(57)【要約】【課題】アンダーフィルにボイド（気泡）の無い回路モジュールを提供すること。【解決手段】本発明の回路モジュールにおいて、バンプ１０が形成されていない本体部８の下面中央部と、この下面中央部と対向する回路基板１との間に設けられた隙間を小さくするための凸部Ｔの存在によって、アンダーフィル１１が下面中央部と回路基板１との間に早く流入して、ボイド（気泡）を無くすることができ、アンダーフィル１１の剥がれの無いものが得られる。【選択図】図１
2007173724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部の下面周辺に複数の電極が形成された半導体部品と、前記電極に対応する複数のランド部が設けられた回路基板と、前記電極と前記ランド部とを接続するバンプと、このバンプを覆った状態で、前記回路基板と前記本体部の間に設けられた樹脂からなるアンダーフィルとを備え、前記バンプが形成されていない前記本体部の下面中央部と、この下面中央部と対向する前記回路基板との間には、前記下面中央部と前記回路基板との間の隙間を小さくするための凸部が設けられたことを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記凸部は、前記回路基板と前記本体部の何れか一方、或いは双方に設けられたことを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記回路基板には、前記ランド部を露出した状態で形成されたレジスト膜と、前記下面中央部に対向する位置に設けられた層状部を有し、前記凸部が前記レジスト膜と前記層状部との重ね合わせによって形成されたことを特徴とする請求項１、又は２記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記層状部が導電材からなるダミーランド部、或いは絶縁材からなる絶縁層によって形成されたことを特徴とする請求項３記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記層状部は、複数の島状部によって形成されたことを特徴とする請求項４記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記ランド部には、前記下面中央部側に延びるパターンを有し、このパターン上には、前記レジスト膜が設けられ、前記パターンと前記レジスト膜とからなる厚みが前記凸部の厚みと同等に形成されたことを特徴とする請求項３から５の何れか１項に記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子回路ユニット等に使用して好適な回路モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路モジュールに係る図面を説明すると、図８は従来の回路モジュールに係る要部断面図、図９は従来の回路モジュールに係る回路基板の平面図、図１０は従来の回路モジュールに係る半導体部品の下面図、図１１は従来の回路モジュールに係り、アンダーフィルの注入過程を示す説明図、図１２は従来の回路モジュールに係り、アンダーフィルの注入後の状態を示す説明図である。
【０００３】
次に、従来の回路モジュールに係る構成を図８〜図１０に基づいて説明すると、回路基板５１には、特に図９に示すように、３列状態で環状に高密度に配置された複数のランド部５２を有し、このランド部５２の中央部に位置する回路基板５１には、余白部５１ａが設けられている。
【０００４】
半導体部品５３は、特に図１０に示すように、本体部５４と、ランド部５２に対応して本体部５４の下面に設けられた複数の電極５５と、この電極５５に設けられたバンプ５６を有し、この電極５５の中央部に位置する本体部５４には、余白部５４ａが設けられている。
【０００５】
そして、この半導体部品５３は、回路基板５１上に配置され、電極５５がバンプ５６によってランド部５２に接続、取付が行われると共に、半導体部品５３の本体部５４と回路基板５１との間には、樹脂からなるアンダーフィル５７がディスペンサ５８によって設けられた構成となっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、従来の回路モジュールに係るアンダーフィル５７の形成方法を図１１，図１２に基づいて説明すると、先ず、回路基板５１には、バンプ５６によって半導体部品５３を取付、しかる後、図１１に示すように、半導体部品５３の近傍にディスペンサ５８を配置して、ディスペンサ５８によって、液状のアンダーフィル５７を回路基板５１と本体部５４との間の隙間に注入する。
【０００７】
すると、図１１に示すように、液状のアンダーフィル５７は、先ず、ディスペンサ５８に近い位置から順次、高密度に配置されたバンプ５６間に毛細管現象によって流れ込み、そして、図１２に示すように、バンプ５６の全体がアンダーフィル５７によって覆われた状態となる。
【０００８】
この時、液状のアンダーフィル５７は、高密度に配置されたバンプ５６間に早く流れるため、半導体部品５３の本体部５４の中央部に位置する余白部５４ａと、この余白部５４ａに対向する回路基板５１の余白部５１ａとの間には、ボイド（気泡）５９が発生した状態になると共に、このアンダーフィル５７を硬化すると、アンダーフィル５７の形成が完了する。
【特許文献１】特開２００２−２７１０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の回路モジュールにあっては、半導体部品５３の本体部５４の中央部に位置する余白部５４ａと、この余白部５４ａに対向する回路基板５１の余白部５１ａとの間にボイド（気泡）５９が発生し、外気温が高くなると、ボイド（気泡）５９が膨張して、アンダーフィル５７が剥がれるという問題がある。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、アンダーフィルにボイド（気泡）の無い回路モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は、本体部の下面周辺に複数の電極が形成された半導体部品と、電極に対応する複数のランド部が設けられた回路基板と、電極とランド部とを接続するバンプと、このバンプを覆った状態で、回路基板と本体部の間に設けられた樹脂からなるアンダーフィルとを備え、バンプが形成されていない本体部の下面中央部と、この下面中央部と対向する回路基板との間には、下面中央部と回路基板との間の隙間を小さくするための凸部が設けられたことを特徴としている。
【００１２】
このように構成した本発明は、バンプが形成されていない本体部の下面中央部と、この下面中央部と対向する回路基板との間に設けられた隙間を小さくするための凸部の存在によって、アンダーフィルが下面中央部と回路基板との間に早く流入して、ボイド（気泡）を無くすることができ、アンダーフィルの剥がれの無いものが得られる。
【００１３】
また、本発明は、上記発明において、凸部は、回路基板と本体部の何れか一方、或いは双方に設けられたことを特徴としている。このように構成した本発明は、凸部の形成が回路基板と本体部とに適宜に選択できて、凸部の形成が好適である。
【００１４】
また、本発明は、上記発明において、回路基板には、ランド部を露出した状態で形成されたレジスト膜と、下面中央部に対向する位置に設けられた層状部を有し、凸部がレジスト膜と層状部との重ね合わせによって形成されたことを特徴としている。
【００１５】
このように構成した本発明は、レジスト膜と層状部が回路基板に設けられているため、回路基板の製造時に凸部が同時に形成できて、生産性の良好なものが得られる。
【００１６】
また、本発明は、上記発明において、層状部が導電材からなるダミーランド部、或いは絶縁材からなる絶縁層によって形成されたことを特徴としている。このように構成した本発明は、ダミーランド部がランド部の形成時に、また、絶縁層がレジスト膜と同材料で形成できて、生産性が良く、安価なものが得られる。
【００１７】
また、本発明は、上記発明において、層状部は、複数の島状部によって形成されたことを特徴としている。このように構成した本発明は、島状部が中央部の空き状態によって任意の形状を選定できて、自由度のあるものが得られる。
【００１８】
また、本発明は、上記発明において、ランド部には、下面中央部側に延びるパターンを有し、このパターン上には、レジスト膜が設けられ、パターンとレジスト膜とからなる厚みが凸部の厚みと同等に形成されたことを特徴としている。
【００１９】
このように構成した本発明は、パターンが下面中央部側に延設されることによって、小型化ができると共に、ランド部近傍がパターンによってアンダーフィルによる固着を確実にできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、本体部の下面中央部と回路基板との間に設けられた隙間を小さくするための凸部の存在によって、アンダーフィルが下面中央部と回路基板との間に早く流入して、ボイド（気泡）を無くすることができ、アンダーフィルの剥がれの無いものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の回路モジュールの第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の回路モジュールの第１実施例に係る回路基板の平面図、図３は本発明の回路モジュールの第１実施例に係り、アンダーフィルの注入過程を示す説明図、図４は本発明の回路モジュールの第１実施例に係り、アンダーフィルの注入後の状態を示す説明図である。
【００２２】
また、図５は本発明の回路モジュールの第２実施例に係る要部断面図、図６は本発明の回路モジュールの第２実施例に係る回路基板の平面図、図７は本発明の回路モジュールの第３実施例に係る回路基板の平面図である。
【００２３】
次に、本発明の回路モジュールの第１実施例に係る構成を図１，図２に基づいて説明すると、回路基板１は、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）等の多層基板からなり、表面に、一列状態で環状に配置された複数のランド部２と、積層内に設けられた配線パターン３と、ランド部２と配線パターン３間を接続するビア導体４を有する。
【００２４】
この回路基板１は、ランド部２の中央部に余白部１ａが設けられ、この余白部１ａには、複数の島状部からなる層状部５が設けられている。この層状部５は、この実施例では電気的に接続されていない導電材からなるダミーランド部で形成されている。
【００２５】
また、回路基板１の表面には、ランド部２を露出した状態でレジスト膜６が設けられ、このレジスト膜６は、層状部５上を含む回路基板１の表面に設けられて、余白部１ａには、互いに重ね合わされた層状部５とレジスト膜６とによって凸部Ｔが形成されている。
【００２６】
なお、この凸部Ｔは、層状部５のダミーランド部に代えて、レジスト等の絶縁材からなる絶縁層を使用しても良く、また、凸部Ｔは、種々の形態が適用できること勿論である。
【００２７】
半導体部品７は、ベアチップ等からなり、本体部８と、ランド部２に対応して本体部８の下面に設けられた複数の電極９と、この電極９に設けられたバンプ１０を有し、この電極９の中央部に位置する本体部８の下面中央部には、余白部８ａが設けられている。
【００２８】
この半導体部品７は、回路基板１上に配置され、電極９がバンプ１０によってランド部２に接続、取付が行われると共に、半導体部品７の本体部８と回路基板１との間には、樹脂からなるアンダーフィル１１が設けられ、このアンダーフィル１１によって、バンプ１０を覆った状態で、本体部８と回路基板１が固着されている。
【００２９】
なお、ここでは図示しないが、回路基板１上には、種々の電子部品が搭載されて、所望の電気回路が形成された状態となっている。
【００３０】
また、半導体部品７が回路基板１に取り付けられた際、本体部８の余白部８ａと回路基板１の余白部１ａが互いに対向した状態になると共に、この余白部１ａ、８ａ間の隙間は、凸部Ｔによって小さくなっており、これによって、アンダーフィル１１が毛細管現象によって早く流入するようになっている。
【００３１】
次に、本発明の回路モジュールに係るアンダーフィル１１の形成方法を図３，図４に基づいて説明すると、先ず、回路基板１には、バンプ１０によって半導体部品７を取付、しかる後、図３に示すように、半導体部品７の近傍にディスペンサ１２を配置して、ディスペンサ１２によって、液状のアンダーフィル１１を回路基板１と本体部８との間の隙間に注入する。
【００３２】
すると、液状のアンダーフィル１１は、先ず、ディスペンサ１２に近い位置から順次、バンプ１０間、及び凸部Ｔと本体部８との間に毛細管現象によって流れ込み、図３に示すように、アンダーフィル１１は、バンプ１０間と凸部Ｔの箇所でほぼ均等に流入するようになる。
【００３３】
そして、アンダーフィル１１の注入を続けると、図４に示すように、本体部８と回路基板１との間の隙間全体にアンダーフィル１１が流入して、バンプ１０が覆われると共に、ボイド（気泡）の無いアンダーフィル１１の形成ができ、また、アンダーフィル１１の流入後、液状のアンダーフィル１１を加熱等によって硬化すると、アンダーフィル１１の形成が完了する。
【００３４】
また、図５，図６は本発明の回路モジュールの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、ランド部２には、回路基板１の余白部１ａ側（本体部８の下面中央部）に延びるパターン２ａを有し、このパターン２ａの端部の位置で、ランド部２がビア導体４によって配線パターン３に接続されている。
【００３５】
そして、このパターン２ａ上には、レジスト膜６が設けられ、このレジスト膜６とパターン２ａとからなる厚みが凸部Ｔの厚みと同等に形成されており、その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３６】
また、図７は本発明の回路モジュールの第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、ランド部２は、２列状態で環状に配置され、内側に位置するランド部２には、回路基板１の余白部１ａ側（本体部８の下面中央部）にパターン２ａを有し、この内側のパターン２ａの端部の位置で、ランド部２がビア導体４によって配線パターン３に接続されている。
【００３７】
外側に位置するランド部２には、半導体部品７よりも外側に延びるパターン２ｂを有し、この外側のパターン２ｂの端部の位置で、ランド部２がビア導体４によって配線パターン３に接続されている。
【００３８】
そして、内側と外側のランド部２には、半導体部品７がバンプ１０によって接続されており、その他の構成は、上記第２実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３９】
なお、上記実施例の凸部Ｔは、回路基板１側に設けたもので説明したが、半導体部品７の本体部８に設けても良く、また、凸部Ｔは、回路基板１と半導体部品７の双方に設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の回路モジュールの第１実施例に係る要部断面図である。
【図２】本発明の回路モジュールの第１実施例に係る回路基板の平面図である。
【図３】本発明の回路モジュールの第１実施例に係り、アンダーフィルの注入過程を示す説明図である。
【図４】本発明の回路モジュールの第１実施例に係り、アンダーフィルの注入後の状態を示す説明図である。
【図５】本発明の回路モジュールの第２実施例に係る要部断面図である。
【図６】本発明の回路モジュールの第２実施例に係る回路基板の平面図である。
【図７】本発明の回路モジュールの第３実施例に係る回路基板の平面図である。
【図８】従来の回路モジュールに係る要部断面図である。
【図９】従来の回路モジュールに係る回路基板の平面図である。
【図１０】従来の回路モジュールに係る半導体部品の下面図である。
【図１１】従来の回路モジュールに係り、アンダーフィルの注入過程を示す説明図である。
【図１２】従来の回路モジュールに係り、アンダーフィルの注入後の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  回路基板
１ａ  余白部
２  ランド部
２ａ、２ｂ  パターン
３  配線パターン
４  ビア導体
５  層状部
６  レジスト膜
Ｔ  凸部
７  半導体部品
８  本体部
８ａ  余白部
９  電極
１０  バンプ
１１  アンダーフィル
１２  ディスペンサ
【図１】
2007173724.tif 000003
【図２】
2007173724.tif 000004
【図３】
2007173724.tif 000005
【図４】
2007173724.tif 000006
【図５】
2007173724.tif 000007
【図６】
2007173724.tif 000008
【図７】
2007173724.tif 000009
【図８】
2007173724.tif 000010
【図９】
2007173724.tif 000011
【図１０】
2007173724.tif 000012
【図１１】
2007173724.tif 000013
【図１２】
2007173724.tif 000014