(57)【要約】【課題】いかなるアスペクト比の素子分離溝においても、ボイドのない素子分離膜を有する半導体装置、またその半導体装置の製造方法、さらには半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】熱ＣＶＤ法により素子分離溝にＳｉＯ２を溝幅の１／８程度成膜した後、斜め上方からエネルギーを印加することにより、ＳｉＯ２膜を収縮させる。このとき、斜め方向からの印加により、溝上部の膜にのみエネルギーが印加されるため、溝上部のＳｉＯ２膜は溝下部のそれよりも大きく収縮する。これにより、溝のアスペクト比が緩和されるとともに開口が広がる。この成膜・収縮工程を数回繰り返すことで、ボイドのない素子分離膜を作製することができる。【選択図】図４
2007208006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置であって、
前記素子分離領域が、
前記各トランジスタ素子間に形成された素子分離溝と、
前記素子分離溝に堆積する複数の素子分離膜と
によって構成され、前記素子分離膜の内の少なくとも１層は、前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の素子分離膜全てが、前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記素子分離膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置の製造方法であって、
前記素子分離領域を形成するに際し、
前記各トランジスタ素子間に素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に複数の素子分離膜を堆積する堆積工程と、
堆積した前記素子分離膜の内の少なくとも１層を次層の素子分離膜を堆積する前に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚くなるように収縮させる収縮工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置の製造方法であって、
前記素子分離領域を形成するに際し、
前記各トランジスタ素子間に素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に複数の素子分離膜を堆積する堆積工程と、
堆積した前記各素子分離膜を堆積する毎に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚くなるように前記各素子分離膜を収縮させる収縮工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記堆積工程と前記収縮工程とを同時に行なうことを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記素子分離膜の堆積を熱ＣＶＤ法により行なうことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からの電子線照射により行なうことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からの紫外線照射により行なうことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からのイオンビーム照射により行なうことを特徴とする請求項４〜７のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記素子分離膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置を製造する製造装置であって、
前記膜厚勾配を形成するに機構として、
前記半導体装置を形成するウエハにエネルギーを照射するエネルギー源と、
前記ウエハを載置するウエハステージと、
前記エネルギーの前記ウエハへの入射角を変化させるために前記ウエハステージを稼動させる第１のウエハ回転機構と、
前記ウエハステージを前記ウエハの前記トランジスタ素子形成面の中心から前記形成面垂直な方向を回転軸として回転させる第２のウエハ回転機構と
を有し、前記第１のウエハ回転機構及び前記第２のウエハ回転機構により前記ウエハステージを稼動させて、前記ウエハの素子分離溝に堆積された前記素子分離膜に照射されるエネルギー量を変化させて、前記素子分離膜に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を設けることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記エネルギー源が電子銃であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記エネルギー源が紫外線源であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記エネルギー源がイオンビーム発生装置であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に形成した素子分離溝に絶縁膜を埋め込んで作製する素子分離領域を有する半導体装置と半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
システムＬＳＩをはじめとする半導体装置では、素子間を電気的に分離する必要があるが、現在、その分離にはＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いるのが一般的である。これは、Ｓｉ基板をトレンチエッチングし、そこに絶縁膜を埋め込むものであるので、ＬＯＣＯＳ分離で生じるバーズビーク等の問題が発生しない、優れた分離技術である。
【０００３】
近年、ＬＳＩの微細化に伴って、デザインルールは縮小の一途をたどっているが、ＳＴＩにより素子間の電気的絶縁を果たすためには、溝幅が小さくなっても、その深さを変えることはできない。そのため、ＳＴＩの溝幅と深さのアスペクト比は時代とともに大きくなってきており、いかにして、溝幅の小ささに比べて深さの深い溝に絶縁膜を埋め込み堆積するかが大きな問題となっている。
【０００４】
現在、ＳＴＩの絶縁膜埋め込み堆積には、高密度プラズマＣＶＤ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  ＣＶＤ；  ＨＤＰ−ＣＶＤ）法を用いるのが主流になっている。これは、堆積と同時にスパッタを行い、溝開口を広げながら堆積することができるため、優れた段差被覆性を有している。しかし、このＨＤＰ−ＣＶＤ法による埋め込み堆積は、スパッタによる基板へのダメージが避けられないという問題があり、また、１００ｎｍ以下の微細領域ではもはや限界であると考えられており、新たな埋め込み方法が模索されている。
【０００５】
ここで、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による従来の素子分離膜の形成方法を、図６を用いて説明する。
図６は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０００６】
図６において、まず、図６（ａ）のように、Ｓｉ基板５０２上に保護膜として熱酸化膜５０４を形成し、その上に減圧ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜５０６を堆積する。次に、このＳｉＮ膜５０６を、フォトリソグラフィー、エッチングによりパターニングし（図６（ｂ））、残ったＳｉＮ膜をハードマスクとして、Ｓｉ基板５０２をエッチングすることで、素子分離溝５０８を作製する（図６（ｃ））。
【０００７】
この上にＨＤＰ−ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２を堆積することで素子分離膜を形成するが、このとき、溝上部の堆積速度が溝下部のそれよりも大きいために、堆積が進むにつれて、オーバーハングした形状になり、図６（ｄ）に示すオーバーハング形状のＳｉＯ２膜５１０が形成されてしまう。このオーバーハング形状は、成膜条件によりある程度抑制することは可能であるが、完全に回避することはできない。そのため、素子分離溝５０８内部に十分にＳｉＯ２が堆積される前に開口がなくなってしまい、図６（ｅ）に示すような素子分離膜５１２が形成され、内部にボイド５１４が存在してしまう（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
このボイドのために、素子間にリークが発生し、必要なトランジスタ特性が得られなくなってしまう。
【特許文献１】特開２００２−８３８６５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
素子分離溝を、従来のようにＣＶＤ法で埋め込む場合、素子分離溝のアスペクト比が高くなるにつれて埋め込みが困難になり、ボイドの発生は避けられない。本発明は、いかなるアスペクト比の素子分離溝においても、ボイドのない素子分離膜を有する半導体装置、またその半導体装置の製造方法、さらには半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の請求項１記載の半導体装置は、基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置であって、前記素子分離領域が、前記各トランジスタ素子間に形成された素子分離溝と、前記素子分離溝に堆積する複数の素子分離膜とによって構成され、前記素子分離膜の内の少なくとも１層は、前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記複数の素子分離膜全てが、前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記素子分離膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする。
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置の製造方法であって、前記素子分離領域を形成するに際し、前記各トランジスタ素子間に素子分離溝を形成する工程と、前記素子分離溝に複数の素子分離膜を堆積する堆積工程と、堆積した前記素子分離膜の内の少なくとも１層を次層の素子分離膜を堆積する前に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚くなるように収縮させる収縮工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、基板に形成された複数のトランジスタ素子間に素子分離領域を設けて成る半導体装置の製造方法であって、前記素子分離領域を形成するに際し、前記各トランジスタ素子間に素子分離溝を形成する工程と、前記素子分離溝に複数の素子分離膜を堆積する堆積工程と、堆積した前記各素子分離膜を堆積する毎に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚くなるように前記各素子分離膜を収縮させる収縮工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記堆積工程と前記収縮工程とを同時に行なうことを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記素子分離膜の堆積を熱ＣＶＤ法により行なうことを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からの電子線照射により行なうことを特徴とする。
【００１７】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からの紫外線照射により行なうことを特徴とする。
【００１８】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜７のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記各素子分離膜の収縮を、前記素子分離溝の斜め上方からのイオンビーム照射により行なうことを特徴とする。
【００１９】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記素子分離膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする。
請求項１２記載の半導体装置の製造装置は、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置を製造する製造装置であって、前記膜厚勾配を形成する機構として、前記半導体装置を形成するウエハにエネルギーを照射するエネルギー源と、前記ウエハを載置するウエハステージと、前記エネルギーの前記ウエハへの入射角を変化させるために前記ウエハステージを稼動させる第１のウエハ回転機構と、前記ウエハステージを前記ウエハの前記トランジスタ素子形成面の中心から前記形成面に垂直な方向を回転軸として回転させる第２のウエハ回転機構とを有し、前記第１のウエハ回転機構及び前記第２のウエハ回転機構により前記ウエハステージを稼動させて、前記ウエハの素子分離溝に堆積された前記素子分離膜に照射されるエネルギー量を変化させて、前記素子分離膜に前記素子分離溝の上部付近における厚さより下部付近における厚さの方が厚い膜厚勾配を設けることを特徴とする。
【００２０】
請求項１３記載の半導体装置の製造装置は、請求項１２記載の半導体装置の製造装置において、前記エネルギー源が電子銃であることを特徴とする。
請求項１４記載の半導体装置の製造装置は、請求項１２記載の半導体装置の製造装置において、前記エネルギー源が紫外線源であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１５記載の半導体装置の製造装置は、請求項１２記載の半導体装置の製造装置において、前記エネルギー源がイオンビーム発生装置であることを特徴とする。
以上により、いかなるアスペクト比の素子分離溝においても、ボイドのない素子分離膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によると、その素子分離膜が多層構造をしており、さらにその内の少なくとも１層は、溝下部膜厚が溝上部膜厚より大きい構造をしている。これにより、素子分離溝内にボイドが発生することなく素子分離膜を形成することができ、良好な電気的分離特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態における、素子分離の構造を図１，図２，図３を用いて説明する。
図１は本発明に係る半導体装置の構造を示す断面図、図２は本発明に係る半導体装置の素子分離膜の構造を示す断面図、図３は本発明に係る半導体装置の素子分離膜の構造を示す要部拡大図である。
【００２４】
本発明の半導体装置は、図１に示すように、Ｓｉ基板２上にＭＯＳトランジスタ素子４、及び素子分離領域６を有している。例えば、素子分離領域６は幅が約８０ｎｍ、深さが約３００ｎｍである。素子分離領域６の拡大図を図２に示すが、素子分離膜は第１から第５のＳｉＯ２膜８、１０、１２、１４、１６が積層された構成となっている。そして、これら第１から第５のＳｉＯ２膜８、１０、１２、１４、１６の溝壁面膜厚は、図３に示すように、それぞれ、溝下部膜厚２０が溝上部膜厚１８よりも５〜１０％程度大きいことを特徴としている。
【００２５】
この構造を有することで、先に形成された素子分離膜上に次層の素子分離膜を堆積する際に、溝上部の堆積速度が溝下部のそれよりも大きくなっても、溝上部に比べて溝下部の溝幅が狭くなるために、溝上部にオーバーハング形状の素子分離膜が形成されないため、素子分離溝内にボイドを残存することなく素子分離膜を形成することができ、良好な電気的分離特性が得られる。
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態として、溝下部膜厚が溝上部膜厚よりも大きい素子分離膜を形成する方法について図４を用いて説明する。
【００２６】
図４は本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
一般に、熱ＣＶＤ法で成膜したＳｉＯ２膜は、熱酸化膜と異なり、膜中にＯ原子、Ｈ原子をはじめとする多くの不純物を含有している。そのため、外部からエネルギーを印加すると、不純物が膜中から離脱し、ＳｉＯ２膜は収縮する。本発明は、これを利用してボイドのない素子分離膜を形成しようというものである。
【００２７】
まず、素子分離溝は、従来の技術で記載した方法で作製する（図６の５０８）。その溝は幅８０ｎｍ、深さ４００ｎｍであるとする。
次に、作製した素子分離溝に、準常圧ＣＶＤ法を用い、第１のＳｉＯ２膜１０２を１０ｎｍ成膜する。このときの成膜条件は、ウエハ温度４００℃、圧力３０Ｔｏｒｒ、Ｏ３流量１７６００ｓｃｃｍ、ＴＥＯＳ導入量２０００ｍｇｍである（図４（ａ））。
【００２８】
次に、第１のＳｉＯ２膜１０２を収縮させて膜厚勾配を形成するために、斜め上方に設置された電子線源から、電子線を電子線軸１０４に沿って照射する。このとき、ウエハを第１のウエハ回転軸１０６及び第２のウエハ回転軸１０８で回転させる。第１のウエハ回転軸１０６では、ウエハを９０°回転させ、電子線の入射角を０°から９０°まで回転させる。ここで入射角は、電子線軸１０４がウエハ面と垂直になる角を０°とする。また、第２のウエハ回転軸１０８では、ウエハを３６０°回転させる。ここで、第２のウエハ回転軸１０８は、第１のウエハ回転軸１０６の回転角にかかわらず、ウエハ面に対して垂直であるとする。
【００２９】
照射する電子線は３０ｋｅＶで加速させ、３ｍｉｎ間照射する。このときのウエハ温度は３５０℃に保つ。また、ウエハを第２のウエハ回転軸１０８，２０ｒｐｍで回転させ、第１のウエハ回転軸１０６で、入射角９０°から２０°まで、０．４ｄｅｇ／ｓｅｃで回転させる。これにより、溝下部の膜に比べて溝上部の膜に対してより多くのエネルギーが印加されるため、素子分離溝最上部に堆積されたＳｉＯ２は１０％収縮し、下部に堆積されたＳｉＯ２はほとんど収縮しないという、深さ方向に膜厚勾配をもつＳｉＯ２膜１１０を得ることができる。また、この際、照射するエネルギー源として、紫外線やイオンビームを用いることもできる（図４（ｂ））。
【００３０】
次に、ＳｉＯ２膜１１０上に再び同様の堆積工程を施し、ＳｉＯ２膜１１２を形成した後（図４（ｃ））、同様の電子線による収縮工程により収縮した膜厚勾配をもつ第２のＳｉＯ２膜１１４を得る（図４（ｄ））。さらに、この膜厚勾配をもつ第２のＳｉＯ２膜１１４上に、同様の堆積・収縮工程を３回繰り返す、即ち計５回の堆積・収縮工程により、ボイドの存在しない素子分離膜１１６が形成される（図４（ｅ））。
【００３１】
このように、素子分離溝に堆積された素子分離膜に対して、溝の上部に行くほど照射量が増えるように電子線を照射することにより、溝上部に行くほど膜厚が薄くなる膜厚勾配をもつ素子分離膜を形成することができ、この膜厚勾配をもつ素子分離膜を積層形成することにより、溝上部にオーバーハング形状の素子分離膜が形成されないため、高密度プラズマＣＶＤ法のように、スパッタを用いるものでないため、基板へのダメージを与えることなく、素子分離溝内にボイドを残存することなく素子分離膜を形成することができ、良好な電気的分離特性を得ることができる。
【００３２】
ここで、素子分離膜の堆積と収縮を別々に行なう場合について説明したが、堆積させながら同時に収縮させることも可能である。
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態として、溝下部膜厚が溝上部膜厚よりも大きい素子分離膜の形成に用いる装置について図５を用いて説明する。
【００３３】
図５は本発明に係る半導体装置の製造装置の構造を示す概略図である。
図５に示すように、本発明の半導体装置の製造装置は、一般的な準常圧ＣＶＤ装置と、エネルギー源である電子銃２１０、及びウエハ回転機構が一体となった構成をしている。ＣＶＤを行なうチャンバー２１８内には、ウエハを搭載し、回転可能なウエハステージ２０２が載置され、ウエハステージ２０２に載置されたウエハに電子銃２１０から任意の角度で電子線を照射することが可能となる構成である。
【００３４】
チャンバー２１８内のウエハステージ２０２は、温調を備えており、室温〜４５０℃の温度域で可変である。成膜に用いられるガスはガス導入口２０４より導入され、シャワープレート２０６により拡散されてウエハに噴射される。本発明で用いるガスはＯ３ガス、液体ＴＥＯＳを含んだＮ２ガスである。チャンバー２１８内に残留するガスは、排気口２０８より排気される。
【００３５】
このチャンバー２１８には電子銃２１０が具備されており、ウエハに電子線を照射することができるのが大きな特徴である。図５中２１２は、ウエハへの電子線軸をあらわしている。
【００３６】
ウエハステージ２０２は第１のウエハ回転軸２１４及び第２のウエハ回転軸２１６において稼動可能な第１のウエハ回転機構及び第２のウエハ回転機構を有する。第１のウエハ回転軸２１４ではウエハは９０°の回転が可能であり、電子線の入射角をこの範囲で変化させることができる。一方、トランジスタ素子形成面の中心から形成面に垂直な方向の第２のウエハ回転軸２１６では３６０°の回転が可能であり、電子線入射角を保ったまま、ウエハに任意の方向から電子線を入射することができる。ここで、第１のウエハ回転軸２１４での回転角は、電子線軸２１２が、ウエハ面と垂直となる角度を０°とする。
【００３７】
また、上記製造装置におけるエネルギー源として、ここでは電子銃を用いる場合について説明したが、紫外線源やイオンビーム発生器を設置することも可能である。
以上のように、本発明の半導体装置の製造装置は、ウエハに電子線を照射する電子銃と、ウエハに照射する電子線の角度を調整するウエハ回転機構を備えることにより、素子分離溝に対して、溝上部に行くほど膜厚が薄くなる膜厚勾配をもつ素子分離膜を形成することが可能となり、この膜厚勾配をもつ素子分離膜を積層形成することにより、溝上部にオーバーハング形状の素子分離膜が形成されないため、素子分離溝内にボイドを残存することなく素子分離膜を形成することができ、良好な電気的分離特性を得ることができる。
【００３８】
上記実施の形態においては、素子分離膜としてＳｉＯ２膜を用いる場合を例として説明したが、その他、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＯ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＮ膜等の絶縁膜を用いることも可能である。
【００３９】
また、積層する素子分離膜各層に膜厚勾配を形成する例について説明したが、溝上部にオーバーハング形状の素子分離膜が形成されない範囲で、少なくとも１層の素子分離膜に膜厚勾配を形成する構造でも同様の効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、素子分離溝内にボイドが発生することなく素子分離膜を形成することができ、半導体基板に形成した素子分離溝に絶縁膜を埋め込んで作製する素子分離領域を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法並びに半導体装置の製造装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る半導体装置の構造を示す断面図
【図２】本発明に係る半導体装置の素子分離膜の構造を示す断面図
【図３】本発明に係る半導体装置の素子分離膜の構造を示す要部拡大図
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図５】本発明に係る半導体装置の製造装置の構造を示す概略図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
【００４２】
２    Ｓｉ基板
４    ＭＯＳトランジスタ素子
６    素子分離領域
８    第１のＳｉＯ２膜
１０    第２のＳｉＯ２膜
１２    第３のＳｉＯ２膜
１４    第４のＳｉＯ２膜
１６    第５のＳｉＯ２膜
１８    溝上部膜厚
２０    溝下部膜厚
１０２    第１のＳｉＯ２膜
１０４    電子線軸
１０６    第１のウエハ回転軸
１０８    第２のウエハ回転軸
１１０    膜厚勾配をもつ第１のＳｉＯ２膜
１１２    第２のＳｉＯ２膜
１１４    膜厚勾配をもつ第２のＳｉＯ２膜
１１６    素子分離膜
２０２    ウエハステージ
２０４    ガス導入口
２０６    シャワープレート
２０８    排気口
２１０    電子銃
２１２    電子線軸
２１４    第１のウエハ回転軸
２１６    第２のウエハ回転軸
２１８    チャンバー
５０２    Ｓｉ基板
５０４    熱酸化膜
５０６    ＳｉＮ膜
５０８    素子分離溝
５１０    オーバーハング形状のＳｉＯ２膜
５１２    素子分離膜
５１４    ボイド
【図１】
2007208006.tif 000003
【図２】
2007208006.tif 000004
【図３】
2007208006.tif 000005
【図４】
2007208006.tif 000006
【図５】
2007208006.tif 000007
【図６】
2007208006.tif 000008