(57)【要約】【課題】  鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、熱伝導・電気抵抗・展延性さらには耐蝕性にも優れた金属材料である銀に着目し、融点・耐酸化性・加工性の点から高温系はんだに有望な金属材料である錫との組み合わせで、かつ銀の量を増加させ、さらに銅を添加させることによって、上記特徴を有する接合材料が得られる。すなわち、この発明の接合材料は、銀が１５質量％以上４０質量％以下、銅が４質量％以上１５質量％以下、残部錫からなる接合材料である。前期金属組成は、蒸着プロセスのような金属皮膜形成工程を採用することにより、工業的な実用条件においても適用可能となる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量構成比で銀を１５％以上４０％以下、銅を４％以上１５％以下、残部が錫からなることを特徴とする接合材料。
【請求項２】
質量構成比で銀を１０％以上４０％以下、銅を４％以上１５％以下、残部が錫からなる金属構成成分を持つ金属合金を接合材料として用い、第１の被接合体表面に、該接合材料層を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の温度より高い温度で、該接合材料層表面に第２の被接合体との接合を形成する工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項３】
質量構成比で銀を１５％以上４０％以下、銅を４％以上１５％以下、残部が錫からなる接合材料を用いて、半導体材料と金属材料とを接合したことを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に電子機器の部品の接合に好適に用いられ、金属材料同士、表面に金属がメタライズされた非金属材料と金属材料、表面に金属がメタライズされた非金属材料同士を接合するための接合材料、接合方法及びその接合材料を用いた接合体に係わるものである。
【背景技術】
【０００２】
ある物体とその物体よりも融点が低い物質を用いた接合技術であるはんだ接合技術は、古くから一般に使用されており、電子機器の接合においても、マイクロプロセッサ、メモリ、抵抗、及びコンデンサなどの半導体素子や電子部品と実装基板との接合をはじめとして幅広く用いられている。はんだ接合は、部品を基板に機械的に固定するだけでなく、導電性を有する金属をはんだに含有させることにより電気的にも接合する特長を有する。
【０００３】
今日、パーソナルコンピュータ、携帯電話などに代表されるパーソナル機器の普及が急速に進むにつれ、電子部品の実装技術における接合材や接合方法の選択はますますその重要性が増大している。
【０００４】
従来から、実用に極めて適しているところから、錫−鉛系共晶はんだが多用されてきた。しかし、錫−鉛系共晶はんだに含まれる鉛は、人体に対し有害であることから、鉛を含まない、いわゆる非鉛系はんだの開発が急務とされている。
【０００５】
一方、現在半導体デバイスの中で例えばパワーデバイスの接合材としては、主に融点が約１８３℃以下の低温系はんだ（錫−鉛共晶はんだ）と、融点が約３００℃程度の高温系はんだ（鉛−５錫はんだ）が多用されており、それぞれ工程に応じて使い分けられている。
【０００６】
このうち、低温系はんだについては、錫−銀−銅系合金を中心としたものが実用化の段階に到達しており、今後数年で多くのセットメーカーで非鉛系共晶はんだの代替は完了することが予定されている。
【０００７】
しかしながら、高温系はんだ、すなわち例えば２６０℃の高温条件下においても良好な機械的強度を保持する接合部を形成する接合材については、高鉛含有材料以外は金を主成分とした金基合金が挙げられるが、貴金属の金を使用するため、大幅な材料価格が上昇するため汎用的に使用するには、難しい材料である。また、鉛及び金以外の金属材料を主成分とした金属合金も、高温系はんだとして未だに実用化には至ってはいない。
【０００８】
これまでに、鉛及び金以外の金属材料を主成分とした融点３００℃付近の金属合金として、融点２３２℃の錫を主成分とした錫基合金、融点４２０℃の亜鉛を主成分とした亜鉛基合金、融点２７１℃のビスマスを主成分としたビスマス基合金などが有力候補となっている。特に、錫基合金は、従来から接合材料として利用されてきた実績を持ち、価格・接合性・加工性・接合信頼性の面で、優れた特徴を有していることが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００９】
しかしながら、錫基合金は、高温系はんだとしては低融点元素の錫を主成分としていることから耐熱性の点で課題を抱えており、鉛含有高温系はんだの代替可能な材料として未だに実用化に至っていない（非特許文献２参照）。
【００１０】
【非特許文献１】まてりあ, 38(1999), 919.
【非特許文献２】第17回エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集, 2003, 147.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、実質的に鉛および金を含有しない接合材を用い、高温条件においてもなお良好な機械的強度を保持可能な接合部を短時間で形成可能な接合体、及び接合方法、及び実質的に鉛を含有しない接合材を用い、高温条件にあっても半導体素子とリードフレームとの接合部が良好な機械的強度を保持することが可能な接合材料、その接合方法、及びその接合体、またその接合材料を含む半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、熱伝導・電気抵抗・展延性さらには耐蝕性にも優れた金属材料である銀に着目し、融点・耐酸化性・加工性の点から高温系はんだに有望な金属材料である錫と組み合わせた材料を実現すべく開発したものであり、銀を従来以上に添加することにより、係る材料を実現できることに着目してなされたものである。
【００１３】
第１の本発明の接合材料は、銀を含む金属材料であり、質量構成比で銀が１５％以上４０％以下、銅が４％以上１５％以下、残部が錫からなることを特徴とする。
【００１４】
第２の本発明の接合方法は、前記第１の発明の接合材料を用い、第１の被接合体表面に前記接合材料層を形成する工程と、次いで、前記第１の工程の接合の温度以上の温度で、前記接合材料表面と第２の被接合体とを接合する工程を有するものである。
【００１５】
第３の本発明の接合体は、前記銀を含む金属材料であり、質量構成比で銀が１５％以上４０％以下、銅が４％以上１５％以下、残部が錫からなる接合材料を用いて接合した接合体である。
【００１６】
本発明において、錫−銀合金を主成分とし、銅を添加した接合材料は、実質的に鉛や金を使用しなくとも、高温系はんだに要求される耐熱特性を満たすことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の接合体は、有害な鉛及び高価な金を実質的に使用せずとも十分な接合強度を有し、かつ高温条件においても機械的強度が維持可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１の実施の形態：接合材料］
以下本実施の形態の接合材料について説明する。
本実施の形態の接合材料は、銀を含む金属材料であり、質量構成比で銀を１５％以上４０％以下、銅を４％以上１５％以下、残部が錫からなる合金である。なお、本合金材料には、不可避的に混入する金、ニッケル、コバルト、ビスマス、白金パラジウム、アルミニウムなどの成分を排除するものではない。
具体的な合金材料としては、錫−１０銀−１０銅、錫−１５銀−１０銅、錫−２０銀−１０銅などの組成ものが本願発明の接合材料として適している。
この合金において、銀および銅成分の量が上記範囲を下回った場合、高融点である金属間化合物の形成量が減少し、接合部の耐熱性が低下するなどの問題が有り、一方、銀および銅成分の量が上記範囲を上回った場合、液相線温度が上昇し、実用的な接合温度での接合性が困難になるなどの問題がある。
【００１９】
この接合材料は、シート状、ワイヤー状、ハンダペースト状などの状態とすることができる。ハンダペースト状として用いる場合には、合金材料としては、平均粒径１〜１０μｍの粒子を一般的に用いられているハンダペースト材料構成成分に混合して作製することができる。
また、ハンダ被接合部材表面に薄層として形成して接合に用いることもできる。この薄層として用いる場合には、接合材料をメッキまたは蒸着やスパッタリング等の物理蒸着法などの手段で薄層として形成することにより接合に用いることができる。薄層の膜厚としては、特に制限すべき制約はないが、薄層接合材は、接合時間を著しく長くしないために厚さ１μｍ以上、５００μｍ以下、より好ましくは３１０μｍ以上、３００μｍ以下とすることが望ましい。薄層接合材の厚さが厚すぎると、接合時間において被接合材が充分に接合材に拡散せず耐熱性の向上が実現されない恐れがあり、薄すぎると接合材のぬれ性が低下し、接合強度が確保できない恐れがある。
【００２０】
［第２の実施の形態：接合方法］
以下、本実施の形態の接合方法について説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態の接合方法を示す断面図である。
図１（ａ）に示すように、まず、第１金属被接合材１と、接合材５と、第２金属被接合材２とを積層して積層体４を形成する。このとき加圧を行ってもよい。
【００２２】
次に、この積層体４を加熱することによって、図１（ｂ）に示すように第１金属被接合材１及び第２金属被接合材２が接合層３を介して接合された接合体６が得られる。
【００２３】
なお、積層体４を得る際に、図２に示すように、予め第２金属被接合材２表面に薄層接合材５をメタライズし、第２金属被接合材２表面に薄層接合材５が被着した状態のものに第１金属被接合材１を積層して積層体４を形成してもよい。また、逆に、予め第１金属被接合材の表面をメタライズし、第１金属被接合材表面に薄層接合材を被着したものと第２金属被接合材を積層して積層体を形成してもよい。
【００２４】
なお、第１金属被接合材又は第２金属被接合材は、金属、セラミックス、半導体等からなる他の部材表面にメタライズされて、当該部材を他の部材と接合させるための部材として用いられる場合も本発明の範疇に含まれる。
【００２５】
図３は、接合方法の、さらに他の実施形態を示す断面図である。
この実施形態では、母材７表面に第１金属被接合材１が、母材８表面に第２金属被接合材２がメタライズされている。各メタライズ層の間には薄層接合材５を配置し積層体９を構成する。この後積層体９を加熱することにより接合を行う。なお、母材７、メタライズ層１、または母材８、メタライズ層２が共に金、ニッケル、銀、銅、パラジウム、白金及びアルミニウム、またはこれらの金属材料を用いた金属合金からなる群より選択される材料である場合、母材７とメタライズ層１の積層体が第１金属被接合材、または母材８とメタライズ層２の積層体が第２金属被接合材となる。
【００２６】
図３には第１被接合材及び第２被接合材が共に他の母材表面にメタライジングされた例を示したが、第１金属被接合材のみを他の母材表面にメタライジングし、第２金属被接合材は他の母材にメタライジングされていない場合も本発明の範疇に含まれる。これとは逆に第２金属被接合材のみを他の母材表面にメタライジングし、第１金属被接合材は他の母材にメタライジングされていない場合も本発明の範疇に含まれる。
【００２７】
第１及び第２金属被接合材を他の部材表面にメタライズする手段としては、蒸着、めっき処理や電子ビーム処理等が挙げられる。
【００２８】
以下、上記接合方法に用いられる部材について更に説明する。
第１金属被接合材１、及び第２金属被接合材は、通常、金属材料が使用される。金属材料は用途に応じて選択可能であり特に限定されないが、高温条件下において溶融した錫−銀合金に溶解・拡散した場合、錫−銀合金中に固溶し、形成される金属合金の固相線温度が著しく低下しない材料であることが望ましい。具体的には、望ましくは金、ニッケル、銀、銅、パラジウム、白金及びアルミニウム、またはこれらの金属材料を用いた金属合金からなる群より選択される材料であると耐熱性に優れた接合部が形成できる。また、上記以外の金属、例えば、ゲルマニウム、ベリリウム、ニオブ、マンガンなどの金属も好適している。
【００２９】
第１金属被接合材及び第２金属被接合材の厚さ（平均厚さ）は、０．１μｍ以上、５００μｍ以下の範囲であることが望ましい。
【００３０】
なお、例えば、図３のように母材８にメタライズ層２が形成されている場合は、母材８とメタライズ層２の積層体を第２金属被接合材２とみなし、メタライズ層２と母材８と厚さの総計が０．１μｍ以上、５００μｍ以下の範囲であればよい。
【００３１】
また、薄層接合材は、接合時間を著しく長くしないために厚さ１μｍ以上、５００μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以上、３００μｍ以下とすることが望ましい。薄層接合材の厚さが厚すぎると、接合時間において被接合材が充分に接合材に拡散せず耐熱性の向上が実現されない恐れがあり、薄すぎると接合材のぬれ性が低下し、接合強度が確保できない恐れがある。
【００３２】
薄層という形態の供給手段としては、めっき処理、はんだペースト、シートはんだ、ワイヤーはんだ、又はスーパージャフィット法−スーパーソルダー法等によるはんだプリコート、真空蒸着やイオンプレーティング等の物理蒸着法等が挙げられる。
【００３３】
はんだペーストを使用する場合には、はんだペースト厚は、はんだペースト厚を極端に大きくした場合には、数秒の接合時間において被接合材が充分に錫主成分層部に拡散せず高融点化が実現されないということが考えられる。そのため、短時間での高融点化の実現の両面を適正に満たすために、可能な限りはんだペースト厚を小さくするため５０〜１００μｍ、好ましくは５０〜８０μｍの範囲内にすることが望ましい。
【００３４】
シートはんだ材を使用する場合は、シート厚を極端に大きくした場合には、数秒の接合時間において被接合材が充分に錫主成分層部に拡散せず高融点化が実現されないということが考えられる。そのため、短時間での高融点化の実現の両面を適正に満たすために、可能な限りシート厚を小さくするため３０〜５０μｍの範囲内にすることが望ましい。
【００３５】
本発明の接合方法について更に説明する。
積層体を加熱する際の加熱温度は２６５℃以上、４５０℃以下の範囲内である。この範囲であると錫−銀合金を主成分とした薄層接合材は溶融し、接合可能となる。加熱温度は好ましくは３００℃以上である。
【００３６】
加熱時間は０．１秒以上が望ましく、特にピーク温度での加熱時間が０．５秒以上となるように加熱すればより好ましい。また、加熱時間は長くとも３０秒以下でよく、ピーク温度での加熱時間が１０秒以下となるように加熱すればよい。
【００３７】
本発明の接合方法によれば、錫−銀合金の固相線温度以上の融点を有する接合層が形成されるため、高温系マウント材として求められる２６０℃保証として、２６０℃の高温条件下においても接合層の耐熱性を維持することができる。また薄層接合材においては、第１金属被接合材、または第２金属被接合材の拡散により、形成される接合層には、第１金属被接合材、または第２金属被接合材構成元素が錫−銀合金に固溶した相の他に、錫−銀合金と少なくとも第２金属被接合材構成元素で構成される金属間化合物相等が生成してもよい。結果として、高温条件下においても機械的強度の良好な接合体が短時間で得ることができる。
【００３８】
本発明に係る接合体、接合方法は、どのような分野で用いられてもよいが、特に製造プロセス、あるいは製品使用時に高温条件下に置かれる電子機器部品、半導体デバイス特にパワー系半導体デバイスにおける部品の接合に好適に用いられる。特に半導体素子とリードフレームとの接合に際しては特に好適に用いられる。
【００３９】
［第３の実施の形態：接合体］
図１（ｂ）は、第１金属被接合材１が、第２金属被接合材２に接合材料３を介して接合された本発明の接合体の一実施形態を拡大して示す断面図である。
【００４０】
この実施形態では、第１金属被接合材１、及び第２金属被接合材２として金属材料が使用されている。
使用する被接合材料である金属材料は用途に応じて選択可能で特に限定されないが、高温条件下において溶融した接合材料３に溶解−拡散した場合、接合材料３中に固溶して形成される合金の固相線温度が著しく低下しない材料であることが望ましい。
具体的には、望ましくは、後述する第２金属被接合材と同様に金、ニッケル、銀、銅、パラジウム、白金及びアルミニウム、またはこれらの金属材料を用いた金属合金からなる群より選択される材料である。これらの金属を用いた場合には、耐熱性に優れた接合部を形成することができる。なお、これらの金属意外でもゲルマニウム、ベリリウム、ニオブ、マンガンなどは、好ましい材料である。
【００４１】
接合層３は融点２３２℃の錫と、熱伝導・電気抵抗・展延性さらには耐蝕性にも優れた金属材料である銀を使用した錫−銀合金を主成分とし、銅を含むことにより、２６０℃以上の耐熱性を有することを特徴とする接合材料である。
【００４２】
なお、接合層３中には、第１被接合体１または第２被接合体の構成金属元素が溶解・拡散することにより形成した金属間化合物が存在していても良い。
【００４３】
上記接合体の好ましい例としては、半導体装置が挙げられる。
本実施の形態の半導体装置は、少なくとも一面が金属薄膜でメタライズされた半導体素子と、少なくとも前記半導体素子を載置する金属リードフレームと、前記半導体素子の金属薄膜がメタライズされた面及び前記金属リードフレーム間に存在して前記半導体素子と前記金属リードフレームとを接合し、前記接合材料からなる接合層と、前記半導体素子及びリードフレームを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体装置である。
【００４４】
前記半導体装置において、前記金属フレームは、金、ニッケル、銀、銅、パラジウム、白金及びアルミニウム、またはこれらの金属材料を用いた金属合金からなる群より選択される材料を用いることが望ましい。
【００４５】
前記半導体装置において、前記金属薄膜は、金、ニッケル、銀、銅、パラジウム、白金及びアルミニウム、またはこれらの金属材料を用いた金属合金からなる群より選択される材料を用いることが望ましい。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
【００４７】
（実施例１）
パワー系半導体装置における半導体素子とリードフレームとの接合を行った。図４は半導体素子とリードフレームとの接合形態を示す断面図である。このパワー系半導体モジュールでは、１０ｍｍ角のシリコン半導体素子１７に、第１金属被接合材として、金を蒸着することによりメタライズが施され０．０５μｍ厚の金よりなる金薄層１８が形成されている。また、銅よりなるリードフレーム１９に、第２金属被接合材として、０．５μｍ厚でニッケル薄層２０をスパッタリング処理により施し、更にその上に、薄層接合材として５μｍ厚で錫−２０質量％銀−１０質量％銅合金薄層２１を無電解めっきにより施した。この金属層１８が被着したシリコン半導体素子１７と、ニッケル薄めっき層２０上に錫−銀−銅合金薄層２１が被着したリードフレーム１９とを金属層１８と錫−銀−銅合金薄層２１が接するように積層し、その後加熱して接合を行った。加熱は、１００ｐｐｍ以下の酸素濃度にしたフォーミングガス（窒素＋水素）雰囲気中で、熱板上で加熱した。加熱条件は、３５０℃、５秒とした。
【００４８】
接合後の接合界面の断面をＳＥＭ観察から、際立ったボイドの発生は認められず、良好な接合性を示した。
【００４９】
最後に接合したリードフレームと半導体素子とを樹脂封止し、２６０℃の耐熱性を有したパワー系半導体装置を得た。
【００５０】
（実施例２）
本実施例ではリードフレーム１９に、無電解めっきによりニッケル薄層２０を施し、その上に、はんだペースト印刷により薄層接合材２１を形成した以外は実施例１と同様にパワー系半導体装置を得た。
【００５１】
銀が２０質量％、銅が１０質量％、残部錫からなる錫−銀−銅系合金を用いて、約５μｍのはんだ粉末を作成した。このはんだ粉末材とフラックスの成分を重量比で全体の約１０％で完全に混合させ、はんだペーストを作成した。フラックス成分は、溶剤、ロジン、活性剤、有機ハロゲン、粘稠剤等である。はんだペーストは印刷に適した粘度である約５０万ｃｐｓとなるまで約２０分間攪拌した。このはんだペーストを無電解めっきによるニッケル薄層１９上に約８０μｍの厚さとなるよう印刷し、その上に蒸着により形成した金からなる金属層１７を施した半導体素子２１を搭載して、１００ｐｐｍの酸素濃度にしたフォーミングガス（窒素＋水素）雰囲気中で熱板上で加熱した。加熱条件は、３５０℃、５秒とした。
【００５２】
接合後の接合界面の断面をＳＥＭ観察から、際立ったボイドは発生せず良好な接合性を示した。
【００５３】
最後に接合したリードフレームと半導体素子とを樹脂封止し、２６０℃の耐熱性を有したパワー系半導体装置を得た。
【００５４】
（実施例３）
本実施例では、無電解めっきによりニッケル薄層１９を施したリードフレーム１８に、シートはんだ材を供給することにより薄層接合材２０を形成した以外は実施例１と同様にパワー系半導体装置を得た。シートはんだ材は、銀が２０質量％、銅が１０質量％、残りが錫からなる錫−銀−銅系合金を用いた、約５０μｍ厚のシートである。このシートはんだ材を銅からなるリードフレーム１８上に配置し、その上に金蒸着を施したシリコン半導体素子を搭載して、１００ｐｐｍの酸素濃度にしたフォーミングガス（窒素＋水素）雰囲気中で熱板上で加熱した。加熱条件は、３５０℃、５秒とした。
【００５５】
接合後の接合界面の断面をＳＥＭ観察から、際立ったボイドは発生せず良好な接合性を示した。
【００５６】
最後に接合したリードフレームと半導体素子とを樹脂封止し、パワー系半導体装置を得た。
【００５７】
（実施例４〜７、比較例１〜４）
以下のようにして接合体を得た。接合体は３００μｍ厚の銅板上に無電解めっきにより形成した０．５および１μｍ厚のニッケル薄層と、３００μｍの錫板とを、加熱を行い実施例４〜９の接合体を作成した。
【００５８】
表１に、各実施例の薄層接合材材料、接合材供給方法及び加熱条件（ピーク温度×ピーク温度保持時間）を記載する。評価試験として、接合性に関して、得られた接合体の接合面積を蛍光液浸透試験により計測し、実施例１の接合面積を１．０とし、それ以下の接合面積を相対値で示す。また、耐熱性に関しては、２６０℃における接合居度を高温シェア装置を用いて測定し、実施例１の接合強度を１．０とし、それ以下の接合強度を相対値で示している。
【００５９】
【表１】
2007260695.tif 000002
【００６０】
実施例４〜７においては、表１に示される様に、耐熱性の良好な接合層を有する。またこのような接合層を有する実施例４〜９の接合体は高温における接合強度に優れることが明らかである。
【００６１】
比較例１〜４の接合体は、３００μｍ厚の金蒸着によりメタライズした１０ｍｍ角のシリコン半導体素子と銅板とを、５０μｍ厚の表１に示す組成の錫―銀―銅合金を用い、表１に示す条件で加熱を行い作成したものである。
【００６２】
（実施例８〜１０）
実施例１と同様にして、１０ｍｍ角のシリコン半導体素子に金の蒸着によりメタライズ処理した。これとは、別に、第２金属被接合材であるパラジウム、白金及びアルミニウムを電子ビーム処理により厚さ０．５μｍとなるよう銅からなるリードフレーム上に形成した試料をそれぞれ用意した。次に、これらの試料の第２金属被接合材上に無電解メッキにより厚さ５μｍとなるよう錫−２０質量％銀−１０質量％銅合金薄層２１を形成した。しかる後、実施例１と同一条件で、リードフレームの錫層形成面にシリコン半導体素子のメタライズ面を接合させた。
いずれの試料も、際立ったボイドの発生は認められず良好な接合性を示した。
【００６３】
［本発明の応用分野］
本発明に係る接合体、接合方法は、広範な分野で利用できるが、特に製造プロセス、あるいは製品使用時に高温条件下に置かれる電子機器部品、半導体デバイス特にパワー系半導体デバイスにおける部品の接合に好適に用いられ、とりわけ半導体素子とリードフレームとの接合に際してはより好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の接合方法の一実施形態を示す工程断面図。
【図２】本発明の接合方法の他の実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の接合方法のさらに他の実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の実施例における半導体素子とリードフレームとの接合形態を示す断面図。
【符号の説明】
【００６５】
１………第１金属被接合材
２………第２金属被接合材
３………接合層
４………積層体
５………薄層接合材
６………接合体
７、８………母材
９………積層体
１７………シリコン半導体素子
１８………金薄層
１９………銅リードフレーム
２０………ニッケル薄層
２１………錫−銀−銅合金層
【図１】
2007260695.tif 000003
【図２】
2007260695.tif 000004
【図３】
2007260695.tif 000005
【図４】
2007260695.tif 000006