(57)【要約】【課題】基板の表面に形成する重合膜の膜厚を、容易かつ確実に制御できる成膜装置を提供すること。【解決手段】成膜装置１は、チャンバー２と、膜を形成する基板１０を保持する静電チャック（保持手段）３と、チャンバー２内に膜材料を含むガスを供給するガス供給手段４と、静電チャック３との間に電界を付与する電界付与手段５と、チャンバー２内を減圧する減圧手段６とを備えている。この成膜装置１は、電界を付与することにより、膜材料を含むガスをプラズマ化するとともに、膜材料を重合して、基板１０の表面に重合膜を形成する。また、静電チャック３は、基板１０を保持する保持部３１と、保持部３１内に埋設された吸着用電極３２と、この吸着用電極３２に電圧を印加する電源３３とを有している。そして、成膜装置１は、吸着用電極３２に印加する電圧の値を設定することにより、基板１０の表面に形成される重合膜の厚さを制御するよう構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜材料を含むガスに電界を付与することによりプラズマ化するとともに、前記膜材料を重合して、その重合物を基板の表面に堆積させて重合膜を形成する成膜装置であって、
チャンバーと、
該チャンバー内に設けられ、前記基板を保持する保持面を備える保持部と、電圧を印加することにより静電力を生じさせ、該静電力により前記基板を前記保持面に吸着する吸着用電極とを備える保持手段と、
前記保持面との間に電界を付与する電界付与手段と、
前記チャンバー内に前記ガスを供給するガス供給手段とを有し、
前記吸着用電極に印加する電圧の値を設定することにより、前記重合膜の厚さを制御するよう構成したことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記吸着用電極は、前記保持部内に設けられている請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記電界付与手段は、前記チャンバー内に、前記保持面に対向して設けられ、前記保持面との間に電界を付与する印加電極と、該印加電極に高周波電圧を印加する高周波電源とを備える請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記高周波電源は、前記印加電極と前記チャンバーとの間に、高周波電圧を印加する請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記保持部は、前記保持面が前記印加電極に対して、ほぼ平行になるよう配置されている請求項３または４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記印加電極の前記保持面に対向する面は、前記保持面より大きい請求項３ないし５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項７】
前記保持部は、前記保持面が鉛直方向に対して、ほぼ平行になるよう配置されている請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記静電力は、ジョンソン・ラベック力に基づくものである請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項９】
前記保持部の固有抵抗値は、１０８〜１０１３Ω・ｃｍである請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
膜を形成するための原料ガスを含む混合ガス中に、電界を生じさせ、この電界によって生成されたプラズマの作用で原料ガスを重合することにより、基板上に重合膜を形成するプラズマ重合装置が知られている。
かかるプラズマ重合装置では、原料ガスの流量や圧力、電界を生じさせるための高周波電力や周波数等の各パラメータを適宜設定することにより、重合膜の膜厚や成膜速度を調整することが行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、処理ガス供給手段と、処理室内排気手段と、プラズマ発生手段とを有し、基板に対して、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤ、プラズマ重合等の各種プラズマ処理を施すプラズマ処理装置が提案されている。
この装置では、例えば、プラズマ発生手段の高周波電力を設定することにより、プラズマ密度を制御するとともに、エッチング速度や成膜速度等の処理速度を制御することができる。
【０００４】
しかしながら、高周波電力や、前述したような各パラメータは、いずれもプラズマの状態（例えば、プラズマの密度）を制御するパラメータである。プラズマは、イオンや電子等が非常に不安定に存在したものであるため、その状態を厳密に制御することは容易ではない。
また、前述した各パラメータを適宜変更するためには、高周波電力の電圧や周波数を高精度に変更する機構や、原料ガスの流量や圧力を高精度に変更する機構を設ける必要があり、装置の複雑化および高コスト化を招くおそれがある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１７５５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、基板の表面に形成する重合膜の膜厚を、容易かつ確実に制御できる成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜装置は、膜材料を含むガスに電界を付与することによりプラズマ化するとともに、前記膜材料を重合して、その重合物を基板の表面に堆積させて重合膜を形成する成膜装置であって、
チャンバーと、
該チャンバー内に設けられ、前記基板を保持する保持面を備える保持部と、電圧を印加することにより静電力を生じさせ、該静電力により前記基板を前記保持面に吸着する吸着用電極とを備える保持手段と、
前記保持面との間に電界を付与する電界付与手段と、
前記チャンバー内に前記ガスを供給するガス供給手段とを有し、
前記吸着用電極に印加する電圧の値を設定することにより、前記重合膜の厚さを制御するよう構成したことを特徴とする。
これにより、基板の表面に形成する重合膜の膜厚を、容易かつ確実に制御できる成膜装置が得られる。
【０００８】
本発明の成膜装置では、前記吸着用電極は、前記保持部内に設けられていることが好ましい。
これにより、電界付与手段により、吸着用電極が放電するのを防止するとともに、吸着用電極の露出を防止して、その劣化を防止することができる。
本発明の成膜装置では、前記電界付与手段は、前記チャンバー内に、前記保持面に対向して設けられ、前記保持面との間に電界を付与する印加電極と、該印加電極に高周波電圧を印加する高周波電源とを備えることが好ましい。
これにより、印加電極と保持面との間の混合ガスをプラズマ化するとともに、原料ガスに重合反応を生じさせることができる。
【０００９】
本発明の成膜装置では、前記高周波電源は、前記印加電極と前記チャンバーとの間に、高周波電圧を印加することが好ましい。
これにより、チャンバーを印加電極に対向する対向電極として用いることができ、対向電極を省略して、成膜装置の構成の簡素化を図ることができる。
本発明の成膜装置では、前記保持部は、前記保持面が前記印加電極に対して、ほぼ平行になるよう配置されていることが好ましい。
これにより、印加電極と保持面との間の電界強度分布のバラツキを抑制することができ、生成されるプラズマの密度のさらなる均一化を図ることができる。
【００１０】
本発明の成膜装置では、前記印加電極の前記保持面に対向する面は、前記保持面より大きいことが好ましい。
これにより、印加電極が基板の全面を覆うことができ、基板の全面にわたって、生成されるプラズマの密度の均一化を図ることができる。その結果、基板の表面に形成される重合膜の成膜速度を一定とし、均一な厚さの重合膜を得ることができる。
【００１１】
本発明の成膜装置では、前記保持部は、前記保持面が鉛直方向に対して、ほぼ平行になるよう配置されていることが好ましい。
これにより、基板を鉛直方向に対して、ほぼ平行に保持することができる。その結果、基板の表面に異物等が堆積するのを確実に防止しつつ、重合膜を選択的に形成することができる。
【００１２】
本発明の成膜装置では、前記静電力は、ジョンソン・ラベック力に基づくものであることが好ましい。
ジョンソン・ラベック力は、低電圧で大きな吸着力を得ることができるため、静電チャックは、基板を確実に保持し得るものとなる。
本発明の成膜装置では、前記保持部の固有抵抗値は、１０８〜１０１３Ω・ｃｍであることが好ましい。
固有抵抗値がこのような範囲であれば、より強いジョンソン・ラベック力を発生させることができる。これにより、吸着用電極に印加する電圧を比較的低くしても、十分な吸着力が得られる。また、吸着用電極に印加する電圧を高くすることにより、より強固な吸着力を得ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の成膜装置について、図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の成膜装置の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の成膜装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１４】
本発明の成膜装置は、プラズマを発生させ、そのプラズマにより膜材料を重合（プラズマ重合）して、その重合物を基板の表面に堆積させて重合膜を形成する装置である。
図１に示す成膜装置１は、チャンバー２と、膜を形成する基板１０を保持する静電チャック（保持手段）３と、チャンバー２内に膜材料を含むガスを供給するガス供給手段４と、静電チャック３との間に電界を付与する電界付与手段５と、チャンバー２内を減圧する減圧手段６とを備えている。
【００１５】
以下、各部について詳細に説明する。
基板１０は、成膜装置１により、その表面に重合膜を形成されるものである。
このような基板１０としては、例えば、ガラス基板、セラミックス基板、シリコン基板、化合物半導体基板等が挙げられる。
また、本実施形態では、基板１０が接地線１１により、接地されている。
【００１６】
チャンバー２は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
このチャンバー２の構成材料には、例えば、ステンレス鋼のような金属材料、アルミナのようなセラミックス材料等を用いることができる。
また、チャンバー２の上方に供給口２２が、下方に排気口２３が、それぞれ設けられており、供給口２２および排気口２３を介して、チャンバー２の内部と外部とが連通している。そして、供給口２２にはガス供給手段４が、排気口２３には減圧手段６が、それぞれ接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー２の構成材料は、電気伝導性の金属材料で構成されている。そして、チャンバー２は、接地線２１を介して接地されている。
【００１７】
静電チャック３は、基板１０を保持面３１１に接触させた状態で保持する保持部３１と、保持部３１内に埋設された吸着用電極３２と、この吸着用電極３２に電圧を印加する電源３３と、吸着用電極３２と電源３３とを接続する配線３４とを有している。このように、吸着用電極３２が保持部３１内に埋設されていることにより、後述する電界付与手段５により、吸着用電極３２が放電するのを防止するとともに、吸着用電極３２の露出を防止して、その劣化を防止することができる。
これらの各部のうち、保持部３１は、チャンバー２の内壁に固定されている。
なお、図１および後述する図２に示す静電チャック３は、吸着用電極３２の帯電電位の極性が正または負のいずれかに設定される、いわゆる「単極型」の静電チャックである。
図２は、図１に示す成膜装置が備える静電チャックを拡大して示す部分拡大図である。
【００１８】
以下、図２に基づいて、静電チャック３について詳述する。
保持部３１の構成材料としては、誘導分極が生じる材料であれば特に限定されず、例えば、半導体（半絶縁）材料または絶縁体材料等が挙げられる。
静電チャック３では、電源３３から吸着用電極３２に直流電圧を印加すると、図２に示すように、保持部３１の吸着用電極３２と保持面３１１との間に、誘導分極Ｐが生じる。本実施形態では、吸着用電極３２に電源３３の正極を接続しているため、吸着用電極３２には、正電位が帯電している。このため、この電位にしたがって分極した誘導分極Ｐが生じる。そして、この誘導分極Ｐに応じて、図２に示すように基板１０が帯電することとなる。
【００１９】
このような帯電状態では、基板１０と保持面３１１との間に、ジョンソン・ラベック力やクーロン力等の静電力に基づく吸着力が発生し、基板１０は保持面３１１に吸着することとなる。このうち、特に、ジョンソン・ラベック力に基づく吸着力を用いて基板１０を吸着するものが好ましい。ジョンソン・ラベック力は、低電圧で大きな吸着力を得ることができるため、静電チャック３は、基板１０を確実に保持し得るものとなる。
【００２０】
また、保持部３１またはその構成材料は、その固有抵抗値が１０８〜１０１３Ω・ｃｍ程度であるのが好ましく、１０８〜１０１０Ω・ｃｍ程度であるのがより好ましい。固有抵抗値がこのような範囲であれば、より強いジョンソン・ラベック力を発生させることができる。これにより、吸着用電極３２に印加する電圧を比較的低くしても、十分な吸着力が得られる。また、吸着用電極３２に印加する電圧を高くすることにより、より強固な吸着力を得ることもできる。
また、吸着用電極３２に印加する電圧は、吸着用電極３２のサイズ等に応じて若干異なるが、０．１〜１０ｋＶ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＶ程度以下であるのがより好ましい。
【００２１】
また、保持面３１１は、その大きさ（面積）が、基板１０の全体を保持し得る大きさより大きいことが好ましい。これにより、基板１０の全体を保持することができ、基板１０に反り等の変形が生じるのを防止することができる。その結果、基板１０の表面に形成する重合膜の膜厚の均一化を図ることができる。また、基板１０の全面において、形成される重合膜の膜厚を制御することができる。
【００２２】
保持部３１は、その形状を特に限定しないが、例えば、平面視で長方形、正方形のような四辺形、真円、楕円形、長円形のような円形をなしている。
吸着用電極３２は、その平面視形状が保持部３１とほぼ等しく、その面積は保持部３１より若干小さくなっている。そして、吸着用電極３２の全体が、保持部３１内に埋設されている。これにより、基板１０の全体にわたってほぼ均一の吸着力で吸着することができる。
【００２３】
また、図１に示す保持部３１は、保持面３１１が鉛直方向に対して、ほぼ平行になるように配置されている。これにより、基板１０を鉛直方向に対して、ほぼ平行に保持することができる。その結果、基板１０の表面に異物等が堆積するのを確実に防止しつつ、重合膜を選択的に形成することができる。
チャンバー２の上方には、ガス供給手段４が設けられている。
【００２４】
ガス供給手段４は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部４１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置４２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ４３とを有している。また、これらの各部とチャンバー２の供給口２２とが、それぞれ配管４４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口２２からチャンバー２内に供給するように構成されている。
貯液部４１に貯留される液状の膜材料は、成膜装置１により、重合して基板１０の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置４２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー２内に供給される。
【００２５】
ガスボンベ４３に貯留されるキャリアガスは、後述する電界付与手段５の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
【００２６】
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
また、チャンバー２内の供給口２２の近傍には、拡散板４５が設けられている。
【００２７】
拡散板４５は、チャンバー２内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー２内に、ほぼ均一の濃度で分散する。このため、後述する電界付与手段５と基板１０との間で発生するプラズマの密度の均一化を図ることができる。
電界付与手段５は、保持面３１１との間に電界を生じさせる印加電極５１と、印加電極５１に高周波電圧を印加する高周波電源５２と、インピーダンスを最適化するマッチングボックス５３とを有している。また、これらの各部は、それぞれ配線５４を介して接続されており、高周波電源５２は、接地線５５を介して接地されている。
印加電極５１は、保持面３１１に対向して設けられている。
【００２８】
本実施形態では、前述したように、チャンバー２が接地されているため、印加電極５１は、チャンバー２との間に電位差が生じ、これらの間に電界を付与する。これにより、保持面３１１との間に電界が生じることとなる。そして、印加電極５１と保持面３１１との間の混合ガスをプラズマ化するとともに、原料ガスに重合反応を生じさせることができる。その結果、基板１０の表面に、膜材料が重合した重合物を堆積させ、重合膜を形成（成膜）することができる。このように、チャンバー２を印加電極５１に対向する対向電極として用いることにより、対向電極を省略することができ、成膜装置１の構成の簡素化を図ることができる。
なお、静電チャック３とチャンバー２との間に、別途対向電極を設けるようにしてもよい。この場合、チャンバー２に接続された接地線２１を省略することができる。
【００２９】
図１に示す印加電極５１は、平板状をなしている。そして、前述した保持部３１は、その保持面３１１が、印加電極５１に対してほぼ平行になるよう配置されている。これにより、印加電極５１と保持面３１１との間の電界強度分布のバラツキを抑制することができ、生成されるプラズマの密度のさらなる均一化を図ることができる。
また、印加電極５１の保持面３１１に対向する面は、その大きさが保持面３１１より大きいことが好ましい。これにより、印加電極５１が基板１０の全面を覆うことができ、基板１０の全面にわたって、生成されるプラズマの密度の均一化を図ることができる。その結果、基板１０の表面に形成される重合膜の成膜速度を一定とし、均一な厚さの重合膜を得ることができる。
【００３０】
高周波電源５２は、印加電極５１に印加する高周波電圧を発生する。
高周波電源５２が発生する高周波電圧の周波数は、特に限定されないが、１０〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波電源５２が発生する電圧（電力）の出力は、１００〜５０００Ｗ程度とするのが好ましく、３００〜１２００Ｗ程度とするのがより好ましい。
なお、図示されていないが、電界付与手段５は、高周波電源５２の周波数を変える周波数調整手段（回路）や、高周波電源５２のパワー（電力）調整手段を有していてもよい。これにより、必要に応じ、印加電極５１が生じさせる電界の強度を調整することができる。
【００３１】
チャンバー２の下方には、減圧手段６が設けられている。
減圧手段６は、チャンバー２の排気口２３を介して、チャンバー２内の気体を排気して減圧するポンプ６１と、排気口２３に設けられ、チャンバー２内の圧力を調整する圧力制御機構６２とを有している。
ポンプ６１を用いてチャンバー２内を減圧することにより、混合ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触等による基板１０の汚染・酸化等も防止することができる。
圧力制御機構６２は、チャンバー２内が所定の圧力となるようポンプ６１の排気速度を調整することができる。
なお、チャンバー２内の圧力は、ガス供給手段４の動作に応じて、適宜設定するのが好ましい。
【００３２】
具体的には、ガス供給手段４が動作していないとき、すなわち、チャンバー２内への混合ガスの供給がなされていないときは、チャンバー２内の圧力を１Ｐａ以下に設定するのが好ましく、０．００１〜０．３Ｐａ以下に設定するのがより好ましい。これにより、チャンバー２内を、実質的に残留ガスが存在しない状態とすることができ、成膜時に残留ガスが重合膜の形成に影響を及ぼすのを防止することができる。なお、チャンバー２内の圧力が前記下限値を下回ってもよいが、より排気速度が大きく高価なポンプを用いる必要がある。
また、ガス供給手段４が動作しているとき、すなわち、チャンバー２内に混合ガスが供給されているときは、チャンバー２内の圧力を０．１〜１０Ｐａ程度に設定するのが好ましく、１．５〜６Ｐａ程度に設定するのがより好ましい。これにより、混合ガスを容易かつ確実にプラズマ化することができる。
【００３３】
次に、成膜装置１の作用（動作）を説明する。
まず、チャンバー２内に基板１０を収納し、静電チャック３の保持面３１１の表面付近に基板１０を支持した状態で、吸着用電極３２に通電して、基板１０を保持面３１１に吸着させて保持する。
次に、減圧手段６の作動により、チャンバー２内を前述したような減圧状態とする。
【００３４】
次に、ガス供給手段４の作動により、原料ガスとキャリアガスの混合ガスをチャンバー２内に供給する。
次に、電界付与手段５の作動により、印加電極５１とチャンバー２との間に電界を付与する。これにより、混合ガスをプラズマ化するとともに、原料ガスに重合反応を生じさせて、重合物を得る。そして、基板１０の表面に、重合物が堆積し、重合膜が形成されることとなる。
【００３５】
このとき、本発明の成膜装置では、吸着用電極３２に印加する電圧の値を設定することにより、基板１０の表面に形成される重合膜の厚さを制御する。
具体的には、吸着用電極３２に印加する電圧の値を高めることにより、基板１０の表面に形成される重合膜の厚さを増加させることができる。これは、吸着用電極３２に印加する電圧の値を高めると、基板１０の帯電量が増加し、この帯電量に応じて、原料ガスの重合物を効率よく基板１０の表面に堆積させ、重合膜を形成するためと考えられる。
【００３６】
ところで、形成される重合膜の厚さは、従来、原料ガスの流量や圧力、電界を生じさせるための高周波電力の電圧や周波数等の各パラメータを適宜設定することにより、制御していた。
しかしながら、これらのパラメータは、いずれもプラズマの状態（例えば、プラズマの密度）を制御するパラメータである。プラズマは、イオンや電子等が非常に不安定に存在したものであるため、その状態を厳密に制御することは容易ではない。
【００３７】
また、これらのパラメータを変更する場合、高周波電力の電圧や周波数等を高精度に変更する機構や、原料ガスの流量や圧力を高精度に変更する機構を設ける必要があり、成膜装置の複雑化および高コスト化を招いていた。
これに対して、成膜装置（本発明の成膜装置）１によれば、成膜装置を極めて簡単な構成とし、かつ、前述の各パラメータを変更することなく、基板１０の表面に形成される重合膜の厚さを制御することができる。すなわち、重合膜の厚さの制御を容易かつ確実に行うことができる。
【００３８】
なお、重合膜の成膜時間は、重合膜の成膜速度や目的とする膜厚に応じて異なり、特に限定されないが、例えば、３０〜１００００ｓｅｃ程度であるのが好ましく、２００〜１０００ｓｅｃ程度であるのがより好ましい。
また、吸着用電極３２に印加する電圧の値を設定することと併せて、前述の各パラメータを設定することにより、基板１０の表面に形成される重合膜の厚さを制御するようにしてもよい。
以上のようにして、基板１０の表面に重合膜を形成することができる。
【００３９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の成膜装置の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の成膜装置の第２実施形態が備える静電チャックを拡大して示す部分拡大図である。
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４０】
本実施形態の成膜装置は、保持部に埋設された吸着用電極の構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態の成膜装置は、図３に示すように、保持部３１内に一対の吸着用電極３２１、３２２が埋設されており、これらの電極間に電源３３から配線３４を介して直流電圧を印加し得るよう構成されている。
【００４１】
そして、一対の吸着用電極３２１、３２２間に直流電圧を印加すると、図３に示すように、保持部３１の吸着用電極３２１、３２２と保持面３１１との間に、誘導分極Ｐが生じる。本実施形態では、吸着用電極３２１に電源３３の正極を、吸着用電極３２２に電源３３の負極を、それぞれ接続しているため、吸着用電極３２１には正電位が、吸着用電極３２２には負電位が、それぞれ帯電することとなる。このため、これらの電位にしたがって、それぞれ誘導分極Ｐが生じる。そして、これらの誘導分極Ｐに応じて、図３に示すように基板１０が帯電することとなる。
本実施形態の成膜装置によれば、基板１０を接地する接地線１１を省略することができるため、基板１０を保持面３１１に保持する作業を効率よく行うことができる。
以上のような本実施形態の成膜装置においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００４２】
なお、図３に示す静電チャック３は、保持部３１内に一対の吸着用電極３２１、３２２が埋設され、これらの電極間に電圧を印加する形態の静電チャック、いわゆる「双極型」の静電チャックである。
以上、本発明の成膜装置について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００４３】
例えば、前記各実施形態では、静電チャックが吸着用電極を１つ、または一対備える場合について説明したが、吸着用電極を、複数個または複数対備えていてもよい。
また、前記各実施形態では、保持部内に吸着用電極を埋設した場合について説明したが、保持部の電界付与手段と反対側の面に、吸着用電極を備えていてもよい。
なお、成膜装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、または、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．プラズマ重合膜の作製
（実施例）
図１に示す成膜装置を用いて、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３の３枚のガラス基板上に、それぞれプラズマ重合膜を作製した。以下に、成膜装置の仕様とプラズマ重合膜の作製手順を示す。
【００４５】
＜成膜装置の仕様＞
・静電チャックの保持部の構成材料    ：窒化アルミニウム（固有抵抗値：１０８Ω・ｃｍ）
・チャンバー内の圧力（ガス未導入時）：０．３Ｐａ
・チャンバー内の圧力（ガス供給時）  ：４Ｐａ
・原料ガスの組成                    ：オルガノシロキサン（オクタメチルトリシロキサン、ヘプタメチルジシロキサン等）
・原料ガスの流量                    ：５０ｃｃｍ
・キャリアガスの組成                ：アルゴン
・キャリアガスの流量                ：５０ｃｃｍ
・原料ガスとキャリアガスの混合比    ：１：１
・高周波電力の出力                  ：１０００Ｗ
・高周波電力の周波数                ：１３．５６ＭＨｚ
・成膜時間                          ：３００ｓｅｃ
【００４６】
＜作製手順＞
まず、サンプルＮｏ．１のガラス基板を用意し、吸着用電極に電圧３ｋＶを印加して、このガラス基板を吸着・保持した。
次に、上記の仕様にしたがって原料ガスとキャリアガスの混合ガスを、チャンバー内に供給するとともに、印加電極に電圧を印加した。これにより、ガラス基板上に、ＰＰＳｉ（plasma polymerization silicone）の重合膜を作製した。
【００４７】
次に、サンプルＮｏ．２のガラス基板を用意し、吸着用電極に電圧４ｋＶを印加して、このガラス基板を吸着・保持した。
次に、サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．２のガラス基板上に重合膜を作製した。
次に、サンプルＮｏ．３のガラス基板を用意し、吸着用電極に電圧５ｋＶを印加して、このガラス基板を吸着・保持した。
次に、サンプルＮｏ．１と同様にして、サンプルＮｏ．３のガラス基板上に重合膜を作製した。
【００４８】
２．プラズマ重合膜の評価
次に、実施例のサンプルＮｏ．１〜３のガラス基板について、ＰＰＳｉ重合膜の平均膜厚を測定した。なお、各ガラス基板の任意の１０点について、ＰＰＳｉ重合膜の膜厚を測定し、その平均値を平均膜厚とした。
測定結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2007246984.tif 000003
【００５０】
表１に示すように、静電チャックの吸着用電極に印加する電圧を段階的に高めることにより、平均厚さが段階的に厚くなったＰＰＳｉ重合膜を得ることができた。以上のことから、本発明の成膜装置によれば、吸着用電極に印加する電圧の値を設定することにより、重合膜の厚さを制御可能であることが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の成膜装置の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す成膜装置が備える静電チャックを拡大して示す部分拡大図である。
【図３】本発明の成膜装置の第２実施形態が備える静電チャックを拡大して示す部分拡大図である。
【符号の説明】
【００５２】
１……成膜装置  ２……チャンバー  ２１……接地線  ２２……供給口  ２３……排気口  ３……静電チャック（保持手段）  ３１……保持部  ３１１……保持面  ３２、３２１、３２２……吸着用電極  ３３……電源  ３４……配線  ４……ガス供給手段  ４１……貯液部  ４２……気化装置  ４３……ガスボンベ  ４４……配管  ４５……拡散板  ５……電界付与手段  ５１……印加電極  ５２……高周波電源  ５３……マッチングボックス  ５４……配線  ５５……接地線  ６……減圧手段  ６１……ポンプ  ６２……圧力制御機構  １０……基板  １１……接地線  Ｐ……誘導分極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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