(57)【要約】【課題】優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現可能とする。【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、真空チャンバと、その中で被処理体を保持するホルダと、蒸発材料ＥＭを収容するリザーバＲＳＶと、リザーバＲＳＶ内の蒸発材料ＥＭを加熱して気化させるヒータと、給気口がリザーバＲＳＶの排気口に接続された流量調整器ＦＣと、給気口が流量調整器ＦＣの排気口に接続されると共に気化した蒸発材料ＥＭを被処理体に向けて噴き出すノズルヘッドＮＨとを含んだ蒸発ユニットＥＵとを具備する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内で被処理体を保持するホルダと、
蒸発材料を収容するリザーバと、前記リザーバ内の前記蒸発材料を加熱して気化させるヒータと、給気口が前記リザーバの排気口に接続された流量調整器と、給気口が前記流量調整器の排気口に接続されると共に気化した前記蒸発材料を前記被処理体に向けて噴き出すノズルヘッドとを含んだ蒸発ユニットとを具備したことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記ノズルヘッドは前記ノズルヘッドの噴出方向と交差する第１方向に並んだ複数のノズルを備えたことを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
前記被処理体を前記ノズルヘッドに対して前記噴出方向及び前記第１方向と交差する第２方向に相対移動させる移動機構をさらに具備したことを特徴とする請求項２に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記流量調整器と前記ノズルヘッドとを接続している流路は、前記流量調整器から前記ノズルヘッドへ向けて拡径していることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
前記流量調整器と前記ノズルヘッドとを接続している流路内に複数の制流板が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
前記流量調整器と前記ノズルヘッドとは複数の流路を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着装置は、様々な物品の製造に利用されている。例えば、特許文献１には、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置の製造において、真空蒸着法により、有機ＥＬ素子の有機物層を形成することが記載されている。
【０００３】
ところで、真空蒸着装置には、複数のノズルを含んだ蒸発ユニットを使用しているものがある。そのような装置を用いて厚さが均一な膜を形成するうえでは、多くの場合、ノズルの噴出量を互いに等しくすることが有利である。しかしながら、蒸発材料を気化させるべく、例えば、蒸発材料を収容したリザーバを一様に加熱すると、中央のノズルは端のノズルと比較して噴出量がより多くなり易い。
【０００４】
均一な噴出量は、例えば、リザーバの端の部分をリザーバの中央の部分と比較してより高い温度に加熱することにより実現できる。但し、この場合、リザーバの端の部分では、リザーバの中央の部分と比較して、蒸発材料がより速く減少する。
【０００５】
リザーバの端の部分で蒸発材料が尽きると、噴出量の均一性が著しく低下する。そのため、リザーバの端の部分で蒸発材料が尽きる前に蒸着プロセスを終了する必要がある。
【０００６】
この蒸発材料が例えば有機ＥＬ素子の有機物層の材料である場合、リザーバ内に残留した蒸発材料は再利用することができない。それゆえ、優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現することは難しい。
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によると、真空チャンバと、前記真空チャンバ内で被処理体を保持するホルダと、蒸発材料を収容するリザーバと、前記リザーバ内の前記蒸発材料を加熱して気化させるヒータと、給気口が前記リザーバの排気口に接続された流量調整器と、給気口が前記流量調整器の排気口に接続されると共に気化した前記蒸発材料を前記被処理体に向けて噴き出すノズルヘッドとを含んだ蒸発ユニットとを具備したことを特徴とする真空蒸着装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の第１態様に係る真空蒸着装置を概略的に示す図である。図２は、図１の真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図である。図３は、図１の真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図である。
【００１２】
図１には、基板上に有機物層を形成するのに使用可能な真空蒸着装置を描いている。この真空蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置の製造において有機ＥＬ素子の有機物層を形成するのに使用する。
【００１３】
図１の真空蒸着装置は、真空チャンバＶＣと、コントローラＣＮＴと、図示しない移動機構とを含んでいる。
【００１４】
真空チャンバＶＣは、図示しない真空排気系に接続されている。真空チャンバＶＣは、典型的には、複数の真空チャンバで薄膜を順次成膜するマルチチャンバ型枚葉式装置に組み込まれる。
【００１５】
真空チャンバＶＣ内には、ホルダＨＬＤと膜厚センサＳＮＳと蒸発ユニットＥＵとが配置されている。
【００１６】
ホルダＨＬＤは、被処理体ＷＲＫを、その被成膜面が蒸発ユニットＥＵと向き合うように着脱可能に支持している。本態様では、被処理体ＷＲＫは基板である。ホルダＨＬＤは、基板ＷＲＫを、その被成膜面が略水平となるように及び蒸発ユニットＥＵと向き合うように着脱可能に支持している。また、本態様では、ホルダＨＬＤは、基板ＷＲＫを支持する基板ホルダと、任意に使用するマスクＭＳＫを支持するマスクホルダとを兼ねている。なお、水平面はＸ方向及びＹ方向に対して略平行であり且つＺ方向に対して略垂直である。また、Ｘ方向とＹ方向とＺ方向とは互いに直交している。
【００１７】
膜厚センサＳＮＳは、例えば、水晶板の両面に電極を配置した構造を含んでおり、コントローラＣＮＴと共に水晶膜厚計を構成している。膜厚センサＳＮＳは、基板ＷＲＫとＸ方向に隣り合うように配置されている。典型的には、膜厚センサＳＮＳは、その検出部の高さが基板ＷＲＫの被成膜面の高さとほぼ等しくなるように配置される。
【００１８】
蒸発ユニットＥＵは、図２及び図３に示すように、リザーバ（又は坩堝）ＲＳＶと、カーボン基材ＣＳと、蓋部ＣＰと、導管ＣＤａ及びＣＤｂと、流量調整器ＦＣと、ノズルヘッドＮＨと、ヒータＨＴ１、ＨＴ２ａ、ＨＴ２ｂ及びＨＴ３とを含んでいる。
【００１９】
リザーバＲＳＶは、Ｙ方向に細長い箱形状を有している。リザーバＲＳＶは、蒸発材料ＥＭを収容する。リザーバＲＳＶは、例えば、石英、金属材料、カーボンなどからなる。
【００２０】
カーボン基材ＣＳは、リザーバＲＳＶと同様、Ｙ方向に細長い箱形状を有している。カーボン基材ＣＳは、リザーバＲＳＶを取り外し可能に収容している。
【００２１】
ヒータＨＴ１は、カーボン基材ＣＳの外面に取り付けられた抵抗加熱ヒータである。なお、抵抗加熱ヒータを構成する導体とカーボン基材ＣＳとの間には、絶縁層を介在させる。
【００２２】
蓋部ＣＰは、リザーバＲＳＶの開口を塞いでいる。蓋部ＣＰには、貫通孔が設けられている。蓋部ＣＰは、例えば、リザーバＲＳＶと同じ材料からなる。リザーバＲＳＶをカーボン基材ＣＳから取り外す際には、例えば、蓋部ＣＰをリザーバＲＳＶに対してＺ方向に相対移動させる。
【００２３】
導管ＣＤａの一端は、蓋部ＣＰに取り付けられている。導管ＣＤａ内の流路は、蓋部ＣＰの貫通孔を介して、リザーバＲＳＶ内の空間と連絡している。導管ＣＤａは、例えば、蓋部ＣＰと同じ材料からなる。導管ＣＤａは省略してもよい。
【００２４】
ヒータＨＴ２ａは、導管ＣＤａの外面に取り付けられた抵抗加熱ヒータである。導管ＣＤａが導体である場合、抵抗加熱ヒータを構成する導体と導管ＣＤａとの間には、絶縁層を介在させる。
【００２５】
流量調整器ＦＣの給気口には、導管ＣＤａの他端が取り付けられている。流量調整器ＦＣの給気室は、導管ＣＤａ内の流路と蓋部ＣＰの貫通孔とを介して、リザーバＲＳＶ内の空間と連絡している。流量調整器ＦＣとしては、例えば、絞り弁などを使用することができる。
【００２６】
導管ＣＤ２ｂの一端は、流量調整器ＦＣの排気口に接続されている。導管ＣＤｂは省略してもよい。
【００２７】
ヒータＨＴ２ｂは、導管ＣＤｂの外面に取り付けられた抵抗加熱ヒータである。導管ＣＤｂが導体である場合、抵抗加熱ヒータを構成する導体と導管ＣＤｂとの間には、絶縁層を介在させる。
【００２８】
ノズルヘッドＮＨは、Ｙ方向に細長い中空構造を有している。ノズルヘッドＮＨの底部には、貫通孔が設けられている。ノズルヘッドＮＨの底部には、導管ＣＤｂの他端が取り付けられている。ノズルヘッドＮＨ内の空間は、導管ＣＤｂ内の流路を介して、流量調整器ＦＣの排気室と連絡している。ノズルヘッドＮＨの上部には、複数の貫通孔が設けられている。これら貫通孔はＹ方向に並んでおり、各々がノズルＮＺＬを形成している。
【００２９】
ヒータＨＴ３は、ノズルヘッドＮＨの外面に取り付けられた抵抗加熱ヒータである。ノズルヘッドＮＺＬが導体である場合、抵抗加熱ヒータを構成する導体とノズルヘッドＮＺＬとの間には、絶縁層を介在させる。
【００３０】
移動機構は、基板ＷＲＫに対して、蒸発ユニットＥＵをＸ方向に相対的に移動させる。典型的には、移動機構は、蒸発ユニットＥＵをＸ方向に移動させる。
【００３１】
コントローラＣＮＴには、膜厚センサＳＮＳとヒータＨＴ１とが接続されている。上記の通り、コントローラＣＮＴは、膜厚センサＳＮＳと共に水晶膜厚計を構成している。コントローラＣＮＴは、膜厚センサＳＮＳの出力に基づいてヒータＨＴ１に供給する電力の大きさを制御する。加えて、コントローラＣＮＴは、移動機構の動作を制御する。
【００３２】
この装置を用いた成膜は、例えば、以下の方法により行う。  
まず、真空チャンバＶＣ内を真空とする。このとき、リザーバＲＳＶは、形成すべき層の材料を蒸発材料ＥＭとして収容している。
【００３３】
次に、ヒータＨＴ１に電力を供給し、リザーバＲＳＶを十分に昇温させる。これにより、リザーバＲＳＶ内の蒸発材料ＥＭを気化させる。また、ヒータＨＴ２ａ、ＨＴ２ｂ及びＨＴ３にも電力を供給し、導管ＣＤａ及びＣＤｂ並びにノズルヘッドＮＨを十分に昇温させる。ヒータＨＴ２ａ、ＨＴ２ｂ及びＨＴ３への電力供給は、例えば、導管ＣＤａ及びＣＤｂ並びにノズルヘッドＮＨの温度がリザーバＲＳＶの温度とほぼ等しくなるように制御する。
【００３４】
リザーバＲＳＶ内で気化した蒸発材料ＥＭはノズルＮＺＬから噴き出る。噴き出た蒸発材料ＥＭは、膜厚センサＳＮＳの検出部に堆積する。コントローラＣＮＴは、膜厚センサＳＮＳの出力に基づいて、ヒータＨＴ１に供給する電力の大きさを制御する。このフィードバック制御により、蒸発材料ＥＭの蒸着レートを目標値とほぼ等しくする。
【００３５】
その後、基板ＷＲＫを、真空を維持したまま、真空チャンバＶＣ内に搬送する。真空チャンバＶＣでは、基板ＷＲＫは、その主面が水平面と略平行となるようにホルダＨＬＤに支持させる。
【００３６】
続いて、ノズルＮＺＬから蒸発材料ＥＭを噴き出させたまま、蒸発ユニットＥＵをＸ方向に一定の速度で移動させる。ノズルＮＺＬから噴き出た蒸発材料ＥＭは、マスクＭＳＫに設けた貫通孔を通って基板ＷＲＫ上に堆積する。このようにして、マスクＭＳＫのパターンに対応した薄膜パターンが得られる。
【００３７】
次に、真空を維持したまま、処理後の基板ＷＲＫを真空チャンバＶＣから搬出し、蒸発ユニットＥＵを膜厚センサＳＮＳの下方に移動させる。次いで、２枚目の基板ＷＲＫを真空チャンバＶＣに搬入すると共に、先のフィードバック制御を行う。その後、２枚目の基板ＷＲＫに対しても、１枚目の基板ＷＲＫに対して行ったのと同様の成膜を行う。３枚目以降の基板ＷＲＫは、これと同様の方法により処理する。
【００３８】
なお、この方法で、混合物からなる膜，例えばホスト材料とドーパント材料との混合物からなる有機ＥＬ素子の発光層，を形成する場合には、リザーバＲＳＶ中に蒸発材料としてホスト材料を収容した蒸発ユニットＥＵとリザーバＲＳＶ中に蒸発材料としてドーパント材料を収容した蒸発ユニットＥＵとをＸ方向に並べる。そして、上記と同様の方法により蒸着を行う。これにより、ホスト材料とドーパント材料との混合物からなる発光層が得られる。
【００３９】
さて、この真空蒸着装置によると、優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現することができる。これについて、先の真空蒸着装置を比較例に係る真空蒸着装置と対比しながら説明する。
【００４０】
図４は、比較例に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す切開正面図である。図５は、比較例に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す切開側面図である。
【００４１】
比較例に係る真空蒸着装置は、蒸発ユニットＥＵに図４及び図５の構造を採用したこと以外は、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置とほぼ同様の構造を有している。
【００４２】
図４及び図５の蒸発ユニットＥＵは、リザーバ（又は坩堝）ＲＳＶと、カーボン基材ＣＳと、蓋部ＣＰ’と、ヒータＨＴ１とを含んでいる。
【００４３】
リザーバＲＳＶとカーボン基材ＣＳとヒータＨＴ１とは、図２及び図３に示したのと同様の構造を有している。
【００４４】
蓋部ＣＰ’は、リザーバＲＳＶの開口を塞いでいる。蓋部ＣＰ’には、複数の貫通孔が設けられている。これら貫通孔はＹ方向に並んでおり、各々がノズルＮＺＬを形成している。
【００４５】
蓋部ＣＰ’に設けたノズルＮＺＬの配置は、図２及び図３のノズルヘッドＮＨに設けたノズルＮＺＬの配置と同様である。また、蓋部ＣＰ’と基板ＷＲＫとの間のＺ方向に沿った距離は、ノズルヘッドＮＨと基板ＷＲＫとの間のＺ方向に沿った距離と等しい。
【００４６】
図４及び図５の蒸発ユニットＥＵを使用した場合、先に説明した通り、リザーバＲＳＶを一様に加熱すると、図４に示す中央のノズルＮＺＬは、端のノズルＮＺＬと比較して、気化した蒸発材料ＥＭの噴出量がより多くなり易い。噴出量を均一にするべく、リザーバＲＳＶの端の部分を中央の部分と比較してより高い温度に加熱すると、リザーバＲＳＶの端の部分では、中央の部分と比較して、蒸発材料ＥＭがより速く減少する。リザーバＲＳＶの端の部分で蒸発材料ＥＭが尽きると、噴出量の均一性が著しく低下する。
【００４７】
図２及び図３の蒸発ユニットＥＵでは、リザーバＲＳＶとは別にノズルヘッドＮＨを設け、リザーバＲＳＶとノズルヘッドＮＨとは流量調整器ＦＣを介して接続している。流量調整器ＦＣは、リザーバＲＳＶ内の空間を、ノズルヘッドＮＨ内の空間と比較してより高い圧力に設定する。それゆえ、例え、リザーバＲＳＶ内の空間で、気化した蒸発材料ＥＭ，すなわち、蒸発材料ガス，の大きな濃度勾配が生じたとしても、これに起因して、ノズルヘッドＮＨ内の空間で蒸発材料ガスの濃度勾配が生じることはない。したがって、例えば、ノズルヘッドＮＨの構造を最適化することなどにより、ガス噴出量をノズルＮＺＬ間でほぼ等しくすることができる。
【００４８】
また、図２及び図３の蒸発ユニットＥＵでは、リザーバＲＳＶにおける蒸発材料ＥＭの残量が減少しても、先のフィードバック制御により、リザーバＲＳＶからノズルヘッドＮＨへの蒸発材料ガスの供給量をほぼ一定に保つことができる。それゆえ、リザーバＲＳＶにおける蒸発材料ＥＭの残量は、ノズルＮＺＬ間でのガス噴出量の均一性に影響を及ぼさない。
【００４９】
したがって、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置によると、リザーバＲＳＶ内の蒸発材料ＥＭをほぼ使い尽くすまで、膜厚均一性に優れた薄膜を形成することができる。すなわち、本態様によると、優れた膜厚均一性と蒸発材料の高い利用効率とを同時に実現することが可能となる。
【００５０】
図６は、リザーバ内の蒸発材料の残量と膜厚均一性との関係の例を示すグラフである。図中、横軸はリザーバＲＳＶ内の蒸発材料ＥＭの残量を示し、縦軸は真空蒸着装置を用いて基板ＷＲＫに形成した薄膜の膜厚均一性を示している。また、参照符号Ｄ１は、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置を用いた場合に得られたデータを示し、参照符号Ｄ２は、図４及び図５を参照しながら説明した真空蒸着装置を用いた場合に得られたデータを示している。
【００５１】
図４に示すように、図４及び図５を参照しながら説明した真空蒸着装置を用いた場合、蒸発材料ＥＭの残量が約３０ｇより少なくなると、膜厚均一性が著しく低下した。これに対し、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置を用いた場合、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約４％の膜厚均一性を達成できた。
【００５２】
次に、本発明の第２態様について説明する。  
第２態様に係る真空蒸着装置は、蒸発ユニットＥＵに図７及び図８の構造を採用したこと以外は第１態様に係る真空蒸着装置と同様の構造を有している。
【００５３】
図７は、本発明の第２態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図である。図８は、本発明の第２態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図である。
【００５４】
図７及び図８の蒸発ユニットＥＵは、以下の構成を採用したこと以外は図２及び図３の蒸発ユニットＥＵと同様の構造を有している。
【００５５】
この蒸発ユニットＥＵは、流路の径がその長さに亘ってほぼ一定な導管ＣＤ２ｂの代わりに、末広ダクトＤＤを含んでいる。末広ダクトＤＤの開口径がより小さな端は、流量調整器ＦＣの排気口に接続されている。
【００５６】
ノズルヘッドＮＨには、図２及び図３に示すノズルヘッドＮＨと比較して、より大きな貫通孔が底部に設けられている。末広ダクトＤＤの開口径がより大きな端は、先の貫通孔の位置で、ノズルヘッドＮＨの底部に取り付けられている。
【００５７】
末広ダクトＤＤ内には、複数の制流板ＲＰが配置されている。これら制流板ＲＰは、例えば、Ｚ方向に隣り合う複数のＸＹ平面の各々の上で二次元的に配列させる。この場合、末広ダクトＤＤ内の流路のＺ方向に垂直な或る断面の面積ＳDDとこの断面を含むＸＹ平面上で配列した複数の制流板ＲＰの面積の和Ｓsumとの差ＳDD−Ｓsumは、これらＸＹ平面間で互いに等しくてもよく或いは異なっていてもよい。後者の場合、例えば、差ＳDD−Ｓsumが流量調整器ＦＣ側と比較してノズルヘッドＮＨ側でより大きくなるような設計を採用してもよい。また、先の断面において、単位領域に占める開口領域，すなわち、制流板ＲＰが存在していない領域，の面積比ＲSは、この断面の全ての部分で互いに等しくてもよく或いは異なっていてもよい。後者の場合、例えば、面積比ＲSが先の断面の中央と比較して周縁でより大きくなるような設計を採用してもよい。
【００５８】
この真空蒸着装置によると、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置と同様、蒸発材料ＥＭを高い効率で利用できる。また、この真空蒸着装置によると、末広ダクトＤＤ及び／又は分散板ＲＰに起因して、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置と比較してより優れた膜厚均一性を実現することができる。
【００５９】
例えば、上述した差ＳDD−ＳsumをＸＹ平面間で互いに等しくし且つ面積比ＲSを各断面の全ての部分で互いに等しくした場合には、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約２％の膜厚均一性を達成できた。また、差ＳDD−Ｓsumを流量調整器ＦＣ側と比較してノズルヘッドＮＨ側でより大きくし且つ面積比ＲSを各断面の全ての部分で互いに等しくした場合には、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約１％の膜厚均一性を達成できた。さらに、差ＳDD−ＳsumをＸＹ平面間で互いに等しくし且つ面積比ＲSを先の断面の中央と比較して周縁でより大きくした場合には、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約１％の膜厚均一性を達成できた。
【００６０】
次に、本発明の第３態様について説明する。  
第３態様に係る真空蒸着装置は、蒸発ユニットＥＵに図９及び図１０の構造を採用したこと以外は第１態様に係る真空蒸着装置と同様の構造を有している。
【００６１】
図９は、本発明の第３態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図である。図１０は、本発明の第３態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図である。
【００６２】
図９及び図１０の蒸発ユニットＥＵは、以下の構成を採用したこと以外は図２及び図３の蒸発ユニットＥＵと同様の構造を有している。
【００６３】
この蒸発ユニットＥＵは、１本の導管ＣＤ２ｂの代わりに、複数本の導管ＣＤ２ｂを含んでいる。これら導管ＣＤ２ｂは放射状に配置されており、各々の一端は流量調整器ＦＣの排気口に接続されている。
【００６４】
これら導管ＣＤ２ｂのコンダクタンスは、互いに等しくてもよく或いは異なっていてもよい。後者の場合、例えば、コンダクタンスが中央の導管ＣＤ２ｂと比較して端の導管ＣＤ２ｂでより大きくなるような設計を採用してもよい。
【００６５】
ノズルヘッドＮＨには、導管ＣＤ２ｂに対応して、複数の貫通孔が底部に設けられている。導管ＣＤ２ｂの他端は、先の貫通孔の位置で、ノズルヘッドＮＨの底部に取り付けられている。
【００６６】
この真空蒸着装置によると、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置と同様、蒸発材料ＥＭを高い効率で利用できる。また、この真空蒸着装置によると、複数の導管ＣＤ２ｂに起因して、図１乃至図３を参照しながら説明した真空蒸着装置と比較してより優れた膜厚均一性を実現することができる。
【００６７】
例えば、コンダクタンスを中央の導管ＣＤ２ｂと端の導管ＣＤ２ｂとで等しくした場合には、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約２％の膜厚均一性を達成できた。また、コンダクタンスを中央の導管ＣＤ２ｂと比較して端の導管ＣＤ２ｂでより大きくした場合には、蒸発材料ＥＭの残量に拘らず、約１％の膜厚均一性を達成できた。
【００６８】
第１乃至第３態様では、蒸発ユニットＥＵを移動させる構成を採用したが、その代わりに、基板ＷＲＫを移動させる構成を採用してもよい。また、第１乃至第３態様に係る真空蒸着装置は、マルチチャンバ型枚葉式装置に組み込まれてもよく、インライン型バッチ式の製造装置に組み込まれてもよい。
【００６９】
第１乃至第３態様では、リザーバＲＳＶをＹ方向に細長い形状としたが、リザーバＲＳＶはＹ方向に細長い形状を有している必要はない。第１乃至第３態様では、１つの流量制御器ＦＣを使用したが、複数の流量制御器ＦＣを使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１態様に係る真空蒸着装置を概略的に示す図。
【図２】図１の真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図。
【図３】図１の真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図。
【図４】比較例に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す切開正面図。
【図５】比較例に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す切開側面図。
【図６】リザーバ内の蒸発材料の残量と膜厚均一性との関係の例を示すグラフ。
【図７】本発明の第２態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図。
【図８】本発明の第２態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図。
【図９】本発明の第３態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開正面図。
【図１０】本発明の第３態様に係る真空蒸着装置が含む蒸発ユニットを概略的に示す部分切開側面図。
【符号の説明】
【００７１】
ＣＤａ…導管、ＣＤｂ…導管、ＣＮＴ…コントローラ、ＣＰ…蓋部、ＣＰ’…蓋部、ＣＳ…カーボン基材、ＤＤ…末広ダクト、ＥＵ…蒸発ユニット、ＦＣ…流量調整器、ＨＬＤ…ホルダ、ＨＴ１…ヒータ、ＨＴ２ａ…ヒータ、ＨＴ２ｂ…ヒータ、ＨＴ３…ヒータ、ＭＳＫ…マスク、ＮＨ…ノズルヘッド、ＮＺＬ…ノズル、ＲＰ…制流板、ＲＳＶ…リザーバ、ＳＮＳ…膜厚センサ、ＶＣ…真空チャンバ、ＷＲＫ…被処理体。
【図１】
2007314844.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007314844.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007314844.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007314844.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007314844.tif 000011
【図１０】
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