(57)【要約】【課題】  洗浄液へのモリブデン酸化物の溶け出しをなくすことによって、モリブデン酸化物の付着を防止する薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置に関する。【解決手段】  基板１３上にモリブデンを含む層を形成し、モリブデンを含む層が露出した状態において、基板１３に対して加熱を伴う前洗浄処理を行い、洗浄処理を行った基板１３を、その基板温度が１３０℃以下の状態においてウェット洗浄する基板１３の製造方法である。これにより、洗浄液へのモリブデン酸化物の溶け出しを抑制し、薄膜トランジスタのチャネル表面へのモリブデン酸化物の付着を防止する。【選択図】          図３
2007096180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にモリブデンを含む層を形成し、
前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対して加熱を伴う前洗浄処理を行い、
前記前洗浄処理を行った基板を、その基板温度が１３０℃以下の状態においてウェット洗浄する、
基板の製造方法。
【請求項２】
前記前洗浄処理は紫外線照射によるドライ洗浄処理である、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記前洗浄処理を前記基板の基板温度が１３０℃以下の状態で行う、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記前洗浄処理を行った基板を冷却する処理をさらに含み、その冷却した基板を前記ウェット洗浄する、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
基板上にモリブデンを含む層を形成し、
その基板温度が１３０℃以下となるように前記基板を冷却し、
前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記冷却された基板をウェット洗浄する、
基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板を冷却ステージ及び／もしくはエアーブローによって冷却する、請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
モリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、加熱を伴う前洗浄処理を行う前洗浄処理部と、
前記前洗浄処理部内における基板の基板温度をモニタするための温度検出器と、
前記前洗浄処理を行った基板をウェット洗浄するウェット洗浄部と、
前記温度検出器の検出温度に従って、その基板温度が１３０℃以下の状態において前記基板がウェット洗浄されるように制御する制御部と、
を備える基板洗浄装置。
【請求項８】
前記前洗浄処理部は紫外線照射によるドライ洗浄を行う、請求項７に記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
露出したモリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、加熱を伴う前洗浄処理を行う前洗浄処理部と、
前記前洗浄処理を行った基板を、その基板温度が１３０℃以下となるように冷却する冷却装置と、
前記冷却装置によって冷却された基板をウェット洗浄するウェット洗浄部と、
を備える基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法及び基板洗浄装置に関し、特に、モリブデンを含む層が形成された基板のウェット洗浄の手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置用薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと示す）の電極、配線材料は、従来のクロム（Ｃｒ）系材料から配線抵抗の低いアルミニウム（Ａｌ）系やモリブデン（Ｍｏ）系が使用されている。しかし、モリブデンを電極、配線材料に使用する場合、モリブデンの表面に生成されたモリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）が、洗浄工程において洗浄液に溶け出す。その結果、溶け出したモリブデン酸化物が、洗浄液乾燥後、ＴＦＴに再付着するという二次汚染が生じることが知られている。
【０００３】
上記問題について、逆スタッガ−ト型ａ−Ｓｉ（amorphous Silicon）ＴＦＴの断面構造を例にとり、図８に従って説明する。逆スタッガート型ａ−ＳｉＴＦＴは、液晶表示装置用ＴＦＴとして最も多く製造される構造である。
【０００４】
図８に示すように逆スタッガ−ト型ａ−ＳｉＴＦＴは、ガラスなどにより形成された透明基板２２上にゲート電極層２３を形成した後、ゲート絶縁層２４、半導体層２５、およびオーミックコンタクト層２６を連続成膜しパターニングする。半導体層２５は、チャネル層として形成され、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を材料とする。また、オーミックコンタクト層２６は、半導体層２５と電極とのオーミックコンタクトとして形成され、低抵抗アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）を材料とする。その後、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８として、モリブデンを含有する材料を成膜し、パターニングする。
【０００５】
ソース・ドレイン電極層２７、２８表面にモリブデンが含まれる場合、酸化によって電極層表面にモリブデン酸化物が生成される。このモリブデン酸化物は、水やアルカリ性の液体などに対して溶解しやすい性質を持つ。従って、成膜前の純水洗浄の際、洗浄液にモリブデン酸化物が溶け出す場合がある。その後、洗浄液に浸漬した基板を乾燥すると、基板上のＴＦＴにモリブデン酸化物３０が析出する。
【０００６】
析出したモリブデン酸化物３０が、図８に示すようにＴＦＴのチャネル表面に付着すると、モリブデン酸化物３０を介して表面リーク電流が流れやすくなる。従って、ＴＦＴのオン／オフ制御ができなくなり、電流−電圧特性が低下する。その結果、液晶表示装置の画像ムラなどの画像欠陥が生じるという問題が生ずる。
【０００７】
モリブデン酸化膜の付着を解決する技術が、特許文献１に開示されている。図９は、その実施形態の模式図を示したものである。図９に示すように、表面にモリブデン酸化物３３が形成された基板上に、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）を塗布して加熱させることにより、基板表面の水酸基（ＯＨ）と反応し、アンモニア（ＮＨ４）を発生させる。このアンモニアとモリブデン酸化物３３が結合し、（ＮＨ４）２Ｍｏ３Ｏ１０となり、モリブデン酸化物３３を除去することができる。モリブデンを含む配線３２を形成した後、洗浄処理を行う前にモリブデン酸化物３３を除去することによって、モリブデン酸化物３３による表示欠陥を防止する。
【特許文献１】特開平７−３０１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、析出したモリブデン酸化物を除去することによって表示品質の低下を防止することができる。しかしながら、この方法は、通常の薄膜パターン形成のための工程に対して、モリブデン酸化膜の除去のための処理工程を追加することになる。従って、製造処理工程数を増やす結果となり、製造のスループットが低下する。
【０００９】
ここで、基板の洗浄処理は、純水などの洗浄液に基板を浸漬してウェット洗浄する前に、紫外線（ＵＶ）照射等によって油分などの有機汚染物を除去するドライ洗浄を行う。発明者らは、このドライ洗浄工程が、その後のウェット洗浄におけるモリブデン酸化物の基板内付着に大きく影響していることを見出した。
【００１０】
ＵＶ照射によるドライ洗浄は、ＵＶ炉内においてＵＶランプを点灯することによって行う。発明者らが鋭意検討したところ、ＵＶ炉内における温度上昇が、モリブデン酸化物の付着の原因であることがわかった。具体的には、ＵＶランプ点灯によってＵＶ炉内温度が上昇し、その熱でＵＶ炉内を通過する基板が熱せられる。その後、熱せられた状態の基板をウェット洗浄することによって、洗浄液に溶解したモリブデン酸化物が基板に付着することがわかった。
【００１１】
本発明はこのような事情を背景としてなされたものであって、本発明の目的は、モリブデンを含む層が形成された基板の洗浄において、モリブデン酸化物の基板への付着を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対して加熱を伴う前洗浄処理を行い、前記前洗浄処理を行った基板を、その基板温度が１３０℃以下の状態においてウェット洗浄する、基板の製造方法である。これによって、洗浄液へのモリブデン酸化物の溶け出しをなくし、製造工程を増やすことなく、ＴＦＴのチャネル表面へのモリブデン酸化物の付着を防止することができる。
【００１３】
また、基板上にモリブデンを含む層を形成し、その基板温度が１３０℃以下となるように前記基板を冷却し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記冷却された基板をウェット洗浄する、基板の製造方法である。これによって、ウェット洗浄前に基板温度が１３０℃より高くなる工程を適用することができるため、作業温度に関する制約がなくなり、効率的に作業できる。
【００１４】
また、モリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、加熱を伴う前洗浄処理を行う前洗浄処理部と、前記前洗浄処理部内における基板の基板温度をモニタするための温度検出器と、前記前洗浄処理を行った基板をウェット洗浄するウェット洗浄部と、前記温度検出器の検出温度に従って、その基板温度が１３０℃以下の状態において前記基板がウェット洗浄されるように制御する制御部と、を備える基板洗浄装置である。これによって、モリブデン酸化物が誤って洗浄液に溶け出し、洗浄液を汚染することを防ぐことができる。
【００１５】
更に、露出したモリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、加熱を伴う前洗浄処理を行う前洗浄処理部と、前記前洗浄処理を行った基板を、その基板温度が１３０℃以下となるように冷却する冷却装置と、前記冷却装置によって冷却された基板をウェット洗浄するウェット洗浄部とを備える基板洗浄装置である。これによって、１３０℃より高い温度になった基板を自動的に冷却することができ、マニュアル作業の必要がなくなるため、製造コストを低減できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、モリブデンを含む層が形成された基板の洗浄において、モリブデン酸化物の基板への付着を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載および図面は、適宜、省略および簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１８】
実施の形態１
始めに、本実施の形態に係る液晶表示装置（不図示）について説明する。まず、ガラス基板にＴＦＴと各電極線、および蓄積容量を形成したＴＦＴアレイ基板と、ガラス基板にコモン電極およびＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタを形成した対向基板とを、シール剤を用いて貼り合わせる。その後、それらの基板の隙間に液晶を注入し、注入口を封止剤で封じて液晶パネルを形成する。次に、駆動用ＬＳＩやパネル制御用ＩＣが実装された駆動回路基板を液晶パネルに接続する。更に、バックライトユニットをＴＦＴアレイ基板の背部に配置して、液晶表示装置が完成する。この液晶表示装置は、駆動回路によって駆動された液晶パネルが、バックライトユニットからの光の透過を制御することによって、画像を表示することができる。
【００１９】
次に、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を、図１に従って説明する。図１は、画素電極部分を含めたＴＦＴ２１が示されるが、その他の部分は省略した。まず、例えば光透過性のガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂等により形成された透明基板２２を純水または熱硫酸を用いて洗浄する。次に、ゲート電極層２３を形成する。具体的には、まず、透明基板２２上に、例えばモリブデンタンタル（ＭｏＴａ）の膜をスパッタリング法により成膜する。次に、ＭｏＴａの膜上にフォトレジストを塗布し、ベーク後に所定のパターン形状のマスキングをして露光処理をする。その後、たとえば有機アルカリ系の現像液で現像をしてフォトレジストをパターニングする。次に、たとえばリン酸および硝酸の混合溶液を用いて、ウエットエッチィングを行う。これにより、ＭｏＴａ膜が、所望のパターン形状に形成される。そして、フォトレジストを透明基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された透明基板２２を洗浄するが、具体的な洗浄方法は、以降に詳述する。以上の工程を経て、透明基板２２上に、ゲート電極層２３およびゲート配線（不図示）が形成される。
【００２０】
次に、化学気相成膜（ＣＶＤ）法を用いて、ゲート絶縁層２４を透明基板２２上に成膜し、このゲート絶縁層２４上に積層して、半導体層２５の材料であるアモルファスシリコン膜を成膜し、更にこのアモルファスシリコン層上に積層して、オーミックコンタクト層２６の材料であるｎ＋アモルファスシリコン膜を成膜する。この積層の上にレジストパターンを形成し、ドライエッチィングを行う。ｎ＋アモルファスシリコン膜、アモルファスシリコン膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜をエッチングして、所望のパターン形状に形成する。そして、フォトレジストを透明基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された透明基板２２を洗浄する。以上の工程を経て、透明基板２２上に、半導体層２５、ゲート絶縁層２４およびオーミックコンタクト層２６が形成される。
【００２１】
次に、ソース・ドレイン電極２７，２８及びソース配線を形成する。まず、ソース・ドレイン電極２７，２８及びソース配線を形成する金属膜をスパッタリング法により成膜する。例えば、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ積層膜を基板上に形成する。その積層膜上に上述のようにレジストパターンを形成した後に、ウエットエッチィングを行う。これにより、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ積層膜が、所望のパターン形状に形成される。そして、フォトレジストを透明基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された透明基板２２を洗浄するが、具体的な洗浄方法については、以降に詳述する。
【００２２】
続いて、透明基板２２上に、パッシベーション膜２９を形成する。まず、パッシベーション膜２９の材料である窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を、たとえば、ＣＶＤにより透明基板２２上に成膜する。その上にレジストパターンを形成し、フッ素（Ｆ）系ガスなどを使用してドライエッチィングを行う。これによって、パッシベーション膜２９中に、コンタクトホール３１を形成する。そして、フォトレジストを透明基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された透明基板２２を洗浄するが、具体的な洗浄方法については、以降に詳述する。
【００２３】
次に、画素電極を形成する。まず、透明基板２２上に、画素電極の材料となる透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）を、スパッタリングにより成膜する。このとき、コンタクトホール３１の内側にもＩＴＯ膜が成膜され、ドレイン電極２８とＩＴＯ膜とが接続される。次に、レジストパターンを形成し、ウエットエッチィングを行う。これによって、ＩＴＯ膜を所望のパターン形状に形成する。フォトレジストを透明基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された透明基板２２を洗浄する。以上の工程を経て、ＴＦＴアレイ基板が完成する。
【００２４】
図２を参照し、本発明の実施の形態１について説明する。図２は、実施の形態１に係る製造装置の構成図である。図２は、ローダ２、ＵＶ（Ultra Violet）ユニット３、洗浄ユニット４、基板乾燥部５およびアンローダ６を備える基板洗浄装置１である。本実施形態では、ＴＦＴ製造工程の中でも、モリブデンを含む配線層を形成し、フォトレジストを除去した後に、Ｍｏを含む層が露出した状態で行う洗浄工程を対象とする。
【００２５】
図２において、基板は、ローダ２にセットされ、ＵＶユニット３にて前洗浄処理としてドライ洗浄される。次に、洗浄ユニット４にて洗浄液にてウェット洗浄された後、基板乾燥部５にて乾燥され、アンローダ６に収納される。これら一連の洗浄動作は、自動的に行われることが可能であり、コントローラ７によって制御される。
【００２６】
ＵＶユニット３は、洗浄ユニット４による液体洗浄工程の前段に設置され、紫外線照射によるドライ洗浄を行う。紫外線を照射することによって、基板上にある油分などの有機汚染物を除去し、液体への親和性を向上させる効果がある。近年、回路構成の複雑化、高密度化により、紫外線によるドライ洗浄は、きわめて一般的に採用されている。その後、洗浄ユニット４で、基板表面に付着したパーティクルなどの異物を洗浄液により洗浄して取り除く。本実施形態では、洗浄液として純水を使用する。
【００２７】
純水は、基板製造プロセスでのマスク作製、成膜、エッチングなどの工程において、ウェハ表面に残る薬品や微粒子を除去するため、不純物を出来得る限り除去して得られる。また、イオン交換水、あるいは脱イオン水とも呼ばれ、電気伝導率を１×１０−６Ｓ／ｃｍ程度以下まで下げた水が典型的に使用される。回路の集積度によって、更に高純度なものを使用することがある。これは不純物が極めて少なく、電気伝導率は６×１０−８Ｓ／ｃｍ以下まで下げたものを使用することもある。
【００２８】
本実施形態は、洗浄ユニット４に投入される基板の温度を所定の温度範囲とすることにより、純水へのモリブデン酸化物の溶け出しをなくし、基板へのモリブデン酸化物の付着を防ぐものである。これは、純水へのモリブデン酸化物の溶け出しが、基板温度に起因すると判明したためである。
【００２９】
例えば、本実施形態のように、純水による液体洗浄の前段に紫外線による予備洗浄を実施する場合、紫外線照射熱によって、ＵＶユニット３内を通過する基板が加熱される。そこで、温度の異なる基板を純水に浸漬した結果、純水へのモリブデン酸化物の溶け出しに違いが生じた。表１にＵＶユニット３での処理後の基板温度と基板へのモリブデン酸化物の付着結果を示す。
【００３０】
【表１】
2007096180.tif 000003
【００３１】
表１に示されるように、基板温度が１３０℃以下の温度であれば、基板へのモリブデン酸化物の付着が実質的になくなる。また、搬送速度を遅くして紫外線照射量を増加させた場合でも、モリブデン酸化物の付着はなかった。即ち、基板へのモリブデン酸化物の付着原因となる純水へのモリブデン酸化物の溶け出しは、紫外線照射量に係らず、基板温度に起因することが実験により判明した。
【００３２】
従って、洗浄ユニット４に投入される基板の温度を１３０℃以下の温度にすることによって、純水へのモリブデン酸化物の溶け出しを無くし、ＴＦＴなどへのモリブデン酸化物の付着を防止することができる。
【００３３】
ここで、ＵＶユニット３における紫外線照度を調節することにより、ＵＶユニット３内の温度を下げ、ＵＶユニット３を通過する基板の温度を下げることができる。例えば、ＵＶユニット３に設置されたＵＶランプ９の点灯本数を減らすことによって、紫外線照度が減り、ＵＶユニット３の温度、あるいは基板温度を１３０℃以下の温度に調節することが可能である。
【００３４】
但し、紫外線照度を減らすことにより、必要な紫外線照射量を満たさない場合、搬送速度を遅くし、紫外線照射時間を増やすことが可能である。即ち、紫外線照射量は、紫外線照度とその照射時間の積となるからである。その結果、ＵＶユニット３内の温度を上げることなく、基板１３への紫外線照射量を増加させられる。搬送速度を遅くして紫外線照射量を増やしても、モリブデン酸化物の付着がないことは、実験によって示されている。
【００３５】
なお、洗浄液に浸漬する基板温度は、１３０℃から９０℃の範囲にすることがより好ましい。これにより、紫外線照射量を増加させるために搬送速度を必要以上に遅くすることなく、基板からのモリブデン酸化物の溶け出しを防ぐことができる。但し、室温（２０℃）など、基板温度が９０℃以下の場合も、純水に浸漬することは可能である。
【００３６】
以上により、製造工程を増やすことなく、洗浄液へのモリブデン酸化物の溶け出しをなくすことができる。従って、製造工程を実質的に増加することなく、基板へのモリブデン酸化物の付着をなくし、表示ムラなどの表示不良を防止することができる。
【００３７】
実施の形態２
次に図３を参照し、本発明の実施の形態２について説明する。図３は、実施の形態２に係るＵＶユニット３の構成図である。ＵＶユニット３を含む基板洗浄装置１など、構成要素や動作原理で実施の形態１と同様のものは省略する。
【００３８】
図３に示すように、ＵＶユニット３は、搬送ローラー８、ＵＶランプ９、炉内温度センサ１０、基板温度センサ１１、及びコントローラ７（不図示）を有する。搬送ステージ１２上に設置された基板１３は、搬送ローラー８によってＵＶユニット３の内部を矢印の方向に移動し、紫外線照射される。ＵＶユニット３において、基板表面を紫外線洗浄された後、基板１３は洗浄ユニット４に搬送される。
【００３９】
ここで、基板温度センサ１１は、洗浄ユニット４へ投入される直前の基板温度をモニタするために設置される。同様の目的で、炉内温度センサ１０も設置されるが、製造条件を管理する目的も有す。なお、基板温度センサ１１は、ＵＶユニット３の最後尾に位置し、次段の洗浄ユニット４に投入される直前の基板温度を測定できるように配置する。炉内温度センサ１０及び基板温度センサ１１の温度測定方式については、熱電対、あるいは赤外線によるセンサによるものなど、手段は問わない。コントローラ７は基板温度センサ１１が検出した温度にしたがって、基板洗浄装置１における洗浄処理を制御する。
【００４０】
次に、本実施の形態２に係る作業フローを図４に示す。基板洗浄装置１に投入された基板１３は、一般的に行われる方法によってＦ１２の紫外線処理まで実施される。その後、基板温度センサ１１によって、基板温度を測定する（Ｆ１３）。測定の結果、基板の温度が、所定の温度（１３０℃）以下である場合、洗浄ユニット４に搬送され、純水によって洗浄される（Ｆ１４）。その後は、一般的に行われる方法によって、基板乾燥部５において基板を乾燥し（Ｆ１５）、アンローダ６に収納する（Ｆ１６）。
【００４１】
Ｆ１３による測定の結果、所定の温度より高い温度である場合、洗浄ユニット４への投入はコントローラ７によって中止され、例えば、マニュアルによって基板１３を搬送する（Ｆ１７）。この場合、インターロック機構を使用し、作業を中止することが好適である。なお、これら基板１３の温度モニタや、インターロック機構のオン／オフを含めた、基板洗浄の動作は、コントローラ７によって制御される。
【００４２】
また、基板温度センサ１１は、洗浄ユニット４に投入される直前の基板温度が測定できれば、上記と別の箇所に設置してよい。例えば、基板温度センサ１１をＵＶユニット３の外に設置することも可能である。また、搬送ステージ１２に設置することもできる。
【００４３】
以上の構成により、例えばＵＶユニット３の故障などにより、洗浄ユニット４に投入される直前の基板温度が、所定の温度（１３０℃）より高くなったとしても、基板１３が誤って洗浄ユニット４に投入されることがなくなる。従って、洗浄液がモリブデン酸化物の溶け出しによって、汚染されることを防ぐことができる。
【００４４】
実施の形態３
次に図５を参照し、本発明の実施の形態３について説明する。図５は、実施の形態３に係るＵＶユニット３の構成図である。構成要素や動作原理で実施の形態１と同様のものは省略する。
【００４５】
図５に示すように、本実施形態は、ＵＶユニット３の後に冷却用ブロー１４を配置する。ＵＶユニット３による処理が完了した基板１３の温度が所定の温度以上である場合、基板１３に矢印の方向で冷却ガスを吹き付けるものである。
【００４６】
図６は、実施の形態３に係る作業フローを示す。紫外線処理（Ｆ１２）の後、基板１３の温度測定（Ｆ１３）までは、図４のフローと同様である。Ｆ１３による測定後、基板温度が所定の温度（１３０℃）より高い温度である場合、基板１３を冷却ブロー１４によって冷却する（Ｆ１８）。再度基板１３の温度を測定し、予め定められた所定の温度（１３０℃）以下となった場合、洗浄ユニット４で洗浄する（Ｆ１４）。なお、純水洗浄（Ｆ１４）以降の処理は、図４と同様である。これら基板１３の温度モニタや、冷却作業を含めた基板洗浄の動作は、コントローラ７が制御する。
【００４７】
冷却ブロー１４は、ＵＶユニット３から洗浄ユニット４へ搬送中に実施すると効果的である。それによって、冷却時間を増やすことなく、製造できる。また、冷却ガスは、乾燥空気や乾燥窒素を用いることが好ましい。
【００４８】
また、図７は、実施の形態３に係る別の形態の構成図である。本形態では、基板１３を冷却する手段として、ＵＶユニット３の後に冷却ステージ１５を配置する。ＵＶユニット３による処理が完了した基板１３の温度が所定の温度（１３０℃）よりも高い場合、基板１３を冷却ステージ１５に乗せ、所定の温度となるまで冷却する。
【００４９】
冷却ステージ１５の冷却手段は、冷却水を循環させたり、ペルチェ素子を使用するなど手段は問わない。また、搬送ステージ１２に冷却機構を設け、ＵＶユニット３における紫外線照射と同時に冷却することも可能である。これにより、冷却時間を増やすことなく、製造することが可能である。
【００５０】
以上の構成により、基板１３が所定の温度よりも高い場合、基板洗浄装置１において自動的に冷却することができ、マニュアル作業の必要がなくなる。従って、マニュアル作業のために人手をかける必要がなくなるため、製造コストが削減できる。
【００５１】
また、基板１３の温度が所定の温度よりも高くなる工程を適用することができるため、ＵＶユニット３での紫外線照射条件の制約がなくなる。従って、従来と同様の条件を適用することができ、製造品質を維持できる。そればかりでなく、従来以上の条件を適用することによって、洗浄時間の短縮が図れ、製造コストを削減することが可能となる。
【００５２】
また、本形態は、紫外線処理による前洗浄に限らず、他の処理で基板温度が上昇したものを、冷却するものとして用いることもできる。
【００５３】
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲において、上記の実施形態の各要素を、当業者であれば容易に考えうる内容に変更、追加、変換することができる。例えば、上述した各実施形態は、ソース・ドレイン電極層あるいはゲート配線層にモリブデン材料を使用する場合において説明したが、他配線にモリブデン材料を用いた場合でも同様のことが可能である。
【００５４】
また、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の成膜前洗浄に限らず、モリブデン酸化物を使用した基板製造に関するウェット工程において、同様のことが可能である。例えば、ドライエッチングあるいはアッシングなどのパターニング後のフォトレジスト残渣除去のための洗浄や、めっき工程後の処理などのウェット工程である。また、同様に、前洗浄工程が、紫外線を照射する方式以外の場合においても、本実施形態を適用することが可能である。
【００５５】
更に、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の製造工程を例として本発明の好適な実施形態を説明したが、これに限定されることなくＭｏを含む層を有する基板の製造一般に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る液晶表示用薄膜トランジスタの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る製造装置の構成図を示す。
【図３】本発明の実施の形態２に係るＵＶユニットの構成図を示す。
【図４】本発明の実施の形態２に係る製造フローを示す。
【図５】本発明の実施の形態３に係るＵＶユニットの構成図を示す。
【図６】本発明の実施の形態３に係る製造フローを示す。
【図７】本発明の実施の形態３に係る別の形態を示す図である。
【図８】モリブデン酸化物が付着した液晶表示装置用薄膜トランジスタの断面図である。
【図９】特許文献１によるモリブデン酸化物を除去する方法の模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  基板洗浄装置、  ２  ローダ、  ３  ＵＶユニット
４  洗浄ユニット、  ５  基板乾燥部、  ６  アンローダ
７  コントローラ、  ８  搬送ローラー、  ９  ＵＶランプ
１０  炉内温度センサ、  １１  基板温度センサ、  １２  搬送ステージ
１３  基板、  １４  冷却ブロー、  １５  冷却ステージ
２１  ＴＦＴ、  ２２  透明基板、  ２３  ゲート電極層
２４  ゲート絶縁層、  ２５  半導体層、  ２６  オーミックコンタクト層
２７  ソース電極層、  ２８  ドレイン電極層、  ２９  パッシベーション膜
３０  モリブデン酸化物、  ３１  スルーホール、
３２  モリブデンを含む配線、  ３３  モリブデン酸化物
【図１】
2007096180.tif 000004
【図２】
2007096180.tif 000005
【図３】
2007096180.tif 000006
【図４】
2007096180.tif 000007
【図５】
2007096180.tif 000008
【図６】
2007096180.tif 000009
【図７】
2007096180.tif 000010
【図８】
2007096180.tif 000011
【図９】
2007096180.tif 000012