(57)【要約】【課題】不良判別された配線基板に対し形成の容易な不良表示を両面に備えた連続配線基板を提供する。【解決手段】半導体チップを絶縁性樹脂で樹脂封止するための一方の面と、実装基板へ実装するための他方の面と、を有する複数の配線基板が、切断間隔を介して連続して配列されてなる連続配線基板であって、複数の配線基板の中で不良判別された配線基板に対し、配線基板が不良判別された旨を確認するための一方の面と他方の面との間を貫通する貫通孔、を備えてなる。【選択図】図１
2007180151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを絶縁性樹脂で樹脂封止するための一方の面と、実装基板へ実装するための他方の面と、を有する複数の配線基板が、切断間隔を介して連続して配列されてなる連続配線基板であって、
前記複数の配線基板の中で不良判別された配線基板に対し、前記配線基板が不良判別された旨を確認するための前記一方の面と前記他方の面との間を貫通する貫通孔、を備えたことを特徴とする連続配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記配線基板が不良判別された旨を確認するべく、前記一方の面と前記他方の面との一方側から他方側へ光を通過させるための孔であることを特徴とする請求項１に記載の連続配線基板。
【請求項３】
前記貫通孔は、前記配線基板が不良判別された旨を確認するべく、前記一方の面側から前記他方の面側へ前記絶縁性樹脂を通過させるための孔であることを特徴とする請求項１に記載の連続配線基板。
【請求項４】
前記複数の配線基板は、それぞれ、前記一方の面と前記他方の面との間を貫通し、前記一方の面の配線パターンと前記他方の面の配線パターンとを電気的に接続する貫通電極を有し、
前記貫通孔は、前記貫通電極を利用した孔であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の連続配線基板。
【請求項５】
前記複数の配線基板は、それぞれ、前記一方の面と前記他方の面との間を貫通し、前記一方の面の配線パターンと前記他方の面の配線パターンとを電気的に接続する貫通電極と、前記貫通孔としてのダミー貫通電極と、を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の連続配線基板。
【請求項６】
前記貫通孔は、複数であることを特徴とする請求項４又は５に記載の連続配線基板。
【請求項７】
有機基板であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の連続配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを絶縁性樹脂で樹脂封止するための一方の面と、実装基板へ実装するための他方の面と、を有する複数の配線基板が、切断間隔を介して連続して配列されてなる連続配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
BGA（Ball Grid Array）やCSP（Chip Size Package又はChip Scale Package）等のように、半導体ベアチップと略同等或いは僅かに大きな寸法を有する所謂パッケージに使用される配線基板がある（例えば、特許文献１参照。）。この配線基板の一方の面には、半導体ベアチップを搭載するための配線パターンが形成されており、他方の面には、パッケージを実装基板に実装するための端子が形成されている。この配線基板は、その両面が所定パターンを有するソルダレジストで被覆されている場合もある。
【０００３】
このような配線基板は、その製造工程の初期の段階では、少なくとも一方の面において、１つのパッケージに対応する単位配線パターンが複数繰り返し形成された、所謂多連取り用の連続配線基板をなすことが一般的である。パッケージ等の半導体装置の製造工程において、この連続配線基板の一方の面では、複数の単位配線パターンごとに半導体チップが搭載された後、例えばこの面全体が絶縁性樹脂で樹脂封止される。その後、絶縁性樹脂で樹脂封止された連続配線基板を切削工具により個片化して（ダイシング）、各半導体装置が得られる。
【０００４】
図８及び図９に例示されるように、一般に、多数の配線基板９０からなる連続配線基板９において、その構成配線基板９０の全てを良品の状態とすることは困難であるため、この連続配線基板９は或る程度の不良品を含んでしまう可能性がある。そこで、例えば基板メーカからパッケージメーカへ連続配線基板９を出荷する際には全体における所定割合までの配線基板９１が不良品であることが許容され、この配線基板９１に不良品を示すマーキングが施された状態で出荷される。ここで、不良品とは、例えば配線パターンに細りがあったり異物が付着していたりすることにより、半導体チップ２０を搭載した場合に正常な動作を保障できない虞がある不良な配線基板を意味する。尚、図８は、一枚の連続配線基板９の外観構成例を示す平面図である。図９（ａ）は、連続配線基板９の構成例を示す平面図及び厚さ方向（Ｚ方向）の断面図からなる部分模式図であり、図９（ｂ）は、連続配線基板９が良品の配線基板９０とともに不良品の配線基板９１を含んでいる場合の当該連続配線基板９を用いた半導体装置９４０及び不良品９４１の構成例を示す厚さ方向の断面図である。
【０００５】
図８及び図９（ａ）に例示される連続配線基板９は、複数の配線基板９０、９１がＸＹ方向に２次元配列されて形成されている。これら複数の配線基板９０、９１は、後のダイシング用区分線DLで仮想的に区分されている。この連続配線基板９の各配線基板９０、９１は、周知の光学式自動検査装置（AOI：Automatic Optical Inspection）により検査されて、良品（配線基板９０）と不良品（配線基板９１）とに分類される（例えば、特許文献２参照。）。そして、不良品の配線基板９１に対し、連続配線基板９におけるそのＸＹ方向の座標が与えられて、不良品を示すマーキングの位置決めの情報とされる。
【０００６】
図８及び図９（ａ）の例示では、不良品の配線基板９１の表面側（＋Ｚ側）には、不良品を示す所定のシール９１４ａが貼付されるとともに、不良品の配線基板９１の裏面側（−Ｚ側）には、不良品を示す所定のけがき溝９１４ｂが形成されている。ここで、以後、連続配線基板９において、半導体チップ２０の搭載及び絶縁性樹脂３０による樹脂封止を行う面を表面（＋Ｚ側の面）とし、実装基板に実装する面を裏面（−Ｚ側の面）と定義する。具体的には、連続配線基板９のうちの配線基板９１における絶縁性基板９１１の表面側には配線パターン９１２ａが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン９１３ａにより被覆されている。一方、絶縁性基板９１１の裏面側には配線パターン９１２ｂが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン９１３ｂにより被覆されている。そこで、シール９１４ａは、例えばソルダレジストパターン９１３ａの面上に貼付されており、けがき溝９１４ｂは、例えばソルダレジストパターン９１３ｂの面上に形成されている。このシール９１４ａ及びけがき溝９１４ｂの処理は、人間系で行われる場合もあるし、特許文献２に開示される装置により自動的に行われる場合もある。
【０００７】
一方、図９（ａ）の例示では、この不良品の配線基板９１とダイシング用区分線DLを介して良品の配線基板９０が連接している。この良品の配線基板９０における絶縁性基板９０１の表面側には配線パターン９０２ａが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン９０３ａにより被覆されている一方、絶縁性基板９０１の裏面側には配線パターン９０２ｂが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン９０３ｂにより被覆されている。
【０００８】
このような連続配線基板９が例えば基板メーカにより製造されて、AOIによる検査、シール９１４ａ及びけがき溝９１４ｂの処理等を経て、例えばパッケージメーカに出荷される。パッケージメーカでは、連続配線基板９を構成する配線基板９０、９１ごとに例えば表面側から光を照射してカメラで撮影しその画像をパターン認識する処理を自動的に行う装置（例えば、特許文献３参照。）を使用して、良品の配線基板９０と、不良品の配線基板９１とを区別し、良品の配線基板９０の表面側のみに半導体チップ２０のダイボンディング及びワイヤボンディングの処理を行う。次に、連続配線基板９の表面側全体を絶縁性樹脂により樹脂封止した後、ダイシング用区分線DLに沿ってダイシングを行い、各半導体装置を得る。
【０００９】
図９（ｂ）に例示されるように、半導体装置９４０の表面側には、金属細線２２を介して半導体チップ２０が搭載され、絶縁性樹脂３０で樹脂封止されている。一方、不良品９４１の表面側であっても、絶縁性樹脂３０の樹脂封止処理が施されてしまう。ダイシングにより分離された、半導体装置９４０と、不良品９４１とは、それぞれの裏面側におけるけがき溝９１４ｂの有無に基づいて区別することができる。つまり、裏面側にけがき溝９１４ｂを有するものが不良品と判別される。
【００１０】
一般に、絶縁性樹脂３０は可視光に対して不透明なため、不良品９４１の表面側から可視光を通じてシール９１４ａを認識することはできない。このため、裏面側におけるけがき溝９１４ｂの形成が必要となる。一方、半導体チップ２０の搭載は表面側から行われるため、この搭載の前に配線基板９０、９１の良品又は不良品を判別するための前述したカメラの撮影も表面側から行われる。このため、表面側におけるシール９１４ａの貼付が必要となる。
【００１１】
尚、前述したマーク９１４ａの貼付の代わりに、インクの塗布やけがき溝の形成等の処理が行われる場合もある。また、けがき溝は、人間系により工具等を用いて形成される場合もあるし、レーザ照射により自動的に形成される場合もある。
【特許文献１】特開平１０−１３５２５８号公報
【特許文献２】特開２００５−９３８０１号公報
【特許文献３】特開２００４−３４７５２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、図８及び図９（ａ）に例示される配線基板９０、９１の両面側（±Ｚ側）におけるマーキング（シール９１４ａ及びけがき溝９１４ｂ）は、たとえ２つとも同じマーキングであるとしても、やはり２つの側にマーキング処理のための２つの手段がそれぞれ必要となる。このため、マーキング処理を自動的に行う場合、例えば基板メーカでは設備コストが嵩む虞がある。
【００１３】
一方、このマーキング処理を人間系で行う場合、複数の配線基板９０、９１から構成される連続配線基板９のうちの或る不良品の配線基板９１の表面側と裏面側とを特定する作業は容易ではなく、非効率である上に間違いが生じる虞もある。これは、例えば、基板メーカにおける維持コストの増大や、基板メーカ及びパッケージメーカにおける製品の品質低下等につながる虞がある。
【００１４】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、不良判別された配線基板に対し形成の容易な不良表示を両面に備えた連続配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するための発明は、半導体チップを絶縁性樹脂で樹脂封止するための一方の面と、実装基板へ実装するための他方の面と、を有する複数の配線基板が、切断間隔を介して連続して配列されてなる連続配線基板であって、前記複数の配線基板の中で不良判別された配線基板に対し、前記配線基板が不良判別された旨を確認するための前記一方の面と前記他方の面との間を貫通する貫通孔、を備えてなる。
【００１６】
この連続配線基板が不良判別された配線基板を有する場合、当該配線基板は一方の面及び他方の面の両面において開口する貫通孔を備えている。つまり、連続配線基板は、不良判別された配線基板に対し不良表示を両面に備えていることになる。この貫通孔は、一方の面と他方の面との一方側から他方側へ、例えばレーザ光を照射したりドリルを貫通させたりすることにより形成できる。この貫通孔の形成は、不良判別された配線基板の両面のそれぞれに対し、例えば自動又は手動によるシールの貼付やけがき溝の形成等により別々に不良表示を行う場合に比べて容易である。以上から、この連続配線基板によれば、その両面において、不良判別された配線基板に対する不良表示を容易に形成できる。
【発明の効果】
【００１７】
連続配線基板の両面において、不良判別された配線基板に対する不良表示を容易に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＝＝＝連続配線基板の構成（第１の実施の形態）＝＝＝
図１乃至図３を参照しつつ、本実施の形態の連続配線基板１の構成例について説明する。図１は、本実施の形態の一枚の連続配線基板１の外観構成例を示す平面図である。図２（ａ）は、本実施の形態の連続配線基板１の構成例を示す平面図及び厚さ方向（Ｚ方向）の断面図からなる部分模式図であり、図２（ｂ）は、本実施の形態の半導体装置４０及び不良品４１の構成例を示す厚さ方向の断面図である。図３は、本実施の形態の連続配線基板１及び貫通孔１１４を通じて不良品の配線基板１１を自動的に認識する自動認識装置４００の概略構成例を示す模式図である。
【００１９】
図１に例示されるように、本実施の形態の連続配線基板１は、主として、ＸＹ方向に複数行及び複数列配置されて連接した配線基板１０を備えて構成されている。同図の例示では、複数の四角形状をなす配線基板１０が配置されて連接した同じく四角形状をなす配線基板が、境界部（切断間隔）１ａを介して更に複数連接して連続配線基板１を構成している。また、本実施の形態の連続配線基板１は、導通検査等に使用可能な端子部１ｂを備えている。更に、本実施の形態の連続配線基板１は、後述する不良判別された配線基板１１に対し貫通孔１１４が形成されている。
【００２０】
尚、本実施の形態では、配線基板１０は、例えばBGA（Ball Grid Array）やCSP（Chip Size Package又はChip Scale Package）等のように、半導体ベアチップと略同等或いは僅かに大きな寸法を有する所謂パッケージに使用される配線基板であるものとする。
【００２１】
また、本実施の形態の連続配線基板１は、例えば基板メーカにより製造されて、図１に例示される外観を呈する状態で、例えばパッケージメーカへ出荷される。同図に例示される境界部１ａ及び端子部１ｂは、パッケージ等の半導体装置には不必要な部分となる。ここで、本実施の形態の基板メーカは、半導体装置用の基板の製造者であるものとする。一方、本実施の形態のパッケージメーカは、基板メーカから出荷された連続配線基板１を用いた例えばパッケージとしての半導体装置の製造者であるものとする。
【００２２】
図２（ａ）に例示されるように、前述した連続配線基板１には、複数の良品の配線基板１０とともに不良品の配線基板１１が含まれている場合がある。そして、各不良品の配線基板１１におけるＸＹ面内所定位置に、表面（＋Ｚ側面）と裏面（−Ｚ側面）とを貫通する貫通孔１１４が形成されている。尚、不良品とは、配線パターン１１２ａ、１１２ｂに細りがあったり異物が付着していたりすることにより、半導体チップを搭載した場合に正常な動作を保障できない虞がある不良な配線基板１１を意味する。
【００２３】
同図の例示では、連続配線基板１のうちの配線基板１１における絶縁性基板（有機基板）１１１の表面には配線パターン１１２ａが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン１１３ａにより被覆されている。絶縁性基板１１１の裏面には配線パターン１１２ｂが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン１１３ｂにより被覆されている。
【００２４】
一方、同図の例示では、この不良品の配線基板１１とダイシング用区分線DL（切断間隔）を介して良品の配線基板１０が連接している。尚、同図の例示では、図示の便宜上、切断間隔は線として表示されているが、実際は幅を有するものである。この良品の配線基板１０における絶縁性基板１０１の表面には配線パターン１０２ａが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン１０３ａにより被覆されている一方、絶縁性基板１０１の裏面には配線パターン１０２ｂが形成され、更にその面上はソルダレジストパターン１０３ｂにより被覆されている。
【００２５】
本実施の形態の良品の配線基板１０及び不良品の配線基板１１は、基本的には、同一の絶縁性基板、同一の配線パターン、及び同一のソルダレジストパターンを備えて構成されているが、これらの何れかは不良判別の根拠となる構成上の相違を有している。そこで、以後、便宜的に、良品又は不良品に応じて、絶縁性基板、配線パターン、及びソルダレジストパターンの番号を異なるものとする。絶縁性基板１０１、１１１は、後述する半導体チップ２０と略同等或いは僅かに大きな寸法を有し、例えばガラスエポキシ等からなる基板である。また、本実施の形態の配線パターン１０２ａ、１１２ａは、後述する半導体チップ２０を電気的に接続するための電極を含む導電路を構成するものである。表面の配線パターン１０２ａ、１１２ａは、裏面の配線パターン１０２ｂ、１１２ｂと例えばＺ方向の貫通電極（不図示）を介して電気的に接続されている。裏面の配線パターン１０２ｂ、１１２ｂの一部は、後述するパッケージとしての半導体装置４０を、例えば携帯電話等の小型電子機器の実装基板（不図示）に実装するための端子１１２ｃを構成するものである。ソルダレジストパターン１０３ｂ、１１３ｂは、この端子１１２ｃの部分が露出するようにパターン形成されている。尚、貫通電極は、配線基板１０、１１をＺ方向に貫通するスルーホール（不図示）の内側面に対し導電性材料による所定の被覆処理が施されて形成されたものであるが、本実施の形態のスルーホールの内部は更にソルダレジストにより塞がれているものとする。これに対して、以下述べる貫通孔１１４は、内部が塞がれていない孔である。
【００２６】
本実施の形態の貫通孔１１４は、配線基板１１の裏面における前述した端子１１２ｃを穿孔するように設けられ、後述する光及び絶縁性樹脂３０が通過するために十分な大きさの径を有するものである。尚、貫通孔１１４が端子１１２ｃを穿孔するということは、貫通孔１１４の裏面における開口部が端子１１２ｃとＸＹ方向において隣接するように重なっていることを意味する。つまり、端子１１２ｃのＸＹ面の略中央に開口部があってもよいし、端子１１２ｃと開口部とが一部重なって隣接していてもよい。また、複数の端子１１２ｃが密集している場合には、開口部がこれら複数の端子１１２ｃに跨って隣接していてもよい。
【００２７】
先ず、本実施の形態の貫通孔１１４は、図３に例示される自動認識装置４００に用いられる光を通過するために十分な大きさの径を有するものである。この自動認識装置４００は、例えば、貫通孔１１４に裏面側（−Ｚ側）から入射する入射光を生成する光源４００ａと、この入射光が貫通孔１１４を通過した場合の光（透過光）を表面側（＋Ｚ側）から撮影するカメラ４００ｂと、を備えて構成されるものである。また、この自動認識装置４００は、例えば特開２００４−３４７５２５号公報に開示されるように、カメラ４００ｂが撮影した透過光の画像をパターン認識し、これが貫通孔１１４を通過した透過光であるか否かを判別する処理を自動的に行うための所定の構成を備えている。このような自動認識装置４００には、前述したパッケージメーカにおいて従来使用されていた、配線基板１１上のマーキングを自動的に認識する周知の装置を適用することができる。本実施の形態の連続配線基板１は、所定の順送り手段により、当該連続配線基板１を構成する複数の配線基板１０、１１ごとに、光源４００ａ及びカメラ４００ｂを結ぶ光軸上で停止するようになっている。停止位置において、裏面側から光が入射される。光軸上に良品の配線基板１０がある場合には、カメラ４００ｂの画像は透過光のパターンを有さない一方、光軸上に不良品の配線基板１１がある場合には、カメラ４００ｂの画像は貫通孔１１４を通過した透過光のパターンを有することになる。この際、自動認識装置４００は、例えばこの順送り手段を通じて、連続配線基板１における不良品の配線基板１１のＸＹ方向の座標の情報を取得できるようになっている。
【００２８】
次に、本実施の形態の貫通孔１１４は、図２（ｂ）に例示される絶縁性樹脂３０が液状にあって通過するために十分な大きさの径を有するものである。つまり、この径は、樹脂封止のために表面側に塗布された液状の絶縁性樹脂３０が裏面側まで到達するのに十分な大きさを有する必要がある。例えば、液状の絶縁性樹脂３０は、封止面（表面）を上方に向けた連続配線基板１に対して塗布されると、その一部が貫通孔１１４を通って裏面まで流動し、その後固化することにより、表面側を樹脂封止するとともに、裏面側に露出部分３０１を形成する。このような樹脂封止工程による場合、貫通孔１１４の径の大きさは、液状の絶縁性樹脂３０の流動性に応じて設定される。例えば、液状の絶縁性樹脂３０の流動性が低いほど、貫通孔１１４の径は大きくする必要がある。同図に例示されるように、本実施の形態の良品の配線基板１０を用いて形成された半導体装置４０の表面側には、金属細線２２を介して半導体チップ２０が搭載され、絶縁性樹脂３０で樹脂封止されている。ここで、半導体チップ２０は、ソルダレジストパターン１０３ａの面上に絶縁性接着剤２１を介してダイボンディングされている。一方、不良品の配線基板１１の表面側に対しても、絶縁性樹脂３０の樹脂封止処理は施されるため、半導体装置４０と外観上区別がつき難い不良品４１ができてしまう。ダイシングにより分離された、半導体装置４０と、不良品４１とは、それぞれの裏面における絶縁性樹脂３０の露出部分３０１の有無に基づいて区別することができる。つまり、裏面において露出部分３０１の有るものが不良品と判別される。尚、この判別は、露出部分３０１を識別する所定の識別装置により実行されてもよいし、人間系により視覚的に識別されてもよい（官能検査）。この所定の識別装置は、例えば前述した自動認識装置４００と同様の機能を有する周知の装置を用いればよい。
【００２９】
以上から、本実施の形態の貫通孔１１４は、前述した自動認識装置４００に用いられる光を通過可能であるという条件に加えて、表面側の絶縁性樹脂３０が前述した液状をなして裏面側まで到達しこの裏面で露出して固化するべく通過可能であるという条件を満足するための径を有している。後述するように、貫通孔１１４は、レーザ光又はドリルを用いた配線基板１１の切削により形成される。レーザ光により形成する場合には、貫通孔１１４の径は例えば１００μｍ程度とすればよく、ドリルにより形成する場合には、貫通孔１１４の径は例えば１００μｍ以上とすればよい。
【００３０】
本実施の形態の連続配線基板１における貫通孔１１４は、配線基板１１の裏面における前述した端子１１２ｃを穿孔するように設けられている。一般に、端子１１２ｃは可視光に対して金属光沢を呈するものである一方、絶縁性樹脂３０は可視光に対して不透明であるため、不良品４１の裏面において貫通孔１１４の開口部に露出部分３０１が有る場合、可視光のもとではこれを明確に識別できることになる。
【００３１】
尚、図１及び図２（ａ）に例示された貫通孔１１４は、不良判別された配線基板１１のそれぞれに対しＸＹ方向の所定の座標に１つ形成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、１つの配線基板１１に対し２つ以上の貫通孔１１４が形成されていてもよい。また、貫通孔１１４のＸＹ方向における座標は全ての配線基板１１に対し同一である必要はなく、例えば配線基板１１ごとに異なる座標に貫通孔１１４が形成されていてもよい。
【００３２】
また、図２（ａ）の例示では、配線パターン１０２ａ、１０２ｂは、表面及び裏面のそれぞれに１層ずつ形成されているが、これに限定されるものではない。例えば、配線パターンが表面及び裏面のそれぞれに複数層（多層）ずつ形成されていてもよい。
【００３３】
＝＝＝貫通孔の形成手順＝＝＝
図４を参照しつつ、前述した実施の形態の貫通孔１１４の形成手順の一例について説明する。同図は、本実施の形態の貫通孔１１４の形成手順の一例を説明するためのフローチャートである。
【００３４】
本実施の形態では、前述した基板メーカにおいて、製造した連続配線基板１における各配線基板１０、１１が良品又は不良品の何れであるかを判別する検査が行われ、不良品であると判別された配線基板１１に対して貫通孔１１４が形成されるものとする。このような検査及び形成を自動的に行うことは、例えば特開２００５−９３８０１号公報に開示される周知の光学式自動検査装置（AOI：Automatic Optical Inspection）に対し、周知のレーザ装置（不図示）や周知のドリル装置（不図示）等を組み合わせることにより実現できる。
【００３５】
同図に例示されるように、先ず、連続配線基板１における或る１つの配線基板１０、１１に対して、AOIは、カメラ（不図示）により撮影された表面の画像をパターン認識する（Ｓ１００）。  
次に、AOIは、例えば、パターン認識された画像と、所定の記憶部（不図示）に予め記憶した参照画像とを比較することにより、例えば配線パターン１１２ａの細りや異物等の有無を判別する。つまり、AOIは、当該配線基板１０、１１が欠陥を有する不良品か否かを判別する（Ｓ１０１）。  
配線パターン１１２ａの細りや異物等により、不良品であると判別した場合（Ｓ１０１：ＹＥＳ）、AOIは、これと通信可能に接続されたレーザ装置又はドリル装置に制御信号を送信して、当該配線基板１１に対し貫通孔１１４を形成させる（Ｓ１０２）。  
一方、前述した、パターン認識された画像と、参照画像とに差が無いことにより、良品である（不良品ではない）と判別した場合（Ｓ１０１：ＮＯ）、AOIは次のステップの処理を実行する。
【００３６】
次に、AOIは、例えば、連続配線基板１をＸＹ方向に順送りするための所定の順送り手段からの信号に基づいて、この連続配線基板１における未検査の配線基板１０，１１の有無を判別する（Ｓ１０３）。  
未検査の配線基板１０、１１が無い場合（Ｓ１０３：ＮＯ）、AOIは処理を終了する。  
一方、未検査の配線基板１０、１１が有る場合（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、AOIは、前述した順送り手段に制御信号を送信して、該当の配線基板１０、１１の次の配線基板１０、１１を検査位置に進める（Ｓ１０４）。
【００３７】
以上、AOIの一連の動作により、１つの連続配線基板１における、良品の配線基板１０と、不良品の配線基板１１とが自動的に分類され、不良品の配線基板１１に対し貫通孔１１４が自動的に形成されることになる。
【００３８】
尚、貫通孔１１４の形成は前述した手順に限定されるものではない。例えば、前述したAOIの検査により求められた不良品の位置情報に基づいて、人間系がレーザ装置又はドリル装置を手動で操作して貫通孔１１４を形成してもよい。
【００３９】
＝＝＝半導体装置の製造手順＝＝＝
図５及び図６を参照しつつ、前述した連続配線基板１を用いた半導体装置４０の製造手順の一例について説明する。図５は、本実施の形態の連続配線基板１を用いた半導体装置４０の製造手順の一例を説明するためのフローチャートである。図６は、本実施の形態の連続配線基板１のうちの良品の基板１０と不良品の基板１１とを区別し良品の基板１０のみに半導体チップ２０を搭載する処理の一例を説明するための模式図である。
【００４０】
本実施の形態では、前述したパッケージメーカは、基板メーカから出荷された連続配線基板１の表面側に対し半導体チップ２０の搭載及び絶縁性樹脂３０による樹脂封止を実施し、その後ダイシングして各半導体装置４０を得る。
【００４１】
パッケージメーカでは、例えば、前述した周知の自動認識装置４００と、半導体チップ２０のダイボンディングやワイヤボンディング等の処理を自動的に実行する周知の装置と、を組み合わせることにより、１つの連続配線基板１における良品の配線基板１０のみに半導体チップ２０を搭載する処理を自動的に実施できる。
【００４２】
自動認識装置４００は、先ず、連続配線基板１における或る１つの配線基板１０、１１について、カメラ４００ｂにより撮影された表面の画像をパターン認識する。自動認識装置４００は、例えば、パターン認識された画像と、所定の記憶部（不図示）に予め記憶した参照画像とを比較することにより、光源４００ｂに由来する透過光の有無を判別する。つまり、自動認識装置４００は、当該配線基板１０、１１が欠陥を有する不良品か否かを判別する（Ｓ２００）。
【００４３】
尚、参照画像は、透過光のパターンの有る表面の画像であってもよいし、透過光のパターンの無い表面の画像であってもよい。例えば透過光のパターンが有る表面の画像を参照画像とした場合、この参照画像と一致した画像は不良品の配線基板１１に帰属される一方、この参照画像と一致しない画像は良品の配線基板１０に帰属されることになる。  
透過光のパターンが有ることにより不良品であると判別した場合（Ｓ２００：ＹＥＳ）、自動認識装置４００は、次のステップの処理を実行する。  
一方、透過光のパターンが無いことにより、良品である（不良品ではない）と判別した場合（Ｓ２００：ＮＯ）、自動認識装置４００は、半導体チップ２０のダイボンディングやワイヤボンディング等の処理を実行する装置に制御信号を送信して、配線基板１０の表面に半導体チップ２０を搭載させる（Ｓ２０１）。
【００４４】
次に、自動認識装置４００は、例えば、連続配線基板１をＸＹ方向に順送りするための所定の順送り手段（不図示）からの信号に基づいて、この連続配線基板１における未検査の配線基板１０，１１の有無を判別する（Ｓ２０２）。  
未検査の配線基板１０、１１が無い場合（Ｓ２０２：ＮＯ）、連続配線基板１に対する半導体チップ２０の搭載は終了したことになるため、次の樹脂封止及びダイシングの処理に移行する。  
一方、未検査の配線基板１０、１１が有る場合（Ｓ２０２：ＹＥＳ）、自動認識装置４００は、前述した順送り手段に制御信号を送信して、該当の配線基板１０、１１の次の配線基板１０、１１を検査位置に進める（Ｓ２０３）。
【００４５】
前述したステップＳ２００乃至Ｓ２０３の処理を繰り返し実行することにより、連続配線基板１は、１つの連続配線基板１における、良品の配線基板１０と、不良品の配線基板１１とが自動的に分類され、良品の配線基板１０のみに対し半導体チップ２０が自動的に搭載されることになる。
【００４６】
図６の例示では、（１）配線基板１０、１１が、Ａ（良品）、Ｂ（良品）、Ｃ（不良品）、Ｄ（良品）、Ｅ（良品）のように連接した連続配線基板１のうちのＢに入射光が入射されるが、その透過光は検出されない。（２）ＡＢＣＤＥが１つ進んだ時点で、前記透過光が無かったことによりＢには半導体チップ２０が搭載される。一方、Ｃに入射光が入射されて、その透過光が検出される。（３）ＡＢＣＤＥが１つ進んだ時点で、前記透過光が有ったことによりＣには半導体チップ２０が搭載されない。一方、Ｄに入射光が入射されるが、その透過光は検出されない。（４）ＡＢＣＤＥが１つ進んだ時点で、前記透過光が無かったことによりＤには半導体チップ２０が搭載される。以上の動作により、ＡＢＣＤＥのうちの不良品のＣを除くＡＢＤＥに半導体チップ２０が搭載されることになる。
【００４７】
図５に戻って、以下述べるステップＳ２０４以後の処理は、前述した自動認識装置４００と通信可能に接続された所定の装置により全て自動的に実行されてもよいし、例えば樹脂封止装置、ダイシング装置、露出部分３０１（図２（ｂ））の識別装置等の個別の装置を人間系が制御することにより一部手動で実行されてもよい。  
連続配線基板１の表面側全体は絶縁性樹脂３０により樹脂封止され（Ｓ２０４）、この絶縁性樹脂３０が硬化した後にダイシングにより個片化される（Ｓ２０５）。これにより、複数の個別の半導体装置４０（但し、不良品４１を含む）が得られる。  
次に、半導体装置４０及び不良品４１のそれぞれについて、裏面側における絶縁性樹脂３０の露出部分３０１の有無が判別され（Ｓ２０６）、露出部分３０１が有ると判別された場合には（Ｓ２０６：ＹＥＳ）、不良品に分類される（Ｓ２０７）。一方、露出部分３０１が無いと判別された場合には（Ｓ２０６：ＮＯ）、不良品に分類され廃棄される（Ｓ２０８）。  
次に、残チップ（残った半導体装置４０又は不良品４１）が有れば（Ｓ２０９：ＹＥＳ）、次の残チップにおける良品又は不良品の区別及び不良品の廃棄が行われ（Ｓ２１０）、残チップが無ければ（Ｓ２０９：ＮＯ）、半導体装置４０の製造が終了する。
【００４８】
＝＝＝第２の実施の形態＝＝＝
前述した第１の実施の形態の連続配線基板１における貫通孔１１４は、配線基板１１の裏面における前述した端子１１２ｃを穿孔するように設けられているため、不良品４１の裏面における貫通孔１１４の開口部と露出部分３０１とが可視光のもとで明確なコントラストをなすものである。但し、以下説明するように、このような構成に限定されるものではない。
【００４９】
図７（ａ）に例示される連続配線基板１’は、不良品の配線基板１１’の裏面において、端子１１２ｃではない（例えばソルダレジストパターン１１３ｂ）位置に貫通孔１１４’を有している。尚、同図は、第２の実施の形態の連続配線基板１’の裏面の構成例を示す部分平面図である。第２の実施の形態の連続配線基板１’では、不良品の配線基板１１’における例えばＸＹ方向の中央部に貫通孔１１４’が形成されている。
【００５０】
第２の実施の形態では、裏面に貫通電極１１５が露出しているが、貫通孔１１４’はこの貫通電極１１５の開口部電極１１５ｂや他の端子１１２ｃ等とは重なっていないものとする。このような場合であっても、例えば、配線基板１１’の裏面におけるソルダレジストパターンの色が、絶縁性樹脂３０の色と明瞭なコントラストをなすものであれば、樹脂封止後に、貫通孔１１４’の有無を効率良く判別することができる。尚、貫通電極１１５は、配線基板１１’をＺ方向に貫通するスルーホールにおける内周部電極１１５ａと、開口部電極１１５ｂとから構成されるものである。ここで、スルーホールはソルダレジストで塞がれていてもよいし、塞がれていなくてもよい。
【００５１】
第２の実施の形態の貫通孔１１４’は、配線基板１１’上のＸＹ方向の任意の位置に形成できる上に、前述した端子１１２ｃを穿孔しない点で、例えば第１の実施の形態の貫通孔１１４の場合に比べて、より大きな径とすることができる。これにより、孔をドリル等で機械的に形成することが容易となる。また、貫通孔１１４’の径が大きくなるほど、不良品の配線基板１１’及び不良品４１をそれぞれ判別する際の判別精度がより向上する。
【００５２】
＝＝＝第３の実施の形態＝＝＝
図７（ｂ）に例示される連続配線基板１”は、不良品の配線基板１１”の裏面において、貫通電極１１５のスルーホールと重なるように貫通孔１１４”を有している。尚、同図は、第３の実施の形態の連続配線基板１”の裏面の構成例を示す部分平面図である。  
第３の実施の形態では、裏面に貫通電極１１５が露出し、貫通孔１１４”はこの貫通電極１１５の開口部電極１１５ｂと重なっている。これにより、配線基板１１”の裏面における開口部電極１１５ｂの金属光沢を有する色が、絶縁性樹脂３０の色と明瞭なコントラストをなすため、樹脂封止後に、貫通孔１１４”の有無を効率良く判別することができる。  
第３の実施の形態の貫通孔１１４”は、（良品であれば）必須構成である貫通電極１１５を利用するものであるため、例えば不良品を識別するための後述するダミーの端子を予め形成しておく場合（第４の実施の形態）に比べて、連続配線基板１”の製造コストを節減できる。
【００５３】
＝＝＝第４の実施の形態＝＝＝
図７（ｃ）に例示される連続配線基板１ｘは、不良品の配線基板１１ｘの裏面において、ダミー端子（ダミー貫通電極）１１５ｘと重なるように貫通孔１１４ｘを有している。尚、同図は、第４の実施の形態の連続配線基板１ｘの裏面の構成例を示す部分平面図である。  
前述した貫通電極１１５の形成位置が半導体チップ２０の搭載位置と重なっている場合、例えば不良品の基板１１”に半導体チップ２０が誤ってダイボンディングされたとき、これらの貫通電極１１５と重なるように形成された貫通孔１１４”の表面の開口部は塞がれてしまう。  
そこで、第４の実施の形態では、裏面において、貫通孔１１４ｘと、ダミー端子１１５ｘとが重なっている。そして、半導体チップ２０と重ならない位置に予めダミー端子１１５ｘを形成しておけば、このダミー端子１１５ｘと重なるように形成された貫通孔１１４ｘの表面の開口部は、誤って半導体チップ２０に塞がれる虞が無くなる。これにより、不良品４１をより確実に排除することができる。
【００５４】
＝＝＝形成の容易な不良表示を両面に備えた連続配線基板＝＝＝
本実施の形態の連続配線基板１、１’は、半導体チップ２０を絶縁性樹脂３０で樹脂封止するための表面と、実装基板（不図示）へ実装するための裏面と、を有する複数の配線基板１０、１１、１１’が、ダイシング用区分線DLを介して連続して配列されてなる連続配線基板であって、複数の配線基板１０、１１、１１’の中で不良判別された配線基板１１、１１’に対し、配線基板１１、１１’が不良判別された旨を確認するための表面と裏面との間を貫通する貫通孔１１４、１１４’、を備えてなる（図２（ａ）、図７（ａ）参照）。
【００５５】
この連続配線基板１は、前述したAOI等により不良判別された配線基板１１、１１’の両面において開口する貫通孔１１４、１１４’を備えている。つまり、この連続配線基板１、１’は、不良判別された配線基板１１、１１’に対し不良表示を両面に備えていることになる。例えば、基板製造メーカにおいて、この貫通孔１１４、１１４’は、表面から裏面へ又は裏面から表面へ、例えばレーザ光を照射したりドリルを貫通させたりすることにより形成できる（図４参照）。この貫通孔１１４、１１４’の形成は、例えば自動又は手動によるシール９１４ａの貼付やけがき溝９１４ｂの形成等により表面及び裏面に対し別々に不良表示を行う場合（図９（ａ）参照）に比べて容易である。
【００５６】
また、前述した連続配線基板１において、貫通孔１１４は、配線基板１１が不良判別された旨を確認するべく、表面と裏面との一方側から他方側へ光を通過させるための孔であることが好ましい。  
例えばパッケージメーカにおいて、本実施の形態の連続配線基板１を構成する配線基板１０、１１のそれぞれに対し裏面側（又は表面側）から光を入射することにより、貫通孔１１４を通過する透過光が表面側（又は裏面側）で検出される配線基板１１を不良品と判別することができる。例えば従来のシール９１４ａを認識するための既存の自動認識装置４００を適用する場合には、光源４００ａを裏面側に配置し、透過光の有無に基づいて良品又は不良品を判別するようにプログラム等を変更することにより、半導体チップ２０の搭載前における良品及び不良品の区別を容易に実行できる（図３及び図５参照）。これにより、不良品の配線基板１１に対しては、半導体チップ２０を無駄に搭載することが回避され（図６参照）、これは結局、半導体装置４０の製造コストの節減につながる。
【００５７】
また、前述した連続配線基板１において、貫通孔１１４は、配線基板１１が不良判別された旨を確認するべく、表面側から裏面側へ絶縁性樹脂３０を通過させるための孔であることが好ましい。  
例えばパッケージメーカにおいて、裏面側における絶縁性樹脂３０の露出部分３０１の有無に基づいて、ダイシングにより個片化された半導体装置４０及び不良品４１を容易に区別できる（図５参照）。本実施の形態では、不良品４１の裏面の端子１１２ｃに貫通孔１１４の開口部がある（図２（ｂ）参照）。前述したように、本実施の形態では、端子１１２ｃは可視光に対して金属光沢を呈する一方、絶縁性樹脂３０は可視光に対して不透明であるため、金属光沢を有する色に対し、露出部分３０１の不透明な色のコントラストが明瞭になる。よって、半導体装置４０及び不良品４１を精度良く効率的に区別できる。これは結局、半導体装置４０の製造コストの節減とともに、その品質向上につながる。
【００５８】
また、前述した連続配線基板１”において、複数の配線基板１０、１１”は、それぞれ、表面と裏面との間を貫通し、表面の配線パターン１０２ａ、１１２ａと裏面の配線パターン１０２ｂ、１１２ｂとを電気的に接続する貫通電極１１５を有し、貫通孔１１４”は、貫通電極１１５を利用した孔であることとしてもよい（図７（ｂ）参照）。  
これにより、配線基板１１”の裏面に貫通電極１１５が露出し、貫通孔１１４”はこの貫通電極１１５の開口部電極１１５ｂと重なっている。これにより、配線基板１１”の裏面における開口部電極１１５ｂの金属光沢を有する色が、絶縁性樹脂３０の色と明瞭なコントラストをなすため、樹脂封止後に、貫通孔１１４”の有無を効率良く判別することができる。つまり、この貫通電極１１５を利用した貫通孔１１４”は、半導体装置及び不良品の区別に使用できる。
【００５９】
また、前述した連続配線基板１ｘにおいて、複数の配線基板１０、１１ｘは、それぞれ、表面と裏面との間を貫通し、表面の配線パターン１０２ａ、１１２ａと裏面の配線パターン１０２ｂ、１１２ｂとを電気的に接続する貫通電極１１５と、貫通孔１１４ｘとしてのダミー端子１１５ｘと、を有することとしてもよい（図７（ｃ）参照）。  
前述した貫通電極１１５の形成位置が半導体チップ２０の搭載位置と重なっている場合、例えば不良品の基板１１”に半導体チップ２０が誤ってダイボンディングされたとき、これらの貫通電極１１５と重なるように形成された貫通孔１１４”の表面の開口部は塞がれてしまう。しかし、半導体チップ２０と重ならない位置の端子を予めダミー端子１１５ｘとして形成しておけば、このダミー端子１１５ｘと重なるように形成された貫通孔１１４ｘの表面の開口部は、誤って半導体チップ２０に塞がれる虞が無くなる。これにより、不良品４１をより確実に排除することができる。
【００６０】
また、前述した連続配線基板１において、貫通孔１１４は、複数であることとしてもよい。  
これにより、例えば不良品の基板１１に半導体チップ２０を誤ってダイボンディングして貫通孔１１４の表面の開口部を塞いだ場合でも、他の貫通孔１１４の裏面の開口部における絶縁性樹脂３０の露出部分３０１に基づいて、半導体装置４０と区別できる。
【００６１】
また、前述した連続配線基板１は、絶縁性基板１０１、１１１であることが好ましい。  
絶縁性基板であれば、例えば半導体基板のように表面及び裏面に配線パターン１０２ａ、１０２ｂ、１１２ａ、１１２ｂを形成するに際して絶縁被覆処理をする必要がないため、処理工程が容易になる。また、特にガラスエポキシ等の絶縁性の樹脂製基板であれば、柔軟性を有するため、より多くの配線基板１０、１１を備えた連続配線基板１を形成することができる。但し、本発明の連続配線基板は、絶縁性基板に限定されるものではない。
【００６２】
＝＝＝その他の実施の形態＝＝＝
前述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。
【００６３】
前述した実施の形態では、基板メーカは、両面に配線パターン及びソルダレジストパターンが形成された連続配線基板１を出荷し、パッケージメーカは、この連続配線基板１に対し半導体チップ２０の搭載や絶縁性樹脂３０の封止等の処理を行うものであったが、２つのメーカにおける処理の分担はこれに限定されるものではない。例えば、基板メーカからパッケージメーカへ、配線パターンのみが形成された連続配線基板が出荷されて、残りの処理は全てパッケージメーカで行われてもよい。或いは、例えば連続配線基板１の製造及び半導体装置４０の製造の両方が全てパッケージメーカで行われてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施の形態（第１の実施の形態）の一枚の連続配線基板の外観構成例を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、本実施の形態の連続配線基板の構成例を示す平面図及び厚さ方向の断面図からなる部分模式図であり、（ｂ）は、本実施の形態の半導体装置及び不良品の構成例を示す厚さ方向の断面図である。
【図３】本実施の形態の連続配線基板及び貫通孔を通じて不良品の配線基板を自動的に認識する自動認識装置の概略構成例を示す模式図である。
【図４】本実施の形態の貫通孔の形成手順の一例を説明するためのフローチャートである。
【図５】本実施の形態の連続配線基板を用いた半導体装置の製造手順の一例を説明するためのフローチャートである。
【図６】本実施の形態の連続配線基板のうちの良品の基板と不良品の基板とを区別し良品の基板のみに半導体チップを搭載する処理の一例を説明するための模式図である。
【図７】（ａ）は第２の実施の形態の連続配線基板の裏面の構成例を示す部分平面図であり、（ｂ）は第３の実施の形態の連続配線基板の裏面の構成例を示す部分平面図であり、（ｃ）は第４の実施の形態の連続配線基板の裏面の構成例を示す部分平面図である。
【図８】一枚の連続配線基板の外観構成例を示す平面図である。
【図９】（ａ）は、連続配線基板の構成例を示す平面図及び厚さ方向の断面図からなる部分模式図であり、（ｂ）は、連続配線基板が良品の配線基板とともに不良品の配線基板を含んでいる場合の当該連続配線基板を用いた半導体装置及び不良品の構成例を示す厚さ方向の断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１    連続配線基板                  ９    連続配線基板
１ａ  境界部                        １ｂ  端子部
１０  良品の配線基板                １１  不良品の配線基板
２０  半導体チップ                  ２１  絶縁性接着剤
２２  金属細線                      ３０  絶縁性樹脂
４０  半導体装置                    ４１  不良品
９０  良品の配線基板                ９１  不良品の配線基板
１０１  絶縁性基板                  １１１  絶縁性基板
１０２ａ、１０２ｂ  配線パターン    １１２ａ、１１２ｂ  配線パターン
１１２ｃ  端子                      １１４  貫通孔
１０３ａ、１０３ｂ  ソルダレジストパターン
１１３ａ、１１３ｂ  ソルダレジストパターン
１１５  貫通電極                    １１５ａ  内周部電極
１１５ｂ  開口部電極                １１５ｘ  ダミー端子
３０１  露出部分                    ４００  自動認識装置
４００ａ  光源                      ４００ｂ  カメラ
９０１  絶縁性基板                  ９１１  絶縁性基板
９０２ａ、９０２ｂ  配線パターン    ９１２ａ、９１２ｂ  配線パターン
９０３ａ、９０３ｂ  ソルダレジストパターン
９１３ａ、９１３ｂ  ソルダレジストパターン
９１４ａ  シール                    ９１４ｂ  けがき溝
９４０  半導体装置                  ９４１  不良品
【図１】
2007180151.tif 000003
【図２】
2007180151.tif 000004
【図３】
2007180151.tif 000005
【図４】
2007180151.tif 000006
【図５】
2007180151.tif 000007
【図６】
2007180151.tif 000008
【図７】
2007180151.tif 000009
【図８】
2007180151.tif 000010
【図９】
2007180151.tif 000011