(57)【要約】【課題】ワイヤーボンド工程において、パッド層とワイヤーの接着強度が弱い、あるいはパッド層とワイヤーが接着しない等の不具合が生じない半導体発光素子を提供する。【解決手段】ｐ型ＧａＰ層を光取り出し面側に有し、ｐ型ＧａＰ層の上に低抵抗オーミック接触を実現するためのオーミック層と、ワイヤーボンドのためのパッド層をこの順に積層したｐ側電極を有する半導体発光素子において、前記オーミック層が形成された後、低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理工程が行われ、しかる後にパッド層を形成する。このような構成とすることにより、ｐ型ＧａＰ層とのオーミック接触を確保しつつパッド層形成後の熱処理が不要となり、合金化熱処理工程によりオーミック層の電極材料がパッド層の表面に析出することがなくなるので、パッド層とワイヤーとの接着強度が確保される。【選択図】図１
2007317913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板と、
前記導電性基板上にＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＰ系半導体またはＧａＡｓＰ系半導体からなる発光部とｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層とを備え、
前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層の前記発光部と接する反対側の面を光取り出し面とする半導体発光素子において、
前記光取り出し面の上に、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層と低抵抗オーミック接触を実現するために合金化熱処理を行ったオーミック層と、
前記オーミック層の上にワイヤーボンドするためのパッド層とを積層した電極を有することを特徴とした半導体発光素子。
【請求項２】
前記オーミック層はＡｕとＢｅの合金またはＡｕとＺｎの合金からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記オーミック層と前記パッド層との間に、高融点金属からなるバリア層が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記バリア層は、Ｔｉ、Ｐｔ、ＭｏまたはＷからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
導電性基板と、
前記導電性基板上にＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＰ系半導体またはＧａＡｓＰ系半導体からなる発光部とｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層とを備え、
前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層の前記発光部と接する反対側の面を光取り出し面とする半導体発光素子の製造方法において、
前記光取り出し面の上にオーミック層を形成後、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層と前記オーミック層の低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理と、
前記合金化熱処理後に前記オーミック層の上にワイヤーボンドするためのパッド層を形成することを特徴とした半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記オーミック層の合金化熱処理工程後、前記パッド層との間に高融点金属からなるバリア層を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に係り、特に化合物半導体のオーミック電極の形成方法を改善した半導体発光素子の製造方法とその製造方法によって作製された半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、化合物半導体を用いた高輝度の半導体発光素子の開発が進んでいる。特に、ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体は、可視光発光素子用の半導体材料として最近多用されるようになり、赤色から緑色の発光ダイオードの分野や赤色レーザダイオードの分野での展開が進んでいる。
【０００３】
なお、本明細書において「ＩｎＧａＡｌＰ系」とは、組成式Ｉｎx（Ｇａ1-yＡｌy）1-xＰにおける組成比ｘ及びｙをそれぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１の範囲で変化させたあらゆる組成の半導体を含むものとする。すなわち、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＡｌＧａＰなどの混晶が「ＩｎＧａＡｌＰ系」に含まれるものとする。
【０００４】
ＩｎＧａＡｌＰ系材料は上記組成式において組成比ｘが約０．５のときにＧａＡｓと格子整合するという特徴がある。このとき、組成比ｙを０から約０．４まで変化させると格子整合しながら赤色から黄緑色の直接遷移による可視発光が得られる。また、ＧａＡｓを用いた高品質で比較的安価な基板が得られることから、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体はＧａＡｓ基板の上に形成されることが多く、これを用いた高効率の発光素子が広く用いられている。
【０００５】
また、ＩｎＧａＡｌＰ系に限らず、化合物半導体を用いた発光ダイオードや半導体レーザダイオードに使用される材料及び素子構造は、長年にわたる進歩の結果、成熟してきている。半導体発光素子に関して必要なこととして、当然ながらパッケージに搭載する際に不都合が生じない素子構造が求められることとなる。特に、半導体発光素子をパッケージに搭載するダイスボンド工程や、搭載した半導体発光素子に電流を流す為のワイヤーを接着するワイヤーボンド工程において不都合が生じないことが極めて重要となる。
【０００６】
図５に従来の半導体発光素子の概略断面図を示す。図５に示す半導体発光素子５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１の第一主表面上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層５２と、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層５４と、ＩｎＧａＡｌＰ活性層５５と、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層５６と、ｐ型ＧａＰ層５７が積層されている。さらに、ｐ型ＧａＰ層５７の上にはｐ側電極５８が、ｎ型ＧａＡｓ基板５１の第二主表面上にはｎ側電極５９が形成されている。このような構造の半導体発光素子５０は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００７】
ｐ型ＧａＰ層５７上に設けるｐ側電極５８は、蒸着法やスパッタ法により成膜されたｐ型オーミック電極材料を、フォトエッチングにて所定の電極パターンに成形して形成される。ｐ型ＧａＰ用のオーミック電極材料としてはＡｕＢｅからなるオーミック層が多用されるが、ワイヤーボンド工程における不具合が発生しないように、オーミック層の上にＴｉやＰｔ等の高融点金属からなるバリア層とＡｕやＡｌ等のワイヤーボンドパッド層を設けた多層構造とする方法がよく知られている。このような多層の電極構造は、例えば、特許文献２に開示されている。
【０００８】
図６に従来の多層の電極構造の製造工程フロー図を示す。図６（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板５１とｐ型ＧａＰ層５７を有するエピウエハ６０を準備し、図６（ｂ）に示すように、ｐ型ＧａＰ層５７の上にＡｕＢｅからなるオーミック層６１とＴｉからなるバリア層６２とＡｕからなるパッド層６３を蒸着法またはスパッタ法等により成膜する。図６（ｃ）に示すようにフォトリソグラフィにより所望の形状にパターニングする。その後、ｐ型ＧａＰ層５７とオーミック層６１とのオーミック接触性を確保するために、３５０〜６００℃にて熱処理を行う。
【０００９】
特許文献２によれば、オーミック層とパッド層の間に形成される高融点金属からなるバリア層は、ｐ型ＧａＰ層からＧａ原子がパッド層に移動するのを防ぐとともに、オーミック層とパッド層とが合金化するのを防ぐ重要な働きをし、これによりパッド層の良好なワイヤーボンディング性を確保するものとされている。このような効果はｐ型ＧａＡｓＰ層の上に多層の電極構造を形成する場合にも有効である。
【特許文献１】特開平１０−２５６６６７号公報
【特許文献２】特開平６−１３３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のような多層の電極構造によっても、ワイヤーボンド工程において、パッド層とワイヤーの接着強度が弱い、あるいはパッド層とワイヤーが接着しない等の不具合が発生することがあった。
【００１１】
したがって、本発明は、ワイヤーボンド工程における不具合が生じない半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、パッド層について鋭意検討した結果、上記多層の電極構造を用いた場合でも電極形成工程の途中やワイヤーボンド工程に至るまでに、パッド層表面にオーミック層に用いるＢｅまたはＺｎ、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子が拡散によって析出して酸化し、これによりパッド層とワイヤーの接着強度が低下することを見出した。そして、パッド層表面にＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子が析出しない電極形成工程を開発することにより本発明を完成するに至った。
【００１３】
パッド層を形成する前に合金化熱処理を行い、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子をパッド層表面に析出させないようにしたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層との良好なオーミック接触を確保しつつ、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子をパッド層表面に析出させないようにすることで、パッド層表面での酸化が防止され、ワイヤーとパッド層との接着強度が確保される。したがって、ワイヤーとパッド層との接着強度が弱い、あるいはワイヤーがパッド層と接着しない等の不具合が発生せず、ワイヤーボンド工程の歩留まりが向上する。
【００１５】
さらに、当該半導体発光素子をエポキシ樹脂で封止し発光ダイオードデバイスとして完成させた後、使用雰囲気中の水分がエポキシ樹脂を透過して半導体発光素子に到達した場合にも、水分に含まれる塩素成分によりパッド層の表面に析出したオーミック電極材料を腐食させることがないので、信頼性の高い発光ダイオードデバイスを提供できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本願の第１の発明は、導電性基板と、前記導電性基板上にＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＰ系半導体またはＧａＡｓＰ系半導体からなる発光部とｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層とを備え、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層の前記発光部と接する反対側の面を光取り出し面とする半導体発光素子において、前記光取り出し面の上に、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層と低抵抗オーミック接触を実現するために合金化熱処理を行ったオーミック層と、前記オーミック層の上にワイヤーボンドするためのパッド層とを積層した電極を有することを特徴としたものである。
【００１７】
これにより、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子がパッド層表面に析出しなくなり、パッド層表面での析出物質の酸化が防止され、ワイヤーとパッド層との接着強度が確保される。
【００１８】
本願の第２の発明は、前記オーミック層はＡｕとＢｅの合金またはＡｕとＺｎの合金からなることを特徴としたものである。
【００１９】
これにより、半導体発光素子の順方向電圧を低くすることができる。
【００２０】
本願の第３の発明は、前記オーミック層と前記パッド層との間に、高融点金属からなるバリア層が形成されたことを特徴としたものである。
【００２１】
これにより、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子がパッド層の表面にさらに析出しなくなる。
【００２２】
本願の第４の発明は、前記バリア層は、Ｔｉ、Ｐｔ、ＭｏまたはＷからなることを特徴としたものである。
【００２３】
これにより、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子の拡散が抑制される。
【００２４】
本願の第５の発明は、導電性基板と、前記導電性基板上にＩｎＧａＡｌＰ系半導体またはＧａＰ系半導体またはＧａＡｓＰ系半導体からなる発光部とｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層とを備え、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層の前記発光部と接する反対側の面を光取り出し面とする半導体発光素子の製造方法において、前記光取り出し面の上にオーミック層を形成後、前記ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層と前記オーミック層の低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理と前記合金化熱処理後に前記オーミック層の上にワイヤーボンドするためのパッド層を形成することを特徴としたものである。
【００２５】
これにより、パッド層が形成された後は合金化熱処理が不要となるので、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子がパッド層表面に析出しなくなる。
【００２６】
本願の第６の発明は、前記オーミック層の合金化熱処理工程後、前記パッド層との間に高融点金属からなるバリア層を形成することを特徴としたものである。
【００２７】
これにより、ＢｅまたはＺｎのオーミック層材料、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層のＧａ原子がパッド層の表面にさらに析出しなくなる。
【００２８】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態に係る半導体発光素子と製造工程を図１と図２に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略断面図であり、図２は本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程フロー図である。
【００２９】
図１の半導体発光素子１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の第一主面にｎ型ＧａＡｓバッファ層２とｎ型ＡｌＡｓ及びｎ型ＧａＡｓからなる多層反射膜３と、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４とＩｎＧａＡｌＰ活性層５とｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層６と、ｐ型ＧａＰ層７が形成されている。ｐ型ＧａＰ層７上の一部にはｐ側電極８が、ｎ型ＧａＡｓ基板１の第二主面にはｎ側電極９がそれぞれ形成されており、ｐ型ＧａＰ層７のｐ側電極８が形成されている面が主光取り出し面とされている。
【００３０】
ｎ側電極９には、ｎ型ＧａＡｓ基板１とのオーミック接触を実現しうる材料が用いられ、ＡｕＧｅ合金やＡｕＧｅＮｉ合金、ＡｕとＴｉの多層構造等が好適に用いられる。
【００３１】
ｐ側電極８は、ｐ型ＧａＰ層７と接触する側から順に、オーミック層８１、パッド層８２が積層された２層構造となっている。オーミック層８１にはｐ型ＧａＰ層７との良好なオーミック接触を実現しうる材料が用いられる。特にＡｕとＢｅの合金やＡｕとＺｎの合金が最も好適に用いられ、この材料を用いた場合に本発明の効果を十分に奏することができる。パッド層８２はワイヤーとの接着強度を確保できる材料が用いられ、ＡｕまたはＡｌが最も好適に用いられる。
【００３２】
図２を用いて本実施の形態の半導体発光素子の製造工程を説明する。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、例えば、有機金属気相成長法によりｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＡｓ及びｎ型ＧａＡｓからなる多層反射膜３、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４、ＩｎＧａＡｌＰ活性層５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層６、及びｐ型ＧａＰ層７を成長させたエピウエハ１０１を準備する。
【００３４】
次に図２（ｂ）に示すように、エピウエハ１０１のｎ型ＧａＡｓ基板１側に研磨やエッチングを施し所望の厚みに調整し、残ったｎ型ＧａＡｓ基板１の表面の全面にＡｕＧｅＮｉ合金膜を蒸着法により形成し、ｎ側電極９とする。
【００３５】
さらに図２（ｃ）に示すように、エピウエハ１０１を有機溶剤及び酸アルカリ等により洗浄し、エピウエハ１０１のｐ型ＧａＰ層７側の表面にＡｕＢｅまたはＡｕＺｎ合金膜を蒸着法またはスパッタ法により形成し、オーミック層８１とする。そしてエピウエハ１０１を熱処理炉に投入し、窒素雰囲気中で３００℃から５００℃の温度にて１分間から６０分間合金化熱処理を行う。これによりｐ型ＧａＰ層７とオーミック層８１との低抵抗オーミック接触が実現される。
【００３６】
引き続いて図２（ｄ）に示すように、オーミック層８１の表面を有機処理した後、オーミック層８１の上に蒸着法またはスパッタ法によりＡｕ膜を形成しパッド層８２とする。
【００３７】
この後、図２（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィによりオーミック層８１とパッド層８２を所望の形状にパターンニングし、ｐ側電極８を形成する。
【００３８】
さらに図２（ｆ）に示すように、ダイシングにより個別のチップに分離する。
【００３９】
このようにして作製された半導体発光素子は、Ａｕ膜からなるパッド層８２を形成した後に熱処理の工程を経ないので、オーミック層８１からパッド層８２の表面へＢｅまたはＺｎ、ｐ型ＧａＰ層７からパッド層８２の表面へｐ型ＧａＰ層のＧａ原子が拡散して析出することがなく、析出物質の酸化物がパッド層８２の表面に形成されないので、ワイヤーボンド工程におけるワイヤーの接着強度の不具合が発生しない。
【００４０】
合金化熱処理は、ｎ側電極９の形成後とオーミック層８１の形成後に各々別々に行っても良いが、本実施の形態のようにｎ側電極９とオーミック層８１の形成後に一括して行うと製造工程が簡単になり、リードタイム短縮に寄与することができる。この場合、ｎ側電極９とオーミック層８１の両方の材料に合わせて熱処理温度を選択すると良い。
【００４１】
ここで図２を参照しながら、本実施の形態の製造過程について簡単に説明する。
【００４２】
エピウエハ１０１を準備し、約２００μｍの厚みに調整した後、厚さ０．３０μｍのＡｕＧｅＮｉ合金膜からなるｎ側電極９を形成し、ｐ型ＧａＰ層７の表面に厚さ０．３０μｍのＡｕＢｅ合金膜を形成しオーミック層８１とする。
【００４３】
次に熱処理炉に投入し、窒素雰囲気中で３８０℃の温度にて１５分間合金化処理を行う。
【００４４】
引き続いて有機処理の後、オーミック層８１の上に蒸着法により厚さ１．２μｍのＡｕ膜を形成し、パッド層８２とする。
【００４５】
さらにフォトリソグラフィにて、オーミック層８１とパッド層８２を直径１００μｍの円形にパターンニングする。
【００４６】
そしてダイシングにより、チップサイズ２７０μｍの個別の半導体発光素子に分離する。
【００４７】
このようにして作製した半導体発光素子をリードフレームにダイスボンドし、ワイヤーボンド工程でワイヤーボンドを行ったところ、１０００個中ワイヤーの接着しなかったものは０個、シェア強度が５０ｇｆ／ｃｍ２を下回ったものも０個であった。
【００４８】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態に係る半導体発光素子と製造工程を図３と図４に基づいて説明する。図３は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略断面図であり、図４は本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造工程フロー図である。図３と図４は、図１と図２と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００４９】
本実施の形態においては、実施の形態１と層形成は同じであるが、ｐ側電極８８の構成が異なる。
【００５０】
ｐ側電極８８は、ｐ型ＧａＰ層７と接触する側から順に、オーミック層８１、バリア層８３、パッド層８２が積層された３層構造となっている。バリア層８３はＴｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金属からなり最も好適に用いられ、オーミック層８１とパッド層８２との密着を確保しつつ  オーミック層８１からのＢｅまたはＺｎの拡散、ｐ型ＧａＰ層７からＧａ原子の拡散が抑制され、合金化熱処理の温度を高くした場合でもＢｅまたはＺｎ、Ｇａ原子がパッド層８２の表面へさらに析出しなくなる。
【００５１】
図４を用いて本実施の形態の半導体発光素子の製造工程を説明する。
【００５２】
図４（ｃ）までは、実施の形態１と同じである。
【００５３】
図４（ｄ）に示すように、オーミック層８１の表面を有機処理した後、オーミック層８１の上に蒸着法またはスパッタ法によりＴｉ膜を形成しバリア層８３とする。さらにその上に蒸着法またはスパッタ法によりＡｕ膜を形成しバリア層８２とする。
【００５４】
この後、図４（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィによりオーミック層８１とバリア層８３とパッド層８２を所望の形状にパターンニングし、ｐ側電極８を形成する。
【００５５】
さらに、図４（ｆ）に示すように、ダイシングにより個別のチップに分離する。
【００５６】
このようにして作製された半導体発光素子は、Ｔｉ膜からなるバリア層８３とＡｕ膜からなるパッド層８２を形成した後に熱処理の工程を経ないので、オーミック層８１からＢｅまたはＺｎ、ｐ型ＧａＰ層７からＧａ原子がパッド層８２の表面へ拡散して析出することがなく、析出物質の酸化物がパッド層８２の表面に形成されないので、ワイヤーボンド工程におけるワイヤーの接着強度の不具合が発生しない。
【００５７】
ここで図４を参照しながら、本実施の形態の製造過程について簡単に説明する。
【００５８】
オーミック層８１とパッド層８２の間に蒸着法により図示しない厚さ０．３μｍのＴｉからなるバリア層８３を形成した以外は実施の形態１と同様にして、半導体発光素子を作製した。ここで、Ｔｉ膜のパターンニングの際、Ｔｉをフッ酸とフッ化アンモニウムと水の混合液にてエッチングした。
【００５９】
このようにして作製した半導体発光素子をリードフレームにダイスボンドし、ワイヤーボンド工程でワイヤーボンドを１０００個行ったところ、ワイヤーの接着しなかったものは０個、シェア強度が５０ｇｆ／ｃｍ２を下回ったものも０個であった。
【００６０】
また、比較として実施の形態２と同じエピウエハ１０１を用い、図６に示す製造工程フローに従って、作製した半導体発光素子にリードフレームをダイスボンドし、ワイヤーボンド工程でワイヤーボンドを１０００個行ったところ、ワイヤーが接着しなかったものは１１３個、シェア強度が５０ｇｆ／ｃｍ２を下回ったものが３５２個であった。
【００６１】
上記の実施の形態においては、ｐ型ＧａＰ層７を形成したエピウエハ１０１を用いたが、ｐ型ＧａＰ層７にはＩｎが微量含まれる場合も本発明の効果を奏することができ、本発明の技術の範囲に含まれる。
【００６２】
また、上記の実施の形態ではＩｎＧａＡｌＰ系の発光層を有する半導体発光素子について説明したが、ＧａＰ系半導体またはＧａＡｓＰ系半導体の発光層を有する半導体発光素子や、ｐ型ＧａＡｓＰ層を光取り出し面とする半導体発光素子も本発明の技術の範囲に含まれる。
【００６３】
さらに、オーミック層やパッド層、バリア層の組成や形状、厚みについても、本発明の思想を脱しない範囲で種々変形して用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
半導体発光素子の電極を形成する際にオーミック層が形成された後、低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理後にパッド層を形成することにより、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層とのオーミック接触を確保しつつ、パッド層形成後の熱処理が不要となるため、オーミック層、ｐ型ＧａＰ層またはｐ型ＧａＡｓＰ層の材料がパッド層の表面に析出することがなくなるので、パッド層とワイヤーとの接着強度が確保され、高輝度の半導体発光素子の信頼性向上、歩留り改善が可能な半導体発光素子およびその製造方法として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子を示す概略断面図
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子の製造工程フロー図
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子を示す概略断面図
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体発光素子の製造工程フロー図
【図５】従来の半導体発光素子の概略断面図
【図６】従来の多層の電極構造の製造工程フロー図
【符号の説明】
【００６６】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３  多層反射膜
４  ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
５  ＩｎＧａＡｌＰ活性層
６  ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
７  ｐ型ＧａＰ層
８  ｐ側電極
９  ｎ側電極
１０  半導体発光素子
８１  オーミック層
８２  パッド層
８３  バリア層
８８  ｐ側電極
１０１  エピウエハ
【図１】
2007317913.tif 000003
【図２】
2007317913.tif 000004
【図３】
2007317913.tif 000005
【図４】
2007317913.tif 000006
【図５】
2007317913.tif 000007
【図６】
2007317913.tif 000008