(57)【要約】【課題】結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。【解決手段】本発明に係る低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、ｉ）第１金属層２２とシリコン膜層２３とが形成されたガラス基板２１に用いられ、波長が４００nm以上のレーザ光Ｌをシリコン膜層２３に照射し、シリコン膜層２３がレーザ光の一部成分を吸収して溶融され、且つレーザ光の他の成分がシリコン膜層２３を透過し第１金属層２２からシリコン膜層２３に反射され、シリコン膜層２３が反射されたレーザ光の他の成分を吸収し、溶融され再結晶化されるステップと、ｉｉ）レーザ光を照射した後、シリコン膜層２３を静置することにより、シリコン膜層２３の温度を室温まで下げるステップと、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層とシリコン膜層とが形成されたガラス基板に用いられ、
波長が４００nm以上のレーザ光を前記シリコン膜層に照射し、前記シリコン膜層が前記レーザ光の一部成分を吸収して溶融され、且つ前記レーザ光の他の成分が前記シリコン膜層を透過し前記第１金属層から前記シリコン膜層に反射され、前記シリコン膜層が反射された前記レーザ光を吸収し、溶融され再結晶化されるステップと、
前記レーザ光を照射した後、前記シリコン膜層を静置することにより、前記シリコン膜層の温度を室温まで下げるステップとを含むことを特徴とする、低温ポリシリコンのレーザアニール方法。
【請求項２】
前記シリコン膜層は、第１領域と、第２領域と、第３領域と、を有し、前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域は、前記レーザ光の照射によって結晶化され、
前記第１領域が、前記第２領域と前記第３領域との間に挟設されるとともに、前記第１金属層と対応して設けられ、前記第１金属層から反射された前記レーザ光を吸収して再結晶化され、
再結晶化された後の前記第１領域の結晶粒が、前記第２領域の結晶粒と前記第３領域の結晶粒より大きいこと、
を特徴とする、請求項１に記載のレーザアニール方法。
【請求項３】
前記第１領域内の前記第１金属層に隣接する結晶粒が、前記第１領域の外の部分の結晶粒より大きいことを特徴とする、請求項２に記載のレーザアニール方法。
【請求項４】
前記第１金属層、前記第２領域及び前記第３領域は、それぞれトランジスタのゲート、ソース及びドレインとし、前記第１領域は、前記トランジスタのチャンネル領域とすることを特徴とする、請求項２に記載のレーザアニール方法。
【請求項５】
前記ガラス基板の上には、前記第１金属層が形成され、前記第１金属層の上には、第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上には、前記シリコン膜層が形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザアニール方法。
【請求項６】
前記シリコン膜層の上には、第２絶縁層が形成され、前記第２絶縁層の上には、第２金属層が形成されることを特徴とする、請求項５に記載のレーザアニール方法。
【請求項７】
前記ガラス基板の上には、ポリシリコン膜層が形成され、前記ポリシリコン膜層の上には、絶縁層が形成され、前記絶縁層の上には、前記第１金属層が形成されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザアニール方法。
【請求項８】
前記第１金属層の膜厚は、１００Å以上であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザアニール方法。
【請求項９】
低温ポリシリコン基板を備え、前記低温ポリシリコン基板は、ガラス基板と、第１金属層と、ポリシリコン膜層とを有し、前記ガラス基板の上には、前記第１金属層と前記ポリシリコン膜層が形成され、前記ポリシリコン膜層が第１領域、第２領域及び第３領域を有し、
前記第１領域が、前記第２領域と前記第３領域との間に挟設されるととともに、前記第１金属層と対応して設けられ、前記第１領域の結晶粒が前記第２領域の結晶粒と前記第３領域の結晶粒より大きいことを特徴とする、画像表示システム。
【請求項１０】
前記ポリシリコン膜層が、レーザアニールを行った後、前記第１領域の結晶粒が前記第２領域と前記第３領域の結晶粒より大きいことを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１１】
前記第１領域内の前記第１金属層に隣接する結晶粒が、前記第１領域の外の部分の結晶粒より大きいことを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１２】
前記第１金属層、前記第２領域及び前記第３領域は、それぞれトランジスタのゲート、ソース及びドレインとし、前記第１領域は、前記トランジスタのチャンネル領域とすることを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１３】
前記低温ポリシリコン基板は、さらに、第１絶縁層を有しており、
前記ガラス基板の上には、前記第１金属層が形成され、前記第１金属層の上には、前記第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上には、前記ポリシリコン膜層が形成されることを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１４】
前記低温ポリシリコン基板は、さらに、前記ポリシリコン膜層の上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に設けられた第２金属層とを備えることを特徴とする、請求項１３に記載の画像表示システム。
【請求項１５】
前記低温ポリシリコン基板は、さらに、絶縁層を有しており、
前記ガラス基板の上には、前記ポリシリコン膜層が形成され、前記ポリシリコン膜層の上には、前記絶縁層が形成され、前記絶縁層の上には、前記第１金属層が形成されることを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１６】
前記第１金属層の膜厚は、１００Å以上であることを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１７】
前記低温ポリシリコン基板を備える低温ポリシリコンパネルと、前記低温ポリシリコンパネルの一方側に設けられたバックライトモジュールとを具備する液晶表示装置をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１８】
前記低温ポリシリコン基板を備える低温ポリシリコンパネルと、前記低温ポリシリコンパネルと結合するとともに、前記低温ポリシリコンパネルに入力を提供することにより、画像を前記低温ポリシリコンパネルに表示させる入力ユニットとを具備する電子装置をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の画像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法に関し、特に、結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル時代到来と呼ばれている現在では、薄膜トランジスタ液晶表示装置が普及し、人々の生活に欠けない電子製品になった。
【０００３】
薄膜トランジスタ液晶表示装置は、液晶パネルの種類によって、アモルファスシリコン(amorphous silicon, a-Si)薄膜トランジスタ(thin film transistor, TFT)液晶表示装置、と低温ポリシリコン(low temperature polysilicon, LTPS) TFT液晶表示装置とに分けられる。LTPS TFT表示装置は、LTPS液晶パネルを使用し、ポリシリコン層を有するため、a-Si TFT表示装置と比べると、より良好な電気特性を有する。また、LTPS TFT表示装置は、薄膜トランジスタアレイと周辺駆動回路を統合することができ、パネルと回路デザインの活用性がさらに高められるため、次第に注目されるようになった。
【０００４】
そして、製造工程については、a-Si TFTパネルと比べると、LTPS TFTパネルは、トランジスタのシリコン膜層をアモルファスシリコンからポリシリコンに変化するレーザアニール(Laser Annealing)工程を必要とする一方で、薄膜トランジスタの電子移動度(electron mobility)を高めることができる。以下、図１A〜図１Dを参照して、ゲートを例として、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタのプロセスフローについて説明する。
【０００５】
まず、図１Aに示すように、ガラス基板１１の上に、緩衝層１２とゲート１３と絶縁層１４とを順次に形成する。次に、図１Bに示すように、絶縁層１４の上にアモルファスシリコン薄膜層１５を形成するとともに、エキシマレーザアニール(excimer laser annealing, ELA)方法を利用し、エキシマレーザ光ELの照射によってアモルファスシリコン薄膜層１５を溶融する。図２を参照すると、アモルファスシリコンは、短波長レーザ(波長領域が約１５７nm〜４００nm)の照射に対する吸収率がよい。例えば、ガスがXeClであるエキシマレーザを使用し、その波長が３０８nmである場合に、アモルファスシリコン膜の吸収率がほぼ１００％(例えば、図１Bのブロック部分が吸収部分である)になるため、エキシマレーザがアモルファスシリコン薄膜層１５を透過することはない。続いて、図１Cに示すように、アモルファスシリコン薄膜層１５がエキシマレーザアニールを行った後、溶融されポリシリコン薄膜層１５'となる。最後に、図１Dに示すように、ポリシリコン薄膜層１５'にドーピングすることにより、ソース１５２とドレイン１５３とチャンネル領域１５１とを形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
エキシマレーザアニール工程では、エキシマレーザ光ELをアモルファスシリコン薄膜層１５に照射する際に、エキシマレーザ光ELの照射エネルギーがアモルファスシリコン薄膜層１５に均一に分布されるため、アモルファスシリコン薄膜層１５を次第に半溶融状態にさせる。そして、まだ溶融していないシリコンの一部を再結晶の核とし結晶粒に再成長するため、最後に、分布が均一で、粒径が同様だがやや小さい結晶粒を成長したポリシリコン薄膜層１５’を形成する。しかし、ポリシリコン薄膜層１５’の結晶粒がやや小さいため、薄膜トランジスタの電流特性が類似せず、さらに薄膜トランジスタの電子移動度を向上することができない。
【０００７】
また、エキシマレーザ光ELがアモルファスシリコン薄膜層１５に照射する際に、アモルファスシリコン薄膜層１５の下方のゲート１３が金属であり、熱伝導効果を有するため、ゲート１３に隣接するシリコン膜の結晶粒が比較的に小さい。しかし、ゲート１３に隣接するポリシリコン領域が薄膜トランジスタのチャンネル領域として使用される場合に、チャンネル領域のポリシリコン結晶粒が小さすぎると、薄膜トランジスタの電子移動度を低下させ、LTPS TFT表示装置の機能も影響される。
【０００８】
また、エキシマレーザ光ELは、コストが比較的に高く、しかも、使用寿命が比較的に短い。さらに、エキシマレーザアニール工程で形成した結晶粒が小さすぎて、且つ均一性が制御しにくいとなると、薄膜トランジスタの電子移動度に悪影響を与える。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係わる低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、第１金属層とシリコン膜層とが形成されたガラス基板に用いられ、波長が４００nm以上のレーザ光を前記シリコン膜層に照射し、前記シリコン膜層が前記レーザ光の一部成分を吸収して溶融され、且つ前記レーザ光の他の成分が前記シリコン膜層を透過し前記第１金属層から前記シリコン膜層に反射され、前記シリコン膜層が反射された前記レーザ光の他の成分を吸収し、溶融され再結晶化されるステップと、
前記レーザ光を照射した後、前記シリコン膜層を静置することにより、前記シリコン膜層の温度を室温まで下げるステップと、を含む。
【００１１】
本発明に係わる画像表示システムは、低温ポリシリコン基板を備え、前記低温ポリシリコン基板は、ガラス基板と、第１金属層と、ポリシリコン膜層とを有し、前記ガラス基板の上には、前記第１金属層と前記ポリシリコン膜層が形成され、前記ポリシリコン膜層が第１領域、第２領域及び第３領域を有し、
前記第１領域が、前記第２領域と前記第３領域との間に挟設されるととともに、前記第１金属層と対応して設けられ、前記第１領域の結晶粒が前記第２領域の結晶粒と前記第３領域の結晶粒より大きい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法によれば、レーザ光を照射し、そして、第１金属層によって前記レーザ光を反射し、シリコン膜層が前記レーザ光の一部成分を吸収して溶融され、さらに、第１金属層によってレーザ光の他の成分をシリコン膜層の第１領域に反射することにより、第１領域が溶融状態にある時間を、第２領域と第３領域が溶融状態にある時間より長くするため、第１領域の結晶粒が第２領域と第３領域の結晶粒より大きくなる。さらに、シリコン膜層の温度を室温まで下げるように静置し、シリコン膜層がレーザ光の照射によってポリシリコン膜層に変化される。
従来の技術と比較して、第１金属層を利用して、シリコン膜層に吸収されないレーザ光の一部成分が、第１金属の反射によってシリコン膜層に再吸収され、且つ、数回の吸収と反射によって、レーザ光のエネルギーがほぼシリコン膜層に完全に吸収され、レーザ光の使用率を高めると同時に、固体レーザ光を使用するため、コストをさらに節約することができる。
また、シリコン膜層の第１領域はレーザ光を数回吸収して加熱され、第１領域の溶融時間が増加するため、第１領域が結晶した後、より大きく且つ均一な結晶粒と低欠陥密度のポリシリコン膜層が得られるため、薄膜トランジスタの電子移動度をさらに向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施例における画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法について説明する。なお、共通する構成要素について、同一の符号を付すことによりその説明を省略する。
【００１４】
［実施例１］
図３に示すように、本発明に係わる実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、低温ポリシリコン基板２０に適用され、低温ポリシリコン基板２０の構造として、ガラス基板２１の上には、緩衝層２４が形成され、緩衝層２４の上には、第１金属層２２が形成され、第１金属層２２の上には、第１絶縁層２５が形成され、第１絶縁層２５の上には、シリコン膜層２３が形成される。ここでのレーザアニール方法として、レーザ光Lをガラス基板の上方からシリコン膜層２３に照射する。
【００１５】
図３と図４を参照すると、低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、ステップＳ０１では、波長が４００nm以上のレーザ光Lをシリコン膜層２３に照射することにより、シリコン膜層２３がレーザ光Lの一部成分を吸収するため溶融されるが、レーザ光Lの他の成分がシリコン膜層２３を透過して、第１金属層２２からシリコン膜層２３に反射されることによって、シリコン膜層２３が反射されたレーザ光Lの他の成分を吸収して溶融され再結晶化される(図３の点線の形成範囲)。なお、本実施例において、レーザ光Lは固体レーザ光を使用し、そして、シリコン膜層２３が第１金属層２２と対応しない部分は、レーザ光Lの一部成分を吸収するが、レーザ光Lの他の成分はシリコン膜層２３を透過し反射されない。
【００１６】
ステップＳ０２では、レーザ光Lを照射した後シリコン膜層２３を静置することにより、シリコン膜層２３の温度を室温まで下げる。
【００１７】
最後に、シリコン膜層２３が、レーザアニールを行った後、結晶化してポリシリコン膜層に変化する。
【００１８】
また、より分かりやすいために、図５A〜図５Eを参照して、本発明に係わる低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフローについて説明する。
【００１９】
図４と図５Aに示すように、本実施例において、シリコン膜層２３は、第１領域２３１と、第２領域２３２と、第３領域２３３と、を有する。第１領域２３１は、第２領域２３２と第３領域２３３との間に挟設されるとともに、第１金属層２２と対応して設けられる。なお、レーザ光Lを反射するために、第１金属層２２の膜厚を１００Å以上に設定する。また、図５Bに示すように、レーザ光Lは、レーザ光の一部成分L１と、レーザ光の他の成分L２と、を含む。レーザ光Lをシリコン膜層２３に照射すると、第１領域２３１と第２領域２３２と第３領域２３３が何れもレーザ光Lを照射することによって溶融され、結晶化されるが、固体レーザ光を使用する場合に、アモルファスシリコンが４００nm波長以上のレーザに対する吸収率がよくない(図２参照)ため、シリコン膜層２３がレーザ光の一部成分L１のみを吸収することになる。
【００２０】
図５Bを参照すると、第１領域２３１がレーザ光の一部成分L１を吸収して溶融されるが、レーザ光の他の成分L２が第１領域２３１を透過して第１金属層２２に照射される。ここで、第１金属層２２が十分な膜厚を持つため、第１金属層２２がレーザ光Lに透過されず、代えて、第１金属層２２によってレーザ光の他の成分L２が第１領域２３１に反射される。
【００２１】
図５Cと図５Dに示すように、第１領域２３１が、反射されたレーザ光の他の成分L２を再び吸収することにより、再び加熱され、これにより、第１領域２３１が溶融状態にある時間を第２領域及第３領域が溶融状態にある時間より長くするとともに、第１領域２３１は、レーザアニールを行った後再結晶化される。
【００２２】
第２領域２３２と第３領域２３３については、図５Bに示すように、レーザ光Lを照射する際に、第２領域２３２と第３領域２３３が第１金属層２２の上に設けられないため、レーザ光の一部成分L１は第２領域２３２と第３領域２３３に吸収されるが、レーザ光の他の成分L２は透過して反射されない。この場合も、第２領域２３２と第３領域２３３は溶融され、結晶化される。
【００２３】
最後に、図５Eに示すように、レーザアニール方法によって、シリコン膜層２３がアモルファスシリコンからポリシリコン膜層２３'に変化されため、第１領域２３１が溶融と再結晶化によってポリシリコンの第１領域２３１'に変化され、第２領域２３２と第３領域２３３もポリシリコンの第２領域２３２'と第３領域２３３'に変化された。
【００２４】
また、図５Eに示すように、ポリシリコンの第１領域２３１'がレーザ光Lをほぼ完全に吸収するため、第１領域２３１'の結晶粒は、第２領域２３２'の結晶粒と第３領域２３３'の結晶粒より大きい。また、第１金属層２２によってレーザ光Lが第１領域２３１'に反射されるため、第１領域２３１'内の第１金属層２２に隣接する部分が照射され加熱され、第１領域２３１'の外の部分よりも、長い溶融時間でもって再結晶化される。すなわち、第１領域２３１'内の第１金属層２２に隣接する結晶粒は、より多くのレーザ光Lのエネルギーを吸収することから、第１領域２３１'の外の部分の結晶粒よりも大きいものとなる。最後に、低温ポリシリコンのレーザアニールを行ったのち、ドーピングによって、薄膜トランジスタを形成する。なお、本実施例における第１金属層２２は、トランジスタのゲートとし、ポリシリコンの第２領域２３２'と第３領域２３３'は、トランジスタのソースとドレインとし、ポリシリコンの第１領域２３１'は、トランジスタのチャンネル領域とする。
【００２５】
［実施例２］
図６に示すように、本実施例における低温ポリシリコン基板３０の構造として、上述したレーザアニール工程の後に(図５E参照)、ポリシリコン膜層２３'の上には、第２絶縁層２６が形成され、さらに第２絶縁層２６の上には、第２金属層２７が形成される。その後、ドーピングによって、薄膜トランジスタを形成する。なお、本実施例において、第１金属層２２と第２金属層２７は、何れもトランジスタのゲートとし、ポリシリコンの第２領域２３２'と第３領域２３３'は、トランジスタのソースとドレインとし、ポリシリコンの第１領域２３１'は、トランジスタのチャンネル領域とする。なお、第１金属層は、遮光金属とし、第２金属層は、ゲートとすることもできる。
【００２６】
［実施例３］
図７に示すように、本実施例における低温ポリシリコン基板４０の構造として、ガラス基板２１の上には、緩衝層２４が形成され、緩衝層２４の上には、ポリシリコン膜層２３'が形成され、ポリシリコン膜層２３'の上には、絶縁層２５'が形成され、絶縁層２５'の上には、第１金属層２２が形成される。このため、レーザアニールを行う際には、レーザ光Lをガラス基板２１の下方からシリコン膜層２３に照射し、レーザアニールを行った後、シリコン膜層２３がポリシリコン膜層２３'に変化される。最後に、ドーピングによって薄膜トランジスタを形成する。なお、第１金属層２２は、トランジスタのゲートとし、ポリシリコンの第２領域２３２'と第３領域２３３'は、トランジスタのソースとドレインとし、ポリシリコンの第１領域２３１'は、トランジスタのチャンネル領域とする。
【００２７】
［実施例４］
図８に示すように、本発明の実施例における画像表示システムは、液晶表示装置５を含む。液晶表示装置５は、低温ポリシリコンパネル２と、低温ポリシリコンパネル２の一側に設けられたバックライトモジュール６と、を具備する。
【００２８】
低温ポリシリコンパネル２は、低温ポリシリコン基板２０と、液晶層２８と、カラーフィルタ基板２９と、を備える。本実施例において、低温ポリシリコン基板２０は、ガラス基板２１と、第１金属層２２と、ポリシリコン膜層２３'とを有する。ガラス基板２１の上には、第１金属層２２とポリシリコン膜層２３'とが形成され、ポリシリコン膜層２３'の上には、液晶層２８とカラーフィルタ基板２９が形成される。
【００２９】
本実施例において、液晶表示装置５は、バックライトモジュール６の光源(図８の矢印方向を参照)を利用し、低温ポリシリコン基板２０、液晶層２８とカラーフィルタ基板２９を経由し、ユーザに見せる画面を液晶表示装置５の上に表示させる。ここで、液晶表示装置５は、低温ポリシリコンパネル２を設置することによって、電子移動度を高め、導電性を向上するため、電力が節約され、表示画面も改善される。
【００３０】
本実施例において、低温ポリシリコン基板２０の特徴として、ポリシリコン膜層は、第１領域と、第２領域と、第３領域とを有する。第１領域は、第２領域と第３領域との間に挟設されるとともに、第１金属層と対応して設けられる。さらに、第１領域の結晶粒は、第２領域の結晶粒と第３領域の結晶粒より大きい。なお、低温ポリシリコンパネルは、上述した低温ポリシリコンのレーザアニール工程(図４と図５A〜図５Eを参照)によって形成されるため、その説明を省略する。
【００３１】
［実施例５］
図９に示すように、本発明の実施例における画像表示システムは、さらに、電子装置７を含む。電子装置７は、低温ポリシリコンパネル２と、入力ユニット８とを具備する。なお、低温ポリシリコンパネル２は、低温ポリシリコン基板２０と有する。入力ユニット８は、低温ポリシリコンパネル２と結合するとともに、低温ポリシリコンパネル２に入力を提供することにより、入力ユニット８が指定した画像またはデータを低温ポリシリコンパネル２に表示させる。ここで、電子装置７は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ノートパソコン、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、自動車用表示装置、や携帯型DVD装置等である。
【００３２】
以上、本発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更などがあっても、本発明に含まれる。 
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタのプロセスフローを説明する断面図である。
【図１Ｂ】従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタのプロセスフローを説明する断面図である。
【図１Ｃ】従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタのプロセスフローを説明する断面図である。
【図１Ｄ】従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタのプロセスフローを説明する断面図である。
【図２】レーザ光の波長とアモルファスシリコンの透過率の関係を示す図である。
【図３】本発明の実施例１における低温ポリシリコン基板を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法を示すフロー図である。
【図５Ａ】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフロー及び低温ポリシリコン基板のポリシリコン膜層の結晶粒を示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフロー及び低温ポリシリコン基板のポリシリコン膜層の結晶粒を示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフロー及び低温ポリシリコン基板のポリシリコン膜層の結晶粒を示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフロー及び低温ポリシリコン基板のポリシリコン膜層の結晶粒を示す断面図である。
【図５Ｅ】本発明の実施例１における低温ポリシリコンのレーザアニール方法のプロセスフロー及び低温ポリシリコン基板のポリシリコン膜層の結晶粒を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例２における低温ポリシリコン基板を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例３における低温ポリシリコン基板を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例４における液晶表示装置を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例５における電子装置を示すブラック図である。
【符号の説明】
【００３４】
１１  ガラス基板
１２  緩衝層
１３  ゲート
１４  絶緑層
１５  アモルファスシリコン薄膜層
１５１ チャンネル領域
１５２ ソース １５３ ドレイン
１５'  ポリシリコン薄膜層
２  低温ポリシリコンパネル
２０  低温ポリシリコン基板
２１  ガラス基板
２２  第１金属層
２３  シリコン膜層 
２３'  ポリシリコン膜層
２３１ 第１領域
２３１' ポリシリコンの第１領域
２３２ 第２領域
２３２' ポリシリコンの第２領域
２３３ 第３領域
２３３' ポリシリコンの第３領域
２４  緩衝層
２５  第１絶縁層
２５'  絶縁層
２６  第２絶縁層
２７  第２金属層
２８  液晶層
２９  カラーフィルタ基板
３０  低温ポリシリコン基板
４０  低温ポリシリコン基板
５  液晶表示装置
６  バックライトモジュール
７  電子装置
８  入力ユニット
EL  エキシマレーザ
L  レーザ光
L１  レーザ光の一部成分
L２  レーザ光の他の成分
【図１Ａ】
2007305985.tif 000003
【図１Ｂ】
2007305985.tif 000004
【図１Ｃ】
2007305985.tif 000005
【図１Ｄ】
2007305985.tif 000006
【図２】
2007305985.tif 000007
【図３】
2007305985.tif 000008
【図４】
2007305985.tif 000009
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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