(57)【要約】    【課題】目標トラック到達時の位置制御によりヘット位置の残留振動を速やかに納束させて装置の性能を向上させる。    【解決手段】移動制御部５２はヘッドアクチュエータ（ＶＣＭ１８）の駆動によりヘッドを磁気ディスク媒体２０上の目標トラックに向けて移動制御し、位置制御部５４は移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすようにヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する。積分ゲイン保持部は、位置制御部５４の位置制御の開始から所定の保持時間の間、比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持し、ゲイン切替部は保持時間が経過した時点で、上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替える。    【選択図】      図１
2007207375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御部と、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御部と、
前記位置制御部の制御開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持部と、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替部と、
を設けたことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン切替部は、前記上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン保持部は、温度を検出し、検出した温度に応じて前記上げている積分ゲインの保持時間を決定することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
記憶装置のシーク制御方法に於いて、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
前記位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を設けたことを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【請求項５】
記憶装置のコンピュータに、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
前記位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を実行させるを特徴とするシーク制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドを媒体上の任意の目標トラックに移動して書込み又は読出しを行う記憶装置、シーク制御方法及びプログラムに関し、特に目標トラックにヘッドが到達した際の位置制御によるセトリング時間を短縮してシーク性能を高める記憶装置、シーク制御方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置のシーク制御にあっては、目標トラックに対するトラック残数（トラックデファレンス）に基づき目標速度プロフィールを発生してボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の駆動でヘッドアクチュエータを速度制御し、目標トラックに対するトラック残数が所定値に低下した時点でヘッドをトラックセンタに位置決めさせるための位置制御を開始し、目標トラックに到達したら速度制御を停止して位置制御のみを有効とし、所定のセトリング時間内にヘッドがトラックセンタを中心とした所定幅を決めるセトリングスライス（セトリング閾値）に納束した場合に、アクセス許可信号を有効とし、ディスク媒体するライト動作又はリード動作を開始させるようにしている。
【０００３】
もしもセトリング時間内にセトリングスライス内にヘッドが納まらないとセトリング時間を経過した時点でシークエラーとなり、シーク制御のリトライとなるため、シーク時間が延びて性能が低下することになる。
【０００４】
このような従来のシーク制御にあっては、目標トラックに到達して位置制御を有効とした場合のヘッドの残留振動を低減させるため、ヘッド駆動機構のメカニカルなばらつきやシーク距離によるヘッドアクチュエータを目標トラックに保持するバイアス電流の変動を考慮に入れて、セトリング時間を延ばしている。
【０００５】
図１３は、従来の位置制御に切替えた際のヘッド位置の挙動である。図１３（Ａ）はヘッド位置信号であり、時刻ｔ１でシーク制御を開始し、時刻ｔ２で目標トラックに達すると位置制御が有効となり、ヘッド位置信号は振動波形２０２のように、時刻ｔ３でセトリングスライス２００−１，２００−２内に納まり、この時点で図１３（Ｂ）のアクセス許可信号がＨレベルとなり、ディスク媒体に対する書込み又は読出しを可能とする。この場合のシーク時間はＴ１となる。
【０００６】
またヘッド駆動機構のばらつきやシーク距離によっては、振動波形２０４のように大きく変化して時刻ｔ４でセトリングスライス２００−１，１００−２に納まり、シーク時間はＴ２に延び、ΔＴのばらつきを生ずる。
【０００７】
そこで従来は、温度や電圧などの様々な環境条件でヘッドがセトリングスライス内に納まるまでのシーク時間を測定し、測定した多数のシーク時間の正規分布におけるばらつきσの６σ（＝±３σ）を見込んでセトリング時間を設定していたが、セトリングスライス自体がさほど狭くなく若干マージンがあったため、装置の性能に直接影響することはなかった。
【０００８】
しかし、近年にあっては、ディスク媒体のトラック密度（ＴＰＩ）の高密度化を達成するために、トラックピッチがかなり狭まってきている。このため、高トラック密度化にあわせてセトリングスライス自体もかなり狭まってきている。そこで、セトリング時間をさらに延ばし、セトリングスライスに納まるまでの時間のばらつきを吸納している。
【０００９】
しかしながら、セトリング時間を延ばした場合には、その分、シーク時間が長くなって装置の性能低下を招くことから、セトリング時間を延ばすことなく位置制御に切替えた際のヘッド位置振動をより速く一定のセトリングスライス内に納束させるため、位置制御に用いられている比例積分演算の積分ゲインを上げ、ヘッドが素早くセトリングスライス内に納まるようにしている。
【００１０】
図１４は位置制御における積分ゲインの倍率を１とした場合のヘッド位置信号の挙動とアクセス許可信号であり、時刻ｔ１でシーク制御を開始し、時刻ｔ２で目標トラックに到達して位置制御を有効として波形２０６のように減衰させ、時刻ｔ４でセトリングスライス２００−１，２００−２内に納まってアクセス許可信号をＨレベルとしている。
【００１１】
図１５は位置制御の積分ゲインをｎ倍に上げた場合のヘッド位置信号の挙動とアクセス許可信号であり、時刻ｔ１でシーク制御を開始し、時刻ｔ２で目標トラックに到達して位置制御を有効とし、積分ゲインを上げることにより波形２０８のように急速に減衰させ、時刻ｔ３でセトリングスライス２００−１，２００−２内に納まってアクセス許可信号をＨレベルとしている。
【００１２】
このように積分ゲインを上げることで、トラックセンタへの引き込みが速くなり、従来見込んでいたばらつきを低減することができ、図１４の積分ゲインを上げない場合と比較し、シーク時間をＴ１からΔＴだけ短いＴ２に短縮することができ、セトリング時間を延ばす必要がないことから、性能を落とすことがない。
【００１３】
このようなセトリング時の位置制御としては例えは特許文献１、２のものがある。特許文献１は、セトリング時のサーボゲインコントロール方法であり、ゲインアップした後に振動判定しながらゲインダウンを繰り返すことにより、振動を無くす時間を短縮する。また特許文献２は、セトリングの判定であり、ヘッド移動速度とサーボ補償手段から振動成分および最適セトリング時間を算出することにより、時間短縮を図る。
【特許文献１】特開平５−４１０４８号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、このような従来の積分ゲインを上げてシーク時間を短縮する方法にあっては、図１６の積分ゲインを上げない場合の波形２１０と比較すると、図１７のように積分ゲインを上げた場合には、セトリングスライス内に納まった後の波形２１２の変動が大きくなっている。言い換えると、積分ゲインを上げた場合にはシーク完了後の目標トラックに対するオントラック精度は、悪くなっている。
【００１５】
なお、図１６及び図１７の（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれヘッド位置信号、アセス許可信号及び積分ゲインを示しており、時刻ｔ１でヘッド位置信号がセトリングスライス２００−１，２００−２に納まってアクセス許可信号がＨレベルに立ち上がっている。
【００１６】
このよう積分ゲインを上げたことによるオントラック精度の悪化を解消するためには、図１７のように、トラック追従制御中の時刻ｔ２のタイミングで積分ゲインを元のゲインに戻す必要がある。しかし、時刻ｔ２で積分ゲインを戻すとヘッド位置信号が振幅２１４のように大きく暴れ、セトリングスライス２００−１，２００−２を超えることでオフトラックエラーを起し、これがライト中やリード中に起きると、ライトエラーまたはリードエラーとなり、アクセス性能を低下させる問題がある。
【００１７】
本発明は、目標トラック到達時の位置制御によりヘッド位置の残留振動を速やかに納束して装置の性能を向上させる記憶装置、シーク制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（装置）
本発明は記憶装置を提供する。本発明の記憶装置は、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御部と、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすようにヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御部と、
位置制御部の位置制御の開始から所定の保持時間の間、比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持部と、
保持時間が経過した時点で、上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替部と、
を設けたことを特徴とする。
【００１９】
ここで、ゲイン切替部は、上げている積分ゲインを直線的に減少させて元の積分ゲインに切替える。またゲイン切替部は、上げている積分ゲインを、切替区間の前段で緩やかに減少させ、中段で急激に変化させ、更に後段で緩やかに変化させて元の積分ゲインに切替えてもよい。更に、ゲイン切替部は、上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の積分ゲインに切替えるようにしても良い。
【００２０】
ゲイン保持部は、温度を検出し、検出した温度に応じて上げている積分ゲインの保持時間を決定する。ゲイン保持部は、保持時間を温度が高いほど短く、温度が低くなるほど長くなるように決定する。
【００２１】
ゲイン保持部は、装置の使用温度範囲の各温度に対応して保持時間を格納した制御テーブルを有し、装置の起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、制御テーブルから変動後の検出温度に対応した保持時間を取得して設定する。
【００２２】
制御テーブルは、ヘッドアクチュエータをフォワード方向に駆動した際のバイアス電流とリバース方向に駆動した際のバイアス電流とのバイアス電流差をパラメータとして使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を格納し、ゲイン保持部は、装置起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、バイアス電流差を測定し、測定したバイアス電流差をパラメータとする使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を選択して使用する。
【００２３】
移動制御部は、ヘッドが現在位置するトラックから目標トラックまでのトラック残数に応じてヘッドアクチュエータを速度制御し、目標トラックへの到達で速度制御を停止し、
位置制御部は、速度制御により目標トラックに対するトラック残数が所定値に低下した際に、積分ゲインを上げた状態とした比例積分演算による位置制御を開始する。
【００２４】
（方法）
本発明は記憶装置のシーク制御方法を提供する。本発明による記憶装置のシーク制御方法は、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすようにヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
保持時間が経過した時点で、上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を設けたことを特徴とする。
【００２５】
（プログラム）
本発明は記憶装置のコンピュータにより実行されるシーク制御プログラムを提供する。
本発明のシーク制御プログラムは、記憶装置のコンピュータに、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすようにヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
保持時間が経過した時点で、上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、シーク制御により目標トラックにヘッドを移動して位置制御を有効とした際に、位置制御の比例積分演算に使用する積分ゲインを上げることで、ヘッドをトラックセンタに速やか引き込んで残留振動を納束させ、残留振動が納束している状態で積分ゲインを緩やかに元に戻すことで、積分ゲインの切替えに伴うヘッド位置の大きな変動を起こすことなく積分ゲインを元に戻し、トラック追従制御におけるヘッド位置の変動を抑え、トラック追従精度を確保することができる。
【００２７】
また、積分ゲインを上げた状態に保持する保持時間を、温度に応じて最適化することで、温度を含む様々な環境条件における目標トラックにヘッドを移動して位置制御を開始した際の変動を低減し、ライト又はリードのアクセスを許可するためにトラックセンタに対し設定した一定閾値幅をもつセトリングスライス内に納まるまでの時間のばらつきを抑制し、セトリング時間を延ばす必要がないことから、シーク時間が長くならず、トラック密度を高密度化してセトリングスライスの幅が狭くなっても、シーク性能を維持することができる。
【００２８】
また、シーク制御におけるトラック引き込み時の一般的な残留振動対策は、ヘッドアクチュエータとして温度変化によりバイアス電流の変化が少ない高価な材料等を使うことであるが、本発明は目標トラックにヘッドを引き込む際の比例積分制御の積分ゲインを上げてその後に緩やかに元に戻すという積分ゲインの切替え制御だけで良く、コストがかからないというメリットがある。
【００２９】
更に、ヘッドアクチュエータは機械的な製造上のばらつきをもち、これに起因してトラック位置に対するヘッドアクチュエータのバイアス電流も変化するが、装置固有のバイアス電流に対応して、温度に対する積分ゲインを上げている保持時間の特性を制御テーブルに準備し、温度に対し最適化された保持時間を使用して積分ゲインを上げた状態で位置制御し、ヘッドアクチュエータの機械的なばらつきの影響を受けることなく、位置制御における残留振動の押え込みを最適化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は本発明を適用した磁気ディスク装置の実施形態のブロック図である。図１において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置１０は、ディスクエンクロージャ１２と制御ボード１４で構成される。ディスクエンクロージャ１２にはスピンドルモータ（ＳＰＭ）１６が設けられ、スピンドルモータ１６の回転軸に磁気ディスク媒体２０を装着し、一定回転速度例えば５４００ｒｐｍで回転する。
【００３１】
ディスクエンクロージャ１２にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８が設けられ、ボイスコイルモータ１８はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド２２−１，２２−２を搭載しており、磁気ディスク媒体２０の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なおヘッド２２−１，２２−２にはライトヘッドとリードヘッドが一体化されて搭載されている。またディスク媒体は必要に応じて複数枚としても良く、ディスク媒体の枚数増加に応じてヘッドも増加する。
【００３２】
ヘッド２２−１，２２−２はヘッドＩＣ２４に対し信号線接続されており、ヘッドＩＣ２４は上位装置となるホストからのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドを選択し、書込み又は読出しを行う。またヘッドＩＣ２４には、ライト系についてはライトアンプが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。
【００３３】
制御ボード１４にはＭＰＵ２６が設けられ、ＭＰＵ２６のバス２８に対しＲＡＭを用いた制御プログラムを展開し制御データを格納するメモリ３０、ＦＲＯＭを用いたファームウェアとして機能する制御プログラムを格納した不揮発メモリ３２が設けられている。
【００３４】
ＭＰＵ２６のバス２８には、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ３８を制御するバッファメモリ制御部３６、フォーマット制御部としての機能を備えたハードディスクコントローラ４０、ライト変調部及びリード変調部として機能するリードチャネル４２、ＶＣＭ駆動回路４６及びＳＰＭ駆動回路４８が設けられている。
【００３５】
リードチャネル４２にはサーボ復調部４４が設けられ、ディスク媒体の記録面のトラック方向に一定間隔で記録しているサーボ情報の読取信号からヘッド位置信号を復調し、またヘッド位置信号の時間変化からヘッド移動速度を復調する。
【００３６】
ＭＰＵ２６にはプログラム制御により実現される機能としてシーク制御部５０が設けられ、シーク制御部５０は移動制御部５２、位置制御部５４及びサーボコントローラ５６で構成されている。
【００３７】
移動制御部５２はＶＣＭ１８によるヘッドアクチュエータの駆動によりヘッド２２−１，２２−２を磁気ディスク媒体２０上の目標トラックに向けて移動制御する。位置制御部５４は、移動中のヘッド２２−１，２２−２が目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように比例積分演算によるＶＣＭ１８の駆動でヘッドアクチュエータを位置制御する。
【００３８】
サーボコントローラ５６は移動制御部５２からの速度偏差または位置制御部５４からの位置偏差に応じた信号を入力して比例積分演算し、出力信号をＶＣＭ駆動回路４６で電流信号に変換し、ＶＣＭ１８に駆動電流を流して速度制御又は位置制御を行う。
【００３９】
本実施形態では、移動制御部５２と位置制御部５４で必要とする比例積分演算を、サーボコントローラ５６で共通に行っている。
【００４０】
サーボコントローラ５６の位置制御の際の比例積分制御については、ヘッド位置が目標トラックに到達して位置制御を開始した時点で積分ゲインを上げており、位置制御から所定の保持時間のあいだ積分ゲインを上げた状態で位置制御し、保持時間が経過すると、上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるようにしている。
【００４１】
ここで磁気ディスク装置１０における動作を説明すると次のようになる。ホストからのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部３４で受け取ると、ライトコマンドをＭＰＵ２６で解読して目標トラックを認識し、シーク制御部５０を動作し、ヘッドを現在位置からライトコマンドで指示された目標トラックに移動させるシーク制御をシーク制御部５０により開始する。
【００４２】
シーク制御は図２のタイムチャートのようになる。図２（Ａ）はヘッド移動速度、図２（Ｂ）はヘッド位置、図２（Ｃ）はヘッド位置信号、図２（Ｄ）はアクセス許可信号、更に図２（Ｅ）は制御モードを示している。
【００４３】
図２において、時刻ｔ１でシーク制御を開始すると、移動制御部５２が目標トラックまでのトラック残数（トラックディファレンス）に基づいて加速、定速、減速からなる目標速度プロフィールを発生し、実際に検出されるヘッド移動速度と目標速度との偏差をゼロとするように、比例積分演算を伴う速度制御が行われ、図２（Ａ）のヘッド移動速度１００に示すような速度制御が行われる。
【００４４】
これに伴い図２（Ｂ）のように、ヘッド位置は開始トラックから目標トラックに向けてヘッド移動軌跡１０２に示すように移動する。この速度制御によるヘッド移動中にあっては、図２（Ｃ）のように、ヘッド位置信号がトラックを横切るごとに一定振幅で変化する振動的な信号として得られる。また図２（Ｄ）のアクセス許可信号は、目標トラックに到達して引き込まれるまではＬレベルとなって禁止状態としている。
【００４５】
速度制御によりヘッドが時刻ｔ３で目標トラックに達すると、移動制御部５２による速度制御が停止される。このため速度制御モード１１０は、時刻ｔ１のシーク開始から時刻ｔ３の目標トラックに到達するまでの区間となる。
【００４６】
本実施形態にあっては、ヘッドが時刻ｔ３で目標トラックに到達する予め定めた所定トラック手前の時刻ｔ２で位置制御部５４を動作しており、時刻ｔ３の目標トラックへの到達で速度制御を停止することで、時刻ｔ３から位置制御が有効となる。
【００４７】
時刻ｔ２で位置制御を動作した際に、本実施形態にあっては、位置制御の比例積分演算における積分ゲインは上げた状態としている。これによって、時刻ｔ３で速度制御が停止して位置制御が有効になると、その時点で位置制御における積分ゲインは上げられた状態となっている。
【００４８】
位置制御は開始時刻ｔ３から積分ゲインを上げ状態を所定の保持時間、継続させた後に、緩やかに元の積分ゲインに戻すゲイン制御が行われている。この時刻ｔ３からの位置制御により、図２（Ｃ）のように、ヘッド位置信号は予め設定したトラックセンタに対し所定の振幅範囲を持つセトリングスライス１０６−１，１０６−２内に時刻ｔ４で納まり、この時点でアクセス許可信号１０８がＬレベルからＨレベルとなり、目標トラックに対するライトコマンドに基づく書込動作を許可する。
【００４９】
ここで、時刻ｔ２で位置制御を開始してから時刻ｔ４でヘッド位置信号がセトリングスライス１０６−１，１０６−２内に納まるまでの区間はセトリングモード１１４となり、時刻ｔ４以降がヘッドを目標トラックトラックセンタに追従させるフォローイングモード１１６の制御となる。セトリングモード１１４とフォローイングモード１１６を合わせて位置制御モード１１２となる。なおセトリングモード１１４については、実質的には時刻ｔ３で速度制御を停止した時点からが実質的なセトリングモードとなる。
【００５０】
シーク制御部５０によりヘッドが目標トラックに位置決めされてアクセス許可信号がＨレベルとなってアクセス許可が行われると、ライトデータのコマンドで指示されたセクタに対する書込みが行われる。この書込動作は、ライトコマンドに伴って受信したライトデータがバッファメモリ３８に格納されていることから、このライトデータをハードディスクコントローラ４０のフォーマット制御機能で所定のデータ形式に変換すると共に、ＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号を付加し、リードチャネル４２におけるライト変調系でスクランブルＲＬＬ符号変換、更に書込補償を行った後、ヘッドＩＣ２４に内蔵したライトアンプを介して、選択した例えばヘッド２２−１のライトヘッドから磁気ディスク媒体２０に書き込む。
【００５１】
一方、ホストからのリードコマンドをホストインタフェース制御部３４で受けた場合には、リードコマンドの解読に基づき、目標トラックにシーク制御部５０によりライトコマンドの場合と同様にヘッドを移動して位置決めした後、ヘッドＩＣ２４のヘッドセレクトで選択されたリードヘッドから読み出された読出信号をプリアンプで増幅した後、リードチャネル４２のリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータを復調し、ハードディスクコントローラ４０でＥＣＣ処理を行ってエラーを検出訂正した後、バッファメモリ３８にバッファリングし、ホストインタフェース制御部３４からリードデータをホストに転送する。
【００５２】
図３は図１の実施形態におけるシーク制御部５０の機能構成のブロック図である。図３において、シーク制御部５０は、移動制御部５２、位置制御部５４、サーボコントローラ５６で構成されている。移動制御部５２には、目標速度設定部６０、ヘッド速度レジスタ６２、加算部６４及び補正フィルタ６６が設けられている。
【００５３】
シーク制御の際に目標トラックまでのトラックディファレンスが目標速度設定部６０に与えられ、目標速度設定部６０はトラックディファレンスに応じた目標速度プロフィールを加算部６４に発生する。
【００５４】
目標速度プロフィールは、目標トラックまでのトラックディファレンスが大きい場合には加速、定速、減速となる目標速度プロフィールを発生し、トラックディファレンスが短い場合には低速区間のない加速、減速プロフィールを発生する。なお隣接トラックにシークする１トラックシークについては、速度制御によらず、予め決められた駆動パターンを使用する。
【００５５】
ヘッド速度レジスタ６２には、図１のリードチャネル４２に設けたサーボ復調部４４で復調されたヘッド位置信号の微分などで得られたヘッド速度がリアルタイムで格納されている。このため加算部６４は、目標速度とヘッド速度との速度偏差を出力し、補正フィルタ６６で所望の補正を行った後、補正済の速度偏差信号をサーボコントローラ５６に出力する。
【００５６】
サーボコントローラ５６には加算部６８，７０及びＰＩ制御部（比例積分制御部）７２が設けられている。移動速度制御部５２からの速度偏差信号は加算部６８，７０を介してＰＩ制御部７２に入力され、偏差制御に対する比例成分の乗算と積分成分の加算によるＰＩ演算を行って得られた制御信号を制御対象７４に出力する。
【００５７】
制御対象７４は、図１のディスクエンクロージャ１２に設けたＶＣＭ１８及びヘッド２２−１，２２−２をディスク媒体２０に対し移動するヘッドアクチュエータである。制御対象７４の速度制御による結果は、加算部７６から検出されて加算部７０にフィードバックされ、サーボコントローラ５６は偏差信号と加算部７６からのフィードバック信号との偏差をゼロとするようなフィード・フォワード制御を行う。
【００５８】
一方、位置制御部５４には、目標位置設定部７８、ヘッド位置レジスタ８０、加算部８２及び補正フィルタ８４が設けられている。位置制御部５４は図２（Ｅ）の制御モードに示したように、速度制御により目標トラックの所定トラック手前で動作し、目標位置設定部７８としてはトラックセンタを示すゼロ位置の目標位置信号を加算部８２に出力し、ヘッド位置レジスタ８０に図１のリードチャネル４２に設けたサーボ復調部４４から得られるヘッド位置との位置偏差を取り出し、補正フィルタ８４で所望の補正を行った後、位置偏差信号をサーボコントローラ５６に出力している。
【００５９】
サーボコントローラ５６にあっては、速度制御の目標トラックの所定トラック手前から加算部６８で速度偏差信号と位置偏差信号を加算して加算部７０からＰＩ制御部７２に入力しており、目標トラックに到達する手前部分では速度制御と位置制御が並行して行われている。ヘッドが目標トラックに到達すると、移動制御部５２による速度制御が停止し、位置制御部５４からの位置偏差信号のみがサーボコントローラ５６に入力され、位置制御のみに切り替わる。
【００６０】
図４は図３のＰＩ制御部の詳細を示したブロック図である。図４のＰＩ制御部７２にあっては、比例演算部８６、遅延部８８、積分演算部９０及び加算部９２で構成されている。更に積分演算部９０に対してはゲイン制御部９４が設けられ、ゲイン制御部９４にはゲイン保持部９６とゲイン切替部９８が設けられている。
【００６１】
比例演算部８６は、入力信号に対し比例ゲインＫｐを乗算して加算部９２に出力する。同時に、遅延部８８で遅延された１サンプル前の入力信号を対象に、積分演算部９０で積分ゲインＫｆが乗算され、加算点９２で比例演算部８６からの信号に加算される。このＰＩ制御部７２における比例積分演算の伝達関数は
Ｋｐ＋Ｋｆ（１＋ｓ）
となる。
【００６２】
ゲイン制御部９４に設けたゲイン保持部９６は、速度制御が停止することで位置制御が開始された時点から所定の保持時間Ｔの間、比例演算部９０の積分ゲインを上げた状態に保持する。ここで通常時の積分ゲインをＫｆとすると、位置制御の開始から保持時間の間、積分ゲインはｎ倍のゲイン（ｎ・Ｋｆ）に上げられる。
【００６３】
ゲイン切替部９８は、ゲイン保持部９６により積分ゲインをｎ倍に上げている保持時間が経過した時点で、ｎ倍の積分ゲインＫｆを元の１倍の積分ゲインに滑らかに切り替えてゲイン切替えを行う。
【００６４】
図５は本実施形態におけるゲイン切替部９８によるゲイン切替制御の説明図である。図５（Ａ）は速度制御によりヘッドを目標トラックに移動して時刻ｔ１で目標トラックに到達して速度制御を停止し、これに伴い、それ以前に開始している位置制御が有効となったときのヘッド位置信号１０４の挙動を示している。
【００６５】
本発明の積分ゲイン切替えの実施形態としては、例えば次の３つの切替モードがある。
（１）ｎ倍に上げている積分ゲインを直線的に減少させて元の１倍の積分ゲインに切り替えるモード１。
（２）ｎ倍に上げている積分ゲインを切替区間の前段で緩やかに減少し中段で急激に変化させ、更に後段で緩やかに変化させて元の１倍の積分ゲインに切り替えるモード２。
（３）ｎ倍に上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の１倍の積分ゲインに切り替えるモード３。
【００６６】
図５（Ｂ）はモード１の積分ゲインの切替えであり、時刻ｔ１でｎ倍の積分ゲインによる位置制御を行って図５（Ａ）のヘッド位置信号１０４−２のようにセトリングスライス１０２−１，１０２−２内に納め、所定の保持時間Ｔを経過した時刻ｔ２で、直線１２０に示すように一定割合で積分ゲインをｎ倍から１倍に減少させる。
【００６７】
このモード１のゲイン切り替えにあっては、保持時間Ｔが経過した時点で一定の割合でｎ倍のゲインから１倍のゲインに積分ゲインを減少させることから、ｎ倍の部分から減少を始める時刻ｔ２、及び一定割合から１倍に変化する時刻ｔ３のそれぞれのエッジ部分でのゲインの急激な変動が図５（Ａ）のヘッド位置信号１０４−３のように抑えられ、ヘッド位置信号１０４−４のようにトラック追従精度を高めることができる。
【００６８】
図５（Ｃ）はモード２のゲイン切替えであり、時刻ｔ２からｔ３までのゲイン切替期間を前段、中段、後段に分け、ゲイン切替えを開始する前段についてはゲインの変化率を小さくし、ゲイン切替開始時におけるゲインの大きな変動を抑えている。同様に、後段についてもゲインの変化率を小さくし、時刻ｔ３で１倍に移行する際のゲイン変動を抑えている。一方、中段については、変化率を大きくして十分にゲインを下げている。この結果、モード２にあってはほぼＳ字型に近い曲線１２２によるゲイン切替えが滑らかに行われることになる。
【００６９】
図５（Ｄ）はモード３のゲイン切替えであり、指数関数曲線１２４に沿ってｎ倍の積分ゲインを１倍の積分ゲインに変化させており、時刻ｔ２の開始時点における変化率は大きいが、その後、変化率が指数関数的に減少することで、ヘッド位置信号に現れるゲイン切替えによる振動を抑制し、更に積分ゲインを１に戻すことで、トラックフォローイング制御におけるトラックキング精度を高めるように振動振幅を抑え込むことができる。
【００７０】
この図５（Ｂ）〜（Ｄ）に示したモード１〜３の各積分ゲインの切替特性は、直線１２０、曲線１２２，１２４を時間的にサンプリングした離散データとしてメモリに保持しておくことで、所定のサンプリング周期ごとにゲイン切替えを実行して、ｎ倍ゲインから１倍ゲインに積分ゲインを切り替えることができる。
【００７１】
もちろん、積分ゲインの切替えは図５のモード１〜３に限定されず、ヘッド位置信号の振幅が大きく変動することなく積分ゲインをｎ倍から１倍に切り替えることができるゲイン切替えであれば、適宜のゲイン切替えのプロフィールを用いることができる。
【００７２】
次に、位置制御を開始した時点で積分ゲインを上げた状態に保持する保持時間について説明する。
【００７３】
図５の位置制御における時刻ｔ１〜ｔ２の積分ゲインをｎ倍に上げている保持時間Ｔは、磁気ディスク装置の使用温度によって最適化することができる。この積分ゲインを上げている保持時間Ｔは、そのときの温度でのヘッドアクチュエータの機械的なバイアス特性に依存している。
【００７４】
ヘッドアクチュエータの機械的なバイアス特性に対し、ヘッドアクチュエータをディスク媒体の各トラック位置に移動したときの機械的なバイアスを打ち消すため、ディスク装置のキャリブレーションにおいてヘッドをインナーからアウターに移動した際の各トラック位置でヘッドを保持するためのバイアス電流を測定し、このバイアス電流を制御テーブルに格納して、シーク制御やヘッドフォローイング制御に使用している。
【００７５】
図６は常温におけるヘッドアクチュエータのバイアス電流のシーク位置に対する測定結果である。バイアス電流はシーク位置によって変化すると同時に、ヘッドアクチュエータをアウターからインナー方向に移動するフォワード方向、逆にインナーからアウター方向に移動するリバース方向において、同じシリンダ位置でもバイアス電流が異なるヒステリシスを持っている。
【００７６】
バイアス電流は、フォワード方向については実線で示すフォワード方向バイアス電流特性１２６−１となり、リバース方向については破線で示すリバース方向バイアス電流特性１２８−１となる。
【００７７】
このヒステリシスを持ったフォワード方向バイアス電流特性１２６−１とリバース方向バイアス電流特性１２８−１につき、例えばシリンダ位置Ｘのバイアス電流を見ると、フォワード方向はバイアス電流Ｉ１と大きく、リバース方向はバイアス電流Ｉ２と小さく、バイアス電流差ΔＩ１を生じている。
【００７８】
図７は高温時のシーク位置に対するバイアス電流の測定結果であり、高温時には実線のフォワード方向バイアス電流特性１２６−２に対し破線のリバース方向バイアス電流特性１２８−２が、ヘッドアクチュエータの機械的なばらつきにもよるが常温と比較して小さくなる傾向にある。即ち、図６と同じＸシリンダにおけるフォワード方向バイアス電流Ｉ１とリバース方向バイアス電流Ｉ２のバイアス電流差ΔＩ２は、図６の常温のバイアス電流差ΔＩ１に比べ小さくなる。
【００７９】
図８は低温時のシーク時に対するフォワード方向バイアス電流特性１２６−３とリバース方向バイアス電流特性１２８−３であり、図６の常温時と同じシリンダＸにおけるフォワード方向バイアス電流にＩ１とリバース方向バイアス電流Ｉ２のバイアス電流差ΔＩ３は、図６の常温時と比べ大きくなる傾向にある。
【００８０】
このようなヘッドアクチュエータにおけるフォワード方向とリバース方向のバイアス電流差ΔＩにつき、バイアス電流差ΔＩが大きいほど積分ゲインをｎ倍としている保持時間Ｔを延ばす必要があることが実験的に確認されている。したがって、低温時には積分ゲインをｎ倍とする保持時間Ｔを延ばし、常温または高温時には積分ゲインをｎ倍とする保持時間Ｔを短く設定することにより、温度条件によって積分ゲインを上げている保持時間の最適化を図ることができる。
【００８１】
このような図６〜図８に示したバイアス電流のキャリブレーションの結果から、例えば図９のようなバイアス電流差ΔＩをパラメータとした温度に対する保持時間Ｔを最適化するための特性グラフを求めることができる。図９の特性１３０−１はバイアス電流差ΔＩ＝２０ミリアンペアの場合であり、特性１３０−２はバイアス電流差ΔＩ＝１０ミリアンペアの場合であり、更に特性１３０−３はバイアス電流差ΔＩ＝４０ミリアンペアの場合である。
【００８２】
図９の特性グラフは、本実施形態にあっては図１の不揮発メモリ３２に制御テーブル５８として格納されている。
【００８３】
図１０は図９の特性グラフに基づいて作成した制御テーブル５８の説明図であり、バイアス電流差１３２としてΔ＝１０ミリアンペア、２０ミリアンペア、４０ミリアンペアのそれぞれにつき、温度１３４として装置使用温度範囲の各温度を０℃、２５℃、６０℃とし、それぞれの保持時間Ｔ１１〜Ｔ３３を格納している。
【００８４】
図９の特性グラフを使用した積分ゲインを上げている保持時間Ｔの決定は、例えば磁気ディスク装置の起動時の初期化処理において、ヘッドアクチュエータをフォワード方向に移動した際とリバース方向に移動した際の特定の測定トラックＸにおけるバイアス電流を検出して、そのバイアス電流差ΔＩを求め、例えばバイアス電流差ΔＩが２０ミリアンペアであれば図９の特性１３０−１を選択し、特性１３０−１につき、そのときの検出温度例えば２５℃に対応した保持時間ＴとしてＴ＝２ｍｓを決定する。
【００８５】
更に装置の動作中にあっては、所定値を超える温度変動を検出した際に、起動時と同様にフォワード方向とリバース方向のバイアス電流差を検出して図９の特性の選択をやり直し、新たに選択した特性につき、そのときの温度に対応した保持時間Ｔを決定するようにする。なお図９にあっては、バイアス電流差ΔＩ＝１０ミリアンペア、２０ミリアンペア、４０ミリアンペアの３つの特性しか得ていないことから、その間の特性については、隣接する２つの特性の補間計算により求めた特性を使用すればよい。
【００８６】
この点は図１０の制御テーブルを使用した場合も同様であり、バイアス電流差ΔＩの１０ミリアンペアを下限、バイアス電流差ΔＩの４０ミリアンペアを上限とした場合、それ以外については補間計算により各温度における保持時間を求めればよい。また温度１３４についても０℃、２５℃、６０℃の３点しか取っていないことから、その間については補間計算による温度に対応した保持時間を計算して使用すればよい。もちろん最初から、ある程度の分解能を持ったバイアス電流差、温度に対応した保持時間を制御テーブル５８として作成しておいてもよい。
【００８７】
図１１は図１の実施形態によるシーク制御のフローチャートである。図１１において、磁気ディスク装置１０の電源を投入すると、ステップＳ１で所定の初期化処理が行われ、初期化処理の１つとして、ステップＳ２で位置制御に使用する積分ゲインを上げている保持時間の設定処理が実行される。
【００８８】
続いてステップＳ３でホストからのコマンド受信の有無をチェックしており、コマンド受信がなければ、ステップＳ１４で所定温度を超える温度変化があるか否かチェックしており、もし所定値を超える温度変化があった場合にはステップＳ２に戻り、積分ゲインを上げている保持時間の設定処理をやり直す。
【００８９】
ステップＳ３でコマンドを受信すると、ステップＳ４で目標トラックまでのトラック残数に応じた速度制御を移動制御部５２が行い、ステップＳ５でトラック残数が所定値以下に達すると、ステップＳ６で位置制御部５４が動作し、ｎ倍の積分ゲインを設定したＰＩ制御による位置制御が開始される。
【００９０】
続いてステップＳ７で目標トラックへの到達を判別すると、ステップＳ８で移動制御部５２による速度制御を停止し、位置制御を有効とするセトリング制御に移行する。この位置制御が行われるセトリング中にあっては、ステップＳ９で位置制御の開始からの経過時間を計測し、ｎ倍の積分ゲインの保持時間が経過したか否か判定している。この場合の保持時間はステップＳ２で設定された時間である。
【００９１】
保持時間が経過するとステップＳ１０に進み、ｎ倍の積分ゲインを１倍の積分ゲインに切り替えるゲイン切替処理を実行する。このゲイン切替えは図５の（Ｂ）〜（Ｄ）に示したいずれかのゲイン切替えとする。続いてステップＳ１１でヘッド位置がセトリングスライス以下となったか否かチェックしており、セトリングスライス以下に納まった場合には、ステップＳ１２でアクセス許可信号が出力されることでシーク終了を認識し、ステップＳ３で受信したコマンドに基づくライト動作またはリード動作を実行する。このような処理をステップＳ１３で停止指示があるまで繰り返す。
【００９２】
図１２は図１１のステップＳ２の積分ゲイン保持時間設定処理の詳細を示したフローチャートである。この保持時間設定処理にあっては、ステップＳ１でヘッドアクチュエータをフォワード方向にシークして測定トラックＸのバイアス電流Ｉ１を測定し、次にステップＳ２でヘッドアクチュエータをリバース方向にシークして測定トラックＸのバイアス電流Ｉ２を測定し、ステップＳ３でバイアス電流差ΔＩを算出する。
【００９３】
続いてステップＳ４でバイアス電流差ΔＩに対応する温度と保持時間の特性を例えば図１０の制御テーブル５８から選択し、ステップＳ５でそのときの検出温度に対応したｎ倍ゲインの保持時間Ｔを温度と保持時間の特性から決定する。
【００９４】
また本実施形態において、図１の不揮発メモリ３２に格納されるシーク制御部５０の機能を実現するプログラムとしては、図１１のフローチャート及び図１２のフローチャートの内容を備えたプログラムである。
【００９５】
なお本実施形態にあっては、目標トラックに到達し位置制御を開始したときに積分ゲインをｎ倍に上げてＰＩ演算による位置制御を行っているが、この積分ゲインを上げる倍数ｎは装置のキャリブレーションを通じて最適な値を決定すればよい。
【００９６】
また図１の実施形態にあっては、シーク制御部５０の機能をＭＰＵ２６のプログラム制御により実現しているが、シーク制御部５０を含むサーボ制御専用のチップとして更にＤＳＰを設け、このＤＳＰにシーク制御部５０の機能を持たせるようにしてもよい。
【００９７】
また本実施形態にあっては、サーボコントローラとして移動制御部５２と位置制御部５４の両方を共用する２自由度の制御系を例に取るものであったが、移動制御部と位置制御部につき個別にサーボコントローラを設け、２つのサーボコントローラの結果を同じ制御対象となるＶＣＭに出力する制御系としてもよい。
【００９８】
また本実施形態は記憶装置として磁気ディスク装置を例に取るものであったが、ディスク媒体上のトラックに対しヘッドをアクチュエータの駆動で移動して位置決めする構造の記憶装置であれば、適宜の記憶装置にそのまま適用することができる。
【００９９】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【０１００】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記）
（付記１）
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御部と、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御部と、
前記位置制御部の制御開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持部と、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替部と、
を設けたことを特徴とする記憶装置。（１）
【０１０１】
（付記２）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン切替部、前記上げている積分ゲインを直線的に減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とする記憶装置。
【０１０２】
（付記３）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン切替部部は、前記上げている積分ゲインを、切替区間の前段で緩やかに減少させ、中段で急激に変化させ、更に後段で緩やかに変化させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とすることを特徴とする記憶装置。
【０１０３】
（付記４）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン切替部部は、前記上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とすることを特徴とする記憶装置。（２）
【０１０４】
（付記５）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン保持部は、温度を検出し、検出した温度に応じて前記上げている積分ゲインの保持時間を決定することを特徴とする記憶装置。（３）
【０１０５】
（付記６）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン保持部は、前記保持時間を温度が低いほど長く、温度が高くなるほど短くなるように決定することを特徴とする記憶装置。
【０１０６】
（付記７）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記ゲイン保持部は、装置の使用温度範囲の各温度に対応して保持時間を格納した制御テーブルを有し、装置の起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、前記制御テーブルから検出温度に対応した保持時間を取得して設定することを特徴とする記憶装置。
【０１０７】
（付記８）
付記１記載の記憶装置に於いて、
前記制御テーブルは、前記ヘッドアクチュエータをフォワード方向に駆動した際のバイアス電流とリバース方向に駆動した際のバイアス電流とのバイアス電流差をパラメータとして前記使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を格納し、
前記ゲイン保持部は、装置起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、前記バイアス電流差を測定し、測定したバイアス電流差をパラメータとする前記使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を選択して使用することを特徴とする記憶装置。
【０１０８】
（付記９）
付記１記載の記憶装置に於いて、
前記移動制御部は、ヘッドが現在位置するトラックから目標トラックまでのトラック残数に応じて前記ヘッドアクチュエータを速度制御し、前記目標トラックへの到達で速度制御を停止し、
前記位置制御部は、前記速度制御により目標トラックに対するトラック残数が所定値に低下した際に、積分ゲインを上げた状態とした比例積分演算による位置制御を開始することを特徴とする記憶装置。
【０１０９】
（付記１０）
記憶装置のシーク制御方法に於いて、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
前記位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を設けたことを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。（５）
【０１１０】
（付記１１）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン切替ステップは、前記上げている積分ゲインを直線的に減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とすることを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１１】
（付記１２）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン切替ステップは、前記上げている積分ゲインを、切替区間の前段で緩やかに減少させ、中段で急激に減少させ、更に後段で緩やかに減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とすることを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１２】
（付記１３）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン切替ステップは、前記上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の積分ゲインに切替えることを特徴とすることを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１３】
（付記１４）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン保持ステップは、温度を検出し、検出した温度に応じて前記上げている積分ゲインの保持時間を決定することを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１４】
（付記１５）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン保持ステップは、前記保持時間を温度が低いほど長く、温度が高くなるほど短くなるように決定することを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１５】
（付記１６）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、前記ゲイン保持ステップは、装置の使用温度範囲の各温度に対応して保持時間を格納した制御テーブルを有し、装置の起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、前記制御テーブルから検出温度に対応した保持時間を取得して設定することを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１６】
（付記１７）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、
前記制御テーブルは、前記ヘッドアクチュエータをフォワード方向に駆動した際のバイアス電流とリバース方向に駆動した際のバイアス電流とのバイアス電流差をパラメータとして前記使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を格納し、
前記ゲイン保持ステップは、装置起動時又は装置使用中に所定値を超える温度変動を検出した時に、前記バイアス電流差を測定し、測定したバイアス電流差をパラメータとする前記使用温度範囲の各温度に対する保持時間の特性を選択して使用することを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１７】
（付記１８）
付記１０記載の記憶装置のシーク制御方法に於いて、
前記移動制御ステップは、ヘッドが現在位置するトラックから目標トラックまでのトラック残数に応じて前記ヘッドアクチュエータを速度制御し、前記目標トラックへの到達で速度制御を停止し、
前記位置制御ステップは、前記速度制御により目標トラックに対するトラック残数が所定値に低下した際に、積分ゲインを上げた状態とした比例積分演算による位置制御を開始することを特徴とする記憶装置のシーク制御方法。
【０１１８】
（付記１９）
記憶装置のコンピュータに、
ヘッドアクチュエータの駆動によりヘッドを媒体上の目標トラックに向けて移動制御する移動制御ステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラックセンタに対するヘッド位置との偏差を無くすように前記ヘッドアクチュエータを比例積分演算により位置制御する位置制御ステップと、
前記位置制御ステップの位置制御の開始から所定の保持時間の間、前記比例積分演算の積分ゲインを上げた状態に保持するゲイン保持ステップと、
前記保持時間が経過した時点で、前記上げている積分ゲインを滑らかに元の積分ゲインに切り替えるゲイン切替ステップと、
を実行させるを特徴とするシーク制御プログラム。（５）
【０１１９】
（付記２０）
付記１９記載のシーク制御プログラムに於いて、前記ゲイン切替ステップは前記コンピュータに、
前記上げている積分ゲインを直線的に減少させて元の積分ゲインとする切替え、
前記上げている積分ゲインを、切替区間の前段で緩やかに減少させ、中段で急激に減少させ、更に後段で緩やかに減少させて元の積分ゲインとする切替え、又は、
前記上げている積分ゲインを指数関数的に減少させて元の積分ゲインとする切替え、
を実行させることを特徴とすることを特徴とするシーク制御プログラム。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明による磁気ディスク装置の実施形態を示したブロック図
【図２】図１の実施形態によるシーク制御のタイムチャート
【図３】図１の実施形態におけるシーク制御の機能構成のブロック図
【図４】図３のＰＩ制御部の詳細を示したブロック図
【図５】本実施形態における積分ゲイン切替え制御の説明図
【図６】室温環境で測定したヘッドアクチュエータのバイアス電流測定結果の説明図
【図７】高温環境で測定したヘッドアクチュエータのバイアス電流測定結果の説明図
【図８】低温環境で測定したヘッドアクチュエータのバイアス電流測定結果の説明図
【図９】バイアス電流差をパラメータとした温度と積分ゲインを上げている保持時間の関係を示した特性図
【図１０】図１の実施形態に設けた制御テーブルの説明図
【図１１】図１の実施形態によるシーク制御のフローチャート
【図１２】図１１のステップＳ２の積分ゲインを上げている保持時間の設定処理の詳細を示したフローチャート
【図１３】従来の位置制御によるセトリングスライス内に納まるまでのヘッド位置信号の挙動をアクセス許可信号と共に示したタイムチャート
【図１４】位置制御の積分ゲインを１とした場合のヘッド位置信号の挙動をアクセス許可信号と共に示したタイムチャート
【図１５】位置制御の積分ゲインをｎ倍した場合のヘッド位置信号の挙動をアクセス許可信号と共に示したタイムチャート
【図１６】位置制御の積分ゲインを１とした場合のトラック追従制御におけるヘッド位置信号の挙動をアクセス許可信号と共に示したタイムチャート
【図１７】位置制御の積分ゲインをｎ倍した後にトラック追従制御中に積分ゲインを１に切替えた場合のヘッド位置信号の挙動をアクセス許可信号と共に示したタイムチャート
【符号の説明】
【０１２１】
１０：磁気ディスク装置
１２：ディスクエンクロージャ
１４：制御ボード
１６：スピンドルモータ（ＳＰＭ）
１８：ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
２０：磁気ディスク媒体
２２−１，２２−２：ヘッド
２４：ヘッドＩＣ
２６：ＭＰＵ
２８：バス
３０：メモリ
３２：不揮発メモリ
３４：ホストインタフェース制御部
３６：バッファメモリ制御部
３８：バッファメモリ
４０：ハードディスクコントローラ
４２：リードチャネル
４４：サーボ復調部
４６：ＶＣＭ回路
４８：ＳＰＭ駆動回路
５０：シーク制御部
５２：移動制御部
５４：位置制御部
５６：サーボコントローラ
５８：制御テーブル
６０：目標速度設定部
６２：ヘッド速度レジスタ
６４，６８，７０，７６，８２，９２：加算部
６６，８４：補正フィルタ
７２：ＰＩ制御部
７４：制御対象
７８：目標位置設定部
８０：ヘッド位置レジスタ
８６：比例演算部
８８：遅延部
９０：積分演算部
９４：ゲイン制御部
９６：ゲイン保持部
９８：ゲイン切替部
【図１】
2007207375.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007207375.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007207375.tif 000012
【図１１】
2007207375.tif 000013
【図１２】
2007207375.tif 000014
【図１３】
2007207375.tif 000015
【図１４】
2007207375.tif 000016
【図１５】
2007207375.tif 000017
【図１６】
2007207375.tif 000018
【図１７】
2007207375.tif 000019