(57)【要約】【課題】  半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することが可能な発光装置を提供すること。【解決手段】  この発光装置１は、積層型チップバリスタ１０が、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極１０１，１０２とを有するバリスタ素体１１と、バリスタ素体１１の外表面に形成されると共に、対応する内部電極１０１，１０２にそれぞれ接続される複数の外部電極１０３，１０４と、有し、半導体発光素子２０が、ＺｎＯからなる導電性基板２０２と、当該導電性基板２０２の両面にエピタキシャル成長によって形成され、ＺｎＯからなる半導体層２０１，２０３，２０５と、を有し、半導体発光素子２０は、積層型チップバリスタ１０の内部電極１０１，１０２に交差する主面１１ａに配置され、主面１１ａに半導体層２０５が面接触によって固定されている。【選択図】  図１
2007109683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、積層型チップバリスタと、を備える発光装置であって、
前記積層型チップバリスタが、
ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成されると共に、前記複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される複数の外部電極と、有し、
前記半導体発光素子が、
ＺｎＯ又はＧａＮからなる導電性基板と、当該導電性基板の両面にエピタキシャル成長によって形成され、ＺｎＯ又はＧａＮからなる半導体層と、を有し、
前記半導体発光素子は、前記積層型チップバリスタの前記内部電極に交差する外表面に配置され、当該外表面に前記一対の半導体層のいずれかが面接触によって固定されていることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の発光装置として、半導体発光素子と、当該半導体発光素子に並列接続されたバリスタとを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された発光装置では、半導体発光素子は、並列接続されたバリスタによってＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）サージから保護されている。
【特許文献１】特開２００１−１５８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、半導体発光素子は、その発光動作中、熱を発する。半導体発光素子が高温になると、その発光動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。特に、半導体発光素子が光学的に透明な樹脂により封止されている場合、半導体発光素子にて発生した熱を放散させることが難しくなる。
【０００４】
本発明は、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る発光装置は、半導体発光素子と、積層型チップバリスタと、を備える発光装置であって、積層型チップバリスタが、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される複数の外部電極と、有し、半導体発光素子が、ＺｎＯ又はＧａＮからなる導電性基板と、当該導電性基板の両面にエピタキシャル成長によって形成され、ＺｎＯ又はＧａＮからなる半導体層と、を有し、半導体発光素子は、積層型チップバリスタの内部電極に交差する外表面に配置され、当該外表面に一対の半導体層のいずれかが面接触によって固定されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、積層型チップバリスタが半導体発光素子に並列接続されるので、半導体発光素子をＥＳＤサージから保護することができる。また、本発明では、積層型チップバリスタが半導体発光素子に接続する外部電極と当該外部電極に接続する内部電極とを有するので、半導体発光素子において発生した熱は、主として、外部電極及び内部電極に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することができる。更に、積層型チップバリスタの外表面に半導体層が面接触によって固定されているので、ｐ型半導体層又はｎ型半導体層が外表面に熱的、電気的、かつ機械的に接続され、熱の伝達をより効果的に行うことができる。ところで、バリスタ層がＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、内部電極からの熱の放散がバリスタ層により阻害されるのを抑制することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することが可能な発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
図１〜図３を参照しながら、本発明の実施形態に係る発光装置１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１の断面構成を説明するための図であって、発行装置１の略中央付近の断面を示している。図２は、発光装置１の概略上面図である。図３は、発光装置１の概略下面図である。
【００１０】
発光装置１は、図１〜図３に示されるように、半導体発光素子２０と、積層型チップバリスタ１０とを備えている。半導体発光素子２０は、積層型チップバリスタ１０上に配されている。また、半導体発光素子２０は、蛍光体微粒子入りのシリコーン層３０によって覆われている。
【００１１】
まず、積層型チップバリスタ１０の構成について説明する。積層型チップバリスタ１０は、略直方体形状とされたバリスタ素体１１と、複数（本実施形態においては、一対）の外部電極５０と、複数（本実施形態においては、一対）の外部電極１０３，１０４と、を備えている。
【００１２】
一対の外部電極５０は、バリスタ素体１１の一方の主面（外表面）１１ａにそれぞれ形成されている。一対の外部電極１０３，１０４は、バリスタ素体１１の他方の主面（外表面）１１ｂにそれぞれ形成されている。バリスタ素体１１は、例えば、縦が０．５〜２．０ｍｍ程度に設定され、横が０．５〜２．０ｍｍ程度に設定され、厚みが０．３ｍｍ程度に設定されている。外部電極１０３は、積層型チップバリスタ１０の入力端子電極として機能し、外部電極１０４は、積層型チップバリスタ１０の出力端子電極として機能する。外部電極５０は、後述する半導体発光素子２０に電気的に接続されるパッド電極として機能する。
【００１３】
バリスタ素体１１は、電圧非直線特性（以下、「バリスタ特性」と称する）を発現する複数のバリスタ層と、それぞれ複数の第１の内部電極１０１及び第２の内部電極１０２とが積層された積層体として構成されている。第１の内部電極１０１と第２の内部電極１０２とは、バリスタ素体１１内においてバリスタ層の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に沿って互い違いにそれぞれ複数層配置されている。
【００１４】
第１の内部電極１０１と第２の内部電極１０２とは、互いの間に少なくとも一層のバリスタ層を挟むように配置されている。バリスタ素体１１の一対の主面１１ａ，１１ｂは、バリスタ層の積層方向に平行な方向に伸びている。第１の内部電極１０１と第２の内部電極１０２とは、バリスタ層の積層方向に沿って併置されている。実際の積層型チップバリスタ１０では、複数のバリスタ層は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００１５】
バリスタ層は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分として、Ｃｏ、希土類金属元素又はＢｉを含む素体からなる。更に、IIIｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、バリスタ層は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。
【００１６】
本実施形態では、希土類金属として、Ｐｒを用いている。Ｐｒは、バリスタ特性を発現させるための材料となる。Ｐｒを用いる理由は、電圧非直線性に優れ、また、量産時での特性ばらつきが少ないためである。バリスタ層におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、バリスタ層を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８〜６９．０質量％である。バリスタ層の厚みは、例えば５〜６０μｍ程度である。
【００１７】
第１の内部電極１０１は、第１の電極部分１０１ａと、第２の電極部分１０１ｂと、第３の電極部分１０１ｃと、第４の電極部分１０１ｄと、を含んでいる。第４の電極部分１０１ｄは、積層方向から見て、後述する第２の内部電極１０２の第３の電極部分１０２ｃと互いに重なり合う。第４の電極部分１０１ｄは、略矩形状を呈している。
【００１８】
第３の電極部分１０１ｃは、第４の電極部分１０１ｄから一方の主面１１ｂに露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第３の電極部分１０１ｃは、外部電極１０４に物理的及び電気的に接続されている。
【００１９】
第１の電極部分１０１ａ及び第２の電極部分１０１ｂは、第４の電極部分１０１ｄから他方の主面１１ａに露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第１の電極部分１０１ａ及び第２の電極部分１０１ｂはそれぞれ、一対の外部電極５０に物理的及び電気的に接続されている。
【００２０】
第４の電極部分１０１ｄは、第３の電極部分１０１ｃを通して外部電極１０４に電気的に接続されると共に、第１の電極部分１０１ａ及び第２の電極部分１０１ｂを通して一対の外部電極５０に電気的に接続されている。第１の電極部分１０１ａ，第２の電極部分１０１ｂ，及び第３の電極部分１０１ｃは、第４の電極部分１０１ｄと一体に形成されている。
【００２１】
第２の内部電極１０２は、第１の電極部分１０２ａと、第２の電極部分１０２ｂと、第３の電極部分１０２ｃと、を含んでいる。第３の電極部分１０２ｃは、積層方向から見て、第１の内部電極１０１の第４の電極部分１０１ｄと互いに重なり合う。第３の電極部分１０２ｃは、略矩形状を呈している。
【００２２】
第２の電極部分１０２ｂは、第３の電極部分１０２ｃから一方の主面１１ｂに露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第２の電極部分１０２ｂは、外部電極１０３に物理的及び電気的に接続されている。
【００２３】
第１の電極部分１０２ａは、第３の電極部分１０２ｃから他方の主面１１ａに露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第１の電極部分１０２ａは、外部電極６０を介して半導体発光素子２０に物理的及び電気的に接続されている。半導体発行素子２０と外部電極６０との間にはＡｕ−Ｓｎはんだ層が介在することも好ましい。各第３の電極部分１０２ｃは、第２の電極部分１０２ｂを通して外部電極１０３に電気的に接続されると共に、第１の電極部分１０２ａを通して半導体発光素子２０に電気的に接続されている。第１の電極部分１０２ａ及び第２の電極部分１０２ｂは、第３の電極部分１０２ｃと一体に形成されている。
【００２４】
第１及び第２の内部電極１０１，１０２は導電材を含んでいる。第１及び第２の内部電極１０１，１０２に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金またはＡｇからなることが好ましい。第１及び第２の内部電極１０１，１０２の厚みは、例えば０．５〜５μｍ程度である。
【００２５】
外部電極１０３と外部電極１０４とは、一方の主面１１ｂ上において、バリスタ層の積層方向に垂直且つ他方の主面１１ａに平行な方向に所定の間隔を有して配されている。外部電極１０３，１０４は、矩形状を呈している。
【００２６】
一対の外部電極５０は、他方の主面１１ａ上において、バリスタ層の積層方向に垂直且つ他方の主面１１ｂに平行な方向に所定の間隔を有して配されている。外部電極５０は、矩形状を呈しており、各内部電極１０１の第１の電極部分１０１ａ及び第２の電極部分１０１ｂと電気的に接続されるように形成されている。
【００２７】
第１の内部電極１０１の第４の電極部分１０１ｄと、第２の内部電極１０２の第３の電極部分１０２ｃとは、上述したように、隣り合う第１の内部電極１０１の第４の電極部分１０１ｄとの間において互いに重なり合う。したがって、バリスタ層における第４の電極部分１０１ｄと第３の電極部分１０２ｃとに重なる領域がバリスタ特性を発現する領域として機能する。上述した構成を有する積層型チップバリスタ１０においては、第４の電極部分１０１ｄと、第３の電極部分１０２ｃと、バリスタ層における第４の電極部分１０１ｄ及び第３の電極部分１０２ｃに重なる領域とにより、一つのバリスタ部が構成されることとなる。
【００２８】
引き続いて、半導体発光素子２０の構成について説明する。半導体発光素子２０は、ＺｎＯ系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）である。半導体発光素子２０は略直方体形状とされており、順に、ｎ−ＺｎＯ透明電極層２０１と、ｎ−ＺｎＯ基板２０２と、ｎ−ＺｎＯ層２０３と、発光層２０４と、ｐ−ＺｎＯ層２０５と、を備えている。尚、本実施形態では、ＺｎＯ系半導体の発光ダイオードを用いているけれども、ＧａＮ系半導体の発光ダイオードを用いてもよい。その場合には、基板もＧａＮ系のものが用いられる。また、ＧａＮとＺｎＯとは、格子定数及びその熱膨張係数が近接しているので、例えばＺｎＯ系の基板にＧａＮ系の半導体層を形成してもよい。
【００２９】
半導体発光素子２０は、ｎ−ＺｎＯ基板２０２に対してエピタキシャル成長によって、一方の主面にはｎ型の半導体領域であるｎ−ＺｎＯ透明電極層２０１が、他方の主面にはｎ型の半導体領域であるｎ−ＺｎＯ層２０３，発光層２０４，及びｐ型の半導体領域であるｐ−ＺｎＯ層２０５が形成される。ｎ−ＺｎＯ基板２０２は、導電性を有する透明な基板である。
【００３０】
発光層２０４は、ｎ型の半導体領域であるｎ−ＺｎＯ層２０３上に形成され、ｎ−ＺｎＯ層２０３及びｐ−ＺｎＯ層２０５から供給されたキャリア（電子及び正孔）が再結合することにより発光領域において光を発生する。発光層２０４は、例えば、ＺｎＯのＳＱＷ構造とすることができる。発光領域は、発光層２０４において、キャリアが注入される領域に生じる。
【００３１】
半導体発光素子２０は、ｐ−ＺｎＯ層２０５が積層型チップバリスタ１０の主面１１ａ上に、Ａｕ−Ｓｎはんだからなる、外部電極６０によって固定されている。半導体発光素子２０のｎ−ＺｎＯ透明電極層２０１上にはパッド電極４０が６箇所に形成されている。各パッド電極４０は、積層型チップバリスタ１０の外部電極５０にワイヤボンディングによって電気的に接続されている。従って、ｐ型の半導体領域であるｐ−ＺｎＯ層２０５と、ｎ型の半導体領域であるｎ−ＺｎＯ層２０３との間に電圧を印加することができ、その印加される電圧に応じて半導体発光素子２０が発光する。
【００３２】
本実施形態の変形例について図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、本実施形態の変形例である発光装置４の断面構成を示す図である。図５は、発光装置４の概略上面図である。発光装置４は、積層型チップバリスタ１０及び半導体発光素子２０を備えており、それらの構成については上述した通りであるのでその説明を省略する。
【００３３】
発光装置４における積層型チップバリスタ１０の主面１１ａ上には、導体層８０及び導体層７０がそれぞれ形成されている。導体層８０は、発光装置１における外部電極６０と略同一形状をなしている。従って、導体層８０は、積層型チップバリスタ１０の各第２の内部電極１０２と電気的に接続されている。導体層７０は、発光装置１における外部電極５０と略同一形状をなしている。従って、導体層７０は、積層型チップバリスタ１０の各第１の内部電極１０１と電気的に接続されている。
【００３４】
導体層７０及び導体層８０を覆うように絶縁層９０が形成されている。絶縁層９０には、所定の位置にコンタクトホール９０１及びコンタクトホール９０２が形成されている。コンタクトホール９０１は、積層型チップバリスタ１０の主面１１ａの四隅及び対向する一対の辺の略中央部分に形成されている。コンタクトホール９０２は、主面１１ａの略中央部分（半導体発光素子２０の載置部分）に、半導体発光素子２０の外形と略同一形状となるように形成されている。
【００３５】
コンタクトホール９０１に対応する位置にはパッド電極５５及びパッド電極５７が形成されている。上述したように絶縁層９０が形成されているので、パッド電極５５及びパッド電極５７の形状及び位置は任意に設定できる。図５に示すパッド電極５５及びパッド電極５７の形状は一例であって、例えば、主面１１ａの外周に沿うように一体的に設けることも可能である。
【００３６】
コンタクトホール９０２に対応する位置には、外部電極８０が形成されている。この外部電極８０上に半導体発光素子２０が載置固定される。半導体発光素子２０上には、電極４０，電極４２，電極４４がそれぞれ形成されている。電極４０はパッド電極５５と接続され、電極４２及び４４はパッド電極５７と接続されている。これら電極４０，４２，４４を設ける位置も任意であり、どのパッド電極と接続するかも任意に設定できる。
【００３７】
続いて、図６及び図７を参照しながら、上述した構成を有する発光装置１の製造過程について説明する。図６は、本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するためのフロー図である。図７は、本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するための図である。
【００３８】
まず、バリスタ層を構成する主成分であるＺｎＯと、Ｐｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ及びＡｌの金属又は酸化物等の微量添加物とを所定の割合となるように各々秤量した後、各成分を混合してバリスタ材料を調整する（ステップＳ１０１）。その後、このバリスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加えて、ボールミル等を用いて２０時間程度混合・粉砕を行ってスラリーを得る。
【００３９】
このスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、例えばポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上に塗布した後、乾燥して厚さ３０μｍ程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離してグリーンシートを得る（ステップＳ１０３）。
【００４０】
次に、グリーンシートに、第１及び第２の内部電極１０１，１０２に対応する電極部分を複数（後述する分割チップ数に対応する数）形成する（ステップＳ１０５）。第１及び第２の内部電極１０１，１０２に対応する電極部分は、Ｐｄ粒子を主成分とする金属粉末、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷等の印刷法にて印刷し、乾燥させることにより形成する。
【００４１】
次に、電極部分が形成された各グリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成する（ステップＳ１０７）。こうして得られたシート積層体をチップ単位に切断して、分割された複数のグリーン体ＧＬ１（図７参照）を得る（ステップＳ１０９）。
【００４２】
得られたグリーン体ＧＬ１では、第１の内部電極１０１に対応する電極部分ＥＬ１が形成されたグリーンシートＧＳ１と、第２の内部電極１０２に対応する電極部分ＥＬ２が形成されたグリーンシートＧＳ２と、電極部分ＥＬ１，ＥＬ２が形成されていないグリーンシートＧＳ３とが順次積層されている。グリーンシートＧＳ１とグリーンシートＧＳ２との間に位置するグリーンシートＧＳ３は、複数枚積層してもよく、また、無くてもよい。
【００４３】
次に、グリーン体ＧＬ１の外表面に、外部電極１０３，１０４，５０用の導電性ペーストを付与する（ステップＳ１１１）。ここでは、グリーン体ＧＬ１の一方の主面上に、対応する電極部分ＥＬ１，ＥＬ２に接するように導電性ペーストをスクリーン印刷工法にて印刷した後、乾燥させることによって電極部分を形成する。
【００４４】
次に、導電性ペーストが付与されたグリーン体ＧＬ１に、１８０〜４００℃、０．５〜２４時間程度の加熱処理を実施して脱バインダを行った後、さらに、１０００〜１４００℃、０．５〜８時間程度の焼成を行う（ステップＳ１１３）。この焼成によって、グリーン体ＧＬ１におけるグリーンシートＧＳ１〜ＧＳ３はバリスタ層となる。電極部分ＥＬ１は、第１の内部電極１０１となる。電極部分ＥＬ２は、第２の内部電極１０２となる。
【００４５】
以上の過程により、積層型チップバリスタ１０が得られることとなる。なお、焼成後に、バリスタ素体１１の表面からアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ等）を拡散させてもよい。
【００４６】
その後、予め準備した半導体発光素子２０を積層型チップバリスタ１０に載置固定し、シリコーン層３０で覆うことにより発光装置１を得ることができる（ステップＳ１１５）。
【００４７】
以上のように、本実施形態によれば、積層型チップバリスタ１０が半導体発光素子２０に並列接続されるので、半導体発光素子２０をＥＳＤサージから保護することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、積層型チップバリスタ１０が半導体発光素子２０に接続する外部電極５０及び外部電極６０と当該外部電極５０及び外部電極６０に接続する内部電極１０１，１０２とを有するので、半導体発光素子２０において発生した熱は、主として、内部電極１０１，１０２に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子２０において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子２０において発生した熱を効率よく放散することができる。
【００４９】
本実施形態においては、バリスタ層がＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、内部電極１０１，１０２からの熱の放散がバリスタ層により阻害されるのを抑制することができる。
【００５０】
ところで、本実施形態の積層型チップバリスタ１０では、入力端子電極として機能する外部電極１０３と出力端子電極として機能する外部電極１０４とが共に、バリスタ素体１１の一方の主面１１ｂに配されている。この積層型チップバリスタ１０は、はんだボールやバンプ電極等を用いて各外部電極１０３，１０４と当該各外部電極１０３，１０４に対応するランドとを電気的及び機械的に接続することにより、外部基板や外部機器等に実装される。
【００５１】
また、本実施形態によれば、グリーン体ＧＬ１がＰｒを含み、外部電極６０，８０，１０３，１０４用の導電性ペーストはＰｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉのいずれか一種を含むことが好ましく、当該導電性ペーストが付与されたグリーン体ＧＬ１を焼成して、バリスタ素体１１と外部電極１０３，１０４を構成する電極層とを得るので、バリスタ素体１１と電極層とが同時焼成されることとなる。これにより、バリスタ素体１１と外部電極１０３，１０４との接着強度を向上させることができる。導電性ペーストには更に接着強度向上のためにガラスを含んでいてもよい。
【００５２】
ＢＧＡパッケージとされた積層型チップバリスタは、入出力端子電極あるいはグランド端子電極として機能する外部電極の面積が特に小さい。このため、バリスタ素体と外部電極との接着強度が低くなり、外部電極がバリスタ素体から剥がれてしまう懼れがある。しかしながら、本実施形態の積層型チップバリスタ１０では、上述したようにバリスタ素体１１と外部電極１０３，１０４との接着強度が向上しているので、外部電極１０３，１０４がバリスタ素体１１から剥がれることはない。
【００５３】
本実施形態においては、一対の外部電極１０３，１０４がバリスタ素体１１の一方の主面１１ｂに形成され、一対の外部電極５０が一方の主面１１ｂに対向する他方の主面１１ａに形成されている。第１及び第２の内部電極１０１，１０２は、互いに重なり合う第４の電極部分１０１ｄ，第３の電極部分１０２ｃと、当該第４の電極部分１０１ｄ，第３の電極部分１０２ｃから一方の主面１１ｂ及び他方の主面１１ｂに露出するように引き出された第１の電極部分１０１ａ，第２の電極部分１０１ｂ，第３の電極部分１０１ｃ，第１の電極部分１０２ａ，第２の電極部分１０２ｂと、を含んでいる。複数の外部電極１０３，１０４，５０，及び外部電極６０は、対応する内部電極１０１，１０２に第１の電極部分１０１ａ，第２の電極部分１０１ｂ，第３の電極部分１０１ｃ，第１の電極部分１０２ａ，第２の電極部分１０２ｂを通して電気的に接続されている。この場合、半導体発光素子１は、外部電極５０及び外部電極６０に接続することにより、積層型チップバリスタ１０に実装されることとなる。したがって、半導体発光素子２０と外部電極５０及び外部電極６０とを電気的及び物理的に接続するための実装を容易且つ簡易に行うことができる。また、積層型チップバリスタ１０は、外部電極１０３，１０４が形成された一方の主面１１ｂを外部基板や外部機器等に対向させた状態で、外部基板や外部機器等に実装されることとなる。したがって、積層型チップバリスタ１０の実装も容易且つ簡易に行うことができる。
【００５４】
また、本実施形態では、半導体発光素子を外部電極５０，５５との複数のワイヤボンディング接続が可能であり、半導体発光素子２０において発生した熱をワイヤを通してさらに効率よく放熱することができる。外部電極５０，５５の導電性ペーストはＡｕ，Ｐｄ，Ａｇのいずれか一種を含む。ワイヤボンディングするためにＡｕを含むことが好ましい。また、接着強度向上のためにさらにガラスを含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施形態に係る発光装置の断面構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る発光装置の概略上面図である。
【図３】本実施形態に係る発光装置の概略下面図である。
【図４】変形例である発光装置の断面構成を示す図である。
【図５】変形例である発光装置の概略上面図である。
【図６】本実施形態である発光装置の製造過程を説明するためのフロー図である。
【図７】本実施形態である発光装置の製造過程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…発光装置、１０…積層型チップバリスタ、２０…半導体発光素子、３０…シリコーン層、１１…バリスタ素体、１１ａ，１１ｂ…主面、１０１…第１の内部電極、１０２…第２の内部電極、１０３，１０４…外部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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