(57)【要約】【課題】樹脂内で配線パターンとチップ型電子部品とを半田を介することなく接続することができると共に、チップ型電子部品と接続する配線パターンを設ける上での自由度を高めることができる樹脂多層基板、複合型電子部品及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の樹脂多層基板１０は、複数の樹脂層が積層され且つ配線パターン１１Ａを有する樹脂積層体１１と、この樹脂積層体１１に内蔵され且つ両側面に一対の外部電極１２Ａを有するチップ型電子部品１２と、を備え、チップ型電子部品１２の上下両面の間で配線パターン１１Ａと少なくとも一方の外部電極１２Ａの側面とが電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂層が積層され且つ配線パターンを有する樹脂積層体と、この樹脂積層体に内蔵され且つ側面に外部電極を有するチップ型電子部品と、を備え、上記チップ型電子部品の両主面の間で上記配線パターンと上記外部電極の側面とが電気的に接続されていることを特徴とする樹脂多層基板。
【請求項２】
上記チップ型電子部品は、両側面に上記外部電極を備え、上記外部電極のうちの一方の外部電極は、他方の外部電極とは異なる高さに配置された上記配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項３】
上記外部電極のうちの一方の外部電極は、上記チップ型電子部品の一方の主面において上記配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
上記樹脂積層体は、更に第１の多層配線基板及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板を内蔵し、上記チップ型電子部品は、上記配線パターンを介して第１の多層配線基板及び／または第２の多層配線基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
表面に配線パターンを有する回路基板に実装する構造を備えたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の樹脂多層基板と、
第１の多層配線基板及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板と、
これら３つの基板のうちいずれか２つの基板を互いに電気的に接続する配線パターンを有する少なくとも一つの樹脂ブロックと、を備えた
ことを特徴とする複合型電子部品。
【請求項７】
支持体上に側面に外部電極を有するチップ型電子部品を配置する第１の工程と、
上記外部電極を、その側面の一部が露出するように半硬化状態の樹脂で封止し、上記樹脂を硬化させて第１の硬化樹脂層を形成する第２の工程と、
上記第１の硬化樹脂層上に配線パターンを形成する第３の工程と、
上記チップ型電子部品の残余の側面及び上記配線パターンを覆うように半硬化状態の樹脂で封止し、上記樹脂を硬化させて第２の硬化樹脂層を形成する第４の工程と、を備えた
ことを特徴とする樹脂多層基板の製造方法。
【請求項８】
支持体上に側面に外部電極を有するチップ型電子部品を配置する第１の工程と、
上記外部電極を、その側面に一部が露出するように半硬化状態の樹脂で封止して第１の樹脂層を形成する第２の工程と、
上記第１の樹脂層上に配線パターンを形成する第３の工程と、
上記チップ型電子部品の残余の側面及び上記配線パターンを覆うように半硬化状態の樹脂で封止して第２の樹脂層を形成し、上記第１、第２の樹脂層を同時に硬化させて第１、第２の硬化樹脂層を形成する第４の工程と、を備えた
ことを特徴とする樹脂多層基板の製造方法。
【請求項９】
上記支持体を剥離する第５の工程を備えたことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の樹脂多層基板の製造方法。
【請求項１０】
上記支持体が表面に配線パターンを有する回路基板であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の樹脂多層基板の製造方法。
【請求項１１】
上記第１の工程では、更に、第１の多層配線基板、及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板を配置することを特徴とする請求項７〜請求項８のいずれか１項に記載の樹脂多層基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の樹脂多層基板と、第１の多層配線基板、及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板と、これら３つの基板のいずれか２つの基板を互いに電気的に接続する配線パターンを有する少なくとも一つの樹脂ブロックと、をそれぞれ並べて配置する工程と、
上記樹脂多層基板、上記第１の多層配線基板、及び／または上記第２の多層配線基板のいずれか２つの間に上記樹脂ブロックを配置して圧着することにより上記配線パターンを介して互いに電気的に接続する工程と、を備えた
ことを特徴とする複合型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂多層基板、複合型電子部品及びこれらの製造方法に関し、更に詳しくは、樹脂多層基板、複合型電子部品それぞれに内蔵されたチップ型電子部品と接続するための配線パターンを設ける場所の自由度を高めることができる樹脂多層基板、複合型電子部品及びそれぞれの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ型電子部品を内蔵した樹脂多層基板としては、例えば特許文献１に記載の技術がある。この特許文献１には、離型フィルム上に形成された配線パターンに受動部品を実装し、この受動部品を樹脂で封止することにより、受動部品を内蔵した樹脂基板を作製している。この樹脂基板においては受動素子と配線パターンが半田により接合されている場合には、樹脂基板を回路基板に実装した後のリフロー工程で半田が溶融して拡散し、配線パターンで短絡することがある。
【０００３】
一方、特許文献２には半田を使用せずに受動素子と配線パターンを接合する技術が提案されている。この技術では、穴をあけたプリプレグにチップ部品を埋め込み、チップ部品の上下両面に穴をあけた銅箔を重ねて熱プレスにより一体化して、プリプレグを硬化させてコア基板として作製する。その後、コア基板の銅箔をパターニングしてチップ部品の電極部分及び引き出し部分を形成した後、コア基板の上下にプリプレグを重ねて熱プレスして硬化させ、チップ部品を内蔵した樹脂基板を作製する。チップ部品の電極部分及び引き出し部分は、これと同一層に配置された配線パターンに接続される。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２２０２６２
【特許文献１】特開２００２-１６４６６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では上述したように受動部品等の電子部品が半田により配線パターンに接合されている場合には、リフロー工程で半田が溶融して配線パターンにおいて短絡を生じることがある。また、特許文献２に記載の技術では、チップ部品の主面に形成された電極部分及び引き出し部分と他の配線パターンとを同一平面で接続するため、チップ部品の電極部分及び引き出し部分と接続する他の配線パターンをチップ部品の主面と同一平面上に配置せざるを得ず、配線パターンを設ける上での自由度がないという課題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、樹脂内で配線パターンとチップ型電子部品とを半田を介することなく接続することができると共に、チップ型電子部品と接続する配線パターンを設ける上での自由度を高めることができる樹脂多層基板、複合型電子部品及びそれぞれの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に記載の樹脂多層基板は、複数の樹脂層が積層され且つ配線パターンを有する樹脂積層体と、この樹脂積層体に内蔵され且つ側面に外部電極を有するチップ型電子部品と、を備え、上記チップ型電子部品の両主面の間で上記配線パターンと上記外部電極の側面とが電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の請求項２に記載の樹脂多層基板は、請求項１に記載の発明において、上記チップ型電子部品は、両側面に上記外部電極を備え、上記外部電極のうちの一方の外部電極は、他方の外部電極とは異なる高さに配置された上記配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項３に記載の樹脂多層基板は、請求項１に記載の発明において、上記外部電極のうちの一方の外部電極は、上記チップ型電子部品の一方の主面において上記配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項４に記載の樹脂多層基板は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記樹脂積層体は、更に第１の多層配線基板及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板を内蔵し、上記チップ型電子部品は、上記配線パターンを介して第１の多層配線基板及び／または第２の多層配線基板に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項５に記載の樹脂多層基板は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、表面に配線パターンを有する回路基板に実装する構造を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項６に記載の複合型電子部品は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の樹脂多層基板と、第１の多層配線基板及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板と、これら３つの基板のうちいずれか２つの基板を互いに電気的に接続する配線パターンを有する少なくとも一つの樹脂ブロックと、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項７に記載の樹脂多層基板の製造方法は、支持体上に側面に外部電極を有するチップ型電子部品を配置する第１の工程と、上記外部電極を、その側面の一部が露出するように半硬化状態の樹脂で封止し、上記樹脂を硬化させて第１の硬化樹脂層を形成する第２の工程と、上記第１の硬化樹脂層上に配線パターンを形成する第３の工程と、上記チップ型電子部品の残余の側面及び上記配線パターンを覆うように半硬化状態の樹脂で封止し、上記樹脂を硬化させて第２の硬化樹脂層を形成する第４の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項８に記載の樹脂多層基板の製造方法は、支持体上に側面に外部電極を有するチップ型電子部品を配置する第１の工程と、上記外部電極を、その側面に一部が露出するように半硬化状態の樹脂で封止して第１の樹脂層を形成する第２の工程と、上記第１の樹脂層上に配線パターンを形成する第３の工程と、上記チップ型電子部品の残余の側面及び上記配線パターンを覆うように半硬化状態の樹脂で封止して第２の樹脂層を形成し、上記第１、第２の樹脂層を同時に硬化させて第１、第２の硬化樹脂層を形成する第４の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項９に記載の樹脂多層基板の製造方法は、請求項７または請求項８に記載の発明において、上記支持体を剥離する第５の工程を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項１０に記載の樹脂多層基板は、請求項７または請求項８に記載の発明において、上記支持体が表面に配線パターンを有する回路基板であることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項１１に記載の樹脂多層基板の製造方法は、請求項８〜請求項１０のいずれか１項に記載の発明において、上記第１の工程では、更に、第１の多層配線基板、及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板を配置することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項１２に記載の複合型電子部品の製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の樹脂多層基板と、第１の多層配線基板、及び／または電子部品を有する第２の多層配線基板と、これら３つの基板のいずれか２つの基板を互いに電気的に接続する配線パターンを有する少なくとも一つの樹脂ブロックと、をそれぞれ並べて配置する工程と、上記樹脂多層基板、上記第１の多層配線基板、及び／または上記第２の多層配線基板のいずれか２つの間に上記樹脂ブロックを配置して圧着することにより上記配線パターンを介して互いに電気的に接続する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の請求項１〜請求項１２に記載の発明によれば、樹脂内で配線パターンとチップ型電子部品とを半田を介することなく接続することができると共に、チップ型電子部品と接続する配線パターンを設ける上での自由度を高めることができる樹脂多層基板、複合型電子部品及びそれぞれの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
第１の実施形態
以下、図１〜図９に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。図１の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の樹脂多層基板の一実施形態を示す断面図である。
本実施形態の樹脂多層基板１０は、例えば図１の（ａ）に示すように、複数の樹脂層が積層されてなる樹脂積層体１１と、樹脂積層体１１に内蔵された左右両端に一対の外部電極１２Ａを有するチップ型電子部品１２と、を備え、樹脂積層体１１がチップ型電子部品１２の側面全面を封止し、チップ型電子部品１２の両主面（上下両面）が露出している。樹脂積層体１１の内部には配線パターン１１Ａがチップ型電子部品１２の左右両側に水平方向に配置して形成されている。これらの配線パターン１１Ａは、チップ型電子部品１２の上下両面の中間位置にそれぞれ配置され且つチップ型電子部品１２の左右の外部電極１２Ａ、１２Ａの側面に対して半田等の接合材を介することなく電気的に直に接続されている。
【００２１】
また、チップ型電子部品１２の左右両側の配線パターン１１Ａ、１１Ａは、チップ型電子部品１２それぞれの側方から外部電極１２Ａ、１２Ａに電気的に接続されており、必要に応じてチップ型電子部品１２の上下両面の間で適宜の高さに配置することができる。従って、左右の配線パターン１１Ａ、１１Ａは、図１の（ａ）に示した位置以外にも、例えば図１の（ｂ）に示すようにチップ型電子部品１２の両側で異なる高さに配置しても良く、また、同図の（ｃ）に示すように、一方の配線パターン１１Ａが外部電極１２Ａの上面に配置しても良い。勿論、配線パターン１１Ａはチップ型電子部品１２の一方の側面にのみ形成されていても良い。図１の（ａ）〜（ｃ）に示す配線パターン１１Ａは、水平方向の面内導体のみを図示してあるが、配線パターン１１Ａは、異なる層に形成された複数の面内導体と、上下の面内導体を接続するビア導体と、を含むものであっても良い。
【００２２】
樹脂積層体１１は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成することができる。配線パターン１１Ａは、例えば銅箔等の金属箔をパターニングすることによって形成することができる。配線パターン１１Ａを印刷によって形成する時には、導電性ペーストを用いることができる。導電性ペーストは、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えば金、銀、銅、ニッケル等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の樹脂を用いることができる。
【００２３】
図１の（ａ）〜（ｃ）ではチップ型電子部品１２は、絶縁体１２Ｂの内部に複数の内部電極１２Ｃを有するチップ型コンデンサとして構成されているが、その他、例えばチップ型インダクタ等であっても良い。
【００２４】
次いで、図１の（ａ）に示す樹脂多層基板１０の製造方法について、図２の（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。尚、図２の（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ図１の（ａ）に示す樹脂多層基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す断面図である。まず、半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂プリプレグシート１１１、チップ型電子部品（例えば、チップ型コンデンサ）１２及び支持体１００を準備する。そして、同図の（ａ）に示すように、左右両側に外部電極１２Ａを有するチップ型電子部品１２を支持体１００上に配置する。次いで、同図の（ｂ）に示すように半硬化状態の樹脂プリプレグシート１１１をチップ型電子部品１２の上方から覆い、半硬化状態の樹脂プリプレグシート１１１をその硬化温度よりも低い温度に加熱して圧着することにより、樹脂プリプレグシート１１１を流動させ、同図の（ｃ）に示すように流動化した樹脂でチップ型電子部品１２の下部を封止し、その上部が露出した樹脂層を形成する。この時チップ型電子部品１２の上面には樹脂プリプレグシート１１１は殆ど付着していない。その後半硬化状態の樹脂層をその硬化温度より高い温度で熱硬化させて第１の硬化樹脂層１１Ｂを形成する。この時、必要に応じて例えばレーザー等によりビアホールを所定のパターンで複数箇所に設けることができる。尚、ビアホール導体を導電性ペーストから形成する場合には、ビアホールに導電性ペーストを充填し、熱処理を施すことによりビアホール導体を形成する。
【００２５】
更に、銅の無電解めっきを施し、次いで銅の電解めっきを施し、第１の硬化樹脂層１１Ｂの上面に銅のめっき膜を形成する。ビアホールが空いたままの時にはめっき膜と同時にビアホール内にビアホール導体を形成することができる。これによりめっき膜と外部電極１２Ａとが電気的に直に接続される。そして、めっき膜上にレジスト膜を施した後、所定のパターンで露光し、現像した後、めっき膜にエッチング処理を施すことにより、図２の（ｄ）に示すように配線パターン１１Ａを所定のパターンで形成することができる。この時、チップ型電子部品１２に付着しためっきもエッチングにより除去する。尚、チップ型電子部品１２を含め第１の硬化樹脂層１１Ｂの上面に、予めめっき用レジスト膜を形成し、配線パターン１１Ａに対応する部分のめっき用レジスト膜を除去してそこにめっき膜を形成した後、めっき用レジスト膜を除去することにより配線パターン１１Ａを形成しても良い。引き続き、半硬化状態の樹脂プリプレグシートでチップ型電子部品１２を上方から覆い、この樹脂プリプレグシートをその硬化温度より低い温度で圧着することにより、樹脂プリプレグシートを流動させ、流動化した樹脂でチップ型電子部品１２の露出した残余の側面を樹脂層で封止し、その後、この樹脂層をその硬化温度より高い温度で熱硬化させて同図の（ｅ）に示す第２の硬化樹脂層１１Ｃを形成する。この段階で、上述した場合と同一要領で第２の硬化樹脂層１１Ｃにビアホール導体を設けても良い。この結果、支持体１００上に樹脂多層基板１０を形成することができる。尚、支持体１００としては剥離可能なＳＵＳ板等の転写用基材またはＰＥＴフィルム等の転写樹脂フィルム等を用いることができ、樹脂多層基板１０は作製後に剥離しても良い。また、表面に配線パターンを有する支持体１００を用いて、この配線パターンを樹脂多層基板１０と接続しても良い。
【００２６】
また、図１の（ｂ）に示すように高さの異なる配線パターン１１Ａを形成する場合には、樹脂プリプレグシートを何回かに分けてチップ型電子部品１２の左右の樹脂量に高低差をつけて形成することによって、チップ型電子部品１２の外部電極１２Ａに電気的に直に接続された高さの異なる配線パターン１１Ａを形成することができる。尚、第１の実施形態では、第１の硬化樹脂層１１Ｂ上に配線パターン１１Ａを形成するための、パターン精度が高く、チップ型電子部品１２との接続性もより高くなる。
【００２７】
また、第１の実施形態の他の実施形態では、チップ型電子部品１２を封止する樹脂を段階的に硬化させた後、その硬化樹脂層の上に無電解めっきにより配線パターン１１Ａを形成しているが、図２の（ｃ）に示す工程において、樹脂を硬化させず、同図の（ｄ）に示す工程において半硬化状態の樹脂層の上に例えば印刷工法により配線パターン１１Ａを形成し、この配線パターン１１Ａ上に半硬化状態の樹脂層を積層した後、図２の（ｅ）に示す工程において上下の半硬化状態の樹脂層を同時に硬化させて樹脂積層体１１を形成しても良い。この他の実施形態では樹脂層の硬化を一度に纏めて行うため、製造工程を簡略化することができる。
【００２８】
以上説明したように本実施形態によれば、支持体１００上に左右両端部に外部電極１２Ａを有するチップ型電子部品１２を搭載した後、外部電極１２を、その側面の一部が露出するように半硬化状態の樹脂層で封止し、半硬化状態の樹脂層を硬化させ、第１の硬化樹脂層１１Ｂを形成し、この硬化樹脂層１１Ｂ上に配線パターン１１Ａを形成した後、チップ型電子部品１２の残余の部分及び配線パターン１１Ａを覆うように半硬化状態の樹脂層で封止し、この樹脂層から第２の硬化樹脂層１１Ｃを形成することにより、樹脂積層体１１内でチップ型電子部品１２の上下方向中ほどで外部電極１２Ａの側面に配線パターン１１Ａが電気的に接続された樹脂多層基板１０を作製することができる。また、この際、樹脂多層基板１０の使用目的に応じて左右の配線パターン１１Ａの高さを、図１の（ａ）〜（ｃ）に示すように適宜変更することができ、配線パターン１１Ａの配置上の自由度を高めることができる。また、配線パターン１１Ａをめっきにより形成する場合には、微細な配線パターン１１Ａを形成することができる。更に、配線パターン１１Ａと外部電極１２Ａの接続には半田を使用していないため、樹脂多層基板１０を回路基板に実装した後のリフロー工程でチップ型電子部品１２が接続された配線パターン１１Ａにおける短絡を防止することができる。また、図１の（ｃ）に示す樹脂多層基板１０のように配線パターン１１Ａを外部電極１２Ａの上面で接続する場合には、配線パターン１１Ａと外部電極１２Ａとの接続面積が大きくなって両者間の導通性を高めることができる。
【００２９】
第１の実施形態では本発明の樹脂多層基板の基本構造を示したが、本発明の樹脂多層基板は、以下の実施形態で説明するように樹脂積層体内にチップ型電子部品と他の電子部品を内蔵し、配線パターンを介してチップ型電子部品と他の電子部品とが電気的に直に接続されたものであっても良い。
【００３０】
第２の実施形態
図３の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の樹脂多層基板の他の実施形態を示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は（ａ）に一部を拡大して示す断面図である。本実施形態の樹脂多層基板１０Ａは、例えば図３の（ａ）に示すように、複数の樹脂層が積層された樹脂積層体１１と、チップ型電子部品１２と、第１の多層配線基板１３と、第２の多層配線基板１４と、を備え、樹脂積層体１１内にチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４が内蔵されて一体的に構成されている。そして、チップ型電子部品１２と第１の多層配線基板１３は、樹脂積層体１１内に形成された配線パターン１１Ａによって電気的に直に接続され、チップ型電子部品１２と第２の多層配線基板１４も樹脂積層体１１内に形成された配線パターン１１Ａによって電気的に直に接続されている。これらの配線パターン１１Ａは、第１の実施形態と同様に面内導体及びビアホール導体を含む配線パターンであっても良い。この多層樹脂基板１０Ａは支持基板１５上に実装されている。
【００３１】
チップ型電子部品１２は、例えば第１の実施形態と同様にセラミック焼結体を素体とするコンデンサやインダクタ等の受動素子によって構成され、第１の多層配線基板１３及び第２の多層配線基板１４と協働し、樹脂多層基板１０Ａに種々の機能を付与する。
【００３２】
第１の多層配線基板１３は、主として樹脂多層基板１０Ａの配線部分として構成され、基本的には配線パターンとして受動機能部を受け持つ基板である。この第１の多層配線基板１３は、図３の（ａ）に示すように、例えば複数の絶縁層１３Ａが積層された積層体と、積層体の内部に所定のパターンで形成された配線パターン１３Ｂと、を有している。この配線パターン１３Ｂは、各絶縁層１３Ａの間に設けられた複数の面内導体１３Ｃと、各絶縁層１３Ａを貫通し上下の面内導体１３Ｃを電気的に接続するビアホール導体１３Ｄとから構成されている。第１の多層配線基板１３は、下面に形成された外部端子電極１３Ｅを介して支持基板１５の表面配線パターン（図示せず）に接続されている。
【００３３】
絶縁層１３Ａは、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成することができる。この場合には、第１の多層配線基板１３は例えばビルドアップ法によって形成することができ、面内導体１３Ｃは例えば銅箔等の金属箔をパターニングすることによって形成することができる。また、ビアホール導体１３Ｄは絶縁層１３Ａに形成されたビアホール内に導電性ペーストを充填することによって形成することができる。導電性ペーストは、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えば金、銀、銅、ニッケル等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の樹脂を用いることができる。
【００３４】
また、絶縁層１３Ａは、誘電率の低いセラミック材料によって形成することができ、セラミック材料としては低温焼結セラミック材料が好ましい。低温焼結セラミック材料としては、例えば、アルミナやフォルステライト、コージェライト等のセラミック粉末やこれらのセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合したガラス複合系材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック粉末やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック粉末等を用いた非ガラス系材料等を挙げることができる。この場合には、面内導体１３Ｃ及びビアホール導体１３ＤはＡｇまたはＣｕ等の低抵抗で低融点をもつ金属を低温で低温焼結セラミック材料と同時焼成して一体的化することができる。
【００３５】
また、第２の多層配線基板１４は、例えば図３の（ｂ）に示すように、第１の多層配線基板１３と同様に、主として樹脂多層基板１０Ａの受動機能部を受け持つ基板である。この第２の多層配線基板１４は、同図の（ｂ）に示すように、第２のチップ型電子部品１４Ａを内蔵すると共に第１の多層配線基板１３と同様に複数の絶縁層１４Ｂが積層された積層体として形成され、内部に配線パターン１４Ｃが形成されている。
【００３６】
第２のチップ型電子部品１４Ａは、例えばチップ型コンデンサ、チップ型インダクタ、チップ型抵抗等のセラミック焼結体によって形成されている。絶縁層１４Ｂは、基本的には無機フィラーとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との混合物によって形成されていることが好ましい。絶縁層１４Ｂは、例えばセラミックと樹脂、あるいはエポキシ樹脂と無機フィラーを含有するエポキシ樹脂等のように、上述の絶縁層１３Ａとは異なる材料によって形成されていても良い。配線パターン１４Ｃは、同図の（ｂ）に示すように、例えば各絶縁層１４Ｂの間に設けられた複数の面内導体１４Ｄと、各絶縁層１４Ｂを貫通し上下の面内導体１４Ｄを電気的に接続するビアホール導体１４Ｅとから構成されている。また、積層体の下面には第１の外部端子電極１４が形成され、積層体の上面には第２の外部端子電極１４Ｇが形成されている。そして、面内導体１４Ｄの適宜の場所に第２のチップ型電子部品１４Ａが実装されている。第２の多層配線基板１４は、下面に形成された第１の外部端子電極１４Ｆを介して支持基板１５の表面配線パターン（図示せず）に接続されている。第２の多層配線基板１４上面の第２の外部端子電極１４Ｇには必要に応じてシリコン半導体等の能動素子を実装しても良い。
【００３７】
チップ型電子部品１２と第２の多層配線基板１４に内蔵された第２のチップ型電子部品１４Ａとは、基本的にはサイズによって分類される。チップ型電子部品は、例えば厚みが０．８ｍｍ、長さが１．６ｍｍ、幅が０．８ｍｍより大きくなると、積層体に内蔵させることが難しいため、チップ型電子部品１２として第１の多層配線基板１３等と一緒に配置する。従って、上記サイズより小さなチップ型電子部品は第２のチップ型電子部品１４Ａとして第２の多層配線基板１４に内蔵させて使用することができる。
【００３８】
そして、チップ型電子部品１２の高さが図３の（ａ）に示すように第１、第２の多層配線基板１３、１４より高くなっているが、樹脂積層体１１内の配線パターン１１Ａ、１１Ａは、チップ型電子部品１２の上下両面の範囲内で、第１、第２の多層配線基板１３、１４側面から露出する面内導１３Ｃ、１４Ｄの高さに合わせて樹脂積層体１１内に形成され、チップ型電子部品１２の外部電極１２Ａ、１２Ａと第１、第２の多層配線基板１３、１４とを電気的に直に接続している。従って、チップ型電子部品１２の上下両面の範囲内の高さであれば、チップ型電子部品１２と第１、第２の多層配線基板１３、１４との間に高低差があってもこれらの間で互いに確実に接続することができる。これに対して、従来のようにチップ型電子部品の外部電極の上面で他の配線パターンに接続する場合には、チップ型電子部品の外部電極の高さに合わせて多層配線基板の上方に引き出し配線等を別途設けなくてはならない。
【００３９】
次いで、図３に示す樹脂多層基板１０Ａの製造方法について図４を参照しながら説明する。尚、図４の（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ図３に示す樹脂多層基板の製造方法を工程順に示す断面図である。樹脂多層基板１０Ａを製造するに当たって、予め作製されたチップ型電子部品１２、第１、第２の多層配線基板１３、１４及び支持基板１５を準備する。次いで、図４の（ａ）に示すようにチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４それぞれを、支持基板１５の所定の位置、即ち、回路基板の表面の配線パターンに合わせた位置に配置する。
【００４０】
然る後、図４の（ｂ）に示すように予め準備された半硬化状態の樹脂プリプレグシート１１１を支持基板１５の上方に配置して樹脂プリプレグシート１１１をチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４上に被せた後、半硬化状態の樹脂部の硬化温度よりも低い温度で熱圧着することにより、樹脂を流動させ樹脂によってチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４それぞれの隙間を部分的に埋めてこれらの下部を樹脂層で封止する。その後、図４の（ｃ）に示すように半硬化状態の樹脂層をその硬化温度より高い温度で熱硬化させて第１の硬化樹脂層１１Ｂを形成する。
【００４１】
引き続き、銅の無電解めっき及び銅の電解めっきにより樹脂層１１Ｂの上面に銅のめっき膜を形成する。更に、めっき膜にレジスト膜を形成し、乾燥、露光した後、エッチング処理を施して、図４の（ｄ）に示すように第１の硬化樹脂層１１Ｂの上面でチップ型電子部品１２の右側に配線パターン１１Ａを形成する。この時、チップ型電子部品１２に付着しためっきもエッチングにより除去する。尚、チップ型電子部品１２を含め第１の硬化樹脂層１１Ｂの上面に、予めめっき用レジスト膜を形成し、配線パターン１１Ａに対応する部分のめっき用レジスト膜を除去してそこにめっき膜を形成した後、めっき用レジスト膜を除去することにより配線パターン１１Ａを形成しても良い。その後、図４の（ｅ）に示すように半硬化状態の樹脂プリプレグシート１１１をチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４上に被せ、チップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４の側面のうち、上部を除いて樹脂層で封止し、上述の場合と同一要領で樹脂を硬化させて硬化樹脂層１１Ｂ’を形成し、図４の（ｆ）に示すように、上述の場合と同一要領でチップ型電子部品１２の左側の硬化樹脂層１１Ｂ’に配線パターン１１Ａ’を形成する。次に、図４の（ｇ）に示すように半硬化状態の樹脂プリプレグシート１１１を用いて、上述の場合と同一要領でチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４を封止して、図４の（ｈ）に示すように樹脂積層体１１内に高さの異なる配線パターン１１Ａ、１１Ａ’を有する樹脂多層基板１０Ａを支持基板１５上に作製することができる。
【００４２】
以上説明したように本実施形態によれば、樹脂積層体１１内に機能の異なるチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４を内蔵し、チップ型電子部品１２の外部電極１２Ａと第１、第２の多層配線基板１３、１４とが外部電極１２Ａの上下両面の間に配置された高さの異なる配線パターン１１Ａ、１１Ａで互いに電気的に接続されて同一平面上に配置されているため、チップ型電子部品１２と第１、第２の多層配線基板１３、１４との高低差があっても樹脂積層体１１内で外部電極１２Ａの側面の高さの範囲内で配線パターン１１Ａの高さを第１、第２の多層配線基板１３、１４それぞれの配線パターン１３Ｂ、１４Ｃに合わせて設定してチップ型電子部品１２の外部電極１２Ａ、１２Ａと第１、第２の多層配線基板１３、１４との配線パターン１３Ｂ、１４Ｃとをそれぞれ電気的に直に接続することができ、しかも複数の機能を付与して高機能化を実現した樹脂多層基板１０Ａを得ることができる。更に、チップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４は樹脂積層体１１内で一体化しているため、支持体上に樹脂多層基板１０Ａを作製した場合には、支持体を剥離して、これら三者を互いに位置ズレすることなく回路基板上で同時に位置合わせすることができ高精度に実装することができる。
【００４３】
更に、本実施形態によれば、使用目的に応じて第１の多層配線基板１３の絶縁層１３Ａと第２の多層配線基板１４の絶縁層１４Ｂとを異なる材料、例えば有機材料と無機材料に分けて構成することができるため、異種材料からなる回路基板上に樹脂多層基板１０Ａを搭載しても、樹脂多層基板１０Ａを構成するチップ型電子部品１２及び第１、第２の多層配線基板１３、１４の残留応力が異なり、それぞれの残留応力を回路基板上で緩和して歪み等による物理特性の弊害を抑制することができ、信頼性を向上させることができる。また、
【００４４】
本実施形態では、樹脂積層体１１内で配線パターン１１Ａを介してチップ型電子部品１２と第１、第２の多層配線基板１３、１４が互いに電気的に接続された樹脂多層基板１０Ａについて説明したが、本発明の樹脂多層基板は、例えば図５及び図６に示すように、使用目的によってチップ型電子部品１２と第１、第２の多層配線基板１３、１４のいずれか一方を適宜組み合わせて樹脂多層基板を作製することができる。以下、樹脂多層基板の変形例について本実施形態と同一または相当部分には同一符号を付して説明する。
【００４５】
図５は、本発明の樹脂多層基板の更に他の実施形態を示す断面図である。第１に示す変形例の樹脂多層基板１０Ｂは、図５に示すように、樹脂積層体１１内にチップ型電子部品１２及び第１の多層配線基板１３を内蔵した状態で支持基板１５上に形成されている。そして、チップ型電子部品１２と第１の多層配線基板１３は、樹脂積層体１１内に形成された配線パターン１１Ａによって互いに電気的に接続されている。この配線パターン１１Ａは、第１、第２の実施形態に準じて構成されている。チップ型電子部品１２がコイル成分を含む場合には、第１の多層配線基板１３をチップ型電子部品１２の側方に設けることで、チップ型電子部品１２の上下に配線パターンが形成されておらず、更にその周囲が樹脂積層体１１で覆われているため、コイル成分に基づく磁界は第１の多層配線基板１３の配線パターンの影響を受け難くなり、樹脂多層基板１０Ｂの信頼性を向上させることができる。その他、この変形例においても図３に示す樹脂多層基板１０Ａに準じた作用効果を期することができる。
【００４６】
図６は、本発明の樹脂多層基板の更に他の実施形態を示す断面図である。第２の変形例の樹脂多層基板１０Ｃは、図６に示すように、樹脂積層体１１内にチップ型電子部品１２及び第２の多層配線基板１４を内蔵した状態で支持基板１５上に形成されている。そして、チップ型電子部品１２と第２の多層配線基板１４は、樹脂積層体１１内に形成された配線パターン１１Ａによって互いに電気的に接続され、配線パターン１１Ａは、第１、第２の実施形態に準じて構成されている。例えばチップ型電子部品１２がコイル成分を含む場合には、チップ型電子部品１２の側方に第２の多層配線基板１４を設けることで、コイル成分を含むチップ型電子部品１２の上下に配線パターンが形成されておらず、更にその周囲が樹脂積層体１１で覆われているため、コイル成分に基づく磁界は第２の多層配線基板１４の配線パターンの影響を受け難くなり、樹脂多層基板１０Ｃの信頼性を向上させることができる。また、コイル成分を有するチップ型電子部品を、第２の多層配線基板１４内のチップ型電子部品としてではなく、チップ型電子部品１２として配線パターンから独立して設けることで、コイル成分に基づく磁界は第２の多層配線基板１４内の配線パターンの影響を受け難くなり、樹脂多層基板１０Ｃの信頼性を向上させることができる。その他、この変形例においても図３に示す樹脂多層基板１０Ａに準じた作用効果を期することができる。
【００４７】
第３の実施形態
本実施形態では樹脂多層基板を含む複合型電子部品について図７〜図９を参照しながら説明する。尚、図７の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の複合型電子部品の一実施形態を示す図で、（ａ）はその製造工程の要部に示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示す製造方法によって作製された複合型電子部品を示す断面図、図８は本発明の複合型電子部品の他の実施形態を示す断面図、図９は本発明の複合型電子部品の更に他の実施形態を示す断面図である。
【００４８】
本実施形態の複合型電子部品２０は、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように、樹脂多層基板２１と、第１、第２の多層配線基板２２、２３と、配線パターンを有する第１、第２の樹脂ブロック２４、２５と、を備え、樹脂多層基板２１、第１、第２の多層配線基板２２、２３及び第１、第２の樹脂ブロック２４、２５は、それぞれ同一高さに形成され、互いに電気的に接続されて一体化している。即ち、第１の多層配線基板２２と第２の多層配線基板２３は、第１の樹脂ブロック２４の配線パターンを介して互いに電気的に接続されている。樹脂多層基板２１と第２の多層配線基板２３は、第２の樹脂ブロック２５の配線パターンを介して電気的に接続されている。
【００４９】
樹脂多層基板２１は、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように第１の実施形態の樹脂多層基板１０に準じて構成され、複数の樹脂層が積層されてなる樹脂積層体２１Ａと、この樹脂積層体２１Ａに内蔵されたチップ型電子部品２１Ｂと、を備えている。樹脂積層体２１Ａ内の配線パターン２１Ｃは、チップ型電子部品２１Ｂの左側でその上面よりやや下方に配置され、右端がチップ型電子部品２１Ｂの左側の外部電極２１Ｄに対して半田を介することなく電気的に直に接続され、左端が樹脂積層体２１Ａの左側面に露出している。また、第１、第２の多層配線基板２２、２３は、樹脂多層基板２１の樹脂積層体２１Ａと同様に、それぞれの絶縁層が熱硬化性樹脂によって形成されている。また、第１、第２の多層配線基板２２、２３は、それぞれの下面にそれぞれ外部端子電極２２Ｆ、２３Ｆが形成されている以外はいずれも第２の実施形態に用いられたものに準じて構成されている。
【００５０】
而して、第１の樹脂ブロック２４は、図７の（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の絶縁層（例えば、樹脂プリプレグシート）が積層された積層体２４Ａと、積層体２４Ａ内の所定の絶縁層に面内導体として一側面から他側面に渡って形成された接続用導体２４Ｂと、を有し、接続用導体２４Ｂが積層体の両側面に露呈し、両隣の第１の多層配線基板２２と第２の多層配線基板２３とを接続するインターフェースとして形成されている。接続用導体２４Ｂは、所定のパターンを有する面内導体として形成されている。また、例えば同図の（ｂ）に示すように、第１の多層配線基板２２の第１の樹脂ブロック２４との接続面には必要に応じて側面導体２２Ｆが形成され、第２の多層配線基板２３の第１の樹脂ブロック２４との接続面にも必要に応じて側面導体２３Ｈが形成されている。従って、第１の樹脂ブロック２４の接続用導体２４Ｂと第１の多層配線基板２２の面内導体２２Ｃの間あるいは第２の多層配線基板２３の面内導体２３Ｄとの間に段差があっても、側面導体２２Ｆ、２３Ｈを介して接続用導体２４Ｂと電気的に接続することができ、もって第１の多層配線基板２２と第２の多層配線基板２３とを第１の樹脂ブロック２４を介して電気的に確実に接続することができる。
【００５１】
図７の（ａ）、（ｂ）に示すように、第２の樹脂ブロック２５は第１の樹脂ブロック２４に準じて構成され、積層体２５Ａの両側面から樹脂多層基板２１の配線パターン２１Ｃに対応する接続用導体２５Ｂが露出している。この接続用導体２５Ｂは、樹脂多層基板２１の配線パターン２１Ｃと第２の多層配線基板２３の面内導体２３Ｄとを接続している。
【００５２】
本実施形態の複合型電子部品２０を作製する場合には、まず、樹脂多層基板２１、第１、第２の多層配線基板２２、２３及び第１、第２の樹脂ブロック２４、２５をそれぞれ作製する。これらの側面はいずれも実質的に同一大きさに形成されている。樹脂多層基板２１及び第１、第２の多層配線基板２２、２３はいずれも熱硬化樹脂からなる基板であり、第１、第２の樹脂ブロック２４、２５は半硬化状態の熱硬化性樹脂によって形成されている。これらの樹脂多層基板２１、第１、第２の多層配線基板２２、２３及び第１、第２の樹脂ブロック２４、２５を、例えば図７の（ａ）に示すように剥離自在なシート上に一列に並べて配列した後、これらの長手方向の両側面及び上下両面をそれぞれ拘束した状態で、接合用の第１、第２の樹脂ブロック２４、２５の硬化性樹脂が硬化する温度まで加熱すると共に残りの両側面から所定の圧力を加え、これらを熱圧着して一体化した後、冷却することによって複合型電子部品２０を得ることができる。そして、複合型電子部品２０を所定の回路基板（図示せず）に実装する場合には、複合型電子部品２０からシートを剥離し、所定の回路基板に半田付けにより実装する。
【００５３】
以上説明したように本実施形態によれば、樹脂多層基板２１の配線パターン２１Ｃをチップ型電子部品２１Ｂの高さの範囲内で第２の樹脂ブロック２５の接続用２５Ｂの高さに合わせる自由度があり、第２の実施形態と同様の作用効果を期することができる。しかも、複合型電子部品２０に付与する機能に応じて、樹脂多層基板２１と第１、第２の多層配線基板２２、２３及び第１、第２の樹脂ブロック２４、２５等の各種の基板とを適宜組み合わせることができる。
【００５４】
本実施形態では、それぞれ同一高さに形成された樹脂多層基板２１、第１の多層配線基板２２及び第２の多層配線基板２３がそれぞれ第１、第２の樹脂ブロック２４、２５を介して電気的に接続されて一体化した複合型電子部品２０について説明した。しかし、本発明の複合型電子部品では、例えば図８、図９に示すように、樹脂多層基板２１、第１の多層配線基板２２及び第２の多層配線基板２３の少なくともいずれか２つを必要に応じて適宜選択して、選択された２つを第１の樹脂ブロック２４または第２の樹脂ブロック２５を介して互いに電気的に接続したものであっても良い。そこで、本実施形態と同一または相当部分には同一符号を付してその変形例について説明する。
【００５５】
第１の変形例の複合型電子部品２０Ａは、図８に示すように、樹脂多層基板２１と、第１の多層配線基板２２と、これら両者を互いに電気的に接続する第２の樹脂ブロック２５と、を備え、その他は図７に示す複合型電子部品２０に準じて構成されている。樹脂多層基板２１内のチップ型電子部品２１Ｂがコイル成分を含む場合には、その配線部分を第１の多層配線基板２２と独立させて、樹脂多層基板２１の側方に第２の樹脂ブロック２５を介して設けることで、コイル成分を含むチップ型電子部品２１Ｂの上下に配線パターンが形成されておらず、更にその周囲が樹脂積層体２１Ａで覆われているため、第２の実施形態と同様に、コイル成分に基づく磁界は第１の多層配線基板２２の配線パターン２２Ｂの影響を受け難い複合型電子部品２０Ａを得ることができる。また、樹脂多層基板２１の配線パターン２１Ｃは、第１の多層配線基板２２の配線パターン２２Ｂに合わせてチップ型電子部品２１Ｂの高さの範囲内で適宜設定することができるため、第３の実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００５６】
第２の変形例の複合型電子部品２０Ｂは、図９に示すように、樹脂多層基板２１と、第２の多層配線基板２３と、これら両者２１、２３を互いに電気的に接続する第２の樹脂ブロック２５と、を備え、その他は図７に示す複合型電子部品２０に準じて構成されている。チップ型電子部品がコイル成分を含む場合には、コイル成分を含むチップ型電子部品を樹脂多層基板２１内のチップ型電子部品２１Ｂとして構成し、第２の多層配線基板２３内からコイル成分を含むチップ型電子部品を省くことができる。従って、コイル成分を含むチップ型電子部品を樹脂多層基板２１として独立させることで、コイル成分を含むチップ型電子部品の上下に配線パターンが形成されておらず、更にその周囲が樹脂積層体２１Ａで覆われているため、第２の実施形態と同様に、コイル成分に基づく磁界は第２の多層配線基板２３の配線パターン２３Ｃの影響を受け難くなり、信頼性の高い複合型電子部品１０Ｈを得ることができる。この変形例においても第３の実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００５７】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、基本的には、複数の樹脂層が積層され且つ配線パターンを有する樹脂積層体と、この樹脂積層体に内蔵され且つ側面に外部電極を有するチップ型電子部品と、を備え、上記チップ型電子部品の両主面の間で上記配線パターンと少なくとも一方の上記外部電極とが電気的に接続されているものであれば良い。チップ型電子部品は、両側面に外部電極を有するものに限らず、一側面にのみ外部電極があるもの、一側面と一端面にあるもの等、側面や端面に対でなく形成されているものであっても良い。そして、これを基本構造として、例えば、第１の多層配線基板及び／または第２の多層配線基板を含めて樹脂多層基板を構成しても良く、またそれぞれの基板は複数個あっても良く、更に、各基板がそれぞれ異なる材料あるいは異なる性質を有するものであっても良い。また、本発明の複合型電子部品は、機能を異にする、樹脂多層基板、第１、第２の多層配線基板の少なくともいずれか２つを備え、これらが互いに配線パターンを有する樹脂ブロックを介して電気的に接続されて同一平面上に配置されたものであれば良い。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信装置や電子機器に用いられる樹脂多層基板、複合型電子部品及びこれらの製造方法に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の樹脂多層基板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ図１の（ａ）に示す樹脂多層基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の樹脂多層基板の他の実施形態を示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ図３に示す樹脂多層基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】本発明の樹脂多層基板の更に他の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の樹脂多層基板の更に他の実施形態を示す断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の複合型電子部品の一実施形態を示す図で、（ａ）はその製造工程の要部を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示す製造方法によって作製された複合型電子部品を示す断面図である。
【図８】本発明の複合型電子部品の他の実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の複合型電子部品の更に他の実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  樹脂多層基板
１１    樹脂積層体
１１Ａ  配線パターン
１２、２１Ｂ    チップ型電子部品
１２Ａ  外部電極
１３    第１の多層配線基板
１４    第２の多層配線基板
１４Ａ  第２のチップ型電子部品（電子部品）
２０、２０Ａ、２０Ｂ  複合型電子部品
２１    樹脂多層基板
２１Ａ  樹脂積層体
２１Ｂ  チップ型電子部品
２１Ｃ  配線パターン
２１Ｄ  外部電極
２２    第１の多層配線基板
２３    第２の多層配線基板
２４、２５    樹脂ブロック
２４Ｂ、２４Ｂ  配線パターン
【図１】
2007305631.tif 000003
【図２】
2007305631.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007305631.tif 000006
【図５】
2007305631.tif 000007
【図６】
2007305631.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
2007305631.tif 000011