(57)【要約】【課題】工程数を増やすことなく、且つ、コストを上げずにモニター素子部の光漏れを防止する表示装置を提供する。【解決手段】発光素子の温度変化、経時変化による影響を抑制するためのモニター素子と、当該モニター素子を駆動するＴＦＴとを有し、モニター素子を駆動するＴＦＴは、モニター素子と重ならないように設けられている。また、第１の遮光膜及び第２の遮光膜を有し、第１の遮光膜がモニター素子の第１の電極と重なるように設けられているとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第２の遮光膜が第１の遮光膜と電気的に接続されている。また、コンタクトホールは、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように形成されている。【選択図】図６
2007213026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と
前記第１の電極の下に形成され、前記第１の電極の外周部を囲むようにコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の電極と重なるように設けられた第１の遮光膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、且つ前記コンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続する第２の遮光膜と、を有する表示装置。
【請求項２】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、
前記第１の電極の下に形成され、前記第１の電極の外周部を囲むようにコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の電極と重なるように設けられた第１の遮光膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、且つ前記コンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続する第２の遮光膜と、
前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタと、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられている表示装置。
【請求項３】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子部には、
前記第２の薄膜トランジスタのゲート線と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ前記層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記モニター素子と、が設けられ、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、
前記第１の遮光膜は、前記層間絶縁膜を介して、前記第１の電極と重なるように設けられ、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第１の電極は前記第１の遮光膜に電気的に接続され、
前記コンタクトホールは前記第１の電極の外周部を囲むように設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記層間絶縁膜を介して、前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールを介して、前記第１の遮光膜に電気的に接続されている表示装置。
【請求項４】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子部には、
前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ前記第１の層間絶縁膜上に形成された、第２の遮光膜と、
前記第２の遮光膜及び前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された前記モニター素子と、が設けられ、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、
前記第１の遮光膜は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜を介して、前記第１の電極と重なるように設けられ、
前記第１の電極は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第１の遮光膜に電気的に接続され、
前記コンタクトホールは前記第１の電極の外周部を囲むように設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記第１の層間絶縁膜を介して、前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールを介して、前記第１の遮光膜に電気的に接続されている表示装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは前記ゲート線を介して互いに異なる領域に設けられている表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の遮光膜は環状である表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記モニター素子及び前記第２の薄膜トランジスタは、前記画素部に近接して設けられている表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記画素部は赤を発光する複数の画素、緑を発光する複数の画素、及び青を発光する複数の画素を有し、前記モニター素子及び前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタは、各発光色毎にそれぞれ設けられている表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記モニター素子及び前記発光素子はＥＬ素子である表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料を用いて同一の工程で形成されている表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記増幅回路はボルテージフォロワ回路である表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記表示装置は、下面射出型または両面射出型である表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の表示装置が組み込まれたＥＬテレビジョン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いた表示装置に関する。特に、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子、及び薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と表記する）を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に関する。また、表示装置を表示部に用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ））、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う。以降本明細書においてはＥＬ素子と表記する）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。
【０００３】
ＥＬ素子は、一対の電極間に電界発光層を有し、当該電極間に電流を流すことで発光する自発光型素子であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い点で有利である。また発光素子の輝度は、当該発光素子を流れる電流値によって制御される。
【０００４】
発光素子は、周囲の温度（以下、「環境温度」と表記する）により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、室温を通常の温度とした時、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、定電圧駆動では、温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。また、昨今用いられている発光素子は、所定の電圧を印加しても経時的に電流値が減少する性質を有する。
【０００５】
上記したような発光素子が有する性質により、環境温度が変化する、または、電流の経時変化が生じると、輝度にバラツキが生じてしまう。この環境温度の変化と経時変化に起因する発光素子の輝度のバラツキの問題を解決するため、発光素子の温度と劣化を補正するためのモニター用発光素子（以下モニター素子とする）を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。モニター素子の一方の電極は、定電流源と、増幅回路の入力（入力端子）とに接続され、増幅回路の出力（出力端子）は、画素部の画素に設けられている発光素子の一方の電極に接続されている。このような構成によって、モニター素子の温度特性に基づき画素の発光素子を流れる電流の大きさを一定に保つ。なお、本明細書において、「接続されている」とは、直接接続されている場合だけでなく、電気的に接続されている場合も含むものとする。したがって、間に別の素子や配線などが形成されていてもよい。また、本明細書において「重なる」とは、表示装置を構成する要素（例えば、絶縁膜や配線など）同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の要素を介して重なり合う場合も含むものとする。
【０００６】
上記構成によって、発光素子（電界発光層）の温度が変化しても画素の発光素子を流れる電流の大きさを一定に保つことができる。よって、表示装置の環境温度が上昇しても表示装置の消費電力が大きくなるのを抑えることができ、輝度も一定に保つことができる。
【特許文献１】特許第３６９６１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
モニター素子は画像の表示には用いないため、モニター素子が設けられている領域（モニター素子部）は、モニター素子から発生した光が漏れないように遮光する必要がある。光漏れを解決する方法としては、遮光膜を設ける方法がある。または、モニター素子の陰極の反射面に（発光層側に接する面）に起伏部を設けて、陰極の反射面において反射光を散乱させるという方法がある。
【０００８】
モニター素子部に設ける遮光膜の構成例について図１２、図１３、及び図１４を用いながら説明する。図１２は、モニター素子部のレイアウトであり、図１３（Ａ）は、図１２の鎖線Ａ−Ａ’で切断したときの断面構造図である。また、図１４は図１２と同じモニター素子部を示すが、モニター素子を駆動するＴＦＴの位置などを分かりやすく説明するために、点線で囲まれた領域２１２では第１の電極２０７の記載を省略した。また、点線で囲まれた領域２１３では、第１の電極２０７、電流供給線２０２、遮光膜２１４及びドレイン電極２１５の記載を省略して図示した。
【０００９】
モニター素子部において、モニター素子を駆動するＴＦＴ２２１のゲート線に電位を与える制御線２０１と画素部の発光素子に設けられたＴＦＴのゲート線２０６とで囲まれた領域には、それぞれモニター素子と、当該モニター素子を駆動するＴＦＴとが設けられている（図１４）。また、モニター素子は、第１の電極２０７（陽極または陰極）と電界発光層２０８と第２の電極２０９（陰極または陽極）とからなる（図１３（Ａ））。図１２、図１３、及び図１４の点線で囲まれた領域２０４は、陽極と電界発光層２０８と陰極からなるモニター素子が、発光する領域を表している。また、モニター素子を駆動するＴＦＴのゲート線２０５は、モニター素子部の第１の電極２０７に重なっている（図１２）。また、ＴＦＴ２２１が制御線２０１とゲート線２０６とで囲まれた領域に形成されており、ＴＦＴ２２１のゲート線２０５は遮光膜２０３と同じ層上に形成されているため、遮光膜２０３はＴＦＴ２２１と重ならないように形成する必要がある（図１４）。このため、光を遮光するのに十分な大きさや形状を有する遮光膜２０３を形成することが困難であった。その結果、ＴＦＴ２２１と遮光膜２０３との間の隙間から、モニター素子から発生した光が漏れる。また、図１３（Ａ）に示すように、モニター素子を駆動するＴＦＴのソース領域と定電流源とを接続する電流供給線２０２と、モニター素子を駆動するＴＦＴのゲート線に電位を与える制御線２０１との隙間に相当する領域からも光が漏れる。なお、図１３において、２１０は層間絶縁膜を、２１１は絶縁膜をそれぞれ示す。また、図１３（Ｂ）のように、層間絶縁膜を２１０及び２２０の２層設ける構成も考えられるが、その場合も電流供給線２０２と制御線２０１との隙間に相当する領域から光が漏れる。
【００１０】
この光漏れは、モニター素子部の開口率を下げることにより防止することが可能であるが、発光素子の劣化特性を考慮するとモニター素子部の開口率と画素部の開口率を同程度にすることが望ましい。したがって、モニター素子部の開口率を下げる構成を採用することは、画素部の発光素子に流れる電流の温度変化或いは経時劣化による変動の補償を行うという本来の目的を達成する上で好ましいものではない。
【００１１】
本発明は、上述した課題を鑑みて、工程数を増やすことなく、且つ、コストを上げずにモニター素子部の光漏れを防止する表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の表示装置は、発光素子の温度変化、経時劣化による影響を抑制するためのモニター素子と、当該モニター素子を駆動するＴＦＴとを有し、モニター素子を駆動するＴＦＴはモニター素子と重ならないように設けられている。また、本発明の表示装置は、第１の遮光膜及び第２の遮光膜を有し、第１の遮光膜がモニター素子の第１の電極と重なるように設けられているとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第２の遮光膜が第１の遮光膜と電気的に接続されている。また、コンタクトホールは、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように形成されている。なお、本明細書において、「モニター素子部」とは、モニター素子が設けられている領域全体を指すものとする。
【００１３】
また、本発明を適用することが可能な発光素子を有する表示装置は、アクティブマトリックス型である。また、発光素子から発せられる光の射出方式としては、下面射出型または両面射出型が適用できる。
【００１４】
また、第１の遮光膜は、モニター素子のゲート線や画素部に設けられた発光素子のゲート線と同一の作製条件で同時に形成され、第２の遮光膜は、モニター素子のソース線や画素部に設けられた発光素子のソース線と同一の作製条件で同時に形成されることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の表示装置は、複数の画素と、ソース線駆動回路（ソースドライバ）と、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）とを有する。そして、複数の画素の各々は、発光素子と、画素へのビデオ信号の入力を制御する第１の薄膜トランジスタと、発光素子の点灯または非点灯を制御する第２の薄膜トランジスタと、ビデオ信号を保持する容量素子とを有する。なお、容量素子は必ずしも設ける必要はなく、第２の薄膜トランジスタのゲート容量で代用することが可能である。
【００１６】
また、モニター素子部（モニター素子が設けられている領域）は、画素部内に設けても良いし、それ以外の領域に設けても良い。但し、画像の表示に影響を及ぼさないようにし、且つ、モニター素子部と画素部の発光素子とをなるべく同じ環境下に置くために、モニター素子部は画素部に近接して設けることが望ましい。
【００１７】
また、モニター素子の数は適宜選択することができる。すなわち、モニター素子は、１個のみ設ける構成でもよいが、複数設ける構成でもよい。モニター素子を１個のみ用いる場合、定電流源に流す電流値は各画素の発光素子に流したい電流値を設定すればよいため消費電力を抑えることができる。また、複数のモニター素子を設ける場合、モニター素子毎の特性のばらつきを平均化することができる。
【００１８】
また、発光素子を含むパネルを用いてカラー表示を行う場合、発光波長帯の異なる電界発光層を画素毎に設けるとよく、典型的には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した電界発光層を設けると良い。この場合、赤、緑、青の各色に対応したモニター素子をそれぞれ設けて、各色毎に電源電圧を補正できるようにすると良い。この場合も、各色毎にモニター素子を１個ずつ設ける構成としても良いが、好ましくは各色毎にそれぞれ複数設ける構成が好ましい。
【００１９】
本明細書で開示する表示装置に関する発明の構成は、発光素子及び当該発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、第１の電極、第１の電極上に形成された電界発光層及び電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタと、モニター素子に一定電流を流す定電流源と、増幅回路とを有する。そして、定電流源は、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに増幅回路の入力に電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、増幅回路の出力に、第１の薄膜トランジスタを介して発光素子の一方の電極が電気的に接続されている。さらに、モニター素子と、第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、モニター素子の第１の電極と重なるように第１の遮光膜が設けられ、第１の遮光膜と重なるように第２の遮光膜が設けられ、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、第２の遮光膜は第１の遮光膜に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本明細書で開示する表示装置に関する別の発明の構成は、発光素子及び当該発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、第１の電極、第１の電極上に形成された電界発光層及び電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、モニター素子に一定電流を流す定電流源と、増幅回路とを有する。そして、定電流源は、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに増幅回路の入力に電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、増幅回路の出力に、第１の薄膜トランジスタを介して発光素子の一方の電極が電気的に接続されている。また、モニター素子部には、ゲート線と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、第１の遮光膜上に形成された層間絶縁膜と、ソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、層間絶縁膜上に形成されたモニター素子とが設けられている。さらに、モニター素子と、第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、層間絶縁膜を介してモニター素子の第１の電極と重なるように第１の遮光膜が設けられるとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してモニター素子の第１の電極は第１の遮光膜に電気的に接続され、層間絶縁膜を介して第１の遮光膜と重なるように第２の遮光膜が設けられるとともに、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、第２の遮光膜は第１の遮光膜に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２１】
また、本明細書で開示する表示装置に関する別の発明の構成は、発光素子及び当該発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、第１の電極、第１の電極上に形成された電界発光層及び電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、モニター素子に一定電流を流す定電流源と、増幅回路とを有する。そして、定電流源は、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに増幅回路の入力に電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、増幅回路の出力に、第１の薄膜トランジスタを介して発光素子の一方の電極が電気的に接続されている。また、モニター素子部には、ゲート線と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、ソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ第１の層間絶縁膜上に形成された、第２の遮光膜と、第２の遮光膜及びソース電極及びドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上に形成されたモニター素子とが設けられている。さらに、モニター素子と、第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を介してモニター素子の第１の電極と重なるように第１の遮光膜が設けられるとともに、第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してモニター素子の第１の電極は第１の遮光膜に電気的に接続され、第１の層間絶縁膜を介して第１の遮光膜と重なるように第２の遮光膜が設けられるとともに、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように第１の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、第２の遮光膜は第１の遮光膜に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
また、上記発明の構成において、モニター素子と、第２の薄膜トランジスタとはゲート線を挟んで互いに異なる領域に設けられていることを特徴とする。
【００２３】
また、上記発明の構成において、第２の遮光膜は環状であることを特徴とする。
【００２４】
また、上記発明の構成において、モニター素子及び第２の薄膜トランジスタは、画素部に近接して設けられていることを特徴とする。
【００２５】
また、上記発明の構成において、画素部は赤を発光する複数の画素、緑を発光する複数の画素及び青を発光する複数の画素を有し、モニター素子及びモニター素子を駆動する薄膜トランジスタは、各発光色毎にそれぞれ設けられていることを特徴とする。
【００２６】
また、上記発明の構成において、モニター素子及び発光素子はＥＬ素子であることを特徴とする。
【００２７】
また、上記発明の構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料を用いて同一の工程で形成されていることを特徴とする。
【００２８】
また、上記発明の構成において、増幅回路はボルテージフォロワ回路であることを特徴とする。
【００２９】
また、上記発明の構成において、表示装置は、下面射出型または両面射出型であることを特徴とする。
【００３０】
また、本明細書で開示する表示装置に関する別の発明の構成は、上記表示装置を有するＥＬテレビジョンである。
【００３１】
また、本明細書で開示する表示装置の作製方法に関する発明の構成は、基板上に下地膜を形成し、下地膜上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート線を形成すると同時に第１の遮光膜を形成し、ゲート線をマスクとして半導体層に不純物を添加することによりソース領域及びドレイン領域を形成して、モニター素子を駆動する薄膜トランジスタを形成する。そして、ゲート絶縁膜、ゲート線及び第１の遮光膜上に層間絶縁膜を形成し、ソース領域に接続するソース電極を形成すると同時に、ドレイン領域に接続され、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第１の遮光膜に電気的に接続される第２の遮光膜を形成し、層間絶縁膜を介して第１の遮光膜に重なるように第１の電極を形成し、第１の電極上に電界発光層を形成し、電界発光層上に第２の電極を形成することにより、層間絶縁膜上にモニター素子を形成する。そして、モニター素子は、当該モニター素子を駆動する薄膜トランジスタに重ならないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明は、第１の遮光膜がモニター素子の第１の電極と重なるように設けられているとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第２の遮光膜が第１の遮光膜と電気的に接続されている。また、コンタクトホールは、モニター素子の第１の電極の外周部を囲むように形成されている。このため、第１の遮光膜及び第２の遮光膜によって光漏れを防ぐとともに、第１の遮光膜と第２の遮光膜との間の隙間から光漏れが生じることも防止することができる。
【００３３】
また、モニター素子を駆動するＴＦＴのゲート線を形成するために用いる導電膜を用いて第１の遮光膜を形成する。さらに、ソース電極またはドレイン電極を形成するために用いる導電膜を用いて、第１の遮光膜と電気的に接続される第２の遮光膜を形成する。このように、遮光膜を他の配線を形成するのと同時に形成するため、工程数を増やすことなく形成することができる。また、歩留まり、信頼性の高い表示装置を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を用いながら説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、モニター素子部に設けられた遮光膜の特徴について説明する。
【００３６】
モニター素子が設けられた領域におけるレイアウト図を図１に示す。また、図１の鎖線Ａ−Ａ’で切断したときの断面構造図を図２（Ａ）に示す。
【００３７】
第１の遮光膜４０１は、ゲートドライバに接続されたゲート線４１５、及びモニター素子を駆動するＴＦＴ４１２のゲート線４１３と同一の材料を用いて同一の工程で形成された導電膜であり、これらは全て基板４００上に形成されている。また、第１の遮光膜４０１は、モニター素子の第１の電極４０７と重なるように設けられている。なお、図１においては、定電流源に電気的に接続されている電流供給線４１１と重ならないように第１の遮光膜４０１が設けられているが、電流供給線４１１と重なるように設けられていてもよい。また、図１においては、配線４０４と重なるように第１の遮光膜４０１が設けられているが、配線４０４と重ならないように設けられていてもよい。
【００３８】
第２の遮光膜４０６は、モニター素子を駆動するＴＦＴ４１２のソース領域（またはドレイン領域）と定電流源とを電気的に接続する電流供給線４１１、配線４０４、及びモニター素子を駆動するＴＦＴ４１２のゲート線４１３に電位を与える制御線４０５と同一の材料を用いて同一の工程で形成された導電膜である。また、第２の遮光膜４０６は、モニター素子を駆動するＴＦＴ４１２に接続されるドレイン電極（またはソース電極）としても機能している。そして、第２の遮光膜４０６は環状の形状を有しており、第１の電極４０７の外周部分を囲むように設けられている。このように第２の遮光膜４０６を設けることにより、第１の遮光膜４０１のみでは第１の電極４０７を覆いきれていなかった領域も覆うことができる。なお、図２において、４０８は絶縁膜（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を、４１０はモニター素子の第２の電極を、４３１はＴＦＴ４１２のゲート絶縁膜をそれぞれ示す。
【００３９】
なお、本実施の形態では、第２の遮光膜４０６がモニター素子を駆動するＴＦＴ４１２に接続されるドレイン電極（またはソース電極）としても機能しているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、図３（Ａ）に示すように、ＴＦＴ４１２に接続されるドレイン電極（またはソース電極）４３２と、第１の遮光膜４０１とを互いに異なる膜として形成し、ドレイン電極（またはソース電極）４３２が第１の遮光膜４０１を介して第２の遮光膜４０６に電気的に接続される構成としてもよい。第２の遮光膜４０６は、図２（Ａ）と同様に環状の形状を有しており、第１の電極４０７の外周部分を囲むように設けられている。また、ドレイン電極（またはソース電極）４３２と第２の遮光膜４０６とは、同一の材料を用いて同一の工程で形成すればよい。
【００４０】
第１の電極４０７は、電界発光層４０９に電位を与えるための一方の電極であり、陽極または陰極として機能する。図２（Ａ）及び図３（Ａ）において点線で示される発光領域４２１は、第１の電極４０７と第２の電極４１０とにそれぞれ電位を与えたときに発光素子が発光する領域である。
【００４１】
本実施の形態では、下面照射型の表示装置において、マトリクス状に並んだ複数の画素を含む画素部において、上から偶数（奇数）番目の画素行に隣接する領域には複数のモニター素子が形成され、上から奇数（偶数）番目の画素行に隣接する領域にはモニター素子を駆動する複数のＴＦＴが形成される。また、モニター素子と、モニター素子を駆動するＴＦＴとは、ゲート線を境目として互いに異なる領域に設けられている。つまり、モニター素子と、モニター素子を駆動するＴＦＴとは、互いに重ならないように設けられている。また、モニター素子の発する光が漏れないようにするために、第１の遮光膜４０１が第１の電極４０７と重なっているとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール４１７を介して第１の遮光膜４０１と第２の遮光膜４０６が電気的に接続されている。当該構造により、モニター素子の発する光が基板４００側に漏れず、十分に遮光することができる。
【００４２】
また、第１の遮光膜４０１と第２の遮光膜４０６は、それぞれモニター素子を駆動するＴＦＴ４１２を形成する際の配線と同一の材料を用いて同一の工程で形成されている。このため、余計なコストや工程数を増やすことなく遮光膜を形成することができる。
【００４３】
ここで、モニター素子部と同一基板上に形成されており、画素部に設けられた下面射出構造（ボトムエミッション方式）の発光素子について図８を用いて説明する。
【００４４】
図８は、下面射出構造の発光素子の断面図を示す。陽極として機能する第１の電極１３０２の材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜など、透光性を有する導電膜を用いることができる。透光性を有する導電膜を第１の電極１３０２として用いることで、光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。なお、第１の電極１３０２はＴＦＴ１３０１と接続されている。
【００４５】
また、陰極として機能する第２の電極１３０４の材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金であるＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、フッ化カルシウム、または窒化カルシウム等）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。なお、図８において、１３０３は電界発光層を示している。
【００４６】
こうして、図８において矢印で示すように画素部に設けられた発光素子からの光を下面に取り出すことが可能になる。また、画素部に設けられた下面射出構造の発光素子を表示装置に用いる場合には、基板１３００として光透過性を有する基板を用いる。また、光学フィルムを設ける場合には、基板１３００に光学フィルムを設ければ問題ない。
【００４７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、モニター素子部において層間絶縁膜を２層形成する場合の遮光膜を有する表示装置の構成について、図２（Ｂ）を用いながら説明する。なお、本実施の形態では、実施の形態１と相違する点についてのみ説明する。
【００４８】
実施の形態１では、図２（Ａ）に示すように層間絶縁膜が１層のみ形成されているため、第１の層間絶縁膜４０２に形成されたコンタクトホールを介して第１の電極４０７と第２の遮光膜４０６とが、それぞれ第１の遮光膜４０１に接続されている。これに対し、本実施の形態では、層間絶縁膜が２層形成されており、第１の層間絶縁膜４０２に形成されたコンタクトホール４１７を介して第２の遮光膜４０６が第１の遮光膜４０１に接続されているとともに、第１の層間絶縁膜４０２及び第２の層間絶縁膜４１６に形成されたコンタクトホールを介して第１の電極４０７が第１の遮光膜４０１に接続されている。なお図２（Ｂ）では、第２の遮光膜４０６が環状の形状を有する例を示しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、モニター素子から発光される光が基板４００側から漏れないように、第１の電極４０７の外周部を囲むように形成されたコンタクトホール４１７を介して第１の遮光膜４０１と第２の遮光膜４０６とが接続されるようにすればよい。
【００４９】
なお、本実施の形態では、第２の遮光膜４０６がモニター素子を駆動するＴＦＴ４１２に接続されるドレイン電極（またはソース電極）としても機能しているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、図３（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ４１２に接続されるドレイン電極（またはソース電極）４３２と、第１の遮光膜４０１とを互いに異なる膜として形成し、ドレイン電極（またはソース電極）４３２が第１の遮光膜４０１を介して第２の遮光膜４０６に電気的に接続される構成としてもよい。第２の遮光膜４０６は、図２（Ｂ）と同様に環状の形状を有しており、第１の電極４０７の外周部分を囲むように設けられている。また、ドレイン電極（またはソース電極）４３２と第２の遮光膜４０６とは、同一の材料を用いて同一の工程で形成すればよい。
【００５０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置のモニター素子部の作製工程について説明する。なお、表示装置の画素部に設けられる薄膜トランジスタや発光素子は、モニター素子部に設けられる薄膜トランジスタやモニター素子と同様の作製条件、作製工程を用いながら形成することができるため、画素部の作製工程の説明については省略する。
【００５１】
図４、図５、図６は、モニター素子部の上面図である図７の鎖線Ｂ−Ｂ´における断面を示す図である。なお、図７では、電界発光層１１２の記載を省略して図示した。まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁基板１０１の上に下地膜１０２を形成する。絶縁基板１０１は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。すなわち、耐熱性を有するプラスチック基板を用いることも可能である。また、絶縁基板１０１の表面をＣＭＰ法などによって研磨し、平坦化しておいてもよい。なお、石英基板を用いる場合など絶縁基板１０１からの汚染を懸念する必要がなければ、下地膜１０２を形成しなくてもよい。
【００５２】
また、下地膜１０２の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法に代表されるＣＶＤ法、スパッタ法などの方法を用いればよい。また、下地膜としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜のいずれか一を用いる単層構造としてもよいし、これらを適宜積層する構造としてもよい。なお、本明細書中において、酸化窒化珪素とは酸素の組成比が窒素の組成比より大きい珪素と窒素と酸素の化合物のことを指し、窒素を含む酸化珪素ということもできる。また、本明細書中において、窒化酸化珪素とは窒素の組成比が酸素の組成比より大きい物質のことを指し、酸素を含む窒化珪素ということもできる。本実施の形態では、下地膜として、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜を順に積層する構成とする。
【００５３】
次に、下地膜１０２の上に半導体膜１０３を形成する。半導体膜１０３としては、非晶質半導体膜を形成すればよいが、微結晶半導体膜や結晶性半導体膜を形成してもよい。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウムを用いるとよい。本実施の形態では、非晶質珪素膜を形成する。なお、半導体膜を形成した後に、半導体膜に含まれる水素を除去する工程を行ってもよい。
【００５４】
また、下地膜１０２と半導体膜１０３を形成する際に、下地膜１０２と半導体膜１０３との界面が大気に曝されないようにすると、界面の汚染を防ぐことが可能となり、作製されるＴＦＴの特性のバラツキを低減させることができる。本実施の形態では、下地膜１０２と半導体膜１０３を、プラズマＣＶＤ法を用いて大気に曝さずに連続して形成する。
【００５５】
次に、レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を促進する元素を用いた熱結晶化方法などを用いて半導体膜１０３を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する。ここで、結晶化の後に、ボロン（Ｂ）などのｐ型の導電型を付与する不純物を結晶性半導体膜の全面にドーピングして、ＴＦＴのチャネル形成領域となる領域にチャネルドープし、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するようにしてもよい。なお、本実施の形態では半導体膜１０３を結晶化した結晶性半導体膜を用いているが、結晶性半導体膜の代わりに非晶質の半導体膜を用いることも可能である。
【００５６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、結晶性半導体膜を選択的にエッチングして結晶性半導体層１０４（島状半導体層）を形成する。なお、図７（Ａ）は、結晶性半導体層１０４の上面図を示している。
【００５７】
次に、結晶性半導体層１０４上にゲート絶縁膜１０５を形成する。ゲート絶縁膜１０５は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜のいずれか一を用いる単層構造としてもよいし、これらを適宜積層する構造としてもよい。
【００５８】
次に、図４（Ｃ）、図７（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１０５の上に、モニター素子を駆動するＴＦＴのゲート線１０６（ゲート電極）、及びゲートドライバに接続されるゲート線１６０を形成すると同時に第１の遮光膜１５１を形成する。なお、第１の遮光膜１５１は、後の工程で作製する第１の電極１１０と重なるように形成しておく。また、第１の遮光膜１５１はモニター素子部に設けるものであり、画素部の発光素子に設けるものではない。ゲート線１０６、１６０及び第１の遮光膜１５１の材料としては、アルミニウム、モリブデン、チタン、及び炭素のうち少なくとも一種、又は複数種を含むものを用いればよい。このとき、モリブデン、またはチタンの組成比は７．０〜２０ａｔｏｍｓ％であることが好ましい。
【００５９】
次に、ゲート線１０６をマスクとして、ボロン（Ｂ）などのｐ型の導電型を付与する不純物を結晶性半導体層１０４にドーピングする。本工程により、ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域を自己整合的に形成することができる。なお、ＴＦＴのチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域との間に、ドーピングすることなどにより、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）を形成する構成としてもよい。
【００６０】
また、ドーピングを行った後、不純物領域にドーピングされた不純物元素を活性化するために、加熱処理、強光の照射、又はレーザー光の照射を行ってもよい。これにより、不純物元素の活性化だけでなく、ゲート絶縁膜１０５へのプラズマダメージやゲート絶縁膜１０５と結晶性半導体層１０４との界面へのプラズマダメージを回復することができる。
【００６１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜１０５及びゲート線１０６、１６０上に第１の層間絶縁膜１０７を形成する。本実施の形態では、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜を順に積層する構成とする。
【００６２】
第１の層間絶縁膜１０７を形成した後、窒素雰囲気中で、３００〜５５０℃（より好ましくは４００〜５００℃）で１〜１２時間の熱処理を行い、結晶性半導体層１０４（半導体層）を水素化する工程を行うことが好ましい。本工程により、第１の層間絶縁膜１０７に含まれている水素により半導体層のダングリングボンドを終端することができる。本実施の形態では、４１０℃で１時間加熱処理を行う。
【００６３】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域、並びに第１の遮光膜１５１に達するように、第１の層間絶縁膜１０７にコンタクトホールをそれぞれ形成する。コンタクトホールの形状は、テーパー状にするとよい。
【００６４】
次に、図５（Ａ）、図７（Ｃ）に示すように、コンタクトホールを覆うように配線１０８（電流供給線）を形成すると同時に第２の遮光膜１５２を形成する。配線１０８はソース線（または電流供給線）として機能し、第２の遮光膜１５２は、遮光だけではなくドレイン電極としても機能している。また、図７（Ｃ）に示す上面図のように、第２の遮光膜１５２は、上面から見て第１の遮光膜１５１に重なるように設けられており、環状の形状を有している。また、第２の遮光膜１５２はモニター素子に設けるものであり、画素部の発光素子に設けるものではない。
【００６５】
配線１０８及び第２の遮光膜１５２の材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属若しくはその合金、またはその金属窒化物を用いるか、ＳｉやＧｅの如き半導体材料を用いて形成する。また、これらの材料を用いた積層構造としてもよい。本実施の形態では、チタン（Ｔｉ）を膜厚１００ｎｍで形成し、アルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）を膜厚７００ｎｍで形成し、チタン（Ｔｉ）を膜厚２００ｎｍで形成し所望な形状にエッチングを行い加工する。
【００６６】
次に、図５（Ｂ）、図７（Ｄ）に示すように、第１の層間絶縁膜１０７に形成されたコンタクトホールを介して第１の電極１１０を形成する。図７（Ｄ）に示す上面図のように、第１の電極１１０は上面から見て第１の遮光膜１５１と重なっており、且つ、第１の電極１１０の外周部は第２の遮光膜１５２に囲まれるように設けられている。
【００６７】
また、本実施の形態では、画素部の発光素子からの光を第１の電極１１０側から取り出す構造にするため、透光性を有する膜を用いて第１の電極１１０を形成する。第１の電極１１０としては、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ともいう。以下、「ＩＴＳＯ」という）、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどを用いることができる。また、酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金などの透明導電膜を用いることもできる。また、上記透明導電膜の他に、窒化チタン膜またはチタン膜を用いてもよい。この場合、透明導電膜を成膜した後に、窒化チタン膜またはチタン膜を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは５〜３０ｎｍ程度）で成膜する。本実施の形態では、第１の電極１１０としてＩＴＳＯ膜を膜厚１１０ｎｍで形成する。
【００６８】
また、第１の電極１１０は、その表面が平坦化されるように、ＣＭＰ法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨してもよい。またＣＭＰ法を用いた研磨後に、第１の電極１１０の表面に紫外線照射または酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
【００６９】
なお、本実施の形態では、ｐチャネル型のＴＦＴを作製する工程について説明した。しかし、ゲート線をマスクとして結晶性半導体層１０４にｎ型の導電型を付与する不純物をドーピングすることによりｎチャネル型のＴＦＴを作製する際にも本発明は適用することができる。また、同一基板上にｐチャネル型のＴＦＴとｎチャネル型のＴＦＴを作製する場合についても、本発明を適用することができる。
【００７０】
また、ＴＦＴは結晶性半導体層１０４にチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でもよいし、二つ形成されるダブルゲート構造または三つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。また、周辺駆動回路領域の薄膜トランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造またはトリプルゲート構造であってもよい。
【００７１】
また、本実施の形態で示したＴＦＴの作製方法に限らず、トップゲート型（プレーナー型）、ボトムゲート型（逆スタガ型）、あるいはチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても本発明を適用することができる。
【００７２】
次に、図５（Ｃ）に示すように、第１の電極１１０の外周部及びＴＦＴを覆うように絶縁膜１１１（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。
【００７３】
絶縁膜１１１としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサン、珪素上の水素がメチル基やフェニル基のような有機基によって置換された有機シロキサン系の絶縁性材料を用いることができる。アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材料を用いて形成してもよい。本実施の形態では、感光性ポリイミドを用いて、平坦で、膜厚が１．５μｍとなるように絶縁膜１１１を形成する。
【００７４】
また、絶縁膜１１１は表面の曲率半径が連続的に変化する形状が好ましく、絶縁膜１１１上に形成される電界発光層（有機化合物を含む層）、第２の電極の被覆性を向上させることができる。
【００７５】
また、信頼性をさらに向上させるため、電界発光層を形成する前に加熱処理を行うとよい。当該加熱処理により、第１の電極１１０や絶縁膜１１１に含有または付着している水分を放出させることが好ましい。
【００７６】
次に、図６に示すように、第１の電極１１０上に電界発光層１１２を形成する。なお、図６では１つのモニター素子しか図示していないが、本実施の形態では赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した電界発光層を作り分けている。本実施の形態では電界発光層１１２として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を示す材料を、蒸着マスクを用いた蒸着法によって、それぞれ選択的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料は、蒸着マスクを用いた蒸着法によってそれぞれ選択的に形成する方法や、液滴吐出法により形成することができる。液滴吐出法の場合、マスクを用いずにＲＧＢの塗り分けを行うことができるという利点がある。本実施の形態では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を示す材料を蒸着法によってそれぞれ形成する。
【００７７】
電界発光層は、有機発光材料または無機発光材料を用いることができる。有機発光材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるが、どちらを用いてもよい。また、電界発光層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層などを自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすればよい。
【００７８】
なお、電界発光層の蒸着前に、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５％以下且つ水の濃度が１％以下とする雰囲気で加熱処理を行い、水分などを除去することが好ましい。本実施の形態では、３００℃で１時間加熱処理を行う。
【００７９】
次に、電界発光層１１２の上に導電膜からなる第２の電極１１３を形成する。なお、第１の電極１１０が陽極として機能するときは第２の電極１１３は陰極として機能し、第１の電極１１０が陰極として機能するときは第２の電極１１３は陽極として機能する。また、第２の電極１１３の材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよい。
【００８０】
以上の工程により、第１の電極１１０、電界発光層１１２、及び第２の電極１１３からなるモニター素子が形成される。このモニター素子が発光する領域は、図７（Ｄ）における発光領域１５３で表わされる。発光領域１５３は、第１の遮光膜１５１及び第２の遮光膜１５２により、基板１０１側から光が漏れないように遮蔽されている。
【００８１】
図６に示す表示装置において、モニター素子から発された光は、基板１０１と第１の電極１１０の間に形成された第１の層間絶縁膜１０７を透過して第１の電極１１０側から矢印の方向に射出されるが、第１の遮光膜１５１及び第２の遮光膜１５２により遮光される。
【００８２】
また、第２の電極１１３を覆うようにしてパッシベーション膜を設けることも有効である。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸素含有量が窒素含有量よりも多い酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）、酸化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、または窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いてもよい。
【００８３】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤＬＣ膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い電界発光層１１２の上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、電界発光層１１２の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に電界発光層１１２が酸化するといった問題を防止することができる。
【００８４】
次に、発光素子及びモニター素子が形成された基板１０１と、封止基板とをシール材によって固着し、発光素子及びモニター素子を封止する。断面からの水分の侵入がシール材によって遮断されるので、発光素子の劣化が防止でき、表示装置の信頼性が向上する。なお、シール材で囲まれた領域には充填材を充填してもよく、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。また充填材は、液状の状態で滴下し、表示装置内に充填することもできる。本実施の形態は、下面射出型のため、透光性を有する充填材を使用する必要はないが、充填材を透過して光を取り出す構造の場合は、透光性を有す材料を用いて充填材を形成する必要がある。充填材の一例としては、可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂が挙げられる。以上の工程において、発光素子を有する表示装置が完成する。
【００８５】
なお、シール材としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリーコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることが可能である。また、シール材はフィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであっても良い。
【００８６】
また、素子の水分による劣化を防ぐために表示パネル内に乾燥剤を設置することが好ましい。本実施の形態では、画素部やモニター素子部を取り囲むように封止基板に形成された凹部に乾燥剤を設置し、薄型化を妨げない構成とする。また、ゲート線層に対応する領域にも乾燥剤を設置することにより吸水面積を広く取ることができ、吸水効果が高めることができる。また、直接発光しないゲート線層上に乾燥剤を設置しているので、画素部の光取り出し効率を低下させることもない。
【００８７】
なお、本実施の形態では、カバー材として、ガラス基板を用いて発光素子を封止した場合を説明するが、封止の処理とは、発光素子を水分から保護するための処理であり、カバー材で機械的に封止する方法、熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂で封止する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法のいずれかを用いることができる。カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を射出させる場合は透光性でなければならない。また、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等のシール材を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。この吸湿材は、シール材の上に接して設けても良いし、発光素子よりの光を妨げないような、隔壁の上や周辺部に設けても良い。さらに、カバー材と発光素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
【００８８】
また、カバー材としてガラス基板またはプラスチック基板を用いる。プラスチック基板としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用いることができる。
【００８９】
なお、密閉空間には乾燥した不活性ガスが充填されている。シール材で囲まれた内側の密閉空間は乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。また、乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の、物理吸着または化学吸着によって水分を吸着する物質を用いても良い。
【００９０】
また、必要であれば、発光素子からの光の射出面に偏光板または円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても良い。また、偏光板または円偏光板に反射防止膜を設けても良い。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、偏光板または円偏光板に加熱処理を施すアンチリフレクション処理を施してもよい。その後さらに、外部衝撃から保護するためハードコート処理を施すことが好ましい。
【００９１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、画素部に設けられた発光素子と、モニター素子部に設けられたモニター素子とを有する表示装置の構成について、図９を用いながら説明する。本実施の形態における表示装置は、ゲートドライバ２１０７、ソースドライバ２１０８、画素部２１０９を有する。また、画素部２１０９の脇に近接して設けられたモニター素子部２１１０を有する。モニター素子部２１１０には、ＲＧＢの各色に対応して、モニター素子が３列分設けられている。また、ＲＧＢの各色に対応したモニター素子の各列において、モニター素子と、当該モニター素子を駆動するＴＦＴとが、交互に配列されている。すなわち、ＲＧＢの各色に対応したモニター素子と、ＲＧＢの各色に対応したモニター素子を駆動するＴＦＴとは、互いに重ならないように設けられており、マトリクス状に設けられた画素部の発光素子の１列分の半分に相当する個数がそれぞれ設けられている。なお、モニター素子を駆動するＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴ、ｐチャネル型ＴＦＴのどちらを用いてもよいが、本実施の形態では、ｐチャネル型ＴＦＴを用いる。
【００９２】
本実施の形態に示す表示装置の、モニター素子部２１１０に設けられたモニター素子と、画素部に設けられた発光素子とは、同一の基板上に設けられており、同一の作製条件によって同一の工程で形成されたものである。そのため、発光素子とモニター素子とは、環境温度の変化または、経時変化が生じても、同程度の特性を得ることができる。また、発光素子とモニター素子部の開口率を同程度としているため、同じ劣化特性を有する。
【００９３】
定電流源２２０１ａは、モニター素子２２０２ａの一方の電極（陽極）と、ボルテージフォロワ回路２２０３ａの非反転入力端子に接続されている。また、モニター素子２２０２ａの他方の電極（陰極）は、接地電位２１１１と接続されている。また、ボルテージフォロワ回路２２０３ａの出力端子は、画素部２１０９に設けられた画素２１０６内の発光素子を駆動するＴＦＴを介して発光素子の一方の電極と接続されている。なお、本実施の形態では増幅回路としてボルテージフォロワ回路を用いているが、本発明はこの構成に限定されるものではない。また、ボルテージフォロワ回路２２０３ａの出力端子と、画素部２１０９に設けられた発光素子を駆動するＴＦＴとの間に加算回路を設ける構成としてもよい。すなわち、ボルテージフォロワ回路２２０３ａの出力端子に加算回路の入力（端子）が接続され、加算回路の出力に発光素子を駆動するＴＦＴのソース電極またはドレイン電極の一方が接続される構成としてもよい。
【００９４】
信号線Ｓ１に接続されている画素がＲの発光をする画素、信号線Ｓ２に接続されている画素がＧの発光をする画素、信号線Ｓ３に接続されている画素がＢの発光をする画素とする。定電流源２２０１ａはモニター素子２２０２ａに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路２２０３ａがモニター素子２２０２ａの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ１に設定する。定電流源２２０１ｂはモニター素子２２０２ｂに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路２２０３ｂがモニター素子２２０２ｂの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ２に設定する。定電流源２２０１ｃはモニター素子２２０２ａに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路２２０３ｃがモニター素子２２０２ｃの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ３に設定する。このような構成を有していることにより、ＲＧＢ毎に電位を設定する事ができる。したがって、ＲＧＢ毎のＥＬ材料によって温度特性や劣化の度合いが異なるときでも、各色毎の発光素子にそれぞれ所望の電位を設定することができ、ＲＧＢ毎に電源電位を補正することができる。
【００９５】
なお、本実施の形態では、定電流源に接続されているモニター素子の一方の電極を陽極（アノード）として説明したが、陰極（カソード）であってもよい。また、本実施の形態では、モニター素子の他方の電極である陰極の電位を接地電位としているが、この構成に限定されるものではない。
【００９６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、発光表示パネルの一例について、図１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の鎖線Ｃ−Ｃ’及び鎖線Ｄ−Ｄ’それぞれにおける断面図に相当する。
【００９７】
図１０（Ａ）において、点線で示された１２０２は画素部、１２３０はモニター素子部、１２０３は走査線（ゲート線）駆動回路である。本実施の形態において、画素部１２０２、走査線駆動回路１２０３、及び接続領域１２１０は、第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域内にある。また、１２０１は信号線（ソース線）駆動回路であり、チップ状の信号線駆動回路が第１の基板１２００上に設けられている。第１のシール材としては、フィラーを含む粘性の高いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２のシール材としては、粘性の低いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６は、できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【００９８】
また、画素部１２０２と第１のシール材１２０５との間に、乾燥剤を設けてもよい。さらには、画素部１２０２において、走査線又は信号線上に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のアルカリ土類金属の酸化物のように、化学吸着によって水（Ｈ２Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。
【００９９】
また、透湿性の高い樹脂に、乾燥剤の粒状の物質を含ませた状態で第２の基板１２０４に固定することができる。または、透湿性の高い樹脂の代わりに、シロキサンポリマー、ポリイミド、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）、リンボロンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の無機物を用いてもよい。
【０１００】
上記のような乾燥剤を設けることにより、開口率を低下せずに発光素子への水分の侵入及びそれに起因する劣化を抑制することができる。このため、画素部１２０２の周辺部と中央部における発光素子の劣化のバラツキを抑えることが可能である。
【０１０１】
なお、図１０（Ａ）において、１２１０は、信号線駆動回路１２０１及び走査線駆動回路１２０３に入力される信号を伝送するための接続配線領域であり、外部入力端子となるフレキシブル配線１２０９（ＦＰＣ）から、接続配線１２０８を介してビデオ信号やクロック信号を受信する。
【０１０２】
次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１２００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。図１０（Ｂ）には、駆動回路としての信号線駆動回路１２０１と、画素部１２０２とを示す。なお、信号線駆動回路１２０１にはｎチャネル型ＴＦＴ１２２１とｐチャネル型ＴＦＴ１２２２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。
【０１０３】
本実施の形態においては、同一基板上に走査線駆動回路、及び画素部のＴＦＴが形成されている。このため、発光表示装置の容積を縮小することができる。
【０１０４】
また、画素部１２０２は、スイッチング用ＴＦＴ１２１１と、駆動用ＴＦＴ１２１２及びそのドレイン電極またはソース電極に電気的に接続され透光性を有する導電膜からなる第１の画素電極１２１３（陽極）を含む複数の画素とにより形成される。
【０１０５】
また、第１の画素電極１２１３（陽極）の両端には絶縁層１２１４（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）が形成される。絶縁層１２１４に形成する膜の被覆率（カバレッジ）を良好なものとするため、曲率を有する曲面が、絶縁層１２１４の上端部または下端部に形成されるようにする。また、絶縁層１２１４表面を、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。更には、絶縁層１２１４として、黒色顔料、色素などの可視光を吸収する材料を溶解又は分散させてなる有機材料を用いることで、後に形成される発光素子からの迷光を吸収することができる。この結果、各画素のコントラストが向上する。
【０１０６】
また、第１の画素電極１２１３（陽極）上には、有機化合物材料の蒸着を行い、電界発光層１２１５を選択的に形成する。さらには、電界発光層１２１５上に第２の画素電極１２１６（陰極）を形成する。
【０１０７】
こうして、第１の画素電極１２１３（陽極）、電界発光層１２１５、及び第２の画素電極１２１６（陰極）からなる発光素子１２１７が形成される。発光素子１２１７は、第１の基板１２００側に発光する。
【０１０８】
また、発光素子１２１７を封止するために保護膜１２１８を形成する。保護膜は、例えば第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなる。次に、保護膜１２１８と第２の基板１２０４とを、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６で接着する。なお、第２のシール材を、シール材を滴下する装置を用いて滴下することが好ましい。シール材をディスペンサから滴下、又は吐出させてシール材をアクティブマトリクス基板上に塗布した後、真空中で、第２の基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、紫外線硬化を行って封止することができる。
【０１０９】
なお、第２の基板１２０４表面には、外光が基板表面で反射するのを防止するための反射防止膜１２２６を設ける。また、第２の基板と反射防止膜１２２６との間に、偏光板、及び位相差板のいずれか一方又は両方を設けてもよい。位相差板、または偏光板を設けることにより、外光が第１の画素電極１２１３で反射することを防止することが可能である。なお、第１の画素電極１２１３及び第２の画素電極１２１６を、透光性を有する導電膜又は半透光性（照射された光の半分程度が透過してしまう特性）を有する導電膜で形成し、絶縁層１２１４を可視光を吸収する材料、又は可視光を吸収する材料を溶解又は分散させてなる有機材料を用いて形成すると、各画素電極で外光が反射しないため、位相差板及び偏光板を用いなくとも良い。
【０１１０】
接続配線１２０８とフレキシブル配線１２０９とは、異方性導電樹脂又は異方性導電膜１２２７で電気的に接続されている。さらに、各配線層と接続端子との接続部を封止樹脂で封止することが好ましい。この構造により、断面部からの水分が発光素子に侵入し、劣化することを防ぐことができる。
【０１１１】
なお、第２の基板１２０４と、保護膜１２１８との間には、第２のシール材１２０６の代わりに、不活性ガス、例えば窒素ガスを充填した空間を有してもよい。水分や酸素の侵入の防止を高めることができる。
【０１１２】
また、第２の基板と偏光板の間に着色層を設けることができる。この場合、画素部に白色発光が可能な発光素子を設け、ＲＧＢを示す着色層を別途設けることでフルカラー表示とすることができる。または、画素部に青色発光が可能な発光素子を設け、色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示とすることができる。さらには、各画素部に、赤色、緑色、青色の発光を示す発光素子を形成し、且つ着色層を用いることもできる。このような表示モジュールは、各ＲＧＢの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
【０１１３】
また、第１の基板１２００又は第２の基板１２０４の一方、若しくは両方にフィルム又は樹脂等からなる基板を用いて発光表示モジュールを形成してもよい。このように対向基板を用いず封止すると、表示装置の軽量化、小型化、薄膜化を向上させることができる。
【０１１４】
更には、外部入力端子となるフレキシブル配線１２０９表面又は端部に、コントローラ、メモリ、画素駆動回路のようなＩＣチップを設け発光表示モジュールを形成してもよい。
【０１１５】
本実施の形態は、実施形態１乃至４のいずれとも適宜組み合わせることができる。
【０１１６】
（実施の形態６）
本発明の表示装置は様々な電子機器の表示部に用いることができる。特に薄型、軽量が要求されるモバイル機器には本発明の表示装置を用いることが望ましい。
【０１１７】
上記実施の形態に示される表示装置を筺体に組み込んだ電子機器として、テレビジョン装置（単にＴＶ、テレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ。）、カメラ（ビデオカメラやデジタルカメラ等）、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型のゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）やＨＤ  ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  ＤＶＤ）、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ―ｒａｙ  Ｄｉｓｋ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）、その他表示部を有する電化製品（例えば、フロント型またはリア型のプロジェクター）などが挙げられる。電子機器の具体例を図１１に示す。
【０１１８】
図１１（Ａ）に示す携帯情報端末は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有する携帯情報端末を安価に提供することができる。
【０１１９】
図１１（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有するデジタルビデオカメラを安価に提供することができる。
【０１２０】
図１１（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有する携帯電話機を安価に提供することができる。
【０１２１】
図１１（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有する携帯型のテレビジョン装置を安価に提供することができる。このようなテレビジョン装置は携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、または、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広く適用することができる。
【０１２２】
図１１（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有する携帯型のコンピュータを安価に提供することができる。
【０１２３】
図１１（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２は、実施形態１乃至５で示すものを適用することができる。本発明の一である表示装置を用いることにより、高信頼性を有するテレビジョン装置を安価に提供することができる。
【０１２４】
以上に示した様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明のモニター画素のレイアウト図。
【図２】本発明のモニター画素の断面図。
【図３】本発明のモニター画素の断面図。
【図４】本発明のモニター素子の作製工程を説明する断面図。
【図５】本発明のモニター素子の作製工程を説明する断面図。
【図６】本発明のモニター素子の作製工程を説明する断面図。
【図７】本発明のモニター素子の作製工程を説明する上面図。
【図８】本発明の表示装置における光の射出方向を説明する図。
【図９】本発明の表示装置の画素部とモニター素子部との関係を表わす図。
【図１０】本発明の表示装置の構造を説明する上面図及び断面図。
【図１１】本発明の表示装置を具備する電子機器を示す図。
【図１２】モニター画素のレイアウト図（比較例）。
【図１３】モニター画素の断面図（比較例）。
【図１４】モニター画素のレイアウト図（比較例）。
【符号の説明】
【０１２６】
１０１  基板
１０２  下地膜
１０３  半導体膜
１０４  結晶性半導体層
１０５  ゲート絶縁膜
１０６  ゲート線
１０７  第１の層間絶縁膜
１０８  配線
１１０  第１の電極
１１１  絶縁膜
１１２  電界発光層
１１３  第２の電極
１５１  第１の遮光膜
１５２  第２の遮光膜
１５３  発光領域
１６０  ゲート線
【図１】
2007213026.tif 000003
【図２】
2007213026.tif 000004
【図３】
2007213026.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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