(57)【要約】【課題】半導体装置の小型化ができる技術を提供する。【解決手段】互いに対向する主面にそれぞれ第１、第２電極を有する半導体チップと、前記第１電極と接触し、前記主面に対向する面に第３電極が形成された第１導電層と、前記第２電極に接合する第２導電層と、前記第２導電層に接触し、前記第２導電層との接触面に対向する面に第４電極が形成された第３導電層と、封止体とを有し、前記第１導電層には前記半導体チップとの接触面に交差する面が形成され、かつ前記接触面に交差する面は前記封止体により被覆されている。【選択図】図２
2007317761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面と、前記第１主面に形成された第１電極と、前記第２主面に形成された第２電極とを有する半導体チップと、
前記第２電極に接合し、前記第２主面と対向する面に第３電極が形成された第１導電性部材と、
前記第１電極に接合する第２導電性部材と、
前記第２導電性部材の前記第１主面と対向する面に接合し、前記第２導電性部材との接合面に対向する面に第４電極が形成された第３導電性部材と、
前記半導体チップを封止する封止体とを有し、
前記第１導電性部材には前記第２主面との接合面に交差する面が形成され、
かつ、前記第２主面との接合面に交差する面は前記封止体により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３導電性部材の前記第２導電性部材と接合する接合面は表面に凹凸を有し、
前記第３導電性部材は、接着剤を介して前記封止体と接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１導電性部材および前記第３導電性部材は銅またはニッケル合金により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第３電極と前記封止体との最短距離が、１００μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置技術に関し、特にダイオードなど２極の端子を有する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００３−２７３２８０号公報（特許文献１）には、チップパッケージの製造方法として、ウエハの上下にメッキ法により導電層を形成し、ダイシングにより個々のパッケージに分割した後、該導電層の側面中同じ方向になる各側面のみに印刷回路基板の連結パッドに連結するための電極面を設ける技術が開示されている。
【０００３】
また、特開平２００３−２７３２８１号公報（特許文献２）には、チップパッケージの製造方法として、二つの端子が形成されたウエハの上部端子部に開口を形成した絶縁膜上にメッキ法により導電層を形成して、導電層が凸状に絶縁膜に入り込んだ上部導電層と、ウエハ下面に形成されたメッキ法による下部導電層を形成し、ダイシングにより個々のパッケージに分割した後、該導電層の側面中同じ方向になる各側面のみに印刷回路基板の連結パッドに連結するための電極面を設ける技術が開示されている。
【０００４】
また、特開２００３−２０４０２３号公報（特許文献３）にはチップパッケージの実装形態として、第１端子が形成された第１導電層面及び第２端子が形成され前記第１面に対向する第２導電層面を有するチップと、前記チップの第２導電層面に配置され前記第２端子に連結される導電性バイアホールが形成された基板とを含むチップパッケージを、前記第１導電層面及び前記第２導電層面に形成された基板が側面となるよう印刷回路基板上面に配置する技術が開示されている。
【０００５】
また、特開平６−８５１３２号公報（特許文献４）には半導体装置のダイパッドとレジン封止体と間の界面剥離を防止するためダイパッドを一面側に半導体チップ１の載置接着面と凹凸表面とを有するように構成する技術が開示されている。
【０００６】
また、特開平６−２１３０５号公報（特許文献５）には、半導体リードフレームとエポキシ樹脂との密着性を向上させるため、半導体リードフレームの内部端子の表裏面に凹部である窪みを設ける技術が開示されている。
【０００７】
また、特開２００３−１５８２３４号公報（特許文献６）には、ノンリード型半導体装置の外部電極端子と封止体との密着性向上のため、封止体（パッケージ）と外部電極端子となるリードの封止体に埋没する面をプラズマクリーニングによって粗面化しておく技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２７３２８０号公報（段落〔００２１〕〜〔００２６〕、図３、図４等）
【特許文献２】特開平２００３−２７３２８１号公報（段落〔００２１〕〜〔００２５〕、図３、図４等）
【特許文献３】特開２００３−２０４０２３号公報（段落〔００１２〕、〔００２１〕、〔００２５〕〜〔００２９〕、図３、図４、図６等）
【特許文献４】特開平６−８５１３２号公報（段落〔０００８〕、〔０００９〕、図１等）
【特許文献５】特開平６−２１３０５号公報（段落〔０００７〕、図２等）
【特許文献６】特開２００３−１５８２３４号公報（段落〔００２８〕〜〔００３０〕、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ダイオードなどの半導体装置はペースト状のはんだ等の接合材料が塗布された回路基板上のランドに配置されリフロー等を行うことにより実装されるが、近年該回路基板を搭載する製品の小型化などに伴い、半導体装置は小型化する傾向がある。
【０００９】
半導体装置、特にダイオードのような２極の端子を有する半導体装置の小型化について本発明者が検討した結果、以下の課題を見出した。
【００１０】
回路基板上での半導体装置の専有面積を小さくするためには、例えば前記特許文献１（特開２００３−２７３２８０号公報）や前記特許文献２（特開平２００３−２７３２８１号公報）のようにリードを用いず、半導体装置の裏面に露出して形成された電極面を回路基板上のランドにはんだ等の接合材料を用いて接合する方法が有効である。
【００１１】
しかし、上記半導体装置を回路基板に実装する際、半導体装置の裏面電極のみで接合されるため、接合材料がフィレット面（二つの被着材料が接合される場所に形成される隅または角を満たす接合材料の部分であって、隅または角に向かって凹形状となる滑らかな曲線）を形成することができないため、電極面が小さくなりすぎるとリードを用いる場合と比較して実装強度、すなわち半導体装置と回路基板との接続強度が弱くなるという問題がある。
【００１２】
また、一つの面に複数の電極を有する構造において半導体装置の小型化を進めると、リフロー工程ではんだ等の接合材料が広がり過ぎることにより、複数の電極が短絡してしまう可能性が高くなる。
【００１３】
また、接続箇所が半導体装置自身に覆われるため、回路基板との接続状態（接続不良、電極の短絡等）の外観を検査することができない。これらの課題は半導体装置の小型化を進める程大きな問題となる。
【００１４】
一方、半導体装置の互いに対向する側面に露出して形成された電極面を形成し、該電極とランドとをはんだ等により接合する方法の場合、電極面とランド表面に沿ってフィレット面を形成した接合材料が、冷却工程において電極面から離れる方向に向かって反ることが分かった。そして、互いに対向する両側面で、上記現象が発生すると、半導体装置には側面電極間の距離を引き離す方向に外力が作用する。
【００１５】
また、前記外力は、実装時の高温リフロー時、及び実装後においても通電による発熱、放熱に起因して繰り返し発生することが分かった。
【００１６】
前記外力は当然半導体装置内部にも影響し、接合強度の弱い箇所、すなわち主面に電極が形成された導電層と樹脂モールド等の封止体との接合部の密着性が損なわれ、微細な隙間が生じる可能性がある。
【００１７】
そして接合部に微細な隙間が生じると水分等が隙間から半導体装置内に浸入するため、半導体装置が正常に動作しなかったり、最悪の場合半導体装置自体が破損したりして、半導体装置の信頼性が低下するという問題がある。
【００１８】
本発明の目的は、半導体装置を小型化することができる技術を提供することである。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の実装強度を向上させることができる技術を提供することである。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することである。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２３】
すなわち、互いに対向する主面にそれぞれ第１、第２電極を有する半導体チップと、前記第２電極と接合し、該接合面に対向する面に第３電極が形成された第１導電層と、前記第１電極に接合する第２導電層と、前記第２導電層に接合し、前記第２導電層との接合面に対向する面に第４電極が形成された第３導電層と、封止体とを有し、前記第１導電層には前記半導体チップとの接合面に交差する面が形成され、かつ前記接合面に交差する面は前記封止体により被覆されているものである。
【発明の効果】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２５】
すなわち、前記第１導電性部材に前記半導体チップとの接合面に交差する面を形成し、かつ前記接合面に交差する面は前記封止体により被覆されている構造とすることにより、小型半導体装置の導電層と封止体との接合強度が向上するので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２７】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００２８】
本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
（実施の形態１）
本実施の形態１では半導体装置の例としてダイオードについて説明する。図１は本実施の形態１であるダイオードが回路基板上のランドに実装された状態を示す斜視図である。
【００３０】
図１において、本実施の形態１のダイオード１００は互いに対向する導電層１および導電層２を有し、例えばレジンである封止体３を介して接続され、一体構造をなしている。導電層１および導電層２には、それぞれ向き合う面の反対面に電極４および電極５が形成されている。すなわち、電極４、５は、同一面上に形成されているのではなく、互いに対向する面に形成されている。
【００３１】
また、ダイオード１００は電極４および電極５の主表面が、それぞれ回路基板６の基板面と交差する面となるように配置され、回路基板６上のランド７に例えばはんだ等の導電性の接合材料８により電気的に接続されている。
【００３２】
ダイオード１００は、電極４、５を互いに対向する面に形成することにより、小型化（例えば、図１に示すダイオード１００の平面寸法を０．３ｍｍ×０．６ｍｍよりも小さく）しても、接合材料８により電極４、５が短絡するリスクを極めて小さくすることができる。
【００３３】
また、ダイオード１００は電極４および電極５の各主表面が、それぞれ回路基板６の基板面と交差する面となるように実装することにより、接合材料８が電極４および電極５の各主表面に沿って吸い上がり、フィレット面を形成するので、実装強度、すなわち回路基板６とダイオード１００との接続強度を向上させることができる。
【００３４】
また、例えばリフロー時の加温不足等により、電極４、５とランド７との接合不良が発生しても、ダイオード１００は外観検査が容易に行えるので、不良箇所を発見し、修復することができる。
【００３５】
次に、ダイオード１００の内部構造の特徴について図２を用いて説明する。図２は図１に示すＡ−Ａ線から回路基板６の方向に切断した断面図である。
【００３６】
図２において、ダイオード１００は主面９ａ（第１主面）と主面９ａに対向する主面９ｂ（第２主面）とを有し、主面９ｂで導電層１に電気的に接続される半導体チップ９を有している。
【００３７】
なお、半導体チップ９の主面９ａには主面９ｂの方向に向かって例えばアルミニウムである電極１０（第１電極）が形成されており、主面９ｂには例えば金（Ａｕ）である金属膜の電極１１（第２電極）が形成されている。すなわち半導体チップ９は対向する主面９ａ、９ｂに各１つずつ電極を有する構造である。
【００３８】
また、導電層１は半導体チップ９の主面９ｂに交差し、かつ封止体３に被覆された面１ａを有している。導電層１はメサ形状となっており、メサ形状の凸部が電極５の方向を向くように配置されている。
【００３９】
ここで、ダイオード１００を回路基板６に実装する際にダイオード１００に働く外力について図２を用いて説明する。
【００４０】
ダイオード１００を回路基板６に実装するには、まず所定の位置にランド７が形成された回路基板６を準備し、ランド７上にペースト状のはんだ等である接合材料８を例えば印刷により塗布する。
【００４１】
次にランド７上の所定の位置に、電極４および電極５の各主表面が回路基板６の基板面と交差する面となるようにダイオード１００を配置する。
【００４２】
次にリフロー工程で、接合材料８を再溶融させ、フィレット面を形成させる。
【００４３】
次に冷却工程で接合材料８を凝固させるがこの際、接合材料８は図２に示す矢印１２、１３の方向にそれぞれ反ることがある。
【００４４】
冷却後、接合材料８はそれぞれ電極４および電極５と接合されるが、前記反りの影響により、ダイオード１００には矢印１２、１３に示す方向に外力が作用する。また、前記外力１２、１３は実装後においても接合材料８が発熱と放熱する度に、繰り返し発生する。
【００４５】
ところで、例えばレジンなどの封止体と例えば銅などの金属材料を接合させる場合、接合面に対して平行な方向に働く外力に対する接合強度は、接合面に対して直角方向に働く外力に対する接合強度よりも強い。
【００４６】
ダイオード１００は導電層１を半導体チップ９の主面９ｂに交差し、かつ封止体３に被覆された面１ａを有するように形成することにより、矢印１２、１３の方向に働く外力に対して平行な方向の接合面１ａを有することとなるため、主面９ｂに交差する面１ａを有しない場合と比較して封止体３と導電層１の接合強度を向上させることができる。
【００４７】
そして、接合強度を向上させることにより、回路基板６への実装時に封止体３と導電層１との接合部に隙間が生じるリスクを軽減させることができるので、ダイオード１００の信頼性を維持することができる。
【００４８】
また、導電層１の面１ａは、主面９ｂから電極４に向かう方向の距離Ｌ１が、半導体チップ９の主面９ａおよび主面９ｂと交差する面９ｃから、ダイオード１００の電極５および電極４と交差する面１００ａまでの最短距離Ｌ２よりも長くなるように形成されている。
【００４９】
ダイオード１００は距離Ｌ１を距離Ｌ２より長くすることにより、封止体３と導電層１との接合面の外力と平行な方向成分を外力と直角をなす成分よりも長くすることができるので、距離Ｌ１が距離Ｌ２より短い場合と比較して封止体３と導電層１の接合強度を向上させることができる。
【００５０】
また、ダイオード１００は主面９ａに形成された電極１０と、導電層２とを電気的に接続させるバンプ１４（第２導電性部材）を有している。電極４、５や導電層１、２には、ダイオード１００全体としての抵抗値を下げるため、半導体チップ９内部の各半導体層よりも電気抵抗の低い導電性材料を使用する。
【００５１】
しかし、電極４、５や導電層１、２は互いに対向面をなすように構成するため、例えば電極４と電極５の距離を近づけすぎると、ダイオード１００の容量が増加するので、所望の特性が得られなくなるという問題が生じる。
【００５２】
ダイオード１００は、半導体チップ９の主面９ａに形成された電極と、導電層２とをバンプ１４を介して接続するので、バンプ１４の長さ、すなわち導電層２との接合面１４ａから半導体チップ９との接合面１４ｂまでの距離を適宜調整することにより、容易に所望の特性を得ることができる。
【００５３】
次に、導電層２のバンプ１４および封止体３との接合面２ａの構造について図を用いて説明する。図３は図２に示す一点鎖線部Ｂを拡大した拡大断面図である。
【００５４】
図３において、導電層２のバンプ１４および封止体３との接合面２ａは面全体が凹凸形状をなしており、バンプ１４は導電層２の凹凸面に一部食い込むような形で接合されている。そして、封止体３は導電層２と例えばエポキシ系の樹脂である接着剤１５を介して接合されている。
【００５５】
ダイオード１００は、導電層２のバンプ１４と接合する面２ａ全体が凹凸形状をなすようにすることにより、導電層２の接合面２ａの表面積を大きくすることができるため、導電層２と封止体３との接合強度を向上させることができる。
【００５６】
そして、接合強度を向上させることにより、回路基板６への実装時に封止体３と導電層２との接合部に隙間が生じるリスクを軽減させることができるので、ダイオード１００の信頼性を維持することができる。
【００５７】
なお、前記凹凸形状はかならずしも図３に示すような角錐または円錐形状でなくても良く、平坦形状と比較して接合面２ａの表面積を大きくすることができれば良い。但し、凹凸の高低差を極端に大きくしすぎると、導電層２とバンプ１４とが電気的に接続される接続面積が小さくなるため、ダイオード１００の全体としての抵抗値が上がったり、導電層２とバンプ１４とが導通しなくなったりするおそれがある。
【００５８】
また、接着剤１５に導電性の材料を用いることもできる。接着剤１５に導電性材料を用いれば、導電層２とバンプ１４との導通不良を防止することができる。
【００５９】
次に、ダイオード１００の製造方法について、図を用いて説明する。図４は本実施の形態１であるダイオード１００の製造に用いる半導体ウエハを上面から見た平面図、図５〜１５はダイオード１００の製造方法を説明するための断面図である。
【００６０】
なお、図６から図１６において、半導体チップ９の電極１０および電極１１の図示は省略する。
【００６１】
（ａ）まず、図５に示すように下基板準備工程として導電層１の基板を準備する。導電層１の材料は例えば銅やニッケルであって、片側の主面には、例えば金やアルミニウムなどが蒸着法あるいはメッキ法により堆積されている。
【００６２】
基板材料としてニッケルを用いると、銅を用いる場合よりも高価ではあるが、導電層１の熱膨張係数が半導体チップ９の熱膨張係数に近い値となるので、ダイオード１００に通電した時に発生する熱により、半導体チップ９と導電層１が剥離してしまうリスクを低減することができる。
【００６３】
また、導電層１の片側の主面に堆積させる材料は、次工程で接着させるウエハ１６の接着面に形成された電極１１の材料と同じ材料を用いる。同じ材料を用いれば、次のウエハ貼り工程で、容易かつ確実に接着させることができる。
【００６４】
（ｂ）次に図６に示すようにウエハ貼り工程として、ウエハ１６を導電層１の金属を堆積させた主面上に載せ、３００〜４５０℃程度の加熱処理を行い、導電層１の基板に加熱接着させる。
【００６５】
ウエハ１６は図４に示す点線に沿って個片化されれば半導体チップ９となるものであり、導電層１との接着面には金またはアルミニウムの電極が形成されている。また、反対側の主面には図４に示す点線で区画された領域に各１個づつ金またはアルミニウムの電極が形成されており、電極上には、例えば銀であるバンプ１４が形成されたものを使用する。
【００６６】
（ｃ）次に図７に示すように、第１次ダイシング工程として図４に点線で示した線に沿ってウエハ１６を切断し、半導体チップ９にする。この際、ウエハ１６の主面９ａから主面９ｂを貫通して、導電層１の基板を完全には切断しない程度まで研削し、溝部１７を形成する。
【００６７】
なお、本工程では、後で説明する第２次ダイシング工程で使用するブレードよりもブレードの厚さ（回転方向と交差する方向のブレード幅）が厚いものを使用する。第１次ダイシング工程と第２次ダイシング工程とで使用するブレードの厚さに差を設けることにより、導電層１に図２に示したような主面９ｂに交差し、かつ封止体３に被覆される面を形成することができる。
【００６８】
本工程では、図２に示した距離Ｌ１の長さが距離Ｌ２よりも長くなるように研削するが、ダイオード１００の封止体３と導電層１との接合強度は、距離Ｌ１の長さが長い程向上する。
【００６９】
しかし、距離Ｌ１極端に長くしすぎると、研削溝の下部にある導電層１の機械強度が低下し、導電層１の割れ、欠け等が発生するため、次工程以降での作業性が著しく低下する。また、導電層１の下側の主面には最終的に電極４が形成されるが、この電極４を形成させる下地部分を残しておく必要がある。
【００７０】
本発明者の検討によれば、例えば、図１に示すダイオード１００の平面寸法が０．３ｍｍ×０．６ｍｍよりも小さい場合、図７に示す導電層１の下側の主面１ｂから、研削溝部１７の最下面までの最短距離Ｌ３が１００μｍ以上あれば導電層１の割れ、欠け等の発生頻度は極めて低く、電極４の形成にも支障がない。
【００７１】
本実施の形態１の製造方法によれば、第１次ダイシング工程でダイシングブレードにより主面９ｂに交差し、かつ封止体３に被覆される面１ａを形成するため、ダイオード１００の導電層１と封止体３との接合強度を容易に向上させることができる。
【００７２】
また、第１次ダイシング工程での研削の程度は容易に調整可能なので、所望の接合強度を得ることができる。
【００７３】
（ｄ）次に図８に示すようにモールド工程で、封止体３により半導体チップ９、バンプ１４および溝部１７を全て覆うようにモールドする。封止体３としては、例えばレジンなどの樹脂を用いることができる。
【００７４】
（ｅ）次に図９に示すように研磨工程で、バンプ１４の天面が露出するまで封止体３を研磨する。
【００７５】
（ｆ）次に図１０に示すようにレジスト膜形成工程で、前記研磨した面にレジスト膜１８を形成し、フォトエッチングによりバンプ１４の天面が露出するようにレジスト膜１８の一部を除去する。
【００７６】
（ｇ）次に図１１に示すようにバンプ成長工程で、バンプ１４を成長させる。バンプ１４を成長させる方法としては、気相成長などを用いることができる。
【００７７】
（ｈ）次に図１２に示すようにレジスト膜除去工程で、レジスト膜１８を全て除去する。本工程でレジスト膜１８を除去することにより、図１２に示すようにバンプ１４の一部が突出した形状となるため、後工程で、導電層２を接着する際に、バンプ１４と導電層２を確実に接着させることが可能となる。
【００７８】
（ｉ）次に図１３に示すように接着剤塗布工程で、例えばエポキシ系の樹脂である接着剤１５を塗布する。
【００７９】
（ｊ）次に図１４に示すように上基板接着工程で、導電層２の基板を接着する。導電層２の材料は導電層１と同様に、例えば銅やニッケルを用いる。
【００８０】
導電層２の基板のバンプ１４と接合する面２ａには面全体が凹凸形状をなすように予め凹凸化処理を行っておく。凹凸化処理の方法としては、例えば、面２ａを鑢などによる研磨手段を用いることができる。
【００８１】
なお、上記接着工程の前に封止体３の導電層２と接合する面を凹凸化させてもよい。封止体３の導電層２と接合する面を凹凸化することにより、封止体３の導電層２と接合する面の表面積を大きくすることができるので、導電層２と封止体３との接合強度を向上させることができる。
【００８２】
また、上基板接着工程では、既に硬化した封止体３が再溶融するのを防止するため、封止体３の融点以下での加熱接着を行う。
【００８３】
（ｋ）次に図１５に示すように電極形成工程で、導電層１、２の主表面に例えばはんだをメッキしてそれぞれ電極４、５を形成する。電極形成工程で、導電層１、２の主表面を被覆することにより、ダイオード１００を回路基板に実装する際にフィレット面を確実に形成させることができる。
【００８４】
（ｌ）最後に図１６に示すように第２次ダイシング工程で、個片化してダイオード１００が完成する。
【００８５】
本実施の形態１の製造方法では、封止体３による封止や、電極４、５を形成した後に個片化するので、個片化した半導体チップを個別に封止する方法と比較して、製造工程中でのハンドリングが良い。
【００８６】
また、先に個片化した半導体チップを個別に封止する製造方法の場合、半導体チップの配置位置がずれる可能性があり、位置ずれに起因するロス（機械的強度の低下、導通不良など）が発生する可能性があるが、本実施の形態１の製造方法によれば、位置ずれに起因するロスを防止することができる。
【００８７】
以上、本発明者によってなされた発明を発明に実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、半導体装置、特に２極の電極を有する半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の一実施の形態１であるダイオードを回路基板に実装した状態を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態１であるダイオードの内部構造を説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態１であるダイオードの内部構造を説明するための拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造に用いるウエハを上面からみた平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における下基板準備工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法におけるウエハ貼り工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における第１次ダイシング工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法におけるモールド工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における研磨工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法におけるレジスト膜形成工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法におけるバンプ成長工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法におけるレジスト膜除去工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における接着剤塗布工程を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における上基板接着工程を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における電極形成工程を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態１であるダイオードの製造方法における第２次ダイシング工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  導電層（第１導電性部材）
１ａ  面（第２主面との接合面に交差する面）
１ｂ  面
２  導電層（第３導電性部材）
２ａ  面（第３導電性部材の第２導電性部材と接合する接合面）
３  封止体
４  電極（第３電極）
５  電極（第４電極）
６  回路基板
７  ランド
８  接合材料
９  半導体チップ
９ａ  主面（第１主面）
９ｂ  主面（第２主面）
９ｃ  面
１０  電極（第１電極）
１１  電極（第２電極）
１２  矢印
１３  矢印
１４  バンプ（第２導電性部材）
１４ａ  面（第２導電性部材の第１主面と対向する面）
１４ｂ  面
１５  接着剤
１６  ウエハ
１７  溝部
１８  レジスト膜
１００  ダイオード
１００ａ  面
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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