(57)【要約】【課題】保存情報のセキュリティ向上可能な記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】データ記憶手段が所定の取り扱いを受けた際にそこに格納されたデータの正規な読み取りができないように前記格納手段に対して所定の作用を及ぼす手段とよりなる構成である。【選択図】図１
2007109010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の態様で取り扱われた際に格納データが消去されるような態様で予めホットキャリアを注入してなる半導体記憶装置よりなるデータ記憶装置。
【請求項２】
前記半導体記憶装置に対する外光の照射を可能にする開口を有する筐体を設け、
前記半導体記憶装置は通常の設置状態では前記開口が塞がれるように構成されてなり、
前記半導体記憶装置が同設置状態から取り外された場合前記開口が露出されることで前記半導体記憶装置に外光が照射され、もって前記ホットキャリアの作用により格納データが消去される構成とされてなる請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
データを格納する格納手段に対するデータ読み出し動作が実行された際に該当するデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段よりなるデータ記憶装置。
【請求項４】
前記格納手段に対するデータ読み出し動作が実行された際に正規のデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段は前記格納手段に対するアドレッシングにおいて、前記所定の扱いを受けた場合に正規の態様と異なる所定の態様でアドレッシングがなされるように機能する構成とされてなる請求項３に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
予め所定の外部端子が短絡され、前記所定の扱いを受けた際に前記所定の外部端子の短絡が外れる構成を設け、
前記所定の扱いを受けた場合に正規の態様と異なる所定の態様でアドレッシングがなされるように機能する手段は前記所定の外部端子が短絡された状態で前記正規のアドレッシングを実行し、同短絡が外れた状態では前記正規の態様と異なる態様でアドレッシングを実行する構成とされてなる請求項４に記載のデータ記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はデータ記憶装置に係り、特に格納情報に対するセキュリティを効果的に向上可能なデータ記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年個人情報、機密情報等の要保護情報の漏洩、盗難等が社会問題化しており、各種情報処理装置において対策が求められている。
【０００３】
ここで保護の対象となる要保護情報としては、個人の住所、氏名等、同個人を特定するための情報、指紋、パスワード等、個人認証に使用される情報等が挙げられる。
【０００４】
これら要保護情報は情報処理装置内のメモリやストレージデバイスに保存されているため、これら要保護情報の盗難を防止するためにはこれらのデータ記憶装置における対策が必須である。
【０００５】
ここで情報処理装置に使用されているデータ記憶装置としてのメモリは大略揮発性メモリ及び不揮発性メモリの２種に分類できる。このうち不揮発性メモリは周知の如く通電無しでも格納データが保持され得る構成を有する。
【特許文献１】特開平５−８８９８６号公報
【特許文献２】特開２００１−１９５３０７号公報
【特許文献３】特開平１１−３２８０３６号公報
【特許文献４】特開平１０−３２０２９３号公報
【特許文献５】特開平９−１６４７７号公報
【特許文献６】特開２００２−７３４２２号公報
【特許文献７】特開２００１−２０２１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
要保護情報としての個人情報を扱うシステムの一例としての指紋認証シテスムでは、個人情報としての指紋情報を不揮発性メモリに保存しておく必要があり、仮にこの不揮発性メモリが盗難等にあった場合には重要な個人情報の漏洩が生ずる。
【０００７】
要保護情報の保護のための方法としてたとえば該当する情報の暗号化が挙げられる。しかしながらこの方法では暗号化アルゴリズムの解析によって暗号が解読されてしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、要保護情報が格納されたデータ記憶装置が盗難等にあった場合であっても、要保護情報が不正に使用されることが効果的に防止可能なデータ記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的の達成のため本発明によれば、所定の態様で取り扱われた際に格納データが消去されるような態様で予めホットキャリアを注入してなる半導体記憶装置よりなる。
【００１０】
あるいはデータを格納する格納手段に対するデータ読み出し動作が実行された際に該当するデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段を設けた。
【００１１】
前者の構成によれば、半導体記憶装置に予めホットキャリアを注入しておき、たとえば通常の設置状態では同半導体記憶装置に対する外光の照射が遮断されるが、これが不用意に取り外された場合には外光の照射により前記ホットキャリアの作用で格納データが消去されるように構成することが可能となる。
【００１２】
その結果、簡易な構成にて、データ記憶装置が盗難等にあった際（すなわち所定の態様で取り扱われた場合）に格納データが自動的に消去されるようにすることが可能となる。
【００１３】
又後者の構成によれば、データ記憶装置が盗難等にあった際に正規のデータと異なるデータが読み出されるため、不正使用を行おうとしている者に正規のデータが読み出されたと思いこませることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
このように本発明によればデータ記憶装置が盗難等にあった際、格納データが自動的に消去されるか、あるいは正規のデータと異なるデータが読み出される。その結果要保護情報の不正使用が効果的に防止可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施の形態によるデータ記憶装置は図１に示す如く要保護情報を格納する格納部２及びこれに機能する機能部１とよりなる。
【００１６】
機能部１は当該データ記憶装置が所定の態様で取り扱われた場合、すなわちデータ記憶装置としての半導体記憶装置が、実装されていたプリント基板から不用意に取り外されたような場合、これを受けてデータ格納部２に対して所定の作用を及ぼすように機能する。
【００１７】
この所定の作用は、データ格納部２に格納されたデータを自動的に消去、破壊あるいは置換する動作によるものである。
【００１８】
すなわち本発明の実施の形態は、要保護情報を格納したデータ格納部２としての不揮発性メモリが不正な方法で取り外され、或いは不正読出しが行われようとしたような場合、自動的に正規データの読出しが不可とされ、あるいは更に正規のデータが他の所定のデータに置き換えられる構成を有する不揮発性メモリを有する半導体集積回路である。
【００１９】
また、前記置き換え後の所定のデータを他の通信機能や通知機能等とを組み合わせることにより、不正行為の発生を自動的に外部の所定の機関に通知する機能を設けることが望ましい。
【００２０】
本発明の実施の形態１では不揮発性メモリのパッケージ下部に窓あるいは開口を設けておく（すなわち後述の所謂窓付きメモリを実現する）。その結果同不揮発性メモリのパッケージがプリント基板上に、同下部をプリント基板表面に対向する状態で実装した場合、同窓あるいは開口が塞がれて外光が遮断される。
【００２１】
他方これがプリント基板から不用意に取り外された場合、同窓あるいは開口が露出することになり、同窓あるいは開口を通して外光がパッケージ内部の不揮発性メモリに照射され、その光のエネルギーにより格納データが自動的に消去される。
【００２２】
なおその際、僅かな外光の照射でもデータの消去が可能となるように同メモリ内のメモリセルに通常使用時には問題とならない量のホットキャリアを注入しておく。
【００２３】
後述の如く、紫外線の照射により不揮発メモリのデータ消去を行う技術（すなわちＵＶ−ＥＰＲＯＭの技術）は公知であるが、本実施の形態ではこれを紫外線以外の通常光によっても可能とするため、上記の如く予め所定量のホットキャリアを注入しておく。
【００２４】
このホットキャリアによるデータ消去技術としては、たとえば公知の資料、「世界で初めてフラッシュメモリを内蔵した３２ビットＲＩＣＳＣ型マイクロコントローラの開発について」、ＮＥＣ  ＥＬＥＣＲＯＮＩＣＳ、日本電気株式会社、平成８年３月１２日（ＵＲＬ：http://www.nec.co.jp/press/ja/9603/1202.html、２００５年１０月４日現在）中の項目「（２）ローコストなフラッシュメモリ・プロセス・テクノロジを採用」において、「消去方式にホットキャリア・メカニズムを採用し、．．．」として照会されている。
【００２５】
また、「宇宙を旅したデバイス、低コスト混載用不揮発メモリデバイス技術“ＭＯＮＯＳ”」、ソニー（ＵＲＬ：http://www.sony.co.jp/Products/SC-HP/cx_pal/vol52/pdf/monos_f.pdf、２００５年１０月４か現在）中の「ＭＯＮＯＳの構造と原理」の項において、ホットキャリアを用いることにより書き込み・消去の動作電圧を低くでき、かつ高速にすることができる旨が開示されている。
【００２６】
これらの公知技術から、ホットキャリアの適用により電子の移動に要する電圧を低減可能であり、それによって低エネルギーで電子の移動が実現可能であることが分かる。すなわち半導体メモリのメモリセルにホットキャリアを注入することによりデータ消去に要するエネルギーを低減可能であることが分かる。
【００２７】
また「ＥＰＲＯＭ、出典：フリー百科事典『ウィキペディァ（Ｗｉｋｉｐｅｄｉａ）』（ＵＲＬ：http://ja.wikipedia.org/wiki/EPROM：２００５年１０月４日現在））中の「ＵＶ−ＥＰＲＯＭ（紫外線消去ＰＲＯＭ）」の項に記載の如く、半導体メモリとしてのＵＶ−ＥＰＲＯＭ（紫外線消去プログラミング・ＲＯＭ）の技術として、紫外線の照射により電子の励起を行いゲートの絶縁膜を通過できるようにすることでデータ消去を実現する技術が知られている。
【００２８】
本発明の実施の形態１でもこの技術を適用し、紫外線以外の一般の外光によっても半導体メモリのデータの消去を実現するため、ホットキャリアを注入することによって電子の移動に要するエネルギーを低減する構成とした。
【００２９】
すなわち周知のＵＶ−ＥＰＲＯＭにおけるデータ消去時の作用と同様の作用により外光の照射によるデータの消去を実現するためには、外光によって励起された電子による半導体メモリのゲート絶縁膜の通過がより容易に生ずるように構成する必要がある。そのため上記の如く電子の移動を容易にする効果を有するホットキャリアを注入する構成とした。すなわち上記の如くホットキャリアの注入により半導体メモリ中の電子の移動に要するエネルギーを低減し得る効果を利用する。その結果紫外線以外の一般の外光の照射によっても格納データを消去可能な半導体メモリを実現することが可能となる。
【００３０】
特に後述の第３実施例において説明する如く、本発明の実施の形態１では、上記周知のＵＶ−ＥＰＲＯＭ同様の所謂窓付きメモリを適用する。この窓付きメモリの構成については上記「ＥＰＲＯＭ、出典：フリー百科事典『ウィキペディァ（Ｗｉｋｉｐｅｄｉａ）』（ＵＲＬ：http://ja.wikipedia.org/wiki/EPROM：２００５年１０月４日現在））中の「ＵＶ−ＥＰＲＯＭ（紫外線消去ＰＲＯＭ）」において、「ＵＶ−ＥＰＲＯＭのパッケージには紫外線を投下する石英ガラス製の窓が設けられており」として説明されている。
【００３１】
次に本発明の実施の形態２によるデータ記憶装置の構成について説明する。
【００３２】
実施の形態２では図２（ａ）に示す如く、データ記憶装置にデータ読み出し用のアドレス端子Ａ１の他に、所定の接続監視用の端子ＴＳを追加して設ける。そして当該データ記憶装置をプリント基板へ実装する段階でこれらアドレス端子と接続監視用の端子との間を意図的に短絡する目的で半田ブリッジを形成する。
【００３３】
なお、上記接続監視用の端子ＴＳは各アドレス端子毎に設けても良いし、一部のアドレス端子のみに対して設けても良い。
【００３４】
たとえばＢＧＡタイプの半導体装置のパッケージの場合半田ブリッジによる回線短絡状態は容易には確認できない。このため、第３者がそれとは知らず同パッケージとプリント基板とを接続している半田を溶かして同パッケージをプリント基板から取り外そうとした場合、上記の如く予め特定のアドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとが短絡されていたことには気が付かないまま、同半田を溶かしてデータ記憶装置の取り外しを行うことになる。その結果上記第３者は自分では気づかないままに前記アドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとの間の短絡用半田ブリッジを取り除いてしまうことになる。
【００３５】
したがって悪意の第３者が盗難の目的等によりデータ記憶装置をプリント基板から取り外そうとした場合、データ記憶装置としての半導体装置とプリント基板との間の多数の端子間の接続に係る半田を取り外す際に無意識に前記端子短絡用半田ブリッジも同時に取り外してしまう可能性が大きい。
【００３６】
またデータ記憶装置における回路構成上で前記特定のアドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとの排他論理和（ＥＸＯＲ）により選択されるテーブルを設けておき、このテーブルにより正規のアドレッシングが実行されるように構成しておく。これら両端子Ａ１，ＴＳ間が短絡されることによりそれらが同レベルとなり、その排他論理和はＬレベルとなる。このＬレベルにより選択されるテーブルによって正規のアドレッシングがなされるように回路構成を行う。
【００３７】
またこれら両端子Ａ１，ＴＳ間の短絡が外れるとそれらは互いに異なるレベルを有することとなり、そのはいた論理和はＨレベルとなる。このＨレベルにより選択されるテーブルも別途設けておくことが望ましい。同テーブルにより正規のアドレッシング以外の所定のアドレッシングがなされ、その結果正規のデータとは異なるデータが読み出されるように構成するためである。
【００３８】
すなわち図２（ｂ）において、両端子Ａ１，ＴＳが短絡され同レベルの状態の場合、排他論理和素子３００の出力Ｌが反転されてＨレベルとなり、その結果正規のアドレッシングがなされて正規データ格納部１００から正規データが読み出される。
【００３９】
他方、Ａ１，ＴＳの短絡が外された場合、すなわち当該データ記憶装置の盗難等の目的により当該データ記憶装置がプリント基板から不用意に取り外された場合、排他論理和素子の出力Ｈが反転されてＬとなり、上記と異なるアドレッシングにより不正検知用データ格納部２００から該当するデータ（ダミーデータ）が読み出される。
【００４０】
またこの正規のアドレッシング以外の所定のアドレッシングによって、所定のプログラムあるいはデータ（ダミーデータ）が読み出されるように構成することが可能である。その結果、たとえば汎用のパーソナルコンピュータ等で読み出しを行っていた場合に同パーソナルコンピュータの制御系が同プログラムあるいはデータ（ダミーデータ）により自動的に制御され、インターネット等の通信網経由で所定の機関に対し通知信号が発信されるようにすることが可能である。その結果、このダミーデータの読み出しが要保護情報の不正読み出し・不正使用の発生の可能性有りとして所定の機関に通知され、所定の機関による適切な対処が可能となる。
【００４１】
また、上記正規のアドレッシング以外のアドレッシングによって読み出される正規のデータ以外の所定のデータ（ダミーデータ）として、汎用のパーソナルコンピュータ等で読み出しを行っていた場合に同パーソナルコンピュータの制御系がダミーデータにより自動的に制御され、操作者、すなわち要保護情報の不正読み出し・不正使用者に対し注意メッセージが表示されように構成することも可能である。
【００４２】
あるいは上記正規のアドレッシング以外のアドレッシングによって読み出される正規のデータ以外の所定のデータ（ダミーデータ）として正規なデータに似せた無意味なデータを設定しておくことにより、それが不正に使用された場合に正規な結果が得られず、それが外部に検知されるように構成することも可能である。たとえば要保護情報が指紋等の認証情報であった場合、悪意の第３者がこれを不正に入手して不正認証を実施しようとすると上記正規以外の所定のアドレッシングにより偽の認証情報（ダミーデータ）が読み出されるように構成しておく。これを上記悪意の第３者が使用して不正認証を行おうとした場合認証結果が成功せず、これが認証機関により検知され要保護情報の不正使用が発覚し得るからである。
【００４３】
なお、上記実施の形態１及び実施の形態２のいずれにおいて必ずしも要保護情報の全データが消去されあるいは置換される要はなく、その一部の消去あるいは破壊、もしくは一部の置換がなされるように構成することも可能である。そのように構成しても十分に要保護情報の漏洩防止の目的が達成される場合があるからである。
【００４４】
上記各実施の形態によればデータが消去、破壊あるいは置換されるため要保護情報の漏洩を確実に防止可能となる。
【００４５】
また何れの方法によっても要保護情報が消去、破壊あるいは置換がなされるが、データ記憶装置自体に損傷が生ずることはない。その結果データ記憶装置としての再利用が可能であり、資源保護の観点からも有利である。
【００４６】
以下、本発明の実施例の構成につき図とともに説明する。
【００４７】
図３は本発明の第１実施例によるデータ記憶装置の構成を示す回路図である。
【００４８】
図示の如く、同装置は読み出しアドレス信号を受けてメモリセル１１０及びダミーメモリセル２１０に対し読み出し信号を供給するアドレスデコーダ５０、正規のデータを格納したメモリセル１１０、正規のデータとは異なる所定のダミーデータを格納したダミーメモリセル２１０、アドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとの間の排他論理和をとり、その演算結果を反転して出力する反転機能付きＥＸＯＲ素子３００、反転機能付きＥＸＯＲ素子３００からのＨ出力によりメモリセル１１０からの正規の読み出しデータを通過させるゲート素子１２０、反転機能付きＥＸＯＲ素子３００からのＬ出力がインバータ２３０により反転されたＨ信号によりダミーメモリセル２１０からのダミーの読み出しデータを通過させるゲート素子２２０、及びインバータ２３０よりなる。
【００４９】
図３の構成によれば、図２とともに上述した実施の形態２の場合同様、アドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとが短絡された状態、すなわち通常の設置状態においては反転機能付きＥＸＯＲ素子３００の両入力は同レベルとなるためＨレベルが出力される。このため、ゲート素子１２０が通過状態となり、ゲート素子２２０が遮断状態となる。その結果メモリセル１１０から正規のデータが読み出される。
【００５０】
他方、同データ記憶装置が上記実施の形態２の場合同様にプリント基板から取り外される等の要因により、アドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとの間の短絡が外された場合、反転機能付きＥＸＯＲ素子３００の両入力は異レベルとなるためＬレベルが出力される。これを受けたゲート素子１２０は遮断状態となり、他方上記Ｌレベルがインバータ２３０により反転されたＨレベルを受けたゲート素子２２０は通過状態となる。その結果、ダミーメモリセル２１０からダミーデータが読み出される。
【００５１】
このダミーデータは上記の如く、所定の機関に対する自動通知動作を起動するための情報、操作者に対する注意メッセージの表示動作を起動するための情報、偽の認証情報等よりなる。
【００５２】
図４は上記第１実施例の変形例としての本発明の第２実施例の構成を示す回路図である。
【００５３】
第２実施例は第１実施例と略同様の構成を有するため、重複する説明を省略する。
【００５４】
第２実施例は図３とともに説明した第１の実施例と異なり、ダミーメモリセル２１０に代えてダミーデータ形成部２１０Ａを設けている。ダミーデータ形成部２１０Ａは所定の固定データを生成するための回路であり、接地線への接続、電源供給線への接続等よりなり、常に固定した信号レベルを生成する。
【００５５】
このため第２実施例では不正目的等によりデータ記憶装置が取り外されることによりアドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとの短絡が外された場合、反転機能付きＥＸＯＲ素子３００のＬ出力がインバータ２３０の反転されたＨ出力を受けて通過状態となったゲート素子２２０により、ダミーデータ形成部２１０Ａから上記固定レベルの信号が読み出される。
【００５６】
図５は上記実施の形態１に該当する本発明の第３実施例の作業の流れを示すフローチャートである。
【００５７】
図５のフローチャートにおいて、ステップＳ１では上記の如く予め所定量のホットキャリアを注入済みの窓付きメモリを、同窓が塞がれる態様でプリント基板に実装する。なおこの窓付きメモリとは、メモリを窓付きのパッケージで覆った構成を有し、同窓が露出され外光に曝された場合、上記ホットキャリアの作用により格納データが消去される。
【００５８】
ステップＳ２ではこの状態で所定の要保護情報を同メモリに書き込む。あるいは上記窓を塞いだ状態のメモリに所定の要保護情報を書き込み、その上で窓が露出しないようにプリント基板に実装する。
【００５９】
ステップＳ３にて想定外の取り外しが発生した場合、すなわち同窓が露出しないような手当が行われず、そのままメモリがプリント基板から取り外された場合、ステップＳ４にて格納データが破壊される。すなわち、同窓が露出されることにより外光がメモリとしての半導体チップに照射され、その結果上記の如く内部に注入されているホットキャリアの作用により同チップの格納データが破壊される。
【００６０】
その結果要保護情報の漏洩が確実に防止され得る。
【００６１】
図６は図３，図４とともに説明した第１実施例及び第２実施例の作業の流れを示すフローチャートである。
【００６２】
ステップＳ１１では図３あるいは図４に示す如くの回路構成を設ける。ステップＳ１２では当該データ記憶装置をプリント基板上に実装する際、アドレス端子Ａ１と接続監視用の端子ＴＳとを半田ブリッジにより短絡する。
【００６３】
ステップＳ１３ではその状態で要保護情報を同メモリセル１１０に書き込む。この状態では上記の如くゲート素子１２０のみが通過状態となるため、メモリセル１１０から正規のデータが読み出される。
【００６４】
ステップＳ１５にて想定外の取り外しが発生した場合、すなわち上記端子Ａ１，ＴＳ間の短絡状態を形成する半田ブリッジを含めたデータ記憶装置の半田接続が取り除かれてデータ記憶装置がプリント基板から取り外された場合、両端子Ａ１，ＴＳの短絡を形成する半田ブリッジも取り除かれる（ステップＳ１６）。
【００６５】
その結果上記の如くゲート素子２２０のみが通過状態となり、メモリセル１１０に格納された正規のデータに代えて、ダミーメモリセル２１０に格納されたダミーデータあるいはダミーデータ形成部２１０Ａによって形成された固定データが読み出される。
【００６６】
その結果要保護情報の漏洩が確実に防止され得る。
【００６７】
図７は本発明の第４実施例の動作の流れを説明するためのフローチャートである。
【００６８】
第４実施例は上記第１又は第２実施例の構成においてダミーメモリセル２１０から読み出されるダミーデータの構成を特定する実施例である。
【００６９】
図７においてステップＳ２１では、上記図６のステップＳ１７の結果正規のデータ以外の所定のダミーデータがダミーメモリセル２１０から読み出される。このダミーデータの作用により、同データを読み取った装置（パーソナルコンピュータ等）の制御系が制御され、所定の宛先に対しインターネット等の通信網を介し所定の通知が送信される（ステップＳ２２）。その結果該当するデータ記憶装置が不正に使用されたことが発覚し得る。
【００７０】
図８は本発明の第５実施例の動作の流れを説明するためのフローチャートである。
【００７１】
第５実施例も上記第４実施例同様、上記第１又は第２実施例の構成において、ダミーメモリセル２１０から読み出されるダミーデータの構成を特定する実施例である。
【００７２】
図８においてステップＳ３１では、上記図６のステップＳ１７の結果正規のデータ以外の所定のダミーデータがダミーメモリセル２１０から読み出される。このダミーデータがたとえば認証情報として使用され、所定の認証装置に対し認証が試みられた場合（ステップＳ３２）、同読み取りデータは正規のデータ以外の所定のダミーデータであるため、正規の認証はなされ得ない。この状態がたとえば上記認証装置によって検知される（ステップＳ３３）ことにより、該当するデータ記憶装置が不正に使用されたことが発覚し得る。
【００７３】
本発明は以下の付記の各々に記載の構成を採り得る。
（付記１）
所定の態様で取り扱われた際に格納データが消去されるような態様で予めホットキャリアを注入してなる半導体記憶装置よりなるデータ記憶装置。
（付記２）
前記半導体記憶装置に対する外光の照射を可能にする開口を有する筐体を設け、
前記半導体記憶装置は通常の設置状態では前記開口が塞がれるように構成されてなり、
前記半導体記憶装置が同設置状態から取り外された場合前記開口が露出されることで前記半導体記憶装置に外光が照射され、もって前記ホットキャリアの作用により格納データが消去される構成とされてなる付記１に記載のデータ記憶装置。
（付記３）
データを格納する格納手段に対するデータ読み出し動作が実行された際に該当するデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段よりなるデータ記憶装置。
（付記４）
前記格納手段に対するデータ読み出し動作が実行された際に正規のデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段は前記格納手段に対するアドレッシングにおいて、前記所定の扱いを受けた場合に正規の態様と異なる所定の態様でアドレッシングがなされるように機能する構成とされてなる付記３に記載のデータ記憶装置。
（付記５）
予め所定の外部端子が短絡され、前記所定の扱いを受けた際に前記所定の外部端子の短絡が外れる構成を設け、
前記所定の扱いを受けた場合に正規の態様と異なる所定の態様でアドレッシングがなされるように機能する手段は前記所定の外部端子が短絡された状態で前記正規のアドレッシングを実行し、同短絡が外れた状態では前記正規の態様と異なる態様でアドレッシングを実行する構成とされてなる付記４に記載のデータ記憶装置。
（付記６）
該当するデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段により前記正規のデータに代えて読み出される所定のデータは、自動的に通信動作を実行させるための情報よりなり、
前記自動的に通信動作を実行させるための情報によって実行される通信動作により自動的に所定の通知がなされる構成とされてなる付記３に記載のデータ記憶装置。
（付記７）
該当するデータに代えてこれと異なる所定のデータが読み出されるように機能する手段により前記正規のデータに代えて読み出される所定のデータは、同データが読み出されて実際に使用された際にその使用が検知されるように構成されてなる付記３に記載のデータ記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の原理構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１の構成を説明するための概念図である。
【図３】本発明の第１実施例の回路図である。
【図４】本発明の第２実施例の回路図である。
【図５】本発明の第３実施例を説明するための作業工程図である。
【図６】本発明の第１実施例及び第２実施例を説明するための作業工程図である。
【図７】本発明の第４実施例を説明するための動作フローチャートである。
【図８】本発明の第５実施例を説明するための動作フローチャートである。
【符号の説明】
【００７５】
１  作用部
２  データ格納部
５０  アドレスデコーダ
１００  正規データ再生部
１１０  メモリセル
１２０、２２０  ゲート素子
２００  ダミーデータ再生部
２１０  ダミーデータ用メモリセル
２１０Ａ  ダミーデータ形成部
２３０  ＮＡＮＤ素子
３００  反転機能付き排他的論理和素子
Ａ０，Ａ１，．．．，Ａ１５  アドレス端子
ＴＳ  監視用外部端子
【図１】
2007109010.tif 000003
【図２】
2007109010.tif 000004
【図３】
2007109010.tif 000005
【図４】
2007109010.tif 000006
【図５】
2007109010.tif 000007
【図６】
2007109010.tif 000008
【図７】
2007109010.tif 000009
【図８】
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