(57)【要約】【課題】本発明は、磁性体層を有するインダクタンス部品において、その信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、素体６と、この素体６内に形成されたコイル７と、このコイル７に電気的に接続された端子８Ａ、８Ｂとを備え、素体６内にはコイル７の巻回平面に略並行に配置された磁性体層１０Ａ、１０Ｂを形成し、この磁性体層１０Ａ、１０Ｂにはスリットを形成し、このスリットを素体６の一部で充填したインダクタンス部品としたものである。  このような構成により、磁性体層１０Ａ、１０Ｂの全体が熱収縮率の均一な材料で覆われることとなり、半田実装時等、コイル部品全体に熱が加わるような状況下でも、応力が局所的にかかることがなく、高い信頼性を実現することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、
この素体内に形成されたコイルと、
このコイルに電気的に接続された端子とを備え、
前記素体内には前記コイルの巻回平面に略並行に配置された磁性体層を形成し、
この磁性体層にはスリットを形成し、
このスリットに前記素体の一部を充填したインダクタンス部品。
【請求項２】
まず、基板に第１のレジスト層を形成し、
次にこの第１のレジスト層を露光により硬化させ、
その後この第１のレジスト層の上面に第２のレジスト層を形成し、
次にこの第２のレジスト層におけるスリット形成部及び磁性体層非形成部を露光により硬化させ、
その後前記第２のレジスト層における磁性体層形成部を現像により除去し、
次に前記スリット形成部及び前記磁性体層非形成部における露出する表面に磁性体を形成し、
その後前記磁性体を上方から研磨して前記スリット形成部及び前記磁性体層非形成部の上面を前記磁性体から露出させる工程を有するインダクタンス部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話の電源回路に用いられるインダクタンス部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のインダクタンス部品は、図３５に示すごとく、シート状の素体１内にはコイル２が形成され、このコイル２には端子３が電気的に接続されており、素体１の上面、下面には磁性体層４が形成され、そのさらに外方には絶縁層５が形成されて構成されていた。
【０００３】
そして、この磁性体層４にスリットを設けることにより渦電流の発生を防止していた。
【０００４】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−３１７６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来のインダクタンス部品はその信頼性の悪さが問題となっていた。
【０００６】
すなわち、上記従来の構成においては、半田実装時等における熱により、素体１と絶縁体５との熱収縮率の違いから、磁性体層４に対して局所的に応力が加わり、その結果として信頼性が悪くなっていた。
【０００７】
そこで本発明は、磁性体層を有するインダクタンス部品において、その信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体内に形成されたコイルと、このコイルに電気的に接続された端子とを備え、前記素体内には前記コイルの巻回平面に略並行に配置された磁性体層を形成し、この磁性体層にはスリットを形成し、このスリットに前記素体の一部を充填したインダクタンス部品としたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のインダクタンス部品は、磁性体層を素体内に形成するとともに、この磁性体層に設けたスリットを素体の一部で充填する構成としたため、磁性体層の全体が熱収縮率の均一な材料で覆われることとなり、半田実装時等、熱がコイル部品全体に加わるような状況下においても、応力が磁性体層に対して局所的にかかることがなく、高い信頼性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１において、シート状の素体６内には渦巻状のコイル７を形成し、このコイル７の最外周部には図２に示すごとく端子８Ａ、８Ｂを形成している。そして、図１に示すごとく、コイル７を構成する平面コイル７Ａ、７Ｂ間にはビア９を素体６内に形成するとともに、コイル７の上方には磁性体層１０Ａを、コイル７の下方には磁性体層１０Ｂをそれぞれ素体６内に形成している。
【００１２】
そして、この磁性体層１０Ａ、１０Ｂには、図２に示すごとくスリット１１Ａ、１１Ｂを形成しており、このスリット１１Ａ、１１Ｂに、図１に示す素体６の一部を充填している。
【００１３】
ここで、磁性体層１０Ａ、１０Ｂはコイル７の巻回平面に対して略並行に配置することが望ましい。コイル７から発生する磁束の通り道に、高透磁率の磁性体層１０Ａ、１０Ｂを配置するためである。
【００１４】
ここで、コイル７は一層でも構わないが、本実施の形態においては２層の平面コイル７Ａ、７Ｂにより構成している。上層の平面コイル７Ａを端子８Ｂから内周方向へ渦巻状に巻回し、この平面コイル７Ａの最内周部と下層の平面コイル７Ｂの最内周部とをビア９により接続し、この平面コイル７Ｂを端子８Ａへ向かう方向（外周方向）へ渦巻状に巻回してコイル７を構成している。
【００１５】
ここで、平面コイル７Ａ、７Ｂは互いに同方向に巻回することが望ましい。これは、平面コイル７Ａで発生した磁束と、平面コイル７Ｂで発生した磁束とが打ち消し合わされることがなく、大きなインダクタンス値を実現することができるためである。
【００１６】
ここで、各磁性体層１０Ａ、１０Ｂの厚みは、渦電流の発生を抑制するために、スキンデプスの２倍未満の厚みにしている。
【００１７】
このように、磁性体層１０Ａ、１０Ｂをそれぞれ素体６内に形成するとともに、この磁性体層１０Ａ、１０Ｂに設けたスリット１１Ａ、１１Ｂを素体６の一部で充填する構成としたため、各磁性体層１０Ａ、１０Ｂの全体を熱収縮率の均一な素体６で覆う構成とすることができ、半田実装時等、コイル部品全体に熱が加わるような状況下においても、磁性体層１０Ａ、１０Ｂに対して応力が局所的にかかることがなく、高い信頼性を得ることができる。
【００１８】
また、スリット１１Ａ、１１Ｂを設けることにより、磁性体層１０Ａ、１０Ｂ内における渦電流の発生を抑制することができる。
【００１９】
このスリット１１Ａ、１１Ｂの形状としては、図２に示すような十字状のものや、中心部から放射状に広がるような形状などが挙げられる。スリット１１Ａ、１１Ｂの形状を中心部から放射状に広がるような形状とすると、最も磁束が通る、即ち渦電流が最も発生しやすい中心部分において、その磁性体層１０Ａ、１０Ｂにおけるスリット１１Ａ、１１Ｂの占める面積の割合が多くなるため、効率よく渦電流を防止することができ望ましい。
【００２０】
さらに、スリット１１Ａ、１１Ｂを設けるとともに、このスリット１１Ａ、１１Ｂに素体６の一部を充填することにより、磁性体層１０Ａ、１０Ｂと素体６との接触面積を増加させることができ、それらの密着性を高めることができる。
【００２１】
また、平面コイル７Ａ、７Ｂをそれぞれ同一平面上において巻回する構成にすることにより、低背型のインダクタンス部品を実現することができる。
【００２２】
なお、本実施の形態においては、コイル７の上方、下方にそれぞれ１枚の磁性体層１０Ａ、１０Ｂを配置する構成としているが、それ以上の層数で構成することにより、高いインダクタンス値を得ることができる。また、コイル７の上方と下方とで、形成する磁性体層の層数を異ならせてもかまわないが、コイル７の上方、下方の一方に磁束が流れにくい部分があるとその部分にインダクタンス値が制限されてしまうため、同じ厚みの磁性体層を用いるのであれば、コイル７の上方、下方とも同じ層数に、異なる厚みの磁性体層を用いるのであれば、その厚みの合計がコイル７の上方と下方とで等しくなるように配置することが望ましい。
【００２３】
なお、コイル７は単層でも構わないが、本実施の形態の図１に示すごとく平面コイル７Ａ、７Ｂを２層以上積層させた構造とすることにより、より大きなインダクタンス値を実現することができ望ましい。
【００２４】
なお、平面コイル７Ａ、７Ｂの断面は方形ではなく円形でもかまわないが、方形の方がコイル断面積を大きくとることができ、その結果として銅損を低減することができるため望ましい。
【００２５】
なお、平面コイル７Ａ、７Ｂの厚みを１０μｍ以上とすることにより大電流に対応することができ望ましい。
【００２６】
なお、磁性体層１０Ａ、１０Ｂの材料としては鉄または鉄合金からなる組成の金属磁性材料を用いることが、磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。この磁性体層１０Ａ、１０Ｂに鉄合金を用いた場合、鉄の組成比を３０質量％以上とすることが望ましい。これは磁性体層１０Ａ、１０Ｂに含まれる鉄の含有量を３０質量％以上にすることで、高飽和磁束密度、かつ低保磁力という磁気特性を実現することができるためである。また、ニッケル量を８０％付近にすると高透磁率とすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができ望ましい。
【００２７】
また、磁性体層１０Ａ、１０Ｂに用いる鉄合金としては、ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＣｏのうちいずれか一つを含む組成からなる金属磁性材料を用いることが、高磁束密度、低磁気損失の観点からより好ましい。
【００２８】
この磁性体層１０Ａ、１０Ｂの作製には、例えば電気めっき法を使用することができる。
【００２９】
このとき、電気めっき工程に用いるめっき浴にはＦｅイオンあるいはその他の金属イオンを含有させておく。
【００３０】
なお、めっき浴の各種添加剤として、応力緩和剤、ピット防止剤、錯化剤を入れておくことが好ましい。この応力緩和剤としては例えばサッカリンが挙げられる。サッカリンは、スルホン酸塩を含有する物質であるため、その効果を発揮することができる。このような応力緩和剤を入れることで、磁性体層１０Ａ、１０Ｂを厚く形成してもクラックが発生しない、均一性に優れた磁性体層１０Ａ、１０Ｂを形成することができる。例えば、応力緩和剤としてサッカリンを用いた場合、めっき浴中に０．１〜５ｇ／Ｌ含有させておくことでその効果を見ることができるが、電流密度等のめっき条件によって応力緩和作用を発揮する量は変化するので適宜条件設定をすることで制御することが可能である。
【００３１】
また、錯化剤としては各種金属イオンを安定化させるために、アミノ酸、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸をはじめとした有機分子や無機分子を含有させることで金属イオンと安定な錯体を形成することができる。
【００３２】
このようなめっき浴を用いて電解めっき法によって鉄合金膜を形成するが、陽極を分離しためっき装置を用いる、あるいは磁場中でめっきを行う等の工夫をすることにより、磁気特性に優れた鉄合金膜を形成することが可能となる。
【００３３】
なお、図２に示すスリット１１Ａとスリット１１Ｂの形状は同一の形状とすることが望ましい。一部でも磁束が通りにくい部分があると、その部分にインダクタンス値が制限されてしまうからである。
【００３４】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、図３に示すごとく、シリコン等の基板１２を用意する。
【００３６】
次に、図４に示すごとく、この基板１２上に、フォトレジストにより絶縁層１３を形成する。
【００３７】
その後、図５に示すごとく、絶縁層１３の上面全体を露光する。
【００３８】
次に、図６に示すごとく、絶縁層１３の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１４を形成する。
【００３９】
その後、図７に示すごとく、絶縁層１４において磁性体層形成部１４Ａを除いた、スリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃの上面を露光する。ここで、スリット充填素体形成部１４Ｂの形状がそのまま図２に示したスリット１１Ｂの形状となる。
【００４０】
次に、図８に示すごとく、図７に示した磁性体層形成部１４Ａを現像により除去する。
【００４１】
その後、図９に示すごとく、絶縁層１３及びスリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体１５を形成する。
【００４２】
なお、磁性体１５をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層１３及びスリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体１５を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００４３】
次に、図１０に示すごとく、図９に示した磁性体１５を上方から研磨し、スリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃを上面に露出させる。このとき、図７に示した磁性体層形成部１１Ａに該当する部分には磁性体１５が入り込んでおり、これが、図１、図２に示す磁性体層１０Ｂとなる。そして、この磁性体層１０Ｂ内にはスリット充填素体形成部１４Ｂが入り込んでおり、これが図２に示すスリット１１Ｂを充填する素体の一部となる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦なスリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃを形成することができる。
【００４４】
その後、図１１に示すごとく、磁性体層１０Ｂ、スリット充填素体形成部１４Ｂ、素体形成部１４Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１６を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１６を形成することができる。
【００４５】
次に、図１２に示すごとく、絶縁層１６の上面全体を露光する。
【００４６】
その後、図１３に示すごとく、絶縁層１６の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１７を形成する。
【００４７】
次に、図１４に示すごとく、絶縁層１７においてコイル形成部１７Ａ、端子形成部１７Ｂを除いた素体形成部１７Ｃの上面を露光する。
【００４８】
その後、図１５に示すごとく、図１４に示したコイル形成部１７Ａ、端子形成部１７Ｂを現像により除去する。
【００４９】
次に、図１６に示すごとく、絶縁層１６、素体形成部１７Ｃの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより導体１８を形成する。
【００５０】
なお、導体１８をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層１６、素体形成部１７Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に導体１８を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００５１】
その後、図１７に示すごとく、図１６に示した導体１８を上方から研磨し、素体形成部１７Ｃを上面に露出させる。このとき、図１４に示したコイル形成部１７Ａ、端子形成部１７Ｂに該当する部分には導体１８が入り込んでおり、これらがそれぞれ図１に示す平面コイル７Ｂ、端子８Ａとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１７Ｃを形成することができる。
【００５２】
次に、図１８に示すごとく、平面コイル７Ｂ、端子８Ａ，及び素体形成部１７Ｃの上面全体に絶縁層１９を形成する。
【００５３】
その後、図１９に示すごとく、絶縁層１９におけるビア形成部１９Ａを除いた素体形成部１９Ｂの上面を露光する。
【００５４】
次に、図２０に示すごとく、ビア形成部１９Ａ、素体形成部１９Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２０を形成する。
【００５５】
その後、図２１に示すごとく、絶縁層２０におけるコイル形成部２０Ａ、端子形成部２０Ｂを除いた素体形成部２０Ｃの上面を露光する。
【００５６】
次に、図２２に示すごとく、図２１に示したビア形成部１９Ａ、コイル形成部２０Ａ、端子形成部２０Ｂを現像により除去する。
【００５７】
その後、図２３に示すごとく、図２２に示した素体形成部１９Ｂ、２０Ｃの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体２１を形成する。
【００５８】
なお、導体２１をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部１９Ｂ、２０Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に導体２１を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００５９】
次に、図２４に示すごとく、図２３に示した導体２１を上方から研磨し、素体形成部２０Ｃを上面に露出させる。このとき、図２１に示したコイル形成部２０Ａ、端子形成部２０Ｂ、ビア形成部１９Ａに該当する部分に入り込んだ導体２１が、それぞれ図１に示す平面コイル７Ａ、端子８Ｂ、ビア９となる。
【００６０】
次に、図２５に示すごとく、平面コイル７Ａ、端子８Ｂ、素体形成部２０Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２２を形成する。
【００６１】
その後、図２６に示すごとく、絶縁層２２の上面全体を露光する。
【００６２】
次に、図２７に示すごとく、絶縁層２２の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２３を形成する。
【００６３】
その後、図２８に示すごとく、絶縁層２３における磁性体層形成部２３Ａを除いた、スリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃの上面を露光する。ここで、スリット充填素体形成部２３Ｂの形状がそのまま図２に示したスリット１１Ａの形状となる。
【００６４】
次に、図２９に示すごとく、図２８に示した磁性体層形成部２３Ａを現像により除去する。
【００６５】
その後、図３０に示すごとく、図２９に示した絶縁層２２、スリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより磁性体２４を形成する。
【００６６】
なお、磁性体２４をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）が不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層２２、スリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体２４を形成することができ、且つ製膜スピードが速いといったメリットがある。
【００６７】
次に、図３１に示すごとく、図３０に示した磁性体２４を上方から研磨し、スリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃを上面に露出させる。このとき、図２８に示した磁性体層形成部２３Ａに該当する部分には磁性体２４が入り込んでおり、これが、図１に示す磁性体層１０Ａとなる。そして、この磁性体層１０Ａ内にはスリット充填素体形成部２３Ｂが入り込んでおり、これが、図２に示すスリット１１Ａを充填する素体の一部となる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦なスリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃを形成することができる。
【００６８】
その後、図３２に示すごとく、磁性体層１０Ａとスリット充填素体形成部２３Ｂ、素体形成部２３Ｃの上面全体にフォトレジストにより絶縁層２５を形成する。
【００６９】
次に、図３３に示すごとく、絶縁層２５の上面全体を露光する。
【００７０】
その後、図３４に示すごとく、フッ酸処理等により基板１２を除去する。
【００７１】
次に、図１に示すごとく、樹脂と金属の混合物からなるペーストを外部電極８ＡＡ、８ＢＢとし、それぞれを端子８Ａ、８Ｂに電気的に接続する。
【００７２】
このようにして、磁性体層１０Ａ、１０Ｂを素体６内に形成するとともに、磁性体層１０Ａ、１０Ｂに設けたスリットを素体６の一部で充填するよう構成した、高い信頼性を有するインダクタンス部品を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明のインダクタンス部品は、信頼性が高いという特徴を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の分解斜視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３５】従来のインダクタンス部品の断面図
【符号の説明】
【００７５】
６  素体
７  コイル
８Ａ、８Ｂ  端子
１０Ａ、１０Ｂ  磁性体層
【図１】
2007305717.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007305717.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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