(57)【要約】【課題】伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１上に例えば電解銅めっきにより所定の導体パターン２が形成される。導体パターン２上の一部の領域を除いて当該導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層６が形成される。すなわち、導体パターン２上の上記一部の領域が端子用開口部７となり、カバー絶縁層６により覆われていない導体パターン２の部分が端子部となる。導体パターン２上の上記一部の領域には電解金めっき層１０が形成される。端子用開口部７の外側の周縁における導体パターン２上の一部の領域に粗化部５が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される１または複数の配線と、
開口部を有するとともに前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層とを備え、
前記１または複数の配線の一部は、前記保護層の開口部内でそれぞれ露出し、
前記保護層下の前記１または複数の配線の表面のうち前記開口部に隣接する領域が部分的に粗化されていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記１または複数の配線の表面の算術平均粗さは、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記粗化されている領域は、前記開口部の周縁から外側に５μｍ以上１００μｍ以下までの範囲からなることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記開口部内の前記配線上に金属層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、
絶縁層上に前記１または複数の配線を形成する工程と、
前記開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域を除く前記１または複数の配線の領域に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の領域を粗化する工程と、
前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記開口部を形成すべき領域を除いて前記配線上および前記絶縁層上に前記保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、
絶縁層上に前記１または複数の配線を形成する工程と、
前記１または複数の配線の表面を粗化する工程と、
前記開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域に平滑化用のレジストを形成する工程と、
前記平滑化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の領域を平滑化する工程と、
前記平滑化用のレジストを除去する工程と、
前記開口部を形成すべき領域を除いて前記配線上および前記絶縁層上に前記保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、
絶縁層上に前記１または複数の配線を形成する工程と、
前記開口部を形成すべき領域および当該開口部に隣接する一部の領域を除く前記１または複数の配線の領域に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の領域を粗化する工程と、
前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記開口部を形成すべき領域を除いて前記配線上および前記絶縁層上に前記保護層を形成する工程と、
前記開口部内の前記配線上の領域を平滑化する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記開口部内の前記配線上に金属層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、一般的にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により製造される。
【０００３】
上記の各方法により製造される配線回路基板は、一般的にポリイミドフィルム等からなるベース絶縁層と、当該ベース絶縁層上に形成される導体パターンと、当該導体パターンを覆うカバー絶縁層とを有する。
【０００４】
従来から、導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上するために、当該導体パターンの表面に粗化処理が施されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００５】
導体パターンの表面に粗化処理を施すことにより、導体パターンの表面が凹凸形状となる。それにより、アンカー効果が生じ、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されている。
【特許文献１】特開２００１−３６２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２の回路基板（プリント基板）においては、信号配線となる導体パターン表面のほとんどの領域が粗化される。その結果、上記回路基板の導体パターンに高周波信号（例えば、１００ＭＨｚまたは３００ＭＨｚ以上）が伝送される場合には、表皮効果によって電流が導体パターン表面の凹凸に沿って流れる。それにより、実質的な伝送路長が長くなり、高周波信号の伝送特性が悪くなる。
【０００７】
例えば、高周波信号が１ＧＨｚの周波数を有する場合には、電流は導体パターンの表面から深さ２μｍ程度の領域に集中する。この場合、粗化処理が施された導体パターン表面の凹凸が大きいと、実質的な伝送路長が長くなり伝送特性は顕著に悪化する。
【０００８】
一方、上記のように、導体パターンの粗化処理を行わずにカバー絶縁層を形成する場合には、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されない。その結果、露出した導体パターン（端子部）の領域において導体パターンとカバー絶縁層との界面にめっきまたは半田等が浸入することがある。
【０００９】
本発明の目的は、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成される１または複数の配線と、開口部を有するとともに１または複数の配線を覆うように絶縁層上に形成される保護層とを備え、１または複数の配線の一部は、保護層の開口部内でそれぞれ露出し、保護層下の１または複数の配線の表面のうち開口部に隣接する領域が部分的に粗化されているものである。
【００１１】
第１の発明に係る配線回路基板においては、１または複数の配線が絶縁層上に形成される。１または複数の配線は、絶縁層上に形成される保護層により覆われる。また、１または複数の配線の一部は、保護層の開口部内でそれぞれ露出し、保護層下の１または複数の配線の表面のうち開口部に隣接する領域が部分的に粗化されている。
【００１２】
このような構成により、１または複数の配線の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００１３】
すなわち、１または複数の配線の表面のうち開口部に隣接する領域が部分的に粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることを防止できる。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００１４】
また、上記の構成により、粗化された上記領域を介して１または複数の配線と保護層との接着性が向上される。これにより、保護層の開口部において１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じることが防止される。
【００１５】
（２）１または複数の配線の表面の算術平均粗さは、１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
【００１６】
この場合、１または複数の配線と保護層との十分な接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を防止できる。
【００１７】
（３）粗化されている領域は、開口部の周縁から外側に５μｍ以上１００μｍ以下までの範囲からなってもよい。
【００１８】
この場合、１または複数の配線と保護層との十分な接着性を確実に確保することができる。
【００１９】
（４）配線回路基板は、開口部内の配線上に金属層をさらに備えてもよい。このような金属層が開口部内の配線上に設けられた場合でも、１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じないので、当該１または複数の配線と保護層との界面に金属層に起因した金属材料が浸入することが防止される。
【００２０】
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域を除く１または複数の配線の領域に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域を粗化する工程と、粗化用のレジストを除去する工程と、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２１】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、１または複数の配線が絶縁層上に形成される。開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域を除く１または複数の配線の領域に粗化用のレジストが形成される。そして、上記粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域が粗化される。また、粗化用のレジストが除去された後、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層が形成される。
【００２２】
このような構成により、１または複数の配線の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２３】
すなわち、１または複数の配線の表面のうち開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることを防止できる。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２４】
また、上記の構成により、粗化された領域を介して１または複数の配線と保護層との接着性が向上される。これにより、保護層の開口部において１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じることが防止される。
【００２５】
（６）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、１または複数の配線の表面を粗化する工程と、開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域に平滑化用のレジストを形成する工程と、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域を平滑化する工程と、平滑化用のレジストを除去する工程と、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２６】
第３の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、１または複数の配線が絶縁層上に形成される。また、１または複数の配線の表面が粗化される。そして、開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域に平滑化用のレジストが形成された後、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域が平滑化される。その後、平滑化用のレジストが除去され、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層が形成される。
【００２７】
このような構成により、１または複数の配線の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２８】
すなわち、１または複数の配線の表面のうち開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることを防止できる。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２９】
また、上記の構成により、粗化された領域を介して１または複数の配線と保護層との接着性が向上される。これにより、保護層の開口部において１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じることが防止される。
【００３０】
（７）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、保護層の開口部内で一部が露出する１または複数の配線を有する配線回路基板の製造方法であって、絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、開口部を形成すべき領域および当該開口部に隣接する一部の領域を除く１または複数の配線の領域に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域を粗化する工程と、粗化用のレジストを除去する工程と、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層を形成する工程と、開口部内の配線上の領域を平滑化する工程とを備えたものである。
【００３１】
第４の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、１または複数の配線が絶縁層上に形成される。また、開口部を形成すべき領域および当該開口部に隣接する一部の領域を除く１または複数の配線の領域に粗化用のレジストが形成される。粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の領域が粗化され、粗化用のレジストが除去される。そして、開口部を形成すべき領域を除いて配線上および絶縁層上に保護層が形成され、開口部内の配線上の領域が平滑化される。
【００３２】
このような構成により、１または複数の配線の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３３】
すなわち、１または複数の配線の表面のうち開口部を形成すべき領域に隣接する一部の領域が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることを防止できる。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００３４】
また、上記の構成により、粗化された領域を介して１または複数の配線と保護層との接着性が向上される。これにより、保護層の開口部において１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じることが防止される。
【００３５】
（８）第２〜第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、開口部内の配線上に金属層を形成する工程をさらに備えてもよい。
【００３６】
このような金属層が開口部内の配線上に設けられた場合でも、１または複数の配線と保護層との間に剥離が生じないので、当該１または複数の配線と保護層との界面に金属層に起因した金属材料が浸入することが防止される。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態に係る配線回路基板はフレキシブル配線回路基板である。
【００３９】
（１）第１の実施の形態
最初に、本実施の形態に係る配線回路基板の全体構成について説明する。
【００４０】
図１は、第１の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す図である。図１（ａ）は配線回路基板の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の配線回路基板のＢ領域におけるＡ−Ａ線断面図である。
【００４１】
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００は、例えばポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１を備える。
【００４２】
ベース絶縁層１上に例えば電解銅めっきにより所定の導体パターン２が形成される。なお、一般的なセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等によりベース絶縁層１上に導体パターン２が形成される。詳細については後述する。
【００４３】
導体パターン２上の一部の領域を除いて当該導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層６が形成される。すなわち、導体パターン２上の上記一部の領域が端子用開口部７となり、カバー絶縁層６により覆われていない導体パターン２の部分が端子部となる。また、導体パターン２上の上記一部の領域には電解金めっき層１０が形成される。
【００４４】
ここで、図１（ａ）に示すように、端子用開口部７の周縁における導体パターン２上の領域に対して粗化処理が施される。粗化処理が施された領域が粗化部５となる。粗化処理については後述する。
【００４５】
図２は、セミアディティブ法によりベース絶縁層１上に所定の導体パターン２を形成する各工程を示す断面図である。
【００４６】
図２（ａ）に示すように、例えばポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１が用意される。
【００４７】
次に、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１上にドライフィルムレジスト等を用いて、後工程で形成される導体パターン２とは逆パターンのめっきレジスト３が形成される。
【００４８】
その後、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１上におけるめっきレジスト３が形成されていない表面に、電解銅めっきにより導体パターン２が形成される。
【００４９】
続いて、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト３が剥離等により除去される。なお、ベース絶縁層１と導体パターン２との接着性が懸念される場合には、ベース絶縁層１と導体パターン２との間に金属薄膜を設けることにより接着性を向上することができる。
【００５０】
次に、上述の図２（ｄ）の工程後、本実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程について説明する。
【００５１】
図３は、粗化部５（図１）が形成された配線回路基板１００が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【００５２】
図３（ａ）に示すように、粗化すべき領域のみが露出されて、感光性樹脂により粗化レジスト４がベース絶縁層１および導体パターン２上に形成される。図３（ａ）においては、後工程で粗化部５となる上記粗化すべき領域の幅Ｌは、例えば５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
【００５３】
続いて、図３（ｂ）に示すように、粗化レジスト４が形成されていない導体パターン２上の領域に粗化処理が施されることによって、当該領域に例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。
【００５４】
本実施の形態では、上記の粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。
【００５５】
硫酸と過酸化水素との混合液の具体例として、メック社製のメックブライト（ＣＢ−５００４）およびメックＶ−Ｂｏｎｄ（Ｂ０−７７７０）、ならびに、マクダーミッド社製のＭＥ−６０５およびマルチボンド（ＭＢ−１００）等が挙げられる。
【００５６】
また、アルカリ−亜塩素酸系の処理液の具体例として、マクダーミッド社製のオムニボンド（オムニボンド９２５１）およびＢ０−２０００等が挙げられる。さらに、有機酸系の処理液の具体例として、メック社製のメックエッチボンド（ＣＺ−８１００）等が挙げられる。
【００５７】
また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。本実施の形態では、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍとすることができる。なお、表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａとは、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）に定められた表面粗さを表すパラメータであり、例えば触針式表面粗さ計により測定される。
【００５８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、粗化レジスト４が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）に対応する領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。これにより、導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。
【００５９】
また、カバー絶縁層６が形成された後、端子用開口部７の領域の露出した導体パターン２上に電解金めっき層１０が形成される。以上により、導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００６０】
なお、電解金めっき層１０は、金を単一成分として含むものであってもよく、また、金を主成分として銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、およびリン（Ｐ）等からなる群から選択される一種以上の元素を含むものであってもよい。
【００６１】
（２）第２の実施の形態
次に、第２の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００６２】
第２の実施の形態においては、セミアディティブ法によりベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｄ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。
【００６３】
図４は、粗化部５が形成された配線回路基板１００が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。
【００６４】
図４（ａ）に示すように、ベース絶縁層１上に形成された導体パターン２の表面に粗化処理が施される。粗化処理に用いられる処理液は第１の実施の形態と同じである。
【００６５】
続いて、図４（ｂ）に示すように、平滑化すべき領域のみが露出されて、感光性樹脂により平滑化レジスト８が導体パターン２上に形成される。
【００６６】
そして、図４（ｃ）に示すように、平滑化レジスト８が形成されていない導体パターン２上の領域に平滑化処理が施されることにより、当該領域が平滑化される。本実施の形態では、上記の平滑化処理用の処理液として、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸案アンモニウム水溶液または過硫酸カリウム水溶液を用いることができる。
【００６７】
次いで、図４（ｄ）に示すように、平滑化レジスト８が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）に対応する領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上にカバー絶縁層６が形成される。これにより、導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。
【００６８】
また、カバー絶縁層６が形成された後、端子用開口部７の領域の露出した導体パターン２上に電解金めっき層１０が形成される。以上により、導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００６９】
（３）第３の実施の形態
次に、第３の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００７０】
第３の実施の形態においては、セミアディティブ法によりベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｄ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。
【００７１】
図５は、粗化部５が形成された配線回路基板１００が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【００７２】
図５（ａ）に示すように、粗化すべき領域のみが露出されて、感光性樹脂により粗化レジスト９がベース絶縁層１および導体パターン２上に形成される。本実施の形態において、上記の粗化すべき領域とは、端子用開口部７の領域と当該端子用開口部７の周縁から幅Ｌ拡大された領域である。粗化すべき領域の幅Ｌは、例えば５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
【００７３】
続いて、図５（ｂ）に示すように、粗化レジスト９が形成されていない導体パターン２上の領域に粗化処理が施されることによって、当該領域に例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。なお、粗化処理に用いられる処理液は第１の実施の形態と同じである。
【００７４】
次いで、図５（ｃ）に示すように、粗化レジスト９が剥離等により除去されるとともに、導体パターン２上の端子用開口部７の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上にカバー絶縁層６が形成される。これにより、導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。
【００７５】
次に、図５（ｄ）に示すように、端子用開口部７の領域における導体パターン２上の粗化部５が平滑化される。なお、平滑化処理に用いられる処理液は第２の実施の形態と同じである。
【００７６】
その後、端子用開口部７の領域の露出した導体パターン２上に電解金めっき層１０が形成される。以上により、導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００７７】
（４）第４の実施の形態
図６は、第４の実施の形態に係る配線回路基板１００ａの構成を示す平面図である。
【００７８】
図６に示すように、本実施の形態に配線回路基板１００ａにおいては、ベース絶縁層１上に半導体チップ等の電子部品に接続される複数の導体パターン２が形成される。開口部を有するカバー絶縁層６が、ベース絶縁層１上に設けられた複数の導体パターン２を覆うように形成される。各導体パターン２の先端部は、カバー絶縁層６の開口部で露出している。この露出した各導体パターン２の部分がそれぞれ端子となる。
【００７９】
本実施の形態では、カバー絶縁層６にそれぞれ接着され、カバー絶縁層６の上記開口部近傍における各導体パターン２上に粗化部５がそれぞれ形成される。これにより、各導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。
【００８０】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態において、配線回路基板１００の製造方法として、セミアディティブ法を用いたが、これに限定されるものではなく、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等の他の方法を用いることも可能である。
【００８１】
また、ベース絶縁層１の他の例として、ポリパラバン酸フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、およびポリエーテルエーテルケトンフィルム等のエンジニアリングプラスチックフィルムが挙げられる。
【００８２】
また、カバー絶縁層６の材料として、ベース絶縁層１と同様の材料を用いることができる。
【００８３】
さらに、導体パターン２の材料は、銅に限定されず、銅を含む合金、アルミニウム、銀等の他の金属材料を用いてもよい。
【００８４】
（６）各実施の形態における効果
上記第１〜第４の実施の形態においては、導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。
【００８５】
このような構成により、導体パターン２の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号（例えば、１００ＭＨｚまたは３００ＭＨｚ以上）の伝送特性の悪化が防止される。
【００８６】
すなわち、導体パターン２の表面の一部の領域に対して粗化部５を形成することによって、実質的な伝送路長が長くなることを防止できる。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００８７】
また、上記の構成により、粗化部５を介して導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性が向上される。これにより、端子用開口部７において導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離が生じることが防止されるとともに、導体パターン２とカバー絶縁層６との界面に、電解金めっき層１０に起因しためっきまたは半田等が浸入することが防止される。
【００８８】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００８９】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１が絶縁層に相当し、導体パターン２が配線に相当し、端子用開口部７が開口部に相当し、カバー絶縁層６が保護層に相当し、端子用開口部７の周縁から幅Ｌ拡大された領域が開口部に隣接する領域に相当し、電解金めっき層１０が金属層に相当し、粗化レジスト４，９が粗化用のレジストに相当し、平滑化レジスト８が平滑化用のレジストに相当する。
【実施例】
【００９０】
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。
【００９１】
（ａ）実施例１
上述した第１の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第１の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【００９２】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。また、端子用開口部７の周縁の幅Ｌを１００μｍとした。
【００９３】
そして、粗化処理を次のように行った。本実施例では、マクダーミッド社製のマルチボンド（ＭＢ−１００）を粗化処理用の処理液として用いた。
【００９４】
ベース絶縁層１および導体パターン２上に所定の粗化レジスト４を形成したもの（図３（ａ））を、上記粗化処理用の処理液（３２℃）中に１分間浸漬させた。それにより、粗化部５（図３（ｂ））を形成した。粗化部５の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２μｍとした。
【００９５】
（ｂ）実施例２
上述した第２の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第２の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【００９６】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。また、端子用開口部７の周縁の幅Ｌを１００μｍとした。
【００９７】
そして、上述の実施例１と同じ処理液を用いて粗化処理を次のように行った。
【００９８】
ベース絶縁層１上に導体パターン２を形成したもの（図４（ａ））を、粗化処理用の処理液（３２℃）中に１分間浸漬させた。それにより、導体パターン２の表面全体に粗化部５（図４（ａ））を形成した。粗化部５の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２μｍとした。
【００９９】
（ｃ）比較例１
粗化処理を行うことを除いて、上述の実施例１と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１００】
すなわち、本比較例では、ベース絶縁層１上に形成される導体パターン２の表面に粗化部５を形成しないので、当該導体パターン２の表面全体は平滑となっている。なお、導体パターン２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは１．０μｍ未満であった。
【０１０１】
（ｄ）比較例２
平滑化処理を行うことを除いて、上述の実施例２と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１０２】
すなわち、本比較例では、ベース絶縁層１上に形成される導体パターン２の表面全体に粗化部５を形成した。粗化部５の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１０３】
（ｅ）評価
実施例１，２で製造した各配線回路基板１００、および比較例２で製造した配線回路基板においては、各端子用開口部７において導体パターン２とカバー絶縁層６との界面に、電解金めっき層１０に起因しためっき材料は浸入していなかった（めっきもぐりは観察されなかった）。
【０１０４】
一方、比較例１で製造した配線回路基板においては、めっきもぐりが観察された。
【０１０５】
また、実施例１，２で製造した各配線回路基板１００、および比較例１で製造した配線回路基板においては、高周波特性において周波数６ＧＨｚでの伝送損失が０．６ｄＢ未満であったのに対して、比較例２で製造した配線回路基板においては、高周波特性において周波数６ＧＨｚでの伝送損失が０．６ｄＢを大きく超え非常に悪くなった。
【０１０６】
以上の結果から、実施例１および実施例２の各配線回路基板１００の構成を用いることによって、以下の両方の効果が奏されることが確認できた。
【０１０７】
第１に、導体パターン２上の一部の領域に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着されることによって、導体パターン２の表面のほとんどの領域が粗化されることによって生じる高周波信号（例えば、１００ＭＨｚまたは３００ＭＨｚ以上）の伝送特性の悪化が防止されることが確認できた。
【０１０８】
第２に、上記の構成により、粗化部５を介して導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性が向上されることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】第１の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す図である。
【図２】セミアディティブ法によりベース絶縁層上に所定の導体パターンを形成する各工程を示す断面図である。
【図３】粗化部が形成された配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【図４】粗化部が形成された配線回路基板が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。
【図５】粗化部が形成された配線回路基板が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【図６】第４の実施の形態に係る配線回路基板の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  ベース絶縁層
２  導体パターン
３  めっきレジスト
４  粗化レジスト
５  粗化部
６  カバー絶縁層
７  端子用開口部
８  平滑化レジスト
９  粗化レジスト
１０  電解金めっき層
１００，１００ａ  配線回路基板
【図１】
2007317899.tif 000003
【図２】
2007317899.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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