(57)【要約】【課題】光効率が改善されたディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ディスプレイ装置は、基板素材と、基板素材上に形成されている有機層と、有機層上に形成されている共通電極と、有機層での光が通過する多数のビードを含むビード層とを含む。【選択図】図２
2007128879.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板素材と、
前記基板素材上に形成されている有機層と、
前記有機層上に形成されている共通電極と、
前記有機層での光が通過する多数のビードを含むビード層と、
を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ビード層は、前記共通電極の上部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記共通電極は複数の透明電極層を含み、
前記ビード層は前記透明電極層の間に形成されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記ビードの屈折率は、１．５〜２．０であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記ビードは、半球形であることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記ビードの直径は、２μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記ビードの高さは、２μｍ〜６μｍであることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記ビードは、ポリスチレン、ポリカーボネート、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2のうちの少なくともいずれか１つからなることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記共通電極は二重層で形成され、上部層はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記上部層の厚さは、０．０３μｍ〜１．５μｍであることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記共通電極上に形成されていて、１．３〜２．０の屈折率を有する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
基板素材上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜の上部に第１透明電極層を形成する段階と、
前記第１透明電極層上に多数のビードを含むビード層を形成する段階と、
を含むことを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ビード層を形成する段階は、前記多数のビードを前記第１透明電極層に散布することを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ビード層を形成する段階は、スクリーンプリンティング方式によって行われることを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ビード層上に第２透明電極層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２透明電極層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
基板素材上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜の上部に第１透明電極層及び第２透明電極層を形成する段階と、
前記第２透明電極層上に多数のビードを含むビード層を形成する段階と、
を含むことを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ビード層を形成する段階は、前記多数のビードを前記第１透明電極層に散布することを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ビード層を形成する段階は、スクリーンプリンティング方式によって行われることを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ビード層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置及びその製造方法に係り、より詳しくは共通電極に光拡散のためのビード層を含むことで光効率を改善したディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイ装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの低電圧駆動、軽量薄型、広視野角、及び高速回答などの長所により、最近、ＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）が脚光を浴びている。ＯＬＥＤは、駆動方式によって受動型（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）と能動型（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）とに分けられる。このうちの受動型は、製造過程は簡単であるが、ディスプレイ面積と解像度が増加するほど消費電力が急激に増加する問題がある。従って、受動型は主に小型ディスプレイに応用されている。一方、能動型は、製造過程は複雑であるが、大画面と高解像度を実現することができるという長所がある。
【０００３】
能動型ＯＬＥＤは、画素領域ごとに薄膜トランジスタが接続されており、この薄膜トランジスタにより画素領域別に有機発光層の発光が制御されるように構成されている。各画素領域には画素電極が位置しており、各画素電極は独立した駆動のために隣接した画素電極と電気的に分離している。また画素領域間には画素電極よりさらに高い隔壁が形成されており、この隔壁は画素電極間の短絡を防止し、画素領域間を分離する役割を果たす。隔壁の間の画素電極上には正孔注入層と有機発光層とが順に形成されている。有機発光層の上部には共通電極が形成されている。
【０００４】
ＯＬＥＤは、有機発光層から発生した光の出射方向によって、ボトムエミッション方式とトップエミッション方式とに分けられる。
ボトムエミッション方式においては、有機発光層から発生した光が薄膜トランジスタ方向に出射される。この方式の工程は確立されており、薄膜トランジスタと配線によって開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）が減少するという問題がある。トップエミッション方式においては、有機発光層から発生した光が共通電極を経由して外部に出射される。従って、薄膜トランジスタによる開口率の減少がなく、高い開口率を維持することができるが、透明な共通電極の形成が容易でないという問題がある。
【０００５】
ボトムエミッション方式およびトップエミッション方式のいずれ方式においても、有機発光層から生成された光は屈折率の異なるいろいろな層を通過して外部に出射される。ところが、これら層は互いに異なる屈折率を有するため、散乱現象が生じて輝度が低下するという問題がある。このような輝度の低下の問題を解決するために高輝度発光する場合、消費電力が増加するとともに光素子の劣化が促進するという問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、散乱現象を減少させて輝度が向上したディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、消費全力を減少させるディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明に係るディスプレイ装置は、基板素材と、前記基板素材上に形成されている有機層と、前記有機層上に形成されている共通電極と、前記有機層での光が通過する多数のビードを含むビード層とを含む。
前記ビード層は前記共通電極の上部に形成することが好ましい。
前記共通電極は複数の透明電極層を含み、前記ビード層は前記透明電極層の間に形成することもできる。
【０００８】
前記ビードの屈折率は１．５〜２．０であって、ＩＴＯまたはＩＺＯの屈折率と類似することが好ましい。
前記ビードは半球形であって、前記ビードの直径は２μｍ〜１０μｍであり、前記ビードの高さは２μｍ〜６μｍであることが好ましい。
前記ビードは、ポリスチレン、ポリカーボネート、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2のうちの少なくともいずれか１つで形成することができる。
【０００９】
前記共通電極は二重層で形成され、上部層はＩＴＯまたはＩＺＯで形成することができる。
前記上部層の厚さは０．０３μｍ〜１．５μｍであることが好ましい。
前記共通電極上に形成されている保護層をさらに含むことができ、前記保護層の屈折率は１．３〜２．０であることが好ましい。
【００１０】
一方、本発明に係るディスプレイ装置の製造方法は、基板素材上に有機膜を形成する段階と、前記有機膜の上部に第１透明電極層を形成する段階と、前記第１透明電極層上に多数のビードを含むビード層を形成する段階とを含む。
前記ビード層を形成する段階は、前記多数のビードを前記第１透明電極層に散布することによって行うことができる。
【００１１】
前記ビード層を形成する段階は、スクリーンプリンティング方式によって行うこともできる。
前記ビード層上に第２透明電極層を形成する段階をさらに含み、前記第２透明電極層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
また、本発明に他の実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法は、基板素材上に有機膜を形成する段階と、前記有機膜の上部に第１透明電極層及び第２透明電極層を形成する段階と、前記第２透明電極層上に多数のビードを含むビード層を形成する段階とを含む。
【００１２】
前記ビード層を形成する段階は、前記多数のビードを前記第１透明電極層に散布するか、またはスクリーンプリンティング方式によって行うことが好ましい。
前記ビード層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、散乱現象を減少させて輝度が向上したディスプレイ装置及びその製造方法を提供することができる。
また、消費電力を減少させるディスプレイ装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明について説明する。
いろいろな実施形態において、同一の構成要素について同一の参照番号を付けており、同一の構成要素については第１実施形態で代表的に説明し、他の実施形態では省略され得る。
図１は本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の等価回路図である。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態によるディスプレイ装置１は複数の信号線を含む。信号線は、走査信号を伝達するゲート線、データ信号を伝達するデータ線、及び駆動電圧を伝達する駆動電圧線を含む。データ線と駆動電圧線とは互いに隣接して平行に配置されており、ゲート線はデータ線及び駆動電圧線の長さ方向に対して直交方向に延長されている。
各画素は、有機発光素子ＬＤ、スイッチングトランジスタＴｓｗ、 駆動トランジスタＴｄｒ、及び蓄電器Ｃを含む。
【００１６】
駆動トランジスタＴｄｒは、制御端子、入力端子及び出力端子を有する。制御端子はスイッチングトランジスタＴｓｗに接続されており、入力端子は駆動電圧線に接続されており、出力端子は有機発光素子ＬＤに接続されている。
有機発光素子ＬＤは、駆動トランジスタＴｄｒの出力端子に接続されるアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧Ｖｃｏｍに接続されているカソード（ｃａｔｈｏｄ）とを有する。有機発光素子ＬＤは駆動トランジスタＴｄｒの出力電流によって異なる発行強度により発光して、映像を表示する。駆動トランジスタＴｄｒの電流は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧によってその大きさが変わる。
【００１７】
スイッチングトランジスタＴｓｗは、同様に、制御端子、入力端子及び出力端子を有する。制御端子はゲート線に接続されており、入力端子はデータ線に接続されており、出力端子は駆動トランジスタＴｄｒの制御端子に接続されている。スイッチングトランジスタＴｓｗは、ゲート線に印加される走査信号によってデータ線に印加されるデータ信号を、駆動トランジスタＴｄｒに伝達する。
【００１８】
蓄電器Ｃは、駆動トランジスタＴｄｒの制御端子と入力端子との間に接続されている。蓄電器Ｃは、駆動トランジスタＴｄｒの制御端子に入力されるデータ信号を充電して保持する。
以下、図２〜図６を参照して、第１実施形態によるディスプレイ装置及びその製造方法について説明する。
【００１９】
図２はディスプレイ装置の断面図であって、駆動トランジスタＴｄｒだけを図示した。
ガラス、石英、セラミックスまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた基板素材１１０上にゲート電極１２１が形成されている。第１基板素材１１０とゲート電極１２１上にはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１３１が形成されている。
【００２０】
ゲート電極１２１が位置したゲート絶縁膜１３１上には、非晶質シリコンからなる半導体層１３２とｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンからなる抵抗性接触層１３３とが順に形成されている。ここで、抵抗性接触層１３３はゲート電極１２１を中心として両方に分離されている。
抵抗接触層１３３及びゲート絶縁膜１３１上には、ソース電極１４１とドレイン電極１４２とが形成されている。ソース電極１４１とドレイン電極１４２とはゲート電極１２１を中心として分離されている。
【００２１】
ソース電極１４１とドレイン電極１４２及びこれらが覆わない半導体層１３２の上部には保護膜１５１が形成されている。保護膜１５１はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成することができる。保護膜１５１はドレイン電極１４２上においては一部除去されている。
薄膜トランジスタＴｄｒを覆っている保護膜１５１の上部には有機膜１７１が位置している。有機膜１７１の上部はほぼ平坦であり、ドレイン電極１４２の上部においては一部除去されている。有機膜１７１は、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）系列、オレフィン系列、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）系列、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系列、テプロン系列、サイトップ（ｃｙｔｏｐ）、ＦＣＢ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）のうちのいずれか１つで構成することができる。
【００２２】
有機膜１７１の上部には画素電極１８１が形成されている。画素電極１８１は正極（ａｎｏｄｅ）とも言い、有機層２２０に正孔を供給する。本実施形態のようなトップエミッション方式のディスプレイ装置１の場合に、正孔を提供する画素電極１８１は不透明な金属で形成されることが一般的であり、ニッケル（Ｎｉ）またはクロム（Ｃｒ）などを含んで構成される。画素電極１８１は、正孔注入が円滑に行われるように仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の値が高い金属が用いられるが、共通電極２３０のように透明な導電物質から形成することもできる。この場合、発生した光が共通電極２３０の方向に出射する本実施形態とは異なって、光が第１基板素材（絶縁基板）１１０の方向にも出射することができる。画素電極１８１は接触孔１５３を通じてドレイン電極１４２と接続されている。
【００２３】
画素電極１８１と有機膜１７１上には画素電極１８１を取り囲んでいる隔壁２１１が形成されている。隔壁２１１は画素電極１８１の間を区分して画素領域を定義する。隔壁２１１は、薄膜トランジスタＴｄｒのソース電極１４１とドレイン電極１４２とが共通電極２３１と短絡することを防止する役割も果たす。隔壁２１１は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶媒性のある感光物質やＳｉＯ2、ＴｉＯ2のような無機材料で構成することができ、有機層と無機層との二層構造とすることも可能である。
【００２４】
隔壁２１１が覆わない画素電極１８１上には有機層２２０が形成されている。有機層２２０は、正孔注入層２２１（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）と発光層２２２（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）とにより構成されている。
正孔注入層２２１は、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）のような正孔注入物質からなっており、これら正孔注入物質を水に混合させて水状サスペンション状態でインクジェット方式によって形成することができる。
【００２５】
発光層２２２は画素ごとに赤色、緑色及び青色を発光する相異なる物質の発光層が積層され、発光層２２２を積層する場合、混色が発生しないように色相別、画素別にパターニングされているシャドウマスクを利用する。
画素電極１８１から伝達された正孔と共通電極２３０から伝達された電子とは、発光層２２２で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）になった後、励起子の非活性化過程で光を発生させる。
【００２６】
隔壁２１１及び発光層２２２の上部には共通電極２３０が位置する。共通電極２３０は発光層１８０に電子を供給するカソード電極（ｃａｔｈｏｄｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）である。共通電極２３０は複数の透明電極層２３１、２３２を含み、第１透明電極層２３１は仕事関数が低い金属であって、発光層２２２に電子を供給し、第２透明電極層２３２は透明な導電物質であって、第１透明電極層２３１をキャッピング（ｃａｐｐｉｎｇ）する役割を果たす。
【００２７】
第１透明電極層２３１は、マグネシウムと銀の合金またはカルシウムと銀の合金から構成することができ、厚さは５０〜２００ｎｍとすることができる。第１透明電極層２３１の厚さが５０ｎｍ以下であれば、抵抗が過度に大きくなって共通電圧の印加が円滑に行われず、第１透明電極層２３１の厚さが２００ｎｍ以上であれば、共通電極１９０が不透明になる恐れがある。
【００２８】
第２透明電極層２３２はＩＴＯまたはＩＺＯからなり、その厚さｄ３は、０．０３μｍ〜１．５μｍであることが好ましい。ＩＴＯまたはＩＺＯの屈折率は約１．７〜１．９の範囲を有する。
第２透明電極層２３２の上部には多数のビード２４１を含むビード層２４０が形成されている。ビード２４１は半球形状を有し、ビード２４１に入射する光が四方へ分散されるレンズのような役割を果たす。発光層２２２及び共通電極２３０を透過した光はビード２４１を通過しながら拡散率が向上する。ビード層２４０は、液晶表示装置に使用される拡散シートまたはプリズムシートの役割を果たすことにより、光の拡散を向上させる。
【００２９】
第２透明電極層２３２と接するビード２４１の底面の直径ｄ１は２μｍ〜１０μｍであることが好ましく、その高さｄ２は２μｍ〜６μｍであることが好ましい。１つのピクセルに複数個のビード２４１を設けることが好ましく、ピクセルの大きさによってビード２４１の大きさも調節する必要がある。
ビード２４１は、液晶表示装置に使用されるスペイサーと類似するポリスチレンで構成することもでき、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2のうちの少なくともいずれか１つで構成することもできる。
【００３０】
ビード２４１は半球形に形成することができれば、多様な材質で構成することができるが、ビード２４１の屈折率は１．５〜２．０であることが好ましい。ビード層２４０は第２透明電極層２３２と接しているので、第２透明電極層２３２の屈折率と類似することが好ましい。第２透明電極層２３２の屈折率との差が大きければ、屈折率の差を克服できずに臨界角以上で入射した光は外部に放出されなくて全反射になり得る。全反射が生じれば、光の拡散のために設けられたビード層２４０の役割を遂行することができない問題点が発生する。従って、ビード２４１の屈折率は第２透明電極層２３２の屈折率と同一であるかまたは類似する範囲を有することが好ましい。
【００３１】
ビード層２４０の上部にはビード層２４０を保護するための保護層２５０が形成される。保護層２５０も光の効率的な透過のために、第２透明電極層２３２の屈折率と類似する値を有することが好ましく、本実施形態による保護層２５０は１．３〜２．０の範囲の屈折率を有する。保護層２５０は、ポリカーボネート、ＳｉＯ2及びＴｉＯ2のうちの少なくともいずれか１つで形成することができ、またはフィルムにより形成することもできる。
【００３２】
図３はディスプレイ装置の製造に使用されるスクリーンプリンティング装置であり、特にビード層２４０及び保護層２５０を形成するのに使用される。図４はビード層を形成するためのスクリーンマスクであり、図５は保護層を形成するために使用されるスクリーンマスクであり、図６はディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
スクリーンプリンティング装置は、基板１００が載置されるテーブル１０と、このテーブル１０上に位置するスクリーンマスク２０と、スクリーンマスク２０の少なくとも一側を支持し、テーブル１０からスクリーンマスク２０を離間させるマスク固定部３０と、スクリーンマスク２０上をスキャン駆動するスクイーズ（ｓｑｕｅｅｚｅ）４０と、スクイーズ４０をスクリーンマスク２０の一側から他側まで直線運動させるスクイーズ駆動部（図示せず）を制御する制御部（図示せず）とを含む。
【００３３】
テーブル１０は処理対象の基板１００が載置され、テーブル１０上にはスクリーンマスク２０が位置する。スクリーンマスク２０は、基板１００に対応する処理部２１と、処理部２１を取り囲む支持部２３と、支持部２３の少なくとも一側端に設けられていて、スクリーンマスク２０が動かないように固定するマスクフレーム２５とを含む。処理部２１の大きさは基板１の大きさに対応し、四角形状に設けることができる。
【００３４】
支持部２３はプラスチックを含む柔軟性のある材質で形成され、処理部２１の周縁と接着されており、処理部２１が下方に垂れ下がらないように張力を与える。支持部２３はスクイーズ４０の加圧によって処理部２１と共に上下に動く。マスクフレーム２５は後述するマスク固定部３０に載置して、スクイーズ４０の駆動の際にスクリーンマスク２０が動かないように支持する。
【００３５】
互いに対向する両側面にはマスク固定部３０が設けられている。マスク固定部３０はスクイーズ４０の駆動の際にスクリーンマスク２０が動かないようにし、スクリーンマスク２０を基板１００から所定の間隔に離間して支持する役割を果たす。スクリーンマスク２０と基板１００との間の間隔ｄ４は、基板１００のサイズによって変化することができ、約５ｃｍ〜３０ｃｍ範囲の程度で離隔している。
【００３６】
スクイーズ４０はスクリーンマスク２０上をスキャン駆動しながら、処理部２１を通じて処理物質、例えば、ポリカーボネート２４１ａなどを基板１００上に吐出するようになる。より詳しくは、スクイーズ４０はマスク２０上の一側支持部２３ａから一側支持部２３ａと対向する他側支持部２３ｂに向かって直線運動を行い、一側支持部２３ａに積層されたポリカーボネート２４１ａを処理部２１に満たす。これと同時に、基板１００に向かって処理部２１を加圧しながら基板１００上にポリカーボネート２４１ａを吐出する。スクイズ４０によって加圧された処理部２１はその形状が変形され、加圧の際に基板１００に近付く、スクイズ４０が通過することによって基板１００から離間する。
【００３７】
図４に示しているビード層２４０の形成に使用されるスクリーンマスク５０には、遮断パターン５１にメッシュパターン５３が規則的に配置されている。四角形状のメッシュパターン５３にはメッシュだけが位置しているので、スクリーンプリンティングの際にポリカーボネートが通過でき、遮断パターン５１の位置では処理物質が通過できない。メッシュパターン５３は左右方向に所定の間隔に離間している。
【００３８】
図５に示した保護層２５０の形成に使用されるスクリーンマスク６０にも遮断パターン６１にメッシュパターン６３が形成されている。保護層２５０の場合には、特別な形状なしに基板１００上に全面に蒸着されるので、メッシュパターン６３がスクリーンマスク６０の大部分の面積を占める。
図６はスクリーンプリンティングによってビード層２４０が形成されることを示したものであって、基板１００の上部に図４に示したスクリーンマスク５０が位置しており、スクイーズ４０が一方向に進行している。使用されたスクリーンマスク５０にはメッシュパターン５３が稠密に形成されている。
【００３９】
スクリーンプリンティングの対象である基板１００について説明すれば、次の通りである。図６に示したように、基板１００は、基板素材１１０上に形成されている複数の駆動トランジスタＴｄｒ、駆動トランジスタＴｄｒを覆っている保護膜１５１、駆動トランジスタＴｄｒと接続されている画素電極１８１、及び各画素電極１８１の間を区画している隔壁２１１を含む。
【００４０】
図示した駆動トランジスタＴｄｒは半導体層として非晶質シリコンを用いるが、ポリシリコンを用いる薄膜トランジスタも用いることができる。駆動トランジスタＴｄｒは行列状に配置されており、これによって画素電極１８１も一定のパターンで設けられている。
スクイーズ４０は、スクリーンマスク５０を進行しながら、進行方向の前方に位置したポリカーボネート２４１ａをメッシュパターン５３を通じて基板１００上に吐出する。
【００４１】
１つの画素電極１８１に対応する部分に複数のビード２４１が形成されることが好ましいので、メッシュパターン５３は１つの画素電極１８１に対応する部分に複数個が形成されていることが好ましい。メッシュパターン５３から第１透明電極層２３２に吐出されたポリカーボネート２４１ａは半球形に硬化される。
ポリカーボネート２４１ａの硬化のために、紫外線または熱を加える段階をさらに含むこともできる。
【００４２】
ビード層２４０が形成された後に、スクイーズ４０及び図５のスクリーンマスク６０を利用してビード層２４０上に保護層２５０を形成する。保護層２５０は無機物または無機絶縁物を含むことができ、スクイーズ４０を利用せずにスパッタリングやＣＶＤのように真空蒸着によって形成することができる。
他の実施形態によれば、発光層２２２をはじめとした有機層２２０もビード層２４０及び保護層２５０のようにスクリーンプリンティング方式によって形成することができる。
【００４３】
また、ビード層２４０は、スクイーズを使用せずに液晶表示装置のスペイサーのように基板１００の全面に散布されることもできる。
図７は本発明の第２実施形態によるディスプレイ装置の断面図である。図示したように、第２実施形態によるディスプレイ装置においては、ビード層２４２が第１金属電極層２３１及び第２金属電極層２３２の間に形成されている。
【００４４】
ビード層２４２は、第１実施形態のビード層２４０のように第２透明電極層２３２と類似する屈折率を有し、第１透明電極層２３１に散布されるかまたはスクイーズ４０を使用して形成することができる。
このように、本実施形態のようにビード層２４０、２４２を共通電極２３０に形成することにより、共通電極２３０を透過して直進する光の量を増加させ、表面反射光を拡散させる。これによって光の散乱が減少し、輝度が増加することとなり、ビード層２４０、２４２を形成しない場合より相対的に消費全力が減少することとなる。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態を図示して説明しているが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに共通電極に形成されて光拡散率を向上させるビード層に対する本実施形態を変形できることが分かる。発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の等価回路図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の製造に使用されるスクリーンプリンティング装置である。
【図４】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の製造に使用されるスクリーンマスクである。
【図５】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の製造に使用される他のスクリーンマスクである。
【図６】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【図７】本発明の第２実施形態によるディスプレイ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  テーブル
２０、５０、６０  スクリーンマスク
３０  マスク固定部
４０   スクイーズ
１００   基板
１１０  基板素材
Ｔｄｒ  駆動トランジスタ
１５１  接触口
１８１  画素電極
２１１  隔壁
２２０  有機層
２３０  共通電極
２４０  ビード層
２５０  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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