(57)【要約】【課題】イオン注入によりｎ型窒化アルミニウムを得る。【解決手段】窒化アルミニウム層の表面に、加速エネルギー９０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０15ｃｍ-2でシリコンイオン（Ｓｉ+）を注入した。１０ＴｏｒｒのＮ2雰囲気下で１４００℃、１０分間熱処理した。シリコンはＡｌＮ層の表面から０．２μｍの深さに渡ってほぼ均一に注入された。測定温度５０℃において電子濃度が２．０×１０15ｃｍ-3、測定温度１５０℃において電子濃度が３．０×１０16ｃｍ-3、測定温度３００℃において電子濃度が２．８×１０17ｃｍ-3と算出された。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）中のシリコンのドナー準位は３１１ｍｅＶであると結論付けられた。このように、本発明によりｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を得ることができた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に、シリコン（Ｓｉ）をドーズ量１０15／ｃｍ-2以上１０17／ｃｍ-2以下でイオン注入するイオン注入工程と、
イオン注入工程の後に、温度１３００℃を越え１５００℃未満、５分以上２時間以下でアニーリングするアニーリング工程とを有することを特徴とするｎ型窒化アルミニウムの製造方法。
【請求項２】
窒化アルミニウムの表面の一部に形成した、電子濃度が３×１０16／ｃｍ-3以上となる測定温度が、１５０℃以下であるｎ型領域を有することを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III族窒化物系化合物半導体である、ｎ型窒化アルミニウムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
III族窒化物系化合物半導体は、ＬＥＤ及びＬＤと言った発光素子を初めとして、ＨＥＭＴ等の電界効果トランジスタその他の機能素子が種々開発されている。ここにおいて、ｐ型層及びｎ型層を形成するためには、有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤと称す）により半導体層を形成する場合は、アクセプタやドナーを母材原料化合物と共に供給する方法が用いられている。
【０００３】
ＬＥＤやＬＤにおいては、ＭＯＣＶＤにより半導体層を単純に積層する構造で形成でき、ドナーやアクセプタの供給は比較的容易である。しかし、トランジスタ等の素子では、半導体層の単純な積層では形成できず、場所によって異なる深さにｐ型領域やｎ型領域を所望に形成する必要がある。この際、例えばマスクを使用してＭＯＣＶＤを領域ごとに実施すると、マスクとの境界近傍において形成されるエピタキシャル層が厚くなり、その後の素子形成プロセスで障害となってしまう。
【０００４】
ｎ型層を形成する技術として、下記非特許文献１及び２においてはＧａＮへのＳｉイオン注入が、非特許文献３においてはＡｌ0.13Ｇａ0.87ＮへのＳｉイオン注入が報告されている。ｉ層又は高抵抗層の一部にイオン注入により低抵抗ｎ型層を形成することで、ＨＥＭＴその他の素子を形成する技術も公知である。
【非特許文献１】J. C. Zolper, H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, M. Hagerott Crawford, and R. F. Karlicek, Jr., "Electrical and structual analysis of high-dose Si implantation in GaN," Appl. Phys. Lett., 70 (1997) pp. 2729-2731
【非特許文献２】X. A.Cao, C. R. Abernathy, R. K. Singh, S. J. Pearton, M. Fu, V.Sarvepalli, J. A. Sekhar, J. C. Zolper, D. J. Rieger, J. Han, T. J. Drummond, R. J. Shul, and R. G. Wilson, "Ultrahigh Si+ implant activation efficiency inGaN using a high-temperature rapid thermal process system," Appl. Phys. Lett., 73 (1998) pp. 229-231
【非特許文献３】Y. Irokawa, O. Fujishima, T. Kachi. S. J. Pearton, and F. Ren, "Activation characteristics of ion-implanted Si+ in AlGaN," Appl. Phys. Lett., 86 (2005) 192102 (downloaded document)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さて、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）はバンドギャップが６．１ｅＶと高く、破壊電界が他の半導体より大きいと期待される。比較すれば、４Ｈ−ＳｉＣはバンドギャップが３．２６ｅＶ、ＧａＮは３．３９ｅＶである。しかし、Ｇａを含まない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）へのＳｉイオン注入によりｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を得ることは未だ報告が無く、現時点の技術では不可能ではないかと考えられている。
【０００６】
本発明者らは上記現状を打破するため、検討を行い、下記に示す条件でｎ型窒化アルミニウムを製造可能であることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に、シリコン（Ｓｉ）をドーズ量１０15／ｃｍ-2以上１０17／ｃｍ-2以下でイオン注入するイオン注入工程と、イオン注入工程の後に、温度１３００℃を越え１５００℃未満、５分以上２時間以下でアニーリングするアニーリング工程とを有することを特徴とするｎ型窒化アルミニウムの製造方法である。
【０００８】
また、請求項２に係る発明は、窒化アルミニウムの表面の一部に形成した、電子濃度が３×１０16／ｃｍ-3以上となる測定温度が、１５０℃以下であるｎ型領域を有することを特徴とする半導体素子である。
【発明の効果】
【０００９】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）へのＳｉイオン注入を大量のドーズ量で行い、その後の高温且つ長時間のアニールによって、測定温度１５０℃以下で電子濃度が３×１０16／ｃｍ-3以上となることが見出された。注入されたＳｉは、高温アニールで活性化し、Ａｌと置換するものと考えられる。この時、ドナー準位が３１１ｍｅＶとなることも見出された。本発明により、領域を選択しての、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）へのＳｉイオン注入が可能となり、種々の素子構成に適用することができる。尚、窒化ガリウム（ＧａＮ）や窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を１０００℃以上でアニールする際は分解から保護するために絶縁膜等で被覆する必要があるが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ではそのような絶縁膜を形成せずとも活性化が可能である。尚、絶縁膜で被膜してから活性化することを排除するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を適用すべき窒化アルミニウムは、単結晶であればその製造方法は任意である。結晶性の極めて良い単結晶を得るためには、例えばサファイアその他の異種基板上にバッファ層を介してＭＯＣＶＤを用いると良い。その他、単結晶の窒化アルミニウムは任意の方法で構成することができる。尚、本発明を適用すべき窒化アルミニウムは、実質的に他の元素を含有していないものを想定している。ここで実質的に他元素を含有していないとは、その製造工程において意図的に他の元素化合物等の供給をしていないことを言い、製造工程におけるコンタミネーションによる避けることのできないドープをも排除するものではない。例えば痕跡量の他元素を含むものを排除するものではない。
【００１１】
シリコンイオンのイオン注入装置は、本発明のドーズ量を達成できるような公用の装置を用いることができる。また、アニールに際しては、減圧された窒素中等の、不活性ガス中で行うことが望ましい。
【実施例１】
【００１２】
サファイア基板上に、バッファ層を介して、ＭＯＣＶＤにより単結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層を膜厚１μｍ形成した。次に単結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層の表面に、加速エネルギー９０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０15ｃｍ-2でシリコンイオン（Ｓｉ+）を注入した。これを減圧して、１０ＴｏｒｒのＮ2雰囲気下で１４００℃、１０分間熱処理した。ＳＩＭＳ測定により、シリコンは単結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層の表面から０．２μｍの深さに渡って注入されたことが確認された。
【００１３】
このように形成した、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のシリコン注入層をホール測定し、得られたシートキャリア濃度（単位ｃｍ-2）と、注入層の厚さ０．２μｍとにより、電子濃度（単位ｃｍ-3）を算出した。尚、室温（〜２５℃）では測定限界未満であったので、５０℃〜３００℃の範囲で、２５℃間隔でサンプルを保温してホール測定を行った。この結果を図１に示す。尚図１においては横軸を絶対温度Ｔ（単位Ｋ）の逆数として、アレニウスプロットとした。測定温度５０℃において電子濃度が２．０×１０15ｃｍ-3、測定温度１５０℃において電子濃度が３．０×１０16ｃｍ-3、測定温度３００℃において電子濃度が２．８×１０17ｃｍ-3と算出された。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）中のシリコンのドナー準位は３１１ｍｅＶであると結論付けられた。このように、本発明によりｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を得ることができた。
【００１４】
次に、単結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層の表面に注入するシリコンイオン（Ｓｉ+）のドーズ量を１×１０14〜１×１０16ｃｍ-2の範囲で変化させ、実施例１と同様にアニールして得られたｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の、測定温度１５０℃での電子濃度を算出した。この結果を図２に示す。ドーズ量が１×１０15ｃｍ-2以下では電子濃度が０、即ちホール測定の検出限界以下であった。ドーズ量が５×１０15ｃｍ-2以上ではホール測定が可能であった。
【００１５】
次に、アニール温度を変化させた場合の、ｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の、測定温度１５０℃での電子濃度を算出した。アニール温度以外は上記実施例１と同じ条件とした。この結果を図３に示す。アニール温度が１３００℃以下と、１５００℃以上では、ホール測定の検出限界以下であった。アニール温度を１４００℃とした場合、１５０℃における電子濃度は３．０×１０16ｃｍ-3、アニール温度を１４５０℃とした場合、１５０℃における電子濃度は８．８×１０15ｃｍ-3であった。
【実施例２】
【００１６】
本発明のｎ型窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、ＭＯＳＦＥＴなどのソース、ドレイン領域、或いはショットキーダイオードに用いることができる。いずれの場合も、ｎ型窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いているため、窒化ガリウム(ＧａＮ）を用いた場合よりも微小なサイズで耐圧を高くすることが可能であり、従来のシリコンパワーデバイスよりも低損失化が期待できる。
【００１７】
図４．Ａは、ＭＯＳＦＥＴ１００の構造を示す断面図である。ＭＯＳＦＥＴ１００は、真性窒化アルミニウム基板１０の表面の２箇所を、本発明のシリコンイオン注入によりｎ型窒化アルミニウム領域（ｎ−ＡｌＮ）として、一方をソース領域Ｓ、他方をドレイン領域Ｄとした。また、これらにはさまれた領域をチャネル領域Ｃとする。チャネル領域Ｃ上部とソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄをも一部覆うようにＳｉＯ2から成るゲート絶縁膜Ｉを形成し、その上に金属から成るゲート電極Ｇを形成したものである。
【００１８】
図４．Ｂは、ショットキーダイオード２００の構造を示す断面図である。ショットキーダイオード２００は、真性窒化アルミニウム基板２０の表面の１箇所を、本発明のシリコンイオン注入によりｎ型窒化アルミニウム領域（ｎ−ＡｌＮ）２５とする。この領域に、オーミック電極３１とショットキー電極３２を形成したものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１で得られた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のシリコン注入層の、ホール測定温度Ｔ（絶対温度で横軸は１／Ｔ）と電子濃度の関係を示すグラフ図。
【図２】注入するシリコンイオン（Ｓｉ+）のドーズ量と電子濃度の関係を示すグラフ図。
【図３】アニール温度と電子濃度の関係を示すグラフ図。
【図４】４．Ａは、本発明に係るＭＯＳＦＥＴ１００の構造を示す断面図、４．Ｂは、本発明に係るショットキーダイオード２００の構造を示す断面図。
【符号の説明】
【００２０】
１０、２０：真性窒化アルミニウム基板（ｉ−ＡｌＮ）
２５：ｎ型窒化アルミニウム領域（ｎ−ＡｌＮ）
３１：オーミック電極
３２：ショットキー電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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