(57)【要約】【課題】輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを効率良く製造する。【解決手段】気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した後、輝尽性蛍光体層を加熱する際に、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、前記基板上に前記輝尽性蛍光体層を形成した後、前記輝尽性蛍光体層を加熱する際に、前記基板面の前記輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記加熱プレートが前記輝尽性蛍光体層が形成されていない基板面に接触させられることを特徴とする請求項１記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板と加熱プレートが、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってかつ硬度が５以上９０以下の熱伝導性シートを介して接触させられることを特徴とする請求項２記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記加熱温度が１７０〜１９０℃であって、加熱時間が１０〜２０分であることを特徴とする請求項１，２または３記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネルに関し、特に、基板上に気相堆積法によって形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得る放射線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
【０００３】
放射線像変換パネルの感度および画質を高めることを目的として、蛍光体層を気相堆積法により形成する放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００４】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を与えることができる。
【０００５】
気相堆積法により形成された蛍光体層の輝尽発光特性を改良する為に、輝尽性蛍光体層を形成した後に、形成した輝尽性蛍光体層を装置内において、窒素雰囲気中で輻射熱により加熱する方法が知られている（特許文献１）。また、空気中で加熱を行う方法も知られている（特許文献２）。
【特許文献１】特開２００３−２７９６９６号公報
【特許文献２】特開２００２−２５６２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されている方法では、加熱効率が悪く所定の温度に到達するまでに時間がかかる上、基板面の温度にバラツキが生じ、これは輝尽発光特性の面内バラツキとなり画像ムラ等の不具合の要因となる。また、特許文献２に記載されているような方法では、製造時間が長時間となり、放射線像変換パネルの製造コストの点で経済的ではない。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、基板を均一に加熱して、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを、効率良く短時間で製造可能な放射線像変換パネルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、前記基板上に前記輝尽性蛍光体層を形成した後、前記輝尽性蛍光体層を加熱する際に、前記基板面の前記輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱することを特徴とするものである。
【０００９】
前記加熱プレートは、前記輝尽性蛍光体層が形成されていない基板面に接触させられることが好ましい。
【００１０】
前記基板と加熱プレートは、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってかつ硬度が５以上９０以下の熱伝導性シートを介して接触させられることが好ましい。ここで、熱伝導性シートとは、加熱(発熱)体と被加熱(発熱)体の間に位置させて両者の熱接触を向上させる為のシートを意味し、熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。ここで、熱伝導率は「ＡＳＴＭＥ１５３０」に基づいて測定した数値である。硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３（加硫ゴム及び熱可塑性ゴムの硬さ試験方法）に基づく見掛け硬さであり、５以上９０以下、より好ましくは５以上８０以下であることが望ましい。
【００１１】
前記加熱温度は１７０〜１９０℃であって、加熱時間が１０〜２０分であることがより好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した後、輝尽性蛍光体層を加熱する際に、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱するので、基板を効率良く均一に加熱することができ、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを短時間で製造することができる。
【００１３】
特に、基板と加熱プレートが、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってかつ硬度が５以上９０以下の熱伝導性シートを介して接触させられ、基板を加熱する場合には、より均一に加熱することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した後、輝尽性蛍光体層を加熱する際に、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱することを特徴とする。
【００１５】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、気相堆積法の一種である真空蒸着等の物理蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べる。蒸着によって作製される蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、バインダなどの蓄積性蛍光体以外の成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【００１６】
蛍光体層形成のための基板は、通常は放射線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。
【００１７】
公知の放射線像変換パネルにおいてはパネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られているが、本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途に応じて任意に選択することができる。さらに、気相堆積膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の輝尽性蛍光体層が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００１８】
本発明に用いられる輝尽性蛍光体は、ＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）が好ましい。なお、必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、ＣｓＸ、１モルに対して０．５モル以下の量で加えてもよい。
【００１９】
多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成する場合には、蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の母体（ＣｓＸ）成分を含むものと付活剤（Ｅｕ）成分を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、ＣｓＸ：Ｅｕ蛍光体のように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００２０】
蛍光体の母体成分は、ＣｓＸそれ自体であってもよいし、または反応してＣｓＸとなりうる二以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分は、一般にはＥｕを含む化合物であり、例えばＥｕのハロゲン化物が用いられる。Ｅｕ化合物におけるＥｕ2+化合物のモル比は７０％以上であることが好ましい。一般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。Ｅｕ化合物はＥｕＢｒxであることが好ましく、その場合には、ｘは２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の数値であることが好ましい。ｘは、２．０であることが望ましいが、Ｂｒ2ガス雰囲気下で溶融し、次いで固化する方法によればＥｕＢｒ２を安定して得ることができる。
【００２１】
蒸発源は、突沸防止などの点からその含水量が０．５質量％以下であることが好ましい。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上の温度で数十分〜数時間加熱することにより行うことができる。
【００２２】
蒸発源の相対密度は、８０％以上９８％以下であることが好ましく、より好ましくは９０％以上９６％以下である。蒸発源が相対密度の低い粉体状態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にする。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である必要はない。
【００２３】
また、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そしてアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。これによって、不純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとともに、そのような蒸着膜は発光量が増加する。
【００２４】
上記の蒸発源および基板を蒸着装置内に設置し、装置内を排気して０．１〜１０Ｐａ、より好ましくは０．５〜３Ｐａ程度の真空度がとすることが望ましい。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスを導入してもよい。ただし、装置内の雰囲気中の酸素分圧を、１×１０-6〜１×１０-2Ｐａの範囲とする。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いることによって、７．０×１０-3Ｐａ以下にすることが好ましい。
【００２５】
良好な柱状結晶性を得るためには、基板を裏面からヒータなどを用いて５０℃〜３００℃の温度に加熱することが好ましく、特には１００℃〜２９０℃の温度に加熱することが好ましい。
【００２６】
次に、抵抗加熱容器を抵抗加熱用の電源を通電して発熱させ、蒸発源をそれぞれ抵抗加熱によって加熱／蒸発させ、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させる。なお、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体（ＣｓＸ）のみからなる蒸着膜を形成してもよい。この場合にも熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、前記基板を加熱することが好ましい。これによって、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の熱処理によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００２７】
蒸着終了後、輝尽性蛍光体層が形成された基板を、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱する。図面を用いて説明する。図１は輝尽性蛍光体層が形成された基板を加熱プレートと接触させる一実施の態様を示す図である。図１に示すように、輝尽性蛍光体層２が形成された基板１は、形成された輝尽性蛍光体層２を保護する観点から、輝尽性蛍光体層が形成されていない基板１面に加熱プレート３が接触させられ、基板１と加熱プレート３との間には、基板をムラなく加熱するための熱伝導性シート４が介される。なお、図では基板１と加熱プレート３は同じ大きさとなっているが、輝尽性蛍光体層２が形成された領域全体に亘って基板１を加熱することができればよく、例えば、加熱プレート３は基板１より大きくてもよい。
【００２８】
加熱プレートは、基板全面に亘って接触できるような平面状のものであれば特に限定されるものではなく、例えばシースヒーター、マイカヒーター等を好ましくあげることができる。加熱温度は１７０℃〜１９０℃の温度で１０分〜２０分加熱することが好ましい。
【００２９】
熱伝導性シートは、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってかつ硬度が５以上９０以下のものが好ましい。熱伝導性シートとしては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレンプロピレン系樹脂等の樹脂に熱伝導性粒子、熱伝導性フィラー等を分散させたシート、あるいはグラファイトシート等が好ましくあげられる。
【００３０】
このようにして、ＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）の輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。酸素は、蒸着過程で蒸着雰囲気より結晶中に取り込まれ、付活剤Ｅｕの電荷補償の役割を担って、Ｅｕ−Ｏ複合体を形成する。蒸着膜を熱処理することによって、酸素は結晶中に拡散し、付活剤と分離される。これにより、結晶中の電荷移動効率および付活剤の付活効率が向上し、その結果、蛍光体の輝尽発光量が増加する。
【００３１】
蛍光体層は、結合剤を含有せず、上記ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽性蛍光体の柱状結晶の各柱間には空隙（クラック）が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、気相堆積法の実施手段や条件などによって異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
【００３２】
本発明の製造方法において、このようにして得られた蒸着膜は、柱状結晶構造の輝尽性蛍光体からなる。ここで、柱状結晶構造とは、蒸着した多数の輝尽性蛍光体の粒が互いに蒸発流方向（高さ方向）に融着して連続した形状をとるものを一本の柱とみなし、このような柱多数から構成されていることを意味する。蒸着膜は、柱状結晶性が良好であることが望ましく、特に柱状結晶の各柱は、その直径が１〜１０μｍの範囲にあり、高さが１０〜１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比（高さ／直径）が１０〜１０００の範囲にあることが好ましい。
【００３３】
なお、本発明において、気相堆積法は上記の電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法、スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法を利用することもできる。これら他の蒸着法および気相堆積法の詳細は、各種公報を含む公知の各種の文献に記載されており、それらを参照することができる。
【００３４】
基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。
【００３５】
蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００３６】
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。
【００３７】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ〜２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
【００３８】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。例えば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。  
以下に、本発明の放射線像変換パネルの製造方法を実施例により説明する。
【実施例】
【００３９】
［基板の温度分布の実施例］
（実施例1）
１０ｍｍ厚のＡｌ基板を、ガス導入可能な真空加熱装置内に設置された加熱プレート（関東電熱社製のマイカヒーターをアルミニウム板で挟んだもの）に置き、基板面の温度分布を測定した。基板は２０×２０ｃｍ、４５×４５ｃｍの２種類で検討した。いずれの基板も凸型に反っていたが反りは３０μｍ以下であった。２０×２０ｃｍ、４５×４５ｃｍいずれの基板においても１６０，１８０，２００℃における温度分布は±４℃以内であった。
【００４０】
（比較例１）
実施例1と同様の１０ｍｍ厚の２０×２０ｃｍＡｌ基板を、ガス導入可能な真空加熱装置内のＳＵＳ製の棚に置いて加熱した。各温度における温度分布は±１０℃以上であった。
【００４１】
（実施例２）
実施例1において加熱プレートに熱伝導性シート（住友スリーエム(3M)社製の片面粘着性の０．５ｍｍ厚シリコーンゲルシート(5509S)：熱伝導率は５．０Ｗ／ｍ・Ｋ（「ＡＳＴＭＥ１５３０」に基づいて測定）、シートを複数枚積層して２±０．１ｍｍの厚みにし、株式会社テクロック製タイプAデュロメーターＧＳＤ−７１９Ｓ及び定荷重器ＧＳ−７１０の組み合わせにて測定したときの見かけ硬さが３０）を貼り、２００μｍ凸型に反った４５×４５ｃｍ基板を置いて基板面内の温度分布を測定した。基板面内の温度分布は±４℃であった。
【００４２】
（比較例２）
加熱プレートに熱伝導性シートを貼らなかったこと以外は実施例２と同様に測定した。基板面内の温度分布は±６．６℃であった。
【００４３】
以上の実施例から明らかなように、基板に加熱プレートを接触させた場合（実施例１）では、ガス導入の輻射熱による場合（比較例１）に比較して有意に基板面の温度分布にムラがなかった。また、凸型に沿った基板であっても熱伝導性シートを介して加熱プレートと接触させることによって、基板面の温度分布にムラを小さくすることが可能であった（実施例２，比較例２）。
【００４４】
［輝尽性蛍光体層の感度］
（実施例１）
蒸着用基板として１ｍｍ厚アルミニウム基板を準備し、蒸着前に１Ｐａ、３００Ｗ−６０ｓｅｃの条件で基板をプラズマ洗浄して基板表面の有機成分を除去した後、チャンバ内のホルダにセットした。ＣｓＢｒ（５００ｇ）およびＥｕＢｒ2（１０ｇ）を装置内のそれぞれの抵抗加熱用坩堝容器に充填した。基板と各蒸発源との距離は１００ｍｍとした。るつぼと基板の間にシャッターをセットし、真空チャンバを閉じた。真空排気手段を駆動して真空チャンバ内が８×１０-4Ｐａとなった時点で排気を継続しつつチャンバ内にＡｒガスを導入し、チャンバ内圧力を０．７５Ｐａに調整した。抵抗加熱用の電源を駆動して全てのるつぼに通電して成膜材料を加熱し、６０分後、シャッターを開いて、基板の直線搬送を開始し蛍光体層の形成を開始した。蒸着速度は１０μｍ／ｍｉｎに制御した。また輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。
【００４５】
蛍光体層の層厚は基板の直線搬送の回数によって制御し、所定の回数の基板搬送を終了したら、シャッターを閉じて、抵抗加熱の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止し、窒素ガスあるいは乾燥空気をチャンバ内に導入しチャンバ内を大気圧とした。次いでチャンバ内からアルミ基板を取り出した。基板の上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚：６００μｍ、面積１９ｃｍ×１９ｃｍ）が形成されていた。針状結晶は平均柱径３μｍ、高さ６００μｍで平均アスペクト比２００であった。
【００４６】
次に、この輝尽性蛍光体層が形成された基板を輝尽性蛍光体層を上向きにして、ガス導入可能な真空加熱装置内に設置された、１８０℃に温度設定された加熱プレート上に置き、Ｎ2ガスを１Ｌ／ｍｉｎでフローしながら、１５分間加熱した。加熱後、基板をチャンバー内から取出し、室温まで自然放冷し、放射線像変換パネルを製造した。
【００４７】
（実施例２）
実施例１において、蒸着後の加熱時間を３０分とした以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００４８】
（実施例３）
実施例１において、蒸着後の加熱時間を６０分とした以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００４９】
（実施例４）
実施例１において、蒸着後の加熱温度を２００℃とした以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５０】
（実施例５）
実施例４において、蒸着後の加熱時間を３０分とした以外は実施例４と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５１】
（実施例６）
実施例４において、蒸着後の加熱時間を６０分とした以外は実施例４と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５２】
（実施例７）
実施例１において、蒸着後の加熱温度を２２０℃、加熱時間を５分とした以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５３】
（実施例８）
実施例７において、蒸着後の加熱時間を１０分とした以外は実施例７と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５４】
（実施例９）
実施例７において、蒸着後の加熱時間を１５分とした以外は実施例７と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５５】
（実施例１０）
実施例１において、蒸着後の加熱温度を１６０℃とした以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５６】
（実施例１１）
実施例１０において、蒸着後の加熱時間を３０分とした以外は実施例１０と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５７】
（実施例１２）
実施例１０において、蒸着後の加熱時間を６０分とした以外は実施例１０と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５８】
（比較例１）
実施例１において蒸着後の加熱をしなかった以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００５９】
（比較例２）
実施例４において蒸着後の加熱をしなかった以外は実施例４と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００６０】
（比較例３）
実施例７において蒸着後の加熱をしなかった以外は実施例７と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００６１】
（比較例４）
実施例１０において蒸着後の加熱をしなかった以外は実施例１０と同様にして放射線像変換パネルを製造した。
【００６２】
実施例１〜１２，比較例１〜４で得られた放射線像変換パネルを、室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに管電圧８０ｋＶｐ、管電流２０ｍＡのX線（１０ｍＲ）を照射した。ついで、放射線像変換パネルを暗室内でカセッテから取り出した後、放射線像変換パネルに対して線状に励起光を照射するライン状ＬＤレーザー（波長６５０ｎｍ）で走査して蛍光体を励起し、ライン状ＬＤレーザーにより励起光が照射された放射線像変換パネルの線上の部分の長さ方向に沿って多数の光電変換素子が配列されたＣＣＤアレイによって、蛍光体層から放射される輝尽発光光を受光して電気信号に変換して二次元データを得、二次元データの平均値を取ったものを輝尽性蛍光体層の単位層厚あたりの相対値に変換してＰＳＬとした。結果を図２に示す。図２は加熱温度ごとの加熱時間と感度（ＰＳＬ）との関係を示すグラフである。
【００６３】
図２から明らかなように、熱処理温度と時間との関係で感度には若干の変化が見られるものの、いずれの温度においても蒸着後に加熱を行った場合には感度が有意に高くなり、１８０℃／１５分の加熱条件における放射線像変換パネルは熱処理前の４倍の感度が得られた。
【００６４】
以上のように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法では、基板を効率良く均一に加熱することができ、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを短時間で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】基板と加熱プレート部分の拡大概略図
【図２】加熱温度ごとの加熱時間と感度（ＰＳＬ）との関係を示すグラフ
【符号の説明】
【００６６】
１    基板
２    輝尽性蛍光体層
３    加熱プレート
４    熱伝導性シート
【図１】
2007127514.tif 000002
【図２】
2007127514.tif 000003