(57)【要約】      （修正有）【課題】容易に高密度配線化と薄型化を図ることができるブラインドバイアホールを有するプリント配線板の提供。【解決手段】配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成され、且つ、当該配線パターンが絶縁層の表面と平滑になるように埋め込まれているプリント配線板であり、ブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成し、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程を含む。【選択図】図２
2007317823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成され、且つ、当該配線パターンが絶縁層の表面と平滑になるように埋め込まれていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたウインドウ部を有するラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項５】
配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ラウンドを含んだ配線パターンを絶縁層の表面と平滑になるように埋め込む工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでいることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
配線パターンを絶縁層に埋め込んだ後に、少なくとも当該絶縁層の配線パターン非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
配線パターンを絶縁層に埋め込んだ後、少なくとも絶縁層から露出している当該配線パターンの表面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線板とその製造方法に関し、特に、高密度配線化と薄型化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の回路形成方法は、銅箔などの金属箔上にエッチングレジストを形成し、当該エッチングレジストから露出している金属箔をエッチング処理して配線パターンを形成するサブトラクティブ法と、回路と逆パターンのめっきレジストを形成し、当該めっきレジスト開口部にめっきを析出させて配線パターンを形成するアディティブ法の２つに大別される。
【０００３】
サブトラクティブ法はアディティブ法と比較して製造工程が容易なことから、非常に安価に製造することが可能であるが、スルーホール及びブラインドバイアホール等の形成の際、絶縁基板全体に無電解めっき及び電解めっき処理を施す必要があるため、エッチングする導体厚さ（金属箔＋めっき）が非常に厚くなり、良好な回路形成が困難であった。特に、パターン幅／パターン間隙＝７５μm／７５μm以下の微細配線パターンの形成には不向きな工法であった。
【０００４】
これに対してアディティブ法は、微細配線パターン形成には有利であるが、絶縁層にめっきを析出して配線パターンを形成するため、サブトラクティブ法のように、元から絶縁層に金属箔が積層された絶縁基板を加工するのと比較して、配線パターンの密着性に劣る等の不具合を有していた。
【０００５】
更に、プリント配線板の設計上、配線パターンは基板面内に不均一に形成されるため、アディティブ法のように、選択めっきで配線パターンを形成すると、配線パターンが粗な部分では必要以上に電流が集中し、配線パターンの厚みばらつきが大きくなる結果、インピーダンス整合がとりにくいなどの不具合も有していた。
【０００６】
このような不具合を解決するものとして、本発明者は、図６（当該図６は、レーザ加工及び露光工程において位置ズレがない状態を示している）に示した如き構成のプリント配線板の製造方法を発明し、当該発明は既に公開されている（特許文献１参照）。
【０００７】
図６は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、まず、図６（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線パターン７の形成層上に絶縁層８と銅箔等の金属箔３を順次積層し（例えば樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、レーザ照射により、下層配線パターン７に達する非貫通孔９を穿孔する（図６（ｂ）参照）。
【０００８】
次に、当該非貫通孔９のデスミア処理を行った後、図６（ｃ）に示したように、置換型の無電解めっき処理により、金属箔３の表側面と非貫通孔９から露出した下層配線パターン７の表面にバリア金属層２（例えばＮｉ−ＢやＮｉ−Ｐ等）を形成する。
【０００９】
次に、非貫通孔９を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成した後、電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、非貫通孔９にめっき１１を充填するとともに外層にも当該めっき１１を析出させる（図６（ｄ）参照）。
【００１０】
次に、図６（ｅ）に示したように、ブラインドバイアホール１２とそのラウンド部（以降これを「めっきラウンド１１ａ」と呼ぶことにする）のパターン形成を行った後、図６（ｆ）に示したように、外層に露出しているバリア金属層２をエッチング除去し、次いで、露出した金属箔３に回路形成を行うことによって、外層に上層配線パターン６が形成された図６（ｇ）のプリント配線板Ｐａを得る。
【００１１】
このようにブラインドバイアホールにめっきを充填する際、外層にもめっきを析出させるようにしたため、ブラインドバイアホールの形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定してブラインドバイアホールにめっきを充填することができるとともに（めっきを析出させるエリアの粗密によるめっき析出量のばらつきが解消できる）、元から絶縁層に積層されている金属箔をエッチングして配線パターンを形成するようにしたため、当該絶縁層に対する配線パターンの密着性も確保できるというものである。更に、金属箔がバリア金属層で保護されていることから一定の厚みを確保することができるため、微細配線パターン（図中の上層配線パターン６に相当）を容易に形成できるというものである。
【００１２】
しかし上記構成においては、非貫通孔９を穿孔する際のレーザ加工、めっきラウンド１１ａ及び金属箔ラウンド３ａ（図６（ｇ）に示した金属箔３の回路形成を行って得られる最外周のラウンド）の形成の際の露光工程の計３回の加工を要するため、全てのアライメント精度を考慮するとラウンド径（上記金属箔ラウンド３ａに相当）がかなり大きくなってしまい、高密度配線化の妨げとなっていた（これは金属箔に予めレーザ加工用のウインドウ部をエッチング加工してから非貫通孔を穿孔する工法においても同様である）。
【００１３】
簡単に説明すると、金属箔３上から直接レーザ加工を行っているため、レーザ加工機の加工精度上、基準点から片側２０μｍ（直径４０μｍ）程度の範囲の位置ズレが発生してしまうため、後にめっき１１をエッチングしてめっきラウンド１１ａを形成する場合、上記位置ズレ量を考慮して形成しなければならない。
【００１４】
即ち、図７（ａ）は図６（ｂ）の工程で穿孔した非貫通孔９を上面から見た場合の平面図を示したものであるが、当該非貫通孔９が基準の位置だとすると、点線で示した範囲内（非貫通孔９の径Ｌ１より直径４０μｍ大きい範囲）で位置ズレが発生することになる。
【００１５】
従って、めっきラウンド１１ａから非貫通孔９がはみ出さないように当該めっきラウンド１１ａを形成するには、図示しないエッチングレジスト形成の際の露光精度（例えば基準点から片側２０μｍ（直径４０μｍ）の範囲の位置ズレ）も考慮すると、図７（ｂ）（図６（ｅ）を上面から見た場合の平明図）に示したように、非貫通孔９の径より片側４０μｍ（直径で８０μｍ）大きい径Ｌ２（めっきラウンド８ａの径）で形成しなければならないため、最外周の金属箔ラウンド３ａの径Ｌ３を非常に大きく設定しなければならなかった。｛図７（ｃ）（図６（ｇ）を上面から見た場合の平面図）は、めっきラウンド１１ａが金属箔ラウンド３ａからはみ出すことがないように形成する場合を示したもので、この場合も露光精度を考慮しなければならないため、当該金属箔ラウンド３ａの径Ｌ３は、非貫通孔９の径より片側８０μｍ（直径で１６０μｍ）大きい径となる｝。
【００１６】
また、図６のプリント配線板Ｐａの構成では、金属箔ラウンド３ａ上にめっきラウンド１１ａが突出する構成となるため、このめっきラウンド１１ａの厚さ分、プリント配線板Ｐａが厚くなってしまうという問題もあった（同様のブラインドバイアホールが形成された多層プリント配線板の構成とした場合に、当該多層プリント配線板の厚さに対するめっきラウンド１１ａの影響が顕著となる）。
【特許文献１】特開２００４−３１９９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記不具合を解消するためになされたもので、ブラインドバイアホールを有するプリント配線板においても、容易に高密度配線化と薄型化を図ることができるプリント配線板とその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成され、且つ、当該配線パターンが絶縁層の表面と平滑になるように埋め込まれていることを特徴とするプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００１９】
斯かるプリント配線板は、ブラインドバイアホールと配線パターン（具体的にはブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド）との間に位置ズレがないため、高密度配線化を図ることができる（即ち、両者の位置ズレの考慮が不要となる分、ラウンド径を小さくすることができる結果、高密度配線化が可能となる）。また、当該配線パターンが絶縁層に埋め込まれているため、ブラインドバイアホールのラウンド上に当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを形成したとしても、プリント配線板の厚さを薄くすることができる。
【００２０】
請求項２に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２１】
これにより、より容易に、ラウンドとブラインドバイアホールとの間に位置ズレのないプリント配線板とすることができる。
【００２２】
請求項３に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２３】
これにより、微細配線パターンを有するプリント配線板の高密度化を図ることができる。
【００２４】
請求項４に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２５】
これにより、ブラインドバイアホール等の形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定して当該ブラインドバイアホール等の孔部にめっきが析出するため、当該ブラインドバイアホールを信頼性の高いものとすることができる。
【００２６】
請求項５に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ラウンドを含んだ配線パターンを絶縁層の表面と平滑になるように埋め込む工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００２７】
これにより、高密度配線化と薄型化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を得ることができる。
【００２８】
請求項６に係る本発明は、配線パターンを埋め込んだ後に、少なくとも当該絶縁層の配線パターン非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００２９】
これにより、非貫通孔の穿孔後に行われるデスミア処理において、表面に露出している絶縁層が当該非貫通孔部のみとなるため、デスミア処理液の浴劣化を抑制でき、ライフ期間を通常使用と変わらぬライフ期間とすることができる。
【００３０】
請求項７に係る本発明は、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００３１】
これにより、めっき析出エリアが広くなるため、非貫通孔内にも容易にめっきを析出させることができる。
【００３２】
請求項８に係る本発明は、配線パターンを絶縁層に埋め込んだ後、少なくとも絶縁層から露出している当該配線パターンの表面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００３３】
これにより、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を容易に得ることができる。
【発明の効果】
【００３４】
ブラインドバイアホールを有するプリント配線板を本発明の構成とすることにより、容易に高密度配線化及び薄型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の第一の実施の形態を、図２（ｊ）を用いて簡単に説明する。
【００３６】
図２（ｊ）は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を積層したプリント配線板Ｐの要部拡大断面図を示したもので、内層コア基板上に形成された下層配線パターン７と、当該下層配線パターン７の形成層上に積層された絶縁層８と、当該絶縁層８の表面と平滑になるように埋め込まれた上層配線パターン６、及び後のめっきラウンド１１ａの回路形成時に、当該めっきラウンド１１ａがはみ出すことのない径で形成された金属箔ラウンド３ａと、当該金属箔ラウンド３ａのウインドウ部３ｂをマスクとして穿孔された非貫通孔９と、当該非貫通孔９にめっき１１が充填されたブラインドバイアホール１２と、当該金属箔ラウンド３ａの一部にオーバーラップして形成されためっき１１からなるめっきラウンド１１ａとからなり、当該金属箔ラウンド３ａとブラインドバイアホール１２との間に発生する位置ズレをなくすことによって、めっきラウンド１１ａ及び金属箔ラウンド３ａの径を小さくし（即ち、高密度配線化を図ったものである）、且つ、金属箔ラウンド３ａを含んだ上層配線パターン６を、絶縁層８の表面と平滑になるように埋め込むことによって、プリント配線板の薄型化を図ったものである。
【００３７】
続いて、図２（ｊ）のプリント配線板Ｐの製造方法について説明する。
【００３８】
まず、図１（ａ）に示したように、厚銅板等のキャリア１に後に形成される上層配線パターン６とはエッチング条件の異なるバリア金属層２（例えばニッケルやニッケル合金等）と銅箔等の金属箔３が順次積層されたキャリア付き金属箔４を用意し、次いで、当該金属箔３上に所望のエッチングレジスト５を形成する（図１（ｂ）参照）。
【００３９】
次に、エッチング処理を行うことによって、エッチングレジスト５から露出している金属箔３を除去し、次いで、当該エッチングレジスト５を剥離することによって、金属箔ラウンド３ａ（図中の３ｂはウインドウ部を示す）を含む上層配線パターン６が形成されたキャリア基板４ａを得る（図１（ｃ）参照）。
【００４０】
ここで、ウインドウ部３ｂと金属箔ラウンド３ａとが同じ露光工程により形成されるため、両者の位置ズレに関しては無視できる。従って、金属箔ラウンド３ａの径Ｌ３は、後に形成されるめっきラウンド１１ａを形成する際の露光精度のみを考慮して設定すればよい（図３（ａ）の平面図参照）。例えば、基準点から片側２０μｍ（直径で４０μｍ）の範囲で位置ズレが発生すると仮定すると、ウインドウ部３ｂの外径Ｌ１に対して片側４０μｍ（直径で８０μｍ）プラスした径で形成することができる。
【００４１】
次に、図１（ｄ）に示したように、下層配線パターン７が形成された図示しない内層コア基板上に、絶縁層８とキャリア基板４ａを順次積層し、次いで、キャリア１を剥離することによって、上層配線パターン６を絶縁層８に埋め込む（図１（ｅ）参照）。
【００４２】
次に、図１（ｆ）に示したように、表面に露出したバリア金属層２を除去した後、全面に図示しない無電解めっき（例えば、「無電解銅めっき」）を析出させ、次いで、金属箔ラウンド３ａをレーザ加工用のマスクとし、当該金属箔ラウンド３ａの径Ｌ３より小さくウインドウ部３ｂの径Ｌ１よりも大きい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン７に達する非貫通孔９を穿孔する（図２（ｇ）参照）。
【００４３】
ここで、上記でも説明したように、ウインドウ部３ｂと金属箔ラウンド３ａとは同じ露光工程により形成されるため、両者の間に位置ズレは発生しない。従って、当該ウインドウ部３ｂの径Ｌ１よりも大きく、金属箔ラウンド３ａの径Ｌ３より小さい径のレーザ照射によって形成される非貫通孔９も必然的に位置ズレなく穿孔される。
【００４４】
また、本実施の形態においては、レーザ加工前に外層全面に無電解めっきを析出させた例を用いて説明したが、当該無電解めっきは必ずしも形成する必要はない。しかし、後に行われるデスミア処理の浴劣化を抑制する上で、当該無電解めっきを形成し、表面に露出している絶縁層の面積を少なくするのが好ましい。更に、当該無電解めっきについては、必ずしも外層全面に形成する必要はなく、少なくとも配線パターン非形成部（即ち、配線パターンが形成されていない絶縁層の表面）がカバーリングされていればよい。
【００４５】
次に、デスミア処理を行って非貫通孔９内をクリーニングした後、図２（ｇ）の状態の基板の表面（非貫通孔９の内壁も含む）に図示しない無電解めっき（例えば「無電解銅めっき」）を析出させ、次いで、図２（ｈ）に示したように、非貫通孔９と金属箔ラウンド３ａの一部が露出する開口部１０ａを有するめっきレジスト１０を形成する（めっきレジスト１０の開口部１０ａの径Ｌ２ａは上記露光精度を考慮した径であり、例えば上記の例でいうと、ウインドウ部３ｂの径Ｌ１より直径４０μｍプラスした径に設定できる（図３（ｂ）の平面図参照））。
【００４６】
次に、図２（ｉ）に示したように、前記無電解めっきを給電層として電解めっき処理（例えば、フィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）を行うことにより、めっきレジスト１０の開口部１０ａから露出している非貫通孔９にめっき１１を充填するとともに金属箔ラウンド３ａの一部に重なるようにめっき１１を析出させ、次いで、当該めっきレジスト１０を剥離した後、表面に露出している図示しない無電解めっきをエッチング除去することによって、下層配線パターン７と上層配線パターン６間がブラインドバイアホール１２で接続された図２（ｊ）のプリント配線板Ｐを得る（めっきラウンド１１ａの径Ｌ２が、ウインドウ部３ｂの径Ｌ１より直径４０μｍプラスした径で形成できる（図３（ｃ）参照））。
【００４７】
このように、金属箔に予め回路形成を行うようにし、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに形成するようにしたため、微細配線パターンを容易に形成することができ、また、ブラインドバイアホールを形成する際の非貫通孔の穿孔を、上記回路形成の際に形成された金属箔ラウンドをマスクとするレーザ加工によって形成するようにしたため、ブラインドバイアホールと金属箔ラウンドとが位置ズレなく形成でき、その結果、ブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド（具体的には金属箔ラウンド）の径を従来に比して小さくできるため、高密度配線化を図ることができる。
【００４８】
更に、上層配線パターン（金属箔ラウンドを含む）を絶縁層の表面と平滑になるように埋め込む構成としたため、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきが金属箔ラウンド上に形成されたとしても、プリント配線板の薄型化が可能となる。
【００４９】
更にまた、最終的に得られるプリント配線板の配線パターンに、ニッケルなどの抵抗値の高いバリア金属層が残らないため、銅通抵抗の低抵抗化を図ることができる。
【００５０】
本実施の形態においては、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを、当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに形成する例を用いて説明したが、当該めっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成することによって、当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）に安定してめっきを析出させることも可能である。
【００５１】
次に、本発明の第二の実施の形態を、図４を用いて簡単に説明する。尚、最終的に得られるプリント配線板Ｐ（図４（ｅ）参照）の構成については、めっきラウンド１１ａと金属箔ラウンド３ａとが重なった部分にバリア金属層６が残存している以外は、図２（ｊ）で得られたプリント配線板Ｐと同じ構成となるため説明を省略し、製造工程のみ説明することとする。また、図４の製造工程は、第一の実施の形態で示した例と同様に、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を用いて説明する。尚、図４（ａ）の状態の基板は、図１（ａ）〜図１（ｅ）と同様の工程で得られるため、その製造工程の説明については省略する。
【００５２】
表面にバリア金属層２が形成された図４（ａ）の基板を形成した後、金属箔ラウンド３ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部３ｂの径より大きく、金属箔ラウンド３ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン７に達する非貫通孔９を穿孔する（図４（ｂ）参照）。
【００５３】
次に、当該非貫通孔９のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔９を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、当該非貫通孔９にめっき１１を充填するとともに、外層にもめっき１１を析出させる（図４（ｃ）参照）。
【００５４】
次に、ブラインドバイアホール１２とそのラウンド部（後のめっきラウンド１１ａ）の形成予定部にエッチングレジスト５を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジスト５から露出しているめっき１１（当該めっき１１の下にある無電解めっきも含む）を除去する（図４（ｄ）参照）。
【００５５】
そして最後に、エッチングレジスト５を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層２をエッチング除去することによって、図４（ｅ）のプリント配線板Ｐを得る。
【００５６】
本実施の形態においても、上記第一の実施の形態と同じ効果が得られるが、バリア金属層を利用したブラインドバイアホール形成（非貫通孔を含んだ外層全面に電解めっきを析出させる）としたため、上記第一の実施の形態のようにブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに電解めっきを析出させる場合と比較して、容易に非貫通孔内にめっきを析出させることができる。
【００５７】
続いて、本発明の第三の実施の形態を、図５を用いて簡単に説明する。尚、本実施の形態においては、図５（ａ）の基板が、図１（ａ）〜図１（ｆ）と同様の工程で得られるため、その製造工程の説明については省略する。
【００５８】
図５（ａ）の状態の基板に、置換型のめっき処理を施すことによって、配線パターン６上にニッケル等のバリア金属層２を析出させ、次いで、外層全面に図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を析出する（図５（ｂ）参照）。尚、当該無電解めっきを形成する理由は、第一の実施の形態と同じく、後に行われるデスミア処理の浴劣化を抑制するためである。
【００５９】
次に、図５（ｃ）に示したように、金属箔ラウンド３ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部３ｂの径より大きく、金属箔ラウンド３ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン７に達する非貫通孔９を穿孔する。
【００６０】
次に、当該非貫通孔９内のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔９を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、当該非貫通孔９にめっき１１を充填するとともに、外層にもめっき１１を析出させる（図５（ｄ）参照）。
【００６１】
次に、図５（ｅ）に示したように、ブラインドバイアホール１２とそのラウンド部（後のめっきラウンド１１ａ）の形成予定部にエッチングレジスト５を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジスト５から露出しているめっき１１（めっき１１の下にある無電解めっきも含む）を除去し、次いで、エッチングレジスト５を剥離した後（図５（ｆ）参照）、表面に露出しているバリア金属層２をエッチング除去することによって、図５（ｇ）のプリント配線板Ｐを得る。
【００６２】
本実施の形態は、上記第二の実施の形態で外層全面に設けていたバリア金属層を、絶縁層から露出している配線パターンの表面にのみ設けたもので、それ以外は第二の実施の形態と同じである。
【００６３】
また、本実施の形態においては、バリア金属層の形成方法として、置換型の無電解ニッケルめっきで形成する例を用いたが、図５（ａ）の状態の基板の外層全面に無電解ニッケルめっきを形成したり、無電解銅めっきを外層全面に形成した後、電解ニッケルめっきを全面に形成したりすることも可能である。
【００６４】
本発明を説明するに当たって、コア基板上にビルドアップ層を形成する例を用いて説明したが、構成としてはこの限りでなく、両面配線板においても本発明を利用することができる。
【００６５】
また、第一、第三の実施の形態において、デスミア処理の浴劣化の抑制などの目的で、外層全面に無電解めっきを形成する例を用いて説明したが、当該無電解めっきを設ける代わりに、デスミア処理の際に溶解しにくい絶縁層を選定することによっても上記目的を達成することもできる。
【００６６】
更に、形成するブラインドバイアホールとして、非貫通孔内にめっきを充填するフィルドビアを用いて説明したが、非貫通孔の内壁にめっきを析出させる通常のブラインドバイアホールにおいても同様の効果を得られることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明における第一の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図２】図１に続く、本発明における第一の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図３】本発明の第一の実施の形態で形成されるラウンド径の大きさを説明するための概略平面説明図。
【図４】本発明における第二の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図５】本発明における第三の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図６】従来のプリント配線板の製造工程を説明するための概略断面工程説明図。
【図７】従来法で形成されるラウンド径の大きさを説明するための概略平面説明図。
【符号の説明】
【００６８】
１：キャリア
２：バリア金属層
３：金属箔
３ａ：金属箔ラウンド
３ｂ：ウインドウ部
４：キャリア付き金属箔
４ａ：キャリア基板
５：エッチングレジスト
６：上層配線パターン
７：下層配線パターン
８：絶縁層
９：非貫通孔
１０：めっきレジスト
１０ａ：開口部
１１：めっき
１１ａ：めっきラウンド
１２：ブラインドバイアホール
Ｐ、Ｐａ、：プリント配線板
Ｌ１：ウインドウ部及び非貫通孔の径
Ｌ２：めっきラウンドの径
Ｌ２ａ：めっきレジストの開口部の径
Ｌ３：金属箔ラウンドの径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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