(57)【要約】【課題】ウェーハ下面へのエッチング液の回り込みを防止し、飛散したエッチング液のウェーハ上面への再付着を防止し、ウェーハのエッジ部の局所的な形状崩れを抑制する。【解決手段】ウェーハ１１をチャック１２に載せて保持した状態で回転させながら、ウェーハ上面にエッチング液１４を供給してウェーハ上面をエッチングする。チャック上のウェーハのエッジ部１１ａを伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹飛ばすガス噴射機構１７をチャックに設け、内周面１８ａが上方に向うに従ってチャックの半径方向外側に傾斜する傾斜面であるリング状のガイド片１８をチャックの外周縁上部に突設する。ガイド片の傾斜面の傾斜角θ及び高さＨを１０〜９０度及び０．１〜２ｍｍの範囲に形成し、チャック上のウェーハの下面外周縁とエッジ部下縁の交線Ｐからガイド片の内周縁までの距離Ｔを０．０５〜５ｍｍの範囲に設定する。【選択図】図１
2007207811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた単一の薄円板状のシリコンウェーハ(11)をウェーハチャック(12)に載せて保持した状態で回転させながら、前記ウェーハ(11)の上面にエッチング液(14)を供給して前記ウェーハ(11)の上面をエッチングする枚葉式エッチング装置において、
前記チャック(12)に載せられた前記ウェーハ(11)のエッジ部(11a)を伝わって流下するエッチング液(14)をガスの噴射により前記ウェーハ(11)の半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構(17)が前記チャック(12)に設けられ、
内周面(18a)が上方に向うに従って前記チャック(12)の半径方向外側に傾斜する傾斜面又は上方に向う垂直面であるリング状のガイド片(18)が前記チャック(12)の外周縁上部に突設され、
前記ガイド片(18)の内周面(18a)の水平面に対する傾斜角(θ)が１０〜９０度の範囲に形成され、
前記ガイド片(18)の高さ(H)が０．１〜２ｍｍの範囲に形成され、
前記チャック(12)に載せられた前記ウェーハ(11)の下面外周縁とエッジ部(11a)下縁とのリング状の交線(P)から前記ガイド片(18)の内周縁までの距離(T)が０．０５〜５ｍｍの範囲に設定された
ことを特徴とするウェーハの枚葉式エッチング装置。
【請求項２】
ガイド片(18)がウェーハチャック(12)と一体的に設けられた請求項１記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
【請求項３】
ガイド片(18)がウェーハチャック(12)に取外し可能に取付けられた請求項１記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを回転させながら、その上面にエッチング液を供給して遠心力によりウェーハの上面を１枚ずつエッチングする装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体ウェーハの製造工程は、単結晶インゴットから切出し、スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシング）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を有するウェーハとして生産される。ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たウェーハはその上面にダメージ層、即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発し、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすため、完全に除去しなければならない。この加工変質層を取除くためにエッチング処理が施される。エッチング処理としては、浸漬式エッチングや枚葉式エッチングが行われている。
上記枚葉式エッチングは大口径化したウェーハの表面粗さとテクスチャーサイズの制御を行うことができるため、最適なエッチング方法として検討されている。枚葉式エッチングは、平坦化した単一のウェーハの上面へエッチング液を滴下し、ウェーハを回転（スピン）させることにより滴下したエッチング液をウェーハ上面全体に拡げてエッチングする方法である。ウェーハ上面に供給したエッチング液は、ウェーハを回転させることにより生じた遠心力により、供給した箇所からウェーハ上面全体に拡がり、ウェーハのエッジ部に至るため、ウェーハ上面と同時にウェーハのエッジ部もエッチングされることになる。供給したエッチング液の大部分は、遠心力によりウェーハのエッジ部から吹き飛んで、エッチング装置に設けられたカップ等により回収される。しかしエッチング液の一部はウェーハのエッジ部からウェーハ下面へと回り込み、ウェーハのエッジ部及びウェーハ下面をもエッチングしてしまう不具合があった。
【０００３】
この点を解消するために、回転駆動部に回転ベースの中心軸が接続され、回転ベースの周辺箇所にウェーハを所定位置に載せるための位置決め部が設けられ、ウェーハの周面を保持する保持部材が回転ベース周辺の位置決め部相互間に設けられ、エッチング液を送出する処理ノズルが回転ベースの上方に設けられた枚葉処理機構が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この枚葉処理機構では、ウェーハ下面の回転ベースへの接触部を基準とする位置決め部及び保持部材の突出高さＸｍｍが、ウェーハ周縁部の厚さをＡｍｍとするとき、０＜Ｘ＜（Ａ＋０．５）である。また回転ベース下部の中心軸周りにガス供給用ブロックが設けられ、このブロックからのガスが送り込まれる供給口が回転ベース内部を貫通して設けられる。
このように構成された枚葉処理機構では、位置決め部及び保持部材の突出高さを上記割合となるように構成することにより、ウェーハの高速回転時に、乱気流やエッチング液の跳ね返りが抑えられる。またブロックに設けられた供給口からガスを送り込むことにより、回転ベースとウェーハ下面との間の空間の気圧が高められるので、エッチング液がウェーハ下面に回り込むのを防止できるようになっている。
【特許文献１】特開平１１−２８９００２号公報（請求項１及び２、段落［００１０］、段落［００１８］、段落［００１９］、段落［００２１］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の特許文献１に示された枚葉処理機構では、ウェーハの下方にガスを送り込むことにより、エッチング液のウェーハ下面への回り込みを防止しているけれども、エッチング液のウェーハ周面に留まる時間が長くなり、エッチング液が留まった箇所が必要以上にエッチングされてしまい、面取り加工を施したウェーハ周面の形状が局所的に崩れてしまい、ウェーハのエッジ部を均一にエッチングできないおそれがあった。
また、上記従来の特許文献１に示された枚葉処理機構では、ウェーハの下方にガスを送り込むことにより、エッチング液が飛散して処理装置の内壁で跳ね返ってウェーハ上面に再付着する問題点もあった。
本発明の目的は、ウェーハ下面へのエッチング液の回り込みを防止でき、飛散したエッチング液のウェーハ上面への再付着を防止でき、更にウェーハのエッジ部の局所的な形状崩れを抑制できる、ウェーハの枚葉式エッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた単一の薄円板状のシリコンウェーハ１１をウェーハチャック１２に載せて保持した状態で回転させながら、ウェーハ１１の上面にエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面をエッチングする枚葉式エッチング装置の改良である。
その特徴ある構成は、チャック１２に載せられたウェーハ１１のエッジ部１１ａを伝わって流下するエッチング液１４をガスの噴射によりウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構１７がチャック１２に設けられ、内周面１８ａが上方に向うに従ってチャック１２の半径方向外側に傾斜する傾斜面又は上方に向う垂直面であるリング状のガイド片１８がチャック１２の外周縁上部に突設され、ガイド片１８の内周面１８ａの水平面に対する傾斜角θが１０〜９０度の範囲に形成され、ガイド片１８の高さＨが０．１〜２ｍｍの範囲に形成され、チャック１２に載せられたウェーハ１１の下面外周縁とエッジ部１１ａ下縁とのリング状の交線Ｐからガイド片１８の内周縁までの距離Ｔが０．０５〜５ｍｍの範囲に設定されたところにある。
この請求項１に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、先ずチャック１２上にウェーハ１１を載せて保持した状態で、ウェーハ１１をその面内で回転させるとともに、ガス噴射機構１７によりチャック１２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓにウェーハ１１の半径方向外側に向って流れる高速ガス流を作る。この状態でウェーハ１１の上面にエッチング液１４を供給すると、ウェーハ１１をその面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１４はその供給箇所からウェーハ１１のエッジ部１１ａ側へとウェーハ１１上面をエッチングしながら徐々に移動し、ウェーハ１１のエッジ部１１ａをエッチングする。そしてウェーハ１１上のエッチング液１４は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力によりウェーハ１１外方へ飛散する。一方、ウェーハ１１のエッジ部１１ａからウェーハ１１の下面に回り込もうとする一部のエッチング液１４はチャック１２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓをウェーハ１１の半径方向外側に流れる高速ガス流により、ウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばされて、ウェーハ１１外方へ飛散する。このとき高速ガス流により吹き飛ばされたエッチング液１４がガイド片１８により斜め上方にその向きが変えられるため、飛散したエッチング液１４が再びウェーハ１１上面に付着することはない。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更にガイド片がウェーハチャックと一体的に設けられたことを特徴とする。
この請求項２に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ガイド片をウェーハチャックと一体的に設けたので、部品点数を低減することができる。
請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更に図１に示すように、ガイド片１８がウェーハチャック１２に取り外し可能に取付けられたことを特徴とする。
この請求項３に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ガイド片１８をウェーハチャック１２に取外し可能に取付けたので、ウェーハ１１のエッジ部１１ａの形状が変更されたときに、このエッジ部１１ａの形状に最適な形状のガイド片１８に変更することができる。これによりエッチング液１４がガイド片１８により斜め上方の最適な方向にその向きが変えられるので、飛散したエッチング液１４が再びウェーハ１１上面に付着することはない。
【発明の効果】
【０００７】
以上述べたように、本発明によれば、チャック上のウェーハのエッジ部を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構をチャックに設け、内周面が上方に向うに従ってチャックの半径方向外側に傾斜する傾斜面又は上方に向う垂直面であるリング状のガイド片をチャックの外周縁上部に突設し、ガイド片の内周面の傾斜角及び高さを所定の範囲にそれぞれ形成し、更にチャック上のウェーハの下面外周縁とエッジ部下縁の交線からガイド片の内周縁までの距離を所定の範囲に設定したので、ウェーハ上のエッチング液の大部分がウェーハの回転に伴う遠心力によりウェーハ外方へ飛散し、ウェーハのエッジ部からウェーハの下面に回り込もうとする一部のエッチング液がガス噴射機構にて発生された高速ガス流により、ウェーハの半径方向外側に吹き飛ばされる。このときエッチング液がガイド片により斜め上方にその向きが変えられるので、エッチング液がウェーハ下面に回り込むのを防止できるとともに、飛散したエッチング液が再びウェーハ上面に付着することはない。この結果、ウェーハ上面を均一にエッチングすることができるとともに、エッチング液がウェーハのエッジ部に留まる時間を短縮でき、エッジ部の局所的な形状崩れを抑制できる。
またガイド片をウェーハチャックと一体的に設ければ、部品点数を低減することができるので、部品管理を容易に行えるとともに、組立作業性を向上できる。
更にガイド片をウェーハチャックに取外し可能に取付ければ、ウェーハのエッジ部の形状が変更されたときに、このエッジ部の形状に最適な形状のガイド片に変更することができる。この結果、チャックを交換せずにガイド片のみを交換するだけで済むので、ウェーハの変更に伴うエッチング装置の組替え作業を比較的容易に行うことができるとともに、エッチング液がガイド片により斜め上方の最適な方向にその向きが変えられるので、飛散したエッチング液が再びウェーハ上面に付着することはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１に示すように、シリコンウェーハの枚葉式エッチング装置１０は、チャンバに収容され単一の薄円板状のシリコンウェーハ１１を載せて水平に保持するウェーハチャック１２と、ウェーハ１１をその鉛直中心線を中心に水平面内で回転させる回転手段１３と、チャック１２により保持されたウェーハ１１の上面にエッチング液１４を供給するエッチング液供給手段１６と、チャック１２に載せられたウェーハ１１のエッジ部１１ａを伝わって流下するエッチング液１４をガスの噴射によりウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構１７と、チャック１２の外周縁上面に突設され内周面１８ａが上方に向うに従ってチャック１２の半径方向外側に傾斜する傾斜面又は上方に延びる垂直面であるリング状のガイド片１８とを備える。ウェーハ１１はシリコン単結晶インゴットをスライスして得られ、このウェーハ１１の外周縁、即ちエッジ部１１ａは所定の曲率半径を有する凸状の面取り加工が施される。
【０００９】
またチャック１２は、直径がウェーハ１１の直径より大きく形成された円板状のベース部材１９と、このベース部材１９の中央に鉛直方向に延びて形成された通孔１９ａに軸部２１ａが挿通された保持軸２１とを有する。保持軸２１は、上記軸部２１ａと、軸部２１ａの上面にこの軸部２１ａと一体的に形成された大径のウェーハ受け部２１ｂと、保持軸２１の中心にこの保持軸２１の下面から上部まで鉛直方向に延びて形成された透穴２１ｃと、一端が透穴２１ｃの上端に連通接続され透穴２１ｃを中心としてウェーハ受け部２１ｂの半径方向外側に放射状に延び他端が閉止された複数の連通穴２１ｄと、ウェーハ受け部２１ｂの上面に同心状に形成された複数のリング溝２１ｅと、連通穴２１ｄとリング溝２１ｅとを連通接続する複数の小孔２１ｆとからなる。上記透穴２１ｃの下端は真空ポンプ（図示せず）に連通接続される（図１及び図２）。ウェーハ受け部２１ｂの外径は軸部２１ａの外径より大きくウェーハ１１の外径より小さく形成され、ウェーハ受け部２１ｂの上面にはこのウェーハ受け部２１ｂと同心状にウェーハ１１が載るように構成される（図１）。ガス噴射機構１７の真空ポンプが駆動されて透穴２１ｃ内が負圧になると、連通穴２１ｄ、小孔２１ｆ及びリング溝２１ｅ内が負圧になり、ウェーハ１１下面が保持軸２１のウェーハ受け部２１ｂに吸着されて、ウェーハ１１が保持軸２１により水平に保持されるようになっている。また回転手段１３は、上記保持軸２１と、この保持軸２１を回転させる駆動モータ（図示せず）とを有する。駆動モータにより保持軸２１を回転させることにより、保持軸２１にて保持されたウェーハ１１がベース部材１９及び保持軸２１とともに回転するように構成される。更にエッチング液供給手段１６は、ウェーハ１１の上方に設けられ先端にウェーハ１１上面を臨む吐出口１６ａが形成されたノズル１６ｂと、このノズル１６ｂの基端に接続されエッチング液１４をノズル１６ｂを通って吐出口１６ａに供給する供給ポンプ（図示せず）と、ノズル１６ｂを水平方向に移動させるノズル移動手段（図示せず）とを有する。
【００１０】
一方、ガス噴射機構１７は、チャック１２の上面にこのチャック１２の円周方向に沿って設けられたリング状の噴射口１７ａと、チャック１２に設けられ上端が噴射口１７ａに連通するリング状の噴射溝１７ｂと、噴射溝１７ｂに連通するガス供給手段（図示せず）とを有する（図１及び図２）。上記噴射口１７ａはウェーハ１１のエッジ部１１ａ近傍の下面を臨むように形成される。また噴射溝１７ｂは下方に向うに従って直径が小さくなるように形成されるとともに、上方に向かうに従って次第に狭くなるように形成され、噴射口１７ａが最も狭くなるように形成される（図１）。噴射溝１７ｂの下部はウェーハ受け部２１ｂから軸部２１ａにわたって形成された４つのガス供給孔１７ｃの一端に連通され（図１〜図３）、これらのガス供給孔１７ｃの他端はガス供給手段に接続される。ガス供給手段は、窒素ガス又は空気等のガスを圧縮するコンプレッサ等により構成され、このガス供給手段により圧縮されたガスはガス供給孔１７ｃ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａに供給される。
【００１１】
上記噴射溝１７ｂは、ベース部材１９の上面にベース部材１９と同心状にウェーハ受け部２１ｂとテーパ部材２２とを取付けることにより設けられる（図１）。テーパ部材２２はベース部材１９及び保持軸２１とともにチャック１２の構成部品である。ウェーハ受け部２１ｂの外周面は下方に向うに従って直径が小さくなるコーン状に形成され、テーパ部材２２の内周面は下方に向うに従って直径が小さくなるテーパ状に形成される。テーパ部材２２をベース部材１９に取付けた後に保持軸２１の軸部２１ａを通孔１９ａに挿通することにより、ウェーハ受け部２１ｂの外周面とテーパ部材２２の内周面との間にリング状の隙間が形成され、このリング状の隙間が噴射溝１７ｂとなる。なお、保持軸２１のウェーハ受け部２１ｂ上にウェーハ１１を載せて保持したときに、テーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓの幅は０．１〜２ｍｍ、好ましくは０．２〜１ｍｍに設定される。また噴射口１７ａの水平面内での幅は０．１〜２ｍｍ、好ましくは０．２〜１ｍｍに設定される。ここで、テーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓの幅を０．１〜２ｍｍの範囲に限定したのは、０．１ｍｍ未満ではウェーハ１１の回転時に軸ぶれなどによりチャック１２の構成部品であるテーパ部材に接触するおそれがあり、２ｍｍを越えるとガス噴射機構１７の効果が薄れてしまうからである。また噴射口１７ａの水平面内での幅を０．１〜２ｍｍの範囲に限定したのは、０．１ｍｍ未満ではガスの噴出しが容易でなく、２ｍｍを越えるとガスの噴射供給流速が十分でないからである。
【００１２】
一方、ガイド片１８はテーパ部材２２の外周縁上面にビス等の締結具により取付けられる。ガイド片１８の内周面１８ａの水平面に対する傾斜角θは１０〜９０度、好ましくは３０〜６０度の範囲に形成され、ガイド片の高さＨは０．１〜２ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍの範囲に形成され、更にチャック１２に載せられたウェーハ１１の下面外周縁とエッジ部１１ａ下縁とのリング状の交線Ｐからガイド片１８の内周縁までの距離Ｔは０．０５〜５ｍｍ、好ましくは０．２〜２ｍｍの範囲に設定される。ガイド片１８の内周面１８ａの水平面に対する傾斜角θが９０度である場合には、ガイド片１８の内周面１８ａは傾斜面ではなく、上方に向う垂直面となる。ガイド片１８の内周面１８ａが垂直面となった場合、エッチング液１４がこの垂直面に当たった後にウェーハ１１のエッジ部１１ａに向って飛散する場合があるけれども、エッチング中はウェーハ１１の回転による遠心力に起因して、十分な量のエッチング液１４がウェーハ１１の中心から外周に向って流れ出るため、エッジ部１１ａに向って飛散したエッチング液１４がエッジ部１１ａに影響を及ぼすことはない。ここで、ガイド片１８の内周面１８ａの水平面に対する傾斜角θを１０〜９０度の範囲に限定したのは、１０度未満ではガス噴射機構１７によるガスの噴射方向を制御する効果が弱く、エッチング液１４のウェーハ１１下面への回り込みを十分に抑制できず、９０度を越えるとガス噴射機構１７によるガスの噴射がウェーハ１１下面側に逆流したり或いはガスがウェーハ１１のエッジ部１１ａに向って飛散してしまい、ウェーハ１１上面及びエッジ部１１ａのエッチングに影響を及ぼすからである。またガイド片１８の高さＨを０．１〜２ｍｍの範囲に限定したのは、０．１ｍｍ未満ではガス噴射機構１７によるガスの噴射方向を制御する効果が弱く、エッチング液１４のウェーハ１１下面への回り込みを十分に制御できず、２ｍｍを越えるとウェーハ１１の回転による遠心力で外方に飛散したエッチング液１４がガイド片１８の内周面１８ａに当たった後にウェーハ１１のエッジ部１１ａに向って飛散してしまい、ウェーハ１１上面及びエッジ部１１ａのエッチングに影響を及ぼすからである。更にウェーハ１１の下面外周縁とエッジ部１１ａ下縁とのリング状の交線Ｐからガイド片１８の内周縁までの距離Ｔを０．０５〜５ｍｍの範囲に限定したのは、０．０５ｍｍ未満ではガイド片１８がウェーハ１１と接触するおそれがあり、ウェーハ１１をチャック１２上の所定の位置に設置することが困難となり、５ｍｍを越えるとガス噴射機構１７によるガスの噴射方向を制御する効果が弱く、エッチング液１４のウェーハ１１下面への回り込みを十分に抑制できないからである。
【００１３】
一方、チャック１２及びウェーハ１１の外周面から所定の間隔をあけた外側には液吸引機構２３が設けられる。この液吸引機構２３は、ウェーハ１１の回転に伴う遠心力により飛散したエッチング液１４及びガス噴射機構１７により吹き飛ばされたエッチング液１４を受ける液受け具２３ａと、液受け具２３ａに連通された吸引手段（図示せず）とを有する（図１及び図２）。液受け具２３ａはチャック１２及びウェーハ１１の外周面に向って開口し、かつこの開口面が平面視で中心角約９０度の円弧状に形成され、この液受け具２３ａをチャック１２及びウェーハ１１の外周面の外側に４つ配置することにより、チャック１２及びウェーハ１１のほぼ全周を囲むように構成される（図１及び図２）。これらの液受け具２３ａには吸引パイプ２３ｂの基端がそれぞれ連通接続される。また吸引手段は真空ポンプ等により構成され、４本の吸引パイプ２３ｂを通して４つの液受け具２３ａにそれぞれ連通接続される。この吸引手段により液受け具２３ａ内のエッチング液１４がガスとともに吸引パイプ２３ｂを通って吸引される。更に液受け具２３ａは、この液受け具２３ａの内面でエッチング液１４が跳ね返ってもこのエッチング液１４がウェーハ１１上面に達しない角度を有する内面形状に形成される。なお、この実施の形態では、液受け具をチャック及びウェーハの外周面の外側に４つ配置したが、チャック及びウェーハのほぼ全周を囲むことができれば１つ、２つ、３つ又は５つ以上配置してもよく、各液受け具に複数本の吸引パイプをそれぞれ連通接続してもよい。
【００１４】
このように構成されたウェーハの枚葉式エッチング装置１０の動作を説明する。
先ず保持軸２１のウェーハ受け部２１ｂ上にウェーハ１１を載せた状態で、保持軸２１の透穴２１ａの下端に連通接続された真空ポンプを作動させて透穴２１ｃを負圧にし、この負圧によりウェーハ１１を保持する。この状態で回転手段１３の駆動モータを作動させて、ベース部材１９、保持軸２１及びテーパ部材２２とともにウェーハ１１を水平面内で回転させる。この際、保持軸２１のみを回転させ、ベース部材１９及びテーパ部材２２を回転させずに固定してもよい。次いでガス噴射機構１７のガス供給手段を作動させて窒素ガス又は空気からなる圧縮ガスをガス供給孔１７ｃ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａから噴射させることにより、テーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓ、即ちテーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓに、ウェーハ１１の半径方向外側に向って流れるガス流が作られる。ここで、上記噴射口１７ａは噴射溝１７ｂより狭いため、上記ガス流は高速になる。また液吸引機構２３の吸引手段を作動させることにより吸引パイプ２３ｂ及び液受け具２３ａ内が負圧に保たれる。次にエッチング液供給手段１６の供給ポンプ及びノズル移動手段を作動させることにより、ノズル１６ｂを水平方向に移動させながら、吐出口１６ａからエッチング液１４をウェーハ１１の上面に供給する。
【００１５】
ウェーハ１１の上面に供給されたエッチング液１４は、ウェーハ１１の水平面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１４の供給した箇所（例えばウェーハ１１上面中心近傍）からウェーハ１１のエッジ部１１ａに向ってウェーハ１１上面の加工変質層をエッチングしながら徐々に移動した後に、ウェーハ１１のエッジ部１１ａに達したときにこのエッジ部１１ａをエッチングする。そしてウェーハ１１上のエッチング液１４の大部分は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力により液滴となってウェーハ１１外方へ飛散した後に液受け具２３ａに入り、その負圧により吸引パイプ２３ｂを通ってチャンバ外に排出される。
【００１６】
一方、ウェーハ１１のエッジ部１１ａからウェーハ１１の下面に回り込もうとする一部のエッチング液１４はテーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間Ｓをウェーハ１１の半径方向外側に流れる高速ガス流により、ウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばされて、ウェーハ１１外方へ飛散する。この飛散したエッチング液１４はガイド片１８により斜め上方にその向きが変えられるため、負圧に保たれた液受け具２３ａにスムーズに入り、その負圧により吸引パイプ２３ｂを通ってチャンバ外に排出される。この結果、エッチング液１４がウェーハ１１下面に回り込むのを防止できる。また飛散したエッチング液１４が再びウェーハ１１上面に付着することがないので、ウェーハ１１上面を均一にエッチングすることができる。更にエッチング液１４がウェーハ１１のエッジ部１１ａに留まる時間が短いので、このエッジ部１１ａの局所的な形状崩れを抑制できる。
一方、ガイド片１８をウェーハチャック１２に取外し可能に取付けたので、チャック上にエッジ部１１ａの形状が異なるウェーハ１１を載せる場合、このエッジ部１１ａの形状に最適な形状のガイド片１８に取換えるだけで済む。この結果、エッチング液１４がガイド片１８により斜め上方の最適な方向にその向きが変えられるので、飛散したエッチング液１４が再びウェーハ１１上面に付着することはない。
なお、上記実施の形態では、ガイド片をチャックに取り外し可能に取付けたが、ガイド片をチャックと一体的に設けてもよい。この場合、部品点数を低減することができるので、部品管理を容易に行えるとともに、組立作業性を向上できるという利点がある。
また、上記実施の形態では、ガイド片をテーパ部材の外周縁上面にビス等の締結具により取付けたが、ガイド片をテーパ部材の外周縁側面にビス等の締結具により取付けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明実施形態のウェーハの枚葉式エッチング装置の要部縦断面構成図である。
【図２】ウェーハを載せる前のエッチング装置を示す図１のＡ矢視図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０  枚葉式エッチング装置
１１  シリコンウェーハ
１１ａ  エッジ部
１２  ウェーハチャック
１４  エッチング液
１７  ガス噴射機構
１８  ガイド片
１８ａ  ガイド片の内周面
Ｐ  ウェーハの下面外周縁とエッジ部下縁とのリング状の交線
θ  ガイド片の内周面の傾斜角
Ｈ  ガイド片の高さ
Ｔ  リング状の交線からガイド片の内周縁までの距離
【図１】
2007207811.tif 000003
【図２】
2007207811.tif 000004
【図３】
2007207811.tif 000005