(57)【要約】      （修正有）【課題】ボイスコイルモータなどから不要な磁場（外部磁場）が加わった際に、記録層の下部に裏打ち層が存在する為、すでに書き込みされている信号を劣化させるおそれがある。すでに書き込みされている信号を劣化を起こさせない磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】  エアベアリング面において、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０のエッジと下部リードシールド層３のエッジとが同じトラック上で重ならないように構成する。【選択図】  図１０
2007317245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドと、記録媒体と、前記記録媒体を一定方向に回転駆動させるとともに前記薄膜磁気ヘッドを記録媒体の略半径方向に移動可能とするように作用することができる駆動装置本体と、を備える磁気記録再生装置であって、
前記記録媒体は、データ情報を記録するデータトラックを有し、
前記記録媒体と前記磁気ヘッドとは、前記記録媒体の少なくともいくつかのデータトラックにおける円周方向とスキュー角を発生させる配置関係にあり、その最大スキュー角がαmaxであり、
前記薄膜磁気ヘッドは、前記記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部と、前記記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部と、を有し、
前記記録ヘッド部は、
磁束を発生させる薄膜コイルと、
前記記録媒体の対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、
前記磁極層の前記媒体進行方向側に配設され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、前記記録媒体の対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁性層に連結されたライトシールド層と、を有し、
前記再生ヘッド部は、
磁気抵抗効果素子と、この素子を磁気的に遮蔽するために上下に配置された上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、
前記上部リードシールド層および前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在しており、
前記ライトシールド層は、前記記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在しており、エアベアリング面における当該ライトシールド層の幅方向の全長がＷwsであり、
前記上部リードシールド層および前記下部リードシールド層は、前記記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在しており、前記下部リードシールド層は、前記ライトシールド層との厚さ方向の距離において、前記上部リードシールド層から前記ライトシールド層との厚さ方向の距離よりも遠くに離れた位置関係にあり、エアベアリング面における当該下部リードシールド層の幅がＷsfであり、
エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記下部リードシールド層の幅Ｗsfの両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記下部リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗsfの場合、
Ｗws＜Ｗsf−２Ｘ・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗsfの場合、
Ｗws＞Ｗsf＋２Ｘ・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２】
エアベアリング面における前記上部リードシールド層の幅がＷssであり、前記下部リードシールド層の幅Ｗsfとの関係において、
Ｗssは、Ｗss≦Ｗsfの関係を満たすように設定されてなる請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項３】
Ｗss＜Ｗsfの関係を満たすように設定されてなる請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項４】
前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割された形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、
エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、
前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗsｆが最も大きく設定されてなる請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項５】
前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割された形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、
エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、
前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗss1が最も大きく、かつ、
エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅Ｗss1の両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記上部第１リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ1である場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗss1の場合、
Ｗws＜Ｗss1−２Ｘ1・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗss1の場合、
Ｗws＞Ｗss1＋２Ｘ1・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなる請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項６】
前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割されてた形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、
エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、
前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗss2が最も大きく、かつ、
エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記上部第２リードシールド層の幅Ｗss2の両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記上部第２リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ2である場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗss2の場合、
Ｗws＜Ｗss2−２Ｘ2・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗss2の場合、
Ｗws＞Ｗss2＋２Ｘ2・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなる請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項７】
前記記録媒体のデータトラックは、垂直磁気記録層を有し構成され、その下部には垂直方向の磁界をアシストするための軟磁性層が敷設されている請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の磁気記録再生装置。
【請求項８】
前記磁気ヘッドの主磁極より発せられた記録磁界は、前記垂直磁気記録層を垂直方法に通過して当該垂直磁気記録層に垂直磁気記録するように作用してなる請求項７に記載の磁気記録再生装置。
【請求項９】
前記磁極層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層と、前記記録媒体対向面よりも後退した第１の位置から後方に向かって延在する補助磁極層が積層された積層構造を有してなる請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の磁気記録再生装置。
【請求項１０】
前記ライトシールド層は、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から前記第１の位置よりも前方の第２の位置まで延在する第１の磁気遮蔽部分と、当該第１の磁気遮蔽部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から少なくともその前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを、含んでなる請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録可能な磁極層を備える磁気ヘッドと、記録媒体と、記録媒体を一定方向に回転駆動させるとともに磁気ヘッドを記録媒体の半径方向に移動可能とするように作用することができる駆動装置本体と、を備える磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの記録媒体（以下、単に「記録媒体」という）の面記録密度の向上に伴い、例えば、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能の向上が求められている。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドの記録方式として、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを磁気媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。
【０００４】
現在のところは長手記録方式が広く利用されているものの、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を察すれば、今後は長手記録方式に代わり、垂直記録方式が有望視されるものと想定される。垂直記録方式では、高い記録密度を確保することが可能なことに加えて、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点がある。
【０００５】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した記録用の磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させる主磁極層とを備えて構成されている。このような垂直記録方式の薄膜ヘッドでは、主磁極層において発生した垂直磁界に基づいて記録媒体のデータトラックが磁化されるため、その記録媒体に磁気情報が記録される。
【０００６】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、上述したように、エアベアリング面に対して直交する方向に延在するように配設された主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッドが知られている。このようなタイプの垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、一般に、「単磁極型の薄膜磁気ヘッド」と呼ばれている。
【０００７】
この単磁極型の薄膜磁気ヘッドの具体的な構造としては、例えば、垂直磁界の強度を増加させることによりオーバーライト特性を向上させるために、主磁極層に対して補助的な磁束収容用の補助磁極層を連結させた構造が知られている（特許文献１、２、３、４等）。しかしながら、単磁極型の薄膜磁気ヘッドでは、上記したようにオーバーライト特性を向上させるという観点からみれば限界があると言われている。
【０００８】
そこで、最近の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、記録トラック幅が拡大することを抑制すること、および、磁束勾配を急峻とすることにより記録媒体の記録密度を高めるために、上述ごとくエアベアリング面に対して直交する方向に延在する主磁極層とともに、その主磁極層から放出された磁束の広がりを抑制させるライトシールド層を併せて備えた薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【０００９】
このようなタイプの垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、一般に、「シールド型の薄膜磁気ヘッド」と呼ばれている。ライトシールド層は、主磁極から０．２μｍ以下のギャップ(gap)を隔てて設けられ、エアベアリング面から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面に近い側において、ギャップ層により主磁極層から隔てられているとともにエアベアリング面から遠い側においてバックギャップを通じて主磁極層に連結されている。
【００１０】
このようなライトシールド層を備えたシールド型の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層から放出された磁束の広がりが抑制されることに基づいて垂直磁界の勾配が急峻化するため、記録媒体の記録密度が向上する。
【００１１】
【特許文献１】特開平０２−０６６７１０号公報
【特許文献２】特開２００２−１９７６１５号公報
【特許文献３】特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献４】特開平２−０９１８０６号公報
【特許文献５】特開平１１−３２８６３２号公報
【特許文献６】特開平１１−３５３６１８号公報
【特許文献７】特開平０７−２８７８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの信頼性を高めるためには、いわゆるシールドを備える薄膜磁気ヘッド（シールド型の薄膜磁気ヘッド）や補助磁極を備える薄膜磁気ヘッドを区別することなく、いずれのタイプの薄膜磁気ヘッドにおいても磁気動作特性を安定に確保する必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、例えば、ボイスコイルモータなどの外部磁場発生源から不要な磁場（浮遊外部磁場）が生じると、その浮遊外部磁場の影響によっては非記録時、すなわち、薄膜コイルに記録用の電流が供給されていない状態において、意図しない書き込み（上書き）が行われ、記録媒体に記録されていた情報が意図せずに消去されるおそれがあるという問題があった。さらには、昨今の各種のメディア技術の急速な発展に伴い、磁気記録再生装置のドライブの以外の外部磁場についても無視することができなくなっている。すなわち、例えば音楽プレーヤー（例えば、ｉｐｏｄ（登録商標）等）や、携帯電話などに装着されているハードディスク（ＨＤＤ）外部から外部磁場が加わる可能性が高くなっているのが現状である。
【００１３】
特に、垂直記録媒体においては、いわゆる記録層の下部に配置される裏打ち層が存在するために、外部磁界が加わった際、磁束がシールド層のエッジ部に集中して、この集中した磁束が裏打ち層に吸い込まれ、意図しない書き込みを行なうおそれがある。このような問題を解決するには、磁気ヘッドの構造のみならず、磁気記録再生装置であるシステム全体を考慮にいれたトータルの創意工夫が要求される。
【００１４】
本発明はこのような実状のものに創案されたものであって、その目的は、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがない磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような課題を解決するために、本発明は、薄膜磁気ヘッドと、記録媒体と、前記記録媒体を一定方向に回転駆動させるとともに前記薄膜磁気ヘッドを記録媒体の略半径方向に移動可能とするように作用することができる駆動装置本体と、を備える磁気記録再生装置であって、前記記録媒体は、データ情報を記録するデータトラックを有し、前記記録媒体と前記磁気ヘッドとは、前記記録媒体の少なくともいくつかのデータトラックにおける円周方向とスキュー角を発生させる配置関係にあり、その最大スキュー角がαmaxであり、前記薄膜磁気ヘッドは、前記記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部と、前記記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部と、を有し、前記記録ヘッド部は、磁束を発生させる薄膜コイルと、前記記録媒体の対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、前記磁極層の前記媒体進行方向側に配設され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、前記記録媒体の対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁性層に連結されたライトシールド層と、を有し、前記再生ヘッド部は、磁気抵抗効果素子と、この素子を磁気的に遮蔽するために上下に配置された上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、前記上部リードシールド層および前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在しており、前記ライトシールド層は、前記記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在しており、エアベアリング面における当該ライトシールド層の幅方向の全長がＷwsであり、前記上部リードシールド層および前記下部リードシールド層は、前記記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在しており、前記下部リードシールド層は、前記ライトシールド層との厚さ方向の距離において、前記上部リードシールド層から前記ライトシールド層との厚さ方向の距離よりも遠くに離れた位置関係にあり、エアベアリング面における当該下部リードシールド層の幅がＷsfであり、エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記下部リードシールド層の幅Ｗsfの両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記下部リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗsfの場合、
Ｗws＜Ｗsf−２Ｘ・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗsfの場合、
Ｗws＞Ｗsf＋２Ｘ・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなるように構成される。
【００１６】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、エアベアリング面における前記上部リードシールド層の幅がＷssであり、前記下部リードシールド層の幅Ｗsfとの関係において、Ｗssは、Ｗss≦Ｗsfの関係を満たすように設定される。
【００１７】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、Ｗss＜Ｗsfの関係を満たすように設定される。
【００１８】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割された形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗsｆが最も大きく設定されてなるように構成される。
【００１９】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割された形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗss1が最も大きく、かつ、エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅Ｗss1の両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記上部第１リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ1である場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗss1の場合、
Ｗws＜Ｗss1−２Ｘ1・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗss1の場合、
Ｗws＞Ｗss1＋２Ｘ1・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなるように構成される。
【００２０】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記上部リードシールド層は、厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層に分割されてた形態をなしており、下側から、上部第１リードシールド層および上部第２リードシールド層を有し、エアベアリング面における前記上部第１リードシールド層の幅がＷss1であり、前記上部第２リードシールド層の幅がＷss2であり、前記Ｗss1と前記Ｗss2と前記Ｗsfの中で、前記Ｗss2が最も大きく、かつ、エアベアリング面における前記ライトシールド層の幅Ｗwsの両端部と、エアベアリング面における前記上部第２リードシールド層の幅Ｗss2の両端部とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、前記ライトシールド層と前記上部第２リードシールド層の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ2である場合において、
（ｉ）Ｗws＜Ｗss2の場合、
Ｗws＜Ｗss2−２Ｘ2・ｔａｎαmaxの条件を満たし、
（ｉｉ）Ｗws＞Ｗss2の場合、
Ｗws＞Ｗss2＋２Ｘ2・ｔａｎαmaxの条件を満たすように、設定されてなるように構成される。
【００２１】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記記録媒体のデータトラックは、垂直磁気記録層を有し構成され、その下部には垂直方向の磁界をアシストするための軟磁性層が敷設されて構成される。
【００２２】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記磁気ヘッドの主磁極より発せられた記録磁界は、前記垂直磁気記録層を垂直方法に通過して当該垂直磁気記録層に垂直磁気記録するように作用してなるように構成される。
【００２３】
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記磁極層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層と、前記記録媒体対向面よりも後退した第１の位置から後方に向かって延在する補助磁極層が積層された積層構造を有してなるように構成される。
また、本発明の磁気記録再生装置の好ましい態様として、前記ライトシールド層は、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から前記第１の位置よりも前方の第２の位置まで延在する第１の磁気遮蔽部分と、当該第１の磁気遮蔽部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から少なくともその前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを、含んでなるように構成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の磁気記録再生装置は、上記のように構成されているために、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、前記ライトシールド層のエッジと前記下部リードシールド層のエッジとが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという極めて優れた効果が発現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２６】
本発明の磁気記録再生装置は、薄膜磁気ヘッドと、記録媒体と、記録媒体を一定方向に回転駆動させるとともに磁気ヘッドを記録媒体の略半径方向に移動可能とするように作用することができる駆動装置本体と、を有し構成されている。
【００２７】
まず、最初に、装置全体の構成を把握するために、磁気記録再生装置の概略構成例の説明を図４および図５に基づいて説明する。
【００２８】
（磁気記録再生装置の概略構成例の説明） 
図４には、本発明の好適な一例である磁気記録再生装置の概略構成斜視図が示されている。図５には、図４の要部を説明するための要部を抽出した平面図が示されている。図４において、記録媒体２０１としてはディスク状の垂直記録媒体が用いられ、この媒体２０１は、スピンドルモータ２０２により回転駆動されるようになっている。
【００２９】
また、記録媒体２０１に対してデータの読み出しや書き込みを行なうために、媒体２０１の外側方向から媒体内側方向に向けて延設されている回動アーム２０４の先端には記録再生用の薄膜磁気ヘッド２０５が設けられている。
【００３０】
回動アーム２０４はロータリーアクチュエータ２０４ａを基点としボイスコイルモータ２０３によって回動されるようになっており、例えば、記録再生用の薄膜磁気ヘッドにより検出されたサーボ信号に基づき磁気ヘッドを所定のトラックに位置決めできるようになっている。スピンドルモータ２０２やボイスコイルモータ２０３等の駆動系が駆動装置本体に含まれる。
【００３１】
記録再生用の薄膜磁気ヘッド２０５は、後に詳述するように、記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部と、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部と、を有している。
【００３２】
薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部（および再生ヘッド部）は、データトラックの円周方向に真っ直ぐ沿って配置された状態でトラックを逸脱することなく記録操作（および再生操作）が行われることが理想的である。しかしながら、実際には、ロータリーアクチュエータ２０４ａを基点として回動する回動アーム２０４の先端に薄膜磁気ヘッド２０５が取り付けられているために、データトラックの円周方向に直交する面を基準とした場合に、磁気ヘッドの位置ずれを示すスキュー角αが発生する。
【００３３】
上述したように、例えば、特定のデータトラックの円周方向に直交する面とのなす角であるスキュー角αが０度となるように設定すると、それ以外のトラックでは必ずスキュー角αが発生する。また、例えば、ディスク状の記録媒体の最内周のデータトラックでスキュー角αを０とした場合、ディスク状の記録媒体の最外周のデータトラックで最大のスキュー角αmaxが生じることとなる。
【００３４】
（記録媒体の説明） 
次いで、記録媒体の構成について説明する。
【００３５】
ディスク状の記録媒体２０１は、通常、記録再生のためのデータトラック群であるデータ情報記録部と、サーボ信号が記録された領域であるサーボ用情報部を備えている。データ情報記録部には、同心円状（あるいは螺旋状）に配置されたデータトラックが存在しており、サーボ用情報部には所定配置された複数のサーボトラックが存在している。
【００３６】
データトラックが形成されている箇所の記録媒体の構造は、例えば、基板と、この基板の上に形成された軟磁性層（いわゆる裏打ち層）と、この軟磁性層の上に形成された垂直磁気記録層を有して構成されている。
【００３７】
基板としては、ガラス基板、ＮｉＰ被着アルミ合金基板、Ｓｉ基板などが好適に用いられる。軟磁性層としては、ＣｏＺｒＮｂ合金、Ｆｅ系合金、Ｃｏ系アモルファス合金、軟磁性／非磁性層の多層膜、軟磁性フェライト等が好適に用いられる。垂直磁気記録層（データトラック）としては、ＳｉＯ2の酸化物系材料の中にＣｏＰｔなどの強磁性粒子をマトリックス状に含有させた媒体や、ＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ合金、Ｃｏ／Ｐｄ系の人工格子型多層合金などが好適に用いられる。また、軟磁性層の下には、配向層としては、例えば、軟磁性層のトラック幅方向への磁気異方性磁界を付与するためのＰｔＭｎ等の反強磁性材料や、その他、配向を制御するための非磁性合金を用いることができる。
【００３８】
また、軟磁性層と垂直磁気記録層との間には、垂直磁気記録層の垂直磁気異方性および結晶粒径を制御するための中間層を設けることが望ましい。中間層としては、例えば、Ｒｕ、ＣｏＴｉ非磁性合金や、その他、同様な作用をする非磁性金属、合金、もしくは低透磁率の合金などを例示することができる。また、垂直磁気記録層の上には、通常、カーボン薄膜等の保護層が形成される。
【００３９】
〔薄膜磁気ヘッド全体の構成の一例の説明〕 
次いで、図１〜図３を参照しつつ、薄膜磁気ヘッド全体の構成の一例を説明する。
【００４０】
図１には薄膜ヘッド全体の断面構成図が示されており、図１（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面構成図（ＸーＺ面に沿った断面）であり、図１（Ｂ）は、エアベアリング面に垂直な断面構成図（ＹーＺ面に沿った断面）である。図２は主要部の平面構成図（Ｚ軸方向からみた平面構成図）であり、図３は主要部の露出面を拡大した平面構成図（Ｙ軸方向からみた平面構成図）である。なお、図１に示される上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示していない）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００４１】
以下の説明において、図１〜図３に示されるＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側（奥域側）を「後方」と表記する。
【００４２】
薄膜磁気ヘッドは、前述したように媒体進行方向Ｍに移動する例えばハードディスクなどの記録媒体に磁気的な処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されて使用される。
【００４３】
例えば、図面に例示されている薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能ないわゆる複合型ヘッドであり、その構造は、図１に示されるように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）などのセラミック材料より構成された基板１の上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3；以下単に「アルミナ」と称す）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ:Magneto-Resistive）効果を利用して記録された磁気情報の再生処理を行う再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層９と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層２４とが、この順に積層された構成を有している。
【００４４】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層３０とがこの順に積層された積層構造を有している。シールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）７０に一端面が露出するように、再生素子としての磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）８が埋設されている。
【００４５】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層３０は、いずれもＭＲ素子を周辺から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面７０から後方に向かって延在するように形成されている。下部リードシールド層３は、例えば、ニッケル鉄合金であるパーマロイ（Ｎｉ（８０ｗｔ％）Ｆｅ（２０ｗｔ％））などの軟磁性材料から構成されている。その厚さは、１．０〜２．０μｍ程度とされる。
【００４６】
上部リードシールド層３０は、本実施形態の場合、厚さ方向に非磁性層６を介して２つのシールド層５、７に分割されている。すなわち、シールドギャップ膜４に近い側から順に、上部第１リードシールド層５と、非磁性層６と、上部第２シールド層７が順次積層された構造を有している。
【００４７】
上部第１リードシールド層５は、例えばパーマロイなどの磁性材料により構成されており、その厚さは例えば１．５μｍ程度とされる。上部第２リードシールド層７も同様に例えばパーマロイなどの磁性材料により構成されており、その厚さは例えば１．１μｍ程度とされる。非磁性層６は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）やアルミナなどの非磁性材料により構成されており、その厚さは例えば０．２μｍ程度とされる。
【００４８】
なお、上部リードシールド層３０は、本実施形態のように必ずしも積層構造を有している必要はなく、下部リードシールド層３のごとく単層構造であってもよい。
【００４９】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子８を周辺から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性材料により構成されている。
【００５０】
ＭＲ素子は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistive）効果などを利用して再生処理を実行するように作用する。ＧＭＲ素子の代わりに、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＴＭＲ（トンネリング磁気抵抗効果）素子を用いてもよい。
【００５１】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層１１，１２，１３により周辺を埋設された１段目の薄膜コイル１０と、非磁性層１４と、絶縁層１６により部分的に周囲を埋設された磁極層４０と、ギャップ層１７と、磁気連結用の開口部（バックギャップ５０ＢＧ）を構成する絶縁層５０により埋設された２段目の薄膜コイル２２と、ライトシールド層６０とが順次積層された積層構造を有している。
【００５２】
なお、図２においては、主に、記録ヘッド部１００Ｂのうちの主要部（薄膜コイル１０，２２、磁極層４０、ライトシールド層６０）のみを抜粋して示している。
【００５３】
薄膜コイル１０は、主に、薄膜コイル２２において発生した記録用の磁束の漏洩を抑制するために漏洩抑制用の磁束を発生させるものである。この薄膜コイル１０は、例えば、銅などの高導電性材料により構成されており、その厚さは例えば２．０μｍ程度とされる。
特に、薄膜コイル１０は、例えば、図１および図２に示されるように、バックギャップ５０ＢＧを中心として巻回するスパイラル構造を有しており、薄膜コイル１０では、例えば、薄膜コイル２２において電流が流れる方向と逆の方向に電流が流れるように操作される。なお、図１および図２では、薄膜コイル１０の巻回数（ターン数）が５ターンである場合が示されているが、これはあくまで例示であり巻回数は、適宜、変更することができる。薄膜コイル１０のターン数は、薄膜コイル２２のターン数と一致しているのが好ましく、例えば２〜７ターンが好適な範囲とされる。ヘリカルコイルでも良い。
【００５４】
絶縁層１１，１２，１３は、薄膜コイル１０を周囲から電気的に分離するように形成されている。絶縁層１１は、薄膜コイル１０の各巻線間を埋め込むように形成されるとともに、その薄膜コイル１０の周囲を被覆するように形成されている。この絶縁層１１は、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストやスピンオングラス（ＳＯＧ; Spin On Glass）などの非磁性材料により構成されている。厚さは例えば２．０μｍ程度である。
【００５５】
本実施の形態において、絶縁層１１は、図１に示されるように薄膜コイル１０の側方のみを被覆し、その上方は被覆しないように形成されている。
【００５６】
絶縁層１２は、絶縁層１１の周囲を被覆するように形成されており、この絶縁層１２は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成される。その厚さは、例えば２．０μｍ程度とされる。
【００５７】
絶縁層１３は、薄膜コイル１０とともに、絶縁層１１，１２をそれぞれ被覆するように配設されている。この絶縁層１３は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成される。その厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。
【００５８】
非磁性材料１４は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料やルテニウムなどの非磁性導電性材料により形成される。その厚さは、例えば１．０μｍ程度とされる。
【００５９】
磁極層４０は、主として薄膜コイル２２において発生した磁気記録用の磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を行うように作用する。より具体的には、垂直記録方式の記録処理として記録用の磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させるものである。
【００６０】
このような磁極層４０は、薄膜コイルのリーディング側に配設されており、エアベアリング面７０から後方に向かって延在し、より具体的にはバックギャップ５０ＢＧまで延在している。この「リーディング側」とは、図１に示される媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上流側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下流側をいう。
【００６１】
本発明の実施形態における磁極層４０は、図１に示されるように、主磁極層１５および補助磁極層１９がこの順に積層されることにより互いに連結された構造を有している。すなわち、リーディング側に主磁極層１５が配設され、トレーリング側に補助磁極層１９が配設された積層構造（２層構造）を有している。
【００６２】
主磁極層１５は、主要な書き込み用の磁束の放出部分として機能するものである。この主磁極層１５は、リーディング側においてエアベアリング面７０から後方に向かって延在し、より具体的にはバックギャップ５０ＢＧまで延在している。その厚さは、例えば０．２５μｍ程度とされる。このような主磁極層１５は、例えば、補助磁極層１９を構成している磁性材料よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、具体的には鉄系合金などにより構成される。使用される鉄系合金としては、例えば、鉄（Ｆｅ）がリッチな鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。
【００６３】
なお、上記の「連結」とは、単に物理的に接触して連結されているだけでなく、物理的に接触して連結された上で磁気的に導通可能に連結されていることを意味している。
【００６４】
主磁極層１５は、例えば、図２に示されるように全体として羽子板型の平面形状をなして構成されている。すなわち、主磁極層１５は例えば、エアベアリング面７０から順に、そのエアベアリング面７０から後方に向かって延在し、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１５Ａと、その先端部１５Ａの後方に連結され、幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１５Ｂとを含んで構成されている。この主磁極層１５の幅が先端部１５Ａ（幅Ｗ１）から後端部１５Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの一つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００６５】
先端部１５Ａは、主に、薄膜コイル２２において発生した記録用の磁束を記録媒体に向けて実質的に放出する部分であり、図２に示されるように、エアベアリング面７０に露出した露出面１５Ｍを有している。この露出面１５Ｍは、例えば、図３に示されるようにトレーリング側に位置する上端縁（一方の端縁）Ｅ１と、リーディング側に位置する下端縁（他方の端縁）Ｅ２と、２つの側端縁Ｅ３とにより規定された平面形状を有している。具体的には、露出面１５Ｍは、例えば、トレーリング側からリーデング側に向かって次第に幅が狭まる台形形状を有している（Ｗ１＞Ｗ４）。
【００６６】
先端部１５ＡのトレーリングエッジＴＥは、磁極層４０のうちの実質的な記録箇所である。なお、露出面１５Ｍの平面形状において、下端縁Ｅ２の延在方向と側端縁Ｅ３との間の角度θは、例えば、９０°未満の範囲内において自由に設定可能である。
【００６７】
図２に示される後端部１５Ｂは、補助磁極層１９に収容された磁束を収容して先端部１５Ａへ供給する部分である。この後端部１５Ｂの幅は、例えば後方において一定（幅Ｗ２）であり、前方において先端部１５Ａに近づくにつれ幅Ｗ２から幅Ｗ１に次第に狭まっている。
【００６８】
補助磁極層１９は、主要な磁束の収容部分として機能するものである。この補助磁極層１９は、例えば、エアベアリング面７０よりも後退した位置Ｐ１（第１の位置）から後方に向かって延在している。より具体的には、バックギャップ５０ＢＧにおいて、主磁極層１５よりも後方まで延在しており、その厚さは、例えば０．４５μｍ程度とされる。特に、補助磁極層１９は、例えば、主磁極層１５を構成している磁性材料よりも低い飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。好適な具体例としては、鉄コバルトニッケル合金を例示することができる。
【００６９】
補助磁極層１９は、例えば、図２に示されるように幅Ｗ２を有する矩形の平面形状を有している。特に、補助磁極層１９は、例えば、図１に示されるように絶縁層５０のうちの後述する補助絶縁層２０およびライトシールド層６０のうちの後述するＴＨ規定層１８とともに平坦化されている。すなわち、補助磁極層１９のうちのトレーリング側の端面は、補助絶縁層２０のうちのトレーリング側の端面およびＴＨ規定層１８のうちのトレーリング側の端面とともに平坦面ＨＭを構成している。
【００７０】
絶縁層１６は、主磁極層１５を周囲から電気的に分離するものである。この絶縁層１６は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは、例えば０．２５μｍ程度とされる。
【００７１】
ギャップ層１７は、磁極層４０とライトシールド層６０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するように形成されている。ギャップ層１７は、例えば、図１に示されるように補助磁極層１９の配設領域を除いて、主磁極層１５に隣接しながらエアベアリング面７０から後方に向かって延在するように形成されている。特に、ギャップ層１７は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料やルテニウムなどの非磁性導電性材料により構成されており、その厚さは０．０３〜０．１程度に設定される。
【００７２】
絶縁層５０は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を決定する重要な因子のうちの一つであるスロートハイトＴＨを規定するとともに、薄膜コイル２２を被覆することにより周囲から電気的に分離するように形成される。絶縁層５０は、図１に示されるように、スロートハイトＴＨを実質的に規定するように形成された補助絶縁層２０（第１の絶縁層部分）と、薄膜コイル２２を実質的に被覆するように形成された主絶縁層２１（第２の絶縁層部分）とがこの順に積層された構造をなしている。つまり、リーディング側に補助磁極層２０が配設され、トレーリング側に主絶縁層２１が配設された積層構造（２層構造）を有している。
【００７３】
補助絶縁層２０は、図１に示されるように、ギャップ層１７に隣接しながら、エアベアリング面７０よりも後退した位置、すなわち、エアベアリング面７０と位置Ｐ１との間の位置Ｐ２（第２の位置）から後方の位置Ｐ１まで延在している。そして、補助絶縁層２０は、位置Ｐ１において補助磁極層１９に隣接しているとともに、位置Ｐ２においてライトシールド層６０（後述するＴＨ規定層１８）に隣接するように形成されている。特に、本実施の形態において、補助磁極層２０は、補助磁極層１９およびＴＨ規定層１８とともに平坦面ＨＭを構成している。
【００７４】
上記の「位置Ｐ２」は、絶縁層５０の最前端位置（エアベアリング面７０に最も近い位置）に相当している。すなわち、スロートハイトＴＨを規定するための「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。そのスロートハイトＴＨは、エアベアリング面７０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離である。この補助絶縁層２０は、例えば、アルミナ等の非磁性絶縁材料により構成されている。なお、図１および図２に示される実施形態では、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合が示されている。
【００７５】
主絶縁層２１は、図１に示されるように、補助絶縁層２０のうちの平坦面ＨＭに隣接しながら、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間の位置Ｐ３（第３の位置）から後方に向かって延在している。より具体的にはバックギャップ５０ＢＧを塞がないように延在しており、主絶縁層２１は、補助磁極層２０よりも後退している。この主絶縁層２１は、例えば図１に示されるように補助絶縁層２０のうちの平坦面ＨＭ上に薄膜コイル２２の下地として配設された主絶縁層部分２１Ａと、薄膜コイル２２およびその周辺の主絶縁層部分２１Ａを被覆するように配設された主絶縁層部分２１Ｂと、を含んで構成されている。
【００７６】
主絶縁層部分２１Ａは、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成されており、その厚さは例えば０．２μｍ程度とされる。
【００７７】
主絶縁層部分２１Ｂは、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストやスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁性材料から構成される。この主絶縁層部分２１Ｂの端縁近傍部分は、その端縁に向けて落ち込むように丸みを帯びた斜面を構成している。
【００７８】
薄膜コイル２２は、記録用の磁束を発生させるために形成されている。薄膜コイル２２は、例えば、前述した薄膜コイル１０において電流が流される方向と逆方向に電流が流れるように操作される。
【００７９】
ライトシールド層６０は、磁極層４０から放出された記録用の磁束の広がり成分を取り込むことにより、その磁束の広がりを抑制するように作用する。このライトシールド層６０は、磁極層４０および薄膜コイル２２のトレーリング側に配設されており、エアベアリング面７０から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面７０に近い側においてギャップ膜１７により磁極層２０から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップ５０ＢＧを通じて磁性層４０に連結されている。
【００８０】
本実施形態におけるライトシールド層６０は、互いに別体をなすＴＨ規定層１８（第１の磁気遮蔽層部分）およびヨーク層２３（第２の磁気遮蔽部分）と含み、これらのＴＨ規定層１８およびヨーク層２３が互いに連結された構造を有している。なお、ライトシールド層６０は、図示のごとく連結構造に限定されることなく一体化物であってもよい。
【００８１】
ＴＨ規定層１８は、磁極から直接放出される磁束のうち、余分な磁束を取り込む主要な磁束の取り込み口として機能するものである。このＴＨ規定層１８は、例えば、図１に示したようにギャップ層１７に隣接しながら、エアベアリング面７０から後方の位置、より具体的には位置Ｐ１よりも前方の位置Ｐ２まで延在しており、その位置Ｐ２において絶縁層５０のうちの補助絶縁層２０に隣接している。
【００８２】
ＴＨ規定層１８は、例えば、パーマロイまたは鉄系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、図２に示されるように磁極層４０の幅Ｗ２よりも大きな幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状をなしている。特に、ＴＨ規定層１８は、例えば、上記したように、補助磁極層１９および補助絶縁層２０とともに、平坦面ＨＭを構成している。すなわち、ＴＨ規定層１８のうちのトレーリング側の端面は、補助磁極層１９のうちのトレーリング側の端面および補助絶縁層２０のうちのトレーリング側の端面の双方のともに平坦面ＨＭを構成している。上述したように、ＴＨ規定層１８が位置Ｐ２において補助絶縁層２０に隣接していることから、そのＴＨ規定層１８は、絶縁層５０の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＨ）を規定することにより、実質的にスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００８３】
ヨーク層２３は、ＴＨ規定層１８から取り込まれた磁束の流路として機能するように構成されている。さらには、媒体の裏打ち層から磁束が戻るリターンヨークとしても機能するように構成されている。ヨーク層２３は、例えば図１に示されるように、ＴＨ規定層１８に乗り上げながら、エアベアリング面７０から絶縁層５０上を経由して少なくともバックギャップ５０ＢＧまで延在している。すなわち、ヨーク層２３は、前方においてＴＨ規定層１８に乗り上げることにより連結されているとともに、後方においてはバックギャップ５０ＢＧを通じて、磁極層４０に隣接することによって連結されている。
【００８４】
本実施例においてヨーク層２３は、例えば、バックギャップ５０ＢＧにおいて磁極層４０に連結されつつ、そのバックギャップ５０ＢＧよりも後方まで延在している。このようなヨーク層２３は、例えば、ＴＨ規定層１８を構成している磁性材料と同様の磁性材料により構成されとともに、図２に示されるように、幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
【００８５】
上述してきたような薄膜磁気ヘッドでは、例えば、図１に示されるように、記録性能を確保するために、特定の構成要素に基づいて規定される一定の寸法を適正化することが望ましい。具体的には、エアベアリング面７０に対する補助磁極１９の後退距離、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ１との間の距離Ｌ１は、０．８〜７．１μｍとすることが望ましい。また、エアベアリング面７０に対する主絶縁層２１の後退距離、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ３との間の距離Ｌ３は、ＴＨ規定層１８の長さ、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ２との間の距離Ｌ２よりも大きくなっている（Ｌ３＞Ｌ２）。この距離Ｌ３が距離Ｌ２よりも大きい構造的関係に基づき、ライトシールド層６０では、ヨーク層２３のうちのＴＨ規定層１８に隣接する部分の長さ（すなわち距離Ｌ３）が、ＴＨ規定層の長さ（すなわち距離Ｌ２）よりも大きくなっている。すなわち、ライトシールド層６０においてＴＨ規定層１８を経由してヨーク層２３へ磁束が取り込まれた際に、その磁束がライトシールド層６０内を流れる磁路が段階的に拡張されている。
【００８６】
なお、上述してきた薄膜磁気ヘッドの全体構造は、記載された構造に限定されるものではなく、種々のモディファイが可能である。
【００８７】
上述してきた薄膜磁気ヘッドの好適な全体構造において、本発明が特に構造的に主張すべき発明の要部について、以下、詳細に説明する。
【００８８】
〔本発明の要部であるライトシールド層６０の説明〕 
本発明の要部は、記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部と、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部と、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極層と連結されて記録ヘッド部の要部を構成するライトシールド層の幅と、再生ヘッド部において磁気抵抗素子を磁気的に遮蔽するために上下に配置された上部リードシールド層および下部リードシールド層の幅との関係を、最大スキュー角αmaxを考慮にいれて、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないように設定しているところにある。端的に言えば、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層のエッジと、上部リードシールド層および下部リードシールド層のエッジとが同じトラック上で重ならないように設定されているのである。
【００８９】
以下、図６〜図１５に示される各実施形態ごとに分けて詳細に説明する。
【００９０】
図６〜図１５はエアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（図１（Ａ）と同様）。これらの図面には、発明の要部であるライトシールド層と、実質的な上部リードシールドと、下部リードシールド層と、主磁極層１５と、ＭＲ素子８とが記載されている。なお、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示していない）が相対的に移動する方向は、図面の下方から上方であり（図１（Ａ）の矢印Ｍを参照）、図面に示される各層の厚さにおける下方側がリーディング側、上方側がトレーリング側に相当する。
【００９１】
（１）第１の実施形態（図６相当） 
再生ヘッド部において磁気抵抗素子（ＭＲ素子８）を磁気的に遮蔽するための上部リードシールド層５（図１における上部第１リードシールド層５と同義）および下部リードシールド層３が上下に配置された形態である。この実施形態においては、図１（Ａ）、（Ｂ）における非磁性層６および上部第２シールド層７は存在していない。図１における上部リードシールド層３０が単に、上部第１リードシールド層５から形成されているシンプルな実施形態である。
【００９２】
図１や図６からもわかるように、下部リードシールド層３は、ライトシールド層６０との厚さ方向の距離において、上部リードシールド層５からライトシールド層６０との厚さ方向の距離よりも遠くに離れた位置関係にある。また、これらのシールド層５、７、６０は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在している。「エアベアリング面に実質的に存在する」とは、エアベアリング面に保護膜等が被覆形成されている場合をも考慮した表現である。
【００９３】
図６に示されるように、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部リードシールド層５の幅をＷssとした場合、第１の実施形態では、Ｗws＜Ｗsf＝Ｗssである。
【００９４】
そして、図６に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＜Ｗsf−２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【００９５】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【００９６】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。
【００９７】
このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図６に示される第１の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【００９８】
なお、図６の場合、Ｗws＜Ｗsf＝Ｗssであるが、これらの関係は、Ｗws＜Ｗss＜Ｗsfであってもよい。また、Ｗws＜Ｗsf＜Ｗssであってもよい。
【００９９】
（２）第２の実施形態（図７相当） 
図７に示されるように、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部リードシールド層の幅をＷssとした場合、第２の実施形態では、Ｗws＞Ｗsf＝Ｗssである。
【０１００】
そして、図７に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＞Ｗsf＋２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【０１０１】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１０２】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図７に示される第２の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１０３】
なお、図７の場合、Ｗws＞Ｗsf＝Ｗssであるが、これらの関係は、Ｗws＞Ｗss＞Ｗsfであってもよい。また、Ｗws＞Ｗsf＞Ｗssであってもよい。
【０１０４】
（３）第３の実施形態（図８相当） 
図８に示される第３の実施形態が、図６に示される第１の実施形態と異なるのは、上部リードシールド層が厚さ方向に非磁性層を介して２つのシールド層５、７に分割されたのごとく形態をとり、下側から、上部第１リードシールド層５および上部第２リードシールド７層を有している点にある。すなわち、図８に示される第３の実施形態は、図１に示される形態と同じであり、上部リードシールド層が２つのシールド層５、７を備えて構成されている。
【０１０５】
図８に示されるように、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第３の実施形態では、Ｗws＜Ｗsf＝Ｗss1＝Ｗss2である。
【０１０６】
そして、図８に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＜Ｗsf−２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【０１０７】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１０８】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図８に示される第３の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１０９】
なお、図８の場合、Ｗws＜Ｗsf＝Ｗss1＝Ｗss2であるが、これらの関係は、Ｗws＜Ｗss1＝Ｗss2＜Ｗsfであってもよい。また、Ｗws＜Ｗss1＜Ｗss2＜Ｗsfや、Ｗws＜Ｗss2＜Ｗss1＜Ｗsfであってもよい。
【０１１０】
（４）第４の実施形態（図９相当） 
図９に示されるように、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第３の実施形態では、Ｗws＞Ｗsf＝Ｗss1＝Ｗss2である。
【０１１１】
そして、図９に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＞Ｗsf＋２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【０１１２】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１１３】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図９に示される第４の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１１４】
なお、図９の場合、Ｗws＞Ｗsf＝Ｗss1＝Ｗss2であるが、これらの関係は、Ｗws＞Ｗsf＞Ｗss1＝Ｗss2であってもよい。また、Ｗws＞Ｗsf＞Ｗss1＞Ｗss2や、Ｗws＞Ｗsf＞Ｗss2＞Ｗss1であってもよい。
【０１１５】
（５）第５の実施形態（図１０相当） 
図１０に示される第５の実施形態が、図８に示される第３の実施形態と異なるのは、図１０に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、下部リードシールド層３の幅が最も大きい点にある。
【０１１６】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第５の実施形態では、Ｗws＜Ｗss2＜Ｗss1＜Ｗsfである。
【０１１７】
そして、図１０に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＜Ｗsf−２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【０１１８】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１１９】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１０に示される第５の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１２０】
この図１０に示される第５の実施形態は、最も好適な態様の範疇に入るものである。
【０１２１】
（Ｗss2＜Ｗss1とすることが好ましい理由）  
下部リードシールド層３と上部第１リードシールド層５は、リーダーであるＭＲ素子８のシールドであるために寸法の精度が求められる。それゆえ、下部リードシールド層３と上部第１リードシールド層５は、ＣＰＭ処理を使って、平らな面を作った後に形成される。平らな面の上への形成のために、幅の大きさに特に制限はない。この一方で、上部第２リードシールド層７は、高い精度は要求されない。そのために、通常、上部第１リードシールド層５を形成した後に、ＣＰＭ処理をしないでそのまま、上部第１リードシールド層５の上に絶縁層を形成し、この絶縁層の上に上部第２リードシールド層７が形成される。上部第１リードシールド層５の段差が存在するために、上部第２リードシールド層７は、上部第１リードシールド層５よりも一回り小さい形状で作ることが好ましい。
【０１２２】
（Ｗss1＜Ｗsfとすることが好ましい理由）  
下部リードシールド層３の幅Ｗsfが、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1よりも広い場合（Ｗss1＜Ｗsf）のほうが、この逆の場合よりも（Ｗss1＞Ｗsf）、書き込み磁界の増加が抑えられることが実験的に確認されているからである。
【０１２３】
（６）第６の実施形態（図１１相当） 
図１１に示される第６の実施形態が、図９に示される第４の実施形態と異なるのは、図１０に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、下部リードシールド層３の幅が最も大きい点にある。
【０１２４】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第６の実施形態では、Ｗss2＜Ｗss1＜Ｗsf＜Ｗwsである。
【０１２５】
そして、図１１に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と下部リードシールド層３の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸである場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＞Ｗsf＋２Ｘ・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および下部リードシールド層３の幅Ｗsfが設定される。
【０１２６】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１２７】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´とは、図示のごとく下部リードシールド層３の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１１に示される第６の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１２８】
（７）第７の実施形態（図１２相当） 
図１２に示される第７の実施形態が、図１０に示される第５の実施形態と異なるのは、図１２に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、中央に位置する上部第１リードシールド層５の幅が最も大きい点にある。
【０１２９】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第７の実施形態では、Ｗws＜Ｗss2＝Ｗsf＜Ｗss1である。
【０１３０】
そして、図１２に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と上部第１リードシールド層５の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ1である場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＜Ｗss1−２Ｘ1・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1が設定される。
【０１３１】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１３２】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とは、図示のごとく上部第１リードシールド層５の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１２に示される第７の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１３３】
なお、図１２の場合、Ｗws＜Ｗss2＝Ｗsf＜Ｗss1であるが、これらの関係は、Ｗws＜Ｗss2＜Ｗsf＜Ｗss1や、Ｗws＜Ｗsf＜Ｗss2＜Ｗss1であってもよい。
【０１３４】
（８）第８の実施形態（図１３相当） 
図１３に示される第８の実施形態が、図１１に示される第６の実施形態と異なるのは、図１３に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、中央に位置する上部第１リードシールド層５の幅が最も大きい点にある。
【０１３５】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第８の実施形態では、Ｗss2＝Ｗsf＜Ｗss1＜Ｗwsである。
【０１３６】
そして、図１３に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と上部第１リードシールド層５の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ1である場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＞Ｗss1＋２Ｘ1・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1が設定される。
【０１３７】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１３８】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´とは、図示のごとく上部第１リードシールド層５の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１３に示される第８の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１３９】
なお、図１３の場合、Ｗss2＝Ｗsf＜Ｗss1＜Ｗwsであるが、これらの関係は、Ｗss2＜Ｗsf＜Ｗss1＜Ｗwsや、Ｗsf＜Ｗss2＜Ｗss1＜Ｗwsであってもよい。
【０１４０】
（９）第９の実施形態（図１４相当） 
図１４に示される第９の実施形態が、図１２に示される第７の実施形態と異なるのは、図１４に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、最も上部に位置する上部第２リードシールド層７の幅が最も大きい点にある。
【０１４１】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第９の実施形態では、Ｗws＜Ｗss1＝Ｗsf＜Ｗss2である。
【０１４２】
そして、図１４に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と上部第２リードシールド層７の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ2である場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＜Ｗss2−２Ｘ2・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2が設定される。
【０１４３】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１４４】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、上部第２リードシールド層５の幅Ｗss2の両端部７´、７´とは、図示のごとく上部第２リードシールド層７の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１４に示される第９の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１４５】
なお、図１４の場合、Ｗws＜Ｗss1＝Ｗsf＜Ｗss2であるが、これらの関係は、Ｗws＜Ｗss1＜Ｗsf＜Ｗss2や、Ｗws＜Ｗsf＜Ｗss1＜Ｗss2であってもよい。ただし、製法上はあまり好ましいものではない。
【０１４６】
（１０）第１０の実施形態（図１５相当） 
図１５に示される第１０の実施形態が、図１３に示される第８の実施形態と異なるのは、図１５に示されるように、３つのリードシールド層３，５，７の中で、最も上部に位置する上部第２リードシールド層７の幅が最も大きい点にある。
【０１４７】
すなわち、ライトシールド層６０の幅をＷws、下部リードシールド層３の幅をＷsf、上部第１リードシールド層５の幅をＷss1、上部第２リードシールド層７の幅をＷss2とした場合、第７の実施形態では、Ｗss1＝Ｗsf＜Ｗss2＜Ｗwsである。
【０１４８】
そして、図１５に示されるライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´とを結んで描かれる四角形が、２つの底角が等しい正則の台形形状をなしており、ライトシールド層６０と上部第２リードシールド層７の厚さ方向の最大距離（台形の高さに相当）がＸ2である場合、最大スキュー角αmaxとの関係において、
Ｗws＞Ｗss2＋２Ｘ2・ｔａｎαmax 
の条件を満たすように、ライトシールド層６０の幅Ｗws、および上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2が設定される。
【０１４９】
このような条件を満たすことにより、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´と、上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´とが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという効果が発現する。
【０１５０】
本発明において、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´とは、図示のごとくライトシールド層６０の厚さ方向のトレーリング側のエッジである。また、上部第２リードシールド層５の幅Ｗss2の両端部７´、７´とは、図示のごとく上部第２リードシールド層７の厚さ方向のリーディング側のエッジである。このような特定のエッジに注目する理由は以下の通りである。すなわち、本発明者らが、図１５に示される第１０の実施形態において、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加えた際に、各シールド層から発生する磁界分布を測定したところ、上記の特定のエッジの箇所における磁界が特に大きな値を示すことが確認できたからである。
【０１５１】
なお、図１５の場合、Ｗss1＝Ｗsf＜Ｗss2＜Ｗwsであるが、これらの関係は、Ｗss1＜Ｗsf＜Ｗss2＜Ｗwsや、Ｗsf＜Ｗss1＜Ｗss2＜Ｗwsであってもよい。
【０１５２】
なお、本発明においては、エアベアリング面におけるライトシールド層およびリードシールド層の各幅方向の両端部のエッジをカットする工夫や、各幅方向の両端部を部分的に厚さ方向に肉厚にする工夫をすることによって、本発明の効果をより一層高めることが可能となる。
【実施例】
【０１５３】
＜実験例Ｉ＞
まず、最初に、有限要素法を用いて磁束がシールド層のエッジに集中する現象を把握するために、４つのシールド層の中で一つだけ幅が極端に突出して大きいシールド層を有するモデルを作製した。外部磁場はメディアに垂直に５０Ｏｅ入力した。
【０１５４】
各モデルにおいて、最も幅の大きいシールドは、他のシールドと比較して、５μｍほど大きく設定した。なお、３μｍを超えると、エッジ部への磁束集中が急激に多くなることが確認されている。
【０１５５】
ちなみに、通常の磁気ヘッドにおいて、最も幅の大きいシールドが存在したとしても、他のシールドと比較して、２．５μｍほど大きくなる程度とすることが一般的である（図６〜図１５が該当）。
【０１５６】
・モデル１…上述した第４の実施形態（図９相当）をモディファイして、ライトシールド層６０の幅を極端に大きくした（５μｍほど幅を大きくした）モデルを作製した。
【０１５７】
・モデル２…上述した第５の実施形態（図１０相当）をモディファイして、下部リードシールド層３の幅を極端に大きくした（５μｍほど幅を大きくした）モデルを作製した。
【０１５８】
・モデル３…上述した第７の実施形態（図１２相当）をモディファイして、上部第１リードシールド層５の幅を極端に大きくした（５μｍほど幅を大きくした）モデルを作製した。
【０１５９】
・モデル４…上述した第９の実施形態（図１４相当）をモディファイして、上部第２リードシールド層７の幅を極端に大きくした（５μｍほど幅を大きくした）モデルを作製した。
【０１６０】
このようなモデル１〜４について、磁気ヘッドの長さ方向後部からエアベアリング面方向、かつ、記録媒体方向へ向けて、外部磁界を加え、各シールド層から発生する磁界分布を計算した。磁界分布の計算要領は下記のとおりとした。
【０１６１】
上記に説明した薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）の全体構造において、ライトシールド層６０およびリードシールド層３、５、７等の構成（特に、互いの関与する幅の関係）を上記のモデル１〜４（図１９〜図２２）のごとく設定した。
【０１６２】
ライトシールド層の材質はＣｏＦｅＮｉとし、リードシールド層の材質はＮｉ80Ｆｅ20とした。
【０１６３】
モデル１〜４について、図１６に示されるような記録媒体２０１（ハードディスク２０１）との配置関係および、下記の条件設定の基に各シールド層のエアベアリング面において、同じ磁化量で磁化されている領域の分布を求めた。すなわち、等磁化量曲線の分布を求めた。
【０１６４】
（条件設定）
外部磁場による消磁の原因となる磁場は、ＷｒｉｔｅｒとＲｅａｄｅｒは勿論、記録媒体（メディア）のいわゆる裏打ち層２０１ｂ（垂直磁気記録層２０１ａの下に敷設されている軟磁性下地層２０１ｂ）までの距離や裏打ち層の膜厚や飽和磁束密度Ｂｓにも影響される。なお、図１６中の図面の右方から左方に向けて流れる点線の流れ群は磁束の流れを模式的に示したものである。この図に示されるように、ライトシールド層６０のエアベアリング面およびリードシールド層３，５のエアベアリング面（ＡＢＳ）には磁束が集中する。符号２０１ｃは基板を示している。
【０１６５】
記録媒体（メディア）等の条件は以下のように設定した。
・外部磁場の方向：記録媒体（メディア）に対して垂直方向
・外部磁場の強度：４０００〔Ａ／ｍ〕
・記録媒体の裏打ち層の飽和磁束密度Ｂｓ：１．０〔Ｔ〕
・記録媒体の裏打ち層の膜厚：１００〔ｎｍ〕
・ヘッドと記録媒体の裏打ち層との距離：ＡＢＳから５０〔ｎｍ〕
・計算している位置：ＡＢＳから記録媒体（メディア）側へ２０ｎｍの位置
【０１６６】
これらの条件下の基に、シュミレーションにより、ライトシールド層のエアベアリング面の両端部およびリードシールド層のエアベアリング面の両端部において、同じ磁化量で磁化されている領域の分布を求めた。
【０１６７】
得られた等磁化量曲線の分布を特許図面として分かりやすくトレースして、図１９〜図２２に表示した。これらの各図について以下説明する。
【０１６８】
モデル１における等磁化量曲線の分布のイメージが図１９に示される。図１９に示されるごとく、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの端部６０´で磁界分布のピークが存在し、その値は２４５０  Ｏｅであり、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの端部３´で磁界分布のピークが存在し、その値は、１５３０  Ｏｅであった。
【０１６９】
モデル２における等磁化量曲線の分布のイメージが図２０に示される。図２０に示されるごとく、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの端部６０´磁界分布のピークが存在し、その値は１６９０  Ｏｅであり、下部リードシールド層３の幅Ｗsfの端部３´で磁界分布のピークが存在し、その値は、２３５０  Ｏｅであった。
【０１７０】
モデル３における等磁化量曲線の分布のイメージが図２１に示される。図２１に示されるごとく、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの端部６０´で磁界分布のピークが存在し、その値は１６４０  Ｏｅであり、上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の端部５´で磁界分布のピークが存在し、その値は、２３００  Ｏｅであった。
【０１７１】
モデル４における等磁化量曲線の分布のイメージが図２２に示される。図２２に示されるごとく、ライトシールド層６０の幅Ｗwsの端部６０´で磁界分布のピークが存在し、その値は１８２０  Ｏｅであり、上部第２リードシールド層７の幅Ｗss2の端部７´で磁界分布のピークが存在し、その値は、２１１０  Ｏｅであった。
【０１７２】
これらの図面から磁束がシールド層のエッジに集中していることがわかる。
【０１７３】
また、シールドが飽和しない限りは材料のエッジでの書き込みの差は生じないので、どのような磁性材料であってもよい。基本的にシールドは大面積で構成されているので飽和することはないと考えられる。しかしながら、万が一、シールドが飽和するとシールド機能そのものの機能がなくなるので、外部磁場が大きいことが予想される場合には、飽和磁束密度Ｂｓのより高い材料を設定して使用するようにすればよい。
【０１７４】
＜実験例ＩＩ＞
上記説明した薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）の全体構造において、所定のライトシールド層６０およびリードシールド層３、５、７を設けたサンプルを用い、さらに、記録媒体（メディア）に垂直方向に３００  Ｏｅ（２３８７０Ａ／ｍ）の大きな外部磁場をかけた際に、前もって書き込んだ出力（初期値１００％）がTrack Eraserにより劣化し、どの程度の出力（％）を保持しているかを示すTrack Eraser率（％）、（ＴＥ率（％））を求めた。ＴＥ率（％）の値が大きいほどTrack Eraserの影響を受けておらず、良好な状態であることを示す。
【０１７５】
なお、本願発明の概念が容易に理解できるように、図１７および図１８には、スキュー角を考慮することなく、本願発明の現象を実験的に示したデータ（横軸：各シールドの位置、縦軸：Track Eraser率（％））、および各シールド層の配置図が併記された図面が示される。これらの図面において、符号６０は、ライトシールド層であり、符号３、５、７は、リードシールド層であり、上述してきた符号と同義の部材である。
【０１７６】
図１７に示される各シールド層の配置図では、ライトシールド層のエッジとリードシールド層のエッジとが同じトラック上で重ならないので、各シールド層のエッジ付近であってもＴＥ率（％）、ほぼ、８０％以上の値が得られていることがわかる（下向きピークＡ１〜Ａ４）。
【０１７７】
これに対して、図１８に示される各シールド層の配置図では、ライトシールド層６０の右端エッジとリードシールド層３の右端エッジとが同じトラック上で重なった状態を形成しており、この場所では、ＴＥ率（％）が約５０％に悪化していることがわかる（下向きピークＢ１）。
【０１７８】
同様な手法で、さらに、記録媒体（メディア）に垂直方向に３００  Ｏｅ（２３８７０Ａ／ｍ）の大きな外部磁場をかけた際に、前もって書き込んだ出力（初期値１００％）がTrack Eraserにより劣化し、どの程度の出力（％）を保持しているかを示すTrack Eraser率（％）、（ＴＥ率（％））を第１〜第１０の実施態様（図６〜図１５）ごとに求めた。
【０１７９】
結果を以下に示す。
【０１８０】
・第１の実施形態（図６相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８５％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝８４％
【０１８１】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝５５％
【０１８２】
・第２の実施形態（図７相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８０％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝８４％
【０１８３】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝５０％
【０１８４】
・第３の実施形態（図８相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８５％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝９０％
【０１８５】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝６０％
【０１８６】
・第４の実施形態（図９相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８０％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝９０％
【０１８７】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝５５％
【０１８８】
・第５の実施形態（図１０相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８５％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝８９％
【０１８９】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝６０％
【０１９０】
・第６の実施形態（図１１相当） 
（ｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８０％
下部リードシールド層３の幅Ｗsfの両端部３´、３´    …ＴＥ率＝８９％
【０１９１】
（ｉｉ）端部６０´と端部３´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部３´との重なり箇所…ＴＥ率＝５５％
【０１９２】
・第７の実施形態（図１２相当） 
（ｉ）端部６０´と端部５´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８５％
上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´    …ＴＥ率＝９１％
【０１９３】
（ｉｉ）端部６０´と端部５´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部５´との重なり箇所…ＴＥ率＝６０％
【０１９４】
・第８の実施形態（図１３相当） 
（ｉ）端部６０´と端部５´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８０％
上部第１リードシールド層５の幅Ｗss1の両端部５´、５´    …ＴＥ率＝９１％
【０１９５】
（ｉｉ）端部６０´と端部５´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部５´との重なり箇所…ＴＥ率＝５５％
【０１９６】
・第９の実施形態（図１４相当） 
（ｉ）端部６０´と端部７´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８５％
上部第１リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´    …ＴＥ率＝９２％
【０１９７】
（ｉｉ）端部６０´と端部７´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部７´との重なり箇所…ＴＥ率＝６０％
【０１９８】
・第１０の実施形態（図１５相当） 
（ｉ）端部６０´と端部７´とが同じデータトラック上で重ならない場合（本発明）
ライトシールド層６０の幅Ｗwsの両端部６０´、６０´  …ＴＥ率＝８０％
上部第１リードシールド層７の幅Ｗss2の両端部７´、７´    …ＴＥ率＝９２％
【０１９９】
（ｉｉ）端部６０´と端部７´とが同じデータトラック上で重なった場合（比較例）
端部６０´と端部７´との重なり箇所…ＴＥ率＝５５％
【０２００】
上記の結果より本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明においては、スキュー角が最大スキュー角αに至るまで、ライトシールド層のエッジと所定のリードシールド層のエッジとが同じトラック上で重ならないので、外部磁場が加わった際に、すでに書き込みされている信号を劣化させることがないという極めて優れた効果が発現する。
【産業上の利用可能性】
【０２０１】
本発明の磁気記録装置は、特に、コンピュータに装備して用いられるものであり、情報記録のための装置産業に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０２】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図３は、図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の露出面の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図４】図４は、磁気記録再生装置の概略斜視図である。
【図５】図５は、磁気記録再生装置の要部を示す概略平面図である。
【図６】図６は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第１の実施形態）。
【図７】図７は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第２の実施形態）。
【図８】図８は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第３の実施形態）。
【図９】図９は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第４の実施形態）。
【図１０】図１０は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第５の実施形態）。
【図１１】図１１は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第６の実施形態）。
【図１２】図１２は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第７の実施形態）。
【図１３】図１３は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第８の実施形態）。
【図１４】図１４は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第９の実施形態）。
【図１５】図１５は、エアベアリング面から薄膜磁気ヘッドの要部構造を見た図面である（第１０の実施形態）。
【図１６】図１６は、本発明の具体的実験において、記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの配置関係と、外部磁界の付与の状況を説明するための概略断面図である。
【図１７】図１７は、スキュー角を考慮することなく、本願発明の現象を実験的に示したデータ（横軸：各シールドの位置、縦軸：Track Eraser率（％））、および各シールド層の配置図が併記された図面である。
【図１８】図１８は、スキュー角を考慮することなく、本願発明の現象を実験的に示したデータ（横軸：各シールドの位置、縦軸：Track Eraser率（％））、および各シールド層の配置図が併記された図面である。
【図１９】図１９は、モデル１における等磁化量曲線の分布の要部を示す図面である。
【図２０】図２０は、モデル２における等磁化量曲線の分布の要部を示す図面である。
【図２１】図２１は、モデル３における等磁化量曲線の分布の要部を示す図面である。
【図２２】図２２は、モデル４における等磁化量曲線の分布の要部を示す図面である。
【符号の説明】
【０２０３】
１…基板
３…下部リードシールド層
５…上部第１リードシールド層
７…上部第２リードシールド層
８…磁気抵抗効果素子
１７…ギャップ層
２２…薄膜コイル
３０…上部リードシールド層
４０…磁極層
６０…ライトシールド層
７０…エアベアリング面
１００Ａ…再生ヘッド部
１００Ｂ…記録ヘッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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