(57)【要約】【課題】本発明は、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜抵抗体の露出および局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができ、これにより、抵抗体パターンの過エッチングによる不良を低減できて、抵抗値の歩留りを改善することができる薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。【選択図】図２
2007194595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるように複数の薄膜抵抗体層を形成する工程とを少なくとも備え、前記薄膜抵抗体層を形成する工程は、抵抗体着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程とを備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けた薄膜チップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜抵抗体層より貴な金属を用いた請求項１記載の薄膜チップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるように容量素子を構成する複数の薄膜金属層を形成する工程と、前記複数の薄膜金属層の間に薄膜誘電体層を形成する工程を少なくとも備え、前記薄膜金属層を形成する工程は、薄膜金属層着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程を備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝上に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属層、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けた薄膜チップコンデンサの製造方法。
【請求項４】
薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜金属層より貴な金属を用いた請求項３記載の薄膜チップコンデンサの製造方法。
【請求項５】
分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるようにインダクタ素子を構成する１層以上の薄膜金属配線層を形成する工程とを少なくとも備え、前記薄膜金属配線層を形成する工程は、薄膜金属配線層着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程を備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝上に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属配線層、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けた薄膜チップインダクタの製造方法。
【請求項６】
薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜金属配線層より貴な金属を用いた請求項５記載の薄膜チップインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に用いられる薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小形化に伴い、その回路基板の実装密度を高めるため、搭載される電子部品に対する小形化への要求が高まっている。例えば、薄膜抵抗素子を備えた薄膜チップ抵抗器に対しても小形化が進められるとともに、高精度（抵抗値許容差、抵抗温度特性）で、かつ電流雑音特性に優れた薄膜チップ抵抗器への要求が高まっている。
【０００３】
図１７は従来の薄膜チップ抵抗器の断面図、図１８は同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。
【０００４】
従来の薄膜チップ抵抗器は、図１７に示すように、方形の９６％アルミナからなる絶縁基板１の上面の両端部に形成した金からなる一対の薄膜上面電極層２と、前記絶縁基板１の裏面の両端部に形成した金からなる一対の薄膜裏面電極層３と、前記一対の薄膜上面電極層２を覆い、かつ一対の薄膜上面電極層２と電気的に接続されるように形成されたニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４と、この薄膜抵抗体層４を覆い、かつ前記絶縁基板１の上面の両端部に形成した一対の導体樹脂からなる再上面電極層５と、前記薄膜抵抗体層４を覆うとともに、前記一対の再上面電極層５の一部を覆うエポキシ系樹脂からなる保護膜層６と、前記再上面電極層５と薄膜裏面電極層３を電気的に接続するように前記絶縁基板１の両端部にそれぞれ形成した一対の薄膜端面電極層７と、露出した電極部に形成された電極めっき層８とにより構成していた。
【０００５】
次に、従来の薄膜チップ抵抗器の製造方法を図１８のフローチャート、図１９（ａ）〜（ｃ）、図２０（ａ）〜（ｃ）、図２１（ａ）〜（ｃ）および図２２（ａ）〜（ｄ）の製造工程図に基づいて説明する。
【０００６】
まず、図１９（ａ）に示すように、１次分割溝１ａと２次分割溝１ｂを有し、かつ９６％アルミナからなるシート状の絶縁基板１を用意する。
【０００７】
次に、図１９（ｂ）に示すように、絶縁基板１の上面および裏面に金を主成分とする金属有機物からなる電極ペーストを１次分割溝１ａを跨ぐようにスクリーン印刷して乾燥させ、その後、金属有機物からなる電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、そして金属成分だけを絶縁基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、薄膜上面電極層２および薄膜裏面電極層３（図示せず）を形成する（図１８の裏面・上面電極層形成工程）。
【０００８】
次に、図１９（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面全体にニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４をスパッタを用いて形成する（図１８の抵抗体着膜工程）。
【０００９】
次に、図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記薄膜抵抗体層４を所定の抵抗体パターン４ａに形成するフォトリソプロセス工程（フォトレジスト塗布・乾燥、パターン露光、現像、エッチング、レジスト剥離の各工程）を行った後、抵抗体パターン４ａを安定な膜にするために、３００〜４００℃の雰囲気で熱処理を行う（図１８の薄膜抵抗体層を形成する工程）。
【００１０】
次に、図２１（ａ）に示すように、薄膜上面電極層２上の薄膜抵抗体層４を覆うように導体樹脂からなる再上面電極層５を形成する（図１８の再上面電極層形成工程）。
【００１１】
次に、図２１（ｂ）に示すように、抵抗体パターン４ａの抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミングにより抵抗値修正を行って、抵抗値修正済みの抵抗体パターン４ｂとする（図１８の抵抗値修正工程）。
【００１２】
次に、図２１（ｃ）に示すように、抵抗値修正済みの抵抗体パターン４ｂを保護するために、熱硬化性のエポキシ系樹脂からなる保護膜層６を形成する（図１８の保護膜層形成工程）。
【００１３】
次に、図２２（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１を１次分割溝１ａに沿って分割することにより短冊状基板１ｃを得る。
【００１４】
次に、図２２（ｂ）に示すように、短冊状基板１ｃの端面にスパッタを用いて、薄膜端面電極層７を形成する（図１８の端面電極形成工程）。
【００１５】
次に、図２２（ｃ）に示すように、短冊状基板１ｃを２次分割溝１ｂに沿って分割することにより個片状基板１ｄを得る。
【００１６】
最後に、図２２（ｄ）に示すように、露出した電極部に電極めっき層８を形成する工程（図１８の電極めっき層形成工程）を行うことにより、従来の薄膜チップ抵抗器を製造していた。
【００１７】
上記のようにして製造された従来の薄膜チップ抵抗器は、ニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４を用いているため、高精度で、かつ低ＴＣＲ特性を実現できるものである。
【００１８】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００３−４５７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上記した従来の薄膜チップ抵抗器の製造方法においては、図２３に示すように、１次分割溝１ａを跨いで薄膜上面電極層２を形成し、そして薄膜抵抗体層４を着膜し、その後、薄膜抵抗体パターンを露光するためにフォトレジスト９を塗布した場合、１次分割溝１ａにおいて段差が生じる部分にフォトレジスト９が均一に塗布されず、金からなる薄膜上面電極層２とニッケルクロム系合金等からなる薄膜抵抗体層４の材料が１次分割溝１ａの段差部分で露出してしまうため、フォトリソプロセス工程における抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際に薄膜抵抗体の露出部がエッチングされる現象および局部電池反応による薄膜抵抗体の過エッチング現象が生じていた。この過エッチング現象とは、相対的に貴な金属と卑な金属を電気的に接合させた場合に、前記貴な金属と卑な金属との間に標準電極電位の差による電位差が発生して局部的には電池のようになり、この状態でエッチング液（以下エッチャントと記す）中に露出された場合にエッチャントを通じて通電状態になるため、エッチングされる卑な金属が通常のエッチングの作用とは別に電気分解の作用も加わることにより、レジストパターンでマスキングされた部分の側面からさらに進んで過度にエッチングされる現象のことを意味する。従来は、この過エッチング現象が生じてもエッチング後の抵抗値にほとんど影響のない程度の線幅の太い抵抗体パターンで設計が可能であったため課題とならなかったが、近年、薄膜チップ抵抗器の小形化が要求されている中で、シート抵抗値に上限のある抵抗材料を用いて大きな抵抗値を有する薄膜チップ抵抗器を得るためには抵抗体パターンを長く、かつ線幅を細くした微細パターンを形成する必要があり、この場合、上記過エッチング現象が発生すると、所望の薄膜抵抗体の微細パターンが精度良く得られず、抵抗値歩留りが悪化するという問題点を有していた。この問題点は、薄膜抵抗体層を用いた薄膜チップ抵抗器のみならず、分割溝を有するシート状の絶縁基板上に薄膜金属層を形成することにより構成される容量素子を用いた薄膜チップコンデンサや薄膜金属配線層を形成することにより構成されるインダクタ素子を用いた薄膜チップインダクタにおいても、デバイスの小形化や高精度化の要求を満たすためには微細なパターンを精度良く形成しなければならないために生じるものである。
【００２０】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、第１の目的は、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜抵抗体の露出および局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができ、これにより、抵抗体パターンの過エッチングによる不良を低減できて、抵抗値の歩留りを改善することができる薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００２１】
第２の目的は、薄膜誘電体層を挟む薄膜金属層形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属層の露出および局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができ、これにより、誘電体層を挟む薄膜金属層の過エッチングによる不良を低減できて、容量値の歩留りを改善することができる薄膜チップコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【００２２】
第３の目的は、薄膜インダクタ素子を構成する薄膜金属配線層形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属配線層の露出および局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができ、これにより、薄膜インダクタ素子を構成する薄膜金属配線層の過エッチングによる不良を低減できて、インダクタンス値の歩留りを改善することができる薄膜チップインダクタの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００２４】
本発明の請求項１に記載の発明は、分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるように複数の薄膜抵抗体層を形成する工程とを少なくとも備え、前記薄膜抵抗体層を形成する工程は、抵抗体着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程とを備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたもので、この製造方法によれば、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での抵抗体パターンの欠損を低減でき、これにより、抵抗値歩留りが大幅に改善した薄膜チップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００２５】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜抵抗体層より貴な金属を用いたもので、この製造方法によれば、薄膜上面電極層を形成する材料として薄膜抵抗体層より貴な金属を用いているため、エッチング工程において分割溝内部にエッチャントが滲入した場合でも、薄膜抵抗体層よりも先に薄膜上面電極層が溶解するという不具合が起こるということはなくなり、また、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での抵抗体パターンの欠損を低減でき、これにより、抵抗値歩留りが大幅に改善した薄膜チップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００２６】
本発明の請求項３に記載の発明は、分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるように容量素子を構成する複数の薄膜金属層を形成する工程と、前記複数の薄膜金属層の間に薄膜誘電体層を形成する工程を少なくとも備え、前記薄膜金属層を形成する工程は、薄膜金属層着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程を備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝上に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属層、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたもので、この製造方法によれば、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝上に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属層、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、薄膜金属層パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属層パターンの欠損を低減でき、これにより、容量値歩留りが大幅に改善した薄膜チップコンデンサが得られるという作用効果を有するものである。
【００２７】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜金属層より貴な金属を用いたもので、この製造方法によれば、薄膜上面電極層を形成する材料として薄膜金属層より貴な金属を用いているため、エッチング工程において分割溝内部にエッチャントが滲入した場合でも、薄膜金属層よりも先に薄膜上面電極層が溶解するという不具合が起こるということはなくなり、また、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属層着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、薄膜金属層パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属層パターンの欠損を低減でき、これにより、容量値歩留りが大幅に改善した薄膜チップコンデンサが得られるという作用効果を有するものである。
【００２８】
本発明の請求項５に記載の発明は、分割溝を有するシート状の絶縁基板の上面に前記分割溝を跨いで複数の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記複数の薄膜上面電極層と電気的に接続されるようにインダクタ素子を構成する１層以上の薄膜金属配線層を形成する工程とを少なくとも備え、前記薄膜金属配線層を形成する工程は、薄膜金属配線層着膜工程とフォトレジスト塗布工程とパターン露光工程と現像工程とウェットエッチング工程を備えるとともに、前記現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝上に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属配線層、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたもので、この製造方法によれば、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属配線層着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、薄膜金属配線層パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属配線層パターンの欠損を低減でき、これにより、インダクタンス値歩留りが大幅に改善した薄膜チップインダクタが得られるという作用効果を有するものである。
【００２９】
本発明の請求項６に記載の発明は、特に、薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜金属配線層より貴な金属を用いたもので、この製造方法によれば、薄膜上面電極層を形成する材料として、薄膜金属配線層より貴な金属を用いているため、エッチング工程において分割溝内部にエッチャントが滲入した場合でも、薄膜金属配線層よりも先に薄膜上面電極層が溶解するという不具合が起こるということはなくなり、また、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、薄膜金属配線層着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、薄膜金属配線層パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での薄膜金属配線層パターンの欠損を低減でき、これにより、インダクタンス値歩留りが大幅に改善した薄膜チップインダクタが得られるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けているため、フォトレジストで完全に覆いきれていなかった分割溝段差部の薄膜上面電極層を分割溝用レジストで完全に覆うことができ、これにより、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における分割溝付近での抵抗体パターンの欠損を低減でき、これにより、抵抗値歩留りが大幅に改善した薄膜抵抗素子が得られ、この薄膜抵抗素子を用いて小形かつ高精度の薄膜チップ抵抗器が得られるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１、２に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の断面図、図１（ｂ）は同薄膜チップ抵抗器のウェットエッチング工程直前の基板の要部拡大断面図、図２は同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の製造方法の特徴とするところは、図２のフローチャートに示すように、薄膜抵抗体層を形成する工程、すなわちフォトリソプロセス工程の中において、現像工程とウェットエッチング工程との間に分割溝用レジスト印刷工程を付加した点である。なお、図１（ａ）に示す本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の断面構造は、図１７に示した従来の薄膜チップ抵抗器の断面構造と同一であるため、その構造の説明は省略する。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の製造方法を図２のフローチャート、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）〜（ｃ）および図６（ａ）〜（ｅ）の製造工程図に基づいて説明する。
【００３４】
まず、図３（ａ）に示すように、１次分割溝１ａと２次分割溝１ｂを有する９６％アルミナからなるシート状の絶縁基板１を用意する。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１の上面および裏面に金を主成分とする金属有機物からなる電極ペースト、例えば金レジネートペーストを１次分割溝１ａを跨ぐようにスクリーン印刷して乾燥させ、その後、金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、そして金属成分だけを絶縁基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、薄膜上面電極層２および薄膜裏面電極層３（図示せず）を形成する（図２の裏面・上面電極層形成工程）。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁基板１の上面全体にＮｉ−Ｃｒ系合金等からなる薄膜抵抗体層４をスパッタを用いて形成する（図２の抵抗体着膜工程）。
【００３７】
次に、図４（ａ）に示すように、前記薄膜抵抗体層４を所定の抵抗体パターン４ａに形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわちフォトレジスト塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここでフォトレジストの塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望の抵抗体パターン４ａを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚とする。
【００３８】
次に、図４（ｂ）に示すように、１次分割溝１ａを跨ぐように分割溝用レジスト１０を印刷する。この時、従来は図２３に示すように、薄膜上面電極層２と薄膜抵抗体層４が１次分割溝１ａの段差部に露出していたため、フォトリソプロセス工程における抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際に局部電池反応による過エッチング現象を引き起こし、抵抗体パターンが断線する要因となっていたが、本発明の実施の形態１においては、上記図４（ｂ）で示したように１次分割溝１ａを跨ぐように分割溝用レジスト１０を印刷することにより、図１（ｂ）に示すように１次分割溝１ａの段差部の薄膜上面電極層２と薄膜抵抗体層４の露出部分を分割溝用レジスト１０で完全に覆うようにしているため、図４（ｃ）に示すウェットエッチング工程においては、フォトレジスト９に形成した抵抗体パターンに従ってエッチングされることになり、これにより、過エッチングによる抵抗体パターンの欠損を低減できるものである。なお、このウェットエッチングには、薄膜上面電極層２の材料を溶解せず薄膜抵抗体層４の材料を選択的に溶解する強酸性の水溶液が用いられる。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示すように、フォトレジスト９と分割溝用レジスト１０の両者を剥離するレジスト剥離工程を実施し、その後、抵抗体パターン４ａを安定な膜にするために、３００〜４００℃の雰囲気で熱処理を行う（図２の薄膜抵抗体層を形成する工程）。なお、レジスト剥離工程を設けずに、フォトレジスト９と分割溝用レジスト１０を保護膜の一部として用いても良いものである。
【００４０】
次に、図５（ｂ）に示すように、薄膜上面電極層２上の薄膜抵抗体層４を覆うように導体樹脂からなる再上面電極層５を形成する（図２の再上面電極層形成工程）。この再上面電極層５は、後述する抵抗値修正工程においてトリミング検針の接触を良好にするために設けるものである。
【００４１】
次に、図５（ｃ）に示すように、抵抗体パターン４ａの抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミングにより抵抗値修正工程を行って、抵抗値修正済みの抵抗パターン４ｂとする（図２の抵抗値修正工程）。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示すように、抵抗値修正済みの抵抗パターン４ｂを保護するために、熱硬化性のエポキシ樹脂からなる保護膜層６を形成する（図２の保護膜層形成工程）。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示すように、シート状の絶縁基板１を１次分割溝１ａに沿って分割することにより短冊状基板１ｃを得る。
【００４４】
次に、図６（ｃ）に示すように、短冊状基板１ｃの端面にスパッタを用いて薄膜端面電極層７を形成する（図２の端面電極層形成工程）。
【００４５】
次に、図６（ｄ）に示すように、短冊状基板１ｃを２次分割溝１ｂに沿って分割することにより個片状基板１ｄを得る。ここで２次分割溝１ｂの内部にはウェットエッチングで十分に除去できていない抵抗体が残存しているため、この２次分割溝１ｂに沿って分割する際にはレーザースクライブ等の残存抵抗体を除去するのに有効な方法を用いる。この場合、２次分割溝１ｂの内部の抵抗体除去が不十分であると、後述する電極めっき工程で薄膜端面電極層７以外の部分にもめっきが付着して外観不良品が発生する。
【００４６】
最後に、図６（ｅ）に示すように、はんだ付け時の信頼性の確保のために、露出した電極部に電極めっき層８を形成する工程（図２の電極めっき層形成工程）を行うことにより、本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器を完成させる。
【００４７】
上記した本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の製造方法においては、フォトレジスト９で完全に覆いきれていなかった１次分割溝１ａの段差部の薄膜上面電極層２と薄膜抵抗体層４の露出部分を分割溝用レジスト１０の印刷によって完全に覆うようにしているため、抵抗体パターン形成過程でのウェットエッチングの際における１次分割溝１ａ付近での局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができ、これにより、抵抗体パターンの過エッチングによる不良を低減できて、抵抗値歩留りを大幅に改善することができるという優れた効果を奏するものである。また、この効果は、薄膜上面電極層２を形成する材料として金レジネート等の貴金属有機物ペーストを用い、かつ薄膜抵抗体層４を形成する材料に薄膜上面電極層２よりも卑な金属を用いているため、従来の技術においては相対的に卑な金属である薄膜抵抗体層４の過溶解が局部電池反応によって促進されることになり、これにより、本発明の実施の形態１を採用することによる上記記載の効果がより顕著に現れるものである。
【００４８】
なお、上記本発明の実施の形態１においては、薄膜抵抗体層４を着膜する場合、図３（ｃ）に示すように絶縁基板１の上面全体に着膜していたが、マスクスパッタ法を用いて１次分割溝１ａとその付近を除いた絶縁基板１の上面すべての箇所に薄膜抵抗体層４を着膜するようにしてもよいものである。このようにすれば、１次分割溝１ａに薄膜抵抗体層４が最初から存在しないため、分割溝用レジスト１０を印刷した際に隣接する素子の分割溝用レジストと短絡した場合においても素子同士の電気的な短絡は発生せず、また、１次分割溝１ａ付近の絶縁基板１の上面には薄膜抵抗体層４が存在せず、薄膜上面電極層２が絶縁基板１の上面に露出する部分が存在するため、再上面電極層５と薄膜上面電極層２との接触が図れて電気的接続が安定するものである。
【００４９】
また、マスクスパッタ法を用いて２次分割溝１ｂとその付近を除く絶縁基板１の上面すべての箇所に薄膜抵抗体層４を着膜するようにしてもよく、このようにした場合は、エッチングで十分に除去できない２次分割溝１ｂ内部の薄膜抵抗体層４をレーザースクライブ等で除去する工程を省くことができ、かつ薄膜端面電極層７以外の部分にめっきが付着する外観不良が発生する割合を低減することができるものである。
【００５０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項３、４に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００５１】
図７は本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの断面図、図８は同薄膜チップコンデンサの第１の薄膜金属層のウェットエッチング工程後の要部拡大断面図、図９は同薄膜チップコンデンサの薄膜誘電体層のウェットエッチング工程後の要部拡大断面図、図１０は同薄膜チップコンデンサの第２の薄膜金属層のウェットエッチング工程後の要部拡大断面図、図１１は同薄膜チップコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【００５２】
本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの製造方法の特徴とするところは、図１１のフローチャートに示すように、薄膜金属層を形成する工程、すなわち薄膜金属層のフォトリソプロセス工程の中において、現像工程とウェットエッチング工程との間に分割溝用レジスト印刷工程を付加した点である。
【００５３】
次に本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの断面構造を、図７を参照しながら説明する。２１はアルミナ含有量が９６％以上のアルミナ基板等からなる絶縁基板である。２２は前記絶縁基板２１の上面の両端部に形成された一対の薄膜上面電極層である。２３は前記絶縁基板２１の裏面の両端部に形成された一対の薄膜裏面電極層である。２４は前記一対の薄膜上面電極層２２を覆うように絶縁基板２１上に形成された第１の薄膜金属層である。２５は前記第１の薄膜金属層２４の少なくとも一部を覆うように形成された薄膜誘電体層である。２６は前記第１の薄膜金属層２４の少なくとも一部と前記薄膜誘電体層２５を介して対向するように形成された第２の薄膜金属層で、この第２の薄膜金属層２６と前記第１の薄膜金属層２４および薄膜誘電体層２５により容量素子を構成している。２７は少なくとも前記第１の薄膜金属層２４と第２の薄膜金属層２６が薄膜誘電体層２５を介して対向する部分を覆うように形成された保護膜層である。２８は前記薄膜裏面電極層２３、薄膜上面電極層２２、第１の薄膜金属層２４および第２の薄膜金属層２６と電気的に接続されるように前記絶縁基板２１の端面に形成された端面電極層である。２９は前記薄膜裏面電極層２３、端面電極層２８および第２の薄膜金属層２６を覆うように形成された第１のめっき層である。３０は第１のめっき層２９を覆うように形成された第２のめっき層である。
【００５４】
次に、本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの製造方法を図８〜図１０に示した断面図、図１１に示したフローチャートに基づいて説明する。
【００５５】
まず、図８に示すように、１次分割溝２１ａを有する９６％アルミナからなるシート状の絶縁基板２１を用意し、そしてこの絶縁基板２１の上面および裏面に金を主成分とする金属有機物からなる電極ペースト、例えば金レジネートペーストを１次分割溝２１ａを跨ぐようにスクリーン印刷して乾燥させ、その後、金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、かつ金属成分だけを絶縁基板２１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって焼成し、薄膜上面電極層２２および薄膜裏面電極層２３を形成する（図１１の裏面・上面電極層形成工程）。
【００５６】
次に、前記絶縁基板２１の上面全体に前記薄膜上面電極層２２を覆うように金系の金属からなる第１の薄膜金属層２４をスパッタを用いて形成する。このとき金の密着を高めるために金の下地としてチタン等の密着層をスパッタ等を用いて形成する（図１１の第１の薄膜金属層着膜工程）。
【００５７】
次に、前記第１の薄膜金属層２４を所定のパターンに形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわち、第１のフォトレジスト３１の塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここで前記第１のフォトレジスト３１の塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望のパターンを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚で形成する（図１１の第１のフォトレジスト塗布、パターン露光、現像の各工程）。
【００５８】
次に、１次分割溝２１ａを跨ぐように第１の分割溝用レジスト３２を印刷して乾燥させることにより、１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４の露出部分をこの第１の分割溝用レジスト３２で完全に覆う。そしてこの状態で、前記第１の薄膜金属層２４の第１のウェットエッチングを行う。ここで金系の金属からなる第１の薄膜金属層２４をエッチングする場合には、エッチャントとして塩酸と硝酸からなる王水を４０℃〜８０℃の温度で使用する（図１１の第１の分割溝用レジスト印刷、第１のウェットエッチングの各工程）。
【００５９】
このとき、１次分割溝２１ａのエッジは急で溝が深いため、第１の分割溝用レジスト３２の印刷工程がない場合には、第１のフォトレジスト３１が１次分割溝２１ａの端部で極端に薄くなり、薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４が１次分割溝２１ａの段差部付近で露出してしまうため、ウェットエッチングの際に薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４が１次分割溝２１ａの周辺でエッチングされてしまう要因となっていたが、本発明の実施の形態２においては、図８に示すように、１次分割溝２１ａを跨ぐように第１の分割溝用レジスト３２を印刷することにより、１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４の露出部分を第１の分割溝用レジスト３２で完全に覆うようにしているため、第１のウェットエッチング工程においては、第１のフォトレジスト３１に形成したパターンに従ってエッチングされることになり、これにより、第１の薄膜金属層２４のパターンの欠陥は発生し難くなるものである。
【００６０】
次に、図８に示した第１のフォトレジスト３１と第１の分割溝用レジスト３２の両者を剥離するレジスト剥離工程を実施する。このとき、レジスト剥離液としてはＮａＯＨ水溶液等のアルカリ性の剥離液や溶剤等からなる第１のフォトレジスト３１と第１の分割溝用レジスト３２を両方とも剥離させる能力のある剥離液を使用し、剥離後は純水で充分すすいだ後、乾燥させる（図１１の第１のレジスト剥離工程）。
【００６１】
次に、前記第１の薄膜金属層２４を覆うように絶縁基板２１の上面全体に薄膜誘電体層２５をスパッタリングを用いて形成する。薄膜誘電体層２５の材料としては、チタン酸ストロンチウム（以下ＳＴＯと記す）、チタン酸バリウムストロンチウム（以下ＢＳＴと記す）、チタン酸バリウム（以下ＢＴＯと記す）、二酸化ケイ素（以下ＳｉＯ2と記す）等が挙げられるが、所望の静電容量を作成するために適切な誘電率εの材料を選択し、適切な厚みで成膜する（図１１の薄膜誘電体層着膜工程）。
【００６２】
次に、前記薄膜誘電体層２５を所定のパターンに形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわち、第２のフォトレジスト３３の塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここで前記第２のフォトレジスト３３の塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望のパターンを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚で形成する（図１１の第２のフォトレジスト塗布、パターン露光、現像の各工程）。
【００６３】
次に、図９に示すように、前記第１の薄膜金属層２４上に形成された薄膜誘電体層２５における第２のフォトレジスト３３以外の部分を取り除くように第２のウェットエッチングを行う。このとき、薄膜誘電体層２５の材料としてＳＴＯ、ＢＳＴ、ＢＴＯ、ＳｉＯ2などの材料を使用した場合、薄膜誘電体層２５のウェットエッチングにはフッ酸の水溶液を使用し、常温でエッチングを実施する。また、このとき、１次分割溝２１ａ上に形成された薄膜誘電体層２５も取り除く必要があるため、薄膜誘電体層２５のウェットエッチング時には分割溝用レジストは形成しないものである（図１１の第２のウェットエッチング工程）。
【００６４】
次に、図９に示した第２のフォトレジスト３３を剥離するレジスト剥離工程を実施する。このとき、レジスト剥離液としてはＮａＯＨ水溶液等のアルカリ性の剥離液や溶剤等からなる第２のフォトレジスト３３を剥離させる能力のある剥離液を使用し、剥離後は純水で充分すすいだ後、乾燥させる（図１１の第２のレジスト剥離工程）。
【００６５】
次に、図１０に示すように、前記第１の薄膜金属層２４および薄膜誘電体層２５を覆うように絶縁基板２１の上面全体に銅系の金属からなる第２の薄膜金属層２６をスパッタを用いて形成する。このとき、銅系の薄膜金属層の密着力を高めるために、銅系の金属の下地としてクロム等の密着層をスパッタ等を用いて形成する（図１１の第２の薄膜金属層着膜工程）。
【００６６】
次に、前記第２の薄膜金属層２６を所定のパターンに形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわち、第３のフォトレジスト３４の塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここで第３のフォトレジスト３４の塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望のパターンを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚で形成する（図１１の第３のフォトレジスト塗布、パターン露光、現像の各工程）。
【００６７】
次に、１次分割溝２１ａを跨ぐように第２の分割溝用レジスト３５を印刷して乾燥させることにより、１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と、第１の薄膜金属層２４および第２の薄膜金属層２６の露出部分を第２の分割溝用レジスト３５で完全に覆う。この状態で、第２の薄膜金属層２６の第３のウェットエッチングを行う。ここで第２の薄膜金属層２６がクロム系の金属と銅系の金属の２層構造で構成される場合には、エッチャントとしてまず過硫酸アンモニウムの水溶液で銅系の金属のエッチングを行い、その後、過マンガン酸カリウムとメタ珪酸ナトリウムの水溶液でクロム系の金属のエッチングを行う（図１１の第３のウェットエッチング工程）。
【００６８】
このとき、１次分割溝２１ａのエッジは急で溝が深いため、第２の分割溝用レジスト３５の形成工程がない場合には、第３のフォトレジスト３４が１次分割溝２１ａの端部で極端に薄くなり、薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４が１次分割溝２１ａの段差部付近で露出してしまうため、第３のウェットエッチングの際に貴な金属である金系の金属からなる薄膜上面電極層２２および第１の薄膜金属層２４と、金に比べて相対的に卑な金属である銅系の金属からなる第２の薄膜金属層２６との間に電位差が生じ、局部電池反応によって過エッチングされてしまう要因となっていたが、本発明の実施の形態２においては、図１０に示すように１次分割溝２１ａを跨ぐように第２の分割溝用レジスト３５を印刷することにより、１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と、第１の薄膜金属層２４および第２の薄膜金属層２６の露出部分を第２の分割溝用レジスト３５で完全に覆うようにしているため、第３のウェットエッチング工程においては、第３のフォトレジスト３４に形成したパターンに従ってエッチングされることになり、これにより、第２の薄膜金属層２６のパターンの欠陥は発生し難くなるものである。
【００６９】
次に、第３のフォトレジスト３４と第２の分割溝用レジスト３５の両者を剥離するレジスト剥離工程を実施する。このとき、レジスト剥離液としてはＮａＯＨ水溶液等のアルカリ性の剥離液や溶剤等からなる第３のフォトレジスト３４と第２の分割溝用レジスト３５を両方とも剥離させる能力のある剥離液を使用し、剥離後は純水で充分すすいだ後、乾燥させる（図１１の第３のレジスト剥離工程）。
【００７０】
次に、容量素子の形成部を保護するために、熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる保護膜層２７を印刷および硬化により形成する（図１１の保護膜層形成工程）。
【００７１】
その後、１次分割工程、端面電極形成工程、２次分割工程、電極めっき層形成工程を行うが、これらは上記した本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の製造工程と同一であるため、その説明は省略する。そして上記した工程の実施により、本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサは製造されるものである。
【００７２】
上記した本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの製造方法においては、第１の薄膜金属層２４の形成過程で、第１のフォトレジスト３１で完全に覆いきれていなかった１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４の露出部分を第１の分割溝用レジスト３２の印刷によって完全に覆うようにしているため、第１の薄膜金属層２４のパターン形成過程での第１のウェットエッチングにおける１次分割溝２１ａ付近での第１の薄膜金属層２４と薄膜上面電極層２２の露出が抑えられ、これにより、１次分割溝２１ａ付近の第１の薄膜金属層２４と薄膜上面電極層２２の過度なエッチングを抑制することができ、また第２の薄膜金属層２６の形成過程では、第３のフォトレジスト３４で完全に覆いきれていなかった１次分割溝２１ａの段差部の薄膜上面電極層２２と第１の薄膜金属層２４および第２の薄膜金属層２６の露出部分を第２の分割溝用レジスト３５の印刷によって完全に覆うようにしているため、第３のウェットエッチングの際における１次分割溝２１ａ付近での局部電池反応による第２の薄膜金属層２６の過エッチング現象を抑制することができ、これにより、第１の薄膜金属層２４および第２の薄膜金属層２６のパターン不良を低減できるため、容量値の歩留りを大幅に改善することができるという優れた効果を奏するものである。
【００７３】
また、上記本発明の実施の形態２においては、絶縁基板２１上に直接第１の薄膜金属層２４を形成しているが、絶縁基板２１上の容量素子を形成する範囲にガラスグレーズを施して、より平滑な面を出すようにしても同様の効果が得られるものである。
【００７４】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項５、６に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００７５】
図１２は本発明の実施の形態３におけるチップインダクタの断面図、図１３は同チップインダクタの第１の薄膜金属配線層エッチング後の要部拡大断面図、図１４は同チップインダクタの層間絶縁層のウェットエッチング工程後の要部拡大断面図、図１５は同チップインダクタの第２の薄膜金属配線層エッチング後の要部拡大断面図、図１６は同チップインダクタの製造方法を示すフローチャートである。
【００７６】
本発明の実施の形態３におけるチップインダクタの製造方法の特徴とするところは、図１６のフローチャートに示すように、第１の薄膜金属配線層形成工程の中のフォトリソプロセス工程および第２の薄膜金属配線層形成工程の中のフォトリソプロセス工程において、現像工程とウェットエッチング工程との間に分割溝用レジスト印刷工程を付加した点である。
【００７７】
次に本発明の実施の形態３におけるチップインダクタの断面構造を、図１２を参照しながら説明する。４１はアルミナ含有量が９６％以上のアルミナ基板等からなる絶縁基板である。４２は前記絶縁基板４１の上面の両端部に形成された一対の薄膜上面電極層である。４３は前記絶縁基板４１の裏面の両端部に形成された一対の薄膜裏面電極層である。４４は前記一対の薄膜上面電極層４２を覆うように絶縁基板４１上に形成された第１の薄膜金属配線層で、この第１の薄膜金属配線層４４は絶縁基板４１上では螺旋形状を有し、インダクタ素子を形成するものである。４５は前記第１の薄膜金属配線層４４の少なくとも一部を覆うように形成されたポリイミド等からなる層間絶縁層である。４６は前記第１の薄膜金属配線層４４の少なくとも一部と層間絶縁層４５を介して対向するとともに、前記第１の薄膜金属配線層４４の一部と層間絶縁層４５に設けられたスルーホールによって電気的に接続された第２の薄膜金属配線層で、この第２の薄膜金属配線層４６はさらに前記一対の薄膜上面電極層４２と電気的に接続されるように形成されているものである。そしてこの第２の薄膜金属配線層４６は前記第１の薄膜金属配線層４４等とでインダクタ素子を構成している。４７は少なくとも前記第１の薄膜金属配線層４４と第２の薄膜金属配線層４６が層間絶縁層４５を介して対向する部分を覆うように形成された保護膜層である。４８は前記薄膜裏面電極層４３、薄膜上面電極層４２、第１の薄膜金属配線層４４および第２の薄膜金属配線層４６と電気的に接続されるように前記絶縁基板４１の端面に形成された端面電極層である。４９は前記薄膜裏面電極層４３、端面電極層４８および第２の薄膜金属配線層４６を覆うように形成された第１のめっき層である。５０は第１のめっき層４９を覆うように形成された第２のめっき層である。
【００７８】
次に、本発明の実施の形態３におけるチップインダクタの製造方法を図１３〜図１５に示した断面図、図１６に示したフローチャートに基づいて説明する。
【００７９】
まず、図１３に示すように、１次分割溝４１ａを有する９６％アルミナからなるシート状の絶縁基板４１を用意し、そしてこの絶縁基板４１の上面および裏面に金を主成分とする金属有機物からなる電極ペーストを１次分割溝４１ａを跨ぐようにスクリーン印刷して乾燥させ、その後、金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛ばし、かつ金属成分だけを絶縁基板４１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉によって６００℃以上の温度で焼成し、薄膜上面電極層４２および薄膜裏面電極層４３を形成する（図１６の裏面・上面電極層形成工程）。
【００８０】
次に、前記絶縁基板４１の上面全体に前記薄膜上面電極層４２を覆うように銅系の金属からなる第１の薄膜金属配線層４４をスパッタリングなどの成膜方法を用いて形成する。このとき銅の密着力を高めるために銅の下地としてクロム等の密着層をスパッタなどを用いて形成する（図１６の第１の薄膜金属配線層着膜工程）。
【００８１】
次に、前記第１の薄膜金属配線層４４を所定のパターン（インダクタ素子を形成する螺旋形状）に形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわち、第１のフォトレジスト５１の塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここで前記第１のフォトレジスト５１の塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望のパターンを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚で形成する（図１６の第１のフォトレジスト塗布、パターン露光、現像の各工程）。
【００８２】
次に、１次分割溝４１ａを跨ぐように第１の分割溝用レジスト５２を印刷して乾燥させることにより、１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と第１の薄膜金属配線層４４の露出部分を第１の分割溝用レジスト５２で完全に覆う。そしてこの状態で、前記第１の薄膜金属配線層４４の第１のウェットエッチングを行う。ここで第１の薄膜金属配線層４４がクロム系の金属と銅系の金属の２層構造で構成される場合には、エッチャントとしてまず過硫酸アンモニウムの水溶液で銅系の金属のエッチングを行い、その後、過マンガン酸カリウムとメタ珪酸ナトリウムの水溶液でクロム系の金属のエッチングを行う（図１６の第１のウェットエッチング工程）。
【００８３】
このとき、１次分割溝４１ａのエッジは急で溝が深いため、第１の分割溝用レジスト５２の形成工程がない場合には、第１のフォトレジスト５１が１次分割溝４１ａの端部で極端に薄くなり、薄膜上面電極層４２と第１の薄膜金属配線層４４が１次分割溝４１ａの段差部付近で露出してしまうため、第１のウェットエッチングの際に第１の薄膜金属配線層４４が１次分割溝４１ａの周辺でエッチングされてしまう要因となっていたが、本発明の実施の形態３においては、図１３に示すように、１次分割溝４１ａを跨ぐように第１の分割溝用レジスト５２を印刷することにより、１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と第１の薄膜金属配線層４４の露出部分を第１の分割溝用レジスト５２で完全に覆うようにしているため、第１のウェットエッチング工程においては、第１のフォトレジスト５１に形成したパターンに従ってエッチングされることになり、これにより、第１の薄膜金属配線層４４のパターンの欠陥は発生し難くなるものである。
【００８４】
次に、図１３に示した第１のフォトレジスト５１と第１の分割溝用レジスト５２の両者を剥離するレジスト剥離工程を実施する。このとき、レジスト剥離液としてはＮａＯＨ水溶液などのアルカリ性の剥離液や溶剤等からなる第１のフォトレジスト５１と第１の分割溝用レジスト５２の両方とも剥離させる能力のある剥離液を使用し、剥離後は純水で充分すすいだ後、乾燥させる（図１６の第１のレジスト剥離工程）。
【００８５】
次に、前記第１の薄膜金属配線層４４が形成された絶縁基板４１の上面全体に感光性ポリイミド等からなる層間絶縁層４５の材料を、スピンコート等の方法で塗布して乾燥させる（図１６の層間絶縁層塗布工程）。
【００８６】
次に、前記層間絶縁層４５を所定のパターンに形成するフォトリソプロセス工程、すなわちパターン露光、現像の各工程を行う。層間絶縁層４５の材料として感光性ポリイミドを使用した場合には、上記したパターン露光、現像の工程によって所望のパターン形成が完了するものである（図１６のパターン露光、現像の各工程）。なお、層間絶縁層４５の材料としては、非感光性ポリイミド材料を使用することもできる。その場合は、非感光性ポリイミド材料をスピンコート等の方法で塗布して乾燥させた後、絶縁層用フォトレジスト５３をスピンコート、ロールコート等の方法で塗布して乾燥させ、そして前記絶縁層用フォトレジスト５３を露光、現像した後、ウェットエッチングを行って図１４に示すような形状を得、その後、絶縁層用フォトレジスト５３を剥離することによって層間絶縁層４５を形成するものである。
【００８７】
次に、上記ポリイミドからなる層間絶縁層４５を、３００℃〜５００℃の温度で硬化させる（図１６のベーキング（焼付け）工程）。なお、層間絶縁層４５は上記ポリイミド以外にスパッタリングやＣＶＤ等の方法で成膜したＳｉＯ2等の無機絶縁層を、フォトリソグラフィーの工法でパターニングして形成してもよいものである。
【００８８】
次に、図１５に示すように、前記第１の薄膜金属配線層４４および層間絶縁層４５を覆うように絶縁基板４１の上面全体に銅系の金属からなる第２の薄膜金属配線層４６をスパッタを用いて形成する。このとき、銅系の金属の密着力を高めるために銅系の金属の下地としてクロム等の密着層をスパッタ等を用いて形成する（図１６の第２の薄膜金属配線層着膜工程）。
【００８９】
次に、前記第２の薄膜金属配線層４６を所定のパターンに形成するフォトリソプロセス工程の前半部分、すなわち、第２のフォトレジスト５４の塗布・乾燥、パターン露光、現像の各工程を行う。ここで第２のフォトレジスト５４の塗布にはロールコート法、スピンコート法等を用い、その膜厚は所望のパターンを忠実に再現するために膜厚ばらつきの少ない数μｍ程度の均一な膜厚で形成する（図１６の第２のフォトレジスト塗布、パターン露光、現像の各工程）。
【００９０】
次に、図１５に示すように、１次分割溝４１ａを跨ぐように第２の分割溝用レジスト５５を印刷して乾燥させることにより、１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と、第１の薄膜金属配線層４４および第２の薄膜金属配線層４６の露出部分を第２の分割溝用レジスト５５で完全に覆う。この状態で、第２の薄膜金属配線層４６の第２のウェットエッチングを行う。ここで第２の薄膜金属配線層４６がクロム系の金属と銅系の金属の２層構造で構成される場合には、エッチャントとしてまず過硫酸アンモニウムの水溶液で銅系の金属のエッチングを行い、その後、過マンガン酸カリウムとメタ珪酸ナトリウムの水溶液でクロム系の金属のエッチングを行う（図１６の第２のウェットエッチング工程）。
【００９１】
このとき、１次分割溝４１ａのエッジは急で溝が深いため、第２の分割溝用レジスト５５の形成工程がない場合には、第２のフォトレジスト５４が１次分割溝４１ａの端部で極端に薄くなり、金からなる薄膜上面電極層４２と銅からなる第１の薄膜金属配線層４４が１次分割溝４１ａの段差部付近で露出してしまうため、第２のウェットエッチングの際に相対的に貴な金属である金系の金属からなる薄膜上面電極層４２と、金に比べて相対的に卑な金属である銅系の金属からなる第１の薄膜金属配線層４４および第２の薄膜金属配線層４６との間に電位差が生じて局部電池反応による過エッチングが生じていたが、本発明の実施の形態３においては、１次分割溝４１ａを跨ぐように第２の分割溝用レジスト５５を印刷することにより、１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と第２の薄膜金属配線層４６の露出部分を第２の分割溝用レジスト５５で完全に覆うようにしているため、第２のウェットエッチング工程においては第２のフォトレジスト５４に形成したパターンに従ってエッチングされることになり、これにより、第２の薄膜金属配線層４６のパターンの欠陥は発生し難くなるものである。
【００９２】
次に、第２のフォトレジスト５４と第２の分割溝用レジスト５５の両者を剥離するレジスト剥離工程を実施する。このとき、レジスト剥離液としてはＮａＯＨ水溶液などのアルカリ性の剥離液や溶剤等からなる第２のフォトレジスト５４と第２の分割溝用レジスト５５を両方とも剥離させる能力のある剥離液を使用し、剥離後は純水で充分すすいだ後、乾燥させる（図１６の第２のレジスト剥離工程）。
【００９３】
次に、薄膜インダクタ素子の形成部を保護するために、熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる保護膜層４７を印刷および硬化により形成する（図１６の保護膜層形成工程）。
【００９４】
その後、１次分割工程、端面電極形成工程、２次分割工程、電極めっき層形成工程を行うが、これらは上記した本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の製造工程と同一であるため、その説明は省略する。そして上記した工程の実施により、本発明の実施の形態３における薄膜チップインダクタは製造されるものである。
【００９５】
上記した本発明の実施の形態３における薄膜チップインダクタの製造方法においては、第１の薄膜金属配線層４４の形成過程で、第１のフォトレジスト５１で完全に覆いきれていなかった１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と第１の薄膜金属配線層４４の露出部分を第１の分割溝用レジスト５２の印刷によって完全に覆うようにしているため、第１の薄膜金属配線層４４のパターン形成過程での第１のウェットエッチングにおける１次分割溝４１ａ付近での第１の薄膜金属配線層４４と薄膜上面電極層４２の露出が抑えられ、これにより、１次分割溝４１ａ付近の第１の薄膜金属配線層４４と薄膜上面電極層４２の過度なエッチングを抑制することができ、また第２の薄膜金属配線層４６の形成過程では、第２のフォトレジスト５４で完全に覆いきれていなかった１次分割溝４１ａの段差部の薄膜上面電極層４２と第１の薄膜金属配線層４４および第２の薄膜金属配線層４６の露出部分を第２の分割溝用レジスト５５の印刷によって完全に覆うようにしているため、第２のウェットエッチングの際における１次分割溝４１ａ付近での局部電池反応による第２の薄膜金属配線層４６の過エッチング現象を抑制することができ、これにより、第１の薄膜金属配線層４４および第２の薄膜金属配線層４６のパターン不良を低減できるため、歩留りを大幅に改善することができるという優れた効果を奏するものである。
【００９６】
また、上記本発明の実施の形態３においては、絶縁基板４１上に直接第１の薄膜金属配線層４４を形成しているが、絶縁基板４１上の薄膜インダクタ素子を形成する範囲にガラスグレーズを施して、より平滑な面を出すようにしても同様の効果が得られるものである。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明に係る薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法は、ウェットエッチングでパターンを形成する際に分割溝付近での局部電池反応による過エッチング現象を抑制することができるという効果を有するものであり、特に小形で、かつ高精度が要求される薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法に適用することにより有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における薄膜チップ抵抗器の断面図、（ｂ）同薄膜チップ抵抗器のウェットエッチング工程直前の基板の要部拡大断面図
【図２】同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャート
【図３】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図４】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図５】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図６】（ａ）〜（ｅ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図７】本発明の実施の形態２における薄膜チップコンデンサの断面図
【図８】同薄膜チップコンデンサの第１の薄膜金属層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図９】同薄膜チップコンデンサの誘電体層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図１０】同薄膜チップコンデンサの第２の薄膜金属層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図１１】同薄膜チップコンデンサの製造方法を示すフローチャート
【図１２】本発明の実施の形態３における薄膜チップインダクタの断面図
【図１３】同薄膜チップインダクタの第１の薄膜金属配線層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図１４】同薄膜チップインダクタの層間絶縁層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図１５】同薄膜チップインダクタの第２の薄膜金属配線層エッチング後の基板の要部拡大断面図
【図１６】同薄膜チップインダクタの製造方法を示すフローチャート
【図１７】従来の薄膜チップ抵抗器の断面図
【図１８】同薄膜チップ抵抗器の製造方法を示すフローチャート
【図１９】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図２０】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図２１】（ａ）〜（ｃ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図２２】（ａ）〜（ｄ）同薄膜チップ抵抗器の製造工程図
【図２３】同薄膜チップ抵抗器のウェットエッチング工程直前の基板の要部拡大断面図
【符号の説明】
【００９９】
１  絶縁基板
１ａ  １次分割溝
１ｂ  ２次分割溝
２  薄膜上面電極層
４  薄膜抵抗体層
９  フォトレジスト
１０  分割溝用レジスト
２１  絶縁基板
２１ａ  １次分割溝
２２  薄膜上面電極層
２４  第１の薄膜金属層
２５  薄膜誘電体層
２６  第２の薄膜金属層
３１  第１のフォトレジスト
３２  第１の分割溝用レジスト
３３  第２のフォトレジスト
３４  第３のフォトレジスト
３５  第２の分割溝用レジスト
４１  絶縁基板
４１ａ  １次分割溝
４２  薄膜上面電極層
４４  第１の薄膜金属配線層
４６  第２の薄膜金属配線層
５１  第１のフォトレジスト
５２  第１の分割溝用レジスト
５３  絶縁層用フォトレジスト
５４  第２のフォトレジスト
５５  第２の分割溝用レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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