(57)【要約】【課題】従来よりも放熱性が向上した半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１は、ステム３に保持され、ワイヤ５を介して外部からの電流が供給される。このワイヤの材質の組成は９９％以上が銅となっている。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子を保持するステムと、
上記半導体レーザ素子に外部からの電流を供給する少なくとも１つのワイヤと
を備え、
上記ワイヤの材質の組成は９９％以上が銅であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子と上記ステムとの間に配置されたサブマウントを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を分割および回折する光学素子と、
上記光学素子を保持するキャップと、
上記光学素子に回折されたレーザ光を受光する受光素子と
を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
上記受光素子に電気的に接続される少なくとも１つのワイヤを備え、
上記ワイヤの材質は９９％以上の組成が銅であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１または４に記載の半導体レーザ装置において、
上記ワイヤの直径は１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項２に記載の半導体レーザ装置において、
上記サブマウントは焼結体からなり、
上記焼結体の材質の組成は９５％以上がＳｉＣまたはＡｌＮであり、
上記焼結体の表面上には上記半導体レーザ素子と電気的に接合するための金属が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体レーザ装置において、
上記焼結体と上記金属との間には、ＴｉとＰｔとからなるバリアメタル層が形成され、
上記金属は１.５μｍ以上３.５μｍ以下の厚さのＡｕ−Ｓｎからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項２に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子は、前方に主出射面を有すると共に、後方に副出射面を有し、
上記サブマウントは、Ｓｉからなる基板であると共に、上記副出射面から出射されたレーザ光を受光する受光部を有し、
上記受光部で受光されたレーザ光に基づいて、上記半導体レーザ素子のレーザパワーを調整することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記ワイヤが２本以上あり、
上記ワイヤは、上記半導体レーザ素子と、電流が外部から供給されるステム端子部とを接続することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステム、キャップおよび光学素子で囲まれた空間が外部の空間と連通させる隙間が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体レーザ装置において、
上記隙間は少なくともキャップとステムとの間にあることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの記録・再生用の光ピックアップ装置等に使用される半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ装置としては、基台としてのステムと、このステムに搭載されたチップ形状の半導体レーザ素子と、ステムおよび半導体レーザ素子を保護するキャップとを備えたものがある（特開２００４−４７８３０号公報参照）。
【０００３】
上記ステムには、通常、外部のフレキシブル基板と電気的接続を取るためのリードピンが組み込まれている。
【０００４】
また、上記ステムと半導体レーザ素子との間には、通常、サブマウントが挿入されている。このサブマウントは、ＳｉＣ製またはＡｌＮ製の焼結体からなるか、または、モニタフォトダイオードが形成されたＳｉ製の基板からなる。
【０００５】
上記半導体レーザ装置の一例であるホログラムレーザと呼ばれるものは、ステム、半導体レーザ素子およびキャップの他に、ホログラム素子および信号検出素子をさらに備えている。
【０００６】
上記ホログラム素子は、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を分割および回折する。このホログラム素子によって回折されたレーザ光が信号検出素子に入射する。つまり、上記信号検出素子がホログラム素子による回折光を受光する。
【０００７】
上記信号検出素子、半導体レーザ素子およびサブマウントは、ステムに組み込まれているリードピンに金線でワイヤボンド接続されている。
【０００８】
図１０に、上記構成のホログラムレーザの半導体レーザ素子１０１およびこの周辺の概略斜視図を示す。
【０００９】
上記半導体レーザ素子１０１は、サブマウント１０２上にＡｕ−Ｓｎ（金錫）１０４を介して搭載されている。また、上記半導体レーザ素子にはＡｕワイヤ１０３が接続されている。
【００１０】
このようなホログラムレーザは、パソコンの記録・再生装置やＣＤ（コンパクトディスク）プレイヤ等の光ピックアップ装置に使用されている。
【００１１】
現在、記録装置の開発の流れは高速記録のための高出力化へと進んでいる。また、上記記録装置が情報を記録する記録媒体は、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み可能なコンパクトディスク／書き換え可能なコンパクトディスク）からＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み可能なデジタル万能ディスク／書き換え可能なデジタル万能ディスク）へ、さらには、ブルーディスクへと高密度化へ進んでいる。
【００１２】
一般に、上記記録媒体に対して高速記録をするためには、半導体レーザ素子の出力を上げている。
【００１３】
しかしながら、上記半導体レーザ素子の出力を上げた場合、半導体レーザ素子の動作電流が増加するため、デバイスの発熱量の増加を招くという問題が生じてしまう。
【００１４】
また、最近では車載用としてＣＤプレーヤやＤＶＤ−ＲＯＭ（読み出し専用デジタル万能ディスク）を使用したナビゲーションシステムが急激に普及してきている。上記ナビゲーションシステムは真夏に通常の家庭よりも高温の環境で使用される。このような環境は、ナビゲーションシステムに組み込まれた半導体レーザ装置にとって過酷であると考えられる。
【特許文献１】特開２００４−４７８３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明の課題は、従来よりも放熱性が向上した半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子を保持するステムと、
上記半導体レーザ素子に外部からの電流を供給する少なくとも１つのワイヤと
を備え、
上記ワイヤの材質の組成は９９％以上が銅であることを特徴としている。
【００１７】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記ワイヤの材質の組成は９９％以上が銅であることによって、銅の熱伝導率が高いから、半導体レーザ素子が発する熱をワイヤを介して効果的に外部に放出し、放熱性を向上させることができる。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザ素子と上記ステムとの間に配置されたサブマウントを備えている。
【００１９】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザ素子とステムとの間にサブマウントが配置されているので、半導体レーザ素子とステムとの間の線膨張係数の違いによるひずみを緩和することができる。
【００２０】
したがって、上記半導体レーザ素子に余分な応力がかかるのを防ぐことができる。
【００２１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を分割および回折する光学素子と、
上記光学素子を保持するキャップと、
上記光学素子に回折されたレーザ光を受光する受光素子と
を備えている。
【００２２】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記光学素子、キャップおよび受光素子を備えるので、ホログラムレーザとして用いることができる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記受光素子に電気的に接続される少なくとも１つのワイヤを備え、
上記ワイヤの材質は９９％以上の組成が銅である。
【００２４】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記受光素子に電気的に接続するワイヤの材質の組成の９９％以上を銅にすることによって、半導体レーザ素子および受光素子に対して同一の装置でワイヤボンドできるので、作業が効率的になる。
【００２５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記ワイヤの直径は１０μｍ以上５０μｍ以下である。
【００２６】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記ワイヤの直径が１０μｍ以上５０μｍ以下であるので、ワイヤの扱いが容易となって、ワイヤボンド作業の効率が低下するのを防ぐことができる。
【００２７】
また、上記ワイヤの直径が１０μｍ未満の場合、ワイヤボンド時にワイヤが切れやすくなるから、ワイヤボンド作業の効率が悪くなってしまう。また、上記ワイヤは直径が１０μｍ未満だと、放熱性が悪い。
【００２８】
また、上記ワイヤの直径が５０μｍを越える場合、放熱性は向上するが、部品をつなぐワイヤループがきれいに作りにくく、ワイヤ同士の接触を招く危険性がある。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記サブマウントは焼結体からなり、
上記焼結体の材質の組成は９５％以上がＳｉＣまたはＡｌＮであり、
上記焼結体の表面上には上記半導体レーザ素子と電気的に接合するための金属が形成されている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記サブマウントを構成する焼結体は材質の組成の９５％以上がＳｉＣまたはＡｌＮであることによって、ＳｉＣおよびＡｌＮの熱伝導率が高いから、半導体レーザ素子の熱をサブマウントを介してステムへ効果的に放出することができる。
【００３１】
上記サブマウントが半導体レーザ素子の熱をステムへ逃がす際、半導体レーザ素子を焼結体に電気的に接続するためのろう材が重要となる。このろう材の選定を誤ると、半導体レーザ素子の熱は効果的にサブマウントに伝わらない結果となる。
【００３２】
上記ろう材としては例えばＡｕ−Ｓｎ等を用いることが好ましい。
【００３３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記焼結体と上記金属との間には、ＴｉとＰｔとからなるバリアメタル層が形成され、
上記金属は１.５μｍ以上３.５μｍ以下の厚さのＡｕ−Ｓｎからなる。
【００３４】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記焼結体と上記金属との間に、ＴｉとＰｔとからなるバリアメタル層を形成し、かつ、金属は１.５μｍ以上３.５μｍ以下の厚さのＡｕ−Ｓｎからなるので、半導体レーザ素子と焼結体との強固な接合を作りやすくなる。
【００３５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザ素子は、前方に主出射面を有すると共に、後方に副出射面を有し、
上記サブマウントは、Ｓｉからなる基板であると共に、上記副出射面から出射されたレーザ光を受光する受光部を有し、
上記受光部で受光されたレーザ光に基づいて、上記半導体レーザ素子のレーザパワーを調整する。
【００３６】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記サブマウントが半導体レーザ素子のレーザパワーを調整するための受光部を有するので、部品点数を減らし、製造コストを下げることができると共に、容易に製造することができる。
【００３７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記ワイヤが２本以上あり、
上記ワイヤは、上記半導体レーザ素子と、電流が外部から供給されるステム端子部とを接続する。
【００３８】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザ素子と、電流が外部から供給されるステム端子部とを接続するワイヤを２本以上とするので、半導体レーザ素子に接しているワイヤの面積が増加し、半導体レーザ素子の放熱を促進させることができる。
【００３９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記ステム、キャップおよび光学素子で囲まれた空間が外部の空間と連通させる隙間が形成されている。
【００４０】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記ステム、キャップおよび光学素子で囲まれた空間が外部の空間と連通させる隙間が形成されているので、内部に熱がたまるのを防ぐことができる。
【００４１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記隙間は少なくともキャップとステムとの間にある。
【００４２】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記隙間が少なくともキャップとステムとの間に形成されるように設計しておくことにより、余分な作業工程が発生せず、製造コストの上昇を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子に外部からの電流を供給する少なくとも１つのワイヤの材質の組成は９９％以上が銅であることによって、銅の熱伝導率が高いから、半導体レーザ素子の熱がワイヤを介して効率良く逃げ、放熱性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４５】
（第１実施形態）
図１Ａに、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置のキャップ６（図２Ａ，図２Ｂ参照）の取り付け前の状態を上方から見た概略図を示す。また、図１Ｂに、上記状態の半導体レーザ装置を側方から見た概略図を示す。
【００４６】
上記半導体レーザ装置は、図１Ａ，図１Ｂに示すように、チップ形状の半導体レーザ素子１と、この半導体レーザ素子１を保持するステム３とを備えている。
【００４７】
上記ステム３は、外部に電気接続するために用いる複数の金属製リードピン３ａと、半導体レーザ素子１や信号検出素子４を固定するステムブロック３ｂと、図示しない光ピックアップ装置に組み込む際の基準面１１が形成されたアイレット３ｃとを有している。なお、上記信号検出素子４は受光素子の一例である。
【００４８】
上記半導体レーザ素子１はＳｉ製のモニタサブマウント２を介してステム３に取り付けられている。つまり、上記半導体レーザ素子１とステム３との間にはモニタサブマウント２を配置している。
【００４９】
上記複数の金属製リードピン３ａのうちのある一本はワイヤ５によって半導体レーザ素子１の上面電極（モニタサブマウント２側の電極とは反対側の電極）に電気的に接続されている。
【００５０】
上記ワイヤ５は外部からの電流を半導体レーザ素子１に供給する。この半導体レーザ素子１に電気的に接続するワイヤ５は材質の組成の９９％以上が銅である。
【００５１】
図２Ａに、上記半導体レーザ装置のキャップ６の取り付け後の状態を上方から見た概略図を示す。また、図２Ｂに、上記状態の半導体レーザ装置を側方から見た概略図を示す。
【００５２】
上記キャップ６は、アイレット３ｃに取り付けられている。また、上記キャップ６にはホログラム素子７が取り付けられており、半導体レーザ素子１から出射されたレーザ光がホログラム素子７によって分割および回折される。そして、上記ホログラム素子７によって回折されたレーザ光は信号検出素子４によって受光される。
【００５３】
図３に、上記半導体レーザ装置の半導体レーザ素子１およびこの周辺部の概略斜視図を示す。
【００５４】
上記半導体レーザ１はモニタサブマウント２に接続されている。上記モニタサブマウント２を用いる一つの理由は、ステム３の主材料を鉄、半導体レーザ素子１の主材料をＧａＡｓとしたため、ステム３と半導体レーザ素子１との線膨張係数の差（Ｆｅ：１.３５×１０−５、ＧａＡｓ：６.８×１０−６）を緩和するためである。
【００５５】
上記モニタサブマウント２の半導体レーザ素子１側の表面上には、厚さ３μｍのＡｕ−Ｓｎ１２を形成している。
【００５６】
上記半導体レーザ素子１とモニタサブマウント２との接続は、まず、半導体レーザ素子１のモニタサブマウント２側の下面電極をＡｕ−Ｓｎ１２に接触させる。そして、図示しないダイボンドステージを２８０℃程度に加熱することによってＡｕ−Ｓｎ１２を溶融させ、この状態を３秒ほど保持してＡｕ−Ｓｎ１２と下面電極とをなじませた後、Ａｕ−Ｓｎ１２と下面電極とを冷却して接合する。なお、上記下面電極は金からなっている。
【００５７】
ここで、上記Ａｕ−Ｓｎ１２の膜厚であるが、１．５μｍ〜３．５μｍの範囲内の厚さにすると、Ａｕ−Ｓｎ１２と下面電極との強固な接合を作りやすいことが分かっている。
【００５８】
上記モニタサブマウント２の下面はステムブロック３ｂの側面にＡｇペーストにより固定される。
【００５９】
上記信号検出素子４はステムブロック３ｂの上面にＵＶ（紫外線）硬化性樹脂で固定される。
【００６０】
上記モニタサブマウント２の半導体レーザ素子１側の表面には、半導体レーザ素子１をＡＰＣ（オートパワーコントロール）駆動するためのモニタ用フォトダイオード２ａがＩＣ（集積回路）プロセスにより作製されている。なお、上記モニタ用フォトダイオード２ａは受光部の一例である。
【００６１】
上記モニタ用フォトダイオード２ａは、半導体レーザ素子１の主出射面１ａとは反対側の副出射面１ｂから出射されるレーザ光を受光する。このモニタ用フォトダイオード２ａが受光したレーザ光に基づいて外部からレーザパワーが調整される。
【００６２】
上記モニタサブマウント２および信号検出素子４の夫々は、材質の組成の９９％以上が銅であるワイヤ５によって、ステム３にあるリードピン３ａと電気的に接続され、ワイヤ５およびリードピン３ａを介して外部と電気信号のやり取りを行う。
【００６３】
上記モニタサブマウント２および信号検出素子４に対して行うワイヤボンドは、通常使用される金線のワイヤボンダと同等の装置を用いて行うが、通常とは２つの点で違いがある。
【００６４】
１つ目はワイヤとして銅線を用いること、２つ目は銅ボールを作る際に還元雰囲気で行う必要があるため、図４のワイヤボンダ説明図にある通り、トーチ５１とワイヤ５との間で放電させて銅ボールを作る際に、１Ｖｏｌ％程度のＨ２ガスを混合したＮ２ガスを銅ボールに吹き付けるための還元性ガス導入部５２が設けられている。上記還元性ガス導入部５２の吹き付け動作は、ワイヤ５をつかむ部品であるキャピラリ５３の動作に合わせて電磁弁の開閉によって行う。
【００６５】
本実施形態では、半導体レーザ素子１のワイヤボンドと同じ一連の動作で信号検出素子４のワイヤボンドも行っている。こうすることで、半導体レーザ素子１のワイヤボンドと信号検出素子４のワイヤボンドとを別々に行うよりも作業工数を低減することができる。
【００６６】
また、上記ワイヤ５の直径であるが、１０μｍ〜５０μｍ程度にすると使いやすく、２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましく、２４μｍ〜２６μｍ程度がよりさらに好ましい。
【００６７】
また、上記ワイヤ５の直径が１０μｍより細い場合は、ワイヤボンド時にワイヤ５が切れやすくなるため、作業効率が悪く、また、放熱性も悪い。
【００６８】
また、上記ワイヤ５の直径が５０μｍを越える場合は、放熱性は良いものの、部品をつなぐワイヤループがきれいに作りにくく、ワイヤ５同士の接触を招く危険性がある。
【００６９】
このようなワイヤボンドを行った後、半導体レーザ素子１等を保護するためのキャップ６をステム３に固定し、このステム３にホログラム素子７を固定することによって、本実施形態の半導体レーザ装置は完成する。
【００７０】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子１に外部からの電流を供給するワイヤ５の材質の組成は９９％以上が銅であることによって、銅の熱伝導率が高いから、半導体レーザ素子の熱がワイヤを介して効率良く逃げ、放熱性を向上させることができる。
【００７１】
上記第１実施形態では、ホログラム素子７と信号検出素子４とを備え、ホログラムレーザと呼ばれる半導体レーザ装置について説明したが、ホログラム素子７と信号検出素子４とを備えていない半導体レーザ装置においても、半導体レーザ素子に外部からの電流を供給するワイヤの材質の組成の９９％以上を銅とすることにより、本発明の目的は達成することができる。
【００７２】
また、特にＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等の光ディスクに記録する高出力の半導体レーザ装置に関しては、図５に示すように、モニタサブマウント２の代わりに、ＳｉＣまたはＡｌＮを９５％以上含む焼結体でできたサブマウント２２を使用する場合がある。
【００７３】
これは、高出力の半導体レーザ装置の場合は、ＡＰＣ駆動するためのモニタフォトダイオードを半導体レーザ装置の外部に設けることが普通であること、および、ＳｉＣまたはＡｌＮの熱伝導率が２４０Ｗ／ｍｋ程度とＳｉの１５０Ｗ／ｍｋに比べ高く、放熱性に優れているからである。
【００７４】
上記ＳｉＣまたはＡｌＮを９５％以上含む焼結体でできたサブマウント２２を使用する場合は、材料からの不純物の這い上がりを防止し、均一な濡れ性を確保するためにＳｉＣまたはＡｌＮの上に、Ｔｉ（厚さ０.０５μｍ）／Ｐｔ（厚さ０.５μｍ）からなるバリアメタル層を形成した後、このバリアメタル層の最表面にＡｕ−Ｓｎ３２を１.５μｍ〜３.５μｍの厚さで形成する。こうすると、上記サブマウント２２と半導体レーザ素子１との強固な接合を作りやすい。
【００７５】
以下、上述したキャップ６とステム３との接合についてより詳しく述べる。
【００７６】
図６に、上記第１実施形態の半導体レーザ装置の概略分解図を示す。
【００７７】
上記ステム３の一部であるアイレット３ｃの外周は、図２Ａに示すように、短手方向の円弧状の部分と長手方向の直線状の部分とを有している。
【００７８】
上記キャップ６の外周も、アイレット３ｃと同様に短手方向の円弧状の部分と、長手方向の直線状の部分とを有している。このキャップ６をステム３に取り付けると、キャップ６の外周の円弧状の部分は基準面１１と接触するが、キャップ６の外周の直線状の部分の一部はアイレット３ｃに接触しない。具体的には、図２Ｂ，図６に示すように、上記キャップ６の外周の直線状の部分の一部をアイレット３ｃの側部の凹部に嵌め合わせたときに、その直線状の部分の一部とアイレット３ｃとの間に隙間１０ができるようになっている。この隙間１０の大きさ（図６における左右方向の長さ）は、キャップ６内の空間とキャップ外の空間とで空気のやり取りができる程度、すなわち、すなわち０．０５ｍｍから０.０８ｍｍ程度にするのがよい。上記隙間１０の大きさを０.０８ｍｍよりも大きくしすぎることは、キャップ６内に異物が進入する可能性が高くなって望ましくない。
【００７９】
図７に、上記第１実施形態の半導体レーザ装置におけるレーザ通電時間と動作電流値との関係を示す。また、図７では、雰囲気温度８０℃で、半導体レーザ装置に放熱板等をつけずに、半導体レーザ素子１に通電したときの動作電流の上昇を表したものである。
【００８０】
一般的に、半導体レーザ素子１の動作電流は素子温度が高いほど大きくなることが知られている。図７から分かるように、金線を用いた従来例の半導体レーザ装置に比べて、銅線を用いた第１実施形態の半導体レーザ装置は、レーザ通電時間の増加に伴う温度上昇が低く抑えられている。これは、金の熱伝導率が２９６Ｗ／ｍｋであるのに対し、Ｃｕが３９３Ｗ／ｍｋと熱を伝えやすいことによる。
【００８１】
（第２実施形態）
図８に、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子１およびこの周辺部の概略斜視図を示す。
【００８２】
本実施形態の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１の上部電極に２本のワイヤ５を電気的に接続し、Ａｕ−Ｓｎ３２が形成されたサブマウント２２を備えている点のみが上記第１実施形態と異なっている。
【００８３】
上記２本のワイヤ５の両方とも、半導体レーザ素子１側の端とは反対側の端がリードピン３ａに電気的に接続されている。なお、上記リードピン３ａがステム端子部の一例である。
【００８４】
上記半導体レーザ素子１の上面に２本のワイヤ５が打たれていることによって、上記第１実施形態よりも半導体レーザ素子１の放熱性を高めることができた。
【００８５】
上記半導体レーザ素子１の放熱性を良くするためには、ワイヤ５を半導体レーザ素子１に打てるスペースがある限り、半導体レーザ素子１に打つワイヤ５の数を増やしたほうがよい。
【００８６】
しかしながら、作業性の悪化や逆にワイヤボンド時の接触回数の増加によるダメージが半導体レーザ素子１に入る恐れがあり、注意深く行う必要がある。
【００８７】
したがって、作業性や半導体レーザ素子１のダメージを考慮して、半導体レーザ素子１の上部電極に３本以上のワイヤ５を打ってもよい。
【００８８】
図９に、上記第２実施形態の半導体レーザ装置におけるレーザ通電時間と動作電流値との関係を示す。また、図９では、図７と同様に、雰囲気温度８０℃で、半導体レーザ装置に放熱板等をつけずに、半導体レーザ素子１に通電したときの動作電流の上昇を表したものである。
【００８９】
図９から分かるように、上記第１実施形態の半導体レーザ装置に比べ、第２実施形態の半導体レーザ装置は、５００秒時点で１ｍＡ程度動作電流が低くなっている。
【００９０】
本発明の半導体レーザ装置が複数のワイヤを備える場合、複数のワイヤの全ての材質の組成の９９％以上を銅としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置のキャップの取り付け前の状態の概略平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａの半導体レーザ装置の概略側面図である。
【図２Ａ】図２Ａは上記第１実施形態の半導体レーザ装置のキャップの取り付け後の状態の概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは図２Ａの半導体レーザ装置の概略側面図を示す。
【図３】図３は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子およびこの周辺部の概略斜視図である。
【図４】図４は上記第１実施形態の半導体レーザ装置のワイヤボンダを説明するための概略図である。
【図５】図５は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の変形例の半導体レーザ素子およびこの周辺部の概略斜視図である。
【図６】図６は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の概略分解図である。
【図７】図７は上記第１実施形態および従来例の半導体レーザ装置におけるレーザ通電時間と動作電流値との関係を示すグラフである。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子およびこの周辺部の概略斜視図である。
【図９】図９は上記第１実施形態および第２実施形の半導体レーザ装置におけるレーザ通電時間と動作電流値との関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は従来の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子およびこの周辺部の概略斜視図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  半導体レーザ素子
２  モニタサブマウント
２ａ  モニタ用フォトダイオード
３  ステム
４  信号検出素子
５  ワイヤ
６  キャップ
７  ホログラム素子
１０  隙間
１２，３２  Ａｕ−Ｓｎ
２２  サブマウント
【図１Ａ】
2007194467.tif 000003
【図１Ｂ】
2007194467.tif 000004
【図２Ａ】
2007194467.tif 000005
【図２Ｂ】
2007194467.tif 000006
【図３】
2007194467.tif 000007
【図４】
2007194467.tif 000008
【図５】
2007194467.tif 000009
【図６】
2007194467.tif 000010
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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