(57)【要約】【課題】平面型画像表示装置の蛍光面の高輝度化と長寿命化を図る。【解決手段】蛍光面を備えた前面基板２と、電子源１０をマトリクス状に備えた背面基板１とを支持体３を介して対向配置し、両基板１，２と支持体３とを気密封着した平面型画像表示装置で、前記蛍光面を構成する蛍光膜の膜密度、蛍光体粒径、膜厚及び蛍光膜形成方法を特定した。【選択図】図４
2007184165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在してこの第１の方向と交差する第２の方向に並設された複数の第１配線と、この第１配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との交叉部近傍に設けられ前記第１配線と前記第２配線に接続した電子源とを有する背面基板と、
この背面基板と所定の間隔を隔てて対向配置された前面基板と、この前面基板の前記背面基板と対向する内表面に複数の窓部を備えて配置されたブラックマトリクス膜と、このブラックマトリクス膜の前記複数の窓部を覆って配置される蛍光体層と、この蛍光体層を覆うメタルバック層と
前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を囲繞して介挿され、前記所定の間隔を保持する支持体と、
前記支持体の端面と前記前面基板及び背面基板の少なくとも一方と気密封着する封着部材とを具備し、
前記蛍光体層の平均膜密度が２．０ｇ／ｃｍ3〜３．４ｇ／ｃｍ3であることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項２】
前記蛍光体層の蛍光体粒子平均粒経が４μｍ〜９μｍであることを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項３】
前記蛍光体層の蛍光体粒子平均粒経が５μｍ〜８μｍであることを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項４】
前記蛍光体層の蛍光体粒子平均粒経が６μｍ〜７μｍであることを特徴とする請求項１に記載の平面型画像表示装置。
【請求項５】
前記蛍光体層の厚さが前記蛍光体粒子平均粒経の１．８〜３．０倍であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項６】
前記蛍光体層の厚さが１０μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項７】
前記蛍光体層の蛍光体粒子の真密度が４．０ｇ／ｃｍ3〜５．１ｇ／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項８】
前記電子源が、下部電極と上部電極及びこれら下部電極と上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と上部電極間に電圧を印加することで前記上部電極より電子を放出する薄膜型電子源アレイであることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項９】
前記電子源が、電子放出部を有する導電性膜を備えた電子放出素子であることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項１０】
前記電子源が、少なくともカーボンナノチューブからなることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の平面型画像表示装置。
【請求項１１】
第１の方向に延在してこの第１の方向と交差する第２の方向に並設された複数の第１配線と、この第１配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との交叉部近傍に設けられ前記第１配線と前記第２配線に接続した電子源とを有する背面基板と、
この背面基板と所定の間隔を隔てて対向配置された前面基板と、この前面基板の前記背面基板と対向する内表面に複数の窓部を備えて配置されたブラックマトリクス膜と、このブラックマトリクス膜の前記複数の窓部を覆って配置される蛍光体層と、この蛍光体層を覆うメタルバック層と、前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を囲繞して介挿され、前記所定の間隔を保持する支持体と、この支持体の端面と前記前面基板及び背面基板の少なくとも一方とを気密封着する封着部材とを具備する平面型画像表示装置の製造方法において
前記蛍光体層を平均粒経が４〜９μｍ、真密度が４．０〜５．１／ｃｍ3の蛍光体粒子を含む蛍光体ペーストを用いてスクリーン印刷により形成する工程を備えたことを特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前面基板と背面基板の間に形成される真空中への電子放出を利用した平面型の画像表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性をもつと共に軽量、省スペースの平面型画像表示装置（フラット・パネル・ディスプレイ、ＦＰＤ）の要求が高まっている。
【０００３】
その典型例として液晶表示装置、プラズマ表示装置などが実用化されている。又、特に、高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した自発光型表示装置、例えば電子放出型平面型画像表示装置、又は電界放出型平面型画像表示装置と呼ばれるものや、低消費電力を特徴とする有機ＥＬディスプレイなど、種々の平面型画像表示装置の実用化も図られている。
【０００４】
平面型画像表示装置の中、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、電子源をマトリクス状に配置した構成が知られており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する前述した電子放出型平面型画像表示装置も知られている。
【０００５】
又、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、その冷陰極に、スピント型、表面伝導型、カーボンナノチューブ型、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などが用いられる。
【０００６】
ＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献１、特許文献２に開示されたものが知られている。また、金属―絶縁体―半導体型電子源については非特許文献１で報告されたＭＯＳ型、金属―絶縁体―半導体−金属型電子源に関しては、非特許文献２などで報告されたＨＥＥＤ型電子源、非特許文献３などで報告されたＥＬ型電子源、非特許文献４などで報告されたポーラスシリコン型電子源などが知られている。
【０００７】
電子放出型ＦＰＤは、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面基板とを対向させ、両基板の対向する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠となる支持体とで構成される表示パネルが知られている。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて動作させる。
【０００８】
電子放出型の平面型画像表示装置では、第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１配線（例えば、カソード配線、画像信号配線）と、この第１配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２配線（例えば、ゲート配線、走査信号配線）と、前記第１配線と前記第２配線との交叉部近傍に設けられた電子源とを有する背面基板を備え、この背面基板は絶縁材からなる基板を有し、この基板上に前記配線が形成されている。
【０００９】
この構成で前記走査信号配線には走査信号が順次印加される。又、この基板上には走査信号配線と画像信号配線を前記電子源とそれぞれ接続する接続配線が設けられ、電子源に電流が供給される。この背面基板と対向して、前記対向する内面に複数色の蛍光体層と陽極とを備えた前面基板を有している。前面基板は、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。そして、両基板の貼り合せ内周縁に封止枠となる支持体を介挿して封止し、当該背面基板と前面基板及び支持体で形成される内部空間の表示領域を真空にして構成される。
【００１０】
電子源は前述のように第１配線と第２配線の交差部近傍に位置し、第１電極と第２電極との間の電位差で電子源からの電子の放出量（放出のオン・オフを含む）を制御する。放出された電子は、前面基板に位置する陽極に印加される高電圧で加速され、特許文献３に開示されたように、前面基板に有する蛍光体層に射突して励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。
【００１１】
個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（R）、緑（G）、青（B）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【００１２】
前述したような平面型画像表示装置では、一般的に背面基板と前面基板間の前記支持体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材（以下スペーサと言う）が配置固定され、前記両基板間の間隔を前記支持体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００１３】
又、封止枠となる支持体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着されている。両基板と支持体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒである。
【００１４】
支持体と基板との封止領域には、背面基板に形成された第１配線や第２配線が貫通し、これら第１及び第２配線の先端部には第１配線引出端子や第２配線引出端子を有する。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特開２００３−１９７１３５号公報
【特許文献４】特開２００４−１２７７７２号公報
【非特許文献１】ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｏｎｏｌ．Ｂ１１（２）ｐ．４２９−４３２（１９９３）
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ３６、ｐＬ９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理  第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献３に開示されたような構成の平面型画像表示装置では、前面基板の蛍光体層に、背面基板側に配置された電子源から発射された電子ビームを加速して射突させ、励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。この発光原理は、カラー陰極線管と同様である。
【００１６】
一方、前記特許文献３に開示されたような構成の平面型画像表示装置では、前記加速電圧が１０ｋＶ程度以下で、これは前記カラー陰極線管の３０ｋＶ程度の加速電圧に比較して数分の１以下程度となっている。この加速電圧の差は、蛍光体層への電子線侵入距離が浅くなり、又蛍光体粒子表面の帯電が増加しやすい傾向となり、それによる蛍光面の輝度低下及び蛍光体粒子寿命の低下をもたらす。
【００１７】
本発明の目的は、蛍光面の輝度低下及び蛍光体粒子寿命低下を阻止し、高輝度で信頼性の高い長寿命の平面型画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため本発明では、対向する基板の一方にＢＭ膜、蛍光体層及びメタルバックを配置し、他方の基板にマトリクス状に配置した電子源を備えた平面型画像表示装置で、前記蛍光体層の平均膜密度を２．０ｇ／ｃｍ3〜３．４ｇ／ｃｍ3の構成とした。これらの構成とした平面型画像表示装置に、画像信号駆動回路、走査信号駆動回路、その他の周辺回路を組み込んで自発光平面表示装置を構成する。
【発明の効果】
【００１９】
蛍光体層を高密度化することで電子線利用効率が高くなり、蛍光体層全体からの発光を可能として蛍光面の高輝度化を図ることができ、高輝度、長寿命の平面型表示装置を得ることが出来る。又、蛍光体粒子の帯電を軽減して蛍光体粒子の劣化を防止し、蛍光面の高輝度化、長寿命化を図ることができ、高輝度、長寿命の平面型表示装置を得ることが出来る。更に、電子線による基板の劣化を防止でき、高輝度、長寿命の平面型表示装置を得ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１乃至図５は本発明の平面型画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った模式平面図、図３は図２のＢ−Ｂ線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図、図４は図３の蛍光面の一部を拡大して示す模式断面図、図５は図４の一部を拡大して示す模式断面図である。
【００２２】
これら図１乃至図５において、参照符号１は背面基板、２は前面基板で、これら両基板１、２は厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板から構成され、両基板共に略矩形状を呈し、所定の間隔を隔てて積層されている。３は枠状を呈する支持体で、この支持体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。
【００２３】
この支持体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面を両基板１、２と気密接合されている。この支持体３の厚さＴＳＫは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。５は封着部材で、この封着部材５は例えばフリットガラスから構成され、前記支持体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。
【００２４】
前記支持体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた空間の表示領域６は前記排気管４を介して排気され例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられてこの背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。
【００２５】
参照符号８は映像信号配線で、この映像信号配線８は前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号配線８は表示領域６から支持体3と背面基板１との接合領域を気密に貫通し、背面基板１の長辺側の端部まで延在し、その先端部を映像信号配線引出端子８１としている。
【００２６】
参照符号９は走査信号配線で、この走査信号配線９は前記映像信号配線８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。この走査信号配線９は表示領域６から支持体3と背面基板１との接合領域を気密に貫通し、背面基板１の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子９１としている。
【００２７】
参照符号１０は電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の各交差部近傍に設けられ、この電子源１０は前記走査信号配線９及び前記映像信号配線８と接続配線１１、１１Ａでそれぞれ接続されている。又、前記映像信号配線８と、電子源１０及び前記走査信号配線９間には層間絶縁膜ＩＮＳが配置されている。
【００２８】
ここで、前記映像信号配線８は例えばＡｌ（アルミニウム）膜、走査信号配線９は例えばＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜等が用いられる。又、前記配線引出端子８１、９１は電極の両端に設けられているが、何れか一端のみに設けても良い。
【００２９】
次に、参照符号１２はスペーサで、このスペーサ１２はセラミックス材等の絶縁材料からなり、抵抗値の偏在が少なく、かつ長方形の薄板形状に整形された絶縁性基体１２１と、この絶縁性基体１２１の表面を覆い、かつ抵抗値の偏在の少ない被膜層１２２から構成されている。このスペーサ１２は１０8〜１０9Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。
【００３０】
スペーサ１２は前記支持体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。スペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００３１】
このスペーサ１２の寸法は基板寸法、支持体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した支持体３と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下、長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、好ましくは８０ｍｍ乃至１２０ｍｍ程度が実用的な値となる。
【００３２】
スペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層１５が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１６で区画されて配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）１７が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。
【００３３】
前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。
【００３４】
この蛍光面構成を図４と図５で更に詳細に説明する。前面基板２の内面にはブラックマトリクス膜１６が複数の窓部１６１を備えて被着形成されている。このブラックマトリクス膜１６の窓部１６１を塞ぎ、かつ背面の一部まで延在して緑蛍光体層１５Ｇ、青蛍光体層１５Ｂ、赤蛍光体層１５Ｒがそれぞれ配置されている。更に、この蛍光体層１５の背面にはメタルバック１７が膜状に被着形成されている。
【００３５】
この蛍光体層１５は平均膜密度が２．０ｇ／ｃｍ3〜３．４ｇ／ｃｍ3となっており、この蛍光体層１５の蛍光体粒子１５１の平均粒径は４μｍ〜９μｍとなっている。更に、膜厚は１０μｍ〜２０μｍか、若しくは前記蛍光体粒子１５１の平均粒径の１．８〜３．０倍の膜厚となっている。又、各色の蛍光体層１５Ｇ〜１５Ｒは蛍光体粒子１５１として真密度が４．０ｇ／ｃｍ3〜５．１ｇ／ｃｍ3の範囲内のものを用いている。
【００３６】
この真密度は、前述した赤色用蛍光体のＹ2Ｏ3：Ｅｕは５．１ｇ／ｃｍ3、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕは４．９ｇ／ｃｍ3、又、緑色用蛍光体のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌは４．１ｇ／ｃｍ3、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂは４．６ｇ／ｃｍ3、更に、青色用蛍光体としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌは同色のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌと同じ４．１ｇ／ｃｍ3となっており、これらの蛍光体を使用する。
【００３７】
この蛍光面上に前記電子源１０から放射される電子を加速し、対応する画素を構成する蛍光体層１５に射突させる。これにより、該蛍光体層１５が所定の色光で発光し、他画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。この発光の取り出し効率を上げることが画像表示装置の輝度向上にとって重要である。
【００３８】
又、メタルバック１７は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子１５１表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。又、このメタルバック１７は面電極として示してあるが、走査信号配線９と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。
【００３９】
図６は蛍光体層１５の平均膜密度と輝度比との関係を示す図で、平均粒径が４μｍ〜９μｍ、真密度が４．０ｇ／ｃｍ3〜５．１ｇ／ｃｍ3の蛍光体を用い、膜厚１５μｍの蛍光体層を加速電圧７ｋＶで動作させた数値を示している。図６から明らかなように、平均膜密度が２．０ｇ／ｃｍ3未満の低密度膜では、電子線が蛍光体粒子に衝突し弾性散乱、非弾性散乱により多重反射し、前面基板２へエネルギーが吸収される量が無視できなくなるため高輝度が得られ難い。
【００４０】
一方、２．０ｇ／ｃｍ3を超えるような高密度膜では、電子線が蛍光体粒子に衝突し前述の低密度膜と同様に弾性散乱、非弾性散乱により多重反射は発生するが、反射電子の殆どが再度蛍光体の発光に利用されるため高輝度が得られる。又、電子線が蛍光体層に衝突すると蛍光体粒子表面が帯電し輝度低下が生じやすい現象が見られる。
【００４１】
高密度膜は蛍光体粒子とメタルバックとの接触点が低密度膜に比べて多く、放電し易い膜構造となっており、帯電による輝度低下は防止できる。更に、電子線の衝突により一部は発熱エネルギーに変換され、これにより蛍光体粒子が温度上昇し、輝度低下の原因となっている。
【００４２】
この発熱エネルギーは蛍光体粒子の熱伝導と熱輻射により前面基板に放熱され、温度上昇を阻止して輝度低下を回避する手段が採られている。ところが、平均膜密度が２．０ｇ／ｃｍ3未満の低密度膜では、蛍光体粒子相互の接触点が少なく、このため熱伝導による放熱は期待できず、熱輻射による放熱に全面的に依存せざるを得ない問題があり、温度上昇の抑制に限界があって輝度低下の回避は困難であった。
【００４３】
これに対し、平均膜密度が２．０ｇ／ｃｍ3を超え、３．４ｇ／ｃｍ3以下の高密度膜では蛍光体粒子相互の接触点が前述の低密度膜に比べて多く、このため熱伝導と熱輻射の合算された放熱機構となり、放熱性能が向上して温度上昇を抑制し、発熱による輝度低下を回避可能としている。これらを図７及び図８により更に詳細に説明する。
【００４４】
図７は、蛍光体粒子層数と配列形状を示す模式図である。図７（ａ）は１層膜の蛍光体粒子配列、図７（ｂ）は１層膜の断面、図７（ｃ）は２層膜の蛍光体粒子配列、図７（ｄ）は２層膜の断面をそれぞれ示す図、図８は蛍光体粒子の層数と輝度比との関係を示し、平均粒径が４μｍ〜９μｍ、真密度が４．０ｇ／ｃｍ3〜５．１ｇ／ｃｍ3の蛍光体を用い、蛍光体層を加速電圧７ｋＶで動作させた数値を示している。
【００４５】
先ず、蛍光体層の形成で、図７（ａ）に示すように粒径の揃った蛍光体粒子１５１を前面基板２の内表面に１層に並べ、これを図７（ｂ）に示すように背面基板側から観察すると、蛍光体粒子１５１間に前面基板２の内表面が露呈する空隙部分１５２の点在が確認できる。この空隙部分１５２の合算面積は全面の約１０％である。この面積比は蛍光体粒子１５１の平均粒径が揃っていれば粒径によらず一定である。この状態では、蛍光体粒子１５１に直接衝突しない電子が約１０％存在し、これに伴う輝度低下は否めない。
【００４６】
又、蛍光体粒子相互は隣接の粒子と点接触の状態にあり、したがって、熱伝導による放熱は殆ど期待できず、熱輻射による放熱のみとなり、蛍光体粒子の温度上昇による輝度低下は回避できない。
【００４７】
これらの原因による輝度低下を解決するには、前記空隙部分１５２を低減若しくは皆無とすればよく、これは図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、１層目の上（背面側）に蛍光体粒子１５１が安定化する位置に更に蛍光体粒子１５１を重ねて並べ、２層膜以上とすることで前記空隙部分１５２の面積比は全面の１％以下とすることが出来、又、蛍光体粒子相互は隣接する粒子との接触面積が１層に比べて増加し熱伝導性も増大する。
【００４８】
一方、２層膜の膜厚ｄ２は下層の蛍光体粒子間に上層の蛍光体粒子が配置される構成となり蛍光体粒子径ｄ１の１．８倍（１．８ｄ１）程度となる。この関係は更に多層となっても同様である。層数が２層以上となると空隙部分１５２が略皆無となり、これにより電子線が前面基板に直接衝突する確率は略０％とすることができるため輝度比は向上する。
【００４９】
このような蛍光体粒子の重畳により、例えば２層膜では図８に示すように輝度比は略１に近い値となり、輝度比は１層膜に比べて０．２程度改善される。この層数が更に増加すれば前記空隙部分１５２は皆無となり輝度向上が期待できるが、４層程度以上となれば電子線の侵入が阻害され、蛍光体層の前面基板面付近の下層を電子線で発光させることができず、光透過率を下げる傾向を示すため、輝度低下の要因となる。したがって、層数としては２．０〜３．５程度が望ましい。
【００５０】
このように、多層構造で高密度膜では輝度向上、長寿命化が可能となるが、平均膜密度が３．４ｇ／ｃｍ3を超えると技術的にも経済的にも実用性が低下する傾向にある。これは、例えば赤色蛍光体Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、緑色蛍光体Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ及び青色蛍光体ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌでは、その真密度は、それぞれ５．１ｇ／ｃｍ3、４．６ｇ／ｃｍ3及び４．１ｇ／ｃｍ3であるが、この３種類の蛍光体が均一な粒度分布の蛍光体粒子で、かつ最密膜構造とした場合、平均膜密度は理論値として３．７ｇ／ｃｍ3となる。
【００５１】
この理論値に近くなるほど高密度膜となり、高輝度が得られると推測されるが、均一な粒子分布蛍光体の入手の困難性及び膜製造技術の観点等から、最大の平均膜密度は３．４ｇ／ｃｍ3が技術的にも経済的にも実用上望ましい値である。
【００５２】
図９は、蛍光体層１５の蛍光体粒径と輝度比との関係を示す図である。図９は真密度が４．０ｇ／ｃｍ3〜５．１ｇ／ｃｍ3の蛍光体を用い、平均膜密度を２．０ｇ／ｃｍ3〜３．４ｇ／ｃｍ3で膜厚１５μｍの蛍光体層を加速電圧７ｋＶで動作させた数値を示している。
図９において、粒径が４μｍより小さくなると輝度比が急激に低下し、４μｍより小粒径の蛍光体の使用は望ましくない傾向にある。
【００５３】
一方、蛍光体粒子は大きいほど結晶性が良好であるため、前記特許文献４に開示されたカラー陰極線管では５〜９μｍが用いられているが、通常は更に大粒径の例えば１２μｍ程度のものも使用されている。
【００５４】
これに対し、本発明ではカラー陰極線管に比べて低電圧、例えば１０ｋＶ程度以下の印加電圧であり、このため蛍光体層への電子線入射距離が短くなり、輝度は蛍光体比表面積に依存するようになる。このことは、小粒子蛍光体ほど有利になる傾向にあり、前記結晶性と比表面積から最大粒径は９μｍ以下が望ましい。
【００５５】
更に、前述した蛍光体粒子の積層数と膜厚との関係から、粒径が９μｍを超えると輝度低下が避けられず、したがって、粒径としては実用上４μｍ〜９μｍ、望ましく５μｍ〜８μｍ、更には６μｍ〜７μｍであればより一層好ましい。
【実施例２】
【００５６】
図１０は本発明の平面型画像表示装置の製造方法を説明する工程図であり、前述の図と同じ部分には同一記号を付してある。図１０において、前面基板２の基板ガラスにブラックマトリクス（ＢＭ）膜１６を形成する。このＢＭ膜１６は例えば図４に示すように複数の窓部１６１を備えている。次に、このＢＭ膜１６上に３色の蛍光体層１５（１５Ｂ、Ｇ、Ｒ）を所定のパターンで前記窓部１６１を塞ぎそれから外側に延在する形状に形成する。この形成はスクリーン印刷によって行うのが好ましい。
【００５７】
次に、前記蛍光体層１５及び露呈しているＢＭ膜１６を覆うようにフィルミング膜を形成する。このフィルミング膜は後工程で焼失、除去する。
【００５８】
次に、このフィルミング膜を覆うようにメタルバック層１７を形成する。このメタルバック層１７は電子線を透過し、光反射特性を備えている。
【００５９】
次に、パネルベークを行い、前記フィルミング膜を焼失、除去して前面基板２を形成する。
【００６０】
「比較例１」
図１０の工程に従い先ず前面基板ガラスにＢＭ膜１２、緑色蛍光体層１５Ｇ、青色蛍光体層１５Ｂ、赤色蛍光体層１５Ｒ、有機平滑膜、メタルバック膜１７の順に形成する。ＢＭ膜から有機平滑膜までは従来公知の方法により形成することができる。ここでは１７型ガラス基板について記載するが、他のサイズについても同様である。
【００６１】
先ず、前面基板ガラス上に酸化クロムと金属クロムをスパッタリング方法によりそれぞれ５０ｎｍと２００ｎｍの厚さで2層膜を形成した。その後フオトリソによりこの2層膜のパターニングを行い、窓部１６１を備えたＢＭ膜１６を形成した。
【００６２】
次に、平均粒径６μｍの緑色蛍光体ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌをセルロース系樹脂と酢酸２―(２−ｎーブトキシエトキシ)エチルからなる分散媒にミル分散させた緑蛍光体ペ一ストを用い、スクリーン印刷方法により緑蛍光体層１５Ｇのパターン形成を行った。
【００６３】
同様に、平均粒径６μｍの青色蛍光体ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌによる青色蛍光体層１５Ｂと、平均粒径６μｍの赤色蛍光体Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕによる赤色蛍光体層１５Ｒのパターンをそれぞれスクリーン印刷方法により形成した。このときの蛍光体層膜厚はそれぞれ１５μｍであった。その後、アクリル／セルロ一ス樹脂と高沸点溶媒からなるインクを蛍光体層１５上のみにパターン印刷し、乾燥させ、有機平滑膜(フィルミング膜)を形成した。このときのフィルミング膜の表面粗さＲｚは１０μｍであった。
【００６４】
このフィルミング膜上にメタルバック層を形成する。この形成には従来公知のDCマグネトロンスパッタ方式を利用し、アルミニウムターゲットとアルゴン放電ガスにて形成した。形成条件は、平坦なガラス基板に積層速度５Å／Ｓで２００秒間積層したとき、膜厚１００ｎｍが形成される条件を設定した。
【００６５】
この条件で前記表面粗さ１０μｍのフィルミング膜にスパッタ成膜し、アルミニウム膜厚７０ｎｍ、単位面積当たりアルミニウム質量２５μｇ／ｃｍ2、膜密度２．５ｇ／ｃｍ3のメタルバック層１７を得た。このときの膜厚はＦＥ―ＳＥＭのＳ−５０００(日立製作所製)で、又、面積当たり質量はメタルバック膜を剥離後塩酸に溶解させＩＣＰ発光分光光度法で測定した。更に、膜密度は膜厚と面積当たり質量から計算により求めた。
【００６６】
ここで、アルミニウム膜厚が前記条件設定時の平滑基板よりも薄くなるのは、フィルミング膜の表面凹凸により表面積が増加するためである。このフィルミング完の表面粗さＲｚと表面積増加比とは一定の関係がある。このことは、平滑基板で条件設定する場合、下地の表面粗さを考慮する必要がある。又、アルミニウム膜の積分反射率は、分光光度計Ｕ―３３００（日立製作所製  積分球の内壁は硫酸バリウム;リファレンスはアルミナ）で測定の結果、９０％の高反射特性を示した。
【００６７】
一方、蛍光体層はパネルベークにより蛍光膜中の有機物とフィルミング膜を焼失させ、蛍光膜を剥がして単位面積当たりの膜質量から求めた平均膜密度は２．８ｇ／ｃｍ3であった。この膜密度はアルミニウム膜分は差し引いたものである。このような構成からなる蛍光面を備えた前面基板と、ＭＩＭ型電子源を備えた背面基板とを組み合わせて平面型画像表示装置とした。
【００６８】
一方、比較用として蛍光体層形成をスラリー回転塗布方式(平均膜密度１．９ｇ／ｃｍ3)とした以外は前述と同一仕様の平面型画像表示装置を用意し、両装置を７ｋＶの印加電圧で駆動し輝度を測定した。その結果、平均膜密度１．９ｇ／ｃｍ3の蛍光膜を持つ比較用表示装置に対し、本発明の表示装置の輝度が１０％向上した。
【００６９】
「比較例２」
比較例１と同一仕様でＢＭ膜まで形成し、続いて平均粒径４μｍの緑色蛍光体Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂをセルロース系樹脂と酢酸２一(２−ｎ一ブトキシエトキシ)エチルからなる分散媒にミル分散させて緑色蛍光体ペ一ストとし、これを用いてスクリーン印刷方法により緑色蛍光体層１５Ｇのパターン形成を行った。同様に青色蛍光体ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌによる青色蛍光体層１５Ｂと、赤色蛍光体Ｙ2Ｏ3：Ｅｕによる赤色蛍光体層１５Ｒのパターンを夫々形成した。このときの蛍光体膜厚は夫々１１μｍとした。
【００７０】
その後、アクリル／セルロ一ス樹脂と高沸点溶媒からなるインクを蛍光体層１５上のみにパターン印刷し、乾燥させ、有機平滑膜(フィルミング膜)を形成した。このときのフィルミング膜の表面粗さＲｚは７μｍであった。その後比較例１と同様にメタルバック膜の形成、パネルベークを行い、平均膜密度が３．２ｇ／ｃｍ3の蛍光膜を持つ前面基板を形成した。このような構成からなる蛍光面を備えた前面基板と、ＭＩＭ型電子源を備えた背面基板とを組み合わせて平面型画像表示装置とした。
【００７１】
一方、比較用として蛍光体層形成をスラリー回転塗布方式(平均膜密度２．０ｇ／ｃｍ3)とした以外は前述と同一仕様の平面型画像表示装置を用意し、両装置を７ｋＶの印加電圧で駆動し輝度を測定した。その結果、平均膜密度２．０ｇ／ｃｍ3の蛍光膜を持つ比較用表示装置に対し、本発明の表示装置の輝度が１５％向上した。
【００７２】
「比較例３」
比較例１と同一仕様でＢＭ膜まで形成し、続いて平均粒径６μｍの緑色蛍光体Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂをセルロース系樹脂と酢酸２一(２−ｎ一ブトキシエトキシ)エチルからなる分散媒にミル分散させて緑色蛍光体ペ一ストを製造した。このペーストの製造に際し前記ミル分散を比較例１よりも強力に行った。このペーストを用い、スクリーン印刷方法により緑色蛍光体層１５Ｇのパターン形成を行った。同様に青色蛍光体ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌによる青色蛍光体層１５Ｂと、赤色蛍光体Ｙ2Ｏ3：Ｅｕによる赤色蛍光体層１５Ｒのパターンを夫々形成した。このときの蛍光体膜厚は夫々１５μｍとした。
【００７３】
その後、アクリル／セルロ一ス樹脂と高沸点溶媒からなるインクを蛍光体層１５上のみにパターン印刷し、乾燥させ、有機平滑膜(フィルミング膜)を形成した。このときのフィルミング膜の表面粗さＲｚは６μｍであった。その後比較例１と同様にメタルバック膜の形成、パネルベークを行い、平均膜密度が３．４ｇ／ｃｍ3の蛍光膜を持つ前面基板を形成した。このような構成からなる蛍光面を備えた前面基板と、ＭＩＭ型電子源を備えた背面基板とを組み合わせて平面型画像表示装置とした。
【００７４】
一方、比較用として蛍光体層形成をスラリー回転塗布方式(平均膜密度１．９ｇ／ｃｍ3)とした以外は前述と同一仕様の平面型画像表示装置を用意し、両装置を７ｋＶの印加電圧で駆動し輝度を測定した。その結果、平均膜密度１．９ｇ／ｃｍ3の蛍光膜を持つ比較用表示装置に対し、本発明の表示装置の輝度が２０％向上した。
【００７５】
図１１は、本発明の平面型画像表示装置の画素を構成する電子源１０の一例を説明する図であり、図１１（a）は平面図、図１１（b）は図１１（a）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。この電子源はＭＩＭ電子源である。
【００７６】
この電子源の構造を、その製造工程で説明する。先ず、背面基板ＳＵＢ１上に下部電極ＤＥＤ（前記の実施例における映像信号配線８）、保護絶縁層ＩＮＳ１、絶縁層ＩＮＳ２を形成する。次に、層間絶縁膜ＩＮＳ３と、上部電極ＡＥＤへの給電線となる上部バス電極（前記の実施例における走査信号配線９）とスペーサ１２を配置するためのスペーサ電極となる金属膜を、例えばスパッタリング法等で成膜する。
【００７７】
層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化膜を用い膜厚は１００ｎｍ程度とした。この層間絶縁膜ＩＮＳ３は、陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査信号配線９となる上部バス電極｛金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとして銅（Ｃｕ）を挟んだ３層の積層膜｝間の絶縁を保つ役割を果たす。
【００７８】
又、走査信号配線９となる上部バス電極は、上記の３層積層膜に限らず、それ以上とすることもできる。例えば、金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてＡｌやクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの耐酸化性の高い金属材料、またはそれらを含む合金やそれらの積層膜を用いることができる。なお、ここでは金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。この他に、金属膜下層ＭＤＬとしてＡｌ合金とＣｒ、Ｗ、Ｍｏなどの積層膜を用い、金属膜上層ＭＡＬとしてＣｒ、Ｗ、ＭｏなどとＡｌ合金の積層膜を用いて、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕに接する膜を高融点金属とした５層膜を用いることで、平面型画像表示装置の製造プロセスにおける加熱工程の際に、高融点金属がバリア膜となってＡｌとＣｕの合金化を抑制できるので、低抵抗化に特に有効である。
【００７９】
Ａｌ−Ｎｄ合金のみ用いる場合の、当該Ａｌ−Ｎｄ合金の膜厚は、金属膜下層ＭＤＬより金属膜上層ＭＡＬを厚くし、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕは配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは金属膜下層ＭＤＬを３００ｎｍ、金属膜中間層ＭＭＬを４μｍ、金属膜上層ＭＡＬを４５０ｎｍの膜厚とした。なお、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕはスパッタ以外に電気めっきなどにより形成することも可能である。
【００８０】
高融点金属を用いる上記５層膜の場合は、Ｃｕと同様に、特に燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングが可能なＭｏでＣｕを挟んだ積層膜を金属膜中間層MMLとして用いるのが特に有効である。この場合、Ｃｕを挟むＭｏの膜厚は５０ｎｍとし、この金属膜中間層を挟む金属膜下層ＭＤＬのＡｌ合金は３００ｎｍ、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ合金は５０ｎｍの膜厚とする。
【００８１】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜上層ＭＡＬを、下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工では、例えば燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。エッチング液に硝酸を加えないことによりＣｕをエッチングせずにＡｌ−Ｎｄ合金のみを選択的にエッチングすることが可能となる。
【００８２】
Ｍｏを用いた５層膜の場合も、エッチング液に硝酸を加えないことによりＭｏとＣｕをエッチングせずに、Ａｌ−Ｎｄ合金のみのみ選択的にエッチング加工することが可能である。ここでは、金属膜上層ＭＡＬを１画素あたり１本形成したが、２本形成することも可能である。
【００８３】
続いて、同じレジスト膜をそのまま用いるか、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ−Ｎｄ合金をマスクとして金属膜中間層ＭＭＬのＣｕを例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でウェットエッチングする。燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液のエッチング液中でのＣｕのエッチング速度はＡｌ−Ｎｄ合金に比べて十分に速いため、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕのみを選択的にエッチングすることが可能である。Ｍｏを用いた５層膜の場合もＭｏとＣｕのエッチング速度はＡｌ−Ｎｄ合金に比べて十分に速くＭｏとＣｕの３層の積層膜のみを選択的にエッチングすることが可能である。Ｃｕのエッチングにはその他過硫酸アンモニウム水溶液や過硫酸ナトリウム水溶液も有効である。
【００８４】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜下層ＭＤＬを下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工は燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、印刷するレジスト膜を金属膜上層ＭＡＬのストライプ電極とは平行な方向に位置をずらすことにより、金属膜下層ＭＤＬの片側ＥＧ１は金属膜上層ＭＡＬより張り出させて、後の工程で上部電極ＡＥＤとの接続を確保するコンタクト部とし、金属膜下層ＭＤＬの反対側ＥＧ２では金属膜上層ＭＡＬと金属膜中間層ＭＬをマスクとしてオーバーエッチング加工がなされ、金属膜中間層ＭＭＬに庇を形成する如く後退した部分が形成される。
【００８５】
この金属膜中間層ＭＭＬの庇により、後の工程で成膜される上部電極ＡＥＤが分離される。この際、金属膜上層ＭＡＬを金属膜下層ＭＤＬの膜厚より厚くすれば、金属膜下層ＭＤＬのエッチングが終了しても、金属膜上層ＭＡＬは金属膜中間層ＭＭＬのＣｕ上に残すことができる。これによりＣｕの表面を保護することが可能となるので、Ｃｕを用いても耐酸化性があり、かつ上部電極ＡＥＤを自己整合的に分離し、かつ給電を行う走査信号配線となる上部バス電極を形成することができる。また、ＣｕをＭｏで挟んだ５層膜の金属膜中間層ＭＭＬとした場合には、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ合金が薄くても、ＭｏがＣｕの酸化を抑制してくれるので、金属膜上層ＭＡＬを金属膜下層ＭＤＬの膜厚より厚くする必要は必ずしもない。
【００８６】
続いて、層間膜ＩＮＳ３を加工して電子放出部を開口する。電子放出部は画素内の１本の下部電極ＤＥＤと、下部電極ＤＥＤと交差する２本の上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜と非図示の隣接画素の金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）に挟まれた空間の交差部の一部に形成する。このエッチング加工は、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによって行うことができる。
【００８７】
最後に、上部電極ＡＥＤの成膜を行う。この成膜にはスパッタ法を用いる。上部電極ＡＥＤとしては、アルミニウムでも良く、あるいはＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、その膜厚は例えば６ｎｍとすることもできる。この時、上部電極ＡＥＤは、電子放出部を挟む２本の上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）の一方（図１１（ｃ）の右側）では、金属膜中間層ＭＭＬと金属膜上層ＭＡＬの庇構造による金属膜下層ＭＤＬの後退部（ＥＧ２）により切断される。そして、他方（図１１（ｃ）の左側）では、上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）とは金属膜下層ＭＤＬのコンタクト部（ＥＧ１）により断線を起こさずに成膜接続されて、電子放出部への給電される構造となる。
【００８８】
図１２は、本発明の構成を適用した平面型画像表示装置の等価回路例の説明図である。図１２中に破線で示した領域は表示領域６であり、この表示領域６にｎ本の映像信号配線８とｍ本の走査信号配線９が互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の３つの単位画素（あるいは、副画素）"Ｒ"，"Ｇ"，"Ｂ"の１グループでカラー１画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。映像信号配線（カソード配線）８は、映像信号配線引出端子８１で映像信号駆動回路ＤＤＲに接続され、走査信号配線（ゲート配線）９は走査信号配線引出端子９１で走査信号駆動回路ＳＤＲに接続されている。映像信号駆動回路ＤＤＲには外部信号源から映像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００８９】
これにより、順次選択される走査信号配線９に交差する映像信号配線８に映像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の平面型画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。
【図２】図１（ｂ）のＡ―Ａ線に沿った模式平面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
【図４】図３の蛍光面の一部を拡大して示す模式断面図である。
【図５】図４の一部を拡大して示す模式断面図である。
【図６】蛍光体層の平均膜密度と輝度比との関係を示す図である。
【図７】蛍光体粒子層数と配列形状を示す模式図である。
【図８】蛍光体粒子の層数と輝度比との関係を示す図である。
【図９】蛍光体粒径と輝度比との関係を示す図である。
【図１０】本発明の平面型画像表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】本発明の平面型画像表示装置の電子源の一例を説明する図である。
【図１２】本発明の構成を適用した平面型画像表示装置の等価回路例の説明図である。
【符号の説明】
【００９１】
１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・支持体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域、７・・・貫通孔、８・・・画像信号配線、８１・・・画像信号配線引出端子、９・・・走査信号配線、９１・・・走査信号配線引出端子  １０・・・電子源、１１，１１Ａ・・・接続配線、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１５・・・蛍光体層、１５１・・・蛍光体粒子、１５２・・・空隙部分、１６・・・ＢＭ膜、１７・・・メタルバック（陽極電極）、ＳＵＢ１・・・背面基板、ＩＮＳ・・・絶縁膜（層間絶縁膜）。
【図１】
2007184165.tif 000003
【図２】
2007184165.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007184165.tif 000010
【図９】
2007184165.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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