(57)【要約】【課題】実装されている電子部品が発した熱を放熱でき、全板厚を薄くすることができる多層配線基板を提供する。【解決手段】多層配線基板１は、最外層に配線パターン３と配線パターン４とを有するコア基板２と、配線パターン３に絶縁体層７を介して積層された配線パターン５と、配線パターン４に絶縁体層８を介して積層された配線パターン６と、配線パターン３と配線パターン５とを導通する銅バンプ９と、配線パターン４と配線パターン６とを導通する銅バンプ１０とを備え、配線パターン５の表面に電子部品１１０を実装する。電子部品１１０に臨む位置で、絶縁体層７を貫通し、配線パターン３と配線パターン５とを導通する銅バンプ１１と、コア基板２を貫通し、一端が銅バンプ１１に接続する放熱部材１３と、絶縁体層８を貫通し、配線パターン４と配線パターン６とを導通し、放熱部材１３の他端に接続する銅バンプ１２から成る放熱手段１４を備える。【選択図】  図１
2007305617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表裏両面のいずれか一方の最外層に第１の配線パターンを有すると共に、第１の配線パターンとは反対面の最外層に第２の配線パターンを有する多層配線コア基板と、
第１の配線パターンに第１の絶縁体層を介して積層された第３の配線パターンと、第２の配線パターンに第２の絶縁体層を介して積層された第４の配線パターンと、第１の絶縁体層を貫通し、第１の配線パターンと第３の配線パターンとを導通する第１の柱状導電部材と、第２の絶縁体層を貫通し、第２の配線パターンと第４の配線パターンとを導通する第２の柱状導電部材とを備え、第３の配線パターンの表面上に電子部品が実装されている多層配線基板において、
前記電子部品に臨む位置で、第１の絶縁体層を貫通し、第１の配線パターンと第３の配線パターンとを導通する第３の柱状導電部材と、前記多層配線コア基板を貫通し、一端が第３の柱状導電部材に接続する放熱部材と、第２の絶縁体層を貫通し、第２の配線パターンと第４の配線パターンとを導通し、前記放熱部材の他端に接続する第４の柱状導電部材とから成る放熱手段を備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
第３の柱状導電部材及び第４の柱状導電部材は、金属製のバンプであることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
第４の柱状導電部材は、前記多層配線基板の外表面に露出する面の面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲であることを特徴とする請求項２記載の多層配線基板。
【請求項４】
第３の柱状導電部材及び第４の柱状導電部材は、レーザーで形成された穴部にメッキが施された複数のレーザービアであることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項５】
第４の柱状導電部材は、前記多層配線基板の外表面に露出する面の総面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲であることを特徴とする請求項４記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が実装されている多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に搭載される多層配線基板は、電子機器の薄型化に伴い、多層配線基板そのものが薄型化するとともに、配線パターンが高密度化している。このため、多層配線基板に実装されている電子部品、トランジスタ、ＩＣ、抵抗等が発した熱によって電子機器の性能が影響を受けることがあるという問題がある。
【０００３】
前記問題を解決するために、図１３に示されるような多層配線基板が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
多層配線基板１００は、複数の配線層１０２を有する多層配線基板１０５と、多層配線基板１０５の裏面の最外層に接着されたアルミニウム板１０６と、多層配線基板１０５とアルミニウム板１０６とを厚さ方向に貫通する熱伝導体１０９とから成る。
【０００５】
多層配線基板１０５は、両面に配線層１０２が形成された複数のガラスエポキシ基板１０１と、各ガラスエポキシ基板１０１に挟持されたプリプレグ１０３とを備えている。各ガラスエポキシ基板１０１は、層間に配設されたプリプレグ１０３により相互に接着されている。複数の配線層１０２は、多層配線基板１０５を厚さ方向に貫通するスルーホール１０４を介して接続されている。アルミニウム板１０６は、放熱板であって、プリプレグ１０７で多層配線基板１０５の裏面の最外層に接着されている。熱伝導体１０９は、多層配線基板１０５とプリプレグ１０７とアルミニウム板１０６とを厚さ方向に貫通する孔１０８内に設けられ、エポキシ樹脂から成るバインダに銀粒子を混合分散させた銀ペーストを硬化した導電性組成物（熱伝導性組成物）から成る。
【０００６】
多層配線基板１００は、表面に電子部品１１０を搭載したときに、アルミニウム板１０６を電子機器１１１に当接することにより、電子部品１１０が発した熱を、熱伝導体１０９と、アルミニウム板１０６と、電子機器１１１とを介して、外部に放熱することができる。
【０００７】
しかしながら、多層配線基板１００は多層配線基板１０５の外側にアルミニウム板１０６を備えているので、多層配線基板１００の全板厚が厚くなってしまうという不都合がある。
【特許文献１】特開２００４−７９７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる不都合を解消して、実装されている電子部品が発した熱を放熱することができ、全板厚を薄くすることができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる目的を達成するために、本発明の多層配線基板は、少なくとも表裏両面のいずれか一方の最外層に第１の配線パターンを有すると共に、第１の配線パターンとは反対面の最外層に第２の配線パターンを有する多層配線コア基板と、第１の配線パターンに第１の絶縁体層を介して積層された第３の配線パターンと、第２の配線パターンに第２の絶縁体層を介して積層された第４の配線パターンと、第１の絶縁体層を貫通し、第１の配線パターンと第３の配線パターンとを導通する第１の柱状導電部材と、第２の絶縁体層を貫通し、第２の配線パターンと第４の配線パターンとを導通する第２の柱状導電部材とを備え、第３の配線パターンの表面上に電子部品が実装されている多層配線基板において、前記電子部品に臨む位置で、第１の絶縁体層を貫通し、第１の配線パターンと第３の配線パターンとを導通する第３の柱状導電部材と、前記多層配線コア基板を貫通し、一端が第３の柱状導電部材に接続する放熱部材と、第２の絶縁体層を貫通し、第２の配線パターンと第４の配線パターンとを導通し、前記放熱部材の他端に接続する第４の柱状導電部材とから成る放熱手段を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の多層配線基板によれば、第３の配線パターンの表面上に実装されている電子部品に臨む位置に第３の柱状導電部材が設けられ、第３の柱状導電部材は前記放熱部材の一端に接続し、前記放熱部材の他端は第４の柱状導電部材に接続している。従って、本発明の多層配線基板は、前記電子部品が発した熱を、第３の柱状導電部材の多層配線基板の外表面に露出する面から吸熱し、第３の柱状導電部材、前記放熱部材、第４の柱状導電部材へと順番に伝導し、第４の柱状導電部材の多層配線基板の外表面に露出する面から放熱することができる。
【００１１】
また、本発明の多層配線基板によれば、電子部品１１０が発した熱を多層配線基板の外表面に露出する面から吸熱する第３の柱状導電部材と、第３の柱状導電部材から前記放熱部材を介して伝導した熱を多層配線基板の外表面に露出する面から放熱する第４の柱状導電部材とが多層配線基板の内部に設けられており、多層配線基板にアルミニウム板等の放熱板を積層する必要がないので、多層配線基板の全板厚を薄くすることができる。
【００１２】
本発明の多層配線基板において、第３の柱状導電部材と第４の柱状導電部材とは、金属製のバンプであることが望ましい。バンプが金属製であることにより、高熱伝導性を得ることができる。また、第４の柱状導電部材の前記多層配線基板の外表面に露出する面の面積は、０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲であることが望ましい。面積が０．０３ｍｍ２未満では電子部品が発した熱を十分に放熱できないことがあり、面積が２５００ｍｍ２を超えると配線の妨げとなって配線の自由度が低くなることがある。
【００１３】
また、本発明の多層配線基板では、第３の柱状導電部材と第４の柱状導電部材とは、レーザーで形成された穴部にメッキが施された複数のレーザービアであってもよい。レーザービアが金属製であって、複数設けられていることにより、高熱伝導性を得ることができる。さらに、第４の柱状導電部材は、前記多層配線基板の外表面に露出する面の総面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲であることが望ましい。総面積が０．０３ｍｍ２未満では電子部品が発した熱を十分に放熱できないことがあり、総面積が２５００ｍｍ２を超えると配線の妨げとなって配線の自由度が低くなることがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図１は本実施形態の多層配線基板の構成例を示す説明的断面図であり、図２〜図８は図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図である。図９は本実施形態の多層配線基板の他の構成例を示す説明的断面図であり、図１０〜図１２は図９に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図である。
【００１５】
まず、図１を参照して、本実施形態の多層配線基板１について説明する。多層配線基板１は、多層配線コア基板２の最外層に設けられた第１の配線パターン３、第２の配線パターン４と、第１の配線パターン３に第１の絶縁体層７を介して積層された第３の配線パターン５と、第２の配線パターン４に第２の絶縁体層８を介して積層された第４の配線パターン６とを備える。第１の配線パターン３は多層配線コア基板２の表面の最外層に設けられ、第２の配線パターン４は多層配線コア基板２の裏面の最外層に設けられている。第３の配線パターン５の上には、電子部品１１０が実装されている。
【００１６】
多層配線コア基板２は、４層の配線パターン３，１６，１５，４と、３層の絶縁体層１８，１７，１９と、放熱部材１３とを有している。
【００１７】
配線パターン３，１６，１５，４と絶縁体層１８，１７，１９は交互に積層されている。第３の絶縁体層１７には、表面に第６の配線パターン１６が積層され、裏面に第５の配線パターン１５が積層されている。第６の配線パターン１６には、第４の絶縁体層１８を介して第１の配線パターン３が積層されている。第５の配線パターン１５には、第５の絶縁体層１９を介して第２の配線パターン４が積層されている。
【００１８】
各絶縁体層１７〜１９には、各絶縁体層１７〜１９を厚さ方向に貫通し、隣接する２つの配線パターンを任意の位置で導通する柱状導通部材が設けられている。第３の絶縁体層１７には、第３の絶縁体層１７を厚さ方向に貫通し、第５の配線パターン１５と第６の配線パターン１６とを任意の位置で導通する、銀ペーストから成るバンプ（以下「銀バンプ」という）２０が設けられている。第４の絶縁体層１８には、第４の絶縁体層１８を厚さ方向に貫通し、第６の配線パターン１６と第１の配線パターン３とを任意の位置で導通する第１のレーザービア２１が設けられている。第５の絶縁体層１９には、第５の絶縁体層１９を厚さ方向に貫通し、第５の配線パターン１５と第２の配線パターン４とを任意の位置で導通する第２のレーザービア２２が設けられている。
【００１９】
放熱部材１３は、多層配線コア基板２を厚さ方向に貫通し、例えば銅メッキが表面に施された貫通孔である。
【００２０】
多層配線基板１は、多層配線コア基板２の表面に設けられた第１の配線パターン３に、エポキシ樹脂から成る第１の絶縁体層７を介して積層された、銅メッキから成る第３の配線パターン５を有している。また、多層配線基板１は、多層配線コア基板２の裏面に設けられた第２の配線パターン４に、エポキシ樹脂から成る第２の絶縁体層８を介して積層された、銅メッキから成る第４の配線パターン６を有している。
【００２１】
各絶縁体層７，８には、各絶縁体層７，８を厚さ方向に貫通し、隣接する２つの配線パターンを導通する柱状導通部材９〜１２が設けられている。第１の絶縁体層７には、第１の絶縁体層７を厚さ方向に貫通し、第１の配線パターン３と第３の配線パターン５とを導通する第１の銅バンプ９及び第３の銅バンプ１１が設けられている。第２の絶縁体層８には、第２の絶縁体層８を厚さ方向に貫通し、第２の配線パターン４と第４の配線パターン６とを導通する第２の銅バンプ１０及び第４の銅バンプ１２が設けられている。なお、第１の銅バンプ９は請求項１記載の第１の柱状導電部材に相当し、第２の銅バンプ１０は第２の柱状導電部材に相当し、第３の銅バンプ１１は第３の柱状導電部材に相当し、第４の銅バンプ１２は第４の柱状導電部材に相当する。
【００２２】
第３の銅バンプ１１は、第３の配線パターン３の表面上に実装される電子部品１１０に臨む位置に、放熱部材１３の一端に接続して設けられている。第４の銅バンプ１２は、放熱部材１３の他端に接続して設けられている。これら第３の銅バンプ１１と、放熱部材１３と、第４の銅バンプ１２とが放熱手段１４を構成している。
【００２３】
第３の銅バンプ１１の多層配線基板１の外表面に露出する面（露出面）１１ａ及び第４の銅バンプ１２の多層配線基板１の外表面に露出する面（露出面）１２ａは、それぞれの面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成されている。
【００２４】
本実施形態では、柱状導通部材として、レーザーで形成された穴部にメッキが施されたレーザービア２１，２２及び銀バンプ２０を用いているが、他のものであってもよい。例えば、銀ペーストから成る銀バンプ２０に代えて、銀以外の他の導電性粉末を含む導電性ペーストから成るバンプを用いることにしてもよい。また、絶縁体層７，８，１７，１８，１９は、エポキシ樹脂でなくてもよく、例えばビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂、液晶ポリマーを用いることにしてもよい。また、配線パターン５，６は銅メッキでなくてもよく、銅メッキに限定されない。さらに、放熱部材１３の貫通孔内に熱伝導性組成物、例えばエポキシ樹脂から成るバインダに銀粒子を混合分散させた銀ペーストを硬化した導電性組成物が充填されていてもよい。
【００２５】
以上から成る多層配線基板１において、第３の配線パターン５の表面上に実装されている電子部品１１０が発した熱は、電子部品１１０に臨む位置に設けられた第３の銅バンプ１１の露出面１１ａから第３の銅バンプ１１に伝導して吸熱され、一端が第３の銅バンプ１１に接続する放熱部材１３に伝導し、放熱部材１３の他端に接続する第４の銅バンプ１２に伝導し、第４の銅バンプ１２の露出面１２ａから放熱される。多層配線基板１は、第３の銅バンプ１１の露出面１１ａ及び第４の銅バンプ１２の露出面１２ａの各面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成されているので、電子部品１１０が発した熱を第３の銅バンプ１１によって十分に吸熱し、放熱部材１３を介して第４の銅バンプ１２から十分に放熱することができる。
【００２６】
また、多層配線基板１は、電子部品１１０が発した熱を露出面１１ａから吸熱する第３の銅バンプ１１と、第３の銅バンプ１１から放熱部材１３を介して伝導した熱を露出面１２ａから放熱する第４の銅バンプ１２とが、多層配線基板１の内部に設けられており、多層配線基板１の外側にアルミニウム板等の放熱板を積層する必要がないので、多層配線基板１の全板厚を薄くすることができる。
【００２７】
また、多層配線基板１は、第３の銅バンプ１１、第４の銅バンプ１２の露出面１１ａ、露出面１２ａの各面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成されているので、配線の妨げとなることなく配線の自由度を高くすることができる。
【００２８】
さらに、多層配線コア基板２において、第６の配線パターン１６と第１の配線パターン３とが第１のレーザービア２１によって任意の位置で導通され、第５の配線パターン１５と第６の配線パターン１６とが銀バンプ２０によって任意の位置で導通され、第５の配線パターン１５と第２の配線パターン４とが第２のレーザービア２２によって任意の位置で導通されているので、多層配線基板１は配線の自由度が高い基板となっている。
【００２９】
図１に示す多層配線基板は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３０】
まず、次のようにして多層配線コア基板２を形成する。
【００３１】
まず、図２（ａ）示のように、例えば厚さ１８μｍの銅箔から成る導電性支持体３０上の所定の位置に、複数の銀バンプ２０を形成する。銀バンプ２０は、例えば、導電性支持体３０に、所定の位置に貫通孔を備えるメタルマスクを積層し、該メタルマスクの上から銀ペーストをスクリーン印刷して、乾燥することにより形成される。銀バンプ２０は、例えば導電性支持体３０に接触する部分の径が０．２ｍｍ、高さが０．１ｍｍの大きさとなるように形成される。
【００３２】
次に、図２（ｂ）示のように、銀バンプ２０が形成された導電性支持体３０にプリプレグ１７を積層して加圧し、銀バンプ２０をプリプレグ１７に厚さ方向に貫通させ、銀バンプ２０の先端を第３の絶縁体層１７としてのプリプレグ１７から露出せしめる。プリプレグ１７は、例えば６０μｍの厚さを備えている。
【００３３】
次に、図２（ｃ）示のように、銀バンプ２０が露出している第３の絶縁体層１７に、例えば厚さ１８μｍの銅箔から成る他の導電性支持体３１を積層し、圧着する。他の導電性支持体３１によって銀バンプ２０の先端が潰れ、第３の絶縁体層１７の表面に導電性支持体３１が積層される。これにより、第３の絶縁体層１７の裏面の導電性支持体３０と表面の導電性支持体３１とが銀バンプ２０によって導通される。
【００３４】
次に、図２（ｄ）示のように、導電性支持体３０，３１にエッチングを施すことにより、第５の配線パターン１５及び第６の配線パターン１６が形成され、銀バンプ２０の上面２０ａ及び下面２０ｂが露出される。エッチング方法は、従来公知の方法でよい。
【００３５】
次に、図３（ａ）示のように、銀バンプ２０の上面２０ａが露出している第６の配線パターン１６に、例えば厚さ１８μｍの銅箔３２を片面に備えた、例えば厚さ６０μｍのプリプレグ１８をプリプレグ１８側の面で圧着することにより、第４の絶縁体層１８が形成される。同様に、銀バンプ２０の下面２０ｂが露出している第５の配線パターン１５に、片面に他の銅箔３３を備えたプリプレグ１９をプリプレグ１９側の面で圧着することにより、第５の絶縁体層１９が形成される。以上により、多層配線コア基板２の予備成形体２ａが形成される。
【００３６】
次に、図３（ｂ）示のように、銅箔３２，３３にエッチングを施すことにより、第４の絶縁体層１８の上面１８ａ及び第５の絶縁体層１９の下面１９ａが露出される。そして、第４の絶縁体層１８の露出部１８ａ及び第５の絶縁体層１９の露出部１９ａにレーザー光を照射することにより、露出部１８ａの下方の第４の絶縁体層１８及び露出部１９ａの上方の第５の絶縁体層１９を除去する。
【００３７】
この結果、図４（ａ）示のように、銀バンプ２０の上面２０ａを露出する穴部３４と、下面２０ｂを露出する穴部３５とが形成される。穴部３４，３５は、銀バンプ２０の上面２０ａ及び下面２０ｂを露出させるために十分な大きさであればよく、例えば開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。
【００３８】
次に、図４（ｂ）示のように、放熱部材１３を形成する貫通孔を予備成形体２ａに穿設する。貫通孔１３は、ドリル、レーザー、電子ビーム等により、例えば０．３ｍｍの径に形成される。
【００３９】
次に、図５（ａ）示のように、銅箔３２，３３及び貫通孔１３の表面に銅メッキを施すことにより、例えば厚さ１８μｍのメッキ層３６が形成される。前記メッキは同時に穴部３４，３５にも施され、穴部３４，３５内に銅メッキが充填される。
【００４０】
次に、図５（ｂ）示のように、メッキ層３６にエッチングを施すことにより、メッキ層３６、銅箔３２，３３がエッチングされて、第１の配線パターン３と第２の配線パターン４とが形成される。また、穴部３４，３５内の銅メッキがエッチングされて、第１のレーザービア２１と第２のレーザービア２２とが形成される。以上により、多層配線コア基板２が形成される。
【００４１】
続いて、次のようにして多層配線コア基板２の表裏両面に第３の配線パターン５と第４の配線パターン６とを形成する。
【００４２】
まず、図６（ａ）示のように、多層配線コア基板２の表面の第１の配線パターン３に、例えば厚さ７０μｍのメッキ層３７を形成する。同様に、多層配線コア基板２の裏面の第２の配線パターン４に、例えば厚さ７０μｍのメッキ層３８を形成する。
【００４３】
次に、図６（ｂ）示のように、メッキ層３７，３８にエッチングを施すことにより、メッキ層３７に第１の銅バンプ９及び第３の銅バンプ１１が形成され、メッキ層３８に第２の銅バンプ１０及び第４の銅バンプ１２が形成される。第３の銅バンプ１１は、その上面１１ａの面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成され、第４の銅バンプ１２は、その下面１２ａの面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成される。
【００４４】
次に、図７（ａ）示のように、第１の配線パターン３と第１の銅バンプ９と第３の銅バンプ１１との表面にエポキシ樹脂７を積層し、乾燥させた後に、例えば厚さ６０μｍとなるようにエポキシ樹脂７を切削・研磨し、第１の絶縁体層７を形成する。同様にして、第２の配線パターン４と第２の銅バンプ１０と第４の銅バンプ１２との表面にエポキシ樹脂８を積層し、第２の絶縁体層８を形成する。
【００４５】
次に、図７（ｂ）示のように、第１の銅バンプ９と第３の銅バンプ１１と第１の絶縁体層７との表面に、例えば厚さ１８μｍのメッキ層３９を形成する。これにより、第１の配線パターン３に第１の絶縁体層７を介してメッキ層３９が積層され、第１の配線パターン３とメッキ層３７とが第１の銅バンプ９と第３の銅バンプ１１とによって導通される。同様にして、第２の銅バンプ１０と第４の銅バンプ１２と第２の絶縁体層８の表面に、例えば厚さ１８μｍのメッキ層４０を形成する。これにより、第２の配線パターン４に第２の絶縁体層８を介してメッキ層４０が積層され、第２の配線パターン４とメッキ層４０とが第２の銅バンプ１０と第４の銅バンプ１２とによって導通される。
【００４６】
次に、図８示のように、メッキ層３９，４０にエッチングを施すことにより、第３の配線パターン５及び第４の配線パターン６が形成される。
【００４７】
最後に、図１示のように、電子部品１１０を実装させるための接続箇所を除く、多層配線基板の最外層の全面に、レジスト印刷を施すことにより、例えば厚さ１８μｍの保護被膜層４１，４２が形成される。
【００４８】
以上により、本実施形態の多層配線基板１が製造される。この多層配線基板１は、６層の配線パターンを有し、５００μｍ程度の全板厚を備える。
【００４９】
さらに、本実施形態の多層配線基板は、図１示の多層配線基板１の他に、例えば図９示の多層配線基板５１とすることも可能である。
【００５０】
図９を参照して、本実施形態の多層配線基板５１について説明する。
【００５１】
多層配線基板５１は、次の点を除いて、図１の多層配線基板１と全く同一の構成を備えている。多層配線基板５１は、多層配線基板１の第１の銅バンプ９に代えて第３のレーザービア５２を、多層配線基板１の第２の銅バンプ１０に代えて第４のレーザービア５３を、多層配線基板１の第３の銅バンプ１１に代えて複数の第５のレーザービア５４を、多層配線基板１の第４の銅バンプ１２に代えて複数の第６のレーザービア５５を備え、多層配線基板１の放熱手段１４に代えて、複数の第５のレーザービア５４と、放熱部材１３と、複数の第６のレーザービア５５とで構成される放熱手段５６を備える。
【００５２】
多層配線基板５１は、多層配線コア基板２の表面に設けられた第１の配線パターン３に、エポキシ樹脂から成る第１の絶縁体層７を介して積層された、銅メッキから成る第３の配線パターン５を有している。また、多層配線コア基板２の裏面に設けられた第２の配線パターン４に、エポキシ樹脂から成る第２の絶縁体層８を介して積層された、銅メッキから成る第４の配線パターン６を有している。
【００５３】
各絶縁体層７，８には、各絶縁体層７，８を厚さ方向に貫通し、隣接する２つの配線パターンを導通する柱状導通部材５２〜５５が設けられている。第１の絶縁体層７には、第１の絶縁体層７を厚さ方向に貫通し、第１の配線パターン３と第３の配線パターン５とを導通する第３のレーザービア５２と複数の第５のレーザービア５４とが設けられている。第２の絶縁体層８には、第２の絶縁体層８を厚さ方向に貫通し、第２の配線パターン４と第４の配線パターン６とを導通する第４のレーザービア５３と複数の第６のレーザービア５５とが設けられている。なお、第３のレーザービア５２は請求項１記載の第１の柱状導電部材に相当し、第４のレーザービア５３は第２の柱状導電部材に相当し、第５のレーザービア５４は第３の柱状導電部材に相当し、第４のレーザービア５５は第４の柱状導電部材に相当する。
【００５４】
複数の第５のレーザービア５４は、第３の配線パターン３の表面上に実装される電子部品１１０に臨む位置に、放熱部材１３の一端に接続して設けられている。第６のレーザービア５５は、放熱部材１３の他端に接続して設けられている。これら複数の第５のレーザービア５４と、放熱部材１３と、第６のレーザービア５５とが放熱手段１４を構成している。
【００５５】
複数の第５のレーザービア５４の多層配線基板１の外表面に露出する面（露出面）５４ａ及び複数の第６のレーザービア５５の多層配線基板１の外表面に露出する面（露出面）５５ａは、各総面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成されており、多層配線基板１の第３の銅バンプ１１の露出面１１ａ及び第４の銅バンプ１２の露出面１２ａと同程度の面積を有している。
【００５６】
以上から成る多層配線基板５１において、第３の配線パターン５の表面上に実装されている電子部品１１０が発した熱は、電子部品１１０に臨む位置に設けられた複数の第５のレーザービア５４の露出面５４ａから複数の第５のレーザービア５４に伝導して吸熱され、一端が複数の第５のレーザービア５４に接続する放熱部材１３に伝導し、放熱部材１３の他端に接続する複数の第６のレーザービア５５に伝導し、複数の第６のレーザービア５５の露出面５５ａから放熱される。複数の第５のレーザービア５４の露出面５４ａの総面積と、複数の第６のレーザービア５５の露出面５５ａの総面積とが、０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成されているので、多層配線基板５１は、電子部品１１０が発した熱を複数の第５のレーザービア５４によって十分に吸熱し、放熱部材１３を介して複数の第６のレーザービア５５から十分に放熱することができる。
【００５７】
また、多層配線基板５１は、電子部品１１０が発した熱を露出面５１ａから吸熱する複数の第５のレーザービア５４と、複数の第５のレーザービア５４から放熱部材１３を介して伝導した熱を露出面５５ａから放熱する第６のレーザービア５５とが、多層配線基板５１の内部に設けられており、多層配線基板５１の外側にアルミニウム板等の放熱板を積層する必要がないので、多層配線基板５１の全板厚を薄くすることができる。
【００５８】
また、多層配線基板１は、第５のレーザービア５４、第６のレーザービア５５の露出面５４ａ、露出面５５ａの各総面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２となるように形成されているので、配線の妨げとなることなく配線の自由度を高くすることができる。
【００５９】
図９に示す多層配線基板は、例えば次のようにして製造することができる。
【００６０】
まず、図２〜図５の手順により、多層配線コア基板２を形成する。
【００６１】
次に、図１０（ａ）示のように、例えば厚さ１８μｍの銅箔３７を片面に備えた、例えば厚さ６０μｍのプリプレグ７を、第１のレーザービア２１の上面２１ａが露出している第１の配線パターン３にプリプレグ７側の面で圧着することにより、第１の絶縁体層７が形成される。同様にして、例えば厚さ１８μｍの他の銅箔３８を片面に備えた、例えば厚さ６０μｍのプリプレグ８を、第２のレーザービア２２の下面２２ａが露出している第２の配線パターン４にプリプレグ８側の面で圧着することにより、第２の絶縁体層８が形成される。
【００６２】
次に、図１０（ｂ）示のように、銅箔３７，３８にエッチングを施すことにより、第１の絶縁体層７の上面７ａ及び第２の絶縁体層８の下面８ａが露出される。そして、第１の絶縁体層７の露出部７ａ及び第２の絶縁体層８の露出部８ａにレーザー光を照射することにより、露出部７ａの下方の第１の絶縁体層７及び露出部８ａの上方の第２の絶縁体層８を除去する。
【００６３】
この結果、図１１（ａ）示のように、第１の配線パターン３の上面３ａを露出する穴部５７と、第２の配線パターン４の下面４ａを露出する穴部５８と、放熱部材（貫通孔）１３とその周りのメッキ層３６の表面３６ａを露出する穴部５９，６０とが形成される。穴部５７，５８は、第１の配線パターン３の上面３ａ及び第２の配線パターン４の下面４ａを露出させるために十分な大きさであればよく、例えば開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。また、複数の穴部５９，６０は、貫通孔１３の開口部１３ａ，１３ｂと、貫通孔１３の表面１３ｃと開口部１３ａ，１３ｂ近傍とに施されたメッキ層３６ａとを露出させるために十分な大きさであればよく、例えば開口部の径が０．１ｍｍになるように形成される。
【００６４】
次に、図１１（ｂ）示のように、銅箔３７，３８に銅メッキを施すことにより、メッキ層６１，６２が形成される。前記メッキは同時に穴部５７〜６０にも施され、穴部５７〜６０内に銅メッキが充填される。
【００６５】
次に、図１２示のように、メッキ層６１，６２にエッチングを施すことにより、第３の配線パターン５及び第４の配線パターン６が形成される。また、穴部５７〜６０内の銅メッキがエッチングされて、上面５２ａが露出した第３のレーザービア５２と、下面５３ａが露出した第４のレーザービア５３と、上面５４ａが露出した第５のレーザービア５４と、下面５５ａが露出した第６のレーザービア５５とが形成される。第５のレーザービア５４及び第５のレーザービア５６は、多層配線基板５１の外表面に露出する面５４ａ，５５ａの総面積が０．０３ｍｍ２〜２５００ｍｍ２の範囲となるように形成される。
【００６６】
最後に、図９示のように、電子部品１１０を実装させるための接続箇所を除く、多層配線基板の最外層の全面に、レジスト印刷を施すことにより、例えば厚さ１８μｍの保護被膜層４１，４２が形成される。
【００６７】
以上により、本実施形態の多層配線基板５１が製造される。この多層配線基板１は、６層の配線パターンを有し、５００μｍ程度の全板厚を備える。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本実施形態の多層配線基板の構成例を示す説明的断面図。
【図２】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図３】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図４】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図５】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図６】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図７】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図８】図１に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図９】本実施形態の多層配線基板の他の構成例を示す説明的断面図。
【図１０】図９に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図１１】図９に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図１２】図９に示す多層配線基板の製造工程を示す説明的断面図。
【図１３】従来技術の多層配線基板を示す説明的断面図。
【符号の説明】
【００６９】
１…多層配線基板、  ２…多層配線コア基板、  ３…第１の配線パターン、  ４…第２の配線パターン、  ５…第３の配線パターン、  ６…第４の配線パターン、  ７…第１の絶縁体層、  ８…第２の絶縁体層、  ９，５２…第１の柱状導電部材、  １０，５３…第２の柱状導電部材、  １１，５４…第３の柱状導電部材、  １２，５５…第４の柱状導電部材、  １３…放熱部材、  １４，５６…放熱手段、  １１０…電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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