(57)【要約】【課題】表示素子を構成する光活性層の膜厚分布を定常的に安定化することが可能な表示装置の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  画素毎に配置された第１電極と、第１電極上に配置された光活性層と、複数の画素に共通に配置されるとともに光活性層上に配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、第１電極を形成済みの処理基板に向けて光活性層を形成するための材料を放射する蒸着源２１０は、材料を貯留する貯留部２１１と、貯留部２１１に貯留された材料の表面に接するように配置され材料を放射するための開口部ＡＰを有する蓋体２１２と、貯留部２１１を加熱する加熱機構２１３と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図４
2007119822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第１電極を形成済みの処理基板に向けて前記光活性層を形成するための材料を放射する蒸着源は、
前記材料を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記材料の表面に接するように配置され、前記材料を放射するための開口部を有する蓋体と、
前記貯留部を加熱する加熱機構と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項２】
前記蓋体において、（開口部の深さ／開口部の径）に相当する値が２０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項３】
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第１電極を形成済みの処理基板に向けて前記光活性層を形成するための材料を放射する蒸着源は、
前記材料を貯留する貯留部と、
前記貯留部の内壁に接するとともに前記貯留部の処理基板と対向する支持面に配置され、前記材料を放射するための開口部を有する蓋体と、
前記貯留部を加熱する加熱機構と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項４】
さらに、前記処理基板を保持する保持機構と、
前記保持機構によって保持された前記処理基板と前記蒸着源とが対向した状態で、相対的に前記蒸着源が前記処理基板上の蒸着領域を走査するように、前記蒸着源及び前記処理基板の少なくとも一方を移動させる移動機構と、を備えたことを特徴する請求項１または３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記蒸着源は、前記移動機構による移動方向に直交する方向に延在することを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記貯留部は、カーボンまたはグラファイトによって形成され、前記材料が接する内壁は石英ガラスによって形成されたことを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記貯留部は、カーボンまたはグラファイトによって形成され、前記材料が接する内壁はボロンナイトライドまたはシリコンカーバイドによってコーティングされたことを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記蓋体の少なくとも前記材料と対向する面は、ボロンナイトライドまたはシリコンカーバイドによってコーティングされたことを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光性の表示素子を備えた表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に発光機能を有する有機化合物を含む光活性層を保持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。このような構成において、例えば、第１電極（陽極）及び光活性層は、画素毎に配置されている。また、第２電極は、複数の画素に共通に配置されている。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる光活性層を形成する工程においては、蒸着源から放射した材料を蒸着する蒸着法を適用可能である。例えば、成膜対象となる基板とライン型の蒸着源とを相対移動させることにより、基板上の蒸着領域に光活性層を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明の目的は、表示素子を構成する光活性層の膜厚分布を定常的に安定化することが可能な表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の第１の態様による表示装置の製造装置は、
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第１電極を形成済みの処理基板に向けて前記光活性層を形成するための材料を放射する蒸着源は、
前記材料を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記材料の表面に接するように配置され、前記材料を放射するための開口部を有する蓋体と、
前記貯留部を加熱する加熱機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】
この発明の第２の態様による表示装置の製造装置は、
画素毎に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第２電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第１電極を形成済みの処理基板に向けて前記光活性層を形成するための材料を放射する蒸着源は、
前記材料を貯留する貯留部と、
前記貯留部の内壁に接するとともに前記貯留部の処理基板と対向する支持面に配置され、前記材料を放射するための開口部を有する蓋体と、
前記貯留部を加熱する加熱機構と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、表示素子を構成する光活性層の膜厚分布を定常的に安定化することが可能な表示装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１０】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置を例に図示しており、表示エリア１０２は、赤色に発光する赤色画素ＰＸＲ、緑色に発光する緑色画素ＰＸＧ、及び、青色に発光する青色画素ＰＸＢを含んでいる。
【００１１】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１２】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７の少なくとも一部と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００１３】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１４】
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１５】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一である。すなわち、図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０の主面側に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００１６】
有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通に配置された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された光活性層として機能する光活性層６４と、によって構成されている。
【００１７】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置され、陽極として機能する。配線基板１２０側から光を取り出す下面発光方式を採用した構成では、この第１電極６０は、例えば、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にＩＴＯ、ＩＺＯを用いて形成することが好ましい。
【００１８】
光活性層６４は、少なくとも発光層６４Ａを含んでいる。この光活性層６４は、発光層６４Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この光活性層６４は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。光活性層６４においては、発光層６４Ａが有機系材料であればよく、発光層６４Ａ以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。光活性層６４において、発光層６４Ａ以外は共通層であっても良く、図２に示した例では、第１電極６０側に配置されたホール側共通層６４Ｈは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第２電極６６側に配置された電子側共通層６４Ｅは、ブロッキング層及び電子輸送層を含み、発光層６４Ａは、これらのホール側共通層６４Ｈと電子側共通層６４Ｅとの間に配置されている。発光層６４Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【００１９】
第２電極６６は、各色画素の光活性層６４上に共通に配置される。この第２電極６６は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能する。下面発光方式を採用した構成では、この第２電極６６は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む２成分あるいは３成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０ａｔ％）等が好ましい。
【００２０】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、例えば各第１電極６０の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁７０の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁７０は、例えば樹脂材料によって形成される。
【００２１】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０を構成する光活性層６４は、低分子系材料を用いて蒸着法により形成される。ここで、光活性層６４を形成するための製造装置すなわち蒸着装置について説明する。
【００２２】
図３に示すように、蒸着装置２００は、真空チャンバ２０１の内部に、光活性層６４の少なくとも１層の薄膜を形成するための材料を放射する蒸着源２１０と、蒸着対象である処理基板（例えば第１電極６０を形成済みの配線基板１２０）ＳＵＢを保持する保持機構２２０と、蒸着源２１０と処理基板ＳＵＢとの間に配置され所定の開口パターンを有する蒸着マスク２３０と、を備えている。
【００２３】
蒸着源２１０は、例えば一方向に延在するラインソースである。この実施の形態では、図３に示すように、四角形状の処理基板ＳＵＢの長辺方向をＬとし、これに直交する短辺方向をＳとしたとき、蒸着源２１０は、短辺方向Ｓに沿って延在している。なお、蒸着源２１０は、処理基板ＳＵＢの短辺方向Ｓに沿った長さを十分にカバーするような長さを有している。
【００２４】
保持機構２２０は、マグネットなどを備えて構成されており、第１電極６０を形成した側の面が蒸着源２１０と対向するように処理基板ＳＵＢを保持する。
【００２５】
また、蒸着装置２００は、処理基板ＳＵＢと蒸着源２１０とが対向した状態で、相対的に蒸着源２１０が処理基板ＳＵＢ上の蒸着領域（例えば表示エリア１０２に相当する領域）を走査するように、蒸着源２１０及び処理基板ＳＵＢの少なくとも一方を移動する移動機構２４０を備えている。この実施の形態では、移動機構２４０は、蒸着源２１０のみを処理基板ＳＵＢの長辺方向Ｌに沿って移動させるように構成されている。つまり、蒸着源２１０の延在する方向は、移動機構２４０による移動方向に直交する。
【００２６】
さらに、蒸着装置２００は、蒸着源２１０から放射される材料の蒸着レートを検出するセンサ２５０を備えている。このセンサ２５０は、水晶振動子などを備えて構成されており、処理基板ＳＵＢに隣接して配置されている。このセンサ２５０によって検出された蒸着レートは、所望の膜厚の光活性層６４を形成するのに必要な移動機構２４０による移動速度を決定するのに利用される。
【００２７】
ところで、低分子系の昇華性を有する有機材料を蒸着する場合、選択する有機材料によってはその熱伝導性が乏しいことがある。このような有機材料を選択した場合、有機材料を貯留している貯留部の内壁に接した部分から有機材料が消費（つまり外部に向けて放射）される。このため、時間の経過に伴い、貯留部の内壁と貯留されている有機材料との間に隙間が形成され、その隙間が徐々に拡大していくことになる。この隙間が拡大すると、貯留部から有機材料に供給される熱量にばらつきが発生し、特に、ラインソースの場合には、有機材料を均一に加熱しにくい。これにより、有機材料を蒸着することによって形成された光活性層の膜厚分布の均一性が損なわれるおそれがある。
【００２８】
（第１実施形態）
そこで、第１実施形態に係る製造装置においては、蒸着源２１０は、図４に示すように、有機材料を貯留する貯留部２１１と、貯留部２１１に貯留された有機材料の表面に接するように配置された蓋体２１２と、貯留部２１１を加熱する加熱機構２１３と、を備えて構成されている。
【００２９】
貯留部２１１は、例えば、二重構造であって、その外側がカーボンまたはグラファイト、さらにはモリブデンやタンタルなどの金属材料などの熱伝導性の高い材料によって形成されている。貯留部２１１において、有機材料が接する内壁は、石英ガラスによって形成されている。また、貯留部２１１の内壁は、石英ガラスに限らず、コーティング材によってコーティングされ、有機材料が染み込まない構造としても良い。この場合、コーティング材としては、ボロンナイトライド（ＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）などが適用可能である。
【００３０】
蓋体２１２は、図５に示すように、有機材料を放射するための開口部ＡＰを有している。この蓋体２１２の外形寸法は、貯留部２１１の内壁ＩＮで囲まれた寸法と同等またはそれ以下に設定されている。このため、蓋体２１２は、貯留部２１１の内壁ＩＮに接するまたは内壁ＩＮに接することなく、有機材料の表面で浮いた状態を保つ。
【００３１】
この蓋体２１２は、カーボンやグラファイト、さらにはモリブデンやタンタルなどの金属材料などの熱伝導性の高い材料によって形成されている。また、この蓋体２１２の少なくとも有機材料と対向する内面（第１実施形態では有機材料と接する面）は、コーティング材によってコーティングされており、有機材料が染み込まない構造となっている。ここでは、蓋体２１２の表面は、ボロンナイトライド（ＢＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）によってコーティングされている。
【００３２】
このような構成により、貯留部２１１を加熱機構２１３によって加熱した際、貯留部２１１の側面だけでなく、蓋体２１２と接触した有機材料の表面からも加熱することができるようになり、有機材料を均一に加熱することが可能となる。このため、蒸着レートを安定させることができる。また、時間の経過に伴って有機材料の消費が進行し、貯留部２１１内の有機材料の高さが変化しても、蓋体２１２が常に有機材料の表面に接触しているため、有機材料の表面から加熱することができ、常に安定した蒸着レートを確保することができる。
【００３３】
したがって、蒸着源２１０全体を大型化することなく、有機材料を均一に加熱することができ、この有機材料を蒸着することによって形成された光活性層の膜厚分布を定常的に安定化することが可能となる。
【００３４】
また、上述した蓋体２１２においては、（開口部ＡＰの深さＤ／開口部ＡＰの径Ｗ）に相当する値が２０％以上に設定することが望ましい。すなわち、このアスペクト比（Ｄ／Ｗ）が２０％より小さい場合、有機材料の表面全体を十分に加熱することが困難となり、特に、開口部ＡＰから露出した有機材料に熱が伝わりにくくなる。このため、図６に示したように、開口部ＡＰから露出した有機材料が山状に残留してしまう。そこで、アスペクト比（Ｄ／Ｗ）を２０％以上に設定することにより、蓋体２１２を介して有機材料の表面から均一に熱を伝えることが可能となり、さらに、安定した蒸着レートを維持することが可能となる。
【００３５】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る製造装置は、基本的に図４に示した製造装置と同様に構成されている。但し、蓋体２１２は、図７に示すように、貯留部２１１の内壁ＩＮに接するとともに貯留部２１１の処理基板ＳＵＢと対向する支持面ＳＰに配置されている。また、この蓋体２１２は、図５に示したものと同様に、有機材料を放射するための開口部ＡＰを有している。なお、この蓋体２１２は、第１実施形態で説明したのと同様に構成されている。
【００３６】
このような構成により、貯留部２１１を加熱機構２１３によって加熱した際、有機材料は、気体となって蓋体２１２の開口部ＡＰから放射されるが、その際に蓋体２１２の有機材料と対向する内面にトラップされた有機材料が液化しても、蓋体２１２を介して外部に漏れ出すことを防止できる。すなわち、蓋体２１２の内面に一部の有機材料がトラップされ、結露して液化した場合、図７に示すように、液化した有機材料が蓋体２１２の内面、貯留部２１１の内壁を伝わり、貯留されている有機材料に還元される。このため、液化した有機材料が貯留部２１１と蓋体２１２との間を伝わって外部に漏れ出すことを防止することが可能となる。
【００３７】
また、液化した有機材料は、貯留部２１１の内壁を伝わって還元されるため、例え貯留部２１１の内壁に接した部分から有機材料が消費され、貯留部の内壁と貯留されている有機材料との間に隙間が形成されたとしても、その隙間に液化した有機材料が還元されるため、貯留部２１１から有機材料に供給される熱量のばらつきを低減することが可能となる。このため、有機材料を均一に加熱することが可能となり、蒸着レートを安定させることができる。
【００３８】
したがって、蒸着源２１０全体を大型化することなく、有機材料を均一に加熱することができ、この有機材料を蒸着することによって形成された光活性層の膜厚分布を定常的に安定化することが可能となる。
【００３９】
なお、この第２実施形態においては、有機材料の融解温度と昇華温度との差が大きい場合に、特に効果を奏する。融解温度と昇華温度との差が１５０℃以上ある場合（例えば、有機材料の融点が２００℃より小さく、蒸着温度が３５０℃を超えるような場合）には、本構成を適用することが特に有効である。
【００４０】
（製造方法）
次に、この実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、図８Ａに示すように、配線基板１２０上の表示エリア１０２において、複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に独立島状の第１電極６０を形成する。すなわち、配線基板１２０の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応したパターンを有するマスクを介して金属材料を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【００４２】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを第１電極６０上を含む配線基板１２０の一主面側全体に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、２２０℃で６０分の焼成処理を行う。これにより、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を囲むように第１電極６０の縁に沿って格子状の隔壁７０を形成する。
【００４３】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）内における第１電極６０上に光活性層６４を形成する。ここで、光活性層６４は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層６４Ａ、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されており、これらは全て低分子系の薄膜材料を蒸着することによって形成される。この光活性層６４の形成工程では、図３を参照して説明したような製造装置が適用される。
【００４４】
すなわち、光活性層６４を構成する少なくとも１層の薄膜は、第１電極６０を配置した配線基板１２０の一主面側に蒸着法によって成膜する。ここでは、図３に示したように、ラインソースタイプの蒸着源２１０を備えた蒸着装置２００において、まず、保持機構２２０により、第１電極６０を形成した主面が蒸着源２１０側を向くように配線基板（すなわち処理基板ＳＵＢ）を保持する。すなわち、配線基板１２０は、真空チャンバ２０１の内部の真空雰囲気において、保持機構２２０によって額縁状のマスク枠に貼り付けられた蒸着マスク２３０を介して吸引されることにより、第１電極６０を形成した主面が蒸着源２１０に対向するように保持されている。このようにして保持された配線基板１２０は、その下方に所定間隔（例えば１５０ｍｍの間隔）をおいて配置された蒸着源２１０と対向している。
【００４５】
そして、蒸着源２１０では、加熱機構２１３により貯留部２１１を加熱し、貯留部２１１に貯留されている有機材料が昇華し、蓋体２１２の開口部ＡＰから気化した有機材料が放射される。
【００４６】
その後、移動機構２４０により蒸着源２１０を一定速度（例えば１０〜２０ｍｍ／秒の速度）で移動し、処理基板ＳＵＢと対向した状態で蒸着源２１０の長手方向と直交する方向に蒸着源２１０を走査する。これにより、昇華した有機材料が配線基板１２０の主面における蒸着マスク２３０によって覆われていない部分に選択的に蒸着される。
【００４７】
ここでは、まず、図８Ｂに示すように、蒸着法により複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のホール側共通層６４Ｈを形成する。このとき、まず、ホール注入層として機能する材料として、ＣｕＰｃ(銅フタロシアニン)を１００オングストロームの膜厚で成膜する。その後、ホール輸送層として機能する材料として、α−ＮＰＤ（芳香族ジアミン）を成膜する。これらのホール側共通層６４Ｈを形成するための材料は、上述したように、揺動しながら順方向に沿って走査する蒸着源から放射され、蒸着マスクを介して第１電極６０上に成膜される。
【００４８】
続いて、図８Ｃに示すように、同様の蒸着法により画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のそれぞれに個別の発光層６４Ａを形成する。さらに、蒸着法により複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のブロッキング層及び電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層６４Ｅを形成する。ここでは、赤色画素ＰＸＲに配置される発光層６４ＡＲとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にＤＣＭ色素を用いて４００オングストロームの膜厚で成膜し、緑色画素ＰＸＧに配置される発光層６４ＡＧとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にクマリン誘電体を用いて４００オングストロームの膜厚で成膜し、青色画素ＰＸＢに配置される発光層６４ＡＢとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にペリレンを用いて４００オングストロームの膜厚で成膜した。また、ブロッキング層として、ＢＣＰ（バソキョプロイン）を成膜し、さらに、電子輸送層として、Ａｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）を成膜した。これにより、電子側共通層６４Ｅが形成される。
【００４９】
続いて、図８Ｄに示すように、光活性層６４上に複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の第２電極６６を形成する。
【００５０】
このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００５１】
このようにして形成した有機ＥＬ素子４０によれば、光活性層６４の膜厚分布は略均一化できていることが確認できた。
【００５２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５３】
例えば、上述した実施の形態では、主に処理基板ＳＵＢの長辺方向に沿って蒸着源２１０を走査したが、蒸着源２１０は固定し、配線基板ＳＵＢを蒸着源２１０の長手方向に直交する方向に移動させて、同様の蒸着を行っても良い。また、蒸着源２１０は配線基板ＳＵＢの略中央部で固定し、配線基板ＳＵＢをその中心で回転させて同様の蒸着を行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ素子を製造するための製造装置（蒸着装置）の構成を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示した製造装置に適用可能な第１実施形態に係る蒸着源の構成を概略的に示す図である。
【図５】図５は、図３に示した製造装置の蒸着源に適用可能な蓋体の構造を概略的に示す図である。
【図６】図６は、図５に示した蓋体における開口部の（深さ／径）に相当する値の最適値を説明するための図である。
【図７】図７は、図３に示した製造装置に適用可能な第２実施形態に係る蒸着源の構成を概略的に示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１電極及び隔壁を形成する工程を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、光活性層のホール側共通層を形成する工程を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、光活性層の発光層及び電子側共通層を形成する工程を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２電極を形成する工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…有機ＥＬ表示装置、  １０…画素スイッチ、  ２０…駆動トランジスタ、  ３０…蓄積容量素子、  ４０…有機ＥＬ素子、  ６０…第１電極、  ６４…光活性層、  ６６…第２電極、  ７０…隔壁、  １００…アレイ基板、  １０２…表示エリア、  １０４…周辺エリア、  １２０…配線基板、  ２００…蒸着装置、  ２０１…真空チャンバ、  ２１０…蒸着源、  ２１１…貯留部、  ２１２…蓋体、  ２１３…加熱機構、  ２２０…保持機構、  ２３０…蒸着マスク、  ２４０…移動機構、  ＡＰ…開口部、  ＩＮ…内壁、  ＳＰ…支持面、  ＰＸ…画素、  ＳＵＢ…処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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