(57)【要約】【課題】  移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化を図り得る基板処理装置を提供する。  【解決手段】  移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも２つのラインセンサを設け、前記ラインセンサは、一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約２０°〜５０°の範囲で設けられ、他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられている。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも１つの気密室とを備えた基板処理装置であって、
前記移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、前記搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも２つのラインセンサを設け、
前記ラインセンサは、
一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約２０°〜５０°の範囲で設けられ、
他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも１つの気密室とを備えた基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、従来から知られる半導体基板の枚葉処理装置では、中央に基板移載機を搭載した搬送室を配し、その周辺に熱処理炉、ＣＶＤ炉、プラズマ処理炉、及びロードロック室を接続した、いわゆるクラスタータイプのものが存在する。
このような構成において、各処理炉を連結している基板搬送空間を真空ポンプで減圧下におくことで、異なるプロセス処理を大気暴露することなく連続して行うことが可能となり、その結果、高品質、高信頼性の半導体デバイスの作成が可能になる。
【０００３】
ところで前述した処理炉の多くは処理室内での基板の載置方法としてプレート型の支持台(サセプタ)を採用しており、このサセプタに基板を静電吸着させたり、あるいはサセプタごと基板を回転させたりしながら、所定のプロセスを実行する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、これらのケースにおいては、例えば前者のケースでは処理後の除電処理が不十分の場合、基板をサセプタから外す過程で吸盤のような状態になり、サセプタに対する基板の中心位置が処理前の状態と異なるいわゆる位置ズレの状態が発生する。
後者のケースにおいても基板の塑性変形(恒久的に継続する反り)の状態によってはサセプタ回転中に基板の中心位置がズレてしまうことが確認されている。
【０００５】
これらの基板中心の位置ズレはズレ量が過度の場合は、基板移載時に処理炉を形成する構造体と干渉することによる移載トラブルの原因となる。また、ズレ量が構造体との干渉を起こさない範囲のものであっても次処理炉での処理品質を著しく低下させる場合があり、これは通常、各処理炉における処理条件は基板中心とサセプタ中心が一致する状態で最適化されることに起因しているからである。
【０００６】
従って異なる一連の処理を連続的に行うクラスターツールにおいては処理室内、及び移載時に発生した基板の位置ズレを検知し、適時これを補正して可能な限り処理を継続して稼働率の向上と処理品質の安定化が実現可能な対応が強く望まれている。
【０００７】
本発明の目的は移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化を図り得る基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、本発明は、移載装置を収容する搬送室と、前記搬送室に連通する少なくとも１つの気密室とを備えた基板処理装置であって、前記移載装置で基板を前記気密室に対して搬入または搬出する際、前記搬送室内に設けられる基板待機位置にて基板の周縁部の検出を行い、正規の基板位置からの位置ずれ量を検出する少なくとも２つのラインセンサを設け、前記ラインセンサは、一方のラインセンサが前記基板待機位置における基板中心を原点とする極座標系において、基板中心から一方のラインセンサによる基板周縁部の検出点に向かう角度が前記気密室内への基板の搬入出方向と直交する方向に対して約２０°〜５０°の範囲で設けられ、他方のラインセンサが前記一方のラインセンサと前記搬入出方向に対して線対称に設けられているものである。
【発明の効果】
【０００９】
上述したように、本発明によれば、移載時及び処理室内で発生した基板の位置ズレを検出し、適時これを補正することにより、装置稼働率の低下を抑制し、基板品質の安定化に寄与することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
ここでは、まず、基板の位置ズレ量を解析するための基本的な理論(演算手法)に関して、図解による説明を行ったあと実際の装置構成について説明する。
【００１１】
図１（ａ）で示すように半径ｒ、中心Ｑの円の内部に座標原点Ｏが存在する平面座標を考える。この円は処理基板をイメージしたものであり、座標原点Ｏより極座標形式でσ、θの角度方向に延びる線分α、βと円周軌道上の交点をそれぞれＡ、Ｂとし、線分ＡＯ、ＢＯの距離をそれぞれａ、ｂで与える。
【００１２】
続いて図１（ｂ）においてベクトルＯＱの座標成分を（Ｘ，Ｙ）で与え補助線により２つの三角形を作図すると、
（１）青の直角三角形について
（ａ・ＣＯＳσ−Ｘ）2＋（ａ・ＳＩＮσ−Ｙ）2＝ｒ2・・・（１）
（２）緑の直角三角形について
（ｂ・ＣＯＳθ−Ｘ）2＋（ｂ・ＳＩＮθ−Ｙ）2＝ｒ2・・・（２）
【００１３】
上記（１）、（２）式をＸ，Ｙについて解くことにより、任意の座標原点Ｏからの円の中心ＱへのベクトルＯＱが解析可能になる。
次に図２において任意の位置に移動した円の中心をＱ´、円周軌道と線分α、βとの交点をＡ´、Ｂ´としＯＡ´、ＯＢ´をそれぞれａ´、ｂ´で与えれば図１で解説した時と同様に移動後の円の中心へのベクトルＯＱ´が解析可能になる。
【００１４】
任意の座標原点から移動前後の円の中心へのベクトルが与えられれば、２つのベクトルの合成により円の中心の移動量ＱＱ´は以下で求めることができる。
【００１５】
本実施の形態では下記のＱＱ´を位置ズレ量と定義し、−ＱＱ´(Ｑ´Ｑ)を(位置)補正量と定義する。  (円の中心の移動量ＱＱ´)＝(移動後の中心ベクトルＯＱ´)−(移動前の中心ベクトルＯＱ)
【００１６】
ところで、中心ベクトル（Ｘ、Ｙ）は２元２次方程式により求められるので、実運用上で求める解以外に計算上の別解が存在する。図３は異なる中心ベクトルＯＱ１（Ｘ１，Ｙ１）とＯＱ２（Ｘ２，Ｙ２）の位置関係を示したものである。
【００１７】
位置補正量(円の中心の移動量)の演算を正確に行うには移動前後の実際の基板の中心がＱ１とＱ２のどちらにあるのかを見極めなければならない。しかしながら、センサの遮光量の情報のみでこれらを判断するのは不可能なため、センサ配置の構成で定義する必要がある。
【００１８】
具体的にはＱ１とＱ２は必ずセンサ配置位置Ａ、Ｂを結ぶ線分ＡＢについて対称な位置に存在するので、実運用でウェハの中心Ｑの移動範囲が常に線分ＯＱと線分ＡＢが交差する範囲かもしくは常に交差しない範囲になるように前述の設計基準を決定しなければならない。
【００１９】
前者の場合には２つの中心ベクトルの内、スカラー量の大きい方が実際の基板の中心位置を示すベクトルであり、後者の場合はスカラー量の小さい方に該当する。従って、補正量算出時にどちらの中心位置を判定するかは前記の基準を考慮して補正量演算のアルゴリズムを作成すればよい。
【００２０】
前項で解説したように、基板の中心の移動量を算出するためには任意の座標からの基板エッジまでの距離(図１のａ、ｂに相当)を正確に把握する必要がある。
【００２１】
図４はこれらを計測するために検討したハードウェア構成と計測手段の概要である。基板エッジの位置を検出するために、任意方向の距離を光学的手法により計測可能なラインセンサを用いる。例えば、本センサは０．０１ｍｍ単位で約２８ｍｍの距離が計測可能(投受光幅が２８ｍｍ)である。
【００２２】
しかしながら、従来の半導体基板において、前述したａ、ｂ、ａ´、ｂ´に相当する距離を直接計測することは不可能なため、ラインセンサを以下の定義に基づいて配置して、この設計基準とセンサ遮光量の２つのパラメータより算出する方法を用いる。
【００２３】
（ラインセンサ配置における設計値の定義）
（１）ａ´´、ｂ´´：各センサ端部とその延長線上の交点(図1の原点：Ｏに相当)の距離
（２）θ、δ：基板移載方向に対するセンサＳ１，Ｓ２の配置角度(図１の記載相当部位)
【００２４】
（補正量算出のための線分ａ、ｂ算出基準）
ａ＝ａ´´＋ａ´´´  ｂ＝ａ´´＋ｂ´´´  ただし、
ａ´´´、ｂ´´´：ラインセンサの遮光量
【００２５】
図５に搬送室に対してのラインセンサ配置の例を示す。
ラインセンサは搬送室から処理室に搬送直前の退避位置にある基板エッジを検出可能なように配置する。ここで退避位置とは正規位置すなわち待機位置であり、基板を処理室に正しく載置するための移載機に対する基板の保持状態を示すものであり、この状態は予め装置運用前の調整、メンテナンス時に登録しておく。
【００２６】
なお、実機においては1つのセンサに対して隣り合う処理室の基板エッジが検出可能なように設置するとセンサ配置数を削減出来、コスト低減の観点から望ましい形態となる。
【００２７】
本発明による装置運用フローを図６に示す。
処理室２より所定の処理を終えた基板の払出を実行する（図６（ａ））。この時に移載機上の基板の保持状態が退避位置にない(位置ズレの発生)と仮定する。
【００２８】
処理室３に基板を載置するために移載機による旋回動作を実行する（図６（ｂ））。この時点では位置ズレの状態を維持している。
基板を処理室３に載置する直前に基板エッジによるセンサの遮光距離を検知して処理室３の退避位置に対する基板のズレ量(補正量)を算出する（図６（ｃ））。
【００２９】
従来運用における処理室３への移載機の移動量に算出したズレ量(補正量)を考慮して軌道修正しながら処理室３への載置動作を実行する（図６（ｄ））。
【００３０】
なお、この時行う軌道修正量は基板の進行方向成分に関しては算出した補正量をそのまま移載機の移動量として増減すればよいが、進行方向に対する垂直成分に関しては、移載機の旋回動作で補正を行う必要があるため、退避位置での補正量を処理室に正しく載置するための旋回角度に変換しなければならない。ここで、その変換式を示す。
【００３１】
補正角度＝ＡＴＡＮ（Δｄ／Ｓ）
ただし、Δｄ：退避位置での進行方向に対して垂直成分の補正量
Ｓ：退避位置から処理室までの移載ストローク
【００３２】
なお、右記の算出はΔｄ≪Ｓの前提条件のもと、処理室での前記垂直成分の補
正量を近似的に扱っている。
【００３３】
次に任意の基板待機位置に対するラインセンサの配置基準について、実機で保証する位置補正精度を念頭に具体的に述べる。現在、半導体製造装置で使用されている移載機の搬送精度は概ね載置位置に対して±０．１〜０，３ｍｍ程度のものが主流となっている。従って、位置補正機能に関する要求精度も同等の精度が求められる。また、基板半径は１５０ｍｍで、この位置検出にはラインセンサの最小計測単位(ラインセンサの分解能)が０．０１ｍｍ程度のものが使用される。
【００３４】
以上のようなことを前提にした時の配置例を図７に示す。
図７は待機位置における基板中心を原点とする座標系において、センサ配置基準を図示したものである。これによるとセンサＳ１の基板エッジ検出ポイントは進行方向軸に対して６０°に配置され、この角度は搬送室における移載機中心に対する処理室の配置角度と同じで定義される。
【００３５】
また、センサＳ１基板中心からの角度としては３０°で定義され、進行方向軸に対してセンサＳ１、センサＳ２は対称に配置される。
【００３６】
また、図８は図７の配置を前提とした時、ラインセンサの変化値に対して算出される位置ズレのトレンドを示したものである。グラフの縦軸は進行方向の位置ズレ量、横軸は旋回成分のそれを示している。また、位置ズレ量の座標系とは別にセンサＳ１とＳ２の測定方向に対する座標系を破線軸で示している。
【００３７】
グラフ中のプロットは±０．０５ｍｍの範囲において、センサの最小計測単位である０．０１ｍｍで各センサの読み値が変化した時に算出される位置ズレパターンを示している。図８において、縦軸及び横軸上に存在するプロットにおいて、座標原点からの距離が最も短い地点の値をそれぞれ進行方向の演算分解能、旋回方向の演算分解能と定義する。
【００３８】
図９は位置ズレ演算分解能と基板中心からのセンサ角度の関係を示したものである。ここで、位置補正機能の保証精度を０．１〜０．３ｍｍ程度で行うには、先に定義した演算分解能が保証精度の１／１０程度であることが望ましい。また、進行方向と旋回方向の演算分解能をそれぞれＹ、Ｘとした時、Ｙ／Ｘが１より大きい場合は進行方向に、１より小さい場合は旋回方向に粗い補正精度になることから、Ｙ/Ｘは限りなく１に近づくのが望ましいといえる。
【００３９】
更に図９において、基板中心からのセンサ角度が６０°の地点で演算分解能は極小値を示すがこれは進行方向に対するセンサ配置角度が６０°の場合、センサによる基板エッジ検出地点が基板の接線方向と重なるためである。この付近はエッジ検出そのものが物理的に厳しくなるためセンサ配置位置としては妥当ではない。
【００４０】
実機によるセンサの配置基準は上述の観点から最適化される必要があり、図７の実施例においては、図９のグラフより基板中心からの角度の範囲が約２０〜５０°の範囲が妥当であると考えられる。
【００４１】
次に、本発明に適用される基板処理装置の具体的な実施例について説明する。図１０は本発明に適用される基板処理装置の構成図である。本発明の基板処理装置においては、ウェハなどの基板を搬送するキャリヤとしてはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod、以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１０の図面配置を基準とする。すなわち、図１０に示されている紙面に対して、前は紙面の下方、後ろは紙面の上方、左右は紙面の左右とする。
【００４２】
図１０に示すように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウェハ２００を移載する第一のウェハ移載機１１２が設置されている。第一のウェハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００４３】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４、１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００４４】
予備室１２２及び予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウェハ２００を移載する第二のウェハ移載機１２４が設置されている。第二のウェハ移載機１２４は、第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ（図示しない）によって昇降されるように構成されていると共に、リニアアクチュエータ（図示しない）によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００４５】
また、図１０に示すように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。さらに、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニットが設置されている。
【００４６】
また、図１０に示すように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウェハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。ウェハ搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共にウェハ搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャと、クロージャを駆動する駆動機構とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップを開閉することにより、ポッド１００に対するウェハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給及び排出されるようになっている。
【００４７】
また、図１０に示すように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する二枚の側壁には、ウェハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがゲートバルブ１３０、１３１を介してそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２及び第二の処理炉１３７はいずれもコールドウォール式の処理炉によって構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一のクーリングユニット１３８と、第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８及び第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウェハ２００を冷却するように構成されている。
【００４８】
次に、上記のような構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程について説明する。未処理のウェハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図１０に示すように、搬送されてきたポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００のウェハ出し入れ口が開放される。
【００４９】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウェハ移載機１２４は、ポッド１００からウェハ２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、ウェハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００５０】
予備室１２２内があらかじめ設定された圧力値となると、ゲートバルブ２４４が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウェハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェハ２００をピックアップして第一の搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ２４４が閉じられた後、ゲートバルブ１３０が開かれ、第一の搬送室１０３と第一の処理炉２０２とが連通される。続いて第一のウェハ移載機１１２は、ウェハ２００を第一の搬送室１０３から第一の処理炉２０２に搬入して、第一の処理炉２０２内の支持具に移載する。ゲートバルブ１３０が閉じられた後、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、ウェハ２００に所望の処理が施される。
【００５１】
第一の処理炉２０２でウェハ２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１３０が開かれ、処理済みのウェハ２００は第一のウェハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１３０は閉じられる。
【００５２】
第一のウェハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウェハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬送し、処理済みのウェハは冷却される。第一のクーリングユニット１３８に処理済みウェハ２００を搬送すると、第一のウェハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０にあらかじめ準備されたウェハ２００を前述した作動と同様に、第一の処理炉２０２に搬送し、第一の処理炉２０２内でウェハ２００に所望の処理が施される。
【００５３】
第一のクーリングユニット１３８においてあらかじめ設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェハ２００は第一のウェハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００５４】
冷却済みのウェハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出された後にゲートバルブ１２７が開かれる。第１のウェハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウェハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００５５】
以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００が順次処理されて行く。予備室１２２内に搬入された全てのウェハ２００に対する処理が終了し、全ての処理済みウェハ２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【００５６】
続いて、第二の搬送室１２１の第二のウェハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウェハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。２５枚の処理済みウェハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００５７】
以上の作動は第一の処理炉２０２及び第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７及び第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。
【００５８】
また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８又は第二のクーリングユニット１３９を経由するようにしてもよい。
【００５９】
図１１、図１２は、搬送の進行方向に対して、センサの配置角度が６０°の場合と６５°の場合において、補正分解能（ａ）とΔ(基板中心からセンサによる
エッジ検出点に向かう角度)の関係（ｂ）を示したものである。補正分解能はセンサ配置角度によって異なるトレンドを示すが、分解能比はセンサ配置角度に依存せず常に−ＴＡＮ（Δ−９０°）（０°＜Δ＜９０°）で示される。
【００６０】
ちなみにセンサ配置角度が６０°の場合、補正分解能はΔ＝６０°の時に極小
点を示すが、これは図１３で示すようにセンサによるエッジ検出地点と同地点におけるウェハの接線方向と重なるポイントを示している。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態において位置ズレ量を解析するため理論を図解により示すための、円の中心へのベクトル解析解説図である。
【図２】本発明の実施の形態において位置ズレ量を解析するため理論を図解により示すための、円の中心の移動量解析方法を示す解説図である。
【図３】本発明の実施の形態において位置ズレ量を解析するため理論を図解により示すための、異なる中心ベクトルの位置関係を示す図である。
【図４】センサの配置基準を示す図である。
【図５】ラインセンサの配置構成例を示す平面図である。
【図６】位置補正のフローを示す図である。
【図７】基板待機位置に対するセンサの配置位置を示す図である。
【図８】センサ最小検出値に対する位置ズレ量の演算分解能を示す図である。
【図９】位置ズレ演算分解能と基板中心からのセンサ配置角度の関係を示す図である。
【図１０】本発明が適用される基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図１１】搬送の進行方向に対して、センサの配置角度が６０°の場合において、補正分解能（ａ）とΔ(基板中心からセンサによるエッジ検出点に向かう角度)の関係（ｂ）を示した図である。
【図１２】搬送の進行方向に対して、センサの配置角度が６５°の場合において、補正分解能（ａ）とΔ(基板中心からセンサによるエッジ検出点に向かう角度)の関係（ｂ）を示した図である。
【図１３】センサ配置角度が６０°の場合、センサによるエッジ検出地点と同地点におけるウェハの接線方向を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１〜４  処理室、Ｓ１、Ｓ２  ラインセンサ、１０３  第一の搬送室、１１２  第一のウェハ移載機、１２１  第二の搬送室、１２４  第二のウェハ移載機、２００  ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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