(57)【要約】【課題】異なる電圧に対応可能な発光装置及び照明器具を提供する。【解決手段】  照明器具１は、照明器具１は、切替制御手段２と、発光装置３とを備えている。発光装置３は、２つの発光アレイ２１ａ及び２１ｂと、３つの電圧入力端子２２ａ、２２ｂ及び２２ｃとを備えている。切替制御手段２は、供給される電源の電圧によって、電圧入力端子２２ａ〜２２ｃの接続を切り替えて、発光アレイ２１ａ及び２１ｂを並列接続及び直列接続することによって、発光アレイ２１ａ及び２１ｂに規定電圧が印加されるように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に形成された１又は複数の半導体発光素子を有し、規定電圧が同じｎ個（ｎ≧２）の発光アレイと、
前記各発光アレイの端部に対応して設けられた少なくとも（ｎ＋１）個以上の電圧入力端子とを備え、
前記電圧入力端子は、前記各発光アレイに規定電圧が印加されるように、前記各発光アレイを直列接続及び並列接続に切り替え可能なことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記各発光アレイは、同じ数の前記半導体発光素子を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光アレイは、２ｍ個の前記半導体発光素子を有し、
ｍ個の前記半導体発光素子は、残りのｍ個の前記半導体発光素子とは逆方向に電流が流れるように接続されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光アレイは、２個設けられ、
前記電圧入力端子は、３個設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
同一基板上に形成された１又は複数の半導体発光素子を有し、規定電圧が同じｎ個（ｎ≧２）の発光アレイ、及び、前記各発光アレイの端部に対応して設けられた少なくとも（ｎ＋１）個以上の電圧入力端子を有する発光装置と、
前記電圧入力端子を切り替えるための切替制御手段とを備え、
前記切替制御手段は、前記発光装置に印加される電圧に応じて、前記各発光アレイに印加される電圧が規定電圧になるように、前記発光アレイを直列接続又は並列接続すると共に、電圧が入力される前記電圧入力端子を自動的に切り替えることを特徴とする照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同一基板上に形成された複数の半導体発光素子を有する発光装置及び照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、同一基板上に複数の半導体発光素子が設けられた発光装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、図１４に示すような、同一基板上に設けられた半導体発光素子１０１ａ及び１０１ｂを有する発光アレイ１０２が設けられた発光装置１００が開示されている。この発光装置１００では、発光アレイ１０２の半導体発光素子１０１ａが、半導体発光素子１０１ｂに対して電流の流れる方向が逆方向になるように配置されている。また、発光装置１００には、両方の発光アレイ１０２の両端部に共通の電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂが２つ設けられ、この電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂを介して交流電源Ｐが接続される。
【０００４】
交流電源により発光装置１００の電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂの間に電圧が印加されると、印加された電圧が正の場合には一方の半導体発光素子１０１ａを発光させ、印加された電圧が負の場合には他方の半導体発光素子１０１ｂを発光させることができる。これによって、常に、発光アレイ１０２を発光させることができる。
【特許文献１】特開２００４−６５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の発光装置１００では、電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂが２つしか設けられていないために、１つの電圧にしか対応することができない。従って、もし規定電圧よりも高い電圧を電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂに印加すると、各半導体発光素子１０１ａ及び１０１ｂに過電圧が印加されることにより、指数関数的に増加した電流が半導体発光素子１０１ａ及び１０１ｂに流れる。これによって、半導体発光素子１０１ａ及び１０１ｂを破損させたり、寿命を縮めたりするといった問題が生じていた。逆に、規定電圧よりも低い電圧を電圧入力端子１０３ａ及び１０３ｂに印加すると、各半導体発光素子１０１ａ及び１０１ｂが発光しなかったり、発光しても光が弱いといった問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、異なる電圧に対応可能な発光装置及び照明器具を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、同一基板上に形成された１又は複数の半導体発光素子を有し、規定電圧が同じｎ個（ｎ≧２）の発光アレイと、前記各発光アレイの端部に対応して設けられた少なくとも（ｎ＋１）個以上の電圧入力端子とを備え、前記電圧入力端子は、前記各発光アレイに規定電圧が印加されるように、前記各発光アレイを直列接続及び並列接続に切り替え可能なことを特徴とする発光装置である。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、前記各発光アレイは、同じ数の前記半導体発光素子を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置である。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、前記発光アレイは、２ｍ個の前記半導体発光素子を有し、ｍ個の前記半導体発光素子は、残りのｍ個の前記半導体発光素子とは逆方向に電流が流れるように接続されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１０】
また、請求項４記載の発明は、前記発光アレイは、２個設けられ、前記電圧入力端子は、３個設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置である。
【００１１】
また、請求項５記載の発明は、同一基板上に形成された１又は複数の半導体発光素子を有し、規定電圧が同じｎ個（ｎ≧２）の発光アレイ、及び、前記各発光アレイの端部に対応して設けられた少なくとも（ｎ＋１）個以上の電圧入力端子を有する発光装置と、前記電圧入力端子を切り替えるための切替制御手段とを備え、前記切替制御手段は、前記発光装置に印加される電圧に応じて、前記各発光アレイに印加される電圧が規定電圧になるように、前記発光アレイを直列接続又は並列接続すると共に、電圧が入力される前記電圧入力端子を自動的に切り替えることを特徴とする照明器具である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光装置によれば、ｎ個の発光アレイの端部に対応させて（ｎ＋１）個以上の電圧入力端子を設けることによって、印加される電圧に対応させて、電源に接続する電圧入力端子を選択したり、電圧入力端子同士を接続したりすることができる。これによって、発光アレイ同士を直列接続させたり、並列接続させた状態で電源に接続することができるので、各発光アレイに印加される電圧を、発光アレイの規定電圧にすることができる。これによって、異なる印加電圧に対して、過電圧に起因する発光アレイの半導体発光素子の破損を防止することができると共に、電圧が低いことに起因する半導体発光素子の非発光を防止することができるので、適切に発光させることができる。
【００１３】
また、本発明の照明器具によれば、発光装置の電圧入力端子を切り替え可能な切替制御手段を設けることによって、印加される電圧に基づいて、自動的に電圧が入力される電圧を電源に接続し、且つ、電圧入力端子同士を接続することができる。このため、ユーザは、印加電圧に関係なく、容易に照明器具を電源に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態による発光装置を含む照明器具の全体構成図である。図２は、電源をつなぐ前の照明器具の回路図である。図３は、発光装置を構成する半導体発光素子の概略の平面図である。図４は、発光装置を構成する半導体発光素子の断面図である。
【００１５】
図１に示すように、照明器具１は、切替制御手段２と、発光装置３とを備えている。
【００１６】
切替制御手段２は、図１及び図２に示すように、交流電源Ｐから電力が入力される２つの入力端子１１ａ及び１１ｂと、発光装置３に電源を出力するための３つの出力端子１２ａ、１２ｂ及び１２ｃとを備えている。切替制御手段２は、後述する発光アレイ２１ａ及び２１ｂに印加される電圧が規定電圧になるように、上記入力端子１１ａ及び１１ｂと出力端子１２ａ〜１２ｃとの接続を、交流電源Ｐから供給される電圧に基づいて自動的に切り替え可能に構成されている。
【００１７】
図１及び図２に示すように、発光装置３は、絶縁性のパッケージ（図示略）に接着された同一基板３１上に形成された２つの発光アレイ２１ａ及び２１ｂと、３つの電圧入力端子２２ａ、２２ｂ及び２２ｃとを備えている。尚、基板３１は、絶縁性の樹脂系の接着材料によってパッケージに接着されている。
【００１８】
各発光アレイ２１ａ及び２１ｂは、１００Ｖの電圧（規定電圧）に対応可能に構成されている。従って、２つの発光アレイ２１ａ及び２１ｂを直列接続した場合は、２００Ｖの電圧に対応することができる。
【００１９】
図１に示すように、発光アレイ２１ａ及び２１ｂは、同一基板３１上に形成された１２個の半導体発光素子（発光ダイオード）２３ａ及び２３ｂと、各半導体発光素子２３ａ及び２３ｂを接続するための配線膜２４とを備えている。図１及び図２に示すように、６個の半導体発光素子２３ａと６個の半導体発光素子２３ｂは、電流の流れる向きが逆になるように、ｐｎ接合が逆向きに配置されている。
【００２０】
６個の半導体発光素子２３ａが直列接続されるように、半導体発光素子２３ａのｐ側は、隣接する半導体発光素子２３ａのｎ側に配線膜２４によって接続されている。また、６個の半導体発光素子２３ｂも同様に直列接続されるように、半導体発光素子２３ｂのｐ側は、隣接する半導体発光素子２３ｂのｎ側に配線膜２４によって接続されている。即ち、６個の半導体発光素子２３ａと、残り６個の半導体発光素子２３ｂの電流の流れる向きが逆になるように直列接続されている。
【００２１】
従って、一方の半導体発光素子２３ａに逆方向の電圧が印加されている状態でも、他方の半導体発光素子２３ｂには順方向の電圧が印加されることになるので、他方の半導体発光素子２３ｂには電流が流れる。逆に、他方の半導体発光素子２３ｂに逆方向の電圧が印加されている状態では、一方の半導体発光素子２３ａには順方向の電圧が印加されることになるので、一方の半導体発光素子２３ｂには電流が流れる。
【００２２】
即ち、交流電源Ｐをこの発光装置３に接続した場合でも、半導体発光素子２３ａ及び２３ｂのうち、いずれか一方には順方向の電圧が印加されて電流が流れるので、いずれかの半導体発光素子２３ａ及び２３ｂを常に点灯させることができる。
【００２３】
また、一組の半導体発光素子２３ａ及び２３ｂと隣接する一組の半導体発光素子２３ａ及び２３ｂと接続する配線膜２４を跨ぐように補助配線膜２４ａが設けられている。
【００２４】
次に、図３及び４を参照して、半導体発光素子２３ａ及び２３ｂについて説明する。
【００２５】
半導体発光素子２３ａ及び２３ｂは、基板３１と、基板３１上に形成された半導体積層構造３２とを備えている。半導体積層構造３２は、基板３１側から順に、低温バッファ層３３、高温バッファ層３４、ｎ型半導体層３５、ＭＱＷ活性層３６、ｐ型半導体層３７、透明電極３８を有する。
【００２６】
低温バッファ層３３は、厚さ約０．００５μｍ〜約０．１μｍのＧａＮ層からなる。高温バッファ層３４は、厚さ約１μｍ〜約３μｍのアンドープのＧａＮ層からなる。この高温バッファ層３４は、各半導体発光素子２３ａ及び２３ｂを絶縁するために半絶縁性を有する。
【００２７】
ｎ型半導体層３５は、厚さ約１μｍ〜約５μｍからなり、ｎ型のドーパントであるＳｉがドープされたｎ−ＧａＮ層からなるコンタクト層と、ｎ−ＡｌＧａＮ層からなる閉じ込め層とを有する。ｎ型半導体層３５のコンタクト層の一部が露出するように、ＭＱＷ活性層３６、ｐ型半導体層３７及び透明電極３８の一部はエッチングされている。
【００２８】
ＭＱＷ活性層３６は、厚さ約０．０５μｍ〜約０．３μｍの多重量子井戸構造からなる。具体的には、ＭＱＷ活性層３６は、バンドギャップエネルギーが閉じ込め層よりも小さく、厚さ約１ｎｍ〜約３ｎｍのＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎからなる井戸層と、厚さ約１０ｎｍ〜約２０ｎｍのＧａＮ層からなるバリア層とが３組〜８組積層されている。
【００２９】
ｐ型半導体層３７は、厚さ約０．２μｍ〜約１．０μｍからなり、ｐ−ＡｌＧａＮ層からなる閉じ込め層と、ｐ−ＧａＮ層からなるコンタクト層とを有する。
【００３０】
透明電極３８は、ＭＱＷ活性層３６により発光された光が透過可能に、ｐ型半導体層３７の上面に形成されている。透明電極３８は、厚さ約０．０１μｍ〜約０．５μｍのＺｎＯ層からなる。尚、透明電極３８としては、ＩＴＯや薄いＮｉとＡｕからなる合金層などにより構成してもよい。
【００３１】
隣接する半導体発光素子２３ａ及び２３ｂの間には、高温バッファ層３４の一部と、ｎ型半導体層３５、ＭＱＷ活性層３６、ｐ型半導体層３７及び透明電極３８とがエッチングされることによって形成された、幅が約０．６μｍ〜約５μｍの分離溝３９が形成されている。分離溝３９には、ＳｉＯ２からなり、隣接する半導体発光素子２３ａ及び２３ｂを絶縁するための絶縁膜４０が形成されている。
【００３２】
図４に示すように、半導体発光素子２３ａ及び２３ｂの透明電極３８と、隣接する半導体発光素子２３ａ及び２３ｂのｎ型半導体層３５のコンタクト層とを接続するために、配線膜２４が絶縁膜４０を跨いで形成されている。配線膜２４は、厚さ約０．３μｍ〜約１．０μｍのＡｕまたはＡｌなどの金属膜からなる。
【００３３】
電圧入力端子２２ａ〜２２ｃは、Ｆｅ−Ｎｉメッキ、又は、Ｃｕ−Ｎｉメッキによって構成されている。電圧入力端子２２ａ及び２２ｃは、パッド電極２５ａ及び２５ｃを介して、発光アレイ２１ａ及び２１ｂの端部に接続されている。また、電圧入力端子２２ｂは、パッド電極２５ｂを介して、発光アレイ２１ａ及び２１ｂの端部が接続されている部分に接続されている。尚、電圧入力端子２２ａ〜２２ｃは、金線又はＡｌ線によってパッド電極２５ａ〜２５ｃに接続されている。
【００３４】
尚、上記発光装置１は、既知の半導体製造方法等によって製造される。
【００３５】
次に、上記照明器具１を、２００Ｖの交流電源及び１００Ｖの交流電源に接続した場合の動作について、図２、図５及び図６を参照して説明する。図５は、照明器具に２００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。図６は、照明器具に１００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【００３６】
まず、図２に示すように、照明器具１が電源電源に接続される前は、切替制御手段２の出力端子１２ａ〜１２ｃは、入力端子１１ａ及び１１ｂに接続されていない。
【００３７】
次に、図５に示すように、照明器具１を２００Ｖの交流電源Ｐ２００に接続した場合、出力端子１２ａを介して電圧入力端子２２ａと入力端子１１ａが接続され、出力端子１２ｃを介して電圧入力端子２２ｃと入力端子１１ｂが接続される。そして、出力端子１２ｂは接続されず、絶縁された状態となる。これによって、発光装置３は、発光アレイ２１ａ及び２１ｂが直列接続された状態で、その両端に２００Ｖの電圧が印加されることになる。従って、各発光アレイ２１ａ及び２１ｂには、規定電圧の１００Ｖずつの電圧が印加されることになり、発光装置３を正常に動作させることができる。
【００３８】
一方、図６に示すように、照明器具１を１００Ｖの交流電源Ｐ１００に接続した場合には、出力端子１２ａ及び１２ｃを介して、電圧入力端子２２ａ及び２２ｃが、入力端子１１ａに接続されるとともに、出力端子１２ｂを介して、電圧入力端子２２ｂが入力端子１１ｂに接続される。これによって、発光装置３は、発光アレイ２１ａ及び２１ｂが並列接続された状態になる。したがって、各発光アレイ２１ａ及び２１ｂの両端部に、規定電圧の１００Ｖの電圧が印加されることになり、発光装置３を正常に動作させることができる。
【００３９】
上述したように本発明による発光装置３では、２個の発光アレイ２１ａ及び２１ｂに対応させて３個の電圧入力端子２２ａ〜２２ｃを設けたので、供給される電圧に対応させて、交流電源Ｐに接続する電圧入力端子２２ａ〜２２ｃを選択することや、電圧入力端子２２ａ〜２２ｃ同士を接続することができる。
【００４０】
これによって、発光アレイ２１ａ及び２１ｂ同士を直列接続させたり、並列接続させた状態で交流電源Ｐに接続することができるので、各発光アレイ２１ａ及び２１ｂに印加される電圧を、発光アレイ２１ａ及び２１ｂの規定電圧である１００Ｖにすることができる。従って、異なる供給電圧でも同じ電圧を印加することができるので、過電圧に起因する半導体発光素子２３ａ及び２３ｂの発熱及び破損を抑制し、同じ照度の光が発光するように動作させることができる。
【００４１】
また、本発明による照明器具１では、発光装置３の電圧入力端子２２ａ〜２２ｃと交流電源Ｐとの接続を自動的に切り替え可能な切替制御手段２を設けることによって、印加される電圧に基づいて、電圧が入力される電圧入力端子２２ａ〜２２ｃを自動的に交流電源Ｐに接続し、且つ、電圧入力端子２２ａ〜２２ｃ同士を接続することができる。このため、ユーザは、供給電圧に関係なく、容易に照明器具１を交流電源Ｐに接続することができる。
【００４２】
以上、上記実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、当業者にとっては、本発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく修正及び変更形態として実施することができる。従って、本明細書の記載は、例示説明を目的とするものであり、本発明に対して何ら制限的な意味を有するものではない。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、発光装置３を照明器具１に含まれるように構成したが、発光装置３を単独の装置としてもよい。
【００４４】
また、上記実施形態では、１００Ｖの交流電源を接続した際にも、両方の発光アレイ２１ａ及び２１ｂが点灯するように構成したが、１００Ｖの交流電源を接続する場合には、いずれか一方の発光アレイ２１ａ及び２１ｂを点灯するように構成してもよい。この場合には、電圧入力端子２２ａ及び２２ｃのいずれか一方と、電圧入力端子２２ｂとを１００Ｖの交流電源に接続するように構成すればよい。
【００４５】
上記実施形態では、発光装置３に２つの発光アレイ２１ａ及び２１ｂを設けたが、発光装置に３以上の発光アレイを設けてもよい。例えば、図７に示す第１変更形態のように、発光装置３Ａに４つの発光アレイ５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄを設けてもよい。各発光アレイ５１ａ〜５１ｄの各端部には、電圧入力端子５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅ、５２ｆ、５２ｇ、５２ｈが２つずつ接続されている。
【００４６】
次に、図８〜図１０を参照して、各発光アレイ５１ａ〜５１ｄの規定電圧を５０Ｖとした時の、上記発光装置３Ａを有する照明器具１Ａの動作説明をする。尚、照明器具１Ａは、電圧入力端子５２ａ〜５２ｈに対応させた出力端子５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、５３ｅ、５３ｆ、５３ｇ、５３ｈと、交流電源が入力される入力端子５４ａ、５４ｂとを含む切替制御手段２Ａを備えている。
【００４７】
図８に示すように、照明器具１Ａに２００Ｖの交流電源Ｐ２００を接続した場合、切替制御手段２Ａは、電圧入力端子５２ｂ及び５２ｃ、電圧入力端子５２ｄ及び５２ｅ、電圧入力端子５２ｆ及び５２ｇをそれぞれ接続することによって、４つの発光アレイ５１ａ〜５１ｄを直列接続する。この状態で、電圧入力端子５２ａと電圧入力端子５２ｈとを入力端子５４ａと入力端子５４ｂとを介して交流電源Ｐ２００に接続することによって、各発光アレイ５１ａ〜５１ｄには、規定電圧である５０Ｖの電圧が印加されることになり、正常に動作させることができる。
【００４８】
次に、図９に示すように、照明器具１Ａに１００Ｖの交流電源Ｐ１００を接続した場合、切替制御手段２Ａは、電圧入力端子５２ｂ及び５２ｃを接続することによって、発光アレイ５１ａ及び５１ｂを直列接続すると共に、電圧入力端子５２ｆ及び５２ｇを接続することによって、発光アレイ５１ｃ及び５１ｄを直列接続する。更に、電圧入力端子５２ａ及び５２ｅを接続すると共に、電圧入力端子５２ｄ及び５２ｈを接続することによって、直列接続された発光アレイ５１ａ及び５１ｂと発光アレイ５１ｃ及び５１ｄとを並列接続する。
【００４９】
この状態で、電圧入力端子５２ａ及び５２ｅと電圧入力端子５２ｄ及び５２ｈとを、入力端子５４ａと入力端子５４ｂとを介して、交流電源Ｐ１００に接続することによって、各発光アレイ５１ａ〜５１ｄには、規定電圧である５０Ｖの電圧が印加されることになり、正常に動作させることができる。
【００５０】
次に、図１０に示すように、照明器具１Ａに５０Ｖの交流電源Ｐ５０を接続した場合、切替制御手段２Ａは、電圧入力端子５２ａ、５２ｃ、５２ｅ及び５２ｇを接続すると共に、電圧入力端子５２ｂ、５２ｄ、５２ｆ及び５２ｈを接続することによって、全ての発光アレイ５１ａ〜５１ｄを並列接続する。
【００５１】
この状態で、電圧入力端子５２ａ、５２ｃ、５２ｅ及び５２ｇと電圧入力端子５２ｂ、５２ｄ、５２ｆ及び５２ｈとを、入力端子５４ａと入力端子５４ｂとを介して、交流電源Ｐ５０に接続することによって、各発光アレイ５１ａ〜５１ｄには、規定電圧である５０Ｖの電圧が印加されることになり、正常に動作させることができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、交流電源が接続される照明器具１及び発光装置３について説明したが、直流電源が接続される照明器具及び発光装置に本発明を適用してもよい。例えば、図１１に示す第２変更形態の発光装置３Ｂでは、各発光アレイ６１ａ及び６１ｂの半導体発光素子２３ａが全て同じ方向に電流が流れるように接続される。各発光アレイ６１ａ及び６１ｂ両端部には、電圧入力端子６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄが設けられている。従って、規定の向きに各発光アレイ６１ａ及び６１ｂに電流が流れるように、電圧入力端子６２ａ〜６２ｄには、直流電源が接続される。
【００５３】
次に、各発光アレイ６１ａ及び６１ｂの規定電圧を１００Ｖとした時の、上記発光装置３Ｂを有する照明器具１Ｂの動作説明をする。尚、照明器具１Ｂは、直流電源Ｐ’２００及びＰ’１００が接続される入力端子６３ａ及び６３ｂと、電圧入力端子６２ａ〜６２ｄが接続される出力端子６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄとを含む切替制御手段２Ｂを備えている。
【００５４】
図１２に示すように、照明器具１Ｂに２００Ｖの直流電源Ｐ’２００を接続した場合、切替制御手段２Ｂは、電圧入力端子６２ｂ及び６２ｃを接続することによって、発光アレイ６１ａ及び６１ｂを直列接続する。この状態で、切替制御手段２Ｂが電圧入力端子６２ａ及び６２ｄを直流電源Ｐ’２００に接続することによって、各発光アレイ６１ａ及び６１ｂには、規定電圧である１００Ｖの電圧が印加されることになり、正常に動作させることができる。
【００５５】
また、図１３に示すように、照明器具１Ｂに１００Ｖの直流電源Ｐ’１００を接続した場合、切替制御手段２Ｂは、電圧入力端子６２ａ及び６２ｃを接続するとともに、電圧入力端子６２ｂ及び６２ｄを接続することによって、発光アレイ６１ａ及び６１ｂを並列接続する。この状態で、切替制御手段２Ｂが、電圧入力端子６２ａ及び６２ｃと電圧入力端子６２ｄ及び６２ｂとを直流電源Ｐ’１００に接続することによって、各発光アレイ６１ａ及び６１ｂには、規定電圧である１００Ｖの電圧が印加されることになり、正常に動作させることができる。
【００５６】
また、発光アレイの数及び電圧入力端子の数は、発光アレイのｎ個（ｎ≧２）に対して電圧入力端子を（ｎ＋１）個以上形成すればよく、特に上記実施形態に限定するものではない。
【００５７】
また、上記実施形態で示した、半導体発光素子２３ａ及び２３ｂの構成及びその数は一例であり、所望の供給電圧などに対応させて適宜変更可能である。
【００５８】
また、上記実施形態では、１００Ｖと２００Ｖで切り替えを行っていたが、全ての発光アレイを発光させなければ、１００Ｖ〜２００Ｖの間の他の電圧値、例えば、１１０Ｖで切り替えを行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による発光装置を含む照明器具の全体構成図である。
【図２】電源をつなぐ前の照明器具の回路図である。
【図３】発光装置を構成する半導体発光素子の概略の平面図である。
【図４】発光装置を構成する半導体発光素子の断面図である。
【図５】照明器具に２００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図６】照明器具に１００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図７】本発明の第１変更形態による発光装置を含む照明器具の全体構成図である。
【図８】第１変更形態の照明器具に２００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図９】第１変更形態の照明器具に１００Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図１０】第１変更形態の照明器具に５０Ｖの交流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図１１】本発明の第２変更形態による発光装置を含む照明器具の全体構成図である。
【図１２】第２変更形態の照明器具に２００Ｖの直流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図１３】第２変更形態の照明器具に１００Ｖの直流電源を接続した場合の動作説明図である。
【図１４】従来の発光装置の概略の全体構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１、１Ａ、１Ｂ        照明器具
２、２Ａ、２Ｂ        切替制御手段
３、３Ａ、３Ｂ  発光装置
１１ａ、１１ｂ  入力端子
１２ａ〜１２ｃ        出力端子
２１ａ、２１ｂ  発光アレイ
２２ａ〜２２ｃ        電圧入力端子
２３ａ、２３ｂ  半導体発光素子
３１  基板
３２  半導体積層構造
３３  低温バッファ層
３４  高温バッファ層
３５  ｎ型半導体層
３６  ＭＱＷ活性層
３７  ｐ型半導体層
３８  透明電極
３９  分離溝
４０  絶縁膜
５１ａ〜５１ｄ  発光アレイ
５２ａ〜５２ｈ  電圧入力端子
６１ａ、６１ｂ  発光アレイ
６２ａ〜６２ｄ  電圧入力端子
Ｐ２００ 交流電源
Ｐ１００ 交流電源
Ｐ５０  交流電源
Ｐ’２００  直流電源
Ｐ’１００  直流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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