(57)【要約】【課題】導電性基板と結晶半導体粒子との接合力が向上し、さらに生産性が高く低コストな光電変換装置の製造方法および光電変換装置を提供することである。【解決手段】少なくとも結晶シリコン粒子１２を押圧する熱板１５と炉内温度を設定する雰囲気加熱用ヒーター１４とを具備した炉を用いて、前記結晶シリコン粒子１２を載置した前記導電性基板１１を前記炉内に挿入した後、前記炉内雰囲気温度を前記雰囲気加熱用ヒーターにより前記導電性基板１１と前記結晶シリコン粒子の共晶点温度近傍で該温度未満に昇温した後前記温度を保持し、次いで前記共晶点以上の温度に設定された熱板１５で前記結晶シリコン粒子１２を加圧することにより前記結晶シリコン粒子１２と前記導電性基板１１とを接合させる光電変換装置の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板の一主面に、光電変換を行なう複数個の結晶半導体粒子が接合され、前記結晶半導体粒子の隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに、前記結晶半導体粒子の上部を前記絶縁物質から露出させ、前記結晶半導体粒子および前記絶縁物質の上部に透光性導体層が設けられた光電変換装置の製造方法であって、
少なくとも前記結晶半導体粒子を押圧する熱板と炉内温度を設定する雰囲気加熱用ヒーターとを具備した炉を用いて、前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板を前記炉内に挿入した後、前記炉内雰囲気温度を前記雰囲気加熱用ヒーターにより前記導電性基板と前記結晶半導体粒子の共晶点温度近傍で該温度未満に昇温した後、前記温度を保持し、次いで前記共晶点以上の温度に設定された熱板で前記結晶半導体粒子を加圧することにより前記結晶半導体粒子と前記導電性基板とを接合することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱板が前記炉内上部に固定され、前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板を搭載した昇降テーブルが上昇することにより、または前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板が前記炉内下部に固定され、前記炉内上部に配置された前記熱板が下降することにより、前記結晶半導体粒子および前記導電性基板を、加圧しかつ前記共晶点温度近傍に昇温させることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
導電性基板の一主面に、光電変換を行なう複数個の結晶半導体粒子が接合され、前記結晶半導体粒子の隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに、前記結晶半導体粒子の上部を前記絶縁物質から露出させ、前記結晶半導体粒子および前記絶縁物質の上部に透光性導体層が設けられた光電変換装置であって、前記結晶半導体粒子と前記導電性基板との接合は、請求項１または２記載の光電変換装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電に使用される光電変換装置に関し、特に結晶半導体粒子を用いた光電変換装置の製造方法および光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光電変換装置は、性能面での効率の良さ、資源の有限性への配慮、あるいは製造コストの低さ等といった市場ニーズを捉えて開発が進められている。太陽電池の材料としては、単結晶または多結晶の大きなバルクを切断して基板を作製して用いている。しかしながら、この方法では、切断ロスが多いという点で省資源として問題がある。このことから、今後の市場において有望な光電変換装置の一つとして、結晶シリコン粒子を用いた光電変換装置が注目を浴びている。
【０００３】
結晶シリコン粒子を作製するための原料としては、例えば単結晶シリコンを粉砕した結果として発生するシリコンの微小粒子や、流動床法で気相合成された高純度シリコン等が用いられている。これらの原料から結晶シリコン粒子を作製するには、それら原料をサイズあるいは重量によって分別した後に、赤外線や高周波を用いて容器内で溶融し、その後に自由落下させる方法（例えば、特許文献１および特許文献２を参照。）や、同じく高周波プラズマを用いる方法（例えば、特許文献３を参照。）によって球状化する。
従来から提案されている粒状結晶半導体を用いた光電変換装置を図３に示す。図３に示すように、鋼基板３１の周囲にアルミニウム膜３２を形成し、粉砕シリコン粒子３３をアルミニウム膜３２に接合し、絶縁物質層３６、ｎ型シリコン部３４、透明導電層３５を順次形成した太陽電池が開示されている（例えば、特許文献４を参照）。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第９９／２２０４８号パンフレット
【特許文献２】米国特許第４１８８１７７号明細書
【特許文献３】特開平５−７８１１５号公報
【特許文献４】米国特許第４５１５５８０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の粒状結晶半導体を用いた光電変換装置の製造方法では、導電性基板と結晶シリコン粒子とを加熱溶着させる場合、境界に存在する酸化膜を破り共晶反応を開始させる必要があるが、そのために重石等を用いて結晶シリコン粒子を加圧しながら、導電性基板と結晶シリコン粒子をその共晶温度以上の雰囲気ガス中を通過させることにより接合させていた。しかし、この方法では、重石等のため熱容量が大きくなり、昇温および降温に時間がかかるとともに、重石等の熱容量や雰囲気ガスの流れによって導電性基板内に不均一な温度分布が形成され、接合にばらつきが生じてしまうという問題があった。
本発明の課題は、導電性基板と結晶半導体粒子との接合力が向上し、さらに生産性が高く低コストな光電変換装置の製造方法および光電変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、雰囲気加熱用ヒーターを用いて炉内温度を導電性基板と結晶半導体粒子の共晶点以下でかつその近傍の温度に設定し、前記共晶点温度以上でかつその近傍の温度に設定された熱板で前記結晶半導体粒子を前記導電性基板に加圧することにより、前記結晶半導体粒子と前記導電性基板との接合を安定して形成でき、生産性が向上することを見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明における光電変換装置の製造方法および光電変換装置は、以下の構成を有する。
（１）導電性基板の一主面に、光電変換を行なう複数個の結晶半導体粒子が接合され、前記結晶半導体粒子の隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに、前記結晶半導体粒子の上部を前記絶縁物質から露出させ、前記結晶半導体粒子および前記絶縁物質の上部に透光性導体層が設けられた光電変換装置の製造方法であって、少なくとも前記結晶半導体粒子を押圧する熱板と炉内温度を設定する雰囲気加熱用ヒーターとを具備した炉を用いて、前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板を前記炉内に挿入した後、前記炉内雰囲気温度を前記雰囲気加熱用ヒーターにより前記導電性基板と前記結晶半導体粒子の共晶点温度近傍で該温度未満に昇温した後前記温度を保持し、次いで前記共晶点以上の温度に設定された熱板で前記結晶半導体粒子を加圧することにより前記結晶半導体粒子と前記導電性基板とを接合することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
（２）前記熱板が前記炉内上部に固定され、前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板を搭載した昇降テーブルが上昇することにより、または前記結晶半導体粒子を載置した前記導電性基板が前記炉内下部に固定され、前記炉内上部に配置された前記熱板が下降することにより、前記結晶半導体粒子および前記導電性基板を、加圧しかつ前記共晶点温度近傍に昇温させることを特徴とする上記（１）に記載の光電変換装置の製造方法。
（３）導電性基板の一主面に、光電変換を行なう複数個の結晶半導体粒子が接合され、前記結晶半導体粒子の隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに、前記結晶半導体粒子の上部を前記絶縁物質から露出させ、前記結晶半導体粒子および前記絶縁物質の上部に透光性導体層が設けられた光電変換装置であって、前記結晶半導体粒子と前記導電性基板との接合は、上記（１）または（２）に記載の光電変換装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする光電変換装置。
（４）上記（３）に記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した光発電装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の光発電装置の製造方法は、上記（１）によれば、導電性基板と結晶半導体粒子とを加熱溶着させるために、炉内部に導電性基板と結晶半導体粒子の共晶点近傍の温度に設定された熱板が配置され、かつ炉内部の少なくとも一部に共晶点温度以下に設定された雰囲気加熱用ヒーターが配置されている炉を用いることにより、導電性基板と結晶半導体粒子とを、共晶が進行する温度に精度よく制御することが可能となり、接合の際において結晶半導体粒子が載置された導電性基板内の温度分布を均一に設定することできる。これにより、結晶半導体粒子と導電性基板との接合をばらつきなく安定して再現性よく形成することができる。
また、上記（２）によれば、熱板が炉内上部に固定され、結晶半導体粒子を載置した導電性基板が配置された昇降テーブルが上昇することにより、または結晶半導体粒子を載置した導電性基板が炉内下部に固定され、上部に配置された熱板が下降することにより、熱板による結晶半導体粒子の導電性基板への加圧を精度よく制御できる。これにより、導電性基板と結晶半導体粒子とを、短時間で共晶点温度近傍に昇温させ、かつ所望の圧力で加圧できるので、接合を安定にばらつきなく再現でき、かつ生産性を向上できる。
本発明の光電変換装置は、上記（３）によれば、上記（１）または（２）の構成の光電変換装置の製造方法によって製造されたものであることから、結晶半導体粒子を導電性基板に安定してばらつきなく接合することができ、また、生産処理能力が増えることにより、安価に量産性よく製造することもできるため、光電変換装置の高効率化および低コスト化を図ることができる。
そして、上記（４）によれば、本発明の光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことによって、高効率で信頼性が高い本発明の光電変換装置によって発電能力が向上し、長期間にわたって安定に信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る光電変換装置の実施の形態について、模式的に図示したそれぞれの図を参照にしつつ詳細に説明する。
なお、図１は本発明の炉の実施の形態の一例を示す縦断面図を模式的に表したものである。また、図２は本発明の光電変換装置の実施の形態の一例を説明する縦断面図である。
【００１０】
加工のしやすいホットプレスで焼結したグラファイト坩堝に、結晶半導体粒子としての結晶シリコン粒子１２を作る原料としてのシリコンを投入して、抵抗加熱ヒーターでシリコン原料全体を溶融させる。溶解したシリコン融液の上部をアルゴンガスなどで加圧してノズル孔から押し出すことにより、シリコン融液を噴出して、多数の滴状にする。多数の滴状に噴出したシリコン融液は、自由落下すると、落下中に凝固して単結晶シリコンまたは多結晶シリコンとなって容器に収容される。
このような結晶シリコン粒子１２は、太陽電池を形成するために使用される。したがって、溶解させるシリコンには、所望の半導体用添加不純物を含有させておくのが望ましい。所望の抵抗値になるように第１導電型とするためのドーパント、例えばｐ型ドーパントがドーピングされている。ｐ型ドーパントとしてはホウ素，アルミニウム，ガリウム，インジウムがあるが、シリコンに対する偏析係数が大きい点やシリコン溶融時の蒸発係数が小さい点からは、ホウ素を用いることが望ましい。
【００１１】
図２に示した本発明の光電変換装置の例は、このようにして得られた結晶シリコン粒子１２を用いて作製されたものである。図２の本発明の接合を用いた光電変換装置においては、導電性基板１１の一主面、この例では上面に、ｐ型の結晶シリコン粒子１２を多数個、その下部を例えば接合層２３によって導電性基板１１に接合し、結晶シリコン粒子１２の隣接するもの同士の間に絶縁物質２４を介在させるとともにそれら結晶シリコン粒子１２の上部を絶縁物質２４から露出させて配置し、これら結晶シリコン粒子１２にｎ型の半導体層２５および透光性導体層２６が設けられた構成となっている。
また、第１導電型の結晶シリコン粒子１２はｐ型であることが好ましい。そしてこの結晶シリコン粒子１２の粒径は１０〜５００μｍが好ましく、さらには５０〜４００μｍが望ましい。
【００１２】
第２導電型の半導体層２５は、導電性基板１１と結晶シリコン粒子１２との接合に先立って、工程コストの低い熱拡散法により形成する。ドーパントとしては、Ｖ族のＰ、Ａｓ、Ｓｂ、III族のＢ、Ａｌ、Ｇａなどを用いることができるが、第１導電型の結晶シリコン粒子１２がｐ型である場合、前記半導体層２５はｎ型とするのが良く、ｎ型ドーパントとしてのＶ族のＰ、Ａｓ、Ｓｂ等を石英からなる拡散炉に導入しながら結晶シリコン粒子１２表面に第２導電型の半導体層２５を形成する。
【００１３】
導電性基板１１としては、少なくとも表面に金属層を形成していればよく、金属基板でも良いし、ガラス・セラミック等の絶縁体上に金属層を形成したものでも良いので選択肢を広げることができる。表面の金属層としては、好ましくは、銀、アルミニウム、銅、錫等の金属であり、さらに好ましくは少なくとも表面がアルミニウムとなっている基板である。アルミニウム基板の場合は結晶シリコン粒子１２の接合により、アルミニウム−シリコン共晶が形成され、アルミニウムが良好なｐ型ドーパントであるため界面にｐ+層が形成されることでＢＳＦ（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）効果が発現される。また、結晶シリコン粒子１２とアルミニウム基板との強い接着強度が実現できる。
【００１４】
次に、導電性基板１１の上に結晶シリコン粒子１２を最密六方状に多数個配置する。アルミニウムとシリコンの共晶を促進させるために、従来は、この上に荷重となるブロックをのせて、アルミニウム−シリコンの共晶温度５７７℃以上の温度で窒素、あるいは窒素−水素の還元雰囲気の接合加熱炉内を通過させることで接合させた。このとき、導電性基板１１と結晶シリコン粒子１２の界面にはアルミニウム−シリコン共晶接合層２３が形成されていた。このとき、結晶シリコン粒子１２と共晶接合層２３との接合面が下向きに凸の形状となるように荷重を加えた。下向きに凸形状の接合面にすることによって、界面でのストレスが低減し、結晶シリコン粒子１２を導電性基板１１に強く付着させた状態を保持することができた。
しかしながら、前記の従来方法では、ブロックの熱容量や雰囲気ガスの流れによって導電性基板１１内に不均一な熱分布が形成されてしまい、得られる接合にばらつきが生じてしまうという問題があった。
【００１５】
（製造方法）
本発明は、上記課題を解決する方法を提供するもので、図１に炉の概要を示す。多数の結晶シリコン粒子１２を搭載した導電性基板１１を還元性または不活性雰囲気の炉内に挿入し、雰囲気加熱用ヒーター１４により昇温を開始する。導電性基板１１の温度分布が均一になった状態で、加圧ロッド１６で昇降テーブル１３を上昇させ熱板１５に押し付けることで共晶を行なわしめ、結晶シリコン粒子１２を導電性基板１１に接合させる。
【００１６】
雰囲気加熱用ヒーター１４は、アルミニウム−シリコン共晶温度の近傍で、好ましくは共晶温度より−６０℃〜−５℃の温度であるが、−５０℃〜−１０℃の温度がより望ましい。共晶温度よりも＋５℃〜＋５０℃の温度に制御されたヒーターを組み込んだ熱板１５で加圧することで結晶シリコン粒子１２と導電性基板１１の共晶を形成することで接合せしめる。加圧時間は１０〜１２０秒が好ましく、１０秒未満では再現性が不足しており、１２０秒を超えると共晶反応が進みすぎて導電性基板１１に穴が開いてしまう。雰囲気加熱用ヒーター１４は、炉内部の側部および下部の少なくとも一部に設置されており、昇降テーブル１３面そのものがヒーターを内蔵していても構わない。
【００１７】
加圧ロッド１６を介して加えられる圧力は、結晶シリコン粒子１２と導電性基板１１との境界に存在する酸化膜を破り共晶が開始される圧力以上で、かつ結晶シリコン粒子１２が破壊される圧力以下の圧力で加圧することにより導電性基板１１と結晶シリコン粒子１２とを還元性雰囲気で接合する。アルミニウム基板の場合には加圧力は０．０１ＭＰａよりも大きく０．１ＭＰａ以下であるのが望ましい。
また、周囲温度が前記共晶点温度以下でも熱板１５を前記共晶点温度以上に設定することにより、加圧時のみ熱が加わって接合が行なわれ、加圧を取り除くことによって同時に加熱も取り除かれて接合が終了することにより、処理時間を限定することが容易となる。これにより接合の制御が容易となり、生産性が向上する。
【００１８】
次に、絶縁物質２４が結晶シリコン粒子１２の隣接するもの同士の間に介在するように、絶縁物質２４を導電性基板１１上に配設された結晶シリコン粒子１２間にムラ無く全面にコーティングする。絶縁物質２４は、正極と負極の分離を行うための絶縁材料からなり、ポリイミドを主成分とする。絶縁材料としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を任意な成分とするガラスも選択可能であるが、ポリイミドは、処理温度を低く抑えることが可能で、かつ、弾性係数も小さく、導電性基板１１と絶縁物質２４の熱膨張差をより吸収するのに好ましい材料である。また、上記絶縁物質２４は少なくとも結晶シリコン粒子１２の天頂部は露出してなることにより、上部に形成される透光性導体層２６との有効な接触を可能とする。
【００１９】
そして、結晶シリコン粒子１２および絶縁物質２４の上から透光性導体層２６を形成し、それぞれの結晶シリコン粒子１２で発生した光電流を収集できるようにする。この透光性導体層２６は、錫ドープ酸化インジウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜からなり、膜厚を８５０Å程度に制御することで反射防止効果をも有している。透光性導体層２６は、量産に適した信頼性の高い膜質を得るにはスパッタリングで形成するのが通常であるが、ＣＶＤ、ディップ、電析により形成することもできる。透光性導体層２６は、第２導電型の半導体層２５上に上部電極として形成されるとともに、絶縁物質２４上にも形成され、個々の結晶シリコン粒子１２から形成された光電変換素子を並列につなぎ合わせることができる。
【００２０】
そして、直列抵抗値を低くするために、透光性導体層２６上に銀ペースト等をくし状に塗布してグリット電極２７とすることで光電変換素子が得られる。このようにして、導電性基板１１を一方の電極にし、グリット電極２７をもう一方の電極とすることにより、太陽電池としての光電変換装置が得られる。
上記の光電変換装置は低コストかつ高効率であることに加えて、表面が耐候性フィルムでラミネートされたモジュールにおいてクラックが入るなどの破壊モードが回避できるため、軽量かつ高耐候性の光電変換システムが供給できるだけでなく、設置架台やコンバーターなどのトータルシステムにおいても効果を発揮しうるものである。
また、本発明の光発電装置は、上記本発明の光電変換装置を発電手段として用い、この発電手段で得られる発電電力を、発光装置や照明装置、モーター等の各種の負荷へ供給するように成したものである。これにより、高変換効率で信頼性の高い本発明の光電変換装置によって発電能力が向上し、長期間にわたって高い発電効率が得られるとともに高い信頼性を確保することができる。
【００２１】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明の光電変換装置およびその製造方法を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
【実施例１】
【００２２】
本発明の光電変換装置の実施例を以下に説明する。
ＡｒまたはＨｅ不活性雰囲気中で坩堝へシリコン原料を充填して昇温し溶解した。そしてノズル穴より噴出させて、結晶シリコン粒子１２を作製した。
この結晶シリコン粒子１２を石英ボートに載せてリン不純物を熱拡散し、結晶シリコン粒子１２表面におよそ１μｍの厚さのｎ型の半導体層２５を形成した。
そして、得られた直径３００μｍの結晶シリコン粒子１２を５００μｍ厚の純アルミニウムからなる導電性基板１１上に最密六方状に多数配設し、窒素を炉に導入するように準備した。その際、前記最密六方状に配設された各結晶シリコン粒子１２の中心の間隔は３２０μｍとした。
【００２３】
次に、炉内を雰囲気加熱用ヒーター１４でアルミニウム−シリコン共晶温度５７７℃より低い５００℃に設定し、加圧ロッド１６に取り付けられた昇降テーブル１３上に、結晶シリコン粒子１２を配設した導電性基板１１をセットし、６００℃に設定されたＳＵＳ（ステンレススチール）からなる熱板１５に１分間、０．０５ＭＰａの圧力で押し付けることにより共晶接合を形成した。このとき、熱板１５の加圧時間を５０〜７０秒間で精度よく制御することで、高い再現性をもって接合することができた。
【００２４】
次に、結晶シリコン粒子１２が配設された導電性基板１１上にポリイミド樹脂からなる絶縁体を約１００μｍの厚みになるように充填塗布し、窒素雰囲気中２００℃で３０分乾燥させた後、３５０℃で１時間焼成し、絶縁物質２４を形成した。その後、熱乾燥させた。なお、前記絶縁体は、溶剤の量を調整してその粘度を３００〜２０００ｃＰに制御することにより、結晶シリコン粒子１２間の隙間を毛管現象ですきまなく塗布することができた。
この上に上部電極膜としての透光性導体層２６を、スパッタ法により、ＩＴＯ膜を全面に８５ｎｍの厚みで形成した。
最後に、銀ペーストをディスペンサーでグリッド状にパターン形成してフィンガー電極およびバスバー電極を形成した。そして大気中５００℃で焼成を行い、最後にハンダディップをし、本発明の光電変換装置を作製した。
【００２５】
前記作製した実施例の光電変換装置について、所定の強度および所定の波長の光を照射して、電気特性の値を測定した。電気特性の測定は、ソーラーシミュレータ（ＷＡＣＯＭ社製：ＷＸＳ１５５Ｓ−１０）を用いて、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１３に基づいた方法により実施した。
測定の結果、開放電圧５６０ｍＶ、短絡電流３０ｍＡ/ｃｍ2、光電変換効率１３％を得ることができた。
【００２６】
[比較例１]
メッシュベルトの上に、結晶シリコン粒子１２を配設した１５０ｍｍ角のアルミニウム基板１１をセットして、その上に重石として１５０ｋｇの鉄を載せて、最高温度６００℃の焼成炉内を２時間かけて通過させた。形成された共晶は温度分布により、アルミニウム基板１１内でばらついており、開放電圧５４０ｍＶ、短絡電流２９ｍＡ／ｃｍ2、光電変換効率１２．５％を得た。
従来の方法による比較例１においては炉内温度分布が±１０℃と大きく、しかも熱容量の大きい重石の昇温ばらつきにより、共晶部形成のための温度履歴にばらつきが生じるが、本発明では温度制御を±２℃以内として精度よく行うことができた。また、従来の方法では処理時間が長く、重量物を取り扱うのに比べ、本発明ではタクト時間が３分間と短時間であり、荷重は熱板１５のみで加えるので、生産性を大きく向上させることができた。
以上により、本発明の光電変換装置の製造方法によれば、高い再現性をもってばらつきのない結晶シリコン粒子１２と導電性基板１１との接合を実現でき、高性能な光電変換装置を高い生産性をもって製造することができる。
【００２７】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。たとえば、本発明の導電性基板１１と結晶シリコン粒子１２との接合と大きく相違しない光電変換装置の製造方法としては、共晶が進まない程度のグラファイトからなる軽いマスクで結晶シリコン粒子１２を覆い、実施例１と同様の加圧方法で加圧する方法も可能であり、その場合は、結晶シリコン粒子１２の飛散や結晶シリコン粒子１２表面への塵埃の付着等を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の炉の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の光電変換装置の実施の形態の一例を説明する縦断面図である。
【図３】従来の光電変換装置の一例を説明する縦断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１１ ・・・導電性基板
１２ ・・・結晶シリコン粒子（結晶半導体粒子）
１３ ・・・昇降テーブル
１４ ・・・雰囲気加熱用ヒーター
１５ ・・・熱板
１６ ・・・加圧ロッド
２３ ・・・接合層
２４ ・・・絶縁物質
２５ ・・・半導体層（シリコン層）
２６ ・・・透光性導体層
２７ ・・・グリッド電極
【図１】
2007173425.tif 000003
【図２】
2007173425.tif 000004
【図３】
2007173425.tif 000005