(57)【要約】      （修正有）【課題】瞬間的に電源供給の遮断が発生した際にもプラズマ反応器のプラズマを安定して維持することができるプラズマ処理システム及びその制御方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理システム２００は、入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器３００と、無線周波数を供給するための周波数発生器４００を備える。周波数発生器４００はプラズマ反応器３００にプラズマ発生のための無線周波数電力を提供し、プラズマ反応器３００の動作中に発生する所定の時間内の電源遮断に対して、電源復帰後にプラズマ反応器が動作を中断することなく無線周波数電力を再び供給する。【選択図】図１
2007305580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器と、
前記プラズマ反応器にプラズマ発生のための周波数電力を提供する周波数発生器と、を備え、
プラズマ反応器の動作中に発生する所定の時間内の電源遮断に対して、前記周波数発生器は、電源復帰後、プラズマ反応器の動作が中断することがないようにプラズマ反応器に周波数電力を再び供給するプラズマ処理システム。
【請求項２】
所定の時間を超過する電源遮断に対して、前記周波数発生器は電源復帰後に周波数電力をプラズマ反応器に出力しないことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項３】
前記プラズマ処理システムの全般的な制御を行うシステム制御部を備え、
所定の時間を超過する電源遮断に対して、前記周波数発生器は電源遮断信号をシステム制御部に通知し、
前記システム制御部は電源遮断信号の通知に応答してプラズマ処理を中断するためのシステム制御を行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項４】
前記プラズマ反応器で発生した活性ガスを収容して所定のプラズマ処理を行うプロセスチャンバを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項５】
前記周波数発生器は所定の周波数の周波数電力を発生するための周波数発生回路と、前記周波数発生器の全般を制御する制御部、及び外部通信のための入出力ポートを含み、
前記制御部は、
プラズマ反応器の動作中に電源遮断が発生すると、所定の時間内の電源遮断に対して、電源遮断信号を発生せずに電源復帰後にプラズマ反応器の動作を中断することなく周波数電力を再び供給し、所定の時間を超過する電源遮断に対して、電源遮断信号を発生し、再開信号の入力に応答して周波数出力を再開するように制御することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項６】
前記周波数発生回路は１以上のスイッチング半導体装置を含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理システム。
【請求項７】
前記周波数発生回路は１以上のハーフブリッジ回路を含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理システム。
【請求項８】
前記プラズマ反応器は、
プラズマ放電室を有する反応器本体と、
プラズマ放電室にプラズマ発生のための起電力が伝達されるように反応器本体に装着される磁気コア及び一次巻線を有する変圧器と、
一次巻線に電気的に接続され、周波数発生器から供給される周波数を受けるための周波数入力端と、を含み、
前記一次巻線の駆動電流は変圧器の二次回路を完成する誘導結合プラズマを形成するプラズマ放電室の内側のＡＣ電位を誘導することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項９】
前記反応器本体は金属物質を含み、エディ電流を抑制するために電気的に絶縁する１以上の電気的絶縁領域を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１０】
前記プラズマ放電室内部のプラズマ着火のための自由電荷を発生させる着火電極と、着火電極に着火電力を供給する着火電源とを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１１】
前記反応器本体は、
前記反応器本体の温度を制御するために冷媒を流す冷却チャンネルと、
前記冷却チャンネルの冷媒の流れの異常状態を感知するための冷媒エラー発生センサと、
前記反応器本体の温度を感知するための温度センサを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１２】
前記プラズマ処理システムの全般的な制御を行うシステム制御部を含み、
前記システム制御部は、
冷媒エラー発生センサ及び温度感知センサの少なくともいずれかから入力される感知データに基づき前記プラズマ反応器の温度を制御することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１３】
前記プラズマ反応器はプロセスチャンバに装着可能なタイプであり、
前記周波数発生器は前記プラズマ反応器と分離可能なタイプであり、
前記周波数発生器の出力端と前記プラズマ反応器の周波数入力端は周波数ケーブルによって遠隔的に相互連結されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】
前記プラズマ反応器に流入されるガスは不活性ガス、反応ガス、不活性ガスと反応ガスの混合ガスを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ放電によってイオン、自由ラジカル、原子及び分子を含む活性ガスを発生させ、活性ガスで固体、粉末、ガスなどのプラズマ処理をするためのプラズマ処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ放電はイオン、自由ラジカル、原子、分子を含む活性ガスを発生するためのガス励起に使われている。活性ガスは多様な分野で広く使われており、代表的には半導体製造工程、例えばエッチング、蒸着、洗浄など多様に使われている。
【０００３】
プラズマを発生するためのプラズマ装置は様々あるが、無線周波数（ＲＦ）を用いた容量結合プラズマ装置と誘導結合プラズマ装置がその代表的な例である。中でも誘導結合プラズマ装置は無線周波数電力の増加によってイオン密度を比較的容易に増加させることができる。この理由から、誘導結合プラズマは、高密度プラズマを得るのに適している。
【０００４】
しかし、供給されるエネルギに比べてプラズマに結合されるエネルギが低いので、誘導結合型プラズマ方式では、非常に高電圧の駆動コイルが用いられる。そのため、イオンエネルギが高くプラズマ反応器の内部表面がイオンの衝撃によって損傷する場合が発生する。イオン衝撃によるプラズマ発生器の内部表面の損傷は、プラズマ処理装置の汚染源になるという負の結果を招く。イオンエネルギを低めようとする場合には、プラズマに結合されるエネルギが更に低くなり、頻繁にプラズマが生成されない状態になる。そのため、安定的にプラズマを維持することが困難になる。
【０００５】
プラズマを安定的に維持することは、生産性と直結するので極めて重要である。プロセス中にある原因によってプラズマがオフになる場合、当該プロセスは失敗に終わり、プロセスを再開するために、再度プロセスを初期化する必要がある。特に、瞬間的に停電のような電源供給の不安定によって周波発生器に供給される電源が遮断されると、プラズマ反応器のプラズマがオフになりプロセスが中断される。半導体デバイスの製造のためのウェハやＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のためのガラス基板は更に大型化が進んでいることから、一回のプロセスの失敗による損失率は更に高くなっている。
【０００６】
特に、半導体製造工程において、プラズマを用いたプロセスでリモートプラズマを使用することはたいへん有益である。例えば、プロセスチャンバの洗浄やフォトレジストの剥離のためのアッシング（ａｓｈｉｎｇ）プロセスでたいへん有益に使われている。被処理基板の大型化に伴い、プロセスチャンバの大きさも大きくなっている。このため、高密度の活性ガスを充分に遠隔で供給することができ、かつプラズマを極めて安定して維持することができるプラズマ源が要求されている。
【０００７】
高密度のプラズマを大量に発生させて提供するためには、プラズマ反応器の大きさも大きくならざるを得ない。リモートプラズマ反応器は、通常、プロセスチャンバの上部に設置されている。しかし、反応器の大きさが大きくなると反応器の設置が容易でなくなる。更に、従来のプラズマ反応器と周波数発生器とを一体的に設置する場合には、更に難しさを伴う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明は、高密度のプラズマを安定して発生及び維持することができるプラズマ処理システム及びその制御方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の他の目的は、瞬間的に電源供給の遮断が発生した際にもプラズマ反応器のプラズマを安定して維持することができるプラズマ処理システム及びその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の技術的課題を果たすために、本発明はプラズマ処理システム、入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器と、前記プラズマ反応器にプラズマ発生のための周波数電力を提供する周波数発生器と、を備え、プラズマ反応器の動作中に発生する所定の時間内の電源遮断に対して、前記周波数発生器は、電源復帰後、プラズマ反応器の動作が中断することがないようにプラズマ反応器に周波数電力を再び供給する。
【００１１】
一実施形態において、周波数発生器は所定の時間を超過する電源遮断に対して、電源復帰後に周波数電力をプラズマ反応器に出力しない。
【００１２】
一実施形態において、前記プラズマ処理システムの全般的な制御を行うシステム制御部を含み、所定の時間を超過する電源遮断に対して、前記周波数発生器は電源遮断信号をシステム制御部に通知し、前記システム制御部は電源遮断信号の通知に応答してプラズマ処理を中断するためのシステム制御を行う。
【００１３】
一実施形態において、プラズマ反応器で発生した活性ガスを収容して所定のプラズマ処理を行うプロセスチャンバを含む。
【００１４】
一実施形態において、前記周波数発生器は所定の周波数の周波数電力を発生するための周波数発生回路と、前記周波数発生器の全般を制御する制御部、及び外部通信のための入出力ポートを含み、前記制御部は、プラズマ反応器の動作中に電源遮断が発生すると、所定の時間内の電源遮断に対して、電源遮断信号を発生せずに電源復帰後にプラズマ反応器の動作を中断することなく周波数電力を再び供給し、所定の時間を超過する電源遮断に対して、電源遮断信号を発生し、再開信号の入力に応答して周波数出力を再開するように制御する。
【００１５】
一実施形態において、周波数発生回路は１以上のスイッチング半導体装置を含む。
【００１６】
一実施形態において、周波数発生回路は１以上のハーフブリッジ回路を含む。
【００１７】
一実施形態において、前記プラズマ反応器は、プラズマ放電室を有する反応器本体と、プラズマ放電室にプラズマ発生のための起電力が伝達されるように反応器本体に装着される磁気コア及び一次巻線を有する変圧器と、一次巻線に電気的に接続され、周波数発生器から供給される周波数を受けるための周波数入力端と、を含み、記一次巻線の駆動電流は変圧器の二次回路を完成する誘導結合プラズマを形成するプラズマ放電室の内側のＡＣ電位（ＡＣ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を誘導する。
【００１８】
一実施形態において、前記反応器本体は金属物質を含み、エディ電流を抑制するために電気的に絶縁する１以上の電気的絶縁領域を含む。
【００１９】
一実施形態において、前記プラズマ放電室内部のプラズマ着火のための自由電荷を発生させる着火電極と、着火電極に着火電力を供給する着火電源とを含む。
【００２０】
一実施形態において、前記反応器本体は、前記反応器本体の温度を制御するために冷媒を流す冷却チャンネルと、前記冷却チャンネルの冷媒の流れの異常状態を感知するための冷媒エラー発生センサと、前記反応器本体の温度を感知するための温度センサを含む。
【００２１】
一実施形態において、前記プラズマ処理システムの全般的な制御を行うシステム制御部を含み、前記システム制御部は、冷媒エラー発生センサ及び温度感知センサの少なくともいずれかから入力される感知データに基づき前記プラズマ反応器の温度を制御することを含む。
【００２２】
一実施形態において、前記プラズマ反応器はプロセスチャンバに装着可能なタイプであり、前記周波数発生器は前記プラズマ反応器と分離可能なタイプであり、前記周波数発生器の出力端と前記プラズマ反応器の周波数入力端は周波数ケーブルによって遠隔的に相互連結される。
【００２３】
一実施形態において、プラズマ反応器に流入されるガスは不活性ガス、反応ガス、不活性ガスと反応ガスの混合ガスを含むグループから選択される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について詳述する。しかしながら、本発明は、異なる実施形態も含み、以下に説明する実施形態に限定されると解釈すべきではない。むしろ、この実施形態は、発明の一例として提供される。各図面を説明するにあたり、同一の部材は同一の参照符号で図示した。また、発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される公知機能及び構成に対しては説明しない。
【００２５】
図１は本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理システムのブロック図である。図１を参照すると、プラズマ処理システム２００は、入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器３００と周波数発生器４００を備える。プラズマ反応器３００はプロセスチャンバ６００に装着される。例えば、プロセスチャンバ６００の天井の外側に装着されてもよい。プラズマ反応器３００は周波数発生器４００から無線周波を提供され、ガス供給システム７００によって供給されたガスを用いてプラズマを発生する。
【００２６】
プロセスチャンバ６００はプラズマ反応器３００で発生した活性ガスを収容して所定のプラズマ処理を行う。プロセスチャンバ６００としては、例えば蒸着工程を行う蒸着チャンバや、エッチング工程を行うエッチングチャンバ、フォトレジストを剥離するためのアッシングチャンバが挙げられる。プロセスチャンバ６００は、その他にも多様な半導体製造工程を行うためのプラズマ処理チャンバであってもよい。
【００２７】
ガス供給システム７００は多様な種類のガス供給源７３０といくつかの流量制御器７１０を備える。プラズマ反応器３００に流入されるガスは不活性ガス、反応ガス、不活性ガスと反応ガスの混合ガスを含むグループから選択される。プロセスチャンバ６００で行われる工程にしたがってガス供給システム７００で選択された多様なガスが、プロセスチャンバ６００に供給される。
【００２８】
冷却水供給源８００はプラズマ反応器３００と周波数発生器４００に冷却水を供給する。システム制御部５００はプラズマ処理システム２００の全般的な制御を行う。
【００２９】
図２は周波数発生器４００の回路構成を示したブロック図である。図２を参照すると、周波数発生器４００は所定の周波数の周波数電力を発生するための周波数発生回路４０１、周波数発生器の全般を制御する制御部４７０、及び外部通信のための入出力ポート４８０を含む。周波数発生器４００はさらに動作状態を表示するためのディスプレイ４８２及び動作を指示するための制御パネル４８４を備える。
【００３０】
具体的には、周波数発生回路４０１は、入力された交流電源４０２を整流する整流器４０４、整流された電源を無線周波数に変換する周波数変換器４１０、無線周波数を出力する周波数出力端４５０、周波数変換器４１０と周波数出力端４５０との間に連結されるローパスフィルタ４４０、周波数変換器４１０とローパスフィルタ４４０との間に連結されるパワー結合器４３０、無線周波数の進行波と反射波、インピーダンス、及び位相を検出するセンサ回路４６０を含む。周波数変換器４１０は１以上のスイッチング半導体装置で構成される１以上のハーフブリッジ回路４２０ａ、４２０ｂで構成される。入出力ポート４８０は制御部４７０とシステム制御部５００との間に連結される。
【００３１】
制御部４７０はセンサ回路４６０を通じて無線周波数の進行波と反射波、インピーダンス、及び位相を検出し、周波数変換器４１０の電流値を検出することによって周波数変換器４１０の駆動を制御する。
【００３２】
特に、制御部４７０は瞬間的な停電のような原因によって所定の時間（例えば１ｓｅｃ）に発生する交流電源４０２の電源遮断に対して、プラズマ反応器３００によるプラズマ発生を停止させないように制御し、安定してプラズマが発生されるようにする。プラズマ反応器３００の動作中に発生する所定の時間内の電源遮断をうまく処理して、電源復帰後にプラズマ反応器が動作を中断することなく無線周波数電力を再び供給する。すなわち、制御部４７０はプラズマ反応器の動作中に電源遮断が発生すると、所定の時間内の電源遮断に対して電源遮断信号を発生せずに電源復帰後にプラズマ反応器３００が動作を中断することなく無線周波数電力を再び供給する。
【００３３】
しかし、所定の時間を超過する外部電源の遮断が生じた時には、電源状態を監視する制御部４７０は電源遮断信号を発生して入出力ポート４８０を通じてその電源遮断信号を出力する。そして、システム制御部５００で提供される再開信号の入力に応答して制御部４７０は無線周波数出力を再開するように制御する。
【００３４】
図３はプラズマ反応器３００の構成を示した断面図である。図３を参照すると、プラズマ反応器３００はプラズマ放電室３１５を有する反応器本体３１０を備える。変圧器３２０はプラズマ発生のための起電力がプラズマ放電室３１５に伝達するように反応器本体に装着される磁気コア３２１及び一次巻線３２２を有する。周波数入力端３９０は一次巻線３２２に電気的に接続され、周波数発生器４００から供給される周波数を受ける。一次巻線３２２の駆動電流は変圧器３２０の二次回路を完成するトロイダル型の誘導結合プラズマＰを形成するプラズマ放電室３１５の内側のＡＣ電位（ＡＣ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を誘導する。
【００３５】
反応器本体３１０はアルミニウム、ステンレス、銅のような金属物質で製作される。またはコーティングされた金属、例えば陽極酸化処理されたアルミニウムやニッケルメッキされたアルミニウムで製作することができる。または不応性の金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）で製作することができる。また他の代案として、反応器本体３１０を石英、セラミックスのような絶縁物質で製作することも可能であり、意図されたプラズマ処理が行われるのに相応しい他の物質でも製作することができる。反応器本体３１０が金属物質を含む場合には、反応器本体３１０はエディ電流を最小化するために電気的遮断を有する１以上の電気的絶縁領域３８０を含む。絶縁領域３８０は石英、セラミックスのような電気的絶縁物質で製作される。
【００３６】
プラズマ反応器３００はプラズマ放電室３１５内部のプラズマ着火を助ける自由電荷を発生させるための着火電極３７０と、着火電極３７０に着火のための電力を供給する着火電源回路３３０とを含む。着火電源回路３３０は周波数入力端３９０を通じて入力される周波数電力を用いて着火電力を発生する。着火電極３７０は反応器本体３１０の上部に装着される。
【００３７】
反応器本体３１０は全体的にトロイダルプラズマＰに相応しい構造的形状を有する。反応器本体の上部側にガス入口３４０が開口されており、着火電極３７０に近傍に位置する。反応器本体３１０の下部には活性ガスが出力されるガス出口３５０が構成される。ガス出口３５０は特に真ちゅうまたはステンレススチールで構成されていてもよい。
【００３８】
反応器本体３１０は反応器本体３１０の温度を制御するために冷媒を流す冷却チャンネル（図示しない）を備える。反応器本体３１０はまた、冷却チャンネルの冷媒の流れの異常状態を感知するための冷媒エラー発生センサ（図示しない）、反応器本体３１０の温度を感知するための温度センサ３６０を備える。温度センサ３６０は反応器本体３１０で最も温度が高く上昇するガス出口３５０に近傍に設置されるのが好ましい。
【００３９】
システム制御部５００は冷媒エラー発生センサ（図示しない）及び／または温度センサ３６０を通じて入力される感知データに基づき、プラズマ反応器３００の温度を制御する。そして、冷媒エラーが発生した場合、システム制御部５００はプラズマ反応器３００を動作させない。
【００４０】
特に、プラズマ反応器３００と周波数発生器４００は分離構造を有する。すなわち、プラズマ反応器３００はプロセスチャンバ６００にしっかりと装着され、周波数発生器４００はプラズマ反応器から分離される。そして、周波数発生器４００の出力端４５０は、無線周波数ケーブル４５５によってプラズマ反応器３００の周波数入力端３９０に遠隔的に連結される。そのため、従来のように周波数発生器とプラズマ反応器が一つのユニットで構成されるものと異なり、プラズマ反応器３００はプロセスチャンバ６００に極めて容易に設置することができ、システムの維持管理の効率を高めることができる。
【００４１】
図４はプラズマ処理システムで行われるプロセスの一例として洗浄プロセスを例示的に説明するためのフローチャートである。図４を参照すると、ステップＳ１００で洗浄プロセスが開始される。ステップＳ１１０で冷却水が正常に供給されるか否かを点検する。この時、冷却水が正常に供給されない場合は、洗浄プロセスは行われない。
【００４２】
ステップＳ１２０でプラズマ反応器３００の反応管内部を浄化するためにパージガスが供給される。ステップＳ１３０ではプラズマ反応器３００に着火ガスが供給されながら着火気圧（例えば１Ｔｏｒｒ）まで基本排気が行われる。続いてステップＳ１４０でプラズマ着火が行われる。正常に着火されない場合には、ステップＳ１５５でシステム制御部５００にエラーメッセージが送信される。
【００４３】
正常に着火が行われると、ステップＳ１６０では洗浄ガスが供給される。洗浄ガスはプラズマ反応器３００で活性ガスに分解されてプロセスチャンバ６００に供給される。ステップＳ１７０では活性ガスによってチャンバの洗浄が行われる。ステップＳ２００では工程進行状態をモニタリングすると共にシステム監視が行われる。チャンバ洗浄が完了すると、ステップＳ１８０ではプラズマ反応器３００がオフになり、ガス供給が中断される。
【００４４】
このようなチャンバ洗浄プロセスのようにプラズマ反応器が動作中、プラズマが安定して維持されることが極めて重要である。万一、プラズマがオフ状態で無線周波数が供給されると深刻な損傷が発生するようになる。そのため、従来では、プラズマがオフ状態の時には無線周波数の供給を遮断してプロセス進行を中止する。
【００４５】
しかし、本発明ではシステム監視ステップＳ２００で、特に、瞬間的な停電が発生した場合など、電源遮断によってプラズマ反応器３００でプラズマがオフになった場合であっても、プラズマは、所定の時間内の瞬間停電に対しては安定してプラズマ反応器３００で維持される。
【００４６】
図５は電源遮断に対処するための制御手順を示したフローチャートである。図５を参照すると、電源遮断発生時、周波数発生器４００の制御部４７０は、次のような対応プロセスを行う。ステップＳ２１０で電源遮断が感知されると、ステップＳ２２０では電源遮断時間を計測する。ステップＳ２３０では電源遮断時間が所定の時間（例えば、１ｓｅｃ）を超過するか否かを判断する。ステップＳ２４０で所定の時間内で再び電源が復帰されると、ステップＳ２６０で周波数の供給が再開される。しかし、所定の時間を超過する電源遮断が発生すると、ステップＳ２５０で電源遮断信号が発生してシステム制御部５００に通知される。
【００４７】
図６及び図７は本発明のプラズマ処理システムで瞬間的な電源遮断に対する対処方式を説明するためのタイミング図であり、図８は従来のプラズマ処理システムにおける瞬間電源遮断に対する対処方式を説明するためのタイミング図である。
【００４８】
図６に図示されたように、１ｓｅｃ以内の瞬間電源遮断が発生すると、電源復帰と共に、再び周波数電力が正常に供給される。しかし、図７に図示されたように、１ｓｅｃを超過する電源遮断に対しては、電源が復帰しても無線周波数は出力されない。
【００４９】
しかし、図８に図示されたように、従来のプラズマ処理システムでは１ｓｅｃ以内の電源遮断時にも電源遮断信号が発生される。すなわち、電源遮断が発生した時点で即時に電源遮断信号が発生される。そのため、瞬間停電のような瞬間電源遮断に対してプラズマ処理が中止されるようになる。しかし、本発明では１ｓｅｃ以内の瞬間電源遮断ではプラズマ処理を中断させず、電源復帰と同時に無線周波数を正常に供給する。
【００５０】
瞬間的な電源供給遮断のために瞬間的にプラズマ反応器に電源供給が中断しても、誘導結合モードのために本発明のプラズマ反応器３００にてエネルギの伝達効果は高く保たれるため、プラズマは安定して維持される。
【００５１】
上述のように、本発明のプラズマ処理システム及びその制御方法によれば、高密度プラズマが安定して発生維持され、プラズマ反応器内のプラズマは、電源供給が瞬間的な遮断が発生してもプラズマは安定的に維持される。よって、瞬間的なパワー不足のように瞬時的なパワー遮断によりプロセスの進行が中断されることを防ぐことができ、生産性が向上する。また、プラズマ反応器は容易に設置することができ、システムの維持管理の効率が向上する。
【００５２】
本発明を好適な実施形態に基づき説明したが、本発明の範囲は開示した実施形態により限定されないと理解すべきである。本発明が属する技術分野の通常の知識を有する者であれば、今後多様な変形及び均等な他の実施形態が可能である。そのため、本発明の真正な技術的保護範囲は、そのようなすべての変更および類似のアレンジを包含するように広義に解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマ処理システムのブロック図である。
【図２】周波数発生器の回路構成を示したブロック図である。
【図３】プラズマ反応器の構成を示した断面図である。
【図４】プラズマ処理システムで行われる一例として洗浄プロセスを例示的に説明するためのフローチャートである。
【図５】電源遮断に対応する制御手順を示したフローチャートである。
【図６】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理システムにおける瞬間電源遮断に対する対処方式を説明するためのタイミング図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理システムにおける瞬間電源遮断に対する対処方式を説明するためのタイミング図である。
【図８】従来のプラズマ処理システムにおける瞬間電源遮断に対する対処方式を説明するためのタイミング図である。
【図１】
2007305580.tif 000003
【図２】
2007305580.tif 000004
【図３】
2007305580.tif 000005
【図４】
2007305580.tif 000006
【図５】
2007305580.tif 000007
【図６】
2007305580.tif 000008
【図７】
2007305580.tif 000009
【図８】
2007305580.tif 000010
【外国語明細書】
2007305580000001.pdf