(57)【要約】【課題】対象物のエッジを正確に検出することができ、特に、印字装置における種々の印字対象物のエッジを正確に検出できるエッジ検出装置を提供する。【解決手段】所定位置に設けられた第１のセンサ及び第２のセンサに対して光ディスクが搬送され、第１のセンサ位置を光ディスクのエッジが通過する前後で第１のセンサの出力を測定し（ステップＳ１、Ｓ７）、その測定値に基づいて第２のセンサのエッジ検出のための閾値を決定する（ステップＳ１０）。次いで、第１のセンサより時間的に遅れて光ディスクのエッジが通過する第２のセンサのセンサ出力を測定し、その測定値が前記設定された閾値を超えたときに光ディスクのエッジの検出を判断する（ステップＳ１４）。【選択図】図４
2007268756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する第１のセンサと、
前記第１のセンサより時間的に遅れて前記対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する第２のセンサと、
前記第１のセンサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記第２のセンサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記第２のセンサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッジ検出装置。
【請求項２】
往復搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する単一のセンサと、
前記対象物の往搬送時に前記センサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記センサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記対象物の復搬送時に前記センサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッジ検出装置。
【請求項３】
往復搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する単一のセンサと、
前記対象物の往搬送時に前記センサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記センサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記対象物が一旦復搬送された後の再度の往搬送時に、前記センサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッジ検出装置。
【請求項４】
前記制御手段は、対象物毎に、エッジ検出のための閾値の決定と、その決定された閾値基づくエッジの検出の判断処理を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のエッジ検出装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のエッジ検出装置を備えると共に、前記制御手段によるエッジの検出の判断に基づいて、前記対象物に印字を行うことを特徴とする印字装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象物のエッジを検出するエッジ検出装置及びそのエッジ検出装置を備えて検出対象物に印字を行う印字装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、印字用紙の先端検出用のセンサを備え、そのセンサによって印字用紙のエッジを検出するものとして、特開平６−４７９９８号公報（特許文献１）記載の印字装置がある。この印字装置は、印字用紙の搬送機構及びその搬送機構によって搬送される印字用紙に対して印字を行うサーマルヘッドを備え、そのサーマルヘッドには、印字用紙の先端エッジを検出するためのセンサを発熱体の上流側に備えており、このセンサによってサーマルヘッドに向けて搬送される印字用紙の先端エッジを検出し、そのエッジの検出に基づいて印字用紙に対するサーマルヘッドによる印字の開始位置を制御するものである。
【特許文献１】特開平６−４７９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載されるような印字装置においては、例えば、反射型の光学センサによって印字用紙のエッジを検出する場合、印字用紙の先端エッジが光学センサ位置を通過する前後のセンサ出力が予め定めた閾値を超えるときにエッジの検出の判断を行う。しかし、種々異なる印字用紙がセットされた場合、その印字用紙の種類によっては光反射特性に違いがあるため、予め設定された所定の閾値に基づいてエッジ検出をすると、必ずしも正確にエッジ検出ができず、印字開始位置にずれが生じることがある。
【０００４】
本発明はこのような問題を解決するものであり、対象物のエッジを正確に検出することができるエッジ検出装置及びそのエッジ検出装置を備えて対象物に印字を行う印字装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１のエッジ検出装置は、搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する第１のセンサと、前記第１のセンサより時間的に遅れて前記対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する第２のセンサと、前記第１のセンサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記第２のセンサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記第２のセンサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００６】
また、請求項２のエッジ検出装置は、往復搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する単一のセンサと、前記対象物の往搬送時に前記センサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記センサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記対象物の復搬送時に前記センサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項３のエッジ検出装置は、往復搬送される対象物のエッジが通過することに伴って生じる物理量の変化を検出する単一のセンサと、前記対象物の往搬送時に前記センサから得られる前記対象物のエッジの通過の前後における物理量に基づいて、前記センサのエッジ検出のための閾値を決定し、前記対象物が一旦復搬送された後の再度の往搬送時に、前記センサによって検出される物理量が前記閾値を超えたときに、前記対象物のエッジの検出を判断する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記エッジ検出装置において、前記制御手段は、対象物毎に、エッジ検出のための閾値の決定と、その決定された閾値基づくエッジの検出の判断処理を行うことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の印字装置は、前記エッジ検出装置を備えると共に、前記制御手段によるエッジの検出の判断に基づいて、前記対象物に印字を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１のエッジ検出装置によれば、第１のセンサ位置を対象物のエッジが通過する前後での第１のセンサによる検出物理量に基づいて、第１のセンサより対象物のエッジが遅れて通過する第２のセンサによるエッジ検出のための閾値を決定するものであり、エッジ検出の対象となる対象物そのものを対象として閾値を決定し、その閾値に基づいてエッジを検出するため、種々の対象物それぞれに対応して適切に閾値を決定することができ、種々の対象物のエッジを正確に判断することができる。
【００１１】
また、請求項２のエッジ検出装置によれば、単一のセンサ位置に対象物を往復搬送させてそのエッジを通過させるとともに、対象物の往搬送時におけるエッジ通過の前後での当該センサによる検出物理量に基づいて、対象物の復搬送時にエッジが通過する際の当該センサによるエッジ検出のための閾値を決定するものであり、エッジ検出の対象となる対象物そのものを対象として閾値を決定し、その閾値に基づいてエッジを検出するため、種々の対象物それぞれに対応して適切に閾値を決定することができ、種々の対象物のエッジを正確に判断することができる。また、閾値の決定のための物理量の検出と、エッジ検出のための物理量の検出を単一のセンサによって行うため、センサの数を減らすことができる。
【００１２】
また、請求項３のエッジ検出装置によれば、単一のセンサ位置に対象物を往復搬送させてそのエッジを通過させるとともに、対象物の往搬送時におけるエッジ通過の前後での当該センサによる検出物理量に基づいて、一旦復搬送された後に往搬送される対象物のエッジが通過する際の当該センサによるエッジ検出のための閾値を決定するものであり、エッジ検出の対象となる対象物そのものを対象として閾値を決定し、その閾値に基づいてエッジを検出するため、種々の対象物それぞれに対応して適切に閾値を決定することができ、種々の対象物のエッジを正確に判断することができる。また、閾値の決定のための物理量の検出と、エッジ検出のための物理量の検出を単一のセンサによって行うため、センサの数を減らすことができる。
【００１３】
また、対象物毎にエッジ検出のための閾値の決定とその決定された閾値に基づくエッジの検出の判断処理を行うことにより、様々な対象物のエッジを高い精度で判断することができる。そして、上記のエッジ検出装置を印字装置に設けることにより、この印字装置により印字を行う種々の印字対象物のエッジを正確に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１及び図２は本発明の実施の形態に係るエッジ検出装置を備えた、光ディスクなどの記録媒体に印字が可能な印字装置を示すものであり、図１は印字装置の装置本体に設けられるカバーを閉じた状態の斜視図であり、図２はそのカバーを開いた状態の斜視図である。
【００１５】
この印字装置１はインクリボンを用いて光ディスクＤに熱転写により印字を行うものであり、装置本体２内には熱転写印字機構が設けられ、インクリボン２１を保持したリボンカセット２０が収容されるようになっている。
【００１６】
装置本体２は外形が箱型に形成され、その手前側の上面部分に装置本体カバー３が装置本体２に対して着脱可能に設けられている。この装置本体カバー３によって覆われる装置本体２の部分には上方が開口部４により開口された収容部５が形成されており、その収容部５内に熱転写印字機構が設けられると共に、リボンカセット２０が交換自在に装着可能となっている。
【００１７】
収容部５内に設けられる熱転写印字機構は、印字対象物である光ディスクＤとインクリボン２１を重ねて共に搬送するプラテンローラ６と、その搬送される光ディスクＤにインクリボン２１のインクを熱転写するサーマルヘッド７と、熱転写に消費されたインクリボン２１を巻き取るためのリボン巻取軸８を備えている。前記プラテンローラ６はその駆動軸を垂直向きにして収容部５の所定位置に設けられ、前記サーマルヘッド７は発熱素子列が垂直向きに配列されてプラテンローラ６に対向して収容部５内に配設され、不図示の機構によってプラテンローラ６に対して接離可能になっている。また、この収容部５内にはリボンカセット２０を所定位置に位置合せしてその熱転写印字機構に対して配置するための複数の位置合せ用の係合部９が設けられている。
【００１８】
この印字装置１では、垂直向きに配置されているサーマルヘッド７及びプラテンローラ６を備えており、この熱転写印字機構によって印字を行うために、光ディスクＤを装置本体２に対して起立状態として装填すると共に、起立状態で搬送し、その起立状態で搬送される光ディスクＤの垂直向きのレーベル面に対して印字を行うようになっている。このような形態を採用するため、収容部５の端部には起立状態にした状態で光ディスクＤを搬送するべく、起立状態の光ディスクＤの下端部が摺接する案内底面を有し、起立状態の光ディスクＤを移送可能な搬送路１０が装置本体２の左右方向に向けて形成されている。
【００１９】
搬送路１０の途中には、搬送路１０に臨んでサーマルヘッド７及びプラテンローラ６が配設されると共に、搬送路１０の下流側端部が印字前の光ディスクＤを挿入し印字後の光ディスクＤを取り出す挿入／取出口１１に通じている。また、この搬送路１０内には、図５に図示するように、光ディスクＤのエッジを検出してサーマルヘッド７の印字開始位置を決めるための第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂがサーマルヘッド７及びプラテンローラ６が設けられる位置より上流側に設けられている。
【００２０】
また、この印字装置１では、前記サーマルヘッド７の有効印字幅は光ディスクＤのレーベル面のサイズに比べて小さくレーベル面の一部分に印字するものであるため、その印字領域を印字機構に対応させるべく、光ディスクＤを起立状態にしてその下半部を装置本体２に収容し、上半部は装置外に露出するようになっている。このため、光ディスクＤがその上半部を装置外に露出した状態で装置本体２のセット位置に装填され搬送路１０に沿って搬送されて印字を行うべく、装置本体２に対して装置本体カバー３が閉合した状態で光ディスクＤが挿通する挿通口１２が装置本体２と装置本体カバー３間に形成される。すなわち、装置本体カバー３の縁部と装置本体２の収容部５の開口縁部の間に隙間を形成することにより前記搬送路１０の上方に沿って挿通口１２を形成するべく、装置本体２の手前側上面部に装置本体カバー３が取り付けられるようになっている。
【００２１】
また、この挿通口１２には防塵機能を有すると共に、光ディスクＤの装填時にインクリボンへの損傷防止機能を有する挿通口カバー１３が配設されている。この挿通口カバー１３は、装置本体２の収容部５の上方開口縁部から挿通口１２に向けて出没自在に設けられ、図示しない弾性部材によって付勢されることにより光ディスクＤが装填されていない状態では搬送路１０の真上位置の挿通口１２内を塞いで配置される。この挿通口カバー１３の挿入／取出口１１側の端部には所定方向に傾斜する傾斜部１４を備えており、挿入／取出口１１を通じて光ディスクＤが装填されると、それに押されて装置本体２内の退避位置に退いて挿通口１２を開放し光ディスクＤの挿入が可能になる。光ディスクＤへの印字が終了して光ディスクＤが装置内から取り除かれれば、前記弾性部材によって付勢されている挿通口カバー１３はその閉位置に復帰する。一方、挿通口カバー１３が閉位置にあるときには、挿通口１２が閉じられているため、装置の上方から光ディスクＤを挿入することはできないようになっている。このように、この印字装置１では、インクリボン２１の搬送方向と平行な挿入／取出口１１を通じた方向からの光ディスクＤの装填だけを可能にしており、インクリボン２１の搬送方向と直交する方向からの光ディスクＤが装填されることにより、インクリボン２１を引っ掛けて損傷させる不都合が生じないようにしている。
【００２２】
また、図２において、１５は挿通口カバー移動部材であり、装置本体カバー３を外し収容部５に装着されたリボンカセット２０を交換する際に、挿通口カバー１３を退避位置に移動させて交換作業の邪魔にならないようにしている。この挿通口カバー移動部材１５は、装置本体カバー３の裏面に設けた係合部１６に係合するように構成されており、装置本体カバー３の脱着に連動して動作するようになっている。
【００２３】
次に、図３は本実施の形態の印字装置の電子回路のブロック図を示している。同図に示すように、この印字装置１はコンピュータ装置２５に通信可能に接続されている。コンピュータ装置２５によって光ディスクＤに印字する情報が入力され、その入力された情報の印字が指示されると、コンピュータ装置２５から印字装置１に印字データが転送され印字装置１によって光ディスクＤへの印字動作が行われる。
【００２４】
図３において、印字装置１の電子回路には、ＣＰＵからなる制御部３０が備えられ、制御部３０は、通信インターフェース３１を介してコンピュータ装置２５に通信可能に接続されると共に、印字動作の制御を行うプログラムなどを記憶するＲＯＭ３２、コンピュータ装置２５から転送される印字データやその他印字の処理に必要なデータを記憶するＲＡＭ３３が接続される他、サーマルヘッド７を印字データに応じて発熱駆動する駆動回路３４、プラテンローラ６及びリボン巻取軸８を駆動するためのステップモータ３５の駆動回路３６が接続される。
【００２５】
また、制御部３０には、反射型の光学センサからなり、光ディスクＤのエッジを検出するための第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂがＡ／Ｄ変換器３８ａ、３８ｂを介して接続される。この第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂは、図５に示すように、搬送路１０に臨んだ所定の位置に設けられており、本発明のエッジ検出装置を構成する。
【００２６】
次に、この印字装置１による光ディスクＤへの印字処理を図４のフローチャートに従って説明する。印字を開始するにあたって光ディスクＤが装置本体２に装填され、装置本体２内の初期位置にセットされる。図５（ａ）は装置本体２の初期位置にセットされた光ディスクＤを示している。この初期位置には前記第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂが設けられており、第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂは初期位置にセットされた光ディスクＤのレーベル面に対応しそのレーベル面を検出するようになっている。
【００２７】
そこで、コンピュータ装置２５からの印字指示があり、印字データが印字装置１に転送されて印字装置１の印字動作が始まる。まず、初期位置にセットされ静止状態の光ディスクＤに対向している第１のセンサ３７ａの検出量が測定される（ステップＳ１）。図６は光ディスクＤの搬送距離とセンサの出力電圧の関係を示すものであり、Ａがエッジ検出処理における第１のセンサ３７ａの出力波形であり、Ｂが第２のセンサ３７ｂの出力波形を示している。このステップＳ１では、図５（ａ）のように第１のセンサ３７ａは初期位置に静止状態で位置する光ディスクＤのレーベル面に対応しており、その状態で測定が行われ、その出力電圧の値ａがＡ／Ｄ変換器３８ａを介してデジタル信号で取り込まれ、ＲＡＭ３３に記憶される。
【００２８】
次に、ステップモータ３５によりプラテンローラ６が駆動されて光ディスクＤがサーマルヘッド７に向けた下流側方向に搬送されると共に（ステップＳ２）、第１のセンサ３７ａの検出量が測定され、その測定値の少なくとも今回分と前回分とがＲＡＭ３３に順次書き換えられて記憶される（ステップＳ３）。そして、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＳ４）、変化率が所定値以上か否かが判断される（ステップＳ５）。このステップＳ５で変化率が所定値以上ではないと判断されれば、ステップＳ２〜Ｓ５の処理を繰り返し、ステップＳ５で変化率が所定値以上であると判断されると、ステップＳ６に移行する。図６の波形Ａに示すように、光ディスクＤのエッジが第１のセンサ３７ａの位置を通過する前後で第１のセンサ３７ａの出力レベルは値ａから値ｂに向けて大きな変化率で変化するため、ステップＳ５では、第１のセンサ３７ａの出力レベルの変化率を判断することにより、第１のセンサ３７ａの位置を光ディスクＤのエッジ部分が通過中であることを判断するものである。
【００２９】
次のステップＳ６では更に光ディスクＤのサーマルヘッド７に向けた下流側への搬送を続け、それに対応して第１のセンサ３７ａの検出量が測定され、その測定値の少なくとも今回分と前回分とがＲＡＭ３３に順次書き換えられて記憶される（ステップＳ７）。そして、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＳ８）、その変化率が所定値以下か否かが判断される（ステップＳ９）。このステップＳ９で変化率が所定値以下ではないと判断されれば、ステップＳ６〜Ｓ９の処理を繰り返し、ステップＳ９で変化率が所定値以下であると判断されると、そのときの測定値は図６の波形Ａの値ｂのレベルであり、その測定値ｂがＲＡＭ３３に記憶されると共に、次のステップＳ１０に移行する。このステップＳ９は、第１のセンサ３７ａの位置を光ディスクＤのエッジ部分が完全に通過したことを判断するためのものである。
【００３０】
ステップＳ１０では、ステップＳ１で測定した値ａとステップＳ７で測定した値ｂの平均値ｃを演算で求め、その値ｃを第２のセンサ３７ｂのエッジ検出のための閾値として決定する（ステップＳ１０）。このようにして、閾値ｃが決められた後、更に光ディスクＤが図５（ｂ）の矢印で示す前記所定方向に向けて搬送され（ステップＳ１１）、それに対応して第２のセンサ３７ｂの検出量が測定され（ステップＳ１２）、その検出量が閾値ｃを超えたか否かが判断される（ステップＳ１３）。このステップＳ１３で検出量が閾値ｃを超えていないと判断されれば、ステップＳ１１〜Ｓ１３の処理を繰り返し、検出量が閾値ｃを超えたと判断されると、それをもって光ディスクＤのエッジ検出を判断する（ステップＳ１４）。図６に示す波形Ｂは、ステップＳ１１〜Ｓ１３の処理の間における第２のセンサ３７ｂの出力を説明している。そして、このエッジ検出に基づいて、サーマルヘッド７が印字データによって発熱駆動されて、光ディスクＤのレーベル面にインクリボン２１を介して熱転写印字が行われる（ステップＳ１５）。図７はこの印字処理によって行われた光ディスクＤの印字例を示している。
【００３１】
本実施の形態の印字装置１によれば、第１のセンサ３７ａ及び第２のセンサ３７ｂを有するエッジ検出装置を備え、第１のセンサ３７ａによって光ディスクＤのエッジが通過する前後の物理量（出力電圧）の変化を検出し、その検出値に基づいて第２のセンサ３７ｂの閾値を決定し、その閾値に基づいて第２のセンサ３７ｂ位置を遅れて通過する光ディスクＤのエッジを第２のセンサ３７ｂによって検出するようにしたものであり、様々な種類の光ディスクＤが装置本体２に装填されて印字が行われても、その光ディスク毎にエッジ検出のためのセンサの閾値を設定し、その閾値に基づいて印字開始の制御を行うものであるため、高精度のエッジ検出が可能になり、そのエッジ検出装置を備えた印字装置では、印字位置にずれが生じるなどの不都合がなく高品位の印字結果が得られる。
【００３２】
なお、第１のセンサ３７ａと第２のセンサ３７ｂとは、その特性が同等であることが好ましいが、特性が異なる場合には、その特性の差の分を考慮して閾値の設定を行う。
【００３３】
上述の実施の形態では、印字装置１が備えるエッジ検出装置は第１のセンサと第２のセンサを有していたが、これを１個のセンサとすることができる。この第２の実施の形態はそのような例である。以下、この第２の実施の形態の印字処理を図８のフローチャートに従って説明する。図９（ａ）は装置本体２の初期位置にセットされた光ディスクＤを示しており、初期位置の近傍の上流側にはセンサ３７ｃが設けられている。印字装置１の印字動作が始まると、まず、初期位置に静止した光ディスクＤに対して、そのレーベル面から外れた上流側でセンサ３７ｃの検出量が測定され、その測定値ｄがＲＡＭ３３に記憶される（ステップＴ１）。
【００３４】
次に、ステップモータ３５によりプラテンローラ６が駆動されて光ディスクＤがサーマルヘッド７とは反対方向の上流側に搬送（往搬送）されると共に（ステップＴ２）、センサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＴ３）、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＴ４）、変化率が所定値以上か否かが判断される（ステップＴ５）。このステップＴ５で変化率が所定値以上ではないと判断されれば、ステップＴ２〜Ｔ５の処理を繰り返し、ステップＴ５で変化率が所定値以上であると判断されると、ステップＴ６に移行する。このステップＴ５はセンサ３７ｃの位置を光ディスクＤのエッジ部分が通過中であることを判断するためのものである。
【００３５】
ステップＴ６では更に図９（ｂ）のように光ディスクＤの上流側への搬送を続け、それに対応してセンサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＴ７）、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＴ８）、変化率が所定値以下か否かが判断される（ステップＴ９）。このステップＴ９で変化率が所定値以下ではないと判断されれば、ステップＴ６〜Ｔ９の処理を繰り返し、ステップＴ９で変化率が所定値以下であると判断されると、そのときの測定値ｅがＲＡＭ３３に記憶されると共に、次のステップＴ１０に移行する。このステップＴ９はセンサ３７ｃの位置を光ディスクＤのエッジ部分が完全に通過したことを判断するためのものである。
【００３６】
ステップＴ１０では、ステップＴ１で測定した値ｄとステップＴ７で測定した値ｅの平均値ｆを演算で求め、その値ｆをセンサ３７ｃの閾値として決定する（ステップＴ１０）。
【００３７】
ステップＴ１０で閾値ｆが決められた後、光ディスクＤは下流側に向けて搬送（復搬送）され（ステップＴ１１）、それに対応してセンサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＴ１２）、その検出量が閾値ｆを超えたか否かが判断される（ステップＴ１３）。このステップＴ１３で検出量が閾値ｆを超えていないと判断されれば、ステップＴ１１〜Ｔ１３の処理を繰り返し、検出量が閾値ｆを超えたと判断されると、それをもって光ディスクＤのエッジ検出が判断される（ステップＴ１４）。そして、このエッジ検出に基づいて、サーマルヘッド７が印字データによって発熱駆動されて、光ディスクＤのレーベル面にインクリボン２１を介して熱転写印字が行われる（ステップＴ１５）。なお、図９（ｂ）、（ｃ）の破線は初期位置の光ディスクＤを示している。
【００３８】
本実施の形態の印字装置によれば、センサ３７ｃによって光ディスクＤのエッジが通過する前後の物理量（出力電圧）の変化を検出し、その検出値に基づいてセンサ３７ｃのエッジ検出のための閾値を決定し、その閾値に基づいてエッジを検出するようにしたものであり、様々な種類の光ディスクＤが装置本体２に装填されて印字が行われても、その光ディスク毎にエッジ検出のためのセンサの閾値を設定し、その閾値に基づいて印字開始の制御を行うものであるため、高精度のエッジ検出が可能になり、そのエッジ検出装置を備えた印字装置では、印字位置にずれが生じるなどの不都合がなく高品位の印字結果が得られる。また、センサを１個にすることができ、部品点数を少なくすることができる。
【００３９】
次に、第３の実施の形態は、第２の実施の形態と同様に１個のセンサによってエッジ検出装置を構成する点で同一であるが、光ディスクＤの搬送が第２の実施の形態の場合と若干相違している。
【００４０】
以下、この第３の実施の形態の印字処理を図１０のフローチャートに従って説明する。図１１（ａ）は装置本体２の初期位置にセットされた光ディスクＤを示しており、初期位置の近傍の下流側にはセンサ３７ｃが設けられている。印字装置１の印字動作が始まると、まず、初期位置に静止した光ディスクＤに対して、そのレーベル面から外れた下流側でセンサ３７ｃの検出量が測定され、その測定値ｇがＲＡＭ３３に記憶される（ステップＵ１）。
【００４１】
次に、ステップモータ３５によりプラテンローラ６が駆動されて光ディスクＤがサーマルヘッド７に向けて下流側に搬送（往搬送）されると共に（ステップＵ２）、センサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＵ３）、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＵ４）、変化率が所定値以上か否か判断される（ステップＵ５）。このステップＵ５で変化率が所定値以上ではないと判断されれば、ステップＵ２〜Ｕ５の処理を繰り返し、ステップＵ５で変化率が所定値以上であると判断されると、ステップＵ６に移行する。このステップＵ５はセンサ３７ｃの位置を光ディスクＤのエッジ部分が通過中であることを判断するためのものである。
【００４２】
ステップＵ６では更に図１１（ｂ）のように光ディスクＤの下流側への搬送を続け、それに対応してセンサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＵ７）、今回の測定値と前回の測定値との変化率が演算され（ステップＵ８）、変化率が所定値以下か否かが判断される（ステップＵ９）。このステップＵ９で変化率が所定値以下ではないと判断されれば、ステップＵ６〜Ｕ９の処理を繰り返し、ステップＵ９で変化率が所定値以下であると判断されると、そのときの測定値ｈがＲＡＭ３３に記憶されると共に、次のステップＵ１０に移行する。このステップＵ９はセンサ３７ｃの位置を光ディスクＤのエッジ部分が完全に通過したことを判断するためのものである。
【００４３】
ステップＵ１０では、ステップＵ１で測定した値ｇとステップＵ７で測定した値ｈの平均値ｉを演算で求めて、その値ｉを閾値として決定する（ステップＵ１０）。
【００４４】
ステップＵ１０で閾値ｉが決められた後、図１１（ｃ）に示すように、一旦に光ディスクＤが上流側に向けて搬送（復搬送）される（ステップＵ１１）。その後、光ディスクＤが下流側に向けて搬送（往搬送）され（ステップＵ１２）それに対応してセンサ３７ｃの検出量が測定され（ステップＵ１３）、その検出量が閾値ｉを超えたか否かが判断される（ステップＵ１４）。このステップＵ１４で検出量が閾値ｉを超えていないと判断されれば、ステップＵ１１〜Ｕ１４の処理を繰り返し、検出量が閾値ｉを超えたと判断されると、それをもって光ディスクＤのエッジ検出を判断する（ステップＵ１５）。そして、このエッジ検出に基づいて、サーマルヘッド７が印字データによって発熱駆動されて、光ディスクＤのレーベル面にインクリボン２１を介して熱転写印字が行われる（ステップＵ１６）。なお、図１１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の破線は初期位置の光ディスクＤを示している。
【００４５】
この第３の実施の形態も第２の実施の形態と同様に、様々な種類の光ディスクＤが装置本体２に装填されて印字が行われても、その光ディスク毎にエッジ検出のためのセンサの閾値を設定し、その閾値に基づいて印字開始の制御を行うものであるため、高精度のエッジ検出が可能になり、そのエッジ検出装置を備えた印字装置では、印字位置にずれが生じるなどの不都合がなく高品位の印字結果が得られる。また、センサを１個にすることができ、部品点数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態に係るエッジ検出装置を備えた印字装置の装置本体カバーを閉じた状態の外観斜視図。
【図２】その印字装置の装置本体カバーを開いた状態の外観斜視図。
【図３】その印字装置の電子回路のブロック図。
【図４】その印字装置の第１の実施形態のエッジ検出処理のフローチャート。
【図５】その印字装置の第１の実施形態のエッジ検出処理の説明図。
【図６】センサの出力波形の説明図。
【図７】光ディスクの印字例の説明図。
【図８】印字装置の第２の実施形態のエッジ検出処理のフローチャート。
【図９】その第２の実施形態のエッジ検出処理の説明図。
【図１０】印字装置の第３の実施形態のエッジ検出処理のフローチャート。
【図１１】その第３の実施形態のエッジ検出処理の説明図。
【符号の説明】
【００４７】
１…印字装置
２…装置本体
３…装置本体カバー
４…開口部
５…収容部
６…プラテンローラ
７…サーマルヘッド
８…リボン巻取軸
９…係合部
１０…搬送路
１１…挿入／取出口
１２…挿通口
１３…挿通口カバー
１４…傾斜部
１５…挿通口カバー移動部材
１６…係合部
２０…リボンカセット
２１…インクリボン
３０…制御部（ＣＰＵ）
３２…ＲＯＭ
３３…ＲＡＭ
３７ａ…第１のセンサ
３７ｂ…第２のセンサ
３７ｃ…センサ
Ｄ…光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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