(57)【要約】【課題】  歩留まり低下の防止が可能な薄膜圧電共振器を提供する。【解決手段】  表面側に比べ、表面に対向する裏面側で開口幅が広い貫通孔を有する基板１０と、表面側で貫通孔上を覆う下部電極１４と、下部電極１４上に設けられた圧電膜１６と、下部電極１４と対向して圧電膜１６上に配置された上部電極１８と、裏面側から貫通孔中に挿入され、貫通孔の下部を封止する封止板２８とを備える。【選択図】図２
2007074647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に比べ、前記表面に対向する裏面側で開口幅が広い貫通孔を有する基板と、
前記表面側で前記貫通孔上を覆う下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記下部電極と対向して前記圧電膜上に配置された上部電極と、
前記裏面側から前記貫通孔中に挿入され、前記貫通孔の下部を封止する封止板
とを備えることを特徴とする薄膜圧電共振器。
【請求項２】
前記貫通孔の下部領域の側壁が、傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電共振器。
【請求項３】
前記封止板の前記表面に対して垂直に切った断面形状が、台形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜圧電共振器。
【請求項４】
前記封止板の裏面と前記基板の裏面とを覆う支持膜を更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜圧電共振器。
【請求項５】
基板の表面に下部電極を形成し、
前記下部電極上に圧電膜を形成し、
前記圧電膜上に前記下部電極と対向する上部電極を形成し、
前記表面に対向する前記基板の裏面から、前記下部電極及び前記上部電極が対向する領域の下方の前記基板部分を、前記表面側に比べ前記裏面側で開口幅が広くなるように除去して貫通孔を形成し、
前記裏面側から前記貫通孔中に封止板を挿入して前記貫通孔の下部を封止する
ことを含むことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、空洞内に保持された薄膜圧電共振器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線技術は飛躍的な発展を遂げ、更に高速伝送を目的とした開発が続けられている。同時に、情報伝達量の増大とともに周波数は更に高周波化が進んでいる。一方、多機能化が進む移動無線機器では、構成部品の小型、軽量化の要求が強く、ディスクリート部品として実装されていたフィルタ等の部品に対しても集積化が求められている。
【０００３】
これらの要求に伴って、近年注目を集めている部品の一つとして薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）を用いるフィルタがある。ＦＢＡＲは、弾性表面波（ＳＡＷ）素子と同じく圧電体の共振現象を利用するものであるが、ＳＡＷ素子が苦手とする２ＧＨｚより高い周波数により適した共振器である。ＦＢＡＲは、圧電体薄膜の膜厚方向を共振器として用いるため、素子のサイズ、特に厚さを飛躍的に低減することが可能である。更に、ＦＢＡＲは、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板上に形成することが比較的容易であり、半導体チップへの集積化も容易に行える。
【０００４】
ＦＢＡＲでは、圧電体薄膜を上部電極及び下部電極で挟んだキャパシタの上下に空洞が設けられている。空洞の形成方法や、空洞に挟まれたキャパシタの支持構造が、ＦＢＡＲ製造技術では大きな問題となる。特に、キャパシタを形成する基板側では、キャパシタの下部電極直下に、空洞を設ける必要があるため、製造技術も限られている。これまで、基板側の空洞形成に対して、大別して犠牲層エッチング技術及び裏面エッチング技術が報告されている。
【０００５】
犠牲層エッチング技術によるＦＢＡＲでは、下部電極直下の基板表面に設けられた溝が空洞として利用される（例えば、特許文献１参照。）。例えば、基板に設けられた溝を埋め込んで犠牲層が形成される。犠牲層の上にキャパシタ等が形成される。選択エッチングにより、犠牲層を除去して空洞が形成される。犠牲層エッチングでは、狭い開口部を通して犠牲層を完全に除去しなければならないため、歩留まり低下の大きな要因となる。しかしながら、犠牲層除去後の封止は通常必要なく、素子の厚さを抑えるためには有効な方法である。
【０００６】
また、裏面エッチング技術によるＦＢＡＲでは、下部電極直下に基板の裏面から貫通孔が形成され、空洞として用いられる（例えば、特許文献２参照。）。例えば、基板上にキャパシタ等を形成した後に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等により、基板裏面から下部電極下の基板を除去して貫通孔が形成される。貫通孔を基板裏面側から封止することにより、下部電極下に空洞が形成される。裏面エッチングでは、空洞を形成することは比較的容易に出来るが、裏面の封止基板分は、素子が厚くなる。その結果、ＦＢＡＲの実装や集積化に対してはデメリットとなる。
【０００７】
このように、裏面エッチング技術によるＦＢＡＲでは、素子の厚さを抑えるために、キャパシタ等を形成する基板と封止基板の２枚の基板厚さを抑えることが必要となる。しかしながら、基板の薄化は、基板強度を著しく低下させ、製造工程中に基板が割れ易くなる。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まりが低下する。実際には、ＦＢＡＲの基板の厚さを３００μｍ以下に薄くするためには、一時的に補強基板を張り合わせるという方法を取らざるを得ない。補強基板の貼り付け及び剥離工程が導入されることで、ＦＢＡＲの製造コスト増加は避けられず、素子の競争力低下を招いてしまう。
【特許文献１】特開２０００−６９５９４号公報
【特許文献２】米国特許第６７１３３１４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、歩留まり低下の防止が可能なＦＢＡＲ及びＦＢＡＲの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、（イ）表面側に比べ、表面に対向する裏面側で開口幅が広い貫通孔を有する基板と、（ロ）表面側で貫通孔上を覆う下部電極と、（ハ）下部電極上に設けられた圧電膜と、（ニ）下部電極と対向して圧電膜上に配置された上部電極と、（ホ）裏面側から貫通孔中に挿入され、貫通孔の下部を封止する封止板とを備える薄膜圧電共振器であることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第２の態様は、（イ）基板の表面に下部電極を形成し、（ロ）下部電極上に圧電膜を形成し、（ハ）圧電膜上に下部電極と対向する上部電極を形成し、（ニ）表面に対向する基板の裏面から、下部電極及び上部電極が対向する領域の下方の基板部分を、表面側に比べ裏面側で開口幅が広くなるように除去して貫通孔を形成し、（ホ）裏面側から貫通孔中に封止板を挿入して貫通孔の下部を封止することを含む薄膜圧電共振器の製造方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、歩留まり低下の防止が可能なＦＢＡＲ及びＦＢＡＲの製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１３】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲは、図１及び図２に示すように、基板１０、下部電極１４、圧電膜１６、上部電極１８、上部封止部材２５、下部封止部材２９等を備える。基板１０は、表面側に比べ、表面に対向する裏面側で開口幅が広い貫通孔を有する。下部電極１４は、基板１０表面に設けられた絶縁膜１２上において、基板１０上から延在し貫通孔上を覆うように設けられる。圧電膜１６は、下部電極１４上に設けられる。上部電極１８は、下部電極１４と対向して圧電膜１６上に配置され、圧電膜１６上から基板１０上に延びている。下部電極１４及び上部電極１８が対向する領域で規定される領域が、ＦＢＡＲの共振部となるキャパシタ２０である。
【００１４】
上部封止部材２５は、支持部２２と、封止板２４とを備える。支持部２２は、基板１０表面側でキャパシタ２０を内側に含むように配置される。封止板２４は、キャパシタ２０の上方において空洞３０を形成するように支持部２２上に配置され、キャパシタ２０を封止する。
【００１５】
下部封止部材２９は、封止板２８と、支持膜２６とを備える。封止板２８は、キャパシタ２０の下方において空洞３２を形成するように基板１０裏面側から貫通孔中に挿入され、貫通孔の下部を封止する。支持膜２６は、封止板２８の裏面及び基板１０の裏面を覆うように設けられる。
【００１６】
キャパシタ２０では、下部電極１４あるいは上部電極１８に印加された高周波信号により励振された圧電膜１６のバルク音響波の共振により高周波信号が伝達される。このとき、所望のＧＨｚ帯域の共振周波数を得るために、下部電極１４及び上部電極１８の重量を考慮したうえで、所定の圧電膜１６の厚さが設定される。
【００１７】
キャパシタ２０の良好な共振特性を得るために、結晶の配向等を含む膜質や膜厚の均一性に優れたＡｌＮ膜やＺｎＯ膜が、圧電膜１６として用いられる。下部電極１４及び上部電極１８には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜等が用いられる。基板１０は、Ｓｉ等の半導体基板である。絶縁膜１２には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等が用いられる。支持部２２には、感光性の樹脂等が用いられる。支持膜２６には、ポリイミド等の有機材料が用いられる。封止板２４、２８には、Ｓｉ等の半導体基板が用いられる。
【００１８】
第１の実施の形態に係るＦＢＡＲでは、基板１０中に形成された貫通孔は、基板１０の裏面側の領域で、裏面から深さＤまでの下部領域の側壁は傾斜している。貫通孔の開口幅は、裏面で最大のＷａである。また、貫通孔の基板１０の表面側に対応する空洞３２は、側壁がほぼ垂直で、開口幅Ｗｂを有する。封止板２８の断面形状は、底辺の幅が略Ｗａ、上辺の幅が略Ｗｂ、高さが略Ｄの台形である。したがって、封止板２８は、貫通孔の傾斜した側壁に相補的に嵌め合わされる。その結果、下部封止部材２９によるＦＢＡＲの厚さの増加が、支持膜２６の厚さだけに抑制することができる。
【００１９】
また、通常の樹脂封止工程では、接着剤として、例えば熱硬化型の樹脂が用いられる。ここで、貫通孔に支持膜２６と同様の有機材料系の薄膜シートが直接露出してしまう場合や、平坦な基板１０の裏面側に接着剤を介して封止基板を貼り合わせる場合等には、空洞３２内部への樹脂の染み出しや、揮発成分の拡散が生じる。その結果、図３に示すように、封止前及び封止後でＦＢＡＲの共振特性が変動する。このように、通常の樹脂封止工程では、ＦＢＡＲの所望の共振周波数が安定的に得られず、製造歩留まりが低下する。
【００２０】
第１の実施の形態では、キャパシタ２０の下に形成された空洞３２は、封止板２８により密閉される。したがって、下部封止部材２９を樹脂封止する際に、空洞３２内部への樹脂の染み出しや、揮発成分の拡散を防止することが可能となる。その結果、ＦＢＡＲの共振周波数の変動が抑制され、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００２１】
次に、本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法を、図４〜図１２に示す断面図を用いて説明する。ここで、説明に使用する断面図には、図１に示したＡ−Ａ線に相当する断面が示されている。
【００２２】
（イ）図４に示すように、単結晶Ｓｉ等の基板１０の表面及び裏面に、熱酸化等により、絶縁膜１２を形成する。基板１０は、例えば、面方位が（１００）で、厚さが約６７５μｍである。絶縁膜１２は、厚さが約２００ｎｍのＳｉＯ２膜である。直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタ等により、絶縁膜１２上に厚さが約１５０ｎｍ〜約６００ｎｍ、望ましくは約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍのＭｏ等の金属膜を堆積する。フォトリソグラフィ及びＲＩＥ等により、金属膜を選択的に除去して、下部電極１４を形成する。
【００２３】
（ロ）図５に示すように、高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ等により、下部電極１４がパターニングされた基板１０上に厚さが約０．５μｍ〜約３μｍのウルツ鉱型ＡｌＮ膜を堆積する。ＡｌＮ膜の厚さは、共振周波数により決まる。例えば、共振周波数が約２ＧＨｚであれば、ＡｌＮ膜の厚さは約２μｍである。フォトリソグラフィ、及び塩化物ガスを用いるＲＩＥ等により、ＡｌＮ膜を選択的に除去して下部電極１４の表面に圧電膜１６を形成する。
【００２４】
（ハ）図６に示すように、ＤＣスパッタ等により、圧電膜１６がパターニングされた基板１０上に、厚さが約１５０ｎｍ〜６００ｎｍ、望ましくは約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍのＡｌ等の金属膜を堆積する。フォトリソグラフィ、及び非酸化性の酸、例えば塩酸等を用いるウェットエッチング等により、金属膜を選択的に除去して、圧電膜１６を挟むように下部電極１４と対向する上部電極１８を形成する。下部電極１４及び上部電極１８が対向する領域で、キャパシタ２０が規定される。
【００２５】
（ニ）図７に示すように、上部電極１８がパターニングされた基板１０上に、感光性樹脂等の樹脂膜を約５μｍ〜約２０μｍ、例えば約１０μｍの厚さで回転塗布する。フォトリソグラフィ等により、選択的に架橋反応させた樹脂膜を残して、キャパシタ２０を内側に含むように支持部２２を形成する。支持部２２上に、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂を約１μｍの厚さで塗布した厚さが約１００μｍのＳｉ等の封止板２４を載せて加熱し、封止板２４を支持部２２と接着させる。支持部２２と封止板２４の上部封止部材２５に囲まれた空洞３０がキャパシタ２０上に形成される。
【００２６】
（ホ）図８に示すように、基板１０の裏面を研磨して、基板１０を、例えば約３００μｍの厚さまで薄くする。フォトリソグラフィ、及び水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いる異方性エッチング等により、基板１０の裏面から基板１０を選択的に除去して側壁が傾斜したトレンチ５０を形成する。トレンチ５０は、基板１０の裏面で開口幅がＷａで、深さは約２００μｍである。異方性エッチングでは、｛１００｝面及び｛１１０｝面が選択的にエッチングされ、＜１１１＞方向のエッチング速度は小さい。したがって、異方性エッチングにより形成された傾斜側壁は、ほぼ｛１１１｝面となる。その結果、基板１０の裏面に対するトレンチ５０の側壁の傾斜角αは、｛１００｝面と｛１１１｝面間の角度５４．７４°に近い値となる。なお、異方性エッチングは、ＫＯＨエッチングに限定されず、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液、エチレンジアミンピロカテコール（ＥＤＰ）溶液等を用いてもよい。
【００２７】
（ヘ）図９に示すように、フォトリソグラフィ、ＲＩＥ等により、絶縁膜１２をエッチング停止層として傾斜側壁を有したトレンチ５０の底面から開口幅Ｗａより狭い開口幅Ｗｂで基板１０を選択的に除去し、垂直側壁を有した溝を形成する。次に、ウェットエッチングあるいはケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）等により、キャパシタ２０下部の絶縁膜１２を選択的に除去して、貫通孔５４を形成する。貫通孔５４の側壁は、基板１０の裏面側の下部で角度αで傾斜し、基板１０の表面側の上部ではほぼ垂直である。その後、ＦＢＡＲの共振周波数を測定する。測定された共振周波数が所望の共振周波数値より低い場合、貫通孔５４より塩素系ガス等を導入し、下部電極１４の膜厚を減少させる。このとき、赤外線などを照射して下部電極１４の温度調節を行うことによって非常に精密に下部電極１４の膜厚を減少させることができる。下部電極１４の重量が減ることにより、共振周波数が高周波側にずれ、所望の共振周波数を得ることができる。また、測定された共振周波数が所望の共振周波数値より高い場合、貫通孔５４から銅（Ｃｕ）メッキ液等を導入し、下部電極１４の裏面にメッキを施す。メッキにより下部電極１４の重量が増加し、共振周波数が低周波側にずれ、所望の共振周波数を得ることができる。
【００２８】
（ト）図１０に示すように、厚さが１００μｍ以下のポリイミド等の支持膜２６を用意し、基板１０と同じ（１００）面方位で、厚さが約２００μｍの単結晶Ｓｉ等の基板２８ａを貼り付ける。フォトリソグラフィ等により、レジストパターン５６を基板２８ａの表面に形成する。レジストパターン５６の幅は、開口幅Ｗａとほぼ同じにしてある。
【００２９】
（チ）図１１に示すように、ＫＯＨ溶液を用いる異方性エッチング等により、レジストパターン５６をマスクとして基板２８ａを選択的に除去し、支持膜２６上に断面が台形状の封止板２８が配置された下部封止部材２９を形成する。異方性エッチングにより形成された封止板２８の傾斜した側壁は、ほぼ｛１１１｝面となる。封止板２８は、支持膜２６に接する底辺の幅がほぼＷａである。封止板２８の表面に対する側壁の傾斜角βは、貫通孔５４の側壁の傾斜角αとほぼ同じである。
【００３０】
（リ）図１２に示すように、基板１０の裏面に接着剤、例えば熱効果型樹脂を塗布して下部封止部材２９の支持膜２６を基板１０の裏面に加熱しながら接着する。封止板２８は貫通孔５４に挿入され空洞３２が形成される。このようにして、ＦＢＡＲが製造される。
【００３１】
第１の実施の形態では、基板１０中に形成された貫通孔５４の裏面側の側壁の傾斜角αと封止板２８の側壁の傾斜角βはほぼ等しい。特に基板１０と基板２８ａとを同一の半導体材料とすれば、異方性エッチングにより傾斜角αと傾斜角βとをほぼ同一にすることができる。また、封止板２８の底辺の幅は、貫通孔の開口幅Ｗａとほぼ同じである。したがって、封止板２８は、貫通孔の傾斜した側壁に相補的に嵌め合わされる。その結果、下部封止部材２９によるＦＢＡＲの厚さの増加が、支持膜２６の厚さだけに抑制することができる。
【００３２】
また、キャパシタ２０の下に形成された空洞３２は、封止板２８により密閉される。したがって、下部封止部材２９を樹脂封止する際に、空洞３２内部への樹脂の染み出しや、揮発成分の拡散を防止することが可能となる。その結果、ＦＢＡＲの共振周波数の変動が抑制され、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００３３】
このように、第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法によれば、下部封止部材２９による厚さの増加を抑制することができ、且つ共振周波数を高精度に調整できる。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まり低下の抑制が可能となる。
【００３４】
なお、第１の実施の形態では、空洞３２は垂直な側壁の断面形状としているが、任意の断面形状であってもよい。例えば、図１３に示すように、基板１０の裏面から絶縁膜１２に接する表面まで傾斜した側壁を有する貫通孔５４ａを形成する。貫通孔５４ａは、図８に示したトレンチ５０のエッチング工程で、絶縁膜１２に達するまで基板１０を除去することによって形成することができる。あるいは、図９に示した貫通孔５４のエッチング工程において、異方性エッチングを用いることによっても貫通孔５４ａを形成することができる。図１４に示すように、貫通孔５４ａに、図１１に示した下部封止部材２９を貼り合わせてキャパシタ２０の下に封止板２８により密閉された空洞３２ａが形成される。
【００３５】
また、上述の説明では、封止板２８を形成するレジストパターン５６の幅をトレンチ５０又は貫通孔５４の開口幅Ｗａとほぼ同じとしている。しかし、レジストパターン５６の幅は、レジストパターン５６あるいは封止板２８の加工誤差を考慮して開口幅Ｗａより狭いほうが望ましい。支持膜２６は可塑性を有しているため、形成された封止板２８が開口幅Ｗａより多少狭い場合でも、封止板２８を貫通孔５４の中に圧着すれば空洞３２を封止板２８により密閉することができる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲは、図１５に示すように、基板１０、下部電極１４、圧電膜１６、上部電極１８、上部封止部材２５、下部封止部材２９ａ等を備える。空洞３２を一部とする貫通孔は側壁はほぼ垂直で、基板１０の裏面側で空洞３２より開口幅が広くなるように段差部が設けられる。キャパシタ２０の下の空洞３２を形成するように下部封止部材２９ａの封止板２８ｂが貫通孔中に挿入される。封止板２８ｂの断面形状は、矩形である。封止板２８ｂの側壁はほぼ垂直であり、封止板２８ｂの幅は、空洞３２よりも広い。封止板２８ｂは、支持膜２６上に設けられる。
【００３７】
第２の実施の形態に係るＦＢＡＲは、側壁がほぼ垂直な封止板２８ｂを有する下部封止部材２９ａにより空洞３２を形成するように貫通孔が封止されている点が、第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの構造と異なる。他の構成は、第１の実施の形態と同様であるので、重複する記載は省略する。
【００３８】
第２の実施の形態に係るＦＢＡＲでは、封止板２８ｂが、基板１０の裏面側の空洞３２の幅より開口幅が広い貫通孔の領域に相補的に嵌め合わされている。封止板２８ｂの上面が貫通孔の段差部と接触することにより、空洞３２が密閉される。したがって、下部封止部材２９ａによる厚さの増加を抑制することができ、且つ共振周波数を高精度に調整できる。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まり低下の抑制が可能となる。
【００３９】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法を、図１６〜図１９に示す断面図を用いて説明する。ここで、第１の実施の形態と同様に、図４〜図７に示した製造工程が実施されている。
【００４０】
（イ）図１６に示すように、基板１０の裏面を研磨して、基板１０を、例えば約３００μｍの厚さまで薄くする。フォトリソグラフィ、及びＲＩＥ等により、基板１０の裏面から基板１０を選択的に除去して、ほぼ垂直な側壁のトレンチ５０ａを形成する。トレンチ５０ａの段差は、例えば、約２００μｍである。
【００４１】
（ロ）図１７に示すように、フォトリソグラフィ、ＲＩＥ等により、絶縁膜１２をエッチング停止層としてトレンチ５０ａの底面からトレンチ５０ａ開口幅より狭い開口幅で基板１０を選択的に除去する。次に、ウェットエッチングあるいはＣＤＥ等により、キャパシタ２０下部の絶縁膜１２を選択的に除去して、貫通孔５４ｂを形成する。貫通孔５４ｂの側壁はほぼ垂直で、基板１０の裏面及び表面の間に段差が形成される。その後、ＦＢＡＲの下部電極１４を処理して、所望の共振周波数に調整する。
【００４２】
（ハ）図１８に示すように、厚さが約２００μｍのＳｉ等の基板２８ａが貼り付けられた厚さが１００μｍ以下のポリイミド等の支持膜２６を用意する。フォトリソグラフィ等により、レジストパターン５６を基板２８ａの表面に形成する。レジストパターン５６の幅は、加工誤差を考慮して貫通孔５４ｂの裏面側の開口幅より狭くしてある。
【００４３】
（ニ）図１９に示すように、ＲＩＥ等により、レジストパターン５６をマスクとして基板２８ａを選択的に除去し、支持膜２６上に断面が矩形状の封止板２８ｂが配置された下部封止部材２９ａを形成する。封止板２８ｂの幅は、貫通孔５４ｂの裏面側の開口幅より狭くなる。
【００４４】
（ホ）基板１０の裏面に接着剤、例えば熱効果型樹脂を塗布して下部封止部材２９ａの支持膜２６を基板１０の裏面に加熱しながら接着する。封止板２８ｂは貫通孔５４ｂに挿入され空洞３２が形成される。このようにして、図１５に示したＦＢＡＲが製造される。
【００４５】
第２の実施の形態では、封止板２８ｂが、貫通孔５４ｂに相補的に嵌め合わされる。その結果、下部封止部材２９ａによるＦＢＡＲの厚さの増加が、支持膜２６の厚さだけに抑制することができる。
【００４６】
また、封止板２８ｂの上面を貫通孔５４ｂの段差部に接触させて、空洞３２を封止板２８ｂにより密閉することができる。したがって、下部封止部材２９ａを樹脂封止する際に、空洞３２内部への樹脂の染み出しや、揮発成分の拡散を防止することが可能となる。その結果、ＦＢＡＲの共振周波数の変動が抑制され、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００４７】
このように、第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法によれば、下部封止部材２９ａによる厚さの増加を抑制することができ、且つ共振周波数を高精度に調整できる。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まり低下の抑制が可能となる。
【００４８】
なお、段差を有する貫通孔５４ｂに対して、図１１に示した傾斜側壁を有する封止板２８で封止してもよい。例えば、図２０に示すように、封止板２８の傾斜側壁が段差と空洞３２の側壁の間の端部に接触するように封止板２８の寸法を調整して、空洞３２を封止板２８により密閉することができる。この場合、基板１０の裏面側に、空隙３４が形成される。支持膜２６を基板１０の裏面に圧着する際に押し出される樹脂を空隙３４に留めることができる。したがって、空洞３２内への樹脂の染み出しを防止することができる。
【００４９】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５０】
本発明の第１の実施の形態において、封止板２８は、貫通孔５４の裏面側の傾斜側壁と相補的な傾斜側壁を有している。しかし、封止板は相補的な側壁に限定されず、垂直な側壁であってもよい。また、貫通孔５４の傾斜側壁の傾斜角より大きな角度で傾斜した側壁を有する封止板であってもよい。例えば、図１９に示した封止板２８ｂを用いる場合、封止板２８ｂの上面の端部が貫通孔５４の傾斜側壁に接触することにより、空洞を密閉することができる。
【００５１】
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの一例を示す平面概略図である。
【図２】図１に示したＦＢＡＲのＡ−Ａ断面を示す概略図である。
【図３】樹脂封止によるＦＢＡＲの共振特性の変動の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図５】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図６】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図７】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図８】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。
【図９】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その６）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その７）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その８）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その９）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの貫通孔の他の例を示す断面概略図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…基板
１２…絶縁膜
１４…下部電極
１６…圧電膜
１８…上部電極
２０…キャパシタ
２２…支持部
２４…封止板
２５…上部封止部材
２６…支持膜
２８、２８ｂ…封止板
２９、２９ａ…下部封止部材
３０、３２、３２ａ…空洞
５４、５４ａ、５４ｂ…貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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