(57)【要約】【課題】高精度な位置決めを容易に且つ低コストで行うことができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板からなる流路形成基板１１０の一方面にアライメントマーク９２を形成する工程と、前記流路形成基板１１０の前記一方面側に保護基板１３０を接合する工程と、前記流路形成基板１１０の前記アライメントマーク９２の位置を前記流路形成基板１１０側に設けられた光学系２１０を用いて当該流路形成基板１１０を赤外線により透過させて確認すると共に、露光マスク２００の前記マスクマーク２０１の位置を前記光学系２１０を用いて確認し、前記流路形成基板１１０と前記露光マスク２００とを相対的に移動させて前記アライメントマーク９２と前記マスクマーク２０１との位置決めを行う工程とを具備する。【選択図】図５
2007090821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が噴射されるノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に前記圧力発生室に対応して設けられて当該圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧力発生手段を有するシリコン単結晶基板からなる流路形成基板の一方面にアライメントマークを形成する工程と、前記流路形成基板の前記一方面側に保護基板を接合する工程と、前記流路形成基板の前記アライメントマークの位置を前記流路形成基板側に設けられた光学系を用いて当該流路形成基板を赤外線により透過させて確認すると共に、前記流路形成基板の他方面側に配置されて前記アライメントマークに位置決めされるマスクマークを有し且つ前記圧力発生手段に対応した前記圧力発生室を形成するために用いられる露光マスクの前記マスクマークの位置を前記光学系を用いて確認し、前記流路形成基板と前記露光マスクとを相対的に移動させて前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程の後、前記露光マスクを介して前記流路形成基板の他方面側に設けられるマスクパターンを形成するためのレジストの露光を行う工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記レジストの露光を行う工程の後、前記流路形成基板の他方面に前記レジストを介して前記マスクパターンを形成すると共に、前記流路形成基板を前記マスクパターンを介してエッチングすることにより、前記圧力発生室を形成する工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記圧力発生手段が、前記流路形成基板の前記一方面側に振動板を介して設けられた圧電素子であると共に、前記保護基板には、前記圧電素子を保持する圧電素子保持部が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特にインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。そして、たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。
【０００３】
また、このような圧電素子は、例えば、湿気等の外部環境に起因して破壊され易いという問題がある。このため、例えば、圧力発生室が形成される流路形成基板に、圧電素子保持部を有する基板を接合し、この圧電素子保持部内に並設された複数の圧電素子を密封するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようなインクジェット式記録ヘッドでは、圧力発生室が、流路形成基板の圧電素子が形成された一方面とは反対側からマスクパターンを介して異方性エッチングすることにより形成されるが、圧力発生室を形成する際に圧電素子との相対位置を高精度に位置決めする必要がある。このため、流路形成基板の圧電素子が形成される一方面にアライメントマークを設けると共に、流路形成基板の一方面に接合された保護基板にアライメントマークが露出される露出孔を設け、保護基板側から光学系を用いてアライメントマークの位置を確認すると共に、流路形成基板の他方面側に配置されて圧力発生室を形成するためのマスクパターンを形成する際に用いられる露光マスクに設けられたマスクマークの位置を流路形成基板側から他の光学系で確認することで、アライメントマークとマスクマークとの位置決めを行っていた。
【０００５】
しかしながら、このようなアライメント方法では、保護基板に露出孔を形成する必要があると共に、アライメントマークを形成する領域に制限があり、アライメントマークを増やしたり、位置を変更するのが困難であるという問題がある。
【０００６】
また、アライメントマークを確認するための光学系と、露光マスクに設けられたマスクマークを確認するための光学系との２つの光学系を用いるため、アライメントマークとマスクマークとの位置決めが困難であると共に高精度に位置決めするのに時間がかかってしまうという問題がある。また、アライメントマークとマスクマークとの位置決めに２つの光学系が必要なため、高コストになってしまうという問題がある。
【０００７】
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、他の液体を吐出する液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１１３８５７号公報（特許請求の範囲等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑み、高精度な位置決めを容易に且つ低コストで行うことができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、液体が噴射されるノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に前記圧力発生室に対応して設けられて当該圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧力発生手段を有するシリコン単結晶基板からなる流路形成基板の一方面にアライメントマークを形成する工程と、前記流路形成基板の前記一方面側に保護基板を接合する工程と、前記流路形成基板の前記アライメントマークの位置を前記流路形成基板側に設けられた光学系を用いて当該流路形成基板を赤外線により透過させて確認すると共に、前記流路形成基板の他方面側に配置されて前記アライメントマークに位置決めされるマスクマークを有し且つ前記圧力発生手段に対応した前記圧力発生室を形成するために用いられる露光マスクの前記マスクマークの位置を前記光学系を用いて確認し、前記流路形成基板と前記露光マスクとを相対的に移動させて前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、流路形成基板と露光マスクとの位置決めを、流路形成基板側から１つの光学系でアライメントマークの位置とマスクマークの位置とを取得して行うことができるため、保護基板にアライメントマークを露出するための露出孔を形成する必要がなく、所望の位置に所定量のアライメントマークを形成することができる。これにより、高精度な位置決めを容易に且つ低コストで行うことができる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程の後、前記露光マスクを介して前記流路形成基板の他方面側に設けられるマスクパターンを形成するためのレジストの露光を行う工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、高精度に位置決めされた露光マスクを用いてレジストの露光を行うことで、圧力発生手段に対応した圧力発生室を高精度に形成することができる。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第２の態様において、前記レジストの露光を行う工程の後、前記流路形成基板の他方面に前記レジストを介して前記マスクパターンを形成すると共に、前記流路形成基板を前記マスクパターンを介してエッチングすることにより、前記圧力発生室を形成する工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、高精度に位置決めされた露光マスクによって形成されたレジストを用いて、マスクパターンを高精度に形成することができると共に、圧力発生手段に対応した圧力発生室を高精度に形成することができる。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記圧力発生手段が、前記流路形成基板の前記一方面側に振動板を介して設けられた圧電素子であると共に、前記保護基板には、前記圧電素子を保持する圧電素子保持部が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、保護基板によって覆われた圧電素子に対応する圧力発生室を容易に高精度に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１５】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜５２を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１６】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなり厚さが例えば、約０．３〜０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．１〜０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。すなわち、本発明では、振動板が絶縁体膜５５等の酸化膜を有し、圧電素子３００はこの酸化膜上に形成されている。なお、一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、弾性膜５０、絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみを残して下電極膜６０を振動板としても良い。
【００１７】
そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００１８】
また、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が、接着剤３４等によって接合されている。なお、圧電素子保持部３１は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００１９】
また、保護基板３０には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３２が設けられており、このリザーバ部３２は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。
【００２０】
また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００２１】
保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２２】
保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２４】
ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００２６】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。
【００２８】
次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成し、その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることによってリード電極９０を形成する。また、同時に流路形成基板用ウェハ１１０の所定位置に金属層９１を残留させることで、後の工程で露光マスク２００に設けられたマスクマーク２０１に対して位置決めされるアライメントマーク９２を形成する。アライメントマーク９２を形成する位置は、特に限定されないが、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０を分割して流路形成基板１０となる領域以外の位置に設けた。また、アライメントマーク９２は、露光マスク２００（図５参照）のマスクマーク２０１（図５参照）と位置決めすることで、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０との位置決めを行うためのものであり、２つ以上設けるのが好ましい。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接着剤３４を介して接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００３０】
次いで、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。
【００３１】
次いで、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングすることにより、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。詳しくは、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板３０とは反対側の面に亘って、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる窒化膜１５２を新たに形成する。窒化膜１５２は、例えば、スパッタリング法などにより形成することができる。次に、図５（ｂ）に示すように、窒化膜１５２上に亘ってレジスト１５３を形成する。レジスト１５３は、例えば、スピンコートや噴射などにより塗布することができる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０と、露光マスク２００との位置決めを行う。具体的には、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側に、マスクマーク２０１が形成された露光マスク２００と、赤外線像を取得できる光学系２１０とを配置し、光学系２１０によって流路形成基板用ウェハ１１０を赤外線により透過させて流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０の接合面に設けられたアライメントマーク９２の位置を確認すると共に露光マスク２００のマスクマーク２０１の位置を確認して、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０とを流路形成基板用ウェハ１１０の面方向に相対的に移動させて、アライメントマーク９２とマスクマーク２０１との位置決めを行うことで、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０とを位置決めする。
【００３３】
なお、流路形成基板用ウェハ１１０の表面には、窒化膜１５２及びレジスト１５３が形成されているが、光学系２１０からの赤外線は、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０と共に窒化膜１５２及びレジスト１５３を透過することができるため、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０の接合された面に設けられたアライメントマーク９２の位置を取得することができる。
【００３４】
また、露光マスク２００は、露光する際の光を透過する材料、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなり、その一方面に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等のパターンが形成されたものである。このため、本実施形態の露光マスク２００も赤外線を透過するものである。
【００３５】
さらに、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めは、特にこれに限定されず、例えば、露光マスク２００のマスクマーク２０１に対して光学系２１０を位置決めして固定し、光学系２１０を用いて流路形成基板用ウェハ１１０のアライメントマーク９２の位置を確認しながら、流路形成基板用ウェハ１１０を面方向に移動させることで、アライメントマーク９２を露光マスク２００のマスクマーク２０１に位置決めするようにしてもよい。
【００３６】
このように、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを、赤外線像を取得することができる１つの光学系２１０により行うことで、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを容易に且つ高精度に行うことができる。また、保護基板用ウェハ１３０にアライメントマーク９２を露出するための露出孔が不要となるため、製造工程を簡略化することができると共に、アライメントマーク９２の位置及び数が制限されることなく、所望の位置に所望の数だけアライメントマーク９２を形成することができ、さらに高精度な位置決めを行うことができる。さらに、１つの光学系２１０によって、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを行うことができるため、コストを低減することができる。
【００３７】
次に、図６（ａ）に示すように、露光マスク２００を介してレジスト１５３を所定形状に露光する。そして、露光したレジストを現像して余分な領域を除去することにより、図６（ｂ）に示すような、所定形状のレジストパターン５３を形成する。また、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン５３を介して窒化膜１５２をパターニングすることで所定形状のマスク膜５２を形成する。なお、マスク膜５２は、例えば、窒化膜１５２をイオンミリングによるドライエッチングやウェットエッチングすることで形成することができる。
【００３８】
次に、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００３９】
このように、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４は、流路形成基板用ウェハ１１０の一方面に形成された圧電素子３００に対応して他方面側から形成するが、上述のように、圧電素子３００と同じ面側に設けられたアライメントマーク９２と、露光マスク２００との相対的な位置決めが高精度に行われているため、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を圧電素子３００に対して高精度な位置で形成することができる。
【００４０】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００４１】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、アライメントマーク９２をリード電極９０と同一層で、すなわち、金（Ａｕ）からなる金属層９１で形成するようにしたが、特にこれに限定されず、アライメントマーク９２を、例えば、圧電素子３００を構成する下電極膜６０や上電極膜８０で形成してもよく、また別途金属膜等により形成するようにしてもよい。また、アライメントマーク９２は、金属膜等に限定されず、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子側の面や、弾性膜５０及び絶縁体膜５５等の一部を除去したものとしてもよい。
【００４２】
また、上述した実施形態１では、アライメントマーク９２を、流路形成基板用ウェハ１１０の流路形成基板１０となる領域以外に設けるようにしたが、アライメントマーク９２を形成する位置は、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０が接合される面であれば特に限定されるものではない。すなわち、例えば、アライメントマーク９２を流路形成基板１０が形成される領域に設けるようにしてもよい。
【００４３】
また、例えば、上述した実施形態１では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
【００４４】
なお、ノズル開口２１からインク滴を吐出する圧力発生手段として圧電素子３００を用いて説明したが、圧力発生手段としては圧電素子３００に限定されず、例えば、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータなどを使用することができる。
【００４５】
また、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明は、このような液体噴射ヘッドに圧力発生手段として搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエータ装置に適用することができる。例えば、アクチュエータ装置は、上述したヘッドの他に、センサー等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図。
【図３】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図５】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図６】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  リザーバ部、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  ９２  アライメントマーク、  １００  リザーバ、  ２００  露光マスク、  ２０１  マスクマーク、  ２１０  光学系、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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