(57)【要約】【課題】６００〜７００ｎｍまたは３５０〜５２０ｎｍの波長領域で吸収をもつ耐光性に優れた有機色素を含む記録層を用いる追記型光記録媒体を提供する。【解決手段】６００〜７００ｎｍまたは３５０〜５２０ｎｍの波長領域で吸収をもつ新規スクアリリウム化合物またはシクロブテンジオン化合物、および該化合物を有機色素として含む記録層を用いる追記型光記録媒体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2007118254.tif 000104
（式中、Ｘ1は
【化２】
2007118254.tif 000105
（Ｘ1aは含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ1は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数；ただしｎとｍは同時にゼロではなく、またｎ＝０のときＹ1はフッ素原子を含み一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭化水素基である；Ｒ1は、
式（Ｉａ）：
【化３】
2007118254.tif 000106
（式中、Ｘ2は
【化４】
2007118254.tif 000107
（Ｘ2aは含フッ素アルキル基、ｌは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｌ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ2は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｏは０または１〜５の整数）で示される基、
式（Ｉｂ）：
【化５】
2007118254.tif 000108
（式中、Ｘ3は
【化６】
2007118254.tif 000109
（Ｘ3aは含フッ素アルキル基、ｈは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｈ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ4は
【化７】
2007118254.tif 000110
（Ｘ4aは含フッ素アルキル基、ｊは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｊ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基；ｉおよびｋは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜５の整数）で示される基、
または、式（Ｉｃ）：
【化８】
2007118254.tif 000111
（式中、Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基）で示される基）で示されるスクアリリウム化合物、および／または
式（ＩＩ）：
【化９】
2007118254.tif 000112
（式中、Ｘ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルコキシ基；Ｒ2は、
式（ＩＩａ）：
【化１０】
2007118254.tif 000113
（式中、Ｘ6は
【化１１】
2007118254.tif 000114
（Ｘ6aは含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ5は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数）で示される基、
または、式（ＩＩｂ）：
【化１２】
2007118254.tif 000115
（式中、Ｘ7は
【化１３】
2007118254.tif 000116
（Ｘ7aは含フッ素アルキル基、ｐは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｐ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ8は
【化１４】
2007118254.tif 000117
（Ｘ8aは含フッ素アルキル基、ｒは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｒ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ7およびＸ8は同じかまたは異なり、いずれも含フッ素アルキル基；Ｙ6およびＹ7は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基；ｑおよびｓは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜６の整数；ただしｐ＋ｒは０ではない）で示される基）で示されるシクロブテンジオン化合物
を記録層中に含む光情報記録媒体。
【請求項２】
前記式（Ｉ）において、Ｘ1が炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基の少なくとも１種である請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記式（Ｉ）において、Ｙ1が式：
【化１５】
2007118254.tif 000118
（式中、Ｒ3およびＲ4は同じかまたは異なり、いずれもフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、式：
【化１６】
2007118254.tif 000119
または
【化１７】
2007118254.tif 000120
（式中、Ｒ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるエステル残基よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記式（ＩＩ）においてＲ2が式（ＩＩａ）で示される基であり、かつ式（ＩＩａ）において、Ｘ6が炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基の少なくとも１種である請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記式（ＩＩ）においてＲ2が式（ＩＩａ）で示される基であり、かつ式（ＩＩａ）において、Ｙ5が式：
【化１８】
2007118254.tif 000121
（式中、Ｒ3およびＲ4は同じかまたは異なり、いずれもフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、式：
【化１９】
2007118254.tif 000122
または
【化２０】
2007118254.tif 000123
（式中、Ｒ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるエステル残基よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１または４記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
式（Ｉ）：
【化２１】
2007118254.tif 000124
（式中、Ｘ1は
【化２２】
2007118254.tif 000125
（Ｘ1aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ1は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数；ただしｎとｍは同時にゼロではなく、またｎ＝０のときＹ1はフッ素原子を含み一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基である；Ｒ1は、
式（Ｉａ）：
【化２３】
2007118254.tif 000126
（式中、Ｘ2は
【化２４】
2007118254.tif 000127
（Ｘ2aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｌは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｌ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ2は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；ｏは０または１〜５の整数）で示される基、
式（Ｉｂ）：
【化２５】
2007118254.tif 000128
（式中、Ｘ3は
【化２６】
2007118254.tif 000129
（Ｘ3aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｈは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｈ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ4は
【化２７】
2007118254.tif 000130
（Ｘ4aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｊは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｊ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ｉおよびｋは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜５の整数）で示される基、
または、式（Ｉｃ）：
【化２８】
2007118254.tif 000131
（式中、Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基）で示される基）で示されるスクアリリウム化合物。
【請求項７】
式（ＩＩＡ）：
【化２９】
2007118254.tif 000132
（式中、Ｘ6は
【化３０】
2007118254.tif 000133
（Ｘ6aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ5は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数）で示されるシクロブテンジオン化合物。
【請求項８】
式（ＩＩＢ）：
【化３１】
2007118254.tif 000134
（式中、Ｘ7は
【化３２】
2007118254.tif 000135
（Ｘ7aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｐは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｐ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ8は
【化３３】
2007118254.tif 000136
（Ｘ8aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｒは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｒ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ6およびＹ7は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ｑおよびｓは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜６の整数；ただしｐ＋ｒは０ではない）で示される基）で示されるシクロブテンジオン化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、６００〜７００ｎｍまたは３５０〜５２０ｎｍの波長領域で吸収をもつ新規スクアリリウム化合物またはシクロブテンジオン化合物、および該化合物を有機色素として含む記録層を用いる追記型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＯ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷなどの追記型の光記録媒体は広く使用されているが、さらに大容量の情報を記録可能にするべく、その記録層に用いる有機色素化合物の開発が鋭意行われている。
【０００３】
たとえば特許文献１には特定の構造を有するベンゾピラン系化合物が、記録再生波長６２０〜６９０ｎｍに対応可能であり、追記型光記録媒体に使用できることが開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には特定のポルフィリン化合物が、短波長の記録再生波長である４００〜４５０ｎｍに対応可能であり、追記型光記録媒体に使用できることが開示されている。
【０００５】
さらに特許文献３では、特定の６員環の複素環化合物たとえばピロン系化合物が、短波長の記録再生波長である３５０〜５３０ｎｍに対応可能であり、追記型光記録媒体に使用できることが開示されている。
【０００６】
一方、特定の構造をもつスクアリリウム化合物が電子写真感光体用の有機色素として有用であることが記載されており、そのスクアリリウム化合物を製造する際の中間体としてシクロブテンジオン化合物が開示されている（特許文献４〜８）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３１５４３７号公報
【特許文献２】特開２００１−１３８６３４号公報
【特許文献３】特開２００３−２６６９５４号公報
【特許文献４】特開平１−１４６８４７号公報
【特許文献５】特開平１−１４６８４８号公報
【特許文献６】特開平１−１４６８５１号公報
【特許文献７】特開平１−１４６８６４号公報
【特許文献８】特開平１−１４７５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者らは、前記特許文献４〜８に記載の化合物の構造を検討したところ、これらの文献に記載されているフッ素原子または含フッ素アルキル基を含有するスクアリリウム化合物およびシクロブテンジオン化合物は、たとえば特許文献４ではトリフルオロメチル基を含有する特殊なスクアリリウム化合物が報告されているが、芳香族アミドを含有することから、加水分解されやすく、耐光性もない。また、特許文献７では一部がフッ素原子に置換された構造をもつ芳香環をもつが、これらのフッ素原子は加水分解されやすく、耐光性もない。
【０００９】
さらに研究を進めた結果、芳香環に含フッ素アルキル基を含有する特定の構造のスクアリリウム化合物およびシクロブテンジオン化合物が良好な耐光性を有していることを見出し、さらにこれらの化合物のうちで波長６００〜７００ｎｍまたは波長３５０〜５２０ｎｍに強い吸収をもつ化合物が存在することを見出し、本発明に至った。
【００１０】
すなわち本発明は、追記型光記録媒体の記録層に有用で耐光性に優れた新規スクアリリウム化合物およびシクロブテンジオン化合物、および該化合物を記録層に用いた追記型光記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち本発明は、式（Ｉ）：
【００１２】
【化１】
2007118254.tif 000002
（式中、Ｘ1は
【００１３】
【化２】
2007118254.tif 000003
（Ｘ1aは含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ1は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数；ただしｎとｍは同時にゼロではなく、またｎ＝０のときＹ1はフッ素原子を含み一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭化水素基である；Ｒ1は、
式（Ｉａ）：
【００１４】
【化３】
2007118254.tif 000004
（式中、Ｘ2は
【００１５】
【化４】
2007118254.tif 000005
（Ｘ2aは含フッ素アルキル基、ｌは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｌ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ2は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｏは０または１〜５の整数）で示される基、
式（Ｉｂ）：
【００１６】
【化５】
2007118254.tif 000006
（式中、Ｘ3は
【００１７】
【化６】
2007118254.tif 000007
（Ｘ3aは含フッ素アルキル基、ｈは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｈ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ4は
【００１８】
【化７】
2007118254.tif 000008
（Ｘ4aは含フッ素アルキル基、ｊは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｊ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基；ｉおよびｋは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜５の整数）で示される基、
または、式（Ｉｃ）：
【００１９】
【化８】
2007118254.tif 000009
（式中、Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基）で示される基）で示されるスクアリリウム化合物、および／または
式（ＩＩ）：
【００２０】
【化９】
2007118254.tif 000010
（式中、Ｘ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルコキシ基；Ｒ2は、
式（ＩＩａ）：
【００２１】
【化１０】
2007118254.tif 000011
（式中、Ｘ6は
【００２２】
【化１１】
2007118254.tif 000012
（Ｘ6aは含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ5は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数）で示される基、
または、式（ＩＩｂ）：
【００２３】
【化１２】
2007118254.tif 000013
（式中、Ｘ7は
【００２４】
【化１３】
2007118254.tif 000014
（Ｘ7aは含フッ素アルキル基、ｐは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｐ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ8は
【００２５】
【化１４】
2007118254.tif 000015
（Ｘ8aは含フッ素アルキル基、ｒは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｒ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ7およびＸ8は同じかまたは異なり、いずれも含フッ素アルキル基；Ｙ6およびＹ7は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基；ｑおよびｓは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜６の整数；ただしｐ＋ｒは０ではない）で示される基）で示されるシクロブテンジオン化合物
を記録層中に含む光情報記録媒体に関する。
【００２６】
前記式（Ｉ）において、Ｘ1が炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基の少なくとも１種であることが、耐光性、反応性、安定性が良好な点から好ましい。
【００２７】
また、Ｘ1が末端が水素原子（ωＨ）である炭素数１〜１０のフルオロアルキル基の少なくとも１種であることが、溶剤溶解性が良好な点から好ましい。
【００２８】
さらにまた、ａ＝１であること、すなわちケトン基を含むことが、溶剤溶解性が良好な点、さらには合成が容易な点から好ましい。
【００２９】
また、前記式（Ｉ）において、Ｙ1が式：
【００３０】
【化１５】
2007118254.tif 000016
（式中、Ｒ3およびＲ4は同じかまたは異なり、いずれもフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、式：
【００３１】
【化１６】
2007118254.tif 000017
または
【００３２】
【化１７】
2007118254.tif 000018
（式中、Ｒ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるエステル残基よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが、溶剤溶解性の向上の点から好ましい。
【００３３】
またさらに、前記式（ＩＩ）においてＲ2が式（ＩＩａ）で示される基であり、かつ式（ＩＩａ）において、Ｘ6が炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基の少なくとも１種であることが、耐光性、反応性、安定性が良好な点から好ましい。
【００３４】
また、Ｘ6が末端が水素原子（ωＨ）である炭素数１〜１０のフルオロアルキル基の少なくとも１種であることが、溶剤溶解性が良好な点から好ましい。
【００３５】
さらにまた、前記式（ＩＩ）においてＲ2が式（ＩＩａ）で示される基であり、かつ式（ＩＩａ）において、Ｙ5が式：
【００３６】
【化１８】
2007118254.tif 000019
（式中、Ｒ3およびＲ4は同じかまたは異なり、いずれもフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、式：
【００３７】
【化１９】
2007118254.tif 000020
または
【００３８】
【化２０】
2007118254.tif 000021
（式中、Ｒ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるエステル残基よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが、溶剤溶解性の向上の点から好ましい。
【００３９】
前記式（Ｉ）で示すスクアリリウム化合物のうち、Ｘ1aが炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、Ｙ1が一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ1がつぎの基（Ｉａ）〜（Ｉｃ）であるスクアリリウム化合物（ＩＡ）〜（ＩＣ）はいずれも、特許文献４〜８はもとより他の文献にも未記載の新規化合物であり、追記型光記録媒体用の有機色素として有用である。
式（Ｉａ）：
【００４０】
【化２１】
2007118254.tif 000022
（式中、Ｘ2は
【００４１】
【化２２】
2007118254.tif 000023
（Ｘ2aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｌは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｌ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ2は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；ｏは０または１〜５の整数）で示される基Ｒ1を有するスクアリリウム化合物（ＩＡ）。
式（Ｉｂ）：
【００４２】
【化２３】
2007118254.tif 000024
（式中、Ｘ3は
【００４３】
【化２４】
2007118254.tif 000025
（Ｘ3aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｈは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｈ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ4は
【００４４】
【化２５】
2007118254.tif 000026
（Ｘ4aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｊは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｊ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ｉおよびｋは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜５の整数）で示される基Ｒ1を有するスクアリリウム化合物（ＩＢ）。
式（Ｉｃ）：
【００４５】
【化２６】
2007118254.tif 000027
（式中、Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基）で示される基）で示される基Ｒ1を有するスクアリリウム化合物（ＩＣ）。
【００４６】
また、以下の式（ＩＩＡ）および（ＩＩＢ）に示すシクロブテンジオン化合物は、特許文献４〜８はもとより他の文献にも未記載の新規化合物であり、追記型光記録媒体用の有機色素として有用である。
式（ＩＩＡ）：
【００４７】
【化２７】
2007118254.tif 000028
（式中、Ｘ6は
【００４８】
【化２８】
2007118254.tif 000029
（Ｘ6aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ5は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；ｍは０または１〜４の整数）で示されるシクロブテンジオン化合物。
式（ＩＩＢ）：
【００４９】
【化２９】
2007118254.tif 000030
（式中、Ｘ7は
【００５０】
【化３０】
2007118254.tif 000031
（Ｘ7aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｐは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｐ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ8は
【００５１】
【化３１】
2007118254.tif 000032
（Ｘ8aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｒは０または１〜６の整数、ａは０または１、ただしｒ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ6およびＹ7は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ｑおよびｓは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜６の整数；ただしｐ＋ｒは０ではない）で示される基）で示されるシクロブテンジオン化合物。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、波長６００〜７００ｎｍまたは波長３５０〜５２０ｎｍという広い波長領域において記録再生が可能な追記型光記録媒体であって、耐光性にも優れた新規スクアリリウム化合物およびシクロブテンジオン化合物、および該化合物を記録層に用いた追記型光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明の追記型光記録媒体は、記録層に前記式（Ｉ）で示されるスクアリリウム化合物または式（ＩＩ）で示されるシクロブテンジオン化合物を有するものである。以下、それぞれの化合物について説明する。
【００５４】
式（Ｉ）：
【００５５】
【化３２】
2007118254.tif 000033
（式中、Ｘ1、Ｙ1、Ｒ1およびｍは前記と同じ）で示されるスクアリリウム化合物としては、つぎの式（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）で示される３種類の化合物が、置換基を適切に選択することにより吸収波長を変化させることができる点、吸光係数が高い点、耐光性がよい点、適切な収率で合成できる点などで優れている。
【００５６】
式（ＩＡ）：
【００５７】
【化３３】
2007118254.tif 000034
（式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、ｏおよびｍは前記と同じ）で示されるスクアリリウム化合物。
【００５８】
Ｘ1は
【００５９】
【化３４】
2007118254.tif 000035
（Ｘ1aは含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基であり、Ｘ2は
【００６０】
【化３５】
2007118254.tif 000036
（Ｘ2aは含フッ素アルキル基、ｌは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｌ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基である。Ｘ1およびＸ2は同じでも異なっていてもよく、またいずれも存在しなくてもよい（ｎ＝０、ｌ＝０）が、Ｘ1が存在しない場合、Ｙ1はフッ素原子を含み一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭化水素基である。
【００６１】
Ｘ1aおよびＸ2aは、炭素数１〜１０、さらには炭素数が８以下、特に炭素数が４以下の含フッ素アルキル基であることが溶剤溶解性が良好な点から好ましい。
【００６２】
Ｘ1aおよびＸ2aがパーフルオロアルキル基であるときは、耐光性が良好な点から好ましい。また、Ｘ1aおよびＸ2aがωＨ含フッ素アルキル基であるときは、溶剤溶解性が良好な点から好ましい。特に好ましいＸ1aはＣＦ3−、ＣＦ3ＣＦ2−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＦ−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2−などのパーフルオロアルキル基；ＨＣＦ2−、ＨＣＦ2ＣＦ2−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＨ−、ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2−などのωＨ含フッ素アルキル基である。Ｘ2aは、存在する場合はＸ1aで例示したものが同様に例示できる。
【００６３】
また、ケトン基が介在するとき（ａ＝１）は、反応性や溶剤溶解性が向上する。
【００６４】
Ｙ1およびＹ2は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基である。これらはいずれも存在しなくてもよい（ｍ＝０、ｏ＝０）。ただし、Ｘ1が存在しない場合はＹ1は１個以上存在する（ｎとｍは同時にゼロではない）。
【００６５】
Ｙ1およびＹ2は、好ましくは炭素数１〜１０、さらには炭素数が８以下、特に炭素数が４以下のアルキル基の一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭化水素基であり、好ましくはアミノ基；アルコキシ基、エステル残基、アルキル基などが例示できる。なお、Ｘ1とＹ1は同じではなく、Ｘ2とＹ2も同じではない。
【００６６】
アミノ基としては、式：
【００６７】
【化３６】
2007118254.tif 000037
（式中、Ｒ3およびＲ4は同じかまたは異なり、いずれも炭素数１〜１０、好ましくは炭素数８以下、さらには炭素数４以下のフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるアミノ基が、溶剤溶解性が良好で吸光係数が高い点から好ましく例示できる。
【００６８】
具体例としては、たとえば−Ｎ（ＣＨ3）2、−Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2、−Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2、−Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）、−Ｎ（Ｐｈ）2、−Ｎ（Ｐｈ）（ＣＨ3）、−Ｎ（Ｐｈ）（Ｃ2Ｈ5）などがあげられ（Ｐｈはフェニル基）、特に合成が容易で高吸光係数である点から−Ｎ（ＣＨ3）2、−Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2、−Ｎ（Ｃ3Ｈ7）2が好ましい。
【００６９】
アルコキシ基としては、式：−ＯＲ6（Ｒ6は炭素数１〜１０、好ましくは炭素数８以下、さらには炭素数４以下のフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）が、合成が容易で安定性が良好な点から好ましい。
【００７０】
具体例としては、たとえば−ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＯＣ（ＣＨ3）ＣＨ3、−ＯＣ（ＣＨ3）3、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3などがあげられ、特に合成が容易で安定性が良好な点から−ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3が好ましい。
【００７１】
エステル残基としては、式：
【００７２】
【化３７】
2007118254.tif 000038
または
【００７３】
【化３８】
2007118254.tif 000039
（式中、Ｒ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０、さらには炭素数８以下、特に炭素数４以下のフッ素原子を含んでいてもよいアルキル基）で示されるエステル残基が好ましくあげられる。
【００７４】
具体例としては、たとえば
【００７５】
【化３９】
2007118254.tif 000040
があげられ、合成が容易で安定性が良好な点から、
【００７６】
【化４０】
2007118254.tif 000041
が好ましい。
【００７７】
アルキル基としては、フッ素原子を含んでいてもよいが、Ｘ1またはＸ2と同じではない。
【００７８】
具体例としては、−ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ（ＣＨ3）ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ3、−ＯＣ（ＣＨ3）3などがあげられ、特に溶剤溶解性が良好な点から−ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ（ＣＨ3）ＣＨ3が好ましい。
【００７９】
この式（ＩＡ）で示されるスクアリリウム化合物（ＩＡ）は、溶剤溶解性が良好で高吸光係数である点で優れている。
【００８０】
式（ＩＡ）のスクアリリウム化合物（ＩＡ）の具体例としては、つぎのものが例示できる（併せて、極大吸収帯の目安を示す）。
【００８１】
【化４１】
2007118254.tif 000042
【００８２】
【化４２】
2007118254.tif 000043
【００８３】
そのほか、上記スクアリリウム化合物（ＩＡ）の具体例において、−ＣＦ3が、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＦ−であるパーフルオロアルキル基である化合物；ＨＣＦ2−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＨ−などであるωＨ含フッ素アルキル基であるスクアリリウム化合物；ＣＦ3（Ｃ＝Ｏ）−、ＨＣＦ2ＣＦ2（Ｃ＝Ｏ）−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ）−などであるケトン基を介する（ａ＝１）スクアリリウム化合物も例示できる。
【００８４】
かかるスクアリリウム化合物（ＩＡ）は、つぎの２つの方法により製造することができる。
【００８５】
（製法１：Ｘ1、Ｘ2が含フッ素アルキル基の場合）
第一工程
【００８６】
【化４３】
2007118254.tif 000044
で示される３，４−ジクロロ−３−シクロブテン−１，２−ジオンと
【００８７】
【化４４】
2007118254.tif 000045
とを反応させて、
【００８８】
【化４５】
2007118254.tif 000046
を得る。
【００８９】
この反応は、たとえばシクロブテンジオンと芳香族誘導体を塩化メチレン中で室温にて攪拌するといった条件下で行うことが好ましい。
【００９０】
第２工程
【００９１】
【化４６】
2007118254.tif 000047
を加水分解して、
【００９２】
【化４７】
2007118254.tif 000048
を得る。
【００９３】
加水分解は、酢酸／水の混合溶液中で還流することで行うことが好ましい。
【００９４】
第３工程
【００９５】
【化４８】
2007118254.tif 000049
と
【００９６】
【化４９】
2007118254.tif 000050
とを反応させて、
【００９７】
【化５０】
2007118254.tif 000051
を得る。
【００９８】
この反応は、たとえばシクロブテンジオンと芳香族誘導体をアルコール中で加熱攪拌するといった条件下で行うことが好ましい。
【００９９】
（製法２：Ｘ1、Ｘ2が含フッ素アルキル基の場合）
第１工程
【０１００】
【化５１】
2007118254.tif 000052
に
【０１０１】
【化５２】
2007118254.tif 000053
（式中、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基）
を反応させて、
【０１０２】
【化５３】
2007118254.tif 000054
を得る。
【０１０３】
この反応は、たとえばヘキサンを溶媒にして、トリエチルアミンおよびテトラアルコキシエチレンの存在下に酸クロライドを滴下したのち加熱するといった条件下で行うことが好ましい。
【０１０４】
第２工程
【０１０５】
【化５４】
2007118254.tif 000055
と
【０１０６】
【化５５】
2007118254.tif 000056
とを反応させて、
【０１０７】
【化５６】
2007118254.tif 000057
を得る。
【０１０８】
この反応条件は、製法１の第３工程と同じである。
【０１０９】
（製法３：Ｘ1、Ｘ2がケトン基を含有する含フッ素アルキル基である場合）
製法１または２に従って、Ｘ1を有さないスクアリリウム化合物：
【０１１０】
【化５７】
2007118254.tif 000058
を合成し、
Ｘ1a−ＣＯＣｌ
をＡｌＣｌ3やＦｅＣｌ3などのルイス酸触媒下にフリーデルクラフツ反応を起こさせることにより、
【０１１１】
【化５８】
2007118254.tif 000059
を得る。
【０１１２】
（製法４：Ｘ1、Ｘ2が含フッ素アルキル基Ｘ1aである場合）
製法１または２に従って、Ｘ1を有さないスクアリリウム化合物：
【０１１３】
【化５９】
2007118254.tif 000060
を合成し、これをヨウ素化または臭素化したのち、
Ｘ1aＩ
とカップリング反応を行い、
【０１１４】
【化６０】
2007118254.tif 000061
を得る。
【０１１５】
（製法５）
製法１または２に従って、Ｘ1を有さないスクアリリウム化合物：
【０１１６】
【化６１】
2007118254.tif 000062
を合成し、これに
Ｘ1a−Ｏ−Ｏ−Ｘ1a
または
【０１１７】
【化６２】
2007118254.tif 000063
などの過酸化物をラジカル反応させることにより、対応するスクアリリウム化合物を得ることができる。
【０１１８】
式（ＩＢ）：
【０１１９】
【化６３】
2007118254.tif 000064
（式中、Ｘ3は
【０１２０】
【化６４】
2007118254.tif 000065
（Ｘ3aは含フッ素アルキル基、ｈは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｈ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ4は
【０１２１】
【化６５】
2007118254.tif 000066
（Ｘ4aは含フッ素アルキル基、ｊは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｊ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基；ｉおよびｋは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜５の整数）で示されスクアリリウム化合物。
【０１２２】
Ｘ1およびＹ1については、式（ＩＡ）で例示したものが、好ましい例と共に式（ＩＢ）の化合物においても適用される。
【０１２３】
Ｘ3aおよびＸ4aは、炭素数１〜１０、さらには炭素数が８以下、特に炭素数が４以下の含フッ素アルキル基であることが溶剤溶解性が良好な点から好ましい。
【０１２４】
Ｘ3aおよびＸ4aがパーフルオロアルキル基であるときは、耐光性が良好な点から好ましい。また、Ｘ3aおよびＸ4aがωＨ含フッ素アルキル基であるときは、溶剤溶解性が良好な点から好ましい。特に好ましいＸ3aはＣＦ3−、ＣＦ3ＣＦ2−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＦ−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2−などのパーフルオロアルキル基；ＨＣＦ2−、ＨＣＦ2ＣＦ2−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＨ−、ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2−などのωＨ含フッ素アルキル基である。Ｘ4aは、存在する場合はＸ3aで例示したものが同様に例示できる。
【０１２５】
また、ケトン基が介在するとき（ａ＝１）は、反応性や溶剤溶解性が向上する。
【０１２６】
Ｙ3およびＹ4は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基である。これらはいずれも存在しなくてもよい（ｈ＝０、ｉ＝０、ｊ＝０、ｋ＝０）。
【０１２７】
Ｙ3およびＹ4は、好ましくは炭素数１〜１０、さらには炭素数６以下のアルキル基の一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭化水素基であり、好ましくはアミノ基、アルコキシ基、エステル残基、アルキル基などが例示できる。なお、Ｘ3とＹ3は同じではなく、Ｘ4とＹ4も同じではない。
【０１２８】
特に好ましいＹ3およびＹ4は式（ＩＡ）においてＹ1またはＹ2で例示したものが、好ましい例と共に式（ＩＢ）の化合物においても適用される。
【０１２９】
Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよいアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜１０、さらには炭素数６以下のアルキル基である。
【０１３０】
Ｒの具体例としては、たとえば−ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−Ｃ（ＣＦ3）ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3などがあげられ、合成が容易である点から−ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3が好ましい。
【０１３１】
この式（ＩＢ）で示されるスクアリリウム化合物（ＩＢ）は、溶剤溶解性が良好で、高吸光係数である点で優れている。
【０１３２】
式（ＩＢ）のスクアリリウム化合物（ＩＢ）の具体例としては、つぎのものが例示できる。
【０１３３】
【化６６】
2007118254.tif 000067
【０１３４】
【化６７】
2007118254.tif 000068
【０１３５】
かかるスクアリリウム化合物（ＩＢ）は、スクアリリウム化合物（ＩＡ）の製造法において、製法１の第３工程または製法２の第２工程で反応させるフェニル化合物：
【０１３６】
【化６８】
2007118254.tif 000069
に代えて、
【０１３７】
【化６９】
2007118254.tif 000070
を用いることにより、製造できる。
【０１３８】
式（ＩＣ）：
【０１３９】
【化７０】
2007118254.tif 000071
（式中、Ｘ1、Ｙ1、ｍは式（ＩＡ）と同じ；Ｒは式（ＩＢ）と同じ）で示されるスクアリリウム化合物。
【０１４０】
Ｘ1およびＹ1については、式（ＩＡ）で例示したものが、好ましい例と共に式（ＩＣ）の化合物においても適用される。
【０１４１】
また、Ｒについては、式（ＩＢ）で例示したものが、好ましい例と共に式（ＩＣ）の化合物においても適用される。
【０１４２】
この式（ＩＣ）で示されるスクアリリウム化合物（ＩＣ）は、溶剤溶解性が良好で、高吸光係数である点で優れている。
【０１４３】
式（ＩＣ）のスクアリリウム化合物（ＩＣ）の具体例としては、つぎのものが例示できる。
【０１４４】
【化７１】
2007118254.tif 000072
【０１４５】
かかるスクアリリウム化合物（ＩＣ）は、スクアリリウム化合物（ＩＡ）の２つの製造法において、製法１の第３工程または製法２の第２工程で反応させるフェニル化合物：
【０１４６】
【化７２】
2007118254.tif 000073
に代えて、
【０１４７】
【化７３】
2007118254.tif 000074
を用いることにより、製造できる。
【０１４８】
式（ＩＩ）：
【０１４９】
【化７４】
2007118254.tif 000075
（式中、Ｘ5およびＲ2は前記と同じ）で示されるシクロブテンジオン化合物としては、つぎの式（ＩＩＡ）および（ＩＩＢ）で示される２種類の化合物が、４００ｎｍ付近に吸収波長を有する点、耐光性が高い点で優れている。
【０１５０】
式（ＩＩＡ）：
【０１５１】
【化７５】
2007118254.tif 000076
（式中、Ｘ5はフッ素原子を含んでいてもよいアルコキシ基；Ｘ6は
【０１５２】
【化７６】
2007118254.tif 000077
（Ｘ6aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｎは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｎ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ5は一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基；ｎは１〜５の整数；ｍは０または１〜４の整数）で示されるシクロブテンジオン化合物。
【０１５３】
Ｘ5は、好ましくは炭素数が１〜１０、さらには炭素数８以下、特に炭素数４以下のフッ素原子を含んでいてもよいアルコキシ基である。具体例としては、たとえばＣＦ3Ｏ−、ＣＦ3ＣＦ2Ｏ−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＦＯ−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−などのパーフルオロアルコキシ基；ＣＨ3Ｏ−、Ｃ2Ｈ5Ｏ−、Ｃ3Ｈ7Ｏ−、Ｃ4Ｈ9Ｏ−などのフッ素原子を含まないアルコキシ基；ＣＦ3（ＣＦ3）ＣＨＯ−などの含フッ素アルコキシ基などがあげられ、特に耐光性に優れている点から点から−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2ＣＦ3、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3などのパーフルオロアルキル基が好ましい。
【０１５４】
Ｘ6およびＹ5については、式（ＩＡ）でＸ1およびＹ1としてそれぞれ例示したものが、好ましい例と共に式（ＩＩＡ）の化合物においても適用される。ただし、この化合物（ＩＩＡ）においては、Ｘ6は必ず存在する（ｎ≧１）。
【０１５５】
この式（ＩＩＡ）で示されるシクロブテンジオン化合物（ＩＩＡ）は、４００ｎｍ付近に吸収波長を有する点、耐光性が高い点で優れている。
【０１５６】
シクロブテンジオン化合物（ＩＩＡ）の具体例としては、つぎのものが例示できる。
【０１５７】
【化７７】
2007118254.tif 000078
【０１５８】
かかるシクロブテンジオン化合物（ＩＩＡ）は、つぎの方法により製造することができる。
【０１５９】
（製法１）
第一工程
【０１６０】
【化７８】
2007118254.tif 000079
で示される３，４−ジクロロ−３−シクロブテン−１，２−ジオンと
【０１６１】
【化７９】
2007118254.tif 000080
とを反応させて、
【０１６２】
【化８０】
2007118254.tif 000081
を得る。
【０１６３】
この反応は、スクアリリウム化合物（ＩＡ）の製法１の第１工程と同じ条件で行うことが好ましい。
【０１６４】
第２工程
【０１６５】
【化８１】
2007118254.tif 000082
にＸ5Ｈ（Ｘ5は前記と同じでアルコキシ基）を反応させて、
【０１６６】
【化８２】
2007118254.tif 000083
を得る。
【０１６７】
この反応は、たとえばアルコールの共存下で加熱するという条件下で行うことが好ましい。
【０１６８】
（製法２）
第１工程
【０１６９】
【化８３】
2007118254.tif 000084
に
【０１７０】
【化８４】
2007118254.tif 000085
（式中、Ｒ6は同じかまたは異なり、いずれも炭素数１〜３のアルキル基）
を反応させて、
【０１７１】
【化８５】
2007118254.tif 000086
を得る。
【０１７２】
この反応は、スクアリリウム化合物（ＩＡ）の製法２の第１工程と同じ条件で行うことが好ましい。
【０１７３】
第２工程
【０１７４】
【化８６】
2007118254.tif 000087
にＸ5Ｃｌ（Ｘ5は前記と同じでアルコキシ基）を反応させて、
【０１７５】
【化８７】
2007118254.tif 000088
を得る。
【０１７６】
この反応は、たとえば酸触媒の存在下にアルコールと加熱するという条件下で行うことが好ましい。
【０１７７】
（製法３：その他）
製法１または２に従って、Ｘ6を有さないシクロブテンジオン化合物：
【０１７８】
【化８８】
2007118254.tif 000089
または
【０１７９】
【化８９】
2007118254.tif 000090
を合成し、これらに前記スクアリリウム化合物（ＩＡ）の製法３、４または５と同様に、
（３−１）Ｘ6a−ＣＯＣｌとフリーデルクラフツ反応に供する、
（３−２）ヨウ素化または臭素化後、カップリング反応に供する、
（３−３）過酸化物とのラジカル反応に供する
ことにより、対応するシクロブテンジオン化合物を得る。
【０１８０】
式（ＩＩＢ）：
【０１８１】
【化９０】
2007118254.tif 000091
（式中、Ｘ7は
【０１８２】
【化９１】
2007118254.tif 000092
（Ｘ7aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｐは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｐ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｘ8は
【０１８３】
【化９２】
2007118254.tif 000093
（Ｘ8aは炭素数１〜１０の含フッ素アルキル基、ｒは０または１〜５の整数、ａは０または１、ただしｒ＝０のときａ＝０である）で示されるケトン基を含んでいてもよい含フッ素アルキル基；Ｙ6およびＹ7は同じかまたは異なり、いずれも一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、フッ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基；Ｒは一部がヘテロ原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ｑおよびｓは同じかまたは異なり、いずれも０または１〜６の整数；ただしｐ＋ｒは０ではない）で示される基）で示されるシクロブテンジオン化合物。
【０１８４】
Ｘ5は式（ＩＩＡ）で例示したものと好ましい例示と共に式（ＩＩＢ）においても適用できる。
【０１８５】
Ｘ7、Ｘ8、Ｙ6およびＹ7は、それぞれ式（ＩＢ）におけるＸ3、Ｘ4、Ｙ3およびＹ4と好ましい例および具体例共にこの化合物（ＩＩＢ）に適用できる。
【０１８６】
また、Ｒについては、式（ＩＢ）で例示したものが、好ましい例と共にこの式（ＩＩＢ）の化合物においても適用される。
【０１８７】
この式（ＩＩＢ）で示されるシクロブテンジオン化合物（ＩＩＢ）は、４００ｎｍ付近に吸収波長を有する点、耐光性が高い点で優れている。
【０１８８】
シクロブテンジオン化合物（ＩＩＢ）の具体例としては、つぎのものが例示できる。
【０１８９】
【化９３】
2007118254.tif 000094
【０１９０】
【化９４】
2007118254.tif 000095
【０１９１】
かかるシクロブテンジオン化合物（ＩＩＢ）は、シクロブテンジオン化合物（ＩＩＡ）の製法１の第１工程で、
【０１９２】
【化９５】
2007118254.tif 000096
に代えて、
【０１９３】
【化９６】
2007118254.tif 000097
を用いるか、シクロブテンジオン化合物（ＩＩＢ）の製法２の第１工程で、
【０１９４】
【化９７】
2007118254.tif 000098
に代えて、
【０１９５】
【化９８】
2007118254.tif 000099
を用いることによって製造できる。
【０１９６】
以上に説明した特定のスクアリリウム化合物およびシクロブテンジオン化合物は、耐光性に優れ、しかも波長６００〜７００ｎｍまたは３５０〜５２０ｎｍに強い吸収をもち、色素として、特に追記型光記録媒体の記録層に用いる色素として有用である。
【０１９７】
本発明は、式（Ｉ）または（ＩＩ）、さらに具体的には式（ＩＡ）〜（ＩＣ）で示されるスクアリリウム化合物または式（ＩＩＡ）〜（ＩＩＢ）で示されるシクロブテンジオン化合物を記録層に用いる追記型光記録媒体に関する。
【０１９８】
追記型光記録媒体は、記録層に用いる色素として式（Ｉ）または（ＩＩ）、さらに具体的には式（ＩＡ）〜（ＩＣ）で示されるスクアリリウム化合物または式（ＩＩＡ）〜（ＩＩＢ）で示されるシクロブテンジオン化合物を用いる以外は、従来の構造および材料が使用できる。
【０１９９】
追記型光記録媒体の構造および他の材料については、前記特許文献１〜３に詳しく記載されており、本発明にも適用できる。
【０２００】
たとえば、追記型光記録媒体は基板と記録層とを基本構造とし、さらに下引き層（中間層）、保護層（表面ハードコート層）、反射層などが必要に応じて設けられる。
【０２０１】
基板としては、たとえばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチック、あるいはガラス、セラミック、金属などを用いることができる。なお、基板を１層しか用いない場合、あるいは基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は基板表面にトラッキング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号などのプレフォーマットを形成する。
【０２０２】
記録層は上記の特定のスクアリリウム化合物またはシクロブテンジオン化合物を色素として用いて形成される。必要に応じて、他の色素（染料）を適宜配合してもよい。他の色素としては、たとえばポリメチン色素、他のスクアリリウム系染料、コロコニウム系染料、ピリリウム系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン（インダンスレン）系染料、キサンテン系染料、トリフェニルメタン系染料、アズレン系染料、テトラヒドロコリン系染料、フェナンスレン系染料、トリフェノチアジン系染料、および金属錯体化合物などがあげられる。また上記染料中に金属、金属化合物、例えばＩｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合してもよいし、または積層してもよい。さらに、上記色素中に高分子材料、たとえばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーンゴム、液状ゴムなどの種々の材料、またはシランカップリング剤などを分散混合して用いてもよい。さらに安定剤（たとえば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などを併用してもよい。
【０２０３】
記録層の形成には色素を有機溶媒に溶解させて、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの従来公知のコーティング法が採用できる。有機溶媒としては、たとえばメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセルソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などを用いることができる。記録層の膜厚は、１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍが適当である。
【０２０４】
中間層（下引き層など）は、接着性の向上、水またはガスなどのバリアー性向上、記録層の保存安定性の向上、反射率の向上、耐溶剤性の向上（記録層などの保護）、案内溝・案内ピット・プレフォーマットなどの形成などを目的として、必要に応じて形成される。接着性の向上には、高分子材料、たとえばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーンゴム、液状ゴムなどの種々の高分子物質のほかシランカップリング剤などを用いることができる。バリアー性や保存安定性の向上のためには、前記の高分子材料以外に無機化合物、たとえばＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなど金属化合物やＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属を用いることができる。また反射率の向上のためには、たとえばＡｌ、Ａｇなどの金属や、金属光沢を有する有機薄膜、たとえばメチン染料、キサンテン系染料などが用いられる。耐溶剤性の向上に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。中間層（下引き層）の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【０２０５】
保護層（表面ハードコート層）は、汚れや傷からの記録層の保護、記録層の保存安定性の向上、反射率の向上などを目的として適宜形成される。材料としては、前記中間層（下引き層）で説明した材料が主として用いられる。たとえば無機材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2なども用いることができ、有機材料として、ポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの合成または天然の重合体も用いることができる。保護層（表面ハードコート層）として最も好ましい材料は、生産性に優れている点から紫外線硬化型樹脂である。保護層（表面ハードコート層）の膜厚は、０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。本発明において、前記中間層（下引き層など）、保護層（表面ハードコート層など）には、記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などを含有させてもよい。
【０２０６】
反射層は単体で高反射率が得られ、腐食しにくい金属または金属化合物などがあげられる。材料としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属があげられ、短波長においても高反射率化が達成できるＡｇ、Ａｌが好ましい。これらの金属または金属化合物は単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。また、誘電体の多層膜を利用してもよい。膜形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法などがあげられる。膜厚は通常５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【０２０７】
そのほか、印刷を可能にするための印刷受容層や基板を貼り合わせる場合の接着剤層などを設けてもよい。好ましい接着剤としては、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤などがあげられる。
【０２０８】
本発明の追記型光記録媒体において、情報の記録・再生のために波長６００〜７００ｎｍ、または３５０〜５２０ｎｍのレーザー光を使用することができる。かかるレーザー光としては、中心波長が７４０ｎｍ、９６０ｎｍなどのレーザー光のほか、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光があげられる。３５０〜５２０ｎｍのレーザー光は、４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色、または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザーを使用することによって得られる。その他、比較的長波長の発振レーザー光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。
【０２０９】
本発明の追記型光記録媒体に対して情報の記録を行う際には、記録層に対して通常は基板側から、通常４００〜６００μｍ程度に集束したレーザー光を照射する。記録層のレーザー光が照射された部分は、レーザー光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解などの熱的変形を起こすため、光学的特性が変化する。記録された情報の再生を行う場合は、記録層に対して通常は記録時と同じ方向から、エネルギーの低いレーザー光を照射し、記録層における光学的特性の変化が起きた部分の反射率と変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより行われる。
【実施例】
【０２１０】
つぎに本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明はかかる例のみに限定されるものではない。
【０２１１】
なお、本発明で採用した測定法は以下のとおりである。
ＮＭＲ：ＢＲＵＫＥＲ社製のＡＣ−３００を使用。
【０２１２】
19Ｆ−ＮＭＲ：
測定条件：２８２ＭＨｚ（トリクロロフルオロメタン＝０ｐｐｍ）
1Ｈ−ＮＭＲ：
測定条件：３００ＭＨｚ（テトラメチルシラン＝０ｐｐｍ）
ＩＲ：
Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ社製フーリエ変換赤外分光光度計１７６０Ｘで室温にて測定する。
吸収波長の測定：
化合物をアセトンに１０-5モル％濃度に溶解し、自記分光光度計（（株）日立製作所製のＵ−３３１０）を用いて、波長３００〜８００ｎｍにおける分光透過率曲線を求め、その最大吸収を示す波長を吸収波長（ｎｍ）とする。
【０２１３】
合成例１
テトラエトキシエチレン５９．６ｇ、トリエチルアミン６３．７ｇおよびヘキサン１Ｌを還流管、温度計および滴下ロートを備えた２Ｌ容量の四つ口フラスコに入れ、窒素雰囲気下に（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）アセチルクロライド１３５ｇを滴下した。滴下終了後、４時間攪拌した後、６０℃にて２時間還流した。
【０２１４】
得られた反応混合物を濾過して固形物を除去した後濃縮した。この濃縮液を２００ｇの塩基性酸化アルミニウムが入った１Ｌのジエチルエーテル溶液に溶解させ、８時間攪拌した。ついで濾過により酸化アルミニウムを除去し、濃縮した。
【０２１５】
得られた濃縮液を１８％塩酸水溶液に加え、４時間還流した後、塩酸を減圧下に除去し、ついでトルエン／アセトン溶液から再結晶して、生成物３４ｇを得た。
【０２１６】
この生成物を1Ｈ−ＮＭＲおよび19Ｆ−ＮＭＲ分析に供して構造を調べ、つぎのものであることを確認した。
【０２１７】
【化９９】
2007118254.tif 000100
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：７．５〜８．０（４Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：−６２（３Ｆ）
【０２１８】
合成例２
３，４−ジクロロ−３−シクロブテン−１，２−ジオン１５．１ｇ、トリフルオロメチルベンゼン２９ｇおよび塩化メチレン６０ｍｌを還流管、温度計および滴下ロートを備えた２００ｍｌ容量の四つ口フラスコに入れ、窒素雰囲気下に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、４時間攪拌した後、６０℃にて２時間還流した。
【０２１９】
得られた反応混合物を１Ｎ−塩酸水溶液で洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（メルク社製のシリカゲル６０を充填したカラム使用）を用いて精製し、生成物１３ｇを得た。
【０２２０】
この生成物を1Ｈ−ＮＭＲおよび19Ｆ−ＮＭＲ分析に供して構造を調べ、つぎのものであることを確認した。
【０２２１】
【化１００】
2007118254.tif 000101
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：７．５〜８．０（４Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：−６２（３Ｆ）
【０２２２】
実施例１
合成例１で得た化合物２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン１０ｇおよびイソプロピルアルコール５０ｍｌを還流管、温度計および滴下ロートを備えた２００ｍｌ容量の四つ口フラスコに入れ、窒素雰囲気下に８０℃にて５時間還流した。
【０２２３】
得られた反応液を氷浴して析出してきた固形物を濾去し、ついで濾液を塩化メチレン／メタノール溶液から再結晶して、生成物１３ｇを得た。
【０２２４】
この生成物を1Ｈ−ＮＭＲおよび19Ｆ−ＮＭＲ分析に供して構造を調べ、つぎのものであることを確認した。
【０２２５】
【化１０１】
2007118254.tif 000102
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：３．３（６Ｈ）、７．５〜８．０（６Ｈ）、８．４（２Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：−６２（３Ｆ）
【０２２６】
また、この物の吸収波長は４５０ｎｍであった。
【０２２７】
実施例２
還流管、温度計および滴下ロートを備えた２００ｍｌ容量の四つ口フラスコにメタノールを５０ｍｌ入れ、ついで合成例２で得た化合物を１０ｇ滴下した。窒素雰囲気下に６５℃にて５時間還流した。
【０２２８】
得られた反応液を氷浴して析出してきた固形物を濾去し、ついで濾液を塩化メチレン／メタノール溶液から再結晶して、生成物８ｇを得た。
【０２２９】
この生成物を1Ｈ−ＮＭＲおよび19Ｆ−ＮＭＲ分析に供して構造を調べ、つぎのものであることを確認した。
【０２３０】
【化１０２】
2007118254.tif 000103
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：７．５〜８．０（４Ｈ）、１．２（３Ｈ）、３．８（２Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＣＯＣＤ3：δｐｐｍ）：−６２（３Ｆ）
【０２３１】
また、この物の吸収波長は３９０ｎｍであった。