(57)【要約】【課題】窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決すること。【解決手段】窒化物半導体発光素子１００は、ｎ型窒化物半導体層１２の上に活性層１３を介して形成されたｐ型窒化物半導体層１４を備え、ｐ型窒化物半導体層１４の上面の縁部を除く領域には金属製の正電極１６が形成され、さらに、開口部２２を除いて、ｐ型窒化物半導体層１４上の正電極１６に覆われていない領域から正電極１６上にかけては連続した絶縁保護膜１７が形成されている。絶縁保護膜１７は、正電極１６の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層の上に活性層を介して形成されたｐ型窒化物半導体層を備え、該ｐ型窒化物半導体層の上面の縁部を除く領域に正電極が形成され、さらに、該正電極上に外部電極との接続のために設けられた開口部を除いて、該ｐ型窒化物半導体層上の該正電極に覆われていない領域から該正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子であって、
前記絶縁保護膜が、前記正電極の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記絶縁保護膜が、前記正電極に接して、前記電子ビーム蒸着法で形成された部分を含む、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記絶縁保護膜が、電子ビーム蒸着法で形成された部分のみからなる、請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記絶縁保護膜が、電子ビーム蒸着法により形成された第１の層とプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成された第２の層とを少なくとも含む積層構造部を有する、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記積層構造部において、前記第１の層が正電極に接している、請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記開口部が丸みを帯びた形状に形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記正電極が、前記ｐ型窒化物半導体層と接する部分に、白金族元素またはＡｕからなる層を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記正電極と前記絶縁保護膜との間に、該正電極と該絶縁保護膜との接着強度を高めるための接着強化層が形成されている、請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体発光素子に関し、特に、窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体とは、一般式ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表される化合物半導体であり、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなど、任意の組成のものを含む。上記化学式において、３族元素の一部をＢ（ホウ素）、Ｔｌ（タリウム）などで置換したもの、また、Ｎ（窒素）の一部をＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）などで置換したものも、窒化物半導体に含まれる。
【０００３】
窒化物半導体発光素子は、例えば、サファイア基板上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体からなる活性層、ｐ型窒化物半導体層をこの順に成長させて積層し、ｐ型窒化物半導体層および活性層の一部を除去して露出させたｎ型窒化物半導体層の上面に負電極を形成し、ｐ型窒化物半導体層の上面に正電極を形成することにより、構成される。正電極および負電極が形成された領域を除く、窒化物半導体層の上面には、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料からなる絶縁保護膜が形成され、それによって、正負の電極と外部電極（実装時に発光素子チップが固定されるリードフレーム、回路基板、サブマウント等の側に設けられた電極）との接続に用いられるハンダ等の導電性接合材料と、窒化物半導体との短絡が防止される。この短絡がより効果的に防止されるように、該絶縁保護膜は、ｐ型窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した膜とされる（特許文献１）。
【０００４】
ここで、従来の窒化物半導体発光素子においては、上記絶縁保護膜がプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法によって形成される（特許文献２）。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１７７４３４号公報
【特許文献２】特開平１１−１５０３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等は、従来の窒化物半導体発光素子に該当する発光ダイオード素子について、絶縁保護膜の形成前後における順方向電圧（Ｖｆ）を調べたところ、絶縁保護膜の形成前に比べて、形成後のＶｆが著しく高くなる問題があることを見出した。Ｖｆの上昇はそれ自体が発光効率の低下を意味する他、Ｖｆが高い発光素子は動作時の発熱が大きいので、素子温度の上昇に伴う発光効率の低下が起こり易く、また、構成部材の劣化が速くなることから、寿命が短くなり、信頼性も低くなる。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、従来の窒化物半導体発光素子において見出だされた、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決し、それによって、良好な発光効率を有し、寿命および信頼性の改善された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ｐ型窒化物半導体上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子における、該絶縁保護膜の構成を鋭意検討することにより完成されたものである。本発明は次の特徴を有する。
【０００９】
（１）ｎ型窒化物半導体層の上に活性層を介して形成されたｐ型窒化物半導体層を備え、該ｐ型窒化物半導体層の上面の縁部を除く領域に正電極が形成され、さらに、該正電極上に外部電極との接続のために設けられた開口部を除いて、該ｐ型窒化物半導体層上の該正電極に覆われていない領域から該正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子であって、前記絶縁保護膜が、前記正電極の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
（２）前記絶縁保護膜が、前記正電極に接して、前記電子ビーム蒸着法で形成された部分を含む、前記（１）に記載の窒化物半導体発光素子。
（３）前記絶縁保護膜が、電子ビーム蒸着法で形成された部分のみからなる、前記（２）に記載の窒化物半導体発光素子。
（４）前記絶縁保護膜が、電子ビーム蒸着法により形成された第１の層とプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成された第２の層とを少なくとも含む積層構造部を有する、前記（１）に記載の窒化物半導体発光素子。
（５）前記積層構造部において、前記第１の層が正電極に接している、前記（４）に記載の窒化物半導体発光素子。
（６）前記開口部が丸みを帯びた形状に形成されている、前記（１）〜（５）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（７）前記正電極が、前記ｐ型窒化物半導体層と接する部分に、白金族元素またはＡｕからなる層を有する、前記（１）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（８）前記正電極と前記絶縁保護膜との間に、該正電極と該絶縁保護膜との接着強度を高めるための接着強化層が形成されている、前記（１）〜（７）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【００１０】
従来の窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成に伴い動作電圧の上昇が起こったのは、絶縁保護膜と正電極との間の熱膨張率差に起因して生じる熱応力が正電極に作用して、正電極とｐ型窒化物半導体層との密着性が低下し、それによって正電極の接触抵抗が上昇したことが原因であると思われる。そこで、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、絶縁保護膜が、正電極の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含むように構成している。電子ビーム蒸着法によれば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法よりも低温で絶縁保護膜が形成されるので、絶縁保護膜と正電極との熱膨張率差に起因して生じる熱応力が低減される。また、電子ビーム蒸着法で形成される無機薄膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法により形成されるものに比べて緻密性が低く、変形し易いものとなるので、絶縁保護膜と正電極との熱膨張率差に起因する熱応力が絶縁保護膜の変形により緩和される。そのために、該熱応力の作用による正電極とｐ型窒化物半導体層との密着性の低下が防止される。
【００１１】
絶縁保護膜が、正電極に接して電子ビーム蒸着法で形成された部分を含むとき、該部分の変形による熱応力の緩和がより効果的に生じると考えられる。その場合の一態様として、絶縁保護膜の全体を電子ビーム蒸着法で形成してもよい。
【００１２】
絶縁保護膜は、少なくとも正電極の上方に電子ビーム蒸着法で形成された部分が含まれるように、その一部または全部を、電子ビーム蒸着法で形成した層と、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法で形成した層とを積層した、積層膜としてもよい。製造工程を簡略化するうえでは、絶縁保護膜の全体を、このような積層膜とすることが好ましい。プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法により形成した層は、電子ビーム蒸着法で形成した層よりも緻密で、発光素子にとって有害な水蒸気等の透過性がより低い層となるので、電子ビーム蒸着法により形成した層を設けることによる絶縁保護膜の保護機能の低下を補うことができる。なお、この場合も、正電極に接する層を電子ビーム蒸着法で形成した層としたとき、絶縁保護膜と正電極との熱膨張率差に起因する熱応力の緩和が、より効果的に生じると考えられる。
【００１３】
正電極上の絶縁保護膜には、正電極を外部電極に接続できるように、開口部が設けられるが、この開口部を丸みを帯びた形状とすることにより、絶縁保護膜の正電極からの剥離が防止される。この剥離防止効果は、絶縁保護膜の特定部位への応力集中がなくなる結果、絶縁保護膜の変形・破壊が抑制されることにより生じるものと考えられる。このことは、逆に、開口部をこのように丸みを帯びた形状に形成したときには、正電極に加わる熱応力が大きくなる傾向があることを意味している。よって、この場合に、絶縁保護膜の、正電極の上方に位置する部分を電子ビーム蒸着法で形成することによって、正電極が受ける熱応力を低減することは、特に有効であると考えられる。
【００１４】
また、正電極が、ｐ型窒化物半導体層と接する部分に、化学的に安定な元素である白金族元素またはＡｕ（金）からなる層を有するとき、該正電極とｐ型半導体層との密着性が低くなる傾向がある。白金族元素とは、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）およびＯｓ（オスミウム）である。従って、この場合に、絶縁保護膜の、正電極の上方に位置する部分を電子ビーム蒸着法で形成することによって、正電極が受ける熱応力を低減することは、特に有効であると考えられる。
【００１５】
また、正電極と絶縁保護膜との間に、正電極と絶縁保護膜との接着強度を高めるための接着強化層を形成すると、絶縁保護膜の安定性が向上する一方で、正電極と絶縁保護膜の界面の変形・破壊による熱応力の緩和が起こり難くなる。従って、この場合に、絶縁保護膜の、正電極の上方に位置する部分を電子ビーム蒸着法で形成することによって、正電極が受ける熱応力を低減することは、特に有効であると考えられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ｐ型窒化物半導体上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成に伴い動作電圧が上昇することを防止できる。従って、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、同様に形成された絶縁保護膜を有する従来の窒化物半導体発光素子に比べ、良好な発光効率を有し、また、寿命および信頼性の改善されたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子である発光ダイオード素子の構造を模式的に示す断面図である。図１において、１００は窒化物半導体発光素子であり、１１は基板であり、１２はｎ型窒化物半導体層であり、１３は活性層であり、１４はｐ型窒化物半導体層であり、１５は負電極であり、１６は正電極であり、１７は絶縁保護膜である。負電極１５は、エッチングによりｐ型窒化物半導体層１４および活性層１３の一部が除去されて露出したｎ型窒化物半導体層１２の表面上に形成されている。正電極１６は、ｐ型窒化物半導体層１４の上面に形成されている。ｐ型窒化物半導体層１４の上面は、その縁部を除いて、正電極１６に覆われている。絶縁保護膜１７は、電子ビーム蒸着法により形成されたものであり、負電極１５上に設けられた開口部２１および正電極１６上に設けられた開口部２２を除いて、素子１００の上面側全体を覆っている。図２には、図１に示す素子１００を上面側から見たときの、開口部２１、２２の形状を示す。どちらの開口部も、その輪郭形状を定める直線が交わる部分には丸みが付けられている。即ち、どちらの開口部も、丸みを帯びた形状に形成されている。これらの開口部は円形または楕円形に形成してもよい。円形や楕円形も、丸みを帯びた形状である。
【００１９】
図１に示す発光ダイオード素子は、次のようにして製造することができる。
まず、基板１１上に、ＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長）法、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、ＭＢＥ（分子ビームエピタキシー）法等の気相エピタキシャル成長法を用いて、ｎ型窒化物半導体層１２、活性層１３、ｐ型窒化物半導体層１４を、順次成長して積層する。基板１１とｎ型窒化物半導体層１２との間には、バッファ層を介在させてもよい。ｐ型窒化物半導体層１４に添加したｐ型不純物を活性化させるためのアニーリング処理や電子線照射処理は、適宜行うことができる。
【００２０】
次に、ｐ型窒化物半導体層１４の表面に、蒸着、スパッタリング等の方法を用いて、正電極１６を形成する。正電極１６には、必要に応じて、ｐ型窒化物半導体層１４との接触抵抗を低下させるための熱処理を施す。次に、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法により、ｐ型窒化物半導体層１４の表面側から、ｎ型窒化物半導体層１２に達する深さのエッチングを行って、ｎ型窒化物半導体層１２を部分的に露出させる。次に、露出したｎ型窒化物半導体層１２の表面に、蒸着、スパッタリング等の方法を用いて、負電極１５を形成する。負電極１５には、必要に応じて、ｎ型窒化物半導体層１２との接触抵抗を低下させるための熱処理を施す。
【００２１】
次に、電子ビーム蒸着法により、素子の上面側の表面全体を覆うように、絶縁保護膜１７を形成する。その後、エッチングによって絶縁保護膜１７の一部を除去し、負電極１５上に開口部２１を、また、正電極１６上に開口部２２を、それぞれ形成し、各開口部に負電極１５、正電極１６を露出させる。なお、リフトオフ法を用いて、絶縁保護膜１７を、初めから、開口部２１、２２を備えた形状に形成することもできる。最後に、基板をダイシング、スクライビング、レーザ溶断等、この分野における周知の方法を用いて切断し、チップ状の発光ダイオード素子を得る。
【００２２】
図１に示す発光ダイオード素子において、基板１１には、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＮ基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、スピネル基板、ＺｎＯ基板、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ３）基板、ＬＧＯ（ＬｉＧａＯ２）基板、ＬＡＯ（ＬａＡｌＯ３）基板、ＺｒＢ２基板、ＴｉＢ２基板等、窒化物半導体のエピタキシャル成長に適用可能な公知の基板を任意に使用することができる。基板が導電性を有する場合には、負電極を基板に形成することができる。窒化物半導体の結晶成長に用いた基板を、最終製品である発光素子に残すことは必須ではなく、研磨、エッチング、レーザリフトオフ等の方法によって、その一部または全部を除去してもよく、また、除去後、別途準備した支持基板と置換してもよい。
【００２３】
ｎ型窒化物半導体層１２、活性層１３およびｐ型窒化物半導体層１４の、それぞれのバンドギャップや膜厚、各層に添加する不純物の種類、各層における厚さ方向の不純物濃度分布等は、周知技術を適宜参照して設定することができる。これらの窒化物半導体層は、一定の結晶組成を有していてもよいし、結晶組成の異なる層からなる積層体であってもよく、また、結晶組成が傾斜した部分を含んでいてもよい。発光効率を高くするためには、ダブルヘテロ構造が構成されるようにすることが好ましく、また、活性層は量子井戸構造、特に、多重量子井戸構造とすることが好ましい。
【００２４】
ｎ型窒化物半導体層１２の中でも、負電極と接する部分は、負電極との接触抵抗を低くするために、電子濃度を十分に高くすることが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体層１４の、正電極と接する部分（上面を含む部分）には、Ｍｇ（マグネシウム）等のｐ型不純物を、正孔濃度が最大となる濃度よりも高濃度に添加することが、正電極との接触抵抗を低くするうえで好ましい。
【００２５】
負電極１５は、ｎ型窒化物半導体層１２と接する部分を、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）等の単体、または、これらから選ばれる１種以上の金属を含む合金で形成することが好ましい。また、負電極１６には、酸化や腐食に対する耐性の良好な、Ａｕや白金族元素からなる表面層を設けることが好ましい。
【００２６】
正電極１６は、ｐ型窒化物半導体層１４との接触抵抗を低くするために、ｐ型窒化物半導体層１４と接する部分を、白金族元素、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ（コバルト）等の単体、または、これらから選ばれる１種以上の金属を含む合金で形成することが好ましい。正電極による光吸収を小さくして発光効率の低下を防ぐ目的のためには、該部分を光反射性の良好な白金族元素で形成することが好ましく、とりわけ、Ｒｈで形成することが好ましい。また、正電極１６には、酸化や腐食に対する耐性の良好な、Ａｕや白金族元素からなる表面層を設けることが好ましい。正電極には、更に、ボンディング用のパッドを付加することもできる。
【００２７】
絶縁保護膜１７は無機材料で形成される。好ましい無機材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物が挙げられる。金属酸化物の好適例は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ニオブである。金属窒化物の好適例は窒化ケイ素である。これらの他、フッ化マグネシウムも好適に用いることができる。絶縁保護膜は、異なる無機材料からなる層を積層した多層膜としてもよい。絶縁保護膜１７の膜厚は、例えば、０．０５μｍ〜３μｍとすることができるが、好ましくは、０．１μｍ〜１μｍであり、より好ましくは、０．２μｍ〜０．５μｍである。
【００２８】
図１に例示した窒化物半導体発光素子１００では、絶縁保護膜１７の全体を電子ビーム蒸着法によって形成しているが、絶縁保護膜は、電子ビーム蒸着法で形成した層と、電子ビーム蒸着法以外の方法で形成した層とを、積層した構成としてもよい。その場合、図３に例示する発光ダイオード素子１００のように、絶縁保護膜１７全体を、電子ビーム蒸着法で形成した層１７ａと、電子ビーム蒸着法以外の方法で形成した層１７ｂとからなる積層構造としてもよいし、あるいは、図４に例示する発光ダイオード素子１００のように、絶縁保護膜１７のうち、正電極１６上に形成された部分だけを、電子ビーム蒸着法で形成した層１７ａと、電子ビーム蒸着法以外の方法で形成した層１７ｂとからなる積層構造とすることもできる。また、正電極１７上に形成された部分の、更に一部だけを、このような積層構造とすることもできる。ここで、電子ビーム蒸着法以外の絶縁保護膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等が挙げられる。なお、図３および図４に示す例では、電子ビーム蒸着法で形成した層１７ａが正電極１６に接しているが、入れ替えて、電子ビーム蒸着法以外の方法で形成した層１７ｂが正電極１６に接するようにしてもよい。また、積層構造は、電子ビーム蒸着法で形成した層と、電子ビーム蒸着法以外の方法で形成した層の、いずれか一方、または両方を、２層以上含む交互積層構造であってもよい。
【００２９】
負電極１５および正電極１６と、絶縁保護膜１７との間には、接着強度を高めるための接着強化層を形成してもよい。特に、負電極１５や正電極１６に、Ａｕまたは白金族元素からなる表面層を設ける場合には、該表面層と絶縁保護膜との接着性が低くなるために、これを補うために、接着強化層を用いることが好ましい。接着強化層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｌから選ばれるいずれかの金属、またはその酸化物を主成分とし、スパッタリング法により数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さに形成する。
【実施例】
【００３０】
本発明の実施例として、図５に断面構造を示す、フリップチップ実装用の発光ダイオード素子（発光波長４０５ｎｍ）を作製した。素子のサイズは、チップ化後のサイズが３５０μｍ角となるように設定した。
【００３１】
まず、周知のＭＯＶＰＥ法を用いて、直径２インチのＣ面サファイア基板１１上に、ＡｌＧａＮ低温成長バッファ層（図示せず）を介して、膜厚２μｍのアンドープＧａＮ層１２１、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚３μｍのｎ型コンタクト層１２２、ＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層とを６層ずつ積層してなる多重量子井戸構造の活性層１３、ＭｇドープＡｌＧａＮからなる膜厚０．０５μｍのｐ型クラッド層１４１、ＭｇドープＧａＮからなる膜厚０．１μｍのｐ型コンタクト層１４２をこの順に成長し、積層した。積層後、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層にドープしたＭｇを活性化させるために、ＲＴＡ装置を用いて、窒素雰囲気中、９００℃、１分間の熱処理を行った。
【００３２】
次に、ｐ型コンタクト層１４２の表面に、電子ビーム蒸着法を用いて、膜厚３０ｎｍのＲｈ層の上に、Ａｕ層とＰｔ層の交互積層膜を最上層がＡｕ層となるように積層し、その上に更に接着強化層として膜厚１０ｎｍのＴｉ層を積層した、総膜厚０．６μｍの正電極１６を形成した。形成後、ＲＴＡ装置を用いて、窒素雰囲気中、５００℃、１分間の熱処理を行った。
【００３３】
次に、正電極１６を形成したｐ型コンタクト層１４２の上に所定形状のレジストマスクを形成し、塩素ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、図５に示すように、ｎ型コンタクト層１２２を露出させた。露出後、ｎ型コンタクト層の表面に、ＲＦスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＴｉＷ合金層の上に、Ａｕ層とＰｔ層の交互積層膜を最上層がＡｕ層となるように積層した、総膜厚０．７μｍの負電極１５を形成した。形成後、ＲＴＡ装置を用いて、窒素雰囲気中、５００℃、１分間の熱処理を行った。
【００３４】
続いて、電子ビーム蒸着法を用いて、酸化ケイ素からなる膜厚３００ｎｍの絶縁保護膜１７を、素子の表面全体を覆うように形成した。蒸着材料には、キヤノンオプトロン株式会社製の顆粒状ＳｉＯ２（サイズ：１ｍｍ〜３ｍｍ）を用いた。蒸着時にはウェハの加熱、冷却は特に行わなかったが、ルツボからの輻射によってウェハの表面温度は１００℃〜１５０℃程度となった。蒸着時の雰囲気は真空雰囲気とし、イオンビームアシストやプラズマアシスト等は行わなかった。成膜速度は、３０ｎｍ／分に設定した。
【００３５】
続いて、テトラフルオロメタンを用いたＲＩＥによって絶縁保護膜１７を部分的に除去し、図５に示すように、正電極の上面の一部と、負電極を露出させた。最後に、この分野で通常用いられる方法により、ウェハから発光ダイオード素子をチップ状に切り出した。このようにして、電流値２０ｍＡにおける順方向電圧（Ｖｆ）が３．４Ｖ以下のチップ状発光ダイオード素子を得ることができた。
【００３６】
比較例として、絶縁保護膜をプラズマＣＶＤ法で形成したことを除き、上記実施例と同様にしてチップ状の発光ダイオード素子を作製した。プラズマＣＶＤ法による絶縁保護膜の形成は、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）を原料として用い、ウェハを３５０℃に加熱した条件で行った。この比較例のチップ状発光ダイオード素子は、電流値２０ｍＡにおける順方向電圧（Ｖｆ）が３．９Ｖ以上となった。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す窒化物半導体発光素子を上面側から見たときの、開口部の形状を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１  基板
１２  ｎ型窒化物半導体層
１３  活性層
１４  ｐ型窒化物半導体層
１５  負電極
１６  正電極
１７  絶縁保護膜
２１、２２  開口部
１００  窒化物半導体発光素子
【図１】
2007288002.tif 000003
【図２】
2007288002.tif 000004
【図３】
2007288002.tif 000005
【図４】
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【図５】
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