(57)【要約】【課題】半導体レーザ装置を製造する際に、切断工程を減少させ得るとともに、リードフレームの剛性を高め得る半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１１を搭載するダイパッド部１及び外部機器との接続用のリード３を有するリード形成部２からなる支持領域部４が複数連結されたリードフレーム５のダイパッド部にレーザ素子を搭載する前に、各リードをフレーム側に連結するための固定部材９を非導電性樹脂により形成する工程と、半導体レーザ素子の電極と各リードとを電気的に接続した後で、リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバー１０を切断する工程とを具備するとともに、支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。【選択図】図６
2007288007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、
上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したことを特徴とする半導体レーザ装置製造用リードフレーム。
【請求項２】
半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、
上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、
上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、
上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、
上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、
半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、
上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、
上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを
具備したことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置製造用リードフレームおよびこのリードフレームを用いた半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体を用いた携帯電話やモバイル式パソコン等の小型軽量化および低価格化の要求に伴って、半導体レーザ装置の小型化および低価格化が図られている。特に、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置は、これらの要求が強く、従来の丸型キャンパッケージに替わって、リードフレームに樹脂モールドが施されてなるパッケージを用いた半導体レーザ装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、従来の半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
この半導体レーザ装置の製造方法には、少なくとも、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部が複数のリード（所謂、リード端子である）を有するリード形成部に一体に形成されてなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する第１の工程と、搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を樹脂封止により形成する第２の工程と、リードフレームのダイパッド部に半導体レーザ素子が配置されたサブ基板を搭載する第３の工程と、半導体レーザ素子の表面電極とリードフレームのインナーリードとを金属細線で電気的に接続する第４の工程と、各リードをフレームに連結するタイバーおよびアウターリードの一部を切断する第５の工程と、リードフレーム単位でスクリーニングボードのソケットに挿入して高温槽の中で半導体レーザ素子を発光させながら特性変動を検査する第６の工程と、同じくリードフレームごとに各半導体レーザ装置の特性検査を行う第７の工程と、各支持領域部ごとにリードフレームを切断して複数個の半導体レーザ装置を得る第８の工程とが具備されている。
【０００４】
ここで、上述した半導体レーザ装置の製造方法を、図面を用いて、より具体的に説明する。
まず、第１の工程において、図１０および図１１に示すように、ダイパッド部５１が複数のリード５３を有するリード形成部５２に一体に設けられて半導体レーザ装置の構成単位となる支持領域部５４が一列に複数配置されたリードフレーム５５を準備する。このリードフレーム５５の長辺方向の片側部には、後工程でのリードフレーム５５の搬送用の送り穴５６および位置決め用の位置決め穴５７がそれぞれ所定のピッチで形成されている。
【０００５】
次に、第２の工程において、図１２〜図１４に示すように、半導体レーザ素子を保護するための保護枠５８がモールド装置（図示せず）により各支持領域部５４に一括で樹脂成型により形成される。
【０００６】
次に、第３の工程において、図１５に示すように、各支持領域部５４のダイパッド部５１に予め半導体レーザ素子５９が配置されたサブ基板６０が搭載される。
次に、第４の工程において、図１６に示すように、半導体レーザ素子５９の表面電極５９ａとインナーリード５３ａとが、金属細線６１を介して電気的に接続される。
【０００７】
次に、第５の工程において、図１７のリードフレーム５５における３本のリード５３をフレーム側に連結するタイバー６２およびリード形成部５２における３本のアウターリード５３ｂの内の２本のリード５３ｂ，５３ｂをパンチ金型（図示せず）にて切断する。なお、図１８に切断後の状態を示す。このように、中央の１本のアウターリード５３ｂだけをフレーム側に連結された状態にすることで、フレームから残りの２本のアウターリード５３ｂを電気的に独立させて後工程での半導体レーザ装置ごとにおける特性変動などの検査を可能にする。
【０００８】
次に、第６の工程において、図１９に示すスクリーニング検査用のスクリーニングボード７１に搭載されているソケット７２にリードフレーム５５を挿入する。
そして、図２０に示すように、ソケット７２には受光装置７３が配置されており、リードフレーム５５の前方向へ発光したレーザ光を受光しスクリーニング検査が行われる。
【０００９】
図２１に、リードフレーム５５をソケット７２に挿入する直前の状態を示す。
図２１に示すように、リードフレーム５５の片側部に位置決め穴５７が形成されており、ソケット７２側の位置決めピン７４に嵌合することで、半導体レーザ素子５９と受光装置７３との正確な位置合わせが行われるとともにリード形成部５２の各リード５３とソケット７２側のコンタクト７５とが正しい位置で接触される。
【００１０】
リードフレーム５５が挿入された上記スクリーニングボード７１を恒温槽（図示せず）に装着することで、ボード端子部７６がテスター（図示せず）に接続されて、高温または低温における特性変動について、リードフレーム５５に形成された各半導体レーザ装置７７ごとに検査が行われる。
【００１１】
次に、第７の工程において、同様に、リードフレーム５５に搭載された状態で、半導体レーザ装置７７ごとにその特性が検査される。
すなわち、図２２に示すように、リードフレーム５５の前方に測定用の受光装置７８が配置してあり、さまざまな特性について、１個ずつコンタクト用端子７９を介して各リード５３に電流を流しながら検査が行われる。
【００１２】
次に、第８の工程において、リード形成部５２の中央のインナーリード５３ａをパンチ金型により切断して個片化する。リード５３が３つ（所謂、３端子）の場合には、両側の２つ（２端子）については第５の工程で切断されているが、残りの中央の１つ（１端子）については、支持領域部５２をフレーム側に連結するためにリードフレーム５５に繋がった状態にされている。この第８の工程においては、図２３に示すように、繋がっているインナーリード５３ａを切断して支持領域部５２を個片化することにより、個々の半導体レーザ装置７７が得られる。
【００１３】
なお、第６の工程および第７の工程を、第８の工程の後に実施することもできるが、図２３に示すように、半導体レーザ装置７７が、非常に小さくまた半導体レーザ素子および電気配線用の金属細線が剥き出しであることから、非常に取り扱いにくく、できるだけ繋げた状態で一括処理することが望ましいためにリードフレームの状態で検査が行われている。
【００１４】
以上の工程を経て、半導体レーザ装置が完成されて、梱包出荷が行われる。
【特許文献１】特開平６−４５７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記従来の半導体レーザ装置の製造方法によると、スクリーニング工程および特性検査工程では、半導体レーザ素子すなわち半導体レーザ装置がリードフレームに繋がった状態で実施されるために、これら検査工程の前後で、すなわち２度の切断工程が必要となる。
【００１６】
特に、半導体レーザ装置に搭載されている半導体レーザ素子は外力による特性変位が起こりやすい性質を持っており、リードフレームから支持領域部を切り離す際の力により、スクリーニング工程および特性検査工程にて良品となった半導体レーザ装置に故障が発生する原因になっていた。また、発光方向が半導体レーザ装置の前方向であるために、検査工程での測定用の受光装置と干渉しないように支持領域部を片側に配置する必要が生じ、そのために、リードフレームそのものの剛性が非常に弱くなって、製造途中または搬送途中で変形が生じ、不良が発生し易いという問題もあった。
【００１７】
そこで、本発明は、半導体レーザ装置を製造する際に、切断工程を減少させ得るとともに、リードフレームの剛性を高め得る半導体レーザ装置製造用リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を達成するために、本発明の請求項１に係る半導体レーザ装置用リードフレームは、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、
上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
【００１９】
また、本発明の請求項２に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、
上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、
上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、
上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
【００２０】
さらに、本発明の請求項３に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、
上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、
上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、
半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、
上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、
上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
【発明の効果】
【００２１】
上記リードフレームおよび半導体レーザ装置の製造方法によると、リード形成部を非導電性樹脂により形成された固定部材にてフレーム側に連結するようにしたので、半導体レーザ素子を電気的にリードに接続した後、タイバーとともに全てのリードを一度に切断しても支持領域部をフレーム側に保持することができ、したがって従来のように、検査工程の後において、所定のリードを切断する必要がなく、したがってこの切断工程で発生する力による半導体レーザ素子の不良発生を防止することができる。
【００２２】
また、素子搭載部に連結されたリード形成部が固定部材を介してフレーム側に連結されているため、支持領域部が片側だけに配置されている場合でも、リードフレームの剛性が高く維持されて、製造途中または搬送途中において、反りなどの変形が発生するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置製造用リードフレームおよびこのリードフレームを用いた半導体レーザ装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法に用いられるリードフレームの平面図、図２は同リードフレームの要部拡大平面図、図３は同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図、図４は同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図、図５は同リードフレームのタイバーおよび３本のリードを切断した状態の斜視図、図６は  同リードフレームに半導体レーザ素子を搭載した状態の要部斜視図、図７は同リードフレームにおける半導体レーザ素子とインナーリードとを電気的に接続した状態の要部拡大平面図、図８は同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の平面図、および図９は同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の斜視図である。
【００２５】
この半導体レーザ装置の製造方法およびこの製造方法にて用いられるリードフレームの主要な構成を概略的に説明しておく。
すなわち、この半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部およびリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームを準備する工程と、上記リードフレームに搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠を形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に固定する固定部材を非導電性樹脂にて形成する工程と、上記リード形成部の各リードをフレーム側に連結する全てのタイバーおよび全てのリードの一部を切断する工程と、上記リードフレームの素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する工程と、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを金属細線で電気的に接続する工程と、上記複数の半導体レーザ素子が搭載されたリードフレームの状態で当該半導体レーザ素子の特性を検査する工程と、上記リードフレームに保持された各支持領域部を分離させるとともに上記リード形成部の各リードを固定部材から離脱させて個々の半導体レーザ装置を得る工程とを具備した方法である。
【００２６】
さらに、簡単に説明すると、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを接続するための複数のリードを有するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームの上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載するとともに、半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後、上記支持領域部をフレームから分離させることにより半導体レーザ装置を製造する方法であって、上記素子搭載部に半導体レーザ素子を搭載する前に、リード形成部における各リードをフレーム側に連結するための固定部材を非導電性樹脂により形成する工程と、上記半導体レーザ素子の電極とリード形成部の各リードとを電気的に接続した後で、上記リード形成部におけるリードを切断する際に、当該全てのリードの一部および当該各リードをフレーム側に連結するための全てのタイバーを切断する工程とを具備するとともに、上記支持領域部ごとに分離して個々の半導体レーザ装置を得る際に、半導体レーザ素子に接続されたリード形成部の各リードを固定部材から離脱させる方法である。
【００２７】
また、本発明に係る半導体レーザ装置製造用リードフレームは、半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
【００２８】
以下、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施の形態に係る半導体レーザ装置を製造する際に用いられるリードフレームについては、半導体レーザ装置の製造方法に含めて説明する。また、以下の説明においては、特性変動および特性の検査については、従来で説明したものと同一であるため、図面を用いずに簡単に説明する。
【００２９】
まず、第１の工程において、図１および図２に示すように、素子搭載部であるダイパッド部１が接続用端子部であるリード形成部［具体的には、複数の例えば３本のリード（リード端子ともいい、インナーリード３ａとアウターリード３ｂとからなる）３を有している］２に一体に設けられてなる支持領域部（支持部材ともいえる）４が一列に複数個（例えば、縦１列にｎ個）配置されたリードフレーム５を準備する。図１には、縦１列に１２個配置した場合を示しており、１枚のリードフレーム５で１２個の半導体レーザ装置を得ることができる。なお、支持領域部４の配置方向は全て同一方向となるように配列されている。また、リードフレーム５の長手方向の片側部には、後工程でのワイヤボンド装置やダイボンド装置において用いられる搬送用の送り穴６および位置決め用の位置決め穴７がそれぞれ所定ピッチでもって形成されている。
【００３０】
次に、第２の工程においては、図３〜図５に示すようにダイパッド部１に搭載される半導体レーザ素子を保護するための保護枠（ガード枠ともいう）８とダイパッド部１およびリード形成部２を固定するための固定部材（例えば断面が矩形状の棒状部がフレームの略全長に亘って設けられたもので、固定枠ともいう）９とがモールド装置（図示せず）により非導電性樹脂（絶縁性樹脂ともいう）にて全て一括で成型により形成される。なお、保護枠８と固定部材９とを別々に成型してもよい。
【００３１】
次に、第３の工程において、図４〜図６に示すように、リードフレーム５における各リード３をフレーム側に固定するためのタイバー（所謂、連結部である）１０とリード形成部２の３本のリード３とをパンチ金型（図示せず）でそれぞれ切断する。この時、半導体レーザ装置を構成するダイパッド部１および各リード３は固定部材９によりフレーム側に連結されているため、リードフレーム５に一体化された状態が維持されており、したがって後工程において、各半導体レーザ装置がリードフレームに一体化された状態（以下、リードフレーム状態ともいう）で特性変動および特性検査などの検査を行うことができる。
【００３２】
次に、第４の工程において、図６に示すように、各支持領域部４のダイパッド部１に予め半導体レーザ素子１１が配置されたサブ基板１２を搭載する。図６は半導体レーザ素子１１がサブ基板１２に搭載された状態を示す斜視図である。なお、サブ基板が、半導体レーザ素子のレーザ光を受光する面をもつ受光素子であってもよい。この場合には、受発光一対の半導体レーザ装置となる。
【００３３】
次に、第５の工程において、図７に示すように、半導体レーザ素子１１の表面電極１３とインナーリード３ａとが金属細線１４を介して電気的に接続される（所謂、ワイヤボンディングが行われる）。
【００３４】
次に、第６の工程において、スクリーニング検査用のスクリーニングボードに搭載されているソケットにリードフレーム５を挿入し、高温槽の中で半導体レーザ素子１１を発光させながら特性変動を検査するスクリーニング検査が行われ、また第７の工程では、コンタクト端子でリード３に電流を流しながら、さまざまな特性について検査が行われる。
【００３５】
次に、第８の工程において、図８および図９に示すように、リードフレーム５の固定部材９から半導体レーザ素子１１が搭載されたダイパッド部１をリード３とともに引き抜いて離脱させることにより、個々の半導体レーザ装置１３が得られる。
【００３６】
以上の工程を経て、半導体レーザ装置１３は完成されて、梱包出荷が行われる。
ここで、上記製造途中におけるリードフレームの構成を説明しておくと、半導体レーザ素子を搭載するダイパッド部および上記半導体レーザ素子と外部機器とを電気的に接続するリード形成部からなる支持領域部が複数連結されたリードフレームにおいて、上記リード形成部の各リードを非導電性樹脂にてフレーム側に固定したものである。
【００３７】
上述した半導体レーザ装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体レーザ装置の製造方法によると、リード形成部が非導電性樹脂により形成された固定部材を介してフレーム側に連結されているので、特性変動検査、特性検査などの検査工程の前で、タイバーおよびリードを全て切断することができ、したがって半導体レーザ素子を搭載した後でリードを切断する工程が不要となるので、従来のように、検査後における切断工程で発生する力により、半導体レーザ素子が不良になるのを防止することができる。
【００３８】
また、素子搭載部が連結されたリード形成部が固定部材を介してフレーム側に連結されているため、支持領域部が片側だけに配置（連結）されている場合でも、リードフレームの剛性が高く維持されて、製造途中および搬送途中において、フレームが反るなどの変形が発生するのを防止（または抑制）することができ、したがって変形に起因する不良の発生を防止することができる。
【００３９】
しかも、従来と同様にリードフレーム状態にて製造工程を移動させる（流す）ことができるとともに、切断工程も減少するため、作業効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法に用いられるリードフレームの平面図である。
【図２】同リードフレームの要部拡大平面図である。
【図３】同リードフレームに保護枠を形成した状態の平面図である。
【図４】同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図である。
【図５】同リードフレームのタイバーおよび３本のリードを切断した状態の斜視図である。
【図６】同リードフレームに半導体レーザ素子を搭載した状態の要部斜視図である。
【図７】同リードフレームにおける半導体レーザ素子とインナーリードとを電気的に接続した状態の要部拡大平面図である。
【図８】同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の平面図である。
【図９】同リードフレームにおける固定部材から半導体レーザ装置を離脱させた状態の斜視図である。
【図１０】従来例に係る半導体レーザ装置の製造方法に用いられるリードフレームの平面図である。
【図１１】同リードフレームの要部拡大平面図である。
【図１２】同リードフレームに保護枠を形成した状態の平面図である。
【図１３】同リードフレームに保護枠を形成した状態の斜視図である。
【図１４】同リードフレームに保護枠を形成した状態の要部拡大斜視図である。
【図１５】同リードフレームに半導体レーザ素子を搭載した状態の要部拡大斜視図である。
【図１６】同リードフレームにおける半導体レーザ素子とインナーリードとを電気的に接続した状態の要部拡大平面図である。
【図１７】同リードフレームにおける半導体レーザ素子とインナーリードとを電気的に接続した状態の要部拡大平面図である。
【図１８】同リードフレームにおけるタイバーおよび２本のリードを切断した状態の要部拡大平面図である。
【図１９】従来例の製造方法におけるスクリーニング工程で用いられるスクリーニングボードの斜視図である。
【図２０】同スクリーニングボードの斜視図である。
【図２１】同スクリーニングボードのソケットにリードフレームを挿入する直前の状態を示す平面図である。
【図２２】従来例の製造方法における特性検査工程を示す斜視図である。
【図２３】従来例の製造方法により製造された半導体レーザ装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】
１      ダイパッド部
２      リード形成部
３      リード
３ａ    インナーリード
３ｂ    アウターリード
４      支持領域部
５      リードフレーム
８      保護枠
９      固定部材
１０      タイバー
１１      半導体レーザ素子
１２      サブ基板
１３      半導体レーザ装置
【図１】
2007288007.tif 000003
【図２】
2007288007.tif 000004
【図３】
2007288007.tif 000005
【図４】
2007288007.tif 000006
【図５】
2007288007.tif 000007
【図６】
2007288007.tif 000008
【図７】
2007288007.tif 000009
【図８】
2007288007.tif 000010
【図９】
2007288007.tif 000011
【図１０】
2007288007.tif 000012
【図１１】
2007288007.tif 000013
【図１２】
2007288007.tif 000014
【図１３】
2007288007.tif 000015
【図１４】
2007288007.tif 000016
【図１５】
2007288007.tif 000017
【図１６】
2007288007.tif 000018
【図１７】
2007288007.tif 000019
【図１８】
2007288007.tif 000020
【図１９】
2007288007.tif 000021
【図２０】
2007288007.tif 000022
【図２１】
2007288007.tif 000023
【図２２】
2007288007.tif 000024
【図２３】
2007288007.tif 000025