(57)【要約】      （修正有）【課題】押し型の破損を防止して、歩留まり良く大量の製品を生産することが可能な微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板２又は前記基板上に形成された被加工層４の表面に未硬化状態の光硬化性樹脂層３２を形成し、該光硬化性樹脂層に、微細に形成された成型用凸部８を有する押し型６を押し当てた状態で前記光硬化性樹脂層を硬化させることにより前記成型用凸部が転写された窪み部を有するマスクを形成し、前記マスクの存在下で加工を施すことにより前記基板又は前記被加工層に加工を施して微細パターンを形成するようにした微細パターンの形成方法において、前記光硬化性樹脂層を形成する前に、前記成型用凸部の高さよりも深い凸部収容凹部を有するストッパパターン２２を前記被加工層の表面に形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板又は前記基板上に形成された被加工層の表面に未硬化状態の光硬化性樹脂層を形成し、該光硬化性樹脂層に、微細に形成された成型用凸部を有する押し型を押し当てた状態で前記光硬化性樹脂層を硬化させることにより前記成型用凸部が転写された窪み部を有するマスクを形成し、前記マスクの存在下で加工を施すことにより前記基板又は前記被加工層に加工を施して微細パターンを形成するようにした微細パターンの形成方法において、
前記光硬化性樹脂層を形成する前に、
前記成型用凸部の高さよりも深い凸部収容凹部を有するストッパパターンを前記基板又は前記被加工層の表面に形成するようにしたことを特徴とする微細パターンの形成方法。
【請求項２】
前記マスクをエッチング用のマスクとして用い、前記加工としてエッチング加工を施すことを特徴とする請求項１記載の微細パターンの形成方法。
【請求項３】
前記マスクをメッキ用のマスクとして用い、前記加工としてメッキ加工を施すことを特徴とする請求項１記載の微細パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリント技術を用いる微細パターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路等の製造工程においては、微細なパターンを精度良く得ようとする場合には、加工せんとする材料表面に塗布したフォトレジストを適当な露光装置で露光し、これを更に現像することによって得たレジストパターンを加工のマスクとして利用する、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用いるのが普通である。しかし、これら従来の方法では、得ようとするパターンが微細に成る程、使用する装置コストは指数関数的に上昇するのが現状である。特に上記露光装置は、パターン寸法が１００ｎｍを切るあたりからは、弗化アルゴンエキシマレーザを使用する高ＮＡ（開口係数）スキャナーや、シンクロトロン放射光などを用いたＸ線露光装置、電子ビーム描画装置など非常に高額な装置が必要であった。
【０００３】
これに対して、最近にあっては、微細パターンの凸部を持つ押し型を形成し、この押し型をレジスト材料に押しつけることによりその凸部形状をレジスト材料に反転転写するナノインプリント技術が実用になってきた（特許文献１）。このナノインプリント技術を実施するナノインプリント装置は原理的に簡易な構造になるため、そのコストは前記フォトリソグラフィ用の露光装置に較べると数分の一程度と安く、しかも解像性は、それらに劣ることがない。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３２３４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような微細パターンの凸部を有する押し型を用いたナノインプリント技術によれば、フォトリソグラフィ技術を用いる場合よりも製造コストを大幅に抑制することができる。
【０００６】
しかしながら、上記ナノインプリント技術は押し型を相手側に押し付けるのが特徴であるため、凸部パターンが微細になればなる程、押し型の微細な凸形状が相手側の基板に僅かに接触しただけでも壊れる危険性が増大する。この押し型は、通常は電子ビーム描画装置で長時間かけて描画して作製するため、非常に高価であり、押し型の破損は費用と時間の点で大きな損失となる。特に、押し型の微細な凸形状の寸法が非常に小さいため、押し型に破損が生じてもそれを簡単には検出できず、結果として、不良を多数出してしまって歩留まりを大きく下げてしまう場合もあった。このように、押し型の凸形状が、極めて薄い壁状や棒状の凸形状となるような場合には破損し易い形状であることから、この押し型を用いて製品を量産することはかなり困難であった。
【０００７】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、押し型の破損を防止して、歩留まり良く大量の製品を生産することが可能な微細パターンの形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る発明は、基板又は前記基板上に形成された被加工層の表面に未硬化状態の光硬化性樹脂層を形成し、該光硬化性樹脂層に、微細に形成された成型用凸部を有する押し型を押し当てた状態で前記光硬化性樹脂層を硬化させることにより前記成型用凸部が転写された窪み部を有するマスクを形成し、前記マスクの存在下で加工を施すことにより前記基板又は前記被加工層に加工を施して微細パターンを形成するようにした微細パターンの形成方法において、前記光硬化性樹脂層を形成する前に、前記成型用凸部の高さよりも深い凸部収容凹部を有するストッパパターンを前記基板又は前記被加工層の表面に形成するようにしたことを特徴とする微細パターンの形成方法である。
【０００９】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記マスクをエッチング用のマスクとして用い、前記加工としてエッチング加工を施す。
また、例えば請求項３に規定するように、前記マスクをメッキ用のマスクとして用い、前記加工としてメッキ加工を施す。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る微細パターンの製造方法によれば、エッチング用のマスクとなる光硬化性樹脂層を形成する前に、上記成型用凸部の高さよりも深い凸部収容凹部を有するストッパパターンを上記被加工層の表面に形成し、このストッパパターンの凸部収容凹部で上記成型用凸部を保護するようにしたので、この成型用凸部が基板側に直接当たることがなくなり、これにより、押し型の破損を防止して、歩留まり良く大量の製品を生産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明に係る微細パターンの形成方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は加工されるべき被加工層が形成された第１実施例用の基板を示す図、図２は微細な成型用凸部を有する第１実施例用の押し型を示す図、図３は第１実施例用のフォトマスクを示す図、図４乃至図６は本発明に係る微細パターンの形成方法の第１実施例を示す工程図である。
【００１２】
図１に示すように、本発明方法においては、半導体ウエハ等のように平坦性の良好な基板２の表面に形成された薄膜等の被加工層４に対して１００ｎｍ程度、或いはそれ以下の微細パターンを形成する。上記被加工層４は、絶縁膜や金属膜等の種々の膜種が適用される。
図２はナノインプリント用の押し型６を示し、この表面には、例えば矩形状の断面を有する壁状、または棒状に凸状になされた微細な成型用凸部８を有し、その周辺にはアライメントマーク凸部１０が設けられている。このナノインプリント用の押し型６は、透明な石英ガラスよりなり、また上記成型用凸部８は、１００ｎｍ程度、或いはそれ以下の幅や径を有しており、必要に応じて適当なバイアス値を加えた大きさに設定する。またこの成型用凸部８の高さＨ１は例えば３５０ｎｍ程度に設定されている。
【００１３】
この押し型６は、例えば電子ビーム描画装置を用いる既成のフォトマスク製造技術、中でも板状の石英ガラスを僅かに彫り込む方式の位相シフトマスクと呼ばれるマスク製造技術を流用して製作することができる。尚、ここでは、押し型を装着するプリント装置としてステップアンドリピート方式のナノインプリント装置を利用するので、そのインプリント領域（１回でプリントする領域）は最大で５０ｍｍ角程度である。
【００１４】
図３はフォトマスク１２を示し、これは透明な材料、例えばガラス板よりなり、このフォトマスク１２の表面（下面）には、上記成型用凸部８のパターンに対応してパターン化された遮光膜１４が形成され、またその周辺部には、上記アライメントマーク凸部１０に対応したアライメント用の遮光膜１６が形成されており、光を通さないようにしている。この場合、上記成型凸部８やアライメントマーク凸部１０に対応する部分には、この成型用凸部８やアライメントマーク凸部１０の外周面よりも所定の間隔、例えば３μｍ程度だけ僅かに広くなされた部分において遮光膜１４、１６を形成しないようにし、それ以外の部分に遮光膜１４、１６を形成している。この遮光膜１４、１６として例えばクロム金属等を用いることができる。
【００１５】
上記したような基板２、押し型６及びフォトマスク１２を用いて行われる本発明方法の第１実施例について説明する。
まず、図４（Ａ）に示すように、上記基板２の被加工層４の表面に例えばポジ型のフォトレジスト２０を所定の厚さＨ２で均一に塗布する。この厚さＨ２は、上記成型用凸部８の高さＨ１よりも厚くし、例えば４００ｎｍ程度に設定する。
【００１６】
次に、ステッパーやアライナーなど、一般的な露光装置を使用し、基板２上に予め設けてあるアライメントマーク（図示せず）の位置を検出することにより上記フォトマスク１２と基板２の位置を合わせ、フォトマスク１２の遮光膜１４、１６のパターンを基板２のフォトレジスト２０上にステップアンドリピート方式で露光し、フォトマスク１２の透明部分に対応する部分を感光させた潜像をフォトレジスト２０中に得る（図４（Ｂ）参照）。そして、規定濃度のアルカリ性現像液で現像して、上記の潜像部分を溶解して除去し、フォトレジスト２０よりなる本発明の特徴とするストッパパターン２２を形成する。これにより、フォトレジスト２０が除去された部分に、上記成型用凸部８を収容するための凸部収容凹部２４が転写されて形成される。また同様に、アライメントマーク凸部１０に対応したアライメントマーク凹部２６も転写されて形成されることになる。
【００１７】
さらに、上記ストッパパターン２２に紫外光を照射しながら基板温度を２００℃まで上昇することによりフォトレジスト２０中のポリマー分子同士を架橋して熱、光、溶剤、薬品等に強いストッパパターン２２を得る。このストッパパターン２２の高さ、すなわち凸部収容凹部２４の深さＨ３は、若干目減りして３８０ｎｍ近辺になる。すなわち、この凸部収容凹部２４、２６の深さＨ３を、この時点で上記成型用凸部８、１０の高さＨ１よりも深くなるように設定する。
【００１８】
次に、上記押し型６を、ステップアンドリピート方式の自動位置合わせ機能付きナノインプリント装置に設置する。そして、上記基板２をウエハステージに吸着固定した後、これを押し型６の下に持って行き、押し型６に接近させる。そして、基板２上のストッパパターン２２に転写されたアライメントマーク凹部２６と、押し型６に形成しておいたアライメントマーク凸部１０とを光学顕微鏡２８や光学センサ等で同時に見ながらステージ（図示せず）を動かして、押し型６と基板２の相対位置をおおよそ合わせて粗い位置合わせを行う（図４（Ｄ）参照）。その後一旦、ステージを例えば下方向や横方向に移動して（図５（Ａ）では下方向へ移動した場合を示す）、上記基板２を押し型６より離し、基板２の上にナノインプリント用の光硬化性樹脂をノズル３０より垂らしてストッパパターン２２上に盛り上げて延び広がるのを待ち、光硬化性樹脂層３２を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００１９】
この後、ステージを先程の位置に戻し、押し型６と基板２の合わせ状態を保ったまま、押し型６をナノインプリント用の光硬化性樹脂３２に軽く押し当てて上記光硬化性樹脂３２を伸び広げる。そして、押し型６を押し当てた状態で、前記基板２上のストッパパターン２２に設けたアライメントマーク凹部２６と押し型６に形成したアライメントマーク凸部１０を光学顕微鏡２８で見ながらステージを動かして厳密に位置合わせをする（図５（Ｂ）参照）。
【００２０】
その後、さらに押圧力を大きくして押し板６を規定の圧力で基板２に押しつける。そして、透明な押し型６を通して紫外線ＵＶを照射して上記光硬化性樹脂層３２を硬化させる（図５（Ｃ）参照）。この際、降下した上記押し型６は、基板２側のストッパパターン２２の上端面に当たって止まり、ストッパパターン２２はストッパとして機能し、しかも、上記ストッパパターン２２上には、成型用凸部８、１０の高さＨ１より深い凸部収容凹部２４、２６が形成されているので、この凸部収容凹部２４、２６内に上記成型用凸部８、１０が非接触状態で収容されることになる。換言すれば、上記ストッパパターン２２は、押し型６の成型用凸部８、１０に対応した部分には無いので、この押し型６の成型用凸部８、１０はストッパパターン２２に触れることなく、且つやや強く押し当てても、まず上記ストッパパターン２２の頂部２２Ａ（図５（Ａ）参照）が押し型６の下面６Ａ（図５（Ａ）参照）に直接的に当たってストップされることにより、これ以上は深く押し型６が基板２に接近することはない。
【００２１】
すなわち、予め形成してあったフォトレジスト２０よりなるストッパパターン２２が、押し型６のストッパとして機能する。この時、押し型６の成型用凸部８、１０の高さＨ１は３５０ｎｍであり、これに対してストッパパターン２２の高さ（深さ）Ｈ３は３８０ｎｍであるので、押し型６の成型用凸部８、１０が基板２側に当たって折れたり、損傷等を受けることがない。
【００２２】
またこの際、成型用凸部８、１０の外周面と、これを収容する成型用凹部２４、２６の内周面との間隔Ｗ１は、このナノインプリント装置の位置合わせ精度以上の大きさになるように設定されている。尚、ここでの位置合わせ精度とは、例えば図４（Ｄ）に示すような、押し型６と基板２が接触しない状態で位置合わせする時に生じる誤差に、光硬化性樹脂を載せるため一旦移動したステージが再び元の位置に戻る際の誤差（平行移動の位置誤差や回転によって生じた変化分等）、そして粘性を有する光硬化性樹脂に押し型６を押し当てる際に生じる機械的な位置ずれを含んだものであり、使用する装置によってその誤差原因及びその成分毎の大きさは千差万別である。
【００２３】
すなわち、ここでは成型用凸部８、１０の周囲を間隔Ｗ１以上の隙間をあけて取り囲むように設計してあるので、両者が接触することを防止して成型用凸部８、１０が破損することを阻止することができる。この場合、間隔Ｗ１は位置合わせ精度等を考慮して十分な余裕を見て例えば３μｍ程度に設定されている。尚、この場合、上述のように光学顕微鏡２８を用いて２回位置合わせを行うようにして（図４（Ｄ）及び図５（Ｂ））、位置合わせ精度がより高い場合には、上記間隔Ｗ１はもっと狭くすることができ、例えば１μｍ程度に設定することができる。
【００２４】
その後、図６（Ａ）に示すように、押し型６を上方に引き剥がして押し型６の１個分の成型用凸部８、１０の転写パターンとなるエッチング用の窪み部３６が基板２上の凸部収容凹部２４、２６中の光硬化性樹脂層３２中に形成される。このエッチング用の窪み部３６は溝状、或いは穴状に形成されている。基板２上には、上記１個分のインプリント領域が複数配列されているので、続いて他の領域についても上記各工程を順次繰り返し行って、最終的に基板全体のインプリントを終了する。さて、インプリントで押されてできたエッチング用の窪み部３６の底には薄い光硬化性樹脂層３２の残渣３２Ａが残されるので（図６（Ａ）参照）、引き続き、酸素ガスを用いる反応性イオンエッチング装置で異方性エッチングを行って、上記残渣３２Ａを取り去ることにより上記の加工しようとする被加工層４の面を露出させ、これによりエッチング用のマスク３８を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００２５】
この後、被加工層４の材料に応じたエッチングガス等を用いた反応性イオンエッチング装置により、上記光硬化性樹脂層３２とフォトレジスト２０よりなるストッパパターン２２とで形成されるエッチング用のマスク３８をマスクにして被加工層４を異方性エッチングする（図６（Ｃ）参照）。この後、酸素プラズマアッシング装置により上記エッチング用のマスク３８を除去することで、押し型６の成型用凸部８、１０に対応した微細パターン４０を得ることができる（図６（Ｄ）参照）。
【００２６】
上記実施例では、被加工層４としては絶縁膜や金属膜等の一般的な場合を例にとって説明したが、その一例として例えば液晶表示素子のマトリクス状に配列された例えばアルミニウム合金よりなる反射型の画素電極等を形成する場合にも本発明を適用することができる。この場合には、金属が埋め込まれた導通孔を持つ絶縁層上に加工の対象となる金属膜が被加工層４として形成されている。上記導通孔内の埋め込み金属は、各画素毎に基板表面に予め形成されたスイッチングトランジスタ等を含む駆動回路に接続されており、この金属膜よりなる被加工層４に、エッチングで細い溝を縦横に多数切り込んで分離することによりマトリクス状の画素電極を得るものである。
【００２７】
上記金属膜よりなる被加工層４の表面は、処理開始の前に、予め例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等によって平面を平坦に研磨しておく。そして、先に説明した図４（Ａ）に示す工程から順に処理を行うことになる。この場合、１つの画素電極の大きさは、例えば７μｍ×７μｍ程度であり、また画素電極間の幅である電極間隙は１００ｎｍ程度の大きさである。従って、先に説明したように、押し型６の成型用凸部８の幅は１００ｎｍ程度に設定され、また、先に図５（Ｃ）にて説明したように、押し型６と基板２のストッパパターン２２とを押し当てた時に成型用凸部８の外周面と凸部収容凹部２４の内周面との間隔Ｗ１が１μｍ程度になるように設定されている。そして、この成型用凸部８は、マトリクス状の溝を切るために格子状に形成されることになる。
【００２８】
また、先の実施例では、図４（Ｄ）に示すような粗い位置合わせと図５（Ｂ）に示すように厳密な位置合わせの両位置合わせを行ったが、ここでは上記間隔Ｗ１の３００ｎｍの大きさがインプリン装置の位置合わせ精度よりも遥かに大きく、且つ画素電極の面積に対する貫通孔の断面面積は遥かに小さいので、上記貫通孔内の埋め込み金属の位置に対する画素電極の位置合わせの精度はそれ程高くなくて済むので、従って、図４（Ｄ）に示すような粗い位置合わせを一回行うことで１μｍ程度の位置合わせ精度が確保できるので、この結果、図５（Ｂ）に示すような厳密な位置合わせ操作を省略することができる。
また、この金属膜よりなる被加工層４をエッチングする場合には、図６（Ｃ）に示すエッチング工程において、エッチングガスとして例えば塩素（Ｃｌ２ ）ガス、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３ ）ガス等を用いることができる。これにより、画素間隙が１００ｎｍのマトリクス状に配列された画素電極を得ることができる。
【００２９】
＜第２実施例＞
上記第１実施例では、マスク３８をエッチング用のマスクとして用いることによって、加工としてエッチング加工を施すようにしたが、この第２実施例では、上記マスク３８をメッキ用のマスクとして用いることによって、加工としてメッキ加工を施すようにしている。
図７は本発明に係る微細パターンの形成方法の第２実施例の後段のフローを示す工程図である。
ここで最終的に形成すべき微細パターンは、第１実施例の場合とは凹凸が逆になっているパターンである。また電気メッキを用いることから、ここでは被加工層４は電気を通す導電体（金属）の場合に限られる。
【００３０】
まず、図６（Ｂ）に示すように反応性イオンエッチングが完了したならば、この図６（Ｂ）に示す基板２を、図７（Ａ）に示すようにメッキ槽６０中に入れる。このメッキ槽６０中には、例えばニッケルメッキ液６２が収容されていると共に、メッキ母材としてメッキ電極６４が浸積されている。そして、このメッキ電極６４と上記基板２の導電性の被加工層４との間に、上記メッキ電極６４が陽極となるようにして直流メッキ電源６６を接続し、電気メッキを行う。
【００３１】
この場合、上記被加工層４がメッキ用導電下地となって、ニッケルメッキ液に接している部分、すなわち、被加工層４が露出している窪み部３６の底部より徐々にニッケル金属が析出し、この窪み部３６を次第に埋め込んで行くことになる。この場合、上記マスク３８はメッキ用のマスクとして機能し、窪み部３６はメッキ用の窪み部として機能することになる。そして、所定の厚さまで、上記ニッケル金属が析出したならば、電気メッキ加工を終了し、この基板２をメッキ槽６０から取り出す。
【００３２】
次に、図６（Ｄ）に示す工程と同じ酸素プラズマアッシングを行うことにより、図７（Ｂ）に示すようにメッキ用のマスク３８を除去し、これによりニッケル製の凸部パターン６８が形成されることになる。この状態では、各凸部パターン６８の下端部は、金属製の導電性の被加工層４により共通に導通状態になっている。そのため、次に、図７（Ｃ）に示すように、上記導電性の被加工層４をエッチング処理して不要な部分を取り除く。
【００３３】
この場合、上記ニッケル製の凸部６８がマスクとして機能し、このマスク以外の部分の被加工層４がエッチングにより取り除かれ、ニッケル製の微細パターン７０が形成されることになる。このマスク以外の部分の被加工層４は、その材料に応じたエッチングガス等を用いた反応性イオンエッチングにより除去される。この場合、ニッケル金属と被加工層４とのエッチング選択比が少ない場合には、このエッチングで削り取られる分だけ上記ニッケル製の凸部６８の高さ及び幅を予め大きく設定しておくのは勿論である。
尚、ここではメッキ金属としてニッケル金属を用いたが、これに限定されず、他の金属を用いることができるのは勿論である。
【００３４】
＜第３実施例＞
次に本発明方法の第３実施例について説明する。
先の第１実施例では、被加工層４としては絶縁膜や金属膜等の一般的な場合及びマトリクス状の画素電極を形成するときのような金属膜の場合を例にとって説明したが、ここでは絶縁膜の場合を例にとって説明する。
図８は加工されるべき被加工層が形成された第３実施例用の基板を示す図、図９は微細な成型用凸部を有する第３実施例用の押し型を示す図、図１０は第３実施例用のフォトマスクを示す図、図１１乃至図１３は本発明に係る微細パターンの形成方法の第３実施例を示す工程図である。尚、図１乃至図６に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付して、その説明を省略する。
【００３５】
この第３実施例では、基板２上に下層配線５０がパターン化されて形成されており、同時に、基板２の周辺部には位置合わせを行うためのアライメントマーク５２が上記下層配線５０と同じ材料膜で形成されている。そして、上記下層配線５０及びアライメントマーク５２を含んで基板２の表面全体を覆うようにして絶縁膜が被加工層４として形成されている。この被加工層の厚さＨ４は、例えば３００ｎｍである。そして、この絶縁膜よりなる被加工層４の上部に今後設けられることになる上層配線（図示せず）と上記下層配線とを接続して所望の回路を形成する目的で、上記絶縁膜よりなる被加工層４にエッチングにより所定の貫通孔を形成するものである。
【００３６】
ここで、図９に示す押し型６には、図２に示す場合と同様に高さＨ１が３５０ｎｍで幅が１００ｎｍ程度の成型用凸部８が形成されると共に、周辺部にはアライメントマーク凸部１０が形成されている。
また図１０に示す透明な材料よりなるフォトマスク１２には、所定のパターンになされた遮光膜１４が図３に示す場合と同様に形成されているが、ここでは上記基板２にアライメントマーク５２を用いていることから、このフォトマスク１２には、図３に示す場合と異なってアライメント用の遮光膜１６（図３参照）を設けていない。尚、このアライメント用の遮光膜１６をここでも設けるようにしてもよい。
【００３７】
実際の微細パターンの形成工程は、図１１乃至図１３に示されており、これらの各工程は先に図４乃至図６において説明した各工程にそれぞれ対応している。ただし、図１１（Ｄ）及び図１２（Ｂ）において押し型６と基板２側との粗い、または厳密な位置合わせを行う場合には、押し型６に形成してあるアライメントマーク凸部１０と基板２に形成してあるアライメントマーク５２を光学顕微鏡２８や光学センサで同時に見ながらステージ（図示せず）を移動させて、両者の粗い、または厳密な相対位置合わせを行う。
また図１１（Ｃ）及び図１１（Ｄ）に示すように、隣り合う成型用凸部８同士の間隔が狭い場合には、２つ或いはそれ以上の数の成型用凸部８を一所に１つの凹部で収容できるような大きさの凸部収容凹部２４を作るようにすればよい。
【００３８】
また、図１３（Ｃ）において、エッチング用の窪み部３６の底部に露出している絶縁膜よりなる被加工層４（図１３（Ｂ）参照）をエッチングする場合には、エッチングガスとしてテトラフロロカーボン（ＣＦ４ ）ガス等を用いることができる。これにより、図１３（Ｄ）に示すように、絶縁膜よりなる被加工層４に、下層配線５０まで届くように所望の径である例えば直径１００ｎｍの貫通孔５６を形成することができる。
【００３９】
この場合にも、先の第１実施例で説明したと同様に、押し型６が基板２側へ相対的に降下する際には、基板２側のストッパパターン３２の上端面に当たってストッパとして機能し、しかも、上記ストッパパターン３２上には、成型用凸部８、１０の高さＨ１より深い凸部収容凹部２４、２６が形成されているので、この凸部収容凹部２４、２６内に上記成型用凸部８、１０が非接触状態で収容されることになる。
従って、押し型６の成型用凸部８、１０が基板２側に当たって折れたりする等の損傷を受けることを未然に防止することができる。
【００４０】
以上のように、例えばＬＣＯＳなど、反射型画像表示素子の画素電極をエッチングして分離する際に、本発明方法を使うことにより、１００ｎｍ以下の極細い画素間隙の画素電極を得ることができ、このため、表示素子の反射率が上がり、且つ画素電極の隙間が目に見えにくいため、美しい投影映像が得られる。また、押し型が基板に接触して破損することが無くなり、押し型の製作費用を削減できるのみならず、製品歩留まりの向上を図ることができる。
また上記各実施例では基板２上に被加工層４を形成し、この被加工層４をエッチング等で加工する場合を例にとって説明したが、これに限らず、基板２上にフォトレジスト２０を直接的に塗布し、この基板２自体の表面を加工するようにしてもよい。
尚、以上の各実施例において、被加工層４として例に挙げた絶縁膜や金属膜は単に一例を示したに過ぎず、これらに限定されないのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】加工されるべき被加工層が形成された第１実施例用の基板を示す図である。
【図２】微細な成型用凸部を有する第１実施例用の押し型を示す図である。
【図３】第１実施例用のフォトマスクを示す図である。
【図４】本発明に係る微細パターンの形成方法の第１実施例を示す工程図である。
【図５】本発明に係る微細パターンの形成方法の第１実施例を示す工程図である。
【図６】本発明に係る微細パターンの形成方法の第１実施例を示す工程図である。
【図７】本発明に係る微細パターンの形成方法の第２実施例の後段のフローを示す工程図である。
【図８】加工されるべき被加工層が形成された第３実施例用の基板を示す図である。
【図９】微細な成型用凸部を有する第３実施例用の押し型を示す図である。
【図１０】第３実施例用のフォトマスクを示す図である。
【図１１】本発明に係る微細パターンの形成方法の第３実施例を示す工程図である。
【図１２】本発明に係る微細パターンの形成方法の第３実施例を示す工程図である。
【図１３】本発明に係る微細パターンの形成方法の第３実施例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４２】
２…基板、４…被加工層、６…押し型、８…成型用凸部、１０…アライメントマーク凸部、１２…フォトマスク、１４…遮光膜、１６…アライメント用の遮光膜、２２…ストップパターン、２４…凸部収容凹部、２６…アライメントマーク凹部、３２…光硬化性樹脂層、３６…窪み部、３８…マスク、４０…微細パターン、Ｈ１…成型用凸部の高さ、Ｈ３…凸部収容凹部の深さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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