(57)【要約】【課題】半導体素子を備えて構成される半導体装置において、良好な放熱性を確保して発熱による悪影響を回避しつつ、電気的接続についての高い汎用性を実現する。【解決手段】半導体素子１１と、金属平板からなるリードフレーム１２と、複数の配線層の積層体である多層配線基板１３とを備え、これらを前記多層配線基板１３、前記リードフレーム１２、前記半導体素子１１の順に積層して、半導体装置１０を構成する。そして、前記多層配線基板１３には、前記リードフレーム１２の積層面側に前記半導体素子１１と電気的に接続するための接続端子１３ａ群を設け、前記リードフレーム１２には、前記接続端子群１３ａの配設位置に対応して当該接続端子１３ａ群を前記半導体素子１１側に露出させるための逃げ部１２ａを設ける。【選択図】図１
2007129004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
金属平板からなるリードフレームと、
複数の配線層の積層体である多層配線基板とを備え、
前記多層配線基板、前記リードフレーム、前記半導体素子の順に積層されて構成されるとともに、
前記多層配線基板は、前記リードフレームの積層面側に前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有しており、
前記リードフレームは、前記接続端子群の配設位置に対応して当該接続端子群を前記半導体素子側に露出させるための逃げ部を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記多層配線基板は、前記接続端子群の配設箇所が凸形状に形成され、当該凸形状の頂部に前記接続端子群が配されており、当該凸形状の部分が前記逃げ部から前記半導体素子側に突出するように構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、金属平板からなるリードフレームと、複数の配線層の積層体である多層配線基板とが、順に積層されて構成されるとともに、前記多層配線基板における前記リードフレームの積層面側には前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群が配設され、前記リードフレームには前記接続端子群の配設位置に対応して当該接続端子群を前記半導体素子側に露出させるための逃げ部が設けられた半導体装置を製造するのにあたり、
前記半導体装置を複数製造するための前記リードフレームの連続体に、当該複数の前記半導体素子および前記多層配線基板を取り付けた後、前記連続体を切断して、当該複数の前記半導体装置を得る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子と、金属平板からなるリードフレームと、複数の配線層の積層体である多層配線基板とが、順に積層されて構成されるとともに、前記多層配線基板における前記リードフレームの積層面側には前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群が配設され、前記リードフレームには前記接続端子群の配設位置に対応して当該接続端子群を前記半導体素子側に露出させるための逃げ部が設けられた半導体装置を製造するのにあたり、
前記半導体装置を複数製造するための前記多層配線基板の連続体に、当該複数の前記半導体素子および前記リードフレームを取り付けた後、前記連続体を切断して、当該複数の前記半導体装置を得る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を備えて構成される半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の一つとして、半導体レーザ装置が広く知られている。半導体レーザ装置は、例えばディスクドライブ装置の光ピックアップに用いられるもので、具体的には図４に示すようにレーザ光を出射する半導体レーザ素子２１が平板状のベース体２２に搭載されて構成されたものである。
【０００３】
このような半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子２１からレーザ光が出射されたときの発熱が動作の信頼性に悪影響を与え得る。特に、近年増えつつある高出力化に対応したものでは、発熱量も大きいことから、その熱による影響が顕著となる。このことから、半導体レーザ装置の中には、ベース体２２を熱伝導性の高い金属材料によって形成することで、半導体レーザ素子２１からレーザ光が出射されたときの良好な放熱性を確保するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、半導体レーザ装置については、ベース体２２をセラミック材料によって形成することも提案されている（同特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２０７６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体レーザ装置に対しては、その利用が広まりつつあることから、高い汎用性が求められている。具体的には、半導体レーザ素子２１との電気的接続について様々な接続態様に対応し得ること、すなわち半導体レーザ装置の内部構造に変更を加えることなく信号取り出し用の配線切り替え等に対応し得ることが求められている。
【０００６】
この点、例えばベース体２２をセラミック材料によって形成する場合であれば、セラミック多層配線基板を用いることで、半導体レーザ素子２１との電気的接続の自由度を良好に確保し得るようにすることが考えられる。セラミック多層配線基板とは、単層セラミック配線基板が複数積層されてなるもの、すなわち複数の配線層の積層体からなるものである。このようなセラミック多層配線基板をベース体２２として用いれば、複数の配線層を利用して、予め複数の配線パターンに対応し得るように各層を形成しておくことで、信号取り出し用の配線切り替え等にも柔軟に対応することが容易に実現可能となるからである。
【０００７】
しかしながら、セラミック多層配線基板をベース体２２として用いた場合には、熱伝導性の高い金属材料を用いた場合のような良好な放熱性が期待できない。その一方で、金属材料でベース体２２を形成した場合には、セラミック多層配線基板を用いた場合のような電気的な接続態様についての高い汎用性を確保することが困難となる。
【０００８】
そこで、本発明は、良好な放熱性を確保して発熱による悪影響を回避しつつ、電気的接続についての高い汎用性を実現することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置で、半導体素子と、金属平板からなるリードフレームと、複数の配線層の積層体である多層配線基板とを備え、前記多層配線基板、前記リードフレーム、前記半導体素子の順に積層されて構成されるとともに、前記多層配線基板は、前記リードフレームの積層面側に前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有しており、前記リードフレームは、前記接続端子群の配設位置に対応して当該接続端子群を前記半導体素子側に露出させるための逃げ部を有していることを特徴とするものである。
【００１０】
上記構成の半導体装置では、多層配線基板、リードフレーム、半導体素子の順に積層されて構成されていることから、半導体素子がリードフレーム上に搭載されることになる。したがって、半導体素子での発熱があっても、その熱は、金属平板からなるリードフレームを通じて放熱される。また、リードフレームには逃げ部が形成されており、その逃げ部によって多層配線基板における接続端子群が半導体素子側に露出するようになっていることから、半導体素子は、その接続端子群を介して多層配線基板と電気的に接続することになる。したがって、複数の配線層の積層体である多層配線基板を、予め複数の配線パターンに対応し得るように形成しておくことで、半導体素子との電気的接続の自由度を良好に確保し得るようにもなる。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、半導体素子がリードフレーム上に搭載されることから、半導体素子での発熱があっても良好な放熱性を確保することができ、その発熱が半導体装置の動作の信頼性に悪影響を与えてしまうのを回避することができる。しかも、その半導体素子が接続端子群を介して多層配線基板と電気的に接続しているので、その多層配線基板を予め複数の配線パターンに対応し得るように形成しておけば、半導体素子との電気的接続の自由度を良好に確保し得るようになる。すなわち、例えば半導体装置の内部構造に変更を加えることなく半導体素子からの信号取り出し用の配線切り替え等に対応し得るといったように、半導体素子との電気的接続について様々な接続態様に対応することが可能となり、半導体素子との電気的接続の自由度を良好に確保して、高い汎用性を実現することが可能となる。
つまり、本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、良好な放熱性を確保して発熱による悪影響を回避しつつ、電気的接続についての高い汎用性を実現することが可能となるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づき本発明に係る半導体装置およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態では、半導体装置として、半導体レーザ素子を備えて構成された半導体レーザ装置を例に挙げて、本発明についての説明を行うものとする。
【００１３】
先ず、半導体レーザ装置の概略構成について説明する。
図１は、本発明が適用された半導体レーザ装置の概略構成例を示す説明図である。図例のように、本実施形態で説明する半導体レーザ装置１０は、半導体レーザ素子１１と、リードフレーム１２と、セラミック多層配線基板（以下、単に「多層配線基板」という）１３と、光ピックアップ（Optical Pick-up；以下「ＯＰ」と略す）ベース１４とを備えており、これらが多層配線基板１３、リードフレーム１２、半導体レーザ素子１１およびＯＰベース１４の順に積層されて構成されている。
【００１４】
半導体レーザ素子１１は、レーザ光を出射する半導体結晶素子からなるものであるが、その構成の詳細については公知であるため説明を省略する。この半導体レーザ素子１１は、リードフレーム１２上に例えばロウ付け等の手法で接合されて搭載されるが、外部との電気的な接続がワイヤボンディングによって行われるようになっている。
【００１５】
リードフレーム１２は、例えば銅、鉄、アルミニウム等といった熱伝導性の高い金属材料の平板からなるものである。このリードフレーム１２は、多層配線基板１３上に例えばロウ付け等の手法で接合されている。なお、リードフレーム１２上には、半導体レーザ素子１１に付随して、光学系素子やサブマウント等も配設されているものとする（ただし不図示）。
【００１６】
多層配線基板１３は、単層セラミック配線基板が複数積層されてなるもの、すなわち複数の配線層の積層体からなるものである。したがって、多層配線基板１３については、予め複数の配線パターンに対応し得るように各層を形成しておくことが可能である。
【００１７】
また、多層配線基板１３は、リードフレーム１２積層面側に、ワイヤボンディングのための接続端子群１３ａ、すなわち半導体レーザ素子１１と電気的に接続するための接続端子群１３ａを有している。この接続端子群１３ａがワイヤボンディングによって半導体レーザ素子１１と電気的に接続することで、半導体レーザ素子１１は、多層配線基板１３における複数の配線パターンのいずれかを通じて、外部と電気的に接続されるのである。
【００１８】
さらに、多層配線基板１３は、接続端子群１３ａの配設箇所が、半導体レーザ素子１１側に向かって突出する凸形状に形成されている。つまり、多層配線基板１３は、凸形状に形成された凸形状部１３ｂを有している。そして、その凸形状部１３ｂの頂部に、接続端子群１３ａが配されている。
【００１９】
この多層配線基板１３における凸形状部１３ｂに対応して、リードフレーム１２は、逃げ部１２ａを有している。逃げ部１２ａは、半導体レーザ素子１１とのワイヤボンディングを行い得るようにすべく、多層配線基板１３が有する接続端子群１３ａを半導体レーザ素子１１側に露出させるためのものである。具体的には、リードフレーム１２に設けられた開口または切り欠きによって構成することが考えられるが、その平面形状は特に限定されるものではなく、任意に決定すればよい。このことは、逃げ部１２ａの形成位置、すなわち多層配線基板１３における凸形状部１３ｂおよび接続端子群１３ａの形成位置についても、全く同様である。
【００２０】
この逃げ部１２ａに凸形状部１３ｂが嵌合することによって、その凸形状部１３ｂは、その頂部、すなわち接続端子群１３ａの配設部分が、逃げ部１２ａから半導体レーザ素子１１側に突出することになる。その突出量、すなわち凸形状部１３ｂの部分の高さ寸法については、特に限定されるものではないが、半導体レーザ素子１１の高さ寸法を基に、ワイヤボンディングの容易さや信頼性等を考慮して決定すればよい。具体的には、例えば半導体レーザ素子１１の高さ寸法が３８０μｍであれば、それよりもやや小さい３４０μｍ程度とすることが考えられる。
【００２１】
ＯＰベース１４は、半導体レーザ装置１０のハウジングを構成するものである。このＯＰベース１４も、半導体レーザ素子１１と同様に、リードフレーム１２上に例えばロウ付け等の手法で接合されて搭載される。このことから、ＯＰベース１４は、半導体レーザ素子１１からリードフレーム１２を介して伝わってきた熱を、大気中に放出する放熱器としての機能も果たすようになっている。
【００２２】
以上のように構成された半導体レーザ装置１０では、多層配線基板１３、リードフレーム１２、半導体レーザ素子１１の順に積層されて構成されていることから、半導体レーザ素子１１がリードフレーム１２上に搭載されることになる。したがって、半導体レーザ素子１１での発熱があっても、その熱は、金属平板からなるリードフレーム１２を介してＯＰベース１４へ伝わり、これにより大気中に放熱されることになる。つまり、半導体レーザ素子１１での発熱について、これを有効に放熱し得るように構成されている。したがって、半導体レーザ素子１１での発熱があっても良好な放熱性を確保することができ、その発熱が半導体レーザ装置１０の動作の信頼性に悪影響を与えてしまうのを回避することができる。
【００２３】
しかも、以上のように構成された半導体レーザ装置１０では、リードフレーム１２に逃げ部１２ａが形成されており、その逃げ部１２ａによって多層配線基板１３における接続端子群１３ａが半導体レーザ素子１１側に露出するようになっていることから、放熱の有効化のため半導体レーザ素子１１がリードフレーム１２上に搭載されていても、その半導体レーザ素子１１はその接続端子群１３ａを介して多層配線基板１３と電気的に接続することになる。したがって、複数の配線層の積層体である多層配線基板１３を、予め複数の配線パターンに対応し得るように形成しておけば、半導体レーザ素子１１との電気的接続の自由度を良好に確保し得るようにもなる。すなわち、例えば半導体レーザ装置１０の内部構造に変更を加えることなく、半導体レーザ素子１１からの信号取り出し用の配線切り替え等に対応し得るといったように、半導体レーザ素子１１との電気的接続について様々な接続態様に対応することが可能となり、半導体レーザ素子１１との電気的接続の自由度を良好に確保して、高い汎用性を実現することが可能となる。このことは、フレキシブル基板の設計、素子のパッド配置、素子のレイアウト設計等に自由度を与える上で、非常に有効に作用すると考えられる。
【００２４】
つまり、本実施形態における半導体レーザ装置１０によれば、良好な放熱性を確保して発熱による悪影響を回避しつつ、電気的接続についての高い汎用性を実現することが可能となるのである。
【００２５】
次に、以上のように構成された半導体レーザ装置１０の製造方法について説明する。
図２は、本発明が適用された半導体レーザ装置の製造方法の概要の一例を示す説明図である。
【００２６】
ここで説明する製造方法では、半導体レーザ装置１０の製造にあたり、図２（ａ）に示すように、リードフレーム１２が例えば帯状に連なってなるもの、すなわち半導体レーザ装置１０を複数製造するためのリードフレームの連続体１２ｂを用意する。そして、その連続体１２ｂの一方の面側（例えば下面側）に、複数の多層配線基板１３を、例えばロウ付け等の手法で取り付ける。多層配線基板１３は、予め複数の配線パターンに対応し得るように各層が形成されているものとする。また、多層配線基板１３は、リードフレーム１２の平面形状よりも一回り小さく形成されているものとする。
【００２７】
多層配線基板１３の取り付けは、図２（ｂ）に示すように、リードフレームの連続体１２ｂに設けられているＶ字状の溝部１２ｃをアライメントマークとして用いて、そのリードフレームの連続体１２ｂについての位置決めを行いつつ、多層配線基板１３における接続端子群１３ａをリードフレーム１２の側に向けて、その多層配線基板１３における凸形状部１３ｂがリードフレーム１２の逃げ部１２ａと嵌合するようにを行う。これにより、凸形状部１３ｂは、その頂部、すなわち接続端子群１３ａの配設部分が、リードフレーム１２における多層配線基板１３の取り付け面と反対側の面（例えばリードフレーム１２の上面）から突出することになる。なお、アライメントマークとなる溝部１２ｃは、リードフレームの連続体１２ｂの位置決めが可能であれば、Ｖ字状のものに限定されることはなく、他の形状のものであってもよい。また、溝部１２ｃではなく、マーク状のものを用いることも考えられる。
【００２８】
一方、リードフレーム１２における多層配線基板１３の取り付け面と反対側の面には、図２（ｃ）に示すように、半導体レーザ素子１１を、例えばロウ付け等の手法で取り付ける。そして、半導体レーザ素子１１の取り付け後、その半導体レーザ素子１１における端子（ただし不図示）と、その半導体レーザ素子１１の側に突出する凸形状部１３ｂにおける接続端子群１３ａとを、ワイヤボンディングによって接続して、これらの間の電気的接続を確保する。
【００２９】
このとき、ワイヤボンディングのための半導体レーザ素子１１における端子は、その半導体レーザ素子１１の上面側に設けられていることが一般的である。したがって、多層配線基板１３における凸形状部１３ｂがリードフレーム１２よりも突出していれば、その凸形状部１３ｂの頂部に配されている接続端子群１３ａと、半導体レーザ素子１１における端子とで、その高さ方向（多層配線基板１３、リードフレーム１２、半導体レーザ素子１１等のセキ双方向）の位置が大きく相違してしまうのを抑制できる。つまり、凸形状部１３ｂが逃げ部１２ａを通じて半導体レーザ素子１１側に突出するように構成されていれば、ワイヤボンディングのためのワイヤ長を抑えることができ、またワイヤボンディングのためのワイヤの他箇所との干渉を防ぐこともでき、ワイヤーボンド性の向上が見込めることから、結果として半導体レーザ装置１０の製造効率や歩留まり等の向上を期待できるようになる。
【００３０】
その後は、半導体レーザ素子１１および多層配線基板１３が取り付けられたリードフレームの連続体１２ｂを切断する。つまり、リードフレームの連続体１２ｂに対する切断処理を行って、各リードフレーム１２別に分割することで、複数の半導体レーザ装置１０を得るのである。なお、ＯＰベース１４の取り付けは、リードフレームの連続体１２ｂの切断後に行うことになる。
【００３１】
以上のような手順で半導体レーザ装置１０を製造すれば、本実施形態における半導体レーザ装置１０を、リードフレーム形状での組み立てを行う製造装置、さらに詳しくは従来のように金属材料で形成されたベース体２２上に半導体レーザ素子２１が搭載された半導体レーザ装置（図４参照）についての製造装置を用いて構成することが、容易に実現可能となる。
【００３２】
続いて、半導体レーザ装置１０の製造方法の他の例について説明する。
図３は、本発明が適用された半導体レーザ装置の製造方法の概要の他の例を示す説明図である。
【００３３】
ここで説明する製造方法では、半導体レーザ装置１０の製造にあたり、図３（ａ）に示すように、多層配線基板１３が例えば帯状またはマトリクス状に連なってなるもの、すなわち半導体レーザ装置１０を複数製造するための多層配線基板の連続体１３ｃを用意する。この多層配線基板の連続体１３ｃは、各多層配線基板１３が予め複数の配線パターンに対応し得るように形成されているものとする。そして、その連続体１３ｃの一方の面側、具体的には凸形状部１３ｂおよび接続端子群１３ａが配されている面側に、複数のリードフレーム１２を、例えばロウ付け等の手法で取り付ける。リードフレーム１２は、多層配線基板１３の平面形状よりも一回り小さく形成されているものとする。
【００３４】
リードフレーム１２の取り付けは、図３（ｂ）に示すように、多層配線基板の連続体１３ｃに設けられているＶ字状の溝部１３ｄをアライメントマークとして用いて、その多層配線基板の連続体１３ｃについての位置決めを行いつつ、多層配線基板１３における凸形状部１３ｂがリードフレーム１２の逃げ部１２ａと嵌合するようにを行う。これにより、凸形状部１３ｂは、その頂部、すなわち接続端子群１３ａの配設部分が、リードフレーム１２の多層配線基板１３との取り付け面反対側の面（例えばリードフレーム１２の上面）から突出することになる。なお、アライメントマークとなる溝部１３ｄは、多層配線基板の連続体１３ｃの位置決めが可能であれば、Ｖ字状のものに限定されることはなく、他の形状のものであってもよい。また、溝部１３ｄではなく、マーク状のものを用いることも考えられる。
【００３５】
一方、リードフレーム１２における多層配線基板１３の取り付け面と反対側の面には、図３（ｃ）に示すように、半導体レーザ素子１１を、例えばロウ付け等の手法で取り付ける。そして、半導体レーザ素子１１の取り付け後、その半導体レーザ素子１１における端子（ただし不図示）と、その半導体レーザ素子１１の側に突出する凸形状部１３ｂにおける接続端子群１３ａとを、ワイヤボンディングによって接続して、これらの間の電気的接続を確保する。
【００３６】
このとき、凸形状部１３ｂが逃げ部１２ａを通じて半導体レーザ素子１１側に突出するように構成されていれば、ワイヤボンディングのためのワイヤ長を抑えることができ、またワイヤボンディングのためのワイヤの他箇所との干渉を防ぐこともでき、ワイヤーボンド性の向上が見込めることから、結果として半導体レーザ装置１０の製造効率や歩留まり等の向上を期待できるようになる。
【００３７】
その後は、半導体レーザ素子１１およびリードフレーム１２が取り付けられた多層配線基板の連続体１３ｃを切断する。つまり、多層配線基板の連続体１３ｃに対する切断処理を行って、各多層配線基板１３別に分割することで、複数の半導体レーザ装置１０を得るのである。なお、ＯＰベース１４の取り付けは、多層配線基板の連続体１３ｃの切断後に行うことになる。
【００３８】
以上のような手順で半導体レーザ装置１０を製造すれば、本実施形態における半導体レーザ装置１０を、集合基板形式での組み立てを行う製造装置、さらに詳しくは従来のようにセラミック材料で形成されたベース体２２上に半導体レーザ素子２１が搭載された半導体レーザ装置（図４参照）についての製造装置を用いて構成することが、容易に実現可能となる。
【００３９】
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、半導体装置として半導体レーザ装置を例に挙げて説明したが、発熱し得る半導体素子を備えて構成される半導体装置であり、その半導体素子と外部との電気的接続がワイヤボンディングによって確立されるように構成されたものであれば、半導体レーザ装置以外の他の半導体装置であっても、全く同様に本発明を適用することが考えられる。このように、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明が適用された半導体レーザ装置の概略構成例を示す説明図である。
【図２】本発明が適用された半導体レーザ装置の製造方法の概要の一例を示す説明図である。
【図３】本発明が適用された半導体レーザ装置の製造方法の概要の他の例を示す説明図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の概略構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…半導体レーザ装置、１１…半導体レーザ素子、１２…リードフレーム、１２ａ…逃げ部、１２ｂ…連続体、１２ｃ…溝部、１３…多層配線基板、１３ａ…接続端子群、１３ｂ…凸形状部、１３ｃ…連続体、１３ｄ…溝部、１４…ＯＰベース
【図１】
2007129004.tif 000003
【図２】
2007129004.tif 000004
【図３】
2007129004.tif 000005
【図４】
2007129004.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有する多層配線基板と、
前記半導体素子および前記多層配線基板の間に配置されるリードフレームとを備え、
前記リードフレームは、前記接続端子群を前記半導体素子に対して露出させるための逃げ部を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記多層配線基板は、前記リードフレームにおける前記逃げ部を通して前記半導体素子側に突出する凸形状部を有し、
前記接続端子群は、前記凸形状部上に形成される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有する多層配線基板と、前記半導体素子および前記多層配線基板の間に配置されるリードフレームとを備え、前記リードフレームは、前記接続端子群を前記半導体素子に対して露出させるための逃げ部を有している半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームの連続体に複数の前記逃げ部を形成するステップと、
複数の前記半導体素子を前記連続体に取り付けるステップと、
複数の前記多層配線基板を、複数の前記逃げ部を通して複数の前記接続端子群が露出するように前記連続体に取り付けるステップと、
複数の前記半導体素子および複数の前記多層配線基板が取り付けられた状態の前記連続体を切断して複数の前記半導体装置を製造するステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有する多層配線基板と、前記半導体素子および前記多層配線基板の間に配置されるリードフレームとを備え、前記リードフレームは、前記接続端子群を前記半導体素子に対して露出させるための逃げ部を有している半導体装置の製造方法であって、
複数の前記リードフレームに前記逃げ部を形成するステップと、
複数の前記リードフレームを前記多層配線基板の連続体に取り付けるステップであって、複数の前記逃げ部を通して複数の前記接続端子群を露出させるステップと、
複数の前記半導体素子を、複数の前記リードフレームを介して前記連続体に取り付けるステップと、
複数の前記半導体素子および複数の前記リードフレームが取り付けられた状態の前記連続体を切断して複数の前記半導体装置を製造するステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置で、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続するための接続端子群を有する多層配線基板と、前記半導体素子および前記多層配線基板の間に配置されるリードフレームとを備え、前記リードフレームは、前記接続端子群を前記半導体素子に対して露出させるための逃げ部を有していることを特徴とするものである。