(57)【要約】【課題】高い光学収率をもたらすことができる不斉触媒として利用できる配位子、それを配位子とする金属錯体、それらを利用する光学活性化合物の製造方法などを提供する。【解決手段】三級ホスフィンの近傍に、光学活性中心を有する複数の配位性基が導入されている光学活性ホスフィン化合物を配位子とする金属錯体を不斉触媒として用いることにより、目的とする光学活性化合物を高い不斉収率で製造することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2007314433.tif 000032
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラルキル基または置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいアリーレン−アルキレン基を表し、Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立して配位性基を表すか、Ｒ4とＸ2は一緒になって環状の配位性基を形成する。）で表される少なくとも１個の不斉炭素原子を有する三級ホスフィン化合物。
【請求項２】
Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立して酸素原子、窒素原子および硫黄原子のいずれかの原子を含む基である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立してヒドロキシ基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアリールオキシ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキルアミノ基、置換されていてもよいジアルキルアミノ基、置換されていてもよいアリールアミノ基、置換されていてもよいジアリールアミノ基、メルカプト基、置換されていてもよいアルキルチオ基および置換されていてもよいアリールチオ基から選択される請求項２記載の化合物。
【請求項４】
Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立してヒドロキシ基および置換されていてもよいジアルキルアミノ基から選択される請求項３記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ1およびＲ2がそれぞれ独立してＣ6-10アリール基であり、Ｒ3がＣ6-10アリーレン基であり、Ｒ4がＣ1-6アルキル基で置換されていてもよいＣ1-6アルキレン基である請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ1およびＲ2がフェニル基であり、Ｒ3がフェニレン基であり、Ｒ4がＣ1-6アルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、Ｘ1がヒドロキシ基であり、Ｘ2がＣ6-10アリール基で置換されていてもよいジＣ1-6アルキルアミノ基である請求項５記載の化合物。
【請求項７】
一般式（１ａ）
【化２】
2007314433.tif 000033
（式中、Ｒ1、Ｒ2は前記と同じ意味を表し、Ｒaは置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、ＲbおよびＲcはそれぞれ独立してＣ6-10アリール基で置換されていてもよいＣ1-6アルキル基を表すか、ＲaとＲbとは隣接する炭素原子および窒素原子とともに環を形成し、＊は不斉炭素原子を表す。）で表される請求項１記載の化合物。
【請求項８】
一般式（１ｂ）
【化３】
2007314433.tif 000034
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒc、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される請求項７記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の化合物の光学活性体。
【請求項１０】
下記式
【化４】
2007314433.tif 000035
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒcは前記と同じ意味を表す。）で表される請求項９記載の光学活性体。
【請求項１１】
（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体、（１Ｓ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体、（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−３−メチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ブタン−１−オールおよびその鏡像異性体ならびに（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−３−フェニル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体から選択される請求項１記載の光学活性体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物を配位子とする金属錯体。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれかに記載の光学活性体を配位子とする金属錯体。
【請求項１４】
遷移金属錯体である請求項１２または１３記載の錯体。
【請求項１５】
遷移金属が、周期表の８族、９族、１０族および１１族の原子から選択される請求項１４記載の錯体。
【請求項１６】
銅錯体である請求項１５記載の錯体。
【請求項１７】
一般式（２）
【化５】
2007314433.tif 000036
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、Ｘ3は電子吸引性基を表す。）または一般式（３）
【化６】
2007314433.tif 000037
（式中、Ｒ5、Ｒ6は前記と同じ意味を表し、Ｒ8は置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、アルカノイル基、アロイル基、スルホニル基またはホスホリル基を表す。）で表される化合物を、請求項１３記載の金属錯体の存在下、有機金属化合物と反応させることを特徴とする一般式（４）
【化７】
2007314433.tif 000038
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｘ3、＊は前記と同じ意味を表し、Ｒ9は置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表す。）または一般式（５）
【化８】
2007314433.tif 000039
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ9、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される光学活性化合物の製造方法。
【請求項１８】
電子吸引性基がアルカノイル基、アロイル基、エステル基、アミド基、ニトロ基、シアノ基およびスルホニル基から選択される請求項１７記載の製造方法。
【請求項１９】
一般式（６）
【化９】
2007314433.tif 000040
（式中、Ｒ5、Ｒ6は前記と同じ意味を表し、Ｒ10およびＲ11はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、Ｘ4は脱離基を表す。）で表される化合物を、請求項１３記載の金属錯体の存在下、有機金属化合物と反応させることを特徴とする一般式（７）
【化１０】
2007314433.tif 000041
または一般式（８）
【化１１】
2007314433.tif 000042
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される光学活性化合物の製造方法。
【請求項２０】
脱離基がハロゲン、脂肪族カルボン酸エステル、芳香族カルボン酸エステル、炭酸エステル、カルバミン酸エステル、スルホン酸エステルおよびリン酸エステルから選択される請求項１９記載の製造方法。
【請求項２１】
金属錯体が遷移金属錯体である請求項１６〜２０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２２】
遷移金属錯体が銅錯体である請求項２１記載の製造方法。
【請求項２３】
遷移金属が、周期表の８族、９族、１０族および１１族の原子から選択される請求項２２記載の製造方法。
【請求項２４】
有機金属化合物の金属が周期表の１族、２族、４族、１２族、１３族および１４族の原子から選択される請求項１６〜２３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２５】
有機金属化合物の金属が亜鉛である請求項２４記載の製造方法。
【請求項２６】
有機金属化合物が一般式（９）
【化１２】
2007314433.tif 000043
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、Ｙは周期表の１族、２族、４族、１２族、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、ｎはＹで表される金属原子の原子価を表す。）または一般式（１０）
【化１３】
2007314433.tif 000044
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、Ｙaは周期表の１族、２族、４族、１２、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、Ｗはハロゲン原子を表す。）
で表される請求項２４記載の製造方法。
【請求項２７】
有機金属化合物が一般式（９’）
【化１４】
2007314433.tif 000045
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表す。）で表される請求項２６記載の製造方法。
【請求項２８】
有機金属化合物がグリニャール試薬である請求項２６記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性三級ホスフィン化合物およびそれを配位子とする金属錯体、ならびにそれらを利用する光学活性化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学活性化合物の製造方法として、遷移金属化合物と光学活性配位子の組み合わせからなる触媒を用いてアキラルな化合物の不斉触媒反応により光学活性化合物を製造する方法がよく知られている。これらの反応においては、単座又は多座の光学活性ホスフィン、光学活性ホスフィン−ホスファイト、光学活性ホスファイト、光学活性ホスホルアミダイト、光学活性アミン化合物等に代表されるように、ヘテロ原子を含む配位子がよく知られている。また、ペプチド残基を有する光学活性ホスフィン化合物を用いた不斉合成反応も報告されている（非特許文献１：H. Mizutani, S. J. Degrado, A. H. Hoveyda, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 779, 非特許文献２：A. W. Hird, A. H. Hoveyda, Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 1276-1279)。さらに、遷移金属化合物と、配位性基とプロトン性基とを有し、該配位性基と該プロトン性基とが互いに隣接するように配置されている配位子とを含む触媒組成物を用いたカップリング反応が報告されている（非特許文献３：N. Yoshikai, H. Mashima, E. Nakamura, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17978-17979）。
しかし、ほとんどの不斉触媒反応については反応性の観点や不斉収率の観点からその改善が望まれており、現在においても新規な構造を有する光学活性リン化合物等が開発されていることは周知のことである。
【非特許文献１】H. Mizutani, S. J. Degrado, A. H. Hoveyda, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 779
【非特許文献２】A. W. Hird, A. H. Hoveyda, Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 1276-1279
【非特許文献３】N. Yoshikai, H. Mashima, E. Nakamura, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17978-17979
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記状況において、より高い光学収率をもたらすことができる不斉触媒として利用できる配位子の開発が依然として強く望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、後記一般式（１）で表される三級ホスフィン化合物が種々の金属に配位して金属錯体を形成することができ、不斉合性反応において優れた触媒活性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
［１］  一般式（１）
【化１５】
2007314433.tif 000002
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラルキル基または置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいアリーレン−アルキレン基を表し、Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立して配位性基を表すか、Ｒ4とＸ2は一緒になって環状の配位性基を形成する。）で表される少なくとも１個の不斉炭素原子を有する三級ホスフィン化合物、
［２］  Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立して酸素原子、窒素原子および硫黄原子のいずれかの原子を含む基である上記［１］記載の化合物、
［３］  Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立してヒドロキシ基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアリールオキシ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキルアミノ基、置換されていてもよいジアルキルアミノ基、置換されていてもよいアリールアミノ基、置換されていてもよいジアリールアミノ基、メルカプト基、置換されていてもよいアルキルチオ基および置換されていてもよいアリールチオ基から選択される上記［２］記載の化合物、
［４］  Ｘ1およびＸ2がそれぞれ独立してヒドロキシ基および置換されていてもよいジアルキルアミノ基から選択される上記［３］記載の化合物、
［５］  Ｒ1およびＲ2がそれぞれ独立してＣ6-10アリール基であり、Ｒ3がＣ6-10アリーレン基であり、Ｒ4がＣ1-6アルキル基で置換されていてもよいＣ1-6アルキレン基である上記［１］〜［４］のいずれかに記載の化合物、
［６］  Ｒ1およびＲ2がフェニル基であり、Ｒ3がフェニレン基であり、Ｒ4がＣ1-6アルキル基で置換されていてもよいメチレン基であり、Ｘ1がヒドロキシ基であり、Ｘ2がＣ6-10アリール基で置換されていてもよいジＣ1-6アルキルアミノ基である上記［５］記載の化合物、
［７］  一般式（１ａ）
【化１６】
2007314433.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2は前記と同じ意味を表し、Ｒaは置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、ＲbおよびＲcはそれぞれ独立してＣ6-10アリール基で置換されていてもよいＣ1-6アルキル基を表すか、ＲaとＲbとは隣接する炭素原子および窒素原子とともに環を形成し、＊は不斉炭素原子を表す。）で表される上記［１］記載の化合物、
［８］  一般式（１ｂ）
【化１７】
2007314433.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒc、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される上記［７］記載の化合物、
［９］  上記［１］〜［８］のいずれかに記載の化合物の光学活性体、
［１０］  下記式
【化１８】
2007314433.tif 000005
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒcは前記と同じ意味を表す。）で表される上記［９］記載の光学活性体、
［１１］  （１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体、（１Ｓ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体、（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−３−メチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ブタン−１−オールおよびその鏡像異性体ならびに（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−３−フェニル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体から選択される上記［１］記載の光学活性体、
［１２］  上記［１］〜［１１］のいずれかに記載の化合物を配位子とする金属錯体、
［１３］  上記［９］〜［１１］のいずれかに記載の光学活性体を配位子とする金属錯体、
［１４］  遷移金属錯体である上記［１２］または［１３］記載の錯体、
［１５］  遷移金属が、周期表の８族、９族、１０族および１１族の原子から選択される上記［１４］記載の錯体、
［１６］  銅錯体である上記［１５］記載の錯体、
［１７］  一般式（２）
【化１９】
2007314433.tif 000006
（式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、Ｘ3は電子吸引性基を表す。）または一般式（３）
【化２０】
2007314433.tif 000007
（式中、Ｒ5、Ｒ6は前記と同じ意味を表し、Ｒ8は置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、アルカノイル基、アロイル基、スルホニル基またはホスホリル基を表す。）で表される化合物を、上記［１３］記載の金属錯体の存在下、有機金属化合物と反応させることを特徴とする一般式（４）
【化２１】
2007314433.tif 000008
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｘ3、＊は前記と同じ意味を表し、Ｒ9は置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表す。）または一般式（５）
【化２２】
2007314433.tif 000009
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ9、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される光学活性化合物の製造方法、
［１８］  電子吸引性基がアルカノイル基、アロイル基、エステル基、アミド基、ニトロ基、シアノ基およびスルホニル基から選択される上記［１７］記載の製造方法、
［１９］  一般式（６）
【化２３】
2007314433.tif 000010
（式中、Ｒ5、Ｒ6は前記と同じ意味を表し、Ｒ10およびＲ11はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、Ｘ4は脱離基を表す。）で表される化合物を、上記［１３］記載の金属錯体の存在下、有機金属化合物と反応させることを特徴とする一般式（７）
【化２４】
2007314433.tif 000011
または一般式（８）
【化２５】
2007314433.tif 000012
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、＊は前記と同じ意味を表す。）で表される光学活性化合物の製造方法、
［２０］  脱離基がハロゲン、脂肪族カルボン酸エステル、芳香族カルボン酸エステル、炭酸エステル、カルバミン酸エステル、スルホン酸エステルおよびリン酸ステルから選択される上記［１９］記載の製造方法、
［２１］  金属錯体が遷移金属錯体である上記［１６］〜［２０］のいずれかに記載の製造方法、
［２２］  遷移金属錯体が銅錯体である上記［２１］記載の製造方法、
［２３］  遷移金属が、周期表の８族、９族、１０族および１１族の原子から選択される上記［２２］記載の製造方法。
［２４］  有機金属化合物の金属が周期表の１族、２族、４族、１２族、１３族および１４族の原子から選択される上記［１６］〜［２３］のいずれかに記載の製造方法、
［２５］  有機金属化合物の金属が亜鉛である上記［２４］記載の製造方法、
［２６］  有機金属化合物が一般式（９）
【化２６】
2007314433.tif 000013
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、Ｙは周期表の１族、２族、４族、１２族、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、ｎはＹで表される金属原子の原子価を表す。）または一般式（１０）
【化２７】
2007314433.tif 000014
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、Ｙaは周期表の１族、２族、４族、１２、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表される上記［２４］記載の製造方法、
［２７］  有機金属化合物が一般式（９’）
【化２８】
2007314433.tif 000015
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表す。）で表される上記［２６］記載の製造方法、
［２８］  有機金属化合物がグリニャール試薬である上記［２６］記載の製造方法
に関する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物は、三級ホスフィン（配位性基）の近傍に、光学活性中心を有する複数の配位性基が導入されているので、複数の金属中心の空間的配置、ひいては反応基質との相互作用を精密に制御することができる。よって、本発明の三級ホスフィン化合物の光学活性体を金属触媒による不斉合成反応における配位子として用いると、高い収率かつ高い不斉収率で選択的に目的とする光学活性化合物を得ることができる。また、本発明の三級ホスフィン化合物の光学活性体のうち、いずれか一方の鏡像体を選択し、これを配位子とした金属触媒反応を行うことにより、目的とする絶対立体配置の生成物を選択的に得ることができる。
また、本発明の三級ホスフィン化合物は、多種多様な誘導体を迅速かつ簡便に合成することができる。例えば、後述の実施例に示した配位子は、安価かつ大量に入手できる天然アミノ酸であるＬ−アラニンから数段階で合成することができる。そして、窒素原子上の置換基を変えることも容易である。同様にして、その他の天然アミノ酸を出発原料として本発明の三級ホスフィン化合物を合成することができるので、多くの化合物を迅速かつ簡便に合成することができる。さらに、それらを配位子として用いた不斉合成反応における触媒活性の評価を短期間に行うことが可能となる。
さらに、本発明の三級ホスフィン化合物のラセミ体は、対応する光学活性三級ホスフィン化合物の製造中間体としても有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明は、新規な光学活性三級ホスフィン化合物およびそれを配位子とする金属錯体、ならびにそれらを利用する金属触媒反応による光学活性化合物の製造方法などを提供する。本発明の光学活性三級ホスフィン化合物の特徴は、三級ホスフィン（配位性基）の近傍に、光学活性中心を有する複数の配位性基を導入したことにある。すなわち、本発明のポイントは、互いに近傍に配置された複数の配位性基により、複数の金属中心の空間的配置、ひいては反応基質との相互作用を精密に制御することができるという点にある。
以下、本発明の光学活性三級ホスフィン化合物、光学活性三級ホスフィンを配位子とする金属錯体、およびそれらを利用する光学活性化合物の製造方法について説明する。
【０００７】
まず、本発明の光学活性三級ホスフィン化合物について、光学活性三級ホスフィン化合物の構造について説明した後、その製造方法について説明する。
【０００８】
（光学活性三級ホスフィン化合物の構造）
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物は、一般式（１）
【化２９】
2007314433.tif 000016
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラルキル基または置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいアリーレン−アルキレン基を表し、Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立して配位性基を表すか、Ｒ4とＸ2は一緒になって環状の配位性基を形成する。）で表される少なくとも１個の不斉炭素原子を有する三級ホスフィン化合物である。
ここで、一般式（１）で表される三級ホスフィン化合物のラセミ体は、対応する光学活性体の製造中間体としても有用であり、本発明の三級ホスフィン化合物に含まれる。
【０００９】
一般式（１）で表される三級ホスフィン化合物は、少なくとも１個の不斉炭素原子を有するが、好ましくは少なくとも２個の不斉炭素原子を有する。不斉炭素原子が発生する箇所としては、Ｘ1で表される基が結合する炭素原子、Ｒ4で表される基に含まれる炭素原子が挙げられる。
【００１０】
Ｒ1およびＲ2における「アルキル基」としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基または環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。
Ｒ1およびＲ2における「アルケニル基」としては、例えば、直鎖または分枝鎖状のアルケニル基が挙げられる。例えば、Ｃ2-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルケニル基が挙げられ、具体的には、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ゲラニル基、ファルネシル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ2-12アルケニル基が好ましく、さらにＣ2-6アルケニル基が好ましい。
【００１１】
Ｒ1およびＲ2における「アリール基」としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。
Ｒ1およびＲ2における「アラルキル基」としては、例えば、Ｃ6-20アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アラルキル基が好ましく、さらにＣ6-10アラルキル基が好ましく、特にベンジル基が好ましい。
Ｒ1およびＲ2における「ヘテロアリール基」としては、例えば環構成原子として炭素原子以外に酸素原子、硫黄原子および窒素原子から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有するヘテロアリール基などが挙げられ、具体的には、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、インドリル基、イソインドリル基、１Ｈ−インダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、キナゾリル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、プリニル基、プテリジニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、フェナジニル基、フェノキサチイニル基、チアントレニル基、インドリジニル基などが挙げられる。なかでも、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリル基、イソインドリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリル基などが好ましい。
【００１２】
Ｒ1およびＲ2における「置換基」としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基、トリフルオロメチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ゲラニル基、ファルネシル基などのアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基などのアルキニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などのアリール基；メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、１−メチルナフチル基、２−メチルナフチル基、４−メチルナフチル基、１，６−ジメチルナフチル基、４−ｔ−ブチルナフチル基などのアルキルアリール基；４−ヒドロキシフェニル基などのヒドロキシアリール基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、１−メトキシナフチル基、２−メトキシナフチル基、４−メトキシナフチル基、１，６−ジメトキシナフチル基、４−ｔ−ブトキシナフチル基などのアルコキシアリール基；ピリジル基、キナゾリニル基、キノリル基、ピリミジニル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、フェナントロリニル基などのヘテロ環基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；ヒドロキシ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基；フェノキシ基などのアリールオキシ基；メルカプト基；メチルチオ基などのアルキルチオ基；フェニルチオ基などのアリールチオ基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、アセチルアミノ基などの置換アミノ基；ｔ−ブチルカルバメート基、メチルカルバメート基などのカルバメート基；アミド基；ベンゼンスルホンアミド基、メンタンスルホンアミド基などのスルホンアミド基；イミノ基；フタルイミド基などのイミド基；グアニジノ基；ホルミル基；カルボニル基；アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基；カルボキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基などが挙げられる。置換基の数は、例えば、１〜最大置換可能な数であり、好ましくは１〜２個である。
【００１３】
Ｒ1およびＲ2としては、なかでもＣ6-18アリール基、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ6-12アリールオキシ基が好ましく、さらにＣ6-12アリール基が好ましく、特にＣ6-10アリール基が好ましく、とりわけフェニル基が好ましい。
【００１４】
Ｒ3およびＲ4における「アルキレン基」としては、例えば、直鎖または分枝鎖状のアルキレン基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキレン基が挙げられる。具体的には、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキレン基が好ましく、さらにＣ1-6アルキレン基が好ましく、特にメチレン基が好ましい。
Ｒ3およびＲ4における「アリーレン基」としては、例えば、Ｃ6-18アリーレン基があげられ、具体的には、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントレニレン基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリーレン基が好ましく、さらにＣ6-10アリーレン基が好ましく、特にフェニレン基が好ましい。フェニレン基としては、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基が好ましく、さらに１，２−フェニレン基が好ましい。
Ｒ3およびＲ4の「アリーレン−アルキレン基」における「アリーレン基」および「アルキレン基」としては、前述したものと同様のものが挙げられ、同様のものが好ましい。
【００１５】
Ｒ3およびＲ4における「置換基」としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基、トリフルオロメチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ゲラニル基、ファルネシル基などのアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基などのアルキニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などのアリール基；メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、１−メチルナフチル基、２−メチルナフチル基、４−メチルナフチル基、１，６−ジメチルナフチル基、４−ｔ−ブチルナフチル基などのアルキルアリール基；４−ヒドロキシフェニル基などのヒドロキシアリール基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、１−メトキシナフチル基、２−メトキシナフチル基、４−メトキシナフチル基、１，６−ジメトキシナフチル基、４−ｔ−ブトキシナフチル基などのアルコキシアリール基；ピリジル基、キナゾリニル基、キノリル基、ピリミジニル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、フェナントロリニル基などのヘテロ環基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；ヒドロキシ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基；フェノキシ基などのアリールオキシ基；メルカプト基；メチルチオ基などのアルキルチオ基；フェニルチオ基などのアリールチオ基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、アセチルアミノ基などの置換アミノ基；ｔ−ブチルカルバメート基、メチルカルバメート基などのカルバメート基；アミド基；ベンゼンスルホンアミド基、メンタンスルホンアミド基などのスルホンアミド基；イミノ基；フタルイミド基などのイミド基；グアニジノ基；ホルミル基；カルボニル基；アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基；カルボキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基などが挙げられ、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。置換基の数は、例えば、１〜最大置換可能な数であり、好ましくは１〜２個である。
【００１６】
Ｒ3としては、なかでもＣ6-12アリーレン基が好ましく、さらにＣ6-10アリーレン基が好ましく、特にフェニレン基が好ましく、とりわけ１，２−フェニレン基が好ましい。
Ｒ4としては、なかでも置換されていてもよいＣ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキレン基が好ましい。置換されていてもよいＣ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、メチルメチレン基、ジクロロメチレン基、ジフルオロメチレン基、エチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、２，２−ジフルオロエチレン基などが挙げられる。とりわけＣ1-6アルキル基で置換されていてもよいＣ1-6の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキレン基が好ましく、さらにＣ1-4アルキル基で置換されていてもよいＣ1-4の直鎖状のアルキレン基、Ｃ1-6アルキル基で置換されていてもよいメチレン基が好ましく、特にメチレン基、メチルメチレン基が好ましい。
【００１７】
Ｘ1およびＸ2における「配位性基」としては、例えば、酸素原子、窒素原子および硫黄原子のいずれかの原子を含む基が挙げられる。酸素原子、窒素原子および硫黄原子のいずれかの原子を含む基としては、例えば、酸素原子を含む基；窒素原子を含む基；酸素原子を含む基；または酸素原子を含む基、窒素原子を含む基もしくは酸素原子を含む基で置換されていてもよいアルキル基などが挙げられる。アルキル基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のＣ1-12アルキル基が挙げられ、直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-6アルキル基が好ましく、さらに直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-4アルキル基が好ましい。直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-4アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
酸素原子を含む基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールオキシ基、カルボキシ基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-6の直鎖もしくは分子鎖状のアルコキシ基が好ましく、さらにＣ1-4の直鎖もしくは分子鎖状のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基としては、具体的にはフェノキシ基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12のアリールオキシ基が好ましく、さらにＣ6-10のアリールオキシ基が好ましい。酸素原子を含む基としては、なかでもヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基が好ましく、さらにヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基が好ましく、特にヒドロキシ基が好ましい。
【００１８】
窒素原子を含む基としては、例えば、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、ジベンジルアミノ基、窒素含有複素環基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ6-10アリール基、ベンジル基が好ましく、さらにフェニル基が好ましい。アルキルアミノ基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキルアミノ基が挙げられ、具体的には、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基などが挙げられる。ジアルキルアミノ基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のジアルキルアミノ基が挙げられ、具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基などが挙げられる。アリールアミノ基としては、例えば、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基などが挙げられる。ジアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などが挙げられる。窒素含有複素環基としては、例えば、ピロリジニル基、ピロリニル基、イミダゾリジニル基、イミダゾリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、インドリル基などの５ないし９員窒素含有複素環基などが挙げられる。窒素原子を含む基としては、なかでもアミノ基、置換されていてもよいアルキルアミノ基、置換されていてもよいジアルキルアミノ基、置換されていてもよいアリールアミノ基、置換されていてもよいジアリールアミノ基が好ましく、さらにアミノ基、Ｃ6-10アリール基で置換されていてもよいＣ1-6アルキルアミノ基、Ｃ6-10アリール基で置換されていてもよいジＣ1-6アルキルアミノ基、Ｃ6-10アリール基で置換されていてもよいＣ6-10アリールアミノ基、Ｃ6-10アリール基で置換されていてもよいジＣ6-10アリールアミノ基が好ましく、特にアミノ基、ジメチルアミノ基、ジベンジルアミノ基が好ましい。
【００１９】
硫黄原子を含む基としては、例えば、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。アルキルチオ基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキルチオ基が挙げられ、具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。硫黄原子を含む基としては、なかでもメルカプト基、メチルチオ基、フェニルチオ基が好ましく、さらにメルカプト基、メチルチオ基が好ましい。
【００２０】
Ｒ4とＸ2が一緒になって形成する環状の配位性基としては、例えば、ピロリジニル基、ピロリニル基、イミダゾリジニル基、イミダゾリニル基、ピラゾリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基などの窒素含有複素環基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチオフェニル基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ6-10アリール基、Ｃ7-12アラルキル基が好ましく、特にメチル基、フェニル基、ベンジル基が好ましい。環状の配位性基としては、なかでも置換されていてもよい５ないし９員窒素含有複素環基が好ましく、さらに置換されていてもよいピロリジニル基が好ましい。
【００２１】
Ｘ1およびＸ2における「配位性基」としては、なかでもヒドロキシ基、置換されていてもよいジアルキルアミノ基が好ましい。Ｘ1としては、とりわけヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基が好ましく、さらにヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基が好ましく、特にヒドロキシ基が好ましい。Ｘ2としては、とりわけアミノ基、Ｃ6-10アリール基で置換されていてもよいジＣ1-6アルキルアミノ基が好ましく、さらにアミノ基、ジメチルアミノ基、ジベンジルアミノ基が好ましく、特にジベンジルアミノ基が好ましい。
【００２２】
また、本発明の一般式（１）で表される光学活性三級ホスフィン化合物としては、一般式（１ａ）
【化３０】
2007314433.tif 000017
（式中、Ｒ1、Ｒ2は前記と同じ意味を表し、Ｒaは置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、ＲbおよびＲcはそれぞれ独立してＣ6-10アリール基で置換されていてもよいＣ1-6アルキル基を表すか、ＲaとＲbとは隣接する炭素原子および窒素原子とともに環を形成し、＊は不斉炭素原子を表す。）で表される化合物であるのが好ましい。
【００２３】
Ｒaにおける「アルキル基」としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。より具体的には、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のＣ1-20アルキル基が挙げられ、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。「Ｃ1-6アルキル基」としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のＣ1-6アルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-6アルキル基が好ましく、さらに直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-4アルキル基が好ましく、特に、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基が好ましく、とりわけメチル基が好ましい。
Ｒaにおける「アリール基」としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。
Ｒaにおける「置換基」としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基、トリフルオロメチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ゲラニル基、ファルネシル基などのアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基などのアルキニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などのアリール基；メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、１−メチルナフチル基、２−メチルナフチル基、４−メチルナフチル基、１，６−ジメチルナフチル基、４−ｔ−ブチルナフチル基などのアルキルアリール基；４−ヒドロキシフェニル基などのヒドロキシアリール基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、１−メトキシナフチル基、２−メトキシナフチル基、４−メトキシナフチル基、１，６−ジメトキシナフチル基、４−ｔ−ブトキシナフチル基などのアルコキシアリール基；ピリジル基、キナゾリニル基、キノリル基、ピリミジニル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、フェナントロリニル基などのヘテロ環基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；ヒドロキシ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基；フェノキシ基などのアリールオキシ基；メルカプト基；メチルチオ基などのアルキルチオ基；フェニルチオ基などのアリールチオ基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、アセチルアミノ基などの置換アミノ基；ｔ−ブチルカルバメート基、メチルカルバメート基などのカルバメート基；アミド基；ベンゼンスルホンアミド基、メンタンスルホンアミド基などのスルホンアミド基；イミノ基；フタルイミド基などのイミド基；グアニジノ基；ホルミル基；カルボニル基；アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基；カルボキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基などが挙げられる。置換基の数は、例えば、１〜最大置換可能な数であり、好ましくは１〜２個である。Ｒaにおける「置換基」としては、なかでも、アルキルチオ基、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、インドリル基、イミダゾリル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、メルカプト基、メチルチオ基、グアニジノ基が好ましい。
Ｒaとしては、なかでもアルキルチオ基、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、インドリル基、イミダゾリル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、メルカプト基、メチルチオ基もしくはグアニジノ基で置換されていてもよい直鎖もしくは分子鎖状のＣ1-4アルキル基が好ましく、さらにメチル基、イソプロピル基、ベンジル基、t−ブチル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
【００２４】
ＲbおよびＲcにおける「Ｃ1-6アルキル基」としては、Ｒaにおける「Ｃ1-6アルキル基」と同様のものが挙げられ、同様のものが好ましい。
ＲbおよびＲcにおける置換基としての「Ｃ6-10アリール基」としては、具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。ＲbおよびＲcにおける置換基としての「Ｃ6-10アリール基」としては、なかでもフェニル基が好ましい。
ＲbおよびＲcとしては、とりわけフェニル基で置換されていてもよいＣ1-6アルキル基が好ましく、さらにフェニル基で置換されていてもよいＣ1-4アルキル基が好ましく、特にベンジル基が好ましい。
【００２５】
ＲaとＲbとが隣接する炭素原子および窒素原子とともに形成する環としては、例えば、ピロリジン環、ピロリン環、イミダゾリジン間、イミダゾリン環、ピラゾリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環などの５ないし９員窒素含有複素環基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。「置換基」としては、Ｒaにおける置換基と同様のものが挙げられ、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ6-10アリール基、Ｃ7-12アラルキル基が好ましく、特にメチル基、フェニル基、ベンジル基が好ましい。前記環としては、置換されていてもよい５ないし７員窒素含有複素環が好ましく、置換されていてもよいピロリジン環、ピペリジン環が好ましく、さらに置換されていてもよいピロリジン環が好ましく、特にベンジル基で置換されていてもよいピロリジン環が好ましい。
【００２６】
さらに、一般式（１ａ）で表される化合物としては、一般式（１ｂ）
【化３１】
2007314433.tif 000018
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒcは前記と同じ意味を表す。）で表される化合物であるのが好ましい。
【００２７】
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物としては、特に下記式
【化３２】
2007314433.tif 000019
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒa、Ｒb、Ｒcは前記と同じ意味を表す。）で表される化合物であるのが好ましい。
【００２８】
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物としては、具体的には、２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−３−メチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ブタン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−３−フェニル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−３，３−ジメチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ブタン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−４−メチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ペンタン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−２−フェニル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）エタノール、（１−ベンジルピロリジン−２−イル）（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）メタノール、２−（ジメチルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール、２−アミノ−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールなどが挙げられ、２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール、２−（ジベンジルアミノ）−３−メチル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）ブタン−１−オールまたは２−（ジベンジルアミノ）−３−フェニル−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールが好ましく、特に（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールおよびその鏡像異性体が好ましい。
【００２９】
（光学活性三級ホスフィン化合物の製造方法）
本発明の一般式（１）で表される光学活性三級ホスフィンは、公知の化合物または公知の化合物から容易に誘導される化合物から、公知の方法または公知の方法に準じる方法によって製造することができる。具体的には、下記の製造方法によって製造することができる。
なお、式中における、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｘ1およびＸ2は、特に記載のない限り、一般式（１）について記載されたのと同じ意味を表す。
【００３０】
＜製造方法１＞
一般式（１）で表される化合物は、例えば下記スキーム１に従って製造することができる。
［スキーム１］
【化３３】
2007314433.tif 000020
（式中、Ｗ1およびＷ2はハロゲン原子を表す。Ｚ1はカルボキシル基、エステル基、アミド基あるいはチオカルボキシル基を表す。Ｚ2はアミノ基、ヒドロキシ基、あるいはメルカプト基を表す。Ｚ3はエステル基、アミド基、カルボキシル基、チオカルボキシエステル基を表す。Ｚ4はアルデヒド基、イミノ基、チオアルデヒド基を表す。）
【００３１】
［ステップ１］
原料化合物（ＩＩ）のハロゲン原子Ｗ1を金属化し、これと原料化合物（I）を反応させることにより、化合物（ＩＩＩ）を得る工程である。
原料化合物（Ｉ）は市販されているか、または例えば、実験化学講座第４版、２４巻（丸善）に記載の方法に従って得ることができる。また、原料化合物（ＩＩ）は市販されている。
このような反応は、例えばD. Quintard, M. Keller, B. Breit, Synthesis 2004, 905-908などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、原料化合物（ＩＩ）に金属試薬を加えた後、原料化合物（Ｉ）を加えて反応させることによって化合物（ＩＩＩ）を得ることができる。用いられる金属試薬としては、例えば、ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム化合物、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウムなどのアルキルマグネシウム化合物、リチウム、マグネシウムなどのアルカリ金属およびアルカリ土類金属などが挙げられ、アルキルリチウム化合物が好ましく、さらにブチルリチウムが好ましい。金属試薬の使用量は、原料化合物（ＩＩ）に対して、通常約０．８〜２．５当量、好ましくは約１〜２当量である。本反応には、通常、溶媒が用いられる。用いられる溶媒としては、例えば、エーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ｔ−ブチルメチルエーテルまたはこれらの混合溶媒、例えばエーテル・テトラヒドロフラン混合溶媒などが挙げられ、なかでもエーテル・テトラヒドロフラン混合溶媒が好ましい。反応温度は、用いられる原料化合物（ＩＩ）、金属試薬、原料化合物（Ｉ）に応じて適宜設定すればよいが、通常、約−１００〜３０℃の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、特に制限はなく、通常約５分〜１２時間の範囲から適宜選択することができるが、反応速度などに応じて適宜設定することができる。反応後、通常の方法、例えば飽和塩化アンモニウム水溶液などを加えて反応を停止させた後、必要に応じて溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより化合物（ＩＩＩ）を得ることができる。また、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により化合物（ＩＩＩ）をさらに精製することもできる。
より具体的には、例えば、エーテル・テトラヒドロフラン混合溶媒中、−１１５℃で原料化合物（ＩＩ）に１当量のブチルリチウムを滴下し、４５分間撹拌した後に１当量の原料化合物（Ｉ）を加える。これを−８０℃まで昇温した後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止する。エーテルを用いた分液操作の後、粗生成物をシリカゲルカラムに通し、ヘキサン・エーテル混合溶媒で再結晶することで精製された化合物（ＩＩＩ）を得ることができる。
【００３２】
［ステップ２］
原料化合物（ＩＶ）をアルキル化することにより、化合物（Ｖ）を得る工程である。
原料化合物（ＩＶ）は市販されている。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、原料化合物（ＩＶ）を塩基存在下、アルキル化剤と反応させることによって化合物（Ｖ）を得ることができる。用いられるアルキル化剤としては、例えば、アルキルフルオリド、アルキルクロリド、アルキルブロミド、アルキルヨージドなどのハロゲン化アルキル、アルキルトシラート、アルキルメシラートまどのスルホン酸エステルなどが挙げられ、なかでもハロゲン化アルキルが好ましい。アルキル化剤の使用量は、原料化合物（ＩＶ）に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜３当量である。塩基としては、例えば、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウムおよびそれらの混合物などが挙げられ、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、およびそれらの混合物が好ましく、さらに炭酸カリウムと水産感化ナトリウムの混合物が好ましい。塩基の使用量は、化合物（ＩＶ）に対して、通常、約１〜５当量、好ましくは約１〜３当量である。これらの塩基は、通常水溶液として反応に用いられる。反応温度は、用いられる原料化合物（ＩＩＩ）、アルキル化剤に応じて適宜設定すればよいが、通常、約０〜１５０℃、好ましくは約２５〜１００℃の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、特に制限はなく、通常約１０分〜２４時間の範囲から適宜選択することができるが、反応速度などに応じて適宜設定することができる。反応後、通常の方法、例えば反応液を冷却することによって反応を停止させた後、必要に応じて溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより化合物（Ｖ）を得ることができる。また、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により化合物（Ｖ）をさらに精製することもできる。
より具体的には、例えば、原料化合物（ＩＶ）、１当量の炭酸カリウムおよび２当量の水酸化ナトリウムの水溶液を過熱還流し、これに必要に応じて１〜３当量のハロゲン化アルキルを滴下する。３〜１８時間後、加熱を止めて反応を停止する。エーテルを用いた分液操作の後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製により精製された化合物（Ｖ）を得ることができる。
【００３３】
［ステップ３］
化合物（Ｖ）の置換基Ｚ3を還元することにより、化合物（ＶＩ）を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、還元剤を用いて化合物（Ｖ）の置換基Ｚ3を還元することにより、化合物（ＶＩ）を得ることができる。用いられる還元剤としては、例えば、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、ボラン・ジメチルスルフィド錯体などが挙げられ、水素化リチウムアルミニウムが好ましい。還元剤の使用量は、化合物（Ｖ）に対して、通常、約０．８〜３当量、好ましくは約１〜１．５当量である。反応温度は、用いられる還元剤によっても異なるが、通常、約−８０〜６０℃、好ましくは約−２０〜１０℃である。反応時間は、特に制限はなく、通常約５分〜１２時間の範囲から適宜選択することができるが、反応速度などに応じて適宜設定することができる。反応後、通常の方法、例えば、水、水酸化ナトリウム水溶液などを加えることにより反応を停止することができる。反応終了後、必要に応じて溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより化合物（ＶＩ）を得ることができる。また、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により化合物（ＶＩ）をさらに精製することもできる。
より具体的には、水素化リチウムアルミニウム（１当量）のエーテル懸濁液に対し、化合物（Ｖ）を０℃で滴下する。室温に昇温し、１〜１２時間撹拌した後、再び０℃に戻して水および水酸化ナトリウム水溶液を加えて反応を停止する。沈殿物のろ過、溶媒留去の後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製により精製された化合物（ＶＩ）を得ることができる。
【００３４】
［ステップ４］
化合物（ＶＩ）の置換基Ｘ1を酸化することにより、化合物（ＶＩＩ）を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、酸化剤を用いて化合物（ＶＩ）の置換基Ｘ1を酸化することにより、化合物（ＶＩＩ）を得ることができる。用いられる酸化剤としては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、  Dess-Martinペルヨージナン、酸素などが挙げられ、ジメチルスルホキシドが好ましい。酸化剤の使用量は、化合物（ＶＩ）に対して、通常、約０．８〜２当量、好ましくは約１〜１．５当量である。反応温度は、用いられる酸化剤などによっても異なるが、通常、約−１００〜１００℃、好ましくは約−８０〜２５℃である。本反応には、通常、溶媒が用いられる。溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、ピリジンなどが挙げられ、塩化メチレンが好ましい。なお、酸化剤としてジメチルスルホキシドを用いる場合には、活性化剤を用いるのが好ましい。活性化剤としては、例えば、塩化オキサリル、無水トリフルオロ酢酸、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、ピリジン・三酸化硫黄などが挙げられ、塩化オキサリルが好ましい。冷却した活性化剤溶液にジメチルスルホキシドを加えて活性化した後、化合物（ＶＩ）を加えるのが好ましい。その後、塩基を加えることにより化合物（ＶＩＩ）が生成される。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、エチルジイソプロピルアミンなどが挙げられ、トリエチルアミンが好ましい。塩基の使用量は、化合物（ＶＩ）に対して、通常、約１〜１０当量、好ましくは約２〜５当量である。反応後、通常の方法、例えば水を加えて反応を停止させた後、必要に応じて溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより化合物（ＶＩＩ）を得ることができる。また、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により化合物（ＶＩＩ）をさらに精製することもできる。
より具体的には、例えば、塩化オキサリル（１．２当量）の塩化メチレン溶液を−７８℃に冷却し、ここにジメチルスルホキシド（２当量）、つづいて化合物ＶＩを滴下する。３０分撹拌した後、トリエチルアミン（４当量）を加え、室温に昇温する。水を加えて反応を停止し、塩化メチレンを用いた分液操作、溶媒留去により化合物（ＶＩＩ）の粗生成物を得ることができる。次のステップにおいて、この粗生成物はそのまま用いるかあるいはシリカゲルカラムを通した後に用いる。
【００３５】
［ステップ５］
化合物（ＩＩＩ）のハロゲン原子Ｗ2を金属化し、これを化合物（ＶＩＩ）に付加させることにより、一般式（１）で表される化合物を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162、B. M. Trost, B. Vidal, M. Thommen, Chem. Eur. J. 1999, 1055-1069などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、化合物（ＩＩＩ）に金属試薬を加えた後、化合物（ＶＩＩ）を加えて反応させることにより一般式（１）で表される化合物を得ることができる。用いられる金属試薬としては、例えば、ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム化合物、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウムなどのアルキルマグネシウム化合物、リチウム、マグネシウムなどのアルカリ金属およびアルカリ土類金属などが挙げられ、アルキルリチウム化合物が好ましく、さらにブチルリチウムが好ましい。金属試薬の使用量は、化合物（ＩＩＩ）に対して、通常約０．８〜２．５当量、好ましくは約１〜２当量である。本反応には、通常、溶媒が用いられる。用いられる溶媒としては、例えば、エーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ｔ−ブチルメチルエーテルまたはこれらの混合溶媒などが挙げられ、なかでもエーテルが好ましい。反応温度は、用いられる原料化合物（ＩＩＩ）、金属試薬、原料化合物（ＶＩＩ）に応じて適宜設定すればよいが、通常、約−８０〜２５℃の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、特に制限はなく、通常、約１０分〜２４時間の範囲から適宜選択することができるが、反応速度などに応じて適宜設定することができる。反応後、通常の方法、例えば飽和塩化アンモニウム水溶液などを加えて反応を停止させた後、必要に応じて溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより一般式（１）で表される化合物を得ることができる。また、必要に応じて蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により一般式（１）で表される化合物をさらに精製することもできる。
より具体的には、例えば、化合物（ＩＩＩ）のエーテル溶液に対し室温で１当量のブチルリチウムを滴下し、１５分間撹拌した後、−５℃に冷却し、化合物（ＶＩＩ）のエーテル溶液を加える。１〜１２時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止する。分液操作の後、シリカゲルクロマトグラフィーによる精製により精製された一般式（１）で表される化合物を得ることができる。
【００３６】
また、一般式（１）においてＲ4とＸ2が一緒になって環状の配位性基を形成している化合物も、原料化合物（ＩＶ）においてＲ4とＺ2が環を形成している化合物を用い、ステップ２における塩基およびアルキル化剤の当量を適宜調節する他は上記の方法と同様の方法により得ることができる。
上記の方法により、［ステップ１］において原料化合物（Ｉ）として光学活性な化合物を用いた場合には、上記の反応によって対応する光学活性三級ホスフィン化合物を得ることができる。
また、上記の反応によって得られた一般式（１）で表される化合物がラセミ体である場合や、光学活性が十分でない場合には、例えば光学分割カラムを用いる方法など、公知の方法によって所望の光学活性体を得ることができる。
【００３７】
＜製造方法２＞
一般式（１）で表される化合物のうち、一般式（１ａ）で表される化合物は、例えば下記スキーム２に従って製造することもできる。
［スキーム２］
【化３４】
2007314433.tif 000021
（式中、Ｗ1およびＷ2はハロゲン原子を表し、＊は不斉炭素原子を表す。）
【００３８】
［ステップ１］
原料化合物（ＩＩ’）のハロゲン原子Ｗ1を金属化し、これと原料化合物（I）を反応させることにより、化合物（ＩＩＩ’）を得る工程である。
原料化合物（Ｉ）は市販されているか、または例えば、実験化学講座第４版、２４巻（丸善）などに記載の方法に従って得ることができる。また、原料化合物（ＩＩ’）は市販されている。
このような反応は、例えばD. Quintard, M. Keller, B. Breit, Synthesis 2004, 905-908などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、上記製造方法１のステップ１と同様にして行うことができる。より具体的には、例えば、エーテル・テトラヒドロフラン混合溶媒中、−１１５℃で原料化合物（ＩＩ’）に１当量のブチルリチウムを滴下し、４５分間撹拌した後に１当量の原料化合物（Ｉ）を加える。これを−８０℃まで昇温した後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止する。エーテルを用いた分液操作の後、粗生成物をシリカゲルカラムに通し、ヘキサン・エーテル混合溶媒で再結晶することで精製された化合物（ＩＩＩ’）を得ることができる。
【００３９】
［ステップ２］
原料化合物（ＩＶ’）をアルキル化することにより、化合物（Ｖ’）を得る工程である。
原料化合物（ＩＶ’）は市販されている。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、上記製造方法１のステップ２と同様にして行うことができる。より具体的には、例えば、原料化合物（ＩＶ’）、１当量の炭酸カリウムおよび２当量の水酸化ナトリウムの水溶液を過熱還流し、これに合計３当量のハロゲン化アルキルを滴下する。３〜１８時間後、加熱を止めて反応を停止する。エーテルを用いた分液操作の後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製により精製された化合物（Ｖ’）を得ることができる。
【００４０】
［ステップ３］
化合物（Ｖ’）を還元することにより、化合物（ＶＩ’）を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、上記製造方法１のステップ３と同様にして行うことができる。より具体的には、例えば、水素化リチウムアルミニウム（１当量）のエーテル懸濁液に対し、化合物（Ｖ’）を０℃で滴下する。室温に昇温し、１〜１２時間撹拌した後、再び０℃に戻して水および水酸化ナトリウム水溶液を加えて反応を停止する。沈殿物のろ過、溶媒留去の後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製により精製された化合物（ＶＩ’）を得ることができる。
［ステップ４］
化合物（ＶＩ’）を酸化することにより、化合物（ＶＩＩ’）を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、上記製造方法１のステップ４と同様にして行うことができる。より具体的には、例えば、塩化オキサリル（１．２当量）の塩化メチレン溶液を−７８℃に冷却し、ここにジメチルスルホキシド（２当量）、つづいて化合物（ＶＩ’）を滴下する。３０分撹拌した後、トリエチルアミン（４当量）を加え、室温に昇温する。水を加えて反応を停止し、塩化メチレンを用いた分液操作、溶媒留去により化合物（ＶＩＩ’）の粗生成物を得ることができる。次のステップにおいて、この粗生成物はそのまま用いるかあるいはシリカゲルカラムを通した後に用いる。
【００４１】
［ステップ５］
化合物（ＩＩＩ’）のハロゲン原子Ｗ2を金属化し、これを化合物ＶＩＩ’に付加させることにより、一般式（１ａ）で表される化合物を得る工程である。
このような反応は、例えばM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162、B. M. Trost, B. Vidal, M. Thommen, Chem. Eur. J. 1999, 1055-1069などの文献に記載されており、それらの記載に準じて行うことができる。具体的には、例えば、上記製造方法１のステップ５と同様にして行うことができる。より具体的には、例えば、化合物（ＩＩＩ’）のエーテル溶液に対し室温で１当量のブチルリチウムを滴下し、１５分間撹拌した後、−５℃に冷却し、化合物（ＶＩＩ’）のエーテル溶液を加える。１〜１２時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止する。エーテルを用いた分液操作の後、シリカゲルクロマトグラフィーによる精製により精製された一般式（１ａ）で表される化合物を得ることができる。
【００４２】
また、一般式（１ａ）においてＲaとＲbとが隣接する炭素原子および窒素原子とともに環を形成している化合物も、原料化合物（ＩＶ’）に代えてアミノ基の片方の水素がアルキル基で置換され、かつこれがＲaと環を形成している化合物を用い、ステップ２において塩基及びアルキル化剤の当量を適宜調節する他は上記の方法と同様の方法により得ることができる。
上記の方法により、［ステップ１］において原料化合物（Ｉ’）として光学活性な化合物を用いた場合には、上記の反応によって対応する光学活性三級ホスフィン化合物を得ることができる。
また、上記の反応によって得られた一般式（１ａ）で表される化合物がラセミ体である場合や、光学活性が十分でない場合には、例えば光学分割カラムを用いる方法など、公知の方法によって所望の光学活性体を得ることができる。
【００４３】
（光学活性三級ホスフィンを配位子とする金属錯体）
次に、上述した光学活性三級ホスフィン化合物を配位子とする金属錯体について説明する。
（１）まず、金属錯体の構造について説明する。
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物を配位子とする金属錯体は、本発明の一般式（１）で表される光学活性三級ホスフィン化合物が金属に配位した錯体であればよく、特に制限はない。金属としては、例えば、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、スズなどの典型金属原子；銅、ニッケル、チタン、スカンジウム、ランタン、白金、イリジウム、ロジウム、コバルト、鉄、銀、金、ルテニウム、パラジウムなどの遷移金属原子が挙げられ、好ましくは周期表第８族原子、周期表第９族原子、周期表第１０族原子および周期表第１１族原子から選択された遷移金属原子が用いられる。
【００４４】
金属錯体としては、なかでも、本発明の一般式（１）で表される光学活性三級ホスフィン化合物と、金属化合物とを含む錯体であるのが好ましい。
金属化合物としては、マグネシウム化合物、亜鉛化合物、ホウ素化合物、アルミニウム化合物、スズ化合物などの典型金属化合物；銅化合物、ニッケル化合物、白金化合物、イリジウム化合物、ロジウム化合物、ルテニウム化合物、パラジウム化合物、鉄化合物などの遷移金属化合物が挙げられ、遷移金属化合物であるのが好ましい。また、金属化合物としては、金属触媒であるのが好ましい。典型金属化合物としては、典型金属触媒であるのが好ましい。遷移金属触媒としては、遷移金属触媒であるのが好ましい。なお、これらの金属化合物は、それぞれ単独で用いてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。
マグネシウム化合物としては、例えば、塩化マグネシウム、臭化マグネシウムなどが挙げられる。亜鉛化合物としては、例えば、塩化亜鉛、臭化亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛などが挙げられる。ホウ素化合物としては、例えば、ボラン、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素などが挙げられる。アルミニウム化合物としては、例えば、三塩化アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシドなどが挙げられる。スズ化合物としては、例えば、四塩化スズ、三塩化スズ、二塩化スズなどが挙げられる。
銅化合物としては、例えば、一価もしくは二価の銅化合物が挙げられ、具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、臭化銅（ＩＩ）、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、テトラキスアセトニトリル銅（Ｉ）ヘキサフルオロリン酸塩などが挙げられ、なかでもトリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）が好ましい。なお、これらの銅化合物は、それぞれ単独で用いてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。
ニッケル化合物としては、例えば、ハロゲン化ニッケル、硝酸ニッケル（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）、硫酸アンモニウムニッケル（ＩＩ）、次亜リン酸ニッケル（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）、ギ酸ニッケル（ＩＩ）、ステアリン酸ニッケル（ＩＩ）、シクロヘキサンブチレートニッケル（ＩＩ）、クエン酸ニッケル（ＩＩ）、ナフテン酸ニッケル（ＩＩ）、塩化ヘキサアンミンニッケル（ＩＩ）、ヨウ化ヘキサアンミンニッケル（ＩＩ）、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート、ニッケル（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート、水酸化ニッケル（ＩＩ）、ビス（η3−アリル）ニッケル（ＩＩ）、ビス（η−シクロペンタジエニル）ニッケル（ＩＩ）、塩化アリルニッケル二量体、ビス（シクロオクタジエン）ニッケル（０）、ニッケルカルボニル（０）、酸化ニッケルなどが挙げられる。
鉄化合物としては、例えば、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナートなどが挙げられる。
パラジウム化合物としては、例えば、酢酸パラジウム（０）、塩化パラジウム（０）、塩化アリルパラジウム（ＩＩ）、ジベンジリデンアセトンパラジウム（０）、トリスベンジリデンアセトンジパラジウム（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）などが挙げられる。
ロジウム化合物としては、例えば、塩化ロジウム（ＩＩＩ）、クロロジカルボニルロジウム（Ｉ）、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）、クロロノルボルナジエンロジウム（Ｉ）、ジカルボニルアセチルアセトナートロジウム（Ｉ）、酢酸ロジウム（ＩＩ）などが挙げられる。
白金化合物としては、例えば、塩化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）などが挙げられる。
イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）などが挙げられる。
ルテニウム化合物としては、例えば、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）、ジクロロ（ベンゼン）ルテニウム（ＩＩ）、トリス（アセトニトリル）シクロペンタジエニルルテニウム（ＩＩ）ヘキサフルオロホスファートなどが挙げられる。
チタン化合物としては、例えば、四塩化チタン、チタンテトライソプロポキシドなどが挙げられる。
スカンジウム化合物としては、例えば、スカンジウムトリフラートなどが挙げられる。
ランタン化合物としては、例えば、ランタントリイソプロポキシドなどが挙げられる。
金属化合物としては、なかでも銅化合物が好ましく、さらに、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）が好ましく、特にトリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）が好ましい。
【００４５】
（２）次に、金属錯体の製造方法について説明する。
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物が金属に配位した金属錯体は、通常の金属錯体を合成する方法と同様の方法に従って製造することができる。例えば、光学活性三級ホスフィン化合物を新たに金属に配位させる方法、予め配位していた配位子を光学活性三級ホスフィン化合物と配位子交換させる方法などが挙げられる。具体的には、例えば、金属化合物と光学活性三級ホスフィン化合物を、溶媒中で接触させることにより、目的とする光学活性三級ホスフィン化合物が金属に配位した金属錯体を製造することができる。
光学活性三級ホスフィン化合物の使用量は、金属に対する化合物の配位数によっても異なるが、通常、金属に対して、約０．８〜１０当量の範囲から適宜選択することができる。
溶媒としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素化合物類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＩなどの非プロトン性極性溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類などを好適に用いることができる。
反応温度は、約−７８℃から溶媒の沸点までの範囲から適宜選択することができる。
接触時間には特に制限はないが、通常、０．１秒から９６時間の範囲から適宜選択することができる。
【００４６】
錯体は固体として得ることもできる。錯体を固体として得る方法としては、例えば、反応溶媒および未反応の光学活性三級ホスフィン化合物を留去した後、錯体の溶解度が低い溶媒を添加することにより固体として単離する方法などが挙げられる。
また、必要に応じて再結晶化を行うことにより、より純度の高い錯体を得ることもできる。カラムクロマトグラフィーによって単離、精製することも可能である。
【００４７】
なお、本発明の光学活性三級ホスフィン化合物を触媒反応に用いる場合には、錯体の前駆体である金属化合物と光学活性三級ホスフィン化合物とを触媒反応に用いる反応液中で接触させて、そのまま不斉触媒反応を行うこともできる。
【００４８】
（本発明の金属錯体を用いた光学活性化合物の製造方法）
本発明の金属錯体は優れた不斉触媒として用いることができる。すなわち、原料化合物と有機金属化合物とを反応させて光学活性化合物を製造する方法において、本発明の金属錯体を不斉触媒として用いることによって、目的とする光学活性化合物を高い収率かつ高い不斉収率で選択的に得ることができる。
本発明の金属錯体を用いることができる不斉合成反応としては、例えば、炭素−炭素二重結合に対する付加反応、炭素−窒素二重結合に対する付加反応、炭素−酸素二重結合に対する付加反応、アリル位アルキル化反応、クロスカップリング反応などが挙げられる。炭素−炭素二重結合に対する付加反応としては、例えば、α，β不飽和カルボニル化合物やニトロアルケン類に対する共役付加反応などが挙げられる。
原料化合物としては、例えば、α，β不飽和カルボニル化合物などの炭素−炭素二重結合を有する化合物、炭素−窒素二重結合を有する化合物、炭素−酸素二重結合を有する化合物、脱離基を有する有機化合物などが挙げられる。
有機金属化合物における金属原子としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウムなどの周期表第１族原子、マグネシウム、カルシウムなどの周期表第２族原子、チタン、ジルコニウムなどの周期表第４族原子、亜鉛、カドミウム、水銀などの周期表第１２族原子、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムなどの周期表第１３族原子、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛などの周期表第１４族原子などが挙げられ、周期表第１２族原子が好ましく、さらに亜鉛が好ましい。
本発明で用いられる有機金属化合物は、例えば一般式（９）
【化３５】
2007314433.tif 000022
（式中、Ｒ9は置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアリール基を表し、Ｙは周期表の１族、２族、４族、１２族、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、ｎはＹで表される金属原子の原子価を表す。）
であらわされる化合物などが挙げられ、なかでも有機亜鉛化合物が好ましい。
Ｙにおける金属原子としては、周期表第１２族原子が好ましく、さらに亜鉛が好ましい。
Ｒ9におけるアルキル基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基または環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。アリール基としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。
有機亜鉛化合物としては、例えば一般式（９’）
【化３６】
2007314433.tif 000023
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物などが挙げられる。
【００４９】
また、上記有機金属化合物としては、例えば一般式（１０）
【化３７】
2007314433.tif 000024
（式中、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、Ｙaは周期表の１族、２族、４族、１２、１３族および１４族の原子から選択される金属原子を表し、Ｗはハロゲン原子を表す。）
で表される化合物も好適に用いることができる。
Ｙaにおける金属原子としては、周期表第２族原子が好ましく、さらにマグネシウムが好ましい。
Ｗにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、塩素原子、臭素原子が好ましい。
一般式（１０）で表される化合物としては、グリニャール試薬が好ましい。グリニャール試薬としては、例えば、アルキルマグネシウムハライド（例えば、メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシウムブロミド、シクロヘキシルマグネシウムブロミドなどのＣ1-20アルキルマグネシウムハライド）、アリールマグネシウムハライド（例えば、フェニルマグネシウムブロミド、ナフチルマグネシウムブロミド、トリルマグネシウムブロミド、メトキシフェニルマグネシウムブロミド、トリメチルフェニルマグネシウムブロミドなどのＣ6-18アリールマグネシウムハライド）などが挙げられる。
【００５０】
本発明の製造方法においては溶媒を用いることが好ましい。溶媒としては、反応に対して不活性なものであればよく、特に制限はないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。これらの溶媒は、光学活性三級ホスフィン化合物１重量部に対して、通常１〜１０００重量部、好ましくは５０〜５００重量部使用する。
本発明の金属錯体の使用量は、原料化合物に対して、通常約０．１〜２０モル％、好ましくは約０．５〜１０モル％、より好ましくは約１〜５モル％である。なお、本発明の金属錯体の前駆体である金属化合物と光学活性三級ホスフィン化合物とを反応液中で接触させてもよく、そのまま不斉触媒として用いることもできる。
反応温度は、通常約−１００℃〜１５０℃、好ましくは約−２０℃〜６０℃、より好ましくは約−１０℃〜３０℃である。
反応時間は、反応速度に応じて適宜設定することができ、特に制限はないが、通常約１〜１００時間である。
反応圧力は特に制限はなく、常圧、加圧のいずれでもよいが、通常は１〜３気圧下、好ましくは大気圧下で行われる。また、反応は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機金属化合物の使用量は、原料化合物に対して付加またはクロスカップリングする有機基の数などに応じて適宜設定すればよいが、原料化合物に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜２当量である。
反応の進行状況は、例えば薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーなどによって判定することができる。反応後、水、メタノールなどを加えて反応を停止した後、必要に応じて有機溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより目的とする光学活性化合物を単離することができる。また、必要に応じて、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により目的化合物をさらに精製することもできる。
得られた光学活性化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）やガスクロマトグラフィーなどによって測定することができる。光学純度は、光学活性カラムを用いた高速液体クロマトグラフィーやガスクロマトグラフィーなどにより測定することができる。
【００５１】
より具体的には、本発明の金属錯体は、例えば、下記の［不斉合成反応１］〜［不斉合成反応４］に示される不斉合成反応に用いることができ、それによって目的とする光学活性化合物を製造することができる。
【００５２】
［不斉合成反応１］
【化３８】
2007314433.tif 000025
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ9、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、ｎ、＊は前記と同じ意味を表し、Ｒ5、Ｒ  6およびＲ7はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換されていても  よいアリール基を表し、Ｘ3は電子吸引性基を表し、Ｍは金属化合物を表す。）
【００５３】
原料化合物（２）と有機金属化合物（９）とを、光学活性三級ホスフィン化合物（１）が金属化合物（Ｍ）に配位した金属錯体を不斉触媒として用いて反応させることにより、光学活性化合物（４）を製造することができる。
このような反応は、上記した反応条件に従って行うことができるが、好ましくは下記のようにして行うことができる。
Ｒ5、Ｒ6およびＲ7におけるアルキル基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基または環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。アリール基としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。
Ｘ3における電子吸引性基としては、例えば、アルカノイル基、アロイル基、エステル基、アミド基、ニトロ基、シアノ基およびスルホニル基などが挙げられ、これらは無置換であっても、置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。アルカノイル基としては、例えば、Ｃ2-10の直鎖もしくは分枝鎖状のアルカノイル基が挙げられ、具体的には、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブチリル基、イソブチリル基、イソプロパノイル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基などが挙げられる。アロイル基としては、ベンゾイル基、ナフトイル基などが挙げられる。エステル基としては、例えば、Ｃ2-10の直鎖もしくは分枝鎖状のエステル基が挙げられ、具体的には、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げられる。
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、エチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類などが好ましい。これらの溶媒は、光学活性三級ホスフィン化合物（１）１重量部に対して、通常１〜１０００重量部、好ましくは５０〜５００重量部使用する。
本発明の金属錯体の使用量は、原料化合物（２）に対して、好ましくは約０．５〜１０モル％、より好ましくは約１〜５モル％である。なお、本発明の金属錯体の前駆体である金属化合物（Ｍ）と光学活性三級ホスフィン化合物（１）とを反応液中で接触させて、そのまま本発明の金属触媒として用いることもできる。
反応温度は、好ましくは約−２０℃〜６０℃、より好ましくは約−１０℃〜３０℃である。
反応時間は、反応速度に応じて適宜設定することができ、特に制限はないが、通常約１〜５０時間である。
反応圧力は特に制限はなく、常圧、加圧のいずれでもよいが、通常は１〜３気圧下、好ましくは大気圧下で行われる。また、反応は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機金属化合物（９）の使用量は、原料化合物（２）に対して付加する有機基の数などに応じて適宜設定すればよいが、原料化合物（２）に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜２当量である。
反応の進行状況は、例えば薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーなどによって判定することができる。反応後、水、メタノールなどを加えて反応を停止した後、必要に応じて有機溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより目的とする光学活性化合物（４）を単離することができる。また、必要に応じて、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により目的化合物をさらに精製することもできる。
また、上記不斉合成反応１は、上記有機金属化合物（９）に代えて一般式（１０）で表される有機金属化合物を使用し、反応温度を５℃〜６０℃程度低くし、有機金属試薬の添加速度を２倍〜１００倍程度遅くする他は、上記の方法と同様にして実施することもできる。
【００５４】
［不斉合成反応２］
【化３９】
2007314433.tif 000026
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、ｎ、Ｍ、＊は前記と同じ意味  を表し、Ｒ8は置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、アルカノイル基  、アロイル基、スルホニル基またはホスホリル基を表す。）
【００５５】
原料化合物（３）と有機金属化合物（９）とを、光学活性三級ホスフィン化合物（１）が金属化合物（Ｍ）に配位した金属錯体を不斉触媒として用いて反応させることにより、光学活性化合物（５）を製造することができる。
このような反応は、上記した反応条件に従って行うことができるが、好ましくは下記のようにして行うことができる。
Ｒ8におけるアルキル基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基または環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。アリール基としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。アルカノイル基としては、例えば、Ｃ2-10の直鎖もしくは分枝鎖状のアルカノイル基が挙げられ、具体的には、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブチリル基、イソブチリル基、イソプロパノイル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基などが挙げられる。アロイル基としては、ベンゾイル基、ナフトイル基などが挙げられる。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類などが好ましい。これらの溶媒は、光学活性三級ホスフィン化合物（１）１重量部に対して、通常１〜１０００重量部、好ましくは５０〜５００重量部使用する。
本発明の金属錯体の使用量は、原料化合物（３）に対して、好ましくは約０．５〜１０モル％、より好ましくは約１〜５モル％である。なお、本発明の金属錯体の前駆体である金属化合物（Ｍ）と光学活性三級ホスフィン化合物（１）とを反応液中で接触させて、そのまま本発明の金属触媒として用いることもできる。
反応温度は、好ましくは約−２０℃〜６０℃、より好ましくは約−１０℃〜３０℃である。
反応時間は、反応速度に応じて適宜設定することができ、特に制限はないが、通常約１〜５０時間である。
反応圧力は特に制限はなく、常圧、加圧のいずれでもよいが、通常は１〜３気圧下、好ましくは大気圧下で行われる。また、反応は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機金属化合物（９）の使用量は、原料化合物（３）に対して付加する有機基の数などに応じて適宜設定すればよいが、原料化合物（３）に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜２当量である。
反応の進行状況は、例えば薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーなどによって判定することができる。反応後、水、メタノールなどを加えて反応を停止した後、必要に応じて有機溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより目的とする光学活性化合物（５）を単離することができる。また、必要に応じて、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により目的化合物をさらに精製することもできる。
また、上記不斉合成反応２は、上記有機金属化合物（９）に代えて一般式（１０）で表される有機金属化合物を使用し、反応温度を５℃〜６０℃程度低くし、有機金属試薬の添加速度を２倍〜１００倍程度遅くする他は、上記の方法と同様にして実施することもできる。
【００５６】
［不斉合成反応３］
【化４０】
2007314433.tif 000027
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、ｎ、Ｍ、＊は前記と同じ意味  を表し、Ｒ10およびＲ11はそれぞれ独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基または置換さ  れていてもよいアリール基を表し、Ｘ4は脱離基を表す。）
【００５７】
原料化合物（６）と有機金属化合物（９）とを、光学活性三級ホスフィン化合物（１）が金属化合物（Ｍ）に配位した金属錯体を不斉触媒として用いて反応させることにより、光学活性化合物（７）を製造することができる。
このような反応は、上記した反応条件に従って行うことができるが、好ましくは下記のようにして行うことができる。
Ｒ10およびＲ11におけるアルキル基としては、例えば、直鎖、分枝鎖または環状のアルキル基が挙げられる。例えば、Ｃ1-20の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基または環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ1-12アルキル基が好ましく、さらにＣ1-6アルキル基が好ましい。アリール基としては、例えば、Ｃ6-18アリール基があげられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などが挙げられる。なかでも、Ｃ6-12アリール基が好ましく、さらにＣ6-10アリール基が好ましく、特にフェニル基が好ましい。置換基としては、Ｒ1およびＲ2における置換基と同様のものが挙げられる。
Ｘ4における脱離基としては、例えば、ハロゲン、脂肪族カルボン酸エステル（例えば、酢酸エステルなど）、芳香族カルボン酸エステル（例えば、安息香酸エステルなど）、炭酸エステル、カルバミン酸エステル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げられる。
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類などが好ましい。これらの溶媒は、光学活性三級ホスフィン化合物（１）１重量部に対して、通常１〜１０００重量部、好ましくは５０〜５００重量部使用する。
本発明の金属錯体の使用量は、原料化合物（６）に対して、好ましくは約０．５〜１０モル％、より好ましくは約１〜５モル％である。なお、本発明の金属錯体の前駆体である金属化合物（Ｍ）と光学活性三級ホスフィン化合物（１）とを反応液中で接触させて、そのまま本発明の金属触媒として用いることもできる。
反応温度は、好ましくは約−２０℃〜６０℃、より好ましくは約−１０℃〜３０℃である。
反応時間は、反応速度に応じて適宜設定することができ、特に制限はないが、通常約１〜５０時間である。
反応圧力は特に制限はなく、常圧、加圧のいずれでもよいが、通常は１〜３気圧下、好ましくは大気圧下で行われる。また、反応は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機金属化合物（９）の使用量は、原料化合物（６）に対して付加する有機基の数などに応じて適宜設定すればよいが、原料化合物（６）に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜２当量である。
反応の進行状況は、例えば薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーなどによって判定することができる。反応後、水、メタノールなどを加えて反応を停止した後、必要に応じて有機溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより目的とする光学活性化合物（７）を単離することができる。また、必要に応じて、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により目的化合物をさらに精製することもできる。
また、上記不斉合成反応３は、上記有機金属化合物（９）に代えて一般式（１０）で表される有機金属化合物を使用し、反応温度を５℃〜６０℃程度低くし、有機金属試薬の添加速度を２倍〜１００倍程度遅くする他は、上記の方法と同様にして実施することもできる。
【００５８】
［不斉合成反応４］
【化４１】
2007314433.tif 000028
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、ｎ、Ｍ、＊は前  記と同じ意味を表す。）
【００５９】
原料化合物（６）と有機金属化合物（９）とを、光学活性三級ホスフィン化合物（１）が金属化合物（Ｍ）に配位した金属錯体を不斉触媒として用いて反応させることにより、光学活性化合物（８）を製造することができる。
このような反応は、上記した反応条件に従って行うことができるが、好ましくは下記のようにして行うことができる。
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類などが好ましい。これらの溶媒は、光学活性三級ホスフィン化合物（１）１重量部に対して、通常１〜１００重量部使用する。
本発明の金属錯体の使用量は、原料化合物（６）に対して、好ましくは約０．５〜１０モル％、より好ましくは約１〜５モル％である。なお、本発明の金属錯体の前駆体である金属化合物（Ｍ）と光学活性三級ホスフィン化合物（１）とを反応液中で接触させて、そのまま本発明の金属触媒として用いることもできる。
反応温度は、好ましくは約−２０℃〜６０℃、より好ましくは約−１０℃〜３０℃である。
反応時間は、反応速度に応じて適宜設定することができ、特に制限はないが、通常約１〜５０時間である。
反応圧力は特に制限はなく、常圧、加圧のいずれでもよいが、通常は１〜３気圧下、好ましくは大気圧下で行われる。また、反応は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機金属化合物（９）の使用量は、原料化合物（６）に対して付加する有機基の数などに応じて適宜設定すればよいが、原料化合物（６）に対して、通常約１〜５当量、好ましくは約１〜２当量である。
反応の進行状況は、例えば薄層クロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィーなどによって判定することができる。反応後、水、メタノールなどを加えて反応を停止した後、必要に応じて有機溶媒で抽出し、溶媒を留去することにより目的とする光学活性化合物（８）を単離することができる。また、必要に応じて、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの手段により目的化合物をさらに精製することもできる。
また、上記不斉合成反応４は、上記有機金属化合物（９）に代えて一般式（１０）で表される有機金属化合物を使用し、反応温度を５℃〜６０℃程度低くし、有機金属試薬の添加速度を２倍〜１００倍程度遅くする他は、上記の方法と同様にして実施することもできる。
【実施例】
【００６０】
実施例１
（光学活性三級ホスフィン化合物の合成）
【化４２】
2007314433.tif 000029
原料である１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼンおよび（Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）プロパナールはいずれも公知の化合物であり、文献に記載の方法（D. Quintard, M. Keller, B. Breit, Synthesis 2004, 905-908およびM. T. Reetz, Chem. Rev. 1999, 99, 1121-1162）によってあらかじめ合成した。オーブンで乾燥し、磁気撹拌子を入れた２００ｍＬの２径フラスコに、窒素雰囲気下１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（５．２２  ｇ，１５．４  ｍｍｏｌ）を入れ、ジエチルエーテル（和光純薬、有機合成用脱水溶媒をGlassContour社製の精製カラムに通したものを使用）６０  ｍＬに溶解した。室温下、ここに１．５７モル／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液（アルドリッチ、９．８  ｍＬ，１５．４  ｍｍｏｌ）を１０分間かけて滴下した。さらに１５分間撹拌した後、反応溶液を−５℃に冷却し、（Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）プロパナール（３．５３  ｇ，１３．９  ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（同上、２０  ｍＬ）溶液を１０分間かけて滴下した。９時間撹拌した後、１０  ｍＬの飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止した。有機層を分離した後、水層を３０  ｍＬのジエチルエーテルで２回抽出した。合わせた有機層を２０  ｍＬの飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／エーテル／ジクロロメタン＝１５／１／１〜１３／１／１）によって精製し、（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール（１）を無色固体として得た（４．６７  ｇ、収率６５％）。これをヘキサン・エーテル混合溶媒（１０：１）から再結晶した無色固体を触媒反応に用いた。また、同時に（１Ｓ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール（２）を無色固体として得た（０．６１  ｇ，収率９％）。
【化４３】
2007314433.tif 000030
（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールの化合物データ：
融点 129-130 ℃; [α]26D -121.7° (c = 1.24, CHCl3，日本分光DIP-370旋光度計); IR (powder，ASI Applied Systems, ReactIR 1000): cm-1 3255, 1436, 999, 766, 742, 696; 1H NMR (500 MHz, 日本電子ECA-500, CDCl3): δ 1.14 (d, J = 6.6 Hz, 3H), 3.24 (dq, J = 7.2, 6.6 Hz, 1H), 3.55 (d, J = 14.0 Hz, 2H), 3.83 (d, J = 14.0 Hz, 2H), 5.59 (dd, JHP = 7.2 Hz, JHH = 7.2 Hz, 1H), 6.82 (m, 1H), 6.93 (m, 1H), 7.07 (m, 4H), 7.20-7.39 (m, 17H); 13C NMR (125 MHz, 日本電子ECX-400，CDCl3): δ 9.5, 54.43, 54.46, 58.4 (JCP = 3.0 Hz), 73.5 (JCP = 24.4 Hz), 126.6 (2C), 127.5, 127.9 (JCP = 4.8 Hz), 128.0 (4C), 128.4 (2C, JCP = 6.6 Hz), 128.5, 128.6 (2C, JCP = 6.6 Hz), 128.7, 128.8 (4C), 129.0, 133.3, 133.5 (2C, JCP = 19.1 Hz), 133.9 (2C, JCP = 19.6 Hz), 134.7 (JCP = 13.7 Hz), 136.3 (JCP = 10.7 Hz), 137.1 (JCP = 10.1 Hz), 140.0 (2C), 146.9 (JCP = 22.1 Hz); 31P NMR (162 MHz, 日本電子ECA-500，CDCl3): δ -16.3; 元素分析（分子式：C35H34NOP）：計算値：C, 81.53; H, 6.65; N, 2.72. 測定値：C, 81.71; H, 6.81; N, 2.64.
（１Ｓ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オールの化合物データ：
mp 161-163 ℃; [α]26D 132.12° (c = 0.40, CHCl3, 日本分光DIP-370旋光度計); IR (powder, ASI Applied Systems, ReactIR 1000): cm-1 3270, 1432, 1028, 768, 735, 692; 1H NMR (500 MHz, 日本電子ECA-500，CDCl3): δ 0.70 (d, J = 6.9 Hz, 3H), 2.92-2.97 (m, 1H), 3.31 (d, J = 13.2 Hz, 2H), 3.91 (d, J = 13.2 Hz, 2H), 4.78 (brs, 1H), 5.50 (dd, JHP = 8.9 Hz, JHH = 8.9 Hz, 1H), 6.91-6.93 (m, 1H), 7.09-7.37 (m, 23H); 13C NMR (125 MHz, 日本電子ECX-400，CDCl3): δ 7.9, 53.4 (2C), 60.8, 70.3 (JCP = 25.6 Hz), 127.1 (JCP = 5.6 Hz), 127.2 (2C), 127.6, 128.3 (2C, JCP = 6.0 Hz), 128.4 (2C, JCP = 6.6 Hz), 128.5 (5C), 128.7, 129.1 (4C), 129.4, 133.2 (2C, JCP = 19.1 Hz), 133.9, 134.2 (2C, JCP = 20.3 Hz), 136.1 (JCP = 14.9 Hz), 136.7 (JCP = 10.7 Hz), 137.5 (JCP = 10.7 Hz), 138.9 (2C), 147.1 (JCP = 22.7 Hz); 31P NMR (162 MHz, 日本電子ECA-500，CDCl3): δ -17.2; 元素分析（分子式：C35H34NOP）：計算値：C, 81.53; H, 6.65; N, 2.72. 測定値：C, 81.55; H, 6.88; N, 2.56.
【００６１】
実施例２
（光学活性化合物の合成）
【化４４】
2007314433.tif 000031
バーナーで乾燥し、磁気撹拌子を入れた２０  ｍＬのガラス製反応容器に、アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）（ＡＣＲＯＳ、１０．９  ｍｇ，０．０３  ｍｍｏｌ）および（１Ｒ，２Ｓ）−２−（ジベンジルアミノ）−１−（２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル）プロパン−１−オール（１８．６  ｍｇ、０．０３６  ｍｍｏｌ）およびジクロロメタン（５  ｍＬ，五酸化二リンから蒸留したものを使用）を仕込み、室温で１時間撹拌した。反応容器を０℃に冷却し、ベンジリデンアセトン（アルドリッチ、１４６．２  ｍｇ，１  ｍｍｏｌ）を加えてさらに１５分撹拌した。ここに１モル／Ｌのジエチル亜鉛ヘキサン溶液（アルドリッチ、１．５  ｍＬ，１．５  ｍｍｏｌ）を３分間かけて加え、３時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（２  ｍＬ）を加えて反応を停止した。エーテル（５  ｍＬ）で３回抽出した後、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン：エーテル＝１００：０〜８０：２０）によって精製し、４−フェニルヘキサン−２−オンを無色液体として得た（１６０  ｍｇ、収率９１％）。
化合物データ：[α]26D -29.9° (c = 2.0, CHCl3，日本分光DIP-370旋光度計); IR (neat，ASI Applied Systems, ReactIR 1000): cm-1 2964, 1713, 1495, 1453, 1356; 1H NMR (500 MHz, CDCl3，日本電子ECA-500): d 0.77 (t, J = 7.5 Hz, 3H), 1.52-1.60 (m, 1H), 1.63-1.70 (m, 1H), 1.99 (s, 3H), 2.71 (d, J = 6.9 Hz, 2H), 3.00-3.05 (m, 1H), 7.15-7.18 (m, 3H), 7.25-7.28 (m, 2H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3，日本電子ECA-500): d 11.8, 29.2, 30.4, 42.8, 50.3, 126.2 (2C), 127.4, 128.3 (2C), 144.1, 207.8.
生成物の鏡像体過剰率は、高速液体クロマトグラフィー（日本分光製、光学活性カラム：ダイセルＯＪ−Ｈ）により９８％以上と決定した。また、旋光度の実験値と文献値（S体（93% ee）について[α]20D +33.5° (c = 0.740, CHCl3)；Mizutani, H.; Degrado, S. J.; Hoveyda, A. H. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 779-781）の比較から、生成物の絶対立体配置はRであると決定した。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の光学活性三級ホスフィン化合物を金属触媒による不斉合成反応における配位子として用いると、高い収率かつ高い不斉収率で選択的に目的化合物を得ることができる。したがって、本発明の光学活性三級ホスフィン化合物、それを配位子とする金属錯体などは、光学活性化合物の製造に好適に利用することができる。本発明の光学活性化合物の製造方法は不斉収率が高いので、光学純度を上げるための精製操作を省略または簡略化することができるため、製造コストおよび環境的負荷の大幅な低減が期待される。より具体的には、例えば、本発明の実施例において９８％以上の不斉収率が実現されており、事実上光学純度を上げるための精製操作が不要となるので、製造コストおよび環境的負荷を大幅に低減することができる。
また、本発明の三級ホスフィン化合物は、多種多様な誘導体を迅速かつ簡便に合成することができるので、それらを配位子として用いた不斉合成反応における触媒活性の評価を短期間に行うことが可能となる。
さらに、本発明の三級ホスフィン化合物のラセミ体は、対応する光学活性三級ホスフィン化合物の製造中間体としても有用である。