(57)【要約】【課題】波長が異なる複数のレーザ素子から出射される各レーザ光の光軸を一致させることが可能な多波長レーザモジュールを提供するものである。【解決手段】第１及び第２のレーザ素子１０１及び１０２から出射される光ビームを垂直方向へ反射させる第１及び第２のミラー１０３及び１０４と、第１及び第２のレーザ素子１０１及び１０２の出射面間において各レーザ素子の出射光軸に対して直交する方向に移動自在に配され、かつ第１及び第２の反射体１０３及び１０４が主面上に配置されている可動ステージ１０５とを備え、第１及び第２の反射体１０３及び１０４は、可動ステージ１０５の主面上において可動ステージ１０５の移動方向に並設されているとともに、各々の反射面が互いに直交して配されている。【選択図】図１
2007109357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の出射面が互いに対向するように配された第１及び第２のレーザ素子と、
前記第１のレーザ素子から出射されるレーザ光を垂直方向へ反射させる第１の反射体と、
前記第２のレーザ素子から出射されるレーザ光を垂直方向へ反射させる第２の反射体と、
前記第１及び第２のレーザ素子の出射面間において、前記第１及び第２のレーザ素子の出射光軸に対して直交する方向に移動自在に配され、かつ前記第１及び第２の反射体が主面上に配置されている可動ステージとを備え、
前記第１及び第２の反射体は、前記可動ステージの主面上において前記可動ステージの移動方向に並設されているとともに、各々の反射面が互いに直交して配されていることを特徴とする多波長レーザモジュール。
【請求項２】
前記第１及び第２のレーザ素子が搭載されるとともに、前記可動ステージを移動可能に保持する固定部をさらに備え、前記固定部において前記第１及び第２のレーザ素子間にテーパ状の斜面を有し、
前記可動ステージの対向する側面の一部が、前記第１及び第２のレーザ素子の出射方向に対して主面から逆テーパ状の斜面を有しており、
前記固定部におけるテーパ状の斜面と前記可動ステージにおける逆テーパ状の斜面とを当接させることにより、前記可動ステージが前記固定部に移動可能に支持されている請求項１記載の多波長レーザモジュール。
【請求項３】
前記可動ステージにおける前記第１及び第２のレーザ素子の出射端面と対向する面の一部に、前記各レーザ素子の出射方向に対して主面から順に逆テーパ状の斜面とテーパ状の斜面を有する請求項１、２記載の多波長レーザモジュール。
【請求項４】
前記可動ステージに形成された逆テーパ状の斜面が半導体基板の結晶面であり、
前記固定部に形成されたテーパ状の斜面が半導体基板の結晶面である請求項２記載の多波長レーザモジュール。
【請求項５】
前記可動ステージに連続して形成された逆テーパ状の斜面とテーパ状の斜面とがいずれも半導体基板の結晶面であり、
前記固定部に形成されたテーパ状の斜面が半導体基板の結晶面である請求項２、３記載の多波長レーザモジュール。
【請求項６】
前記可動ステージは、主面と対向する面に磁性体を有しており、
前記固定部の下部には、基板主面にコイルが形成された第１の基板が配されている請求項１〜５記載の多波長レーザモジュール。
【請求項７】
前記磁性体は、着磁された硬磁性体である請求項６記載の多波長レーザモジュール。
【請求項８】
前記可動ステージの底面と、前記コイル間に樹脂材料を有し、前記第１の基板の主面上に発熱素子を有している請求項６記載の多波長レーザモジュール。
【請求項９】
前記樹脂材料は、エチレンビニルアセテートのコポリマーを少なくとも含む請求項８記載の多波長レーザモジュール。
【請求項１０】
前記第１の基板上面に、磁性体を有している請求項６記載の多波長レーザモジュール。
【請求項１１】
レーザ光の出射面が互いに対向して配された第１のレーザ素子と第２のレーザ素子の出射端面間に、第１の反射体と第２の反射体の反射面が互いに直交するように配置された可動ステージを備え、前記可動ステージが前記第１及び第２のレーザ素子の出射端面に対して水平に移動可能な多波長レーザモジュールの製造方法であって、
前記可動ステージを構成する第２の基板にエッチングマスクを形成する工程（ａ）と、
前記第２の基板に溝部を形成する工程（ｂ）と、
前記溝部を異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｃ）とを含むことを特徴とする多波長レーザモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の基板は、上面が（１００）面であるシリコン基板を使用し、
前記異方性エッチング溶液は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を使用する請求項１１記載の多波長レーザモジュールの製造方法。
【請求項１３】
レーザ光の出射面が互いに対向して配された第１のレーザ素子と第２のレーザ素子の出射端面間に、第１の反射体と第２の反射体の反射面が互いに直交するように配置された可動ステージを備え、前記可動ステージが前記第１及び第２のレーザ素子の出射端面に対して水平に移動可能な多波長レーザモジュールの製造方法であって、
前記可動ステージの一部を構成する第３の基板の主面にダミー基板を接合させる工程（ｄ）と、
前記第３の基板の裏面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｅ）と、
固定部の上部を構成する第４の基板の主面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｆ）と、
前記可動ステージの一部を構成する第５の基板の裏面にダミー基板を接合させる工程（ｇ）と、
前記第５の基板の主面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｈ）と、
前記第３の基板の裏面と前記第５の基板の主面とを、前記第４の基板の開口部を通過させて接合させる工程（ｉ）とを含むことを特徴とする多波長レーザモジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の基板、前記第２の基板、前記第３の基板は、主面が（１００）面であるシリコン基板を使用し、
前記異方性エッチング溶液が、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を使用する請求項１３記載の多波長レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる種類の光ディスクに対し信号光を記録又は再生するための、光源となる多波長レーザモジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザ素子を用いた光ディスク装置においては、記録容量の大容量化が急速に進展しており、現行のＣＤ（Compact Disk）及びＤＶＤ（Digital Versatile Disk）をはじめ、現在ではＨＤ（High Definition）−ＤＶＤの開発が進められている。ＣＤ、ＤＶＤ，ＨＤ−ＤＶＤのそれぞれの光ディスクに対しては、赤外光（７８０ｎｍ帯）、赤色光（６６０ｎｍ帯）及び青色光（４００ｎｍ帯）の各波長帯のレーザ光を出射するレーザ素子が用いられる。そこで、ＣＤ、ＤＶＤ及びＨＤ−ＤＶＤのすべての光ディスク媒体に対して記録又は再生可能な装置の開発が進められている。
【０００３】
複数のレーザ素子を用いたハイブリッド型で多波長対応のレーザモジュールを構成するには、各レーザ素子を実装する基板上に微小突起を設け、その微小突起の傾斜面に光反射部を形成し、傾斜面と各レーザ素子の出射端面とが対向するように複数のレーザ素子を配置する方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
以下、図３３を参照して、従来の多波長レーザモジュールについて説明する。図３３に示すように、多波長光源ピックアップ用モジュールである多波長レーザモジュール１０は、シリコン基板３上に形成された第１及び第２のレーザ素子１及び２と、微小突起４と、受光素子５と、電極６とを備えている。
【０００５】
第１及び第２のレーザ素子１及び２は、出射端面が互いに対向するように基板３上に配置されており、各々の出射端面間に微小突起４が形成されている。微小突起４には、各レーザ素子の出射端面に対向する部位に反射面４ａ及び４ｂが形成されており、第１及び第２のレーザ素子１及び２から出射される光線を、ホログラム素子７が位置する方向へ反射させている。
【０００６】
また、ホログラム素子７を介して垂直上方向へ出射され、ディスク（図示せず）において反射された光線は、ホログラム素子７で回折され、受光素子５に入射される。受光素子５に入射された光線は電気信号に変換されて、電極６から出力可能な構成になっている。
【０００７】
なお、微小突起４は、シリコンが異方性エッチングされて形成されている。エッチングは、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用いた一般的なウェットエッチングプロセスによって行われる。
【特許文献１】特開２００２−２６９７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら前記従来の多波長レーザモジュールは、図３３に示すように、第１の反射面４ａで反射された光線の光軸と、第２の反射面４ｂで反射された光線の光軸の位置が一致しないため、光線をホログラム素子７の上部に配された対物レンズ（図示せず）で集光させる際に収差が生じてしまう。
【０００９】
また、図３３に示すような微小突起４を異方性エッチングで形成する場合、反射面４ａ及び４ｂの傾斜角を、両方とも４５°になるように形成するのは困難であり、各光軸を一致させるのはさらに困難である。すなわち、シリコンに対して行うＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用いた一般的なウェットエッチングプロセスにおいては、単結晶シリコンの面方位のうちの（１１１）面は、他の（１００）面及び（１１０）面と比べてほとんどエッチングされない。このため、（１１１）面を残す異方性エッチングは可能ではあるものの、（１１１）面の傾斜角は（１００）面に対して５４．７°となる。ＥＤＰ（ethylene-diamine pyrocatechol）水溶液を用いれば、（１００）面に対して４５°に傾斜した（１１０）面を残す異方性エッチングを行えるものの、エッチング面にＫＯＨを用いた場合のような鏡面を形成することは困難である。従って、微小突起４の表面に鏡面を形成するためには、ＫＯＨによる異方性エッチングを行う必要があり、このことから、微小突起４における一方の斜面の傾斜面を基板主面に対して４５°になるように形成することはできるが、他方の斜面の傾斜角は６４．４°になってしまう。
【００１０】
従って、従来の多波長レーザモジュールで、複数のレーザ素子１及び２から出射され垂直方向へ反射されたレーザ光の光軸の位置を一致させるには、多波長レーザモジュールから光ディスクに到達するまでの光路において、各光軸毎に対応した複数の光学部品を設ける必要があるため、光学系が複雑化すると共にモジュール及びピックアップの小型化が困難になるという問題がある。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題に鑑み、簡単な構成で、波長が異なる複数のレーザ素子から出射され垂直方向へ反射される各レーザ光の光軸を一致させることが可能な多波長レーザモジュールを提供することを目的とする。また、そのような多波長レーザモジュールに適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明の多波長レーザモジュールは、レーザ光の出射面を互いに対向させて配された第１及び第２のレーザ素子と、前記第１のレーザ素子から出射される光ビームを垂直方向へ反射させる第１の反射体と、前記第２のレーザ素子から出射される光ビームを垂直方向へ反射させる第２の反射体と、前記第１及び第２のレーザ素子の出射面間において前記第１及び第２のレーザ素子の出射光軸に対して直交する方向に移動自在に配され、かつ前記第１及び第２の反射体が主面上に配置されている可動ステージとを備え、前記第１及び第２の反射体は、前記可動ステージの主面上において前記可動ステージの移動方向に並設されているとともに、各々の反射面が互いに直交して配されているものである。
【００１３】
また、本発明の多波長レーザモジュールの製造方法における第１の方法は、レーザ光の出射面が互いに対向して配された第１のレーザ素子と第２のレーザ素子の出射端面間に、第１の反射体と第２の反射体の反射面が直交するように配置された可動ステージを備え、前記可動ステージが前記第１及び第２のレーザ素子の出射端面に対して水平に移動可能な多波長レーザモジュールの製造方法であって、前記可動ステージを構成する第２の基板にエッチングマスクを形成する工程（ａ）と、前記第２の基板に溝部を形成する工程（ｂ）と、前記第２の基板に形成した溝部を異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｃ）とを含むものである。
【００１４】
また、本発明の多波長レーザモジュールの製造方法における第２の方法は、レーザ光の出射面が互いに対向して配された第１のレーザ素子と第２のレーザ素子の出射端面間に、第１の反射体と第２の反射体の反射面が直交するように配置された可動ステージを備え、前記可動ステージが前記第１及び第２のレーザ素子の出射端面に対して水平に移動可能な多波長レーザモジュールの製造方法であって、前記可動ステージの一部を構成する第３の基板の主面にダミー基板を接合させる工程（ｄ）と、前記第３の基板の裏面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｅ）と、固定部の上部を構成する第４の基板の主面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｆ）と、前記可動ステージの一部を構成する第５の基板の裏面にダミー基板を接合させる工程（ｇ）と、前記第５の基板の主面にエッチングマスクを形成し、異方性エッチング溶液によりエッチングする工程（ｈ）と、前記第３の基板の裏面と前記第５の基板の主面とを、前記第４の基板の開口部を通過させて接合させる工程（ｉ）とを含むものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の多波長レーザモジュールおよびその製造方法によれば、簡単な構成で、波長が異なる複数のレーザ素子から出射される各レーザ光の光軸を容易に一致させることが可能になる。
【００１６】
また、多波長レーザモジュールを一括に形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージの各レーザ素子の出射端面側の側面は、可動ステージの上面から逆テーパ状の斜面を有し、また、各レーザ素子を搭載した基板の各レーザ素子の出射端面側には、上面からテーパ状の斜面で形成されたガイドを有することが好ましい。このようにすると、可動ステージは、可動ステージの逆テーパ状の斜面とガイドのテーパ状の斜面により、移動方向が制限され、各レーザ素子の出射端面と平行な方向に容易に移動することができる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００１８】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージに形成された逆テーパ状の斜面が、半導体基板の結晶面から構成され、固定部に形成されたテーパ状の斜面が半導体の結晶面から構成されることが好ましい。このようにすると、可動ステージの移動が円滑になり、平行な方向に容易に精確に移動することができる。したがって、容易に光軸を一致させることができる。
【００１９】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージの各レーザ素子の出射端面側の側面は、可動部ステージの上面から形成された逆テーパ状の斜面と連続してテーパ状の斜面を有することが好ましい。このようにすると、可動ステージは、可動ステージのテーパ状の斜面により、ガイド部から脱離することなく、各レーザ素子の出射端面と平行な方向に容易に移動することができる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２０】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージに連続して形成された逆テーパ状の斜面とテーパ状の斜面がいずれも半導体基板の結晶面から構成され、固定部に形成されたテーパ状の斜面が半導体基板の結晶面から構成されることが好ましい。このようにすると、可動ステージは、可動ステージの移動が円滑になり、平行な方向に容易に精確に移動することができ、さらに可動ステージのガイド部からの離脱を防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージの主面と対向する面に磁性体を有しており前記固定部の底部を形成する第１の基板上面に複数のコイルを有していることが好ましい。このようにすると、コイルが発生する電磁場により、磁性体が引力を受けることが可能になるため、可動ステージを容易に移動させることが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２２】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージに形成された磁性体は、着磁された硬磁性体であることが好ましい。このようにすると、コイルが発生する電磁場により、磁性体は引力あるいは斥力を受けることが可能になるため、可動ステージを容易に移動させることが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２３】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、可動ステージの底面と、固定部の第２の基板に設けられた複数のコイル間に樹脂材料を設け、前記第１の基板に発熱素子を有していることが好ましい。このようにすると、前記第１の基板に設けた発熱素子により、樹脂材料を固体から液体、液体から固体に相変化させることにより、可動ステージの固定と可動を制御することが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２４】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、前記樹脂材料は、エチレンビニルアセテートのコポリマーを少なくとも含有していることが好ましい。このようにすると、前記第１の基板に設けた発熱素子により、樹脂材料が固体から液体、液体から固体に容易に相変化させることが可能になり、可動ステージの固定と可動を制御することが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２５】
また、本発明の多波長レーザモジュールにおいて、前記固定部の底部を形成する第１の基板上面に、磁性体を有していることが好ましい。このようにすると、可動ステージに形成された硬磁性体に、第１の基板上に形成された複数のコイルにより引力、斥力を与えて可動ステージを移動させた後、可動ステージの硬磁性体と第１の基板上の磁性体により、可動ステージを固定することが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることができる。
【００２６】
また、本発明の第１の方法における多波長レーザモジュールの製造方法は、可動ステージを構成する前記第２の基板として、上面が（１００）面であるシリコン基板を利用し、第２の基板をエッチングする際のエッチング溶液として、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を利用することが好ましい。このようにすると、各レーザ素子の出射端面に対向する可動ステージの側面に、可動ステージ主面から逆テーパ状の斜面とテーパ状の斜面を半導体基板の結晶面として容易に連続して形成することが可能になる。従って、容易に光軸を一致させることが可能な可動ステージを形成することができる。
【００２７】
また、本発明の第２の方法における多波長レーザモジュールの製造方法は、前記第３の基板、第４の基板、第５の基板として、主面がそれぞれ（１００）面であるシリコン基板を利用し、前記異方性エッチング溶液として、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を利用することが好ましい。このようにすると、可動ステージに形成されるテーパ状および逆テーパ状の斜面と、固定部に形成されるテーパ状の斜面を精度良く作成することができ、容易に光軸を一致させることが可能な複数の多波長レーザモジュールを、基板単位で一括に形成することが可能になる。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における多波長レーザモジュールの構成を示す断面図である。図２は、多波長レーザモジュールの平面図であり、（ａ）は後述する可動ステージ１０５が第１の位置にある状態、（ｂ）は可動ステージが第２の位置にある状態を示す。また、図１は、図２（ａ）におけるＩ−Ｉ’部分の断面である。
【００２９】
実施の形態１の多波長レーザモジュールの固定部１０７は、図１に示すように、例えば赤色レーザ素子で構成された第１のレーザ素子１０１と、青色レーザ素子で構成された第２のレーザ素子１０２とが、互いの出射端面が対向するように、台座１１１及び１１２上に搭載されている。台座１１１及び１１２は、Ａｕで構成され、シリコン基板から構成される基板３００上に、熱酸化膜３０１及び３０３を介して形成されている。基板３００における第１のレーザ素子１０１と第２のレーザ素子１０２との間には、開口部３０５が形成されている。開口部３０５には、例えば三角プリズムから構成される第１のミラー１０３および第２のミラー１０４を備えた可動ステージ１０５が、基板３００に設けられた斜面３０４に保持された状態で、図２における矢印ＡおよびＢに示す方向へ移動自在に配置されている。なお、可動ステージ１０５の基板２００において、斜面３０４に対向した位置には、斜面３０４と略平行な斜面２０６が形成されている。また、基板２００における斜面２０６の下側には、斜面２０６に対して傾斜方向が異なる斜面２０７が形成されている。また、第１のミラー１０３には、第１のレーザ素子１０１から出射されるレーザ光を反射させる反射面１１３が形成されている。また、第２のミラー１０４には、第２のレーザ素子１０２から出射されるレーザ光を反射させる反射面１１４が形成されている。
【００３０】
図１に示すように可動ステージ１０５は、例えばＮｉ系材料のめっきにより形成された磁性体１０８を備えている。また可動ステージ１０５は、例えばシリコン基板から構成されるシリコン基板５００に形成された複数のコイル部１０９との間で、吸引力を発生させることにより可動される。なお、図３（ｂ）はコイル部１０９の配置状態の一例を示す平面図であり、図３（ａ）は（ｂ）におけるＩ−Ｉ’部の断面である。図３に示すように、可動ステージ１０５の移動方向（図３（ａ）の紙面方向、および図３（ｂ）の縦方向）に沿って、複数のコイル５０１〜５０４が配置されている。なお、便宜上、図３における（ａ）と（ｂ）の寸法比を異ならせて記載している。
【００３１】
図１に示すように、基板３００と接合膜５０９との間には、ガラス基板で構成されるスペーサ基板３５０が配されている。接合膜５０９において、スペーサ基板３５０との接合面の反対面には、接合膜を介してシリコン基板５００が接合されている。
【００３２】
上記構成において、第１のレーザ素子１０１から出射されるレーザ光を垂直上方向へ反射させる場合には、まず、図３（ｂ）に示すコイル５０２、５０１の順に電流を印加させることで、磁性体１０８に対して吸引力を作用させる。吸引力が作用すると、可動ステージ１０５が、図２（ａ）に示すように第１のミラー１０３の反射面１１３が第１のレーザ素子１０１からの出射光を反射可能な位置（第１の位置）に移動され、第１のレーザ素子１０１からの出射光を垂直上方向（図２における紙面手前方向）に反射させることができる。第１のレーザ素子１０１を連続的に使用する時は、コイル５０１に継続して電流を印加することにより、コイル５０１と磁性体１０８との間で吸引力を生じさせ、可動ステージ１０５を第１の位置で位置決めさせる。
【００３３】
また、第２のレーザ素子１０２から出射されるレーザ光を垂直上方向へ反射させる場合には、図３（ｂ）に示すコイル５０２、５０３，５０４に順番に電流を印加させることにより、磁性体１０８に吸引力を作用させる。吸引力が作用すると、可動ステージ１０５が、図２（ｂ）に示すように第２のミラー１０４の反射面１１４が第２のレーザ素子１０２からの出射光を反射する位置（第２の位置）に移動され、第２のレーザ素子１０２からの出射光を垂直上方に反射させることができる。第２のレーザ素子１０２を連続的に使用する時は、コイル５０４に継続して電流を印加することにより、コイル５０４と磁性体１０８との間で吸引力を生じさせ、可動ステージ１０５を第２の位置で位置決めさせる。
【００３４】
なお、コイル部１０９の配置はこの例に限らず、同一の作用を実現可能であれば、いかなる配置でも問題ない。
【００３５】
なお、可動ステージ１０５に形成された第１のミラー１０３と第２のミラー１０４は、図１に示すように反射面が互いに略直交するように配されるとともに、第１及び第２のレーザ素子１０１及び１０２から出射されるレーザ光の光軸に対して約４５度傾斜して配されているため、各レーザ素子１０１及び１０２から出射され各ミラー１０３及び１０４で反射されたレーザ光の、垂直方向の光軸位置を一致させることができる。
【００３６】
ここで、図１に示すように、可動ステージ１０５を構成する基板２００は、高精度な動作を実現するために、基板２００の主面から逆テーパ状の斜面２０６およびテーパ状の斜面２０７を有する。また、固定部１０７を構成する基板３００に形成される斜面３０４は、基板２００に形成された逆テーパ状の斜面２０６に対して平行に形成されている。これにより、可動ステージ１０５は、互いに平行な斜面２０６と斜面３０４とを接触させて、固定部１０７に保持されているため、可動ステージ１０５を正確に移動および位置決めさせることができる。
【００３７】
次に、可動ステージ１０５と固定部１０７とから構成されている多波長レーザモジュールの製造方法を説明する。
【００３８】
図４〜図１７は多波長レーザモジュールの製造工程を説明するための断面図および平面図であり、各図（ａ）は各図（ｂ）におけるＩ−Ｉ’部分の断面である。なお、図１０〜図１４の各図面において、便宜上、（ａ）と（ｂ）の寸法比を異ならせて記載している。
【００３９】
（可動ステージ１０５の製造方法）
まず、図４に示す工程で、基板２００上にレジスト膜２０４を形成する。即ち、例えばφ４インチで厚み５００μｍのシリコン（１００）基板２００を準備し、酸化炉で１７００℃に加熱することにより両面に厚み０．５μｍの熱酸化膜２０１、２０２を形成する。次に、基板２００の主面２０９と対向する裏面側に、例えば電子ビーム蒸着法により、Ｔｉ（５０ｎｍ）、Ａｕ（２００ｎｍ）を順に積層した薄膜（図示しない）を成膜し、フォトリソ工程により磁性体１０８（図５参照）を形成する部分以外の領域にレジスト膜２０４を形成する。
【００４０】
次に、図５に示す工程で、磁性体１０８を形成する。即ち、例えば電解メッキにより、Ｎｉ系の磁性体膜で構成される磁性体１０８を５０μｍの厚みで形成した後、不要となったレジスト膜２０４を除去する。
【００４１】
次に、図６に示す工程で、溝２０５を形成する。即ち、シリコンから構成される基板２００表面の［０１１］方向に平行に、例えばダイシングソーを用いて、深さ４００μｍで幅３０μｍの溝２０５を複数形成する。
【００４２】
次に、図７に示す工程で、溝２０５を略菱形になるようエッチングする。即ち、例えば２０ｗｔ％、７０℃のＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液により、シリコンから構成される基板２００を異方性エッチングする。これにより、＜１１１＞面から構成される主面２０９に対して逆テーパ状の斜面２０６とテーパ状の斜面２０７とを有する、断面形状が略菱形の溝２０５が形成される。
【００４３】
次に、図８に示す工程で、例えばダイシングソーで基板２００を、溝２０５の長手方向及び溝２０５に垂直な方向に、格子状にフルカットすることにより、基板２００を個別に分離する。
【００４４】
次に、図９に示す工程で、基板２００の上面に、例えば１つの鋭角が概ね４５°で底辺の長さが５００μｍである直角三角プリズムから構成される第１のミラー１０３と第２のミラー１０４とを実装する。この時、第１のミラー１０３と第２のミラー１０４は、図９（ｂ）に示すように可動ステージ１０５（図２参照）の移動方向に沿って並べて実装される。また、反射面１１３、１１４は、図９（ａ）に示すように、側面から見た時に互いに直交するように実装される。なお、第１のミラー１０３及び第２のミラー１０４は、例えばＵＶ硬化接着剤で、基板２００に固定する。この時、第１のレーザ素子１０１及び第２のレーザ素子１０２からの出射光の光軸中心が反射面１１３、１１４に達する際の高さ（概ね２５０μｍ）で、反射面１１３、１１４を交差させる。
【００４５】
以上の製造方法により、各ミラー１０３及び１０４で反射されたレーザ光の光軸を一致させることが可能な可動ステージ１０５が作製される。
【００４６】
（固定部１０７の製造方法）
実施の形態１における固定部１０７の作製では、第１のレーザ素子１０１及び第２のレーザ素子１０２を各々１個づつ搭載可能な固定部１０７を１セットとした時、複数セット（本実施の形態では２セット）の固定部１０７を一度に形成することができる。
【００４７】
まず、図１０に示す工程で、例えばφ４インチで厚みが５００μｍのシリコン（１００）基板から構成される基板３００を準備し、両面に熱酸化膜３０１、３０２を形成する。その後、図１０（ｂ）に示すように、主面３０９上の酸化膜３０１の一部を、長方形形状にパターニング除去する。除去作業は、［００１］方向に平行な方向に２つの辺をもち、その辺に直交する２つの辺とから構成される長方形の形状を、例えばフォトリソ工程とドライエッチ工程により行われる。
【００４８】
次に、図１１に示す工程で、例えばフォトリソ工程により酸化膜３０１の開口部３０１ａをレジスト膜で保護した後、電子ビーム蒸着法によりＴｉ（５０ｎｍ）、Ａｕ（２００ｎｍ）を順に積層し、薄膜３０３を形成し、レジスト膜を除去する。
【００４９】
次に、図１２に示す工程で、台座１１１及び１１２を形成する。即ち、例えばフォトリソ工程によりレジスト膜を形成した後、電解メッキ工程により厚み５０μｍのＡｕメッキバンプから構成される台座１１１、１１２を形成する。次に、王水により、薄膜３０３のＡｕ膜をエッチング除去し、ＨＦ（フッ化水素酸）系の溶液によりＴｉ膜をエッチング除去する。
【００５０】
次に、図１３に示す工程で、開口部３０５を形成する。即ち、例えば２０ｗｔ％、７０℃のＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液により、酸化膜３０１をエッチングマスクとして、シリコンから構成される基板３００を、酸化膜３０２が形成された基板底面まで異方性エッチングする。これにより、基板３００に、＜１１１＞面から構成されるテーパ状の斜面３０４と、開口部３０５とが形成される。
【００５１】
次に、図１４に示す工程で、基板３００の裏面の酸化膜３０２をＨＦ系の溶液によりエッチング除去する。さらに、ダイシングソー（図示しない）により、図１４（ｂ）に示すように基板３００を個別素子に分割する。すなわち、一対のレーザ素子１０１及び１０２と、そのレーザ素子１０１及び１０２の間に形成されている開口部３０５とで１セットとした時、隣接したセットとの間において台座１１１、１１２の中央部で対称に分割することにより、各素子を作製する。
【００５２】
次に、図１５に示す工程で、第１のレーザ素子１０１及び第２のレーザ素子１０２を実装する。即ち、例えば青色（４００ｎｍ帯）で発光するレーザ素子から構成される第１のレーザ素子１０１を、台座１１１上にレーザ出射点側を接合面にして搭載する。また、例えば赤色（６６０ｎｍ帯）で発光するレーザ素子から構成される第２のレーザ素子１０２を、台座１１２上に搭載する。この時、互いのレーザ素子の出射端面を対向させて搭載する。
【００５３】
以上の製造方法によって、固定部１０７が作製される。
【００５４】
（多波長レーザモジュールの作製）
次に、前述の製造方法によって作製された可動ステージ１０５および固定部１０７によって、多波長レーザモジュールの製造方法について説明する。
【００５５】
まず、図１６に示す工程で、可動ステージ１０５を、基板３００の開口部３０５に、側面から矢印Ｃに示す方向に沿って導入する。この時、可動ステージ１０５の基板２００に形成された斜面２０６と、固定部１０７の基板３００に形成されたテーパ状の斜面３０４とが互いに平行になるように導入し、可動ステージ１０５の逆テーパ状の斜面２０７とテーパ状の斜面２０６とにより、可動ステージ１０５が基板３００に対して垂直方向に脱離しないよう構成される。
【００５６】
次に、図１７に示す工程で、基板３００の主面３０９と対向する面に、例えば予め開口部３５１が形成されているスペーサ基板３５０を、ＵＶ硬化型接着剤を介して接合する。これにより、可動ステージ１０５は、固定部１０７の基板３００の主面３０９に対して水平な方向にも脱離ができなくなる。なお、スペーサ基板３５０は、厚み３００μｍの透明なガラス基板から構成される。
【００５７】
次に、図３に示すシリコン基板５００の、複数のコイル１０９と回路とが形成された面に、例えばＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂から構成される絶縁性の接合膜５０９を形成し、接合膜５０９を挟んでシリコン基板５００とスペーサ基板３５０とをアライメントして重ね合わせた後、例えば凡そ２００℃で加熱加圧処理を行ってシリコン基板５００とスペーサ基板３５０とを接合させる。これにより、図１に示す多波長レーザモジュールが完成する。
【００５８】
ここで、図６に示す工程において、溝２０５を形成する方法として、エッチングマスクを形成した後、ドライエッチングにより溝２０５を形成しても、同様の形状を作製することができる。
【００５９】
ここで、第１のレーザ素子１０１として、赤色レーザ素子の代わりに、赤外レーザ素子で構成しても、同様に光軸を一致させた多波長レーザモジュールが実現できる。また、赤色レーザ素子と赤外レーザ素子を１つに集積した２波長レーザ素子を用いた場合には、赤色レーザ素子と青色レーザ素子の光軸を一致させた多波長レーザモジュール、或いは、赤外レーザ素子と青色レーザ素子の光軸を一致させた多波長レーザモジュールを実現することができる。
【００６０】
また、可動ステージ１０５に形成する磁性体１０８は、例えばＣｏ（コバルト）系材料を含有する着磁された磁性体を利用して、複数のコイル部１０９により斥力、引力を可動ステージ１０５に与えることにより、可動ステージ１０５を移動させた場合にも同様の効果を得ることができる。
【００６１】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２は、実施の形態１の変形例であるため、構成と作用の異なる部分を中心に説明する。図１８は実施の形態２における多波長レーザモジュールの構成を説明する断面図である。図１９は多波長レーザモジュールの固定部における基板部分の平面図である。
【００６２】
図１８に示すように、例えば赤色レーザ素子である第１のレーザ素子１０１と、青色レーザ素子である第２のレーザ素子１０２とが、Ａｕで構成された台座１１１及び１１２上に、各レーザ素子の出射端面を対向させて搭載されている。台座１１１及び１１２は、シリコンから構成される基板３００上に薄膜等を介して形成されている。固定部１０７における第１のレーザ素子１０１と第２のレーザ素子１０２との間には、開口部３０５が形成されている。開口部３０５には、例えば三角プリズムから構成される第１のミラー１０３および第２のミラー１０４を備えた可動ステージ１０５が、基板３００に形成されたテーパ状の斜面３０４に保持された状態で、可動自在に配置されている。
【００６３】
可動ステージ１０５は、例えばＣｏ系磁性材料の電解めっきにより形成された磁性体１０８を備えている。可動ステージ１０５は、磁性体１０８とコイル部１０９（図１９参照）との間で、吸引力を発生させることにより、移動させることができる。なお、図１９に示すように、コイル部は、例えばシリコンで構成される基板６００に、複数個形成されている。
【００６４】
また、図１８に示すように、可動ステージ１０５と基板６００との間には、例えばエチルビニルアセテートのコポリマーから構成される樹脂材料１８１が充填されている。また、基板６００には、図１９に示すように、例えば複数の抵抗性を有する発熱素子１８２が形成されている。
【００６５】
上記構成において、第１のレーザ素子１０１を動作させる場合には、発熱素子１８２に電流を印加することにより熱を発生させることで、固化していた樹脂材料１８１を液状化させ、可動ステージ１０５を移動可能な状態にする。次に、コイル６０２、６０１に、順に電流を印加することにより、磁性体１０８との間で吸引力を発生させ、第１のミラー１０３の反射面１１３が第１のレーザ素子１０１からの出射光を反射可能な第１の位置（図２（ａ）参照）に、可動ステージ１０５を移動させる。その後、発熱素子１８２への電流印加を停止させると、樹脂材料１８１が冷めて固化され、可動ステージ１０５を第１の位置で位置決め固定させることができる。
【００６６】
また、第２のレーザ素子１０２を動作させる場合には、同様に発熱素子１８２に電流を印加して熱を発生させることにより、固化していた樹脂材料１８１を液状化させる。次に、コイル６０２、６０３，６０４に順番に電流を印加して、磁性体１０８との間で吸引力を発生させ、第２のミラー１０４の反射面１１４が第２のレーザ素子１０２からの出射光を反射可能な第２の位置（図２（ｂ）参照）に、可動ステージ１０５を移動させる。その後、発熱素子１８１への電流印加を停止させると、樹脂材料１８１が冷めて固化され、可動ステージ１０５を第２の位置で位置決め固定させることができる。
【００６７】
なお、実施の形態２に係る多波長レーザモジュールの製造方法は、前述の実施の形態１に係る多波長レーザモジュールの製造方法とほぼ同一である。異なる点は、まず第一に、磁性体１０８の形成工程（実施の形態１では図５に示す工程）である。即ち、実施の形態１ではＮｉ系磁性体材料によって磁性体１０８を形成しているのに対し、実施の形態２では、磁性体１０８は発熱素子１８２の近傍に配置させているため、Ｎｉ系磁性体材料よりも耐熱性が高い材料（例えばＣｏ系磁性体）を電解メッキにより形成した後、形成された材料を外部磁場によって着磁させる工程が必要である。
【００６８】
第二に、実施の形態１は主面上にコイル部１０９のみが形成された基板５００を使用しているのに対し、実施の形態２は主面上にコイル部１０９とともに抵抗性の発熱素子１８２が形成された基板６００を使用している点である。実施の形態２では、例えば、図１９に示すように、基板６００における、可動ステージ１０５に対向した領域に、コイル部１０９と発熱素子１８２とを交互に形成する必要がある。
【００６９】
第三に、実施の形態２は、実施の形態１における製造方法と同様な方法で多波長レーザモジュールを作製した後、可動ステージ１０５と基板６００との間に、液状化した樹脂材料１８１をディスペンサ等で充填する工程が必要である。
【００７０】
以上のように本実施の形態によれば、第１のレーザ素子１０１及び第２のレーザ素子１０２から出射される光を、互いに光軸を一致させて垂直方向へ反射させることができる。また、可動ステージ１０５を、樹脂材料１８１の固化作用により位置決め固定させているため、位置決め時にコイル１０９へ印加させる電流が不要となるため、消費電力を低減させることができる。
【００７１】
なお、実施の形態２では、多波長レーザモジュールを作製した後に、樹脂材料１８１を可動ステージ１０５と基板６００との間にディスペンサ等で充填する方法に限らず、予め基板６００上に樹脂材料１８１を形成した後、スペーサ基板３５０と基板６００とを接合膜５０９を介して接合させて、多波長レーザモジュールを作製してもよい。
【００７２】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３は、前述の実施の形態１の変形例であるため、構成および作用の異なる部分を中心に説明する。
【００７３】
図２０は実施の形態３における多波長レーザモジュールの構成を示す断面図である。図２１〜図３２は実施の形態３における多波長レーザモジュールの製造工程を示す断面図及び平面図である。なお、図２１〜図３２において、各図（ａ）は各図（ｂ）におけるＩ−Ｉ’部の断面を示す。
【００７４】
図２０において、例えば赤色レーザである第１のレーザ素子１０１と、青色レーザである第２のレーザ素子１０２とが、サブマウント１９１及び１９２上に形成された台座１１１及び１１２上に、各レーザ素子の出射端面を対向させて実装されている。台座１１１及び１１２は、Ａｕメッキで構成され、例えばシリコン基板から構成される基板９００上に形成されている。
【００７５】
基板９００における、第１のレーザ素子１０１と第２のレーザ素子１０２との間には、開口部９０５が形成されている。開口部９０５内には、可動ステージ１０５が移動自在に配されている。可動ステージ１０５は、例えば鋭角の１つが略４５°である三角プリズムから構成される第１のミラー１０３および第２のミラー１０４を備えた基板７００と、例えばＣｏ系磁性材料のめっきにより形成され外部磁場により着磁された磁性体１０８を備えた基板８００とが接合されて構成されている。また、可動ステージ１０５は、基板９００に設けられたテーパ状の斜面９０３に保持された状態で、可動自在に配置されている。
【００７６】
また、図２１に示すように、例えばシリコン基板から構成される基板９５０の上面には、複数のコイル部１０９と第１の磁性体１９５と第２の磁性体１９６とが形成されている。第１の磁性体１９５は、可動ステージ１０５が第１の位置にある時に、磁性体１０８との間で吸引作用が生じる位置に配されている。また、第２の磁性体１９６は、可動ステージ１０５が第２の位置にある時に、磁性体１０８との間で吸引作用が生じる位置に配されている。
【００７７】
上記構成において、図２０に示すように、可動ステージ１０５は、コイル部１０９に電流を印加することにより生じた電磁力を、着磁された磁性体１０８が受けることにより、図２０における紙面方向へ移動される。さらに、基板９５０に設けられた第１の磁性体１９５または第２の磁性体１９６と磁性体１０８との間で吸引力が生じることで、可動ステージ１０５を第１の位置または第２の位置で位置決め固定される。
【００７８】
即ち、第１のレーザ素子１０１を動作させる場合には、図２１（ｂ）におけるコイル９５２、９５１の順に電流を印加することにより、コイル９５２、９５１と着磁された磁性体１０８との間で吸引が発生し、第１のミラー１０３の反射面１１３が第１のレーザ素子１０１からの出射光を反射可能な第１の位置に、可動ステージ１０５が移動される。その後、コイル５０１への電流印加を停止させると、着磁された磁性体１０８と基板９５０上の第１の磁性体１９５との間で吸引力が生じ、可動ステージ１０５が第１の位置で位置決め固定される。
【００７９】
また、第２のレーザ素子１０２を動作させる場合には、コイル９５１に磁性体１０８を排斥する力を与え、可動ステージ１０５を可動状態にする。次に、コイル９５２、９５３，９５４の順番に磁性体１０８を吸引可能な電流を印加することにより、可動ステージ１０５が第２の位置へ移動される。その後、コイル９５４への電流印加を停止させると、着磁された磁性体１０８は基板９５０上の第２の磁性体１９６との間で吸引力が生じ、可動ステージ１０５を第２の位置で位置決め固定させることができる。
【００８０】
以上のように本実施の形態によれば、第１のレーザ素子１０１及び第２のレーザ素子１０２から出射される光を、互いに光軸を一致させて垂直方向へ反射させることができる。また、コイル１０９への電流印加により磁性体１０８を着磁させるとともに、第１及び第２の磁性体１９５及び１９６を設けて、可動ステージ１０５が第１または第２の位置にある時に磁性体１０８と第１及び第２の磁性体１９５及び１９６との間で吸引力を作用させる構成としたので、可動ステージ１０５の位置決め時にコイル１０９に印加する電流が不要となるため、消費電力を低減させることができる。
【００８１】
以下、図２２〜図３３を参照して、実施の形態３における多波長レーザモジュールの製造方法を説明する。
【００８２】
なお、本実施の形態の製造方法は、基板単位で複数の可動ステージ１０５と固定部１０７を一括に作製することが可能な方法である。また、以下の説明において、１つの可動ステージ１０５と１つの固定部１０７とで「１つのモジュール」と定義する。図２２〜図３３では、基板における１つのモジュール部分をメインに記載しているが、実際には、基板上に複数のモジュールが配置されている。
【００８３】
まず、図２２に示す工程では、例えば両面に厚み０．５μｍの酸化膜７０１、７０２が形成されたφ４インチで厚み５００μｍのシリコン（１００）基板７００を準備し、例えばφ４インチで厚み３００μｍのガラス基板から構成されるダミー基板７５０と基板７００とを、樹脂膜（図示しない）を介して接合する。
【００８４】
次に、図２３に示す工程では、基板７００においてダミー基板７５０が接合されていない側に形成された酸化膜７０２を、フォトリソ工程とエッチング工程を利用することにより、［０１１］方向に平行な２つの辺と、この辺に直交する２つの辺とを有するエッチングマスクを形成する。次に、例えばＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液により、基板７００に対して底面まで異方性エッチングを行うことで、主面７０９に対して逆テーパ状の斜面７０３が形成される。
【００８５】
次に、図２４に示す工程では、例えばＨＦ（フッ化水素酸）系のエッチング溶液により、酸化膜７０２および、露出した酸化膜７０１を除去する。その後、例えばダイシングソーを用いて斜面７０３の一部を除去する。これにより、基板７００には、それぞれダミー基板７５０への接合面である主面７０９から略垂直な面７０４と、逆テーパ状の斜面７０３とを有する４つの側面が形成される。
【００８６】
これにより、基板７００の加工が完了する。
【００８７】
次に、図２５に示す工程では、例えば両面に厚み０．５μｍの酸化膜８０１、８０２が形成された、φ４インチで厚み３００μｍのシリコン（１００）基板から構成される基板８００を準備する。次に、酸化膜８０１上に電子ビーム蒸着法により、Ｔｉ（５０ｎｍ）、Ａｕ（２００ｎｍ）の積層膜（図示しない）を形成した後、レジストを用いたフォトリソ工程と電解めっき工程により、例えばＣｏ系磁性材料から構成される磁性体１０８を５０μｍの厚みで形成し、外部磁場により着磁を行う。その後、不要となるＡｕ、Ｔｉ積層膜は、それぞれ王水およびＨＦ（フッ化水素酸）系のエッチング溶液により除去する。
【００８８】
次に、図２６に示す工程では、あらかじめ磁性体１０８よりも僅かに大きな形状に凹部８５１を形成しておいた、例えばφ４インチで厚み５００μｍのガラス基板から構成されるダミー基板８５０を用意する。次に、ダミー基板８５０を、磁性体１０８が凹部８５１に嵌合する状態で、樹脂材料（図示しない）を介して基板８００に接合する。
【００８９】
次に、図２７に示す工程では、基板８００において、ダミー基板８５０と接合していない側に形成されている酸化膜８０２を、フォトリソ工程とエッチング工程を利用することにより、［０１１］方向に平行な２つの辺とこれに直交する２つの辺とを有するエッチングマスクを形成する。次に、例えばＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液により、基板８００の底面まで異方性エッチングを行うことで、斜面８０３が形成される。
【００９０】
これにより、基板８００の加工が完了する。
【００９１】
次に、図２８に示す工程では、前述の実施の形態１の製造方法と同様の方法で、例えばφ４インチのシリコンから構成される基板９００の、主面９０９上でパターニングされた酸化膜９０１上に、例えばＴｉ（５０ｎｍ）、Ａｕ（２００ｎｍ）を積層した薄膜９０８を形成する。次に、薄膜９０８上に、例えば厚み５０μｍのＡｕめっきから構成される第１の台座１１１、第２の台座１１２を形成する。その後、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液により、基板９００を底面までエッチングして、テーパ状の斜面９０３を形成する。なお、実施の形態１では、エッチングによって形成される開口部は、２つのモジュールに対して１つの開口部を形成したが、実施の形態３では１つのモジュールに対して１つの開口部９０５を形成する。
【００９２】
次に、図２９に示す工程では、基板７００の主面７０９に対向する面と、基板８００のダミー基板８５０と接していない対向面とを、接着性の樹脂材料９１９を介してアライメントして重ね合わせた後、加熱、加圧処理することにより接合させる。この時、基板９００の開口部９０５に基板７００を挿入し、基板７００の斜面７０３の一部と基板９００の斜面９０３の一部とが面接触するように配置させる。
【００９３】
次に、図３０に示す工程では、ダミー基板７５０と基板７００、およびダミー基板８５０と基板８００をそれぞれ接合していた樹脂膜をエッチング除去することにより、各ダミー基板７５０、８５０を除去する。
【００９４】
次に、図３１に示す工程では、予め基板９００に形成された開口部９０５（図２８参照）と相似形でかつ一回り大きな開口部９２３を形成した、例えばφ４インチで厚み４００μｍのガラスから構成されるスペーサ基板９２０を準備する。
【００９５】
次に、図３２に示す工程では、基板９００の下面とスペーサ基板９２０とを、例えばＵＶ硬化接着剤（図示しない）を介してアライメントし重ね合わせた後、ＵＶ光を照射させて接合する。
【００９６】
その後、基板単位で複数作製されたモジュールを、例えばダイシングソー等で個別に分離させる。
【００９７】
次に、図２０に示すように、第１のレーザ素子１０１および第２のレーザ素子１０２を、それぞれ厚み２００μｍのサブマウント１９１、１９２を介して互いの出射端面が対向するように実装する。さらに、第１のミラー１０３と第２のミラー１０４を、ＵＶ接着剤を介して基板７００の主面７０９に、並べて搭載する。
【００９８】
次に、図２１に示すように、例えばシリコンから構成される基材９５５を準備する。図２１（ｂ）に示すように基材９５５には、複数のコイル部１０９と、Ｎｉ系磁性材料の電解めっきにより形成された第１の磁性体１９５および第２の磁性体１９６と、電気回路（図示せず）とが形成されている。次に、図２１（ａ）に示すように、基材９５５の上面に、例えばＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂から構成される絶縁性の接合膜９０９を形成する。これにより、基板９５０が完成する。なお、便宜上、図２１における（ａ）と（ｂ）の寸法比を異ならせて記載している。
【００９９】
次に、図２１に示す基板９５０と、図３２に示す基板９００とスペーサ基板９２０から構成される複合基板とを、アライメントして重ね合わせた後、例えば凡そ２０℃で加熱加圧処理を行い接合させることで、図２０に示す多波長レーザモジュールが完成する。
【０１００】
なお、ダイシングソーの代わりに、マスクを形成した後、ドライエッチングにより同様の形状を形成することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明に係る多波長レーザモジュール及びその製造方法は、波長が異なる複数のレーザ素子から出射されるレーザ光の光軸を一致させることができ、異種の光ディスク、例えばＣＤ、ＤＶＤ及びＨＤ−ＤＶＤに対応可能な超小型レーザモジュール又は超小型光ピックアップ装置等として有用である。多波長レーザモジュールに用いられる可動ステージの構造及びその製造方法は、高精度なアクチュエータ機構として利用可能である。 
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施の形態１における多波長レーザモジュールの構造を示す断面図
【図２】実施の形態１における多波長レーザモジュールの動作を説明する平面図
【図３】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図４】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図５】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図６】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図７】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図８】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図９】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１０】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１１】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１２】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１３】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１４】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１５】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１６】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１７】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図１８】本発明の実施の形態２における多波長レーザモジュールの構造を示す断面図
【図１９】実施の形態２における多波長レーザモジュールにおける固定部の第１の基板の構造を示す平面図
【図２０】本発明の実施の形態３における多波長レーザモジュールの構造を示す断面図
【図２１】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２２】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２３】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２４】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２５】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２６】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２７】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２８】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図２９】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図３０】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図３１】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図３２】（ａ）実施の形態１における多波長レーザモジュールの製造工程の一部を示す断面図  （ｂ）同平面図
【図３３】従来の多波長レーザモジュールの構造を示す側面図
【符号の説明】
【０１０３】
１０１  第１のレーザ素子
１０２  第２のレーザ素子
１０３  第１のミラー
１０４  第２のミラー
１０５  可動ステージ
１０７  固定部
１０８  磁性体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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