けられている。
【００２８】
搬送室３６は、上述の冷却室３３及び背面基板脱ガス室３５に接続されており、冷却室３３からの前面基板２と背面基板脱ガス室３５からの背面基板１とが合流するスペースである。この搬送室３６は、アライメント・封着室３７にも接続されており、合流した前面基板２及び背面基板１をアライメント・封着室３７に搬送するスペースでもある。また、搬送室３６は、アンロード室３８にも接続されており、アライメント・封着室３７からのＰＤＰ１００をアンロード室３８に搬送するスペースでもある。このため、搬送室３６には、前面基板２、背面基板１及びＰＤＰを搬送する搬送ロボット（図示しない）が設けられている。
【００２９】
アライメント・封着室３７は、前面基板２及び背面基板１の位置決めをし、両基板を封着すると共に、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスを封入して、ＰＤＰ１００を完成させるスペースである。アライメント・封着室３７は、上述の搬送室３６に接続されている。
【００３０】
アライメント・封着室３７には、前面基板２と背面基板１の位置決めをする位置決め機構と、放電ガスを供給する放電ガス供給部とが設けられている。また、アライメント・封着室３７には、室内に拡散した放電ガスを純化する放電ガス純化器４７が取り付けられており、放電ガス純化器４７によって純化された放電ガスを再利用することができるようになっている。  
アンロード室３８は、アライメント・封着室３７において完成されたＰＤＰ１００を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室３６に接続されている。
【００３１】
（プラズマディスプレイパネルの製造方法）  
次に、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造方法を、図３に沿って説明する。図３は、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、前面基板２と背面基板１とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でＰＤＰ１００を製造する。
【００３２】
前面基板２を形成する手順を説明する。  
まず、前面基板２に表示電極１２及び誘電体層１３を形成する（ＳＴ１１）。この状態で、前面基板２をＰＤＰ製造装置３０の前面基板ロード室３１に搬入する。前面基板２が搬入されたら、前面基板ロード室３１内の搬送機構が前面基板２を蒸着室３２に搬送する。
【００３３】
蒸着室３２では、保護膜１４を形成する（ＳＴ１２：保護膜形成工程）。  
まず、真空排気機構４６によって蒸着室３２内を真空排気する。蒸着室３２内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室３２内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が３．０×１０−２Ｐａ程度になるように制御する。同時に、前面基板２の基板温度が２５０℃程度になるように調節する。
【００３４】
酸素ガスの分圧及び前面基板２の基板温度を調節しながら、電子ビーム銃から蒸発材料に向けて電子ビームを照射して蒸発材料を蒸発させると、蒸発した蒸発材料は、蒸着室３２内を蒸気流となって循環し、４０Å／ｓ程度の成膜レートで前面基板２上に堆積する。この蒸発材料の堆積物が保護膜１４となる。
【００３５】
保護膜１４を形成したら、不活性ガス供給機構４８及び不活性ガス排気機構４９によって冷却室３３内、搬送室３６内及びアライメント・封着室３７内に残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガスを流通させる（ＳＴ１３：不活性ガス供給工程）。不活性ガスを流通させた後、前面基板２を冷却室３３の支持台上に搬送する。冷却室３３では、不活性ガス雰囲気下で、冷却機構によって、蒸着時に加熱した前面基板２を所定の温度まで冷却する（ＳＴ１４）。  
このようにして、前面基板２を形成する。なお、この前面基板２は、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気下の搬送室３６に搬送される。
【００３６】
次に、背面基板１を形成する手順を説明する。  
まず、背面基板１の内面にアドレス電極１１、誘電体層１９、隔壁１５、蛍光体１７を形成し（ＳＴ２１）、さらに図示しない封着材を形成する（ＳＴ２２）。この状態で、ＰＤＰ製造装置３０の背面基板ロード室３４に搬入する。背面基板１が搬入されたら、背面基板ロード室３４内の搬送機構が背面基板を脱ガス室３５に搬送する。脱ガス室３５では、真空中で背面基板１を加熱することによって、当該背面基板１の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う（ＳＴ２３）。  
このようにして、背面基板１を形成する。脱ガス処理が終了した背面基板１は、搬送室３６へ搬送される。
【００３７】
次に、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気になっているアライメント・封着室３７内に前面基板２及び背面基板１を搬入し、前面基板２と背面基板１とを貼り合わせるための位置決めをする（ＳＴ３１）。位置決めが完了したら、アライメント・封着室３７内の不活性ガスを排出し、真空雰囲気にする（ＳＴ３２）。
【００３８】
不活性ガスを排出したら、アライメント・封着室３７内に放電ガスを導入する（ＳＴ３３）。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板２と背面基板１とを貼り合わせる（ＳＴ３４）。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスが封入された状態で前面基板２と背面基板１との間を封着する（ＳＴ３５）。このように、アライメント・封着室３７では封着工程を行い、ＰＤＰ１００を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器４７によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。  
その後、ＰＤＰ１００は、搬送室３６を経由してアンロード室３８に搬送され、アンロード室３８から取り出される。
【００３９】
本実施形態によれば、保護膜形成工程後から封着工程までを、残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜１４に不純物ガスが吸着した場合であっても、放電電圧の上昇を抑えることが可能となる。また、この保護膜形成工程後から封着工程までは、必ずしも減圧しなくても良いため、大掛かりな真空装置が必要なく、製造に要する時間を短縮することができるという利点がある。
【００４０】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、不活性ガスとしてキセノンガスを一例に挙げたが、キセノンガスは非常に高価なため、アライメント・封着室３７の他に、不活性ガスを流通させる冷却室３３、搬送室３６にもガス回収機構を設置する構成であっても構わない。これにより、高価なキセノンガスを回収して再利用することが可能となり、コストの削減を実現できる。
【００４１】
また、上記実施形態では、保護膜１４の材料としてＭｇＯを用いていたが、これに限られることは無い。例えば、ＳｒＯやＣａＯ、若しくはこれらの混合物を用いても勿論構わない。ＳｒＯを用いることで、放電電圧を一層低下させることができる。また、ＣａＯを用いることで、放電電圧を低下させつつ耐スパッタ性の向上を図ることができる。
【実施例】
【００４２】
次に、ＭｇＯを主成分とする薄膜を露点の異なるＣＤＡ（Clean Dry Air）の中で曝露し、曝露後の薄膜から放出されたガスの量を測定した実施例を説明する。図４は、本実施例で用いた測定装置の概念図である。図５は、本実施例で行った測定においてＭｇＯ薄膜の周囲の温度変化を示すグラフである。縦軸が温度であり、横軸が時間である。
【００４３】
本実施例では、図４及び図５に示すように、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）１０１上にＭｇＯ薄膜１０２を形成してプリベークチャンバ１００内に配置し、ランプヒータ１０３によってまず４５０℃で２０分加熱してＭｇＯ薄膜１０２を脱ガスした。ステンレス基板１０１のサイズは１０５０ｍｍ×６５０ｍｍである。ＭｇＯ薄膜１０２の膜厚は１μｍ、５０μｍ、１００μｍとし、ＭｇＯ薄膜１０２の形成領域の面積は０．６３ｍ２で統一した。
【００４４】
次に、自然放冷で約６０℃まで冷却した後、プリベークチャンバ１００内に湿度の異なるＣＤＡを導入して約１０分間曝露させた。ＣＤＡの湿度については、露点−７０℃（絶対湿度１ｍｇ／ｍ３）、露点−６０℃（絶対湿度１０ｍｇ／ｍ３）、露点−４０℃（絶対湿度１００ｍｇ／ｍ３）、相対湿度５２％大気、相対湿度４５％大気とした。なお、上記実施形態で説明したＰＤＰ製造装置３０内部をクリーンルームにした状態での相対湿度は５２％である。
【００４５】
曝露後は、プリベークチャンバ１００内を２５０℃で加熱し、約１２分間、ガスを放出させた。なお、比較例として、ＭｇＯ薄膜を形成しないステンレス基板によって同様の測定を行った。
【００４６】
図６は、ＭｇＯ薄膜の膜厚と放出ガスの測定に用いたＱＭＳの圧力との関係を示すグラフである。縦軸が圧力（単位はＰａ）であり、横軸が時間（単位はｍｉｎ）である。図６に示すように、（１）膜厚１００μｍであり湿度５２％の大気の場合、（２）膜厚１００μｍであり露点−７０℃のＣＤＡの場合、（３）膜厚１００μｍであり露点−４０℃のＣＤＡの場合、（４）膜厚５０μｍであり露点−４０℃のＣＤＡの場合、（５）膜厚１０μｍであり露点−４０℃のＣＤＡの場合、（６）膜厚０μｍ（ステンレス基板）であり湿度４５％の大気の場合のそれぞれについて測定した。図６のグラフから、放出されるガスの量はＭｇＯ薄膜の膜厚が厚くなるほど増加することが確認された。
【００４７】
図７は、プリベークチャンバ１００内に導入したガスの露点（絶対湿度）とＭｇＯ薄膜１０２から放出されたガスの総放出量との関係を示す対数グラフである。縦軸がガスの総放出量（単位はＰａ）であり、横軸が露点（絶対湿度）である。横軸の単位は絶対湿度の単位ｍｇ／ｍ３である。
【００４８】
図７中で破線Ｌで示したのは、ＭｇＯ薄膜を形成しないステンレス基板１０１を相対湿度５２％の大気に曝露したときのガスの総放出量である。この放出量を１とすると、ＭｇＯ薄膜１０２が１００μｍの場合のガスの総放出量は、露点−４０℃では約２倍であり、露点−６０℃では約０．７倍となった。この結果から、露点−６０℃では、ＭｇＯ薄膜１０２からのガスの総放出量は、相対湿度５２％の大気に曝露したステンレス基板１０１よりも少ないことが認められた。
【００４９】
上記実施形態において、ＰＤＰ製造装置３０の内壁はステンレスで形成されている。ＰＤＰ製造装置３０内を露点−６０℃以下の雰囲気にすれば、通常のクリーンルームにする場合に比べて不純物ガス（特にＨ２Ｏ）の付着が少なくなるといえる。なお、露点−６０℃の雰囲気における残留水分濃度は、１０．６ｐｐｍである。したがって、ＰＤＰ製造装置３０内の残留水分濃度が１０．６ｐｐｍ以下であれば、クリーンルームに比べて不純物ガス（特にＨ２Ｏ）の付着が少なくなるため、保護膜１４に不純物ガスが吸着しても放電電圧には影響を及ぼさないといえる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係るＰＤＰの構成を示す斜視図。
【図２】本実施形態に係るＰＤＰ製造装置の構成を示す平面図。
【図３】本実施形態に係るＰＤＰの製造過程を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例に係る実験装置の構成を示す図。
【図５】本実施例において、ＭｇＯ薄膜の周囲の温度変化の様子を示す図。
【図６】本実施例において、ガス放出時間とガス放出量との関係を示すグラフ。
【図７】本実施例において、ガスの露点とガスの総放出量との関係を示す対数グラフ。
【符号の説明】
【００５１】
１…背面基板  ２…前面基板  １１…アドレス電極  １２…表示電極  １２ａ…走査電極  １２ｂ…維持電極  １３…誘電体層  １４…保護膜  １６…放電室  ３０…ＰＤＰ製造装置  ３２…蒸着室  ３６…搬送室  ３７…アライメント・封着室  ４８…不活性ガス供給機構  ４９…不活性ガス排気機構  １００…ＰＤＰ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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