(57)【要約】【課題】微細な記録マークの再生に際しても、良好な再生信号が得られるとともに、生産効率の高い光情報記録媒体を提供する。【解決手段】再生層３を第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの３層で構成し、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１と第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２と第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３とが、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の範囲を満たし、かつ、第１再生層の層厚ｄ１と第２再生層の層厚ｄ２と第３再生層の層厚ｄ３との各層厚の差が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値に対して−１０％から＋１０％の範囲内をとるように形成することで、局所アニール処理を行わずとも、微細な記録マークに対して極めて良好な再生信号を得ることができる。また、局所アニール処理工程が不用となり生産効率が飛躍的に向上する。【選択図】図１
2007317294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド及びグルーブが形成された基板と、該基板上の一面上に形成された磁性体からなる再生層と、該再生層上に形成された磁性体からなる遮断層と、該遮断層上に形成された磁性体からなるメモリ層とを有する光情報記録媒体において、
前記遮断層は、
そのキュリー点温度が前記再生層及び前記メモリ層よりも低く、
前記再生層は、
その磁壁抗磁力が前記メモリ層よりも小さく、前記基板の一面側から順に第１再生層と第２再生層と第３再生層とが積層されてなる積層構造を有すると共に、前記第１再生層のキュリー点温度をＴ１、前記第２再生層のキュリー点温度をＴ２、前記第３再生層のキュリー点温度をＴ３としたときに、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３の関係を満たすことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記再生層は、
前記Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３が、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の関係を満たすと共に、前記第１再生層の層厚をｄ１、前記第２再生層の層厚をｄ２、前記第３再生層の層厚をｄ３としたときに、各層厚の差（ｄ１−ｄ２）、（ｄ２−ｄ３）、及び（ｄ３−ｄ１）が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値に対して−(マイナス)１０％〜＋(プラス)１０％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記ランドは、
その延在方向に対して直交する断面の形状が略台形であると共に、前記略台形における上面の幅Ｗ１と底面の幅Ｗ２との片側の差（Ｗ２−Ｗ１）／２をＡ、前記略台形における高さをＢとしたときに、０．０５≦（Ａ／Ｂ）≦０．２５の関係を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射レーザを変調することにより情報の記録再生を行う光情報記録媒体に関し、特に照射レーザのスポットサイズ以下の記録マークを含む高密度記録再生が可能な光情報記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
円盤状の基板に記録膜が形成されており、この記録膜にレーザ光が照射されることによって情報信号の記録再生が可能な光情報記録媒体として、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ブルーレイディスク等、様々な光情報記録媒体が知られている。これら、光情報記録媒体に対して近年の情報量の増大に伴い更なる高密度大容量化への要求が高まっている。
【０００３】
光情報記録媒体の線記録密度は、光情報記録媒体に照射するレーザ光のレーザ波長λ及び対物レンズの開口率ＮＡに大きく依存するものである。レーザ波長λと対物レンズの開口率ＮＡが決定すると照射するレーザ光のビームウェストの径が決定するため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数の上限はおのずと２ＮＡ／λ程度に限定される。このため、光情報記録媒体の線記録密度を増加させるためには、レーザ波長λを更に短波長化するか、対物レンズの開口率ＮＡを大きくする必要がある。
【０００４】
レーザ波長λの短波長化に関しては、従来レーザ波長λが６３５ｎｍ〜６８５ｎｍの赤色半導体レーザから、レーザ波長λが４０５ｎｍ、４３５ｎｍ付近の青色半導体レーザを用いる技術が開発され実用化が進んでいる。しかしながら、これ以上レーザ波長λを短波長化すると、レーザが紫外線領域に入ってしまい、紫外線を透過する材料の選定が極めて困難となるため実用化にはまだ時間を要する。
【０００５】
また、対物レンズの開口率ＮＡを大きくした場合、焦点深度が開口率ＮＡの２乗に反比例して浅くなるために、光情報記録媒体とレーザ照射を行う光ピックアップとの間隔を狭くするとともにその間隔の変動を低く抑える必要がある。このため、光情報記録媒体の面振れを低減させる等、機械的な精度の向上が要求されるが、これも実用化にはまだ時間を要する。
【０００６】
このため、レーザ波長λや対物レンズの開口率ＮＡを変化させること無く、光情報記録媒体の層構成や再生方法により記録密度の向上を行うさまざまな超解像技術の開発がなされている。
【０００７】
このような超解像技術の１つとしては、光磁気情報記録媒体に用いられるＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる再生方式がある。ＤＷＤＤ方式での光磁気情報記録媒体は再生層、遮断層、メモリ層の３つの磁性層が順次積層される構成をとっている。ＤＷＤＤ方式での光磁気情報記録媒体の再生層はメモリ層よりも磁壁抗磁率が小さい磁性層で構成され、また遮断層は再生層、メモリ層よりもキュリー点温度が低い磁性層で構成され、更に再生層、遮断層、メモリ層は遮断層のキュリー点温度以下で磁気交換結合されている。
【０００８】
ＤＷＤＤ方式の光磁気情報記録媒体の再生では、レーザの照射で生じる熱により遮断層をキュリー点温度以上にして消磁させることで、メモリ層と再生層との磁気交換結合を切断させる。すると再生層の磁壁が瞬間的にレーザ光の照射によって生じる温度勾配に従って移動し、メモリ層に記録された微細な記録マークが再生層において拡大されることとなる。これにより、メモリ層における照射されるレーザ光のスポット径よりも小さい記録マークの再生が可能となる。
【０００９】
ＤＷＤＤ方式のような超解像技術を用いた光磁気情報記録媒体には、高密度記録に有利とされる磁界変調方式が広く用いられてきた。しかしながら、磁気変調方式では磁気ヘッドを光磁気情報記録媒体のメモリ層等の情報記録層に近接して配置する必要があるため、対物レンズの開口率ＮＡを大きくした場合と同様、機械的な精度の向上が必要となってしまう。また、磁界変調方式では光ピックアップと磁気ヘッドとを一体に配置するため構造が複雑となる他、低消費電力化に対応するためには高密度化と相反する関係にある光磁気情報記録媒体の磁界への高感度化が必要となるなどの問題点が存在する。
【００１０】
この点、下記［特許文献１］に開示されている光学的記録媒体に関する発明では、図９に示す様に、ＤＷＤＤ方式により情報信号の再生を行うための、再生層Ｄ１及び再生補助層Ｄ２の２層からなる再生層Ｄと制御層Ｃと遮断層Ｓｒと第１の磁性膜及び第２の磁性膜の２層からなるメモリ層Ｍとに加え、ＤＴＥ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｔａｉｌ  Ｅｒａｓｉｎｇ）方式により情報信号の記録を行うための、メモリ層Ｍと中間層Ｉｎｔと書き込み層Ｗと第２遮断層Ｓｗと初期化層Ｉとを有している。
【００１１】
［特許文献１］に開示されている光学的記録媒体によれば、情報信号の記録方式として照射されるレーザ光の出力を変化させることにより、レーザ光のスポットサイズよりも小さな微細磁区を形成するＤＴＥ方式を用いているため、情報信号の記録に必要な磁界の方向は記録する情報信号にかかわらず一定方向となり、磁気ヘッド等の磁界印加手段を光学的記録媒体のメモリ層等の情報記録層に近接して配置する必要が無い他、光ピックアップと磁界印加手段とを別々に配置することができる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−３０２１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、光情報記録媒体の高密度化に対応する記録マークの微細化に伴い、ＤＷＤＤ方式の再生層Ｄ全体における飽和磁化は増加する傾向にあり、飽和磁化が増加すると再生層Ｄの浮遊磁界も増加することとなる。従って再生層Ｄの浮遊磁界が増大すると、情報信号の再生時に再生層Ｄの円滑な磁壁移動動作が阻害されるため、得られる再生信号の品質が悪化するという問題が生じる場合がある。［特許文献１］に開示されている発明では、この問題に対して再生層Ｄをキュリー点温度の異なる再生層Ｄ１及び再生補助層Ｄ２の２層構造とし、飽和磁化の増大を抑制する構成としているが、更なる記録マークの微細化によって、［特許文献１］に開示されている発明では飽和磁化の増大を抑制しきれず、再生信号の品質が悪化する虞があり、その改善が望まれる。
【００１４】
また、［特許文献１］に開示されている発明では、従来の光情報記録媒体同様、基板上に形成されたグルーブ上の磁性体層における磁性を劣化させることによって、再生層Ｄの磁壁移動動作の安定化を図らなければならない。グルーブ上に形成された磁性体層の磁性を劣化させる方法としては、基板上のグルーブ及びランドに磁性体層を形成した後に、基板上のグルーブに高出力のレーザ光を照射することによって局所アニール処理を行うことが一般的である。しかしながら、この局所アニール処理を行うためには、磁性体層成膜後に一旦成膜装置から取り出す必要があるため、連続して全ての機能層を成膜することができないので生産効率が悪く、その改善が望まれる。
【００１５】
本発明は上記事項を鑑みてなされたものであり、微細な記録マークの再生に際しても、良好な再生信号が得られるとともに、生産効率の高い光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、ランド３１及びグルーブ３２が形成された基板１と、該基板１上の一面上に形成された磁性体からなる再生層３と、該再生層３上に形成された磁性体からなる遮断層と、該遮断層上に形成された磁性体からなるメモリ層６とを有する光情報記録媒体において、
前記遮断層は、
そのキュリー点温度が前記再生層３及び前記メモリ層６よりも低く、
前記再生層３は、
その磁壁抗磁力が前記メモリ層６よりも小さく、前記基板１の一面側から順に第１再生層３ａと第２再生層３ｂと第３再生層３ｃとが積層されてなる積層構造を有すると共に、前記第１再生層３ａのキュリー点温度をＴ１、前記第２再生層３ｂのキュリー点温度をＴ２、前記第３再生層３ｃのキュリー点温度をＴ３としたときに、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３の関係を満たすことを特徴とする光情報記録媒体５０を提供することにより、上記課題を解決する。
【００１７】
また、前記再生層３は、
前記Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３が、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の関係を満たすと共に、前記第１再生層３ａの層厚をｄ１、前記第２再生層３ｂの層厚をｄ２、前記第３再生層３ｃの層厚をｄ３としたときに、各層厚の差（ｄ１−ｄ２）、（ｄ２−ｄ３）、及び（ｄ３−ｄ１）が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値に対して−(マイナス)１０％〜＋(プラス)１０％の範囲内であることを特徴とする光情報記録媒体５０を提供することにより、上記課題を解決する。
【００１８】
また、前記ランド３１は、
その延在方向に対して直交する断面の形状が略台形であると共に、前記略台形における上面の幅Ｗ１と底面の幅Ｗ２との片側の差（Ｗ２−Ｗ１）／２をＡ、前記略台形における高さをＢとしたときに、０．０５≦（Ａ／Ｂ）≦０．２５の関係を満たすことを特徴とする光情報記録媒体５０を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る光情報記録媒体は、上述の構成により、特に、
（１）再生層をキュリー点温度の異なる３層構造とし、かつ各層のキュリー点温度及び層厚を最適化することで、微細な記録マークの再生に際しても良好な再生信号を得ることができる。
（２）再生層をキュリー点温度の異なる３層構造とし、かつ各層のキュリー点温度及び層厚を最適化することで局所アニール処理が不要となり、生産効率を大きく向上させることができる。
（３）再生層をキュリー点温度の異なる３層構造とし、かつ各層のキュリー点温度及び層厚を最適化することに加え、ランド部の側壁に所定の傾斜を設けることで、微細な記録マークの再生に際しても、更に良好な再生信号を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係る光情報記録媒体の実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１は本発明に係る光情報記録媒体の模式断面図である。図２は第２再生層のキュリー点温度とジッタの関係を示す図である。図３は第１再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。図４は第２再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。図５は第３再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。図６はランドの側壁の傾斜を説明する模式図である。図７はランドの傾斜を示すＡ／Ｂの値とＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。図８は本発明に係る光学情報記録媒体の記録マーク長とＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示す図である。
【００２２】
図１に示される光情報記録媒体５０は、基板１上に、第１誘電体層２と、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの３層からなる再生層３と、第１制御層４と、第１遮断層５と、第１メモリ層６ａ、第２メモリ層６ｂの２層からなるメモリ層６と、第２制御層７と、書き込み層８と、第２遮断層９と、初期化層１０と、第２誘電体層１１と、熱制御層１２と、保護層１３と、を有している。そして、再生層３、第１制御層４、第１遮断層５、及びメモリ層６からなる層構造は記録された情報信号をＤＷＤＤ方式によって再生するためのものであり、また、メモリ層６、第２制御層７、書き込み層８、第２遮断層９、及び初期化層１０からなる層構造は情報信号をＤＴＥ方式によって記録するためのものである。
【００２３】
基板１の材料としては、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリオレフィン、アクリル、等の合成樹脂もしくは、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のセラミックスが挙げられるが、成形が容易であることから特にポリカーボネートを用いることが好ましい。また、基板１には、合成樹脂基板の場合には主に射出成形によって、セラミック基板の場合には主にフォトポリマー法によって、凸状のランドと凹状のグルーブとが同心円状又は螺旋状に交互に形成されている。
【００２４】
このとき、基板１上に形成されるランドの側壁に、ランド上面の幅が狭くなるように傾斜を設けても良い。このランドの側壁の傾斜は、射出成型した基板１表面にＵＶ光を照射することにより形成することができ、また、予め所定の傾斜を設けた金型を用いて基板１の射出成型時に形成することもできる。
【００２５】
第１誘電体層２、第２誘電体層１１は、レーザ光の照射に伴って発生する熱により再生層３、メモリ層６などの各磁性層や基板１などが変形することを防止する機能を有している。第１誘電体層２、第２誘電体層１１の材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＦ、ＴａＯ等の単体もしくはこれらの混合物等の光学的に透過率の高い材料を用いることができる。
【００２６】
光情報記録媒体５０を構成する再生層３、第１制御層４、第１遮断層５、メモリ層６、第２制御層７、書き込み層８、第２遮断層９、初期化層１０は磁性体材料を用いて形成される磁性体層である。これら磁性体層の材料としては、磁気記録媒体や光磁気記録媒体に一般的に用いられている材料の他、磁気バブル材料、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯやＦｅ−Ｒｈ系合金等の反強磁性材料、磁性ガーネット等の材料を用いることができる。中でも特に、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ等の単体もしくは２種類以上の希土類金属元素が原子比率で１０ａｔ％〜４０ａｔ％含有し、その残りをＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の単体もしくは２種類以上の鉄族元素で構成される希土類−鉄族非晶質合金を用いることが好ましい。尚、前記の希土類−鉄族非晶質合金には、磁性体層の耐食性向上のため、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎ等の元素を少量添加しても良い。また、磁性体層の材料としては希土類金属元素の替わりにＰｔ、Ｐｄ等を用いた白金族−鉄族合金を用いることも出来る。
【００２７】
磁性体層の材料に希土類−鉄族非晶質合金を用いた場合には、希土類元素と鉄族元素の組成比を変化させることで、各磁性体層の飽和磁化、キュリー点温度の制御が可能である。更に、飽和磁化を変化させずにキュリー点温度のみを変化させる場合には、希土類元素と鉄族元素の組成比を変えることなく、希土類−鉄族非晶質合金を構成している鉄族元素成分中のＦｅの一部をＣｏで置換することで行うことが出来る。鉄族元素成分中のＦｅの一部をＣｏで置換する方法によれば、例えばＦｅをＣｏに１ａｔ％置換することで約６℃キュリー点温度が上昇するため、ＦｅとＣｏとの置換量を制御することで、所望のキュリー点温度を有する磁性体層を容易に得ることができる。また、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ等の非磁性元素を微量添加することにより、キュリー点温度を低下させることも可能である。更に、２種類以上の希土類元素を用いた希土類−鉄族非晶質合金であれば、希土類元素と鉄族元素の組成比を変えることなく、希土類元素の組成比を変えることでもキュリー点温度の制御が可能である。
【００２８】
また、各磁性体層の磁壁抗磁率や磁壁エネルギー密度は、各磁性体層を構成する磁性体材料の組成及び組成比を変化させることで制御することができる。また、第１誘電体層２の状態や成膜装置のスパッタガス圧、成膜条件、不純物を添加によっても制御可能である。尚、Ｔｂ系やＤｙ系の磁性体材料は磁気異方性が大きく、これを磁性体層に用いれば磁壁抗磁率や磁壁エネルギー密度が大きくなり、反対にＧｄ系の磁性体材料を用いれば磁壁抗磁率や磁壁エネルギー密度は小さくなる。
【００２９】
再生層３は、レーザ光の照射により発生する温度勾配に伴って再生層３の磁壁を移動させ、メモリ層６に記録された記録マークを拡大する機能を有している。このため、再生層３の磁壁抗磁力はメモリ層６に対して小さいことが必要である。そのためには、再生層３の材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＧｄＦｅＣｏ系、もしくはＧｄＤｙＦｅＣｏ系を主成分とする磁性体材料を用いることが好ましい。
【００３０】
本願発明においては、特に再生層３をキュリー点温度の異なる第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの３層で構成する。第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの各キュリー点温度は、第１再生層のキュリー点温度Ｔ１と、第２再生層のキュリー点温度Ｔ２と、第３再生層のキュリー点温度Ｔ３とがＴ１＞Ｔ２＞Ｔ３の関係にあり、かつ、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の範囲をとるように、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの組成が前述の方法により制御される。
【００３１】
更に、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの各層の層厚は、第１再生層の層厚ｄ１、第２再生層の層厚ｄ２、第３再生層の層厚ｄ３としたときに、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの各層厚の差（ｄ１−ｄ２）、（ｄ２−ｄ３）、及び（ｄ３−ｄ１）が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値である（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）／３の値の−１０％から＋１０％の範囲内をとるように成膜装置の成膜速度及び成膜時間が調整され形成される。
【００３２】
第１制御層４は再生レーザスポット内の後方端部における余分な磁壁移動（ゴースト信号）を抑制するものであり、その材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏ系もしくはＴｂＤｙＦｅＣｏ系の磁性体材料を用いることが好ましい。
【００３３】
第１遮断層５は、レーザ照射に伴い発生する熱の有無により、再生層３とメモリ層６間の磁気交換結合を切断もしくは結合する機能を有している。第１遮断層５の材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏ系もしくはＴｂＤｙＦｅＣｏ系の磁性体材料を用いることが好ましい。ただし、第１遮断層５は再生層３及びメモリ層６よりもキュリー点温度が低くなるように磁性体材料の組成を調整する必要がある。
【００３４】
メモリ層６は、記録する情報信号に応じて磁区の配向方向を変化させることで情報信号の記録を行うものであり、その材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏ系もしくはＴｂＤｙＦｅＣｏ系の磁性体材料を用いることが好ましい。
【００３５】
尚、本例においてはメモリ層６をキュリー点温度の異なる第１メモリ層６ａと第２メモリ層６ｂとの２層構造の例を用いた。これは、第２メモリ層６ｂよりもキュリー点温度の低い第１メモリ層６ａにより書き込み層８との間で良好な磁区の転写性を確保し、第１メモリ層６ａよりもキュリー点温度の高い第２メモリ層６ｂにより再生時における磁区の保存安定性を確保するためである。ただし、メモリ層６は必ずしも２層で構成する必要はなく１層で構成することも可能である。
【００３６】
第２制御層７は、メモリ層６と書き込み層８との間の磁気交換相互作用の強さを調整するものであり、その材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＧｄＦｅＣｏ系からなる磁性体材料を用いることが好ましい。
【００３７】
書き込み層８は、メモリ層６に記録する情報信号の転写を行う機能を有し、その材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏＣｒからなる磁性体材料を用いることが好ましい。
【００３８】
第２遮断層９は、レーザ照射に伴い発生する熱の有無により、初期化層１０と書き込み層８間の磁気交換結合を切断もしくは結合する機能を有している。第２遮断層９の材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏ系もしくはＴｂＤｙＦｅＣｏ系の磁性体材料を用いることが好ましい。ただし、第２遮断層６は初期化層１０及び書き込み層よりもキュリー点温度が低くなるように磁性体材料の組成を調整する必要がある。
【００３９】
初期化層１０は、書き込み層８を消去状態に初期化する機能を有しており、その材料としては前述の磁性体材料が使用可能であるが、中でもＴｂＦｅＣｏＣｒからなる磁性体材料を用いることが好ましい。ただし、初期化層１０はレーザ照射に伴い発生する熱に対しても、常に初期化着磁状態を維持する必要があるため、十分に高いキュリー点温度を有する必要がある。
【００４０】
熱制御層１２は、レーザ照射により発生した熱を効果的に放熱する機能を有しており、その材料は熱伝導率の高いＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の単体及びその混合物を用いることができる。
【００４１】
保護層１３は、各磁性体層を含む各機能層を保護するためのものであり、高分子樹脂や紫外線硬化樹脂が用いられることが多い。保護層１３の形成方法としては、各機能層が形成された基板１上に高分子樹脂や紫外線硬化樹脂をコートした後、紫外線を照射するなどしてこれを硬化し形成するのが一般的である。また、基板１と同様の材料で形成された基板を機能層上に貼り合わせることで形成しても良い。
【００４２】
光情報記録媒体５０への情報信号のＤＴＥ方式による記録は次のように行われる。尚、ＤＴＥ方式の情報信号の記録に大きく関与するのは、メモリ層６、書き込み層８、第２遮断層９、初期化層１０であるため、ここではその他の層に関する記載は省略するものとする。また、第１メモリ層６ａと第２メモリ層６ｂは機能的にはほぼ同等の挙動をとるため、ここではメモリ層６として説明を行う。
【００４３】
光情報記録媒体５０への情報信号の記録に際しては、光情報記録媒体５０に初期化層１０の磁化方向と逆方向の外部磁界を印加しつつ、光情報記録媒体５０にレーザの照射を行いレーザ照射部分を加熱する。このとき、加熱されるレーザ照射部分の温度は、記録する情報信号に応じて書き込み層８のキュリー点温度もしくはメモリ層６のキュリー点温度とされる。尚、磁界の印加方法は外部磁界によるものに限定されず、光学情報記録媒体５０中に初期化層１０の磁化方向と逆方向の磁界を有するバイアス層を形成し、バイアス層からの漏洩磁界を用いることもできる。
【００４４】
光情報記録媒体５０のレーザ照射部分の温度が書き込み層８のキュリー点温度まで加熱される場合、書き込み層８は印加された磁界の作用により、磁化の向きが消去状態から反転した記録状態に配向する。尚、メモリ層６のキュリー点温度及び第２遮断層９のキュリー点温度は、書き込み層８のキュリー点温度よりも低いため、このときメモリ層６及び第２遮断層９は磁化状態にはない。また、初期化層１０のキュリー点温度は書き込み層８のキュリー点温度よりも高いので、印加される磁界により磁化反転することはなく、初期化着磁のまま全面消去状態を維持する。
【００４５】
照射レーザの移動等により、レーザ照射部の温度がメモリ層６のキュリー点温度まで低下すると、書き込み層８との磁化交換結合作用によってメモリ層６も書き込み層８と同じ記録状態に配向する。
【００４６】
更にレーザ照射部の温度が第２遮断層９のキュリー点温度まで低下すると、第２遮断層９を介して書き込み層８と初期化層１０とが磁気交換結合する。前述のように初期化層１０は全面消去状態を維持しているため、書き込み層８は初期化層１０との磁気交換結合作用により消去状態に配向する。書き込み層８が消去状態に配向すると、書き込み層８とメモリ層６と間にも磁気交換結合作用が働くが、メモリ層６はレーザ照射部の温度低下に伴い保磁力エネルギーの急激な増大に支えられ、書き込み層８との磁気交換結合作用に反して記録状態を維持する。これによりメモリ層６に、記録状態に配向した磁区が記録する情報信号に応じて形成される。
【００４７】
一方、光情報記録媒体５０のレーザ照射部分の温度がメモリ層６のキュリー点温度まで加熱される場合、メモリ層６はキュリー点温度に加熱される過程で保磁力エネルギーが急激に低下するため、消去状態に配向している書き込み層８との磁気交換結合作用によりメモリ層６も消去状態に配向する。これによりメモリ層６に、消去状態に配向した磁区が記録する情報信号に応じて形成される。
【００４８】
このようにして、到達する２つのレーザ光照射部の温度に対応してメモリ層６の磁区の配向状態を変化させることができるため、記録する情報信号に従ってレーザ光の照射パワーを変化させレーザ光照射部の温度制御を行えば記録前の磁化状態に関わらずメモリ層６に新しい情報を記録すること（オーバーライト）が可能となる。以上がＤＴＥ方式による情報信号の記録の基本動作である。尚、第２制御層７はメモリ層６と書き込み層８との間の磁気交換結合作用を調整するために設けられている。
【００４９】
光情報記録媒体５０への情報信号のＤＷＤＤ方式による再生は次のように行われる。尚、ＤＷＤＤ方式の情報信号の再生に大きく関与するのは、メモリ層６、第１遮断層５、再生層３であるため、ここではその他の層に関する記載は省略するものとする。
【００５０】
光情報記録媒体５０の再生層３はメモリ層６に比べ磁壁抗磁力が小さく、また、第１遮断層５のキュリー点温度は再生層３のキュリー点温度及びメモリ層６のキュリー点温度よりも低い構成をとっている。
【００５１】
光情報記録媒体５０にレーザ光が照射されず、光情報記録媒体５０が加熱されていない状態では、第１遮断層５の磁性によってメモリ層６と再生層３との磁気交換結合が作用しているため、再生層３の磁壁はメモリ層６に記録された情報信号に対応した磁化方向及び間隔で形成されている。しかし、光情報記録媒体５０にレーザ光が照射され、レーザ光照射部分の温度が第１遮断層５のキュリー点温度以上に加熱されると、第１遮断層５の磁性が消失してメモリ層６と再生層３との磁気交換結合が切断される。メモリ層６と再生層３との磁気交換結合が切断されると、再生層３の一方の磁壁がレーザ光照射部分のピーク温度方向に向かって拡大移動する。このようにして、レーザが走査するに伴って、レーザ光照射部の温度が第１遮断層５のキュリー点温度以上に到達する度に、レーザ光照射部のメモリ層６に記録された情報信号が順次拡大再生されることとなる。これにより、光学系が検出できない微細な記録マークがメモリ層６に記録されていても情報信号の再生が可能となる。以上がＤＷＤＤ方式による情報信号の再生の基本動作である。第１制御層４は再生層３の磁壁移動動作時に余分な磁壁移動を抑えるために設けられている。
【００５２】
本発明に係る光情報記録媒体５０の再生層３は特にレーザ照射方向から順にキュリー点温度の異なる第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの３層からなり、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１と、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２と、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３とが、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３の関係を有している。このため、レーザ照射によって再生層３の温度が上昇するとキュリー点温度の低い第３再生層３ｃから、第２再生層３ｂ、第１再生層３ａの順に磁壁移動動作が生じていく。これにより、再生温度範囲における再生層３全体の飽和磁化は、第３再生層３ｃ、第２再生層３ｂ、第１再生層３ａの各層で生じる飽和磁化により相殺される方向に進むこととなる。結果として、再生層３全体における飽和磁化の増大が抑制され、磁壁移動動作に悪影響を及ぼす浮遊磁界を低減することができる。従って、情報信号の再生時おける各再生層の円滑な磁壁移動動作が可能となり、微細な記録マークの再生においても再生信号の品質が悪化することを防止できる。
【実施例１】
【００５３】
成膜装置として直流マグネトロンスパッタリング装置を用い、直流マグネトロンスパッタリング装置の真空容器内にＢ（ボロン）を添加したＳｉのターゲットを取り付ける。直流マグネトロンスパッタリング装置の真空容器内には基板ホルダーが設けてあり、この基板ホルダーにグルーブ及びランドが螺旋状に交互に形成されているポリカーボネート樹脂製の基板１を固定した後に、真空容器内を１０−５Ｐａ程度以下の高真空になるまでターボポンプ及びクライオポンプにて真空排気する。その後、高真空の真空容器内にＡｒガス及びＮ２ガスを導入し、コンダクタンス調整により真空容器内の圧力を所定の値とする。次に、基板１を回転させながらＳｉターゲットを用いて直流反応性スパッタを行うことで、基板１上に第１誘電体層２として層厚３５ｎｍのＳｉＮ層を形成する。
【００５４】
次に、第１誘電体層２が形成された基板１を、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットが取り付けられた直流マグネトロンスパッタリング装置の別の真空容器内に搬送し、同様の方法により真空容器内を高真空にした後、真空容器内にＡｒガスを導入し、コンダクタンス調整により真空容器内の圧力を所定の値とする。
【００５５】
次に、第１誘電体層２上に、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃとしてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を順次形成する。尚、第１再生層３ａはキュリー点温度Ｔ１が２７０℃でかつ層厚ｄ１が１２ｎｍになるように、第２再生層３ｂはキュリー点温度Ｔ２が２４０℃でかつ層厚ｄ２が１２ｎｍになるように、第３再生層３ｃはキュリー点温度Ｔ３が１９０℃でかつ層厚ｄ３が１２ｎｍになるように、各層の組成をターゲット毎に設定される出力の比率によって調整した。
【００５６】
次に、第３再生層３ｃ上に第１制御層４としてキュリー点温度が１６０℃である層厚７ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を、第１制御層４上に第１遮断層５としてキュリー点温度が１５０℃である層厚１３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を順次形成する。
【００５７】
その後、第１メモリ層６ａとしてキュリー点温度が２９０℃である層厚１４ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を、第２メモリ層６ｂとしてキュリー点温度が３００℃である層厚４８ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を、第１遮断層５上に順次形成する。
【００５８】
さらに、第２メモリ層６ｂ上に第２制御層７としてキュリー点温度が３１０℃である層厚４６ｎｍのＧｄＦｅＣｏＣｒ層を、第２制御層７上に書き込み層８としてキュリー点温度が３２０℃である層厚２８ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を、書き込み層８上に第２遮断層９としてキュリー点温度が２４５℃である層厚１１ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を、第２遮断層９上に初期化層１０としてキュリー点温度が４００℃である層厚３３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ層を順次形成する。
【００５９】
尚、各磁性体層の形成は、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットに印加する直流マグネトロンスパッタ装置の出力の比率を変化させることにより、各磁性体層が所定のキュリー点温度を有するように組成及び組成比を制御した。
【００６０】
次に、第２遮断層９上に形成した初期化層１０に、永久磁石等により１５ｋＯｅ程度の磁界を印加して初期化層１０の前面初期化を行った。尚、この前面初期化作業は初期化層１０の形成後に行っても良いし、全ての機能層を形成した後に行っても良い。
【００６１】
次に、各磁性体層を形成した基板１をＳｉのターゲットが取り付けられた真空容器内に戻し、第１誘電体層２の形成時と同様に直流反応性スパッタにより、初期化層１０上に第２誘電体層１１として層厚３３ｎｍのＳｉＮ層を形成する。尚、誘電体層の成膜と磁性体層の成膜とを同一の真空容器内で行わないのは、磁性体層の成膜時にＮ２ガスが混入し磁性体層が窒化するなどして特性の悪化を引き起こすことを防止するためである。
【００６２】
次に、Ａｒガスを導入し所定の圧力とした上で、第２誘電体層１１上に熱制御層１２として１００ｎｍのＡｌＳｉ膜を形成する。最後に、熱制御層１２上に紫外線硬化樹脂をコートした後、紫外線を照射することでこれを硬化させ、所定の厚みの保護層１３を形成する。これにより、光情報記録媒体５０を得る。尚、実施例１においては、従来第２誘電体層１１形成後に行っていた局所アニール処理は行っていない。
【００６３】
（実験１）
実施例１を構成する各磁性体層のうち、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２を、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３から１０℃ずつ第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１まで変化させ光情報記録媒体を作製した。尚、第１再生層３ａの層厚ｄ１、第２再生層３ｂの層厚ｄ２、第３再生層３ｃの層厚ｄ３は実施例１同様１２ｎｍである。
【００６４】
作製された各光情報記録媒体に、パルス幅をデューティ比２３％、外部からのＤＣ印加磁界４５０Ｏｅの条件で、記録マーク長が０．１０μｍの光学系の分解能を超えた微細な記録マークを記録した。
【００６５】
記録された記録マークの再生信号のＤａｔａ  ｔｏ  Ｄａｔａジッタをタイムインターバルアナライザを用いて測定した。
【００６６】
図２に、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２とジッタの関係を示す。尚、図２中の破線は従来の再生層２層構成の光情報記録媒体の記録マーク長０．１０μｍにおけるジッタを示しており、図２中の破線未満の領域においては、得られる再生信号のジッタは従来例よりも良好な値を有していることを意味している。
【００６７】
図２より、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２が、Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ３＋２０℃もしくはＴ１−２０℃＜Ｔ２＜Ｔ１の範囲ではジッタは増加し、再生信号の品質が悪化することがわかる。これは、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２が、Ｔ１もしくはＴ３に近づきすぎると、第２再生層３ｂが第１再生層３ａもしくは第３再生層３ｃと同一の挙動を示してしまい、再生層３があたかも層厚の著しく異なる２層構造の再生層であるかのように働いてしまうためである。このように層厚の著しく異なるアンバランスな２層構造の再生層では、かえって浮遊磁界が増大し、各再生層の磁壁移動動作が円滑に行われず、再生信号の品質が悪化するのである。
【００６８】
これに対し、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２が、Ｔ３＋２０℃≦Ｔ２≦Ｔ１−２０℃の範囲（第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３を基にしたときのＴ３＋２０℃≦Ｔ２≦Ｔ３＋６０℃の範囲、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１を基にしたときのＴ１−６０℃≦Ｔ２≦Ｔ１−２０℃の範囲）では再生信号のジッタが７ｎｓ未満となり、記録マーク長が０．１０μｍという微細な記録マークにおいても従来例よりも良好な再生信号を得ることができる。
【００６９】
尚、図２においては第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１が２７０℃、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３が１９０℃の結果を示しているが、前述したＴ２がＴ１もしくはＴ３に近づきすぎたときの再生信号の悪化原因から考えれば、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１が２７０℃以上の温度、例えば２８０℃であっても、また２７０℃以下の温度、例えば２６０℃、２５０℃であっても、更に、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３が１９０℃以下の温度、例えば１８０℃、１７０℃であっても、また１９０℃以上の温度、例えば２００℃、２１０℃、２２０℃であっても、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２がＴ３＋２０℃≦Ｔ２≦Ｔ１−２０℃の範囲にあれば、同様に光情報記録媒体５０は微細な記録マークでも良好な再生信号を得ることができる。
【００７０】
（実験２）
実施例１を構成する各磁性体層のうち、再生層３を構成する第１再生層３ａの層厚ｄ１、第２再生層３ｂの層厚ｄ２、第３再生層３ｃの層厚ｄ３を、成膜装置の成膜速度及び成膜時間を調整することでそれぞれ変化させ光情報記録媒体を作製した。尚、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１は２７０℃、第２再生層３ｂキュリー点温度Ｔ２は２４０℃、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３は１９０℃と実施例１と同等である。
【００７１】
作製した各光情報記録媒体に、実験１と同様に微細な記録マークを記録し、実験１と同様に再生信号のジッタを測定した。また、各光情報記録媒体の再生信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザを用いて測定した。
【００７２】
図３（ａ）に、第２再生層３ｂ及び第３再生層３ｃの層厚ｄ２、ｄ３を１２ｎｍに固定し、第１再生層３ａの層厚ｄ１を変化させたときの光情報記録媒体のＣ／Ｎ比を、また、図３（ｂ）にジッタを示す。尚、図３（ａ）、図３（ｂ）は、第１再生層３ａの層厚ｄ１と第２再生層３ｂの層厚ｄ２もしくは第３再生層３ｃの層厚ｄ３との差（ｄ１−ｄ２）もしくは（ｄ１−ｄ３）をΔｄ１とし、層厚ｄ１、層厚ｄ２、層厚ｄ３の平均値をｄとしたときのパーセンテージ（Δｄ１／ｄ×１００）を横軸として示した。
【００７３】
図３（ａ）、図３（ｂ）から、Δｄ１／ｄ（％）が−１０％≦（Δｄ１／ｄ）≦＋１０％の範囲内では、再生信号のＣ／Ｎ比は微細な記録マークを再生するにあたり十分に高い値を、また、再生信号のジッタは微細な記録マークを再生するにあたり十分に低い値をとることがわかる。反対に（Δｄ１／ｄ）＜−１０％もしくは＋１０％＜（Δｄ１／ｄ）の範囲では、再生信号のＣ／Ｎ比は急激に低下し、またジッタは急激に増加することがわかる。
【００７４】
図４（ａ）に、第１再生層３ａ及び第３再生層３ｃの層厚ｄ１、ｄ３を１２ｎｍに固定し、第２再生層３ｂの層厚ｄ２を変化させたときの光情報記録媒体のＣ／Ｎ比を、また、図４（ｂ）にジッタを示す。尚、図４（ａ）、図４（ｂ）も、第２再生層３ｂの層厚ｄ２と第１再生層３ａの層厚ｄ１もしくは第３再生層３ｃの層厚ｄ３との差（ｄ２−ｄ１）もしくは（ｄ２−ｄ３）をΔｄ２とし、層厚ｄ１、層厚ｄ２、層厚ｄ３の平均値をｄとしたときのパーセンテージ（Δｄ２／ｄ×１００）を横軸として示した。
【００７５】
図４（ａ）、図４（ｂ）から、Δｄ２／ｄ（％）が−１０％≦（Δｄ２／ｄ）≦＋１０％の範囲内では、再生信号のＣ／Ｎ比は微細な記録マークを再生するにあたり十分に高い値を、また、再生信号のジッタは微細な記録マークを再生するにあたり十分に低い値をとることがわかる。反対に（Δｄ２／ｄ）＜−１０％もしくは＋１０％＜（Δｄ２／ｄ）の範囲では、再生信号のＣ／Ｎ比は急激に低下し、またジッタは急激に増加することがわかる。
【００７６】
図５（ａ）に、第１再生層３ａ及び第２再生層３ｂの層厚ｄ１、ｄ２を１２ｎｍに固定し、第３再生層３ｃの層厚ｄ３を変化させたときの光情報記録媒体のＣ／Ｎ比を、また、図５（ｂ）にジッタを示す。尚、図５（ａ）、図５（ｂ）も、第３再生層３ｃの層厚ｄ３と第１再生層３ａの層厚ｄ１もしくは第２再生層３ｂの層厚ｄ２との差（ｄ３−ｄ１）もしくは（ｄ３−ｄ２）をΔｄ３とし、層厚ｄ１、層厚ｄ２、層厚ｄ３の平均値をｄとしたときのパーセンテージ（Δｄ３／ｄ×１００）を横軸として示した。
【００７７】
図５（ａ）、図５（ｂ）から、Δｄ３／ｄ（％）が−１０％≦（Δｄ３／ｄ）≦＋１０％の範囲内では、再生信号のＣ／Ｎ比は微細な記録マークを再生するにあたり十分に高い値を、また、再生信号のジッタは微細な記録マークを再生するにあたり十分に低い値をとることがわかる。反対に（Δｄ３／ｄ）＜−１０％もしくは＋１０％＜（Δｄ３／ｄ）の範囲では、再生信号のＣ／Ｎ比は急激に低下し、またジッタは急激に増加することがわかる。
【００７８】
これらのことから、第１再生層３ａの層厚ｄ１と第２再生層３ｂの層厚ｄ２と第３再生層３ｃの層厚ｄ３とのそれぞれの層厚の差がｄ１とｄ２とｄ３との平均値の−１０％から＋１０％の範囲を超えると、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１、第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３を最適化したとしても、各再生層がアンバランスな状態となりかえって浮遊磁界が増大し、再生信号の品質が悪化することがわかる。
【００７９】
これに対して、第１再生層３ａの層厚ｄ１と第２再生層３ｂの層厚ｄ２と第３再生層３ｃの層厚ｄ３とのそれぞれの層厚の差がｄ１とｄ２とｄ３との平均値の−１０％から＋１０％の範囲に、好ましくは−８％≦（Δｄ１／ｄ）≦＋８％の範囲にあれば、微細な記録マークを再生するにあたり良好な再生信号を得ることができることがわかる。
【００８０】
尚、図３、図４、図５においては、第１再生層３ａの層厚ｄ１、第２再生層３ｂの層厚ｄ２、第３再生層３ｃの層厚ｄ３のうち、２層の層厚を固定して残りの１層の層厚を変化させたが、第１再生層３ａの層厚ｄ１、第２再生層３ｂの層厚ｄ２、第３再生層３ｃの層厚ｄ３が個々に変化していても、第１再生層３ａの層厚ｄ１と第２再生層３ｂの層厚ｄ２と第３再生層３ｃの層厚ｄ３とが上記の範囲を満たしていれば、同様に微細な記録マークを再生するにあたり良好な再生信号を得ることができる。
【００８１】
実験１、実験２の結果から、光情報記録媒体５０は再生層３を構成する第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃが、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１と第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２と第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３とが、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の関係を満たし、かつ、第１再生層の層厚ｄ１と第２再生層の層厚ｄ２と第３再生層の層厚ｄ３との各層厚の差（ｄ１−ｄ２）、（ｄ２−ｄ３）、及び（ｄ３−ｄ１）が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値に対して−１０％〜＋１０％の範囲内を満たすときに、微細な記録マークを再生するにあたり良好な再生信号を得られることがわかる。
【００８２】
（実験３）
各機能層を形成する前のグルーブ３２及びランド３１が形成された基板１表面に、紫外線照射装置により紫外線のエネルギーを変化させて照射し、基板１のランド３１の側壁を、図６の模式図に示すように、ランド３１の上面の幅Ｗ１がランド３１の底面の幅Ｗ２よりも狭くなるように傾斜させた。その後、実施例１と同様にして各機能層を形成し、光情報記録媒体を作製した。尚、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１は２７０℃、第２再生層３ｂキュリー点温度Ｔ２は２４０℃、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３は１９０℃であり、また、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３は１２ｎｍと実施例１と同等である。
【００８３】
作製した各光情報記録媒体に、実験１及び実験２と同様に微細な記録マークを記録し、実験２と同様にして各光情報記録媒体の再生信号のジッタ及びＣ／Ｎ比を測定した。また、グルーブ３２からランド３１までの高さ寸法Ｂ及び、ランド３１の上面の幅Ｗ１と底面の幅Ｗ２との片側の寸法差Ａを、ＡＦＭで走査することにより測定した。
【００８４】
図７（ａ）に、ランド３１の側壁の傾斜の度合いをしめす（Ａ／Ｂ）の値とＣ/Ｎ比の関係を、また、図７（ｂ）に（Ａ／Ｂ）の値とジッタとの関係を示す。尚、図７（ａ）、（ｂ）中の●印は紫外線を照射せずに作製した光情報記録媒体のＣ／Ｎ比及びジッタを示すものである。（図７（ａ）、（ｂ）中の●印は紫外線を照射してランド３１の側壁の傾斜を設けていないが、基板１の作製上ランド３１の側壁には既に若干の傾斜を有している。）
図７（ａ）、（ｂ）より、ランド３１の側壁の傾斜の度合いを示す（Ａ／Ｂ）の値が０．０５≦（Ａ／Ｂ）≦０．２５の範囲では、再生信号のＣ／Ｎ比は紫外線を照射していないものに比べ、更に高い値をとっていることがわかる。また、再生信号のジッタも紫外線を照射していないものに比べ、更に低い値をとっていることがわかる。このことは、ランド３１の側壁に傾斜を設けることで、更に再生信号の品質の向上が図れることを意味している。
【００８５】
この効果は、ランド３１の側壁に傾斜を設けることで、情報信号の再生時における温度分布がランド３１のエッジ部分でなだらかになり、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの磁壁移動動作がより円滑となることによるものと考えられる。尚、ランド３１の傾斜は０．２５＜（Ａ／Ｂ）を超えて設けると、逆に再生信号の品質が悪化する方向に進む。
【００８６】
実験３の結果から、基板１上のランド３１の側壁に傾斜を設け、ランド３１の断面を、グルーブ３２からランド３１までの高さ寸法をＢ、ランド３１の上面の幅Ｗ１と底面の幅Ｗ２との片側の差（Ｗ２−Ｗ１）／２をＡとしたときに０．０５≦（Ａ／Ｂ）≦０．２５の関係を満たすような略台形とすることで、光情報記録媒体５０は微細な記録マークを再生するにあたり、更に良好な再生信号を得られることがわかる。
【実施例２】
【００８７】
各機能層を形成する前のグルーブ３２及びランド３１が形成された基板１に、大気中で紫外線照射装置により光エネルギー１０００ｋＪ／ｍｏｌの紫外線を基板１を回転させながら均一に照射し、基板１のランド３１の側壁を、（Ａ／Ｂ）の値が０．０９となるように傾斜させた。その後、実施例１と同様にして各層を形成し、光情報記録媒体５０を作製した。尚、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１は２７０℃、第２再生層３ｂキュリー点温度Ｔ２は２４０℃、第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３は１９０℃であり、また、第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３は１２ｎｍと実施例１と同等である。また、実施例２においても実施例１同様、従来行われていた局所アニール処理は行っていない。
【００８８】
尚、上記の実施例１、実施例２は光情報記録媒体５０を作製する上での好適な例であるため、各層の組成、層厚、キュリー点温度、使用するスパッタリング装置、ターゲット、ガス等は適宜変更が可能である。
【００８９】
（比較例）
実施例１を構成する磁性体層のうち再生層３をキュリー点温度が２７０℃である層厚１８ｎｍの第１の再生層と、キュリー点温度が１９０℃である層厚１８ｎｍの第２の再生層との２層構造としたことに加え、第２誘電体層１１を形成した後に、案内溝の凹部にあたるグルーブに高出力のレーザを照射することにより局所アニール処理を行った以外は実施例１と同様にして従来と同等の光情報記録媒体を作製した。
【００９０】
実施例１、実施例２、比較例１の各光情報記録媒体に、パルス幅をデューティ比２３％、記録時に必要な外部からのＤＣ印加磁界を４５０Ｏｅの条件で、記録マーク長を０．１５μｍから０．０１μｍ刻みで０．１０μｍまで短くし、光学系の分解能を超えた微細な記録マークの記録を行った。
【００９１】
記録された微細な記録マークの再生信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザを用いて測定し、また再生信号のＤａｔａ  ｔｏ  Ｄａｔａジッタをタイムインターバルアナライザを用いて測定し、記録された微細な記録マークの再生信号の評価を行った。
【００９２】
図８（ａ）に、記録マーク長とＣ/Ｎ比の関係を、また、図８（ｂ）に記録マーク長とジッタとの関係を示す。尚、図８（ａ）、図８（ｂ）中の○印は実施例１の評価結果を、●印は実施例２の評価結果を、また、△印は比較例の評価結果を示すものとする。
【００９３】
図８（ａ）、図８（ｂ）から、実施例１、実施例２の光情報記録媒体５０の再生信号は、再生層を２層構造とした従来の光情報記録媒体である比較例の再生信号に比べ、全ての記録マーク長でＣ／Ｎ比は高く、またジッタは低い値を有しており、局所アニール処理を施していないにもかかわらず、再生信号の品質が向上していることがわかる。また、基板１上に形成されたランド３１の側壁を傾斜させた実施例２の再生信号は、ランド３１の側壁を傾斜させていない実施例１の再生信号に比べ、更に再生信号のＣ／Ｎ比及びジッタが全ての記録マーク長で向上していることがわかる。
【００９４】
以上のことから、本発明に係る光情報記録媒体５０は、再生層３を第１再生層３ａ、第２再生層３ｂ、第３再生層３ｃの３層で構成し、第１再生層３ａのキュリー点温度Ｔ１と第２再生層３ｂのキュリー点温度Ｔ２と第３再生層３ｃのキュリー点温度Ｔ３とが、（Ｔ１−２０）≧Ｔ２≧（Ｔ３＋２０）の関係を満たし、かつ、第１再生層の層厚ｄ１と第２再生層の層厚ｄ２と第３再生層の層厚ｄ３との各層厚の差（ｄ１−ｄ２）、（ｄ２−ｄ３）、及び（ｄ３−ｄ１）が、ｄ１とｄ２とｄ３との平均値に対して−１０％から＋１０％の範囲内をとるように形成することで、微細な記録マークに対しても極めて良好な再生信号を得ることができる。
【００９５】
また、基板１上のランド３１の側壁に傾斜を設け、ランド３１の断面を、グルーブ３２からランド３１までの高さ寸法をＢ、ランド３１の上面の幅Ｗ１と底面の幅Ｗ２との片側の差（Ｗ２−Ｗ１）／２をＡとしたときに０．０５≦（Ａ／Ｂ）≦０．２５の関係を満たすような略台形とすることで、更に良好な再生信号を得ることができる。
【００９６】
更に、本発明に係る光情報記録媒体５０は、局所アニール処理を行わずとも、微細な記録マークに対して極めて良好な再生信号を得ることがきるため、局所アニール処理工程が不用となり生産効率が飛躍的に向上する。
【００９７】
尚、本例においてはＤＴＥ方式とＤＷＤＤ方式を組み合わせた光情報記録媒体の例を用いて説明を行ったが、特にこれに限定するものではなく、ＤＴＥ方式の記録方式に関わる層構成を有していない、再生層、遮断層、メモリ層を有するＤＷＤＤ方式の光情報記録媒体、光磁気情報記録媒体に関しても本発明は適用可能である。更に、本例の層構成は本発明の要旨を逸脱しない範囲で、適宜除くことも、また、必要な機能を有する層を加えることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明に係る光情報記録媒体の模式断面図である。
【図２】第２再生層のキュリー点温度とジッタの関係を示す図である。
【図３】第１再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。
【図４】第２再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。
【図５】第３再生層の層厚を変化させたときのＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。
【図６】ランドの側壁の傾斜を説明する模式図である。
【図７】ランドの傾斜を示すＡ／Ｂの値とＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示した図である。
【図８】本発明に係る光学情報記録媒体の記録マーク長とＣ／Ｎ比及びジッタの関係を示す図である。
【図９】従来の光学的記録媒体の模式断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
３    再生層
３ａ    第１再生層
３ｂ    第２再生層
３ｃ    第３再生層
３１    ランド
３２    グルーブ
５０    光情報記録媒体
Ａ    ランドの上面の幅と底面の幅との片側の寸法差
Ｂ    グルーブからランドまでの高さ寸法
ｄ１    第１再生層の層厚
ｄ２    第２再生層の層厚
ｄ３    第３再生層の層厚
Ｔ１    第１再生層のキュリー点温度
Ｔ２    第２再生層のキュリー点温度
Ｔ３    第３再生層のキュリー点温度
Ｗ１    ランド上面の幅
Ｗ２    ランド底面の幅
【図１】
2007317294.tif 000003
【図２】
2007317294.tif 000004
【図３】
2007317294.tif 000005
【図４】
2007317294.tif 000006
【図５】
2007317294.tif 000007
【図６】
2007317294.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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