(57)【要約】【課題】レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。【解決手段】レーザダイオードの二つの分離閉じ込め層の間に介在する活性層エネルギー帯であり、電子進行方向に沿って、順に、少なくとも一つの量子井戸構造と電子反射体が含有され、当該量子井戸は、第１の井戸障壁と第２の井戸障壁及び当該第１、２の井戸障壁の間に介在する量子井戸が含有され、当該電子反射体は、当該第２の井戸障壁に位置し、極大な伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、また、原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０に等しいかより大きく、正孔の進行を妨害しない。【選択図】図４
2007180502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの分離閉じ込め層の間に位置し、光電子効果により光を発生するレーザダイオードの活性層エネルギー帯であって、
当該活性層エネルギー帯は、電子進行方向に沿って、順に、
第１の井戸障壁と第２の井戸障壁及び当該第１、２の井戸障壁の間に介在する量子井戸が含有される少なくとも一つの量子井戸構造と、
当該第２の井戸障壁に位置し、極大な伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、また、原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０より大きく、正孔の進行を妨害しない第１の電子反射体と、
が含有される、ことを特徴とするレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項２】
当該量子井戸においての当該第１の電子反射体に接近する境界から、当該第１の電子反射体においての当該量子井戸に接近する境界までの厚さが０であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項３】
当該第１の電子反射体の伝導帯エネルギーと当該第１の井戸障壁の伝導帯が同じであり、また、当該第１の電子反射体の原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が０であることを特徴とする請求項１か２に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項４】
当該第１、２の井戸障壁が、それぞれ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−１５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１５０００ｐｐｍであり、当該量子井戸が、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−１５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１５０００ｐｐｍであり、当該第１の電子反射体が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓから構成され、また、０．３≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．７、−２５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１２０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項５】
当該量子井戸の実体厚さが、０．６乃至３５ｎｍの範囲であり、当該第１の電子反射体の実体厚さが、１乃至１００ｎｍの範囲であり、また、当該第１、２の井戸障壁の実体厚さが、０乃至１００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項６】
更に、当該第１の井戸障壁に位置し、極大な伝導帯エネルギーを有して電子を反射できる第２の電子反射体が含有されることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項７】
当該第１、２の電子反射体の伝導帯エネルギーが同じであることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項８】
当該第２の電子反射体が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓから構成され、また、０．３≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．７、−２５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１２０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項９】
当該第２の電子反射体の実体厚さが、１乃至１００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオードの活性層エネルギー帯。
【請求項１０】
選択的に、繰り返して当該レーザダイオードの活性層エネルギー帯を構成するレーザダイオードの活性層を構成する単体構造であって、
当該単体構造は、電子進行方向に沿って、順に、第１の井戸障壁と量子井戸、第２の井戸障壁、電子反射体及び第３の井戸障壁が含有され、当該第１、２、３の井戸障壁の厚さが、０乃至１００ｎｍの範囲であり、当該量子井戸の厚さが、０ではなく、当該電子反射体の厚さが、０乃至１００ｎｍの範囲であり、また、第１、２の井戸障壁の伝導帯エネルギーより遥かに大きい伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、そして、当該電子反射体の原子価帯エネルギーと当該第２、３の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０より大きく、正孔の進行を妨害しない、
ことを特徴とするレーザダイオードの活性層を構成する単体構造。
【請求項１１】
当該第１、２、３の井戸障壁が、それぞれ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−１５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋ｌ５０００ｐｐｍであり、当該量子井戸が、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−ｌ５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋ｌ５０００ｐｐｍであり、当該電子反射体が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓから構成され、また、０．３≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．７、−２５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１２０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザダイオードの活性層を構成する単体構造。
【請求項１２】
当該量子井戸の実体厚さが、０．６乃至３５ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１０に記載のレーザダイオードの活性層を構成する単体構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードに関し、特に、レーザダイオードの活性層エネルギー帯構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信に使用されるレーザダイオードは、大雑把に、ＩｎＧａＡｓＰを活性層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）構成材とするＢＨ導波路式（Ｂｕｒｉｅｄ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  Ｗａｖｅ−ｇｕｉｄｅ）レーザダイオードと、ＩｎＡｌＧａＡｓを活性層構成材とするリッジ導波路式（Ｒｉｄｇｅ  Ｗａｖｅ−ｇｕｉｄｅ）レーザダイオードの２種類があり、両者は、それぞれ、利点があるが、欠点もあり、１３１０ｎｍ波長セクションのレーザダイオードと言えば、ＩｎＡｌＧａＡｓを活性層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）構成材とするレーザダイオードは、高温特性が良いため、業界の主な開発研究対象になる。
【０００３】
図１は、ＩｎＡｌＧａＡｓを活性層構成材とするレーザダイオードであり、その活性層エネルギー帯１が、二つの間隔を開ける分離閉じ込め層１００（ｓｅｐａｒａｔｅ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）の間に位置し、複数の量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ、ＱＷ）構造１１から構成され、各量子井戸構造１１は、第１の井戸障壁１１１（Ｂａｒｒｉｅｒ）、第２の井戸障壁１１２及び当該第１、２の井戸障壁１１１、１１２の間に介在する量子井戸１１３が含有され、第１、２の井戸障壁１１１、１１２の伝導帯エネルギー（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｂａｎｄ  Ｅｎｅｒｇｙ）が、量子井戸１１３の伝導帯エネルギーより遥かに大きくて、また、原子価帯エネルギー（Ｖａｌｅｎｃｅ  Ｂａｎｄ  Ｅｎｅｒｇｙ）が、量子井戸１１３の原子価帯エネルギーより小さくなり、一般として、各量子井戸構造１１の第１、２の井戸障壁１１１、１１２の伝導帯エネルギーと原子価帯エネルギーとが同じで、各量子井戸１１３の伝導帯エネルギーと原子価帯エネルギーとも同じである。
【０００４】
上記のようなレーザダイオードの活性層エネルギー帯１の欠点は、量子井戸と井戸障壁との伝導帯ギャップ差（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）が不足であり、それが、約２００ｍｅＶ乃至２３５ｍｅＶの範囲であって、上昇できないため、特性温度（Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）も、９０Ｋ程度だけである。
【０００５】
図２の他のレーザダイオードの活性層エネルギー帯２は、電子進行方向に沿って、順に、複数の量子井戸構造２１と電子反射体２２（ＥｌｅｃｔｒｏｎＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）が含有され、同じように、各量子井戸構造２１は、第１の井戸障壁２１１と第２の井戸障壁２１２及び当該第１、２の井戸障壁２１１、２１２の間に介在する量子井戸２１３が含有され、第１、２の井戸障壁２１１、２１２の伝導帯エネルギーが、量子井戸の伝導帯エネルギーより遥かに大きくて、また、原子価帯エネルギーが、量子井戸２１３の原子価帯エネルギーより遥かに小さくなり、各量子井戸構造２１の第１、２の井戸障壁２１１、２１２の伝導帯エネルギーと原子価帯エネルギーとが同じで、各量子井戸２１３の伝導帯エネルギーと原子価帯エネルギーとも同じであり、電子反射体２２の伝導帯エネルギーが、最接近の量子井戸構造２１の第１、２の井戸障壁２１１、２１２の伝導帯エネルギーより遥かに大きいため、電子を反射でき、また、原子価帯エネルギーが、最接近の量子井戸構造２１の第１、２の井戸障壁２１１、２１２の原子価帯エネルギーより小さい。
【０００６】
上記のレーザダイオードの活性層エネルギー帯２は、電子反射体２２の設計により、更に伝導帯エネルギーギャップが向上されるが、電子反射体２２の原子価帯エネルギーが、第１、２の井戸障壁２１１、２１２の原子価帯エネルギー準位より小さいため、正孔の進行を妨害し、そのため、レーザ全体の機能が劣化し、そして、特性温度の向上効果も良くない。
【０００７】
上記の説明から分かるように、ＩｎＡｌＧａＡｓを活性層構成材とするレーザダイオードは、その活性層エネルギー帯１、２について、量子井戸と井戸障壁の伝導帯ギャップ差値を拡大することと活性層に正孔を注入する時の障害を解消すること及び特性温度を更に向上すること等を研究改善する余地がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、レーザダイオードの活性層の単体構造を提供する。
【０００９】
本発明の他の目的は、レーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係わるレーザダイオードの活性層を構成する単体構造は、選択的に、繰り返して当該レーザダイオードの活性層エネルギー帯を構成し、当該単体構造は、電子進行方向に沿って、順に、第１の井戸障壁と量子井戸、第２の井戸障壁、電子反射体及び第３の井戸障壁が含有される。
【００１１】
当該第１、２、３の井戸障壁の厚さが、０乃至ｌ００ｎｍの範囲であり、当該量子井戸の厚さが、０ではなく、当該電子反射体の厚さが、０乃至１００ｎｍの範囲であり、また、第１、２の井戸障壁の伝導帯エネルギーより遥かに大きい伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、そして、当該電子反射体の原子価帯エネルギーと当該第２、３の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０より大きく、正孔の進行を妨害しない。
【００１２】
また、本発明は、二つの分離閉じ込め層の間に位置し、光電子効果により光を発生するレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供し、当該活性層エネルギー帯は、電子進行方向に沿って、順に、少なくとも一つの量子井戸構造と第１の電子反射体が含有される。
【００１３】
当該量子井戸構造は、第１の井戸障壁と第２の井戸障壁及び当該第１、２の井戸障壁の間に介在する量子井戸が含有される。
【００１４】
当該第１の電子反射体は、当該第２の井戸障壁に位置し、極大な伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、また、当該第１の電子反射体の原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０より大きく、正孔の進行を妨害しない。
【００１５】
本発明によれば、電子反射体の原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁の原子価帯エネルギーとの差値が、０より大きく、正孔の進行を妨害しない設計により、量子井戸と井戸障壁との伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、また、特性温度が９０Ｋ以上である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の説明において、同じな素子について、同じ符号を付与する。
【００１７】
図３は、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯であり、図に示される単体構造３により、選択的に繰り返して構成され、当該単体構造３は、電子進行方向に沿って、順に、第１の井戸障壁３１と量子井戸３２、第２の井戸障壁３３、電子反射体３４及び第３の井戸障壁３５が含有される。
【００１８】
当該量子井戸３２は、当該第１、２の井戸障壁３１、３３の間に介在し、電子反射体３４は、第２、３の井戸障壁３３、３５の間に介在し、一般として、第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５の伝導帯エネルギーと原子価帯エネルギーとが同じであるため、第３の井戸障壁３５を第２の井戸障壁３３の延伸と見なし、電子反射体３４は、当該第２の井戸障壁３３に位置する。
【００１９】
第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５が、それぞれ、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−１５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１５０００ｐｐｍで、厚さＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３が、０乃至ｌ００ｎｍの範囲であり、量子井戸３２が、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙから構成され、また、０．１≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦１．０、−１５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１５０００ｐｐｍで、厚さＴＱＷが、０ではなく、この時、量子井戸３２の実体厚さが、０．６乃至３５ｎｍの範囲であり、電子反射体３４が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓから構成され、また、０．３≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．７、−２５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１２０００ｐｐｍで、厚さＴＥＲが、０乃至ｌ００ｎｍの範囲である。
【００２０】
第１、２の井戸障壁３１、３３の伝導帯エネルギーが、量子井戸３２の伝導帯エネルギーより遥かに大きくて、また、原子価帯エネルギーが、量子井戸３２の原子価帯エネルギーより遥かに小さくなり、これにより、量子井戸３２と第１、２の井戸障壁３１、３３との材料間のスタティック伝導帯相対エネルギー位置差異δＣＱＷ＜０になり、そして、スタティック原子価帯相対エネルギー位置差異δＶＱＷ＞０になり、また、電子反射体３４の伝導帯エネルギーが、第２、３の井戸障壁３１、３３の伝導帯エネルギーより遥かに大きいため、電子を反射でき、これにより、電子反射体３４と第２、３の井戸障壁３３、３５の材料間のスタティック伝導帯相対エネルギー位置差異δＣＲＢ＞０になり、そして、原子価帯エネルギーが、第２、３の井戸障壁３３、３５の原子価帯エネルギーより大きくなり、即ち、スタティック原子価帯相対エネルギー位置差異δＶＲＢ＞０になり、正孔の進行を妨害しない。
【００２１】
図４は、本発明の他のレーザダイオードの活性層エネルギー帯の単体構造３′であり、上記の実例に類似するが、異なるところは、電子反射体３４の原子価帯エネルギーが、第２、３の井戸障壁３３、３５の原子価帯エネルギーに等しいことであり、即ち、スタティック原子価帯相対エネルギー位置差異δＶＲＢ＝０になり、正孔の進行を妨害しない。
【００２２】
以上の単体構造３、３′において、選択的に、第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５及び電子反射体３４の厚さを変化してから、繰り返して組み合うと、レーザダイオードの各種類の活性層エネルギー帯を構成でき、以下は、それについて詳しく説明する。
【００２３】
図５は、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯４の第１のより良い実施例であり、二つの分離閉じ込め層１００の間に位置し、光電子効果により発光し、少なくとも一つの量子井戸構造４１と第１の電子反射体４２が含有される。本実例において、複数の量子井戸構造４１を例として説明する。
【００２４】
各量子井戸構造４１は、第１の井戸障壁４１１と第２の井戸障壁４１２及び第１、２の井戸障壁４１１、４１２の間に介在する量子井戸４１３が含有され、第１の電子反射体４２は、当該第２の井戸障壁４１２に位置し、極大な伝導帯エネルギーを有して電子を反射でき、また、当該第１の電子反射体４２の原子価帯エネルギーと当該第２の井戸障壁４１２の原子価帯エネルギーとの差値が、０であり、正孔の進行を妨害しない。
【００２５】
本実例において、活性層エネルギー帯４は、複数の図４に示された単体構造３′を選択的にパラメータを変化して繰り返して構成するものと見なすことができ、各単体構造３′の量子井戸３２が、活性層エネルギー帯４の量子井戸構造４１の量子井戸４１３になり、ｐ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００の単体構造３′の第３の井戸障壁３５の厚さが、０で、電子反射体３４の厚さが、０ではなく、これにより、当該単体構造３′の電子反射体３４が、第１の電子反射体４２になり、同時に、当該単体構造３′の第１の井戸障壁３１が、当該単体構造３′とｎ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００との間の他の単体構造３′の第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５に相当するため、第１の井戸障壁４１１と第２の井戸障壁４１２を構成し、また、当該単体構造３′とｎ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００との間の他の単体構造３′の電子反射体３４の厚さが、ともに、０であるため、本実例の活性層エネルギー帯４を構成する。
【００２６】
図６は、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯４の第２のより良い実施例であり、上記の実例に類似するが、異なるところは、量子井戸構造４１が、更に、実体厚さが１乃至ｌ００ｎｍの範囲である第２の電子反射体４３を有する。
【００２７】
本実例において、活性層エネルギー帯４は、複数の図４に示された単体構造３′を選択的にパラメータを変化して繰り返して構成するものと見なすことができ、各単体構造３′の量子井戸３２が、活性層エネルギー帯４の量子井戸構造４１の量子井戸４１３になり、ｐ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００の単体構造３′の第３の井戸障壁３５の厚さが、０で、電子反射体３４の厚さが、０ではなく、これにより、当該単体構造３′の電子反射体３４が、第１の電子反射体４２になり、同時に、当該単体構造３′の第１の井戸障壁３１が、当該単体構造３′とｎ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００との間の他の単体構造３′の第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５に相当するため、第１の井戸障壁４１１と第２の井戸障壁４１２を構成し、また、当該単体構造３′とｎ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００との間の各単体構造３′の電子反射体３４の厚さが、ともに、０より大きいため、第２の電子反射体４３を構成し、即ち、本実例の活性層エネルギー帯４を構成する。
【００２８】
図７は、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯４の第３のより良い実施例であり、上記の実例に類似するが、異なるところは、ｐ型披覆層に接近する分離閉じ込め層１００の単体構造３′の第１、３の井戸障壁３１、３３の厚さが、０で、電子反射体３４の厚さが、０ではないため、第１の電子反射体４２になり、同時に、残りの単体構造３′の第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５の厚さが、ともに、０で、また、電子反射体３４の厚さが、ともに、０ではないため、第２の電子反射体４３になり、即ち、本実例の活性層エネルギー帯４を構成する。
【００２９】
上記の説明から分かるように、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯４を構成する単体構造３、３′は、当該単体構造３、３′の電子反射体３４が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓから構成され、また、０．３≦ｘ≦１．０、０．０≦ｙ≦０．７、−２５０００ｐｐｍ≦格子不整合度≦＋１２０００ｐｐｍで、厚さＴＥＲが、０乃至ｌ００ｎｍの範囲である設計により、伝導帯エネルギーが、第２、３の井戸障壁３３、３５の伝導帯エネルギーより遥かに大きいため、電子を反射でき、同時に、第２、３の井戸障壁３３、３５に対するスタティック原子価帯のエネルギー位置差異δＶＲＢ≧０であるため、正孔の進行を妨害しなく、また、更に選択的に第１、２、３の井戸障壁３１、３３、３５及び電子反射体３４の厚さを変化することにより、実際にレーザダイオードの活性層エネルギー帯４構造を構成する時、有効に、量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値を、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶ程度まで向上でき、そして、レーザダイオード３の特性温度が、１２５Ｋ程度まで向上され、巧く行けば、更に１５０Ｋまで向上される場合があるため、有効的にレーザダイオード３の応用特性が向上され、確実に、従来のレーザダイオードの伝導帯ギャップ差が約２００ｍｅＶ乃至２３５ｍｅＶ程度であって向上できないため特性温度（Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が９０Ｋ程度だけである課題を解消でき、そのため、本発明は、有効に、レーザダイオードの応用特性を向上でき、予期の目的を実現する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】スタティックエネルギー準位図であり、従来のレーザダイオードの活性層エネルギー帯構造の説明図
【図２】スタティックエネルギー準位図であり、従来の他のレーザダイオードの活性層エネルギー帯構造の説明図
【図３】スタティックエネルギー準位図であり、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を構成する単体構造の説明図
【図４】スタティックエネルギー準位図であり、本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を構成する他の単体構造の説明図
【図５】スタティックエネルギー準位図であり、図４の単体構造から構成される本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯の第１のより良い実施例の説明図
【図６】スタティックエネルギー準位図であり、図４の単体構造から構成される本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯の第２のより良い実施例の説明図
【図７】スタティックエネルギー準位図であり、図４の単体構造から構成される本発明に係わるレーザダイオードの活性層エネルギー帯の第３のより良い実施例の説明図
【符号の説明】
【００３１】
１      活性層エネルギー帯
１００  分離閉じ込め層
１１    量子井戸構造
１１１  第１の井戸障壁
１１２  第２の井戸障壁
１１３  量子井戸
２      活性層エネルギー帯
２１    量子井戸構造
２１１  第１の井戸障壁
２１２  第２の井戸障壁
２１３  量子井戸
２２    電子反射体
３      単体構造
３′    単体構造
３１    第１の井戸障壁
３２    量子井戸
３３    第２の井戸障壁
３４    電子反射体
３５    第３の井戸障壁
４      活性層エネルギー帯
４１    量子井戸構造
４１１  第１の井戸障壁
４１２  第２の井戸障壁
４１３  量子井戸
４２    第１の電子反射体
４３    第２の電子反射体
【図１】
2007180502.tif 000003
【図２】
2007180502.tif 000004
【図３】
2007180502.tif 000005
【図４】
2007180502.tif 000006
【図５】
2007180502.tif 000007
【図６】
2007180502.tif 000008
【図７】
2007180502.tif 000009