(57)【要約】【課題】特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて素子、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を基板に接合する方法を提供する。【解決手段】Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄して除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、基板表面の凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の表面にノンハロゲンフラックスを塗布または素子の底面積の１〜１５％の面積となるように少量塗布し、このノンハロゲンラックスの上に素子を搭載したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理して素子を基板に接合することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄して除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、基板表面の凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の表面にノンハロゲンフラックスを塗布し、このノンハロゲンラックスの上に素子を搭載したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理して素子を基板に接合することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法。
【請求項２】
Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄して除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、基板表面の凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の表面にノンハロゲンフラックスを素子の底面積の１〜１５％の面積となるように少量塗布し、このノンハロゲンラックスの上に素子を搭載したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理して素子を基板に接合することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法。
【請求項３】
前記Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは、Ｓｎ：１５〜２５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末とフラックスとを混合して得られたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストであることを特徴とする請求項１または２記載のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて多くの素子を基板に接合する方法に関するものであり、特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて熱影響を受けて劣化し易いＬＥＤ（発光ダイオード）素子など一度に大量に基板に接合する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子、ＧａＡｓ光素子、ＧａＡｓ高周波素子、熱伝素子などの半導体素子と基板との接合、微細かつ高気密性が要求されるＳＡＷフィルター、水晶発振子などのパッケージ封止などには、Ａｇペースト、Ａｕ−Ｓｎ箔材、Ａｕバンプ、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストなどが使用されていた。
【０００３】
Ａｇペーストは、Ａｇ材料自身の熱伝導性が悪いだけでなく、基板と素子の間に発生するボイドが多かった。つまり、接合領域がボイドにより減少してしまい、熱抵抗を低下させると共に、接合部の信頼性にも問題があった。そのために、特に熱がこもると破損もしくは急激に特性が低下するようなＬＥＤ（発光ダイオード）素子は基板との接合部の熱伝導性が非常に重要であるところから、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子と基板との接合には熱伝導性が良くかつ信頼性が高い接合部を形成するＡｕ−Ｓｎ合金はんだ箔材(リボンなど)、Ａｕバンプ、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストが用いられている。
【０００４】
しかし、Ａｕ−Ｓｎはんだ合金箔材(リボンなど)は、材料自身の熱伝導性は高いが接合時の濡れ性が悪いため接合領域を十分に広く取ることができず、また箔材表面には酸化膜が多いため溶融したＡｕ−Ｓｎはんだ合金の流動性が悪い。そのため加熱溶融しながら荷重をかけて接合する工法もあるが、加熱時間が長くまた長時間荷重をかけて接合しなければならないことから、熱を長時間かけることが好ましくないＬＥＤ（発光ダイオード）素子に適用することができない。さらに、Ａｕ−Ｓｎはんだ合金箔材の場合、濡れ性が悪いことにより接合面積が小さいという欠点があった。
【０００５】
また、Ａｕバンプ法による素子の接合は、素子全体にＡｕ−Ｓｎはんだ合金接合層が接合していないため、Ａｕ−Ｓｎはんだ合金接合層と接合していない部分の熱伝導が悪く、また、このＡｕバンプ法では３００℃以上の温度で荷重をかけながら接合を行なうが、３００℃以上高温を長時間保持する必要があり、熱影響を受けて劣化しやすいＬＥＤ（発光ダイオード）素子に適用することができなかった。
そのため、近年、熱影響を受けて劣化しやすいＬＥＤ（発光ダイオード）素子の接合には接合信頼性の一層優れたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストが多く用いられるようになってきた。このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは、Ｓｎ：１５〜２５質量％（好ましくはＳｎ：２０質量％）を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｓｎ共晶合金ガスアトマイズ粉末とロジン、活性剤、溶剤および増粘剤からなる市販のフラックスとを混合して作られる。
このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを使用して素子と基板を接合すると接合部がＡｕ−Ｓｎはんだ合金であるので熱伝導性が良く接合信頼性も高いこと、ペーストであるので複数の接合部に一括供給でき、さらに一括熱処理できること、リフロー時にフラックスがＡｕ−Ｓｎはんだ合金表面を覆っているために酸化膜が少なく、そのため、接合時の溶融Ａｕ−Ｓｎはんだ合金の流動性が大きく、濡れが良くなって接合面積を拡大することができるところから素子全面を接合すること、さらに接合時に過剰な荷重をかける必要がないこと,などのメリットがある。このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて基板と素子を接合するには、まず、図２（ａ）に示されるように、基板１にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２を搭載または塗布する。次に、このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２の上に図２（ｂ）に示されるように素子３を搭載し、この状態で加熱してリフロー処理を施したのち冷却すると、図２（ｃ）に示されるように、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層４０を介してと基板１と素子３が接合し、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層４０の周囲にフラックス残渣層５が形成される。この形成されたフラックス残渣層５は洗浄し除去して、図２（ｄ）に示されるように、接合が完了する（特許文献１または２など参照）。
【特許文献１】特開２００３−１０５４６２
【特許文献２】特開２００３−２６０５８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
（イ）前記Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２の上に図２（ｂ）に示されるように素子３を搭載し、この状態で加熱してリフロー処理を施すことにより、図２（ｃ）に示されるように、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層４０を介してと基板１と素子３を接合させるためには高温で長時間加熱のリフロー処理を施さなければならず、高温で長時間の加熱に弱いＬＥＤ素子などの素子にはこの接合方法は好ましくない。さらに図２（ｂ）に示されるようにＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２の上に素子３を搭載し、この状態で加熱してリフロー処理を施すと、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２の上に素子３が被さっているために、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２が溶融するに際してペーストから発生したガスが逃げ場を失ってボイドが発生しやすく、ボイドが発生すると素子３と基板１との接合面積が少なくなり、接合面積が少なくなると素子３に発生した熱の放熱性が悪くなるなどの欠点があった。
（ロ）また、ペーストの特徴を生かし、大きな一枚の基板にディスペンスや印刷によりＡｕＳｎ合金はんだペーストを一度に供給し、リフロー処理することで一度に数千個の点状のＡｕＳｎ合金を形成することができるが、その点状のＡｕＳｎ合金の上に一度に数千個の素子を搭載し、これを加熱炉に装入してリフロー処理を施すと、加熱炉までの移動に際して素子が落下することがあり、その部分が不良品となって歩留を低下させることが予想される。
【０００７】
この発明は、前記（イ）および（ロ）の問題点を同時に解決することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題を解決すべく研究を行った。その結果、
（ａ）Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのちリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄により除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、この凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に素子を載せてリフロー処理すると、素子を基板の上に形成されたＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に直接搭載してはんだ付けすることから、従来よりも短時間の加熱処理で素子を基板に接合することができるために特に熱に弱いＬＥＤ素子の接合に有効である、
（ｂ）この場合、凝固したＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層上に素子を載せてあるので滑り易く、移動時などに少しの振動を与えても素子が落下することがあり、これを防止するためにこの凝固したＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に一般にフラックス残渣の洗浄を行う必要がないといわれているノンハロゲンフラックスを塗布し、このフラックス残渣の洗浄を行う必要がないノンハロゲンフラックスの上に素子を搭載すると、ノンハロゲンフラックスは粘着性を有するところから素子の取り付きもよくなって、移動時などに少しの振動を与えても素子が落下することが無く、また、凝固したＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に塗布したノンハロゲンフラックスは、素子の接合終了後にフラックス残渣を洗浄する必要がないこと、
（ｃ）前記ノンハロゲンフラックスは、凝固したＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に素子の底面積の１〜１５％の面積となるように少量塗布しても、移動時などに少しの振動を与えても素子が落下することが無く、ノンハロゲンフラックスはその塗布量が極めて少ないことからボイドの発生は極めて少なく、また素子の接合終了後にフラックス残渣を洗浄する必要がないので一層好ましいこと、などの知見を得られたのである。
【０００９】
この発明は、かかる知見に基づいて成されたものであって、
（１）Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄し除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、基板表面の凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の表面にノンハロゲンフラックスを塗布し、このノンハロゲンラックスの上に素子を搭載したのちリフロー処理して素子を基板に接合するＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法、
（２）Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを基板に搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理し、リフロー処理したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストのフラックス残渣部分を洗浄し除去して基板表面に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を形成し、基板表面の凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の表面に素子の底面積の１〜１５％の面積となるように少量のノンハロゲンフラックスを塗布し、このノンハロゲンラックスの上に素子を搭載したのちリフロー処理して素子を基板に接合するＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法、
に特徴を有するものである。
【００１０】
この発明のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法を図面に基づいて具体的に説明する。図１はこの発明のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法を説明するための斜視説明図である。
【００１１】
図１（ａ）に示されるように、基板１にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２を搭載または塗布し、この状態でリフロー処理を施したのち冷却すると、図１（ｂ）に示されるように、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２が溶融して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層４とその周囲にフラックス残渣層５が形成され、その後、フラックス残渣層５を洗浄して、図１（ｃ）に示されるように、基板１の上に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層４を形成する。この凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層４の上に、図１（ｄ）に示されるように、ノンハロゲンフラックス５１を薄く塗布する。ノンハロゲンフラックス５１の塗布量は特に限定されるものではないが、その塗布面積は素子の底面積の１〜１５％の範囲内の面積となるように塗布することが一層好ましい。図１（ｄ）は、素子の底面積の１〜１５％の範囲内の面積となるようにノンハロゲンフラックス５１を少量塗布した状態を示している。
【００１２】
素子の底面積の１〜１５％の面積となるように限定して塗布することが一層好ましい理由は、素子の底面積の１％未満の塗布では少なすぎて素子を十分に固定することができず、一方、素子の底面積の１５％を越える面積で塗布するとボイドの発生がやや多くなり、ノンハロゲンフラックスであっても多すぎてリフロー処理後の洗浄が必要となることもあるので１５％以下の面積となるように塗布することが一層好ましいからである。
【００１３】
凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層４の上に塗布したノンハロゲンフラックスの上に、図１（ｅ）に示されるように、素子３を搭載すると、フラックスは粘着性を有するところからノンハロゲンフラックスによって素子３が固定され、軽い振動が与えられても素子３が落下することはない。この状態で短時間リフロー処理すると、図１（ｆ）に示されるように、素子３を基板１にＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層４０を介して接合し終了する。
【００１４】
次に、この発明で使用するノンハロゲンフラックスについて説明する。ノンハロゲンフラックスは千住金属株式会社製のデルタラックス５２７Ｎとして市販されているものがあり、これを用いても良い。しかし、ほとんどフラックス残渣の残らない低残渣ノンハロゲンフラックスを用いることが一層好ましい。この低残渣ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤を全体量１００質量％に対して５〜６０質量％、イソボルニル基を有する化合物を含む高粘性溶剤を全体量１００質量％に対して１０〜６０質量％、および低粘性溶剤を全体量１００質量％に対して２０〜７０質量％を含有するフラックスである。
この低残渣ノンハロゲンフラックスに含まれる前記水酸基を４〜６個有する糖類は、エリトリトール、フルクトース、ガラクトース、グルコース、マンノース、ソルビトール、ラクトース、スクロース、キシリトール、ヘキシトール、マルチトール、ラクチトール、リビトールおよびマンニトールからなる群より選ばれた１種の化合物または２種以上の化合物であり、
前記イソボルニル基を有する化合物は、イソボルニルシクロヘキサノールまたはイソボルニルフェノールのいずれか一方またはその双方であり、
前記低粘性溶剤は、アルカンジオール、アルキレングリコール、炭化水素、テルペンおよびエーテルからなる軍より選ばれた種または２種以上であり、これらの中でも、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラデカン、ａ−テルピネオール、ジベンジルエーテル、ｐ−ドデシルフェノール、２−ノニルフェノールおよび２−フェノキシエタノールからなる群より選ばれた１種または２種以上である。
以上述べたフラックスに、さらに脂肪酸アミドなどのチキソ剤を全体量１００％に対して２５％以下含有しても良い。
【発明の効果】
【００１５】
この発明のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた接合方法によると、素子３を基板１に粘着接合することができ、さらに基板１と素子３を接合するに必要な加熱時間（リフロー処理時間）を短くすることができるので高温長時間の加熱に弱いＬＥＤ素子などの素子の接合に適しており、さらに接合終了後にフラックス残渣を洗浄する必要がないなど産業上優れた効果をもたらすものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
Ｓｎ：２０質量％を含有し、残部がＡｕからなる成分組成を有し平均粒径：１０μｍを有するＡｕ−Ｓｎ合金はんだ粉末を用意し、このＡｕ−Ｓｎ合金はんだ粉末を市販のロジン系ワックスに、ロジン系ワックス：７質量％を含有し、残部がＡｕ−Ｓｎ合金はんだ粉末の配合組成となるように配合し、混合してＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを作製した。
さらに、ＬＥＤ素子、メタライズ処理したアルミナ製基板および市販のノンハロゲンフラックス（千住金属製のデルタラックス５２７Ｎ）を用意した。
さらに、エリトリトール：２５質量％、イソボルニルシクロヘキサノール：イソボルニルフェノール＝８：２の割合で混合して調整された混合剤：３５質量％、テトラエチレングリコール：４０質量％からなる低残渣ノンハロゲンフラックス（以下、自社製のノンハロゲンフラックス１という）を用意した。
さらに、キシリトリトール：２０質量％、イソボルニルシクロヘキサノール：イソボルニルフェノール＝８：２の割合で混合して調整された混合剤：２０質量％、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール：５０質量％、ステアリン酸アミド：１０質量％からなる低残渣ノンハロゲンフラックス（以下、ノンハロゲンフラックス２という）を用意した。
【００１７】
実施例１
先に用意したアルミナ製基板の上に先に用意したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストをピン転写法により塗布し、これを窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入して２００℃に６０秒保持したのち、さらに３１０℃に３０秒間保持することによりリフロー処理を施し冷却したところ、中央に凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を有しその周囲にフラックス残渣が残ったＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト溶融部分が形成された。このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト溶融部分のフラックス残渣を通常の洗浄液で洗浄し除去して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を残したのち、凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に市販のノンハロゲンフラックス（千住金属製のデルタラックス５２７Ｎ）を径：３００μｍの転写ピンを用いたピン転写法により素子の底面積の８％の面積を有する少量のノンハロゲンフラックス層を形成し、このノンハロゲンフラックス層の上にＬＥＤ素子を乗せ、この状態でアルミナ製基板に振動を与えながら窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入したがＬＥＤ素子がアルミナ製基板から落下することはなかった。ＬＥＤ素子をアルミナ製基板の上に乗せた状態で窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入し、３１８℃に１０秒間加熱してリフロー処理を施すことにより基板表面にＬＥＤ素子を接合することができた。
接合部分を調べたところ、基板とＬＥＤ素子の間の接合面積は９５％に達し、基板とＬＥＤ素子の間のＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層には５％のボイド面積しか見られなかった。ただし、ＬＥＤ素子接合部周辺にフラックス残渣が観察された。
【００１８】
なお、接合面積はＴｏｓｈｉｂａ  ＩＴ＆Ｃｏｎｔｏｒｏｌ  Ｓｙｓｔｅｍ‘ｓ  Ｔｏｓｈｉｃｒｏｎ−６０９０ＦＤにより測定し、ボイド面積は透過Ｘ線により測定した。
【００１９】
実施例２
実施例１において、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト溶融部分のフラックス残渣を通常の洗浄液で洗浄し除去して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を残したのち、凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に先に用意したノンハロゲンフラックス１を径：３００μｍの転写ピンを用いたピン転写法により素子の底面積の１３％の面積を有する少量の低残渣ノンハロゲンフラックス層を形成し、この低残渣ノンハロゲンフラックス層の上にＬＥＤ素子を乗せ、この状態でアルミナ製基板に振動を与えながら窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入したがＬＥＤ素子がアルミナ製基板から落下することはなかった。ＬＥＤ素子をアルミナ製基板の上に乗せた状態で窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入し、３１８℃に１０秒間加熱してリフロー処理を施すことにより基板表面にＬＥＤ素子を接合することができた。
接合部分を調べたところ、基板とＬＥＤ素子の間の接合面積は９１％に達し、基板とＬＥＤ素子の間のＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層に生成したボイド面積を実施例１と同様にして測定したところ９％のボイド面積しか見られなかった。そしてフラックス残渣は観察されなかった。
【００２０】
実施例３
実施例１において、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト溶融部分のフラックス残渣を通常の洗浄液で洗浄し除去して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を残したのち、凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の上に先に用意したノンハロゲンフラックス２を径：３００μｍの転写ピンを用いたピン転写法により素子の底面全面に行きわたるように低残渣ノンハロゲンフラックス層を形成し、この低残渣ノンハロゲンフラックス層の上にＬＥＤ素子を乗せ、この状態でアルミナ製基板に振動を与えながら窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入したがＬＥＤ素子がアルミナ製基板から落下することはなかった。ＬＥＤ素子をアルミナ製基板の上に乗せた状態で窒素雰囲気中の熱対流型炉に装入し、３１８℃に１０秒間加熱してリフロー処理を施すことにより基板表面にＬＥＤ素子を接合することができた。
接合部分を調べたところ、基板とＬＥＤ素子の間の接合面積は９０％に達し、基板とＬＥＤ素子の間のＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層に生成したボイド面積を実施例１と同様にして測定したところ１０％のボイド面積しか見られなかった。そしてフラックス残渣は観察されなかった。
【００２１】
従来例１
基板にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを実施例１と同様にして塗布し、次に、このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストの上にＬＥＤ素子を搭載し、この状態で温度：２００℃、６０秒間加熱した後、さらに温度：３１８℃、３０秒間加熱してリフロー処理を施し、その後、冷却し、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層を介してと基板とＬＥＤ素子を接合した。Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層の周囲にはフラックス残渣層が形成されていたので、実施例１と同様にしてフラックス残渣層を洗浄液で洗浄し除去し、接合部分を実施例１と同様にして調べたところ、基板とＬＥＤ素子の間の接合面積は６５％であり、基板とＬＥＤ素子の間のＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層には３５％のボイド面積があった。
【００２２】
実施例１〜３および従来例１に示される結果から、従来法では２００℃、６０秒間加熱してリフロー処理を施したのち、さらに温度：３１８℃、３０秒間加熱してリフロー処理することから、高温に長時間保持してろう付けにする必要があるが、この発明の方法によると、ＬＥＤ素子を３１８℃、１０秒間保持の短時間加熱のリフロー処理するだけで基板と素子を接合することができ、特にＬＥＤ素子が高温に曝される時間が短いので熱によるＬＥＤ素子の性能低下が少なく、さらに、この発明の接合方法は、従来の接合方法に比べてボイドの発生が少ないことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の方法により基板と素子を接合する工程を説明するための説明図である。
【図２】従来の方法により基板と素子を接合する工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００２４】
１：基板、２：Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト、３：素子、４：凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層、５：フラックス残渣層、４０：Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ接合層、５１：ノンハロゲンフラックス層。
【図１】
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【図２】
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