(57)【要約】【課題】マイクロフラックスゲートセンサーの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ウエハに励磁コイル及び磁界検出用コイルの下部コイル部を含む金属パターンを形成する段階と、金属パターンを覆うように第１絶縁層を形成した後、金属パターンの所定部分を露出させるためのビアホールを形成する段階と、金属パターンを介して電気信号を印加しつつビアホールに金属物質をメッキして接続部を形成する段階と、第１絶縁層の上部に磁性コアを形成する段階と、磁性コアを覆うように第２絶縁層を形成した後、接続部と電気的に接続される上部コイル部を形成し、励磁コイルと磁界検出用コイルを形成する段階と、上部コイル部を覆うように第３絶縁層を形成する段階と、金属パターンから下部コイル部のみ残るように、金属パターンの所定部分を除去する段階と、を含む。【選択図】図２Ｌ
2007127623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ウエハに励磁コイル及び磁界検出用コイルの下部コイル部を含む金属パターンを形成する段階と、
（ｂ）前記金属パターンを覆うように第１絶縁層を形成した後、前記金属パターンの所定部分を露出させるためのビアホールを形成する段階と、
（ｃ）前記金属パターンを介して電気信号を印加しつつ前記ビアホールに金属物質をメッキして接続部を形成する段階と、
（ｄ）前記第１絶縁層の上部に磁性コアを形成する段階と、
（ｅ）前記磁性コアを覆うように第２絶縁層を形成した後、前記接続部と電気的に接続される上部コイル部を形成し、励磁コイルと磁界検出用コイルを形成する段階と、
（ｆ）前記上部コイル部を覆うように第３絶縁層を形成する段階と、
（ｇ）前記金属パターンから前記下部コイル部のみ残るように、前記金属パターンの所定部分を除去する段階と、
を含むことを特徴とするマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）段階は、
前記ウエハをクリーニングしてシード層を形成する段階と、
前記シード層の上部に第１フォトレジスト膜のパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジスト膜のパターンの間に金属物質を電気メッキする段階と、
前記第１フォトレジスト膜のパターンを除去して金属物質のみ残す段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項３】
前記金属パターンは、
少なくとも２列に配列された下部コイル部と、
前記下部コイル部の一端から延長された延長メタルラインと、
前記延長メタルラインそれぞれの一端が連結される共通メタルラインと、を含み、
前記共通メタルラインを介して前記それぞれの下部コイル部へ電気信号の印加が可能ように形成されたことを特徴とする請求項２に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）段階は、
前記第１フォトレジスト膜のパターンが除去された部分のシード層をエッチングする段階と、
前記シード層が除去された部分と前記金属パターン上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層を貫通して前記下部コイル部の両端それぞれに到達するビアホールを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項５】
前記（ｅ）段階は、
前記磁性コアと前記接続部とを覆うように第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２絶縁層をパタニングして前記接続部を露出させる段階と、
前記露出された接続部を含んで第２絶縁層上に第２シード層を形成する段階と、
前記第２シード層上に第２フォトレジスト膜のパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジスト膜のパターンの間を金属物質で電気メッキして上部コイル部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項６】
前記（ｆ）段階は、
前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去する段階と、
前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去した部分へ露出された第２シード層を除去する段階と、
前記第２シード層を除去した後、前記上部コイル部を覆うように第３絶縁層を蒸着する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項７】
前記（ｇ）段階は、マスクパターンを用いて前記下部及び上部コイル部に該当する部分を除いた部分をエッチングし、前記金属パターンから下部コイルのみ残すことを特徴とする請求項６に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項８】
前記（ｇ）段階は、前記延長メタルラインをエッチングして除去することで、前記共通メタルラインと前記下部コイル部とを隔離させることを特徴とする請求項３に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【請求項９】
前記（ｇ）段階は、前記延長メタルラインと前記共通メタルラインとを全てエッチングして除去することを特徴とする請求項３に記載のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフラックスゲートセンサー（Ｆｌｕｘ  ｇａｔｅ  ｓｅｎｓｏｒ）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラックスゲートセンサーとは、人の感覚器官では直接感じることができない磁気エネルギー（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｅｎｅｒｇｙ）などを検知するために具現された装置である。周辺に形成された磁気エネルギーを検知する必要がある多様な分野、例えば、航空機や船舶及び車両の位置認識システム、バーチャルリアリティ空間での動き検知、ＨＤＴＶ（High Definition TeleVision）の地磁気補償および色広がり補償、医療用器具で患者の脳磁気、心臓磁気測定などにおいてこのような磁気検出センサーが用いられる。
【０００３】
最近、その応用分野が次第に拡大されながら、前記センサーを利用する機器が小型化、軽量化、低コスト化される傾向であるため、フラックスゲートセンサーも小型化、軽量化、低コスト化させようとする試みが多くなされている。
マイクロフラックスゲートセンサーは、大きく軟磁性体からなるコア(ｃｏｒｅ)、前記コアを巻線して電流が印加されれば磁気を誘導する励磁コイル(Ｅｘｃｉｔｅ ｃｏｉｌ)、また、前記励磁コイルから誘導される磁気が外部磁界から受ける影響を検出する磁界検出用コイルの３つの構成要素からなる。検出の基本原理は、軟磁性体コアの非線形特性、すなわち飽和特性を利用する。励磁コイルに十分に大きい交流電流を供給して磁界を発生させると、コア内部の磁束密度は周期的に飽和する。この場合、測定しようとする外部磁界が付与されれば、コア内部の磁束密度が変化され、磁界検出用コイルはこの磁束の変化量を測定することによって外部磁界の大きさを測定する。
【０００４】
このようなマイクロフラックスゲートセンサーを製造するために、従来には大きい棒状のコアまたは軟磁性リボンによる環状のコアにコイルを巻線して使用したが、コア自体が大きくなるため、製造費が高くなり、体積が大きくなるという問題点があった。また、励磁コイルにより発生する磁束変化及び検出された磁界は、コアによる磁束漏れを防止できないため、高感度の磁界検出に困難さがあった。
【０００５】
上記の理由から、最近はＭＥＭＳ技術を用いてフラックスゲートセンサーを製造する方法が多様に研究・開発されている。
例えば、先ず、ウエハ上に第１シード層を形成した後、第１シード層上に金属物質を所定のパターンでメッキして下部コイルを形成する。該下部コイルに第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層の上に前記下部コイルに対応される位置に磁性物質からなるコア層を形成する。その後、コア層を覆うように第２絶縁層を形成し、前記第１及び第２絶縁層をエッチングして下部コイルが露出されるようにビアホールを形成する。
【０００６】
その後、前記ビアホールと前記第２絶縁層の上に第２シード層を形成し、第２シード層の上に金属物質を所定のパターンでメッキして上部コイルを形成する。すると、ビアホールが金属物質で埋め込められ、上部コイルと下部コイルが電気的に接続される。前記のように形成された上部コイルを覆うように第３絶縁層を形成してフラックスゲートセンサーを製造する。
【０００７】
ところで、前記のような従来のフラックスゲートセンサーの製造方法によると、ビアホールのサイズが極めて小さいため、下部コイルが露出されるようにビアホールが形成されているか否かが不明である。従って、ビアホールにシード層を形成して金属物質で埋め込めても下部コイルと上部コイルが電気的に接続できない場合もある。例えば、ビアホールが微細なため、第２シード層をビアホールに埋め込むことができず、ビアホール内をめっきすることができない場合がある。
【０００８】
前記のような問題を勘案してビアホールを無理に大きく形成すると、隣接したビアホールに埋め込められた金属物質が互いに接触し、不具合が発生する問題が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は前述した問題点を解決するために提出されたもので、本発明の目的は電気的な接続状態が良好でありながらも製造が容易であるマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための本発明１に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法は、（ａ）ウエハに励磁コイル及び磁界検出用コイルの下部コイル部を含む金属パターンを形成する段階と、（ｂ）前記金属パターンを覆うように第１絶縁層を形成した後、前記金属パターンの所定部分を露出させるためのビアホールを形成する段階と、（ｃ）前記金属パターンを介して電気信号を印加しつつ前記ビアホールに金属物質をメッキして接続部を形成する段階と、（ｄ）前記第１絶縁層の上部に磁性コアを形成する段階と、（ｅ）前記磁性コアを覆うように第２絶縁層を形成した後、前記接続部と電気的に接続される上部コイル部を形成し、励磁コイルと磁界検出用コイルを形成する段階と、（ｆ）前記上部コイル部を覆うように第３絶縁層を形成する段階と、（ｇ）前記金属パターンから前記下部コイル部のみ残るように、前記金属パターンの所定部分を除去する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
段階（ｃ）に示すように、コイルを形成する下部コイル部と磁界検出用コイル部を連結するビアホールに金属物質を電気メッキする際、下部の金属パターンから電気信号を印加して金属物質をメッキする。従来であれば、ビアホール内にシード層を形成して、シード層に電気信号を印加してメッキを行っていた。そのため、微細なビアホールの場合にはシード層が形成できないなどの理由により、ビアホール内を完全にメッキすることができない場合があった。しかし、本発明によれば、ビアホール下部の金属パターンに電気信号を印加するため、ビアホール下部にも完全に金属物質が充填され、ビアホール内を効果的に金属物質で充填することができる。よって、上部及び下部コイルの電気的な特性が良好になる。また、ビアホールに電気メッキのための別のシード層を形成させる必要がなくなる。
【００１２】
以上より、本発明によれば、ビアホールへの金属メッキの工程が容易になり、該メッキ工程の完成度も向上して電気的な特性が向上する。それにより、コイル抵抗が安定化して不良率を下げることができるだけではなく、センサーの特性も向上できる利点がある。
発明２は、発明１において、前記（ａ）段階は、前記ウエハをクリーニングしてシード層を形成する段階と、前記シード層の上部に第１フォトレジスト膜のパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジスト膜のパターンの間に金属物質を電気メッキする段階と、前記第１フォトレジスト膜のパターンを除去して金属物質のみ残す段階と、を含むことが好ましい。
【００１３】
発明３は、発明２において、前記金属パターンは、２列に配列された下部コイル部と、前記下部コイル部の一端から延長された延長メタルラインと、前記延長メタルラインそれぞれの一端が連結される共通メタルラインと、を含み、前記共通メタルラインを介して前記それぞれの下部コイル部へ電気信号の印加が可能ように形成されたことが好ましい。共通メタルラインに電気信号を印加することで、各下部コイル部へ一度に電気信号を印加することができる。
【００１４】
発明４は、発明３において、前記（ｂ）段階は、前記第１フォトレジスト膜のパターンが除去された部分のシード層をエッチングする段階と、前記シード層が除去された部分と前記金属パターン上に第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層を貫通して前記下部コイル部の両端それぞれに到達するビアホールを形成する段階と、を含むことが好ましい。
【００１５】
発明５は、発明１において、前記（ｅ）段階は、前記磁性コアと前記接続部を覆うように第２絶縁層を形成する段階と、前記第２絶縁層をパタニングして前記接続部を露出させる段階と、前記露出された接続部を含んで第２絶縁層上に第２シード層を形成する段階と、前記第２シード層上に第２フォトレジスト膜のパターンを形成する段階と、前記第２フォトレジスト膜のパターンの間を金属物質で電気メッキして上部コイル部を形成する段階と、を含むことが好ましい。
【００１６】
発明６は、発明５において、前記（ｆ）段階は、前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去する段階と、前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去した部分へ露出された第２シード層を除去する段階と、前記第２シード層を除去した後、前記上部コイル部を覆うように第３絶縁層を蒸着する段階と、を含むことが好ましい。
発明７は、発明６において、前記（ｇ）段階は、マスクパターンを用いて前記下部及び上部コイル部に該当する部分を除いた部分をエッチングし、前記金属パターンから下部コイルのみ残すことが好ましい。
【００１７】
発明８は、発明３において、前記（ｇ）段階は、前記延長メタルラインをエッチングして除去することで、前記共通メタルラインと前記下部コイル部とを隔離させることが好ましい。
発明９は、発明３において、前記（ｇ）段階は、前記延長メタルラインと前記共通メタルラインとを全てエッチングして除去することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法によると、コイルを形成する下部コイル部と上部コイル部を連結するビアホールに金属物質を電気メッキする際、下部の金属パターンから電気信号を印加して金属物質をメッキする。
従って、ビアホールに金属物質が効果的に充填されるだけではなく、下部コイル部との電気的な特性が良好になる。
【００１９】
従って、従来とは異なり、ビアホールへの金属メッキの工程が容易になり、該メッキ工程の完成度も向上して電気的な特性が向上する。それにより、コイル抵抗が安定化して不良率を下げることができるだけではなく、センサーの特性も向上できる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳述する。
＜実施形態１＞
本発明の実施形態を説明することにおいて、関連する公知機能或は構成に対する詳細説明が、本発明の要旨を不明にすると判断される場合はその詳細説明を省略する。
図１は、本発明のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法によって製造される基本的な構造を模式的に示す図面である。同図において、二つの棒状の磁性コア１、２を中心に励磁コイル３がそれぞれのコア１、２を巻いており、磁界検出用コイル４が励磁コイル３及びコア１、２を全体的に巻いている。
【００２１】
前記それぞれのコイル３、４は、ウエハに形成された下部コイル部と上部コイル部とをそれぞれ備え、それぞれの上部及び下部コイル部が接続部５によって接合されることでコイルを成す構造を有する。前記コイル部、即ち励磁コイル３及び磁界検出用コイル４は、製造者の意図によって励磁コイルと検出用コイルに分けて使うことができる。
以下の説明では、磁界検出用コイルの製造段階を介さず、一括的にコイル部を製造してコイル同士の接続を異なるようにすることで、励磁コイル及び磁界検出用コイルに分ける。つまり、偶数番目のコイルは励磁コイルとして使い、奇数番目のコイルは磁界検出用コイルとして使うとか、それとも前記とは逆の順番にできる。これは、コイル部を接続する過程で、励磁コイルとして使われるコイル部同士、磁界検出用コイルとして使われるコイル部同士に接続し、それぞれのパッドを介して外部端子と接続することにより可能になる。
【００２２】
一方、二つの棒状のコア１、２のうち、一つを第１コア１、あと一つを第２コア２とすると、本発明の一実施形態として、第１コア１の下部コイルと第２コア２の上部コイルとを接続、第２コア２の下部コイルと第１コア１の上部コイルとを接続させる過程を繰り返し、励磁コイルを、二つの棒状のコアに対して８の字状に巻いた構造に具現することもできる。
【００２３】
以下、添付された図面に基づいて本発明のマイクロフラックスゲートセンサーの製造方法を段階別の工程に従って説明する。図２Ａ乃至図２Ｌは、本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図であり、図３Ａ乃至図３Ｊは、本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図であり、図４Ａは、図２Ｄに示された金属パターンを示す平面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示された金属パターンからメタル延長ラインが除去された状態を示す平面図である。
【００２４】
先ず、図２Ａ及び図３Ａに示すように、通常のウエハ１００をクリーニングした後、第１シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）１１０を形成する。前記第１シード層１１０は後述する段階において、下部金属パターン１３０を電気メッキするためのものである。
次に、図２Ｂ及び図３Ｂに示すように、前記第１シード層１１０の上に第１フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）膜のパターン１２１を形成する。前記第１フォトレジスト膜のパターン１２１は、後述する段階において下部金属パターン１３０を製造するためのモールド（ｍｏｌｄ）の役割を担う部分である。
【００２５】
次に、図２Ｃ及び図３Ｃに示すように、第１フォトレジスト膜のパターン１２１の間に金属物質を電気メッキ（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）する。前記金属物質は銅（Ｃｕ）を使うことが好ましい。前記のように形成された下部金属パターン１３０は、図４Ａに示すように、コイルの下部に該当する下部コイル部１３１と、下部コイル部１３１から所定の距離で延長された延長メタルライン１３２と、前記それぞれの延長メタルライン１３２を連結する共通メタルライン１３３と、を含む。前記延長メタルライン１３２と共通メタルライン１３３は、それぞれの下部コイル部１３１へ一度に電気信号を印加するためのものである。下部コイル部１３１、延長メタルライン１３２及び共通メタルライン１３３と、第１フォトレジスト膜のパターン１２１とにより形成される溝を埋めるように、マスクパターン１２３を形成する。ここで、第１フォトレジスト膜のパターン１２１は、マスクパターン１２３よりもエッチングされ易い材料を用いると好ましい。
【００２６】
次の段階において、図２Ｄ及び図３Ｄに示すように、前記第１フォトレジスト膜のパターン１２１を除去し、マスクパターン１２３を用いて第１シード層１１０を除去する。その後、マスクパターン１２３を除去する。
次に、図２Ｅ及び図３Ｅに示すように、金属パターン１３０を覆うように第１絶縁層１４０を蒸着した後、第１絶縁層１４０上にマスクパターン１２４を形成する。マスクパターン１２４は、第１ビアホールＨ１部分に開口を有するようにパターンニングされており、このマスクパターン１２４を用いて複数の第１ビアホールＨ１を形成する。前記ビアホールＨ１は、金属パターン１３０の所定部分が開放できるように形成され、好ましくは前記下部コイル部１３１に該当する部分の両端のそれぞれを開放するように形成される。ここで、前記第１絶縁層１４０は、下部コイル部１３１と次の段階において形成される磁性コア１６０とを隔離させる役割を担う。
【００２７】
次に、図２Ｆ及び図３Ｆに示すように、第１ビアホールＨ１に金属物質を電気メッキによって充填させて接続部１５０を形成する。ここで、前記接続部１５０を電気メッキするために電気信号を印加するためのメタルラインとしては、前記シード層１１０と金属パターン１３０を用いる。従って、従来とは異なり、前記第１ビアホールＨ１に電気メッキのための別のシード層を形成させる必要がなくなる。また、第１ビアホールＨ１の下部に通電された第１シード層１１０を用いて第１ビアホールＨ１に金属物質をメッキするため、第１ビアホールＨ１の下段から金属物質が効果的に充填される。従って、前記接続部１５０を下部コイル部１３１と効果的に連結させることができる。
【００２８】
次に、図２Ｆ及び図３Ｆに示すように、前記第１絶縁層１４０の上部、即ち下部コイル部１３１に対応される位置に磁性物質をパタニングして磁性コア１６０を形成する。前記磁性コア１６０は、第１絶縁層１４０上に磁性コア物質を蒸着した後、マスクパタニングして形成することができる。
次の段階では、図２Ｇ及び図３Ｇに示すように、磁性コア１６０と接続部１５０を覆うように第２絶縁層１７０を蒸着して形成する。前記第２絶縁層１７０は磁性コア１６０と後で製造される上部コイル部１８０とを電気的に隔離させる役割を担う。
【００２９】
次の段階では、図２Ｈ及び図３Ｈに示すように、第２絶縁層１７０を所定のパターンで除去して第２ビアホールＨ２を形成する。前記第２ビアホールＨ２によって前記接続部１５０が露出される。前記第２ビアホールＨ２はホールの概念よりは接続部１５０が開放できる程に第２絶縁層１７０をエッチングによって除去するものであると理解できる。
次に、図２Ｉに示すように、開放された接続部１５０と第２絶縁層１７０とを覆うように第２シード層１１３を形成する。
【００３０】
次に、図２Ｊ及び図３Ｉに示すように、第２フォトレジスト膜のパターン１２５を形成する。そして、第２フォトレジスト膜のパターン１２５を除いた部分に金属物質を電気メッキして充填させる。すると、同図に示すように上部コイル部１８０が形成される。
次の段階では、図２Ｋ及び図３Ｊに示すように、第２フォトレジスト膜のパターン１２５を除去した後、第２フォトレジスト膜のパターン１２５が除去された部分の露出された第２シード層１１３を除去する。それから、上部コイル部１８０を覆うように第３絶縁層１９０を蒸着して形成する。前記第３絶縁層１９０は外部から前記上部コイル部１８０を保護して隔離させるためのものである。
【００３１】
最後に、図２Ｌに示すように、図示していないマスクパターンを用いてコイル部分を除いた周辺を除去することで、それぞれの前記金属パターン１３０の構造において、下部コイル部１３１と共通メタルライン１３３とを断絶させる。一例として、図２Ｌもしくは図４Ｂに示すように、共通メタルライン１３３と延長メタルライン１３２とを全て除去することもできる。すると、前記下部コイル部１３１と上部コイル部１８０とが接続部１５０によって延長されたコイル構造を有することで、マイクロフラックスゲートセンサーの製造が終了する。
【００３２】
なお、図１の磁性コア１は図２Ｆ等の磁性コア１６０であり、図１の励磁コイル３及び磁界検出用コイル４は図２Ｋ等の下部コイル部１３１及び上部コイル部１８０であり、図１の接続部５は図Ｆ等の接続部１５０である。
以上のように、コイルを形成する下部コイル部と磁界検出用コイル部を連結するビアホールに金属物質を電気メッキする際、下部の金属パターンから電気信号を印加して金属物質をメッキする。従来であれば、ビアホール内にシード層を形成して、シード層に電気信号を印加してメッキを行っていた。そのため、微細なビアホールの場合にはシード層が形成できないなどの理由により、ビアホール内を完全にメッキすることができない場合があった。しかし、本発明によれば、ビアホール下部の金属パターンに電気信号を印加するため、ビアホール下部にも完全に金属物質が充填され、ビアホール内を効果的に金属物質で充填することができる。よって、上部及び下部コイルの電気的な特性が良好になる。また、ビアホールに電気メッキのための別のシード層を形成させる必要がなくなる。
【００３３】
このように本発明によれば、ビアホールへの金属メッキの工程が容易になり、該メッキ工程の完成度も向上して電気的な特性が向上する。それにより、コイル抵抗が安定化して不良率を下げることができるだけではなく、センサーの特性も向上できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明によって製造されたマイクロフラックスゲートセンサーの模式図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｋ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図２Ｌ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｙ−Ｙ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態に係るマイクロフラックスゲートセンサーの製造過程を示す図１の線Ｘ−Ｘ’に沿って切断した断面図である。
【図４Ａ】図２Ｄに示された金属パターンを示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示された金属パターンからメタル延長ラインが除去された状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１、２磁性コア
３  励磁コイル
４  磁界検出用コイル
５  接続部
１００  ウエハ
１１０  第１シード層
１３０  下部金属パターン
１３１  下部コイル部
１３２  延長メタルライン
１３３  共通メタルライン
１４０  第１絶縁層
１５０  接続部
１６０  磁性コア
１７０  第２絶縁層
１８０  上部コイル部
１９０  第３絶縁層
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図２Ｌ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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