(57)【要約】【課題】高速な記録、再生が可能であり、ＷＤが十分大きい光メモリヘッド等を提供すること。【解決手段】所定波長λの光を供給する上部電極１０１と基板１０２と２つの分布ブラッグ反射鏡１０３と活性層１０４と下部電極１０５とで挟まれた構成からなる光源と、所定波長λよりも小さい径を有する微小開口１０８と、負屈折を示す材料で構成され、微小開口１０８からの光を所定面である情報層１１２の表面へ集光させること及び情報層１１２の表面からの光を微小開口１０８の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行うための負屈折レンズ１０９とを有している。【選択図】        図１
2007207394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定波長の光を供給する光源と、
前記所定波長よりも小さい径を有する微小開口と、
負屈折を示す材料で構成され、前記微小開口からの光を所定面へ集光させること及び前記所定面からの光を前記微小開口の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行うための光学素子と、を有することを特徴とする光メモリヘッド。
【請求項２】
負屈折を示す材料により構成された前記光学素子は、前記微小開口の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光メモリヘッド。
【請求項３】
負屈折を示す材料により構成された前記光学素子は、スラブ状レンズであることを特徴とする請求項１または２に記載の光メモリヘッド。
【請求項４】
負屈折を示す材料により構成された前記光学素子の厚さは２０ｎｍより大きく、かつ１ｍｍより小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光メモリヘッド。
【請求項５】
前記所定波長をλとするとき、負屈折を示す材料により構成された前記光学素子の厚さがλ／３０より大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光メモリヘッド。
【請求項６】
前記所定波長をλとするとき、前記微小開口の幅の最大値がλ／２より小さいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光メモリヘッド。
【請求項７】
前記光源は、アレイ状に配置された複数の発光素子を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光メモリヘッド。
【請求項８】
所定波長の光を供給する光供給ステップと、
前記所定波長よりも小さい径を有する微小開口を配置する配置ステップと、
負屈折を示す材料で構成された光学素子により、前記微小開口からの光を所定面へ集光させること及び前記所定面からの光を前記微小開口の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行うための集光ステップと、を有することを特徴とする光記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段によりディジタル情報を記録、再生する装置、及びその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  （ＣＤ）やＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ（ＤＶＤ）等のいわゆる光記録媒体が普及している。これらの光記録媒体は、パソコンなどのディジタルデータや映画などのディジタルコンテンツを保存・配布するための情報媒体として用いられている。
【０００３】
さらには、次世代の光記録媒体としてＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ（ＢＤ）やＨｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ（ＨＤ−ＤＶＤ）が実用段階に入りつつある。次世代の光記録媒体は、開発初期段階のもので２０〜３０ＧＢ、多層記録を併用したもので１００ＧＢを超える大容量のデータを保存することができる。
【０００４】
一方で、Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ（ＨＤＤ）の急速な大容量化が進んでいる。また、高精細映像も普及している。このことを考慮すると、数百ＧＢ〜１ＴＢという記録容量をもつ次々世代の光記録技術が期待される。このため、ホログラフィックメモリー（例えば、非特許文献１参照。）や近接場光記録などが開発段階にある。
【０００５】
また、例えば、非特許文献２には、ＢＤと固体侵レンズによって１５０ＧＢ相当のＲＯＭディスクを作製・再生する技術が記載されている。以下、光記録媒体を、適宜「メディア」という。
【０００６】
近接場記録や固体侵レンズを用いた光記録によって記録容量を向上させる技術は、信号の符号化を介して物理的な記録ピットとディジタル情報のビットとを対応させる方法を採用している。
【０００７】
ここで、物理的な記録ピットの線形サイズをＬとする。すると、記録容量は、線形サイズＬの自乗に比例して増大する。これに対し、記録時のデータレートまたは再生時のデータレートは、線形サイズＬに比例して増大する。このため、メディア当たりの記録または再生時間が、線形時間Ｌに比例して増大してしまうという問題が生じる。
【０００８】
記録時間または再生時間が増大する問題に対する解決策として、例えば、特許文献１や非特許文献３には、垂直共振器面発光型レーザーダイオード（以下、適宜「ＶＣＳＥＬ」という。）アレイで多数のデータトラックを同時並列的に記録、再生する方法が提案されている。この方法では、放射光から近接場光への変換効率や多数のＶＣＳＥＬをトラッキングさせる精度の問題などがある。そして、これらの問題が解消されれば、上述の記録時間、再生時間の問題に対する有効な技術と考えられる。
【０００９】
ＶＣＳＥＬアレイによる超並列近接場光記録について、図２、図３を用いて説明する。図２は、ＶＣＳＥＬアレイ１０を正面から見た模式図である。多数、例えば、Ｎ×Ｎ個のＶＣＳＥＬ１１がレーザー基板１２上に格子状に設置されている。各ＶＣＳＥＬの開口部（図２中、黒点で示す）から紙面に垂直な方向にレーザー光が射出する。
【００１０】
図３は、ＶＣＳＥＬアレイ１０の垂直な方向の断面構成を示している。隣接するＶＣＳＥＬ１１を３個含んでいる。レーザー基板１２上に配列されたＶＣＳＥＬ１１は、レーザー光（図中、点線で示す）を射出する。射出したレーザー光は、一定の角度で広がって進行する。ＶＣＳＥＬごとに設けられたマイクロレンズ２１は、進行するレーザー光を収束させる。収束されたレーザー光は、開口部２２近傍に集光される。
【００１１】
開口部２２の径は、レーザー光の波長より小さく設定されている。このため、レーザー光の大部分は、放射光の状態では開口部２２を通過できない。ここで、開口部２２から下側には、開口部２０２の径と同程度の波長の近接場光がしみ出す。そして、近接場光を用いて光ディスク３０への記録、再生を行う。
【００１２】
光ディスク３０は、ディスク基板３１の上に情報記録層３２を設けた構造を有している。また、さらに保護層などがコーティングされていても良い。なお、近接場記録を行うためにはコーティングの厚さを開口部２２の径程度、通常は数十ｎｍと薄くする必要がある。
【００１３】
例えば、非特許文献４に記載されているように、開口部２２からしみ出した近接場光が比較的集光されている領域は、高々開口部２２の径程度の領域である。このため、近接場光記録の効果を得るためには、開口部２２と情報記録層３２との間の距離（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ、以下、適宜「ＷＤ」と呼ぶ。）を数十ｎｍとする必要がある。
【００１４】
例えば、非特許文献１では、ＷＤを正確に制御するために、スライスパッド２３を設ける構成、またはＨＤＤ等で用いられる浮上スライダの技術を利用する方法が記載されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−２８８２４６号公報
【非特許文献１】Ｌ．Ｈｅｓｓｅｌｉｎｋ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｏｐｔｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｖｏｌ．２５（９），  Ｓ６１１（１９９３）
【非特許文献２】斎藤公博ほか、Ｏｐｔｉｃｓ  Ｊａｐａｎ  ２００５，  講演予稿集，  ｐ．５７２
【非特許文献３】後藤顕也ほか、Ｏ  ｐｌｕｓ  Ｅ  Ｖｏｌ．２４（１），  ｐ．６０−７１(２００２年）
【非特許文献４】斎木敏治ほか、『ナノスケールの光物性』（オーム社刊、2004年）
【非特許文献５】Ｔ．Ｗ． Ｅｂｂｅｓｅｎ  ｅｔ  ａｌ．， Ｎａｔｕｒｅ  Ｖｏｌ．３９１，  ｐ．６６７(１９９８)
【非特許文献６】Ｊ．Ａ．Ｍａｔｔｅｏ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ  Ｖｏｌ．１３，  ｐ．６３６(２００５)
【非特許文献７】Ｊ．Ｂ．Ｐｅｎｄｒｙ，  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ．８５，  ｐ．３９６６（２０００）
【非特許文献８】Ｌ．Ｌｉｕ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ  Ｖｏｌ．１２，  ｐ．４８３５(２００４)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来技術の構成では、ＶＣＳＥＬアレイ10の大きさに対してＷＤがあまりにも小さい。ＶＣＳＥＬアレイ１０を構成するＶＣＳＥＬ間の間隔は通常２０μmである。例えば、１００×１００アレイの一辺の長さは、２ｍｍ程度、つまりＷＤの数万倍にも達する。
【００１７】
このため、たとえスライスパッド２３を設けたとしても、ＶＣＳＥＬアレイ１０と光ディスク３０とが衝突してしまう場合がある。これにより、ＶＣＳＥＬアレイ１０と光ディスク３０とが損傷してしまう。また、トラッキング制御が不安定になることも避けられない。ここで、浮上スライダを用いれば、安定したトラッキング制御が可能である。しかしながら、ＨＤＤの技術から容易に想像できるように、浮上スライダを用いる場合には空気のわずかな振動が浮上動作に大きく影響するため、ヘッドおよび記録媒体を一体化して強固な筐体内に密閉する必要がある。したがって部品点数の増大、加工および組立ての高精度化、さらにはヘッドと記録媒体の一体化などが必要となり、低コスト、リムーバブルといった光記録の特徴が損なわれてしまう。
【００１８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高速な記録、再生が可能であり、ＷＤが十分大きい光メモリヘッド及び光記録再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、所定波長の光を供給する光源と、所定波長よりも小さい径を有する微小開口と、負屈折を示す材料で構成され、微小開口からの光を所定面へ集光させること及び所定面からの光を微小開口の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行うための光学素子と、を有することを特徴とする光メモリヘッドを提供できる。
【００２０】
また、本発明の好ましい態様によれば、負屈折を示す材料により構成された光学素子は、微小開口の近傍に配置されていることが望ましい。
【００２１】
また、本発明の好ましい態様によれば、負屈折を示す材料により構成された光学素子はスラブ状レンズであることが望ましい。
【００２２】
また、本発明の好ましい態様によれば、負屈折を示す材料により構成された光学素子の厚さは２０ｎｍより大きく、かつ１ｍｍより小さいことが望ましい。
【００２３】
また、本発明の好ましい態様によれば、所定波長をλとするとき、負屈折を示す材料により構成された光学素子の厚さがλ／３０より大きいことが望ましい。
【００２４】
また、本発明の好ましい態様によれば、所定波長をλとするとき、微小開口の幅の最大値がλ／２より小さいことが望ましい。
【００２５】
また、本発明の好ましい態様によれば、光源は、アレイ状に配置された複数の発光素子を有していることが望ましい。
【００２６】
また、他の本発明によれば、所定波長の光を供給する光供給ステップと、所定波長よりも小さい径を有する微小開口を配置する配置ステップと、負屈折を示す材料で構成された光学素子により、微小開口からの光を所定面へ集光させること及び所定面からの光を微小開口の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行うための集光ステップと、を有することを特徴とする光記録再生方法を提供できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、高速な記録、再生が可能であり、ＷＤが十分大きい光メモリヘッドを提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明に係る光メモリヘッド及び光記録再生方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００２９】
図１は、本発明の実施例１に係る光メモリヘッド１００の断面構成を示している。上部電極１０１と下部電極１０５との間には、図中上から順に、基板１０２と、分布ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ）１０３と、活性層１０４と、さらに分布ブラッグ反射鏡１０３とが配置されている。
【００３０】
そして、上部電極１０１と下部電極１０５との間に電圧を印加する。これにより、閾値電流以上の電流が流れる。そして、分布ブラッグ反射鏡１０３で挟まれた活性層１０４においてレーザー発振を生じる。この結果、下部電極１０５の開口部からレーザー光が射出する。上部電極１０１から下部電極１０５までの構成でＶＣＳＥＬを構成し、光源に対応する。
【００３１】
なお、本実施例では、光源として、多数のＶＣＳＥＬ群からなるＶＣＳＥＬアレイの構成を用いる。説明の便宜のため、図１には、１つのＶＳＣＬを示している。
【００３２】
下部電極１０５の図中のさらに下方には、マイクロレンズ１０６及び半導体プローブ１０７が設置されている。また、半導体プローブ１０７は、その下端部に微小開口１０８を有している。微小開口１０８の径は、記録または再生しようとする記録ピット（マーク）のサイズにも依存するが、通常は１０〜１００ｎｍ程度である。
【００３３】
下部電極１０５の開口部から射出したレーザー光は、マイクロレンズ１０６によって微小開口１０８近傍に集光される。ここで、レーザー光は、波長４００〜７８０ｎｍ程度の可視光である。
【００３４】
微小開口１０８の径は波長に比べてひと桁小さい。このため、レーザー光は、微小開口１０８を通過することができない。そして、レーザー光は、近接場光となって、微小開口１０８の図中下方にしみ出す。
【００３５】
微小開口１０８に照射されるレーザー光と比較すると、近接場光のしみ出し量は微弱である。このため、好ましくは、微小開口１０８の周囲に微細な周期構造を設ける構成、または微小開口１０８自身の形状をフラクタルとする構成が望ましい。これにより、近接場光のしみ出し量をさらに増幅させることができる。
【００３６】
半導体プローブ１０７のさらに図中下方には、負屈折を示す材料で構成された負屈折レンズ１０９が配置されている。負屈折レンズ１０９は、スラブ形状を有している。
【００３７】
ここで、負屈折を示す材料とは、レーザー光の波長に対する誘電率、透磁率、屈折率の少なくとも１つが負の値を有する材料をいう。例えば、可視光域では、金や銀などの金属薄膜がある。
【００３８】
また、フォトニック結晶やメタマテリアルなどの構造材料が負屈折を示すことも知られている。この場合は、構造材料を構成する物質の屈折率が負の値をとってもよいし、構造体としての有効屈折率が負の値をとってもよい。
【００３９】
ここで、「負屈折を示す材料」について、さらに説明する。従来の光学系の解像能力は主に可視光の回折限界によって制約されている。ここで、屈折率が負の値をとる光学材料（以下、適宜「負屈折材料」と呼ぶ。）が実現されている。負屈折材料を利用すれば回折限界を超える超高解像の結像（以下、適宜「完全結像」と呼ぶ。）が可能である。
【００４０】
屈折率が負の値をとる場合以外でも、誘電率または透磁率の実数部が負の値であれば、特定の偏光状態の電磁波に対して負屈折的な現象が観測される。また、上述したフォトニック結晶のような周期構造体においては、逆格子空間でフォトニックバンドが折り返される結果、屈折率、誘電率及び透磁率が全て正の材料であるにもかかわらず、特定の波長、特定の偏光状態の電磁波に対して負屈折的な現象が観測される。
【００４１】
上記の事情を鑑みて、本明細書では、特定の電磁波に対して負屈折的な応答を示す材料を「負屈折を示す材料」と呼ぶことにする。「負屈折を示す材料」という表現は、負屈折材料よりも広義の概念であることは言うまでもない。
【００４２】
負屈折を示す材料としては、上述のフォトニック結晶やメタマテリアルの他にも、金属薄膜、カイラル物質、左手系物質（Ｌｅｆｔ  Ｈａｎｄｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）、バックワード波材料（Ｂａｃｋｗａｒｄ  Ｗａｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）、負位相速度媒質（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌ（Ｍｅｄｉｕｍ））等が知られている。
【００４３】
上述したように、負屈折を示す材料を用いたスラブ形状の負屈折レンズ１０９は、幾何光学的なレンズ作用を有するだけでなく、収差や回折による点像の広がりがない完全結像を実現できることが知られている（例えば、非特許文献７参照。）。
【００４４】
また、理想的な完全結像が実現されるのは、負屈折レンズ１０９と周囲の媒質との屈折率の和が０となる場合に限られる。本実施例では、レーザー光が大気中から直接負屈折レンズ１０９へ入射する構成としている。
【００４５】
大気の屈折率は約１.０と考えて良い。このため、負屈折レンズ１０９の屈折率は、約−１.０とすることが好ましい。本明細書において、「完全結像効果」という表現は、上述の理想的な完全結像が実現する場合、及び負屈折レンズ１０９の効果によって結像性能が回折限界より高い場合を表すものとする。
【００４６】
微小開口１０８からしみ出した近接場光は、負屈折レンズ１０９によって光ディスク１１０の情報層１１２へ結像される。完全結像効果が得られる条件のもとでは、微小開口１０８の近傍直下と全く同じ強度分布の近接場光スポットが情報層１１２に再現する。従って、本来は微小開口１０８の近傍でしか形成できない微小な近接場光スポットを、微小開口１０８や負屈折レンズ１０９から離れた位置に形成することができる。
【００４７】
次に、光メモリヘッド１００を用いた光情報記録再生方法について説明する。まず、光供給ステップにおいて、所定波長の光を供給する。次に、配置ステップにおいて、所定波長よりも小さい径を有する微小開口１０８を配置する。そして、集光ステップにおいて、負屈折レンズ１０９により、微小開口１０８からの光を所定面である情報層１１２の表面へ集光させること及び情報層１１２の表面からの光を微小開口１０８の位置へ集光させることの少なくともいずれか一方を行う。
【００４８】
ここで、図１からも明らかなように、負屈折レンズ１０９の幾何光学的な結像条件は、微小開口１０８と情報層１１２との間隔２ｄが負屈折レンズ１０９の厚さｄのちょうど２倍となることである。
【００４９】
即ち、負屈折レンズ１０９を微小開口１０８の近傍に配置することで、負屈折レンズ１０９の光ディスク１１０側の面と情報層１１２との距離ＷＤを大きくすることができる。
【００５０】
また、負屈折レンズ１０９の光軸に沿った方向の厚さは、２０ｎｍより大きいことが望ましい。さらに、好ましくは、この厚さは、５０ｎｍより大きいことが望ましい。加えて、この厚さは、１００ｎｍより大きいことが望ましい。また、さらに好ましくは、この厚さは１μｍより大きいことが望ましい。
【００５１】
また、負屈折レンズ１０９の光軸に沿った方向の厚さは、１ｍｍより小さいことが望ましい。さらに、レーザー光の波長をλとするとき、負屈折レンズ１０９の厚さは、λ／３０より大きいことが望ましい。加えて、微小開口１０８の幅の最大値は、λ／２より小さいことが望ましい。
【００５２】
従来技術の近接場光記録では、半導体プローブ１０７の先端に設けられた微小開口１０８と光ディスク１１０の情報層１１２とを、２０〜５０ｎｍの距離に近接させなければならなかった。本実施例では、負屈折レンズ１０９の厚さを５０ｎｍより大きくすると、この厚さと同程度のＷＤを得られる。このように、本実施例は従来技術に比較して明確な優位性を有している。
【００５３】
負屈折レンズ１０９の厚さをさらに厚くして、例えば１００ｎｍ以上とすることもできる。これにより、ＷＤをさらに大きくできる。従って、微小開口１０８と負屈折レンズ１０９との間隔を設定する自由度が増すので、さらに好ましい。
【００５４】
このように、完全結像効果を損なわない範囲で負屈折レンズ１０９の厚さをより厚くすることで、記録及び再生時のＷＤをより大きくすることができる。例えば、屈折レンズ１０９の厚さが１μｍより厚い場合には、スライスパッドやスライダ機構を用いることなく、超並列近接場光記録を実現することができる。スライスパッドを用いないため、情報層や光ピックアップを損傷することを防止できる。また、スライダ機構を用いないため、情報媒体の可搬性を高めることができる。
【００５５】
記録時、再生時のＷＤだけを考える限りにおいて、負屈折レンズ１０９は厚いほど良い。なお、負屈折レンズ１０９の厚さが１ｍｍより厚くなると、レンズ自身による光の吸収や散乱によって完全結像効果が損なわれてしまうので好ましくない。
【００５６】
また、記録用の光メモリヘッド１００で記録された情報を再生する再生システムにおいは、光メモリヘッド１００に戻される光の強弱によって光源の電極間電圧を監視する。そして、電極間電圧の変化を二値情報に対応させることで光ディスク１１０に記録されている情報を読み取ることができる。
【００５７】
具体的には、情報層１１２に記録された情報ビットの有無に応じて、例えば、情報ビットが存在するときには、情報ビットを高い反射率を有する結晶状態としておく。この情報ビットに反射した光が微小開口１０８を通してマイクロレンズ１０６を介して光源の中に入射する。そして、光源に戻される光の強弱によって電極間電圧を監視する。
【００５８】
これに対して、情報ビットが存在しないときは、情報ビットを低い反射率を有するアモルファス状態としておく。情報ビットが存在しない領域では、光源であるレーザー素子のインピーダンス変化が少ない。このため、情報ビットで反射した光が光源内に入射しても、光源の電極電圧変化分が少なくなる。従って、光源の電極間電圧を監視し、これらを二値情報に対応させることができる。この結果、記録用の光メモリヘッドで記録された情報を読み取ることができる。
【００５９】
再生時には、各ＶＣＳＥＬには、常時注入電流を流してＶＣＳＥＬへの戻り光の強弱によって生ずる電極の端子間電圧変化をモニターしている。このようなメカニズムで光記録媒体に記録された情報ビットを読み取ることが可能となる。なお、記録用光メモリヘッドと再生用光メモリヘッドを個別に構成すること、及び記録と再生とを１つの光メモリヘッドに共有させる構成のいずれも可能である。
【００６０】
本実施例においては、マイクロレンズ１０６と半導体プローブ１０７を用いて、微小開口１０８へレーザー光を照射する構成としている。しかしながら、本発明の効果はこの構成に限定されるものではなく、例えば導波路や反射光学系を利用してレーザー光を伝搬させてもよい。
【００６１】
また、記録または再生に必要な近接場光量が得られるのであれば、マイクロレンズ１０６を含まない構成であってもよい。さらに、電極や分布ブラッグ反射鏡をより集光性の高いデザインとすることができれば、下部電極１０５の開口が微小開口１０８を兼ねる構成が可能となる。この結果、非常に簡素で低コストのＶＣＳＥＬアレイを実現できる。
【００６２】
本実施例においては、多数のＶＣＳＥＬ群からなるＶＣＳＥＬアレイの構成としている。ここで、負屈折レンズ１０９を配置することによってＷＤを大きくとれるという効果は、言うまでもなくＶＣＳＥＬの個数に依存しない。特に、ＶＣＳＥＬが１個の場合でも、２０〜５０ｎｍというＷＤが実用上の本発明の作用効果をもたらすことは明らかである。従って、ＶＣＳＥＬが１個の場合でも、本発明の効果は十分認められる。もちろん、ＶＣＳＥＬの数が多くなるほどに、ＷＤを大きくとれる効用は大きい。
【００６３】
本実施例では、基板１１１と情報層１１２からなる表面記録タイプの光ディスクを用いている。しかしながら、近接場光記録の利点、即ち記録または再生ビームスポットが小さいという利点を損なわない範囲で、表面保護層がコーティングされていてもよい。
【００６４】
また、光ディスク１１０は、射出成形時により情報を刻み込んだＲＯＭタイプ、記録層に色素や合金を含むＷＯ（Ｗｒｉｔｅ  Ｏｎｃｅ）タイプ、相変化記録や光磁気記録による書き換え可能型ディスクのタイプのいずれのタイプでも良い。このように、本発明は、記録ビームスポットや再生ビームスポットを小さくすることで、記録密度が向上する情報記録媒体全般に適用可能である。
【００６５】
また、本実施例では、複数の異なるＶＣＳＥＬで発振したレーザー光からそれぞれ独立に近接場光を発生させているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、同一光源からの光を空間的に分岐し、分岐されたレーザー光からそれぞれ独立に近接場光を発生させてもよい。
【００６６】
さらに、上記実施例において、結像を担う放射線に対して「光」という表現を用いているが、本発明の効果は可視光に限定されるものではない。具体的には、電波、ラジオ波、マイクロ波、テラヘルツ波、赤外線、紫外線、Ｘ線、γ線などを含む電磁波一般に対して期待されるものである。実施例においても、結像を担う放射線の波長になんら制約はない。このように、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で様々な変形例をとることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上のように、本発明に係る光メモリヘッドは、負屈折を示す材料で構成された光学素子を含む光学系に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施例１に係る光メモリヘッドの概略構成を示す図である。
【図２】従来技術のＶＣＳＥＬアレイを正面から見た構成を示す図である。
【図３】従来技術のＶＣＳＥＬアレイの断面構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００  光メモリヘッド
１０１  上部電極
１０２  基板
１０３  分布ブラッグ反射鏡
１０４  活性層
１０５  下部電極
１０６  マイクロレンズ
１０７  半導体プローブ
１０８  微小開口
１０９  負屈折レンズ
１１０  光ディスク
１１１  基板
１１２  情報層
【図１】
2007207394.tif 000003
【図２】
2007207394.tif 000004
【図３】
2007207394.tif 000005