(57)【要約】【課題】保護膜に形成しようとするパターンの収率を向上させることができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は表示装置用モールドとこれを利用した表示装置の製造方法に関する。本発明による表示装置の製造方法は、絶縁基板を備える段階と；絶縁基板上に保護膜を形成する段階と；支持フレームと、支持フレームの一面に備えられている少なくとも一つのパターン形成部と、支持フレームから突出してパターン形成部の周縁に沿って備えられている突出部とを含み、パターン形成部に向かう突出部の内壁面は支持フレームの板面に対して直立して形成されているモールドを前記保護膜上に整列配置させる段階と；モールドを加圧して、保護膜にパターン形成部に対応する凹凸パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。【選択図】図１ａ
2007213066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フレームと；
前記支持フレームの一面に備えられている少なくとも一つのパターン形成部と；
前記支持フレームから突出して前記パターン形成部の周縁に沿って備えられている突出部とを含み、
前記パターン形成部に向かう前記突出部の内壁面は、前記支持フレームの板面に対して直立して形成されることを特徴とする表示装置用モールド。
【請求項２】
前記パターン形成部の周辺には表面の平坦な平坦部が備えられており、
前記突出部は、前記パターン形成部と前記平坦部との境界領域に前記平坦部から突出していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用モールド。
【請求項３】
前記突出部の外壁面は、前記支持フレームから遠くなるほど、前記突出部の突出方向に対して横手方向に切った断面積が小さくなるように傾斜したことを特徴とする請求項２に記載の表示装置用モールド。
【請求項４】
前記支持フレームの他面には、前記パターン形成部に対応する開口部を有するマスクが備えられていることを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置用モールド。
【請求項５】
前記パターン形成部には凹凸パターンが形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のモールド。
【請求項６】
前記突出部の内壁面と前記支持フレームの板面とがなす角度は、８０°〜１００°であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置用モールド。
【請求項７】
前記突出部の幅は、５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置用モールド。
【請求項８】
前記支持フレーム及び前記突出部の材質は、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置用モールド。
【請求項９】
絶縁基板を備える段階と；
前記絶縁基板上に保護膜を形成する段階と；
請求項１によるモールドを前記保護膜上に整列配置させる段階と；
前記モールドを加圧して、前記保護膜に前記パターン形成部に対応する凹凸パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記モールドの加圧の際に、前記保護膜を硬化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記保護膜は高分子有機物を含み、熱及び光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記モールドを除去する段階と；
前記パターン形成部に対応する開口部が備えられたマスクを前記保護膜上に配置し、露光及び現像して凹凸パターンが形成された以外の前記保護膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記モールドの他面には前記パターン形成部に対応する開口部が備えられたマスクが付着されており、
前記モールドの加圧後に、露光及び現像して凹凸パターンが形成された以外の前記保護膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜の形成の前に、前記絶縁基板上に一方向に延長されているゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁交差して画素領域を定義するデータ配線とを形成する段階と；
前記ゲート配線と前記データ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成する段階とをさらに含み、
前記パターン形成部は、前記画素領域の少なくとも一領域に対応するように備えられたことを特徴とする請求項１２または１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記モールドの除去後に、前記保護膜上に画素電極を形成する段階と、前記画素電極上の少なくとも一領域に反射層を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記パターン形成部の周辺には表面の平坦な平坦部が備えられており、
前記突出部は、前記パターン形成部と前記平坦部との境界領域に前記平坦部から突出していることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記突出部の外壁面は、前記支持フレームから遠くなるほど、前記突出部の突出方向に対して横手方向に切った断面積が小さくなるように傾斜したことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記パターン形成部には凹凸パターンが形成されていることを特徴とする請求項１６または１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記突出部の内壁面と前記支持フレームの板面とがなす角度は、８０°〜１００°であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記突出部の幅は、５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記支持フレーム及び前記突出部の材質は、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を含むことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置用モールドと、これを利用した表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、光源の形態によって透過型、半透過型及び反射型に分けることができる。透過型は、液晶パネルの背面にバックライトユニットを配置し、バックライトユニットからの光が液晶パネルを透過するようにしたものである。反射型は、自然光を利用したものであって、消費電力の７０％を占めるバックライトユニットの使用を制限することで消費電力を節減できる形態である。半透過型液晶表示装置は、上記透過型と反射型液晶表示装置の長所を生かしたものであって、自然光とバックライトユニットを利用することによって、周辺光度の変化に関わらず使用環境に合うように適切な輝度を確保することができる形態である。
【０００３】
ここで、反射型または半透過型液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成された基板上に保護膜を塗布し、保護膜上に凹凸パターンまたはエンボスパターンを形成する。そして、凹凸パターン上の全面に反射層を形成すれば反射型液晶表示装置となり、一領域にだけ反射層を形成すれば半透過型液晶表示装置が製造される。凹凸パターンまたはエンボスパターンは反射層に乱反射または光の散乱を誘導し、光の反射效率を高めるためのものである。凹凸パターンまたはエンボスパターンは、対応するパターンが形成された表示装置用モールドを保護膜上に整列配置し、加圧して形成する。そして、パターンが形成された以外の領域はマスクを利用して露光及び現像して除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、露光の際にマスクの解像度の限界と照射された光の回折によって、凹凸パターンが形成された保護膜の端部が所望しないパターンで残存するか、または除去されなければならない保護膜の部分が除去されないという問題点がある。    
そこで、本発明の目的は、形成しようとするパターンの収率を向上させることができる表示装置用モール及びこれを利用した表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的は、本発明１によって、支持フレームと；支持フレームの一面に備えられている少なくとも一つのパターン形成部と；支持フレームから突出してパターン形成部の周縁に沿って備えられている突出部を含み、パターン形成部に向かう突出部の内壁面は支持フレームの板面に対して直立して形成されていることを特徴とする表示装置用モールドによって達成される。
【０００６】
突出部は、支持フレームから突出するように形成され、パターン形成部に面する突出部の内壁面は、支持フレームの板状面に対して直立して形成されている。これによって、表示装置用モールドを利用して有機膜にパターンを形成する時、所望のパターン形成領域にはパターン形成部によりパターンが形成される。しかし、パターン形成領域とその他の部分の境界部分の領域を、突出部が有機膜の端部を加圧して除去する。これによって、パターン形成領域のみにパターンを形成し、また、その他の領域にパターンが残存すること無く、不要な保護膜を完全に除去することができ、形成しようとするパターンの収率を向上させることができる。つまり、マスクを利用してパターンが形成された以外の有機膜領域を除去する際に、マスクの解像度の限界と光の回折によって発生し得る有機膜の端部における所望しないパターンが突出部によって除去され、形成しようとするパターンの収率が向上する。
【０００７】
発明２は、発明１において、パターン形成部の周辺には表面の平坦な平坦部が備えられており、突出部はパターン形成部と平坦部との境界領域に平坦部から突出していることができる。
発明３は、発明２において、突出部の外壁面は、支持フレームから遠くなるほど、突出部の突出方向に対して横手方向に切った断面積が小さくなるように傾斜しても良い。
【０００８】
このような突出部の形状によって、表示装置用モールド１の加圧の際に突出部は有機膜をさらに效果的に除去することができる。
発明４は、発明２又は３において、支持フレームの他面には、パターン形成部に対応する開口部を有するマスクを備えることができる。
発明５は、発明２又は３において、パターン形成部には凹凸パターンを形成することができる。
【０００９】
発明６は、発明４において、突出部の内壁面と支持フレームの板面とがなす角度は、８０°〜１００°である。
上記角度の範囲は、有效なパターンが形成できる誤差範囲であって、突出部の内壁面と支持フレームの板面とがなす角度が、前記範囲を逸脱すれば、有機膜の端部に残膜が残って形成しようとするパターンが形成されないこともある。
【００１０】
発明７は、発明４において、突出部の幅は５μｍ〜２０μｍであり得る。
これは、突出部によって有機膜を效果的に除去するためのことであって、突出部の幅が大きい場合、有機膜物質の流動性が十分でないため、加圧の際に突出部の端部に対応する領域に有機膜の残膜が残るようになって、所望のパターンを得ることができなくなる。突出部の幅が小さすぎれば、有機膜を效果的に除去することができない。
【００１１】
発明８は、発明７において、支持フレーム及び突出部の材質は、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を含むことができる。
本発明９は、本発明によって、絶縁基板を備える段階と；絶縁基板上に保護膜を形成する段階と；請求項１によるモールドを保護膜上に整列配置させる段階と；モールドを加圧して、保護膜に前記パターン形成部に対応する凹凸パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００１２】
発明１０は、発明９において、モールドの加圧の際に、保護膜を硬化させる段階をさらに含むことができる。
発明１１は、発明１０において、保護膜は高分子有機物を含み、熱及び光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化することができる。
発明１２は、発明９において、モールドを除去する段階と；パターン形成部に対応する開口部が備えられたマスクを保護膜上に配置し、露光及び現像して凹凸パターンが形成された以外の保護膜を除去する段階とをさらに含むことができる。
【００１３】
発明１３は、発明９において、モールドの他面には、パターン形成部に対応する開口部が備えられたマスクが付着されており、モールドの加圧後に、露光及び現像して凹凸パターンが形成された以外の保護膜を除去する段階をさらに含むことができる。
発明１４は、発明１２又は１３において、保護膜の形成の前に、絶縁基板上に一方向に延長されているゲート配線と、ゲート配線と絶縁交差して画素領域を定義するデータ配線とを形成する段階と；ゲート配線とデータ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成する段階とをさらに含み、パターン形成部は画素領域の少なくとも一領域に対応するように備えることができる。
【００１４】
発明１５は、発明１４において、モールドの除去後に、保護膜上に画素電極を形成する段階と、画素電極上の少なくとも一領域に反射層を形成する段階とをさらに含むことができる。
発明１６は、発明１４において、パターン形成部の周辺には表面の平坦な平坦部が備えられており、突出部はパターン形成部と平坦部との境界領域に平坦部から突出していることができる。
【００１５】
発明１７は、発明１６において、突出部の外壁面は、支持フレームから遠くなるほど、突出部の突出方向に対して横手方向に切った断面積が小くなるように傾斜しても良い。
発明１８は、発明１６又は１７において、パターン形成部には凹凸パターンを形成することができる。
発明１９は、発明１８において、突出部の内壁面と前記支持フレームの板面とがなす角度は８０°〜１００°である。
【００１６】
発明２０は、発明１８において、突出部の幅は５μｍ〜２０μｍであり得る。
発明２１は、発明２０において、支持フレーム及び前記突出部の材質は、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を含むことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、形成しようとするパターンの収率を向上させることができる表示装置用モールドと、これを利用した表示装置の製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付された図面を参照しながら、本発明についてさらに詳細に説明する。
図１ａは本発明の第１実施形態による表示装置用モールドを示す断面図である。
図１ａに示すように、本発明による表示装置用モールド１は、支持フレーム１０と、支持フレーム１０の一面に備えられているパターン形成部１２と、支持フレーム１０から突出してパターン形成部１２の周縁に沿って備えられている突出部１４とを含む。
【００１９】
支持フレーム１０の一面には、前記パターン形成部１２の周辺に平坦に備えられた平坦部１５が形成されており、突出部１４は、パターン形成部１２と平坦部１５との境界領域に、平坦部１５から突出するように形成されている。そして、パターン形成部１２に面する突出部１４の内壁面１６は、支持フレーム１０の板状面に対して直立して形成されている。これによって、表示装置用モールド１を利用して有機膜にパターンを形成する時、所望のパターン形成領域にはパターン形成部１２によりパターンが形成される。しかし、パターン形成領域とその他の部分の境界部分の領域を、突出部１４が有機膜の端部を加圧して除去する。これによって、パターン形成領域のみにパターンを形成し、また、その他の領域にパターンが残存すること無く、不要な保護膜を完全に除去することができ、形成しようとするパターンの収率を向上させることができる。つまり、マスクを利用してパターンが形成された以外の有機膜領域を除去する際に、マスクの解像度の限界と光の回折によって発生し得る有機膜の端部における所望しないパターンが突出部１４によって除去され、形成しようとするパターンの収率が向上する。
【００２０】
支持フレーム１０の他面には、パターン形成部１２に対応する開口部１９を有するマスク１８が付着している。本発明の第１実施形態による表示装置用モールド１は、マスク１８が一体に形成された場合を示しているが、図示したものとは異なって、マスク１８が一体に備えられていない場合もある。パターン形成部１２には有機膜に形成しようとするパターンに対応するパターンが形成されており、凹凸パターンまたはエンボスパターンが形成できる。そして、突出部１４の内壁面１６と支持フレーム１０の板面とがなす角度ａは８０°〜１００°であり得る。上記角度の範囲は、有效なパターンが形成できる誤差範囲であって、突出部１４の内壁面１６と支持フレーム１０の板面とがなす角度ａが、前記範囲を逸脱すれば、有機膜の端部に残膜が残って形成しようとするパターンが形成されないこともある。突出部１４の端部の幅ｄ１は５μｍ〜２０μｍであり得る。これは、突出部１４によって有機膜を效果的に除去するためのことであって、突出部１４の幅ｄ１が大きい場合、有機膜物質の流動性が十分でないため、加圧の際に突出部１４の端部に対応する領域に有機膜の残膜が残るようになって、所望のパターンを得ることができなくなる。突出部１４の幅ｄ１が小さすぎれば、有機膜を效果的に除去することができない。表示装置用モールド１の材質はＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を含むことができる。
【００２１】
以下、図１ｂを参照して本発明の第２実施形態による表示装置用モールドについて説明する。以下の説明においては、第１実施形態と区別される特徴的な部分だけを抜粹して説明し、説明が省略されるか、または簡略に説明された部分は、第１実施形態または公知の技術による。そして、説明の便宜上、同一の構成要素については同一の図面符号を付けて説明しようとする。
【００２２】
図１ｂに示すように、本発明の第２実施形態による表示装置用モールド１の突出部１４は、支持フレーム１０から遠くなるほど断面積が小さくなる形状で形成されている。つまり、図１ｂに示すように、突出部１４の内壁面１６は前記支持フレーム１０の板面に対して直立して形成されており、突出部１４の外壁面１７は前記支持フレーム１０の板面に対して傾斜した形態で形成されている。突出部１４の端部の幅ｄ２は５μｍ〜２０μｍであり得る。このような突出部１４の形状によって、表示装置用モールド１の加圧の際に突出部１４は有機膜をさらに效果的に除去することができる。一方、図示していないが、第２実施形態による表示装置用モールド１の他面にも第１実施形態によるマスクが付着できることは勿論である。
【００２３】
以下、添付された図面を参照して、本発明による表示装置用モールドを利用した表示装置の製造方法について説明する。以下において、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上部に’形成されて（位置して）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
図２は本発明による基板素材の平面図であり、図３ａは図２の‘Ｂ’領域の配置図であり、図３ｂは図３ａのＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。
【００２４】
本発明による液晶パネルは、薄膜トランジスタ基板（第１基板）１００と、これに対面しているカラーフィルタ基板（第２基板）２００と、これらの間に位置している液晶層３００を含む。
先に、薄膜トランジスタ基板１００について説明する。
図３ｂに示すように、複数の第１基板１００は、一つの大きい基板素材から一連の薄膜トランジスタ基板の製造工程を経て製造される。ここで、絶縁基板１１０の間の領域に形成された保護膜などは、後述の露光及び現像工程の過程で除去される部分である。
【００２５】
図３ａは図２の‘Ｂ’の拡大図であり、図３ｂは図３ａのＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。第１絶縁基板１１０上にゲート配線１２１、１２２、１２３が形成されている。ゲート配線１２１、１２２、１２３は、金属の単一層または多重層であり得る。ゲート配線１２１、１２２、１２３は、図３ａ中の横方向に伸びているゲート線１２１、ゲート線１２１に接続されているゲート電極１２２、及び駆動チップ（図示せず）と接続されて駆動信号の伝達を受けるゲートパッド１２３を含む。
【００２６】
第１絶縁基板１１０上には、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１３０がゲート配線１２１、１２２、１２３を覆っている。
ゲート電極１２２のゲート絶縁膜１３０の上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層１４０が形成されており、半導体層１４０の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗接触層１５０が形成されている。ソース電極１６２とドレイン電極１６３との間のチャネル部では抵抗接触層１５０が除去されている。
【００２７】
抵抗接触層１５０及びゲート絶縁膜１３０上にはデータ配線１６１、１６２、１６３、１６４が形成されている。データ配線１６１、１６２、１６３、１６４も金属層からなる単一層または多重層であり得る。データ配線１６１、１６２、１６３、１６４は、縦方向に形成されゲート線１２１と交差して画素を形成するデータ線１６１、データ線１６１の分岐であり抵抗接触層１５０の上部まで延長されているソース電極１６２、ソース電極１６２と分離されていてソース電極１６２の反対側の抵抗接触層１５０の上部に形成されているドレイン電極１６３、及びデータ線１６１の端部に備えられて駆動チップ（図示せず）と接続されるデータパッド１６４を含む。
【００２８】
データ配線１６１、１６２、１６３、１６４及びこれらが覆わない半導体層１４０の上部には保護膜１７０が形成されている。保護膜１７０には凹凸パターン１７５、ドレイン電極１６３を露出するドレイン接触孔１７１、及びゲート線１２１とデータ線１６１に駆動信号を印加するために駆動チップ（図示せず）と接続するためのゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３が形成されている。保護膜１７０の表面に形成された凹凸パターン１７５は、光の散乱を誘発して反射率を高めるためのものである。この時、薄膜トランジスタＴの信頼性を確保するために、保護膜１７０と薄膜トランジスタＴとの間にシリコン窒化物のような無機絶縁膜がさらに形成されることができる。ここで、保護膜１７０は、所定の形状を維持できる程度の高粘度の有機物層であり得、所定の形状を維持できないが、紫外線や熱によって硬化する低粘度の有機物層であっても良い。
【００２９】
凹凸パターン１７５が形成された保護膜１７０の上部には画素電極１８０が形成されている。画素電極１８０は、通常、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。画素電極１８０は、ドレイン接触孔１７１を通じてドレイン電極１６３と電気的に接続されている。そして、ゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３上には接触補助部材１８１、１８２が形成されている。接触補助部材１８１、１８２も、通常、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。そして、画素電極１８０には保護膜１７０表面の陽刻エンボスパターン１７５によって陽刻エンボスパターンが形成される。
【００３０】
反射層１９０は画素電極１８０の上部に形成されている。ここで、ゲート線１２１とデータ線１６１によって形成された画素領域は、反射層１９０の形成されていない透過領域と反射層１９０の形成されている反射領域に区切られる。反射層１９０の形成されていない透過領域ではバックライトユニット（図示せず）の光が通過して液晶パネルの外に照射され、反射層１９０が形成されている反射領域では外部からの光が反射して再び液晶パネルの外に照射される。反射層１９０は主にアルミニウムや銀が用いられるが、場合によってはアルミニウム／モリブデンの二重層を用いることもできる。反射層１９０は、ドレイン接触孔１７１を通じてドレイン電極１６３と電気的に接続されている。そして、画素電極１８０の表面の陽刻エンボスパターンによって反射層１９０にも陽刻エンボスパターンが形成されている。
【００３１】
次に、カラーフィルタ基板２００について説明する。
第２絶縁基板２１０上にブラックマトリックス２２０が形成されている。ブラックマトリックス２２０は、一般的に、赤色、緑色及び青色フィルタの間を区切り、第１基板１００に位置する薄膜トランジスタＴへの直接的な光照射を遮断する役割を果たす。ブラックマトリックス２２０は、通常、黒色顔料が添加された感光性有機物質からなる。前記黒色顔料としては、カーボンブラックやチタンオキサイドなどを用いる。
【００３２】
カラーフィルタ２３０は、ブラックマトリックス２２０を境界として赤色、緑色及び青色フィルタが繰り返されて形成される。カラーフィルタ２３０は、バックライトユニット（図示せず）から照射されて液晶層３００を通過した光に色相を付与する役割を果たす。カラーフィルタ２３０は、通常、感光性有機物質からなっている。
カラーフィルタ２３０とカラーフィルタ２３０が覆っていないブラックマトリックス２２０の上部にはオーバーコート層２４０が形成されている。オーバーコート層２４０は、カラーフィルタ２３０を平坦化しながらカラーフィルタ２３０を保護する役割を果たし、通常、アクリル系エポキシ材料が多く用いられる。
【００３３】
オーバーコート層２４０の上部には共通電極２５０が形成されている。共通電極２５０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。共通電極２５０は薄膜トランジスタ基板１００の画素電極１８０と共に、液晶層３００に直接電圧を印加する。
このように備えられた薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００との間に液晶層３００を注入し、シーラント（図示せず）によって両基板１００、２００が接合されれば、液晶パネルが完成される。
【００３４】
以下においては、薄膜トランジスタ基板を製造する場合を例に挙げて、本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法について説明する。図４ａ乃至図４ｄは、第１基板１００の保護膜１７０上にエンボスパターン１７５を形成する方法を説明するために簡略に表す図面であり、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。そして、第１実施形態においては図１ａによる表示装置用モールドを利用する場合を例に挙げて説明し、説明の便宜上、同一の構成要素については同一の図面番号を付けて説明しようとする。
【００３５】
先に、図３ａ及び図３ｂに示すように、公知の方法によって第１絶縁基板１１０上にゲート配線物質を蒸着した後、マスクを利用したフォトエッチング工程によってパターニングして、ゲート線１２１、ゲート電極１２２及びゲートパッド１２３などを含むゲート配線１２１、１２２、１２３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３０、半導体層１４０、抵抗接触層１５０の三層膜を連続して積層する。
【００３６】
次に、半導体層１４０と抵抗接触層１５０をフォトエッチングして、ゲート電極１２２の上部のゲート絶縁膜１３０上に半導体層１４０を形成する。ここで、半導体層１４０の上部に抵抗接触層１５０が形成されている。
次に、データ配線物質を蒸着した後、マスクを利用したフォトエッチング工程によってパターニングして、ゲート線１２１と交差するデータ線１６１、データ線１６１と接続されてゲート電極１２２の上部まで延長されているソース電極１６２、これに対向するドレイン電極１６３、及びデータ線１６１の端部に備えられたデータパッド１６４を含むデータ配線１６１、１６２、１６３、１６４を形成する。次いで、データ配線１６１、１６２、１６３、１６４によって覆われない抵抗接触層１５０をエッチングしてゲート電極１２２を中心に両方に分離させる一方、半導体層１４０を露出させる。この過程で、抵抗接触層１５０は大部分除去され、半導体層１４０の一部もエッチングされる。次に、露出した半導体層１４０の表面を安定化させるために、酸素プラズマを実施することが好ましい。
【００３７】
次に、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）またはスリットコーティング（ｓｌｉｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）法などによって保護膜１７０を形成する。保護膜１７０は高分子有機物層であり得る。
次いで、保護膜１７０上に凹凸パターン１７５（図４ｃ参照）を形成するために、図４ａに示すように、表示装置用モールド１を保護膜１７０上に整列配置させる。
【００３８】
表示装置用モールド１は、図４ａに示すように、支持フレーム１０と、支持フレーム１０の一面に備えられているパターン形成部１２と、支持フレーム１０から突出してパターン形成部１２の周縁に沿って備えられている突出部１４とを含む。支持フレーム１０の一面には前記パターン形成部１２の周辺に平坦に備えられた平坦部１５が形成されており、突出部１４は、パターン形成部１２と平坦部１５との境界領域に平坦部１５から突出している。そして、パターン形成部１２に面する突出部１４の内壁面１６は、支持フレーム１０の板面に対して直立して形成されている。支持フレーム１０の他面には、パターン形成部１２に対応する開口部１９を有するマスク１８が付着されている。パターン形成部１２には保護膜１７０に形成しようとするパターンに対応するパターンが形成されており、凹凸パターンまたはエンボスパターンが備えられても良い。そして、突出部１４の内壁面１６と支持フレーム１０の板面とがなす角度ａは、８０°〜１００°であり得る。前記角度の範囲は、形成しようとするパターンを備えることが可能な誤差範囲であって、突出部１４の内壁面１６と支持フレーム１０の板面とがなす角度ａが前記範囲を逸脱すれば、形成しようとするパターンが形成されないこともある。
【００３９】
その後、図４ｂに示すように、表示装置用モールド１を保護膜１７０の方向に加圧すれば、パターン形成部１２によって保護膜１７０の表面に凹凸パターン１７５が形成される。そして、突出部１４が保護膜１７０の端部を加圧して除去することによって、凹凸パターン１７５の収率を向上させることができる。つまり、マスク１８を利用して凹凸パターン１７５が形成された以外の保護膜１７０の領域を除去する際に、マスク１８の解像度の限界と光の回折によって発生し得る保護膜１７０の端部における所望しないパターンが突出部１４によって除去され、凹凸パターン１７５の収率が向上する。ここで、突出部１４の端部の幅ｄ１は、５μｍ〜２０μｍであり得る。これは、突出部１４によって保護膜１７０を效果的に除去するためのものであって、突出部１４の幅ｄ１が大きい場合、保護膜物質の流動性が十分でないため、加圧の際に突出部１４の端部に対応する領域に保護膜１７０の残膜が残るようになって、所望のパターンを得ることができなくなる。突出部１４の幅ｄ１が小さすぎれば、保護膜１７０を效果的に除去することができない。
【００４０】
次に、保護膜１７０に表示装置用モールド１が加圧された状態で、光を照射して保護膜１７０を硬化させる。ここで、表示装置用モールド１は、光が透過する透明材質からなるため、凹凸パターン１７５のその形状が維持されながら硬化及び露光する。表示装置用モールド１に用いられる透明材質としては、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｉｘａｎｅ）を用いることができる。
【００４１】
次に、図４ｃに示すように、表示装置用モールド１を除去し、図４ｄに示すように、現像して光に露出した凹凸パターン１７５の部分だけを残し、残りの保護膜１７０は除去される。
これによって、絶縁基板１１０の端部領域では保護膜１７０の残膜が除去されるので、両基板１００、２００を相互接合させる際に用いられるシーラント（図示せず）の接着力が向上する。また、第１基板１００の端部に駆動チップ（図示せず）を接続させる時、駆動チップ（図示せず）とゲートパッド１２３またはデータパッド１６４との間の接触不良が最小化される。
【００４２】
一方、前記実施形態においては、光に露出した部分が除去される感光性有機物質を利用して凹凸パターン１７５を有する保護膜１７０を形成したが、実施形態とは異なって、紫外線に露出しない部分が除去される感光性有機物質を利用して凹凸パターン１７５を有する保護膜１７０を形成することができる。この場合、除去されない保護膜１７０に対応する領域のマスク１８に開口部１９が備えられる。
【００４３】
このように凹凸パターン１７５が形成された保護膜１７０が備えられれば、図３ａ及び図３ｂに示すように、前記保護膜１７０上にＩＴＯまたはＩＺＯを蒸着してフォトエッチングし、ドレイン接触孔１７１を通じてドレイン電極１６３と接続される画素電極１８０を形成する。画素電極１８０は、下部の凹凸パターン１７５によって凹凸パターンを形成している。そして、ゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３を通じてゲートパッド１２３及びデータパッド１６４とそれぞれ接続されている接触補助部材１８１、１８２をそれぞれ形成する。
【００４４】
画素電極１８０が形成された後、画素電極１８０上に反射層物質を蒸着してパターニングし、画素電極１８０上の少なくとも一領域に反射層１９０を形成する。反射層１９０は、銀、クロムまたはこれらの合金を用いることもできるが、アルミニウムまたはアルミニウム／モリブデンの２重層を用いることもできる。反射層１９０は透過領域以外の領域（反射領域）に形成される。前述した凹凸パターン１７５によって反射層１９０も凹凸パターンを有する。反射層１９０は、ドレイン接触孔１７１を通じてドレイン電極１６３と接続されて電気的信号を受信し、前記信号は反射層１９０の上部に位置する液晶層３００に印加される。その後、配向膜（図示せず）を形成して本発明の第１実施形態による第１基板１００が完成される。
【００４５】
以下においては、本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法について説明する。図５ａ乃至図５ｄは、第１基板１００の保護膜１７０上にエンボスパターン１７５を形成する方法について説明するために簡略に示した図面である。そして、第２実施形態においては、図１ｂによる表示装置用モールドを利用する場合を例に挙げて説明し、説明の便宜上、同一の構成要素については同一の図面番号を付与して説明しようとする。
【００４６】
図５ａに示すように、保護膜１７０上に表示装置用モールド１を整列して配置する。ここで、第２実施形態による表示装置用モールド１の他面にはマスクが備えられていない。そして、突出部１４は、支持フレーム１０から遠くなるほど断面積が小さくなる形状で形成されている。つまり、図５ａに示すように、突出部１４の内壁面１６は前記支持フレーム１０の板面に対して直立して形成されており、突出部１４の外壁面１７は前記支持フレーム１０の板面に対して傾斜した形態で備えられている。そして、突出部１４の端部の幅ｄ２は、５μｍ〜２０μｍであり得る。このような突出部１４の形状によって、表示装置用モールド１の加圧の際に突出部１４は保護膜１７０をさらに效果的に除去することができる。
【００４７】
そして、図５ｂに示すように、表示装置用モールド１を保護膜１７０の方向に加圧して保護膜１７０の表面に凹凸パターン１７５（図５ｃ参照）を形成する。
その後、図５ｃに示すように、表示装置用モールド１を除去した後、凹凸パターン１７５が露出するように開口部１９が形成されたマスク１８を保護膜１７０上に整列して配置した後、光を照射する露光工程を進行する。
【００４８】
次いで、図５ｄに示すように、現像工程を進行して凹凸パターン１７５が形成された以外の保護膜１７０を除去する。
次に、上述した第１実施形態の方法に従って、保護膜１７０上に画素電極１８０（図３ｂ参照）と反射層１９０（図３ｂ参照）を形成することによって第１基板１００を完成する。
【００４９】
一方、以上で本発明の一実施形態によって表示装置用モールドを利用して反射層の凹凸パターンを形成する方法について説明したが、本発明の表示装置用モールドは反射層の凹凸パターンだけでなく、表示装置上の多様なパターンを形成することに変形適用できることは勿論である。
また、図１ｂによる表示装置用モールドにも、図１ａの表示装置用モールドと同様に他面にマスクを設けても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、所望の領域にパターンを形成する必要のある場合に適用可能であり、例えば表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１ａ】本発明の第１実施形態によるモールドである。
【図１ｂ】本発明の第２実施形態によるモールドである。
【図２】本発明による基板素材の平面図である。
【図３ａ】図２の‘Ｂ’領域の配置図である。
【図３ｂ】図３ａのＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。
【図４ａ】第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（１）。
【図４ｂ】第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（２）。
【図４ｃ】第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（３）。
【図４ｄ】第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（４）。
【図５ａ】本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（１）。
【図５ｂ】本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（２）。
【図５ｃ】本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（３）。
【図５ｄ】本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である（４）。
【符号の説明】
【００５２】
１  表示装置用モールド    
１０  支持フレーム
１２  パターン形成部
１４  突出部
１５  平坦部
１６  内壁面
１７  外壁面
１８  マスク
１９  開口部
５０  基板素材
１００  第１基板                 
１１０  第１絶縁基板
１２１  ゲート線                 
１２２  ゲート電極
１２３  ゲートパッド
１３０  ゲート絶縁膜
１４０  半導体層
１５０  抵抗性接触層
１６１  データ線
１６２  ソース電極
１６３  ドレイン電極
１６４  データパッド
１７０  保護膜
１７１  ドレイン接触孔
１７２  ゲートパッド接触孔
１７３  データパッド接触孔
１７５  凹凸パターン
１８０  画素電極
１８１、１８２  接触補助部材
１９０  反射層
２００  第２基板
２１０  第２絶縁基板
２２０  ブラックマトリックス
２３０  カラーフィルタ
２４０  オーバーコート層
２５０  共通電極
３００  液晶層
【図１ａ】
2007213066.tif 000003
【図１ｂ】
2007213066.tif 000004
【図２】
2007213066.tif 000005
【図３ａ】
2007213066.tif 000006
【図３ｂ】
2007213066.tif 000007
【図４ａ】
2007213066.tif 000008
【図４ｂ】
2007213066.tif 000009
【図４ｃ】
2007213066.tif 000010
【図４ｄ】
2007213066.tif 000011
【図５ａ】
2007213066.tif 000012
【図５ｂ】
2007213066.tif 000013
【図５ｃ】
2007213066.tif 000014
【図５ｄ】
2007213066.tif 000015