(57)【要約】      （修正有）【課題】順次側方凝固プロセスによって生産する多結晶または単結晶の薄膜フィルムの表面粗さを低減するシステム及び方法を提供する。【解決手段】所定流束量の複数のエキシマレーザパルスを発生するエキシマレーザ110と、薄膜フィルムを厚さ方向に完全に融解させるのに必要な流束量以下になるように可制御的に変調するエネルギ密度変調器120と、ビーム均一化器144と、薄膜フィルムの前記レーザパルスに対応する部分の融解を行うための試料台170と、前記試料台170の前記レーザパルスに対する相対位置を可制御的に平行移動する平行移動手段と、前記エキシマパルスの発生及び流束量の変調を前記試料台170の相対位置に合わせて実行し、従って、前記試料台170を前記レーザパルスに対して順次平行移動することによって前記多結晶または単結晶の薄膜フィルムを処理するコンピュータ100とを具えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を処理して、表面粗さを低減した単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにする方法において、
(a)  前記シリコンフィルムの融解中及び再凝固中の収縮及び膨脹に耐えるのに十分な厚さを有する前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料上に、剛性のキャップ層を形成するステップと；
(b)  エキシマレーザのパルス列を発生するステップと；
(c)  前記パルス列中の各エキシマレーザパルスを所定流束量に可制御的に変調するステップと；
(d)  所定の平面において、前記パルス列中の前記変調した各レーザパルスを均一化するステップと；
(e)  前記パルス列中の、流束量を制御して均一化した各レーザパルスの一部をマスクして、パターン化した小ビームの流束量を制御したパルス列を発生するステップと；
(f)  前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を、前記パターン化した小ビームの流束量を制御したパルス列で照射して、前記試料の、前記パターン化した小ビームのパルス列中の流束量を制御した各パルスに対応する部分の融解を行うステップと；
(g)  前記試料を、前記パターン化した小ビームの流束量を制御した各パルスに対して可制御的に順次平行移動して、これにより、前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料を処理して、単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにするステップと；
(h)  前記単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムから前記キャップ層を除去するステップと
を具えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エキシマレーザパルスが、紫外エキシマレーザパルスで構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料上に剛性のキャップ層を形成する前記ステップが、前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料上に酸化シリコン層を形成するステップを具えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アモルファスシリコン薄膜フィルムの試料上に剛性のキャップ層を形成する前記ステップが、厚さ約２ミクロンの酸化シリコン層を形成するステップを具えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の背景）
I  発明の分野
本発明は半導体処理の技術に関するものであり、特に低温で実行可能な半導体処理に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
II  関連技術の説明
半導体処理の分野では、薄膜アモルファスシリコンフィルムを多結晶フィルムに変換するためにレーザを使用するいくつかの試みがあった。慣例のエキシマレーザアニール（熱処理）技術の概要は、James Im他による"Crystalline Si Films for integrated Active-Matrix Liquid-Crystal Displays"、11 MRS Bulletin 39 (1996)に開示されている。エキシマレーザアニールを実行するために使用するシステムでは、エキシマレーザビームを、通常30cmまでの長さで500μmまたはそれより広幅の長ビームに成形する。成形したビームをアモルファスシリコンの試料（サンプル）上で走査させて、この試料の融解、及びこの試料が再凝固する際の多結晶シリコンの形成を促進する。
【０００３】
多結晶または単結晶のシリコンを生成するための、慣例のエキシマレーザアニール技術の使用には、いくつかの理由で問題性がある。第１には、前記プロセスで生成されるシリコンは通常、小粒径のランダムな微小構造であり、及び／または不均一な結晶粒径（グレインサイズ）を有し、低質で不均一なデバイスができて製造歩留まりの低下に至るということである。第２には、許容可能な性能レベルを得るのに必要な処理技術が、多結晶シリコンを生産するための製造処理能力を低いままにしておくことを要求するということである。また、これらのプロセスは一般に、制御された環境及びアモルファスシリコン試料の前加熱を必要とし、処理速度をさらに低下させる。最後に、製作したフィルムが一般に、許容外の程度の表面粗さとなり、これがマイクロエレクトロニクスデバイスの性能にとって問題となり得る。
【０００４】
より高い処理速度で、より高品質の多結晶シリコン及び単結晶シリコンを生成する分野の必要性が存在する。また、フラットパネルディスプレイのようなより高品質のデバイスの製作において使用する、こうした多結晶及び単結晶のシリコン薄膜フィルムの表面粗さを低減する製造技術の必要性が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
（発明の概要）
本発明の目的は、多結晶及び単結晶の薄膜フィルム半導体の表面を平坦化する技術を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらなる目的は、逐次的横方向結晶化（ＳＬＳ：Sequential Lateral Solidification）プロセス中に生産される多結晶及び単結晶の薄膜フィルム半導体の後処理ステップとして適用可能な表面平坦化技術を提供することにある。
【０００７】
本発明のさらなる目的は、逐次的横方向結晶化プロセスにおける多結晶及び単結晶薄膜フィルム半導体の生産中の処理ステップとして適用可能な表面平坦化技術を提供することにある。
【０００８】
本発明のさらなる目的は、ディスプレイ及び他の製品の製作に有用な高品質の半導体デバイスの製作用の技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
これらの目的、並びに以下の記述を参照して明らかになる他の目的を達成するために、本発明は、前もって逐次的横方向結晶化プロセスによって生産した多結晶及び単結晶の薄膜フィルムの表面粗さを低減するシステム及び方法を提供するものである。１つの構成では、システムが、所定流束量（フリューエンス）の複数のエキシマレーザパルスを発生するエキシマレーザと、このエキシマレーザパルスの流束量を、前記薄膜フィルムを厚さ方向に完全に融解させるのに必要な流束量以下の流束量になるように可制御的に変調するエネルギ密度変調器と、前記変調したレーザパルスを所定平面において均一化するビーム均一化器（ホモジナイザ）と、前記均一化したレーザパルスを受けて、多結晶または単結晶の薄膜フィルムの、前記レーザパルスに対応する部分の厚さ方向の部分融解を行うための試料台（サンプルステージ）と、前記試料台の前記レーザパルスに対する相対位置を可制御的に平行移動する平行移動手段と、前記エキシマパルスの発生及び前記流束量の変調を前記試料台の相対位置に合わせて行い、従って、前記レーザパルスに対して前記試料台を順次平行移動することによって、多結晶または単結晶の薄膜フィルムを処理するコンピュータとを具えている。前記エキシマレーザは、紫外線エキシマレーザパルスを発生する紫外線エキシマレーザであることが好ましい。
【００１０】
１つの構成では、前記ビーム均一化器を、ｘ方向及びｙ方向共にトップハット（山高帽）型特性でレーザパルスを成形するように動作可能にする。前記エネルギ密度変調器は、前記エキシマレーザパルスの流束量を、多結晶または単結晶の薄膜フィルムを厚さ方向に完全に溶解させるしきい値の約25％から75％までに減衰させるように動作可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（好適な実施例の説明）
前記平行移動ステージがＸ方向の平行移動部とＹ方向の平行移動部とを具え、これらの各部を前記コンピュータに結合し、かつ互いに結合し、そして前記レーザパルスが形成する径路に垂直な２つの直交する方向に移動可能にし、そして前記コンピュータによって制御可能であることが有利であり、前記コンピュータは、このコンピュータの制御下で平行移動可能な前記両方向に、前記試料を可制御的に平行移動する。また前記ビーム均一化器は、前記レーザパルスを、ｘ及びｙ方向に共にトップハット型特性に成形するように動作可能であり、前記平行移動手段は、前記多結晶または単結晶の薄膜フィルムを、前記レーザパルスの方向に直交する２つの方向に平行移動するように動作可能であり、これにより前記均一化したレーザパルスが、前記多結晶または単結晶の薄膜フィルムの前記２方向に少しずつ重複した領域に順次入射するようにする。
【００１２】
本発明の変形例の構成は、アモルファスシリコン薄膜フィルム試料を処理して、表面粗さを低減した単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにするシステム及び方法を提供するものである。１つの構成では、この方法が、逐次的横方向結晶化プロセス中の、薄膜シリコンフィルムの融解中及び再凝固中の収縮及び膨脹に耐えるのに十分な厚さを有するアモルファスシリコン薄膜フィルム試料上に、剛性のキャップ層を形成するステップを具えている。この方法は、エキシマレーザパルス列を発生するステップと、前記パルス列内の各エキシマレーザパルスを、所定の流束量に可制御的に変調するステップと、前記変調して流束量を制御したパルス列内の各レーザパルスを所定平面において均一化するステップと、前記均一化して流束量を制御したパルス列内の各レーザパルスの一部をマスクして、これによりパターン化して流束量を制御した小ビームのパルス列を発生するステップと、アモルファスシリコン薄膜フィルム試料を、前記流束量を制御してパターン化した小ビームのパルス列で照射して、この試料の厚さ方向の部分融解を行うステップと、前記試料を、前記流束量を制御してパターン化した小ビームの各パルスに対して可制御的に順次平行移動して、これにより前記アモルファスシリコン薄膜フィルム試料を処理して、表面粗さを低減した単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにするステップと、前記処理した単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムから前記キャップ層を除去するステップとを具えている。
【００１３】
添付した図面は本明細書の一部を構成し、本発明の好適な実施例を示し、本発明の原理を説明する役割をするものである。
【００１４】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明は、多結晶及び単結晶の薄膜フィルム半導体の表面を平坦化する技術を提供するものである。好適な実施例では、この表面平坦化技術を、逐次的横方向結晶化プロセス中に生産する多結晶及び単結晶の薄膜フィルム半導体に後処理ステップとして適用し、あるいは逐次的横方向結晶化プロセスにおける多結晶または単結晶の薄膜フィルム半導体の生産中の処理ステップとして適用する。従ってこれらの技術を十分に理解するためには、まず順次側方凝固プロセスについて理解しなければならない。
【００１５】
逐次的横方向結晶化プロセスは、エキシマレーザが放出する連続パルス間における、シリコン試料の単一方向の小幅の平行移動によって、大粒のシリコン構造を生産する技術である。各パルスが試料によって吸収されるので、この試料の小さい領域が厚さ方向に完全に融解して、パルス組の前のパルスによって生成される結晶領域内に横方向に入って再凝固する。
【００１６】
特に有利な逐次的横方向結晶化プロセス及びこのプロセスを実行する装置は、本願出願人の同時継続特許出願、出願番号第09/390,537号、1999年９月３日出願、発明の名称"Systems and Methods using Sequential Lateral Solidification for Producing Single or Polycrystalline Silicon Thin Films at Low Temperatures"に開示されており、これは参考文献として本明細書に含める。前記の開示は、本願出願人の同時継続特許出願に記載されている特定技術を参照して行っているが、他の逐次的横方向結晶化技術も直ちに、本発明用に適応可能であることは明らかである。
【００１７】
図１に、本願出願人の同時継続特許出願に好適実施例として記載したシステムを示し、このシステムは、エキシマレーザ１１０と、レーザビーム１１１のエネルギ密度を速やかに変化させるエネルギ密度変調器１２０と、ビーム減衰器兼用シャッタ１３０と、光学器１４０、１４１、１４２及び１４３と、ビーム均一化器（ホモジナイザ）１４４と、レンズ系１４５、１４６、１４８と、マスキング系１５０と、レンズ系１６１、１６２、１６３と、入射レーザパルス１６４と、薄膜シリコンフィルム試料１７０と、試料平行移動台（ステージ）１８０と、グラファイトブロック１９０と、支持系１９１、１９２、１９３、１９４と、管理コンピュータ１００とを具えて、コンピュータ１００の指示の下で、マスキング系１５０内でのマスク７１０の移動か、試料平行移動台１８０の移動かのいずれかによって、シリコン試料１７０のＸ方向及びＹ方向の平行移動を行う。
【００１８】
本願出願人の同時継続出願中の出願にさらに詳しく記述しているように、所定流束量の複数のエキシマレーザパルスを発生して、このエキシマレーザパルスの流束量を可制御的に変調して、この変調したレーザパルスを所定平面において均一化して、前記変調して均一化したレーザパルスの一部をマスクしてパターン化した小ビームにして、アモルファスシリコン薄膜フィルム試料を前記パターン化した小ビームで照射して、この試料の前記小ビームに対応する部分の融解を行って、この試料を、前記パターン化した小ビーム及び前記制御された変調に関して可制御的に平行移動することによって、アモルファスシリコン薄膜フィルム試料を単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムに処理し、従って、前記パターン化した小ビームに対して試料を順次平行移動して、流束量が可変のパターン化した小ビームによって試料上の対応する位置を順次照射することによって、試料のパターンアモルファスシリコン薄膜フィルム試料を処理して、単結晶または多結晶のシリコン薄膜フィルムにする。
【００１９】
単結晶または大粒の多結晶のシリコン薄膜フィルム生産するには、逐次的横方向結晶化プロセスが非常に有利であるが、生産される結晶は往々にして、結晶成長プロセスにおいて特有の、融解及び再凝固の反復による表面粗さを示す。このため図２に示すように、厚さ200nmの結晶は、結晶の長さ方向を通して高さの変動を示す。図２では、０の高さが、厚さ200nmの結晶における最適な高さを示し、175nm〜225nmに変化する高さは、結晶の長さ方向を通して通常のものとして示してある。なお結晶の境界付近の大きな突起２１０では、結晶の厚さが最適な厚さ200nmを350nmだけ超えている。
【００２０】
ここで図３及び図４を参照して、本発明の第１実施例について説明する。図３に、逐次的横方向結晶化プロセスによって生産した多結晶及び単結晶の薄膜フィルム半導体を平坦化する後処理システムの実施例を示す。このシステムは、エキシマレーザ３１０と、ビーム減衰器兼用シャッタ３２０と、反射板３３０と、望遠レンズ３３１、３３２と、反射板３３３と、ビーム均一化器３４０と、コンデンサー（集光）レンズ３４５と、反射板３４７と、フィールド（視野）レンズ３５０と、試料３６０と、試料平行移動台３７０と、光学台３８０と、管理コンピュータ３００とを具えている。好適なレーザ３１０、減衰器３２０、望遠レンズ３３１、３３２、均一化器３４０、及び直交する２方向に移動可能な試料平行移動台３７０の各々は、特許出願番号第09/390,537号の同時継続特許出願に記載されている。台３８０は、この特許出願に記載したようなものとすることも、通常の台とすることもできる。均一化したビーム３４６を、ｘ方向及びｙ方向共にトップハット型特性に成形することが好ましく、そしてビームエネルギ密度が、試料３６０を厚さ方向に完全に融解させるのに必要なエネルギ密度以下であることが重要である。
【００２１】
図４ａ及び図４ｂを参照して、試料３６０について詳細に説明する。本実施例の試料は既に処理してあるので、これは既に多数の結晶領域を含み、これをシェブロン形（山形）の結晶３６５として図式的に示す。均一化したビーム３４６が試料３６０の一部３６１上に入射して、そこの厚さ方向の部分融解を導く様子を示している。
【００２２】
厚さ200nmのシリコン薄膜フィルムについては、厚さ方向の完全融解のしきい値は約600mJ/cm2である。このため、部分３６１の十分な厚さ方向の部分融解を導くために、厚さ方向の完全融解のしきい値の約25％〜75％のエネルギを有するビーム３４６を利用すべきである。ビームのエネルギがより大きければ、エキシマレーザに特有のエネルギ変動が、試料の領域３６１の厚さ方向の完全融解を起こす可能性が生じる。ビームのエネルギがより小さければ、試料の部分３６１が満足な程度に平坦化するのに十分なくらい融解しない。
【００２３】
図４ｂに示すように、試料３６０は酸化シリコン基底層４００及びシリコン層４１０を具えている。本発明によれば、シリコン層４１０の外面が深さ４２０まで融解される。再凝固すると、粗い表面４３０がより平坦化するように改質する。
【００２４】
厚さ方向の完全融解しきい値の約25％〜75％のエネルギを有する均一化した単一ビームパルスが、領域３６１の厚さ方向の部分融解を導くのに十分であるが、多数のビームパルスでこうした領域のすべてを照射することが好ましい。後続する各ビームパルスが領域３６１の厚さ方向の部分融解を導き、これが再凝固すると、より平坦化した表面になる。このため、領域３６１当たり10本のビームの使用により、単一パルスを用いるよりもずっと滑らかな表面４３０が生成される。
【００２５】
図４ａに戻って説明すると、コンピュータ３００の制御下で試料台３７０が右から左に平行移動して、均一化したビーム３４６を、試料３６０の上部を左から右４５０に走査させる。そして台３７０を直交方向（Ｙ方向として示す）に移動して、試料を新たな位置４６０に合わせて、逆方向の平行移動４７０を開始する。試料３６０の全表面を均一化したビーム３４６で走査し終わるまで、この過程を繰り返す。
【００２６】
試料台をＹ方向に平行移動させる際には、均一化したビームを、試料３６０の前に走査した領域に少し重複するように合わせることが有利である。このため、領域３６１が1.2×1.2cmであれば、均一化したビームの不規則性によって生じるエッジ効果を回避するために、1.15cmのＹ方向の平行移動を利用することができる。同様にＸ方向の平行移動の実行中にも、少しの重複を生じさせることが有利である。
【００２７】
以上のことはトップハット型特性の正方形に均一化したビームに関して説明してきたが、他の形状のビームを利用することもできる。このため、図５に示すように、Ｘ方向の平行移動の必要性をなくすのに十分広幅の均一化したビームを利用することができ、平行移動台３７０による移動の必要がより少なくなるという利点を伴い、従ってより大きい生産能力が得られる。同様に、Ｘ方向の平行移動どうしの間でより大きな重複を行う場合には、Ｘ方向にガウス型特性で成形したビームを利用することができる。
【００２８】
図６及び図７に、図３及び図４ａを参照して説明したプロセスの結果を示す。逐次的横方向結晶化プロセスによって製作した試料３６０の特性を図６ａに示す。この試料は、最適な高さ200nmから±25nmの、表面の不規則性を示している。図６ｂに示すように、本発明による単一レーザパルスでの後処理後に、これらの表面の不規則性を大幅に低減することができる。これらの結果を図７に示し、これは本発明による後処理によって生じた、100％未満の表面粗さの低減を示している。
【００２９】
次に図８を参照して、本発明の第２実施例について説明する。本実施例では、逐次的横方向結晶化プロセス中に剛性キャップ層を採用することによって、シリコン薄膜フィルムの表面を平坦化する。よって図８には、酸化シリコンの基底層８００上に堆積させた厚さ約50nm〜200nmのアモルファスシリコン層８１０で形成した薄膜シリコンの試料を示す。この試料は厚さ約２ミクロンの厚い第２酸化シリコン層８２０を被せてあり、これは実質的に剛性のものである。このキャップ層は、逐次的横方向結晶化プロセス中の、シリコン層の融解中及び再凝固中の収縮及び膨脹に耐えるのに十分厚いものでなければならない。
【００３０】
そこで逐次的横方向結晶化プロセスにおいて、キャップ層８２０を有する試料を試料１７０の代わりに用い、これについての完全な記述は上述した第09/390,537号の特許出願に含まれる。こうした処理の後に、慣例のウェットまたはドライエッチング技術によってキャップ層８２０を試料から除去する。図９に、図８を参照して説明したプロセスの結果を示す。
【００３１】
図１０を参照して、図１の逐次的横方向結晶化プロセス及び図３に関して実現する表面平坦化プロセスを共に制御するために、コンピュータ３００が実行するステップについて説明する。システムの種々の電子回路をコンピュータ３００によって初期化して（１０００）、プロセスを開始する。そして、試料平行移動台に試料を装荷する（１００５）。なおこうした装荷は手動、あるいはコンピュータ３００の制御下でロボット的に行うことのいずれでもできる。次に、図１の装置を使用した逐次的横方向結晶化プロセスによって試料を処理する（１０１０）。そして処理した試料を位置決めする（１０１５）。必要により、システムの種々の光学構成要素の焦点合わせを行う（１０２０）。そして、本発明の教示に従って試料を厚さ方向に部分融解するのに必要な所望のエネルギレベル及び反復度に、レーザを安定化させる（１０２５）。必要ならば、レーザパルスの減衰を精密調整する（１０３０）。
【００３２】
次に、試料の、前に逐次的横方向結晶化の処理をした領域に応じて、所定速度で所定方向の試料の平行移動を開始する（１０３５）。そしてシャッタを開放して（１０４０）、試料を照射で露光して、これにより平坦化プロセスを開始する。
【００３３】
平坦化を完了するまで（１０４５）、試料の平行移動及び照射を継続し（１０５０）、この時点でコンピュータがシャッタを閉じて（１０５５）、平行移動を停止する（１０６０）。試料上の他の領域を平坦化用に選定している場合には（１０６５）、試料を再位置決めして（１０６６）、新たな領域でプロセスを繰り返す。さらなる平坦化用の領域を選定していない場合には、レーザを遮断して（１０７０）、ハードウエアを遮断して（１０７５）、プロセスを終了する（１０８０）。
【００３４】
図１１を参照して、結晶成長プロセスを制御するために、図１に関して実行する表面平坦化のステップと共にコンピュータ１００が実行するステップについて説明する。図１０は、図８に示すようなキャップ付き試料を用いて、図１のシステムで実行する基本ステップを示すフロー図である。基底上に酸化物層を堆積させる（１１００）。そして酸化物のバッファ層上にシリコン層を堆積させて（１１１０）、試料の上層部にキャップ酸化物を堆積させる（１１２０）。
【００３５】
次に図１の装置を使用して、逐次横方向結晶化プロセスに従って試料を処理する。処理後に、例えば希フッ化水素酸での溶解によってキャップ酸化物を除去する
【００３６】
以上のことは単に本発明の原理を示したものである。説明した実施例についての種々の変形法及び代替法は、本明細書の教示に照らして、当業者にとって明らかである。例えばキャップ層の除去は、希フッ化水素酸での溶解の利用に関して開示しているが、ドライエッチングのようないずれの慣例の技術によってもキャップ層を除去することができる。よって、本明細書には明示的に記述していないが、本発明の原理を具体化し、従って本発明の範囲内の多数のシステム及び方法を当業者が装置化できることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の好適なプロセスを実現するのに好適な逐次的横方向結晶化プロセスを実行するシステムの機能図である。
【図２】図１の逐次的横方向結晶化プロセスによって処理した通常のフィルムの表面特性を示す図である。
【図３】本発明による逐次的横方向結晶化プロセス中に生産した多結晶または単結晶の薄膜フィルム半導体の表面を平坦化する好適なシステムの機能図である。
【図４】図４ａ及び図４ｂは、狭幅ビームを用いて図３のシステムによって処理すべき結晶シリコンフィルムを図式的に示す図である。
【図５】広幅ビームを用いて図３のシステムによって処理すべき結晶化シリコンフィルムを図式的に示す図である。
【図６】図３のシステムによる処理前の通常のフィルムの表面特性を示す図である。
【図７】図３のシステムによる処理後の通常のフィルムの表面特性を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例による、図１のシステムによって処理した結晶化シリコンフィルムの断面を図式的に示す図である。
【図９】本発明の第２実施例によって処理した通常のフィルムの特性を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施例による図３のシステムにおいて実行するステップを示すフロー図である。
【図１１】本発明の第２実施例による図１のシステムにおいて実行するステップを示すフロー図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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