(57)【要約】      （修正有）【課題】  端子部と磁気ヨーク部との間隔が狭い場合であっても、はんだブリッジが生じることなく、積層基板に形成した電極パターンとの接続が容易な、接続信頼性に優れた可非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  フェリ磁性体に複数の中心導体が配した中心導体組立体２０と、中心導体と共振回路を構成する複数のキャパシタンス素子を形成した板状の積層基板１５と、積層基板１５を収容する略方形箱形状の下ケース３０と、フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石２と、永久磁石２を配置する上ケース１を備えた非可逆回路素子であって、磁気ヨーク下面部の窪み部と端子部にはんだを溜まらせて、はんだで積層基板１５の外表面に形成された電極パターンと接続することを特徴とした。【選択図】      図２
2007288297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェリ磁性体に複数の中心導体が配された中心導体組立体と、前記中心導体と共振回路を構成する複数のキャパシタンス素子を形成した板状の積層基板と、前記積層基板を収容する略方形箱形状の下ケースと、前記フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記永久磁石を配置する上ケースを備えた非可逆回路素子であって、
前記下ケースは、下面部と前記下面部から立設して相対向する２つのヨーク壁部を備える磁気ヨーク部と、残余の相対向する２つの壁部を構成する樹脂壁部を備え、前記樹脂壁部には入出力端子、アース端子が形成され、下ケースの内側底面には、アース端子と連続し窪みを有する磁気ヨーク下面部と、前記磁気ヨーク下面部よりも低く入出力端子と連続する端子部が露出し、前記端子部は、下ケースの内側底面に表れる第１の主面と、下ケースの裏面に表れる第２の主面と、これら主面間を連結する側面を備え、前記端子部の側面は前記樹脂壁部と連続する樹脂で覆われており、
磁気ヨーク下面部の窪み部と端子部にはんだを溜まらせて、前記はんだで前記積層基板の外表面に形成された電極パターンと接続することを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
下ケースの内側底面において、前記端子部の側面を覆う樹脂は、その一部が前記端子部の第１の主面と略同一面に形成され、他の一部は磁気ヨーク下面部と略同一面に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記樹脂壁部を構成する樹脂の一部が内側及び外側に突するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記樹脂壁部を構成する樹脂の一部がヨーク壁部側に及び、ヨーク壁部側樹脂部は内側に突するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記端子部の側面は、段差部及び／又は傾斜部を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号に対して非可逆伝送特性を有する非可逆回路素子であって、複数のキャパシタンス素子を内蔵した積層基板を収容する下ケースを備える非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用される携帯電話、自動車電話等の送受信回路部品の一つとしてアイソレータ，サーキュレータ等の非可逆回路素子がある。一般にアイソレータやサーキュレータは、アンプの破損を防止する目的で使用され、信号の伝送方向の挿入損失は小さく、かつ逆方向への逆方向損失は大きくなるような機能を持たせたものである。以下、本明細書では非可逆回路素子のうちアイソレータを例にとって説明する。
【０００３】
図１５に、従来のアイソレータの一例を分解斜視図で示す。このアイソレータは、磁気ヨークとして機能する金属ケース（上ケース１、下ケース３０）、永久磁石２、中心導体組立体２０、複数のキャパシタンス素子を内蔵し、上面、下面に電極パターンが形成された方形平板状の積層基板１５、抵抗素子を備えるものである。この従来例において、前記中心導体組立体２０は、中心導体として電極パターンを用い、これをガーネットフェライト（フェリ磁性体）に積層形成した構造のものである。この他にも、所定形状に打ち抜いたり、エッチングしたりして形成された銅薄板を、ガーネットフェライトに巻き回した構成のものもある。
【０００４】
図１６は、従来のアイソレータを構成する下ケースの平面図である。この下ケース３０は、所定の形状に形成された板状の磁性体金属に、エンジニアリングプラスチック（図中斜線で表示）等の耐熱性樹脂をインサート成形して構成され、実装基板との接続用外部端子ＩＮ、ＯＵＴ、ＧＮＤを有するものである。そして、四方を樹脂で形成された壁部３５，３６で囲まれた構成となっている。下ケース３０の内側底面は実質的に一面状に形成されており、外部端子ＧＮＤと連続する磁気ヨーク部ＹＫや、外部端子ＩＮ、ＯＵＴと連続する端子部ＴＴ１、ＴＴ２が露出している。
前記積層基板１５の下面には、下ケース３０に形成された磁気ヨーク部ＹＫや端子部ＴＴ１，ＴＴ２との接続のための電極パターンが形成されている。これらの電極パターンが、下ケース３０の内底面に表れた端子部ＴＴ１，ＴＴ２や磁気ヨーク部ＹＫと半田付けされる。さらに、積層基板１５の上面に形成された電極パターン１７と中心導体組立体２０の中心導体（図示せず）が、適宜はんだ接続される。
【特許文献１】特開２００３−２０４２０７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話の小型化、多機能化に伴い、非可逆回路素子も小型化が強く求められている。前記特許文献１の実施例には、外形寸法が５ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍといった非可逆回路素子が開示されているが、現在では外形寸法が４ｍｍ×４ｍｍ×１．７ｍｍといった小型の非可逆回路素子が広く用いられるようになり、さらに３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２ｍｍや２．５ｍｍ×２．５ｍｍ×１．２ｍｍといった外形寸法の非可逆回路素子も提案されている。
このような非可逆回路素子の小型化に伴い、上下ケース、中心導体組立体、積層基板といった構成部品も小型化される。
【０００６】
構成部品の小型化に伴い、下ケースの内側底面に表れる端子部も小面積なものとなる。また、アース端子と連続する磁気ヨークとの間隔も狭くせざるを得ない。前記端子部と前記磁気ヨーク部とは電気的接続を生じないように構成される。しかしながら、従来の下ケースの様にその内側底面が一面状に形成される場合には、前記端子部と前記磁気ヨーク部との間隔が狭くなるに従い、端子部と前記磁気ヨーク部との間に、はんだブリッジを生じ、短絡するといった問題が予見されている。
そこで本発明では、端子部と磁気ヨーク部との間隔が狭い場合であっても、はんだブリッジが生じることが無く、且つ積層基板に形成された電極パターンとの接続が容易な、接続信頼性に優れた可非可逆回路素子を提供することを第１の目的とする。
【０００７】
下ケースに形成される入出力端子、アース端子は振動や衝撃、あるいは変形に対する接続信頼性の確保と言った観点から、可能限り広い面積で形成するのが好ましいが、構成部品の小型化に伴い小面積化せざるを得ない。特に入出力端子は、下ケースの前記樹脂壁部を構成する樹脂で保持されるのみであるため、強固な機械的な保持力を期待出来ない。このため入出力端子が小面積化すると、非可逆回路素子を回路基板にはんだ実装して曲げ試験等に供する場合に、前記入出力端子が下ケースから脱落することがあった。
そこで本発明では、入出力端子を下ケースから脱落し難い形状に構成することで、振動や衝撃、あるいは変形に対する接続信頼性に優れた非可逆回路素子を提供することを第２の目的とする。
【０００８】
また、構成部品の小型化に伴い、積層基板の上下面に形成される電極パターンも小面積化せざるを得ない。このため、振動や衝撃に対する接続信頼性の確保や、コンデンサ容量の確保が困難な場合があった。前記電極パターンを広面積なものとすると、下ケースの金属導体からなる壁部と短絡する場合があり、これを防ぐように、短絡防止手段を講じる必要がある。
従来の非可逆回路素子では、短絡防止手段として壁部と積層基板との間に樹脂壁３６を設けていた。単に短絡を防ぐという観点からすれば、前記樹脂壁の厚みは０．０５ｍｍ程度あれば良い。しかしながら壁部の厚みが薄いと、インサート成形する際に、樹脂が前記壁部を形成するには十分に充填されないと言ったショート不良を生じる為、厚みを０．１５〜０．２ｍｍ程度に形成していた。したがって樹脂壁の厚み分だけ下ケースの内側領域の面積が狭くなり、配置される積層基板の面積、そして電極パターンも小面積なものとせざるを得なかった。
そこで本発明では、積層基板自体の形成面積を増加させることが可能であり、もって積層基板に形成される電極パターンの形成面積も増加させ、かつ前記積層基板に形成された電極パターンと下ケースの金属導体からなる壁部との短絡を防ぐことが可能な新規な下ケースを用いた非可逆回路素子を提供することを第３の目的とする。
【０００９】
また積層基板の複数の電極パターンは、磁気ヨーク下面部と端子部とにはんだ接続されるが、積層基板の上下面はそれぞれ実質的に平面的に形成されるため、はんだ量によっては半田接続が不完全となる（部分的なオープン状態）場合や、積層基板が傾いて接続される場合がある。
そこで本発明では、磁気ヨーク下面部及び端子部と積層基板の複数の電極パターンとが確実にはんだ接続可能な下ケースを用いた非可逆回路素子を提供することを第４の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、フェリ磁性体に複数の中心導体が配された中心導体組立体と、前記中心導体と共振回路を構成する複数のキャパシタンス素子を形成した板状の積層基板と、前記積層基板を収容する略方形箱形状の下ケースと、前記フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記永久磁石を配置する上ケースを備えた非可逆回路素子であって、前記下ケースは、下面部と前記下面部から立設して相対向する２つのヨーク壁部を備える磁気ヨーク部と、残余の相対向する２つの壁部を構成する樹脂壁部を備え、前記樹脂壁部には入出力端子、アース端子が形成され、下ケースの内側底面には、アース端子と連続し窪みを有する磁気ヨーク下面部と、前記磁気ヨーク下面部よりも低く入出力端子と連続する端子部が露出し、前記端子部は、下ケースの内側底面に表れる第１の主面と、下ケースの裏面に表れる第２の主面と、これら主面間を連結する側面を備え、前記端子部の側面は前記樹脂壁部と連続する樹脂で覆われており、磁気ヨーク下面部の窪み部と端子部にはんだを溜まらせて、前記はんだで前記積層基板の外表面に形成された電極パターンと接続することを特徴とする非可逆回路素子である。
【００１１】
前記端子部と前記磁気ヨーク下面部との高さの差は、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、更に好ましくは０．０２ｍｍ以上とすれば、はんだブリッジを防ぐのに有効である。また、磁気ヨーク部と端子部との高さの差が大きいと、複数のキャパシタンス素子を形成した積層基板の電極パターンと、磁気ヨーク下面部及び端子部との接続が困難となるため、０．１ｍｍ以下、好ましくは０．０５ｍｍ以下とする。
【００１２】
また磁気ヨーク下面部の窪みは、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、更に好ましくは０．０２ｍｍ以上である。窪みの形状は特に規定されるものではないが、円形や矩形、三角形等の形状が採用される。前記窪みには、ディスペンサによってはんだペーストが塗布されるが、微量のはんだを安定して塗布するのは困難であるので、φ０．２ｍｍ以上の塗布径とするように、円形であればφ０．３ｍｍ以上の直径で形成するのが好ましい。矩形、三角形に形成する場合には、φ０．３ｍｍの円が内接する以上の面積に形成するのが好ましい。
【００１３】
本発明においては、前記端子部が、前記磁気ヨーク下面部の主面よりも低く形成されている。そして、下ケースの内側底面において、端子部の側面を覆う樹脂は、その一部が前記端子部の第１の主面と略同一面に形成され、他の一部は磁気ヨーク下面部と略同一面に形成されており、もって端子部周囲の樹脂部は、不連続な面で構成される。
【００１４】
また本発明においては、前記樹脂壁部を構成する樹脂の一部が内側及び外側に突するように形成するのが好ましい。内側及び外側に突する部位は、アース端子と入出力端子との間にあり、好ましくは中間の部位とし、ここに樹脂を射出するためのゲートを射出成形用金型に設けるのが望ましい。下ケースが小型になればなるほど射出成形が困難となるが、当該部位では、ゲート径を大きく設定でき、また対向するヨーク壁部との距離もほぼ等しく出来るので、均一な樹脂充填が可能となる。
前記樹脂壁部を構成する樹脂の一部がヨーク壁部側に及び、ヨーク壁部側の樹脂部は、前記ヨークの内側に突するように形成するのも好ましい。ヨークの内側に突する樹脂部によって、積層基板とヨーク壁部及び樹脂壁部との間に空間が形成される。また積層基板の外形は、前記突する樹脂部により規定される寸法よりも小さく形成されており、壁部との干渉が少なくなるように構成されている。前記空間は、余剰のはんだの溜まりとして機能するとともに、非可逆回路素子の作用する外力がヨークの壁部を介して作用するのを低減し、積層基板の電極パターンとヨークの短絡や、積層基板の割れ、欠けが生じるのを防ぐことが出来る。
【００１５】
また本発明においては、前記端子部の側面において、段差部及び／又は傾斜部を備えることを特徴とする。前記端子部においては、第１の主面は第２の主面よりも樹脂壁に沿って幅広く形成するのが好ましい。
そして、前記端子部を下ケースに保持する下ケース下面部側樹脂部を、その少なくとも一部が前記端子部の第１の主面と同一面と成るように形成するのも好ましい。
【００１６】
また前記端子部の側面は、段差部及び／又は傾斜部を備えるのが望ましい。段差とは側面が不連続に形成されていることを言う。段差は必ずしも側面全体に及ぶ必要はなく、一部に形成するだけであっても良く、凸状、凹状、その形状は様々であって、特に限定されるものでは無い。また、端子部の主面で樹脂に覆われる部位も凸部、凹部を系を形成すれば、より樹脂との密着性を向上できるので好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、端子部と磁気ヨーク部との間隔が狭い場合であっても、はんだブリッジが生じることが無く、且つ積層基板に形成された電極パターンとの接続が容易な、接続信頼性に優れた非可逆回路素子を提供することが出来る。
また、本発明によれば、入出力端子を下ケースから脱落し難い形状に構成することで、振動や衝撃、あるいは変形に対する接続信頼性に優れた非可逆回路素子を提供することが出来る。
また、本発明によれば、積層基板自体の形成面積を増加させることが可能であり、もって積層基板に形成される電極パターンの形成面積を増加させ、かつ前記積層基板に形成された電極パターンと下ケースの金属導体からなる壁部との短絡を防ぐことが可能な新規な下ケースを用いた非可逆回路素子を提供することが出来る。
また、本発明によれば、磁気ヨーク下面部及び端子部と積層基板の複数の電極パターンとが確実にはんだ接続可能な下ケースを用いた非可逆回路素子を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の一実施例に係る非可逆回路素子について以下詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の外観図である。図２はその分解斜視図であり、図３は下ケースの平面図である。図４は下ケースの裏面図である。図５は、下ケースのＡ−Ａ‘断面図である。図６はヨーク壁部側樹脂部の内側突部を示す部分拡大斜視図であり、図７は、下ケースの端子部、磁気ヨーク下面部を含む部分拡大図である。また図１４には非可逆回路素子の等価回路を示す。なお図１〜図７において斜線部は樹脂で構成された部分を示している。
また図８〜図１０は入出力端子（端子部）の外観図であり、図１１〜図１３は下ケースの製造方法を説明するための図である。
【００１９】
まず下ケース３０の作製方法について説明する。図１１〜図１３は製造方法を説明するための図である。磁性金属材料からなる長尺状のシート材を、プレス加工機で所定の形状に打ち抜き、図１０に示すように、フープ６０と連接する複数の支持部５３の先端部に、下ケースの一部をなす磁気ヨーク部を一体的に形成する。しかる後、図１１に示すように、金型で所定部位を折り曲げ加工するとともに、磁気ヨーク下面部の窪み部を形成し、下ケースの下面部を形成する磁気ヨーク部から立設して相対向する２つの壁部を形成する。他の支持部５４の先端は磁気ヨーク部と分離して形成される。この指示部５４は下ケースとしたときに、非可逆回路素子の入出力端子（端子部）を構成する。
支持部５３、５４の途中には、その幅を狭くした部位が形成されており、後工程で、この幅狭部でフープ６０と切り離される。このように幅狭部で切り離すことで、切断面面積を極力小さくし、酸化を低減している。
【００２０】
フープ６０を構成する磁性金属材料は、ＳＰＣＣ，４２Ｎｉ・Ｆｅ合金，４５Ｎｉ・Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金などの磁気特性に優れるものであって、これらの金属材料は、１００〜３００μｍ程度に冷間圧延又は熱間圧延されている。磁気ヨーク部は磁気回路の一部として用いられるので、磁気特性に優れた磁性材料を選択するのが好ましい。その磁気特性は、最大透磁率が５０００以上で飽和磁束密度は０．６テスラ以上、好ましくは１．４テスラ以上が好ましい。このような磁性材料を選択すれば、非可逆回路素子を小型化する際に、厚みが１６０μｍ以下の薄板を利用しても、磁束の漏れが少なくて済み、ガーネットフェライトに必要十分な直流磁界を与えることが出来る。
さらに、その表面には、銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一つを含む金属または合金で電気抵抗率が５．５μΩ・ｃｍ以下の導電性の高い金属皮膜が形成されている。このときの皮膜厚さは０．５〜２５μｍである。磁気ヨークはグランドとしても機能するが、このように構成することで前記金属皮膜が高周波電流のアース端子への経路となり、よって高周波信号の伝送効率を高めるとともに、外部との相互干渉を抑制して損失を低減することができる。
導電性の高い前記金属皮膜のうち銀は、半田付け性がよく、接触抵抗が小さく、金に比べ安価等、優れた特性を持っている。しかしながら、銀表面は非常に活性で、表面吸着傾向をもつ空気中の硫黄，塩素．水分等の腐食媒体との反応により変色が容易に生じる。この変色膜は半田付け性を損ない、接触抵抗を増大させる。このため銀表面に有機キレート皮膜などの保護膜を形成させ、銀の表面を保護するのが好ましい。
本実施例では、１００μｍ厚みのＳＰＣＣに、銅めっきを下地とし、その上層に銀めっきを施したものを用いた。めっき厚みは合計で４〜８μｍとしている。
【００２１】
フープ６０には、所定の間隔でスプロケットホール５２が設けられており、スプロケットにより射出成形用金型内にフープ６０が順次送られる。射出成形機に配置された磁気ヨーク部には、液晶ポリマーを用い、インサート成形が行われる。他の樹脂としては、ポリフェニレンサルファイド等、高耐熱の熱可塑性エンジニアリングプラスチック等が用いられる。
以上の様にして図３及び図４に示すような、下面部と前記下面部から立設して対向する２つのヨーク壁部２５を備える磁気ヨーク部と、残余の２つの壁部を構成する樹脂壁部３５を備え、前記樹脂壁部３５には入出力端子ＩＮ，ＯＵＴ、アース端子ＧＮＤが形成され、下ケースの内側底面は、入出力端子と連続する端子部ＴＴ１，ＴＴ２と、アース端子と連続する磁気ヨーク下面部とが異なる高さで露出した一体化構造の下ケース３０とした。
【００２２】
図５は下ケースのＡ−Ａ‘断面図である。下ケース３０の内側底面には、入出力端子ＩＮ、ＯＵＴと連続する端子部ＴＴ１，ＴＴ２、アース端子ＧＮＤと連続する磁気ヨーク下面部が異なる高さで露出している。また、前記端子部を支持する樹脂部も異なる高さの主面を備え、その一部は磁気ヨーク下面部と略同一面に、他の部分は端子部ＴＴ１，ＴＴ２と略同一面に形成されている。
図７は、図２に示した下ヨークの部分拡大図であり、前記端子部ＴＴ２の第１の主面を、前記磁気ヨーク下面部の主面よりも低く形成したものである。はんだ濡れ性が著しく劣る樹脂を介して、端子部ＴＴ１，ＴＴ２と磁気ヨーク部とが異なる高さで形成されているため、これらが同一面に形成されるよりも、はんだブリッジが発生し難い構成となる。
また、端子部を窪ませて形成しているので、窪みがはんだ溜まりとして機能し、余剰のはんだが磁気ヨーク下面部へ流れ出すのを防ぐことが出来る。また磁気ヨーク下面部の一部を、平面視が円形や方形等に窪ませて形成しており、そこに、はんだを塗布しているので、余剰のはんだが端子部へ流れ出すのを防ぐことが出来るとともに、はんだの厚みを吸収する事ができ、電気的接続の信頼性を向上させることが出来る。
本実施例では、端子部ＴＴ１，ＴＴ２と磁気ヨーク部との高さの差は、０．０２ｍｍとている。また磁気ヨーク下面部の窪みはφ０．４ｍｍで深さ０．０２ｍｍとした。
【００２３】
図６は下ケース３０隅部の、ヨーク壁部側樹脂部２８の内側突部を示す部分拡大斜視図である。下ケース３０の隅部近傍に形成されるヨーク壁部側の樹脂部２８は、下ケース外側に表れるとともに、下ケース内側に突するように形成されており、磁気ヨーク部との一体構造をなす。
図６において破線で示す部分は、下ケースに配置される積層基板１５を示している。前記積層基板１５は、２つのヨーク壁部２５と樹脂壁部３５に囲まれた領域に配置され、下ケース内側に突する樹脂部２８と樹脂壁部３５とで平面内の位置決めされる。内側突部により積層基板１５の側面とヨーク壁部２５との間に空隙が形成される。前記空隙は、積層基板１５の上下面に形成された電極パターンとヨーク壁部２５との短絡を防ぐとともに、積層基板１５を下ケースに配置する際に、はんだの溜まりとしても機能する。このため余剰のはんだが生じる場合であっても、はんだは前記空隙内にとどまることとなり、前記電極パターンとヨーク壁部２５とを短絡させることが無い。またヨーク壁部２５の積層基板１５の側面との対向面に、半田レジスト膜を形成すれば、より確実に短絡を防ぐことが出来る。
【００２４】
図８〜図１０に入出力端子の外観図を示す。入出力端子の先端部にあたる端子部ＴＴ１、ＴＴ２は、下ケースの内側底面に表れる側が、下ケースの裏面に表れる側と比較して幅広くなるように形成するのも好ましい。具体的には、端子部の側面は、図８に示すように段差を形成したり、図９に示すように斜面を形成したり、あるいは段差を形成するとともに、一部に斜面を形成したりして構成する。このようにすれば、樹脂で覆われる面積を増加させて機械的な保持力を向上することが出来る。
【００２５】
下ケース３０に配置される積層基板１５は、誘電体セラミックグリーンシートに、電極パターンを印刷し、電極パターンどうしを適宜対向するように積層してなり、所定のコンデンサ容量を有する複数のキャパシタンス素子が形成されてなるものである。セラミックグリーンシートは積層、圧着され、積層体とした後焼成され積層基板１５となる。積層基板内部の電極は、セラミックとの同時焼成によって形成される。この積層基板において、異なる層にまたがる電極の導通は基板内に形成されたビア電極によって導通されている。積層基板１５の上面には複数の電極パターン１７が形成されており、前記電極パターン間にはチップ抵抗１１が実装されている。
【００２６】
また、積層基板１５の下面、すなわち下ケースの内底面側との接続面には、下ケース３０に形成されたの端子部ＴＴ１，ＴＴ２と接続する入出力用電極と、アース用電極が形成されている。前記アース用電極は、積層基板１５の下面の略中央部を含み、入出力用電極を除くほぼ全面に形成されており、下ケースに形成されたアース端子ＧＮＤと連続する磁気ヨーク部とは、複数の窪み部で電気的接続している。このような構成によって、下ケース３０の内底面における高周波電流の分布を均一にして、電気的な特性の安定なものとしている。
【００２７】
このように形成された下ケース３０は、スプロケットホール５２を利用し、フープに連接されたまま、各組立工程を順次搬送される。次工程において、下ケース１２の端子部ＴＴ１，ＴＴ２、および磁気ヨーク部にはんだを塗布した後、複数のキャパシタンス素子（等価回路におけるＣｉ，Ｃｆ）を一体化した積層基板１５を配置した。
【００２８】
次いで、積層基板１５の上面に形成された電極パターン１７に、はんだを塗布し、中心導体５，６とガーネットフェライト３とでなる中心導体組立体２０を前記電極パターンに載置し、半田リフローして、積層基板１５、下ケース３０、中心導体組立体２０の接続部を機械的かつ電気的に接続した。中心導体組立体２０は等価回路におけるインダクタＬ１，Ｌ２を構成する。
【００２９】
次いで、中心導体組立体２０に直流磁界を印加するように永久磁石２を配置した上ケース１を、下ケース３０に被せた。前記上ケース１は、下ケース３０と同様に磁性金属材料からなる長尺状のシート材を、プレス加工機で所定の形状に打ち抜き、さらに金型で折り曲げ加工して、上面部および４つの壁部を備えた略箱形状に形成される。その隣り合う側面の稜部には高さ方向に連続するスリット部２２が形成されている。前記スリット部２２と前記下ケース３０の樹脂柱状部２６とをあわせて、上ケース１を下ケース３０に被せることで、位置ずれなく上下ケースを組み立てることが出来る。
【００３０】
しかる後、長尺状のフープ６０の連接部５３，５４を切断して、図１３に等価回路を示す非可逆回路素子を得た。本実施例ではフープ６０の状態で非可逆回路素子の組立を行ったが、下ケース形成後、連接部５３，５４を切断し、個々の下ケースを用いて組立を行っても良いことは、言うまでも無い。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明によれば、端子部と磁気ヨーク部との間隔が狭い場合であっても、はんだブリッジが生じることが無く、且つ積層基板に形成された電極パターンとの接続が容易な、接続信頼性に優れた非可逆回路素子を提供することが出来る。
また、本発明によれば、入出力端子をしたケースから脱落し難い形状に構成することで、振動や衝撃、あるいは変形に対する接続信頼性に優れた非可逆回路素子を提供することが出来る。
また、本発明によれば、積層基板自体の形成面積を増加させることが可能であり、もって積層基板に形成される電極パターンの形成面積を増加させ、かつ前記積層基板に形成された電極パターンと下ケースの金属導体からなる壁部との短絡を防ぐことが可能な新規な下ケースを用いた非可逆回路素子を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの平面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの裏面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの隅部拡大図である。
【図７】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの部分拡大図である。
【図８】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの入出力端子の外観図であり、（ａ）平面図、（ｂ）側面図、（ｃ）正面図である。
【図９】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの入出力端子の外観図であり、（ａ）平面図、（ｂ）側面図、（ｃ）正面図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの入出力端子の外観図であり、（ａ）平面図、（ｂ）側面図、（ｃ）正面図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの組立状態を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの組立状態を示す図である。
【図１３】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる下ケースの組立状態を示す図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の等価回路図である。
【図１５】従来の非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図１６】従来の非可逆回路素子に用いる下ケースの平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１    上ケース
２    永久磁石
３    ガーネットフェライト
５，６，７ 中心導体
３０    下ケース
１５    積層基板
２０    中心導体組立体
２８    樹脂突部
３５    樹脂壁
ＴＴ１、ＴＴ２    端子部
ＩＮ、ＯＵＴ    入出力端子
【図１】
2007288297.tif 000003
【図２】
2007288297.tif 000004
【図３】
2007288297.tif 000005
【図４】
2007288297.tif 000006
【図５】
2007288297.tif 000007
【図６】
2007288297.tif 000008
【図７】
2007288297.tif 000009
【図８】
2007288297.tif 000010
【図９】
2007288297.tif 000011
【図１０】
2007288297.tif 000012
【図１１】
2007288297.tif 000013
【図１２】
2007288297.tif 000014
【図１３】
2007288297.tif 000015
【図１４】
2007288297.tif 000016
【図１５】
2007288297.tif 000017
【図１６】
2007288297.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また前記端子部の側面は、段差部及び／又は傾斜部を備えるのが望ましい。段差とは側面が不連続に形成されていることを言う。段差は必ずしも側面全体に及ぶ必要はなく、一部に形成するだけであっても良く、凸状、凹状、その形状は様々であって、特に限定されるものでは無い。また、端子部の主面で樹脂に覆われる部位も凸部、凹部を形成すれば、より樹脂との密着性を向上できるので好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
まず下ケース３０の作製方法について説明する。図１１〜図１３は製造方法を説明するための図である。磁性金属材料からなる長尺状のシート材を、プレス加工機で所定の形状に打ち抜き、図１１に示すように、フープ６０と連接する複数の支持部５３の先端部に、下ケースの一部をなす磁気ヨーク部を一体的に形成する。しかる後、図１２に示すように、金型で所定部位を折り曲げ加工するとともに、磁気ヨーク下面部の窪み部を形成し、下ケースの下面部を形成する磁気ヨーク部から立設して相対向する２つの壁部を形成する。他の支持部５４の先端は磁気ヨーク部と分離して形成される。この指示部５４は下ケースとしたときに、非可逆回路素子の入出力端子（端子部）を構成する。
支持部５３、５４の途中には、その幅を狭くした部位が形成されており、後工程で、この幅狭部でフープ６０と切り離される。このように幅狭部で切り離すことで、切断面面積を極力小さくし、酸化を低減している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図８〜図１０に入出力端子の外観図を示す。入出力端子の先端部にあたる端子部ＴＴ１、ＴＴ２は、下ケースの内側底面に表れる側が、下ケースの裏面に表れる側と比較して幅広くなるように形成するのも好ましい。具体的には、端子部の側面は、図８に示すように段差を形成したり、図９や図１０に示すように斜面を形成したりして段差や斜面を構成する。このようにすれば、樹脂で覆われる面積を増加させて機械的な保持力を向上することが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、積層基板１５の下面、すなわち下ケースの内底面側との接続面には、下ケース３０に形成されたの端子部ＴＴ１，ＴＴ２と接続する入出力用電極と、アース用電極が形成されている。前記アース用電極は、積層基板１５の下面の略中央部を含み、入出力用電極を除くほぼ全面に形成されており、下ケースに形成されたアース端子ＧＮＤと連続する磁気ヨーク部とは、複数の窪み部で電気的接続している。このような構成によって、下ケース３０の内底面における高周波電流の分布を均一にして、電気的な特性を安定なものとしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このように形成された下ケース３０は、スプロケットホール５２を利用し、フープに連接されたまま、各組立工程を順次搬送される。次工程において、下ケース３０の端子部ＴＴ１，ＴＴ２、および磁気ヨーク部にはんだを塗布した後、複数のキャパシタンス素子（等価回路におけるＣｉ，Ｃｆ）を一体化した積層基板１５を配置した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次いで、積層基板１５の上面に形成された電極パターン１７に、はんだを塗布し、中心導体６とガーネットフェライト３とでなる中心導体組立体２０を前記電極パターンに載置し、半田リフローして、積層基板１５、下ケース３０、中心導体組立体２０の接続部を機械的かつ電気的に接続した。中心導体組立体２０は等価回路におけるインダクタＬ１，Ｌ２を構成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
しかる後、長尺状のフープ６０の連接部５３，５４を切断して、図１４に等価回路を示す非可逆回路素子を得た。本実施例ではフープ６０の状態で非可逆回路素子の組立を行ったが、下ケース形成後、連接部５３，５４を切断し、個々の下ケースを用いて組立を行っても良いことは、言うまでも無い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
１    上ケース
２    永久磁石
３    ガーネットフェライト
６   中心導体
３０    下ケース
１５    積層基板
２０    中心導体組立体
２８    樹脂突部
３５    樹脂壁
ＴＴ１、ＴＴ２    端子部
ＩＮ、ＯＵＴ    入出力端子
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007288297.tif 000019
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2007288297.tif 000020
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2007288297.tif 000021
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2007288297.tif 000022