(57)【要約】【課題】スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる、平面型表示装置において使用されるスペーサ、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置、並びに、係るスペーサの検査方法を提供する。【解決手段】平面型表示装置において使用され、カソードパネルとアノードパネルとの間に配置されるスペーサ１４０であって、スペーサ１４０は、スペーサ基材１４０Ａ、第１電極１４０Ｂ、第２電極１４０Ｃ、及び、帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄから成り、第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足する。【選択図】  図１
2007109481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、スペーサがカソードパネルとアノードパネルとの間に配置され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
スペーサは、スペーサ基材、第１電極、第２電極、及び、帯状の抵抗値測定用電極から成り、スペーサ基材は、アノードパネルと対向する第１端面部、カソードパネルと対向する第２端面部、一対の側面部を備えており、第１電極はスペーサ基材の第１端面部の上に、第２電極はスペーサ基材の第２端面部の上に設けられており、帯状の抵抗値測定用電極は、第１端面部側の第１縁部が第１端面部と平行に、第２端面部側の第２縁部が第２端面部と平行に延びるように、スペーサ基材の片側の側面部の上に設けられており、
第１端面部と抵抗値測定用電極の第１縁部との距離をＨ1、第２端面部と抵抗値測定用電極の第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極の第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部と第２端面部との距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、
第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足することを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
スペーサ基材は、セラミック材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、カソードパネルとアノードパネルとの間に配置されるスペーサであって、
スペーサは、スペーサ基材、第１電極、第２電極、及び、帯状の抵抗値測定用電極から成り、スペーサ基材は、アノードパネルと対向する第１端面部、カソードパネルと対向する第２端面部、一対の側面部を備えており、第１電極はスペーサ基材の第１端面部の上に、第２電極はスペーサ基材の第２端面部の上に設けられており、帯状の抵抗値測定用電極は、第１端面部側の第１縁部が第１端面部と平行に、第２端面部側の第２縁部が第２端面部と平行に延びるように、スペーサ基材の片側の側面部の上に設けられており、
第１端面部と抵抗値測定用電極の第１縁部との距離をＨ1、第２端面部と抵抗値測定用電極の第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極の第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部と第２端面部との距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、
第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足することを特徴とするスペーサ。
【請求項４】
スペーサ基材は、セラミック材料から成ることを特徴とする請求項３に記載のスペーサ。
【請求項５】
電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、カソードパネルとアノードパネルとの間に配置されるスペーサの検査方法であって、
スペーサは、スペーサ基材、第１電極、第２電極、及び、帯状の抵抗値測定用電極から成り、スペーサ基材は、アノードパネルと対向する第１端面部、カソードパネルと対向する第２端面部、一対の側面部を備えており、第１電極はスペーサ基材の第１端面部の上に、第２電極はスペーサ基材の第２端面部の上に設けられており、帯状の抵抗値測定用電極は、第１端面部側の第１縁部が第１端面部と平行に、第２端面部側の第２縁部が第２端面部と平行に延びるように、スペーサ基材の片側の側面部の上に設けられており、
第１端面部と抵抗値測定用電極の第１縁部との距離をＨ1、第２端面部と抵抗値測定用電極の第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極の第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部と第２端面部との距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、
第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足するスペーサを良品として判断することを特徴とするスペーサの検査方法。
【請求項６】
スペーサ基材は、セラミック材料から成ることを特徴とする請求項５に記載のスペーサの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、文字や画像等の情報を表示する平面型表示装置において使用されるスペーサ、係るスペーサが組み込まれた平面型表示装置、並びに、係るスペーサの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出源を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出源として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの電子放出源を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出源としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリックス状に配列された各画素（カラー表示の場合には、各サブピクセル）に対応した電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルとが、真空状態とされた空間を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図４に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図５に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は、第１の方向（図４及び図５においてＹ方向）に延びている。ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図４及び図５においてＸ方向）に延びている。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルの領域に相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（表示装置の表示領域に対応する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号４０は板状のスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は枠体を表し、参照番号１６は収束電極を表し、参照番号１７は層間絶縁層を表す。尚、図５においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部、収束電極、及び、層間絶縁層の図示を省略した。
【０００７】
アノード電極２４は、蛍光体層２２からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層２２の帯電防止といった機能を有する。また、隔壁２１は、蛍光体層２２から反跳した電子、あるいは、蛍光体層２２から放出された２次電子（以下、これらの電子を総称して、後方散乱電子と呼ぶ）が他の蛍光体層２２に衝突し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止する機能を有する。
【０００８】
１サブピクセルは、カソードパネルＣＰ側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体層２２とによって構成されている。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【０００９】
そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように配置し、周縁部において枠体２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ４０を配設しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ４０は、スペーサ基材４０Ａ、第１電極４０Ｂ、第２電極４０Ｃから成る。スペーサ基材４０Ａは、アノードパネルＡＰと対向する第１端面部、カソードパネルＣＰと対向する第２端面部、一対の側面部を備えており、第１電極４０Ｂはスペーサ基材４０Ａの第１端面部の上に、第２電極４０Ｃはスペーサ基材４０Ａの第２端面部の上に設けられている。尚、必要な場合には、帯電防止膜がスペーサ基材４０Ａの側面部上に設けられる。
【００１１】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極１６には収束電極制御回路（図示せず）から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。あるいは、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体層２２に衝突する。その結果、蛍光体層２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及び、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【００１２】
スペーサ４０を構成するスペーサ基材４０Ａは、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム等のセラミック、あるいは、ガラス等の高抵抗剛性材料から成る。スペーサ４０は、その両端が、それぞれ、アノード電極２４と、収束電極１６とに接している。従って、スペーサ４０の両端間には、アノード電極２４に印加される電圧と、収束電極１６に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。尚、表示装置の形式によっては、スペーサのカソード側はゲート電極と接する。この場合には、スペーサの両端間には、アノード電極に印加される電圧と、ゲート電極に印加される電圧との電位差（電圧）が加わる。従って、スペーサ４０に過大な電流が流れないように、スペーサ４０は基本的に高抵抗であることが必要とされる。また、後述するように、スペーサ４０の両端面部（スペーサ４０の第１端面部と第２端面部との間）における電位差（電圧）が、スペーサ４０の両端面部間で均等に分圧される必要がある。このため、スペーサ基材４０Ａの両端面部には第１電極４０Ｂと第２電極４０Ｃが設けられており、スペーサ端面部において、良好な電気的接続を得ることができる。例えば、特許文献１には、端面部に電極を有するスペーサが開示されている。
【００１３】
図６の（Ａ）及び（Ｂ）に、スペーサ４０の近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示す。尚、図６の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては、隔壁２１、スペーサ保持部２５、層間絶縁層１７の図示を省略した。図６の（Ａ）に示すように、スペーサ基材４０Ａの比抵抗が均一である場合には、スペーサ４０の両端間で電圧が均等に分圧される。従って、スペーサ４０の近傍においても電界は平行電界となり、電子放出部１５から放出された電子は、蛍光体層２２の所定の位置に向かう。しかし、図６の（Ｂ）に示すように、スペーサ基材４０Ａの比抵抗が不均一であると、スペーサ４０の近傍において電界が不均一となり、電子の軌道に影響を与える。即ち、電子放出部１５から放出された電子は、蛍光体層２２の所定の位置に衝突せず、スペーサ４０に沿った画素に相対的な輝度変化が生ずる。
【００１４】
例えば、スペーサ基材をセラミック材料から構成する場合には、
（ａ）セラミック粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得、その後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことによりセラミック材料を得ることができる。しかし、例えば、スラリー調製時の攪拌混合が不十分であったり、グリーンシートの焼成時の温度の不均一により焼成が不均一であったり、グリーンシートの焼成時の気流の不均一により酸化・還元の程度が不均一であったりすると、セラミック材料の比抵抗が不均一となる。一般に、スペーサ基材において、比抵抗の不均一を完全に無くすことは困難である。
【００１５】
そこで、スペーサ基材の側面部に電極を設けることにより、スペーサ近傍の電界分布を調整することが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。また、スペーサ基材の端面部と側面部に電極が設けられているスペーサにあっては、スペーサの高さ方向（図４〜図６においてＺ方向）で電圧が均等に分圧されることを間接的に確かめるために、一方の端面部の電極と側面部の電極との間の抵抗値と、他方の端面部の電極と側面部の電極との間の抵抗値をそれぞれ測定し、その測定結果に基づいて所定の分圧比にあるかどうかを検査することも知られている（例えば、特許文献３参照）。
【００１６】
【特許文献１】米国特許第５８５９５０２号明細書
【特許文献２】特開２００２−１０８２７１号公報
【特許文献３】特開２００５−９３２０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、スペーサ基材の端面部と側面部に電極が設けられているスペーサにおいて、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化が実用上の問題とならないためには、側面部に設けられる電極の位置や幅、一方の端面部の電極と側面部の電極との間の抵抗値、他方の端面部の電極と側面部の電極との間の抵抗値が、どのような条件を満たせば良いのかが不明である。また、スペーサの検査方法についても、具体的な評価方法が望まれていた。
【００１８】
従って、本発明の目的は、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化を軽減することができる平面型表示装置、スペーサ、並びに、スペーサの検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置は、電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、スペーサがカソードパネルとアノードパネルとの間に配置され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置に関する。
【００２０】
また、上記の目的を達成するための本発明のスペーサは、電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、カソードパネルとアノードパネルとの間に配置されるスペーサに関する。
【００２１】
また、上記の目的を達成するための本発明のスペーサの検査方法は、電子を放出する電子放出源が支持体に複数、形成されて成るカソードパネルと、電子放出源から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成るアノードパネルとが、それらの周縁部において接合され、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持される平面型表示装置において使用され、カソードパネルとアノードパネルとの間に配置されるスペーサの検査方法に関する。
【００２２】
本発明の平面型表示装置を構成するスペーサ、本発明のスペーサ、あるいは、本発明のスペーサの検査方法によって検査されるスペーサにあっては、
スペーサは、スペーサ基材、第１電極、第２電極、及び、帯状の抵抗値測定用電極から成り、スペーサ基材は、アノードパネルと対向する第１端面部、カソードパネルと対向する第２端面部、一対の側面部を備えており、第１電極はスペーサ基材の第１端面部の上に、第２電極はスペーサ基材の第２端面部の上に設けられており、帯状の抵抗値測定用電極は、第１端面部側の第１縁部が第１端面部と平行に、第２端面部側の第２縁部が第２端面部と平行に延びるように、スペーサ基材の片側の側面部の上に設けられている。
【００２３】
そして、本発明の平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明のスペーサにあっては、
第１端面部と抵抗値測定用電極の第１縁部との距離をＨ1、第２端面部と抵抗値測定用電極の第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極の第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部と第２端面部との距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、
第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明のスペーサの検査方法にあっては、
第１端面部と抵抗値測定用電極の第１縁部との距離をＨ1、第２端面部と抵抗値測定用電極の第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極の第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部と第２端面部との距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、
第１電極と第２電極との間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極と抵抗値測定用電極との間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足するスペーサを良品として判断することを特徴とする。
【００２５】
本発明の平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明のスペーサにあっては、上述の各条件を満足することにより、スペーサは必要とされる均一性を保って電圧を分圧する。従って、スペーサ近傍の電界の不均一が過大なものとはならず、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化も、実用上の問題がない程度まで軽減される。尚、スペーサにおいて、抵抗値測定用電極が存在する部分は同電位となる。従って、スペーサによる分圧の均一性の観点から、抵抗値測定用電極の高さ方向の幅に相当する距離Ｈ3は、スペーサ基材の高さ方向の幅に相当する距離Ｈ4よりも充分短いことが必要であり、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4、より好ましくは、１０μｍ≦Ｈ3≦０．０５×Ｈ4であることが望ましい。
【００２６】
また、本発明のスペーサの検査方法にあっては、上述の各条件を満足するスペーサを良品として判断する。これにより、スペーサ近傍の電界の不均一が過大にならないスペーサを選別することができる。例えば、予めスペーサを検査して選別し、選別したスペーサのみを用いて平面型表示装置を製造することにより、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化が軽減された平面型表示装置を製造することができる。
【００２７】
以下、本発明の平面型表示装置、本発明のスペーサ、又は、本発明のスペーサの検査方法を、単に、本発明と呼ぶ場合がある。また、本発明の平面型表示装置を構成するスペーサ、本発明のスペーサ、又は、本発明のスペーサの検査方法によって検査されたスペーサを、単に、本発明のスペーサと呼ぶ場合がある。更には、本発明の平面型表示装置を、単に、本発明の表示装置と呼ぶ場合がある。
【００２８】
ここで、本発明のスペーサにあっては、スペーサを構成するスペーサ基材を、セラミックやガラス等の高抵抗剛性材料から成る構成とすることができる。セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミック材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料を用いることもできる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。
【００２９】
本発明のスペーサにあっては、第１電極、第２電極、及び、抵抗値測定用電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ、ＮｉＶ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、帯状の電極を形成することが可能である。
【００３０】
本発明のスペーサにあっては、スペーサ基材の表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅx等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＮｄＯx、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢx、ＴｉＢx等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳx、ＷＳx等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。
【００３１】
本発明において、スペーサ基材をセラミック材料から成る構成とする場合には、スペーサ基材を構成するセラミック基材を、例えば、
（ａ）セラミック粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得、その後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより得ることができる。スペーサ基材を構成するセラミック材料は、グリーンシート用スラリー内のセラミック粉末が焼結されることにより形成される。グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミック粉末を構成する材料として、上述のスペーサ基材の説明において例示したと同様の材料を挙げることができる。尚、必要な場合には、スラリーに導電性付与材料を分散質として加えてもよい。導電性付与材料は、スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。導電性付与材料は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の導電性付与材料も焼成されるが、焼成された導電性付与材料が導電性を示すものであればよい。グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料として、例えば、金や白金等の貴金属；モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物等の金属酸化物；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩を挙げることができる。更には、これらの混合物であってもよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００３２】
平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出源を構成する冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）は、カソードパネルに設けられ、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。
【００３３】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００３４】
カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分は電子放出領域に該当し、電子放出領域が２次元マトリックス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００３５】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。
【００３６】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００３７】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３８】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３９】
電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。
【００４０】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【００４１】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００４２】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
【００４３】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００４４】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００４５】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００４６】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００４７】
カソードパネルを構成する支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。
【００４８】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００４９】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
【００５０】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００５１】
アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００５２】
蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式はドット状である。具体的には、表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、表示装置において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００５３】
蛍光体層は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００５４】
蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラック・マトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００５５】
蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するための、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が隔壁を越えて他の蛍光体層に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００５６】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５７】
隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリックス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリックス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５８】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５９】
スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定することもできるし、カソードパネル及び／又はアノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定することもできる。あるいは又、スペーサとカソードパネル及び／又はアノードパネルを、フリットガラスや低融点金属等によって固定することもできる。
【００６０】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミック等から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６１】
カソードパネルとアノードパネルと枠体の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００６２】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属、合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域（表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通部の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００６３】
本発明において、電子放出源として、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【発明の効果】
【００６４】
本発明の平面型表示装置を構成するスペーサ、あるいは、本発明のスペーサにあっては、スペーサは必要とされる均一性を保って電圧を分圧する。従って、スペーサ近傍の電界の不均一さが過大なものとはならず、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化も、実用上の問題がない程度まで軽減される。また、本発明のスペーサの検査方法にあっては、スペーサ近傍の電界の不均一さが過大にならないスペーサを選別することができる。予めスペーサを検査して選別し、選別したスペーサのみを用いて平面型表示装置を製造することにより、スペーサに沿った画素の相対的な輝度変化が軽減された平面型表示装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例】
【００６６】
実施例の平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図を、図１に示す。実施例における平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）であり、この表示装置を構成するカソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰは、図４及び図５を参照して説明した表示装置におけるカソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰと同じ構成、構造を有する。即ち、実施例の表示装置にあっては、電子を放出する電子放出源に相当するスピント型電界放出素子が支持体１０に複数、形成されて成るカソードパネルＣＰと、電子放出源（スピント型電界放出素子）から放出された電子が衝突する蛍光体層２２及びアノード電極２４が基板２０に形成されて成るアノードパネルＡＰとが、それらの周縁部において接合され、スペーサ１４０がカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間に配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間が真空に保持されている。これらの構成、動作、及び、作用については、背景技術で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６７】
図２の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例のスペーサについて説明する。図２の（Ａ）は、実施例のスペーサ１４０の一部を切り欠いた模式的な斜視図であり、図２の（Ｂ）は、実施例のスペーサ１４０において、第１端面部１４０Ｐと、第２端面部１４０Ｑと、抵抗値測定用電極１４０Ｄとの位置関係を説明するための模式的な断面図である。実施例のスペーサ１４０は、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間に配置されるスペーサである。そして、スペーサ１４０は、スペーサ基材１４０Ａ、第１電極１４０Ｂ、第２電極１４０Ｃ、及び、帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄから成る。スペーサ基材１４０Ａは、アノードパネルＡＰと対向する第１端面部１４０Ｐ、カソードパネルＣＰと対向する第２端面部１４０Ｑ、一対の側面部１４０Ｒを備えている。第１電極１４０Ｂはスペーサ基材１４０Ａの第１端面部１４０Ｐの上に、第２電極１４０Ｃはスペーサ基材１４０Ａの第２端面部１４０Ｃの上に設けられている。帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄは、第１端面部側の第１縁部が第１端面部１４０Ｐと平行に、第２端面部側の第２縁部が第２端面部１４０Ｑと平行に延びるように、スペーサ基材１４０Ａの片側の側面部１４０Ｒの上に設けられている。
【００６８】
そして、実施例のスペーサ１４０にあっては、第１端面部１４０Ｐと抵抗値測定用電極１４０Ｄの第１縁部との距離をＨ1、第２端面部１４０Ｑと抵抗値測定用電極１４０Ｄの第２縁部との距離をＨ2、抵抗値測定用電極１４０Ｄの第１縁部と第２縁部との距離をＨ3、第１端面部１４０Ｐと第２端面部１４０Ｑとの距離をＨ4とするとき、０．２×Ｈ4≦Ｈ1≦０．８×Ｈ4、０．２×Ｈ4≦Ｈ2≦０．８×Ｈ4、及び、１０μｍ≦Ｈ3≦０．２×Ｈ4の全てを満足すると共に、第１電極１４０Ｂと第２電極１４０Ｃとの間に１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ12、第２電極１４０Ｃと抵抗値測定用電極１４０Ｄとの間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］の電圧を印加したときの抵抗値をＲ23とするとき、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足する。
【００６９】
本発明のスペーサを組み込んだ表示装置では、スペーサ１４０に沿った画素の輝度を測定して得た輝度重心と、スペーサ１４０から離間した画素の輝度を測定して得た輝度重心とのずれが、５μｍ以内に収まることを確認した。画素の輝度重心については後述する。
【００７０】
次いで、実施例のスペーサの製造方法、実施例のスペーサの検査方法、及び、実施例の表示装置の製造方法を説明する。
【００７１】
［工程−１００］
先ず、グリーンシート用スラリーを調製する。平均粒径が１〜２μｍとなるように粉砕・分級したアルミナ粉末（アルコア インコーポレイテッド製）、チタニア粉末（関東化学株式会社製）を、体積比が９８：２となるように混合し、ポリビニール・ブチラール系樹脂のバインダーと界面活性剤とを加えて、トルエンとエタノールの混合溶媒に分散し、ボールミルによって攪拌し、スラリーを得ることができる。
【００７２】
［工程−１１０］
次いで、グリーンシート用スラリーから、グリーンシートを得る。実施例では、調製したスラリーをブレードコート法によって厚さ約１００μｍのシートとし、１００゜Ｃで充分に乾燥させることで、グリーンシートを得たが、これに限定するものではない。
【００７３】
［工程−１２０］
その後、グリーンシートを焼成し、セラミック材料を得る。上記のシートをモリブデン製のセッターの上に載せ、１６５０゜Ｃ、窒素：水素＝１：３の雰囲気下で、約１時間焼成することにより、セラミック材料を得たが、これに限定するものではない。
【００７４】
［工程−１３０］
次いで、セラミック材料を切断することにより、スペーサ基材１４０Ａを得る。実施例において、スペーサ基材１４０Ａの寸法を、長手方向（図１及び図２においてＸ方向）に１５０ｍｍ、厚さ方向（図１及び図２においてＹ方向）に１００μｍ、高さ方向（図１及び図２においてＺ方向）に２ｍｍとしたが、これらに限定するものではない。
【００７５】
［工程−１４０］
次いで、第１電極１４０Ｂ、第２電極１４０Ｃ、及び、帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄを設ける。実施例では、これらの電極を構成する材料として白金（Ｐｔ）を用い、スパッタリング法とリフトオフ法を用いて、第１電極１４０Ｂ、第２電極１４０Ｃ、及び、帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄを形成した。これらの電極の膜厚は、約５０μｍとした。実施例では、上述したように、第１端面部１４０Ｐと第２端面部１４０Ｑとの距離Ｈ4は２ｍｍであり、第１端面部１４０Ｐと抵抗値測定用電極１４０Ｄの第１縁部との距離Ｈ1を１ｍｍ（＝０．５×Ｈ4）、第２端面部１４０Ｑと抵抗値測定用電極１４０Ｄの第２縁部との距離Ｈ2を０．８ｍｍ（＝０．４×Ｈ4）、抵抗値測定用電極１４０Ｄの第１縁部と第２縁部との距離Ｈ3を０．２ｍｍ（＝０．１×Ｈ4）とした。
【００７６】
上記の［工程−１００］〜［工程−１４０］によって、スペーサ基材１４０Ａ、第１電極１４０Ｂ、第２電極１４０Ｃ、及び、帯状の抵抗値測定用電極１４０Ｄから成るスペーサ１４０を得ることができる。
【００７７】
［工程−１５０］
その後、スペーサの検査を行う。即ち、得られたスペーサ１４０について、先ず、第１電極１４０Ｂと第２電極１４０Ｃとの間に１［ｋＶ］の電圧を印加し、流れる電流の大きさと電圧の関係に基づき、抵抗値Ｒ12を測定する。実施例においては、抵抗値Ｒ12は、概ね５ギガΩ〜１０ギガΩに分布した。次いで、第２電極１４０Ｃと抵抗値測定用電極１４０Ｄとの間に（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））×１［ｋＶ］（より具体的には約０．４４［ｋＶ］）の電圧を印加し、流れる電流の大きさと電圧の関係に基づき、抵抗値Ｒ23を測定する。実施例においては、抵抗値Ｒ23は、概ね２ギガΩ〜５ギガΩに分布した。得られた抵抗値Ｒ12，Ｒ23に基づき、スペーサが、０．９５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））≦Ｒ23／Ｒ12≦１．０５×（Ｈ2／（Ｈ1＋Ｈ2））を満足するか否かを判定し、満足するスペーサを良品として選別した。
【００７８】
［工程−１６０］
次いで、良品として選別したスペーサ１４０を用いて、図１に示す表示装置の組立を行う。スペーサ１４０を介して、蛍光体層２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置する。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、支持体１０と基板２０）とを、例えば枠体２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、枠体２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とを貼り合わせ、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とフリットガラスとによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、実施例の表示装置を完成させることができる。
【００７９】
実施例の表示装置を用いて、スペーサ１４０近傍の画素と、スペーサ１４０から離間した画素（具体的には、スペーサ１４０近傍の画素から、スペーサの長手方向と直交する方向に４画素分の間隔を空けたところの画素）における輝度特性を測定した。具体的には、カラー表示の表示装置を用いて、表示領域全面に白色を表示して、スペーサ１４０近傍の画素（実施例においては１サブピクセル）と、スペーサ１４０から離間した画素について、以下に説明する方法により、輝度重心の測定を行なった。尚、表示装置の駆動条件を、アノードパネルＡＰ（より具体的には、アノード電極２４）に印加される電圧を約１０ｋＶとし、この電圧とアノードパネルに流れる電流量の実効値から計算される電力が略２０Ｗとなるように設定した。尚、表示装置の表示領域は約４０ｃｍ×３０ｃｍである。
【００８０】
先ず、図３の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、輝度重心の求め方について説明する。図３の（Ａ）は、スペーサ１４０の近傍に位置する画素（実施例においては１サブピクセル）における電子ビームの軌道を模式的に示した図である。図３の（Ｂ）は、図３の（Ａ）に示す状態において、蛍光体層２２の輝度分布を模式的に示した図である。通常、蛍光体層２２の周囲部の輝度は、蛍光体層２２の中央部の輝度よりも、相対的に低くなる傾向がある。図３の（Ｂ）における破線は、蛍光体層２２における輝度の等高線を模式的に示したものである。図３の（Ｂ）に示すように、測定対象となる画素を構成する蛍光体層２２の右上端部を原点（０，０）とし、蛍光体層２２上の点（ｘi，ｙj）における輝度がＬ（ｘi，ｙj）で与えられるとき、以下の式（１）、式（２）により、輝度の重心の座標（ＸC，ＹC）を求めることができる。
【００８１】
2007109481.tif 000003
【００８２】
2007109481.tif 000004
【００８３】
スペーサ１４０近傍の画素と、スペーサ１４０から離間した画素について輝度重心を測定した。具体的には、表示装置の測定対象となる画素について、その内部の輝度の分布を、ＣＣＤカメラ等により測定した。その測定結果を用いて、輝度Ｌ（ｘi，ｙj）を求めることができる。次いで、求めた輝度Ｌ（ｘi，ｙj）を用いて、輝度重心の座標（ＸC，ＹC）を計算した。
【００８４】
スペーサ１４０近傍の画素の輝度重心の座標（ＸC1，ＹC1）と、スペーサ１４０から離間した画素の輝度重心の座標（ＸC2，ＹC2）とを用いて、測定対象となる画素を構成する蛍光体層２２の右上端部を基準としたときの輝度重心のずれ量が求まる。具体的には、両者の輝度重心の距離を計算で求めればよい。実施例では、算出したずれ量は、４μｍ以下であった。尚、発明者の実験によれば、輝度重心のずれ量が５μｍ以下であれば、表示画像においてその影響を視認することができず、画像表示の品質は保持される。尚、比較のため、良品と判断されなかったスペーサを用いて比較実験をしたが、スペーサ１００本につき、輝度重心のずれ量が５μｍを超えるスペーサが約３０本観察された。
【００８５】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【００８６】
実施例においては、スペーサ基材の片側の側面部上に抵抗値測定用電極が設けられ、他の側面部には電極が設けられていない態様について説明したが、他の側面部上に電極が設けられている態様であってもよい。例えば、第２の抵抗値測定用電極が他の側面部上に設けられていてもよい。
【００８７】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【００８８】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出源を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出源を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】図１は、実施例の平面型表示装置、及び、スペーサの概念的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）は、実施例のスペーサの一部を切り欠いた模式的な斜視図であり、図２の（Ｂ）は、実施例のスペーサにおいて、第１端面部と、第２端面部と、抵抗値測定用電極との位置関係を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図３の（Ａ）は、スペーサの近傍に位置する画素（実施例においては１サブピクセル）における電子ビームの軌道を模式的に示した図であり、図３の（Ｂ）は、図３の（Ａ）に示す状態において、蛍光体層の輝度分布を模式的に示した図である。
【図４】図４は、スピント型電界放出素子を有する従来の冷陰極電界電子放出表示装置の概念的な一部端面図である。
【図５】図５は、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、スペーサの近傍に位置する画素における電子ビームの軌道を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００９０】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・収束電極、１７・・・層間絶縁層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・光吸収層、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・枠体、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、４０Ａ・・・スペーサ基材、４０Ｂ・・・第１電極、４０Ｃ・・・第２電極、１４０・・・スペーサ、１４０Ａ・・・スペーサ基材、１４０Ｂ・・・第１電極、１４０Ｃ・・・第２電極、１４０Ｄ・・・抵抗値測定用電極、１４０Ｐ・・・第１端面部、１４０Ｑ・・・第２端面部、１４０Ｒ・・・側面部
【図１】
2007109481.tif 000005
【図２】
2007109481.tif 000006
【図３】
2007109481.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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