(57)【要約】【課題】半導体レーザチップを用いる装置の組み立ての際に、この半導体レーザチップが静電気によるダメージを受けることを防止することができる集積デバイスを提供する。【解決手段】  半導体レーザチップ２４と、該半導体レーザチップの活電側と電気的に接続された第１のリード２６−３と、前記半導体レーザチップのグランド側と電気的に接続された第２のリード２６−１と、前記半導体レーザチップ、前記第１のリード、及び前記第２のリードをそれぞれ支持する絶縁性を有する本体部３０と、を含んでなり、前記本体部は、前記第１のリードと前記第２のリードとの間に設けられたコンデンサ２８と、該コンデンサの少なくとも一部が収容された収容部５２と、を有するようにした集積デバイスである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザチップと、
該半導体レーザチップの活電側と電気的に接続された第１のリードと、
前記半導体レーザチップのグランド側と電気的に接続された第２のリードと、
前記半導体レーザチップ、前記第１のリード、及び前記第２のリードをそれぞれ支持する絶縁性を有する本体部と、
を含んでなり、
前記本体部は、
前記第１のリードと前記第２のリードとの間に設けられたコンデンサと、
該コンデンサの少なくとも一部が収容された収容部と、
を有することを特徴とする集積デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の光記録媒体に対して情報を読み書きする光ピックアップ装置に用いられる集積デバイスに係り、特にこの集積デバイスに取り付けられる半導体レーザチップの耐静電気保護に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ディスク等の光記録媒体に対して、情報を読み書きするためには、光ピックアップ装置が用いられる。この光ピックアップ装置には、光学的に情報の読み書きを実際に行うレーザ光を出力する半導体レーザチップが設けられるが、この半導体レーザチップは静電気に対して非常に脆弱であることから、光ピックアップ装置の部品組み立て中に、作業者や組立設備などが持つ静電気から、如何に半導体レーザチップが破損しないように保護するか、という点に対して従来より種々対策がなされていた（特許文献１、２）。
【０００３】
そして、静電気に対する種々の保護対策の中でも、半導体レーザチップを取り付ける回路中に半導体レーザチップの活電部とグランド部をつなぐ形で耐性電気保護用耐静電気保護用コンデンサを取り付ける方法が多用されている。
ここで光ピックアップ装置及び集積デバイスについて説明する。図４は光ピックアップ装置を示す概略図、図５は集積デバイスを示す分解組立図、図６は従来の集積デバイスにおけるリードフレームを示す図である。
【０００４】
図４において、図４（Ａ）は光ピックアップ装置の概略斜視図を示し、図４（Ｂ）は集積デバイスの概略斜視図を示す。この光ピックアップ装置２は、光ピックアップ本体４と集積デバイス６とにより主に構成されている。上記光ピックアップ本体４は、ピックアップベース８と一体化された支持部１０より、４本の支持ワイヤ１２で揺動可能に支持されたレンズホルダ１４を有しており、このレンズホルダ１４に光ディスク（図示せず）に対向させて対物レンズ１６を設けている。更にこのレンズホルダ１４に、フォーカスやトラッキングを行う調整コイル１８を設け、この調整コイル１８とピックアップベース８に設けた磁石付きヨーク２０との間で電磁作用を及ぼしてフォーカス及びトラッキングを行うようになっている。尚、この光ピックアップ装置２は光ディスクの半径方向に沿って往復移動される。
【０００５】
一方、上記集積デバイス６は、ピックアップベース８の先端に設けた回路基板２２に固定されている。この集積デバイス６は内部に半導体レーザチップ２４（図５参照）を有しており、上記半導体レーザチップ２４から出力されるレーザ光が上記対物レンズ１６に導かれる。そして、この集積デバイス６の両端側には複数の金属製のリード２６が延びている。このリード２６が上記回路基板２２側に半田付けされている。また、この回路基板２２には、チップ状の耐静電気保護用コンデンサ２８が取り付けられている。この耐静電気保護用コンデンサ２８は、上記半導体レーザチップ２４の活電側リードとグランド側リードとに電気的に接続されており、この半導体レーザチップ２４を静電気から保護するようになっている。
【０００６】
ここで上記集積デバイス６の内部構造について、図５及び図６も参照して説明する。図５は分解組立図を示し、図６はリードフレームを示す平面図であり、図６（Ａ）は金属製のリードを示す上面図、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）はリードを樹脂製本体で固定したリードフレームを示す上面図（図６（Ｃ）では理解を容易するために樹脂の部分を斜線で示している）、図６（Ｄ）はリードフレームの下面図（裏面）である。
【０００７】
図５に示すように、この集積デバイス６は、複数の金属製のリード２６を樹脂製本体３０で固定してなるリードフレーム３２と、部品の１つとしてこの中に設置される半導体レーザチップ２４とを主に有している。上記リード２６は、図６（Ａ）に示すように、ここでは、９本のリード２６−１〜２６−９よりなり、その内、グランド側（アース側）のリード２６−１は、中央部にマウント用の平面部３４を有して両端側に延び、他のリード２６−２〜２６−９は、左右に２つに分けられて配置されている。
【０００８】
そして、図６（Ｂ）及び図６（Ｄ）に示すように、上記各リード２６−１〜２６−９を樹脂製本体３０で固定し、各リード２６−１〜２６−９の先端部がそれぞれ両側に延在した状態となっており、また、中央部を窪ませてその窪みの底部に上記グランド側のリード２６−１の平面部３４と他のリード２６−２〜２６−９の基端部とをそれぞれ露出させるようにしている。これによりリードフレーム３２が形成されている。上述したように、図６（Ｃ）では樹脂の位置を判り易くするために樹脂の部分を斜線で示している。また図６（Ｄ）では、リードフレーム３２の裏面側を示している。
【０００９】
そして、図５に示すように、上述のように形成されたリードフレーム３２の窪み内の平面部３４上にＩＣ３６を接合し、更に、このＩＣ３６上にマウント３８を介して上記半導体レーザチップ２４を接合して取り付けている。この半導体レーザチップ２４のレーザ光の射出側には、ミラー４０が設けられており、出射したレーザ光Ｌをこのミラー４０で反射して光学部品４２側へ向けるようになっている。この光学部品４２を通過したレーザ光Ｌは、前述したように対物レンズ１６（図４参照）を経由して光ディスクに至る。
【００１０】
また、ここではリード２６−３は活電側のリードとなっており、上記半導体レーザチップ２４の活電側が、ワイヤ４４Ａによって上記活電側リード２６−３に接続され、半導体レーザチップ２４のグランド側がワイヤ４４Ｂによってグランド側リード２６−１に接続されている。
そして、前述したように上記活電側リード２６−３とグランド側リード２６−１から延びる配線（図示せず）に、図４に示す回路基板２２上にて耐静電気保護用コンデンサ２８が半田付け接続され、これにより、組み立て作業中に作業者等からの静電気により半導体レーザチップ２４がダメージを受けることを防止するようにしている。
【００１１】
【特許文献１】特開昭６１−２８００４４号公報
【特許文献２】特開平８−２８７４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、半導体レーザチップ２４を有する集積デバイス６を、耐静電気保護用コンデンサ２８が構成されている回路基板２２に電気的に接続固定してしまえば、その後は、上記耐静電気保護用コンデンサ２８の機能により静電気対策を施せることができる。
しかしながら、実際の組み立て作業では、上記集積デバイス６を回路基板２２へ接続固定する前段階においても、種々の作業が存在し、このような前段階では静電気に対して無防備となる。例えば集積デバイス６の取り置きから半田付け作業までの間は静電気に対する保護はされていない。また、例えば半導体レーザチップをリードフレーム３２に接続する接続作業等の時にも、静電気に対する保護はなされておらず、従って、このような時に半導体レーザチップを静電気により破損する場合が生ずる、といった問題があった。
【００１３】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、半導体レーザチップを用いる装置の組み立ての際に、この半導体レーザチップが静電気によるダメージを受けることを防止することができる集積デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に係る発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの活電側と電気的に接続された第１のリードと、前記半導体レーザチップのグランド側と電気的に接続された第２のリードと、前記半導体レーザチップ、前記第１のリード、及び前記第２のリードをそれぞれ支持する絶縁性を有する本体部と、を含んでなり、前記本体部は、前記第１のリードと前記第２のリードとの間に設けられたコンデンサと、該コンデンサの少なくとも一部が収容された収容部と、を有することを特徴とする集積デバイスである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る集積デバイスによれば、半導体レーザチップを用いる装置の組み立ての際に、この半導体レーザチップが静電気によるダメージを受けることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る集積デバイスの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
＜第１実施例＞
図１は本発明に係る集積デバイスの第１実施例の裏面側の状態を示す下面図であり、図１（Ａ）は耐静電気保護用コンデンサを取り付ける前の状態を示し、図１（Ｂ）は耐静電気保護用コンデンサを取り付けた後の状態を示す。図２は図１中のＡ−Ａ線矢視断面図であって、耐静電気保護用コンデンサを取り付けるコンデンサ収容凹部の部分を示す部分断面図である。尚、先に説明した図４〜図６に示す部分と同一構成部分については、同一参照符号を付して、その説明を省略する。
【００１７】
図１に示すように、この集積デバイス５０は、これに耐静電気保護用コンデンサ２８を取り付けるようにした点を除いて、図５及び図６に示す構造と全く同様に形成されている。すなわち、この集積デバイス５０は、複数の金属製のリード２６、すなわちリード２６−１〜２６−９を本体部である樹脂製本体３０で固定してなるリードフレーム２６と、これに取り付けた部品である半導体レーザチップ２４（図５参照）等を有している。そして、上記リードの内、リード２６−１は第２のリードであるグランド側リードとして用いられ、リード２６−３は第１のリードである活電側リードとして用いられる。上記リードフレーム２６内に収容固定される各種の部品は、先に図５を参照して説明した場合と同じであり、例えばＩＣ３６、ミラー４０、ワイヤ４４Ａ、４４Ｂ等が含まれる。
【００１８】
さて、この第１実施例においては、図１及び図２に示すように、上記樹脂製本体３０の裏面側には、上記活電リード２６−３とグランド側リード２６−１に対応する部分に窪ませて横長矩形状の収容部としてのコンデンサ収容凹部５２が形成されている。このコンデンサ収容凹部５２は、上記耐静電気保護用コンデンサ２８よりも少し大きく設定されている。このコンデンサ収容凹部５２の底部の両側は、より深く形成されており、その表面に上記グランド側リード２６−１の一部と上記活電側リード２６−３の一部が共に露出されて剥き出し状態となっている（図１（Ａ）及び図２参照）。
【００１９】
そして、上記剥き出し状態となっている上記グランド側リード２６−１の部分と活電側リード２６−３の部分の表面に銀ペースト等の接着剤としての機能を有する導電性ペースト５４を塗付する。この塗付後、上記コンデンサ収容凹部５２内にコンデンサである耐静電気保護用コンデンサ２８を落とし込み、上記導電性ペースト５４を加熱することによって、上記耐静電気保護用コンデンサ２８をグランド側リード２６−１と活電側リード２６−３との間に電気的に接続する。
【００２０】
実際の組み立て作業においては、上記集積デバイスの組み立て作業は、半導体レーザチップ２４等は静電気対策の施された環境下で自動機でハンドリングされるので、集積デバイス５０の組み立て工程で半導体レーザチップ２４に静電気ダメージを与えることを大幅に抑制することができる。よって、本発明は、半導体レーザチップ２４を含む集積デバイス５０を使用する機器において、耐静電気の品質において、大きな効果を発揮することができる。従って、光ピックアップ装置を作業員が組み立てる際には、すでに半導体レーザチップ２４は静電気対策が施された状態となっているので、この場合にも半導体レーザチップ２４が静電気によりダメージを受けることを防止することができる。このように、本発明では、半導体レーザチップを用いる装置の組み立ての際に、この半導体レーザチップが静電気によるダメージを受けることを確実に防止することができる。
【００２１】
＜第２実施例＞
次に本発明の第２実施例について説明する。
上記第１実施例では、リードフレーム２６の樹脂製本体３０の裏面側にコンデンサ収容凹部４２を設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、このコンデンサ収容凹部を樹脂製本体３０の表面（上面）に設けるようにしてもよい。
図３はこのような本発明に係る集積デバイスの第２実施例の表面（上面）側の状態を示す上面図であり、図３（Ａ）は耐静電気保護用コンデンサを取り付ける前の状態を示し、図３（Ｂ）は耐静電気保護用コンデンサを取り付けた後の状態を示す。
【００２２】
図３に示すように、ここではグランド側リード２６−１の中央部の平面部３４の形状を少し逃し、すなわち減少させて、第１実施例の場合と同様に、グランド側リード２６−１と活電側リード２６−３とに対応する部分に、すなわち両リード２６−１、２６−３に接近させてコンデンサ収容凹部５６が形成されている。この場合、上記グランド側リード２６−１の一部と活電側リード２６−３の一部は共に露出した状態となっているので、第１実施例の場合とは異なってコンデンサ収容凹部５６の両端部を更に深く形成する必要はない。そして、耐静電気保護用コンデンサ２８の両端に導電性ペースト５４を塗付して、この耐静電気保護用コンデンサ２８を上記グランド側リード２６−１と活電側リード２６−３とに接合固定する。この場合にも、静電気保護機能を発揮することができ、先の第１実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
【００２３】
尚、本発明において、上記コンデンサ収容凹部５２、５６は、コンデンサ２８の少なくとも一部が収容可能であればよく、必ずしも全てが収容される必要はない。
また、本発明は、光ディスク等の光記録媒体を使用するシステムにおいて、半導体レーザチップ２４を使って信号を記録する、或いは読み出すための光ピックアップ装置の全般に利用可能であるのみならず、半導体レーザチップ２４を組み込んだシステム全般に使用可能である。例えば、光通信分野、レーザーを使用したディスプレーやプロジェクターなどにも使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る集積デバイスの第１実施例の裏面側の状態を示す下面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】本発明に係る集積デバイスの第２実施例の表面側の状態を示す上面図である。
【図４】光ピックアップ装置を示す概略図である。
【図５】集積デバイスを示す分解組立図である。
【図６】従来の集積デバイスにおけるリードフレームを示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
２…光ピックアップ装置、４…光ピックアップ本体、２２…回路基板、２４…半導体レーザチップ、２６−１〜２６−９…リード（２６−１…第２のリード、２６−３…第１のリード）、２８…耐静電気保護用コンデンサ（コンデンサ）、３０…樹脂製本体（本体部）、３２…リードフレーム、３４…平面部、３６…ＩＣ（部品）、４０ミラー（部品）、４４Ａ，４４Ｂ…ワイヤ、５０…集積デバイス、５２…コンデンサ収容凹部（収容部）、５４…半導体ペースト、５６…コンデンサ収容凹部（収容部）、Ｌ…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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