(57)【要約】【課題】青色半導体レーザー光で記録したときに十分な記録再生特性が得られる光記録媒体を提供すること。【解決手段】アゾ系金属錯体及び陽イオン色素を含有する記録層３を備え、記録層３の４０５ｎｍの光に対する複素屈折率の虚部ｋが０．２０を超えている、光記録媒体１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アゾ系金属錯体及び陽イオン色素を含有する記録層を備え、
該記録層の４０５ｎｍの光に対する複素屈折率の虚部ｋが０．２０を超えている、光記録媒体。
【請求項２】
前記アゾ系金属錯体は下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物と中心金属とで形成された金属錯体である、請求項１記載の光記録媒体。
Ａｒ１−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ２    （Ｉ）
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換基として水酸基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基を有するアリール基を示す。］
【請求項３】
前記陽イオン色素はシアニン化合物である、請求項１又は２記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の照射により情報を記録する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光記録媒体の更なる高密度記録を実現するために記録再生光の短波長化が試みられており、具体的には、青色半導体レーザー光（波長４０５ｎｍ）の使用が検討されている。しかし、従来のＣＤやＤＶＤに用いられてきた色素材料は、上記波長域の光では情報の記録に必要な屈折率変化を生じ得ないため、そのままでは適用が困難である。そこで、上記波長域の記録再生光に合わせた色素として、下記特許文献１又は２に示すような材料が開発されている。
【特許文献１】特開２００１−０７１６３９号公報
【特許文献２】特開２００３−１０３９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、青色半導体レーザーの出力エネルギーは比較的小さいため、従来の色素を記録層に用いた光記録媒体は青色半導体レーザー光で記録したときの記録再生特性が必ずしも十分ではなく、この点で更なる改善が求められていた。
【０００４】
そこで、本発明は、青色半導体レーザー光で記録したときに十分な記録再生特性が得られる光記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、アゾ系金属錯体及び陽イオン色素を含有する記録層を備え、該記録層の４０５ｎｍの光に対する複素屈折率の虚部ｋが０．２０を超えている光記録媒体である。
【０００６】
上記本発明の光記録媒体は、記録層に上記特定の色素を用いた上で記録層の複素屈折率の虚部ｋを上記特定範囲としたことにより、青色半導体レーザー光で記録したときに十分な記録再生特性が得られるものとなった。虚部ｋは消衰係数とも称される光学パラメータであり、一般にこの値が大きいと記録層としての十分な反射率が得にくくなり、十分な記録再生特性を得ることは困難になるとも考えられる。しかし、青色半導体レーザー光を記録層として用いる場合には、記録層の虚部ｋを比較的大きな値とすることにより十分な記録再生特性が得られることが本発明者による詳細な検討の結果明らかとなった。
【０００７】
上記アゾ系金属錯体は、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物と中心金属とで形成された金属錯体であることが好ましい。式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換基として水酸基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基を有するアリール基を示す。
Ａｒ１−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ２      （Ｉ）
【０００８】
アゾ系金属錯体として上記特定構造のものを用いることにより、記録層の耐光性がより向上する。
【０００９】
上記陽イオン色素は、シアニン化合物であることが好ましい。これにより、記録再生特性向上の効果を更に顕著なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光記録媒体によれば、青色半導体レーザー光で記録したときに十分な記録再生特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１２】
図１は本発明の光記録媒体の好適な一実施形態を示す断面図である。図１に示す光記録媒体１は、基板２の一面上（図中下側）に、反射層６、記録層３、誘電体層４及び光透過層５がこの順で積層された積層構造を有する。光記録媒体１は追記型の光記録ディスクであり、青色半導体レーザー光の照射によって情報を記録及び再生するために用いられる。
【００１３】
記録層３は、１種又は２種以上のアゾ系金属錯体及び１種又は２種以上の陽イオン色素を主成分として形成されている。そして、記録層３の４０５ｎｍの光に対する複素屈折率の虚部ｋは０．２０を超えている。虚部ｋは０．２４以上であることがより好ましい。また、記録層として必要な反射率を十分に得やすくするために、虚部ｋは０．８以下であることが好ましい。
【００１４】
記録層の虚部ｋは、当業者には理解されるように、記録層の反射率及び透過率の値に基づいて求められる。記録層の反射率は、例えば、所定の透明基板上に形成された記録層を測定サンプルとして、透明基板側又は記録層側から４０５ｎｍの光を用いて鏡面反射（５°程度）にて測定することにより得られる。測定された反射率及び透過率の値から、例えば共立全書「光学」、石黒浩三、第１６８〜１７８ページに記載の方法に準じて虚部ｋを算出することができる。
【００１５】
記録層の虚部ｋの値は、アゾ系金属錯体及び陽イオン色素の種類等により制御することが可能である。特に、後述の陽イオン色素の種類によって虚部ｋが０．２を超えるように制御するのが好適である。
【００１６】
アゾ系金属錯体は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−のようなアゾ系の配位性官能基を有するアゾ化合物と中心金属とで形成された金属錯体である。通常、中心金属１個に対してアゾ化合物が１〜２個の割合で配位して金属錯体を形成する。アゾ化合物は、アゾ系の上記配位性官能基にアリール基が結合した構造を有するものが好ましい。このとき、アリール基は活性水素を有する官能基（水酸基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、スルホ基、チオール基等）を置換基として有していてもよいし、アリール基が活性水素を有する含窒素芳香族複素環基であってもよい。
【００１７】
好適なアゾ化合物としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で表されるものがある。
Ａｒ１−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ２    （Ｉ）
【００１８】
Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換基として水酸基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基を有するアリール基を示す。アルキルアミノ基としてはエチルアミノ基等が挙げられ、アリールアミノ基としてはフェニルアミノ基等が挙げられる。通常、式（Ｉ）の化合物はこれら官能基中の活性水素が脱離した状態で中心金属に配位する。Ａｒ１及びＡｒ２はこれら以外の官能基を置換基として更に有していてもよい。
【００１９】
アゾ系金属錯体を構成するアゾ化合物としては、下記一般式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）又は（１ｄ）で表されるものが好ましい。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）中、Ｘ１及びＸ２は水酸基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基を示し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を示し、Ｒ１及びＲ２の合計炭素数は２〜８であり、ｎは０又は１を示す。
【００２２】
Ｒ１及びＲ２としてのアルキル基の炭素数は１〜４が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、（ｎ−，ｉ−）プロピル基、（ｎ−，ｉ−，ｓ−，ｔ−）ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはヒドロキシ基等が挙げられる。この場合のＲ１及びＲ２としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等がある。ｎが１であるとき、すなわち２個のニトロ基が存在するとき、これらニトロ基の置換位置は互いにメタ位となるような位置が好ましい。
【００２３】
アゾ化合物の好適な具体例としては、下記化学式（Ｉ−１）〜（Ｉ−９）及び（Ｉ−２１）〜（Ｉ−２７）でそれぞれ表される化合物が挙げられる。これらの中でも、初期の記録再生特性及び耐光性の点から、式（Ｉ−１）〜（Ｉ−６）の化合物が特に好ましい。これらのアゾ化合物は、例えば、古川，Anal．Chim．Acta，140，289(1982)等の記載を参照して合成することができる。
【００２４】
【化２】
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【００２５】
【化３】
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【００２６】
アゾ系金属錯体を構成する中心金属は、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｌであることが好ましい。これらの金属は単独でイオン化していてもよいし、その酸化物イオンの状態で中心金属として錯体を形成していてもよい。金属錯体を形成する酸化物イオンとしては、例えばＶＯ２＋、ＶＯ３＋、ＭｏＯ２＋、ＭｏＯ３＋、ＷＯ３＋がある。これらの中でも、中心金属としてはＣｏ、Ｎｉ及びＣｕや、ＶＯ２＋、ＶＯ３＋のようなオキソバナジウム（ＶＯ）が好ましい。更にこれらの中でもＣｏが特に好ましい。
【００２７】
アゾ系金属錯体が全体が電荷を有する場合には、通常、その対イオンが存在する。この対イオンとしては、Ｎａ＋、Ｌｉ＋、Ｋ＋等の無機系陽イオンやアンモニウムイオンがある。アンモニウムイオンとしては、Ｒ４Ｎ＋、Ｒ３Ｎ＋−（ＣＨ２）ｋ−Ｎ＋Ｒ３（ｋは５〜１０の整数を示す。）等がある。これら式中のＲは水素原子、アルキル基又はアルコキシ基である。なかでも、溶解性、媒体特性の上ではＲ３Ｎ＋−（ＣＨ２）ｋ−Ｎ＋Ｒ３が好ましい。後述の陽イオン色素がアゾ系金属錯体の対イオンとして存在していてもよい。すなわち、陽イオン色素とアゾ系金属錯体との塩が形成されていてもよい。
【００２８】
アゾ系金属錯体を形成するためのアゾ化合物と中心金属との組合わせの具体例として、表１に示す組み合わせが挙げられる。表中、アゾ化合物は上述の化学式の番号により示してある。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
アゾ系金属錯体は、例えば、上記のアゾ化合物と金属化合物とを水系溶媒（例えば水−アルコール系）中で反応させて錯形成させることによって得られる。金属化合物としては塩化物（例えば塩化コバルト、塩化亜鉛、塩化クロム、塩化マンガン、塩化鉄、オキシ三塩化バナジウム等）や錯化合物（アセチルアセトンバナジウム等）などが用いられる。錯形成反応は、例えば９０℃程度の温度で１０時間程度行う。アゾ系金属錯体は、通常、結晶として得られる。なお、錯形成反応の後、塩交換により、対イオンを適宜所定のイオン（例えばシアニン化合物のイオン）に変換してもよい。
【００３１】
記録層３中の陽イオン色素としては、シアニン化合物のイオンが好適に用いられる。シアニン化合物のイオンとしては、例えば、下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表されるものが挙げられる。これら陽イオン色素を上述のアゾ金属錯体色素と組合わせて用いることにより、色素層３の虚部ｋを容易に０．２を超えるものとすることができる。
【００３２】
【化４】
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【００３３】
式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ｑ１及びＱ２はそれぞれ独立に置換基を有しいてもよい芳香族環を形成している基を示し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ｒ５及びＲ６、並びにＲ７及びＲ８は、それぞれ環を互いに結合して形成していてもよい。Ｒ９及びＲ１０は置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。
【００３４】
Ｑ１及びＱ２が形成している芳香族環は、Ｑ１又はＱ２が結合する環と縮合している。この芳香族環としてはベンゼン環又はナフタレン環が好ましい。Ｑ１及びＱ２中の芳香族環が有する置換基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、メトキシ基、ニトロ基及びシアノ基が好ましい。
【００３５】
式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ａｒ３は下記一般式（３ａ）、（３ｂ）又は（３ｃ）で表される基を示し、Ａｒ４は下記一般式（４ａ）、（４ｂ）又は（４ｃ）で表される基を示し、Ａｒ５は下記一般式（５ａ）で表される基を示す。
【００３６】
【化５】
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【００３７】
式（３ａ）〜（３ｃ）中、Ｑ１は式（ＩＩ）中のＱ１と同義であり、Ｚ１は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示し、Ｒ９及びＲ１１はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を示す。式（４ａ）〜（４ｃ）中、Ｑ２は式（ＩＩ）中のＱ２と同義であり、Ｚ２は酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示し、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を示す。式（５ａ）中、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基を示す。
【００３８】
陽イオン色素の具体例を以下に示す。これらの陽イオン色素は、当業者には理解されるように、公知の方法により容易に合成することが可能である。
【００３９】
【化６】
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【００４０】
【化７】
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【００４１】
【化８】
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【００４２】
【化９】
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【００４３】
記録層３の厚さは、５〜１００ｎｍであることが好ましい。特に３０〜７０ｎｍとすると、変調度と反射率とのバランスが良くなるため、より好ましい。この範囲外では、反射率が低下して、再生を行うことが困難となる傾向にある。また、グルーブ２３に隣接する部分における記録層３の膜厚を１００ｎｍ以上とすると、変調度と反射率とのバランスが悪化する傾向にある。
【００４４】
記録層３は、例えば、上述のアゾ系金属錯体及び陽イオン色素を組み合わせた光記録材料が溶媒に溶解した光記録材料溶液を用いて形成される。光記録材料溶液の溶媒としては、アルコール、脂肪族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、芳香族系溶媒、ハロゲン化アルキル系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、アルコール又は脂肪族炭化水素系溶媒を含む溶媒が好ましい。
【００４５】
アルコールとしては、フッ素化アルコール、アルコキシアルコール又はケトアルコールが好ましい。特に、ポリカーボネート基板上に記録層を形成する場合、フッ素化アルコールが好適である。
【００４６】
光記録材料溶液は、溶媒中に光記録材料を投入し、必要に応じて加熱しながら、超音波処理等してこれを溶解することにより、調製できる。光記録材料溶液における光記録材料の濃度は、光記録材料溶液全体を基準として０．１〜１０質量％であることが好ましい。光記録材料溶液は、光記録材料及び溶媒の他、必要に応じて、バインダー、分散剤、安定剤などを含有していてもよい。
【００４７】
光記録材料溶液を用いて記録層３を形成させる場合、光記録材料溶液からなる溶液層を反射層６上に形成する工程の後、溶液層中の溶媒を除去して、光記録材料を含有する記録層３を形成させる。すなわち、光記録媒体１は、有機色素を含有する光記録材料を溶媒に溶解した光記録材料溶液からなる溶液層を基板２上に形成させる工程と、溶液層中の溶媒を除去して記録層３を形成させる工程とを備える製造方法によって製造することができる。溶液層は、スピンコーティング法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディップコート法などの方法で反射層６上に塗布することにより形成される。これらの中でも、スピンコート法が好ましい。
【００４８】
基板２は、直径が６４〜２００ｍｍ程度、厚さが０．３〜１．６ｍｍ、好ましくは０．５〜１．３ｍｍ程度のディスク状の形状を有する。記録層３の基板２と反対側、すなわち光透過層５側からの光照射により情報の記録及びその再生が行われる。そのため、基板２は必ずしも光学的に透明である必要はない。具体的には、基板２を形成する材料としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種プラスチック材料等が好適に用いられる。あるいは、ガラス、セラミックス、金属等を用いてもよい。
【００４９】
基板２の記録層３側の面には、溝状のグルーブＧと、隣り合うグルーブＧ同士の間で相対的に高くなっている（光透過層５側の光記録媒体表面に近くなっている）部分であるランドＬとを含む微細な凹凸パターンが形成されている。グルーブＧは、通常、スパイラル状に延びた溝として形成されている。グルーブＧの深さＧｄ（ランドＬの光透過層５側に最も突き出た部分からの深さ）は、好ましくは４０〜１５０ｎｍであり、より好ましくは６０〜１２０ｎｍである。グルーブＧの深さＧｄをこのような範囲とすることによって、十分なトラッキング制御が可能となり、クロストークを抑制できる。グルーブＧの深さＧｄが４０ｎｍ未満であると、トラック追従のために必要なトラッキングエラー信号が小さくなる他、クロストークが大きくなったり、ウォブル信号のようなプリフォーマット信号が小さくなったりする傾向がある。一方、深さＧｄが１５０ｎｍを超えると、ランドＬ及びグルーブＧを高精度で形成することが難しくなるために、反射信号の低下や感度の低下を招き得る。
【００５０】
グルーブ幅Ｇｗ（グルーブＧの底から深さＧｄの１／２の高さにおけるグルーブＧの幅）は、好ましくは１１０〜２１０ｎｍであり、より好ましくは１３０〜１９０ｎｍである。グルーブピッチＧｐ（隣り合うグルーブＧ同士の間隔、例えば、隣り合うグルーブＧの幅Ｇｗ方向における中心同士の間隔）は、例えば２９０〜３５０ｎｍであり、好ましくは３１０〜３３０ｎｍである。このような構成とすることによって、クロストークが十分に抑制される。
【００５１】
上記のような凹凸パターンが形成された基板２は、プラスチック材料を用いる場合には、射出成形により作製できる。プラスチック材料以外の材料を用いる場合には、例えば、フォトポリマー法（２Ｐ法）によって基板２が成形される。
【００５２】
記録層３の基板２側の面上、すなわち、記録層３に記録再生光が入射する側と反対側の面上には、反射層６が設けられている。反射層６の厚さは０．１〜１００μｍであることが好ましい。
【００５３】
反射層６は、適度な反射率を得る等の目的で、記録層３の記録再生光が入射する側（入射面側）と反対側の面上に設けられている。反射層６は、例えば、金属又は合金から形成される。反射層６は、具体的には、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）又はこれらの少なくとも１種を含む合金から形成されることが好ましい。特に、Ａｇ又はＡｇを含む合金、例えば、ＡＩＳ（Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ）を用いることが、適切な反射率が得られるため好ましい。
【００５４】
あるいは、反射層６を構成する材料として、樹脂、セラミックス、金属化合物等を用いることもできる。樹脂やセラミックスを用いる場合、反射層は、樹脂と、金属粒子及びセラミックス粒子から選ばれる１種又は２種以上の粒子とを含有するものであることが好ましい。金属化合物を用いる場合、金属化合物としてはアルコキシド、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩及びアセチルアセトン塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属化合物が好ましい。これら金属化合物中の金属としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｆｅ等が挙げられる。
【００５５】
反射層６の厚さは、０〜２００ｎｍであることが好ましい。反射層６は、例えば、蒸着、スパッタ等の気相成長法や、溶液法により形成することができる。
【００５６】
誘電体層４は、記録層３に密着して設けられている。誘電体層４は、記録層３を機械的、化学的に保護する保護層としての機能とともに、光学特性を調整する干渉層としての機能を有する。誘電体層４は記録層３の記録光及び再生光が入射する側に位置するため、４０５ｎｍのレーザー光を透過させることが必要である。
【００５７】
誘電体層４に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物又はこれらの複合物が好適に用いられる。特に、光透過能の観点から、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ３等が好ましい。これら誘電体層４は単層であってもよいし、複数の層を有していてもよい。誘電体層４は、例えば、イオンビームスパッタリング法、リアクティブスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法等の気相成長法によって形成することができる。
【００５８】
誘電体層４上には、光透過層５が誘電体層４に密着して設けられている。光透過層５は単層であってもよいし、多層構造を有していてもよい。光透過層５は、記録光及び再生光に対して、光学的に透明で、反射が少なく、複屈折が小さい材料から形成されることが好ましい。具体的には、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱硬化型樹脂などが好適に用いられる。光透過層５は、例えば、紫外線硬化樹脂などの材料を含む塗布液を誘電体層４上に塗布してから塗膜を乾燥し、更に必要に応じて樹脂を硬化させることにより形成可能である。塗布の際には、スピンコート法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディップコート法などが適用可能である。このようにして形成される光透過層５の厚さはその材質に応じて適宜選択されるが、光透過能の観点からは、一般に１〜１５０μｍであることが好ましい。
【００５９】
光記録媒体１の記録層３に対して、４０５ｎｍの記録光を光透過層５側からパルス状に照射することにより、情報を高密度に記録することが可能である。特に、記録層３のグルーブＧに沿った部分に集光して情報の記録及び再生を行う、いわゆるｉｎ−ｇｒｏｏｖｅ方式で情報の記録及び再生を行うことが好ましい。
【００６０】
本発明の光記録媒体は、上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明の光記録媒体は、所謂ＨＤ−ＤＶＤとして知られる光記録媒体においても同様に用いることができる。この場合、光記録媒体は従来公知のＤＶＤに相当する構成を適用すればよい。例えば、図１の光透過層５に相当する基板を用意し、これの一面上に直接記録層３を形成し、更にその上に反射層６及び基板２をこの順で積層した構成とすることができる。このような構成の光記録媒体において、記録及び再生を光透過層５に相当する基板の側から行う場合には、図１の実施形態におけるランドＬがグルーブとして機能し、グルーブＧがランドとして機能することになる。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６２】
（光記録媒体の作製）
実施例１〜２０として表２に示す組み合わせのアゾ系金属錯体及び陽イオン色素を光記録材料とし、これをテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）に溶解して光記録材料溶液を調製した。アゾ系金属錯体と陽イオン色素との混合比はモル比で１：１とした。一方、グルーブが形成されたポリカーボネート基板を準備し、このグルーブ面上に、スパッタリング法によりＡＩＳ（Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ合金）からなる反射層（厚さ５μｍ）を形成した。
【００６３】
次いで、基板上に形成された反射層上に、上記塗布液をスピンコート法により塗布し、乾燥して、基板上に記録層を形成した。その後、記録層上にスパッタリング法によりＳｉＯ２−ＺｎＳからなる誘電層を形成した後、この誘電層上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、紫外線の照射により硬化させて基板を形成した。これにより、図１に示す光記録媒体と同様の構成を有する光記録媒体を得た。
【００６４】
また、下記化学式（２１）又は（２２）で表されるシアニン化合物を陽イオン色素として用い、これを式（Ｉ−１）のアゾ化合物とＣｏとのアゾ系金属錯体に組合わせた他は実施例と同様にして、比較例１、２の光記録媒体を作製した。
【００６５】
【化１０】
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【００６６】
（複素屈折率評価）
実施例１〜２０及び比較例１〜２と同様にして別途形成させた記録層について、ＳＴＥＡＧ  ＥＴＡ−ＯＰＴＩＫ社製のＥＴＡ−ＲＴを用いて吸収スペクトルを測定し、４０５ｎｍにおける屈折率（実部ｎ）及び消衰係数（虚部ｋ）を求めた。
【００６７】
（光記録媒体のＣＮＲ測定）
実施例及び比較例の各光記録媒体を光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットした。そして、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とし、青色波長域（４０５ｎｍ）のレーザービーム記録ヘッド内の集光レンズで光透過側から集光して、ｉｎ−ｇｒｏｏｖｅ方式で記録層に対して光記録を行った。このとき、２Ｔ信号の単一信号を入力した。光記録後の各光記録媒体について、記録層における未記録部分に波長４０７ｎｍの再生光（０．３ｍＷ）を照射し、当該再生光のＣＮＲ（ｄＢ）を測定した。ＣＮＲの値が３８ｄＢ以上である場合、良好な記録再生特性が良好であると判断される。
【００６８】
更に、これらのサンプルを８万Ｌｕｘのキセノンランプによって５０時間照射する耐光性試験を行い、その後、再度ＣＮＲ（ｄＢ）を測定した。得られた結果を表２に示す。
【００６９】
【表２】
2007207324.tif 000014
【００７０】
表２に示すように、実施例１〜２０の光記録媒体は、比較例１、２よりもＣＮＲが高く、記録再生特性が良好であることが確認された。特に、実施例１、２、４、６、７、９、１１、１３、１５、１７、１９の光記録媒体は、耐光性試験後もＣＮＲの低下は認められず、優れた耐光性を有することが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る光記録媒体の一実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…光記録媒体、２…基板、３…記録層、４…誘電体層、５…光透過層、６…反射層、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド。
【図１】
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