(57)【要約】【課題】簡単な製造プロセスで配線を形成し、信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）遮光部２４を有するフォトマスク２２の表面に第１の界面活性剤層１６を設ける工程と、（ｂ）第１の界面活性剤層上に触媒を含む触媒層３２を設ける工程と、（ｃ）フォトマスクの裏面から光を照射することにより遮光部が形成されていない領域の第１の界面活性剤層を分解して、該領域に設けられている第１の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、（ｄ）遮光部が形成されている領域に設けられた触媒層を基板１０の上方に転写する工程と、（ｅ）基板に転写された触媒層上に金属を析出させることによって金属層３６を設ける工程と、を含む。【選択図】図１３
2007109710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）遮光部を有するフォトマスクの表面に第１の界面活性剤層を設ける工程と、
（ｂ）前記第１の界面活性剤層上に触媒を含む触媒層を設ける工程と、
（ｃ）前記フォトマスクの裏面から光を照射することにより前記遮光部が形成されていない領域の前記第１の界面活性剤層を分解して、該遮光部が形成されていない領域に設けられている前記第１の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
（ｄ）前記遮光部が形成されている領域に設けられた触媒層を基板の上方に転写する工程と、
（ｅ）前記基板に転写された前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｄ）の前に、前記基板上に第２の界面活性剤層を設ける工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の界面活性剤層の前記触媒に対する吸着力は、前記第２の界面活性剤層の触媒に対する吸着力未満である、配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記フォトマスクの表面は、前記遮光部が埋め込まれていることにより、平坦に形成されている、配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）では、前記フォトマスクの表面と前記基板とを接触させる、配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記光は、真空紫外線である、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。
【０００３】
これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、簡単な製造プロセスで配線を形成し、信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる配線基板の製造方法は、
（ａ）遮光部を有するフォトマスクの表面に第１の界面活性剤層を設ける工程と、
（ｂ）前記第１の界面活性剤層上に触媒を含む触媒層を設ける工程と、
（ｃ）前記フォトマスクの裏面から光を照射することにより前記遮光部が形成されていない領域の前記第１の界面活性剤層を分解して、該遮光部が形成されていない領域に設けられている前記第１の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
（ｄ）前記遮光部が形成されている領域に設けられた触媒層を基板（第２の基板）の上方に転写する工程と、
（ｅ）前記基板（第２の基板）に転写された前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
を含む。
【０００６】
本実施の形態にかかる配線基板の製造方法によれば、遮光部以外の領域に形成された触媒層が除去された後に、遮光部上の触媒層を基板上に転写するため、精度よく遮光部にそった配線パターンを形成することができる。これにより、簡単なプロセスで信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０００７】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｄ）の前に、前記基板上に第２の界面活性剤層を設ける工程をさらに含むことができる。
【０００８】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記第１の界面活性剤層の前記触媒に対する吸着力は、前記第２の界面活性剤層の触媒に対する吸着力未満であることができる。
【０００９】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記フォトマスクの表面は、前記遮光部が埋め込まれていることにより、平坦に形成されていることができる。
【００１０】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記フォトマスクの表面と前記基板とを接触させることができる。
【００１１】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記光は、真空紫外線であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
１．配線基板の製造方法
図１〜図１３は、本実施の形態にかかる配線基板１００（図１３参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。
【００１４】
（１）まず、フォトマスク２２を用意する。フォトマスク２２は、第１の基板２３と、遮光部２４を有する。第１の基板２３は、所定波長の光に対して透過性を有する。遮光部２４は、所定波長の光を透過しない材質からなる。第１の基板２３としては、たとえば高純度石英ガラスからなることができる。高純度石英ガラスとは、たとえば真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）での透過率が８０％以上の石英ガラスをいう。遮光部２４は、所定のパターンを有し、たとえばクロム等の金属材料やレジスト材料からなることができる。
【００１５】
（２）次にフォトマスク２２を洗浄する。フォトマスク２２の洗浄は、図１に示すように、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよい。ドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、遮光部２４がクロム等の金属材料の場合には３０秒〜９００秒間、レジスト材料からなる場合には３０秒〜１２０秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。フォトマスク２２を洗浄することによって、フォトマスク２２の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。
【００１６】
（３）次に、図２に示すように、フォトマスク２２を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４は、第１の界面活性剤を含む。第１の界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。フォトマスク２２の表面の液中表面電位が負電位の場合には、第１の界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べてフォトマスク２２に吸着しやすいからである。一方、フォトマスク２２の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。
【００１７】
界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）や、アルキルアンモニウム系界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。アニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（ソディウムドデシルサルフェート、リチウムドデシルサルフェート、Ｎ−ラウロイルサルコシン）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００１８】
次に、界面活性剤溶液からフォトマスク２２を取り出し、超純水で洗浄する。その後、フォトマスク２２を、例えば、室温下で自然乾燥し、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図３に示すように、第１の界面活性剤層１６をフォトマスク２２に設けることができる。このとき、第１の界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、フォトマスク２２の表面の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００１９】
（４）次に、図４に示すように、触媒溶液３０にフォトマスク２２を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。
【００２０】
たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００２１】
このように作製された触媒溶液３０にフォトマスク２２を浸漬すると、図５に示すように、触媒層３２が形成される。触媒溶液３０に浸漬した後、フォトマスク２２を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。
【００２２】
（５）次に、図６に示すように、フォトマスク２２の裏面（下方）から光を照射することにより、遮光部２４が形成されていない領域の第１の界面活性剤層１６を光分解する。照射する光２０としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光２０の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。光２０は、第１の基板２３を介して第１の界面活性剤層１６に照射される。すなわち光２０は、遮光部２４が形成されていない領域のみ、フォトマスク２２を透過する。これにより、遮光部２４が形成されていない領域に設けられた第１の界面活性剤層１６を光分解させることができる。また、この波長帯域の光２０を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００２３】
光２０の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光２０の波長は、第１の界面活性剤層１６を光分解することができるものであれば、特に限定されない。窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光２０が減衰しにくいので好ましい。
【００２４】
こうして、第１の界面活性剤層１６を光分解すると、遮光部２４が形成されていない領域に設けられた第１の界面活性剤層１６および触媒層３２は、図７に示すように、除去されることができる。
【００２５】
（６）第２の基板１０を用意する。第２の基板１０は、絶縁基板であってもよい。第２の基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、第２の基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。第２の基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、第２の基板１０上に金属層を形成する。
【００２６】
（７）次に、第２の基板１０を洗浄する。第２の基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、図８に示すようにウエット洗浄でもよい。ウエット洗浄は、例えば、第２の基板１０をオゾン水１２（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。第２の基板１０を洗浄することによって、第２の基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、第２の基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、第２の基板１０の液中表面電位が負電位であれば、第２の基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００２７】
（８）次に、図９に示すように、第２の基板１０を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４は、第２の界面活性剤を含む。第２の界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。第２の基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、第２の界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて第２の基板１０に吸着しやすいからである。一方、第２の基板１０の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。
【００２８】
界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）や、アルキルアンモニウム系界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。アニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（ソディウムドデシルサルフェート、リチウムドデシルサルフェート、Ｎ−ラウロイルサルコシン）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００２９】
次に、界面活性剤溶液から第２の基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、第２の基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図１０に示すように、第２の界面活性剤層２６を第２の基板１０に設けることができる。このとき、第２の界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、第２の基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００３０】
（９）次に、図１１に示すように、フォトマスク２２に対向させて、触媒層３２の上方に第２の基板１０を配置する。ここで、「触媒層３２の上方」とは、触媒層３２を基準として第１の基板２３と反対側の方向をいう。第１の基板２３は、図１１に示すように、第２の基板１０と平行に配置される。
【００３１】
この工程では、フォトマスク２２を第１の基板１０に対して押し付けることにより、フォトマスク２２の表面と第２の基板１０とを接触させてもよい。具体的には、図１１に示すように、遮光部２４の上方に形成されている触媒層３２と、第２の基板１０上に形成されている第２の界面活性剤層２６とが領域２８において接触する。
【００３２】
このとき、触媒層３２は、第２の基板１０に転写される。第１の界面活性剤層１６の触媒層３２に対する吸着力は、第２の界面活性剤層２６の触媒層３２に対する吸着力未満であることが好ましい。この吸着力の差は、触媒の液中表面電位と、界面活性剤の液中表面電位との差に起因する。即ち、触媒層３２に含まれる触媒表面が負に帯電している場合には、液中表面電位が大きく正に帯電している界面活性剤を含む界面活性剤層の吸着力が大きい。一方、触媒層３２に含まれる触媒表面が正に帯電している場合には、液中表面電位が大きく負に帯電している界面活性剤を含む界面活性剤層の吸着力が大きい。たとえば、触媒層３２に含まれる触媒がパラジウムであり、このパラジウム表面に負の電荷をもつイオンに取り囲まれている場合には、このパラジウムには、アニオン系界面活性剤よりカチオン系界面活性剤が吸着しやすい。
【００３３】
たとえば、第２の基板１０としてガラス基板を用い、これを水酸化ナトリウム溶液によりウェット洗浄すると表面電位が−６６ｍＶになる。このガラス基板に、カチオン系界面活性剤としては、ジアルキルジメチルアンモニウム系の界面活性剤を吸着させて界面活性剤層を形成すると、表面電位は−２３ｍＶになる。また、同様にウェット洗浄したガラス基板に、上述したアミン塩系ＦＰＤコンディショナーを吸着させて界面活性剤層を形成すると、表面電位は＋５２ｍＶになる。したがって、ジアルキルジメチルアンモニウム系の界面活性剤は、アミン塩系ＦＰＤコンディショナーより吸着力が小さいため、第１の界面活性剤層１６の形成に用いられ、アミン塩系ＦＰＤコンディショナーは、第２の界面活性剤層２６に形成に用いられることが好ましい。
【００３４】
このように、第１の界面活性剤層１６の触媒層３２に対する吸着力が、第２の界面活性剤層２６の触媒層３２に対する吸着力未満であるとき、触媒層３２は、第１の界面活性剤層１６から離脱して、第２の界面活性剤層２６に容易に吸着でき、転写されることができる。
【００３５】
（１０）次に、フォトマスク２２を第２の基板１０から剥がす。このとき、領域２８には、第２の界面活性剤層２６上に触媒層３２が形成されている（図１２参照）。その後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去してもよい。この水洗によって、界面活性剤の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３６】
（１１）次に、図１３に示すように、触媒層３２上に金属層３６を析出させる。具体的には、第２の基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３２上に金属層３６を析出させることができる。金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、第２の基板１０をこのような無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に１分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、第２の基板１０をこのような無電解めっき液（温度６０〜７５℃）に０．５分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層３６の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、第２の基板１０上に金属層３６を形成することができる。その後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去してもよい。
【００３７】
以上の工程により、図１３に示すように、配線基板１００を形成することができる。本実施の形態にかかる配線基板１００の形成方法によれば、遮光部２４以外の領域に形成された触媒層３２が除去された後に、遮光部２４上の触媒層３２を第２の基板１０上に転写するため、精度よく遮光部２４にそった配線パターンを形成することができる。これにより、簡単なプロセスで信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００３８】
２．配線基板および電子デバイス
図１４は、本実施の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す。電子デバイス１０００は、配線基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。
【００３９】
配線基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。配線基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図１４に示す例では、配線基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、配線基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００４０】
３．変形例
次に、図１５を用いて、変形例にかかる配線基板の製造方法について説明する。変形例にかかるフォトマスク１２２は、遮光部１２４が第１の基板１２３に埋め込まれている点で、遮光部２４が第１の基板２３の上に形成されているフォトマスク２２と異なる。変形例にかかる配線基板の製造方法の手順については、上述した本実施の形態にかかる配線基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
【００４１】
図１５は、変形例にかかるフォトマスク１２２の断面を模式的に示す図である。図１５に示すように、遮光部１２４が第１の基板１２３に埋め込まれているため、フォトマスク１２２の表面は、平坦な形状を有する。
【００４２】
図１６は、第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２が形成されたフォトマスク１２２の断面を模式的に示す図である。図１６に示すように、フォトマスク１２２の表面が平坦な形状を有するため、第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２も平坦に形成される。これにより、遮光部１２４が形成されていない領域の第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２を、遮光部１２４が形成されている領域と同じ密度で形成することができる。
【００４３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図２】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図３】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図４】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図５】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図６】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図７】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図８】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図９】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１０】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１１】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１２】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１３】本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１４】本実施の形態にかかる配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。
【図１５】変形例にかかるフォトマスクの断面を模式的に示す図。
【図１６】第１の界面活性剤層および触媒層が形成されたフォトマスクの断面を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１０  第２の基板、１２  オゾン水、１４  界面活性剤溶液、１６  第１の界面活性剤層、１８  光源、２０  光、２２、１２２  フォトマスク、２３、１２３  第１の基板、２４、１２４  遮光部、２６  第２の界面活性剤層、２８  領域、３０  触媒溶液、３２  触媒層、３６金属層、９０  集積回路チップ、９２  他の第２の基板、１００  配線基板、１０００  電子デバイス
【図１】
2007109710.tif 000003
【図２】
2007109710.tif 000004
【図３】
2007109710.tif 000005
【図４】
2007109710.tif 000006
【図５】
2007109710.tif 000007
【図６】
2007109710.tif 000008
【図７】
2007109710.tif 000009
【図８】
2007109710.tif 000010
【図９】
2007109710.tif 000011
【図１０】
2007109710.tif 000012
【図１１】
2007109710.tif 000013
【図１２】
2007109710.tif 000014
【図１３】
2007109710.tif 000015
【図１４】
2007109710.tif 000016
【図１５】
2007109710.tif 000017
【図１６】
2007109710.tif 000018