(57)【要約】【課題】本発明は、送信信号の送信特性を向上させることを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明の送信装置７は、基板８と、この基板８に配置されると共に送信信号を生成する半導体回路９と、基板８に配置されると共に半導体回路９の出力側に接続された増幅器１１と、基板８の辺に沿って配置されると共に増幅器１１の出力側に接続された伝送線路１２と、基板８に配置されると共に伝送線路１２の出力側に接続されたアンテナ端子１３とを有する。上記構成により、基板８の周縁部分を増幅器１１で増幅された送信信号が通過するので、送信信号が他の回路ブロックに混入することを抑制することができ、送信装置７の送信特性を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板に配置されると共に送信信号を生成する半導体回路と、
前記基板に配置されると共に前記半導体回路の出力側に接続された増幅器と、
前記基板の辺に沿って配置されると共に前記増幅器の出力側に接続された伝送線路と、
前記基板に配置されると共に前記伝送線路の出力側に接続されたアンテナ端子とを有する送信装置。
【請求項２】
前記アンテナ端子と前記増幅器とは、前記基板上の互いに対角となる位置に配置されている請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
前記増幅器と前記伝送線路と前記アンテナ端子とは、前記基板の同一面上に配置された請求項１に記載の送信装置。
【請求項４】
前記アンテナ端子と前記増幅器とは前記基板の異なる面に配置された請求項１に記載の送信装置。
【請求項５】
前記増幅器と前記伝送線路と前記アンテナ端子とは、前記基板の一辺に沿って配置された請求項１に記載の送信装置。
【請求項６】
前記半導体回路に基準発振信号を送信する発振回路を有し、
前記増幅器と前記発振回路とは、前記基板において対向するように配置された請求項１に記載の送信装置。
【請求項７】
前記基板の上面を覆うシールドケースを有し、
前記シールドケースは、前記アンテナ端子から送信される無線信号の波長以下の寸法である開口部を有する請求項１に記載の送信装置。
【請求項８】
前記半導体回路と前記増幅器とは前記基板の対向する面に配置されている請求項１に記載の送信装置。
【請求項９】
前記基板の下面に配置されたボール状の半田からなる接続端子を有し、
前記ボール状の半田径は、前記基板の下面に配置された前記半導体回路の高さよりも大きい請求項１に記載の送信装置。
【請求項１０】
受信装置が搭載された請求項１に記載の送信装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の送信装置が搭載された通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＡＮ通信等の無線通信に用いる送信装置とこれを用いた通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の送信装置について、図７を用いて説明する。送信装置１は、基板２上に配置された半導体回路３と、この半導体回路３の出力側に接続された増幅器４と、この増幅器４に接続された伝送線路５と、この伝送線路５に接続されたアンテナ端子６とを有していた。また、伝送線路５は基板２の上面の中央付近に配置されていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献として、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平８−３１６８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の送信装置１において、伝送線路５が基板２の中央付近に配置されていたため、増幅器４で大きく増幅された送信信号が送信装置１の中央付近を通ることになり、それに伴い送信信号が半導体装置３などの他の回路ブロックに混入し、送信装置１の送信特性が劣化するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、送信信号の送信特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の送信装置は、基板の辺に沿って配置されると共に増幅器の出力側に接続された伝送線路を有する。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成により、基板の周縁部分を増幅器で増幅された送信信号が通過するので、送信信号が他の回路ブロックに混入することを抑制することができ、送信装置の送信特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における送信装置７について、図１を参照しながら説明する。
【０００９】
図１において、送信装置７は、例えば、チップ型であり、パソコンや携帯電話等の通信機器（図示せず）に接続されて、ＬＡＮ通信等の無線通信に用いられる。この送信装置７において、基板８の上面側に、半導体回路９が設けられ、この半導体回路９の出力側には第１のフィルタ１０が高周波的に接続され、この第１のフィルタ１０の出力側には増幅器１１が高周波的に接続され、増幅器１１の出力側には伝送線路１２が高周波的に接続され、この伝送線路１２の出力側にはアンテナ端子１３が接続されている。なおここでいう基板８の上面とは、図１に示される基板８の面を指す。
【００１０】
基板８は、例えば、方形であり、ガラスエポキシなどの樹脂からなる多層基板である。送信装置７の薄型化のため、通常、基板８は厚さ０．５ミリメートル以下である。
【００１１】
半導体回路９は、送信信号を生成し、ＣＭＯＳプロセスの大規模集積化回路で構成したＩＣからなる。この半導体回路９には、メモリ１４と発振回路１５とバス１６とが接続されている。なお、半導体回路９には、送信信号を生成する回路の他に受信回路、信号処理回路、無線ＬＡＮ用ＭＡＣ（Ｍｅｄｉａ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路、ＳＤＩＯ、ＳＰＩ、ＵＡＲＴ、１２Ｃ、ＧＰＩＯ、マイコン、ＪＴＡＧ等が搭載されていても良い。
【００１２】
メモリ１４は、半導体回路９に接続され、ＲＡＭやＲＯＭ等の不揮発性メモリである。  
【００１３】
発振回路１５は、半導体回路９の入力側に接続され送信装置７に基準用発振器として用いられる。なお水晶振動子を用いて構成された発振回路１５は、１００ＭＨｚ以下の周波数、例えば４０ＭＨｚの発振周波数を有している。
【００１４】
第１のフィルタ１０は、誘電体材料から成るフィルタであり、所望の周波数帯域を通過させる。この第１のフィルタ１０と送信信号を生成する半導体回路９との接続は平衡型接続であり、これにより、半導体回路９から出力されるコモンモードノイズを除去することができる。
【００１５】
増幅器１１は、入力された送信信号をアンテナ端子１３に必要な送信出力レベルまで増幅する。この増幅器１１は、化合物半導体プロセスで集積化したＩＣであり、Ｉｄｓｓを制御する為のコントロール電圧端子が設けられた２ステージのデバイスである。
【００１６】
伝送線路１２は、増幅器１１で増幅された送信信号をアンテナ端子１３へ供給する。伝送線路１２はマイクロストリップライン形状で、その幅は略７０マイクロメートル、特性インピーダンスが５０Ω若しくは５０Ωより大きな値である直線からなるラインである。この伝送線路１２は、基板８の辺に沿って配置されている。これにより、基板８の周縁部分を送信信号が通過するので、送信信号が他の回路ブロックに混入することを抑制することができ、送信装置７の送信特性を向上させることができる。特に、送信装置７がチップ型等の小型送信装置の場合、伝送線路１２を基板８の辺に沿って配置させることにより、増幅器１１により増幅された送信信号の他のブロックへの混入を抑制することができる。なお、伝送線路１２は、直線で無いマイクロストリップライン形状やストリップライン形状でも良い。なお、伝送線路１２の一部が方向性結合器（図示せず）である場合、増幅器１１で増幅された送信信号の一部を取り出す事も可能である。その取り出された一部の送信信号を、検波回路（図示せず）を介して送信信号を生成する半導体回路１０に入力することで送信信号出力レベルの安定化を図ることが可能となる。
【００１７】
アンテナ端子１３は、コネクタ、基板８のスルーホール、又は半田などの導電体からなる。このアンテナ端子１３は、このアンテナ端子１３の出力側に設けられたアンテナ（図示せず）へ送信信号を供給する。さらに、このアンテナ端子１３と増幅器１１とは、図１に示すように方形の基板８上で互いに対角となる位置に配置されているのが望ましい。これにより、増幅器１１で増幅された送信信号がアンテナ端子１３に対し結合するのを抑制することができる。
【００１８】
また、増幅器１１と伝送線路１２とアンテナ端子１３とを、基板８の同一面上に配置するのが望ましい。これにより、信号が伝送線路１２の途中において基板８の上面と下面とを電気的に接続するビアを経由しないので、伝送ロスを低減することができる。
【００１９】
なお、アンテナ端子１３と増幅器１１とを基板８の異なる面に配置しても良い。これにより、増幅器１１で増幅された送信信号がアンテナ端子１３に対し結合するのを抑制することができる。
【００２０】
さらにまた、増幅器１１と伝送線路１２とアンテナ端子１３とは、基板８の一辺に沿って配置されていても良い。これにより、伝送線路１２が一直線になり、伝送線路１２の不連続部がなくなるので、伝送線路のインピーダンスが不連続となることを防止することができる。また、伝送線路１２の不連続部から生じる送信信号の反射も防止でき、増幅器１１で増幅された送信信号のレベル低下や歪みを抑制することができる。
【００２１】
なお、図１に示すように、大信号の振幅レベルを出力する増幅器１１と発振回路１５とは、方形の基板８において任意のコーナーに対向するように各々配置されているのが望ましい。これにより、増幅器１１と発振回路１５との距離が離れるので、互いの電磁結合や干渉を抑制することができる。
【００２２】
（実施の形態２）
以下、本実施の形態における送信装置について図２を参照して説明する。なお、特に説明しない限り、その構成と効果は実施の形態１と同様である。
【００２３】
実施の形態２における実施の形態１との相違点は、図２に示されるように、半導体回路９からアンテナ端子１３までの送信経路の途中のスイッチ１７から伸びた受信経路を有する点である。すなわち、スイッチ１７の受信経路側端子には低雑音増幅器１８が高周波的に接続され、この低雑音増幅器１８の出力側には第３のフィルタ１９が高周波的に接続され、この第３のフィルタ１９の出力側に半導体回路９が高周波的に接続されている。また、スイッチ１７とアンテナ端子１３との間には第２のフィルタ２０が接続されている。
【００２４】
第２のフィルタ２０は、誘電体材料から成るプレーナフィルタであり、アンテナ端子１３からの信号のうち、所望の周波数帯の信号を通過させる。また、この第２のフィルタ２０は磁性材料から成る構成でも良い。
【００２５】
スイッチ１７は、化合物半導体プロセスにより集積化されたＩＣであり、半導体回路９から増幅器１１や伝送線路１２などを通る送信経路と低雑音増幅器１８などを通る受信経路とを切り替える。スイッチ１７は、ＰＩＮダイオードを用いた回路でも良い。
【００２６】
低雑音増幅器１８は、微小な受信信号を増幅する。この低雑音増幅器１８は、化合物半導体プロセスで集積化されたＩＣ若しくはバイポーラトランジスタで構成され、その電気的性能は、利得１０ｄＢ以上、雑音指数２ｄＢ以下、３次相互変調歪み特性（以下、ＩＩＰ３ｉｎ）−５ｄＢｍ以上の特性を有する。
【００２７】
第３のフィルタ１９は、チップ部品から成るハイパスフィルタである。これにより、所望外の周波数を選択的に除去する事で、例えば携帯電話などの他システムと同時動作させることができる。
【００２８】
基板８の側面の切り欠き部２１〜２４は、基板８の上面を覆うシールドケースを取り付けるために基板８のコーナー付近に設けられており同時に送信装置７のグランド接地機能も兼ねている。また、この切り欠き部２１の近くに増幅器１１を配置することにより、切り欠き部２１を増幅器１１のサーマルビアとして機能させることもでき、結果として送信装置７の放熱効果を向上させることが可能となる。
【００２９】
また、図３に示すようにシールドケース２５には、開口部２６が設けられており、この開口部２６により基板８に実装した部品がシールドケース２５に接触することを防止する。本実施の形態２ではメモリ１４の上部でシールドケース２５に方形の開口部２６が設けられている。その開口部２６の一辺の寸法を、アンテナ端子１３から送受信される無線信号の波長以下とすることにより、シールドケース２５内の電子部品に対する無線信号の直接干渉を抑制することができる。
【００３０】
なお、図４に示すように、第２のフィルタ２０に接続された第２のスイッチ２７と、この第２のスイッチ２７に接続された第１のアンテナ端子２８及び第２のアンテナ端子２９の２つのアンテナ端子とを送信装置７に配置しても構わない。これにより、受信装置が搭載された送信装置７で、ダイバーシティ受信が可能となる。なおダイバーシティ機能は、本実施の形態では受信時で機能させているが、送信時でも機能させることができる。
【００３１】
また、半導体回路９は、図５に示すように、基板８の増幅器１１が実装されている面の裏面に配置されていても良い。半導体回路９で生成された送信信号は、基板８の上面と下面を直流的に電気接続する第１のスルーホール３０を介して第１のフィルタ１０に供給される。また受信信号は、第２のスルーホール３１を介して半導体回路９に供給される。この構成により、半導体回路９のデジタルノイズが、増幅器１１に混入するのを抑制することができ、結果として送信信号の歪み特性の劣化を抑制することが可能となる。
【００３２】
さらに、図６に示すように、ボール状の半田からなる接続端子３２が基板８の下面の辺に沿って並べられている。このとき、ボール状の半田径（Ｌ１）は、半導体回路９の部品高さ（Ｌ２）よりも大きい。これにより、接続端子３２がインターフェースを構成する各端子と半導体回路９を支える柱との両機能を兼ねることになる。その結果、送信装置７を他の基板に実装する際に、接続端子３２間の隙間から送信装置７の下にアンダーフィル剤を注入することが可能となり、送信装置７の耐落下衝撃強度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明の送信装置は、送信装置の送信特性を向上させることができ、携帯端末用や車に搭載される受信機器用として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態１における送信装置の上面図
【図２】本発明の実施の形態２における送信装置の上面図
【図３】本発明の実施の形態２における送信装置の上面図
【図４】本発明の実施の形態２における送信装置の上面図
【図５】本発明の実施の形態２における送信装置の上面図
【図６】本発明の実施の形態２における送信装置の側面断面図
【図７】従来の送信装置の上面図
【符号の説明】
【００３５】
７  送信装置
８  基板
９  半導体回路
１１  増幅器
１２  伝送線路
１３  アンテナ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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