(57)【要約】【課題】電圧が電極に印加される時に発生するノイズ及び電磁波障害を減少させる。【解決手段】プラズマディスプレイパネル１００のサステイン電極（Ｚ）に対して、アドレス期間の初期に消去放電を発生させる第１バイアス電圧から所定レベルの第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給するサステイン駆動部１０３を備えたものである。【選択図】図１
2007279654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルのサステイン電極に対して、アドレス期間の初期に消去放電を発生させる第１バイアス電圧から所定レベルの第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給するサステイン駆動部を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１サステイン上昇信号は、２Ｖ／μｓ以上２０Ｖ／μｓ以下の電圧上昇速度で漸増するものであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記サステイン駆動部は、前記第２バイアス電圧を供給するために一端がバイアス電圧源に繋がれた第１バイアス電圧供給用スイッチ部と、一端が前記第１バイアス電圧供給用スイッチ部の他端に繋がれ、他端が前記サステイン電極に繋がれた第２バイアス電圧供給用スイッチ部とを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１バイアス電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記スキャン上昇信号の電圧上昇速度は、前記第１サステイン上昇信号の電圧上昇速度よりも速いことを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記スキャン駆動部は、アドレス期間内に、前記スキャン上昇信号を供給した後、一定値のスキャンバイアス電圧からさらに高い電圧値まで漸増する上昇信号をスキャン電極に供給すると共に、前記スキャン上昇信号の供給期間を前記上昇信号の供給期間の２倍以上２５倍以下に設定することを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記スキャンバイアス電圧は、負極性電圧であることを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記サステイン駆動部が前記サステイン電極をフローティングさせるのは、前記スキャン駆動部が前記スキャン上昇信号を供給し始めてから所定時間経過後であることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記所定時間は、１０μｓ以下であることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極にスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動部に備える前記第１バイアス電圧及び第２バイアス電圧を供給するスイッチ部のキャパシターに電圧が充電される速度を利用して形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記サステイン駆動部は、アドレス期間内に、前記第２バイアス電圧からさらに高い電圧値の第３バイアス電圧まで漸増する第２サステイン上昇信号を前記サステイン電極に供給することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第３バイアス電圧は、サステイン放電を起こすためのサステイン電圧と実質的に同じであることを特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記第２サステイン上昇信号は、前記第１サステイン上昇信号が供給された後、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増する上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成されることを特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記サステイン駆動部は、前記第２サステイン上昇信号を供給した後、前記第３バイアス電圧を維持することを特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記サステイン駆動部は、前記第３バイアス信号を所定時間維持した後、グラウンドレベルの電圧まで漸減するサステイン下降信号を前記サステイン電極に供給することを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に、リセット期間内に少なくとも一つのセットアップ信号を供給するスキャン駆動部を備えたことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
サステイン電極が形成されたプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
前記サステイン電極を駆動するサステイン駆動部により、前記サステイン電極に対してアドレス期間の初期に消去放電を発生させる第１バイアス電圧から所定レベルの第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記第１バイアス電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧であることを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成されることを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記スキャン駆動部が前記スキャン上昇信号を供給し始めてから所定時間経過後に、前記サステイン駆動部が前記サステイン電極をフローティングさせることを特徴とする請求項２０記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイ装置は、複数の電極が形成されたプラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの電極を駆動させるための駆動部を有している。プラズマディスプレイ装置の駆動部は、プラズマディスプレイパネルの電極に駆動信号を供給するものである。駆動信号の供給によってプラズマディスプレイパネルの放電セル内でリセット放電、アドレス放電、サステイン放電などが発生する。放電セル内で放電が起きると、放電セル内に充填されている放電ガスが真空紫外線（Vacuum Ultraviolet rays）を発生させる。真空紫外線によって放電セル内に形成された蛍光体が励起されて発光し、映像が具現化される。
【０００３】
一方、プラズマディスプレイ装置においては、隣接する電極のカップリング（Coupling）効果などによって供給される駆動信号にノイズが発生するため、このノイズによって放電が発生する。駆動信号に発生するノイズは、電磁波障害（Electro Magnetic Interference ：EMI）を発生させて、プラズマディスプレイ装置の全体駆動を不安定にさせる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、電圧が電極に印加された時に発生するノイズ及び電磁波障害を減少させたプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルのサステイン電極に対して、アドレス期間の初期に消去放電を発生させる第１バイアス電圧から所定レベルの第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給するサステイン駆動部を備えたものである。
【０００６】
この場合、前記第１サステイン上昇信号は、２Ｖ／μｓ以上２０Ｖ／μｓ以下の電圧上昇速度で漸増するものであるとよい。
【０００７】
前記サステイン駆動部は、前記第２バイアス電圧を供給するために一端がバイアス電圧源に繋がれた第１バイアス電圧供給用スイッチ部と、一端が前記第１バイアス電圧供給用スイッチ部の他端に繋がれ、他端が前記サステイン電極に繋がれた第２バイアス電圧供給用スイッチ部とを含んでいてもよい。
【０００８】
前記第１バイアス電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧と同じであってもよい。
【０００９】
前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動部を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成することができる。
【００１０】
前記スキャン上昇信号の電圧上昇速度は、前記第１サステイン上昇信号の電圧上昇速度よりも速くてもよい。
【００１１】
前記スキャン駆動部は、アドレス期間内に、前記スキャン上昇信号を供給した後、一定値のスキャンバイアス電圧からさらに高い電圧値まで漸増する上昇信号をスキャン電極に供給すると共に、前記スキャン上昇信号の供給期間を前記上昇信号の供給期間の２倍以上２５倍以下に設定するものであってもよい。
【００１２】
前記スキャンバイアス電圧は、負極性電圧であるとよい。
【００１３】
前記サステイン駆動部が前記サステイン電極をフローティングさせるのは、前記スキャン駆動部が前記スキャン上昇信号を供給し始めてから所定時間経過後であってもよい。
【００１４】
前記所定時間は、１０μｓ以下であってもよい。
【００１５】
前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極にスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動部に備える前記第１バイアス電圧及び第２バイアス電圧を供給するスイッチ部のキャパシターに電圧が充電される速度を利用して形成することができる。
【００１６】
前記サステイン駆動部は、アドレス期間内に、前記第２バイアス電圧からさらに高い電圧値の第３バイアス電圧まで漸増する第２サステイン上昇信号を前記サステイン電極に供給することができる。
【００１７】
この場合、前記第３バイアス電圧は、サステイン放電を起こすためのサステイン電圧と実質的に同じであってもよい。
【００１８】
また、前記第２サステイン上昇信号は、前記第１サステイン上昇信号が供給された後、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増する上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動部を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成することができる。
【００１９】
さらに、前記サステイン駆動部は、前記第２サステイン上昇信号を供給した後、前記第３バイアス電圧を維持することができる。
【００２０】
さらにまた、前記サステイン駆動部は、前記第３バイアス信号を所定時間維持した後、グラウンドレベルの電圧まで漸減するサステイン下降信号を前記サステイン電極に供給することができる。
【００２１】
この場合、前記サステイン駆動部は、前記サステイン下降信号を供給するために前記サステイン電極からエネルギーを回収することができる。
【００２２】
そして、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に、リセット期間内に少なくとも一つのセットアップ信号を供給するスキャン駆動部を備えてもよい。
【００２３】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、サステイン電極が形成されたプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、前記サステイン電極を駆動するサステイン駆動部により、前記サステイン電極に対してアドレス期間の初期に消去放電を発生させる第１バイアス電圧から所定レベルの第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給するものである。
【００２４】
この場合、前記第１バイアス電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧と同じであってもよい。
【００２５】
また、前記第１サステイン上昇信号は、前記サステイン電極に隣接して備えるスキャン電極に該スキャン電極を駆動するスキャン駆動部により電圧が漸増するスキャン上昇信号が供給されている間に、前記サステイン駆動部を駆動して前記サステイン電極をフローティングさせることによって形成することができる。
【００２６】
この場合、前記スキャン駆動部が前記スキャン上昇信号を供給し始めてから所定時間経過後に、前記サステイン駆動部が前記サステイン電極をフローティングさせるとよい。
【００２７】
さらに、前記第２バイアス電圧から第３バイアス電圧まで漸増する第２サステイン上昇信号を前記サステイン電極に供給することができる。
【００２８】
また、スキャンバイアス電圧から上昇する上昇信号を前記スキャン電極に供給し、前記上昇信号が供給される間に前記第２サステイン上昇信号を形成するために前記サステイン電極がフローティング状態になってもよい。
【００２９】
そして、前記第２サステイン上昇信号が供給された後、前記第３バイアス電圧で維持される第３バイアス信号を前記サステイン電極に供給することができる。
【００３０】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、スキャン上昇信号及びスキャン信号またはスキャンバイアス電圧の内で一つの信号を前記スキャン電極に供給するスキャン駆動部と、前記スキャン上昇信号が供給され始めてから所定時間経過後に第１バイアス電圧から第２バイアス電圧まで漸増する第１サステイン上昇信号、及び前記スキャン信号及び前記スキャンバイアス電圧が供給される期間に第２バイアス電圧で維持される第２バイアス信号を前記サステイン電極に供給するサステイン駆動部とを含む。
【００３１】
前記スキャン駆動部は、前記スキャンバイアス電圧供給後、上昇信号を前記スキャン電極に供給し、前記サステイン駆動部は、前記上昇信号が供給されるうちに前記第２バイアス電圧から第３バイアス電圧まで漸増する第２サステイン上昇信号を供給することができる。
【００３２】
前記サステイン駆動部は、前記第２サステイン上昇信号を供給した後、前記第３バイアス電圧から漸減するサステイン下降信号を前記サステイン電極に供給することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、電極間の電圧差を減らすことでノイズ及び電磁波障害を減少させてタイムマージンを確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明のプラズマディスプレイ装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。
【００３５】
図１は、本発明のプラズマディスプレイ装置である。図１に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００及びサステイン駆動部１０３を含む。また、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、データ駆動部１０１とスキャン駆動部１０２を含む。
【００３６】
データ駆動部１０１は、プラズマディスプレイパネル１００のアドレス電極（Ｘ）にデータ信号を供給するものである。
【００３７】
スキャン駆動部１０２は、プラズマディスプレイパネル１００のスキャン電極（Ｙ）に放電セルを初期化するためのリセット信号、放電セルを選択するためのスキャン信号、選択されたセルでサステイン放電を起こすためのサステイン信号を供給するものである。
【００３８】
サステイン駆動部１０３は、プラズマディスプレイパネル１００のサステイン電極（Ｚ）にバイアス電圧（Ｖｚ）、サステイン放電を起こすためのサステイン信号を供給するものである。
【００３９】
本発明のプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部１０２及びサステイン駆動部１０３を、図面を参照して以下により詳細に説明する。
【００４０】
図２は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれたプラズマディスプレイパネルの一例を示すものである。図２に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３が形成された前面基板２０１を有する前面パネル２００と、スキャン電極２０２及びサステイン電極２０３と交差するアドレス電極２１３が形成された背面基板２１１を有する背面パネル２１０が互いに合着されたものである。
【００４１】
スキャン電極２０２とサステイン電極２０３上には、上部誘電体層２０４が形成されている。この上部誘電体層２０４は、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３との間を絶縁させるためのものである。また、上部誘電体層２０４上には、保護層２０５が形成されている。この保護層２０５は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料を上部誘電体層２０４上に蒸着して形成することができる。
【００４２】
一方、背面基板２１１上に形成されるアドレス電極２１３は、放電セルにデータ信号を供給するものである。アドレス電極２１３上には、下部誘電体層２１５が形成されている。この下部誘電体層２１５は、アドレス電極の間を絶縁させるためのものである。また、下部誘電体層２１５上には、隔壁２１２が形成される。さらに、隔壁２１２によって区画された放電セル内には、放電ガスが満たされている。そして、隔壁２１２と隔壁２１２との間には蛍光体層２１４が形成されている。
【００４３】
図２においては、スキャン電極２０２及びサステイン電極２０３が一層（Layer）で形成されている場合を示しているが、スキャン電極２０２またはサステイン電極２０３のうち少なくとも一方がバス電極及び透明電極を含んでいてもよい。
【００４４】
図２は、本発明のプラズマディスプレイパネルの一構成例について示したものであり、本発明が図２に示す構造のプラズマディスプレイパネルに限定されないことは明らかである。例えば、図２のプラズマディスプレイパネルには上部誘電体層２０４及び下部誘電体層２１５がそれぞれ一層（Layer）の場合のみを示しているが、上部誘電体層２０４及び下部誘電体層２１５のうち少なくとも一方は複数の層で形成されたものであってもよい。
【００４５】
図３は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示すものである。図３に示されているように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プリリセット期間、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間を含むサブフィールドに供給される駆動信号によって動作する。図１のデータ駆動部１０１、スキャン駆動部１０２及びサステイン駆動部１０３は、それぞれアドレス電極（Ｘ）、スキャン電極（Ｙ）及びサステイン電極（Ｚ）に図３に示された駆動信号を供給する。
【００４６】
プリリセット（pre-reset）期間で図１のスキャン駆動部１０２は、スキャン電極（Ｙ）に電圧が漸減するプリ下降信号を供給する。プリ下降信号は、グランドレベルの電圧から負極性第１電圧（Ｖ１）まで下降する。
【００４７】
スキャン駆動部１０２がスキャン電極（Ｙ）にプリ下降信号を供給している間、サステイン駆動部１０３は、サステイン電極（Ｚ）に正極性第２電庄（Ｖ２）を所定時間供給する。第２電圧（Ｖ２）の大きさは、サステイン期間に供給されるサステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧であるサステイン電庄（Ｖｓ）の大きさと実質的に同じである。
【００４８】
プリリセット期間にスキャン電極（Ｙ）にプリ下降信号が供給され、サステイン電極（Ｚ）に正極性第２電圧（Ｖ２）が供給されればスキャン電極（Ｙ）上に正（＋）の壁電荷（Wall Charge）が蓄積され、サステイン電極（Ｚ）上には負（−）の壁電荷が蓄積されることになる。これによって、リセット期間にスキャン電極（Ｙ）に供給されるセットアップ（Set-Up）信号の電圧が小さくなっても十分な強さのセットアップ放電を発生することができる。
【００４９】
リセット期間のセットアップ（Set-Up）期間にスキャン駆動部１０２は、第３電圧（Ｖ３）から第４電圧（Ｖ４）まで電圧が漸増する第１セットアップ信号をスキャン電極（Ｙ）に供給した後、第４電圧（Ｖ４）から第５電圧（Ｖ５）まで漸増する第２セットアップ信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。この場合、第３電圧（Ｖ３）は、グラウンドレベルの電圧である。
【００５０】
セットダウン（Set-Down）期間にスキャン駆動部１０２は、第３電圧（Ｖ３）から第７電圧（Ｖ７）まで漸減するセットダウン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。
【００５１】
サステイン駆動部１０３は、リセット期間にサステイン電極（Ｚ）に対して第１バイアス信号を供給する。この第１バイアス信号の最高電圧は、実質的に第１バイアス電圧（Ｖｚ１）である。これによって放電セル内で弱い消去放電（Erase Discharge）が発生する。そして、この弱い消去放電によって放電セル内には均一な壁電荷が形成される。
【００５２】
アドレス期間にスキャン駆動部１０２は、第７電圧（Ｖ７）からさらに高い電圧値の第８電圧（Ｖ８）まで漸増するスキャン上昇信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。スキャン上昇信号の電圧の上昇速度は、第２セットアップ信号の電圧の上昇速度と実質的に等しい。以後、スキャン駆動部１０２は、第８電圧（Ｖ８）を維持するスキャンバイアス信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。スキャン上昇信号が供給される期間は、１０μｓ以上５０μｓ以下である。このように、スキャン上昇信号が供給される期間が１０μｓ以上５０μｓ以下であればノイズの大きさが減少し、タイムマージンが確保される。
【００５３】
サステイン駆動部１０３は、スキャン駆動部１０２からスキャン電極（Ｙ）にスキャン上昇信号が供給し始めてからｄ１期間程度経過した後に、第１バイアス信号の第１バイアス電圧（Ｖｚ１）から第２バイアス電圧（Ｖｚ２）まで漸増する第１サステイン上昇信号を供給する。すなわち、スキャン上昇信号は、第１サステイン上昇信号よりｄ１期間程度先に供給されることになる。第１サステイン上昇信号は、リセット期間後のアドレス期間にスキャン電極（Ｙ）に対して最初のスキャン信号が供給される前に供給されることが望ましい。スキャン上昇信号の電圧上昇速度は、第１サステイン上昇信号の電圧上昇速度よりも速くなってもよい。
【００５４】
サステイン駆動部１０３は、アドレス期間に第１サステイン上昇信号が供給された後、第２バイアス電圧（Ｖｚ２）を維持する第２バイアス信号を供給する。
【００５５】
スキャン電極（Ｙ）にスキャン上昇信号が供給され、サステイン電極（Ｚ）に第１サステイン上昇信号が供給される時に発生するノイズ（Noise）について図４（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【００５６】
図４（ａ）に示されているように、スキャン電極（Ｙ）にはスキャン上昇信号が供給される一方、サステイン電極（Ｚ）に第１サステイン上昇信号が供給されなければ、サステイン電極（Ｚ）の電圧が第１バイアス電圧（Ｖｚ１）から第２バイアス電圧（Ｖｚ２）に変わる時に隣接するサステイン電極間またはサステイン電極とスキャン電極間のカップリング（Coupling）効果によってＶｒ１及びＶｒ２まで上昇するピーキングノイズが発生する。これによってノイズによる電磁波障害（Electro Magnetic Interference：EMI）が発生する。
【００５７】
図４（ｂ）に示されているように、スキャン上昇信号がスキャン電極（Ｙ）に供給され、第１サステイン上昇信号がサステイン電極（Ｚ）に供給されれば、第１バイアス電圧（Ｖｚ１）から第２バイアス電圧（Ｖｚ２）まで漸増するのでサステイン電極（Ｚ）における時間に対する電圧変化が小さくなって隣接するサステイン電極間またはサステイン電極とスキャン電極間のカップリング（Coupling）効果によって発生するピーキングノイズの大きさが減少し、電磁波障害が減少する。
【００５８】
駆動電圧の急激な増加を防止してノイズ及び電磁波障害の発生を低減させるためにサステイン電極（Ｚ）に供給される第１サステイン上昇信号の傾きは、おおよそ２Ｖ／μｓ以上２０Ｖ／μｓ以下とするとよい。このように、第１サステイン上昇信号の傾きが２Ｖ／μｓ以上２０Ｖ／μｓ以下であればノイズの大きさが減少し、タイムマージンを確保することができる。
【００５９】
図３のアドレス期間にスキャン駆動部１０２は、スキャンバイアス信号の第８電圧（Ｖ８）から負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）まで下降するスキャン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。スキャン駆動部１０２が負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）まで下降するスキャン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給すると、データ駆動部１０１はデータ電圧（Ｖｄ）まで上昇するデータ信号をアドレス電極（Ｘ）に供給する。
【００６０】
スキャン信号の負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）とデータ信号のデータ電圧（Ｖｄ）との間の電圧差と、リセット期間に生成された壁電荷による壁電圧とが加わることによってデータ信号のデータ電圧（Ｖｄ）が供給される放電セル内にはアドレス放電が発生する。スキャン駆動部１０２は、最後のスキャン電極にスキャン信号を供給した後、スキャンバイアス電圧（Ｖ８）からさらに高いグラウンドレベルの電圧まで漸増する上昇信号を供給し、グラウンドレベルの電圧をサステイン期間前までスキャン電極（Ｙ）に供給する。この場合、スキャンバイアス電圧（Ｖ８）は、負極性電圧であってもよい。
【００６１】
アドレス期間にサステイン駆動部１０３は、第２バイアス信号の第２バイアス電圧（Ｖｚ２）から第３バイアス電圧（Ｖｚ３）まで漸増する第２サステイン上昇信号を供給する。第２サステイン上昇信号を供給した後、サステイン駆動部１０３は、第３バイアス電圧（Ｖｚ３）に維持される第３バイアス信号を供給する。第２サステイン上昇信号の電圧上昇速度は、第１サステイン上昇信号の電圧上昇速度よりも速くなってもよい。また、第３バイアス電圧（Ｖｚ３）の大きさは、サステイン期間に供給されるサステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧であるサステイン電圧（Ｖｓ）と実質的に同じであってもよい。
【００６２】
また、サステイン駆動部１０３は、第３バイアス信号の第３バイアス電圧（Ｖｚ３）から第１１電圧（Ｖ１１）まで漸減するサステイン下降信号をサステイン電極（Ｚ）に供給する。第１１電圧（Ｖ１１）は、第１バイアス信号の第１バイアス電圧（Ｖｚ１）と実質的に同じであってもよい。また、第１１電圧（Ｖ１１）と第１バイアス電圧（Ｖｚ１）とは、実質的にグラウンドレベルの電圧である。サステイン下降信号の下降傾きは、サステイン期間に供給されるサステイン信号（ＳＵＳ）の下降傾きと実質的に同じであってもよい。
【００６３】
次に、第２サステイン上昇信号がサステイン電極（Ｚ）に供給される時に発生するノイズについて図５（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【００６４】
図５（ａ）に示されているように、サステイン電極（Ｚ）に第２サステイン上昇信号とサステイン下降信号とが供給されない場合、サステイン電極（Ｚ）の電圧が第２バイアス電圧（Ｖｚ２）から第１１電圧（Ｖ１１）に下降する時に隣接するサステイン電極間、及びサステイン電極とスキャン電極間のカップリング（Coupling）効果によってＶｒ３及びＶｒ４まで下降するピーキングノイズが発生する。これによってノイズによる電磁波障害が発生する。
【００６５】
一方、図５（ｂ）に示されているように、第２サステイン上昇信号がサステイン電極（Ｚ）に供給される場合、サステイン電極（Ｚ）の電圧が第２バイアス電圧（Ｖｚ２）から第３バイアス電圧（Ｖｚ３）まで上昇するので、サステイン電極（Ｚ）において時間に対する電圧変化が小さくなって隣接するサステイン電極間またはサステイン電極とスキャン電極間のカップリング（Coupling）効果によって発生するピーキングノイズの大きさが減少し、電磁波障害が減少する。また、サステイン下降信号がサステイン電極（Ｚ）に供給される場合、サステイン電極（Ｚ）の電圧が第３バイアス電圧（Ｖｚ３）から第１１電圧（Ｖ１１）まで下降するので、サステイン電極（Ｚ）において時間に対する電圧変化が小さくり、隣接するサステイン電極間またはサステイン電極とスキャン電極間のカップリング（Coupling）効果によって発生するピッキングノイズの大きさが減少し、電磁波障害が減少する。
【００６６】
以降、サステイン期間に図１のスキャン駆動部１０２とサステイン駆動部１０３は、スキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）にサステイン信号（ＳＵＳ）を供給する。これによってアドレス放電によって選択された放電セルでサステイン放電が起きる。
【００６７】
図６は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部とサステイン駆動部を示すのである。図６に示されているように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部１０２は、第１エネルギー回収回路部（Energy Recovery Circuit）７００、スキャンドライブ集積回路部（Scan Drive Integrated Circuit）７１０、第１サステイン電圧供給部７０１、第１基底電圧供給部７０２、第１セットアップ信号供給部７０３、逆電流防止部７０４、セットダウン信号供給部７０５、スキャン信号供給部７０６、第２セットアップ／スキャンバイアス信号供給部７０７、緩衝部７０８及び電流経路選択部７０９を有している。
【００６８】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置のサステイン駆動部１０３は、第２エネルギー回収回路部７１１、第２サステイン電圧供給部７１２、第２基底電圧供給部７１３、バイアス電圧供給部７１４を有している。
【００６９】
スキャン駆動部とサステイン駆動部に含まれた第１エネルギー回収回路部７００と第２エネルギー回収回路部７１１は、あらかじめ貯蔵されたエネルギーをエネルギー供給経路を通じてスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）に供給し、スキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）からエネルギーをエネルギー回収経路を通じて回収する。本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の第１エネルギー回収回路部７００と第１エネルギー回収回路部７１１の回路構成は互いに等しい。
【００７０】
図７は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の実施形態のエネルギー回収回路部を示すものである。図７に示されているように、スキャン駆動部１０２とサステイン駆動部１０３に含まれる第１エネルギー回収回路部７００及び第２エネルギー回収回路部７１１それぞれはエネルギー貯蔵部８００、エネルギー供給経路形成部８０１、エネルギー回収経路形成部８０２及び共振部８０３を有している。
【００７１】
エネルギー貯蔵部８００は、エネルギー貯蔵用キヤパシター部（Ｃ１）を含んでおり、このエネルギー貯蔵用キヤパシター部（Ｃ１）は、スキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）に供給されるエネルギー、及びスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）から回収されるエネルギーを貯蔵するものである。
【００７２】
エネルギー供給経路形成部８０１は、エネルギー供給経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）と第１逆電流防止用ダイオード部（Ｄ１０）を含んでいる。そして、このエネルギー供給経路形成部８０１は、エネルギー供給経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）を利用してエネルギー貯蔵部８００に貯蔵されたエネルギーをスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）に供給するものである。
【００７３】
また、第１逆電流防止用ダイオード部（Ｄ１０）は、エネルギー回収経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）を通じてエネルギー貯蔵部８００に流れる逆電流を遮断するものである。
【００７４】
エネルギー回収経路形成部８０２は、エネルギー回収経路形成用スイッチ部（Ｑ２０）と第２逆電流防止用ダイオード部（Ｄ２０）を含んでいる。そして、このエネルギー回収経路形成部８０２は、エネルギー回収経路形成用スイッチ部（Ｑ２０）を利用してスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）からエネルギーをエネルギー貯蔵部８００に回収するものである。
【００７５】
また、第２逆電流防止用ダイオード部（Ｄ２０）は、エネルギー貯蔵部８００からエネルギー回収経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）を通じて流れる逆電流を遮断するものである。
【００７６】
共振部８０３は、共振を利用してスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）にエネルギーが供給されるようにし、スキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極（Ｚ）からエネルギーが回収されるようにする共振用インダクター部（Ｌ）を含んでいる。
【００７７】
次に、本発明のプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部１０２について説明する。
【００７８】
スキャンドライブ集積回路部７１０は、スキャントップスイッチ部（Ｑ９）とスキャンボトム（Bottom）スイッチ部（Ｑ１０′）を含んでおり、スイッチイング（Switching）動作を通じてプラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に駆動信号を供給するようになっている。
【００７９】
第１サステイン電圧供給部７０１は、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１）を含んでおり、サステインで夏供給用スイッチ部（Ｑ１）のスイッチングを通じてスキャン電極（Ｙ）にサステイン電圧（Ｖｓ）を供給するようになっている。
【００８０】
第１基底電圧供給部７０２は、基底電庄供給用スイッチ部（Ｑ２）を含んでおり、基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ２）のスイッチングを通じてスキャン電極（Ｙ）に基底電圧を供給するようになっている。
【００８１】
第１セットアップ信号供給部７０３は、第１可変抵抗部（ＶＲ１）と第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）を含んでいる。第１可変抵抗部（ＶＲ１）は、第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）のゲート端子に接続されている。この第１セットアップ信号供給部７０３は、第１セットアップ信号の電圧の傾きを決める第１可変抵抗部（ＶＲ１）とアクティブ領域で作動する第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）を利用してスキャン電極（Ｙ）に第１セットアップ信号を供給するものである。
【００８２】
逆電流防止部７０４は、逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）を含んでおり、逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）のスイッチングによってグラウンド（ＧＮＤ）から第１基底電圧供給部７０２を経てセットダウン信号供給部７０５またはスキャン信号供給部７０６の方向に流れる逆電流を防止するようになっている。
【００８３】
セットダウン信号供給部７０５は、セットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）と第２可変抵抗部（ＶＲ２）を含んでいる。このセットダウン信号供給部７０５は、アクティブ領域で作動するセットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）とセットダウン信号の電圧の傾きを決める第２可変抵抗部（ＶＲ２）の動作によってセットダウン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給するようになっている。
【００８４】
スキャン信号供給部７０６は、スキャン信号供給用スイッチ部（Ｑ６）を含んでおり、このスキャン信号供給用スイッチ部（Ｑ６）のスイッチングによってスキャン電圧（−Ｖｙ）まで下降するスキャン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給するようになっている。
【００８５】
第２セットアップ／スキャンバイアス信号供給部７０７は、共通スイッチ部（Ｑ８）と第３可変抵抗部（ＶＲ３）を含んでいる。この第２セットアップ／スキャンバイアス信号供給部７０７は、共通スイッチ部（Ｑ８）と第３可変抵抗部（ＶＲ３）を利用してスキャン電極（Ｙ）に第２セットアップ信号を供給し、またはスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）を供給するものである。
【００８６】
緩衝部７０８は、緩衝用キヤパシター部（Ｃ２）を含んでおり、この緩衝用キヤパシター部（Ｃ２）を利用して図３の第４電圧（Ｖ４）から上昇する第２セットアップ信号を形成するようになっている。
【００８７】
電流経路選択部７０９は、電流経路選択用スイッチ部（Ｑ７）を含んでおり、電流経路選択用スイッチ部（Ｑ７）を利用してスキャンドライブ集積回路部７１０に向ける電流の経路を選択するようになっている。
【００８８】
本発明のプラズマディスプレイ装置おいて、サステイン駆動部１０３は、エネルギー回収回路７１１、第２サステイン電圧供給部７１２、第２基底電圧供給部７１３、及びバイアス電圧供給部７１４を有している。
【００８９】
第２サステイン電圧供給部７１２は、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）を含んでおり、このサステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）のスイッチングによってサステイン電圧（Ｖｓ）をサステイン電極（Ｚ）に供給するようになっている。
【００９０】
第２基底電圧供給部７１３は、基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ１４）を含んでおり、この基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ１４）のスイッチングによってサステイン電極（Ｚ）に基底電圧を供給するようになっている。
【００９１】
バイアス電圧供給部７１４は、第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）を含んでいる。第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）のボディーダイオードと第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）のボディーダイオードの方向は、互いに反対である。バイアス電圧供給部７１４は、第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）のスイッチングによってサステイン電極（Ｚ）に第２バイアス電圧（Ｖｚ２）を供給するものである。
【００９２】
図６または図７に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部１０２及びサステイン駆動部１０３においては、電界効果トランジスター（Field Effect Transistor：FET）が使用されているが、電界効果トランジスターの代わりに絶縁ゲート両極性トランジスター（Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT）等を使用してもよい。絶縁ゲート両極性トランジスターが使われる場合には、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部の電流容量が増加してプラズマディスプレイ装置の駆動がさらに安定する。
【００９３】
図３、図６及び図７を参照して本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部１０２及びサステイン駆動部１０３の動作を詳細に説明する。
【００９４】
プリリセット期間にセットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）がターンオンすれば、負極性スキャン電圧源から発生した負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）が第５ノード（ｎ５）を通じてセットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）に供給される。
【００９５】
第２可変抵抗部（ＶＲ２）によってプリ下降信号の傾きが調節されて、第３ノード（ｎ３）及びスキャンボトムスイッチ部（Ｑ１０′）を通じてスキャン電極（Ｙ）にプリ下降信号が供給される。
【００９６】
また、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）がターンオンする。これによってサステイン電圧源から発生したサステイン電圧（Ｖｓ）がサステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）及び第６ノード（ｎ６）を通じてサステイン電極（Ｚ）に供給される。これによって、第２電圧（Ｖ２）がサステイン電圧（Ｖｓ）と実質的に同じになるように設定される。
【００９７】
プリ下降信号の供給後に基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ２）がターンオンする。これによってスキャン電極（Ｙ）の電庄が第３電圧（Ｖ３）になって、第３電圧（Ｖ３）はグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）と実質的に同じに設定される。
【００９８】
また、サステイン駆動部１０３の基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ１４）がターンオンする。これによってサステイン電極（Ｚ）にグラウンドレベルの電圧と実質的に同じ第１バイア電圧（Ｖｚ１）が供給される。
【００９９】
リセット期間のセットアップ期間では、スキャン駆動部１０２の第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）と逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）がターンオンする。これにより、サステイン電圧（Ｖｓ）が第２ノード（ｎ２）を通じて第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）に供給される。また、第１可変抵抗部（ＶＲ１）によって傾きが調節された第１セットアップ信号が逆電流防止部７０４、第３ノード（ｎ３）、スキャンドライブ集積回路部７１０を経てスキャン電極（Ｙ）に供給される。これによって第１セットアップ信号の最高電圧である第４電圧は実質的にサステイン電圧（Ｖｓ）と同じになる。
【０１００】
続いて、第１セットアップ信号供給用スイッチ部（Ｑ３）がターンオンし、共通スイッチ部（Ｑ８）がターンオンする。これによってスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）が第８ノード（ｎ８）を通じて共通スイッチ部（Ｑ８）に供給される。
【０１０１】
この時、共通スイッチ部（Ｑ８）のチャンネル幅が第３可変抵抗部（ＶＲ３）によって調節され、これによって第４電圧（Ｖ４）から第５電圧（Ｖ５）まで漸増する第２セットアップ信号がスキャン電極（Ｙ）に供給される。第５電圧（Ｖ５）は、サステイン電圧（Ｖｓ）とスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）とを加算（＝Ｖｓ＋Ｖｓｃ）したものである。
【０１０２】
第２セットアップ信号が供給された後、スキャン駆動部の共通スイッチ部（Ｑ８）がターンオフする。これによって第１セットアップ信号供給部７０３によってスキャン電極（Ｙ）にサステイン電圧と大きさが同じ第６電圧（Ｖ６）だけが供給される。
【０１０３】
次に、基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ２）がターンオンすれば、スキャン電極（Ｙ）に例えばグラウンドレベルの電圧である第３電圧（Ｖ３）が供給される。
【０１０４】
セットダウン期間では、セットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）がターンオンすれば、負極性スキャン電圧源から発生した負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）が第５ノード（ｎ５）を通じてセットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）に供給される。セットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）のスイッチングによって第２可変抵抗部（ＶＲ２）によって調節された傾きを有するセットダウン信号が第３ノード（ｎ３）及びスキャンボトムスイッチ部（Ｑ１０）を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給される。これによってスキャン電極（Ｙ）の電圧は、グラウンドレベルの電圧から第７電圧（Ｖ７）まで下降する。第７電圧（Ｖ７）は、セットダウン信号供給用スイッチ部（Ｑ５）のスイッチングタイミングによって設定することができる。
【０１０５】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイディスプレイ装置の駆動方法においては、プリ下降信号の傾きとセットダウン信号の傾きは実質的に同じである。
【０１０６】
セットアップ期間及びセットダウン期間に基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ１４）が続けてターンオンされた状態を維持する。
【０１０７】
アドレス期間で第２セットアップ／スキャン基準電圧供給部７０７の第２セットアップ／スキャン基準電圧供給用スイッチ部（Ｑ８）がターンオンする。また、スキャン信号供給用スイッチ部（Ｑ６）と電流経路選択用スイッチ部（Ｑ７）がターンオンする。これによってスキャン基準電圧源から発生するスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）及び負極性スキャン電圧源から発生する負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）が第４ノード（ｎ４）を通じてスキャントップスイッチ部（Ｑ９）に供給される。
【０１０８】
この時、共通スイッチ部（Ｑ８）のチャンネル幅が第３可変抵抗部（ＶＲ３）によって調節され、これによって第７電圧（Ｖ７）から第８電圧（Ｖ８）まで電圧が漸増するスキャン上昇信号がスキャン電極（Ｙ）に供給されるのである。第８電圧（Ｖ８）は、スキャンバイアス電圧でスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）と負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）とを合算したものである。
【０１０９】
これによって、スキャン上昇信号の上昇傾きと第２セットアップ信号の上昇傾きがおおよそ等しく設定される。
【０１１０】
図３に示されているように、スキャン上昇信号を供給し始めてからｄ１期間程度経過した後に第１バイアス信号の第１バイアス電圧（Ｖｚ１）から第２バイアス電圧（Ｖｚ２）まで漸増する第１サステイン上昇信号が供給される。ｄ１期間は、１０μｓ以下であってもよい。ｄ１期間が１０μｓ以下ならばタイムマージンを確保することができる。第１サステイン上昇信号は、図６と図８に示されたバイアス電圧供給部７１４によって供給される。
【０１１１】
図８は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のバイアス電圧供給部を示すものである。図８に示されているように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のバイアス電圧供給部７１４は、第１抵抗部（Ｒ１）、第２抵抗部（Ｒ２）、第３抵抗部（Ｒ３）、第４抵抗部（Ｒ４）及び電流パス用ダイオード部（Ｄ１）を含んでいる。
【０１１２】
第４抵抗部（Ｒ４）の一端は、第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）のゲート端子に繋がれている。第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）のゲート端子には、第２部（Ｒ２）の一端が繋がれている。また、第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）のドレーン端子とバイアス電圧源の間には第１抵抗部（Ｒ１）の一端が繋がれている。
【０１１３】
第１抵抗部（Ｒ１）の他端には、ランプ発生用キヤパシター部（Ｃｒ）の一端が繋がれている。ランプ発生用キヤパシター部（Ｃｒ）の他端は、第１３ノード（ｎ１３）において第２抵抗部（Ｒ２）の他端、第３抵抗部（Ｒ３）の一端及び電流パス用ダイオード部（Ｄ１）の他端と共に繋がれている。
【０１１４】
電流パス用ダイオード部（Ｄ１）と第３抵抗部（Ｒ３）は、並列配置されており、同時に電流パス用ダイオード部（Ｄ１）の他端、第３抵抗部（Ｒ３）の他端、第４抵抗部（Ｒ４）の他端は、第１４ノード（ｎ１４）において制御信号供給源９１０の一端と共に繋がれている。さらに、制御信号供給源９１０の他端は、第７ノード（ｎ７）に繋がれている。
【０１１５】
制御信号供給源９１０が第１４ノード（ｎ１４）に制御信号を供給すれば、制御信号は第２抵抗（Ｒ２）と第３抵抗（Ｒ３）を通じて第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）のゲート端に供給され、第４抵抗（Ｒ４）を通じて第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）のゲート端に供給される。これによって第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と、第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）がターンオンする。
【０１１６】
第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）がターンオンすれば、ランプ発生用キヤパシター部（Ｃｒ）に対する充電時間が必要となるので、所定の傾きを持った第１サステイン上昇信号がサステイン電極（Ｚ）に供給されることになる。
【０１１７】
さらに、第１サステイン上昇信号の供給後に、バイアス電圧供給部７１４の第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）が一緒にターンオンする。これによってバイアス電圧源から発生するバイアス電圧（Ｖｚ）が第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）を経てサステイン電極（Ｚ）に供給される。すなわち、図３に示す第２バイアス電圧（Ｖｚ２）は、実質的にバイアス電圧（Ｖｚ）と同じである。
【０１１８】
スキャンバイアス電圧（Ｖ８）が供給される途中に共通スイッチ部（Ｑ８）がターンオフし、スキャン信号供給用スイッチ部（Ｑ６）が続けてターンオン状態を維持する。これによってスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン電圧（−Ｖｙ）まで下降するスキャン信号が供給される。
【０１１９】
以降、共通スイッチ部（Ｑ８）がターンオフして、第１基底電圧供給部７０２の基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ２）と逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）がターンオンする。逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）のゲート端に繋がれた抵抗（Ｒ）によって設定されたチャンネル幅を持った上昇信号がスキャン電極（Ｙ）に供給される。この上昇信号が供給された後は、スキャン電極（Ｙ）にグラウンドレベルの電圧が維持される。
【０１２０】
サステイン期間においては、図７のエネルギー供給経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）と逆電流防止部７０４の逆電流防止用スイッチ部（Ｑ４）がターンオンする。これによってエネルギー貯蔵部８００に貯蔵されたエネルギーがＬＣ共振を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給されて、スキャン電極（Ｙ）の電圧はサステイン電圧（Ｖｓ）まで上昇する。サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１）がターンオンすれば、スキャン電極（Ｙ）の電圧はサステイン電圧（Ｖｓ）で維持される。
【０１２１】
続いて、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１）とエネルギー供給経路形成用スイッチ部（Ｑ１０）がターンオフして、エネルギー回収経路形成用スイッチ部８０２がターンオンする。これによってＬＣ共振を通じてエネルギーがエネルギー貯蔵部８００に回収されて、スキャン電極（Ｙ）の電圧は、サステイン電圧（Ｖｓ）からグラウンドレベルの電圧まで下降する。次に、基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ２）がターンオンする。これによってスキャン電極（Ｙ）の電圧は、グラウンドレベルの電圧で維持される。
【０１２２】
図３の第２バイアス信号がサステイン電極（Ｚ）に供給された後、第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）が一緒にターンオンしてサステイン電極（Ｚ）に第２バイアス電圧（Ｖｚ２）が供給されている途中に、第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）がターンオフすると、サステイン電極（Ｚ）はフローティング（Floating）状態になる。
【０１２３】
サステイン電極（Ｚ）がフローティング状態になれば、スキャン電極（Ｙ）の電圧が第８電圧（Ｖ８）からグラウンドレベルの電圧まで上昇する上昇信号によってサステイン電極（Ｚ）に第２サステイン上昇信号が供給される。このとき、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）がターンオンすれば、サステイン電圧（Ｖｓ）が第６ノード（ｎ６）を経てサステイン電極（Ｚ）に供給される。これによって図３の第３バイアス電圧（Ｖｚ３）は実質的にサステイン電圧（Ｖｓ）と同じになる。この上昇信号が供給される期間は、２μｓ以上５μｓ以下である。上昇信号が供給される期間が２μｓ以上５μｓ以下の場合、ノイズを減少させるためのサステイン下降信号を形成すべく第２サステイン上昇信号を形成したとしてもタイムマージンを確保することができる。スキャン上昇信号が供給される期間が１０μｓ以上５０μｓ以下の場合、スキャン上昇信号が供給される期間は、上昇信号が供給される期間の２倍以上２５倍以下である。
【０１２４】
次に、サステイン電圧供給用スイッチ部（Ｑ１３）がオフされて、図７のようにサステイン駆動部のエネルギー回収回路部７１１のエネルギー回収経路形成用スイッチ部８０２がターンオンする。これによってエネルギーがＬＣ共振を通じてエネルギー貯蔵部８００に回収されて、サステイン電極（Ｚ）の電圧は、グラウンドレベルの電圧まで下降する。
【０１２５】
サステイン駆動部のサステイン期間における動作は、スキャン駆動部と等しいので詳細な説明は省略する。
【０１２６】
図９は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号の別の例を示すのである。すなわち、図３に示された第１サステイン上昇信号は、図７のバイアス電圧供給部によって供給されるが、図９に示された第１サステイン上昇信号は、サステイン電極のフローティングによって形成される。
【０１２７】
この場合、図９に示されているように、スキャン電極（Ｙ）にスキャン上昇信号が供給され始める時点からｄ１期間が経過した後に、図６の基底電圧供給用スイッチ部（Ｑ１４）がターンオフする。これによってサステイン電極（Ｚ）はフローティング（Floating）状態になる。サステイン電極（Ｚ）がフローティング状態になればスキャン電極（Ｙ）に供給されたスキャン上昇信号によって漸増する第１サステイン上昇信号がサステイン電極（Ｚ）に供給される。
【０１２８】
第１サステイン上昇信号が供給された後に、バイアス電圧供給部７１４の第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）が一緒にターンオンする。これによってバイアス電圧源から発生するバイアス電圧（Ｖｚ）が第１バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１１）と第２バイアス電圧供給用スイッチ部（Ｑ１２）を経てサステイン電極（Ｙ）に供給されることになる。
【０１２９】
図９の第１サステイン上昇信号を除いた残り駆動信号の波形は、図３に示された駆動信号の波形と等しいので詳細な説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明のプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれたプラズマディスプレイパネルの一構成例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号の一例を示す図である。
【図４】スキャン電極にスキャン上昇信号が供給されてサステイン電極に第１サステイン上昇信号が供給される時発生するノイズを示す図である。
【図５】サステイン電極に第２サステイン上昇信号及びサステイン下降信号が供給される時発生するノイズを示す図である。
【図６】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部とサステイン駆動部を示す図である。
【図７】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のエネルギー回収回路部を示す図である。
【図８】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置のバイアス電圧供給部を示す図である。
【図９】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号のまた一つの例を示す図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１００…プラズマディスプレイパネル
１０２…スキャン駆動部
１０３…サステイン駆動部
２０２…スキャン電極
２０３…サステイン電極
Ｖｚ…バイアス電圧
Ｖｚ１…第１バイアス電圧
Ｖｚ２…第２バイアス電圧
Ｖｚ３…第３バイアス電圧
Ｖ８…スキャンバイアス電圧
Ｑ１１…第１バイアス供給用スイッチ
Ｑ１２…第２バイアス供給用スイッチ
Ｃｒ…ランプ発生用キャパシター
【図１】
2007279654.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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