(57)【要約】【課題】発光素子が実装される半導体装置であって、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる半導体装置と、当該半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置であって、前記発光素子に接続されるワイヤ配線と、前記ワイヤ配線に接続されるとともに、該ワイヤ配線との接続部の直下の前記基板を貫通するように形成された貫通電極と、を有することを特徴とする半導体装置。【選択図】図２
2007288050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置であって、
前記発光素子に接続されるワイヤ配線と、
前記ワイヤ配線に接続されるとともに、該ワイヤ配線との接続部の直下の前記基板を貫通するように形成された貫通電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記発光素子はＬＥＤよりなり、該ＬＥＤは蛍光体を含む樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板はシリコンよりなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワイヤ配線と前記貫通電極を複数有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記発光素子の、前記ワイヤ配線が接続された側の反対側に接続されるとともに、当該発光素子の直下の前記基板を貫通するように形成された別の貫通電極をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記別の貫通電極が複数形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記貫通電極と前記別の貫通電極の長さが同じであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記発光素子は、前記基板に形成された凹部に実装されることを特徴とする請求項１乃至７のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記凹部の周囲と接合される平板上のカバーを有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記基板を貫通する貫通電極を形成する電極形成工程と、
前記基板に前記発光素子を設置する設置工程と、
前記発光素子と、前記貫通電極の該発光素子に対応する側とを、ワイヤボンディングにより接続するワイヤ工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に発光素子が実装されてなる半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤなどの発光素子が基板上に実装されて構成される半導体装置には、様々な形状のものが提案されている。例えば、図１は、従来提案されている半導体装置を模式的に示した図である。
【０００３】
図１を参照するに、本図に示す半導体装置１０は、例えばセラミックよりなる基板１上に、蛍光体５が塗布された、ＬＥＤよりなる発光素子２が実装された構造を有している。また、前記基板１上には、前記発光素子２を囲むように壁部１Ａが形成されてキャビティー６が画成され、前記発光素子２は、当該キャビティー６に収容されるように実装されている。また、前記基板１上にはパターニングされた配線４が形成され、該配線４と前記発光素子５とは、ワイヤ３により電気的に接続されている。
【特許文献１】特開２００５−２７７３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の図１に示した構造においては、セラミック基板上に実装された発光素子と、セラミック基板上にパターニングされた配線とが、ワイヤボンディングにより接続された構造となっている。したがって、基板上に、ワイヤに接続されるための配線をパターニングして引き回すためのスペースを確保する必要がある。このため、半導体装置を小型化することが困難となってしまう問題が生じていた。
【０００５】
また、上記の半導体装置では、発光素子に接続される配線の取り回しが複雑になり、配線の抵抗が大きくなるとともに、配線の信頼性が低下してしまう懸念が生じる場合があった。
【０００６】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な半導体装置を提供することを統括的目的としている。
【０００７】
本発明の具体的な課題は、発光素子が実装される半導体装置であって、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる半導体装置と、当該半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置であって、前記発光素子に接続されるワイヤ配線と、該ワイヤ配線に接続されるとともに、前記ワイヤ配線との接続部の直下の前記基板を貫通するように形成された貫通電極と、を有することを特徴とする半導体装置により、解決する。
【０００９】
上記の半導体装置は、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる特徴を有している。
【００１０】
また、前記発光素子はＬＥＤよりなり、該ＬＥＤは蛍光体を含む樹脂で覆われていると、発光素子の発光色を制御することが可能となる。
【００１１】
また、前記基板はシリコンよりなると、該基板の平坦度を良好とすることが可能となるとともに、該基板の加工の精度が良好になる。
【００１２】
また、前記ワイヤ配線と前記貫通電極を複数有すると、発光素子に接続される配線の系統を増設することが容易となる。
【００１３】
また、前記発光素子の、前記ワイヤ配線が接続された側の反対側に接続されるとともに、当該発光素子の直下の前記基板を貫通するように形成された別の貫通電極をさらに有すると、当該発光素子に接続される配線の取り回しの構造が単純となる。
【００１４】
また、前記別の貫通電極は複数形成されていてもよい。
【００１５】
また、前記貫通電極と前記別の貫通電極の長さが同じであると、当該貫通電極と当該別の貫通電極の形成が容易となる。
【００１６】
前記発光素子は、前記基板に形成された凹部に実装されると、発光素子の反射部を形成することが容易となる。
【００１７】
また、前記凹部の周囲と接合される平板上のカバーを有すると、発光素子を保護することが可能となる。
【００１８】
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置の製造方法であって、前記基板を貫通する貫通電極を形成する電極形成工程と、前記基板に前記発光素子を設置する設置工程と、前記発光素子と、前記貫通電極の該発光素子に対応する側とを、ワイヤボンディングにより接続するワイヤ工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
【００１９】
上記の製造方法では、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、発光素子が実装される半導体装置であって、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる半導体装置と、当該半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明による半導体装置は、基板上に発光素子が実装されてなる半導体装置であって、前記発光素子に接続されるワイヤ配線と、前記ワイヤ配線に接続されるとともに、該ワイヤ配線との接続部の直下の前記基板を貫通するように形成された貫通電極と、を有することを特徴としている。
【００２２】
従来の半導体装置では、基板上にパターニングされた配線と発光素子とがワイヤボンディングにより接続された構造であったため、基板上に配線をパターニングして引き回すためのスペースを確保する必要が生じ、半導体装置を小型化することが困難となってしまう問題が生じていた。
【００２３】
また、上記の半導体装置では、発光素子に接続される配線の取り回しが複雑になり、配線の抵抗が大きくなるとともに、配線の信頼性が低下してしまう懸念が生じる場合があった。
【００２４】
一方、本発明による半導体装置は、発光素子に接続されたワイヤ配線に接続されるとともに、前記ワイヤ配線との接続部の直下の前記基板を貫通するように形成された貫通電極を有している。
【００２５】
このため、発光素子に接続されるための配線を基板上にパターニングして取り回す必要が無くなり、半導体装置を小型化することが可能になる。また、半導体装置の構造が単純となるため、信頼性に優れる半導体装置を構成することが可能になる。
【００２６】
また、この場合に発光素子が実装されるとともに貫通電極が形成される基板は、シリコンよりなることが好ましい。この場合、基板の平坦度が良好となるとともに、該基板の加工の精度が良好になる。
【００２７】
次に、上記の半導体装置の構成の例と、その製造方法の例について、図面に基づき、説明する。
【実施例１】
【００２８】
図２は、本発明の実施例１による半導体装置１００を模式的に示す断面図である。図２を参照するに、本実施例による半導体装置１００は、例えばシリコンよりなる基板１０１上に、例えばＬＥＤよりなる発光素子１０７が実装されてなる構造を有している。当該発光素子１０７には、蛍光体を含む樹脂１０５が塗布されている。当該樹脂１０５を塗布することで、発光素子の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、半導体装置の発光色を様々に制御することができる。また、当該樹脂１０５を覆うように、該樹脂１０５の保護のために、例えばシリコン系またはエポキシ系の樹脂層１０６が形成されている。また、蛍光体は、該樹脂層１０６全体に混入するように構成されていてもよい。
【００２９】
前記基板１０１には、前記発光素子１０７を実装するための凹部（キャビティー）１０１Ｂが形成され、当該発光素子１０７は当該凹部１０１Ｂの底部に実装されている。この場合、前記樹脂層１０６は、前記凹部１０１Ｂを埋設するように形成されている。また、前記凹部１０１Ｂの底部には、当該底部を貫通する、例えばＣｕよりなる貫通電極１０２が形成され、当該貫通電極１０２上には、例えばＡｕ／Ｓｎ層（Ａｕが素子側）、または、Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎ層（Ａｇが素子側）よりなる接続層１０２Ａが形成されている。前記発光素子１０７は、当該接続層１０２Ａを介して、前記貫通電極１０２に接続されるように実装されている。すなわち、前記発光素子１０７は、当該発光素子１０７の直下の前記基板１０１を貫通するように形成された前記貫通電極１０２と接続されて実装されている。
【００３０】
また、本実施例による半導体装置１００は、前記発光素子１０７に接続されたワイヤ配線１０４に接続されるとともに、該ワイヤ配線１０４との接続部の直下の前記基板１０１を貫通するように形成された貫通電極１０３を有している。
【００３１】
このため、本実施例による半導体装置では、前記発光素子１０７に接続されるための配線を、前記基板１０１上にパターニングして形成する必要が無い。このため、前記基板１０１上で、配線を取り回すスペースが不要となり、半導体装置を小型化することが可能となる。
【００３２】
また、上記の半導体装置１００の場合、前記貫通電極１０２、１０３の、前記発光素子１０７が実装された側の反対側で、接続対象となるマザーボードなどに接続される構造になっている。すなわち、上記の構造においては、前記発光素子１０７から、該発光素子１０７の接続対象（マザーボードなど）までの接続経路が低抵抗であるとともに単純な構造であり、信頼性が高い構造となっている。
【００３３】
また、前記貫通電極１０３が貫通している部分の前記基板１０１の厚さは、前記貫通電極１０２が貫通している部分の前記基板１０１の厚さよりも厚くなるように形成されている。この場合、前記前記発光素子１０７の上面（前記ワイヤ１０４が接続される面）と、前記貫通電極１０３の上面（前記ワイヤ１０４が接続される面）とを、略同一平面として形成することが可能となり、ワイヤボンディングによる接続が容易となる。
【００３４】
一方で、前記貫通電極１０３が貫通している部分の前記基板１０１の厚さと、前記貫通電極１０２が貫通している部分の前記基板１０１の厚さを同じとすると、前記貫通電極１０２と前記貫通電極１０３の長さが同じとなり、前記貫通電極１０２と前記貫通電極１０３の形成が容易となる（この構造については後述）。
【００３５】
また、本実施例による半導体装置１００では、発光素子が実装される基板がシリコンよりなるため、基板の平坦度が良好となるとともに、基板の加工の精度が良好となって微細加工が容易となる効果を奏する。また、基板の平坦度が良好であると、発光素子と基板（電極）の接触面積が増大して、発光素子の放熱が良好となる効果も奏する。また、シリコンは、セラミックなどの焼結された材料にくらべて熱伝導性が良好なため、発光素子の放熱の効率が良好になる。
【００３６】
次に、上記の半導体装置１００を製造する製造方法の一例について、図３Ａ〜図３Ｌに基づき、手順を追って説明する。ただし、以下の図中、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００３７】
まず、図３Ａに示す工程において、例えばシリコン（Ｓｉ）よりなる基板１０１（例えばシリコンウェハ）を用意する。必要に応じて、予め研削などにより基板を薄型化しておいてもよい。
【００３８】
次に、図３Ｂに示す工程において、前記基板１０１をエッチングしてパターニングし、発光素子を設置するための凹部（キャビティー）１０１Ｂを形成する。この場合、先に説明したように、前記凹部１０１Ｂは、前記発光素子１０７を実装する部分（以下の図３Ｃの工程でビアホール１０１Ｃが形成される部分）よりも貫通電極１０３が形成される部分（以下の図３Ｄの工程でビアホール１０１Ｄが形成される部分）が厚くなるように形成されていることが好ましい。
【００３９】
次に、図３Ｃに示す工程において、前記基板１０１をエッチングし、貫通電極１０２、１０３を形成するためのビアホール１０１Ｃ，１０１Ｄを形成する。この場合、前記ビアホール１０１Ｄの方が前記ビアホール１０１Ｃよりも長くなるように形成される。
【００４０】
次に、図３Ｄに示す工程において、前記凹部１０１Ｂの内壁面やビアホール１０１Ｃ、１０１Ｄの内壁面を含む前記基板１０１の表面に、例えば熱ＣＶＤ法などにより、酸化膜（シリコン酸化膜、または熱酸化膜とよぶ場合もある）１０１Ａを形成する。また、前記酸化膜１０１Ａに変えて、窒化膜（シリコン窒化膜）を形成してもよい。
【００４１】
次に、図３Ｅに示す工程において、例えばＣｕのメッキ法（いわゆるビアフィル法）により、ビアホール１０１Ｃ、１０１Ｄに、それぞれ前記基板１０１を貫通する貫通電極１０２、１０３を形成する。この場合、前記貫通電極１０３の長さが前記貫通電極１０２よりも長くなる。
【００４２】
次に、図３Ｆに示す工程において、前記貫通電極１０２の前記凹部１０１Ｂに面する側に、例えばメッキ法により、接続層１０２Aを形成する。前記接続層１０２Ａは、例えばＡｕ／Ｓｎ層（Ａｕが発光素子に接合される側）、または、Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｎ層（Ａｇが発光素子に接合される側）により形成される。また、前記接続層１０２Ａを、導電性接着材料により形成してもよい。
【００４３】
次に、図３Ｇに示す工程おいて、発光素子１０７と前記接続層１０２Ａを、熱圧着またはリフローなどにより接合し、前記凹部１０７の底部に前記発光素子１０７を実装する。
【００４４】
次に、図３Ｈに示す工程において、前記発光素子１０７と、前記貫通電極１０３の該発光素子１０７に対応する側とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続する。この結果、前記発光素子１０７と、前記貫通電極１０３とは、ワイヤ１０４により接続されることになる。この場合、前記発光素子１０７の上面と前記貫通電極１０３の上面とが同一平面上に形成されていると、ワイヤボンディングによる接続が容易となり、好ましい。
【００４５】
次に、図３Ｉに示す工程において、前記発光素子１０７を、蛍光体を含有した樹脂１０５によって被覆する。この場合、当該樹脂１０５は、例えば印刷、またはディスペンサなどによる塗布により形成されるが、インクジェットや吹きつけなどにより形成してもよい。
【００４６】
次に、図３Ｊに示す工程において、前記発光素子１０７、樹脂１０５を覆うように、また、前記凹部１０１Ｂを埋設するように、樹脂層１０６を形成する。前記樹脂層１０６は、例えば、シリコン系、または、エポキシ系の樹脂により形成されるが、これに限定されるものではない。このようにして、図２に示した半導体装置１００を製造することができる。
【００４７】
また、上記の半導体装置１００の製造にあたっては、該半導体装置１００に相当する構造が、１つのシリコン基板に複数同時に形成される場合がある。この場合、例えばダイシングなどによってシリコン基板が切り離されて、半導体装置が個片化される。
【００４８】
図３Ｋは、２個の半導体装置１００が、１つの基板１０１に形成された状態を示す図である。なお、図３Ｋでは、半導体装置に相当する構造を２個示しているが、実際にはさらに多くの半導体装置が１つの基板に形成される。
【００４９】
上記の図３Ｋに示した構造は、図３Ｊに示すように、基板１０１のダイシングによって切り離され、個片化されて個々の半導体装置に分離される。
【００５０】
また、本発明による半導体装置は、上記の構造に限定されず、例えば以下に示すように、様々に変形・変更することが可能である。
【実施例２】
【００５１】
図４は、本発明の実施例２による半導体装置１００Ａを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００５２】
図４を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ａでは、２つのワイヤ配線１０４と、該２つのワイヤ配線１０４にそれぞれ接続される、２つの貫通電極１０３が形成されている。このように、必要に応じて、ワイヤ配線とワイヤ配線に接続される貫通電極の組み合わせの構造をさらに増やしても良い。この場合、発光素子に接続される配線の系統を増設することができる。
【実施例３】
【００５３】
図５は、本発明の実施例３による半導体装置１００Ｂを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００５４】
図５を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ｂでは、前記半導体装置１００の貫通電極１０２に相当する貫通電極１０２ａが、３個形成されている。このように、前記発光素子１０７と接続される貫通電極は、複数形成されていてもよい。
【実施例４】
【００５５】
図６は、本発明の実施例４による半導体装置１００Ｃを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００５６】
図６を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ｃでは、基板１０１に形成された凹部に、前記発光素子１０７が複数（２個）実装されている。また、前記発光素子１０７に対応して、前記貫通電極１０２、１０３、接続層１０２Ａ、ワイヤ１０４もそれぞれ複数（２個）形成されている。このように、基板の凹部（キャビティー）に、発光素子が複数実装されるように構成してもよい。
【実施例５】
【００５７】
図７は、本発明の実施例５による半導体装置１００Ｄを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００５８】
図７を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ｄでは、前記凹部１０１Ｂの周囲と接合される、平板上のカバー１１０が設置されている。前記カバー１１０が設置されることで、前記樹脂層１０６が大気に曝されて劣化する影響を軽減することができる。
【００５９】
また、前記カバー１１０がガラスにより、前記基板１０１がシリコンにより構成されていると、該カバー１１０と該基板１０１を陽極接合により接合することが可能となり、好ましい。
【００６０】
また、蛍光体を含む樹脂層を、前記カバー１１０の内壁面（前記発光素子１０７に面する側）に塗布することも可能である。この場合、蛍光体（樹脂）の均一性が良好となり、発光のばらつきが小さくなる効果を奏する。この場合、前記樹脂１０５や前記樹脂層１０６を省略した構造とすることも可能であり、発光素子の放熱性を向上させることができる。
【実施例６】
【００６１】
図８は、本発明の実施例６による半導体装置１００Ｅを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００６２】
図８を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ｅでは、実施例１の基板１０１に相当する基板１０１ａに、凹部（キャビティー）が形成されていない。このため、本実施例による半導体装置１００Ｅは、製造上で必要とされる基板の加工が単純であり、そのために製造コストが抑制される構造となっている。
【００６３】
また、本実施例においては、凹部が形成されていないために、実施例１の貫通電極１０３に相当する貫通電極１０３Ａの長さが実施例１の場合と比べて短く、当該貫通電極１０３Ａと前記貫通電極１０２の長さが実質的に同じとなっている。
【００６４】
このため、上記の構造においては前記貫通電極１０３Ａと前記貫通電極１０２をメッキ法で形成する場合に、ビアホールをマスクする作業や、またはそれぞれの貫通電極を別工程として形成するなどの複雑な作業を必要とせず、前記貫通電極１０３Ａと前記貫通電極１０２を同時に形成することが可能となっている。
【実施例７】
【００６５】
図９は、本発明の実施例７による半導体装置１００Ｆを模式的に示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分は実施例１に記載の半導体装置１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。
【００６６】
図９を参照するに、本実施例による半導体装置１００Ｆでは、実施例６の場合と同様に、実施例１の基板１０１に相当する基板１０１ａに、凹部（キャビティー）が形成されていない。さらに、本実施例による半導体装置１００Ｆでは、前記半導体装置１００の貫通電極１０２に相当する貫通電極１０２ａが、３個形成されている。このように、前記発光素子１０７と接続される貫通電極は、複数形成されていてもよい。
【００６７】
また、上記の貫通電極１０３Ａと、３個の貫通電極１０２ａとは、長さが実質的に同じとなっている。
【００６８】
このため、上記の構造においては前記貫通電極１０３Ａと前記貫通電極１０２ａをメッキ法で形成する場合に、ビアホールをマスクする作業や、またはそれぞれの貫通電極を別工程として形成するなどの複雑な作業を必要とせず、容易に前記貫通電極１０３Ａと前記貫通電極１０２ａ（３個）を同時に形成することが可能となっている。
【００６９】
また、貫通電極やワイヤ、または発光素子の個数やその配置は、上記に説明した実施例に限定されるものではなく、様々に変形・変更が可能であることは明らかである。
【００７０】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明によれば、発光素子が実装される半導体装置であって、小型化が可能であるとともに信頼性に優れる半導体装置と、当該半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来の半導体装置を示す図である。
【図２】実施例１による半導体装置を示す図である。
【図３Ａ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図３Ｃ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図３Ｄ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図３Ｅ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図３Ｆ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図３Ｇ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図３Ｈ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その８）である。
【図３Ｉ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その９）である。
【図３Ｊ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１０）である。
【図３Ｋ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１１）である。
【図３Ｌ】図２の半導体装置の製造方法を示す図（その１２）である。
【図４】実施例２による半導体装置を示す図である。
【図５】実施例３による半導体装置を示す図である。
【図６】実施例４による半導体装置を示す図である。
【図７】実施例５による半導体装置を示す図である。
【図８】実施例６による半導体装置を示す図である。
【図９】実施例７による半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ  半導体装置
１０１Ａ  酸化膜
１０１Ｂ  凹部
１０１Ｃ，１０１Ｄ  ビアホール
１０２，１０２ａ，１０３，１０３Ａ  貫通電極
１０２Ａ  接続層
１０４  ワイヤ
１０５  樹脂
１０６  樹脂層
１０７  発光素子
１１０  カバー
【図１】
2007288050.tif 000003
【図２】
2007288050.tif 000004
【図３Ａ】
2007288050.tif 000005
【図３Ｂ】
2007288050.tif 000006
【図３Ｃ】
2007288050.tif 000007
【図３Ｄ】
2007288050.tif 000008
【図３Ｅ】
2007288050.tif 000009
【図３Ｆ】
2007288050.tif 000010
【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図３Ｌ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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