(57)【要約】【課題】同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を単一工程で下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関するものであって、特にａ）燐酸；ｂ）硝酸；ｃ）酢酸；ｄ）リチウム系化合物；ｅ）燐酸塩系化合物；およびｆ）水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関する。【選択図】図１
2007305996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物において、
ａ）燐酸５０〜８０重量％；
ｂ）硝酸２〜１５重量％；
ｃ）酢酸３〜２０重量％；
ｄ）リチウム系化合物０．０５〜３重量％；
ｅ）燐酸塩系化合物０．１〜５重量％；および
ｆ）残量の水
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴ  ＬＣＤのゲート配線材のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、ＴＦＴ  ＬＣＤのソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項４】
前記ｄ）のリチウム系化合物が、ＬｉＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＬｉ、Ｃ４Ｈ５Ｏ３Ｌｉ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＬｉＩ、Ｃ２ＨＬｉＯ４、ＬｉＣｌＯ４、Ｌｉ２Ｏ２、Ｌｉ２ＳＯ４、ＬｉＨ２ＰＯ４およびＬｉ３ＰＯ４からなる群より選択される１種以上の化合物である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項５】
前記ｅ）の燐酸塩系化合物が、ＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、（ＮＨ４）２ＨＰＯ４、（ＮＨ４）３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、Ｃａ（Ｈ２ＰＯ４）２、Ｃａ２ＨＰＯ４、およびＣａ３ＰＯ４からなる群より選択される1種以上の化合物である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか一項のエッチング組成物を利用してエッチングする工程を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物及び薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に関する。   
【背景技術】
【０００２】
エッチング工程は窮極的に基板上に微細回路を形成する過程であって、現像工程によって形成されたフォトレジストパターンと同一の金属パターンを形成する。
エッチング工程はその方式によって大きく湿式エッチングと乾式エッチングに区分され、湿式エッチングは金属などと反応して腐蝕させる酸系の化学薬品を用いてフォトレジストパターンのない部分を溶かして出すことであり、乾式エッチングはイオンを加速させて露出部位の金属を除去することによってパターンを形成することである。
【０００３】
前記乾式エッチングは湿式エッチングに比べて、異方性プロファイルを有しエッチング制御力が優れるという長所がある。しかし、装備が高価であり、大面積化の困難があり、エッチング速度が遅いため生産性が低下するという問題点がある。
【０００４】
反面、前記湿式エッチングは乾式エッチングに比べて、大量および大型処理が可能であり、エッチング速度が速いので、生産性が高く、装備が安価であるという長所がある。しかし、前記湿式エッチングはエッチング液および純水の使用量が多く、廃液量が多いという問題点がある。
【０００５】
一般に、乾式エッチングを行う場合、表面の部分硬化されたフォトレジストを除去するためにプラズマアッシング工程が追加されることがある。従って、装備のコスト、工程時間損失などの生産性低下および製品競争力弱化をもたらすことがあり、実際現場では湿式エッチングが主に使用されているのが実情である。
【０００６】
また、湿式エッチングに使用されるエッチング液はより精密な微細回路が要求されるため、エッチングしようとする金属の種類に特定されるように適用されている。
一例に、Ａｌ単一膜をエッチングするエッチング液として下記の特許文献１および特許文献２に燐酸、硝酸、酢酸、界面活性剤および水で構成されるエッチング液が開示されている。
【０００７】
また、下記の特許文献３はＡｌＮｄ膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、水、およびフルオロカーボン系界面活性剤を含むエッチング液について開示している。下記の特許文献４はアルミニウムおよびＩＴＯをエッチングするためにシュウ酸および組成物のｐＨを３〜４．５に調節できる酸と塩酸、燐酸、および硝酸を含むエッチング液組成物について開示されている。また、下記の特許文献５には銀または銀合金をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、およびポタシウムオキシサルフェートを含む配線用エッチング液について開示している。さらに、下記の特許文献６はＩＺＯをエッチングするために塩酸、酢酸、阻害剤、および水を含むエッチング液組成物について開示している。
【０００８】
下記の特許文献７にはソースおよびドレイン電極用ＭｏまたはＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、酸化調整剤、および水を含むエッチング液組成物について開示されている。
【０００９】
しかし、前記のような従来のエッチング液は、一つの金属膜のみをエッチングするための用途に適用されるため、装備と工程の効率性側面でその効果が低下するので、同時に複数の金属膜をエッチングするための組成物について持続的に研究されている。
【００１０】
これに関する一例に、下記の特許文献８および特許文献９はＭｏ／ＡｌまたはＭｏ／ＡｌＮｄ、ＭｏＷ／ＡｌＮｄの二重膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、および酸化調整剤を含むエッチング液について開示されている。また、下記の特許文献１０はＭｏ／Ａｌ（ＡｌＮｄ）／Ｍｏ膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、および酸化調整剤を含むエッチング液について開示されている。
【００１１】
また、下記の特許文献１１、特許文献１２、特許文献１３はＭｏ／ＡｌＮｄ、ＭｏＷ／ＡｌＮｄ、Ｍｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ、ＭｏＷ／ＡｌＮｄ／ＭｏＷ、Ｍｏ単一膜、およびＭｏＷ単一膜に全て適用可能なエッチング液として燐酸、硝酸、酢酸、モリブデンエッチング抑制剤（アンモニウム塩、カリウム塩）、および水を含むエッチング液について開示している。
【００１２】
しかし、前記のような従来のエッチング組成物で薄膜トランジスタ液晶表示装置を構成するソース／ドレイン電極用金属膜のＭｏ膜をエッチングする場合には、プロファイルが図８のようにテーパ不良を起こし、後続工程で積層される上部膜のステップカバレッジに不良を発生させることがあるという問題点がある。
【００１３】
さらに、前記の従来のエッチング組成物で薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート電極用金属膜のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜をエッチングする場合には、図９のように上部Ｍｏ膜の突出現象と下部ＡｌＮｄまたはＭｏ膜のアンダーカット現象が発生するという問題点がある。したがって、前記上部膜の突出現象を防止するために追加の工程を実施して除去しなければならず、下部膜のアンダーカット現象を防止するために傾斜面で上部膜の断線または上下部金属が短絡するという問題点がある。
【００１４】
このようなことから、従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲートおよびソース／ドレイン電極用金属膜を多重層構造とする場合には、湿式工程と乾式工程を共に適用することによって、好ましいプロファイルを得ることが一般的であった。
【００１５】
しかし、このような湿式エッチングと乾式エッチングを共に使用することは工程の面倒さによる生産性低下および費用の増加側面で不利であるという問題点がある。
【特許文献１】大韓民国特許出願第１０−２００２−００４７９３３号
【特許文献２】米国特許第４，８９５，６１７号
【特許文献３】大韓民国特許出願第１０−２０００−００４７９３３号
【特許文献４】大韓民国特許出願第１０−２００１−００３０１９２号
【特許文献５】大韓民国特許出願第１０−２００１−００６５３２７号
【特許文献６】大韓民国特許出願第１０−２００２−００１０２８４号
【特許文献７】大韓民国特許出願第１０−２００１−００１８３５４号
【特許文献８】大韓民国特許出願第１０−２０００−０００２８８６号
【特許文献９】大韓民国特許出願第１０−２００１−００７２７５８号
【特許文献１０】大韓民国特許出願第１０−２０００−００１３８６７号
【特許文献１１】大韓民国特許出願第１０−２００２−００１７０９３号
【特許文献１２】大韓民国特許出願第１０−２００３−００８０５５７号
【特許文献１３】大韓民国特許出願第１０−２００４−００１０４０４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
このような従来の技術の問題点を解決するために、本発明は同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を単一工程で下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供することを目的とする。
【００１７】
本発明の他の目的は、同一のエッチング組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜とソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用して優れたエッチング効果を奏することによって装備の効率性増大および原価節減の可能な薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、湿式エッチング後に追加の乾式エッチングを実施しなくても湿式エッチングのみでゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜とソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用して優れたエッチング効果を奏することによって工程を単純化することができ、原価節減および生産性向上に効果的な薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物において、
ａ）燐酸５０〜８０重量％；
ｂ）硝酸２〜１５重量％；
ｃ）酢酸３〜２０重量％；
ｄ）リチウム系化合物０．０５〜３重量％；
ｅ）燐酸塩系化合物０．１〜５重量％；および
ｆ）残量の水
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【００２０】
また、本発明は、前記エッチング組成物を利用してエッチングする工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、湿式エッチングした後、追加の乾式エッチングを実施しなくても同一の組成物を用いて湿式工程のみで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく、優れたテーパを得ることによって後続工程時に傾斜面で断線される不良を防止することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜でも逆テーパ現象を防止して、上／下層が短絡される不良を防止することができ、角度が４０〜８０°の優れたプロファイルを形成することができるという長所がある。また、同一のエッチング組成物を用いてゲート配線材料のＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜、ソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜に適用することによって工程の単純化、装備の効率性増大および原価節減が可能であるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物はａ）燐酸；ｂ）硝酸；ｃ）酢酸；ｄ）リチウム系化合物；ｅ）燐酸塩系化合物；およびｆ）水を含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明に使用される前記燐酸、硝酸、酢酸、および水は半導体工程用として使用可能な純度のものを使用することがよく、市販のものを使用したり、工業用等級のものを当該分野で公知の方法によって精製して使用することもできる。
【００２４】
本発明に使用される前記ａ）の燐酸は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を分解する作用を果たし、このような現象は下記の反応メカニズムに従う。   
Ａｌ２Ｏ３＋２Ｈ３ＰＯ４→２Ａｌ（ＰＯ４）＋３Ｈ２Ｏ
前記燐酸は、エッチング組成物に５０〜８０重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは６２〜７５重量％である。その含量が前記範囲内である場合には硝酸とアルミニウムとが反応して形成された酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のエッチング速度が速くなって生産性が向上する効果がある。
【００２５】
本発明に使用される前記ｂ）の硝酸は、アルミニウムと反応して酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を形成させる作用を果たし、このような現象は下記の反応メカニズムに従う。
４Ａｌ＋２ＨＮＯ３→２Ａｌ２Ｏ３＋Ｎ２＋Ｈ２
前記硝酸は、エッチング組成物に２〜１５重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは２．５〜８重量％である。その含量が前記範囲内である場合には上部膜のＭｏ膜および下部膜のＡｌＮｄ膜で金属膜と他の層の間の選択比を効果的に調節できるという効果がある。また、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でアンダーカット現象を有効に防止することができるとともに、ＰＲアタックの発生を抑制することができる。なお、ＰＲアタックとは、エッチング工程の間にエッチング溶液によって攻撃され、フォトリソグラフィ工程によって、本来の形状又はパターンを維持することができないことを意味する。
【００２６】
本発明に使用される前記ｃ）の酢酸は反応速度を調節する緩衝剤作用を果たす。
前記酢酸はエッチング組成物に３〜２０重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは６〜１５重量％である。その含量が前記範囲内である場合には反応速度を適切に調節してエッチング速度を向上させ、これによって生産性を向上させることができるという効果がある。
【００２７】
本発明に使用される前記ｄ）のリチウム系化合物はＭｏ単一膜、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜、およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜のプロファイルを向上させる作用を果たす。
前記リチウム系化合物はＬｉＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＬｉ、Ｃ４Ｈ５Ｏ３Ｌｉ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＬｉＩ、Ｃ２ＨＬｉＯ４、ＬｉＣｌＯ４、Ｌｉ２Ｏ２、Ｌｉ２ＳＯ４、ＬｉＨ２ＰＯ４、またはＬｉ３ＰＯ４等を用いることができ、特にＬｉＮＯ３またはＣＨ３ＣＯＯＬｉを使用するのが好ましい。
【００２８】
前記リチウム系化合物はエッチング組成物に０．０５〜３重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは０．１〜２重量％である。その含量が０．０５重量％以上の場合には、Ｍｏ単一膜で逆テーパおよびショルダー現象を有効に防止することができ、ゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でＡｌＮｄのアンダーカット現象を防止することができる。また、３重量％より少ない場合には、Ｍｏ単一膜のエッチング速度を調整することができ、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜で階段型プロファイルを防止することができる。
【００２９】
本発明に使用される前記ｅ）の燐酸塩系化合物は、硝酸から酸化された酸化アルミニウムの分解を促進させ、このような現象は下記反応メカニズムに従う。
２Ａｌ２Ｏ３＋４ＰＯ４３−→４Ａｌ（ＰＯ４）＋３Ｏ２
前記燐酸塩系化合物は、ＰＯ４３−に解離させることができる化合物を使用することがよく、具体的にＮａＨ２ＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｎａ３ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、（ＮＨ４）２ＨＰＯ４、（ＮＨ４）３ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｋ３ＰＯ４、Ｃａ（Ｈ２ＰＯ４）２、Ｃａ２ＨＰＯ４、またはＣａ３ＰＯ４等が挙げられ、好ましくは（ＮＨ４）Ｈ２ＰＯ４またはＫＨ２ＰＯ４である。
【００３０】
前記燐酸塩系化合物は、エッチング組成物に０．１〜５重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは０．５〜３重量％で含まれる。その含量が前記範囲内である場合にはＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜で下部膜のＡｌＮｄのアンダーカット現象を発生させないだけでなく、同時にＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるという長所がある。
【００３１】
本発明に使用される前記ｆ）の水はエッチング組成物に残量で含まれ、硝酸とアルミニウムが反応して生成された酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を分解し、エッチング組成物を希釈する作用を果たす。
【００３２】
前記水は残量のイオン交換樹脂を通じてろ過した純水を使用するのが好ましく、特に比抵抗が１８ＭΩcm以上である超純水を使用するのがさらに好ましい。
また、本発明は前記のような成分からなるエッチング組成物でエッチングする工程を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法で前記のようなエッチング組成物を利用したエッチング工程前後には薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に適用される通常の工程が適用されることができるのはもちろんである。
【００３３】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は前記のような成分を含む本発明のエッチング組成物を用いて湿式エッチングした後、追加の乾式エッチングを実施しなくても同一の組成物を用いて湿式工程のみで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく、優れたテーパを得ることによって、後続工程時に傾斜面で断線される不良を防止することができる。同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜でも逆テーパ現象を防止して、上／下層が短絡される不良を防止することができ、図１に示したように角度が４０〜７０°の優れたプロファイルを形成することができるという長所がある。また、同一のエッチング組成物を用いてゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜、ソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜に適用することによって工程の単純化、装備の効率性増大および原価節減が可能であるという効果がある。
【００３４】
なお、本発明においては、薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴの電極材料、配線材料について説明しているが、必ずしも液晶表示装置に使用されなくてもよく、他のデバイスに利用されるものであってもよい。また、ＴＦＴに限らず、通常のトランジスタ、キャパシタ等の半導体装置、半導体素子等の種々の素子に用いることができる。さらに、電極、配線のみならず、種々の金属、導電性材料を含む種々の素子、装置、部材等のエッチング組成物として利用することができる。なかでも、Ｍｏ、Ａｌ、Ｎｄの単層膜、これらの合金単層膜、これらの単一積層膜、これらの合金積層膜等、種々の形態の金属、導電性材料に対して適用することができる。
【００３５】
以下、本発明の理解のために好ましい実施形態を提示するが、下記の実施形態は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲が下記の実施形態に限定されるのではない。
実施例１
燐酸６８重量％、硝酸４重量％、酢酸１３重量％、ＬｉＮＯ３  １．０重量％、ＫＨ２ＰＯ４  １．５重量％、および残量の水を均一に混合してエッチング組成物を調製した。
【００３６】
前記調製したエッチング組成物をＭｏ単一膜に適用した結果、図１に示したようにプロファイルの角度が４０〜７０°であって、優れているのを確認することができた。
また、前記製造したエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜に適用した結果、図２に示したようにアンダーカット現象がなく、優れたプロファイルを形成するのを確認することができた。
【００３７】
また、前記製造したエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用した結果、図３に示したようにアンダーカット現象がなく、優れたプロファイルを形成するのを確認することができた。
【００３８】
比較例１〜４
前記実施例１で下記表１に示す成分と組成比で使用したことを除いては前記実施例１と同様の方法でエッチング組成物を調製した。下記表１で単位は重量％である。
【００３９】
【表１】
2007305996.tif 000003
前記実施例１、および比較例１〜４で製造したエッチング組成物の性能を、下記のような方法によって評価し、その結果を図１〜７、および下記表２に示した。
【００４０】
まず、ガラス基板上にＭｏ単一膜、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜、およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜をスパッタリングによって形成した後、フォトレジストをコーティングし、現像によってパターンを形成した試片に前記実施例１、および比較例１〜４で調製したエッチング組成物をスプレーしてエッチング処理した。エッチング後、断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓ−４２００、日立社）で観察してエッチング組成物の性能を評価した。
【００４１】
【表２】
2007305996.tif 000004
前記表２に示したように、本発明によって製造した実施例１のエッチング組成物は比較例１〜４と比較してＭｏ単一膜、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜で全て優れたエッチング効果を奏するのを確認することができた。
【００４２】
また、エッチング断面の走査顕微鏡写真は図１〜３に示したように、本発明によって製造した実施例１のエッチング組成物は図２および図３に示したようにゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でアンダーカット現象が発生せず、同時に図１に示したようにソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成するのを確認することができた。
【００４３】
一方、燐酸を５０重量％未満で含む比較例１、硝酸を２重量％未満で含む比較例２の場合には図４および図５に示したようにＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜でアンダーカット現象が発生し、Ｍｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜では下部膜のＭｏのテーリング現象が発生するのを確認することができた。また、リチウム系化合物を０．０５重量％未満で含む比較例３の場合には図６に示したようにＭｏ単一膜ではショルダーが発生する不良なプロファイルを形成し、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜ではアンダーカット現象が発生するのを確認することができた。
【００４４】
加えて、燐酸塩系化合物を０．１重量％未満で用いた比較例４の場合には、図７に示したようにＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でアンダーカット現象が発生し、Ｍｏ単一膜ではショルダーが発生する不良プロファイルを形成するのを確認することができた。
【００４５】
このような結果から、本発明によるエッチング組成物は従来のエッチング組成物を利用してエッチングする場合と比較して、優れたステップカバレッジを形成したことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置のみならず、種々の半導体装置、半導体素子等の電極材料、導電層、反射層等のエッチングにおけるエッチャントとして、さらには、金属膜、金属部材をエッチングすることを必要とする装置、部材等に広範囲に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態によって製造したエッチング組成物をＭｏ単一膜に適用したプロファイルである。
【図２】本発明の一実施形態によって製造したエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図３】本発明の一実施形態によって製造したエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図４】燐酸を少なく使用した比較例のエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図５】硝酸を少なく使用した比較例のエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図６】リチウム系化合物を少なく使用した比較例のエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図７】燐酸塩系化合物を少なく使用した比較例のエッチング組成物をＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜およびＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜に適用したプロファイルを示す写真である。
【図１】
2007305996.tif 000005
【図２】
2007305996.tif 000006
【図３】
2007305996.tif 000007
【図４】
2007305996.tif 000008
【図５】
2007305996.tif 000009
【図６】
2007305996.tif 000010
【図７】
2007305996.tif 000011