(57)【要約】【課題】駆動回路の規模を抑制しながら電気光学素子の高精細化を実現する。【解決手段】電気光学装置Ｄの基板１０には複数の素子群Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇnが形成される。素子群Ｇiは、電気光学素子ＥL，ＥRと両者間に位置する電気光学素子ＥMとを含む。配線Ｔ1は実装端子３１からノードｂ１を経由して電気光学素子ＥLの陽極に接続される。配線Ｔ2は実装端子３１からノードｂ２を経由して電気光学素子ＥRの陽極に接続される。ノードｂ１とノードｂ２とは電気的に接続される。ノードｂ１とノードｂ２とを接続する配線の中途の部分にあるノードｂ３は電気光学素子ＥMの陽極に接続される。ノードｂ１とノードｂ３とを結ぶ経路上には抵抗Ｒ１が配置される。ノードｂ２とノードｂ３とを結ぶ経路上には抵抗Ｒ２が配置される。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とは等しい抵抗値ｒを有する。電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRの陰極は共通の定電圧電源GNDに接続される。【選択図】図３
2007317915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電気光学素子、第２電気光学素子および第３電気光学素子と、
前記第１電気光学素子に電気的に接続された第１ノードと、
前記第２電気光学素子に電気的に接続された第２ノードと、
前記第３電気光学素子に電気的に接続された第３ノードと、
前記第１ノードと前記第３ノードとの間に設けられた第１抵抗と、
前記第２ノードと前記第３ノードとの間に設けられた第２抵抗と、
前記第１ノードに第１信号を供給する第１信号供給手段と、
前記第２ノードに第２信号を供給する第２信号供給手段と
を有する電気光学装置。
【請求項２】
前記第１信号供給手段は、前記第１電気光学素子に最低階調が指定され、前記第２電気
光学素子にこれよりも高階調が指定された場合に、前記第３電気光学素子を前記第１電気
光学素子および前記第２電気光学素子の間の階調とする信号と、前記第３電気光学素子を
前記最低階調とする信号との何れかを選択的に前記第１ノードに供給する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
互いに離間した第１ノードおよび第２ノードを含んで連続する電極と、
前記第１ノードに第１信号を供給する第１信号供給手段と、
前記第１信号とは独立して設定される第２信号を前記第２ノードに供給する第２信号供
給手段と、
前記電極の面内における電圧または電流の分布に応じた階調となる電気光学層と
を有する電気光学装置。
【請求項４】
基板上に配置されて前記第１ノードに電気的に接続された第１端子と、
前記基板上に配置されて前記第２ノードに電気的に接続された第２端子と、
前記基板に実装された電子部品であって、前記第１信号供給手段からの信号が入力され
るとともに前記第１端子に接続される第１出力端子と、前記第２信号供給手段からの信号
が入力されるとともに前記第２端子に接続される第２出力端子とを含む電子部品と
を有する請求項１から請求項３の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
第１電気光学素子、第２電気光学素子および第３電気光学素子と、
前記第１電気光学素子に第１電圧信号を供給する第１ノードと、
前記第２電気光学素子に第２電圧信号を供給する第２ノードと、
前記第１ノードと前記第２ノードとの間に設けられ、前記第１電圧信号および前記第２
電圧信号を分圧して前記第３電気光学素子に供給する第３ノードと
を有する電気光学装置。
【請求項６】
第１電気光学素子、第２電気光学素子および第３電気光学素子と、
前記第１電気光学素子に第１電流信号を供給する第１ノードと、
前記第２電気光学素子に第２電流信号を供給する第２ノードと、
前記第１ノードと前記第２ノードとの間に設けられ、前記第１電流信号および前記第２
電流信号の各々を分流した電流を前記第３電気光学素子に供給する第３ノードと
を有する電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の電気光学装置を有する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード素子などの電気光学素子の階調を制御する技術に関する
。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置や表示装置等の電子機器には、有機発光ダイオード素子などの電気光学素
子が配列された電気光学装置が広く利用されている。例えば特許文献１には、多数の電気
光学素子が配列された基板の面上に駆動回路を実装した構造の発光装置が開示されている
。各電気光学素子は、駆動回路から供給される信号に応じて階調が制御される。
【特許文献１】特開２００６−６２１６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、電気光学装置には電気光学素子の高精細化が要求される。しかしながら、電
気光学素子の高精細化のためには、駆動回路のうち各電気光学素子に信号を入力するよう
その個数を増加させる必要があるから、駆動回路の規模が肥大化する（さらには電気光学
装置が大型化する）という問題がある。一方、駆動回路の規模を縮小すると、電気光学素
子の精細性が損なわれる。このような事情に鑑みて、本発明は、各電気光学素子を駆動す
る回路の規模を抑制しながら電気光学素子の高精細化を実現するという課題の解決を目的
としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１電気光学素子（例え
ば、図３における電気光学素子ＥL）と、第２電気光学素子（例えば、電気光学素子ＥR）
と、第３電気光学素子（例えば、電気光学素子ＥM）とを含み、第１電気光学素子に電気
的に接続された第１ノード（例えば、ノードｂ１）と、第２電気光学素子に電気的に接続
された第２ノード（例えば、ノードｂ２）と、第３電気光学素子に電気的に接続された第
３ノード（例えば、ノードｂ３）と、第１ノードと第３ノードとの間に設けられた第１抵
抗（例えば、抵抗Ｒ１）と、第２ノードと第３ノードとの間に設けられた第２抵抗（例え
ば、抵抗Ｒ２）と、第１ノードに第１信号（第１電気光学素子に指定された階調に対応し
た信号）を供給する第１信号供給手段（例えば、可変電圧源３３L）と、第２ノードに第
２信号（第２電気光学素子に指定された階調に対応した信号）を供給する第２信号供給手
段（例えば、可変電圧源３３R）とを有する。
【０００５】
上記電気光学装置においては、第１信号供給手段から供給される信号によって第１電気
光学素子が駆動され、第２信号供給手段から供給される信号によって第２電気光学素子が
駆動される。そして、第３電気光学素子は、第１信号供給手段および第２信号供給手段か
ら供給される各信号と第１抵抗および第２抵抗の各抵抗値とに応じて定まる電圧または電
流によって駆動される。したがって、各電気光学素子と同数の信号供給手段が必要である
従来の構成と比較して、信号供給手段の個数の増加（駆動回路の肥大化）を抑制しながら
電気光学素子を高精細化（高解像度化）することが可能である。
【０００６】
本発明の電気光学素子は、電気エネルギの付与（例えば電流の供給や電圧の印加）によ
って輝度や透過率といった光学的な特性が変化する素子である。電気光学素子の具体例と
しては、電気エネルギの付与によって自身が発光する発光素子（例えばエレクトロルミネ
セント素子やプラズマディスプレイ素子）、および、電気エネルギの付与によって透過率
が変化する光変調素子（例えば液晶素子や電気泳動素子）がある。また、第１抵抗や第２
抵抗の具体的な形態は不問である。例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのスイ
ッチング素子（非線形抵抗素子）を第１抵抗や第２抵抗としてもよい。
【０００７】
本発明における第１信号および第２信号は電圧信号であっても電流信号であってもよい
。したがって、第１信号供給手段および第２信号供給手段は可変電圧源および可変電流源
の何れであってもよい。電圧信号を利用した態様（すなわち各ノードの電圧を可変とする
ことで各電気光学素子の階調を制御する態様）は、第１電気光学素子、第２電気光学素子
および第３電気光学素子と、第１電気光学素子に第１電圧信号を供給する第１ノードと、
第２電気光学素子に第２電圧信号を供給する第２ノードと、第１ノードと第２ノードとの
間に設けられ、第１及び第２電圧信号の各々を分圧し、第３電気光学素子に供給する第３
ノードとを有する電気光学装置として把握される。また、電流信号を利用した態様（すな
わち各ノードに供給される電流を可変とすることで各電気光学素子の階調を制御する態様
）は、第１電気光学素子、第２電気光学素子および第３電気光学素子と、第１電気光学素
子に第１電流信号を供給する第１ノードと、第２電気光学素子に第２電流信号を供給する
第２ノードと、第１ノードと第２ノードとの間に設けられ、第１電流信号および第２電流
信号の各々を分流した電流を第３電気光学素子に供給する第３ノードとを有する電気光学
装置として把握される。
【０００８】
第１ノードと第２ノードとを結ぶ経路上に第３電気光学素子とは別個の電気光学素子が
接続された構成（すなわち第１ノードと第２ノードとの間に２個以上の電気光学素子が接
続された構成は当然に本発明の範囲に含まれる。例えば、第１ノード（例えば、図１０に
おけるノードｂ１）と第３ノード（例えば、図１０におけるノードｂ３）の間に位置する
第１抵抗を、相互に直列に接続された複数の抵抗（例えば、ノードｂ１とｂ４との間の抵
抗Ｒおよびノードｂ３とｂ４との間の抵抗Ｒ）として、各抵抗の間に別の電気光学素子を
接続してもよい（第３ノードは、図１０におけるノードｂ３，ｂ４，ｂ５の何れかとして
把握される）。この構成によれば、２個の信号供給手段で３個を超える電気光学素子が駆
動されるので、上述した効果がより一層顕著となる。
【０００９】
好適な態様において、第１電気光学素子と第２電気光学素子とは第３電気光学素子を挟
んで両側に位置する。この構成によれば、第３電気光学素子の階調がその両側の第１電気
光学素子および第２電気光学素子の各階調に応じて制御されるから、第１から第３電気光
学素子を含む領域内の階調を自然に変化させることが可能となる。
【００１０】
一方、文章や図表などの画像（以下「データ画像」という）を処理する場合には、階調
の濃淡が明確に区別されることが望ましい。そこで、別の好適な態様において、第１信号
供給手段は、第１電気光学素子に最低階調（例えば、図２（ａ）における階調「０」）が
指定され、第２電気光学素子にこれよりも高階調（例えば、階調「７」）が指定された場
合に、第３電気光学素子を第１電気光学素子と第２電気光学素子との間の階調とする電圧
（例えば、Ｖ[0]）または電流と、第３電気光学素子を最低階調とする電圧（例えば、Ｖa
[0]）または電流との何れかを選択的に第１ノードに供給する。この態様においては、処
理対象画像がデータ画像の場合に、最低階調が指定された第１電気光学素子に対して、第
３電気光学素子を同じく最低階調とする電圧または電流を印加すれば、自然画像のみなら
ず、データ画像にも適した画質が実現される。なお、この態様の具体例は第２実施形態と
して後述される。
【００１１】
さらに、本発明に係る別の電気光学装置は、互いに離間した第１ノードおよび第２ノー
ドを含んで連続する電極と、第１ノードに第１信号を供給する第１信号供給手段と、第１
信号とは独立して設定される第２信号を第２ノードに供給する第２信号供給手段と、電極
の面内における電圧または電流の分布に応じた階調となる電気光学層とを具備する。この
電気光学装置においては、駆動信号が印加される第１ノードと第２ノードとを含む電極が
両ノード間で連続するから、２つのノードの間隙にある領域においては、第１信号と第２
信号との電位差または電流差と電極自体の抵抗値とに応じて電圧または電流の分布が連続
的に変化する。したがって、電気光学層の階調は連続的に変化する。よって、第１ノード
と第２ノードとが別個の電極に設けられた構成と比較して、信号供給手段の個数を増加す
ることなく、高解像度で多階調な画像が表現される。なお、この態様の具体例は第３実施
形態として後述される。
【００１２】
上記電気光学装置の好適な態様において、基板上に配置されて第１ノードに電気的に接
続された第１端子と、基板上に配置されて第２ノードに電気的に接続された第２端子と、
基板に実装された電子部品であって、第１信号供給手段からの信号が入力されるとともに
第１端子に接続される第１出力端子と第２信号供給手段からの信号が入力されるとともに
第２端子に接続される第２出力端子とを含む電子部品とを具備する。上記電子部品は、例
えば、電気光学装置の基板上にＣＯＧ（Chip On Glass）実装されるＩＣチップ（例えば
、図１におけるＩＣチップ３０）である。この場合、基板（例えば、基板１０）の表面の
うち、ＩＣチップの第１出力端子および第２出力端子に対向する位置に第１端子および第
２端子（例えば、実装端子３１）が設けられる。電子部品の別の例としては、ＩＣチップ
がＣＯＦ（Chip On Film）実装されたフレキシブル基板（例えば、フレキシブル基板５０
）がある。このフレキシブル基板は基板に実装されるから、基板の表面のうち、フレキシ
ブル基板の第１出力端子および第２出力端子に対向する位置には、第１端子および第２端
子がある。
【００１３】
基板上の端子（第１端子，第２端子）が過度に微細化されると、各端子と電子部品の各
出力端子との接続に不良が発生する可能性が高まるから、各端子の微細化の程度には限界
がある。以上の態様によれば、基板上の端子数の増加を抑制しながら電気光学素子が高精
細化されるから、基板上の各端子と電子部品の各出力端子との接続の確実性を維持しなが
ら、画像の高解像度化を実現することができる。また、この態様によれば、同一数の電気
光学素子に対する実装端子の数が低減される。したがって、従来と同数の出力端子を備え
た電子部品を利用した場合には、従来と同数の電気光学素子を駆動するために必要となる
電子部品の数を減らすことができ、低コスト化が実現される。また、電子部品の数が削減
されることで装置の小型化も可能となる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、電気
光学装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した画像形成装置である。また、電
気光学素子がマトリクス状に配列された電気光学装置は、パーソナルコンピュータや携帯
電話機など各種の電子機器の表示装置として利用される。さらに、スキャナなどの画像読
取装置においては、本発明に係る電気光学装置を原稿の照明に利用することが可能である
。この画像読取装置は、本発明の電気光学装置と、電気光学装置から出射して読取対象（
原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Dev
ice）素子などの受光素子）とを具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置Ｄの構成を例示する平面図である。
この電気光学装置Ｄは、例えば、電子写真方式の画像形成装置における感光体に潜像を形
成するための露光器として用いられる。図１に示されるように、電気光学装置Ｄは、基板
１０と、基板１０の表面に形成された複数の電気光学素子Ｅとを有する。これらの電気光
学素子Ｅは、Ｘ方向（主走査方向）に沿って２列かつ千鳥状に配列する。本実施形態の電
気光学素子Ｅは、有機ＥL（Electroluminescence）材料から形成された発光層とこの発光
層を挟む陽極および陰極とを有する有機発光ダイオード素子であり、発光層に供給される
電流に応じた輝度で発光する。複数の電気光学素子Ｅは、相隣接する３個を単位としてｎ
個の素子群Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎ）に区分される（ｎは自然数）。
【００１６】
図２（ａ）は、電気光学素子Ｅの電圧−電流（Ｖ-Ｉ）特性を示すグラフであり、図２
（ｂ）は、電気光学素子Ｅの電流−光量（Ｉ-Ｐ）特性を示すグラフである。図２（ａ）
に示されるように、電気光学素子Ｅに流れる電流の電流量は、陽極と陰極との間の電圧（
以下「駆動電圧」という）の電圧値に応じて非線形に変化する。また、図２（ｂ）に示さ
れるように、電気光学素子Ｅは、これに流れる電流の電流値に比例した光量で発光する。
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態においては「０」から「７」までの８
段階の階調値の何れかが電気光学素子Ｅに対して外部から指定される。
【００１７】
図１に示されるように、基板１０には、ＩＣチップ３０とフレキシブル基板５０とが例
えばＣＯＧ（Chip  On  Glass）技術によって実装される。フレキシブル基板５０にはコ
ントローラ４０が配設される。ＩＣチップ３０は、配線Ｓを介してコントローラ４０から
供給される制御信号に応じて駆動電圧を生成・出力する。なお、図１には、フレキシブル
基板５０とＩＣチップ３０を各１個図示したが、実際には、多数のフレキシブル基板５０
およびＩＣチップ３０が基板１０に実装される。
【００１８】
さらに、基板１０の表面には、素子群Ｇごとに配線Ｔ1と配線Ｔ2との組（したがって計
ｎ組）が形成される。配線Ｔ1，Ｔ2の各々は、ＩＣチップ３０の出力端子に対向する端部
（以下「実装端子」という）から素子群に至る配線である。各実装端子はＩＣチップ３０
の各出力端子に接続される。
【００１９】
図３は、素子群Ｇi（ｉは１≦ｉ≦ｎを満たす整数）およびＩＣチップ３０の電気的構
成を示す回路図である。図３に示されるように、素子群Ｇiは、電気光学素子ＥL，ＥRと
両者間に位置する電気光学素子ＥMとを含む。配線Ｔ1は実装端子３１からノードｂ１を経
由して電気光学素子ＥLの陽極に接続される。配線Ｔ2は実装端子３１からノードｂ２を経
由して電気光学素子ＥRの陽極に接続される。
【００２０】
ノードｂ１とノードｂ２とは電気的に接続される。ノードｂ１とノードｂ２とを接続す
る配線の中途の部分にあるノードｂ３は電気光学素子ＥMの陽極に接続される。ノードｂ
１とノードｂ３とを結ぶ経路上には抵抗Ｒ１が配置される。ノードｂ２とノードｂ３とを
結ぶ経路上には抵抗Ｒ２が配置される。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とは等しい抵抗値ｒを有する
。電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRの陰極は共通の定電圧電源GNDに接続される。以上のように
、電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRは並列接続される。
【００２１】
図３に示されるように、ＩＣチップ３０は、配線Ｔ1，Ｔ2の総数に相当する個数（２ｎ
個）の可変電圧源３３L，３３Rを有する。可変電圧源３３Lは、電気光学素子ＥLに指定さ
れた階調値に応じた電圧値（図２（ａ）におけるＶ[0]〜Ｖ[7]の何れか）の駆動電圧ＶL
を出力する。駆動電圧ＶLは、ＩＣチップ３０の出力端子から実装端子３１と配線Ｔ1（ノ
ードｂ１）とを介して電気光学素子ＥLの陽極に印加される。したがって、電気光学素子
ＥLは駆動電圧ＶL（電流ＩL）に応じた階調に制御される（駆動電圧ＶLに応じた輝度で発
光する）。同様に、可変電圧源３３Rは、電気光学素子ＥRに指定された階調値に応じた電
圧値（図２（ａ）におけるＶ[0]〜Ｖ[7]の何れか）の駆動電圧ＶRを出力する。駆動電圧
ＶRは実装端子３１と配線Ｔ2（ノードｂ２）とを介して電気光学素子ＥRの陽極に印加さ
れる。したがって、電気光学素子ＥRは駆動電圧ＶR（電流ＩR）に応じた階調に制御され
る。
【００２２】
一方、電気光学素子ＥMには、ノードｂ１に印加された駆動電圧ＶLと、ノードｂ２に印
加された駆動電圧ＶRと、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値ｒとに基づいて定まる駆動電圧ＶMが印
加される。以上のように、電気光学素子ＥLとＥRとは駆動電圧ＶL，ＶRの電圧値に応じて
各々の階調が直接的に制御されるのに対し、電気光学素子ＥMの階調は駆動電圧ＶL，ＶR
の電圧値に応じて相対的に定まる。したがって、可変電圧源３３によって直接的に駆動さ
れる電気光学素子は実際には２個（ＥL，ＥR）であるにも拘わらず、電気光学素子ＥMを
含めた３個の電気光学素子の各階調が恰も個別に制御されているかのように各々を駆動す
ることが可能である。すなわち、本実施形態によれば、画像形成装置から出力される画像
を擬似的に高解像度化することができる。電気光学素子ＥMに印加される電圧について詳
述すると以下の通りである。
【００２３】
図３に示す例においては、GND＜ＶL＜ＶRのとき、駆動電圧ＶMは次式によって求められ
る。
ＶM＝ＶL＋ｉL×ｒ＝ＶR−ｉR×ｒ    ……(1) 
ただし、「ｉL」は抵抗Ｒ１を流れる電流であり、「ｉR」は抵抗Ｒ２を流れる電流であ
る。電気光学素子ＥMを流れる電流ＩMは電流ｉLと電流ｉRとを加算した電流量（ＩM＝ｉL
＋ｉR）となる。 
【００２４】
式(1)から明らかなように、電圧値が異なる駆動電圧ＶL，ＶRが与えられると、駆動電
圧ＶMは駆動電圧ＶLとＶRとの間の電圧値（駆動電圧ＶLとＶRの中点）となる。したがっ
て、電気光学素子ＥMは電気光学素子のＥL，ＥRの各階調の間の階調（中間調）に制御さ
れる。ひとつの画像のうち互いに隣接する各画素の階調は近似する場合が多いから、以上
の制御によって、電気光学素子ＥMは、これに隣接する電気光学素子ＥL，ＥRとの関係で
自然な階調となる。
【００２５】
一方、抵抗Ｒ１，Ｒ２においては電圧降下が生じるから、駆動電圧ＶLとＶRとが等しい
場合（電気光学素子ＥLとＥRとに同階調が指定された場合）には、駆動電圧ＶMは駆動電
圧ＶLとＶRよりも低い電圧値となる。したがって、電気光学素子ＥMは、電気光学素子の
ＥL，ＥRよりも低い階調となる。ただし、電気光学素子ＥMの階調と電気光学素子ＥL，Ｅ
Rの各階調とが大幅に相違する場合には不自然な画像となる。そこで、本実施形態では、
電気光学素子ＥLとＥRとの階調が等しい場合に電気光学素子ＥMが電気光学素子ＥL，ＥR
の階調と視覚的に同程度の階調値となるように抵抗値ｒを設定する。例えば、電気光学素
子ＥL，ＥRが階調「７」の場合に電気光学素子ＥMが「6.5」となるように抵抗値ｒを決定
する。この場合の抵抗値ｒは、式(1)から導出される次式によって求められる。
Ｖ[7]−Ｖ[6.5]＝Ｉ[6.5]×ｒ／２    ……(2)
ただし、式(2)において、電圧Ｖ[7]は、電気光学素子Ｅを階調「７」に制御するために
電気光学素子Ｅに印加される電圧であり、電圧Ｖ[6.5]は、電気光学素子Ｅを階調「6.5」
に制御するために電気光学素子Ｅに印加される電圧である。また、電流Ｉ[6.5]は電気光
学素子Ｅを階調「6.5」に制御するために電気光学素子Ｅに供給される電流である。抵抗
値ｒをこのように設定することにより、電気光学素子ＥMの階調が左右の素子ＥL，ＥRと
比較して著しく低レベルになる（すなわち、隣接する素子間の階調差が際立ってしまう）
といった事態が回避される。本実施形態では、抵抗値ｒ＝22ｋΩ(ohm)を設計値として定
める。
【００２６】
図４は、電気光学素子ＥL，ＥRの各階調と電気光学素子ＥMの階調との関係を示す表で
ある。同図においては、電気光学素子ＥLの階調が「７」，「３」または「０」の何れか
に指定された場合が図示されている。図５は、各電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRの階調を示
す模式図である。図５におけるハッチングの粗密と電気光学素子Ｅの光量（階調）との関
係は図６に示す通りである。
【００２７】
電気光学素子ＥLおよびＥRの双方に階調「７」が指定されると、駆動電圧ＶLおよびＶR
の双方が電圧値Ｖ[7]に設定される。したがって、図４の状態（ａ）のように電気光学素
子ＥLおよびＥRの双方が階調「７」となる。この状態においては、図５（ａ）に示すよう
に、ノードｂ１からノードｂ３に向かう電流ｉLとノードｂ２からノードｂ３に向かう電
流ｉRとの合計（ＩM）が電気光学素子ＥMに流れる。これによって電圧値Ｖ[7]よりも低位
の駆動電圧ＶMが電気光学素子ＥMに印加されるから、図４の状態（ａ）および図５（ａ）
に示すように電気光学素子ＥMは電気光学素子ＥLおよびＥRよりも低い階調「6.5」となる
。図４の状態（ｉ）のように電気光学素子ＥLおよびＥRの双方に階調「３」が指定され場
合にも同様に、電気光学素子ＥMは、電圧値Ｖ[3]よりも低い駆動電圧ＶMの印加によって
階調「３」よりも低い階調「2.8」となる。
【００２８】
図４の状態（ｂ）〜（ｄ）は、電気光学素子ＥLに階調「７」が指定され、電気光学素
子ＥRにこれよりも低い階調（１，３，５）が指定された場合を示す。この場合には、駆
動電圧ＶLが電圧値Ｖ[7]に設定され、駆動電圧ＶRがこれよりも低い電圧値（Ｖ[1]，Ｖ[3
]，Ｖ[5]）に設定される。これによって図５（ｂ）のようにノードｂ１からノードｂ２に
向かって電流が流れるから、駆動電圧ＶMは駆動電圧ＶLとＶRとの間の電圧値となる。し
たがって、図５（ｂ）に示すように電気光学素子ＥMは電気光学素子ＥLおよびＥRとの間
の階調となる。また、図４の状態（ｇ），（ｈ），（ｊ）においても駆動電圧ＶLとＶRと
が相違するから、図５（ｂ）のように電気光学素子ＥMは電気光学素子ＥLおよびＥRとの
間の階調となる。
【００２９】
図４の状態（ｅ）および状態（ｋ）のように電気光学素子ＥRに階調「０」が指定され
ると、駆動電圧ＶRが電圧値Ｖ[0]に設定される。したがって、図５（ｃ）に示すように電
気光学素子ＥRは消灯し（階調「０」）、電気光学素子ＥMは図５（ｂ）と同様に電気光学
素子ＥLおよびＥRとの間の階調となる。
【００３０】
図４の状態（ｍ）のように電気光学素子ＥLおよびＥRの双方に階調「０」が指定される
と、駆動電圧ＶLおよびＶRの双方が電圧値Ｖ[0]に設定される。このとき駆動電圧ＶMは電
圧値Ｖ[0]よりも低位となるから、図５（ｅ）に示すように、電気光学素子ＥL，ＥM，ＥR
は何れも消灯する。なお、状態（ｆ），（ｌ）については次の実施形態で説明する。
【００３１】
以上のように、電気光学素子ＥL，ＥRの両方に同一の階調が指定された場合には、電気
光学素子ＥMの階調は左右の階調よりやや低めまたは略同一値をとり、電気光学素子ＥL，
ＥRに異なる階調が指定された場合には、電気光学素子ＥMの階調は電気光学素子ＥLとＥR
との間の階調となる。よって、本実施形態の電気光学装置Ｄによれば、写真のように段階
的に階調が変化する領域が多い自然画像を表現する場合に適した階調特性を得ることが可
能である。
【００３２】
図７は、本実施形態の効果を説明するための図である。図７（ａ）は、１個の可変電圧
源３３で１個の電気光学素子Ｅが駆動される（すなわち電気光学素子Ｅごとに可変電圧源
３３が配置される）従来の電気光学装置の構成を示す模式図である。図７（ａ）に示され
るように、従来の電気光学装置においては、図７（ａ）に破線で示される単位領域Ａ内に
４個の電気光学素子Ｅが配置される。
【００３３】
これに対し、図７（ｂ）は、３個の電気光学素子Ｅが２個の可変電圧源３３で駆動され
る本実施形態の構成を示す模式図である。図７（ａ）の構成と図７（ｂ）の構成とで可変
電圧源３３の個数（実装端子３１の個数）は変わらない。図７（ｂ）に示されるように、
本実施形態においては、図７（ａ）と同様の単位領域Ａ内に６個の電気光学素子Ｅを配置
することが可能である。このように、本実施形態の電気光学装置Ｄにおいては、ＩＣチッ
プ３０の回路規模（実装端子３１の密度）を図７（ａ）の構成と同等に維持しながら、電
気光学素子Ｅの密度を高める（1.5倍）ことができる。つまり、従来は例えば６００ｄｐ
ｉの解像度であったものが、本実施形態の駆動方式によれば、同数の可変電圧源３３を用
いて９００ｄｐｉの高解像度が実現可能となる。
【００３４】
また、実装端子３１が過度に微細化されると、ＩＣチップ３０の出力端子と各実装端子
３１との接続に不良が発生する場合がある。さらに、ＩＣチップ３０を基板１０に実装す
る（ＩＣチップ３０の出力端子と各実装端子３１とを接合する）に際して、高度な位置あ
わせ精度が要求される。本実施形態においては実装端子３１の個数を増加させずに電気光
学素子Ｅが高精細化されるから、ＩＣチップ３０と各実装端子３１との接続の確実性を担
保するために各実装端子３１の微細化が制限される状況にあっても電気光学素子Ｅの高精
細化が可能となる。
【００３５】
別の観点からすると、本実施形態に係る電気光学装置Ｄにおいては、所定数の電気光学
素子Ｅの駆動に必要となる実装端子３１の総数が低減される。したがって、従来と同数の
出力端子を備えたＩＣチップ３０を利用した場合には、従来と同数の電気光学素子Ｅを駆
動するために必要となるＩＣチップ３０やフレキシブル基板５０の個数が削減されて低コ
スト化が実現される。例えば、従来の電気光学装置において、７２００個の電気光学素子
Ｅが１５個のＩＣチップ３０で駆動（１個のＩＣチップで４８０個の電気光学素子Ｅを駆
動）される場合を想定する。本実施形態の電気光学装置Ｄにおいては、１個のＩＣチップ
３０で７２０個の電気光学素子Ｅを駆動できるので、７２００個の電気光学素子Ｅを駆動
するのに必要なＩＣチップ３０の数は１０個に削減される。
【００３６】
さらに、実装端子３１の個数が削減されると、各実装端子３１と各電気光学素子Ｅとを
接続する配線の総数も削減される。したがって、基板１０のうち配線が形成されるスペー
スを削減することができ、装置の小型化が実現される。可変電圧源３３の数に着目すると
、所定の解像度を実現するために必要な駆動電源（可変電圧源３３）の個数が従来の構成
と比較して減少するから、消費電力が低減される。
【００３７】
＜Ｂ：第２実施形態＞
以上の実施形態では、電気光学素子ＥLとＥRとに別の階調が指定された場合に、電気光
学素子ＥMの階調が電気光学素子ＥLとＥRとの間の階調となる構成を例示した。写真など
の自然画像には階調が段階的に変化するという傾向があるから、以上のような階調の制御
（例えば、図５（ｃ）の点灯状態）が好適である。しかしながら、文章や図表など線画を
主体とした画像（以下「データ画像」という）においては、階調が連続的に変化する傾向
がある写真などの自然画とは対照的に、階調の濃淡が明確に区別されることが望ましい（
例えば、図５（ｄ）の点灯状態）。そこで、本実施形態では、出力の対象となる画像（以
下「出力対象画像」という）がデータ画像の場合には、別階調の各領域の境界が明確とな
るように、各駆動電圧の電圧値が設定される。なお、この点を除いては、本実施形態は上
記実施形態と同一であるので、その説明を適宜に省略する。
【００３８】
ＩＣチップ３０は、出力対象画像がデータ画像および自然画像の何れであるかを判別す
る回路（以下「画像判別部」という）を含む。画像の判別には公知である各種の技術が採
用される。例えば、画像判別部は、出力対象画像の所定の領域のうち同階調の画素の連続
する個数が閾値を越える場合にはデータ画像と判別し、同階調の画素の連続する個数が閾
値を下回る場合には自然画像と判別する。
【００３９】
出力対象画像が自然画像であると判別された場合、ＩＣチップ３０の各可変電圧源３３
L（３３R）は、電気光学素子ＥL（ＥR）に最低の階調「０」が指定されると、第１実施形
態と同様に、電圧値Ｖ[0]の駆動電圧ＶL（ＶR）を生成して出力する。駆動電圧ＶMの電圧
値は駆動電圧ＶLとＶRとの間の値となるから、例えば電気光学素子ＥLに階調「７」が指
定されるとともに電気光学素子ＥRに階調「０」が指定されると、図５（ｃ）を参照して
既に説明したように、電気光学素子ＥMは階調「０」と階調「７」との間の階調「2.2」と
なる（図４の状態（ｅ））。
【００４０】
これに対し、出力対象画像がデータ画像であると判別された場合、各可変電圧源３３L
（３３R）は、電気光学素子ＥL（ＥR）に最低の階調「０」が指定されると、図２（ａ）
に示すように、電圧値Ｖ[0]よりも低位の電圧値Ｖa[0]に設定された駆動電圧ＶL（ＶR）
を出力する。電圧値Ｖa[0]は、駆動電圧ＶLおよびＶRの一方が電圧値Ｖa[0]に設定される
とともに他方が最高の階調「７」に対応する電圧値Ｖ[7]に設定された場合に、駆動電圧
ＶMが電圧値Ｖ[0]以下となるように設定されている。この構成においては、例えば電気光
学素子ＥLに階調「７」が指定されるとともに電気光学素子ＥRに階調「０」が指定される
と、図５（ｄ）に示すように、電気光学素子ＥMは電気光学素子ＥRとともに最低の階調「
０」となる。したがって、階調「７」の領域と階調「０」との領域が明確に区別された（
階調「７」と階調「０」と間の階調の領域が各領域間に介在しない）明瞭なデータ画像を
表示することができる。
【００４１】
＜Ｃ：第３実施形態＞
第１および第２実施形態では、陽極が各電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRの各々に対応して
互いに分離された構成を説明したが、駆動電圧ＶLの印加点と駆動電圧ＶRの印加点とにわ
たって陽極が連続する構成も採用される。
【００４２】
図８の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る駆動方式を説明するための図である。なお
、本実施形態において第１実施形態と共通する部分については同一の符号を付し、その説
明を適宜に省略する。
【００４３】
図８（ａ）に示されるように、電気光学装置Ｄは、有機ＥＬ材料などの電気光学材料か
ら形成された電気光学層（発光層）２００と、電気光学層２００の全域にわたって連続す
る陰極３００と、電気光学層２００を挟んで陰極３００に対向する複数の陽極１００とを
有する。各陽極１００は相互に離間して形成される。なお、図８（ａ）においてはひとつ
の陽極１００のみが図示されている。
【００４４】
ひとつの陽極１００は、ノードｃ１とｃ２とを含んで連続する。ノードｃ１には配線Ｔ
１が接続される。可変電圧源３３Lが生成した駆動電圧ＶLは実装端子３１および配線Ｔ１
を介してノードｃ１に印加される。同様に、ノードｃ２には、可変電圧源３３Rから実装
端子３１および配線Ｔ2を介して駆動電圧ＶRが供給される。陰極３００には、接地電位GN
Dが印加される。
【００４５】
この構成において、陽極１００のうちノードｃ１の周辺の領域１００Lには駆動電圧ＶL
が印加されるから、電気光学層２００のうち領域１００Lと重なり合う領域（２００L）は
駆動電圧ＶLに応じた階調となる。同様に、陽極１００のうちノードｃ２の周辺の領域１
００Rには駆動電圧ＶRが印加されるから、電気光学層２００のうち領域１００Rと重なり
合う領域（２００R）は駆動電圧ＶRに応じた輝度で発光する。これに対し、陽極１００の
うちノードｃ１とｃ２との間の領域（例えば領域１００M）には、駆動電圧ＶL，ＶRの電
位差と陽極１００の抵抗値ｒによって定まる電圧が印加される。
【００４６】
図８（ｂ）は、陽極１００のうちノードｃ１とｃ２との間隙の領域における電圧の分布
を示すグラフである（ただしＶL＞ＶR＝GNDの場合）。ノードｃ１とｃ２との間の区間で
は陽極１００の抵抗に起因した電圧降下が発生する。したがって、図８（ｂ）に示される
ように、陽極１００のうちノードｃ１とｃ２との間の電圧は、ノードｃ１に近接する地点
ほど駆動電圧ＶLに近づき、ノードｃ２に近接する地点ほど駆動電圧ＶRに近づくように、
抵抗値ｒに応じた傾きで直線的に変化する。例えば、図８（ａ）の領域１００Mの電圧は
駆動電圧ＶLとＶRとのほぼ中間値（中点の電圧値）となる。
【００４７】
図８（ｃ）は、図８（ｂ）に示す電圧が印加されたときの電気光学層２００の階調を示
す図である。図８（ａ）および（ｃ）に示されるように、領域２００Lは高階調となるが
、領域２００Mに近づくにつれて徐々に階調が低下し、領域２００Rに至っては階調０とな
る。すなわち、ノードｃ１からｃ２にわたって階調が滑らかに変化する画像が実現される
。なお、以上の説明においては便宜的に、領域１００L，１００M，１００Rの各領域内に
おける電圧が一様であるとして説明したが、実際には各領域内における電圧降下によって
各領域内における電圧は相違する。
【００４８】
一方、図示はしないが、ＶL＝ＶR＞GNDのとき、陽極１００の電圧は、ノードｃ１とノ
ードｃ２との中央に位置する領域１００Mにおいて最低となる。その結果、電気光学層２
００のうちノードｃ１およびｃ２に対応した各領域（２００L，２００R）からＸ方向にお
ける中央部（すなわち、領域２００M）に向けて階調が低下する画像が実現される。
【００４９】
以上に説明したように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、電気光学層２００の階調は、ノードｃ１とｃ２との間にわたる陽極１００の電圧の
分布に応じて連続的に変化するから、第１実施形態のように２つの可変電圧源３３L，３
３Rで３階調を実現する場合と比較して多階調な画像が実現される。
【００５０】
なお、図８においては複数の陽極１００の各々が相互に離間して形成された構成を例示
したが、陽極１００が連続する範囲は適宜に変更される。例えば、図９に示すように、基
板１０の全体にわたって連続するように単一の陽極１００が形成された構成としてもよい
。図９に示されるように、陽極１００にはその面内の方向に相互に間隔をあけてノードｃ
１とｃ２とが交互に設定される。各ノードｃ１には、当該ノードｃ１に対応した可変電圧
源３３Lから実装端子３１および配線Ｔ1を介して駆動電圧ＶLが印加される。同様に、各
ノードｃ２には可変電圧源３３Rから駆動電圧ＶRが印加される。陽極１００のうちノード
ｃ１の周辺の領域を領域１００L、ノードｃ２の周辺の領域を領域１００Rとすると、電気
光学層２００のうち、領域１００Lに対応する領域（２００L）は駆動電圧ＶLに応じた階
調となり、領域１００Rに対応する領域（２００R）は駆動電圧ＶRに応じた階調となる。
また、電気光学層２００のうちノードｃ１とｃ２との間隙の領域（例えば陽極１００の領
域１００Mに対応した領域２００M）は、駆動電圧ＶLとＶRの電位差と陽極１００自体の抵
抗値ｒに応じた階調（相隣接する領域２００Lと領域２００Rの各階調の間の階調）となる
。
【００５１】
この構成によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、各ノードｃ１，ｃ２
に挟まれた領域においては、当該領域内の電圧の分布に応じて階調が滑らかに変化する画
像が表現される。さらに、陽極１００が基板１０の全体にわたって連続するため、階調が
不連続に変化する箇所をなくすことができる。このため、陽極を各電気光学素子ごとある
いは所定範囲ごとに分離する場合と比較して、同じ数の可変電圧源３３で高精細な階調表
現が可能となる。
【００５２】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各実施形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示す
れば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５３】
（１）変形例１
第１および第２実施形態では、２個の可変電圧源３３で３個の電気光学素子Ｅを駆動す
る場合について説明したが、２個の可変電圧源３３で４個以上の電気光学素子Ｅを駆動さ
せる態様（すなわちノードｂ１とノードｂ２とを結ぶ経路上に２個以上の電気光学素子が
接続された構成）としてもよい。
【００５４】
図１０は、本変形例におけるひとつの素子群Ｇiの電気的な構成を示す図である。図１
０に示されるように、各可変電圧源３３からの電圧が印加されるノードｂ１およびノード
ｂ２の各々と、これらを結ぶ経路上のノードｂ３，ｂ４，ｂ５の各々には電気光学素子Ｅ
が１個ずつ接続される。相隣接する各ノード（ｂ１〜ｂ５）の間には抵抗Ｒが各々設けら
れる。以上の構成において、５個の電気光学素子Ｅの配列の両端に位置する２個の電気光
学素子Ｅは、各可変電圧源３３がノードｂ１およびノードｂ２に印加した電圧に応じた階
調で発光する。配列の中間に位置する３個の電気光学素子Ｅは、ノードｂ１における電圧
とノードｂ２における電圧との間の電圧に応じた各階調で発光する。本変形例においても
、第１および第２実施形態と同様の効果が得られる。また、２個の可変電圧源３３を用い
て３個を超える電気光学素子Ｅを駆動するので、さらなる高精細化が実現される。一方、
解像度を低下させることなく可変電圧源３３の数を減少させることができるので、装置の
小型化・省電力化が実現される。
【００５５】
（２）変形例２
以上の各形態では、各電気光学素子Ｅの陽極の電圧が制御される構成を説明した。しか
しながら、各電気光学素子Ｅの陰極の電圧を階調値に応じて制御する構成としてもよい。
【００５６】
図１１は、本変形例における素子群Ｇiの電気的な構成を示す図である。図１１に示さ
れるように、各電気光学素子ＥL，ＥM，ＥRの陽極には電源電圧ＶELが定電圧源から共通
に供給される。一方、電気光学素子ＥLの陰極には可変電圧源３３Lが接続され、電気光学
素子ＥRの陰極には可変電圧源３３Rが接続される。各可変電圧源３３L，３３Rから印加さ
れる駆動電圧ＶL，ＶRは各々に指定される階調値に応じて電圧値Ｖ[0]から電圧値Ｖ[7]（
＝ＶEL）の何れかに制御される。電気光学素子ＥL，ＥRは、駆動電圧ＶL，ＶRが電圧値Ｖ
[7]に設定されて陽極と陰極との間の電圧がゼロとなる場合に最低階調（消灯）となり、
駆動電圧ＶL，ＶRが低位となるほど高階調となる。ノードｂ１とｂ３との間には抵抗Ｒ１
が介在し、ノードｂ２とｂ３との間には抵抗Ｒ２が介在する。電気光学素子ＥMの陰極に
は、駆動電圧ＶL，ＶRの電圧値と抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値ｒとによって定まる駆動電圧Ｖ
Mが印加される。したがって、電気光学素子ＥMは、電源電圧ＶELと駆動電圧ＶMとの電位
差に応じた階調となる。本変形例によっても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
また、図示は省略するが、図８および図９に示す構成（第３実施形態）においても、陽
極１００には共通の定電圧源ＶELが供給され、陰極３００に接続するノードｃ１およびｃ
２には可変電圧源３３L，３３Rから駆動電圧ＶL，ＶRが供給される構成としてもよい。こ
の場合にも、第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００５８】
（３）変形例３
以上の各実施形態では、ＩＣチップ３０を基板１０上にＣＯＧ実装する態様について説
明したが、フレキシブル基板５０上にＩＣチップ３０をＣＯＦ（Chip On Film）実装する
態様としてもよい。この態様によれば、フレキシブル基板５０の出力端子や基板１０の実
装端子（フレキシブル基板５０の出力端子に対向する基板１０側の端子）の個数を削減し
ながら、電気光学素子Ｅを高精細化（高解像度化）することができる。また、ＩＣチップ
３０を用いる代わりに、基板１０の表面に作り込まれたトランジスタ（例えば低温ポリシ
リコンを半導体層とする薄膜トランジスタ）によって駆動回路（可変電圧源３３）を構成
してもよい。この構成によれば、駆動回路から電気光学素子Ｅに至る配線は素子群Ｇごと
に２本で足りる。したがって、各電気光学素子Ｅごとに配線が形成される従来の構成と比
較すると、各電気光学素子Ｅと駆動回路との接続の確実性を維持しながら電気光学素子Ｅ
の高精細化を実現するという効果が奏される。さらに、配線数の削減によって電気光学装
置が小型化されるという利点もある。
【００５９】
（４）変形例４
上記実施形態では、電気光学素子Ｅに指定された階調に応じて駆動電圧ＶL，ＶRの電圧
値を変化させる構成を例示したが、ＰＷＭ（Pulse  Width  Modulation）方式を用いて階
調制御を行ってもよい。ＰＷＭ方式における駆動電圧ＶLは、所定の単位期間のうち電気
光学素子ＥLに指定された階調値に応じた期間にてオン電圧（電気光学素子ＥLを発光させ
る電圧）とされ、その残余の期間にてオフ電圧（電気光学素子ＥLを消灯させる電圧）と
される。したがって、電気光学素子ＥLは階調値に応じた時間密度で発光する。電気光学
素子ＥRの階調と駆動電圧ＶRとの関係も同様である。駆動電圧ＶLとＶRの両方がオン電圧
とされている期間はオン電圧の電圧値より抵抗値ｒの分だけ低い駆動電圧ＶMが印加され
、何れかがオン電圧とされている期間は、オン電圧の電圧値と接地電位GNDとの間の電圧
値となる駆動電圧ＶMが印加される。したがって、電気光学素子ＥMは電気光学素子ＥL，
ＥRとの間の階調または各々と同階調に制御される。
【００６０】
（５）変形例５
以上の各形態では、可変電圧源３３が出力する電圧信号（駆動電圧ＶL，ＶR）に応じて
電気光学素子Ｅの階調を制御する構成を例示したが、可変電圧源３３に代えて、電気光学
素子ＥLやＥRの階調に応じた電流値の電流信号を出力する可変電流源を採用してもよい。
第１実施形態や第２実施形態においてノードｂ１やｂ２の各々に電流信号を供給した場合
には、各電流信号を分流した電流がノードｂ３を介して電気光学素子ＥMに供給される。
また、第３実施形態でノードｃ１やノードｃ２の各々に電流信号を供給すると、電気光学
層２００は、ノードｃ１とｃ２との間の領域における電流の分布に応じた階調となる。し
たがって、本変形例においても以上の各形態と同様の効果が奏される。
【００６１】
＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明の電気光学装置を利用した電子機器のひとつの形態として画像形成装置を
例示する。
図１２は、以上の各形態に係る電気光学装置Ｄを露光ヘッドとして採用した画像形成装
置の構成を示す断面図である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置で
あり、以上の形態に係る４個の電気光学装置Ｄ（ＤK，ＤC，ＤM，ＤY）と、各電気光学装
置Ｄに対応する４個の感光体ドラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。
ひとつの電気光学装置Ｄは、これに対応した感光体ドラム７０の像形成面（外周面）に対
向するように配置される。なお、各符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シア
ン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味して
いる。
【００６２】
図１２に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベル
ト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベ
ルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期
して回転する。
【００６３】
各感光体ドラム７０の周囲には、電気光学装置Ｄのほかにコロナ帯電器７３１（７３１
K，７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y
）とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の像形成面
を一様に帯電させる。この帯電した像形成面を各電気光学装置Ｄが露光することで静電潜
像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像剤（トナー）を付着させることで感
光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００６４】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）
の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの
顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）
７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これ
に対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７
０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００６５】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から
１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送され
る。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７に
よってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシ
ート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート
７５を排出する。
【００６６】
以上に例示した画像形成装置はＯＬＥＤ素子を光源（露光手段）として利用しているの
で、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した
以外の構成の画像形成装置にも本発明を適用することができる。例えば、ロータリ現像式
の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的
に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装
置にも本発明に係る電気光学装置を利用することが可能である。
【００６７】
なお、本発明に係る電気光学装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、本
発明の電気光学装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装
置）として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写
機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のよ
うな二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を例示するブロック図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る電気光学素子の電圧−電流特性を示すグラフであり、（ｂ）は電気光学素子の電流−光量特性を示すグラフである。
【図３】素子群およびＩＣチップの電気的構成を示す回路図である。
【図４】各電気光学素子の階調の関係を示す表である。
【図５】各電気光学素子の階調を示す模式図である。
【図６】図５におけるハッチングの粗密と電気光学素子の階調との関係を示す図である。
【図７】実施形態の効果を説明するための図である。
【図８】第３実施形態に係る電気光学装置の駆動方式を説明するための図である。
【図９】第３実施形態に係る電気光学装置の別の駆動方式を説明するための図である。
【図１０】変形例における素子群の電気的構成を示す回路図である。
【図１１】変形例における素子群の電気的構成を示す回路図である。
【図１２】電気光学装置を利用した画像形成装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…基板、３０…ＩＣチップ、３１…実装端子、３３（３３L，３３R）…可変電圧源、
４０…コントローラ、５０…フレキシブル基板、１００…陽極、２００…電気光学層、３
００…陰極、１００L，１００M，１００R，２００L，２００M，２００R…領域、Ａ…単位
領域、ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４，ｂ５，ｃ１，ｃ２…ノード、Ｄ…電気光学装置、Ｅ（Ｅ
L，ＥM，ＥR）…電気光学素子、Ｇ…素子群、GND…接地電位、Ｉ，ＩL，ＩM，ＩR、ｉL，
ｉR…電流、Ｔ1，Ｔ2，Ｓ…配線、Ｖ（ＶL，ＶM，ＶR）…駆動電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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