(57)【要約】【課題】  ガラス基板等の基板を熱処理する際におけるスペース面での問題を有効に回避した上で、基板の温度ムラを可及的に低減させて、製品の均質化や品質の向上を図る。【解決手段】  基板Ｇを熱処理エリア２Ａに搬入した後、熱処理エリア２Ａにて基板Ｇに熱処理を施し、然る後、基板Ｇを熱処理エリア２Ａから搬出する基板熱処理方法において、熱処理エリア２Ａに熱処理用のプレート３を配設すると共に、プレート３の表面を上部よりも下部が前方に位置するように傾斜させ、且つ、プレート３の表面に基板Ｇを実質的に密接させた状態で熱処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理エリアに搬入した後、該熱処理エリアにて前記基板に熱処理を施し、然る後、該基板を前記熱処理エリアから搬出する基板熱処理方法において、
前記熱処理エリアに熱処理用のプレートを配設すると共に、該プレートの表面を上部よりも下部が前方に位置するように傾斜させ、且つ、該プレートの表面に前記基板を実質的に密接させた状態で熱処理することを特徴とする基板熱処理方法。
【請求項２】
前記基板をプレートに密接させるべく搬入する工程と、前記基板をプレートから離反させるべく搬出する工程とを、前記基板をプレートの表面と同方向に傾斜させた状態で行うことを特徴とする請求項１に記載の基板熱処理方法。
【請求項３】
前記プレートが、基板を加熱するホットプレートであることを特徴とする請求項１または２に記載の基板熱処理方法。
【請求項４】
前記熱処理エリア内において前記プレートに密接した基板の表面側に、上方から下方に流下して前記熱処理エリア外に排出される気流を生じさせることを特徴とする請求項３に記載の基板熱処理方法。
【請求項５】
前記プレートが、加熱された基板を冷却するコールドプレートであることを特徴とする請求項１または２に記載の基板熱処理方法。
【請求項６】
前記プレートの表面の傾斜角度、並びに前記基板の搬入時及び搬出時の傾斜角度が、水平面から７０〜８５°であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の基板熱処理方法。
【請求項７】
前記基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の基板熱処理方法。
【請求項８】
基板を熱処理エリアに搬入し且つ該基板に対して熱処理を施すと共に、熱処理が施された基板を前記熱処理エリアから搬出するように構成された基板熱処理装置において、
前記熱処理エリアに熱処理用のプレートを配設すると共に、該プレートの表面を上部よりも下部が前方に位置するように傾斜させ、且つ、該プレートの表面に前記基板を実質的に密接させた状態で熱処理するように構成したことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項９】
前記基板をプレートに密接させるべく搬入する搬入時、及び前記基板をプレートから離反させるべく搬出する搬出時に、前記基板をプレートの表面と同方向に傾斜させたことを特徴とする請求項８に記載の基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板熱処理方法及び基板熱処理装置に係り、詳しくは、熱処理エリアで基板を加熱処理または冷却処理するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用、或いは半導体ウエハ等の平板状の基板は、基板製造ラインに沿って搬送されつつ、熱処理等の各種処理を受ける。その一例として、ＰＤＰ用やＬＣＤ用等のガラス基板にパターニングを施す際には、その初期段階において、ガラス基板にレジスト液を塗布する塗布工程や、その塗布されたレジスト液を乾燥させる乾燥工程を経るのが通例である。
【０００３】
この場合、上記の乾燥工程においては、熱処理エリアにガラス基板を搬入して該ガラスに熱処理を施した後、そのガラス基板を熱処理エリアから搬出することが行われる。この際に行われる熱処理としては、レジスト液が塗布されたガラス基板を加熱する処理と、その加熱されたガラス基板を室温程度まで冷却する処理とに大別される。
【０００４】
この種の熱処理を行う装置として、例えば下記の特許文献１によれば、表面が水平面とされたホットプレートとコールドプレートとを隣接させて配置し、これらのプレートの表面にガラス基板を水平姿勢で載せた状態で、ガラス基板に対して加熱処理または冷却処理を施すようにした装置が開示されている。尚、この装置は、ガラス基板を搬送する搬送爪が、プレートの表面に対してガラス基板を斜めに持ち上げると共に、斜めに下ろす動作を行うようになっている。
【０００５】
また、他の例として、下記の特許文献２によれば、上下方向に分離構成された複数の多段式の処理室を有し、これらの処理室にガラス基板を収容して各処理室毎に各ガラス基板に対して熱処理をそれぞれ施すことが開示されている。この場合、各ガラス基板は、各処理室毎に出し入れされるようになっている。
【０００６】
更に、他の例として、下記の特許文献３によれば、傾斜姿勢のガラス基板を浮上ユニットによりその表裏面に対して非接触で搬送し、ガラス基板の表面および裏面に近接する位置に遠赤外線ヒータ（ホットプレート）を装備して乾燥させることが開示されている。この場合、上記の浮上ユニットは、その表面に高温空気の噴射による高温気体膜を発生させるものであって、ガラス基板に生じる撓みが高温気体膜で支持されるようになっている。
【０００７】
【特許文献１】特開平７‐３３０１４９号公報
【特許文献２】特開平１１‐２３８４５６号公報
【特許文献３】特開２００３‐２６７５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記の特許文献１に開示の装置は、プレートの水平面をなす表面に、ガラス基板が水平姿勢で載せられた状態で熱処理が施されるものであるため、床面スペースひいては製造工場等のフロア面積が不当に広くなるという問題が生じる。加えて、ガラス基板を水平姿勢もしくはそれに近い姿勢で搬送する必要があるため、そのガラス基板の搬送に要する搬送用スペースも広大になるという問題が生じる。特に、近年においては、ＰＤＰ用やＬＣＤ用のガラス基板が大型化されていることから、上記スペース上の問題はより一層深刻なものとなる。
【０００９】
しかも、この装置は、プレートの表面に単に自重によりガラス基板を載せるだけのものであるため、プレートの表面の平面度或いはガラス基板の平面度が適正でなければ、プレートの表面とガラス基板との間に部分的に隙間が生じる。特に、ＬＣＤ用等のように、薄肉大型であって撓みが生じ易いガラス基板においては、自重による載置のみに委ねていたのでは、プレートの表面とガラス基板との間に生じる部分的な隙間をなくすことは極めて困難である。
【００１０】
そのため、ガラス基板がプレートによって均一な熱処理を受けることができず、例えば上記のガラス基板上に塗布されたレジスト液を均一に乾燥させることが困難となって、乾きムラが生じるなどの不具合を招く。そして、このような不具合は、最終的には、ディスプレイの画像の品位低下につながり、致命的な問題を惹き起こすおそれがある。
【００１１】
以上の観点から、この特許文献１に開示の装置によれば、プレートの水平面をなす表面上に水平姿勢でガラス基板を載せることから、スペース面での問題が生じることに加えて、プレート上にガラス基板を単に載せるのみであることから、プレートの表面とガラス基板との間に部分的な隙間が生じること及びこれに起因して熱処理上の問題が生じることに確実に対処できないことになる。
【００１２】
また、上記の特許文献２に開示された装置は、上下方向に分離構成された複数の多段式の各処理室で、各ガラス基板に対して熱処理がそれぞれ施されることから、各ガラス基板は処理室の相違に起因して同一の条件で熱処理を受けることができなくなる。そのため、熱処理後の製品としてのガラス基板に品質面等でのムラが生じ、製品の均質化を図る上で支障が生じる。尚、この装置においては、熱処理等の所定の処理を行う際に、ガラス基板に密着増強剤が塗布されることから、ガラス基板を載置面或いは処理面等に実質的に密接させるための措置が講じられていることになるが、上述のように、製品ムラが生じるという致命的な問題を招来する以上、この装置の採用は取り止めざるを得ない。
【００１３】
更に、上記の特許文献３に開示の装置は、傾斜姿勢のガラス基板を浮上ユニットにより非接触で搬送しつつ、その表裏面に近接配置されたホットプレートによりガラス基板を乾燥させるものであるが、この浮上ユニットは、高温気体膜によりガラス基板を部分的に非接触支持するものであるため、ガラス基板の全域を同一条件で乾燥させる上で大きな妨げとなる。すなわち、ガラス基板を非接触支持する高温気体膜は、ガラス基板の面に対する高温気体の吹き付けにより生成されるものであり、且つその高温気体の吹き付けは、ガラス基板の面に部分的に行われるものであるため、ガラス基板に温度ムラが生じて、その全域を同一条件で乾燥できなくなる。
【００１４】
本発明は、上記事情に鑑み、ガラス基板等の基板を熱処理する際におけるスペース面での問題を有効に回避した上で、基板の温度ムラを可及的に低減させて、製品の均質化や品質の向上を図ることを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記技術的課題を解決するためになされた本発明に係る方法は、基板を熱処理エリアに搬入した後、該熱処理エリアにて前記基板に熱処理を施し、然る後、該基板を前記熱処理エリアから搬出する基板熱処理方法において、前記熱処理エリアに熱処理用のプレートを配設すると共に、該プレートの表面を上部よりも下部が前方に位置するように傾斜させ、且つ、該プレートの表面に前記基板を実質的に密接させた状態で熱処理することに特徴づけられる。
【００１６】
ここで、上記の「熱処理エリア」とは、基板に対して熱処理を施すためのプレート周辺の空間であって、外気空間とは区別されるエリア（例えばケーシングにより覆われた空間の全領域または一部領域）である。また、上記の「プレートの表面に基板を実質的に密接させた状態」とは、プレートの表面と基板との間に、不当な熱分布の不均一の原因となるような部分的な隙間が生じない程度に、両者を密接させた状態を意味する。したがって、プレートの表面の平面度と基板の接触面の平面度とを積極的に高めるなどの工夫を講じたり、或いは、プレートの表面に基板を外力（例えば負圧）により密接させるなどの工夫を講じることが好ましい。
【００１７】
このような方法によれば、熱処理エリアに配設されているプレートの表面が傾斜しており、そのプレートの表面に基板が傾斜姿勢で密接して熱処理を受けることになるため、表面が水平面をなすプレート上に水平姿勢で基板を載せる場合と比較して、床面スペースひいては製造工場等のフロア面積を有効に狭くすることができる。加えて、基板の搬送も、水平姿勢もしくはそれに近い姿勢で行わなくてもよくなるため、その基板の搬送に要する搬送用スペースも狭小にできるという利点が得られる。特に、近年におけるＰＤＰ用やＬＣＤ用のガラス基板の大型化に対しては、上記のスペース面で極めて有利となる。しかも、プレートの傾斜した表面に、基板を傾斜姿勢で単に立て掛けたのみでは、プレートの表面と基板との間に部分的な隙間が生じやすくなるが、これに逆行して、プレートの表面に基板が実質的に密接した状態となるため、そのような部分的な隙間が不当に生じることはない。したがって、プレートの表面を傾斜させたにも拘わらず、基板がプレートにより熱処理を受ける場合には、その基板の熱分布が均一となるため、例えば既述のガラス基板上に塗布されたレジスト液を均一に乾燥させることが可能となり、乾きムラに起因する最終的なディスプレイの画像の品位低下を招くおそれが激減する。更に、プレートの表面は、上部よりも下部が前方に位置するように傾斜しているため、基板をプレートの表面に接近させて密接させるための搬入作業や、基板をプレートの表面から離反させるための搬出作業を容易に行うことが可能となる。
【００１８】
この場合、基板をプレートに密接させるべく搬入する工程と、基板をプレートから離反させるべく搬出する工程とを、該基板をプレートの表面と同方向に傾斜させた状態で行うことが好ましい。
【００１９】
このようにすれば、基板を搬入してプレートの表面に密接させる過程、及び基板をプレートの表面から離反させて搬出する過程において、基板の姿勢を大幅に変更する必要がなくなり、搬入作業及び搬出作業の迅速化並びに容易化が図られる。
【００２０】
以上の方法において、プレートは、基板を加熱するホットプレートであってもよく、また加熱された基板を冷却するコールドプレートであってもよい。
【００２１】
そして、プレートがホットプレートである場合には、熱処理エリア内において前記プレートに密接した基板の表面側に、上方から下方に流下して熱処理エリア外に排出される気流を生じさせることが好ましい。
【００２２】
このようにすれば、熱処理エリア内における基板の表面側で、該基板の上方に向って自然に上昇する高温の空気等からなる気体が、気流（例えば２０〜２５℃程度の外気の流れ）により下方に強制的に流下されて熱処理エリアの外方に排出されるため、相対的に低温になりがちの基板の下部が、この流下する気体によって基板の上部と同程度の温度となる。これにより、基板の全域に亘って温度分布が均一になり、基板に対して均質かつ良質の熱処理が施されると共に、例えば既述の基板に塗布されているレジスト液から揮発した溶剤が気流の流れによって熱処理エリアの外方に排出される。
【００２３】
また、以上の方法において、プレートの表面の傾斜角度、並びに基板の搬入時及び搬出時の傾斜角度が、水平面から７０〜８５°であることが好ましい。
【００２４】
このようにすれば、基板が垂直姿勢に不当に近くならず、且つ水平姿勢から充分な傾斜角度を有することになる。したがって、基板が垂直姿勢に不当に近い場合には、該基板を搬入してプレートの表面に密接させる過程や、該基板をプレートの表面から離反させて搬出する過程で、基板が傾斜方向と反対側に倒れるおそれがあるが、上記のように傾斜角度の上限値が８５°である場合には、このような不具合は生じ難い。また、基板が水平姿勢から充分な傾斜角度を有していない場合には、上記の搬入や搬出の過程で、基板が不当に撓む（特に薄肉で大型の基板の場合は顕著）という事態を招くおそれがあるが、上記のように傾斜角度の下限値が７０°である場合には、このような不具合も生じ難い。
【００２５】
更に、以上の方法において、基板は、ガラス基板であることが好ましいが、半導体ウエハ等からなる基板が排除されるわけではない。尚、ガラス基板の中でも、ＰＤＰ用、ＬＣＤ用、或いは有機ＥＬ用等のようにフラットパネルディスプレイ用のガラス基板であることがより好ましい。
【００２６】
このようにすれば、近年におけるガラス基板の大型化の推進が顕著化されても、既に述べた種々の利点を享受することが可能である。
【００２７】
一方、上記技術的課題を解決するためになされた本発明に係る装置は、基板を熱処理エリアに搬入し且つ該基板に対して熱処理を施すと共に、熱処理が施された基板を前記熱処理エリアから搬出するように構成された基板熱処理装置において、前記熱処理エリアに熱処理用のプレートを配設すると共に、該プレートの表面を上部よりも下部が前方に位置するように傾斜させ、且つ、該プレートの表面に前記基板を実質的に密接させた状態で熱処理するように構成したことに特徴づけられる。
【００２８】
この基板熱処理装置は、既に段落［００１５］で述べた基板熱処理方法と実質的に同一の構成要件を備えている。したがって、この装置による作用効果その他この装置に関する事項は、上記の段落［００１６］及び段落［００１７］で述べた事項と実質的に同一となるため、ここでは便宜上、その説明を省略する。
【００２９】
また、この場合、基板をプレートに密接させるべく搬入する搬入時、及び基板をプレートから離反させるべく搬出する搬出時に、該基板をプレートの表面と同方向に傾斜させることが好ましい。
【００３０】
このような構成を備えた装置も、既に段落［００１８］で述べた基板熱処理方法と実質的に同一と言える。したがって、この装置による作用効果その他この装置に関する事項は、上記の段落［００１９］で述べた事項と実質的に同一となるため、ここでは便宜上、その説明を省略する。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように本発明によれば、熱処理エリアに配設されているプレートの表面を傾斜させ、そのプレートの表面に基板を傾斜姿勢で密接させて熱処理を施すことになるため、床面スペースひいては製造工場等のフロア面積を有効に狭くすることができると共に、基板の搬送に要する搬送用スペースも狭小にできるという利点が得られ、特に近年におけるＰＤＰ用やＬＣＤ用のガラス基板の大型化に対して、スペース面で極めて有利となる。しかも、プレートの表面を傾斜させたにも拘わらず、基板がプレートの表面に密接することから、該基板がプレートにより熱処理を受ける場合には、その基板の熱分布が全域に亘って均一となるため、例えば既述のガラス基板上に塗布されたレジスト液を均一に乾燥させることが可能となり、乾きムラに起因する最終的なディスプレイの画像の品位低下を招くおそれが激減する。更に、プレートの表面は、上部よりも下部が前方に位置するように傾斜しているため、基板をプレートの表面に接近させて密接させるための搬入作業や、基板をプレートの表面から離反させるための搬出作業を容易に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板熱処理装置の縦断側面図、図２は、その装置の概略正面図、図３は、その装置の主要部の部品分解配列斜視図、図４及び図５は、その装置を使用して基板に熱処理を施す際の手順を示す概略側面図である。
【００３３】
図１及び図２に示すように、基板熱処理装置１は、ケーシング２の内部空間２Ａ（熱処理エリア）に収容された平板状のホットプレート３を有すると共に、このホットプレート３及びその表面３Ｓは、上部よりも下部が前方（図１の右方）に位置するように傾斜し、それらの水平面に対する傾斜角度αは、７０〜８５°とされている。そして、このホットプレート３の表面部分には、その背面側に設けられた負圧室４に通じる複数の貫通孔５が形成され、負圧発生手段６の動作によって複数の貫通孔５を通じてホットプレート３の表面３Ｓに負圧が発生するように構成されている。また、このホットプレート３は、その背面側に加熱手段７を有し、この加熱手段７によってホットプレート３の表面が例えば８０〜２００℃（本実施形態では１００〜１２０℃程度）に加熱されるように構成されている。尚、ホットプレート３の表面部分には、全域に亘って貫通孔５が形成されているが、図２には便宜上、ホットプレート３の表面部分の一部領域のみに貫通孔５を図示している。
【００３４】
詳述すると、図３（便宜上、各構成要素を水平姿勢で図示した斜視図）に示すように、ホットプレート３は、アルミニウムからなる平板の表面３Ｓをフッ素樹脂でコーティングしてなり且つ複数の貫通孔５が形成されたトッププレート３ｘと、このトッププレート３ｘの背面側に着接固定された中間プレート３ｙと、この中間プレート３ｙの背面側に固定され且つ表面にヒータＨ（例えばニクロム線）が配列されたボトムプレート３ｚとを備えてなる。そして、トッププレート３ｘと中間プレート３ｙとの間には、上述の負圧室４と貫通孔５とを繋ぐ流路（図示略）が形成されると共に、中間プレート３ｙとボトムプレート３ｚとの間にヒータＨが挟み込まれることにより上述の加熱手段７が構成される。この場合、ヒータＨは、複数（本実施形態では３行２列の計６個）に同一面上で分割され、これによりトッププレート３ｘの表面の温度分布を微調整可能としている。尚、このホットプレート３で熱処理を受けるガラス基板Ｇは、ＰＤＰ用のガラス基板であって、フォトレジスト工程においてレジスト膜が表面に形成されたガラス基板である。
【００３５】
一方、図１及び図２に示すように、このケーシング２の熱処理エリア２Ａにおけるホットプレート３の表面側には、ガラス基板Ｇをホットプレート３の表面と平行な傾斜姿勢で搬送する搬送手段８が配設されている。この搬送手段８は、ホットプレート３から表面側に離隔し且つホットプレート３の下方にその下辺に沿う方向に複数配列された受けローラ８Ｕを有し、これらの受けローラ８Ｕは、ホットプレート３の表面３Ｓと直交する軸廻りに回転するように構成されている。また、この搬送手段８は、ホットプレート３から表面側に離隔し且つホットプレート３の上下方方向中間部に複数配列されたガイドローラ８Ｇを有し、これらのガイドローラ８Ｇは、ホットプレート３の傾斜方向と平行な軸廻りに回転可能に保持され、且つ受けローラ８Ｕの配列方向と平行な方向に沿って配列されている。
【００３６】
そして、複数の受けローラ８Ｕの周溝上にガラス基板Ｇの下縁が載置されると共に、複数のガイドローラ８Ｇの外周端にガラス基板Ｇの裏面上部が接触し、受けローラ８Ｕが回転することにより、ガラス基板Ｇがガイドローラ８Ｇによって傾斜姿勢を維持されつつ工程流れ方向の下流側（図２の左側）に搬送されるようになっている。この場合、複数のガイドローラ８Ｇは、ガラス基板ＧのサイズＳに応じて高さ位置の調整が可能となるように、ホットプレート３の表面３Ｓと平行な方向に沿って上下昇降可能な昇降部材９に保持されている。
【００３７】
更に、トッププレート３ｘの下方には、その表面３Ｓよりも前方に突出する複数（例えば３個）の受け渡し部材１０が、トッププレート３ｘの表面３Ｓと直交する方向に出退可能に保持されると共に、トッププレート３ｘの上下方向中間部には、トッププレート３ｘの表面３Ｓと直交する方向に出退可能な複数本のピン部材１１が保持され、それらのピン部材１１は、トッププレート３ｘの表面３Ｓを基準として出没するように構成されている。そして、受け渡し部材１０の上面には、ガラス基板Ｇの下縁が所定の時期に載置されると共に、ピン部材１１の先端は、ガラス基板Ｇの裏面に所定の時期に当接するように構成されている。
【００３８】
この場合、図１に示すように、受け渡し部材１０及びピン部材１１の動作によってガラス基板Ｇをホットプレート３の表面３Ｓに密接させた状態の下では、ケーシング２の上方から矢印Ａで示すように熱処理エリア２Ａに流入した外気（２０〜２５℃程度）が、ホットプレート３に密接しているガラス基板Ｇの表面側を流下して、矢印Ｂで示すようにケーシング２の下方から外部に排出されるようになっている。
【００３９】
次に、上記構成を備えた装置１を使用して、ガラス基板Ｇを熱処理する方法について説明する。
【００４０】
先ず、ガラス基板Ｇの表面にレジスト膜を塗布した前工程から、基板熱処理装置１の搬送手段８に傾斜姿勢で搬送されてきたガラス基板Ｇは、図４（ａ）に示すように、ホットプレート３の表面側に位置した段階では、ガラス基板Ｇの下縁が受けローラ８Ｕ上に載置されると共にその裏面がガイドローラ８Ｇの外周端に接触して傾斜姿勢に維持され、且つピン部材１１の先端は、ガラス基板Ｇの裏面から離反している。
【００４１】
このような状態から、図４（ｂ）に示すように、受け渡し部材１０がガラス基板Ｇの下方を表面側に突出動してその先端がガラス基板Ｇの下縁よりも表面側に位置すると共に、ピン部材１１も表面側に突出動してその先端がガラス基板Ｇの裏面に接触もしくは略接触する。この後、図４（ｃ）に示すように、受け渡し部材１０が上昇することにより、図４（ｄ）に示すように、ガラス基板Ｇの下縁が受け渡し部材１０上に移載され、更に、図４（ｅ）に示すように、受け渡し部材１０とピン部材１１とが同寸法だけ表面側に突出動することにより、ガイドローラ８Ｇの外周端がガラス基板Ｇの裏面から離隔して非接触状態となる。このような状態の下で、図４（ｆ）に示すように、ガイドローラ８Ｇがガラス基板Ｇの上縁よりも上方に位置するように上昇した後、受け渡し部材１０とピン部材１１とが同速度で後退動することにより、図４（ｇ）に示すように、ガラス基板Ｇの裏面がホットプレート３の表面３Ｓに接触し且つ負圧により密接した状態となる。
【００４２】
これにより、ガラス基板Ｇは、裏面側からホットプレート３により加熱され、ガラス基板Ｇの表面に塗布されているレジスト膜が乾燥する。この場合、ガラス基板Ｇは、裏面側から加熱されるため、レジスト膜も裏面側から加熱されて乾燥していくことになるので、仮にガラス基板Ｇが表面側から加熱されてレジスト膜の表層部のみが乾燥して被膜となり内部が適切に乾燥しなくなるという不具合が有効に回避される。しかも、ホットプレート３の表面３Ｓ（トッププレート３ｘの表面）はフッ素樹脂でコーティングされているため、ガラス基板Ｇが加熱に伴う熱膨張を生じても、アルミニウム等の金属に比してフッ素樹脂の摩擦係数が小さい（滑り性が良い）ため、ガラス基板Ｇの裏面がフッ素樹脂の表面に沿って容易に滑動して熱膨張に伴う拡大変形が吸収される。この結果、ガラス基板Ｇが加熱により熱膨脹を生じた場合に、負圧によりガラス基板Ｇが滑動を厳格に阻止された状態で拡大変形することに起因して、ガラス基板Ｇにヒビ割れ或いは完全な割れが発生するという不具合も有効に回避される。そして、この時点では、ガラス基板Ｇの表面側を外気が上方から下方に向って流下しているので、ガラス基板Ｇの下部が相対的に低温になるという事態が回避され、ガラス基板Ｇの表面側における熱分布（温度分布）は、好適に均一な状態となる。
【００４３】
このようにして、ガラス基板Ｇが加熱されてレジスト膜が乾燥した後は、上記とは逆に、図５（ａ）に示す状態から、図５（ｂ）に示すように、受け渡し部材１０とピン部材１１とが表面側に同速度で突出動し、更に図５（ｃ）に示すように、ガイドローラ８Ｇが下降した後、図５（ｄ）に示すように、受け渡し部材１０とピン部材１１とが僅かに後退動することにより、ガラス基板Ｇの裏面にガイドローラ８Ｇの外周端が接触もしくは略接触する。このような状態から、図５（ｅ）に示すように受け渡し部材１０が下降していくことにより、図５（ｆ）に示すように、ガラス基板Ｇの下縁が受けローラ８Ｕ上に移載され、更に図５（ｇ）に示すように、受け渡し部材１０とピン部材１１とが後退動することにより、ガラス基板Ｇは、受けローラ８Ｕとガイドローラ８Ｇとによって傾斜姿勢で搬送可能に保持された状態となる。
【００４４】
このようにして加熱処理を受けたガラス基板Ｇは、受けローラ８Ｕとガイドローラ８Ｇとによって工程流れ方向下流側に搬送されるが、図２に示すように、上記のホットプレート３を備えた基板熱処理装置１の工程流れ方向下流側には、コールドプレート３０を備えた第２の基板熱処理装置１Ｘが隣接して設置されている。この第２の基板熱処理装置１Ｘは、加熱されたガラス基板Ｇをコールドプレート３０により２０〜２５℃に冷却する点と、外気が矢印Ａ、Ｂで示す経路に沿ってケーシング２内を流下するように構成されていない点とを除外すれば、上述のホットプレート３を備えた基板熱処理装置１と構成が同一である。したがって、この第２の基板熱処理装置１Ｘによっても、ガラス基板Ｇは、図４（ａ）〜（ｇ）及び図５（ａ）〜（ｇ）と同様の動作によりコールドプレート３０の表面に密接した状態で冷却処理を受け、この冷却処理後に更に工程流れ方向下流側に搬送される。この場合、ガラス基板Ｇがコールドプレート３０の表面に密接した状態で冷却される場合には、ガラス基板Ｇの温度低下に伴う収縮が顕著となるが、コールドプレート３０の表面はフッ素樹脂でコーティングされているため、ガラス基板Ｇがコールドプレート３０の表面に沿って滑動できることにより割れの発生等が適切に回避される。
【００４５】
尚、以上の実施形態は、ＰＤＰ用のガラス基板に本発明を適用したが、これ以外の基板、例えばＬＣＤ用やＦＥＤ用または有機ＥＬ用のガラス基板、或いは半導体ウエハ用の基板などについても同様にして本発明を適用することが可能である。
【００４６】
また、以上の実施形態は、フォトレジスト工程においてレジスト膜が表面に形成されたガラス基板に本発明を適用したが、レジスト膜以外の膜が塗布等されたガラス基板、或いはその他の乾燥や冷却を要するガラス基板にも同様にして本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断側面図である。
【図２】上記の基板熱処理装置の概略構成を示す正面図である。
【図３】図３（ａ）は、上記の基板熱処理装置の構成要素である熱処理用のプレートを示す部品分解配列斜視図、図３（ｂ）は、そのプレートを組み付けた状態を示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｇ）は、上記の基板熱処理装置を使用してガラス基板に対し熱処理を施す方法の実施状況をそれぞれ示す概略側面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｇ）は、上記の基板熱処理装置を使用してガラス基板に対し熱処理を施す方法の実施状況をそれぞれ示す概略側面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板熱処理装置
１Ｘ  基板熱処理装置（第２の基板熱処理装置）
２Ａ  熱処理エリア
３  ホットプレート（熱処理用のプレート）
３Ｓ  ホットプレート（熱処理用のプレート）の表面
８  搬送手段
８Ｕ  受けローラ
８Ｇ  ガイドローラ
１０  受け渡し部材
１１  ピン部材
３０  コールドプレート（熱処理用のプレート）
Ａ、Ｂ  気流
α  ホットプレート（熱処理用のプレート）の傾斜角度
Ｇ  基板（ガラス基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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