(57)【要約】【課題】下部シールド層と基板との間の絶縁性を維持しつつ、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、下部シールド層２２が第１絶縁層２１に埋め込まれた構造を基板上に有する薄膜磁気ヘッドにおいて、第１絶縁層２１を有する基板２０の第１絶縁層側から第１絶縁層を貫通して基板に至る凹部２１ｃを形成し、凹部２１ｃにおいて基板２０との間の絶縁用の第２絶縁層２１−３を形成し、凹部２１ｃに下部シールド層２２を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、前記下部シールド層が前記第１絶縁層に埋め込まれた構造を前記基板上に有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１絶縁層を有する前記基板の前記第１絶縁層側から前記第１絶縁層を貫通して前記基板に至る凹部を形成する工程と、前記凹部において前記基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記凹部に下部シールド層を形成する工程と、を具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、前記下部シールド層が前記第１絶縁層に埋め込まれた構造を前記基板上に有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１絶縁層を有する前記基板の前記第１絶縁層側から前記第１絶縁層を貫通して前記基板に至る絶縁用第１凹部及びコンタクト用第２凹部を形成する工程と、前記第１凹部において前記基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記第１凹部に下部シールド層を形成すると共に前記第２凹部にコンタクト部を形成する工程と、を具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２凹部における前記基板の深さが約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１凹部における前記基板の深さが約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置などに搭載される薄膜磁気ヘッドは、一般に、巨大磁気抵抗効果を発揮する再生用のＭＲ（Magneto-Resistive）ヘッドと、コアとコイルとを有する記録用のインダクティブヘッドの複合型薄膜磁気ヘッドである（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−２７２９９８公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した薄膜磁気ヘッドのＭＲヘッドにおいては、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、下部シールド層が絶縁層に埋め込まれた構造を備えている。ＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果素子に検出電流が流れることで熱が発生し、これにより、磁気抵抗効果素子がＡＢＳ（空気ベアリング面）から突出（ＰＴＰ：ポール・ティップ・プロトルージョン）する。このことは、ＭＲヘッドとメディアとの接触を引き起こし、ＭＲヘッドが破壊される原因になる。このため、薄膜磁気ヘッドの内部の温度を下げるべく、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドが検討されている。すなわち、下部シールド層と基板との間の絶縁性を維持しつつ、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドが望まれている。
【０００４】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、下部シールド層と基板との間の絶縁性を維持しつつ、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、前記下部シールド層が前記第１絶縁層に埋め込まれた構造を前記基板上に有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１絶縁層を有する前記基板の前記第１絶縁層側から前記第１絶縁層を貫通して前記基板に至る凹部を形成する工程と、前記凹部において前記基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記凹部に下部シールド層を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
この方法によれば、下部シールド層用の凹部を形成した後に、第２絶縁層を形成している。この場合、第２絶縁層は成膜により形成するので、膜厚の制御が可能となるので、下部シールド層用の凹部において、下部シールド層と基板とを画する第２絶縁層の厚さを正確に制御することが可能となる。その結果、下部シールド層と基板との間の絶縁性の信頼性を高めることが可能となる。また、下部シールド層用の凹部が基板に入り込んで形成されているので、下部シールド層と基板との間の放熱経路を短く、すなわち、熱抵抗を小さくすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。
【０００７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、前記下部シールド層が前記第１絶縁層に埋め込まれた構造を前記基板上に有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１絶縁層を有する前記基板の前記第１絶縁層側から前記第１絶縁層を貫通して前記基板に至る絶縁用第１凹部及びコンタクト用第２凹部を形成する工程と、前記第１凹部において前記基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記第１凹部に下部シールド層を形成すると共に前記第２凹部にコンタクト部を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、放熱性及び絶縁性に優れた下部シールド層を形成すると共に、下部シールド層形成工程を利用してコンタクト部を形成することができる。
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記第２凹部における前記基板の深さが約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記第１凹部における前記基板の深さが約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、前記下部シールド層が前記第１絶縁層に埋め込まれた構造を前記基板上に有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１絶縁層を有する前記基板の前記第１絶縁層側から前記第１絶縁層を貫通して前記基板に至る凹部を形成する工程と、前記凹部において前記基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記凹部に下部シールド層を形成する工程と、を具備するので、下部シールド層と基板との間の絶縁性を維持しつつ、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明における実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１におけるＸ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。また、図１におけるＺ方向は記録媒体（磁気ディスク）の進行方向である。また、薄膜磁気ヘッドの前端面（図１に示す最左面）を「記録媒体との対向面」と呼ぶ。さらに各層において「前端面（前端部）」とは図１における左側の面を指し「後端面（後端部）」とは図１における右側の面を指す。本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッド部（インダクティブヘッドともいう）と再生ヘッド部（ＭＲヘッドともいう）とが複合された薄膜磁気ヘッドである。すなわち、本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、絶縁層上に記録ヘッド部が設けられ、絶縁層下に再生ヘッド部が設けられている。
【００１２】
基板２０はスライダであり、例えば、アルミナチタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などで構成されている。この基板２０上には、下地層である絶縁層２１が形成されている。絶縁層２１の材料としては、Ａｌ2Ｏ3などのＡｌ−Ｏ系材料、ＡｌＳｉＯなどのＡｌ−Ｓｉ−Ｏ系材料、ＳｉＯ2などのＳｉ−Ｏ系材料酸化アルミニウム、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。絶縁層２１には、記録媒体との対向面からハイト方向に第１凹部２１ａが形成されている。ここで、絶縁層２１の第１凹部２１ａが形成されている領域以外での膜厚Ｈ１は約１．０μｍ〜約３．０μｍであり、第１凹部２１ａの最大深さＨ２は約０．５μｍ〜約１．５μｍである。なお、絶縁層２１は、単層であっても良く、多層構造であっても良い。
【００１３】
第１凹部２１ａ内には、ＮｉＦｅ系合金やセンダストなどで構成された下部シールド層２２が形成されている。この下部シールド層２２は絶縁層２１内に埋め込まれた状態となる。また、下部シールド層２２の上面２２ａと絶縁層２１の上面２１ｂとは平坦化されている。
【００１４】
下部シールド層２２の上面２２ａ及び絶縁層２１の上面２１ｂの上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料で構成されたギャップ層２３が重ねて形成されている。ギャップ層２３内には、スピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ（Giant Magneto-Resistive）素子に代表される磁気抵抗効果素子２４が形成されており、磁気抵抗効果素子２４の前端面は記録媒体との対向面に露出している。また、ギャップ層２３上には、ＮｉＦｅ系合金などで形成された上部シールド層２７が形成されている。
【００１５】
上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向後方には、上部シールド層２７と分離形成された第２金属層２８が形成されている。第２金属層２８の記録媒体との対向面側の前方領域２８ａは、ギャップ層２３上に乗り上げ形成されているが、第２金属層２８の後方領域２８ｂは、ギャップ層２３上からハイト方向後方にかけて下方に屈曲して絶縁層２１上に形成されている。上部シールド層２７と第２金属層２８との間は、Ａｌ2Ｏ3などで構成された絶縁層２９で埋められている。この構造において、下部シールド層２２から上部シールド層２７までを再生用ヘッド（ＭＲヘッド）と呼ぶ。
【００１６】
上部シールド層２７上には、Ａｌ2Ｏ3などで構成された分離層３０が形成されている。なお、分離層３０は必須の構成ではなく、上部シールド層２７を記録ヘッド部の下部コア層として機能させても良い。分離層３０上には、下部コア層３１が形成されている。下部コア層３１は、ＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で構成される。下部コア層３１は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。
【００１７】
下部コア層３１の後端面３１ａからハイト方向に離れた位置には、下部コア層３１と分離形成された第３金属層３２が形成されている。第３金属層３２の下面３２ａは、第２金属層２８の上面に接して形成されている。また、下部コア層３１と第３金属層３２との間には、Ａｌ2Ｏ3などで構成された絶縁層３３が埋め込まれている。
【００１８】
下部コア層３１上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法で隆起層３４が形成されている。さらに、隆起層３４のハイト方向後端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置であって、下部コア層３１上には、バックギャップ層３５が形成されている。隆起層３４及びバックギャップ層３５は磁性材料で構成されている。この磁性材料は、下部コア層３１と同じ材料でも良く、異なる材料でも良い。また、隆起層３４及びバックギャップ層３５は単層であっても良く、多層構造であっても良い。隆起層３４及びバックギャップ層３５は、下部コア層３１に磁気的に接続されている。
【００１９】
隆起層３４とバックギャップ層３５との間の下部コア層３１上には、コイル絶縁下地層３６が形成され、コイル絶縁下地層３６上には、複数本の第１コイル片３７が形成されている。第１コイル片３７は、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料で構成されたコイル絶縁層３８で埋められている。隆起層３４及びコイル絶縁層３８上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ規定層３９が形成されている。
【００２０】
記録媒体との対向面からＧｄ規定層３９の前端面までの隆起層３４上、Ｇｄ規定層３９の後端面よりハイト方向のコイル絶縁層３８上、及びバックギャップ層３５上には、下部磁極層４０及びギャップ層４１が順次形成されている。なお、ギャップ層４１のハイト方向への寸法はＧｄ規定層３９によって規定されている。ギャップ層４１上及びＧｄ規定層３９上には、上部磁極層４２が形成されており、上部磁極層４２上には、上部コア層４３が形成されている。
【００２１】
上部コア層４３上には、例えばレジスト、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料で構成された絶縁層４５が形成されている。絶縁層４５上には、複数本の第２コイル片４６が形成されている。第１コイル片３７と第２コイル片４６とは、それぞれのトラック幅方向における端部同士が電気的に接続されており、第１コイル片３７と第２コイル片４６とを有する、磁極層を軸にして巻回形成されたトロイダルコイル層４７が形成されている。トロイダルコイル層４７上には、Ａｌ2Ｏ3やＡｌＳｉＯなどの絶縁材料で構成された保護層４８が形成されている。
【００２２】
次に、上記構成を有する薄膜磁気ヘッドの下部シールド層２２を形成する方法について説明する。すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、基板上に第１絶縁層を介して薄膜磁気ヘッド素子を設けた薄膜磁気ヘッドであり、この薄膜磁気ヘッド素子は、上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、下部シールド層が第１絶縁層に埋め込まれた構造を基板上に有する薄膜磁気ヘッドにおいて、第１絶縁層を有する基板の第１絶縁層側から第１絶縁層を貫通して基板に至る凹部を形成し、凹部において基板上に第２絶縁層を形成し、凹部に下部シールド層を形成する。
【００２３】
本実施の形態においては、下部シールド層２２が基板２０と絶縁されている領域と下部シールド層２２が基板２０とコンタクトした領域とを含む構造を製造する場合について説明する。すなわち、第１絶縁層を有する基板の第１絶縁層側から第１絶縁層を貫通して基板に至る絶縁用第１凹部及びコンタクト用第２凹部を形成し、第１凹部において基板上に第２絶縁層を形成し、第１凹部に下部シールド層を形成すると共に第２凹部にコンタクト部を形成する。この方法においては、放熱性及び絶縁性に優れた下部シールド層を形成すると共に、下部シールド層形成工程を利用してコンタクト部を形成することができる。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ａ）〜（ｅ）及び図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための横断面図である。これらの図は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面を描いたものである。ただし、この断面にない絶縁層２１−１よりも上の部分は省略してある。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すような絶縁層２１−１を有する基板２０を準備する。ここでは、絶縁層２１−１は、Ａｌ2Ｏ3で構成されている。また、絶縁層２１−１を有する基板２０を準備する代わりに、基板２０に所定の膜厚の絶縁層２１−１を形成しても良い。次いで、図２（ｂ）に示すように、絶縁層２１上にスパッタリングなどの方法によりＳｉＯ2を被着して絶縁層２１−２を形成する。ここでは、絶縁層２１−１，２１−２により第１絶縁層が構成されている。
【００２６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁層２１−２上にレジストを塗布してレジスト層５１を形成し、レジスト層５１において開口させる領域を露光して現像することにより開口部５１ａ，５１ｂを形成する。開口部５１ａは下部シールド層用の開口部であり、開口部５１ｂはコンタクト部用の開口部である。次いで、図２（ｄ）に示すように、開口部５１ａ，５１ｂを有するレジスト層５１をマスクとして絶縁層２１−１，２１−２をイオンミリングもしくはＲＩＥによりドライエッチングして、下部シールド層用の凹部（第１凹部）２１ｃ及びコンタクト部用の凹部２１ｄを形成する。これらの凹部２１ｃ，２１ｄは、基板２０に入り込むように形成されている。その後、図２（ｅ）に示すように、レジスト層５１を除去する。
【００２７】
このとき、下部シールド層用の凹部２１ｃの深さｄ１は、素子特性などを考慮すると、約０．５μｍ〜約５μｍであることが好ましい。また、下部シールド層用の凹部２１ｃが基板２０に入り込む深さｄ２は、基板との絶縁性などを考慮すると、約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。なお、この段階においては、コンタクト部用の凹部２１ｄは、下部シールド層用の凹部２１ｃと同じ深さｄ１を有し、また、基板２０に入り込む深さｄ２も下部シールド層用の凹部２１ｃと同じである。
【００２８】
次いで、図３（ａ）に示すように、凹部２１ｃ，２１ｄを有する絶縁層２１上にＡｌ2Ｏ3をスパッタリングなどの方法により被着して第２絶縁層である絶縁層２１−３を形成する。絶縁層２１−３の厚さは、下部シールド層２２の上方に設けられるヘッドで発生した熱を十分に基板２０に放熱できると共に、下部シールド層２２と基板２０との間の絶縁性を維持できる厚さに設定する。例えば、絶縁層２１−３の厚さは、約０．１μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。なお、本実施の形態においては、絶縁層２１−１及び絶縁層２１−３をＡｌ2Ｏ3で構成し、絶縁層２１−２をＳｉＯ2で構成した場合について説明しているが、絶縁層２１−１〜２１−３については、下部シールド層２２と基板２０との間の絶縁性が確保されるのであれば材料には特に制限はない。
【００２９】
このように、本実施の形態においては、下部シールド層用の凹部２１ｃを形成した後に、絶縁層２１−３を形成している。この場合、絶縁層２１−３は成膜により形成するので、膜厚の制御が可能となる。したがって、下部シールド層用の凹部２１ｃにおいては、下部シールド層２２と基板２０とを画する絶縁層２１−３の厚さを正確に制御することが可能となる。したがって、下部シールド層２２と基板２０との間の絶縁性の信頼性を高めることが可能となる。また、下部シールド層用の凹部２１ｃが基板２０に入り込んで形成されているので、下部シールド層２２と基板２０との間の放熱経路を短くすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。
【００３０】
次いで、図３（ｂ）に示すように、絶縁層２１−３上にレジストを塗布してレジスト層５２を形成し、レジスト層５２において開口させる領域を露光して現像することにより開口部５２ａを形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、開口部５２ａを有するレジスト層５２をマスクとして絶縁層２１−３及び基板２０をイオンミリングもしくはＲＩＥによりドライエッチングした後に、図３（ｄ）に示すように、レジスト層５２を除去して、コンタクト部用の凹部（第２凹部）２１ｅを形成する。ここで、コンタクト部用の凹部２１ｅが基板２０に入り込む深さｄ３は、基板との絶縁性などを考慮すると、約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。
【００３１】
次いで、図３（ｅ）に示すように、コンタクト部のパターニングが完了した構造体上に、ＮｉＦｅをスパッタリングなどの方法により被着して、メッキ下地層２２−１を形成する。メッキ下地層２２−１の厚さは、約０．０５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。次いで、図４（ａ）に示すように、メッキ下地層２２−１上に、ＮｉＦｅをメッキにより被着して、下部シールド層２２を形成する。この場合のメッキ層の厚さは、少なくとも凹部２１ｃ及び凹部２１ｅが埋め込まれる厚さであれば良い。
【００３２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、スラリーに、アルミナ砥粒などを用いたＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により下部シールド層２２を研磨して、凹部２１ｃに下部シールド層２２ｂを埋め込み、凹部２１ｅにコンタクト部２２ｃを埋め込む。さらに、スラリーに、アルミナ砥粒などを用いたＣＭＰにより絶縁層２１−３を研磨すると、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２１−２が露出する。このとき、下部シールド層２２ｂ及びコンタクト部２２ｃも若干研磨される。さらに、ミリング加工で絶縁層２１−２を除去した後に、ラッピング加工を施すことにより、図４（ｄ）に示すような構造が得られる。その後、下部シールド層２２ｂ及びコンタクト部２２ｃを用いてヘッド構造の形成を行う。なお、この後のヘッド構造の形成は、通常行われている方法により行う。また、各工程における処理条件についても、通常行われている条件を用いる。
【００３３】
このように、本発明の方法によれば、下部シールド層用の凹部２１ｃを形成した後に、絶縁層２１−３を形成している。この場合、絶縁層２１−３は成膜により形成するので、膜厚の制御が可能となり、下部シールド層用の凹部２１ｃにおいて、下部シールド層２２と基板２０とを画する絶縁層２１−３の厚さを正確に制御することが可能となる。その結果、下部シールド層２２と基板２０との間の絶縁性の信頼性を高めることが可能となる。また、下部シールド層用の凹部２１ｃが基板２０に入り込んで形成されているので、下部シールド層２２と基板２０との間の放熱経路を短くすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。
【００３４】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
上記のような方法で製造した薄膜磁気ヘッドについて、下部シールド層のＰＴＰ（Pole Tip Protrusion）の電流依存性を調べた。このとき、下部シールド層と基板との間の絶縁層の厚さを０．５μｍ、０．２μｍとした。その結果を図５に示す。なお、ＰＴＰについては、０，２０，４０，６０ｍＡの各write電流毎に浮上量のメディア回転数依存性を調べ、ヘッドとメディアの間の（ＡＥセンサが反応する）浮上量の差により求めた。
【００３５】
図５から明らかなように、下部シールド層と基板との間の絶縁層の厚さが０．５μｍ、０．２μｍのいずれの場合においても、下部シールド層のシールド性の温度依存性及び電流依存性について実用上問題ないことが確認された。これは、上記方法により、下部シールド層用の凹部において、下部シールド層と基板とを画する絶縁層の厚さを正確に制御することができているためであると考えられる。
【００３６】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、本実施の形態における各層の材質や寸法などは例示であり、それに限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明における実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための横断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための横断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための横断面図である。
【図５】下部シールド層のＰＴＰの電流依存性を示す特性図である。
【符号の説明】
【００３８】
２０  基板
２１，２１−１，２１−２，２１−３  絶縁層
２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ  凹部
２２，２２ｂ  下部シールド層
２２ｃ  コンタクト部
２２−１  メッキ下地層
２３  ギャップ層
２４  磁気抵抗効果素子
２７  上部シールド層
【図１】
2007184050.tif 000003
【図２】
2007184050.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007184050.tif 000006
【図５】
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