(57)【要約】【課題】外部磁界に対する耐性の高い垂直磁気記録ヘッドを提供する。【解決手段】主磁極３０と；第１の接続部４０ａを介して主磁極に接続された第１の補助磁極２６と；第２の接続部４０ｂを介して主磁極に接続された第２の補助磁極２８と；第１の接続部を巻回する第１のコイル３６と；第２の接続部を巻回する第２のコイル３８とを有し、垂直磁気記録媒体４に対して情報の記録を行う書き込み素子１６と、垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子１８と、第１のシールド層２２と、第２のシールド層２４とを有し、第１の補助磁極２６の高さ及び第２の補助磁極２８の高さは、主磁極３０の高さより高く、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４の高さは、第１の補助磁極及び第２の補助磁極の高さより高い。【選択図】  図１
2007213723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成され、第１の接続部を介して前記主磁極に接続された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、第２の接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記第１の接続部を巻回する第１のコイルと；前記第２の接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、
前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、
前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、
前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、
前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの前記第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、
前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記主磁極と前記第１の補助磁極との間に形成された第１のコイルと；前記接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、
前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、
前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、
前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、
前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、
前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第１のシールド層の厚さをｄ１、前記第２の補助磁極の厚さをｄ２とすると、０．６ｄ１≦ｄ２＜ｄ１である
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記主磁極の透磁率は、前記第１の補助磁極、前記第２の補助磁極、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層のいずれの透磁率よりも小さい
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第１の接続部の長さは、前記第２の接続部の長さと等しい、又は、前記第２の接続部の長さより長い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッドに係り、特に、外部磁界に対する耐性の高い垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
技術の進歩に伴ってハードディスクの記録密度は徐々に増加しているが、従来の面内磁気記録（水平磁気記録）では、磁区のＳ極同士およびＮ極同士が反発し合って磁化を打ち消すため、記録密度を高めることが難しくなってきている。
【０００３】
そこで、磁気記録媒体の面に対し、垂直方向に磁性体を磁化させる磁気記録方式である垂直磁気記録方式が注目されている。垂直磁気記録は、磁性体が磁化される方向が垂直であり、磁区のＳ極とＮ極が隣り合って相互に磁化を強めるため、安定性に優れている。また、磁気記録媒体の記録層を厚くして、磁区の体積を大きくとることにより安定的な磁化が得られる。このため、垂直磁気記録方式は、超高密度記録を実現する方式として期待されている。
【特許文献１】特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献２】特開平９−１４７３１９号公報
【特許文献３】米国特許４６５６５４６号明細書
【特許文献４】特開２００３−１２３２１０号公報
【特許文献５】特開２００３−４５００８号公報
【特許文献６】特開２００１−１０１６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、垂直磁気記録方式では、書き込み素子の主磁極に外部磁界が流れ込みやすく、垂直磁気記録媒体に誤った情報が書き込まれてしまったり、垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報が誤って消去されてしまったりする場合があった。
【０００５】
本発明の目的は、外部磁界に対する耐性の高い垂直磁気記録ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成され、第１の接続部を介して前記主磁極に接続された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、第２の接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記第１の接続部を巻回する第１のコイルと；前記第２の接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの前記第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドが提供される。
【０００７】
また、本発明の他の観点によれば、主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記主磁極と前記第１の補助磁極との間に形成された第１のコイルと；前記接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第１のシールド層又は第２のシールド層の高さが、第１の補助磁極及び第２の補助磁極の高さより高く設定されているため、外部磁界は第１のシールド層又は第２のシールド層に相対的に結合しやすい。また、第１の補助磁極及び第２の補助磁極の高さが主磁極より高く設定されているため、外部磁界は第１の補助磁極又は第２の補助磁極に相対的に結合しやすい。即ち、本発明によれば、主磁極に外部磁界が結合するのを抑制することができる。
【０００９】
また、本発明では、第１の補助磁極の端部から主磁極の上端部に至るまでの磁路の磁気抵抗と、第２の補助磁極の端部から主磁極の上端部に至るまでの磁路の磁気抵抗とがほぼ等しく設定されているため、第１の補助磁極及び第２の補助磁極に結合した外部磁界が主磁極の上端部の近傍において互いに打ち消され、外部磁界が主磁極に流れ込むのを抑制することができる。
【００１０】
また、本発明では、主磁極における磁気抵抗が、第１のシールド層、第２のシールド層、第１の補助磁極及び第２の補助磁極に対して比較的大きく設定されているため、主磁極には外部磁界が流れ込むのをより確実に抑制し得る。
【００１１】
本発明によれば、主磁極に流れ込む外部磁界を極めて小さくすることができるため、外部磁界に起因して垂直磁気記録媒体に誤った情報が書き込まれたり、垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報が誤って消去されたりするのを防止し得る垂直磁気記録ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドを図１乃至図１１を用いて説明する。図１は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。図１における矢印は、垂直磁気記録媒体の相対的な進行方向を示している。図２は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。図２は、図１における紙面下側から垂直磁気記録ヘッドを見たときの図である。図３は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドの主磁極を示す平面図である。図３は、図１における紙面右側から垂直磁気記録ヘッドを見たときの図である。
【００１３】
図１は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッド２が垂直磁気記録媒体４に対向している状態を示している。垂直磁気記録媒体４は、例えばガラスより成る基板１０と、基板１０上に形成された例えばＣｏＮｂＺｒより成る軟磁性層１２と、軟磁性層１２上に形成された例えばＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２より成る垂直磁気記録層１４とを有している。
【００１４】
本実施形態による垂直磁気記録ヘッド２は、垂直磁気記録媒体４の垂直磁気記録層１４に情報を書き込むための書き込み素子１６と、垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出すための読み出し素子１８とを有する記録・再生用の垂直磁気記録ヘッドである。
【００１５】
書き込み素子１６は、主磁極３０と；主磁極３０の一方の側に形成され、第１の接続部４０ａを介して主磁極３０に接続された第１の補助磁極２６と；主磁極３０の他方の側に形成され、第２の接続部４０ｂを介して主磁極３０に接続された第２の補助磁極２８と；第１の接続部４０ａを巻回する第１のコイル３６と；第２の接続部４０ｂを巻回する第２のコイル３８とを有している。
【００１６】
基板２０の一方の面には、第１のシールド層（下部シールド層）２２が形成されている。基板２０の材料としては、非磁性材料が用いられている。具体的には、基板２０として、例えばＡｌＴｉＣ基板が用いられている。第１のシールド層２２としては、透磁率が比較的高い材料が用いられている。具体的には、第１のシールド層２２として、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）が用いられている。
【００１７】
第１のシールド層２２と後述する第２のシールド層２４は、主として、読み出し素子１８の不安定性を排除するための磁気遮蔽を目的に設けられている。
【００１８】
第１のシールド層２２の厚さは、後述する第１の補助磁極２６や第２の補助磁極２８の厚さより厚く設定されている。第１のシールド層２２の厚さを比較的厚く設定するのは、第１のシールド層２２の磁気抵抗を比較的小さく設定し、外部磁界が第１のシールド層２２を介してグラウンドに流れるようにするためである。第１のシールド層２２の厚さは、例えば２μｍ程度とする。
【００１９】
第１のシールド層２２の端部、後述する第２のシールド層２４の端部、後述する第１の補助磁極２６の端部、後述する主磁極３０の端部、及び、後述する第２の補助磁極２８の端部は、垂直磁気記録媒体４に対向する媒体対向面６に位置している。なお、磁気記録媒体４に対向する面である媒体対向面は、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）面とも称される。
【００２０】
第１のシールド層２２の一方の面（基板２０に接する面とは反対側の面）には、非磁性層（ギャップ層）３２を介して第２のシールド層（上部シールド層）２４が形成されている。第１のシールド層２２と第２のシールド層２４とは互いに対向するように形成されている。第２のシールド層２４としては、第１のシールド層２２と同様に、透磁率が比較的高い材料が用いられている。具体的には、第２のシールド層２２として、例えばＮｉＦｅが用いられている。
【００２１】
第２のシールド層２４の厚さは、後述する第１の補助磁極２６や第２の補助磁極２８の厚さより厚く設定されている。第２のシールド層２４の厚さを比較的厚く設定するのは、第２のシールド層２４の磁気抵抗を比較的小さく設定し、外部磁界が第２のシールド層２４を介してグラウンドに流れるようにするためである。第２のシールド層２４の厚さは、例えば２μｍ程度とする。第１のシールド層２２と第２のシールド層２４との間の非磁性層３２の材料としては、例えばアルミナが用いられている。
【００２２】
第２のシールド層２４の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）は、第１のシールド層２２の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）と等しく設定されている。第２のシールド層２４の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を第１のシールド層２２と同様に比較的高く設定するのは、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に外部磁界を相対的に結合させやすくし、第１の補助磁極２６、第２の補助磁極２８及び主磁極３０に外部磁界を相対的に結合させにくくするためである。
【００２３】
なお、ここでは、第１のシールド層２２の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）と第２のシールド層２４の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）とを等しく設定する場合を例に説明したが、第１のシールド層２２の媒体対向面からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）と第２のシールド層２４の媒体対向面からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）とが異なっていてもよい。ただし、第１のシールド層２２と第２のシールド層２４のうちの少なくとも一方の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を、後述する第１の補助磁極２６及び後述する第２の補助磁極２８の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より高く設定することが望ましい。
【００２４】
図２に示すように、第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）は、第１のシールド層２２の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭くなっている。
【００２５】
なお、ここでは、第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）が第１のシールド層２２の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭くなっている場合を例に説明したが、第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）と第１のシールド層２２の幅（図２におけるＹ方向の長さ）とを等しく設定しもよい。ただし、第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）は、後述する第１の補助磁極２６及び後述する第２の補助磁極２８の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より広く設定されていることが望ましい。
【００２６】
第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）を第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より広く設定するのは、第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４に外部磁界を相対的に結合させやすくし、第１の補助磁極２６、第２の補助磁極２８及び主磁極３０に外部磁界を相対的結合させにくくするためである。
【００２７】
第１のシールド層２２と第２のシールド層２４との間に存在する非磁性層３２には、読み出し素子１８が埋め込まれている。読み出し素子１８は、媒体対向面６の近傍に位置している。読み出し素子１８としては、例えば、磁気抵抗（ＭＲ、Magneto Resistive）素子が用いられている。より具体的には、読み出し素子１８として、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ、Giant Magneto Resistive）素子が用いられている。
【００２８】
なお、読み出し素子１８として、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ、Tunnel Magneto Resistance）素子を用いることも可能である。
【００２９】
読み出し素子１８は、図示しない配線を介して読み出し回路（図示せず）に接続される。
【００３０】
第２のシールド層２４の一方の面（第１のシールド層２２に対向する面とは反対側の面）には、非磁性層３４を介して第１の補助磁極２６が形成されている。第１の補助磁極２６としては、透磁率が比較的高い材料が用いられている。具体的には、第１の補助磁極２６として、例えばＮｉＦｅが用いられている。第１の補助磁極２６の厚さは、例えば１μｍ程度とする。第２のシールド層２８と第１の補助磁極２６との間の非磁性層３４の材料としては、例えばアルミナが用いられている。
【００３１】
第１の補助磁極２６の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）は、第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低く設定されている。第１の補助磁極２６の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低く設定しているのは、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に外部磁界を相対的に結合させやすいようにし、第１の補助磁極２６に外部磁界を相対的に結合させにくくするためである。
【００３２】
第１の補助磁極２６の幅（図２におけるＹ方向の長さ）は、第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭く設定されている。第１の補助磁極２６の幅（図２におけるＹ方向の長さ）を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭く設定しているのは、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に外部磁界を相対的に結合させやすいようにし、第１の補助磁極２６に外部磁界を相対的に結合させにくくするためである。
【００３３】
第１の補助磁極２６の一方の面側（第２のシールド層２４に対向する面とは反対側の面）には、第１の補助磁極２６と後述する主磁極３０を接続するための第１の接続部４０ａが形成されている。また、第１の補助磁極２６の一方の面側（第２のシールド層２４に対向する面とは反対側の面）には、第１の接続部４０ａを巻回する第１のコイル３６が形成されている。第１のコイル３６は、後述する第２のコイル３８と相俟って、後述する主磁極３０を励磁するためのものである。第１のコイル３６の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。第１の接続部４０ａの材料としては、第１の補助磁極２６の材料と同様に、透磁率の比較的高い材料が用いられている。具体的には、第１の接続部４０ａの材料として、例えばＮｉＦｅが用いられている。
【００３４】
第１のコイル３６の一方の側（第１の補助磁極２６に対向する側とは反対側）には、非磁性層３４を介して主磁極３０が形成されている。主磁極３０の一方の端部（垂直磁気記録媒体４に対向する側の端部）は媒体対向面６の近傍に位置しており、主磁極３０は媒体対向面６から遠ざかる方向に延在するように形成されており、主磁極３０の他方の端部（垂直磁気記録媒体４に対向する側の端部とは反対側の端部）は第１の接続部４０ａ及び後述する第２の接続部４０ｂに接続されている。
【００３５】
主磁極３０の材料としては、第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８のいずれよりも透磁率の低い材料が用いられている。具体的には、主磁極３０の材料として、ＣｏＦｅやＣｏＮｉＦｅ等が用いられている。なお、ＣｏＦｅの透磁率は８００Ｈ／ｍであり、ＣｏＮｉＦｅの透磁率は８００Ｈ／ｍであり、いずれの材料もＮｉＦｅの透磁率１０００Ｈ／ｍより低い。
【００３６】
主磁極３０の材料として、第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極１８のいずれよりも透磁率の低い材料を用いているのは、主磁極３０の磁気抵抗を相対的に大きくし、外部磁界が主磁極３０に流れ込みにくいようにするためである。
【００３７】
なお、ここでは、主磁極３０の材料として、単層のＣｏＦｅやＣｏＮｉＦｅ等を用いる場合を例に説明したが、主磁極３０の材料として多層膜を用いてもよい。多層膜より成る主磁極３０は、残留磁化が小さいという特性を有している。このため、主磁極３０として多層膜を用いれば、外部磁化に起因して主磁極３０が記憶媒体４に誤った情報を書き込んでしまうのを防止することができる。かかる多層膜より成る主磁極３０としては、例えば、ＦｅＣｏ膜を非磁性材料膜で挟んだ構造の多層膜を挙げることができる。
【００３８】
主磁極３０の厚さは、第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８のいずれよりも薄く設定されている。具体的には、主磁極３０の厚さは、例えば２５０ｎｍ程度とする。
【００３９】
主磁極３０の厚さを第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８のいずれよりも薄く設定しているのは、主磁極３０の磁気抵抗を相対的に大きくし、外部磁界が主磁極３０に流れ込みにくいようにするためである。
【００４０】
図３に示すように、主磁極３０は媒体対向面６の近傍においては幅狭に形成されているが、媒体対向面６から離れるに伴って幅（図３におけるＹ方向の長さ）が徐々に広くなっており、媒体対向面６から離れた領域では、主磁極３０の幅（図３におけるＹ方向の長さ）は第１の補助磁極２６や第２の補助磁極２８の幅の３分の１程度の幅（図３におけるＹ方向の長さ）となっている。主磁極３０の幅（図３におけるＹ方向の長さ）が徐々に広くなっている部分における拡がり角θは、例えば３０度とする。
【００４１】
第１の接続部４０ａの一方の側（第１の補助磁極２６側とは反対側）には、第２の補助磁極２８と主磁極３０を接続するための第２の接続部４０ｂが形成されている。また、第１のコイル３６の一方の側（第１の補助磁極２６側とは反対側）には、第２の接続部４０ｂを巻回する第２のコイル３８が形成されている。第２のコイル３８は、第１のコイル３６と相俟って、主磁極３０を励磁するためのものである。第２のコイル３８の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。第２の接続部４０ｂの材料としては、第１の接続部４０ａと同様に、透磁率の比較的高い材料が用いられている。具体的には、第２の接続部４０ｂの材料として、例えばＮｉＦｅが用いられている。
【００４２】
第１のコイル３６と第２のコイル３８とからは、互いに逆極性の磁界を発生させる。互いに逆極性の磁界を発生させるためには、例えば、第１のコイル３６の巻線方向と第２のコイルの巻線方向３８とを互いに反対の方向に設定すればよい。また、第１のコイル３６の巻線方向と第２のコイルの巻線方向とを同じに設定し、第１のコイル３６に流す電流の方向と第２のコイル３８に流す電流の方向とを互いに反対に設定してもよい。第１のコイル３６と第２のコイル３８とより発生する磁界は、第１のコイル３６及び第２のコイル３８の中心から離間した位置において、主磁極３０の面内方向（媒体対向面６に対して垂直な方向）に平行な磁界となる。このため、主磁極３０の媒体対向面６側の端部が、媒体対向面６に対して垂直な方向に励磁される。
【００４３】
主磁極３０と第１の補助磁極２６とを接続する第１の接続部４０ａの長さＬ１は、主磁極３０と後述する第２の補助磁極２８とを接続する第２の接続部４０ｂの長さＬ２とほぼ等しく設定されている。主磁極３０と第１の補助磁極２６とを接続する第１の接続部４０ａの長さＬ１を、主磁極３０と第２の補助磁極２８とを接続する第２の接続部４０ｂの長さＬ２とほぼ等しく設定しているのは、第１の補助磁極２６の上端部から主磁極３０に至るまでの磁路の磁気抵抗Ｒ１と、第２の補助磁極２８の上端部から主磁極３０に至るまでの磁路の磁気抵抗Ｒ２とを等しく設定し、主磁極３０の上端部近傍、即ち、図４において点線で囲まれている部分に達する外部磁界の大きさを互いに等しくするためである。
【００４４】
図４は、主磁極に達する外部磁界を示す概念図（その１）である。第１の補助磁極２６の上端部から主磁極３０に至るまでの磁路の磁気抵抗Ｒ１と、第２の補助磁極２８の上端部から主磁極３０に至るまでの磁路の磁気抵抗Ｒ２とを等しく設定すれば、図４において点線で囲まれている部分に達する外部磁界の大きさを互いに等しく設定することが可能となる。第１の補助磁極２６の上端部から主磁極３０に至る外部磁界と第２の補助磁極２８の上端部から主磁極３０に至る外部磁界は、大きさが互いに等しく、しかも逆方向であるため、互いに打ち消されることとなる。
【００４５】
図５は、主磁極に達する外部磁界を示す概念図（その２）である。図５に示すように、第１のシールド層２２や第２のシールド層２４に結合した外部磁界が第１の補助磁極２６に結合し、第１の補助磁極２６側に結合する外部磁界が第２の補助磁極２８側に結合する外部磁界に対して相対的に大きくなることも考えられる。かかる場合には、主磁極３０と第１の補助磁極２６とを接続する第１の接続部４０ａの長さＬ１を、主磁極３０と第２の補助磁極２８とを接続する第２の接続部４０ｂの長さＬ２より長く設定することが好ましい。主磁極３０と第１の補助磁極２６とを接続する第１の接続部４０ａの長さＬ１を、主磁極３０と第２の補助磁極２８とを接続する第２の接続部４０ｂの長さＬ２より長く設定すれば、主磁極３０と第１の補助磁極２６とを接続する第１の接続部４０ａの磁気抵抗が、主磁極３０と第２の補助磁極２８とを接続する第２の接続部４０ｂの磁気抵抗と比較して大きくなり、第１の補助磁極２６側から主磁極３０に達する外部磁界の大きさと第２の補助磁極２８側から主磁極３０に達する外部磁界の大きさとほぼ等しくなり、主磁極３０の上端部近傍、即ち、図５において点線で囲まれている部分において、外部磁界が互いに打ち消されるようになるためである。
【００４６】
第２のコイル３８の一方の側（第１のコイル３６に対向する側とは反対側）には、非磁性層３４を介して第２の補助磁極２８が形成されている。第２の補助磁極２８は、第２の接続部４０ｂを介して主磁極３０に接続されている。第２の補助磁極２８の材料としては、例えば第１の補助磁極２６と同様に、透磁率が比較的高い材料が用いられている。具体的には、第２の補助磁極２８の材料として、例えばＮｉＦｅが用いられている。
【００４７】
第１のシールド層２２の厚さをｄ１、第２の補助磁極２８の厚さをｄ２とすると、第２の補助磁極２８の厚さｄ２は、０．６ｄ１≦ｄ２＜ｄ１の関係を満たすように設定されている。第２の補助磁極２８の厚さｄ２をこのように設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、垂直磁気記録媒体４に情報を書き込む際には、第１のコイル３６及び第２のコイル３８に大きな電流が流される。このため、第１のコイル３６及び第２のコイル３８からの発熱量は大きい。第２の補助磁極２８は第１のコイル３６及び第２のコイル３８から発せられる熱に起因して膨張し、媒体対向面６から垂直磁気記録媒体４に向かって突出することとなる。第２の補助磁極２８が媒体対向面６から垂直磁気記録媒体４に向かって突出するのは、第２の補助磁極２８は非磁性層３４側に膨張しにくく、非磁性層３４が存在しないのは媒体対向面６側しかないためである。媒体対向面６側に突出する第２の補助磁極２８の突出量は、第２の補助磁極２８の厚さが厚いほど大きくなる。そして、媒体対向面６からの突出量が過度に大きい場合には、垂直磁気記録ヘッド２が垂直磁気記録媒体４に接触し、垂直磁気記録媒体４が破損してしまう虞がある。
【００４８】
第２の補助磁極２８が媒体対向面６から過度に突出しないようにするためには、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を過度に厚く設定しないことが重要である。具体的には、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を、第１のシールド層２２の厚さｄ１より薄くすることが望ましい。
【００４９】
一方、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を薄くするに伴って、第２の補助磁極２８における磁気抵抗は大きくなる。第２の補助磁極２８の厚さｄ２を過度に薄くした場合には、主磁極３０の磁気抵抗が相対的に十分に大きくならず、主磁極３０にも外部磁界が流れ込みやすくなってしまう。主磁極３０に流れ込む外部磁界を十分に低減するためには、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を過度に薄く設定しないことが重要である。具体的には、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を、第１のシールド層２２の厚さｄ１の０．６倍以上とすることが望ましい。
【００５０】
このような理由により、第１のシールド層２２の厚さをｄ１、第２の補助磁極２８の厚さをｄ２とすると、第２の補助磁極２８の厚さｄ２は、０．６ｄ１≦ｄ２＜ｄ１の関係を満たすように設定されている。ここでは、第２の補助磁極２８の厚さｄ２を例えば１．２μｍとする。
【００５１】
第２の補助磁極２８の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）は、例えば第１の補助磁極２６の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）と等しく設定されている。即ち、第２の補助磁極２８の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）は、第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低く設定されている。第２の補助磁極２８の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低く設定しているのは、第１の補助磁極２６の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低くしている理由と同様に、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に外部磁界を相対的に結合させやすいようにし、第２の補助磁極２８に結合する外部磁界を相対的に少なくするためである。
【００５２】
図２に示すように、第２の補助磁極２８の幅（図２におけるＹ方向の長さ）は、第１の補助磁極２６の幅（図２におけるＹ方向の長さ）と等しく設定されている。即ち、第２の補助磁極２８の幅（図２におけるＹ方向の長さ）は、第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭く設定されている。第２の補助磁極２８の幅（図２におけるＹ方向の長さ）を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭く設定しているのは、第１の補助磁極２６の幅を第１のシールド層２２及び第２のシールド層２４の幅（図２におけるＹ方向の長さ）より狭く設定している理由と同様に、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に外部磁界を結合させやすくし、第２の補助磁極２８に結合する外部磁界を相対的に少なくするためである。
【００５３】
第２の補助磁極２８のうちの媒体対向面６側の端部には、第２の補助磁極２８から主磁極３０に向かう方向に延在する書き込みシールド部２８ａが形成されている。書き込みシールド部２８ａは、垂直磁気記録媒体４に情報を書き込む際に強くて急峻な磁界を形成するためのものである。第２の補助磁極２８の端部に形成された書き込みシールド部２８ａの先端は、主磁極３０に近接している。書き込みシールド部２８ａと主磁極３０との間隔は、例えば５０ｎｍ程度に設定されている。書き込みシールド部２８ａと主磁極３０と間隔がこのように狭く設定されているため、強くて急峻な磁界を形成することが可能となる。
【００５４】
第２の補助磁極２８の一方の面（第１の補助磁極２６に対向する面とは反対側の面）には、非磁性層３４が形成されている。
【００５５】
こうして本実施形態による垂直磁気記録ヘッドが構成されている。
【００５６】
次に、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドの動作について説明する。
【００５７】
垂直磁気記録媒体４に情報を書き込む際には、垂直磁気記録媒体４のうちの情報を書き込むべき領域に主磁極３０を対向させる。そして、第１のコイル３６及び第２のコイル３８に電流を流し、主磁極３０を励磁する。そうすると、主磁極３０と軟磁性層１２との間に存在する垂直磁気記録層１４に強い磁界が加わり、垂直磁気記録媒体４の垂直磁気記録層１４に情報が書き込まれる。
【００５８】
垂直磁気記録媒体４に書き込まれている情報を読み出す際には、垂直磁気記録媒体４のうちの情報を読み出すべき領域に読み出し素子１８を対向させ、図示しない読出し回路を用いて情報が読み出される。
【００５９】
図６は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドの磁気回路を示す概念図である。
【００６０】
図６において、Ｒｂ１は主磁極３０の磁気抵抗を示しており、Ｒｇ２は主磁極３０の下方領域に位置する垂直磁気記録媒体４の軟磁性層１２の磁気抵抗を示している。Ｒｂ２は補助磁極２６、２８の磁気抵抗を示しており、Ｒｇ２は補助磁極２６、２８の下方領域に位置する軟磁性層１２の磁気抵抗を示している。Ｒｂ３はシールド層２２、２４の磁気抵抗を示しており、Ｒｇ３はシールド層２２、２４の下方に位置する軟磁性層１２の磁気抵抗を示している。Ｈは、外部磁界の強さを示している。φ１は、主磁極３０及び軟磁性層１２を介してグラウンド（ＧＮＤ）に達する磁束を示している。φ２は、補助磁極２６、２８及び軟磁性層１２を介してグラウンドに達する磁束を示している。φ３は、シールド層２２、２４及び軟磁性層１２を介してグラウンドに流れる磁束を示している。垂直磁気記録媒体４の基板１０は、グラウンドに接続されている。
【００６１】
本実施形態では、補助磁極２６、２８の磁気抵抗Ｒｂ２が主磁極３０の磁気抵抗Ｒｂ１より小さく設定されており、シールド層２２、２４の磁気抵抗Ｒｂ３が補助磁極２６、２８の磁気抵抗Ｒｂ２より小さく設定されている。このため、シールド層２２、２４を介してグラウンドに流れる磁束φ３より補助磁極２６、２８を介してグラウンドに流れる磁束φ２の方が小さくなり、補助磁極２６、２８を介してグラウンドに流れる磁束φ２より主磁極３０を介してグラウンドに流れる磁束φ３の方が小さくなる。
【００６２】
（評価結果）
次に、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドのシミュレーションによる評価結果について説明する。
【００６３】
本実施形態による垂直磁気記録ヘッドを評価する際には、図７及び図８に示すような垂直磁気記録ヘッドを比較例として用いた。図７は、比較例による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。図８は、比較例による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。図８は、図７の紙面下側から垂直磁気記録ヘッドを見たときの図である。
【００６４】
比較例による垂直磁気記録ヘッド３は、第２のコイル３８（図１参照）が設けられていない点、主磁極３０が第１の補助磁極２６にのみ接続されている点、書き込みシールド部２８ａが形成されていない点が、本実施形態による垂直磁気記録ヘッド２と異なっている。
【００６５】
シミュレーションを行う際のパラメータは、以下の通りとした。即ち、主磁極３０の先端の幅ＰＷ（図３参照）、即ち、トラック幅方向の長さは、１００ｎｍとした。主磁極３０の先端の厚さＰＴ、即ち、トラック方向の長さは、２００ｎｍとした。主磁極３０のネックハイトＮＨ（図３参照）、即ち、主磁極３０の先端から主磁極３０の広がり部分までの距離は、１００ｎｍとした。第２の補助磁極２８の端部に形成された書き込みシールド部のスロートハイト、即ち、書き込みシールド部２８ａの厚さは１００ｎｍとした。主磁極３０の広がり部分の広がり角θ（図３参照）は３０度とした。第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６、第２の補助磁極２８の飽和磁束密度は、１．０Ｔとした。主磁極３０の飽和磁束密度は２．３Ｔとした。第２の補助磁極２８の端部に形成した書き込みシールド部２８ａの飽和磁束密度は１．８Ｔとした。
【００６６】
図９は、比較例による垂直磁気記録ヘッドに対して一様な外部磁界を与えた場合における主磁極からの漏洩磁界を示すグラフである。横軸は、比較例による垂直磁気記録ヘッドに与えた一様な外部磁界の大きさを示している。縦軸は、主磁極３０からの漏洩磁界の大きさを示している。なお、縦軸の値は、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃにより規格化された値、即ち、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃに対する主磁極３０からの漏洩磁界の大きさの比を示している。垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃにより規格化された漏洩磁界の値が０．４以下の範囲では、垂直磁気記録媒体４に記録した情報が書き換わってしまうことがないことが、予め分かっている。
【００６７】
図９に示すように、比較例による垂直磁気記録ヘッド３では、外部磁界が７０（Ｏｅ）を超えると、主磁極３０からの漏洩磁界の値が０．４を超えてしまう。外部磁界を２００（Ｏｅ）とした場合には、主磁極３０からの漏洩磁界の値は垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃの１．４倍にまで達してしまい、この場合には垂直磁気記録媒体４に記録された情報が容易に書き換わってしまう。なお、図９に示すシミュレーション結果は、実測値とほぼ一致している。
【００６８】
図１０は、第２の補助磁極の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）と主磁極からの漏洩磁界との関係を示すグラフである。垂直磁気記録ヘッド３に与える一様な外部磁界の大きさは、２００（Ｏｅ）とした。横軸は、第２の補助磁極２８の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）を示している。なお、横軸の値は、第１のシールド層２２の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）により規格化された値、即ち、第１のシールド層２２の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）に対する第２の補助磁極２８の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）の比を示している。縦軸は、主磁極３０からの漏洩磁界の大きさを示している。なお、縦軸の値は、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃにより規格化された値、即ち、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃに対する主磁極３０からの漏洩磁界の大きさの比を示している。
【００６９】
図１０から分かるように、第２の補助磁極２８の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）が第１のシールド層２２の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）の０．６倍より大きい場合には、主磁極３０からの漏洩磁界は０．４より小さくなる。このことから、第２の補助磁極２８の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）は第１のシールド層２２の膜厚（図１におけるＸ方向の厚さ）の０．６倍以上とすることが好ましいということが分かる。
【００７０】
図１１は、一様な外部磁界を与えた際における各部からの漏洩磁界を示すグラフである。外部磁界の大きさは２００（Ｏｅ）とした。縦軸は、各部からの漏洩磁界の大きさを示している。なお、縦軸の値は、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃにより規格化された値、即ち、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃに対する主磁極３０からの漏洩磁界の大きさの比を示している。
【００７１】
図１１から分かるように、第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６、主磁極３０及び第２の補助磁極２８のいずれからの漏洩磁界も、０．４より小さかった。このことは、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドは、２００（Ｏｅ）という比較的大きな外部磁界を与えた場合であっても、垂直磁気記録媒体４に書き込まれた情報を書き換えてしまうことはないことを示している。
【００７２】
上述したように、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドは、第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）が、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８の媒体対向面からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より高く設定されているため、外部磁界は第１のシールド層２２又は第２のシールド層２４に相対的に結合しやすい。また、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）が主磁極３０より高く設定されているため、外部磁界は第１の補助磁極２６又は第２の補助磁極２８に相対的に結合しやすい。このため、本実施形態によれば、主磁極３０に外部磁界が結合するのを抑制することができる。
【００７３】
しかも、本実施形態では、第１の補助磁極２６の端部から主磁極３０の上端部に至るまでの磁路の磁気抵抗と、第２の補助磁極２８の端部から主磁極３０の上端部に至るまでの磁路の磁気抵抗とがほぼ等しく設定されているため、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８に結合した外部磁界が主磁極３０の上端部の近傍において互いに打ち消され、主磁極３０に流れ込むのを抑制し得る。
【００７４】
更に、本実施形態では、主磁極３０における磁気抵抗が、第１のシールド層２２、第２のシールド層２４、第１の補助磁極２６及び第２の補助磁極２８に対して比較的大きく設定されているため、主磁極３０には外部磁界が流れ込むのをより確実に抑制し得る。
【００７５】
従って、本実施形態によれば、主磁極３０に流れ込む外部磁界を極めて小さくすることができ、外部磁界に起因して垂直磁気記録媒体４に誤った情報が書き込まれたり、垂直磁気記録媒体４に書き込まれた情報が誤って消去されたりするのを防止し得る垂直磁気記録ヘッドを提供することができる。
【００７６】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッドを図１２乃至図１４を用いて説明する。図１２は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。図１３は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。図１３は、図１２の紙面下側から垂直磁気記録ヘッドを見たときの図である。図１乃至図１１に示す第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００７７】
本実施形態による垂直磁気記録ヘッドは、主磁極３０が第１の補助磁極２６に接続されておらず、第２の補助磁極２８にのみ接続されており、第２の補助磁極２８の媒体対向面６からの高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）が第１の補助磁極２６の媒体対向面６からの高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）より低く設定されていることに主な特徴がある。
【００７８】
本願発明者は、主磁極３０を第１の補助磁極２６に接続しない場合には、第２の補助磁極２８の媒体対向面６からの高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）を低めに設定することにより、外部磁界が主磁極３０に流れ込むのを防止し得ることを見いだした。
【００７９】
図１４は、本実施形態による垂直磁気記録ヘッドにおける第２の補助磁極の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）と主磁極からの漏洩磁界との関係を示すグラフである。垂直磁気記録ヘッドに与える一様な外部磁界は２００（Ｏｅ）とした。横軸は、第２の補助磁極２８の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）を示している。なお、横軸の値は、第１のシールド層２２の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）により規格化された値、即ち、第１の補助磁極２２の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）に対する第２の補助磁極２８の高さ（図２におけるＺ方向の長さ）の比を示している。縦軸は、主磁極３０からの漏洩磁界の大きさを示している。なお、縦軸の値は、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃにより規格化された値、即ち、垂直磁気記録媒体４の保磁力Ｈｃに対する主磁極３０からの漏洩磁界の大きさの比を示している。
【００８０】
図１４から分かるように、第２の補助磁極２８の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）を第１のシールド層２２の高さ（図２におけるＺ方向の長さ）より低く設定すれば、外部から与える一様な磁界が２００（Ｏｅ）の場合であっても、主磁極からの漏洩磁界は０．４より小さく抑制し得る。
【００８１】
しかも、第２の補助磁極２８の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）を低く設定するほど、主磁極３０からの漏洩磁界は小さくなる。このことから、第２の補助磁極２８の高さ（図２におけるＺ方向の長さ）を低めに設定することにより、主磁極３０に流れ込む外部磁界を十分に低減し得ることが分かる。
【００８２】
主磁極３０に流れ込む外部磁界を十分に低減するためには、第２の補助磁極２８の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）を第１の補助磁極２６の高さ（図１２におけるＺ方向の長さ）より低く設定することが望ましい。
【００８３】
このように、本実施形態によっても、主磁極３０に流れ込む外部磁束を極めて小さくすることができ、外部磁界に起因して垂直磁気記録媒体４に誤った情報が書き込まれたり、垂直磁気記録媒体４に書き込まれた情報が誤って消去されたりするのを防止することができる。
【００８４】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００８５】
例えば、第１実施形態では、第２の補助磁極２８の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）を第１の補助磁極２６の媒体対向面６からの高さ（図１におけるＺ方向の長さ）と等しく設定する場合を例に説明したが、第２の補助磁極２８の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）は、第１の補助磁極２６の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より低くてもよいし、第１の補助磁極２６の高さ（図１におけるＺ方向の長さ）より高くてもよい。
【００８６】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成され、第１の接続部を介して前記主磁極に接続された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、第２の接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記第１の接続部を巻回する第１のコイルと；前記第２の接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、
前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、
前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、
前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、
前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの前記第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、
前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記２）
主磁極と；前記主磁極の一方の側に形成された第１の補助磁極と；前記主磁極の他方の側に形成され、接続部を介して前記主磁極に接続された第２の補助磁極と；前記主磁極と前記第１の補助磁極との間に形成された第１のコイルと；前記接続部を巻回する第２のコイルとを有し、垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う書き込み素子と、
前記垂直磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み出す読み出し素子と、
前記読み出し素子の一方の側に形成された第１のシールド層と、
前記読み出し素子の他方の側に形成され、前記第１の補助磁極に隣接する第２のシールド層とを有し、
前記主磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端面からの第１の補助磁極の高さ及び前記第２の補助磁極の高さは、前記主磁極の高さより高く、
前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の高さは、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の高さより高い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記３）
付記２記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第２の補助磁極の高さは、前記第１の補助磁極の高さより低い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第１のシールド層又は前記第２のシールド層の幅は、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極の幅より広い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記主磁極の厚さは、前記第１のシールド層、前記第２のシールド層、前記第１の補助磁極及び前記第２の補助磁極のいずれの厚さよりも薄い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第１のシールド層の厚さをｄ１、前記第２の補助磁極の厚さをｄ２とすると、０．６ｄ１≦ｄ２＜ｄ１である
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記主磁極の透磁率は、前記第１の補助磁極、前記第２の補助磁極、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層のいずれの透磁率よりも小さい
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記８）
付記１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第１の接続部の長さは、前記第２の接続部の長さと等しい、又は、前記第２の接続部の長さより長い
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第２の補助磁極の前記垂直磁気記録媒体に対向する側の端部には、前記第２の補助磁極から前記主磁極に向かって延在する書き込みシールド部が形成されている
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドの主磁極を示す平面図である。
【図４】主磁極に達する外部磁界を示す概念図（その１）である。
【図５】主磁極に達する外部磁界を示す概念図（その２）である。
【図６】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドの磁気回路を示す概念図である。
【図７】比較例による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。
【図８】比較例による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。
【図９】比較例による垂直磁気記録ヘッドに対して一様な外部磁界を与えた場合における主磁極からの漏洩磁界を示すグラフである。
【図１０】第２の補助磁極の膜厚と主磁極からの漏洩磁界との関係を示すグラフである。
【図１１】一様な外部磁界を与えた際における各部からの漏洩磁界を示すグラフである。
【図１２】本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッドを示す平面図である。
【図１４】第２の補助磁極の長さと主磁極からの漏洩磁界との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８８】
２…垂直磁気記録ヘッド
４…垂直磁気記録媒体
６…媒体対向面
１０…基板
１２…軟磁性層
１４…垂直磁気記録層
１６…書き込み素子
１８…読み出し素子
２０…基板
２２…第１のシールド層
２４…第２のシールド層
２６…第１の補助磁極
２８…第２の補助磁極
２８ａ…書き込みシールド部
３０…主磁極
３２…非磁性層
３４…非磁性層
３６…第１のコイル
３８…第２のコイル
４０ａ、４０ｂ…接続部
【図１】
2007213723.tif 000003
【図２】
2007213723.tif 000004
【図３】
2007213723.tif 000005
【図４】
2007213723.tif 000006
【図５】
2007213723.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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