(57)【要約】【課題】先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１上に形成した有機絶縁膜３および無機絶縁膜４にエッチング加工を施して配線溝５ａを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜３，４の表面に結合したダメージ成分を電子線ＥＢ照射または紫外線ＵＶ照射によって除去する。電子線ＥＢまたは紫外線ＵＶの照射は、不活性な雰囲気中で半導体基板を加熱した状態で行われる。カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガスＧを添加した雰囲気中で行われる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した絶縁膜に加工処理を施した後、当該加工処理によって前記絶縁膜の表面層に結合したダメージ成分を電子線照射または紫外線照射によって除去する工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記電子線照射または紫外線照射は、不活性な雰囲気中で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記電子線照射または紫外線照射は、前記基板を加熱した状態で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記電子線照射または紫外線照射は、カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガス雰囲気中で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記修復ガス雰囲気は、前記絶縁膜の成膜に用いた成膜ガス雰囲気である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記電子線照射または紫外線照射によりダメージ成分を除去する工程を行った後、
カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガス雰囲気中において前記絶縁膜に電子線照射または紫外線照射を行うことにより、当該絶縁膜の表面層に修復ガスを分解したガス成分を結合させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記修復ガス雰囲気は、前記絶縁膜の成膜に用いた成膜ガス雰囲気である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダメージ成分を除去する工程を行った後、前記絶縁膜のエッチング加工によって形成された溝パターン内に導電層を埋め込む工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記加工処理としてエッチング加工または化学的機械研磨を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にはエッチングによって絶縁膜にパターン形成した溝パターン内に金属配線が埋め込み形成された半導体装置に好適な製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化、微細化に伴い、特に、ＲＣ遅延の低減が必要となっている。このため、配線材料としては、比抵抗率の低い材料を用いると共に、絶縁膜材料としては、誘電率の低い低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）絶縁膜を用いることが考えられている。低誘電率絶縁膜としては、比誘電率ｋ＜３．０の絶縁膜の研究が進められている。このような低誘電率絶縁膜には、例えば、ＨＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ−ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）やＭＳＱ（ｍｅｔｈｙｌ−ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）のようなシリコンを主体とする無機絶縁膜、さらにはポリアリレンのような芳香族含有有機材料などからなる有機絶縁膜などがある。また、デュアルダマシン加工が施される低誘電率絶縁膜に対しては、これらの無機絶縁膜と有機絶縁膜とを組み合わせてハイブリッド構造とした構成が広く用いられている。
【０００３】
さらに近年においては、低誘電率多孔質膜を用いることも検討されている。低誘電率多孔質膜とは、上述のような低誘電率膜中に数ｎｍ程度の空孔を有するものであり、比誘電率＜２．５程度にまで低誘電率化が可能である。
【０００４】
しかしながら、上述した低誘電率多孔質膜は、誘電率は低く抑えられるものの、低密度であるために脆弱である。このため、エッチングプロセスにおいてダメージを受け易い。もともと、低誘電率多孔質膜は吸湿性が高いが、この低誘電率多孔質膜がエッチングプロセスにおいてダメージを受けることにより、さらに吸湿性が高くなる。このため、後のプロセス(例えば洗浄プロセス）中や放置した状態での吸湿により、誘電率が上昇したり、この多孔質膜を覆うバリアメタルとの間に剥がれが生じて断線を引き起こす要因ともなる。
【０００５】
そこで、銅配線を用いたプロセスにおいては、低誘電率膜をエッチングによって加工した後に、エッチングの際に低誘電率膜に結合したエッチングガス成分や、その後の洗浄プロセスにおいて結合した水分を除去するための熱処理を行っている。これにより、低誘電率膜の吸湿による誘電率の上昇や、次に形成するバリアメタル層および銅配線膜の腐食や剥がれを防止している（下記特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３８９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上述した熱処理は先に銅配線等が形成されている場合には、この熱処理によって銅配線が流動しストレスマイグレーション耐性の劣化が引き起こされるため、２００℃〜３００℃程度の温度を用いて短時間で行なう必要があるが、このような温度と時間では低誘電率膜の表面に結合したエッチングガス成分や水分の除去を十分に行うことができない。
【０００８】
そこで本発明は、先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能で、これにより、配線におけるマイグレーション耐性を維持できると共に低誘電率膜における誘電率の上昇や次に形成するバリアメタル層および銅配線膜の腐食や剥がれを確実に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明は、基板上に形成した絶縁膜に加工処理を施した後、当該加工処理によって絶縁膜の表面層に結合したダメージ成分を電子線照射または紫外線照射によって除去する工程を行うことを特徴としている。
【００１０】
このような工程を行う半導体装置の製造方法では、加工処理によって絶縁膜の表面層に結合したダメージ成分の除去を、電子線照射または紫外線照射によって行うようにしたことで、熱処理のみよるダメージ成分の除去と比較して、下地に熱的ダメージが加わることが防止される。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように本発明によれば、先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、加工処理後の絶縁膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能で、これにより、配線におけるマイグレーション耐性を維持できると共に絶縁膜における誘電率の上昇や次に形成するバリアメタル層および銅配線膜の腐食や剥がれを確実に防止した半導体装置を得ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
先ず、図１に示すように、半導体基板１の表面側にトランジスタやその他の半導体素子を形成した後に、図示しない層間絶縁膜を介してエッチングストッパ膜２で半導体基板１上を覆う。エッチングストッパ膜２は、例えばＳｉＣＮ(SiNやSiCでも構わない)からなり、成膜ガスとしてトリメチルシラン（３ＭＳ）とＮＨ3とを用いたＣＶＤ法によって成膜する。その後、このエッチングストッパ膜２に、ここでの図示を省略したコンタクトを形成する。
【００１４】
次に、エッチングストッパ膜２上に、例えばポリアリレン（ＰＡr）のような芳香族含有有機材料などからなる低誘電率の有機絶縁膜３を、塗布法によって成膜する。次に、この上部に、例えばＳｉＯＣ膜からなる低誘電率の無機絶縁膜４を成膜する。この際、成膜ガスとして３ＭＳとＯ2とを用いたＣＶＤ法によって無機絶縁膜４を成膜する。この無機絶縁膜４は、機械的強度の弱い有機絶縁膜３に対するＣＭＰ（化学的機会研磨）保護層としての役割と、ハードマスクとしての役割をもつ。
【００１５】
次いで、無機絶縁膜４上に、ここでの図示を省略したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにしたドライエッチングによって無機絶縁膜４および有機絶縁膜３に配線溝５ａを形成する。例えば、無機絶縁膜４のエッチングであれば、エッチングガスとしてＣＦ4、Ｃ5Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、またはＣＨＦ3を用いたドライエッチングを行う。また、有機絶縁膜３のエッチングであれば、エッチングガスとしてＮＨ3、Ｎ2およびＨ2、またはＯ2を用いたドライエッチングを行う。そして、エッチングストッパ膜２に設けたコンタクトを露出させるように配線溝５ａを形成する。
【００１６】
またこのエッチングの後には、必要に応じてレジストパターンを除去するためのアッシングを行い、さらに渣残除去のための薬液処理を行う。
【００１７】
以上の後、上述したドライエッチングや薬液処理によってエッチングストッパ膜２、有機絶縁膜３、および無機絶縁膜１３の表面層の加えられたダメージを回復するための処理を行う。
【００１８】
ここで、例えば図２（１）に示すように、ＳｉＯＣからなる無機絶縁膜４の表面は、成膜した直後（すなわちエッチング処理を施す前）であれば、シリコン（Ｓｉ）にメチル基（ＣＨ3）が結合された状態で終端されている。
【００１９】
この状態で、上述した配線溝５ａ形成のためのドライエッチングやアッシング、さらには薬液処理を施すことにより、図２（２）に示すように、無機絶縁膜４を構成するシリコン（Ｓｉ）には、エッチングガス成分である−ＮＨ2や薬液中の−ＯＨ、さらには−Ｈ，−ＮＨ，−ＣＯ，−Ｎ−などが、ＣＨ3や−Ｃ−と入れ替わって結合した状態となる。そして、これらの−ＮＨ2や−ＯＨなどは、以降の工程においての脱ガスを引き起こし、また絶縁膜の誘電率を上昇させるダメージ成分となる。
【００２０】
そして、このようなダメージ成分の結合は、ＳｉＣＮからなるエッチングストッパ膜２においても同様である。また、有機絶縁膜３においては、同様にして、エッチングガス成分や薬液中のＯＨなどのダメージ成分が炭素（Ｃ）に結合した状態となっている。
【００２１】
したがって、図１に示すように、ドライエッチングおよび薬液処理後の絶縁膜２〜４の露出表面層は、上述したダメージ成分が結合したダメージ層Ａとなっているのである。
【００２２】
そこで本実施形態においては、図３（１）に示すように、絶縁膜２〜４に対して、電子線（ＥＢ）または紫外線（ＵＶ）を照射することにより、上述したダメージ成分を除去、修復するためのダメージ回復処理を行う。このダメージ除去処理は、真空雰囲気やアルゴン（Ａｒ）雰囲気、窒素（Ｎ2）雰囲気、さらにはヘリウム（Ｈｅ）雰囲気などの不活性な雰囲気内において行われる。またダメージ除去処理およびダメージ修復処理は、不活性な雰囲気中に修復ガスＧを添加した修復ガスＧの雰囲気内において行われる。
【００２３】
ここで修復ガスＧとは、カーボン系ガスまたはシラン系ガスであり、具体的にはメタン（ＣＨ4）やエチレン（Ｃ2Ｈ4）等のハイドロカーボン系ガス、シラン（ＳｉＨ4）,トリメチルシラン（３ＭＳ）,テトラメチルシラン（４ＭＳ）,オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）,テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）,ジメチルフェニルシラン（ＤＭＰＳ）,ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）,ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）などのシラン系ガスが挙げられる。また修復ガスＧとしては、この他にも、絶縁膜２〜４を成膜する際に用いた上記成膜ガスを用いても良い。したがって、例えばＳｉＣＮからなるエッチングストッパ膜２やＳｉＯＣ膜からなる無機絶縁膜４の成膜ガスとして用いた３ＭＳを用いても良い。
【００２４】
また、このようなダメージ回復処理は、基板を加熱した状態で行うことにより、さらにダメージ成分の除去、すなわち絶縁膜２〜４を構成するシリコン（Ｓｉ）や炭素（Ｃ）に対するダメージ成分の乖離が容易になる。
【００２５】
例えば、ダメージ回復処理としてＥＢ照射を行う場合の処理条件の一例は次のようである。
加速電圧：１３．１ｋｅＶ、
電流値：１１００μＡ、
加熱温度：３５０℃、
チャンバー内雰囲気ガス：修復ガスとしてトリメチルシラン（３ＭＳ）、Ｈｅ
チャンバー圧力：７０Ｔｏｒｒ、
【００２６】
また、ダメージ回復処理としてＵＶ照射を行う場合の処理条件の一例は次のようである。
ランプ波長：５００nm以下
加熱温度：３５０℃、
チャンバー内雰囲気ガス：修復ガスとしてトリメチルシラン（３ＭＳ）、Ｈｅ
チャンバー圧力：５Ｔｏｒｒ、
【００２７】
これにより、ドライエッチングや薬液処理によって絶縁膜２〜４に導入された例えば−ＯＨ，−Ｈ，−ＮＨ，−ＮＨ2，−ＣＯなどのダメージ成分と、絶縁膜２〜４を構成するシリコン（Ｓｉ）や炭素（Ｃ）との結合を、ＥＢ照射またはＵＶ照射によって切り離し、絶縁膜２〜４の表面からこれらのダメージ成分を除去する。
【００２８】
またこの際、処理雰囲気に不活性なガスや修復ガスＧが導入されている場合、ＥＢ照射またはＵＶ照射によってこれらのガスが分解してイオンが発生し、このイオンの衝突や化学的なエッチング作用、さらには電子衝突により、上記ダメージ成分が除去されると共に、分解したガス成分が絶縁膜４，５，６を構成するシリコン（Ｓｉ）や炭素（Ｃ）に結合する。
【００２９】
そして特に、処理雰囲気内にカーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガスＧが添加されていれば、この修復ガスＧが分解した修復ガス成分が絶縁膜２〜４を構成するシリコン（Ｓｉ）や炭素（Ｃ）に結合し、絶縁膜３，４，５の修復が行われる。上述した具体例においては、絶縁膜３，４，５を構成するシリコン（Ｓｉ）や炭素（Ｃ）にメチル基（ＣＨ3）が結合することにより、ダメージ層の修復がなされる。
【００３０】
これにより、例えばＳｉＯＣからなる無機絶縁膜４の表面は、図２（１）に示したように、シリコン（Ｓｉ）にメチル基（ＣＨ3）が結合された状態で終端された状態に修復される。そして、図１に示したような、絶縁膜２〜４の表面層のダメージ層（Ａ）が除去される。
【００３１】
尚、上述したダメージ回復処理は、先ず、ＥＢ照射またはＵＶ照射によって絶縁膜２，３，４の表面に結合したダメージ成分を除去する工程を行い、次に修復ガス雰囲気においてＥＢ照射またはＵＶ照射を行うことで絶縁膜２〜４の表面に修復ガス成分を結合させる工程を行っても良い。
【００３２】
この場合、ダメージ成分を除去する工程においては、ＥＢ照射またはＵＶ照射を真空雰囲気やアルゴン（Ａｒ）雰囲気、ヘリウム（Ｈｅ）雰囲気、さらには窒素（Ｎ2）雰囲気などの不活性な雰囲気内において行うことが好ましい。また同時に加熱を行うことにより、ダメージ成分の除去が容易になる。尚、ダメージ成分を除去する工程と、その後の修復ガス成分を結合させる工程とは、同一の装置内で行うことに限定されることはない。
【００３３】
以上の後、図３（２）に示すように、配線溝５ａの内壁を覆う状態でバリアメタル層６を成膜する。バリアメタル層６としては、例えば窒化タンタルとタンタルの積層膜を形成する。続いて、配線溝５ａ内を完全に埋め込む膜厚で、例えば銅等の金属材料からなる導電層１７を無機絶縁膜４上に堆積させる。
【００３４】
次に、図３（３）に示すように、配線溝５ａ内のみにバリアメタル層６および導電層７を残すように、無機絶縁膜４上の導電層７およびバリアメタル層６をＣＭＰ法により除去する。これにより、配線溝５ａ内に、バリアメタル層６を介して導電層７を埋め込んでなる第１金属配線Ｍ１を形成する。
【００３５】
その後、図４（４）に示すように、第１金属配線Ｍ１および無機絶縁膜４上に、ＳｉＣＮからなるエッチングストッパ膜１０、ＳｉＯＣからなる無機絶縁膜１１、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）からなる有機絶縁膜１２、ＳｉＯＣからなる無機絶縁膜１３をこの順に成膜する。各材質からなる各膜１０〜１３の成膜は、図１を用いて説明した各材質の各膜２〜４の成膜と同様に行われる。
【００３６】
次に、無機絶縁膜１３上に、第１ハードマスク１４と第２ハードマスク１５とを形成する。第１ハードマスク１４は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなり、接続孔１６ｂが形成されている。また第２ハードマスク１５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜からなり、配線溝１６ａが形成されている。
【００３７】
これらのハードマスク１４，１５の形成では、先ず、無機絶縁膜１３上に、第１ハードマスク用のＳｉＮ膜を成膜し、次いで第２ハードマスク用のＳｉＯ2膜を成膜する。次に、レジストパターンを用いたエッチングによりＳｉＯ2膜に配線溝１６ａのパターンを形成して第２ハードマスク（ＳｉＯ2）１５とする。次にレジストパターンを除去した後、再びレジストパターンを形成し、当該レジストパターンを用いたエッチングにより、ＳｉＮ膜に接続孔１６ｂのパターンを形成して第１ハードマスク（ＳｉＮ）１４とする。図示はしないが、第１ハードマスク（ＳｉＮ）１４の形成に用いたレジストパターンは残しておいてよい。
【００３８】
その後、図４（５）に示すように、第１ハードマスク１４をエッチングマスクとして、無機絶縁膜１３をドライエッチングし、さらに有機絶縁膜１２をドライエッチングする。これにより、無機絶縁膜１３および有機絶縁膜１２に接続孔１６ｂが形成される。尚、第１ハードマスク１４を加工する際に用いたレジストパターンは、有機絶縁膜１２のドライエッチングにおいて除去される。
【００３９】
次に、図４（６）に示すように、第２ハードマスク１５をエッチングマスクとして、第１ハードマスク１４をドライエッチングして、第１ハードマスク１４に配線溝１６ａのパターンを形成する。このとき、ＳｉＯＣからなる無機絶縁膜１１の一部がエッチングされて、無機絶縁膜１１の途中の深さまで接続孔１６ｂが形成される。
【００４０】
次に、図５（７）に示すように、第２ハードマスク１５上から、第１ハードマスク１４をエッチングマスクとして、無機絶縁膜１３をドライエッチングすることにより、無機絶縁膜１３に配線溝１６ａを形成する。このとき、無機絶縁膜１１もエッチングされて、エッチングストッパ膜１０に達する接続孔１６ｂが形成される。また、このときのドライエッチングにより、ＳｉＯ2からなる第２ハードマスク１５が除去される。
【００４１】
次に、図５（８）に示すように、第１金属配線Ｍ１上のエッチングストッパ膜１０をドライエッチングして、エッチングストッパ膜１０に接続孔１６ｂを形成する。このエッチングにより、ＳｉＮからなる第１ハードマスク１４は除去される。
【００４２】
次に、図５（９）に示すように、無機絶縁膜１３をエッチングマスクとして、有機絶縁膜１２をエッチングすることにより、有機絶縁膜１２に配線溝１６ａを形成する。また以上のドライエッチングの後には、渣残除去のための薬液処理を行う。
【００４３】
尚、上述したような配線溝１６ａおよび接続孔１６ｂの形成に際して行われるドライエッチングは、図１を用いて説明した無機絶縁膜４のエッチングおよび有機絶縁膜３のエッチングと同様のエッチングガスを用いて行われる。また、その後の渣残除去のための薬液処理も、図１を用いて説明したと同様の薬液を用いて行われる。
【００４４】
そして、これらのドライエッチングおよび薬液処理により、エッチングストッパ膜１０、無機絶縁膜１１、有機絶縁膜１２、および無機絶縁膜１３の露出表面層には、図１，２を用いて説明したと同様のダメージ成分の結合によるダメージ層Ａが発生した状態となっている。
【００４５】
そこで、図６（１０）に示すように、上述したドライエッチングや薬液処理によってエッチングストッパ膜１０、無機絶縁膜１１、有機絶縁膜１２、および無機絶縁膜１３の露出表面層に加えられたダメージ層（Ａ）を回復するための処理を行う。ここで行うダメージ回復処理は、図３（１）を用いて説明したと同様に行われ、例えば、修復ガスＧの雰囲気内において電子線（ＥＢ）または紫外線（ＵＶ）を照射することにより行われる。
【００４６】
次に、図６（１１）に示すように、接続孔１６ｂおよび配線溝１６ａの内壁を被覆するように、層間絶縁膜１０上にバリアメタル層１６を形成する。バリアメタル層１６として、例えば窒化タンタルとタンタルの積層膜を形成する。続いて、接続孔１６ｂおよび配線溝１６ａを埋め込むように層間絶縁膜１０上に例えば銅からなる導電層１７を形成する。
【００４７】
次に、図７（１２）に示すように、接続孔１６ｂおよび配線溝１６ａ内のみにバリアメタル層１６および導電層１７を残すように、無機絶縁膜１３上の導電層１７およびバリアメタル層１６をＣＭＰ法により除去する。これにより、配線溝１６ａ内に、バリアメタル層１６を介して導電層１７を埋め込んでなる第２金属配線Ｍ２を形成し、また接続孔１６ｂ内にバリアメタル層１６を介して導電層１７を埋め込んでなるコンタクトＣを形成する。
【００４８】
次に、図７（１３）に示すように、第２金属配線Ｍ２および無機絶縁膜１３上に、例えばＳｉＣＮからなるエッチングストッパ膜１８を形成する。
【００４９】
以降の工程としては、同様にして、無機絶縁膜や有機絶縁膜の成膜工程、これらのら絶縁膜のエッチングによる配線溝および接続孔の形成工程、エッチングによるダメージを回復させる工程、および導電層の埋め込み工程を経ることにより、多層配線構造の半導体装置が製造される。
【００５０】
以上説明した実施形態の製造方法によれば、図３（１）および図６（１０）を用いて説明したように、ドライエッチングによって絶縁膜に配線溝５ａ，１６ａや接続孔１６ｂを形成し、さらに薬液処理を行った後に、絶縁膜の表面層に結合したダメージ成分を電子線照射または紫外線照射によって除去するダメージの回復処理を行うにした。これにより、従来の熱処理のみよるダメージ成分の除去と比較して、下地に熱的ダメージを加えることなく絶縁膜の回復処理を行うことが可能になる。
【００５１】
そして、下地への熱的ダメージを抑えたことにより、下層配線におけるマイグレーション耐性を維持することが可能である。
【００５２】
また、絶縁膜に加えられたダメージの回復処理を行うことで、バリアメタル層６，１６と絶縁膜２〜４の密着性を確保することができる。これにより、バリアメタル層６，１６および導電層７，１７をＣＭＰ法により除去する工程においてのバリアメタル層６，１６の剥離を防止することができる。さらに、このようなダメージの回復処理により、ＰＡrやＳｉＯＣのような低誘電率材料からなる有機絶縁膜３および無機絶縁膜４においての誘電率の上昇が防止される。特に、エッチングプロセスにおいてダメージを受け易い低誘電率多孔質膜を絶縁膜として用いた場合であっても、誘電率の上昇を防止できると共に、これを覆うバリアメタル層との間の剥がれによる断線を防止できる。
【００５３】
この結果、下地配線、（例えば図６（１０）における第１金属配線Ｍ１）のマイグレーション耐性を維持できると共に、絶縁膜における誘電率の上昇や次に形成するバリアメタル層および銅配線膜の腐食や剥がれを確実に防止し、配線容量及びリーク電流の増大を抑えた半導体装置を得ることができる。
【００５４】
尚上述した実施形態においては、ドライエッチングや薬液処理などのエッチング加工によって絶縁膜に生じたダメージを回復する手順を説明した。しかしながら、実施形態で説明したダメージ回復処理は、エッチング加工によって絶縁膜に生じたダメージの回復に限定されることはない。例えば、図７で説明したＣＭＰ工程の後に、図３（１）で説明したと同様のダメージ回復処理を行うことで、ＣＭＰ処理によって絶縁膜に加えられたダメージの回復を図ることが可能であり、実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
さらに、上述したダメージを回復する手段は、エッチング加工やＣＭＰ処理などの加工処理の途中で行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。
【図２】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。
【図３】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その３）である。
【図４】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その４）である。
【図５】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その５）である。
【図６】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その６）である。
【図７】実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その７）である。
【符号の説明】
【００５７】
１…半導体基板、２，１０…エッチングストッパ膜、３，１２…有機絶縁膜、４，１１，１３…無機絶縁膜、５ａ…配線溝（溝パターン）、７…導電層、１６ａ…配線溝（溝パターン）、１６ｂ…接続孔（溝パターン）、Ｇ…修復ガス
【図１】
2007317817.tif 000003
【図２】
2007317817.tif 000004
【図３】
2007317817.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007317817.tif 000007
【図６】
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【図７】
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