(57)【要約】【課題】露光装置内の機構の汚染を低減することができる基板処理技術を提供する。【解決手段】液浸露光対応の露光ユニットにおいてパターン像の露光位置を調整するアライメント処理を行う直前または直後に、アライメント処理に使用するダミー基板を露光ユニットから基板処理装置に搬送する。基板処理装置では、受け取ったダミー基板を洗浄処理ユニットにて洗浄して乾燥する。洗浄後のダミー基板は再び基板処理装置から露光ユニットに帰還させる。露光ユニット側では清浄なダミー基板を使用してアライメント処理を実行できるため、基板ステージ等の露光ユニット内の機構の汚染を低減することができる。また、ダミー基板が撥水性を有する場合には、基板処理装置側での洗浄によって撥水性を回復することもできる。【選択図】図１２
2007173695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置にてレジスト塗布処理が行われた基板を露光装置に搬送してパターン露光を行った後に、当該基板を前記基板処理装置に戻して現像処理を行う基板処理方法であって、
前記露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されるダミー基板を前記基板処理装置に搬送する送り出し工程と、
前記基板処理装置内にて前記ダミー基板を洗浄する洗浄工程と、
洗浄された前記ダミー基板を前記露光装置に搬送する帰還工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理方法において、
前記洗浄工程は、前記ダミー基板にフッ酸を供給して表面処理を行う工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の基板処理方法において、
前記洗浄工程は、前記露光装置内の露光位置調整の直前および／または直後に実行されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記洗浄工程を定期的に実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置とレジスト塗布された基板の露光処理を行う露光装置とを接続した基板処理システムであって、
前記露光装置は、
パターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板を格納する格納部と、
ダミー基板を前記格納部と前記基板処理装置との間で搬送する第１搬送手段と、
を備え、
前記基板処理装置は、
ダミー基板を洗浄する洗浄部と、
前記第１搬送手段から受け取ったダミー基板を前記洗浄部に搬送するとともに、前記洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を前記第１搬送手段に渡す第２搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置は、前記露光装置と接続するためのインターフェイス部をさらに備え、
前記洗浄部は前記インターフェイス部に設置することを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
請求項５または請求項６記載の基板処理システムにおいて、
前記洗浄部は、前記ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記露光装置は、前記基板処理装置にダミー基板の洗浄要求信号を送信する洗浄要求部をさらに備え、
前記基板処理装置は、前記洗浄要求部から洗浄要求信号を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項９】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置は、前記露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部をさらに備え、
前記露光装置は、前記搬出要求部から搬出要求信号を受けたときに、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１０】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置および前記露光装置を管理するホストコンピュータをさらに備え、
前記露光装置は、前記ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備え、
前記基板処理装置は、前記ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１１】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置および前記露光装置を管理するホストコンピュータをさらに備え、
前記露光装置は、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備え、
前記基板処理装置は、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備え、
前記搬送制御部および前記洗浄制御部に対して、定期的にダミー基板の洗浄処理を実行させるスケジュール管理部、
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１２】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接して配置され、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置であって、
前記露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されたダミー基板を洗浄する洗浄部と、
前記露光装置から受け取ったダミー基板を前記洗浄部に搬送するとともに、前記洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を前記露光装置に渡す搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の基板処理装置において、
前記露光装置と接続するためのインターフェイス部をさらに備え、
前記洗浄部および前記搬送手段は前記インターフェイス部に設置することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３記載の基板処理装置において、
前記洗浄部は、前記ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記露光装置からダミー基板の洗浄要求を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の基板処理装置において、
前記搬出要求部に対して、定期的に搬出要求信号を送信させるスケジュール管理部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置とレジスト塗布された基板の露光処理を行う露光装置とを接続した基板処理システム、そのシステムを使用した基板処理方法、および、そのシステムに使用される基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、露光処理はレチクル（焼き付けのためのマスク）のパターンをレジスト塗布された基板に転写する処理であり、いわゆるフォトリソグラフィー処理の中核となる処理である。通常、パターンは極めて微細であるため、基板全面に一括露光せずに、数チップずつ分けて繰り返し露光を行ういわゆるステップ露光が行われる。
【０００３】
一方、近年、半導体デバイス等の急速な高密度化に伴って、マスクのパターンをさらに微細化することが強く要望されている。このため、露光処理を行う露光装置の光源としては旧来の紫外線ランプに代えて比較的波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源といった遠紫外線光源（Deep UV）が主流を占めつつある。ところが、最近のさらなる微細化要求に対してはＡｒＦエキシマレーザ光源でさえも十分ではない。これに対応するためには、より波長の短い光源、例えばＦ２レーザ光源を露光装置に採用することも考えられるが、コスト面の負担を低減しつつさらなるパターン微細化を可能にする露光技術として液浸露光処理法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
液浸露光処理法は、投影光学系と基板との間に屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で「液浸露光」を行うことにより、開口率を大きくして解像度を向上させる技術である。この液浸露光処理法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）をそのまま流用したとしても、その等価波長を１３４ｎｍにすることができ、コスト負担増を抑制しつつレジストマスクのパターンを微細化することができる。
【０００５】
このような液浸露光処理法においても、従来のドライ露光と同様に、マスクのパターン像と基板上の露光領域とを正確に位置合わせすることが重要である。このため、液浸露光処理法に対応する露光装置においても、基板ステージの位置やレチクル位置を校正してパターン像の露光位置を調整するアライメント処理が行われる。ところが、液浸露光処理対応の露光装置では、アライメント処理時に基板ステージ内部に液体（液浸液）が侵入することによって不具合が生じるおそれがあるため、特許文献２には基板ステージにダミー基板を配置してアライメント処理を行うことが開示されている。このようにすれば、ステージ凹部が通常の露光処理時と同様にダミー基板によって塞がれるため、ステージ内部への液体の侵入が防止されるのである。
【０００６】
【特許文献１】国際公開９９／４９５０４号パンフレット
【特許文献２】特開２００５−２６８７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に開示されるアライメント処理においては、ステージ内部への液体の侵入は防止されるものの、ダミー基板自体には液体が接触してアライメント処理後も基板上に液滴として残留する可能性がある。このような液滴はパーティクルのような異物を吸着することがあり、液が乾燥した後にダミー基板に異物のみが汚染として付着した状態となるおそれがある。そして、このようにして汚染されたダミー基板を使用してアライメント処理を行うと、基板ステージやその周辺を汚すという問題が生じる。
【０００８】
また、特許文献２にはダミー基板としては撥水性を有するものの方が好ましいことが開示されているが、ダミー基板の表面に異物が付着して汚染されると撥水性が損なわれてアライメント処理時の液浸液保持が困難になるという問題も生じる。なお、特許文献２には撥水性が劣化したダミー基板については交換することが記載されているが、汚染によって撥水性が劣化したダミー基板を逐一交換していると著しいコストアップに繋がる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、露光装置内の機構の汚染を低減することができる基板処理技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置にてレジスト塗布処理が行われた基板を露光装置に搬送してパターン露光を行った後に、当該基板を前記基板処理装置に戻して現像処理を行う基板処理方法において、前記露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されるダミー基板を前記基板処理装置に搬送する送り出し工程と、前記基板処理装置内にて前記ダミー基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄された前記ダミー基板を前記露光装置に搬送する帰還工程と、を備える。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程に、前記ダミー基板にフッ酸を供給して表面処理を行う工程を含ませている。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程を、前記露光装置内の露光位置調整の直前および／または直後に実行している。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程を定期的に実行している。
【００１４】
また、請求項５の発明は、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置とレジスト塗布された基板の露光処理を行う露光装置とを接続した基板処理システムにおいて、前記露光装置に、パターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板を格納する格納部と、ダミー基板を前記格納部と前記基板処理装置との間で搬送する第１搬送手段と、を備え、前記基板処理装置に、ダミー基板を洗浄する洗浄部と、前記第１搬送手段から受け取ったダミー基板を前記洗浄部に搬送するとともに、前記洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を前記第１搬送手段に渡す第２搬送手段と、を備える。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に、前記露光装置と接続するためのインターフェイス部をさらに備え、前記洗浄部を前記インターフェイス部に設置している。
【００１６】
また、請求項７の発明は、請求項５または請求項６の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記洗浄部に、前記ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備える。
【００１７】
また、請求項８の発明は、請求項５から請求項７のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記露光装置に、前記基板処理装置にダミー基板の洗浄要求信号を送信する洗浄要求部をさらに備え、前記基板処理装置に、前記洗浄要求部から洗浄要求信号を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備える。
【００１８】
また、請求項９の発明は、請求項５から請求項７のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に、前記露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部をさらに備え、前記露光装置に、前記搬出要求部から搬出要求信号を受けたときに、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備える。
【００１９】
また、請求項１０の発明は、請求項５から請求項７のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置および前記露光装置を管理するホストコンピュータをさらに備え、前記露光装置に、前記ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備え、前記基板処理装置に、前記ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備える。
【００２０】
また、請求項１１の発明は、請求項５から請求項７のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置および前記露光装置を管理するホストコンピュータをさらに備え、前記露光装置に、ダミー基板を前記基板処理装置に搬送するように前記第１搬送手段を制御する搬送制御部をさらに備え、前記基板処理装置に、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備え、前記搬送制御部および前記洗浄制御部に対して、定期的にダミー基板の洗浄処理を実行させるスケジュール管理部、を備える。
【００２１】
また、請求項１２の発明は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接して配置され、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置において、前記露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されたダミー基板を洗浄する洗浄部と、前記露光装置から受け取ったダミー基板を前記洗浄部に搬送するとともに、前記洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を前記露光装置に渡す搬送手段と、を備える。
【００２２】
また、請求項１３の発明は、請求項１２の発明にかかる基板処理装置において、前記露光装置と接続するためのインターフェイス部をさらに備え、前記洗浄部および前記搬送手段を前記インターフェイス部に設置する。
【００２３】
また、請求項１４の発明は、請求項１２または請求項１３の発明にかかる基板処理装置において、前記洗浄部に、前記ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備える。
【００２４】
また、請求項１５の発明は、請求項１２から請求項１４のいずれかの発明にかかる基板処理装置において、前記露光装置からダミー基板の洗浄要求を受けたときに、前記第２搬送手段および前記洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部をさらに備える。
【００２５】
また、請求項１６の発明は、請求項１２から請求項１４のいずれかの発明にかかる基板処理装置において、前記露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部をさらに備える。
【００２６】
また、請求項１７の発明は、請求項１６の発明にかかる基板処理装置において、前記搬出要求部に対して、定期的に搬出要求信号を送信させるスケジュール管理部をさらに備える。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１の発明によれば、露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されるダミー基板を基板処理装置に搬送して洗浄した後に、洗浄されたダミー基板を露光装置に搬送しているため、清浄なダミー基板にて露光位置調整を行うことができ、露光装置内の機構の汚染を低減することができる。
【００２８】
また、請求項２の発明によれば、ダミー基板にフッ酸を供給して表面処理を行っているため、シリコン酸化膜を剥離してダミー基板の撥水性を回復することができる。
【００２９】
また、請求項３の発明によれば、洗浄工程を露光装置内の露光位置調整の直前および／または直後に実行しているため、洗浄直後のダミー基板にて露光位置調整を行うことができ、および／または、露光位置調整にて液滴が付着した場合にもそれが乾燥する前にダミー基板の洗浄を行うことができる。
【００３０】
また、請求項４の発明によれば、洗浄工程を定期的に実行しているため、露光装置内の機構の汚染低減を維持することができる。
【００３１】
また、請求項５の発明によれば、露光装置に、パターン像の露光位置の調整を行うときに使用するダミー基板を格納する格納部と、ダミー基板を格納部と基板処理装置との間で搬送する第１搬送手段と、を備え、基板処理装置に、ダミー基板を洗浄する洗浄部と、第１搬送手段から受け取ったダミー基板を洗浄部に搬送するとともに、洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を第１搬送手段に渡す第２搬送手段と、を備えるため、清浄なダミー基板にて露光位置調整を行うことができ、露光装置内の機構の汚染を低減することができる。
【００３２】
また、請求項６の発明によれば、洗浄部をインターフェイス部に設置しているため、基板処理装置のインターフェイス部内にてダミー基板の洗浄を行うことができる。
【００３３】
また、請求項７の発明によれば、洗浄部に、ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えるため、シリコン酸化膜を剥離してダミー基板の撥水性を回復することができる。
【００３４】
また、請求項８の発明によれば、露光装置に、基板処理装置にダミー基板の洗浄要求信号を送信する洗浄要求部を備え、基板処理装置に、洗浄要求部から洗浄要求信号を受けたときに、第２搬送手段および洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部を備えるため、露光装置側からの洗浄要求によってダミー基板の洗浄処理を行うことができる。
【００３５】
また、請求項９の発明によれば、基板処理装置に、露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部を備え、露光装置に、搬出要求部から搬出要求信号を受けたときに、ダミー基板を基板処理装置に搬送するように第１搬送手段を制御する搬送制御部を備えるため、基板処理装置側からの洗浄要求によってダミー基板の洗浄処理を行うことができる。
【００３６】
また、請求項１０の発明によれば、露光装置に、ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、ダミー基板を基板処理装置に搬送するように第１搬送手段を制御する搬送制御部を備え、基板処理装置に、ホストコンピュータから洗浄開始信号を受けたときに、第２搬送手段および洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部を備えるため、ホストコンピュータからの洗浄要求によってダミー基板の洗浄処理を行うことができる。
【００３７】
また、請求項１１の発明によれば、定期的にダミー基板の洗浄処理を実行させるスケジュール管理部を備えるため、露光装置内の機構の汚染低減を維持することができる。
【００３８】
また、請求項１２の発明によれば、露光装置内にてパターン像の露光位置の調整を行うときに使用されたダミー基板を洗浄する洗浄部と、露光装置から受け取ったダミー基板を洗浄部に搬送するとともに、洗浄部から受け取った洗浄済みのダミー基板を露光装置に渡す搬送手段と、を備えるため、清浄なダミー基板にて露光位置調整を行うことができ、露光装置内の機構の汚染を低減することができる。
【００３９】
また、請求項１３の発明によれば、洗浄部および搬送手段をインターフェイス部に設置するため、インターフェイス部内にてダミー基板の洗浄を行うことができる。
【００４０】
また、請求項１４の発明によれば、洗浄部に、ダミー基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えるため、シリコン酸化膜を剥離してダミー基板の撥水性を回復することができる。
【００４１】
また、請求項１５の発明によれば、露光装置からダミー基板の洗浄要求を受けたときに、第２搬送手段および洗浄部を制御してダミー基板の洗浄処理を行わせる洗浄制御部を備えるため、露光装置からの洗浄要求に応じてダミー基板の洗浄処理を行うことができる。
【００４２】
また、請求項１６の発明によれば、露光装置にダミー基板の搬出を要求する搬出要求信号を送信する搬出要求部を備えるため、基板処理装置側からの洗浄要求によってダミー基板の洗浄処理を行うことができる。
【００４３】
また、請求項１７の発明によれば、定期的に搬出要求信号を送信させるスケジュール管理部を備えるため、露光装置内の機構の汚染低減を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００４５】
図１は、本発明に係る基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００４６】
基板処理装置ＳＰは、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。
【００４７】
本実施形態の基板処理装置ＳＰは、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５にはレジスト塗布された基板の露光処理を行う露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。つまり、基板処理装置ＳＰは露光ユニットＥＸＰに隣接して配置されている。また、本実施形態の基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線を経由して接続されている。
【００４８】
インデクサブロック１は、装置外から受け取った未処理基板をバークブロック２やレジスト塗布ブロック３に払い出すとともに、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００４９】
インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００５０】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００５１】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００５２】
次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００５３】
バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００５４】
下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００５５】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００５６】
このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（バークブロック２ではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００５７】
図５は、バークブロック２に設けられた搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。
【００５８】
搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。
【００５９】
また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。
【００６０】
このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００６１】
次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００６２】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００６３】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている（図４参照）。
【００６４】
レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００６５】
レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００６６】
レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００６７】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。
【００６８】
各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。
【００６９】
ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。なお、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は後述する現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と概ね同様の構成（図７）を備えている。
【００７０】
このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。
【００７１】
このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。
【００７２】
搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１，３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００７３】
次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００７４】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている（図４参照）。
【００７６】
現像処理ブロック４は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。また、現像処理ブロック４においては、液浸露光処理が行われた基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことも可能である。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、液浸露光処理後の基板Ｗに対する洗浄処理および乾燥処理を行う洗浄処理部ＳＯＡＫと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤ，洗浄処理部ＳＯＡＫおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。
【００７７】
現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた４つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４を下から順に積層配置して構成されている。なお、４つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００７８】
洗浄処理部ＳＯＡＫは１台の洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を備える。図２に示すように、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１は、現像処理ユニットＳＤ１の下側に配置される。図６は、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１の構成を説明するための図である。洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック４２１を備える。
【００７９】
スピンチャック４２１は、図示を省略する電動モータによって回転される回転軸４２５の上端に固定されている。また、スピンチャック４２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック４２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック４２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【００８０】
スピンチャック４２１の側方には、第１の回動モータ４６０が設けられている。第１の回動モータ４６０には、第１の回動軸４６１が接続されている。また、第１の回動軸４６１には、第１のアーム４６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム４６２の先端に洗浄処理用ノズル４５０が設けられている。第１の回動モータ４６０の駆動により第１の回動軸４６１が回転するとともに第１のアーム４６２が回動し、洗浄処理用ノズル４５０がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００８１】
洗浄処理用ノズル４５０には洗浄用供給管４６３の先端が連通接続されている。洗浄用供給管４６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒｌおよび表面処理液供給源Ｒ２に連通接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄用供給管４６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。すなわち、バルブＶａを開くことにより洗浄用供給管４６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより洗浄用供給管４６３に表面処理液を供給することができる。
【００８２】
洗浄液供給源Ｒｌまたは表面処理液供給源Ｒ２から供給された洗浄液または表面処理液は、洗浄用供給管４６３を介して洗浄処理用ノズル４５０に送給される。それにより、洗浄処理用ノズル４５０から基板Ｗの表面へ洗浄液または表面処理液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水または純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした溶液などが用いられる。表面処理液としては、例えば、フッ酸などが用いられる。なお、洗浄処理用ノズル４５０としては気体中に液滴を混合して吐出する二流体ノズルを使用するようにしても良い。さらに、洗浄液としての純水を供給しながら基板Ｗの表面をブラシで洗浄するように構成してもよい。
【００８３】
一方、上記とは異なるスピンチャック４２１の側方には、第２の回動モータ４７０が設けられている。第２の回動モータ４７０には、第２の回動軸４７１が接続されている。また、第２の回動軸４７１には、第２のアーム４７２が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム４７２の先端に乾燥処理用ノズル４５１が設けられている。第２の回動モータ４７０の駆動により第２の回動軸４７１が回転するとともに第２のアーム４７２が回動し、乾燥処理用ノズル４５１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００８４】
乾燥処理用ノズル４５１には乾燥用供給管４７３の先端が連通接続されている。乾燥用供給管４７３は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に連通接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥用供給管４７３に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
【００８５】
不活性ガス供給源Ｒ３から供給された不活性ガスは、乾燥用供給管４７３を介して乾燥処理用ノズル４５１に送給される。それにより、乾燥処理用ノズル４５１から基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ２）やアルゴンガス（Ａｒ）が用いられる。
【００８６】
基板Ｗの表面へ洗浄液または表面処理液を供給する際には、洗浄処理用ノズル４５０がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に位置するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が所定の位置に退避する。逆に、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、図６に示すように、乾燥処理用ノズル４５１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に位置するとともに、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避する。
【００８７】
スピンチャック４２１に保持された基板Ｗは、処理カップ４２３によって囲繞される。処理カップ４２３の内側には、円筒状の仕切壁４３３が設けられている。また、スピンチャック４２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液または表面処理液）を排液するための排液空間４３１が仕切壁４３３の内側に形成されている。さらに、排液空間４３１を取り囲むように、処理カップ４２３の外壁と仕切壁４３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間４３２が形成されている。
【００８８】
排液空間４３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管４３４が接続され、回収液空間４３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管４３５が接続されている。
【００８９】
処理カップ４２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード４２４が設けられている。このスプラッシュガード４２４は、回転軸４２５に対して回転対称な形状とされている。スプラッシュガード４２４の上端部の内面には、断面くの字形状の排液案内溝４４１が環状に形成されている。また、スプラッシュガード４２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４４２が形成されている。回収液案内部４４２の上端付近には、処理カップ４２３の仕切壁４３３を受け入れるための仕切壁収納溝４４３が形成されている。
【００９０】
このスプラッシュガード４２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）によって鉛直方向に沿って昇降駆動される。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード４２４を、回収液案内部４４２がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む回収位置と、排液案内溝４４１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む排液位置との問で昇降させる。スプラッシュガード４２４が回収位置（図６に示す位置）にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した処理液が回収液案内部４４２により回収液空間４３２に導かれ、回収管４３５を介して回収される。一方、スプラッシュガード４２４が排液位置にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した処理液が排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４を介して排液される。このようにして、処理液の排液および回収を切り換えて実行可能とされている。なお、表面処理液としてフッ酸などを使用する場合には、その雰囲気が装置内に漏れ出さないように、厳重に雰囲気管理を行う必要がある。
【００９１】
図３に戻り、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。
【００９２】
一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。
【００９３】
図７は、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ７の概略構成を示す図である。図７（ａ）は加熱部ＰＨＰ７の側断面図であり、（ｂ）は平面図である。なお、同図には加熱部ＰＨＰ７を示しているが、加熱部ＰＨＰ８〜ＰＨＰ１２についても全く同様の構成である。加熱部ＰＨＰ７は、基板Ｗを載置して加熱処理する加熱プレート７１０と、当該加熱プレート７１０から離れた上方位置または下方位置（本実施形態では上方位置）に基板Ｗを載置する基板仮置部７１９と、加熱プレート７１０と基板仮置部７１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構７２０とを備えている。加熱プレート７１０には、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン７２１が設けられている。加熱プレート７１０の上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋７２２が設けられている。基板仮置部７１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン７２３が設けられている。
【００９４】
ローカル搬送機構７２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート７２４を備え、この保持プレート７２４がネジ送り駆動機構７２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構７２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート７２４には、これが加熱プレート７１０の上方や基板仮置部７１９に進出したときに、可動支持ピン７２１や固定支持ピン７２３と干渉しないように複数本のスリット７２４ａが形成されている。
【００９５】
また、ローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０から基板仮置部７１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板Ｗを冷却する冷却手段を備えている。この冷却手段は、図７（ｂ）に示すように、保持プレート７２４の内部に冷却水流路７２４ｂを設け、この冷却水流路７２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。なお、冷却手段としては、保持プレート７２４の内部に例えばペルチェ素子等を設けるようにしても良い。
【００９６】
上述したローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９よりも装置背面側（つまり（＋Ｙ）側）に設置されている。また、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９の（＋Ｘ）側にはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が、（−Ｙ）側には現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が、それぞれ配置されている。そして、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９を覆う筐体７２７の上部、すなわち基板仮置部７１９を覆う部位には、その（＋Ｘ）側に搬送ロボットＴＲ４の進入を許容する開口部７１９ａが、その（＋Ｙ）側にはローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体７２７の下部、すなわち加熱プレート７１０を覆う部位は、その（＋Ｘ）側および（−Ｙ）側が閉塞（つまり、搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４に対向する面が閉塞）される一方、（＋Ｙ）側にローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｃが設けられている。
【００９７】
上述した加熱部ＰＨＰ７に対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が露光後の基板Ｗを保持して、基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構７２０の保持プレート７２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン７２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は筐体７２７から退出して、加熱プレート７１０に対向する位置まで下降する。このとき加熱プレート７１０の可動支持ピン７２１は下降しているとともに、上蓋７２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は加熱プレート７１０の上方に進出する。可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート７２４が退出する。続いて、可動支持ピン７２１が下降して基板Ｗを加熱プレート７１０上に載せるととともに、上蓋７２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋７２２が上昇するとともに、可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート７２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン７２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート７２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート７２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部７１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート７２４に支持された基板Ｗが、保持プレート７２４が有する冷却手段によって冷却される。保持プレート７２４は、冷却した（概ね常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３上に移載する。この基板Ｗを搬送ロボットＴＲ４が取り出して搬送する。
【００９８】
搬送ロボットＴＲ４は、基板仮置部７１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレート７１０に対して基板Ｗの受け渡しをしないので、搬送ロボットＴＲ４が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレート７１０に基板Ｗを出し入れするための開口部７１９ｃが、ローカル搬送機構７２０の側のみに形成されているので、開口部７１９ｃから漏洩した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４が温度上昇することがなく、また現像処理部ＳＤおよび洗浄処理部ＳＯＡＫが開口部７１９ｃから漏れ出た熱雰囲気によって悪影響を受けることもない。
【００９９】
以上のように、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。
【０１００】
また、熱処理タワー４２の最上段には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【０１０１】
次に、露光ユニットＥＸＰと接続するためのインターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３から受け取って露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４に渡すブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２と、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、クールプレートＣＰ１４およびエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２に対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。
【０１０２】
エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２（２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２を特に区別しない場合はこれらを総称してエッジ露光部ＥＥＷとする）は、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２は、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。
【０１０３】
図２および図８を参照してさらに説明を続ける。図８は、インターフェイスブロック５を（＋Ｘ）側から見た側面図である。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２の下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。
【０１０４】
図８に示すように、搬送機構５５の可動台５５ａは螺軸５２２に螺合される。螺軸５２２は、その回転軸がＹ軸方向に沿うように２つの支持台５２３によって回転自在に支持される。螺軸５２２の一端部にはモータＭ１が連結されており、このモータＭ１の駆動により螺軸５２２が回転し、可動台５５ａがＹ軸方向に沿って水平移動する。
【０１０５】
また、可動台５５ａにはハンド支持台５５ｂが搭載されている。ハンド支持台５５ｂは、可動台５５ａに内蔵された昇降機構および旋回機構によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降可能とされるとともに、鉛直方向軸周りに旋回可能とされている。さらに、ハンド支持台５５ｂ上には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５９ａ，５９ｂが上下に並ぶように設けられている。２つの保持アーム５９ａ，５９ｂは、可動台５５ａに内蔵されたスライド駆動機構によって、それぞれ独立にハンド支持台５５ｂの旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。
【０１０６】
また、図２および図８に示すように、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１の（＋Ｘ）側には開口部５８が形成されている。このため、搬送機構５５は、開口部５８を介して洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に対しても基板Ｗの授受を行うことができる。
【０１０７】
以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
【０１０８】
また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。
【０１０９】
一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１の基板移載機構１２やインターフェイスブロック５の搬送機構５５も含まれる。
【０１１０】
本実施形態の基板処理装置ＳＰには、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、機械的に分割した単位であるバークブロック２と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と結果として同じ構成になっている。なお、レジスト塗布セルには、露光時にレジストが溶解しないように、レジスト膜上にカバー膜を形成するカバー膜塗布処理部を設けるようにしてもよい。
【０１１１】
一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。また、洗浄処理部ＳＯＡＫの洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に対してはインターフェイスブロック５の搬送機構５５がアクセスするため、洗浄処理部ＳＯＡＫも現像処理セルに含まれない。これらの点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。
【０１１２】
また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
【０１１３】
なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【０１１４】
インターフェイスセルは、露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５および洗浄処理部ＳＯＡＫを含んで構成されている。このインターフェイスセルは、現像処理ブロック４に位置する洗浄処理部ＳＯＡＫを含むとともに、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【０１１５】
次に、露光ユニットＥＸＰについて説明する。露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置ＳＰにてレジスト塗布された基板Ｗの露光処理を行う。また、本実施形態の露光ユニットＥＸＰは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くする「液浸露光処理法」に対応する液浸露光装置であり、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う。
【０１１６】
図９は、基板処理装置ＳＰに隣接して接続された露光ユニットＥＸＰの概略構成を示す平面図である。露光ユニットＥＸＰ内部の露光領域ＥＡにおいて基板Ｗの露光処理が実行される。露光領域ＥＡには、照明光学系、投影光学系、マスクステージ、基板ステージ、ステージ移動機構、液体供給機構および液体回収機構等（いずれも図示省略）の液浸露光処理のための機構が配置されている。また、露光ユニットＥＸＰの内部には、基板Ｗを搬送する搬送機構９５が設置されている。搬送機構９５は屈曲式のアーム部９５ｂとアーム部９５ｂを案内するガイド部９５ａを備えており、アーム部９５ｂはガイド部９５ａに沿って移動する。
【０１１７】
また、基板処理装置ＳＰのインターフェイスブロック５と接する露光ユニットＥＸＰの側部近傍には２つの載置台９１，９２が設けられている。この載置台９１，９２に対してはインターフェイスブロック５の搬送機構５５が基板Ｗの授受を行うことが可能となるように、基板処理装置ＳＰと露光ユニットＥＸＰとが接続されている。載置台９１は露光後の基板Ｗの受け渡しのために使用され、載置台９２は露光前の基板Ｗの受け渡しのために使用される。露光ユニットＥＸＰ内には搬送機構９５の他にも露光領域ＥＡに対して直接基板Ｗを授受する図示省略の移載機構が設けられており、搬送機構９５は載置台９２から受け取ったレジスト塗布済みの基板Ｗを該移載機構に渡すとともに、該移載機構から受け取った露光後の基板Ｗを載置台９１に載置する。
【０１１８】
また、露光ユニットＥＸＰにはダミー基板ＤＷを格納する格納部９９が設けられている。ダミー基板ＤＷは、液浸対応の露光ユニットＥＸＰにおいて、ステージ位置校正等のパターン像の露光位置を調整するアライメント処理を行うときに基板ステージ内部への純水の侵入を防止するために使用されるものである。ダミー基板ＤＷは、通常の（半導体デバイス製造用の）基板Ｗとほぼ同一の形状および大きさを有する。ダミー基板ＤＷの材質は、通常の基板Ｗと同じ材料（例えばシリコン）であってもよいが、液浸露光処理時に液体への汚染物の溶出が無い素材であれば良い。また、ダミー基板ＤＷの表面に撥水性が付与されていても良い。撥水性を付与する手法としては、フッ素化合物やシリコン化合物、或いはアクリル樹脂やポリエチレン等の撥水性を有する材料を使用したコーティング処理が挙げられる。また、ダミー基板ＤＷ自体を上記撥水性を有する材料にて形成するようにしても良い。通常の露光処理時等、アライメント処理を行わないときにはダミー基板ＤＷは不要であるため、格納部９９に格納される。なお、格納部９９は、多段の棚構造を有して複数のダミー基板ＤＷを収納できるものであっても良い。
【０１１９】
格納部９９へのダミー基板ＤＷの搬出入は搬送機構９５が行う。すなわち、ガイド部９５ａの（＋Ｘ）側端部まで移動したアーム部９５ｂが昇降動作および屈伸動作を行うことによって格納部９９へのダミー基板ＤＷの搬出入を実行する。また、搬送機構９５は、格納部９９と基板処理装置ＳＰとの間でダミー基板ＤＷを搬送する。具体的には、搬送機構９５は、格納部９５から取り出したダミー基板ＤＷを載置台９１に搬送して載置するとともに、載置台９２に置かれたダミー基板ＤＷを格納部９９に搬送して格納する。なお、基板処理装置ＳＰの搬送機構５５は、載置台９１に載置されたダミー基板ＤＷを受け取ることができるとともに、保持するダミー基板ＤＷを載置台９２に置くことができる。
【０１２０】
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図１０は、本発明にかかる基板処理システムの制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線１０１を介して接続されている。基板処理装置ＳＰは、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【０１２１】
第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置ＳＰの全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドやパラメータを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。
【０１２２】
第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。
【０１２３】
また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよび洗浄処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、ベークコントローラは、例えばホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度等を調整する。
【０１２４】
一方、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置ＳＰの制御機構から独立した別個の制御部たるコントローラＥＣが設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣは、ハードウェア構成としては一般的なコンピュータと同様の構成を有しており、露光領域ＥＡでの露光処理を制御する他に搬送機構９５の動作をも制御する。
【０１２５】
また、ホストコンピュータ１００は、基板処理装置ＳＰに設けられた３階層からなる制御階層および露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣの上位の制御機構として位置するものである。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置ＳＰや露光ユニットＥＸＰが通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰに処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置ＳＰのメインコントローラＭＣおよび露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。
【０１２６】
図１１は、本発明にかかる基板処理システムにおいて実現される機能処理部を示す機能ブロック図である。洗浄制御部１０５、搬出要求部１０６およびスケジュール管理部１０７は基板処理装置ＳＰのメインコントローラＭＣが所定のアプリケーションソフトを実行することによって実現される機能処理部である。同様に、洗浄要求部１０８および搬送制御部１０９は露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣが所定のアプリケーションソフトを実行することによって実現される機能処理部である。これらの各機能処理部の機能の内容についてはさらに後述する。なお、洗浄制御部１０５、搬出要求部１０６およびスケジュール管理部１０７の一部または全部は基板処理装置ＳＰのインターフェイスセルのセルコントローラＣＣによって実現されるものであってもよい。
【０１２７】
次に、本実施形態の基板処理装置ＳＰの動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置ＳＰにおける通常の基板Ｗの循環搬送の概略手順について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従ったものである。
【０１２８】
まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１に搬入される。続いて、インデクサブロック１から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。
【０１２９】
塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【０１３０】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【０１３１】
また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【０１３２】
基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。
【０１３３】
レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１３４】
レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２のいずれかに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２においては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入される。このときには、搬送機構５５が保持アーム５９ａを使用して基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光ユニットＥＸＰの載置台９２に搬送する。載置台９２に載置されたレジスト塗布済みの基板Ｗは搬送機構９５を介して露光領域ＥＡに持ち込まれ、パターン露光処理に供される。
【０１３５】
本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。また、露光ユニットＥＸＰにおいては、基板Ｗに液浸露光処理が行われるため、従来からの光源や露光プロセスをほとんど変更することなく高解像度を実現することができる。なお、エッジ露光処理が終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに搬入する前に、搬送ロボットＴＲ４によってクールプレート１４に搬入して冷却処理を行うようにしても良い。
【０１３６】
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは搬送機構９５を介して載置台９１に搬送される。載置台９１に載置された基板Ｗは搬送機構５５によって取り出されることにより、露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスセルに戻される。その後、露光後の基板Ｗは搬送機構５５によって洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に搬入される。このときには、搬送機構５５が保持アーム５９ｂを使用して基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に搬送する。液浸露光処理後の基板Ｗには液体が付着している場合もあるが、露光前の基板Ｗの搬送には保持アーム５９ａが用いられ、露光後の基板Ｗの搬送には保持アーム５９ｂが専ら用いられるため、少なくとも保持アーム５９ａに液体が付着することは無く、露光前の基板Ｗに液体が転写されることも防止される。
【０１３７】
洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１においては、洗浄処理用ノズル４５０を使用した基板Ｗの洗浄処理と、乾燥処理用ノズル４５１を使用した乾燥処理が行われる。洗浄および乾燥処理が終了した基板Ｗは、搬送機構５５によって洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。なお、このときには搬送機構５５が保持アーム５９ａを使用して基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１から基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送する。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２における処理動作は上述した通りのものである。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えたローカル搬送機構７２０によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１３８】
基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。
【０１３９】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【０１４０】
既述したように、本実施形態の露光ユニットＥＸＰは液浸露光処理を行うものであり、パターン像の露光位置を調整するアライメント処理を行うときには基板ステージ内部への純水の侵入を防止するためにダミー基板ＤＷを使用する。具体的には、基板ステージのステージ凹部にダミー基板ＤＷを嵌めてアライメント処理を行う。このようにすれば、ステージ内部への液体の侵入を防止できるものの、ダミー基板ＤＷに液体が付着して液滴として残留する可能性があり、このような液滴を放置すると乾燥して汚染源となったりダミー基板ＤＷの撥水性を損なったりすることも既述した通りである。
【０１４１】
このため本実施形態においては、露光ユニットＥＸＰが保有しているダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰ側にて洗浄するようにしている。図１２は、ダミー基板ＤＷの洗浄手順を示すフローチャートである。まず、所定のタイミングにて露光ユニットＥＸＰから基板処理装置ＳＰにダミー基板ＤＷを搬出する（ステップＳ１）。ここで、所定のタイミングとは、露光ユニットＥＸＰ内における上記アライメント処理（露光位置調整）の直前であっても良いし、或いは直後であっても良い。また、アライメント処理の直前および直後であっても良いし、後述するその他のタイミングであっても良い。アライメント処理の直前にダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰに渡して洗浄すれば、清浄なダミー基板ＤＷによってアライメント処理を実行することが可能となる。また、アライメント処理の直後にダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰに渡して洗浄すれば、アライメント処理時にダミー基板ＤＷに付着した液滴が乾燥して汚染源となる前に洗浄処理を行うことができる。なお、アライメント処理の直前にダミー基板ＤＷを搬出するときには、格納部９９から搬送機構９５がダミー基板ＤＷを取り出して載置台９１に載置し、アライメント処理の直後にダミー基板ＤＷを搬出するときには、搬送機構９５が露光領域ＥＡから受け取った処理直後のダミー基板ＤＷを直接載置台９１に載置する。
【０１４２】
載置台９１に載置されたダミー基板ＤＷは搬送機構５５によって露光ユニットＥＸＰから基板処理装置ＳＰ側に取り出されて洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に搬送される（ステップＳ２）。そして、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１にてダミー基板ＤＷの洗浄処理が実行される（ステップＳ３）。
【０１４３】
ここで、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１における処理動作について説明しておく。まず、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１においては、ダミー基板ＤＷの搬入時には、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、搬送機構５５がダミー基板ＤＷをスピンチャック４２１上に載置する。スピンチャック４２１に載置されたダミー基板ＤＷは、スピンチャック４２１により水平姿勢にて吸着保持される。
【０１４４】
次に、スプラッシュガード４２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル４５０がダミー基板ＤＷの中心部上方に移動する。その後、回転軸４２５が回転を開始し、それにともなってスピンチャック４２１に保持されているダミー基板ＤＷが回転する。その後、バルブＶａを開放して洗浄処理用ノズル４５０から洗浄液をダミー基板ＤＷの上面に吐出する。ここでは、洗浄液として純水をダミー基板ＤＷに吐出する。これにより、ダミー基板ＤＷの洗浄処理が進行し、ダミー基板ＤＷに付着していた液浸露光用の液体が洗い流される。回転するダミー基板ＤＷから遠心力によって飛散した液体は排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４から排液される。
【０１４５】
所定時間経過後、回転軸４２５の回転速度が低下する。これにより、ダミー基板ＤＷの回転によって振り切られる洗浄液としての純水の量が減少し、ダミー基板ＤＷの表面全体に水膜が形成され、いわゆる液盛りされた状態となる。なお、回転軸４２５の回転を停止させてダミー基板ＤＷの表面全体に水膜を形成してもよい。
【０１４６】
次に、洗浄液たる純水の供給が停止され、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避するとともに、乾燥処理用ノズル４５１がダミー基板ＤＷの中心部上方に移動する。その後、バルブＶｃを開放して乾燥処理用ノズル４５１からダミー基板ＤＷの上面中心部近傍に不活性ガスを吐出する。ここでは、不活性ガスとして窒素ガスを吐出する。これにより、ダミー基板ＤＷの中心部の水分がダミー基板ＤＷの周縁部に押し流され、ダミー基板ＤＷの周縁部のみに水膜が残留する状態となる。
【０１４７】
次に、回転軸４２５の回転数が再度上昇するとともに、乾燥処理用ノズル４５１がダミー基板ＤＷの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、ダミー基板ＤＷ上に残留する水膜に大きな遠心力が作用するとともに、ダミー基板ＤＷの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、ダミー基板ＤＷ上の水膜を確実に取り除くことができる。その結果、ダミー基板ＤＷを確実に乾燥させることができる。
【０１４８】
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル４５１が所定の位置に退避するとともに、回転軸４２５の回転が停止する。その後、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、搬送機構５５がダミー基板ＤＷを洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１から搬出する。これにより、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるスプラッシュガード４２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。また、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１における通常の露光処理後基板Ｗの洗浄についても、ダミー基板ＤＷと同様に実行される。
【０１４９】
洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１における洗浄および乾燥処理が終了したダミー基板ＤＷは搬送機構５５によって露光ユニットＥＸＰに搬送され（ステップＳ４）、載置台９２に載置される。上記の洗浄処理がアライメント処理直後である場合には、載置台９２に載置されたダミー基板ＤＷは搬送機構９５によって格納部９９に格納される。また、上記の洗浄処理がアライメント処理直前である場合には、載置台９２に載置されたダミー基板ＤＷは搬送機構９５によって露光領域ＥＡに渡される。なお、露光ユニットＥＸＰが複数のダミー基板ＤＷを保有している場合には、それら全てについて上記の洗浄処理を行う。
【０１５０】
このようにすれば、露光ユニットＥＸＰでのアライメント処理によってダミー基板ＤＷに液体が付着したとしても、そのダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰに搬送して洗浄しているため、ダミー基板ＤＷが汚染されることは防止される。そして、洗浄後のダミー基板ＤＷを露光ユニットＥＸＰに帰還させ、露光ユニットＥＸＰ側では清浄なダミー基板ＤＷを使用してアライメント処理を実行できるため、基板ステージ等の露光ユニットＥＸＰ内の機構の汚染を低減することができる。
【０１５１】
また、ダミー基板ＤＷが撥水性を有している場合には、汚染によって撥水性が劣化することもあるが、上記洗浄処理によって汚染物が除去されることにより基板表面の撥水性が回復することとなる。その結果、アライメント処理時にもダミー基板ＤＷによって液浸液を確実に保持することができる。また、撥水性の劣化したダミー基板ＤＷを逐一交換するのと比較すれば著しくコストを下げることができる。
【０１５２】
ところで、上述したように、基板処理装置ＳＰと露光ユニットＥＸＰとはそれぞれ独立した動作制御を行っているため、ダミー基板ＤＷの洗浄に際しては予め両装置にダミー基板洗浄開始を伝達する必要がある。本実施形態では、図１１に示すように、露光ユニットＥＸＰの洗浄要求部１０８が基板処理装置ＳＰに洗浄要求信号ＣＳ１を送信している。具体的には、アライメント処理の直前および／または直後に露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣが洗浄要求信号ＣＳ１を送信する。洗浄要求信号ＣＳ１を受信した基板処理装置ＳＰにおいては、洗浄制御部１０５が搬送機構５５および洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を制御してダミー基板ＤＷの洗浄処理を行わせる。すなわち、ダミー基板ＤＷの洗浄が必要と判断した露光ユニットＥＸＰの側から基板処理装置ＳＰに洗浄要求を行っているのである。
【０１５３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では露光ユニットＥＸＰの側から洗浄要求を行っていたが、これとは逆に基板処理装置ＳＰ側から洗浄要求を行ってもよい。具体的には、基板処理装置ＳＰの搬出要求部１０６が露光ユニットＥＸＰにダミー基板ＤＷの搬出を要求する搬出要求信号ＣＳ２を送信する（図１１）。搬出要求信号ＣＳ２を受信した露光ユニットＥＸＰにおいては、搬送制御部１０９が搬送機構９５を制御してダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰに搬送させる。
【０１５４】
また、より上位のコントローラであるホストコンピュータ１００からダミー基板ＤＷの洗浄を指示するようにしてもよい。具体的には、ホストコンピュータ１００が基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰの双方に洗浄開始信号ＣＳ３を送信する。洗浄開始信号ＣＳ３を受信した露光ユニットＥＸＰにおいては、搬送制御部１０９が搬送機構９５を制御してダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰに搬送させる。一方、洗浄開始信号ＣＳ３を受信した基板処理装置ＳＰにおいては、洗浄制御部１０５が搬送機構５５および洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を制御してダミー基板ＤＷの洗浄処理を行わせる。
【０１５５】
また、ダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うタイミングとしてはアライメント処理の直前および／または直後に限定されるものではなく、例えば所定間隔で定期的にダミー基板ＤＷの洗浄処理を実行するようにスケジューリングしておいてもよい。具体的には、図１１に示すように、基板処理装置ＳＰにスケジュール管理部１０７を設け、このスケジュール管理部１０７が搬出要求部１０６に定期的に搬出要求信号ＣＳ２を送信させ、搬送制御部１０９および洗浄制御部１０５に対して定期的にダミー基板ＤＷの洗浄処理を実行させる。なお、スケジュール管理部１０７をホストコンピュータ１００または露光ユニットＥＸＰに設けても良いことは勿論である。
【０１５６】
定期的にダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うタイミングとしては、例えば基板処理システムの定期メンテナンス時が挙げられる。定期メンテナンス時にメンテナンス作業の一つしてダミー基板ＤＷの洗浄処理を実行すれば、通常基板のフォトリソグラフィー処理と干渉するおそれがないため、洗浄や搬送の制御が容易となる。もっとも、アライメント処理の直前にダミー基板ＤＷの洗浄処理を実行した方が洗浄直後のより清浄なダミー基板ＤＷを使用してアライメント処理を行うことができ、またアライメント処理の直後にダミー基板ＤＷの洗浄処理を行えば付着した液体が乾燥する前に確実に汚染源を除くことができる。
【０１５７】
また、上記実施形態においては、ダミー基板ＤＷを洗浄する洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を現像処理ブロック４に配置するようにしていたが、これをインターフェイスブロック５に配置するようにしてもよい。図１３は、インターフェイスブロック５に洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を配置した例を示す図である。なお、同図において、図２と同じ要素には同一の符号を付している。図１３の配置例では、５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を現像処理ブロック４に配置するとともに、インターフェイスブロック５においてはエッジ露光ユニットＥＥＷ１の下方に洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を積層して配置している。すなわち、図２の２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２から１つを削減し、そのスペースに洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を配置している。このインターフェイスブロック５に配置した洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に対しては搬送機構５５が直接基板Ｗおよびダミー基板ＤＷの授受を行う。
【０１５８】
図１３のように配置した場合であっても、基板Ｗのフォトリソグラフィー処理およびダミー基板ＤＷの洗浄処理動作については上記実施形態と同じである。このようにしても上記実施形態と同様に、露光ユニットＥＸＰ内のダミー基板ＤＷを洗浄して基板ステージ等の露光ユニットＥＸＰ内機構の汚染を低減することができる。また、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１をインターフェイスブロック５に配置すれば、搬送制御の単位であるインターフェイスセルを全て機械的な分割単位であるインターフェイスブロック５内に収めることができるため、基板処理装置ＳＰ全体としての搬送制御が容易になる。
【０１５９】
また、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１にてダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うのに代えて、または洗浄処理を行った後に、ダミー基板ＤＷに薬液を供給して表面処理を行うようにしてもよい。洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１では薬液として例えばフッ酸を供給する。ダミー基板ＤＷが通常の基板Ｗと同じくシリコンウェハである場合には、表面にシリコン酸化膜（自然酸化膜）が形成されて親水性となる。これに薬液としてフッ酸を供給することによりシリコン酸化膜を剥離してシリコン基材が露出することとなり、ダミー基板ＤＷの表面に撥水性を付与することができる。すなわち、薬液供給によってダミー基板ＤＷ表面に撥水性を付与（または回復）するのである。具体的には、スピンチャック４２１に保持したダミー基板ＤＷを回転させつつ、バルブＶｂを開放して表面処理液供給源Ｒ２から洗浄処理用ノズル４５０にフッ酸を送給し、それをダミー基板ＤＷの上面に吐出する。なお、ダミー基板ＤＷに供給する薬液はフッ酸に限定されるものではなく、ダミー基板ＤＷの材質に応じて例えばフッ素化合物やアクリル樹脂等の材料を供給し、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１にて撥水性付与のためのコーティング処理を行うようにしてもよい。
【０１６０】
また、上記実施形態においては通常の基板Ｗを洗浄するための洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１によってダミー基板ＤＷの洗浄処理も行っていた（兼用していた）が、それぞれ専用の洗浄処理ユニットを設けるようにしてもよい。例えば、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の双方に洗浄処理ユニットを配置し、一方を通常の基板Ｗ洗浄用とし、他方をダミー基板ＤＷの洗浄処理専用としてもよい。特に、化学増幅型レジストを塗布した露光直後の基板Ｗはアルカリ雰囲気に極めて影響され易いため、洗浄処理ユニットにて薬液供給処理を行う場合にはダミー基板ＤＷ専用の洗浄処理ユニットを設ける方が好ましい。
【０１６１】
また、本発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、複数の処理部に対して搬送ロボットによって基板Ｗを循環搬送することによって該基板Ｗに所定の処理を行うような形態であれば種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】基板載置部の周辺構成を示す図である。
【図５】搬送ロボットを説明するための図である。
【図６】洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図７】基板仮置部付きの加熱部の概略構成を示す図である。
【図８】インターフェイスブロックの側面図である。
【図９】基板処理装置に隣接して接続された露光ユニットの概略構成を示す平面図である。
【図１０】基板処理システムの制御機構の概略を示すブロック図である。
【図１１】基板処理システムにおいて実現される機能処理部を示す機能ブロック図である。
【図１２】ダミー基板の洗浄手順を示すフローチャートである。
【図１３】インターフェイスブロックに洗浄処理ユニットを配置した例を示す図である。
【符号の説明】
【０１６３】
１  インデクサブロック
２  バークブロック
３  レジスト塗布ブロック
４  現像処理ブロック
５  インターフェイスブロック
１２  基板移載機構
２１，３１，４１，４２  熱処理タワー
５５，９５  搬送機構
９９  格納部
１００  ホストコンピュータ
１０５  洗浄制御部
１０６  搬出要求部
１０７  スケジュール管理部
１０８  洗浄要求部
１０９  搬送制御部
４５０  洗浄処理用ノズル
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３  塗布処理ユニット
ＣＣ  セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１４  クールプレート
ＣＳ１  洗浄要求信号
ＣＳ２  搬出要求信号
ＣＳ３  洗浄開始信号
ＤＷ  ダミー基板
ＥＣ  コントローラ
ＥＸＰ  露光ユニット
ＨＰ１〜ＨＰ１１  ホットプレート
ＭＣ  メインコントローラ
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２  加熱部
ＳＤ１〜ＳＤ５  現像処理ユニット
ＳＯＡＫ１  洗浄処理ユニット
ＳＰ  基板処理装置
ＴＣ  搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
2007173695.tif 000003
【図２】
2007173695.tif 000004
【図３】
2007173695.tif 000005
【図４】
2007173695.tif 000006
【図５】
2007173695.tif 000007
【図６】
2007173695.tif 000008
【図７】
2007173695.tif 000009
【図８】
2007173695.tif 000010
【図９】
2007173695.tif 000011
【図１０】
2007173695.tif 000012
【図１１】
2007173695.tif 000013
【図１２】
2007173695.tif 000014
【図１３】
2007173695.tif 000015