(57)【要約】【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアノードと電源を備えた電解めっき槽内にめっき対象物を設置する工程と、  次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、
次いで、前記ゲル化されているめっき液を溶液化してめっき成膜を行う工程と
が含まれてなることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
ゲル化されているめっき液を加熱することで溶液化すること
を特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項３】
めっき成膜終了後、めっき液をゲル化すること
を特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項４】
ゲル化めっき液の溶液化と同時にめっき対象物に通電を開始すること
を特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項５】
少なくともアノードと電源を備えた電解めっき槽内にめっき対象物を設置する工程と、  次いで、前記めっき対象物の被めっき面にゲル化しためっき液を塗布する工程と、
次いで、電解めっき槽内にめっき液を導入する同時にめっきを行なう工程と
が含まれてなることを特徴とするめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置などの電子部品、或いは、その他の部品の製造分野で用いるのに好適なめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、微細な半導体装置に於ける配線を形成する為のダマシンプロセス、或いは、磁気ヘッドの製造プロセスなどでは、めっき法による成膜が主流になっている。めっき法は、他の成膜法、例えばスパッタ法やＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などと比較すると設備が安価でコスト面でのメリットが大きい。
【０００３】
そこで、現在、微細なめっきを実現する為の技術開発が進められていて、今後、更に種々な分野で多用されることになろうと思われる。
【０００４】
ところで、電解めっきを行う場合には、めっき槽、アノード、電源を備えためっき装置にめっき対象物をセットし、めっき槽にめっき液を注入した後、通電してめっきを行なうのであるが、めっき装置がめっき対象物をめっき槽の底部に設置する構造である場合、酸性のめっき液にめっきシード膜が溶解してしまう旨の問題がある。
【０００５】
このため、めっきシード膜には、耐食性が強い材料を選択する、溶解を見越して厚めのシード膜を用意する、めっき槽内に別系統の電極を用意し、めっき液導入時から通電を行うなどの手段が採られている。
【０００６】
然しながら、耐食性が強い材料を選択した場合には、デバイス、例えば、磁気ヘッドの特性に悪影響を及ぼすことになる。即ち、磁気ヘッドの磁極部には、磁気特性が優れているＦｅ系の材料を多用しているが、耐蝕性が低いので、これを向上させるには種々な金属を添加することが行われている。然しながら、その金属元素の添加に依って、本来の磁気特性が劣化する旨の問題を生じる。
【０００７】
また、シード膜を厚くする手段を採った場合には、例えば、磁気ヘッドでは、めっき成膜に依って、磁気特性に優れた磁極の性能が低下する旨の問題を生じる。
【０００８】
更にまた、めっき液導入時の通電は、液抵抗を変化させるので、析出物、即ち、めっき膜の組成を制御できない旨の問題がある。
【０００９】
そこで、前記した三つの手段を採ることなく、シード膜の溶解を抑止してめっきすることができる方法の実現が希求されている。
【００１０】
この要求に応えようとして、被めっき部のみにゲル化しためっき液を載置し、そこにアノードを接続して電解めっきする技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１１】
この従来技術は、所望の部分のみにめっきすることができる点に於いて、優れた方法であるが、めっき液がゲル状態であることから、めっき液内に於ける金属イオンの拡散速度が遅く、めっきレートが小さい旨の問題がある。
【特許文献１】特開平１１−１８９８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明では、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に依るめっき方法では、少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
前記手段を採ることに依り、シード膜として特に耐食性が高い材料を選択する必要はなくなり、シード膜材料は広い範囲から選択することが可能となり、また、シード膜が溶解されることを見越して厚めに形成する必要もなくなり、更にまた、めっき液の導入時から通電する必要はないことから、めっき膜の組成を適切に制御することが可能となって、その適用範囲は、各種のデバイスや装飾品など、多種多様なめっき成膜分野で拡げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明では、電解めっき工程に於いて、めっき対象物にめっき液を接触させるに際し、めっき液をゲル状にして接触させることでシード膜の溶解を抑制できるようにし、耐食性が低い材料からなるシード膜を用いても、安定なめっきを実施することを可能とし、しかも、めっき液をゲル状態のまま、めっきを実施した場合、金属イオンの移動が遅いことに起因し、めっきレートが低くなったり、或いは、めっき表面に荒れを生じてめっき焼けが発生するので、ゲル状態のめっき液を溶液状態に変えてからめっきを実施するようにし、これに依り、従来から多用されている通常のめっき浴と全く同じに高速のめっきを行なうことを可能にしている。
【００１６】
下記の表は、本発明方法に依るめっきの結果と従来の技術に依るめっきの結果とを比較して表したものであり、本発明に依るめっき方法の優位性が看取されよう。
【表１】
2007246989.tif 000002
表１に於いて、
（Ａ）方法の欄に於いて、「ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ」はシード膜の材料である。また、「従    来」とは、ゲルなどを用いることなく、通常の「めっき液」を使用した場合である。
更にまた、「キャップ」とは、めっき膜の上に更に別なめっき膜を形成した場合であ    る。
（Ｂ）シード溶解の欄に於いて、「−」は溶解がなかったと云う意味である。
（Ｃ）めっき膜の欄に於いて、「○」は良好なめっき膜が得られたことを表示している。
【実施例１】
【００１７】
ここで、金属銅板の上に銅をめっきする場合について説明する。
（１）  硫酸銅，硫酸からなる極一般的な電解銅めっき液にポリエチレングリコールを添      加し、前記めっき液をゲル化する。
（２）  次いで、ゲル化めっき液をめっき槽中の金属銅板上に載置し、金属銅板をアノー      ドとして電源に接続する。
（３）  次いで、ゲル化めっき液を温度７０℃に加熱することで溶液化する。
（４）  次いで、電源をオンにして銅のめっき膜を形成する。
（５）  めっきが終了した段階で、めっき槽を冷却し、溶液化めっき液を再びゲル化して      からめっき対象物を取り出す。
【実施例２】
【００１８】
（１）  ワット浴にカラーギナンを０．３％含ませることでゲル化しためっき液を用意す      る。尚、めっき液は０．３％のカラーギナンを投入することでゲル化する。
（２）  ゲル化しためっき液をめっき槽にセットする。その際、シード膜がごく僅か溶解      することを防ぐ為、被めっき対象物である被めっきウェハに微弱な電流を流してお      くことが好ましい。
（３）  めっき槽内が完全にめっき液で満たされた状態になったら７０℃に加熱し、めっ      き液を溶解させると同時にめっき通電を開始してめっきを行う。
（４）  めっき膜厚が所望の値に達した時点で電流量を減少させながら冷却し、めっき液      を再びゲル化する。
（５）  ゲル化しためっき液を槽外に取り出すと共にめっきウェハも取り出して作業を完      了する。
【実施例３】
【００１９】
硫酸銅溶液を用いた銅の電解めっきに於いて、シード膜の銅が溶解することを防止する為の手段を例示する。
（１）  めっき液を用意し、これにペクチンを０．５％添加してゲル化する。
（２）  ゲル化しためっき液をウェハに塗布し、めっき槽にセットする。
（３）  ウェハに微弱電流を流しながら、通常のめっき液を導入し、所望のレベルに達し      た際、めっき通電を行ってめっきを開始する。
（４）  以上のプロセスを経ることで、めっき前のシード膜溶解は防止されるから、この      後、他の実施例と同様なプロセスでめっき膜を完成させる。