(57)【要約】【課題】従来の感光性絶縁樹脂及びフォトリソグラフィー法を用いた製造方法では、感光性絶縁樹脂を硬化させる熱キュアの工程にて、金属層と感光性絶縁樹脂との熱膨張差よる大きな反りが発生し、搬送時の大きな障害となる。【解決手段】金属層の片面に感光性絶縁樹脂層を形成した基材に粘着フィルム層を形成したものであり、これにより金属層と感光性絶縁樹脂層との熱膨張の差により発生した反りを軽減することが出来る。また粘着フィルム層を付けた状態でダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールディングが可能である為、支持体を貼り付けた時から最終的に支持体を剥離するまで、反りの影響を考慮することなく工程を通すことが出来る。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも金属層とこの金属層の片面に感光性絶縁樹脂層が設けられた半導体パッケージにおいて、
金属層には配線パターンが形成され、
感光性絶縁樹脂層にはビアホールが形成され、
前記感光性絶縁樹脂層上に支持体層が設けられ、
前記感光性絶縁樹脂層の両面のうち前記金属層と反対側の面に熱硬化型絶縁樹脂層を設けたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記感光性絶縁樹脂層と前記支持体層の間に粘着材層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記感光性絶縁樹脂層の厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記感光性絶縁樹脂層に用いる樹脂の１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記支持体層は１５０℃における熱収縮率が１．０％以下である樹脂フィルム層からなることを特徴とした請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記支持体層の厚みは３０〜２００μｍであり、前記支持体の引張強度が１５０ＭＰａ上であり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記粘着材層の厚みが５〜２０μｍであり、感光性絶縁樹脂層に対する接着力が１．０〜１０Ｎ／２０ｍｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記熱硬化型絶縁樹脂層の厚みが１５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記金属層は、厚みが５〜２０μｍであり、少なくとも片面が粗面化処理されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層とを加えた厚みが、前記粘着フィルム層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
少なくとも金属層と、その片面に形成された感光性絶縁樹脂層とを備える半導体パッケージの製造方法において、
（ａ）金属層の片面に感光性絶縁樹脂層を形成する工程；
（ｂ）前記感光性絶縁樹脂層にビアホールをフォトリソグラフィー法により形成する工程；
（ｃ）前記感光性絶縁樹脂層の両面のうちビアホールが形成された面側に、粘着材層及び支持体層を備えた粘着フィルム層を形成する工程；
（ｄ）前記金属層にボンディングパッドパターン、配線パターンを形成する工程；
（ｅ）前記金属層のボンディングパッドパターンを除いた部分に熱硬化型絶縁樹脂を形成する工程；
（ｆ）前記金属層にニッケルメッキ層、貴金属メッキ層を形成する工程；
（ｇ）前記金属層側に半導体素子を搭載する為にダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールディングを行う工程と、を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法
【請求項１２】
前記金属層の片面に前記感光性絶縁樹脂層を形成する工程において、前記感光性絶縁樹脂層を前記金属層にキャスティングにより形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記感光性絶縁樹脂層の厚みが１０〜１００μｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした請求項１１に記載された半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記支持体層は１５０℃における熱収縮率が１．０％以下である樹脂フィルム層を使用することを特徴とした請求項１１に記載された半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記支持体層の厚みは３０〜２００μｍであり、前記支持体の引張強度が１５０ＭＰａ上であり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした請求項１１に記載された半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記粘着材層の厚みが５〜２０μｍであり、感光性絶縁性基材層に対する接着力が１．０〜１０Ｎ／２０ｍｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記熱硬化型絶縁樹脂層の厚みが１５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記金属層の厚みが５〜２０μｍであり、金属層のうち少なくとも片側の面が粗面化処理されたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層とを加えた厚みが、前記粘着フィルム層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に使用される半導体パッケージの製造方法に関し、特に生産性と経済性を向上させた半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロニクス産業界においては、高信頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対する要求が高まってきている。これに従って新しい素子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に半導体パッケージにおける小型化と多様化が重要な課題として開発が進められている。上記のような諸性能に加えて、製造コストが重要な問題となってくる。
【０００３】
現在、半導体パッケージの製造方法としては、層間絶縁材にポリイミドフィルムを用いたレーザーパターニング工法が広く用いられている。ベースフィルムとなるポリイミドフィルムの両面に銅箔を形成した後、まず銅箔の片側に対してエッチング処理を施すことによりビアホール開口形状をパターニングし、ベースフィルムに対してハンダボール形成のためのブラインドビアを形成し、ついで所定の配線パターンを形成した後ソルダーレジストによりこれを保護し絶縁処理する工法が開示されている。
【０００４】
ベースフィルムにブラインドビアを形成する方法としては、ＣＯ２レーザー等のレーザーを照射する方法、打ち抜きにより形成する方法、アルカリエッチングにより形成する方法等が知られている。
しかし、レーザーを用いる方法はベースフィルムの基材が制限されたり、加工効率が悪くコストが高いなど問題があった。打ち抜きやアルカリエッチングを用いる方法では加工精度に問題があった。その上、打ち抜きは表面のがさつきやそれを原因としたハンダ濡れ性阻害等の問題が生じた。
【０００５】
ベースフィルムにブラインドビアを形成する別の有力な工法として、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングが知られている。例えば特許文献１に提案されている２層ＴＡＢテープキャリアとその製造方法の中でも上記のような工法が採用されている。詳しくは、銅箔の片面に、例えば、連続式ロールコーターを用いて感光性ポリイミドを塗布し、プリベーク炉においてプリベークを行い、その後抜き金型等を用いて銅箔の両側に送り穴を開口させる。この送り穴を利用して、表面の銅配線パターンの露光を行い、感光性ポリイミドにビアホール等を水銀灯等を用いる連続自動焼付機によりガラスマスクを用いて露光し、アルカリ水溶液等に浸漬して現像し、ポストベークを行って開口する。最後に感光性ポリイミドの開口後、表面の銅箔を通常のフォトエッチングプロセスを用いてパターン形成するものである。
【０００６】
以下に公知の技術であるフォトリソグラフィー技術を使った半導体パッケージ製造の工程について添付画面を参照しながら説明する。最初に金属層２１とその下面にビアパターン形成用の感光性絶縁樹脂２２が形成された基体を準備する。金属層２１の上面に配線パターン形成用の感光性樹脂２３を形成する（図８）。次に両面一括露光により、基体上面の感光性樹脂２３に配線パターン２４、基体下面の感光性絶縁樹脂２２にビアホールパターン２５を形成する（図９）。次に各種パターンを現像後、熱処理することにより感光性絶縁樹脂２２を硬化させる。裏打ちフィルム２６を基体下面に形成した後、基体上面の配線パターン２４をマスクとしてエッチング処理を行う（図１０）。その後図１１に示すように基体上面の感光性樹脂２３を剥離、再度基体上面に感光性絶縁樹脂２７を形成する。最後に図１２に示すように露光、現像により基体上面の感光性絶縁樹脂層２７にボンディングパッドパターン２８を形成した後、ボンディングパッドパターン２８に貴金属メッキを形成、基体下面の裏打ちフィルム２６を剥離することで通常の工程による半導体パッケージは完成する。
【特許文献１】特開平７−２３５５６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし従来採用されてきた感光性絶縁樹脂及びフォトリソグラフィー法を用いた製造方法では、感光性絶縁樹脂を硬化させる熱キュアの工程にて、金属層と感光性絶縁樹脂との熱膨張差よる大きな反りが発生し、外観不良や搬送時の大きな障害となる問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そのため本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ね、半導体パッケージ中の各層の構成、寸法、物性等を規定し、且つ製造工程中に熱収縮率の低い支持体を形成すると、支持体が半導体パッケージの反りを軽減させる効果があることを見出した。また、金属層の両面のうち、感光性絶縁樹脂層のある側と反対面側に熱硬化型絶縁樹脂層を配置することで、金属層の両面に位置する樹脂の熱変形の効果が相殺され、反りが低減することを見出した。そして、このため、半導体パッケージの製造工程内での搬送をスムーズに行うことが出来たのである。
【０００９】
本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、少なくとも金属層とこの金属層の片面に感光性絶縁樹脂層が設けられた半導体パッケージにおいて、
金属層には配線パターンが形成され、感光性絶縁樹脂層には前記ビアホールが形成され、
前記感光性絶縁樹脂層上に支持体層が設けられ、前記感光性絶縁樹脂層の両面のうち前記金属層と反対側の面に熱硬化型絶縁樹脂層を設けたことを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記感光性絶縁樹脂層と前記支持体層の間に粘着材層を設けたことを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記感光性絶縁樹脂層の厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記感光性絶縁樹脂層に用いる樹脂の１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした半導体パッケージである。
また、上記において、前記支持体層は１５０℃における熱収縮率が１．０％以下である樹脂フィルム層からなることを特徴とした半導体パッケージである。
また、上記において、前記支持体層の厚みは３０〜２００μｍであり、前記支持体の引張強度が１５０ＭＰａ上であり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした半導体パッケージである。
また、上記において、前記粘着材層の厚みが５〜２０μｍであり、感光性絶縁樹脂層に対する接着力が１．０〜１０Ｎ／２０ｍｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記熱硬化型絶縁樹脂層の厚みが１５〜３０μｍであることを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記金属層は、厚みが５〜２０μｍであり、少なくとも片面が粗面化処理されていることを特徴とする半導体パッケージである。
また、上記において、前記熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層とを加えた厚みが、前記粘着フィルム層の厚みよりも小さいことを特徴とする半導体パッケージである。
さらに、本発明は、少なくとも金属層と、その片面に形成された感光性絶縁樹脂層とを備える半導体パッケージの製造方法において、
（ａ）金属層の片面に感光性絶縁樹脂層を形成する工程；
（ｂ）前記感光性絶縁樹脂層にビアホールをフォトリソグラフィー法により形成する工程；
（ｃ）前記感光性絶縁樹脂層の両面のうちビアホールが形成された面側に、粘着材層及び支持体層を備えた粘着フィルム層を形成する工程；
（ｄ）前記金属層にボンディングパッドパターン、配線パターンを形成する工程；
（ｅ）前記金属層のボンディングパッドパターンを除いた部分に熱硬化型絶縁樹脂を形成する工程；
（ｆ）前記金属層にニッケルメッキ層、貴金属メッキ層を形成する工程；
（ｇ）前記金属層側に半導体素子を搭載する為にダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールディングを行う工程と、を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記金属層の片面に前記感光性絶縁樹脂層を形成する工程において、前記感光性絶縁樹脂層を前記金属層にキャスティングにより形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記感光性絶縁樹脂層の厚みが１０〜１００μｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記支持体層は１５０℃における熱収縮率が１．０％以下である樹脂フィルム層を使用することを特徴とした半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記支持体層の厚みは３０〜２００μｍであり、前記支持体の引張強度が１５０ＭＰａ上であり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とした半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記粘着材層の厚みが５〜２０μｍであり、感光性絶縁樹脂層に対する接着力が１．０〜１０Ｎ／２０ｍｍであり、且つ１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記熱硬化型絶縁樹脂層の厚みが１５〜３０μｍであることを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記金属層の厚みが５〜２０μｍであり、金属層のうち少なくとも片側の面が粗面化処理されたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
また、上記において、前記熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層とを加えた厚みが、前記粘着フィルム層の厚みよりも小さいことを特徴とする半導体パッケージの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、半導体パッケージの感光性絶縁樹脂の熱膨張、熱収縮等の熱変形に由来する反りによる影響を低減させることができた。
すなわち、本発明は、金属層の片面に感光性絶縁樹脂層を形成し、かつ支持体層を形成したものであり、これにより感光性絶縁樹脂層の熱キュアの際に、金属層と感光性絶縁樹脂層との熱膨張の差により発生する反りを軽減することが出来た。
また、金属層を感光性絶縁樹脂と熱硬化型絶縁樹脂で挟み込むことにより、熱変形の影響を相殺し、反りを軽減することが出来た。
また、支持体層を付けた状態で後工程であるダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールディングが可能である為、支持体層を貼り付けた時から最終的に支持体層を剥離するまで、反りの影響を考慮することなく工程を通すことが出来る。
また、本発明では金属層を熱硬化型絶縁樹脂層、感光性絶縁樹脂層で挟みあうことで、樹脂両面の熱硬化収縮による反りを相殺し合い、且つ粘着フィルムを形成することで、反りを軽減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明では、半導体パッケージは半導体素子搭載面を上面として、順に熱硬化型絶縁樹脂層、金属層、感光性絶縁樹脂層、支持体層の４層からなる。感光性絶縁樹脂層と支持体層を接着するため、両層の間に粘着材層を挟み込むことができる。
【００１２】
また本発明は、感光性絶縁樹脂層と金属層の層間の接着をキャスティングにより行うことができる。前記各層の接着に接着材を用いた場合、各層間に接着材層が形成されてしまい、フォトリソグラフィー、エッチングが阻害され、正確にパターニングされない原因となることがある。そこで本発明では、各層間の接着をキャスティングにより行うことで、フォトリソグラフィー、エッチング工程を円滑に進めることが可能となる。
【００１３】
（感光性絶縁樹脂層について）
感光性絶縁樹脂の厚さとしては、１０〜１００μｍの範囲が好ましい。感光性絶縁樹脂の厚さが１０μｍ以下であると、基材としての強度が大きく低下し、搬送時に伸び、破断等の不良を起こす原因となる。また感光性絶縁樹脂の厚さが１００μｍ以上であれば、感光性絶縁樹脂の解像度が低下し、ファインなビアパターンを形成し難くなる。また熱キュアによる感光性絶縁樹脂の反りが大きくなり、粘着フィルムによる反りの軽減が困難となる。
半導体パッケージ製造の後工程では、ワイヤーボンディング工程が含まれており、その際温度は最低１００℃の高温条件におかれた状態にて、超音波を用い結線される。その為、高温時において基材が軟化、流動を起こさないことが重要となる。以上を鑑みて、感光性絶縁樹脂層としては、１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上、好ましくは１５０℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上の樹脂材料を用いることで安定した結線が可能となる。感光性絶縁樹脂層として、具体的には感光性ポリイミド、感光性エポキシ系樹脂、感光性アクリル系樹脂、感光性エポキシアクリル系樹脂が使用できる。
【００１４】
（支持体層について）
支持体層の厚さは、５０〜２００μｍの範囲が望ましい。支持体層の厚さが５０μｍ以下では、基材の反り、うねり等を緩和できずに支持体層としての機能を果たすことが出来ない。また支持体層の厚さが２００μｍ以上であれば、搬送時において、ロール部にてスムーズな搬送が行えず基材と粘着フィルムとのズレ等の不良を生じる結果となる。
また支持体層は、基材である金属層、感光性絶縁樹脂層を工程の搬送から保護する機能も果たしており、一定の強度が必要となる。一般的に感光性絶縁樹脂層は通常２０から７０ＭＰａ程度の引張強度しかなく、搬送時に基材の伸び、破断等が発生しやすい。そのためある程度の引張強度を持つ支持体層を形成することが必要となる。この時の支持体層の引張強度は、少なくとも感光性絶縁樹脂の２倍の引張応力、即ち１５０ＭＰａ以上となることが好ましい。
また半導体パッケージ製造の後工程では、ワイヤーボンディング工程が含まれており、その際温度は最低１００℃の高温条件におかれた状態にて、超音波を用い結線される為、高温時において基材が軟化、流動を起こさないことが重要となる。そのため、支持体層としては、１００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上、好ましくは１５０℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上のものを用いることで安定した結線が可能となる。
半導体パッケージ製造の後工程において、ダイボンディング、ワイヤーボンディング等により１００〜１５０℃程度の熱処理が加わる。そのため支持体として用いる際に、耐熱性に劣る通常のプラスチックフィルムでは、熱収縮によりうねり等を発生し支持体層としての機能を果たすことが出来ない。そのため、高温領域での熱膨張を起こしにくいエンジニアリングプラスチックフィルム等を使用することで、支持体として反りの低減を果たすことが出来る。以上を鑑みて支持体層としては、１５０℃における熱収縮率が１．０％以下、好ましくは０．５％以下のものが好ましい。エッチング液に対し耐腐食性を有する材料を好ましく用いることもできる。支持体層の材料としては、具体的にはポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、液晶ポリマー等のエンジニアリングプラスチック等が使用できる。
【００１５】
（金属層について）
金属層の厚さは５〜２０μｍの範囲が望ましい。金属層の厚さが５μｍ以下では、強度の観点から搬送時に伸び、破断等の不良を生じる原因となる。また金属層の厚さが２０μｍ以上であると、ファインなパターンを形成することが難しくなる。また金属層の片面、或いは両面に粗化処理などを施すことで、金属層と感光性絶縁樹脂層、また金属層と熱硬化型絶縁樹脂層との間で密着性が高まり、半導体パッケージの信頼性が向上することとなる。金属層として、具体的には銅、アルミニウム、導電性ペースト等の導電性材料を用いることができる。
【００１６】
（熱硬化型絶縁樹脂層について）
熱硬化型絶縁樹脂層は熱硬化型絶縁樹脂により形成される。熱硬化型絶縁樹脂層は、感光性絶縁樹脂層の厚みを加えた合計の厚みが、粘着フィルム層の厚みよりも小さいことが望ましい。例えば、粘着フィルム層の厚みより熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層とを加えた厚みが大きい場合には、熱硬化型絶縁樹脂層と感光性絶縁樹脂層の熱硬化収縮による反りを粘着フィルム層が軽減することができずに反りが残存してしまう虞があるためである。
熱硬化型絶縁樹脂として、具体的には熱硬化型エポキシ系樹脂、熱硬化型アクリル系樹脂、熱硬化型エポキシアクリル系樹脂等を用いることができる。
【００１７】
（粘着材層について）
粘着材層は粘着材により形成される。粘着材は、感光性絶縁樹脂と支持体を接着してから最終的に剥離するまでの間、一時的に接着している必要があり一定の粘着力が必要となる。加えて、ビアホール等の孔が形成された感光性絶縁樹脂に粘着フィルムを形成した後、熱処理の工程を通ると、孔の内部に存在する空気が熱により膨張し、粘着材層を押し上げ浮き上がり等の不良を発生させる可能性がある。そのため、少なくとも１．０Ｎ／２０ｍｍ以上の接着力があることが望ましい。けだし、孔内部の空気の熱膨張による押し上げによる浮き上がりを抑制できる粘着力が必要だからである。また、支持体層を最終的に剥離するため、粘着材の接着力は１０Ｎ／２０ｍｍ以下であるのが望ましい。けだし、１０Ｎ／２０ｍｍ以上の接着力であると、半導体パッケージから支持体層を剥離する際、半導体パッケージの伸び、破断等の不良を発生させる原因となるためである。また粘着材層もまた感光性絶縁樹脂層、支持体層と同様にワイヤーボンディング工程を通ることから、粘着材層としては、２００℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上、好ましくは１５０℃における弾性率が１．０ＧＰａ以上のものを用いることで、より安定した結線が可能となる。
粘着材の厚さは、２〜２０μｍの範囲が望ましい。粘着材の厚さが２μｍ以下では、粘着材の感光性絶縁樹脂表面の凹凸に対する追従性が低下してしまう為、感光性絶縁樹脂と粘着材との間に気泡が入りやすくなり、製品信頼性に問題を生じてしまう。また粘着材の厚さが２０μｍ以上であると、ワイヤーボンディング工程にて粘着材が陥没し、結線の安定性が低下する結果となる。
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１のように、金属層１と感光性絶縁樹脂層２を基材として準備する。金属層１の厚さは大きくとも２０μｍまでが望ましい。感光性絶縁樹脂層２の厚さとしては、１０〜１００μｍの範囲が好ましい。更に好ましくは２５〜５０μｍの範囲が好適である。その他の層については前述した通りである。
【００１９】
次に図２に示すように、金属層１のもう片方の面にドライフィルムレジスト３を形成する。ドライフィルムレジスト３に配線パターン４、ワイヤーボンディングパッドパターン５を、感光性絶縁樹脂層２に半田ボールを搭載する為のビアホールパターン６を形成する為に、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングを行う。その後感光性絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて熱キュアを行う。
【００２０】
そして感光性絶縁樹脂層２側に粘着材層７と支持体層８とを備えた粘着フィルム層を形成する（図３）。その際支持体層８は基材の反りを軽減するだけでなく、ビアホールパターン６からエッチング液が進入し、金属層が溶解するのを防ぐ役割をもつ。粘着材層７としてはアクリル系樹脂が一般的である。また粘着材層７の厚さは、２〜２０μｍの範囲が望ましい。更に好ましくは５〜１０μｍの範囲が好適である。その中でも剥離に適した紫外線硬化型アクリル系樹脂、微粘着型アクリル系樹脂があるが、これらはビアパターンの形状、大きさ等により使い分けるのがよい。
【００２１】
次に図４に金属層１をエッチングすることで、金属層１に配線パターン４、ボンディングパッドパターン５を形成した図を示す。エッチング液は一般的な塩化第２鉄液、塩化第２銅液などを使用することが出来る。その後図５に示すように、ボンディングパッドパターン５を除いた金属層１に熱硬化型絶縁性樹脂１１を形成した後、ボンディングパッドパターン５にニッケルメッキ層９、貴金属メッキ層１０を形成する。
【００２２】
そして、半導体素子１２を貴金属メッキ層、または熱硬化型絶縁性樹脂上にてボンディングし、半導体素子１２の接続端子１３とボンディングパッド５とを金線１４にて結線する。その後樹脂封止１５を行う（図６）。最終的には図７に示すように、粘着材層７と支持体層８とを備える粘着フィルム層を剥離することで半導体パッケージ１６を製造することが出来る。
【実施例】
【００２３】
以下に、本発明の半導体パッケージの製造方法を実施例を挙げてより具体的に説明する。
［実施例１］
金属層として厚さ１２μｍの銅箔（日本電解社製  ＵＳＬＰ）を用いた。この銅箔の片面に、厚さ２５μｍの感光性絶縁樹脂（新日鐵化学製  ＰＤＦ３００Ｇ）をキャスティングにより形成した。銅箔のもう一方の面にドライフィルムレジスト（旭化成製  ＡＱ１０５８）を形成した。次に銅箔面に形成されたドライフィルムレジストに配線、ワイヤーボンディングパッドパターンを、感光性絶縁樹脂層にビアホールパターンを形成する為に、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングした。その後、感光性絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、１時間熱キュアを行った。
【００２４】
次いで、熱キュアによって発生した反りを軽減するために、支持体層を感光性絶縁樹脂層側に熱圧着ラミネートにより形成した。この時、感光性絶縁樹脂層と支持体層の間に粘着材として、厚さ５μｍの紫外線硬化型アクリル系樹脂を層形成し、支持体層には厚さ５０μｍの低熱収縮ＰＥＴフィルムを使用した。次に支持体層を通じて粘着材層にＵＶ露光を行い、粘着材をある程度硬化させ、ワイヤーボンディング時の結線の安定性、エッチング液への耐性、及び剥離性を向上させた。続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を配線、ワイヤーボンディングパッドパターンを塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを剥離した。そして、ボンディングパッドパターン部を除いた銅箔面に熱硬化型絶縁樹脂（アサヒ化研製  ＣＣＲ−２４０ＧＳ）をスクリーン印刷により形成した。その後露出したボンディングパッドパターン部に電解により金メッキを形成した。
【００２５】
最終的に半導体素子と熱硬化型絶縁樹脂層とを接着シートにより固着後、ワイヤーボンディングにより、半導体素子のＡｌパッドとボンディングパッドパターンとを金線により結線する。最後に常温にて感光性絶縁樹脂層から粘着フィルムを剥離することで半導体パッケージを製造することが出来た。この半導体パッケージは反りがほとんど発生していなかった。
【００２６】
［実施例２］
金属層として厚さ１２μｍの銅箔（Ｆ２−ＷＳ  古河電工製）を用いた。この銅箔の片面に、厚さ５０μｍの感光性絶縁樹脂（新日鐵化学製  ＰＤＦ３００Ｇ）をキャスティングにより形成した。銅箔のもう一方の面にドライフィルムレジスト（旭化成製  ＡＱ１０５８）を形成した。次に銅箔面に形成されたドライフィルムレジストに配線、ワイヤーボンディングパッドパターンを、感光性絶縁樹脂層にビアホールパターンを形成する為に、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングした。その後、感光性絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて１８０℃、１時間熱キュアを行った。
【００２７】
次いで、熱キュアによって発生した反りを軽減するために、支持体層を感光性絶縁樹脂層側に熱圧着ラミネートにより形成した。この時、感光性絶縁樹脂層と支持体層の間に粘着材として、厚さ１０μｍの微粘着型アクリル系樹脂、支持体には厚さ１００μｍのＰＥＮフィルムを使用した。続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を配線、ワイヤーボンディングパッドパターンを塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを剥離した。そして、ボンディングパッドパターン部を除いた銅箔面に熱硬化型絶縁樹脂（アサヒ化研製  ＣＣＲ−２４０ＧＳ）をスクリーン印刷により形成した。その後露出したボンディングパッドパターン部に電解により金メッキを形成した。
【００２８】
最終的に半導体素子と熱硬化型絶縁樹脂層とを接着シートにより固着後、ワイヤーボンディングにより、半導体素子のＡｌパッドとボンディングパッドパターンとを金線により結線する。最後に常温にて感光性絶縁樹脂層から粘着フィルム層を剥離することで半導体パッケージを製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に関する半導体パッケージの製造で用いる、銅箔の片面に感光性絶縁樹脂をキャスティングにより形成した状態の拡大断面図である。
【図２】図１で示したものにフォトリソグラフィー技術を用いて各パターンを形成した状態の拡大断面図である。
【図３】図２で示したものに粘着フィルムを形成した状態の拡大断面図である。
【図４】図３で示したものにエッチングを行い、金属層に各パターンを形成した状態の拡大断面図である。
【図５】図４で示したものからドライフィルムレジストを剥離し、金属層にボンディングパッドパターン部を除き、熱硬化型絶縁樹脂を形成後、ボンディングパッドパターン部にニッケルメッキ、貴金属メッキを形成した状態の拡大断面図である。
【図６】図５ａ、またはｂで示したものに、半導体素子との接続、樹脂封止を行った後の拡大断面図である。
【図７】本発明における半導体パッケージの完成図である。
【図８】従来の発明による半導体パッケージの製造で用いる銅箔の上面に感光性樹脂、下面に感光性絶縁樹脂を形成した状態の拡大断面図である。
【図９】図７で示したものに配線パターン、ビアパターンを形成する為に露光、現像した状態の拡大断面図である。
【図１０】図８で示したものの下面に耐腐食性フィルムを形成した後、エッチングした状態の拡大断面図である。
【図１１】図１０で示したものの感光性樹脂を剥離した後、感光性絶縁樹脂を形成した状態の拡大断面図である。
【図１２】図１１で示したものにボンディングパッドパターンを形成した後、裏打ち材を除去した状態の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１    金属層
２    感光性絶縁樹脂層
３    ドライフィルムレジスト
４    配線パターン
５    ボンディングパッドパターン
６    ビアホールパターン
７    粘着材層
８    支持体層
９    ニッケルメッキ層
１０  貴金属メッキ層
１１  熱硬化型絶縁樹脂層
１２  半導体素子
１３  接続端子
１４  金線
１５    封止樹脂
１６  半導体パッケージ
２１  金属層
２２  感光性絶縁樹脂層
２３  感光性樹脂層
２４  配線パターン
２５  ビアホールパターン
２６  耐腐食性フィルム
２７  感光性絶縁樹脂フィルム
２８  ボンディングパッドパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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