(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコーンウエハへイオンを注入するためにイオンビームを供給するのに使用する質量分析磁石及び／あるいは他の磁石構造を有するイオン注入機、システム、方法を提供する。【解決手段】イオンビーム注入機10は、ビームラインに沿って移動するイオンビーム14を発生するためのイオン源12と、イオン注入室22とを含み、イオンビームによってワークピース24の表面にイオン注入するために、ワークピースがイオンビームを横断するように位置づけられる。ビームラインに沿って位置する種々の超伝導材料からなる磁石30,40,42,44が、イオンビーム及びイオンを操作するために備えられる。超伝導材料として、臨界温度の低いＴＣ材料（例  ＮｂＴｉ）又はより高いＴＣ材料（例  ＭｇＢ２、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８）で作られる磁石を有するイオンビーム注入機が開示されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)  イオンビームを発生するイオン源、
b)  ワークピースがイオンビームを横切るように位置づけられている排気された内部領域を有するイオン注入室、
・  上記イオン源と上記注入室間の径路に沿って位置づけられる磁石を含み、
上記磁石は、
i)  コア材料、及び、
・  励磁される時、イオンビームが磁石に入る最初の軌跡から、イオンビーム
内のイオンを曲げるための磁場を創り出す、上記コア材料に対して位置する超伝導コイル材料を含むことを特徴とするイオンビーム注入機。
【請求項２】
上記コア材料の周囲に巻かれる超伝導材料は、低いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項１記載のイオンビーム注入機。
【請求項３】
上記低いＴＣ超伝導材料は、ＮｂＴｉを含むことを特徴とする請求項２記載のイオンビーム注入機。
【請求項４】
上記コア材料の周囲に巻かれる超伝導材料は、高いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項１記載のイオンビーム注入機。
【請求項５】
上記高いＴＣ超伝導材料は、マグネシウムディボライドを含むことを特徴とする請求項４記載のイオンビーム注入機。
【請求項６】
上記高いＴＣ超伝導材料は、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８を含むことを特徴とする請求項４記載のイオンビーム注入機。
【請求項７】
超伝導材料がコイルに巻かれ、そして上記コイルの少なくともある部分を介して冷却液を送る通路を含むことを特徴とする請求項１記載のイオンビーム注入機。
【請求項８】
イオンビーム注入機に使用される質量分析磁石であって、該磁石は、最初の軌跡からイオンビームを選択的に偏向する磁場を作るための、強磁性コア材料及び超伝導コイルを含むコアを有することを特徴とする質量分析磁石。
【請求項９】
イオンビーム注入機に使用されるスキャニング磁石であって、該磁石は、振動する方法でイオンビームをスキャンするために磁場を作るための、強磁性コア材料及び超伝導コイルを含むコアを有することを特徴とするスキャニング磁石。
【請求項１０】
イオンビーム注入機に使用される平行化磁石であって、該磁石は、金属材料及び超伝導材料を含むコアを有し、イオンが平行化磁石を出て、ほぼ平行なビーム径路に沿って移動するようイオンの変化量によって、イオンビーム内のイオンを偏向させるための磁場を調整することを特徴とする平行化磁石。
【請求項１１】
イオンビーム注入機に使用される角度偏向磁石であって、該磁石は、スキャン平面を横切る方向にイオンビームを偏向するために、磁場を作るための金属材料及び超伝導材料を含むコアを有することを特徴とする角度偏向磁石。
【請求項１２】
a)  ワークピースを処理するための径路に沿ってイオンビームを取り出すのに適合するイオン源、
b)  上記イオンビームで処理するためにワークピースを配置するための内部領域を有する上記イオン源と間隔をおくイオン注入領域、及び、
c) コア材料と、上記コア材料の周囲に巻かれて電磁場を生成するコイル、上記コアが励磁されて上記イオンビームを平行化し、ワークピースを処理するための複数の実質的に平行なイオンビーム径路を形成する磁石からなり、上記電磁場を発生するコイルは、超伝導材料から作られる、上記イオン源と上記イオン注入領域間に位置するビームガイド、
を含むことを特徴とするイオン注入システム。
【請求項１３】
上記コア材料の周囲に巻かれた上記超伝導材料は、低いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項１２記載のイオン注入システム。
【請求項１４】
上記コア材料の周囲に巻かれた上記超伝導材料は、高いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項１２記載のイオン注入システム。
【請求項１５】
上記高いＴＣ超伝導材料は、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８を含むことを特徴とする請求項１４記載のイオン注入システム。
【請求項１６】
上記低いＴＣ超伝導材料は、ＮｂＴｉを含むことを特徴とする請求項１３記載のイオン注入システム。
【請求項１７】
a)  第１の軌跡に沿ってイオンビームを生成するイオン源を備え、
b)  イオン注入領域内で上記イオンビームの目標位置にワークピースの位置を合わせ、そして、
c)  超伝導材料から作られる電磁コイルを有する磁石を介して上記イオンビームを向けることによって第２の軌跡を形成する上記イオンビームの特性を変化させる、
ことを特徴とするイオン注入方法。
【請求項１８】
イオンビームの特性の上記変更は、ワークピースを処理するための複数の実質的に平行なイオンビーム径路を形成するために、上記ビームを平行化することを含むことを特徴とする請求項１７記載のイオン注入方法。
【請求項１９】
イオンビームの特性の上記変更は、ワークピースを処理するための微細なイオンビームを形成するために、イオンの適切な電荷質量比を有するビームの部分を曲げることを含むことを特徴とする請求項１７記載のイオン注入方法。
【請求項２０】
イオンビームの上記特性の変更は、上記ビームを偏向して、ワークピースを処理するのに発生する反復スキャンパターンを起こすことを含むことを特徴とする請求項１７記載のイオン注入方法。
【請求項２１】
a)  イオンビームを最初の軌跡に沿って移動するように向け、
b)  質量分析磁石中にビームを通過させることによって、イオンビームを第１の軌跡から第２の軌跡へ曲げさせ、
c)  レンズ中に第２の軌跡を向けることによってイオンビームを収束し、
d)  イオンビームを偏向磁石中で第２の軌跡を通過させ、偏向磁石が励磁した時、イオンビームを前後にスキャンさせてリボン状イオンビームを創り出すようにし、
e)  平行化磁石中に上記リボン状イオンビームを向けることによって、上記リボン状イオンビーム内の実質的な平行ビーム径路を生成し、及び、
f)  上記質量分析、偏向及び平行化磁石のいずれでも、超伝導磁石を使用することによって領域内の制御された磁界を形成し、上記超伝導磁石は超伝導材料で作られる電磁場生成コイルによって囲まれるコアを含む、
各ステップからなるワークピースのイオン注入中、イオンビームを制御する方法。
【請求項２２】
a)  イオンビームをプラズマ室から生成するためのイオン源、
b)  規定の電荷質量比を有するビームを修正するための質量分析磁石、
c)  規定の周波数範囲で隅々まで反復スキャンするビームを生じるための偏向する超伝導磁石、
d)  ビームがワークピース表面を横断して実質的に平行であることを確実にするための平行化超伝導磁石、及び、
e)  ワークピース表面にイオンを注入するための超伝導磁石の後でビーム径路に沿って位置するイオン注入室を含み、
上記超伝導磁石は、
i) 複数の磁性薄板から作られるコア、
ii)  超伝導コイルから作られる複数のコイル、
iii)  超伝導磁石を励磁するための電流源、及び
iv)  超伝導磁石を冷却し、超伝導温度で上記コイルの超伝導材料を支持するための冷却システムを含み、
f)  上記超伝導磁石は、ワークピースへのイオンビームを質量分析し、偏向し、あるいは平行化する所定の範囲内で、超伝導コイルを介して電流を持続する、
ことを含むイオンビームを操作するための超伝導材料を有するイオンビーム注入システム。
【請求項２３】
上記超伝導材料は、低いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項２２記載のイオン注入システム。
【請求項２４】
上記超伝導材料は、高いＴＣ材料から作られることを特徴とする請求項２２記載のイオン注入システム。
【請求項２５】
上記低いＴＣ超伝導材料は、ＮｂＴｉを含むことを特徴とする請求項２３記載のイオン注入システム。
【請求項２６】
上記高いＴＣ超伝導材料は、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８を含むことを特徴とする請求項２４記載のイオン注入システム。
【請求項２７】
上記高いＴＣ超伝導材料は、ＭｇＢ２から作られることを特徴とする請求項２４記載のイオン注入システム。
【請求項２８】
上記高いＴＣ超伝導材料は、ＭｇＢ２及びＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８の群から選択されることを特徴とする請求項２４記載のイオン注入システム。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイオン注入機に関し、特にワークピースへイオンを注入するためにイオンビームを供給するのに使用する質量分析磁石及び／あるいは他の磁石構造を有するイオン注入機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本発明の譲受人であるアクセリステクノロジーは、集積回路製造中、シリコーンウエハのようなワークピースの処理のための製品の設計及び販売をしている。イオン注入機は、イオンビーム中に置かれるシリコーンウエハのようなワークピースの物理的あるいは電気的特性を変えるイオンビームを創りだす。この工程は、例えば、未処理ウエハの半導体材料の特性を変更するように製造するために、シリコーンをドープするのに使用できる。ウエハ内の異なるドーパントパターンの積層ばかりでなく、イオン注入前のレジスト材料でのマスキングの使用を制御することが、集積回路の製造に無数の応用の一つとして使用されている。
【０００３】
イオンビーム注入機の注入室は減圧下に維持されている。ビームラインに沿っての加速後、ビーム中のイオンは、イオン注入室に入り、ウエハに衝突する。イオン注入室内にウエハを配置するために、ウエハは高圧下にあるカセットあるいは貯蔵装置からロードロック内へロボットによって移動される。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、半導体ウエハのようなワークピースにイオン注入するためのイオンビーム注入機に関するものである。イオンビーム注入機は、ワークピースへ向かう移動径路に沿って移動するイオンビームを発生するためのイオンビーム源を含んでいる。上記ビームは、いわゆる「ペンシルビーム」としてウエハに達し、ラスタースキャンのやり方で最初の軌跡から左右にスキャンされ、あるいは、いわゆる「リボンビーム」として生成される。ビームを構成するイオンが、ワークピースに衝突するように、イオン注入室内でワークピース（ウエハ）の位置は維持される。
【０００５】
典型的なイオンビーム注入機は、ビーム径路を制限するようにイオンビームを発生するイオン源と、ワークピースがイオンビームを横切るように配置されている、排気された内部領域を有するイオン注入室とを含む。上記イオン注入機は、イオン源とイオン注入室間のビーム径路に沿って配置される少なくとも一つの磁石を含み、イオン注入室は、i)  コア材料と、ii)  上記コア材料に対して配置される超伝導磁石コンダクタとを含み、磁石が励磁される時、磁石に入る最初の軌跡からイオンビーム内のイオンを曲げる磁界を創り出す。
【０００６】
超伝導磁石は、従来のイオン注入機に使用される在来の磁石に対していくつかの利点がある。それらは、以下の点を含むが、それに制限されない。すなわち、大きさや、重量、及び消費電力の減少；発生する磁界の時間的及び空間的安定性の増加；そして、広い領域での一様な磁場を発生する能力があり、それは、３００ｍｍのような幅の径のウエハを一様に注入するに足りる‘リボン’ビームの幅を導くことを可能にする能力であり、また、現在、イオン注入技術のロードマップで計画されている４５０ｍｍや７００ｍｍのような、更に上位のものを可能にする。超伝導磁石は、InあるいはSbのような大きな質量の種を、従来の磁石の技術より大きい抽出エネルギーで質量分析するのに有利である。さらに、超伝導磁石は、スキャンや平行化する磁石が移動ビームの径路に沿って使用される、スキャンされるビームのアーキテクチャにおいて、価値ある利益をもたらす。
本発明の典型的なこれら及び他の実施形態の特徴は、添付の図面にしたがって詳細に記載されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図を参照すると、図１はイオンビーム注入機１０の概略を説明している。イオン注入機は、イオンビーム１４を形成するイオンを創り出すイオン源１２を含み、イオンビーム１４は、目的物あるいはイオン注入ステーション２０へビーム径路を横断するように形成され、また、偏向が選択的に行われる。イオン注入ステーションは、内部領域を画定する真空あるいはイオン注入室２２を含み、内部領域には半導体のようなワークピース２４が、イオンビーム１４を構成するイオンが注入される位置に配置される。制御器４１として概略図示されている制御電子回路は、ワークピース２４に注入されるイオン注入量を制御し、モニターするために使用される。オペレータによる上記制御電子回路への入力は、典型的には、エンドステーション２０近くに配置されたユーザ制御コンソール２６によって達成される。イオンビーム１４内のイオンは、ビームがイオン源とイオン注入室間の領域を横断するので、望ましくない発散をする傾向がある。この発散を減少するために、上記領域は、１あるいは１以上の真空ポンプ２７によって低圧下に維持される。
【０００８】
イオン源１２は、イオン化ガスあるいは蒸発したイオン源材料を含むイオン源材料が注入される内部領域を画定するプラズマ室を含む。プラズマ室内で発生したイオンは、イオンビーム取り出しアッセンブリ２８によって上記プラズマ室から引き出される。取り出しアッセンブリは、典型的には、イオン加速電場を作り出すための、多くの電極を含む。
【０００９】
ビーム径路に沿って、超伝導電磁コイルを有する質量分析磁石３０が配置され、超伝導電磁コイルは、励磁されると、イオンビーム１４を曲げ、イオンビームをビームシャッター３２に向ける。図１に示されるように、ビームシャッター３２の下流で、ビーム１４は、その収束のために典型的にイオン注入システムに備えられる４重極レンズシステム３６を通過する。図１に説明されるスキャンされるイオンビームアーキテクチャにしたがって、上記ビームは、制御器４１によって制御されるスキャニングあるいは偏向磁石４０を通過する。制御器４１は、磁石４０の伝導巻線に交流信号を供給し、数百ヘルツの周期でイオンビームを左右へ次々に、繰り返し偏向あるいはスキャンする。開示された一実施形態において、２００から３００ヘルツのスキャニング周波数が使用されている。この偏向あるいは左右へのスキャニングは、イオンビーム１４aとして描かれている薄い、扇形のビームを生成する。
【００１０】
扇形形状ビーム内のイオンは、スキャニング磁石４０を通過した後、単一平面に沿って収束する径路をたどる。その後、イオンは、主として平行化磁石４２に進入し、ビーム１４aを作るイオンは、概して平行ビーム径路に沿って平行化磁石を出るように、量を変更して再び曲げられる。当業者は、イオンが、図１に示されるｙ軸方向に対して、下方あるいは上方のスキャン平面を横断する方向に、イオンを偏向するエネルギーフイルタ４４として示される磁石構造に進入するように向けられることがわかるであろう。この偏向角度は、上流でのビーム形成や移送の間、ビームに入りこんだかも知れない中性粒子を取り除く。本発明の超伝導磁石の概念は、イオンの最終到達点であるワークピースへ、イオンビームの好ましい形状やその輸送を提供するために、イオン及びイオンビームを操作するための、ここに記載された磁石構造のいずれかに立脚していることが理解されるであろう。
【００１１】
平行化磁石４２を出るスキャンされたイオンビーム１４aは、基本的に断面が非常に狭い矩形状であるイオンビームであり、すなわち、一方向に伸びるビームであり、例えば、垂直方向に制限されており［約１／２インチ（１．２７ｃｍ）］、そしてシリコーンウエハのようなワークピースの径を完全に覆うように、スキャニング磁石４０によってもたらされるスキャニングあるいは偏向により外側へ広がるのに限度がある垂直方向でのビームである。概して、スキャンするイオンビーム１４aの広がりは、スキャンする時、ワークピース２４の表面を完全にイオン注入するのに十分である。すなわち、スキャニング磁石４０はビームを偏向するが、イオン注入室２２内でワークピース２４のイオン注入表面をたたくとき、スキャンするイオンビーム１４aの水平方向の範囲は、少なくともワークピースの径であろう。
【００１２】
ワークピース支持構造５０は、イオン注入中、スキャンするイオンビーム１４に関してワークピース２４を支持するとともに移動し（ｙ方向に上下に）、その結果、ワークピース２４の全イオン注入表面が、イオン注入される。イオン注入室の内部領域は排気されているので、ワークピースはロードロック６０を介して上記室内に出入りしなければならない。イオン注入室２２内に取り付けられたロボットアーム６２は、ロードロック６０とワークピースをやり取りする。ワークピース２４は、図１のロードロック６０内の水平位置に示されている。アームは、ロードロック６０から上記支持構造５０へ、弓形の径路でワークピースを回転させて、ワークピース２４を移動する。イオン注入前に、ワークピース支持構造５０は、イオン注入のために垂直あるいは略垂直位置へ、ワークピース２４を回転する。もしワークピース２４が垂直であれば、すなわち、イオンビーム１４に関して法線上にあれば、イオンビームとワークピース表面の法線との間のイオン注入角度あるいは入射角は、０度である。
【００１３】
典型的なイオン注入動作で、未注入ワークピース（通常は、半導体ウエハ）は、ワークピース２４を方向合わせ器８４へ移動する二つのロボット８０，８２のうちの一つによって、多数のカセット７０−７３の一つから取り出され、ワークピース２４は特定の方向に回転される。ロボットアームは、方向合わせしたワークピースを取り出し、ロードロック６０中にそれを移動する。上記ロードロックは閉められ、所望の真空に排気され、それからイオン注入室内へ開く。ロボットアーム６２は、ワークピース２４をつかみ、イオン注入室２２内へそれを運び、ワークピース支持構造５０へそれを置く。ワークピース２４のイオンビーム処理後、ワークピース支持構造５０は、ワークピース２４を水平位置へ戻し、静電クランプの電源を断ってワークピースを開放する。アーム６２は、イオンビーム処理後、ワークピース２４をつかみ、支持構造５０からロードロック６０へ戻す。代わりの設計では、上記ロードロックは、上部領域と下部領域で排気と加圧が独立であり、その実施形態では、イオン注入ステーションで第２のロボットアーム（未図示）は、イオン注入されたワークピース２４をつかみ、イオン注入室２２からロードロック６０及びカセット７０−７３の一つへ移動する。
【００１４】
図２及び３は、図１のイオン注入機とは異なり、リボンビーム（図２）あるいはペンシルビーム（図３）をワークピースへ移送するアーキテクチャを備えるイオン注入機１１０の概略を示している。このイオン注入機のアーキテクチャ１１０は、イオンを発生するためのイオン源１１２と、上記イオン源によって発生するイオンを加速するための取り出し電極構造１１４と、及びイオンビーム１４０中へ単一ウエハあるいは複数のウエハを移動するための回転ディスクあるいは他の支持システムを含むウエハ支持体１３２を備えるイオン注入室１３０へ、進入する軌跡に沿って適切な電荷質量比のイオンを曲げるための質量分析磁石１２０とを含む。ビームを作り出すイオンは、適切なウエハ処理エネルギーで支持体のウエハに衝突するように磁石１２０から出て、ドラフトチューブあるいは適切な軌跡にしたがってイオンを加速する線形加速器１５０によって、ウエハの方へ加速される。
【００１５】
超伝導磁石材料
通常、イオン注入システムで使用される種々の磁石は、図２及び３の質量質量分析磁石１２０ばかりでなく、図１のイオン注入システムに関してここに記載された、例示的な質量質量分析磁石３０、スキャニング磁石４０、平行化磁石４２及び／あるいは角エネルギー偏向磁石４４は含まれるが制限されず、超伝導材料の電磁場エネルギーを発生するコイルで作ることができる磁石である。超伝導材料の世界において、パラメータに特徴のあるキーは、いわゆる材料の臨界温度（ＴＣ）であり、それは与えられた材料が超伝導になる最大温度に言及する。好ましくは、これらの超伝導コイルは、低いＴＣ材料（例  ＮｂＴｉ）又はより新しい（高いＴＣの）材料（例  Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８）で作られ、約８５°Ｋである。磁石コイルに使用される第３の超伝導材料は、マグネシウムディボライドＭｇＢ２であり、それは高いＴＣ材料である。液体窒素及び／あるいは液体ヘリウムを使用する、閉じた冷凍サイクルが、超伝導磁石を冷却するために使用される。これら磁石によって案内されるビームは、固定された‘ペンシルビーム’（図２及び３）、スキャンされるペンシルビーム（図１）、あるいは固定された‘リボン’ビーム（図示されない）のいずれかである。磁石から下流のエンドステーションは、一度に一つのウエハ又はワークピースか、あるいは一度にバッチ又は複数のウエハかのどちらかで処理できる。現在、好ましい超伝導材料は、より展性があり、したがって電流伝導コイルの形状を製造するのに、より容易なマグネシウムディボライドである。
【００１６】
図２に示すように、本発明に従う質量質量分析磁石の例示的な実施形態で、磁石を作るコイル１６０は、磁石の形状を画定する一連の積み重ねられたループである。上記ループは円形ではなく、それらが一部である磁石の領域の（従来の）輪郭に一致する。上記ループは、ループ間のギャップよりも厚い。磁石の頂部の厚みの周囲で２〜４ループであり（底部でも同じ数）、そしてループは、磁石のビームの出入り口の上下に直接伸びている。
【００１７】
図４は、図１のスキャニング磁石の構造をより詳細に描いている。磁石は強磁性材料から作られるヨーク及びポールピースを含む、コア１４２を有する電磁石である。磁場は、導体あるいはコイル１４４を流れる電気的に励磁が制御される超伝導電流によって、磁石のポールギャップ内に誘導される。
【００１８】
導体１４４と組合せて、イオンが磁石の中央通路に入るように、二つのコア部分が磁石の入口を形成するように向き合う方向にある。コア４０aの唯一の底部部分が図４に描かれ、実施形態で説明されるように、いくつかの区分１３０−１３９から作られている。説明される実施形態において、コアは５個のリボン巻き線（屈曲）から製造されており、各巻き線は、磁気コアの二つのセクション（１３０、１３９のような）を与えるために２箇所でそれぞれ切断されている。説明される実施形態に関して、１０個のコアセクションは、磁石の外側に各‘Ｕ’形セクションのより長い突起を備える各側（磁石の中央線に関して対称的）に、５個のコアセクションを持つように位置づけられる。向かい合う方向で同様なコアと対になる時、この配置は中央通路の各側に二つのチャンネルを創り出す。好ましい実施形態において、導体１４４は、これらのチャンネル内、いわゆるサドルコイル配置内に位置付けられる。
【００１９】
コアセクションのそれぞれは、概して薄い個々の磁性薄板、磁石セクションを形成するために心棒の周囲に巻かれる平面状シートあるいはリボンから作られる。コア全体の中央部分のさらされる平らな部分は、‘Ｕ’形コア部分のそれぞれのより小さな突起の切断端部の組合せから作られる。
【００２０】
磁石ヨークの二等分（例示の実施形態におけるすべての１０個のコア部分）は、ヨークとサドルコイルを支持するように取り付けられる、つば出し１５０を含むビームライン通路の上下で支持される。本発明に従えば、サドルコイルは、冷却流体が磁石の動作中に送られる中空超伝導材料から作られる。コアとコイルは、つば出しによって支持される。図４を参照すると、つば出し１５０は、冷却液（液体窒素あるいは液体ヘリウム）を受け、また、磁石から加熱された流体を送るマニフォールド１６０を支持する。頂部フランジ上に設置される同様なマニフォールドは、磁石の上半分に対してこれらの機能を果たす。マニフォールド１６０は、磁石４０のカップリング（図示されない）へホース（図示されない）を介して冷却液を供給する。適切な冷却システムとポンプが、適切な冷却液を供給するために、図１及び図３双方のイオン注入機に含まれる。
【００２１】
運転中、磁石コイルに結合される制御電子回路は、イオンが磁石に入るとき、瞬時の磁界の強さによる量を変えることによって、磁石に入るイオンを偏向する交流磁場を作り出すようにコイルを励磁する。磁場は、コイル励磁の一極について概してｙの正方向のベクトル成分を有し、第２の電気的励磁の分極について概してｙの負方向のベクトル成分を有する。
【００２２】
本発明は、ある程度、特別に記載されているが、本発明は添付の請求の範囲の精神あるいは範囲で生じる開示された設計からのすべての修正及び変形を含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の少なくとも一つの態様に従うイオンビーム注入機の略平面図である。
【図２】図２は、イオンビーム注入機を使用する本発明に従う付加的な磁石の透視図である。
【図３】図３は、回転するワークピース支持体を含む、本発明に一体化できる他のイオンビーム注入機アーキテクチャの平面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態にしたがって作られるスキャニング磁石の下半分を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  イオンビーム機
１２  イオン源
１４  イオンビーム
２０  イオン注入ステーション
２２  イオン注入室
２４  ワークピース
３０  質量分析磁石
４０  スキャニング磁石
６０  ロードロック
【図１】
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【図２】
2007207755.tif 000004
【図３】
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【図４】
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