(57)【要約】【課題】半導体膜の形成後に、レーザーアニール時のマスクのための金属膜の形成が不要なアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板１０上に、（ａ）金属を含む遮光膜４９を形成し、パターニングする。次に、遮光膜４９を覆って（ｂ）酸化珪素膜４１、（ｃ）非晶質珪素膜４２Ａを積層する。次に、（ｄ）基板１０にレーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させ、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐを形成する。このとき、遮光膜４９がマスクとして機能するため、遮光膜４９が形成された領域における非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されずにそのまま残る。こうして得られた移動度の異なる非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをそれぞれ画素領域５、駆動回路領域６におけるＴＦＴの半導体膜として用いる。【選択図】図５
2007288122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と前記負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
透光性を有する基板上の、前記負荷回路が形成される領域のうち前記負荷回路に含まれるスイッチング素子が形成される領域を少なくとも含み、かつ前記駆動回路が形成される領域を含まない領域に、金属を含む島状の遮光膜を形成する工程と、
前記基板上に、前記遮光膜を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に珪素膜を形成する工程と、
前記基板の前記遮光膜が形成された側とは反対側から前記珪素膜にレーザー光を照射して結晶化させることにより、多結晶珪素膜を形成する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項２に記載のアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と当該負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されたアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置及びイメージセンサ等の各種電子デバイスにおいては、画素（負荷）のスイッチング動作を行う多数の半導体装置（ＴＦＴなど；以下、ＴＦＴ）を含む画素回路が形成されたアクティブマトリクス基板が用いられるのが一般的である。かかる基板には、画素回路のほか、各画素の駆動を制御する多数のＴＦＴを備えた駆動回路が形成される。
【０００３】
ここで、駆動回路のＴＦＴの半導体膜にキャリア移動度（以下、単に移動度と呼ぶ）の高いものを用いてＴＦＴを高性能化すれば、駆動回路を高速に動作させることができる。一方で、画素回路に含まれるＴＦＴの半導体膜の移動度を高くし過ぎると、当該画素回路に光が照射された場合に生ずるＴＦＴのリーク電流が増大してしまうという問題がある。画素回路のＴＦＴの半導体膜に光が入射すると、半導体膜に電子・正孔対が生成され、ＴＦＴにリーク電流が流れるが、このとき半導体膜の移動度が高いとリーク電流が増大してしまうのである。こうした現象は、光が画素領域を透過する構成の透過型液晶表示装置において顕著である。透過型液晶表示装置の画素回路のＴＦＴにおいてリーク電流が増大すると、表示むら等が発生し、表示品位が低下する。
【０００４】
こうした現象を回避するため、駆動回路のＴＦＴの半導体膜のみを、画素回路のＴＦＴの半導体膜に対して高移動度化することが行われている。同一基板上に形成された半導体膜の一部を高移動度化するための技術としては、レーザーアニール装置を用いて、高移動度化したい部位の半導体膜にのみレーザー光を照射して多結晶半導体膜を形成する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。さらに、このように選択的にレーザー光を照射するために、基板表面のうちレーザー光を照射させない部位に金属膜を形成してマスクとする方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−６３１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属膜でレーザー光をマスクする場合には、半導体膜の形成後に当該金属膜を形成する必要があり、またレーザー光を照射した後には当該金属膜を剥離しなければならないため、工程が長くなり、コストも増大するという問題点があった。また、金属膜の形成、剥離によって半導体膜に損傷が生じるため、高品質な半導体膜を形成することが難しいという問題点があった。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、半導体膜の形成後に、レーザーアニール時のマスクのための金属膜の形成が不要なアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と前記負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、透光性を有する基板上の、前記負荷回路が形成される領域のうち前記負荷回路に含まれるスイッチング素子が形成される領域を少なくとも含み、かつ前記駆動回路が形成される領域を含まない領域に、金属を含む島状の遮光膜を形成する工程と、前記基板上に、前記遮光膜を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に珪素膜を形成する工程と、前記基板の前記遮光膜が形成された側とは反対側から前記珪素膜にレーザー光を照射して結晶化させることにより、多結晶珪素膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法によれば、レーザー光を照射する工程において、駆動回路が形成される領域の珪素膜にはレーザー光が到達し、結晶化されて、移動度の高い多結晶珪素膜となる。一方、負荷回路のスイッチング素子が形成される領域に形成された珪素膜には、レ―ザー光が到達しない。これは、レーザー光が、当該領域に形成された遮光膜によって遮光されるためである。これにより、負荷回路のスイッチング素子が形成される領域には、上記の多結晶珪素膜より相対的に移動度の低い珪素膜が残る。したがって、駆動回路が形成される領域の半導体膜のみを、負荷回路が形成される領域の半導体膜に対して高移動度化することができる。
【００１０】
また、上記製造方法によれば、珪素膜の形成後に、レーザーアニール時のマスクのための金属膜等の遮光膜の形成及び剥離が不要であるため、工程を簡略化することができる。また、珪素膜の形成後に金属膜の形成工程、剥離工程がないことから、半導体膜に損傷が生じにくいため、高品質なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００１１】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記アクティブマトリクス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする。このような構成によれば、負荷回路のＴＦＴの半導体膜が、駆動回路のＴＦＴの半導体膜に対して低移動度となるため、光によるリーク電流が生じにくいアクティブマトリクス基板が得られる。また、スイッチング素子が形成される領域に配置された遮光膜によって、リーク電流の原因となる外光がスイッチング素子に入射するのを防ぐことができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、上記アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、光によるリーク電流が生じにくいアクティブマトリクス基板を備えるので、高品位な表示を行うことができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、上記電気光学装置によって高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１５】
＜Ａ．液晶表示装置＞
まず、図１から図３を用いて、本発明の「電気光学装置」としての液晶表示装置１について説明する。図１は、液晶表示装置１の平面図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線で液晶表示装置１を切断して示す断面図である。図３は、液晶表示装置１の画素領域５に形成された画素回路の一部を示す回路図である。ここで、「画素」、「画素回路」はそれぞれ本発明における「負荷」、「負荷回路」に対応する。また、画素領域５は、本発明における「負荷回路が形成される領域」に対応する。
【００１６】
図１及び図２に示すように、液晶表示装置１は、素子基板１１と対向基板２１とがシール材５１を介して貼り合わされてなり、素子基板１１と対向基板２１との間には液晶５０が封入されている。液晶５０は、液晶注入口５３から注入される。液晶注入口５３は、液晶５０の注入が完了した後、封止材５２によって封止される。上記素子基板１１は、本発明の「アクティブマトリクス基板」に対応する。
【００１７】
素子基板１１の対向基板２１に対向する面のうち画素領域５に対応する領域には、画素を構成するＴＦＴ３０５、画素電極３７、及びデータ線３４、走査線３６等が形成されており（図３参照）、対向基板２１の素子基板１１に対向する面には全面に対向電極（不図示）が形成されている。また、素子基板１１には、多数のＴＦＴ３０６（図６（ｅ）参照）を含むデータ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２が形成されている。データ線駆動回路６１は、データ線３４に画像信号を供給し、走査線駆動回路６２は、走査線３６に走査信号を供給する。ここで、上記ＴＦＴ３０５は、本発明における「スイッチング素子」に対応する。また、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２は、本発明における「駆動回路」に対応する。データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２が形成された領域を、以下では「駆動回路領域６」とも呼ぶ。
【００１８】
ここで、ＴＦＴ３０５，３０６の詳細な構成について、図６（ｅ）の断面図を用いて説明する。この図に示すように、ＴＦＴ３０５は、石英からなる透明な基板１０上に、金属を含む遮光膜４９、酸化珪素膜４１、半導体膜としての多結晶珪素膜４２Ｑ、熱酸化膜４５、酸化珪素膜４６、ゲート電極４７、酸化珪素膜４８がこの順に積層されてなり、多結晶珪素膜４２Ｑにはソース電極３１及びドレイン電極３３が、またゲート電極４７には端子電極３２が接続されている。ここで、基板１０上の、多結晶珪素膜４２Ｑに略対応する領域に遮光膜４９が形成されているため、基板１０側から入射した外光が多結晶珪素膜４２Ｑに到達するのを防ぐことができる。これにより、ＴＦＴ３０５における光によるリーク電流の発生を抑えることができる。多結晶珪素膜４２Ｑは、基板１０に垂直な方向から見て遮光膜４９の内側に形成されていることが望ましい。
【００１９】
一方、ＴＦＴ３０６は、遮光膜４９をもたない点、及び半導体膜として多結晶珪素膜４２Ｐが用いられている点がＴＦＴ３０５と異なる。ここで、多結晶珪素膜４２Ｐは、レーザーアニールにより結晶化した珪素膜であって、ＴＦＴ３０５に含まれる多結晶珪素膜４２Ｑより相対的に移動度の高い珪素膜である。
【００２０】
次に、図３を用いて画素回路の概略について説明する。この図に示すように、画素領域５においては、複数の走査線３６と複数のデータ線３４とが交差するように配線され、走査線３６とデータ線３４とで区画された領域に画素電極３７がマトリクス状に配置されている。そして、走査線３６とデータ線３４の各交差部分に対応して本発明の「スイッチング素子」としてのＴＦＴ３０５が設けられ、このＴＦＴ３０５に画素電極３７が接続されている。
【００２１】
ＴＦＴ３０５は、走査線３６のオン信号によってオンとなり、このとき、データ線３４に供給された画像信号が画素電極３７に供給される。また、画素電極３７と並列に蓄積容量３５が設けられており、これによって画素電極３７の電位は画像信号が印加された時間よりも長い時間保持される。蓄積容量３５は、容量電極３９に接続されている。容量電極３９は、蓄積容量３５の固定電位側容量電極として機能する。液晶５０には、画素電極３７と対向電極との間の電圧によって決まる駆動電圧が印加され、液晶５０は当該駆動電圧に応じた状態に配向する。液晶表示装置１は、このように液晶５０の配向を制御することによって透過光の偏光状態を変化させ、当該透過光を偏光板等の偏光選択手段を用いて選択的に取り出すことによって表示を行う装置である。
【００２２】
上述したように、液晶表示装置１においては、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜は、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜より移動度の高いものが用いられている。このため、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。よって、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。
【００２３】
＜Ｂ．素子基板の製造方法＞
続いて、図４から図６を用いて、素子基板１１の製造方法について説明する。図４は、素子基板１１の製造工程を示す工程図である。図５及び図６は、当該製造工程における素子基板１１の断面図であって、素子基板１１のうち、画素領域５及び駆動回路領域６のそれぞれの一部の断面を拡大して示したものである。これらの図及び以下の説明は、１つの液晶表示装置１に対応する素子基板１１に着目したものであるが、実際には、素子基板１１は図７に示すような円盤状の石英のウェハ１００に、一度に多数個製造される。
【００２４】
図４の工程Ｐ１０１では、石英からなる透明な基板１０上の画素領域５の一部に、金属を含む遮光膜４９を形成する（図５（ａ））。ここで、基板１０は、図７に示す石英のウェハ１００の一部である。
【００２５】
遮光膜４９のより詳細な形成位置を、図８を用いて説明する。図８（ａ）は、基板１０上のうち遮光膜４９を形成すべき画素領域５の位置を示した平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）中の領域Ｂを拡大して示した平面図である。図８（ｂ）に示すように、遮光膜４９は、画素領域５内においてマトリクス状に等間隔に設定された複数の領域に形成する。これらの領域は、各画素におけるＴＦＴ３０５の形成領域に相当する領域である。すなわち、遮光膜４９は、画素領域５のうちＴＦＴ３０５の形成領域に重なる領域に形成する。ＴＦＴ３０５は、基板１０に垂直な方向から見て遮光膜４９の内側に形成されていることが望ましい。
【００２６】
遮光膜４９の材料としては、例えば、スパッタリング等の方法により形成された、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等を含む金属膜、或いは金属シリサイド等の金属合金膜を用いることができる。遮光膜４９の厚さは特に限定されないが、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度とする。遮光膜４９は、上記金属膜又は金属合金膜を基板１０上に成膜した後に、フォトリソグラフィ法を用いてエッチング加工し、図８（ｂ）に示すような島状の形状にパターニングして得られる。
【００２７】
次に、工程Ｐ１０２では、基板１０上に、遮光膜４９を覆って、本発明の「絶縁膜」としての酸化珪素膜４１を形成する（図５（ｂ））。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法により基板１０上に酸化珪素膜４１を厚さ数１００ｎｍ程度に形成することによって行われる。
【００２８】
次に、工程Ｐ１０３では、酸化珪素膜４１上に、本発明の「珪素膜」としての非晶質珪素膜４２Ａを形成する（図５（ｃ））。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法により酸化珪素膜４１上に非晶質珪素膜４２Ａを厚さ５０ｎｍ程度に形成することによって行われる。
【００２９】
続く工程Ｐ１０４では、レーザーアニール装置を用いて、基板１０の遮光膜４９が形成された側とは反対側から、基板１０にレーザー光を照射する（図５（ｄ））。遮光膜４９が形成された領域に入射したレーザー光は、遮光膜４９によって反射又は吸収される。一方、遮光膜４９が形成されていない領域に入射したレーザー光は、酸化珪素膜４１を透過して非晶質珪素膜４２Ａに到達する。
【００３０】
ここで、照射するレーザー光としてはパルスレーザー光が好ましく、具体的には光の波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光、波長約３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光、波長約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー光の第二高調波又はＮｄ：ＹＶＯ4レ―ザー光の第二高調波、波長約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー光の第四高調波又はＮｄ：ＹＶＯ4レーザー光の第四高調波等を用い、例えばパルス幅３０ｎｓｅｃ、エネルギ―密度０．１〜１．０Ｊ／ｃｍ2として照射するとよい。これらの光を非晶質珪素膜４２Ａに照射すると、溶融・固化し、結晶化して、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐとなる。すなわち、遮光膜４９が形成されていない領域の非晶質珪素膜４２Ａは、レーザー光によって多結晶珪素膜４２Ｐとなり、遮光膜４９が形成された領域の非晶質珪素膜４２Ａは、レーザー光の照射を受けないため非晶質珪素膜４２Ａのまま残る。
【００３１】
次に、工程Ｐ１０５では、非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをフォトリソグラフィ法を用いてエッチング加工し、島状にパターニングする（図６（ａ））。具体的には、非晶質珪素膜４２Ａは、画素領域５に形成されるＴＦＴ３０５の形成領域を残してエッチング加工し、多結晶珪素膜４２Ｐは、駆動回路領域６に形成されるＴＦＴ３０６の形成領域を残してエッチング加工する。この結果、遮光膜４９の形成領域に重なる領域に非晶質珪素膜４２Ａが形成されることとなる。
【００３２】
次に、工程Ｐ１０６では、熱酸化法を用いて非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐの表面に熱酸化膜４５を形成する（図６（ｂ））。この工程は、基板１０を約１０００ ℃の酸素雰囲気中に置くことによって行われる。このとき、非晶質珪素膜４２Ａは、熱酸化時の熱による固相成長で多結晶珪素膜４２Ｑとなる。熱酸化によって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｑは、レーザーアニールによって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｐよりは相対的に結晶性が低く、低移動度の珪素膜である。
【００３３】
次に、工程Ｐ１０７では、酸化珪素膜４１、多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑ、熱酸化膜４５を覆って酸化珪素膜４６を形成する。この工程は、電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）、ＬＰＣＶＤ法又はＰＥＣＶＤ法等を用いて行われる。こうして形成された酸化珪素膜４６及び上述した熱酸化膜４５は、ＴＦＴ３０５，３０６のゲート絶縁膜として機能する。このゲート絶縁膜は、熱酸化膜４５のみ、又は酸化珪素膜４６のみから構成されていても良い。
【００３４】
続く工程Ｐ１０８では、酸化珪素膜４６上にタンタル又はアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法により形成した後、パターニングすることによって、ゲート電極４７を形成する（図６（ｃ））。ゲート電極４７形成後のプロセス最高温度が１０００℃程度で、ゲート電極４７に金属薄膜が使えない場合には、不純物イオンが注入された多結晶珪素膜を用いてゲート電極４７を形成してもよい。
【００３５】
次に、工程Ｐ１０９では、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｑにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＱＳ、ドレイン領域４２ＱＤとチャネル形成領域４２ＱＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。同様に、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｐにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＰＳ、ドレイン領域４２ＰＤとチャネル形成領域４２ＰＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。イオン打ち込み用のマスクを用いて、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造にしても良い。画素領域５に形成するＴＦＴ３０５にＬＤＤ構造を採用すれば、ＴＦＴ３０５のオフ電流をより低下させることができる。ＮＭＯＳトランジスタを作製する場合、例えば、不純物元素としてリン（Ｐ）を１×１０16ｃｍ-2の濃度で多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑに打ち込む。その後、ＸｅＣｌエキシマレーザーを照射エネルギー密度３００ｍＪ／ｃｍ2から４００ｍＪ／ｃｍ2程度で照射するか、２５０℃〜１０００℃程度の温度で熱処理することにより不純物原子の活性化を行う。
【００３６】
次に、工程Ｐ１１０では、酸化珪素膜４６及びゲート電極４７の上面に、層間絶縁膜としての酸化珪素膜４８を形成する（図６（ｄ））。酸化珪素膜４８は、例えば、ＰＥＣＶＤ法によって約５００ｎｍの膜厚で形成する。
【００３７】
続く工程Ｐ１１１では、ソース電極３１、端子電極３２、ドレイン電極３３を形成する（図６（ｅ））。より詳しくは、まず、ソース領域４２ＱＳ，４２ＰＳ及びドレイン領域４２ＱＤ，４２ＰＤに至るコンタクトホールを、酸化珪素膜４８，４６及び熱酸化膜４５に開ける。そして、コンタクトホール内及び酸化珪素膜４８上のコンタクトホールの周縁部にソース電極３１及びドレイン電極３３を形成する。ソース電極３１及びドレイン電極３３は、例えばスパッタリング法によりアルミニウムを堆積して形成する。同様に、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。すなわち、ゲート電極４７に至るコンタクトホ―ルを酸化珪素膜４８に開けて、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。
【００３８】
以上の工程により、画素領域５には多結晶珪素膜４２Ｑを含むＴＦＴ３０５が、また駆動回路領域６には多結晶珪素膜４２Ｐを含むＴＦＴ３０６がそれぞれ形成される。また、画素領域５に画素回路を形成し、駆動回路領域６にデータ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を形成して、素子基板１１が完成する。これらの回路形成はＴＦＴ３０６の形成前であっても後であってもどちらでもよい。また、この後公知の方法によって対向基板２１の貼り合わせ、液晶５０の注入、封止剤５２による液晶注入口５３の封止、ウェハ１００のブレイク（分割）等を行うことにより、液晶表示装置１が得られる。
【００３９】
上記のような素子基板１１の製造方法によれば、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｐ）は、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｑ）より移動度の高いものとなり、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。よって、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。また、上記製造方法によれば、非晶質珪素膜４２Ａの形成後に、レーザーアニール時のマスクのための金属膜等の遮光膜の形成及び剥離が不要であるため、工程を簡略化することができる。また、非晶質珪素膜４２Ａの形成後に金属膜の形成工程、剥離工程がないことから、半導体膜（非晶質珪素膜４２Ａ、多結晶珪素膜４２Ｐ）に損傷が生じにくいため、高品質な素子基板１１を製造することができる。
【００４０】
（電子機器）
上述した液晶表示装置１は、例えば、図９に示すような「電子機器」としてのプロジェクタ２００に搭載して用いることができる。プロジェクタ２００は、本体２０１、レンズ２０２を有している。プロジェクタ２００は、内蔵された光源（不図示）から光を射出し、これを内部に備え付けられた液晶表示装置１によって変調した後にレンズ２０２から前方に投写する装置である。ここで、液晶表示装置１は、画素領域５と駆動回路領域６とで半導体膜の移動度を異ならせてあるため、光源からの光によるリーク電流が生じにくく、表示むら等が生じにくい。よって、このようなプロジェクタ２００は、高品位な表示を行うことができる。
【００４１】
本発明による液晶表示装置１は、プロジェクタ２００の他にも様々な電子機器に搭載可能であり、例えば、リアプロジェクタ、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、時計等、表示部を備えた各種電子機器に適用することができる。こうした電子機器も、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００４３】
（変形例１）
上記実施形態の工程Ｐ１０３においては、非晶質珪素膜４２Ａを形成した後に、必要に応じてこの非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させてもよい。非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させることによって、素子基板１１の電気特性を向上させることができる。結晶化の方法としては、固相成長法が挙げられる。固相成長法は、窒素などの不活性ガス雰囲気中で５００℃〜７００℃程度の温度で数時間のアニールを行う方法であり、非晶質珪素膜４２Ａは固相のまま結晶化される。固相成長法によって、非晶質珪素膜４２Ａは結晶粒径の大きい多結晶珪素膜となる。こうして形成された多結晶珪素膜も、後にレーザーアニールによって形成される駆動回路領域６における多結晶珪素膜４２Ｐよりは相対的に移動度の低いものとなるので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。熱酸化や６００℃を超えるようなアニール工程を行わない場合には、この変形例１を適用して非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させる必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の平面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の断面図。
【図３】図１に示す液晶表示装置における画素回路の各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】本発明の実施形態に係る素子基板の製造工程を示す図。
【図５】（ａ）から（ｄ）は、本発明の実施形態に係る素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図６】（ａ）から（ｅ）は、本発明の実施形態に係る素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図７】素子基板の製造に用いるウェハの斜視図。
【図８】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態に係る素子基板における遮光膜の配置位置を説明するための平面図。
【図９】電子機器としてのプロジェクタの斜視図。
【符号の説明】
【００４５】
１…電気光学装置としての液晶表示装置、５…画素領域、６…駆動回路領域、１０…基板、１１…アクティブマトリクス基板としての素子基板、２１…対向基板、３１…ソース電極、３２…端子電極、３３…ドレイン電極、３４…データ線、３５…蓄積容量、３６…走査線、３７…画素電極、４１…絶縁膜としての酸化珪素膜、４２Ａ…珪素膜としての非晶質珪素膜、４２Ｐ…多結晶珪素膜、４２Ｑ…多結晶珪素膜、４５…熱酸化膜、４６，４８…酸化珪素膜、４７…ゲート電極、４９…遮光膜、５０…液晶、６１…データ線駆動回路、６２…走査線駆動回路、１００…ウェハ、２００…電子機器としてのプロジェクタ、３０５，３０６…スイッチング素子としてのＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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