(57)【要約】【課題】半導体基板を複数の半導体チップに分離する割断の精度や、安定性、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上には、素子チップ１０ａに含まれる配線部３の特性を検査するためのテストパターン２１、および半導体基板の位置を検出可能とするためのアライメント２０が形成されている。これらは、半導体基板上に配置された素子チップ１０ａを分離するための割断予定線のうち、最初に割断を行う第１の割断予定線Ｃ１上にのみ、形成されている。割断では、割断予定線Ｃ１，Ｃ２に沿って、基板表面に溝状の表面加工痕を形成し、基板内部にレーザ光を集光させて一群の内部亀裂を形成する。その後、基板裏面に基板表面側に向かって力を加えて線状加工部および内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせることによって個々の素子チップ１０ａを分離する。【選択図】図２
2007317935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面上に複数の配線部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面上に、前記配線部の特性を検査するためのテストパターンと前記半導体基板の位置を検出可能とするためのアライメントパターンとの少なくとも一方を形成する工程と、
その後、前記半導体基板を、前記配線部をそれぞれ含む複数の素子チップに分離する工程と、
を有する、素子チップ製造方法であって、
複数の前記素子チップに分離する工程は、
前記半導体基板の表面に、前記素子チップに分離するための少なくとも１つの第１の割断予定線と、該第１の割断予定線に交差する少なくとも１つの第２の割断予定線に沿って溝状の線状加工部を形成する工程と、
前記半導体基板の内部の、前記割断予定線に沿った所定の深さ位置の集光点にレーザ光を集光させて深さ方向に延びる内部亀裂を形成し、該内部亀裂の形成を繰り返して前記割断予定線に沿って亀裂群を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に表面側に向かって力を加えて前記線状加工部および前記内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記第１の割断予定線に沿って割断する工程と、
前記第１の割断予定線に沿った割断の後、前記半導体基板の裏面に表面側に向かって力を加えて前記線状加工部および前記内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記第２の割断予定線に沿って割断する工程と、
を有し、
前記テストパターンと前記アライメントパターンとの少なくとも一方を形成する工程は、前記第１の割断予定線上にのみ行う、
素子チップ製造方法。
【請求項２】
前記素子チップは、短辺と長辺を有する矩形形状であり、前記第１の割断予定線は、前記素子チップの前記短辺に沿って延び、前記第２の割断予定線は、前記素子チップの前記長辺に沿って延びている、
請求項１に記載の素子チップ製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板を割断する際に、前記半導体基板の表面に保護テープを貼り付け、該保護テープにそれを広げる引っ張り力を加える、
請求項１または２に記載の素子チップ製造方法。
【請求項４】
前記割断する工程では、ブレードを前記半導体基板の裏面に前記割断予定線に平行に当接させて力を加える、
請求項１から３のいずれか１項に記載の素子チップ製造方法。
【請求項５】
前記第１の割断予定線と前記第２の割断予定線の少なくとも一方は複数であり、複数の前記第１の割断予定線に沿う割断、および複数の前記第２の割断予定線に沿う割断を、最初に、前記半導体基板の中央の前記割断予定線に沿う割断を行い、その後、割断された分割片の中央の前記割断予定線に沿う割断を行うように、順に行う、
請求項４に記載の素子チップ製造方法。
【請求項６】
前記割断する工程は、前記素子チップとなる部分と予備の部分との間に延びる前記割断予定線に沿う割断を含み、前記素子チップとなる部分と前記予備の部分との間に延びる前記割断予定線に沿う割断を、前記ブレードを当該割断予定線より前記素子チップ寄りの位置に当接させて行う、
請求項４または５に記載の素子チップ製造方法。
【請求項７】
短辺と長辺を有する矩形形状の複数の素子チップを構成する配線部と、
前記配線部の特性を検査するためのテストパターンと、位置を検出可能とするためのアライメントパターンとの少なくとも一方と、
が表面に形成され、複数の前記素子チップに分離される半導体基板であって、
前記テストパターンと前記アライメントパターンは、前記素子チップ間の境界線のうち、前記短辺に沿って延びる境界線上にのみ形成されている、
半導体基板。
【請求項８】
半導体基板を複数の素子チップに分離する基板割断方法であって、
前記半導体基板の表面に、前記素子チップに分離するための割断予定線に沿って溝状の線状加工部を形成する工程と、
前記半導体基板の内部の、前記割断予定線に沿った所定の深さ位置の集光点にレーザ光を集光させて深さ方向に延びる内部亀裂を形成し、該内部亀裂の形成を繰り返して前記割断予定線に沿って亀裂群を形成する工程と、
ブレードを前記半導体基板の裏面に前記割断予定線に平行に当接させ、前記半導体基板の表面側に向かって力を加えて前記線状加工部および前記内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記割断予定線に沿って割断する工程と、
を有する基板割断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などを含む複数の配線部が配列され、各配線部をそれぞれ含む個別の素子チップに分離される半導体基板、それを個別の素子チップに分離する基板割断方法、および基板割断工程を含む素子チップ製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハ等の半導体基板を個別の素子チップに精密切断する方法としては、特に、素子チップがインクジェットノズルなどの微細構造部を含む場合、ノズル内部等に微粒子がゴミとして混入するのを抑制することが求められる。そのため、特に、微細構造部を含む配線部を有する半導体基板においては、切断を、半導体基板や研磨材の微粒子、半導体基板と加工テーブルを固定する粘着テープの粘着剤粒子等が冷却水に混ざって飛散することのない、ドライな環境で実施する事が望ましい。
【０００３】
そのような基板の切断方法として、レーザ光による処理後に被加工物を割って分離する方法が特許文献１から知られている。すなわち、この方法では、被加工物に対して透過性の高い特定波長のレーザ光を、被加工物の内部の所定の部分に集光して改質領域を形成する。その後、被加工物に応力をかけることによって、改質領域を起点として亀裂を広げ、所望のスクライブラインに沿って被加工物を分離する。
【特許文献１】特開２００３−３３４６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような割断方法に用いられる多くの半導体露光装置においては、マスクおよび基板面上に、位置合せ用のアライメントマークを設け、それらより得られる位置情報を利用して、マスクと基板とのアライメントを行っている。このアライメントマークは、基板においてはスクライブライン上に設けられる。さらに、スクライブライン上には、アライメントマークに加えて、半導体素子の基本特性を確認するためのＴＥＧ（Test Element Group）と呼ばれるテストパターンが配置されるのが一般的である。
【０００５】
このようなアライメントマークやテストパターンは、金属堆積物により形成されるのが一般的である。このため、上記のように、半導体素子内部の、スクライブラインに対応する部分に露光して改質領域を形成する場合、スクライブライン上のアライメントマークやテストパターンを構成する金属堆積物が露光に影響を与える。すなわち、金属堆積物によって、レーザ光の光路が部分的に遮断され、改質領域を形成すべき部分において十分な改質が行われない、もしくは改質領域が形成されない部分が生じる。このように改質領域が良好に形成されない部分が生じると、良好な割断が阻害される恐れがある。
【０００６】
また、特許文献１に開示された方法では、前述のように、基板内部の改質領域のみが亀裂の基点となるため、亀裂の、基板表面への到達位置が不安定となりがちである。これに対して、基板表面における分離位置をさらに精密に設定可能とすることが求められる場合がある。
【０００７】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、レーザ光を基板内部に集光させる処理を行った後、基板を割って分離する基板割断方法において、割断の精度や、安定性、信頼性を向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明の素子チップ製造方法は、半導体基板の表面上に複数の配線部を形成する工程と、半導体基板の表面上に、配線部の特性を検査するためのテストパターンと半導体基板の位置を検出可能とするためのアライメントパターンとの少なくとも一方を形成する工程と、その後、半導体基板を、配線部をそれぞれ含む複数の素子チップに分離する工程と、を有する、素子チップ製造方法であって、複数の素子チップに分離する工程は、半導体基板の表面に、素子チップに分離するための少なくとも１つの第１の割断予定線と、該第１の割断予定線に交差する少なくとも１つの第２の割断予定線に沿って溝状の線状加工部を形成する工程と、半導体基板の内部の、割断予定線に沿った所定の深さ位置の集光点にレーザ光を集光させて深さ方向に延びる内部亀裂を形成し、内部亀裂の形成を繰り返して割断予定線に沿って亀裂群を形成する工程と、半導体基板の裏面に表面側に向かって力を加えて線状加工部および内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせ、半導体基板を第１の割断予定線に沿って割断する工程と、第１の割断予定線に沿った割断の後、半導体基板の裏面に表面側に向かって力を加えて線状加工部および内部亀裂をつなぐ亀裂を生じさせ、半導体基板を第２の割断予定線に沿って割断する工程と、を有し、テストパターンとアライメントパターンとの少なくとも一方を形成する工程は、第１の割断予定線上にのみ行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、割断の精度や、安定性、信頼性を向上させることができる。また、基板表面における割断位置が線状加工部の位置になるようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１，２は、本実施形態において複数の素子チップ１０aに割断する半導体基板であるシリコン基板１０を示す模式図である。図１（ａ）は、シリコン基板１０の全体の斜視図であり、図１（ｂ)は、素子チップ１０ａ部分を拡大して示す斜視図、図１（ｂ）は断面図である。これらの図には、個別の素子チップ１０aに分離するための割断予定線Ｃも模式的に示している。図２は、割断予定線Ｃ部分をより詳細に示す平面図である。
【００１２】
シリコン基板１０は、表面が（１００）方位に形成された、厚み６２５μｍのシリコンウエハ１を基体としている。図１（ｃ）に示すように、このシリコンウエハ１の表面上には、厚さ１μｍ程度の酸化膜２が形成されている。本実施形態において製造する素子チップ１０aは、インクジェットヘッドに搭載される、インクなどの液体の吐出機構を構成するものである。基板表面１１上には、液体の吐出用の素子、およびそれらを駆動するロジック素子、配線等を内蔵したエポキシ樹脂製の構造物である複数のノズル層が配置され、各配線部３を構成している。
【００１３】
このように液体吐出用の機構等を内蔵した配線部３の直下には、液体供給口（インク供給口）４が、シリコンウエハ１の異方性エッチングによりシリコンウエハ１の貫通孔として形成されている。配線部３は、製造工程の最終段階でシリコンウエハ１を各素子チップ１０ａに割断できるように、互いに割断予定線Ｃを挟んで配置されている。
【００１４】
図２に示すように、本実施形態における素子チップ１０ａは長方形状であり、割断予定線Ｃは、各素子チップ１０ａの短辺に沿って延びる複数の第１の割断予定線Ｃ１と長辺に沿って延びる複数の第２の割断予定線Ｃ２が交差して格子状に設定されている。これらの割断予定線Ｃ１，Ｃ２は、シリコンウエハ１のオリエンテーションフラット１０ｂを基準にして、互いに直交する方向に延びている。
【００１５】
割断予定線Ｃ上には、シリコン基板１０の位置を検出可能とし、シリコン基板１０の、その露光のためのマスクなどとの位置合わせに利用されるアライメントパターン２０が形成されている。また、配線部３の特性を確認するためのテストパターン（ＴＥＧ）２１も割断予定線Ｃ上に形成されている。アライメントパターン２０とテストパターン２１は、金属堆積物からなり、第２の割断予定線Ｃ２上を避けて第１の割断予定線Ｃ１上にのみ形成されている。
【００１６】
次に、シリコン基板１０を、各配線部３を含む個々の素子チップ１０ａに分離する割断手順について説明する。図３に示すように、この割断手順は、テープマウント工程、ウエハ補正工程、表面線状加工工程、内部亀裂形成工程、割断工程、リペア工程、およびピックアップ工程の７工程からなる。以下、各工程を順に説明する。
【００１７】
「テープマウント工程」（ステップ１）
まず、割断工程までの間にシリコン基板１０から素子チップ１０ａが分離するのを防止するためにテープマウントを行う。テープマウントは、図４に示すように、ダイシングフレームＭが貼り付けられた、粘着性を有するダイシングテープＴをシリコン基板１０の裏面（配線部３の形成面と反対側）に貼り付けることにより行う。ダイシングテープＴとしては、紫外線硬化型あるいは感圧型粘着剤が塗布された粘着テープや、自己粘着層を有する粘着テープを用いることができる。
【００１８】
「ウエハ補正(ソリ矯正)工程」（ステップ２）
前述のように、本実施形態における配線層３は、シリコン基板１０の基板表面１１上に形成された樹脂層からなる構造物を有しており、その硬化時に熱収縮を起こすため、シリコン基板１０の全体が図５（ａ）に示すように変形している。このように変形した状態で、後述のレーザ照射を行うと基板表面１１上への入射位置毎に入射角度が変化し、精度よく加工するのが困難となる。したがって、この変形を予め矯正しておくのが好ましい。そこで、図５（ｂ）に示すように、ダイシングテープＴの側からシリコン基板１０を平坦な吸着ステージＤ上に吸着することで、シリコン基板１０を平坦化し変形を矯正する。
【００１９】
「表面線状加工工程」（ステップ３）
続いて、基板表面１１に割断予定線Ｃに沿って溝状の表面加工痕（線状加工部）１１ａを形成する。表面加工痕１１ａは、後述するように、割断時に、シリコン基板１０の各素子チップ１０ａ間を分離する亀裂が基板表面１１において割断予定線Ｃ上に位置するようにする働きをする。
【００２０】
表面加工痕１１ａは、図６に示すように、割断予定線Ｃに沿って超硬、ダイヤモンド等の工具４０を用いたスクライバーにてケガキを入れることによって形成できる。表面加工痕１１ａは、幅２μｍ以上、深さ１μｍ以上が好ましい。ただし、後述する内部亀裂１２を加工するレーザ光Ｌの光路を妨げない大きさにする必要がある。加工深さは、割断時に表面加工痕１１ａと内部亀裂１２間において応力集中が生じるように設定するのが好ましい。表面加工痕１１ａの深さは、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１０の表面層である酸化膜２の厚さより小さくてもよいし、図６（ｂ）に示すように、酸化膜２の厚さと同じかそれより大きくなっても問題はない。
【００２１】
なお、表面加工痕１１ａは、少なくとも、配線部１０ａを有する基板表面１１に対しては必須であるが、シリコン基板１０の表面側と裏面側の双方に形成してもよい。
【００２２】
また、工具３０を用いたケガキ加工にて表面加工痕１１ａを形成する場合、本実施形態のように、後述の内部亀裂形成前に表面加工痕１１ａを形成することで、加工負荷による不必要な割れを回避することができる。また、表面加工痕１１ａを先に形成することにより、表面加工痕１１ａ自体を後工程でのレーザ照射時の加工位置を示す基準（線）とすることができ、レーザ照射の作業効率を向上させることができる。しかし、表面加工痕１１ａは、レーザ光Ｌによる内部亀裂形成工程の後に形成してもよい。この場合、内部亀裂形成時にレーザ光のケラレの影響（表面加工痕１１ａの表面の凹部斜面が、照射されたレーザ光を反射して基板内部へ到達するレーザ光量が減少する現象）が無いため、より効率良く内部亀裂形成を行うことができる。
【００２３】
「内部亀裂形成工程」（ステップ４）
次に、図７（ａ）に示す加工装置５０を用いて内部亀裂１２を形成する。この加工装置５０は、Ｘステージ５３ａ、Ｙステージ５３ｂ、微動調整ステージ５３ｃを有し、載せられたワークＷの位置をＸＹ方向（ワークＷが載せられる面に平行な方向）に調節する自動ステージ５３を備えている。自動ステージ５３の上方には、顕微鏡対物レンズ５２ａ、ミラー５２ｂ等を有する集光光学系５２が配置されている。集光光学系５２には、光源５１、ビーム拡大系５１ａ、ミラー５１ｂ等を有する光源光学系が光学的に接続されており、したがって、光源５１からの照射光は、集光光学系５２を介してワークＷ上に照射される。集光光学系５２は、Ｚステージ５２ｃに搭載され、Ｚ方向（自動ステージ５３の、ワークＷが載せられる面に直行する方向）に移動可能となっている。
【００２４】
本実施形態では、ワークＷとしてシリコン基板１０が自動ステージ５３上に搭載される。加工装置５０は、搭載されたシリコン基板１０のオリエンテーションフラット１０ｂ（図１参照）を利用したアライメントを行う図示しないアライメント光学系も備えている。
【００２５】
また、集光光学系５２は、ワーク照射点と共役になるように観察用カメラ５２ｄを有している。この際、シリコン基板１０の反射率は、後述するように３０％程度あるため、図示していないが、レーザの出力に応じたフィルターを配置している。それによって、反射光の影響で観察用カメラ５２ｄが損傷するのを抑制することができる。観察用の照明としては、リレーレンズを用いて、集光に使用している顕微鏡対物レンズ５２ａの入射瞳の位置に光源を形成し、ケーラー照明を行う構成としている。また、この照明もフィルターを通して行い、照明用光学素子の損傷を極力排除している。
【００２６】
上記の観察光学系以外に、ＡＦ光学系５４も設けられている。ＡＦ光学系５４は、観察用カメラ５２ｄで得られた画像のコントラストを求め、その値から、ピントや傾きを判定するものである。このＡＦ光学系５４を用いて、ワークＷまでの距離を微小送りしながらコントラストを計測し、最良位置を決定するＡＦ動作を行うことができる。なお、このＡＦ動作に関しては、ワークＷの平行度などを見て、使用するか否かを判定する。
【００２７】
光源５１としてはパルスＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）を用いる。パルス幅は１５〜７００ｎｓ前後で、パルス周波数は１０〜１００ＫＨｚである。このレーザの励起源は半導体レーザであり、この励起用レーザのパワーは半導体レーザへの注入電流によって変化させることができる。この注入電流の電流量、周波数を変化させることでパルス幅を変えることが可能である。
【００２８】
レーザ光の選定はシリコン基板１０の分光透過率に応じて行う。すなわち、シリコン基板１０に対して透過性があり、かつ集光点にて強電界を形成可能な波長域の光を選定すればよく、この条件を満たす波長域であれば、どれを選定しもかまわない。例えば、超短パルスと波長変換手段を組み合わせて生成される、１．３〜１．５μｍの波長のレーザ光を用いることができる。
【００２９】
光源５１から出射したレーザ光Ｌはビーム拡大系５１ａ等を経て集光光学系５２に入射する。集光光学系５２の顕微鏡対物レンズ５２ａとしては、例えば倍率２０ＮＡ０．４２あるいは倍率５０ＮＡ０．５５のものを用いる。また、シリコン基板１０の屈折率を考慮し、顕微鏡観察にも適用可能な、シリコン内部加工に最適な集光レンズを用いることもできる。
【００３０】
集光光学系５２によって集光されたレーザ光Ｌは、図７（ｂ）に示すように、自動ステージ５３上のワークＷであるシリコン基板１０の基板表面１１から入射する。この時の光学条件は、基板表面１１に表面加工痕１１ａが存在していても問題が生じないように設定される。すなわち、表面加工痕１１ａによるエネルギー損失を考慮してパワーを上げるか、表面加工痕１１ａを避けて入射するような光束を選定する等の方策をとる。
【００３１】
基板表面１１から入射した光束はシリコン基板１０において屈折して、内部の所定の深さ位置ａの集光点Ａに集光する。集光点Ａの深さ位置ａはシリコン基板１０あるいは集光光学系５２のいずれかを光軸方向に移動させ、集光位置をずらすことで制御できる。
【００３２】
シリコン基板１０の、レーザ光Ｌに対する屈折率をｎとし、シリコン基板１０と集光光学系５２との、光軸方向の相対移動量をｄとした時、集光点Ａの光学的な移動量の理論値はｎｄである。シリコン基板１０の屈折率は、波長１．１〜１．５μｍのレーザ光に対して３．５近傍であり、実際に実験によって見積もった値も、この３．５に近かった。したがって、シリコン基板１０の表面に集光する位置から、シリコン基板１０と集光光学系５２との相対位置を１００μｍだけ機械的に変化させることによって、レーザ光の集光点Ａを、表面より３５０μｍの位置にすることができる。
【００３３】
この際、屈折率が３．５近傍であるということは反射率がかなり大きいことを示している。すなわち、一般に、垂直入射での反射率は（（ｎ−１）／（ｎ＋１））2であるからシリコン基板では３０％程度となる。残りのエネルギーが内部に到達するが、シリコン基板の光吸収も存在するので、集光点Ａへの最終的な到達エネルギーはさらに小さくなる。厚さ６２５μｍのシリコン基板にて実測したところ透過率は２０％程度であった。
【００３４】
集光点Ａにレーザ光Ｌが集光すると、部分的にシリコンの結晶状態が変化し、その結果、内部亀裂１２が形成される。実験結果では、内部亀裂１２は、集光点Ａより下側、つまり、レーザ光Ｌの入射側から遠い方に走ることが確認され、その亀裂長さｂは５０〜１００μｍ程度であった。
【００３５】
このようにシリコン基板１０の内部の一点から内部亀裂１２を形成し、集光点Ａを、深さ方向に、また各割断予定線Ｃに沿って移動させることによって、各割断予定線Ｃの直下に所定のパターンで内部亀裂１２を形成する内部加工を行う。集光点Ａは、シリコン基板１０を自動ステージ５３によって移動させることにより、ＸＹ方向（基板表面１１に平行な方向）に移動させることができる。また、集光光学系５２をＺステージ５２ｃによって移動させることにより、集光点ＡをＺ方向（深さ方向、シリコン基板１０の厚み方向）に移動させることができる。あるいは、シリコン基板１０側をＺ方向に移動させる機構を設けたり、集光光学系５２側をＸＹ方向に移動させる機構を設けたりしてもよい。
【００３６】
この内部加工においては、図８に示すように、ワークＷであるシリコン基板１０の端点付近は、レーザ光Ｌの入射経路が中央部とは部分的に異なり、中央部よりも加工し難い。そのため、端点近傍を加工するときはレーザエネルギーをシリコン基板１０の中央部におけるより上げる等の加工条件の調整を行うのが好ましい。
【００３７】
また、図９に示すように、２つの割断方向にそれぞれ延びる割断予定線Ｃ１，Ｃ２は交差点Ｃ１２で交差している。この交差点Ｃ１２付近では、割断予定線Ｃ１，Ｃ２のうち、後から内部加工を行う側の加工時に、レーザ光束が、先に内部加工を行って形成した内部亀裂１２によって乱されてしまう。これは、後から内部加工を行う側の割断予定線Ｃの全体で発生するものではなく、局部的に発生する現象である。そこで、この現象によるエネルギー損失を考慮して、加工条件を交差点Ｃ１２の近傍で変更するか、あるいは、先に内部加工を行う側と、後から内部加工を行う側の割断予定線Ｃの加工条件を変化させるのが望ましい。
【００３８】
本実施形態では、後述する割断工程において第１の割断予定線Ｃ１側の割断を先に行う。この場合、第２の割断予定線Ｃ２側の内部加工を先に行うのが好ましい。それによって、第２の割断予定線Ｃ２において、交差点Ｃ１２付近で、内部亀裂１２が、他の部分に比べて小さくなったり、十分に形成されなかったりするのを抑制することができる。また、第１の割断予定線Ｃ１上には、前述のように、アライメントパターン２０やテストパターン２１を構成する金属堆積膜が形成されている。これによって、第１の割断予定線Ｃ１では、内部亀裂１２の形成が、局所的に他の部分に比べて不十分となっている部分が存在している。
【００３９】
また、前述のように、１つの集光点Ａに集光して形成される内部亀裂１２の長さは５０〜１００μｍであり、これに対して、シリコン基板１０の厚みは６２５μｍである。したがって、このシリコン基板１０の良好な割断のためには、深さ方向に異なる複数の位置を集光点とした内部加工を行うのが好ましい。深さ方向に異なる集光点Ａでの内部加工は、基板表面１１から遠い側（奥側）の加工から初めて、基板表面１１に近づけてゆくのが好ましい。深さ方向に異なる集光点Ａでの内部加工は、各集光点Ａでの加工によって形成される内部亀裂１２同士が、深さ方向につながるようにしてもよいし、内部亀裂１２が深さ方向に断続的に形成されるようにしてもよい。
【００４０】
この際、少なくとも基板表面１１に最も近い位置での内部加工では、後述の割断工程前に分断が起こらないようにするために、形成される内部亀裂１２の上端が、表面加工痕１１ａとつながらないようにする。実験によれば、形成される内部亀裂１２の上端は、基板表面１１より１０μｍ以上離れるように、集光点Ａの位置や酸化膜２の膜構成、使用するレーザ波長等の加工条件を設定することが望ましく、２０〜１００μｍの深さ位置に設定することができる。また、集光点Ａ近くの、それ以前の内部加工によって形成された内部亀裂１２が、レーザ照射による熱などの影響で成長し、基板表面１１へ到達するような加工条件は選択しないようにする。それによって、加工中に不用意に内部亀裂１２と基板表面１１との連結が生じたり、基板表面１１が損傷してしまったりするのを抑制することができる。
【００４１】
シリコン基板１０の裏面については、内部亀裂１２が裏面に到達してもよい。内部亀裂１２が裏面に到達しない場合、内部亀裂１２の下端（裏面側に近い端部）は、結晶のすべり方向から推測される、割断時の、裏面における亀裂到達位置が、問題の生じない範囲内になるように設定する。
【００４２】
図１０に、内部亀裂１２の、シリコン基板１０の厚み方向に対する加工パターンの例を示す。
【００４３】
図１０（ａ）に示す加工パターンは、内部亀裂１２を、深さ方向に対し一度のレーザ照射にて形成したパターンである。内部亀裂１２の上端位置は基板表面１１から２５μｍの位置とし、表面加工痕１１ａにはつながっていない。また、内部亀裂１２の下端については、裏面に対し２０μｍのギャップを設けている。この下端の位置は、割断時において亀裂が結晶方位に沿って広がった場合でも素子チップ１０ａの外形寸法が許容範囲内に収まる位置として設定されている。
【００４４】
図１０（ｂ）に示す加工パターンは、内部亀裂１２を複数回に分けて形成したパターンである。複数回の内部加工によって形成される各形成亀裂は、間にギャップを生じることなく互いに連結されており、それによって、内部亀裂１２は、実質的に上下のそれぞれ１箇所のみに端部を有している。この場合、複数回の内部加工を行う位置は、各形成亀裂同士がつながるように設定すればよいが、形成亀裂同士がオーバーラップするように設定するのが好ましい。すなわち、オーバーラップ量を、形成亀裂の長さのばらつき、深さ方向位置のばらつきなどの製造公差を考慮して設定することによって、形成亀裂同士を確実に連続させることができる。
【００４５】
図１０（ａ），（ｂ）に示す加工パターンは、基板断面の深さ方向全領域に内部亀裂１２が形成されているため、割断の安定性の観点から好ましい。しかし、このように深さ方向に完全につながった内部亀裂でなくても、所定の間隔で断続的に内部亀裂１２を形成しておけば、十分に良好な割断を行うことができる。
【００４６】
このような加工パターンとして、図１０（ｃ）は、基板表面１１に最も近い位置での亀裂形成時のみ、照射するエネルギーの量を他の亀裂形成時よりも落とし、加工を行ったパターンである。その結果、基板表面１１に近い位置に、それより裏面側の亀裂からギャップをおいた亀裂が形成されている。基板表面１１に最も近い位置の亀裂の形成時は、基板表面１１に近い位置でレーザ光が集光されるため、表面へ照射されるエネルギーの密度が、より裏面側に近い位置の亀裂の形成時より高くなる。そこで、基板表面１１に最も近い位置の亀裂形成時の照射エネルギーを少なくすることによって、配線部３へのダメージを抑制することができる。
【００４７】
図１０（ｄ）に示す加工パターンでは、内部亀裂１２は、深さ方向にギャップが設けられた複数の亀裂からなっている。この場合、内部亀裂１２が連結されたものに比べ、内部加工後の強度を保つことができる為、内部加工工程から割断工程にかけての搬送中にチップが分離する等の不用意な割れを抑制することができる。
【００４８】
図１０（ｅ）に示す加工パターンは、深さ方向にギャップが設けられた複数の亀裂を形成し、かつ、基板表面１１に最も近い位置の亀裂形成時のみ、照射するエネルギーの量を他の亀裂形成時よりも落としたものである。
【００４９】
図１０（ｆ）に示す加工パターンは、基板表面１１近傍においては、間にギャップを形成せずに複数の形成亀裂を連結した亀裂を配置し、基板表面１１から離れた位置では、形成亀裂間にギャップを設けたパターンである。この加工パターンは、基板表面１１付近の割断精度を比較的高くすることができるので、基板表面１１側に高い割断精度が要求される場合、有効なパターンである。
【００５０】
図１０（ｇ）に示す加工パターンは、シリコン基板１０の裏面近傍において、間にギャップを形成せずに複数の形成亀裂を連結した亀裂を配置したパターンである。この加工パターンは、本実施形態におけるように、裏面側にインク供給口４が開口し、裏面側の強度が低い場合でも、インク供給口４部分での破壊を抑制して、内部亀裂１２に沿った割断を行うのに有効である。
【００５１】
図１０（ｈ）に示す加工パターンは、内部亀裂１２の下端とシリコン基板１０の裏面とのギャップを、表面の構造体の配置に対応して調整したパターンである。すなわち、ＮＡ０．５５、シリコンの屈折率３．５、表面の構造体間の距離を１００μｍとした場合、図の様に、内部亀裂１２の下端とシリコン基板１０の裏面とのギャップを３００μｍとする。それによって、レーザ照射面でのケラレによるエネルギー損失を少なく抑え、効率的な加工を行うことができる。
【００５２】
内部亀裂１２は、各割断予定線Ｃに沿う方向についても、連続的に形成しても、断続的に形成してもよい。
【００５３】
図１１は、亀裂群の加工順序の様々な例を示している。
【００５４】
図１１（ａ），（ｂ）に示す例は、各割断予定線Ｃについて、同じ深さ位置の一群の内部亀裂１２ａを形成し、その後、内部亀裂１２ａとは深さ位置の異なる一群の内部亀裂１２ｂを形成する例である。これを順次繰り返して、各割断予定線Ｃに沿った亀裂群からなる内部亀裂１２を形成する。
【００５５】
この際、同じ深さ位置の亀裂群は、光源５１を所定のパルス間隔で作動させながら、シリコン基板１０を自動ステージ５３によってＸＹ方向に所定の速度で移動させることによって形成することができる。この移動速度は、光源５１のパルス周波数と形成亀裂の形状などを考慮して設定され、前述のようにパルス周波数が１０〜１００ＫＨｚの場合、移動速度は１０〜１００ｍｍ／ｓｅｃが目安となる。移動速度が１００ｍｍ／ｓｅｃを超えると、形成亀裂の、割断予定線Ｃに沿った間隔が広くなり過ぎるなど、後の割断工程が困難となりがちである。
【００５６】
図１１（ａ）は、各深さ位置の内部亀裂１２ａ，１２ｂを、シリコン基板１０を同一の方向に移動させながら形成する例、図１１（ｂ）は、シリコン基板１０を往復動作させ、往動作時と復動作時にそれぞれ深さ位置の異なる内部亀裂１２ａ，１２ｂを形成する例である。後者には、総動作距離が短くなるため、加工時間を短縮することができるという利点があり、本実施形態ではこの方法を採用している。しかし、これらは、対象物の状態（シリコン基板の平行度、うねり）などから総合的に判断して決定すればよい。
【００５７】
また、図１１（ｃ）に示すように、全ての割断予定線Ｃについて、同一の深さ位置の一群の内部亀裂１２aを形成し、その後、他の深さ位置の一群の内部亀裂１２ｂを形成してもよい。この方法には、深さ位置の設定を変更する回数が少なくて済むという利点がある。また、全ての割断予定線Ｃについて、深さ位置の最も深い亀裂群を形成した後、深さ位置の浅いものを順に形成していくことによって、割断予定線Ｃの交差点Ｃ１２における、交差する割断予定線Ｃ上に先に形成された内部亀裂１２による影響を低減できる。
【００５８】
あるいは、図１１（ｄ）に示すように、ある点において、深さ位置の異なる内部亀裂１２ａ，１２ｂ，１２ｃを形成し、亀裂の形成点を割断予定線Ｃに沿って変化させていってもよい。この方法には、シリコン基板１０の平面性に対する焦点位置の補正が必要な場合、各加工点における補正動作が加工開始時のみでよいので、補正動作の回数を減らすことができるという利点がある。
【００５９】
「割断工程」（ステップ５）
各割断予定線Ｃに沿って表面加工痕１１ａおよび内部亀裂１２を形成したシリコン基板１０は、前述のように、少なくとも表面加工痕１１ａと内部亀裂１２との間にギャップがある。したがって、シリコン基板１０は、上記のレーザ加工、すなわち内部亀裂形成工程後にも、個々の素子チップ１０ａに分離していない。割断工程において、この状態のシリコン基板１０を個々の素子チップ１０ａに分離する。
【００６０】
この割断工程では、図１２に示すように、シリコン基板１０を、ダイシングテープＴにマウントしたまま、シリコン基板１０の裏面が上となるように、割断装置のゴムシート６０上に置く。ゴムシート６０は、十分な弾力性のあるものが好ましく、シリコーンゴムあるいはフッ素ゴムから形成されていてよい。なお、シリコン基板１０の基板表面１１がゴムシート６０に接することで基板表面１１が汚れるのを避けるために、内部亀裂形成後、バックグラインドなどに用いられる市販の保護テープＲを基板表面１１に貼付してもよい。
【００６１】
そして、このようにゴムシート６０上に載せられたシリコン基板１０を、裏面側からダイシングテープＴを介してローラー６１によって圧迫することによって、シリコン基板１０を割断する。ローラー６１は、硬質の材料、例えばステンレスから形成されており、その回転軸線方向に十分な長さを有しており、シリコン基板１０の端から端までにわたる直線領域を一度に圧迫することができる。
【００６２】
圧迫は、まず、シリコン基板１０をその第１の割断予定線Ｃ１がローラー６１の回転軸線と実質的に平行になるように配置して行う。ローラー６１を転がしながらシリコン基板１０を圧迫すると、シリコン基板１０は、ローラー６１の直下においてゴムシート６０に沈み込むように変形する。
【００６３】
ローラー６０が第１の割断予定線Ｃ１の直上にくると、図１２（ｂ）に示すように、表面加工痕１１ａを広げようとする力が作用する。この結果、表面加工痕１１ａを起点として亀裂が発生する。すなわち、割断予定線Ｃに沿って、表面加工痕１１ａおよび内部亀裂１２が形成されているために、外力を加えた際に、割断予定線Ｃ部分に応力集中が起こり、割断予定線Ｃに沿った割れが発生する。
【００６４】
表面加工痕１１ａを起点として発生した亀裂は、レーザ照射によって形成した内部亀裂１２に連結する。それによって、亀裂が第１の割断予定線Ｃ１に沿ってシリコン基板１０の裏面へと広がる。また、発生した亀裂は、第１の割断予定線Ｃ１に沿って、基板表面１１に平行な方向にも広がる。すなわち、シリコン基板１０の強度の面内分布や、表面加工痕１１ａと内部亀裂１２の形成のばらつきなどのために、亀裂は、図１３（ａ）に示すように、最初に、幾つかの割断開始点Ｓに形成されるのが普通である。割断開始点Ｓで亀裂が形成されると、その亀裂の周囲の部分に応力が加わりやすなり、その結果、矢印Ｅによって示すように、亀裂が第１の割断予定線Ｃ１に沿って広がっていく。そして、図１３（ｂ）に示すように、各割断開始点Ｓから広がった亀裂同士が点Ｍでつながり、このようにして、第１の割断予定線Ｃ１に沿った部分全体に亀裂が広がる。このようにして、シリコン基板１０は第１の割断予定線Ｃ１に沿って分離され、すなわち割断される。
【００６５】
この際、亀裂の広がりは、詳細に見ると、シリコン基板１０の結晶方位に沿って起こりやすい。しかし、形成亀裂が内部亀裂１２や表面加工痕１１aに連結することによって、割断は、実質的に第１の割断予定線Ｃ１に沿って真っ直ぐに行われる。
【００６６】
また、表面加工痕１１ａが形成されているために、亀裂が、基板表面１１の、表面加工痕１１ａの形成部以外の所に発生するのを抑制することができる。したがって、配線部３のロジック回路等が、亀裂によって悪影響を受けるのを抑制することができる。
【００６７】
ローラー６１の進行に伴い、各第１の割断予定線Ｃ１に沿った割断が順次行われる。ローラー６１は、シリコン基板１０の一方の端部から他方の端部へ向けて進行させてもよいし、シリコン基板１０の中央付近を開始点としてシリコン基板１０の各端部へ向けた進行を順に行ってもよい。
【００６８】
次に、シリコン基板１０を９０°回転させ、第２の割断予定線Ｃ２とローラー６１の回転軸線とが実質的に平行となるようにする。そして、第１の割断予定線Ｃ１の場合と同様に、ローラー６１でシリコン基板１０を圧迫し、表面加工痕１１ａを起点とする亀裂を生じさせ、裏面へ到達させ、シリコン基板１０を各第２の割断予定線Ｃ２に沿って割断する。
【００６９】
以上の工程により、シリコン基板１０は全域において各第１の割断予定線Ｃ１および各第２の割断予定線Ｃ２に沿って割断され、個々の素子チップ１０ａに分離される。
【００７０】
以上説明した割断工程では、前述のように、誘起された亀裂が割断予定線Ｃに沿って基板表面１１に平行な方向へ広がる作用が得られる。これによって、内部亀裂１２の形成が不均一になっている部分があったとしても、その部分で分離が行われなかったり、分離位置がずれてしまったりするのを抑制することができる。
【００７１】
この作用は、交差する方向の割断が先に行われている場合には、割断された部分で途切れてしまうが、交差する方向の割断が行われていなければ、割断予定線Ｃの全長にわたって得られる。したがって、この作用は、割断予定線Ｃ１，Ｃ２のうち、先に割断を行う側においてより有効に得られる。
【００７２】
すなわち、図１４に示すように、図の上下方向に延びる割断済み線Ｇでの割断が完了した後、図の左右方向に延びる割断予定線Ｃに沿った割断を行う場合を考える。図１４（ａ）は、図の左右の素子チップ２１と２４の間、および２３と２６の間に割断開始点Ｓが生じ、一方、図の中央の素子チップ２２と２５の間には、割断開始点Ｓが生じなかった場合を示している。例えば、素子チップ２２と２５の間で、内部亀裂１２の形成が十分でない部分があり、割断予定線Ｃに沿った、割断済み線Ｇ間の距離が比較的短い場合に、このように素子チップ２２と２５の間に割断開始点Ｓが生じない可能性が高まる。
【００７３】
その後の過程では、左右の割断開始点Ｓからそれぞれ亀裂が広がるが、これらの亀裂の広がりは、図１４（ｂ）に示すように、割断済み線Ｇで中断され、その結果、素子チップ２２と２５の間は、割断されないまま残されてしまう場合がある。一方、割断済み線Ｇでの割断が行われていなければ、左右の割断開始点Ｓから広がった亀裂は、素子チップ２２と２５の間にも広がり、素子チップ２２と２５の間を良好に割断することができる。
【００７４】
そこで、本実施形態では、前述のように、テストパターン２１などを構成する金属堆積膜などのために内部亀裂１２の形成が、局所的に他の部分に比べて不十分となっている部分が存在している第１の割断予定線Ｃ１に沿う割断を先に行っている。それによって、内部亀裂１２の形成が不十分となっている部分においても、良好な割断を可能とすることができる。一方、第２の割断予定線Ｃ２側は、内部亀裂１２の形成が不十分となる要因がなく、したがって、亀裂が基板表面１１に平行な方向へ広がる作用が比較的弱くても、良好な割断が可能である。
【００７５】
また、素子チップ１０ａが、縦横比を有する長方形状の場合、短辺に沿った割断を先に行えば、その後の、長辺に沿った割断の際、その割断予定線に沿って位置する、既に割断が行われた部分の数を比較的少なく抑えることができる。したがって、短辺に沿った割断を先に行うことによって、亀裂が基板表面１１に平行な方向へ広がる作用を途切れさせる部分の数を抑え、この作用が有効に得られるようにすることができる。本実施形態では、これを考慮して、前述のように、素子チップ１０ａの短辺に沿う側を、先に割断を行う第１の割断予定線Ｃ１に設定している。
【００７６】
なお、本実施形態における割断工程では、硬質のローラー６１によってゴムシート６０の変形に伴ってシリコン基板１０の全体に応力が作用させられるものであり、配線部３のロジック素子やノズル層に悪影響が生じないようにする必要がある。すなわち、ローラー６１によるシリコン基板１０の圧迫荷重やゴムシート６０の厚み、ゴム硬度などを適切に設定することによって、配線部３への悪影響を抑制しつつ、割断予定線Ｃに沿った割断を行うことができる。また、ダイシングテープＴや基板表面１１の保護テープＲの材質、厚さなどは、ローラー６１による力が過大に緩衝されないように選定する。保護テープＲとしては、割断時においてシリコン基板１０の変形を妨げないように、ダイシングテープＴに比較し同等か、またはより柔らかい材質のものを選択するのが望ましい。例えば、ダイシングテープＴの基材にポリオレフィンが使用されていつ場合、保護テープＲとしては、ポレオレフィン製もしくは塩化ビニル製のものが適している。
【００７７】
「リペア工程」（ステップ６）
上述のように、割断工程にて、応力に伴って発生する亀裂によって、表面加工痕１１ａと内部亀裂１２が連結するとともに、この亀裂はシリコン基板１０の裏面にも到達し、シリコン基板１０は各素子チップ１０ａに分離される。しかし、偶発的に完全分離が成されていない場合は、再割断する必要がある。再割断は、例えば、図１５に示した、後述するピックアップ工程用の機構を用いて行うことができる。
【００７８】
図１５に示した機構は、シリコン基板１０の、ダイシングテープＴ側、すなわち裏面側に配置されたピックアップピン６６と、基板表面１１側に配置された吸着コレット６５を有している。吸着コレット６５とピックアップピン６６は、各素子チップ１０ａに対応した大きさを有しており、不図示の機構によって上下動可能である。また、この機構は、吸着コレット６５とピックアップピン６６、または、シリコン基板１０を基板表面１１に平行な方向に移動させる機構を有している。それによって、吸着コレット６５とピックアップピン６６を所望の素子チップ１０ａに対応する位置に位置あわせすることができる。
【００７９】
完全に分離されていない場合、その素子チップ１０ａに対応する位置に吸着コレット６５とピックアップピン６６を位置合わせする。そして、ピックアップピン６６によって素子チップ１０ａを押し上げ、押し上げられた素子チップ１０ａに吸着コレット６５を近づけることによって、その素子チップ１０ａを捕捉する。このようにして、素子チップ１０ａ部分を微小に持ち上げることによって、割断予定線Ｃ部分に応力を作用させ、素子チップ１０ａを完全に分離することができる。
【００８０】
「ピックアップ工程」（ステップ７）
割断工程およびリペア工程にて分離された素子チップ１０ａは、図１５に示すように、吸着コレット６５によって搬出され、個別に収納される。この際、エキスパンダーなどにより、ダイシングテープＴに広げる力を加えるなどして、各素子チップ１０ａの間の間隙を広げてから、ピックアップを行ってもよい。また、ピックアップの際に発生する微小な粉塵を、吸引除去してもよい。
【００８１】
（第２の実施形態）
次に、図１６を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。図１６において、第１の実施形態と同様の部分については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態は、割断工程が第１の実施形態と異なる。他の工程などについては、特に説明しない限り、第１の実施形態と同様であってよく、詳細な説明は省略する。
【００８２】
本実施形態では、図１６に示すように、ブレード状の圧迫工具（以下、ブレード３０と称する）によってシリコン基板１０の、割断予定線Ｃに沿った部分を圧迫することにより、割断を行う。ブレード３０は、硬質の材料から形成されており、その長手方向に十分な長さを有しており、シリコン基板１０の端から端までにわたる直線領域を同時に圧迫することができる。ブレード３０は、例えば、ステンレス製で、長さ１６０ｍｍ、刃先幅０．２ｍｍである。
【００８３】
割断工程では、まず、図１６（ａ）に示すように、シリコン基板１０の割断予定線Ｃの１つがブレード３０とほぼ平行になるようにシリコン基板１０をゴムシート６０上に置く。そして、ブレード３０をシリコン基板１０の裏面の割断予定線Ｃに沿う部分に当接させて圧迫すると、ブレード３０の直下において、ゴムシート６０が沈み込むように変形する。その結果、第１の実施形態と同様に、シリコン基板１０には、ゴムシート６０側、すなわち基板表面１１側において、表面加工痕１１ａを広げようとする力が作用し、表面加工痕１１ａを起点として亀裂が生じる。生じた亀裂は、表面加工痕１１ａと内部亀裂１２によって誘導されて割断予定線Ｃに沿って広がり、割断予定線Ｃに沿った割断が行われる。
【００８４】
この際、圧迫時に保護テープＲに対して引張力を付与してもよい。それによって、割断における表面加工痕１１ａへの応力が増強されるため、ブレード３０の、割断に必要な押し込み量をより少なくすることができる。さらに、割断後において素子チップ１０ａ間に間隙ができる為に、割断後の素子チップ１０ａ間の擦れを抑制し、チッピングの発生を抑制することができる。
【００８５】
本実施形態では、ブレード３０によって割断予定線Ｃに沿った部分に集中して応力を加えることができ、配線部３に応力が加わるのを抑制することができる。すなわち、配線部３への悪影響を抑制しながら、割断予定線Ｃに沿った部分に十分な応力を作用させるのが容易であり、それによって、有効に割断を行うことができる。特に、配線部３がノズル層を含み、インク供給口４（図１など参照）が形成されている場合でも、インク供給口４が形成されているために強度が弱くなっている部分に割断工程においてダメージを与えるのを抑制することができる。
【００８６】
なお、亀裂の広がりは、前述のように、詳細に見ると、シリコン基板１０の結晶方位に沿ったへき開方向に生じやすい。本実施形態では、ブレード３０によって応力を加える位置を容易に微調整できるので、それを利用して、シリコン基板１０の裏面におけるへき開をコントロールして、亀裂の到達位置を調整することができる。
【００８７】
例えば、図１７に示すように、インク供給口１４が形成されたノズル層を含む素子チップ１０ａの製造を考える。この場合、図１７（ｂ）に示すように、断面で見ると、内部亀裂１２の端部からシリコン基板１０の裏面に向かうへき開方向はＣＬａとＣＬｂの２つが存在する。そこで、ブレード３０による圧迫位置Ｐを、図１７（ｂ）に示すように、割断予定線Ｃから、一方のへき開方向ＣＬａ側に寄った位置とすることによって、亀裂がこのへき開方向ＣＬａに沿って広がるようにすることができる。
【００８８】
図１７は、素子チップ１０aと予備の部分との間で割断を行う例を示しており、この場合、割断予定線Ｃより少し素子チップ１０ａ寄りの部分を圧迫位置Ｐとするのが好ましい。それによって、シリコン基板１０の裏面側において亀裂が素子チップ１０ａ側に向かって広がるようにし、素子チップ１０ａに出っ張りができるのを抑制することができる。
【００８９】
また、本実施形態では、ブレード３０によって応力をかける割断予定線Ｃの順序を、したがって、割断を行う割断予定線Ｃの順序を容易に調整することができる。以下、割断を行う割断予定線Ｃの、好ましい順序について説明する。
【００９０】
まず、図１８に示すように、最初に、シリコン基板１０の端部に近い割断予定線Ｃで割断を行うことを考える。この場合、図１８（ｂ）に示すように、シリコン基板１０の、割断によって形成される分割片のうちの一方が、他方に比べて非常に小さくなるため、この小さい側の分割片は、ブレード３０を押し込んでいくにしたがって大きく変位する。そして、割断完了時に、小さい側の分割片が跳ね上がってしまう場合がある。このように分割片が跳ね上がると、擦れてチッピングが発生する要因となる。また、ブレード３０によって圧迫する際、割断予定線Ｃ部分に加わる応力が不安定となりがちであり、割断精度が低下する。
【００９１】
したがって、圧迫は、図１９（ａ）に示すように、まず、シリコン基板１０の中央付近の割断予定線Ｃ１に沿った位置を圧迫位置Ｐ１として行う。この場合、シリコン基板１０の、割断によって形成される２つの分割片がほぼ同じ大きさになるので、変位が、割断予定線Ｃ１に関して対称に生じ、割断予定線Ｃ１に沿った部分に安定して応力を加えることができる。また、分割片が跳ね上がるのも抑制することができる。
【００９２】
続いて、図１９（ｂ）に示すように、図１９（ａ）に示す工程での割断済み線Ｇによって分離された分割片の中央付近の割断予定線Ｃ１に沿った位置を圧迫位置Ｐ２として圧迫を行う。この際、小さくなった分割片に対する圧迫では、分割片全体の沈み込みが生じやすいため、同じ押し込み量であれば、圧迫位置Ｐ２の直下の割断予定線Ｃ１に応力が加わりにくくなる。そこで、図１９（ｄ）に示す、割断されていないシリコン基板１０の割断時の、ブレード３０の押し込み量Ｑ１よりも、図１９（ｅ）に示す、分割片の割断時の、ブレード３０の押し込み量Ｑ２を大きくするのが好ましい。
【００９３】
その後は、図１９（ｃ）に示すように、さらに小さくなった分割片において中央付近の割断予定線Ｃ１に沿った部分を圧迫位置Ｐ３として割断を行い、これを繰り返して、全ての割断予定線Ｃ１に沿った割断を行う。この際、図１９（ｃ）に示す割断では、図１９（ｆ）に示す押し込み量Ｑ３を、図１９（ｂ）に示す割断の際より大きくし、このように、分割片が小さくなるのにしたがって、押し込み量を大きくしていくのが好ましい。
【００９４】
その後、シリコン基板１０を９０°回転させて、第２の割断予定線Ｃ２に沿った割断を行う。第２の割断予定線Ｃ２に沿った割断についても、第１の割断予定線Ｃ１の場合と同様、各分割片において中央付近のものから順に行うのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるシリコン基板の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）の一部分を拡大して示す部分拡大斜視図、（ｃ）は（ｂ）の断面を示す部分断面図。
【図２】図１のシリコン基板の、割断予定線に沿う部分をより詳細に示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態による割断プロセスのフローチャート。
【図４】テープマウント工程を説明する図。
【図５】ウエハ補正工程を説明する図。
【図６】表面加工痕を形成する表面線状加工工程を説明する図。
【図７】内部亀裂形成工程を説明する図であり、（ａ）はレーザ光を照射する加工装置を示す模式図、（ｂ）は内部亀裂が発生するメカニズムを示す図。
【図８】シリコン基板の端部における内部亀裂形成工程を説明する図。
【図９】内部亀裂の形成順序を説明する図。
【図１０】内部亀裂の、深さ方向の形成パターンを例示する図。
【図１１】内部亀裂の形成順序を例示する図
【図１２】本発明の第１の実施形態による、ローラーを用いた割断工程を説明する図。
【図１３】亀裂が基板表面に平行な方向に広がるのを説明する図。
【図１４】割断済み線がある場合の、亀裂が基板表面に平行な方向に広がるのを説明する図。
【図１５】ピックアップ工程を説明する図。
【図１６】本発明の第２の実施形態による、ブレードを用いた割断工程を説明する図。
【図１７】ブレードによる圧迫位置を説明する図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ部分を拡大して示す図。
【図１８】ブレードによってシリコン基板の端部付近の割断予定線に沿った部分を圧迫した場合を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線に沿った断面図。
【図１９】（ａ）から（ｂ）は、ブレードによる、好ましい割断順序を示す図であり、（ｄ）から（ｆ）は、（ａ）から（ｂ）の各割断時に割断される割断予定線部分の断面図。
【符号の説明】
【００９６】
３    配線部
１０    シリコン基板（半導体基板）
１０ａ    素子チップ
１１ａ    線状加工部
１２    内部亀裂
２０    アライメントパターン
２１    テストパターン
Ｃ１    第１の割断予定線
Ｃ２    第２の割断予定線
【図１】
2007317935.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2007317935.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007317935.tif 000018
【図１７】
2007317935.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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