(57)【要約】【課題】  平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を実現するとともに、精度の高いシリコンウェーハの検査方法を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングするものである。  また、このエッチング方法を採用し、その表面をＸＰＳなどの手法によって検査することによって、精度のよいエッチング表面の検査を行うことができ、的確なシリコンウェーハの評価を行うことができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、
濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングする工程とを有することを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項２】
前記フッ素化処理が、シリコンウェーハ表面を、濃度０．０１〜５％のフッ化水素酸あるいはフッ化アンモニウム水溶液を用いて処理することによって行うことを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハのエッチング方法。
【請求項３】
表面に珪酸化膜、珪窒化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、属炭化膜、酸窒化物、珪化物、チタン酸塩、珪酸塩、金属間化合物および金属薄膜から選ばれた少なくとも一種の薄膜を有するシリコンウェーハの裏面をフッ素化処理する工程と、
濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ裏面を処理してシリコンをエッチングする工程と、
前記工程で得られたエッチング表面を検査する工程とを備えたことを特徴とするシリコンウェーハの検査方法。
【請求項４】
前記フッ素化処理が、シリコンウェーハ表面を、濃度０．０１〜５％のフッ化水素酸あるいはフッ化アンモニウム水溶液を用いて処理することによって行うことを特徴とする請求項３に記載のシリコンウェーハの検査方法。
【請求項５】
前記、メチル基含有アルカリ化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のシリコンウェーハの検査方法。
【請求項６】
前記表面を検査する手段が、Ｘ線光電子分光分析装置、二次イオン質量分析装置、オージェ電子分光装置のいずれかを用いることを特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載のシリコンウェーハの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ表面をエッチングする方法およびそれを用いて、シリコンウェーハ表面に形成された各種薄膜の状態を検査する方法であって、任意の特定領域部の表面状態および結合状態などの情報を得ることができる評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高性能な半導体素子開発によって、ウェーハ表面に形成される酸化膜、窒化膜などは極薄膜化してきており、さらに高誘電体膜として、珪化ハフニウム膜、珪化ジルコニウム膜、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛などの様々な金属間化合物から形成される薄膜を採用することが検討されている。そしてこれらの薄膜は、多数の薄膜が積層され複雑な層構成となっている。
【０００３】
このような薄膜を形成したシリコンウェーハを評価するために、これらの薄膜の状態を分析・解析することが行われているが、薄膜を形成したシリコンウェーハ表面からの解析は、薄膜化および構造の複雑化が進んでいることから、きわめて困難となってきている。そこで、薄膜を形成したシリコンウェーハの裏面から、シリコンをエッチング除去し、必要な薄膜の界面を観察あるいは分析評価することが必要となっている。このような裏面エッチングの表面は、観察分析のために平滑であることと、表面に異物が存在しないことが求められている。
【０００４】
従来シリコンウェーハのエッチング方法としては、水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ水溶液によるエッチングが知られている。ところがこの水酸化カリウムエッチング液には、エッチングの異方性があり、シリコンウェーハ表面にピラミッド型のシリコン残滓が残ってしまうという問題がある。この問題を解決するためにエッチング時間を長くすると結晶の（１００）方向のエッチングのみが進行し、さらに、シリコン基板表面のＳｉＯ２までもがエッチング除去されてしまうという問題がある。
このエッチングの異方性を改善する方法として、エッチング液にイソプロパノール（ＩＰＡ）を添加することが考えられるが、これによってもエッチングの異方性は改善されるものの、十分満足できるレベルではなかった。
【０００５】
また、アルカリエッチング液として、ＩＰＡを添加した水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）をエッチング液として用いることが知られている（非特許文献１参照）。この方法によれば、シリコンとシリコン酸化膜とのエッチングの選択比は、改善されるものの、エッチングの異方性は改善されず、平滑な表面が得られないという問題点があった。
【０００６】
また、エッチング液として、ＨＦ／ＨＮＯ３系の酸溶液も知られているが、このエッチング液を用いた場合には、ＳｉＯ２膜もエッチングされてしまいエッチング選択比が十分ではなかった。
【０００７】
【非特許文献１】Sensors andActuators A 93 (2001) 138-147
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハをエッチングする際に、エッチング異方性を抑制することによって、エッチング表面にシリコン残滓が残らず、平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を提供することを目的としている。
また、本発明の検査方法は、各種薄膜を形成したシリコンウェーハを裏面からエッチングし、シリコンとその表面に形成されている各種薄膜の界面の状態を解析してシリコンウェーハを評価する際に、エッチングの異方性およびエッチングの選択比を改善し、平滑な表面を得ることができるエッチング方法を用いた精度の高い検査方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の本発明は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングする工程とを有することを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法である。
【００１０】
前記第１の本発明において、前記フッ素化処理が、シリコンウェーハ表面を、濃度０．０１〜５％のフッ化水素酸あるいはフッ化アンモニウム水溶液を用いて処理することによって行うことが好ましい。
【００１１】
第２の本発明は、表面に珪酸化膜、珪窒化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属炭化膜、酸窒化物、珪化物、チタン酸塩、珪酸塩、金属間化合物および金属薄膜から選ばれた少なくとも一種の薄膜を有するシリコンウェーハの裏面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ裏面を処理してシリコンをエッチングする工程と、前記工程で得られたエッチング表面を検査する工程とを備えたことを特徴とするシリコンウェーハの検査方法である。
【００１２】
前記第２の本発明において、前記フッ素化処理が、シリコンウェーハ表面を、濃度０．０１〜５％のフッ化水素酸あるいはフッ化アンモニウム水溶液を用いて処理することによって行うことが好ましい。
また、前記第２の本発明において、前記メチル基含有アルカリ化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムであることが好ましい。
さらに、前記第２の本発明において、前記表面を検査する手段が、Ｘ線光電子分光分析装置、二次イオン質量分析装置、オージェ電子分光装置のいずれかを採用することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シリコンウェーハなどの試料を正確にエッチングし、表面状態を精度よく評価することが可能な手法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１の実施の形態］
本実施の形態のエッチング方法は、表面に各種薄膜を形成し、もしくは形成しないシリコンウェーハのシリコン面をフッ素化処理した後、メチル基を有するアルカリ水溶液でシリコンウェーハのシリコン面をエッチングする方法である。
【００１５】
（処理対象シリコンウェーハ）
本実施の形態において、処理対象としては、シリコンウェーハ、あるいは表面に各種薄膜を形成したシリコンウェーハが適しているが、これ以外に、ＳＯＩウェーハ、石英基板などの珪素材に適用することもできる。また、ウェーハ表面に形成する薄膜としては、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＲｕＯ２などの金属酸化物、ＴｉＮ，ＴａＮなどの金属窒化物、ＳｉＣのような金属炭化物、AlCuのような金属間化合物、ＳｉＯＮ、窒化ケイ酸ジルコニウム、窒化ケイ酸ジルコニウムなどの金属酸窒化物、ＣｏＳｉ２、ＮｉＳｉ２，ＴｉＳｉ２などの珪素化物、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛などのチタン酸塩や、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸ハフニウムなどのケイ酸塩、銅やアルミニウムなどの金属薄膜があげられ、これらを１種もしくは複数堆積したものであってもよい。これらの薄膜は、評価用として形成したものであってもよいし、実デバイスとして形成したものであってもよい。
【００１６】
（フッ素化処理工程）
この工程においては、前記処理対象シリコンウェーハの表面にフッ素原子を導入する工程である。具体的には、処理対象シリコンウェーハを、例えばフッ化水素酸、フッ化アンモニウムなどの水溶液によって処理することによって行うことができる。具体的には、処理対象シリコンウェーハの裏面に、フッ素化処理液を接触させ、所要の時間そのまま維持させた後、フッ素化処理液を純水で洗浄し、乾燥することによって行われる。
【００１７】
このフッ素化処理液の濃度としては、０．０１〜５％程度が適切である。処理液濃度がこの範囲を下回った場合には、フッ素原子導入反応の進行が遅く、処理に時間を要する。一方、処理液濃度が上記範囲を上回った場合には、反応速度が高く、シリコンウェーハ表面の平滑性が損なわれる結果となる。
【００１８】
処理時間は、処理液の濃度および処理温度とも関係があるが、０．５〜３０分間の範囲で行うことができる。処理時間がこれより短いと十分な量のフッ素原子がシリコンウェーハに導入されず、表面平滑性向上の効果を発揮しない。一方処理時間をこれより長くしても、それによって表面平滑性が改善されるわけではなく非効率である。
【００１９】
処理温度は、室温が適切である。温度が低いと、処理に要する時間が長くなる。一方、温度が高い場合には、反応速度が高くなり、シリコンウェーハ表面の平滑性が損なわれる。
【００２０】
（エッチング工程）
この工程は、前工程でシリコンにフッ素原子を導入し、Ｓｉ−Ｆ結合を形成したシリコンウェーハを、ついで、メチル基を有するアルカリ化合物溶液で処理することによりシリコンをエッチングする工程である。具体的には、フッ素原子を導入されたシリコンウェーハの裏面にメチル基を有するアルカリ化合物の溶液を接触させてエッチングをおこない、処理後、前工程同様エッチング液を純水で洗浄し乾燥することによって処理が完了する。
【００２１】
このエッチング処理工程において用いるエッチング液のアルカリ成分としては、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化ジメチルジエチルアンモニウム、水酸化メチルトリエチルアンモニウム、あるいはこれらの置換体を挙げることができるが、これらの内水酸化テトラメチルアンモニウムが、エッチング速度が速く最も好ましい。エッチング液には、上記メチル基を有するアルカリ化合物に加えて、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ化合物を併用することもできる。しかしながら、これらの無機アルカリ化合物は、上記メチル基を有するアルカリ化合物１００質量部に対して、１０質量部以下とすることが好ましい。
【００２２】
本実施形態のアルカリ溶液は、水溶液であってもよいし、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの有機溶媒溶液であってもよい。
その濃度は、１０〜３０％の範囲とすることが好ましく、さらに１２〜１５％の範囲がさらに好ましい。この濃度が、この範囲を逸脱した場合、表面平滑性が損なわれることになる。
エッチング時間は、エッチングするシリコンの膜厚に依存するが、１μｍ程度の厚さのシリコンをエッチング除去するのに、５〜１５分の範囲が適切である。
【００２３】
（ウェーハ処理用治具）
以下、本実施の形態のフッ素化処理およびエッチング処理において用いることのできるウェーハ処理用治具について説明する。
図１が、本発明でシリコンウェーハのフッ素化処理およびエッチングに用いるのに適したウェーハ処理用治具の１例を示す断面図である。
図１に示すように、本実施例のウェーハ処理用治具は、有底円筒状の容器基部１と、この容器基部１と螺子部５において螺合するようにねじ切りされ、フッ素化処理液あるいはエッチング液を注入し保持するための開口部６を有する円盤状の容器蓋部２と、この容器基部１および容器蓋部２とで形成される空間に配置され、評価対象となるシリコンウェーハ４を保持するための断面凸形状の保持部３とからなっている。シリコンウェーハ４は、該保持部３と容器蓋部２によって圧接され挟持されるようになっている。
【００２４】
そして、前記開口部６によってシリコンウェーハ４表面にフッ素化処理液およびエッチング液を供給することができるようになっている。シリコンウェーハ表面に付与されたフッ素化処理液あるいはエッチング液は、この開口部とシリコンウェーハによって形成される凹部に保持される。
開口部の形状としては、円状、矩形等、いかなる形状でも特に問題なく、また、開口部の大きさは、直径０．５〜１ｃｍ程度が望ましいが、大きさは試料サイズに併せて適宜、変更可能である。
上記ウェーハ処理用治具としては、耐薬品性が高いフッ素樹脂などで成形することが好ましく、ＰＴＦＥが特に適している。また、このフッ素樹脂は、極性が低いため、表面張力の高い処理液は、フッ素樹脂によって移動が阻止され、処理液の漏れを防止する機能を有する。
【００２５】
次に、本ウェーハ処理用治具を使用したフッ素化処理もしくはエッチングのプロセスについて説明する。
まず、図１に示すように、容器基部１の凹部に保持部３を配置し、保持部３上にシリコンウェーハ４を被検査面が上面となるように載置する。容器蓋部２を容器基部１に螺着してシリコンウェーハ４の端部を容器蓋部２と保持部３とで圧接して保持・固定する。
さらに、開口部６に、フッ素化処理液もしくはエッチング液を滴下し、シリコンウェーハ４の表面が、この処理液に浸漬するようにして、一定時間処理を行う。
この間、反応を促進するために、図示しないヒータ等の手段によって加熱することもできる。
上記反応が終了した後、処理液を清浄なピペットやテフロン（登録商標）チューブなどにより回収する。表面をさらに純水などで洗浄し、乾燥する。
【００２６】
（本実施の形態の効果）
上記エッチング処理工程によって、前記薄膜表面上のケイ素と二酸化ケイ素とのエッチング選択比が１／１０００〜１／５０００であって、平滑なエッチング表面を有するシリコンウェーハを得るプロセスを実現することができる。
【００２７】
［第２の実施の形態］
本実施の形態のシリコンウェーハの検査方法は、上記第１の実施の形態のエッチング方法によってエッチングされ表面に露出した各種薄膜の表面（シリコンとの界面）を、観察分析する検査方法である。以下、そのプロセスについて詳細に説明するが、本実施の形態において、フッ素化処理工程およびエッチング工程は、前記第１の実施の形態と同様であるのでその詳細な説明は省略し、処理対象シリコンウェーハ、検査工程について説明する。
【００２８】
（処理対象シリコンウェーハ）
本実施の形態において、処理対象としては表面に各種薄膜を形成したシリコンウェーハが適しているが、これ以外に、ＳＯＩウェーハ、石英基板などの珪素材に適用することもできる。またシリコンウェーハ表面に形成する各種薄膜としては、前記第１の実施の形態において示した薄膜材料を採用することができる。
【００２９】
（検査工程）
前記工程によって、薄膜を形成したシリコンウェーハの裏面をエッチングし、薄膜表面が露出したサンプルは、ついで薄膜表面をＸ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）、二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）、オージェ電子分光装置（ＡＥＳ）などの分析機器を用いてその薄膜の性状を分析することによって検査評価を行うことができる。これらの分析機器による評価手法はすでに汎用されている手段であり、いずれも本発明において採用することができる。
また、電子顕微鏡を用いて表面の状態を観察することによって評価することもできる。
【００３０】
（本実施の形態の効果）
本実施の形態によって、各種薄膜を有するシリコンウェーハの薄膜とシリコンとの平滑な界面を得ることができるため、その性状を精度よく検査することができるため、的確なシリコンウェーハの評価を行うことができる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明に関わる実施例および比較例により、更に詳細に本発明を説明する。
【００３２】
（実施例１〜６、比較例１〜５）
試料として、市販の８インチシリコンウェーハを用意した。このシリコンウェーハを、１ｃｍ×１ｃｍに切り出してシリコンウェーハ試料を準備した。このシリコンウェーハ試料を、試料表面がウェーハエッチング治具開口部に露出するように、図１のウェーハエッチング治具にセットした。この開口部に、１％ＨＦを０．５ｍｌ注液し、３分間維持して、シリコンウェーハ試料表面をフッ素化処理した。次に、このシリコンウェーハ試料表面を純水で洗浄し、ウェーハエッチング治具に装着したまま乾燥させた。
ついで、前記ウェーハエッチング治具開口部に、下記表１に示す配合のエッチング液０．５ｍｌを注液し、エッチング治具全体を８０℃に加熱したまま１０分間維持して、シリコンウェーハ試料表面をエッチング処理した。エッチング終了後、このエッチング処理液をピペットで回収後、速やかに表面を純水で洗浄し、乾燥させ、エッチングしたシリコンウェーハ試料を得た。
エッチング後、エッチング表面状態を光学顕微鏡で観察した。その結果を表１に示す。また、実施例１，２，６および比較例４，５，３，１のエッチング後の表面の電子顕微鏡写真を図２、図３に示す。図２において、左上から横方向に向かって、実施例１、実施例２（２枚）、実施例６の結果を示し、図３において同じく左上から横方向に向かって、比較例４、比較例５、比較例３及び比較例１の結果を示す。
【００３３】
【表１】
2007207783.tif 000002
【００３４】
表１および図２、図３の結果から、本実施例によるエッチングによれば、シリコンウェーハの平滑な表面を得ることができることが明らかとなった。
【００３５】
（実施例７）
試料として、シリコンウェーハ上に１００ｎｍＳｉＯＮ膜／３００ｎｍポリＳｉ膜を堆積した膜を用意した。このシリコンウェーハ試料を、１ｃｍ×１ｃｍに切り出した。このシリコンウェーハ試料を、試料裏面がウェーハエッチング治具開口部に露出するように、図１のウェーハエッチング治具にセットした。この開口部に、１％ＨＦを０．５ｍｌ注液し、３分間維持して、シリコンウェーハ試料表面をフッ素化処理した。次に、このシリコンウェーハ試料表面を純水で洗浄し、ウェーハエッチング治具に装着したまま乾燥させた。
ついで、前記ウェーハエッチング治具開口部に、１５％ＴＭＡＨを０．５ｍｌ注液し、エッチング治具全体を８０℃に加熱したまま１０分間維持して、シリコンウェーハ試料表面をエッチング処理した。エッチング終了後、このエッチング処理液をピペットで回収後、速やかに表面を純水で洗浄し、乾燥させ、裏面エッチングしたシリコンウェーハ試料を得た。なお、エッチング終了は、エッチング治具開口部からシリコンウェーハ裏面表面を観察し、その表面の色調の変化を目視によって判定した。
また、エッチング処理した表面を、光電子分光装置（ＸＰＳ）ＰＨＩ社製Quantera SXM装置を用い、単結晶分光AlKα線を５０Ｗ照射し、発生した各元素の光電子を解析した。その結果を図４に示す。
【００３６】
（比較例６）
エッチング液として、５％ＫＯＨ水溶液を用いたこと以外は、実施例７と同様にして、ＳｉＯＮ膜を形成したシリコンウェーハ試料の裏面をエッチングし、実施例７と同様にして露出したＳｉＯＮ表面をＸＰＳにより測定した。その結果を図４に併せて示す。図４において、図４（ａ）が、実施例７によって得られたグラフであり、図４（ｂ）が、比較例６によって得られたグラフである。
【００３７】
図４より、明らかなように、ＴＭＡＨをエッチング液として用いた場合は、ＸＰＳのピーク分離が明確に現れているが、ＫＯＨの場合は残存するケイ素の妨害で分離が困難であることが判明した。
【００３８】
（比較例７）
シリコンウェーハ試料として、実施例７と同様にＳｉウェーハ上に１００ｎｍＳｉＯＮ膜／３００ｎｍポリＳｉ膜を用意した。ＨＦ／ＨＮＯ３混合溶液（ＨＦ（５０％）：ＨＮＯ３（６８％）＝１：１００）溶液中に上記シリコンウェーハ試料を浸漬し、引き続き、該シリコンウェーハ試料をＨＦ／ＨＮＯ３混合溶液（ＨＦ（５０％）：ＨＮＯ３（６８％）＝１：１００）中から、１ｃｍ／１ｍｉｎの速度で引き上げ、エッチングを行った。
引き上げ終了後、速やかにシリコンウェーハ試料表面を純水で洗浄し、ＨＦを完全除去し、乾燥させた。
この結果、ウェーハ引き上げ時に化学反応により、表面に凹凸が発生し、また局所的にエッチングが進み、ＳｉＯＮ膜がエッチングされ、ＸＰＳでの測定が困難であった。
【００３９】
（比較例８）
シリコンウェーハの裏面エッチングを行う前のフッ素化処理を省略した他は、実施例７と同等の方法によってシリコンウェーハの処理を行った。
この結果、ウェーハ表面に残存する珪酸化膜の影響を受け、１５％ＴＭＡＨ注液によっても表面のエッチングが進まず、ＸＰＳでの測定が困難であった。
【００４０】
以上の結果、エッチング前フッ素化処理を施し、メチル基を有するアルカリ化合物をエッチング液として用いた本実施例のプロセスによれば、エッチング表面はきわめて平滑で、その表面を用いて元素分析を行った結果、元素の分解能において優れていた。一方、シリコンウェーハ表面のエッチング前のフッ素化処理を行わなかった場合、また、メチル基を有するアルカリ化合物以外のアルカリを用いた場合には、エッチング表面は平滑でなく、ピラミッド状突起がみられ、この表面について元素分析を行った結果、分解能が劣っていた。
【００４１】
（実施例８〜１２、比較例８〜１２）  フッ素化処理条件の検討
実施例７において、フッ素化処理液として、表２に示すものを用いたこと以外は実施例７と同様にしてシリコンウェーハ試料のエッチング処理を行った。その結果を表２に併せて示す。
【００４２】
【表２】
2007207783.tif 000003
【００４３】
上記実施例および比較例の結果、フッ素化処理の条件として、フッ素化処理液濃度が０．０１〜５％の範囲、およびフッ素化処理時間が、０．５〜３０分の範囲であることが適切であることが判明した。
【００４４】
（実施例１３−１６、比較例１３−１６）  エッチング条件の検討
実施例７において、エッチング液として、表３に示すものを用いたこと以外は実施例７と同様にしてシリコンウェーハ試料のエッチング処理を行った。その結果を表３に併せて示す。
【００４５】
【表３】
2007207783.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明において用いることができるウェーハエッチング治具の断面図。
【図２】本発明実施例によってえられたシリコンウェーハのエッチング表面を示すＳＥＭ写真。
【図３】比較例によってえられたシリコンウェーハのエッチング表面を示すＳＥＭ写真。
【図４】実施例および比較例によって得られたシリコンウェーハエッチング表面のＸＰＳによる測定結果を示すチャート。
【符号の説明】
【００４７】
１…容器基部
２…容器蓋部
３…保持部
４…シリコンウェーハ
５…螺子部
６…開口部
【図１】
2007207783.tif 000005
【図４】
2007207783.tif 000006
【図２】
2007207783.tif 000007
【図３】
2007207783.tif 000008