(57)【要約】  【課題】被めっき物がめっき容器から溢出することもなく、被めっき物に所望のめっき皮膜を高効率で形成することができるようにする。【解決手段】めっき液１が貯溜されためっき浴槽３と、陰極板８を備えると共に磁性体材料を含有した多数の被めっき物１６を収容してめっき浴槽３に浸漬されるめっき容器４とを有し、被めっき物１６をめっき容器４の底面方向４ａに吸引する電磁石が、めっき容器４に配されている。そして、多数の被めっき物１６を収容しためっき容器４をめっき浴槽３に浸漬し、電磁石５を通電状態にして被めっき物１６を容器底面４ａ方向に吸引させ、これにより被めっき物１６をめっき浴槽３に浸漬させる。そしてその後は電磁石５を非通電状態とし、めっき容器４を水平方向に回転させて被めっき物１６を撹拌し、陰極板８と陽極棒２との間を通電させてめっき処理を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液が貯溜されためっき浴槽と、陰極を備えると共に磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容して前記めっき浴槽に浸漬されるめっき容器とを備えためっき装置において、
前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引する電磁石が、前記めっき容器に配されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記めっき容器は、水平方向に回転可能に構成されると共に、上面が開放されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
陰極を備え且つ電磁石が配されためっき容器に、磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容し、めっき液が貯溜されためっき浴槽に前記めっき容器を浸漬し、前記電磁石を通電状態にして前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引させ、その後前記電磁石を非通電状態にしてめっき処理を行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
前記被めっき物の前記めっき容器の内表面に対する吸引を、前記めっき浴槽への前記めっき容器の浸漬に先だって行なうことを特徴とする請求項３記載のめっき方法。
【請求項５】
前記被めっき物を前記めっき容器に収容する前に、前記被めっき物に撥水処理を施すことを特徴とする請求項３又は請求項４記載のめっき方法。
【請求項６】
前記めっき処理は、前記めっき容器を水平方向に回転させながら電解めっきを行うことを特徴とする請求項３乃至請求項５記載のめっき方法。
【請求項７】
内部電極が埋設されたセラミック素体の表面に外部電極を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物に電解めっき処理を施して前記外部電極の表面に少なくとも一層以上のめっき皮膜を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、
前記内部電極を磁性体材料で形成する共に、請求項３乃至請求項６のいずれかに記載のめっき方法を使用して積層セラミック電子部品を製造することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記磁性体材料はＮｉを主成分としていることを特徴とする請求項７記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっき装置、及び該めっき装置を使用しためっき方法、並びに該めっき方法を使用して積層セラミックコンデンサや積層型圧電部品等の積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサは、セラミックス素体の内部に内部電極が埋設され、かつ前記セラミック素体の表面には外部電極が形成されている。    
また、外部電極は、内部電極との接続性やセラミック素体との密着性を確保する観点から、ガラス成分を含有した導電性ペーストを前記セラミック素体の表面に塗布し、焼付け処理を行って形成するのが一般的である。
【０００３】
また、外部電極材料としては、通常、内部電極との接続性を考慮して内部電極の金属と合金化しやすい金属が選定され、例えば、内部電極がＮｉで形成されている場合は、ＣｕやＡｇ−Ｐｄ等が使用される。
【０００４】
そして、外部電極材料としてＣｕやＡｇ−Ｐｄ等を使用した場合、これらの金属材料ははんだに対して拡散し易いことから、Ｎｉめっき処理を行って外部電極の表面にＮｉ皮膜を形成し、またはんだ濡れ性の向上を図る観点からＳｎめっき処理を施し、Ｎｉ皮膜上にＳｎ皮膜を形成するのが一般的である。
【０００５】
そして、Ｎｉ皮膜やＳｎ皮膜を形成するめっき方法としては、めっき用電極を備えた容器に、多数の被めっき物及びスチールボールを収容すると共に、被めっき物よりも大きい絶縁物粒体を前記容器内に所定数量混在させ、該容器をめっき槽に浸漬させた状態で、水平方向に回転させながら垂直方向に揺動させ、これによりめっき処理を行う方法が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
この特許文献１では、容器内に収容された多数の被めっき物、スチールボール、及び所定数量の絶縁物粒体が相互に撹拌混合されるので、めっき用電極と接触して帯電したスチールボールが被めっき物と接触することにより被めっき物も帯電し、これによりめっき浴槽から溶解したＮｉやＳｎ等のめっき金属が静電移動して被めっき物の表面に付着し、これによりめっき皮膜を形成する。一方、絶縁物粒体は電気的作用を受けることなく、被めっき物やスチールボールと衝突しながら流動するため、被めっき物同士がくっつくのを回避することができ、これにより安定しためっき処理を行うことが可能となる。
【０００７】
また、この種の積層セラミック電子部品では、通常、セラミック素体や外部電極、さらにはセラミック素体と内部電極との界面に微細な空隙が存在することから、外部電極の形成されたセラミック素体を被めっき物としてめっき液に浸漬すると、該めっき液がセラミック素体内部に浸入するおそれがある。
【０００８】
そこで、従来より、被めっき物をめっき液に浸漬する前に撥水処理を行い、これによりセラミック素体内部にめっき液が浸入するのを防止するようにしたセラミック電子部品の製造方法が提案されている（特許文献２）。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−７０９９９号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１では、図５に示すように、めっき容器１０１に多数の被めっき物１０２を収容し、図６に示すように、該めっき容器１０１をめっき液１０３の貯溜されためっき浴槽１０４に浸漬した場合、被めっき物１０２が小型（例えば、長さ１．００ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍ以下）になると、被めっき物１０２が浮力により浮き上がってしまい、めっき容器１０１に収容された被めっき物１０２の一部がめっき容器１０１から外部に溢出し、その結果めっき処理のなされなかった被めっき物が発生し、生産性低下を招くという問題点があった。
【００１１】
特に、特許文献２のように被めっき物に撥水処理を行った場合、撥水処理後の被めっき物をめっき容器に収容してめっき槽に浸漬させようとすると、被めっき物は撥水による表面張力で浮き上がってしまい、このためめっき容器１０１の外部に溢出する被めっき物の個数が増加し、生産性の低下が顕著になるという問題点があった。
【００１２】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、被めっき物がめっき容器から溢出することもなく、被めっき物に所望のめっき皮膜を高効率で形成することができるめっき装置、及び該めっき装置を使用しためっき方法、並びに該めっき方法を使用して積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係るめっき装置は、めっき液が貯溜されためっき浴槽と、陰極を備えると共に磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容して前記めっき浴槽に浸漬されるめっき容器とを備えためっき装置において、前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引する電磁石が、前記めっき容器に配されていることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明のめっき装置は、前記めっき容器は、水平方向に回転可能に構成されると共に、上面が開放されていることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明に係るめっき方法は、陰極を備え且つ電磁石が配されためっき容器に、磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容し、めっき液が貯溜されためっき浴槽に前記めっき容器を浸漬し、前記電磁石を通電状態にして前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引させ、その後前記電磁石を非通電状態にしてめっき処理を行うことを特徴としている。
【００１６】
また、本発明のめっき方法は、前記被めっき物の前記めっき容器の内表面に対する吸引を、前記めっき浴槽への前記めっき容器の浸漬に先だって行なうことを特徴としている。
【００１７】
さらに、本発明のめっき方法は、前記被めっき物を前記めっき容器に収容する前に、前記被めっき物に撥水処理を施すことを特徴としている。
【００１８】
また、本発明のめっき方法は、前記めっき処理は、前記めっき容器を水平方向に回転させながら電解めっきを行うことを特徴としている。
【００１９】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、内部電極が埋設されたセラミック素体の表面に外部電極を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物に電解めっき処理を施して前記外部電極の表面に少なくとも一層以上のめっき皮膜を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、前記内部電極を磁性体材料で形成する共に、上記めっき方法を使用して積層セラミック電子部品を製造することを特徴としている。
【００２０】
さらに、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、前記磁性体材料はＮｉを主成分としていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のめっき装置によれば、めっき液が貯溜されためっき浴槽と、陰極を備えると共に磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容して前記めっき浴槽に浸漬されるめっき容器とを備えためっき装置において、前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引する電磁石が、前記めっき容器に配されているので、通電状態にされた電磁石により被めっき物をめっき容器内に確実に浸漬させることができ、該被めっき物がめっき容器から溢出してしまうのを防止することができる。そして一旦被めっき物がめっき浴槽に浸漬した後は電磁石を非通電状態とすることにより、被めっき物のめっき対象部位と陰極とを容易に接触させることができ、所望のめっき処理を行うことが可能となる。
【００２２】
前記めっき容器は、水平方向に回転可能に構成されると共に、上面が開放されているので、被めっき物をめっき容器内で十分に撹拌させることができ、これにより被めっき物を効率良く陰極に接触させて所望のめっき処理を行うことが可能となる。
【００２３】
また、本発明のめっき方法によれば、陰極を備え且つ電磁石が配されためっき容器に、磁性体材料を含有した多数の被めっき物を収容し、めっき液が貯溜されためっき浴槽に前記めっき容器を浸漬し、前記電磁石を通電状態にして前記被めっき物を前記めっき容器の内表面方向に吸引させ、その後前記電磁石を非通電状態にしてめっき処理を行うので、通電状態とされた電磁石の吸引力により多数の被めっき物を確実にめっき浴槽中に浸漬する。そしてその後、電磁石を非通電状態とすることにより電磁石の吸引力が解除され、これにより被めっき物はめっき容器中の陰極と容易に接触させることができ、所望のめっき処理を行うことが可能となる。
【００２４】
さらに、本発明のめっき方法は、前記被めっき物を前記めっき容器に収容する前に、前記被めっき物に撥水処理を施すので、撥水処理された被めっき物についても、めっき液に浸漬させる際に電磁石でめっき容器の内表面側に吸引されることとなり、したがって表面張力により被めっき物が浮き上がることもなく、効率良くめっき処理を行うことができる。しかも、撥水処理がなされていることから、内部にめっき液が浸入するのを防止することができ、めっき処理された製品の信頼性向上を図ることが可能となる。
【００２５】
本発明のめっき方法は、前記めっき処理は、前記めっき容器を水平方向に回転させながら電解めっきを行うので、被めっき物を十分に撹拌させることができ、所望のめっき処理を行うことが可能となる。
【００２６】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、内部電極が埋設されたセラミック素体の表面に外部電極を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物に電解めっき処理を施して前記外部電極の表面に少なくとも一層以上のめっき皮膜を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、前記内部電極を磁性体材料、例えば、Ｎｉを主成分とした磁性体材料で形成する共に、上記めっき方法を使用して積層セラミック電子部品を製造するので、外部電極のシール性が良好で構造欠陥もなく、所望のめっき皮膜が形成された積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品を高効率で製造することができ、生産性が向上し、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳説する。
【００２８】
図１は本発明に係るめっき装置の一実施の形態を示す断面図であり、図２は図１のＡ−Ａ矢視図である。
【００２９】
すなわち、本めっき装置は、めっき液１が貯溜され且つ該めっき液１に陽極棒２が浸漬されためっき浴槽３と、該めっき浴槽３に浸漬されためっき容器４と、不図示の駆動部とを備えている。
【００３０】
めっき容器４は、具体的には、上面が開放状に形成され、容器底面４ａには電磁石５が載置されると共に、該電磁石５の上面には板状部材６が設置されて容器側面４ｂに固着され、また該板状部材６の中心には支持軸７が連設され、さらに板状部材６の表面には複数の陰極板８（本実施の形態では４個）が配設されている。そして、支持軸７は不図示の駆動部に接続され、前記めっき容器４は矢印Ｂで示す水平方向に回転可能となるように構成されている。尚、図示は省略するが、容器底面４ａ及び板状部材６には多数の孔がメッシュ状に形成されている。
【００３１】
このように構成されためっき装置においては、Ｎｉ等の磁性体材料を含有した多数の被めっき物をめっき容器４に収容した後、電磁石５を通電状態にすると、めっき液１が貯溜されためっき浴槽３に該めっき容器４を浸漬した時に、被めっき物は電磁石５側、すなわちめっき容器底面４ａ方向に吸引され、被めっき物がめっき容器４から溢出するのを防止することができる。そしてその後、被めっき物がめっき液１中に浸漬した後は、電磁石５を非通電状態とし、陽極棒２と陰極板８との間に通電しつつめっき容器４を矢印Ｂ方向に所定回転数で回転させる。そしてこれにより、めっき液１中の被めっき物は陰極板８と接触してめっき反応が生じ、被めっき物の表面にはめっき金属が析出し、被めっき物の表面に所望の金属皮膜が形成される。
【００３２】
次に、本めっき方法を使用した積層セラミック電子部品の製造方法について詳述する。
【００３３】
図３は積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００３４】
該積層セラミックコンデンサは、外形寸法が、例えば、長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍ以下の小型チップ部品からなり、ＢａＴｉＯ３等の誘電体セラミック材料からなるセラミック素体１１に内部電極１２（１２ａ〜１２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック素体１１の両端部には外部電極１３ａ、１３ｂが形成され、さらに該外部電極１３ａ、１３ｂの表面にはＮｉ皮膜１４ａ、１４ｂ及びＳｎ皮膜１５ａ、１５ｂが形成されている。
【００３５】
各内部電極１２ａ〜１２ｆは積層方向に並設されると共に、内部電極１２ａ、１２ｃ、１２ｅは外部電極１３ａと電気的に接続され、内部電極１２ｂ、１２ｄ、１２ｆは外部電極１３ｂと電気的に接続されている。そして、内部電極１２ａ、１２ｃ、１２ｅと内部電極１２ｂ、１２ｄ、１２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００３６】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。
【００３７】
まず、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等のセラミック素原料を秤量して混合し、粉砕、乾燥、仮焼等の工程を経て誘電体セラミック原料を作製し、さらに有機バインダ、有機溶剤、分散剤、及び可塑剤を前記誘電体セラミック原料に添加して混合し、湿式粉砕した後、ドクターブレード法を使用してセラミックグリーンシートを作製する。
【００３８】
次いで、磁性体材料としてのＮｉを主成分として内部電極用導電性ペーストを用意する。そして、該内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成し、この後、前記導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを積層し、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持・圧着して積層体を形成する。
【００３９】
そしてその後、所定条件下、前記積層体に脱バインダ処理及び焼成処理を施し、バレル研磨を行ってバリ取りを施し、これにより内部電極１２が埋設されたセラミック素体１１が得られる。
【００４０】
次に、ＡｇやＣｕ等の導電性材料を含有した外部電極用導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストをディップ方式等によりセラミック素体１１の両端部に塗布し、その後、所定条件下、焼付け処理を行なって外部電極１３ａ、１３ｂを形成する。そしてこの後、外部電極１３ａ、１３ｂの形成されたセラミック素体１１を被めっき物とし、該被めっき物に撥水処理を施す。
【００４１】
すなわち、内部電極１２とセラミック層との界面には微細な空隙が存在し、外部電極１３ａ、１３ｂが焼付け形成されたセラミック素体１１をめっき液１中に浸漬すると、めっき液１がセラミック素体１１及び外部電極１３ａ、１３ｂの空隙内に浸入し、デラミネーションやクラック等の構造欠陥の発生原因となる。
【００４２】
そこで、本実施の形態では、被めっき物に予め撥水処理を施して被めっき物の内部にめっき液が浸入するのを防止している。
【００４３】
ここで、撥水処理に供される撥水処理剤としては、外部電極との吸着性を良好にする官能基として水酸基、アミノ基、メルカプト基から選ばれる少なくとも１種類からなる官能基と、疎水性を有する官能基としてアルキル基、ビニル基、フェニル基、パーフルオロ基から選ばれる少なくとも１種類からなる官能基とを含む化合物を使用することができる。
【００４４】
そして、このように被めっき物に撥水処理を行った後、上述した本発明のめっき装置を使用してめっき処理を施し、Ｎｉ皮膜１４ａ、１４ｂ及びＳｎ皮膜１５ａ、１５ｂを形成する。
【００４５】
図４は、本発明のめっき装置を使用してＮｉめっきを行う場合の概略断面図である。
【００４６】
すなわち、まず、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を含有しためっき液１でめっき浴槽３を満たす。
【００４７】
次いで、被めっき物１６、導電性媒体１７及び絶縁性粒体１８を、電磁石５を備えためっき容器４に多数収容した後、めっき容器４をめっき浴槽３に浸漬し、電磁石５を通電状態とする。そしてこれにより被めっき物１６は電磁石５方向、すなわち容器底面４ａ方向に吸引される。
【００４８】
そして、このように被めっき物１６がめっき液１中に浸漬した後は電磁石５を非通電状態とし、めっき容器４を矢印Ｂ方向に回転させ、被めっき物１６や導電性媒体１７を陰極板８に接触させ、所定の電流密度でＮｉ製の陽極棒２と陰極板８との間に所定時間通電し、これにより電解めっきが施され、外部電極１３ａ、１３ｂの表面にＮｉ皮膜１４ａ、１４ｂが形成される。
【００４９】
また、Ｓｎめっきを施す場合も、上述と同様の処理を行い、電磁石５を通電状態として被めっき物等を収容しためっき容器４をめっき浴槽３に浸漬させた後、電磁石５を非通電状態とし、めっき容器４を回転させて被めっき物を陰極板８に接触させつつ、所定の電流密度で陽極棒２と陰極板８との間に所定時間電流を通電し、これにより電解めっきを施し、Ｎｉ皮膜１４ａ、１４ｂの表面にＳｎ皮膜１５ａ、１５ｂを形成する。
【００５０】
このように上記積層セラミックコンデンサは、多数の被めっき物１６を導電性媒体１７や絶縁性粒体１８と共にめっき容器４に収容した後、電磁石５を通電状態にしつつめっき液１が貯溜されためっき浴槽３に該めっき容器４を浸漬する。そして、被めっき物１６の内部電極１２を構成するＮｉは磁性体であることから被めっき物１６は電磁石５によって容器底面４ａ側に吸引され、これにより被めっき物１６が小型部品であってもめっき容器４から溢出することなく全て浸漬させることができる。そして、被めっき物１６はめっき液１中に浸漬した後は、電磁石５を非通電状態とし、陽極棒２と陰極板８との間を通電させてめっき反応を生ぜしめることにより、外部電極１３ａ、１３ｂの表面には所望のＮｉ皮膜１４ａ、１４ｂ及びＳｎ皮膜１５ａ、１５ｂを形成することができる。そしてこれにより、めっき処理を行ってもめっき容器４から溢出してしまう被めっき物１６が生じるのを回避することができ、生産性の向上を図ることができる。
【００５１】
しかも、被めっき物１６には予め撥水処理が施されているので、セラミック素体１１の内部やセラミック層と内部電極２との界面、及び外部電極１３ａ、１３ｂにめっき液１が浸入することもなく、デラミネーションやクラック等の構造欠陥を招くこともなく、所望の信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００５２】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００５３】
上記実施の形態では内部電極材料としてＮｉを主成分とする導電性材料を使用したが、磁性を有する材料であればよい。また、上記めっき装置はめっき容器４を水平方向に回転させているが、回転運動と共に上下方向に揺動するようにしてもよい。
【００５４】
また、上記の実施の形態では、被めっき物１６を電磁石５でめっき容器底面４ａに吸着させた後、めっき容器４をめっき浴槽３に浸漬したが、浸漬後の吸着を浸漬と同時に吸着するようにしても良い。
【００５５】
また、上記実施の形態では、被めっき物１６に撥水処理を施しているが、撥水処理が不要な小型の被めっき物の場合は、撥水処理を省略することができる。
【００５６】
また、上記実施の形態では、外部電極１３ａ、１３ｂの表面にＮｉ皮膜１４ａ、１４ｂ及びＳｎ皮膜１５ａ、１５ｂを形成する場合について説明したが、めっき形成される金属皮膜はこれらに限定されるものではなく、例えば、Ｃｕやはんだについても同様に適用できるのはいうまでもない。
【００５７】
また、積層セラミック電子部品についても、積層セラミックコンデンサに限定されることはなく、めっき処理がなされる各種積層セラミック電子部品にも適用可能である。
【００５８】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【００５９】
セラミック層がＢａＴｉＯ３系セラミック材料で形成され、内部電極がＮｉで形成され、外部電極がＣｕで形成された長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍの被めっき物を用意した。
【００６０】
次に、これら被めっき物を撥水処理剤が貯溜された処理槽に２分間浸漬して撥水処理を行ない、その後乾燥させた。ここで、撥水処理剤として、有機溶媒としてのメチルエチルケトンに対して、Ｒａ−（ＣＨ２）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）３（Ｒａ：パーフルオロ基、Ｒｂ：アミノ基）を混合したものを使用した。
【００６１】
次いで、めっき容器に電磁石が配されためっき装置（以下、「本発明装置」という。）を使用して被めっき物にめっき処理を施した。
【００６２】
すなわち、まず、スチールボールの表面にＮｉめっき及びＳｎめっきを施した直径０．４ｍｍの導電性媒体、及びスチールボールの表面をＳｉでコーティングした直球７．５ｍｍの絶縁性粒体を用意した。
【００６３】
次いで、被めっき物２５０万個、導電性媒体９００ｇ、及び絶縁性粒体１２００ｇを、底面に電磁石が配されためっき容器に収容し、該めっき容器をＮｉめっき液で満たされためっき浴槽に浸漬し、電磁石を通電状態にして被めっき物を電磁石に吸引させた後、電磁石を非通電状態にして陽極棒と陰極板との間に通電を行い、電解Ｎｉめっきを行ない、膜厚２．２μｍのＮｉ皮膜を外部電極の表面に形成した。尚、めっき条件は、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２、通電時間８０分で行なった。
【００６４】
次いで、上述と同様、被めっき物、導電性媒体、及び絶縁性粒体を、底面に電磁石が配せられためっき容器に収容し、該めっき容器をＳｎめっき液で満たされためっき浴槽に浸漬し、電磁石を通電状態にして被めっき物を電磁石に吸引させた後、電磁石を非通電状態にして陽極棒と陰極板との間に通電を行い、電解Ｓｎめっきを行ない、膜厚３．０μｍのＳｎ皮膜をＮｉ皮膜の表面に形成し、試料番号３の試料を作製した。尚、めっき条件は、電流密度０．１５Ａ／ｄｍ２、通電時間８０分で行なった。
【００６５】
また、撥水処理を行なった被めっき物について、電磁石が設けられていない従来のめっき装置（以下、「従来装置」という。）を使用し、上述と同様の方法・手順で電解Ｎｉめっき及びＳｎめっきを行ない、試料番号２の試料を作製した。
【００６６】
さらに、撥水処理を行なっていない被めっき物についても、上述と同様、従来装置を使用して電解Ｎｉめっき及びＳｎめっきを行ない、試料番号１の試料を作製した。
【００６７】
さらに、長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、厚み０．３ｍｍ、及び長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、厚み０．２ｍｍの被めっき物を用意し、上述と同様、撥水処理済み被めっき物について、本発明のめっき装置を使用して電解Ｎｉめっき及び電解Ｓｎめっきを行ない、試料番号６、９の試料を作製した。
【００６８】
また、撥水処理済み及び未撥水処理の各被めっき物について、従来装置を使用して電解Ｎｉめっき及び電解Ｓｎめっきを行ない、試料番号４、５、７、８の試料を作製した。
【００６９】
尚、試料番号１、２、及び４〜９における被めっき物の個数、導電性媒体及び絶縁性粒体の投入量は、試料番号３と同量にした。
【００７０】
次に、各試料番号１〜９について、被めっき物のめっき容器からの溢出率、めっき不良率、及び構造欠陥発生率を算出した。
【００７１】
ここで、前記溢出率は、めっき容器から溢出した被めっき物を計数し、算出した。
【００７２】
また、めっき不良率は、外部電極上に金属皮膜（Ｎｉ皮膜及びＳｎ皮膜）が形成されていない未めっき部分の残存している被めっき物を計数し、算出した。
【００７３】
また、構造欠陥は、試料番号１〜９の各試料１００個チップを、錯化剤水溶液に２４時間浸漬し、その後超音波探傷装置でデラミネーションやクラックの発生有無を観察し、斯かるデラミネーションやクラックの発生率を構造欠陥発生率として算出した。尚、錯化剤としては、Ｓｎ−２３２Ｂ（ディップソール社製）を使用し、錯化剤と純水との重量比が錯化剤：純水＝１２．５：８７．５となるように調合したものを錯化剤水溶液として使用した。
【００７４】
表１は各試料番号１〜９の被めっき物の外形寸法、撥水処理の有無、電磁石の有無、被めっき物の溢出率、めっき不良率、及び構造欠陥発生率を示している。
【表１】
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試料番号１、４、７は、撥水処理を行なっていないため、従来装置を使用した場合でも被めっき物の溢出率は１〜３％と比較的低く、まためっき不良率も１％と低いが、構造欠陥発生率が８３％〜４７％と高く、製品歩留まりの低下を招くことが分かった。
【００７５】
試料番号２、５、８は、撥水処理を行なっているものの、従来装置を使用してめっき処理を行っているため、構造欠陥は生じなかったが、被めっき物の溢出率が１９〜３４％、めっき不良率が１５〜２３％と高くなり、製品歩留まりの低下を招くことが分かった。
【００７６】
これに対し試料番号３、６、９は撥水処理を行った後、本発明装置を使用してめっき処理を行っているので、被めっき物がめっき容器から溢出することもなく、めっき不良や構造欠陥が生じた試料はなかった。
【００７７】
また、試料番号１〜９から明らかなように、被めっき物が小型になると、従来装置では、めっき容器をめっき浴槽に浸漬した際に被めっき物のめっき容器からの溢出が顕著になるのに対し、本発明のめっき装置では、めっき容器をめっき浴槽に浸漬させても被めっき物がめっき容器から溢出するのを防止することができ、したがって、本発明は、撥水処理の有無に拘わらず、小型の被めっき物に対し、特に有用であることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明に係るめっき装置の概略を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】本発明のめっき方法で製造される積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【図４】本発明のめっき方法を使用して被めっき物にＮｉめっき処理を行う場合の様子を示しためっき装置の断面図である。
【図５】従来のめっき容器に被めっき物を収容した断面図である。
【図６】図５のめっき容器をめっき浴槽に浸漬した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  めっき液
３  めっき浴槽
４  めっき容器
４ａ  容器底面（容器内表面）
５  電磁石
８  陰極（陰極板）
１１  セラミック素体
１２ａ〜１２ｆ  内部電極
１３ａ、１３ｂ  外部電極
１４ａ、１４ｂ  Ｎｉ皮膜
１５ａ、１５ｂ  Ｓｎ皮膜
１６  被めっき物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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