(57)【要約】【課題】嵌合部材の形成やパネルの貫通孔の形成を必要とせず、アライメントずれを低減することができ、平面型表示装置の有効領域を額縁状に囲む無効領域を狭くすることができる平面型表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１パネルと第２パネルとが対向し、パネルの周縁部が接合部材により接合されて成る表示装置であって、（Ａ）第１の押さえ板と対向すると共に第１の押さえ板の法線方向に移動可能な第２の押さえ板を準備し、（Ｂ）第１の押さえ板を水平方向に設置し、次いで、（Ｃ）第１の押さえ板に第１パネルを載置し、接合部材を介して、第１パネルに対して位置合わせした状態で、第２パネルを第１パネルに載置し、（Ｄ）第２の押さえ板を第２パネルに載置し、（Ｅ）第１の押さえ板、第１パネル、接合部材、第２パネル及び第２の押さえ板の全体を加熱して、接合部材を流動可能な状態とし、全体を冷却することにより接合する。【選択図】  図１
2007109543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に配置され、第１の嵌合部を備えた第１の押さえ板と、第１の嵌合部と嵌合する第２の嵌合部を備え、第１の押さえ板と対向すると共に第１の押さえ板の法線方向に移動可能な第２の押さえ板を使用し、
略矩形の第１パネルと略矩形の第２パネルとが対向し、第１パネルの周縁部と第２パネルの周縁部とが接合部材により接合されて成る平面型表示装置の製造方法であって、
（Ａ）第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部に配置されている接合部材を介して第１パネルと第２パネルとが位置合わせされた状態で、第１パネルを下側として、第１パネルと第２パネルとを第１の押さえ板に載置した後、
（Ｂ）第１の嵌合部と第２の嵌合部とが嵌合した状態で、第２の押さえ板を第２パネルに載置し、次いで、
（Ｃ）第１の押さえ板、第１パネル、接合部材、第２パネル及び第２の押さえ板の全体を加熱して、接合部材を流動可能な状態とし、次いで、全体を冷却することにより、第１パネルと第２パネルとを接合部材により接合する、
ことを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
【請求項２】
第１の押さえ板及び／又は第２の押さえ板は、ガラス、セラミック、金属、あるいは、合金から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１の押さえ板は、第１パネルの熱膨張係数と同程度の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項４】
第２の押さえ板は、第２パネルの熱膨張係数と同程度の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項５】
第１の押さえ板は、第１パネルを構成する材料と同じ材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項６】
第２の押さえ板は、第２パネルを構成する材料と同じ材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項７】
接合部材は、枠体と、枠体の第１パネル側の面上に設けられている接合材料層と、枠体の第２パネル側の面上に設けられている接合材料層とから成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、略矩形の第１パネルと略矩形の第２パネルとが対向し、第１パネルの周縁部と第２パネルの周縁部とが接合部材により接合されて成る平面型表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリックス状に配列された各画素に対応した電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルとが、真空状態とされた空間を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図７に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図８に示す。カソードパネルＣＰは、支持体１０と、支持体１０上に形成された電子放出素子等から成る。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は、第１の方向（図７〜図８においてＹ方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図７〜図８においてＸ方向）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルの領域に相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（表示装置の表示領域に対応する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０と、基板２０上に形成された蛍光体層２２及びアノード電極２４等から成る。基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号４０は例えば板状のスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２７はフリットガラス等の接合材料から成る接合部材を表し、参照番号１６は収束電極を表し、参照番号１７は層間絶縁層を表す。図８においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部、収束電極の図示を省略した。
【０００７】
アノード電極２４は、蛍光体層２２からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層２２の帯電防止といった機能を有する。また、隔壁２１は、蛍光体層２２から反跳した電子、あるいは、蛍光体層２２から放出された２次電子（以下、これらの電子を総称して、後方散乱電子と呼ぶ）が他の蛍光体層２２に衝突し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止する機能を有する。
【０００８】
１サブピクセルは、カソードパネルＣＰ側の電子放出領域ＥＡと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体層２２とによって構成されている。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【０００９】
そして、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように、略矩形のカソードパネルＣＰと略矩形のアノードパネルＡＰとを対向するように配置し、カソードパネルＣＰの周縁部とアノードパネルＡＰの周縁部とを接合部材２７によって接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２７とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ４０を配設しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ４０は、スペーサ基材４０Ａと、スペーサ基材４０Ａの側面部上に設けられた帯電防止膜４０Ｂとから成る。尚、帯電防止膜４０Ｂは必要な場合に設けられる。
【００１１】
上記の表示装置の組立において、接合部材２７の焼成を行う場合には、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとのアライメントをした後、これらのパネルを金属バネ等の治具により挟み、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとが図７のＺ方向に相互に押しつけられている状態で焼成を行う。
【００１２】
ところで、接合部材２７は焼成工程において溶融し流動可能な状態となるので、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間隔は縮まる。即ち、カソードパネルＣＰを基準にすると、アノードパネルＡＰがカソードパネルＣＰ側に変位（Ｚ方向に移動）する。このとき、アノードパネルＡＰが、カソードパネルＣＰに対し、Ｘ方向及び／又はＹ方向にも変位し、アライメントずれが生ずる場合がある。尚、図９に示すように、接合部材が、枠体２６と、枠体２６のカソードパネルＣＰ側の面上に設けられている接合材料層２７Ａと、枠体２６のアノードパネルＡＰ側の面上に設けられている接合材料層２７Ｂとから成る場合においても、同様である。アノードパネルＡＰが、カソードパネルＣＰに対し、Ｘ方向及び／又はＹ方向に変位すると、表示装置に表示される画像が色ずれを起こす原因となる。このため、第１の基体（例えばカソードパネル）と第２の基体（例えばアノードパネル）とに対を成す嵌合部材を形成する方法（例えば、特許文献１）、第１パネル（例えばカソードパネル）に複数の貫通孔を形成し、第２パネル（例えばアノードパネル）に一方の端部の端面が固定され他方の端部が第１パネルの貫通孔に挿入されている位置決め部材を用いる方法（例えば、特許文献２）、各パネルに所定の治具を周囲より装着して固定した状態で昇温／降温させる方法（例えば、特許文献３）等が提案されている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−２５１８０７号公報
【特許文献２】特開２００５−５１４１号公報
【特許文献３】特開２００１−３５１５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
第１の基体と第２の基体とに対を成す嵌合部材を形成する方法や、第１パネルに複数の貫通孔を形成し、第２パネルに一方の端部の端面が固定され他方の端部が第１パネルの貫通孔に挿入されている位置決め部材を用いる方法では、嵌合部材の形成や、パネルの貫通孔の形成に伴うコストが発生する。また、嵌合部材等は平面型表示装置の有効領域外に配置されるため、平面型表示装置の有効領域を額縁状に囲む無効領域を狭くすることが困難である。各パネルに所定の治具を周囲より装着して固定した状態で昇温／降温させる方法では、嵌合部材の形成等は不要であるが、各パネルに治具による挟みしろが必要となるので、有効領域を額縁状に囲む無効領域を狭くすることが困難である。
【００１５】
従って、本発明の目的は、第１パネルと第２パネルに嵌合部材等の形成を必要とせず、Ｘ方向及び／又はＹ方向のアライメントずれを低減することができ、平面型表示装置の無効領域を狭くすることができる平面型表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置の製造方法は、水平に配置され、第１の嵌合部を備えた第１の押さえ板と、第１の嵌合部と嵌合する第２の嵌合部を備え、第１の押さえ板と対向すると共に第１の押さえ板の法線方向に移動可能な第２の押さえ板を使用し、
略矩形の第１パネルと略矩形の第２パネルとが対向し、第１パネルの周縁部と第２パネルの周縁部とが接合部材により接合されて成る平面型表示装置の製造方法に関する。
【００１７】
そして、上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置の製造方法は、
（Ａ）第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部に配置されている接合部材を介して第１パネルと第２パネルとが位置合わせされた状態で、第１パネルを下側として、第１パネルと第２パネルとを第１の押さえ板に載置した後、
（Ｂ）第１の嵌合部と第２の嵌合部とが嵌合した状態で、第２の押さえ板を第２パネルに載置し、次いで、
（Ｃ）第１の押さえ板、第１パネル、接合部材、第２パネル及び第２の押さえ板の全体を加熱して、接合部材を流動可能な状態とし、次いで、全体を冷却することにより、第１パネルと第２パネルとを接合部材により接合する、
ことを特徴とする。
【００１８】
本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、第１の嵌合部と第２の嵌合部は、これらが嵌合することにより第２の押さえ板の移動方向を第１の押さえ板の法線方向に限定することができ、かつ、第２の押さえ板の法線方向の移動を妨げないものであればよい。例えば、第１の嵌合部として、第１の押さえ板に立設した棒状部材を、第２の嵌合部として、第２の押さえ板に設けられ、第１の嵌合部を構成する棒状部材に対して摺動可能な貫通孔を例示することができるが、これに限るものではない。上記（Ｃ）において、第２の押さえ板の自重により、第２パネルには第１パネルに向かう方向に力が加わる。尚、必要な場合には、第２の押さえ板に更に重りとなる部材を載置してもよい。例えば、第２の押さえ板と同一の構成の板を重ねて載置してもよい。これにより、接合部材が流動可能な状態になると、第２パネルは、第１の押さえ板に対して法線方向に移動可能な第２の押さえ板に倣う状態で第１パネル側に変位する。従って、上記（Ａ）において第１パネルに対して位置合わせした状態の第２パネルを、その位置合わせした状態を保って第１パネルと接合することができる。平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合には、第１パネルをカソードパネル、第２パネルをアノードパネルとする態様であってもよいし、あるいは又、第１パネルをアノードパネル、第２パネルをカソードパネルとする態様であってもよい。プラズマ表示装置等の他の形式の平面型表示装置においても同様である。
【００１９】
上記（Ａ）にあっては、第１の押さえ板に第１パネルを載置し、次いで、第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部に配置されている接合部材を介して、第１パネルに対して位置合わせした状態で、第２パネルを第１パネルに載置する態様とすることができる。あるいは又、第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部に配置されている接合部材を介して、第１パネルに対して位置合わせした状態で、第２パネルを第１パネルに載置し、その状態で第１パネルと第２パネルとをクリップ、接着材、スポット溶着等の周知の手段で仮固定し、第２パネルが仮固定されている第１パネルを第１の押さえ板に載置する態様とすることもできる。これらの態様にあっては、第２パネルを第１パネルに対して位置合わせする方法として、周知の方法、例えば、第１パネルと第２パネルとに設けられたアライメントマークを光学的に検出し、第２パネルを第１パネルに対して移動させて位置合わせする方法等を用いることができる。
【００２０】
本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、加熱された状態で剛性を保つ材料から第１の押さえ板及び第２の押さえ板を構成する。第１の押さえ板を構成する材料は、第１パネルを構成する材料（具体的には、例えば、第１パネルがカソードパネルである場合には、カソードパネルの支持体を構成する材料）との反応性が低いことが好ましい。同様に、第２の押さえ板を構成する材料においても、第２パネルを構成する材料（具体的には、例えば、第２パネルがアノードパネルである場合には、アノードパネルの基板を構成する材料）との反応性が低いことが好ましい。第１の押さえ板と第２の押さえ板は、同じ種類の材料から成る構成であってもよいし、異なる種類の材料から成る構成であってもよい。第１の押さえ板及び第２の押さえ板は、例えば、ガラス、セラミック、金属、あるいは、合金から構成することができる。ガラス材料として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。また、セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄を例示することができる。金属材料として、アルミニウム（Ａｌ）、合金材料として、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金を例示することができる。
【００２１】
また、本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、第１の押さえ板は、第１パネルの熱膨張係数（具体的には、例えば、第１パネルがカソードパネルである場合には、カソードパネルを構成する支持体の熱膨張係数）と同程度の熱膨張係数を有する構成とすることができる。この場合には、上記（Ｃ）の過程において、第１の押さえ板の熱膨張量は、第１パネルの熱膨張量と同程度となる。従って、上記（Ｃ）の過程において、熱膨張量の差によって生ずる第１の押さえ板に対する第１パネルの相対的位置変化を、抑制することができる。例えば、カラー表示の表示装置の有効領域が矩形であり、その長辺の長さをＬＤ［ｍｍ］、画素ピッチをＮＤ［ｍｍ］（サブピクセルのピッチは画素ピッチＮＤ／３となる）、加熱温度をＴＤ［°Ｃ］とするとき、（ＬＤ／２）×ＴＤ×第１パネルの熱膨張係数と第１の押さえ板の熱膨張係数との差分の絶対値＜（ＮＤ／３）／３を満たす（即ち、熱膨張係数の差による相対的位置変化が、サブピクセルのピッチ／３を超えない）ことが好ましい。例えば、ＬＤ＝４００ｍｍ、ＮＤ＝０．５ｍｍ、ＴＤ＝４００°Ｃの時には、上記式より計算される第１パネルの熱膨張係数と第１の押さえ板の熱膨張係数の差分の絶対値の上限は、約０．７［単位：１０-6／Ｋ］となる。実用的には、第１パネルの熱膨張係数と第１の押さえ板の熱膨張係数の差分の絶対値を、１［単位：１０-6／Ｋ］以下に抑えることが望ましい。ここで、「同程度の熱膨張係数」とは、第１パネルの線膨張率をα1［単位：１０-6／Ｋ］、第１の押さえ板の線膨張率をα2［単位：１０-6／Ｋ］としたとき、（α1−１）≦α2≦（α1＋１）を満足する意と定義する。第１の押さえ板は、第１パネルを構成する材料と同じ材料から構成されていてもよい。同様に、第２の押さえ板は、第２パネルの熱膨張係数（具体的には、例えば、第２パネルがアノードパネルである場合には、アノードパネルを構成する基板の熱膨張係数）と同程度の熱膨張係数を有する構成とすることができる。この場合には、熱膨張量の差によって生ずる第２の押さえ板に対する第２パネルの相対的位置変化を、抑制することができる。尚、「同程度の熱膨張係数」とは、第１の押さえ板について説明したと同様である。第２の押さえ板は、第２パネルを構成する材料と同じ材料から構成されていてもよい。
【００２２】
また、本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、接合部材全体がフリットガラス等の接合材料から成る構成とすることもできるし、あるいは又、接合部材が、枠体と、枠体の第１パネル側の面上に設けられている接合材料層と、枠体の第２パネル側の面上に設けられている接合材料層とから成る構成とすることもできる。枠体の高さを適宜選択することにより、接合材料のみから成る構成に比べ、第１パネルと第２パネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。接合材料あるいは接合材料層を構成する材料として、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。枠体の接合材料層は、ガラスペースト、金属ペースト等の接合材料から成るペーストを準備し、これらを、塗布法、スクリーン印刷法等の公知の方法により形成することができる。尚、接合部材が、枠体と、枠体の第１パネル側の面上に設けられている接合材料層と、枠体の第２パネル側の面上に設けられている接合材料層とから成る場合には、上記（Ａ）の段階で、これらの接合材料層と枠体が必ずしも一体であることを要しない。例えば、上記（Ａ）の段階で、接合材料層はパネル側に形成されており、枠体とは分離している態様であってもよい。
【００２３】
接合部材を枠体から構成する場合には、パネルの接合部の残留応力低減の観点から、枠体を構成する材料の熱膨張係数は、第１パネルや第２パネルを構成する材料の熱膨張係数と略等しいことが望ましい。枠体を構成する材料として、ガラスやセラミック等の材料を挙げることができる。ガラス材料として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。また、セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄を例示することができる。
【００２４】
また、本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、接合部材はパネルの周縁部に配置される。この場合には、接合部材を、予め第１パネルの周縁部に配置する構成とすることもできる。あるいは又、接合部材を、予め第２パネルの周縁部に配置する構成とすることもできるが、この場合には、接合部材を第２パネルに仮固定しておく必要がある。仮固定は、レーザー照射による溶着、接着剤による接着等により行うことができるが、これに限るものではない。接合部材は、例えば、パネルの辺に沿って額縁状に一体型を成す構成であってもよいし、パネルの各辺毎に個別の接合部材を配置することにより、全体として額縁状に配置される構成であってもよい。パネルの各辺毎に個別の接合部材を配置する場合には、各辺毎に１つの接合部材が対応する構成であってもよいし、各辺毎に複数の接合部材が対応する構成であってもよい。接合部材は、平面型表示装置を構成する第１パネル及び第２パネルの無効領域（平面型表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に配置される。接合部材をその軸線と垂直な面で切断した断面は、略矩形形状であってもよいし、多角形形状等としてもよい。
【００２５】
以下、本発明の平面型表示装置の製造方法により製造した平面型表示装置を、本発明の平面型表示装置と呼ぶ場合がある。また、本発明の平面型表示装置の製造方法、本発明の平面型表示装置の製造方法により製造した平面型表示装置を、単に本発明と呼ぶ場合がある。また、平面型表示装置を、単に表示装置と呼ぶ場合がある。
【００２６】
平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の電界放出素子を備え、
各電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。尚、以下の説明においては、カソードパネルを第１パネル、アノードパネルを第２パネルとして説明する。
【００２７】
ここで、電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００２８】
第１パネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域が電子放出領域に該当し、電子放出領域が第１パネルの有効領域に２次元マトリクス状に配列されている。
【００２９】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、第２パネルに設けられたアノード電極によって第２パネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。
【００３０】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路からアノード電極に印加される電圧（アノード電圧）ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、第２パネルと第１パネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００３１】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３２】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３３】
電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。
【００３４】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成することができる。
【００３５】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００３６】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
【００３７】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００３８】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００３９】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４０】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法、各種印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００４１】
第１パネルを構成する支持体として、あるいは又、第２パネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００４２】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００４３】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが望ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサ群の数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。
【００４４】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；各種印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法や各種印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法や各種印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００４５】
アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００４６】
蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式はドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、平面型表示装置において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００４７】
蛍光体層は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００４８】
蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００４９】
蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００５０】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５１】
隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５２】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５３】
本発明において、スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。尚、スペーサの端部に対して面取りを行い、突起部等を除去することが好ましい。スペーサは、例えば、第２パネルに設けられた後述する隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、第２パネル及び／又は第１パネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００５４】
スペーサの側面には帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ2等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＣｒＡｌxＯy、酸化マンガン、Ｎｄ2Ｏ3、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢ2、ＴｉＢ2等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ2、ＷＳ2等の硫化物、及び、窒化タングステンと窒化ゲルマニウムの化合物、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。
【００５５】
第１パネルと第２パネルを接合する場合、接合を高真空雰囲気中で行えば、第１パネルと第２パネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、接合終了後、第１パネルと第２パネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００５６】
排気を行う場合、排気は、第１パネル及び／又は第２パネルに予め接続された排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、第１パネル及び／又は第２パネルの無効領域（平面型表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【発明の効果】
【００５７】
本発明の平面型表示装置の製造方法にあっては、第１パネルと第２パネルとが接合される際に、第２パネルは、第１の押さえ板に対して法線方向に移動可能な第２の押さえ板に倣う状態で第１パネル側に変位するので、接合部材の溶融によるアライメントずれが低減する。また、第１パネルや第２パネルに嵌合部材等の形成が不要となり、平面型表示装置の有効領域を額縁状に囲む無効領域を狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００５９】
実施例１は、本発明の平面型表示装置の製造方法、及び、本発明の平面型表示装置に関する。実施例１の表示装置の概念的な一部端面図は、背景技術において説明した図９に示す表示装置と同様である。即ち、実施例１における表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置である。これらの構成、動作、及び、作用については、背景技術で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６０】
実施例１の表示装置は、略矩形の第１パネル（カソードパネルＣＰ）と略矩形の第２パネル（アノードパネルＡＰ）とが対向し、第１パネルの周縁部と第２パネルの周縁部とが、接合部材（より具体的には、枠体２６と接合材料層２７Ａ，２７Ｂ）により接合されて成る表示装置である。尚、以下の説明においては、第１パネルをカソードパネルＣＰと呼び、第２パネルをアノードパネルＡＰと呼ぶ。後述する他の実施例においても同様である。
【００６１】
図１は、表示装置の接合前における第１の押さえ板１１０、第２の押さえ板１２０、カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰ等の配置関係を模式的に示す斜視図である。第１の押さえ板１１０は、第１の嵌合部を構成する棒状部材１１１を備える。棒状部材１１１は、第１の押さえ板１１０の周縁部に４本立設している。第２の押さえ板１２０には、各棒状部材１１１に対応して、第２の嵌合部を構成する貫通孔１２１が設けられている。棒状部材１１１と貫通孔１２１とは嵌合された状態で摺動可能である。第２の押さえ板１２０は、第１の押さえ板１１０と対向すると共に、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合することにより、第１の押さえ板１１０の法線方向（図１においてＺ方向）に移動可能である。第１の押さえ板１１０は、水平方向（図１においてＸ−Ｙ方向）に設置されており、カソードパネルＣＰは、第１の押さえ板１１０に載置されている。接合材料層２７Ａ，２７Ｂが形成されている枠体２６が、カソードパネルＣＰの周縁部に配置されている。背景技術で説明したように、枠体２６と接合材料層２７Ａ，２７Ｂは、接合部材を構成する。アノードパネルＡＰは、図示せぬ移動可能な保持機構により、カソードパネルＣＰと対向した状態で図１のＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動可能、かつ、Ｚ軸中心に回転可能に、保持されている。カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰには、位置合わせ用のアライメントマークがそれぞれ４箇所に設けられている。センサー１３０は、カソードパネルＣＰのアライメントマークとアノードパネルＡＰのアライメントマークとの距離（より具体的には、Ｘ−Ｙ平面上における距離）を検出する。尚、図１においては、アノードパネルＡＰにおける蛍光体層、アノード電極、隔壁、及び、光吸収層等の図示を省略した。また、カソードパネルＣＰにおけるゲート電極、カソード電極、及び、電子放出部等の図示を省略した。更には、スペーサ４０の図示を省略した。また、センサー１３０を１つ図示し、他のセンサーの図示を省略した。
【００６２】
実施例１では、第１の押さえ板１１０及び第２の押さえ板１２０をガラスから構成した。より具体的には、第１の押さえ板１１０を、カソードパネルＣＰを構成する支持体１０と同じ材料から構成し、第２の押さえ板１２０を、アノードパネルＡＰを構成する基板２０と同じ材料から構成した。後述する他の実施例においても同様である。第１の押さえ板１１０と支持体１０は、ＰＤ２００（旭硝子株式会社製）から成る。ＰＤ２００の線膨張係数は、８．３［単位：１０-6／Ｋ］である。第１の押さえ板１１０の板厚は、約１０ｍｍであり、支持体１０の板厚は、約３ｍｍである。また、第２の押さえ板１２０と基板２０も同様にＰＤ２００から成る。第２の押さえ板１２０の板厚は、第１の押さえ板１１０と同様に約１０ｍｍであり、基板２０の板厚は、支持体１０と同様に約３ｍｍである。尚、略矩形の支持体１０及び基板２０の寸法を、約４７０ｍｍ×約３７０ｍｍとし、第１の押さえ板１１０及び第２の抑え板１２０の寸法を、約５００ｍｍ×約４００ｍｍとした。
【００６３】
図示せぬ移動可能な保持機構により、アノードパネルＡＰを、センサー１３０が検出する距離（より具体的には、４つのセンサー１３０が検出した距離の総和）が最小になる位置に位置合わせした後、アノードパネルＡＰを、カソードパネルＣＰの周縁部に配置されている接合部材を介して、カソードパネルＣＰに載置する。次いで、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合した状態で、第２の押さえ板１２０を第２パネルに載置する。
【００６４】
その後、第１の押さえ板１１０、カソードパネルＣＰ、接合部材、アノードパネルＡＰ及び第２の押さえ板１２０の全体を加熱して、接合部材を流動可能な状態とし、次いで、全体を冷却することにより、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとを接合部材により接合する。アノードパネルＡＰは、接合部材が流動可能な状態においては、第２の押さえ板１２０に倣う状態でカソードパネルＣＰ側に変位する。従って、アノードパネルＡＰを、その位置合わせした状態を保ってカソードパネルＣＰと接合することができる。また、第１の押さえ板１１０を、カソードパネルＣＰを構成する支持体１０と同じ材料から構成したので、第１の押さえ板１１０は、支持体１０の熱膨張係数と同程度の熱膨張係数を有する。従って、加熱／冷却の際の熱膨張量の差による第１の押さえ板に対するカソードパネルＣＰの相対的位置変化を抑制することができる。第２の押さえ板１２０と、アノードパネルＡＰについても、同様である。これにより、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの接合の精度を、より向上することができる。
【００６５】
以下、図２〜図４を参照して、実施例１の表示装置の製造方法を説明する。図２の（Ａ）及び（Ｂ）、図３の（Ａ）及び（Ｂ）、図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための接合工程図である。これらの図は、例えば、図１において破線で示したと同様の部分における模式的なＡ−Ａ断面に相当する。尚、これらの図においては、アノードパネルＡＰにおける蛍光体層、アノード電極、隔壁、及び、光吸収層等の図示を省略した。また、カソードパネルＣＰにおけるゲート電極、カソード電極、及び、電子放出部等の図示を省略した。更には、スペーサ４０の図示を省略し、第１の押さえ板１１０、第２の押さえ板１２０、アノードパネルＡＰ、及び、カソードパネルＣＰの断面のハッチングを省略した。また、第２の嵌合部を構成する貫通孔１２１の図示を省略した。後述する他の実施例に関する図面においても同様である。
【００６６】
［工程−１００］
先ず、棒状部材１１１を備える第１の押さえ板１１０と、棒状部材１１１と嵌合する貫通孔１２１を備える第２の押さえ板１２０を準備する。その後、第１の押さえ板１１０を水平方向に設置した後、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合した状態で、第２の押さえ板１２０をＺ方向に退避させた状態で保持する。
［工程−１１０］
次いで、第１の押さえ板１１０に、カソードパネルＣＰを載置する。その後、接合材料層２７Ａ，２７Ｂが形成されている枠体２６を、接合材料層２７Ａが対向するように、カソードパネルＣＰの周縁部に配置する。実施例１では、枠体２６をガラス材料、接合材料層２７Ａ，２７Ｂをフリットガラスで構成したが、これに限るものではない。後述する他の実施例においても同様である。次いで、アノードパネルＡＰを、図示せぬ移動可能な保持機構により、カソードパネルＣＰと対向した状態（より具体的には、アノードパネルＡＰと接合材料層２７Ｂとに間隔がある状態）で、図２のＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動可能、かつ、Ｚ軸中心に回転可能に保持する。この状態では、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間には、アライメントずれが残っている（図２の（Ａ）参照）。尚、実施例１においては、上記の作業を、第２の押さえ板１２０をＺ方向に退避させた状態で行うが、第２の押さえ板１２０を取り外した状態で行う態様であってもよい。
【００６７】
その後、図示せぬ移動可能な保持機構により、アノードパネルＡＰを、センサー１３０が検出する距離が最小になる位置に位置合わせする（図２の（Ｂ）参照）。次いで、接合材料層２７Ａ，２７Ｂが形成されている枠体２６を介して、アノードパネルＡＰをカソードパネルＣＰに載置する（図３の（Ａ）参照）。以上の工程により、カソードパネルＣＰ及び／又はアノードパネルＡＰの周縁部に配置されている接合部材を介してカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが位置合わせされた状態で、カソードパネルＣＰを下側として、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが第１の押さえ板に載置される。
【００６８】
［工程−１２０］
その後、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合した状態で、第２の押さえ板１２０をアノードパネルＡＰに載置する（図３の（Ｂ）参照）。第２の押さえ板１２０の自重により、アノードパネルＡＰにはカソードパネルＣＰに向かう方向に力が加わる。尚、必要な場合には、第２の押さえ板１２０に別途重りとなる部材を載置してもよい。後述する他の実施例においても同様である。
【００６９】
［工程−１３０］
次いで、第１の押さえ板１１０、カソードパネルＣＰ、接合部材、アノードパネルＡＰ及び第２の押さえ板１２０の全体を加熱して、接合部材を流動可能な状態（より具体的には、接合材料層２７Ａ，２７Ｂが流動可能な状態）とする。尚、実施例１では、加熱温度を約３９０℃とし、加熱時間を約２０分とした。これにより、接合材料層２７Ａ，２７Ｂは流動可能な状態となり、アノードパネルＡＰは、第２の押さえ板１２０に倣う状態でカソードパネルＣＰ側に変位する（図４の（Ａ）参照）。後述する他の実施例においても同様である。
【００７０】
［工程−１４０］
その後、第１の押さえ板１１０、カソードパネルＣＰ、接合部材、アノードパネルＡＰ及び第２の押さえ板１２０の全体を冷却し、接合材料層２７Ａ，２７Ｂを固化させて、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとを接合する。次いで、第２の押さえ板１２０をＺ方向に退避させ（図４の（Ｂ）参照）、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰが接合されて成る表示装置を取り出す。
【００７１】
［工程−１５０］
その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材とによって囲まれた空間を、排気管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点で排気管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、表示装置を完成させることができる。
【００７２】
実施例１の表示装置の製造方法によれば、カソードパネルＣＰやアノードパネルＡＰに嵌合部材等の形成が不要となり、平面型表示装置の無効領域を狭くすることができる。アノードパネルＡＰは、接合部材が流動可能な状態においては、第２の押さえ板１２０に倣う状態でカソードパネルＣＰ側に変位するので、アノードパネルＡＰを、その位置合わせした状態を保ってカソードパネルＣＰと接合することができる。また、第１の押さえ板１１０を、カソードパネルＣＰを構成する支持体１０と同じ材料から構成したので、加熱／冷却の際の熱膨張量の差による第１の押さえ板に対するカソードパネルＣＰの相対的位置変化を抑制することができる。第２の押さえ板１２０と、アノードパネルＡＰについても、同様である。これにより、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの接合の精度を、より向上することができる。
【実施例２】
【００７３】
実施例２も、本発明の平面型表示装置の製造方法、及び、本発明の平面型表示装置に関する。実施例２の表示装置の概念的な一部端面図も、実施例１と同様に背景技術において説明した図９に示す表示装置と同様である。これらの構成、動作、及び、作用については、背景技術で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００７４】
実施例２では、実施例１に対し、カソードパネル及び／又はアノードパネルの周縁部に配置されている接合部材を介して、カソードパネルに対して位置合わせした状態で、アノードパネルをカソードパネルに載置し、その状態でカソードパネルとアノードパネルとを仮固定し、アノードパネルが仮固定されているカソードパネルを第１の押さえ板に載置する点が相違する。その他の点は、実施例１と同様であるので、カソードパネル、アノードパネル、第１の押さえ板、第２の押さえ板等については、説明を省略する。
【００７５】
以下、図１、図５の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例２の表示装置の製造方法を説明する。
【００７６】
［工程−２００］
先ず、カソードパネルＣＰ及び／又はアノードパネルＡＰの周縁部に配置されている接合部材を介して、カソードパネルＣＰに対して位置合わせした状態で、アノードパネルＡＰをカソードパネルＣＰに載置し、その状態でカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとを仮固定する。実施例２では、接合材料層２７Ａ，２７Ｂが形成されている枠体２６を、接合材料層２７ＡがカソードパネルＣＰと対向するように、カソードパネルＣＰの周縁部に配置する。次いで、カソードパネルＣＰ側から接合材料層２７Ａにレーザーを照射し、カソードパネルＣＰと接合材料層２７Ａとの間に溶着部を形成する。次いで、アノードパネルＡＰを、接合部材を介してカソードパネルＣＰと対向させ、周知の手段により位置合わせする。次いで、アノードパネルＡＰをカソードパネルＣＰに載置する。その後、アノードパネルＡＰ側から接合材料層２７Ｂにレーザーを照射し、カソードパネルＣＰと接合材料層２７Ｂとの間に溶着部を形成する。これにより、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとを仮固定することができる（図５の（Ａ）参照）。
【００７７】
［工程−２１０］
実施例１の［工程−１００］と同様にして、第１の押さえ板１１０を水平方向に設置した後、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合した状態で、第２の押さえ板１２０をＺ方向に退避させた状態で保持する。次いで、アノードパネルＡＰが仮固定されているカソードパネルＣＰを第１の押さえ板に載置する。これにより、カソードパネルＣＰ及び／又はアノードパネルＡＰの周縁部に配置されている接合部材を介してカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが位置合わせされた状態で、カソードパネルＣＰを下側として、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが第１の押さえ板に載置される。尚、上記の作業を、第２の押さえ板１２０を取り外した状態で行う態様であってもよい。
【００７８】
［工程−２２０］
その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、棒状部材１１１と貫通孔１２１とが嵌合した状態で、第２の押さえ板１２０をアノードパネルＡＰに載置する（図５の（Ｂ）参照）。
【００７９】
［工程−２３０］
次いで、実施例１の［工程−１３０］〜［工程−１４０］と同様にして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰが接合されて成る表示装置を得ることができる。
【００８０】
［工程−２４０］
その後、実施例の［工程−１５０］と同様にして、表示装置を完成させることができる。
【００８１】
実施例２の表示装置の製造方法によれば、アノードパネルが仮固定されているカソードパネルを第１の押さえ板に載置する。従って、アノードパネルとカソードパネルの位置合わせの工程を、接合部材による接合工程と並列に行うことができるので、全体として作業の能率が向上する。
【００８２】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【００８３】
既に説明したように、第１の嵌合部と第２の嵌合部は、これらが嵌合することにより第２の押さえ板の移動方向を第１の押さえ板の法線方向に限定することができ、かつ、第２の押さえ板の法線方向の移動を妨げないものであればよい。例えば、図６に示すように、立設した棒状部材１１１が、第２の押さえ板１２０の周辺部と摺動可能な構造であってもよい。
【００８４】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００８５】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１は、表示装置の接合前における第１の押さえ板、第２の押さえ板、カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰ等の配置関係を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２の（Ｂ）に引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図３の（Ｂ）に引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。
【図６】図６は、立設した棒状部材が、第２の押さえ板の周辺部と摺動可能な、第１の押さえ板、第２の押さえ板、カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰ等の配置関係を模式的に示す斜視図である。
【図７】図７は、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図である。
【図８】図８は、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図９】図９は、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図である。
【符号の説明】
【００８７】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・収束電極、１７・・・層間絶縁層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・光吸収層、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・枠体、２７・・・接合部材、２７Ａ，２７Ｂ・・・接合材料層、４０・・・スペーサ、４０Ａ・・・スペーサ基材、４０Ｂ・・・帯電防止膜、１１０・・・第１の押さえ板、１１１・・・棒状部材、１２０・・・第２の押さえ板、１２１・・・貫通孔、１３０・・・センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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