(57)【要約】【課題】電子放出部を備えたプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】放電を起こす駆動電圧を低めて輝度及び発光効率を向上させるために、維持電極対１２１，１２２に対応する位置に形成される電子放出増幅層１２５ｂを備える電子放出部１２５を備えるプラズマディスプレイパネルである。【選択図】図１
2007109637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互離隔されて対向するように配置される第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、放電セルを区画する複数の隔壁と、
複数の維持電極対と、
前記維持電極対が延びる方向と交差する方向に配置されたアドレス電極と、
前記維持電極対に対応して、前記維持電極対上に形成され、前記放電セル内に電子の放出を増幅させる電子放出増幅層を備えてなる電子放出部と、
前記放電セル内に配置される発光体層と、
前記放電セル内にある放電ガスと、を備えるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記複数の維持電極対は、他の維持電極対と平行して前記隔壁内に配置されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記電子放出増幅層は、酸化された多孔性シリコン層を備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記酸化された多孔性シリコン層は、酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層のうち何れか一つが選択されたことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記電子放出増幅層は、金属−絶縁層−金属構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記電子放出増幅層は、窒化ホウ素バンブーシュートを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記電子放出増幅層は、炭素ナノチューブを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記電子放出部は、前記電子放出増幅層上に形成された放出電極をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記発光体層は、量子ドットを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記電子放出部は、前記維持電極と同じ幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記維持電極には、バス電極が備えられており、前記電子放出部は、前記バス電極と同じ幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
少なくとも前記電子放出部上には、保護層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
相互離隔されて対向するように配置される第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に配置され、放電セルを区画する複数の隔壁と、
前記第１基板上に配置される第１放電電極と、
前記第２基板上に配置され、前記第１電極が延びる方向と交差する方向に延びる第２放電電極と、
前記第１放電電極及び前記第２放電電極のうち少なくとも何れか一つの放電電極上に形成され、前記放電セル内に電子の放出を増幅させる電子放出増幅層を備えてなる電子放出部と、
前記放電セル内に配置される発光体層と、
前記放電セル内にある放電ガスと、を備えるプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記第１及び第２放電電極を埋め込むように形成された誘電体層をさらに備える請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記電子放出増幅層は、酸化された多孔性シリコン層を備えることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記酸化された多孔性シリコン層は、酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層のうち何れか一つが選択されたことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記電子放出増幅層は、金属−絶縁層−金属構造を含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記電子放出増幅層は、窒化ホウ素バンブーシュートを含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記電子放出増幅層は、炭素ナノチューブを含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記電子放出部は、前記電子放出増幅層上に形成された放出電極をさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記電子放出部は、前記第１放電電極及び第２放電電極のうち、前記電子放出部が配置される放電電極と同じ幅に形成されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記発光体層は、量子ドットを含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
少なくとも前記電子放出部上には、保護層が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に係り、さらに詳細には、放電空間に電子を効率的に供給して高い輝度及び発光効率を達成するために維持電極側に加速電子放出部を備えるＰＤＰに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、電極に印加される直流電圧または交流電圧によって、電極の間でガス放電が起き、この放電過程で発生する紫外線の放射によって、発光体が励起されて可視光を発散する。このようなＰＤＰは、放電形式によって直流型と交流型とに分類される。また、ＰＤＰは、電極の配置構造によって、対向放電型と面放電型とに分類されうる。
【０００３】
従来のＰＤＰでは、放電ガスがイオン化されてプラズマ放電が起きる過程で励起状態のキセノン（Ｘｅ＊）が安定化されつつ、紫外線が発生する。したがって、従来のＰＤＰでは、放電ガスをイオン化させるほどに高いエネルギーが必要になるので、駆動電圧は大きく、発光効率は低いという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、酸化された多孔性シリコン層のような電子放出部を利用して電子放出特性を向上させることによって、駆動電圧を低め、かつ発光効率を向上させうるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のＰＤＰは、相互離隔されて対向するように配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、放電セルを区画する複数の隔壁と、複数の維持電極対と、前記維持電極対が延びる方向と交差する方向に配置されたアドレス電極と、前記維持電極対に対応して前記維持電極対上に形成され、前記放電セル内に電子の放出を増幅させる電子放出増幅層を備えてなる電子放出部と、前記放電セル内に配置される発光体層と、前記放電セル内にある放電ガスと、を備えるＰＤＰを提供する。
【０００６】
前記複数の維持電極対は、他の維持電極対と平行して第２基板上に配置されるか、または隔壁内に配置されてもよい。前記電子放出部は、前記維持電極と同じ幅に形成されるか、または前記維持電極上に形成されたバス電極と同じ幅に形成されることが望ましい。
【０００７】
また、本発明の他の側面によれば、相互離隔されて対向するように配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に配置され、放電セルを区画する複数の隔壁と、前記第１基板上に配置される第１放電電極と、前記第２基板上に配置され、前記第１電極が延びる方向と交差する方向に延びる第２放電電極と、前記第１放電電極及び前記第２放電電極のうち少なくとも何れか一つの放電電極上に形成され、前記放電セル内に電子の放出を増幅させる電子放出増幅層を備えてなる電子放出部と、前記放電セル内に配置される発光体層と、前記放電セル内にある放電ガスと、を備えるＰＤＰを提供する。
【０００８】
ここで、前記電子放出増幅層は、酸化された多孔性シリコン層、金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ：Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造、窒化ホウ素バンブーシュート（Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ  Ｂａｍｂｏｏ  Ｓｈｏｏｔ：ＢＮＢＳ）、炭素ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）のうち何れか一つを含むことを特徴とする。前記電子放出部は、前記電子放出増幅層上に形成された放出電極をさらに備えうる。前記発光体層は、クォンタムドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ：ＱＤ）でありうる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子放出部によって電子放出特性が向上することによって、ＰＤＰの輝度及び発光効率を向上させ、放電を起こす駆動電圧を低めうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の望ましい実施形態を添付された図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の望ましい第１実施形態によるＰＤＰを示す部分切開斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切開した断面図である。図面を参照すれば、ＰＤＰは、第１基板１１０、第２基板１２０、隔壁１１３、維持電極対１２１，１２２、第１誘電体層１１２、アドレス電極１１１、第２誘電体層１２３、発光体層１１５、保護層１２４、及び電子放出部１２５を備えている。
【００１２】
第１基板１１０及び第２基板１２０は、一定間隔離隔されて平行に対向していて放電空間を形成し、第２基板１２０は、可視光が通過するように透明なガラス材質を使用している。しかし、本発明の保護範囲は、これに限定されず、第１基板１１０が透明に構成されてもよく、第１基板１１０及び第２基板１２０が同時に透明に構成されてもよい。また、本発明の第１基板１１０及び第２基板１２０は、半透明の材質で構成され、その表面または内部にカラーフィルタを内蔵して構成されてもよい。したがって、図面に示したように、励起された放電ガスから出た真空紫外線が発光体層１１５にぶつかりつつ発生する可視光が反対側に反射される反射型だけでなく、透過型プラズマディスプレイも、本発明の保護範囲に属する。
【００１３】
隔壁１１３は、第１基板１１０と第２基板１２０との間の空間を区画する放電セル１１４を形成して画像の基本単位を形成させ、放電セル１１４間のクロストークを防止する役割を担う。本発明の一実施形態であって四角形の断面を有する隔壁１１３が開示されているが、本発明は、これに限定されず、六角形または八角形などの多角形構造や円形または楕円形の断面を有する隔壁も含む。
【００１４】
維持電極対１２１，１２２は、第２基板１２０の下面に相互に平行して形成されている。維持電極対１２１，１２２は、それぞれが透明電極１２１ａ，１２２ａとバス電極１２１ｂ，１２２ｂとで構成されている。透明電極１２１ａ，１２２ａは、可視光が良好に透過されるように主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料からなる。しかし、ＩＴＯは、電気抵抗が大きくて電圧降下が大きく、全ての放電セルに対して一定の駆動電圧を印加し難い。したがって、透明電極の低い導電性を補完するために透明電極１２１ａ，１２２ａと電気的に接続され、透明電極１２１ａ，１２２ａより幅が狭い導電性の高いバス電極１２１ｂ，１２２ｂが透明電極１２１ａ，１２２ａ上に配置されている。しかし、本発明の保護範囲は、これに限定されず、バス電極１２１ｂ，１２２ｂを使用しないＩＴＯ−ｌｅｓｓ構造も含むということはもちろんである。これと共に、前述した透過型ＰＤＰの場合、維持電極対１２１，１２２は、透明電極である必要がなく、不透明であり、かつ導電性の良好な材料であるＣｕ、Ａｌなどを使用できるところ、電極素材においても特別の制限はない。
【００１５】
第１誘電体層１１２は、アドレス電極１１１を埋め込むように形成されており、アドレス電極１１１の絶縁被膜として使われるので、絶縁抵抗の高い材料を使用する。第１誘電体層１１２は、第２誘電体層１２３と異なり、可視光線の透過に関与しないため、光透過率の良好な材料が要求されない。
【００１６】
第２誘電体層１２３は、第２基板１２０上にある維持電極対１２１，１２２を埋め込むように形成されて絶縁被膜として使われる誘電体層であって、絶縁抵抗が高く、かつ光透過率の良好な材料を使用する。保護層１２４は、第２誘電体層１２３を保護するように形成されており、放電時、２次電子の放出を増加させて放電を容易にする。
【００１７】
保護層１２４は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料を使用して形成する。図面には、後述する電子放出部１２５の表面及び誘電体層１２３上にもＭｇＯ保護層１２４が形成されると示されているが、本発明の保護範囲は、必ずしもこれに限定されるものではない。すなわち、保護層１２４は、電子放出部１２５が形成されていない誘電体層上にのみ形成されてもよく、または電子放出部１２５上にのみ形成されてもよい。
【００１８】
発光体層１１５は、隔壁１１３によって区画された放電セル１１４の内壁と第１誘電体層１１２とに塗布され、発光体層１１５では、放電によって発生する真空紫外線が吸収されることによって励起される電子が再び安定状態になるとき、可視光線を発散する光発光メカニズムが起きる。発光体層１１５は、ＰＤＰがカラー画像を具現できるように赤色発光体層、緑色発光体層、及び青色発光体層が放電セル１１４の内部に配置されて単位画素を形成する。本発明の保護範囲は、紫外線領域のエネルギーを受けて励起した原子が安定化されつつ可視光線を発生させる光発光（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＰＬ）蛍光体層だけでなく、陰極線発光（Ｃａｔｈｏｄｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＣＬ）蛍光体層やＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ：量子ドット）も含まれうる。すなわち、本発明の発光体層１１５は、ＣＬ蛍光体またはＱＤを使用して形成でき、ＰＬ蛍光体、ＣＬ蛍光体、ＱＤを何れも使用して形成してもよく、そのうち、二つ以上を共に使用して形成してもよい。このとき、放電セル１１４のうち、電子放出部１２５から直接的に電子ビームの照射を受ける所にはＣＬ蛍光体やＱＤを配置し、残りの部分にはＰＬ蛍光体を配置して、発光体層１１５を形成することが望ましい。特に、ＱＤは、原子間の干渉がないため、外部からエネルギーを受ければ、原子エネルギーレベルで励起した電子が安定化されつつ光を発光する。したがって、低い電圧でも励起が可能であるため、発光効率を向上させ、印刷工程（ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）が可能であり、かつ大型化にも有利でありうる。
【００１９】
電子放出部１２５は、第２誘電体層１２３の下面に形成されたベース電極１２５ａと、及びベース電極１２５ａと同じ幅を有してベース電極１２５ａの下面に形成された電子放出増幅層１２５ｂとを備える。ベース電極１２５ａは、維持電極対１２１，１２２に対応して維持電極対１２１，１２２と同じ幅を有するように第２誘電体層１２３の下面に形成される。例えば、図２のようにベース電極１２５ａは、透明電極１２１ａ，１２２ａに対応して透明電極１２１ａ，１２２ａと同じ幅を有するように、第２誘電体層１２３の下面に形成されてもよい。また、図４のようにベース電極１２５ａは、バス電極１２１ｂ，１２２ｂに対応してバス電極１２１ｂ，１２２ｂと同じ幅を有するように、バス電極１２１ｂ，１２２ｂの下面に形成されてもよいものの、バス電極１２１ｂ，１２２ｂの表面に電子放出増幅層１２５ｂが直接位置すれば、バス電極１２１ｂ，１２２ｂがカソード電極の役割を担うため、ベース電極１２５ａは不要である。後述するシミュレーション結果から分かるように、このような構造は、反射型ＰＤＰで可視光を遮断せずにするために有用な構造である。
【００２０】
ベース電極１２５ａは、電子放出増幅層１２５ｂに供給される電子を提供するカソード電極の役割を担う。ベース電極１２５ａは、ＩＴＯやＡｌまたはＡｇなどからなり、図２、図３、及び図５に示したような反射型プラズマディスプレイの場合、ベース電極１２５ａは、可視光が良好に透過されるように透明な導電性物質からなることが望ましい。
【００２１】
電子放出増幅層１２５ｂは、ベース電極１２５ａからの電子を加速ないし増幅させる役割を担う。電子放出増幅層１２５ｂの望ましい一実施形態は、酸化された多孔性シリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ  Ｐｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＯＰＳ）層が使われうる。ここで、ＯＰＳ層としては、酸化された多孔性ポリシリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ  Ｐｏｒｏｕｓ  ＰｏｌｙＳｉｌｉｃｏｎ：ＯＰＰＳ）層または酸化された多孔性非晶質シリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ  Ｐｏｒｏｕｓ  ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ：ＯＰＡＳ）層となりうる。このとき、ＯＰＳ層の製造方法を簡単に説明すれば、シリコン層に適切な電流密度を印加させ、フッ化水素（ＨＦ）とエタノールとを混合した溶液を使用してシリコン層をアノード酸化することによって、シリコン層を多孔性に変化させる。次いで、前記アノード酸化されたシリコン層を電気化学的酸化法によって酸化させ、所定の厚さを有するＯＰＳ層に変化させる。
【００２２】
電子放出増幅層１２５ｂの他の実施形態として、ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ―ｍｅｔａｌ）構造が使われてもよい。ＭＩＭ構造は、薄い絶縁層からなっている。ＭＩＭ構造を備えた電子放出部の電子放出効率を高めるためには、絶縁層の厚さが重要である。絶縁層は、Ａｌ２０３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２のような多様な絶縁層が可能である。また、絶縁層の厚さは、トンネリング効果が可能であるほどに薄くなければならないが、ベース電極と後述する放出電極との両端にかかる電圧によって、絶縁破壊が発生しないほど厚いことが望ましい。
【００２３】
また、電子放出増幅層１２５ｂの他の実施形態として、ＢＮＢＳ（ｂｏｒｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｂａｍｂｏｏ  ｓｈｏｔ：窒化ホウ素バンブーシュート）が使われうる。ＢＮＢＳは、可視光領域である約３８０〜７８０ｎｍほどの波長領域で透明な性質を有するだけでなく、負（−）の電子親和力を有するため、電子放出特性も非常に優秀であると知られている物質である。維持電極上に形成されるＢＮＢＳは、端部が非常に鋭く形成されることによって、ＢＮＢＳの端部の電界が非常に強くなって、さらに低い電圧でも維持放電を維持しうる。
【００２４】
それ以外にも、電子放出増幅層１２５ｂの他の実施形態として、ＣＮＴ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅｓ）が使われうる。しかし、本発明は、これに限定されず、電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質は、何れでも適用可能である。また、このような電子放出増幅層は、ＭｇＯのように放電電圧を低めうる物質と共に使用できる。
【００２５】
図３及び図５に示したように、第１実施形態の変形例であって、電子放出部１２５は、電子放出増幅層１２５ｂ上に形成された放出電極１２５ｃをさらに備えうる。放出電極１２５ｃは、ＩＴＯやメッシュ電極でありうる。放出電極１２５ｃの厚さは、発光効率の面ではトンネリングできるように薄いほど有利であるが、電子との衝突による劣化問題を考慮して適当に調節されることが望ましい。放出電極１２５ｃの材料は、Ａｕ／Ｐｔ／Ｉｒ、Ｐｔ／Ｔｉ、ケイ化タングステンなどが使われうる。このとき、ベース電極１２５ａと放出電極１２５ｃとの間には、放出電極１２５ｃの電圧がベース電極１２５ａより高いように直流電圧が印加され、電子放出部１２５は、電子放出増幅層１２５ｂにかかる電圧を制御して放出電子のエネルギーを制御できる。
【００２６】
一般的なＰＤＰでの放電ガスとしては、Ｎｅガス、Ｈｅガス、またはＡｒガスのうち何れか一つまたは二つ以上のガスにＸｅガスを混合した混合ガスが利用される。しかし、本発明の実施形態による電子放出部１２５から出た電子ビームが使用するガスは、電子ビームによる外部エネルギーによって励起されて紫外線などを発生させうるガスならば、何れでも適用可能である。すなわち、Ｘｅを含むガス以外にも、Ｎ２、重水素、二酸化炭素、水素ガス、一酸化炭素、及びクリプトン（Ｋｒ）などの多様なガス及び、ひいては大気圧の空気を使用してもよい。したがって、一般的なＰＤＰの放電ガスをそのまま適用可能である。
【００２７】
以下では、前記のような構成によるＰＤＰの機能及び作用を説明する。放電セル１１４ごとに初期リセット段階と壁電荷形成段階とを経た後に維持電極対１２１，１２２に駆動電圧を印加すれば、選択された放電セル内では、維持電極対１２１，１２２の間で放電が開始される。放電が起きれば、放電セル１１４内にある放電ガス粒子と電荷とが衝突を起こしつつ、プラズマが発生する。プラズマ内で励起された放電ガス原子が安定化されつつ、放出する真空紫外線（ＶＵＶ）が隔壁１１３の側面及び下部に塗布された発光体層１１５に吸収される時に励起される電子が再び安定状態になりつつ、可視光線を発散する。発散された可視光線は、透明な第２基板１２０を通過して他の放電セル内から出た可視光線と結合することによって一つの映像を作り出す。
【００２８】
このとき、第１維持電極対１２１及び第２維持電極対１２２に交流電圧（例えば、２００Ｖ及び０Ｖ）が印加されれば、放電セル１１４の内部では、第１維持電極対１２１に対応する誘電体層の付近で第２維持電極対１２２に対応する誘電体層の付近に向かう電界が形成される。このような電界の形成によって、第２維持電極対１２２側のベース電極１２５ａから電子放出増幅層１２５ｂに電子が流入されて加速ないし増幅された後に、放電セル１１４の内部に電子ビームが放出される。維持電極にかかる電圧が逆になれば、第１維持電極１２１側の電子放出部１２５を通じて電子が加速ないし増幅された後に、放電セル１１４の内部に電子ビームが放出される。放出された電子ビームはガスを励起させ、励起されたガスは、安定化されつつ紫外線を放出する。紫外線は、蛍光体層１１５を励起させて可視光を発生させる。
【００２９】
これと同様に、図３に示された変形例によるＰＤＰの場合、ベース電極１２５ａと放出電極１２５ｃとにそれぞれ所定の電圧を印加すれば、ベース電極１２５ａから放出電極１２５ｃに向かう電界が形成されて、ベース電極１２５ａから流入された電子が放出電極１２５ｃを通じて放電セルの内部に電子ビームを放出させる。このとき、電子ビームは、最適化された電子エネルギーを有するために、ガスの励起に必要なエネルギーより大きく、ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。
【００３０】
すなわち、プラズマ放電によるイオン化された放電ガス原子が安定化される過程で発生する真空紫外線以外に、電子放出増幅層１２５を通じて加速されて放出された電子ビームが放電ガスを励起させ、この励起された放電ガス原子が安定化されつつ、真空紫外線をさらに発生させる。それだけでなく、ＯＰＳ層のような電子放出増幅層１２５を通じて放電空間に加速された電子（ｅ）を効率的に供給して、高輝度及び高効率の放電セル１１４を有するＰＤＰを具現できる。本発明の望ましい第１実施形態及び変形例では、誘電体層１１２，１２３を備える交流型についてのみ例示しているが、本発明は、これに限定されず、交差される維持電極対１２１，１２２の間で直接的な放電が起きる直流型プラズマディスプレイも本発明の保護範囲に属するということは当然である。この場合、電子放出部１２５は、維持電極対１２１，１２２の表面に形成され、放電電極がベース電極１２５ａの役割を担うため、ベース電極１２５ａは不要になる。
【００３１】
図６Ａに示したように、電子放出部１２５は、維持電極対１２１，１２２を埋め込む誘電体層１２３上の維持電極対１２１，１２２と対応する位置に維持電極対１２１，１２２と同じ幅に形成されている。パルス信号によって交互に電子ビームを放出させる交流型とは異なり、両側の電子放出部１２５を通じて常に電子ビームを放出してシミュレーションした。図６Ｂは、電子放出部１２５で連続して放出される電子ビーム電流密度に対する発光効率のシミュレーション結果を示す図面である。グラフは、放電セル内に放出される電子ビームの電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）が高まるほど発光効率（ｌｍ／Ｗ）が向上することを示す。
【００３２】
図７Ａないし図７Ｇは、電子放出部で連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームが放出される場合における電子放出手段の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図である。図７Ｈは、電子放出部で連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームが放出される場合における電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション結果を示すグラフである。
【００３３】
具体的なシミュレーション条件を説明すれば、図７Ｃは、電子放出部１２５がバス電極１２１ｂ，１２２ｂの幅と同じ幅を有し、バス電極１２１ｂ，１２２ｂ上に形成されている構造（Ｓ１）であり、図７Ｄは、電子放出部１２５が透明電極１２１ａ，１２２ａの幅と同じ幅を有し、誘電体層１２３上に形成されている構造（Ｓ２）であり、図７Ｅは、電子放出部１２５が透明電極対１２１ａ，１２２ａの間に形成されている構造（Ｓ３）であり、図７Ｆは、電子放出部１２５が透明電極対１２１ａ，１２２ａが位置していない所にのみ形成されている構造（Ｓ４）であり、図７Ｇは、電子放出部１２５がバス電極対１２１ｂ，１２２ｂの位置した所と維持電極対１２１，１２２との間に形成されている構造（Ｓ５）である。
【００３４】
図７Ｈに示された結果を参照すれば、図７Ｄの構造（Ｓ２）での発光効率が従来の基準構造での発光効率に比べて５５％と最も大きく向上し、図７Ｃの構造（Ｓ１）では１５％向上したということが確認できた。しかし、反射型ＰＤＰの場合、電子放出部１２５が可視光を遮断する点を考慮すれば、Ｓ１構造のような配置の電子放出部１２５がさらに有利であると予想される。したがって、電子放出部１２５は、バス電極１２１ｂ，１２２ｂの幅と同じ幅を有し、バス電極１２１ｂ，１２２ｂ上に位置されるか、または透明電極１２１ａ，１２２ａの幅と同じ幅を有し、透明電極１２１ａ，１２２ａに対応する所に位置させることが望ましい。
【００３５】
図８Ａ及び図８Ｂは、交流型駆動方式で、カソードであり、一定電界以上となる維持電極側の電子放出部１２５でのみ電子放出が起きる場合における電子ビーム電流密度についての発光効率のシミュレーション条件及び結果を示すグラフである。図８Ａを参照すれば、電子放出部１２５は、維持電極対１２１，１２２を埋め込む誘電体層１２３上の維持電極対１２１，１２２と対応する位置に維持電極対１２１，１２２と同じ幅に形成されている。パルス信号によって交互にカソードとなり、電界が３Ｖ／μｍ以上となる電子放出部１２５でのみ電子ビームの放出が発生する条件でシミュレーションを行った。図８Ｂの結果を参照すれば、電子ビーム電流密度が上昇するほど放電セル１１４の発光効率も向上するということが分かる。これは、電子ビームの放出が両側の電子放出部１２５で何れも発生する（図６Ａ及び図６Ｂ）のと同じ結果であって、電子放出部１２５の存在によって発光効率が向上するということが確認できた。
【００３６】
図９は、図８Ａの構造を有する交流型駆動方式で３Ｖ／μｍ以上の電界から放出され、１００ｍＡ／ｃｍ２の電子ビーム電流密度を有する場合、放電開始電圧による発光効率のシミュレーション結果を示すグラフである。標準構造を有する場合には、放電が開始される駆動電圧の大きさが１８０Ｖである一方、電子放出部１２５を有する場合に、駆動電圧の大きさが１５０Ｖであって、放電のための駆動電圧を約３０Ｖほど減少させる効果があった。また、駆動電圧の大きさが２００Ｖである場合の発光効率面でも５５％の向上効果があるということをシミュレーションを通じて確認した。
【００３７】
図１０は、本発明の望ましい第２実施形態によるＰＤＰを示す断面図であり、図１１は、本発明の望ましい第２実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。なお、以下に述べる本発明の望ましい第２実施形態ないし第５実施形態の説明において、第１実施形態と同じ部材についての詳細な事項は、第１実施形態で説明した内容を参照すればよく、以下では、第１実施形態との差異点を中心に説明する。
【００３８】
図１０を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態によるＰＤＰは、第１基板２１０、第２基板２２０、隔壁２１３、維持電極対２２１，２２２、第１誘電体層２１２、アドレス電極２１１、発光体層２１５、保護層２２４、及び電子放出部２２５，２２６を備えている。隔壁２１３は、第１基板２１０と第２基板２２０との間に配置されるが、隔壁２１３は、誘電体からなり、隔壁２１３の内部には、維持電極対２２１，２２２が配置されている。隔壁２１３をなす誘電体は、荷電粒子が維持電極対２２１，２２２に直接衝突して損傷させることを防止し、荷電粒子を誘導して壁電荷を蓄積できるが、このような誘電体としては、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２などが使われる。
【００３９】
隔壁２１３の内部に配置された維持電極対２２１，２２２は、放電セル２１４を取り込み、アドレス電極２１１と交差する方向に延びている。維持電極対２２１，２２２は、隔壁２１３内に配置されるので、維持電極対２２１，２２２を構成する共通電極２２１及び走査電極２２２が透明電極である必要がなく、Ａｇ、Ａｌ、またはＣｕなどの導電性に優れ、かつ、抵抗の低い金属材料で形成できる。それにより、放電による応答速度が速く、信号が歪曲されず、維持放電に必要な消費電力を減らすなど、色々な長所がある。本発明の第２実施形態及び変形例では、対をなす各維持電極２２１，２２２の断面形状が一字状になっているが、本発明は、これに限定されず、各維持電極対が放電セル２１４を取り囲んでいるが、その断面の形状は、多様な変形が可能である。本発明の第２実施形態及び変形例のような構成を取ることによって、維持放電が放電セル２１４を限定する全ての側面で発生するので、放電面積が相対的に広くなり、相対的に低電圧駆動が可能であって発光効率が向上するなどの長所がある。維持電極対２２１，２２２を覆う第２誘電体層は、隔壁がその役割を担うので、本実施形態及び変形例では、別途に備えなくても良い。
【００４０】
電子放出部２２５，２２６は、維持電極対２２１，２２２に対応する隔壁２１３上に形成されたベース電極２２５ａ，２２６ａと、及びベース電極２２５ａ，２２６ａと同じ幅を有し、ベース電極２２５ａ，２２６ａ上に形成された電子放出増幅層２２５ｂ，２２６ｂと、を備える。ベース電極２２５ａ，２２６ａは、電子放出増幅層２２５ｂ，２２６ｂに供給される電子を提供するカソード電極の役割を担う。ベース電極２２５ａ，２２６ａは、基板上に位置しないので、透明な導電性物質からなる必要がない。第１実施形態で説明したように、電子放出増幅層２２５ｂ，２２６ｂとしては、ＯＰＳ層、ＭＩＭ構造、ＢＮＢＳ、ＣＮＴなどの電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質ならば、何れでも適用可能である。
【００４１】
第２実施形態の変形例であって、図１１に示したように、電子放出部２２５，２２６は、電子放出増幅層２２５ｂ，２２６ｂ上に形成された放出電極２２５ｃ，２２６ｃをさらに備え、放出電極２２５ｃ，２２６ｃは、ＩＴＯやメッシュ電極（ｗｉｒｅ  ｍｅｓｈ）でありうる。隔壁２１３の側面及び電子放出部２２５，２２６は、保護層２２４によって覆われており、保護層２２４はＭｇＯからなって、プラズマ粒子のスパッタリングによって誘電体で形成された隔壁２１３及び維持電極２２１，２２２が損傷されることを防止し、２次電子を放出して駆動電圧を低める役割を担う。図１０及び図１１では、発光体層２１５が隔壁２１３によって区画された放電セル２１４の内壁及び第１誘電体層２１２に塗布されると示しているが、本発明は、これに限定されず、エッチングされた第２基板２２０上に塗布するなど、その位置は、多様な変形が可能である。第１実施形態で説明したように、発光体層２１５としては、ＰＬ蛍光体、ＣＬ蛍光体またはＱＤのうち一部の組合せやその全部を使用できる。
【００４２】
前記のような第２実施形態及び変形例の構成によるＰＤＰの機能及び作用を説明すれば、放電セル２１４を限定する全ての側面で、電子放出部２２５，２２６を通した電子ビームが放出されて低い駆動電圧で高い発光効率が得られる。その他は、第１実施形態と類似しているので、第１実施形態を参照すればよい。
【００４３】
本発明の望ましい第２実施形態及び変形例では、放電によって発生した可視光が蛍光体層にぶつかり、逆方向に反射されて第２基板２２０を透過する反射型ＰＤＰについて例示しているが、本発明は、これに限定されず、透過型ＰＤＰも本発明の保護範囲に属する。この場合、アドレス電極２１１は、可視光が遮断されないように透明な伝導性物質からなることが望ましい。
【００４４】
図１２は、本発明の望ましい第３実施形態によるＰＤＰを示す断面図であり、図１３は、本発明の望ましい第３実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。図１２を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による交流型３電極対向放電ＰＤＰは、第１基板３１０、第２基板３２０、隔壁３１３、維持電極対３２１，３２２、誘電体層３１２、アドレス電極３１１、発光体層３１５、保護層３２４、及び電子放出部３２５，３２６を備えている。
【００４５】
隔壁３１３の内部にストライプ状に配置された維持電極対３２１，３２２は、放電電極であって、相互に平行に離隔された共通電極３２１と走査電極３２２とからなり、アドレス電極３１１と交差する方向に延びている。電子放出部３２５，３２６は、共通電極３２１及び走査電極３２２に対応する隔壁２１３上に形成されたベース電極３２５ａ，３２６ａと、ベース電極３２５ａ，３２６ａと同じ幅を有し、ベース電極３２５ａ，３２６ａ上に形成された電子放出増幅層３２５ｂ，３２６ｂと、を備える。ベース電極３２５ａ，３２６ａは、電子放出増幅層３２５ｂ，３２６ｂに供給される電子を提供するカソード電極の役割を担う。ベース電極３２５ａ，３２６ａは、基板上に位置しないので、透明な導電性物質からなる必要がない。第１実施形態で説明したように、電子放出増幅層３２５ｂ，３２６ｂとしては、ＯＰＳ層、ＭＩＭ構造、ＢＮＢＳ、ＣＮＴなどの電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質ならば、何れでも適用可能である。
【００４６】
第３実施形態の変形例であって、図１３に示したように、電子放出部３２５，３２６は、電子放出増幅層３２５ｃ，３２６ｃ上に形成された放出電極３２５ｃ，３２６ｃをさらに備え、放出電極３２５ｃ，３２６ｃは、ＩＴＯやメッシュ電極でありうる。隔壁３１３の側面と電子放出部３２５，３２６とは、保護層３２４によって覆われている。
【００４７】
前記のような第３実施形態及び変形例の構成によるＰＤＰの機能及び作用を説明する。放電セル３１４ごとに初期リセット段階及び壁電荷形成段階後、選択された放電セル３１４内では、維持電極の間で放電が開始される。維持放電が起きる共通電極３２１と走査電極３２２とは、各隔壁の側面に配置されていて、維持放電が同一面上で起きない対向放電となる。このとき、共通電極３２１と走査電極３２２との間に交流電圧が印加されれば、放電セル３１４の内部では、共通電極３２１から走査電極３２２に向かう電界と走査電極３２２から共通電極３２１に向かう電界とが交互に形成される。
【００４８】
このような電界の形成によって、共通電極３２１側のベース電極３２５ａから電子放出増幅層３２５ｂに電子が流入されて加速ないし増幅された後、放電セル３１４の内部に電子ビームが放出される。維持電極にかかる電圧が逆になれば、走査電極３２２側の電子放出部３２６を通じて電子が加速ないし増幅された後、放電セル１１４の内部に電子ビームが放出される。放出された電子ビームは、ガスを励起させ、励起されたガスは、安定化されつつ紫外線を放出させる。紫外線は、蛍光体層３１５を励起させて可視光を発生させる。
【００４９】
このような対向放電は、維持放電が起きる維持電極３２１，３２２の間に十分な間隔が確保されるので、発光効率の高いＰＤＰを具現できるが、維持電極３２１，３２２の間の間隔が遠くて、放電を開始させる駆動電圧が高くなければならない。前述した電子放出部を通じて電子ビームを放出させうるので、放電を開始させる駆動電圧を低めて発光効率を向上させうる効果が得られる。前述以外の事項は、第１ないし第２実施形態及びその変形例についての説明を参照すればよい。
【００５０】
図１４は、本発明の望ましい第４実施形態によるＰＤＰを示す断面図であり、図１５は、本発明の望ましい第４実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。図１４を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による交流型２電極対向放電ＰＤＰは、第１基板４１０、第２基板４２０、隔壁（図示せず）、第１放電電極４１１、第２放電電極４２１、第１誘電体層４１２、第２誘電体層４２３、発光体層（図示せず）、保護層４２４、及び電子放出部４２５，４２６を備えている。
【００５１】
第１放電電極４１１は、第１基板４１０の上面に形成されており、第２放電電極４２１は、第１放電電極４１１と交差する方向に第２基板４２０の下面に形成されている。ここで、第１放電電極４１１と第２放電電極４２１とは、それぞれ走査電極及びアドレス電極の役割を担うか、またはそれぞれアドレス電極及び走査電極の役割を担う。本図面では、第１放電電極４１１及び第２放電電極４２１が一直線状に示されているが、本発明は、これに限定されず、放電電極の形態は、ジグザグ状など多様な変形が可能である。
【００５２】
電子放出部４２５，４２６は、第２放電電極４２１及び第１放電電極４１１に対応する第２誘電体層４１２及び第１誘電体層４２３上に形成されたベース電極４２５ａ，４２６ａと、ベース電極４２５ａ，４２６ａと同じ幅を有し、ベース電極４２５ａ，４２６ａ上に形成された電子放出増幅層４２５ｂ，４２６ｂと、を備える。ベース電極４２５ａ，４２６ａは、電子放出増幅層４２５ｂ，４２６ｂに供給される電子を提供するカソード電極の役割を担う。可視光線が透過される側のベース電極４２５ａ，４２６ａは、透明な導電性物質からなることが望ましい。第１実施形態で説明したように、電子放出増幅層４２５ｂ，４２６ｂとしては、ＯＰＳ層、ＭＩＭ構造、ＢＮＢＳ、ＣＮＴなどの電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質ならば、何れでも適用可能である。
【００５３】
第４実施形態の変形例であって、図１５に示したように、電子放出部４２５，４２６は、電子放出増幅層４２５ｂ，４２６ｂ上に形成された放出電極４２５ｃ，４２６ｃをさらに備え、放出電極４２５ｃ，４２６ｃは、ＩＴＯやメッシュ電極でありうる。図１４及び図１５では、発光体層（図示せず）は、放電セル４１４内の隔壁など多様な位置に位置でき、その配置は、多様な変形が可能である。発光体層としては、第１実施形態で説明したように、ＰＬ蛍光体、ＣＬ蛍光体またはＱＤのうち一部の組合せやその全部を使用できる。
【００５４】
前記のような第４実施形態及び変形例の構成によるＰＤＰの機能及び作用を説明すれば、各放電セル４１４に対する初期リセット段階とアドレス段階とを経た後、第１放電電極４１１と第２放電電極４２１との間に所定の交流電圧を印加すれば、第１放電電極４１１から第２放電電極４２１に向かう電界と第２放電電極４２１から第１放電電極４１１に向かう電界とが交互に形成される。
【００５５】
このような電界の形成によって、第１放電電極４１１側のベース電極４２６ａから電子放出増幅層４２６ｂに電子が流入されて加速ないし増幅された後、放電セル４１４の内部に電子ビームが放出される。放電電極の間に電圧が逆になれば、第２放電電極４２１側の電子放出部４２５を通じて電子が加速ないし増幅された後、放電セル４１４の内部に電子ビームが放出される。前述した電子放出部４２５，４２６を通じて電子ビームを放出させうるので、放電を開始させる駆動電圧を低めて発光効率を向上させうる効果が得られる。前述以外の事項は、第１ないし第３実施形態及びその変形例についての説明を参照すれば良い。
【００５６】
図１６は、本発明の望ましい第５実施形態によるＰＤＰを示す断面図であり、図１７は、本発明の望ましい第５実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。図１６を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による直流型２電極対向放電ＰＤＰは、第１基板５１０と、第２基板５２０と、第１放電電極５１１と、第２放電電極５２１と、発光体層（図示せず）と、電子放出部５２６を備えている。
【００５７】
第１放電電極５１１は、第１基板５１０の上面に形成されており、第２放電電極５２１は、第１放電電極５１１と交差する方向に第２基板５２０の下面に形成されている。本図面では、第１放電電極５１１及び第２放電電極５２１が一直線状に示されているが、本発明は、これに限定されず、放電電極の形態は、ジグザグ状など多様な変形が可能である。
【００５８】
電子放出部５２６は、第１放電電極５１１と同じ幅を有し、第１放電電極５１１上に形成された電子放出増幅層５２６ｂを備える。ここで、電子放出増幅層５２６ｂと接する第１放電電極５１１が電子放出部５２６のベース電極となってカソード電極の役割を担う。したがって、別途のベース電極は、不要である。本実施形態の図面には、第１放電電極５１１上に電子放出増幅層５２６ｂが形成されたと示されているが、本発明は、これに限定されず、電子放出増幅層５２６ｂは、第２放電電極５２１上にのみ形成されてもよく、その場合、第２放電電極５２１がカソード電極となる。
【００５９】
第１実施形態で説明したように、電子放出増幅層５２６ｂとしては、ＯＰＳ層、ＭＩＭ構造、ＢＮＢＳ、ＣＮＴなどの電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質ならば、何れでも適用可能である。第５実施形態の変形例であって、図１７に示したように、電子放出部５２６は、電子放出増幅層５２６ｂ上に形成された放出電極５２５ｃをさらに備え、放出電極５２５ｃは、ＩＴＯやメッシュ電極でありうる。発光体層（図示せず）は、放電セル内の多様な位置に配置され、第１実施形態で説明したように、ＰＬ蛍光体、ＣＬ蛍光体またはＱＤのうち一部の組合せやその全部を使用できる。
【００６０】
前記のような第５実施形態及び変形例の構成によるＰＤＰの機能及び作用を説明する。直流型ＰＤＰを駆動するためには、まず放電が起きる放電セル５１４を選択するアドレシング作業を行わねばならないが、このために、単純スキャン型、セルフ−スキャン型、パルス記憶駆動方式などの方法を使用して放電が起きる放電セル５１４を選択する。次いで、外部の電源から第１放電電極５１１と第２放電電極５２１との間に放電電圧が印加されれば、カソード電極の機能を行う第１放電電極５１１から電子が放出されて電子放出増幅層５２６ｂを通過して増幅ないし加速された電子ビームは、放電セル５１４内に放出され、アノード電極の機能を行う第２放電電極５２１に吸収される。
【００６１】
このとき、第１放電電極５１１と第２放電電極５２２との間に直接的な放電が起きて放電電流が流れるが、放電作用を制御するために、放電電流を適切に制御する抵抗の機能を行う構造が必要になる。特に、本第５実施形態の変形例の場合、第１放電電極５１１及び放出電極１２５ｃの厚さの比率を適切に選択し、それにより、ドーピング工程を適切に調節した後、所定の直流電流を印加して電流を制御する構造として使われうる。
【００６２】
前述した電子放出部５２６を通じて電子ビームを放出させうるので、放電を開始させる駆動電圧を低め、かつ発光効率を向上させうる効果が得られる。以上のように、本第５実施形態の変形例による直流型ＰＤＰは、電子放出部５２６として放電電流を制御することによって、電流制限用抵抗を別途に製作して配置する必要がないので、時間及びコストが低減される効果もある。一方、前述した電子放出特性を向上させる電子放出部は、図面には示されていないが、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライトとして主に利用される平板ランプにも適用されうる。
【００６３】
本発明のさらに他の実施形態による平板ランプは、相互に対向するように配置されて、その間に放電空間を形成する下部パネル及び上部パネルを備える。前記下部パネルと上部パネルとの間には、複数のスペーサが設けられ、このようなスペーサによって、前記放電空間は、複数の放電セルに区画される。前記放電セルの内部には、主にＮｅガスとＸｅガスとが混合された放電ガスが充填され、前記放電セルの内壁には、発光体層が形成される。前記下部パネルは、下部基板、及び前記下部基板上に形成される少なくとも一つの放電電極を備え、前記上部パネルは、上部基板、及び前記上部基板上に形成される少なくとも一つの放電電極を備える。前記上部パネル及び下部パネルのうち少なくとも一つの基板上の放電電極に対応する位置には、ベース電極、及び前記ベース電極上に形成される電子放出増幅層を備える電子放出部が形成される。電子放出部は、前記電子放出増幅層上に放出電極をさらに備えうる。前記放出電極は、ＩＴＯ電極やメッシュ電極でありうる。ここで、電子放出増幅層は、ＯＰＳ層、ＭＩＭ構造、ＢＮＢＳ、ＣＮＴなどの電子放出を増幅させて電子ビームを発生させうる物質ならば、何れでも適用可能である。発光体層は、放電セル内の多様な位置に配置され、第１実施形態で説明したように、ＰＬ蛍光体、ＣＬ蛍光体またはＱＤのうち一部の組合せやその全部を使用できる。
【００６４】
前記のような構成による平板ランプの機能及び作用を説明すれば、各放電電極に所定の電圧を印加すれば、電子放出増幅層から増幅ないし加速された電子が放電セルの内部に放出されて、ランプの輝度及び効率が向上する。
【００６５】
本発明は、図面に示した実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、ＰＤＰ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の望ましい第１実施形態によるＰＤＰを示す部分切開斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切開した断面図である。
【図３】本発明の望ましい第１実施形態の第１変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図４】本発明の望ましい第１実施形態の第２変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図５】本発明の望ましい第１実施形態の第３変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図６Ａ】電子放出部から連続して放出される電子ビーム電流密度に対する発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図６Ｂ】電子放出部から連続して放出される電子ビーム電流密度に対する発光効率のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図７Ａ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｂ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｃ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｄ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｅ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｆ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｇ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図７Ｈ】電子放出部から連続して１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を有する電子ビームの放出が起きる場合での電子放出部の具備位置による発光効率のシミュレーション結果を表すグラフである。
【図８Ａ】交流型駆動方式でカソードであり、一定電界以上となる維持電極側の電子放出部でのみ電子放出が起きる場合での電子ビーム電流密度に対する発光効率のシミュレーション条件を示す図面である。
【図８Ｂ】交流型駆動方式で、カソードであり、一定電界以上となる維持電極側の電子放出部でのみ電子放出が起きる場合での電子ビーム電流密度に対する発光効率のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図９】図８Ａの構造を有する交流型駆動方式で、３Ｖ／μｍ以上の電界で放出され、１００ｍＡ／ｃｍ２の電子ビーム電流密度を有する場合、放電開始電圧による発光効率のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０】本発明の望ましい第２実施形態によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１１】本発明の望ましい第２実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１２】本発明の望ましい第３実施形態によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１３】本発明の望ましい第３実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１４】本発明の望ましい第４実施形態によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１５】本発明の望ましい第４実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１６】本発明の望ましい第５実施形態によるＰＤＰを示す断面図である。
【図１７】本発明の望ましい第５実施形態の変形例によるＰＤＰを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１１０    第１基板、
１１１    アドレス電極、
１１２    第１誘電体層、
１１３    隔壁、
１１５    発光体層、
１２０    第２基板、
１２１ａ，１２２ａ    透明電極、
１２１ｂ，１２２ｂ    バス電極、
１２３    第２誘電体層、
１２４    保護層、
１２５    電子放出部、
１２５ａ    ベース電極、
１２５ｂ    電子放出増幅層。
【図１】
2007109637.tif 000003
【図２】
2007109637.tif 000004
【図３】
2007109637.tif 000005
【図４】
2007109637.tif 000006
【図５】
2007109637.tif 000007
【図６Ａ】
2007109637.tif 000008
【図６Ｂ】
2007109637.tif 000009
【図７Ａ】
2007109637.tif 000010
【図７Ｂ】
2007109637.tif 000011
【図７Ｃ】
2007109637.tif 000012
【図７Ｄ】
2007109637.tif 000013
【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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