(57)【要約】【課題】電磁石が接極子を変位駆動し、その接極子が接点ブロックを押圧して接点状態を切換えるようにした高周波リレーにおいて、接点ブロックとベースとの間に、接極子による押圧が解除されたときに接点ブロックを上昇させ、板状の金属材料から成る復帰ばねを設けるにあたって、ベース上に潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現する。【解決手段】復帰ばね２１，２２が、弓状や円弧状の遊端部が外方に反り返った几の字状や、ノの字状の片を相互に反対方向に取付けた形状などで、一対の脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂが八の字状に略相反方向に延びて形成される場合、前記脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂの遊端部はベース１２上を摺動して拡開または縮閉するので、前記脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂにはニッケルメッキを、ベース１２の摺動面１９，２０にはパラジウムメッキを施す。【選択図】図１
2007184155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、
前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はパラジウム薄膜で被覆されることを特徴とする高周波リレー。
【請求項２】
基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、
前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はニッケルパラジウム薄膜で被覆されることを特徴とする高周波リレー。
【請求項３】
基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、
前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はニッケルボロン薄膜で被覆されることを特徴とする高周波リレー。
【請求項４】
前記基台の裏面も、前記摺動面と同様の薄膜で被覆されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波リレーを用いることを特徴とする高周波計測器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を開閉する高周波リレーおよびそれを用いる高周波計測器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のように高周波計測器に用いるような高周波リレーは、取扱う信号が、たとえば８ＧＨｚにも及ぶので、接点部分を中心導体とし、上下をシールド導体で挟んだ特殊な形状をしている。そのような構造の高周波リレーの典型的な従来技術は、本件出願人が先に特許文献１などで提案している。
【０００３】
図１はその特許文献１による高周波リレー１の構造を示す分解斜視図であり、図２はその縦断面図である。この高周波リレー１は、大略的に、ベースブロック１１と、復帰ばね２１，２２と、コンタクトブロック３１，３２と、サブベースブロック４１と、接極子ブロック５１と、電磁石ブロック６１と、ケース７１とを備えて構成される。なお、図１では、理解し易くするために、電磁石ブロック６１におけるコイル６６を省略している。
【０００４】
基台であるベースブロック１１は、ベース１２内に、複数（この図１の例では２系統の接点端子を備えるので、６つ）の端子板ブロック１３〜１８が、金属射出成形によって一体形成されて構成されている。ベース１２は、金属製で、下側のシールド導体となり、その裏面がプリント基板に半田付けされてアースされる。このベース１２に、各端子１３ａ〜１８ａを電気的に絶縁して支持するために、該端子１３ａ〜１８ａは樹脂材料製の絶縁体１３ｂ〜１８ｂに埋込まれて、前記端子板ブロック１３〜１８が構成されている。このベースブロック１１では、上述のように接点端子は、端子板ブロック１３〜１５と、端子板ブロック１６〜１８との２系統であり、それぞれの系統で中央の端子１４ａ，１７ａが共通接点となり、両端の端子１３ａ，１５ａ；１６ａ，１８ａが個別接点となる。このベースブロック１１の成型前に、ベース１２において、少なくとも後述する復帰ばね２１，２２の摺動面１９，２０には、摩耗を抑えるためのニッケルメッキが施され、裏面にも、半田付け時の濡れ性を向上するためのニッケルメッキが施される。
【０００５】
復帰ばね２１，２２は、金属材を打抜き形成した後、前記摺動面１９，２０との摩耗を抑えるためのニッケルメッキが施されて成り、前記コンタクトブロック３１，３２を上方へ弾発的に付勢する。復帰ばね２１，２２は、図３で示すように、縦断面での形状が几の字状に形成される。この復帰ばね２１，２２は、コンタクトブロック３１，３２を、前記ベース１２の摺動面１９，２０と平行に支持できればよく、上述のような几の字状や、弓状または円弧状の遊端部が外方に反り返った形状に形成されてもよい。また、復帰ばね２１，２２は、一体物でなくてもよく、たとえばノの字状の片を、コンタクトブロック３１，３２の底面に、相互に反対方向に取付けた形状などでもよい。すなわち、復帰ばね２１，２２は、一対の脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂが、八の字状に略相反方向に延びて形成されていればよい。前記一対の脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂは、支持片２１ｃ，２２ｃによって連結され、前記几の字状となっている。その支持片２１ｃ，２２ｃには、支持孔２１ｄ，２２ｄが形成されている。
【０００６】
コンタクトブロック３１，３２は、前記復帰ばね２１，２２の支持片２１ｃ，２２ｃ上にそれぞれ搭載され、前記２系統の接点端子に対応して、可動接点となる板状の２つのコンタクト３１ａ，３１ｂ；３２ａ，３２ｂが、樹脂材料製のコンタクト支持部材３１ｃ，３２ｃに埋込まれて形成される。前記コンタクト支持部材３１ｃ，３２ｃは、前記コンタクト３１ａ，３１ｂ；３２ａ，３２ｂがそれぞれ埋込まれ、上下方向に延びる柱状の支持部材３１ｄ，３１ｅ；３２ｄ，３２ｅと、その上端側から上方に延設される押圧部３１ｆ，３１ｇ；３２ｆ，３２ｇと、前記支持部材３１ｄ，３１ｅ；３２ｄ，３２ｅ間を連結し、復帰ばね２１，２２の支持片２１ｃ，２２ｃ上にそれぞれ搭載される連結部３１ｈ，３２ｈとを備えて構成される。連結部３１ｈ，３２ｈの下面には、前記復帰ばね２１，２２の持孔２１ｄ，２２ｄに嵌り込む突起３１ｉ，３２ｉが形成されており、コンタクトブロック３１，３２および復帰ばね２１，２２は、一体で昇降変位するようになる。
【０００７】
サブベースブロック４１は、金属成型品から成り、上側のシールド導体となるサブベース４１ａと、前記サブベース４１ａから立設され、接極子ブロック５１を揺動自在に支持する一対の支持柱４１ｂ，４１ｃとを備えて構成される。前記サブベース４１ａには、前記コンタクトブロック３１，３２の支持部材３１ｄ，３１ｅ；３２ｄ，３２ｅがそれぞれ挿通する挿通孔４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４１ｇが形成されている。前記支持柱４１ｂ，４１ｃの上端には、凹所４１ｈ，４１ｉが形成されている。前記ベース１２上に、コンタクトブロック３１，３２および復帰ばね２１，２２が搭載された後、上側のシールド導体となるこのサブベース４１ａが、レーザー溶接などによって前記ベース１２との間を密封するよう接合されて、シールド部材が構成される。
【０００８】
接極子ブロック５１は、接極子５２に、接極子ばね５３が取付けられて構成されている。接極子５２は、磁性材料から成り、磁極部となる長手方向の両端部５２ａ，５２ｂが電磁石ブロック６１の鉄芯６２の両端の磁極部６２ａ，６２ｂに対面し得るよう、略矩形の平板状に形成され、長手方向の中央部には、前記鉄芯６２の磁極部６２ａ，６２ｂに吸引離反されることでシーソー動作を行うための突起状の揺動支点５２ｃ，５２ｄが延設されており、この揺動支点５２ｃ，５２ｄは前記支持柱４１ｂ，４１ｃの凹所４１ｈ，４１ｉにそれぞれ嵌り込んで枢支される。また、接極子５２の上面の長手方向の中央部には突起５２ｅが設けられており、この突起５２ｅは前記電磁石ブロック６１の永久磁石６３の下面に接触し、接極子ばね５３および復帰ばね２１，２２の弾発力を受けつつ、該接極子５２を揺動可能に支持する。前記接極子ばね５３は、金属板が打抜き加工されて成り、前記接極子５２のシーソー動作によって、コンタクトブロック３１，３２の押圧部３１ｆ，３１ｇ；３２ｆ，３２ｇを、遊端側でそれぞれ弾発的に押圧する押圧片５３ａ，５３ｂ；５３ｃ，５３ｄと、それらの押圧片５３ａ，５３ｂ；５３ｃ，５３ｄの基端側を連結して前記接極子５２の裏面に溶接などで固定される取付け部５３ｅとを備えて構成される。
【０００９】
電磁石ブロック６１は、電磁石に、前記永久磁石６３を備えて構成される。電磁石は、磁性材料から成る前記鉄芯６２の両端脚片部分が前記磁極部６２ａ，６２ｂとして略コ字状に形成され、一体成形された両コイルボビン６４，６５で仕切られた箇所に、コイル６６が巻回されて構成されている。前記コイル６６の両端は、コイルボビン６４，６５に一体成形されたコイル端子６７，６８に接続される。このコイルボビン６４，６５によって、電磁石ブロック６１がサブベース４１ａに載置される。前記永久磁石６３は、略平板状に形成され、両端部６３ａ，６３ｂが共にＳ極で、中央部よりも偏った箇所がＮ極になるように３点着磁されている。このように永久磁石６３は、中央部よりも偏った箇所がＮ極になるように着磁されているので、後述するように、単安定動作をすることとなる。また、この永久磁石６３は、両端部６３ａ，６３ｂが鉄芯６２の両端の磁極部６２ａ，６２ｂの内側にそれぞれ位置するよう配設されて、鉄芯６２に溶接される。
【００１０】
ケース７１は、非磁性のＳＵＳの絞りなどによって箱型に形成されており、下端には、前記端子１３ａ〜１８ａおよびコイル端子６７，６８にそれぞれ対応した端子用挿通孔７１ａ，７１ｂが形成され、前記端子１３ａ〜１８ａおよびコイル端子６７，６８が外部に引出される。このケース７１は、ベースブロック１１上に、前記の復帰ばね２１，２２、コンタクトブロック３１，３２、サブベースブロック４１、接極子ブロック５１および電磁石ブロック６１を搭載した後、被嵌され、その下端がベース１２と溶接によって固定される。
【００１１】
上述のように構成される高周波リレー１において、前記永久磁石６３の偏った着磁によって、磁極部６２ｂが接極子５２の端部５２ｂを吸引するようになっており、したがってコイル６６に励磁電流が供給されないときは、接極子ばね５３の押圧片５３ａ，５３ｂがコンタクトブロック３１の押圧部３１ｆ，３１ｇをそれぞれ押圧し、これによって復帰ばね２１の脚片２１ａ，２１ｂは拡開して、該復帰ばね２１は弾発力を発揮するものの、その弾発力に抗して、コンタクトブロック３１は下方に変位する。一方、復帰ばね２２の脚片２２ａ，２２ｂは縮閉して、該復帰ばね２２の弾発力によって、コンタクトブロック３２は上方に変位する。これによって、コンタクト３１ａ，３１ｂが端子１４ａ，１７ａと端子１３ａ，１８ａとの間をそれぞれ導通し、コンタクト３２ａ，３２ｂが端子１４ａ，１７ａと端子１５ａ，１６ａとの間をそれぞれ遮断する。したがって、前記端子１３ａ，１８ａは常閉接点となり、端子１５ａ，１６ａは常開接点となる。
【００１２】
これに対して、コイル６６に励磁電流が供給されると、前記永久磁石６３の磁力に抗して、磁極部６２ａが接極子５２の端部５２ａを吸引することで該接極子５２が反転揺動し、該接極子５２に一体化された接極子ばね５３も反転揺動して、接極子ばね５３の押圧片５３ｃ，５３ｄがコンタクトブロック３２の押圧部３２ｆ，３２ｇをそれぞれ押圧し、これによって復帰ばね２２の脚片２２ａ，２２ｂは拡開して、該復帰ばね２２は弾発力を発揮するものの、その弾発力に抗して、コンタクトブロック３２は下方に変位する。一方、復帰ばね２１の脚片２１ａ，２１ｂは縮閉して、該復帰ばね２１の弾発力によって、コンタクトブロック３１は上方に変位する。これによって、コンタクト３２ａ，３２ｂが端子１４ａ，１７ａと端子１５ａ，１６ａとの間をそれぞれ導通し、コンタクト３１ａ，３１ｂが端子１４ａ，１７ａと端子１３ａ，１８ａとの間をそれぞれ遮断する。
【００１３】
このように構成することで、各端子１３ａ〜１８ａを、いわゆるＳＭＤ端子としてプリント基板の表面に半田接続することが可能となり、また復帰ばね２１，２２によってコンタクト３１ａ，３１ｂ；３２ａ，３２ｂをその接離面（裏面）がベース１２と平行になるよう絶縁状態で支持しており、さらにまた接極子５２に連設した接極子ばね５３によって駆動力を接極子５２の両端部よりも中央部寄りで伝達しているので、高周波信号の伝送経路に対するシールド性を高くすることができる。
【特許文献１】特開２００４−２８１４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述のように構成される高周波リレー１において、復帰ばね２１，２２の脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂの遊端部は、該脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂが拡開状態から縮閉状態に変化する毎に、ベース１２の摺動面１９，２０上を摺動するので、上述のように、脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂおよび摺動面１９，２０には、共に摩耗を抑えるためのニッケルメッキが施されている。
【００１５】
しかしながら、ニッケルメッキは潤滑性が悪く、このため切換えに必要な動作電圧が、素子によって異なることになる。このため、多くの高周波リレーを使用する計測器などでは、動作電圧が安定しないという問題がある。そこで、前記脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂの遊端部と摺動面１９，２０との少なくとも一方には、フッ素系の潤滑剤を塗布する必要がある。
【００１６】
本発明の目的は、基台上に潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができる高周波リレーおよびそれを用いる高周波計測器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の高周波リレーは、基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はパラジウム薄膜で被覆されることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の高周波リレーは、基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はニッケルパラジウム薄膜で被覆されることを特徴とする。
【００１９】
さらにまた、本発明の高周波リレーは、基台と、八の字状に略相反方向に延びた金属材料から成り、遊端部が前記基台上を摺動する一対の脚片と、前記脚片の基端部上に搭載され、可動接点を有する接点ブロックと、前記接点ブロックの両脇の固定位置から延設される一対の固定接点と、電磁石と、前記電磁石によって変位駆動される接極子とを備え、前記接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に導通または遮断するとともに前記一対の脚片が拡開し、前記接極子が押圧を解除することで拡開していた一対の脚片が前記接点ブロックを上昇させることで該接点ブロックの可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、前記脚片の遊端部はニッケル薄膜で被覆され、前記基台における脚片の遊端部による摺動面はニッケルボロン薄膜で被覆されることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、電磁石によって接極子を変位駆動し、その接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が一対の固定接点間を電気的に導通または遮断し、前記接極子が押圧を解除することで前記接点ブロックが上昇し、、その可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、前記接点ブロックと基台との間に、前記接極子による押圧が解除されたときに前記接点ブロックを上昇させ、板状の金属材料から成る復帰ばねを設けるにあたって、その復帰ばねが、弓状や円弧状の遊端部が外方に反り返った几の字状や、ノの字状の片を相互に反対方向に取付けた形状などで、一対の脚片が八の字状に略相反方向に延びて形成される場合、前記脚片の遊端部は基台上を摺動して拡開または縮閉する。そこで、前記脚片の遊端部がメッキなどによってニッケル薄膜で被覆される場合、前記基台における脚片の遊端部による摺動面を、メッキなどによって、パラジウム薄膜、ニッケルパラジウム薄膜またはニッケルボロン薄膜で被覆する。
【００２１】
したがって、基台をニッケルメッキした場合に比べて、脚片との潤滑性が良くなり、基台上に潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができる。
【００２２】
また、本発明の高周波リレーは、前記基台の裏面も、前記摺動面と同様の薄膜で被覆されることを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によれば、前記のパラジウム薄膜、ニッケルパラジウム薄膜またはニッケルボロン薄膜は、ニッケル薄膜に比べて、高融点の鉛フリー半田の濡れ性が高く、基台裏面を基板に半田付けするにあたって、良好な半田付け性を確保することができる。
【００２４】
さらにまた、本発明の高周波計測器は、前記の高周波リレーを用いることを特徴とする。
【００２５】
上記の構成によれば、高周波信号の切換えを行う高周波リレーにおいて、上述のような本件高周波リレーを高周波計測器に用いることで、潤滑剤不要で、安定した動作を実現することができ、好適である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の高周波リレーは、以上のように、電磁石によって接極子を変位駆動し、その接極子が接点ブロックを押圧して下降させることで該接点ブロックの可動接点が一対の固定接点間を電気的に導通または遮断し、前記接極子が押圧を解除することで前記接点ブロックが上昇し、、その可動接点が前記一対の固定接点間を電気的に遮断または導通するようにした高周波リレーにおいて、前記接点ブロックと基台との間に、前記接極子による押圧が解除されたときに前記接点ブロックを上昇させ、板状の金属材料から成る復帰ばねを設けるにあたって、その復帰ばねが、弓状や円弧状の遊端部が外方に反り返った几の字状や、ノの字状の片を相互に反対方向に取付けた形状などで、一対の脚片が八の字状に略相反方向に延びて形成される場合、前記脚片の遊端部は基台上を摺動して拡開または縮閉するので、前記脚片の遊端部を摩擦を抑えるためのニッケル薄膜で被覆し、前記基台における脚片の遊端部による摺動面を、パラジウム薄膜、ニッケルパラジウム薄膜またはニッケルボロン薄膜で被覆する。
【００２７】
それゆえ、基台をニッケルメッキした場合に比べて、脚片との潤滑性が良くなり、基台上に潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
［実施の形態１］
本発明の実施の一形態に係る高周波リレーも、前述の図１〜図３で示す高周波リレー１の構造を用いることができ、ここではその説明を省略する。注目すべきは、本実施の形態では、このベースブロック１１の成型前に、ベース１２において、少なくとも復帰ばね２１，２２の摺動面１９，２０には、摩耗を抑えるためのパラジウムメッキが施され、裏面にも、半田付け時の濡れ性を向上するためのパラジウムメッキが施されることである。
【００２９】
具体的には、下地として、従来と同様のニッケルメッキが施され、その上にパラジウムメッキが施される。本実施の形態では、ベースブロック１１の成型前に、ベース１２全体がメッキされるので、前記パラジウムメッキのさらに上に、防蝕性および半田付け性を得るための金フラッシュ層が形成される。極薄膜のこの金フラッシュ層で、前記サブベース４１ａやケース７１との溶接性が良くなるとともに、防蝕性を確保することができる。
【００３０】
図４は、本件発明者の実験結果であり、上述の高周波リレーにおいて、前記摺動面１９，２０において、表面処理が従来のニッケルメッキのみの場合と、本実施の形態のパラジウムメッキの場合との寿命試験の結果（１０００万回動作後）を示す。
【００３１】
このようにベース１２の摺動面１９，２０の表面をニッケル被覆からパラジウム被覆に変更することで、復帰ばね２１，２２の脚片２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂとの潤滑性が高くなり（感動電圧を低く抑え）、潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができる。
【００３２】
さらに、ベース１２の裏面において、従来のニッケル薄膜では、融点が高い鉛フリー半田に対して、半田付け性が良くないのを、パラジウム薄膜に変更することで、その鉛フリー半田においても、アースを確保するためのプリント基板との半田付け性を向上することができ、金フラッシュ層を形成することで、半田付け性をさらに向上することができる。
【００３３】
また、高周波計測器は多くの高周波リレーを必要とするので、上述のように潤滑剤不要で、安定した動作を実現することができる本件高周波リレーを高周波計測器に用いることは、好適である。
【００３４】
なお、前記摺動面１９，２０には、金フラッシュ層は必ずしも必要ではなく、ベース１２全体がメッキされるので形成されるだけであり、摺動によって消失しても問題はなく、また形成されていても極薄膜であるので、潤滑性にはパラジウム薄膜の性質が現れる。
【００３５】
［実施の形態２］
本発明の実施の他の形態に係る高周波リレーも、前述の図１〜図３で示す高周波リレー１の構造を用いることができ、ここではその説明を省略する。注目すべきは、本実施の形態では、このベースブロック１１の成型前に、ベース１２において、少なくとも復帰ばね２１，２２の摺動面１９，２０には、摩耗を抑えるためのニッケルパラジウム薄膜が形成され、裏面にも、半田付け時の濡れ性を向上するためのニッケルパラジウム薄膜が形成されることである。具体的には、下地として、従来と同様のニッケルメッキが施され、その上にニッケルパラジウムメッキが施され、さらに金フラッシュ層が形成される。
【００３６】
このように構成してもまた、潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができるとともに、半田付け性を向上することができる。
【００３７】
［実施の形態３］
本発明の実施のさらに他の形態に係る高周波リレーも、前述の図１〜図３で示す高周波リレー１の構造を用いることができる。注目すべきは、本実施の形態では、このベースブロック１１の成型前に、ベース１２において、少なくとも復帰ばね２１，２２の摺動面１９，２０には、摩耗を抑えるためのニッケルボロン薄膜が形成され、裏面にも、半田付け時の濡れ性を向上するためのニッケルボロン薄膜が形成されることである。このように構成してもまた、潤滑剤を塗布しなくても、安定した動作を実現することができるとともに、半田付け性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来技術および本発明による高周波リレーの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図１で示す高周波リレーの縦断面図である。
【図３】図１で示す高周波リレーにおけるベースおよび復帰ばねの正面図および側断面図である。
【図４】本件発明者による寿命試験の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１    高周波リレー
１１    ベースブロック
１２    ベース
１３〜１８    端子板ブロック
１３ａ〜１８ａ    端子
１３ｂ〜１８ｂ    絶縁体
１９，２０    摺動面
２１，２２    復帰ばね
２１ａ，２１ｂ；２２ａ，２２ｂ    脚片
２１ｃ，２２ｃ    支持片
３１，３２    コンタクトブロック
３１ａ，３１ｂ；３２ａ，３２ｂ    コンタクト
３１ｃ，３２ｃ    コンタクト支持部材
３１ｆ，３１ｇ；３２ｆ，３２ｇ    押圧部
４１    サブベースブロック
４１ａ  サブベース
４１ｂ，４１ｃ    支持柱
５１    接極子ブロック
５２    接極子
５２ｃ，５２ｄ    揺動支点
５２ｅ  突起
５３    接極子ばね
５３ａ，５３ｂ；５３ｃ，５３ｄ    押圧片
５３ｅ  取付け部
６１    電磁石ブロック
６２    鉄芯
６２ａ，６２ｂ    磁極部
６３    永久磁石
６４，６５    コイルボビン
６６    コイル
６７，６８    コイル端子
７１    ケース
【図１】
2007184155.tif 000003
【図２】
2007184155.tif 000004
【図３】
2007184155.tif 000005
【図４】
2007184155.tif 000006