(57)【要約】【課題】各種の情報に基づいて、レチクルに施すべき各種の処理に対するレチクルの優先順位を算出でき、これにより、レチクルを適切に管理できるレチクル管理方法、管理装置及び管理プログラムの提供を課題とする。【解決手段】半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、半導体に関する半導体情報、半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報の少なくとも一つに、パラメータを付与するパラメータ付与手段１４と、各種の情報の少なくとも一つに重み付けを実行する重み付け手段１５と、パラメータ及び重みに基づいて、レチクルに対して施すべき所定の処理に対するレチクルの優先順位を算出する優先順位算出手段１６とを備える。【選択図】図１
2007317780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報のうち、少なくとも一つにパラメータを付与するパラメータ付与手段と、
前記パラメータが付与される前記情報の少なくとも一つに重み付けを実行する重み付け手段と、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出する優先順位算出手段と、
を備えるレチクル管理装置。
【請求項２】
前記各情報を所定の期間から抽出する情報抽出手段を更に備え、
前記パラメータ付与手段は、前記所定の期間から抽出された前記情報に前記パラメータを付与する請求項１に記載のレチクル管理装置。
【請求項３】
基準となる前記重みを変化させて複数の前記重みを作成する重み変化手段と、
前記レチクル情報、前記半導体情報、前記工場情報のうち、前記レチクルを保持するに際してマイナス要因となる前記情報に基づいて、負荷を算出する負荷算出手段と、
前記複数の重みのうち、前記負荷が最小となる前記重みを算出する最小負荷重み算出手段と、を更に備え、
前記優先順位算出手段では、前記負荷が最小となる前記重みに基づいて、前記優先順位を算出する請求項１に記載のレチクル管理装置。
【請求項４】
前記工場情報には、前記半導体の生産計画を示す情報が含まれ、
前記重み付け手段は、前記半導体の生産計画に応じて前記重み付けを実行する請求項１に記載のレチクル管理装置。
【請求項５】
コンピュータが、
半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報のうち、少なくとも一つにパラメータを付与するステップと、
前記パラメータが付与される前記情報に重み付けを実行するステップと、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出するステップと、
を実行するレチクル管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル管理装置、管理方法及び管理プログラムに係り、更に詳細には、半導体の回路パターンを露光する際に使用されるレチクルの管理装置、管理方法及び管理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーに回路パターンを形成する際には、マスク又はレチクルが用いられる。なお、レチクルとは、マスクを数倍に拡大したものを言う。このマスク又はレチクルには、ウェハーに露光するための回路パターンが形成されている。以下の説明では、レチクルについて述べるが、マスクについても同様である。
【０００３】
一般に、半導体製品の回路パターンを露光する工程は複数種類あり、それぞれの工程において別のレチクルが用いられる。また、製造するべき半導体製品が異なる場合は、各半導体製品毎に異なるレチクルが用いられる。このように、レチクルは半導体製品毎、製造工程毎に異なるものが使用される。
【０００４】
一方、半導体製品に対する需用者の要求や納期などにより、同一のレチクルが複数回に分けて使用される場合がある。このような場合に、レチクルを全て保有しようとすると、露光装置内のレチクル収容部、及び半導体工場内に大きな保管スペースが必要となる。場合によっては、露光装置内のレチクル収容部や半導体工場内の保管スペースが不足することがある。
【０００５】
従来、このような場合には、関連部署にレチクルの使用予定又は廃棄予定が問い合わせられる。そして、使用予定が全くない、或いは相当の期間にわたって使用予定のないレチクルが抽出されて廃棄されていた。
【０００６】
一方、レチクルはその種類及び使用数が多いため、従来から各種の管理技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１の管理技術では、ＰＥＰ（Photo Engraving Process）工程の前工程であるマスクの洗浄処理に対して、マスクの優先度が設定
される。そして、この優先度に基づいて、マスクが洗浄される。
【特許文献１】特公平７−５８３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来は、各部署に問い合わせて得られたレチクルの使用予定など、ごく限られた情報に基づいてレチクルが廃棄されていた。
【０００８】
このため、場合によっては、廃棄されたレチクルと同一のレチクルが再作製されて使用されることがあった。この場合には、半導体製品のコストアップになるという問題があった。
【０００９】
また、レチクルが再作製される際には、短納期での納入を要求されることがある。この場合には、他のレチクルの納期に影響を及ぼすおそれがある。
【００１０】
また、従来の特許文献１に記載のマスク管理技術は、マスクの洗浄処理以外の処理に対しては、適用できないという問題があった。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、より多くの情報に基づいて、レチクルに対して行うべき各種の処理に対するレチクルの優先順位を算出でき、これにより、レチクルを適切に管理できるレチクル管理装置、管理方法及び管理プログラムの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
【００１３】
本発明のレチクル管理装置は、
半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報の少なくとも一つに、パラメータを付与するパラメータ付与手段と、
前記パラメータが付与される前記情報に重み付けを実行する重み付け手段と、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出する優先順位算出手段と、
を備える。
【００１４】
本発明では、レチクル情報、半導体情報、工場情報に含まれる少なくとも一つの情報にパラメータが付与される。また、パラメータが付与される情報に重みが付けられる。これらのパラメータと重みとに基づいて、レチクルに施すべき所定の処理に対する優先度が算出される。
【００１５】
この優先順に基づいて、レチクルに対して所定の処理が施される。これにより、より多くの情報に基づいて、レチクルを適切に管理できる。
【００１６】
また、各情報にパラメータを付与することにより、各情報を客観的に取り扱うことができる。パラメータとしては、数値を用いることができる。この場合は、パソコンでの処理が容易になる。なお、パラメータとしては数値以外に、関数などを用いることができる。
【００１７】
更に、パラメータが付与される情報に重みが付けられる。これにより各情報がレチクルに対して施すべき所定の処理に関連する度合いを考量して、レチクルを管理できる。この重みとしては、数値を用いることができる。この場合には、コンピュータによる処理が容易になる。
【００１８】
なお、重みとしては、数値以外に、半導体の世代を示す情報や関数などを使用できる。また、レチクルに対して施すべき所定の処理としては、廃棄処理、保管処理、再作製判定処理などを例示できる。
【００１９】
また、前記各情報を所定の期間から抽出する情報抽出手段を更に備え、
前記パラメータ付与手段は、前記所定の期間から抽出された前記情報に前記パラメータを付与するように構成できる。
【００２０】
また、基準となる前記重みを変化させて複数の前記重みを作成する重み変化手段と、
前記レチクル情報、前記半導体情報、前記工場情報のうち、前記レチクルを保持するに際してマイナス要因となる前記情報に基づいて、負荷を求める負荷算出手段と、
前記複数の前記重みから、前記負荷が最小となる前記重みを算出する最小負荷重み算出手段と、を更に備え、
前記優先順位算出手段は、前記負荷が最小となる前記重みに基づいて、前記優先順位を算出するように構成できる。
【００２１】
この構成により、レチクルを保持するに際してマイナス要因となる情報の影響を、最小限にするように、レチクルを適切に管理できる。
【００２２】
また、前記工場情報には、前記半導体の生産計画を示す情報が含まれ、
前記重み付け手段は、前記半導体の生産計画に応じて前記重み付けを実行するように構成できる。
【００２３】
この構成により、半導体の生産計画に基づいてレチクルを管理できる。
【００２４】
また、前記レチクル情報には、前記レチクルの製造メーカー、仕様、価格、製造工数、一旦廃棄された前記レチクルを再作製した回数を示す再作製回数、作製所要時間、保管コストのうち少なくとも一つが含まれ、
前記半導体情報には、前記半導体の仕様、価格、需用者の要求、半導体製造に適する前記レチクルを検出するために要するコストを示す条件出しコスト、レチクルが使用されている時間の所定の時間に対する割合を示す使用率のうち少なくとも一つが含まれ、
前記工場情報には、前記半導体の生産計画、半導体製造ロットの進捗状況、前記レチクルの保管コスト、前記レチクルの保管スペースにおけるキャパシティのうち少なくとも一つが含まれるのが好ましい。
【００２５】
この場合には、レチクルに関するより多くの情報に基づいて、優先順位を算出できるので、レチクルの管理をより適切に行うことが可能になる。
【００２６】
また、本発明は、コンピュータその他の装置、機械等が上記いずれかの処理を実行する方法であってもよい。また、本発明は、コンピュータその他の装置、機械等に、以上のいずれかの機能を実現させるプログラムをコンピュータ等が読み取り可能な記録媒体に記録したものであってもよい。
【００２７】
ここで、コンピュータが読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータから読み取ることができる記録媒体をいう。
【００２８】
このような記録媒体のうちコンピュータから取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R/W、DVD、DAT、８mmテープ、メモリカード等がある。
【００２９】
また、コンピュータに固定された記録媒体としてハードディスクやＲＯＭ（リードオンリーメモリ）等がある。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、レチクル情報、半導体情報、工場情報に基づいて、レチクルに対して施すべき所定の処理に対するレチクルの優先順位が求められる。そして、この優先順位に基づいて、レチクルに対して所定の処理を施すことができる。従って、レチクル、半導体又は工場に関するより多くの情報に基づいて、レチクルを適切に管理できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係るレチクル管理方法、管理装置及び管理プログラムについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、本発明をレチクルに適用した場合について説明するが、本発明はマスクについても適用できる。
【００３２】
〈第１の実施の形態〉
図１は、本発明に係る第１の実施の形態のレチクル管理装置１を示す。このレチクル管理装置１は、レチクルに関するレチクル情報を記憶するレチクル情報ＤＢ（データベース）１１、レチクルを用いて製造すべき半導体に関する半導体情報を記録する半導体情報ＤＢ１２、半導体を製造する工場に関する工場情報を記憶する工場情報ＤＢ１３を備えている。
【００３３】
また、このレチクル管理装置１は、レチクル情報、半導体情報、工場情報に含まれる各種の情報に、判定パラメータＱを付与するパラメータ付与手段１４、パラメータが付与される情報に重み付けを実行する重み付け手段１５、判定パラメータＱと重みＲとに基づいて所定の処理に対するレチクルの優先順位Ｐを算出する優先順位算出手段１６、この優先順位Ｐに基づいて所定の処理を行うべきレチクルを判定するレチクル判定手段１７を備えている。
【００３４】
更に、このレチクル管理装置１は、基準となる重みＲを変化させて複数の重みＲを作成する重み変化手段１８、レチクルを保持する際にしてマイナス要因となる情報に基づいて負荷Ｆを算出する負荷算出手段１９、重み変化手段１８で作成された複数の重みＲから、負荷Ｆが最小となる重みＲを算出する最小負荷重み算出手段２０を備えている。
【００３５】
なお、図１中の符号２１はキーボードやマウスなどの入力手段、２２は判定パラメータＱ、重みＲ、優先順位Ｐ（レチクルＩＤ）、各手段の算出結果などを表示する表示手段である。
【００３６】
レチクル情報には、レチクルの製造メーカー名、レチクル仕様、価格、製造工数（作製所要時間）、再作製回数、最終使用日からの経過日数などを示す情報が含まれている。
【００３７】
半導体情報には、半導体の仕様、価格、需要者などの要求条件、条件出しコスト、レチクルの使用率などを示す情報が含まれている。
【００３８】
工場情報には、半導体の生産計画、半導体製造の単位であるロットの進捗状況、レチクルの保管コスト及び保管スペースのキャパシティなど示す情報が含まれている。
【００３９】
これらのレチクル情報、半導体情報、工場情報に含まれる各種の情報の少なくとも一つに、判定パラメータＱが付与される。
【００４０】
なお、上記各構成要素における機能は、ＣＰＵ、メモリ、ハードディスク、通信インターフェース等を有するコンピュータによって実行可能である。このコンピュータの構成および作用は広く知られているので、その説明を省略する。
【００４１】
次に、このレチクル管理装置１を用いたレチクル管理方法について説明する。図２は、半導体工場におけるレチクルの移動経路、及びレチクルに関する情報を記憶するＤＢを示す図である。
【００４２】
なお、図２中の符号３１はデータベース、３２は半導体工場、３３はウェハー露光工程、３４は半導体工場における半導体製造のロット進捗状況を記録するロット進捗ＤＢである。
【００４３】
また、図２中の符号３５はウェハー露光装置、３６はウェハー露光装置用ケース保管庫、３７はレチクルカセットなし保管庫、３８はレチクルをケースから別のケースに入れ替えるレチクルケース入れ替え装置、３９はレチクルの受け入れ検査を行うレチクル検査装置である。
【００４４】
また、図４中の符号４０は、レチクルを半導体工場３２に入荷する際に使用される工場間搬送専用ケース、４１はレチクルをウェハー露光装置に供給するウェハー露光装置用ケースである。また、図１０中の符号４２は、レチクルを収容する小型の省スペースケースである。
【００４５】
レチクル情報、半導体情報、工場情報は、データベース３１に記録される。なお、図２〜図１１中では、データベース３１が複数示されているが、これらのデータベース３１を一個又は任意個数にまとめることができる。
【００４６】
図２に示すように、ウェハー露光工程３３上には、ウェハー露光装置３５が備えられている。また、半導体工場３２には、ウェハー露光装置用ケース保管庫３６、レチクルカセットなし保管庫３７が設けられている。
【００４７】
図３〜図１１は、レチクルの移動経路と、これに関する情報を記録するデータベース３１を示す。図３に示すように、レチクルは工場間搬送専用ケース４０に収容された状態で、半導体工場３２に入荷される。この際の入荷情報は、データベース３１に記録される。
【００４８】
半導体工場３２に入荷されたレチクルは、図４に示すように、レチクルケース入れ替え装置３８によって、工場間搬送専用ケース４０からウェハー露光装置用ケース４１に移し変えられる。この際の移し替え情報は、データベース３１に記録される。
【００４９】
次に、図５に示すように、レチクル検査装置３９によって、レチクルの受入検査が行なわれる。この際の受け入れ検査情報は、データベース３１に記録される。
【００５０】
次に、図６に示すように、レチクルがウェハー露光装置用ケース４１に収容された状態で、ウェハー露光装置３５に引き渡される。引き渡されたウェハー露光装置用ケース４１は、ウェハー露光装置３５のレチクル収容手段３５ａに収容される。この際の引き渡し情報は、ロット進捗状況ＤＢ３４に接続されたデータベース３１に記録される。
【００５１】
次に、図７に示すように、ウェハー露光装置３５によって、レチクルによるウェハーの露光が行われる。この際のレチクル使用情報は、データベース３１に記録される。
【００５２】
次に、図８に示すように、ウェハー露光工程３３で使用済みとなったレチクルが、ウェハー露光装置用ケース４１に収容される。そして、後述の優先順位に基づいて、例えば廃棄処理など所定の処理が行われる。
【００５３】
本実施形態では、優先順位に基づいて、ウェハー露光装置用ケース４１に収容されたレチクルを、ウェハー露光装置用ケース保管庫３６に保管するか、ウェハー露光装置用ケース４１から省スペースケース４２（図１０参照）に移し替えて、レチクルカセットなし保管庫３７に保管するか、又は廃棄するかが判断される。
【００５４】
すなわち、優先順位の高いレチクルは、図９に示すように、ウェハー露光装置用ケース４１に収容された状態で、ウェハー露光装置用ケース保管庫３６に保管される。これにより、ケースの移し変えによる異物の発生を防ぐと共に、移し変え時に必要な異物検査を行なうための検査工数を削減することができる。
【００５５】
また、優先順位の低いレチクルは、図１０に示すように、レチクルケース入れ替え装置３８によって、ウェハー露光装置用ケース４１から省スペースケース４２に移し替えられる。これにより、レチクルの保管スペースを小さくできる。この際の移し替え情報は、デ
ータベース３１に記録される。
【００５６】
省スペースケース４２に収容されたレチクルは、図１１に示すように、省スペースケース４２ごとレチクルカセットなし保管庫３７に保管される。この保管情報は、データベース３１に記録される。
【００５７】
本実施形態では、上記レチクルカセットなし保管庫３７に保管スペースが空いていないときには、優先順位が低いレチクルから順に廃棄される。
【００５８】
次に、レチクルの優先順位算出方法について説明する。図１２は、優先順位算出処理を示すフローチャートである。ここでは、先ず、在庫されている各レチクルに「レチクルＩＤ」（図１５参照）が付与される。そして、これらのレチクルＩＤが付与されたレチクルで、ループが形成される（Ｓ５１）。
【００５９】
次に、各レチクルの優先順位変数として記号「Ｐ（ＩＤ）」が付与される（Ｓ５２）。次に、ループ内の各レチクルにおける各種情報を識別するために、各情報にパラメータ名αが付与される。このパラメータ名αはデータベース３１に記憶される。
【００６０】
そして、後述のパラメータ算出処理（図１３参照）で各パラメータ名αに付与される判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が算出される（Ｓ５３）。
【００６１】
上記パラメータ名αとしては、例えば条件出しコスト、レチクルの価格、レチクルの再作製回数、レチクルの作製所要時間、レチクルの保管コスト、レチクルの使用率、レチクルの最終使用日からの経過日数、などを例示できる。
【００６２】
条件出しコストとは、ウェハーを露光する際に、一定の条件でしか露光できない場合に、仮のウェハーで露光を行って最適な条件を求めるときに要するコストである。
【００６３】
レチクル価格とは、レチクルを購入または製造するために必要な価格である。レチクル再作製回数とは、レチクルの保管スペースを空けるために廃棄したレチクルを、再度作製した回数である。
【００６４】
レチクル作製所要時間とは、レチクルを購入または製造するときに、発注してから入荷するまでの時間である。レチクル保管コストとは、レチクルを保有するためのコストである。このレチクル保管コストとしては、例えば、スペース確保や品質管理検査などに要するコストを例示できる。
【００６５】
レチクル使用率とは、ウェハー露光工程３３でレチクルが用いられている時間を、所定時間で割ったものである。所定時間は、任意に設定できる。これらのパラメータを用いて、レチクルの優先順位付けが行われる。
【００６６】
但し、所定のレチクルを優先順位付けから除くことができる。そして、例えば、そのレチクルが優先順位付けの例外扱いとされた場合は、取り出しを禁止するか否かの判断ができるようにする。この場合は、そのレチクルの移動禁止情報がデータベース３１に記録される。これにより、そのレチクルがレチクル優先順位付けの対象外とされる。
【００６７】
上記優先順位付けの例外扱いの場合としては、ウェハー露光装置３５からレチクルの取り出しを禁止する場合などを例示できる。
【００６８】
なお、優先順位付けに例外を設けないこともできる。この場合は、レチクルが処理対象
となったときに、アラームメッセージが発信され、処理をするか否かを確認させることができる。
【００６９】
図１２のステップ（Ｓ５３）の後、各パラメータ名αにおける判定パラメータＱ（ＩＤ，α）に、重み付けを実行する。本実施形態では、判定パラメータＱ（ＩＤ，α）に重み付け係数Ｒ（α）（図１４参照）が掛けられて、重み付けされる。
【００７０】
そして、各レチクル毎に、全てのパラメータ名αに付与された判定パラメータＱ（ＩＤ，α）に重み付け係数Ｒ（α）が掛けられる。次に、これらの乗算値Q{（ＩＤ，α）×Ｒ（α）}が加算される。これにより、優先順位変数Ｐ（ＩＤ）＝Σ｛Ｑ（ＩＤ，α）×Ｒ
（α）｝が算出される（Ｓ５４）。ここでΣは、全てのパラメータ名αについての加算である。
【００７１】
なお、重み付け係数Ｒ（α）としては、０．３、０．５、０．７などの単純な数値、或いは半導体の世代名、例えば第１世代ＧＩ＝０．５、第２世代Ｇ２＝０．７、第３世代Ｇ３＝０．９・・・などを使用できる。
【００７２】
重み付け係数Ｒ（α）として単純な数値を用いた場合は、コンピュータによる処理が容易になる。
【００７３】
また、重み付け係数Ｒ（α）は、単純な数値、半導体の世代名以外に、関数など任意のものを使用できる。
【００７４】
図１２のステップ（Ｓ５４）の後、算出された優先順位変数Ｐ（ＩＤ）がデータベース３１に記録される（Ｓ５５）。同様に、残りのレチクルについて優先順位変数Ｐ（ＩＤ）が算出される。この算出結果が、データベース３１に記録される。これで優先順位算出処理が終了する。
【００７５】
次に、パラメータ名αに付与される判定パラメータＱ（ＩＤ，α）の算出処理について説明する。
【００７６】
図１３は、各パラメータ名αのうち、レチクル使用率における判定パラメータＱ（ＩＤ，マスク使用率）の算出処理を示すフローチャートである。
【００７７】
ここでは、まず、レチクル使用率に関連する各種の情報の読み込みが行われる（Ｓ６１）。本実施形態では、Ｔ０＝レチクルの新規作成日時、ＴＥ＝算出対象終了日時、ＴＳ＝算出対象開始日時、Ｔ１（Ｋ）＝ＷＰ使用開始日時、Ｔ２（Ｋ）＝ＷＰ返却日時、ＴＴ＝対象ＷＰ製品作製時間が読み込まれる。なお、レチクル使用率に関連する各種情報としては、上記以外の情報を使用できる。
【００７８】
次に、新規作成日時Ｔ０と算出対象開始日時ＴＳとが比較される（Ｓ６２）。次に、新規作成日時Ｔ０が算出対象開始日時ＴＳより大きいか否かが判断される（Ｓ６３）。
【００７９】
ステップ（Ｓ６３）で、新規作成日時Ｔ０が算出対象開始日時ＴＳより小さいと判断された場合は、次に、算出対象時間ＴＷ＝ＴＥ−Ｔ０が算出される（Ｓ６４）。
【００８０】
次に、対象レチクルの総使用時間Ｔ＝Σ（Ｔ２（Ｋ）−Ｔ１（Ｋ）＋ＴＴ）が算出される（Ｓ６５）。次に、判定パラメータＱ（ＩＤ，レチクル使用率）＝Ｔ/ＴＷが算出され
る（Ｓ６５）。
【００８１】
また、上記ステップ（Ｓ６３）で、新規作成日時Ｔ０が算出対象開始日時ＴＳより大きいと判断された場合は、次に、ＴＷ＝ＴＥ−ＴＳが算出される（Ｓ６６）。次に、ステップ（Ｓ６５）以降の処理が行われる。
【００８２】
これにより、レチクル使用率に対する判定パラメータＱ（ＩＤ，マスク使用率）の算出処理が終了する。他のパラメータ名αに対する判定パラメータＱ（ＩＤ、α）も、上記と同様の処理で算出される。
【００８３】
図１４は、重み付け係数Ｒ（α）の一例を示す。なお、重みとしては重み付け係数Ｒ（α）以外に、関数など各種の重みを使用できる。
【００８４】
本実施形態では、パラメータ名αごとに重み付けされる。ここで重み付けされるパラメータ名αは、条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、作製所要時間（製造工数）、使用率である。
【００８５】
条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、作製所要時間（製造工数）、使用率のそれぞれに対して、重み付け係数Ｒ（α）として、「０．００００００１」、「０００００００２５」、「０．２５」、「０．０１２５」、「０．５６」が付与される。
【００８６】
図１５は、判定パラメータＱ（ＩＤ，α）の一例を示す。ここでは、各レチクルにレチクルＩＤ，レチクル名が付与される。
【００８７】
また、各レチクルにおける各パラメータ名α、すなわち、レチクルの条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、使用率に対して、それぞれ判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が付与される。
【００８８】
図１５中の一番目のレチクルについてみると、条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、使用率の判定パラメータＱ（ＩＤ，α）は、それぞれ「１００」、「４８０００」、「０」、「０．９９」である。
【００８９】
なお、本実施形態では、上記のように優先順位変数Ｐ（ＩＤ）の算出に際して、条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、使用率の各パラメータ名αが使用される。なお、これ以外のパラメータ名αを用いて、優先順位変数Ｐ（ＩＤ）を算出してもよい。
【００９０】
次に、各パラメータ名αにおける判定パラメータＱ（ＩＤ，α）と、重み付け計数Ｒ（α）との乗算値が加算される。これにより、優先順位変数Ｐ（ＩＤ）＝ΣＳ＝Σ｛Ｑ（ＩＤ，α）×Ｒ（α）｝が算出される。
【００９１】
例えば、図１５中の一番目のレチクル（ＩＤ：「ＡＡ０００ＡＯ１」）における優先順位変数Ｐ（ＩＤ）は、Ｐ（ＡＡ０００Ａ０１）＝（１００×０．００００００１）＋（４８０００×０．００００００２５）＋（０×０．２５）＋（０．９９×０．５６）≒０．５６となる。
【００９２】
この優先順位変数Ｐ（ＩＤ）は、重み付け係数Ｒ（α）を変えることによって変化する。本実施形態では、各パラメータ名αに付ける重み付け係数Ｒ（α）が変えられて、複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。
【００９３】
そして、これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）の中から、レチクルを保持する際にマイナス要因になると考えられる情報（パラメータ名α）に基づいて算出された全負荷ＡＦが、最小となる重み付け係数Ｒ（α）が求められる。
【００９４】
ここでは、過去のある期間（所定の期間）におけるレチクルの使用実績に基づいて、重み付け係数Ｒ（α）の値が変えられて、複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）でループが形成される。
【００９５】
次に、各レチクルの負荷（レチクル単位負荷Ｆ）が算出される。本実施形態では、図１６に示すように、各レチクルにおけるパラメータ名αの判定パラメータＱ（ＩＤ，α）と、重み付け係数Ｒ（α）とに基づいて、レチクル単位負荷Ｆが算出される。
【００９６】
ここで用いられるパラメータ名αは、条件出しコスト、レチクル価格、所定の期間におけるレチクル再作製回数、保管コスト、レチクル使用率、再作製所要時間である。本実施形態では、次の数式（１）によって、レチクル単位負荷Ｆが算出される。
【００９７】
Ｆ＝Ｑ（ＩＤ，条件出しコスト）＋Ｑ（ＩＤ，レチクル価格）×Ｑ（ＩＤ，再作製回数）＋Ｑ（ＩＤ，保管コスト）×｛１−Ｑ（ＩＤ，使用率）｝＋Ｑ（ＩＤ，作製所要時間）×Ｒ（作製所要時間）・・・・（１）
例えば、図１６中の一番目のレチクル（ＩＤ：ＡＡ００Ａ０１）におけるレチクル単位負荷Ｆは、Ｆ＝１２４となる。このレチクル単位負荷Ｆの算出は、ループ内における複数の重み付け係数Ｒ（α）の全てに対して行われる。
【００９８】
そして、ループ内の全レチクルにおけるレチクル単位負荷Ｆが加算されて、全負荷ＡＦが算出される。本実施形態では、全負荷ＡＦ＝１８９２２１７８である。
【００９９】
なお、計算時間短縮のため、ループ内における複数の重み付け係数Ｒ（α）のうち、一部の重み付け係数Ｒ（α）に対して、レチクル単位負荷Ｆの算出を行うこともできる。
【０１００】
次に、図１７に示すように、ループ内における複数の重み係数Ｒ（α）のうち、全負荷ＡＦが最小となる重み付け係数Ｒ（α）が求められる。
【０１０１】
図１７は、重み付け最適化処理のフローチャートを示す。ここでは、まず、レチクルの使用実績調査対象期間が設定される（Ｓ７１）。
【０１０２】
次に、各パラメータ名αに対する基準となる重み付け係数Ｒ（α）が変えられて、複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）でループが作製される（Ｓ７２）。
【０１０３】
図１８は、基準となる重み付け係数Ｒ（α）が変えられて作成された複数の重み付け係数Ｒ（α）の一例を示す。
【０１０４】
ここでは、条件出しコストに対する重み付け係数Ｒ（条件出しコスト）として、基準の「０．００００００１」を含め、「０．００００００２」、「０．００００００３」の３種類が作成される。
【０１０５】
同様に、レチクル価格の重み付け係数Ｒ（レチクル価格）が２種類、再作製回数の重み付け係数Ｒ（再作製回数）が３種類作成される。また、作製所要時間の重み付け係数Ｒ（施策所要時間）が３種類される。
【０１０６】
また、保管コストの重み付け係数Ｒ（α）が２種類、使用率の重み付け係数Ｒ（使用率）が２種類作成される。
【０１０７】
次に、図１７のステップ（Ｓ７２）の次に、使用実績調査対象期間内におけるレチクルで、ループが作成される（Ｓ７３）。次に、後述のレチクルの再作製判定チェック処理が行われる（図２０参照）（Ｓ７４）。次に、再作製判定チェック処理の判定結果が、ＤＢに記録される（Ｓ７５）。
【０１０８】
次に、ループ内の重み付け係数Ｒ（α）のそれぞれについて、レチクル単位負荷Ｆが算出される（Ｓ７６）。本実施形態では、図１８に示すように、レチクル単位負荷Ｆを算出するため、パラメータ名αとして、条件出しコスト、レチクル価格、再作製回数、作製所要時間、保管コスト、使用率が用いられる。
【０１０９】
そして、これらのパラメータ名αに対する重み付け係数Ｒ（α）が変えられて、複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。例えば、条件出しコストに対する重み付け係数Ｒ（α）として、「０．００００００１」、「０．００００００２」、「０．００００００３」の３個が作成される。
【０１１０】
また、レチクル価格に対する重み付け係数Ｒ（α）として、「０．００００００２５」、「０．００００００２４」、「０．００００００２３」の３個が作成される。
【０１１１】
同様に、再作製回数、作製所要時間、保管コスト、使用率に対する重み付け係数Ｒ（α）も複数作成される。そして、図１８に示すように、これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）が適宜組み合わせられて、全負荷ＡＦが算出される。
【０１１２】
ここでは、まず実績対象期間でループされた重み係数Ｒ（α）に基づいて、全負荷ＡＦが算出される。次に、重み付け係数Ｒ（α）が変えられて複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）に対して、全負荷ＡＦが算出される。
【０１１３】
図１７のステップ（Ｓ７６）の後、各レチクルにおけるレチクル単位負荷Ｆが加算されて、各レチクルの合計負荷ＡＦが算出される（Ｓ７７）。次に、これらの合計負荷ＡＦがデータベースに記録される（Ｓ７８）。
【０１１４】
次に、ループ内の複数の重み付け係数Ｒ（α）のうち、合計負荷ＡＦが最小となる重み付け係数Ｒ（α）が求められる。
【０１１５】
この合計負荷ＡＦが最小となる重み付け係数Ｒ（α）が、直前の重み付け係数Ｒ（α）に置き換えられて登録される（Ｓ７９）。これにより、重み付け最適化処理が終了する。
【０１１６】
なお、レチクル単位負荷Ｆを算出する際に、レチクル再作製費用などを用いて、その重み付け係数Ｒを更新することもできる。すなわち、レチクル単位負荷Ｆを計算するときに、レチクル再作製費用に対する重み付けを導入することもできる。
【０１１７】
このようにして求められた全負荷ＡＦが最小となる重み付け係数Ｒ（α）に基づいて、レチクルに所定の処理が施される。
【０１１８】
次に、レチクルに施すべき所定の処理として、レチクルを再作製処理する場合について説明する。
【０１１９】
図１９は、レチクルの再作製判断処理を示すフローチャートである。ここでは、まず、製品すなわち半導体情報ＤＢ１１（図１参照）から、半導体情報が抽出される（Ｓ８１）。
【０１２０】
次に、工場情報ＤＢ１２から、半導体製造におけるロット進捗情報が確認される。そして、所定の半導体が工程上に流される予定日時が抽出される（Ｓ８２）。
【０１２１】
次に、工場情報ＤＢ１２から、この半導体を製造する際に使用すべきレチクルが保管されているか否かが判断される（Ｓ８３）。
【０１２２】
ここで、そのレチクルが保管されていると判断された場合は、この再作製情報更新判断処理が終了する。
【０１２３】
ステップ（Ｓ８３）で、使用すべきレチクルが保管されていないと判断された場合は、次に、レチクル情報ＤＢ１１から、そのレチクルの使用実績が確認される。そして、対象レチクルを発注した際の発注情報、及び納期情報が抽出される（Ｓ８４）。
【０１２４】
次に、対象レチクルが発注される（Ｓ８５）。次に、対象レチクルが納入予定品としてデータベースに登録される（Ｓ８６）。
【０１２５】
次に、廃棄すべきレチクルを判定するために、廃棄レチクル判定チェック処理（図２０参照）が行われる（Ｓ８７）。これで、再作製判断処理が終了する。
【０１２６】
廃棄レチクル判定チェック処理では、レチクルが入荷されると、レチクル管理装置１のデータベースにレチクル入荷情報が入力される。これに基づいて、レチクル入荷予定数と保管スペースとの比較が行われる。
【０１２７】
このとき、保管スペースに余裕があるときには、廃棄対象となるレチクルを選択及び抽出する必要がない。
【０１２８】
これに対して、保管スペースに余裕がない場合には、廃棄対象となるレチクルが選択及び抽出される。この選択及び抽出は、次に説明する廃棄対象レチクル判定チェックに基づいて行われる。
【０１２９】
図２０は、廃棄レチクル判定チェック処理を示すフローチャートである。ここでは、まず、各データベース３１が最新状態に更新される（Ｓ９１）。
【０１３０】
次に、保管スペースにおけるレチクルの保管可能空き数（保管可能数−在庫数）が抽出される（Ｓ９２）。
【０１３１】
次に、レチクルの納入予定数（新規納入数＋再作製数）が抽出される（Ｓ９３）。次に、レチクルの保管可能空き数と納入予定数とが比較される（Ｓ９４）。
【０１３２】
次に、保管可能空き数が納入予定数より大きいか否かが判断される（Ｓ９５）。ここで、保管可能空き数が納入予定数より小さいと判断された場合は、次に、保管されているレチクルの優先順位Ｐが算出される（Ｓ９６）。
【０１３３】
次に、納入予定数から保管可能空き数が引かれる。そして、納入予定数のうち、そのままでは保管できない余剰レチクル数が算出される。次に、この余剰レチクル数に相当する数のレチクルが、保管されているレチクルから廃棄される（Ｓ９７）。
【０１３４】
ここでは、優先順位変数Ｐ（α）が下位のレチクルから順に廃棄される。これにより、レチクル保管スペースが、レチクルの納入予定数の分だけ空けられる。
【０１３５】
なお、廃棄すべきレチクルを全て廃棄できない場合には、優先順位変数Ｐ（α）が下位のレチクルから先に廃棄される。
【０１３６】
次に、各データベース３１に記録されているレチクル情報が更新される（Ｓ９８）。これで、廃棄レチクル判定チェック処理が終了する。
【０１３７】
このように、本発明では、レチクル情報、半導体情報、工場情報に含まれる多数の情報に基づいて、レチクルの管理が行われる。これにより、例えばレチクルのコスト低減、ウェハー（半導体）製造時におけるレチクル待ち時間の低減、保管スペースの確保、廃棄処理など、レチクルの適切な管理が可能となる。
【０１３８】
本実施形態では、レチクル情報、半導体情報、工場情報に基づいて、レチクルの優先順位変数Ｐ（α）が求められる。そして、レチクルを廃棄する際には、優先順位変数Ｐ（α）の下位のものから先に廃棄される。これにより、レチクルの再作製回数を減らすことができる。また、レチクル及びこれを用いて製造される半導体製品のコスト低減が可能になる。
【０１３９】
〈第２の実施の形態〉
上記第１の実施の形態では、レチクルの日々の管理運用を行う場合について説明したが、工場生産計画のような将来的な工場管理を行うを場合にも、本発明を適用できる。
【０１４０】
この場合は、まず、図２１に示すように、半導体の生産計画判断処理が行われる。この生産計画判断処理では、今までの実績データから生産計画で想定されるデータが抽出される（Ｓ１０１）。
【０１４１】
次に、抽出されたデータに基づいて、工場生産計画にあわせてシミュレート用実績データが作成される（Ｓ１０２）。
【０１４２】
ここでは、例えば、半導体の生産量を２倍にすると計画された場合、実績データのレチクルＩＤや、レチクル名αなどが仮の値に変更されて「仮実績データ」が作成される。
【０１４３】
次に、生産計画で想定される各パラメータ名αに付与された判定パラメータＱ（ＩＤ，保管量），判定パラメータＱ（ＩＤ，保管費）などでループが作成される（Ｓ１０３）。
【０１４４】
次に、シミュレート用重み付け最適化処理（図２２参照）が行われる（Ｓ１０４）。次に、最適化処理の結果が記録される（Ｓ１０５）。
【０１４５】
次に、半導体製造時のスピード、コスト、生産能力の判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が確認される（Ｓ１０６）。
【０１４６】
次に、ステップ（Ｓ１０４）の最適化処理で、計画に相応した結果が得られたか否かが判断される（Ｓ１０７）。
【０１４７】
ここで、計画に相応した結果が得られなかったと判断された場合は、次に、生産計画が見直される（Ｓ１０８）。これで、生産計画判断処理が終了する。
【０１４８】
また、上記ステップ（Ｓ１０７）で、計画に相応した結果が得られたと判断された場合は、生産計画判断処理が終了する。
【０１４９】
図２２は、シミュレート用重み付け最適化処理を示す。このシミュレート用重み付け最
適化処理では、シミュレート用実績データの実績調査対象期間が設定される（Ｓ１１１）。
【０１５０】
次に、半導体生産計画で想定されるシミュレート用の判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が設定される（Ｓ１１２）。
【０１５１】
次に、基準となる重み付け係数Ｒ（α）が変えられて、複数の重み付け係数Ｒ（α）が作成される。これらの複数の重み付け係数Ｒ（α）によってループが形成される（Ｓ１１３）。
【０１５２】
次に、シミュレータ用実績データの実績調査対象期間でループが作成される（Ｓ１１４）。次に、シミュレート用再作製判定チェック処理が行われる（Ｓ１１５）。この結果は、データベースに記憶される（Ｓ１１６）。
【０１５３】
次に、第１の実施の形態と同様にして、レチクル単位負荷Ｆが算出される（Ｓ１１７）。ここでは、図２に示すように、レチクル単位負荷Ｆを算出する際に、実データの判定パラメータＱ（ＩＤ，α）ではなく、シミュレートデータ用の判定パラメータＱ’（ＩＤ，α）が用いられる。
【０１５４】
すなわち、例えば半導体の生産量を現在の２倍にするものと仮定し、この条件に対してシミュレータデータ用の判定パラメータＱ’（ＩＤ，α）が適宜設定される。
【０１５５】
この場合、全負荷ＡＦ｛Ｒ（使用率），Ｒ（レチクル価格），Ｒ（再作製数），・・・｝＝ΣＱ’（ＩＤ，レチクル価格）＋ΣＱ’（ＩＤ，レチクル保管費用）・ΣＱ’（ＩＤ，使用率）＋・・・・となる。
【０１５６】
図２２のステップ（Ｓ１１７）の次に、ループ内のレチクルにおけるレチクル単位負荷Ｆが加算されて、全負荷ＡＦが算出される（Ｓ１１８）。次に、全負荷ＡＦがデータベースに記憶される（Ｓ１１９）。
【０１５７】
次に、全負荷ＡＦが最小となる重み付け係数Ｒ（α）が算出され、新値として登録される（Ｓ１２０）。これで、シミュレート用重み付け最適化処理が終了する。
【０１５８】
このシュミレート用重み付け最適化処理により算出された結果として、半導体製造のスピード、コスト、生産能力などを得ることができる。これらの結果が、望んでいる値になっていれば、設定された条件に基づいて生産計画が推進される。反対に、上記結果が望んでいない値である場合には、生産計画の見直しが行われる。
【０１５９】
また、このシミュレート用重み付け最適化処理では、工場生産計画で想定される判定パラメータＱ（ＩＤ，α）を１個づつ組み合わせて、処理することができる。また、ある程度、幅を持って対応するパラメータ条件を振って（変えて）、処理することもできる。
【０１６０】
この第２の実施の形態におけるシミュレート重み付け最適化処理は、通常の重み付けに対して、シミュレート用実績データを用いること、生産計画で想定されるパラメータを変更して処理を実行する点で、第１の実施の形態と異なる。
【０１６１】
また、次に説明するシミュレート用再作成判定チェック処理、シミュレート用優先順位算出処理も、上記と同様な相違がある。
【０１６２】
図２４は、シミュレート用再作製判定チェック処理を示す。ここでは、まず、生産計画
で想定される判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が設定される（Ｓ１３１）。
【０１６３】
次に、シミュレート用各ＤＢが最新状態に更新される（Ｓ１３２）。次に、レチクル保管スペースの空き数（＝保管可能数−在庫数）が算出される（Ｓ１３３）。
【０１６４】
次に、納入予定数（＝新規作成数＋再作製数）が算出される（Ｓ１３４）。次に、レチクル保管スペースの空き数と納入予定数が比較される（Ｓ１３５）。
【０１６５】
次に、（空き数−納入予定数）が０より大きいか否かが判断される（Ｓ１３６）。ここで、（空き数−納入予定数）が０より小さいと判断された場合は、次に、シミュレート用優先順位算出処理（図２５参照）が行われる（Ｓ１３７）。
【０１６６】
次に、優先順位に基づいて、（納入予定数−空き数）のレチクルが廃棄対象とされて、廃棄処理される（Ｓ１３８）。本実施形態では、優先順位が下位のレチクルから順に廃棄される。
【０１６７】
次に、シミュレート用各データベースが最新状態に更新される（Ｓ１３９）。これで、シミュレート用再作製判定チェック処理が終了する。
【０１６８】
また、上記ステップ（Ｓ１３６）で、（空き数−納入予定数）が０より大きいと判断された場合は、シミュレート用再作製判定チェック処理が終了する。
【０１６９】
図２５は、シミュレート用優先順位算出処理を示す。ここでは、まず、生産計画で想定される判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が設定される（Ｓ１４１）。
【０１７０】
次に、レチクルの在庫品にレチクルＩＤが付与される。これらのレチクルＩＤが付与されたレチクルでループが形成される（Ｓ１４２）。
【０１７１】
次に、各レチクルＩＤの優先順位変数に記号Ｐ（α）が付与される（Ｓ１４３）。次に、各レチクルのパラメータ名αにおける判定パラメータＱ（ＩＤ，α）が算出される（Ｓ１４４）。
【０１７２】
次に、各レチクルＩＤについて、各パラメータ名αに重み付けされる。そして、各レチクルＩＤの判定パラメータＱ（ＩＤ，α）に重み付け係数Ｒ（α）が乗ぜられて、その和が算出される。これにより、優先順位変数Ｐ（ＩＤ）＝Σ｛Ｑ（ＩＤ，α）×Ｒ（α）｝が算出される（Ｓ１４５）。
【０１７３】
次に、優先順位変数Ｐ（ＩＤ）がデータベースに記憶される（Ｓ１４６）。同様にして、ループ内のレチクルについて優先順位変数Ｐ（ＩＤ）が算出されて記憶される。これにより、シミュレート用優先順位算出処理が終了する。
【０１７４】
また、本発明のレチクル管理装置、管理方法及び管理プログラムは、以下の付記的事項を含むものである。
【０１７５】
〔その他〕
本発明は、以下のように特定することができる。
【０１７６】
（付記１）半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報のうち、少なくとも一つにパラメータを付与するパラメータ付与手段と、
前記パラメータが付与される前記情報に重み付けを行う重み付け手段と、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出する優先順位算出手段と、
を備えるレチクル管理装置。
【０１７７】
（付記２）前記各情報を所定の期間から抽出する情報抽出手段を更に備え、
前記パラメータ付与手段は、前記所定の期間から抽出された前記情報に対して前記パラメータを付与する付記１に記載のレチクル管理装置。
【０１７８】
（付記３）基準となる前記重みを変化させて複数の前記重みを作成する重み変化手段と、
前記レチクル情報、前記半導体情報、前記工場情報のうち、前記レチクルを保持するに際してマイナス要因となる前記情報に基づいて、負荷を算出する負荷算出手段と、
前記複数の重みから、前記負荷が最小となる前記重みを算出する最小負荷重み算出手段と、を更に備え、
前記優先順位算出手段では、前記負荷が最小となる前記重みに基づいて、前記優先順位を算出する付記１に記載のレチクル管理装置。
【０１７９】
（付記４）前記工場情報には、前記半導体の生産計画を示す情報が含まれ、
前記重み付け手段は、前記半導体の生産計画に応じて前記重み付けを実行する付記１に記載のレチクル管理装置。
【０１８０】
（付記５）前記優先順位に基づいて、前記所定の処理を施すべき前記レチクルを判定するレチクル判定手段を、
更に備える付記１に記載のレチクル管理装置。
【０１８１】
（付記６）前記レチクル情報には、前記レチクルの製造メーカー、仕様、価格、製造工数、一旦廃棄された前記レチクルを再作製した回数を示す再作製回数、作製所要時間、保管コストのうち少なくとも一つが含まれ、
前記半導体情報には、前記半導体の仕様、価格、需用者の要求、半導体製造に適する前記レチクルを検出するために要するコストを示す条件出しコスト、特定のレチクルと他のレチクルの使用比率を示す使用率のうち少なくとも一つが含まれ、
前記工場情報には、前記半導体の生産計画、半導体製造ロットの進捗状況、前記レチクルの保管コスト、前記レチクルの保管スペースにおけるキャパシティのうち少なくとも一つが含まれる付記１に記載のレチクル管理装置。
【０１８２】
（付記７）コンピュータが、
半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報の少なくとも一つに、パラメータを付与するステップと、
前記パラメータが付与される前記情報に重み付けを実行するステップと、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出するステップと、
を実行するレチクル管理方法。
【０１８３】
（付記８）コンピュータに、
半導体製造に用いられるレチクルに関するレクチル情報、前記半導体に関する半導体情報、前記半導体を製造する工場に関する工場情報に含まれる各種の情報の少なくとも一つに、パラメータを付与するステップと、
前記パラメータが付与される前記情報に重み付けを実行するステップと、
前記パラメータ及び前記重みに基づいて、前記レチクルに対して施すべき所定の処理に対する前記レチクルの優先順位を算出するステップと、
を実行させるレチクル管理プログラム。
【図面の簡単な説明】
【０１８４】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクル管理装置を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルの移動経路及び情報の流れを示す図である。
【図３】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルの入荷状態を示す図である。
【図４】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルのウェハー露光装置用ケースに入れ替える状態を示す図である。
【図５】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルをレチクル検査装置に供給する状態を示す図である。
【図６】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルをウェハー露光装置に供給する状態を示す図である。
【図７】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルをフエーハロット進捗ＤＢに対する情報の流れを示す図である。
【図８】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルをウェハー露光装置から排出する状態を示す図である。
【図９】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルをウェハー露光装置専用ケースに収容して、ウェハー露光装置用ケース保管庫に保管する状態を示す図である。
【図１０】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルを省スペースケースに入れ替える状態を示す図である。
【図１１】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルを省スペースに収容して、レチクルカセットなし保管庫に保管する状態を示す図である。
【図１２】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルの優先順位算出処理を示すフローチャートである。
【図１３】本発明に係る第１の実施の形態におけるパラメータ算出処理を示すフローチャートである。
【図１４】本発明に係る第１の実施の形態におけるパラメータ名に対する重み付けを示す図である。
【図１５】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルのパラメータ及び優先順位を示す図である。
【図１６】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクルのパラメータ、レチクル単位負荷及び全負荷を示す図である。
【図１７】本発明に係る第１の実施の形態における重み付け最適化処理を示すフローチャートである。
【図１８】本発明に係る第１の実施の形態における基準となる重みを変化させて作製された複数の重みを示す図である。
【図１９】本発明に係る第１の実施の形態におけるレチクル再作製判断処理を示すフローチャートである。
【図２０】本発明に係る第１の実施の形態における廃棄対象レチクル判定チェック処理を示すフローチャートである。
【図２１】本発明に係る第２の実施の形態における生産計画判断処理を示すフローチャートである。
【図２２】本発明に係る第２の実施の形態におけるシミュレート用重み付け最適化処理を示すフローチャートである。
【図２３】本発明に係る第２の実施の形態におけるシミュレート用判定パラメータの算出式を示す図である。
【図２４】本発明に係る第２の実施の形態におけるシミュレート用再作製判定チェック処理を示すフローチャートである。
【図２５】本発明に係る第２の実施の形態におけるシミュレート用優先順位算出処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１８５】
１  レチクル管理装置
１１  レチクル情報ＤＢ
１２  半導体情報ＤＢ
１３  工場情報ＤＢ
１４  パラメータ付与手段
１５  重み付け手段
１６  優先順位算出手段
１７  レチクル判定手段
１８  重み変化手段
１９  負荷算出手段
２０  最小負荷重み算出手段
２１  入力手段
２２  表示手段
３１  ＤＢ
３２  半導体工場
３３  ウェハー露光工程
３４  ロット進捗状況ＤＢ
３５  ウェハー露光装置
３５ａ  レチクル収容手段
３６  ウェハー露光装置用ケース保管庫
３７  レチクルカセットなし保管庫
３８  レチクルケース入れ替え装置
３９  レチクル検査装置
４０  工場間搬送専用ケース
４１  ウェハー露光装置用ケース
４２  省スペースケース
【図１】
2007317780.tif 000003
【図２】
2007317780.tif 000004
【図３】
2007317780.tif 000005
【図４】
2007317780.tif 000006
【図５】
2007317780.tif 000007
【図６】
2007317780.tif 000008
【図７】
2007317780.tif 000009
【図８】
2007317780.tif 000010
【図９】
2007317780.tif 000011
【図１０】
2007317780.tif 000012
【図１１】
2007317780.tif 000013
【図１２】
2007317780.tif 000014
【図１３】
2007317780.tif 000015
【図１４】
2007317780.tif 000016
【図１５】
2007317780.tif 000017
【図１６】
2007317780.tif 000018
【図１７】
2007317780.tif 000019
【図１８】
2007317780.tif 000020
【図１９】
2007317780.tif 000021
【図２０】
2007317780.tif 000022
【図２１】
2007317780.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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