(57)【要約】【課題】  カーボンナノチューブトランジスタアレイ及びその製造方法に関し、特性が揃った、若しくは、耐圧特性が制御された複数個のカーボンナノチューブトランジスタのアレイを簡便に作製する。【解決手段】  共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を区分した複数のカーボンナノチューブ要素３のそれぞれに三端子電極４を設ける。【選択図】          図１
2007173428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブを区分した複数のカーボンナノチューブ要素のそれぞれに三端子電極を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
【請求項２】
上記一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブが、位置制御されて成長されたものであることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
【請求項３】
上記個々のカーボンナノチューブ要素に形成したトランジスタの内の少なくとも一つのトランジスタのソース−ドレイン間隔が、他のトランジスタの内の少なくとも一つのトランジスタのソース−ドレイン間隔と異なっていることを特徴とする請求項１または２に記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
【請求項４】
上記共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブが基板上に複数本設けられ、上記個々のトランジスタが二次元マトリクスアレイを構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
【請求項５】
基板上に触媒作用のある成長用ベースを形成し、前記成長用ベースを成長起点として位置制御された長尺成長半導体的カーボンナノチューブを成長させ、前記長尺成長半導体的カーボンナノチューブに対して複数の三端子電極を形成することを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカーボンナノチューブトランジスタアレイ及びその製造方法に関するものであり、特に、特性が揃った、もしくは、耐圧特性が制御された複数個のカーボンナノチューブトランジスタのアレイを簡便に作製するための構成に特徴のあるカーボンナノチューブトランジスタアレイ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を使用した電子デバイスが注目を集めているが、このカーボンナノチューブはグラフェンシート１枚を円柱状に丸めた一次元構造体で、カイラリティー（グラフェンシートの巻き方）により、金属的または半導体的な挙動を示すことが知られている。
【０００３】
この内、半導体的な挙動を示すカーボンナノチューブをチャネルに用いれば、トランジスタとして動作することになり、このカーボンナノチューブトランジスタ（ＣＮＴ−Ｔｒ）は、理論および一部の実験から、高速動作、高耐圧といった特徴を持つことが示されつつある。
【０００４】
その作製方法については、大別すると、分散型（例えば、特許文献１参照）と位置制御成長型（例えば、特許文献２参照）との２種類の方法が知られているので、ここで、図１０及び図１１を参照して分散型と位置制御成長型を説明する。
【０００５】
図１０参照  
図１０は分散型ＣＮＴ−Ｔｒの説明図であり、まず、ＣＮＴを成長させて、このＣＮＴを回収し、回収したＣＮＴを溶液中に溶解してＣＮＴ分散液を作成する。
次いで、絶縁性基板５１上にＣＮＴ分散液を塗布してＣＮＴ５２を基板上にばら撒く。
【０００６】
次いで、リフトオフ法を用いてソース・ドレイン電極５３を形成したのち、絶縁膜（図示を省略）を形成し、次いで、絶縁膜上にゲート電極（図示を省略）を形成することによってＣＮＴ−Ｔｒが形成される。
【０００７】
図１１参照  
図１１は位置制御成長型ＣＮＴ−Ｔｒの説明図であり、まず、サファイア基板等の絶縁性基板６１上にＣＮＴ成長用触媒金属６２をパターニングし、ＣＮＴ成長用触媒金属６２間にＣＮＴ６３を横方向成長させる。
【０００８】
次いで、リフトオフ法を用いてＣＮＴ成長用触媒金属６２を覆うようにソース・ドレイン電極６４を形成し、次いで、絶縁膜上にゲート電極（図示を省略）を形成することによってＣＮＴ−Ｔｒが形成される。
【特許文献１】特開２００５−１０１４２４号公報
【特許文献２】特開２００２−１１８２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、分散型の場合においては、ソースドレイン電極間に“たまたま”半導体的ＣＮＴが架橋した場合だけＣＮＴ−Ｔｒとして動作するものであり、また、位置制御成長型の場合もソースドレイン電極間に“たまたま”半導体的ＣＮＴが成長した場合だけＣＮＴ−Ｔｒとして動作するものである。
【００１０】
このようなソースドレイン電極間にＣＮＴが架橋するには歩留りがあり、且つ、架橋したとしても、架橋したＣＮＴが金属的になるか半導体的になるかどうかは、ＣＮＴの直径やカイラリティーに依存する。
【００１１】
さらに、半導体的ＣＮＴが架橋したとしても、半導体的ＣＮＴのバンドギャップは、ＣＮＴの直径やカイラリティーに依存するが、現状技術ではＣＮＴの直径やカイラリティーを制御することは極めて困難であるため、ＣＮＴ−Ｔｒの特性を制御することができないという問題がある。
【００１２】
即ち、上述の分散型や位置制御型で形成されるＣＮＴ−Ｔｒは、架橋歩留りや、ＣＮＴの直径およびカイラリティーの制御の問題から作製することは可能でも、アレイ構造を形成することはほとんど不可能であり、また、作製されたＣＮＴ−Ｔｒの特性もばらばらで、アレイを構成する各ＣＮＴ−Ｔｒの特性を揃えることは極めて困難であるという問題がある。
【００１３】
したがって、本発明は、特性が揃った、若しくは、耐圧特性が制御された複数個のカーボンナノチューブトランジスタのアレイを簡便に作製することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、カーボンナノチューブトランジスタアレイにおいて、共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を区分した複数のカーボンナノチューブ要素３のそれぞれに三端子電極４を設けたことを特徴とする。
【００１５】
このように、共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２から複数のトランジスタ５を構成することによって、カーボンナノチューブの架橋歩留りやカイラリティーに影響を受けることなく特性の揃ったカーボンナノチューブトランジスタアレイを構成することができる。
【００１６】
この場合の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２の長さとしては、１００μｍ以上が望ましく、数百μｍ〜数ｍｍの長さのカーボンナノチューブについては、既に実際に成長した旨の報告がなされている。
【００１７】
この場合、長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２は、位置制御されて成長されたものであることが望ましく、それによって、トランジスタ５を予め予定した位置に形成することができる。
【００１８】
また、個々のカーボンナノチューブ要素３に形成したトランジスタ５の内の少なくとも一つのトランジスタ５のソース−ドレイン間隔を、他のトランジスタ５の内の少なくとも一つのトランジスタ５のソース−ドレイン間隔と異なるように構成しても良く、それによって、各トランジスタ５の耐圧特性を任意に制御することができる。
【００１９】
この場合、ソース−ドレイン間隔が互いに異なったトランジスタ５の内、ソース・ドレイン間隔が相対的に広い複数のトランジスタ５を、ソース−ドレイン間隔が相対的に狭い複数のトランジスタ５とは別の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に形成するようにしても良く、それによって、高耐圧トランジスタ５の特性を揃えることができる。
【００２０】
上述の共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を基板１上に複数本設け、個々のトランジスタ５を二次元マトリクスアレイとすることにより、アセンブリコストが安いロジック回路の作製などが容易になる。
【００２１】
また、製造方法としては、基板１上に触媒作用のある成長用ベース６を形成し、成長用ベース６を成長起点として位置制御された長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を成長させ、成長させた長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に対して複数の三端子電極４を形成すれば良い。
【００２２】
この場合、長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に対して複数の三端子電極４を形成したのち、長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を切断して個々のトランジスタ５に分離しても良いし、或いは、長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を複数のカーボンナノチューブ要素３に分離したのち、個々のカーボンナノチューブ要素３に対して三端子電極４を形成しても良い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来では架橋歩留り、カーボンナノチューブの直径およびカイラリティー制御の点から作製が困難であったカーボンナノチューブトランジスタのアレイを、容易な方法で簡便に作製することができ、この高速動作性、高耐圧性に優れるカーボンナノチューブトランジスタを用いることにより、アセンブリコストが安いロジック回路の作製などが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、基板上にＦｅ等の触媒作用のある成長用ベース６を形成し、成長用ベース６を成長起点として位置制御して、例えば、成長方向に電界を印加して長尺成長半導体的カーボンナノチューブを成長させ、成長させた長尺成長半導体的カーボンナノチューブに対して複数のソース・ドレイン電極を形成し、次いで、ゲート絶縁膜を形成したのちソース・ドレイン間にゲート電極を設けてトランジスタを構成し、次いで、各トランジスタ間をイオンミリング等により切断して個々のトランジスタを分離するものである。
【００２５】
この場合、トランジスタを構成したのち分離するか、或いは、予め長尺成長半導体的カーボンナノチューブを複数のカーボンナノチューブ要素に分離したのちソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成してトランジスタを構成するものである。
【００２６】
また、トランジスタの形成・分離後に所定の回路構成を実現するために相互接続配線を形成するか、或いは、ソース・ドレイン電極及びゲート電極の形成時に予め基本的な相互接続配線も同時に形成するものである。
【実施例１】
【００２７】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の実施例１のカーボンナノチューブトランジスタアレイの製造工程を説明するが、ここでは、説明を簡単にするために２本の長尺カーボンナノチューブのみを図示する。
図２参照  
まず、セラミック基板１１上に触媒となるＦｅベース１２，１３を形成し、次いで、ＣＶＤ法を用いて、プロセスガスとしてアセチレンガスを用いるとともに、キャリアガスとしてＡｒガスもしくは水素ガスを用い、図において横方向に直流電界を印加した状態で、例えば、１００Ｐａの圧力において、６００℃の成長温度でＦｅベース１２，１３を成長起点として半導体的性質を有する長尺カーボンナノチューブ１４，１５を形成する。
なお、この場合の長尺カーボンナノチューブ１４，１５の長さは必要とする回路構成に応じて適宜決定すれば良く、典型的には１００μｍ以上であり、１００μｍ〜数ｍｍの長さであれば良い。
【００２８】
次いで、レジストパターン（図示を省略）をマスクとしてスパッタ法により、Ｐｄ（パラジウム）を堆積させたのちレジストパターンを除去することによってソース電極１６，１７及びドレイン電極１８，１９を形成する。
【００２９】
図３参照  
次いで、スピンコートおよびアニールにより、例えば、長尺カーボンナノチューブ１４，１５表面上に堆積する厚みが１０ｎｍになるようにＳｉＯ2 膜を堆積させてゲート絶縁膜２０とする。
【００３０】
次いで、再び、レジストパターン（図示を省略）をマスクとしてスパッタ法により、厚さが、例えば、１０ｎｍのＴｉ膜、厚さが、例えば、１００ｎｍのＰｔ層、及び、厚さが、例えば、１０ｎｍのＴｉ膜を順次堆積させのちレジストパターンを除去することによってゲート電極２１，２２を形成する。
【００３１】
次いで、イオンミリング法を用いることによって、長尺カーボンナノチューブ１４，１５の不要な部分を除去して各ＣＮＴトランジスタ２３，２４に分離することによってトランジスタアレイが形成される。
【００３２】
このように、本発明の実施例１においては、一本の長尺カーボンナノチューブ１４，１５から複数のＣＮＴトランジスタ２３，２４を構成しているので、架橋歩留りの影響を受けることがない。
【００３３】
また、同じ長尺カーボンナノチューブ１４（１５）から構成したＣＮＴトランジスタ２３（２３）は同じ特性を有しているので、特性のバラツキのない安定した回路を構成することが可能になる。
【実施例２】
【００３４】
次に、図４を参照して本発明の実施例２のカーボンナノチューブトランジスタアレイを説明するが、基本的製造工程は同じであるので、アレイの構成のみを図示する。
図４参照  
図４は、本発明の実施例２のカーボンナノチューブトランジスタアレイの概念的平面図であり、高耐圧を有するＣＮＴトランジスタ２５を構成するために、通常のＣＮＴトランジスタ２３に比べてソース電極２６とドレイン電極２７との間隔を広くしたものである。
【００３５】
このように、ソース・ドレイン電極間の間隔を調整することによって任意の耐圧を有するカーボンナノチューブトランジスタを構成することができ、これらのＣＮＴトランジスタを用いてローノイズアンプ（ＬＮＡ）やフェーズシフターを構成した場合に個々のＬＮＡやフェーズシフターの特性を揃えることが可能になる。
【実施例３】
【００３６】
次に、図５乃至図８を参照して、本発明の実施例３のＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップを説明する。
図５参照  
まず、上記の実施例１と同様に各長尺カーボンナノチューブから複数のＣＮＴトランジスタ２３，２４を形成したのち、所定箇所にビアホールを形成したのち、このビアホールをＣｕで埋め込むことによってビア２９を形成する。
【００３７】
次いで、全面に導電体を堆積させたのち、回路構成に必要な配線形状にエッチングすることによって、配線３０を形成する。
【００３８】
図６参照  
次いで、ＬＮＡやフェイズシフターに必要なコンアデンサ等の他の素子（図示は省略）を形成することによって、ＬＮＡ３１及びフェイズシフター３２を構成する。
【００３９】
次いで、セラミック基板１１の裏面にリフトオフ法を利用してＣｕを蒸着したのち、レジストパターン（図示を省略）することによってパッチアンテナ３３をビア２９と接続す位置に形成することによって、ＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップの基本構成が完成する。
【００４０】
図７参照  
図７は、このようにした完成したＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップの概念的斜視図である。
【００４１】
図８参照  
図８は、上述のように形成したＬＮＡ３１及びフェイズシフター３２の回路構成の一例を示す回路図である。
【００４２】
フェイズドアレイアンテナは、今後、車載レーダーなどに用いられる可能性が高く、構造としてはパッチアンテナ＋ローノイズアンプ（ＬＮＡ）＋フェイズシフターがセラミック基板上にアレイ状に並んだものが一般的であるが、従来技術を用いた場合、パッチアンテナを形成したセラミック基板上に部品としてのローノイズアンプ、フェイズシフターを１個ずつマウントしていかなければならず、部品コスト、アセンブリコストがかかってしまう。
【００４３】
そこで、実施例３に示したように、長尺カーボンナノチューブを用いることにより、セラミック基板上に一度に沢山の特性の揃ったローノイズアンプとしてのＣＮＴトランジスタ、フェイズシフターとしてのＣＮＴ受動素子を整列形成させることが可能になり、アセンブリコストは全くかからず、また、部品コストも低減できるので、全体として低コスト可が可能になる。
【実施例４】
【００４４】
次に、図９を参照して、本発明の実施例４の１チップＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路を説明する。
図９参照  
図９は、本発明の実施例４の１チップＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路を用いたＲＦシステムのシステム構成図であり、図において一点鎖線で囲んだ部分がＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路になる。
【００４５】
実施例４においては、ＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路におけるＬＮＡを図４に示した通常の耐圧を有するＣＮＴトランジスタ２３で構成し、パワーアンプ（ＰＡ）を図４に示した高耐圧のＣＮＴトランジスタ２５で構成したものである。
なお、ＰＡも基本的回路構成はＬＮＡと同じである。
【００４６】
ＲＦシステムは、携帯電話或いは無線ＬＡＮ等に用いられるが、現在、ＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ部分を１チップＣＭＯＳ−ＭＭＩＣで構成しようという動きがある。
しかし、高速動作が要求されるＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路をＣＭＯＳで構成するためには、その耐圧を犠牲にせざるを得ず、結果としてパワーアンプをつくり込むことが非常に困難になっている。
【００４７】
そこで、実施例４に示したように、ＣＭＯＳの代わりにＣＮＴトランジスタを用いることによりＣＭＯＳよりも高速動作が可能になり、且つ、耐圧が高いためパワーアンプの作製も可能になる。
【００４８】
さらに、長尺カーボンナノチューブを用いているので、ローノイズアンプ、パワーアンプなど各ユニットで必要とされる耐圧を持ったトランジスタを同時に作製することが可能になり、結果として、１チップＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ  ＭＭＩＣの実現が可能になる。
【００４９】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、カーボンナノチューブの成長に要する原料ガスはアセチレンガスに限られるものではなく、メタンやエチレン等の炭化水素ガス或いはメタノール等のアルコールガスを用いても良いものであり、成長方法についてもＣＶＤ法に限られるものではなく、アーク放電法或いはレーザアブレーション法等の他の成長方法を用いても良いものである。
【００５０】
また、上記の実施例においては、触媒としてＦｅを用いているが、Ｆｅに限られるものではなく、ＣｏやＮｉ或いはＦｅを含めたこれらの合金を用いても良いものである。
【００５１】
また、上記の各実施例においては、ＣＮＴフェイズドアレイアンテナを構成するために絶縁性基板としてセラミック基板を用いているが、一般の電子回路を構成する場合には、セラミック基板に限られるものではなく、カーボンナノチューブの成長温度に耐えられる絶縁性基板であれば良く、例えば、パイレック（登録商標名）等の耐熱性ガラス或いはサファイア等を用いても良く、さらには、シリコン基板等の表面にＳｉＯ2 膜等の絶縁膜を設けた基板を用いても良いものである。
【００５２】
また、上記の実施例２においては、通常の耐圧のＣＮＴトランジスタと高耐圧ＣＮＴトランジスタとをそれぞれ別の長尺カーボンナノチューブから構成しているが、一本の同じ長尺カーボンナノチューブから通常の耐圧のＣＮＴトランジスタと高耐圧ＣＮＴトランジスタとを構成しても良く、さらには、ＣＮＴトランジスタの耐圧は２種類に限られるものではなく、回路構成に応じて必要とする種類の耐圧を有するＣＮＴトランジスタをソース・ドレイン電極間の長さを調整することによって形成すれば良い。
【００５３】
また、上記の各実施例においては、長尺カーボンナノチューブに三端子電極を形成したのち、各ＣＮＴトランジスタに分離しているが、予め長尺成長半導体的カーボンナノチューブを複数のカーボンナノチューブ要素に分離したのち三端子電極を形成してＣＮＴトランジスタとしても良いものである。
【００５４】
また、上記の各実施例においては、ＣＮＴトランジスタの形成・分離後に所定の回路構成を実現するための相互接続配線を形成しているが、ソース・ドレイン電極及びゲート電極の形成時に予め基本的な相互接続配線も同時に形成しても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施例においては特に言及していないが、半導体的性質を有する長尺カーボンナノチューブを成長させるためには、実際に使用する基板等を用いてＦｅベース等の触媒ベースのサイズや成長条件を適正化して成長すれば良く、仮に、複数本の長尺カーボンナノチューブの内の数本が金属的性質を有している場合には、電気的特性を予め検査して切断すれば良い。
なお、そのためには、必要とする本数よりも多めの本数の長尺カーボンナノチューブを予め成長すれば良い。
【００５６】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を区分した複数のカーボンナノチューブ要素３のそれぞれに三端子電極４を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
（付記２）  上記一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２の長さが、１００μｍ以上であることを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。  （付記３）  上記一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２が、位置制御されて成長されたものであることを特徴とする付記１または２に記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
（付記４）  上記個々のカーボンナノチューブ要素３に形成したトランジスタ５の内の少なくとも一つのトランジスタ５のソース−ドレイン間隔が、他のトランジスタ５の内の少なくとも一つのトランジスタ５のソース−ドレイン間隔と異なっていることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
（付記５）  上記ソース−ドレイン間隔が相対的に広い複数のトランジスタ５を、ソース−ドレイン間隔が相対的に狭い複数のトランジスタ５とは別の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に形成したことを特徴とする付記４記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
（付記６）  上記共通の一本の長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２が基板１上に複数本設けられ、上記個々のトランジスタ５が二次元マトリクスアレイを構成することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイ。
（付記７）  基板１上に触媒作用のある成長用ベース６を形成し、前記成長用ベース６を成長起点として位置制御された長尺長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を成長させ、前記長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に対して複数の三端子電極４を形成することを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタアレイの製造方法。
（付記８）  上記長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２に対して複数の三端子電極４を形成したのち、前記長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を切断して個々のトランジスタ５に分離することを特徴とする付記７記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイの製造方法。
（付記９）  上記長尺成長半導体的カーボンナノチューブ２を複数のカーボンナノチューブ要素３に分離したのち、前記個々のカーボンナノチューブ要素３に対して三端子電極４を形成することを特徴とする付記７記載のカーボンナノチューブトランジスタアレイの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の活用例としては、フェイズドアレイアンテナやＲＦシステムに用いられるカーボンナノチューブトランジスタアレイが典型的なものであるが、このような用途に限られるものではなく、その高速性を利用して各種の電子回路にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のカーボンナノチューブトランジスタアレイの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１のカーボンナノチューブトランジスタアレイの図２以降の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例２のカーボンナノチューブトランジスタアレイの概念的平面図である。
【図５】本発明の実施例３のＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップの途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例３のＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップの図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】ＣＮＴフェイズドアレイアンテナチップの概念的斜視図である。
【図８】ＬＮＡ及びフェイズシフターの回路構成の一例を示す回路図である。
【図９】本発明の実施例４の１チップＲＦ  ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ回路を用いたＲＦシステムのシステム構成図である。
【図１０】分散型ＣＮＴ−Ｔｒの説明図である。
【図１１】位置制御成長型ＣＮＴ−Ｔｒの説明図である。
【００５９】
１  基板
２  長尺成長半導体的カーボンナノチューブ                                        ３  カーボンナノチューブ要素
４  三端子電極
５  トランジスタ
６  成長用ベース
１１  セラミック基板
１２，１３  Ｆｅベース
１４，１５  長尺カーボンナノチューブ
１６，１７  ソース電極
１８，１９  ドレイン電極
２０  ゲート絶縁膜
２１，２２  ゲート電極
２３，２４  ＣＮＴトランジスタ
２５  ＣＮＴトランジスタ
２６  ソース電極
２７  ドレイン電極
２８  ゲート電極
２９  ビア
３０  配線
３１  ＬＮＡ
３２  フェイズシフター
３３  パッチアンテナ
５１  絶縁性基板
５２  ＣＮＴ
５３  ソース・ドレイン電極
６１  絶縁性基板
６２  ＣＮＴ成長用触媒金属
６３  ＣＮＴ
６４  ソース・ドレイン電極
【図１】
2007173428.tif 000003
【図２】
2007173428.tif 000004
【図３】
2007173428.tif 000005
【図４】
2007173428.tif 000006
【図５】
2007173428.tif 000007
【図６】
2007173428.tif 000008
【図７】
2007173428.tif 000009
【図８】
2007173428.tif 000010
【図９】
2007173428.tif 000011
【図１０】
2007173428.tif 000012
【図１１】
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