(57)【要約】【課題】基板と接触する接触部材の材料として導電性材料を用いずに、基板の除電を達成することができる基板処理装置および基板除電方法を提供する。【解決手段】スピンチャック１の各挟持部材６に吐出口２１ａが設けられており、スピンチャック１にウエハＷが保持されると、まず、各吐出口２１ａからウエハＷの裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出される。この導電性液体は、接地されており、吐出口２１ａからの導電性液体が接液するウエハＷの裏面の周縁部は、その導電性液体を介して接地される。そのため、ウエハＷがスピンチャック１に保持される以前から帯電し、または、ウエハＷがスピンチャック１に保持された段階で帯電しても、そのウエハＷに帯電している電荷は、導電性液体を介してアースに逃がされる。【選択図】図１
2007184363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出する導電性液体吐出手段と、
前記導電性液体吐出手段から吐出される導電性液体を接地するための接地手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記周縁部は、基板の非デバイス形成面の周縁部であることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持手段は、基板の周縁部に接触する周縁部接触部材を備えており、
前記導電性液体吐出手段は、前記周縁部接触部材に形成された吐出口から基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出することを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段に保持されている基板に当該基板の処理のための処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段による処理液の供給が開始される前に、前記導電性液体吐出手段を制御して、前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出させるための制御手段とをさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて、接地電位に制御された導電性液体を吐出する導電性液体吐出工程とを含むことを特徴とする、基板除電方法。
【請求項６】
前記導電性液体吐出工程の後に、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給して、当該基板に対する処理を行う基板処理工程をさらに含むことを特徴とする、請求項５記載の基板除電方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などに代表される各種基板の処理のための基板処理装置、および、各種基板を除電する基板除電方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に純水を供給して、その基板の表面を純水で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルから処理液が供給される。基板の表面上に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板の表面の全域に処理液が行き渡り、基板の表面に対する処理液による洗浄処理が達成される。
【０００３】
ところが、この種の基板処理装置では、基板の帯電に起因するデバイス破壊を生じるおそれがある。たとえば、スピンチャックのチャックピンなどが帯電していると、基板がスピンチャックに保持された段階で帯電してしまう。また、スピンチャックに保持される以前に基板が帯電していることも考えられる。基板が帯電した状態のままで処理が行われると、基板の表面に処理液が供給されたときに、基板の表面と処理液との接触部で放電が生じ、この放電によって基板に形成されているデバイスが破壊されるおそれがある。
【０００４】
そのため、チャックピンなどの接触部材を導電性材料（たとえば、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン））で形成し、その接触部材にアース線を接続して、接触部材を接地しておくことにより、接触部材やその接触部材と接触する基板の帯電を防止することが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３０３８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、接触部材を導電性材料で構成すると、接触部材に十分な耐薬液性を持たせることができず、基板の処理に用いられる処理液によっては、導電性材料の成分（たとえば、カーボン）が溶出し、その溶出した成分により基板が汚染されるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、基板と接触する接触部材の材料として導電性材料を用いずに、基板の除電を達成することができる基板処理装置および基板除電方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（１）と、前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出する導電性液体吐出手段（１８，１９，２０，２１，２２）と、前記導電性液体吐出手段から吐出される導電性液体を接地するための接地手段（２３）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出することにより、その導電性液体を介して、基板に帯電している電荷を除去することができる。このとき、導電性液体が基板の周縁部に向けて吐出されるので、たとえ基板と導電性液体との接触部で放電が生じても、基板のデバイス形成面の中央部に形成されたデバイスの破壊を生じるおそれがない。また、導電性液体を介して基板の除電を達成することができるので、基板保持手段における基板との接触部材（周縁部接触部材）の材料として導電性材料を用いる必要がない。すなわち、この構成では、基板と接触する接触部材の材料として導電性材料を用いずに、デバイス破壊の問題も生じることなく、基板の良好な除電を達成することができる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記周縁部は、基板の非デバイス形成面の周縁部であることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。
前記非デバイス形成面とは、基板においてデバイスが形成されている表面とは反対側の、デバイスが形成されていない裏面をいう。
また、周縁部とは、基板の周縁に沿った幅１〜３ｍｍ程度の部分をいう。
【０００９】
この構成によれば、導電性液体が基板の非デバイス形成面の周縁部に向けて吐出されるので、導電性液体と基板との接触時に生じる放電によりデバイスが破壊されることを確実に防止することができる。
請求項３記載の発明は、前記基板保持手段は、基板の周縁部に接触する周縁部接触部材（６）を備えており、前記導電性液体吐出手段は、前記周縁部接触部材に形成された吐出口（２１ａ）から基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出することを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１０】
この構成によれば、周縁部接触部材に形成された吐出口から導電性液体が吐出されることにより、基板における導電性液体との接液部分を確実に基板の周縁部とすることができ、導電性液体と基板との接触時に生じる放電によりデバイスが破壊されることを一層確実に防止することができる。
請求項４記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板に当該基板の処理のための処理液を供給する処理液供給手段（２，３，４，１３，１４，１５）と、前記処理液供給手段による処理液の供給が開始される前に、前記導電性液体吐出手段を制御して、前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて導電性液体を吐出させるための制御手段（４１）とをさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１１】
この構成によれば、基板に対する処理液の供給に先立って、基板の除電を達成することができるので、基板に対する処理液の供給時に放電が生じることを防止することができ、この放電に起因するデバイスの破壊を防止することができる。また、基板保持手段における基板との接触部材（周縁部接触部材）を導電性材料で形成する必要がないので、その接触部材の材料として、処理液に対する耐性の高い材料を用いることができ、接触部材を構成する材料の成分の溶出の問題を回避することができ、その成分の溶出による基板汚染を防止することができる。
【００１２】
請求項５記載の発明は、基板保持手段（１）によって基板（Ｗ）を保持する基板保持工程（Ｓ１）と、前記基板保持手段に保持されている基板の周縁部に向けて、接地電位に制御された導電性液体を吐出する導電性液体吐出工程（Ｓ２）とを含むことを特徴とする、基板除電方法である。
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。すなわち、基板と接触する接触部材の材料として導電性材料を用いずに、デバイス破壊の問題も生じることなく、基板の良好な除電を達成することができる。
【００１３】
請求項６記載の発明は、前記導電性液体吐出工程の後に、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給して、当該基板に対する処理を行う基板処理工程（Ｓ３）をさらに含むことを特徴とする、請求項５記載の基板除電方法である。
この方法によれば、請求項４に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
この基板処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して処理液を用いた処理を施すための装置である。この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持して、そのウエハＷのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線１ａまわりに回転する基板保持手段としてのスピンチャック１を備えている。
【００１５】
スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に処理液を供給するための処理液ノズル２が配置されている。この処理液ノズル２には、純水バルブ３を介して処理液としての純水が供給され、また、薬液バルブ４を介して処理液としての薬液（たとえば、ふっ酸）が供給されるようになっている。処理液ノズル２から吐出される処理液は、ウエハＷの表面の回転中心付近に入射し、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、その回転中心付近から周縁部へと拡がり、ウエハＷの表面の全域に行き渡る。
【００１６】
スピンチャック１は、円盤状のスピンベース５を備えている。このスピンベース５の上面には、その周縁部にほぼ等角度間隔で複数（この実施形態では３つ）の挟持部材６が配置されている。
各挟持部材６は、高耐薬液性の材料（たとえば、フッ素樹脂系材料）を用いて形成され、図２に示すように、ウエハＷの周縁部の裏面を支持する支持部７と、ウエハＷの周端面に対応した内向きのＶ字状断面を有する受け部９でウエハＷの周端面を側方から保持する挟持部８とを備え、挟持部材駆動機構２４によって、支持部７を中心として鉛直軸線まわりに回動されるようになっている。各挟持部材６は、挟持部材駆動機構２４によって回動されることにより、挟持部８を、ウエハＷの周端面に当接して、ウエハＷを挟持する挟持位置と、ウエハＷの周端面から離間して、ウエハＷの挟持を解除する解除位置とに変位させることができる。
【００１７】
また、スピンベース５は、モータを含む回転駆動機構１０の駆動軸である回転軸１１の上端に結合されて回転されるようになっている。回転軸１１は、中空軸とされていて、その内部には、回転軸挿通管１２が挿通されている。
図３は、図１に示すスピンチャック１を導電性液体供給管２０を通る水平面で切断したときの断面図である。
【００１８】
図１および図３を参照して、スピンチャック１の構成を具体的に説明する。回転軸挿通管１２には、中心軸線に沿って、処理液供給路１３が形成されている。この処理液供給路１３には、純水バルブ１４を介して処理液としての純水が供給され、薬液バルブ１５を介して処理液としての薬液（処理液ノズル２から吐出される薬液と同種の薬液）が供給されるようになっている。処理液供給路１３の上端は、回転軸挿通管１２の上端面で吐出口１３ａを形成しており、処理液供給路１３に供給される処理液は、その吐出口１３ａからウエハＷの裏面（下面）の中央に向けて吐出される。この処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの裏面の中央から周縁部へと拡がり、ウエハＷの裏面の全域に行き渡る。
【００１９】
また、回転軸挿通管１２には、処理液供給路１３を取り囲む断面円環状のプロセスガス供給路１６が形成されている。このプロセスガス供給路１６には、プロセスガス（たとえば、窒素等の不活性ガス）がプロセスガスバルブ１７を介して供給されるようになっている。プロセスガス供給路１６の上端は、回転軸挿通管１２の上端面で円環状の吐出口１６ａを形成しており、プロセスガス供給路１６に供給されるプロセスガスは、その吐出口１６ａからウエハＷの裏面に向けて吐出される。
【００２０】
さらに、回転軸挿通管１２には、プロセスガス供給路１６の外側に、回転軸挿通管１２の中心軸線を中心とする等角度間隔で、複数（この実施形態では４本）の導電性液体供給路１８が形成されている。各導電性液体供給路１８は、回転軸挿通管１２の中心軸線と平行に延び、スピンベース５の下端面よりもやや上方の位置で回転軸挿通管１２の外周面に向けて屈曲し、その先端部が回転軸挿通管１２の外周面で開口している。各導電性液体供給路１８には、導電性液体バルブ１９を介して導電性液体（導電性を有する薬液）が供給されるようになっている。
【００２１】
そして、スピンベース５は、内部が中空構造とされており、その内部空間５Ａには、スピンベース５の回転軸挿通管１２との対向面から各挟持部材６に向けて延びる導電性液体供給管２０が配設されている。また、回転軸１１の回転軸挿通管１２との対向面における導電性液体供給路１８の先端部と同じ高さの位置には、導電性液体供給路１８の先端部側に開口した断面凹状の溝２５が全周に設けられている。各導電性液体供給管２０の一端部（基端部）２０ａは、スピンベース５の回転軸挿通管１２との対向面に設けられた溝２５に近づくにつれて断面積が大きくなるように拡がりつつ、溝２５に接続されている。また、各挟持部材６には、支持部７に吐出口２１ａを有する導電性液体吐出路２１が形成されており、各導電性液体供給管２０の他端部は、各挟持部材６の導電性液体吐出路２１に接続されている。これにより、スピンベース５が回転されつつ、各導電性液体供給路１８に導電性液体が供給されると、その導電性液体は、各導電性液体供給路１８の先端部から噴出して、溝２５に向けて飛入する。溝２５に飛入した導電性液体は、スピンベース５が回転されているので、その遠心力によって溝２５に溜まりつつ、各導電性液体供給管２０の一端部２０ａに流れ込み、各導電性液体供給管２０および各導電性液体吐出路２１を通して、各導電性液体吐出路２１の吐出口２１ａからウエハＷの裏面の周縁部に向けて吐出される。
【００２２】
なお、導電性液体としては、たとえば、炭酸水、微量アンモニア添加水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、フッ酸、ＢＨＦ（Buffered hydrofluoric acid：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）、ＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などを例示することができる。
また、図１に示すように、たとえば、導電性液体バルブ１９が介装された導電性液体配管２２の少なくとも一部は、導電性を有する材料（たとえば、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、導電性ＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）など）からなり、この部分に接続されたアース線２３を介して接地されている。
【００２３】
図４は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
この基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む制御部４１を備えている。この制御部４１は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動機構１０および挟持部材駆動機構２４を制御し、純水バルブ３，１４、薬液バルブ４，１５、プロセスガスバルブ１７および導電性液体バルブ１９の開閉を制御する。
【００２４】
図５は、この基板処理装置における処理の流れを示す工程図である。
ウエハＷは、図示しない搬送ロボットのハンドによって搬入されてきて、デバイス形成面である表面を上方に向けた状態でスピンチャック１に保持される（ステップＳ１）。ステップＳ１を具体的に説明すると、ウエハＷはまず、図示しない搬送ロボットのハンドによって挟持部材６の支持部７に載置される。その後、挟持部材駆動機構２４が制御されて、各挟持部材６が支持部７を中心として鉛直軸線まわりに回動されることにより、挟持部８の受け部９がウエハＷの周端面に当接して、ウエハＷが挟持される。
【００２５】
ウエハＷがスピンチャック１に保持されると、回転駆動機構１０が制御されて、スピンベース５とともにウエハＷが所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転される。そして、その一方で、導電性液体バルブ１９が開かれて、導電性液体供給路１８に導電性液体が供給され、この導電性液体が各挟持部材６に設けられた吐出口２１ａからウエハＷの裏面の周縁部に向けて吐出される（ステップＳ２）。
【００２６】
このとき、導電性液体供給路１８に導電性液体配管２２から十分な量の導電性液体が供給されるとともに、溝２５に飛入した導電性液体は、スピンベース５の回転による遠心力が作用することにより、溝２５に溜まりつつ、各導電性液体供給管２０の一端部２０ａに流れ込む。導電性液体配管２２、各導電性液体供給路１８、各導電性液体供給管２０および各導電性液体吐出路２１を経由する導電性液体流路上は、導電性液体が途切れることなく充満し、吐出口２１ａから吐出される導電性液体が接液するウエハＷの裏面の周縁部は、その導電性液体流路上の導電性液体を介して、導電性液体配管２２に接続されたアース線２３と電気的に導通される。そのため、ウエハＷがスピンチャック１に保持される以前から帯電し、または、ウエハＷがスピンチャック１に保持された段階で帯電しても、そのウエハＷに帯電している電荷は、導電性液体およびアース線２３を介してアースに逃がされる。その結果、ウエハＷの除電が達成される。
【００２７】
導電性液体の吐出が所定の時間（たとえば、１秒間）にわたって続けられると、導電性液体バルブ１９が閉じられ、ウエハＷに対する処理が行われる（ステップＳ３）。このウエハ処理では、まず、薬液バルブ４，１５が開かれて、処理液ノズル２および処理液供給路１３の吐出口１３ａからウエハＷの表裏面に薬液が供給されることにより、ウエハＷの表裏面に対する薬液による処理が行われる。そして、この薬液処理が一定時間にわたって行われると、薬液バルブ４，１５が閉じられ、純水バルブ３，１４が開かれる。これにより、処理液ノズル２および処理液供給路１３の吐出口１３ａからウエハＷの表裏面に純水が供給され、ウエハＷの表裏面に対して、その表裏面に付着した薬液を純水によって洗い流すためのリンス処理が行われる。その後、リンス処理が一定時間にわたって行われると、純水バルブ３，１４が閉じられるとともに、回転駆動機構１０が制御されて、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられ、ウエハＷに付着している水滴を遠心力で振り切るためのスピンドライ処理が行われる。
【００２８】
スピンドライ処理の後は、回転駆動機構１０が停止されて、スピンベース５（ウエハＷ）が静止した後、搬送ロボットのハンドによって、この基板処理装置から処理済みのウエハＷが搬出される。
以上のように、スピンチャック１の各挟持部材６に吐出口２１ａが設けられ、各吐出口２１ａからスピンチャック１に保持されているウエハＷの周縁部に向けて、導電性液体が吐出されることにより、その導電性液体を介して、ウエハＷに帯電している電荷を除去することができる。
【００２９】
このとき、導電性液体がウエハＷの周縁部に向けて吐出されるので、たとえウエハＷと導電性液体との接触部で放電が生じても、ウエハＷのデバイス形成面の中央部に形成されたデバイスの破壊を生じるおそれがない。とりわけ、この実施形態では、導電性液体がウエハＷの非デバイス形成面である裏面の周縁部に向けて吐出されるので、導電性液体とウエハＷとの接触時に生じる放電によりデバイスが破壊されることを確実に防止することができる。さらに、各挟持部材６に形成された吐出口２１ａから導電性液体が吐出されることにより、ウエハＷにおける導電性液体との接液部分を確実にウエハＷの裏面の周縁部とすることができ、導電性液体とウエハＷとの接触時に生じる放電によりデバイスが破壊されることを一層確実に防止することができる。
【００３０】
しかも、この実施形態では、ウエハＷに対する処理液（薬液および純水）の供給に先立って、ウエハＷの除電が達成されるので、ウエハＷに対する処理液の供給時に放電が生じることを防止することができ、この処理液供給時の放電に起因するデバイスの破壊も防止することができる。
また、導電性液体を介してウエハＷの除電を達成することができるので、スピンチャック１の各挟持部材６の材料として導電性材料を用いる必要がない。そのため、各挟持部材６の材料として、薬液に対する耐性の高い材料を用いることにより、各挟持部材６を構成する材料の成分の溶出の問題を回避することができ、その成分の溶出によるウエハＷの汚染を防止することができる。すなわち、ウエハＷと接触する各挟持部材６の材料として導電性材料を用いずに、ウエハＷの良好な除電を達成することができる。そのうえ、薬液による各挟持部材６の腐食を生じないので、搬送ロボットのハンドとスピンチャック１との間でのウエハＷの良好な受け渡しを維持することができ、ウエハＷの搬送信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】
なお、この発明は、上述の実施形態と異なる形態で実施することもできる。
上記の実施形態では、挟持部材６は、ウエハＷを支持部７に載置した後に、挟持部８の受け部９がウエハＷの周端面に当接して、ウエハＷを挟持する構成としたが、各挟持部材６が支持部７を中心として鉛直軸線まわりに回動される際に、ウエハＷが受け部９を迫り上がって、そのウエハＷを支持部７から浮き上がった状態で挟持する構成が採用されてもよい。この場合、ウエハＷと吐出口２１ａとが離間するが、導電性液体を吐出口２１ａから吐出させた際に、ウエハＷに導電性液体が接触するのに十分な量の導電性液体が供給されればよい。
【００３２】
また、上述の実施形態では、スピンチャック１の各挟持部材６に吐出口２１ａが形成され、この吐出口２１ａからウエハＷの裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出されるとしたが、スピンベース５の上面において、ウエハＷの裏面周縁部に対向する位置に吐出口が形成され、その吐出口からウエハＷの裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出されるようにしてもよい。また、スピンベース５にノズルが配置されて、そのノズルからウエハＷの裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出されるようにしてもよい。ノズルが採用される場合、スピンベース５の上面の周縁部に限らず、スピンベース５の上面の中央部にノズルを配置して、そのノズルからウエハＷの表面または裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出されるようにしてもよい。さらにまた、スピンベース５の斜め上方または斜め下方にノズルが配置されて、そのノズルからウエハＷの表面または裏面の周縁部に向けて導電性液体が吐出されるようにしてもよい。
【００３３】
また、導電性液体としてウエハＷに対する処理に用いられる処理液と同種の液体を採用する場合、可動式の処理液ノズル２が採用されて、ウエハＷの表面の中央部に処理液が供給される前に、処理液ノズル２がウエハＷの表面の周縁部上に配置され（または、処理液ノズル２の向きがウエハＷの表面の周縁部に向けられて）、その処理液ノズル２からウエハＷの表面の周縁部に向けて導電性液体としての処理液が吐出されるようにしてもよい。
【００３４】
さらに、導電性液体としてウエハＷに対する処理に用いられる処理液と同種の液体を採用する場合、ウエハＷの表面および裏面の中央部への処理液の供給に先立って、ウエハＷの表面または裏面の周縁部に向けて導電性液体としての処理液が吐出され、ウエハＷの表面および裏面の中央部への処理液の供給開始後も、これと並行して、ウエハＷの表面または裏面の周縁部に向けて処理液の吐出が続けられるようにしてもよい。この場合、処理液ノズル２とは別に、ウエハＷの表面または裏面の周縁部に向けて処理液を吐出するノズルなどが設けられる。そして、ウエハＷに対する処理液による処理中に、ウエハＷの表面および裏面と処理液との摩擦による帯電が生じることを防止でき、帯電によるデバイス破壊をより一層防止することができる。
【００３５】
また、上述の実施形態では、導電性液体配管２２の少なくとも一部が導電性材料からなり、この部分にアース線２３が接続されているとしたが、導電性液体配管２２の全体が非導電性材料（絶縁性材料）で形成されてもよく、この場合、たとえば、棒状の炭素電極が導電性液体配管２２の周面を貫通して設け、その炭素電極の各管外の部分にアース線を接続すれば、その導電性液体配管２２を流通する導電性液体の接地を達成することができる。
【００３６】
また、処理の対象となる基板は、ウエハＷに限らず、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
【図２】図１に示す挟持部材の近傍の図解的な断面図である。
【図３】図１に示すスピンチャックを導電性液体供給管を通る水平面で切断したときの断面図である。
【図４】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】基板処理装置における処理の流れを示す工程図である。
【符号の説明】
【００３８】
１      スピンチャック
２      処理液ノズル
３      純水バルブ
４      薬液バルブ
６      挟持部材
１３    処理液供給路
１４    純水バルブ
１５    薬液バルブ
１８    導電性液体供給路
１９    導電性液体バルブ
２０    導電性液体供給管
２１    導電性液体吐出路
２１ａ  吐出口
２２    導電性液体配管
２３    アース線
４１    制御部
Ｗ      ウエハ
【図１】
2007184363.tif 000003
【図２】
2007184363.tif 000004
【図３】
2007184363.tif 000005
【図４】
2007184363.tif 000006
【図５】
2007184363.tif 000007