(57)【要約】【課題】従来の光モジュールは、端面発光型半導体レーザを用いるとインピーダンスの不連続性を発生する課題や製造歩留まりが悪くなる課題がある。【解決手段】光モジュールは、補助金属基板より低く、補助金属基板の側面に隣接して配置され、同軸構造となっている金属筒状体と、金属筒状体の中心軸に配置され、金属筒状体から突出する金属リードと、補助金属基板の側面に装着された回路基板に搭載された端面発光型半導体レーザと、を備える。また、光モジュールは、従来と同様の方法で製造することができる。【選択図】図２
2007109734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、
前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、
前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、
前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板。
【請求項２】
金属基板と、
前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、
前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、
前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、
前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、
前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、
前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、
前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュール。
【請求項３】
前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端面発光型半導体レーザを備えることができる光モジュール用基板及び端面発光型半導体レーザを備える光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信網の伝送速度は、２．５Ｇｂｐｓ（Ｇｉｇａ  ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｓｅｃｏｎｄ）程から１０Ｇｂｐｓ程と高速になりつつある。光モジュールは、平面発光型半導体レーザ及び端面発光型半導体レーザとともに高速伝送への対応が不可欠になってきている。
【０００３】
図６を用いて、特許文献１で開示される光モジュール９０を例に、従来の光モジュールについて説明する。図６は、光モジュール９０の全体図である。光モジュール９０は、
光半導体素子８０、接続配線８１、金属リード８２、孔部８３、誘電体８４及び金属基板８５を備える。
【０００４】
金属基板８５は、一方の面の側の径が他方の面の側の径より小さい孔部８３を形成する。誘電体８４は、孔部８３の径が大きい側に充填する。金属リード８２は、誘電体８４を貫通し、金属基板８５の一方の面及び他方の面から突出する。光半導体素子８０は、金属基板８５の一方の面に搭載する。接続配線８１は、光半導体素子８０と金属リード８２の端面を接続する。光モジュール９０は、不活性ガスを充填し又は真空の状態にして、筐体（図６には図示していない。）で気密封止する。孔部８３は、径の大きい側が誘電体８４を充填することで同軸構造となっており、また、小さい側が不活性ガスなどを誘電体として充填することで同軸構造となっている。
【０００５】
孔部８３の径の大きい側と孔部８３の径の小さい側のインピーダンスを、一致させる。すると、光モジュール９０は、インピーダンスの不連続性を低減させ、光半導体素子８０と金属リード８２の端面を接続する接続配線８１を短くすることができる。よって、光モジュール９０は、金属基板８５の他方の面から光半導体素子８０までのインピーダンスの不連続性を低減することができる。
【０００６】
図７及び図８を用いて、引用文献２で開示される光モジュール９１を例に、従来の別の光モジュールについて説明する。図７は、光モジュール９１の拡大図である。図７には、光半導体素子８０、金属リード８２、金属基板８５、回路基板８６、配線パターン８７及び絶縁封止体８８が図示されている。
【０００７】
図８は、光モジュール９１の上面図である。図８には、光半導体素子８０、金属リード８２、金属基板８５、回路基板８６、絶縁封止体８８及び補助金属基板８９が図示されている。
【０００８】
補助金属基板８９（図７には図示されていない。）は、金属基板８５の一方の面に形成する。金属基板８５は、孔部（図７及び図８には図示されていない。）を形成する。絶縁封止体８８は、前述した孔部に充填する。金属リード８２は、絶縁封止体８８を貫通し、金属基板８５の一方の面及び他方の面から突出する。一定の厚みを有する回路基板８６は、補助金属基板８９と金属リード８２の間に挿入する。回路基板８６は、光半導体素子８０を搭載する反対側の面を補助金属基板８９にろう付けする。配線パターン８７の金属基板８５に近い側と金属基板８５の一方の面から突出した側の金属リード８２の端は、ろう材で接続する。光半導体素子８０は、半田等を用いて、配線パターン８７の金属基板８５から離れた側に搭載する。
【０００９】
回路基板８６の配線パターン８７で形成される伝送路のインピーダンスと、絶縁封止体８８を充填することで同軸構造となっている金属基板８５の孔部のインピーダンスを、一致させる。すると、光モジュール９１は、光半導体素子８０として端面発光型半導体レーザを備えても、金属基板８５の他方の面から突出する金属リード８２から光半導体素子８０までのインピーダンスの不連続性を低減することができる。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２５３４１９号公報
【特許文献２】特開２００４−２５９９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図６の光モジュール９０は、光半導体素子８０として端面発光型半導体レーザを備えると、インピーダンスの不連続性が発生する課題がある。
【００１２】
一般に、端面発光型半導体レーザ（図６には図示していない。）は、端面から信号光を出力し、信号光を出力する端面と対向する端面から出力光の強度を測定するモニタ光を出力する。
端面発光型半導体レーザのモニタ光を受光素子で受光する為に、端面発光型半導体レーザは、金属基板８５からある程度の高さを有する補助金属基板（図６には図示していない。）の側面に搭載する必要がある。すると、接続配線８１の距離が長くなり、光半導体素子８０は、インピーダンスの不連続性が発生する課題がある。
【００１３】
図７の光モジュール９１は、端面発光型半導体レーザを備えても、インピーダンスの不連続性を低減させることができる。しかし、光モジュール９１は、部材公差や取り付け公差が原因となるインピーダンスの不連続性を発生する課題がある。
【００１４】
前述した取付け方法では、回路基板８６の厚み、補助金属基板８９と金属リード８２との隙間が均一とならず、光モジュール９１は、部材公差や取り付け公差が発生することがある。すると、光モジュール９１は、インピーダンスの不連続性を発生する課題がある。また、補助金属基板８９と金属リード８２の距離を回路基板８６の厚さに合わせる為に、従来の製造方法より加工精度を高くする必要があり、光モジュール９１は、製造歩留まりが悪くなる課題がある。
【００１５】
本発明は、前記課題を解決する為になされたもので、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板及び光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本願第１の発明は、補助金属基板の側面に隣接し、補助金属基板より低く、同軸構造となっている金属筒状体と、金属筒状体の中心軸に配置され、金属筒状体から突出する金属リードと、を備える光モジュール用基板である。
【００１７】
具体的に、本願第１の発明は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板である。
【００１８】
前記光モジュール用基板は、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に前記絶縁封止体が充填されている同軸構造を有する。また、前記金属筒状体が前記補助金属基板より低く、前記金属リードの一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出しているので、前記光モジュール用基板は、前記補助金属基板の前記側面と前記金属リードの前記一方の端とを短い配線で接続することができる。よって、前記光モジュール用基板は、前記金属筒状体及び配線で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、従来と同様の方法で製造することができるので、前記光モジュール用基板は、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板を提供することができる。
【００１９】
上記目的を達成するために、本願第２の発明は、補助金属基板より低く、補助金属基板の側面に隣接して配置され、同軸構造となっている金属筒状体と、金属筒状体の中心軸に配置され、金属筒状体から突出する金属リードと、補助金属基板の側面に装着された回路基板に搭載された端面発光型半導体レーザと、を備える光モジュールである。
【００２０】
具体的に、本願第２の発明は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュールである。
【００２１】
前記光モジュールは、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に前記絶縁封止体が充填されている同軸構造を有する。また、前記金属筒状体が前記補助金属基板より低く、前記配線パターンと前記金属リードの前記一方の端とを前記配線導体で接続しているので、前記光モジュールは、前記配線導体を短くすることができる。よって、前記光モジュールは、前記金属筒状体及び前記配線導体で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、従来と同様の方法で製造できるので、前記光モジュールは、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュールを提供することができる。
【００２２】
本願第２の発明において、前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることが好ましい。
【００２３】
伝送路のインピーダンスと前記端面発光型半導体レーザ及び前記配線パターンの途中に備えられた前記電気抵抗器で形成される終端抵抗とのインピーダンスを一致させるように、前記電気抵抗器は、抵抗値を設定することができる。すると、前記光モジュールは、終端負荷による電気的反射を低減させることができ、インピーダンスの整合性を高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。
【００２４】
本願第２の発明において、前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることが好ましい。
【００２５】
長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように前記金属リードを配置することで、前記光モジュールは、前記配線導体を短くすることができる。よって、前記光モジュールは、前記配線導体で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板及び光モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものでない。
【００２８】
（実施の形態１）
本願第１の実施形態は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の前記他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、を備える光モジュール用基板である。
【００２９】
図１を用いて第１の実施形態に係る光モジュール用基板１０について説明する。図１は、光モジュール用基板１０の斜視図である。光モジュール用基板１０は、金属基板２０、補助金属基板２１、側面２２、金属筒状体２３、金属リード２４及び絶縁封止体２５を備える。
【００３０】
光モジュール用基板１０の製造について説明する。補助金属基板２１は、金属基板２０の一方の面に突出して配置する。補助金属基板２１は、金属基板２０の一方の面に略垂直で平坦な側面２２を有する。金属筒状体２３は、補助金属基板２１の側面２２に隣接して配置する。金属筒状体２３の中心軸は、金属基板２０の一方の面に略垂直になる。また、金属筒状体２３の一方の端面の高さは、補助金属基板２１より低くなる。
【００３１】
例えば、金属基板２０は、冷間圧延鋼板（ＳＰＣ）、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）板、銅タングステン板又は鉄−ニッケル合金板を円形、板状その他の形状に加工したものであってもよい。
【００３２】
補助金属基板２１は、金属基板２０と一体成形してもよい。また、補助金属基板２１は、補助金属基板２１を加工した後に金属基板２０に溶接又は接着してもよい。例えば、補助金属基板２１の素材としては、ＳＰＣ、コバール、銅タングステン又は鉄−ニッケル合金をあげることができる。補助金属基板２１をＳＰＣ等の熱伝導率の良い金属とすると、光モジュール用基板１０は、搭載する端面発光型半導体レーザの放熱を効率よく行うことができ、レーザ出力の効率、発振波長及び素子寿命を改善することができる。
【００３３】
金属筒状体２３は、金属基板２０と一体成形してもよい。また、金属筒状体２３は、金属筒状体２３を加工した後に金属基板２０に溶接又は接着してもよい。例えば、金属筒状体２３は、ＳＰＣ、コバール、銅タングステン又は鉄−ニッケル合金を円筒、角筒その他の形状に加工したものであってもよい。光モジュール用基板１０に搭載する端面発光型半導体レーザを差動駆動で用いるのであれば、金属筒状体２３は、図１に示すように２本であってもよい。また、光モジュール用基板１０に搭載する端面発光型半導体レーザをシングル駆動で用いるのであれば、金属筒状体２３は、１本であってもよい（図１には図示していない。）。なお、金属筒状体２３は、上記本数に制限されることはない。
【００３４】
金属リード２４は、金属筒状体２３の中心に配置する。また、金属リード２４は、金属リード２４の一方の端が金属筒状体２３の一方の端面から突出し、金属リード２４の他方の端が金属基板２０の他方の面の側に突出する。例えば、金属リード２４は、コバール又は鉄−ニッケル合金を円柱又は角柱の形状に加工したものであってもよい。金属リード２４の一方の端面は、ボンディングできるように平坦にしてもよい（図１には図示していない。）。なお、金属リード２４は、金属筒状体２３の本数に応じて配置されてもよい。
【００３５】
絶縁封止体２５は、金属筒状体２３と金属リード２４の間に充填する。例えば、絶縁封止体２５としては、金属筒状体２３の材料がコバール又は銅タングステンであればホウ珪酸ガラスであってもよい。また、絶縁封止体２５は、炭酸ガラス、鉛ガラス又はリン酸ガラスを素材としてもよい。
【００３６】
光モジュール用基板１０が、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める点について説明する。金属筒状体２３と金属リード２４との間に絶縁封止体２５が充填されている同軸構造を有する。また、金属筒状体２３が補助金属基板２１より低く、金属リード２４の一方の端が金属筒状体２３の一方の端面から突出しているので、光モジュール用基板１０は、補助金属基板２１の側面２２と金属リード２４の一方の端とを短い配線で接続することができる。よって、光モジュール用基板１０は、金属筒状体２３及び前述した配線で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。
【００３７】
さらに、光モジュール用基板１０は、従来と同様の方法で製造することができるので、製造歩留まりを高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュール用基板を提供することができる。
【００３８】
（実施の形態２）
本願第２の実施形態は、金属基板と、前記金属基板の一方の面に突出して配置され、前記一方の面に略垂直で平坦な側面を有する補助金属基板と、前記補助金属基板の前記側面に隣接して配置され、中心軸が前記金属基板の前記一方の面に略垂直で、一方の端面の高さが前記補助金属基板より低い金属筒状体と、前記金属筒状体の中心に配置され、一方の端が前記金属筒状体の前記一方の端面から突出し、他方の端が前記金属基板の他方の面の側に突出する金属リードと、前記金属筒状体と前記金属リードとの間に充填された絶縁封止体と、前記補助金属基板の前記側面に装着され、配線パターンの形成された回路基板と、前記回路基板に搭載され、配線電極が前記配線パターンに形成された端面発光型半導体レーザと、前記回路基板の前記配線パターンと前記金属リードの前記金属筒状体から突出した一方の端とをそれぞれ接続する配線導体と、を備える光モジュールである。
【００３９】
図２及び図３を用いて第２の実施形態に係る光モジュール１１について説明する。図２は、光モジュール１１の斜視図である。図３は、図２における回路基板２６の周辺を含む拡大図である。光モジュール１１は、金属基板２０、補助金属基板２１、金属筒状体２３、金属リード２４、絶縁封止体２５、回路基板２６、端面発光型半導体レーザ２８、絶縁基板３０及びモニタ用受光素子３１、ボンディングワイヤ３２、金属導体３４及び絶縁体３５を備える。
【００４０】
図３には、補助金属基板２１、金属筒状体２３、金属リード２４、絶縁封止体２５、回路基板２６、配線パターン２７、端面発光型半導体レーザ２８、配線導体２９及びボンディングワイヤ３２が図示されている。
【００４１】
光モジュール１１は、図１の光モジュール用基板１０に、端面発光型半導体レーザ２８等を形成すれば製造することができる。以下、光モジュール１１の製造について説明する。
【００４２】
回路基板２６は、補助金属基板２１の側面２２に装着する。また、配線パターン２７は、回路基板２６に形成される。例えば、回路基板２６の材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又は窒化珪素をあげることができる。回路基板２６の材料を窒化アルミニウムとすると、熱伝導率が良い為に、端面発光型半導体レーザ２８が効率よく放熱する。また、配線パターン２７は、ニッケル金メッキ又は銅メッキであってもよい。
【００４３】
端面発光型半導体レーザ２８は、回路基板２６に搭載する。また、端面発光型半導体レーザ２８は、配線パターン２７に配線電極を形成する。例えば、端面発光型半導体レーザ２８としては、ファブリーペロ型半導体レーザ（ＦＰ−ＬＤ）、ブラッグ帰還型半導体レーザ（ＤＢＲ−ＬＤ）又は分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）をあげることができる。
【００４４】
配線導体２９は、回路基板２６の配線パターン２７と金属リード２４の金属筒状体２３から突出した一方の端をそれぞれ接続する。例えば、配線導体２９は、ボンディングで接続してもよい。ウェッジボンディングで配線導体２９を接続するのであれば、配線導体２９は、リボンワイヤであってもよい。また、ボールボンディングで配線導体２９を接続するのであれば、配線導体２９は、ラウンドワイヤであってもよい。
【００４５】
端面発光型半導体レーザ２８と回路基板２６の配線パターン２７を、ボンディングワイヤ３２で接続してもよい。例えば、ウェッジボンディングやボールボンディングで端面発光型半導体レーザ２８と回路基板２６の配線パターン２７を接続してもよい。
【００４６】
絶縁基板３０は、一方の面に金属メッキをおこない、金属基板２０の一方の面に装着してもよい。モニタ用受光素子３１は、絶縁基板３０の端面発光型半導体レーザ２８のモニタ光を受光できる位置に搭載してもよい。モニタ用受光素子３１は、表面に電極用パッドを備えてもよい。金属導体３４は、金属基板２０の一方の面から突出するように配置してもよい。絶縁体３５は、金属導体３４と金属基板２０が接触しないように、金属導体３４と金属基板２０の間に充填してもよい。一方の金属導体３４とモニタ用受光素子３１の電極パッドは、ボンディングワイヤ３２で接続してもよい。また、他方の金属導体３４と絶縁基板３０の一方の面は、ボンディングワイヤ３２で接続してもよい。
【００４７】
筐体（図２及び図３には図示していない。）は、金属基板２０の一方の面を覆い、光モジュール１１を気密封止してもよい。前述した筐体は、端面発光型半導体レーザ２８の信号光を外部に出力できるように透明板又はレンズを備えてもよい。例えば、筐体は、素材を金属、プラスチック又はセラミックとして、光モジュール１１に溶接してもよい。また、筐体の内部は、窒素その他の不活性ガスを充填し又は真空の状態にしてもよい。
【００４８】
光モジュール１１が、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める点について説明する。光モジュール１１は、図１の光モジュール用基板１０と同様の同軸構造を有する。金属筒状体２３が補助金属基板２１より低く、金属リード２４の一方の端が金属筒状体２３の一方の端面から突出しているので、光モジュール１１は、配線導体２９を短くして、配線パターン２７と金属リード２４の一方の端を接続することができる。よって、光モジュール１０は、金属筒状体２３及び配線導体２９で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。さらに、光モジュール１１は、従来の製造方法を用いることができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減し、製造歩留まりを高める光モジュールを提供することができる。
【００４９】
本願第２の実施形態において、前記配線パターンの途中に直列に電気抵抗器をさらに備えることが好ましい。
【００５０】
図４は、電気抵抗器３３が形成された後の回路基板２６の周辺を含む拡大図である。図４には、補助金属基板２１、金属筒状体２３、金属リード２４、絶縁封止体２５、回路基板２６、配線パターン２７、端面発光型半導体レーザ２８、配線導体２９、ボンディングワイヤ３２及び電気抵抗器３３が図示されている。
【００５１】
電気抵抗器３３は、配線パターン２７の途中に直列となるように形成してもよい。例えば、配線パターンに窒化タンタル又はタングステンをスパッタ法又は蒸着法で電気抵抗器３３として形成し、レーザトリミングで電気抵抗器３３の抵抗値を調整してもよい。なお、図４に示すように、端面発光型半導体レーザ２８を差動駆動するのであれば、電気抵抗器３３は、２個であってもよい。また、端面発光型半導体レーザ２８をシングル駆動するのであれば、電気抵抗器３３は、１個であってもよい（図４には図示していない。）
【００５２】
電気抵抗器３３のインピーダンスと、端面発光型半導体レーザ２８との合成インピーダンスが、同軸構造である金属筒状体２３のインピーダンスと略同じになるように、電気抵抗器３３のインピーダンスを調整する。すると、光モジュール１１は、終端負荷による電気的反射を低減させ、インピーダンスの整合性を高めることができる。従って、インピーダンスの不連続性をより低減する光モジュールを提供することができる。
【００５３】
本願第２の実施形態において、前記金属リードは、長軸方向の側面が前記回路基板の前記配線パターンの形成された面の延長上に接するように配置されていることが好ましい。
【００５４】
図５は、光モジュール１１の補助金属基板２１の上面図である。図５には、補助金属基板２１、金属筒状体２３、金属リード２４、絶縁封止体２５、配線パターン２７、端面発光型半導体レーザ２８、配線導体２９及びボンディングワイヤ３２が図示されている。なお、図５において、配線パターン２７の形成された面の延長は、破線で示している。
【００５５】
金属リード２４は、長軸方向の側面が配線パターン２７の形成された面の延長上に接するように配置してもよい。すると、配線導体２９を短くすることができるので、光モジュール１１は、配線導体２９で発生するインピーダンスの不連続性を低減することができる。従って、インピーダンスの不連続性を低減する光モジュールを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の光モジュール用基板は、端面発光型半導体レーザの基板として利用することができる。また、本発明の光モジュールは、光通信の送信用光モジュールとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本願第１の発明の一の実施形態に係る光モジュール用基板の斜視図である。
【図２】本願第２の発明の一の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。
【図３】図２における回路基板の周辺を含む拡大図である。
【図４】電気抵抗器が形成された後の回路基板の周辺を含む拡大図である。
【図５】図２の光モジュールの補助金属基板の上面図である。
【図６】従来の光モジュールの全体図である。
【図７】従来の別の光モジュールの拡大図である。
【図８】従来の別の光モジュールの上面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  光モジュール用基板
１１、９０、９１  光モジュール
２０、８５  金属基板
２１、８９  補助金属基板
２２  側面
２３  金属筒状体
２６、８６  回路基板
２４、８２  金属リード
２７、８７  配線パターン
２５、８８  絶縁封止体
２８  端面発光型半導体レーザ
２９  配線導体
３０  絶縁基板
３１  モニタ用受光素子
３２  ボンディングワイヤ
３３  電気抵抗器
３４  金属導体
３５  絶縁体
８０  光半導体素子
８１  接続配線
８３  孔部
８４  誘電体
【図１】
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【図２】
2007109734.tif 000004
【図３】
2007109734.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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