(57)【要約】      （修正有）【課題】比較的容易な方法で、セラミックス基板への密着性が高く、１Ａ以上の電流を信頼性よく流すことが可能な配線基板及びその作製方法を提供する。【解決手段】配線基板は、セラミックス基板１の表面に密着層２が形成され、その密着層２上に２層のＣｕ層３が形成されたものであって、密着層２が乾式めっきによって形成されたＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層であり、Ｃｕ層３が、密着層２上に乾式めっきによって作製された層厚５００ｎｍ以下の第１Ｃｕ層３ａと、その第１Ｃｕ層３ａ上に湿式めっきによって作製された層厚３μｍ以上の第２Ｃｕ層３ｂからなるものである。【選択図】図１
2007109858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に２層のＣｕ層が形成された配線基板であって、上記密着層が乾式めっきによって形成されたＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層であり、上記Ｃｕ層が、密着層上に乾式めっきによって作製された層厚５００ｎｍ以下の第１Ｃｕ層と、その第１Ｃｕ層上に湿式めっきによって作製された層厚３μｍ以上の第２Ｃｕ層からなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上記第２Ｃｕ層上に、湿式めっきによって設けられた層厚０．３μｍ以上のＡｕあるいはＳｎからなる層を有する請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
上記セラミックス基板は、Ｎａ、Ｃａ、又はＳｉＯ2のいずれか２つ以上を含む長距離秩序構造をもたない材料からなる請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に順に第１Ｃｕ層、第２Ｃｕ層が形成された配線基板の作製方法であって、上記密着層としてＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、上記第１Ｃｕ層として層厚５００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、その第１Ｃｕ層をシード層とし、無電解めっきによって上記第２Ｃｕ層を作製することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に順に第１Ｃｕ層、第２Ｃｕ層が形成された配線基板の作製方法であって、上記密着層としてＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、上記第１Ｃｕ層として層厚５００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、電解めっきによって上記第２Ｃｕ層を作製し、その第２Ｃｕ層の内の不要な部分を乾式エッチングによって切除し、配線パターンを作製することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
上記第２Ｃｕ層上に、湿式めっきによって、層厚０．３μｍ以上のＡｕあるいはＳｎからなる層を作製する請求項４又は５記載の配線基板の作製方法。
【請求項７】
上記乾式めっきとして、金属あるいは樹脂からなるマスク越しにスパッタを行う請求項４から６いずれかに記載の配線基板の作製方法。
【請求項８】
ＴｉあるいはＴｉを主体とする材料からなる上記密着層をスパッタにて上記セラミックス基板上に作製した後、その密着層を大気に触れさせることなく、上記第１Ｃｕ層をスパッタにて作製する請求項４から７いずれかに記載の配線基板の作製方法。
【請求項９】
上記乾式エッチングとしてＹＡＧレーザによるレーザエッチングを用いる請求項５記載の配線基板の作製方法。
【請求項１０】
上記密着層を成膜する際、上記セラミックス基板の表面温度を３００℃以上とする請求項４から９いずれかに記載の配線基板の作製方法。
【請求項１１】
上記第１Ｃｕ層及び／又は上記第２Ｃｕ層を作製した後、３００℃以上でアニールを行う請求項４から１０いずれかに記載の配線基板の作製方法。
【請求項１２】
上記密着層を作製する前に、上記セラミックス基板の表面にプラズマを用いた前処理を施す請求項４から１１いずれかに記載の配線基板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその作製方法に係り、特に、消費電力の大きい半導体素子を実装する配線基板及びその作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線として金属膜を作製する技術としては、主として無電解めっきによるものと、スパッタを用いたものの２種類があり、多くの公知例がある。
【０００３】
例えば、スパッタを用いたものとしては特許文献１、特許文献２などが挙げられ、無電解めっきを用いたものとしては特許文献３、特許文献４などが挙げられる。
【０００４】
【特許文献１】特許第３４８８５５１号公報
【特許文献２】特開２００１−１８９３１５号公報
【特許文献３】特開平５−１６０５６７号公報
【特許文献４】特開平６−３３４３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、無電解めっきによってセラミックス基板上に密着層を作製する技術は、セラミックス基板への前処理工程が煩雑である。また、はんだ実装の際の高温によって金属膜の剥離が生じる可能性が高い。
【０００６】
また、従来の金属膜作製技術は、湿式のエッチングを伴うため、廃液処理の問題がある。
【０００７】
さらに、従来の金属膜作製技術に示された工程は、５μｍ以上の厚いＣｕ膜をつける（作製する）技術として最適化された工程とは言えない。
【０００８】
そこで本発明の目的は、比較的容易な方法で、セラミックス基板への密着性が高く、１Ａ以上の電流を信頼性よく流すことが可能な配線基板及びその作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明は、セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に２層のＣｕ層が形成された配線基板であって、上記密着層が乾式めっきによって形成されたＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層であり、上記Ｃｕ層が、密着層上に乾式めっきによって作製された層厚５００ｎｍ以下の第１Ｃｕ層と、その第１Ｃｕ層上に湿式めっきによって作製された層厚３μｍ以上の第２Ｃｕ層からなることを特徴とする配線基板である。
【００１０】
請求項２の発明は、上記第２Ｃｕ層上に、湿式めっきによって設けられた層厚０．３μｍ以上のＡｕあるいはＳｎからなる層を有する請求項１記載の配線基板である。
【００１１】
請求項３の発明は、上記セラミックス基板は、Ｎａ、Ｃａ、又はＳｉＯ2のいずれか２つ以上を含む長距離秩序構造をもたない材料からなる請求項１又は２記載の配線基板である。
【００１２】
請求項４の発明は、セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に順に第１Ｃｕ層、第２Ｃｕ層が形成された配線基板の作製方法であって、上記密着層としてＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、上記第１Ｃｕ層として層厚５００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、その第１Ｃｕ層をシード層とし、無電解めっきによって上記第２Ｃｕ層を作製することを特徴とする配線基板の作製方法である。
【００１３】
請求項５の発明は、セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に順に第１Ｃｕ層、第２Ｃｕ層が形成された配線基板の作製方法であって、上記密着層としてＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、上記第１Ｃｕ層として層厚５００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、電解めっきによって上記第２Ｃｕ層を作製し、その第２Ｃｕ層の内の不要な部分を乾式エッチングによって切除し、配線パターンを作製することを特徴とする配線基板の作製方法である。
【００１４】
請求項６の発明は、上記第２Ｃｕ層上に、湿式めっきによって、層厚０．３μｍ以上のＡｕあるいはＳｎからなる層を作製する請求項４又は５記載の配線基板の作製方法である。
【００１５】
請求項７の発明は、上記乾式めっきとして、金属あるいは樹脂からなるマスク越しにスパッタを行う請求項４から６いずれかに記載の配線基板の作製方法である。
【００１６】
請求項８の発明は、ＴｉあるいはＴｉを主体とする材料からなる上記密着層をスパッタにて上記セラミックス基板上に作製した後、その密着層を大気に触れさせることなく、上記第１Ｃｕ層をスパッタにて作製する請求項４から７いずれかに記載の配線基板の作製方法である。
【００１７】
請求項９の発明は、上記乾式エッチングとしてＹＡＧレーザによるレーザエッチングを用いる請求項５記載の配線基板の作製方法である。
【００１８】
請求項１０の発明は、上記密着層を成膜する際、上記セラミックス基板の表面温度を３００℃以上とする請求項４から９いずれかに記載の配線基板の作製方法である。
【００１９】
請求項１１の発明は、上記第１Ｃｕ層及び／又は上記第２Ｃｕ層を作製した後、３００℃以上でアニールを行う請求項４から１０いずれかに記載の配線基板の作製方法である。
【００２０】
請求項１２の発明は、上記密着層を作製する前に、上記セラミックス基板の表面にプラズマを用いた前処理を施す請求項４から１１いずれかに記載の配線基板の作製方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、セラミックス基板への密着性が高く、１Ａ以上の電流を流す上で信頼性の高い配線材料及び配線基板を、容易に作製することが可能となるという優れた効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明の実施の形態を添付図面により説明する。
【００２３】
基板上に薄い金属膜を形成し、電極あるいは配線とする技術は液晶パネルの分野では一般的であり、その金属膜の膜厚は１００ｎｍ〜３００ｎｍである。ところが、例えば、幅１ｃｍで、厚さ１００ｎｍ程度のＣｕ膜に１Ａ以上の電流を流すと、電流密度が高くなりすぎ、短時間でエレクトロマイグレーションの問題が生じる。
【００２４】
そこで、本発明者らは、基板上に設けるＣｕ層の厚みを３μｍ以上に設定し、電流密度を小さくすることで、１〜５Ａ程度の電流を流すことに対する信頼性を向上させることに成功した。
【００２５】
具体的には、図１に示すように、本実施の形態に係る配線基板は、セラミックス基板１の表面に密着層２を設け、その密着層２上に２層構造のＣｕ層３を設け、そのＣｕ層３上にＡｕあるいはＳｎからなる層４を設けたものである。
【００２６】
密着層２は乾式めっきによって作製されたＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層である。また、Ｃｕ層３は、密着層２上に乾式めっきによって作製された層厚５００ｎｍ以下の第１Ｃｕ層３ａと、その第１Ｃｕ層３ａ上に湿式めっきによって作製された層厚３μｍ以上の第２Ｃｕ層３ｂからなる。さらに、層４は、湿式めっきによって作製された層厚０．３μｍ以上の層である。
【００２７】
密着層２の厚さは、コストを考えると薄い方が好ましく、２００ｎｍ以下で充分とされる。また、第１Ｃｕ層３ａの厚みは、コストを考えると薄い方が好ましく、５００ｎｍ以下で充分とされる。さらに、Ｃｕは表面に形成される酸化皮膜の影響で、実装時に使用するはんだに対する濡れ性が悪いため、第２Ｃｕ層３ｂの表面に層４を湿式めっき（無電解めっき、電解めっき）で作製することが好ましい。層４の厚みは０．５μｍ以上が望ましく、その上限ははんだ実装の方法によって決定される。
【００２８】
セラミックス基板１は、Ｎａ、Ｃａ、又はＳｉＯ2のいずれか２つ以上を含む長距離秩序構造をもたない材料からなる。本実施の形態で言うセラミックスとは、非金属無機材料全般を指しており、ガラス、セメントなどを含んでいる。また、長距離秩序構造とは、長距離にわたって規則正しい原子配置を保った構造である。
【００２９】
次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００３０】
本実施の形態に係る配線基板の作製方法は、セラミックス基板１の表面に、密着層２としてＴｉ、ＮｉあるいはＴｉを主成分とする材料からなる層厚２００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、その密着層２の上に、第１Ｃｕ層３ａとして層厚５００ｎｍ以下の層を乾式めっきによって作製し、その第１Ｃｕ層３ａの上に、湿式めっきによって第２Ｃｕ層３ｂを作製するものである。この第２Ｃｕ層３ｂの上に、湿式めっきによってＡｕあるいはＳｎからなる層４が作製される。この層４の作製によって、半導体素子などの各種素子の実装を容易にすることができる。
【００３１】
Ｃｕ層３を直接セラミックス基板１上に作製したのでは、Ｃｕ層３とセラミックス基板１との密着性が弱い。そこで、本実施の形態では、セラミックス基板１上に先ず密着層２を形成し、その密着層２の上にＣｕ層３を作製している。密着層２の形成に無電解めっき（湿式めっき）を使用すると、セラミックス基板１に対する表面洗浄及び前処理工程を必要とするため、処理が煩雑となる。よって、本実施の形態では、密着層２の形成に、無電解めっきではなく、スパッタ（乾式めっき）を用いている。スパッタによる密着層２を作製する前のセラミックス基板１表面に対する前処理として、プラズマによるクリーニングを行う。このクリーニングの工程は、スパッタエッチングの類であってもよく、大気圧プラズマ処理であっても良い。このプラズマ処理によるセラミックス基板１の表面の清浄化と、粗化によって、セラミックス基板１と密着層２の密着性が向上することを確認している。しかし、前処理方法は、これらに限定するものではない。
【００３２】
Ｔｉ、及びＴｉを主体とする材料は、表面自由エネルギが高く、セラミックスとの反応性も高いため、強固な密着層２を形成する上で最適な材料といえる。しかし、Ｔｉは大気に触れると表面に強力な酸化皮膜を形成し、Ｃｕ層３との密着性が低下する。そこで、ＴｉあるいはＴｉを主体とする材料からなる密着層２をスパッタにてセラミックス基板１上へ作製した後、その密着層２を大気に触れさせることなく、第１Ｃｕ層３ａをスパッタにて作製することが望ましい。
【００３３】
Ｔｉ以外で密着層２に適した金属としてＮｉがある。ＮｉはＣｕと結晶構造が同一であり、格子定数も近い。そのため、Ｎｉ密着層は、密着層２と第１Ｃｕ層３ａの間の歪みをＴｉ密着層よりも少なくすることができる利点がある。一方、ＮｉはＴｉとは異なり、強磁性元素であるため、スパッタリングターゲットとしての取り扱いがやや煩雑である。
【００３４】
一方、スパッタで作製される密着層２と第１Ｃｕ層３ａの間の密着力は一般に弱い。そこで、本発明者らが鋭意研究した結果、密着層２と第１Ｃｕ層３ａの密着性を高める２つの手法を見出した。
【００３５】
１つ目は、スパッタをする際のセラミックス基板１表面の温度を３００℃以上にすることである。これによって、密着層２と第１Ｃｕ層３ａの界面の拡散を促し、密着性を高めることができる。セラミックス基板１表面の温度を３００℃以上にする手段は、ヒータによる加熱や、ターゲットからの輻射熱などが挙げられ、セラミックス基板１の表面温度が３００℃に達していることがここでは重要である。
【００３６】
２つ目は、第１Ｃｕ層３ａを形成した後、或いは第１Ｃｕ層３ａ上に第２Ｃｕ層３ｂを形成した後、３００℃以上のアニールを施すことである。これによって、第１Ｃｕ層３ａと密着層２の界面拡散が促され、密着性が高くなる。また、第２Ｃｕ層３ｂを形成した後、３００℃以上のアニールを施すことによって、前述の密着性向上の効果以外にも、第１Ｃｕ層３ａと第２Ｃｕ層３ｂの間の歪み、第２Ｃｕ層３ｂに残る歪みを取り去ることができ、導電率を向上させることが可能となる。
【００３７】
これらの密着性向上方法を採用し、密着層２と第１Ｃｕ層３ａの密着性を高めることで、例えば、配線基板に消費電力の大きい半導体素子をはんだ実装する際に、はんだ実装の際の高温によってＣｕ層３が剥離することはない。
【００３８】
他方、セラミックス基板上に配線パターンを形成する場合、レジストを貼り、湿式のエッチングを施す方法が一般的である。しかし、その工程が煩雑であるため、この工程を無くしたい。また、環境への配慮から、できるだけウェットプロセスは使用したくない。そこで、本実施の形態においては、以下に示す２つのパターン形成方法を用いている。
【００３９】
１つ目の方法は、予め完成パターンを切った（形成しておいた）マスク越しにセラミックス基板１に対してスパッタを行い、密着層２、続いて第１Ｃｕ層３ａを作製する。その第１Ｃｕ層３ａに無電解めっき（湿式めっき）を施し、第１Ｃｕ層３ａ上に第２Ｃｕ層３ｂを作製することで、配線パターンを完成させる方法である。マスクは金属あるいは樹脂などからなる。また、第１Ｃｕ層３ａは、湿式めっきで作製する第２Ｃｕ層３ｂのシード層としての役割を果たす。Ｃｕ以外の材料からなる層をシード層とした場合、言い換えると、第１Ｃｕ層３ａ及びＣｕ湿式めっき層（第２Ｃｕ層３ｂ）の構成材の組み合わせが異種材料である場合、第１Ｃｕ層３ａと第２Ｃｕ層３ｂの密着性が悪くなる。
【００４０】
２つ目の方法は、電解めっきを用いる方法で、完成パターンに給電ラインを付加したパターンを切った（形成した）マスクを作製し、そのマスク上からセラミックス基板１に対してスパッタを行い、密着層２、続いて第１Ｃｕ層３ａを作製する。その後、電解めっき（湿式めっき）によって、第１Ｃｕ層３ａ上に第２Ｃｕ層３ｂ、又は第２Ｃｕ層３ｂと層４を作製する。その後、ドライエッチングによって給電パターンの不要部を削除する。ドライエッチングはＹＡＧレーザを用いたレーザエッチングが望ましい。レーザエッチングは、レジストを使用することなく、短時間で不要パターンの除去が可能であり、本発明者らは１秒以内で幅１ｍｍ、長さ２ｍｍの領域にある厚さ１０μｍのＣｕ層３を除去することができた。しかし、エッチング方法は、これに限定するものではない。
【００４１】
これらのパターン形成方法を用いることで、従来の金属膜作製技術のように湿式のエッチングを行う必要がないことから、廃液処理が不要で、かつ、簡単容易に配線パターンを形成することができる。
【００４２】
以上に述べた作製方法で得られた本実施の形態に係る配線基板は、セラミックス基板１に対する配線パターン（密着層２、Ｃｕ層３、及び層４）の密着性が高い。また、Ｃｕ層３の厚さが３μｍ以上と厚いことから、配線パターンに１Ａ以上の電流を流したとしても、エレクトロマイグレーションが発生することはなく、信頼性よく電流を流すことができる。
【００４３】
次に、本発明の実施形態の一例を記す。下記の実施例は本発明の利用例の全てではなく、下記の実施例に制限されるものではない。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
厚さ１ｍｍのステンレスの板に、配線パターンと、電解めっきのための給電用パターンを合わせたパターンを刳り抜き、マスクを作製する。
【００４５】
石英ガラス基板に対して、プラズマエッチングを施した後に、治具を用いて、マスクの下に基板を取付け、スパッタによって密着層としてＴｉ膜を厚さ２００ｎｍで成膜した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．７Ｐａ、スパッタ電力が８Ｗ/ｃｍ2であり、ガラス板をヒータを用いて３００℃まで加熱して成膜を行った。
【００４６】
その後、同一の真空チャンバ内で、第１Ｃｕ層として厚さ２００ｎｍのＣｕ膜を作製した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．３Ｐａ、スパッタ電力が６Ｗ/ｃｍ2であり、ガラス板をヒータを用いて３００℃まで加熱して成膜を行った。
【００４７】
密着層及び第１Ｃｕ層が成膜された基板を真空チャンバから取り出した後、硫酸銅＋硫酸＋水をめっき液とする電解めっきによって、第１Ｃｕ層上に第２Ｃｕ層として厚さ８μｍのＣｕ膜を作製した。
【００４８】
その後、電解Ｓｎめっきによって、厚さ６μｍのＳｎ膜を第２Ｃｕ層上に作製した。
【００４９】
その後、レーザエッチングによって、電解めっきのための給電ラインとして作製されたパターン部を削除（除去）し、完成品（配線基板）を得た。
【００５０】
（実施例２）
厚さ１ｍｍのＡｌの板に、配線の完成パターンを刳り抜いたマスクを作製する。
【００５１】
治具を用いて、マスクの下に基板として青板ガラス板を取付け、窒素ガス中のＴｉのスパッタによって密着層としてＴｉＮ膜を厚さ１９０ｎｍで成膜した。成膜条件は、スパッタ圧力が０．７Ｐａ、スパッタ電力が８Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００５２】
その後、大気に絶縁されたまま、連結されている真空チャンバ内で、第１Ｃｕ層として厚さ４００ｎｍのＣｕ膜を作製した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．３Ｐａ、スパッタ電力が６Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００５３】
密着層及び第１Ｃｕ層が成膜された基板を真空チャンバから取り出した後、無電解めっきによって、第１Ｃｕ層上に第２Ｃｕ層として厚さ８μｍのＣｕ膜を作製した。
【００５４】
その後、無電解Ａｕめっきによって、厚さ１μｍのＡｕ膜を第２Ｃｕ層上に作製した。
【００５５】
その後、５００℃で２０秒間アニールを行い、密着層とＣｕ層（第１及び第２Ｃｕ層）の界面拡散を促進させ、密着性を向上させ、完成品を得た。
【００５６】
（実施例３）
厚さ１ｍｍのＦｅの板に、配線の完成パターンを刳り抜いたマスクを作製する。
【００５７】
治具を用いて、マスクの下に基板としてアルミナ板を取付け、Ｔｉのスパッタによって密着層としてＴｉ膜を厚さ１００ｎｍで成膜した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．７Ｐａ、スパッタ電力が８Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００５８】
その後、大気に絶縁されたまま、連結されている真空チャンバ内で、第１Ｃｕ層として厚さ３５０ｎｍのＣｕ膜を作製した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．３Ｐａ、スパッタ電力が６Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００５９】
密着層及び第１Ｃｕ層が成膜された基板を真空チャンバから取り出した後、アニールを施し、密着層であるＴｉ膜と第１Ｃｕ層の密着性を向上させた。その後、無電解めっきによって、第１Ｃｕ層上に第２Ｃｕ層として厚さ８μｍのＣｕ膜を作製した。
【００６０】
その後、無電解Ａｕめっきによって、厚さ１μｍのＡｕ膜を第２Ｃｕ層上に作製した。その後、５００℃で２０秒間アニールを行い、密着層とＣｕ層（第１及び第２Ｃｕ層）の界面拡散を促進させ、密着性を向上させ、完成品を得た。
【００６１】
（実施例４）
厚さ１ｍｍのＡｌの板に、配線の完成パターンと電解めっきに必要な給電パターンを刳り抜いたマスクを作製する。
【００６２】
治具を用いて、マスクの下に基板として青板ガラス板を取付け、Ｔｉのスパッタによって密着層としてＴｉ膜を厚さ１５０ｎｍで成膜した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．７Ｐａ、スパッタ電力が８Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００６３】
その後、大気に絶縁されたまま、連結されている真空チャンバ内で、第１Ｃｕ層として厚さ３８０ｎｍのＣｕ膜を作製した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．３Ｐａ、スパッタ電力が６Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００６４】
密着層及び第１Ｃｕ層が成膜された基板を真空チャンバから取り出した後、アニールを施し、密着層であるＴｉ膜と第１Ｃｕ層の密着性を向上させた。その後、無電解めっきによって、第１Ｃｕ層上に第２Ｃｕ層として厚さ８μｍのＣｕ膜を作製した。
【００６５】
その後、電解Ａｕめっきによって、厚さ１μｍのＡｕ膜を第２Ｃｕ層上に作製した。その後、５００℃で２０秒間アニールを行い、密着層とＣｕ層（第１及び第２Ｃｕ層）の界面拡散を促進させ、密着性を向上させ、完成品を得た。
【００６６】
（実施例５）
厚さ１ｍｍのステンレスの板に、配線の完成パターンと電解めっきに必要な給電パターンを刳り抜いたマスクを作製する。
【００６７】
治具を用いて、マスクの下に基板として青板ガラス板を取付け、Ｎｉのスパッタによって密着層としてＮｉ膜を厚さ１５０ｎｍで成膜した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．７Ｐａ、スパッタ電力が８Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００６８】
その後、大気に絶縁されたまま、連結されている真空チャンバ内で、第１Ｃｕ層として厚さ３８０ｎｍのＣｕ膜を作製した。成膜条件は、スパッタガスがＡｒ、スパッタ圧力が０．３Ｐａ、スパッタ電力が６Ｗ/ｃｍ2であり、特にガラス板の加熱は行わない。
【００６９】
密着層及び第１Ｃｕ層が成膜された基板を真空チャンバから取り出した後、アニールを施し、密着層であるＮｉ膜と第１Ｃｕ層の密着性を向上させた。その後、無電解めっきによって、第１Ｃｕ層上に第２Ｃｕ層として厚さ８μｍのＣｕ膜を作製した。
【００７０】
その後、電解Ａｕめっきによって、厚さ１μｍのＡｕ膜を第２Ｃｕ層上に作製した。その後、５００℃で２０秒間アニールを行い、密着層とＣｕ層（第１及び第２Ｃｕ層）の界面拡散を促進させ、密着性を向上させ、完成品を得た。
【００７１】
実施例１〜５の各配線基板における配線パターンに、１Ａ以上（１〜５Ａ程度）の電流を流してもエレクトロマイグレーションは発生せず、１Ａ以上の電流を信頼性よく流すことができた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の好適一実施の形態に係る配線基板の横断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  セラミックス基板
２  密着層
３  Ｃｕ層
３ａ  第１Ｃｕ層
３ｂ  第２Ｃｕ層
【図１】
2007109858.tif 000003