(57)【要約】【課題】基板を確実に保持でき、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板保持装置は、円板状の基板１２の外周部１４を係止するための凹部１６が先端１８に形成され、該先端１８が基板１２の中心の方向に突出して基板１２を外周部１４における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器２０を有してなり、係止器２０は、基板１２の厚さ方向の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して少なくとも先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に傾斜している。【選択図】図２
2007213730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板の外周部を係止するための凹部が先端に形成され、該先端が前記基板の中心の方向に突出して前記基板を前記外周部における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器を有してなり、該係止器は、前記基板の厚さ方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記厚さ方向の両側の側面が前記基板の表面に対して少なくとも前記先端の近傍において前記基板の中心を臨む方向に傾斜していることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記係止器は、前記基板の円周方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記円周方向の両側の側面が前記基板の径方向に対して少なくとも前記先端の近傍において傾斜していることを特徴とする基板保持装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記係止器の前記厚さ方向の少なくとも片側の側面は、少なくとも前記先端の近傍において前記基板の表面に対する傾斜角が前記先端に近い程小さい、断面が凹の略円弧形であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記係止器は、少なくとも一部が略Ｌ字形に曲折された板状部材を有し該板状部材の一端に前記凹部が形成され、該板状部材の弾性により前記凹部が前記基板の外周部に付勢されて当接するように構成されたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記係止器の先端における前記厚さ方向の幅が前記基板の厚さよりも小さいことを特徴とする基板保持装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記係止器の凹部は、前記基板の外周部における面取り部分だけを収容して該基板の外周部を係止する形状であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項７】
凹凸パターンの記録層が形成された円板状の基板の表面に前記凹凸パターンの凹部を充填するための充填材を成膜する充填材成膜工程と、前記基板の表面に加工用ガスを照射して前記充填材のうち前記凹凸パターンの凸部よりも上に成膜された余剰の充填材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、をこの順で実行し、前記平坦化工程において、前記基板の外周部を係止する凹部が先端に形成され、該先端が前記基板の中心の方向に突出して前記基板を前記外周部における複数の位置において支持するように設置された複数の係止器を有し、該係止器は、前記基板の厚さ方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記厚さ方向の両側の側面が前記基板の表面に対して少なくとも前記先端の近傍において前記基板の中心を臨む方向に傾斜する基板保持装置を用いて前記基板を保持することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記基板保持装置は、前記係止器の前記厚さ方向の少なくとも片側の側面が少なくとも前記先端の近傍において前記基板の表面に対する傾斜角が前記先端に近い程小さい、断面が凹の略円弧形であり、且つ、前記先端の傾斜角が前記加工用ガスの照射角と同等又はこれよりも前記基板の表面に近い角度であり、この基板保持装置を用いて前記平坦化工程において前記基板を保持することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持装置及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク等の磁気記録媒体は一般的に両面に記録層を備えており、生産性を高めるためには、記録層等の成膜を基板の両面に同時に行うことが好ましい。このようなニーズに対し、両面が露出するように基板の外周部を保持する基板保持装置が知られている（例えば、特許文献１、２、３参照）。これらの基板保持装置は、先端に基板の外周部を係止するための凹部が形成された係止器で基板を保持するようになっている。
【０００３】
磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００４】
しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジやクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきているため、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、連続記録層を多数の分割記録要素に分割してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている。
【０００５】
尚、表面の凹凸が大きいと磁気ヘッドの良好な浮上特性が得られないため、凹凸パターンの記録層の上に凹部を充填するための充填材を成膜し、凸部よりも上に成膜された余剰の充填材を除去して表面を平坦化することが好ましい。
【０００６】
表面を平坦化する手法としては、Ａｒ等の加工用ガスを基板の表面に対して傾斜した方向から照射するイオンミリング又はイオンビームエッチングと称される手法を用いることができる。所望のレベルまで表面を平坦化するために、基板の表面に対して例えば１５°以下程度の低い照射角で加工用ガスを照射することが想定されている。
【０００７】
生産性を高めるためにはこのような平坦化工程においても、上述のような基板保持装置で基板を保持し、基板の両面を同時に平坦化することが期待される。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−８９８５１号公報
【特許文献２】特開平６−２４８４５１号公報
【特許文献３】特開平６−１１６７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、基板の表面に対して低い照射角で加工用ガスを照射する場合、係止器で保持された基板の外周部が係止器の陰となるだけでなく、これよりも径方向の内側の領域も係止器の陰となる。従って、基板の全面に加工用ガスが均一に照射されず、基板の全面を均一に加工することが困難である。尚、基板を回転させながら加工用ガスを照射することで、一時的に加工用ガスが照射されない領域にも加工用ガスを照射できるが、照射角が低い場合には、係止器に近い部位と係止器から離れた部位とでエッチング量に差が生じる。これにより所望のレベルまで表面を平坦化することができず、ヘッドの良好な浮上特性が得られないという問題がある。
【００１０】
これに対し、基板保持装置の係止器の陰となる領域を充分に小さく抑制する程度に係止器の（基板の厚さ方向の）幅を小さくすると係止器の剛性が不充分となり、係止器の作製時や基板の装着時、基板の加工時に係止器が変形することがある。従って、基板を確実に保持することが困難である。
【００１１】
尚、従来の連続記録層を備える磁気記録媒体を製造する場合は、成膜工程等において基板の表面に対して垂直な方向から粒子を照射するため、このような問題は生じなかった。
【００１２】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、基板を確実に保持でき、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる基板保持装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基板の厚さ方向の係止器の幅が先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように係止器の厚さ方向の両側の側面が基板の表面に対して少なくとも先端の近傍において基板の中心を臨む方向に傾斜している基板保持装置により上記目的を達成するものである。
【００１４】
このように、基板の厚さ方向の係止器の幅が先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように係止器の厚さ方向の両側の側面が基板の表面に対して先端の近傍において基板の中心を臨む方向に傾斜しているので、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の表面における係止器の陰となる領域が小さく抑制され、基板の表面を全面に亘って均一に平坦化できる。一方、係止器の基板の厚さ方向の幅は先端から離れる方向に単調に広くなるので、係止器の剛性が高く基板を確実に保持できる。
【００１５】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成できる。
【００１６】
（１）円板状の基板の外周部を係止するための凹部が先端に形成され、該先端が前記基板の中心の方向に突出して前記基板を前記外周部における複数の位置において支持するように設置される複数の係止器を有してなり、該係止器は、前記基板の厚さ方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記厚さ方向の両側の側面が前記基板の表面に対して少なくとも前記先端の近傍において前記基板の中心を臨む方向に傾斜していることを特徴とする基板保持装置。
【００１７】
（２）  （１）において、前記係止器は、前記基板の円周方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記円周方向の両側の側面が前記基板の径方向に対して少なくとも前記先端の近傍において傾斜していることを特徴とする基板保持装置。
【００１８】
（３）  （１）又は（２）において、前記係止器の前記厚さ方向の少なくとも片側の側面は、少なくとも前記先端の近傍において前記基板の表面に対する傾斜角が前記先端に近い程小さい、断面が凹の略円弧形であることを特徴とする基板保持装置。
【００１９】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記係止器は、少なくとも一部が略Ｌ字形に曲折された板状部材を有し該板状部材の一端に前記凹部が形成され、該板状部材の弾性により前記凹部が前記基板の外周部に付勢されて当接するように構成されたことを特徴とする基板保持装置。
【００２０】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記係止器の先端における前記厚さ方向の幅が前記基板の厚さよりも小さいことを特徴とする基板保持装置。
【００２１】
（６）  （１）乃至（５）のいずれかにおいて、前記係止器の凹部は、前記基板の外周部における面取り部分だけを収容して該基板の外周部を係止する形状であることを特徴とする基板保持装置。
【００２２】
（７）凹凸パターンの記録層が形成された円板状の基板の表面に前記凹凸パターンの凹部を充填するための充填材を成膜する充填材成膜工程と、前記基板の表面に加工用ガスを照射して前記充填材のうち前記凹凸パターンの凸部よりも上に成膜された余剰の充填材を除去して表面を平坦化する平坦化工程と、をこの順で実行し、前記平坦化工程において、前記基板の外周部を係止する凹部が先端に形成され、該先端が前記基板の中心の方向に突出して前記基板を前記外周部における複数の位置において支持するように設置された複数の係止器を有し、該係止器は、前記基板の厚さ方向の幅が前記先端の方向に該先端まで単調に小さくなるように前記厚さ方向の両側の側面が前記基板の表面に対して少なくとも前記先端の近傍において前記基板の中心を臨む方向に傾斜する基板保持装置を用いて前記基板を保持することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（８）  （７）において、前記基板保持装置は、前記係止器の前記厚さ方向の少なくとも片側の側面が少なくとも前記先端の近傍において前記基板の表面に対する傾斜角が前記先端に近い程小さい、断面が凹の略円弧形であり、且つ、前記先端の傾斜角が前記加工用ガスの照射角と同等又はこれよりも前記基板の表面に近い角度であり、この基板保持装置を用いて前記平坦化工程において前記基板を保持することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
尚、本出願において「係止器の厚さ方向の側面の基板の表面に対する傾斜角」とは、基板の径方向及び厚さ方向に平行な断面において、基板の中心の方向に臨む係止器の厚さ方向の側面の接線と基板の表面とがなす角のうち小さい方の角という意義で用いることとする。
【００２５】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板を確実に保持し、且つ、低い照射角で加工用ガスを照射する場合であっても基板の両面を全面に亘って均一に平坦化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
図１及び図２に示されるように、本発明の第１実施形態に係る基板保持装置１０は、円板状の基板１２の外周部１４を係止するための凹部１６が先端１８に形成され、先端１８が基板１２の中心の方向に突出して基板１２を外周部１４における複数の位置において支持するように設置される複数（本第１実施形態では３つ）の係止器２０を有している。
【００２９】
基板保持装置１０は、基板１２の厚さ方向の係止器２０の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に対称的に傾斜していることを特徴としている。
【００３０】
基板１２は、厚さが４００〜７００μｍ、直径は２０〜９０ｍｍで、材料はガラス、セラミック、グラッシーカーボン、アルミニウム等の非磁性材である。外周部１４は、最外周から径方向内側に０．１〜０．２ｍｍの部分が表面に対して約３０〜６０°で面取りされた面取り部分１４Ａとなっている。
【００３１】
３つの係止器２０は、先端１８の凹部１６において基板１２の外周部１４を円周方向に３等分する位置で係止するように設置されている。
【００３２】
３つの係止器２０のうち、２つの係止器２０は、略Ｌ字形に曲折された板状部材２４を有してなり、該板状部材２４の一端に凹部１６が形成されている。これら２つの係止器２０は、凹部１６が形成された一辺が基板１２の径方向に沿うように配置されると共に他の一辺の先端近傍においてねじ２６及び取付け部材２８によりベース部２９に取付けられ、該板状部材２４の弾性により凹部１６が基板１２の外周部１４に付勢されて当接するように構成されている。
【００３３】
又、他の１つの係止器２０は、（一部が略Ｌ字形の）略コ字形に曲折された板状部材３０を有してなり、該板状部材３０の一端に凹部１６が形成されている。この係止器２０は、凹部１６が形成された一辺が基板１２の径方向に沿うように配置されると共にこれに対向する他の辺の先端近傍においてねじ２６及び取付け部材３４によりベース部２９に取付けられ、該板状部材３０の弾性により凹部１６が基板１２の外周部１４に付勢されて当接するように構成されている。尚、板状部材２４、３０の厚さは約０．１〜０．７ｍｍである。又、板状部材２４、３０の材料としては、例えばステンレス、Ｔｉ合金、Ａｌ合金、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金等を用いることができる。
【００３４】
これら係止器２０の先端１８の近傍の基板１２の周方向の側方から見た輪郭はいずれも逆Ｗ字状であり、厚さ方向の両側の側面２２は基板１２の表面に対して２０〜７０°傾斜している。尚、係止器２０の先端１８における基板１２の厚さ方向の幅は約０．８〜１．２ｍｍで基板１２の厚さよりも大きい。又、厚さ方向の側面２２における傾斜した部分以外の部分の厚さ方向の幅は２〜５ｍｍである。又、係止器２０は、基板１２の厚さ方向の幅よりも基板１２の周方向の幅が小さい。
【００３５】
先端１８の凹部１６は、基板１２の周方向の側方から見た形状が略Ｖ字状である。凹部１６の内側の２つの側面がなす角度は１２０〜１７０°であり、１６０°程度であることが好ましい。凹部１６は、基板１２の外周部１４における面取り部分１４Ａだけを収容して基板１２の外周部１４を係止する形状となっている。
【００３６】
尚、「基板１２の外周部１４における面取り部分１４Ａだけを収容して基板１２の外周部１４を係止する形状」とは、図２に示されるように、係止器２０の先端１８が、基板１２の最外周１４Ｂよりも径方向内側、且つ、面取り部分１４Ａの内周１４Ｃよりも径方向外側の範囲内で基板１２の面取り部分１４Ａの厚さ方向の両側において基板１２の径方向内側に突出する形状という意義で用いることとする。
【００３７】
ベース部２９は、内径が基板１２の外径よりも若干大きい孔２２Ａを有するリング状の板状体で、この孔２２Ａに基板１２を収容するようになっている。ベース部２９の材料としては、例えばステンレス、Ｔｉ合金、Ａｌ合金、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金、Ｍｇ合金等を用いることができる。尚、ベース部２９厚さは２〜５ｍｍである。
【００３８】
ベース部２９の片面には略Ｌ字形の２つの係止器２０を収容する２つの略Ｌ字形の凹部２９Ｂと、略コ字形の１つの係止器２０を収容する略コ字形の１つの凹部２９Ｃが形成されている。
【００３９】
これら凹部２９Ｂ及び２９Ｃは、係止器２０の先端１８が基板１２の径方向に撓むことができるように、係止器２０との間に隙間を有して係止器２０を収容できる形状となっている。又、これら凹部２９Ｂ及び２９Ｃには、係止器２０を取付けるための図示しないねじ孔が形成されている。
【００４０】
図３は、基板保持装置１０が設置されるイオンビームエッチング装置４０の構造を模式的に示す正面図、図４は同平面図である。
【００４１】
イオンビームエッチング装置４０は、真空チャンバ４２と、真空チャンバ４２内に基板保持装置１０を固定するための固定部４４と、基板保持装置１０に保持された基板１２の両面にＡｒ等の加工用ガスのイオンを照射するための２つのイオンガン４６と、を備えている。尚、本出願において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に一様に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。
【００４２】
固定部４４は、基板１２がその表面に沿って回転するように基板保持装置１０を駆動可能とされている。
【００４３】
２つのイオンガン４６は、基板１２の両面に対して１５°以下の低い角度で加工用ガスのイオンを照射するように、基板１２の厚さ方向の一方側と他方側に対称的に設置されている。尚、これらイオンガン４６は、互いに他のイオンガン４６に対して加工用ガスのイオンを照射しないように設置されている。
【００４４】
次に、図５のフローチャートに沿って基板保持装置１０を用いた磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、図６に示されるように、両面に凹凸パターンの記録層５２が形成された基板１２を基板保持装置１０に保持する。尚、図６は、本第１実施形態の理解のため、記録層５２の凹凸パターンを実際よりも強調して描いている。係止器２０の基板１２の厚さ方向の幅は先端１８から離れる方向に単調に広くなる形状であるので、係止器２０は剛性が高く、歪みが発生することなく基板１２を確実に保持できる。尚、記録層５２の材料としては、ＣｏＣｒ合金等の鉄族元素（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ）を含む合金やこれらの積層体等を用いることができる。又、記録層５２を凹凸パターンに加工する手法としては、リソグラフィやドライエッチングを用いることができる。ディスクリートトラックメディアの場合は記録層５２はデータ領域においてトラックの形状で形成され、パターンドメディアの場合はデータ領域においてトラックが微細なピッチで円周方向（セクタの方向）に分割された形状で形成される。尚、サーボ領域においては、記録層５２は所定のサーボパターンの形状で形成される。
【００４６】
この基板保持装置１０を図示しないスパッタリング装置に設置し、図７に示されるように、基板１２の両面に記録層５２の凹凸パターンの凹部を充填するための充填材５４を成膜する（Ｓ１０２）。充填材５４の材料としては、ＳｉＯ２等を用いることができる。充填材５４は、凹部内を充填すると共に凸部の上にも形成され、記録層５２の凹凸パターンに倣った凹凸パターンで成膜される。充填材５４の凹凸の段差を小さく抑制するためには、基板１２にバイアス電圧を印加して充填材５４を成膜することが好ましい。
【００４７】
次に、基板保持装置１０をイオンビームエッチング装置４０に設置し、基板保持装置１０と共に基板１２を表面に沿って回転させながら基板１２の両面にイオンガン４６から加工用ガスのイオンを照射し、図８に示されるように記録層５２の凸部の上面よりも上に成膜された余剰の充填材５４を除去して、基板１２の両面を平坦化する（Ｓ１０４）。
【００４８】
この際、Ａｒイオンの照射角を基板１２の表面に対して例えば１５°以下の低い角度とすることで、凸部のエッチングレートが凹部のエッチングレートよりも著しく大きくなり、効率良く平坦化することができる。ここで「照射角」とは、基板１２の表面に対する照射角度であって、基板１２の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が基板１２の表面と平行である場合、照射角は０°である。
【００４９】
尚、基板１２は外周部１４において係止器２０で係止されているので、係止された部分の周辺は一時的にイオンガン４６から照射される加工用ガスのイオンの陰となるが、基板１２が回転しているので、ほぼ全面に加工用ガスのイオンが照射される。
【００５０】
更に、係止器２０は厚さ方向の幅が先端１８の方向に先端１８まで単調に小さくなるように厚さ方向の両側の側面２２が基板１２の表面に対して先端１８の近傍において基板１２の中心を臨む方向に傾斜しているので、低い照射角で加工用ガスのイオンを照射しても基板１２の表面において一時的に係止器２０の陰となる領域は小さい。従って、係止器２０の極近傍を除いて、基板１２の両面をほぼ全面に亘って均一に平坦化できる。
【００５１】
尚、基板１２と共に基板保持装置１０が回転するため、係止器２０における先端１８から離れた部分（図８において厚さ方向の側面２２が傾斜していない部分）が基板１２への加工用ガスの照射を遮る時間は一時的であるので、係止器２０における先端１８から離れた部分の側面は傾斜していなくても、先端１８の近傍において係止器２０の厚さ方向の両側の側面２２が、幅が先端１８の方向に先端１８まで単調に小さくなるように基板１２の表面に対して傾斜していれば、基板１２の表面をほぼ全面に亘って均一に平坦化する充分な効果が得られる。
【００５２】
次に、ＣＶＤ法により基板１２の両面の記録層５２及び充填材５４の上面に保護層５６を形成する（Ｓ１０６）。尚、保護層５６の材料としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等を用いることができる。
【００５３】
更に、ディッピング法により基板１２の両面の保護層５６の上に潤滑層５８を塗布する（Ｓ１０８）。尚、潤滑層５８の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）等を用いることができる。これにより、図９に示されるような磁気記録媒体６０が完成する。
【００５４】
尚、係止器２０は、充填材成膜工程（Ｓ１０２）において充填材５４が付着したり、平坦化工程（Ｓ１０４）において加工用ガスでエッチングされたりするため定期的に交換される。
【００５５】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００５６】
図１０に示されるように、本第２実施形態は前記第１実施形態に対し、係止器２０の厚さ方向の両側の側面２２が、先端１８の近傍において基板１２の表面に対する傾斜角θが先端１８に近い程小さい、断面が凹の略円弧形であることを特徴としている。他の構成については前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５７】
図１１に示されるように、係止器２０の厚さ方向の両側の側面２２の基板１２の表面に対する傾斜角θは、先端１８において平坦化工程（Ｓ１０４）の加工用ガスの照射角と同等又はこれよりも基板１２の表面に近い角度である。
【００５８】
このように係止器２０の厚さ方向の両側の側面２２を、先端１８の近傍において基板１２の表面に対する傾斜角θが先端１８に近い程小さい、断面が凹の略円弧形とすることで係止器２０の厚さ方向の先端１８の近傍の部分の幅が小さくなり、幅が小さくなった分だけ、符号Ｇを付した矢印で示されるような係止器２０の先端１８の近傍付近に照射される加工用ガスは、係止器２０における先端１８の近傍の部分に遮れられにくくなり、平坦化工程（Ｓ１０４）において基板１８の表面における加工用ガスの一時的に係止器２０の陰となる領域を小さく抑制できる。
【００５９】
尚、この場合も、加工用ガスが係止器２０の先端１８が突出する方向に完全に平行に照射されている時は、係止器２０における先端１８から離れた部分（図１１において厚さ方向の側面２２が傾斜していない部分）が一時的に先端１８の近傍への加工用ガスの照射を遮るが、この状態から基板１２と共に基板保持装置１０が少しでも回転すれば、係止器２０における先端１８の近傍に加工用ガスが照射され、基板１２の表面に到達する。
【００６０】
更に、係止器２０の厚さ方向の両側の側面２２の基板１２の表面に対する傾斜角θを先端１８において、平坦化工程（Ｓ１０４）の加工用ガスの照射角と同等又はこれよりも基板１２の表面に近い角度とすることで、符号Ｇを付した矢印で示されるような係止器２０における先端１８の近傍に照射される加工用ガスは、係止器２０における先端１８の近傍の部分に一層遮れられにくくなり、平坦化工程（Ｓ１０４）において基板１８の表面における加工用ガスの一時的に係止器２０の陰となる領域を一層小さく抑制できる。
【００６１】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００６２】
図１２及び図１３に示されるように、本第３実施形態は前記第１実施形態に対し、基板１２の円周方向の係止器２０の幅が先端１８の方向に該先端１８まで単調に小さくなるように円周方向の両側の側面７０も基板１２の径方向に対して先端１８の近傍において対称的に傾斜していることを特徴としている。他の構成については前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
このように、円周方向の両側の側面７０も基板１２の径方向に対して先端１８の近傍において対称的に傾斜する形状とすることで、係止器２０に遮られて基板１２の表面に照射されない加工用ガスの量を更に低減できる。
【００６４】
尚、円周方向の側面７０の一方又は両方は、少なくとも先端１８の近傍において基板１２の径方向に対する傾斜角が先端１８に近い程小さい、基板１２の厚さ方向から見た断面が凹の略円弧形としてもよい。
【００６５】
又、上記第１〜第３実施形態において、係止器２０は、先端１８の近傍の部分のみにおいて厚さ方向の側面２２が基板１２の表面に対して傾斜しているが、係止器２０の長さや平坦化工程（Ｓ１０４）における加工用ガスの照射角に応じて、例えば、先端１８から離れた部分まで厚さ方向の側面２２が単調に傾斜する形状としてもよい。
【００６６】
同様に、上記第３実施形態において、例えば、先端１８から離れた部分まで円周方向の側面７０が基板１２の径方向に対して傾斜する形状としてもよい。
【００６７】
又、上記第１〜第３実施形態において、係止器２０の先端１８における基板１２の厚さ方向の幅は約０．８〜１．２ｍｍで基板１６の厚さよりも大きいが、図１４に示される本発明の第４実施形態のように、基板の外周部１４の端部の厚さよりも大きければ、係止器２０の先端１８における厚さ方向の幅は基板１６の（面取部分１４Ａ以外の部分の）厚さよりも小さくしてもよい。このようにすることで、係止器２０に遮られて基板１２の表面に照射されない加工用ガスの量を更に低減できる。
【００６８】
又、上記第１〜第３実施形態において、３つの係止器２０は、外周部１４を３等分する位置において基板１２を係止するように設置されているが、円周方向に離れた位置であれば、外周部１４を３等分する位置から若干ずれた位置において基板１２の外周部１４を係止してもよい。
【００６９】
又、上記第１〜第３実施形態において、３つの係止器２０で基板１２を係止しているが、４つ以上の係止器で基板を係止してもよい。
【００７０】
又、上記第１〜第３実施形態において、基板１２を１枚だけ加工する例を示しているが、例えば、基板保持装置１０を複数用いて複数の基板１２を同時に加工してもよい。又、複数組の係止器を備え複数の基板を保持する構成の１つの基板保持装置を用いて複数の基板１２を同時に加工してもよい。
【００７１】
又、上記第１〜第３実施形態において、基板１２の両面を同時に加工する例を示しているが、例えば、基板１２の両面を別々の工程で加工してもよい。
【００７２】
又、上記第１〜第３実施形態の平坦化工程（Ｓ１０４）において、加工用ガスとしてＡｒ等を用いたイオンビームエッチングで余剰の充填材５４を除去し、基板１２の両面を平坦化しているが、充填材５４と化学的に反応して充填材５４を脆化させる性質を有するガスを含むガスを加工用ガスとする反応性イオンビームエッチングや反応性イオンエッチング等の他のドライエッチングの手法を用い、加工用ガスを基板１２に低い照射角で照射して基板１２の両面を平坦化してもよい。
【００７３】
又、上記第１〜第３実施形態において、両面に凹凸パターンの記録層５２が形成された基板１２を充填材成膜工程（Ｓ１０２）から基板保持装置１０に保持しているが、充填材成膜工程（Ｓ１０２）よりも前の工程から基板１２を基板保持装置１０に保持してもよい。例えば、基板１２に加工前の連続記録層を成膜する工程や、連続記録層を凹凸パターンに加工する工程から基板１２を基板保持装置１０に保持してもよい。
【００７４】
又、上記第１〜第３実施形態において、記録層５２は基板１２の上に直接形成されているが、基板１２と記録層５２との間に下地層、軟磁性層、配向層等の他の層を形成してもよい。
【００７５】
又、上記第１〜第３実施形態において、記録層５２の凹凸パターンとしてディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアの凹凸パターンが例示されているが、螺旋形状の記録層を有する磁気ディスクの製造についても本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【実施例１】
【００７６】
上記第１実施形態のとおり磁気記録媒体６０を作製した。
【００７７】
基板１２の形状は、以下のとおりである。
【００７８】
直径：６３．５ｍｍ（２．５インチ）
厚さ：６３５μｍ
【００７９】
記録層５２の形状は以下のとおりである。
【００８０】
厚さ：２０ｎｍ
データ領域の凹凸パターン：凸部がトラックの形状の凹凸パターン
（ディスクリートトラックメディアの凹凸パターン）
ライン幅（凸部の幅）：９０ｎｍ
スペース幅（凹部の幅）：６０ｎｍ
【００８１】
係止器２０の形状は以下のとおりである。
【００８２】
厚さ方向の側面２２の傾斜した部分の範囲：先端１８から基板１２の径方向に約２ｍｍ
側面２２の傾斜した部分の基板１２の表面に対する傾斜角：約２６°
先端１８における基板１２の厚さ方向の幅：約１ｍｍ
傾斜した部分を除く側面２２の厚さ方向の幅：３ｍｍ
凹部１６の内側の側面がなす角度：約１６０°
厚さ（基板１２の円周方向の幅）：約０．５ｍｍ
（板状部材２４、３０）の材料：ＳＵＳ３０３（ステンレス）
【００８３】
充填材成膜工程（Ｓ１０２）では、充填材５４を約７０ｎｍの厚さで成膜した。
【００８４】
平坦化工程（Ｓ１０４）では、基板保持装置１０と共に基板１２を表面に沿って回転させながら、基板１２の表面に対して約２°の照射角でＡｒのイオンを基板１２の両面に照射し、基板１２の両面を平坦化した。
【００８５】
図１５は、平坦化工程（Ｓ１０４）後、基板１２の外周部１４における係止器２０で係止されていた部分の近傍を光学顕微鏡で撮影した写真である。尚、図１５の上部の黒い部分は外周部１４の面取り部１４Ａ及び面取り部１４Ａよりも径方向外側の基板１２が存在しない領域であり、これよりも下の白い部分は面取り部１４Ａよりも径方向内側の部分である。
【００８６】
図１５において白い部分の上端の水平方向の中央近傍に周囲よりも若干色が濃い部分がある。この部分は、充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す。
【実施例２】
【００８７】
上記第２実施形態のとおり、磁気記録媒体６０を作製した。具体的には、実施例１に対し、厚さ方向の両側の側面２２が、先端１８の近傍において断面が凹の略円弧形で基板１２の表面に対する傾斜角が先端１８に近い程小さい係止器２０で基板１２を保持した。
【００８８】
係止器２０の形状は以下のとおりである。
【００８９】
側面２２の断面が凹の略円弧形の部分の範囲：先端１８から基板１２の径方向に約２ｍｍ
円弧の曲率半径：約２ｍｍ
先端１８における側面２２の傾斜角：約０°
【００９０】
他の条件は実施例１と同様とした。
【００９１】
図１６は、平坦化工程（Ｓ１０４）後、基板１２の外周部１４における係止器２０で係止されていた部分の近傍を光学顕微鏡で撮影した写真である。充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す周囲よりも色が濃い部分は明確には確認されなかった。
【００９２】
[比較例１]
実施例１に対し、厚さ方向の幅が先端１８まで３ｍｍであり、厚さ方向の両側の側面２２が、先端１８まで基板１２の表面と平行である図１７に示されるような係止器１００で基板１２を保持した。
【００９３】
他の条件は実施例１と同様とした。
【００９４】
図１８は、平坦化工程（Ｓ１０４）後、基板１２の外周部１４における係止器１００で係止されていた部分の近傍を光学顕微鏡で撮影した写真である。充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す周囲よりも色が濃い部分が明確に確認された。
【００９５】
[比較例２]
実施例１に対し、厚さ方向の幅が先端１８から１０ｍｍの位置まで１ｍｍであり、厚さ方向の両側の側面２２が、先端１８から１０ｍｍの位置から先端１８まで基板１２の表面と平行である図１９に示されるような係止器１０２で基板１２を保持することを試みたが係止器１０２が変形し、基板１２を保持することができなかった。
【００９６】
これに対し、実施例１、２及び比較例１は、いずれも基板１２を安定した姿勢で保持することができた。
【００９７】
又、比較例１は、図１８に示されるように、基板１２の外周部１４の面取り部分１４よりも径方向内側に、充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す色が濃い部分が明確に確認されたのに対し、実施例１は、図１５に示されるように、充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す部分の面積が比較例１よりも著しく狭かった。又、この部分の色が比較例１よりも著しく薄かった。これは、残存する充填材５４の厚さが比較例１よりも薄いことを示す。
【００９８】
又、実施例２は、上述のように、充填材５４が他の部分よりも多く残存していることを示す部分が明確には確認できなかった。
【００９９】
即ち、実施例１、２は、比較例２よりも基板を確実に保持でき、且つ、比較例１よりも基板の両面を均一に平坦化する効果が高いことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、基板両面に凹凸パターンの記録層を備える磁気記録媒体の製造に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板保持装置の構造を模式的に示す平面図
【図２】同基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【図３】同基板保持装置が設置されるイオンビームエッチング装置の構造を模式的に示す正面図
【図４】同平面図
【図５】同基板保持装置を用いた磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図６】両面に凹凸パターンの記録層が形成された基板を示す側断面図
【図７】同記録層の上に充填材が成膜された同基板を示す側断面図
【図８】表面が平坦化された同基板を示す側断面図
【図９】同基板保持装置を用いて製造された磁気記録媒体を示す側断面図
【図１０】本発明の第２実施形態に係る基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【図１１】同係止器の先端周辺の構造を更に拡大して示す側面図
【図１２】本発明の第３実施形態に係る基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【図１３】同係止器の先端周辺の構造を拡大して示す基板の厚さ方向から見た平面図
【図１４】本発明の第４実施形態に係る基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【図１５】本発明の実施例１において平坦化工程後に基板の外周部における係止器で係止されていた部分を光学顕微鏡で撮影した写真
【図１６】本発明の実施例２において平坦化工程後に基板の外周部における係止器で係止されていた部分を光学顕微鏡で撮影した写真
【図１７】比較例１に係る基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【図１８】比較例１において平坦化工程後に基板の外周部における係止器で係止されていた部分を光学顕微鏡で撮影した写真
【図１９】比較例２に係る基板保持装置の係止器の先端周辺の構造を拡大して示す一部断面を含む側面図
【符号の説明】
【０１０２】
１０…基板保持装置
１２…基板
１４…外周部
１６…凹部
１８…先端
２０、１００、１０２…係止器
２２…厚さ方向の側面
２４、３０…板状部材
７０…円周方向の側面
Ｓ１０２…充填材成膜工程
Ｓ１０４…平坦化工程
Ｓ１０６…保護層形成工程
Ｓ１０８…潤滑層形成工程
【図１】
2007213730.tif 000003
【図２】
2007213730.tif 000004
【図３】
2007213730.tif 000005
【図４】
2007213730.tif 000006
【図５】
2007213730.tif 000007
【図６】
2007213730.tif 000008
【図７】
2007213730.tif 000009
【図８】
2007213730.tif 000010
【図９】
2007213730.tif 000011
【図１０】
2007213730.tif 000012
【図１１】
2007213730.tif 000013
【図１２】
2007213730.tif 000014
【図１３】
2007213730.tif 000015
【図１４】
2007213730.tif 000016
【図１７】
2007213730.tif 000017
【図１９】
2007213730.tif 000018
【図１５】
2007213730.tif 000019
【図１６】
2007213730.tif 000020
【図１８】
2007213730.tif 000021