(57)【要約】      （修正有）【課題】たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。【解決手段】基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置５４の研磨パッド６６を初期コンディショニングするにあたり、研磨パッド６６にドレッサー３８を０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、基板研磨時よりも大きい研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置の研磨パッドを初期コンディショニングするにあたり、
前記研磨パッドにドレッサーを０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、
基板研磨時よりも大きい研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行うことを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項２】
前記研磨パッドは、化学的機械的研磨に使用されることを特徴とする請求項１記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項３】
前記研磨パッドは、電気化学的機械的研磨に使用されることを特徴とする請求項１記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項４】
前記研磨パッドの基板研磨時における研磨圧力が１．５ｐｓｉ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項５】
基板研磨中または基板研磨後のインターバル時に、研磨パッドにドレッサーを０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら研磨パッドを更にコンディショニングすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項６】
前記ドレッサーは、５０μｍ／ｈ以下のドレッシング速度で前記研磨パッドの前記第１のコンディショニングを行うことを特徴とする請求項1乃至５のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法。
【請求項７】
基板の被処理面よりも大きな研磨面を持つ研磨パッドを保持し、電源の一方の極に接続された第１の電極を有する研磨テーブルと、
基板を保持して前記研磨パッドの研磨面に１ｐｓｉ以下の圧力で押圧するトップリングと、
前記電源の他方の極に接続され、前記トップリングで保持して前記研磨パッドの研磨面に押圧した基板の導電膜に接触して給電する１つ以上の電極部材と、フローティング機構を介して前記電極部材をフローティング支持する支持ベースとを有する第２の電極と、
前記研磨パッドの研磨面に液体を供給する液体供給部と、
前記研磨パッドの研磨面をコンディショニングするコンディショニング部と、
前記研磨パッドの研磨面と基板とを相対移動させる移動機構とを有することを特徴とする電解研磨装置。
【請求項８】
前記電極部材は、電極ベースに支持されていることを特徴とする請求項７記載の電解研磨装置。
【請求項９】
前記フローティング機構は、周囲を弾性膜で囲繞して前記電極部材と前記支持ベースとの間に形成した圧力室内に封入した流体の流体圧を介して、電極部材をフローティング支持するように構成されていることを特徴とする請求項７または８記載の電解研磨装置。
【請求項１０】
前記圧力室には、所定の圧力の流体が供給されるよう構成されていることを特徴とする請求項９記載の電解研磨装置。
【請求項１１】
前記第２の電極には、前記電極部材の前記支持ベースから離れる方向及び該支持ベースと水平な方向の移動を規制するストッパが設けられていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の電解研磨装置。
【請求項１２】
電源の一方の極に接続されて研磨テーブルの内部に配置された第１の電極と、電源の他方の極に接続されフローティング支持された電極部材から給電される基板の導電膜との間に電圧を印加し、前記第１の電極と基板の導電膜との間に液体を満たしながら、該導電膜を前記研磨テーブルに取付けた研磨パッドの研磨面に擦り付けて研磨することを特徴とする電解研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨パッドのコンディショニング方法に関し、特に半導体ウェハ等の基板に形成した絶縁膜（層間絶縁膜）内に設けた微細な配線用凹部の内部に埋込んだ銅等の配線材料（金属）を研磨して配線を形成するのに使用される研磨装置の研磨パッドをコンディショニングする研磨パッドのコンディショニング方法に関する。
また、本発明は、半導体ウェハ等の基板の表面に形成された導電性材料を加工したり、基板の表面に付着した不純物を除去したりするのに使用される電解研磨装置及び電解研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、絶縁膜内に設けたトレンチやビアホール等の配線用凹部内に配線金属を埋込むようにした、いわゆるダマシンプロセスが使用されつつある。このダマシンプロセスは、基板上のＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣまたはいわゆるＬｏｗ−ｋ材等からなる絶縁膜（層間絶縁膜）内に配線用凹部を形成し、次いで配線用凹部を含む絶縁膜全表面に、チタン、タンタル、タングステン、ルテニウム及び／またはそれらの合金等からなるバリア膜を形成し、バリア膜の表面にアルミニウム、銅、銀、金またはそれらの合金からなる配線金属膜を形成して配線用凹部内に配線金属を埋込み、その後、配線用凹部以外に形成された余分な配線金属膜及びバリア膜を除去することにより一般に行われる。現状の高速半導体デバイスでは、配線金属として銅または銅合金を採用することが一般的であり、また絶縁膜としてはいわゆるＬｏｗ−ｋ材を採用する方向にある。
【０００３】
ダマシンプロセスにおける配線用凹部の形成はドライエッチング等により、バリア膜の形成はＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤ等のドライプロセスにより行われることが多い。配線金属膜の形成方法としては、電解めっきまたは無電解めっき等のウェットプロセスや、ＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤ等のドライプロセスが挙げられるが、電解めっきで形成することが広く行われている。バリア膜の導電性が低い場合に電解めっきで配線金属膜を形成する際には、バリア膜の成膜に連続して該バリア膜の表面に給電用のシード膜を事前に形成しておくことが広く行われている。配線金属膜を形成した後の基板表面には、配線金属膜が配線パターンに起因した凹凸を有した状態で存在しており、このため、一般に、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、電解研磨、電気化学的機械的研磨等のいわゆる平坦化法で、先ず配線金属膜表面の凹凸を平坦化した後に配線用凹部以外の余分な配線金属膜及びバリア膜の除去するようにしている。
【０００４】
図１は、半導体装置における銅配線形成例を工程順に示す。図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材３０１上の導電層３０１ａの上に、例えばＳｉＯ２やＬｏｗ−ｋ材からなる絶縁膜３０２を堆積し、この絶縁膜３０２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によりビアホール３０３とトレンチ３０４を形成し、その上にＴａもしくはＴａＮ等からなるバリア膜３０５、更にその上に電解めっきの給電膜としてのシード膜３０６をスパッタリング等により形成する。
【０００５】
そして、図１（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Ｗのビアホール３０３及びトレンチ３０４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜３０２上に配線金属膜としての銅膜３０７を堆積させる。その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）等により、絶縁膜３０２上の銅膜３０７、シード膜３０６及びバリア膜３０５を除去して、ビアホール３０３及びトレンチ３０４に充填させた銅膜３０７の表面と絶縁膜３０２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３０２の内部にシード膜３０６と銅膜３０７からなる配線３０８を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
微細配線を形成する時の研磨工程で配線部にディッシングやエロージョンが生じると、配線断面積が減少して配線抵抗の上昇を引き起こす。このため、ディッシングやエロージョンを最小にすることが求められる。特に６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線を形成する時にはその要求が強い。
【０００７】
ここで、ディッシング及びエロージョンに影響を及ぼす因子の１つとして、研磨工程で使用する研磨パッドの表面状態（表面荒れ等）が挙げられる。研磨パッドの表面状態は、通常、ドレッサー等によるコンディショニングにより決定される。この際、研磨パッドの表面荒れが大きいと、研磨速度は上昇するが、研磨パッドが配線金属膜表面の凹部や配線用凹部に接触するために研磨が生じ、平坦化性能の劣化及びディッシングやエロージョン発生の原因となる。一方で研磨パッドの表面荒れが小さいと、研磨工程で使用する研磨剤（スラリー）の保持能力の劣化や、研磨パッドの基板へのメカニカルな作用が減少することにより、研磨速度の低下や基板面内での研磨速度の均一性の悪化に影響する。従って、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるよう、研磨パッド表面をいかにコンディショニングするかが課題となる。
【０００８】
半導体装置の製造プロセスにおいて、Ｌｏｗ−ｋ材などの脆弱な材料を加工する場合には、素材の座屈等による破壊が懸念される。一般に、基板の導電膜と対極電極との間に電圧を印加しながら、基板の導電膜に研磨パッドを擦り付けて該導電膜を研磨する電解研磨では、基板の導電膜と研磨パッドとの接触による荷重の他に、基板の導電膜に給電を行う給電電極と基板との接触による荷重で材料自身の破壊を引き起こす可能性が有る。このため、基板に高荷重がかかることを避ける必要がある。
【０００９】
ここで、基板の導電膜に給電電極を接触させて給電する方式としては、ピン接触を利用したものや、導電性パッドを用いたもの等が挙げられる。しかし、基板の導電膜と給電電極との接触量を、板バネやコイルといった弾性体によって調整するようにした場合、微小な接触圧力を任意に調整することは一般に困難である。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスを製造する基板であっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにした研磨パッドのコンディショニング方法を提供することを第１の目的とする。
また、本発明は、特に微小な圧力領域での接触圧力の制御を可能にして、脆弱な材料を加工する場合においても、基板に形成されたデバイスを破壊することなく研磨を行うことができるようにした電解研磨方法及び電解研磨方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置の研磨パッドを初期コンディショニングするにあたり、前記研磨パッドにドレッサーを０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、基板研磨時よりも大きい、好ましくは２倍以上の研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行うことを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法である。
【００１２】
このように、研磨パッドにドレッサーを０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニング（ドレッシング）を行い、しかる後、基板研磨時よりも大きい、好ましくは２倍以上、より好ましくは３倍以上の研磨圧力下でダミー基板を研磨して第２のコンディショニング（ならし研磨）を行って、研磨パッドの交換後等に研磨パッドの初期コンディショニングを行うことで、研磨パッドの過度な初期コンディショニングを抑制することができる。このダミー基板研磨工程を行うことにより、パッド全体でのうねりを解消することができる。この結果、最適な初期コンディショニングとダミー基板研磨を行った研磨パッドを使用して研磨を行うことで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、金属膜等を研磨することができる。ここで、ドレッサー押付圧力は、ドレッサーに加えられる荷重とドレッサーの研磨面への接触面積から算出した値である。
【００１３】
ダミー基板は、製品となるデバイス用ウェハ（基板）と同形状に作られ、デバイス用ウェハの研磨に先行して装置の試験運転に用いられるテスト用基板である。ダミー基板は、一例としてＳｉＣで形成され、場合によっては、表面にデバイス用ウェハと同じく銅膜や絶縁膜等が形成されている。通常は、ダミー基板による試験研磨は、デバイス用ウェハと同じ条件で行われるが、この発明では、ダミー基板によるならし研磨（第２のコンディショニング）を、１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以上、即ちデバイス用ウェハで想定される研磨圧力よりも大きい、好ましくは２倍以上、より好ましくは３倍以上の圧力で行う。このように、高面圧でならし研磨を行うことで、第１のコンディショニングにより表面が過度に荒れた研磨パッドの表面をならす（condition）ことができ、研磨後のデバイス用ウェハの面内均一性を向上し、かつ研磨速度も向上させることができる。なお、これらの数値は実験により得られたものである。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記研磨パッドは、化学的機械的研磨に使用されることを特徴とする請求項１記載の研磨パッドのコンディショニング方法である。
化学的機械的研磨では、通常、独立または連続発泡ポリウレタンやポリエステル不織布等からなる研磨パッドが使用される。このため、化学的機械的研磨で使用される研磨パッドを初期コンディショニングするにあたり、低荷重により第１のコンディショニング（ドレッシング）を行い、しかる後、基板研磨時よりも大きい、好ましくは２倍以上の研磨圧力でダミー基板の研磨する第２のコンディショニング（ならし研磨）を行うことで、研磨パッドの過度なコンディショニングを抑制し、結果として、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ化学的機械的研磨を行うことができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記研磨パッドは、電気化学的機械的研磨に使用されることを特徴とする研磨パッドのコンディショニング方法である。
電気化学的機械的研磨とは、電解除去作用と機械的な研磨作用の双方により研磨が行われるようにした研磨方法であり、電気化学的機械的には、基板を研磨パッドに押付けスクラブ作用を伴って研磨するものや、砥粒を伴って研磨するものが含まれる。
電気化学的機械的研磨においても、独立または連続発泡ポリウレタンやポリエステル不織布、更にはＰＶＡスポンジや導電性パッド等からなる研磨パッドが一般に使用される。このため、電気化学的機械的研磨で使用される研磨パッドを最適な状態に初期コンディショニングすることで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ電気化学的機械的研磨を行うことができる。
【００１６】
例えば、金属膜の大部分の研磨除去を、電解作用のみから砥粒を伴わずに研磨が行われる電解研磨で行うことが好ましく、これにより、金属膜の大部分の研磨除去を低ダメージで行って、研磨工程による配線構造に対するダメージを大きく低減できる。通常、電解研磨工程は、その後に化学的機械的研磨が続くなど、他の研磨工程と併せて用いられることが多く、その後の化学的機械的研磨等に用いる研磨パッドを最適な状態に初期コンディショニングすることで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制できる。
【００１７】
電解研磨を、電解液として超純水を使用した超純水電解研磨で行うことが好ましい。超純水電解研磨は、電極に水の電気分解を促進させる触媒材料（例えばイオン交換体）を配置し、水の電気分解により発生したＯＨ−イオンもしくはＨ＋イオンと被加工物との電気化学的相互作用により材料を研磨するようにしたもので、純水（超純水）のみを使用して基板を加工することができ、これによって、基板の表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくして、加工除去加工後の洗浄工程を簡略化できるばかりでなく、廃液処理の負荷を極めて小さくすることができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記研磨パッドの基板研磨時における研磨圧力が１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法である。
特に基板を研磨する時に加えられる研磨圧力が低圧化するにつれ、研磨パッドと基板との接触状態が研磨特性に大きく影響する。前述のようにして最適な状態に初期コンディショニングした研磨パッドを使用することで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、研磨パッドの基板研磨時における研磨圧力を１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下とした研磨を行うことができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、基板研磨中または基板研磨後のインターバル時に、研磨パッドにドレッサーを０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の押付圧力で押付けながら研磨パッドを更にコンディショニングすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法である。
これにより、初期コンディショニングにて最適化された研磨パッドの表面をより長期に亘って最適な状態に維持することができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、前記ドレッサーは、５０μｍ／ｈ以下のドレッシング速度で前記研磨パッドの前記第１のコンディショニングを行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の研磨パッドのコンディショニング方法である。
通常のドレッサーは、ドレス面にダイヤモンド砥粒が電着やモールド等で固定されている。ドレッサーのドレッシング速度を低減させる方法には、（１）ドレス面の砥粒形状を凸部の少ない形状（ブロッキードレッサー）にする、（２）ドレス面の砥粒番手を大きくする（例えば＃２００以上）、（３）ドレッサーの押付荷重を低減する、（４）研磨パッドとドレッサーとの間の相対速度を減少する、等が挙げられる。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、基板の被処理面よりも大きな研磨面を持つ研磨パッドを保持し、電源の一方の極に接続された第１の電極を有する研磨テーブルと、基板を保持して前記研磨パッドの研磨面に１ｐｓｉ以下の圧力で押圧するトップリングと、前記電源の他方の極に接続され、前記トップリングで保持して前記研磨パッドの研磨面に押圧した基板の導電膜に接触して給電する１つ以上の電極部材と、フローティング機構を介して前記電極部材をフローティング支持する支持ベースとを有する第２の電極と、前記研磨パッドの研磨面に液体を供給する液体供給部と、前記研磨パッドの研磨面をコンディショニングするコンディショニング部と、前記研磨パッドの研磨面と基板とを相対移動させる移動機構とを有することを特徴とする電解研磨装置である。
【００２２】
このように、基板よりも大きな面積の第１の電極（加工電極）をテーブルに固定し、一般に第１の電極ほどの面積を必要とせず、１点または２点程度の給電箇所に設けられる第２の電極（給電電極）の電極部材をフローティング支持して基板の導電膜に接触させることで、第２の電極による基板の導電膜に対する確実な給電を行いつつ、特に微小な圧力領域での接触圧力の制御を可能にして、脆弱な材料を加工する場合においても、基板に形成されたデバイスを破壊することなく研磨を行うことができる。
【００２３】
請求項８に記載の発明は、前記電極部材は、電極ベースに支持されていることを特徴とする請求項７記載の電解研磨装置である。
電極部材として、例えば導電性パッド等の剛性の低いものを使用した場合に、電極部材を剛性の高い電極ベースで支持して補強することで、電極部材の十分な剛性を確保することができる。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、前記フローティング機構は、周囲を弾性膜で囲繞して前記電極部材と前記支持ベースとの間に形成した圧力室内に封入した流体の流体圧を介して、電極部材をフローティング支持するように構成されていることを特徴とする請求項７または８記載の電解研磨装置である。
【００２５】
請求項１０に記載の発明は、前記圧力室には、所定の圧力の流体が供給されるよう構成されていることを特徴とする請求項９記載の電解研磨装置である。
これにより、圧力室内に供給する流体の圧力を調整することで、電極部材が基板の導電膜に接触する圧力を任意に制御することができる。従って、基板と電極部材との間に発生する面圧を、半導体デバイスを破壊する圧力よりも小さく抑えるように制御することができ、脆弱な材料を破壊することなく基板を加工することができる。
【００２６】
請求項１１に記載の発明は、前記第２の電極には、前記電極部材の前記支持ベースから離れる方向及び該支持ベースと水平な方向の移動を規制するストッパが設けられていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の電解研磨装置である。
これにより、電極部材が基板に接触していない非加工時に、電極部材が支持ベースから離脱することを防止するとともに、加工中に電極部材と基板との間に生じする摩擦力によって、電極部材が支持ベースと水平な方向へ移動してしまうことを防止することができる。
【００２７】
請求項１２に記載の発明は、電源の一方の極に接続されて研磨テーブルの内部に配置された第１の電極と、電源の他方の極に接続されフローティング支持された電極部材から給電される基板の導電膜との間に電圧を印加し、前記第１の電極と基板の導電膜との間に液体を満たしながら、該導電膜を前記研磨テーブルに取付けた研磨パッドの研磨面に擦り付けて研磨することを特徴とする電解研磨方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の研磨パッドのコンディショニング方法によれば、研磨パッドを最適な状態に初期コンディショニングすることができ、この結果、このような初期コンディショニングを行った研磨パッドを使用することで、たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスを製造する基板であっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨することができる。
【００２９】
本発明の電解研磨方法及び電解研磨装置によれば、第２の電極による基板の導電膜に対する確実な給電を行いつつ、特に微小な圧力領域での接触圧力の制御を可能にして、脆弱な材料を加工する場合においても、基板に形成されたデバイスを破壊することなく研磨を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図２は、本発明が適用される研磨装置の配置構成を示す平面図である。この研磨装置は、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に銅めっきを施すことで、ビアホール３０３及びトレンチ３０４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜３０２上に配線金属膜としての銅膜３０７を堆積させた基板Ｗを用意し、この基板の表面に研磨処理を施して絶縁膜３０２上の銅膜３０７、シード膜３０６及びバリア膜３０５を除去することで、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３０２の内部にシード膜３０６と銅膜３０７からなる配線３０８を形成するのに使用される。
【００３１】
この研磨装置は、配線金属膜としての銅膜３０７を有する多数の基板Ｗ（図１（ｂ）参照）をストックする基板カセット１を載置するロードアンロードステージ２を４つ備えている。ロードアンロードステージ２上の各基板カセット１に到達可能となるように、走行機構３の上に２つのハンドを有した搬送ロボット４が配置されている。走行機構３にはリニアモータからなる走行機構が採用されている。リニアモータからなる走行機構を採用することにより、大口径化し重量が増した基板の高速且つ安定した搬送ができる。
【００３２】
この例では、基板カセット１を載置するロードアンロードステージ２として、ＳＭＩＦ(Standard  Manufacturing  Interface)ポッドまたはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を用い、ロードアンロードステージが外付けされている。ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、中に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。ＳＭＩＦもしくはＦＯＵＰを、研磨装置のロードアンロードステージ２に設置した場合、ハウジング４６に設けられたシャッタ５２及びＳＭＩＦもしくはＦＯＵＰ側のシャッタが開くことにより、研磨装置と基板カセット１が一体化する。ＳＭＩＦもしくはＦＯＵＰは、研磨工程が終わるとシャッタを閉じ、研磨装置と分離し、別の処理工程へ自動もしくは手動で搬送されるため、その内部雰囲気を清浄に保っておく必要がある。
【００３３】
そのため、基板が基板カセット１に戻る直前に通る領域Ａの上部には、ケミカルフィルタを通して清浄な空気のダウンフローが形成されている。また、搬送ロボット４の移動にリニアモータを用いているため、発塵が抑えられ、領域Ａの雰囲気をより正常に保つことができる。
なお、基板カセット１内の基板を清浄に保つために、ＳＭＩＦやＦＯＵＰの様な密閉容器にケミカルフィルタやファンを内蔵し、自らクリーン度を維持するクリーンボックスを用いるようにしてもよい。
【００３４】
搬送ロボット４の走行機構３を対称軸に、基板カセット１とは反対側に２台の乾燥ユニット５，６が配置されている。各乾燥ユニット５，６は、搬送ロボット４のハンドが到達可能な位置に配置されている。また２台の乾燥ユニット５，６の間で、搬送ロボット４が到達可能な位置に、４つの基板載置台７，８，９，１０を備えた基板ステーション５０が配置されている。
【００３５】
乾燥ユニット５，６と基板ステーション５０が配置されている領域Ｂと、基板カセット１と搬送ロボット４が配置されている領域Ａのクリーン度を分けるために隔壁１４が配置され、互いの領域の間で基板を搬送するための隔壁１４の開口部にシャッタ１１が設けられている。乾燥ユニット５と３つの基板載置台７，９，１０に到達可能な位置に搬送ロボット２０が配置されており、乾燥ユニット６と３つの基板載置台８，９，１０に到達可能な位置に搬送ロボット２１が配置されている。
【００３６】
乾燥ユニット５と隣接するように搬送ロボット２０のハンドが到達可能な位置に洗浄ユニット２２が配置されている。また、乾燥ユニット６と隣接するように搬送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に洗浄ユニット２３が配置されている。
乾燥ユニット５，６、洗浄ユニット２２，２３、基板ステーション５０の基板載置台７，８，９，１０及び搬送ロボット２０，２１は全て領域Ｂの中に配置されていて、領域Ａ内の気圧よりも低い気圧に調整されている。
【００３７】
この研磨装置は、各機器を囲むようにハウジング（図示せず）を有しており、前記ハウジング内は隔壁１４、隔壁２４Ａ，２４Ｂにより複数の部屋（領域Ａ、領域Ｂを含む）に区画されている。
隔壁２４Ａ，２４Ｂによって、領域Ｂと区分された２つの研磨室が形成される２つの領域Ｃ，Ｄに区分されている。そして、一方の領域Ｃには、本発明の実施の形態の電解研磨装置（電気化学的機械的研磨装置）５４からなる第１の研磨ユニットが配置され、他方の領域Ｄには、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）装置５６からなる第２の研磨ユニットが配置されている。
【００３８】
即ち、領域Ｃ内に配置された電解研磨装置（第１の研磨ユニット）５４は、研磨テーブル３４，３６、トップリング３２、研磨テーブル３４の研磨パッド６６（図３及び図４参照）に研磨液（電解液）を供給する研磨液供給ノズル４０、研磨テーブル３４の研磨パッド６６のドレッシングを行うためのドレッサー３８及び研磨テーブル３６の研磨パッドのドレッシングを行うためのドレッサー４８を有している。一方、領域Ｄ内に配置されたＣＭＰ装置（第２の研磨ユニット）５６は、研磨テーブル３５，３７、トップリング３３、研磨テーブル３５の研磨パッド８０（図８参照）に研磨液を供給するための研磨液供給ノズル４１、研磨テーブル３５の研磨パッド８０のドレッシングを行うためのドレッサー３９及び研磨テーブル３７の研磨パッドのドレッシングを行うためのドレッサー４９とを有している。
【００３９】
なお、この例では、電解研磨装置５４及びＣＭＰ装置５６として、共に２つの研磨テーブルを備えたものを使用することで、更に多段に亘る研磨を行えるようにしているが、一方の研磨テーブル３６，３７を省略するようにしてもよい。
【００４０】
電解研磨装置５４は、機械的ドレッサー３８の他に、流体圧によるドレッサーとしてのアトマイザ４４を備え、ＣＭＰ装置５６は、機械的にドレッサー３９の他に、流体圧によるドレッサーとしてのアトマイザ４５を備えている。アトマイザとは、例えば液体（例えば純水）と気体（例えば窒素）の混合流体を霧状にして、複数のノズルから研磨面に噴射するものである。アトマイザの主な目的は、研磨面上に堆積、目詰まりした研磨カス、研磨粒子等を洗い流すことである。アトマイザの流体圧による研磨面の浄化（アトマイジング）と、機械的接触であるドレッサー３８，３９による研磨面の目立て（ドレッシング）作業により、より望ましいコンディショニング、即ち研磨面の再生を達成することができる。
【００４１】
図３及び図４は、電解研磨装置５４の要部を示す。電解研磨装置５４の研磨テーブル３４は、例えば白金等のイオン化傾向が低い材質、特に銅等の被研磨対象物よりもイオン化傾向が低い材質で構成されている。この研磨テーブル３４の上面には、電源６０の一方の極に接続された円板状の第１の電極（カソード）６２と、電源６０の他方の極に接続された棒状の第２の電極（アノード）６４が互いに電気的に絶縁されて配置されている。第１の電極６２上面は、その全域に亘って研磨パッド６６で覆われており、この研磨パッド６６の上面が研磨面６６ａとなっている。
【００４２】
第２の電極６４は、トップリング３２で保持した基板Ｗを下降させ、基板Ｗの表面（下面）を研磨パッド６６の研磨面６６ａに接触させた時、この上端面が基板Ｗの表面に接触して、基板Ｗの表面に形成した銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜に給電できるようになっている。トップリング３２は、このトップリング３２で保持した基板を、研磨パッド６６の研磨面６６ａに、例えば１ｐｓｉ（約７ｋＰａ）以下の押付圧力で押付るように構成されている。
【００４３】
研磨パッド６６は、この例では全面には多数の貫通する貫通孔を有するニッタ・ハース社製のＩＣ−１０００から構成されている。これにより、この貫通孔内に流入する研磨液を介して、第２の電極６４に接続された基板Ｗの表面と第１の電極６２と間に電流が流れて電気化学的研磨が行われる。なお、全面に渡って貫通孔があれば、研磨パッド６６全体は、格子状または円環状の溝が形成されたものであってもよい。また、研磨パッド６６自体に通液性があれば、必ずしも研磨パッド６６に貫通孔が開いていなくてもよい。
【００４４】
図５（ａ）は、第２の電極６４の詳細を示す。図５（ａ）に示すように、第２の電極６４は、電源６０（図４参照）の陽極から延びる導線１００に電気的に接続された電極部材１０２と、フローティング機構１０４を介して、電極部材１０２をフローティング支持（浮上支持）する支持ベース１０６を有している。このフローティング機構１０４は、電極部材１０２と支持ベース１０６との間に挟まれ、周囲を伸縮自在なベローズ状の弾性膜１０８で囲繞した圧力室１１０を有しており、支持ベース１０６には、圧力室１１０内に圧力を制御した流体を導入する流体導入口１０６ａが設けられている。これによって、圧力室１１０内に封入した流体の流体圧を介して、電極部材１０２をフローティング支持するように構成されている。
【００４５】
このように、電極部材１０２を支持ベース１０６上にフローティング機構１０４を介してフローティング支持することで、電極部材１０２の上面を基板Ｗの表面に形成した銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜により均一な接触圧力で確実に接触させて給電することができる。しかも、圧力室１１０内に供給する流体の圧力を調整することにより、電極部材１０２が基板Ｗに接触する圧力を任意に制御することができるので、電極部材１０２と基板Ｗとの間に発生する面圧を、半導体デバイスを破壊する圧力よりも小さく抑えるように制御して、脆弱な材料を破壊することなく基板を加工することができる。
【００４６】
支持ベース１０６の周縁部には、電極部材１０２の上方への動きと、左右方向の動きを規制するストッパ１１２が立設されている。つまり、このストッパ１１２の上端には、内方に膨出する膨出部１１２ａが設けられ、一方、電極部材１０２には段部１０２ａが設けられており、この膨出部１１２ａと段部１０２ａとが係合することで、電極部材１０２の上方への動きが規制される。また膨出部１１２ａの内周面と電極部材１０２の段部１０２ａの上方に設けられた小径部外周面とが摺接することで、電極部材１０２の傾動が阻害されることなく、この左右方向の動きが規制される。
【００４７】
このように、電極部材１０２の上方への動きを規制することで、電極部材１０２が基板Ｗに接触していない非加工時に、電極部材１０２が支持ベース１０６から離脱することを防止するとともに、加工中に電極部材１０２と基板Ｗとの間に生じる摩擦力によって、電極部材１０２が基板Ｗと共に支持ベース１０６と水平な方向へ移動してしまうことを防止することができる。
【００４８】
上記の例は、電極部材１０２がメタルまたは導電性酸化物等の剛性の高い材料で構成されている場合を示している。電極部材１０２が導電性パッド等の剛性の低い材料で構成されている場合には、図５（ｂ）に示すように、電極部材１０２を剛性の高い電極ベース１１４で支持して補強し、支持ベース１０６と電極ベース１１４との間にフローティング機構１０４を介装することで、電極部材１０２の十分な剛性を確保することができる。この電極ベース１１４は、導電体であっても、絶縁体であってもよい。
【００４９】
トップリング３２は、回転自在で、研磨テーブル３４上の所定の研磨位置と、プッシャー３０（図２参照）の上方位置との間を移動自在なトップリング駆動軸６８の下端に連結されている。トップリング３２の詳細を図６及び図７に示す。
【００５０】
図６に示すように、トップリング３２は、内部に収容空間を有する円筒容器状のトップリング本体２０２と、トップリング本体２０２の下端に固定されたリテーナリング２０３を備えている。トップリング本体２０２は、例えば金属やセラミックス等の強度及び剛性が高い材料から形成されている。リテーナリング２０３は、例えば剛性の高い樹脂材又はセラミックス等から形成されている。
【００５１】
トップリング本体２０２は、円筒容器状のハウジング部２０２ａと、ハウジング部２０２ａの円筒部の内側に嵌合される環状の加圧シート支持部２０２ｂと、ハウジング部２０２ａの上面の外周縁部に嵌合された環状のシール部２０２ｃとを備えている。トップリング本体２０２のハウジング部２０２ａの下面に固定されているリテーナリング２０３の下部は内方に突出している。なお、リテーナリング２０３をトップリング本体２０２と一体的に形成してもよい。
【００５２】
トップリング本体２０２のハウジング部２０２ａの中央部上方には、トップリング駆動軸６８が配設されており、トップリング本体２０２とトップリング駆動軸６８とは自在継手部２１０により連結されている。この自在継手部２１０は、トップリング本体２０２及びトップリング駆動軸６８とを互いに傾動可能とする球面軸受け機構と、トップリング駆動軸６８の回転をトップリング本体２０２に伝達する回転伝達機構とを備えており、トップリング本体２０２のトップリング駆動軸６８に対する傾動を許容しつつ、トップリング駆動軸６８の押圧力及び回転力をトップリング本体２０２に伝達する。
【００５３】
球面軸受け機構は、トップリング駆動軸６８の下面の中央に形成された球面状凹部６８ａと、ハウジング部２０２ａの上面の中央に形成された球面状凹部２０２ｄと、両凹部６８ａ，２０２ｄ間に介装された、セラミックスのような高硬度材料からなるベアリングボール２１２とから構成されている。回転伝達機構は、トップリング駆動軸６８に固定された駆動ピン（図示せず）とハウジング部２０２ａに固定された被駆動ピン（図示せず）とから構成される。トップリング本体２０２が傾いても被駆動ピンと駆動ピンは相対的に上下方向に移動可能であるため、これらは互いの接触点をずらして係合して、回転伝達機構がトップリング駆動軸６８の回転トルクをトップリング本体２０２に確実に伝達する。
【００５４】
トップリング本体２０２及びトップリング本体２０２に一体に固定されたリテーナリング２０３の内部に画成された空間内には、トップリング３２によって保持される半導体ウェハ等の基板Ｗに当接する弾性パッド２０４と、環状のホルダーリング２０５と、弾性パッド２０４を支持する概略円盤状のチャッキングプレート２０６とが収容されている。弾性パッド２０４は、その外周部がホルダーリング２０５と該ホルダーリング２０５の下端に固定されたチャッキングプレート２０６との間に挟み込まれており、チャッキングプレート２０６の下面を覆っている。これにより弾性パッド２０４とチャッキングプレート２０６との間には空間が形成されている。
【００５５】
ホルダーリング２０５とトップリング本体２０２との間には弾性膜からなる加圧シート２０７が張設されている。加圧シート２０７は、一端をトップリング本体２０２のハウジング部２０２ａと加圧シート支持部２０２ｂとの間に挟み込み、他端をホルダーリング２０５の上端部２０５ａとストッパ部２０５ｂとの間に挟み込んで固定されている。トップリング本体２０２、チャッキングプレート２０６、ホルダーリング２０５、及び加圧シート２０７によって、トップリング本体２０２の内部に圧力室２２１が形成されている。図６に示すように、圧力室２２１には、チューブやコネクタ等からなる流体路２３１が連通されており、圧力室２２１は、流体路２３１内に設置されたレギュレータを介して圧縮空気源に接続されている。なお、加圧シート２０７は、例えばエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリウレタンゴム、シリコンゴムなどの強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
【００５６】
なお、加圧シート２０７がゴムなどの弾性体からなり、加圧シート２０７をリテーナリング２０３とトップリング本体２０２との間に挟み込んで固定した場合には、弾性体としての加圧シート２０７の弾性変形によってリテーナリング２０３の下面において好ましい平面が得られなくなってしまう。従って、これを防止するため、この例では、別部材として加圧シート支持部２０２ｂを設けて、加圧シート２０７をトップリング本体２０２のハウジング部２０２ａと加圧シート支持部２０２ｂとの間に挟み込んで固定している。
【００５７】
弾性パッド２０４とチャッキングプレート２０６との間に形成される空間の内部には、弾性パッド２０４に当接する当接部材としてのセンターバッグ２０８（中心部当接部材）及びリングチューブ２０９（外側当接部材）が設けられている。この例においては、図６及び図７に示すように、センターバッグ２０８は、チャッキングプレート２０６の下面の中心部に配置され、リングチューブ２０９は、このセンターバッグ２０８の周囲を取り囲むようにセンターバッグ２０８の外側に配置されている。なお、弾性パッド２０４、センターバッグ２０８及びリングチューブ２０９は、加圧シート２０７と同様に、例えばエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリウレタンゴム、シリコンゴム等の強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
【００５８】
チャッキングプレート２０６と弾性パッド２０４との間に形成される空間は、上記センターバッグ２０８及びリングチューブ２０９によって複数の空間に区画されており、これによりセンターバッグ２０８とリングチューブ２０９の間には圧力室２２２が、リングチューブ２０９の外側には圧力室２２３がそれぞれ形成されている。
【００５９】
センターバッグ２０８は、弾性パッド２０４の上面に当接する弾性膜２８１と、弾性膜２８１を着脱可能に保持するセンターバッグホルダー２８２（保持部）とから構成されている。センターバッグホルダー２８２にはねじ穴２８２ａが形成されており、このねじ穴２８２ａにねじ２５５を螺合させることにより、センターバッグ２０８がチャッキングプレート２０６の下面の中心部に着脱可能に取付けられている。センターバッグ２０８の内部には、弾性膜２８１とセンターバッグホルダー２８２とによって中心部圧力室２２４が形成されている。
【００６０】
同様に、リングチューブ２０９は、弾性パッド２０４の上面に当接する弾性膜２９１と、弾性膜２９１を着脱可能に保持するリングチューブホルダー２９２（保持部）とから構成されている。リングチューブホルダー２９２にはねじ穴２９２ａが形成されており、このねじ穴２９２ａにねじ２５６を螺合させることにより、リングチューブ２０９がチャッキングプレート２０６の下面に着脱可能に取付けられている。リングチューブ２０９の内部には、弾性膜２９１とリングチューブホルダー２９２とによって中間部圧力室２２５が形成されている。
【００６１】
圧力室２２２，２２３、中心部圧力室２２４及び中間部圧力室２２５には、チューブやコネクタ等からなる流体路２３３，２３４，２３５，２３６がそれぞれ連通されており、各圧力室２２２〜２２５は、それぞれの流体路２３３〜２３６内に設置されたレギュレータを介して、供給源としての圧縮空気源に接続されている。なお、上記流体路２３１，２３３〜２３６は、トップリング駆動軸６８の上端部に設けられたロータリージョイント（図示せず）を介して、各レギュレータに接続されている。
【００６２】
上述したチャッキングプレート２０６の上方の圧力室２２１及び上記圧力室２２２〜２２５には、各圧力室に連通される流体路２３１，２３３〜２３６を介して加圧空気等の加圧流体又は大気圧や真空が供給されるようになっている。このように、レギュレータによって各圧力室２２１〜２２５の内部の圧力を独立に可変とすることにより、弾性パッド２０４を介して基板Ｗを研磨パッド６６に押圧する押圧力を基板Ｗの部分（区画領域）毎に調整することができる。
【００６３】
次に、このように構成されたトップリング３２の研磨時における動作について説明する。研磨時には、トップリング３２の下面に基板Ｗを保持させるとともに、トップリング駆動軸６８に連結されたシリンダを作動させてトップリング３２の下端に固定されたリテーナリング２０３を所定の押圧力で研磨テーブル３４の研磨パッド６６の研磨面６６ａに押圧する。この状態で、圧力室２２２，２２３、中心部圧力室２２４及び中間部圧力室２２５にそれぞれ所定の圧力の加圧流体を供給し、基板Ｗを研磨テーブル３４の研磨パッド６６の研磨面６６ａに押圧する。
【００６４】
この時、基板Ｗは、フローティング機構１０４を介してフローティング支持された第２の電極６４の電極部材１０２に接触して、基板Ｗの表面に設けられた銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜への給電が可能となる。特に、この例の場合、基板Ｗは、トップリング３２にフローティング支持されており、フローティング機構１０４を介して第２の電極６４の電極部材１０２をフローティング支持する相乗効果で、電極部材１０２を基板Ｗにより均一な接触圧力で確実に接触させることができる。
【００６５】
そして、電源６０を介して、第１の電極６２と基板Ｗの表面に設けられた銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜との間に電圧を印加しながら、研磨液供給ノズル４０から研磨液を流すことにより、研磨パッド６６に研磨液が保持され、基板Ｗの研磨される面（下面）と研磨パッド６６の研磨面６６ａとの間に研磨液が存在した状態で基板Ｗの下面の研磨が行われる。
【００６６】
研磨中に、リテーナリング２０３が研磨パッド６６を押圧する押圧力と、基板Ｗを研磨パッド６６に押圧する押圧力を適宜調整することにより、基板Ｗの中心部（図７のＣ１）、中心部から中間部（Ｃ２）、外方部（Ｃ３）、そして周縁部（Ｃ４）、更には基板Ｗの外側にあるリテーナリング２０３の外周部までの各部分における研磨圧力の分布を所望の値とすることができる。
【００６７】
ドレッサー３８は、下面にダイヤモンド粒を埋込んだ部材（ダイヤモンドペレット等）、セラミック材等の硬質材、またはブラシからなる複数の円形の突起３８ａを周縁部下面にリング状に取付けて構成され、回転自在で、研磨テーブル３４上の所定のドレッシング位置と該ドレッシング位置の側方の退避位置との間を移動自在なドレッサー駆動軸７０の下端に連結されている。
【００６８】
研磨液供給ノズル４０は、長さ方向に沿って多数の研磨液供給口４０ａを有し、研磨テーブル３４の上方を半径方向に沿って延びるように配置されている。アトマイザ４４もほぼ同様に、長さ方向に沿って多数の供給口を有し、研磨テーブル３４の上方を半径方向に沿って延びるように配置されている。
なお、図示しないが、研磨テーブル３４の上方には、研磨パッド６６に純水を供給する純水供給ノズル及びドレッシング液を供給するドレッシング液供給ノズルが必要に応じて配置される。
【００６９】
この電解研磨装置５４にあっては、研磨パッド６６を交換した後等に研磨パッド６６の初期コンディショニングを行う。つまり、先ず、ドレッサー３８を待避位置から研磨パッド６６の上方位置に移動させ、しかる後、ドレッサー３８の下面（ドレッシング面）を研磨パッド６６の研磨面（表面）６６ａに０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の所定の押付圧力で押付けながら、両者を相対的に移動させ、同時に研磨パッド６６の研磨面６６ａにドレッシング液を供給して、研磨パッド６６の研磨面６６ａの第１のコンディショニング（ドレッシング）を行う。この第１のコンディショニング時間は、５〜３０分であることが好ましく、これにより、研磨に使用できるまで研磨パッド６６の研磨面６６ａを平坦にし、かつ研磨面６６ａの全面を充分に同じ状態に目立てることができる。
【００７０】
ドレッサー３８は、この例では、５０μｍ／ｈ以下のドレッシング速度で研磨パッド６６の前記第１のコンディショニング（ドレッシング）を行うようにしている。通常のドレッサーは、ドレス面にダイヤモンド砥粒が電着やモールド等で固定されている。ドレッサーのドレッシング速度を低減させる方法には、（１）ドレス面の砥粒形状を凸部の少ない形状（ブロッキードレッサー）にする、（２）ドレス面の砥粒番手を大きくする（例えば＃２００以上）、（３）ドレッサーの押付荷重を低減する、（４）研磨パッドとドレッサーとの間の相対速度を減少する、等が挙げられる。
【００７１】
その後、研磨装置内に搬入したダミー基板をトップリング３２で保持し、このダミー基板を研磨テーブル３４上の所定の研磨位置まで移動させる。しかる後、トップリング３２を回転させながら下降させて、ダミー基板の表面（下面）を回転している研磨パッド６６の研磨面６６ａに、基板研磨時よりも大きい圧力、好ましくは２倍以上、より好ましくは３倍以上の所定の研磨圧力で押圧する。実際には１．５ｐｓｉ（１０．３ｋＰａ）以上の圧力でダミー基板研磨を行う。同時に、研磨液供給ノズル４０から研磨パッド６６の研磨面６６ａに研磨液を供給しつつ、第１の電極６２と第２の電極６４との間に、電源６０から所定の電圧を印加し、これによって、ダミー基板をならし研磨する第２のコンディショニングを行う。この第２のコンディショニングは、５分以上行うことが望ましく、これによって、過度に荒らされた研磨パッド６６の研磨面６６ａを落ち着かせることができる。
【００７２】
これにより、研磨パッド６６の過度な初期コンディショニングを抑制し、研磨パッド６６の研磨面６６ａを最適な状態することができる。この結果、このような初期コンディショニングを行った研磨パッド６６を研磨に使用することで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、金属膜等を研磨することができる。
【００７３】
実際の基板の研磨に際しては、基板Ｗを保持したトップリング３２を研磨テーブル３４上の所定の研磨位置まで移動させ、しかる後、トップリング３２を回転させながら下降させて、基板Ｗの表面（下面）を回転している研磨パッド６６の研磨面６６ａに、例えば１ｐｓｉ（約７ｋＰａ）以下の所定の研磨圧力で押圧する。同時に、研磨液供給ノズル４０から研磨パッド６６の研磨面６６ａに研磨液を供給しつつ、第１の電極６２と第２の電極６４との間に、電源６０から所定の電圧を印加し、これによって、基板の表面に形成された銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜を研磨する。
【００７４】
基板Ｗを研磨する時に加えられる研磨圧力が低圧化するにつれ、研磨パッド６６と基板Ｗとの接触状態が研磨特性に大きく影響するが、前述のようにして最適な状態に初期コンディショニングした研磨パッド６６を使用することで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、研磨パッド６６の基板研磨時における研磨圧力を１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下とした研磨を行うことができる。
【００７５】
電解研磨（電気化学的機械的研磨）が終了した後、研磨パッド６６への研磨液の供給を停止するとともに、第１の電極６２と第２の電極６４を電源６０から切離す。そして、基板を研磨パッド６６の研磨面６６ａに低圧で押圧しながら回転させ、同時に研磨パッド６６に純水を供給する、いわゆる水ポリッシングを行って、基板の表面を洗浄する。そして、トップリング３２を上昇させて、洗浄後の基板を次工程に搬送する。
【００７６】
基板の水ポリッシング終了後、研磨パッド６６の研磨面６６ａのドレッサー３８によるコンディショニング（ドレッシング）を行う。つまり、ドレッサー３８の下面（ドレッシング面）を、例えば０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の所定の押付圧力で研磨パッド６６に押付けながら、両者を相対的に移動させ、同時に研磨パッド６６の研磨面６６ａにドレッシング液を供給して、研磨パッド６６の研磨面６６ａの目立て（ドレッシング）を行う。このように、基板研磨中または基板研磨後のインターバル時に、研磨パッド６６を更にコンディショニングすることで、初期コンディショニングにて最適化された研磨パッド６６の表面をより長期に亘って最適な状態に維持することができる。
【００７７】
また、必要に応じて、アトマイザ４４から、加圧された純水もしくは研磨液の除去を促進させる薬液を研磨パッド６６に供給して、研磨パッド６６の表面に付着した研磨生成物等の異物や残留研磨液を除去（アトマイジング）する。この時、研磨パッド６６の開孔や溝開口部に露出した第１の電極６２の表面に付着した反応生成物等の異物も除去される。このドレッサー３８によるドレッシングと、アトマイザ４４によるアトマイジングは、同時もしくはアトマイジングを若干遅れて行うようにすることが好ましい。
そして、必要に応じて、研磨テーブル３４をコンディショニング時よりも高い５０〜１００ｒｐｍの回転速度で数秒間回転させて水切りを行う。
【００７８】
図８は、ＣＭＰ装置５６の要部を示す。図８に示すように、ＣＭＰ装置５６の研磨テーブル３５の上面は、そのほぼ全域に亘って研磨パッド８０で覆われており、この研磨パッド８０の上面が研磨面８０ａになっている。この研磨パッド８０は、前述の電解研磨装置５４の研磨パッド６６と同様に、例えば、ニッタ・ハース社製のＩＣ−１０００から構成されている。トップリング３３は、このトップリング３３で保持した基板を、研磨パッド８０の研磨面８０ａに、例えば１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下の押付圧力で押付けるように構成されており、回転自在で、研磨テーブル３５上の所定の研磨位置と、プッシャー３０’（図２参照）の上方位置との間を移動自在なトップリング駆動軸８２の下端に連結されている。
【００７９】
ドレッサー３９は、下面にダイヤモンド粒を埋込んだ部材（ダイヤモンドペレット等）、セラミック材等の硬質材、またはブラシからなる突起３９ａを周縁部下面にリング状に取付けて構成され、回転自在で、研磨テーブル３５上の所定のドレッシング位置と該ドレッシング位置の側方の退避位置との間を移動自在なドレッサー駆動軸８４の下端に連結されている。
【００８０】
この例では、ドレッサー駆動軸８４は、例えば動摩擦抵抗が０．４４ｋｇの低摩擦型で下方に向けて鉛直方向に配置された空気圧シリンダ８６に連結されている。この空気圧シリンダ８６は、ピストンより上方の上部空間にコントローラ８８を介して空気を供給してドレッサー３９を下降させ、またピストンより下方の下部空間にレギュレータ９０を介して空気を供給することでドレッサー３９を上昇させるように構成されている。
ドレッサー駆動軸８４とドレッサー３９は、伝達ピン９２を介して一体に回転し、またポール軸受９４を介して互いに傾動自在に連結されている。
【００８１】
このＣＭＰ装置５６では、レギュレータ９０に予めドレッサー３９とドレッサー駆動軸８４の重量を設定しておき、レギュレータ９０から空気圧シリンダ８６にこれらの重量を打ち消す（キャンセル）だけの空気を供給しておく。これにより、コントローラ８８から空気圧シリンダ８６に空気を供給しないと、ドレッサー３９の研磨パッド８０を押付ける押付圧力はゼロとなる。従って、コントローラ８８から供給する空気量を調整することにより、ドレッサー３９の押付圧力をゼロからそれ以上の任意の値に調整することができる。特に、摩擦抵抗が０．４４ｋｇで動作する低摩擦型の空気圧シリンダ８６を用いることにより、押付圧力を低い値、例えば１０Ｎ（ニュートン）から設定することが可能となる。
なお、電解研磨装置５４のドレッサー駆動軸７０に上記のような構成を備えてもよいことは勿論である。
【００８２】
研磨液供給ノズル４１は、長さ方向に沿って多数の研磨液供給口を有し、研磨テーブル３５の上方を半径方向に沿って延びるように配置されている。アトマイザ４５もほぼ同様に、長さ方向に沿って多数の供給口を有し、研磨テーブル３５の上方を半径方向に沿って延びるように配置されている。
なお、図示しないが、研磨テーブル３５の上方には、研磨パッド８０に純水を供給する純水供給ノズル及びドレッシング液を供給するドレッシング液供給ノズルが必要に応じて配置される。
【００８３】
このＣＭＰ装置５６にあっても、研磨パッド８０を交換した後等に研磨パッド８０の初期コンディショニングを行う。つまり、先ず、ドレッサー３９を待避位置から研磨パッド８０の上方位置に移動させ、しかる後、ドレッサー３９の下面（ドレッシング面）を研磨パッド８０の研磨面（表面）８０ａに０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の所定の押付圧力で押付けながら、両者を相対的に移動させ、同時に研磨パッド８０の研磨面８０ａにドレッシング液を供給して、研磨パッド８０の研磨面８０ａの第１のコンディショニング（ドレッシング）を行う。この第１のコンディショニング時間は、５〜３０分であることが好ましく、これにより、研磨に使用できるまで研磨パッド８０の研磨面８０ａを平坦にし、かつ研磨面８０ａの全面を充分に同じ状態に目立てることができる。ドレッサー３９は、この例では、５０μｍ／ｈ以下のドレッシング速度で研磨パッド８０の前記第１のコンディショニング（ドレッシング）を行うようにしている。
【００８４】
その後、研磨装置内に搬入したダミー基板をトップリング３３で保持し、このダミー基板を研磨テーブル３５上の所定の研磨位置まで移動させる。しかる後、トップリング３３を回転させながら下降させて、ダミー基板の表面（下面）を回転している研磨パッド８０の研磨面８０ａに、基板研磨時よりも２倍以上、好ましくは３倍以上の所定の研磨圧力で押圧する。同時に、研磨液供給ノズル４１から研磨パッド８０の研磨面８０ａに研磨液を供給し、これによって、ダミー基板をならし研磨する第２のコンディショニングを行う。この第２のコンディショニングは、５分以上行うことが望ましく、これによって、過度に荒らされた研磨パッド８０の研磨面８０ａを落ち着かせることができる。
【００８５】
これにより、研磨パッド８０の過度な初期コンディショニングを抑制し、研磨パッド８０の研磨面８０ａを最適な状態にすることができる。この結果、このような初期コンディショニングを行った研磨パッド８０を使用することで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、金属膜等を研磨することができる。
【００８６】
実際の基板の研磨に際しては、基板Ｗを保持したトップリング３３を研磨テーブル３５上の所定の研磨位置まで移動させ、しかる後、トップリング３３をＢ方向に回転させながら下降させて、基板Ｗの表面（下面）をＡ方向に回転している研磨パッド８０の研磨面８０ａに、例えば１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下の所定の研磨圧力で押圧する。同時に、研磨液供給ノズル４１から研磨パッド８０の研磨面８０ａに研磨液を供給して、基板の表面に形成された銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜を研磨する。
【００８７】
基板Ｗを研磨する時に加えられる研磨圧力が低圧化するにつれ、研磨パッド８０と基板Ｗとの接触状態が研磨特性に大きく影響するが、前述のようにして最適な状態に初期コンディショニングした研磨パッド８０を使用することで、目的とする研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、研磨パッド８０の基板研磨時における研磨圧力を１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下とした研磨を行うことができる。
【００８８】
ＣＭＰ終了後、研磨パッド８０への研磨液の供給を停止する。そして、基板を研磨パッド８０の研磨面８０ａに低圧で押圧しながら回転させ、同時に研磨パッド８０に純水を供給する、いわゆる水ポリッシングを行って、基板の表面を洗浄する。そして、トップリング３３を上昇させて、洗浄後の基板を次工程に搬送する。
【００８９】
基板の洗浄後、研磨パッド８０の研磨面８０ａのドレッサー３９によるコンディショニング（ドレッシング）を行う。つまり、ドレッサー３９の下面（ドレッシング面）を、例えば０．６ｐｓｉ（約４．１ｋＰａ）以下、好ましくは０．３５ｐｓｉ（約２．４ｋＰａ）以下の所定の押付圧力で研磨パッド８０に押付けながら、両者を相対的に移動させ、同時に研磨パッド８０の研磨面８０ａにドレッシング液を供給して、研磨パッド８０の研磨面８０ａの目立て（ドレッシング）を行う。これにより、初期コンディショニングにて最適化された研磨パッド８０の表面をより長期に亘って最適な状態に維持することができる。
【００９０】
また、必要に応じて、アトマイザ４５から、加圧された純水もしくは研磨液の除去を促進させる薬液を研磨パッド８０に供給して、研磨パッド８０の表面に付着した研磨生成物等の異物や残留研磨液を除去（アトマイジング）する。このドレッサー３９によるドレッシングと、アトマイザ４５によるアトマイジングは、同時もしくはアトマイジングを若干遅れて行うようにすることが好ましい。
そして、必要に応じて、研磨テーブル３５をコンディショニング時よりも高い５０〜１００ｒｐｍの回転速度で数秒間回転させて水切りを行う。
【００９１】
図２に示すように、隔壁２４Ａによって領域Ｂとは仕切られた領域Ｃの中にあって、搬送ロボット２０のハンドが到達可能な位置に基板を反転させる反転機２８が配置されている。隔壁２４Ｂによって領域Ｂとは仕切られた領域Ｄの中にあって、搬送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に基板を反転させる反転機２８’が配置されている。また、領域Ｂと領域Ｃ，Ｄを仕切る隔壁２４Ａ，２４Ｂには、基板搬送用の開口部が設けられ、それぞれの反転機２８と反転機２８’専用のシャッタ２５，２６が開口部に設けられている。
【００９２】
反転機２８及び反転機２８’は、基板をチャックするチャック機構と、基板の表面と裏面を反転させる反転機構と、基板をチャック機構によりチャックしているかどうかを確認する基板有無検知センサを備えている。また、反転機２８には搬送ロボット２０によって基板が搬送され、反転機２８’には搬送ロボット２１によって基板が搬送される。
【００９３】
一方の研磨室を構成する領域Ｃ内には、反転機２８と電解研磨装置５４のトップリング３２との間で基板を移送するための搬送機構を構成するリニアトランスポータ２７Ａが配置されている。他方の研磨室を構成する領域Ｄ内には、反転機２８’とＣＭＰ装置５６のトップリング３３との間で基板を移送するための搬送機構を構成するリニアトランスポータ２７Ｂが配置されている。リニアトランスポータ２７Ａは、リフター２９とプッシャー３０との間を直線往復移動する２個のステージを備えている。リニアトランスポータ２７Ｂも同様には、リフター２９’とプッシャー３０’との間を直線往復移動する２個のステージを備えている。
【００９４】
次に、研磨装置の動作について説明する。
先ず、電解研磨装置５４の研磨テーブル３４の表面に取付けた研磨パッド６６を交換したり、ＣＭＰ装置５６の研磨テーブル３５の表面に取付けた研磨パッド８０を交換したりした時には、その交換後に、前述のようにして、研磨パッド６６または８０の初期コンディショニングを行う。
【００９５】
そして、図１（ｂ）に示す、表面に銅膜３０７を形成した基板Ｗを多数収容した基板カセット１をロードアンロードステージ２に装着する。そして、１枚の基板を基板カセット１から搬送ロボット４で取り出して基板ステーション５０へ載置する。搬送ロボット２０は、基板ステーション５０から基板を受け取り、領域Ｃ内の反転機２８に搬送して、ここで基板を反転させる。リフター２９は、反転後の基板を反転機２８から受け取り、リニアトランスポータ２７Ａに渡す。リニアトランスポータ２７Ａは水平に移動して、基板をプッシャー３０上に載置する。この状態で、電解研磨装置５４のトップリング３２をプッシャー３０の上方に移動させる。
【００９６】
トップリング３２は、プッシャー３０から基板を受け取り、基板をリテーナリング２０３内に真空吸着により保持した状態で、プッシャー３０の上方から研磨テーブル３４の上方の研磨位置に移動させる。そして、下降して基板を研磨パッド６６の研磨面６６ａに、１．５ｐｓｉ（約１０．３ｋＰａ）以下の所定の研磨圧力で押圧し、同時に研磨パッド６６に研磨液を供給しながら、第１の電極６２と基板Ｗの表面の銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜との間に電源６０を介して電圧を印加して導電膜を研磨する。なお、基板を研磨パッド６６で研磨している間は真空吸着を解除してもよい。
【００９７】
この電解研磨装置５４による研磨によって、例えば図１（ｂ）にＡ−Ａ線で示すように、バリア膜３０５の表面が露出するまで、銅膜３０７（及びシード膜３０６）の研磨を行う。このように、配線等に与えるダメージが一般に少ない電解研磨（電気化学的機械的研磨）を研磨処理の少なくとも一部に採用し、例えば、全体の研磨量の過半を占める配線用凹部以外に形成された配線金属膜の大部分の研磨除去を電気化学的機械的で行うことで、研磨工程による配線構造に対するダメージを大きく低減することができる。
【００９８】
そして、電解研磨装置５４による研磨を終了した後に、前述のように、研磨パッド６６の研磨面６６ａのドレッサー３８及びアトマイザ４４によるコンディショニングを行って、次の研磨に備える。
【００９９】
一方、電解研磨装置５４による研磨を終了した基板にあっては、再びプッシャー３０上に移動させてその上に載置する。プッシャー３０でトップリング３２から離脱された基板は、プッシャー３０に設けられた洗浄水ノズルでその被研磨面及び裏面が洗浄される。そして、基板をリニアトランスポータ２７Ａ及びリフター２９を経由させた後、反転機２８で反転させる。そして、反転後の基板を、搬送ロボット２０によって洗浄ユニット２２に搬送し、この洗浄ユニット２２で、基板の表面の洗浄リンス処理を行う。そして、洗浄リンス後の基板を搬送ロボット２０で基板ステーション５０に搬送して載置する。
【０１００】
搬送ロボット２１は、基板ステーション５０に置かれた基板を受け取り、領域Ｄ内の反転機２８’に搬送して、ここで基板を反転させる。リフター２９’は、反転後の基板を反転機２８’から受け取り、リニアトランスポータ２７Ｂに渡す。リニアトランスポータ２７Ｂは水平に移動して、基板をプッシャー３０’上に載置する。この状態で、ＣＭＰ装置５６のトップリング３３をプッシャー３０’の上方に移動させる。
【０１０１】
トップリング３３は、プッシャー３０’から基板を受け取り、基板をリテーナリング内に真空吸着により保持した状態で、プッシャー３０’の上方から研磨テーブル３５の上方の研磨位置に移動させる。そして、下降して、基板を研磨テーブル３５の上面に取付けた研磨パッド８０の研磨面８０ａに、例えば１ｐｓｉ（約７ｋＰａ）以下の所定の研磨圧力で押圧しながら、研磨パッド８０に研磨液供給ノズル４１から研磨液を供給し、同時にトップリング３３及び研磨テーブル３５を回転させることで、基板の表面を更に研磨する。基板を研磨パッド８０で研磨している間は真空吸着を解除してもよい。
【０１０２】
このＣＭＰ装置５６による研磨によって、例えば電解研磨装置５４による研磨によってバリア膜３０５の表面が露出した基板の表面に残った銅膜３０７（及びシード膜３０６）を研磨して不要な銅膜３０７（及びシード膜３０６）を完全に除去し、更にバリア膜３０５を研磨する。これによって、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３０２の内部に配線３０８を形成する。
【０１０３】
このように、配線金属膜の過半を電解研磨（電気化学的機械的研磨）で研磨除去し、次いで段差解消性の高いＣＭＰ法を適用して残余の配線金属膜を研磨除去することで、研磨後における基板表面の平坦性を高め、またバリア膜が露出した時点で電気化学的機械的研磨からＣＭＰに切り替えることで、残余の配線金属膜及びこの下のバリア膜を確実に研磨除去することができる。
そして、ＣＭＰ装置５６による研磨が終了した後、前述の電解研磨装置５４の場合と同様に、研磨パッド８０の研磨面８０ａのドレッサー３９及びアトマイザ４５によるコンディショニングを行って、次の研磨に備える。
【０１０４】
一方、ＣＭＰ装置５６による研磨を終了した基板にあっては、再びプッシャー３０’上に移動させてその上に載置し、リニアトランスポータ２７Ｂ及びリフター２９’を経由させた後、反転機２８’で反転させる。そして、反転後の基板を、搬送ロボット２１によって洗浄ユニット２３に搬送し、この洗浄ユニット２３で、前述のように、基板の表面の洗浄リンス処理を行う。そして、洗浄リンス後の基板を搬送ロボット２１で基板ステーション５０に搬送して載置する。
【０１０５】
搬送ロボット２０（または２１）は、洗浄された基板を基板ステーション５０から取り出し、例えば上面洗浄のペンスポンジとスピンドライ機能を有する乾燥ユニット５（または６）に搬送し、この乾燥ユニット５（または６）で基板を洗浄し乾燥させる。そして、洗浄乾燥後の基板を搬送ロボット４により元の基板カセット１に戻す。
【０１０６】
この例では、研磨の対象となる基板として半導体ウェハを用いているが、研磨の対象となる基板は、半導体ウェハに限定されるものでないことは勿論である。電解研磨装置５４の研磨パッド６６及び／またはＣＭＰ装置５６の研磨パッド８０として、研磨布の他に、比較的硬質の研磨面が崩壊しても自己再生可能であり、砥粒が含浸された固定砥粒パッド、あるいは砥粒を含まない研磨パッド等を用いることもできる。
【０１０７】
なお、上記の例では、基板Ｗの表面に形成したバリア膜と銅膜（及びシード膜）を２段で研磨するようにした例を示しているが、例えば銅膜（及びシード膜）を電解液として超純水を使用した超純水電解研磨で研磨し、その後ＣＭＰ研磨したり、銅膜（及びシード膜）の最終研磨とバリア膜の研磨を異なる２段のＣＭＰで研磨したりして、３段以上の多段で基板の表面を研磨するようにしてもよいことは勿論である。
【０１０８】
本発明で用いられるドレッサーには、ダイヤモンドドレッサーまたはブラシドレッサーなど各種のものが適用可能である。また、ドレッサーの形状も、リング状、円盤状、ペレット型等の各種が適用できる。これらのいずれを使用するかは、ドレッサーの材料、研磨対象基板、研磨パッドの材質など各種プロセス条件によって異なり、任意に選択される。
【実施例】
【０１０９】
直径１００ｍｍで、表面で砥粒を電着したドレッサーＡと、表面にドレッサーＡに電着した砥粒より番手の大きい（ドレッサーＡのダイヤモンド粒子の方が粗い）砥粒を電着したドレッサーＢを用意した。そして、ドレッサーＡにあっては、３．２ｐｓｉの押付圧力で、ドレッサーＢにあっては、０．６４ｐｓｉと０．４ｐｓｉの押付圧力でそれぞれドレッシング（コンディショニング）を行ったニッタ・ハース社製のＩＣ−１０００からなる研磨パッドを使用して基板表面を研磨した時の平坦化特性の違いを調べた。なお、実験では、０．４ｐｓｉに対応する荷重として２５Ｎ（ドレッサー自身の自重も含めた荷重）を用いた。この結果を図９に示す。
【０１１０】
この図９から、番手の大きいダイヤモンド砥粒を電着したドレッサーを用いてドレッシングを行った研磨パッドを使用して研磨することにより、研磨後の基板平坦化特性（段差特性）がよくなることが判る。ダイヤモンド砥粒は、＃１００以上であることが好ましく、＃２００以上であることが更に好ましい。また、ドレッサーＢによるドレッシングにおいても、低荷重（０．６４ｐｓｉよりも０．４ｐｓｉ）の方がウェハの段差が解消されることが分かり、これらの実験から０．６ｐｓｉ以下であればデバイスウェハの研磨として十分な段差解消と基板の面内均一性の両方が得られることが分かった。
【０１１１】
ダイヤモンドドレッサーには、ブロッキー粒子（粒子形状がそろっているもの）、イレギュラー粒子など各種のものを用いることができるが、特に、ブロッキーなダイヤモンド粒子からなるドレッサーを用いると、均一なコンディショニング面が得られやすい。また、個々のダイヤモンド砥粒は、砥粒径の５０％以上、より好ましくは７０％以上が埋込まれているものが望ましい。
【０１１２】
実験では、研磨パッドとして、ニッタ・ハース社製のＩＣ−１０００を用いたが、本発明は、他の研磨パッドを用いた場合でも、上記のドレッサー、コンディショニング方法による研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、ディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ、金属膜等の研磨を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】半導体装置における銅配線形成例を工程順に示す図である。
【図２】本発明に使用される研磨装置の配置構成を示す平面図である。
【図３】図２に示す研磨装置に備えられている本発明の実施の形態の電解研磨装置（電気化学的機械的研磨装置）の要部を示す平面図である。
【図４】図３の縦断正面図である。
【図５】図３及び図４に示す第２の電極のそれぞれ異なる例を示す断面図である。
【図６】図３及び図４に示す電解研磨装置のトップリングを示す縦断面図である。
【図７】図６の底面図である。
【図８】図２に示す研磨装置に備えられているＣＭＰ（化学的機械的研磨）装置の要部を示す正面図である。
【図９】実施例１における研磨量と残留段差を関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
１  基板カセット
２  ロードアンロードステージ
２２，２３  洗浄ユニット
２７Ａ，２７Ｂ  リニアトランスポータ
３２，３３  トップリング
３４，３５  研磨テーブル
３８，３９  ドレッサー
４０，４１  研磨液供給ノズル
４４，４５  アトマイザ
５０  基板ステーション
５４  電解研磨装置（電気化学的機械的研磨装置）
５６  ＣＭＰ装置
６２，６４  電極
６６，８０  研磨パッド
６６ａ，８０ａ  研磨面
１０２  電極部材
１０４  フローティング機構
１０６  支持ベース
１０８  弾性膜
１１０  圧力室
１１２  ストッパ
１１４  電極ベース
２０２  トップリング本体
２０３  リテーナリング
２０４  弾性パッド
２０５  ホルダーリング
２０６  チャッキングプレート
２０７  加圧シート
２０８  センターバッグ
２０９  リングチューブ
２１０  自在継手部
３０２  絶縁膜
３０３  ビアホール
３０４  トレンチ
３０５  バリア膜
３０６  シード膜
３０７  銅膜
３０８  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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