(57)【要約】  【課題】  高面精度の反射面を有し、広角傾斜を可能とする磁力駆動型の可動ミラーの製造方法を提供することを目的とするものである。  【解決手段】  第１の基板のシリコン層１０１ａを埋め込み酸化膜１０１ｂまでエッチングして軸部１５０と反射部１５１を形成し、反射部１５０上に磁性体１２０を付着し、第２の基板のシリコン層１０２ａには前記軸部１５０と反射部１５１を格納する凹部（軸受）１５２をエッチングにより形成し、第１の基板１０１と第２の基板１０２とを接合した後、支持基板１０１ｃ、１０２ｃを埋め込み酸化膜１０１ｂ、１０２ｂまでエッチングし、露出した埋め込み酸化膜１０２ｂを除去することによって、軸部１５０を可動化すると同時に反射面１５３を露呈させるものである。【選択図】  図１
2007034029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面を有した略平板状の反射部と、前記反射部から突出した軸部と、前記軸部を支持し前記反射部を回動自在に保持した軸受部とを備えた可動ミラーの製造方法であって、
支持基板の主面上に埋め込み酸化膜、シリコン層が順に形成されてなる第１の基板における、前記シリコン層に前記反射部および前記軸部を形成する工程（Ａ）と、
前記反射部の一方の面または周囲に磁性体膜を形成する工程（Ｂ）と、
支持基板に埋め込み酸化膜、シリコン層が形成されてなる第２の基板において、前記シリコン層に前記反射部および前記軸部を収容する凹部および軸受部を形成する工程（Ｃ）と、
前記反射部および前記軸部が前記凹部および前記軸受部内に位置するように、前記第１の基板のシリコン層と前記第２の基板のシリコン層とを互いに対向して接合させる工程（Ｄ）と、
前記第１の基板における前記支持基板および前記埋め込み酸化膜の一部を除去し、前記反射部の前記反射面を露出させる工程（Ｅ）と、
前記第２の基板における前記支持基板および前記埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｆ）とを含むことを特徴とする可動ミラーの製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ａ）が、前記第１の基板のシリコン層をエッチングして反射部および軸部を同時に形成し、前記第１の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ａ１）で構成され、
前記工程（Ｃ）が、前記第２の基板のシリコン層をエッチングして凹部を形成し、前記第２の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ｃ１）で構成され、
さらに前記反射部および前記軸部に接する前記第１の基板の埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｇ）を含み、前記工程（Ｇ）が前記工程（Ｄ）より後に実施される請求項１記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板のシリコン層表面に酸化シリコン膜が形成されており、
前記工程（Ｄ）が、前記第１の基板において露出した埋め込み酸化膜上にベンゾシクロブテンを塗布する工程（Ｄ１）を含み、
さらに前記工程（Ｄ）が前記ベンゾシクロブテンと前記酸化シリコン膜とを接合する工程（Ｄ２）を含む請求項１記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項４】
前記軸部の断面形状は異方性エッチングにより形成された等脚台形であり、前記等脚台形の対角線の長さが、前記第２の基板のシリコン層の厚さ、前記第２の基板の埋め込み酸化膜の厚さ、前記第１の基板の埋め込み酸化膜の厚さ、前記ベンゾシクロブテンの厚さの和より小さい請求項１及び３記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項５】
前記軸部に対してフッ化水素酸および硝酸を含む水溶液で平坦化エッチングする工程（Ｈ）をさらに含む請求項１〜４記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ａ）および前記工程（Ｂ）が、前記第１の基板のシリコン層をエッチングして反射部を形成し前記第１の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（ＡＢ１）と、前記軸部および前記磁性体膜を電気めっきによって同時に形成する工程（ＡＢ２）とを有し、
前記工程（Ｃ）が、前記第２の基板のシリコン層をエッチングして凹部を形成し、前記第２の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ｃ１）で構成され、
さらに前記反射部および前記軸部に接する前記第１の基板の埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｉ）を含む請求項１記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項７】
第３の基板の主面上に磁気発生回路を形成する工程（Ｊ）と、
前記第２の基板の前記支持基板と前記第３の基板の主面とを接合する工程（Ｋ）をさらに含む請求項１〜６記載の可動ミラーの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７記載の可動ミラーの製造方法によって製造された可動ミラーと、
前記第２の基板における前記凹部に形成された金台座および金配線と、
前記金台座上に形成されたハンダ台座と、
前記ハンダ台座を介して前記金台座上に実装されたレーザチップとを備えた多波長レーザ素子。
【請求項９】
請求項１〜７記載の可動ミラーの製造方法によって可動ミラーを製造する工程と、
前記第２の基板における前記凹部に金台座および金配線を形成する工程と、
前記金台座上またはレーザチップ上にハンダ台座を形成する工程と、
前記ハンダ台座を介して前記金台座上に前記レーザチップを実装する工程とを有する多波長レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシン技術を用いた可動ミラーの製造方法、多波長レーザ素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子を用いた光ディスク装置においては、記録容量の大容量化が急速に進展しており、現行のＣＤ及びＤＶＤを始め、現在ではＨＤ（High Definition）−ＤＶＤの開発が進められている。ＣＤ、ＤＶＤ及びＨＤ−ＤＶＤのそれぞれの光ディスクに対しては、赤外光（７８０ｎｍ帯）、赤色光（６５０ｎｍ帯）及び青紫光（４００ｎｍ帯）の各波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザ素子が用いられる。そこで、ＣＤ、ＤＶＤ及びＨＤ−ＤＶＤのすべての記録媒体に対して記録又は再生可能な装置の開発が進められている。
【０００３】
光ディスク用レーザモジュールにおいては、各レーザ素子の光軸をできる限り接近させて、光学部品の削減を図ることを目的に、赤色／赤外光を出射するモノリシック二波長レーザ素子と青紫光を出射するレーザ素子をハイブリッドに積層した三波長レーザ素子が報告されている。また、上記赤色／赤外光を出射するモノリシック二波長レーザ素子と青紫光を出射するレーザ素子を、傾斜可能な平板状可動ミラーを挟んで互いに対向させ、前記可動ミラーを４５°に傾斜させて出射光を９０°立ち上げて光軸を一致させる構成も考えられる。平板状可動ミラーを傾斜させるよう駆動するには、平板状可動ミラーに磁性体を付着させ、磁気発生回路による磁性体に対する吸着・反発作用を利用することができる。その際、平板状可動ミラーの傾斜する角度を大きくするためには、平板状可動ミラーに回転軸を設け、その回転軸を自由可動の状態にすることが考えられ、そのような可動ミラーの構成が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
以下、図１１に示す従来の光学素子の斜視図を参照して、従来の可動ミラーの構成について説明する。光学素子１の薄膜シリコン層４には埋込み酸化膜３に達するトレンチ１０が形成され、梁１６ａ、１６ｂに連結された可動部１７が区画されている。シリコン基板２および埋込み酸化膜３に対し、可動部１７の区画用のトレンチ１０につながる貫通部が形成され、この貫通部において、反射部３３を有した可動部１７が、梁１６ａ、１６ｂに支持された状態で揺動する。梁１６ａ、１６ｂの周囲における薄膜シリコン層４に対し埋込み絶縁膜３に達するトレンチ１０ａが形成され、梁１６ａ、１６ｂがその周囲の薄膜シリコン層４から分離されるとともに、梁１６ａ、１６ｂがその下の埋込み酸化膜３から分離されている。
【０００５】
また、可動部１７には櫛歯電極２０ａ及び２０ｂが形成されている。一方、第２の固定側部材１２および第３の固定側部材１３において、可動部１７の櫛歯電極２０ａ及び２０ｂに対向する位置に、櫛歯電極２１ａ及び２１ｂが形成されている。そして、アルミパッド３２に電圧を印加することで、櫛歯電極２０ａ及び２０ｂと櫛歯電極２１ａ及び２１ｂとの間に静電気力を生じさせ、可動部１７を揺動させることができる。
【特許文献１】特開２００４−２４５８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の可動ミラーは、静電気力を利用した構成であり、駆動力を櫛歯型電極２０ａ、２０ｂ，２１ａ，２１ｂによって得ているため、上記光ディスク用レーザモジュールに使用する際、可動ミラー（可動部１７）の傾斜角を４５°まで広角化する方法には適していない。すなわち、可動部１７の傾斜角を大きくすると、可動部１７側の櫛歯電極２０ａ，２０ｂと、第３の固定側部材１３の櫛歯電極２１ａ，２１ｂとが大きく離れ、静電気力が作用しにくくなり、可動部１７の回動動作の妨げとなってしまうという問題がある。
【０００７】
また、従来の可動ミラーにおいて、電磁エネルギーによって駆動させる場合、櫛歯型電極２１ａ及び２１ｂが固定部１２及び１３の上面側に配されているため、電磁駆動のために必要な磁性体を可動部１７の反射面３３とその周辺に付着させることになり、反射面３３の面精度に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。
【０００８】
本発明は、前記従来の問題に鑑み、高精度の反射面を有し、広角傾斜を可能とする磁力駆動型の可動ミラーの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の製造方法によって製造された可動ミラーを用いた多波長レーザ素子を提供することを目的とする。また、その多波長レーザ素子の製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の可動ミラーの製造方法は、反射面を有した略平板状の反射部と、前記反射部から突出した軸部と、前記軸部を支持し前記反射部を回動自在に保持した軸受部とを備えた可動ミラーの製造方法であって、支持基板の主面上に埋め込み酸化膜、シリコン層が順に形成されてなる第１の基板における、前記シリコン層に前記反射部および前記軸部を形成する工程（Ａ）と、前記反射部の一方の面または周囲に磁性体膜を形成する工程（Ｂ）と、支持基板に埋め込み酸化膜、シリコン層が形成されてなる第２の基板において、前記シリコン層に前記反射部および前記軸部を収容する凹部および軸受部を形成する工程（Ｃ）と、前記反射部および前記軸部が前記凹部及び前記軸受部内に位置するように、前記第１の基板のシリコン層と前記第２の基板のシリコン層とを互いに対向して接合させる工程（Ｄ）と、前記第１の基板における前記支持基板および前記埋め込み酸化膜の一部を除去し、前記反射部の前記反射面を露出させる工程（Ｅ）と、前記第２の基板における前記支持基板および前記埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｆ）とを含むものである。
【００１０】
また、本発明の多波長レーザ素子は、請求項１〜７記載の可動ミラーの製造方法によって製造される可動ミラーと、前記第２の基板における前記凹部に形成された金台座および金配線と、前記金台座上に形成されたハンダ台座と、前記ハンダ台座を介して前記金台座上に形成されたレーザチップとを備えたものである。
【００１１】
また、本発明の多波長レーザ素子の製造方法は、請求項１〜７記載の可動ミラーの製造方法によって可動ミラーを製造する工程と、前記第２の基板における凹部に金台座および金配線を形成する工程と、前記金台座上またはレーザチップ上にハンダ台座を形成する工程と、前記ハンダ台座を介して前記金台座上に前記レーザチップを実装する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高精度な反射面を形成することが可能になるとともに、広角駆動が可能な磁力駆動型の可動ミラーを作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の可動ミラーの製造方法は、前記工程（Ａ）が、前記第１の基板のシリコン層をエッチングして前記反射部および軸部を同時に形成し、前記第１の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ａ１）で構成され、前記工程（Ｃ）が、前記第２の基板のシリコン層をエッチングして前記凹部を形成し、前記第２の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ｃ１）で構成され、さらに前記反射部および軸部に接する前記第１の基板の埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｇ）を含み、前記工程（Ｇ）が前記工程（Ｄ）より後に実施される製造方法とすることができる。これにより、埋め込み酸化膜によって反射部の反射面が保護され、それを除去することによって反射面を露呈すると同時に軸部が基板から離脱されるので、高面精度を有する傾斜可能な反射部を作製することができる。
【００１４】
また、前記第２の基板のシリコン層表面に酸化シリコン膜が形成されており、前記工程（Ｄ）が、前記第１の基板の露出した埋め込み酸化膜上にベンゾシクロブテンを塗布する工程（Ｄ１）を含み、さらに前記工程（Ｄ）が前記ベンゾシクロブテンと前記酸化シリコン膜を接合する工程（Ｄ２）を含む製造方法とすることができる。これにより、異なる基板を接合することができると同時に、エッチング中における接合の剥離を抑え、可動ミラーを安定に形成することができる。
【００１５】
また、前記軸部の断面形状が異方性エッチングによって形成された等脚台形であり、前記等脚台形の対角線の長さが、前記第２の基板のシリコン層の厚さ、第２の基板の埋め込み酸化膜の厚さ、前記第１の基板の埋め込み酸化膜の厚さの和より小さくする製造方法とすることができる。これにより、軸の回転を容易にすると同時に、反射部の反射面の上下が反転するのを防止し、反射面を一方の側に保ちながら可動ミラーを作製することができる。また、傾斜角の最大値を決定することもできる。
【００１６】
また、前記軸部に対してフッ化水素酸および硝酸を含む水溶液で平坦化エッチングする工程（Ｈ）をさらに含む製造方法とすることができる。これにより、回転をより平滑にした可動ミラーを形成することができる。
【００１７】
また、前記工程（Ａ）および（Ｂ）が、前記第１の基板のシリコン層をエッチングして前記反射部を形成し、前記第１の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（ＡＢ１）と、前記軸部および磁性体膜を電気めっきによって同時に形成する工程（ＡＢ２）で構成され、前記工程（Ｃ）が、前記第２の基板のシリコン層をエッチングして前記凹部を形成し、前記第２の基板の埋め込み酸化膜を露出する工程（Ｃ１）で構成され、さらに前記反射部および軸部に接する前記第１の基板の埋め込み酸化膜を除去する工程（Ｉ）を含む製造方法とすることができる。これにより、強固で弾性のある磁性体軸部と面精度に富むシリコン反射部を有する可動ミラーを形成することができる。
【００１８】
また、第３の基板の主面上に磁気発生回路を形成する工程（Ｊ）と、前記第２の基板の支持基板と前記第３の基板の主面とを接合する工程（Ｋ）をさらに含む製造方法とすることができる。これにより、磁気発生回路で発生した磁場と作用させて可動ミラーを傾斜させることができる。
【００１９】
また、前記凹部に金台座および金配線を形成する工程と、前記金台座上または前記レーザチップ上にハンダ台座を形成する工程と、前記ハンダ台座を介して前記金台座上に前記レーザチップを実装する工程とをさらに含んだ製造方法によって作製される多波長レーザ素子を実現できる。
【００２０】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、実施の形態１における可動ミラーが搭載された光学素子の構成を示す斜視図である。図１（ｂ）は可動ミラーにおける反射部の構成を示す斜視図である。図２は可動ミラーの製造途中の状態を示す斜視図である。
【００２１】
以下、図１および図２を参照して、光学素子の構成について説明する。
【００２２】
図１に示すように、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板から構成される第１の基板１０１は、シリコン層１０１ａで構成される反射部１５１及び軸部１５０と、埋め込み酸化膜１０１ｂと、支持基板１０１ｃとから構成されている。また、第１の基板１０１には、第２の基板１０２に達するまで貫通した開口部１５４ａが形成されている。
【００２３】
また、第２の基板１０２は、シリコン層１０２ａと埋め込み酸化膜１０２ｂと支持基板１０２ｃとから構成されている。シリコン層１０２ａには、図２に示すように反射部１５１を収容可能な開口部１５４ｂと、軸部１５０を収容可能な軸受部１５２とが形成されている。
【００２４】
第１の基板１０１と第２の基板１０２は、互いに接合される。なお、図１（ａ）において、凹部１５４は、開口部１５４ａと開口部１５４ｂと軸受部１５２とから構成される。
【００２５】
さらに、支持基板１０２ｃの下面側に、磁気発生回路が形成された磁気発生回路基板１００が接合されている。なお、第１の基板１０１、第２の基板１０２、磁気発生回路基板１００の接合前の状態については、図２に示す。
【００２６】
反射部１５１は、第２の基板１０２に対して回動自在なように、軸部１５０が軸受部１５２に支持されている。また、反射部１５１の一方の面には反射面１５３が形成され、他方の面には図１（ｂ）に示すように磁性体膜１２０が形成されている。
【００２７】
上記のように構成された可動ミラーは、磁気発生回路基板１００における磁気発生回路から発生される磁場と磁性体１２０とを相互作用させることで、反射部１５１を回動させて、反射面１５３を所定の角度に傾斜させることができる。
【００２８】
以下、図３〜図１０を用いて、本実施の形態の可動ミラーの製造方法について説明する。なお、図において、「Ａ−Ａ’断面」及び「Ｂ−Ｂ’断面」は、図１（ａ）中のＡ−Ａ’部及びＢ−Ｂ’部の断面である。
【００２９】
図３は、磁気発生回路基板１００を作製する方法について説明するための断面図である。
【００３０】
磁気発生回路基板１００は、図３に示すように、支持基板１３０と絶縁層１３２及び１３３とが積層されて構成されている。支持基板１３０は、その表面に凹部が形成され、凹部内に磁心１４４ａ及び１４４ｂが配されている。また、絶縁層１３２上に、金属配線から構成されるコイル１４３ａ及び１４３ｂが配されている。また、絶縁層１３２上には、コイル１４３ａ及び１４３ｂの線間絶縁をするために絶縁層１３３が形成されている。
【００３１】
以上のように構成された磁気発生回路基板１００の作製方法について説明する。
【００３２】
まず、図３において、例えばシリコン基板から構成される支持基板１３０上に、エッチング等によって凹部を形成する。形成された凹部に、磁性体で構成された磁心１４４ａ及び１４４ｂを堆積させる。磁性体１４４ａ及び１４４ｂは、スパッタ法、蒸着法や電解メッキ法により形成することができる。磁性体材料としてはニッケルＮｉやパーマロイＦｅＮｉなどの軟磁性材料を用いることができる。
【００３３】
次に、支持基板１３０上に絶縁層１３２を形成する。絶縁層１３２は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、樹脂などから構成される。絶縁層１３２は、凹部が形成される前に、予め支持基板１３０上に成膜しておいても良い。
【００３４】
次に、絶縁層１３２上に、金属配線（例えば銅Ｃｕや金Ａｕ、アルミニウムＡｌ）で構成されるコイル１４３ａ及び１４３ｂを形成する。金属配線は、電解メッキ法により形成することができる。さらに、前記金属配線の線間絶縁を保つため、絶縁層１３２及び金属配線の上に、低誘電率材料（例えば、ベンゾシクロブテン、ＢＣＢ）から構成される絶縁層１３３を形成する。
【００３５】
以上により、磁気発生回路基板１００が完成する。なお、上記のような磁気発生回路基板１００の製造工程を、工程Ｊとする。また、磁気発生回路を多層化する場合は、上記作製方法を繰り返せばよい。
【００３６】
上記の磁気発生回路はコイル１４３ａ、コイル１４３ｂの一方のみに選択的に、あるいは両方同時に電流を流すことができ、さらに、その電流の向きも正逆切り替え可能とすることができる。上記のような磁気発生回路によって反射部１５１を回動させるには、まず、図３に示すコイル１４３ａまたは１４３ｂのいずれか一方に電流を流す。これにより、磁心１４４ａまたは１４４ｂのいずれか一方が磁化され、周辺に磁場が発生する。発生した磁場によって、反射部１５１に形成された磁性体１２０に吸引力が作用することで、反射部１５１を回動させることができる。
【００３７】
なお、コイル配線１４３ａ、１４３ｂに通電するだけでも電流によって磁場は発生するので、磁心１４４ａおよび磁心１４４ｂは必ずしも必要ではないが、磁心を設けることによって磁場の強度が増強され、その分消費電力を抑えることができる。
【００３８】
例えば、コイル１４３ａに電流を流した場合は、磁心１４４ａが磁化され、磁心１４４ａの周辺に磁場が発生する。発生した磁場によって、磁性体１２０における磁心１４４ａに対向している部位に吸引力が作用し、反射部１５１を所定角度になるまで回動させることができる。
【００３９】
また、反射部１５１の回動方向を変える場合は、コイル１４３ｂに電流を流すことで磁心１４４ｂが磁化され、磁性体１２０における磁心１４４ｂに対向している部位に吸引力が作用し、反射部１５１を所定角度になるまで回動させることができる。よって、コイル１４３ａまたは１４３ｂのいずれか一方に電流を流すことで、磁性体１２０が設けられた反射部１５１の回転方向を制御することができる。
【００４０】
次に、図４を参照して、第１の基板上に反射部と軸部とを形成する工程（工程Ａ）について説明する。
【００４１】
図４に示すように、第１の基板１０１は、シリコン層１０１ａ（ＳＯＩ層）、埋め込み酸化膜１０１ｂ、支持基板１０１ｃで構成されている。本実施の形態では、面方位（１００）のシリコン層１０１ａ（例えば、厚さ１５μｍ）、埋め込み酸化膜層１０１ｂ（例えば、厚さ１μｍ）、面方位（１００）のシリコンで構成される支持基板１０１ｃ（例えば、厚さ２５０μｍ）で構成されたＳＯＩ基板を用いる。
【００４２】
上記のような第１の基板１０１の両面に、予め熱酸化シリコン膜１１１ａ（例えば、厚さ１μｍ）および１１１ｂ（例えば、厚さ１μｍ）を形成しておく。なお、熱酸化シリコン膜１１１ａ、１１１ｂの代わりに、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を形成してもよい。
【００４３】
次に、図４（ａ）に示すように、第１の基板１０１のシリコン層１０１ａ上に形成された熱酸化シリコン膜１１１ａを、フォトリソグラフィとバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いてパターニングし、酸化膜マスク１１１ａ’を形成する。その際、裏面の熱酸化シリコン膜１１１ｂが除去されないように、レジストで保護するか、あるいはＢＨＦに曝されないような装置を使用する必要がある。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示すように、シリコン層１０１ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（例えば、濃度２０重量％）を用いてエッチングする。ＫＯＨ水溶液の温度は、恒温槽において、例えば８０℃に維持する。また、エッチングの際、酸化膜マスク１１１ａ’が保護マスクとして機能し、シリコン層１０１ａにおける酸化膜マスク１１１ａ’の下側の部分が残留する。また、ＫＯＨ水溶液を用いると、シリコンは異方性をもってエッチングされ、エッチング速度が小さいシリコン結晶面（１１１）面が現れる。したがって、酸化膜マスク１１０ａ’はシリコン結晶面（１１１）面が現れるように、＜１１０＞方向に辺を有する形状としなければならない。
【００４５】
このＫＯＨ水溶液によるシリコン層１０１ａの異方性エッチングによって、軸部１５０および反射部１５１が形成される。酸化シリコンは、ＫＯＨ水溶液によってほとんどエッチングされず、埋め込み酸化膜１０１ｂが露出した段階でエッチングが停止するため、軸部１５０および反射部１５１の厚さを厳密に決定することができ、さらに平坦性に優れた面を露出させることができる（工程Ａ１）。また、この異方性エッチングによって、軸部１５０および反射部１５１の側面は、シリコンの（１１１）面が現れるため、その断面は主面である（１００）面に対して底角５４．７°の等脚台形の形状とすることができる。特に、軸部１５０においては、等脚台形にすることで接触面積を低減できるなどの効果がある。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、酸化膜マスク１１１ａ’を除去する。ここで酸化膜マスク１１１ａ’を除去する理由は、反射部１５１上に酸化膜マスク１１１ａ’を介して磁性体１２０を付着させると、磁性体１２０が付着した反射部１５１がフッ化水素酸（ＨＦ）に曝される場合に（図６を参照して後述）、反射部１５１と磁性体１２０との間の酸化膜マスク１１１ａ’がエッチングされ、反射部１５１から磁性体１２０が剥離する可能性があるためである。それを防止するために、反射部１５１と磁性体１２０とをＢＣＢ樹脂等で保護する方法があるが、樹脂は硬化工程で収縮するため、反射部１５１の反射面１５３に反りを生じさせてしまうため、あまり好ましくない。
【００４７】
さらに、支持基板１０１ｃの裏面には、後述の貫通エッチングを行うための開口を形成しておく必要があるため、酸化膜マスク１１１ａ’を形成した時と同様な方法で、酸化膜マスク１１１ｂ’を形成しておく。この場合、表面と裏面との位置合わせが重要となるため、露光面側と同時に裏面側をモニタしながら、アラインメントできる露光装置を用いる必要がある。また、この際、埋め込み酸化膜１０１ｂの厚さを、熱酸化シリコン膜１１１ｂの厚さより大きく設定しておくと、埋め込み酸化膜１０１ｂをレジスト等で保護しなくても、酸化膜マスク１１１ａ’除去と酸化膜マスク１１１ｂ’形成パターニングとを同時に行った際、埋め込み酸化膜１０１ｂを残存させることができる。
【００４８】
次に、図４（ｄ）に示すように、反射部１５１上に電気めっき法によって磁性体膜（例えば厚さ５μｍ）１２０を形成する（工程Ｂ）。磁性体膜１２０の材料は、コバルトＣｏ、ニッケルＮｉやパーマロイＦｅＮｉなどから構成されている。また、反射部１５１上のみに磁性体膜１２０を電気めっきする方法は、例えば、下地金属（例えば、金Ａｕ：２００ｎｍ／チタンＴｉ：５０ｎｍ）を電子ビーム蒸着法により全面蒸着した後、耐めっき液性の厚膜フォトレジストを用いて、反射部１５１の上面をフォトリソグラフィによって開口させる方法がある。前述のように反射部１５１の側壁が５４．７°の傾斜を持つため、下地電極のカバレッジが良好であるという利点がある。
【００４９】
電気めっき後、フォトレジストは除去され、下地電極もエッチング（例えばヨード液ＫＩ＋Ｉ２、およびフッ化水素酸）によって除去することが可能である。なお、下地電極を除去する際は、磁性体膜１２０が侵されないように、レジストや酸化被膜等で保護しておくことが好ましい。
【００５０】
また、磁性体膜１２０は、図４（ｃ）の工程において反射部１５１上の酸化膜マスク１１１ａ’が除去されているので、下地金属を介して直接シリコン上に形成されている。
【００５１】
次に、図４（ｅ）に示すように、露出された埋め込み酸化膜１０１ｂ上に感光性ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を塗布し、フォトリソグラフィによって前記ＢＣＢを除去する。このＢＣＢは、後述の接合工程において、接合材として機能させるためのものである。
【００５２】
以上、図４の工程を終えた基板を基板１０１’とする。
【００５３】
続いて、図５を参照して、第２の基板（ＳＯＩ基板）上に凹部（軸受部等）を形成する工程（工程Ｃ）を説明する。
【００５４】
第２の基板（ＳＯＩ基板）１０２は、シリコン層１０２ａ（ＳＯＩ層）、埋め込み酸化膜１０２ｂ、支持基板１０２ｃで構成されている。本実施の形態では、面方位（１００）のシリコン層１０２ａ（厚さ２５μｍ）、埋め込み酸化膜１０２ｂで構成される埋め込み酸化膜層（例えば、厚さ２μｍ）、面方位（１００）のシリコンで構成される支持基板１０２ｃ（例えば、厚さ２５０μｍ）のＳＯＩ基板を用いる。
【００５５】
第２の基板１０２の両面には、予め熱酸化シリコン膜１１２ａ（例えば、厚さ１μｍ）および１１２ｂ（例えば、厚さ１μｍ）を形成しておく。
【００５６】
まず、図５（ａ）に示すように、第２の基板１０２のシリコン層１０２ａ上に形成された熱酸化シリコン膜１１２ａを、フォトリソグラフィとバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いてパターニングし、酸化膜マスク１１２ａ’を形成する。その際、裏面の熱酸化シリコン膜１１２ｂが除去されないように、レジストで保護するか、あるいはＢＨＦに曝されないような装置を用いる必要がある。
【００５７】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸化膜マスク１１２ａ’を保護マスクとして、下層のシリコン層１０２ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（例えば、濃度２０重量％）を用いてエッチングする。ＫＯＨ水溶液の温度は、恒温槽において、例えば８０℃に維持する。
【００５８】
また、ＫＯＨ水溶液を用いると、シリコンは異方性をもってエッチングされるため、このエッチングによって酸化膜マスク１１２ａ’に沿ってシリコン結晶の面方位の（１１１）面が現れるように、酸化膜マスク１１２ａ’の方位は決定しなければならない。
【００５９】
このＫＯＨ水溶液によるシリコン層１０２ａの異方性エッチングによって、凹部（軸受部１５２）が形成される。酸化シリコンは、ＫＯＨ水溶液によるエッチング速度が無視できるほど十分小さく、埋め込み酸化膜１０２ｂが露出した段階でエッチングが停止されるため、軸受部１５２の深さを厳密に決定することができ、さらに平坦性に優れた面を露出することができる（工程Ｃ１）。また、この異方性エッチングによって、軸受部１５２の側面はシリコンの（１１１）面が現れるため、その断面は主面である（１００）面に対して底角５４．７°の等脚台形の形状となる。
【００６０】
さらに、図５（ｃ）に示すように、裏面には後述の貫通エッチングを行うための開口を形成しておく必要があるため、酸化膜マスク１１２ａ’を形成したのと同様な方法で酸化膜マスク１１２ｂ’を形成しておく。この場合、表面と裏面との位置合わせが重要となるため、露光面側と同時に裏面側をモニタしながらアラインメントできる露光装置を使用する必要がある。また、この際、埋め込み酸化膜１０２ｂの厚さを熱酸化シリコン膜１１２ｂの厚さより大きいものを設定しておくと、埋め込み酸化膜１０２ｂをレジスト等で保護しなくても、酸化膜マスク１１２ａ’除去と酸化膜マスク１１２ｂ’形成パターニングとを同時に行った際、埋め込み酸化膜１０２ｂを残存させることができる。
【００６１】
以上、図５の工程を終えた基板を、基板１０２’とする。
【００６２】
続いて、図６を用いて基板１０１’と基板１０２’を接合する工程（工程Ｄ）を説明する。
【００６３】
図６（ａ）は、基板１０１’の埋め込み酸化膜１０１ｂ上に形成したＢＣＢ樹脂１３０と（工程Ｄ１）、基板１０２’のシリコン層１０２ａ側熱酸化シリコン膜１１２ａを対向させた状態を示している。軸部１５０が軸受部１５２に収まるように接合する必要があるため、高精度のアラインメント装置を用いて位置合わせを行う。
【００６４】
図６（ｂ）に示すように、基板１０１’と基板１０２’とはＢＣＢ樹脂１３０を介して密着され、真空下で加熱・加圧（例えば３００℃、２００ｋＰａ）して、両基板１０１’および１０２’を強固に接合する（工程Ｄ２）。なお、接合された基板を、基板１０３’とする。この接合の段階で、上記ＢＣＢ樹脂１３０は熱硬化されるため、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液やフッ化水素酸（ＨＦ）などの薬品に対して強い耐性を持つ。
【００６５】
さらに、上記のように、ＢＣＢ樹脂１３０が二つの酸化シリコン膜（埋め込み酸化膜１０１ｂ、熱酸化シリコン膜１１２ａ）で挟まれた構成にしておくことにより、接合工程後にＫＯＨ水溶液中でシリコンをエッチングする際に、接合面のシリコンがエッチングされてＢＣＢ樹脂１３０が剥離し、接合強度が低下することを防止することができる。
【００６６】
なお、この図６（ｂ）の接合工程においては、ＢＣＢ樹脂を介した接合でなくても、埋め込み酸化膜１０１ｂおよび熱酸化シリコン膜１１２ａを除去した後、露出したシリコン表面をプラズマ活性化し、シリコン同士を直接接合する方法であってもよい。直接接合を用いる方が、デバイスの動作温度と接合温度との差異が小さくできるため接合に適しているとともに、基板１０１’、１０２’の表裏面の酸化シリコン膜が除去された場合、接合後の基板に内在される応力も低減できる。この場合は、軸部１５０および反射部１５１、軸受部１５２を、選択的に、ＫＯＨ水溶液に対して耐性のある薄膜（例えば、白金Ｐｔ／チタンＴｉ等）を蒸着・被覆しておくことにより、軸部１５０および反射部１５１、軸受部１５２をＫＯＨ水溶液から保護することが可能である。前述の「選択的に蒸着・被覆する」とは、２層レジストなどを用いて軸部１５０および反射部１５１、軸受部１５２を除く部分の蒸着膜をリフトオフすることを意味する。なお、この方法は、図６（ｃ）のように、埋め込み酸化膜１０１ｂで軸部１５０、反射部１５１、軸受部１５２を保護する場合であっても、埋め込み酸化膜１０１ｂの破れ等によってＫＯＨ水溶液が浸入した際の対策になるので、有効な手段である。
【００６７】
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１０３’に対して、酸化膜マスク１１１ｂ’および酸化膜マスク１１２ｂ’をマスクとして、ＫＯＨ水溶液中において、シリコンで構成される支持基板１０１ｃおよび１０２ｃを異方性エッチングする。すなわち、支持基板１０１ｃ及び１０２ｃに対して貫通エッチングする（工程Ｅ、Ｆ）。
【００６８】
ここで、支持基板１０１ｃおよび１０２ｃは面方位（１００）面のシリコンであり、酸化膜マスク１１１ｂ’および１１２ｂ’は、エッチング開口部の側壁が（１１１）面となるように、＜１１０＞方向に辺を有するように形成されているので、側壁の傾斜角が５４．７°となるようなトレンチが形成されることになる。
【００６９】
さらに、ＫＯＨによるエッチングは、埋め込み酸化膜１０１ｂ、１０２ｂが露出するまで行われ、埋め込み酸化膜１０１ｂ、１０２ｂが露出した段階でエッチングは停止される。また、埋め込み酸化膜１０１ｂおよび１０２ｂが保護膜となって、シリコンの軸部１５０および反射部１５１は、ＫＯＨ水溶液によりエッチングされない。特に、軸部１５０や反射部１５１は（１１１）面が露出した突起状の形状となっており、その稜線部分はＫＯＨ水溶液でエッチングされやすいことが知られている。上記埋め込み酸化膜による保護は、支持基板１０１ｃ、１０２ｃの厚み誤差等によって、一方の支持基板が速く貫通され、軸部１５０や反射部１５１の形状が崩れる問題を解決することが可能となる。この際、シリコン基板は、同じ導電型、ドーパント、濃度のものを用いることがなお好ましい。
【００７０】
次に、図６（ｄ）に示すように、水洗を施した後、フッ化水素酸に浸漬させ、露出された埋め込み酸化膜１０１ｂおよび１０２ｂを含め、軸部１５０と支持基板１０１ｃの間に介在する埋め込み酸化膜１０１ｂを除去する。この工程により、軸部１５０は基板１０１に固定された状態を解かれ、自在に傾斜可能な状態となる（工程Ｇ）。
【００７１】
また、この工程において、はじめて反射部１５１の反射面１５３が露出される。ＳＯＩ基板の品質を予め超音波顕微鏡などを用いて、ボイド・欠陥などを検査しておくことにより、各工程における反射面１５３のダメージを最小限に抑えた高品位の反射面を形成することができる。例えばここで、シャドウマスクを用い、反射面１５３上に金属反射膜または誘電体多層膜を蒸着法またはスパッタ法によって形成し、反射率を向上させる（図示せず）。
【００７２】
さらに、図６（ｄ）に示す工程では、支持基板１０１ｃの上面側に形成されている酸化膜マスク１１１ｂ’と、支持基板１０２ｃの下面側に形成されている酸化膜マスク１１２ｂ’も除去される。
【００７３】
次に、図６（ｅ）に示すように、図３の工程において磁気発生回路が形成された基板１００と、および図６（ｄ）の工程を行った基板１０３’とを接合する（工程Ｋ）。接合方法は、基板１００の最表面が、接合材料を兼ねた絶縁膜（低誘電率膜）であるＢＣＢ樹脂で被覆されていることを利用し、前述と同様の方法で加圧・加熱接合を行う方法である。
【００７４】
なお、基板１００と基板１０３’とを接合する工程は、図６（ｃ）に示す工程の後であってもよく、その場合は、基板１００と基板１０３’とを接合したのち、フッ化水素酸に浸漬して、埋め込み酸化膜を除去する工程を行えばよい。
【００７５】
また、軸部１５０および軸受部１５２の形状については、図７に示すようになっていることが好ましい。以下、それを説明する。
【００７６】
図７に示すように、軸部１５０の断面形状は、ＫＯＨ水溶液による異方性エッチングにより、底角５４．７°の等脚台形となっており、酸化膜マスク１１１ａ’（図７では図示せず）の幅Ｍ１およびシリコン層１０１ａの厚さＤ１で決定される。したがって、前記等脚台形の対角線の長さＬ１は、底角５４．７°、Ｍ１、Ｄ１の関数で与えられる。
【００７７】
一方、軸受部１５２の空間形状は、底角５４．７°の等脚台形とすることができ、その形状は酸化膜マスク１１２ａ’の開口幅Ｍ２および、シリコン層１０２ａの厚さＤ２に埋め込み酸化膜１０２ｂ（厚さＴ１）、熱酸化シリコン膜１１２ａ（厚さＴ２）およびＢＣＢ樹脂１３０（厚さＴ３）をさらに加えたＤ３が軸受部１５２の空間高さとなる。
【００７８】
したがって、Ｌ１＞Ｄ３となるようにＳＯＩ基板の仕様を決定・設計することが可能であり、これによって、軸部１５０の傾斜角を制限することができる。
【００７９】
また、酸化膜マスク１１２ａ’の開口幅Ｍ２と、軸部１５０の等脚台形の底辺の長さＢ１（つまり酸化膜マスク１１１ａ’の幅Ｍ１）との関係によっても、軸部１５０の傾斜角を制限することは可能である。
【００８０】
さらに、埋め込み酸化膜１０２ｂおよび熱酸化シリコン膜１１２ｂを除去してシリコン直接接合する場合（Ｄ３＝Ｄ２）などは、それに応じた設計が可能である。
【００８１】
また、例えば図４（ｄ）の工程の後、図８（ａ−１）に示す軸部１５０を、フッ化水素酸・硝酸・酢酸の混合液（例えば、混合比１：３：８）中でエッチングすることにより、軸部１５０の角部に対して平坦化処理が施され、図８（ａ−２）に示すように平滑な面を得ることができる。また、軸受部１５２についても同様に、例えば図５（ｂ）の工程の後、エッチング処理することにより、軸受部１５２の側壁部に対して平坦化処理が施され、図８（ｂ−２）に示すように平滑な面を得ることができる。これらを図８（ｃ）に示すように、互いに接合する。これにより、軸受１５２内での軸部１５０の回転を平滑にすることが可能となり、傾斜動作の向上につながる（工程Ｈ）。
【００８２】
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１における図４（ａ）〜（ｄ）の工程のみが異なり、他の工程は同様である。よって、異なる工程については図９を参照して説明し、他の工程については実施の形態１と同様の図面を参照して説明する。
【００８３】
まず、図２（ｂ）に示すように、軸部１５０および反射部１５１は、互いの接続部分に力（応力含む）が集中しやすく、機械的に破断しやすい。本実施の形態は、機械的に破断しにくく、かつ硬度に富む磁性体材料に変更して軸部１５０の強度を確保するものである。また、反射部１５１に、面精度に富む単結晶シリコンの鏡面加工面を設けたものである。
【００８４】
図９に示すように、ＳＯＩ基板２０１は、シリコン層２０１ａ（ＳＯＩ層）、埋め込み酸化膜２０１ｂで構成される埋め込み酸化膜層、支持基板２０１ｃで構成されている。本実施の形態では、面方位（１００）のシリコン層２０１ａ（例えば、厚さ１５μｍ）、埋め込み酸化膜層２０１ｂ（例えば、厚さ１μｍ）、面方位（１００）のシリコンで構成される支持基板２０１ｃ（例えば、厚さ２５０μｍ）のＳＯＩ基板を用いる。
【００８５】
上記のように構成されたＳＯＩ基板２０１において、図９（ａ）に示すように、シリコン層２０１ａ上に形成された熱酸化シリコン膜２１１ａを、フォトリソグラフィとバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いてパターニングし、酸化膜マスク２１１ａ’を形成する。その際、ＳＯＩ基板２０１の裏面の熱酸化シリコン膜２１１ｂは、レジスト等で保護するか、あるいはＢＨＦに曝されないような装置を用いる必要がある。
【００８６】
次に、図９（ｂ）に示すように、下層のシリコン層２０１ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いてエッチングする。ここで、酸化膜マスク２１１ａ’は保護マスクとして機能するため、酸化膜マスク２１１ａ’の下層のシリコン層２０１ａはエッチングされない。このＫＯＨ水溶液によるシリコン層２０１ａの異方性エッチングによって、反射部２５１が形成される。酸化シリコンは、ＫＯＨ水溶液によってほとんどエッチングされないため、埋め込み酸化膜２０１ｂが露出した段階でエッチングが停止し、反射部２５１の厚さを厳密に決定することができ、さらに平坦性に優れた面を露出することができる（工程ＡＢ１）。
【００８７】
次に、酸化膜マスク２１１ａ’を除去し、さらに、裏面には酸化膜マスク２１１ａ’を形成したのと同様な方法で酸化膜マスク２１１ｂ’を形成しておく。この場合、表面と裏面との位置合わせが重要となるため、露光面側と同時に裏面側をモニタしながらアラインメントできる露光装置を用いる必要がある。また、この際、埋め込み酸化膜２０１ｂの厚さを熱酸化シリコン膜２１１ｂの厚さより大きいものを設定しておくと、埋め込み酸化膜２０１ｂをレジスト等で保護しなくても、酸化膜マスク２１１ａ’除去と酸化膜２１１ｂ’形成パターニングを同時に行った後も、埋め込み酸化膜２０１ｂを残存させることができる。
【００８８】
次に、図９（ｃ）に示すように、反射部２５１上に電気めっき法によって磁性体膜２２０（例えば厚さ１０μｍ）を形成する。それとともに、磁性体膜２２０と結合した軸部２５０が、電気めっき法により形成される。磁性体膜２２０は、例えばコバルトＣｏ、ニッケルＮｉ、パーマロイＦｅＮｉなどの合金を用いる。下地金属（例えばＡｕ／Ｔｉ）を電子ビーム蒸着法により全面蒸着した後、耐めっき液性の厚膜フォトレジストを用いて、反射部２５１の上面および軸相当部分をフォトリソグラフィによって開口する方法を用いることができる。電気めっき後、フォトレジスト及び下地電極は除去する（工程ＡＢ２）。
【００８９】
なお、本実施の形態では、軸部と反射部の結合領域周辺に磁性体を含んでいれば、強度面での課題が解消されるので、軸部をすべてを磁性体で構成する必要はなく、前述の実施の形態１におけるシリコン軸に磁性体膜を付着させる構成であっても、同様の効果を得ることができる。
【００９０】
（実施の形態３）
実施の形態３は、前述の実施の形態１または実施の形態２の製造方法によって製造される可動ミラーを搭載した、多波長レーザ素子を実現するものである。
【００９１】
ここでは、可動ミラーは実施の形態１の製造方法によって製造されるものとし、図１０を参照して多波長レーザ素子を作製する方法を説明する。なお、実施の形態１における構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付与するものとする。
【００９２】
まず、図１０（ａ）に示すように、図５（ａ）〜（ｃ）に示す工程においてレーザチップを実装する領域を設けた開口凹部１５２’を形成しておき、さらに図５（ｃ）の工程の後、前記凹部１５２’内の前記レーザチップ実装領域に電気めっき法により金Ａｕ台座３００および配線（例えば、厚さ１０μｍ）を形成する。さらに、Ａｕ台座３００上にハンダ台座３０１（例えばＡｎＳｎ、金錫合金）を形成する。このようにして形成された基板を、台座基板３０２とする。電気めっきの方法は、前述の磁性体膜をめっきする方法と同様である。ここで、凹部１５２’の側壁の傾斜角が５４．７°であるため、凹凸があっても下地電極のカバレッジは問題にならない。なお、ハンダ台座３０１を形成する工程は省略しても良い。
【００９３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、図１０（ａ）の台座基板３０２に、図４（ｅ）の工程後の基板１０１を、図６（ａ）〜（ｄ）に示す工程で接合およびＫＯＨ水溶液中で貫通エッチングを行った後（可動部基板３０３とする）、磁気発生回路基板１００’を接合する。
【００９４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、図１０（ｂ）の工程の後、素子サイズ（例えば３ｍｍ×３ｍｍ）にダイシングした第１のレーザチップ３１１および第２のレーザチップ３１２を、その発光端面３１１ａ及び３１２ａを対向させて実装する。これにより、多波長レーザ素子が完成する。さらにこれを光学透過性封止ガラス３２０でパッケージしても良い。
【００９５】
なお、ダイシングの際は、可動部が破損しないようにレジストやワックス等を充填しておくか、あるいは保護シートを貼付しておくことが好ましい。
【００９６】
このようにして形成された可動ミラーに対して、基板１００’のコイルに電流を流すことで、基板１００’に設けられた磁心が磁化され、その周辺に磁場が発生する。この磁場に対して反射部１５３の磁性体１５１が吸引・反発作用することで、反射部１５３を回転させることができる。
【００９７】
なお、反射部１５３の回転方向は、磁性体１５１として軟磁性材料を用いた場合は、反射部１５３を傾斜させたい側のコイルに電流を流すことによって切り替え、制御が可能であり、磁性体１５１として硬磁性材料（永久磁石）を用いた場合は、コイルに流す電流の方向によっても制御することが可能である。
【００９８】
以上のように本実施の形態では、反射部１５３における磁性体１５１に対向した位置に、磁気発生回路基板１００’を設けたことにより、反射部１５３が回転したとしても磁性体１５１と磁気発生回路とが大きく離れることがないため、安定して反射部１５３を回転させることができるとともに、少なくとも傾斜角を広角（本実施の形態では４５°）に設定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明に係る可動ミラーの製造方法によると、電磁エネルギーを用いて可動ミラーを傾斜させるのに必要な磁性体を反射面とは反対側に形成し、反射面の面精度に対する悪影響を一切排除できるため、面精度に優れた磁力駆動型可動ミラーを作製する方法として有用であり、それを用いた多波長レーザ素子としても有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の実施の形態１に係る可動ミラーの製造方法の概略を表す斜視図
【図２】実施の形態１に係る可動ミラーを表す斜視図
【図３】実施の形態１に係る磁気発生回路の製造方法を表す断面図
【図４】実施の形態１に係る軸部および反射部の製造方法を示す断面図
【図５】実施の形態１に係る軸受部の製造方法を示す断面図
【図６】実施の形態１に係る接合工程を示す断面図
【図７】実施の形態１に係る軸部および軸受部の形状を示す断面図
【図８】実施の形態１に係る軸部および軸受部の形状変更方法を示す断面図
【図９】実施の形態２に係る軸部および反射部の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明第３の実施形態に係る多波長レーザモジュールの製造方法を示す断面図
【図１１】従来の構成を示す斜視図
【符号の説明】
【０１０１】
１００  磁気発生回路基板
１０１  第１の基板
１０１ａ，１０２ａ  シリコン層
１０１ｂ，１０２ｂ  埋め込み酸化膜
１０１ｃ，１０２ｃ  支持基板
１０２  第２の基板
１２０  磁性体
１５０  軸部
１５１  反射部
１５２  軸受部
１５３  反射面
【図１】
2007034029.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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