(57)【要約】【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。【選択図】図１
2007173782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部と、前記光学系によって整形されたレーザ光に対して透光性を有する窓とを有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光を観察する手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項５に記載の前記レーザ光の形状又は焦点を観察する手段は、ＮＤフィルターと、ＣＣＤカメラを有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項４又は請求項５に記載の前記レーザ光のエネルギーを観察する手段は、パワーメータを有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記気体は不活性気体であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記板は透光性を有する材料を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ照射装置及び本発明のレーザ照射装置を用いてレーザまたは強光により半導体膜を結晶化する工程を含んで作製される半導体装置の作製方法に関する。前記半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、例えば、液晶表示装置に代表される電気光学装置、及び電気光学装置を部品として搭載した電気機器、発光装置、及び無線チップ、無線タグ、無線ＩＣ、ＲＦＩＤチップ、ＩＣチップ、ＩＣタグ等の無線にてデータの受信や送信を行う機器等も半導体装置の範疇に入るものとする。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基板上に形成された半導体膜に対しレーザ照射を行い、結晶化させたり結晶性を向上させたり半導体膜に添加されたドーパントを活性化させたりする技術が広く研究されている。また、上記半導体膜には珪素膜がよく用いられる。
【０００３】
上記絶縁基板には大面積基板に加工することができるガラス基板がよく用いられる。ガラス基板以外には石英基板などが使用されるが、石英基板の大面積化は非常に困難である。このようにガラス基板を使う利点は大きいが、石英基板と比較してガラス基板の融点が低いことが問題である。半導体膜の結晶化には比較的高温を要するため、結晶化の際のガラス基板の変形が問題となっており、その解決策として半導体膜のレーザ照射を用いた結晶化が考案された。レーザを用いることで、基板の温度をあまり上げずに、半導体膜の温度のみを上昇させることが可能である。つまり、融点の低いガラス基板やプラスチック基板などに成膜された半導体膜の結晶化には、レーザを用いるのが好ましい。
【０００４】
半導体膜にレーザを照射することで、半導体膜を結晶化させたり、結晶性を向上させることができるが、その際に半導体膜はレーザのエネルギーにより溶融し、再び固化する過程を経る。前記固化する過程で、半導体膜は無数の核を形成し、各々の核が主に半導体膜の膜面に平行な方向に成長して結晶粒を作る。これらの結晶粒の成長において、隣接する結晶粒が互いに衝突することにより、非常に高い凸部が半導体膜に形成される。特に酸素を含む雰囲気、例えば大気雰囲気において半導体膜に対してレーザ照射が行われると、この凸部は非常に大きく成長し、半導体膜の厚さと同程度の高さに達することもある。このようにしてレーザが照射された半導体膜の表面に凹凸が形成されるのであるが、特にトップゲート型ＴＦＴを作製する場合には、凹凸のある表面がゲート絶縁膜との界面となるため、該凹凸は、素子特性のばらつきや、オフ電流値の上昇の原因となった。
【０００５】
前記凸部の成長は、レーザによる半導体膜の結晶化を行うためのレーザ照射の際の雰囲気から酸素を除けば著しく抑えられることが判っているため、結晶化を行うためのレーザ照射の際は酸素のない雰囲気、例えば窒素雰囲気、あるいは真空にて行われる。このようにすることで半導体膜の凹凸を抑えることができるのであるが、レーザ照射の際の雰囲気を窒素雰囲気や真空とするためには、強固な真空チャンバーや真空装置、大量の窒素の供給が必要となりコスト高につながった。
【０００６】
上記課題を解決するために高価な真空装置を使わずに、レーザ照射されている半導体膜の極近傍の雰囲気のみを酸素の無い雰囲気、例えば窒素雰囲気や希ガス雰囲気や水素雰囲気等にすることによって、局所的に酸素の少ない雰囲気を形成する内容の発明も開示されている（特許文献１参照。）。
【０００７】
上記文献では、非常に強い気流を形成して、レーザ光が半導体膜に照射されている領域に酸素を含まない気体を吹き付けながらレーザ照射を行っている。あるいは、半導体膜の極近傍に酸素を含まないガスを噴射できる平坦な板を設置し、前記板を介してレーザ光を半導体膜に照射している。または、レーザ光が半導体膜に照射されている領域の近傍の酸素濃度を極力少なくするために、前記板からガスを噴射させることにより半導体膜に対してエア浮上させている。
【０００８】
しかし、酸素の無い雰囲気下でレーザ照射した場合、半導体膜の表面の凹凸を小さくする効果がある反面、半導体特性の低下が見られる場合がある。本問題を解決するために、酸素を含む雰囲気下で半導体膜に第一のレーザ光の照射を行って結晶化させた後、第一のレーザ光の照射で形成された酸化膜を除去し、その後に酸素を含まない雰囲気下で第二のレーザ光の照射を行うことで半導体膜の表面の凹凸を小さく、すなわち半導体膜の表面を平坦化する方法を用いている。このような工程を経ることにより、ＴＦＴの電流値をほとんど劣化させることなく半導体膜の表面を平坦化することができる。これにより、特にオフ電流値の上昇を抑制することができる。
【０００９】
また、ニッケルまたは、パラジウム、または鉛等の金属元素の微量に添加して非晶質構造を有する半導体膜を結晶化させるのにかかる時間を短縮する技術を用いれば、例えば５５０℃の窒素雰囲気に４時間の加熱処理で特性の良好な結晶構造を有する半導体膜を得ることができる（特許文献２参照。）。この技術は、結晶化に必要である加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶構造を有する半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数（Ｓ値）が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となる。前記加熱処理のみでなくさらにレーザ照射を行うと、加熱処理またはレーザ照射のとちらかだけで結晶化を行う場合よりも半導体膜としての特性が向上する場合がある。このレーザ照射を上記第一のレーザ光の照射とし、該照射により形成された酸化膜を除去した後、さらに上記第二のレーザ光の照射を行うことも可能である。なお、高い特性を得るためには、レーザ照射を行う条件を最適化する必要がある。
【特許文献１】特開２００３−０１７４１１号公報
【特許文献２】特開平７−１８３５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、基板との間に測定プローブあるいは測定器を設置する際、大気解放に板をはずす必要があった。さらに、前記測定系とガス噴射させるための板とが干渉し、レーザ光管理とレーザ光照射雰囲気の制御の両立が困難であった。つまり、レーザ光の状態を確認するための作業が多く、さらに板の配置条件を変更しなければならなかったため、レーザ光照射雰囲気制御下でレーザ照射することは容易ではなかった。さらに、板のサイズが大きいため、レーザ光を照射する前に板の内側の空間を安定化させるために流す気体の総量が多かった。
【００１１】
そこで本発明では、従来のレーザ光の状態を確認する作業を簡略化し、最適な条件でレーザ照射することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明は、レーザの照射状態を確認するための手段をレーザが最後に通過するレンズと、板との間に設けることを特徴とする。また、レーザの照射状態を確認するための手段をレーザが最後に通過するレンズと、板との間に設けるために板の大きさを従来の板と比較して小型化していることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、板とステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有することを特徴とする。
【００１４】
レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部と、光学系によって整形されたレーザ光に対して透光性を有する窓とを有する板と、板の下部に配置されたステージと、板とステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察する手段と、を有することを特徴とする。
【００１５】
レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、板とステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、を有することを特徴とする。
【００１６】
レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、板とステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、を有することを特徴とする。
【００１７】
レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、板とステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、を有することを特徴とする。
【００１８】
上記構成のレーザ照射装置のレーザ光の形状又は焦点を観察する手段は、ＮＤフィルターと、ＣＣＤカメラを有していることを特徴とする。
【００１９】
上記構成のレーザ照射装置のレーザ光のエネルギーを観察する手段は、パワーメータを有していることを特徴とする。
【００２０】
上記構成のレーザ照射装置の気体は不活性気体であることを特徴とする。
【００２１】
上記構成のレーザ照射装置の板は透光性を有する材料を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のレーザ照射装置は、従来と比べて板のサイズを小さくしているため、従来のように測定器を光学系の下方に設置する際に、大気解放して板を照射装置からはずすこと無く、測定することが可能である。大気解放せずに板の配置条件を固定したまま測定することができる。つまり、従来のレーザ照射装置と比べてレーザ光の照射条件の測定を簡略化することができるため、レーザ光の測定にかかる時間を短縮することができる。また、従来と比べて板の内部が占める空間を小さくしているため、レーザ照射前に流す気体の総量を減らし、レーザ照射前に気体を流す時間も短縮することができる。さらに、本発明のレーザ照射装置を用いることによって、安定したレーザ照射雰囲気下でレーザ照射をすることが可能であるため、ＴＦＴの特性のばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性を向上させることが可能である。
【００２３】
さらに本発明のレーザ照射装置を用いることによって、高い圧力に耐えうるような高価なチャンバーを用いる必要がないため、装置の低コスト化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００２５】
（実施の形態１）
図１及び図２を用いて本発明の実施の形態１を説明する。
【００２６】
図１及び図２に本発明のレーザ照射装置の一例を示す。本実施の形態の照射装置は、レーザを発振するためのレーザ発振器（図示せず）と、レーザ光を整形するための光学系と、基板表面にガスを噴射する板と、光学系と板の間に設けられ、かつレーザ光の形状、焦点、及びエネルギーを観察することができる手段を有していることを特徴としている。
【００２７】
レーザ光の形状、焦点、及びエネルギーを観察することができる機器として、具体的には、光学系によって集光されたレーザ光のエネルギーを測定するパワーメータ３３１と、集光させたレーザ光の焦点及び形状を確認するためのビームプロファイラー３３０を有している。また、パワーメータ３３１及びビームプロファイラー３３０は固定具３３６によって、保持されている。なお光学系については、最後のレンズとして用いるトリプレットシリンドリカルレンズ３０１を除いて、ここでは省略する（図２参照。）。また、トリプレットシリンドリカルレンズ３０１は保持機構（図示せず）によって固定されている。
【００２８】
ビームプロファイラー３３０は、集光されたレーザ光を減光させるためのＮＤフィルター（Ｎｅｕｔｒａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）３３７と、ＮＤフィルター３３７を通過したレーザ光を反射させるミラー３３３と、ミラー３３３によって反射されたレーザ光を減光させるためのＮＤフィルター３３４と、ＮＤフィルター３３４を通過したレーザ光の形状及び焦点を確認するためのＣＣＤカメラ３３５によって構成されている。
【００２９】
ＮＤフィルター３３４、及び３３７は、反射率を変えて光量を調整するタイプ、あるいは吸収して光量を調整するタイプのものを用いればよい。また、ここではＮＤフィルター３３４は３枚用いているが、これに限定されるものではなく、適宜選択して用いればよい。また、レーザ光の形状及び焦点を確認するためにＣＣＤカメラ３３５を用いているが、これに限定されるものではなく、レーザ光の形状及び焦点を確認することができれば、どのようなものを用いてもよい。また、図面のように基板表面を観察するためのＣＣＤカメラ３３２を設けてもよい。
【００３０】
なお、レーザ光の形状及び焦点を確認するためのＣＣＤカメラ３３５からレーザ光が最後に通過するレンズまでの光学距離と、レーザ照射を行う基板からレーザ光が最後に通過するレンズまでの光学距離は等しくなるようにする。
【００３１】
また、レーザ光のエネルギーや形状等を観察する場合、このビームプロファイラー３３０及びパワーメータ３３１にトリプレットシリンドリカルレンズ３０１を通過したレーザ光が入射する箇所に固定具３３６を移動させればよい。
【００３２】
一方、レーザ光を基板３０５に照射する場合を図２に沿って示す。基板３０５にレーザ光を照射する場合、固定具３３６を後退させ、レーザ光が窓３０３に照射できるような位置に配置する（図２参照。）。基板３０５をステージ３０６に配置する。そして、気体を噴射する板３０４に気体供給管３０２から例えば窒素を供給し、窒素を噴射させる。板の保持機構３０７により保持された板３０４を基板３０５の直上に配置し、板３０４とステージの（基板）距離を一定に固定する。なお、板が噴射する窒素により、板３０４を基板３０５上で浮上させてもよい。板の保持機構３０７は板３０４と完全に固定しているわけではなく、板３０４が浮上する余地が残してある。なお、気体の供給はレーザ光を照射する前に板の内部の空間を安定化させる際と、レーザ光を照射する際に行えばよい。
【００３３】
板３０４を直上に配置した状態で、レーザ光を例えば、トリプレットシリンドリカルレンズ３０１により線状に集光させ、レーザ光に対し透光性を有する窓３０３を介して基板３０５に照射し、ステージ３０６を図中矢印の方向、すなわち線状ビームの長さ方向に対して直角方向に動作させ、半導体膜全体にレーザ光を照射する。窓３０３は、石英窓を用いるのがレーザ光の透過率が高いため好ましい。この工程により、レーザ光がまさに当たっている基板３０５の近傍の雰囲気をほとんど窒素雰囲気とすることができる。
【００３４】
レーザ光を集光する光学系には例えば、図１及び図２に示したトリプレットシリンドリカルレンズ３０１を用い、線状に集光させると、レーザ処理の効率が高いので好ましい。トリプレットシリンドリカルレンズは、球面収差を抑えるために３枚のレンズで構成されるレンズである。本発明には、シングレットシリンドリカルレンズ（１枚構成のレンズ）、ダブレットシリンドリカルレンズ（２枚構成のレンズ）などを用いてもよい。半導体膜面において、よりエネルギー分布の均一なビームを得るには、より球面収差の少ないレンズを用いた方がよいことは言うまでもない。
【００３５】
なお、基板３０５を設置した後、板３０４から気体を噴出させた状態でレーザ光の形状、焦点、及びエネルギーを観察することも可能である。つまり、本発明のレーザ照射装置は、基板にレーザ照射を行う状態においてもレーザ光の形状、焦点、及びエネルギー等の条件を観察することが可能である。
【００３６】
以上のように、本発明のレーザ照射装置は、従来と比べて板のサイズを小さくしているため、従来のように測定器を光学系の下方に設置する際に、大気解放して板を照射装置からはずすこと無く、測定することが可能である。大気解放せずに板の配置条件を固定したまま測定することができる。つまり、従来のレーザ照射装置と比べてレーザ光の照射条件の測定を簡略化することができるため、レーザ光の測定にかかる時間を短縮することができる。また、従来と比べて板の内部が占める空間を小さくしているため、レーザ照射前に流す気体の総量を減らし、気体を流す時間も短縮することができる。さらに、本発明のレーザ照射装置を用いることによって、安定したレーザ照射雰囲気下でレーザ照射をすることが可能であるため、ＴＦＴの特性のばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性を向上させることが可能である。
【００３７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、気体を噴射する板の構造の例を図３に沿って示す。
【００３８】
図３（Ａ）に気体を噴射する板の一例を示す。気体を気体供給管３０９から石英窓３１０とアルミニウム合金３１１で構成される板に供給し、アルミ合金の下部に設けられたスリット状の穴から前記気体を噴射させる。この状態で、半導体膜３１２の直上に前記板を配置し、前記板と半導体膜の距離を一定に固定する。なお、気体の噴射の圧力により浮上させてもよい。なお、図３（Ａ）には図示しないが、図２に示した保持機構３０７のような、板の位置を安定させるための保持機構を設ける必要がある。これにより、板と半導体膜３１２の距離を安定した状態で固定させることができる。一例として図では、レーザ光を線状に集光させるため、トリプレットシリンドリカルレンズ３０８を用いている。これにより、半導体膜３１２にレーザ光を集光させ、より高いエネルギー密度を得ることができる。
【００３９】
石英窓３１０はレーザ光を透光させるために設けた。アルミ合金の下部に設けられている穴は、気体の噴射口の役割と、レーザ光を通す役割とを兼ねている。アルミ合金を用いたのは、板の軽量化が目的であるため、他の材料で構成しても構わない。
【００４０】
次いで、図３（Ｂ）に気体を噴射する板の他の例を示す。気体として例えば窒素等の不活性気体を気体供給管３０９からアルミ合金３１３で構成される板に供給し、アルミ合金の上下部に設けられたスリット状の穴から前記気体を噴射させる。気体供給管は図中に示したように板の左右に設置されると、構成が左右対称になるため、より安定に気体を供給できるのでよい。なお、この構成は、図３（Ａ）に示した構成を用いてもよい。この状態で、半導体膜３１２の直上に前記板を配置し、半導体膜と板の距離を一定に固定する。なお。窒素の噴射の圧力により浮上させてもよい。板の上下にスリット状の穴が設けられているため、窒素は板の上下のスリットから噴射する。板の下方に噴射する窒素は板の浮上のためにも使われる。板の上方に噴射される窒素は、板の上方に設けられた光学素子、本実施の形態では、トリプレットシリンドリカルレンズ３０８に吹き付けられるためトリプレットシリンドリカルレンズへのゴミの付着を防ぐことができる。なお、気体の供給はレーザ光を照射する前に板の内部の空間を安定化させる際と、レーザ光を照射する際に行えばよい。
【００４１】
なお、図３（Ｂ）には図示しないが、図２に示した保持機構３０７のような、板の位置を安定させるための保持機構を設ける必要がある。これにより、板を半導体膜１０２上で安定した状態で板と半導体膜の距離を固定させることができる。図の例では、レーザ光を線状に集光させるため、トリプレットシリンドリカルレンズ３０８を用いている。これにより、半導体膜１０２にレーザ光を集光させ、より高いエネルギー密度を得ることができる。
【００４２】
図３（Ｂ）の例では、板の上下にスリットを設けたため、両スリットの中にレーザ光を通せばよい。板にアルミ合金を用いたのは、軽量化が目的であるため、他の材料で構成することもできる。
【００４３】
なお、本実施の形態において用いる気体として不活性気体を用いる場合を示したが、これに限定されるものではない。つまり、酸素を含む気体や、窒素と酸素の混合気体であってもよい。
【００４４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明を量産工程で実施する例を図４に沿って説明する。
【００４５】
線状ビームを形成させるための光学系３１５の説明をする。光学系３１５は照射面においてエネルギー分布の均一な線状ビームを得るために、ホモジナイザの機構を有している。光学素子３１６は、シリンドリカルレンズアレイとシリンドリカルレンズを組み合わせることにより、線状ビームの短幅方向のエネルギー分布の均一化を行う。図４（Ａ）のようにシリンドリカルレンズアレイを２つ用いて、線状ビームの短幅の長さを可変としてもよい。線状ビームの短幅の長さを変えるには、シリンドリカルレンズアレイの距離を変えればよい。また、光学素子３１７は同様にシリンドリカルレンズアレイとシリンドリカルレンズを組み合わせることにより、線状ビームの長幅方向のエネルギー分布の均一化を行う。
【００４６】
前記光学素子３１６、３１７の上面図を図４（Ｂ）に示す。図では光学素子３１７のシリンドリカルレンズアレイが１つであるが、２つのシリンドリカルレンズを用いて線状ビームの長幅の長さを可変としてもよい。ミラー３１８は水平方向に進むレーザ光を鉛直方向に曲げる役割を果たす（図４（Ａ）参照。）。これにより、線状ビームを水平面に形成できるため、照射の対象となる半導体膜を水平に設置することが可能となる。ダブレットシリンドリカルレンズ３１９により、線状ビームの短幅をさらに短くし、照射面においてより高いエネルギー密度が得られるようにしてもよい。これにより、線状ビームの長さをより長くすることができるため、大面積の基板にも効率よくレーザ光を照射できる。レーザ光を照射する半導体膜まわりの雰囲気と、光学系３１５の雰囲気とを分断するために光学系３１５を敷居で囲い、レーザ光を透過させる石英窓３２０設けてもよい。例えば、光学系３１５を窒素パージすることで光学系の劣化を抑制することができる。
【００４７】
次いで、レーザ光を半導体膜に照射する工程を説明する。基板３２４は、図示しないロボットアーム等によりステージ３２５上に配置される。その後、窒素供給源３２６に接続される気体供給装置３２２より気体を噴射する板３２３に窒素が供給され、窒素が板３２３から適当な流量で噴射される状態とする。次いで、板３２３を半導体膜直上に配置させ、板とステージ（半導体膜）の距離を一定に固定する。なお、窒素の噴射により半導体膜上で浮上させてもよい。窒素気体は、加熱装置３２７により加熱するとレーザエネルギーの不足を補うことができる。この状態を維持させたまま、レーザ光を照射しながら、ステージ３２５を線状ビームの長幅方向に対し直角方向に移動させ、半導体膜にレーザ光を照射する。レーザ発振器３１４はコントローラ３２１により制御されており、発振するエネルギーや周波数などを入力させることができる。気体を噴射する板は、適当な動作機構と接続させ、基板３２４がステージ３２５に配置される前は、適当な場所に待機させると、基板と板との干渉の可能性が低くなるので好ましい。以上の一連の動作を繰り返すことにより、多数枚の半導体膜をレーザ光で処理することができる。
【００４８】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態は、図５を用いて説明する。ここでは、絶縁基板上に設けられた半導体膜をレーザにより結晶化する方法について詳細に説明する。
【００４９】
まず、上記実施の形態で示した方法でガラス基板５００上に下地絶縁膜５０１を形成する。本実施の形態では、ガラス基板上に設ける下地絶縁膜５０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いてもよい。下地絶縁膜５０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４、ＮＨ３、及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される第１の酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を膜厚５０ｎｍで形成する。次いで、下地絶縁膜５０１の二層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される第２の酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を膜厚１００ｎｍで形成する。
【００５０】
次いで、下地絶縁膜５０１上にプラズマＣＶＤ法を用いた非晶質半導体膜５０２を５０ｎｍの膜厚で形成する。ここで、一般にプラズマＣＶＤ法にて成膜されたシリコン膜には水素が多く含まれることが多い。この水素量が多いと、シリコン膜のレーザに対する耐久性が極端に弱くなるため、ここでは脱水素化のための熱処理（窒素雰囲気５００℃、１時間）を行う。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて脱水素化を行ったが、ランプアニール装置で脱水素化を行ってもよい（図５（Ａ））。
【００５１】
次いで、前記非晶質半導体膜５０２を結晶化させるためのレーザ光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中で行う。レーザ光には波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１００００Ｈｚ程度のパルスレーザ光を用い、当該レーザ光を光学系にて、エネルギー密度が１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２の長方形状に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、半導体膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度４７６ｍＪ／ｃｍ２でレーザ光の照射を大気中で行なう。レーザ光を集光する光学系には例えば、トリプレットシリンドリカルレンズ３０１を用い、線状に集光させると、レーザ処理の効率が高いので好ましい。トリプレットシリンドリカルレンズは、球面収差を抑えるために３枚のレンズで構成されるレンズである。本発明には、シングレットシリンドリカルレンズ（１枚構成のレンズ）、ダブレットシリンドリカルレンズなどを用いてもよい。半導体膜面において、よりエネルギー分布の均一なビームを得るには、より球面収差の少ないレンズを用いた方がよいことは言うまでもない。本工程により、結晶構造を有するシリコン膜５０２ａが得られる。また、本工程は大気雰囲気で行われるため、酸化膜５０５ａが形成される（図５（Ｂ））。酸化膜５０５ａは第２のレーザ光の照射の前にフッ酸などのエッチャントにより除去する（図５（Ｃ））。
【００５２】
次いで、酸化膜の除去された半導体膜５０２ｂに第２のレーザ光を照射する工程の詳細を図２を用いて説明する。まず、半導体膜５０２ｂが成膜された基板３０５（図５の基板５００に相当）をステージ３０６に配置する。そして、気体を噴射する板３０４に気体供給管３０２から例えば窒素を供給し、窒素を噴射させる。板の保持機構３０７により保持された板３０４を半導体膜５０２の直上に配置し、板とステージ（半導体膜）の距離を一定に固定する。なお、板が噴射する窒素により、板３０４を半導体膜上で浮上させてもよい。板の保持機構３０７は板３０４と完全に固着しているわけではなく、板３０４が浮上する余地が残してある。なお、気体としては希ガス等の不活性気体を用いてもよい。また、水素を使うことにより、酸素と半導体膜とが反応することを抑制することができる。
【００５３】
板３０４と半導体膜の距離を固定した状態で、レーザ光を例えば、トリプレットシリンドリカルレンズ３０１により線状に集光させ、レーザ光に対し透光性を有する窓３０３を介して半導体膜５０２に照射し、ステージ３０６を図中矢印の方向、すなわち線状ビームの長さ方向に対して直角方向に動作させ、半導体膜５０２全体にレーザ光を照射する。窓３０３は、石英窓を用いるのがレーザ光の透過率が高いため好ましい。この工程により、レーザ光がまさに当たっている半導体膜の近傍の雰囲気をほとんど窒素雰囲気とすることができる。これにより、半導体膜の酸化が防げるので、半導体膜の表面に生ずる凹凸が小さくなり好ましい。以上の工程を経て表面の凹凸が非常に小さい結晶性半導体膜５０２ｃを得ることができる。
【００５４】
本工程は、先に示した第２のレーザ光の照射に用いると半導体特性が高く、しかも半導体膜の表面に生ずる凹凸が小さいものができるので好ましいが、特に高い特性の半導体膜を必要としない場合には、第一のレーザ光の照射を省いて、第二のレーザ光の照射のみを行い、半導体膜表面に形成される凹凸を小さくしてもよい。前記凹凸の低減は、半導体装置の歩留まり向上につながる。本実施の形態では、非晶質半導体膜にレーザ光を照射する例を示したが、先に示した金属元素による半導体膜の結晶化工程を経た結晶性半導体膜に同様のレーザ光の照射を行ってもよい。
【００５５】
以上のように、本発明のレーザ照射装置は、従来と比べて板のサイズを小さくしているため、従来のように測定器を光学系の下方に設置する際に、大気解放して板を照射装置からはずすこと無く、測定することが可能である。大気解放せずに板の配置条件を固定したまま測定することができる。つまり、従来のレーザ照射装置と比べてレーザ光の照射条件の測定を簡略化することができるため、レーザ光の測定にかかる時間を短縮することができる。また、従来と比べて板の内部が占める空間を小さくしているため、レーザ照射前に流す気体の総量を減らし、気体を流す時間も短縮することができる。さらに、本発明のレーザ照射装置を用いることによって、安定したレーザ照射雰囲気下でレーザ照射をすることが可能であるため、ＴＦＴの特性のばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性を向上させることが可能である。
【００５６】
（実施の形態５）
本発明の半導体装置及びその半導体装置を用いた発光装置の作製方法の一態様について図６〜図１６を用いて説明する。
【００５７】
基板１００の上に絶縁層１０１ａを形成した後、さらに絶縁層１０１ａ上に積層するように絶縁層１０１ｂを形成する。絶縁層１０１ａは、基板１００からの不純物の拡散を阻止できるように形成されていることが好ましく、例えば、窒化珪素、または酸素を含む窒化珪素等も用いて形成された層であることが好ましい。また、絶縁層１０１ｂは、後の工程で形成する半導体層との間に生じる応力差が小さくなるような層であることが好ましく、例えば酸化珪素、または微量の窒素を含む酸化珪素等によって形成された層であることが好ましい。ここで、絶縁層１０１ａ、１０１ｂの形成方法について特に限定はなく、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＰＶＤ法等を用いて形成すればよい。また、基板１００について特に限定はなく、ガラス、石英等の絶縁体から成る基板の他、シリコン、ステンレス等から成る基板上に絶縁層を設けたもの等を用いてもよいし、この他、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチック等からなり可撓性を有する基板、を用いてもよい。なお、石英からなる基板のように不純物の含有量が非常に少ない基板を用いる場合は、絶縁層１０１ａ、１０１ｂは必ずしも形成しなくてもよい（図６（Ａ））。
【００５８】
次いで、絶縁層１０１ｂ上にトランジスタの活性層として用いられる半導体層（半導体層１０６ａ〜１０６ｃ（図８（Ａ）参照。））を形成する。トランジスタの活性層として用いられる半導体層は結晶質半導体で形成されることが好ましい。結晶質半導体の作製方法について以下に説明する。
【００５９】
先ず、絶縁層１０１ｂの上に珪素、シリコンゲルマニウム等の半導体を含む非晶質半導体層１０２ａを形成する。非晶質半導体層１０２ａの厚さは４０〜６０ｎｍとすることが好ましい。なお、絶縁層１０１ａ、１０１ｂを形成した成膜装置と同じ成膜装置を用いて絶縁層１０１ａ、１０１ｂと非晶質半導体層１０２ａとを連続的に、つまり絶縁層１０１ａ、１０１ｂの形成後大気に曝すことなく非晶質半導体層１０２ａを連続的に形成してもよい。このようにすることで、大気中に含まれる不純物が絶縁層１０１ｂに付着することを防ぐことができる。
【００６０】
次いで、非晶質半導体層１０２ａの表面に１〜１０ｎｍの薄い酸化膜１０３を形成した後、結晶化を助長する金属元素を酸化膜１０３上に保持させる。酸化膜の形成方法について特に限定はなく、オゾン水または過酸化水素水などの酸化性を有する溶液で非晶質半導体層１０２ａの表面を処理することによって形成してもよいし、または酸素雰囲気中における紫外線の照射によってオゾンを発生させる方法等を用いて形成してもよい。また、結晶化を助長する金属元素としては、ニッケル、パラジウム等が挙げられる。また、結晶化を助長する金属元素を保持させる方法について特に限定はなく、結晶化を助長する金属元素を含む溶液を用いて酸化膜１０３の表面を処理することによって金属元素を酸化膜１０３に付着させて保持させてもよいし、または、スパッタリング法等を用いて酸化膜１０３上に結晶化を助長する金属元素を含む層若しくはクラスタを形成することによって保持させてもよい。なお、結晶化を助長する金属元素を含む溶液としては、例えばニッケル酢酸塩溶液等の金属塩溶液が挙げられる（図６（Ｂ））。
【００６１】
次いで、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）法、またはファーネスアニール炉等を用いた熱処理によって非晶質半導体層１０２ａを結晶化し、非結晶成分と結晶成分とを含む結晶質半導体層１０２ｂを形成する（図６（Ｃ））。ＲＴＡ法は、光照射によって加熱するランプ方式のＲＴＡ法であってもよいし、または高温のガスによって加熱するガス方式のＲＴＡ法であってもよい。熱処理は、窒素ガス、または希ガス等の反応性の低いガスで充填された雰囲気下で行うことが好ましい。また、ＲＴＡ法を用いる場合、熱処理温度は６００〜８００℃になるようにすることが好ましく、熱処理時間は、３〜９分であることが好ましい。ファーネスによって熱処理する場合、熱処理温度は５００〜６００℃、熱処理時間は３〜６時間であることが好ましい。なお、非晶質半導体層１０２ａに水素が多く含まれている場合は、３５０〜５００℃の熱処理によって非晶質半導体層１０２ａから水素を放出させ１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となるようにした後、結晶化の為の熱処理を行うことが好ましい。
【００６２】
次いで、大気中において結晶質半導体層１０２ｂに第１のレーザー光を照射して再び結晶化し、結晶質半導体層１０２ｃを形成する（図６（Ｄ））。第１のレーザー光は、ビームスポットの形状が矩形となるように光学系によって加工されていることが好ましい。また、照射する第１のレーザー光の強度は３５０〜４００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。さらに、第１のレーザー光の照射に用いられるレーザーはパルス発振型のレーザーであることが好ましく、例えば６０〜１２０Ｈｚの発振周波数を有するものを用いることができる。レーザー光の照射は、結晶質半導体層１０２ｂが形成された基板１００に対し相対的に第１のレーザー光が移動するように、基板１００または第１のレーザー光のいずれか一方を走査させながら行うことが好ましい。基板１００または第１のレーザー光の走査速度について特に限定はないが、結晶質半導体層１０２ｂの任意の一点につき１１〜１２ショット照射されるように、調整されていることが好ましい。なお、任意の一点に照射される第１のレーザー光のショット数（単位：ショット）は、（１）式で表される数式から求められる。
【００６３】
【数１】
2007173782.tif 000003
【００６４】
また、レーザ媒質について特に限定はなく、エキシマレーザ、アルゴンレーザ、クリプトンレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等様々なレーザ媒質のレーザを用いることができる。なお、第１のレーザー光照射をする前に、結晶質半導体層１０２ｂをフッ酸を含む溶液で処理し、結晶質半導体層１０２ｂの表面に形成された酸化膜を除去しておくことが好ましい。
【００６５】
次いで、結晶質半導体層１０２ｃの上に珪素、シリコンゲルマニウム等の半導体を含み、さらにアルゴン（Ａｒ）等の希ガスを含む非晶質半導体層１０４ａを形成した後、熱処理をする（図７（Ａ））。ここで、結晶質半導体層１０２ｃと非晶質半導体層１０４ａとの間には１〜１０ｎｍの薄い酸化膜１０５が設けられていることが好ましい。この酸化膜１０５は、先のレーザー光照射による結晶質半導体層１０２ｃの形成に伴って形成された酸化膜であってもよいし、または、レーザー光の照射後に結晶質半導体層１０２ｃの表面をオゾン水等を用いて処理することによって形成された酸化膜であってもよい。非晶質半導体層１０４ａの形成方法について特に限定はなく、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＰＶＤ法等を用いて形成すればよい。また、非晶質半導体層１０４ａの厚さは２０〜４０ｎｍであることが好ましい。また、ＲＴＡ法を用いる場合、熱処理温度は６００〜８００℃になるようにすることが好ましく、熱処理時間は、３〜９分であることが好ましい。ファーネスによって熱処理する場合、熱処理温度は５００〜６００℃、熱処理時間は３〜６時間であることが好ましい。熱処理することによって、結晶質半導体層１０２ｃに含まれていた結晶化を助長する金属元素は結晶質半導体層１０２ｃから非晶質半導体層１０４ａへゲッタリングされる（ゲッタリング後の結晶質半導体層１０２ｃを結晶質半導体層１０２ｄと称する。）。なお、結晶化を助長する金属元素が非晶質半導体層１０４ａへゲッタリングされるのに伴い、非晶質半導体層１０４ａは結晶成分を含む半導体層１０４ｂとなる（図７（Ｂ））。ゲッタリング後、半導体層１０４ｂを選択的にエッチングして除去する。半導体層１０４ｂのエッチング方法について特に限定はないが、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）若しくはコリン等の溶液等の溶液を用いることによって特に酸化膜１０５に対して高選択比でエッチングできる。このように酸化膜１０５は半導体層１０４ｂのエッチングと共に結晶質半導体層１０２ｄがエッチングされてしまうことを防ぐ為のストッパーとして機能する。なお、半導体層１０４ｂの表面に自然酸化膜等の酸化膜が形成されている場合は、予め、フッ酸を含む溶液等を用いて該酸化膜を除去してから半導体層１０４ｂをエッチングすることが好ましい。半導体層１０４ｂを除去した後、フッ酸を含む溶液等を用いて酸化膜１０５を除去する。
【００６６】
次いで、結晶質半導体層１０２ｄに窒素ガスを吹き付けながら第２のレーザー光を照射して再び結晶化し（図７（Ｃ））、結晶質半導体層１０２ｅを形成する（図７（Ｄ））。第２のレーザー光は、ビームスポットの形状が矩形となるように光学系によって加工されていることが好ましい。また、照射する第２のレーザー光の強度は３４０〜４００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。さらに、第２のレーザー光の照射に用いられるレーザーはパルス発振型のレーザーであることが好ましく、例えば６０〜１２０Ｈｚの周波数を有するものを用いることができる。第２のレーザー光の照射は、結晶質半導体層１０２ｅが形成された基板１００に対し相対的に第２のレーザー光が移動するように、基板１００または第２のレーザー光のいずれか一方を走査させながら行うことが好ましい。基板１００または第２のレーザー光の走査速度について特に限定はないが、結晶質半導体層１０２ｅの任意の一点につき５〜６ショット照射されるように、調整されていることが好ましい。このように第２のレーザー光のショット数は第１のレーザー光のショット数の２分の１回とすることが好ましい。なお、任意の一点に照射される第２のレーザー光のショット数（単位：ショット）は、前述の数式（１）から求められる。
【００６７】
以上のような工程を経ることによって表面の平均粗さが非常に小さい結晶質半導体層１０２ｅを得ることができる。
【００６８】
次いで、結晶質半導体層１０２ｅを所望の形状に加工し、半導体層１０６ａ〜１０６ｃを得る（図８（Ａ））。結晶質半導体層１０２ｅの加工方法について特に限定はなく、例えば、結晶質半導体層１０２ｅの上にレジストマスクを形成した後不要な部分をエッチングによって除去する方法を用いることができる。なお、レジストマスクの形成方法についても特に限定はなく、フォトリソグラフィ法の他、インクジェット法のように液滴を吐出するタイミングと位置を制御しながら描画して所望の形状のマスクを形成する方法を用いてもよい。また、エッチング方法についても特に限定はなく、ドライエッチング法またはウェットエッチング法の何れを用いて行ってもよい。
【００６９】
なお、半導体層１０６ａ〜１０６ｃには、トランジスタの閾値電圧を調節する為の不純物が添加されてもよい。添加される不純物について特に限定はなく、燐あるいはヒ素等のｎ型の導電性を付与する不純物であってもよいし、またはボロン等のｐ型の導電性を付与する不純物であってもよい。また、閾値電圧を調整する為の不純物が添加されるタイミングについても特に限定はなく、結晶質半導体層１０２ｅを形成した後であって、半導体層１０６ａ〜１０６ｃを形成する前であってもよいし、または、半導体層１０６ａ〜１０６ｃの形成後、次工程で形成されるゲート絶縁層１０７の形成前であってもよい。また、本工程において不純物は、半導体層１０６ａ〜１０６ｃ（あるいは結晶質半導体層１０２ｅ）の全体に添加してもよいし、またはレジスト等を用いて一部をマスクし、部分的に添加されるようにしてもよい。
【００７０】
次いで、次に半導体層１０６ａ〜１０６ｃを覆うようにゲート絶縁層１０７を形成する（図８（Ｂ））。ゲート絶縁層１０７の形成方法について特に限定はなく、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＰＶＤ法等の成膜方法を用いて形成すればよい。この他、半導体層１０６ａ〜１０６ｃの表面を酸化させてゲート絶縁層１０７を形成してもよい。また、ゲート絶縁層１０７は酸化珪素または窒化珪素、又は窒素を含む酸化珪素、または酸素を含む窒化珪素等を用いて形成すればよい。また、ゲート絶縁層１０７は単層で成る層、または異なる物質から成る層が積層した多層で成る層のいずれであっても構わない。
【００７１】
次いで、ゲート絶縁層１０７の上にゲート電極１１１ａ〜１１１ｄ、及び容量電極１１１ｅを形成する（図９（Ｂ）参照。）。ゲート電極の構成及び形成方法について特に限定はないが、本形態では、第１の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とが積層してなるゲート電極１１１ａ〜１１１ｄ、及び容量電極１１１ｅの形成方法について以下に説明する。
【００７２】
先ず、ゲート絶縁層１０７の上に第１の導電層１０８を形成し、さらに第１の導電層１０８の上に第２の導電層１０９を形成する（図８（Ｂ））。第１の導電層１０８と第２の導電層１０９とは、それぞれ異なる導電物を用いて形成されていることが好ましい。第１の導電層１０８は、ゲート絶縁層１０７との密着性がよい導電物を用いて形成されることが好ましく、例えば窒化チタン、窒化タンタル、チタン、タンタル等を用いて形成されていることが好ましい。また、第２の導電層１０９は、抵抗率の低い導電物を用いて形成されていることが好ましく、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、またはこれらの金属を主成分として含む合金、或いは金属化合物等を用いて形成されていることが好ましい。合金としては、アルミニウムと珪素との合金、アルミニウムとネオジウムとの合金等が挙げられる。また金属化合物としては窒化タングステン等が挙げられる。第１の導電層１０８と第２の導電層１０９の形成方法について特に限定はなく、スパッタリング法、蒸着法等、いずれの方法を用いてもよい。
【００７３】
次いで、マスク１３５ａ、マスク１３５ｂ、マスク１３５ｃ、マスク１３５ｄ、及びマスク１３５ｅを第２の導電層１０９上に形成する。そして、第１の導電層１０８と第２の導電層１０９とをエッチングして、第１の導電層１０８ａ、第１の導電層１０８ｂ、第１の導電層１０８ｃ、第１の導電層１０８ｄ、第１の導電層１０８ｅ、第２の導電層１０９ａ、第２の導電層１０９ｂ、第２の導電層１０９ｃ、第２の導電層１０９ｄ、第２の導電層１０９ｅをそれぞれ導電層の側壁がそれぞれの導電層の水平面に対し傾斜を有するような形状となるように形成する（図９（Ａ））。
【００７４】
次いで、マスク１３５ａ〜１３５ｅを設けたまま、第２の導電層１０９ａ〜１０９ｅを選択的にエッチングし、第２の導電層１１０ａ、第２の導電層１１０ｂ、第２の導電層１１０ｃ、第２の導電層１１０ｄ、第２の導電層１１０ｅを形成する（図９（Ｂ））。この時、第２の導電層１１０ａ〜１１０ｄそれぞれの導電層の側壁がそれぞれの導電層の水平面に対し垂直になるように異方性の高い条件でエッチングし加工することが好ましい。これによって、第２の導電層１０９ａ〜１０９ｅの側壁の傾斜部が除去される。このようにして第１の導電層１０８ａ〜１０８ｅのそれぞれの上に第１の導電層１０８ａ〜１０８ｅのそれぞれよりも幅が短い第２の導電層１１０ａ〜１１０ｅを設けることにより、第１の導電層１０８ａ〜１０８ｅと第２の導電層１１０ａ〜１１０ｅとがそれぞれ組み合わせられてなるゲート電極１１１ａ〜１１１ｄ、及び容量電極１１１ｅを形成することができる。
【００７５】
なお、マスク１３５ａ〜１３５ｅは、それぞれ、所望の形状に形成した後、さらにアッシングすることによって細らせて形成されたマスクであってもよい。このようなマスクを用いることによって、より微細な形状の電極を形成でき、その結果、チャネル長の短いトランジスタを得ることができる。そして、チャネル長が短いトランジスタを作製することによってより高速で動作する回路を得られるようになる。
【００７６】
次に、ゲート電極１１１ａ〜１１１ｄ、及び容量電極１１１ｅをマスクとして、ｎ型の導電性を付与する不純物元素を添加し、第１のｎ型不純物領域１１２ａ、第１のｎ型不純物領域１１２ｂ、第１のｎ型不純物領域１１２ｃを設ける。ｎ型を付与できる不純物元素について特に限定はなく、燐、ヒ素などを用いることができる。第１のｎ型不純物領域１１２ａ〜１１２ｃを設けた後、マスク１３５ａ〜１３５ｅを除去する（図９（Ｃ））。
【００７７】
マスク１３５ａ〜１３５ｅを除去した後、半導体層１０６ａを覆うマスク１３６ａ、半導体層１０６ｃを覆うマスク１３６ｂを形成する。マスク１３６ａおよびマスク１３６ｂ並びに第１の導電層１０８ｂ、第２の導電層１１０ｂをマスクとしてｎ型の導電性を付与する不純物元素を半導体層１０６ｂへさらに添加し、第１の導電層１０８ｂと重なる領域に第２のｎ型不純物領域１１３ａを、第１の導電層１０８ｂ及び第２の導電層１１０ｂのいずれとも重なっていない領域に第３のｎ型不純物領域１１４ａを設ける（図１０（Ａ））。このようにして設けられた第３のｎ型不純物領域１１４ａはトランジスタのソース若しくはドレインとして機能する。すなわち、第３のｎ型不純物領域１１４ａはトランジスタと容量とを接続する機能を有する。また、ゲート電極１１１ｂと重なり、ソース若しくはドレインとして機能する第３のｎ型不純物領域１１４ａとチャネル形成領域１１５ａとの間に、第３のｎ型不純物領域１１４ａと同じ導電型であると共に第３のｎ型不純物領域１１４ａよりも低い濃度を有する第２のｎ型不純物領域１１３ａを設けることによってホットキャリア劣化に対する耐性に優れたｎチャネル型トランジスタ１５２を得ることができる。なお、第２のｎ型不純物領域１１３ａに挟まれた領域はチャネル形成領域１１５ａとして機能する。
【００７８】
なお、図１６に示すように、第１のｎ型不純物領域１１２ｄのうちゲート電極とオーバーラップしていない領域の一部をマスクで覆っておくことで、ゲート電極１１１ｆ、１１１ｇと重なり、ソース若しくはドレインとして機能する第３のｎ型不純物領域１１４ｂ、１１４ｃとチャネル形成領域１１５ｂ、１１５ｃとの間に、第３のｎ型不純物領域１１４ｂ、１１４ｃと同じ導電型であると共に第３のｎ型不純物領域１１４ｂ、１１４ｃよりも低い濃度を有する第２の不純物領域１１３ｂを設けることによってオフリーク電流を低減することができるｎチャネル型トランジスタ１５５を得ることができる。また、トランジスタ１５５においてゲート電極１１１ｆとゲート電極１１１ｇとは同じタイミングで同じ電圧が印加されるように電気的に接続しており、トランジスタ１５５は二つのチャネル形成領域１１５ｂ、１１５ｃを有するダブルゲート型のトランジスタである。
【００７９】
図１０（Ｂ）に示すように、マスク１３６ａ、１３６ｂを除去した後、次に半導体層１０６ｂを覆うマスク１３７を形成する。マスク１３７、及び第２の導電層１１０ａ、１１０ｃ〜１１０ｅをマスクとしてｐ型の導電性を付与する不純物元素を半導体層１０６ａ、１０６ｃへ添加し、第１の導電層１０８ａ、１０８ｃ〜１０８ｅのそれぞれと重なる領域に第１のｐ型不純物領域１１６ａ、１１６ｂを設けると共に、第１の導電層１０８ａ、１０８ｃ〜１０８ｅと重なっていない領域に第２のｐ型不純物領域１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃを設ける。このようにして設けられた第２のｐ型不純物領域１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃはトランジスタのソース若しくはドレイン、またはトランジスタと容量とを接続する機能を有する。このようにしてｐチャネル型トランジスタ１５１、１５３及び容量１５４を得ることができる（図１１（Ａ）参照。）。なお、トランジスタ１５１の第１のｐ型不純物領域１１６ａに挟まれた領域はチャネル形成領域１１８ａとして機能する。また、トランジスタ１５３においてゲート電極１１１ｃとゲート電極１１１ｄとは同じタイミングで同じ電圧が印加されるように電気的に接続しており、トランジスタ１５３は二つのチャネル形成領域１１８ｂ、１１８ｃを有するダブルゲート型のトランジスタである。また、工程におけるｐ型の導電性を付与する不純物元素の添加では、先に形成されていた第１のｎ型不純物領域１１２ａ、１１２ｃに含まれる不純物元素よりも高濃度のｐ型の導電性を付与する不純物する為、ｎ型の導電性は打ち消される。
【００８０】
次いで、マスク１３７を除去する。以上のようにして、画素部１６１で用いられるトランジスタ１５３、容量１５４、及び駆動回路部１６２で用いられるトランジスタ１５１、１５２を含む半導体装置を作製することができる（図１１（Ａ））。半導体装置には、画素部１６１、駆動回路部１６２の他、外部から信号を入力する為の端子部１６３が後述の工程を経ることによって設けられる。なお、トランジスタの構造について特に限定はなく、例えば、二つのゲート電極の間に半導体層が挟まれた構造を有するマルチゲート型のトランジスタであってもよいし、ソースまたはドレインとして機能する不純物領域とチャネル形成領域とが隣接した（これらの間にソースまたはドレインとして機能する不純物領域よりも低濃度の領域を含まない）シングルドレイン型のトランジスタ等であってもよい。
【００８１】
次いで、トランジスタを覆うように、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを順に形成する（図１１（Ｂ））。第１の層間絶縁層１１９ａは、酸化珪素、窒化珪素等の絶縁物を用いて形成することができる。ここで、酸化珪素、窒化珪素には、それぞれ、窒素、酸素が含まれていてもよい。また、酸化珪素及び窒化珪素等の無機絶縁物の他、アクリルやポリイミド等の有機絶縁物、及びシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料等から選ばれる一または二以上の化合物を用いて形成してもよい。なお、シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃの形成方法についても特に限定はなく、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＰＶＤ法等の成膜方法を用いて形成すればよい。さらに、本形態では第１の層間絶縁層は１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃの三層が積層した多層となっているが、第１の層間絶縁層の積層数についても特に限定はなく、単層であってもよいし、二層以上の多層であってもよい。なお、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃのなかで少なくとも一層は、水素を含む絶縁層であることが好ましい。水素を含む絶縁層としては、例えば、ＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス、Ｎ２Ｏガス及びＨ２ガスを原料ガスとしプラズマＣＶＤ法を用いて形成された窒化珪素からなる層が挙げられる。このようにして形成された窒化珪素には水素の他、酸素も含まれる。第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃの少なくとも一層を水素を含む絶縁層とすることによって、絶縁層に含まれた水素を利用して半導体層１０６ａ〜１０６ｃに含まれるダングリングボンドを終端する為の水素化することができる。従って、例えば炉内に水素ガスを充填した雰囲気で水素化をする必要がなく、簡便に水素化を行うことができる。また、水素を含む窒化珪素を第１の層間絶縁層に用いる場合、当該水素を含む窒化珪素で形成された層とトランジスタとの間に酸化珪素、若しくは窒素を含む酸化珪素で形成された層を設けることが好ましい。本形態のように、第１の層間絶縁層が１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃの三層で構成される場合は、第１の層間絶縁層１１９ａを酸化珪素、若しくは窒素を含む酸化珪素で形成し、第１の層間絶縁層１１９ｂを水素を含む窒化珪素（さらに酸素が含まれていてもよい）で形成し、第１の層間絶縁層１１９ｃを酸化珪素、若しくは窒素を含む酸化珪素で形成で形成することが好ましい。第１の層間絶縁層１１９ａ〜１１９ｃは、例えば発光素子からの発光が第１の層間絶縁層１１９ａ〜１１９ｃを介して外部に取り出される場合には、発光が通る光路の長さを調節する為の光路長調整手段として用いることができる。
【００８２】
なお、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃのいずれかの形成前若しくは形成後において、先に添加したｎ型若しくはｐ型の導電性を付与する為の不純物元素を活性化する為の処理をすることが好ましい。活性化の為の処理方法について特に限定はなく、ファーネス、ＲＴＡ、またはレーザー光照射等を用いて行えばよい。
【００８３】
次いで、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃに、半導体層１０６ａ〜１０６ｃへ至る開口部を形成する。さらに、該開口部及び第１の層間絶縁層１１９ｃを覆う導電層を形成した後、これを所望の形状に加工し、画素部１６１に配線１２０ｆ、１２０ｇを、駆動回路部１６２に配線１２０ｂ〜１２０ｅを、端子部１６３に配線１２０ａをそれぞれ形成する（図１２（Ａ））。開口部の形成方法について特に限定はなく、レジスト等により形成されたマスクを第１の層間絶縁層１１９ｃ上に設けた後、第１の層間絶縁層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃをエッチングすることによって形成すればよい。ここで、エッチング方法について特に限定はなくウェットエッチング法若しくはドライエッチング法の何れの方法を用いてもよい。また、導電層は、単層であっても多層であってもよいが、少なくとも一層はアルミニウム、銅等の導電性の高い金属、またはアルミニウムとネオジウム等の導電性の高い合金を用いて形成された層であることが好ましい。また、アルミニウムには珪素等が含まれていてもよい。また、多層とする場合には、導電性の高い金属を含む層を挟むように、窒化チタン、窒化タンタル等の金属窒化物を用いて形成された層を設けることが好ましい。なお、配線１２０ａ〜１２０ｇには、異なる層に設けられた配線若しくは電極を電気的に接続する為の接続部として機能する導電層も含まれる。
【００８４】
次いで、配線１２０ａ〜１２０ｇを覆うように第２の層間絶縁層１２１を形成する（図１２（Ｂ））。第２の層間絶縁層１２１は、酸化珪素、窒化珪素等の絶縁物を用いて形成することができる。ここで、酸化珪素、窒化珪素には、それぞれ、窒素、酸素が含まれていてもよい。また、酸化珪素及び窒化珪素等の無機絶縁物の他、アクリルやポリイミド等の有機絶縁物、及びシロキサン等から選ばれる一または二以上の化合物を用いて形成してもよい。また、第２の層間絶縁層１２１の形成方法についても特に限定はなく、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＰＶＤ法等の成膜方法を用いて形成すればよい。さらに、本形態では第２の層間絶縁層１２１は単層となっているが、これに限らず二層以上の多層であってもよい。
【００８５】
次いで、第２の層間絶縁層１２１を通って配線１２０ｆに至る開口部を設けると共に、配線１２０ａが露出するように第２の層間絶縁層１２１をエッチングする。エッチングは、第２の層間絶縁層１２１上にレジスト等により形成されたマスクを設けた後、ウェットエッチング法またはドライエッチング法等によって行えばよい。
【００８６】
次いで、第２の層間絶縁層１２１上に発光素子の電極１２２を形成する（図１３（Ａ））。発光素子の電極１２２を形成に用いられる材料について特に限定はなく、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛等の酸化物半導体、またはアルミニウム、金、白金等の導電体を用いて形成すればよい。発光素子の電極１２２の形成方法についても特に限定はなく、例えば、第２の層間絶縁層１２１上に前記した酸化物半導体若しくは導電体を用いて形成された層の上にレジスト等により形成されたマスクを設けた後、酸化物半導体若しくは導電体を用いて形成された層をエッチングし、所望の形状に加工すればよい。
【００８７】
次いで、発光素子の電極１２２の端部を覆う絶縁層１２３を形成する（図１３（Ｂ））。絶縁層１２３は、酸化珪素、窒化珪素等の無機絶縁物、アクリル、ポリイミド、レジスト等の有機絶縁物、またはシロキサン等を用いて形成することができるが、なかでも感光性アクリル、感光性ポリイミド、レジスト等の感光性樹脂を用いて形成することが好ましい。感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィにより所望の形状となるように形成することによって、丸みを帯びた形状のエッジを有する絶縁層１２３とすることができ、その結果、発光素子の劣化を低減させることができる。
【００８８】
次いで、発光素子の電極１２２及び絶縁層１２３の上に発光層１２４を形成する。発光層１２４は、有機物若しくは無機物のいずれか一方を用いて形成されていてもよいし、または有機物と無機物の両方を用いて形成されていてもよい。また、発光層１２４は、単層であってもよいし、または、所望の波長の発光を呈する物質（発光物質）を含む層の他に正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等を有する多層であってもよい。また、多層とする場合、発光素子の電極１２２上に、ＰＥＤＯＴ等の導電性の高い有機物を用いて形成された層、または正孔輸送性の高い物質とその物質に対し電子受容性を示す物質とを混合して形成された層、または電子輸送性の高い物質とその物質に対し電子供与性を示す物質とを混合して形成された層のいずれかを設けた後、発光物質を含む層、正孔輸送層、電子輸送層等の他の層を形成することが好ましい。ＰＥＤＯＴ等の導電性の高い有機物を用いて形成された層、正孔輸送性の高い物質とその物質に対し電子受容性を示す物質とを混合して形成された層、及び電子輸送性の高い物質とその物質に対し電子供与性を示す物質とを混合して形成された層は、これらの層の厚さを厚くしても発光素子の駆動電圧の増加を招き難い為、これらの層の厚さを厚くすることで、発光素子の電極１２２の表面に形成された凹凸を緩和し、発光素子の電極間の短絡等を防ぐことができる。なお、発光物質は蛍光を発光するものでもよいし燐光を発光するものであってもよい。
【００８９】
なお、発光層１２４は、発光色の異なる発光素子毎に作り分けてもよいし、または同じ発光色を呈する連なった一つの層として形成されてもよい。同じ発光色を呈する場合、カラーフィルター等と組み合わせ、発光装置の外部に取り出される発光は画素毎に異なった色となるようにしてもよい。
【００９０】
次いで、発光層１２４の上に発光素子の電極１２５を形成する（図１４（Ａ））。発光素子の電極１２５の形成に用いられる材料について特に限定はなく、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛等の酸化物半導体、またはアルミニウム、金、白金等の導電体を用いて形成すればよい。なお、発光素子の電極１２２若しくは発光素子の電極１２５の少なくとも一方は発光層１２４からの発光を透過できるように、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛等で形成されていることが好ましい。
【００９１】
次いで、基板１００と基板１２６とを、先に形成したトランジスタ及び発光素子が封じ込められるように、シール材１２７を用いて貼り合わせる。なお、基板１２６には、図１５に示すように、遮光層１３１とカラーフィルター１３２が設けられていてもよい。さらに基板１００と基板１２６とで封止された内部１２８は、窒素、またはアルゴン等の不活性ガスで充填されていてもよいし、樹脂材料等によって充填されていてもよい。充填される樹脂材料には、乾燥剤が含まれていてもよい。
【００９２】
次いで、導電性接着剤１２９等を用いて配線１２０ａにＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１３０を接続する（図１４（Ｂ）、図１５）。
【００９３】
以上のようにして、本発明の半導体装置を含む発光装置を作製することができる。なお、本形態では、発光装置の作製方法について説明したが、発光素子の電極１２２以降の工程及び回路構成を適宜変更することによって液晶装置等も作製することができる。
【００９４】
（実施の形態６）
実施の形態５で説明した作製方法によって作製される発光装置の画素部の一態様について図１７の上面図を用いて説明する。
【００９５】
図１７において、破線Ａ−Ａ’で表される部分の断面は、図１３（Ｂ）における画素部１６１の断面図に相当する。なお、図１７では、発光素子の電極１２２の端部を覆う絶縁層１２３は図示してないが、実際には設けられている。図１７から、半導体層２１１ａと、ゲート電極及び容量電極として機能する領域を含む第１の導電層２１２ａとが重なり、図１３のトランジスタ１５３に相当するトランジスタ２０１、及び容量１５４に相当する容量２０２とがそれぞれ設けられていることが分かる。第１の導電層２１２ａは、第２の導電層２１３を介して発光素子の電極２０７（図１３の発光素子の電極１２２に相当）と接続している。また、ゲート線２０４が第１の導電層２１２ａと同じ層で形成されている。さらに、ゲート線２０４と交差するようにソース線２０５と電流供給線２０６とが設けられている。ソース線２０５は、半導体層２１１ｂと、第３の導電層２１２ｂとを含むトランジスタ２０３のソースに接続している。なお、第３の導電層２１２ｂはゲート線２０４及び第１の導電層２１２ａと同じ層で設けられていると共に、ゲート線２０４と接続している。また、ゲート線２０４の一部はトランジスタ２０３のゲート電極として機能するように設けられている。電流供給線２０６は、トランジスタ２０１がオンになったときに発光素子へ電流が供給されるように半導体層２１１ａと接続している。なお、本形態における接続には、例えば半導体層２１１ｂと第１の導電層２１２ａとの接続のように間に別の導電層（本形態の場合は第４の導電層２１４）を介して電気的に接続する場合も含まれる。また、本形態では、第１の導電層２１２ａのうち容量２０２の電極として機能部分は凸凹した鋸歯状の形状になっている。このような形状とすることで、容量２０２へ電荷を蓄積し易くなる。
【００９６】
トランジスタ２０１、２０３、容量２０２、ゲート線２０４、ソース線２０５、電流供給線２０６のそれぞれの接続関係を図１８の回路図で示した。なお、図１７の発光素子の電極２０７は、発光素子２０８に含まれている。発光素子２０８はダイオード型の素子であり、本形態のように発光素子２０８と直列に接続したトランジスタ２０１がｐチャネル型トランジスタである場合は発光素子の電極２０７は陽極として機能する。これとは反対にトランジスタ２０１がｎチャネル型トランジスタである場合は発光素子の電極２０７は陰極として機能する。
【００９７】
本発明の発光装置の画素部には、図１８で表されるような回路によって駆動する複数の発光素子がマトリクス状に配列されている。なお、発光素子を駆動させる為の回路については、図１８に示したものには限定されるわけではなく、例えば入力された信号を強制的に消去する為の消去線及び消去動作に用いられる消去用のトランジスタを設けた構成の回路等であってもよい。
【００９８】
（実施の形態７）
本発明により作製される電子機器について図１９を参照しつつ説明する。
【００９９】
図１９（Ａ）に示すテレビジョンは、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。表示部８００２は、画素ごとに本発明の作製方法によって作製したＴＦＴを有している。このＴＦＴを有していることによりＴＦＴのばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性の向上を実現させたテレビジョンを提供することができる。
【０１００】
図１９（Ｂ）に示す情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。表示部８１０２は、画素ごとに本発明の作製方法によって作製したＴＦＴを有している。このＴＦＴを有していることによりＴＦＴのばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性の向上を実現させた情報端末機器を提供することができる。
【０１０１】
図１９（Ｃ）に示すビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。表示部８２０２は、画素ごとに本発明の作製方法によって作製したＴＦＴを有している。このＴＦＴを有していることによりＴＦＴのばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性の向上を実現させたビデオカメラを提供することができる。
【０１０２】
図１９（Ｄ）に示す電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部８３０２は、画素ごとに本発明の作製方法によって作製したＴＦＴを有している。このＴＦＴを有していることによりＴＦＴのばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性の向上を実現させた電話機を提供することができる。
【０１０３】
図１９（Ｅ）に示す携帯型のテレビジョンは、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示部８４０２は、画素ごとに本発明の作製方法によって作製したＴＦＴを有している。このＴＦＴを有していることによりＴＦＴのばらつきを抑えることができ、ＴＦＴの特性の向上を実現させた携帯型のテレビジョンを提供することができる。またテレビジョンとしては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。
【０１０４】
なお、本発明に係る電子機器は、図１９（Ａ）〜（Ｅ）に限定されず、表示部等にＴＦＴを含むものが含まれる。
【０１０５】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施の形態の電子機器は実施の形態１〜６のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１０６】
（実施の形態８）
本発明の半導体装置の作製方法について、図２０〜図２４の断面図と、図２５の上面図を参照して説明する。
【０１０７】
まず、基板５０の一方の面上に、絶縁層５１を形成する（図２０（Ａ）参照。）。次に、絶縁層５１上に剥離層５２を形成する。続いて、剥離層５２上に絶縁層５３を形成する。
【０１０８】
基板５０は、絶縁表面を有する基板であり、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、石英基板等である。好適には、基板５０として、ガラス基板又はプラスチック基板を用いるとよい。ガラス基板とプラスチック基板は、１辺が１メートル以上のものを作製することが容易であり、また、四角形状等の所望の形状のものを作製することが容易であるからである。そうすると、例えば、四角形状で、１辺が１メートル以上のガラス基板やプラスチック基板を用いると、生産性を大幅に向上させることができる。このような利点は、円形で、最大で直径が３０センチ程度のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【０１０９】
絶縁層５１、５３は、気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物などを形成する。絶縁層５１は、基板５０からの不純物元素が上層に侵入してしまうことを防止する役目を担う。但し、絶縁層５１は、必要がなければ、形成しなくてもよい。
【０１１０】
剥離層５２は、スパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）等から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を含む層を、単層又は積層して形成する。なお、珪素を含む層は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【０１１１】
剥離層５２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成する。
【０１１２】
剥離層５２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を形成する。
【０１１３】
剥離層５２として、タングステンとタングステンの酸化物の積層構造を形成する場合、まず、剥離層５２としてタングステンを含む層を形成し、その上層の絶縁層５３として、珪素の酸化物を含む層を形成することにより、タングステンを含む層と珪素の酸化物を含む層との間に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。タングステンの窒化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの窒化酸化物を含む層等を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に珪素の窒化物を含む層、酸素を含む窒化珪素層、窒素を含む酸化珪素層を形成するとよい。
【０１１４】
次に、絶縁層５３上に複数のトランジスタ５４を形成する。この工程では、複数のトランジスタ５４として、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する。
【０１１５】
複数のトランジスタ５４の各々は、半導体層９０、ゲート絶縁層（単に絶縁層ともいう）５５、第１の導電層９１、ゲート（ゲート電極ともいう）である第２の導電層９２を有する。半導体層９０は、ソース又はドレインとして機能する不純物領域９３、９４、チャネル形成領域９５を有する。不純物領域９３、９４には、Ｎ型を付与する不純物元素（例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ））、又はＰ型を付与する不純物元素（例えばボロン（Ｂ））が添加されている。不純物領域９４は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域である。なお、半導体層９０の結晶化を行う際、本発明の照射装置を用いているため、低コスト化を実現できる。
【０１１６】
複数のトランジスタ５４の各々は、半導体層９０上にゲート絶縁層５５が設けられ、ゲート絶縁層５５上に第１の導電層９１が設けられ、第１の導電層９１上に第２の導電層９２が設けられたトップゲート型、第２の導電層９２上にゲート絶縁層５５が設けられ、ゲート絶縁層５５上に半導体層９０が設けられたボトムゲート型のどちらのタイプでもよい。また、複数のトランジスタ５４から選択された１つ又は複数のトランジスタは、ゲート電極が２つ以上、チャネル形成領域が２つ以上あるマルチゲート型のトランジスタでもよい。
【０１１７】
また、基板５０上に複数のトランジスタ５４のみを形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。基板５０上に設ける素子は、半導体装置の用途によって適宜調整される。例えば、非接触でデータの送信と受信を行う機能を有する場合、基板５０上に複数のトランジスタのみ、又は基板５０上に複数のトランジスタとアンテナとして機能する導電層を形成するとよい。また、データを記憶する機能を有する場合、基板５０上に複数のトランジスタと記憶素子（例えば、トランジスタ、メモリトランジスタ等）を形成するとよい。また、回路を制御する機能や信号を生成する機能等を有する場合（例えば、ＣＰＵ、信号生成回路等）、基板５０上にトランジスタを形成するとよい。また、上記以外にも、必要に応じて、抵抗素子や容量素子などの他の素子を形成するとよい。
【０１１８】
次に、複数のトランジスタ５４上に、絶縁層５６、５７を形成する。絶縁層５６、５７は、気相成長法、スパッタリング法、ＳＯＧ（スピン  オン  グラス）法、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）等を用いて、珪素の酸化物、珪素の窒化物、ポリイミド、アクリル、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料を含む絶縁膜（以下、シロキサン系絶縁膜と記載する）、オキサゾール樹脂等を用いて形成する。なお、シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。オキサゾール樹脂は、例えば、感光性ポリベンゾオキサゾール等である。オキサゾール樹脂は、ポリイミド等の比誘電率（３．２〜３．４程度）と比較すると、比誘電率が低いため（２．９程度）、寄生容量の発生を抑制し、高速動作を行うことができる。
【０１１９】
また上記の構成では、複数のトランジスタ５４上に３層の絶縁層（絶縁層５６、５７）を形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。複数のトランジスタ５４上に設けられる絶縁層の数は制約されない。
【０１２０】
次に、ゲート絶縁層５５及び絶縁層５６、５７に開口部を形成して、複数のトランジスタ５４の各々のソース（ソース領域、ソース電極ともいう）又はドレイン（ドレイン領域、ドレイン電極ともいう）に接続された導電層５９〜６４を形成する（図２０（Ａ）参照。）。導電層５９〜６４は、同じ層に設けられている。また、導電層５９〜６４はソース配線又はドレイン配線である。外部から供給される信号は、導電層５９〜６４を介して、複数のトランジスタ５４に供給される。
【０１２１】
導電層５９〜６４は、スパッタリング法等により、チタン、タングステン、クロム、アルミニウム、タンタル、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、イリジウム、ニオブ、鉛、白金、モリブデン、コバルト又はロジウム等から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料、又はこれらの元素を主成分とする酸化物や窒化物などの化合物材料で、単層又は積層で形成する。導電層５９〜６４の積層構造の例を挙げると、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの３層構造、チタン、窒化チタン、アルミニウム、チタン、窒化チタンの５層構造、チタン、窒化チタン、シリコンが添加されたアルミニウム、チタン、窒化チタンの５層構造等がある。
【０１２２】
次に、導電層５９上に、導電層６６を形成する（図２０（Ｂ）参照。）。導電層６６は、スクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて、金、銀又は銅を含む層を形成する。好ましくは、スクリーン印刷法を用いて、銀の微粒子を含むペースト（銀の微粒子と樹脂が混合した材料）で形成するとよい。スクリーン印刷法は、作製時間を短縮することができ、装置が安価であるからである。また、銀は抵抗値が低いからである。
【０１２３】
次に、導電層６６導電層５９の一方もしくは双方を、溶融させることのできるレーザービームを照射する。レーザービームを照射する前は、導電層６６と導電層５９とは部分的に接していたが、レーザービームの照射により、導電層６６と導電層５９の接する部分を増大させることができる。そのため、導電層６６と導電層５９の電気的な接続をより確実なものとして、信頼性を向上させることができる。レーザービームには、媒質により分類すると、気体レーザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい。但し、好ましくは気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザーを用いるとよい。また本発明には、連続発振型のレーザービーム、パルス発振型のレーザービームのどちらを用いてもよい。
【０１２４】
次に、絶縁層５７と導電層５９〜６４上に、絶縁層６８を選択的に形成する（図２０（Ｃ））。絶縁層５８には、開口部６９が設けられている。導電層６６は、開口部６９を介して露出されている。
【０１２５】
なお、開口部６９は、導電層６６の全ての表面が露出されるような形状ではなく、導電層６６の一部の表面が露出されるような形状とするとよい。具体的には、開口部６９は、導電層６６の中心部が露出されるような形状とするとよい。これは、後の工程において、正確に転置を行うためである。仮に、導電層６６の一表面の全てが露出されるように、絶縁層６８を設けると、導電層６６と絶縁層６８の両方が設けられていない領域が生じてしまう場合がある。後に行う転置の工程では、絶縁層６８と基板８８とを接着させて行うため、導電層６６と絶縁層６８の一方が設けられていない領域があると、正確に転置を行うことができない場合がある。しかしながら、上記の工程では、絶縁層６８は、導電層６６の中心部が露出されるように、選択的に設けられている。そうすると、導電層６６と絶縁層６８の一方が設けられていない領域がないため、正確に転置を行うことができる。
【０１２６】
絶縁層６８は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の樹脂により、５〜２００μｍ、好適には１５〜３５μｍの厚さで形成する。また、絶縁層６８は、スクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて、均一に形成する。好ましくは、スクリーン印刷法を用いるとよい。スクリーン印刷法は、作製時間を短縮することができ、装置が安価であるからである。次に、必要に応じて、加熱処理を行う。
【０１２７】
次に、少なくとも、剥離層５２の一部が露出するような開口部７１を形成する（図２１（Ａ）参照。）。この工程は、処理時間が短い点から、レーザービームの照射により行うとよい。レーザービームは、基板５０、絶縁層５１、剥離層５２、絶縁層５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、６８に対して照射される。また、レーザービームは、絶縁層６８の表面から照射される。開口部７１は、少なくとも、剥離層５２の一部が露出するように形成される。そのため、少なくとも、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、６８には、開口部７１が設けられる。図示する構成では、レーザービームが、絶縁層５１にまで達し、絶縁層５１、５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、５８が分断された場合を示す。なお、レーザービームは、基板５０まで達してもよい。
【０１２８】
上記のレーザービームを照射する工程では、アブレーション加工が用いられる。アブレーション加工とは、レーザービームを照射した部分、つまり、レーザービームを吸収した部分の分子結合が切断されて、光分解し、気化する現象を用いた加工である。つまり、レーザービームを照射して、絶縁層５１、剥離層５２、絶縁層５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、６８のある部分の分子結合を切断し、光分解し、気化させることにより、開口部７１を形成している。
【０１２９】
また、レーザーは、紫外領域である１５０〜３８０ｎｍの波長の固体レーザーを用いるとよい。好ましくは、１５０〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーを用いるとよい。その理由は、１５０〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーは、他の高波長側のレーザーに比べ、基板に光が吸収されやすく、アブレーション加工が可能であるからである。また、加工部の周辺に影響を与えず、加工性がよいからである。
【０１３０】
次に、絶縁層６８上に、基板８８を設ける（図２１（Ｂ）参照。）。基板８８は、絶縁層７２と接着層８３が積層された基板であり、熱剥離型の基板である。接着層８３は、加熱処理により接着力が低下する層であり、例えば、熱可塑性接着剤の加熱時の軟化を用いる材料からなる層、加熱により膨張するマイクロカプセルや発泡剤を混入した材料からなる層、熱硬化性樹脂に熱溶融性や熱分解性を付与した材料からなる層、水の侵入による界面強度劣化やそれに伴う吸水性樹脂の膨張を用いた層である。
【０１３１】
次に、基板８８を用いて、基板５０から、複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する（図２２（Ａ）参照。）。基板５０から、複数のトランジスタ５４を含む積層体の分離は、剥離層５２の内部又は剥離層５２と絶縁層５３を境界として行われる。図示する構成では、分離は、剥離層５２と絶縁層５３の間を境界として行われた場合を示す。このように、基板８８を用いることにより、分離の工程を容易にかつ短時間で行うことができる。
【０１３２】
次に、加熱処理を行って、絶縁層５３の表面に基板８９を設けると共に、基板８８から複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する（図２２（Ｂ）参照。）。基板８９は、絶縁層７３と接着層８４が積層された基板である。接着層８４は、加熱処理により接着力が増す層であり、熱可塑性の樹脂を含む層に相当する。熱可塑性の樹脂とは、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等に相当する。
【０１３３】
上述したように、基板８８は、熱剥離型の基板であるため、加熱処理により、基板８８と絶縁層６８の間の接着力が低下し、基板８８から複数のトランジスタ５４を含む積層体が分離される。同時に、加熱処理により、基板８９の表面の熱可塑性の樹脂が硬化し、絶縁層５３と基板８９の一表面との接着力が増す。このように、性質が異なる接着層が設けられた２枚の基板８８、８９を用いることにより、基板８８から積層体を分離する工程と、積層体を基板８９上に設ける工程とを同時に行うことができる。従って、作製時間を短縮することができる。
【０１３４】
次に必要に応じて、再度、導電層６６にレーザービームを照射する。これは、上記の分離の工程の影響により、導電層５９と導電層６６との電気的な接続に不良が生じる可能性があり、そのような不良を改善するためである。従って、必要がなければ、レーザービームを照射する工程を行わなくてもよい。
【０１３５】
次に、導電層６６に接するように、端子１２を形成する（図２３（Ａ）参照。）。端子１２は、スクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて、金、銀又は銅を含む層を形成する。好ましくは、スクリーン印刷法を用いて、銀の微粒子を含むペースト（銀の微粒子と樹脂が混合した材料）で形成する。スクリーン印刷法は、作製時間を短縮することができ、装置が安価であるからであり、銀は抵抗値が低いからである。次に、必要に応じて加熱処理を行う。
【０１３６】
次に、基板４９、絶縁層５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、６８に、レーザービームを照射して、開口部７６を形成する（図２３（Ｂ）参照。）。
【０１３７】
次に、アンテナとして機能する導電層１９が設けられた基板２０を準備する（図２４（Ａ））。なお、アンテナとして機能する導電層は、容量素子８６を有し、アンテナとして機能する導電層１９、容量素子８６の各々は、スクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて形成する（図２５（Ａ）、（Ｂ）参照。）。図２４（Ａ）には、アンテナとして機能する導電層１９を図示する。樹脂層１４は、接着剤中に導電性粒子１０が設けられた材料であり、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）ともよばれる。樹脂層１４は、スクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて、均一に形成する。
【０１３８】
次に、樹脂層１４を用いて、基板８９と基板２０とを貼り合わせる（図２４（Ａ）、図２５（Ｂ）参照。）。次に、必要があれば、絶縁層６８と樹脂層１４とを接着する。この際、フリップチップボンダー、ダイボンダー、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）貼り付け機、圧着機等により、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。
【０１３９】
なお、複数のトランジスタ５４を含む積層体の表面に、さらに基板を設けてもよい（図２４（Ｂ）参照。）。具体的には、基板８９と基板２０の一方又は両方の表面に、新たに基板を設けてもよい。図示する構成では、基板８９の表面に基板８１を設け、基板２０の表面に基板８２を設けている。基板８１、８２を設けることにより、さらに強度を向上させることができる。基板８１、８２による複数のトランジスタ５４を含む積層体の封止は、基板８１、８２の各々の表面の層、又は基板８１、８２の各々の表面の接着層を加熱処理によって溶かすことにより行われる。また必要に応じて加圧処理も行われる。
【０１４０】
なお、基板５０から複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する方法を示したが（図２２（Ａ）参照。）、本発明はこの形態に制約されない。導電層５９〜６４を形成した後（図２０（Ａ）参照。）に、基板５０を薄型化してもよい。
【０１４１】
基板５０を薄型化するためには、基板５０の複数のトランジスタ５４が形成されていない面を、研削装置（例えば研削盤）を用いて研削する。好適には、基板５０の厚さが１００μｍ以下になるまで研削する。次に、研削した基板５０の複数のトランジスタ５４が形成されていない方の面を、研磨装置（例えば、研磨パッド、研磨砥粒（例えば酸化セリウム等））を用いて研磨する。好適には、基板５０の厚さが５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下になるまで研磨する。なお、基板５０を薄型化するためには、基板５０の研削と研磨の一方又は両方を行うとよい。また、研削工程と研磨工程を行う前に、必要に応じて、導電層５９〜６４上に保護を目的とした層を設けるとよい。また、研削工程と研磨工程の後は、必要に応じて、ゴミを除去するための洗浄工程、乾燥工程の一方又は両方を行うとよい。
【０１４２】
薄型化した基板５０の厚さは、研削工程と研磨工程に必要な時間、後に行う切断工程に必要な時間、半導体装置の用途、半導体装置の用途に必要な強度などを考慮して、適宜決めるとよい。例えば、研削工程と研磨工程の時間を短縮して生産性を向上させる場合は、研磨後の基板５０の厚さは５０μｍ程度にするとよい。また、後に行う切断工程に必要な時間を短縮してり生産性を向上させる場合、研磨後の基板５０の厚さは、２０μｍ以下、より好適には５μｍ以下とするとよい。また、半導体装置を薄い物品に貼り付けたり、埋め込んだりする場合、研磨後の基板５０の厚さは２０μｍ以下、より好適には５μｍ以下とするとよい。また、薄型化した基板５０の厚さの下限は特に制約されない。基板５０が除去されるまで（基板５０の厚さが０μｍになるまで）、薄型化してもよい。
【０１４３】
次に、導電層５９に接するように、導電層６６を形成する（図２０（Ｂ）参照。）。次に、導電層６６にレーザービームを照射する（図２０（Ｂ）参照。）。次に、絶縁層６８を選択的に形成する（図２０（Ｃ）参照。）。次に、レーザービームを照射して、開口部７１を形成する（図２１（Ａ）参照。）。図示する構成では、開口部７１の形成の際に、基板５０を切断していないが、基板５０を薄型化した場合は、基板５０も切断するとよい。そして、基板５０から、複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する工程を省略するとよい。その後の工程は、上述の工程と同様である。基板５０から複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離せずに、薄型化した基板５０を残存させておくと、有害な気体の侵入、水の侵入、不純物元素の侵入を抑制することができる。従って、劣化や破壊を抑制し、信頼性を向上させることができる。また、バリア性を向上させることができる。
【０１４４】
（実施の形態９）
本発明の半導体装置の作製方法について、図２６〜図２９を参照して説明する。また、トランジスタを形成し、絶縁層５７を形成する工程までは実施の形態８と同様な工程を用いて作製するため、ここでは省略する。
【０１４５】
次に、絶縁層５５〜５７に開口部を形成して、複数のトランジスタ５４の各々のソース（ソース領域、ソース電極ともいう）又はドレイン（ドレイン領域、ドレイン電極ともいう）に接続された導電層５９〜６４とを形成する（図２６（Ａ）参照。）。導電層５９〜６４は、同じ層に設けられている。また、導電層５９〜６４はソース配線又はドレイン配線である。外部から供給される信号は、導電層５９〜６４を介して、複数のトランジスタ５４に供給される。
【０１４６】
導電層５９〜６４は、スパッタリング法等により、チタン、タングステン、クロム、アルミニウム、タンタル、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、イリジウム、ニオブ、鉛、白金、モリブデン、コバルト又はロジウム等から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料、又はこれらの元素を主成分とする酸化物や窒化物などの化合物材料で、単層又は積層で形成する。導電層５９〜６４の積層構造の例を挙げると、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの３層構造、チタン、窒化チタン、アルミニウム、チタン、窒化チタンの５層構造、チタン、窒化チタン、シリコンが添加されたアルミニウム、チタン、窒化チタンの５層構造等がある。
【０１４７】
次に、図２６（Ｂ）に示すように、導電層５９〜６４を覆うように、単層又は積層で絶縁層３２を形成する。続いて、導電層５９〜６４を覆う絶縁層３２にコンタクトホールを形成し、導電層３３を形成する。導電層３３はアンテナとして機能する。なお、導電層３３はスクリーン印刷法、液滴吐出法等を用いて形成する。
【０１４８】
次に、導電層５９、導電層３３の一方もしくは双方を、溶融させることのできるレーザービームを照射する。レーザービームを照射する前は、導電層５９と導電層３３とは部分的に接していたが、レーザービームの照射により、導電層５９と導電層３３の接する部分を増大させることができる。そのため、導電層５９と導電層３３の電気的な接続をより確実なものとして、信頼性を向上させることができる。レーザービームには、媒質により分類すると、気体レーザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい。但し、好ましくは気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザーを用いるとよい。また本発明には、連続発振型のレーザービーム、パルス発振型のレーザービームのどちらを用いてもよい。
【０１４９】
この後、絶縁層３２、アンテナとして機能する導電層３３上に、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む層、窒化珪素を含む層、窒化酸化珪素を含む層等の保護層を形成してもよい。
【０１５０】
次に、図２６（Ｃ）に示すように絶縁層３２、アンテナとして機能する導電層３３上に、絶縁層３５をスクリーン印刷法等で形成する。絶縁層３５は、後の剥離工程での保護層として設けるため、平坦化層であることが好ましい。
【０１５１】
次に、少なくとも、剥離層５２の一部が露出するような開口部７１を形成する（図２７（Ａ）参照。）。この工程は、処理時間が短い点から、レーザービームの照射により行うとよい。レーザービームは、基板５０、絶縁層５１、剥離層５２、絶縁層５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、３２、３５に対して照射される。また、レーザービームは、絶縁層３５の表面から照射される。開口部７１は、少なくとも、剥離層５２の一部が露出するように形成される。そのため、少なくとも、絶縁層５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、３２、３５には、開口部７１が設けられる。図示する構成では、レーザービームが、絶縁層５１にまで達し、絶縁層５１、５３、ゲート絶縁層５５、絶縁層５６、５７、３２、３５が分断された場合を示す。なお、レーザービームは、基板５０まで達してもよい。
【０１５２】
また、レーザーは、紫外領域である１５０〜３８０ｎｍの波長の固体レーザーを用いるとよい。好ましくは、１５０〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーを用いるとよい。その理由は、１５０〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーは、他の高波長側のレーザーに比べ、基板に光が吸収されやすく、アブレーション加工が可能であるからである。また、加工部の周辺に影響を与えず、加工性がよいからである。
【０１５３】
次に、絶縁層６８上に、基板８８を設ける（図２７（Ｂ）参照。）。基板８８は、絶縁層７２と接着層８３が積層された基板であり、熱剥離型の基板である。接着層８３は、加熱処理により接着力が低下する層であり、例えば、熱可塑性接着剤の加熱時の軟化を用いる材料からなる層、加熱により膨張するマイクロカプセルや発泡剤を混入した材料からなる層、熱硬化性樹脂に熱溶融性や熱分解性を付与した材料からなる層、水の侵入による界面強度劣化やそれに伴う吸水性樹脂の膨張を用いた層である。
【０１５４】
次に、基板８８を用いて、基板５０から、複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する（図２８（Ａ）参照。）。基板５０から、複数のトランジスタ５４を含む積層体の分離は、剥離層５２の内部又は剥離層５２と絶縁層５３を境界として行われる。図示する構成では、分離は剥離層５２と絶縁層５３の間を境界として行われた場合を示す。このように、基板８８を用いることにより、分離の工程を容易にかつ短時間で行うことができる。
【０１５５】
次に、加熱処理を行って、絶縁層５３の表面に基板８９を設けると共に、基板８８から複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する（図２８（Ｂ）参照。）。基板８９は、絶縁層７３と接着層８４が積層された基板である。接着層８４は、加熱処理により接着力が増す層であり、熱可塑性の樹脂を含む層に相当する。熱可塑性の樹脂とは、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等に相当する。
【０１５６】
上述したように、基板８８は、熱剥離型の基板であるため、加熱処理により、基板８８と絶縁層３５の間の接着力が低下し、基板８８から複数のトランジスタ５４を含む積層体が分離される。同時に、加熱処理により、基板８９の表面の熱可塑性の樹脂が硬化し、絶縁層５３と基板８９の一表面との接着力が増す。このように、性質が異なる接着層が設けられた２枚の基板８８、８９を用いることにより、基板８８から積層体を分離する工程と、積層体を基板８９上に設ける工程とを同時に行うことができる。従って、作製時間を短縮することができる。
【０１５７】
なお、複数のトランジスタ５４を含む積層体の表面に、さらに基板を設けてもよい（図２９参照。）。具体的には、絶縁層３５と基板８９の一方又は両方の表面に、新たに、基板を設けてもよい。図示する構成では、基板８９の表面に基板８１を設け、絶縁層３５の表面に基板８２を設けている。基板８１、８２を設けることにより、さらに強度を向上させることができる。基板８１、８２による複数のトランジスタ５４を含む積層体の封止は、基板８１、８２の各々の表面の層、又は基板８１、８２の各々の表面の接着層を加熱処理によって溶かすことにより行われる。また必要に応じて、加圧処理も行われる。
【０１５８】
なお、基板５０から複数のトランジスタ５４を含む積層体を分離する方法を示したが、本発明はこの形態に制約されず、基板５０を薄型化してもよい。工程については、実施の形態８と同様な工程を用いて行われるため、ここでは説明を省略する。
【０１５９】
（実施の形態１０）
本発明の半導体装置の構成について、図３０を参照して説明する。本発明の半導体装置１１００は、演算処理回路１１０１、記憶回路１１０３、アンテナ１１０４、電源回路１１０９、復調回路１１１０、変調回路１１１１を有する。半導体装置１１００は、アンテナ１１０４と電源回路１１０９を必須の構成要素としており、他の要素は、半導体装置１１００の用途に従って、適宜設けられる。
【０１６０】
演算処理回路１１０１は、復調回路１１１０から入力される信号に基づき、命令の解析、記憶回路１１０３の制御、外部に送信するデータの変調回路１１１１への出力などを行う。
【０１６１】
記憶回路１１０３は、記憶素子を含む回路と、データの書き込みやデータの読み出しを制御する制御回路を有する。記憶回路１１０３には、少なくとも、半導体装置自体の識別番号が記憶されている。識別番号は、他の半導体装置と区別するために用いられる。また、記憶回路１１０３は、有機メモリ、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリから選択された一種又は複数種を有する。有機メモリは、一対の導電層間に有機化合物を含む層が挟まれた構造を有する。有機メモリは、構造が単純であるため、作製工程を簡略化することができ、費用を削減することができる。また、構造が単純であるために、積層体の面積を小型化することが容易であり、大容量化を容易に実現することができる。また、不揮発性であり、電池を内蔵する必要がないという長所がある。従って、記憶回路１１０３として、有機メモリを用いることが好ましい。
【０１６２】
アンテナ１１０４は、リーダ／ライタ１１１２から供給された搬送波を、交流の電気信号に変換する。また、変調回路１１１１により、負荷変調が加えられる。電源回路１１０９は、アンテナ１１０４が変換した交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、各回路に電源電圧を供給する。
【０１６３】
復調回路１１１０は、アンテナ１１０４が変換した交流の電気信号を復調し、復調した信号を、演算処理回路１１０１に供給する。変調回路１１１１は、演算処理回路１１０１から供給される信号に基づき、アンテナ１１０４に負荷変調を加える。
【０１６４】
リーダ／ライタ１１１２は、アンテナ１１０４に加えられた負荷変調を、搬送波として受信する。また、リーダ／ライタ１１１２は、搬送波を半導体装置１１００に送信する。なお、搬送波とは、リーダ／ライタ１１１２が発する電磁波である。
【０１６５】
なお、本実施の形態の構成は他の実施の形態の構成と組み合わせて用いることが可能である。
【０１６６】
（実施の形態１１）
本発明の半導体装置は、非接触でデータの送信と受信ができるという機能を活用することにより、様々な物品、様々なシステムに用いることができる。物品とは、例えば、鍵（図３１（Ａ）参照。）、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等）、書籍類、容器類（シャーレ等、図３１（Ｂ）参照。）、装身具（鞄や眼鏡等、図３１（Ｃ）参照。）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図３１（Ｄ）参照。）、記録媒体（ディスクやビデオテープ等）、乗物類（自転車等）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器（液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置、携帯端末等）等である。本発明の半導体装置１１２５は、上記のような様々な形状の物品の表面に貼り付けたり、埋め込んだりして、固定される。
【０１６７】
また、システムとは、物流・在庫管理システム、認証システム、流通システム、生産履歴システム、書籍管理システム等であり、本発明の半導体装置を用いることにより、システムの高機能化、多機能化、高付加価値化を図ることができる。例えば、本発明の半導体装置１１２５を身分証明証の内部に設けておき、かつ、建物の入り口などに、リーダ／ライタ１１２１を設けておく（図３１（Ｅ）参照。）。リーダ／ライタ１１２１は、各人が所有する身分証明証内の認証番号を読み取り、その読み取った認証番号に関する情報を、コンピュータ１１２２に供給する。コンピュータ１１２２では、リーダ／ライタ１１２１から供給された情報に基づき、入室又は退室を許可するか否かを判断する。このように、本発明の半導体装置を用いることにより、利便性を向上させた入退室管理システムを提供することができる。
【０１６８】
なお、本実施の形態の構成は他の実施の形態の構成と組み合わせて用いることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
本発明のレーザ照射装置を用いることによって、従来のレーザ照射装置を用いた場合と比べて、基板表面に噴射する気体の流量を減らすことができるため、半導体装置の作製段階におけるコストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】本発明の照射装置について説明する図。
【図２】本発明の照射装置について説明する図。
【図３】本発明の照射装置について説明する図。
【図４】本発明の照射装置について説明する図。
【図５】照射方法についてを説明する図。
【図６】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図７】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図８】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図９】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１０】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１１】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１２】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１３】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１４】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１５】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１６】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図１７】本発明の半導体装置を説明する図。
【図１８】本発明の半導体装置を説明する図。
【図１９】電子機器について説明する図。
【図２０】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２１】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２２】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２３】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２４】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２５】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２６】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２７】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２８】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図２９】半導体装置の作製方法について説明する図。
【図３０】本発明の半導体装置を説明する図。
【図３１】本発明の半導体装置を説明する図。
【符号の説明】
【０１７１】
１０    導電性粒子
１２    端子
１４    樹脂層
１９    導電層
２０    基板
３２    絶縁層
３３    導電層
３５    絶縁層
４９    基板
５０    基板
５１    絶縁層
５２    剥離層
５３    絶縁層
５４    トランジスタ
５５    ゲート絶縁層
５６    絶縁層
５７    絶縁層
５８    絶縁層
５９    導電層
６６    導電層
６８    絶縁層
６９    開口部
７１    開口部
７２    絶縁層
７３    絶縁層
７６    開口部
８１    基板
８２    基板
８３    接着層
８４    接着層
８６    容量素子
８８    基板
８９    基板
９０    半導体層
９１    導電層
９２    導電層
９３    不純物領域
９４    不純物領域
９５    チャネル形成領域
１００    基板
１０２    半導体膜
１０３    酸化膜
１０５    酸化膜
１０７    ゲート絶縁層
１０８    導電層
１０９    導電層
１２１    層間絶縁層
１２２    電極
１２３    絶縁層
１２４    発光層
１２５    電極
１２６    基板
１２７    シール材
１２８    内部
１２９    導電性接着剤
１３０    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１３１    遮光層
１３２    カラーフィルター
１３７    マスク
１５１    トランジスタ
１５２    トランジスタ
１５３    トランジスタ
１５４    容量
１５５    トランジスタ
１６１    画素部
１６２    駆動回路部
１６３    端子部
２０１    トランジスタ
２０２    容量
２０３    トランジスタ
２０４    ゲート線
２０５    ソース線
２０６    電流供給線
２０７    電極
２０８    発光素子
２１３    導電層
２１４    導電層
３０１    トリプレットシリンドリカルレンズ
３０２    気体供給管
３０３    窓
３０４    板
３０５    基板
３０６    ステージ
３０７    保持機構
３０８    トリプレットシリンドリカルレンズ
３０９    気体供給管
３１０    石英窓
３１１    アルミニウム合金
３１２    半導体膜
３１３    アルミ合金
３１４    レーザ発振器
３１５    光学系
３１６    光学素子
３１７    光学素子
３１８    ミラー
３１９    ダブレットシリンドリカルレンズ
３２０    石英窓
３２１    コントローラ
３２２    気体供給装置
３２３    板
３２４    基板
３２５    ステージ
３２６    窒素供給源
３２７    加熱装置
３３０    ビームプロファイラー
３３１    パワーメータ
３３２    ＣＣＤカメラ
３３３    ミラー
３３４    ＮＤフィルター
３３５    ＣＣＤカメラ
３３６    固定具
３３７    ＮＤフィルター
５００    基板
５０１    下地絶縁膜
５０２    半導体膜
１０１ａ    絶縁層
１０１ｂ    絶縁層
１０２ａ    非晶質半導体層
１０２ｂ    結晶質半導体層
１０２ｃ    結晶質半導体層
１０２ｄ    結晶質半導体層
１０２ｅ    結晶質半導体層
１０４ａ    非晶質半導体層
１０４ｂ    半導体層
１０６ａ    半導体層
１０６ｂ    半導体層
１０６ｃ    半導体層
１０８ａ    導電層
１０８ｂ    導電層
１０８ｃ    導電層
１０８ｄ    導電層
１０８ｅ    導電層
１０９ａ    導電層
１０９ｂ    導電層
１０９ｃ    導電層
１０９ｄ    導電層
１０９ｅ    導電層
１１００    半導体装置
１１０１    演算処理回路
１１０３    記憶回路
１１０４    アンテナ
１１０９    電源回路
１１０ａ    導電層
１１０ｂ    導電層
１１０ｃ    導電層
１１０ｄ    導電層
１１０ｅ    導電層
１１１０    復調回路
１１１１    変調回路
１１１２    リーダ／ライタ
１１１ａ    ゲート電極
１１１ｂ    ゲート電極
１１１ｃ    ゲート電極
１１１ｄ    ゲート電極
１１１ｅ    容量電極
１１１ｆ    ゲート電極
１１１ｇ    ゲート電極
１１２１    リーダ／ライタ
１１２２    コンピュータ
１１２５    半導体装置
１１２ａ    ｎ型不純物領域
１１２ｂ    ｎ型不純物領域
１１２ｃ    ｎ型不純物領域
１１２ｄ    ｎ型不純物領域
１１３ａ    ｎ型不純物領域
１１３ｂ    不純物領域
１１４ａ    ｎ型不純物領域
１１４ｂ    ｎ型不純物領域
１１５ａ    チャネル形成領域
１１５ｂ    チャネル形成領域
１１６ａ    ｐ型不純物領域
１１７ａ    ｐ型不純物領域
１１８ａ    チャネル形成領域
１１８ｂ    チャネル形成領域
１１９ａ    層間絶縁層
１１９ｂ    層間絶縁層
１１９ｃ    層間絶縁層
１２０ａ    配線
１２０ｂ    配線
１２０ｆ    配線
１３５ａ    マスク
１３５ｂ    マスク
１３５ｃ    マスク
１３５ｄ    マスク
１３５ｅ    マスク
１３６ａ    マスク
１３６ｂ    マスク
２１１ａ    半導体層
２１１ｂ    半導体層
２１２ａ    導電層
２１２ｂ    導電層
５０２ａ    シリコン膜
５０２ｂ    半導体膜
５０２ｃ    結晶性半導体膜
５０５ａ    酸化膜
８００１    本体
８００２    表示部
８１０１    本体
８１０２    表示部
８２０１    本体
８２０２    表示部
８３０１    本体
８３０２    表示部
８４０１    本体
８４０２    表示部
【図１】
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【図２】
2007173782.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007173782.tif 000008
【図６】
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【図７】
2007173782.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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