(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の蒸着処理において均一な層を得ることができる装置及び方法を提供する。【解決手段】プロセスガスは、パンケーキ型反応器を有する半導体製造装置１００の反応空間１１８へガスリング１０６のガス注入ポートを通して供給される。プロセスガスはガス注入ポートから回転サセプタ１０８の主表面を越えガスリング１０６の排出ポート１２２へと水平に流れる。使用済みのプロセスガスは反応空間１１８から排出ポート１２２を通して除去される。【選択図】図１
2007116151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個のガス注入ポートと、
少なくとも１個のガス排出ポートとを備え、
前記少なくとも１個のガス注入ポートは、前記少なくとも１個のガス排出ポートと向かい合うことを特徴とするガスリング。
【請求項２】
主表面を有するサセプタを備え、
前記少なくとも１個のガス注入ポート及び前記少なくとも１個のガス排出ポートが前記主表面に平行な共通な平面内に位置することを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項３】
前記主表面が水平面内に位置することを特徴とする請求項２に記載のガスリング。
【請求項４】
前記少なくとも１個のガス注入ポート及び前記少なくとも１個のガス排出ポートが水平に互いに向かい合うことを特徴とする請求項３に記載のガスリング。
【請求項５】
前記ガスリングに連結するベースと、
前記ガスリングに連結するドームとを備え、
前記ガスリングが前記ベースと前記ドームとの間に位置することを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項６】
前記ベースと、前記ガスリングと、前記ドームとにより反応空間が画定されることを特徴とする請求項５に記載のガスリング。
【請求項７】
前記ガスリングが、
環状上部表面と、
環状下部表面と、
前記環状上部表面と前記環状下部表面との間に延在する円筒状の内部表面と、
前記環状上部表面と前記環状下部表面との間に延在する円筒状の外部表面とを備えることを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項８】
第１Ｏリング溝及び第２Ｏリング溝を前記環状上部表面内に備えることを特徴とする請求項７に記載のガスリング。
【請求項９】
前記環状上部表面内の前記第１Ｏリング溝及び前記第２Ｏリング溝の内側にパージ溝を備えることを特徴とする請求項８に記載のガスリング。
【請求項１０】
前記パージ溝内に上部パージポートと、
前記環状下部表面内に下部パージポートと、
前記上部パージポートと前記下部パージポートとの間に延在するパージポートチャネルとを備えることを特徴とする請求項９に記載のガスリング。
【請求項１１】
前記第１Ｏリング溝と前記第２Ｏリング溝との間の前記環状上部表面内に上部真空ポートと、
前記環状下部表面内に下部真空ポートと、
前記上部真空ポートと前記下部真空ポートとの間に延在する真空ポートチャネルとを備えることを特徴とする請求項８に記載のガスリング。
【請求項１２】
前記内部表面が赤外線透過物質を含むことを特徴とする請求項７に記載のガスリング。
【請求項１３】
前記内部表面に内部熱電対ポートと、
前記外部表面に外部熱電対ポートと、
前記内部熱電対ポートから前記外部熱電対ポートに連結する熱電対チャネルを備えることを特徴とする請求項７に記載のガスリング。
【請求項１４】
前記ガスリングが第１内部冷却チャネルを含むことを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項１５】
前記ガスリングが、
本体と、
前記本体に連結する上部ガスリングプレートと、
前記本体に連結する下部ガスリングプレートとを備え、
前記上部ガスリングプレート及び前記下部ガスリングプレートが前記内部冷却チャネルを密封することを特徴とする請求項１４に記載のガスリング。
【請求項１６】
前記少なくとも１個のガス排出ポートが第１ガス排出ポートを含み、前記ガスリングがガス排出チャネルにより前記第１ガス排出ポートに連結するガス出口ポートを備えることを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項１７】
前記ガス排出チャネルの周囲のジャケットを含む内部冷却チャネルを備えることを特徴とする請求項１６に記載のガスリング。
【請求項１８】
ガス排出マニホルドを備え、
前記少なくとも１個のガス排出ポートが前記ガス排出マニホルド内に位置することを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項１９】
前記排出マニホルドが第１ポケットを備え、
前記少なくとも１個のガス排出ポートが前記第１ポケット内に位置する前記第１ガス排出排出ポートを備えることを特徴とする請求項１８に記載のガスリング。
【請求項２０】
ガス注入ヘッドポートと、
前記ガス注入ヘッドポート内に設置された前記ガス注入ヘッドとを備え、
前記ガス注入ヘッドが、前記少なくとも１個のガス注入ポートを備えることを特徴とする請求項１に記載のガスリング。
【請求項２１】
前記ガス注入ヘッドポートが衝止部材を備え、前記ガス注入ヘッドが前記衝止部材に接触する突出リップを備えることを特徴とする請求項２０に記載のガスリング。
【請求項２２】
前記ガス注入ヘッドが赤外線透過物質を含むことを特徴とする請求項２０に記載のガスリング。
【請求項２３】
ガス注入ヘッド取り付けアセンブリを備えることを特徴とする請求項２０に記載のガスリング。
【請求項２４】
前記ガス注入ヘッド取り付けアセンブリが、前記ガス注入ヘッドの少なくとも１本のガス注入チャネルにガスを分配するためのガス分配マニホルドを備えることを特徴とする請求項２３に記載のガスリング。
【請求項２５】
前記ガス分配マニホルドが、前記ガス分配マニホルド及び前記ガス注入ヘッドの取り付け孔を貫通するピンによって前記ガス注入ヘッドに連結されることを特徴とする請求項２４に記載のガスリング。
【請求項２６】
前記ガス注入ヘッド取り付けアセンブリが、前記ガスリングの外部表面で前記ガス注入ヘッドを密封するためのシールプレートを備えることを特徴とする請求項２３に記載のガスリング。
【請求項２７】
前記ガス注入ヘッドが凹形の垂直面を備えることを特徴とする請求項２０に記載のガスリング。
【請求項２８】
前記少なく１個のガス注入ポートが前記凹形の垂直面に形成されることを特徴とする請求項２７に記載のガスリング。
【請求項２９】
前記ガス注入ヘッドが、少なくとも１本のガス注入チャネルによって前記少なくとも１個のガス注入ポートに連結される少なくとも１個のガス注入吸い込みポートを備えることを特徴とする請求項２８に記載のガスリング。
【請求項３０】
前記少なくとも１個のガス注入チャネルが前記ガス注入ヘッドを貫通して延在するスロットを含むことを特徴とする請求項２９に記載のガスリング。
【請求項３１】
前記スロットが均一な幅を有することを特徴とする請求項３０に記載のガスリング。
【請求項３２】
前記スロットが第１幅から第２幅へと広がることを特徴とする請求項３０に記載のガスリング。
【請求項３３】
上部シール表面を含むベースと、
下部シール表面を含むドームと、
前記ベースと前記ドームとの間に位置するガスリングとを備え、
前記ガスリングが、前記ベースの前記上部シール表面と似た上部表面と、
前記ドームの前記下部シール表面と似た下部表面とを備えることを特徴とするガスリング。
【請求項３４】
前記ベースの前記上部シール表面が、前記ドームの前記下部シール表面とシールを形成するよう設計されたことを特徴とする請求項３３に記載のガスリング。
【請求項３５】
プロセスガスをガスリングの少なくとも１個のガス注入ポートを通して反応空間に供給する過程と、
前記プロセスガスを前記ガスリングの少なくとも１個のガス排出ポートを通して前記反応空間から除去する過程とを含み、
前記少なくとも１個のガス注入ポート及び前記少なくとも１個のガス排出ポートが共通の水平面内にあることを特徴とする方法。
【請求項３６】
前記プロセスガスが前記少なくとも１個のガス注入ポートから回転サセプタの主表面を越えて前記少なくとも１個のガス排出ポートへと水平に流れることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置に係り、特にパンケーキ型反応器のガスリングとその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者によってよく知られているように、一般的な基板処理は基板上に１又はそれ以上の層を形成することを含む。一般的に、例としてシリコンウエハといった基板は半導体製造装置内のサセプタ上に設置される。プロセスガスを半導体製造装置内に導入することにより、プロセスガスから基板上に層が形成される。
【０００３】
基板の特性における均一性を保証するため、形成された層が基板全域で均一であること（例えば膜厚において）が重要である。形成された層の均一性を高めるため、基板が設置されるサセプタは半導体製造装置内で一般的に回転させられる。
【０００４】
更に、半導体製造装置内を流れるプロセスガスのフロー特性が重要である。一般的に半導体製造装置の底に位置し、底から延長されるガス注入器は、プロセスガスをサセプタ上方の半導体製造装置のドーム部を向いて上向きに注入する。それからプロセスガスは引き下ろされ、サセプタの周りを漂い、半導体製造装置の底に設けられた排出ポートに向かう。従って、半導体製造装置内を通過するプロセスガスフローは乱流かつ循環流である。プロセスガスフローが乱流かつ循環流であるために、半導体製造装置内の微粒子が、基板を汚染する可能性があり、取り除く必要がある場合が多い。
【０００５】
更に、プロセスガスの全てはサセプタの端を通過して半導体製造装置の底に設置された排出ポートへと流れなければならないため、被着した層は一般的にサセプタの端に近い部分はより厚く、サセプタの中央部に近い所ではより薄くなる。
【０００６】
均一な膜厚を得るため、本発明者らにより特許文献１に係る半導体製造装置が開示されている。
【特許文献１】米国特許６，４７５，２８４
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態では、ガスリングは少なくとも１個のガス注入ポートと、少なくとも１個のガス排出ポートを含む。少なくとも１個のガス注入ポートは少なくとも１個のガス排出ポートと向かい合う。
【０００８】
半導体製造装置の反応空間のプロセスガスはガスリングの少なくとも１個のガス注入ポートを通して供給される。プロセスガスは少なくとも１個のガス注入ポートから回転するサセプタの主表面を越えて少なくとも１個の排出ポートへと水平に流れる。使用済みのプロセスガスは反応空間から少なく１個の排出ポートを通過して取り除かれる。
【０００９】
実施形態では、プロセスガスは層流、又は例えばシート状フローのように乱流ではなく、水平に流れる。この結果、基板上の層形成においての高い均一性を持つ膜厚が得られる。
【００１０】
更に、反応空間を通過するプロセスガスフローにおける乱れを減少又は消滅させることにより、微粒子の除去の手間と基板の汚染を最小にすることができる。
【００１１】
更に、ガスリングの使用は基板上に形成する層間の急激な変化を形成することができる。
【００１２】
本発明の実施形態は、以下に添付図面と合わせて詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１に示すように、半導体製造装置１００の反応空間１１８に入るプロセスガスは、ガスリング１０６のガス注入ポート１２０を通して供給される。プロセスガスは矢印１２８に示されるようにガス注入ポート１２０から回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐを越えてガスリング１０６のガス排出ポート１２２へと水平に流れる。使用済みのプロセスガスは反応空間１１８からガス排出ポート１２２を通して取り除かれる。
【００１４】
実施形態では、プロセスガスは層流、又は例えばシート状フローのように乱流ではなく、水平に流れる。この結果、基板上に形成される層は膜厚において高い均一性を有する。
【００１５】
更に、反応空間１１８を通過するプロセスガスの流れの乱れを低減又は消滅させることにより、微粒子の除去及び基板の汚染が最小になる。
【００１６】
更に、ガスリング１０６の使用により基板上に形成する層間に急激な変化を形成することができる。
【００１７】
図１は本発明の実施形態に係るしばしば半導体製造装置と呼ばれるパンケーキ型反応器１００の縦断面図である。図２は図１のパンケーキ型反応器１００の横断面図である。
【００１８】
図１及び図２に示すように、パンケーキ型反応器１００は、ベース１０２と、例えば石英ベルジャ又はドームであるドーム１０４と、ベース１０２とドーム１０４との間のガスリング１０６とを含む。回転サセプタ１０８はベース１０２の内に設置される。
【００１９】
回転サセプタ１０８は、回転サセプタ１０８の軸１１０を中心として回転する。回転サセプタ１０８は基板ホルダ１１２を含む。基板ホルダ１１２は基板（図示しない）を支持する。基板は例えばシリコンウエハであり、他の基板は他の実施形態で使用される。従って、基板上に形成される層を均一な厚さにするため、回転サセプタ１０８の回転により基板を回転させる。しかしながら、他の実施形態では回転サセプタ１０８及びこのような基板は回転しなくともよい。
【００２０】
図２には５個の基板ホルダ１１２が図示されているが、例として３個のように５個の基板ホルダ１１２の数より少ない、又は多いものを他の実施形態では使用してもよい。
【００２１】
Ｏリング１１４は、ベース１０２の環状Ｏリング溝１１５の内部に配置され、ベース１０２とガスリング１０６の下表面（第１表面）１０６Ｌとの間のシールを形成する。同時にＯリング１１６はガスリング１０６の環状Ｏリング溝１１７の内部に配置され、ガスリング１０６の上表面（第２表面）１０６Ｕとドーム１０４との間のシールを形成する。
【００２２】
従って、ベース１０２と、ガスリング１０６と、ドーム１０４は反応空間１１８を画定し、反応空間はしばしば処理部又は処理空間と呼ばれる。
【００２３】
ガスリング１０６は少なくとも１個のガス注入ポート１２０（以下ガス注入ポート１２０という）と、少なくとも１個のガス排出ポート１２２（以下ガス排出ポート１２２という）を含む。本実施形態では、ガス注入ポート１２０及びガス排出ポート１２２は回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐに平行な共通水平面Ｈ内に位置し、互いに向かい合っている。実施形態では、主表面１０８Ｐは水平面内に位置する。ここで使用されるように、水平及び同様の語句は第１方向を意味し、垂直及び同様の語句は第１方向に直交する第２方向を意味する。
【００２４】
使用中においては、プロセスガスはガス注入ポート１２０に連結される少なくとも１個のガス入口ポート１２４（以下ガス入口ポート１２４という）を通過してガスリング１０６に供給される。プロセスガスはガス注入ポート１２０を通過するガスリング１０６を出て、反応空間１１８に入る。
【００２５】
プロセスガスはガス注入ポート１２０から回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐを越えて排出ポート１２２へと水平に流れる。プロセスガスは反応空間１１８から排出ポート１２２を通過して取り除かれ、ガスリング１０６に入る。プロセスガスはガスリング１０６から排出ポート１２２に連結される少なくとも１個のガス出口ポート（以下ガス出口ポートという）１２６を通過して排出される。
【００２６】
ガス注入ポート１２０及びガス排出ポート１２２を水平に互いに向かい合わせて配置することにより、プロセスガスは回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐを越えて水平に流れ、そして矢印１２８によって示されるように均一に基板上を流れる。実施形態では、プロセスガスは層流、又は例えばシート状フローのように乱流ではなく、水平に流れる。この結果、基板上に形成される層は膜厚において高い均一性を有する。
【００２７】
更に、反応空間１１８を通過するプロセスガスの流れの乱れを低減又は消滅させることにより、微粒子の除去及び基板の汚染が最小になる。
【００２８】
更に、ガスリング１０６の使用は基板上に形成する層間に急激な変化を形成することができる。これはプロセスガスを新しい組成へ変更する、例えば高ドーパント濃度のプロセスガスから低ドーパント濃度のプロセスガスといった変更をする時に、新しいプロセスガスは水平で均一な流れで矢印１２８に示されるようにパンケーキ型反応器１００を通過して流れるためである。
【００２９】
従って、プロセスガスが変更された時、基板に接触するプロセスガスの組成は急激に変化する。結果として、独自のガス組成を有するプロセスガスによって形成される層間に急激な変化が発生し、新しいガス組成を有するプロセスガスによって新しい層が形成される。従って、ガスリング１０６を使用することにより、比較的単純で信頼性高く費用効率が高いパンケーキ型反応器１００で、層間に急激な変化を有する基板の形成が可能とする。
【００３０】
モールらの「ガス分配ヘッド」の米国特許（特許文献１参照）に、均一なガス流を用いて、基板上の膜間に急激な変化を作ることに成功したことが開示されている。
【００３１】
図３及び図４は、本発明の実施形態に係る図１及び図２のガスリング１０６のシャーシ１３０を入口及び出口側からそれぞれみた斜視図である。シャーシ１３０はしばしば本体溶接物と呼ばれる。
【００３２】
図１，２，３，４に示すように、シャーシ１３０（より一般的にはガスリング１０６）は、上部表面１０６Ｕと、下部表面１０６Ｌと、内部表面１０６Ｉ（第３表面）と、外部表面１０６Ｏ（第４表面）とを含む。本実施形態では、上部及び下部表面１０６Ｕ，１０６Ｌは環状である。内部表面１０６Ｉ及び外部表面１０６Ｏは上部及び下部表面１０６Ｕ，１０６Ｌの間に延在し、一般的な円筒型である。
【００３３】
図５は本発明の実施形態に係る図３及び図４に示すシャーシ１３０の一部破断面を含む上部平面図である。図６は本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩ−ＶＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【００３４】
図５及び図６に示すように、上部表面１０６ＵはＯリング溝１１７Ａ，１１７Ｂを含む。Ｏリング溝１１７Ａ，１１７Ｂを合わせてＯリング溝１１７とする。Ｏリング溝１１７は環状かつ上部表面１０６Ｕと同心である。
【００３５】
更に、上部表面１０６Ｕは上部表面１０６Ｕ及びＯリング溝１１７と同心な環状のパージ溝５０２を含む。パージ溝５０２はＯリング溝１１７よりも内側に位置し、シャーシ１３０の内部表面１０６Ｉに近接する。すなわちパージ溝５０２の直径は、Ｏリング溝１１７よりも小さい。
【００３６】
更に、上部表面１０６Ｕは上部パージポート５０６Ａ，５０６Ｂを含む。上部パージポート５０６Ａ，５０６Ｂは合わせて上部パージポート５０６とする。上部パージポート５０６はパージ溝５０２の内部に位置する。２個の上部パージポート５０６を図示したが、実施形態では１個のパージポート５０６のみを使用する。
【００３７】
上部パージポート５０６Ａ，５０６Ｂは、パージポートチャネル６０４Ａ，６０４Ｂそれぞれによって下部表面１０６Ｌ内の下部パージポート６０２Ａ，６０２Ｂに連結される。パージポートチャネル６０４Ａ，６０４Ｂは合わせてパージポートチャネル６０４とし、上部パージポート５０６と下部パージポート６０２Ａ、６０２Ｂの間に延在する。下部パージポート６０２Ａ、６０２Ｂは合わせて下部パージポート６０２とする。実施形態では、パージポートチャネル６０４は１／４インチＯＤ（直径）ｘ０．０３５インチＷＡＬＬ（肉厚）  ３１６Ｌ  ＳＳＴ（セミシームレス）鋼管である。他の実施形態では他のチャネルを使用してもよい。
【００３８】
使用中において、例としてアルゴンや窒素のような不活性ガスであるパージガスはベース１０２から下部パージポート６０２に供給される。パージガスはパージポートチャネル６０４を通過して、上部パージポート５０６からパージ溝５０２の中に出る。
【００３９】
実施形態では、パージ溝５０２内のパージガスの圧力は反応空間１１８内のプロセスガスの圧力よりも高いため、その結果いずれのガス漏れもパンケーキ型反応器内への不活性ガスの漏れであり、ガスリング１０６と、ベース１０２と、ドーム１０４との間でのプロセスガスの漏れではない。
【００４０】
図７は本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩＩ−ＶＩＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。図５及び図７に示すように、上部表面１０６Ｕは更に上部真空ポート５０８を含む。上部真空ポート５０８は、Ｏリング溝１１７Ａと１１７Ｂの間に位置する。
【００４１】
上部真空ポート５０８は下部表面１０６Ｌの下部真空ポート７０６に真空ポートチャネル７０８によって連結される。真空ポートチャネル７０８は上部真空ポート５０８と下部真空ポート７０６の間で延在する。実施形態では、真空ポートチャネル７０８は、１／８”ＯＤ  Ｘ  ．０２５”  Ｗａｌｌ  ３１６Ｌ  ＳＳＴチューブである。他の実施形態では他のチャネルを使用してもよい。
【００４２】
使用中においては、ベース１０２から下部真空ポート７０６へと真空引きされる。そして真空ポートチャネル７０８を通じて上部真空ポート５０８が真空になる。
【００４３】
Ｏリング溝１１７Ａと１１７Ｂとの間を真空にすることにより、Ｏリング溝１１７を越えたいずれのガス漏れも上部真空ポート５０８へのガス漏れであり、その逆はない。これらの方法により、ガスリング１０６と、ベース１０２と、ドーム１０４との間のプロセスガスの漏れを重複して防ぐことができる。
【００４４】
図４，５，６に示すように、シャーシ１３０は第１及び第２冷却流体連結器４１０Ａ，４１０Ｂを含む。第１及び第２冷却流体連結器４１０Ａ，４１０Ｂを合わせて冷却流体連結器４１０とする。シャーシ１３０は更に冷却流体連結器４１０に連結する内部冷却チャネル６１０を含む。図６に示すように、内部冷却チャネル６１０は上部及び下部チャネル６１２Ａ，６１２Ｂを含む。
【００４５】
図５の断面図に示されるように、邪魔板５１０が冷却流体連結器４１０Ａ，４１０Ｂの間に設置される。
【００４６】
使用中においては、水又は他の冷却流体（以下議論を単純にするため水とする）は冷却流体連結器４１０Ａ（又は４１０Ｂ）に供給される。水は冷却流体連結器４１０Ａ（又は４１０Ｂ）を通過し、内部冷却チャネル６１０に入る。水は邪魔板により、内部冷却チャネル６１０を通ってシャーシ１３０の全円周を回って流れ、流体連結器４１０Ｂ（又は４１０Ａ）へと流れる。それから水は流体連結器４１０Ｂ（又は４１０Ａ）を通過して出る。実施形態では、冷却された水が使用される。
【００４７】
上記のように内部冷却チャネル６１０を通して水を通過させることにより、シャーシ１３０及びガスリング１０６を冷却された状態に保ち、加熱されることを防ぐ。これによりプロセスガスからガスリング１０６上への望まない被着を防ぐことができる。実施形態では、更にガスリング１０６上への被着を防ぐために、内部表面１０６Ｉは石英や炭化ケイ素、又は他の赤外光（ＩＲ）透過物質でコーティングされたものを使用する。これにより内部表面１０６Ｉの加熱及び内部表面１０６Ｉ上への被着は最小化される。
【００４８】
図８は本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。図３，４，５，８に示すように、内部表面１０６Ｉは内部熱電対ポート４１２を含み、外部表面１０６Ｏは外部熱電対ポート３０２を含む。内部熱電対ポート４１２は外部熱電対ポート３０２と熱電対チャネル８０２により連結される。熱電対チャネル８０２は、内部熱電対ポート４１２と外部熱電対ポート３０２の間に延在する。
【００４９】
本実施形態では、外部熱電対ポート３０２に位置するフランジ３０４は熱電対（図示しない）をガスリング１０６に取り付けるために備えられる。
【００５０】
使用中においては、熱電対は外部熱電対ポート３０２を通過して、熱電対チャネル８０２を通過して、内部熱電対ポート４１２を通過してパンケーキ型反応器内部に入る。フランジ３０４を使用して熱電対を使用した状態でのガスの密封を行う。
【００５１】
図８に示すように、内部表面１０６Ｉは、石英や炭化ケイ素、又は他の赤外光（ＩＲ）透過物質８０４にコーティングされる。
【００５２】
図８に示すように、シャーシ１３０は上部ガスリングプレート８２０及び下部ガスリングプレート８２２を含む。本実施形態では、上部及び下部ガスリングプレート８２０，８２２は溝を有する形状のプレートである。
【００５３】
上部ガスリングプレート８２０の上部表面８２０Ｕはガスリング１０６の上部表面１０６Ｕの一部を画定する。同様に、下部ガスリングプレート８２２の下部表面８２２Ｌはガスリング１０６の下部表面１０６Ｌの一部を画定する。
【００５４】
実施形態では、内部冷却チャネル６１０は、シャーシ１３０の本体８３０に機械加工され形成される。内部冷却チャネル６１０の形成後に、上部及び下部ガスリングプレート８２０，８２２がシャーシ１３０の本体８３０に例えば溶接により固定され、内部冷却チャネル６１０は封止される。しかし、他の実施形態ではシャーシ１３０は完全に揃った部品つまり単一部品であり、複数個の分割された８２０，８２２，８３０を連結させたものでなくともよい。
【００５５】
図９は本発明の実施形態に係る図５のシャーシ１３０の側面図である。図１０は本発明の実施形態に係る図９のラインＸ−Ｘに沿ったシャーシ１３０の断面図である。図１１は、本発明の実施形態に係る図１０のラインＸＩ−ＸＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【００５６】
図２、９，１０，１１に示すように、シャーシ１３０はガス出口ポート１２６Ａ，１２６Ｂを含む。ガス出口ポート１２６Ａ，１２６Ｂを合わせてガス出口ポート１２６とする。ガス出口ポート１２６は外部排出ライン（図示しない）をガス出口ポート１２６に連結するためのフランジを含む。
【００５７】
ガス出口ポート１２６Ａ，１２６Ｂはしばしば第１及び第２ガス排出ポートと呼ばれるガス排出ポート１２２Ａ，１２２Ｂにガス排出チャネル２０２Ａ，２０２Ｂそれぞれにより連結される。本実施形態では、ガス排出チャネル２０２Ａ，２０２Ｂは合わせてガス排出チャネル２０２とし、ガス排出ポートから９０°曲げられてガス出口ポート１２６に連結する。つまり、ガス排出チャネルは、水平状態から垂直状態に曲げられる。
【００５８】
シャーシ１３０は第３及び第４の冷却流体連結器９０２Ａ，９０２Ｂを含む。冷却流体連結器９０２Ａ，９０２Ｂは合わせて冷却流体連結器９０２とする。シャーシ１３０は更に冷却流体連結器９０２に連結される第２内部冷却チャネル９０４を含む。
【００５９】
内部冷却チャネル９０４は、ガス排出チャネルＡの周囲の第１ジャケット１０１０Ａと、ガス排出チャネルＢの周囲の第２ジャケット１０１０Ｂと、ジャケット１０１０Ａ及びジャケット１０１０Ｂを連結する例えば管のようなジャケット接続チャネル９１０とを含む。
【００６０】
使用中においては、水又は他の冷却流体（以下議論を単純にするため水とする）は冷却流体連結器９０２Ａ（又は９０２Ｂ）に供給される。水は冷却流体連結器９０２Ａ（又は９０２Ｂ）を通過し、ジャケット１０１０Ａ（又はジャケット１０１０Ｂ）に入る。水はジャケット１０１０Ａ（又はジャケット１０１０Ｂ）からジャケット接続チャネル９１０を通過してジャケット１０１０Ｂ（又はジャケット１０１０Ａ）へと流れる。それから水は冷却流体連結器９０２Ｂ（又は９０２Ａ）を通過して出る。実施形態では、冷却された水が使用される。
【００６１】
上記のように内部冷却チャネル９０４を通して水を通過させることにより、ガス排出チャネル２０２を冷却された状態に保ち、加熱されることを防ぐ。これにより使用済みのプロセスガスからガス排出チャネル２０２の内部への望まない被着を防ぐことができる
【００６２】
図１及び図１０に示すように、ガスリング１０６の下部表面１０６Ｌは平面である。これによりＯリング１１４によるガスシールの形成が容易になる。
【００６３】
実施形態では、ガスリング１０６はパンケーキ型反応器１００に対する後付けキットとして取り付けられる。本実施形態では、ベース１０２の上部シール表面１０２Ｕは、ドーム１０４の下部シール表面１０４Ｌとシールを形成するように、つまりパンケーキ型反応器１００はガスリング１０６なしで使用できるように設計される。しかし、ガスリング１０６の使用を容易にするため、ガスリング１０６の上部表面１０６Ｕの形状はベース１０２の上部シール表面１０２Ｕの形状と同様である。同様に、ガスリング１０６の下部表面１０６Ｌの形状はドーム１０４の下部シール表面１０４Ｌの形状と同様である。従って、パンケーキ型反応器１００は、容易にガスリング１０６を後付けすることができ、ガスリング１０６はしばしば後付けガスリングと呼ばれる。
【００６４】
しかし他の実施形態では、ガスリング１０６は不可欠の要素であり、ベース１０２及び又はドーム１０４の一部を形成する。
【００６５】
図２，３，４に示すように、シャーシ１３０は内部表面１０６Ｉにガス排出マニホルド２０４を含む。ガス排出ポート１２２はガス排出マニホルド２０４の内部に設置される。
【００６６】
ガス排出マニホルド２０４は、反応空間１１８から使用済みのプロセスガスを収集する。ガス排出マニホルド２０４は内部表面１０６Ｉに１個以上のポケットを含み、ポケットはプロセスガスを反応空間１１８から均一に取り除く。
【００６７】
図２に示すように、ガス排出マニホルド２０４は、第１ポケット２０６Ａ及び第２ポケット２０６Ｂを含む。ガス排出ポート１２２Ａ，１２２Ｂはそれぞれポケット２０６Ａ，２０６Ｂ内に設置される。ガス排出ポート１２２Ａ，１２２Ｂはそれぞれポケット２０６Ａ，２０６Ｂ内に設置される。
【００６８】
シャーシ１３０は更に４個のガス注入ヘッドポート３０６Ａ，３０６Ｂ，３０６Ｃ，３０６Ｄを含む。以下これらを合わせてガス注入ヘッドポート３０６という。ガス注入ヘッドポート３０６は外部表面１０６Ｏから内部表面１０６Ｉにシャーシ１３０を貫通して延在する。以下に記述するように、ガス注入ヘッドはガス注入ヘッドポート３０６内部に設置される。
【００６９】
図１２は本発明の実施形態に係る図１１のシャーシ１３０のＸＩＩ部の拡大断面図である。図１３は本発明の実施形態に係るガス注入ヘッドポート３０６Ｂ内へのガス注入ヘッド２０８Ｂの設置状態を示すガスリング１０６の部分分解斜視図である。
【００７０】
図２，１２，１３に示すように、ガス注入ヘッドポート３０６Ｂは第１の狭空間２１０と第２の広空間２１２を含む。狭空間２１０の幅は広空間２１２の幅に対して水平及び垂直方向の両方で小さい。従って、ガス注入ヘッドポート３０６は垂直な衝止部材２１４、すなわち狭空間２１０が広空間２１２に連結する部位に垂直な表面を含む。
【００７１】
ガス注入ヘッド２０８Ｂは内部ボディ１３０４と、外部ボディ１３０６と、衝止部材２１４に対応する突出したリップ１３０８とを含む。リップ１３０８は内部ボディ１３０４と外部ボディ１３０６との間に位置し、突出する。実施形態では、ガス注入ヘッド２０８Ｂは石英、炭化ケイ素、他の赤外線（ＩＲ）透過物質のいずれかの単一部品である。これによりガス注入ヘッド２０８Ｂの加熱と、プロセスガスからガス注入ヘッド２０８Ｂへの被着は最小になる。
【００７２】
ガス注入ヘッド２０８Ｂをガス注入ヘッドポート３０６Ｂに設置するために、ガス注入ヘッド２０８Ｂを最初に挿入される内部ボディ１３０４からガス注入ヘッドポート３０６Ｂに滑り込ませる。ガス注入ヘッド２０８Ｂはガス注入ヘッドポート３０６Ｂにリップ１３０８が衝止部材２１４にぶつかる又は接触するまで滑り込ませる。この方法でガス注入ヘッド２０８Ｂはガス注入ヘッドポート３０６Ｂ、より一般的にはシャーシ１３０に正確に設置される。
【００７３】
外部ボディ１３０６は第１及び第２取り付け孔１３１０Ａ，１３１０Ｂを含む。ガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ｂはシールプレート２１８Ｂ及びガス分配マニホルド２２０Ｂを含む。ガス分配マニホルド２２０Ｂは外部ボディ１３０６の第１及び第２取り付け孔１３１０Ａ，１３１０Ｂのそれぞれに対応する取り付け孔１３１４Ａ，１３１４Ｂを含む。
【００７４】
ガス分配マニホルド２２０Ｂをガス注入ヘッド２０８Ｂに取り付けるためにガス分配マニホルド２２０Ｂの取り付け孔１３１４Ａ，１３１４Ｂのそれぞれは外部ボディ１３０６の第１及び第２取り付け孔１３１０Ａ，１３１０Ｂに位置を合わせられる。
【００７５】
ピン１３１６Ａは孔１３１４Ａ及び１３１０Ａを貫通する。同様にピン１３１６Ｂは孔１３１４Ｂ及び１３１０Ｂを貫通する。従ってピン１３１６Ａ，１３１６Ｂにより、ガス分配マニホルド２２０Ｂはガス注入ヘッド２０８Ｂに設置される。ガス分配マニホルド２２０Ｂはガス注入ヘッドポート３０６Ｂ内でガス注入ヘッド２０８Ｂに沿って設置される。
【００７６】
下記に記述するように、ガス注入ヘッド２０８Ｂは複数のガス注入チャネルを含む。ガス分配マニホルド２２０Ｂは端がくぼんでおり、プロセスガスをガス注入チャネルに分散させる。
【００７７】
ガス注入ヘッドポート３０６Ｂは、外部表面１０６Ｏでシールプレート２１８Ｂにシールされる。シールプレート２１８Ｂは内部（第１）表面２２２及び外部（第２）表面２２４を含む。
【００７８】
内部表面２２２はＯリング溝２２６（図２）を含む。Ｏリング溝には、シャーシ１３０の外部表面１０６Ｏとシールプレート２１８Ｂの内部表面２２２との間のシールを形成するためにＯリング２２８が設置される。
【００７９】
シールプレート２１８Ｂはシャーシ１３０にビス２３０を用いて取り付けられる。ビス２３０はシールプレート２１８Ｂの取り付け孔１３２０を貫通してシャーシ１３０の取り付け孔１３２２に螺着される。
【００８０】
シールプレート２１８Ｂは更に外部表面２２４にプロセスガスライン１３２４に連結されるガス入口ポート１２４を含む。ガス入口ポート１２４は、シールプレート２１８Ｂのガスチャネル２３４によって、シールプレート２１８Ｂの内部表面２２２のガス放出ポート２３２に連結される。
【００８１】
使用中においては、プロセスガスはプロセスガスライン１３２４に供給される。このプロセスガスはガス入口ポート１２４を通過し、ガスチャネル２３４を通過してガス放出ポート２３２から出てガス分配マニホルド２２０Ｂに入りガス注入ヘッド２０８Ｂへと流れる。上記のように、ガス分配マニホルド２２０Ｂは端がくぼんでいるおり、例えば単一の開口であるガス放出ポート２３２からガス注入ヘッド２０８Ｂのガス注入チャネルへとプロセスガスプロセスガスは分散する。
【００８２】
しかし、他の実施形態では、分離したシールプレート２１８Ｂ及びガス分配マニホルド２２０Ｂからのガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ｂを形成する代わりに、ガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ｂを複数の分割された部品を組み合わせるのではなく単一部品としてもよい。
【００８３】
図２に示すように、第２ガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ａは、第２ガス注入ヘッド２０８Ａを設置するために使用する。ガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ａは、シールプレート２１８Ａとガス分配マニホルド２２０Ａを含む。更に、外部表面１０６ＯはＯリング溝２４０を含む。Ｏリング溝には、シャーシ１３０の外部表面１０６Ｏとシールプレート２１８Ａの内部表面２２２との間のシールを形成するためにＯリング２４２が設置される。
【００８４】
ガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ｃ，２１６Ｄはガス注入ヘッド取り付けアセンブリ２１６Ａと同じであり、ガス注入ヘッド２０８Ｃ，２０８Ｄそれぞれを同様の方法で取り付けるために使用される。
【００８５】
図２に示すように、ガス注入ヘッド２０８Ａは内部表面２５０及び外部表面２５２を含む。内部表面２５０は、垂直面が凹状である。内部表面２５０は、シャーシ１３０の円筒内部表面１０６Ｉの一部分である。外部表面２５２は本実施形態では平面である。
【００８６】
ガス注入ヘッド２０８Ａのガス注入ポート１２０は内部表面２５０に形成される。ガス注入吸い込みポート２５４は外部表面２５２に形成される。
【００８７】
ガス注入ヘッド２０８Ａは連結するガス注入吸い込みポート２５４からガス注入ポート１２０に延在する多数のガス注入チャネル２５６を含む。実施形態では、ガス注入チャネル２５６はしばしば通路と呼ばれる円筒状の開口でガス注入ヘッド２０８Ａを通過する。４本のガス注入チャネル２５６が図示されるが、５本又は１０本のようにより多い、又は４本より少ないガス注入チャネル２５６を他の実施形態では使用してもよい。例えば、以下に説明する本実施形態に係る図１４から図２０に示すように、ガス注入ヘッドは５本のガス注入チャネルを含み、図２に示すように、ガス注入ヘッド２０８Ｂは１０本のガス注入チャネル２５６を含む。
【００８８】
実施形態では、図１及び図２に示すように、ガス注入チャネル２５６は回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐに平行な共通水平平面内に位置する（図１参照）。しかし、他の実施形態では、１以上又は全てのガス注入チャネル２５６が回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐに対して上方又は下方に位置する。
【００８９】
更に、ガス注入チャネル２５６はガス注入ヘッド２０８Ａの内部表面２５０及び外部表面２５２に対して垂直ではなく角度が付いている。
【００９０】
図２に示すように、ガス注入ヘッド２０８は、ガス注入チャネル２５６を含む。本実施形態では、ガス注入チャネル２５６は互いに平行である。ガス注入チャネル２５６はパンケーキ型反応器１００を越えて、ガス排出ポート１２２の方を向く。この方法により、パンケーキ型反応器１００を通過するプロセスガスが均質な流れとなる。
【００９１】
本実施形態では、ガス注入チャネル２５６は互いに平行であるため、ガス注入ヘッド２０８の内部表面２５０及び外部表面２５２に対するガス注入チャネル２５６の角度は、ガスリング１０６の円周上でのガス注入ヘッド２０８の特定の位置によって決まる。
【００９２】
ガス注入ヘッド２０８をガス排出ポート１２２に近づけるほど、ガス注入ヘッドの内部表面２５０及び外部表面２５２に対するガス注入チャネル２５６の角度は小さくなる。
【００９３】
ガス注入チャネル２５６とガス注入ヘッド２０８Ｄの外部表面２５２との間の角度Ａは、ガス注入チャネル２５６とガス注入ヘッド２０８Ｃとの間の角度Ｂよりも小さい。ガス注入ヘッド２０８Ｄは、ガス排出ポート１２２により近い。
【００９４】
図１４は本発明の他の実施形態に係るガス注入ヘッド２０８Ａ−１を一部破断して示す平面図である。ガス注入ヘッド２０８Ａ−１は図２のガス注入ヘッド２０８Ａと類似するが、以下記述する点に大きな相違がある。
【００９５】
図１３に示すように、ガス注入ヘッド２０８Ａ−１は、内部ボディ１３０４と、外部ボディ１３０６と、リップ１３０８と、取り付け孔１３１０とを含む。
【００９６】
更に、ガス注入ヘッド２０８Ａ−１は、内部表面２５０と、外部表面２５２とを含む。内部表面２５０は、凹形の垂直面である。外部表面２５２は、本実施形態では垂直平面である。
【００９７】
ガス注入ヘッド２０８Ａ−１のガス注入ポート１２０は内部表面２５０に形成される。
ガス注入吸い込みポート２５４は外部表面２５２に形成される。
【００９８】
ガス注入ヘッド２０８Ａ−１は、連結するガス注入吸い込みポート２５４からガス注入ポート１２０に延在するガス注入チャネル２５６を含む。本実施形態では、ガス注入チャネル２５６はガス注入ヘッド２０８Ａ−１を貫通する円筒状の孔であり、しばしば通路と呼ばれる。特に、ガス注入ヘッド２０８Ａ−１は回転サセプタ１０８（図１参照）の主表面１０８Ｐに平行な共通水平面内に位置し、外部表面２５２に垂直である５本のガス注入チャネル２５６を含む。更に、ガス注入チャネル２５６は互いに平行であり、ガス注入ヘッド２０８Ａ−１の内部表面２５０及び外部表面２５２に対して角度を有する。
【００９９】
図１５は本発明の実施形態に係る図１４をラインＸＶに沿って見たガス注入ヘッド２０８Ａ−１の平面図である。図１５に示すように、リップ１３０８は内部ボディ１３０４から突出する。
【０１００】
図１６，１７，１８，１９，２０は、本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＶＩ−ＸＶＩ，ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ，ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ，ＸＩＸ−ＸＩＸ，ＸＸ−ＸＸのそれぞれに沿ったガス注入ヘッド２０８Ａ−１の部分断面図である。図１６，１７，１８，１９，２０に図示された様々な特徴の模範的な仕様は、以下の表１１，１２，１３，１４，１５のそれぞれで説明する。
【０１０１】
図２１は本発明の実施形態に係るパンケーキ型反応器２１００の上から見た部分断面図である。図２１に示すパンケーキ型反応器２１００は図１のパンケーキ型反応器１００に類似するが、その大きな違いを図２１及び以下で説明する。
【０１０２】
図２１に示すように、パンケーキ型反応器２１００はガス注入ヘッド２１０８Ａ，２１０８Ｂ，２１０８Ｃ，２１０８Ｄを含む。ガス注入ヘッド２１０８Ａ，２１０８Ｂ，２１０８Ｃ，２１０８Ｄを合わせてガス注入ヘッド２１０８とする。本実施形態では、ガス注入ヘッド２１０８Ａ，２１０８Ｂ，２１０８Ｃ，２１０８Ｄのそれぞれは単一のガス注入チャネル２１５６Ａ，２１５６Ｂ，２１５６Ｃ，２１５６Ｄそれぞれを含む。ガス注入チャネル２１５６Ａ，２１５６Ｂ，２１５６Ｃ，２１５６Ｄはガス注入ヘッド２１０８Ａ，２１０８Ｂ，２１０８Ｃ，２１０８Ｄを貫通して延在するスロットである。
【０１０３】
ガス注入ヘッド２１０８Ａは内部表面２１５０及び外部表面２１５２を含む。内部表面２１５０は凹形の垂直面である。特に内部表面２１５０はシャーシ１３０（シャーシ１３０は図１に示す）の円筒形内部表面１０６Ｉの一部分である。外部表面２１５２は本実施形態では垂直な平面である。
【０１０４】
ガス注入ヘッド２１０８Ａのガス注入ポート２１２０は内部表面２１５０に形成される。ガス注入吸い込みポート２１５４は外部表面２１５２に形成される。
【０１０５】
ガス注入ヘッド２１０８Ａは連結するガス注入吸い込みポート２１５４からガス注入ポート２１２０にかけて延在する単一のガス注入チャネル２１５６Ａを含む。本実施形態では、ガス注入チャネル２１５６Ａはガス注入ヘッドを貫通するスロットであり、しばしば通路と呼ばれる。単一のガス注入チャネル２１５６Ａを図示するが、他の実施形態ではガス注入ヘッド２１０８Ａに１以上の入力チャネル、つまり多数のスロットを形成してもよい。
【０１０６】
他のガス注入ヘッド２１０８Ｂ，２１０８Ｃ，２１０８Ｄはガス注入ヘッド２１０８Ａと同様であるため、詳細については記載しない。
【０１０７】
実施形態では、ガス注入チャネル２１５６は回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐに平行な共通の水平平面内に位置し、外部表面２１５２に垂直である。しかし、他の実施形態では、１以上又は全てのガス注入チャネル２１５６は回転サセプタ１０８の主表面１０８Ｐに対して上方及び又は下方を向くようにしてもよい。
【０１０８】
一般的に、ガス注入チャネル２１５６はパンケーキ型反応器２１００を越えてガス排出ポート１２２の方を向く。ガス注入ヘッド２０８について上記した方法と同様の方法により、パンケーキ型反応器２１００を通過するプロセスガスはガス注入ヘッド２１０８を使用することにより均一な流れとなる。
【０１０９】
図１３のガス注入ヘッド２０８Ｂについて上記した方法と同様の方法により、ガス注入ヘッド２１０８は内部ボディ１３０４と、外部ボディ１３０６と、突出したリップ１３０８とを含む。更に、外部ボディ１３０６は第１及び第２取り付け孔１３１０Ａ，１３１０Ｂを含む。第１及び第２取り付け孔１３１０Ａ，１３１０Ｂを合わせて取り付け孔１３１０とする。
【０１１０】
図２２は本発明の実施形態に係る図２１のガス注入ヘッド２１０８Ａの断面図である。図２３は本発明の実施形態に係る図２２のラインＸＸＩＩＩから見たガス注入ヘッド２１０８Ａの平面図である。
【０１１１】
図２２及び図２３に示すように、ガス注入ヘッド２１０８Ａのガス注入チャネル２１５６Ａの幅をＷＡ、高さをＨＡ、長さをＬＡとする。ガス注入チャネル２１５６Ａはガス注入ヘッド２１０８Ａを貫通して延在するスロットであり、幅ＷＡは高さＨＡより大きい。
【０１１２】
更に、図２２に示すように、幅ＷＡはガス注入チャネル２１５６Ａの長さＬＡを通して一定である。ガス注入チャネル２１５６Ａは、ガス注入ヘッド２１０８Ａの内部表面２１５０及び外部表面２１５２に対して角度を有する。またガス注入ヘッド２１０８Ａの垂直な側壁２２０２Ａ，２２０２Ｂは、ガス注入チャネル２１５６Ａの幅ＷＡを画定する。垂直な側壁２２０２Ａ，２２０２Ｂは合わせて垂直な側壁２２０２という。垂直な側壁２２０２はガス注入ヘッド２１０８Ａの内部表面２１５０及び外部表面２１５２に対して角度を有する。
【０１１３】
図２４は本発明の他の実施形態に係る図２１のパンケーキ型反応器２１００のガス注入ヘッド２１０８Ｂの断面図である。図２５は本発明の実施形態に係る図２４のラインＸＸＶから見たガス注入ヘッド２１０８Ｂの平面図である。
【０１１４】
図２４及び図２５に示すように、ガス注入ヘッド２１０８Ｂのガス注入チャネル２１５６Ｂは、ガス注入ヘッド２１０８Ｂの外部表面２１５２の第１幅ＷＢ１と、ガス注入ヘッド２１０８Ｂの内部表面２１５０の第２幅ＷＢ２と、高さＨＢと、長さＬＢとを有する。ガス注入チャネル２１５６Ｂはガス注入ヘッド２１０８Ｂを貫通して延在するスロットであり、幅ＷＢ１，ＷＢ２は高さＨＢより大きい。
【０１１５】
更に、図２４に示すように、ガス注入ヘッド２１０８Ｂの外部表面２１５２の第１幅ＷＢ１は、内部表面２１５０の第２幅ＷＢ２よりも小さい。従って、ガス注入チャネル２１５６Ｂの幅はガス注入チャネル２１５６Ｂの外部表面２１５２から内部表面２１５０へと長さＬＢを横切るにつれて増加する。従って、ガス注入ヘッド２１０８Ｂのガス注入チャネル２１５６Ｂは、ガス注入ヘッド２１０８Ｂを通して延在するすその広い（フレアー）スロットである。
【０１１６】
更にガス注入チャネル２１５６Ｂはガス注入ヘッド２１０８Ｂの外部表面２１５２に対して部分的に角度を有する。ガス注入ヘッド２１０８Ｂの垂直な側壁２４０２Ａ，２４０２Ｂはガス注入チャネル２１５６Ｂの幅を画定する。垂直な側壁２４０２Ａはガス注入ヘッド２１０８Ｂの外部表面２１５２に対して角度を有する。垂直な側壁２４０２Ｂはガス注入ヘッド２１０８Ｂの外部表面２１５２に対して垂直である。
【０１１７】
以下の表は、他の記載がない限り、単位はインチである。図３に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１に記載する。
【表１】
2007116151.tif 000003
【０１１８】
図４に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表２に記載する。
【表２】
2007116151.tif 000004
【０１１９】
図５に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表３に記載する。
【表３】
2007116151.tif 000005
【０１２０】
図６に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表４に記載する。
【表４】
2007116151.tif 000006
【０１２１】
図７に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表５に記載する。
【表５】
2007116151.tif 000007
【０１２２】
図８に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表６に記載する。
【表６】
2007116151.tif 000008
【０１２３】
図１０に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表７に記載する。
【表７】
2007116151.tif 000009
【０１２４】
図１１に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表８に記載する。
【表８】
2007116151.tif 000010
【０１２５】
図１４に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表９に記載する。
【表９】
2007116151.tif 000011
【０１２６】
図１５に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１０に記載する。
【表１０】
2007116151.tif 000012
【０１２７】
図１６に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１１に記載する。
【表１１】
2007116151.tif 000013
【０１２８】
図１７に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１２に記載する。
【表１２】
2007116151.tif 000014
【０１２９】
図１８に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１３に記載する。
【表１３】
2007116151.tif 000015
【０１３０】
図１９に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１４に記載する。
【表１４】
2007116151.tif 000016
【０１３１】
図２０に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１５に記載する。
【表１５】
2007116151.tif 000017
【０１３２】
図２２に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１６に記載する。
【表１６】
2007116151.tif 000018
【０１３３】
図２３に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１７に記載する。
【表１７】
2007116151.tif 000019
【０１３４】
図２４に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１８に記載する。
【表１８】
2007116151.tif 000020
【０１３５】
図２５に示す様々な特徴の模範的な仕様を以下の表１９に記載する。
【表１９】
2007116151.tif 000021
【０１３６】
図面及び割愛した記載は本発明の実施形態を示す。しかし本発明の範囲はこれらの特定の例に限定されるわけではない。構造、大きさ、使用材料において様々な変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の実施形態に係るパンケーキ型反応器の縦断面図である。
【図２】図１のパンケーキ型反応器１００の横断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る図１及び図２のガスリング１０６のシャーシ１３０を入口側からそれぞれみた斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る図１及び図２のガスリング１０６のシャーシ１３０を出口側からそれぞれみた斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る図３及び図４に示すシャーシ１３０の一部破断面を含む上部平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩ−ＶＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩＩ−ＶＩＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る図５のラインＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る図５のシャーシ１３０の側面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る図９のラインＸ−Ｘに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る図１０のラインＸＩ−ＸＩに沿ったシャーシ１３０の断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る図１１のシャーシ１３０のＸＩＩ部の拡大断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係るガス注入ヘッドポート内へのガス注入ヘッドの設置状態を示すガスリング１０６の部分分解斜視図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係るガス注入ヘッドを一部破断して示す平面図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る図１４をラインＸＶに沿って見たガス注入ヘッドの正面図である。
【図１６】本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＶＩ−ＸＶＩのそれぞれに沿ったガス注入ヘッドの部分断面図である。
【図１７】本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＶＩＩ−ＸＶＩＩのそれぞれに沿ったガス注入ヘッドの部分断面図である。
【図１８】本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩのそれぞれに沿ったガス注入ヘッドの部分断面図である。
【図１９】本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＩＸ−ＸＩＸのそれぞれに沿ったガス注入ヘッドの部分断面図である。
【図２０】本発明の実施形態の係る様々な実施形態に係る図１４のラインＸＸ−ＸＸのそれぞれに沿ったガス注入ヘッドの部分断面図である。
【図２１】本発明の実施形態に係るパンケーキ型反応器２１００の上から見た部分断面図である。
【図２２】本発明の実施形態に係る図２１のガス注入ヘッド２１０８Ａの断面図である。
【図２３】本発明の実施形態に係る図２２のラインＸＸＩＩＩから見たガス注入ヘッド２１０８Ａの平面図である。
【図２４】本発明の他の実施形態に係る図２１のパンケーキ型反応器２１００のガス注入ヘッド２１０８Ｂの断面図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る図２４のラインＸＸＶに沿って見たガス注入ヘッド２１０８Ｂの平面図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１００，２１００      パンケーキ型反応器
１０２      ベース
１０４      ドーム
１０６      ガスリング
１０８      回転サセプタ
１１８      反応空間
１２０，２１２０      ガス注入ポート
１２２      ガス排出ポート
１３０      シャーシ
２０２      ガス排出チャネル
２５６，２１５６      ガス注入チャネル
２０８，２１０８      ガス注入ヘッド
３０６      ガス注入ヘッドポート
【図１】
2007116151.tif 000022
【図２】
2007116151.tif 000023
【図３】
2007116151.tif 000024
【図４】
2007116151.tif 000025
【図５】
2007116151.tif 000026
【図６】
2007116151.tif 000027
【図７】
2007116151.tif 000028
【図８】
2007116151.tif 000029
【図９】
2007116151.tif 000030
【図１０】
2007116151.tif 000031
【図１１】
2007116151.tif 000032
【図１２】
2007116151.tif 000033
【図１３】
2007116151.tif 000034
【図１４】
2007116151.tif 000035
【図１５】
2007116151.tif 000036
【図１６】
2007116151.tif 000037
【図１７】
2007116151.tif 000038
【図１８】
2007116151.tif 000039
【図１９】
2007116151.tif 000040
【図２０】
2007116151.tif 000041
【図２１】
2007116151.tif 000042
【図２２】
2007116151.tif 000043
【図２３】
2007116151.tif 000044
【図２４】
2007116151.tif 000045
【図２５】
2007116151.tif 000046