(57)【要約】【課題】人的な不確定要素を介在させずに識別状態を変更し、その識別状態を外観的に視認することにより、データ書き込み忘れが発生した場合であっても、その異常発生品の外部流出を確実に防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置を提供する。【解決手段】メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を識別するための識別子と、を備えた電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置であって、データを書き込む作業と連動しながら、識別子の視認状態を変更する工程と、識別子を外観的に視認することにより、データが書き込まれたことを識別する工程と、を含む。【選択図】図３
2007298802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を識別するための識別子と、
を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記データを書き込む作業と連動させながら、前記識別子の視認状態を変更する工程と
、
前記識別子を外観的に視認することにより、前記データが書き込まれたことを識別する
工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記識別子が、前記メモリ装置へのデータ書き込み作業と連動して変色するクロミック
素子であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記クロミック素子が、前記メモリ装置に電気接続されたエレクトロクロミック素子で
あることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記識別子が、フレキシブル回路基板の一部を切除してなる切り欠き部であって、当該
切り欠き部は、前記データ書き込み作業と連動して形成されることを特徴とする請求項１
に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記データが書き込まれたことを識別する工程の後に、前記電気光学装置を梱包ケース
に収納する工程を設けるとともに、当該収納する工程において、前記電気光学装置は、前
記切り欠き部が形成されることによって前記梱包ケースに収納可能となることを特徴とす
る請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記識別子の視認状態の変更を、前記データ書き込み作業の直後に行うことを特徴とす
る請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記メモリ装置が、ＥＥＰＲＯＭを含むメモリ装置であることを特徴とする請求項１〜
６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記メモリ装置及び識別子が、フレキシブル回路基板上に配置してあることを特徴とす
る請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記メモリ装置に書き込まれるデータは、表示設定に関する初期設定データであること
を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を識別するための識別子と、
を備えた電気光学装置の検査方法であって、
前記識別子は、前記メモリ装置にデータを書き込む作業に連動して、その視認状態が変
更される識別子であり、当該識別子を外観的に視認することにより、前記所定データが書
き込まれたことを識別することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項１１】
メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を識別するための識別子と、
を備えた電気光学装置であって、
前記識別子は、前記メモリ装置にデータを書き込む作業に連動して、その視認状態が変
更される識別子であり、かつ、外観的に視認することにより、前記所定データが書き込ま
れたことを識別可能な識別子であることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置に関
する。特に、メモリ装置へのデータ書き込みの有無を、外観的に簡易かつ確実に検査する
ことができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置に関
する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対
向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を配置して構成されている。この液晶
装置は、対向する電極に電圧を印加して液晶材料を配向させ、通過する光を偏向させるこ
とにより、画像表示させるものである。
このような液晶装置を動作させるにあたり、画像を表示する前段階として、表示設定に
関する初期データを読み込ませる必要がある。この初期データは、例えば、画素数、画面
の上下位置、ＲＧＢ画素の位置関係といった、表示に関する基本情報であって、画像表示
させる際の設定データとして、あらかじめ読み込ませておく情報である。
このような初期データは、一般に、駆動素子に対して電気接続してある読み出し専用メ
モリ（ＲＯＭ）内に格納され、電源を切った場合であっても、半永続的に保存しておくこ
とができる。
しかしながら、このような読み出し専用メモリは、あくまで電気的なデータ保存手段で
あることから、その内部にデータが書き込まれた場合に、その正誤あるいは有無を外観上
判断することはできない。すなわち、この書き込み工程において、何らかの原因で誤った
データを書き込んでしまったような場合や、更には、全くデータが書き込まれなかったよ
うな場合には、正常な画像表示ができないという問題が見られる。
【０００３】
そこで、このような問題を解決するために、メモリ装置としてのＥＥＰＲＯＭに所定デ
ータを書き込むにあたり、所定データと、この所定データを反転させた反転データと、を
合わせて書き込むことにより、データ内容の正誤を識別して、誤データの書き込み発生を
防止した空気調和機が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
より具体的には、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すように、１ワード分を１６ビットから構
成するとともに、上位８ビットに文字情報を含むデータＡを割り当て、下位８ビットにデ
ータＡを反転させた反転データＢを割り当てる。このようなデータＡ及びデータＢから１
ワード分のデータを構成することにより、図１４（ｃ）に示すように、正常状態であれば
これらの排他的論理和は全て１となる。一方、データＢがデータＡの反転データとなって
いない場合には、この排他的論理和の少なくとも一つは０となる。
したがって、この排他的論理和の演算を適宜施すことにより、あらかじめ書き込まれた
データＡ及びデータＢのいずれか一方に誤ったデータが上書きされたような場合に、その
誤入力を出荷前に判断することができる。
【特許文献１】特開平１０−３８３５３号公報（特許請求の範囲、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された方法は、書き込まれたデータの正誤を、データ
処理を通じて判断する方法であって、この正誤判断する工程自体が何らかの異常で省略さ
れてしまった場合、やはりデータ書き込みに関する不具合は発生するという問題が見られ
た。また、この正誤判断方法は、書き込んだデータを一旦読み出して分析することによっ
て行われる方法であって、その作業には所定の時間を要し、生産性を低下させてしまうと
いう問題も見られた。
【０００５】
そこで、本発明の発明者は鋭意努力し、メモリ装置へのデータ書き込み作業と連動する
ように識別子の識別状態を変更させるとともに、この識別子を目視検査することにより、
メモリ装置にデータが書き込まれたか否かを外観から容易かつ正確に判断できることを見
出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、人的な不確定要素を介在させずに識別状態を変更し、更に、その
識別状態を目視検査することにより、データの書き込み忘れ等が発生した場合であっても
、外部流出を確実に防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査
方法、及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を識別する
ための識別子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、データを書き込む作業と連
動させながら、識別子の視認状態を変更する工程と、識別子を外観的に視認することによ
り、データが書き込まれたことを識別する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置
の製造方法が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、メモリ装置へのデータ書き込みの有無を外観的に識別できる識別子を設ける
とともに、その視認状態の変更を、当該データ書き込み作業と連動して実施することによ
り、人的な不確定要素を極力排除して、確実にその視認状態を変更させることができる。
また、この変更された視認状態を識別することで、別途データを抽出して確認するとい
った煩雑な作業を伴うことなく、簡易に識別作業を実施することができる。
したがって、製品出荷前に実施すべきデータ書き込み作業が省略されてしまった場合で
あっても、その誤作業の発生を確実に検知して、異常品の外部流出を未然に防止すること
ができる。
【０００７】
また、本発明を実施するにあたり、識別子が、メモリ装置へのデータ書き込み作業と連
動して変色するクロミック素子であることが好ましい。
このように実施することにより、クロミック素子の変色を識別基準とすることができ、
データ書き込みの有無を容易かつ明確に判断することができる。
更には、このような素子であれば、そのチップサイズを比較的小さくすることができる
ため、電気光学装置用基板であるガラス基板上に配置したり、更には、フレキシブル回路
基板上に配置したりして、他部品との干渉を生じさせることなく、配置することができる
。
また、このクロミック素子の具体例としては、例えば、酸化反応あるいは還元反応によ
り変色するエレクトロクロミック素子や、光照射により変色するフォトクロミック素子等
が挙げられ、適宜その態様に合わせて用いることができる。
【０００８】
また、本発明を実施するにあたり、クロミック素子が、メモリ装置に電気接続されたエ
レクトロクロミック素子であることが好ましい。
このように実施することにより、クロミック素子の変色を、データ書き込みの際に必然
的に発生するメモリ装置内の電圧変化に連動させることができる。したがって、データ書
き込み作業とクロミック素子の変色とを、人的要素を介さずに直接的に対応させることが
でき、識別子としての信頼性を更に向上させることができる。
【０００９】
また、本発明を実施するにあたり、識別子が、フレキシブル回路基板の一部を切除して
なる切り欠き部であって、当該切り欠き部は、データ書き込み作業と連動して形成される
ことが好ましい。
このように実施することにより、識別子において、フレキシブル回路基板の形状変化を
識別基準とすることができ、データ書き込みの有無を、容易かつ明確に判断することがで
きる。更には、このような切り欠き部を形成する場合には、その配置位置を任意に選択す
ることができ、配線設計や部品レイアウトの変更を伴わずに実施することができる。
【００１０】
また、本発明を実施するにあたり、データが書き込まれたことを識別する工程の後に、
電気光学装置を梱包ケースに収納する工程を設けるとともに、当該収納する工程において
、電気光学装置は、切り欠き部が形成されることによって梱包ケースに収納可能となるこ
とが好ましい。
このように実施することにより、切り欠き部が形成されていない場合には、電気光学装
置を梱包ケースへ収納することが不可能となる。すなわち、梱包ケースへの収納作業に、
検査工程としての意味を持たすことができ、検査方法としての信頼性を更に高めることが
できる。
【００１１】
また、本発明を実施するにあたり、識別子の視認状態の変更を、データ書き込み作業の
直後に行うことが好ましい。
このように実施することにより、データ書き込み作業と視認状態の変更とを連動させて
実施する際に、その作業順序を確定させることができる。したがって、例えば、識別子の
視認状態だけが変更されて、データ書き込みが為されないといった不具合の発生を防止し
て、検査精度を更に高めることができる。
【００１２】
また、本発明を実施するにあたり、メモリ装置が、ＥＥＰＲＯＭを含むメモリ装置であ
ることが好ましい。
このように実施することにより、このメモリ装置内に格納されたデータを、電源のオン
オフに関わらず半永続的に記憶させておくことができ、このメモリ装置を、例えば、表示
設定に関する初期設定データ等を記憶するための記憶媒体として適用することができる。
【００１３】
また、本発明を実施するにあたり、メモリ装置及び識別子が、フレキシブル回路基板上
に配置してあることが好ましい。
このように実施することにより、メモリ装置及び識別子の配置位置を、比較的任意に設
定することができ、他部材との干渉、配線構成の変更といった問題を生じさせることなく
、適用することができる。また、メモリ装置と識別子との位置関係も隣接させることがで
き、例えば、識別子としてエレクトロクロミック素子を用いたような場合には、その間に
設ける電気配線を短縮して、断線等の不具合の発生を未然に防ぐこともできる。
【００１４】
また、本発明を実施するにあたり、メモリ装置に書き込まれるデータは、表示設定に関
する初期設定データであることが好ましい。
このように実施することにより、画像データ等に比べて読み書きの頻度が極端に少ない
初期設定データであれば、例えば、識別子として可逆性に乏しいクロミック素子や切り欠
き部を適用したような場合でも、十分その識別子としての機能を十分発揮することができ
る。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無
を識別するための識別子と、を備えた電気光学装置の検査方法であって、識別子は、メモ
リ装置にデータを書き込む作業に連動して、その視認状態が変更される識別子であり、当
該識別子を外観的に視認することにより、所定データが書き込まれたことを識別すること
を特徴とする電気光学装置の検査方法である。
すなわち、このような検査方法であれば、メモリ装置へのデータ書き込みの有無を、簡
易かつ確実に目視検査することができ、不具合品の流出を効果的に防止することができる
。
【００１６】
また、本発明の更に別の態様は、メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの
有無を識別するための識別子と、を備えた電気光学装置であって、識別子は、メモリ装置
にデータを書き込む作業に連動して、その視認状態が変更される識別子であり、かつ、外
観的に視認することにより、所定データが書き込まれたことを識別可能な識別子であるこ
とを特徴とする電気光学装置である。
すなわち、このような電気光学装置であれば、データ書き込みの有無を外観上で容易に
判断することができ、品質特性に優れる電気光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態は、メモリ装置と、当該メモリ装置へのデータ書き込みの有無を
識別するための識別子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、データを書き込む
作業と連動させながら、識別子の視認状態を変更する工程と、識別子を外観的に視認する
ことにより、データが書き込まれたことを識別する工程と、を含むことを特徴とする電気
光学装置の製造方法である。
以下、図１〜１３を適宜参照しながら、第１実施形態としての電気光学装置の製造方法
について、メモリ装置としてＥＥＰＲＯＭを用いるとともに、スイッチング素子としてＴ
ＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた素子基板と、カラーフィルタ層を備えた対向
基板（カラーフィルタ基板）と、を含む液晶装置の製造方法を例に採って説明する。ただ
し、本発明の製造方法で製造される電気光学装置は、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマト
リクス型の液晶装置に限定されるものではなく、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備え
た液晶装置や、パッシブマトリクス型の液晶装置であっても構わない。また、かかる実施
形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の
範囲内で任意に変更することが可能である。
なお、それぞれの図において、同じ符号を付したものは同一の部材を示しており、適宜
説明を省略する。
【００１８】
１．液晶装置
（１）基本的構成
図１及び図２は、本発明の製造方法によって製造される液晶装置の基本的構成を示した
図であり、図１は液晶装置１０の部分断面図を、図２は液晶装置１０の概略斜視図を、そ
れぞれ示している。
この図１及び図２に示されるように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０と
が、その周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙２
１ａ内に液晶材料２１が配置されている。
また、素子基板６０の張り出し部６０Ｔにおいては、表面に電気配線を備えたフレキシ
ブル回路基板９３が取り付けられており、液晶パネルと外部機器とを電気的に接続してい
る。また、このフレキシブル回路基板９３の表面には、メモリ装置としてのＥＥＰＲＯＭ
９０と、このＥＥＰＲＯＭ９０と電気接続された識別子としてのエレクトロクロミック素
子５０と、ＥＥＰＲＯＭ９０にデータ書き込みする際のインターフェイスとしてのコネク
タ５６と、がそれぞれ配置されている。
【００１９】
（２）対向基板
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、
対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、
を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形
成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電
極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメント
としての着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂが配置されている。そして、この着色層３７ｒ、
３７ｇ、３７ｂに隣接しており、画素電極６３に垂直方向にならない位置に、隣接色間の
混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。更に、
対向電極３３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜４５が形成されるとと
もに、この配向膜４５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
【００２０】
（３）素子基板
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素
子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６
３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３とは、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７
９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透
明電極６３ｂとして形成されている。また、この画素電極６３としての光反射膜７９は、
例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。
更に、この画素電極６３の上には、対向基板の場合と同様に、ポリイミド系の高分子樹脂
からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としての
ラビング処理が施されている。
【００２１】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１の表面）には、位相差板４７が形成され、
さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、
図１の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成され
ている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置され
る。
【００２２】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート
電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜
７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０
の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層
７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３
はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の
横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線
はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向
へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線とし
て作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信
号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区
画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２３】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素
子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応
する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素
電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山
部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹
脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３
ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この
凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
【００２４】
２．製造方法
（１）ＴＦＴ素子の形成工程
まず、図３中Ｓ１で示されるＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形
成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることによ
って、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子６９等のスイッチング素子を形成する工程で
ある。
このようなスイッチング素子６９を形成するにあたり、ガラス基板からなる基体６１上
に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モ
リブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用
いて形成することができる。
【００２５】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。この
ゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）や酸化シリコン（ＳｉＯx）等の半導体材
料からなる電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリ
コン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成する。さらに、この半導
体層７０の両端部分に、ドープされたアモルファスシリコン等によりコンタクト電極７７
を形成する。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体を
なすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成する。このとき、ソース電極７３、ソ
ースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミ
ニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成する
ことができる。
【００２６】
（２）画素電極等の形成工程
次いで、図３中Ｓ２で示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の
形成工程は、図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成された基体６１上
に、有機絶縁膜からなる保護膜８１と、透明導電膜からなる画素電極６３と、を順次形成
する工程である。
より具体的には、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂
材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機
絶縁膜からなる保護膜８１を形成する。
次いで、この有機絶縁膜からなる保護膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周
辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着し
た後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域に
マトリクス状の光反射膜７９を形成する。
一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜
を形成することにより、画素電極６３を形成し、素子基板６０の基本形態とする。
次いで、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配
向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制
御機能を持たせることができる。
最後に、ＴＦＴ素子や画素電極が形成された基体上に、フォトリソグラフィ法等を用い
て、感光性樹脂材料からなる樹脂膜としての柱状スペーサを形成する。この柱状スペーサ
により、素子基板６０と対向基板３０との間隙幅（セルギャップ）を正確に規定して、所
望の表示特性を得ることができる。
【００２７】
（３）着色層の形成工程
次いで、対向基板の製造工程について説明する。まず、図３中Ｓ１´で示される着色層
の形成工程を実施する。かかる着色層の形成工程は、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、
対向基板の基体３１上に着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、遮光膜３９及び層厚調
整層４１等を順次形成する工程である。
より具体的には、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる
感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すこと
により、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）を形成することができる。
なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰
り返すことで、三色に対応した着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂをそれぞれ形成することが
できる。
【００２８】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用
いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用
したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたも
のや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いた
りすることができる。
したがって、かかる遮光膜３９を金属膜から形成するに際しては、例えば、クロム（Ｃ
ｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定パターンに
合わせて、エッチング処理を施すことによって形成することになる。
【００２９】
最後に、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）や、遮光膜３９等が形成された対向基
板の基体３１上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂
等を用いて、全面的に層厚調整層４１を形成する。
この層厚調整層４１は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のた
めの層であって、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニング
を施すことにより形成される。
【００３０】
（４）対向電極等の形成工程
次いで、図３中Ｓ２´で示される対向電極の形成工程を実施する。かかる対向電極の形
成工程は、図５（ｃ）に示すように、対向基板に形成された着色層３７（３７ｒ、３７ｇ
、３７ｂ）、遮光膜３９及び層厚調整層４１に、透明導電材料等からなる対向電極３３を
形成する工程である。
より具体的には、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）及び遮光膜３９が形成された
対向基板の基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリ
ソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に所定パターンを有する対向電極３
３を形成する。
さらに、この対向電極３３の表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成する
ことで、対向基板３０の基本形態とすることができる。
ここで、上述した素子基板６０に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin F
ilm Transistor）６９の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応した
面状電極としてパターニングされる。
【００３１】
（５）組立工程
次いで、図３中Ｓ３で示される組立工程は、図６（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基
板６０と、対向基板３０とを、シール材２３を介して貼り合わせ、その間隙に液晶材料を
注入する工程である。
より具体的には、対向基板３０と、シール材２３が形成された素子基板６０と、をアラ
イメントして貼り合わせ位置を確定する。その後、両基板を重ね合わせて接合させた後、
加熱しながら加圧保持して、シール材２３を硬化させながら対向基板３０と、素子基板６
０とを貼合せることにより、内部に間隙２１ａを備えた一対の基板２０が形成される。
次いで、間隙２１ａに対して、従来公知の方法により液晶材料を注入した後、その注入
口を、エポキシ樹脂等の封止樹脂を用いて封止する。
最後に、素子基板６０の外表面に位相差板８７と偏光板８９とを貼り付けるとともに、
対向基板３０の外表面に位相差板４７と偏光板４９とを貼り付けることにより、図６（ｂ
）に示すような一対の基板２０を形成することができる。
【００３２】
（６）実装工程
次いで、図３中Ｓ４で示される実装工程は、図６（ｃ）に示すように、素子基板６０上
の基板張り出し部６０Ｔに液晶駆動用の駆動素子（半導体素子）９１やフレキシブル回路
基板（ＦＰＣ）９３を実装する工程である。
まず、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を用いて、電気光学装置用基板上の外
部端子である配線と、駆動素子９１と、を電気的に接続する。ここで、駆動素子９１を実
装するに際して、ＡＣＦの圧着特性にもよるが、例えば、１２０〜２００℃、５〜３０秒
、５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧着条件とすることが好ましい。
【００３３】
次いで、このフレキシブル回路基板９３上に、メモリ装置としてのＥＥＰＲＯＭ９０と
、識別子としてのエレクトロクロミック素子５０と、それぞれを配置する。このとき、Ｅ
ＥＰＲＯＭ９０及びエレクトロクロミック素子５０の配置箇所としては、駆動素子９１と
電気接続可能な箇所であれば特に限定されるものではないが、例えば、図６（ｃ）に示す
ように、双方を共にフレキシブル回路基板９３上に配置することが好ましい。
この理由は、このフレキシブル回路基板９３は、素子基板６０あるいは対向基板３０の
ような各素子が密集している基板に比べて、比較的配置スペースに余裕があり、配置位置
を任意に選択しやすいためである。また、フレキシブル回路基板には可撓性があることか
ら、液晶装置の裏面側に折り曲げたりして、識別子の表示位置を視認しやすい位置に配置
することが容易に行えるためである。
【００３４】
（７）データ書き込み工程
（７）−１  データの種類
次いで、図３中Ｓ５で示されるデータ書き込み工程は、ＥＥＰＲＯＭ９０に対して、所
定のデータを書き込む工程である。このデータ書き込み工程において、対象となるデータ
を、表示設定に関する初期設定データとすることが好ましい。
この理由は、このように読み書き頻度の比較的少ないデータを格納させることにより、
可逆性に乏しい識別子を採用した場合であっても、十分にその識別機能を発揮することが
できるためである。
ここで、可逆性とは識別子としての視認状態の可逆性であって、例えば、エレクトロク
ロミック素子の場合には、一旦変色させた後であっても、逆電圧を印加することで色を戻
すことができ、原則として可逆性はあると言える。一方、識別子として切り欠き部を用い
た場合には、一旦切り欠き部を形成した後では、再びその形状を戻すことは出来ず、原則
として可逆性はないこととなる。
すなわち、識別子の種類によっては、可逆性を備えていないものもあるが、対象データ
を、原則として書き込み回数が１回である初期設定データとすることで、その可逆性に制
限されることなく識別子を選択することができる。
【００３５】
（７）−２  識別子
また、本発明は、このデータ書き込み作業と連動して、識別子の視認状態が変更される
ことを特徴とする。ここで、本発明における識別子とは、データ書き込みと連動して、そ
の外観が変化する素子あるいは部材を意味しており、例えば、電気的変化によって変色す
るエレクトロクロミック素子、光照射によって変色するフォトクロミック素子、電圧を印
加することによって発光するエレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、更には、デー
タ書き込みと連動するパンチングマシンを用いて切断された切り欠き部や、穿孔されたパ
ンチ穴であってもよい。以下、各具体例について詳細に説明する。
なお、本実施形態においては、データ書き込み作業が為された場合に、変色あるいは変
形といった外観上の変化が生じる場合を例に採って説明するが、逆に、データ書き込み作
業が為されなかった場合に、変色あるいは変形といった外観上の変化が生じる構成であっ
ても、やはり外観的にデータ書き込みの有無を判別することはできることから、いずれの
場合も態様に合わせて好適に用いることができる。
【００３６】
（７）−３  クロミック素子
識別子としてのクロミック素子の態様としては、電気的変化によって変色するエレクト
ロクロミック素子と、光照射によって変色するフォトクロミック素子と、に大別される。
更に、エレクトロクロミック素子は、構成材料を全て固体材料から構成した固体型エレ
クトロクロミック素子と、素子内部に設けられた電解質層に液体を用いた液体型エレクト
ロクロミック素子と、に分類される。本発明においては、これらのうちいずれも好適に用
いることができるが、特に、固体型エレクトロクロミック素子を用いることが好ましい。
この理由は、固体型であれば、応答性や耐久性に優れるばかりか、外部環境が変化した
場合であっても、その特性を大きく変更させることなく、所定の変色作用を発揮すること
ができるためである。
ここで、図７に、固体型エレクトロクロミック素子の一例の断面図を示す。
このエレクトロクロミック素子５０は、一対の透明基板５１ａ及び５１ｂの間に電解質
層５４を狭持した積層構造を有している。また、透明基板５１ａ及び５１ｂの対向する面
側には、ＩＴＯ等からなる透明電極層５２ａ及び５２ｂが形成され、更にその表面にエレ
クトロクロミック層（ＥＣ層）５３ａ及び５３ｂが形成されている。
すなわち、このＥＣ層５３ａ及び５３ｂは、電解質層５４と直接接触しており、透明電
極層５２ａ及び５２ｂに所定の電圧が印加された際に、この電解質層５４とＥＣ層５３ａ
及び５３ｂとの間で電子の授受が行われる。その結果、この酸化還元反応によってＥＣ層
５３ａ及び５３ｂは着色あるいは消色し、その外部からの識別状態を変更させることがで
きる。
【００３７】
このように動作するエレクトロクロミック素子５０は、その構造や変色特性によって、
材料を適宜選択する必要があり、特に、電解質層及びＥＣ層の材料選定によって、その特
性を大きく変化させることができる。
より具体的には、電解質層５４の材料としては、固体型である場合には、Ｔａ2Ｏ5、Ｚ
ｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2等のイオン導電物質が挙げられる。また、この電解質層の層厚
としては１００〜５００ｎｍの範囲内の値としておくことが好ましい。
この理由は、この電解質層の層厚が１００ｎｍ未満となる場合には、クロミック素子が
変色するのに十分なイオン数を保持しておくことができなくなり、変色速度が低下してし
まう場合があるためである。また逆に、５００ｎｍを越えるような場合には、光透過率が
著しく減少して、ＥＣ層の変色を外部から視認し難くなる場合があるためである。
したがって、かかる層厚の範囲としては、２００〜４００ｎｍの範囲内の値とすること
が好ましく、２５０〜３５０ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
また、エレクトロクロミック素子が液体型である場合には、例えば、ピリジニウム系、
イミダゾリウム系、脂環式アミン系、あるいは脂肪族アミン系等の有機イオン性液体が挙
げられる。
【００３８】
また、ＥＣ層５３ａ及び５３ｂの材料としては、変色特性として還元発色性を必要とす
る場合には、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5等の金属酸化物が挙げられる。一方、変色特性と
して酸化発色性を必要とする場合には、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒ単体、その酸化物、水酸化物及
び酸水酸化物等が挙げられる。また、このＥＣ層の層厚としては、１０〜５０００ｎｍの
範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、電解質層の場合と同様、薄くなり過ぎると変色速度が低下し、逆に厚くな
りすぎると透明性が失われるためである。したがって、かかる層厚の範囲としては、５０
〜１０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲内の値と
することがより好ましい。
【００３９】
また、このようなエレクトロクロミック素子５０は、図８（ａ）〜（ｂ）に示すように
、電気配線５５を介してメモリ装置９０と電気接続してあることが好ましい。
この理由は、例えば、この電気配線５５のプラス側配線５５ａ及びマイナス側配線５５
ｂを、クロミック素子５０の透明電極層５２ａ及び５２ｂに対してそれぞれ電気接続する
ことにより、コネクタ５６から電気配線５７を介してＥＥＰＲＯＭ９０にデータが格納さ
れた際に発生する電位差を受けて、このデータ書き込みに連動するように、ＥＣ層５３ａ
及び５３ｂを変色させることができるためである。
また、別の態様としては、図９（ａ）〜（ｂ）に示すように、エレクトロクロミック素
子５０に対して、メモリ装置９０へのデータ書き込みと連動して蓄電されるコンデンサー
５８を電気接続することが好ましい。
この理由は、このように、データ書き込みと連動して蓄電されるコンデンサー５８を備
えることにより、このコンデンサー５８に所定の電荷が蓄えられることにより、エレクト
ロクロミック素子５０が変色して、その視認状態を変化させることができるためである。
また、このようにエレクトロクロミック素子５０の変色に必要な電圧供給源を、メモリ
装置とは別に設けることにより、メモリ装置への電圧変化に影響を与えることなく、安定
的にエレクトロクロミック素子を変色させることができ、更には、その変色を一定期間維
持することができるためである。
【００４０】
また、コンデンサー５８とメモリ装置９０とを連動させる方法としては、例えば、書き
込むための外部ＰＣとのインターフェイスであるコネクタ５６に対して、メモリ装置９０
とコンデンサー５８とをそれぞれ並列的に電気接続することが好ましい。
この理由は、このように並列接続することにより、コネクタ５６から電気配線５７を介
して行われるメモリ装置９０へのデータ書き込みと、コンデンサー５８への蓄電と、を同
時に実施することができるためである。
また、このように接続した場合に、コンデンサー５８への蓄電、すなわち識別子の視認
状態の変更は、メモリ装置９０へのデータ書き込みの直後に実施されることが好ましい。
すなわち、コネクタ５６に接続された外部ＰＣからのデータ送信のタイミングとして、
まず初めに、メモリ装置９０へのデータ送信を行い、次いで、コンデンサー５８への蓄電
を行うことが好ましい。
この理由は、このようにメモリ装置へのデータ書き込みのタイミングと、識別子の識別
状態の変更と、の間に時間的な前後関係を規定しておくことにより、例えば、識別子の識
別状態の変更だけが行われて、データ書き込みが行われないといった不具合の発生を防止
することができるためである。その一方で、このように実施した場合でも、データ書き込
み作業だけが行われて、識別子の視認状態が変更されないという不具合が生じる可能性は
残る。しかしながら、この場合には、結果的に正しくデータ書き込み作業は行われている
ことから、後の検査工程においてＮＧ判定されて、リカバリー作業としてデータの再書き
込みが実施されたとしても、結果的に、製品としての品質には影響を与えないこととなる
。
【００４１】
また、このデータ書き込み工程を実施するにあたり、ＥＥＰＲＯＭ９０に対して所定デ
ータを書き込んだ後に、当該所定データが正常に書き込まれたことを確認するチェック工
程を含むとともに、このチェック工程によって、書き込み作業が正常に終了したことが確
認できた場合には、識別子の視認状態を変更することが好ましい。
この理由は、このような手順で実施することにより、本発明における視認状態の変更作
業に加え、例えば、一旦書き込みデータを抽出して、そのデータ内容を確認するようなチ
ェック工程を別途実施することにより、データ書き込み作業の信頼性をより一層高めるこ
とができるためである。
【００４２】
（７）−４  切り欠き部
次いで、識別子の別態様として、電気光学装置を構成する部材の一部を切除することに
より形成される切り欠き部について、具体的に説明する。
この切り欠き部は、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、例えば、フレキシブル回路基
板９３の一部を切除して得られた切り取り部分であって、上述した書き込み工程と連動し
て得られる識別子の一種である。その形状については、視認性を得られるものであれば特
に限定されるものではないが、例えば、図１０（ａ）に示すように、所定のパンチングマ
シンによって得られる円形の貫通孔９５ａとしたり、図１０（ｂ）に示すように、あらか
じめフレキシブル基板９３の一部に設けられた張り出し部９５ｂを、切断装置によって切
り取られる切り欠き部９５ｂ´とすることができる。
また、図１１（ａ）〜（ｂ）は、この切り欠き部を形成するための切断装置を示した概
略図である。図１１（ａ）は、切断装置に電気光学装置を載置した際の平面図を示してお
り、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）におけるＥ方向からの拡大側面図を示している。
この切断装置２００は、上述した書き込み工程におけるデータ書き込み作業と連動した
構成となっており、より具体的には、まず、書き込み用端末機器である外部ＰＣ２０１か
ら、所定データが転送経路Ａを経由してメモリ装置９０に対して転送される。このとき、
転送経路Ａの途中経路には分岐点Ｓが設けられていることから、転送経路Ｂを経由して、
同様のデータが切断装置２００にも転送される構成となっている。
また、この切断装置２００は、フレキシブル回路基板９３の一部に設けられた張り出し
部９５ｂを切断するための装置であって、主に、張り出し部を切断するための回転ブレー
ド２０２と、この回転ブレード２０２を固定するとともに、フレキシブル回路基板９３を
載置するための台座２０３と、から構成されている。
このように構成される切断装置２００は、外部ＰＣ２０１から所定データが転送された
場合、そのデータ受信に伴って回転ブレード２０２が回転する。その際に、回転ブレード
の回転軌道上に固定された張り出し部９５ｂが切断され、メモリ装置９０へのデータ書き
込みが為されるとともに、切り欠き部９５ｂ´が形成されることとなる。
このような構成を採用することにより、メモリ装置９０へのデータ書き込みと、切断装
置２００へのデータ転送と、は人的要素を介さずに連動して実施することができ、切り欠
き部を、データ書き込み忘れを防止するための識別子として機能させることができる。
また、この回転ブレードを円筒状の穿孔刃とすることにより、図１０（ａ）に示したよ
うな円形の貫通孔を形成することもでき、適宜、態様に合わせて用いることができる。
【００４３】
（８）検査工程
次いで、図３中Ｓ６で示される検査工程を実施する。この検査工程は、データ書き込み
により外観が変化した識別子を視認することにより、データ書き込みの有無を検査する工
程である。
その検査方法としては、エレクトロクロミック素子については、外観上色変化が生じて
いるので目視検査において識別することができる。
また、切り欠き部については、同様に外観上形状変化が生じていることから、やはり同
様に、目視検査において識別することができるが、別の方法としては、後述する梱包工程
に置いて、電気光学装置の外形形状と、梱包ケースの溝形状と、の形状合わせによって実
施することができる。
また、図３中Ｓ６´に示すように、この検査工程での結果によって工程ルートを変更す
ることが好ましい。すなわち、検査結果がＯＫである場合には、通常通り梱包工程Ｓ７へ
と向かい、その一方で、検査結果がＮＧである場合には、データ書き込み工程Ｓ５へと戻
すリカバリー作業を行うことが好ましい。この理由は、このような再生工程ルートを設定
しておくことにより、当該製品の最終良品率の向上に資することができるためである。
【００４４】
（９）梱包工程
次いで、図３中Ｓ７で示される梱包工程を実施する。この梱包工程は、データ書き込み
及び検査が終了した後、所定の梱包ケースの所定位置に、当該電気光学装置を格納して梱
包する工程である。
この梱包工程に用いられる梱包ケースの一例を図１２（ａ）〜（ｂ）に示す。図１２（
ａ）は梱包ケースに電気光学装置を収納したときの平面図であり、図１２（ｂ）は図１２
（ａ）におけるＥＥ断面図を示している。この梱包ケース４００は、電気光学装置１０の
外形形状に沿うように溝部４０１が設けられており、この溝部４０１を等間隔に複数配置
することで、多数の電気光学装置をまとめて梱包することができる。
このような梱包ケース４００は、識別子として切り欠き部を採用した場合には、その識
別手法として用いることができる。
より具体的には、切り欠き部として、図１０（ｂ）に示した張り出し部９５ｂを切除す
ることで形成される切り欠き部９５ｂ´を採用した場合、もし仮に、データが書き込まれ
ずに梱包作業が行われた場合には、領域Ａにおいて、電気光学装置１０の外形形状と、溝
部４０１の溝形状と、が一致しないこととなる。
したがって、このような検査方法を用いることで、梱包作業時に、メモリ装置内にデー
タが書き込まれていないことが瞬時に判明し、異常品の外部流出を効果的に防止すること
ができる。
【００４５】
［第２実施形態］
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態において製造される液晶装置を備えた
電子機器について具体的に説明する。
図１３は、本発明の電子光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電
子機器３００の例では、液晶装置等の電子光学装置３１０と、これを制御するための制御
手段３２０と有している。そして、電子光学装置３１０を、パネル構造体３１０ａと、半
導体素子等で構成される駆動回路３１０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御
手段３２０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と
、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Acc
ess Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレ
ージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネ
レータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画
像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
【００４６】
また、表示情報処理回路３３２は、シリアルーパラレル変換回路、増幅・反転回路、ロ
ーテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した
表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０ｂ
へ供給するように構成してある。さらに、駆動回路３１０ｂは、第１の電極駆動回路、第
２の電極駆動回路及び検査回路を含み、電源回路３３３は、上述の各構成要素にそれぞれ
所定の電圧を供給する機能を有している。
よって、本実施形態の電子機器は、所定の識別子を備えることにより、データ書き込み
忘れを効果的に防止できる機能を有しており、初期不良の発生が少なく高品位の電子機器
とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置によれ
ば、メモリ装置内へのデータ書き込みの有無を外観から識別できる識別子を設けるととも
に、その視認状態の変更が当該データ書き込み作業と連動して実施されることにより、人
的要因を排除して確実にその視認状態を変更させることができる。その結果、この識別子
を外観的に視認することにより、データ書き込みの有無を瞬時に識別して、データ書き込
み忘れの異常発生を効果的に防止することができる。
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によって得られた電気光学装置、お
よびそれを備えた電子機器は、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。よ
って、電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして
、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークス
テーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器に適用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る電気光学装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る電気光学装置を示す概略斜視図である。
【図３】本発明における電気光学装置の製造方法を示すフロー図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造方法を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、対向基板の製造方法を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、組立工程及び実装工程を示す図である。
【図７】エレクトロクロミック素子の一例を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、クロミック素子の接続状態を示す図である。（その１）
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、クロミック素子の接続状態を示す図である。（その２）
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、切り欠き部の平面形状を説明するための図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、切り欠き部を形成するための切断装置を示す概略図である。
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は、電気光学装置を梱包するための梱包ケースの概略図である。
【図１３】第２実施形態の電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、従来のデータ書き込み方法を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０：液晶装置、２１：液晶材料、２３：シール材、３０：対向基板、３１：基体、３３
：対向電極、４５：配向膜、５０：識別子、５１：電解質層、５２ａ、５２ｂ：透明電極
層、５３ａ、５３ｂ：エレクトロクロミック層、６０：素子基板、６１：基体、６３：画
素電極、６５：データ線、６９：ＴＦＴ素子、９０：メモリ装置（ＥＥＰＲＯＭ）、９１
：駆動素子、９３：フレキシブル回路基板、９５ａ：貫通孔、９５ｂ：張り出し部、９５
ｂ´：切り欠き部、２００：切断装置、４００：梱包ケース 
【図１】
2007298802.tif 000003
【図２】
2007298802.tif 000004
【図３】
2007298802.tif 000005
【図４】
2007298802.tif 000006
【図５】
2007298802.tif 000007
【図６】
2007298802.tif 000008
【図７】
2007298802.tif 000009
【図８】
2007298802.tif 000010
【図９】
2007298802.tif 000011
【図１０】
2007298802.tif 000012
【図１１】
2007298802.tif 000013
【図１２】
2007298802.tif 000014
【図１３】
2007298802.tif 000015
【図１４】
2007298802.tif 000016