(57)【要約】【課題】  信頼性の高い回路装置を低コストで提供する。【解決手段】  回路装置１００は、配線層１２（銅板１およびめっき膜６）に電気的に接続された半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを封止樹脂層１０で封止された構造を備える。配線層１２は、導電部材で形成された所定のパターンを有する。封止樹脂層１０は、隣接する配線層１２の隙間から配線層１２の下面側へ突出した突起部１１を有する。これによれば、歩留まりの低下を抑制することができるので、信頼性の高い回路装置を低コストで提供することができる。【選択図】図１
2007180122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と、
前記配線層の上方に設けられた回路素子と、
前記回路素子を封止する封止樹脂層と、
を備え、
前記配線層の下面側に、前記配線層の隙間から突出した絶縁物からなる突起を有していることを特徴とした回路装置。
【請求項２】
前記突起が前記封止樹脂層の一部であることを特徴とした請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記配線層と前記回路素子との間に絶縁層をさらに備え、
前記突起が前記絶縁層の一部であって、前記絶縁層の熱伝導率が、前記封止樹脂層の熱伝導率よりも高いことを特徴とした請求項１に記載の回路装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、粒子状の充填材を含み、
前記絶縁層の突起において前記充填材の一部が露出していることを特徴とした請求項３に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。
【０００３】
こうした高密度化の要請に対応するパッケージ技術として、リードレス表面実装型の樹脂封止型パッケージが知られている（特許文献１参照）
図７は、上記特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。図７を参照して、従来の回路装置では、半導体素子１０１上の電極パッド１０２に対し、ボンディングワイヤ１０３の一端がボンディングされ、その他端がモールド樹脂により構成された樹脂パッケージ１０４の底面より露出する金属膜１０５にボンディングされている。金属膜１０５と樹脂パッケージ底面とはほぼ同一平面となっている。半導体素子１０１の下面（底面）はダイス付け材で保護されている。金属膜１０５は、ボンディングワイヤ１０３により半導体素子１０１と電気的に接続する構成とされている。また、この金属膜１０５は、回路装置の外部接続端子として機能するものであり、回路装置を実装基板（図示せず）に実装する時には、金属膜１０５は実装基板に形成された電極部にはんだ付けされる。
【特許文献１】特開平１０−１１６９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の回路装置では、金属膜１０５の裏面と樹脂パッケージ１０４の底面とがほぼ同一平面で形成されているため、回路装置の外部電極としてのはんだボールを形成する際、あるいは回路装置を実装基板に実装する際のはんだ付けにおいて、隣接する金属膜（外部接続端子）１０５間のはんだ同士が接触し、回路装置の配線短絡不良となることがあった。また、製造過程での動作試験のために回路装置を搬送などする際に、回路装置を台の上に置いたときに、金属膜１０５の裏面が台と接触し、金属膜１０５が損傷することがあった。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、信頼性の高い回路装置を低コストで提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路装置は、配線層と、配線層の上方に設けられた回路素子と、回路素子を封止する封止樹脂層と、を備え、配線層の下面側に、配線層の隙間から突出した絶縁物からなる突起を有していることを特徴とする。
【０００７】
この態様によれば、配線層の隙間から突出した絶縁物からなる突起によって、絶縁物である突起が障害となって隣接する配線層間でマイグレーションが発生することが抑制される。
【０００８】
また、回路装置の外部電極としてのはんだボールを形成する際、あるいは回路装置を実装基板に実装する際のはんだ付けにおいても、絶縁物である突起が障害となって、隣接する配線層間に設けられるはんだ同士が接触することを防止することができる。
【０００９】
さらに、回路装置を台の上に置いたときに、回路装置が突起によって支持されるので、製造過程での動作試験のために回路装置を搬送などする際に、台との接触により配線層が損傷することが抑制される。
【００１０】
さらに、回路装置を、接着層を用いて実装基板に実装する際において、突起が接着層に食い込み、アンカー効果が働くことによって接着層と回路装置との密着性を向上させることができる。
【００１１】
これらの結果、歩留まりの低下を抑制することができるので、信頼性の高い回路装置を低コストで提供することができる。
【００１２】
上記態様において、突起が封止樹脂層の一部であってもよい。この態様によれば、回路装置の構造および製造プロセスを簡略化し、回路装置の製造コストをさらに低減することができる。
【００１３】
本発明の別の態様の回路装置は、配線層と回路素子との間に絶縁層をさらに備え、突起が絶縁層の一部であって、絶縁層の熱伝導率が、封止樹脂層の熱伝導率よりも高いことを特徴とする。
【００１４】
この態様によれば、回路素子から発生する熱に関して、より熱伝導率の高い絶縁層を放熱経路とした熱拡散が多くなり、効率的に放熱することができる。また、突起によってその部分の絶縁層の表面積が多くなっているので、回路装置としての放熱性が向上する。
【００１５】
上記態様において、絶縁層は、粒子状の充填材を含み、絶縁層の突起において充填材の一部が露出していることが好ましい。このようにすることで、露出する充填材に起因して突起の表面に凹凸が形成されるので、さらに回路素子としての放熱性が向上する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、信頼性の高い回路装置を低コストで提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書において、「上」方向とは、膜の積層の順番により決まる概念であり、先に積層される膜の側から見て後から積層される膜の存在する方向が上であると規定している。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態における回路装置の構成を示す断面図である。回路装置１００は、配線層１２（銅板１、めっき膜６）、半導体素子８ａ、受動部品８ｂ、及び封止樹脂層１０を備える。
【００１８】
配線層１２は、導電部材で形成された所定のパターンを有する。配線層１２は、銅（Ｃｕ）などの単一の金属によって形成されてもよいが、複数の金属層によって形成されていてもよい。たとえば、銅からなる金属層の上にＮｉ膜を介してＡｕ膜を形成することにより、ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上させることができる。
【００１９】
半導体素子８ａは、たとえば、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの半導体チップである。半導体素子８ａは、配線層１２と略同一な平面内に設けられた金属基板１ａの上にはんだ７ａによって接続されている。金属基板１ａは、配線層１２と同様に、銅などの単一の金属によって形成されていてもよいが、複数の金属層によって形成されていてもよい。金属基板１ａの層構造と配線層１２の層構造とを等しくすることにより、回路装置１００の製造プロセスを簡便にすることができる。半導体素子８ａの電極端子と配線層１２とは、金線などのワイヤ９によってワイヤボンディングされている。
【００２０】
受動部品８ｂは、コンデンサ、抵抗、コイル、インダクタなどの電子部品である。受動部品８ｂは、配線層１２の上にはんだ７ｂによって接続され、配線層１２と電気的に接続されている。
【００２１】
封止樹脂層１０は、配線層１２の上方に設けられた半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを封止し、半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを外界からの影響から保護している。封止樹脂層１０の材料は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性の絶縁樹脂である。半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを封止樹脂層１０で封止することにより、回路装置１００を実装する前の動作試験時などにおいて半導体素子８ａ等が破壊や損傷を受けることを抑制することができる。また、回路装置１００の保管環境によって半導体素子８ａ等の特性が変化することが抑制されるため、ベアチップでは困難であった市場流通が可能になる。
【００２２】
また、封止樹脂層１０は、配線層１２の隙間から配線層１２の下面側へ突出した突起部１１を有する。
【００２３】
突起部１１によって得られる効果としては下記のような事項が挙げられる。
【００２４】
（１）回路装置１００を台の上に置いたときに、回路装置１００が突起部１１によって支持される。このため、製造過程での動作試験のために回路装置を搬送などする際に、台との接触により配線層１２（特に銅板１，１ａ）が損傷することが抑制される。
【００２５】
（２）回路装置１００の回路モジュールに実装する場合に、絶縁物である突起部１１によって配線層１２と実装対象との間に適度な隙間が生じるため、回路装置１００の配線層１２が回路モジュール内の他の回路と接触することが抑制される。
【００２６】
（３）回路装置１００を他の回路装置や樹脂基板等に実装する場合に、突起部１１によって表面摩擦が増大し、滑りにくくなるため、回路装置１００の位置決めを用意に行うことができる。
【００２７】
（４）回路装置１００を、接着層（図示せず）を用いて実装基板等に実装する場合に、突起部１１が接着層に食い込み、アンカー効果が働くことによって接着層と回路装置１００との密着性が向上する。
【００２８】
（５）回路装置１００の実装時に突起部１１がスペーサとして機能することによって、回路装置１００と実装対象との間に適度な隙間が生じる。これにより、接着材を用いて回路装置１００を実装する際に回路装置１００に加わる力が均一化されるため、接着材が局所的に押し出されて回路装置１００が傾くことが抑制される。
【００２９】
（６）絶縁物である突起部１１が障害となって配線層１２間でマイグレーションが発生することが抑制される。
【００３０】
（７）回路装置１００の外部電極としてのはんだボールを形成する際、あるいは回路装置１００を実装基板に実装する際のはんだ付けにおいて、絶縁物である突起部１１がはんだが流動するときの障害となって、隣接する配線層１２間に設けられるはんだ同士が接触することを防止することができる。
【００３１】
（８）半導体素子８ａおよび受動部品８ｂが発熱した場合に、封止樹脂層１０が熱膨張することによって配線層１２との界面に働く応力が大きくなるが、配線層１２間の隙間から突出する突起部１１によりアンカー効果によって、配線層１２から封止樹脂層１０が剥離するのが抑制される。
【００３２】
（９）突起部１１が配線層１２の最外周に位置する場合には、配線層１２の側面（周囲）を突起部１１が覆うことになるので、配線層１２と封止樹脂層１０の線膨張係数差によってずれ応力が発生する場合でも、突起部１１が配線層１２を四方から押さえ込むことになるため、封止樹脂層１０と配線層１２との界面で剥がれは生じず、配線層１２と封止樹脂層１０との接合信頼性が向上する。
【００３３】
以上のように、回路装置１００の歩留まりの低下を抑制することができるので、信頼性の高い回路装置１００を低コストで提供することができる。
【００３４】
図２および図３は、第１実施形態に係る回路装置１００の製造方法を示す。
【００３５】
まず、図２（Ａ）に示すように、銅板１の上に、リソグラフィ法により配線層のパターンに合わせてレジスト２を選択的に形成する。銅板１の膜厚は、たとえば１２５μｍである。具体的には、ラミネーター装置を用いて銅板１に膜厚２０μｍのレジスト膜を貼り付け、配線層のパターンを有するフォトマスクを用いてＵＶ露光した後、Ｎａ２ＣＯ３溶液を用いて現像し、未露光領域のレジストを除去することによって、銅板１の上にレジスト２が選択的に形成される。なお、レジスト２との密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板１の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
【００３６】
図２（Ｂ）に示すように、塩化第二鉄溶液を用いて、銅板１の露出部分をハーフエッチングし、所定の配線パターン４に該当しない領域に溝３を形成した後、レジスト２をＮａＯＨ溶液などの剥離液を用いて剥離する。溝３の深さは、たとえば５０μｍである。
【００３７】
図２（Ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、溝３の上にレジスト５を選択的に形成する。レジスト５の形成方法は、レジスト２と同様である。
【００３８】
図２（Ｄ）に示すように、電解めっき法または無電解めっき法により、銅板１の表面全体に膜厚１０μｍのＮｉ膜を形成した後、Ｎｉ膜の上に膜厚０．０５μｍのＡｕ膜を形成した後、レジスト５を除去する。これにより、配線パターン４の表面にＡｕ／Ｎｉ膜からなるめっき膜６が形成される。
【００３９】
図３（Ｅ）に示すように、半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを搭載する領域にはんだ７ａおよびはんだ７ｂをそれぞれ印刷した後、半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを所定位置に搭載した状態でリフロー処理を行う。これにより、半導体素子８ａおよび受動部品８ｂが銅板１の上に固定される。
【００４０】
図３（Ｆ）に示すように、半導体素子８ａの電極端子とめっき膜６の所定位置とをワイタボンディングによって電気的に接続する。ワイヤボンディングに用いるワイヤ９として金線を用いることにより、最表面がＡｕで構成されためっき膜６との接続信頼性を向上させることができる。
【００４１】
図３（Ｇ）に示すように、トランスファーモールド法により、エポキシ樹脂を用いて半導体素子８ａおよび受動部品８ｂを封止する封止樹脂層１０を形成する。これにより、銅板１に形成された溝３に封止樹脂層１０が埋め込まれる。
【００４２】
最後に、図１に示すように、銅板１の下面を、塩化第二鉄溶液を用いてハーフエッチングし、銅板１の厚さを２０μｍにまで薄膜化するとともに、溝３に埋め込まれた封止樹脂層１０を露出させることによって、突起部１１を形成する。薄膜化された銅板１およびめっき膜６が配線層１２に相当する。
【００４３】
突起部１１の高さは、たとえば３０μｍである。このように、封止樹脂層１０の一部を突起部１１として機能させることにより、回路装置１００の構造および製造プロセスが簡便化するため、回路装置１００の製造コストが低減される。
【００４４】
以上の工程により、図１に示した第１実施形態の回路装置１００を低コストで得ることができる。
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態による回路装置の構成を示す断面図である。回路装置１３０は、配線層３１、絶縁層３５、回路素子３９、及び封止樹脂層４０を備える。
【００４５】
配線層３１は、導電部材で形成された所定のパターンを有する。配線層３１は、銅（Ｃｕ）などの単一の金属によって形成されてもよいが、複数の金属層によって形成されていてもよい。たとえば、銅からなる金属層の上に銀（Ａｇ）膜を形成することにより、ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上させることができる。
【００４６】
絶縁層３５は、絶縁層の熱伝導率を高くするために充填材（図示せず）が添加されている。絶縁層３５に用いられる材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等が挙げられる。絶縁層３５の膜厚は、特に限定されないが、典型的には２５〜６０μｍである。但し、絶縁層３５の膜厚の下限は、少なくとも、後述する充填材の粒径よりも大きい必要がある。
【００４７】
充填材は、熱伝導性が良好な粒子状の無機材料で構成されている。この充填剤としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）および窒化ホウ素（ＢＮ）などが挙げられる。本実施形態の充填材は球状であるが、充填材は粒子状であればよく、楕円状、不定形などの形状でもよい。
【００４８】
絶縁層３５における充填材の充填率（体積充填率）は５０〜９０Ｖｏｌ％が好ましく、６５〜７５Ｖｏｌ％がより好ましい。充填材の充填率が５０Ｖｏｌ％より少ないと、十分な熱伝導性が得られない。一方、充填材の充填率が９０Ｖｏｌ％より多いと、絶縁層３５が脆くなり、耐久性が損なわれる。充填材の充填率を５０〜９０Ｖｏｌ％とするために、粒径の分布が比較的に大きい集団と、粒径の分布が比較的に小さい集団とを混在させることが好適である。これにより、粒径が大きい粒子との間に生じた隙間に粒径が小さい粒子が入り込むことにより、絶縁層３５に充填材をより密に充填させることができる。たとえば、平均粒径が０．７μｍの集団Ａと、平均粒径が３μｍ（最大粒径１５μｍ）の集団Ｂとを１：４の構成比で混在させることにより、充填材の充填率を７０Ｖｏｌ％とすることができる。
【００４９】
充填材の熱膨張係数は、絶縁層３５の熱膨張係数に比べて配線層３１の熱膨張係数により近いことが望ましい。たとえば、絶縁層３５としてエポキシ樹脂（熱膨張係数：３０．３×１０−６／Ｋ）を用い、配線層３１として銅（熱膨張係数：１７．７×１０−６／Ｋ）を用いた場合には、絶縁層３５にアルミナ（熱膨張係数：７．８×１０−６／Ｋ）を充填材として用いることにより、上述の関係が確保される。絶縁層３５の熱膨張係数に比べて配線層３１の熱膨張係数に近い充填材を使用することにより、回路装置１３０の温度が上昇した場合であっても、配線層３１と充填材との熱応力が小さいために、絶縁層３５が配線層３１から剥離することが抑制される。
【００５０】
絶縁層３５の底部では、配線層３１の上面側において絶縁層３５に充填された充填材が剥き出しになって、配線層３１の表面に食い込んでおり、配線層３１は充填材の一部と直に接している。充填材が剥き出しになって配線層３１の表面に食い込んでいることにより、配線層３１の上面側に充填材の分布に伴う凹凸が形成される。この凹凸により、配線層３１と絶縁層３５との間の接触面積が増大し、アンカー効果がより強められる。この結果、配線層３１と絶縁層３５の密着性が向上する。
【００５１】
絶縁層３５は、配線層３１の隙間から配線層３１の下面側へ突出した突起部４２を有する。この突起部４２によって、絶縁物である突起部４２が障害となって隣接する配線層３１間でマイグレーションが発生することが抑制される。さらに、この突起部４２においても絶縁層３５に含まれる充填材が剥き出しになっており、その表面には充填材の分布に伴う凹凸が形成されている。この凹凸によって表面積が増大し、突起部４２における放熱性が向上するため、突起部４２の表面に凹凸がない場合に比べて、回路素子３９の温度上昇時における回路装置１３０の信頼性を向上することができる。
【００５２】
絶縁層３５の熱伝導率は、封止樹脂層４０の熱伝導率よりも高いことが好ましい。これにより、回路素子３９から発生する熱に関して、より熱伝導率の高い絶縁層３５を放熱経路とした熱拡散が多くなり、効率的に放熱することができる。また、突起部４２によってその部分の絶縁層３５の表面積が多くなっているので、回路装置としての放熱性が向上する。
【００５３】
回路素子３９は、たとえば、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの半導体チップである。回路素子３９は、所定領域の絶縁層３５の上に、エポキシ樹脂からなる接着層３８を介して装着されている。なお、接着層３８としては、絶縁性を有するエポキシ樹脂の他に、導電性を有するはんだによって接着してもよい。
【００５４】
封止樹脂層４０は、配線層３１の上方に設けられた回路素子３９を封止し、回路素子３９を外界からの影響から保護している。封止樹脂層４０の材料は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性の絶縁樹脂である。回路素子３９を封止樹脂層４０で封止することにより、回路装置１３０を実装する前の動作試験時などにおいて回路素子３９等が破壊や損傷を受けることを抑制することができる。
【００５５】
以上のように、回路装置１３０の歩留まりの低下を抑制することができるので、信頼性の高い回路装置１３０を低コストで提供することができる。
【００５６】
図５および図６は、第２実施形態に係る回路装置の製造方法を示す。
【００５７】
まず、図５（Ａ）に示すように、銅板３１（後工程で配線層３１となる）の上に、リソグラフィ法により配線層のパターンに合わせてレジスト３２を選択的に形成する。銅板３１の膜厚はたとえば１２５μｍである。具体的には、ラミネーター装置を用いて銅板３１に膜厚２０μｍのレジスト膜を貼り付け、配線層のパターンを有するフォトマスクを用いてＵＶ露光した後、Ｎａ２ＣＯ３溶液を用いて現像し、未露光領域のレジストを除去することによって、銅板３１の上にレジスト３２が選択的に形成される。なお、レジスト３２との密着性向上のために、レジスト膜のラミネート前に、銅板３１の表面に研磨、洗浄等の前処理を必要に応じて施すことが望ましい。
【００５８】
図５（Ｂ）に示すように、塩化第二鉄溶液を用いて、銅板３１の露出部分をハーフエッチングし、所定の配線パターン３４に該当しない領域に溝３３を形成した後、レジスト３２をＮａＯＨ溶液などの剥離液を用いて剥離する。溝３３の深さは、たとえば５０μｍである。
【００５９】
図５（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、予め所定の割合で充填材（図示せず）が含有された絶縁層３５の絶縁層シートを用意する。なお、絶縁層シートは、充填材同士の凝集を防止し、またエポキシ樹脂である絶縁層３５となじみやすくするために、充填材の表面にはシランカップリング剤による親水化処理を施してから、所定の割合で混練して形成される。この絶縁層シートを、銅板３１の上に貼り付けて、１５０℃で１２０分圧着して硬化させる。この圧着処理によって、絶縁層３５の底部においては充填されている充填材が剥き出しとなり、充填材が銅板３１の配線パターン３４の表面および銅板３１の溝３３の内壁表面に埋め込まれた（食い込んだ）状態に形成される。
【００６０】
図５（Ｅ）に示すように、ＵＶレーザを用いて絶縁層３５をパターニングし、配線層３１を露出させ、後工程でのワイヤボンディングするための開口部３６を形成する。
【００６１】
図６（Ｆ）に示すように、電解めっき法または無電解めっき法により、露出した銅板３１の表面に膜厚１０μｍ程度のＡｇ膜を形成する。これにより、銅板３１の表面にＡｇ膜からなるめっき膜３７が形成される。
【００６２】
図６（Ｇ）に示すように、絶縁層３５の上に、約５０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂からなる接着層３８を介して回路素子３９を装着する。この回路素子３９を装着した後の接着層３８の厚みは約２０μｍとなる。これにより、回路素子３９が絶縁層３５の上に固定される。なお、回路素子３９を固定する接着層３８としては、絶縁性の上記材料の他に、導電性のはんだ材を用いてもよい。この場合、回路素子３９が搭載される領域にはんだを印刷した後、回路素子３９を所定位置に搭載した状態でリフロー処理を行うことで回路素子３９が固定される。
【００６３】
図６（Ｈ）に示すように、回路素子３９の電極端子（図示せず）とめっき膜３７（所定位置の配線層３１）とをワイヤボンディングによって電気的に接続する。ワイヤボンディングに用いるワイヤ４０として金線を用いることにより、Ａｇで構成されためっき膜３７との接続信頼性を向上させることができる。
【００６４】
図６（Ｉ）に示すように、トランスファーモールド法により、エポキシ樹脂を用いて回路素子３９を封止する封止樹脂層４１を形成する。
【００６５】
最後に、図４に示すように、銅板３１の下面を、塩化第二鉄溶液を用いてハーフエッチングし、銅板３１の厚さを２０μｍにまで薄膜化するとともに、溝３３に埋め込まれた絶縁層３５を露出させることによって突起部４２を形成する。突起部４２の高さは、たとえば３０μｍである。なお、突起部４２の表面には、充填材が銅板３１の溝３３の内壁表面に埋め込まれた（食い込んだ）状態を反映して、充填材による凹凸が形成されている。
【００６６】
以上の工程により、第２実施形態の回路装置１３０を低コストで得ることができる。
【００６７】
なお、今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る回路装置を示した断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る回路装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  銅板
６  めっき膜
７ａ，７ｂ  はんだ
８ａ  半導体素子
８ｂ  受動部品
９  ワイヤ
１０  封止樹脂層
１１  突起部
１２  銅板１とめっき膜６からなる配線層
１００  回路基板
【図１】
2007180122.tif 000003
【図２】
2007180122.tif 000004
【図３】
2007180122.tif 000005
【図４】
2007180122.tif 000006
【図５】
2007180122.tif 000007
【図６】
2007180122.tif 000008
【図７】
2007180122.tif 000009