(57)【要約】【課題】基板の塗布乾燥処理のスループットを向上する。【解決手段】直線的な搬送ラインＡ上に，レジスト塗布処理ユニット２４と２つの減圧乾燥ユニット２５，２６を連続して設ける。レジスト塗布処理ユニット２４において，２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２が前後に連続してノズル８０の下方を通過し連続してレジスト液が塗布される。初めにレジスト液の塗布が終了したガラス基板Ｇ１は，搬送ラインＡに沿ってコロ搬送され，減圧乾燥ユニット２５を通過し，減圧乾燥ユニット２６において減圧乾燥される。次にレジスト液の塗布が終了したガラス基板Ｇ２は，搬送ラインＡに沿ってコロ搬送され，減圧乾燥ユニット２５において減圧乾燥される。減圧乾燥の終了したガラス基板Ｇ１は，搬送ラインＡに沿って下流側の加熱処理ユニットに搬送され，ガラス基板Ｇ２は，減圧乾燥ユニット２６を通過して加熱処理ユニットに搬送される。【選択図】図６
2007173365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を塗布し，その基板を乾燥する塗布乾燥処理システムであって，
基板を水平方向に搬送する基板搬送路を備え，
前記基板搬送路上には，基板に塗布液を塗布する塗布処理部と，基板を乾燥させる複数の乾燥処理部が上流側から下流側に向けて直列的に設けられ，
前記各乾燥処理部は，基板の乾燥処理を行わずに基板を基板搬送路の下流側に通過させる機能と，基板を停止させ基板の乾燥処理を行う機能を有することを特徴とする，塗布現像処理システム。
【請求項２】
前記基板搬送路上の塗布処理部には，通過する基板に塗布液を吐出するノズルが設けられていることを特徴とする，請求項１に記載の塗布乾燥処理システム。
【請求項３】
前記塗布処理部では，前記乾燥処理部の数以下の複数の基板を連続的に搬送し，前記ノズルによる吐出により前記複数の基板に連続的に塗布液を塗布できることを特徴とする，請求項２に記載の塗布乾燥処理システム。
【請求項４】
前記連続的に塗布液が塗布される複数の基板が，塗布の終了した基板から順に，空の乾燥処理部のうちの最も下流側にある乾燥処理部に搬送されることを特徴とする，請求項３に記載の塗布乾燥処理システム。
【請求項５】
前記塗布処理部において基板に塗布液が塗布されてから前記乾燥処理部において基板の乾燥が開始されるまでの時間が，基板相互間において一定に制御されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の塗布乾燥処理システム。
【請求項６】
基板に塗布液を塗布し，その後基板を乾燥する塗布乾燥処理方法であって，
基板を水平方向に搬送する基板搬送路上に，基板に塗布液を塗布する塗布処理部と，基板を乾燥させる複数の乾燥処理部が上流側から下流側に向けて直列的に設けられ，
前記各乾燥処理部では，基板の乾燥処理を行わずに基板を基板搬送路の下流側に通過させたり，基板を停止させて基板の乾燥処理を行うことを特徴とする，塗布乾燥処理方法。
【請求項７】
前記塗布処理部において，通過する基板にノズルから塗布液を吐出することによって，基板に塗布液を塗布することを特徴とする，請求項６に記載の塗布乾燥処理方法。
【請求項８】
前記塗布処理部において，前記乾燥処理部の数以下の複数の基板を連続的に搬送し，前記ノズルによる吐出により前記複数の基板に連続的に塗布液を塗布し，その連続的に塗布液が塗布される複数の基板を，塗布の終了した基板から順に，空の乾燥処理部のうちの最も下流側にある乾燥処理部に搬送し，前記複数の基板をそれぞれ別の乾燥処理部において乾燥することを特徴とする，請求項７に記載の塗布乾燥処理方法。
【請求項９】
前記塗布処理部において基板に塗布液が塗布されてから前記乾燥処理部において基板の乾燥が開始されるまでの時間を，基板相互間において一定にすることを特徴とする，請求項６〜８のいずれかに記載の塗布乾燥処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板に塗布液を塗布し，その基板を乾燥する塗布乾燥処理システムと，塗布乾燥処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば，液晶ディスプレイの製造プロセスのフォトリソグラフィ工程では，ガラス基板上にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理と，そのレジスト液が塗布されたガラス基板を乾燥させる乾燥処理が順に行われている。
【０００３】
上述のレジスト塗布処理と乾燥処理は，例えばレジスト塗布処理装置と減圧乾燥処理装置を隣接して備えた基板搬送ラインにおいて，連続的に行われている（特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら，この場合，レジスト塗布処理よりも時間の長い乾燥処理に律束され，基板搬送ラインおける処理タクトが短縮できず，スループットを十分に上げることができなかった。この問題を解決するために，例えば塗布処理ユニットの周囲に隣接するように複数の乾燥処理ユニットを配置し，専用の垂直搬送ユニットによって塗布処理ユニットの基板を各乾燥処理ユニットに搬送することが提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３４９１８号公報
【特許文献２】特開２００５−１４２３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，上述の場合，塗布処理ユニットと乾燥処理ユニットの間に大型の専用の垂直搬送ユニットが必要になり，フットプリントが増大する。また，垂直搬送ユニットに対して，基板の搬送先の切り替えなどの厳格な搬送制御を行う必要があるため，その搬送制御のためのコストがかかる。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ガラス基板などの基板にレジスト液などの塗布液を塗布し，その基板を乾燥する場合において，上述のような垂直搬送ユニットを用いずに，スループットを向上することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は，基板に塗布液を塗布し，その基板を乾燥する塗布乾燥処理システムであって，基板を水平方向に搬送する基板搬送路を備え，前記基板搬送路上には，基板に塗布液を塗布する塗布処理部と，基板を乾燥させる複数の乾燥処理部が上流側から下流側に向けて直列的に設けられ，前記各乾燥処理部は，基板の乾燥処理を行わずに基板を基板搬送路の下流側に通過させる機能と，基板を停止させ基板の乾燥処理を行う機能を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば，塗布処理部のある基板搬送路上に複数の乾燥処理部が設けられ，各乾燥処理部は，基板を通過させることができるので，塗布処理部で連続的に塗布された基板を順次別個の乾燥処理部に搬送して乾燥することができる。このため，基板搬送路における処理タクトを短縮して，スループットを向上できる。また，従来のように垂直搬送ユニットを用いないので，フットプリントを増大することがなく，また，垂直搬送ユニットのための搬送制御のコストも必要ない。
【００１０】
前記基板搬送路上の塗布処理部には，通過する基板に塗布液を吐出するノズルが設けられていてもよい。
【００１１】
前記塗布処理部では，前記乾燥処理部の数以下の複数の基板を連続的に搬送し，前記ノズルによる吐出により前記複数の基板に連続的に塗布液を塗布できてもよい。
【００１２】
前記塗布乾燥処理システムにおいて，前記連続的に塗布液が塗布される複数の基板が，塗布の終了した基板から順に，空の乾燥処理部のうちの最も下流側にある乾燥処理部に搬送されるようにしてもよい。
【００１３】
前記塗布処理部において基板に塗布液が塗布されてから前記乾燥処理部において基板の乾燥が開始されるまでの時間が，基板相互間において一定に制御されていてもよい。
【００１４】
別の観点による本発明は，基板に塗布液を塗布し，その後基板を乾燥する塗布乾燥処理方法であって，基板を水平方向に搬送する基板搬送路上に，基板に塗布液を塗布する塗布処理部と，基板を乾燥させる複数の乾燥処理部が上流側から下流側に向けて直列的に設けられ，前記各乾燥処理部では，基板の乾燥処理を行わずに基板を基板搬送路の下流側に通過させたり，基板を停止させて基板の乾燥処理を行うことを特徴とする。
【００１５】
前記塗布処理部において，通過する基板にノズルから塗布液を吐出することによって，基板に塗布液を塗布するようにしてもよい。
【００１６】
前記塗布処理部において，前記乾燥処理部の数以下の複数の基板を連続的に搬送し，前記ノズルによる吐出により前記複数の基板に連続的に塗布液を塗布し，その連続的に塗布液が塗布される複数の基板を，塗布の終了した基板から順に，空の乾燥処理部のうちの最も下流側にある乾燥処理部に搬送し，前記複数の基板をそれぞれ別の乾燥処理部において乾燥するようにしてもよい。
【００１７】
前記塗布処理部において基板に塗布液が塗布されてから前記乾燥処理部において基板の乾燥が開始されるまでの時間を，基板相互間において一定にするようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば，従来のように垂直搬送ユニットを用いる必要がないので，フットプリントを増大することなく，また搬送制御のためのコストをかけずに，基板処理のスループットを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗布乾燥処理システムが搭載された塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００２０】
塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば複数のガラス基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットが配置された処理ステーション３と，処理ステーションに３に隣接して設けられ，処理ステーション３と露光装置４との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
カセットステーション２には，カセット載置台１０が設けられ，当該カセット載置台１０は，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には，搬送路１１上をＸ方向に向かって移動可能な基板搬送体１２が設けられている。基板搬送体１２は，カセットＣに収容されたガラス基板Ｇの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のガラス基板Ｇに対して選択的にアクセスできる。
【００２２】
基板搬送体１２は，Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション３側のエキシマＵＶ照射ユニット２０や冷却処理ユニット３３に対してもアクセスできる。
【００２３】
処理ステーション３は，例えばＹ方向（図１の左右方向）に延びる２列の搬送ラインＡ，Ｂを備えている。この搬送ラインＡ，Ｂは，コロ搬送やアームによる搬送などにより，ガラス基板Ｇを水平方向に直線的に搬送できる。処理ステーション３の正面側（Ｘ方向負方向側（図１の下側））にある基板搬送路としての搬送ラインＡには，カセットステーション２側からインターフェイスステーション５側に向けて順に，例えばガラス基板Ｇ上の有機物を除去するエキシマＵＶ照射ユニット２０，ガラス基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄ユニット２１，ガラス基板Ｇを加熱処理する加熱処理ユニット２２，ガラス基板Ｇを冷却処理する冷却処理ユニット２３，ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する塗布処理部としてのレジスト塗布処理ユニット２４，ガラス基板Ｇを減圧乾燥する乾燥処理部としての減圧乾燥ユニット２５，２６，加熱処理ユニット２７，冷却処理ユニット２８及び，基板Ｇを一時的に待機させるアウトステージ２９が直線的に一列に配置されている。
【００２４】
処理ステーション３の背面側（Ｘ方向正方向側（図１の上方側））の搬送ラインＢには，インターフェイスステーション５側からカセットステーション２側に向けて順に，例えばガラス基板Ｇを現像処理する現像処理ユニット３０，ガラス基板Ｇの脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニット３１，加熱処理ユニット３２及び冷却処理ユニット３３が直線状に一列に配置されている。
【００２５】
搬送ラインＡのアウトステージ２９と搬送ラインＢの現像処理ユニット３２との間には，この間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４０が設けられている。この搬送体４０は，後述するインターフェイスステーション５のエクステンション・クーリングユニット６０に対してもガラス基板Ｇを搬送できる。
【００２６】
インターフェイスステーション５には，例えば冷却機能を有しガラス基板Ｇの受け渡しを行うエクステンション・クーリングユニット６０と，ガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファカセット６１と，外部装置ブロック６２が設けられている。外部装置ブロック６２には，ガラス基板Ｇに生産管理用のコードを露光するタイトラーと，ガラス基板Ｇの周辺部を露光する周辺露光装置が設けられている。インターフェイスステーション５には，上記エクステンション・クーリングユニット６０，バッファカセット６１，外部装置ブロック６２及び露光装置４に対して，ガラス基板Ｇを搬送可能な基板搬送体６３が設けられている。
【００２７】
次に，本実施の形態にかかる塗布乾燥処理システムを構成するレジスト塗布処理ユニット２４と減圧乾燥ユニット２５，２６の構成について説明する。
【００２８】
例えばレジスト塗布処理ユニット２４には，例えば図２及び図３に示すように搬送ラインＡに沿ったＹ方向に長いステージ７０が設けられている。ステージ７０の上面には，図３に示すように多数のガス噴出口７１が形成されている。ステージ７０の幅方向（Ｘ方向）の両側には，Ｙ方向に延びる一対の第１のガイドレール７２が形成されている。第１のガイドレール７２には，ガラス基板Ｇの幅方向の両端部を保持して第１のガイドレール７２上を移動する２つの保持アーム７３，７４がそれぞれ設けられている。ガス噴出口７１からガスを噴出することにより，ガラス基板Ｇを浮上させ，その浮上したガラス基板Ｇを保持アーム７３又は７４により保持して，ガラス基板Ｇを搬送ラインＡに沿って移動させることができる。２つの保持アーム７３，７４により，ステージ７０上で２枚のガラス基板Ｇを同時に搬送できる。
【００２９】
レジスト塗布処理ユニット２４のステージ７０上には，ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル８０が設けられている。ノズル８０は，例えば図３及び図４に示すようにＸ方向に向けて長い略直方体形状に形成されている。ノズル８０は，例えばガラス基板ＧのＸ方向の幅よりも長く形成されている。ノズル８０の下端部には，図４に示すようにスリット状の吐出口８０ａが形成されている。ノズル８０の上部には，レジスト液供給源８１に通じるレジスト液供給管８２が接続されている。
【００３０】
図３に示すようにノズル８０の両側には，Ｙ方向に延びる第２のガイドレール８３が形成されている。ノズル８０は，第２のガイドレール８３上を移動するノズルアーム８４によって保持されている。ノズル８０は，ノズルアーム８４の駆動機構により，第２のガイドレール８３に沿ってＹ方向に移動できる。また，例えばノズルアーム８４には，昇降機構が設けられており，ノズル８０は，所定の高さに昇降できる。かかる構成により，ノズル８０は，ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する吐出位置Ｅと，それよりＹ方向負方向側にある後述する回転ロール９０及び待機部９１との間を移動できる。
【００３１】
図２及び図３に示すようにノズル８０の吐出位置Ｅよりも上流側，つまりノズル８０の吐出位置ＥのＹ方向負方向側には，ノズル８０の試し出しが行われる回転ロール９０が設けられている。回転ロール９０は，回転軸をＸ方向に向けて，例えばノズル８０よりも長く形成されている。回転ロール９０は，例えばこの回転ロール９０を洗浄するための洗浄タンク９１内に収容されている。回転ロール９０の最上部にノズル８０の吐出口８０ａを近接させ，回転ロール９０を回転させながら，吐出口８０ａから回転ロール９０にレジスト液を吐出することにより，ノズル８０の吐出口８０ａにおけるレジスト液の付着状態を整えて，レジスト液の吐出状態を安定させることができる。
【００３２】
回転ロール９０のさらに上流側には，ノズル８０の待機部９２が設けられている。この待機部９２には，例えばノズル８０を洗浄する機能やノズル８０の乾燥を防止する機能が設けられている。
【００３３】
以上のように構成されたレジスト塗布処理ユニット２４より下流側の搬送ラインＡ，つまりレジスト塗布処理ユニット２４からアウトステージ２９までの搬送ラインＡには，複数のロールＲが直線的に並べられており，ガラス基板Ｇをコロ搬送できる。
【００３４】
減圧乾燥ユニット２５，２６は，図５に示すようにそのコロ搬送の搬送ラインＡ上に上流側から下流側に向けて直列的に並べて設けられている。減圧乾燥ユニット２５は，ロールＲ上のガラス基板Ｇを収容する減圧チャンバ１００を備えている。減圧チャンバ１００の搬送ラインＡの上流側（Ｙ方向負方向側）の側壁には，搬入口１０１が形成されている。搬入口１０１には，ゲートバルブ１０２が設けられている。減圧チャンバ１００の下流側（Ｙ方向正方向側）の側壁には，搬出口１０３が形成されており，その搬出口１０３には，ゲートバルブ１０４が設けられている。減圧チャンバ１００の上壁には，真空ポンプなどの負圧発生装置１０５に連通する排気管１０６が接続されている。ゲートバルブ１０２，１０４を閉じて，排気管１０６から排気することにより，減圧チャンバ１００内を減圧して，減圧チャンバ１００内のガラス基板Ｇを乾燥させることができる。また，ゲートバルブ１０２，１０４を開放することによって，搬入口１０１から入って減圧チャンバ１００内を通り搬出口１０３から出る搬送通路を形成できる。
【００３５】
減圧乾燥ユニット２６は，減圧乾燥ユニット２５と同様の構成を有している。減圧乾燥ユニット２６は，減圧チャンバ１１０を備え，その減圧チャンバ１１０の上流側の側壁に，搬入口１１１とゲートバルブ１１２を備え，下流側の側壁に搬出口１１３とゲートバルブ１１４を備えている。減圧チャンバ１１０の上壁には，負圧発生装置１１５に通じる排気管１１６が接続されている。
【００３６】
以上のように減圧乾燥ユニット２５，２６は，搬送ラインＡのロールＲに沿って設けられているので，ガラス基板Ｇを搬入し停止させて乾燥処理を行うことができ，また，ガラス基板Ｇを乾燥処理せずに下流側に通過させることもできる。
【００３７】
なお，搬送アーム７３，７４の駆動などのレジスト塗布処理ユニット２４の動作，減圧乾燥ユニット２５，２６のゲートバルブや負圧発生装置などの動作及びロールＲの動作などは，例えば図１に示す制御部１２０により制御されている。制御部１２０は，これらのレジスト塗布ユニット２４や減圧乾燥ユニット２５，２６，ロールＲなどの動作を制御して，ガラス基板Ｇに所定の塗布乾燥処理を施すことができる。
【００３８】
次に，以上のように構成された塗布乾燥処理システムにおける塗布乾燥処理のプロセスを，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００３９】
先ず，カセットステーション２のカセットＣ内の複数のガラス基板Ｇが，基板搬送体１２によって，順に処理ステーション３のエキシマＵＶ照射ユニット２０に搬送される。ガラス基板Ｇは，搬送ラインＡに沿って，エキシマＵＶ照射ユニット２０，スクラバ洗浄ユニット２１，加熱処理ユニット２２，冷却処理ユニット２３，レジスト塗布処理ユニット２４及び減圧乾燥ユニット２５又は２６，加熱処理ユニット２７及び冷却処理ユニット２８に順に搬送され，各処理ユニットにおいて所定の処理が施される。冷却処理の終了したガラス基板Ｇは，アウトステージ２９に搬送される。その後，ガラス基板Ｇは，搬送体４０によって，インターフェイスステーション５に搬送され，基板搬送体６３によって露光装置４に搬送される。
【００４０】
露光装置４において露光処理の終了したガラス基板Ｇは，基板搬送体６３によってインターフェイスステーション５に戻され，搬送体４０によって処理ステーション３の現像処理ユニット３０に搬送される。ガラス基板Ｇは，搬送ラインＢに沿って，現像処理ユニット３０，ｉ線ＵＶ照射ユニット３１，加熱処理ユニット３２及び冷却処理ユニット３３に順に搬送され，各処理ユニットにおいて所定の処理が施される。冷却処理ユニット３３において冷却処理の終了したガラス基板Ｇは，基板搬送体１２によってカセットステーション２のカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４１】
次に，塗布乾燥処理のプロセスについて説明する。図６〜図９は，かかる塗布乾燥処理の各段階における塗布乾燥処理システムの状態を示す説明図である。
【００４２】
先ず，図６（ａ）に示すように例えば２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２が前後に繋がった状態でレジスト塗布処理ユニット２４のステージ７０上で待機する。このとき，ガラス基板Ｇ１，Ｇ２は，それぞれ保持アーム７３，７４によって保持されている。この待機中に，ノズル８０は，図２に示すように待機部９２から回転ロール９０上に移動する。回転ロール９０が回転した状態で，ノズル８０から回転ロール９０にレジスト液が吐出されて，レジスト液の試し出しが行われる。その後，ノズル８０が，所定の吐出位置Ｅに移動する。そして，図６（ｂ）に示すように前のガラス基板Ｇ０が減圧乾燥ユニット２５から搬出された後に，ステージ７０上の２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２が，保持アーム７３，７４によって同時に一体となってＹ方向正方向側に搬送される。このとき，ノズル８０からレジスト液が吐出され，ノズル８０の下方を連続して通過するガラス基板Ｇ１，Ｇ２にレジスト液が連続して塗布される。
【００４３】
前方のガラス基板Ｇ１がノズル８０の下方を通過し，レジスト液の塗布が終了した時点で，図７（ａ）に示すようにガラス基板Ｇ１は，搬送ラインＡ上をロールＲによって下流側に搬送され，減圧乾燥ユニット２５を通過し減圧乾燥ユニット２６に搬送される。ガラス基板Ｇ１は，図７（ｂ）に示すように減圧チャンバ１１０の中央のロールＲ上で停止され，出入口のゲートバルブ１１２，１１４が閉じられる。その後，排気管１１６から減圧チャンバ１１０内の雰囲気が真空引きされ，減圧チャンバ１１０内が減圧されて，ガラス基板Ｇ１上のレジスト液の乾燥が開始される。
【００４４】
後方のガラス基板Ｇ２は，ガラス基板Ｇ１に続いてノズル８０の下方を通過する。ノズル８０は，レジスト液の吐出を停止することなく，ガラス基板Ｇ２にレジスト液を塗布する。ノズル８０の下方を通過してレジスト液が塗布されたガラス基板Ｇ２は，図８（ａ）に示すように搬送ラインＡ上をロールＲによって減圧乾燥ユニット２５に搬送される。ガラス基板Ｇ２の塗布後，ノズル８０の吐出は停止され，ノズル８０は，一旦待機部９２に戻される。
【００４５】
減圧乾燥ユニット２５に搬送されたガラス基板Ｇ２は，図８（ｂ）に示すように減圧チャンバ１００の中央で停止され，出入口のゲートバルブ１０２，１０４が閉じられる。その後，排気管１０６から減圧チャンバ１００内の雰囲気が真空引きされ，減圧チャンバ１００内が減圧されて，ガラス基板Ｇ２上のレジスト液の乾燥が開始される。なお，ガラス基板Ｇ２が減圧乾燥ユニット２５に搬送されると，保持アーム７３によって次のガラス基板Ｇ３がステージ７０上に搬入される。
【００４６】
減圧乾燥ユニット２６における所定時間の乾燥処理が終了すると，図９（ａ）に示すようにゲートバルブ１１２，１１４が開放され，ガラス基板Ｇ１が搬送ラインＡ上のロールＲにより下流側の加熱処理ユニット２７に搬送される。例えばこの時までに，次の２枚のガラス基板Ｇ３，Ｇ４が上述のガラス基板Ｇ１，Ｇ２と同様に前後に繋がった状態でステージ７０上に待機する。また，ノズル８０は，待機部９２から回転ロール９０上に移動し，試し出しを終えて，吐出位置に戻される。
【００４７】
その後，減圧乾燥ユニット２５において乾燥処理が終了すると，図９（ｂ）に示すようにゲートバルブ１０２，１０４が開放され，ガラス基板Ｇ２が搬送ラインＡ上のロールＲによって，減圧乾燥ユニット２６を通過し，加熱処理ユニット２７に搬送される。ガラス基板Ｇ２が減圧乾燥ユニット２５から搬出されると，上述のガラス基板Ｇ１，Ｇ２と同様に次のガラス基板Ｇ３，Ｇ４がＹ方向正方向側に移動し，レジスト液が塗布される。このように，２枚のガラス基板Ｇの塗布乾燥処理が連続的に繰り返され，所定枚数のガラス基板Ｇが処理される。なお，この一連の塗布乾燥処理は，制御部１２０の制御により実現されている。
【００４８】
以上の実施の形態によれば，２つの減圧乾燥ユニット２５，２６を搬送ラインＡ上に直列的に設けて，時にはガラス基板Ｇを乾燥処理せずに通過させ，時にはガラス基板Ｇを乾燥処理できるようにしたので，連続的に塗布処理された２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２を，直列配置された各減圧乾燥ユニット２６，２５に搬送して同時期に乾燥させることができる。このため，乾燥処理時間が塗布処理時間よりも長くても，基板を短いタクトで処理でき，スループットを向上できる。また，従来のように垂直搬送ユニットを用いる必要がないので，装置のフットプリントが増大することがなく，また垂直搬送ユニットの搬送制御のためのコストもかからない。
【００４９】
減圧乾燥ユニットと同じ数の２枚のガラス基板Ｇを，レジスト塗布処理ユニット２４において連続して塗布処理したので，塗布処理終了後直ちに各ガラス基板Ｇをそれぞれの減圧乾燥ユニットに搬送できる。これにより，塗布処理から乾燥処理までの時間が短縮され，その間の例えば外乱の影響によりレジスト液の塗布状態が変動することが抑制される。
【００５０】
また，連続塗布されたガラス基板Ｇ１，Ｇ２を，空いている下流側の減圧乾燥ユニットから順に入れるようにしたので，総てのガラス基板を減圧乾燥ユニットに収容できる。
【００５１】
以上の実施の形態では，塗布処理の終了したガラス基板Ｇ１，Ｇ２が順に減圧乾燥ユニット２６，２５に搬送され，各ガラス基板Ｇ１，Ｇ２は，減圧乾燥ユニットに搬入されると直ちに乾燥処理が開始されている。このような場合，ガラス基板Ｇ１の方がガラス基板Ｇ２よりも，減圧乾燥ユニットが遠くにある分，レジスト液が塗布されてから乾燥処理が開始されるまでに時間を要する。このようにレジスト液が塗布されてから乾燥処理が開始されるまでの時間が異なると，例えば乾燥するまでのレジスト液の流動状態や熱履歴が異なるため，最終的に形成されるレジスト膜の膜厚などが基板相互間でばらつくことが考えられる。そこで，このレジスト液が塗布されてから乾燥処理が開始されるまでの所要時間Ｔが基板相互間で一定になるように制御してもよい。この場合，例えばガラス基板Ｇ２が減圧乾燥ユニット２５に搬入された後，所定時間待ってから減圧が開始される。例えばガラス基板Ｇ１の前記所要時間Ｔがガラス基板Ｇ２より５秒長い場合には，５秒間待ってからガラス基板Ｇ２の乾燥処理が開始される。こうすることによって，レジスト液が塗布されてから乾燥処理が開始されるまでの時間が一定になり，各ガラス基板Ｇに同様のレジスト膜が形成される。
【００５２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５３】
例えば以上の実施の形態では，搬送ラインＡに２つの減圧乾燥ユニット２５，２６を直列的に配置していたが，３つ以上の減圧乾燥ユニットを直列的に配置してもよい。この場合，減圧乾燥ユニットの数に応じて，ノズル８０による吐出により連続的に塗布されるガラス基板Ｇの数を設定してもよい。このガラス基板Ｇの数は，減圧乾燥ユニットの数と同じかそれより少なく設定される。
【００５４】
また，レジスト塗布処理ユニット２４において，ガラス基板Ｇは，保持アーム７３，７４により搬送されていたが，コロ搬送であってもよい。また，減圧乾燥ユニット２５，２６において，ガラス基板Ｇは，コロ搬送されていたが，搬送ラインＡに沿って移動する搬送アームによって搬送されてもよい。また，ガラス基板Ｇがノズル８０の下方を通過することによってガラス基板Ｇにレジスト液が塗布されていたが，ノズル８０がガラス基板Ｇ上を移動することによってガラス基板Ｇにレジスト液が塗布されてもよい。
【００５５】
以上の実施の形態では，減圧乾燥ユニットにおいて，減圧によりガラス基板Ｇを乾燥させていたが，加熱により乾燥させてもよい。上記実施の形態では，レジスト液の塗布乾燥処理であったが，他の塗布液の塗布乾燥処理にも本発明は適用できる。また，本発明は，ガラス基板Ｇ以外の他のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）やフォトマスク用のマスクレチクル，半導体ウェハなどの他の基板に塗布液を塗布し乾燥する場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は，基板に塗布液を塗布し乾燥させる処理のスループットを向上する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】レジスト塗布処理ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図３】レジスト塗布処理ユニットの構成の概略を示す平面図である。
【図４】ノズルの説明図である。
【図５】減圧乾燥ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図６】（ａ）は，２枚のガラス基板をレジスト塗布処理ユニットに待機させた状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。（ｂ）は，ガラス基板の塗布処理を開始した状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。
【図７】（ａ）は，塗布処理の終了した前方のガラス基板を減圧乾燥ユニットに搬送している状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。（ｂ）は，前方のガラス基板を減圧乾燥ユニットにおいて減圧乾燥させ，後方のガラス基板を塗布処理している状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。
【図８】（ａ）は，塗布処理の終了した後方のガラス基板を減圧乾燥ユニットに搬送している状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。（ｂ）は，２枚のガラス基板を減圧乾燥ユニットにおいて乾燥している状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。
【図９】（ａ）は，乾燥処理の終了した前方のガラス基板を減圧乾燥ユニットから搬出している状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。（ｂ）は，乾燥処理の終了した後方のガラス基板を減圧乾燥ユニットから搬出し，次の２枚のガラス基板の塗布処理を開始した状態の塗布乾燥処理システムを示す説明図である。
【符号の説明】
【００５８】
１    塗布現像処理装置
２４  レジスト塗布処理ユニット
２５，２６  減圧乾燥ユニット
８０  ノズル
Ａ    搬送ライン
Ｒ    ロール
Ｇ，Ｇ１，Ｇ２  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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