(57)【要約】【課題】本発明は、端子を有するインダクタンス部品において、そのインダクタンス値を向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、素体５と、この素体５内に形成したコイル６と、このコイル６に電気的に接続された端子７、８とを備え、この端子７、８の少なくとも一部を磁性体７Ａ、８Ａにより形成したインダクタンス部品としたものである。  このような構成とすることにより、その透磁率を高めることができ、その結果としてインダクタンス値を向上させることができる。【選択図】図１
2007305824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、
この素体内に形成したコイルと、
このコイルに電気的に接続された端子とを備え、
前記端子の少なくとも一部を磁性体により形成したインダクタンス部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話の電源回路に用いられるインダクタンス部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のインダクタンス部品は、図１００に示すごとく、シート状の素体１内にはコイル２を形成し、このコイル２には端子３を電気的に接続し、素体１内におけるコイル２の外周方向には磁性外脚部４を形成することによりインダクタンス値を向上させていた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００３−２５７７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のインダクタンス部品はインダクタンス値の向上に限界があった。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、インダクタンス部品の面積自体が限られているとともに、その素体１内に形成するコイル２の占有面積を確保する必要があるため、素体１内におけるコイル２の外周方向に設けた磁性外脚部４の断面積には限界がある。その結果として、そのインダクタンス値の向上に限界があった。
【０００６】
そこで本発明は、端子を有するインダクタンス部品において、そのインダクタンス値を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体内に形成したコイルと、このコイルに電気的に接続された端子とを備え、この端子の少なくとも一部を磁性体により形成したインダクタンス部品としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインダクタンス部品は、端子の少なくとも一部を磁性体により構成したため、その透磁率を高めることができ、その結果としてインダクタンス値を向上させることができる。
【０００９】
さらに、本来端子として占有していた面積内において磁性体を設けるため、インダクタンス部品自体の面積を大きくしたり、コイルの占有面積を減らしたりする必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１において、シート状の素体５内にはコイル６を形成し、このコイル６の最外周部には端子７、８を形成し、コイル６を構成する平面コイル６Ａ、６Ｂ間にはビア９を素体５内に形成している。
【００１２】
そして、端子７、８の一部を磁性体からなる磁性体端子７Ａ、８Ａにより構成している。
【００１３】
ここで、磁性体端子７Ａ、８Ａの材料としては鉄または鉄合金からなる組成の金属磁性材料を用いることが、磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。この磁性体端子７Ａ、８Ａに鉄合金を用いた場合、鉄の組成比を３０質量％以上とすることが望ましい。これは磁性体端子７Ａ、８Ａに含まれる鉄の含有量を３０質量％以上にすることで、高飽和磁束密度、かつ低保磁力という磁気特性を実現することができるためである。また、ニッケル量を８０％付近にすると高透磁率とすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができ望ましい。
【００１４】
また、磁性体端子７Ａ、８Ａに用いる鉄合金としては、ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＣｏのうちいずれか一つを含む組成からなる金属磁性材料を用いることが、高磁束密度、低磁気損失の観点からより好ましい。
【００１５】
この磁性体端子７Ａ、８Ａの作製には、例えば電気めっき法を使用することができる。
【００１６】
このとき、電気めっき工程に用いるめっき浴にはＦｅイオンあるいはその他の金属イオンを含有させておく。
【００１７】
なお、めっき浴の各種添加剤として、応力緩和剤、ピット防止剤、錯化剤を入れておくことが好ましい。この応力緩和剤としては例えばサッカリンが挙げられる。サッカリンは、スルホン酸塩を含有する物質であるため、その効果を発揮することができる。このような応力緩和剤を入れることで、磁性体端子７Ａ、８Ａを厚く形成してもクラックが発生しない、均一性に優れた磁性体端子７Ａ、８Ａを形成することができる。例えば、応力緩和剤としてサッカリンを用いた場合、めっき浴中に０．１〜５ｇ／Ｌ含有させておくことでその効果を見ることができるが、電流密度等のめっき条件によって応力緩和作用を発揮する量は変化するので適宜条件設定をすることで制御することが可能である。
【００１８】
また、錯化剤としては、各種金属イオンを安定化するために、アミノ酸、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸をはじめとした有機分子や無機分子を含有させることで金属イオンと安定な錯体を形成することができる。
【００１９】
このようなめっき浴を用いて電解めっき法によって鉄合金膜を形成するが、陽極を分離しためっき装置を用いる、あるいは磁場中でめっきを行う等の工夫をすることにより、磁気特性に優れた鉄合金膜を形成することが可能となる。
【００２０】
ここで、コイル６は一層でも構わないが、本実施の形態においては２層の平面コイル６Ａ、６Ｂにより構成している。上層の平面コイル６Ａを端子７から内周方向へ渦巻状に巻回し、この平面コイル６Ａの最内周部と下層の平面コイル６Ｂの最内周部とをビア９により接続し、この平面コイル６Ｂを端子８へ向かう方向（外周方向）へ渦巻状に巻回してコイル６を構成している。
【００２１】
ここで、平面コイル６Ａ、６Ｂは互いに同方向に巻回することが望ましい。これは、平面コイル６Ａで発生した磁束と、平面コイル６Ｂで発生した磁束とを打ち消し合わせることなく、大きなインダクタンス値を実現するためである。
【００２２】
このように、端子７、８の少なくとも一部を磁性体端子７Ａ、８Ａにより形成したため、その透磁率を高めることができ、その結果としてインダクタンス値を向上させることができる。
【００２３】
さらに、本来端子７、８として占有していた面積内において磁性体端子７Ａ、８Ａを設けるため、インダクタンス部品自体の面積を大きくしたり、コイル６の占有面積を減らしたりする必要がない。
【００２４】
なお、素体５におけるコイル６の内周方向に、磁性体からなる磁性中脚部１０を形成することにより、より高いインダクタンス値を得ることができる。
【００２５】
さらに、図２に示すごとく、素体５におけるコイル６の外周方向に、磁性体からなる磁性外脚部１１を形成することにより、より高いインダクタンス値を得ることができる。
【００２６】
なお、コイル６は単層でも構わないが、本実施の形態の図１に示すごとく平面コイル６Ａ、６Ｂを２層以上積層させた構造とすることにより、より大きなインダクタンス値を実現することができ望ましい。
【００２７】
なお、コイル６の断面は方形ではなく円形でもかまわないが、方形の方がコイル断面積を大きくとることができる。その結果として銅損を低減することができるため望ましい。
【００２８】
なお、平面コイル６Ａ、６Ｂの厚みを１０μｍ以上とすることにより大電流に対応することができ望ましい。
【００２９】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、図３に示すごとく、シリコン等の基板１２を用意する。
【００３１】
次に、図４に示すごとく、この基板１２上に、フォトレジストにより絶縁層１３を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１３を形成することができる。
【００３２】
その後、図５に示すごとく、絶縁層１３の上面全体を露光する。
【００３３】
次に、図６に示すごとく、絶縁層１３の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１４を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１４を形成することができる。
【００３４】
その後、図７に示すごとく、絶縁層１４において磁性体端子形成部１４Ａ、磁性中脚部形成部１４Ｂを除いた素体形成部１４Ｃの上面を露光する。ここで、磁性体端子形成部１４Ａは磁性層１４における外周部、磁性中脚部形成部１４Ｂは磁性層１４における略中央部に形成している。
【００３５】
次に、図８に示すごとく、図７に示した磁性体端子形成部１４Ａ、磁性中脚部形成部１４Ｂを現像により除去する。
【００３６】
その後、図９に示すごとく、絶縁層１３及び素体形成部１４Ｃの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体１５を形成する。
【００３７】
なお、磁性体１５をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層１３及び素体形成部１４Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体１５を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００３８】
次に、図１０に示すごとく、図９に示した磁性体１５を上方から研磨し、素体形成部１４Ｃを上面に露出させる。このとき、図７に示した磁性体端子形成部１４Ａ、及び磁性中脚部形成部１４Ｂに該当する部分には磁性体１５が入り込んでおり、磁性体端子形成部１４Ａに入り込んだ磁性体１５が、図１に示す磁性体端子７Ａ、８Ａとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１４Ｃを形成することができる。
【００３９】
その後、図１１に示すごとく、磁性体端子７Ａ、８Ａ、磁性体１５、素体形成部１４Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１６を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１６を形成することができる。
【００４０】
次に、図１２に示すごとく、絶縁層１６における端子形成部１６Ａ、コイル形成部１６Ｂ、磁性中脚部形成部１６Ｃを除いた素体形成部１６Ｄの上面を露光する。
【００４１】
その後、図１３に示すごとく、図１２に示した端子形成部１６Ａ、コイル形成部１６Ｂ、磁性中脚部形成部１６Ｃを現像により除去する。
【００４２】
次に、図１４に示すごとく、素体形成部１４Ｃ、１６Ｄ、磁性体１５、磁性体端子７Ａ、８Ａの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより導体１７を形成する。
【００４３】
なお、導体１７をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部１４Ｃ、１６Ｄ、磁性体１５、磁性体端子７Ａ、８Ａの露出する表面の形状によらず、均一に導体１７を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００４４】
その後、図１５に示すごとく、図１４に示した導体１７を上方から研磨し、素体形成部１６Ｄを上面に露出させる。このとき、図１２に示した端子形成部１６Ａ、コイル形成部１６Ｂ、磁性中脚部形成部１６Ｃに該当する部分には導体１７が入り込んでおり、端子形成部１６Ａに入り込んだ導体１７が図１に示す端子７、８の一部、コイル形成部１６Ｂに入り込んだ導体１７が、図１に示す平面コイル６Ｂとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１６Ｄを形成することができる。
【００４５】
次に、図１６に示すごとく、端子７、８、平面コイル６Ｂ、導体１７、素体形成部１６Ｄの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１８を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１８を形成することができる。
【００４６】
その後、図１７に示すごとく、絶縁層１８における端子形成部１８Ａ、磁性中脚部形成部１８Ｂ、磁性ビア形成部１８Ｃを除いた素体形成部１８Ｄの上面を露光する。
【００４７】
次に、図１８に示すごとく、図１７に示した端子形成部１８Ａ、磁性中脚部形成部１８Ｂ、磁性ビア形成部１８Ｃを現像により除去する。
【００４８】
その後、図１９に示すごとく、図１８に示した端子７、８、素体形成部１８Ｄ、導体１７の露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体１９を形成する。
【００４９】
なお、導体１９をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である端子７、８、素体形成部１８Ｄ、導体１７の露出する表面の形状によらず、均一に導体１９を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００５０】
次に、図２０に示すごとく、図１９に示した導体１９を上方から研磨し、素体形成部１８Ｄを上面に露出させる。このとき、図１７に示した端子形成部１８Ａに該当する部分に入り込んだ導体１９が、図１に示す端子７、８の一部となり、磁性ビア形成部１８Ｃに該当する部分に入り込んだ導体１９が、図１に示すビア９となる。
【００５１】
その後、図２１に示すごとく、端子７、８、素体形成部１８Ｄ、導体１９の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２０を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層２０を形成することができる。
【００５２】
次に、図２２に示すごとく、絶縁層２０における端子形成部２０Ａ、コイル形成部２０Ｂを除いた素体形成部２０Ｃの上面を露光する。
【００５３】
次に、図２３に示すごとく、図２２に示した端子形成部２０Ａ、コイル形成部２０Ｂを現像により除去する。
【００５４】
その後、図２４に示すごとく、図２３に示した素体形成部１８Ｄ、２０Ｃ、端子７、８、導体１９の露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体２１を形成する。
【００５５】
なお、導体２１をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部１８Ｄ、２０Ｃ、端子７、８、導体１９の露出する表面の形状によらず、均一に導体２１を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００５６】
次に、図２５に示すごとく、図２４に示した導体２１を上方から研磨し、素体形成部２０Ｃを上面に露出させる。このとき、図２２に示した端子形成部２０Ａ、コイル形成部２０Ｂに該当する部分には導体２１が入り込んでおり、端子形成部２０Ａに入り込んだ導体２１が、図１に示す端子７、８の一部となり、コイル形成部２０Ｂに入り込んだ導体２１が、図１に示す平面コイル６Ａとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部２０Ｃを形成することができる。
【００５７】
その後、図２６に示すごとく、端子７、８、平面コイル６Ａ、導体２１、素体形成部２０Ｃの上面全体にフォトレジストにより絶縁層２２を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層２２を形成することができる。
【００５８】
次に、図２７に示すごとく、絶縁層２２における端子形成部２２Ａ、磁性体中脚部形成部２２Ｂを除いた素体形成部２２Ｃの上面を露光する。
【００５９】
その後、図２８に示すごとく、図２７に示した端子形成部２２Ａ、磁性体中脚部形成部２２Ｂを現像により除去する。
【００６０】
次に、図２９に示すごとく、図２８に示した素体形成部２２Ｃ、端子７、８、導体２１の露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより磁性体２３を形成する。
【００６１】
なお、磁性体２３をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部２２Ｃ、端子７、８、導体２１の露出する表面の形状によらず、均一に磁性体２３を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００６２】
その後、図３０に示すごとく、図２９に示した磁性体２３を上方から研磨し、素体形成部２２Ｃを上面に露出させる。このとき、図２７に示した端子形成部２２Ａ、磁性体中脚部形成部２２Ｂに該当する部分には磁性体２３が入り込んでおり、端子形成部２２Ａに入り込んだ磁性体２３が図１に示す磁性体端子７Ａ、８Ａの一部となる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部２２Ｃを形成することができる。
【００６３】
次に、図３１に示すごとく、端子７、８、素体形成部２２Ｃ、磁性体２３の上面全体にフォトレジストにより絶縁層２４を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層２４を形成することができる。
【００６４】
その後、図３２に示すごとく、絶縁層２４における磁性中脚部形成部２４Ａを除いた素体形成部２４Ｂの上面を露光する。
【００６５】
次に、図３３に示すごとく、図３２に示した磁性中脚部形成部２４Ａを現像により除去する。
【００６６】
その後、図３４に示すごとく、図３３に示した磁性体１５、２３、導体１７、１９、２１をエッチングにより除去し、穴１０Ａを形成する。
【００６７】
次に、図３５に示すごとく、図３４で示した穴１０Ａを磁性中脚部１０により充填する。
【００６８】
ここで、磁性中脚部１０は、少なくとも磁性体粉末と樹脂の混合物より構成している。磁性体粉末としては、フェライト粉末あるいはＦｅ、Ｎｉ、又はＣｏを主成分とする金属磁性体粉末を用いることができる。
【００６９】
具体的には、ＭｎＺｎフェライト粉末、ＮｉＺｎフェライト粉末、ＭｇＺｎフェライト粉末、六方晶フェライト粉末、ガーネット型フェライト粉末、Ｆｅ粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系合金粉末等、軟磁気特性を有する磁性体粉末であれば原則的には使用可能であるが、特にＦｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｎｉ系合金粉末等の飽和磁束密度の高い磁性体粉末を用いることがより望ましい。
【００７０】
磁性体粉末に金属磁性体粉末を用いる場合、その粒子径としては、望ましくは０．５μｍ以上、１００μｍ以下、より望ましくは２μｍ以上、３０μｍ以下である。粒径が大きすぎると、高周波での渦電流損失が大きくなってしまい、逆に、粒径が小さくなりすぎると、必要とする樹脂の量が多くなることにより、透磁率が低下してしまうからである。
【００７１】
磁性中脚部１０に用いる樹脂としては、結着性のあるものであれば使用可能であるが、結着後の強度や使用時の耐熱性の面から、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが望ましい。又、磁性体粉末との分散性、樹脂性能を改善するために、分散剤、可塑剤等を微量添加してもよい。更に、硬化前のペーストの粘性を調整するため、或いは金属磁性体粉末を用いた場合の絶縁性を向上させるために、第３成分を添加することが望ましい。このような第３成分としてはシラン系カップリング材やチタン系カップリング材、チタンアルコキシド、水、ガラス、窒化硼素、タルク、雲母、硫酸バリウム、テトラフルオロエチレン等が挙げられる。
【００７２】
その後、図３６に示すごとく、磁性中脚部１０、素体形成部２４Ｂの上面全体にフォトレジストにより絶縁層２５を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層２５を形成することができる。
【００７３】
次に、図３７に示すごとく、絶縁層２５における磁性中脚部１０の上面のみを露光する。
【００７４】
その後、図３８に示すごとく、素体形成部２４Ｂの上面に形成した絶縁層２５を現像により除去する。
【００７５】
次に、図３９に示すごとく、フッ酸処理等により基板１２を除去する。
【００７６】
このようにして、端子７、８の一部を磁性体端子７Ａ、８Ａにより構成した、インダクタンス値の高いインダクタンス部品を製造することができる。
【００７７】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品について図面を参照しながら説明する。
【００７８】
図４０において、シート状の素体２６内にはコイル２７を形成し、このコイル２７の最外周部には端子２８、２９を形成し、コイル２７を構成する平面コイル２７Ａ、２７Ｂ間にはビア２７Ｃを素体２６内に形成している。
【００７９】
また、素体２６内におけるコイル２７の上方と下方とにはそれぞれ、磁性体層３０Ａ、３０Ｂ、磁性体層３０Ｃ、３０Ｄを形成している。
【００８０】
そして、端子２８、２９の一部を、磁性体からなる磁性体端子２８Ａ、２９Ａにより形成している。
【００８１】
さらに、本実施の形態においては、この端子２８、２９における磁性体端子２８Ａ、２９Ａを素体２６の上面、下面にも形成している。
【００８２】
また、素体２６におけるコイル２７の内周方向には、磁性体からなる磁性中脚部３１を形成している。
【００８３】
ここで、コイル２７は一層でも構わないが、本実施の形態においては２層の平面コイル２７Ａ、２７Ｂにより構成している。上層の平面コイル２７Ａを端子２８から内周方向へ渦巻状に巻回し、この平面コイル２７Ａの最内周部と下層の平面コイル２７Ｂの最内周部とをビア２７Ｃにより接続し、この平面コイル２７Ｂを端子２９へ向かう方向（外周方向）へ渦巻状に巻回してコイル２７を構成している。
【００８４】
ここで、平面コイル２７Ａ、２７Ｂは互いに同方向に巻回することが望ましい。これは、平面コイル２７Ａで発生した磁束と、平面コイル２７Ｂで発生した磁束とが打ち消し合わされることがなく、大きなインダクタンス値を実現することができるためである。
【００８５】
このように、端子２８、２９の少なくとも一部を磁性体端子２８Ａ、２９Ａにより構成したため、その透磁率を高めることができ、その結果としてインダクタンス値を向上させることができる。
【００８６】
また、磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、及び磁性体層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄをコイル２７の上方、下方に配置することにより、磁性中脚部３１から放出された磁束が再び磁性中脚部３１に入射してくるまでの経路におけるそのほとんどを、高透磁率が材料のみで構成することができるため、更なるインダクタンス値の向上を得ることができる。
【００８７】
さらに、本来端子２８、２９として占有していた面積内において磁性体層２８Ａ、２９Ａを設けるため、インダクタンス部品自体の面積を大きくしたり、コイル２７の占有面積を減らしたりする必要がない。
【００８８】
さらに、素体２６におけるコイル２７の外周方向に、磁性体からなる磁性外脚部（図示せず）を形成することにより、より高いインダクタンス値を得ることができる。
【００８９】
なお、コイル２７は単層でも構わないが、本実施の形態の図４０に示すごとく平面コイル２７Ａ、２７Ｂを２層以上積層させた構造とすることにより、より大きなインダクタンス値を実現することができ望ましい。
【００９０】
なお、コイル２７の断面は方形ではなく円形でもかまわないが、方形の方がコイル断面積を大きくとることができ、その結果として銅損を低減することができるため望ましい。
【００９１】
なお、平面コイル２７Ａ、２７Ｂの厚みを１０μｍ以上とすることにより大電流に対応することができ望ましい。
【００９２】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。
【００９３】
まず、図４１に示すごとく、シリコン等の基板３２を用意する。
【００９４】
次に、図４２に示すごとく、この基板３２上に、フォトレジストにより絶縁層３３を形成する。
【００９５】
その後、図４３に示すごとく、絶縁層３３における磁性体端子形成部３３Ａを除いた素体形成部３３Ｂの上面を露光する。ここで、磁性体端子形成部３３Ａは絶縁層３３における最外周部から内方に距離を持たせて形成している。
【００９６】
次に、図４４に示すごとく、図４３に示した磁性体端子形成部３３Ａを現像により除去する。
【００９７】
その後、図４５に示すごとく、基板３２及び素体形成部３３Ｂの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体３４を形成する。
【００９８】
なお、磁性体３４をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である基板３２及び素体形成部３３Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体３４を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００９９】
次に、図４６に示すごとく、図４５に示した磁性体３４を上方から研磨し、素体形成部３３Ｂを上面に露出させる。このとき、図４３に示した磁性体端子形成部３３Ａに該当する部分には磁性体３４が入り込んでおり、これが図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部となる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部３３Ｂを形成することができる。
【０１００】
その後、図４７に示すごとく、磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、素体形成部３３Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層３５を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層３５を形成することができる。
【０１０１】
次に、図４８に示すごとく、絶縁層３５における端子形成部３５Ａを除いた素体形成部３５Ｂの上面を露光する。
【０１０２】
その後、図４９に示すごとく、端子形成部３５Ａ、素体形成部３５Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層３６を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層３６を形成することができる。
【０１０３】
次に、図５０に示すごとく、絶縁層３６における端子形成部３６Ａ、磁性体層形成部３６Ｂを除いた素体形成部３６Ｃの上面を露光する。
【０１０４】
その後、図５１に示すごとく、図５０に示した端子形成部３５Ａ、３６Ａ、磁性体層形成部３６Ｂを現像により除去する。
【０１０５】
次に、図５２に示すごとく、図５１に示した素体形成部３５Ｂ、３６Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体５６を形成し、この磁性体５６を上方から研磨して、素体形成部３６Ｃを上面に露出させる。このとき、図５０に示した端子形成部３５Ａ、３６Ａ、磁性体層形成部３６Ｂに該当する部分には磁性体５６が入り込んでおり、端子形成部３５Ａ、３６Ａに入り込んだ磁性体５６が図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部、磁性体層形成部３６Ｂに入り込んだ磁性体５６が図４０に示す磁性体層３０Ｄとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部３６Ｃを形成することができる。
【０１０６】
なお、磁性体５６をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部３５Ｂ、３６Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体５６を形成することができ、その上、製膜スピードが速いため望ましい。
【０１０７】
その後、図５３に示すごとく、磁性体層３０Ｄ、素体形成部３６Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの上面全体にフォトレジストにより絶縁層３７を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層３７を形成することができる。
【０１０８】
次に、図５４に示すごとく、絶縁層３７における端子形成部３７Ａを除いた素体形成部３７Ｂの上面を露光する。
【０１０９】
その後、図５５に示すごとく、端子形成部３７Ａ、素体形成部３７Ｂの上面全体にフォトレジストにより絶縁層３８を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層３８を形成することができる。
【０１１０】
次に、図５６に示すごとく、絶縁層３８における端子形成部３８Ａ、磁性体層形成部３８Ｂを除いた素体形成部３８Ｃの上面を露光する。
【０１１１】
その後、図５７に示すごとく、図５６に示した端子形成部３７Ａ、３８Ａ、磁性体層形成部３８Ｂを現像により除去する。
【０１１２】
次に、図５８に示すごとく、図５７に示した素体形成部３７Ｂ、３８Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体５７を形成し、この磁性体５７を上方から研磨して、素体形成部３８Ｃを上面に露出させる。このとき、図５６に示した端子形成部３７Ａ、３８Ａ、磁性体層形成部３８Ｂに該当する部分には磁性体５７が入り込んでおり、端子形成部３７Ａ、３８Ａに入り込んだ磁性体５７が、図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部、磁性体層形成部３８Ｂに入り込んだ磁性体５７が、図４０に示す磁性体層３０Ｃとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部３８Ｃを形成することができる。
【０１１３】
なお、磁性体５７をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部３７Ｂ、３８Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体５７を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１１４】
その後、図５９に示すごとく、磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、素体形成部３８Ｃ、磁性体層３０Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層３９を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層３９を形成することができる。
【０１１５】
次に、図６０に示すごとく、絶縁層３９における端子形成部３９Ａを除いた素体形成部３９Ｂの上面を露光する。
【０１１６】
その後、図６１に示すごとく端子形成部３９Ａ、素体形成部３９Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層４０を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層４０を形成することができる。
【０１１７】
次に、図６２に示すごとく、絶縁層４０における端子形成部４０Ａ、コイル形成部４０Ｂ、中脚形成部４０Ｃを除いた素体形成部４０Ｄの上面を露光する。
【０１１８】
その後、図６３に示すごとく、図６２に示した端子形成部４０Ａ、コイル形成部４０Ｂ、中脚形成部４０Ｃを現像により除去する。
【０１１９】
次に、図６４に示すごとく、図６３に示した素体形成部３９Ｂ、４０Ｄ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体４１を形成する。
【０１２０】
なお、導体４１をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部３９Ｂ、４０Ｄ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面の形状によらず、均一に導体４１を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１２１】
次に、図６５に示すごとく、図６４に示した導体４１を上方から研磨し、素体形成部４０Ｄを上面に露出させる。このとき、図６２に示した端子形成部４０Ａ、コイル形成部４０Ｂ、中脚形成部４０Ｃに該当する部分には導体４１が入り込んでおり、端子形成部４０Ａに入り込んだ導体４１が、図４０に示す端子２８、２９の一部となり、コイル形成部４０Ｂに入り込んだ導体４１が、図４０に示す平面コイル２７Ｂとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部４０Ｄを形成することができる。
【０１２２】
その後、図６６に示すごとく、図６５に示した端子２８、２９、平面コイル２７Ｂ、導体４１、素体形成部４０Ｄの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層４２を形成する。
【０１２３】
次に、図６７に示すごとく、絶縁層４２における端子形成部４２Ａ、中脚形成部４２Ｂ、ビア形成部４２Ｃを除く素体形成部４２Ｄの上面全体を露光する。
【０１２４】
その後、図６８に示すごとく、図６７に示した端子形成部４２Ａ、中脚形成部４２Ｂ、ビア形成部４２Ｃを現像により除去する。
【０１２５】
次に、図６９に示すごとく、図６８に示した端子２８、２９、素体形成部４２Ｄ、平面コイル２７Ｂ、導体４１の露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体４３を形成する。
【０１２６】
なお、導体４３をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である端子２８、２９、素体形成部４２Ｄ、平面コイル２７Ｂ、導体４１の露出する表面の形状によらず、均一に導体４３を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１２７】
次に、図７０に示すごとく、図６９に示した導体４３を上方から研磨し、素体形成部４２Ｄを上面に露出させる。このとき、図６７に示した端子形成部４２Ａに該当する部分に入り込んだ導体４３が、図４０に示す端子２８、２９の一部となり、磁性ビア形成部４２Ｃに該当する部分に入り込んだ導体４３が図４０に示すビア２７Ｃとなる。
【０１２８】
その後、図７１に示すごとく、端子２８、２９、ビア２７Ｃ、導体４３、素体形成部４２Ｄの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層４４を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層４４を形成することができる。
【０１２９】
次に、図７２に示すごとく、絶縁層４４における端子形成部４４Ａ、コイル形成部４４Ｂ、中脚形成部４４Ｃを除く素体形成部４４Ｄの上面全体を露光する。
【０１３０】
その後、図７３に示すごとく、図７２に示した端子形成部４４Ａ、コイル形成部４４Ｂ、中脚形成部４４Ｃを現像により除去する。
【０１３１】
次に、図７４に示すごとく、図７３に示した端子２８、２９、素体形成部４４Ｄ、ビア２７Ｃ、導体４３の露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体４５を形成する。
【０１３２】
なお、導体４５をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である端子２８、２９、素体形成部４４Ｄ、ビア２７Ｃ、導体４３の露出する表面の形状によらず、均一に導体４５を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１３３】
その後、図７５に示すごとく、図７４に示した導体４５を上方から研磨し、素体形成部４４Ｄを上面に露出させる。このとき、図７２に示した端子形成部４４Ａに該当する部分に入り込んだ導体４５が、図４０に示す端子２８、２９の一部となり、コイル形成部４４Ｂに該当する部分に入り込んだ導体４５が、図４０に示す平面コイル２７Ａとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部４４Ｄを形成することができる。
【０１３４】
次に、図７６に示すごとく、マスク４６を形成する。マスク４６は平面コイル２７Ａから端子２８、２９までを覆うよう形成し、図７２に示した中脚形成部４４Ｃに該当する部分には形成しない。
【０１３５】
ここで、マスク４６には、例えばマスキングテープ、メタルマスク、剥離レジストなどを用いる。
【０１３６】
その後、図７７に示すごとく、中脚形成部に入り込んだ導体４１、４３、４５をエッチングにより除去し、穴３１Ａを形成する。
【０１３７】
次に、図７８に示すごとく、図７７で示した穴３１Ａを磁性中脚部３１により充填する。
【０１３８】
ここで、磁性中脚部３１は、少なくとも磁性体粉末と樹脂の混合物より構成している。磁性体粉末としては、フェライト粉末あるいはＦｅ、Ｎｉ、又はＣｏを主成分とする金属磁性体粉末を用いることができる。
【０１３９】
具体的には、ＭｎＺｎフェライト粉末、ＮｉＺｎフェライト粉末、ＭｇＺｎフェライト粉末、六方晶フェライト粉末、ガーネット型フェライト粉末、Ｆｅ粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系合金粉末等、軟磁気特性を有する磁性体粉末であれば原則的には使用可能であるが、特にＦｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｍｏ−Ｎｉ系合金粉末等の飽和磁束密度の高い磁性体粉末を用いることがより望ましい。
【０１４０】
磁性体粉末に金属磁性体粉末を用いる場合、その粒子径としては、望ましくは０．５μｍ以上、１００μｍ以下、より望ましくは２μｍ以上、３０μｍ以下である。粒径が大きすぎると、高周波での渦電流損失が大きくなってしまい、逆に、粒径が小さくなりすぎると、必要とする樹脂の量が多くなることにより、透磁率が低下してしまうからである。
【０１４１】
磁性中脚部３１に用いる樹脂としては、結着性のあるものであれば使用可能であるが、結着後の強度や使用時の耐熱性の面から、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが望ましい。又、磁性体粉末との分散性、樹脂性能を改善するために、分散剤、可塑剤等を微量添加してもよい。更に、硬化前のペーストの粘性を調整するため、或いは金属磁性体粉末を用いた場合の絶縁性を向上させるために、第３成分を添加することが望ましい。このような第３成分としてはシラン系カップリング材やチタン系カップリング材、チタンアルコキシド、水、ガラス、窒化硼素、タルク、雲母、硫酸バリウム、テトラフルオロエチレン等が挙げられる。
【０１４２】
その後、図７９に示すごとく、マスク４６を除去する。マスク４６に剥離レジストを用いた場合には、有機酸系やアルカリ系のレジスト剥離液に浸す、あるいは酸素プラズマにて灰化して除去することができる。
【０１４３】
次に、図８０に示すごとく、端子２８、２９、平面コイル２７Ａ、素体形成部４４Ｄ、磁性中脚部３１の上面全体に、フォトレジストにより絶縁体層４７を形成する。
【０１４４】
その後、図８１に示すごとく、絶縁体層４７における、端子形成部４７Ａを除く素体形成部４７Ｂの上面全体を露光する。
【０１４５】
次に、図８２に示すごとく、端子形成部４７Ａ、素体形成部４７Ｂの上面全体にフォトレジストにより絶縁層４８を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層４８を形成することができる。
【０１４６】
その後、図８３に示すごとく、絶縁層４８における端子形成部４８Ａ、磁性体層形成部４８Ｂを除く素体形成部４８Ｃの上面全体を露光する。
【０１４７】
次に、図８４に示すごとく、図８３に示した端子形成部４８Ａ、磁性体層形成部４８Ｂを現像により除去する。
【０１４８】
その後、図８５に示すごとく、図８４に示した素体形成部４７Ｂ、４８Ｃ、端子２８、２９の露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体４９を形成し、この磁性体４９を上方から研磨して、素体形成部４８Ｃを上面に露出させる。このとき、図８３に示した端子形成部４７Ａ、４８Ａ、磁性体層形成部４８Ｂに該当する部分には磁性体４９が入り込んでおり、端子形成部４７Ａ、４８Ａに入り込んだ磁性体４９が、図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部、磁性体層形成部４８Ｂに入り込んだ磁性体４９が、図４０に示す磁性体層３０Ｂとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部４８Ｃを形成することができる。
【０１４９】
なお、磁性体４９をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部４７Ｂ、４８Ｃ、端子２８、２９の露出する表面の形状によらず、均一に磁性体４９を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１５０】
次に、図８６に示すごとく、素体形成部４８Ｃ、磁性体層３０Ｂ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層５０を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層５０を形成することができる。
【０１５１】
その後、図８７に示すごとく、絶縁層５０における端子形成部５０Ａを除く素体形成部５０Ｂの上面全体を露光する。
【０１５２】
次に、図８８に示すごとく、端子形成部５０Ａ、素体形成部５０Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層５１を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層５１を形成することができる。
【０１５３】
その後、図８９に示すごとく、絶縁層５１における端子形成部５１Ａ、磁性体層形成部５１Ｂを除く素体形成部５１Ｃの上面全体を露光する。
【０１５４】
次に、図９０に示すごとく、図８９に示した端子形成部５０Ａ、５１Ａ、磁性体層形成部５１Ｂを現像により除去する。
【０１５５】
その後、図９１に示すごとく、図９０に示した素体形成部５０Ｂ、５１Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体５２を形成し、この磁性体５２を上方から研磨して、素体形成部５１Ｃを上面に露出させる。このとき、図８９に示した端子形成部５１Ａ、５０Ａ、磁性体層形成部５１Ｂに該当する部分には磁性体５２が入り込んでおり、端子形成部５１Ａ、５０Ａに入り込んだ磁性体５２が、図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部、磁性体層形成部５１Ｂに入り込んだ磁性体５２が、図４０に示す磁性体層３０Ａとなる。研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部５１Ｃを形成することができる。
【０１５６】
なお、磁性体５２をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部５０Ｂ、５１Ｃ、磁性体端子２８Ａ、２９Ａの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体５２を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１５７】
次に、図９２に示すごとく、磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、磁性体層３０Ａ、素体形成部５１Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層５３を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層５３を形成することができる。
【０１５８】
その後、図９３に示すごとく、絶縁層５３における端子形成部５３Ａを除いた素体形成部５３Ｂの上面全体を露光する。
【０１５９】
次に、図９４に示すごとく、端子形成部５３Ａ、素体形成部５３Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層５４を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層５４を形成することができる。
【０１６０】
その後、図９５に示すごとく、絶縁層５４における端子形成部５４Ａを除いた素体形成部５４Ｂの上面全体を露光する。ここで、端子形成部５４Ａは絶縁層５４における最外周部から内方に距離を持たせて形成している。
【０１６１】
次に、図９６に示すごとく、図９５に示した端子形成部５３Ａ、５４Ａを現像により除去する。
【０１６２】
その後、図９７に示すごとく、図９６に示した磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、素体形成部５３Ｂ、５４Ｂの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体５５を形成する。
【０１６３】
なお、磁性体５５をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である磁性体端子２８Ａ、２９Ａ、素体形成部５３Ｂ、５４Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体５５を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【０１６４】
次に、図９８に示すごとく、図９７に示した磁性体５５を上方から研磨し、素体形成部５４Ｂを上面に露出させる。このとき、図９５に示した磁性体端子形成部５３Ａ、５４Ａに該当する部分には磁性体５５が入り込んでおり、これが図４０に示す磁性体端子２８Ａ、２９Ａの一部となる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部５４Ｂを形成することができる。
【０１６５】
その後、図９９に示すごとく、フッ酸処理等により基板３２を除去する。
【０１６６】
このようにして、端子２８、２９の一部を磁性体端子２８Ａ、２９Ａにより構成するとともに、素体２６内に磁性体層３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ及び磁性中脚部３１を形成した、インダクタンス値の高いインダクタンス部品を製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６７】
本発明のインダクタンス部品は、インダクタンス値が高いという特徴を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の上面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の断面図
【図４１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９０】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９１】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９２】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９４】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９５】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９６】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９７】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９８】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９９】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１００】従来のインダクタンス部品の上面図
【符号の説明】
【０１６９】
５  素体
６  コイル
７、８  端子
７Ａ、８Ａ  磁性体端子
【図１】
2007305824.tif 000003
【図２】
2007305824.tif 000004
【図３】
2007305824.tif 000005
【図４】
2007305824.tif 000006
【図５】
2007305824.tif 000007
【図６】
2007305824.tif 000008
【図７】
2007305824.tif 000009
【図８】
2007305824.tif 000010
【図９】
2007305824.tif 000011
【図１０】
2007305824.tif 000012
【図１１】
2007305824.tif 000013
【図１２】
2007305824.tif 000014
【図１３】
2007305824.tif 000015
【図１４】
2007305824.tif 000016
【図１５】
2007305824.tif 000017
【図１６】
2007305824.tif 000018
【図１７】
2007305824.tif 000019
【図１８】
2007305824.tif 000020
【図１９】
2007305824.tif 000021
【図２０】
2007305824.tif 000022
【図２１】
2007305824.tif 000023
【図２２】
2007305824.tif 000024
【図２３】
2007305824.tif 000025
【図２４】
2007305824.tif 000026
【図２５】
2007305824.tif 000027
【図２６】
2007305824.tif 000028
【図２７】
2007305824.tif 000029
【図２８】
2007305824.tif 000030
【図２９】
2007305824.tif 000031
【図３０】
2007305824.tif 000032
【図３１】
2007305824.tif 000033
【図３２】
2007305824.tif 000034
【図３３】
2007305824.tif 000035
【図３４】
2007305824.tif 000036
【図３５】
2007305824.tif 000037
【図３６】
2007305824.tif 000038
【図３７】
2007305824.tif 000039
【図３８】
2007305824.tif 000040
【図３９】
2007305824.tif 000041
【図４０】
2007305824.tif 000042
【図４１】
2007305824.tif 000043
【図４２】
2007305824.tif 000044
【図４３】
2007305824.tif 000045
【図４４】
2007305824.tif 000046
【図４５】
2007305824.tif 000047
【図４６】
2007305824.tif 000048
【図４７】
2007305824.tif 000049
【図４８】
2007305824.tif 000050
【図４９】
2007305824.tif 000051
【図５０】
2007305824.tif 000052
【図５１】
2007305824.tif 000053
【図５２】
2007305824.tif 000054
【図５３】
2007305824.tif 000055
【図５４】
2007305824.tif 000056
【図５５】
2007305824.tif 000057
【図５６】
2007305824.tif 000058
【図５７】
2007305824.tif 000059
【図５８】
2007305824.tif 000060
【図５９】
2007305824.tif 000061
【図６０】
2007305824.tif 000062
【図６１】
2007305824.tif 000063
【図６２】
2007305824.tif 000064
【図６３】
2007305824.tif 000065
【図６４】
2007305824.tif 000066
【図６５】
2007305824.tif 000067
【図６６】
2007305824.tif 000068
【図６７】
2007305824.tif 000069
【図６８】
2007305824.tif 000070
【図６９】
2007305824.tif 000071
【図７０】
2007305824.tif 000072
【図７１】
2007305824.tif 000073
【図７２】
2007305824.tif 000074
【図７３】
2007305824.tif 000075
【図７４】
2007305824.tif 000076
【図７５】
2007305824.tif 000077
【図７６】
2007305824.tif 000078
【図７７】
2007305824.tif 000079
【図７８】
2007305824.tif 000080
【図７９】
2007305824.tif 000081
【図８０】
2007305824.tif 000082
【図８１】
2007305824.tif 000083
【図８２】
2007305824.tif 000084
【図８３】
2007305824.tif 000085
【図８４】
2007305824.tif 000086
【図８５】
2007305824.tif 000087
【図８６】
2007305824.tif 000088
【図８７】
2007305824.tif 000089
【図８８】
2007305824.tif 000090
【図８９】
2007305824.tif 000091
【図９０】
2007305824.tif 000092
【図９１】
2007305824.tif 000093
【図９２】
2007305824.tif 000094
【図９３】
2007305824.tif 000095
【図９４】
2007305824.tif 000096
【図９５】
2007305824.tif 000097
【図９６】
2007305824.tif 000098
【図９７】
2007305824.tif 000099
【図９８】
2007305824.tif 000100
【図９９】
2007305824.tif 000101
【図１００】
2007305824.tif 000102