(57)【要約】【課題】集合基板を分割して得られる個別部品の寸法精度を確保し、尚且つ、分割能率を改善し得る集合基板の分割方法を提供すること。【解決手段】集合基板５を焼成した後、第１の分割溝１１を、部品形成領域Ｕを通らずにダミー領域Ｓ上を延びる態様で形成する。更に、第２の分割溝１２を、部品形成領域Ｕで個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎ間の境界上を延び、ダミー領域Ｓで第１の分割溝１１に交わり、かつ、ダミー領域Ｓ内で止まる態様で形成する。そして、集合基板５を、第１の分割溝１１に従って分割して、部品形成領域Ｕを含む集合基板片５１を得る。更に、集合基板片５１を、第２の分割溝１２に従って分割する。【選択図】図６
2007096072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に、複数の個別部品形成領域を含む部品形成領域と、前記部品形成領域の周囲に設定されるダミー領域とを有する集合基板を用意し、
前記集合基板を焼成し、
前記焼成の後、前記集合基板の前記一面に第１の分割溝を、前記部品形成領域を通らずに前記ダミー領域上を延びる態様で形成し、
前記集合基板の前記一面に第２の分割溝を、前記部品形成領域で前記個別部品形成領域間の境界上を延び、前記ダミー領域で前記第１の分割溝に交わり、かつ、前記ダミー領域内で止まる態様で形成し、
前記集合基板を、前記第１の分割溝に従って分割して、前記部品形成領域を含む集合基板片を得て、
前記集合基板片を、前記第２の分割溝に従って分割する
集合基板の分割方法。
【請求項２】
一面に、複数の個別部品形成領域を含む部品形成領域と、前記部品形成領域の周囲に設定されるダミー領域とを有する集合基板を用意し、
前記集合基板を焼成し、
前記焼成の後、前記集合基板の前記一面に第２の分割溝を、前記部品形成領域で前記個別部品形成領域間の境界上を延び、かつ、前記ダミー領域内で止まる態様で形成し、
前記集合基板の前記一面に第１の分割溝を、前記部品形成領域を通らずに前記ダミー領域上を延び、かつ、前記ダミー領域で第２の分割溝に交わる態様で形成し、
前記集合基板を、前記第１の分割溝に従って分割して、前記部品形成領域を含む集合基板片を得て、
前記集合基板片を、前記第２の分割溝に従って分割する
集合基板の分割方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載された集合基板の分割方法であって、
前記第２の分割溝は、前記第１の分割溝の溝深さよりも大きい溝深さを有する、
集合基板の分割方法。
【請求項４】
請求項３に記載された集合基板の分割方法であって、
前記第１の分割溝の溝深さは、前記集合基板の厚さの５％から５０％までの範囲にあり、
前記第２の分割溝の溝深さは、前記集合基板の厚さの１０％から９０％までの範囲にある、
集合基板の分割方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された集合基板の分割方法であって、
前記集合基板の前記一面に前記第１の分割溝を、両端が前記集合基板の外周まで達する態様で形成する、
集合基板の分割方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載された集合基板の分割方法であって、
前記部品形成領域は、前記集合基板の前記一面において長さ方向及び幅方向を有する形状に設定されており、
前記集合基板の前記一面に前記第１の分割溝を、前記部品形成領域の前記幅方向の両側に２つ備えられる態様で形成する、
集合基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集合基板の分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大量の個別部品を効率的に製造するための方法として、集合基板の状態で製造プロセスを進め、必要な工程が済んだ後、個別部品に分割する方法が知られている。集合基板に関する公知文献としては、特許文献１がある。この特許文献１は、中央部に個別部品領域が縦横に配列形成されるとともに外周部にダミー領域が形成された集合基板を開示している。
【特許文献１】特開２００５−５０９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１の開示技術では、分割溝の形成工程を、集合基板の焼成工程の前に行うので、焼成による基板収縮や反りなどに伴い、分割溝が変形やゆがみを受ける可能性がある。このため、集合基板を分割溝で分割して得られる個別部品について、寸法精度を確保するのが難しくなる。
【０００４】
また、特許文献１の開示技術では、集合基板外周部のダミー領域に分割溝が形成されないため、集合基板を分割溝に沿って折る際、ダミー領域では上手く折ることができない。このため、簡単に個別部品を得ることができず、分割能率が悪い。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、集合基板を分割して得られる個別部品の寸法精度を確保し、尚且つ、分割能率を改善し得る集合基板の分割方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
＜第１の態様＞
上述した課題を解決するため、第１の態様に係る集合基板の分割方法では、一面に、複数の個別部品形成領域を含む部品形成領域と、前記部品形成領域の周囲に設定されるダミー領域とを有する集合基板を用意する。更に、前記集合基板を焼成する。
【０００７】
前記焼成の後、前記集合基板の前記一面に第１の分割溝を、前記部品形成領域を通らずに前記ダミー領域上を延びる態様で形成する。更に、前記集合基板の前記一面に第２の分割溝を、前記部品形成領域で前記個別部品形成領域間の境界上を延び、前記ダミー領域で前記第１の分割溝に交わり、かつ、前記ダミー領域内で止まる態様で形成する。
【０００８】
そして、前記集合基板を、前記第１の分割溝に従って分割して、前記部品形成領域を含む集合基板片を得る。更に、前記集合基板片を、前記第２の分割溝に従って分割する。
【０００９】
上述した第１の態様に係る集合基板の分割方法では、集合基板を焼成した後、第１の分割溝を、部品形成領域を通らずにダミー領域上を延びる態様で形成する。更に、第２の分割溝を、部品形成領域で個別部品形成領域間の境界上を延び、ダミー領域で第１の分割溝に交わり、かつ、ダミー領域内で止まる態様で形成する。
【００１０】
そして、集合基板を、第１の分割溝に従って分割して、部品形成領域を含む集合基板片を得る。このとき初めて、集合基板片の分割端面に第２の分割溝が露出することになる。その後、第２の分割溝に従って集合基板片を分割すればよい。従って、集合基板の取り扱い中に、意図しない割れが生じる恐れを回避することができ、分割工程を能率良く進めることができる。
【００１１】
しかも、集合基板の焼成工程の後、第２の分割溝の形成工程を行う時間的順序となっているから、第２の分割溝が変形やゆがみを受ける可能性を低減することができる。よって、第２の分割溝に沿った分割で得られる個別部品の寸法精度を確保することが可能となる。
【００１２】
一つの実施形態では、第２の分割溝は、第１の分割溝の溝深さよりも大きい溝深さを有する。かかる構成の場合、第１の分割溝によるダミー領域の分割の後、第２の分割溝による部品形成領域の分割を容易に行うことができる。従って、部品形成領域に必要以上の圧力がかからずに済むようになり、部品形成領域から得られる個別部品へのダメージを低減することができる。典型的には、第１の分割溝の溝深さは、集合基板の厚さの５％から５０％までの範囲に設定され、第２の分割溝の溝深さは、集合基板の厚さの１０％から９０％までの範囲に設定される。
【００１３】
もう一つの実施形態では、集合基板の一面に第１の分割溝を、両端が集合基板の外周まで達する態様で形成する。かかる態様によれば、第１の分割溝に沿った集合基板の分割を簡単に行うことができる。
【００１４】
更にもう一つの実施形態では、部品形成領域は、集合基板の一面において長さ方向及び幅方向を有する形状に設定されており、集合基板の一面に第１の分割溝を、部品形成領域の幅方向の両側に２つ備えられる態様で形成する。
【００１５】
＜第２の態様＞
第２の態様に係る集合基板の分割方法では、一面に、複数の個別部品形成領域を含む部品形成領域と、前記部品形成領域の周囲に設定されるダミー領域とを有する集合基板を用意する。更に、前記集合基板を焼成する。
【００１６】
前記焼成の後、前記集合基板の前記一面に第２の分割溝を、前記部品形成領域で前記個別部品形成領域間の境界上を延び、かつ、前記ダミー領域内で止まる態様で形成する。更に、前記集合基板の前記一面に第１の分割溝を、前記部品形成領域を通らずに前記ダミー領域上を延び、かつ、前記ダミー領域で第２の分割溝に交わる態様で形成する。
【００１７】
そして、前記集合基板を、前記第１の分割溝に従って分割して、前記部品形成領域を含む集合基板片を得る。更に、前記集合基板片を、前記第２の分割溝に従って分割する。
【００１８】
上述した第２の態様に係る集合基板の分割方法では、集合基板を焼成した後、第２の分割溝を、部品形成領域で個別部品形成領域間の境界上を延び、かつ、ダミー領域内で止まる態様で形成する。更に、第１の分割溝を、部品形成領域を通らずにダミー領域上を延び、かつ、ダミー領域で第２の分割溝に交わる態様で形成する。
【００１９】
そして、集合基板を、第１の分割溝に従って分割して、部品形成領域を含む集合基板片を得る。このとき初めて、集合基板片の分割端面に第２の分割溝が露出することになる。その後、第２の分割溝に従って集合基板片を分割すればよい。従って、集合基板の取り扱い中に、意図しない割れが生じる恐れを回避することができ、分割工程を能率良く進めることができる。
【００２０】
しかも、集合基板の焼成工程の後、第２の分割溝の形成工程を行う時間的順序となっているから、第２の分割溝が変形やゆがみを受ける可能性を低減することができる。よって、第２の分割溝に沿った分割で得られる個別部品の寸法精度を確保することが可能となる。
【００２１】
好ましい実施形態については、第１の態様に係る集合基板の分割方法と同様であり、重複説明を省略する。
【発明の効果】
【００２２】
以上述べたように、本発明によれば、集合基板を分割して得られる個別部品の寸法精度を確保し、尚且つ、分割能率を改善し得る集合基板の分割方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、本発明に係る集合基板の分割方法を適用し得る集合基板の一例を示す平面図である。集合基板５は、その面上に、部品形成領域Ｕと、ダミー領域Ｓとを有する。集合基板５の構成としては、ガラスセラミック基板、セラミック基板、ＬＴＣＣ基板（低温同時焼成セラミック基板）、樹脂基板または複合積層基板などの構成が挙げられる。
【００２４】
部品形成領域Ｕは、集合基板５の中央部に、長さ方向Ｘ及び幅方向Ｙを有する形状で設定される。図示実施形態の場合、部品形成領域Ｕは、長さ方向Ｘ及び幅方向Ｙで定義される長方形状に設定されている。部品形成領域Ｕは、複数（ｍ×ｎ個）の個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎを含む。これらの個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎは、それぞれ、個別部品を形成するための領域である。個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎは、長さ方向Ｘ及び幅方向Ｙに沿って、ｍ行ｎ列の行列状に配置されている。
【００２５】
ダミー領域Ｓは、集合基板５の周辺部に、部品形成領域Ｕを取り囲む形状で設定される。ダミー領域Ｓは、集合基板５の取り扱い中、良好なハンドリング性を確保するための領域として機能する。
【００２６】
次に、集合基板５を焼成する。例えば、ガラスセラミック基板の場合、ガラス粉末とセラミック粉末との混合物を低温焼成して得られる。ガラスセラミックは誘電率が低く、高周波用絶縁基板として好適であり、またガラスセラミックは800〜1000℃程度の低温で焼成することができることから、銅、銀、金等の低抵抗金属を配線層として使用できる。
【００２７】
次に、図２に示すように、集合基板５の面上に第１の分割溝１１を形成する。第１の分割溝１１は、部品形成領域Ｕを通らずにダミー領域Ｓ上を延びる態様で形成される。具体的には、第１の分割溝１１は、ダミー領域Ｓにおいて、部品形成領域Ｕから間隔を隔てた位置に設けられる。図示実施形態の場合、部品形成領域Ｕは、長さ方向Ｘ及び幅方向Ｙで定義される長方形状となっており、第１の分割溝１１は、部品形成領域Ｕの幅方向Ｙの両側に２つ設けられる。図示された第１の分割溝１１は、長さ方向Ｘに沿った直線となっているが、必要に応じ、曲線または折れ線を含んでいてもよい。分割溝１１は、両端が集合基板５の外周まで達する態様で設けられる。
【００２８】
次に、図３に示すように、集合基板５の面上に第２の分割溝１２を形成する。第２の分割溝１２は、部品形成領域Ｕで幅方向Ｙに、個別部品形成領域間の境界上を延びる態様で形成される。例えば、第２の分割溝１２の１つは、第１列に属する個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍ１と、第２列に属する個別部品形成領域Ｕ１２〜Ｕｍ２との境界上を延びる態様で形成される。
【００２９】
更に、第２の分割溝１２は、ダミー領域Ｓで第１の分割溝１１に交わり、かつ、ダミー領域Ｓ内で止まる態様で形成される。具体的には、第２の分割溝１２は、ダミー領域Ｓ内において、集合基板５の外周から間隔を隔てた位置で止まる。図示された第２の分割溝１２は、幅方向Ｙに沿った直線となっているが、必要に応じ、曲線または折れ線を含んでいてもよい。
【００３０】
次に、図４に示すように、集合基板５の面上に第３の分割溝１３を形成する。第３の分割溝１３は、部品形成領域Ｕで長さ方向Ｘに、個別部品形成領域間の境界上を延びる態様で形成される。例えば、第３の分割溝１３の１つは、第１行に属する個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕ１ｎと、第２行に属する個別部品形成領域Ｕ２１〜Ｕ２ｎとの境界上を延びる態様で形成される。第２の分割溝１２と同様、第３の分割溝１３も、長さ方向Ｘに沿った直線となっているが、必要に応じ、曲線または折れ線を含んでいてもよい。
【００３１】
第１〜第３の分割溝１１〜１３を形成するための具体的手法としては、集合基板上で円盤状の切断刃を回転させ、集合基板に微細なクラックを入れながら円盤状切断刃を進行させる方法を挙げることができる。
【００３２】
また、第２の分割溝１２は、第１の分割溝１１の溝深さよりも大きい溝深さとなるように形成される。典型的には、第１の分割溝１１の溝深さは、集合基板５の厚さの５％から５０％までの範囲に設定され、第２の分割溝１２の溝深さは、集合基板５の厚さの１０％から９０％までの範囲に設定される。これらの溝深さは、円盤状切断刃の切断荷重を調整することにより制御することができる。
【００３３】
また、第１〜第３の分割溝１１〜１３の形成について、時間的な順序関係は任意である。例えば、第２の分割溝１２の形成の後に第１の分割溝１１の形成を行ってもよいし、第１の分割溝１１の形成と、第２の分割溝１２の形成とを同時に行ってもよい。第２の分割溝１２の形成の後に第１の分割溝１１の形成を行う場合を採りあげ、具体的に説明すると、まず、第２の分割溝１２を、部品形成領域Ｕで個別部品形成領域間の境界上を延び、かつ、ダミー領域Ｓ内で止まる態様で形成する。次に、第１の分割溝１１を、部品形成領域Ｕを通らずにダミー領域Ｓ上を延び、かつ、ダミー領域Ｓで第２の分割溝１２に交わる態様で形成する。
【００３４】
このようにして第１〜第３の分割溝１１〜１３の形成を行った後、集合基板５の状態で製造プロセスを進める。例えば、個別部品形成領域１１〜Ｕｍｎのそれぞれに、キャパシタまたはインダクタなどのチップ部品を搭載する。図５には、個別部品形成領域１１〜Ｕｍｎの１つ（個別部品形成領域Ｕ２２）についてチップ部品８を搭載した状態が示されている。更に、集合基板５の状態で検査プロセスを進めることもできる。
【００３５】
次に、集合基板５を、第１の分割溝１１（図４参照）に従って分割する。具体的手法としては、第１の分割溝１１に沿って集合基板５に破断力を加えればよい。かような分割工程により、図６に示すように、ダミー領域Ｓの他に部品形成領域Ｕを含む第１の集合基板片５１が得られる。また、このとき初めて、第１の集合基板片５１の分割端面５１１に、第２の分割溝１２が露出することになる。第１の集合基板片５１は、行列状に配置された個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎを含んでいる。
【００３６】
次に、第１の集合基板片５１を、第２の分割溝１２（図６参照）に従って分割する。具体的手法としては、先の分割工程と同様、第２の分割溝１２に沿って第１の集合基板片５１に破断力を加えればよい。かような分割工程により、図７に示すように、第２の集合基板片５２が得られる。第２の集合基板片５２は、それぞれ、一列に配置された個別部品形成領域（例えば個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍ１）を含んでいる。
【００３７】
次に、第２の集合基板片５２を、第３の分割溝１３（図７参照）に従って分割する。具体的手法としては、先の分割工程と同様、第３の分割溝１３に沿って第２の集合基板片５２に破断力を加えればよい。かような分割工程により、図８に示すように、個別部品５３が得られる。個別部品５３は、それぞれ、１つの個別部品形成領域（例えば個別部品形成領域Ｕ１１）からなる。
【００３８】
上述した集合基板５の分割方法では、集合基板５を焼成した後、図２に示すように、第１の分割溝１１を、部品形成領域Ｕを通らずにダミー領域Ｓ上を延びる態様で形成する。更に、図３に示すように、第２の分割溝１２を、部品形成領域Ｕで個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎ間の境界上を延び、ダミー領域Ｓで第１の分割溝１１に交わり、かつ、ダミー領域Ｓ内で止まる態様で形成する。
【００３９】
そして、集合基板５を、第１の分割溝１１に従って分割し、図６に示すように、部品形成領域Ｕを含む集合基板片５１を得る。このとき初めて、集合基板片５１の分割端面５１１に第２の分割溝１２が露出することになる。その後、図７に示すように、第２の分割溝１２に従って集合基板片５１を分割すればよい。従って、集合基板の取り扱い中に、意図しない割れが生じる恐れを回避することができ、分割工程を能率良く進めることができる。
【００４０】
しかも、集合基板５の焼成工程の後、第２、第３の分割溝１２、１３の形成工程（図３、図４参照）を行う時間的順序となっているから、第２、第３の分割溝１２、１３が変形やゆがみを受ける可能性を低減することができる。よって、第２、第３の分割溝１２、１３に沿った分割で得られる個別部品５３（図８参照）の寸法精度を確保することが可能となる。
【００４１】
第１の分割溝１１については、その溝深さを、集合基板の厚さや材質等の条件から最適化することにより、集合基板５の取り扱い中に、意図しない割れを回避するとともに、第１の分割溝１１に沿って集合基板５に破断力を加えたとき、第１の分割溝１１による集合基板５の分割を簡単に行うことができる（図６参照）。
【００４２】
図示実施形態では、第１の分割溝１１を、両端が集合基板５の外周まで達する態様で形成する（図２参照）。かかる態様によれば、第１の分割溝１１に沿った集合基板５の分割（図６参照）を簡単に行うことができる。但し、本発明は、かような態様に限定されることはない。この点については、第１の分割溝１１を、集合基板５の外周から間隔を隔てた位置で止まる態様で形成しても、第１の分割溝１１に沿った集合基板５の分割が可能なことから明らかであろう。
【００４３】
更に図示実施形態では、第２の分割溝１２は、第１の分割溝１１の溝深さよりも大きい溝深さとなっている。かかる構成の場合、第１の分割溝１１によるダミー領域Ｓの分割（図６参照）の後、第２の分割溝１２による部品形成領域Ｕの分割（図７参照）を容易に行うことができる。従って、部品形成領域Ｕに必要以上の圧力がかからずに済むようになり、部品形成領域Ｕから得られる個別部品へのダメージを低減することができる。
【００４４】
以上、好ましい実施形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る集合基板の分割方法を適用し得る集合基板の一例を示す平面図である。
【図２】本発明に係る集合基板の分割方法の一実施形態に含まれる工程を示す平面図である。
【図３】図２に示した工程の後の工程を示す平面図である。
【図４】図３に示した工程の後の工程を示す平面図である。
【図５】図４に示した工程の後の工程を示す平面図である。
【図６】図５に示した工程の後の工程を示す部分拡大平面図である。
【図７】図６に示した工程の後の工程を示す平面図である。
【図８】図７に示した工程の後の工程を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
５                    集合基板
Ｕ                    部品形成領域
Ｕ１１〜Ｕｍｎ        個別部品形成領域
Ｓ                    ダミー領域
１１                  第１の分割溝
１２                  第２の分割溝
【図１】
2007096072.tif 000003
【図２】
2007096072.tif 000004
【図３】
2007096072.tif 000005
【図４】
2007096072.tif 000006
【図５】
2007096072.tif 000007
【図６】
2007096072.tif 000008
【図７】
2007096072.tif 000009
【図８】
2007096072.tif 000010