(57)【要約】【課題】半田ボールを介してランド端子を電子機器の回路基板に接続した状態において、熱膨張差により生じる応力によって半導体素子の外端角部の直下に位置するランド端子と半田ボールとの間の半田接合部が破壊され、電気的な故障となるのを防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】インターポーザー配線基板３の一方の面に半導体素子２が搭載されるとともに他方の面に、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置するランド端子１０を除いて、半田ランド９を設ける。これら各半田ランド９は、ランド端子１０と、ランド端子１０の表面上に形成された半田ボール１１とにより構成される。この構成によれば、応力が特別高くなる前記外端角部直下に位置するランド端子１０に、半田ボールを設けないことにより、半導体装置の半田接合部における故障寿命を延ばすことができる。【選択図】図１
2007317754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザー配線基板の表裏いずれか一方の面に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の電極部と前記インターポーザー配線基板上の電極ランド部とが電気的に接続され、前記インターポーザー配線基板の他方の面に、前記電極ランド部にそれぞれ電気的に接続された外部接続用のランド端子が設けられ、これら各ランド端子の表面に形成される球状の半田ボールあるいは半田ペーストを使用して電子機器の回路基板に実装される半導体装置であって、
前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記ランド端子を除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、あるいは前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記ランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記除かれたランド端子に加え、この除かれたランド端子に隣接し、且つ前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置するランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、あるいは前記除かれたランド端子に加え、この除かれたランド端子に隣接し、かつ前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置するランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記除かれたランド端子に隣接するランド端子に形成される半田ボールあるいは半田ペーストは、そのサイズが他のランド端子に設けられる半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きく形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半田ボールあるいは半田ペーストのサイズが他の半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きく形成されたランド端子は、前記半導体素子の外形ライン下に位置するランド端子であること
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半田ボールあるいは半田ペーストのサイズが他の半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きく形成されたランド端子は、前記半導体素子の四隅の外端角部下の外側に位置するランド端子であること
を特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記除かれたランド端子に隣接するランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記除かれたランド端子に加え、前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置する全てのランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、あるいは前記除かれたランド端子に加え、前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置する全てのランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子の外形ライン下に沿い、かつその外側に位置する少なくとも一つ以上のランド端子に設けられる半田ボールあるいは半田ペーストは、そのサイズが他のランド端子に設けられる半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きく形成されていること
を特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
インターポーザー配線基板の表裏いずれか一方の面に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の電極部と前記インターポーザー配線基板上の電極ランド部とが電気的に接続され、前記インターポーザー配線基板の他方の面に、前記電極ランド部にそれぞれ電気的に接続された外部接続用のランド端子が設けられ、これら各ランド端子の表面に形成される球状の半田ボールあるいは半田ペーストを使用して電子機器の回路基板に実装される半導体装置であって、
前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記第１ランド端子に隣接し、且つ半導体素子の外形ライン下の両隣の第２ランド端子を除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、前記第１前記ランド端子に形成される半田ボールあるいは半田ペーストは、そのサイズが他のランド端子に設けられた半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きくされ、あるいは前記第１ランド端子および第２ランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第１ランド端子以外の前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置するランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、あるいは前記第１ランド端子および第１ランド端子以外の前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置するランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されること
を特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記配線基板は、有機樹脂を材質とする有機基板であること
を特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記インターポーザー配線基板は、その厚みが略６００μｍであること
を特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報通信機器、事務用電子機器等の高機能化・小型化を容易にする半導体装置、特に基板裏面に複数の半田ボールが形成される構成｛例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）／ＣＳＰ（Chip Size/Scale package）等｝を有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置は、半導体素子を半導体パッケージにより、保護された構造となっている。主な製造工程を述べると、まず半導体素子の表面には、微細なピッチにて電極端子（パッド）を形成しておく。次に、半導体素子をリードフレームや多層配線されたインターポーザー配線基板上に実装する。そして、半導体素子の電極端子パッドをリードフレームやインターポーザー配線基板上の電極ランド部と電気的に接続する。このための方法としては、金細線を用いたワイヤボンディング法（以下、ＷＢ法と略記する）、あるいは電極パッドに金バンプを形成しこの金バンプと配線ランド部を直接接合するフリップチップ法（以下、ＦＣ法と略記する）と呼ばれる方法が用いられる。
【０００３】
また、チップの固定法については、次の２通りがある。まず、ＷＢ法の場合、チップとリードフレームやインターポーザー配線基板は接着ペーストや接着テープで接続されることになる。またＦＣ法の場合、チップとインターポーザー配線基板とは、アンダーフィル剤と呼ばれる封止樹脂にて封止固定される。
【０００４】
そして、最後にチップとリードフレームやインターポーザー配線基板などを、熱硬化性エポキシ封止樹脂にて覆い、固化する。これにより、ＷＢ法を用いた場合の金ワイヤ部や、チップ部や、接続部等を保護し、半導体パッケージが構成される。
【０００５】
このようにして製造された半導体装置は、他の電子部品とともに、電子機器の電子回路基板を構成する。すなわち、半導体装置等をプリント配線基板へハンダ付けにより電気的に接続して、電子回路基板を形成する。このため、半導体装置には、半田付け用の接続用端子が多数用意されている。
【０００６】
初期の半導体パッケージでは、周辺四片に外部電極を配していたが、近年、半導体製品の多電極化とともに一層高密度な実装が求められるようになった。その結果、配線基板（インターポーザー配線基板）の一面側に半導体素子を搭載し、その裏面側に円形の電極（ランドと呼ぶ）を、碁盤の面のように複数配列した半導体装置が開発された。これはＬＧＡ（Land Grid Array；ランドグリッドアレイ）と呼ばれるタイプの半導体パッケージである。さらにはこれら電極ランドに半田ボールを形成し、プリント配線基板との接続用ランドとしたパッケージタイプをＢＧＡ（Ball Grid Array；ボールグリッドアレイ）と呼んでいる。このようなエリアアレイ状の電極配置を特徴とする従来の半導体装置を図１４に示す。
【０００７】
図１４（ａ）はＢＧＡタイプの半導体装置の正面断面構造図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）におけるＸ−Ｘ’矢視図である。
図１４に示すように、半導体装置１は、そのチップ状の半導体素子２が、インターポーザー配線基板３の表面側に、接続樹脂４を介して接着され、半導体素子２に形成された電子回路の表面とインターポーザー配線基板３とは、金線などのボンディングワイヤ５で接続されている。また半導体素子２と露出したボンディングワイヤ５とはモールド封止樹脂６で封止されている。このモールド封止樹脂６は、エポキシ樹脂などを材質としており、半導体素子２を外部の影響から保護する機能を有している。
【０００８】
またインターポーザー配線基板３の裏面側には、プリント配線基板（電子機器の回路基板）へのはんだ付けのために用いられる複数の外部接続用の半田ランド９が縦横に配列されて形成されている。これら半田ランド９は、インターポーザー基板３の裏面側に形成された丸型のランド端子１０と、ランド端子１０の表面に形成された球状の半田ボール１１とで構成される。尚、各ランド端子１０と各半田ボール１１とはそれぞれ均一なサイズに統一されている。また、各半田ボール１１は、半導体装置１とプリント配線基板とをはんだ接続する２次実装のために使用される。
【０００９】
次に、半導体装置１の製造方法についての概略を述べる。
まず、インターポーザー配線基板３上に接続樹脂４を塗布あるいは貼付する。そして半導体素子２をインターポーザー配線基板３上に搭載し、樹脂４を硬化させ、実装が完了する。その後、ＷＢ法により、半導体素子２に形成された電子回路の表面パッドとインターポーザー配線基板３の表面のパッドとをボンディングワイヤ５で接続する。尚、半導体素子がさらに重ね合わされ、複数搭載されることもある。最後に、トランスファーモールド法などにより、半導体素子２をインターポーザー配線基板３上に封止成型する。
【００１０】
しかしながら、上記のような近年増加しているＢＧＡタイプの半導体装置１の構造では、インターポーザー配線基板３とプリント配線基板との熱膨張差によって生じる応力により、ランド端子１０と半田ボール１１との間の半田接合部が破壊するという問題があった。
【００１１】
すなわち、前記熱膨張差によって生じる歪εは下記の式１にて概略的に表現できる。
ε∝（α１−α２）×△Ｔ×Ｌ・・・式１
ここで、α１はインターポーザー配線基板３の熱膨張係数、α２はプリント配線基板の熱膨張係数、△Ｔは試験又は使用時の温度変化、Ｌは半導体装置１（インターポーザー配線基板３または半導体素子２）の大きさである。
【００１２】
半導体装置１においては、モールド封止樹脂６とインターポーザー配線基板３は、プリント配線基板に比べて熱膨張係数の差があり、前記半田接合部に応力（＝ヤング率×歪み量）が発生する。通常、熱膨張係数は、プリント配線基板が約１６〜２５ｐｐｍであるのに対し、モールド封止樹脂６は約１０〜４０ｐｐｍ、インターポーザー配線基板３は約１１〜１８ｐｐｍである。このようにプリント配線基板と半導体装置１との間に、熱膨張係数の差（α１−α２）があれば、材料によって異なるが、半田接合部には前記式１で示される歪εが生じる。この値は、半導体装置１の大きさＬが最も大きい箇所、すなわちインターポーザー配線基板３の最外コーナー部（角部）Ａの近傍で最大となり、この部分で半田接合部の破壊が起きる。
【００１３】
図１５のグラフＧ１（点線）は、半導体装置１の中心からの距離と半田接合部の応力との関係を示しており、インターポーザー配線基板３の材質としてセラミックを用いている。このような半導体装置においては、半導体装置１のコーナー部すなわちインターポーザー配線基板（セラミック配線基板）３の最外コーナー部Ａにおいて半田接合部に作用する応力が最大となり、インターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａのランド端子１０と半田ボール１１との半田接合部が、最初に破壊される。
【００１４】
上記のような問題の対策として、図１４に示すように、インターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａに位置する半田ランド９（すなわちランド端子１０と半田ボール１１）のサイズを大きくした大型の半田ランド２１が、特許文献１〜特許文献４に提案されている。具体的には、大型半田ランド２１の半田ランド端子２２は、その他の半田ランド９のランド端子１０よりも大きな面積を有し、また大型半田ランド２１の半田ボール２３は、その他の半田ランド９の半田ボール１１よりも大きなサイズを有している。
【００１５】
これによると、図１５のグラフＧ２（実線）で示すように、半導体装置１のコーナー部すなわちインターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａにおいて半田接合部に作用する応力が低減し、これにより、最外コーナー部Ａの半田接合部の破壊が防止される。
【００１６】
前記特許文献１には、このように基板の最外コーナー部に位置するボールランドと半田ボールとのサイズを大きくした構成が開示されている。
また、特許文献２には、半導体チップにバンプ付きランド端子が複数形成され、外周側のランド端子のサイズを内周側のランド端子のサイズよりも大きくした構成が開示されている。
【００１７】
また、特許文献３には、配線板の最外コーナー部に位置するランド端子のサイズおよび低融点バンプのサイズとを大きくした構成が開示されている。しかしながら、これは、熱疲労ではなく、溶融金属の表面張力を利用したセルフアライメント機能を利用する目的で設計されており、セルフアライメント機能により、多くのバンプを所定の位置に合わせることができる。このため、熱膨張によるコーナー部の応力集中を考慮したものではなく、また低融点半田を用いているため熱疲労の点では劣化してしまう。
【００１８】
さらに、特許文献４には、パッケージ基板の最外コーナー部に位置する端子のサイズと半田ペーストのサイズとを大きくした構成が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２６６３７号公報
【特許文献２】特開２０００−１００８５１号公報
【特許文献３】特開平１１−３１７４６８号公報
【特許文献４】特開平１１−１５４７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
一般に、半導体素子２（チップ）はシリコン結晶基板上に薄膜回路を形成して製作されている。シリコンの熱膨張係数は約３ｐｐｍ程度と非常に小さく、したがって、半導体装置１の半導体素子２とプリント配線基板との熱膨張係数の差は大きかった。
【００２０】
従来、半導体素子２を搭載しているインターポーザー配線基板３の厚みは比較的厚かったため、半導体装置１をプリント配線基板に接続した状態で、硬い半導体素子２の影響が前記半田接合部（ランド端子１０と半田ボール１１との間の半田接合部）へ及ぶことは少なかった。その結果、半導体素子２の近くにおける前記半田接合部の破壊は少なかった。
【００２１】
ところが、最近では、コスト面から、インターポーザー配線基板３の材質はセラミックから樹脂に変更され、樹脂製の基板が多数を占めるに至っている。なお且つ、電子機器をさらに薄型・軽量化するために、インターポーザー配線基板３の厚みを薄型化しており、その結果、半導体装置１をプリント配線基板に接続した状態で、ランド端子１０と半田ボール１１との半田接合部が半導体素子２の影響を受けて破壊するといった問題が次第に発生してきた。
【００２２】
上記図１４に示す半導体装置１は、半導体素子２のサイズがインターポーザー配線基板３のサイズよりも小さく、図１４（ｂ）に示すように、半導体素子２の外形ラインＢ下にある半田ランド９と、インターポーザー配線基板３の端部にある半田ランド９，２１とは異なった箇所にある。
【００２３】
上述したように、インターポーザー配線基板３にセラミック配線基板を用いた場合は、端面の応力特異性のため、インターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａで、半田接合部の応力は高くなるが、図１５のグラフに示すように、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃでは、半田接合部の応力は大きく変わることがない。
【００２４】
これに対して、図１６のグラフは、インターポーザー配線基板３を硬度の高いセラミック製のセラミック配線基板から柔らかい樹脂製の薄板樹脂配線基板へ変更した場合のものである。これによると、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する半田接合部の応力が顕著に高くなる。この現象は、セラミック配線基板を用いたインターポーザー配線基板３の厚みを薄くしていっても、同様に発生する。
【００２５】
なお、図１５および図１６のグラフＧ１（点線）はそれぞれインターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａの半田ランド９を、その他の半田ランド９と同サイズにした場合を示し、グラフＧ２（実線）はそれぞれ前記最外コーナー部Ａの半田ランド２１を、その他の半田ランド９よりも大型サイズにした場合を示している。
【００２６】
図１６のグラフで示したように、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する半田接合部の応力が高くなった場合、この四隅の外端角部Ｃの直下に位置するランド端子１０と半田ボール１１との半田接合部が破壊され、電気的な故障が発生する。
【００２７】
そこで、本発明は、半田ボールを介してランド端子を電子機器の回路基板（プリント配線基板）に接続した状態において、熱膨張差により生じる応力によって半導体素子の外端角部の直下に位置するランド端子と半田ボールとの間の半田接合部が破壊され、電気的な故障となるのを防止することができる半導体装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記の目的を達成するために、本第１発明は、インターポーザー配線基板の表裏いずれか一方の面に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の電極部と前記インターポーザー配線基板上の電極ランド部とが電気的に接続され、前記インターポーザー配線基板の他方の面に、前記電極ランド部にそれぞれ電気的に接続された外部接続用のランド端子が設けられ、これら各ランド端子の表面に形成される球状の半田ボールあるいは半田ペーストを使用して電子機器の回路基板に実装される半導体装置であって、前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記ランド端子を除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成されることを特徴としたものである。
【００２９】
通常、半導体装置には、半導体装置と電子機器の回路基板との熱膨張差による応力に加え、半導体素子とインターポーザー配線基板および回路基板との熱膨張のミスマッチによる応力が加わる。さらに半導体素子端面では、剛性の段差によって、大きな歪が半導体素子の外形ライン下のランド端子の半田接合部に付加され、半田ボールあるいは半田ペーストとランド端子間に亀裂が発生し、徐々に大きくなる。その中でも半導体素子の四隅の外端角部の直下におけるランド端子の半田接合部は最も早く破壊が生じ、断線してしまう。
【００３０】
上記構成によれば、応力が特別高くなり最も早く破壊が生じる半導体素子の外端角部の直下に、半田ボールあるいは半田ペーストが形成されないことにより、半導体装置の半田付け接合部における故障寿命を延ばすことができる。
【００３１】
また上記本第１発明の別の態様として、前記除かれたランド端子に加え、この除かれたランド端子に隣接するランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成される。あるいは前記除かれたランド端子に加え、この除かれたランド端子に隣接し、且つ前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置するランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成される。あるいは前記除かれたランド端子に加え、前記半導体素子の外形ライン下に沿って位置する全てのランド端子も除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成される。
【００３２】
半導体素子の外端角部の直下の半田ボールあるいは半田ペーストを無くすことにより、その近隣にある半田ボールあるいは半田ペーストとがアンバランスになり、近隣にある半田ボールあるいは半田ペーストに応力が集中し、近隣する半田ボールあるいは半田ペーストの半田接合部が破壊されてしまうといった新たな懸念が発生する。
【００３３】
上記構成によれば、最も早く破壊が生じる半導体素子の外端角部直下の半田ボールあるいは半田ペーストを無くし、隣接する半田ボールあるいは半田ペーストあるいは半導体素子の外形ライン下に沿って位置する半田ボールあるいは半田ペーストも無くすことにより、半田の故障寿命を延ばすことができる。
【００３４】
また上記本第１発明の別の態様として、半導体素子の外端角部の直下の半田ボールあるいは半田ペーストに隣接する半田ボールあるいは半田ペースト、あるいは半導体素子の外端角部の直下の半田ボールあるいは半田ペーストの外側に隣接する半田ボールあるいは半田ペーストは、そのサイズが他のランド端子に設けられる半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きく形成される。
【００３５】
上記構成によれば、半導体素子の外端角部の直下の半田ボールあるいは半田ペーストに隣接する半田ボールあるいは半田ペーストのサイズをその他の半田ボールあるいは半田ペーストのサイズよりも大きくすることにより、前記隣接する半田ボールあるいは半田ペーストのランド端子と半田ボールあるいは半田ペーストとの間の半田接合部の断面積（接合面積）がその他の半田ボールあるいは半田ペーストのランド端子と半田ボールあるいは半田ペーストとの間の半田接合部の断面積（接合面積）よりも広くなり、亀裂進展の経路距離を長く確保することができるため、半導体素子の外端角部の直下の半田ボールあるいは半田ペーストの隣りにある半田ボールあるいは半田ペーストに応力が集中しても、破壊に至るまでの破断疲労サイクル数が延長され、半田接合部の早期破壊を防止することができる。
【００３６】
また本第２発明は、インターポーザー配線基板の表裏いずれか一方の面に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の電極部と前記インターポーザー配線基板上の電極ランド部とが電気的に接続され、前記インターポーザー配線基板の他方の面に、前記電極ランド部にそれぞれ電気的に接続された外部接続用のランド端子が設けられ、これら各ランド端子の表面に形成される球状の半田ボールあるいは半田ペーストを使用して電子機器の回路基板に実装される半導体装置であって、前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記第１ランド端子に隣接し、且つ半導体素子の外形ライン下の両隣の第２ランド端子を除いて、前記半田ボールあるいは半田ペーストが形成され、前記第１前記ランド端子に形成される半田ボールあるいは半田ペーストは、そのサイズが他のランド端子に設けられた半田ボールあるいは半田ペーストのサイズより大きくされることを特徴としている。
【００３７】
上記構成によれば、半導体素子の四隅の外端角部の直下に位置する半田ボールあるいは半田ペーストを無くすのではなく、逆に通常のサイズより大きい半田ボールあるいは半田ペーストを設けることにより、応力が特別高くなる半導体素子の外端角部の直下における半田接合部の変形を抑えることができる。また半田ボールあるいは半田ペーストのサイズの大型化により、半田亀裂が進展する経路距離を長く確保することができるため、破壊に至るまでの破断疲労サイクル数が延長される。これらのことにより、半田接合部の破壊寿命を延ばすことができる。
【００３８】
また上記第１発明および第２発明において、前記半導体素子の四隅の外端角部のうち一つ以上の外端角部の直下に位置する前記ランド端子を介して接続される電気回路を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されていることを特徴とする。あるいは半導体装置の外端角部に隣接するランド端子または前記半導体素子の外形ライン下に位置するランド端子を除いて、前記半導体素子の電気回路と前記回路基板の電気回路が電気的に接続されることを特徴とする。
【００３９】
上記構成によれば、万一、過大な応力が半導体素子の角部直下におけるランド端子、あるいは隣接する半導体素子の外形ライン下に位置するランド端子の半田接合部が破損しても、これらランド端子は電気回路として使用されていないため、半導体装置の電気回路の機能は維持される。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の半導体装置は、半導体素子の外端角部の直下におけるランド端子の半田接合部の破壊による故障の発生を無くすことができる、また前記直下のランド端子の隣りに位置するランド端子に応力が集中しても半田接合部の破壊を防止することができる、という効果を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、図１４に示した従来の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
［実施の形態１］
実施の形態１は請求項１に対応するものであり、図１（ａ）は半導体装置４１の正面断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’矢視図である。
【００４２】
図１に示すように、インターポーザー配線基板３の表裏いずれか一方の面には半導体素子２が搭載されており、インターポーザー配線基板３は半導体素子２よりも大きなサイズを有している。また半導体素子２の電極部とインターポーザー配線基板３上の電極ランド部とが電気的に接続され、インターポーザー配線基板３の他方の面に、インターポーザー配線基板３の電極ランド部にそれぞれ電気的に接続された外部接続用のランド端子１０が設けられている。これら各ランド端子１０の表面に球状の半田ボール１１が形成されて半田ランド９が構成される。
【００４３】
また図１に示すように、上記半田ランド９のうち、半導体素子２の外形ラインＢの四隅の外端角部（コーナー）Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６には、半田ボールが形成されていない。すなわち、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃのうち一つ以上の外端角部Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６を除いて、残りのランド端子１０に半田ランド９が設けられている。
【００４４】
図２に半導体装置４１を電子機器の回路基板（プリント配線基板）７１に搭載して半田付け実装し、電気回路を形成した実装構造体７０を示す。
半田付け実装の具体的手順は、図２に示す回路基板７１と回路基板７１上にある配線ランド７２へ半田ペーストを印刷供給し、半導体装置４１を回路基板７１に搭載し、その後、半導体装置４１の半田ボール１１とともに、リフロー炉で加熱し、半田を溶融し、半田付けする。これにより、半導体装置４１のランド端子１０と回路基板７１の配線ランド７２は、接合半田部７３（半田ボール１１と半田ペースト、もしくは半田ペースト）により接続される。そして、半導体装置４１のランド端子１０と接合半田部７３との間に半田接合部７４が形成される。半田ペーストは、チップエッジ直下の電極ランド以外へ印刷供給することで、実装構造体７０は形成される。
【００４５】
以下、上記構成における作用を説明する。
通常の場合では、半導体装置４１と電子機器の回路基板７１との熱膨張差に加え、半導体素子２とインターポーザー配線基板３および回路基板７１との熱膨張の差が加わる。さらに半導体素子２の外形ラインＢでは、剛性の段差によって、大きな歪が、前記半田接合部７４に付加される。その中でも半導体素子の外端角部Ｃの直下における第１ランド端子１６と接合半田部７３との間の半田接合部７４は最も早く破壊が生じ、断線してしまう。ところが、半導体装置４１では、応力が特別高くなる半導体素子の外端角部Ｃの直下の第１ランド端子１６には半田ボール（接合半田部）を設けないことにより、第１ランド端子１６の半田接合部７４における故障寿命を延ばすことができる。
【００４６】
図３のグラフは半導体装置４１の中心からの距離と半田接合部７４の応力との関係を示しており、半導体素子２の外形ラインＢの外端角部Ｃの直下に位置する半田接合部７４が無いとき、グラフＧ２（実線）で示すように、外端角部Ｃでは応力が零になる。代わりに周囲の応力がやや増加しているが、全体的に半田接合部７４の応力は低減する。なお、図３には、比較対照のために、図１６のグラフ（Ｇ１，Ｇ３）を表示している。
【００４７】
なお、実施の形態１では、第１ランド端子１６については接合半田部７３を設けずに半田接合しない形態としているが、機械的にはんだ接続した上で、第１ランド端子１６に接続される半導体素子２の電気回路と、第１ランド端子１６およびこれに対応する回路基板７１上の配線ランド７２を介して接続される回路基板７１の電気回路との間を電気的に遮断してもよい（すなわち第１ランド端子１６を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が第１ランド端子１６および接合半田部７３に作用して、その半田接合部７４が破損しても、電気回路の機能は維持される。
【００４８】
また半導体装置４１は、図４に示すような半導体素子２をＦＣ法でインターポーザー配線基板３にバンプ３９で電気的接続を行った半導体装置４４であってもよい。半導体装置４１と同様に半田ボール１１を設けている。
【００４９】
また半導体装置４１は、図５に示すような半田ボールを備えていないＬＧＡタイプの半導体装置４５でも、この半田付け実装後の実装構造体は有効である。図５は半導体素子２をＦＣ法でインターポーザー配線基板３にバンプ３９で電気的接続を行った例である。この電気部品の状態である半導体装置４５では半田ボールは設けられていない。回路基板７１に半田付けするときには、図２に示す回路基板７１へ印刷供給される半田ペーストのみで半田付けする。実装構造は、半導体素子２の外形ラインＢの四隅の外端角部Ｃの直下のランド端子１６以外へ半田ペーストを印刷供給することにより形成される。半田ボール１１がある場合より接合半田部７３の高さが低くなるが、図１の半導体装置４１の場合と同様に、応力が特別高くなる半導体素子の外端角部Ｃの直下に、接合半田部７３を設けないことにより、半導体装置４５の半田接合部７４における故障寿命を延ばすことができる。
［実施の形態２］
実施の形態２は請求項２に対応するものであり、図６は半導体装置４６のインターポーザー配線基板３を他方の面（裏面）から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
実施の形態２では、実施の形態１と同様に、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６に、半田ボール（あるいは接合半田部）を構成しないのに加えて、半導体素子２の外形ラインＢ下に有り、かつ第１ランド端子１６に隣接する第２ランド端子１９についても半田ボール（あるいは接合半田部）を構成していない。
【００５１】
このように、半導体素子２の外端角部Ｃの直下付近に位置する第１ランド端子１６および第２ランド端子１９に半田ボール（あるいは接合半田部）を設けないことにより、外端角部Ｃの直下付近に応力が集中しても、半導体装置の半田接合部７４における故障寿命を延ばすことができる。
【００５２】
また図１４に示した従来の半導体装置のように、インターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａに大型半田ランド２１を設けている。
なお、実施の形態２では、第１ランド端子１６および第２ランド端子１９については半田ボールあるいは接合半田部を設けずに半田接合しない形態としているが、機械的にはんだ接続した上で、第１ランド端子１６および第２ランド端子１９に接続される半導体素子２の電気回路と、第１ランド端子１６および第２ランド端子１９およびこれらランド端子１６，１９に対応する回路基板７１上の配線ランド７２を介して接続される回路基板７１の電気回路との間を電気的に遮断してもよい（すなわち第１ランド端子１６および第２ランド端子１９を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が第１ランド端子１６や第２ランド端子１９の半田接合部７４に作用して破損しても、電気回路の機能は維持される。
［実施の形態３］
実施の形態３は請求項３、請求項４および請求項６に対応するものであり、図７は半導体装置４７のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５３】
図７に示すように、半導体装置４７では、実施の形態１と同様に、半導体素子２の外形ラインＢの外端角部Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６に、半田ボールが形成されていない。また半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する各第１ランド端子１６の両隣に位置し、外形ラインＢ下に沿った第２ランド端子３７に大型の半田ランド３６が形成されている。これら大型半田ランド３６のサイズはその他の半田ランド９のサイズよりも大きく形成されている。具体的には、大型半田ランド３６の半田ランド端子３７は、その他の半田ランド９のランド端子１０よりも大きな面積を有している。また、大型半田ランド３６の半田ボール３８は、その他の半田ランド９の半田ボール１１よりも大きなサイズを有している。
【００５４】
これによると、大型半田ランド３６のランド端子３７と半田ボール３８との間の半田接合部の断面積がその他の半田ランド９のランド端子１０と半田ボール１１との間の半田接合部７４の断面積よりも広くなるため、半導体装置４７内における半導体素子２と配線基板３の熱膨張差によって生じる変形、ならびに、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃを含む外形ラインＢ近傍にある半田接合部７４に集中して生じる応力を低減することができる。
【００５５】
また半導体装置４７とプリント配線基板７１との熱膨張差によって大型半田ランド３６自身の半田接合部に作用する応力も低減される。
さらに、大型半田ランド３６のランド端子３７と半田ボール３８との間の半田接合部において、外周側から進行する熱疲労によって亀裂が進展する際の経路距離Ｄを長く確保することができるため、破壊に至るまでの破断疲労サイクル数が向上し、破壊に至るまでの時間が延長される。これらのことにより、半導体素子２の外端角部Ｃを含む外形ラインＢの直下近傍にある半田接合部７４の破壊を防止することができ、寿命を延ばすことができる。
【００５６】
なお、前記実施の形態３では、大型半田ランド３６を電気的に半導体素子２に接続しているが、電気的に断絶してもよい（すなわち大型半田ランド３６を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が大型半田ランド３６に作用して大型半田ランド３６が破損しても、電気回路の機能は維持される。
【００５７】
上記実施の形態３の他の形態を、図８に示す。図８に示すように半導体素子２の領域以外の半田ランドを改善している。図８に示す半導体装置４８では、半導体装置２の外周コーナー部Ａに位置する大型半田ランド２１だけでなく、大型半田ランド２１に隣接して中型半田ランド２４を各半導体装置４８のコーナーに設けている。具体的には、中型半田ランド２４のランド端子２５の径が通常の半田ランド９のランド端子１０の径よりも大きく、大型半田ランド２１のランド端子２２の径より小さく、さらに中型半田ランド２４の半田ボール２６の径と高さが通常の半田ランド９の半田ボール１１の径と高さよりも大きく、大型の半田ランド２１の半田ボール２３の径と高さより小さく形成されている。
［実施の形態４］
実施の形態４は請求項５および請求項６に対応するものであり、図９は半導体装置４９のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５８】
図９に示すように、半導体装置４９では、実施の形態１と同様に、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する第１のランド１６に、半田ボールが形成されていない。また半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する各第１ランド端子１６の隣接し、半導体素子２の外端角部Ｃの外側に位置する第２ランド端子２８について、通常の半田ランド９より大きいサイズの中型半田ランド２７が形成されている。具体的には、中型半田ランド２７の第２ランド端子２８の径が通常の半田ランド９のランド端子１０の径よりも大きく大きな面積を有し、大型半田ランド２１のランド端子２２の径より小さく、さらに、中型半田ランド２７の半田ボール２９の径と高さが通常の半田ランド９の半田ボール１１の径と高さよりも大きく、大型半田ランド２１の半田ボール２３の径と高さより小さく形成されている。
【００５９】
これによると、中型半田ランド２７のランド端子２８と半田ボール２９との間の半田接合部の断面積がその他の半田ランド９のランド端子１０と半田ボール１１との間の半田接合部７４の断面積よりも広くなるため、半導体装置４９とプリント配線基板７１との熱膨張差によって、中型半田ランド２７自身にかかる応力を低く抑えるとともに、半導体装置４９内における半導体素子２とインターポーザー配線基板３の熱膨張差によって生じる変形を抑え、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃ近傍にある半田接合部に集中して生じる応力を低減することができる。
【００６０】
これらのことにより、結果的に半導体素子２の４箇所の外端角部Ｃを含む外形ラインＢの直下近傍における半田接合部の破壊を防止することができ、接合寿命を延ばすことができる。
【００６１】
なお、実施の形態４において、中型半田ランド２７を電気的に半導体素子２に接続しているが、電気的に断絶してもよい（すなわち中型半田ランド２７を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が中型半田ランド２７に作用して中型半田ランド２７が破損しても、電気回路の機能は維持される。
［実施の形態５］
実施の形態５は請求項７に対応するものであり、図１０は半導体装置５０のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６２】
図１０に示すように、半導体装置５０には、実施の形態１と同様に、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６に、半田ボール（あるいは接合半田部）を形成構成しないのに加えて、半導体素子２の外形ラインＢ下の全てのランド端子２０に半田ボール（あるいは接合半田部）を形成していない。
【００６３】
このように、半導体装置５０では、応力が特別高くなる半導体素子２の外形ラインＢ下のランド端子１６，２０に半田ボール（あるいは接合半田部）を設けないことにより、半導体装置５０の半田接合部における故障寿命を延ばすことができる。
【００６４】
なお、実施の形態５においても、半導体素子２の外形ラインＢ下のランド端子１６，２０については半田ランド９あるいは接合半田部７３を設けずに半田接合しない形態としているが、機械的にはんだ接続した上で、ランド端子１６，２０に接続される半導体素子２の電気回路と、ランド端子１６，２０およびこれらランド端子１６，２０に対応する回路基板７１上の配線ランド７２を介して接続される回路基板７１の電気回路との間を電気的に遮断してもよい（すなわちランド端子１６，２０を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力がランド端子１６やランド端子２０の半田接合部７４に作用して破損しても、電気回路の機能は維持される。
［実施の形態６］
実施の形態６は請求項８に対応するものであり、図１１は半導体装置５１のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
図１１に示すように、半導体装置５１には、実施の形態５と同様に、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する第１ランド端子１６に、半田ボール（あるいは接合半田部）を形成しないのに加えて、半導体素子２の外形ラインＢ下の全てのランド端子２０に半田ボール（あるいは接合半田部）を形成していない。
【００６６】
そして、半導体素子２の外形ラインＢに沿い、かつその外側に位置する少なくとも一つ以上（実施の形態６では全て）のランド端子３１には、通常の半田ランド９のサイズより大きい中型半田ランド３０が形成されている。具体的には、中型半田ランド３０のランド端子３１は、通常の半田ランド９のランド端子１０の径よりも大きく大きな面積を有し、大型半田ランド２１のランド端子２２の径より小さく、また中型半田ランド３０の半田ボール３２の径と高さが通常の半田ランド９の半田ボール１１の径と高さよりも大きく、大型半田ランド２１の半田ボール２３の径と高さより小さく形成されている。
【００６７】
これによると、中型半田ランド３０のランド端子３１と半田ボール３２との間の半田接合部の断面積がその他の半田ランド９のランド端子１０と半田ボール１１との半田接合部７４の断面積よりも広くなるため、半導体装置５１とプリント配線基板７１との熱膨張差によって、中型半田ランド３０自身にかかる応力を低く抑えるとともに、半導体装置５１内における半導体素子２とインターポーザー配線基板３の熱膨張差によって生じる変形を抑え、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃを含む半導体素子２の外形ラインＢの近傍にある半田接合部に集中して生じる応力を低減することができる。
【００６８】
これらのことにより、結果的に半導体素子２の四隅の外端角部Ｃを含む外形ラインＢの直下近傍における半田接合部の破壊を防止することができ、接合寿命を延ばすことができる。
［実施の形態７］
実施の形態７は請求項９に対応するものであり、図１２は半導体装置５２のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６９】
図１２に示すように、半導体装置５２では、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃに隣接し、かつ半導体素子２の外形ラインＢ下で両隣に位置する第２ランド端子４０を除いて、各ランド端子１０の表面に球状の半田ボール１１が形成されて半田ランド９が構成されている。すなわち、第２ランド端子４０には、半田ボール１１が形成されていない構造となっている。
【００７０】
そして、これら半田ランド９のうち、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する半田ランド３３は、通常の半田ランド９のサイズより大きいサイズに形成されている。具体的には、この大型半田ランド３３のランド端子３４は、その他の半田ランド９のランド端子１０よりも大きな面積を有し、また大型半田ランド３３の半田ボール３４は、その他の半田ランド９の半田ボール１１よりも大きなサイズを有している。
【００７１】
また図１４に示した従来の半導体装置のように、インターポーザー配線基板３の最外コーナー部Ａに大型半田ランド２１を設けている。
これによると、大型半田ランド３３のランド端子３４と半田ボール３５との間の半田接合部の断面積がその他の半田ランド９のランド端子１０と半田ボール１１との間の半田接合部７４の断面積よりも広くなるため、半導体装置５２とプリント配線基板７１との熱膨張差によって、大型半田ランド３３自身にかかる応力を低く抑えるとともに、半導体装置５２内における半導体素子２とインターポーザー配線基板３の熱膨張差によって生じる変形を抑え、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃ近傍にある半田接合部に集中して生じる応力を低減することができる。
【００７２】
これらのことにより、結果的に半導体素子２の四隅の外端角部Ｃを含む外形ラインＢの直下近傍における半田接合部の破壊を防止することができ、接合寿命を延ばすことができる。
【００７３】
さらに、半導体素子２の外端角部Ｃの外側に位置するランド端子群１３であって、かつ半導体素子２の外端角部の大型半田ランド３３に隣接する第２ランド端子４０について、もし半田接合を行うと、応力が高くなり、半田接合部７４が早期に破断し、電気的回路に使用している場合は即故障となってしまう。そこで、第２ランド端子４０に半田ボールを形成しない構造をとることで、電気的接続寿命を長く保つことができる。
【００７４】
この実施の形態７においては、ランド端子４０については半田接合しない形態としているが、機械的にはんだ接続した上で、これら大型半田ランド３３のランド端子３４、およびランド端子４０に接続される半導体素子２の電気回路と、ランド端子３４，４０およびこれらランド端子３４，４０に対応するプリント配線基板７１上の配線ランド７２を介して接続される回路基板７１の電気回路との間を電気的に遮断してもよい（すなわちランド端子３４，４０を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が大型半田ランド３３および隣接するランド端子４０の半田ランドに作用してこれら半田ランドが破損しても、電気回路の機能は維持される。
［実施の形態８］
実施の形態８は請求項１０に対応するものであり、図１３は半導体装置５３のインターポーザー配線基板３を他方の面から見た図である。なお、実施の形態１の半導体装置と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７５】
図１３に示すように、実施の形態８では、実施の形態７と同様に、半導体素子２の外形ラインＢの四隅の外端角部Ｃの直下に大型半田ランド３３が形成されている。そして、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下に位置する大型半田ランド３３のランド端子３４以外の、半導体素子２の外形ラインＢ下に位置する第２ランド端子４０には、半田ボールが形成されていない構造となっている。
【００７６】
これによると、大型半田ランド３３のランド端子３４と半田ボール３５との間の半田接合部の断面積がその他の半田ランド９のランド端子１０と半田ボール１１と間の半田接合部７４の断面積よりも広くなるため、半導体装置５３とプリント配線基板７１との熱膨張差によって、大型半田ランド３３自身にかかる応力を低く抑えるとともに、半導体装置５３内における半導体素子２とインターポーザー配線基板３の熱膨張差によって生じる変形を抑え、半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下近傍にある半田接合部に集中して生じる応力を低減することができる。
【００７７】
これらのことにより、結果的に半導体素子２の四隅の外端角部Ｃの直下を含む外形ラインＢの直下近傍における半田接合部の破壊を防止することができ、接合寿命を延ばすことができる。
【００７８】
さらに、半導体素子２の外形ラインＢ下に位置するランド端子群１３であって、かつ半導体素子２の外端角部Ｃの大型半田ランド３３に隣接するランド端子４０について、もし半田接合を行うと、応力が高くなる。このため半田接合部が早期に破断し、電気的回路に使用している場合は即故障となってしまう。そこで、ランド端子４０には半田ボールが形成しない構造をとることで、電気的接続寿命を長く保つことができる。
【００７９】
この実施の形態７においては、ランド端子４０については半田接合しない形態としているが、機械的にはんだ接続した上で、これら大型半田ランド３３のランド端子３４、およびランド端子４０に接続される半導体素子２の電気回路と、ランド端子３４，４０およびこのランド端子３４，４０に対応するプリント配線基板７１上の配線ランド７２を介して接続される回路基板７１の電気回路との間を電気的に遮断してもよい（すなわちランド端子３４，４０を電気回路に使用しないで、半導体素子２の電気回路と回路基板７１の電気回路を電気的に接続するようにする）。これによると、万一、過大な応力が大型半田ランド３３およびランド端子４０の半田ランドに作用してこれら半田ランドが破損しても、電気回路の機能は維持される。
【００８０】
なお、上記実施の形態１〜実施の形態８において使用しているインターポーザー配線基板３は有機樹脂を材質とする有機基板であり、具体的には、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたものや、ガラス不織布のもの、或いはアラミド繊維を使ったもの等である。
【００８１】
これによると、上記のような有機基板は柔らかい基材であるため、従来においては特に半導体素子２の各外端角部Ｃの直下における半田接合部が破壊する懸念が強かった。しかしながら、前記各実施の形態１〜実施の形態８の構成により、有機基板のインターポーザー配線基板３を使用しても、半導体素子２の各外端角部Ｃの直下における半田接合部の破壊を十分に防止することができる。
【００８２】
また上記実施の形態１〜実施の形態８において使用しているインターポーザー配線基板３の厚みを０．６ｍｍ程度としている。
これによると、インターポーザー配線基板３の厚みが０．６ｍｍ以下に薄くなるほど、剛性が高く且つ熱膨張係数の小さな半導体素子２の影響が強く現れるため、従来においては特に半導体素子２の各外端角部Ｃの直下における半田接合部が破壊する懸念が強かった。しかしながら、前記各実施の形態１〜実施の形態８の構成により、厚みが０．６ｍｍ以下のインターポーザー配線基板３を使用しても、半導体素子２の各外端角部Ｃの直下における半田接合部の破壊を十分に防止することができる。
【００８３】
また図４に示すＦＣ実装タイプでＢＧＡタイプの半導体装置、あるいは図５に示すＬＧＡタイプの半導体装置のように前記ＦＣ法によって半導体素子２とインターポーザー配線基板３とを電気的に接続した半導体装置についても、上記各実施の形態２〜実施の形態８は適用可能である。またＬＧＡタイプの半導体装置の場合、上述したように半田ペーストにより半導体装置と回路基板が接続される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明にかかる半導体装置は、半導体素子をパッケージ化し、狭ピッチ化・高密度配線回路を実現しつつ、所望の半田接合部の信頼性を確保して提供する手段として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図｛（ａ）におけるＸ−Ｘ’矢視図｝である。
【図２】同半導体装置をプリント配線基板に接続した図である。
【図３】同半導体装置の中心からの距離と半田接合部の応力との関係を示す特性図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるＦＣ実装タイプでＢＧＡタイプの半導体装置の正面断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１におけるＬＧＡタイプの半導体装置の正面断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２における半導体装置の底面図である。
【図７】本発明の実施の形態３における半導体装置の底面図である。
【図８】本発明の実施の形態３における他の半導体装置の底面図である。
【図９】本発明の実施の形態４における半導体装置の底面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５における半導体装置の底面図である。
【図１１】本発明の実施の形態６における半導体装置の底面図である。
【図１２】本発明の実施の形態７における半導体装置の底面図である。
【図１３】本発明の実施の形態８における半導体装置の底面図である。
【図１４】インターポーザー配線基板の最外コーナー部のランドのサイズを大きくした従来の半導体装置の図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は底面図｛（ａ）におけるＸ−Ｘ’矢視図｝である。
【図１５】セラミック製のインターポーザー配線基板を用いた従来の半導体装置の中心からの距離と半田接合部の応力との関係を示す特性図である。
【図１６】樹脂製のインターポーザー配線基板を用いた従来の半導体装置の中心からの距離と半田接合部の応力との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００８６】
２      半導体素子
３      インターポーザー配線基板
４      接続樹脂
９      半田ランド
１０    ランド端子
１１    半田ボール
１６    第１ランド端子
１９，４０  第２ランド端子
２１    大型半田ランド
２２    大型のランド端子
２３    大型の半田ボール
２４    中型半田ランド（半導体装置の外形角部）
２５    中型のランド端子
２６    中型の半田ボール
２７    中型半田ランド（半導体装置の角部隣接）
２８    中型のランド端子
２９    中型の半田ボール
３０    中型半田ランド（半導体素子の外端隣接）
３１    中型のランド端子
３２    中型の半田ボール
３３    大型半田ランド（半導体素子の外端角部）
３４    大型のランド端子
３５    大型の半田ボール
３６    大型半田ランド（半導体素子の外端角部隣接）
３７    大型のランド端子
３８    大型の半田ボール
４１，４４〜５３  半導体装置
７０    プリント配線基板への実装構造体
７１    プリント配線基板
７２    プリント配線基板の配線ランド
７３    接合半田部
７４    半田接合部
Ａ      インターポーザー配線基板の最外コーナー部
Ｂ      半導体素子の外形ライン
Ｃ      半導体素子の外端角部
【図１】
2007317754.tif 000003
【図２】
2007317754.tif 000004
【図３】
2007317754.tif 000005
【図４】
2007317754.tif 000006
【図５】
2007317754.tif 000007
【図６】
2007317754.tif 000008
【図７】
2007317754.tif 000009
【図８】
2007317754.tif 000010
【図９】
2007317754.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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