(57)【要約】【課題】広範囲に適用可能なコンデンサブロック及びこれを備えた積層回路基板を提供する。【解決手段】端子121に接続された第１コンデンサ電極101の一方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向する共通電極102と、共通電極102の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向し且つ端子122に接続された第３コンデンサ電極103と、第３コンデンサ電極103の他方の面に対して誘電体を介して面対向し且つ共通電極102に導電接続された共通電極104と、共通電極104の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向し且つ端子123に接続された第２コンデンサ電極105とを備えているコンデンサブロック100を構成する。【選択図】図１
2007180183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに誘電体を介して面対向するように積層配置された複数の容量電極を有するコンデンサブロックであって、
前記容量電極は、各々異なる端子に接続された３つ以上のコンデンサ電極と、外部から隔絶された２つ以上の共通電極とからなり、
前記コンデンサ電極は、前記共通電極と誘電体を介して面対向するように配置され、
１つの前記コンデンサ電極と、他の前記コンデンサ電極との間に前記共通電極が配置され、
前記コンデンサ電極及び該コンデンサ電極を挟む誘電体を介して隣接する２つの前記共通電極が互いに導電接続されている
ことを特徴とするコンデンサブロック。
【請求項２】
前記コンデンサ電極は、第１コンデンサ電極、第２コンデンサ電極及び第３コンデンサ電極からなり、
前記共通電極は、第１共通電極及び第２共通電極からなり、
前記第１コンデンサ電極の一方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置された第１共通電極と、
前記第１共通電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置された第３コンデンサ電極と、
前記第３コンデンサ電極の他方の面に対して誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第２コンデンサ電極の一方の面に対して誘電体を介して面対向するように配置され、前記第１共通電極に導電接続されている第２共通電極とからなる電極ユニットを備えている
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサブロック。
【請求項３】
前記電極ユニットは、
前記第１コンデンサ電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第１共通電極に導電接続されている第３共通電極と、
前記第２コンデンサ電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第２共通電極に導電接続されている第４共通電極とを備えている
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサブロック。
【請求項４】
前記第１共通電極の面積が、前記第１コンデンサ電極及び第３コンデンサ電極の面積よりも大きく設定されていると共に、
前記第２共通電極の面積が、前記第３コンデンサ電極及び第２コンデンサ電極の面積よりも大きく設定されている
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサブロック。
【請求項５】
内部に導電体パターンによって構成された電子部品が埋設されている積層基板であって、
互いに誘電体を介して面対向するように積層配置された複数の容量電極を有するコンデンサブロックを前記積層基板内に備え、
前記容量電極は、各々異なる配線に接続された３つ以上のコンデンサ電極と、外部から隔絶された２つ以上の共通電極とからなり、
前記コンデンサブロックは、
前記コンデンサ電極が、前記共通電極と、誘電体を介して面対向するように配置され、
１つの前記コンデンサ電極と、他の前記コンデンサ電極との間に前記共通電極が配置され、
前記コンデンサ電極及び該コンデンサ電極を挟む誘電体を介して隣接する２つの前記共通電極が互いに導電接続されている
ことを特徴とする積層基板。
【請求項６】
前記コンデンサブロックは、前記コンデンサ電極が、第１コンデンサ電極、第２コンデンサ電極及び第３コンデンサ電極からなり、
前記共通電極が、第１共通電極及び第２共通電極からなり、
前記第１コンデンサ電極の一方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置された第１共通電極と、
前記第１共通電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置された第３コンデンサ電極と、
前記第３コンデンサ電極の他方の面に対して誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第２コンデンサ電極の一方の面に対して誘電体を介して面対向するように配置され、前記第１共通電極に導電接続されている第２共通電極とからなる電極ユニットを備えている
ことを特徴とする請求項５に記載の積層基板。
【請求項７】
前記コンデンサブロックは、前記電極ユニットが、
前記第１コンデンサ電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第１共通電極に導電接続されている第３共通電極と、
前記第２コンデンサ電極の他方の面に対して一方の面が誘電体を介して面対向するように配置されると共に前記第２共通電極に導電接続されている第４共通電極とを備えている
ことを特徴とする請求項６に記載の積層基板。
【請求項８】
前記第１共通電極の面積が、前記第１コンデンサ電極及び第３コンデンサ電極の面積よりも大きく設定されていると共に、
前記第２共通電極の面積が、前記第３コンデンサ電極及び第２コンデンサ電極の面積よりも大きく設定されている
ことを特徴とする請求項６に記載の積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ回路等に用いられるコンデンサブロックに関し、特に、互いに電気的に接続された複数のコンデンサを含むコンデンサブロック及びこれを備えた積層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のコンデンサブロックとしては、例えば、特許第２９７８５５３号公報に開示されるコンデンサブロックが知られている。このコンデンサブロックは、多層基板の内部に複数のコンデンサ電極を内蔵してなるもので、最外層の２つのコンデンサ電極をＧＮＤ電極と共用し、その２つのＧＮＤ電極の間に、誘電体層を介して２層以上のコンデンサ電極が積層されて構成されている。この構成により形成された接地型のπ型或いはＴ型コンデンサブロックは、コンデンサ間を接続する導体が不要で、ＧＮＤ電極によって挟まれた構造となっているため、ストレーキャパシタンスを低減することができるメリットがある。
【特許文献１】特許第２９７８５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前述したコンデンサブロックは、外部端子に接続するコンデンサ電極同士が近接しているため、小型化によりコンデンサ電極間が狭まれば、余分な寄生容量が発生し、その結果、各種フィルタの設計が困難になり、逆に寄生容量を減らすためにコンデンサ電極間を広くすれば、形状が大きくなり、小型化が困難になるという問題点があった。また、２つのＧＮＤ電極によって挟まれた構造であるため、３箇所以上のＧＮＤ結合が必要な３段以上の小型のフィルタ回路を構成することが困難であった。
【０００４】
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、広範囲に適用可能なコンデンサブロック及びこれを備えた積層基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は前記目的を達成するために、互いに誘電体を介して面対向するように積層配置された複数の容量電極を有するコンデンサブロックであって、前記容量電極は、各々異なる端子に接続された３つ以上のコンデンサ電極と、外部から隔絶された２つ以上の共通電極とからなり、前記コンデンサ電極は、前記共通電極と誘電体を介して面対向するように配置され、１つの前記コンデンサ電極と、他の前記コンデンサ電極との間に前記共通電極が配置され、前記コンデンサ電極及び該コンデンサ電極を挟む誘電体を介して隣接する２つの前記共通電極が互いに導電接続されているコンデンサブロックを提案する。
【０００６】
本発明のコンデンサブロックによれば、第１コンデンサ電極とこれに面対向する１つの共通電極とによって第１のコンデンサが形成され、前記電極ユニットのコンデンサ電極とこれに面対向する２つの共通電極によって第２のコンデンサが形成され、さらに、第２コンデンサ電極とこれに面対向する１つの共通電極によって第３のコンデンサが形成される。これら第１乃至第３のコンデンサのそれぞれの一端は共通電極を介して接続されているため、３端子のＴ型コンデンサブロックが構成される。
【０００７】
また、本発明は前記目的を達成するために、内部に導電体パターンによって構成された電子部品が埋設されている誘電体からなる積層回路基板であって、互いに誘電体を介して面対向するように積層配置された複数の容量電極を有するコンデンサブロックを前記積層回路基板内に備え、前記容量電極は、各々異なる配線に接続された３つ以上のコンデンサ電極と、外部から隔絶された２つ以上の共通電極とからなり、前記コンデンサブロックは、前記コンデンサ電極が、前記共通電極と誘電体を介して面対向するように配置され、1つの前記コンデンサ電極と、他の前記コンデンサ電極との間に前記共通電極が配置され、前記コンデンサ電極及び該コンデンサ電極を挟む誘電体を介して隣接する２つの前記共通電極が互いに導電接続されている積層回路基板を提案する。
【０００８】
本発明の積層回路基板によれば、上記コンデンサブロックが電子部品として積層回路基板に埋設されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のコンデンサブロックによれば、共通電極及びコンデンサ電極で構成される電極ユニットを組み合わせることによって３端子以上のコンデンサブロックが容易に構成されるので、広範囲に適用可能であり、該コンデンサブロックを使用することにより、コンデンサ電極間の容量結合を低減することができるようになるため、所望の特性を有する高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。また、３段以上の小型のフィルタを容易に得ることが可能になる。
【００１０】
また、本発明の積層基板によれば、基板に上記コンデンサブロックが埋設されているので、該コンデンサブロックは広範囲に適用可能であり、該コンデンサブロックを使用することにより、該基板を用いて構成する高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００１２】
図１及び図２は本発明の第１実施形態におけるコンデンサブロックを示すもので、図１は本発明の第１実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図、図２は本発明の第１実施形態におけるコンデンサブロックの回路図である。
【００１３】
図１において、100はコンデンサブロックで、長方形をなした同一面積の５つの容量電極101〜105が隣り合う電極が互いに平行で且つ面対向するように誘電体を介して所定の間隔を開けて上下方向に並べて配置されている。また、図１において、上から２番目に配置されている電極102（以下、共通電極と称する）（第１共通電極）と４番目に配置されている電極104（以下、共通電極と称する）（第２共通電極）は接続導体111によって導電接続され、上から１番目に配置されているコンデンサ電極101（第１コンデンサ電極）には第１外部端子121が接続され、３番目に配置されているコンデンサ電極103（第３コンデンサ電極）には第２外部端子122が接続され、５番目に配置されているコンデンサ電極105（第２コンデンサ電極）には第３外部端子123が接続されている。
【００１４】
上記構成において、第１コンデンサ電極101と第２コンデンサ電極105によって一対のコンデンサ電極が構成されている。また、共通電極102,104と第３コンデンサ電極103によって１組の電極ユニットが構成されている。
【００１５】
上記構成よりなるコンデンサブロック100の回路図は、図２に示す回路図となる。図２において、第１外部端子121と第３外部端子123との間には第１コンデンサ131と第３コンデンサ133が直列接続され、これら２つのコンデンサ131,133の接続点と第２外部端子122との間に第２コンデンサ132が接続されている。ここで、第１コンデンサ131は上記第１コンデンサ電極101と共通電極102によって構成され、第２コンデンサ132は上記共通電極102と第３コンデンサ電極103と共通電極104によって構成され、第３コンデンサ133は上記共通電極104と第２コンデンサ電極105によって構成されている。上記構成においては全ての電極101〜105の面積、電極の間隔及び電極間の誘電率が等しい場合は第２コンデンサ132の静電容量は第１及び第３コンデンサ131,133の静電容量の２倍となる。
【００１６】
本実施形態のコンデンサブロック100によれば、３端子のＴ型コンデンサブロックが構成されるので、広範囲に適用可能であり、このコンデンサブロックを使用することにより、高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。
【００１７】
尚、上記コンデンサブロック100を実際に使用する際には、電極101〜105間に誘電体部材を介在させることが好ましい。
【００１８】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
【００１９】
図３及び図４は本発明の第２実施形態における複合コンデンサ素子を示す図で、図３は本発明の第２実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図、図４は本発明の第２実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図である。
【００２０】
第２実施形態の複合コンデンサ素子は、上記第１実施形態のコンデンサブロックを素子として構成したものである。
【００２１】
図３及び図４において、200は複合コンデンサ素子で、誘電体層221,227と上面にコンデンサ電極231〜235が形成された誘電体層222〜226を積層してなる素体201と、素体201の外表面において所定のコンデンサ電極に接続している外部電極211〜213とから構成されている。
【００２２】
誘電体層221〜227は、矩形のシート状のセラミック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン酸マグネシウム等を主成分とする誘電体磁器材料やＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）材料等から形成されている。
【００２３】
コンデンサ電極231は、第１実施形態における第１コンデンサ電極101に相当し、誘電体層222の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極231aを備え、この接続電極231aは第１外部電極211に接続されている。
【００２４】
コンデンサ電極232は、第１実施形態における共通電極102に相当し、誘電体層223の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極232aを備え、この接続電極232aには誘電体層223を厚さ方向に貫通するビア導体241が接続されている。また、このビア導体241は誘電体層224に同様に形成されたビア導体241を介して誘電体層225の上面に形成されているコンデンサ電極234の接続電極234aに接続されている。
【００２５】
コンデンサ電極233は、第１実施形態における第３コンデンサ電極103に相当し、誘電体層224の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極233aを備え、この接続電極233aは第２外部電極212に接続されている。
【００２６】
コンデンサ電極234は、第１実施形態における共通電極104に相当し、誘電体層225の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極234aを備え、この接続電極234aはビア導体241を介してコンデンサ電極232に接続されている。
【００２７】
コンデンサ電極235は、第１実施形態における第２コンデンサ電極105に相当し、誘電体層226の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極235aを備え、この接続電極235aは第３外部電極213に接続されている。
【００２８】
これらのコンデンサ電極231〜235は、金属ペーストを焼結させた金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄ、Ａｇ、Ｃｕのような金属材料を主成分とするものが使用されている。
【００２９】
外部電極211〜213もコンデンサ電極231〜235と同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするために半田メッキ（図示せず）が施されている。
【００３０】
本実施形態の複合コンデンサ素子200によれば、広範囲に適用可能であり、該複合コンデンサ素子200を使用することにより、３端子のＴ型コンデンサブロックを容易に使用することができるので、高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。
【００３１】
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
【００３２】
図５は本発明の第３実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図である。図において、前述した第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第３実施形態と第１実施形態との相違点は、第３実施形態におけるコンデンサブロック100Aは、第１実施形態における共通電極102及び共通電極104に代えて共通電極102Aと共通電極104Aを用いたことである。ここで、共通電極102Aの面積が第１コンデンサ電極101及び第３コンデンサ電極103の面積よりも大きく設定されていると共に、共通電極104Aの面積が第３コンデンサ電極103及び第２コンデンサ電極105の面積よりも大きく設定されている。
【００３３】
このように、本実施形態では、共通電極となる共通電極102Aと共通電極104Aの面積を大きく設定することにより、実際の製造工程のおける印刷ズレ、積層ズレ等の工程バラツキによって生じる第１コンデンサ電極101と第３コンデンサ電極103との間の電界結合（容量結合）を低減すると共に、第３コンデンサ電極103と第２コンデンサ電極105との間の電界結合（容量結合）を低減することができる。
【００３４】
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
【００３５】
図６は本発明の第４実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図である。図において、前述した第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第４実施形態と第１実施形態との相違点は、第４実施形態では第１コンデンサ電極101の上側に共通電極301を配置すると共に、第２コンデンサ電極105の下側に共通電極302を配置し、これらの共通電極301,302を接続導体111によって共通電極102と共通電極104に導電接続したコンデンサブロック300を構成したことである。
【００３６】
これにより、第１コンデンサ131は第１コンデンサ電極101と共通電極102と共通電極301によって形成され、第３コンデンサ133は第２コンデンサ電極105と共通電極104と共通電極302によって形成される。
【００３７】
このように共通電極301,302を設けることにより、第１コンデンサ電極101によって形成される第１コンデンサ131の静電容量並びに、第２コンデンサ電極105によって形成される第３コンデンサ133の静電容量を増大させることができる。
【００３８】
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
【００３９】
図７及び図８は本発明の第５実施形態における複合コンデンサ素子を示す図で、図７は本発明の第５実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図、図８は本発明の第５実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図である。
【００４０】
第５実施形態の複合コンデンサ素子は、上記第４実施形態のコンデンサブロックを素子として構成したものである。
【００４１】
図７及び図８において、400は複合コンデンサ素子で、誘電体層421,429と上面にコンデンサ電極431〜437が形成された誘電体層422〜428を積層してなる素体401と、素体401の外表面において所定のコンデンサ電極に接続している外部電極411〜413とから構成されている。
【００４２】
誘電体層421〜429は、矩形のシート状のセラミック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン酸マグネシウム等を主成分とする誘電体磁器材料やＬＴＣＣ材料等から形成されている。
【００４３】
コンデンサ電極431は、第４実施形態における共通電極301に相当し、誘電体層422の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極431aを備え、この接続電極431aには誘電体層422を厚さ方向に貫通するビア導体441が接続されている。また、このビア導体441は誘電体層423に同様に形成されたビア導体441を介して誘電体層424の上面に形成されているコンデンサ電極433の接続電極433aに接続されている。
【００４４】
コンデンサ電極432は、第４実施形態における第１コンデンサ電極101に相当し、誘電体層423の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極432aを備え、この接続電極432aは第１外部電極411に接続されている。
【００４５】
コンデンサ電極433は、第４実施形態における共通電極102に相当し、誘電体層424の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極433aを備え、この接続電極433aには誘電体層424を厚さ方向に貫通するビア導体441が接続されている。また、このビア導体441は誘電体層425に同様に形成されたビア導体441を介して誘電体層426の上面に形成されているコンデンサ電極435の接続電極435aに接続されている。
【００４６】
コンデンサ電極434は、第４実施形態における第３コンデンサ電極103に相当し、誘電体層425の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極434aを備え、この接続電極434aは第２外部電極412に接続されている。
【００４７】
コンデンサ電極435は、第４実施形態における共通電極104に相当し、誘電体層426の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極435aを備え、この接続電極435aはビア導体441を介してコンデンサ電極433に接続されている。
【００４８】
コンデンサ電極436は、第４実施形態における第２コンデンサ電極105に相当し、誘電体層427の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極436aを備え、この接続電極436aは第３外部電極413に接続されている。
【００４９】
コンデンサ電極437は、第４実施形態における共通電極302に相当し、誘電体層428の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極437aを備え、この接続電極437aはビア導体441を介して誘電体層426の上面に形成されているコンデンサ電極435の接続電極435aに接続されている。
【００５０】
これらのコンデンサ電極431〜437は、金属ペーストを焼結させた金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄ、Ａｇ、Ｃｕのような金属材料を主成分とするものが使用されている。
【００５１】
外部電極411〜413もコンデンサ電極431〜437と同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするために半田メッキ（図示せず）が施されている。
【００５２】
本実施形態の複合コンデンサ素子400によれば、広範囲に適用可能であり、該複合コンデンサ素子400を使用することにより、３端子のＴ型コンデンサブロックを容易に使用することができるので、高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。さらに、第１コンデンサ131及び第３コンデンサ133も、第２コンデンサ132と同様に大きな静電容量を得ることができる。
【００５３】
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
【００５４】
図９は本発明の第６実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図である。図において、前述した第４実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第６実施形態と第４実施形態との相違点は、第６実施形態におけるコンデンサブロック300Aは、第４実施形態における共通電極301,302、共通電極102,104に代えて共通電極301A,302Aと共通電極102A104Aを用いたことである。ここで、共通電極301Aの面積は第１コンデンサ電極101の面積よりも大きく設定されており、共通電極302Aの面積は第２コンデンサ電極105の面積よりも大きく設定されている。また、共通電極102Aの面積が第１コンデンサ電極101及び第３コンデンサ電極103の面積よりも大きく設定されていると共に、共通電極104Aの面積が第３コンデンサ電極103及び第２コンデンサ電極105の面積よりも大きく設定されている。
【００５５】
このように、本実施形態では、共通電極102A,104Aの面積を大きく設定することにより、実際の製造工程のおける印刷ズレ、積層ズレ等の工程バラツキによって生じる第１コンデンサ電極101と第３コンデンサ電極103との間の電界結合（容量結合）を低減すると共に、第３コンデンサ電極103と第２コンデンサ電極105との間の電界結合（容量結合）を低減することができる。
【００５６】
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
【００５７】
図１０及び図１１は本発明の第７実施形態におけるコンデンサブロックを示すもので、図１０は本発明の第７実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図、図１１は本発明の第７実施形態におけるコンデンサブロックの回路図である。
【００５８】
図１０において、500はコンデンサブロックで、長方形をなした同一面積の８つのコンデンサ電極501〜508が隣り合う電極が互いに平行で且つ面対向するように所定の間隔を開けて上下方向に並べて配置されている。また、図１０において、上から２番目のコンデンサ電極502と４番目のコンデンサ電極504は接続導体511によって導電接続され、上から５番目のコンデンサ電極505と７番目のコンデンサ電極507は接続導体512によって導電接続されている。
【００５９】
さらに、１番目のコンデンサ電極501には第１外部端子521が接続され、３番目のコンデンサ電極503には第２外部端子522が接続され、６番目のコンデンサ電極506には第３外部端子523が接続され、８番目のコンデンサ電極508には第４外部端子524が接続されている。
【００６０】
上記構成において、２番目乃至４番目のコンデンサ電極502〜504を１組の電極ユニットとし、５番目乃至７番目のコンデンサ電極505〜507を１組の電極ユニットとすると、最上層に位置するコンデンサ電極501と最下層に位置するコンデンサ電極508との間に２組の電極ユニットが直列に配置されていることになる。尚、このような電極ユニットを前述した第１乃至第６実施形態に当てはめると、第１乃至第６実施形態においては、最上層に位置するコンデンサ電極と最下層に位置するコンデンサ電極との間に１組の電極ユニットが直列に配置されていることになる。
【００６１】
上記構成よりなる第７実施形態におけるコンデンサブロック500の回路図は、図１１に示す回路図となる。図１１において、第１外部端子521と第４外部端子524との間には第１コンデンサ531と第３コンデンサ533と第５コンデンサ535が直列接続され、第１及び第３コンデンサ531,533の接続点と第２外部端子522との間に第２コンデンサ532が接続され、第３及び第５コンデンサ533,535の接続点と第３外部端子523との間に第４コンデンサ534が接続されている。
【００６２】
ここで、第１コンデンサ531は上記１番目のコンデンサ電極501と２番目のコンデンサ電極502によって構成され、第２コンデンサ532は上記２番目のコンデンサ電極502と３番目のコンデンサ電極503と４番目のコンデンサ電極504によって構成され、第３コンデンサ533は上記４番目のコンデンサ電極504と５番目のコンデンサ電極505によって構成される。また、第４コンデンサ534は上記５番目のコンデンサ電極505と６番目のコンデンサ電極506と７番目のコンデンサ電極507によって構成され、第５コンデンサ535は上記７番目のコンデンサ電極507と８番目のコンデンサ電極508によって構成されている。上記構成においては全てのコンデンサ電極501〜508の面積、コンデンサ電極の間隔及びコンデンサ電極間の誘電率が等しい場合は第２コンデンサ532と第４コンデンサ534の静電容量は第１，第３，第５コンデンサ531,533,535の静電容量の２倍となる。
【００６３】
上記のコンデンサブロック500は、４端子のπ型コンデンサブロックを容易に使用することができるので、高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。
【００６４】
次に、本発明の第８実施形態を説明する。
【００６５】
図１２及び図１３は本発明の第８実施形態における複合コンデンサ素子を示す図で、図１２は本発明の第８実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図、図１３は本発明の第８実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図である。
【００６６】
第８実施形態の複合コンデンサ素子は、上記第７実施形態のコンデンサブロックを素子として構成したものである。
【００６７】
図１２及び図１３において、600は複合コンデンサ素子で、誘電体層621,630と上面にコンデンサ電極641〜648が形成された誘電体層622〜629を積層してなる素体601と、素体601の外表面において所定のコンデンサ電極に接続している外部電極611〜614とから構成されている。
【００６８】
誘電体層621〜630は、矩形のシート状のセラミック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン酸マグネシウム等を主成分とする誘電体磁器材料やＬＴＣＣ材料等から形成されている。
【００６９】
コンデンサ電極641は、第７実施形態におけるコンデンサ電極501に相当し、誘電体層622の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極641aを備え、この接続電極641aは第１外部電極611に接続されている。
【００７０】
コンデンサ電極642は、第７実施形態におけるコンデンサ電極502に相当し、誘電体層623の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極642aを備え、この接続電極642aには誘電体層623を厚さ方向に貫通するビア導体651が接続されている。また、このビア導体651は誘電体層624に同様に形成されたビア導体651を介して誘電体層625の上面に形成されているコンデンサ電極644の接続電極644aに接続されている。
【００７１】
コンデンサ電極643は、第７実施形態におけるコンデンサ電極503に相当し、誘電体層624の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極643aを備え、この接続電極643aは第２外部電極612に接続されている。
【００７２】
コンデンサ電極644は、第７実施形態におけるコンデンサ電極504に相当し、誘電体層625の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極644aを備え、この接続電極644aはビア導体651を介してコンデンサ電極642に接続されている。
【００７３】
コンデンサ電極645は、第７実施形態におけるコンデンサ電極505に相当し、誘電体層626の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極645aを備え、この接続電極645aには誘電体層626を厚さ方向に貫通するビア導体651が接続されている。また、このビア導体651は誘電体層627に同様に形成されたビア導体651を介して誘電体層628の上面に形成されているコンデンサ電極647の接続電極647aに接続されている。
【００７４】
コンデンサ電極646は、第７実施形態におけるコンデンサ電極506に相当し、誘電体層627の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極646aを備え、この接続電極646aは第３外部電極613に接続されている。
【００７５】
コンデンサ電極647は、第７実施形態におけるコンデンサ電極507に相当し、誘電体層628の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極647aを備え、この接続電極647aはビア導体651を介してコンデンサ電極645に接続されている。
【００７６】
コンデンサ電極648は、第７実施形態におけるコンデンサ電極508に相当し、誘電体層629の上面の中央部に長方形状に形成され、その一辺に接続された接続電極648aを備え、この接続電極648aは第４外部電極614に接続されている。
【００７７】
これらのコンデンサ電極641〜648は、金属ペーストを焼結させた金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄ、Ａｇ、Ｃｕのような金属材料を主成分とするものが使用されている。
【００７８】
外部電極611〜614もコンデンサ電極641〜648と同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするために半田メッキ（図示せず）が施されている。
【００７９】
本実施形態の複合コンデンサ素子600によれば、広範囲に適用可能であり、該複合コンデンサ素子600を使用することにより、４端子のπ型コンデンサブロックを容易に使用することができるので、高周波領域のハイパスフィルタやバンドパスフィルタ等を容易に小型化することが可能になる。
【００８０】
次に、本発明の第９実施形態を説明する。
【００８１】
図１４乃至図１９は本発明の第９実施形態を示すもので、図１４は本発明の第９実施形態におけるハイパスフィルタを示す回路図、図１５は本発明の第９実施形態におけるハイパスフィルタの周波数特性を示す図、図１６は本発明の第９実施形態における積層回路基板を示す透過斜視図、図１７は本発明の第９実施形態における積層回路基板を示す分解斜視図、図１８は本発明の第９実施形態に係る従来例の積層回路基板を示す透過斜視図、図１９は本発明の第９実施形態に係る従来例の積層回路基板を示す分解斜視図である。
【００８２】
本実施形態では図１４に示す回路のハイパスフィルタが埋設された積層回路基板について説明する。このハイパスフィルタ700は前述した３端子のＴ型コンデンサブロックを２組使用して構成されている。一方のコンデンサブロック710は第１コンデンサ711と第２コンデンサ712と第３コンデンサ713とから構成されている。他方のコンデンサブロック720は第１コンデンサ721と第２コンデンサ722と第３コンデンサ723とから構成されている。
【００８３】
ハイパスフィルタ700の入力端子701は一方のコンデンサブロック710の第１コンデンサ711の一端に接続されている。この第１コンデンサ711の他端は第２コンデンサ712の一端と第３コンデンサ713の一端に接続され、第２コンデンサ712の他端はインダクタ731を介して接地されている。また、第３コンデンサ713の他端は、他方のコンデンサブロック720の第１コンデンサ721の一端に接続されている。この第１コンデンサ721の他端は第２コンデンサ722の一端と第３コンデンサ723の一端に接続され、第２コンデンサ722の他端はインダクタ732を介して接地されている。また、第３コンデンサ723の他端は出力端子702に接続されている。
【００８４】
図１６及び図１７は、上記のハイパスフィルタ700を回路基板内に埋設した積層回路基板を示す図である。これらの図では、上記ハイパスフィルタの構成が分かるようにハイパスフィルタの導電体部分のみを描いており、各層の導電体間に存在する誘電体の描画を省略している。図において、800は積層回路基板で、図示せぬ直方体形状の低温焼成セラミックス (LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramic)からなる基板の複数層にコイル導体およびコンデンサ電極を設け、所定箇所において異なる層の電極同士をビア導体で接続することによって基板内にハイパスフィルタ700が構成されている。
【００８５】
即ち、積層回路基板800は、上記基板内に最上層の第１層から最下層の第７層までの各層に電極が配置されている。最上層の第１層と最下層の第７層にはＧＮＤ電極（接地電極）801,802が配置され、第２層には両端部にコンデンサ電極803,804が形成された接続電極が配置されている。
【００８６】
また、第３層には、接続電極806を有するコンデンサ電極805と、接続電極808を有するコンデンサ電極807が配置されている。ここで、コンデンサ電極805は第２層のコンデンサ電極803に面対向し、コンデンサ電極807は第２層のコンデンサ電極804に面対向するようにそれぞれ配置されている。
【００８７】
第４層には、一端にコンデンサ電極811が接続されているループ状のコイル導体812と、一端にコンデンサ電極813が接続されているループ状のコイル導体814が配置されている。ここで、コンデンサ電極811は第３層のコンデンサ電極805に面対向し、コンデンサ電極813は第３層のコンデンサ電極807に面対向するようにそれぞれ配置されている。
【００８８】
第５層には、接続電極822を有するコンデンサ電極821と、接続電極825を有するコンデンサ電極824が配置されている。ここで、コンデンサ電極821は第４層のコンデンサ電極811に面対向し、コンデンサ電極824は第４層のコンデンサ電極813に面対向するようにそれぞれ配置されている。また、接続電極822はビア導体823によって第３層の接続電極806に接続され、接続電極825はビア導体826によって第３層の接続電極808に接続されている。
【００８９】
第６層には、入力端子電極832を有するコンデンサ電極831と、出力端子電極834を有するコンデンサ電極833、及びループ状をなした２つのコイル導体841,845が設けられている。ここで、コンデンサ電極831は第５層のコンデンサ電極821に面対向するように配置され、コンデンサ電極833は第５層のコンデンサ電極824に面対向するように配置されている。また、コイル導体841は第４層のコイル導体812に重なるように配置され、その一端がビア導体842によってコイル導体812の他端に接続され、他端はビア導体843によってＧＮＤ電極802に接続されている。さらに、コイル導体845は第４層のコイル導体814に重なるように配置され、その一端がビア導体846によってコイル導体814の他端に接続され、他端はビア導体847によってＧＮＤ電極802に接続されている。これにより、コイル導体812,841によって１つのコイルが形成され、コイル導体814,845によって１つのコイルが形成される。
【００９０】
上記構成では、図１４に示したハイパスフィルタ700の各構成要素は以下のように形成される。すなわち、一方のコンデンサブロック710における第１コンデンサ711は、コンデンサ電極831,821によって形成され、第２コンデンサ712はコンデンサ電極821,811,805によって形成され、第３コンデンサ713はコンデンサ電極803,805によって形成される。また、インダクタ731はコイル導体812,841がなすコイルによって形成される。
【００９１】
他方のコンデンサブロック720における第１コンデンサ721は、コンデンサ電極804,807によって形成され、第２コンデンサ722はコンデンサ電極824,813,807によって形成され、第３コンデンサ723はコンデンサ電極824,833によって形成される。また、インダクタ732はコイル導体814,845がなすコイルによって形成される。
【００９２】
尚、最上層と最下層のＧＮＤ電極801,802は外部からの電磁波等の影響を遮断するシールド機能も有している。
【００９３】
上記の積層回路基板800に形成されたハイパスフィルタ700の周波数特性は図１５に示すものとなる。図において、横軸は周波数を表し、縦軸は減衰量或いは反射量を表している。また、特性曲線Ａは減衰量を表し、特性曲線Ｂは反射量を表している。
【００９４】
比較例として上記のコンデンサブロックを用いないでハイパスフィルタを形成した積層回路基板を図１８及び図１９に示す。これらの図では、上記ハイパスフィルタの構成が分かるようにハイパスフィルタの導電体部分のみを描いており、各層の導電体間に存在する誘電体の描画を省略している。
【００９５】
図において、900は積層回路基板で、図示せぬ直方体形状の低温焼成セラミックス (LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramic)からなる基板の複数層にコイル導体およびコンデンサ電極を設け、所定箇所において異なる層の電極同士をビア導体で接続することによって基板内に本発明のコンデンサブロックを用いないハイパスフィルタ700が構成されている。
【００９６】
即ち、積層回路基板900は、上記基板内に最上層の第１層から最下層の第５層までの各層に電極が配置されている。最上層の第１層と最下層の第５層にはＧＮＤ電極（接地電極）901,902が配置され、第２層には互いに導電接続されたコンデンサ電極911,912,913と、互いに導電接続されたコンデンサ電極921,922,923が配置されている。
【００９７】
また、第３層には、入力端子電極932を有するコンデンサ電極931と、出力端子電極942を有するコンデンサ電極941、両端部にコンデンサ電極971,972が形成された接続電極、及び一端にコンデンサ電極951が接続されているループ状のコイル導体952と、一端にコンデンサ電極961が接続されているループ状のコイル導体962が配置されている。ここで、コンデンサ電極931は第２層のコンデンサ電極911に面対向するように配置され、コンデンサ電極951は第２層のコンデンサ電極912に面対向するように配置され、コンデンサ電極971は第２層のコンデンサ電極913に面対向するように配置されている。さらに、コンデンサ電極941は第２層のコンデンサ電極921に面対向するように配置され、コンデンサ電極961は第２層のコンデンサ電極922に面対向するように配置され、コンデンサ電極972は第２層のコンデンサ電極923に面対向するように配置されている。
【００９８】
第４層には、ループ状をなした２つのコイル導体981,991が設けられている。ここで、コイル導体981は第３層のコイル導体952に重なるように配置され、その一端がビア導体982によってコイル導体952の他端に接続され、他端はビア導体983によってＧＮＤ電極902に接続されている。さらに、コイル導体991は第３層のコイル導体962に重なるように配置され、その一端がビア導体992によってコイル導体962の他端に接続され、他端はビア導体993によってＧＮＤ電極902に接続されている。これにより、コイル導体952,981によって１つのコイルが形成され、コイル導体962,991によって１つのコイルが形成される。
【００９９】
上記構成では、図１４に示したハイパスフィルタ700の各構成要素は以下のように形成される。すなわち、第１コンデンサ711は、コンデンサ電極931,911によって形成され、第２コンデンサ712はコンデンサ電極912,951によって形成され、第３コンデンサ713はコンデンサ電極913,971によって形成される。また、インダクタ731はコイル導体952,981がなすコイルによって形成される。
【０１００】
また、第１コンデンサ721は、コンデンサ電極972,923によって形成され、第２コンデンサ722はコンデンサ電極922,961によって形成され、第３コンデンサ723はコンデンサ電極921,941によって形成される。また、インダクタ732はコイル導体962,991がなすコイルによって形成される。
【０１０１】
このように、上記実施形態のコンデンサブロックを用いずにハイパスフィルタを形成した積層回路基板900ではハイパスフィルタ形成領域（面積）が増大して形状が大きくなってしまう。これに対して、本実施形態のコンデンサブロックを用いた積層回路基板800ではハイパスフィルタ形成領域（面積）を必要最小限に縮小することができて形状の小型化を図ることができる。
【０１０２】
尚、上記各実施形態の構成を組み合わせることは適宜可能であり、本願発明が上記各実施形態の構成のみに限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図
【図２】本発明の第１実施形態におけるコンデンサブロックの回路図
【図３】本発明の第２実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図
【図４】本発明の第２実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図
【図５】本発明の第３実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図
【図６】本発明の第４実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図
【図７】本発明の第５実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図
【図８】本発明の第５実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図
【図９】本発明の第６実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図
【図１０】本発明の第７実施形態におけるコンデンサブロックを示す要部分解斜視図
【図１１】本発明の第７実施形態におけるコンデンサブロックの回路図
【図１２】本発明の第８実施形態における複合コンデンサ素子を示す外観斜視図
【図１３】本発明の第８実施形態における複合コンデンサ素子を示す分解斜視図
【図１４】本発明の第９実施形態におけるハイパスフィルタを示す回路図
【図１５】本発明の第９実施形態におけるハイパスフィルタの周波数特性を示す図
【図１６】本発明の第９実施形態における積層回路基板を示す透過斜視図
【図１７】本発明の第９実施形態における積層回路基板を示す分解斜視図
【図１８】本発明の第９実施形態に係る従来例の積層回路基板を示す透過斜視図
【図１９】本発明の第９実施形態に係る従来例の積層回路基板を示す分解斜視図
【符号の説明】
【０１０４】
100,100A,300,300A…コンデンサブロック、101〜105,102A,104A,301,302…電極、111…接続導体、121〜123…外部端子、131…第１コンデンサ、132…第２コンデンサ、133…第３コンデンサ、200…複合コンデンサ素子、201…素体、211〜213…外部電極、221〜227…誘電体層、231〜235…コンデンサ電極、400…複合コンデンサ素子、401…素体、411〜413…外部電極、421〜429…誘電体層、431〜437…コンデンサ電極、500…コンデンサブロック、501〜508…電極、511,512…接続導体、521〜524…外部端子、531…第１コンデンサ、532…第２コンデンサ、533…第３コンデンサ、534…第４コンデンサ、535…第５コンデンサ、600…複合コンデンサ素子、601…素体、611〜614…外部電極、621〜630…誘電体層、641〜648…コンデンサ電極、700…ハイパスフィルタ、701…入力端子、702…出力端子、710,720…コンデンサブロック、711…第１コンデンサ、712…第２コンデンサ、713…第３コンデンサ、721…第１コンデンサ、722…第２コンデンサ、723…第３コンデンサ、731,732…インダクタ、800…積層回路基板、801,802…ＧＮＤ電極、803,804,805,807,811,813,821,824,831,834…コンデンサ電極、812,814,841,845…コイル導体。
【図１】
2007180183.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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