(57)【要約】【課題】外部有害元素の素子内部への侵入が遮断されることによって性能低下が防止される改善された構造の有機ＥＬ素子及び有機電子素子を提供する。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に積層され、正孔が注入される第１の電極層、電子が注入される第２の電極層ならびに前記第１および第２の電極層の間に配置されて正孔・電子の再結合によって発光する活性層を備える発光部と、前記発光部上に交互に積層された複数のバリヤ層及び複数のバッファ層からなるパッシベーション層と、を備え、前記バリヤ層は、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物または活性酸窒化物から選択される１以上の物質を含み、前記バッファ層は、有機高分子または有機低分子を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に積層され、正孔が注入される第１の電極層、電子が注入される第２の電極層ならびに前記第１および第２の電極層の間に配置されて正孔・電子の再結合によって発光する活性層を備える発光部と、
前記発光部上に交互に積層された複数のバリヤ層及び複数のバッファ層からなるパッシベーション層と、
を備え、前記バリヤ層は、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物または活性酸窒化物から選択される１以上の物質を含み、前記バッファ層は、有機高分子または有機低分子を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記金属または半導体の活性酸化物は、安定な酸化物から酸素元素が欠損した酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記金属または半導体の活性窒化物は、安定な窒化物から窒素元素が欠損した窒化物であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記金属または半導体の活性酸窒化物は、安定な酸窒化物から酸素及び窒素元素のうち少なくとも１つが欠損した酸窒化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記金属または半導体の活性酸化物は、Ａｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＢａＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｉｎ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＴｉＯＸ（１＜Ｘ＜２）、ＭｇＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧｅＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＳｒＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｙ２ＯＸ（０＜Ｘ＜３）、ＨｆＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＺｒＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＭｏＯＸ（０＜Ｘ＜３）、Ｖ２ＯＸ（０＜Ｘ＜５）から選択される１以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記金属または半導体の活性窒化物は、ＡｌＮＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮＸ（０＜Ｘ＜１）から選択される１以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記金属または半導体の活性酸窒化物は、ＳｉＯＸＮＹ（０＜Ｘ＜２、０＜Ｙ＜２）であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記バッファ層は、蒸着重合または重合によって形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記有機高分子は、ポリ尿素、ポリイミド、ポリアミドから選択される１以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
前記絶縁基板の底面にさらにパッシベーション層が設けられることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された複数の電極と、
前記電極の少なくとも一部分の上に形成され、通電経路を形成する有機半導体層と、
前記有機半導体層上に交互に積層された複数のバリヤ層及び複数のバッファ層からなるパッシベーション層と、
を備え、前記バリヤ層は、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物または活性酸窒化物から選択される１以上の物質を含み、前記バッファ層は、有機高分子または有機低分子を含むことを特徴とする有機電子素子。
【請求項１２】
前記絶縁基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極を埋め込む有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とが順次に形成され、前記有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電子素子。
【請求項１３】
前記金属または半導体の活性酸化物は、安定な酸化物から酸素元素が欠損した酸化物であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の有機電子素子。
【請求項１４】
前記金属または半導体の活性窒化物は、安定な窒化物から窒素元素が欠損した窒化物であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項１５】
前記金属または半導体の活性酸窒化物は、安定な酸窒化物から酸素または窒素元素のうち少なくとも１つが欠損した酸窒化物であることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項１６】
前記金属または半導体の活性酸化物は、Ａｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＢａＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｉｎ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＴｉＯＸ（１＜Ｘ＜２）、ＭｇＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧｅＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＳｒＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｙ２ＯＸ（０＜Ｘ＜３）、ＨｆＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＺｒＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＭｏＯＸ（０＜Ｘ＜３）、Ｖ２ＯＸ（０＜Ｘ＜５）から選択される１以上であることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項１７】
前記金属または半導体の活性窒化物は、ＡｌＮＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮＸ（０＜Ｘ＜１）から選択される１以上であることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項１８】
前記金属または半導体の活性酸窒化物は、ＳｉＯＸＮＹ（０＜Ｘ＜２、０＜Ｙ＜２）であることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項１９】
前記バッファ層は、蒸着重合または重合によって形成されることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項２０】
前記有機高分子は、ポリ尿素、ポリイミド、ポリアミドから選択される１以上であることを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【請求項２１】
前記絶縁基板の底面にさらにパッシベーション層が設けられることを特徴とする請求項１１〜２０のいずれか１項に記載の有機電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及び有機電子素子に係る。
【背景技術】
【０００２】
一般的に有機電子素子は陽極と陰極との間に有機層が形成された構造を有し、例えば、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）、有機薄膜トランジスタ、有機光電変換素子等がある。
【０００３】
図１には、従来技術による有機ＥＬ素子の垂直断面構造が示されている。ガラス基板１０上には、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などから形成され正孔を注入するための第１の電極層（ＩＴＯ）２１、正孔・電子の再結合によって発光する活性層である有機薄膜層２３、電子を注入するための第２の電極層（カソード）２５が順次に形成されている。前記有機薄膜層２３では、それぞれ第１の電極層２１及び第２の電極層２５から注入された正孔及び電子が再結合されて光が放出される。このため、第１の電極層２１は、仕事関数が大きい材料で、第２の電極層２５は、仕事関数が小さい金属材料で形成されることが好ましい。
【０００４】
図１のような素子では、前記第２の電極層２５は、活性が高く、化学的に不安定な特性を有する材料が使用される場合があるため、外気の酸素などと容易に反応して酸化されたり、腐蝕されやすい。前記有機薄膜層２３を形成する材料も、水分や酸素などが浸透した場合、結晶化によって構造が変化し、発光特性が低下するという問題がある。そのため、従来の素子では、電極層２１、２５及び有機薄膜層２３を備える発光部２０を外気から密封するために、これらを金属やガラス素材からなるシーリングカン３０で封止し、外部から有害物質が浸透できないようしていた。このシーリングカン３０は、樹脂封止剤５０（例えば、ＵＶ接着剤）によって第１の電極層２１上に結合され、シーリングカン３０によって密封された内部には、例えば、酸化バリウム（ＢａＯ）で構成された吸湿剤４０が配置される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記シーリングカン３０を用いると、表示素子全体の重量及びサイズが大きくなってしまい、表示素子の小型化の限界要因となる。また、前記シーリングカン３０は発光部２０から放出された光の上方への透過度を落とすため、素子の発光効率を低下させ、さらに前記シーリングカン３０にテープ（図示せず）で接着されている吸湿剤４０も上方への透過度を低下させる。また、シーリングカン３０を用いた密封方式を大画面表示素子に適用する場合、支持構造が脆弱なシーリングカン３０に歪み変形が生じうるため、２インチ以上の大画面ディスプレイに活用するのは困難である。また、前記シーリングカン３０の厚さは、光透過度及び重量などを考慮し、一定範囲以内に制限されるのが一般的であるため、前記シーリングカン３０を固定するための樹脂封止剤５０も、十分な厚さに形成できず、これにより、外部の有害物質が前記樹脂封止剤５０を介して素子内部に浸透するという問題がある。さらに、前記樹脂封止剤５０の硬化過程で、揮発性溶媒が蒸発して不純物ガスが排出され、このような不純物ガスが素子内部に流入してディスプレイ機能に悪影響を及ぼすという問題もある。また、シーリングカン３０が熱膨張して前記樹脂封止剤５０に熱応力を加えるようになるため、熱応力を解消するための別途のバッファ層（図示せず）などが要求されるという問題もある。
【０００６】
また、シーリングカン３０の接着や吸湿剤４０の装着などには、多数の作業工数が要求されるため、生産収率が低下し、コストが上昇することとなる。特に、これらシーリングカン３０や吸湿剤４０の装着は、作業特性上、大量生産のためのインラインプロセスが適用されるのに適さないため、工程遅延やコスト上昇の主要な原因になっている。
【０００７】
本発明の技術的課題は、素子内部への外部有害元素の侵入が遮断されることによって性能低下が防止される、改善された構造の有機ＥＬ素子及び有機電子素子を提供するところにある。
【０００８】
本発明の他の技術的課題は、薄型、軽量化に有利であり、柔軟な有機ＥＬ素子及び有機電子素子を提供するところにある。
【０００９】
本発明のさらに他の技術的課題は、インラインの自動化工程によってコストが節減されうる有機ＥＬ素子及び有機電子素子を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記技術的課題を達成するために、本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に積層され、正孔が注入される第１の電極層、電子が注入される第２の電極層ならびに前記第１および第２の電極層の間に配置されて正孔・電子の再結合によって発光する活性層を備える発光部と、前記発光部上に交互に積層された複数のバリヤ層及び複数のバッファ層からなるパッシベーション層と、を備え、前記バリヤ層は、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物または活性酸窒化物から選択される１以上の物質を含み、前記バッファ層は、有機高分子または有機低分子を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
【００１１】
本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された複数の電極と、前記電極の少なくとも一部分の上に形成され、通電経路を形成する有機半導体層と、前記有機半導体層上に交互に積層された複数のバリヤ層及び複数のバッファ層からなるパッシベーション層と、を備え、前記バリヤ層は、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物または活性酸窒化物から選択される１以上の物質を含み、前記バッファ層は、有機高分子または有機低分子を含むことを特徴とする有機電子素子を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、素子をシーリングカンで密封せず、多層構造のパッシベーション層で密封することによって薄型及び軽量の素子が提供され、特に、前記パッシベーション層が活性化された金属の酸化／窒化物を含むことにより、外部から浸透した有害成分を効果的に除去できる。これにより、実質的に表示機能を喪失した暗点の生成、発光輝度低下などの性能低下が防止されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施形態による有機ＥＬ素子及び有機電子素子について説明する。図２には、本発明の好適な一実施形態による有機ＥＬ素子が示されている。図２を参照すれば、前記有機ＥＬ素子は、絶縁基板１１０及び前記絶縁基板１１０上に形成された発光部１２０を備え、前記発光部１２０を密封して有害物質との接触を遮断するためのパッシベーション層１３０を備える。
【００１４】
前記絶縁基板１１０は、例えば、ガラス、ステンレスまたはアルミニウムなどの硬性素材から形成されてもよく、または、可撓性を付与するためポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリプロピレン、セロファン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの軟性素材から形成されてもよい。
【００１５】
前記発光部１２０は、電流の流れによって赤色、緑色、または青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであり、正孔を注入するアノードとして機能する第１の電極層（図２では「ＩＴＯ」）１２１、電子を注入するカソードとして機能する第２の電極層（図２では「Ｍｇ／Ａｇ」）１２５、及びこれらの電極層の間に配置されてキャリアの再結合による発光作用を有する活性層１２３を備える。前記第１の電極層１２１は、仕事関数が大きい物質で形成されることが好ましく、例えば、透明電極材質であるＩＴＯから形成されうる。前記第２の電極層１２５は、仕事関数が小さい金属材料で形成されることが好ましく、例えば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌまたはこれらの合金を蒸着して形成されうる。前記第１の電極層１２１と前記第２の電極層１２５との間に形成された活性層１２３は、好ましくは低分子または高分子の有機膜から形成され、低分子有機膜を使用する場合には、好ましくは正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されて形成されうる。一方、高分子有機膜の場合には、例えばホール輸送層及び発光層が積層された構造を有する。活性層の構造は、これに制限されず、有機発光層の単層構造から形成されてもよく、正孔輸送層及び有機発光層の２層構造または有機発光層及び電子輸送層の２層構造から形成されてもよい。
【００１６】
前記発光部１２０上には、大気中の不純物が発光部１２０内に浸透することを抑制するため、バリヤ層１３０ａとバッファ層１３０ｂとが積層された多層構造のパッシベーション層１３０が形成される。前記パッシベーション層１３０は、バリヤ層１３０ａとバッファ層１３０ｂとが交互に積層されてなるが、不純物に対する最小限の遮断性を確保するため、少なくとも２層以上の薄膜を備えることが好ましい。
【００１７】
不純物に対する遮断機能は、主にバリヤ層１３０ａによって発揮される。前記バリヤ層１３０ａは、金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物、または活性酸窒化物からなりうる。ここで、金属または半導体の活性酸化物とは、安定な酸化物から酸素元素が欠損することによって活性化された不安定な状態の酸化物を意味し、具体的な例としては、Ａｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＢａＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｉｎ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）、ＴｉＯＸ（１＜Ｘ＜２）、ＭｇＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧｅＯＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＳｒＯＸ（０＜Ｘ＜１）、Ｙ２ＯＸ（０＜Ｘ＜３）、ＨｆＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＺｒＯＸ（０＜Ｘ＜２）、ＭｏＯＸ（０＜Ｘ＜３）、Ｖ２ＯＸ（０＜Ｘ＜５）などがある。前記金属または半導体の活性窒化物とは、安定な窒化物から窒素元素が欠損することによって活性化された不安定な状態の窒化物を意味し、具体的な例としては、ＡｌＮＸ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮＸ（０＜Ｘ＜１）などが挙げられる。また、前記金属または半導体の活性酸窒化物は、安定な酸窒化物から酸素及び／または窒素元素が欠損することによって活性化された不安定な状態の酸窒化物を意味し、具体的には、例えばＳｉＯＸＮＹ（０＜Ｘ＜２、０＜Ｙ＜２）が挙げられる。以下では、前記金属または半導体の活性酸化物、活性窒化物、及び活性酸窒化物を包括して活性酸化／窒化物と総称する。前記活性酸化／窒化物は、素子内部に浸透した酸素及び／または窒素との化学反応によって安定化され、不純物を吸収する役割を果たす。前記バリヤ層１３０ａは、２Ａ、３Ａ、４Ａ、３Ｂまたは４Ｂ族の元素の酸化物、窒化物、または酸窒化物からなり、前記で例示された物質に限定されるものではない。
【００１８】
それぞれの前記バリヤ層１３０ａの間には、有機高分子または有機低分子からなるバッファ層１３０ｂが介在する。前記バッファ層１３０ｂは、相対的に脆弱なバリヤ層１３０ａの間を緩衝することによってバリヤ層１３０ａの脆性破壊を防止し、バリヤ層１３０ａの成膜条件を改善し、パッシベーション層１３０を所定厚さ以上に積層させる。したがって、前記パッシベーション層１３０の最外部の層は、特に限定されないが、バッファ層１３０ｂとすることが好ましい。例えば、図２に示すように、金属素材のカソードである第２の電極層１２５上に形成されたバッファ層は、カソードに対する緩衝および保護作用を有する。好ましくは、前記バッファ層１３０ｂは、前駆物質を目的の基材上に真空蒸着した後、重合反応を起こして高分子有機膜を得る蒸着重合によって得ることができ、蒸着重合される有機高分子としては、例えば、ポリ尿素、ポリイミド、ポリアミドなどがある。前記バッファ層１３０ｂは、蒸着重合以外にも、通常の加熱による重合、レーザまたはヒートバーを用いた重合、電磁誘導加熱または超音波摩擦を用いた重合によって形成されてもよい。前記バッファ層１３０ｂを形成する具体的な重合方法は、バッファ層１３０ｂの材質に応じて選択されうる。
【００１９】
図３には、本発明の効果を確認するための実験結果が示されている。図３の横軸は時間を示し、縦軸は発光輝度を示す。ここで、前記発光輝度は、初期輝度６００ｃｄ／ｍ２に対する百分率（％）で表示されている。本実験では、バリヤ層１３０ａがＡｌ２Ｏ３からなる場合と、Ａｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）からなる場合との発光輝度を比較した。実験結果から分かるように、バリヤ層１３０ａがＡｌ２Ｏ３からなる場合には、比較的急な傾きを有し、急激に発光輝度が低くなるのに対し、バリヤ層１３０ａがＡｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）で構成された場合には、比較的緩慢な傾きを有し、発光輝度が徐々に低くなるということを確認できる。これは、Ａｌ２ＯＸ（１＜Ｘ＜３）が安定な酸化物状態（Ａｌ２Ｏ３）から酸素元素が欠損した活性化状態にあるため、外部から浸透する酸素を吸収して発光部１２３を有害成分から保護できるためである。
【００２０】
一方、前記パッシベーション層１３０は、発光部１２０の上側はもとより、絶縁基板１１０の底面にも形成されることが外部有害物質の遮断のため好ましい。このように、絶縁基板１１０側に形成されたパッシベーション層１３０は、前述の発光部１２０上のパッシベーション層１３０と同様の構成を有し、交互に積層された多数のバリヤ層１３０ａ及びバッファ層１３０ｂを備える。前記バリヤ層１３０ａ及びバッファ層１３０ｂについての説明は省略する。
【００２１】
図４には、本発明の他の好適な実施形態による有機電子素子の垂直断面構造が示されている。図４には、有機電子素子の一例として、有機薄膜トランジスタが示されている。示されている有機電子素子は、絶縁基板２１０上の所定の領域にわたって形成されたゲート電極２２１、前記ゲート電極２２１を絶縁させるようにこれを埋め込む有機絶縁膜２２３、前記有機絶縁膜２２３上に形成されたソース電極２２５及びドレイン電極２２７、前記ソース電極２２５及び前記ドレイン電極２２７を相互連結するように有機絶縁膜２２３上に形成された有機半導体層２２９、及び前記有機半導体層２２９上に形成されたパッシベーション層２３１を備える。
【００２２】
絶縁基板２１０は、支持体として例えばガラス素材または柔軟なポリマー素材で形成されうる。前記絶縁基板２１０上に形成されたゲート電極２２１は、好ましくは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のような金属材料で形成されうる。前記絶縁基板２１０上には、前記ゲート電極２２１を埋め込んで絶縁させる有機絶縁膜２２３が形成されるが、前記有機絶縁膜２２３の材質としては、好ましくは、ポリビニルピロリドン、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フォトアクリルなどが使用されうる。
【００２３】
前記有機絶縁膜２２３上の所定の領域には、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７が形成されうるが、これらのソース電極２２５およびドレイン電極２２７は、ゲート電極２２１と同様に、前述の一般的な金属材料で形成されうる。有機絶縁膜２２３上のソース電極２２５及びドレイン電極２２７の間には、両電極２２５、２２７の導電通路を形成する有機半導体層２２９が形成される。有機半導体層２２９としては、例えば、ペンタセン、ポリアセチレン、ポリアニリンまたはこれらの誘導体などが使用されうる。
【００２４】
前記パッシベーション層２３１は、内側の薄膜を覆ってこれらを密封することにより、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、またはドレイン電極２２７が酸化されたり腐蝕されることを防止し、有機物層である有機絶縁膜２２３および有機半導体層２２９が酸素や水分と反応して特性が劣化することを防止する機能を有する。前記パッシベーション層２３１は、バリヤ層２３１ａとバッファ層２３１ｂとが交互に積層された多層構造を有する。前記バリヤ層２３１ａは、外部の有害物質が内部薄膜と反応することを防ぐ。前記バッファ層２３１ｂは、相対的に脆弱なバリヤ層２３１ａ間を緩衝することにより、バリヤ層２３１ａの脆性破壊を防止し、バリヤ層２３１ａの成膜条件を良くしてパッシベーション層２３１を所定厚さ以上に積層させる。前記バリヤ層２３１ａは、金属または半導体の活性酸化／窒化物で構成され、前記バッファ層２３１ｂは、有機高分子または有機低分子で構成されうる。前記金属または半導体の活性酸化／窒化物は、上述した通り、安定な化合物組成から、酸素または窒素元素が欠損することによって活性化された不安定な状態の化合物である。前記活性酸化／窒化物は、素子内部に浸入した不純物と反応し、それ自体は安定化されて不純物中の有害成分である酸素または窒素を吸収する。前記バッファ層２３１ｂは、好ましくは蒸着重合で形成されうるポリ尿素、ポリイミド、ポリアミドなどの有機高分子からなりうる。それ以外にも、前記バッファ層２３１ｂは、一般的な加熱や電磁誘導加熱、レーザまたはヒートバー、超音波摩擦などで重合されうる多様な有機高分子から形成されうる。
【００２５】
一方、前記絶縁基板２１０の底面にも、さらにパッシベーション層２３２が形成されうる。前記絶縁基板２１０の底面のパッシベーション層は、本発明において必須の構成要素ではないが、不純物の浸透を最大限抑制するために、有機半導体層２２９を覆うパッシベーション層２３１と共に形成されることが好ましい。絶縁基板２１０底面のパッシベーション層２３２も、複数のバリヤ層２３２ａとバッファ層２３２ｂとが交互に積層された多層構造からなり、前記バリヤ層２３２ａ及びバッファ層２３２ｂについての詳細は、前述と同様である。
【００２６】
本発明は、添付した図面に示された実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。従って、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって決められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来の有機ＥＬ素子の垂直断面構造を示した図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態の垂直断面構造を示した図である。
【図３】本発明のＥＬ素子の発光輝度の経時的変化を示す図である。
【図４】本発明の有機電子素子の一実施形態の垂直断面構造を示した図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０、１１０、２１０    絶縁基板（ガラス基板）、
２０、１２０    発光部、
２１、１２１    第１の電極層、
２３、１２３    活性層（有機薄膜層）、
２５、１２５    第２の電極層、
３０    シーリングカン、
４０    吸湿剤、
５０    封止剤、
１３０、２３１、２３２    パッシベーション層、
１３０ａ、２３１ａ、２３２ａ    バリヤ層、
１３０ｂ、２３１ｂ、２３２ｂ    バッファ層、
２２１    ゲート電極、
２２３    有機絶縁膜、
２２５    ソース電極、
２２７    ドレイン電極、
２２９    有機半導体層。
【図１】
2007317646.tif 000003
【図２】
2007317646.tif 000004
【図３】
2007317646.tif 000005
【図４】
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