(57)【要約】【課題】機械的ダメージが形成されたことによるゲッタリング効果を得ることができながら強度も確保することができ、両者の効果をともに得て強度と高性能が両立するデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】薄化したウエーハ１の研削加工面である裏面に付与された機械的ダメージを除去し、その裏面にレジスト膜２０を介してマスク３０を施し、露光してレジスト膜２０の露光部分を除去してマスク３０の開口３１から露出する裏面中央部に、サンドブラストによって改めて機械的ダメージ層４を形成し、楕円状の機械的ダメージ層４の周囲を強度維持領域５とする。この後、ウエーハ１をストリート２に沿って切断、分割して半導体チップ３を得る。【選択図】図５
2007109838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電子回路が形成されたデバイスにおいて、該デバイスの裏面の一部に機械的ダメージ層が形成されていることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記機械的ダメージ層が前記裏面の中央部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記機械的ダメージ層が曲線を含む形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記機械的ダメージ層が曲線のみからなる形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項５】
表面に電子回路が形成された複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハから、前記デバイスを個々に分割して得るデバイスの製造方法であって、
前記ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、
該ウエーハの裏面に残存する機械的ダメージを除去する機械的ダメージ除去工程と、
該ウエーハの裏面全面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
該保護膜に、前記デバイスに対応する各領域の一部が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、
前記保護膜に前記マスクが施された該ウエーハの裏面を露光する露光工程と、
前記保護膜の露光された部分を除去し、その部分のウエーハの裏面を露出させる保護膜露光部分除去工程と、
該ウエーハの裏面の露出部分に機械的ダメージ層を形成する機械的ダメージ層形成工程と、
前記分割予定ラインに沿って前記ウエーハを分割して前記デバイスを得る分割工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
表面に電子回路が形成された複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハから、前記デバイスを個々に分割して得るデバイスの製造方法であって、
前記ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、
該ウエーハの裏面に残存する機械的ダメージを除去する機械的ダメージ除去工程と、
該ウエーハの裏面に、前記デバイスに対応する各領域の一部が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、
該ウエーハの裏面の前記マスクで覆われていない露出部分に機械的ダメージ層を形成する機械的ダメージ層形成工程と、
前記分割予定ラインに沿って前記ウエーハを分割して前記デバイスを得る分割工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
表面に電子回路が形成された複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハから、前記デバイスを個々に分割して得るデバイスの製造方法であって、
前記ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、
該ウエーハの裏面全面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
該保護膜に、前記デバイスに対応する各領域の中心部領域が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、
前記保護膜に前記マスクが施された該ウエーハの裏面を露光する露光工程と、
前記保護膜の露光されていない部分を除去し、その部分のウエーハの裏面を露出させる保護膜非露光部分除去工程と、
該ウエーハの裏面の露出部分に残存する機械的ダメージを除去し、これによって非露出部分に、前記研削工程で付与された機械的ダメージを残存させる機械的ダメージ一部残存工程と、
前記分割予定ラインに沿って前記ウエーハを分割して前記デバイスを得る分割工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを分割して得られる半導体チップ等のデバイスに係り、そのデバイスの裏面に機械的ダメージ層が形成されたデバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やデジタルカメラなどの小型デジタル機器に代表されるように、近年の各種電子機器は軽薄短小化が顕著であり、これを達成するには、構成部品として重要な役割を果たす半導体チップないしは半導体パッケージ部品の小型化・薄型化が必要とされる。半導体チップにおいては特に薄型化が求められ、より薄くするには、半導体チップに切り出す前の半導体ウエーハをより薄く加工することによって可能とされる。半導体ウエーハは、シリコン等の材料の単結晶棒をスライスして得られるものであるが、チップ化する前に、素子形成面である表面とは反対側の裏面側を研削して所定の厚さに薄化される。
【０００３】
半導体ウエーハを薄化するには、砥石などによる研削といった機械加工が一般に採用されるが、このように機械加工で薄化された半導体ウエーハの加工面には、細かな傷による機械的ダメージが残る。機械的ダメージが残ったままの半導体ウエーハあるいは半導体チップは、薄ければ薄いほど強度を維持することが困難になるという傾向があるため、化学的エッチングや研磨などの方法によって機械的ダメージを除去して強度を保つことが行われている。
【０００４】
ところが、強度を低下させる機械的ダメージは、一方では、ゲッタリング効果を生じさせるものとして有効に利用される場合がある。ゲッタリング効果とは、半導体チップの製造工程において半導体ウエーハに含有された主に重金属を主とする不純物を、半導体チップに形成された電子回路等の素子の形成領域外の歪み場に集めて素子形成領域を清浄化することであり、歪み場として、機械的ダメージが形成された部分が活用される。このゲッタリング効果によって素子形成領域に不純物が存在しにくくなり、結晶欠陥の発生や電気特性の劣化といった不具合が抑制され、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られるとされている。ゲッタリング効果を得るための方法等は、特許文献１，２等に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−７００９９号公報
【特許文献２】特開２００５−９３８６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップの中には、上記ゲッタリング効果に依存した構造を持つものもあり、このような半導体チップにあっては、強度の確保を目的として機械的ダメージを除去することはゲッタリング効果の損失を招くことになり、また、製品としての歩留まりが低下するといった問題も生じることになっていた。
【０００７】
よって本発明は、機械的ダメージが形成されたことによるゲッタリング効果を得ることができながら強度も確保することができ、両者の効果をともに得て強度と高性能が両立するとともに、歩留まりの低下が抑えられるデバイスおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のデバイスは、表面に電子回路が形成されたデバイスにおいて、該デバイスの裏面の一部に機械的ダメージ層が形成されていることを特徴としている。本発明のデバイスによれば、裏面の一部に形成された機械的ダメージ層によってゲッタリング効果が得られ、また、その機械的ダメージ層は裏面の一部に形成されていて該ダメージ層以外の部分は強度維持に有効な領域とすることができる。その結果、ゲッタリング効果と強度維持とをともに得ることができる。なお、機械的ダメージ層の大きさは、機械的ダメージ層が形成されることによる強度の損失と得られるゲッタリング効果とのバランスを図りながら適切な大きさに設定される。
【０００９】
本発明では、機械的ダメージ層が形成されている箇所が、裏面の中央部であることを好ましい形態としている。この形態では、機械的ダメージ層の周囲が強度維持に有効な領域とされ、この強度維持領域はデバイスの外周部分を形成することになるためデバイスの剛性が向上し、外部からの衝撃等に対する抵抗の度合いが高まり強度確保に有効である。また、機械的ダメージ層が曲線を含む形状であると、機械的ダメージ層と強度維持領域との境界に応力が集中しにくくなるため、強度の向上が図られる。さらに機械的ダメージ層が曲線のみからなる形状である場合には、強度が一層向上するので最も好ましい形態とされる。
【００１０】
上記本発明のデバイスは、本発明の製造方法によって好適に製造することができる。その製造方法は、表面に電子回路が形成された複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハから、デバイスを個々に分割して得るデバイスの製造方法であって、ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、該ウエーハの裏面に残存する機械的ダメージを除去する機械的ダメージ除去工程と、該ウエーハの裏面全面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、該保護膜に、デバイスに対応する各領域の一部が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、保護膜にマスクが施された該ウエーハの裏面を露光する露光工程と、保護膜の露光された部分を除去し、その部分のウエーハの裏面を露出させる保護膜露光部分除去工程と、該ウエーハの裏面の露出部分に機械的ダメージ層を形成する機械的ダメージ層形成工程と、分割予定ラインに沿ってウエーハを分割してデバイスを得る分割工程とを備えることを特徴としている。
【００１１】
上記製造方法によれば、研削工程でウエーハの裏面全面に機械的ダメージが付与されることになるため、研削工程後にウエーハの裏面に残存する機械的ダメージを一旦除去する。除去手段としては、化学的エッチングや研磨などが挙げられる。そして、その裏面に、保護膜とマスクをこの順で被せ、露光する。この場合、保護膜はフォトレジスト法で用いられるポジ型レジスト膜（露光部分が現像液で可溶、非露光部分が残る）が好適とされる。また、マスクは、各デバイスに対応する領域ごとに、後の機械的ダメージ層形成工程で形成される機械的ダメージ層の形状および寸法に対応する開口を有し、その開口を通して保護膜が露光される。
【００１２】
続いて、マスクを除去してから保護膜の露光部分を除去し、ウエーハの裏面における保護膜の除去部分、すなわちマスクの開口に対応する部分を露出させる。次いで、この露出部分に機械的ダメージ層を形成する。機械的ダメージ層の形成手段は、適宜な粒径の砥粒を高圧で吹き付けるサンドブラストが、容易かつ確実に形成できるので推奨される。この後、分割予定ラインを切断してウエーハを分割することにより、裏面の一部に機械的ダメージ層が形成されたデバイスを得る。
【００１３】
上記製造方法では、保護膜を裏面に被覆することを省略し、マスクを直接ウエーハの裏面に被せた後に機械的ダメージ層を形成するように簡略化することもできる。すなわちその製造方法は、ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、該ウエーハの裏面に残存する機械的ダメージを除去する機械的ダメージ除去工程と、該ウエーハの裏面に、デバイスに対応する各領域の一部が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、該ウエーハの裏面のマスクで覆われていない露出部分に機械的ダメージ層を形成する機械的ダメージ層形成工程と、分割予定ラインに沿ってウエーハを分割してデバイスを得る分割工程とを備えることを特徴としている。
【００１４】
上記の製造方法は、研削工程で付与された機械的ダメージを一旦除去し、機械的ダメージ層形成工程で改めて機械的ダメージ層を形成しているが、研削工程で付与された機械的ダメージ層をそのまま残す方法も本発明の製造方法として挙げられる。すなわちその製造方法は、ウエーハの裏面側を研削して所定の厚さに薄化する研削工程と、該ウエーハの裏面全面に保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、該保護膜に、デバイスに対応する各領域の中心部領域が開口するマスクを被覆するマスク被覆工程と、保護膜にマスクが施された該ウエーハの裏面を露光する露光工程と、マスクを除去するとともに、保護膜の露光されていない部分を除去し、その部分のウエーハの裏面を露出させる保護膜非露光部分除去工程と、該ウエーハの裏面の露出部分に残存する機械的ダメージを除去し、これによって非露出部分に、研削工程で付与された機械的ダメージを残存させる機械的ダメージ一部残存工程と、分割予定ラインに沿ってウエーハを分割してデバイスを得る分割工程とを備えることを特徴としている。
【００１５】
この製造方法は研削工程で付与された機械的ダメージを活用する方法であり、その機械的ダメージが付与されたウエーハの裏面に、保護膜とマスクをこの順で被せ、露光する。この場合の保護膜は、フォトレジスト法で用いられるネガ型レジスト膜（非露光部分が現像液で可溶、露光部分が残る）が好適とされる。また、マスクは上記製造方法と同様のもの、すなわち、後の機械的ダメージ層形成工程で形成される機械的ダメージ層の形状および寸法に対応する開口を有するものが用いられ、その開口を通して保護膜が露光される。
【００１６】
続いて、マスクを除去し、さらに保護膜の露光されなかった部分を除去すると、ウエーハの裏面における保護膜の除去部分、すなわちマスクの開口以外に対応する部分が露出する。次いで、この露出部分の研削工程で付与されていた機械的ダメージを、化学的エッチングや研磨などの方法によって除去する。これによって、ウエーハ裏面のマスクの開口に対応する部分には機械的ダメージが残存する。この後、分割予定ラインを切断してウエーハを分割することにより、裏面の一部に機械的ダメージ層が形成されたデバイスを得る。
【００１７】
この製造方法によれば、研削工程で予め付与された機械的ダメージの一部を残し、これをゲッタリング効果を得るための機械的ダメージ層とするため、後の工程で改めて機械的ダメージ層を形成することが不要になるといった利点を有する。
【００１８】
なお、上記の本発明に係る各製造方法においては、裏面に形成される機械的ダメージ層は、マスクの開口に応じた形状および寸法となる。したがって、マスクの開口をデバイスの中央部に相当する位置に配することにより、機械的ダメージ層は裏面の中央部に形成される。そして、マスクの開口を曲線を含む形状にしたり、曲線のみからなる形状にすればそれに応じた形状の機械的ダメージ層が形成される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、デバイスの裏面の一部にゲッタリング効果を得るための機械的ダメージ層が形成され、この機械的ダメージ層以外の部分が強度維持に有効な領域として確保されるので、強度と高性能が両立するデバイスを得ることができるとともに、歩留まりの低下が抑えられるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明に係る第１〜第３実施形態を説明する。
［１］第１実施形態
図１は、シリコンウエーハ等からなる円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称）１を示している。加工前のウエーハ１の厚さは、例えば７００μｍ程度であり、その表面には、格子状のストリート（分割予定ライン）２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、図示せぬ電子回路が形成されている。
【００２１】
本実施形態は、ウエーハ１の裏面側を研削してウエーハ１を所定の厚さに薄化し、薄化したウエーハ１の裏面の、各半導体チップ３に対応した領域の一部に機械的ダメージ層を形成してから、ウエーハ１を分割して半導体チップ３を個々に得る方法である。なお、以下の説明でウエーハ１や半導体チップ３における“表面”は電子回路が形成された側の面、“裏面”は表面とは反対側の電子回路が形成されていない側の面と定義する。
【００２２】
（１）研削工程
ウエーハ１の裏面を研削する前処理として、図２（ａ）に示すように、ウエーハ１の表面全面に保護テープ１０を貼り付ける。保護テープ１０としては、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の基材の片面に厚さ５〜２０μｍ程度のアクリル系等の粘着剤を塗布したテープなどが好適に用いられ、粘着剤をウエーハ１の表面に合わせて貼り付ける。この保護テープ１０により電子回路が保護される。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、保護テープ１０が表面に貼り付けられたウエーハ１の裏面を研削して、ウエーハ１を必要に応じた厚さ（例えば２５〜１００μｍ程度）に薄化する。研削するための装置としては、例えば、特開２００２−２５９６１号公報に記載されるような、真空チャック式のチャックテーブル上にウエーハを吸着、保持し、チャックテーブルを回転させながら、その上方に配された研削ホイールを下降させて砥石によってウエーハの裏面を研削する装置を用いることができる。
【００２４】
（２）機械的ダメージ除去工程
上記研削工程で研削されたウエーハ１の裏面には、研削によって機械的ダメージが付与されており、この機械的ダメージを除去する。そのための方法としては、ウエーハ１を所定の化学エッチング液に浸漬して裏面の機械的ダメージ層を溶解させて除去するか、あるいはバフ研磨等を行って研磨により機械的ダメージ層を除去するなどが挙げられる。
【００２５】
（３）保護膜被覆工程
図２（ｃ）に示すように、ウエーハ１の裏面に、保護膜としてフォトレジスト法で用いられるポジ型レジスト膜（露光部分が現像液で可溶、非露光部分が残る）２０を、一般周知のスピンコート法等の方法によって塗布する。レジスト膜２０の膜厚は１μｍ程度以上であれば十分とされる。
【００２６】
（４）マスク被覆工程
図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２０にマスク３０を被せる。マスク３０は、ステンレス等の金属製薄板によってウエーハ１とほぼ同径の円盤状に形成されたもので、図３に示すように、格子状に配列された複数の楕円状の開口３１を有している。外周縁を互いに合わせてマスク３０をウエーハ１に重ね、周方向の相対位置を調整すると、開口３１は半導体チップ３の各領域の中央部に位置し、かつ、長径方向が半導体チップ３の長手方向に沿った状態になる。図４に示すように、マスク３０をこのような状態になるようにウエーハ１の裏面を被覆するレジスト膜２０に重ね、ウエーハ１に着脱可能に装着する。
【００２７】
図５は、ウエーハ１における１つの半導体チップ３の部分を抜き出して、ウエーハ１に対する工程を（ａ）〜（ｆ）の順に示した図である。図５（ａ）に示すように、マスク被覆工程でレジスト膜２０に被せられたマスク３０の開口３１は半導体チップ３の中央部に位置する。
【００２８】
（５）露光工程
図５（ｂ）に示すように、レジスト膜２０にマスク３０が施されたウエーハ１の裏面を露光装置４０によって露光する。レジスト膜２０においては、半導体チップ３の中央部であってマスク３０の開口３１から露出する楕円状部分が露光される。上記のようにレジスト膜２０はポジ型であることから、マスク３０で覆われた部分以外のレジスト膜２０の露光部分が除去される領域となる。
【００２９】
（６）保護膜露光部分除去工程
マスク３０を除去し、レジスト膜２０が被覆されたウエーハ１の裏面を、所定の現像液にさらす。すると、図５（ｃ）に示すように、現像液によってレジスト膜２０の露光された部分が溶解して除去され、ウエーハ１の裏面におけるレジスト膜２０の除去部分、すなわちマスク３０の開口３１に対応する部分が露出する。
【００３０】
（７）機械的ダメージ層形成工程
図５（ｄ）に示すように、レジスト膜２０の非露光部分が残っているウエーハ１の裏面にサンドブラスト装置５０によってサンドブラストを行う。サンドブラストは、この場合、２０００番相当で粒径が４〜５μｍ程度のアルミナ粒子やシリコンカーバイト粒子を砥粒として用い、この砥粒を空気あるいは水の高圧流体に混合させて、ウエーハ１の裏面に５〜１０秒程度噴射させる。このサンドブラストにより、ウエーハ１の裏面のレジスト膜２０が除去された部分が砥粒で打撃され、機械的ダメージ層が形成される。この後、残っているレジスト膜２０を所定の除去液にさらして除去し、図５（ｅ）に示すように、半導体チップ３の裏面の中央部に楕円状の機械的ダメージ層４が形成されたウエーハ１を得る。
【００３１】
（８）分割工程
レジスト膜２０を除去し、次いで保護テープ１０を除去し、ウエーハ１を適宜に洗浄してから全てのストリート２を切断して、個々の半導体チップ３に分割する。ウエーハ１を半導体チップ３に分割するための装置としては、例えば、特開２００１−８５３６５号公報に記載されるようなダイシング装置を用いることができる。得られた半導体チップ３は、図５（ｆ）に示すように、裏面の中央部にサンドブラストによって楕円状の機械的ダメージ層４が形成されている。
【００３２】
以上の製造方法によって得られた半導体チップ３によると、裏面の中央部に形成された機械的ダメージ層４によってゲッタリング効果が得られる。また、裏面の機械的ダメージ層４の周囲の部分は、機械的ダメージ除去工程で機械的ダメージが除去されているので、半導体チップ３自身の強度維持に有効な領域（図５（ｆ）の符号５で示す部分）となる。その結果、ゲッタリング効果と強度維持とをともに得ることができ、強度と高性能が両立するものとなる。
【００３３】
また、機械的ダメージ層４が裏面の中央部に形成されており、その周囲の強度維持領域５は半導体チップ３の外周部分を形成することになるため剛性が高く、外部からの衝撃等に対する抵抗の度合いが高まって強度の向上が図られる。特に本実施形態では、機械的ダメージ層４は曲線のみからなる楕円状であるから、この機械的ダメージ層４と強度維持領域５との境界に応力が集中しにくくなり、強度が一層向上したものとなる。
【００３４】
なお、機械的ダメージ層４の形状（すなわちマスク３０の開口３１の形状）は、上記実施形態のような曲線のみからなる楕円状に限定されることはなく、図６（ａ）に示す直線を含む楕円状でもよく、また、この他には、図６（ｂ）に示す真円状や、図６（ｃ）に示す矩形状であってもよい。
【００３５】
［２］第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態の製造方法を説明する。
第２実施形態の製造方法は、上記第１実施形態での研削工程から機械的ダメージ除去工程までは同じであるが、次の保護膜被覆工程から以降を次の工程に変更したものである。
【００３６】
（１）マスク被覆工程
第２実施形態と同様にして研削工程および機械的ダメージ除去工程を経たウエーハ１の裏面に、図７および図８（ａ）に示すように、上記マスク３０を、第１実施形態と同様に各開口３１が半導体チップ３の各領域の中央部に位置するようにウエーハ１の裏面に直接重ね、着脱可能に装着する。なお、図８は図５と同様でウエーハ１における１つの半導体チップ３の部分を抜き出して、ウエーハ１に対する工程を（ａ）〜（ｄ）の順に示した図である。
【００３７】
（２）機械的ダメージ層形成工程
図８（ｂ）に示すように、マスク３０が施されたウエーハ１の裏面に、第１実施形態と同様にしてサンドブラストを行う。このサンドブラストにより、ウエーハ１の裏面のマスク３０の開口３１による露出部分が砥粒で打撃されて、図８（ｃ）に示すように、機械的ダメージ層４が形成される。
【００３８】
（３）分割工程
マスク３０を除去し、次いで保護テープ１０を除去し、ウエーハ１を適宜に洗浄してから全てのストリート２に沿ってウエーハ１を分割し、個々の半導体チップ３を得る。得られた半導体チップ３は、図８（ｄ）に示すように、裏面の中央部にサンドブラストによって楕円状の機械的ダメージ層４が形成され、この機械的ダメージ層４の周囲は、研削工程で付与された機械的ダメージが除去された強度維持領域５として残存している。
【００３９】
以上の第２実施形態の製造方法は、第１実施形態でのウエーハ１の裏面へのレジスト膜２０の被覆を省略し、マスク３０を直接ウエーハ１の裏面に被せてサンドブラストを行って機械的ダメージ層４を形成するもので、第１実施形態と比べると工程の簡略化が図られる。
【００４０】
［３］第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態の製造方法を説明する。
（１）研削工程
第１実施形態と同様に、ウエーハ１の裏面に保護テープ１０を貼り付けてから、ウエーハ１の裏面を研削して、ウエーハ１を必要に応じた厚さに薄化する。図９（ａ）に示すように、ウエーハ１の裏面には、研削によって全面に機械的ダメージ６が付与される。なお、図９はウエーハ１における１つの半導体チップ３の部分を抜き出して、ウエーハ１に対する工程を（ａ）〜（ｇ）の順に示した図である。
【００４１】
（２）保護膜被覆工程
図９（ｂ）に示すように、研削されたウエーハ１の裏面に、保護膜としてフォトレジスト法で用いられるネガ型レジスト膜２１（非露光部分が現像液で可溶、露光部分が残る）を、一般周知のスピンコート法等の方法によって塗布する。
【００４２】
（３）マスク被覆工程
図９（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様にしてレジスト膜２１に上記マスク３０を被せ、該マスク３０の開口３１を半導体チップ３の各領域の中央部に位置させる。
【００４３】
（４）露光工程
図９（ｄ）に示すように、レジスト膜２１にマスク３０が施されたウエーハ１の裏面を露光装置４０によって露光する。レジスト膜２１においては、半導体チップ３の中央部であってマスク３０の開口３１で露出する楕円状部分が露光される。上記のようにレジスト膜２１はネガ型であることから、マスク３０で覆われた非露光部分が除去される領域となる。
【００４４】
（５）保護膜非露光部分除去工程
マスク３０を除去し、レジスト膜２１が被覆されたウエーハ１の裏面を、所定の現像液にさらす。すると、図９（ｅ）に示すように、現像液によってレジスト膜２１の露光されていない部分が溶解して除去され、ウエーハ１の裏面におけるレジスト膜２１の除去部分、すなわちマスク３０の開口３１以外に対応する部分が露出する。
【００４５】
（６）機械的ダメージ一部残存工程
裏面の中央部が楕円状のレジスト膜２１で保護されているウエーハ１の裏面に対し、所定の化学エッチング液をさらして、露出部分に残存する機械的ダメージ６を除去する。これによって、図９（ｆ）に示すようにレジスト膜２１で覆われた中央部のみに、研削工程で付与された機械的ダメージ層６が楕円状に残存する。なお、この場合の化学エッチングは、フッ酸と硝酸を主成分とする酸エッチングでもよいし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングでもよい。
【００４６】
（７）分割工程
レジスト膜２１を所定の除去液で溶解して除去し、次いで保護テープ１０を除去し、ウエーハ１を適宜に洗浄してから全てのストリート２を切断して、個々の半導体チップ３に分割する。得られた半導体チップ３は、図９（ｇ）に示すように、裏面の中央部に楕円状の機械的ダメージ層６が形成されている。
【００４７】
以上の第３実施形態の製造方法は、研削工程で付与された機械的ダメージ６をゲッタリング効果を得るための機械的ダメージ層として活用しており、後の工程で改めて機械的ダメージ層をサンドブラスト等の方法で形成する手間が省かれるといった利点を有する。
【００４８】
なお、上記第１および第３実施形態で用いるマスク３０は露光の領域を区画するために用いるマスクである。したがって、上記のように金属製であるものの代わりに、レチクル等の、ガラス板に遮光ペイントを施した露光専用マスクを用いることができる。このような露光専用マスクは遮光ペイントされていない透明部分を光が透過するものであり、本発明で言うマスクの開口は、その光透過部分を指すことになる。一方、第２実施形態でのマスク３０はサンドブラストの打撃領域を区画するもので、砥粒が通過する空間である開口３１は必須であるから、レチクル等の露光専用マスクを用いることはできず、開口が空けられる金属製薄板等が好適とされる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態で半導体チップに分割されるウエーハの（ａ）全体平面図（拡大部分は半導体チップ）、（ｂ）側面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体チップ製造方法の研削工程からマスク被覆工程を（ａ）〜（ｄ）の順に示すウエーハの側面図である。
【図３】マスクの平面図である。
【図４】マスクが装着されたウエーハの裏面図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体チップ製造方法のマスク被覆工程から分割工程までを（ａ）〜（ｆ）の順に示すウエーハの断面図および一部裏面図である。
【図６】機械的ダメージ層の他の形状例を示す半導体チップの裏面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るマスク被覆工程でマスクが装着されたウエーハの側面図である。
【図８】第２実施形態に係る半導体チップ製造方法のマスク被覆工程から分割工程までを（ａ）〜（ｄ）の順に示すウエーハの断面図および一部裏面図である。
【図９】第３実施形態に係る半導体チップ製造方法の研削工程から分割工程までを（ａ）〜（ｇ）の順に示すウエーハの断面図および一部裏面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…半導体ウエーハ
２…ストリート（分割予定ライン）
３…半導体チップ（デバイス）
４，６…機械的ダメージ層
５…強度維持領域
２０，２１…レジスト膜（保護膜）
３０…マスク
３１…マスクの開口
４０…露光装置
５０…サンドブラスト装置
【図１】
2007109838.tif 000003
【図２】
2007109838.tif 000004
【図３】
2007109838.tif 000005
【図４】
2007109838.tif 000006
【図５】
2007109838.tif 000007
【図６】
2007109838.tif 000008
【図７】
2007109838.tif 000009
【図８】
2007109838.tif 000010
【図９】
2007109838.tif 000011