(57)【要約】【課題】磁気転写を行う際のサブパルスを除去でき、高密度記録に対応した磁気転写用マスター記録媒体、この磁気転写用マスター記録媒体を使用した磁気転写方法、及びこの磁気転写方法により磁気情報を記録した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】複数個の磁性層パターンと、この磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体である。非磁性層パターンの円周方向長さの最小値をｂとし、磁性層パターンの円周方向長さをｂより大とする。【選択図】  図９
2007109274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層パターンの円周方向長さの最小値がｂであり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂより大であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体。
【請求項２】
複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層パターンの円周方向長さがｂの１水準であり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂより大であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体。
【請求項３】
複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層パターンの円周方向長さがｂ及び２ｂの２水準であり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂ、２ｂ、３ｂ及び３ｂ以上の多水準であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター記録媒体と、保磁力がＨｃである磁性層を備える被転写用媒体とを密着させる密着工程と、
磁界生成手段を設け、前記被転写用媒体と前記マスター媒体の円周方向にＨｃ−７９５８０Ａ／ｍ≦Ｈａ≦Ｈｃ−２３８７４Ａ／ｍである磁界Ｈａを加え、前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用媒体に転写させる磁気転写工程と、
を備えることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気転写方法によって磁気情報を記録したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター記録媒体と、保磁力がＨｃである磁性層を備える被転写用媒体とを密着させる密着手段と、
磁界生成手段を備え、前記被転写用媒体と前記マスター媒体の円周方向にＨｃ−７９５８０Ａ／ｍ≦Ｈａ≦Ｈｃ−２３８７４Ａ／ｍである磁界Ｈａを加え、前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用媒体に転写させる磁気転写手段と、
を備えることを特徴とする磁気転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスター記録媒体、磁気転写方法、装置、及び磁気記録媒体に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、マスターディスクからフォーマット情報等の磁気情報パターンを転写するのに好適な磁気転写用マスター記録媒体、この磁気転写用マスター記録媒体を使用した磁気転写方法、装置、及びこの磁気転写方法により磁気情報を記録した磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この磁気転写技術は、マスターディスクと被転写ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片側又は両側に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加し、マスターディスクの有する情報（たとえばサーボ信号）に対応する磁化パターンの転写を行うものである。
【０００４】
この磁気転写では、マスターディスクとスレーブディスクとの相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、しかも記録に要する時間も極めて短時間であるという利点を有している。
【０００５】
特に、近年の電子線描画技術に代表される超微細加工技術の進歩により、最短ビット長が１００ｎｍ以下である信号のパターニングも可能となり、現在のハードディスクの面密度相当の信号の一括書き込みを磁気転写により行うことも可能となってきた。
【０００６】
従来より、この種の磁気転写技術として各種の提案がなされている（たとえば、特許文献１、２等。）。この特許文献１の提案は、基板の表面に情報信号に対応する磁性材料からなる凹凸形状が形成されたマスターディスクより一括転写するものである。特許文献２の提案は、磁気転写の際にマスターディスクとスレーブディスクとの密着性を向上させるものである。そして、これらの提案により、高密度の磁気転写ができるとされている。
【特許文献１】特開平１０−４０５４４号公報
【特許文献２】特開平１０−２６９５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、磁気転写方法における技術的な問題点の一つとして、マスター媒体（マスターディスク）からスレーブ媒体（スレーブディスク）への信号の転写において、スレーブ媒体上に不明瞭な磁気記録部（反転磁化）が発生するという問題がある。これを図１２によって説明する。なお、この問題点は、従来の磁気ヘッドによる書き込みでは生じていなかった磁気転写に固有の問題点である。
【０００８】
図１２は、転写信号のパルス波形を示す図である。正常な磁気転写が行われた場合には、（ａ）に示されるように、正のパルス波形ＰP、ＰP…と負のパルス波形ＰN、ＰN…とが交互に生じる。ところが、正常な磁気転写が行われずに、（ｂ）に示されるように、正のパルス波形ＰPと負のパルス波形ＰNとの間に偽のパルスであるサブパルスＰS、ＰS…を生じることがある。
【０００９】
このサブパルスＰSは、その振幅高さが本来のパルス（正のパルスＰP及び負のパルスＰN）の振幅高さに対してどの程度であるかが重要となる。すなわち、サブパルスＰSの振幅高さが本来のパルスの振幅高さに対して無視できないレベルであった場合、本来のパルスとの区別がつきにくくなり、サブパルスを再生信号として認識しエラーを発生することとなる。
【００１０】
サブパルスの発生メカニズムについては、これまで不明な点が多かったが、マスター媒体の基板として磁性体基板を使用すること、マスター媒体とスレーブ媒体との密着圧力等の転写条件を調整することなどにより抑制できることがわかってきた。しかし、現状ではサブパルスを完全に抑制できるまでには至っていない。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写を行う際のサブパルスを除去でき、高密度記録に対応した磁気転写用マスター記録媒体、この磁気転写用マスター記録媒体を使用した磁気転写方法、装置、及びこの磁気転写方法により磁気情報を記録した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、請求項１に係る本発明は、複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、前記非磁性層パターンの円周方向長さの最小値がｂであり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂより大であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体を提供する。
【００１３】
請求項２に係る本発明は、複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、前記非磁性層パターンの円周方向長さがｂの１水準であり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂより大であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体を提供する。
【００１４】
請求項３に係る本発明は、複数個の磁性層パターンと、該磁性層パターン同士の間に設けられた非磁性層パターンとが交互に表面に形成され、これにより磁気情報が記録された円盤状体の磁気記録媒体であって、前記非磁性層パターンの円周方向長さがｂ及び２ｂの２水準であり、前記磁性層パターンの円周方向長さがｂ、２ｂ、３ｂ及び３ｂ以上の多水準であることを特徴とする磁気転写用マスター記録媒体を提供する。
【００１５】
本発明者らは、上記課題解決のため各種の検討を行った結果、サブパルスは記録信号パターン間隔の長い（非磁性層パターンのビット間隔が長い）ときに発生することを見出した。すなわち、比較的波形干渉の少ない、非磁性層パターンのビット間隔が長い時に、磁性層に発生する転写印加磁界による誘起電界が、十分に大きくないことに起因する。この詳細は、図にしたがって後述する。
【００１６】
したがって、請求項１に係る本発明のように、非磁性層パターンの円周方向長さの最小値がｂであり、磁性層パターンの円周方向長さがｂより大である態様、請求項２に係る本発明のように、非磁性層パターンの円周方向長さがｂの１水準であり、磁性層パターンの円周方向長さがｂより大である態様、請求項３に係る本発明のように、非磁性層パターンの円周方向長さがｂ及び２ｂの２水準であり、磁性層パターンの円周方向長さがｂ、２ｂ、３ｂ及び３ｂ以上の多水準である態様のいずれかを採ることによりサブパルスの発生が抑制できる。そして、これにより、高密度記録に対応した磁気転写用マスター記録媒体が得られる。
【００１７】
なお、磁性層パターンの円周方向長さがｂ、２ｂ、３ｂ及び３ｂ以上の多水準であるとは、ｂ、２ｂ及び３ｂの場合、ｂ、２ｂ、３ｂ及び４ｂの場合、ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂ及び５ｂ…の場合等を含むものである。
【００１８】
請求項４に係る本発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター記録媒体と、保磁力がＨｃである磁性層を備える被転写用媒体とを密着させる密着工程と、磁界生成手段を設け、前記被転写用媒体と前記マスター媒体の円周方向にＨｃ−７９５８０Ａ／ｍ≦Ｈａ≦Ｈｃ−２３８７４Ａ／ｍである磁界Ｈａを加え、前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用媒体に転写させる磁気転写工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法を提供する。
【００１９】
請求項４に係る本発明によれば、保磁力がＨｃである磁性層を備える被転写用媒体（スレーブディスク）に対し、従来は、Ｈｃ±３００Ｏｅ（±２３８７４Ａ／ｍ）程度の磁界を印加していたのに対し、これより低いＨａなる磁界を加え、マスター媒体（マスターディスク）の磁気パターンを被転写用媒体（スレーブディスク）に転写させる。
【００２０】
磁気転写では、マスター媒体の非磁性層パターンのビット間隔に接触するスレーブ媒体の部分を、印加磁界と印加磁界がマスターの磁性層に誘起する磁荷による誘起磁界の和による磁界（全転写磁界と呼ぶ）により、初期磁化の方向を反転させる。マスター媒体の非磁性層パターンのビット間隔に接触するスレーブ媒体の部分が長い場合に、全転写磁界は十分大きくならず、十分反転できない。
【００２１】
反転させるためには印加磁界を大きくしたいが、大きすぎると、磁性層パターンに接触する部分のスレーブ媒体は、誘起磁界が印加磁界と逆向きのために、この部分も初期磁化の方向が反転してしまう。このため、マスター媒体の非磁性層パターンのビット間隔に接触するスレーブ媒体の部分が反転できる範囲で印加磁界は小さくしたい。
【００２２】
今回、マスター媒体の形状を請求範囲にする、すなわち、マスター媒体の非磁性層パターンのビット間隔に接触するスレーブ媒体の部分を短い値に制限することで、従来の印加磁界Ｈｃ±３００Ｏｅ（±２３８７４Ａ／ｍ）より小さくでき、最適値はＨｃ−７９５８０Ａ／ｍ≦Ｈａ≦Ｈｃ−２３８７４Ａ／ｍであることを見出した。
【００２３】
請求項５に係る本発明は、請求項４に記載の磁気転写方法によって磁気情報を記録したことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。請求項５に係る本発明によれば、磁気転写を行う際のサブパルスの影響を除去でき、高密度記録に対応した磁気記録媒体（スレーブディスク）が得られる。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明によれば、磁気転写を行う際のサブパルスの影響を除去でき、高密度記録に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写用マスター記録媒体、磁気転写方法、装置、及び磁気記録媒体の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２６】
図１は、磁気記録媒体である磁気転写用マスターディスク４６の磁性層パターンを示した図である。このマスターディスク４６の表面には、複雑な磁性層パターンにより構成されるサーボウェッジ１０Ａ、１０Ａ…（ハッチング部分）と、サーボウェッジ１０Ａ、１０Ａ…の間に形成されるギャップ１０Ｂ、１０Ｂ…と呼ばれる磁性層のほとんどない部分（白地部分）が交互に形成されている。
【００２７】
図２は、磁気転写用マスターディスク４６、又はマスターディスク４６により磁気転写された磁気ディスク（スレーブディスク）を回転させ、磁気ヘッドがサーボウェッジ１０Ａ、１０Ａ…を通過するときに再生される信号の波形を示したものである。図２において、期間Ｔ１０Ａの範囲がサーボウェッジ１０Ａの１ピッチ分の信号であり、期間Ｔ１０Ｂはギャップ１０Ｂの１ピッチ分の信号（信号なし）である。
【００２８】
サーボウェッジ１０Ａの１ピッチ分の信号は、先頭（図の左）より、最初のプリアンブル５０、サーボタイミングマーク５２、セクターアドレス５４、シリンダーアドレス５６、定周期のバースト信号５８（５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃ、及び５８Ｄの４種よりなる）、及び最後のプリアンブル６０よりなる。
【００２９】
図３は、マスターディスク４６の表面の微細な突起状パターンを示す部分拡大斜視図である。マスターディスク４６は円盤状に形成され、基板４７の片面に磁性層４８による微細な突起状パターンが形成された転写情報担持面が形成されており、基板４７の反対側の面が不図示の密着手段に保持されている。この微細な突起状パターンの形成は、後述するフォトファブリケーション法等によりなされる。このマスターディスク４６の片面（転写情報担持面）は、スレーブディスク４０と密着される。
【００３０】
微細な突起状パターンは、平面視で長方形であり、厚さｔの磁性層４８が形成された状態で、トラック方向（図中の太矢印方向）の長さｂと、半径方向の長さｌとよりなる。この長さｂとｌの最適値は、記録密度や記録信号波形等により異なるが、たとえば、長さｂを８０ｎｍに、長さｌを２００ｎｍにできる。
【００３１】
この微細な突起状パターンはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば、半径方向の長さｌが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００３２】
基板４７表面の微細な突起状パターンの深さ（突起の高さ）は、８０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００３３】
以上のように、基板４７表面の微細な突起状パターンの磁性層４８が、磁性層パターンに該当し、微細な突起状パターン同士の間の凹部が非磁性層パターンに該当する。
【００３４】
マスターディスク４６において、基板４７がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、この基板４７のみで磁気転写が可能であり、磁性層４８は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層４８を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。基板４７が非磁性体の場合には、磁性層４８を設けることが必要である。マスターディスク４６の磁性層４８は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性層であることが好ましい。
【００３５】
マスターディスク４６の基板４７としては、ニッケル、シリコン、石英ガラス等各種組成のガラス、アルミニウム、合金、各種組成のセラミックス、合成樹脂等が使用できる。この基板４７表面の凹凸パターンの形成は、フォトファブリケーション法や、フォトファブリケーション法等で形成した原盤によるスタンパー法、等によって行える。
【００３６】
スタンパー法における原盤の形成は、たとえば、以下のように行える。表面が平滑なガラス板（又は石英ガラス板）の上にスピンコート法等によりフォトレジストの層を形成し、プレベーク後に、このガラス板を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
【００３７】
その後、フォトレジストの層を現像処理し、露光部分が除去されたフォトレジストの層により形成された凹凸形状を有するガラス原盤を得る。次いで、ガラス原盤の表面の凹凸パターンを基に、この表面にメッキ（電鋳）を施し所定厚さまで形成することにより、表面にポジ状の凹凸パターンを有するＮｉ基板を作成する。そして、この基板をガラス原盤から剥離する。
【００３８】
この基板をそのままプレス原盤とするか、凹凸パターン上に必要に応じて軟磁性層、保護膜等を被覆してプレス原盤とする。
【００３９】
また、ガラス原盤にメッキを施して、電鋳により第２の原盤を作成し、この第２の原盤に更にメッキを施して、電鋳によりネガ状凹凸パターンを有する反転原盤を作成してもよい。更に、第２の原盤にメッキを施して電鋳を行うか、低粘度の樹脂を押し付けて硬化させるかした、第３の原盤を作成し、第３の原盤にメッキを施して電鋳を行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作成してもよい。
【００４０】
基板の材料としては、金属ではＮｉ又はＮｉ合金を使用することができる。この基板を作成するメッキ法としては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。
【００４１】
磁性層４８（軟磁性層）の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などにより成膜する。磁性層４８の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。特に、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが好ましく用いることができる。磁性層４８の厚さｔは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００４２】
なお、磁性層４８の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚さが５〜３０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層４８と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けてもよい。潤滑剤は、スレーブディスク４０との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００４３】
マスターディスク４６として、前記のプレス原盤を用いて樹脂基板を作製し、その表面に磁性層を設けて形成してもよい。樹脂基板の樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが使用できる。
【００４４】
このうち、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートが好ましい。成形品にばりがある場合は、これをバーニシュ又は研磨加工により除去する。また、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂などを使用して、プレス原盤にスピンコート、バーコート等の塗布によりマスターディスク４６を形成してもよい。樹脂基板のパターン突起の高さは、５０〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００４５】
この樹脂基板の表面の微細パターンの上に磁性層４８を被覆しマスターディスク４６を得る。磁性層４８の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法などによる成膜方法で行える。
【００４６】
一方、マスターディスク４６の形成方法の１種であるフォトファブリケーション法は、以下の手順で行う。先ず、たとえば、平板状の基板の平滑な表面にフォトレジストを塗布し、サーボ信号のパターンに応じたフォトマスクを用いた露光、現像処理により、情報に応じたパターンを形成させる。
【００４７】
次いで、エッチング工程により、パターンに応じて基板のエッチングを行い、磁性層４８の厚さに相当する深さの穴を形成する。次いで、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法等により、形成した穴に対応した厚さで基板の表面まで磁性材料を成膜する。
【００４８】
次いで、フォトレジストをリフトオフ法で除去し、表面を研磨して、ばりがある場合には、これを取り除くとともに、表面を平滑化する。
【００４９】
次に、スレーブディスク４０（図４〜図７参照）について説明する。スレーブディスク４０は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体であり、マスターディスク４６に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。また、スレーブディスク４０には予め初期磁化が施される。この詳細は後述する。
【００５０】
スレーブディスク４０としては、ハードディスク、高密度フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体が使用できる。スレーブディスク４０の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層が採用できる。
【００５１】
金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ）を用いることができる。これらは、磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁気異方性を有していることより、明瞭な転写が行えるため好ましい。
【００５２】
そして磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するために、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層には、結晶構造と格子定数を磁性層４８に合わすことが必要である。そのためには、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いることが好ましい。
【００５３】
次に、磁気転写の概要について説明する。図４は磁気転写用マスターディスク４６を使用して磁気転写を行うための磁気転写装置１０の要部斜視図である。
【００５４】
磁気転写時には図５（ａ）に示される後述する初期直流磁化を行った後のスレーブディスク４０のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク４６の情報担持面（磁性層４８）に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク４０とマスターディスク４６との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加して、マスターディスク４６の凹凸パターンをスレーブディスク４０に転写する。
【００５５】
マスターディスク４６による磁気転写は、スレーブディスク４０の片面にマスターディスク４６を密着させて片面に転写を行う場合と、図示しないが、スレーブディスク４０の両面に一対のマスターディスク４６を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。
【００５６】
転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着保持されたスレーブディスク４０とマスターディスク４６の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されており、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線を有する転写用磁界を印加する。
【００５７】
磁界印加時には、スレーブディスク４０とマスターディスク４６とを一体的に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加させ、マスターディスク４６の凹凸パターンをスレーブディスク４０のスレーブ面に磁気的に転写する。なお、この構成以外に磁界生成手段の方を回転移動させるようにしてもよい。
【００５８】
印加する磁界Ｈａの強度は、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃに対し、Ｈｃ−７９５８０Ａ／ｍ≦Ｈａ≦Ｈｃ−２３８７４Ａ／ｍであることが好ましい。印加する磁界Ｈａの強度の詳細については後述する。
【００５９】
図５は、面内記録による磁気転写方法の基本工程を説明する説明図である。図６は、同じく斜視図である。先ず、図５（ａ）に示されるように、予めスレーブディスク４０に初期磁界Ｈｂ をトラック方向の一方向に印加して初期磁化（直流消磁）を施しておく。
【００６０】
次に、図５（ｂ）及び図６に示されるように、このスレーブディスク４０の記録面（磁気記録部）とマスターディスク４６の凹凸パターンＰが形成された情報担持面とを密着させ、スレーブディスク４０のトラック方向に初期磁界Ｈｂ とは逆方向に転写用磁界Ｈａ を印加して磁気転写を行う。転写用磁界Ｈａ が凹凸パターンの凸部の磁性層４８に吸い込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁界が反転する結果、図５（ｃ）及び図６に示されるように、スレーブディスク４０の磁気記録面にはマスターディスク４６の凹凸パターンが磁気的に転写記録される。
【００６１】
次に、本発明の特徴部分であるサブパルスを除去する方法について説明する。図７は、サブパルスの影響を説明する説明図であり、（ａ）は、正常な磁気転写が行われた場合を示し、（ｂ）は、正常な磁気転写が行われずに、正のパルス波形ＰPと負のパルス波形ＰNとの間に偽のパルスであるサブパルスＰSを生じた場合を示す。
【００６２】
図７（ａ）においては、磁性層パターンの円周方向長さの最小値ｂのｎ倍である円周方向長さｎｂの非磁性層パターンがあっても、サブパルスＰSの発生はなく、既述の図５及び図６に示されたように、正常な磁気転写が行われている。
【００６３】
一方、図７（ｂ）においては、磁性層パターンの円周方向長さの最小値ｂのｎ倍である円周方向長さｎｂの非磁性層パターンにより、サブパルスＰSが発生し、これにより対応する部分で磁化の反転を生じ、正常な磁気転写が行われない。
【００６４】
図８は、サブパルスの発生機構を説明する説明図であり、印加する磁界Ｈａが比較的小さい場合の例である。図８において、下方の（ｂ）より最上方の（ｆ）までの各図の横軸は、経過時間を示している。
【００６５】
そして、（ａ）は、凹凸パターンの凸部の磁性層４８と印加する磁界Ｈａ、及びこれらによる誘起磁荷（＋、−及び細い矢印で示される）、誘起磁界Ｈｉ（太い矢印で示される）を示すものであり、（ｂ）は、誘起磁界Ｈｉの強度を示すものであり、（ｃ）は、印加する磁界Ｈａの強度を示すものであり、（ｄ）は、転写磁界の強度、すなわち誘起磁界Ｈｉと印加する磁界Ｈａの加算値の強度を示すものであり、（ｅ）は、スレーブディスク４０の磁化パターンを示すものであり、（ｆ）は、スレーブディスク４０の再生出力を示すものである。
【００６６】
なお、（ｂ）〜（ｄ）においては、右向き磁界を上側に、左向き磁界を下側にとっており、中央の破線は、零磁界のラインである。また、（ｅ）においては、スレーブディスク４０のＭ−Ｈカーブの右向き飽和ラインを上側の破線で、左向き飽和ラインを下側の破線で、零磁化ラインを中央の破線で示してある。
【００６７】
図８（ｂ）において、凸部の磁性層４８（図３、図６等参照）による誘起磁界Ｈｉの強度は、円周方向（図の左右方向）の距離の１〜２乗に比例して減衰する。そして、凸部の磁性層４８同士の間隔が狭い領域（（ａ）のＢに対応する領域）においては、凸部の磁性層４８の両端部で誘起される磁界（図の細い破線）の合計は矩形状の右向き磁界となる。一方、凸部の磁性層４８同士の間隔が広い領域（（ａ）のＣに対応する領域）においては、凸部の磁性層４８の両端部で誘起される磁界（図の太い破線）は、凸部の磁性層４８の両端部近傍にのみ存在し、中央部ではほぼ０になる（図の太い実線）。
【００６８】
この図８（ｂ）の磁界強度と（ｃ）の印加する磁界Ｈａの強度（一定値）を合算した（ｄ）における転写磁界の強度は、（ａ）のＢに対応する領域においては、磁界Ｈａと誘起磁界Ｈｉとが同じ向き（右向き）であるため、磁界強度はかさ上げされる。一方、（ａ）のＡに対応する領域においては、磁界Ｈａと誘起磁界Ｈｉとが逆向きであるため、磁界強度はほぼ０になる。そして、（ａ）のＣに対応する領域においては、図示のパターンとなり、凸部の磁性層４８の両端部近傍では転写閾値（図の一点鎖線）を超える。
【００６９】
次に、図８（ｅ）において、（ａ）のＢに対応する領域においては、初期磁化は反転され、（ａ）のＡに対応する領域においては、転写磁界の強度が０なので、初期磁化は保存され、（ａ）のＣに対応する領域においては、転写磁界の強度がスレーブディスク４０の保磁力Ｈｃの近傍であるため、Ｍ−Ｈカーブの右向き磁化と左向き磁化とが混在することとなる。そして、（ｆ）のスレーブディスク４０の再生出力において、（ａ）のＣに対応する領域の両端部近傍の内側部分においてサブパルスＰSが発生することとなる。
【００７０】
なお、（ｆ）のスレーブディスク４０の再生出力において、スレーブディスク４０の面内磁化の変化分が垂直な磁束を生じてＭＲヘッドに入りヘッド出力となる。したがって、ビット（磁性層パターン）の端部で出力（正のパルスＰP及び負のパルスＰN）が観察されることとなる。
【００７１】
図９は、図８と同様にサブパルスの発生機構を説明する説明図であり、印加する磁界Ｈａが比較的大きい場合の例である。図９においても、下方の（ｂ）より最上方の（ｆ）までの各図の横軸は、経過時間を示している。
【００７２】
そして、図８と同様に、（ａ）は、凹凸パターンの凸部の磁性層４８と印加する磁界Ｈａ、及びこれらによる誘起磁荷（＋、−及び細い矢印で示される）、誘起磁界Ｈｉ（太い矢印で示される）を示すものであり、（ｂ）は、誘起磁界Ｈｉの強度を示すものであり、（ｃ）は、印加する磁界Ｈａの強度を示すものであり、（ｄ）は、転写磁界の強度、すなわち誘起磁界Ｈｉと印加する磁界Ｈａの加算値の強度を示すものであり、（ｅ）は、スレーブディスク４０の磁化パターンを示すものであり、（ｆ）は、スレーブディスク４０の再生出力を示すものである。
【００７３】
なお、図８と同様に、（ｂ）〜（ｄ）においては、右向き磁界を上側に、左向き磁界を下側にとっており、破線は、零磁界のラインである。また、（ｅ）においては、スレーブディスク４０のＭ−Ｈカーブの右向き飽和ラインを上側の破線で、左向き飽和ラインを下側の破線で、零磁化ラインを中央の一点鎖線で示してある。
【００７４】
図９（ｂ）において、図８（ｂ）と同様に、凸部の磁性層４８同士の間隔が狭い領域（（ａ）のＢに対応する領域）においては、凸部の磁性層４８の両端部で誘起される磁界（図の細い破線）の合計は矩形状の右向き磁界となる。一方、凸部の磁性層４８同士の間隔が広い領域（（ａ）のＣに対応する領域）においては、凸部の磁性層４８の両端部で誘起される磁界（図の太い破線）は、凸部の磁性層４８の両端部近傍にのみ存在し、中央部ではほぼ０になる（図の太い実線）。ただし、印加する磁界Ｈａが図８の場合より大きいので、誘起磁界Ｈｉも若干増加する。
【００７５】
図９（ｃ）において、印加する磁界Ｈａは図８（ｃ）の場合よりも大きい。この図９（ｂ）の磁界強度と（ｃ）の印加する磁界Ｈａの強度（一定値）を合算した（ｄ）における転写磁界の強度について見てみる。
【００７６】
図９（ｄ）において、（ａ）のＢに対応する領域においては、誘起磁界Ｈｉ、印加する磁界Ｈａともに大きいので、転写磁界の強度は図８の場合より大きい。（ａ）のＡに対応する領域においては、磁性層が飽和しているため、誘起磁界Ｈｉは印加する磁界Ｈａほど増加しない。このため、右方向の磁界が発生する。（ａ）のＣに対応する領域においては、誘起磁界Ｈｉ、印加する磁界Ｈａともに大きいので、転写磁界の強度は図８の場合より大きい。なお、図９（ｄ）の一点鎖線は、磁化が零のラインである。
【００７７】
次に、図９（ｅ）において、（ａ）のＢに対応する領域においては、スレーブディスク４０の磁化は図８の場合より大きいが、スレーブディスク４０の磁化がＭｓ以上であるため、図８の場合と同様に初期磁化は反転される。（ａ）のＡに対応する領域においては、右方向の磁界のため、初期磁化が図８の場合より減少する。（ａ）のＣに対応する領域においては、ビット（磁性層パターン）の端部近傍ではマスターディスク４６のＭｓを超えているため、頭打ちとなり、ビット間の変化は緩やかになる。
【００７８】
以上の図９（ｅ）における現象について、図１０に示されるＭ−Ｈカーブにより説明する。スレーブディスク４０の所期磁化の状態は、マスターディスク４６の磁性層パターン（凸）に対応する位置でも、マスターディスク４６の非磁性層パターン（凹）に対応する位置でも、左向き飽和ライン１０Ｃである。そして、マスターディスク４６の非磁性層パターン（凹）に対応する位置では、磁化が反転し１０Ａの位置となる。一方、マスターディスク４６の磁性層パターン（凸）に対応する位置では、磁化は反転せずに１０Ｂの位置に移る。
【００７９】
次に、図９（ｆ）において、（ａ）のＢに対応する領域の端部に生じる再生出力は、初期磁化分が減少した分だけ減少する。（ａ）のＣに対応する領域に生じる再生出力は、磁化の変化が図８の場合より緩やかになったため、サブピークは殆ど発生しない。
【００８０】
したがって、サブパルスの影響を除去した好適な磁気転写を行うためには、図９に示される状態で転写を行うことが好ましい。
【００８１】
以上説明した本発明の実施形態によれば、磁気転写を行う際のサブパルスの影響を除去でき、高密度記録に対応できる。
【００８２】
なお、スレーブディスク４０は、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで好適に使用できる。これに使用されるハードディスクドライブとしては、各ドライブメーカーより販売されている公知の各種装置を使用すればよい。
【００８３】
以上、本発明に係る磁気転写用マスター記録媒体、磁気転写方法、装置、及び磁気記録媒体の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００８４】
たとえば、上記実施形態においては、図３に示されるように、マスターディスク４６の基板４７の表面の微細な突起状パターンの磁性層４８（磁性層パターンに該当）と、微細な突起状パターン同士の間の凹部（非磁性層パターンに該当）とで転写情報担持面となっているが、これ以外の態様をも採り得る。
【００８５】
図１１は、この例を示すマスターディスク４６の部分拡大断面図である。このうち（ａ）は、非磁性の平坦な基板４７の表面に微細な突起状パターンの磁性層４８が形成され、磁性層４８同士の間が非磁性層パターンとなっている態様であり、（ｂ）は、非磁性の基板４７の表面に微細なパターンの磁性層４８が埋め込まれて形成され、磁性層４８同士の間が非磁性層パターンとなっており、基板４７の表面が平坦となっている態様である。このような態様のマスターディスク４６であっても、本発明は好適に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】磁気転写用マスターディスクの磁性層パターンを示した図
【図２】磁気ヘッドがサーボウェッジを通過するときに再生される信号の波形を示した図
【図３】マスターディスクの表面の微細な突起状パターンを示す部分拡大斜視図
【図４】磁気転写装置の要部斜視図
【図５】磁気転写方法の基本工程を説明する説明図
【図６】磁気転写方法の基本工程を示す斜視図
【図７】サブパルスの影響を説明する説明図
【図８】サブパルスの発生機構を説明する説明図
【図９】サブパルスの発生機構を説明する説明図
【図１０】サブパルスの発生機構を説明する説明図
【図１１】他の例を示すマスターディスクの部分拡大断面図
【図１２】転写信号のパルス波形を示す図
【符号の説明】
【００８７】
１０…磁気転写装置、３０…磁界生成手段、３１…ギャップ、３２…コア、３３…コイル、３４…電磁石装置、４０…スレーブディスク（被転写用ディスク）、４６…マスターディスク、ＰS…サブパルス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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