(57)【要約】【課題】キャパシタ構造体並びにこれを用いた配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本構造体(11)は樹脂絶縁層内に配設され、誘電体層(112)及び導体層(111)を交互に積層した構造を備え、誘電体層(112)と導体層(111)とは同時焼成され、同時焼成の際に導体層(111)の表面に形成された酸化膜は除去されており、導体層(111)の外表面がカップリング処理されてなる。本配線基板はコア基板上に積層された導体層及び樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層内に配設されたキャパシタ構造体を備える。本製造方法は本配線基板の製造方法であって、導体層(111)の外表面に酸化膜を備えるキャパシタ構造体の酸化膜を除去する工程と、酸化膜が除去された導体層(111)の外表面をカップリング処理する工程と、キャパシタ構造体(11)を樹脂絶縁層内に配設する工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層及びキャパシタ導体層を交互に積層した構造を備え、該セラミック誘電体層と該キャパシタ導体層とは同時焼成されており、配線基板の樹脂絶縁層内に配設されるキャパシタ構造体であって、
上記同時焼成の際にキャパシタ導体層の表面に形成された酸化膜は除去されており、該キャパシタ導体層の外表面はカップリング処理されており、且つ本キャパシタ構造体の全外表面積を１００％とした場合に、該カップリング処理された面積の７０％以上を該キャパシタ導体層が占めていることを特徴とするキャパシタ構造体。
【請求項２】
上記酸化膜の除去は湿式ブラスト処理により行われ且つ上記カップリング処理はシランカップリング剤を用いて行われている請求項１に記載のキャパシタ構造体。
【請求項３】
上記セラミック誘電体層を２ｎ層（但し、ｎは１以上の整数）備え、上記キャパシタ導体層を２ｎ＋１層備え、
該キャパシタ導体層のうちの１層を中心に、該セラミック誘電体層及び他の該キャパシタ導体層を該１層の表裏で対称位置に備える請求項１乃至２のうちのいずれかに記載のキャパシタ構造体。
【請求項４】
コア基板と、
該コア基板上に積層された導体層及び樹脂絶縁層と、
該樹脂絶縁層内に配設された請求項１乃至３のうちのいずれかに記載のキャパシタ構造体、及び上記キャパシタ導体層と接続されたキャパシタビア導体を有するキャパシタ部、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、
キャパシタ導体層の外表面に酸化膜を備える酸化膜除去前キャパシタ構造体の該酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
該酸化膜が除去されたキャパシタ導体層の外表面をカップリング処理してキャパシタ構造体を得るカップリング処理工程と、
該キャパシタ構造体を上記樹脂絶縁層内に配設するキャパシタ構造体配設工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記酸化膜除去工程における上記酸化膜の除去は、湿式ブラスト処理により行う請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はキャパシタ構造体並びにこれを用いた配線基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、樹脂絶縁層の層間にセラミックキャパシタを十分な接合強度を得ながら配設できるキャパシタ構造体並びにこれを用いた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路及び発光素子等のデバイスをより高速（高周波）で作動させる上でキャパシタをデバイスのより近傍に配設する技術が求められている。そこで、セラミックキャパシタを有機樹脂製基板に配設する技術が求められている。このような技術として下記特許文献１及び２が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６０６７２号公報
【特許文献２】特開２００４−１３４８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の通常の導体層の場合と同様に、導体層表面を薬品処理して粗化し、アンカー効果によって導体層と樹脂絶縁層との間の接合強度を得ようとしても、導体層を粗化する薬品処理によりセラミック誘電体層までが浸食され、セラミックキャパシタの信頼性が低下してしまうという問題がある。そのため、導体層と樹脂絶縁層とを十分強固に接合することができない。この問題について上記特許文献１及び２ではなんら検討はなされていない。
本発明は、上記鑑みてなされたものであり、樹脂絶縁層の層間にセラミックキャパシタを十分な接合強度を得ながら配設できるキャパシタ構造体並びにこれを用いた配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下に示す通りである。
（１）セラミック誘電体層及びキャパシタ導体層を交互に積層した構造を備え、該セラミック誘電体層と該キャパシタ導体層とは同時焼成されており、配線基板の樹脂絶縁層内に配設されるキャパシタ構造体であって、
上記同時焼成の際にキャパシタ導体層の表面に形成された酸化膜は除去されており、該キャパシタ導体層の外表面はカップリング処理されており、且つ本キャパシタ構造体の全外表面積を１００％とした場合に、該カップリング処理された面積の７０％以上を該キャパシタ導体層が占めていることを特徴とするキャパシタ構造体。
（２）上記酸化膜の除去は湿式ブラスト処理により行われ且つ上記カップリング処理はシランカップリング剤を用いて行われている上記（１）に記載のキャパシタ構造体。
（３）上記セラミック誘電体層を２ｎ層（但し、ｎは１以上の整数）備え、上記キャパシタ導体層を２ｎ＋１層備え、
該キャパシタ導体層のうちの１層を中心に、該セラミック誘電体層及び他の該キャパシタ導体層を該１層の表裏で対称位置に備える上記（１）乃至（２）のうちのいずれかに記載のキャパシタ構造体。
（４）コア基板と、
該コア基板上に積層された導体層及び樹脂絶縁層と、
該樹脂絶縁層内に配設された請求項１乃至３のうちのいずれかに記載のキャパシタ構造体、及び上記キャパシタ導体層と接続されたキャパシタビア導体を有するキャパシタ部、を備えることを特徴とする配線基板。
（５）上記（４）に記載の配線基板の製造方法であって、
キャパシタ導体層の外表面に酸化膜を備える酸化膜除去前キャパシタ構造体の該酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
該酸化膜が除去されたキャパシタ導体層の外表面をカップリング処理してキャパシタ構造体を得るカップリング処理工程と、
該キャパシタ構造体を上記樹脂絶縁層内に配設するキャパシタ構造体配設工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
（６）上記酸化膜除去工程における上記酸化膜の除去は、湿式ブラスト処理により行う上記（５）に記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
したがって、上記キャパシタ構造体によれば、樹脂絶縁層の層間にセラミックキャパシタが十分な接合強度を得ながら配設された配線基板を得ることができる。
上記酸化膜の除去は湿式ブラスト処理により行われ且つ上記カップリング処理はシランカップリング剤を用いて行われている場合は、樹脂絶縁層とキャパシタ構造体との間で特に優れた接合性が得られる。
セラミック誘電体層とキャパシタ導体層とを所定数層ずつ備え、各層を対称位置に備える場合は、焼成収縮による反りが防止されたより精度の高いキャパシタ構造体が得られる。
本発明の配線基板によれば、樹脂絶縁層の層間にセラミックキャパシタを十分な接合強度をもって配設できる。
本発明の配線基板の製造方法によれば、樹脂絶縁層の層間にセラミックキャパシタを十分な接合強度をもって配設した配線基板を得ることができる。
酸化膜の除去を湿式ブラスト処理により行う場合は、樹脂絶縁層とキャパシタ構造体との間で特に優れた接合性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明について、以下詳細に説明する。
［１］キャパシタ構造体
本発明のキャパシタ構造体は、セラミック誘電体層及びキャパシタ導体層を交互に積層した構造を備え、該セラミック誘電体層と該キャパシタ導体層とは同時焼成されており、配線基板の樹脂絶縁層内に配設されるキャパシタ構造体であって、
上記同時焼成の際にキャパシタ導体層の表面に形成された酸化膜は除去されており、該キャパシタ導体層の外表面はカップリング処理されており、且つ本キャパシタ構造体の全外表面積を１００％とした場合に、該カップリング処理された面積の７０％以上を該キャパシタ導体層が占めていることを特徴とするキャパシタ構造体。
【０００８】
本発明のキャパシタ構造体の一例を図面を用いて説明する。図１及び２に示すキャパシタ構造体(11)は、キャパシタ導体層(111)が外側に配置されるようにセラミック誘電体層(112)及びキャパシタ導体層(111)を交互に積層して備える。また、これらのセラミック誘電体層(112)とキャパシタ導体層(111)とは同時焼成されている。更に、この同時焼成の際にキャパシタ導体層(111)の表面に形成された酸化膜は除去されており、また、キャパシタ構造体(11)は外表面がカップリング処理されてなる。
【０００９】
更に、キャパシタ構造体(11)は、図１８及び２８に示すように、配線基板(20)の樹脂絶縁層(21)内に配設されることとなる。また、通常、このキャパシタ構造体(11)は、キャパシタ導体層(111)と接続されたキャパシタビア導体(12)を備えるキャパシタ部(10)として樹脂絶縁層(21)内に配設される。
キャパシタ構造体(11)を収容する配線基板(20)は、キャパシタ構造体(11)を収容する樹脂絶縁層(21)を備えること以外、その構成は特に限定されないが、通常、更に導体層(23)を備える。この導体層(23)と樹脂絶縁層(21)とは、通常、交互に積層して配置される。また、樹脂絶縁層(21)を介して導体層(23)同士を電気的に接続するためのビア導体（配線基板ビア導体）(24)を備えることができ、更に、レジスト層(25)を備えることができる。また、配線基板(20)に集積回路等のデバイスを搭載するための端子(26)を備えることができる。更に、配線基板(20)を外部回路と接続するための外部回路接続端子(27)を備えることができる。導体層及び樹脂絶縁層は、各々１層のみを備えてもよく、２層以上を備えてもよい。この配線基板は単層配線基板であってもよく、多層配線基板であってもよい。
【００１０】
上記「キャパシタ導体層」は、セラミック誘電体層と交互に積層して備えられた導体層である。このキャパシタ導体層を構成する導体成分としては各種金属成分を用いることができる。これらの金属成分のなかでも、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）等が好ましく、ニッケル及び銅がより好ましく、ニッケルが特に好ましい。これらの導体成分は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、キャパシタ構造体を構成する導体層は各々同じ組成の導体材料であってもよく、異なる組成の導体材料であってもよい。また、キャパシタ導体層は、セラミック誘電体層を構成する成分（以下、単に「共材」ともいう）を含有することができる。これよりセラミック誘電体層との密着性が向上される。
【００１１】
上記「セラミック誘電体層」は、このキャパシタ導体層に対して誘電体層として機能するセラミック層である。このようなセラミックスとしては、チタン酸塩（チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛等）、ジルコン酸塩（ジルコン酸鉛）、酸化タンタル、酸化チタン等が挙げられる。これらのなかではチタン酸塩が好ましく、更には、アルカリ土類金属のチタン酸塩が好ましく、特にチタン酸バリウムが特に好ましい。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１２】
このセラミック誘電体層は、焼成前（セラミック誘電体層用グリーンシート）にキャパシタ導体層となる未焼成キャパシタ導体層と積層され、その後、このセラミック誘電体層用グリーンシートと未焼成キャパシタ導体層とが同時焼成されてなる。このためセラミック誘電体層とキャパシタ導体層との接合性に優れる。
【００１３】
本発明のキャパシタ構造体を構成するセラミック誘電体層の厚さは特に限定されないが、通常、０．３〜２０μｍ（好ましくは１〜５μｍ）である。このうち、特にキャパシタ構造体においてセラミック誘電体層の厚さは２０μｍ以下（更には１５μｍ以下、特に１０μｍ以下、通常０．３μｍ以上）とすることができる。セラミック誘電体層の厚さが上記範囲未満であると、従来のようにキャパシタ導体層を浸食処理により粗化して樹脂絶縁層との接合性を得ようとすると、浸食処理によりセラミック誘電体層が浸食され、キャパシタ導体層間の絶縁を保持することが困難となる場合がある。従って、酸化膜が除去されたキャパシタ導体層の外表面をカップリング処理することで、セラミック誘電体層の厚さが薄いためにキャパシタ導体層の粗化が困難である場合に特に効果的に上記接合性を得ることができる。
【００１４】
上記「交互に積層した構造を備え」とは、キャパシタ導体層とセラミック誘電体層とが１層毎に交互に配置された構造を有していることを表す。また、これらのキャパシタ導体層とセラミック誘電体層とは、交互の配置であればよく、キャパシタ構造体における各々の層数は特に限定されない。即ち、例えば、セラミック誘電体層がｎ層（ｎは１以上の整数）であり、且つキャパシタ導体層がｎ層であってもよいが、セラミック誘電体層を２ｎ層（但し、ｎは１以上の整数）備え、キャパシタ導体層を２ｎ＋１層備えることが好ましい。更に、加えて、キャパシタ導体層のうちの１層を中心に、セラミック誘電体層及び他のキャパシタ導体層をこの中心となるキャパシタ導体層（以下、単に「コアキャパシタ導体層」ともいう）を挟んで表裏で対称位置に備えることが好ましい。
【００１５】
即ち、例えば、図１及び図２に示すように、コアキャパシタ導体層(111b)を挟んで表裏で対称位置にセラミック誘電体層(112a及び112b)及びキャパシタ導体層(111a及び111c)を備えるキャパシタ構造体(11)である。樹脂絶縁層内に配設できる程度に薄く形成されたキャパシタ構造体を得るには、焼成によって収縮し難い層（又は収縮しない層）を中心層（コアキャパシタ導体層）として用いることが好ましい。更に、このコアキャパシタ導体層を中心にして未焼成キャパシタ導体層（焼成されてキャパシタ導体層となる）とセラミック誘電体層用グリーンシート（焼成されてセラミック誘電体層となる）とが表裏対称位置に配置されることで特にセラミック誘電体層用グリーンシートの焼成収縮による反りを防止できるからである。
【００１６】
尚、前記１層とは、キャパシタ導体層又はセラミック誘電体層として機能を有する１層であり、２層以上の導体層（異なる導体材料からなる層を含む）を積層して１層の導体層として用いる層を含むものである。セラミック誘電体層についても同様である。
更に、上記対称位置とは、積層位置が対称であることを意味するが、これら各層の形状の対称性は要しない。通常、キャパシタ構造体は、未焼成キャパシタ導体層とセラミック誘電体層用グリーンシートとを同時焼成した後に、配線基板の各回路に対応したキャパシタ容量となるように区画化されるため、コアキャパシタ導体層を介して表裏のキャパシタが同形状である必要はないからである。また、上記未焼成キャパシタ導体層としては、通常、導電成分粉末（ニッケル粉末等）とバインダとを含有するペーストをシート状に成形したグリーンシート等を用いるが、焼成前後の変化がない金属箔等を用いることもできる。
【００１７】
上記「酸化膜」は、セラミック誘電体層用グリーンシートと未焼成キャパシタ導体層とが同時焼成された際に、焼成雰囲気に暴露されて得られたキャパシタ導体層の表面に形成される酸化膜である。この酸化膜の除去方法は特に限定されない。即ち、例えば、ブラスト処理によって行ってもよく、レーザー照射により行ってもよく、これらを組み合わせて行ってもよい。これらのうちではブラスト処理が好ましい。このブラスト処理は、湿式ブラスト処理であってもよく、乾式ブラスト処理であってもよいが、湿式ブラスト処理が好ましい。酸による洗浄処理を行なうことで、酸化膜を除去することができるが、酸処理により、セラミック誘電体層が侵食し、損傷を受けるので、酸処理による酸化膜を除去することは好ましくない。
【００１８】
この酸化膜除去を行うことで、後述するカップリング処理の効果を顕著に向上させることができる。後述の実験例にも示すように、カップリング処理のみを行うよりも、酸化膜除去のみを行った方が、樹脂絶縁層とキャパシタ構造体との間の接合性は向上される。即ち、それほど酸化膜除去の有無は接合性に大きく寄与している。また、酸化膜除去を行った上でカップリング処理を施すことで、樹脂絶縁層とキャパシタ構造体との間の接合性を更に大きくできる。尚、この酸化膜の除去は、同時焼成により形成された酸化膜の全部であってもよいが、一部のみであってもよい。
【００１９】
また、前述のように未焼成キャパシタ導体層が共材を含有する場合には、この酸化膜除去により、キャパシタ導体層の外表面に露出された共材を除去することができるため好ましい。
更に、キャパシタ導体層の外表面に形成された酸化膜を除去することで、キャパシタ導体層とこのキャパシタ導体層に接続されるキャパシタビア導体等に接続される導体との接合性も向上される。この結果、本キャパシタ構造体が配設された配線基板では、使用環境や実使用時の熱サイクルによるキャパシタ導体層とキャパシタビア導体との剥離をより確実に防止できる。また、この配線基板を製造する際には、樹脂絶縁層等を硬化させるために課せられる繰り返し加熱等によるキャパシタ導体層とキャパシタビア導体との剥離をより確実に防止できる。更に、キャパシタ導体層とキャパシタビア導体との間の導通信頼性も向上される。
【００２０】
上記「カップリング処理」は、キャパシタ導体層と、このキャパシタ導体層が接合されることとなる配線基板の樹脂絶縁層との接合強度を向上させる処理である。これによりキャパシタ構造体と配線基板の樹脂絶縁層とを十分に接合することができる。キャパシタ導体層は無機材料（導電性金属など）から構成されるのに対して、樹脂絶縁層は有機材料から構成され、元来十分な接合性を得難い材料同士を接合することとなる。これに対してカップリング処理を施すことで、これら両者間の接合性を十分に得ることができる。通常、このカップリング処理によりキャパシタ導体層の外表面にカップリング剤等からなるコート層が形成される。
【００２１】
このカップリング処理としては、キャパシタ構造体と樹脂絶縁層との接合性を向上させることができればよく、どのような処理を行ってもよい。即ち、例えば、キャパシタ導体層、更にはキャパシタ導体層及びセラミック誘電体層（以下、これらをまとめて単に「無機材料」ともいう）との親和性（接合性であってもよい。以下同様）に優れた末端Ａを有し且つ樹脂絶縁層を構成する絶縁性樹脂との親和性（接合性であってもよい。以下同様）に優れた他端Ｃを有するカップリング剤（Ａ−Ｃ）を用いることができる。
【００２２】
また、２種以上のカップリング剤を用いこともできる。即ち、例えば、無機材料との親和性に優れた末端Ａを有し且つ反応基Ｂを有するカップリング剤（Ａ−Ｂ）を用いて第１段のカップリング処理を行い、その後、反応基Ｂとの親和性に優れた末端Ｂ’を有し且つ絶縁性樹脂との親和性に優れた他端Ｃを有するカップリング剤（Ｂ’−Ｃ）を用いて第２段のカップリング処理を行い、これら２種のカップリング剤を併用（Ａ−Ｂ−Ｂ’−Ｃ）して無機材料と絶縁性樹脂との接合性を向上させてもよい。同様に、３段以上のカップリング処理を行うこともできる。
【００２３】
なかでも１段のカップリング処理のみで無機材料と絶縁性樹脂との接合性を向上できるカップリング剤が好ましい。このようなカップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤としては、アルコキシシラン化合物（テトラアルコキシシラン化合物）、シランアシレート化合物、シランキレート化合物等が挙げられる。チタンカップリング剤としては、アルコキシチタン化合物（テトラアルコキシチタン化合物）、チタンアシレート化合物、チタンキレート化合物｛ジイソプロポキシビス（アセチルアセトナト）チタン等｝などが挙げられる。アルミニウムカップリング剤としては、アルキルアルミニウム化合物（トリアルキルエチルアルミニウム、ジアルキルアルミニウムハライド、ジアルキルアルミニウムハイドライド等）などが挙げられる。これらのなかではシランカップリング及びチタネートカップリング剤が好ましく、特にシランカップリング剤が好ましい。
【００２４】
このカップリング処理は、前記キャパシタ導体層の外表面に上記カップリング剤を付着させる処理である。この付着させる方法は特に限定されず、カップリング剤液（カップリング剤を含む処理液）に浸漬（ディップコート）して付着させてもよく、スピンコートにより付着させてもよく、吹き付け塗布（スプレー塗布、インクジェット法塗布、サーマル法塗布等を含む）により付着させてもよく、印刷塗布（スクリーン印刷塗布、カーテンコート塗布等を含む）により付着させてもよく、刷毛等の各種塗布具を用いて塗ることで付着させてもよい。これらの付着方法は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
また、カップリング処理は、キャパシタ導体層の外表面の全面に行ってもよく、一部のみに行ってもよいが、樹脂絶縁層と接する表面のより広範囲に行うことが好ましい。即ち、例えば、キャパシタ導体層の外表面のうちの３０％以上（より好ましくは５０％以上、更に好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上、１００％であってもよい）に対してカップリング処理を行うことが好ましい。また、キャパシタ構造体の全外表面の面積を１００％とした場合に、カップリング処理されたキャパシタ導体層が占める面積割合が７０％以上であることが好ましい。
【００２６】
このキャパシタ構造体を配設する配線基板の構成は樹脂絶縁層を有すること以外は特に限定されないが、通常、導体層(23)と樹脂絶縁層(21)とを備える。キャパシタ構造体(11)は、このうち樹脂絶縁層(21)内に配設される。即ち、予め配線基板に設けられたキャビティ内にキャパシタを収容するのではなく、導体層と交互に積層された樹脂絶縁層の層内に配設される。
配線基板を構成する樹脂絶縁層は、１層のみを備えてもよいが、２層以上を備えることができる。また、キャパシタ構造体は、１層の樹脂絶縁層内に１つのみを配設してもよく、２つ以上を配設してもよい。更に、２層以上の樹脂絶縁層を備える場合には、樹脂絶縁層のうちの１層にのみにキャパシタ構造体を配設してもよく、２層以上の樹脂絶縁層内にキャパシタ構造体を配設してもよい。
【００２７】
［２］キャパシタ構造体の製造方法
本発明のキャパシタ構造体の製造方法は特に限定されないが、例えば、焼成されてキャパシタ導体層となる導体成分を含む粉末とバインダとを含有する未焼成キャパシタ導体層と、焼成されてセラミック誘電体層となる誘電体成分を含む粉末とバインダとを含有するセラミック誘電体層用グリーンシートとを、交互に積層して、未焼成積層体を形成する積層工程と、
上記未焼成積層体を焼成してセラミック誘電体層用グリーンシート及びキャパシタ導体層を交互に積層して備える積層体を得る焼成工程と、
上記焼成によりキャパシタ導体層の外表面に形成された酸化膜を除去する酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
酸化膜が除去されたキャパシタ導体層の外表面をカップリング処理するカップリング処理工程と、を備えることができる。
【００２８】
更に、上記積層工程では、焼成による収縮を生じない金属及び／又は合金からなる箔をコアキャパシタ導体層として用い、該コアキャパシタ導体層の表裏両面に、未焼成キャパシタ導体層とセラミック誘電体層用グリーンシートとを積層して、未焼成積層体を形成することが好ましい。
また、上記焼成工程の後であって、酸化膜除去工程の前に、得られた積層体を成形機を用いて成形（パターンニング等）する成形工程（パターンニング工程）を備えることができる。この成形工程では、レーザー成形機を用いて、所望の形状に成形することが好ましい。尚、上記コアキャパシタ導体層（箔）を用いる場合、通常、レーザー成形機によりコアキャパシタ導体層を貫通して成形することは困難であるために、コアキャパシタ導体層を用いる場合には、予めコアキャパシタ導体層をフォトリソ法等を用いて成形することが好ましい。
【００２９】
即ち、例えば、図３に示すコアキャパシタ導体層｛111(111b)｝として金属箔を用意する。次いで、この金属箔を図４に示すようにパターニングする。その後、図５に示すようにコアキャパシタ導体層(111)の表裏両面に未焼成セラミック誘電体層(112)を対称位置に積層する。次いで、図６に示すように上記未焼成セラミック誘電体層(112)に更に未焼成キャパシタ導体層(111)を積層する。その後、図７に示すようにレーザー成形機により所望の形状にパターニングする。次いで、図８に示すように焼成する。その後、図９に示すように酸化膜(113、焼成により形成された酸化膜など）を除去する。次いで、図１０に示すようにカップリング処理を施して、図１及び図２に示すキャパシタ構造体(11)を得ることができる。
尚、上記図１〜図１０において各構成部は、便宜上、焼成前後に関係なく同じ符号を用いて表す。
【００３０】
更に、上記方法以外にも、キャパシタ導体層及びセラミック誘電体層の各層は、各々スパッタリング法、ＣＶＤ法及びＣＳＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ、化学溶液堆積法）等の薄膜形成技術を用いて形成することもできる。また、未焼成キャパシタ導体層とセラミック誘電体層用グリーンシートとは各々別々にパターン工程を行うこともできる。
【００３１】
［２］配線基板
本発明の配線基板は、コア基板と、該コア基板上に積層された導体層及び樹脂絶縁層と、キャパシタ部と、を備えることを特徴とする。更に、このうちキャパシタ部は、上記樹脂絶縁層内に配設された本発明のキャパシタ構造体、及びキャパシタ導体層に接続されたキャパシタビア導体を有する。
【００３２】
前記本発明のキャパシタ構造体は、樹脂絶縁層内に配設されるためのキャパシタ構造体であるため、通常、いわゆるビルドアップ配線基板の樹脂絶縁層内に配設される。また、ビルドアップ配線基板のうち、コア基板を用いないコアレスビルドアップ配線基板に本発明のキャパシタ構造体を配設することもできるが、通常、コア基板を用いるビルドアップ配線基板に用いる。
【００３３】
上記「コア基板」は、あらゆるコア基板を用いることができる。即ち、コアは樹脂、セラミックス、金属及びこれらのうちの２種以上の併用（ガラスエポキシ等）等の各種コアを用いたコア基板を用いることができる。また、導体層（銅張り等）を片面のみに備えるコア基板であってもよく、導体層を両面に備えるコア基板であってもよい。また、上記「導体層」の形状及び種類等も特に限定されない。
【００３４】
上記「樹脂絶縁層」は、樹脂を絶縁成分として含有する層である。この樹脂絶縁層を構成する樹脂種は特に限定されず、各種絶縁性樹脂を用いることができる。この絶縁性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらのなかではエポキシ系樹脂が好ましい。これらの絶縁性樹脂は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
上記「キャパシタ部」は、本発明のキャパシタ構造体と、キャパシタ導体層と接続されたキャパシタビア導体とを備える。キャパシタ構造体については、前記本発明のキャパシタ構造体をそのまま適用できる。上記「キャパシタビア導体」は、キャパシタ構造体が備えるキャパシタ導体層と接続された導体であり、キャパシタ導体層と接続されてキャパシタ部の少なくとも一部にキャパシタ能を付与できる導体である。また、このキャパシタビア導体は、通常、キャパシタ構造体を貫通して設けられた導体である。
【００３６】
このキャパシタビア導体は、キャパシタ部の少なくとも一部をキャパシタとして機能させることができるように接続されていればよく、その接続形態は限定されない。例えば、図１８及び図２８に示すように接続することができる。
尚、図１１〜図２８において各種樹脂層は、便宜上、硬化の前後に関係なく同じ符号及び材質表示（ハッチング）を用いて表す。
【００３７】
即ち、例えば、図１８及び図２８は、各々、樹脂絶縁層(21)内に配設されたキャパシタ部(10)の模式的な断面図である。
このうち図１８の配線基板はキャパシタ構造体の一面側のみをキャパシタとして機能させた例である。即ち、キャパシタ部(10)は、キャパシタ構造体(11)と、キャパシタ導体層(111)と接続されたキャパシタビア導体(12)とを備える。キャパシタ構造体(11)は、３層のキャパシタ導体層(111a、111b、111c)と、２層のセラミック誘電体層(112a、112b)と、を交互に積層して備える。このうちキャパシタ導体層(111a、111b)は各々異なるキャパシタビア導体と接続されて、これらのキャパシタ導体層(111a、111b)間でキャパシタ能を発揮できる。一方、キャパシタ導体層(111c)はいずれのビア導体とも接続されておらずキャパシタに寄与しない導体層である。この構造の配線基板は製造が容易であり、効率よく製造することができる。
尚、図１８における各キャパシタビア導体(12)は、図示されない位置においてキャパシタ構造体を迂回して、コア基板(31)内を貫通する各々対応するビア導体(32)と電気的に接続されている。
【００３８】
また、図２８の配線基板はキャパシタ構造体の両面をキャパシタとして機能させた例である。即ち、キャパシタ部(10)は、キャパシタ構造体(11)と、キャパシタ導体層(111)と接続されたキャパシタビア導体(12)とを備える。キャパシタ構造体(11)は、３層のキャパシタ導体層(111a、111b、111c)と、２層のセラミック誘電体層(112a、112b)と、を交互に積層して備える。各キャパシタ導体層(111a、111b、111c)は各々異なるキャパシタビア導体と接続されて、これらのキャパシタ導体層(111a、111b)間、及びキャパシタ導体層(111b、111c)間、などにおいてキャパシタ能を発揮できる。この構造の配線基板はキャパシタ構造体のキャパシタ導体層を有効活用でき、キャパシタ容量を大きくすることができる。
尚、図２８におけるキャパシタビア導体(12a、12b)は、図示されない位置においてキャパシタ構造体を迂回して、コア基板(31)内を貫通する各々対応するビア導体(32)と電気的に接続されている。
【００３９】
［３］配線基板の製造方法
本発明の配線基板はどのようにして製造されたものであってもよいが、例えば、以下の本発明の配線基板の製造方法により製造することができる。
即ち、酸化膜除去工程とカップリング処理工程とキャパシタ構造体配設工程とをこの順に備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００４０】
上記「酸化膜除去工程」は、キャパシタ導体層の外表面に酸化膜を備える酸化膜除去前キャパシタ構造体の酸化膜を除去する工程である。この酸化膜除去工程については、前記キャパシタ構造体における酸化膜除去をそのまま適用できる。
上記「カップリング処理工程」は、酸化膜が除去されたキャパシタ導体層の外表面をカップリング処理してキャパシタ構造体を得る工程である。このカップリング処理工程については、前記キャパシタ構造体及びキャパシタ構造体の製造方法におけるカップリング処理をそのまま適用できる。
【００４１】
上記「キャパシタ構造体配設工程」は、酸化膜除去工程及びカップリング処理工程を経て得られたキャパシタ構造体を樹脂絶縁層内に配設する工程である。このキャパシタ構造体配設工程は、どのように行ってもよくその工程は特に限定されない。例えば、（１）コア基板等（コア基板のみ又は他の層を備えるコア基板）に対して各層をビルドアップしてゆく過程でキャパシタ構造体を積層して配線基板の樹脂絶縁層内にキャパシタ構造体が配設された構造を得ることができる。また、（２）キャパシタ構造体に樹脂絶縁層となる層を積層し、その後、必要な導体を形成した後、これをコア基板等に積層して配線基板の樹脂絶縁層内にキャパシタ構造体が配設された構造を得ることができる。
【００４２】
これらの方法のうち、上記（１）の方法は、例えば、キャパシタ構造体の一面側のみを機能（キャパシタとして）させた配線基板の製造に適用できる。即ち、上記（１）の方法は図１１〜図１８に例示される。一方、上記（２）の方法は、例えば、キャパシタ構造体の両面を機能（キャパシタとして）させた配線基板の製造に適用できる。即ち、上記（２）の方法は図１９〜図２８に例示される。
【００４３】
（１）配線基板の製造方法（キャパシタ構造体の一面側のみを利用する場合など）
上記（１）の配線基板の製造方法、即ち、コア基板等（コア基板そのものや、後述する配線基板用積層構造体など）に対して各層をビルドアップしてゆく過程でキャパシタ構造体を積層して配線基板の樹脂絶縁層内にキャパシタ構造体が配設された配線基板を製造する方法を図１１〜図１８を用いて説明する。
キャパシタ構造体を積層する被積層体としては、図１１に示すようにコア基板(31)に樹脂絶縁層(33)及び導体層(34)等が形成された配線基板用積層構造体(30)を用いることができる。この配線基板用積層構造体(30)はコア基板に対して各層をビルドアップして製造してもよく、所望の市販品等をそのまま用いてもよい。
【００４４】
次いで、図１２に示すように配線基板用積層構造体(30)の一面側に未硬化樹脂絶縁層(21)を積層する。この未硬化樹脂絶縁層(21)は、硬化（熱硬化及び光硬化などを含むが熱硬化が好ましい）されて樹脂絶縁層(31)となる層であり、未硬化層であってもよく、半硬化層であってもよい。また、この未硬化樹脂絶縁層(21)はラミネート形成してもよく、塗布形成してもよい。
尚、図１２においては、配線基板用積層構造体(30)の一面側（集積回路素子接続側）に未硬化樹脂絶縁層(21)を形成しているが、他面側（外部回路接続側）に図１８における他配線基板接続側の積層部分を予め形成した後に、集積回路素子接続側のビルドアップを行うこともできる。
【００４５】
その後、図１３に示すように、図１２で積層された未硬化樹脂絶縁層(21)上に、図１に示すキャパシタ構造体(11)を積層する。
次いで、図１４に示すように、図１３で積層されたキャパシタ構造体(11)上に未硬化樹脂絶縁層(21)を更に積層して、キャパシタ構造体(11)を未硬化樹脂絶縁層(21)で封止する。この未硬化樹脂絶縁層は、図１２におけると同様に、ラミネート形成してもよく、塗布形成してもよい。図１２における未硬化樹脂絶縁層(21)と同組成であってもよく、異なる組成であってもよい。
【００４６】
その後、図１５に示すように、キャパシタビア導体や、その他のビア導体を形成するためのビア（孔）を穿孔する。これらのビア(13)は、レーザー形成してもよく、ブラスト形成してもよく、パンチング形成してもよく、ドリリング形成してもよい。このうちではビアの孔径を小さくできることや、その位置精度が高いことなどからレーザー形成が好ましい。
【００４７】
次いで、図１６に示すように、キャパシタビア導体を形成する。このキャパシタビア導体を形成する方法は特に限定されず、めっきにより形成してもよく、導体材料を含む充填材を充填して形成してもよいが、めっき形成することが好ましい。即ち、キャパシタビア内（孔内）を公知の方法により粗化し、その後、無電解めっきを施し、次いで、電解めっきを施すことでキャパシタビア導体(12)を形成できる。また、めっき形成する場合、図１６及び図１７に示すように、キャパシタビア導体(12)と共に他の導体層(23)を同時に形成することもできる。即ち、図１６に示すようにキャパシタビア導体(12)と樹脂絶縁層(21)の表面を覆う導体層（23）とを同時に形成できる。その後、この導体層(23)をフォトリソ法等を用いてパターニングして図１７に示すように導体層(23)を成形できる。
その後、図１７までに得られた積層体の表裏面に公知のビルドアップ法を行うことで図１８に示す配線基板を得ることができる。
【００４８】
（２）配線基板の製造方法（キャパシタ構造体の両面を利用する場合など）
前記（２）の配線基板の製造方法、即ち、キャパシタ構造体にコア基板等（コア基板そのものや、後述する配線基板用積層構造体など）と接する側の導体を予め形成してから、コア基板等に積層して配線基板の樹脂絶縁層内にキャパシタ構造体が配設された配線基板を製造する方法を図１９〜図２８を用いて説明する。
【００４９】
図１９に示すように、キャパシタ構造体の一面側に未硬化樹脂絶縁層(21)を積層する。次いで、図２０に示すようにキャパシタ構造体の他面側にも未硬化樹脂絶縁層(21)を積層して、キャパシタ構造体(11)を未硬化樹脂絶縁層(21)内に封止する。これらの未硬化樹脂絶縁層(21)としては、図１２を用いて説明した未硬化樹脂絶縁層(21)をそのまま適用できるが、なかでも絶縁性樹脂フィルムを用いることが特に好ましい。
【００５０】
次いで、図２１に示すように、キャパシタ構造体のコア基板側（コア基板等と接する側）にキャパシタ導体層と接続されるキャパシタビア導体や、その他のビア導体を形成するためのビア(13)を穿孔する。これらのビア(13)は、レーザー形成してもよく、ブラスト形成してもよく、パンチング形成してもよく、ドリリング形成してもよい。このうちではビアの孔径を小さくできることや、その位置精度が高いことなどからレーザー形成が好ましい。
【００５１】
その後、図２２に示すように、キャパシタビア導体を形成する。このキャパシタビア導体を形成する方法は特に限定されず、めっきにより形成してもよく、導体材料を含む充填材を充填して形成してもよいが、めっき形成することが好ましいことは前記と同様である。また、めっき形成する場合、図２２及び図２３に示すように、キャパシタビア導体(12)と共に他の導体層(23)を同時に形成することもできる。即ち、図２２に示すようにキャパシタビア導体(12)と樹脂絶縁層(21)の表面を覆う導体層（23）とを同時に形成できる。その後、この導体層(23)をフォトリソ法等を用いてパターニングして図２３に示すように導体層(23)を成形できる。
【００５２】
次いで、図２４に示すように、図１２に示す配線基板用積層構造体(30)の一面側に未硬化樹脂絶縁層(21)を積層した積層体を用い、この積層体の未硬化樹脂絶縁層(21)上に図２３までに得られた積層体を積層する。
尚、図２４においては、配線基板用積層構造体(30)の一面側（集積回路素子接続側）に未硬化樹脂絶縁層(21)を積層した積層体を用いているが、他面側（外部回路接続側）に図２８における他配線基板接続側の積層部分を予め形成した後に、集積回路素子接続側のビルドアップを行うこともできる。
【００５３】
その後、図２５に示すように、上記一面側（集積回路素子接続側）にキャパシタ導体層と接続されるキャパシタビア導体や、その他のビア導体を形成するためのビア(13)を穿孔する。これらのビア(13)は、レーザー形成してもよく、ブラスト形成してもよく、パンチング形成してもよく、ドリリング形成してもよい。このうちではビアの孔径を小さくできることや、その位置精度が高いことなどからレーザー形成が好ましい。
【００５４】
次いで、図２６に示すように、キャパシタビア導体を形成する。このキャパシタビア導体を形成する方法は特に限定されず、めっきにより形成してもよく、導体材料を含む充填材を充填して形成してもよいが、めっき形成することが好ましいことは前記と同様である。また、めっき形成する場合、図２６及び図２７に示すように、キャパシタビア導体(12)と共に他の導体層(23)を同時に形成することもできる。即ち、図２６に示すようにキャパシタビア導体(12)と樹脂絶縁層(21)の表面を覆う導体層（23）とを同時に形成できる。その後、この導体層(23)をフォトリソ法等を用いてパターニングして図２７に示すように導体層(23)を成形できる。
その後、図２７までに得られた積層体の表裏面に公知のビルドアップ法を行うことで図２８に示す配線基板を得ることができる。
【００５５】
上記（１）の配線基板の製造方法においても、上記（２）の配線基板の製造方法においても、各未硬化樹脂絶縁層は、どの工程で硬化を行ってもよく、何回硬化を行ってもよい。即ち、積層後に他の工程を行う前に逐次硬化させることもできる。また、逐次ある程度硬化させた上で最終的に硬化させる完全キュア工程を備えることもできる。更に、逐次の硬化工程を行うことなく最終的に硬化させる完全キュア工程のみを備えることもできる。また、本発明の製造方法では、上記各工程に以外にも必要に応じた工程を備えることができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
［１］キャパシタ構造体の製造
（１）コアキャパシタ導体層の製造
厚さ３０μｍのニッケル箔からなるコアキャパシタ導体層(111b)を用意し（図３）、このニッケル箔(111b)をエッチングにより、１５０ｍｍ角（多数個取り用）に形成し、更に、後に各種ビア導体が貫通することとなる位置に孔(111h)を形成した（図４）。
【００５７】
（２）セラミック誘電体層用グリーンシートの積層
チタン酸バリウム粉末（平均粒径０．７μｍ）、分散剤及び可塑剤を、エタノール及びトルエンの混合溶媒中で湿式混合した。その後、バインダを添加して更に混合し、得られたスラリーをドクターブレード法により厚さ７μｍのシート状に成形し、その後、１５０ｍｍ角（多数個取り用）に裁断してセラミック誘電体層用グリーンシート(112)を得た。
得られたセラミック誘電体層用グリーンシート(112)を上記（１）で得られたコアキャパシタ導体層（111b）の両面に圧着（８０℃、５００ｋｇｆ／ｃｍ２）して積層した（図５）。その後、セラミック誘電体層用グリーンシート(112)の表面を保護するポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、単に「ＰＥＴ」という）を剥離した。
【００５８】
（３）キャパシタ導体層用グリーンシートの積層
ニッケル粉末（平均粒径０．４μｍ）、分散剤及び可塑剤を、エタノール及びトルエンの混合溶媒中で湿式混合した。その後、バインダを添加して更に混合し、得られたスラリーをドクターブレード法により厚さ７μｍのシート状に成形し、その後、１５０ｍｍ角（多数個取り用）に裁断してキャパシタ導体層用グリーンシート(111)を得た。
得られたキャパシタ導体層用グリーンシート(111)を上記（２）で積層したセラミック誘電体層用グリーンシート(112)の表面（両面）に圧着（８０℃、７５０ｋｇｆ／ｃｍ２）して積層してキャパシタ導体層となる未焼成層(111a、111c)を得た（図６）。尚、キャパシタ導体層用グリーンシートの積層後の外表面を保護するＰＥＴは剥離していない。
【００５９】
（４）成形工程
上記（３）までに得られた積層体に、レーザー成形機を用いて、キャパシタ構造体の形状となるように成形（穿孔等）した（図７）。その後、２５ｍｍ角（１つの焼成前キャパシタの大きさ）に切断した。
【００６０】
（５）焼成工程
上記（４）までに得られた積層体を大気中２５０℃で１０時間脱脂した後、還元雰囲気下１３００℃で焼成して酸化膜除去前のキャパシタ構造体を得た（図８）。酸化膜除去前のキャパシタ構造体は、露出されたキャパシタ導体層の表面に厚さ約０．３μｍ酸化膜を備えていた。また、コアキャパシタ導体層が３０μｍであり、セラミック誘電体層が４μｍであり、キャパシタ導体層が４μｍであった。また、画像測定により測定した酸化膜除去前のキャパシタ構造体の反りは平均０．５ｍｍであった。
【００６１】
（６）酸化膜除去
上記（５）までに得られたキャパシタ構造体に対して湿式ブラスト処理を施して酸化膜を除去した（図９）。この湿式ブラスト処理は、中心粒径３０μｍである＃４００のアルミナ粉末をショット材として用い、湿分媒体として水を用い、圧力０．２ＭＰａ、搬送速度４００ｍｍ／分の条件により行った。
【００６２】
（７）カップリング処理
シランカップリング剤（信越化学株式会社製、品名「ＫＢＭ−４０３」）を１質量％の酢酸水溶液に１質量％となるように溶解させたカップリング処理液を調製した。その後、上記（６）までに得られたキャパシタ構造体を上記カップリング処理液(40)に１分間浸漬した（図１０）。その後、処理液から引き上げて乾燥させてキャパシタ構造体を得た。
【００６３】
［２］キャパシタ構造体の片面のみを用いた配線基板の製造
（１）未硬化樹脂絶縁層の積層
ビア導体(32)、樹脂絶縁層(33)及び導体層(34)を備える配線基板用積層構造体(30)を用意した（図１１）。次いで、この配線基板用積層構造体(30)の表面にエポキシ系樹脂からなる未硬化樹脂絶縁層(21)を１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層した（図１２）。
【００６４】
（２）キャパシタ構造体の積層
次いで、上記［１］で得られた図１に示すキャパシタ構造体(11)を、上記［２］（１）までに得られた積層体の未硬化樹脂絶縁層(21)上に積層した。積層に際しては１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層した（図１３）。
【００６５】
（３）キャパシタ構造体の封止
その後、上記［２］（２）で積層したキャパシタ構造体(11)上にエポキシ系樹脂からなる未硬化樹脂絶縁層(21)を１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層してキャパシタ構造体(11)を未硬化樹脂絶縁層(21)で封止した（図１４）。
【００６６】
（４）ビア形成
その後、未硬化樹脂絶縁層(21)の外表面を保護していたＰＥＴを剥離して、未硬化樹脂絶縁層を、１６５℃で３０分間加熱して、仮硬化させた後、上記［２］（３）までに得られた積層体に、レーザー成形機を用いてビア(31)を穿孔した（図１５）。
【００６７】
（５）キャパシタビア導体及び導体層の形成
その後、上記［２］（４）までに得られた積層体の仮硬化した樹脂絶縁層(21)の表面の粗化を行った。その後、無電解銅めっきを施し、更に、電解銅めっきを施して、キャパシタビア導体(12)と導体層(23)とを一括して形成した（図１６）。
【００６８】
（６）導体層のパターニング
次いで、上記［２］（５）までに得られた配線基板の導体層(23)をフォトリソ法によりパターニングした（図１７）。その後、１７０℃で９０分間加熱して、仮硬化した樹脂絶縁層(21)を硬化させて樹脂絶縁層(21)とした。
【００６９】
（７）その他の工程
その後、公知のビルドアップ方法を用いて、図１８に示すように樹脂絶縁層(21)と導体層(23)とを順次積層し、更に、レジスト(25)を積層し、次いで、これをパターニングした後、外部回路接続端子(27)、集積回路素子接続端子(26)を形成して配線基板(20)を得た。
【００７０】
［３］キャパシタ構造体の両面を用いた配線基板の製造
（１）未硬化樹脂絶縁層の積層
上記［１］で得られた図２に示すキャパシタ構造体(11)の表面にエポキシ系樹脂からなる未硬化樹脂絶縁層(21)を１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層した（図１９）。次いで、キャパシタ構造体(11)の反対面にもエポキシ系樹脂からなる未硬化樹脂絶縁層(21)を１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層して、キャパシタ構造体(11)を未硬化樹脂絶縁層(21)で封止した（図２０）。その後、未硬化樹脂絶縁層の外表面を保護するＰＥＴを剥離した後、未硬化樹脂絶縁層(21)を加熱して更に硬化度を上げる硬化処理を行った。
【００７１】
（２）キャパシタビアの形成
上記［３］（１）までに得られた積層体に、レーザー成形機を用いてビア(13)を穿孔した（図２１）。
【００７２】
（３）キャパシタビア導体及び導体層の形成
上記［３］（２）までに得られた積層体の未硬化樹脂絶縁層(21)の表面の粗化を行った。その後、無電解銅めっきを施し、更に、電解銅めっきを施して、キャパシタビア導体(12)と導体層(23)とを一括して形成した（図２２）。
【００７３】
（４）導体層のパターニング
上記［３］（３）までに得られた導体層(23)をフォトリソ法によりパターニングした（図２３）。その後、１７０℃で９０分間加熱して、未硬化樹脂絶縁層(21)を硬化させて樹脂絶縁層(21)とした（図２３）。
【００７４】
（５）キャパシタ構造体を含む構造体と配線基板用積層構造体の積層
上記［３］（４）までに得られたキャパシタ構造体を内包する構造体（図２３に示す全体）を、前記［２］（１）において図１２として示した配線基板用積層構造体(30)の表面にエポキシ系樹脂からなる未硬化樹脂絶縁層(21)を１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートして積層した積層体の一面に更に積層した（図２４）。
【００７５】
（６）ビア形成
その後、未硬化樹脂絶縁層(21)の外表面を保護していたＰＥＴを剥離して、未硬化樹脂絶縁層を１６５℃、３０分間加熱して、仮硬化させた後、上記［３］（５）までに得られた積層体に、レーザー成形機を用いてビア(31)を穿孔した（図２５）。
【００７６】
（７）キャパシタビア導体及び導体層の形成
その後、上記［３］（６）までに得られた積層体の硬化した樹脂絶縁層(21)の表面の粗化を行った。その後、無電解銅めっきを施し、更に、電解銅めっきを施して、キャパシタビア導体(12)と導体層(23)とを一括して形成した（図２６）。
【００７７】
（８）導体層のパターニング
次いで、上記［３］（７）までに得られた配線基板の導体層(23)をフォトリソ法によりパターニングした（図２７）。その後、１７０℃で９０分間加熱して、仮硬化した樹脂絶縁層(21)を硬化させて樹脂絶縁層(21)とした。
（９）その他の工程
その後、公知のビルドアップ方法を用いて、図２８に示すように樹脂絶縁層(21)と導体層(23)とを順次積層し、更に、レジスト(25)を積層し、次いで、これをパターニングした後、外部回路接続端子(27)、集積回路素子接続端子(26)を形成して配線基板(20)を得た。
【００７８】
［４］キャパシタ構造体と樹脂絶縁層との接合性の評価
上記［２］及び上記［３］で得られた各配線基板(20)についてＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｄに準じて熱衝撃試験を行った。その結果、いずれの配線基板にも外観目視によるデラミネーションは認められなかった。この結果から、酸化膜除去を行い、更に、カップリング処理を施すことにより、浸食粗化が困難なセラミック質のキャパシタ構造体であっても配線基板の樹脂絶縁層内において十分な接合性を得ることができることが分かる。
尚、上記ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｄ準ずる熱衝撃試験は以下のようにして行った。即ち、液槽熱衝撃試験機を用いて−５５℃から１２５℃までを１０００サイクル繰り返した。
【００７９】
［５］カップリング処理前の酸化膜除去工程の有無による接合性評価
（１）３層型ニッケル厚膜の作製
ニッケル粉末（平均粒径０．４μｍ）、分散剤及び可塑剤を、エタノール及びトルエンの混合溶媒中で湿式混合した。その後、バインダを添加して更に混合し、得られたスラリーをドクターブレード法により厚さ７μｍ（焼成後４μｍ）のシート状に成形し、１５０ｍｍ角に裁断してニッケル粉末含有グリーンシートを得た。得られたニッケル粉末含有グリーンシートを厚さ３０μｍのニッケル箔の両面に８０℃且つ７５０ｋｇｆ／ｃｍ２で圧着積層した。その後、２５０℃で１０時間脱脂を行い、次いで、還元雰囲気下１３００℃で焼成して３層型ニッケル厚膜を得た。
【００８０】
（２）酸化膜除去及びカップリング処理
得られた３層型ニッケル厚膜の一部の厚膜に対して湿式ブラスト処理を施して酸化膜を除去した。一方、他部の厚膜に対してはブラスト処理を行わずに下記のカップリング処理を行った。湿式ブラスト処理は、中心粒径３０μｍである＃４００のアルミナ粉末をショット材として用い、湿分媒体として水を用い、圧力０．２ＭＰａ、搬送速度４００ｍｍ／分の条件により行った。尚、酸化膜を除去していない３層型ニッケル厚膜の表面はＲａが０．２０μｍであり、酸化膜を除去した表面はＲａ０．１４μｍであった。
その後、シランカップリング剤（日鉱マテリアル製、品名「ＰＡ２」）を５質量％となるように水に溶解させたカップリング処理液を調製し、酸化膜を除去した３層型ニッケル厚膜、及び酸化膜を除去していない３層型ニッケル厚膜の各々をカップリング処理液に１分間浸漬した後、乾燥させてカップリング処理を行った。
【００８１】
（３）他層との接合
上記（２）までに得られた酸化膜除去３層型、及び酸化膜非除去３層型の２種のニッケル厚膜を各々、未硬化樹脂層（味の素ファインテクノ社製、「ＡＢＦ」、厚さ４５μｍ）と接合して１００℃且つ７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートした。その後、未硬化樹脂層の表面のＰＥＴ保護シートを剥離して、更に、１８０℃で７０分間加熱して未硬化樹脂層を完全硬化させた。その後、更に、得られた積層体を銅貼り積層板の一面側に熱硬化性樹脂接着剤（住友スリーエム社製、「スコッチウェルド  ＳＷ２２１４」）を厚さ１００μｍに塗布し、この接着剤層上に積層体の樹脂層側を貼り付けた。その後、１２０℃で３時間加熱して、積層体全体を完全硬化させて３層型ニッケル厚膜が積層された試験片を得た。
【００８２】
（４）１層型ニッケル厚膜を用いた試験片の作製
厚さ３０μｍのニッケル箔のみを２５０℃で１０時間加熱し、次いで、還元雰囲気下１３００℃で焼成して１層型ニッケル厚膜を得た。この１層型ニッケル厚膜を用いて、上記［５］（２）〜（３）と同様な操作を行い、１層型ニッケル厚膜が積層された試験片を得た。尚、酸化膜を除去していない１層型ニッケル厚膜の表面はＲａが０．０５μｍであり、酸化膜を除去した表面はＲａ０．０６μｍであった。
【００８３】
得られた４種類の試験片について、各ニッケル厚膜を樹脂層から剥離する際にかかる剥離強度を、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に準じて（剥離速度は垂直方向へ０．５ｍ／分、剥離方向へ０．５ｍ／分）測定した。その結果を表１に示した。
【００８４】
【表１】
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【００８５】
表１及び図２９の結果より、Ｎｉシート（ニッケル粉末を含有するグリーンシートを焼成して得られた導体）及びＮｉ箔のいずれにおいても、酸化膜の除去を行うことにより飛躍的に剥離強度が増すことが分かる。即ち、Ｎｉシートでは比較例３及び５の剥離強度が０．１９ｋｇ／ｃｍであるのに対して、酸化膜除去を行った比較例１では０．５０ｋｇ／ｃｍと２．６倍、実施例１では０．８２ｋｇ／ｃｍと４．３倍、にまで向上されている。同様に、Ｎｉ箔では比較例４及び６の剥離強度が０．１７〜０．１８ｋｇ／ｃｍであるのに対して、酸化膜除去を行った比較例２では０．３６ｋｇ／ｃｍと２倍、実施例２では０．６６ｋｇ／ｃｍと３．７倍、にまで向上されている。従って、Ｎｉシートにおいても、Ｎｉ箔においても、焼成後に表面の酸化膜を除去することで樹脂層との接合強度が飛躍的に向上されることが分かる。
【００８６】
また、比較例３と比較例５、並びに比較例４と比較例６、の違いはカップリング処理の有無である。酸化膜を除去していないこれらの比較例では、カップリング処理の有無による接合強度の差異が小さいのに対して、実施例１と比較例１、並びに実施例２と比較例２、とを各々比較するとカップリング処理の有無による差異が大きく現れている。即ち、酸化膜の除去を行わないでカップリング処理を施す場合に比べて、酸化膜除去を行った後にカップリング処理を施すことにより、カップリング処理による接合強度の向上をより大きくすることができることが分かる。
これらの結果から、Ｎｉ導体層の表面の酸化膜を除去した上で、カップリング処理を施すことで樹脂絶縁層とキャパシタ導体層との間で極めて優れた接合強度が得られることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。本発明のキャパシタ構造体及び配線基板は、薄膜電子部品（薄膜キャパシタ等）を備えるあらゆる基板に利用され、特に、配線内蔵基板のコンデンサ、特にデカップリングコンデンサに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明のキャパシタ構造体の一例の模式的な断面図である。
【図２】本発明のキャパシタ構造体の他例の模式的な断面図である。
【図３】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図４】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図５】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図７】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図８】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図９】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図１０】本発明のキャパシタ構造体の製造方法を説明する説明図である。
【図１１】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１２】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１３】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１４】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１５】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１６】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１７】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１８】本発明の配線基板の一例の製造方法を説明する説明図である。
【図１９】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２０】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２１】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２２】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２３】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２４】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２５】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２６】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２７】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２８】本発明の配線基板の他例の製造方法を説明する説明図である。
【図２９】キャパシタ導体層と樹脂絶縁層との剥離強度を測定した結果を示したグラフである。
【符号の説明】
【００８９】
10；キャパシタ部、11；キャパシタ構造体、111、111a、111b、111c；キャパシタ導体層、112、112a、112b；セラミック誘電体層、12；キャパシタビア導体、13；ビア、20；配線基板、21；樹脂絶縁層、23；配線基板の導体層、24；ビア導体、25；レジスト層、26；集積回路素子接続端子、27；外部回路接続端子、30；配線基板用積層構造体、31；コア基板、32；ビア導体、33；樹脂絶縁層、40；カップリング処理液。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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