(57)【要約】【課題】放熱性が高く、半導体レーザチップに加わる応力が低減され、かつ安定した接合が可能な半導体レーザ装置と、その半導体レーザ装置の製造方法とを提供することを目的とする。【解決手段】半導体レーザ素子１０、半導体レーザ素子１０を載置する基台１４ならびに第１及び第２の放熱部材１１、１２を備えて構成され、半導体レーザ素子１０は、第１の放熱部材１１との熱的な接合を介して基台１４上に載置され、かつ、第２の放熱部材１２と熱的に接合されており、第２の放熱部材１２は、基台１４と熱的に接合されてなる半導体レーザ装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子、該半導体レーザ素子を載置する基台ならびに第１及び第２の放熱部材を備えて構成され、
前記半導体レーザ素子は、前記第１の放熱部材との熱的な接合を介して前記基台上に載置され、かつ、第２の放熱部材と熱的に接合されており、
該第２の放熱部材は、前記基台と熱的に接合されてなる半導体レーザ装置。
【請求項２】
第２の放熱部材は、第３の放熱部材を介して基台と熱的に接合されてなる請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
第１及び第２の放熱部材と熱的に接合された半導体レーザ素子が、２つ以上並置されてなる請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
さらに、第２の半導体レーザ素子が、第２の放熱部材上に熱的な接合によって載置されてなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
さらに、第２の半導体レーザ素子、該第２の半導体レーザ素子上に熱的に接合された第４の放熱部材、第４の放熱部材と熱的に接合された第５の放熱部材からなるユニットが１以上積層されてなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
第１の放熱部材の一面に、半導体レーザ素子の他面を接合する工程、
第１の放熱部材の他面を基台に接合する工程、
第３の放熱部材の他面を基台に接合する工程、
半導体レーザ素子の一面を第２の放熱部材の他面に接合する工程及び
第２の放熱部材の他面に第３の放熱部材の一面を接合する工程を備えた半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
第１の放熱部材と接合する基台と、第３の放熱部材と接合する基台とが同一基台である請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
接合を、共晶材料を用いた１回の加熱で同時に行う請求項６又は７に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、より詳細には、長時間にわたって安定に動作させることができる半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体レーザ装置では、レーザ発振により半導体レーザチップ（ＬＤチップ）内に熱が発生する。そこで、この熱を除去するために、半導体レーザチップを、金属からなる放熱用の基台に取り付けた半導体レーザ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、半導体レーザチップと基台との間での熱膨張係数の差に起因して熱応力が作用し、これによって、半導体レーザチップと基台との間の接合強度が低下することがあるが、この熱応力を緩和するために、半導体レーザチップと基台との間に放熱部材を介設した半導体レーザ装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−２１８２４４号公報（段落１０〜１２、図１）
【特許文献２】特開２０００−６８５８３号公報（段落８、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、近年、半導体レーザ装置の高出力化の要求又はパッケージの小型化の要求に伴い、より放熱性の高い半導体レーザ装置（パッケージ）が求められている。
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、放熱性が高く、半導体レーザチップに加わる応力が低減され、かつ安定した接合が可能な半導体レーザ装置と、その半導体レーザ装置の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子、該半導体レーザ素子を載置する基台ならびに第１及び第２の放熱部材を備えて構成され、
前記半導体レーザ素子は、前記第１の放熱部材との熱的な接合を介して前記基台上に載置され、かつ、第２の放熱部材と熱的に接合されており、
該第２の放熱部材は、前記基台と熱的に接合されてなることを特徴とする。
【０００５】
この半導体レーザ装置においては、第２の放熱部材は、第３の放熱部材を介して基台と熱的に接合されてなることが好ましい。
また、第１及び第２の放熱部材と熱的に接合された半導体レーザ素子が、２つ以上並置されていてもよい。
さらに、第２の半導体レーザ素子が、第２の放熱部材上に熱的な接合によって載置されているか、第２の半導体レーザ素子、該第２の半導体レーザ素子上に熱的に接合された第４の放熱部材、第４の放熱部材と熱的に接合された第５の放熱部材からなるユニットが１以上積層されていてもよい。
【０００６】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、第１の放熱部材の一面に、半導体レーザ素子の他面を接合する工程、第１の放熱部材の他面を基台に接合する工程、第３の放熱部材の他面を基台に接合する工程、半導体レーザ素子の一面を第２の放熱部材の他面に接合する工程及び第２の放熱部材の他面に第３の放熱部材の一面を接合する工程を備えることを特徴とする。
【０００７】
この半導体レーザ装置の製造方法では、第１の放熱部材と接合する基台と、第３の放熱部材と接合する基台とが同一基台であることが好ましい。
また、接合を、共晶材料を用いた１回の加熱で同時に行うことが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体レーザ装置によれば、放熱性を向上させることができるとともに、半導体レーザチップに加わる応力を低減して、安定した接合が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
また、本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、より簡便な方法によって、放熱性を最大限に向上させることができる半導体レーザ装置を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置は、図１に示すように、主として、半導体レーザ素子１０、半導体レーザ素子１０を載置する基台１４、第１の放熱部材１１、第２の放熱部材１２を備えて構成されている。特に、半導体レーザ素子１０と基台１４とは、第１の放熱部材１１を挟み、第１の放熱部材１１と第２の放熱部材１２とが、半導体レーザ素子１０を挟むように配置されている。
【００１０】
半導体レーザ素子１０は、例えば、ｐ電極（図示せず）とｎ電極（図示せず）との間に電圧が印加されてしきい値以上の電流が流れると、活性層及びその付近でレーザ発振が起こり、レーザ光が生成され、このレーザ光は活性層及びその付近に形成された光導波路（図示せず）を通って外部に放射されるような、公知のもののいずれであってもよい。また、その半導体材料は、III−V族、II−VI族等のいずれの化合物を用いたものでもよく、何れの波長のレーザ光を出射するものであってもよい。特に、短波長の光を出射するレーザ素子が、高出力を得るために発熱しやすいため、本発明を適用するのに有利である。例えば、窒化物半導体を用いたレーザ素子、波長４５０ｎｍ程度以下のレーザ光を出射するものなどが好ましい。
【００１１】
また、半導体レーザ素子は、ジャンクションダウン（ＪＤ）構造、いわゆるフェイスダウン実装、フリップチップ構造等、いずれの構造であってもよいが、ＪＤ構造であることが好ましい。これにより、レーザ素子の活性層（図示せず）が基台により近接して配置することができるために、レーザ発振に伴って活性層及びその付近で発生した熱を、より放熱性の高い、基台へ容易に移動させることができる。
【００１２】
なお、本発明においては、半導体レーザ素子は、１つのみ配置されていてもよいし、後述するように多層構造で２以上配置されていてもよいし、同一層に２以上配置されていてもよい。特に、ＲＧＢに対応する半導体レーザ素子が同じ層に３つ配置されている場合にも、これら半導体レーザ素子の放熱を十分に行うことが可能となる。
【００１３】
基台１４は、半導体レーザ素子を載置するためのものであるが、通常、ヒートシンク、ステムとも呼ばれるように、半導体レーザ素子で発生する熱を効率的に外部に放出するために効果的に利用されるものである。従って、通常、熱伝導度が高い材料、例えば、４０Ｗ／ｍ℃程度以上の材料によって形成されることが好ましい。具体的には、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＣｕＷ、ＣｕＭｏ等の金属、これら金属の少なくとも一面にＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等でメッキが施された材料等が挙げられる。なかでも、表面が金メッキされた銅により形成されているものが好ましい。基台の形状、大きさは特に限定されるものではなく、半導体レーザ装置の最終的に望まれる形状及び大きさ等によって、適宜調整することができる。
なお、基台には、別途、放熱手段が設けられていてもよい。例えば、半導体レーザ素子を載置する面とは反対側の面に、ペルチェ素子、空冷又は液冷のための部材等を装備することができる。
【００１４】
第１及び第２の放熱部材は、半導体レーザ素子で発生した熱を逃がす役割を果たすものであり、半導体レーザ素子の基板よりも熱伝導率が高いものであることが好ましい。また、半導体レーザ素子と熱膨張係数が近いもの（例えば、±５程度）、熱応力を緩和させることができるもの、その表面が有機材料で構成されておらず無機材料で構成されているもの、所定の方向に熱を逃がすことができる材料（例えば、ＡｌＮ、ダイヤモンド、Ｃｕダイヤモンド）のいずれか又は全てを備えるものが好ましい。これらの材料は、自己形状保持力を有しているものが容易に組み立てることができるため、好ましい。具体的には、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＣｕＷ、ＣｕＭｏ、Ｃｕダイヤモンド、ダイヤモンド等が挙げられる。特に、第１及び第２の放熱部材が、導電性材料で形成される場合には、ワイヤ−ボンディング等による通電作業を容易かつ簡便にすることができる。
【００１５】
第１の放熱部材及び第２の放熱部材の大きさは特に限定されるものではなく、用いる半導体レーザ素子の大きさ、最終的に得ようとする半導体レーザ装置の大きさ、第１及び第２の放熱部材の材料等によって適宜調整することができる。例えば、半導体レーザ素子１０が、４０〜２００μｍ程度の厚みＢ、５０〜５００μｍ程度の幅Ａ、３００〜１５００μｍ程度の共振器長（奥行Ｃ)である場合、第１の放熱部材１１は、２００〜６００μｍ程度の厚みＥ、レーザ素子の幅Ａ＋この第１の放熱部材の厚みＥの２倍程度、具体的には、４００〜１０００μｍ程度の幅Ｄ、レーザ素子の共振器長からその２倍程度、具体的には、４００〜１６００μｍ程度の奥行Ｆが例示される。第２の放熱部材１２は、２００〜６００μｍ程度の厚みＧ、レーザ素子の幅Ａの２倍＋この第２の放熱部材の厚みＧの２倍程度、具体的には、４００〜２０００μｍ程度の幅Ｈ、レーザ素子の共振器長からその２倍程度、具体的には、４００〜１６００μｍ程度の奥行Ｉが例示される。
【００１６】
本発明においては、半導体レーザ素子は、通常、その下面において第１の放熱部材と熱的に接合されており、その上面において第２の放熱部材と熱的に接合されており、基台は、第１の放熱部材及び第２の放熱部材と熱的に接合されていることが適している。なお、この明細書では、特に断りのない限り、一面と他面とは、それぞれ異なる面を示し、例えば、上面を「一面」、下面を「他面」と記す。ここで、熱的に接合されているとは、例えば、両者の接触面積が、半導体レーザ素子の所定の一面の７０％程度以上で接続されているものであって、半田、バンプボール又はフィラー含有樹脂、紫外線硬化樹脂等の材料で接着されているものである。
【００１７】
熱的な接合を実現するためには、例えば、半田材、樹脂等によりボンディングする方法が挙げられる。半導体レーザ素子の活性層で発生した熱は、放熱部材内でより広がるため、接合のための材料自体の熱伝導率は特に高い材料でなくても十分に熱的な接合を実現して、半導体レーザ素子の放熱性を確保することができる。
【００１８】
半田材としては、Sn−Pb系、Sn系、Au系、In系、Bi系、Cd系、Zn系、Sn−Zn系、Cd−Zn系、In−Pb系、Ag系、Cu系、Ni系、Sb系等の単体又は共晶材料等が挙げられる。特に、Pbフリーの共晶材料が好ましい。また、半導体レーザ素子と第１の放熱部材とを接合する場合には、いずれにも金メッキが施された部位が存在しなければ、Ａｕ系の半田材を用いる必要がなく、低融点半田材を用いても安定した接合を得ることができる。このように、半田材を用いる場合には、半田蒸着、半田メッキ等によって、半田材の供給量を微細又は微小にコントロールすることができるため、接合材の過剰供給による半田のもり上がりが生じることがない。これにより、半導体レーザ素子のショートの発生を防止することができ、安定した接合を得ることができる。
【００１９】
樹脂としては、特に限定されるものではないが、熱伝導度が高いもの、例えば、０．５Ｗ／ｍ℃程度以上のものが好ましい。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられ、特に、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フィラー含有樹脂等が挙げられる。フィラーは、特に限定されず、酸化シリコン、酸化チタン等の無機物質又はＡｌ、Ｃｕ等の金属による粒子等種々のものを使用することができる。なかでも、熱伝導度が高いもの、例えば、金属からなるものが好ましい。
【００２０】
第２の放熱部材１２は、基台と熱的に接合されているが、この熱的な接合は、直接されていてもよいし、図１に示すように、第３の放熱部材１３を介して行われていてもよい。これによって、半導体レーザ素子に加わる応力を低減して、より安定した接合が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。直接熱的に接合される場合には、例えば、図１に示すような第３の放熱部材１３に対応するものが、第２の放熱部材として一体的に形成されていることが挙げられる。
【００２１】
第２の放熱部材と基台とが、第３の放熱部材１３を介して接合される場合には、第２の放熱部材と第３の放熱部材との接合及び第３の放熱部材と基台との接合の双方が、熱的に接合されていることが必要である。また、第３の放熱部材１３は、図１に示したように、必ずしも、第１の放熱部材１１が熱的に接合された基台１４と同一の基台と熱的に接合されていなくてもよく、さらに第３の放熱部材１３用の基台が別途設けられていてもよい。さらに、図４に示すように、第３の放熱部材１３ａ、１３ｂが、両側に２つ配置されていてもよいし、両側と前後に３又は４つ配置されていてもよい。これにより、より放熱性を向上させることができる。特に、半導体レーザ素子がＲＧＢに対応して、同一層に複数（例えば、３つ）配置されている場合においても、十分な放熱性を確保することができる。
【００２２】
第３の放熱部材１３としては、上述した放熱部材と同様のものが例示される。ただし、第１、第２及び第３の放熱部材の全てが必ずしも同じ材料で形成されていてなくてもよい。第３の放熱部材１３の形状及び大きさは、第２の放熱部材を基台と熱的に接合することができるのであればよく、例えば、半導体レーザ素子の幅厚みＢと第１の放熱部材の厚みＥとの合計に対応する厚みＫ、半導体レーザ素子の幅Ａの１／２程度から２倍程度、具体的には、１００〜４００μｍ程度の幅Ｊ、レーザ素子の共振器長からその２倍程度、具体的には、４００〜１６００μｍ程度の奥行Ｌが例示される。
【００２３】
なお、第２の放熱部材１２と第３の放熱部材１３との接合材として、半導体レーザ素子と第１の放熱部材との接合材と同一のものを用いる場合には、第１の放熱部材と基台とを接合させるときに生じる第１の放熱部材及び第３の放熱部材から、半導体レーザ素子に与える熱応力をより緩和させることができるため、好ましい。
特に、基台１４及び第１の放熱部材１１、基台１４及び第３の放熱部材１３の接合材として、高融点、Ａｕ系低融点半田材、接合樹脂を用いて接合する（ダイボンドする）場合には、基台１４と第１の放熱部材１１、基台１４と第３の放熱部材１３との間に、硬くてもろい金属間化合物が生成されず、安定した接合を得ることができる。
【００２４】
さらに、本発明においては、上述したうち、半導体レーザチップ、その上に熱的に接合された第２の放熱部材及び第２の放熱部材と熱的に接合され、さらに基台とも熱的に接合された第３の放熱部材の単位が、２層以上積層されていてもよい。これにより、多層実装を可能として、より高出力、高性能の半導体レーザ装置を実現することができる。
具体的には、図２に示したように、第２の放熱部材１２の上に、第２の半導体レーザ素子２０が熱的に接合されており、この第２の半導体レーザ素子２０上に、第４の放熱部材１５が熱的に接合されており、さらにこの第４の放熱部材１５が、第５の放熱部材１６と熱的に接合され、この第５の放熱部材１６が、基台１４と熱的に接合されていてもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子２０は、第３の放熱部材１３の上方又はその近傍に配置されていることが適している。これにより、レーザ素子から基台１４への距離が短くなるため、よりスムーズに放熱を行わせることができる。
なお、この場合の熱的な接合は、それに対応する上述した接合をそのまま適用することができる。また、この場合の第４及び第５の放熱部材は、それぞれ、形状及び大きさは限定されないが、上述したように、得ようとする半導体レーザ装置の大きさ、性能、用いる放熱部材の材料及び半導体レーザ素子等によって適宜調整することができる。
【００２５】
このような半導体レーザ装置は、以下のように製造することができる。
例えば、図３（ａ）に示したように、基台１４の上に第３の放熱部材１３を、上述した接合材料（例えば、半田材料）を介して載置する。
続いて、図３（ｂ）に示したように、基台１４の上に第１の放熱部材１１を、例えば、半田材料を介して載置する。また、第１の放熱部材１１上に、半導体レーザ素子１０を半田材料を介して載置する。
その後、図１に示したように、半導体レーザ素子１０及び第３の放熱部材１３の上にわたって、第２の放熱部材を、それぞれ半田材料を介して載置する。
【００２６】
このように全ての部材を組み合わせた状態で、１００〜３５０℃程度で、２秒〜５分間程度、一度に加熱し、各部材間に配置された半田材料を溶解し、各部材を熱的に接合する。あるいは、紫外線硬化させてもよい。このように、一度で同時に加熱することによって、各部材を高温にさらす機会が減少し、各部材の特性を保持することができるとともに、製造工程を簡便化し、製造時間を短縮化することができる。
なお、この製造方法においては、基台１４上に第３の放熱部材１３を、基台１４上に第１の放熱部材１１を、第１の放熱部材１１上に半導体レーザ素子１０を、それぞれ載置する順序は、特に限定されず、どのような順序であってもよい。
【００２７】
また、可能であれば、必ずしも半導体レーザ素子１０及び第３の放熱部材１３の上にわたって第２の放熱部材を載置することは必要ではなく、まずは、いずれかの上にのみ載置してもよい。
さらに、加熱による接合は、必ずしも一度に行うことは必要ではなく、部材の載置直後に、個々に又は２以上をまとめて行ってもよい。
【００２８】
また、本発明の別形態の半導体レーザ装置として、発振波長が異なる半導体レーザ素子を２以上組み合わせた２波長半導体レーザ装置がある。具体的には、ＤＶＤ用光源となるＧａＡｓ系半導体レーザ素子、次世代ＤＶＤ用光源となるＧａＮ系半導体レーザ素子を搭載した２波長半導体レーザ装置である。さらに、ＣＤ用光源として発振波長が赤外域の半導体レーザ素子を搭載することで３波長半導体レーザ装置とすることができる。
【００２９】
２波長半導体レーザ装置の一例としては、ＧａＮ系半導体レーザ素子を第１の半導体レーザ素子１０とし、ＧａＡｓ系半導体レーザ素子を第２の半導体レーザ素子２０とするものがある。
【００３０】
３波長半導体レーザ装置は、第３の半導体レーザ素子３０を第４の放熱部材１５上に形成し、第３の半導体レーザ素子３０の上に、新たに放熱部材を形成する構成がある。このような構成によって、半導体レーザ素子を３つに増加しても、放熱部材をも増加させるため、所望の放熱効果を維持することができる。
【００３１】
また、３波長半導体レーザ装置の別構造としては、第１の放熱部材１１と第２の放熱部材１２との間に２つの半導体レーザ素子を配置し、第２の放熱部材１２と第４の放熱部材１５との間に残りの半導体レーザ素子を配置する構造が挙げられる。これは、第２の放熱部材１２と第４の放熱部材１５との間に２つの半導体レーザ素子を配置し、第１の放熱部材１１と第２の放熱部材１２との間に残りの半導体レーザ素子を配置する構造としてもよい。また、２つの半導体レーザ素子は、１つの基板上に配置されたもの、それぞれが離間して配置されたものであってもよい。
【００３２】
以下に、本発明の半導体レーザ装置及びその製造方法の実施例を詳細に説明する。
実施例１
この実施例の半導体レーザ装置は、図１に示したように、半導体レーザ素子１０は、ジャンクションダウン構造で、第１の放熱部材１１との熱的な接合を介して基台１４上に載置されている。また、半導体レーザ素子１０の上面は、第２の放熱部材１２と熱的に接合されている。さらに、第２の放熱部材１２は、第３の放熱部材１３を介して、基台と熱的に接合されている。
ここで、半導体レーザ素子は、１００μｍ程度の厚みＢ、２００μｍ程度の幅Ａ、６００μｍ程度の共振器長（奥行Ｃ)を有している。
【００３３】
第１の放熱部材１１は、２００μｍ程度の膜厚Ｅ、７５０μｍ程度の幅Ｄ、６００μｍ程度の奥行Ｆである。
第２の放熱部材１２は、２５０μｍ程度の膜厚Ｇ、１０００μｍ程度の幅Ｈ、６００μｍ程度の奥行Ｉである。
さらに、第３の放熱部材１３は、３００μｍ程度の厚みＫ、２００μｍ程度の幅Ｊ、６００μｍ程度の奥行Ｌである。
なお、基台として、銅板から形成され、その表面が金メッキされたステムを用い、第１〜第３の放熱部材として、ＡｌＮを用いた。
【００３４】
このような構成の半導体レーザ装置は、各部材の接合材として、上述した順序で各部材の間全てにＡｕ−Ｓｎ半田を挟んで、各部材を組み立て、最終的に、３２０℃で１分間加熱処理をして、各部材を熱的に接合した。
これと同様に、半導体レーザ装置を１０個作製し、各装置について過渡熱抵抗を測定した。その平均の結果を図５の実線で示す。
また、比較例として、上述したレーザ装置において、第２及び第３の放熱部材を設けなかった装置を１０個作製し、同様に過渡熱抵抗を測定した。その平均の結果を図５の破線で示す。
【００３５】
図５によれば、本発明の半導体レーザ装置では、パワータイムの増加に従って、熱抵抗値がゆるやかに、直線的に増加することが分かった。これは、素子で発生した熱が、その上下に接合された放熱部材によって、スムーズかつ十分に、安定して、放出されていることを示す。また、半導体レーザ素子がジャンクションダウン構造であるため、最も発熱しやすい部位、つまりレーザ素子の活性層が、最も基台１４に近い位置に配置されているために、効率的に放熱が行われていることを示す。
【００３６】
一方、比較例においては、所定のパワータイムの区間において、パワータイムの増加によって、熱抵抗値の急激な上昇が認められ、放熱がスムーズかつ十分に行われず、半導体レーザ装置内に熱がたまる現象が生じていることが確認された。
このように、この実施例の半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子１０と第１の放熱部材１１又は第２の放熱部材１２とは、熱応力が小さい接合を実現するとともに、高熱伝導の基台１４と第１の放熱部材１１又は第３の放熱部材１３とも、熱応力が小さい接合を実現している。このため、熱伝導度は高いが、逆に線膨張係数の高い銅等の金属材料を基台として用いた場合においても、接合工程においてレーザ素子１０にかかる熱応力を低減させることができる。その結果、放熱性が高く、かつ応力の低い半導体レーザ装置を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の半導体レーザ装置は、光ディスク用途（光ストレージ）、光通信システム、印刷機、露光用途、測定等に利用することができる。また、物質の有無または位置を検出するなどのバイオ関連の励起用光源等に利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の構造を説明するための要部の概略斜視図である。
【図２】本発明の別の半導体レーザ装置の構造を説明するための要部の概略斜視図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部の概略斜視工程図である。
【図４】本発明のさらに別の半導体レーザ装置の構造を説明するための要部の概略斜視図である。
【図５】本発明の半導体レーザ装置の放熱特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
１０、２０  半導体レーザ素子
１１  第１の放熱部材
１２  第２の放熱部材
１３、１３ａ、１３ｂ  第３の放熱部材
１４  基台
１５  第４の放熱部材
１６  第５の放熱部材
【図１】
2007305977.tif 000003
【図２】
2007305977.tif 000004
【図３】
2007305977.tif 000005
【図４】
2007305977.tif 000006
【図５】
2007305977.tif 000007