(57)【要約】【課題】処理液を基板に供給して処理する基板処理装置において、処理による基板の帯電を抑制しつつ基板上の電位分布の均一性を向上する。【解決手段】基板処理装置１は、基板９に向けて洗浄液の液滴を吐出する吐出部３、吐出部３の吐出口３１近傍に配置される円環状の誘導電極６、吐出部３を基板９に対して相対移動する吐出部移動機構５を備える。基板処理装置１では、誘導電極６と吐出部３の洗浄液管との間に電位差が付与されて洗浄液にプラスの電荷が誘導され、当該洗浄液の液滴により基板９を洗浄することにより、洗浄中における基板９のマイナスの帯電を抑制することができる。そして、吐出部３の移動および洗浄液の吐出と並行して、基板９の帯電特性および吐出部３の基板９に対する相対位置に基づいて、誘導電極６と洗浄液管との間の電位差が電位差制御部１０１により制御されることにより、基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
基板の主面に向けて処理液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記処理液を導く処理液供給部と、
前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置され、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差が付与されることにより前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する誘導電極と、
前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する吐出部移動機構と、
前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記接液部と前記誘導電極との間に付与される電位差を変更する電位差制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記電位差制御部により、前記接液部と前記誘導電極との間の前記電位差が、ゼロとゼロ以外の所定の値との間で切り替えられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記基板の前記主面における電位分布を測定する表面電位計をさらに備え、
前記電位差制御部が、前記表面電位計からの出力に基づいて前記接液部と前記誘導電極との間の前記電位差を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記主面の中央部よりも外側の領域に対する前記処理液の吐出時における前記接液部と前記誘導電極との間の電位差が、前記主面の前記中央部に対する前記処理液の吐出時における前記接液部と前記誘導電極との間の電位差よりも大きくされることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
基板の主面に向けて処理液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記処理液を導く処理液供給部と、
前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置され、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差が付与されることにより前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する誘導電極と、
前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する吐出部移動機構と、
前記吐出部からの前記処理液の吐出と並行して行われる前記吐出部の前記基板に対する相対移動において、前記吐出部移動機構を制御することにより前記吐出部の前記基板に対する相対移動速度を変更する速度制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記基板の前記主面における電位分布を測定する表面電位計をさらに備え、
前記速度制御部が、前記表面電位計からの出力に基づいて前記吐出部の前記相対移動速度を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記主面の中央部よりも外側の領域に対する前記処理液の吐出時における前記吐出部の相対移動速度が、前記主面の前記中央部に対する前記処理液の吐出時における前記吐出部の相対移動速度よりも小さくされることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記吐出部が、前記処理液の液滴を前記基板に向けて噴出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部が、前記処理液とキャリアガスとを前記吐出部の内部または前記吐出口近傍にて混合することにより前記処理液の前記液滴を生成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液の比抵抗が１×１０２Ωｍ以上であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が純水であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が、純水に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス溶解水であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
ａ）処理液供給部に接続された吐出部から基板の主面に向けて処理液を吐出しつつ前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する工程と、
ｂ）前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置された誘導電極と、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差を付与することにより、前記ａ）工程と並行して前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する工程と、
ｃ）前記ａ）工程および前記ｂ）工程と並行して前記接液部と前記誘導電極との間に付与される電位差を変更する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
ａ）処理液供給部に接続された吐出部から基板の主面に向けて処理液を吐出しつつ前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する工程と、
ｂ）前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置された誘導電極と、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差を付与することにより、前記ａ）工程と並行して前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する工程と、
ｃ）前記ａ）工程および前記ｂ）工程と並行して前記吐出部の前記基板に対する相対移動速度を変更する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程において、基板に対して処理液を供給して様々な処理が行われている。例えば、基板の洗浄処理では、基板に対して純水等の洗浄液を噴射することにより、基板の表面に付着したパーティクル等が除去される。
【０００３】
ところで、このような洗浄処理では、表面に絶縁膜が形成された基板と比抵抗が高い純水との接触により、基板の表面全体が帯電することが知られている。例えば、基板表面に酸化膜が形成されている場合には基板はマイナスに帯電し、基板表面にレジスト膜が形成されている場合にはプラスに帯電する。ここで、基板の帯電量が大きくなると、洗浄中や洗浄後におけるパーティクルの再付着や放電による配線の損傷等が発生する恐れがある。そこで、基板処理装置では、基板の帯電を抑制する様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、回転する基板上に洗浄液を供給して洗浄する洗浄装置において、イオン化した窒素ガスを基板上の処理空間にパージした状態で洗浄を行うことにより、基板表面の帯電を抑制する技術が開示されている。また、特許文献２では、洗浄液が貯溜された処理槽に基板を浸漬して洗浄する洗浄装置において、洗浄液の交換時に基板に噴射する液体を、純水に炭酸ガスを溶解させることにより純水よりも比抵抗を下げた炭酸ガス溶解水とすることにより、基板表面の帯電を抑制する技術が開示されている。
【０００５】
特許文献３では、純水をノズルから高速にて噴出してノズルとの流動摩擦により帯電した純水の微小液滴を生成し、当該液滴を帯電した物質と接触させることにより、帯電物質の静電気を除去する除電装置が開示されており、当該除電装置の適用対象として、洗浄後の帯電した半導体基板が挙げられている。
【０００６】
一方、非特許文献１では、ノズルから噴出された純水のジェットがシリコンウエハに衝突したときに発生する帯電霧の発生機構に関する実験について記載されている。当該実験に利用される装置では、純水の噴出経路に誘導電極を配置してジェットの帯電量を制御することにより、帯電霧の帯電量が変更される。
【特許文献１】特開２００２−１８４６６０号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３７９１号公報
【特許文献３】特開平１０−１４９８９３号公報
【非特許文献１】浅野一明、下川博文，「水噴流とシリコンウエハの衝突による帯電霧」，静電気学会講演論文集’００（２０００．３），静電気学会，２０００年３月，ｐ．２５−２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１のようにイオン化したガス雰囲気における洗浄処理では、基板表面に対してイオン化ガスを継続して効率良く供給することが難しく、基板の帯電抑制に限界がある。一方、特許文献２および特許文献３の装置では、洗浄処理中における基板の帯電を抑制することはできない。
【０００８】
また、基板上に形成された絶縁膜の種類によっては、基板全体に同様の条件で帯電抑制を行いつつ洗浄処理を行った場合であっても、基板の中央部における帯電抑制の効果が周縁部におけるものよりも大きい場合がある。この場合、基板の周縁部の帯電を十分に抑制しようとすると、中央部において基板が逆極性に帯電してしまう恐れがある。
【０００９】
一方、帯電抑制を図らずに基板に洗浄処理を行った場合、基板上の電位分布は必ずしも一様にはならず、例えば、基板表面に酸化膜が形成されている基板では、中央部における帯電量が周縁部における帯電量よりも大きくなる。この場合、上記とは逆に、基板全体における帯電抑制の効果が一様であるとすると、基板の中央部の帯電を十分に抑制しようとすると周縁部を逆極性に帯電させてしまう可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液を基板に供給して処理する基板処理装置において、処理による基板の帯電を抑制しつつ基板上の電位分布の均一性を向上することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、基板の主面に向けて処理液を吐出する吐出部と、前記吐出部に前記処理液を導く処理液供給部と、前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置され、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差が付与されることにより前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する誘導電極と、前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する吐出部移動機構と、前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記接液部と前記誘導電極との間に付与される電位差を変更する電位差制御部とを備える。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記電位差制御部により、前記接液部と前記誘導電極との間の前記電位差が、ゼロとゼロ以外の所定の値との間で切り替えられる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記基板の前記主面における電位分布を測定する表面電位計をさらに備え、前記電位差制御部が、前記表面電位計からの出力に基づいて前記接液部と前記誘導電極との間の前記電位差を変更する。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板の前記主面の中央部よりも外側の領域に対する前記処理液の吐出時における前記接液部と前記誘導電極との間の電位差が、前記主面の前記中央部に対する前記処理液の吐出時における前記接液部と前記誘導電極との間の電位差よりも大きくされる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、基板の主面に向けて処理液を吐出する吐出部と、前記吐出部に前記処理液を導く処理液供給部と、前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置され、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差が付与されることにより前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する誘導電極と、前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する吐出部移動機構と、前記吐出部からの前記処理液の吐出と並行して行われる前記吐出部の前記基板に対する相対移動において、前記吐出部移動機構を制御することにより前記吐出部の前記基板に対する相対移動速度を変更する速度制御部とを備える。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記吐出部の前記基板に対する相対移動および前記処理液の吐出と並行して前記基板の前記主面における電位分布を測定する表面電位計をさらに備え、前記速度制御部が、前記表面電位計からの出力に基づいて前記吐出部の前記相対移動速度を変更する。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、請求項５または６に記載の基板処理装置であって、前記基板の前記主面の中央部よりも外側の領域に対する前記処理液の吐出時における前記吐出部の相対移動速度が、前記主面の前記中央部に対する前記処理液の吐出時における前記吐出部の相対移動速度よりも小さくされる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、前記処理液の液滴を前記基板に向けて噴出する。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、前記処理液とキャリアガスとを前記吐出部の内部または前記吐出口近傍にて混合することにより前記処理液の前記液滴を生成する。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液の比抵抗が１×１０２Ωｍ以上である。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置であって、前記処理液が純水である。
【００２２】
請求項１２に記載の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置であって、前記処理液が、純水に炭酸ガスを溶解させた炭酸ガス溶解水である。
【００２３】
請求項１３に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、ａ）処理液供給部に接続された吐出部から基板の主面に向けて処理液を吐出しつつ前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する工程と、ｂ）前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置された誘導電極と、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差を付与することにより、前記ａ）工程と並行して前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する工程と、ｃ）前記ａ）工程および前記ｂ）工程と並行して前記接液部と前記誘導電極との間に付与される電位差を変更する工程とを備える。
【００２４】
請求項１４に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、ａ）処理液供給部に接続された吐出部から基板の主面に向けて処理液を吐出しつつ前記吐出部を前記基板の前記主面に平行に前記基板に対して相対的に移動する工程と、ｂ）前記吐出部と電気的に絶縁されつつ前記吐出部の吐出口近傍または前記吐出口の位置に配置された誘導電極と、前記吐出部または前記処理液供給部の導電性の接液部との間に電位差を付与することにより、前記ａ）工程と並行して前記吐出口近傍において前記処理液に電荷を誘導する工程と、ｃ）前記ａ）工程および前記ｂ）工程と並行して前記吐出部の前記基板に対する相対移動速度を変更する工程とを備える。
【発明の効果】
【００２５】
本発明では、処理による基板の帯電を抑制しつつ基板上の電位分布の均一性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、表面に絶縁膜が形成された半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に洗浄液を供給して洗浄処理を行うことにより、基板９の表面に付着したパーティクル等の異物を除去する基板洗浄装置である。本実施の形態では、洗浄液として比抵抗が約１．８×１０５Ωｍの純水が用いられる。また、本実施の形態では、表面に酸化膜が形成された基板９に対する洗浄が行われる。
【００２７】
図１に示すように、基板処理装置１は、基板９を下側から保持する基板保持部２、基板９の上方に配置されて基板９の上側の主面（以下、「上面」という。）に向けて洗浄液を吐出する吐出部３、吐出部３に洗浄液を導く円管状の洗浄液供給部（すなわち、処理液供給部）４１、洗浄液供給部４１とは個別に吐出部３にキャリアガスを導くガス供給部４２、非導電性の支持部材３５を介して吐出部３に対して固定されて吐出部３と基板９との間において吐出部３の吐出口３１近傍に配置される誘導電極６、吐出部３を誘導電極６と共に基板９の上面に平行に基板９に対して相対的に移動する吐出部移動機構５、および、これらの構成を制御する制御部１０を備える。図１では、図示の都合上、基板保持部２の一部を断面にて描いている（図７、図８、図１０および図１１においても同様）。
【００２８】
基板保持部２は、略円板状の基板９を下側および外周側から保持するチャック２１、基板９をチャック２１と共に回転する回転機構２２、および、チャック２１の外周を覆う処理カップ２３を備える。回転機構２２はチャック２１の下側に接続されるシャフト２２１、および、シャフト２２１を回転するモータ２２２を備え、モータ２２２が駆動されることにより、シャフト２２１およびチャック２１と共に基板９が回転する。処理カップ２３は、チャック２１の外周に配置されて基板９上に供給された洗浄液の周囲への飛散を防止する側壁２３１、および、処理カップ２３の下部に設けられて基板９上に供給された洗浄液を排出する排出口２３２を備える。
【００２９】
吐出部移動機構５は、先端に吐出部３が固定されたアーム５１、および、アーム５１を揺動するモータ５２を備える。基板処理装置１では、モータ５２が駆動されることにより、吐出部３がアーム５１と共に基板９の上面に平行に直線に近い円弧状に往復移動する。
【００３０】
図２は、吐出部３近傍を示す縦断面図である。図２では、図示の都合上、支持部材３５の図示を省略している。図２に示すように、吐出部３は内部混合型の二流体ノズルであり、吐出部３の中心軸３０（吐出口３１の中心軸でもある。）を中心とする円管状の洗浄液管３２を内部に備える。洗浄液管３２は吐出部３の上部において洗浄液供給部４１に接続されており、洗浄液管３２の内部の空間は、洗浄液供給部４１から供給された洗浄液が流れる洗浄液流路３２１となる。吐出部３の外壁部３４と洗浄液管３２との間の空間は、ガス供給部４２から供給されたキャリアガス（例えば、窒素（Ｎ２）ガスや空気であり、本実施の形態では、窒素ガス）が流れるガス流路３３となっており、ガス流路３３は洗浄液流路３２１の周囲を囲む。
【００３１】
吐出部３では、洗浄液管３２の先端が吐出口３１よりも内側（すなわち、図２中の上側）に位置しており、洗浄液管３２から噴出される洗浄液が吐出部３の内部においてキャリアガスと混合されることにより、洗浄液の微小な液滴が生成されてキャリアガスと共に吐出口３１から基板９（図１参照）に向けて噴出される。吐出口３１の内径は約２〜３ｍｍである。
【００３２】
吐出部３の洗浄液管３２（すなわち、吐出部３内の洗浄液流路３２１を形成する部位）、および、洗浄液管３２に接続される洗浄液供給部４１は、共に導電性カーボン（好ましくは、アモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボン）または導電性樹脂（例えば、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）や導電性ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））により形成される。本実施の形態では、洗浄液管３２および洗浄液供給部４１は、ガラス状の導電性カーボンにより形成される。ガラス状カーボンは、均質かつ緻密な構造を有する硬質な炭素材料であり、導電性や耐薬品性、耐熱性等に優れる。
【００３３】
基板処理装置１では、洗浄液管３２と洗浄液供給部４１とが、基板９に洗浄液を供給する１つの洗浄液供給管とされ、当該洗浄液供給管全体が洗浄液に接触する導電性の接液部となる。基板処理装置１では、洗浄液管３２の先端近傍の部位に導電線８２が接続されており、図１に示すように、導電線８２を介して洗浄液管３２（図２参照）および洗浄液供給部４１が接地される。
【００３４】
図２に示すように、誘導電極６は、吐出口３１の中心軸３０を囲む円環状の板状部材であり、その外径は約１５ｍｍ、内径は約８ｍｍとされる。中心軸３０方向に関する誘導電極６と吐出口３１との間の距離は約３〜４ｍｍとされ、導電性カーボン（好ましくは、アモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状カーボン）または導電性樹脂（例えば、導電性ＰＥＥＫや導電性ＰＴＦＥ）により形成された誘導電極６と吐出部３とは電気的に絶縁されている。
【００３５】
図１に示す基板処理装置１では、誘導電極６が基板処理装置１外の電源８１に電気的に接続されることにより、導電性の接液部である洗浄液管３２（図２参照）と誘導電極６との間に電位差が付与される。これにより、吐出部３の吐出口３１近傍において洗浄液に電荷が誘導され、電荷が有する洗浄液の液滴が吐出部３から噴出される。
【００３６】
次に、基板処理装置１による基板９の洗浄について説明する。図３は、基板９の洗浄の流れを示す図である。図１に示す基板処理装置１では、まず、基板９が基板保持部２のチャック２１により保持された後、制御部１０により回転機構２２のモータ２２２が駆動されて基板９の回転が開始される（ステップＳ１１，Ｓ１２）。
【００３７】
続いて、誘導電極６と吐出部３の洗浄液管３２との間に電位差が付与されることにより、吐出部３の吐出口３１近傍の部位（すなわち、洗浄液管３２の先端部）に電荷が誘導される（ステップＳ１３）。本実施の形態では、誘導電極６に対しておよそ−１０００Ｖの電位が与えられることにより、吐出部３の吐出口３１近傍にプラスの電荷が誘導される。
【００３８】
次に、制御部１０により吐出部移動機構５が駆動されて吐出部３および誘導電極６の移動（すなわち、揺動）が開始される（ステップＳ１４）。基板処理装置１では、吐出口３１近傍に電荷が誘導された状態において、吐出部３に対して洗浄液および窒素ガスが供給されることにより、吐出口３１近傍において洗浄液にプラスの電荷が誘導されるとともに洗浄液の微小な液滴が生成され、プラスの電荷が誘導された洗浄液の液滴の基板９の上面に向けての噴出（すなわち、吐出）が開始される（ステップＳ１５）。
【００３９】
そして、吐出部３および誘導電極６が、回転する基板９の上方において、基板９の上面に向けて洗浄液を吐出しつつ、基板９の上面に平行に基板９の中心と周縁部との間において直線に近い円弧状に一定速度にて往復移動を繰り返すことにより、基板９の上面全体に対して洗浄液の液滴が噴射され、上面に付着しているパーティクル等の異物が除去される。基板処理装置１では、基板９の上面に洗浄液の微小な液滴を高速にて衝突させることにより、上面に形成された微細なパターンを損傷することなく、上面に付着している有機物等の微小なパーティクルを効率良く除去することができる。
【００４０】
基板処理装置１では、基板９に対する洗浄液の液滴の噴出が行われている間、誘導電極６による吐出口３１近傍における洗浄液への電荷の誘導が並行して継続的に行われる。そして、吐出部３からの処理液の吐出および吐出部３の基板９に対する相対移動と並行して、電源８１からの出力が制御部１０の電位差制御部１０１により制御されることにより、誘導電極６と洗浄液管３２（すなわち、導電性の接液部）との間に付与される電位差が変更されて洗浄液の液滴に誘導される電荷が変更される（ステップＳ１６）。
【００４１】
図４は、洗浄液に対する電荷誘導を行わずに洗浄処理を行った場合の基板９の上面における電位分布を示す図である。図４において、帯電量（すなわち、電位の絶対値）が最も大きい基板９の中央部における電位は約−１３Ｖであり、帯電量は、基板９の周縁部に近づく（すなわち、基板９の中央から遠ざかる）に従って小さくなる。なお、基板９は、洗浄前の状態ではほとんど帯電しておらず、上記の基板９上の電位は洗浄処理により生じたものと考えられる。
【００４２】
また、図５は、誘導される電荷量を一定とした洗浄液により基板９の全面を洗浄した場合の、基板９の上面における電位分布を示す図である。上述のように、基板９の上面には酸化膜が形成されており、基板９の周縁部は中央部に比べて帯電が抑制されにくいため、洗浄後の基板９の周縁部の帯電量は、基板９の中央部の帯電量よりも大きくなる。
【００４３】
そこで、本実施の形態に係る基板処理装置１では、図６．Ａに示すように、吐出部３の移動に伴って誘導電極６と洗浄液管３２との間に付与される電位差が変更される。図６．Ａは、基板９に対する吐出部３の相対位置と誘導電極６および洗浄液管３２の間の電位差との関係を示す図である。図６．Ａでは、横軸の原点が、吐出部３の吐出口３１の中心が基板９の中心の直上に位置することを示し、横軸の「ｒ」が、吐出口３１の中心が基板９の周縁の直上に位置することを示す（図６．Ｂにおいても同様）。
【００４４】
図６．Ａに示すように、基板処理装置１では、制御部１０の電位差制御部１０１による制御により、基板９の上面の周縁部（すなわち、中央部よりも外側の領域）に対する洗浄液の吐出時における誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が、基板９の上面の中央部に対する洗浄液の吐出時における誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差よりも大きくされる。これにより、中央部に比べて帯電が抑制されにくい基板９の周縁部においても、中央部と同様に帯電を抑制することができ、洗浄中における基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。
【００４５】
なお、本実施の形態では、図６．Ａに示す吐出部３の位置と電位差との関係は実験により求められるが、例えば、図４および図５に示す電位分布が予め取得されて記憶されており、当該電位分布に基づいて図６．Ａに示す関係が自動的に求められてもよい。
【００４６】
基板９に対する洗浄液の液滴の噴射が継続された状態で、吐出部３の移動が所定の回数だけ行われて上面全体が複数回洗浄されると、吐出部３からの洗浄液の吐出、および、吐出部３の基板９に対する相対移動が停止され、誘導電極６と洗浄液管３２との間への電位差の付与（すなわち、吐出口３１近傍への電荷の誘導）も停止される（ステップＳ１７）。その後、基板９の回転を継続して基板９を乾燥させた後に基板９の回転が停止され（ステップＳ１８）、基板９が基板処理装置１から搬出されて基板９に対する洗浄処理が終了する（ステップＳ１９）。
【００４７】
本実施の形態に係る基板処理装置１では、誘導電極６と洗浄液管３２との間に電位差を付与することにより、電位差を付与せずに洗浄した場合の洗浄後の基板電位とは逆極性の電荷（すなわち、プラスの電荷）が誘導された洗浄液の液滴を生成し、当該洗浄液の液滴により基板９を洗浄することにより洗浄中および洗浄後における基板９の帯電（すなわち、洗浄処理による基板９の帯電）を抑制することができる。そして、当該基板９の洗浄処理において、誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が制御されることにより、基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。
【００４８】
基板処理装置１では、吐出部３の吐出口３１近傍に誘導電極６を設けることにより、洗浄液の液滴に対する電荷の誘導を、基板処理装置１の構造を簡素化しつつ容易に実現することができる。また、吐出部３として二流体ノズルを利用することにより、洗浄液の液滴を容易に生成することができるとともに、液滴の生成および噴出に係る機構を小型化することもできる。さらには、洗浄液として中性の純水が用いられることにより、酸性溶液（例えば、炭酸ガス溶解水）等との接触により劣化する可能性がある銅配線等が基板９に設けられている場合であっても、これらの配線を劣化させることなく、基板９に対する洗浄処理を基板９の帯電を抑制しつつ行うことができる。
【００４９】
上述のように、基板処理装置１では、誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が、吐出部３の基板９に対する相対位置に基づいて、図６．Ａに示すように連続的に変更されるが、電位差の変更は必ずしも図６．Ａに示すものには限定されない。例えば、図６．Ｂに示すように、制御部１０の電位差制御部１０１により、誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が、ゼロとゼロ以外の所定の値との間で切り替えられてもよい。
【００５０】
この場合、基板９の上面上の各領域に対して複数回の洗浄液の吐出を繰り返す際に、帯電の抑制の程度が大きい中央部に対する洗浄液の吐出時において、複数回の吐出のうち、例えば、半分の回数だけ誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差がゼロとされる。そして、基板９の周縁部に対する洗浄液の吐出時には、電位差が常にゼロ以外の所定の値とされる。これにより、中央部に比べて帯電が抑制されにくい基板９の周縁部においても、中央部と同様に帯電を抑制することができる。
【００５１】
このように、基板処理装置１では、誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差を２段階に切り替えることにより、電位差の変更を簡素化しつつ基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。なお、基板９の帯電特性に合わせて、例えば、基板９の中央部、周縁部、および、中央部と周縁部との間の領域において、誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が３段階に切り替えられてもよい。
【００５２】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図７は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａを示す図である。図７に示すように、基板処理装置１ａでは、図１に示す基板処理装置１の構成に加えて、基板９の上面における電位を測定する表面電位計７１をさらに備える。表面電位計７１は、吐出部移動機構５のアーム５１に固定されており、吐出部移動機構５により吐出部３と共に基板９に対して相対的に移動する。その他の構成は図１および図２と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００５３】
基板処理装置１ａによる基板９の洗浄の流れは、第１の実施の形態における洗浄の流れ（図３参照）とほぼ同様であるが、ステップＳ１６における誘導電極６と洗浄液管３２（図２参照）との間の電位差の変更方法が異なる。基板処理装置１ａでは、ステップＳ１６における吐出部３の基板９に対する相対移動および洗浄液の吐出と並行して、表面電位計７１が基板９の上面に平行に移動し、基板９の中心と周縁部との間において直線に近い円弧状に往復移動を繰り返しつつ基板９の上面の電位を継続的に測定することにより、基板９の上面における電位分布が測定される。
【００５４】
そして、表面電位計７１からの出力（すなわち、基板９の上面における電位分布）に基づいて、制御部１０の電位差制御部１０１により誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が変更される。電位差制御部１０１による電位差の制御には、比例制御やＰＩＤ制御等が利用され、基板９の上面における帯電量が大きくなる（すなわち、測定電位の絶対値が大きくなる）に従って上記電位差（すなわち、測定電位とは逆の電位差）が大きくされることにより、洗浄液に誘導される電荷も大きくされて基板９の帯電が抑制される。
【００５５】
このように、基板９の洗浄処理中の電位分布に応じて誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が変更されることにより、基板９の帯電を抑制しつつ基板９上の電位分布の均一性をより向上することができる。また、過剰な電荷誘導によって基板９を逆電位に帯電させてしまうことを防止することもできる。
【００５６】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図８は、第３の実施の形態に係る基板処理装置１ｂを示す図である。図８に示すように、基板処理装置１ｂは、図１に示す基板処理装置１の電位差制御部１０１に代えて、吐出部３の基板９に対する相対移動速度を変更する速度制御部１０２を備える。その他の構成は図１および図２と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００５７】
図９は、基板処理装置１ｂによる基板９の洗浄の流れの一部を示す図である。基板処理装置１ｂでは、図３中のステップＳ１６に代えて図９中のステップＳ２１が行われ、ステップＳ２１の前後の動作はそれぞれ、図３中のステップＳ１１〜Ｓ１５、および、ステップＳ１７〜Ｓ１９と同様である。
【００５８】
基板処理装置１ｂにより基板９の洗浄が行われる際には、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ１１〜Ｓ１５（図３参照）が行われてプラスの電荷が誘導された洗浄液の液滴が基板９の上面に向けて噴出される。そして、吐出部３および誘導電極６が、回転する基板９の上方において、基板９の上面に向けて洗浄液を吐出しつつ、基板９の上面に平行に基板９の中心と周縁部との間において略直線状に往復移動を繰り返す。基板処理装置１ｂでは、誘導電極６と洗浄液管３２（図２参照）との間に付与される電位差は一定である。
【００５９】
基板処理装置１ｂでは、吐出部３からの洗浄液の吐出と並行して行われる吐出部３および誘導電極６の基板９に対する相対移動において、吐出部移動機構５が制御部１０の速度制御部１０２により制御されることにより、基板９の帯電特性、および、基板９に対する吐出部３（の吐出口３１）の相対位置に基づいて吐出部３および誘導電極６の基板９に対する相対移動速度が変更される（ステップＳ２１）。
【００６０】
上述のように、上面に酸化膜が形成された基板９では、中央部における帯電の抑制の程度（効果）が周縁部における抑制の程度よりも大きい。基板処理装置１ｂでは、基板９の上面の周縁部（すなわち、中央部よりも外側の領域）に対する洗浄液の吐出時における吐出部３の相対移動速度が、基板９の上面の中央部に対する洗浄液の吐出時における吐出部３の相対移動速度よりも小さくされる。これにより、中央部に比べて帯電が抑制されにくい基板９の周縁部に対して噴射される電荷を有する洗浄液の液滴の単位面積当たりの量が、基板９の中央部に対して噴射される洗浄液の液滴の単位面積当たりの量よりも大きくされる。
【００６１】
その結果、第１の実施の形態と同様に、基板９の周縁部においても中央部と同様に帯電を抑制することができ、洗浄処理による基板９の帯電を抑制しつつ洗浄中における基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。基板処理装置１ｂでは、基板９の上面全体の洗浄が終了すると、ステップＳ１７〜Ｓ１９（図３参照）が行われて基板９に対する洗浄処理が終了する。
【００６２】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図１０は、第４の実施の形態に係る基板処理装置１ｃを示す図である。図１０に示すように、基板処理装置１ｃでは、図８に示す基板処理装置１ｂの構成に加えて、基板９の上面における電位を測定する表面電位計７１をさらに備える。その他の構成は図８と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００６３】
基板処理装置１ｃによる基板９の洗浄の流れは、第３の実施の形態における洗浄の流れ（図３および図９参照）とほぼ同様であるが、ステップＳ２１における吐出部３の移動速度の変更方法が異なる。基板処理装置１ｃでは、吐出部３の基板９に対する相対移動および洗浄液の吐出と並行して、表面電位計７１が基板９の上面に平行に移動し、基板９の中心と周縁部との間において略直線状に往復移動を繰り返しつつ基板９の上面の電位を継続的に測定することにより、基板９の上面における電位分布が測定される。
【００６４】
そして、表面電位計７１からの出力（すなわち、基板９の上面における電位分布）に基づいて、制御部１０の速度制御部１０２により吐出部移動機構５が制御されて吐出部３の基板９に対する相対移動速度が変更される。速度制御部１０２による吐出部３の移動速度の制御には、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａにおける電位差の制御と同様に、比例制御やＰＩＤ制御等が利用され、基板９の上面における帯電量が大きくなるに従って上記移動速度が小さくされることにより、基板９に対して噴射される電荷を有する洗浄液の液滴の単位面積当たりの量が大きくされて基板９の帯電が抑制される。
【００６５】
このように、基板９の洗浄処理中の電位分布に応じて吐出部３の移動速度が変更されることにより、基板９の帯電を抑制しつつ基板９上の電位分布の均一性をより向上することができる。また、過剰な電荷誘導によって基板９を逆電位に帯電させてしまうことを防止することもできる。
【００６６】
次に、本発明の第５の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図１１は、第５の実施の形態に係る基板処理装置１ｄを示す図である。基板処理装置１ｄでは、洗浄液として、純水に炭酸ガス（ＣＯ２）を溶解させた炭酸ガス溶解水が用いられる。図１１に示すように、基板処理装置１ｄでは、図１に示す基板処理装置１の構成に加えて、炭酸ガス溶解水を生成する気液混合器４３をさらに備える。その他の構成は図１および図２と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００６７】
図１１に示すように、基板処理装置１ｄでは、吐出部３に洗浄液を導く洗浄液供給部４１に気液混合器４３が接続されており、気液混合器４３には、図示省略の純水供給源および炭酸ガス供給源にそれぞれ接続される純水供給管４４および炭酸ガス供給管４５が接続されている。
【００６８】
気液混合器４３の内部には、中空糸分離膜等により形成された気体透過性および液体不透過性のガス溶解膜が設けられる。気液混合器４３内部では、ガス溶解膜により隔てられた２つの供給室に純水および炭酸ガスがそれぞれ個別に供給されており、炭酸ガスの圧力が純水の圧力よりも高くされることにより、炭酸ガスがガス溶解膜を透過して純水中に溶解して炭酸ガス溶解水が生成される。なお、純水中に溶解している不要なガスは、図示省略の真空ポンプにより脱気される。
【００６９】
気液混合器４３では、炭酸ガス溶解水の比抵抗が所定の値となるように炭酸ガスや純水の供給圧等が制御される。炭酸ガス溶解水の比抵抗は、好ましくは、１×１０２Ωｍ以上４×１０３Ωｍ以下（より好ましくは、５×１０２Ωｍ以上４×１０３Ωｍ以下）とされ、本実施の形態では、約１×１０３Ωｍとされる。
【００７０】
基板処理装置１ｄでは、第１の実施の形態と同様に、吐出部３からの処理液の吐出および吐出部３の基板９に対する相対移動と並行して、基板９の帯電特性および吐出部３の基板９に対する相対位置に基づいて誘導電極６と洗浄液管３２（図２参照）との間に付与される電位差が電位差制御部１０１により変更されることにより、基板９の帯電を抑制しつつ基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。
【００７１】
基板処理装置１ｄでは、特に、洗浄液として純水よりも比抵抗が低い（すなわち、導電性が高い）炭酸ガス溶解水を用いることにより、洗浄液の液滴と基板９との衝突時に発生する基板９の上面上の帯電をより一層抑制することができる。
【００７２】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００７３】
上記実施の形態では、基板９の中央部における帯電の抑制の程度が周辺部における帯電の抑制の程度よりも大きい場合について説明したが、例えば、基板９上の全領域において帯電の抑制の程度が等しい場合には、第１の実施の形態に係る基板処理装置１において、基板９の中央部に対して洗浄液が吐出される際の誘導電極６と洗浄液管３２との間の電位差が、基板９の周縁部に対して洗浄液が吐出される際の電位差よりも大きくされる。これにより、非誘導時電位分布において周縁部よりも帯電量が大きい基板９の中央部において、周縁部に比べて帯電を大きく抑制することができ、基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。
【００７４】
また、第３の実施の形態に係る基板処理装置１ｂでも同様に、基板９上の全領域において帯電の抑制の程度が等しい場合、基板９の中央部に対して洗浄液が吐出される際の吐出部３の移動速度が、基板９の周縁部に対して洗浄液が吐出される際の吐出部３の移動速度よりも小さくされることにより、基板９上の電位分布の均一性を向上することができる。
【００７５】
第５の実施の形態に係る基板処理装置１ｄでは、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａと同様に、基板９の洗浄中に基板９の上面における電位分布を測定する表面電位計７１が設けられ、表面電位計７１からの出力に基づいて誘導電極６と洗浄液管３２（図２参照）との間に付与される電位差が変更されてもよい。
【００７６】
また、基板処理装置１ｄでは、吐出部３からの処理液の吐出と並行して行われる吐出部３の基板９に対する相対移動において、吐出部３の移動速度が制御されることにより、基板９の帯電が抑制しつつ基板９上の電位分布の均一性を向上されてもよい。この場合、制御部１０では、電位差制御部１０１に代えて吐出部移動機構５を制御する速度制御部１０２（図８参照）が設けられる。
【００７７】
上記実施の形態に係る基板処理装置では、吐出部３からの処理液の吐出および吐出部３の基板９に対する相対移動と並行して、誘導電極６と洗浄液管３２との間に付与される電位差の制御、および、吐出部３の移動速度の制御の双方が行われることにより、基板９の帯電を抑制しつつ基板９上の電位分布の均一性が向上されてもよい。
【００７８】
上記実施の形態に係る基板処理装置では、吐出部３の基板９に対する相対移動は、基板９の中心を通り、基板９の周縁上の一点と、当該一点とは基板９の中心を挟んでおよそ反対側に位置する周縁上の他の一点との間における直線に近い円弧状の往復移動とされてもよい。また、吐出部３の基板９に対する相対移動は、基板保持部２と共に基板９が水平に移動することにより行われてもよい。
【００７９】
基板処理装置では、中心軸３０方向に関する誘導電極６と吐出部３の吐出口３１との間の距離は、現実的な電源を用いて吐出口３１近傍に電荷誘導が可能な距離であれば、上記実施の形態にて示した距離と異なってよい。また、誘導電極６は、中心軸３０方向において吐出部３の吐出口３１の位置（すなわち、吐出口３１の周囲）に配置されてもよい。
【００８０】
基板処理装置では、誘導電極の形状は必ずしも円環板状には限定されない。図１２は、他の形状の誘導電極６ａを備える基板処理装置の吐出部３近傍を示す縦断面図である。誘導電極６ａは、吐出部３の吐出口３１の中心軸３０を中心とする環状であり、吐出口３１の周囲を囲むとともに吐出口３１の中心軸３０に対して傾斜する傾斜面６１を内側（すなわち、中心軸３０側）に有する。傾斜面６１は、吐出口３１よりも基板９（図１参照）側において吐出口３１の中心軸３０上に頂点を有する円錐面の一部であり、当該円錐面の母線と中心軸３０とのなす角度は４５°とされる。また、傾斜面６１の外側のエッジ６１１の中心軸３０方向における位置は、吐出口３１の中心軸３０方向における位置に一致する。
【００８１】
誘導電極６ａを上記の形状とすることにより、中心軸３０を含む面による誘導電極６ａの傾斜面６１の任意の断面において、中心軸３０に垂直な方向に関する中心軸３０と傾斜面６１との間の距離が、吐出部３と基板９の上面との間にて、吐出口３１に近づくほど長くなる。これにより、吐出口３１に近接した位置における誘導電極６の面積を大きくすることができるため、洗浄液に効率良く電荷を誘導することができる。また、傾斜面６１が円錐面の一部とされることにより、傾斜面６１を切削等により容易に形成することができる。
【００８２】
誘導電極６との間に電位差が付与される吐出部３の接液部は、必ずしも洗浄液管３２に設けられる必要はなく、例えば、洗浄液供給部４１が導電線８２を介して接地されてもよい。また、誘導電極６と吐出部３側の接液部との間への電位差の付与は、例えば、誘導電極６を接地して接液部を電源８１に接続することにより行われてもよく、電源８１の両極をそれぞれ、誘導電極６および接液部に接続することにより行われてもよい。ただし、基板処理装置の構造の簡素化の観点からは、上記実施の形態のように、接液部が接地され、誘導電極６が電源８１に接続されることが好ましい。
【００８３】
吐出部３は、必ずしも内部混合型の二流体ノズルには限定されず、例えば、洗浄液とキャリアガスとを吐出部の外部に個別に噴出し、吐出口３１近傍にて混合することにより洗浄液の液滴を生成する外部混合型の二流体ノズルであってもよい。また、基板処理装置では、他の装置にて生成された洗浄液の液滴が吐出部３に供給され、当該液滴が吐出部３からキャリアガスと共に噴出されてもよく、吐出部３に洗浄液のみが供給されて液滴として噴出されてもよい。
【００８４】
基板処理装置では、吐出部３から必ずしも洗浄液の液滴が吐出される必要はなく、例えば、柱状の流れにて洗浄液が吐出されて基板９の洗浄が行われてもよく、また、超音波が付与された洗浄液が吐出されて基板９の洗浄が行われてもよい。なお、上述のように、基板処理装置は、基板９の洗浄による帯電を抑制することができるため、液柱による洗浄よりも基板９の帯電量が大きくなる液滴による洗浄に特に適している。
【００８５】
上記実施の形態に係る基板処理装置では、洗浄により生じる基板の電位の極性および帯電量は、基板の種類（例えば、半導体基板の上面における絶縁膜の種類や配線金属の種類、およびそれらの組み合わせ）によって異なるため、基板処理装置において誘導電極６と吐出部３との間に付与される電位差は、基板の種類に合わせて様々に変更される。例えば、基板上にレジスト膜が形成されている場合、洗浄により基板の上面がプラスに帯電するため、誘導電極６にはプラスの電圧がかけられ、洗浄液にマイナスの電荷が誘導される。
【００８６】
第１ないし第４の実施の形態に係る基板処理装置では、洗浄液として純水以外の液体が利用されてもよく、例えば、フッ素系洗浄液である日本ゼオン株式会社のゼオローラ（登録商標）や、スリーエム社のノベック（登録商標）ＨＦＥ（比抵抗：３．３×１０７Ωｍ）等の比抵抗が比較的高い液体が洗浄液として利用されてもよい。また、第５の実施の形態に係る基板処理装置１ｄでは、炭酸ガス溶解水に代えて、キセノン（Ｘｅ）等の希ガスやメタンガス等を純水に溶解させたもの、または、塩酸やアンモニア水、過酸化水素水等の薬液を純水に僅かに混合した水溶液が、純水よりも比抵抗が低い洗浄液として利用されてもよい。塩酸やアンモニア水等の薬液を純水に溶解させる場合には、気液混合器４３に代えてミキシングバルブ等が利用される。上述のように、上記実施の形態に係る基板処理装置は、基板９の洗浄による帯電を抑制することができるため、比抵抗が低い洗浄液に比べて基板９の帯電量が大きくなる比抵抗が高い洗浄液（すなわち、比抵抗が１×１０２Ωｍ以上の洗浄液）による洗浄に特に適している。
【００８７】
上記実施の形態に係る基板処理装置は、基板の洗浄以外の様々な処理に利用されてもよく、例えば、薬液洗浄された後の基板のリンス処理に利用されてもよい。この場合、純水等のリンス液が基板に供給される処理液として用いられる。また、基板処理装置は、プリント配線基板やフラットパネル表示装置に使用されるガラス基板等、半導体基板以外の様々な基板の処理に利用されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図２】吐出部近傍を示す縦断面図である。
【図３】基板の洗浄の流れを示す図である。
【図４】非誘導時電位分布を示す図である。
【図５】電位差を一定として洗浄を行った場合の基板上の電位分布を示す図である。
【図６．Ａ】基板に対する吐出部の相対位置と誘導電極および洗浄液管の間の電位差との関係を示す図である。
【図６．Ｂ】基板に対する吐出部の相対位置と誘導電極および洗浄液管の間の電位差との関係の他の例を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図８】第３の実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図９】基板の洗浄の流れの一部を示す図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図１１】第５の実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。
【図１２】誘導電極の他の例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１，１ａ〜１ｄ    基板処理装置
３    吐出部
５    吐出部移動機構
６，６ａ    誘導電極
９    基板
３１    吐出口
４１    洗浄液供給部
７１    表面電位計
１０１    電位差制御部
１０２    速度制御部
Ｓ１１〜Ｓ１９，Ｓ２１    ステップ
【図１】
2007317790.tif 000003
【図２】
2007317790.tif 000004
【図３】
2007317790.tif 000005
【図４】
2007317790.tif 000006
【図５】
2007317790.tif 000007
【図６．Ａ】
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【図６．Ｂ】
2007317790.tif 000009
【図７】
2007317790.tif 000010
【図８】
2007317790.tif 000011
【図９】
2007317790.tif 000012
【図１０】
2007317790.tif 000013
【図１１】
2007317790.tif 000014
【図１２】
2007317790.tif 000015