(57)【要約】【課題】  本発明は、半導体製造装置等のプロセス処理装置に関し、露光装置に生じる基板の授受のための待ち時間を解消あるいは低減することを目的とする。【解決手段】  大気ローダにより搬入または搬出される基板を真空状態または大気状態に置くためのロードロック室を有し真空雰囲気の露光装置本体内で露光を行う露光装置と、前記露光装置を制御する露光装置用コントローラと、プロセス処理を行うとともに前記大気ローダへの前記基板の搬出および搬入を行うための基板授受部を有するプロセス処理部と、前記プロセス処理部を制御するとともに前記露光装置用コントローラと通信可能なプロセス制御用コントローラとを備え、前記露光装置用コントローラは、前記基板授受部への前記基板の授受予定時刻を演算し、演算した前記授受予定時刻を前記プロセス制御用コントローラに出力することを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気ローダにより搬入または搬出される基板を真空状態または大気状態に置くためのロードロック室を有し真空雰囲気の露光装置本体内で露光を行う露光装置と、
前記露光装置を制御する露光装置用コントローラと、
プロセス処理を行うとともに前記大気ローダへの前記基板の搬出および搬入を行うための基板授受部を有するプロセス処理部と、
前記プロセス処理部を制御するとともに前記露光装置用コントローラと通信可能なプロセス制御用コントローラとを備え、
前記露光装置用コントローラは、前記基板授受部への前記基板の授受予定時刻を演算し、演算した前記授受予定時刻を前記プロセス制御用コントローラに出力することを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプロセス処理装置において、
前記プロセス制御用コントローラは、前記基板の授受予定時刻に、前記基板授受部に配置される搬送手段が待機状態になるように制御することを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプロセス処理装置において、
前記プロセス制御用コントローラは、前記搬送手段を、前記授受予定時刻に前記大気ローダからの基板を待ち時間なしで受け取るとともに、前記プロセス処理部内の基板を待ち時間なしで前記大気ローダに渡すように制御することを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のプロセス処理装置において、
前記露光装置用コントローラは、前記大気ローダが前記基板を受け取った時刻に、前記露光装置で前記基板の処理に費やされる予想時間を加算して、前記基板授受部への前記基板の授受予定時刻を求めることを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のプロセス処理装置において、
前記露光装置用コントローラは、前記露光装置の状態に応じて前記授受予定時刻を所定時間毎に更新することを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載のプロセス処理装置において、
前記露光装置の前記状態には、前記露光装置の真空度、あるいは前記基板の温度が含まれることを特徴とするプロセス処理装置。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれか１項記載のプロセス処理装置において、
前記露光装置は、真空雰囲気内に配置され前記基板を前記露光装置本体に搬入または搬出する真空ローダを有し、
前記露光装置で前記基板の処理に費やされる前記予想時間には、
前記大気ローダによる前記基板の搬送時間と、
前記ロードロック室内での前記基板の滞在時間と、
前記真空ローダによる前記基板の搬送時間と、
前記露光装置本体内での滞在時間と、
が含まれることを特徴とするプロセス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置等のプロセス処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＵＶ露光装置、電子線露光装置等の露光装置では、露光を行う露光装置本体内が真空雰囲気とされ、真空雰囲気内においてウェハへの露光が行われる。そして、真空雰囲気とされる露光装置本体内にウェハを搬入するため、ロードロック室内においてウェハを真空状態に置くことが行われている。また、露光処理されたウェハを搬出するため、ロードロック室内においてウェハを大気状態に置くことが行われている。
【特許文献１】特開２００１−１０２４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このようなロードロック室を備えた露光装置では、ロードロック室内においてウェハを真空状態または大気状態に置く必要があるため、真空度やウェハ温度の状態により露光装置内でウェハの処理に費やされる時間の変動が比較的大きくなる。そして、このように露光装置内でウェハの処理に費やされる時間が変動すると、プロセス処理を行うプロセス処理部とのウェハの授受に待ち時間が生じ、露光装置のスループットの低下に繋がるおそれがあるという問題があった。
【０００４】
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、露光装置に生じる基板の授受のための待ち時間を解消あるいは低減することができるプロセス処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の発明のプロセス処理装置は、大気ローダにより搬入または搬出される基板を真空状態または大気状態に置くためのロードロック室を有し真空雰囲気の露光装置本体内で露光を行う露光装置と、前記露光装置を制御する露光装置用コントローラと、プロセス処理を行うとともに前記大気ローダへの前記基板の搬出および搬入を行うための基板授受部を有するプロセス処理部と、前記プロセス処理部を制御するとともに前記露光装置用コントローラと通信可能なプロセス制御用コントローラとを備え、前記露光装置用コントローラは、前記基板授受部への前記基板の授受予定時刻を演算し、演算した前記授受予定時刻を前記プロセス制御用コントローラに出力することを特徴とする。
【０００６】
第２の発明のプロセス処理装置は、第１の発明のプロセス処理装置において、前記プロセス制御用コントローラは、前記基板の授受予定時刻に、前記基板授受部に配置される搬送手段が待機状態になるように制御することを特徴とする。
第３の発明のプロセス処理装置は、第２の発明のプロセス処理装置において、前記プロセス制御用コントローラは、前記搬送手段を、前記授受予定時刻に前記大気ローダからの基板を待ち時間なしで受け取るとともに、前記プロセス処理部内の基板を待ち時間なしで前記大気ローダに渡すように制御することを特徴とする。
【０００７】
第４の発明のプロセス処理装置は、第１ないし第３のいずれか１の発明のプロセス処理装置において、前記露光装置用コントローラは、前記大気ローダが前記基板を受け取った時刻に、前記露光装置で前記基板の処理に費やされる予想時間を加算して、前記基板授受部への前記基板の授受予定時刻を求めることを特徴とする。
第５の発明のプロセス処理装置は、第１ないし第４のいずれか１の発明のプロセス処理装置において、前記露光装置用コントローラは、前記露光装置の状態に応じて前記授受予定時刻を所定時間毎に更新することを特徴とする。
【０００８】
第６の発明のプロセス処理装置は、第５の発明のプロセス処理装置において、前記露光装置の前記状態には、前記露光装置の真空度、あるいは前記基板の温度が含まれることを特徴とする。
第７の発明のプロセス処理装置は、第４ないし第６のいずれか１のプロセス処理装置において、前記露光装置は、真空雰囲気内に配置され前記基板を前記露光装置本体に搬入または搬出する真空ローダを有し、前記露光装置で前記基板の処理に費やされる前記予想時間には、前記大気ローダによる前記基板の搬送時間と、前記ロードロック室内での前記基板の滞在時間と、前記真空ローダによる前記基板の搬送時間と、前記露光装置本体内での滞在時間とが含まれることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のプロセス処理装置では、露光装置用コントローラにより基板授受部への基板の授受予定時刻を演算し、演算した授受予定時刻をプロセス制御用コントローラに出力するようにしたので、授受予定時刻に基づいてプロセス処理部を制御することにより、露光装置に生じる基板の授受のための待ち時間を解消あるいは低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明のプロセス処理装置の一実施形態を模式的に示す説明図である。この実施形態では、本発明が、真空雰囲気内において露光が行われるＥＵＶ露光装置に適用される。
このプロセス処理装置は、露光装置１１とプロセス処理部１３とを有している。
【００１１】
露光装置１１は、露光装置本体１５、真空ロボット１７、ロードロック室１９、大気ロボット２１を有している。露光装置本体１５は、真空チャンバ２３内に収容され真空雰囲気とされている。そして、ウェハＷにＥＵＶ光を照射してウェハＷの露光を行う。なお、露光装置本体１５の詳細については後述する。
真空ロボット１７は、真空チャンバ２３とロードロック室１９とを接続するロードチャンバ２５内に配置されている。ロードチャンバ２５内は、真空雰囲気とされている。真空ロボット１７は、ロードロック室１９内で真空状態にされたウェハＷを露光装置本体１５に搬送する。また、露光装置本体１５で露光されたウェハＷをロードロック室１９に搬送する。
【００１２】
ロードロック室１９は、第１のゲートバルブ２７を介してロードチャンバ２５に連通されている。ロードロック室１９の入口は第２のゲートバルブ２９を介して大気中に開放されている。ロードロック室１９には室内を真空引きするための真空ポンプ(不図示)が設けられている。
大気ロボット２１は、ロードロック室１９の第２のゲートバルブ２９の外側に配置されている。この大気ロボット２１の外側には、プロセス処理部１３が配置されている。大気ロボット２１は、プロセス処理部１３からのウェハＷをロードロック室１９に搬送する。また、ロードロック室１９からの露光されたウェハＷをプロセス処理部１３に搬送する。
【００１３】
プロセス処理部１３は、ウェハ授受部３１と処理部本体３３とを有している。
ウェハ授受部３１は、ウェハ載置部３５、第１のウェハ収納部３７、第２のウェハ収納部３９、搬送ロボット４１を有している。ウェハ載置部３５は、ウェハＷを一時的に載置する。第１のウェハ収納部３７は、処理部本体３３で処理されたウェハＷを一時的に収容する。第２のウェハ収納部３９は、露光装置１１で露光処理されたウェハＷを一時的に収容する。
【００１４】
搬送ロボット４１は、第１のウェハ収納部３７のウェハＷをウェハ載置部３５に載置する。また、大気ロボット２１によりウェハ載置部３５に載置されたウェハＷを第２のウェハ収納部３９に収容する。そして、第２のウェハ収納部３９に収納されたウェハＷを処理部本体３３に搬送する。
処理部本体３３は、ウェハＷの露光処理以外の処理を行う。より具体的には、ウェハＷへのレジスト塗布、プリベークを行う。また、露光処理後のウェハＷに対し必要に応じて、ポスト・エクスポージャ・ベーク(ＰＥＢ)、現像、リンス、乾燥を行う。そして、このために、図示しないスピナー、ホットプレートおよびこれ等の間の搬送用のロボットアームを有している。
【００１５】
図１において、符号４３は、露光装置１１の全体を制御する露光装置用コントローラを示している。また、符号４５は、プロセス処理部１３の全体を制御するプロセス制御用コントローラを示している。これ等の詳細については後述する。
上述したプロセス処理装置では、プロセス処理部１３のウェハ授受部３１と露光装置１１の露光装置本体１５との間のウェハＷの搬送が以下述べるようにして行われる。
【００１６】
先ず、ウェハ授受部３１の第１のウェハ収納部３７内のウェハＷを搬送ロボット４１の搬送アーム４１ａにより取り出しウェハ載置部３５に載置する。次に、ウェハ載置部３５に載置されたウェハＷを大気ロボット２１の搬送アーム２１ａにより取り出す。そして、ロードロック室１９の第２のゲートバルブ２９を開け、搬送アーム２１ａによりウェハＷをロードロック室１９内に搬送する。この後、第２のゲートバルブ２９を閉め、ロードロック室１９内が目的の真空度に達するまで真空引きを行う。
【００１７】
ロードロック室１９内が所定の真空度に達すると、ロードロック室１９とロードチャンバ２５間の第１のゲートバルブ２７が開かれる。そして、ロードチャンバ２５に備えられた真空ロボット１７の搬送アーム１７ａにより、ロードロック室１９からウェハＷが取り出され、一旦ロードチャンバ２５内に搬送された後、第１のゲートバルブ２７が閉められる。
【００１８】
この後、ウェハＷが真空ロボット１７の搬送アーム１７ａによってロードチャンバ２５から真空チャンバ２３内に搬送され、ウェハＷが露光装置本体１５のウェハステージ(不図示)の静電チャック(不図示)に吸着固定される。そして、この状態でＥＵＶ光による露光が行われウェハＷが露光される。
露光処理されたウェハＷは、真空ロボット１７の搬送アーム１７ａによりロードロック室１９に搬送される。そして、ロードロック室１９の第１のゲートバルブ２７を開け、搬送アーム１７ａによりウェハＷをロードロック室１９内に搬送する。この後、第１のゲートバルブ２７を閉め、第１のゲートバルブ２７が完全に閉まった後に第２のゲートバルブ２９を開けることによりロードロック室１９内を大気圧にする。
【００１９】
次に、大気ロボット２１の搬送アーム２１ａにより、ロードロック室１９からウェハＷを取り出し、ウェハ授受部３１のウェハ載置部３５に載置する。そして、ウェハ載置部３５に載置されたウェハＷを搬送ロボット４１の搬送アーム４１ａにより、第２のウェハ収納部３９に収容する。これにより、ウェハ授受部３１と露光装置本体１５との間の一連のウェハＷの搬送が終了する。この後、搬送ロボット４１の搬送アーム４１ａにより、第１のウェハ収納部３７からウェハＷを取り出しウェハ載置部３５に載置する。これにより、上述したウェハ授受部３１と露光装置本体１５との間の一連のウェハＷの搬送が開始される。
【００２０】
そして、上述したプロセス処理装置では、露光装置１１の露光装置本体１５、真空ロボット１７、ロードロック室１９、大気ロボット２１の制御が露光装置用コントローラ４３により行われる。また、プロセス処理部１３の搬送ロボット４１および処理部本体３３の制御がプロセス制御用コントローラ４５により行われる。露光装置用コントローラ４３とプロセス制御用コントローラ４５とは、相互に通信可能とされており、制御に必要な種々の情報が交換される。
【００２１】
この実施形態では、露光装置用コントローラ４３は、ウェハ授受部３１へのウェハＷの授受予定時刻Ｔ２を演算し、演算した授受予定時刻Ｔ２をプロセス制御用コントローラ４５に出力する。そして、プロセス制御用コントローラ４５は、ウェハＷの授受予定時刻Ｔ２に、ウェハ授受部３１に配置される搬送ロボット４１が待機状態になるように制御する。より具体的には、搬送ロボット４１を、授受予定時刻Ｔ２に大気ロボット２１からのウェハＷを待ち時間なしで受け取るとともに、プロセス処理部１３内のウェハＷを待ち時間なしで大気ロボット２１に渡すように制御する。
【００２２】
ここで、待ち時間とは、搬送ロボット４１が他の処理のための動作を行っている時間をいう。すなわち、例えば、処理部本体３３においてレジスト塗布、プリベークが終了したウェハＷがある場合には、通常であれば、プロセス制御用コントローラ４５は、搬送ロボット４１がそのウェハＷを取りに行くように制御する。しかしながら、この実施形態では、プロセス制御用コントローラ４５は、そのウェハＷを搬送ロボット４１が取りに行くと、授受予定時刻Ｔ２に搬送ロボット４１が待機状態になれないと判断した場合には、その処理のための動作を行うことなく搬送ロボット４１を待機状態にする。
【００２３】
露光装置用コントローラ４３によるウェハ授受部３１へのウェハＷの授受予定時刻Ｔ２は、大気ロボット２１がウェハ載置部３５からウェハＷを受け取った時刻に、露光装置１１でウェハＷの処理に費やされる予想時間を加算して求められる。この授受予定時刻Ｔ２は、露光装置１１の状態に応じて所定時間毎に更新される。
より具体的には、授受予定時刻Ｔ２は、大気ロボット２１がウェハＷを受け取った時刻をＴ１とすると、
Ｔ２＝Ｔ１＋Ｄ（ＡＬ１）＋Ｄ（ＬＬＣ１）＋Ｄ（ＶＬ１）＋Ｄ（Ｅｘｐ）＋Ｄ（ＶＬ２）＋Ｄ（ＬＬＣ２）＋Ｄ（ＡＬ２）
で求められる。
【００２４】
ここで、Ｄ（ＡＬ１）は、往路における大気ロボット２１での搬送時間である。この時間には、必要に応じて、ウェハＷの断熱冷却対策のための温度補償時間、プリアライメント時間が含まれる。
Ｄ（ＬＬＣ１）は、往路におけるロードロック室１９への滞在時間である。この時間にはロードロック室１９内の真空引き時間、第１のゲートバルブ２７および第２のゲートバルブ２９の開閉時間が含まれる。
【００２５】
Ｄ（ＶＬ１）は、往路における真空ロボット１７での搬送時間である。この時間には、必要に応じて、ウェハＷの温度安定化時間、プリアライメント時間が含まれる。
Ｄ（Ｅｘｐ）は、露光装置本体１５での所要時間である。この時間には、アライメント時間、露光時間、ステージ移動時間等が含まれる。より具体的には、露光ジョブファイルにより異なる。
【００２６】
Ｄ（ＶＬ２）は、帰路における真空ロボット１７での搬送時間である。
Ｄ（ＬＬＣ２）は、帰路におけるロードロック室１９での滞在時間である。この時間には、ロードロック室１９の大気解放時間、第１のゲートバルブ２７および第２のゲートバルブ２９の開閉時間が含まれる。
Ｄ（ＡＬ２）は、帰路における大気ロボット２１での搬送時間である。
【００２７】
そして、授受予定時刻Ｔ２は，実際に費やしたＤ（ＡＬ１）〜Ｄ（ＡＬ２）の時間、ロードロック室１９内の真空度、大気の温度、或いはその他の環境データ等により所定時間毎に逐次更新される。
上述したプロセス処理装置では、プロセス制御用コントローラ４５により、搬送ロボット４１を、授受予定時刻Ｔ２に大気ロボット２１からのウェハＷを待ち時間なしで受け取るとともに、プロセス処理部１３内のウェハＷを待ち時間なしで大気ロボット２１に渡すように制御したので、露光装置１１に生じるウェハＷの授受のための待ち時間を確実に解消することができる。
【００２８】
すなわち、この実施形態では、露光されたウェハＷを、大気ロボット２１の搬送アーム２１ａにより、ロードロック室１９から取り出し、ウェハ授受部３１のウェハ載置部３５に載置すると、ウェハ載置部３５に載置されたウェハＷが、待ち時間なしに搬送ロボット４１の搬送アーム４１ａにより第２のウェハ収納部３９に収容される。そして、この後、待ち時間なしに搬送ロボット４１の搬送アーム４１ａにより、第１のウェハ収納部３７からウェハＷが取り出されウェハ載置部３５に載置される。従って、露光装置１１に生じるウェハＷの授受のための待ち時間を確実に解消することができる。
(露光装置の詳細)
図２は、図１に示したＥＵＶ露光装置の露光装置本体１５を模式化して示している。なお、この実施形態において上述した実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
【００２９】
この実施形態では、露光の照明光としてＥＵＶ光が用いられる。ＥＵＶ光は０．１〜４００ｎｍの間の波長を持つもので、この実施形態では特に１〜５０ｎｍ程度の波長が好ましい。投影系は像光学系システム１０１を用いたもので、ウェハＷ上にレチクル１０３によるパターンの縮小像を形成するものである。
ウェハＷ上に照射されるパターンは、レチクルステージ１０２の下側に静電チャック１０４を介して配置されている反射型のレチクル１０３により決められる。この反射型のレチクル１０３は、真空ロボットによって搬入および搬出される（真空ロボットの図示は省略する）。また、ウェハＷはウェハステージ１２１のテーブル１２３上に静電チャック１２５を介して配置されている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
【００３０】
露光時の照明光として使用するＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ１０７を用いて真空に保たれた真空チャンバ２３に囲まれている。またＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。レーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。
【００３１】
放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する。放物面ミラー１１３は集光光学系を構成し、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。ＥＵＶ光は放物面ミラー１１３の多層膜で反射し、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４は反射型のレチクル１０３へとＥＵＶ光を集光、反射させる。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、レチクル１０３の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４はこの装置の照明システムを構成する。
【００３２】
レチクル１０３は、ＥＵＶ光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル１０３でＥＵＶ光が反射されることによりＥＵＶ光は「パターン化」される。パターン化されたＥＵＶ光は像光学システム１０１を通じてウェハＷに達する。
この実施形態の像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄにはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。
【００３３】
レチクル１０３により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、レチクル１０３パターンの縮小（例えば、１／４、１／５、１／６）された像を形成する。像光学系システム１０１は、像の側（ウェハＷの側）でテレセントリックになるようになっている。
レチクル１０３は可動のレチクルステージ１０２によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウェハＷは、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動なウェハステージ１２１によって支持されている。ウェハＷ上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システムによりレチクル１０３の所定の領域に照射され、レチクル１０３とウェハＷは像光学系システム１０１に対して像光学システム１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウェハＷ上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。
【００３４】
露光の際には、ウェハＷ上のレジストから生じるガスが像光学システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウェハＷはパーティション１１６の後ろに配置されることが望ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを持っており、それを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウェハＷへと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいはレチクル１０３に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
【００３５】
(１)上述した実施形態では、プロセス制御用コントローラ４５によりウェハＷの授受予定時刻Ｔ２に搬送ロボット４１が待機状態になるように制御した例について説明したが、例えば、プロセス制御用コントローラは、授受予定時刻に基づいて、露光装置に生じる基板の授受のための待ち時間がより低減するように、処理部本体における処理を制御するようにしても良い。
【００３６】
(２)上述した実施形態では、露光装置１１内にウェハＷを一枚だけ流した例について説明したが、複数枚流す場合にも適用することができる。また、露光装置１１にロードロック室１９を一つだけ配置した例について説明したが、複数配置する場合にも適用することができる。
(３)上述した実施形態では、プロセス処理部１３のウェハ授受部３１内にウェハ載置部３５が一つしかない例について説明したが、未露光のウェハを往路に載置する箇所と、露光済みウェハを帰路に載置する箇所を別に設けても良い。また、必要に応じて搬送ロボット４１も複数あっても良い。
【００３７】
(４)上述した実施形態では、ウェハＷの搬送に本発明を適用した例について説明したが、レチクルの搬送にも適用することができる。
(５)上述した実施形態では、ＥＵＶ露光装置１１に本発明を適用した例について説明したが、電子線露光装置等の真空雰囲気内で露光を行う露光装置に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明のプロセス処理装置の一実施形態を示す説明図である。
【図２】図１の露光装置本体の詳細を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１：露光装置、１３：プロセス処理部、１５：露光装置本体、１７：真空ロボット(真空ローダ)、１９：ロードロック室、２１：大気ロボット(大気ローダ)、３１：ウェハ授受部、３３：処理部本体、４１：搬送ロボット、４３：露光装置用コントローラ、４５：プロセス制御用コントローラ。
【図１】
2007116017.tif 000003
【図２】
2007116017.tif 000004