(57)【要約】      （修正有）【課題】熱処理に伴う煩わしい工程が不要であり、異なる高さを有する樹脂ポストを優れたパターン精度で形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、絶縁樹脂を塗布する第一工程と、一面に所定のパターンで形成された凹凸部を備える型板を、該凹凸部が形成された側を前記絶縁樹脂に押し付け、該凹凸部に対応する凹凸パターンを有し、かつ異なる高さの段部が設けられた絶縁樹脂層を形成する第二工程と、前記絶縁樹脂層上に、少なくとも前記段部の一部を覆うように、前記電極と電気的に接続される配線層を形成する第三工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図２
2007317857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、絶縁樹脂を塗布する第一工程と、
一面に所定のパターンで形成された凹凸部を備える型板を、該凹凸部が形成された側を前記絶縁樹脂層に押し付け、該凹凸部に対応する凹凸パターンを有し、かつ異なる高さの段部が設けられた絶縁樹脂層を形成する第二工程と、
前記絶縁樹脂層上に、少なくとも前記段部の一部を覆うように、前記電極と電気的に接続される配線層を形成する第三工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第二工程の後に、前記絶縁樹脂層に設けられた段部の凸部分にＲ加工を行う工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁樹脂層として、感光性樹脂を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
一方の面側に電極が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記電極に対応する位置に開口部を有し、かつ異なる高さを有する段部が設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に、少なくとも前記段部の一部を覆うように設けられ、前記電極と電気的に接続される配線層と、を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁樹脂層は、感光性樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁樹脂層の段部の凸部分は、Ｒ形状となっていることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ状態で半導体チップのパッケージ化を実現する、ウエハレベルＣＳＰタイプの半導体装置であって、樹脂パターンの精度が向上した半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」（以下、「ウエハレベルパッケージ」と証する場合がある。）と呼ばれる半導体パッケージ構造がある。図５は、その一例を示す模式的断面図である。図５に示すように、この半導体装置１０１は、例えば電極１０３を設けた半導体基板１０２の上に、電極１０３を露出する開口部１０５を有する絶縁層１０４を配し、絶縁層１０４上には樹脂ポスト（樹脂製の突起）Ｐが設けられている。また、絶縁層１０４および樹脂ポストＰの上には配線層１０６が設けられ、配線層１０６上には配線コンタクト領域に対応する金属パッド１０６ａを露出する開口部１０８を有する封止樹脂層１０７が形成されている。そして、金属パッド１０６ａの上にボール状の半田バンプ１０９等を設けた構造をしている。このような構造の半導体装置は、最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することにより、パッケージ構造を具備した半導体チップとすることができる。
【０００３】
また、この半導体装置１０１は、例えば図６及び図７に示す工程を順に行うことにより製造される。まず、一面に電極１０３が設けられた半導体基板１０２を用意する［図６（ａ）］。次いで、半導体基板１０２の上面を覆うように全体的に、感光性の絶縁樹脂１０４ａを塗布する［図６（ｂ）］。ここでは、感光性の絶縁樹脂１０４ａとしてネガの例を示しているが、ポジを用いても良い。
【０００４】
次に、絶縁樹脂１０４ａの塗布後、露光光を透過する所望のパターンが形成されたマスクを介して露光を行う［図６（ｃ）］。露光後、現像によって電極１０３の付近から絶縁樹脂層１０４を除去することで、絶縁樹脂層１０４に開口部１０５を形成する［図７（ａ）］。次いで、電極１０３及び絶縁樹脂層１０４の上面を覆うように全体的に感光性の液状樹脂を塗布・乾燥して第二樹脂層（不図示）を形成した後、この第二樹脂層をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、平坦な頂部を備える円錐台状の樹脂ポスト（樹脂製の突起）Ｐを形成する［図７（ｂ）］。
【０００５】
続いて、めっき処理によって絶縁樹脂層１０４の一部と樹脂ポストＰとを覆うと共に、開口部１０５を介して電極１０３と電気的に接続される配線層１０６を形成する［図７（ｃ）］。その後、絶縁樹脂層１０４および配線層１０６を覆うように封止樹脂１０７ａを塗布する［図７（ｄ）］。
そして、前述した絶縁樹脂１０４ａと同様に、露光光を透過するパターンが形成されたマスクを介して露光を行うことにより、封止樹脂層１０７に開口部１０８を形成し、図５に示すような半導体装置１０１とする。なお、開口部１０８により露呈された配線層１０６の一部（電極パッドとも呼ぶ）１０６ａは、後に形成される半田バンプ１０９との電気的な接点として機能する。
【０００６】
上述したように、ウエハレベルＣＳＰの特徴は、パッケージを構成する部材を、すべてウエハの形成において加工することにある。すなわち、絶縁樹脂層、配線層、封止樹脂層、半田バンプ等は、すべてウエハをハンドリングすることで形成される。
【０００７】
そして、ウエハレベルパッケージは、ウエハのデバイス回路側の面にパッケージ部材を積層した後に、ダイシング工程により個片化され、ウエハ上に形成された半導体パッケージの端子を用いて回路基板上に実装されることで電子機器に使用される。
【０００８】
ところが、従来この種の半導体パッケージに用いられる絶縁樹脂は、緩衝層としての機能を保持する必要があるため厚さが厚く、十分なパターン精度が得られないものである。すなわち、パターンを形成する場合、絶縁層として感光性のポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）やポリイミド樹脂が用いられ、これらの樹脂をコーティングし、フォトリソグラフィ技術を利用することによってパターニングすることが行われているが、樹脂層の厚さを１０μｍ以上とすると、樹脂ポストの高さが３０μｍ以上であるため、ウエハ基板の一面に設けられた電極を露出させるための開口部や、配線層の一部を露出させるための開口部の大きさ及び形状を制御することが困難となり、精度良くパターン形成がおこなえないといった問題点があった。
【０００９】
一方、多層プリント配線板の層間絶縁層内に微細な配線パターンを容易かつ正確に形成する手段として、コア基板に形成された層間絶縁層が、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合樹脂、感光性を付与した熱硬化性樹脂、感光性を付与した熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合樹脂、および感光性樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂によって形成され、前記層間絶縁層を軟化させ、次いで、凹凸部を有するモールドを軟化後の層間絶縁層に圧入して配線パターン形成用の溝などを転写し、前記溝の形状が崩れない程度に加熱あるいは冷却した後、モールドを層間絶縁層から取り外し、その後、前記溝内に導体を充填することが行われている（例えば、特許文献１参照）
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、樹脂の加熱硬化や、樹脂温度の降下あるいは上昇、といった複数の煩わしい手間や多くの工程を要するものであるとともに、処理時間が長くなる、という問題がある。
【００１１】
また、樹脂硬化を高温（例えば３００℃以上）で行うため、硬化した樹脂に残留応力が発生し、ウエハに反りが生じるおそれがあった。
また、樹脂層は、下地形状の影響を受けやすいので、均一な厚みを得ることが難しかった。したがって、ウエハ基板の一面に設けられた電極と配線層、または積層された配線層同士の電気的な接続不良を生じる虞があった。
【特許文献１】特開２００５−１０８９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、熱処理に伴う煩わしい工程が不要であり、異なる高さを有する樹脂ポストを優れたパターン精度で形成できる半導体装置の製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、絶縁樹脂層の緩衝層としての機能を維持しつつ、異なる高さを有する樹脂ポストの優れたパターン精度と優れた電気的接続とを兼ね備えた半導体装置を得ることを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、絶縁樹脂を塗布する第一工程と、一面に所定のパターンで形成された凹凸部を備える型板を、該凹凸部が形成された側を前記絶縁樹脂に押し付け、該凹凸部に対応する凹凸パターンを有し、かつ異なる高さの段部が設けられた絶縁樹脂層を形成する第二工程と、前記絶縁樹脂層上に、少なくとも前記段部の一部を覆うように、前記電極と電気的に接続される配線層を形成する第三工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、前記第二工程の後に、前記絶縁樹脂層に設けられた段部の凸部分にＲ加工を行う工程を備えることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または２において、前記絶縁樹脂層として、感光性樹脂を用いることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項４に記載の半導体装置は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、前記電極に対応する位置に開口部を有し、かつ異なる高さを有する段部が設けられた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に、少なくとも前記段部の一部を覆うように設けられ、前記電極と電気的に接続される配線層と、を備えていることを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置は、請求項４において、前記絶縁樹脂層は、感光性樹脂からなることを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体装置は、請求項４または５において、前記絶縁樹脂層の段部の凸部分は、Ｒ形状となっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、半導体基板上に絶縁樹脂を塗布した後、凹凸を有する型板の凹凸面を前記絶縁樹脂塗布面に押し付けることで、異なる高さを有する段部を形成するようにしたので、熱処理に伴う煩わしい工程が不要であり、異なる高さを有する段部を優れたパターン精度で形成できる半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、本発明では、絶縁樹脂層の緩衝層としての機能を維持しつつ、異なる高さを有する段部の優れたパターン精度と優れた電気的接続とを備えた半導体装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置１０においては、集積回路（図示略）が形成された半導体基板１の表面に集積回路（ＩＣ、図示略）の電極２が形成されている。
そして本発明の半導体装置１０は、半導体基板１のパッシベーション膜３上に設けられ、前記電極２に対応する位置に開口部１１ａを有し、かつ異なる高さを有する段部１１ｂが設けられた絶縁樹脂層１１と、前記絶縁樹脂層１１上に、少なくとも前記段部１１ｂの一部を覆うように設けられ、前記電極２と電気的に接続される配線層１２と、前記配線層１２を覆うように設けられた封止樹脂層１３と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体装置１０は、その製造方法について後述するように、絶縁樹脂層１１にモールド型（型板）２０を物理的に押し付けることで、異なる高さを有する段部１１ｂ（樹脂ポスト）を形成したものであるので、緩衝層としての機能を維持するため厚さを厚くした絶縁樹脂層１１に形成された高さの異なる樹脂ポストの形状及び大きさが任意の形状に精度良く調整されたものとなっている。したがって、一回のプレス処理で高い樹脂ポストを形成することができ、良好なパターン精度を有する樹脂ポストを備えた半導体装置とすることができる。
【００１９】
半導体基板１は、少なくとも表層が絶縁部（図示略）をなす基材１ａの一面上に、例えば電極２としてＡｌパッドを設け、さらにその上にＳｉＮまたはＳｉＯ２  等のパッシベーション膜３（不動態化による絶縁膜）を形成してなるものである。このパッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部４が設けられており、この開口部４を通して電極２が露出されている。パッシベーション膜３は、例えばＬＰ−ＣＶＤ法等により形成することができ、その膜厚は例えば０．１〜０．５μｍである。
【００２０】
半導体基板１は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板１が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００２１】
絶縁樹脂層１１は、各電極２と整合する位置に形成された開口部１１ａを有する。さらに、絶縁樹脂層１１には、異なる高さを有する段部１１ｂ（樹脂ポスト）が設けられている。
また、前記段部１１ｂの凸部分は、Ｒ形状となっていることが好ましい。これにより、配線層１２における断線を抑制でき、その結果、電気的安定性に優れたものとすることができる。
【００２２】
また、前記段部１１ｂの凸部分にテーパーをつけてもよい。テーパーをつけることにより、凸部の側面にもしっかりと配線を施すことができるので、配線層１２における断線を抑制でき、その結果、電気的安定性に優れたものとすることができる。
【００２３】
このような絶縁樹脂層１１は、後述するような方法により形成することができる。これにより、緩衝層としての機能を維持するため厚さを厚くした絶縁樹脂層１１に形成された高さの異なる樹脂ポストの形状及び大きさが任意の形状に精度良く調整されたものとなっている。
また、絶縁樹脂層１１は、感光性樹脂からなることが好ましい。これにより、後述する製造方法において、樹脂硬化を低い温度で行うことができるので、硬化後の絶縁樹脂の残留応力を低減することができ、ウエハに反りが生じるのを防止することができる。
【００２４】
配線層１２は、少なくとも前記段部１１ｂの一部を覆うように設けられ、開口部１１ａを介して絶縁樹脂層１１を貫通し、電極２と電気的に接続されている。
配線層１２の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。配線層１２は、電解銅めっき法等のめっき法により形成することができる。
【００２５】
封止樹脂層１３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えばが５〜１５０μｍである。封止樹脂層１３には、外部への端子を出力するための開口部（図示略）が設けられる。
【００２６】
次に、図１に示す半導体装置１０の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極２が設けられた半導体基板１上に、絶縁樹脂を塗布する第一工程と、一面に所定のパターンで形成された凹凸部を備える型板を、該凹凸部が形成された側を前記絶縁樹脂に押し付け、該凹凸部に対応する凹凸パターンを有し、かつ異なる高さの段部１１ｂが設けられた絶縁樹脂層１１を形成する第二工程と、前記絶縁樹脂層１１上に、少なくとも前記段部１１ｂの一部を覆うように、前記電極２と電気的に接続される配線層１２を形成する第三工程と、を順に備えることを特徴とする。
【００２７】
本発明では、絶縁樹脂にモールド型（型板）を物理的に接触させて押し付けることで、異なる高さを有する段部１１ｂ（樹脂ポスト）を形成したものであるので、一回のプレス処理で高い樹脂ポストを形成することができる。緩衝層としての機能を維持するため厚さを厚くした絶縁樹脂層１１に形成された高さの異なる樹脂ポストの形状及び大きさが任意の形状に精度良く調整されたものとなっている。したがって、良好なパターン精度と優れた電気的な接続とを備えた半導体装置とすることができる。
また、本発明による半導体装置の製造方法は、絶縁樹脂層１１の形成において熱処理に伴う煩わしい工程が不要であるので、容易に上記半導体装置を製造することができる。
【００２８】
本発明の半導体装置の製造方法について、図２、図３を用いて説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、集積回路（図示略）、電極２およびパッシベーション膜３を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、上述したように、基材１ａの一面上に電極２とパッシベーション膜３が形成されており、パッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部４が設けられた半導体ウエハである。パッシベーション膜３は例えばＬＰ−ＣＶＤ等により形成され、その膜厚は例えば０．１〜０，５μｍである。
【００２９】
次いで、半導体基板１のパッシベーション膜３の上に、開口部１１ａおよび異なる高さを有する段部１１ｂが設けられた絶縁樹脂層１１を形成する。その厚さは、例えば５〜５０μｍである。
このような絶縁樹脂層１１は、以下のようにして形成される。
【００３０】
まず、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１の上面を覆うように全体的に、絶縁樹脂１１ｃを塗布する（第一工程）。絶縁樹脂１１ｃは、例えばポリイミド系、エポキシ系またはシリコーン系の液状樹脂からなり、塗布する厚さは、例えば２〜２００μｍ程度である。また、絶縁樹脂１１ｃに使われる材料は感光性を持ち、露光することにより硬化する。これにより、樹脂硬化を低い温度で行うことができるので、形成される絶縁樹脂層１１の残留応力を低減することができ、ウエハに反りが生じるのを防止することができる。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁樹脂１１ｃの塗布後、形成すべき所定パターンの鏡像に対応する凹凸２１ａを有する、例えば石英材質よりなるモールド型２０（型板）の凹凸面を前記絶縁樹脂１１ｃの塗布面に押し付ける（第二工程）。
次に、図２（ｄ）に示すように、前記モールド型２０を押し付けたまま上述した絶縁樹脂１１ｃに露光光Ｌを当てることにより露光して絶縁樹脂を硬化させ、高さの異なる凸部領域（樹脂ポスト）と、凹部領域とを形成する（第三工程）。このような凸部領域と凹部領域とを得るために好適な絶縁樹脂１１ｃとしては、例えばポリイミド、シリコーン、エポキシ等が挙げられる。その際、絶縁樹脂１１ｃの硬さは、２００ＭＰａ〜１０ＧＰａの範囲にあると、緩衝層として機能を有することから好ましい。
【００３２】
そして、図３（ａ）に示すように、前記モールド型２０を外すことにより、開口部１１ａおよび高さが異なる段部１１ｂが形成された絶縁樹脂層１１を形成する（第四工程）ことができる。このようにモールド型２０による押し付けと露光が同時期に行われるため、型崩れすることなく所定の凹凸パターンを有する段部１１ｂを形成することができる。
【００３３】
また、前記絶縁樹脂層１１に設けられた段部１１ｂの凸部分にＲ加工を行う工程を備えることが好ましい（図４参照）。これにより、配線層１２における断線を抑制でき、その結果、電気的安定性に優れたものとすることができる。
このようなＲ加工は、モールド型２０の有する凹凸２１ａをＲ形状とすることにより、段部形成と同時に行うことが好ましい。
【００３４】
また、段部１１ｂの凸部分にテーパーをつけてもよい。テーパーをつけることにより、該凸部分の側面にもしっかりと配線を施すことができるので、配線層１２における断線を抑制でき、その結果、電気的安定性に優れたものとすることができる。また、凹凸部を形成後に、型板を絶縁樹脂層１１からはずしやすくなる。
このようなテーパー加工は、モールド型２０の有する凹凸２１ａをテーパーをつけたものとすることにより、段部形成と同時に行うことが好ましい。
【００３５】
段部１１ｂ（樹脂ポスト）の形状としては、特に限定されるものではなく、円柱状、四角柱状、八角柱状の多角柱状、また、これらの形状にテーパーをつけた、円錐状（図１参照）、多角錐状等とすることができる。
このような形状を有する段部１１ｂは、モールド型２０の有する凹凸２１ａの形状を適宜変更することで、容易に形成することができる。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層１１の上であって、少なくとも前記段部１１ｂの一部を覆うように、配線層１２を形成する（第五工程）。これにより、絶縁樹脂層１１からなる段部１１ｂ（樹脂ポスト）を覆うと共に、開口部１１ａを介して電極２と電気的に接続された配線層１２が得られる。配線層１２の厚さは、例えば１〜２０μｍ程度が好ましい。この配線層１２を所定の領域に形成する方法は、特に限定されるものではないが、例えば以下に示す方法を用いることができる。
【００３７】
ここで、配線層１２を形成する好適な方法の一例について説明する。
まず、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード層（図示略）を絶縁樹脂層１１上の全面または必要な領域に形成する。シード層は、例えばスパッタリング法により形成されたＣｕ層およびＣｒ層からなる積層体、またはＣｕ層およびＴｉ層からなる積層体である。また、無電解Ｃｕめっき層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
【００３８】
次に、シード層の上に、電解めっき用のレジスト膜（図示略）を形成する。このレジスト膜には配線層１２の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において、前記シード層を露出させておく。レジスト膜は、例えば、フォトリソグラフィ技術によるパターニング、フィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００３９】
そして、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、電解めっき法等により、Ｃｕ等から構成された配線層１２を形成する。このように、所望の領域に配線層１２が形成された後、不要なレジスト膜およびシード層はエッチングにより除去し、配線層１２が形成された領域以外の部分では絶縁樹脂層１１が露出されるようにする（図２（ｃ）参照）。
【００４０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層１１および配線層１２を全て覆うように封止樹脂層１３を形成した後、絶縁樹脂層１１の凸部領域（樹脂ポスト）上に位置する部分に開口部１３ａを設ける（第六工程）。これらの一連の工程により、図１に示すような半導体装置１０が得られる。その際、絶縁樹脂層１１厚さは、例えばが５〜１５０μｍ程度が好ましい。ここで、開口部１３ａにより露呈された配線層１２の一部（電極パッドとも呼ぶ）１２ａは、後に形成される半田バンプ１９との電気的な接点として機能する。
このような封止樹脂層１３は、例えば、感光性ポリイミド樹脂や感光性シリコーン樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部を有する封止樹脂層１３を形成することができる。なお、封止樹脂層１３の形成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００４１】
その後、必要に応じて、封止樹脂層１３の開口部に、例えば半田バンプを形成してもよい。この半田バンプの形成方法としては、めっき法、印刷法、メタルジェット法、及び半田ボールを載置する方法等が挙げられる。
【００４２】
以上のようにして形成される半導体装置１０は、絶縁樹脂にモールド型を物理的に接触させて所定の圧力を加えることで異なる高さを有する段部を形成したものであるので、緩衝層としての機能を維持するため厚さを厚くした絶縁樹脂層に形成された高さの異なる段部の形状及び大きさが任意の形状に精度良く調整されたものとなっている。したがって、良好なパターン精度と優れた電気的な接続とを備えた半導体装置とすることができる。
また、本発明による半導体装置の製造方法は、熱処理に伴う煩わしい工程が不要であるので、容易に上記半導体装置を製造することができる。
【００４３】
以上、本発明の半導体装置の製造方法について説明してきたが、本発明は上記の例に限定されるものではなく、必要に応じて適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、パターン精度が良好で、電気的な接続信頼性が高く、容易に形成することができるので、多層化および小型化されたウエハレベルＣＳＰタイプの各種半導体装置およびその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図３】図２に続く工程の一例を順に示す模式的断面図である。
【図４】絶縁樹脂層の段部をなす凸部分にＲ加工を施した状態を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図７】図６に続く工程の一例を順に示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体基板、２  電極、３  パッシベーション膜、４  開口部、１０  半導体装置、１１  絶縁樹脂層、１１ａ  開口部、１１ｂ  段部、１１ｃ  絶縁樹脂、１２  配線層、１３  封止樹脂層。
【図１】
2007317857.tif 000003
【図２】
2007317857.tif 000004
【図３】
2007317857.tif 000005
【図４】
2007317857.tif 000006
【図５】
2007317857.tif 000007
【図６】
2007317857.tif 000008
【図７】
2007317857.tif 000009