(57)【要約】【課題】信頼性（耐久性）に優れた半導体チップの積層構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置１は、少なくとも電極端子７が形成された主面および主面の反対側に裏面を有する第１および第２の半導体チップ２・３と、第１および第２の半導体チップ２・３に挟まれており、両半導体チップ２・３と接着している接着層５とを少なくとも備え、第２の半導体チップ２の外縁の少なくとも一部が、第１の半導体チップ３の外縁より外側に突出するように、第２の半導体チップ３が第１の半導体チップ２に対して積層され、少なくとも、第２の半導体チップ３の外縁が外側に突出した第１の半導体チップ２の外縁部分において、上記接着層５が、第１の半導体チップ２の外縁より内側と接着している。これにより、半導体装置の信頼性（耐久性）を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電極端子が形成された主面および主面の反対側に裏面を有する第１および第２の半導体チップと、
第１および第２の半導体チップに挟まれており、両半導体チップと接着している接着層とを少なくとも備え、
第２の半導体チップの外縁の少なくとも一部が、第１の半導体チップの外縁より外側に突出するように、第２の半導体チップが第１の半導体チップに対して積層され、
少なくとも、第２の半導体チップの外縁が外側に突出した第１の半導体チップの外縁部分において、上記接着層が、第１の半導体チップの外縁より内側と接着している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記接着層は、さらに第２の半導体チップの外縁より内側と接着していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記接着層は、上記第１の半導体チップの主面と、上記第２の半導体チップの裏面とを接着していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記接着層は、上記第１の半導体チップの主面と、上記第２の半導体チップの主面とを接着していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記接着層は、上記第１の半導体チップの裏面と、上記第２の半導体チップの主面とを接着していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
配線パターンが形成された基板と、
該基板と、上記第１の半導体チップの主面または裏面とを接着する基板接着層とをさらに備え、
上記電極端子は、複数の導電体を介して基板上の配線パターンに接続されている
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記基板接着層は、上記第１の半導体チップの外縁より内側と接着していることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記接着層は、シート状の接着材であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものであり、より詳細には、単一パッケージ内に多数の半導体チップを備える半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、小型化および高性能化させた半導体装置を製造する方法としては、単一のパッケージ内に複数個の半導体チップを積層する方法が広く用いられている。
【０００３】
単一のパッケージ内に複数個の半導体チップを積層させた半導体装置は、様々な機器に用いられており、例えば、携帯機器等に搭載されるメモリなどに用いられている。上述のような半導体装置をメモリに用いることにより、メモリに対して付加価値を付与すること、およびメモリ容量を増大させることが可能である。
【０００４】
半導体装置は利用範囲が広いため、半導体装置のさらなる小型化および高性能化が望まれている。この要望に応える手法は、例えば、半導体チップの積層数の増加、半導体チップの薄層化および半導体装置のパッケージの薄型化である。
【０００５】
複数個の半導体チップを積層させる場合、それぞれの半導体チップを接着させる必要がある。接着の方法としては、接着剤をポッティングする方法などが挙げられる。
【０００６】
接着剤をポッティングする方法を採用した場合、用いる接着剤の量は、半導体装置の大きさまたは信頼性（耐久性）に影響を与える。用いる接着剤が半導体チップの大きさに対して多量であれば、接着剤は半導体チップからはみ出し、密度の高い配線を困難にする。
【０００７】
また、用いる接着剤が少量であれば、２つの半導体チップの間に隙間を生じてしまう。このため、封止樹脂によるパッケージングによって隙間を埋めることができなかった場合、半導体チップの剥がれの原因となる。
【０００８】
この問題を解決するための技術として、半導体ウェーハに絶縁性接着層を接着させ、同じ大きさに切り出すことにより半導体チップを形成する技術が特許文献１に開示されている。
【０００９】
次に、半導体装置のさらなる小型化および高性能化する手法として、半導体チップを薄層化する場合について述べる。
【００１０】
半導体チップを薄層化する方法としては、半導体ウェーハの薄型化または半導体ウェーハ上に形成される能動素子の微細化が挙げられる。
【００１１】
半導体ウェーハの薄型化は、素子の形成後、研磨時間を長くすることにより可能となる。
【００１２】
また、半導体ウェーハ上の能動素子を微細化するための絶縁膜の材質として、多孔質であるため機械的強度は低いが、誘電率の低いＬｏｗ−ｋと呼ばれる絶縁材料が注目されている。
【００１３】
最後に、半導体装置のパッケージを薄型化すると、積層された半導体チップ間の距離が小さくなる。これにより意図しない半導体チップと配線の接触を生じ得るという問題がある。積層した半導体チップ間の絶縁性を確保するための技術が、特許文献２に開示されている。
【００１４】
これまで、半導体チップの積層後の電気接続にワイヤボンディングを用いる半導体パッケージにおいて、半導体チップの厚みが大きくかつ半導体チップの積層数が少ない場合、半導体パッケージ内部で発生する応力は特に問題ではなかった。
【特許文献１】特開平１１−２０４７２０号公報（１９９９年７月３０日公開）
【特許文献２】特開２００２−２２２９１３号公報（２００２年８月９日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、半導体チップの積層数の増加および半導体チップの薄層化は、半導体装置のパッケージ内部における応力の増大に繋がる。パッケージ内部の応力の増大は、半導体チップの破損の原因となり、結果として、半導体装置の電気的機能を損なう恐れがある。
【００１６】
これに加えて、半導体チップ内の構造に機械的強度の低い材料を用いた場合、特に半導体チップは破損し易くなる。
【００１７】
しかし、特許文献１および２には、応力の増大とそれに伴う半導体チップの破損を解決するための方法は開示されていない。
【００１８】
パッケージ内部の応力が増大した場合、半導体チップの外縁部分において破損の頻度が高くなる。これは、半導体チップを半導体ウェーハより切り出す工程に原因があると考えられる。半導体チップを切り出す方法としては、一般にダイヤモンドブレードなどを用いたダイシング分割する工法が用いられている。
【００１９】
ダイシングによりＳｉの半導体チップを分割した場合、切断面である半導体チップの外縁部分において、Ｓｉの破砕層、Ｓｉのチッピングおよび、素子の微少剥離といった微少な物理的欠陥が生じる。微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分に対して応力がかかるパッケージングを施すと、この微少な物理的欠陥を起点に半導体チップの破損が進行し、致命的な不良（半導体装置の電気的機能の障害）を引き起こすおそれがある。
【００２０】
このほかにも、半導体装置を、はんだ実装するときの高温状態（２４０℃以上）および繰り返しの温度サイクル負荷に晒すことにより、応力はさらに増大し、半導体チップの破壊の原因となる。破壊が進行した場合には、半導体チップの能動素子形成面内の脆い層が破壊され集積回路の電気的な機能を損なうおそれがある。
【００２１】
半導体チップの外縁部分に負荷がかかり破損を生じ易い状態は、先に積層した半導体チップの外縁部分に対して、後から積層した半導体チップを接着するための接着層が接触する場合であると想定される。具体的には以下の２つの状態が想定される；
（１）後から積層した半導体チップの少なくとも一部が、先に積層した半導体チップ
の外縁よりも外側に突き出している状態において、先に積層した半導体チップの外縁    部分に接着層が接触した状態；
（２）２つの半導体チップを真上から見たとき、後から積層した半導体チップの外縁
の少なくとも一部と、先に積層した半導体チップの外縁の少なくとも一部とが重なる
状態において、先に積層した半導体チップの外縁部分に接着層が接触した状態。
【００２２】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップの外縁部分に加わる応力負荷を軽減することにより、信頼性（耐久性）に優れた半導体チップの積層構造を有する半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、
少なくとも電極端子が形成された主面および主面の反対側に裏面を有する第１および第２の半導体チップと、
第１および第２の半導体チップに挟まれており、両半導体チップと接着している接着層とを少なくとも備え、
第２の半導体チップの外縁の少なくとも一部が、第１の半導体チップの外縁より外側に突出するように、第２の半導体チップが第１の半導体チップに対して積層され、
少なくとも、第２の半導体チップの外縁が外側に突出した第１の半導体チップの外縁部分において、上記接着層が、第１の半導体チップの外縁より内側と接着していることを特徴とする。
【００２４】
上記の構成において、第２の半導体チップの外縁の少なくとも一部が、第１の半導体チップの外縁より外側に突出するように、単一パッケージ内に複数の半導体チップを積層した構造のことを、以下、突出状態の積層構造と呼ぶ。
【００２５】
本発明の構成では、第１の半導体チップのある外縁部分は、第２の半導体チップの外縁が外側に突出した状態になっている。第１の半導体チップにおける、このような状態の外縁部分に、第２の半導体チップを積層するための接着層が接触すると、特に負荷がかかりやすく、応力が集中し易い。
【００２６】
そこで、本発明によれば、少なくとも当該外縁部分において、上記接着層が、第１の半導体チップの外縁より内側と接着しているので、当該外縁部分にかかる負荷を軽減することができる。
【００２７】
したがって、微少な物理的欠陥を多く有している当該外縁部分にかかる負荷が軽減されるので、この微少な物理的欠陥を起点に第１の半導体チップの破損が進行するといった事態を回避することができる。この結果、突出状態の積層構造を有することによって、小型化および高性能化した半導体装置の信頼性（耐久性）を向上させることができるという効果を奏する。
【００２８】
また、本発明の半導体装置において、
上記接着層は、さらに第２の半導体チップの外縁より内側と接着していることを特徴とする。
【００２９】
上記構成により、第１の半導体チップに対して積層された第２の半導体チップの外縁部分に対しても応力が集中することを回避することができる。
【００３０】
これにより、上述の効果と同様の効果を奏する。
【００３１】
また、本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、
上記接着層は、上記第１の半導体チップの主面と、上記第２の半導体チップの裏面とを接着していることを特徴とする。
【００３２】
つまり、複数の半導体チップの積層構造は、２つの半導体チップの主面が同一の方向を向くように積層された構造を含むということである。
【００３３】
これにより、半導体装置が上記構成を備える場合であっても、上述の効果と同様の効果を奏する。
【００３４】
また、本発明の半導体装置において、
上記接着層は、上記第１の半導体チップの主面と、上記第２の半導体チップの主面とを接着していることを特徴とする。
【００３５】
つまり、複数の半導体チップの積層構造が、２つの半導体チップの主面が向かい合うように積層された構造を含むということである。
【００３６】
これにより、半導体装置が上記構成を備える場合であっても、上述の効果と同様の効果を奏する。
【００３７】
また、本発明の半導体装置において、
上記接着層は、上記第１の半導体チップの裏面と、上記第２の半導体チップの主面とを接着していることを特徴とする。
【００３８】
つまり、複数の半導体チップの積層構造は、２つの半導体チップの主面が同一の方向を向くように積層された構造を含むということである。但し、主面の向きは、第１の半導体チップの主面と、上記第２の半導体チップの裏面とを接着した積層構造における主面の向きとは反対である。
【００３９】
これにより、半導体装置が上記構成を備える場合であっても、上述の効果と同様の効果を奏する。
【００４０】
また、本発明の半導体装置において、
配線パターンが形成された基板と、
該基板と、上記第１の半導体チップの主面または裏面とを接着する基板接着層とをさらに備え、
上記電極端子は、複数の導電体を介して基板上の配線パターンに接続されている
ことを特徴とする。
【００４１】
上記の構成は、例えば、配線パターンが形成された基板上の面と、積層された２つの半導体チップのそれぞれの主面が同一の方向を向いている構成か、あるいは配線パターンが形成された基板上の面と、積層された２つの半導体チップのそれぞれの主面が向かい合う構成である。さらに、配線パターンが形成された基板上の面に対して、それぞれの主面が向かい合っている２つの半導体チップを積層させた構成の場合もある。
【００４２】
上記のいずれの構成においても上述の効果と同様の効果を奏する。
【００４３】
また、本発明の半導体装置において、
上記基板接着層は、上記第１の半導体チップの外縁より内側と接着していることを特徴とする。
【００４４】
上記の構成によれば、基板に積層された第１の半導体チップの基板と向かい合う面の外縁に応力が集中することを回避することができる。
【００４５】
これにより、上述の効果に加えて、半導体装置の信頼性（耐久性）をさらに向上させることができるという効果を奏する。
【００４６】
また、本発明の半導体装置において、
上記接着層は、シート状の接着材であることを特徴とする。
【００４７】
上記の構成によれば、均一な厚みおよび所望のサイズを有する接着層を容易に形成することができる。なお、上記の基板接着層についても、シート状の接着材にすれば、同様の効果が得られる。
【００４８】
これにより、複数の半導体チップを基板に対して平行に積層することができ、かつ接着層を容易に所望の位置に対して形成することができるという効果を奏する。
【発明の効果】
【００４９】
以上のように、本発明の半導体装置において、少なくとも、第２の半導体チップの外縁が外側に突出した第１の半導体チップの外縁部分において、接着層が、第１の半導体チップの外縁より内側と接着していることにより残留応力および熱応力等による半導体チップの外縁部分への応力の集中を回避することができるので、より信頼性（耐久性）に優れた半導体チップの積層構造を有する半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
本発明の実施の形態について、図１〜図３に基づいて以下に説明する。
なお、以下の説明において、「半導体チップの主面」とは、半導体チップにおいて電極端子、素子などの電気的機能を有する構造を備えた面を意図している。
また、「半導体チップの裏面」とは、半導体チップの主面の反対側にある面であり、半導体チップの薄層化のために研磨を行った面を意図している。
さらに、「半導体チップの外縁」とは、例えば、半導体チップが直方体である場合には、半導体チップの矩形形状をした主面または裏面の各辺上およびその近傍を意図しており、また、半導体チップが円柱である場合には、円形形状をした主面および裏面の円周およびその近傍を意図している。
【００５１】
また、実施の形態１〜６において同一の部材および構成要素には、それぞれ、同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰り返さない。なお、本発明の半導体装置は、実施の形態において説明されるものに限定されず、「特許請求の範囲」に記載した請求項の範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００５２】
〔実施の形態１〕
本実施の形態においては、基板に対して２つの半導体チップを積層した構造を有し、かつ上方に積層された半導体チップの一部分が、下方に積層された半導体チップの外縁部分よりも外側に突き出た構造を有している半導体装置について、図１（ａ）および図１（ｂ）を用いて説明する。
【００５３】
本実施の形態の半導体装置１は、絶縁性の基板４と、配線パターン９が形成された基板４の面上に接着している接着層６（基板接着層）と、該接着層６と裏面において接着している半導体チップ２（第１の半導体チップ）と、該半導体チップ２の主面と接着している接着層５（請求項に記載の接着層）と、該接着層５と裏面において接着している半導体チップ３（第２の半導体チップ）とを備えている。
【００５４】
なお、半導体チップ３の外縁の少なくとも一部が、半導体チップ２の外縁より外側に突出するように、半導体チップ３が半導体チップ２に対して積層されている。以下、単一パッケージ内に複数の半導体チップを積層した構造のことを、突出状態の積層構造と呼ぶ。図１（ａ）に示す構成では、半導体チップ２・３は、ともに平板状の直方体形状をしているので、各主面および各裏面の形状は長方形である。したがって、上記突出状態の積層構造では、半導体チップ２の主面および裏面の長辺と、半導体チップ３の主面および裏面の長辺とが交差するように、半導体チップ２・３が積層されている。
【００５５】
この結果、半導体チップ３の主面および裏面の長辺の端部（すなわち外縁）が、半導体チップ２の主面および裏面の長辺（すなわち外縁）から、外側に突出している。また、半導体チップ２の主面の短辺付近には、電極端子７等を形成するための余裕領域が生まれている。
【００５６】
こうして、上記半導体チップ２の主面の短辺付近には、複数の電極端子７が形成され、さらに、上記半導体チップ３の主面の長辺付近であって、半導体チップ２の上記短辺付近に対応する長辺付近にも、複数の電極端子７が形成されている。上記電極端子７にはそれぞれ、１つのバンプ８（導電体の構成要素）が設けられている。
【００５７】
さらに、上記バンプ８は、ワイヤ１０（導電体の構成要素）と接続されており、該ワイヤ１０は、上記配線パターン９と接続されている。
【００５８】
ここで、着目すべきことは、半導体チップ３の外縁が外側に突出した半導体チップ２の外縁部分において、上記接着層５が、半導体チップ２の外縁より内側と接着していることである。つまり、接着層５は、半導体チップ２の外縁部分と接触していない（図１（ａ）および（ｂ））。
【００５９】
このように、本発明に係る半導体装置１は、電極端子７が形成された主面および主面の反対側に裏面を有する第１および第２の半導体チップ２・３と、第１および第２の半導体チップ２・３に挟まれており、両半導体チップ２・３と接着している接着層５とを少なくとも備え、第２の半導体チップ３の外縁の少なくとも一部が、第１の半導体チップ２の外縁より外側に突出するように、第２の半導体チップ３が第１の半導体チップ２に対して積層され、少なくとも、第２の半導体チップ３の外縁が外側に突出した第１の半導体チップ２の外縁部分において、上記接着層５が、第１の半導体チップ２の外縁より内側と接着している構成である。
【００６０】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ２の外縁部分に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【００６１】
さらに、半導体チップ３の半導体チップ２と重なっている外縁部分において、上記接着層５は、上記半導体チップ３の外縁より内側と接着している。つまり、接着層５は、半導体チップ３の外縁部分と接触していない（図１（ａ）および（ｂ））。
【００６２】
このように、本発明に係る半導体装置１は、上述の構成に加えて、さらに、少なくとも、第２の半導体チップ３の外縁が外側に突出した第１の半導体チップ２の外縁部分において、上記接着層５が、第１の半導体チップ３の外縁より内側と接着している構成である。
【００６３】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ２と同様に、上記半導体チップ３の外縁部分に対して応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップの物理的な破損が起こりにくくなる。つまり、より一層、上記半導体装置１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【００６４】
これに対し、図１（ｃ）に示す従来の半導体装置１０１は、絶縁性の基板１０４と、配線パターン１０９が形成された該基板１０４の面上に接着している接着層１０６と、該接着層１０６と裏面において接着している半導体チップ１０２と、該半導体チップ１０２の主面と接着している接着層１０５と、該接着層１０５と裏面において接着している半導体チップ１０３を備えている。
【００６５】
また、上記半導体チップ１０２および上記半導体チップ１０３の主面上にはそれぞれ、複数の電極端子１０７が形成されており、該電極端子１０７にはそれぞれ、一つのバンプ１０８が接続されている。さらに、該バンプ１０８は、ワイヤ１１０と接続されており、該ワイヤ１１０は、上記基板１０４上の配線パターン１０９と接続している。
【００６６】
従来の半導体装置１０１と本実施の形態の半導体装置１との相違点は、第２の半導体チップ１０３の外縁が外側に突出した第１の半導体チップ１０２の外縁部分において、接着層１０５が、上記半導体チップ１０２の外縁部分および上記半導体チップ１０３の外縁部分と接触していることである。
【００６７】
上述の通り、多くの微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分と、接着層とが接触することにより半導体チップの破損の進行が早まるため、半導体チップの電気的機能が損なわれやすい。このため、上記半導体装置１０１は、上記半導体装置１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【００６８】
以上のとおり、本実施の形態の半導体装置１に用いられている部材および半導体装置１の構造について説明した。以下においては、本発明に係る半導体装置において好適に採用され得る部材および構造の細部について説明する。
【００６９】
本発明の半導体装置に用い得る基板（４）としては、表面が絶縁性を有する基板であり、絶縁性を有する表面上に導電性の材料から形成された配線パターンを有するものであれば特に限定されるものではない。つまり、基板全体が絶縁性の材料から形成されてもよく、大部分は導電性を有するが、基板表面が絶縁性を有するものであってもよい。また、本発明の半導体装置の基板は、従来公知の材料から作製され、かつ従来公知の方法により作製することが可能である。よって、必ずしも基板自体を作製する必要はなく、本発明の半導体装置に好適に用い得る基板を用意することができればよい。
【００７０】
上記基板上に形成される配線パターン（９）に用い得る材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ等が挙げられ、このうち、低コストのＣｕが好ましい。また、配線パターンの基板上への形成方法としては、例えば、蒸着法、メッキ法等が挙げられる。
【００７１】
本発明の半導体装置に用い得る接着層（５・６）は、絶縁性および接着性を有する接着剤が均一な層を成しているものであり、半導体チップを接着するときに該半導体チップの外縁部分と接触を避け得るものであれば、特に限定されるものではない。つまり、採用可能な接着剤としては、液体および固体など、どのような形態であってもよく、接着する半導体チップと基板、あるいは半導体チップと半導体チップとを絶縁することができればよい。このため、従来公知の接着剤が採用可能であり、従来公知の方法により接着を行うことができる。
【００７２】
上述した本発明の半導体装置に好適に用いられる接着剤の中でも、半導体チップの外縁部分との接触を避けるという観点から、厚みが均一な、かつ所望の形状に加工し易いシート状の接着材がより好ましい。
【００７３】
本発明の半導体装置に用い得る半導体チップとしては、特に限定はなく、従来公知の材料および方法により作製したものを好適に用いることができる。また、本実施の形態の半導体装置においては、半導体チップ３の一部が、半導体チップ２の外縁部分より突出した構造を有していればよい。よって、半導体チップ２および半導体チップ３の大きさは同じであっても、異なっていてもよい。
【００７４】
本発明の半導体装置に用い得る上記半導体チップ上に形成される電極端子（７）の材料としては、一般的に用いられるＡｌ、Ａｌ合金等を用いることができる。
【００７５】
本発明の半導体装置において、複数の半導体チップと、基板上の配線パターンとは、ワイヤボンディング法により電気的に接続することができる。しかし、ワイヤボンディング法に限らず、半発明の半導体装置における基板と、半導体チップとの電気的な接続は、従来公知の方法を用いることにより行うことができる。
【００７６】
ワイヤボンディング法による接続に用いる導電材料には、従来公知の材料を用いることができる。例えば、バンプ８には、はんだ、Ａｕ、Ｃｕなど、ワイヤ１０には、Ａｕ、Ａｌなどを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００７７】
〔実施の形態２〕
本実施の形態において、〔実施の形態１〕に示した半導体装置１の変形例である半導体装置２１について、図２（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。
【００７８】
半導体装置２１は、半導体装置１と同様に突出状態の積層構造を有しているが、半導体装置２１において、半導体チップ２の主面と、半導体チップ３の主面とは、向かい合うように接着層５により接着されている。また、半導体チップ２の裏面と、基板４とが、接着層２２によって接着されている。このため、半導体チップ２または半導体チップ３と、基板４上に形成された配線パターン９とは、以下のような構成により電気的に接続されている。
【００７９】
基板４上の配線パターン９と、半導体チップ２の電極端子７に設けられた第１のバンプ８とは、ワイヤ１０により接続されている。また、上記第１のバンプ８と、半導体チップ３の電極端子７に設けられた第２のバンプ８とは、再配線パターン２２（導電体の構成要素）により接続されている。
【００８０】
なお、半導体チップ３の電極端子、上記第２のバンプ８および再配線パターン２２は、一部または全体が、接着層５に被われている。
【００８１】
ここで、半導体装置２１は、〔実施の形態１〕の半導体装置１と同様に半導体チップ３の外縁が外側に突出した半導体チップ２の外縁部分において、上記接着層５が、半導体チップ２の外縁より内側と接着していることである。つまり、接着層５は、半導体チップ２の外縁部分と接触していない。
【００８２】
また、半導体チップ３の半導体チップ２と重なっている外縁部分において、上記接着層５は、上記半導体チップ３の外縁より内側と接着している。つまり、接着層５は、半導体チップ３の外縁部分と接触していない（図２（ａ）および（ｂ））。
【００８３】
これらの構成により、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ２の主面上の外縁部分および上記半導体チップ３の主面上の外縁部分に対して応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置２１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【００８４】
そして、半導体装置２１と、半導体装置１との本発明に係る重要な相違点は、基板４と、半導体チップ２を接着する接着層２２の形状が異なることである。
【００８５】
接着層２２は、〔実施の形態１〕の接着層６よりも接着面の面積が小さくなるように形成されている。そして、上記接着層２２は、半導体チップの裏面上の外縁部分の内側と接着している。
【００８６】
これにより、上記半導体チップ２の裏面上の外縁部分に対して応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ２の物理的な破損が起こりにくくなる。したがって、より一層、上記半導体装置２１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【００８７】
これに対し、図２（ｃ）に示す従来の半導体装置２０１において、接着層１０５は、半導体チップ１０２の主面上の外縁部分、および半導体チップ１０３の主面上の外縁部分と接触している。また、接着層１０６は、半導体チップ１０２の裏面上の外縁部分と接触している。
【００８８】
よって、半導体チップ１０２および半導体チップ１０３の物理的破損が進みやすいため、上記半導体装置２１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【００８９】
〔実施の形態３〕突き出た構造の製造工程
本実施の形態においては、〔実施の形態１〕において説明した、基板に対して２つの半導体チップを積層した構造を有し、かつ上方に積層された半導体チップの一部分が、下方に積層された半導体チップの外縁部分よりも外側に突き出た構造を有する半導体装置の製造方法の一例について図３を用いて説明する。
【００９０】
まず、第１の工程において、配線パターン９を形成した絶縁性の基板４を用意する（工程３１；以下、Ｓ３１と略称する）。
【００９１】
第２の工程において、上記基板４の配線パターン９を形成した面上に第１の接着層６を形成する（Ｓ３２）。
【００９２】
ここでは、厚みが均一な、かつ接着位置の決定が容易なシート状の接着剤を用いることにより接着層を形成しているが、半導体チップの外縁部分との接着を避け得る接着剤であればよい。
【００９３】
第３の工程において、第１の半導体チップ２を配置する（Ｓ３３）。
【００９４】
ここで、第１の半導体チップ２は、主面上に電極端子７が形成されており、事前に裏面研磨を経て、ダイシングにより分割されたものが用いられている。
【００９５】
また、図３では、第１の半導体チップ２の裏面における外縁部分と、接着層６とが接触しているが、上記Ｓ３２において、より面積の小さい接着層を形成することにより該半導体チップ２の外縁部分と、該接着層６とを接触させない構造であってもよい。
【００９６】
第４の工程において、上記第１の半導体チップ２上の電極端子７と、上記基板４上の配線パターン９とが、ワイヤボンディングにより電気的に接続される（Ｓ３４）。
【００９７】
ここで、上記電極端子７のそれぞれにバンプ８を形成した後、該バンプ８と、上記配線パターン９とをワイヤ１０により接続してもよいし、ワイヤ１０の端部にバンプ８を形成し、該電極端子と、該バンプ８とを接続してもよい。
【００９８】
第５の工程において、上記第１の半導体チップ２の主面に対して、第２の接着層５を形成する（Ｓ３５）。
【００９９】
ここで、上記第２の接着層５と、上記第１の半導体チップ２の主面における外縁部分とが接触しないよう、該第２の接着層５のサイズおよび接着位置の決定を正確に行う必要がある。
【０１００】
第６の工程において、主面上に上記第２の接着層５を形成した上記第１の半導体チップ２に対して、第２の半導体チップ３を積層する（Ｓ３６）。
【０１０１】
このとき、第２の半導体チップ３は、第１の半導体チップ２の外縁部分より突き出た構造となるように積層される。
【０１０２】
また、図３では、第１の半導体チップ２と、第２の半導体チップ３とが、直交するような構造として示されているが、第２の半導体チップ３の一部が第１の半導体チップの２外縁部分より突き出た構造であればよい。
【０１０３】
さらに、第２の半導体チップ３は、主面上に電極端子７が形成されており、事前に裏面研磨を経て、ダイシングにより分割されたものが用いられている。
【０１０４】
第７の工程において、上記第２の半導体チップ３上の電極端子７と、上記基板４上の配線パターン９とが、ワイヤボンディングにより電気的に接続される（Ｓ３７）。
【０１０５】
ここで、ワイヤボンディングによる電気的な接続は、Ｓ３４と同様の方法で行われる。
【０１０６】
第８の工程において、基板上に形成した２つの半導体チップの積層構造を、樹脂封止することによりパッケージングする（Ｓ３８）。
【０１０７】
ここで、樹脂封止によりパッケージングする方法としては、トランスファモールド法およびポッティング法などが挙げられるが、これらに限定されず従来公知の方法を好適に用いることができる。
【０１０８】
本実施形態においては、樹脂封止を例に挙げているが、セラミックス、ガラス、金属などの無機物質を材料として用いる、耐吸湿性の高い気密封止であってもよい。
【０１０９】
なお、〔実施の形態２〕において説明した半導体装置は、上述の工程を以下のように変更することにより作製可能である。
（１）Ｓ３３において、主面上に再配線パターン９を形成した第１の半導体チップ２を接着する。
（２）Ｓ３５の後、上記再配線パターン９と、該再配線パターン９に接続させるためのバンプ８との接続が行えるよう、接着層に開口部を形成する。
（３）Ｓ３６において、主面上の電極端子７に上記バンプ８を設けた第２の半導体チップを積層する。
（４）Ｓ３７を行わずにＳ３８を行う。
【０１１０】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法の一例について説明したが、当業者であれば、本発明の半導体装置の製造には、従来公知の半導体製造工程を適用することができ、上記工程が必要に応じて適宜変更可能であるということが容易に想像し得る。
【０１１１】
〔参考例１〕
以下、実施の形態１〜３と同様に、２つの半導体チップに挟まれた接着層が、どちらの半導体チップの外縁部分にも接触しない構造を、２つの半導体チップの少なくとも一辺同士が重なる場合に適用した各種例について、以下に示す。
【０１１２】
本参考例において、半導体装置が、基板に対して同じサイズの半導体チップを積層した構造を有し、かつ２つの半導体チップの積層構造を真上から観察したとき２つの半導体チップが同一形状で重なる場合について、図４（ａ）および図４（ｂ）を用いて説明する。
【０１１３】
本参考例の半導体装置４１は、絶縁性の基板４と、配線パターン９が形成された基板４の面上に接着している接着層４４と、該接着層４４と裏面において接着している半導体チップ４２と、該半導体チップ４２の主面と接着している接着層６と、該接着層６と裏面において接着している半導体チップ４３を備えている。
【０１１４】
図４（ａ）に示す構成では、半導体チップ４２・４３は、ともに平板状の直方体形状を有しているので、各主面および各裏面の形状は長方形である。また、半導体チップ４２・４３の各主面および各裏面は同じ大きさを有している。したがって、半導体チップ４２と、半導体チップ４３の積層構造を真上から見た場合、２つの半導体チップの全ての辺は重なって見える。
【０１１５】
また、上記半導体チップ４２および上記半導体チップ４３の主面の短辺付近には、それぞれ複数の電極端子７が形成されている。上記電極端子７にはそれぞれ、一つのバンプ８が接続されている。
【０１１６】
さらに、上記バンプ８は、ワイヤ１０と接続されており、該ワイヤ１０は、上記配線パターン９と接続されている。
【０１１７】
なお、半導体チップ４２の主面上にある上記電極端子７、該電極端子７と接続されたバンプ８、および該バンプ８と接続されたワイヤ１０の一部は、接着層４３に被われている。
【０１１８】
このため、ワイヤ１０のそれぞれと、半導体チップ４３とが接触することを避けることができるので、半導体チップ４２と、半導体チップ４３との絶縁性が確保される。
【０１１９】
ここで、着目すべきことは、半導体チップ４２の外縁部分において、上記接着層４４が、半導体チップ４２の外縁より内側と接着していることである。つまり、接着層４４は、半導体チップ４２の外縁部分と接触していない（図４（ａ）および（ｂ））。
【０１２０】
このように、本参考例の半導体装置４１は、電極端子７が形成された主面および主面の反対側に裏面を有する第１および第２の半導体チップ４２・４３と、第１および第２の半導体チップ４２・４３に挟まれており、両半導体チップ４２・４３と接着している接着層４４とを少なくとも備え、第２の半導体チップ４３の外縁の少なくとも一部と、第１の半導体チップ２の外縁の少なくとも一部とが重なるように、第２の半導体チップ４３が第１の半導体チップ４２に対して積層され、少なくとも、第２の半導体チップ４３の外縁と重なる第１の半導体チップ４２の外縁部分において、上記接着層４４が、第１の半導体チップ４２の外縁より内側と接着している構成である。
【０１２１】
ここで、上記接着層４４は、上記半導体チップ４２の外縁部分と接触していない（図４（ａ）および（ｂ））。
【０１２２】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ４２の外縁部分に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ４２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置４１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１２３】
さらに、半導体チップ４３の外縁部分において、上記接着層４４は、上記半導体チップ４３の外縁より内側と接着している。つまり、接着層４４は、半導体チップ４３の外縁部分と接触していない（図４（ａ）および（ｂ））。
【０１２４】
このように、本参考例の半導体装置４１は、上述の構成に加えて、さらに、少なくとも、第２の半導体チップ４３の外縁が外側に突出した第１の半導体チップ４２の外縁部分において、上記接着層４４が、第１の半導体チップ４３の外縁より内側と接着している構成である。
【０１２５】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ４２と同様に、上記半導体チップ４３の外縁部分に対して応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップの物理的な破損が起こりにくくなる。つまり、より一層、上記半導体装置４１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１２６】
これにより、上記半導体チップ４３も同様に応力集中に伴う物理的な破損を起こしにくくなるため、より一層、上記半導体装置４１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１２７】
これに対し、従来の半導体装置４０１は、絶縁性の基板１０４と、配線パターン１０９が形成された該基板１０４の面上に接着している接着層４０５と、該接着層４０５と裏面において接着している半導体チップ４０２と、該半導体チップ４０２の主面と接着している接着層１０５と、該接着層１０５と裏面において接着している半導体チップ１０３を備えている。
【０１２８】
また、上記半導体チップ４０２および上記半導体チップ４０３の主面上にはそれぞれ、複数の電極端子１０７が形成されており、該電極端子１０７にはそれぞれ、一つのバンプ１０８が接続されている。さらに、該バンプ１０８は、ワイヤ１１０と接続されており、該ワイヤ１１０は、上記基板１０４上の配線パターン１０９と接続している。
【０１２９】
図４（ｃ）に示すように、従来の半導体装置４０１と本参考例の半導体装置４１との相違点は、接着層４０４が、上記半導体チップ４０２の外縁部分および上記半導体チップ４０３の外縁部分と接触していることである。
【０１３０】
上述の通り、多くの微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分と、接着層とが接触することにより半導体チップの破損の進行が早まるため、半導体チップの電気的機能が損なわれやすい。このため、上記半導体装置４０１は、上記半導体装置４１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【０１３１】
以上の段落において、本参考例の半導体装置４１に用いられている部材および半導体装置４１の構造について説明した。以下のおいては、本参考例の半導体装置において好適に採用され得る半導体チップの構造について説明する。
【０１３２】
本参考例においては、半導体装置が、同じサイズの２つの半導体チップの積層構造を真上から観察したとき、該２つの半導体チップが重なる構造を有する例について説明した。しかし、本参考例の半導体装置としては、２つの半導体チップの積層構造を真上から観察したとき、該２つの半導体チップの少なくとも一部が重なる構造を有していればよく、該２つの半導体チップは同じサイズを有している必要はない。
【０１３３】
〔参考例２〕
本参考例の半導体装置５１は、〔参考例１〕に示した半導体装置４１の変形例であり、同じサイズを有する２つの半導体チップを接着している接着層が異なるサイズの２つの層から構成された構造を有している。
【０１３４】
上述のように半導体装置５１は、半導体チップ４２および半導体チップ４３は、接着層５２および接着層５３の２つの接着層により接着されている。
【０１３５】
また、上記接着層５２は、半導体チップ４２および半導体チップ４３と同じサイズを有しており、接着層５３は、接着層５２よりも小さいサイズを有しており、かつ半導体チップ４２の外縁部分と接触していない（図５（ａ）および（ｂ））。
【０１３６】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ４２の外縁部分に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ４２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置４１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１３７】
なお、半導体チップ４２の主面上にある上記電極端子７、該電極端子７と接続されたバンプ８、および該バンプ８のそれぞれと接続されたワイヤ１０の一部は、接着層５３に被われている。
【０１３８】
また、接着層５２が、ワイヤ１０と、半導体チップ４３との間に挟まっているため、ワイヤ１０と、半導体チップ４３とが接触することがない。
【０１３９】
これにより、半導体チップ４２と、半導体チップ４３との絶縁性が確保される。
【０１４０】
これに対し、図５（ｃ）に示す従来の半導体装置５０１は、２つの半導体チップを接着する接着層は２つの層から形成されるが、２つの接着層（接着層５０２および接着層５０３）は、同じサイズを有しており、かつ２つの半導体チップ（半導体チップ４０２および半導体チップ４０３）とも同じサイズを有している。
【０１４１】
すなわち、接着層５０３は、半導体チップ４０２の外縁部分と接触しており、接着層５０２は、上記半導体チップ４０３の外縁部分と接触している。
【０１４２】
上述の通り、多くの微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分と、接着層とが接触することにより半導体チップの破損の進行が早まるため、半導体チップの電気的機能が損なわれやすい。このため、上記半導体装置５０１は、上記半導体装置６１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【０１４３】
〔参考例３〕
本参考例の半導体装置６１は、〔参考例２〕に示した半導体装置５１の変形例であり、同じサイズを有する２つの半導体チップを接着している接着層が同じのサイズ２つの層から構成された構造を有している。
【０１４４】
上述のように半導体装置６１は、半導体チップ４２および半導体チップ４３は、接着層６２および接着層５３の２つの接着層により接着されている。
【０１４５】
また、接着層６２は、接着層５３と同じサイズを有している。このため、接着層６２と半導体チップ４２の外縁部分、および接着層５３と半導体チップ４３の外縁部分とは接触しない（図６（ａ）および（ｂ））。
【０１４６】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ４２のＳ外縁部分に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ４２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置６１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１４７】
さらに、上記半導体チップ４３も同様に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ４２の物理的な破損が起こりにくくなる。このため、より一層、上記半導体装置６１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１４８】
これに対し、図５に示す従来の半導体装置６０１は、２つの半導体チップを接着する接着層は２つの層から形成されるが、２つの接着層（接着層５０２および接着層５０３）は、同じサイズを有しており、かつ２つの半導体チップ（半導体チップ４０２および半導体チップ４０３）とも同じサイズを有している。
【０１４９】
すなわち、接着層５０３は、上記半導体チップ４０２の外縁部分と接触している。
【０１５０】
上述の通り、多くの微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分と、接着層とが接触することにより半導体チップの破損の進行が早まるため、半導体チップの電気的機能が損なわれやすい。このため、上記半導体装置６０１は、上記半導体装置６１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【０１５１】
〔参考例４〕
本参考例の半導体装置７１は、〔参考例１〜３〕において説明した、同じサイズの半導体チップを積層した構造を有しており、該半導体装置７１が、２つの半導体チップと、基板とを、該２つの半導体チップを貫通する金属ポストを用いて電気的に接続させた構造を有している。半導体装置７１について、図７（ａ）および（ｂ）を用いて、以下に説明する。
【０１５２】
なお、金属ポストを用いた接続構造は、ワイヤーボンディングを用いずに、基板および第１の半導体チップに形成された回路パターン同士を接続したり、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップに形成された回路パターン同士を接続したりするのに好適である。
【０１５３】
したがって、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）に示す突出状態の積層構造であっても、ワイヤーボンディングを金属ポストを用いた接続構造に置き換えることができる。
【０１５４】
本参考例の半導体装置７１は、絶縁性の基板４と、配線パターン９が形成された基板４の面上に接着している接着層７５と、該接着層７５と裏面において接着している半導体チップ７２と、該半導体チップ７２の主面と接着している接着層７４と、該接着層７４と裏面において接着している半導体チップ７３を備えている。
【０１５５】
また、上記半導体チップ７２および上記半導体チップ７３の主面上には、電極端子７が形成されており、該電極端子７には、バンプ８が接続されている。
【０１５６】
さらに、上記半導体チップ７２の主面上に形成されたバンプ８および上記半導体チップ７３の主面上に形成されたバンプ８は、上記半導体チップ７２、上記半導体チップ７３、上記接着層７４および上記接着層７５を貫通する金属ポスト７６と接続されている。上記金属ポスト７６は、基板４上の配線パターン９と接続されている。
【０１５７】
なお、上記半導体チップ７２および上記半導体チップ７３は、金属ポスト７６の貫通孔が形成されている。また、接着層７４および接着層７５として、シート状の接着剤を用いる場合にも同様に貫通孔が形成されている。
【０１５８】
ここで、上記接着層７４は、上記半導体チップ７２の主面における外縁部分の内側と接着している。つまり、上記接着層７４は、上記半導体チップ７２の主面における外縁部分と接触していない。
【０１５９】
同様に、上記接着層７５は、上記半導体チップ７２の裏面における外縁部分と接触していない（図７（ａ）および（ｂ））。
【０１６０】
これにより、複数の半導体チップを積層した場合であっても、上記半導体チップ４２の外縁部分に応力が集中することを回避することができるため、該半導体チップ４２の物理的な破損が起こりにくくなる。結果として、上記半導体装置７１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１６１】
さらに、上記接着層７４は、上記半導体チップ７３の外縁部分と接触していない（図７（ａ）および（ｂ））。
【０１６２】
これにより、上記半導体チップ４３も同様に応力集中に伴う物理的な破損を起こしにくくなるため、より一層、上記半導体装置４１の信頼性（耐久性）を高めることができる。
【０１６３】
これに対し、図７（ｃ）に示す従来の半導体装置７０１において、接着層７０４は、半導体チップ７０２における主面の外縁部分と接触しており、接着層７０５は、半導体チップ７０２における裏面の外縁部分と接触している。
【０１６４】
また、接着層７０４は、半導体チップ７０３における裏面の外縁部分と接触している。
【０１６５】
上述の通り、多くの微少な物理的欠陥を有する半導体チップの外縁部分と、接着層とが接触することにより半導体チップの破損の進行が早まるため、半導体チップの電気的機能が損なわれやすい。このため、上記半導体装置７０１は、上記半導体装置７１よりも信頼性（耐久性）に劣る。
【０１６６】
〔参考例５〕重なる構造の製造工程
本参考例においては、〔参考例１〕〜〔参考例３〕において説明した、基板に対して同じサイズの半導体チップを積層した構造を有し、かつ２つの半導体チップの積層構造を真上から観察したとき２つの半導体チップが重なるような構造を有する半導体装置の製造方法の一例について図８を用いて説明する。
【０１６７】
まず、第１の工程において、配線パターン９を形成した絶縁性の基板４を用意する（Ｓ８１）。
【０１６８】
第２の工程において、上記基板４の配線パターン９を形成した面上に第１の接着層６を形成する（Ｓ８２）。
【０１６９】
ここでは、厚みが均一な、かつ接着位置の決定が容易なシート状の接着剤を用いることにより接着層を形成しているが、半導体チップの外縁部分との接着を避け得る接着剤であればよい。
【０１７０】
第３の工程において、第１の半導体チップ４２を配置する（Ｓ８３）。
【０１７１】
ここで、第１の半導体チップは、主面上に電極端子が形成されており、事前に裏面研磨を経て、ダイシングにより分割されたものが用いられている。
【０１７２】
また、図４〜６では、第１の半導体チップ４２の裏面における外縁部分と、接着層６とが接触しているが、上記の工程３２において、より面積の小さい接着層を形成することにより該半導体チップ４２の外縁部分と、該接着層４２とを接触させない構造であってもよい。
【０１７３】
第４の工程において、上記第１の半導体チップ４２上の電極端子７と、上記基板４上の配線パターン９とが、ワイヤボンディングにより電気的に接続される（Ｓ８４）。
【０１７４】
ここで、上記電極端子７のそれぞれにバンプ８を形成した後、該バンプ８と、上記配線パターン９とをワイヤ１０により接続してもよいし、ワイヤ１０の端部にバンプ８を形成し、該電極端子７と、該バンプ８とを接続してもよい。
【０１７５】
第５の工程において、上記第１の半導体チップ４２の主面に対して、第２の接着層４４を形成する（Ｓ８５）。
【０１７６】
ここで、上記第２の接着層４４と、上記第１の半導体チップ４２の主面における外縁部分とが接触しないよう、該第２の接着層４４のサイズおよび接着位置の決定を正確に行う必要がある。
【０１７７】
また、第２の接着層４４は、２つの層から形成される場合があり、該接着層４４を形成するそれぞれの層は、サイズは同じであっても異なっていてもよい
第６の工程において、主面上に上記第２の接着層４４を形成した上記第１の半導体チップ４２に対して、第２の半導体４３チップを積層する（Ｓ８６）。
【０１７８】
このとき、この積層構造を真上から観察した場合、上記第２の半導体チップ４３の外縁部分は上記第１の半導体チップ４２の外縁部分と重なる構造となるように積層される。
【０１７９】
また、この積層構造を真上から観察した場合、上記第１の半導体チップ４２の外縁の一部と、上記第２の半導体チップ４３の外縁の一部とが、重なっていればよい。
【０１８０】
つまり、必ずしも同じサイズを有する２つの半導体チップを積層する必要はない。
【０１８１】
さらに、上記第２の半導体チップ４３は、主面上に電極端子７が形成されており、事前に裏面研磨を経て、ダイシングにより分割されたものが用いられている。
【０１８２】
第７の工程において、上記第２の半導体チップ４３上の電極端子７と、上記基板４上の配線パターン９とが、ワイヤボンディングにより電気的に接続される（Ｓ８７）。
【０１８３】
ここで、ワイヤボンディングによる電気的な接続は、Ｓ８４と同様の方法で行われる。
【０１８４】
第８の工程において、基板４上に形成した２つの半導体チップの積層構造を、樹脂封止することによりパッケージングする（Ｓ８８）。
【０１８５】
ここで、樹脂封止によりパッケージングする方法としては、トランスファモールド法およびポッティング法などが挙げられるが、これらに限定されず従来公知の方法を好適に用いることができる。
【０１８６】
本参考例においては、樹脂封止を例に挙げているが、セラミックス、ガラス、金属などの無機物質を材料として用いる、耐吸湿性の高い気密封止であってもよい。
【０１８７】
以上の工程により、〔参考例１〕〜〔参考例４〕において説明した本発明に係る半導体装置を製造することができる。
【０１８８】
なお、〔参考例４〕において説明した半導体装置は、上述の工程を以下のように変更することにより作製可能である。
（１）配置を行うまでに、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップの所望の位置に対して、金属ポストを貫通させる穴を形成しておく。
（２）金属ポストを貫通させる穴を形成した第１の接着層および第２の接着層を形成する。または、接着層の形成後、かつ半導体チップの接着前に金属ポストを貫通させる穴を形成する。
（３）Ｓ８４およびＳ８７を行わず、上記第２の半導体チップを積層した後、金属ポストを（１）および（２）において形成した貫通孔に配置することにより、上記基板と、上記第１の半導体チップと、上記第２の半導体チップとを電気的に接続する。
【０１８９】
以上において〔参考例１〕〜〔参考例４〕の半導体装置の製造方法の一例について説明したが、当業者であれば、本発明の半導体装置の製造には、従来公知の半導体製造工程を適用することができ、上記工程が必要に応じて適宜変更可能であるということが容易に想像し得る。
【０１９０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態および参考例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１９１】
〔その他の構成〕
なお、本発明は、以下に示す構成であっても実現可能である。
【０１９２】
（第１の構成）
基板上に複数個の半導体チップが積層されており、第１の半導体チップの上方に接着層を介して第２の半導体チップが配置され、且つ、第２の半導体チップが第１の半導体チップより突き出た構造又は一辺が重なる構造となる半導体装置において、前記接着層が第1の半導体チップの外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０１９３】
（第２の構成）
外形が封止樹脂、配線パターンが形成された絶縁基板、外部接続端子により構成され、内部にある複数の半導体チップのそれぞれの主面上に電極端子を有し、主面上の電極端子が導電体を介して絶縁基板上に形成された配線パターンと電気的に接続された半導体装置で、内部の半導体チップ１と、その裏面に形成され絶縁基板と接着する接着層１と、その半導体チップ１の上方に配置される半導体チップ２と、その裏面に形成され半導体チップ１の主面に接着する接着層２とがあり、上方に配置される半導体チップ２が下方に配置された半導体チップ１より突き出た構造となる場合において、接着層２が半導体チップ１の外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０１９４】
（第３の構成）
上記複数の導電体が、金バンプ及び金線で構成されていることを特徴とする第２の構成に係る半導体装置。
【０１９５】
（第４の構成）
第１の構成に係る複数の導電体が、金バンプおよび、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを貫通して形成される金属ポストで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０１９６】
（第５の構成）
外形が封止樹脂、配線パターンが形成された絶縁基板、外部接続端子により構成され、内部にある複数の半導体チップのそれぞれの主面上に電極端子を有し、主面上の電極端子が複数の導電体を介して絶縁基板上に形成された配線パターンと電気的に接続された半導体装置で、内部の第１の半導体チップと、その裏面に形成され絶縁基板と接着する第１の接着層と、その第１の半導体チップの上方に配置される第２の半導体チップと、その主面に形成され第１の半導体チップの主面に接着する第２の接着層とがあり、上方に配置される第２の半導体チップの主面が第２の接着層を介して第１の半導体チップの主面と接着され、下方に配置された第１の半導体チップより突き出た構造となる場合において、第２の接着層が第１の半導体チップおよび第２の半導体チップの外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０１９７】
（第６の構成）
第５の構成に係る複数の導電体が、金バンプ、再配線層、及び金線で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０１９８】
（第７の構成）
第５の構成に係る複数の導電体が、金バンプ、再配線層、および第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを貫通して形成される金属ポスト等で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０１９９】
（第８の構成）
外形が封止樹脂、配線パターンが形成された絶縁基板、外部接続端子により構成され、内部にある複数の半導体チップのそれぞれの主面上に電極端子を有し、主面上の電極端子が複数の導電体を介して絶縁基板上に形成された配線パターンと電気的に接続された半導体装置で、内部の第１の半導体チップと、その裏面に形成され絶縁基板と接着する第１の接着層と、その第１の半導体チップの上方に配置される第２の半導体チップと、その裏面に形成され第１の半導体チップの主面に接着する第２の接着層とがあり、上方に配置される第２の半導体チップの少なくともある１辺が、下方に配置された第１の半導体チップの辺と重なる構造となる場合において、第２の接着層が第１の半導体チップの外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０２００】
（第９の構成）
第８の構成に係る複数の導電体が、金バンプ及び金線で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０２０１】
（第１０の構成）
第９の構成に係る構造において、第１の半導体チップの主面上の電極端子上に形成された金バンプ及び金線が第２の接着層に被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【０２０２】
（第１１の構成）
第８の構成に係るの第２の接着層が２層で構成され、第１の半導体チップの主面上の電極端子上に形成された金バンプ及び金線が２層構造の第２の接着層の下層側の層に被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【０２０３】
（第１２の構成）
第８の構成に係る複数の導電体が、金バンプおよび、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを貫通して形成される金属ポストで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０２０４】
（第１３の構成）
外形が封止樹脂、配線パターンが形成された絶縁基板、外部接続端子により構成され、内部にある複数の半導体チップのそれぞれの主面上に電極端子を有し、主面上の電極端子が複数の導電体を介して絶縁基板上に形成された配線パターンと電気的に接続された半導体装置で、内部の第１の半導体チップと、その主面に形成され絶縁基板と接着する第１の接着層と、その第１の半導体チップの上方に配置される第２の半導体チップと、その主面に形成され第１の半導体チップの裏面に接着する第２の接着層とがあり、上方に配置される第２の半導体チップの少なくともある１辺が、下方に配置された第１の半導体チップの辺と重なる構造となる場合において、第２の接着層が第２の半導体チップの外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０２０５】
（第１４の構成）
第１２の構成に係る複数の導電体が、金バンプ、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップを貫通して形成される金属ポストで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【０２０６】
（第１５の構成）
外形が複数の積層された半導体チップ、接着用樹脂、配線パターンが形成された絶縁基板、外部接続端子により構成され、内部にある複数の半導体チップのそれぞれの主面上に電極端子を有し、主面上の電極端子が複数の導電体を介して絶縁基板上に形成された配線パターンと電気的に接続された半導体装置で、内部の第１の半導体チップと、その主面に形成され絶縁基板と接着する第１の接着層と、その第１の半導体チップの上方に配置される第２の半導体チップと、その主面に形成され第１の半導体チップの裏面に接着する第２の接着層とがあり、上方に配置される第２の半導体チップの少なくともある１辺が、下方に配置された第１の半導体チップの辺と重なる構造となる場合において、第２の接着層が第２の半導体チップの外縁部と接触しないことを特徴とする半導体装置。
【０２０７】
（第１６の構成）
第１５の構成に係る複数の導電体が、金バンプ、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップを貫通して形成される金属ポストで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明によれば、半導体装置の信頼性（耐久性）を高めることができる。このため、従来の半導体装置を用いた機器全般に適用することが可能である。中でも複数の半導体チップを積層することにより小型化および高性能化が要求される携帯機器への適用は有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】（ａ）は、後から積層した半導体チップが、先に積層した半導体チップより突出した構造を有する本発明の半導体装置の斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＡ１−Ａ２における矢視断面図である。（ｃ）は、従来の半導体装置における接着層について説明する斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１の半導体装置の変形例を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＢ１−Ｂ２における矢視断面図である。（ｃ）は、従来の半導体装置における接着層について説明する斜視図である。
【図３】図１および図２に示す本発明の半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図４】（ａ）は、同じサイズのチップを積層した構造を有する半導体装置の斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＣ１−Ｃ２における矢視断面図である。（ｃ）は、従来の半導体装置における接着層について説明する斜視図である。
【図５】（ａ）は、同じサイズのチップを積層した構造を有し、接着層が二層構造を有する半導体装置の斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＤ１−Ｄ２における矢視断面図である。（ｃ）は、図５および図６に示す本発明の半導体装置に対する、従来の半導体装置における接着層について説明する斜視図である。
【図６】（ａ）は、図５の半導体装置の変形例を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＥ１−Ｅ２における矢視断面図である。
【図７】（ａ）は、同じサイズのチップを積層した構造を有し、金属ポストを用いて電気的接続を行っている半導体装置を示す斜視図である。（ｂ）は、（ａ）のＦ１−Ｆ２における矢視断面図である。（ｃ）は、従来の半導体装置における接着層について説明する斜視図である。
【図８】図４〜７に示す半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２１０】
１    半導体装置
２    半導体チップ  （第１の半導体チップ）
３    半導体チップ  （第２の半導体チップ）
４    基板
５    接着層
６    接着層  （基板接着層）
７    電極端子  （導電体）
８    バンプ  （導電体）
９    配線パターン  （導電体）
１０  ワイヤ  （導電体）
１１  再配線パターン  （導電体）
１２  金属ポスト  （導電体）
２１  半導体装置
２２  接着層  （基板接着層）
【図１】
2007288003.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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