(57)【要約】【課題】低ノイズで高感度のマイクロフォンを構成するダイアフラム、並びにマイクロマシン装置、及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したダイアフラム、並びにマイクロマシン装置、及びマイクロマシン装置の製造方法において、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設ける。特に、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の梁と前記第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したマイクロマシン装置において、
前記第１の梁と前記可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、前記第２の梁と前記可動部との間に第２の緩衝部を設けたことを特徴とするマイクロマシン装置。
【請求項２】
前記第１の緩衝部は、前記第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、前記第２の緩衝部は、前記第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン装置。
【請求項３】
第１の梁と前記第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したダイアフラムにおいて、
前記第１の梁と前記可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、前記第２の梁と前記可動部との間に第２の緩衝部を設けたことを特徴とするダイアフラム。
【請求項４】
前記第１の緩衝部は、前記第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、前記第２の緩衝部は、前記第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことを特徴とする請求項３記載のダイアフラム。
【請求項５】
基板上に可動部と、この可動部を両持ち状に支持する第１の梁と第２の梁とを設けて成るマイクロマシン装置の製造方法において、
前記可動部が形成される可動部形成領域に犠牲膜を配設する工程と、
前記基板上に形成した膜で前記犠牲膜の上面及び周面を被覆する工程と、
前記膜をパターンニングすることにより、前記膜で前記可動部と前記第１の梁と前記第２の梁とを形成するとともに、前記犠牲膜の周面を被覆した前記膜で前記可動部と前記第１の梁とを連結した第１の緩衝部と、前記可動部と前記第２の梁とを連結した第２の緩衝部を形成する工程と
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項６】
前記犠牲膜の周面は、厚み方向に沿って凹状に湾曲させていることを特徴とする請求項５記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項７】
前記犠牲膜を配設する工程では、前記基板上に形成した犠牲膜を所定形状に異方性エッチングした後に、等方性エッチングしていることを特徴とする請求項６記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項８】
前記犠牲膜には、エッチングされる前に硬化処理を行って上側部分に硬化層を形成していることを特徴とする請求項７記載のマイクロマシン装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板などの基板上に形成したダイアフラム、並びにマイクロマシン装置、及びマイクロマシン装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今、半導体装置の製造技術を利用して、半導体基板に機械的な構造を形成した超小型電気機械的システム（ＭＥＭＳ）から成る各種のマイクロマシン装置が提案されている。このような、マイクロマシン装置の一つとして、コンデンサ・マイクロフォンが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
コンデンサ・マイクロフォンとして知られているマイクロマシン装置では、コンデンサの一方の電極をダイアフラムで構成して振動可能としており、このダイアフラムが空気振動によって振動することにより、ダイアフラムからなる電極に対向させて配置したもう一方の電極との間における電気容量が変動し、この電気容量の変動を電気信号として取り出している。
【０００４】
すなわち、図１３に示すように、ダイアフラムは、平板状の可動部100に棒状の梁110を接続して、この梁110によって可動部100を宙に浮かせて配置して構成し、さらに、この可動部100から所定の間隔だけ離隔させての可動部100に対向させて平板状の固定電極120を配置している。
【０００５】
可動部100と固定電極120とは空気を介して絶縁しており、特に、固定電極120には複数の貫通孔130を設け、この貫通孔130を通過して可動部100に達した空気振動によって可動部100が振動するようにしている。
【０００６】
可動部100は、２つの梁110によって、図１３に示すように両持ち状に構成してもよいし、１つの梁110で片持ち状に構成してもよい。
【特許文献１】特開２００５−５０８５７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、可動部を１つの梁で片持ち状に支持した場合には、可動部は、梁の近傍では梁による規制が大きいことにより変位量が少ない一方で、梁から離れるにつれて変位量が大きくなり、この変位量のバラツキに起因してマイクロフォンの場合には音声ノイズが生じるおそれがあった。
【０００８】
一方、可動部を２つの梁で両持ち状に支持した場合には、可動部の両端が梁で支持されることにより変位量のバラツキを抑制することはできるが、可動部の剛性が高まることにより絶対的な変位量が小さくなるので、マイクロフォンの場合には感度が低下するおそれがあった。
【０００９】
図１４（ａ）は、片持ち支持されたダイアフラムと両持ち支持されたダイアフラムとのノイズの発生状態の概念的な比較図、図１４（ｂ）は、片持ち支持されたダイアフラムと両持ち支持されたダイアフラムとの感度の概念的な比較図であり、ノイズと感度において、ダイアフラムの支持構造がトレードオフの関係となっていた。
【００１０】
本発明者は、このような現状に鑑み、マイクロマシン装置における低ノイズで高感度のマイクロフォンを形成可能とすべくダイアフラムの支持構造の研究開発を行って、本発明を成すに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のマイクロマシン装置では、第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したマイクロマシン装置において、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設けた。さらに、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことにも特徴を有するものである。
【００１２】
本発明のダイアフラムでは、第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したダイアフラムにおいて、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設けた。さらに、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことにも特徴を有するものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、基板上に可動部と、この可動部を両持ち状に支持する第１の梁と第２の梁とを設けて成るダイアフラムを備えたマイクロマシン装置の製造方法において、可動部が形成される可動部形成領域に犠牲膜を配設する工程と、基板上に形成した膜で犠牲膜の上面及び周面を被覆する工程と、この膜をパターンニングすることにより、膜で可動部と第１の梁と第２の梁とを形成するとともに、犠牲膜の周面を被覆した膜で可動部と第１の梁とを連結した第１の緩衝部と、可動部と第２の梁とを連結した第２の緩衝部を形成する工程とを備えた。
【００１４】
さらに、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、
（１）犠牲膜の周面を厚み方向に沿って凹状に湾曲させていること。
（２）犠牲膜を配設する工程では、基板上に形成した犠牲膜を所定形状に異方性エッチングした後に、等方性エッチングしていること。
（３）犠牲膜にはエッチングされる前に硬化処理を行って上側部分に硬化層を形成していること。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の発明によれば、第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したマイクロマシン装置において、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設けたことによって、振動する可動部の可動部内での変位量のバラツキを抑制しながら振動させることができるとともに、可動部の変位量を大きくすることができる。
【００１６】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載のマイクロマシン装置において、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことによって、可動部をほぼ平行移動させながら振動させることができるので、可動部内での変位量のバラツキをさらに抑制できる。
【００１７】
請求項３記載の発明によれば、第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したダイアフラムにおいて、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設けたことによって、振動する可動部の可動部内での変位量のバラツキを抑制しながら振動させることができるとともに、可動部の変位量を大きくすることができる。
【００１８】
請求項４記載の発明によれば、請求項３記載のダイアフラムにおいて、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成したことによって、可動部をほぼ平行移動させながら振動させることができるので、可動部内での変位量のバラツキをさらに抑制できる。
【００１９】
請求項５記載の発明によれば、基板上に可動部と、この可動部を両持ち状に支持する第１の梁と第２の梁とを設けて成るダイアフラムを備えたマイクロマシン装置の製造方法において、可動部が形成される可動部形成領域に犠牲膜を配設する工程と、基板上に形成した膜で犠牲膜の上面及び周面を被覆する工程と、この膜をパターンニングすることにより、膜で可動部と第１の梁と第２の梁とを形成するとともに、犠牲膜の周面を被覆した膜で可動部と第１の梁とを連結した第１の緩衝部と、可動部と第２の梁とを連結した第２の緩衝部を形成する工程とを備えたことによって、可動部内での変位量のバラツキを抑制しながら振動させ、しかも、可動部の変位量を大きくしたダイアフラムを備えたマイクロマシン装置を製造可能とすることができる。
【００２０】
請求項６記載の発明によれば、請求項５記載のマイクロマシン装置の製造方法において、犠牲膜の周面を、厚み方向に沿って凹状に湾曲させて形成していることによって、第１の連結部と第２の連結部とを折り返し状に突出させて可動部に接続することができるので、可動部をほぼ平行移動させながら振動させることができるので、可動部内での変位量のバラツキがさらに抑制されたマイクロマシン装置を製造可能とすることができる。
【００２１】
請求項７記載の発明によれば、請求項６記載のマイクロマシン装置の製造方法において、犠牲膜を配設する工程では、基板上に形成した犠牲膜を所定形状に異方性エッチングした後に、等方性エッチングしていることによって、犠牲膜の周面を極めて容易に凹状とすることができる。
【００２２】
請求項８記載の発明によれば、請求項７記載のマイクロマシン装置の製造方法において、犠牲膜にはエッチングされる前に硬化処理を行って上側部分に硬化層を形成していることによって、可動部を平行移動させやすい形状の第１の連結部と第２の連結部とを形成可能な凹状とした犠牲膜の周面を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明のダイアフラム、及びこのダイアフラムを備えたマイクロマシン装置、並びにマイクロマシン装置の製造方法では、第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持したダイアフラムにおいて、第１の梁と可動部との間に第１の緩衝部を設けるとともに、第２の梁と可動部との間に第２の緩衝部を設けているものである。
【００２４】
このように第１の梁と第２の梁とで可動部を両持ち状に支持することにより、振動する可動部に撓みが生じることを抑制するとともに、第１の連結部部分及び第２の連結部部分が緩衝部となって変形することにより可動部の変位量を大きくすることができるので、感度の向上を図ることができる。
【００２５】
しかも、第１の緩衝部は、第１の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成するとともに、第２の緩衝部は、第２の梁の先端部をそれぞれ折り返し状に突出させて形成することによって板バネ形状とすることができ、第１の連結部部分及び第２の連結部部分での緩衝性能を向上させることができるので、可動部をほぼ平行移動させながら振動させて、可動部内での変位量のバラツキをさらに抑制できる。
【００２６】
以下において、図面を用いながら本発明の実施形態をさらに詳説する。図１は、本実施形態のダイアフラムを備えたコンデンサ・マイクロフォンからなるマイクロマシン装置の要部概略斜視図である。
【００２７】
本実施形態のダイアフラムでは、略円形の平板状とした可動部10の両側にそれぞれ棒状の第１梁11と第２梁12とを連結して、この第１梁11と第２梁12とで可動部10を両持ち状に支持している。
【００２８】
この可動部10は導通性を有しており、コンデンサ・マイクロフォンにおけるコンデンサの一方の電極としている。コンデンサ・マイクロフォンにおけるコンデンサの他方の電極は、可動部10から所要の間隔だけ離隔させて可動部10と対向状態に配置した平板状の固定電極20で構成している。
【００２９】
可動部10は、第１梁11及び第２梁12によって宙に浮かした状態とし、可動部10と固定電極20との間には絶縁材料として空気を存在させている。
【００３０】
さらに、固定電極20には複数の貫通孔21を設けており、この貫通孔21を介して固定電極20の前面から伝播してきた空気振動を可動部10に到達させ、空気振動によって可動部10を振動させている。この可動部10の振動にともなって可動部10と固定電極20との間の間隔が変動することにより、可動部10と固定電極20とで構成されたコンデンサの静電容量が変動し、この静電容量の変動を電気信号として出力することによりコンデンサ・マイクロフォンとして機能させている。
【００３１】
第１梁11及び第２梁12の先端部には、第１梁11及び第２梁12の長手方向とは非平行となる方向に突出させた棒状の第１連結アーム13及び第２連結アーム14を設け、この第１連結アーム13及び第２連結アーム14をそれぞれ第１の緩衝部及び第２の緩衝部として、第１連結アーム13及び第２連結アーム14を介して第１梁11及び第２梁12をそれぞれ可動部10に連結している。
【００３２】
このように可動部10を第１梁11と第２梁12とで両持ち状に支持することによって、可動部10における変位量のバラツキを抑制できるとともに、可動部10と第１梁11の間、及び可動部10と第２梁12の間にそれぞれ第１連結部及び第２連結部を設けることによって、可動部10の変位量を大きくすることができる。
【００３３】
特に、本実施形態では、第１連結アーム13及び第２連結アーム14は、図２に示すように、第１梁11及び第２梁12の先端部において第１梁11及び第２梁12に対して折り返し状に突出させて、側面視Ｚ字状に可動部10と第１梁11、及び可動部10と第２梁12とを連結している。
【００３４】
このように第１連結アーム13及び第２連結アーム14を、第１梁11及び第２梁12に対して折り返し状に突出させることにより、第１連結アーム13及び第２連結アーム14がそれぞれ板バネ的な機能を果たして第１の緩衝部及び第２の緩衝部の弾性変形性を向上させることができるので、可動部10に撓みを生じさせにくくして可動部10をほぼ平行移動させながら振動させることができ、可動部10における変位量のバラツキをさらに抑制できる。
【００３５】
しかも、第１連結アーム13及び第２連結アーム14を、第１梁11及び第２梁12に対して弓形状に湾曲させながら突出させることにより、第１連結部及び第２連結部の弾性変形性をさらに向上させることができ、可動部10より大きい変位量で振動させることができる。
【００３６】
図３（ａ）は、図１に示したように折り返し状に突出させ第１連結アーム13及び第２連結アーム14を備えた第１梁11及び第２梁12で両持ち状に支持された可動部10から成るダイアフラムと、従来の片持ち支持されたダイアフラム、及び両持ち支持されたダイアフラムとのノイズの発生状態の概念的な比較図であり、図３（ｂ）は、感度の概念的な比較図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、横軸は、各可動部に連結した梁の連結部を基端とした距離とし、図３（ａ）の縦軸はノイズレベル、図３（ｂ）の縦軸は感度レベルとしている。
【００３７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態のダイアフラムは、従来の片持ち支持されたダイアフラムよりも変位量のバラツキが低減されて低ノイズ化されているとともに、両持ち支持されたダイアフラムよりも高感度化されている。
【００３８】
以下においてマイクロマシン装置におけるダイアフラム部分の製造工程を説明する。本実施形態のダイアフラムが形成される半導体基板には、既に所要の電気回路が形成されているものとし、ダイアフラムの形成工程のみを詳説する。
【００３９】
まず、図４に示すように、ダイアフラムが形成される半導体基板30における可動部10の形成領域には、パイロジェニック法などによって所定厚みの熱酸化膜31を形成しており、この熱酸化膜31の上面には、常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはプラズマＣＶＤ法などによって高濃度にリンを含有したＰＳＧ（Phos Doped Silicate Glass）膜からなる第１犠牲膜32を形成している。
【００４０】
この第１犠牲膜32の形成後、第１犠牲膜32には１０００℃以上でのアニール処理による硬化処理を行って、図４に示すように、第１犠牲膜32の上側部分に硬化層32aを形成している。
【００４１】
次いで、第１犠牲膜32の上面にはレジスト膜を形成してこのレジスト膜をパターンニングすることにより、可動部10の形成領域上には矩形状に第１レジストマスク33を形成し、この第１レジストマスク33を用いて、図５に示すように第１犠牲膜32をエッチングしている。
【００４２】
このとき、図５（ａ）に示すように、第１レジストマスク33は、１辺の長さをＬとした場合に、他方の辺の長さを１．２×Ｌ以上とした平面視矩形状としている。
【００４３】
また、第１犠牲膜32のエッチングは異方性エッチングであるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で行っており、しかも、本実施形態では、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、異方性エッチングでは第１犠牲膜32を全てエッチングによって除去するのではなく、所要の厚みの第１犠牲膜32を残膜として残した状態で終了させている。図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＹ１−Ｙ１断面図である。残膜の厚み寸法は、本実施形態では第１犠牲膜32の膜厚の１０％程度としている。
【００４４】
次いで、第１犠牲膜32の残膜を等方性エッチングによって除去している。本実施形態では、フッ酸系のエッチング液によるエッチングによって行っている。
【００４５】
第１犠牲膜32に対して等方性エッチングを行うことによって、図６（ａ）に示すように平面視矩形状となっている第１犠牲膜32の周面には、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、凹状に湾曲した湾曲面34を形成することができる。図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ２−Ｘ２断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＹ２−Ｙ２断面図である。
【００４６】
特に、第１犠牲膜32には、上面側に硬化層32aを形成していることによって、この硬化層32a部分では等方性エッチングにおけるエッチングレートが低下しているので、第１犠牲膜32の周面には、硬化層32a部分に上方に向けて拡開した平面状のテーパー面34aを形成することができる。
【００４７】
前述した第１犠牲膜32の残膜の厚みは、第１犠牲膜32の周面に形成する湾曲面34の形状に合わせて、適宜の厚みとすることができ、場合によっては、等方性エッチングにおいて残膜を設けないように第１犠牲膜32をエッチングし、その後等方性エッチングを行って、第１犠牲膜32の周面に湾曲面34を形成してもよい。
【００４８】
湾曲面34の形成後、アッシング及び薬液処理によって第１レジストマスク33を剥離処理し、次いで、ＬＰＣＶＤ（Low Pressure CVD）法によって、図７に示すように第１犠牲膜32上に第１ポリシリコン膜35を形成している。図７は、図６（ｂ）と同じ断面での状態を示している。ＬＰＣＶＤ法で第１ポリシリコン膜35を形成することによって、第１犠牲膜32の周面に形成された湾曲面34にも第１ポリシリコン膜35を形成することができる。
【００４９】
第１ポリシリコン膜35の形成後、この第１ポリシリコン膜35上にはレジスト膜を形成してこのレジスト膜をパターンニングすることにより、図８（ａ）に示すように、可動部10となる部分に平面視円形状の一次ダイアフラム部36aと、可動部10に連結した第１梁11及び第２梁12を形成するための一次第１梁部36b及び一次第２梁部36cを備えた第２レジストマスク36を形成し、この第２レジストマスク36を用いて第１ポリシリコン膜35をプラズマエッチングによって等方的にエッチングしている。図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ３−Ｘ３断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＹ３−Ｙ３断面図である。
【００５０】
ここで、第２レジストマスク36の一次ダイアフラム部36aは、本実施形態では、１．１×Ｌを直径とする円形状としている。
【００５１】
その後、アッシング及び薬液処理によって第２レジストマスク36を剥離処理している。プラズマエッチングによって等方的に第１ポリシリコン膜35をエッチングすることにより、図８（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜35の端縁には下側部分が突出した傾斜面35aが形成される。
【００５２】
次いで、この傾斜面35aを除去するために、可動部10の形成領域上にレジスト膜を形成してこのレジスト膜をパターンニングすることにより、図９（ａ）に示すように、可動部10となる部分に平面視円形状の二次ダイアフラム部37aと、可動部10に連結した第１梁11及び第２梁12を形成するための二次第１梁部37b及び二次第２梁部37cを備えた第２レジストマスク37を形成し、この第２レジストマスク37を用いて第１ポリシリコン膜35をＲＩＥ法でエッチングしている。図９（ｂ）は図９（ａ）のＸ４−Ｘ４断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＹ４−Ｙ４断面図である。
【００５３】
ここで、第３レジストマスク37の二次ダイアフラム部37aは、本実施形態では、直径Ｌの円形状とし、二次第１梁部37b及び二次第２梁部37cはそれぞれ一次第１梁部36b及び一次第２梁部36cよりも細幅としている。
【００５４】
その後、アッシング及び薬液処理によって第３レジストマスク37を剥離処理し、露出した第１ポリシリコン膜35からなる可動部10の上面に常圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法などによって高濃度にリンを含有したＰＳＧ膜からなる第２犠牲膜38を形成している。
【００５５】
第２犠牲膜38の形成後、この第２犠牲膜38の上面にはＬＰＣＶＤ法によって、図１０に示すように第２ポリシリコン膜39を形成している。
【００５６】
この第２ポリシリコン膜39の形成後、第２ポリシリコン膜39の上面にはレジスト膜を形成してこのレジスト膜をパターンニングすることにより、図１１に示すように第４レジストマスク40を形成し、この第４レジストマスク40を用いて第２ポリシリコン膜39をＲＩＥ法でエッチングすることにより、所定位置に貫通孔21が形成された固定電極20を形成している。
【００５７】
固定電極20の形成後、第４レジストマスク40をアッシング及び薬液処理によって剥離処理し、フッ酸ベーパーまたはフッ酸によるエッチング処理によって、第２犠牲膜38、第１犠牲膜32及び熱酸化膜31を剥離除去して、図１２に示すように、ダイアフラムを形成している。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態にかかるダイアフラムを備えたマイクロマシン装置の要部概略斜視図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの動作説明図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの特性説明図であり、（ａ）はノイズ、（ｂ）は感度の特性を示したものである。
【図４】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図である。
【図５】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ１−Ｙ１断面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ２−Ｙ２断面図である。
【図７】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図である。
【図８】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ３−Ｘ３断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ３−Ｙ３断面図である。
【図９】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ４−Ｘ４断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ４−Ｙ４断面図である。
【図１０】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図である。
【図１１】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図である。
【図１２】本発明の実施形態にかかるダイアフラムの製造工程説明図である。
【図１３】従来のダイアフラムの概略斜視図である。
【図１４】従来のダイアフラムの特性説明図であり、（ａ）はノイズ、（ｂ）は感度の特性を示したものである。
【符号の説明】
【００５９】
10  可動部
11  第１梁
12  第２梁
13  第１連結アーム
14  第２連結アーム
20  固定電極
21  貫通孔
【図１】
2007090488.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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