(57)【要約】【課題】基板への酸素濃度の抑制ができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を載置する基板載置部を有する処理室２０１と、前記処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、前記処理室２０１内の前記プラズマにさらされる箇所は、酸素を含まない材料により形成されていることを特徴とする基板処理装置である。【選択図】図１
2007305735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板載置部を有する処理室と、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、
前記処理室内の前記プラズマにさらされる箇所は、酸素を含まない材料により形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にプラズマ処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体装置の製造工程において、素子特性を向上するために窒化膜の薄膜を形成する窒化処理が行われている。例えば、ゲート絶縁膜の形成工程においては、ゲート電極のＰｏｌｙ−Ｓｉからチャンネル領域にボロンが拡散して、素子特性が劣化するのを防止するため、あるいはゲート絶縁膜の誘電率を大きくして、チャンネル電流を増加するために、酸化珪素膜（ＳｉＯ）に窒素（Ｎ）を混入して酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）膜を形成している。また、Ｔａ２Ｏ５キャパシタの形成工程においては、Ｔａ２Ｏ５膜の酸素が下部電極であるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜内に拡散して容量値が増加するのを防止するために、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の表面に窒化処理を行い窒化珪素膜を形成している。
【０００３】
これらの窒化処理には、ＲＴＮ（Rapid Thermal Nitridation）装置や、低温処理が可能なプラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置では、基板表面を酸化または窒化等の拡散処理をしたり、基板表面に薄膜を形成したり、あるいは基板表面をエッチングしたりするなど、基板に各種のプラズマ処理を施すことができるが、窒化処理にあっては、プラズマ処理装置の真空容器内に窒素ガス等を導入しつつ、真空容器内に形成したプラズマで窒素を活性化し、この活性化された窒素によって基板表面に窒化処理を行っている。真空容器内のプラズマ形成領域に臨む真空容器の材料（誘電体）には、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＳｉＯ２（酸化珪素）が用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマ処理装置の真空容器内にプラズマを発生させると、プラズマにさらされた真空容器の材料の成分ないし組成が、抜け出して真空容器内に拡散する。プラズマ形成領域に臨む真空容器の材料がＡｌ２Ｏ３の場合には、Ａｌが真空容器内に拡がって基板に取り込まれるＡｌの金属汚染（Ａｌ濃度１０１２atoms／ｃｍ２台の汚染）が特に問題となる。また、真空容器がＳｉＯ２からなる場合には、酸素（Ｏ）が抜け出して真空容器内に拡がり、窒化膜を形成する時（拡散処理時）に、膜中の酸素濃度が１０％前後と高くなり、デバイスの特性に問題が出てくる。
【０００５】
本発明の課題は、基板への酸素濃度の抑制ができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板を載置する基板載置部を有する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、前記処理室内の前記プラズマにさらされる箇所は、酸素を含まない材料により形成されている基板処理装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、処理室内のプラズマにさらされる箇所は、酸素を含まない材料により形成されているので、プラズマによって酸素が抜け出して基板に取り込まれることがなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に本発明の基板処理装置を、変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いたプラズマ処理装置（以下、単にＭＭＴ装置ともいう）に適用した実施の形態を説明する。
【０００９】
本実施形態のプラズマ処理装置の説明に先立って、本実施形態のプラズマ処理装置が適用されるＭＭＴ装置の一般的な構成を、図２により説明する。
【００１０】
図２に、ＭＭＴ装置の概略構成を示す。ＭＭＴ装置は、下側容器２１１と、この下側容器２１１の上に気密に設けられる上側容器２１０とからなる真空容器（処理容器）２０２を有し、真空容器２０２内には基板としてのウェハ２００を処理する処理室２０１が形成される。上側容器２１０はドーム型であって酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）で形成され、下側容器２１１はアルミニウムで形成されている。また、ヒータ一体型の基板載置部であるサセプタ２１７を、窒化アルミニウム、セラミックス又は石英で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
【００１１】
上側容器２１０の上部には、ガス分散空間であるバッファ室２３７を形成するシャワーヘッド２３６が設けられ、シャワーヘッド２３６上壁にはガス導入用のガス導入口２３４が設けられ、シャワーヘッド２３６下壁はガスを噴出するガス噴出孔２３４ａを有するシャワープレート２４０となっている。前記ガス導入口２３４には、ガス供給系のガス供給管２３２が接続され、ガス供給管２３２にはバルブ２４３ａ、マスフローコントローラ２４１が設けられると共に、図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド２３６から処理室２０１内に反応ガス２３０が供給され、基板処理後のガスがサセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底部へと流れ、下側容器２１１の側壁に設けられたガス排気口２３５から排気されるようになっている。ガス排気口２３５は、ガス排気管２３１により圧力調整器であるＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂを介して排気系の真空ポンプ２４６に接続されている。
【００１２】
供給される反応ガス２３０を励起させる放電手段として、断面が筒状、好適には円筒状の第１の電極である筒状電極２１５が上側容器２１０の外周部に設けられている。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行なう整合器２７２を介して高周波電力を印加する高周波電源２７３が接続されている。
【００１３】
また、筒状電極２１５の外周部には、断面が筒状、好適には円筒状の磁界形成手段である永久磁石からなる筒状磁石２１６が設けられている。筒状磁石２１６は、その軸方向にほぼ平行な磁力線が、筒状電極２１５の内周面に沿ったリング状の領域に形成されるようになっている。このリング状の領域がプラズマ形成領域（プラズマ生成領域）２２４となる。
【００１４】
処理室２０１の底部側中央には、基板であるウェハ２００を保持するためのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、例えば窒化アルミニウムで構成され、内部に加熱手段としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれている。ヒータ２１８には高周波電力が印加されてウェハ２００を５００℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００１５】
また、サセプタ２１７の内部には、さらにインピーダンスを可変とするための電極である第２の電極（図示せず）も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記第２の電極及びサセプタ２１７を介してウェハ２００の電位を制御できるようになっている。
【００１６】
筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲は、筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他の処理装置等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３により覆われている。
【００１７】
サセプタ２１７の下方にはサセプタ昇降機構２６８が設けられ、サセプタ昇降機構２６８により、サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁されつつ昇降するように構成されている。また、サセプタ２１７は貫通孔２１７ａを有し、下側容器２１１の底面にはウェハ２００を突上げるためのウェハ突上げピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降した時に、ウェハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、貫通孔２１７ａとウェハ突上げピン２６６とが対応する位置に配設されている。
【００１８】
また、下側容器２１１の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４が開いている時には、図示省略の搬送手段により処理室２０１へウェハ２００が搬入または搬出され、ゲートバルブ２４４が閉まっている時には、処理室２０１が気密に閉じられる。
【００１９】
また、制御手段であるコントローラ２２１は、高周波電源２７３、整合器２７２、バルブ２４３ａ、マスフローコントローラ２４１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６、サセプタ昇降機構２６８、ゲートバルブ２４４及びヒータ２１８に高周波電力を印加する高周波電源に、それぞれ接続されている。コントローラ２２１は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２４１の流量、ＡＰＣ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉、ヒータ２１８に高周波電力を印加する高周波電源への電力ＯＮ・ＯＦＦなどを、それぞれを制御している。
【００２０】
上記のような構成において、ウェハ２００上面を、又はウェハ２００上に形成された下地膜の上面を所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。
【００２１】
ウェハ２００は処理室２０１の外部からウェハを搬送する図示省略の搬送手段によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。この搬送動作の詳細は、まずサセプタ昇降機構２６８によってサセプタ２１７を下側容器２１１底面側に下げて、ウェハ突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを突き抜けてサセプタ２１７上面よりも所定の高さ分だけ突き出された状態とする。次いで、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４を開き、搬送手段によってウェハ２００をウェハ突上げピン２６６の先端に載置する。その後、搬送手段を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４を閉じ、サセプタ２１７をサセプタ昇降機構２６８により上昇させて、サセプタ２１７上面にウェハ２００を載置し、さらにサセプタ２１７上に載置されたウェハ２００を、図示のようにプラズマ形成領域２２４に近い処理位置まで上昇させる。
【００２２】
サセプタ２１７に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウェハ２００を室温から５００℃の範囲内の所定温度に加熱する。また、真空ポンプ２４６、及びＡＰＣ２４２を用いて、処理室２０１の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲内の所定圧力に設定する。
【００２３】
ウェハ２００を処理温度に加熱したら、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、処理室２０１に配置されているウェハ２００の上面（処理面）に向けて反応ガスをシャワー状に導入する。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１００〜５００Ｗの範囲内の出力値を投入する。インピーダンス可変機構２７４のインピーダンス値を制御することにより、サセプタ電圧は約１０Ｖ〜４００Ｖの範囲で変化できるようにしておく。プロセスによって、このサセプタ電圧を選択する。
【００２４】
筒状磁石２１６の磁界と筒状電極２１５の高周波電界によりマグネトロン放電が発生し、ウェハ２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ形成領域２２４に高密度プラズマを生成させる。高密度プラズマ発生の原理は次のように説明できる。真空容器２０２内に供給されたガスは、筒状電極２１５とサセプタ２１７との間に印加された高周波電力により放電してプラズマ化する。プラズマ密度は筒状電極２１５の近傍が最も大きい。プラズマ化したガス（電荷）は、筒状電極２１５とサセプタ２１７との間で、これらの間に形成される高周波電界の径方向成分をもって振動する。径方向成分で振動する電荷は、径方向と直交する軸方向成分をもつ磁力線にトラップされて、軸方向に激しく振動し、この振動によって他のガスを次々とプラズマ化していき、その結果、高密度のプラズマが発生する。
【００２５】
そして、生成された高密度プラズマを利用して、サセプタ２１７上のウェハ２００上面に、拡散処理、薄膜形成、エッチングなどのプラズマ処理が施される。上面処理が終わったウェハ２００は、図示省略の搬送手段を用いて、ウェハ搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
【００２６】
ところで、真空容器２０２の内壁面、特にプラズマ形成領域２２４に臨む上側容器２１０の内壁面は、高密度のプラズマにさらされてダメージを受け易く、上側容器２１０の材料（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２）の成分が抜け出て、処理室２０１内に拡散する。上側容器２１０の材料がＡｌ２Ｏ３の場合には、特に、Ａｌが処理室２０１内に拡がってウェハ２００に取り込まれるＡｌの金属汚染が問題となる。また、上側容器２１０の材料がＳｉＯ２の場合には、酸素が抜け出して処理室２０１内に拡がり、窒化膜を形成する時（拡散処理時）に、膜中の酸素濃度が高くなり、デバイスの特性低下となる。
また、プラズマ形成領域２２４で生成されたプラズマの一部は、処理室２０１の下部側へ拡散する。このプラズマが拡散する領域（プラズマ拡散領域）のプラズマにさらされるサセプタ２１７や下側容器２１１からも、それら材料（窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、石英（ＳｉＯ２）、アルミニウムなど）中の成分が抜け出て処理室２０１内に拡がり、ウェハ２００の膜中の酸素濃度の上昇や金属汚染の問題が生じる。
【００２７】
そこで、図１の本実施形態のプラズマ処理装置（ＭＭＴ装置）では、上記問題を解消する構成を案出した。図１には、本実施形態の特徴的な構成部分が明確になるように構成を簡略的に表示し、上述した図２のＭＭＴ装置と同じ構成・機能のものについては、同一符号を用いて詳細な説明は省略している。
【００２８】
処理室２０１を形成するための真空容器（処理容器）１０２は、カップ型の下側容器１１１と、下側容器１１１の上部開口を気密に覆うドーム型の上側容器１１０とから主に構成されている。上側容器１１０は窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）で形成され、下側容器１１１はアルミニウム等の金属で形成され接地されている。上側容器１１０側壁の外周部には、処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段としての筒状電極２１５と永久磁石の筒状磁石２１６が設けられている。処理室２０１内の筒状電極２１５内周部には、プラズマが生成されるドーナツ型のプラズマ形成領域２２４が形成される。プラズマ形成領域２２４のプラズマ密度は筒状電極２１５の近傍が最も大きい。筒状電極２１５には、図示省略しているが、図２と同様にインピーダンスの整合器を介して高周波電源が接続されている。
【００２９】
上側容器１１０の上部には、窒素含有ガスなどの反応ガスを供給するガス供給部としてのシャワーヘッド１３６が設けられている。このシャワーヘッド１３６は、プラズマ形成領域２２４に反応ガスをシャワー状に分散供給するために、上側容器１１０上壁に形成された多数のガス噴出孔１４１を有するシャワー板１４０と、上側容器１１０上壁上にシャワー板１４０を覆うように設けられたキャップ状の天板１３８とから構成される。天板１３８の中央には反応ガスのガス導入口２３４が設けられ、天板１３８とシャワー板１４０との間には、ガス導入口２３４から各ガス噴出孔１４１へと反応ガスを分散するためのバッファ室１３７が形成されている。ガス導入口２３４には、反応ガスを供給制御する図示省略のガス供給系が接続されている。
【００３０】
一方、下側容器１１１底部側の側壁には、シャワーヘッド１３６から供給され、処理室２０１での基板処理後のガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、処理後のガスを排気制御する図示省略の排気系が接続されている。また、下側容器１１１側壁には、基板（ウェハ）を処理室２０１内に搬入・搬出するためのゲート（開口）１５０が形成され、ゲート１５０はゲートバルブ１５１により開閉される。ゲートバルブ１５１が閉まっている時（図示の状態の時）には、処理室２０１が気密に閉じられ、ゲートバルブ１５１が開いている時には、ゲート１５０を通じて搬送手段（図示省略）により処理室２０１へ基板が搬入または搬出される。
【００３１】
処理室２０１の底部側中央には、基板（図示省略）が載置される基板載置部であるサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、窒化アルミニウム、セラミックス又は石英で構成され、内部に加熱手段としてのヒータ（図示省略）が一体的に埋め込まれている。また、サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを可変とするための電極（図示省略）が設けられ、この電極がインピーダンス可変機構（図示省略）を介して接地されている。
【００３２】
サセプタ２１７は、少なくとも３箇所に貫通孔２１７ａを有し、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降した時（図示の状態の時）に、ウェハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成され、３個以上のウェハ突上げピン２６６上に基板が載置される。サセプタ昇降機構２６８は、下側容器１１１底部中央に形成された開口１１２を貫通させて設けられており、サセプタ昇降機構２６８が昇降しても処理室２０１内を気密に覆うことができるように、下側容器１１１の開口１１２部の下方には、ベローズ状の伸縮自在な密閉部材１１３が設けられている。
【００３３】
プラズマ形成領域２２４から処理室２０１下方へと拡散したプラズマ拡散領域のプラズマに直接さらされないように、サセプタ２１７及び下側容器１１１の表面を覆って保護するための絶縁性のカバー（保護部材）１２０〜１２４が設けられている。これらカバー１２０〜１２４は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）又は炭化珪素（ＳｉＣ）により形成されている。
【００３４】
サセプタ２１７用のカバー１２０は、キャップ状であってサセプタ２１７上に被せて設置される。カバー１２０の上面部１２０ａには、円形の基板（ウェハ）よりも僅かに大きな直径の開口を有し、この開口内のサセプタ２１７上に基板が載置される。また、カバー１２０の側面部１２０ｂは、その上面部１２０ａの外縁より下方に折り返されて、サセプタ２１７の側方を覆うようになっている。また、下側容器１１１用のカバー１２１〜１２４は、下側容器１１１の内側面（内周面）を覆うカバー１２１と、下側容器１１１の底面を覆うカバー１２２と、下側容器１１１の底面上に立設された円筒状のカバー１２３と、下側容器１１１のゲート１５０の内周面を覆うカバー１２４とからなる。円筒状のカバー１２３は、サセプタ２１７用のカバー１２０の側面部１２０ｂとサセプタ２１７側面との間に位置し、カバー１２３及びカバー１２０の側面部１２０ｂの二重管構造により、サセプタ２１７が昇降してもサセプタ２１７の側面及び下面側を覆うことができ、サセプタ２１７の側面及び下面側へのプラズマの回り込みを防止している。
【００３５】
次に、上記プラズマ処理装置（ＭＭＴ装置）を用いてウェハ（基板）又はウェハ上に形成された膜（ＳｉＯ２膜、Ｔａ２Ｏ５膜など）に窒素を導入する窒化処理（拡散処理）の方法を説明する。
【００３６】
ガス導入口２３４からシャワーヘッド１３６に供給されたＮ２ガス、ＮＨ３ガス等の窒素含有ガスを、処理室２０１のプラズマ形成領域２２４に向けてガス噴出孔１４１からシャワー状に導入する。プラズマ形成領域２２４に導入された窒素含有ガス中の窒素は、プラズマ形成領域２２４の高密度プラズマにより活性化され、この活性化された窒素はサセプタ２１７上のウェハ上面へと流れて、ウェハ或いはその上に形成された膜中に窒素が導入される。
【００３７】
上記窒化処理において、プラズマ形成領域２２４の高密度プラズマにさらされる上側容器１１０の内壁面は、プラズマによるダメージを受け易く、上側容器１１０の材料の成分が抜け出して処理室２０１内に拡散する。しかしながら、本実施形態の上側容器１１０の材料は窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）であって、酸素およびＡｌ等の金属を含まない材料なので、上側容器１１０の材料成分の拡散によって膜中の酸素濃度が高くなったり、金属汚染が生じることはない。このため、窒化膜中の酸素濃度及び金属汚染を低減ないし抑制でき、良質な窒化膜を形成することができ、デバイスの特性向上が図れる。
【００３８】
また、プラズマ形成領域２２４のプラズマの一部は、処理室２０１の下部側にも拡散し、このプラズマ拡散領域のプラズマにさらされるプラズマ拡散箇所（サセプタ２１７や下側容器１１１）もプラズマによるダメージを受ける。そこで、本実施形態では、サセプタ２１７及び下側容器１１１のプラズマにされされる部位にカバー１２０〜１２４を設け、且つ、これらカバー１２０〜１２４の材料に、酸素を含まず且つ金属汚染源となる元素を含まない材料である窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）又は炭化珪素（ＳｉＣ）で作製している。従って、サセプタ２１７及び下側容器１１１からの成分拡散による、ウェハ或いはその上に形成された膜中の酸素濃度上昇及び金属汚染を防止できる。
【００３９】
上記窒化処理の方法、具体的には、Ｓｉウェハやウェハ上のＳｉＯ２膜等に、窒化化合物の薄膜を形成する際の成膜条件としては、ウェハ温度は、窒化レートが高い１５０℃〜４００℃の範囲内に、より好ましくは２４０〜３４０℃の範囲内に制御するのがよい。ウェハの温度は、サセプタ２１７に埋め込まれたヒータによって加熱制御される。更に、処理室２０１内の圧力は、窒化レートが高く且つ安定した放電が得られる８０Ｐａ以下に制御することが好ましい。圧力低下により窒化レートが上昇する傾向は、３０Ｐａを下回っても維持された。処理室２０１内の圧力は、排気系の真空ポンプ及びＡＰＣ等の圧力調整器を用いて所定圧力に制御される。また、他の成膜条件としては、標準的な値として、処理室２０１内に供給されるＮ２ガスの供給量は５００ｓｃｃｍ、筒状電極２１５の高周波電源の電力は２５０Ｗ、成膜時間は３０秒としたが、酸素濃度が高くなく且つ金属汚染がない良質な窒化化合物の薄膜を、高い成膜速度で形成することができた。
【００４０】
なお、上記実施形態では、上側容器１１０の全部がＳｉ３Ｎ４から形成されているが、プラズマ発生手段としての放電用電極である筒状電極２１５の近傍の、高密度プラズマにさらされる上側容器１１０の一部だけにＳｉ３Ｎ４を用いて作製し、上側容器１１０のその他の部分は、Ｓｉ３Ｎ４以外の酸素を含まず且つ金属汚染源となる元素を含まない材料（ＳｉＣ等）を用いて作製したり、或いは、上側容器１１０内周面の全部又は一部を、Ｓｉ３Ｎ４で被覆するようにしてもよい。
また、上記実施形態において、ゲートバルブ１５１の処理室２０１に臨む面の部材を、Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＣ等の、酸素を含まず且つ金属汚染源となる元素を含まない材料を用いて作製するようにしてもよい。
【００４１】
本発明の好ましい形態を更に記載する。
第１の形態は、基板を載置する基板載置部を有する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、前記処理室内の前記プラズマにさらされるプラズマ形成箇所またはプラズマ拡散箇所は、酸素を含まない材料により形成されている基板処理装置である。
第２の形態は、基板を載置する基板載置部を有する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、前記処理室内の前記プラズマにさらされるプラズマ形成箇所またはプラズマ拡散箇所は、金属汚染源となる元素を含まない材料により形成されている基板処理装置である。
第３の形態は、基板を載置する基板載置部を有する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマに窒素含有ガスを供給するガス供給部とを備え、前記処理室内の前記プラズマにさらされるプラズマ形成箇所またはプラズマ拡散箇所は、酸素を含まず且つ金属汚染源となる元素を含まない材料により形成されている基板処理装置である。
第４の形態は、前記第１〜第３のいずれかの形態において、前記プラズマにさらされる前記プラズマ形成箇所は、前記プラズマ発生手段の電極近傍にある前記処理室を形成する真空容器の一部である基板処理装置である。
第５の形態は、前記第１〜第４のいずれかの形態において、前記プラズマにさらされるプラズマ拡散箇所は、前記基板載置部を覆うカバー、前記処理室を形成する真空容器の前記基板載置部側の一部を覆うカバー、または前記基板を前記処理室に搬入・搬出するためのゲートバルブである基板処理装置である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る基板処理装置をプラズマ処理装置に適用した一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】プラズマ処理装置の一般的な構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０２  真空容器
１１０  上側容器
１１１  下側容器
１２０〜１２４  カバー
１３６  シャワーヘッド
１４０  シャワー板
１４１  ガス噴出口
１５１  ゲートバルブ
２００  ウェハ
２０１  処理室
２１５  筒状電極
２１６  筒状磁石
２１７  サセプタ
２２４  プラズマ形成領域
２３４  ガス導入口
２３５  ガス排気口
２６６  ウェハ突上げピン
２６８  サセプタ昇降機構
【図１】
2007305735.tif 000003
【図２】
2007305735.tif 000004