(57)【要約】【課題】  無電界状態で配向性が高い電気光学物質を注入する場合であっても、セルギャップが狭い場合であっても、それぞれ電気光学物質の未注入部が少ない電気光学装置及びそのような電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  一対の電気光学装置用基板と、その間隙に電気光学物質を注入して形成される電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、一対の電気光学装置用基板を、その表示領域の周辺部に形成されたシール部を介して貼り合わせて空隙を形成する組立工程と、空隙を大気圧以下に減圧する減圧工程と、空隙に電気光学物質を充填する注入工程と、を含むとともに、注入工程において、間隙外を大気圧以上に加圧して電気光学物質を充填する。【選択図】  図１
2007010836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電気光学装置用基板と、その間隙に電気光学物質を注入して形成される電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の電気光学装置用基板を、その表示領域の周辺部に形成されたシール部を介して貼り合わせて空隙を形成する組立工程と、
前記空隙を大気圧以下に減圧する減圧工程と、
前記空隙に電気光学物質を充填する注入工程と、を含むとともに、
前記注入工程において、前記空隙外を大気圧以上に加圧して、前記電気光学物質を充填することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記注入工程において、前記電気光学物質を、大気圧の２倍以上に加圧して充填することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記注入工程において、前記電気光学物質を所定時間大気圧中で充填した後、前記電気光学物質を、大気圧以上に加圧してさらに充填することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記注入工程において、前記電気光学物質を、大気圧以上に段階的に加圧しながら充填することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記注入工程において、前記電気光学物質を、大気圧以上で、加圧条件を変動させながら充填することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記注入工程において、不活性ガス中で、前記電気光学物質を充填することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記注入工程において、前記電気光学物質を４０〜１００℃に加熱しながら充填することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記注入工程において、前記電気光学物質を、前記間隙に電圧を印加しながら充填することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記電気光学物質として、垂直配向用液晶材料を用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電気光学装置用基板間の間隙を０．５〜１０μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電気光学装置用基板を、複数の電気光学装置に分割される大判基板とすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。より詳細には、電気光学物質の未注入部が少ない電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を封入して構成されている。そして、当該対向する電極間に電圧を印加して液晶材料を配向させ、この液晶材料中に光を通過させることにより、画像を表示させるものである。
ここで、かかる液晶材料を間隙（セル内）に封入する方法としては、通常、真空注入方式と呼ばれる手法が用いられている。この真空注入方式は、真空容器内で間隙を排気し、その状態でシール部に設けられた液晶注入口を液晶材料に浸した後、外気を常圧に戻し、間隙内に液晶材料を注入する方法である。
しかしながら、この真空注入方式は、減圧工程及び液晶注入工程において、間隙内の気圧と真空容器内の気圧との圧力差が大きくなるため、基板の変形が生じやすいという問題が見られた。
より具体的には、減圧工程において、減圧開始直後の時点では、一時的ではあるが、間隙の気圧が真空容器内の気圧よりも高くなるため、セルギャップが厚くなる場合があった。その結果、セルギャップを均一に保つためのスペーサが所定位置から移動してしまい、スペーサが表示面内で均一に存在しなくなるため、画像表示特性の低下を招くという問題が見られた。
一方、液晶注入工程においては、真空容器内を常圧に戻し始めた直後に、間隙の気圧が真空容器内の気圧よりも低くなるため、セルギャップが一時的に薄くなる場合があった。
その結果、例えば、液晶材料として垂直配向用液晶材料を用いたような場合には、配向状態で生じる分子間立体障害によって、通常液晶材料と比較して、非常に長い注入時間を要するという問題が見られた。
【０００３】
そこで、このような真空注入方式の問題点を回避すべく、常圧注入方式が提案されている（例えば、特許文献１）。
この常圧注入方式は、常圧で液晶注入口を液晶材料に浸し、毛細管現象を利用して間隙内に液晶を満たす方法である。そして、このような常圧注入方式を用いる場合、液晶材料に浸される液晶注入口以外に、間隙内のガスを外部放出するガス排気口が設けられている。
より具体的には、図２１に示すように、シール部の一辺には複数の開口部である注入口６１４が設けられ、この注入口６１４に対向するシール部の一辺には、排気口６１５として使用される１つ若しくは複数の開口部が設けられている。このとき、排気口６１５は、他の一辺におけるシール部のうち、注入口６１４から液晶材料が注入された際、注入された液晶材料の到達するのが遅い部位に設けられている。
【特許文献１】特開２００４−１１７５２３号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の常圧注入方式で得られた液晶表示セルにおいて、排気口を複数個設けたとしても、効率よく間隙内のガス排気ができずに、未注入部が発生しやすいという問題が見られた。すなわち、図２２（ａ）〜（ｄ）に示すように、間隙内に液晶材料が進入していく際に、液晶材料は注入口を中心にほぼ同心円状に浸透していくため、複数の注入口を設けている場合、隣り合う２つの注入口６１４から注入された液晶が合流する領域に、注入口側に窪んだ液端面６１７ａを形成する。一方、注入口の中心を通り、シール部に垂直な線上の領域は、排気口側に膨出した液端面６１７ｂを形成する。
よって、液晶材料の注入が進み、突出した液端面が注入口と対向するシール部に達したとき、窪んだ液端面を形成する領域は、該対向するシール部への到達が遅れ、該シール部との間に気泡６１８を形成することとなる。そして、更に液晶材料の注入が進むと、この気泡６１８が残存してしまい、未注入部が生じたまま排気口６１５が液晶材料で塞がれてしまい、その結果、画像表示不良の原因となる。
また、特許文献１に記載された液晶表示セルにおいても、セルギャップが狭い場合や、非電界状態において配向状態となる垂直配向用液晶材料を注入しようとした場合には、注入時に液晶が間隙内部に浸透し難くなり、非常に長い注入時間を要するという問題が見られた。なお、図２２（ａ）〜（ｄ）に示す液晶材料の注入状態は、真空注入方式を用いたとしても、同様の傾向を示すことが確認されている。
【０００５】
そこで、本発明の発明者は鋭意検討した結果、電気光学物質を間隙に注入するための注入工程において、外気を大気圧以上に加圧して充填することにより、外気圧が大気圧以下である場合に比べて電気光学物質の注入速度が早まり、その結果、電気光学物質の未注入部が少なくなることを見出した。
すなわち、本発明は、無電界状態で配向性が高い電気光学物質を注入する場合であっても、セルギャップが狭い場合であっても、電気光学物質の未注入部が少なく、その結果、画像表示特性に優れた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、一対の電気光学装置用基板と、その間隙に電気光学物質を注入して形成される電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、一対の電気光学装置用基板を、その表示領域の周辺部に形成されたシール部を介して貼り合わせて空隙を形成する組立工程と、空隙を大気圧以下に減圧する減圧工程と、空隙に電気光学物質を充填する注入工程と、を含むとともに、注入工程において、間隙外を大気圧以上に加圧して、電気光学物質を充填することを特徴とする電気光学装置の製造方法が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、このように構成することにより、外気圧を大気圧以下にして注入する場合に比べて、その注入速度を早めることができる。すなわち、無電界状態で配向性が高い電気光学物質を注入する場合であっても、セルギャップが狭い場合であっても、電気光学物質の未注入部を少なくすることができる。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を、大気圧の２倍以上に加圧して充填することが好ましい。
このように構成することにより、電気光学物質の注入速度を所定値以上とすることができ、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を所定時間大気圧中で充填した後、電気光学物質を、大気圧以上に加圧してさらに充填することが好ましい。
このように構成することにより、電気光学物質の注入速度を部分的に変化させることができ、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
すなわち、例えば注入開始直後であって、電気光学物質内に気泡が発生しやすい段階では、一定の注入速度で緩やかに注入しておくとともに、注入終了間際であって、電気光学物質の未注入部が発生しやすい箇所では、注入速度を早めることができるようになる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を、大気圧以上に段階的に加圧しながら充填することが好ましい。
このように構成することにより、電気光学物質の注入速度を段階的に変化させることができ、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
すなわち、最も未注入部が発生しやすい注入終了間際での注入速度が最大になるように、注入速度を加速度的に早めることができるようになり、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を、大気圧以上で、加圧条件を上下動させながら充填することが好ましい。
このように構成することにより、電気光学物質の注入速度を上下動させることができ、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
すなわち、電気光学物質の未注入部が発生しやすい箇所では注入速度を早めておき、それ以外の箇所では注入速度を緩やかにしておくことで、注入速度を選択的に変化させることができるようになり、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、不活性ガス中で、電気光学物質を充填することが好ましい。
このように構成することにより、注入容器内での電気光学物質の変質や基板表面の酸化といった不具合を防止することができるようになり、安定的な注入作業を実施することができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を４０〜１００℃に加熱しながら充填することが好ましい。
このように構成することにより、注入方式によらず、間隙内の圧力調整や電気光学物質の粘度調整が容易になって、電気光学物質の未注入部をさらに少なくすることができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、注入工程において、電気光学物質を、間隙に電圧を印加しながら充填することが好ましい。
このように構成することにより、無電界状態で配向性が高くなる垂直配向用液晶材料を注入しようとした場合でも、電界状態で垂直配向用液晶が非配向となり、垂直配向用液晶材料の流動性が向上して、未注入部をさらに少なくすることができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学物質として、垂直配向用液晶材料を用いることが好ましい。
このように構成することにより、視野角が広い電気光学装置を提供することができる。
なお、垂直配向用液晶材料は、その流動特性の関係で、間隙内への注入が困難であって、未注入部が生じやすいが、本発明によれば、そのような問題を効果的に解決することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置用基板間の間隙を０．５〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、より薄型の電気光学装置を提供することができる。なお、薄型の電気光学装置に電気光学物質を注入することは困難であって、未注入部が生じやすいが、本発明によれば、そのような問題を効果的に解決することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置用基板を、複数の電気光学装置に分割される大判基板とすることが好ましい。
このように構成することにより、一度の注入作業で、複数のセルに電気光学物質の注入ができるようになり、注入工程における生産効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
[第１の実施形態] 
第１の実施形態は、一対の電気光学装置用基板と、その間隙に電気光学物質を注入して形成される電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法であって、一対の電気光学装置用基板を、その表示領域の周辺部に形成されたシール部を介して貼り合わせて空隙を形成する組立工程と、空隙を大気圧以下に減圧する減圧工程と、空隙に電気光学物質を充填する注入工程と、を含むとともに、注入工程において、空隙外を大気圧以上に加圧して、電気光学物質を充填することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
以下、本実施形態の電気光学装置の製造方法として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶装置の製造方法を例に採って、図１〜図２０を参照しつつ説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであって、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することができる。
【００１８】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法で製造された液晶装置の一例について説明する。ここで、図１（ａ）に液晶装置１０の断面図を示し、図１（ｂ）に、図１（ａ）の液晶装置における素子基板６０の平面図を示す。さらに、図２に、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
かかる図１（ａ）に示すように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、それらの周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合わせられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及びシール材によって囲まれる間隙２１ａ内に液晶材料２１を封入して形成されている。
【００１９】
（２）対向基板
また、対向基板３０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
ここで、対向電極３３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって対向基板３０の表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。そして、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置にブラックマスク又はブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００２０】
（３）素子基板
また、素子基板６０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
ここで、画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極６３ａとしての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。また、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
【００２１】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１（ａ）の上側）表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１（ａ）の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００２２】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２３】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
【００２４】
（４）動作
このような液晶装置１０は、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０に入射するとともに、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや液晶材料２１などを通過して光反射膜７９に至り、そこで反射されて再度液晶材料２１や着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂなどを通過して、液晶装置１０から外部へ出ることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際にはバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過し、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ、液晶材料２１などを通過して液晶装置１０の外部へ出ることにより、透過表示が行われる。
【００２５】
２．製造方法
（１）  素子基板の製造工程
（１）−１  ＴＦＴ素子形成工程
ＴＦＴ素子形成工程は、図３の図中（Ｓ１）に示される工程で、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成した上でそれらをパターニングすることにより、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
スイッチング素子を形成するにあたり、図４（ａ）に示すように、ガラス基板からなる基体６１上に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
【００２６】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。このゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成することができる。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成することができる。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
【００２７】
（１）−２  画素電極等形成工程
次いで、画素電極等形成工程は、図３の図中（Ｓ２）に示される工程で、ＴＦＴ素子が形成された基体上に、透明絶縁膜からなる保護膜と、透明導電膜からなる画素電極と、を順次形成する工程である。
より具体的には、まず、図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機絶縁膜８１を形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、この有機絶縁膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着した後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域にマトリクス状の光反射膜７９を形成する。一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成することができる。
最後に、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
【００２８】
（２）  対向基板の製造工程
（２）−１  着色層等形成工程
着色層等形成工程は、図３の図中（Ｓ１´）に示される工程で、対向基板の基体上に着色層、遮光膜及び保護膜を順次形成する工程である。
より具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる感光性樹脂を基板上に塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すことにより着色層を形成することができる。なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰り返すことで、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを形成することができる。
【００２９】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。
例えば、金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、クロム（Ｃｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成する。
【００３０】
次いで、図５（ｂ）に示すように、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや遮光膜３９等が形成された対向基板３０上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等を用いて、全面的に保護膜４１を形成する。この保護膜４１は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のための層厚調整層であって、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニングを施すことにより形成される。
【００３１】
（２）−２  対向電極等形成工程
対向電極等形成工程は、図３の図中（Ｓ２´）に示される工程で、対向基板に形成された保護膜上に、透明導電材料等からなる対向電極を形成する工程である。
より具体的には、図５（ｃ）に示すように、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ及び遮光膜３９が形成された基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に対向電極３３を形成する。
さらに、この対向電極３３が形成された基板表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成することで、対向基板３０を形成することができる。
ここで、素子基板に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応した面状電極としてパターニングされる。
【００３２】
（３）  組立工程
組立工程は、図３の図中（Ｓ３）に示される工程で、対向基板と素子基板とからなる一対の基板を、その表示領域の周辺部に形成されたシール部を介して貼り合わせて間隙を形成する工程である。
より具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、素子基板６０に対して、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を塗布した後、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングすることでシール部２３を形成することができる。
その後、図６（ｂ）に示すように、対向基板３０と、シール部２３が積層された素子基板６０と、を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、対向基板３０と素子基板６０とを貼合せることにより、液晶注入領域としての間隙２１ａを備えた一対の基板２０が形成される。なお、本実施形態においては、素子基板６０上にシール材を形成しているが、対向基板３０上に形成することもできる。
【００３３】
また、この組立工程と並行して行う処理として、注入する液晶材料に対して脱泡処理を施すことが好ましい。より具体的には、この液晶材料を、真空度が１×１０-５〜１×１００Ｐａの真空容器内に、０．５〜１０時間放置しておくことが好ましい。この理由は、液晶材料を加熱処理した際に、液晶中に溶解していた空気が突沸することによる気泡発生を未然に防止することができるためである。
【００３４】
（４）  減圧工程
減圧工程は、図３の図中（Ｓ４）に示される工程で、液晶注入領域である間隙２１ａを大気圧以下に減圧する工程である。
より具体的には、図７（ａ）に示すように、所定の大きさに分割した一対の基板２０を真空チャンバ２００内に搬入した後、この真空チャンバ２００内を真空ポンプ２０１により減圧する。これにより、真空チャンバ２００内の気圧である外気圧（Ｐ１）と、間隙２１ａ内部の気圧である間隙内圧（Ｐ２）と、をそれぞれ大気圧以下とすることができる。
なお、真空チャンバ２００内に図示してある矢印は、減圧過程での気流方向を表している。
【００３５】
ここで、一対の基板の大きさは、基板及び真空容器のサイズに合わせて適宜変更することが好ましい。例えば、面積が変更された一対の基板として、個々の液晶装置に分割される前段階の大判基板（例えば短冊状基板）を対象とすることが好ましい。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、短冊状基板２０´を、真空チャンバ２００内に搬入することで、上述した方法と同様に減圧作業を実施することができる。
その結果、一度の注入作業で、複数のセルに液晶材料の注入ができるようになり、注入工程での生産効率を高めることができる。
【００３６】
（５）  注入工程
注入工程は、図３の図中（Ｓ５）に示される工程で、間隙内部を減圧状態に維持したまま、液晶材料の液面と、シール部に設けられた注入口と、を接触させた後、外気を大気圧以上に加圧することにより、液晶材料を充填する工程である。
より具体的には、まず、図７（ｂ）に示すように、一対の基板２０のシール部２３に設けられた液晶注入口２３ａを、液晶材料２１の液面に接触させる。
次いで、真空チャンバ２００に設けられた開放弁２０１ａを開くことで、真空チャンバ２００内を大気開放させる。これにより、液晶材料２１の液面には、外気圧（Ｐ１）と、間隙内圧（Ｐ２）との圧力差に等しい圧力（Ｐ３）が矢印方向（Ｘ）に加わる。その結果、液晶材料２１は、この圧力（Ｐ３）の大きさに応じた注入速度をもって、間隙２１ａ内部に注入される。
すなわち、かかる注入過程は、外気圧（Ｐ１）に所定の変化を与えながら加圧することで、液晶材料２１の注入速度に影響を与えることができる。なお、真空チャンバ２００内に図示してある矢印は、大気開放時の気流方向を表している。
また、図８（ｂ）に示すように、一対の基板を、短冊状基板２０´とした場合であっても、図７（ｂ）に示した方法と同様に、注入作業を行うことができる。
以下に、外気圧（Ｐ１）の加圧方法を、加圧方法１〜加圧方法４として、それぞれの加圧方法と、それに対応する液晶注入の様子と、を図９〜図１３を適宜参照しながら順次説明していく。
【００３７】
まず、図９に示す特性曲線は、外気圧（Ｐ１）の時間依存性を表した特性曲線であって、液晶注入時間（ｔ）を横軸に採り、外気圧（Ｐ１）を縦軸に採ったときの様子を示している。さらに、図１０〜図１２は、図９の特性曲線（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれに対応した液晶材料の液面の時間変化を図示した断面図である。
なお、図９の横軸に示した（ａ）〜（ｄ）は、図１０〜図１２に示した（ａ）〜（ｄ）にそれぞれ対応している。
【００３８】
（６）  加圧方法
（６）−１  加圧方法１
加圧方法１は、図９に特性曲線（Ａ）として示してある加圧方法であって、外気圧（Ｐ１）を、大気圧の２倍以上にして加圧したときの加圧方法である。
このように変化させることで、外気圧を大気圧に保ったまま液晶を充填した場合と比べて、液晶材料の注入速度を所定値以上とすることができ、液晶材料の未注入部をさらに少なくすることができる。
より具体的には、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、一対の基板２０に対して、加圧方法１で注入したときの液面１１ａ（図中左列（Ｌ））は、外気を大気圧以下のまま注入したときの液面１１（図中右列（Ｒ））に比べて、より早い速度で移動する。この結果、大気圧下で注入した際に発生していた未注入部１８を少なくすることができる。
このとき、外気圧（Ｐ１）の値を高くするほど、液晶材料の注入速度は速くなるが、間隙内圧（Ｐ２）との圧力差が所定値以上に大きくなると、基板に過剰な負荷が掛かり、変形や破損を起こす場合があるため、大気圧の２倍以上かつ１０倍以下とすることが好ましく、２倍以上かつ５倍以下とすることがより好ましい。
【００３９】
（６）−２  加圧方法２
加圧方法２は、図９に特性曲線（Ｂ）として示してある加圧方法であって、外気圧（Ｐ１）を、所定時間大気圧にして充填した後、大気圧以上に加圧してさらに充填する方法である。
このように変化させることで、注入開始直後であって、液晶材料内に気泡が発生しやすい段階では、一定の注入速度で緩やかに注入しておくとともに、注入終了間際であって、液晶材料の未注入部が発生しやすい箇所では、注入速度を早めることができるようになる。
より具体的には、図１１（ａ）〜（ｄ）に示すように、加圧方法２で注入したときの液面１１ｂ（図中左列（Ｌ））は、外気を大気圧以下のまま注入したときの液面１１（図中右列（Ｒ））に比べて、注入開始直後においては、ほぼ同様に移動していくが、注入終了間際においては、特に早い速度で移動させることができるため、大気圧下で注入した際に発生していた未注入部１８を少なくすることができる。
このとき、注入後半における外気圧（Ｐ１）の値を高くするほど、液晶材料の注入速度は速くなるが、急激な圧力変化を与えた場合には、基板に対して過剰な負荷が掛かり、変形や破損を起こす場合があるため、加圧レートとして、０．１〜１．０（Ｎ／ｃｍ2／分）の範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜０．５（Ｎ／ｃｍ2／分）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４０】
（６）−３  加圧方法３
加圧方法３は、図９に特性曲線（Ｃ）として示してある加圧方法であって、外気圧（Ｐ１）を、大気圧以上に段階的に加圧しながら充填する方法である。
このように変化させることで、最も未注入部が発生しやすい注入終了間際での注入速度が最大になるように、注入速度を加速度的に早めることができるようになり、液晶材料の未注入部をさらに少なくすることができる。
より具体的には、図１２（ａ）〜（ｄ）に示すように、加圧方法３で注入したときの液面１１ｃ（図中左列（Ｌ））は、外気を大気圧以下のまま注入したときの液面１１（図中右列（Ｒ））に比べて、加速度的に移動することができるようになる。
このとき、外気圧（Ｐ１）の値を高くするほど、液晶材料の注入速度は速くなるが、急激な圧力変化を行った場合には、基板に過剰な負荷が掛かり、変形や破損を起こす場合があるため、段階的に加圧する際の条件として、加圧段階数、加圧ステップ幅（一段あたりの所要時間）、加圧レート等の条件を所定範囲内に設定しておくことが好ましい。
すなわち、加圧段階数としては、１〜２０回とすることが好ましく、５〜１０回とすることがより好ましい。
また、加圧ステップ幅としては、６０分以下とすることが好ましく、１０分以下とすることがより好ましい。
また、加圧レートとして、０．１〜１．０（Ｎ／ｃｍ2／分）の範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜０．５（Ｎ／ｃｍ2／分）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４１】
（６）−４  加圧方法４
加圧方法４は、図９に特性曲線（Ｄ）として示してある加圧方法であって、外気圧（Ｐ１）を、大気圧以上で、加圧条件を上下動させながら充填する方法である。
このように変化させることで、未注入部が発生しやすい箇所では注入速度を上げておき、それ以外の箇所では注入速度を下げておくことで、装置仕様毎に注入作業を最適化することができる。
より具体的には、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、セルギャップの異なる領域（Ｒ１）及び（Ｒ２）が存在している一対の基板２０に対して適用することが好ましい。
ここで、図１３（ａ）は、狭セルギャップ領域（Ｒ１）と、広セルギャップ領域（Ｒ２）と、を含む一対の基板２０の平面図であり、図１３（ｂ）〜（ｃ）は、それぞれＡＡ断面図及びＢＢ断面図を表している。
すなわち、図１３（ａ）に示すように、狭セルギャップ領域（Ｒ１）を液面が通過する場合には、外気圧を高くして注入速度を上げておき、一方、広セルギャップ領域（Ｒ２）を液面が通過する場合には、外気圧を低くして注入速度を下げておくことができる。
このように実施することにより、セルギャップが狭く、液晶注入速度が低下する箇所では注入速度を早めておき、それ以外の箇所では注入速度を緩やかにしておくことで、液晶材料の未注入部をさらに少なくすることができる。
また、外気圧（Ｐ１）の値を上下動させるにあたり、急激な圧力変化を行った場合には、基板に過剰な負荷が掛かり、変形や破損を起こす場合があるため、加圧する際の条件として、振幅や周期等の条件を所定範囲内に設定しておくことが好ましい。
すなわち、振幅としては、１〜２０（Ｎ／ｃｍ2）の範囲内の値とすることが好ましく、５〜１５（Ｎ／ｃｍ2）とすることがより好ましい。
また、周期としては、狭セルギャップ領域（Ｒ１）もしくは広セルギャップ領域（Ｒ２）を液面が通過するのに要する時間と一致させておくことが好ましい。
【００４２】
（６）−５  雰囲気
また、上述した加圧方法において、外気圧（Ｐ１）を上げるために流入させるガスを不活性ガスとし、不活性ガス中で、液晶材料を充填することが好ましい。
ここで用いられるガス種としては、液晶材料との反応性が低い材料であれば、とくに限定されるものではないが、汎用性や活性特性の点から、窒素ガス、アルゴンガス又はフッ素系炭化水素ガス等を用いることが好ましい。
【００４３】
（６）−６  液晶材料の種類
また、液晶材料の種類に関して、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、垂直配向用液晶材料であることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、垂直配向用液晶材料の特性をいかして、視野角が広い液晶装置を提供することができるためである。
ここで、垂直配向用液晶材料は、負の誘電異方性を有する液晶材料と定義される。したがって、図１４（ａ）に示すように、電圧非印加状態では、垂直配向用液晶材料は垂直方向に配向して、透過光を所定の偏向をさせ、図示しない偏向膜との関係で、かかる透過光を全て遮断してブラック表示となる。なお、液晶装置の上方に示された矢印Ａ、Ｂ、Ｃが透過光の進行方向を示し、さらにその上の四角表示が、画像表示における透過光の見え方であって、網線でブラック表示となることを示している。そして、図１４（ａ）に示す液晶装置の場合、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表されている透過光は、液晶装置の外部まで到達しているように記載されているが、実際は液晶装置の両面に図示しない一対の偏向膜が設けてあり、その偏向膜を透過することができない構成となっている。
【００４４】
また、図１４（ｂ）は、液晶装置の電極間に中間的な電圧を印加した場合の、垂直配向用液晶材料の配向状態を示している。すなわち、このような中間的な電圧に対応して、垂直配向用液晶材料は斜め方向に配向し、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表される透過光のうち、矢印Ａ及びＣで表される透過光は、半分程度遮断され、部分的な網線で示されるブラック表示となる一方、矢印Ｂで表される透過光は、完全透過とは言えないものの、液晶装置及び図示しない偏向膜をほぼ透過して、ホワイト表示に近くなる。
さらに、図１４（ｃ）は、液晶装置の電極間に、配向に相当する電圧を印加した場合の、垂直配向用液晶材料の配向状態を示している。すなわち、このような電圧に対応して、垂直配向用液晶材料は水平方向に配向し、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表される透過光を全て所定方向に偏向して、図示しない一対の偏向膜との関係で、その偏向膜を全て透過して、ホワイト表示となる。
よって、このような負の誘電異方性を有する垂直配向用液晶材料は、電圧非印加状態においても、所定の配向をするため、その液晶分子における立体障害に起因した流動特性の関係で、液晶装置内への注入が困難となって、未注入部が生じやすいという問題がある。しかしながら、本発明によれば、そのような垂直配向用液晶材料であっても、容易に注入することができることから、それを使って、視野角が広い液晶装置を容易に得ることができる。
【００４５】
また、図１５に、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）を変えた場合の、それぞれの密度と、温度との関係を示す。すなわち、図１５は、横軸に絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）を採って示してあり、縦軸に垂直配向用液晶材料の密度（ｇ／ｃｍ3）を採って示してある。
かかる図１５から容易に理解できるように、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）によって、近似曲線の係数等は変わってくるものの、垂直配向用液晶材料の密度と、絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）とはほぼ比例関係にあると言える。
したがって、垂直配向用液晶材料の注入温度を考慮する際に、垂直配向用液晶材料の密度を参考にすることができる。
【００４６】
また、図１６に、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）を変えた場合の、それぞれの動粘性係数と、温度との関係を示す。すなわち、図１６は、横軸に絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）を採って示してあり、縦軸に垂直配向用液晶材料の動粘性係数（ｍｍ2／ｓ）を採って示してある。
かかる図１６から容易に理解できるように、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）によって、実線で表される実測値及び点線で表される近似曲線の係数等は変わってくるものの、垂直配向用液晶材料の動粘性係数と、絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）とは、それぞれ所定の相関関係があると言える。
したがって、垂直配向用液晶材料の注入温度を考慮する際に、垂直配向用液晶材料の動粘性係数についても参考にすることができる。
【００４７】
（６）−７  セルギャップ
また、一対の液晶装置用基板間の間隙幅（セルギャップ）は、液晶装置の用途や液晶材料の種類に応じて変えることができるが、薄型であって、かつ、比較的液晶材料の注入が容易な液晶装置を提供するには、通常、０．５〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、１〜８μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
例えば、図１７に示すように、総厚で２．０μｍのオーバーレイヤー層（ＯＶＬ層）等を含む層４１´を備えた対向基板３０と、総厚で５．５μｍの保護層等を含む層８１´を備えた素子基板６０とを準備し、これらの液晶装置用基板間を高さ９μｍのシール材２３で保持し、記号Ｌ１で表される間隙幅を１．５μｍとする構成が考えられる。
つまり、ここでいう間隙幅（セルギャップ）とは、液晶装置の画像表示領域であって、一方の液晶装置用基板に形成された層の最下部と、もう一方の液晶装置用基板に形成された層の最表面と、の間の距離（Ｌ１）を意味する。
なお、従来の注入方法であっては、このように薄型であって、液晶装置用基板間の間隙幅（セルギャップ）が狭い液晶装置において、液晶材料を迅速に注入することは困難であって、かつ、未注入部が生じやすかったが、本発明によれば、そのような問題を効果的に解決することができる。
【００４８】
また、図１７に示す液晶装置において、非表示領域におけるシール材２３の高さ（Ｌ２）と、一対の液晶装置用基板間の間隙（Ｌ１）との差（Ｌ２−Ｌ１）を８μｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる間隙の差（Ｌ２−Ｌ１）が８μｍよりも大きくなると、液晶材料の注入性に影響して、液晶材料の注入に過度に時間を要したり、未注入部が多く発生したりする場合があるためである。
ただし、過度に狭くなると、やはり液晶材料の注入性に影響して、液晶材料の注入に過度に時間を要したり、未注入部が多く発生したりする場合があるためである。
したがって、かかる間隙の差（Ｌ２−Ｌ１）を０．１〜７μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４９】
(６)−８  加熱処理
また、注入工程において、液晶材料を４０〜１００℃に加熱しながら充填することが好ましい。例えば、図１８に示すように、一対の基板２０の近傍に加熱装置１６０ａ、１６０ｂを設置して、局部的に加熱することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、注入方式によらず、液晶装置内の圧力調整や液晶材料としての液晶材料の配向性制御が容易になって、液晶材料の未注入部を少なくすることができるためである。また、このような温度であれば、液晶材料の熱劣化を有効に防止することができるためである。
したがって、注入工程において、液晶材料を５０〜７０℃に加熱しながら充填することがより好ましい。
【００５０】
なお、温度範囲として４０〜１００℃の加熱処理を実施することにより、垂直配向用液晶材料の種類がＡにあっては、密度が１．００〜１．０５（ｇ／ｃｍ3）の範囲となり、動粘性係数が２〜１８（ｍｍ2／ｓ）の範囲となる。また、同様に、垂直配向用液晶材料の種類がＢにあっては、密度が０．９７〜１．０２（ｇ／ｃｍ3）の範囲となり、動粘性係数が２〜１７（ｍｍ2／ｓ）の範囲となる。
すなわち、垂直配向用液晶材料は、加熱処理を実施する温度である４０〜１００℃の範囲内において、その特性が変化することから、加熱処理時の温度誤差を所定範囲内の制御しておくことが好ましい。より具体的には、設定温度に対して±５℃の範囲内に制御しておくことが好ましく、±３℃の範囲内に制御しておくことがより好ましい。
【００５１】
（６）−９  電圧印加
また、液晶装置用基板間の間隙に電圧を印加しながら液晶材料を注入することが好ましい。例えば、図１９に示すように、素子基板６０と対向基板３０との間に電源回路１６１を接続して電圧を印加することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、無電界状態で図１４（ａ）のように配向性が高くなる垂直配向用液晶材料を注入しようとした場合であっても、電界状態で図１４（ｃ）のように垂直配向用液晶材料が非配向となり、垂直配向用液晶材料の流動性が向上して、未注入部を少なくすることができるためである。
【００５２】
（７）  封止工程
封止工程は、図３の図中（Ｓ６）に示される工程で、上述した方法により液晶材料を充填した後、注入口２３ａを封止材にて封止する工程である。
【００５３】
（８）  後工程
後工程は、図３の図中（Ｓ７）に示される工程で、上述した方法により得られた液晶パネルにおいて、対向基板及び素子基板のそれぞれの外面に所定の偏光板や位相差板を配置するとともに、素子基板上の張り出し部に、半導体素子等の電子部品を実装したり、フレキシブル回路基板やバックライト等を接続したりするとともに、筐体に組み込むことで図１に示すような液晶装置１０を製造する工程である。
より具体的には、図６（ｂ）に示すように、素子基板６０の張り出し部６０Ｔ上に、走査線７５と端子６７とを電気接続するように半導体素子９１を実装するとともに、この端子６７の端部に、フレキシブル基板９３を電気接続することで、図２に示すような液晶装置２０が形成される。
【００５４】
３．応用例
次いで、本発明の液晶装置の製造方法により得られる液晶装置を利用した電子機器の応用例を具体的に説明する。
すなわち、図２０は、本発明の電気光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電子機器３００の例では、液晶表示装置等の電気光学装置３１０と、これを制御するための制御手段３３０とを有している。そして、電気光学装置３１０を、パネル構造体３１０Ａと、半導体素子（半導体素子）等で構成される駆動回路３１０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３３０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
【００５５】
また、表示情報処理回路３３２は、シリアルーパラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０Ｂへ供給するように構成してある。さらに、駆動回路３１０Ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含み、電源回路３３３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
よって、本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器は、液晶材料の未注入部を少なくして、画像表示特性に優れた液晶装置の特性を十分に応用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学物質を間隙に注入するための注入工程において、外気を大気圧以上に加圧して充填することにより、外気圧が大気圧以下である場合に比べて電気光学物質の注入速度が早まり、その結果、電気光学物質の未注入部が少なくなる。
したがって、本発明に係る電気光学装置は、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。すなわち、本発明に係る電気光学装置やそれを用いた電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器や、電子放出素子を使用した装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、プラズマディスプレイ装置、有機エレクトロルミネッセンス装置及び無機エレクトロルミネッセンス装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、第１実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する断面図及び平面図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置を説明するために供する概略断面図である。
【図３】本発明における電気光学装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、対向基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、電気光学装置用基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、液晶材料の注入工程を説明するために供する図である。（その１）
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、液晶材料の注入工程を説明するために供する図である。（その２）
【図９】外気圧（Ｐ１）に関する特性曲線を説明するために供する図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その１）
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その２）
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その３）
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その４）
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、垂直配向用液晶材料の動作を説明するために供する図である。
【図１５】垂直配向用液晶材料の密度と温度との関係を説明するために供する図である。
【図１６】垂直配向用液晶材料の動粘性係数と、温度との関係を説明するために供する図である。
【図１７】本発明における電気光学装置の間隙を説明するために供する図である。
【図１８】本発明における電気光学装置の加熱方法を説明するために供する図である。
【図１９】本発明における電気光学装置の電圧印加方法を説明するために供する図である。
【図２０】電気光学装置を利用した電子機器を説明するために供するブロック図である。
【図２１】従来の常圧注入方式に対応した液晶表示セルを示す図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は、従来の常圧注入方式による電気光学物質の注入状態を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０：液晶装置、１１：液面、１８：未注入部、２０：一対の基板、２１：電気光学物質（液晶材料）、２３：シール部、２３ａ：液晶注入口、２４：液晶注入皿、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３１：基体、３３：画素電極、３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ：カラーフィルタ、３９：遮光膜、４１：保護膜（層厚調整層）、４５：配向膜、４７：位相差板、４９：偏光板、６０：素子基板、６１：基体、６３：光反射膜、６６：ドレイン電極、６９：ＴＦＴ素子、７１：ゲート電極、７２：ゲート絶縁膜、７３：ソース電極、７５：走査線、７７：コンタクト層、８１：有機絶縁膜、８３：コンタクトホール、８７：位相差板、８９：偏光板、２００：真空チャンバ、２０１：真空ポンプ、２０１ａ：開放弁
【図１】
2007010836.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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