(57)【要約】【課題】リード端子のダレ上の樹脂バリが折れて剥がれるのを低減しうるリードフレーム等を提供する。【解決手段】リードフレーム１０１の突出部１３１はリード端子１１０のうちで第３領域Ａ３内の一部分１１１から突出している。封止金型のエアーベント３０１をリード端子１１０間に設けることによって第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１とエアーベント３０１との間が突出部１３１によって遮断されるので、エアーベント３０１から流出した樹脂はリード端子１１０の上記一部分１１１に付着しない。このため、樹脂バリ２１０をリード端子１１０のダレ上において２つに分断することができる。樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１は従来よりも短いので折れにくく、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２はリード端子１１０との密着性が弱いのでレジンカット工程等において剥がれて除去される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームであって、
樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、
前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、
前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、
前記樹脂遮断部は、前記リード端子のうちで前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内の一部分から前記リード端子の幅方向へ突出した突出部であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、
前記突出部は前記第１領域から同じ距離に位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、
隣接する前記リード端子間に在る前記突出部は前記第１領域から異なる距離に位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームであって、
樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、
前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、
前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、
前記樹脂遮断部は、前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内において平面視上前記リード端子の横の空間を仕切るように設けられた仕切りであることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した両端を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記タイバーに結合した他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記仕切りは、前記タイバーに結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記仕切りは、前記第１領域内に設けられた一端および他端を有し、前記一端から前記第３領域内を通って前記他端へ至る形状を有することを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のリードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、
前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリと、前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分と、を同時に除去する除去工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のリードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、
前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリを除去するバリ除去工程と、
前記バリ除去工程の後に前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分を除去する樹脂遮断部除去工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０ないし請求項１１のいずれかに記載の製造方法によって製造された半導体装置を搭載していることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、当該リードフレームを利用した半導体装置の製造方法、および、当該製造方法により製造された半導体装置を適用した電子機器に関し、より具体的には、樹脂封止時に形成されリード端子に付着して残存する樹脂バリに起因した不具合を低減するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２３〜図２７に従来のリードフレーム１００Ｚおよびそれを利用した半導体装置１Ｚの製造方法を説明するための平面図および断面図を示す。なお、図２４は図２３中の２４−２４線における断面図であり、図２７は図２６中の２７−２７線における断面図である。
【０００３】
図２３に示すように、従来のリードフレーム１００Ｚは、複数の（図では３本を例示している）リード端子１１０Ｚと、これらのリード端子１１０Ｚに結合したタイバー１２０Ｚと、ダイパッド１９０Ｚとを含んでいる。なお、リードフレーム１００Ｚは板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。
【０００４】
半導体装置１Ｚにおいて、ダイパッド１９０Ｚ上に半導体チップ５０が搭載されており、この半導体チップ５０はリード端子１１０Ｚの一端部（いわゆるインナーリード部分）やダイパッド１９０Ｚにワイヤ６０で電気的に接続されている。半導体チップ５０およびワイヤ６０は樹脂封止されており、樹脂パッケージ２００内に埋設されている。このとき、ダイパッド１９０Ｚおよびリード端子１１０Ｚの上記一端部も樹脂パッケージ２００内に埋設されている。
【０００５】
樹脂パッケージ２００は、半導体チップ５０が搭載された状態のリードフレーム１００Ｚを封止金型（またはモールド金型）内にセッティングし、当該金型内へ樹脂を流し込むことにより形成される。封止金型にはリード端子１１０Ｚ間の位置にエアーベントが設けられており、当該エアーベントから封止樹脂がエアーとともに漏れ出て、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１０が発生する（図２３および図２４参照）。なお、流出した樹脂はタイバー１２０Ｚでせき止められるため、タイバー１２０Ｚとリード端子１１０Ｚとで囲まれた箇所に樹脂バリ２１０が発生する。
【０００６】
かかる樹脂封止工程後、リード端子１１０Ｚに外装メッキを施し、図２５に示すようにレジンカット金型４００Ｚによって樹脂バリ２１０を除去し、タイバー１２０Ｚ等を除去する。これにより、図２６に示すように半導体装置１Ｚが完成する。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１２７５７号公報
【特許文献２】実開平２−７２５５７号公報
【特許文献３】特開平７−３００３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
さて、上述のようにリードフレーム１００Ｚは板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。この形成方法によれば、図２４に示すように、リード端子１１０Ｚの角部が直角にはならず丸くなってしまう、すなわちダレ（またはダレ面）１１３Ｚが発生してしまう。
【０００９】
このようなダレ１１３Ｚを有したリードフレーム１００Ｚを用いて上述の樹脂封止工程を行うと、図２４に示すようにダレ１１３Ｚ上にも樹脂バリ２１０が形成される。なお、必要に応じて、樹脂バリ２１０のうちでダレ１１３Ｚ上の部分を「樹脂バリ２１１」と呼ぶことにする。ダレ１１３上の樹脂バリ２１１は、図２５に示すようにレジンカット金型４００Ｚに当たらないので除去できず、レジンカット工程後においても残ってしまう（図２６および図２７参照）。
【００１０】
ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１は、樹脂パッケージ２００との結合が強い一方、リード端子１１０Ｚとの密着性は弱い。また、樹脂バリ２１１は、その形成箇所に起因して細長く薄い。このため、当該樹脂バリ２１１は、非常に折れ易く、後工程で折れて剥がれると種々の不具合を招く可能性がある。例えば、上述の外装メッキ工程においてダレ１１３Ｚの部分は樹脂バリ２１１に覆われており当該部分にはメッキが付かないので、外装メッキ工程後に樹脂バリ２１１が剥がれるとリード端子１１０Ｚのメッキ外観上の不具合が生じうる。また、半導体装置１Ｚを基板に実装する工程でダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１が剥がれて半導体装置１Ｚと基板のはんだ付け箇所との間に挟まると、はんだ付けの不具合が生じうる。
【００１１】
本発明は、かかる点にかんがみてなされたものであり、樹脂封止時に形成されリード端子に付着した樹脂バリに起因する不具合を低減しうるリードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供し、当該製造方法で製造された半導体装置によって信頼性が向上した電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、樹脂で封止される第１領域と前記第１領域に連続し前記樹脂で封止されない第２領域とに渡って延在したリード端子と、前記リード端子に前記第２領域内において結合したタイバーと、前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、前記樹脂遮断部は、前記リード端子のうちで前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内の一部分から前記リード端子の幅方向へ突出した突出部であることを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、樹脂封止時に封止金型のエアーベントから第３領域へ流出した樹脂は樹脂遮断部（突出部）によって遮断される（せき止められる）ので、リード端子への樹脂の付着を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。したがって、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合を減らすことができる。さらに、リード端子への樹脂付着の低減によって、リード端子のメッキ面積が増える。このため、リード端子のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。
【００１４】
そして、前記突出部を前記幅方向において両側に有する前記リード端子を複数備え、前記突出部は前記第１領域から同じ距離に位置していること、または、隣接する前記リード端子間に在る前記突出部は前記第１領域から異なる距離に位置していることが好ましい。
【００１５】
さらに、上記目的を達成するために本発明は、樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、前記リード端子と、前記タイバーと、前記タイバーよりも前記第１領域の側に設けられた樹脂遮断部とを備え、前記樹脂遮断部は、前記タイバーと前記第１領域との間の第３領域内において平面視上前記リード端子の横の空間を仕切るように設けられた仕切りであることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、樹脂封止時に封止金型のエアーベントから第３領域へ流出した樹脂は樹脂遮断部（仕切り）によって遮断される（せき止められる）ので、リード端子への樹脂の付着を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。したがって、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合を減らすことができる。さらに、リード端子への樹脂付着の低減によって、リード端子のメッキ面積が増える。また、仕切りは第３領域内においてリード端子横の空間を仕切るように設けられているので、リード端子の側面が樹脂封止工程後において露出し、当該側面にメッキを施すことができる。このため、リード端子のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。
【００１７】
そして、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した両端を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記タイバーに結合した他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第３領域内において前記リード端子に結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記タイバーに結合した一端と、前記第１領域内に設けられた他端と、を有することが好ましい。または、前記仕切りは、前記第１領域内に設けられた一端および他端を有し、前記一端から前記第３領域内を通って前記他端へ至る形状を有することが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明は、前記リードフレームを利用した半導体装置の製造方法であって、前記リード端子とエアーベントとの間に前記樹脂遮断部が介在するように前記リードフレームを封止金型へセッティングして前記第１領域を前記樹脂で封止する封止工程と、前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリと、前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分と、を同時に除去する除去工程とを備えることを特徴とする。または、前記封止工程によって前記第３領域内に形成された樹脂バリを除去するバリ除去工程と、前記バリ除去工程の後に前記樹脂遮断部のうちで前記第３領域内の部分を除去する樹脂遮断部除去工程とを備えることを特徴とする。このような構成によれば、上述のリードフレームを利用するので、樹脂バリの剥がれによる上述の不具合が低減した、さらには、リード端子のメッキ外観が良好で、はんだ付けの信頼性が高い、半導体装置を製造することができる。
【００１９】
さらに、本発明は、電子機器において、前記製造方法によって製造された半導体装置を搭載していることを特徴とし、このような構成によれば、上述のはんだ付け不具合の低減およびはんだ付けの高い信頼性によって、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
このように、本発明によれば、樹脂封止時に形成されリード端子に付着した樹脂バリに起因する不具合を低減しうるリードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供することができ、当該製造方法で製造された半導体装置によって信頼性が向上した電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１に実施形態１に係るリードフレーム１０１を説明するための平面図を示し、図１中の一点鎖線で囲んだ部分２の拡大図を図２に示す。なお、説明のため、図１には半導体チップ５０およびワイヤ６０も併せて図示している。また、図３〜図８にリードフレーム１０１を適用した樹脂封止型の半導体装置１の製造方法を説明するための平面図および断面図を示す。なお、図４は図３中の一点鎖線で囲んだ部分４の拡大図であり、図５は後述の樹脂封止工程における図４中の５−５線での断面図であり、図８は図７中の一点鎖線で囲んだ部分８の拡大図である。なお、図４中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。
【００２２】
まず、図１および図２に示すように、リードフレーム１０１は、樹脂で封止され樹脂パッケージ２００（図３参照）内に埋設される領域である第１領域Ａ１と、当該第１領域Ａ１に連続する領域であり上記樹脂で封止されずに樹脂パッケージ２００外に設けられる領域である第２領域Ａ２とに大別される。
【００２３】
リードフレーム１０１は、複数の（図では３本を例示している）リード端子１１０と、タイバー１２０と、ダイパッド１９０とを含んでいる。各リード端子１１０は第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とに渡って延在しており、これらのリード端子１１０にタイバー１２０が結合している。なお、タイバー１２０は第２領域Ａ２内においてリード端子１１０に結合している。また、各リード端子１１０はタイバー１２０の両側において同じ幅である。ダイパッド１９０は第１領域Ａ１内に設けられており、図示の例ではリード端子１１０の１本と結合している。
【００２４】
特にリードフレーム１０１は樹脂遮断部としての突出部１３１をさらに含んでいる。詳細には、突出部１３１は、第２領域Ａ２内のうちで第１領域Ａ１とタイバー１２０との間の領域である第３領域Ａ３内に設けられている（したがって、タイバー１２０よりも第１領域Ａ１の側に設けられている）。そして、突出部１３１は、リード端子１１０のうちで第３領域Ａ３内の一部分１１１（図面ではわかりやすくするために太破線で囲んでいる）から当該リード端子１１０の幅方向Ｗへ突出しており、換言すればリード端子１１０の上記一部分１１１に結合している。なお、突出部１３１およびリード端子１１０の上記一部分１１１は第１領域Ａ１およびタイバー１２０から離れている。突出部１３１は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側（幅方向Ｗにおける両側）に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に突出部１３１を有している。これらの突出部１３１はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの突出部１３１は互いに対向するように突出している。
【００２５】
このような平面パターンを有するリードフレーム１０１は板状の銅材等をリードフレーム打ち抜き金型によってパンチングして形成される。このため、リード端子１１０、タイバー１２０および突出部１３１は、同じ厚さを有し、同一平面上に存在する。そして、かかる形成方法によれば、従来と同様に、リード端子１１０の角部にダレ（またはダレ面）１１３Ｚ（図２４参照）が発生する。
【００２６】
次に、半導体装置１（図７参照）の製造方法を説明する。まず、図１に示すようにダイパッド１９０上に半導体チップ５０を搭載し、当該チップ５０をワイヤ６０でリード端子１１０の第１領域Ａ１内の部分およびダイパッド１９０に電気的に接続する。その後、半導体チップ５０が搭載された状態のリードフレーム１０１を、樹脂パッケージ２００に対応した形状の封止金型３００（図５参照）内にセッティングする。図５に示すように封止金型３００は上型３１０と下型３２０で構成され、図４（ｂ）に示すように封止金型３００にはリード端子１１０間および最も外側のリード端子１１０のさらに外側に封止金型３００のエアーベント３０１が設けられている。なお、図面ではエアーベント３０１をその配置位置を太破線で模式的に図示している。このとき、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１と封止金型３００のエアーベント３０１との間には突出部１３１が介在し、突出部１３１によって両者１１１，３０１間が遮断されることになる。リードフレーム１０１のセッティング後、封止金型３００内へ樹脂を流し込むことにより樹脂パッケージ２００が形成され、半導体チップ５０等が樹脂封止される。
【００２７】
かかる樹脂封止工程において、エアーベント３０１から封止樹脂がエアーとともに漏れ出て、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１０が発生する（図３等参照）。なお、流出した樹脂はタイバー１２０でせき止められる。このとき、突出部１３１が第３領域Ａ３へ流出した樹脂を遮断することによって（せき止めることによって）、図４に示すようにリード端子１１０の上記一部分１１１には樹脂が付着しない。これに対して、第３領域Ａ３においてリード端子１１０のうちの上記一部分１１１以外の残余部分には樹脂が付着し、当該残余部分のダレ１１３Ｚ（図２４参照）にも樹脂が付着する。ただし、樹脂バリ２１０のうちでダレ１１３Ｚ上の部分は、突出部１３１の存在によって、突出部１３１よりも第１領域Ａ１に近い側に形成され樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１と、突出部１３１よりも第１領域Ａ１から遠い側に形成され樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２と、の２つに分断されている。つまり、突出部１３１の存在により第３領域Ａ３内においてリード端子１１０に付着する樹脂を従来よりも減らすことができる（小さくすることができる）。
【００２８】
樹脂封止工程後、リード端子１１０に外装メッキを施す。このとき、突出部１３１によってダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１０（樹脂バリ２１１，２１２）は従来よりも小さいので、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１，２１２によってメッキがされない面積を従来よりも減らすことができる、換言すればメッキ面積を増やすことができる。
【００２９】
その後、図６に示すように、金型４０１によって樹脂バリ２１０および突出部１３１（突出部１３１のうちで第３領域Ａ３内の部分、すなわち突出部１３１の全体）を同時に切断除去する。かかる同時除去は、リード端子１１０、タイバー１２０および樹脂パッケージ２００（または第１領域Ａ１）で囲まれた形状に対応した金型４０１を利用することにより可能である。このとき、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１１，２１２は、金型４０１に当たらないので、当該金型４０１によって直接的には除去されない。しかし、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２はリード端子１１０との密着性が弱く薄いので、当該レジンカット工程において剥がれて除去される。これに対して、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１は、当該樹脂パッケージ２００との結合が強いので当該除去工程以後も残存する。
【００３０】
当該同時除去工程後、タイバーカット工程およびリードカット工程を経て、図７に示すように半導体装置１が完成する。
【００３１】
リードフレーム１０１によれば、ダレ１１３Ｚ上の樹脂バリ２１０（樹脂バリ２１１，２１２）が剥がれて生じる上述の不具合を従来よりも減らすことができる。すなわち、上述のように樹脂バリ２１１，２１２によってメッキがされない面積を従来よりも減らすことができるので、樹脂バリ２１２の除去後においてもメッキ外観上の不具合を低減できる。また、図７および図８に示すように半導体装置１の完成後においても樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１は残存するが、上述の分断によって従来よりも短いので、半導体装置１の実装工程で剥がれてはんだ付け不具合を引き起こすのを低減できる。
【００３２】
さらに、リードフレーム１０１によれば、上述のようにリード端子１１０のメッキ面積が従来よりも増えるので、リード端子１１０のメッキ外観が良好になる。また、当該増加したメッキ部分を利用して実装基板へのはんだ付けを行う場合、はんだ付けの信頼性が向上する。
【００３３】
つまり、リードフレーム１０１を利用した製造方法によれば、樹脂バリ２１１，２１２の剥がれによる上述の不具合が低減し、さらには、リード端子１１０のメッキ外観が良好で、はんだ付けの信頼性が高い、半導体装置１を製造することができる。
【００３４】
ここで、図９〜図１１に半導体装置１の他の製造方法を説明するための平面図を示す。当該製造方法では樹脂バリ２１０および突出部１３１を順次、切断除去する。すなわち、図９に示すように、リード端子１１０、突出部１３１、タイバー１２０および樹脂パッケージ２００（または第１領域Ａ１）で囲まれた形状に対応したレジンカット金型４０２を利用することにより、まず樹脂バリ２１０を切断除去する。このとき、上述の製造方法と同様に、ダレ１１３Ｚ（図２４参照）上の樹脂バリ２１１，２１２は、レジンカット金型４０２によって直接的には除去されないが、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２は当該レジンカット工程において剥がれて除去される。これに対して、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１はレジンカット工程以後も残存する（図１０参照）。次に、図１１に示すように、例えば上述の金型４０１（図６参照）と同様の形状の金型４０３によって、突出部１３１（突出部１３１のうちで第３領域Ａ３内の部分、すなわち突出部１３１の全体）を切断除去する。その後、上述の製造方法と同様にタイバーカット工程およびリードカット工程を経て、既述の図７に示すように半導体装置１が完成する。かかる製造方法によっても上述と同様の効果が得られる。
【００３５】
図１２に実施形態２に係るリードフレーム１０２を説明するための平面図を示す。当該リードフレーム１０２は上述のリードフレーム１０１（図２等参照）において突出部１３１の配置位置を違えた形状を有している。すなわち、リードフレーム１０２では、隣接するリード端子１１０間に在る突出部１３１は第１領域Ａ１から異なる距離に位置し、これらの突出部１３１は段違いに（ジグザクに）配置されている。このとき、各リード端子１１０は両側に突出部１３１を有しており、リード端子１１０において両側の突出部１３１間の部分が上記一部分１１１に該当する。すなわち、図１２に示すように当該一部分１１１は平面視上長方形の部分でなくてもよい。このような形状のリードフレーム１０２も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。そして、リードフレーム１０２によっても上述のリードフレーム１０１と同様の効果が得られる。
【００３６】
図１３に実施形態３に係るリードフレーム１０３を説明するための平面図を示す。なお、図１３中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。
【００３７】
当該リードフレーム１０３は上述のリードフレーム１０１（図２等参照）において突出部１３１を樹脂遮断部としての仕切り１３２に変えた形状を有している。詳細には、仕切り１３２は、コ字形（または角張ったＵ字形）をした平面視上線状部材であり、当該コ字形の開口をリード端子１１０の側に向けかつリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１に対向するようにして当該一部分１１１に結合している。すなわち、線状の仕切り１３２の一端１３２ａおよび他端１３２ｂはそれぞれリード端子１１０の上記一部分１１１の隅部に結合している。このため、上述の突出部１３１（図２参照）とは異なり、仕切り１３２とリード端子１１０とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。なお、仕切り１３２およびリード端子１１０の上記一部分１１１は第１領域Ａ１およびタイバー１２０から離れている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０３も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。
【００３８】
リードフレーム１０３によれば、封止金型３００のエアーベント３０１をリード端子１１０間および最も外側のリード端子１１０のさらに外側に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１とエアーベント３０１との間には仕切り１３２が介在する。このため、仕切り１３２が上述の突出部１３１（図４参照）と同様に機能するので、上述のリードフレーム１０１と同様の効果が得られる。
【００３９】
特にリードフレーム１０３によれば、仕切り１３２とリード端子１１０とで囲まれた上記空間内には樹脂が流入しないので、樹脂封止後においても当該空間にリード端子１１０の側面が露出する。このため、外装メッキ工程において当該露出側面にもメッキをすることができる。したがって、リード端子１１０のメッキ外観がより良好になるし、当該メッキ部分におけるはんだ付けの信頼性が向上する。
【００４０】
図１４に実施形態４に係るリードフレーム１０４を説明するための平面図を示す。なお、図１４中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。
【００４１】
当該リードフレーム１０４は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０４の仕切り１３２は、Ｌ字形をした平面視上線状部材であり、当該Ｌ字形の角部がリード端子１１０から離れて位置するようにかつ第１領域Ａ１の側に位置するようにして第３領域Ａ３内に設けられている。そして、当該線状の仕切り１３２の一端１３２ａは第１領域Ａ１から離れた位置においてリード端子１１０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂはタイバー１２０に結合している。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１（図１４（ｂ）参照）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０とタイバー１２０とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０４も、打ち抜き金型によってパンチング形成され、上述のいずれの製造方法にも適用可能である。
【００４２】
リードフレーム１０４によっても、リードフレーム１０３（図１３参照）と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０４によれば、仕切り１３２の他端１３２ｂがタイバー１２０に結合しているので、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２（図４参照）が発生しない。このため、メッキ外観およびはんだ付けの信頼性がより向上する。
【００４３】
図１５に実施形態５に係るリードフレーム１０５を説明するための平面図を示し、図１５中の一点鎖線で囲んだ部分１６の拡大図を図１６に示す。なお、図１６中の（ａ）および（ｂ）は図面の煩雑化を避けるために分けているが同じ図面である。また、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１７−１７線および１８−１８線での断面図を図１７および図１８に示す。
【００４４】
当該リードフレーム１０５は上述のリードフレーム１０４（図１４参照）において仕切り１３２の向きを反転させた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０５の仕切り１３２は、Ｌ字形をした平面視上線状部材であり、当該Ｌ字形の角部がリード端子１１０から離れて位置するようにかつタイバー１２０の側に位置するようにして設けられている。そして、当該線状の仕切り１３２の一端１３２ａは第３領域Ａ３内においてタイバー１２０から離れた位置でリード端子１１０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられている。なお、図示の例では、当該他端１３２ｂは第１領域Ａ１内においてリード端子１１０には結合していない。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内における一部分１１１（図１６（ｂ）参照）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０と第１領域Ａ１とで囲まれて空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記一部分１１１の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。これらの仕切り１３２はすべて第１領域Ａ１から同じ距離に位置しており、このため隣接するリード端子１１０間の２つの仕切り１３２は互いに対向している。このような形状のリードフレーム１０５も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。
【００４５】
リードフレーム１０５は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、樹脂封止工程において、図１６（ｂ）および図１７に示すように、封止金型３００のエアーベント３０１をリード端子１１０間において隣接する２つの仕切り１３２の間および最も外側の仕切り１３２のさらに外側に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の上記一部分１１１とエアーベント３０１との間に仕切り１３２が介在し、仕切り１３２によって両者１１１，３０１間が遮断されることになる。一方、図１８に示すように、第３領域Ａ３における仕切り１３２とリード端子１１０との間には、すなわち仕切り１３２とリード端子１１０と第１領域Ａ１とで囲まれた上記空間内には下型３２０のダムブロック部３２１を設けて、樹脂バリ２１０の発生を防いでいる。なお、リードフレーム１０５の場合、仕切り１３２のうちで第３領域Ａ３内の部分が切断除去され、仕切り１３２のうちで第１領域Ａ１内の部分は樹脂パッケージ２００内に残存する。
【００４６】
したがって、リードフレーム１０５によっても、リードフレーム１０３（図１３参照）等と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０５によれば、仕切り１３２の他端１３２ｂおよびエアーベント３０１の上述の配置関係から、樹脂パッケージ２００に結合した樹脂バリ２１１（図１３参照）が発生しない。このため、メッキ外観がより向上する。また、樹脂パッケージ２００に結合していない樹脂バリ２１２は樹脂バリ２１０および仕切り１３２の切断除去工程において剥がれて除去される。したがって、リードフレーム１０５によれば樹脂バリ２１１，２１２を除去することができるので、樹脂封止工程の後工程において樹脂バリ２１１，２１２が剥がれてはんだ付けの不具合を引き起こすことがない。
【００４７】
図１９に実施形態６に係るリードフレーム１０６を説明するための平面図を示し、図１９中の一点鎖線で囲んだ部分２０の拡大図を図２０に示す。
【００４８】
当該リードフレーム１０６は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）等において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０６の仕切り１３２は、平面視上直線状部材であり、リード端子１１０から離れた位置において第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに渡って設けられている。そして、当該直線状の仕切り１３２の一端１３２ａはタイバー１２０に結合し、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられている。なお、図示の例では、上記他端１３２ｂは第１領域Ａ１内においてリード端子１１０には結合していない。このとき、仕切り１３２はリード端子１１０の第３領域Ａ３内の全体１１２（図２０ではわかりやすくするために太破線で囲んでいる）に対向しており、また、仕切り１３２とリード端子１１０との間には空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は各リード端子１１０の上記全体１１２の両側に設けられており、このため各リード端子１１０は両側に仕切り１３２を有している。このような形状のリードフレーム１０６も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。
【００４９】
リードフレーム１０６は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、上述のリードフレーム１０５（図１６参照）の場合と同様に封止金型３００のエアーベント３０１を設けることによって、リードフレーム１０５と同様の効果が得られる。特にリードフレーム１０６によれば、樹脂バリ２１１，２１２が全く発生しないので、樹脂封止工程の後工程において樹脂バリ２１１，２１２が剥がれてはんだ付けの不具合を引き起こすことがない。さらに、上述のようにダレ上の樹脂バリ２１１，２１２が全く発生せず、かつ、リード端子１１０の第３領域Ａ３内全体１１２が露出しているので、側面も含めて当該全体１１２にメッキを施すことができる。このため、メッキ外観およびはんだ付けの信頼性がより向上する。
【００５０】
図２１に実施形態７に係るリードフレーム１０７を説明するための平面図を示し、図２１中の一点鎖線で囲んだ部分２２の拡大図を図２２に示す。
【００５１】
当該リードフレーム１０７は上述のリードフレーム１０３（図１３参照）等において仕切り１３２の形状を違えた場合にあたる。詳細には、リードフレーム１０７の仕切り１３２は、平面視上角張ったΩ（ギリシャ文字の大文字の“オメガ”）形をした線状部材であり、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに渡って設けられている。そして、当該仕切り１３２の一端１３２ａは第１領域Ａ１内に設けられてリード端子１１０に結合しており、当該仕切り１３２の他端１３２ｂは第１領域Ａ１内に設けられて隣のリード端子１１０に結合しており、仕切り１３２は全体として上記一端１３２ａから第３領域Ａ３内を通って上記他端１３２ｂへ延在する形状をしている。このとき、第３領域Ａ３において仕切り１３２とリード端子１１０との間には空間が生じている。つまり、仕切り１３２は、平面視上、第３領域Ａ３内においてリード端子１１０の横の空間を２つに仕切っている。仕切り１３２は上述のように隣接する２つのリード端子１１０に結合しており、リード端子１１０と仕切り１３２とが交互に並んでいる。このような形状のリードフレーム１０７も、打ち抜き金型によってパンチング形成される。
【００５２】
リードフレーム１０７は上述のいずれの製造方法にも適用可能である。このとき、封止金型３００のエアーベント３０１を仕切り１３２の大略Ω形の開口部に設けることによって、第３領域Ａ３においてリード端子１１０の第３領域内全体１１２とエアーベント３０１との間に仕切り１３２が介在し、仕切り１３２によって両者１１２，３０１間が遮断されることになる。したがって、リードフレーム１０７によっても、リードフレーム１０６（図１９および図２０参照）と同様の効果が得られる。
【００５３】
上述のリードフレーム１０１〜１０７を利用して種々の半導体装置１を製造することができ、かかる半導体装置１を搭載した電子機器は、上述のはんだ付け不具合の低減およびはんだ付けの高い信頼性によって、高い信頼性を発揮する。
【００５４】
なお、突出部１３１および仕切り１３２は、例示した平面視上角張った形状でなくてもよく、曲線を含んだ形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図２】は、図１中の一点鎖線で囲んだ部分２の拡大図である。
【図３】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図４】は、図３中の一点鎖線で囲んだ部分４の拡大図である。
【図５】は、樹脂封止工程における図４（ｂ）中の５−５線での断面図である。
【図６】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図７】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図８】は、図７中の一点鎖線で囲んだ部分８の拡大図である。
【図９】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。
【図１１】は、本発明の実施形態１に係るリードフレームを利用した半導体装置の他の製造方法を説明するための平面図である。
【図１２】は、本発明の実施形態２に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図１３】は、本発明の実施形態３に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図１４】は、本発明の実施形態４に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図１５】は、本発明の実施形態５に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図１６】は、図１５中の一点鎖線で囲んだ部分１６の拡大図である。
【図１７】は、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１７−１７線での断面図である。
【図１８】は、樹脂封止工程における図１６（ｂ）中の１８−１８線での断面図である。
【図１９】は、本発明の実施形態６に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図２０】は、図１９中の一点鎖線で囲んだ部分２０の拡大図である。
【図２１】は、本発明の実施形態７に係るリードフレームを説明するための平面図である。
【図２２】は、図２１中の一点鎖線で囲んだ部分２２の拡大図である。
【図２３】は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２４】は、図２３中の２４−２４線における断面図である。
【図２５】は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２６】は、従来のリードフレームおよびそれを利用した半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２７】は、図２６中の２７−２７線における断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    半導体装置
１０１〜１０７    リードフレーム
１１０    リード端子
１１１    一部分
１２０    タイバー
１３１    突出部（樹脂遮断部）
１３２    仕切り（樹脂遮断部）
１３２ａ    一端
１３２ｂ    他端
２１０    樹脂バリ
３００    封止金型
３０１    エアーベント
Ａ１    第１領域
Ａ２    第２領域
Ａ３    第３領域
Ｗ    幅方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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