(57)【要約】【課題】  ＣＭＰ装置に用いられる腐食性の高いスラリーに対しても砥粒の脱落を確実に防いでスクラッチの発生を抑制することが可能なＣＭＰコンディショナを提供し、またこのようなＣＭＰコンディショナを、複雑な製造工程を要することなく製造することが可能なＣＭＰコンディショナの製造方法を提供する。【解決手段】  基体１の表面に、金属結合相７によって砥粒６が固着されてなる砥粒層３が形成されたＣＭＰコンディショナおよびその製造方法であって、砥粒層３の表面に、ゾル−ゲル法によって生成させられた保護被膜９を形成する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面に、金属結合相によって砥粒が固着されてなる砥粒層が形成されたＣＭＰコンディショナであって、上記砥粒層の表面には、ゾル−ゲル法によって生成させられた保護被膜が形成されていることを特徴とするＣＭＰコンディショナ。
【請求項２】
上記保護被膜は、上記砥粒層の表面における上記砥粒と金属結合相との境界部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項３】
上記砥粒層の表面には、さらに四フッ化有機化合物よりなる被膜が被覆されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項４】
基体表面に、金属結合相によって砥粒を固着して砥粒層を形成し、次いでこの砥粒層の表面に、ゾル−ゲル法によって保護被膜を生成して形成することを特徴とするＣＭＰコンディショナの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の研磨を行うＣＭＰ（化学機械的研磨）装置の研磨パッドのコンディショニング（ドレッシングまたは目立て）に用いられるＣＭＰコンディショナおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のＣＭＰコンディショナとしては、例えば特許文献１に、円板状の基体（台金）の上面に略円柱状の突起部が間隔をあけて複数形成され、これらの突起部の表面に複数のダイヤモンド等の砥粒が金属めっき結合相によって固着されたものが提案されている。また、特許文献２には、このように砥粒を固着した金属結合相の表面にＳｉＣ等のセラミックス被膜を、ＣＶＤやイオンプレーティング等の気相コーティング技術によって被覆することが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−７１２６９号公報
【特許文献２】特開２００１−２１０６１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、このようなＣＭＰコンディショナにより研磨パッドがコンディショニングされるＣＭＰ装置では、半導体ウェハ等の研磨の際に酸性やアルカリ性の腐食性の高いスラリーが用いられるため、砥粒を保持する金属結合相がこのスラリーによって腐食（溶出）してしまって砥粒が脱落し、この脱落した砥粒によって半導体ウェハが傷つけられてスクラッチが生じるという問題がある。特に、砥粒がダイヤモンドであって結合相がＮｉ等の金属めっき相である場合、砥粒への金属めっきの濡れ性が乏しいことから両者の境界部（キャビティ）には極微小ではあるものの隙間が生じ、この隙間からスラリーが入り込んで金属めっき相を腐食させる結果、砥粒の脱落が一層促進されてしまうことになる。
【０００４】
この点、特許文献２に記載のように金属結合相表面にセラミックス被膜を被覆したＣＭＰコンディショナでは、このセラミックス被膜によって金属結合相が保護されることによりその腐食が防止され、従って砥粒の脱落も抑制することができる。ところが、その一方で、この特許文献２に記載のような気相コーティング技術によってセラミックス被膜を被覆した場合には、金属結合相から突出したダイヤモンド等の砥粒の表面にも被膜が被覆されてしまうため、砥粒の切れ味が損なわれ、パッドの研磨レートが著しく低下してしまうという問題が生じる。従って、ＣＭＰコンディショナとして使用可能なパッド研磨レートを得るには、当該特許文献２にも記載されているように砥粒の表面に被覆された被膜を除去する工程が必要となり、その製造工程が複雑化することが避けられない。
【０００５】
本発明は、このような背景の下になされたもので、ＣＭＰ装置に用いられる腐食性の高いスラリーに対しても砥粒の脱落を確実に防いでスクラッチの発生を抑制することが可能なＣＭＰコンディショナを提供し、またこのようなＣＭＰコンディショナを、複雑な製造工程を要することなく製造することが可能なＣＭＰコンディショナの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明のＣＭＰコンディショナは、基体表面に、金属結合相によって砥粒が固着されてなる砥粒層が形成されたＣＭＰコンディショナであって、上記砥粒層の表面には、ゾル−ゲル法によって生成させられた保護被膜が形成されていることを特徴とし、また本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法は、基体表面に、金属結合相によって砥粒を固着して砥粒層を形成し、次いでこの砥粒層の表面に、ゾル−ゲル法によって保護被膜を生成して形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明において砥粒層の表面に保護被膜を形成する際に用いられるゾル−ゲル法によるコーティング技術は、例えば友野理平監修「セラミックコーティング技術」（昭和５９年５月２５日株式会社総合技術センター発行、昭和６０年４月１日第２版ｐ．１０５〜ｐ．１１３）に記載のように、シリカゾルや金属アルコキシド等を含むゾル−ゲル液を塗布して加水分解・重縮合反応によりゲル化し、これを熱処理して保護被膜を生成するものであり、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＭＯ３、ＷＯ３、ＴａＯ５、ＺｎＯ２などの耐腐食性を有する金属酸化物被膜を得ることができる。そして、このようなゾル−ゲル液を、金属結合相によって砥粒が固着された砥粒層の表面に塗布すると、該ゾル−ゲル液の表面張力が小さいために、ゾル−ゲル液が砥粒と金属結合相との境界部から毛細管現象により上述した極微小な隙間の中に入り込んでこの境界部において該隙間を封止するように保護被膜が生成される一方、金属結合相から突出した砥粒の表面ではゾル−ゲル液がはじかれて実質的に被膜は生成されない。
【０００８】
従って、このように製造された本発明のＣＭＰコンディショナによれば、上記保護被膜が、特に上記砥粒層の表面における上記砥粒と金属結合相との境界部に形成されるため、この境界部からのスラリーの侵入を防ぐことができて金属結合相の腐食による砥粒の脱落を防ぐことが可能となり、スクラッチの発生を抑えて高品位の半導体ウェハ等の研磨を図ることができる。その一方で、上述のように保護被膜は砥粒の表面には生成されることがないため、被膜の形成後に被膜を除去する工程が必要となるようなこともなく、またゾル−ゲル液の塗布はディップコーティング等の比較的簡略な方法で可能であるとともに、熱処理の際の温度も比較的低温であるので、本発明の製造方法によれば、複雑な製造工程や高価な装置等を要することなく上述のような優れたＣＭＰコンディショナを提供することが可能となる。
【０００９】
ここで、上記ＣＭＰコンディショナにおいて、金属に対して強い腐食性を持つ（強酸）スラリーを使用する際に、金属結合相の腐食溶出によるウェーハの金属汚染を防ぐため、上記砥粒層の表面には、さらに四フッ化有機化合物よりなる被膜を被覆するのが望ましい。このような四フッ化有機化合物は、化学的に安定で耐食性が高く、また例えば上記金属酸化物被膜のような保護被膜の上にも電着塗装等によって確実にコーティングすることができるので、金属結合相の腐食溶出によるウェーハの金属汚染を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１および図２は、本発明のＣＭＰコンディショナの第１の実施形態を示すものである。本実施形態において基体（台金）１はステンレス等の金属材料により軸線Ｏを中心とした略円板状に形成され、その軸線Ｏに垂直な一方の円形面が、コンディショニングの際にＣＭＰ装置の研磨パッドと対向して接触するコンディショニング面２とされていて、このコンディショニング面２に、砥粒層３が形成されている。このようなＣＭＰコンディショナは、このコンディショニング面２をＣＭＰ装置の研磨パッド表面に平行に対向させて接触させられ、該研磨パッドの回転軸線から離れた位置で上記軸線Ｏ回りに回転されつつ、基体１自体もパッド表面の内外周に揺動させられて、上記研磨パッドのコンディショニング（ドレッシングまたは目立て）に用いられる。
【００１１】
なお、本実施形態においては、上記コンディショニング面２の外周側に、該コンディショニング面２と平行な円環状の端面４ｆとこの端面４ｆから外周側に向かうに従い漸次後退するテーパ面４ｔとを有して上記軸線Ｏを中心とした一定幅の環状に突出するリング部４が形成されるとともに、このリング部４の内周側には、やはりコンディショニング面２と平行でリング部４と等しい突出高さの円形の端面５ｆを有する互いに同形同大の略円柱状の複数の突部５が間隔をあけて形成されている。ただし、このうち突部５は、図１に示すようにリング部４内周のうちでも外周側の部分のみに、軸線Ｏを中心とした複数（図１では３つ）の同心円をなすようにして、各円ごとに等間隔に、かつ隣接する円同士では千鳥状となるように配設されている。
【００１２】
上記砥粒層３は、本実施形態ではこれらリング部４の上記端面４ｆおよびテーパ面４ｔと突部５の端面５ｆとに形成されて、コンディショニング面２すなわち基体１の表面に形成されている。なお、リング部４内周側のコンディショニング面２の底面（突部５の間の部分）２ｆは軸線Ｏに垂直な平坦面とされて砥粒層５は形成されておらず、上記端面４ｆ，５ｆは厳密にはこの底面２ｆに平行とされて軸線Ｏ方向に互いに突出高さに位置するようにさせられている。
【００１３】
ここで、図２に示すようにこの砥粒層３は、砥粒６としてダイヤモンド砥粒が、金属結合相７として電着により形成されたＮｉ等の金属めっき相を介して、リング部４および各突部５のそれぞれに複数（多数）個ずつ単層に分散固着されてなるものであり、砥粒６はその平均粒径の３０％程度の部分が金属結合相７の表面から突き出し、残りの部分が該金属結合相７内に埋没して保持されている。ただし、このように電着による金属めっき相を金属結合相７として固着されたダイヤモンドの砥粒６は、金属めっきとの濡れ性が悪いことから金属結合相７との境界部８に極微小な隙間を生じ、特に砥粒層３の表面においては図２に示すようにこの境界部８が微視的に窪んだ凹状に形成されてしまう。
【００１４】
しかして、本実施形態では、この砥粒層３表面の、特に砥粒６と金属結合相７との境界部８に、ゾル−ゲル法によって生成させられた保護被膜９が形成されている。すなわち、かかるＣＭＰコンディショナを製造する本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法の一実施形態では、上述のような砥粒層３がコンディショニング面２に形成された基体１を、シリカゾルや金属アルコキシド等を含むゾル−ゲル液に例えば浸漬して砥粒層３の表面に該ゾル−ゲル液を塗布し、これをコンディショニング面２が上向きとなるように保持して、低温で所定時間乾燥させて加水分解・重縮合反応させることによりゲル化し、次いでこれよりも高温で長時間熱処理することにより、上記ゾル−ゲル液に含まれた金属の酸化物被膜よりなる上記保護被膜９を形成する。
【００１５】
このようにゾル−ゲル法によって生成された保護被膜９は、ゾル−ゲル液を砥粒層３の表面に塗布した際に、その表面張力が小さい（弱い）ことから該ゾル−ゲル液が砥粒６と金属結合相７との境界部８から毛細管現象により上記隙間に入り込んで該境界部８の砥粒層３表面側の凹状に形成された部分に溜まり、そのままゲル化して熱処理されることにより該境界部８を砥粒層３の表面側で封止するように形成される。このため、当該ＣＭＰコンディショナを腐食性の高いスラリーの下でＣＭＰ装置の研磨パッドのドレッシングに用いても、スラリーが境界部８の隙間に入り込んで金属結合相７を腐食させるのを防ぐことができ、これにより砥粒６を脱落させることなく確実に保持してスクラッチの発生を抑制し、従って高品位の半導体ウェハ等の研磨を行うことが可能となる。
【００１６】
その一方で、このように表面張力の小さいゾル−ゲル液は、砥粒層３表面に塗布された状態で金属結合相７から突き出た砥粒６の突端側では該砥粒６の表面によってはじかれてしまうため、この砥粒６の突端に付着したままゲル化することは少ない。すなわち、保護被膜９は、上記砥粒層３の表面における砥粒６と金属結合相７との境界部８には形成されても、該砥粒６の突端に形成されることはないので、保護被膜９の形成後に砥粒６上の保護被膜９を除去したりする工程が必要となることもなく、砥粒６による切れ味は十分に確保して高いパッド研磨レートを維持することが可能となる。しかも、ゾル−ゲル法ではゾル−ゲル液の砥粒層３表面への塗布が上述のような浸漬すなわちディップコーティングによって容易に可能であり、また乾燥や熱処理もそれほど高い温度を要することはないので、本実施形態の製造方法では、例えばＣＶＤやイオンプレーティング等の気相コーティング技術によって被膜を形成するのに比べて簡略な設備で耐食性に優れたＣＭＰコンディショナを製造することが可能となる。
【００１７】
なお、こうしてゾル−ゲル法により生成される保護被膜９としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＭＯ３、ＷＯ３、ＴａＯ５、ＺｎＯ２などの耐腐食性を有する金属酸化物被膜が好適に挙げられるが、特にＣＭＰ装置においてシリコンウェハの研磨を行う場合には、コンタミ防止の観点からＳｉＯ２被膜が望ましい。また、ゾル−ゲル液を砥粒層３の表面に塗布するには、上述のディップコーティングの他にコンディショニング面２を上向きにした状態でスプレーコーティングやスピンコーティングにより塗布することも可能である。
【００１８】
ところで、このようにして砥粒層３の表面に塗布されたゾル−ゲル液は、その表面張力により金属結合相７から突き出た砥粒６の突端に付着し難いのは上述した通りであるが、その一方で、複数の砥粒６の間における金属結合相７の表面に対しても、これが平坦であると、やはりゾル状態のままでは流動性が高くて付着し難く、従ってこの金属結合相７の表面には図２に示したように保護被膜９が形成されないか、形成されても極薄いものとなってしまう。すなわち、保護被膜９は砥粒層３の表面において実質的に砥粒６と金属結合相７との上記境界部８にのみ形成されることとなって、より腐食性の高いスラリーの下ではこの砥粒６間の金属結合相７から金属溶出が起こりウェーハの金属汚染を引き起こすおそれがある。
【００１９】
そこで、このような砥粒６間の金属結合相７の腐食による砥粒６の脱落をも確実に防ぐには、図３に示す本発明のＣＭＰコンディショナの第２の実施形態のように、上記砥粒層３の表面に、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン・パーフロロアルキルビニールエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）等の四フッ化有機化合物よりなる被膜１０を被覆するのが望ましい。なお、この図３に示す第２の実施形態において、図２に示した第１の実施形態と共通する部分には同一の符号を配して説明を省略する。また、このような第２の実施形態のＣＭＰコンディショナを製造するための、本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法の第２の実施形態では、第１の実施形態の製造方法によって製造されたＣＭＰコンディショナの基体１を、上述のような四フッ化有機化合物が分散された液中に浸漬して電着塗装を施したりすることにより、該被膜１０が形成される。
【００２０】
このような第２の実施形態のＣＭＰコンディショナでは、上記被膜１０を形成する四フッ化有機化合物が、腐食性の高いスラリーと反応しにくいため、高い耐食性が得られる。しかも上述の電着塗装等によって砥粒層３表面の砥粒６間における金属結合相７部分や、砥粒６と金属結合相７との境界部８に形成された上記保護被膜９の上にも、かかる被膜１０を確実に被覆することができる。従って、この第２の実施形態によれば、上述のような砥粒６間における金属結合相７による金属溶出を抑えることができ、ウェーハの金属汚染を防ぐことが可能となる。
【００２１】
しかも、こうして四フッ化有機化合物よりなる被膜１０を被覆することにより、上記第２の実施形態では、研削液として例えば酸化セリウムの微細粒子を分散させた粘着性の高い、いわゆるセリア系スラリーを用いたりしたときでも、このような微細粒子が基体１のコンディショニング面２の特に研磨パッドと接する上記端面４ｆ，５ｆに凝集して付着するのを防ぐことができる。従って、このように凝集付着した微細粒子により砥粒６による研磨パッドへの食い付きが妨げられて研磨レートが悪化したり、凝縮して付着していた粒子が剥がれることによって半導体ウェハにスクラッチが生じたりするのを防止できるので、上述したスクラッチの低減効果をより確実に奏功することが可能となるとともに、パッド研磨レートの安定化を図ることもできる。
【実施例】
【００２２】
次に、上記実施形態に基づいた本発明の実施例を挙げてその効果を実証する。本実施例においては、第１の実施形態に基づいてゾル−ゲル法によって生成した保護被膜９のみを形成したＣＭＰコンディショナ（実施例１）と、第２の実施形態に基づいてこの実施例１の砥粒層３表面に四フッ化有機化合物よりなる被膜１０を被覆したＣＭＰコンディショナ（実施例２）とを製造した。また、これら実施例１、２に対する比較例として、砥粒６を金属結合相（金属めっき相）７によって固着した砥粒層３を形成しただけのＣＭＰコンディショナ（比較例１）と、この比較例１の砥粒層３表面にＳｉＣ被膜を被覆したＣＭＰコンディショナ（比較例２）も製造した。言い換えれば、実施例１、２および比較例２は、基体１に砥粒層３が周知の方法で形成された比較例１のＣＭＰコンディショナに保護被膜９、被膜１０、ＳｉＣ被膜が形成されたものである。
【００２３】
なお、これら実施例１、２および比較例１、２では、基体１は、コンディショニング面２の外径（基体１の外径）が１０１．６ｍｍ、リング部４の内径は９０ｍｍ、端面４ｆの外径は９４ｍｍ、テーパ面４ｔも含めたリング部４の外径は９７ｍｍ、突部５の外径は２ｍｍで、コンディショニング面２の底面２ｆからのリング部４、突部５の突出高さ（上記端面４ｆ，５ｆの高さ）は０．３ｍｍである。また、突部５は、内径６７ｍｍ、外径８５ｍｍの軸線Ｏを中心とした円環面の範囲に、軸線Ｏを中心として略等間隔をあけた同心円上に図１に示す通りに配列されている。さらに、砥粒６は平均粒径１６０μｍのダイヤモンド砥粒であって集中度は４０ヶ／ｍｍ２とされ、金属結合相７はＮｉめっき相である。
【００２４】
また、このうち実施例１、２において保護被膜９を形成する際には、コンディショニング面２に砥粒層３を形成した基体１を、まず表面の清浄度を上げるためにアルカリ性の脱脂液に浸漬して電解脱脂を行った後、酸性（塩酸）浴に浸漬し、水洗した。そして、この基体１をＳｉＯ２ゾル−ゲル液（ＳｉＯ２濃度５wt％、溶媒プロパノール）に１分間浸漬した後、２００℃で２時間乾燥することにより加水分解・重縮合反応させてゾル−ゲル液をゲル化し、さらにこれを５００℃で８時間加熱することにより熱処理してＳｉＯ２よりなる保護被膜９を生成した。こうして生成された保護被膜９は、図２に示したように実質的に砥粒層３の砥粒６と金属結合相７との境界部８にのみ集中して形成され、その最大厚さｔ１（図２参照）は、約１０μｍであった。
【００２５】
さらに、実施例２においては、こうして保護被膜９を形成した実施例１のＣＭＰコンディショナの基体１を、四フッ化有機化合物としてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）が分散された液中に浸漬して電着塗装を施すことにより、上記被膜１０を形成した。こうして形成された四フッ化有機化合物の被膜１０は、砥粒６間の金属結合相７上における厚さｔ２（図３参照）が約５μｍであった。一方、比較例２において上記ＳｉＣ被膜は周知のＣＶＤ法によって形成され、その膜厚は約１〜２μｍであった。
【００２６】
そして、本実施例では、これら実施例１、２および比較例１、２のＣＭＰコンディショナにより、同一の条件の下でＣＭＰ装置においてそれぞれ研磨パッドをコンディショニングしつつ該研磨パッドによってシリコンウェハの研磨を行い、その際の所定コンディショニング時間ごとのウェハに生じたスクラッチの数とパッド研磨レートとを測定した。この結果を、スクラッチの数については表１に、またパッド研磨レートについては表２にそれぞれ示す。なお、研磨パッドはＲｏｈｍ  ａｎｄ  Ｈａａｓ社製の発泡ポリウレタンパッド（商品名：ＩＣ１０００）であって外径は３６０ｍｍ、パッド回転数は８０ｒ．ｐ．ｍ、コンディショナ回転数も８０ｒ．ｐ．ｍ、コンディショナ揺動速度は３０００ｍｍ／ｍｉｎ、であって、コンディショナの基体１に４９Ｎの荷重を与えつつ、スラリーとして腐食性の高いＷ膜研磨工程用スラリー（Ｗ２０００＋Ｈ２Ｏ２）を１００ｍｌ／ｍｉｎで供給しながらコンディショニングを行った。
【００２７】
【表１】
2007109767.tif 000003
【００２８】
【表２】
2007109767.tif 000004
【００２９】
これら表１、表２の結果より、まず砥粒層３を形成しただけで何等被膜を形成していない比較例１のＣＭＰコンディショナでは、コンディショニング開始後３時間でスクラッチの発生が認められ、５〜７時間経過の間ではその数が１０本を上回って１２本にも達し、以降のパッド研磨は中止せざるを得なかった。また、パッド研磨レートも、コンディショニング当初は高い研磨レートであるものの、コンディショニング時間の経過に対する研磨レートの低下が著しく、安定した研磨レートの維持という観点からは好ましくない。また、この比較例１にＳｉＣ被膜を被覆した比較例２のＣＭＰコンディショナでは、コンディショニング開始後１７時間までスクラッチの発生がなく、砥粒６の脱落は抑制されていることは確認されたが、その一方でパッド研磨レートはコンディショニング当初から低く、研磨パッドを効率的にコンディショニングすなわち目立てしてその平坦度の回復や目詰まりの防止を図ることは望めない。
【００３０】
これらに対して、本発明に係る実施例１、２のＣＭＰコンディショナでは、保護被膜９を形成しただけの実施例１でも、コンディショニング開始後９時間まではスクラッチレスのウェハ研磨を可能とすることができ、またその後も、発生スクラッチ数は略０本であった。その一方で、パッド研磨レートについては、コンディショニング当初から高いレートを維持したまま、時間経過に対する研磨レートの低下も小さく抑えられており、すなわち長時間に渡って安定したコンディショニングが行われていることが分かる。また、この実施例１に四フッ化有機化合物の被膜１０を被覆した実施例２では、パッド研磨レート自体は実施例１より小さいものの、やはり時間経過に対する研磨レートの低下は十分に抑えられており、そしてスクラッチの発生は比較例２をも上回る２１時間経過時（ウェーハ研磨終了時）まで０であった。
【００３１】
また、これら実施例１、２および比較例１、２のＣＭＰコンディショナを上述の腐食性の高いＷ膜研磨工程用スラリー（Ｗ２０００＋Ｈ２Ｏ２）にそのまま浸漬し、５０℃で４８時間放置してコンディショナからスラリーへのＮｉ溶出量をＩＣＰによって測定した。この結果を次表３に示す。
【００３２】
【表３】
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【００３３】
この表３の結果より、砥粒層３表面にＳｉＣ被膜を被覆した比較例２のＣＭＰコンディショナが最もＮｉの溶出が少なかったものの、これを除くと、第２の実施形態に基づいてゾル−ゲル法によって生成した保護被膜９を有する砥粒層３の表面に四フッ化有機化合物よりなる被膜１０を被覆した実施例２のＣＭＰコンディショナが、上記比較例２に近い溶出防止効果が得られていることが分かる。また、ゾル−ゲル法により保護被膜９を生成しただけの実施例１では、これら実施例２や比較例２に対しては劣るものの、単に砥粒６を金属結合相（金属めっき相）７によって固着しただけの砥粒層３を有する比較例１のＣＭＰコンディショナに対しては十分なＮｉ溶出防止効果が得られていることが分かり、表１、２の発生スクラッチ数およびパッド研磨レートとから総合的に勘案すると、実施例１のＣＭＰコンディショナが望ましく、実施例２のＣＭＰコンディショナがより望ましいとの結果が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態を示すコンディショニング面２の平面図である。
【図２】図１に示す実施形態における砥粒層３の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す砥粒層３の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  基体
２  コンディショニング面
３  砥粒層
６  砥粒
７  金属結合相
８  砥粒６と金属結合相７との境界部
９  ゾル−ゲル法によって生成された保護被膜
１０  ４フッ化有機化合物よりなる被膜
【図１】
2007109767.tif 000006
【図２】
2007109767.tif 000007
【図３】
2007109767.tif 000008