(57)【要約】【課題】ポンピングビームの入射損失を減らすことができるようにその構造の改善された後ポンピング垂直外部共振型面発光レーザ装置を提供する。【解決手段】その一面にポンピングビームの入射される非反射コーティング層10、該非反射コーティング層の他面に形成され、ローエルパンインデックス積層構造を有する分散ブラッグ反射器層（ＬＨＩ−ＤＢＲ）20、及び該ＬＨＩ−ＤＢＲ上に形成され、該ポンピングビームにより励起されてレーザ光を発生させる周期的利得層30を備えるレーザチップと100と、該周期的利得層と対向するように、該レーザチップの外部に設置され、該ＬＨＩ−ＤＢＲと共にレーザ共振器を構成する外部共振ミラー200とを具備する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その一面にポンピングビームが入射される非反射コーティング層、前記非反射コーティング層の他面に形成され、ローエルパンインデックス積層構造を有する分散ブラッグ反射器（ＬＨＩ−ＤＢＲ）、及び前記ＬＨＩ−ＤＢＲ上に形成され、前記ポンピングビームにより励起されてレーザ光を発生させる周期的利得層を備えるレーザチップと、
前記周期的利得層と対向するように前記レーザチップの外部に設置され、前記ＬＨＩ−ＤＢＲと共にレーザ共振器を構成する外部共振ミラーとを具備することを特徴とするＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項２】
前記ローエルパンインデックス積層構造は、
【数１】
2007173844.tif 000006
で表現される積層順序を有し、ここで、前記レーザ光の波長はλであり、Ｌはλ／４厚の低屈折率層であり、Ｈはλ／４厚の前記低屈折率層よりも屈折率が大きい高屈折率層であり、Ｎは反復積層数であり、０より大きい整数であることを特徴とする請求項１に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項３】
前記低屈折率層と高屈折率層は、それぞれＡｌＧａＡｓ及びＡｌＡｓから形成されたことを特徴とする請求項２に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項４】
前記非反射コーティング層にポンピングビームを照射するように設置される光学ポンプをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項５】
前記ポンピングビームの波長λ０は、７００ｎｍないし９００ｎｍ範囲であることを特徴とする請求項４に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項６】
前記ＬＨＩ−ＤＢＲは、前記ポンピングビームに対して低反射特性を有することを特徴とする請求項５に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項７】
前記周期的利得層は、複数の量子ウェル層とバリア層とを備えることを特徴とする請求項１に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項８】
前記非反射コーティング層は、透光性絶縁物質から形成されることを特徴とする請求項１に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項９】
前記非反射コーティング層は、前記ポンピングビーム波長λ０の１／４の厚さに形成されたことを特徴とする請求項８に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項１０】
前記非反射コーティング層は、単層または多層構造に形成されたことを特徴とする請求項９に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項１１】
前記透光性絶縁物質は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３からなるグループから選択されたいずれか１つの物質であることを特徴とする請求項１０に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項１２】
前記レーザチップから発生する熱を吸収し、レーザチップの外部に放出させるヒートスプレッダをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項１３】
前記ヒートスプレッダは、ダイアモンド、シリコンカーバイド及びＡｌ２Ｏ３からなるグループから選択されたいずれか１つの物質から形成されたことを特徴とする請求項１２に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【請求項１４】
前記ヒートスプレッダは、前記周期的利得層の上部に設置されるか、または前記ＬＨＩ−ＤＢＲと非反射コーティング層との間に設置されることを特徴とする請求項１２に記載のＶＥＣＳＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直外部共振型面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）素子に係り、さらに詳細には、ＶＥＣＳＥＬ素子の駆動時にポンピングビームの入射損失を減らすことができるように、その構造の改善されたＶＥＣＳＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、非常に狭いスペクトルの単一縦モード発振を行うだけではなく、ビームの放射角が小さくて接続効率が高く、面発光の構造上、他の装置の集積が容易であるという特徴がある。
【０００３】
しかし、従来のＶＣＳＥＬで、通常の単一横モード動作のためには、発振領域の面積が１０μｍ以下にならなければならず、かかる場合でさえ、光出力の増大による熱的レンズ効果（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｌｅｎｓ  Ｅｆｆｅｃｔ）などの影響により、多重モード状態に変わるために、単一横モードによる最大出力は、一般的に５ｍＷ以上を超えられない。
【０００４】
前述のＶＣＳＥＬの長所を生かすと共に、高出力動作を具現するために提示された新しい装置がＶＥＣＳＥＬである。前記ＶＥＣＳＥＬは、上部反射層（Ｕｐｐｅｒ  ＤＢＲ）を外部反射装置に代替することによって利得領域を増加させることができるために、数Ｗクラス以上の出力を得ることができる。最近、面発光レーザが側面発光に比べ、利得体積が小さくて十分な利得を得難いという短所を最大限補完するために、周期的に量子ウェル（ＱＷ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）の配置される周期的利得構造のＶＥＣＳＥＬ素子が開発された。また、電気的ポンピングでは、大面積に均一なキャリア注入を行うのに限界があるために、高出力を得るべく光学的ポンピングを介して大面積を均一にポンピングする構造のＶＥＣＳＥＬ素子が開発された。
【０００５】
図１は、従来の後ポンピングＶＥＣＳＥＬ素子の概略的断面図であり、図２は、図１のＶＥＣＳＥＬ素子で、ポンピングビームの波長による分散ブラッグ反射器層（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）の反射度を示すグラフである。
【０００６】
図１を参照すれば、従来のＶＥＣＳＥＬは、透明基板２、前記透明基板２上に順次に積層されたＤＢＲ４、周期的利得層６、前記透明基板２にポンピングビームを照射するように設置される光学ポンプ９、及び前記周期的利得層６に対向して設置される外部共振ミラー８を具備する。ここで、前記ＤＢＲ４は、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，…、またはＬ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，…の積層構造を有する。ここで、Ｌは、λ／４厚の低屈折率層であり、Ｈは、λ／４厚の低屈折率層よりも屈折率の大きな高屈折率層であり、λは、周期的利得層６から発生するレーザ光の波長である。
【０００７】
かような構造の従来ＶＥＣＳＥＬ素子によれば、ＤＢＲ４の界面／表面で入射されるポンピングビームの３０％以上が反射され、利得領域に入射されるポンピング効率が７０％ほどと比較的低い。図２を参照すれば、８０８ｎｍ波長のポンピングビームの場合、ＤＢＲ界面で３０％ほどの反射があるということを示す。このように、ＤＢＲ界面で、入射されるポンピングビームの反射は、利得効率を低下させ、レージング効率を落とすことがある。従って、ポンピングビームの入射損失を減らし、ポンピング効率を向上させることができる構造を有するＶＥＣＳＥＬ素子の開発が要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が達成しようとする技術的課題は、前述の従来技術の問題点を改善するためのものであり、ＶＥＣＳＥＬ素子の駆動時に、ポンピングビームの入射損失を減らすことができるようにその構造の改善されたＶＥＣＳＥＬ素子を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によるＶＥＣＳＥＬ装置は、その一面にポンピングビームが入射される非反射コーティング層、前記非反射コーティング層の他面に形成され、ローエルパンインデックス（ＬＨＩ：Ｌｏｗ  Ｈｅｒｐｉｎ  Ｉｎｄｅｘ）積層構造を有する分散ブラッグ反射器層（ＬＨＩ−ＤＢＲ）、及び前記ＬＨＩ−ＤＢＲ上に形成され、前記ポンピングビームにより励起されてレーザ光を発生させる周期的利得層を備えるレーザチップと、前記周期的利得層と対向するように、前記レーザチップの外部に設置され、前記ＬＨＩ−ＤＢＲと共にレーザ共振器を構成する外部共振ミラーとを具備する。
【００１０】
ここで、前記ローエルパンインデックス積層構造は、
【００１１】
【数１】
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【００１２】
で表現される積層順序を有し、ここで、前記レーザ光の波長はλであり、Ｌはλ／４厚の低屈折率層であり、Ｈはλ／４厚の前記低屈折率層よりも屈折率が大きい高屈折率層であり、Ｎは反復積層数であり、０より大きい整数である。そして、前記低屈折率層と高屈折率層は、それぞれＡｌＧａＡｓ及びＡｌＡｓにより形成されうる。
【００１３】
前記周期的利得層は、複数の量子ウェル層とバリア層とを備える。そして、前記非反射コーティング層は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３のような透光性絶縁物質により形成され、前記ポンピングビーム波長λ０の１／４厚に形成される。かかる非反射コーティング層は、単層または多層構造に形成されうる。
【００１４】
望ましくは、本発明のＶＥＣＳＥＬ装置は、前記非反射コーティング層にポンピングビームを照射するように設置される光学ポンプをさらに具備できる。ここで、前記ポンピングビームの波長λ０は、７００ｎｍないし９００ｎｍの範囲にあり、前記ＬＨＩ−ＤＢＲは、前記ポンピングビームに対して低反射特性を有する。
【００１５】
また、本発明のＶＥＣＳＥＬ装置は、前記レーザチップから発生する熱を吸収し、レーザチップの外部に放出させるヒートスプレッダをさらに具備できる。前記ヒートスプレッダは、前記周期的利得層の上部に設置されるか、または前記ＬＨＩ−ＤＢＲと非反射コーティング層との間に設置され、かかるヒートスプレッダは、ダイアモンド、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）またはＡｌ２Ｏ３から形成される。
【００１６】
かような構成を有する本発明によれば、利得領域で光抽出及びレージング効率が大きく向上したＶＥＣＳＥＬ装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
かような構成を有する本発明によれば、ポンピングビームの入射損失が減り、ポンピング効率が向上するために、利得領域で光抽出及びレージング効率が大きく向上し、前記ＶＥＣＳＥＬ装置の光出力がさらに高まりうる。また、本発明のＶＥＣＳＥＬ装置は、その構造が簡単であって製造方法が容易であるために、製造コストが節減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明によるＶＥＣＳＥＬ装置の望ましい実施形態につき、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張されて図示されている。
【００１９】
図３は、本発明の第１実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的断面図であり、図４は、図３のＶＥＣＳＥＬ装置で、ＬＨＩ−ＤＢＲの詳細図である。
【００２０】
図３及び図４を共に参照すれば、第１実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置は、順に積層された非反射コーティング層（ＡＲＣ：Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１０と、ＬＨＩ−ＤＢＲ２０と、周期的利得層３０とを備えるレーザチップ１００、前記レーザチップ１００の非反射コーティング層１０にポンピングビームを照射する光学ポンプ３００、前記周期的利得層３０と対向するように設置され、前記ＬＨＩ−ＤＢＲと共にレーザ共振器を構成する外部共振ミラー２００を具備する。
【００２１】
前記周期的利得層３０は、前記光学ポンプ３００から入射されるポンピングビームにより励起されてレーザ光を発生させ、複数の量子ウェル層３０ａ(図４参照)とバリア層３０ｂとを備える多重量子ウェル（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を有する。かかる周期的利得層３０の構造、形成物質、形成方法は、周知であるのでこれについての詳細な説明は省略する。ここで、前記ポンピングビームの波長λ０は、７００ｎｍないし９００ｎｍの範囲にある。
【００２２】
前記ＬＨＩ−ＤＢＲ２０は、前記外部共振ミラー２００と共に共振器を構成する高反射率のミラー層であり、前記周期的利得層３０から発生したレーザ光は、前記外部共振ミラー２００とＬＨＩ−ＤＢＲ２０との間で共振されて増幅されうる。
【００２３】
本発明のＶＥＣＳＥＬ装置で、分散ブラッグ反射器は、
【００２４】
【数２】
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【００２５】
で表現されるＬＨＩ積層構造を有するＬＨＩ−ＤＢＲ２０により形成されることを特徴とする。ここで、前記レーザ光の波長はλであり、Ｌは、λ／４厚の低屈折率層であり、Ｈは、λ／４厚の前記低屈折率層よりも屈折率が大きい高屈折率層であり、Ｎは反復積層数であり、０より大きい整数である。図４を参照すれば、前記構造式で表現されたＬＨＩ−ＤＢＲ２０は、最下層と最上層とにそれぞれλ／８厚の低屈折率層（Ｌ／２）２０ａが配置され、それらの間に、λ／４厚の高屈折率層（Ｈ）２０ｂと低屈折率層（Ｌ）２０ｃとが交互に積層された構造を有する。ここで、一例として、前記低屈折率層２０ａ，２０ｃと高屈折率層２０ｂは、それぞれＡｌＧａＡｓ及びＡｌＡｓにより形成されうる。
【００２６】
前記ＬＨＩ−ＤＢＲ２０は、Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，…またはＬ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，…の積層構造を有する従来の一般的なＤＢＲ構造とは、その構造が厳格に区分されうる。
【００２７】
特に、かようなＬＨＩ積層構造で形成されたＬＨＩ−ＤＢＲ２０は、７００ｎｍないし９００ｎｍの波長のポンピングビームに対して２％以内の低反射特性を有するために、利得領域に入射されるポンピング効率が、従来７０％から９８％以上に向上しうる。従って、前記ポンピングビームの入射損失が従来よりも減り、利得領域で光抽出及びレージング効率が大きく向上し、前記ＶＥＣＳＥＬ装置の光出力がさらに高まる。
【００２８】
前記非反射コーティング層１０は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３のような透光性絶縁物質から形成され、前記ポンピングビーム波長λ０の１／４厚に形成され、前記ＬＨＩ−ＤＢＲ２０表面でのポンピングビーム反射を抑制する機能を果たす。かかる非反射コーティング層は、単層または多層構造により形成されうる。
【００２９】
前記のような構造のＶＥＣＳＥＬ装置で、前記光学ポンプ３００から放出されたポンピングビームは、前記非反射コーティング層１０とＬＨＩ−ＤＢＲ２０とを透過し、周期的利得層３０、具体的に量子ウェル層３０ａに吸収され、これにより、前記量子ウェル層３０ａ内で励起された電子と正孔とが再結合しつつ、レーザ光が放出されうる。図４に図示されたように、放出されたレーザ光は、前記ＬＨＩ−ＤＢＲ２０と外部共振ミラー３０との間で定在波（ｓｔａｎｄｉｎｇ  ｗａｖｅ）を形成する。ここで、前記レーザ光の利得効率を最大化するために、前記量子ウェル層３０ａは、前記定在波のアンチノード（ａｎｉｔ−ｎｏｄｅ）（すなわち、変位の大きさが最大になる点）に位置することが望ましい。
【００３０】
前記周期的利得層３０で発生するレーザ光の波長λは、量子ウェル層３０ａをなす元素の組成比、または量子ウェル層３０ａの厚さによって変わりうる。従って、それら二要素（組成比、厚さ）を適切に制御することにより、前記周期的利得層３０から所望の波長のレーザ光を得ることができる。前記のような構造のＶＥＣＳＥＬ装置で、レーザチップを製造する方法は、次の通りである。まず、ベース基板（図示せず）を準備した後、前記ベース基板上に順次に非反射コーティング層１０、ＬＨＩ−ＤＢＲ２０及び周期的利得層３０を形成する。ここで、それぞれの層は、半導体工程で一般的に利用される薄膜蒸着方法、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような工程により形成されうる。それら工程は、公知であるので、それについての詳細な説明は省略する。その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）のような工程で、前記ベース基板を除去する。場合によっては、ＣＭＰ工程の実施後に、湿式エッチング工程がさらに行われうる。
【００３１】
図５は、ＬＨＩ−ＤＢＲとハイエルパンインデックス分散ブラッグ反射器（ＨＨＩ−ＤＢＲ：Ｈｉｇｈ  Ｈｅｒｐｉｎ  Ｉｎｄｅｘ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）との反射率特性を相互比較して示したグラフである。ここで、前記ＨＨＩ−ＤＢＲは、
【００３２】
【数３】
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【００３３】
で表現される積層構造を有する。
【００３４】
図５を参照すれば、短波長領域、すなわち７００ｎｍないし９００ｎｍの範囲では、ＬＨＩ−ＤＢＲの反射率特性がＨＨＩ−ＤＢＲの反射率特性より優秀であることが分かる。そして、長波長領域、すなわち、１，４００ｎｍないし２，０００ｎｍの範囲では、ＨＨＩ−ＤＢＲの反射率特性がＬＨＩ−ＤＢＲの反射率特性よりも優秀であると分かる。
【００３５】
図６は、図３のＶＥＣＳＥＬ装置で、ポンピングビームの波長によるＬＨＩ−ＤＢＲの反射度を示すグラフである。ここで、従来Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，…またはＬ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，Ｌ，Ｈ，…の積層構造を有するＤＢＲの反射度が共に図示されて比較されている。
【００３６】
図７は、本発明の第２実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的な断面図である。そして、図８は、本発明の第３実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的断面図であり、図９は、図８のＶＥＣＳＥＬ装置で、ポンピングビームの波長によるＬＨＩ−ＤＢＲの反射度を示すグラフである。
【００３７】
ここで、第１実施形態と同じ構成要素については、重複する説明を省略し、同じ参照番号をそのまま使用する。第２、第３実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置は、前記第１実施形態の構成とほぼ同じであるが、前記レーザチップ１００から発生する熱を吸収し、レーザチップ１００の外部に放出させるヒートスプレッダ（ＨＳ：Ｈｅａｔ  Ｓｐｒｅａｄｅｒ）４０をさらに具備するという点に違いがある。かようなヒートスプレッダ４０は、ダイアモンド、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）またはＡｌ２Ｏ３から形成された熱吸収体である。
【００３８】
前記第２実施形態によれば、前記ヒートスプレッダ４０は、前記周期的利得層３０の上部に設置され、前記周期的利得層３０、前記ヒートスプレッダ４０は、ファンデルワールス力より相互ボンディングされる。
【００３９】
第３実施形態によれば、前記ヒートスプレッダ４０は、前記ＬＨＩ−ＤＢＲ２０と非反射コーティング層１０との間に設置される。前記第３実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置で、レーザチップは、次のような製造工程により得ることができる。まず、ベース基板（図示せず）を準備した後、前記ベース基板上に順次に、ＬＨＩ−ＤＢＲ２０及び周期的利得層３０を形成する。その後、ＣＭＰ工程により、前記ベース基板を除去する。一方、ヒートスプレッダを製造した後、前記ヒートスプレッダ４０の一面上に非反射コーティング層１０を形成する。その次に、前記ヒートスプレッダ４０の他面をＬＨＩ−ＤＢＲ２０の表面にボンディングする。かような工程で、第３実施形態のレーザチップが製造されうる。
【００４０】
前記のような構成を有する本発明によれば、ＶＥＣＳＥＬ装置の駆動時に、ＤＢＲでの入射ビーム（ポンピングビーム）反射率が２％以内に低下し、特に、入射ビーム波長領域、すなわち、７００ｎｍないし９００ｎｍの範囲で、リップル（ｒｉｐｐｌｅ）が従来のＶＥＣＳＥＬより大幅に減少されうる。従って、ポンピングビームの透過度が最大化され、利得領域に入射されるポンピング効率が従来７０％から９８％以上に向上しうる。
【００４１】
かかる本願発明の理解を助けるために、いくつかの模範的な実施形態が説明され、かつ添付された図面に図示されたが、かかる実施形態は、単に広い発明を例示するものであり、これを制限するものではないという点を理解せねばならず、そして、本発明は、図示されて説明された構造と配列とに限定されるものではないということを理解せねばならず、これは、多様な他の修正が当分野で当業者に可能であるためである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の後ポンピング垂直外部共振型面発光レーザ装置は、例えば、レーザ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の後ポンピングＶＥＣＳＥＬ素子の概略的な断面図である。
【図２】図１のＶＥＣＳＥＬ素子で、ポンピングビームの波長によるＤＢＲの反射度示すグラフである。
【図３】本発明の第１実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的な断面図である。
【図４】図３のＶＥＣＳＥＬ装置でのＬＨＩ−ＤＢＲの詳細図である。
【図５】ＬＨＩ−ＤＢＲとＨＨＩ−ＤＢＲとの反射率特性を相互比較して示すグラフである。
【図６】図３のＶＥＣＳＥＬ装置で、ポンピングビームの波長によるＬＨＩ−ＤＢＲの反射度を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的な断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態によるＶＥＣＳＥＬ装置の概略的な断面図である。
【図９】図８のＶＥＣＳＥＬ装置で、ポンピングビームの波長によるＬＨＩ−ＤＢＲの反射度を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
２    透明基板
４    ＤＢＲ
６，３０    周期的利得層
８，２００    外部共振ミラー
９，３００    光学ポンプ
１０    非反射コーティング層
２０    ＬＨＩ−ＤＢＲ
２０ａ，２０ｃ    低屈折率層
２０ｂ    高屈折率層
３０ａ    量子ウェル層
３０ｂ    バリア層
４０    ヒートスプレッダ
１００    レーザチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2007173844.tif 000010
【図５】
2007173844.tif 000011
【図６】
2007173844.tif 000012
【図７】
2007173844.tif 000013
【図８】
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【図９】
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