(57)【要約】【課題】貫通スルーホールとフィルドビアが混在するプリント配線板の製造方法において、貫通スルーホールとフィルドビアを同時に銅めっき処理しても、フィルドビア内部にめっき液残留部を発生させずに、上面が平坦なフィルドビアを得ることができるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板並びに処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】コア基板１０の絶縁層３１に形成されたビア用孔３１ａ及び貫通孔１１ｂに第１電解銅パネルめっきを行い、導体層６１を形成し、ビア用孔に３１ａ及び貫通孔１１ｂのコーナー部に発生した導体層でっぱりを電解エッチング、研磨し、さらに第２電解銅パネルめっき、パターニング処理を行って、配線層８１ａ、フィルドビア８２及び貫通孔スルーホール８３が形成された４層のプリント配線板１００を得る。【選択図】図３
2007173683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも貫通スルーホールとフィルドビアと配線層とが形成された多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（ａ）コア基材（１１）の両面に配線層（２２ａ、２２ｂ）及び貫通スルーホール（２３）を形成し、コア基板（１０）を作製する工程。
（ｂ）コア基板（１０）の両面に絶縁層（３１）及び導体層（４１）を形成する工程。
（ｃ）導体層（４１）の所定位置に開口部（４１ａ）及び貫通孔（１１ｂ）を形成する工程。
（ｄ）開口部（４１ａ）より露出した絶縁層（３１）にビア用孔（３１ａ）を形成する工程。
（ｅ）貫通孔（１１ｂ）及びビア用孔（３１ａ）のデスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（５１）を形成する工程。
（ｆ）前記めっき下地導電層（５１）をカソードにして第１電解銅めっきを行い、導体層（６１）を形成する工程。
（ｇ）ビア用孔のコーナー部での導体層でっぱり（６２）と貫通孔のコーナー部での導体層でっぱり（６３）と導体層（６１）の表面上部を電解エッチングにてエッチングする工程。
（ｈ）導体層（６１ａ）表面を研磨する工程。
（ｉ）レジストパターン（７１）を形成する工程。
（ｊ）第２電解銅めっきを行い、導体層（８１）、フィルドビア（８２）及び貫通スルーホール（８３）を形成し、さらに、錫めっきにて錫膜（９１）を形成する工程。
（ｋ）レジストパターン（７１）を剥離処理し、錫膜（９１）をエッチングレジストにして、導体層（６１ａ）及びめっき下地導電層（５１）をエッチングし、錫膜（９１）を除去する工程。
（ｌ）上記、（ｂ）〜（ｋ）の工程を必要回数繰り返す工程。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法にて作製されたことを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
請求項１に記載の電解銅めっきを行うめっき槽（２１０）と、電解エッチングを行うエッチング槽（２２０）と、表面を研磨する研磨手段（２３０）とから構成されており、電解銅めっき処理、電解エッチング処理及び研磨処理の各処理工程間の連続処理が可能になっていることを特徴とするめっき・エッチング・研磨処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルーホール及び配線層が形成されたコア基板の両面に絶縁層を介して配線層とフィルドビアと貫通スルーホールが形成されてなる高密度対応のフィルドビア構造のプリント配線板の製造方法及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータ等に代表されるように、電子機器の小型化、薄形化が求められ、そこに用いられるプリント配線板においても配線の高密度化、小型化、薄型化及び高信頼性が要求されている。
そのため、配線層間をフィルドビアにて電気的に接続するフィルドビア構造の半導体装置用基板の必要性が高まっている。これら半導体装置用基板は、半導体チップやその他の部品を搭載したチップサイズパッケージとして展開されている。
【０００３】
半導体装置の小型化及び薄型化を実現するために、そこに用いられるプリント配線板の配線層幅は狭く、間隔は小さく、また配線層の多層化、配線層の層間を接続するビアホールの小径化という高密度配線が求められている。
【０００４】
これらの要求に対応する半導体装置用基板として、ビルドアップ法を用いた多層ビルドアップ配線板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この方法は、コア基板上に絶縁層を介して配線層及びフィルドビアの形成工程を繰り返すことにより、多層のプリント配線板を作製するものである。
【０００５】
フィルドビア構造のプリント配線板の作製法の一例について説明する。
図７（ａ）〜（ｆ）に、コア基板上に絶縁層を介してフィルドビア及び配線層を形成してプリント配線板を作製する製造工程の部分模式構成断面図を、図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ｄ）に図７（ｃ）のＢ１及び図７（ｆ）のＢ２の部分拡大模式構成断面図をそれぞれ示す。
まず、絶縁基材１１１の所定位置に配線層１２１ａ、１２１ｂ及びスルーホール１２２が形成されたコア基板１１０を作製する（図７（ａ）参照）。
【０００６】
次に、コア基板１１０の両面にプリプレグをラミネートする等の方法で絶縁層１３１を形成する（図７（ｂ）参照）。
【０００７】
次に、絶縁層１３１の所定位置にレーザー加工等にて孔明け加工して、ビア用穴１３１ａを形成し（図８（ａ）参照）、ビア用孔１３１ａのデスミア処理を行って、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層１４１を形成するする（図７（ｃ）及び図８（ｂ）参照）。
ここで、ビア用穴１３１ａの形状は、図８（ａ）に示すように、ビア用孔の上部径が８０μｍ、底部径が５０μｍ、層間厚が９０μｍとする。
【０００８】
次に、電解めっきでフィルドビア及び配線層を形成するためのレジストパターン１５１を形成する（図７（ｄ）参照）。
【０００９】
次に、めっき下地導電層をカソードにして電解銅パネルめっきを行う（図８（ｃ）参照）。
図８（ｃ）に、めっき途中工程の導体層１６１、ビア用孔コーナー部に形成された導体層
１６１ａの形状を示す。
続けて、電解銅パネルめっきを行い、導体層１６２及びフィルドビア１６３を形成する（図７（ｅ）及び図８（ｄ）参照）。
図８（ｄ）に示すように、フィルドビア１６３は、めっき工程でビア用孔コーナー部の導体層のでっぱり同士が成長し、接合することにより、ビア用孔の上部が塞がれた状態となり、ビア用孔内部を銅めっきで完全に埋めることができず、めっき液残留部１７１が発生する。
これは、ビア用穴１３１ａの口径が小さく、層間厚が厚くなるとこの傾向が顕著になってくる。
【００１０】
次に、レジストパターン１５１を剥離し、レジストパターン１５１下部にあっためっき下地導電層をソフトエッチングにて除去し、配線層１６２ａ及びフィルドビア１６３が形成されたフィルドビア構造の多層プリント配線板を得ることができる（図７（ｆ）参照）。
【００１１】
上記したように、フィルドビアの微細化（例えば、ビア口径：８０μｍ、ビア底部：５０μｍ）、層間厚（例えば、９０μｍ）の増大により、フィルドビアコーナー部のめっきが厚くなり、フィルドビア１６３内部にめっき液残留部１７１が発生したり、フィルドビア中央部が窪んだ状態となり問題となっている。
【００１２】
フィルドビア中央部の窪み量を低減する方法として、電解銅めっき等により第一回目の金属の成膜を行った後、その一部をエッチングし、続いて第二回目の金属の成膜を行うことによりフィルドビアの段差を平坦化する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
しかしながら、上記の方法で薬液によるエッチング処理を行う場合、フィルドビアの窪みについても表面の導体層と同じエッチング量になってしまうことから、上面が平坦化されたフィルドビアを得ることは難しい。
また、最近は、フィルドビアの電解銅めっきとして、パルスめっき（同一めっき槽内でめっきの陽極・陰極を繰り返し交互に切り替える方法）が使用されており、パルスめっきでは析出する銅の粒子が柱状となり、ヒートサイクル試験でバレルクラックが発生し易い傾向にあり、問題となっている。
【特許文献１】特開２００２−３１４２５４号公報
【特許文献２】特開平１１−２９８１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、貫通スルーホールとフィルドビアが混在するプリント配線板の製造方法において、貫通スルーホールとフィルドビアを同時に銅めっき処理しても、フィルドビア内部にめっき液残留部を発生させずに、上面が平坦なフィルドビアを得ることができるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板並びに処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、少なくとも貫通スルーホールとフィルドビアと配線層とが形成されたプリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするプリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）コア基材１１の両面に配線層２２ａ、２２ｂ及び貫通スルーホール２３を形成し、コア基板１０を作製する工程。
（ｂ）コア基板１０の両面に絶縁層３１及び導体層４１を形成する工程。
（ｃ）導体層４１の所定位置に開口部４１ａ及び貫通孔１１ｂを形成する工程。
（ｄ）開口部４１ａより露出した絶縁層（３１）にビア用孔３１ａを形成する工程。
（ｅ）貫通孔１１ｂ及びビア用孔３１ａのデスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層５１を形成する工程。
（ｆ）前記めっき下地導電層５１をカソードにして第１電解銅めっきを行い、導体層６１を形成する工程。
（ｇ）ビア用孔のコーナー部での導体層でっぱり６２と貫通孔のコーナー部での導体層でっぱり６３と導体層（６１）の表面上部を電解エッチングにてエッチングする工程。
（ｈ）導体層６１ａ表面を研磨する工程。
（ｉ）レジストパターン７１を形成する工程。
（ｊ）第２電解銅めっきを行い、導体層８１、フィルドビア８２及び貫通スルーホール８３を形成し、さらに、錫めっきにて錫膜９１を形成する工程。
（ｋ）レジストパターン７１を剥離処理し、錫膜９１をエッチングレジストにして、導体層６１ａ及びめっき下地導電層５１をエッチングし、錫膜９１を除去する工程。
（ｌ）上記、（ｂ）〜（ｋ）の工程を必要回数繰り返す工程。
【００１６】
また、請求項２においては、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法にて作製されたことを特徴とするプリント配線板としたものである。
【００１７】
さらにまた、請求項３においては、請求項１に記載の電解銅めっきを行うめっき槽２１０と、電解エッチングを行うエッチング槽２２０と、表面を研磨する研磨手段２３０とから構成されており、電解銅めっき処理、電解エッチング処理及び研磨処理の各処理工程間の連続処理が可能になっていることを特徴とするめっき・エッチング・研磨処理装置としたものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のプリント配線板の製造方法によれば、貫通スルーホールとフィルドビアを同時に銅めっき処理しても、フィルドビア内部にめっき液残留部の発生が無く、上面が平坦化されたフィルドビアを有するフィルドビア構造のプリント配線板を得ることができる。
得られたプリント配線板のヒートサイクル試験等の信頼性試験を行ってもバレルクラックの発生を防止することができる。
また、フィルドビア上面が平坦化されているため、高信頼性のビアオンビア構造のプリント配線板を容易に作製ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）は、本発明のプリント配線板の製造方法にて得られたプリント配線板の一実施例を示す部分模式構成断面図を、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ５の部分拡大模式構成断面図をそれぞれ示す。
本発明のプリント配線板１００は、フィルドビア８２内部にめっき液残留部の発生も無く、フィルドビア８２の上面はほぼ平坦になっている。
また、貫通スルーホール８３では、コーナー部での導体層のでっぱりが無く、なだらかな形状の導体層で形成されている。
このことから、ヒートサイクル試験等の信頼性試験を行ってもバレルクラックの発生を防止することができ、高信頼性のビアオンビア構造のプリント配線板を容易に得ることができる。
【００２０】
以下本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ｇ）〜（ｊ）は、本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図を示す。
図４（ａ）〜（ｃ）及び図５（ｄ）〜（ｆ）は、図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ｇ）〜（ｊ）の工程におけるＡ１〜Ａ５の拡大模式構成部分断面図を示す
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の絶縁樹脂を含浸させたプリプレグに銅箔を積層し、加熱、加圧プレスすることにより絶縁基材１１の両面に導体層２１を形成する（図２（ａ）参照）。
【００２１】
次に、導体層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置にドリルにて孔明け加工を行って貫通孔を形成し、電解銅パネルめっきを行って、導体層２２及び貫通スルーホール２３を形成する。さらに、導体層２２を公知の方法でパターニング処理して配線層２２ａ及び配線２２ｂを形成し、絶縁基材１１の所定位置に貫通スルーホール２３と配線層２２ａ及び配線２２ｂが形成されたコア基板１０を作製する（図２（ｂ）参照）。
【００２２】
次に、コア基板１０の両面にプリプレグフィルム及び銅箔を積層し、加熱、加圧プレスすることにより、コア基板１０の両面に絶縁層３１及び導体層４１を形成する（図２（ｃ）参照）。
ここで、プリプレグフィルムの材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。
【００２３】
次に、導体層４１の所定位置を公知のフォトエッチングプロセスによりパターニング処理して、ビア用孔を形成するための開口部４１ａを形成する（図２（ｄ）参照）。
【００２４】
次に、ドリル加工にて導体層４１及び絶縁層３１の所定位置に貫通孔１１ｂを、開口部４１ａ内の絶縁層３１をレーザー加工等により孔明け加工して、ビア用孔３１ａを形成する（図２（ｅ）参照）。
ここで、図２（ｅ）のＡ１のビア用孔３１ａの拡大模式構成断面図を図４（ａ）に示す。ここで、ビア用孔３１ａの形状は、上記フィルドビア形成時に問題となったビア用孔の上部径が８０μｍ、底部径が５０μｍ、層間厚が９０μｍを適用する。
【００２５】
次に、貫通孔１１ｂ及びビア用孔３１ａのデスミア処理を行って、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層５１を形成し、途中工程のプリント配線板３０を作製する（図２（ｅ）参照及び図４（ｂ）参照）。
【００２６】
次に、めっき下地導電層５１が形成された途中工程のプリント配線板３０をクランプ２４１にて保持し、図６に示す本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置２００のめっき槽２１０にキャリア搬送する。
めっき槽２１０では、陰極２１１に接続されためっき下地導電層５１と、含リン銅ボールからなる陽極２１２との間で第１電解銅パネルめっきが行なわれ、めっき下地導電層５１上に導体層６１が形成された途中工程のプリント配線板４０を作製する（図２（ｆ）及び図４（ｃ）参照）。
【００２７】
ここで、貫通孔１１ｂ及びビア用孔３１ａ内の導体層６１に着目してめっき状態を観察すると、図４（ｃ）に示すように、ビア用孔３１ａのコーナー部の導体層にひさし状もしくは凸状に突出したでっぱり６２が発生している。拡大図はないが貫通孔１１ｂでも同様にコーナー部で導体層のでっぱり６３が発生している。
【００２８】
第１電解銅パネルめっきに使用する銅めっき液及びめっき条件の一例を下記に示す。
銅めっき液
硫酸銅：２００ｇ／ｌ、塩素イオン：５０ｐｐｍ、硫酸１００ｍｌ／ｌ、レベリング剤（ビス（３−スルホプロピル）ジサルファイド）：１．０ｐｐｍ
めっき条件
電流：１．６Ａ／ｄｍ2、浴温：２５℃、陽極：含リン銅ボール、陰極：プリント配線板
ここで、本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置について説明する。
めっき・エッチング・研磨処理装置２００は、途中工程のプリント配線板の電解銅めっきを行うめっき槽２１０と、電解エッチングを行うエッチング槽２２０と、表面を研磨する研磨手段２３０とから構成されている。
途中工程のプリント配線板はクランプ２４１に保持し、キャリア搬送によって電解銅めっき工程、電解エッチング工程及び研磨工程の各処理工程間を搬送し、連続処理を可能にしている。
【００２９】
次に、ビア用孔３１ａのコーナー部及び貫通孔１１ｂのコーナー部で発生した導体層のでっぱり状態をなくすために、導体層６１が形成された途中工程のプリント配線板４０をクランプ２４１にて保持し、図６に示す本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置２００のエッチング槽２２０にキャリア搬送する。
【００３０】
エッチング槽２２０では、陽極２２１に接続された途中工程のプリント配線板４０の導体層６１と、ＳＵＳからなる陰極２２２との間に電解エッチングが行われる。
また、エッチング槽２２０では、多孔性で透過性の良い合成樹脂（例えば、ポリプロピレン）からなる隔膜２２３が設けられており、電解研磨用光沢剤の劣化を防止している。
導体層６１のエッチング量は１０〜１５μｍ前後である。
ビア用孔３１ａ及び貫通孔１１ｂのコーナー部では、なだらかな形状の導体層６２ａ、６４ａが形成された途中工程のプリント配線板５０を作製する（図３（ｇ）及び図５（ｄ）参照）。
【００３１】
図５（ｄ）に示すように、コーナー部での導体層のでっぱりは除去されて、なだらかな形状の導体層６２ａ、６４ａが形成されている。
このように、本発明のプリント配線板の製造方法のポイントは第１電解銅パネルめっきにて導体層６１を形成した後電解エッチングを行い、第１電解銅めっきにて発生した導体層のでっぱり状態を無くすことである。
【００３２】
電解エッチングで使用するエッチング液及びエッチング条件の一例を下記に示す。
銅めっき液
硫酸銅：２００ｇ／ｌ、塩素イオン：５０ｐｐｍ、硫酸１００ｍｌ／ｌ、カパーグリームＪＨＴ：２ｍｌ／ｌ
めっき条件
電流：５Ａ／ｄｍ2、浴温：２５℃、陽極：プリント配線板、陰極：ＳＵＳ板
なお、塩素は銅の溶解促進と有機添加剤の作用との補助剤であり、適宜省略可能である。
【００３３】
また、電解エッチングで浴中に溶解した銅は、簡易な方法で回収できるため、銅の有効利用図ることができる。陰極２２２をステンレス板とすることにより析出した銅を剥離して箔状の銅として用いることができる。
さらに、酸溶液の浴ライフ（寿命）が長くなるので、廃液量を低減でき、ランニングコストを大幅に低下させることができる。
【００３４】
また、めっき層２１０とエッチング槽２２０を別個にすることにより、同一めっき槽内でパルスめっき行った際に発生する添加剤の分解によるめっき焼け、異常析出等による物性に対する悪影響を防止できる。
【００３５】
次に、電解エッチングが行われた途中工程のプリント配線板５０をクランプ２４１にて保持し、図６に示す本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置２００の研磨手段２３０にキャリア搬送する。
【００３６】
研磨手段２３０では、キャリア搬送された途中工程のプリント配線板５０はクランプ２４１で投入台２３１に載置され、搬送ロール２３４にて搬送される。
さらに、表面に研磨バフ（繊維にシリコンカーバイドなどを含浸させたもの）が形成された研磨ロール２３３にて途中工程のプリント配線板５０の導体層６１ａ、６２ａ、６４ａの表面研磨を行って、パルスめっきで発生した柱状の銅粒子を研磨して、平滑処理された途中工程のプリント配線板５０ａを作製、受け取り台２３２に載置される。
【００３７】
次に、受け取り台２３２に載置された平滑処理された途中工程のプリント配線板５０ａはクランプ２４１にて次工程にキャリア搬送される。
ここでは、平滑処理された途中工程のプリント配線板５０ａの両面にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光性樹脂層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン７１を形成し、途中工程のプリント配線板６０を作製する（図３（ｈ）参照）。
【００３８】
次に、レジストパターン７１が形成された途中工程のプリント配線板６０をクランプ２４１にて保持し、図６に示す本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置２００のめっき槽２１０にキャリア搬送する。
めっき槽２１０では、陰極２１１に接続された導体層６１ａと、含リン銅ボールからなる陽極２１２との間で第２電解銅パネルめっきが行なわれ、導体層６１ａ上に導体層８１を、ビア用孔にフィルドビア８２を形成する。
ここで、第２電解銅パネルめっきの銅めっき液及びめっき条件は、上記第１電解銅パネルめっきと同じである。
【００３９】
さらに、別のめっき装置で導体層８１及びフィルドビア８２上に錫膜９１を形成し、途中工程のプリント配線板７０を作製する（図３（ｉ）及び図５（ｅ）参照）。
【００４０】
次に、レジストパターン７１を専用の剥離液で除去し、錫膜９１をエッチングレジストにして導体層６１ａ、めっき下地導電層４１をエッチングし、錫膜９１を専用のエッチング液で除去して、コア基板１０の両面に配線層８１ａ、フィルドビア８２及び貫通スルーホール８３が形成されたフィルドビア構造の４層のプリント配線板１００を得る（図３（ｊ）及び図５（ｆ）参照）。
さらに、必要で有れば上記工程を必要回数繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
【００４１】
図５（ｅ）からも分かるように、第２電解銅パネルめっきで形成されたフィルドビア８２の上面はわずかに窪んだ状態ではあるが、ほぼ平坦になっており、フィルドビア８２内にめっき液残留部が形成されることはない。
また、貫通スルーホール８３のコーナー部もなだらかな形状になっている。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（ａ）は、本発明のプリント配線板の製造方法で得られたプリント配線板の一実施例を示す模式構成断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すＡ５を拡大した拡大模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のプリント配線板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図３】（ｇ）〜（ｊ）は、本発明のプリント配線板の製造方法における製造工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図２（ａ）〜（ｆ）に示すＡ１〜Ａ２を拡大した拡大模式構成断面図である。
【図５】（ｄ）〜（ｆ）は、図３（ｇ）〜（ｊ）に示すＡ３〜Ａ５を拡大した拡大模式構成断面図である。
【図６】本発明のめっき・エッチング・研磨処理装置の一実施例を示す模式構成図である。
【図７】従来のプリント配線板の製造方法の製造工程の一例を示す模式構成断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図７（ｃ）に示すＢ１を拡大した拡大模式構成断面図である。（ｃ）は、フィルドビアが形成される前の途中のめっき状態を示す模式構成断面図である。
【図９】（ｄ）は、図７（ｆ）に示すＢ２を拡大した拡大模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０……コア基板
１１、１１１……絶縁基材
１１ｂ……貫通孔
２１、４１、１６２……導体層
２２ａ、２２ｂ、１２１ａ、１２１ｂ……配線層
２３、１２２……貫通スルーホール
３０、４０、５０、５０ａ、６０、７０……途中工程のプリント配線版
３１、１３１……絶縁層
３１ａ、１３１ａ……ビア用孔
４１ａ……開口部
５１……めっき下地導電層
６１……第１電解パネルめっきで形成された導体層
６１ａ……電解エッチング後の導体層
６２……第１電解パネルめっきで形成されたビア用孔コーナー部での導体層のでっぱり
６２ａ……電解エッチング後のビア用孔コーナー部の導体層形状
６３……第１電解パネルめっきで形成された貫通孔コーナー部での導体層のでっぱり
６３ａ……電解エッチング後の貫通孔コーナー部の導体層形状
７１、１５１……レジストパターン
８１……第２電解パネルめっきで形成された導体層
８１ａ、１６２ａ……配線層
８２、１６３……フィルドビア
８３……貫通スルーホール
６１……保護支持体
１００……プリント配線版
１６１……フィルドビア形成工程において、途中のめっき状態を示す導体層
１６２……フィルドビア形成工程において、途中のめっき状態を示すビア用孔のコーナー部での導体層のでっぱり
１７１……めっき液残留部
２００……めっき・エッチング・研磨処理装置
２１０……めっき槽
２１１……陰極
２１２……陽極
２２０……エッチング槽
２２１……陽極
２２２……陰極
２２３……隔膜
２３０……研磨手段
２３１……投入台
２３２……受取台
２３３……研磨ロール
２３４……搬送ローラー
２４１……クランプ
【図１】
2007173683.tif 000003
【図２】
2007173683.tif 000004
【図３】
2007173683.tif 000005
【図４】
2007173683.tif 000006
【図５】
2007173683.tif 000007
【図６】
2007173683.tif 000008
【図７】
2007173683.tif 000009
【図８】
2007173683.tif 000010
【図９】
2007173683.tif 000011