(57)【要約】【課題】基板の一部をレーザーアニール処理する際にレーザー光の反射が起こりにくいアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板１０上に、（ａ）酸化珪素膜４１、（ｂ）非晶質珪素膜４２Ａ、（ｃ）酸化珪素膜４３、（ｄ）非晶質珪素膜４４Ａを積層する。非晶質珪素膜４４Ａは、画素領域５にのみ残るようにパターニングする。次に、（ｅ）レーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜４４Ａと、駆動回路領域６に形成された非晶質珪素膜４２Ａとを結晶化させ、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐを形成する。画素領域５に形成された非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されずに残る。こうして得られた移動度の異なる非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをそれぞれ画素領域５、駆動回路領域６におけるＴＦＴの半導体膜として用いる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と前記負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に第１珪素膜を形成する工程と、
前記第１珪素膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜上であって、前記負荷回路が形成される領域のうち前記負荷回路に含まれるスイッチング素子が形成される領域を少なくとも含み、かつ前記駆動回路が形成される領域を含まない領域に第２珪素膜を形成する工程と、
前記基板の前記第２珪素膜が形成された側から、前記第２珪素膜及び前記第２珪素膜が形成されていない領域に形成された前記第１珪素膜にレーザー光を照射して結晶化させることにより、多結晶珪素膜を形成する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記第２珪素膜を形成する工程は、前記負荷回路が形成される領域の略全体に前記第２珪素膜を形成する工程であることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項３に記載のアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と当該負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されたアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置及びイメージセンサ等の各種電子デバイスにおいては、画素（負荷）のスイッチング動作を行う多数の半導体装置（ＴＦＴなど；以下、ＴＦＴ）を含む画素回路が形成されたアクティブマトリクス基板が用いられるのが一般的である。かかる基板には、画素回路のほか、各画素の駆動を制御する多数のＴＦＴを備えた駆動回路が形成される。
【０００３】
ここで、駆動回路のＴＦＴの半導体膜にキャリア移動度（以下、単に移動度と呼ぶ）の高いものを用いてＴＦＴを高性能化すれば、駆動回路を高速に動作させることができる。一方で、画素回路に含まれるＴＦＴの半導体膜の移動度を高くし過ぎると、当該画素回路に光が照射された場合に生ずるＴＦＴのリーク電流が増大してしまうという問題がある。画素回路のＴＦＴの半導体膜に光が入射すると、半導体膜に電子・正孔対が生成され、ＴＦＴにリーク電流が流れるが、このとき半導体膜の移動度が高いとリーク電流が増大してしまうのである。こうした現象は、光が画素領域を透過する構成の透過型液晶表示装置において顕著である。透過型液晶表示装置の画素回路のＴＦＴにおいてリーク電流が増大すると、表示むら等が発生し、表示品位が低下する。
【０００４】
こうした現象を回避するため、駆動回路のＴＦＴの半導体膜のみを、画素回路のＴＦＴの半導体膜に対して高移動度化することが行われている。同一基板上に形成された半導体膜の一部を高移動度化するための技術としては、レーザーアニール装置を用いて、高移動度化したい部位の半導体膜にのみレーザー光を照射して多結晶半導体膜を形成する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。さらに、このように選択的にレーザー光を照射するために、基板表面のうちレーザー光を照射させない部位に金属膜を形成してマスクとする方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−６３１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属膜でレーザー光をマスクする場合には、金属膜で反射されたレーザー光がレーザーアニール装置のアニールチャンバー内壁に照射されて装置が損傷するという問題点があった。また、金属膜で反射されたレーザー光がレーザーアニール装置のアニールチャンバー内壁に照射された結果、内壁に付着していた不純物がアニールチャンバー内を拡散してアクティブマトリクス基板に付着し、品質の低下につながるという問題点があった。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板の一部をレーザーアニール処理する際にレーザー光の反射が起こりにくいアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、負荷のスイッチング動作を行う負荷回路と前記負荷の駆動を制御する駆動回路とが同一面上に形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上に第１珪素膜を形成する工程と、前記第１珪素膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜上であって、前記負荷回路が形成される領域のうち前記負荷回路に含まれるスイッチング素子が形成される領域を少なくとも含み、かつ前記駆動回路が形成される領域を含まない領域に第２珪素膜を形成する工程と、前記基板の前記第２珪素膜が形成された側から、前記第２珪素膜及び前記第２珪素膜が形成されていない領域に形成された前記第１珪素膜にレーザー光を照射して結晶化させることにより、多結晶珪素膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法によれば、駆動回路が形成される領域の第１珪素膜は、レーザー光の照射（レーザーアニール）によって、移動度の高い多結晶珪素膜となる。一方、負荷回路が形成される領域の第１珪素膜のうち、スイッチング素子が形成される領域にはレーザー光が到達しないか、又は弱められたレーザー光が到達する。これは、当該領域に積層された第２珪素膜がレーザー光の全部又は一部を吸収するマスクとして機能するからである。これにより、負荷回路のスイッチング素子が形成される領域には、前記多結晶珪素膜より相対的に移動度の低い第１珪素膜が残る。したがって、駆動回路が形成される領域の半導体膜のみを、負荷回路が形成される領域の半導体膜に対して高移動度化することができる。
【００１０】
また、レーザー光のマスクとなる第２珪素膜は金属膜に比べてレーザー光を反射しにくいので、基板にレーザー光を照射して上記多結晶珪素膜を形成する際にレーザー光の反射が起こりにくい。よって、上記製造方法によれば、レーザー光の反射光によるレーザーアニール装置の損傷が起こりにくい。また、このようにレーザー光の反射が起こりにくいことにより、アニールチャンバー内壁に不純物が付着していたとしても当該不純物が拡散しにくく、ひいては当該不純物が基板に付着しにくいので、高品質なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００１１】
上記アクティブマトリクス基板の製造方法において、前記第２珪素膜を形成する工程は、前記負荷回路が形成される領域の略全体に前記第２珪素膜を形成する工程であることが好ましい。
【００１２】
このような製造方法によれば、負荷回路が形成される領域の略全体が第２珪素膜によってマスクされ、当該領域に形成された第１珪素膜がレーザー光から保護される。負荷回路が形成される領域の略全体に形成された第２珪素膜は、負荷回路の各スイッチング素子の位置に対応して形成された場合の第２珪素膜と比較して、各スイッチング素子の位置におけるマスクとしての機能が安定している。照射するレーザー光のエネルギー密度を高くすると、第２珪素膜の端部がレーザーアニールによって損傷することがある。レーザーアニールを行うと第２珪素膜は一瞬溶融する。その溶融時に第２珪素膜の端部は膜が流れて膜厚が薄くなる。薄膜化した第２珪素膜の端部に繰り返しレーザーアニールを行うと、第２珪素膜がアブレーションによって損傷する。第２珪素膜が損傷すると、レーザー光に対するマスクとしての機能が低下してしまう。その結果、負荷回路の各スイッチング素子の特性にばらつきが生じたり、光リーク電流が増大してしまったりする。このような現象は、第２珪素膜を負荷回路の各スイッチング素子の位置に対応して形成した場合、つまり、第２珪素膜が端部を多く有する小面積の島の集合である場合に発生し易い。本発明のように、第２珪素膜を負荷回路が形成される領域の略全体に形成すれば、上記のような不具合現象が発生するのは負荷回路の最外周部だけになる。負荷回路の最外周部をダミー回路として実際の表示部に使用しなければ、特性ばらつきが少なくて光リーク電流の低いスイッチング素子が得られる。このように、上記製造方法によれば、高品質なアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【００１３】
本発明によるアクティブマトリクス基板は、上記アクティブマトリクス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする。このような構成によれば、負荷回路のＴＦＴの半導体膜が、駆動回路のＴＦＴの半導体膜に対して低移動度となるため、光によるリーク電流が生じにくいアクティブマトリクス基板が得られる。
【００１４】
本発明による電気光学装置は、上記アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、光によるリーク電流が生じにくいアクティブマトリクス基板を備えるので、高品位な表示を行うことができる。
【００１５】
本発明による電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。このような構成の電気光学装置は、上記電気光学装置によって高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１７】
（第１の実施形態）
＜Ａ．液晶表示装置＞
まず、図１から図３を用いて、本発明の「電気光学装置」としての液晶表示装置１について説明する。図１は、液晶表示装置１の平面図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線で液晶表示装置１を切断して示す断面図である。図３は、液晶表示装置１の画素領域５に形成された画素回路の一部を示す回路図である。ここで、「画素」、「画素回路」はそれぞれ本発明における「負荷」、「負荷回路」に対応し、「画素領域５」は本発明における「負荷回路が形成される領域」に対応する。
【００１８】
図１及び図２に示すように、液晶表示装置１は、素子基板１１と対向基板２１とがシール材５１を介して貼り合わされてなり、素子基板１１と対向基板２１との間には液晶５０が封入されている。液晶５０は、液晶注入口５３から注入される。液晶注入口５３は、液晶５０の注入が完了した後、封止材５２によって封止される。上記素子基板１１は、本発明の「アクティブマトリクス基板」に対応する。
【００１９】
素子基板１１の対向基板２１に対向する面のうち画素領域５に対応する領域には、画素を構成するＴＦＴ３０５、画素電極３７、及びデータ線３４、走査線３６等が形成されており（図３参照）、対向基板２１の素子基板１１に対向する面には全面に対向電極（不図示）が形成されている。また、素子基板１１には、多数のＴＦＴ３０６（図６（ｅ）参照）を含むデータ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２が形成されている。データ線駆動回路６１は、データ線３４に画像信号を供給し、走査線駆動回路６２は、走査線３６に走査信号を供給する。ここで、上記ＴＦＴ３０５は、本発明における「スイッチング素子」に対応する。また、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２は、本発明における「駆動回路」に対応する。データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２が形成された領域を、以下では「駆動回路領域６」とも呼ぶ。
【００２０】
ここで、ＴＦＴ３０５，３０６の詳細な構成について、図６（ｅ）の断面図を用いて説明する。この図に示すように、ＴＦＴ３０５は、石英からなる基板１０上に、酸化珪素膜４１、半導体膜としての多結晶珪素膜４２Ｑ、熱酸化膜４５、酸化珪素膜４６、ゲート電極４７、酸化珪素膜４８がこの順に積層されてなり、多結晶珪素膜４２Ｑにはソース電極３１及びドレイン電極３３が、またゲート電極４７には端子電極３２が接続されている。一方、ＴＦＴ３０６は、半導体膜として多結晶珪素膜４２Ｐが用いられている点がＴＦＴ３０５と異なる。ここで、多結晶珪素膜４２Ｐは、レーザーアニールにより結晶化した珪素膜であって、ＴＦＴ３０５に含まれる多結晶珪素膜４２Ｑより相対的に移動度の高い珪素膜である。
【００２１】
次に、図３を用いて画素回路の概略について説明する。この図に示すように、画素領域５においては、複数の走査線３６と複数のデータ線３４とが交差するように配線され、走査線３６とデータ線３４とで区画された領域に画素電極３７がマトリクス状に配置されている。そして、走査線３６とデータ線３４の各交差部分に対応して本発明の「スイッチング素子」としてのＴＦＴ３０５が設けられ、このＴＦＴ３０５に画素電極３７が接続されている。
【００２２】
ＴＦＴ３０５は、走査線３６のオン信号によってオンとなり、このとき、データ線３４に供給された画像信号が画素電極３７に供給される。また、画素電極３７と並列に蓄積容量３５が設けられており、これによって画素電極３７の電位は画像信号が印加された時間よりも長い時間保持される。蓄積容量３５は、容量電極３９に接続されている。容量電極３９は、蓄積容量３５の固定電位側容量電極として機能する。液晶５０には、画素電極３７と対向電極との間の電圧によって決まる駆動電圧が印加され、液晶５０は当該駆動電圧に応じた状態に配向する。液晶表示装置１は、このように液晶５０の配向を制御することによって透過光の偏光状態を変化させ、当該透過光を偏光板等の偏光選択手段を用いて選択的に取り出すことによって表示を行う装置である。
【００２３】
上述したように、液晶表示装置１においては、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜は、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜より移動度の高いものが用いられている。このため、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。よって、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。
【００２４】
＜Ｂ．素子基板の製造方法＞
続いて、図４から図６を用いて、素子基板１１の製造方法について説明する。図４は、素子基板１１の製造工程を示す工程図である。図５及び図６は、当該製造工程における素子基板１１の断面図であって、素子基板１１のうち、画素領域５及び駆動回路領域６のそれぞれの一部の断面を拡大して示したものである。これらの図及び以下の説明は、１つの液晶表示装置１に対応する素子基板１１に着目したものであるが、実際には、素子基板１１は図７に示すような円盤状の石英のウェハ１００に、一度に多数個製造される。
【００２５】
図４の工程Ｐ１０１では、石英からなる基板１０上に、本発明の「第１絶縁膜」としての酸化珪素膜４１を形成する（図５（ａ））。ここで、基板１０は、図７に示す石英のウェハ１００の一部である。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆法により基板１０上に酸化珪素膜４１を厚さ数１００ｎｍ程度に形成することによって行われる。
【００２６】
次に、工程Ｐ１０２では、酸化珪素膜４１上に、本発明の「第１珪素膜」としての非晶質珪素膜４２Ａを形成する（図５（ｂ））。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法により酸化珪素膜４１上に非晶質珪素膜４２Ａを厚さ５０ｎｍ程度に形成することによって行われる。
【００２７】
続く工程Ｐ１０３では、非晶質珪素膜４２Ａ上に、本発明の「第２絶縁膜」としての酸化珪素膜４３を形成する（図５（ｃ））。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法により非晶質珪素膜４２Ａ上に酸化珪素膜４３を形成することによって行われる。酸化珪素膜４３の膜厚ｄは、レーザー光の干渉効果を考慮して決定する必要がある。酸化珪素膜４３の屈折率をｎ、後に照射するレーザー光の波長をλとする。酸化珪素膜４３での入射光と反射光の干渉効果によって、非晶質珪素膜４２Ａに入射する光の強度は、酸化珪素膜４３の膜厚ｄがおよそ（２ｍ＋１）×λ／４ｎの時に極大となり、ｄがおよそ（ｍ＋１）×λ／２ｎの時に極小となる。但しｍは０以上の整数であり、ｍ＝０，１，２，…である。ｄを極大条件に設定すれば、非晶質珪素膜４２Ａは酸化珪素膜４３が無い場合に比べて低いレーザーエネルギー密度で結晶化する。ｄを極小条件に設定すれば、非晶質珪素膜４２Ａは酸化珪素膜４３が無い場合と同等若しくは高いレーザーエネルギー密度で結晶化する。
【００２８】
以上の工程Ｐ１０１から工程Ｐ１０３では、画素領域５及び駆動回路領域６のいずれに対しても同一のプロセスを行い、同一の構成要素を形成する。
【００２９】
次に、工程Ｐ１０４では、酸化珪素膜４３上に「第２珪素膜」としての非晶質珪素膜４４Ａを形成する。この工程は、例えば、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、あるいはスパッタリング法等の物理気相堆積法により酸化珪素膜４３上に非晶質珪素膜４４Ａを厚さ５０ｎｍ程度に形成することによって行われる。非晶質珪素膜４４Ａは、後述するレーザー照射に耐えうる強度を確保するために、少なくとも２０ｎｍ以上の厚さに形成することが好ましい。この後、フォトリソグラフィ法を用いて非晶質珪素膜４４Ａをエッチング加工し、島状にパターニングする（図５（ｄ））。ここで、非晶質珪素膜４４Ａを残す領域は、画素領域５（図１参照）の略全体とする。
【００３０】
続く工程Ｐ１０５では、レーザーアニール装置を用いて、基板１０の非晶質珪素膜４４Ａが形成された側からレーザー光を照射する。当該レーザー光は、非晶質珪素膜４４Ａが形成された領域（すなわち画素領域５）においては非晶質珪素膜４４Ａに照射され、駆動回路領域６を含む、非晶質珪素膜４４Ａが形成されていない領域においては酸化珪素膜４３を透過して非晶質珪素膜４２Ａに照射される。
【００３１】
ここで、照射するレーザー光としてはパルスレーザー光が好ましく、具体的には光の波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光、波長約３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光、波長約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー光の第二高調波又はＮｄ：ＹＶＯ4レーザー光の第二高調波、波長約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー光の第四高調波又はＮｄ：ＹＶＯ4レーザー光の第四高調波等を用い、例えばパルス幅３０ｎｓｅｃ、エネルギー密度０．１〜１．０Ｊ／ｃｍ2として照射するとよい。これらの光を非晶質珪素膜４２Ａ，４４Ａに照射すると、溶融・固化し、結晶化して、それぞれ移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐとなる。
【００３２】
ところで、画素領域５に形成された非晶質珪素膜４４Ａの、波長３０８ｎｍの光に対する吸収係数は約０．１５ｎｍ-1であるので、膜厚５０ｎｍの非晶質珪素膜４４Ａを透過する波長３０８ｎｍの光は、入射光の０．１％にも満たない。したがって、非晶質珪素膜４４Ａに波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光を照射した場合、ほとんど全ての光は非晶質珪素膜４４Ａに吸収され、その直下に形成された非晶質珪素膜４２Ａには入射しない。すなわち、画素領域５における非晶質珪素膜４４Ａは、レーザー光に対するマスクとして機能する。このため、画素領域５においては、非晶質珪素膜４４Ａのみが結晶化して多結晶珪素膜４４Ｐとなり、非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されない状態で残る。一方、駆動回路領域６にはマスクとしての非晶質珪素膜４４Ａが形成されていないので、酸化珪素膜４３を透過したレーザー光が非晶質珪素膜４２Ａに照射される。この結果、駆動回路領域６における非晶質珪素膜４２Ａは多結晶珪素膜４２Ｐとなる（図５（ｅ））。酸化珪素膜４３の膜厚ｄを前述の極大条件に設定すると、酸化珪素膜４３の下の非晶質珪素膜４２Ａが結晶化しやすくなる。よって、非晶質珪素膜４２Ａの結晶化条件を最適化すると、マスクとしての非晶質珪素膜４４Ａは結晶化しにくくなる。つまり、マスクとしての非晶質珪素膜４４Ａが損傷しにくくなる。レーザー光の波長が３０８ｎｍの場合、酸化珪素膜４３の膜厚ｄを４０ｎｍから６０ｎｍ程度、又は１４５ｎｍから１６５ｎｍ程度にすれば、酸化珪素膜４３の膜厚ｄは前記極大条件に近くなるので、マスクとしての非晶質珪素膜４４Ａが損傷しにくくなる。
【００３３】
また、レーザー光のマスクとなる非晶質珪素膜４４Ａは金属膜に比べてレーザー光を反射しにくいので、レーザー光の反射光によるレーザーアニール装置の損傷が起こりにくい。また、このようにレーザー光の反射が起こりにくいことにより、アニールチャンバー内壁に不純物が付着していたとしても当該不純物が拡散しにくく、ひいては当該不純物が基板１０に付着しにくいので、高品質な素子基板１１を製造することができる。
【００３４】
なお、レーザー光に波長５３２ｎｍのものを用いた場合は以下のようになる。膜厚５０ｎｍの非晶質珪素膜４４Ａに波長５３２ｎｍの光を照射した場合、非晶質珪素膜４４Ａの吸収係数は約０．０１４ｎｍ-1なので、非晶質珪素膜４４Ａを透過する光は入射光の約５０％となる。また、膜厚５０ｎｍの多結晶珪素膜４４Ｐに照射する場合、多結晶珪素膜４４Ｐの吸収係数は約０．００４２６ｎｍ-1なので、多結晶珪素膜４４Ｐを透過する光は入射光の約８１％となる。よって、レーザー光として波長５３２ｎｍの光を用いた場合、画素領域５における、非晶質珪素膜４４Ａ直下の非晶質珪素膜４２Ａには、駆動回路領域６における非晶質珪素膜４２Ａに入射するレーザー光に比べて低いエネルギーを持ったレーザー光が入射する。その結果、画素領域５の珪素膜の結晶性は、駆動回路領域６の珪素膜の結晶性に比べて低くなる。レーザー光の波長が５３２ｎｍの場合、酸化珪素膜４３の膜厚ｄを８０ｎｍから１００ｎｍ程度にすれば、酸化珪素膜４３の膜厚ｄは前記極大条件に近くなるので、マスクとしての非晶質珪素膜４４Ａが損傷しにくくなる。
【００３５】
次に、工程Ｐ１０６では、多結晶珪素膜４４Ｐ及び酸化珪素膜４３をエッチングして除去する（図５（ｆ））。
【００３６】
続く工程Ｐ１０７では、非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをフォトリソグラフィ法を用いてエッチング加工し、島状にパターニング加工する（図６（ａ））。具体的には、非晶質珪素膜４２Ａは、画素領域５に形成されるＴＦＴ３０５の形成領域を残してエッチング加工し、多結晶珪素膜４２Ｐは、駆動回路領域６に形成されるＴＦＴ３０６の形成領域を残してエッチング加工する。
【００３７】
次に、工程Ｐ１０８では、熱酸化法を用いて非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐの表面に熱酸化膜４５を形成する（図６（ｂ））。この工程は、基板１０を約１０００℃の酸素雰囲気中に置くことによって行われる。このとき、非晶質珪素膜４２Ａは、熱酸化時の熱による固相成長で多結晶珪素膜４２Ｑとなる。熱酸化によって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｑは、レーザーアニールによって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｐよりは相対的に結晶性が低く、低移動度の珪素膜である。
【００３８】
次に、工程Ｐ１０９では、酸化珪素膜４１、多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑ、熱酸化膜４５を覆って酸化珪素膜４６を形成する。この工程は、電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）、ＬＰＣＶＤ法又はＰＥＣＶＤ法等を用いて行われる。こうして形成された酸化珪素膜４６及び上述した熱酸化膜４５は、ＴＦＴ３０５，３０６のゲート絶縁膜として機能する。このゲート絶縁膜は、熱酸化膜４５のみ、又は酸化珪素膜４６のみから構成されていても良い。
【００３９】
続く工程Ｐ１１０では、酸化珪素膜４６上にタンタル又はアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法により形成した後、パターニングすることによって、ゲート電極４７を形成する（図６（ｃ））。ゲート電極４７形成後のプロセス最高温度が１０００℃程度で、ゲート電極４７に金属薄膜が使えない場合には、不純物イオンが注入された多結晶珪素膜を用いてゲート電極４７を形成してもよい。
【００４０】
次に、工程Ｐ１１１では、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｑにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＱＳ、ドレイン領域４２ＱＤとチャネル形成領域４２ＱＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。同様に、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｐにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＰＳ、ドレイン領域４２ＰＤとチャネル形成領域４２ＰＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。イオン打ち込み用のマスクを用いて、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造にしても良い。画素領域５に形成するＴＦＴ３０５にＬＤＤ構造を採用すれば、ＴＦＴ３０５のオフ電流をより低下させることができる。ＮＭＯＳトランジスタを作製する場合、例えば、不純物元素としてリン（Ｐ）を１×１０16ｃｍ-2の濃度で多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑに打ち込む。その後、ＸｅＣｌエキシマレーザーを照射エネルギー密度３００ｍＪ／ｃｍ2から４００ｍＪ／ｃｍ2程度で照射するか、２５０℃〜１０００℃程度の温度で熱処理することにより不純物原子の活性化を行う。
【００４１】
次に、工程Ｐ１１２では、酸化珪素膜４６及びゲート電極４７の上面に、層間絶縁膜としての酸化珪素膜４８を形成する（図６（ｄ））。酸化珪素膜４８は、例えば、ＰＥＣＶＤ法によって約５００ｎｍの膜厚で形成する。
【００４２】
続く工程Ｐ１１３では、ソース電極３１、端子電極３２、ドレイン電極３３を形成する（図６（ｅ））。より詳しくは、まず、ソース領域４２ＱＳ，４２ＰＳ及びドレイン領域４２ＱＤ，４２ＰＤに至るコンタクトホールを、酸化珪素膜４８，４６及び熱酸化膜４５に開ける。そして、コンタクトホール内及び酸化珪素膜４８上のコンタクトホールの周縁部にソース電極３１及びドレイン電極３３を形成する。ソース電極３１及びドレイン電極３３は、例えばスパッタリング法によりアルミニウムを堆積して形成する。同様に、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。すなわち、ゲート電極４７に至るコンタクトホールを酸化珪素膜４８に開けて、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。
【００４３】
以上の工程により、画素領域５には多結晶珪素膜４２Ｑを含むＴＦＴ３０５が、また駆動回路領域６には多結晶珪素膜４２Ｐを含むＴＦＴ３０６がそれぞれ形成される。また、画素領域５に画素回路を形成し、駆動回路領域６にデータ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を形成して、素子基板１１が完成する。これらの回路形成はＴＦＴ３０６の形成前であっても後であってもどちらでもよい。また、この後公知の方法によって対向基板２１の貼り合わせ、液晶５０の注入、封止剤５２による液晶注入口５３の封止、ウェハ１００のブレイク（分割）等を行うことにより、液晶表示装置１が得られる。
【００４４】
上記のような素子基板１１の製造方法によれば、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｐ）は、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｑ）より移動度の高いものとなり、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。よって、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。また、レーザー光を照射する工程においてマスクとなる非晶質珪素膜４４Ａはレーザー光を反射しにくいので、上記製造方法によれば、レーザー光の反射光によるレーザーアニール装置の損傷が起こりにくい。また、このようにレーザー光の反射が起こりにくいことにより、アニールチャンバー内壁に不純物が付着していたとしても当該不純物が拡散しにくく、ひいては当該不純物が基板１０に付着しにくいので、高品質な素子基板１１を製造することができる。
【００４５】
（第２の実施形態）
続いて、図４及び図８を用いて第２の実施形態に係る素子基板１１の製造方法について説明する。図８は、素子基板１１の製造工程における断面図であって、素子基板１１のうち、画素領域５及び駆動回路領域６のそれぞれの一部の断面を拡大して示したものである。本実施形態の製造方法は、第１の実施形態に係る製造工程の一部に変更を加えたものであって、その他は第１の実施形態と同様であるので、以下では相違点を中心に説明する。
【００４６】
以下、図４の工程図を用いて説明する。工程Ｐ１０１では、石英からなる基板１０上に酸化珪素膜４１を形成する（図８（ａ））。工程Ｐ１０２では、酸化珪素膜４１上に非晶質珪素膜４２Ａを形成する（図８（ｂ））。工程Ｐ１０３では、非晶質珪素膜４２Ａ上に酸化珪素膜４３を形成する。工程Ｐ１０４では、酸化珪素膜４３上に非晶質珪素膜４４Ａを形成する（図８（ｃ））。ここまでの工程は、第１の実施形態と同様である。
【００４７】
この後、フォトリソグラフィ法を用いて非晶質珪素膜４４Ａをエッチング加工し、島状にパターニングする。ここで、非晶質珪素膜４４Ａを残す領域は、画素領域５（図１参照）の略全体とする。そして、さらに酸化珪素膜４３についても同様にして島状にパターニングする。すなわち、酸化珪素膜４３を画素領域５の略全体を残して除去し、非晶質珪素膜４４Ａと同一の形状にパターニングする（図８（ｄ））。本実施形態は、この点において、第１の実施形態と異なる。
【００４８】
続く工程Ｐ１０５では、レーザーアニール装置を用いて、基板１０の非晶質珪素膜４４Ａが形成された側からレーザー光を照射する。当該レーザー光は、非晶質珪素膜４４Ａが形成された領域（すなわち画素領域５）においては非晶質珪素膜４４Ａに照射されるとともに、駆動回路領域６を含む、非晶質珪素膜４４Ａが形成されていない領域においては非晶質珪素膜４２Ａに照射される。この結果、レーザー光が照射された部位における非晶質珪素膜４２Ａ，４４Ａは溶融・固化し、結晶化して、それぞれ移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐとなる。一方で、非晶質珪素膜４４Ａが積層された領域に形成された非晶質珪素膜４２Ａは、非晶質珪素膜４４Ａがマスクとして機能するため、ほとんどレーザー光の照射を受けない。このため、この領域の非晶質珪素膜４２Ａは、全く結晶化されないか、一部結晶化されるにとどまる（図８（ｅ））。
【００４９】
ここで、非晶質珪素膜４２Ａ上には酸化珪素膜４３がないため、非晶質珪素膜４２Ａにはレーザー光が直接照射される。このため、酸化珪素膜４３におけるレーザー光の干渉効果が無いので、酸化珪素膜４３がある場合と比較して、非晶質珪素膜４２Ａの結晶化を制御しやすくなる。
【００５０】
次に、工程Ｐ１０６では、多結晶珪素膜４４Ｐ及び酸化珪素膜４３をエッチングして除去する（図８（ｆ））。例えば、酸化珪素膜４３をウェットエッチングで除去し、多結晶珪素膜４４Ｐをリフトオフ法によって除去する。以下、工程Ｐ１０７から工程Ｐ１１３については第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００５１】
このような素子基板１１の製造方法によっても、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｐ）を、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｑ）より移動度の高いものとすることができる。さらに、ＴＦＴ３０６の半導体膜は、酸化珪素膜４３を通さず直接レーザー光を照射して結晶化させたものであるので、より高品位な半導体膜とすることができる。これにより、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。
【００５２】
（第３の実施形態）
続いて、図９及び図１０を用いて第３の実施形態に係る素子基板１１の製造方法について説明する。図９は、素子基板１１の製造工程を示す工程図であり、図１０は、当該製造工程における素子基板１１の断面図であって、素子基板１１のうち、画素領域５及び駆動回路領域６のそれぞれの一部の断面を拡大して示したものである。
【００５３】
図９の工程Ｐ２０１では、石英からなる基板１０上に酸化珪素膜４１を形成する。工程Ｐ２０２では、酸化珪素膜４１上に非晶質珪素膜４２Ａを形成する。工程Ｐ２０３では、非晶質珪素膜４２Ａ上に酸化珪素膜４３を形成する。工程Ｐ２０４では、酸化珪素膜４３上に非晶質珪素膜４４Ａを形成する。この後、フォトリソグラフィ法を用いて非晶質珪素膜４４Ａをエッチング加工し、島状にパターニングする（図１０（ａ））。ここで、非晶質珪素膜４４Ａを残す領域は、画素領域５（図１参照）の略全体とする。
【００５４】
続く工程Ｐ２０５では、レーザーアニール装置を用いて、基板１０の非晶質珪素膜４４Ａが形成された側からレーザー光を照射する。当該レーザー光は、非晶質珪素膜４４Ａが形成された領域（すなわち画素領域５）においては非晶質珪素膜４４Ａに照射され、駆動回路領域６を含む、非晶質珪素膜４４Ａが形成されていない領域においては酸化珪素膜４３を透過して非晶質珪素膜４２Ａに照射される。この結果、レーザー光が照射された部位における非晶質珪素膜４２Ａ，４４Ａは溶融・固化し、結晶化して、それぞれ移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐとなる。一方で、非晶質珪素膜４４Ａが積層された領域に形成された非晶質珪素膜４２Ａは、非晶質珪素膜４４Ａがマスクとして機能するため、ほとんどレーザー光の照射を受けない。このため、この領域の非晶質珪素膜４２Ａは、全く結晶化されないか、一部結晶化されるにとどまる（図１０（ｂ））。ここまでの工程は、第１及び第２の実施形態と同様である。
【００５５】
次に、工程Ｐ２０６では、多結晶珪素膜４４Ｐをエッチングして除去する（図１０（ｃ））。このとき、酸化珪素膜４３を除去しない点が第１及び第２の実施形態と異なる。
【００５６】
続く工程Ｐ２０７では、非晶質珪素膜４２Ａ、多結晶珪素膜４２Ｐ、及び酸化珪素膜４３をフォトリソグラフィ法を用いてエッチング加工し、島状にパターニングする（図１０（ｄ））。具体的には、非晶質珪素膜４２Ａは、画素領域５に形成されるＴＦＴ３０５の形成領域を残してエッチング加工し、多結晶珪素膜４２Ｐは、駆動回路領域６に形成されるＴＦＴ３０６の形成領域を残してエッチング加工する。酸化珪素膜４３も、非晶質珪素膜４２Ａ、多結晶珪素膜４２Ｐと同一の形状にパターニングする。
【００５７】
次に、工程Ｐ２０８では、熱酸化法を用いて非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐの表面に熱酸化膜４５を形成する（図１０（ｅ））。この工程は、基板１０を約１０００℃の酸素雰囲気中に置くことによって行われる。このとき、非晶質珪素膜４２Ａ、多結晶珪素膜４２Ｐと酸化珪素膜４３との境界領域に熱酸化膜４５が形成される。また、酸化珪素膜４３は、熱酸化時に焼き締められて膜質が良くなる。こうして形成された熱酸化膜４５は、酸化珪素膜４３とともにＴＦＴ３０５，３０６のゲート絶縁膜として機能する。
【００５８】
また、非晶質珪素膜４２Ａは、熱酸化時の熱による固相成長で多結晶珪素膜４２Ｑとなる。熱酸化によって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｑは、レーザーアニールによって結晶化された多結晶珪素膜４２Ｐよりは相対的に結晶性が低く、低移動度の珪素膜である。
【００５９】
この後、本実施形態では新たな酸化珪素膜の形成を行わず、工程Ｐ２１０に進む。工程Ｐ２１０では、酸化珪素膜４３上にタンタル又はアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法により形成した後、パターニングすることによって、ゲート電極４７を形成する（図１０（ｆ））。金属薄膜の代わりに不純物イオンが注入された多結晶珪素膜を用いても良い。
【００６０】
次に、工程Ｐ２１１では、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｑにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＱＳ、ドレイン領域４２ＱＤとチャネル形成領域４２ＱＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。同様に、ゲート電極４７をマスクとして多結晶珪素膜４２Ｐにドナー又はアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ソース領域４２ＰＳ、ドレイン領域４２ＰＤとチャネル形成領域４２ＰＣをゲート電極４７に対して自己整合的に作製する。前述したようにＬＤＤ構造を採用しても良い。
【００６１】
次に、工程Ｐ２１２では、酸化珪素膜４３及びゲート電極４７の上面に、層間絶縁膜としての酸化珪素膜４８を形成する（図１０（ｇ））。
【００６２】
続く工程Ｐ２１３では、ソース電極３１、端子電極３２、ドレイン電極３３を形成する（図１０（ｈ））。より詳しくは、まず、ソース領域４２ＱＳ，４２ＰＳ及びドレイン領域４２ＱＤ，４２ＰＤに至るコンタクトホールを、酸化珪素膜４８，４３及び熱酸化膜４５に開ける。そして、コンタクトホール内及び酸化珪素膜４８上のコンタクトホールの周縁部にソース電極３１及びドレイン電極３３を形成する。ソース電極３１及びドレイン電極３３は、例えばスパッタリング法によりアルミニウムを堆積して形成する。同様に、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。すなわち、ゲート電極４７に至るコンタクトホールを酸化珪素膜４８に開けて、ゲート電極４７用の端子電極３２を形成する。
【００６３】
以上の工程により、画素領域５には多結晶珪素膜４２Ｑを含むＴＦＴ３０５が、また駆動回路領域６には多結晶珪素膜４２Ｐを含むＴＦＴ３０６がそれぞれ形成される。また、画素領域５に画素回路を形成し、駆動回路領域６にデータ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を形成して、素子基板１１が完成する。これらの回路形成はＴＦＴ３０６の形成前であっても後であってもどちらでもよい。また、この後公知の方法によって対向基板２１の貼り合わせ、液晶５０の注入、封止剤５２による液晶注入口５３の封止、ウェハ１００のブレイク（分割）等を行うことにより、液晶表示装置１が得られる。
【００６４】
以上の製造方法によれば、工程Ｐ２０３で形成した酸化珪素膜４３を除去せずにゲート絶縁膜として利用することにより、第１の実施形態と比較して酸化珪素膜の形成工程を１つ省略することができる。
【００６５】
このような素子基板１１の製造方法によっても、駆動回路領域６に形成されたＴＦＴ３０６の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｐ）は、画素領域５に形成されたＴＦＴ３０５の半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｑ）より移動度の高いものとなるので、データ線駆動回路６１及び走査線駆動回路６２を高速に動作させることができるとともに、画素領域５に配置されたＴＦＴ３０５の光によるリーク電流を抑えることができる。よって、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。また、レーザー光を照射する工程においてマスクとなる非晶質珪素膜４４Ａはレーザー光を反射しにくいので、上記製造方法によれば、レーザー光の反射光によるレーザーアニール装置の損傷が起こりにくい。また、このようにレーザー光の反射が起こりにくいことにより、アニールチャンバー内壁に不純物が付着していたとしても当該不純物が拡散しにくく、ひいては当該不純物が基板１０に付着しにくいので、高品質な素子基板１１を製造することができる。
【００６６】
（電子機器）
上述した液晶表示装置１は、例えば、図１１に示すような「電子機器」としてのプロジェクタ２００に搭載して用いることができる。プロジェクタ２００は、本体２０１、レンズ２０２を有している。プロジェクタ２００は、内蔵された光源（不図示）から光を射出し、これを内部に備え付けられた液晶表示装置１によって変調した後にレンズ２０２から前方に投写する装置である。ここで、液晶表示装置１は、画素領域５と駆動回路領域６とで半導体膜の移動度を異ならせてあるため、光源からの光によるリーク電流が生じにくく、表示むら等が生じにくい。よって、このようなプロジェクタ２００は、高品位な表示を行うことができる。
【００６７】
本発明による液晶表示装置１は、プロジェクタ２００の他にも様々な電子機器に搭載可能であり、例えば、リアプロジェクタ、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、時計等、表示部を備えた各種電子機器に適用することができる。こうした電子機器も、リーク電流に起因する表示むら等のない、高品位な表示を行うことができる。
【００６８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００６９】
（変形例１）
上記実施形態の構成に代えて、図１２の断面図に示すように、基板１０と半導体膜（多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑ）との間、より具体的には基板１０と酸化珪素膜４１との間に遮光膜４９を有する構成としてもよい。遮光膜４９は、平面的には多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑと重なる領域に配置し、好ましくは多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑよりも広い領域に配置する。これにより、基板１０側から多結晶珪素膜４２Ｐ，４２Ｑに入射する光を遮ることができ、ＴＦＴ３０５，３０６の光によるリーク電流の発生をより効果的に抑えることができる。遮光膜４９の材料としては、例えば、スパッタリング等の方法により形成された、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等を含む金属膜、或いは金属シリサイド等の金属合金膜を用いることができる。遮光膜４９の厚さは特に限定されないが、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度とする。遮光膜４９は、上記金属膜又は金属合金膜を基板１０上に成膜した後に、フォトリソグラフィ法を用いてエッチング加工し、島状の形状にパターニングすることによって得られる。
【００７０】
（変形例２）
上記各実施形態は、レーザー光に対するマスクとしての非晶質珪素膜４４Ａを画素領域５の略全体に形成するものであるが、これに代えて、図１３に示すように画素領域５のうちＴＦＴ３０５が形成される領域にのみ選択的に非晶質珪素膜４４Ａを形成してもよい。ここで、図１３（ａ）は、基板１０上のうち非晶質珪素膜４４Ａを形成すべき画素領域５の位置を示した平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）中の領域Ｂを拡大して示した平面図である。図１３（ｂ）に示すように、本変形例においては、画素領域５のうち、各画素におけるＴＦＴ３０５の形成領域に重なる領域にのみ非晶質珪素膜４４Ａを形成する。こうした構成の非晶質珪素膜４４Ａによっても、レーザー光照射工程においてＴＦＴ３０５が形成されるべき領域に配置された非晶質珪素膜４２Ａをマスクすることができる。この変形例２を第２の実施形態に適用すると、多結晶珪素膜４４Ｐのリフトオフを行いやすくなるという効果がある。
【００７１】
（変形例３）
第１及び第２の実施形態の工程Ｐ１０２、又は第３の実施形態の工程Ｐ２０２においては、非晶質珪素膜４２Ａを形成した後に、必要に応じてこの非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させてもよい。非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させることによって、素子基板１１の電気特性を向上させることができる。結晶化の方法としては、固相成長法が挙げられる。固相成長法は、窒素などの不活性ガス雰囲気中で５００℃〜７００℃程度の温度で数時間のアニールを行う方法であり、非晶質珪素膜４２Ａは固相のまま結晶化される。固相成長法によって、非晶質珪素膜４２Ａは結晶粒径の大きい多結晶珪素膜となる。こうして形成された多結晶珪素膜も、後にレーザーアニールによって形成される駆動回路領域６における多結晶珪素膜４２Ｐよりは相対的に移動度の低いものとなるので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。熱酸化や６００℃を超えるようなアニール工程を行わない場合には、この変形例３を適用して非晶質珪素膜４２Ａを結晶化させる必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施形態の液晶表示装置の平面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の断面図。
【図３】図１に示す液晶表示装置における画素回路の各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】第１の実施形態の素子基板の製造工程を示す図。
【図５】（ａ）から（ｆ）は、第１の実施形態の素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図６】（ａ）から（ｅ）は、第１の実施形態の素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図７】素子基板の製造に用いるウェハの斜視図。
【図８】（ａ）から（ｆ）は、第２の実施形態の素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図９】第３の実施形態の素子基板の製造工程を示す図。
【図１０】（ａ）から（ｈ）は、第３の実施形態の素子基板の製造工程における素子基板の断面図。
【図１１】電子機器としてのプロジェクタの斜視図。
【図１２】本発明の実施形態の変形例に係る素子基板の断面図。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態の変形例に係る素子基板における非晶質珪素膜の配置位置を説明するための平面図。
【符号の説明】
【００７３】
１…電気光学装置としての液晶表示装置、５…画素領域、６…駆動回路領域、１０…基板、１１…アクティブマトリクス基板としての素子基板、２１…対向基板、３１…ソース電極、３２…端子電極、３３…ドレイン電極、３４…データ線、３５…蓄積容量、３６…走査線、３７…画素電極、４１…第１絶縁膜としての酸化珪素膜、４２Ａ…第１珪素膜としての非晶質珪素膜、４２Ｐ…多結晶珪素膜、４２Ｑ…多結晶珪素膜、４３…第２絶縁膜としての酸化珪素膜、４４Ａ…第２珪素膜としての非晶質珪素膜、４４Ｐ…多結晶珪素膜、４５…熱酸化膜、４６，４８…酸化珪素膜、４７…ゲート電極、４９…遮光膜、５０…液晶、６１…データ線駆動回路、６２…走査線駆動回路、１００…ウェハ、２００…電子機器としてのプロジェクタ、３０５，３０６…スイッチング素子としてのＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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