(57)【要約】【課題】Ｃｕ端子電極の付着、及び、付着不良を著しく低減できるセラミック電子部品用冶具を提供する。【解決手段】セラミック電子部品を熱処理するために用いられる冶具であって、少なくとも、セラミック電子部品を受ける部分４１、４２が、チタンもしくはチタン合金で構成され、又は、チタンを主成分とする皮膜によって覆われている。【選択図】図１
2007194510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック電子部品を熱処理するために用いられる冶具であって、
少なくとも、前記セラミック電子部品を受ける部分が、チタンを主成分とする材料で構成され、又は、チタンを主成分とする皮膜によって覆われている、
冶具。
【請求項２】
請求項１に記載された冶具であって、前記セラミック電子部品を個別的に受ける多数の凹受部を有する、冶具。
【請求項３】
Ｃｕ端子電極焼付け形成工程を含むセラミック電子部品の製造方法であって、
請求項１又は２に記載された冶具を用い、前記冶具の面上に、Ｃｕを主成分とする未焼付けＣｕ端子電極塗膜を有するセラミック電子部品を供給し、
次に、前記冶具及び前記セラミック電子部品を熱処理して、前記Ｃｕ端子電極塗膜を焼き付ける、
工程を含むセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品のＣｕ端子電極焼付等に用いて好適なセラミック電子部品用冶具及びその冶具を用いたセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品では、グリーンチップを焼成して得られたチップの両端に、Ｃｕ粉末及び有機バインダを含む電極ペースト（導体ペースト）を塗布し、焼き付けることにより、内部電極と、電気的に接続するＣｕ端子電極を形成する。
【０００３】
Ｃｕ端子電極の焼き付けに当たっては、内部電極の断層面が酸化してＣｕ端子電極と導通不良が生じないように、窒素（Ｎ2）雰囲気中、つまり中性雰囲気中で、７００℃〜９００℃の温度範囲にて焼き付けされる。この焼き付け工程は、電極ペーストの塗布されたセラミック電子部品を、ステンレス鋼線でなるメッシュで作製された冶具に、ランダムにばら積み収容し、この冶具をステンレス鋼線でなる枠に載置して、その枠をメッシュベルトに載せて焼成炉を通過させて行う。
【０００４】
ところが、冶具にランダムにばら積み収容されたセラミック電子部品は、Ｃｕ端子電極が、隣接する他のセラミック電子部品のＣｕ端子電極に接触し、接触した状態で焼き付けが行われ、相互に付着してしまう。互いに付着したセラミック電子部品を強制的に剥がそうとすると、Ｃｕ端子電極が部分的に剥がれてしまい、Ｃｕ端子電極の一部に傷が残り、Ｃｕ端子電極不良として歩留まりを悪化させる。
【０００５】
この問題を解決するため、例えば特許文献１は、Ｎｉメッシュの表面にZrO2粉末を付着させた冶具を用い、メッシュの各網目にＣｕ端子電極を付与したチップ部品を落とし込んで、焼き付ける手法を開示している。また、特許文献２は、Ｎｉで形成された網状体の表面にNiOからなる酸化被膜を形成した冶具を開示している。
【０００６】
しかし、特許文献１、２に開示された冶具を用いた場合、Ｃｕ端子電極が、メッシュ又は網状体の表面に付着してしまい、付着痕跡として、Ｃｕ端子電極の一部に傷が残り、Ｃｕ端子電極不良として歩留まりを悪化させる。
【０００７】
しかも、メッシュ又は網状体の表面にＣｕ端子電極が付着した場合、剥離後にＣｕ端子電極を構成するＣｕ成分が残ってしまい、それが、次の焼付け処理において、Ｃｕ端子電極の付着を促進させる原因となる。このため、冶具の耐用期間を短縮してしまうという問題点もあった。
【特許文献１】特開平１１−３５４３７７号公報
【特許文献２】特開２００４−４７５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、Ｃｕ端子電極の付着、及び、付着不良を著しく低減できるセラミック電子部品用冶具、及び、その冶具を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【０００９】
本発明のもう一つの課題は、耐用期間を著しく長期化し、コストダウンに寄与するセラミック電子部品用冶具、及び、その冶具を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るセラミック電子部品用冶具は、セラミック電子部品を熱処理するために用いられるものであって、少なくとも、前記セラミック電子部品を受ける部分が、チタンを主成分とする材料で構成され、又は、チタンを主成分とする皮膜によって覆われている。
【００１１】
上述した冶具は、Ｃｕ端子電極焼付け形成工程を含むセラミック電子部品の製造方法の実施に適用される。適用において、冶具の面上に、Ｃｕを主成分とする未焼付けＣｕ端子電極塗膜を有するセラミック電子部品を供給する。次に、前記冶具及び前記セラミック電子部品を熱処理して、前記Ｃｕ端子電極塗膜を焼付ける。
【００１２】
上述したＣｕ端子電極塗膜の焼付け処理において、その処理に用いられている冶具は、セラミック電子部品を受ける部分が、チタンを主成分とする材料で構成され、又は、チタンを主成分とする皮膜によって覆われているから、Ｃｕ端子電極の付着、及び、付着不良率を著しく低減できる。
【００１３】
しかも、メッシュ又は網状体の表面に対するＣｕ端子電極の付着が著しく低減されるから、メッシュ又は網状体の表面に対するＣｕ成分の残留も極めて少なくなる。このため、冶具の耐用期間が著しく長くなり、コストダウンに寄与することができる。
【００１４】
本発明に係る冶具は、未焼付けＣｕ端子電極塗膜を有するセラミック電子部品を個別的に受ける多数の凹受部を有する。この凹受部を形成する最も簡単な手段は、網状体を用いることである。別の手段として、切抜かれた孔を有する複数枚の板材を組み合わせて、焼付け処理に適した特有の凹受部を形成することも有効である。
【００１５】
何れの場合も、セラミック電子部品を受ける部分は、チタンを主成分とする材料で構成され、又は、チタンを主成分とする皮膜によって覆われる。
【発明の効果】
【００１６】
以上述べたように、本発明によれば、未焼付けＣｕ端子電極の付着、及び、付着不良を著しく低減できるセラミック電子部品用冶具、及び、その冶具を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供することができる。また、耐用期間を著しく長期化し、コストダウンに寄与するセラミック電子部品用冶具、及び、その冶具を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【００１７】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。但し、添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明に係るセラミック電子部品用冶具の一実施例を示す平面図、図２は図１に図示した矢印Ａ部分の拡大平面図、図３は図２の３−３線に沿った断面図である。図示されたセラミック電子部品用冶具は、ベース板２と、網状体４とを含む。ベース板２は、金属材料で構成され、一面に平板面２００を含む。
【００１９】
図３を参照すると、網状体４は、縦の金属線４１と横の金属線４２とで織られており、多数の交差部４３と、多数の網目でなる凹受部４５とを含む。縦の金属線４１及び横の金属線４２は、ともに、チタンを用いる。チタンは、Ｃｕ端子電極焼付に際して、Ｃｕ端子電極との付着が殆どない。ベース板２及び網状体４は、チタン又はチタン合金によって構成できる他、ステンレス鋼等の金属基材の表面にめっきやコーティング等の手段によって、チタン被覆膜として形成してもよい。
【００２０】
交差部４３は、金属線４１、４２が網状体４の厚み方向で重なって形成される。より詳しくは、交差部４３は、互いに隣り合う部分で、金属線４１、４２の上下が互い違いになるように交互に入れ替わって織られている。網状体４の形態は本実施例に限らず、交差部４３が網状体４の厚み方向で重なって形成されれば、どのような形態であってもよい。また、部品収納区画毎に交差部４３が存在していれば、部品収納区画毎に金属拡散接合を実行し、ベース板２と網状体４との間の隙間を小さく保つことができる。
【００２１】
網目でなる凹受部４５は、交差部４３と、金属線４１、４２とで囲まれた部品収納区画を形成する。ベース板２及び網状体４は、平板面２００において、交差部４３と、例えば拡散接合により固着されている。
【００２２】
凹受部４５の高さは、あまり低いと、収容されたセラミック電子部品５０が脱落しやすく、あまり高いとセラミック電子部品の収容作業が困難となる。そこで、凹受部４５の高さは、セラミック電子部品５０の高さ寸法を考慮し、上述した不具合が生じないような高さに設定される。凹受部４５の高さは、主として網状体４を構成する金属線４１、４２の直径で決定されるので、凹受部４５の高さ設定にあたっては、金属線４１、４２の直径を選択することになる。
【００２３】
上述した冶具は、セラミック電子部品のＣｕ端子電極焼付け形成工程の実施に適用される。図４は、セラミック電子部品のＣｕ端子電極焼付にあたり、図３に図示したセラミック電子部品用冶具に、セラミック電子部品５０を収容した状態を示す部分断面図である。セラミック電子部品５０のセラミック素体５０１には、焼付け前のＣｕ端子電極塗膜５０２が付与されている。セラミック電子部品５０が例えば積層セラミックコンデンサであれば、Ｃｕ端子電極塗膜５０２はセラミック電子部品５０の長手方向両端に塗布される。
【００２４】
Ｃｕ端子電極塗膜５０２は、銅粉を主成分とする導電成分と、有機バインダとを含み、これらを混合して調製したペーストを、セラミック素体５０１に塗布し、乾燥させることによって得られる。
【００２５】
図４において、セラミック電子部品５０は、凹受部４５に１個ずつ収容される。セラミック電子部品用冶具に収容された塗膜付きセラミック電子部品５０は、次に、セラミック電子部品用冶具ごと焼付炉に入れられ、７００℃〜９００℃程度に加熱されてＣｕ端子電極焼付が行われる。このとき、セラミック電子部品５０に塗布されたＣｕ端子電極塗膜５０２から有機バインダを除去する脱バインダ処理が行われる。脱バインダ処理は、凹受部４５の周囲４面における交差部４３と、金属線４１、４２との段差で形成される隙間Ｇ１を介して行われる。この隙間Ｇ１は、網状体４の全面にわたって均等に存在するため、脱バインダ処理が良好に行え、更に、焼付温度の均一化及び焼付雰囲気の均一化を実現する。また、図４に示したように、ベース板２の厚さ方向に貫通孔２３を設ければ、脱バインダ処理、焼付温度及び焼付雰囲気を、均一化できる。
【００２６】
また、網状体４は、金属線４１、４２で織られており、多数の金属線交差部４３と、多数の凹受部４５とを含むから、一つの凹受部４５を１個のセラミック電子部品の収容区画とし、各凹受部４５にセラミック電子部品５０を１個ずつ収容することができる。従って、セラミック電子部品５０のＣｕ端子電極塗膜５０２同士が接触することがない。
【００２７】
また、ベース板２及び網状体４は、平板面２００において、交差部４３と拡散接合５により固着しているから、網状体４の全面にわたって交差部４３がベース板２に固着しベース板２と網状体４との間の隙間を小さく保つことができる。したがって、ベース板２と網状体４との間の隙間にセラミック電子部品が入り込む不具合を防止できる。
【００２８】
しかも、ベース板２に固着する部分は網状体４の交差部４３であるので、基本的には、全ての凹受部４５が部品収納区画として利用できる。このため、セラミック電子部品５０の収容数量の大きなセラミック電子部品用冶具が提供できる。
【００２９】
更に、本発明に特有の構成として、セラミック電子部品を受けるベース板２及び網状体４が、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有するから、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。
【００３０】
次に、ベース板２及び網状体４の材質毎の焼付け実験結果を表1に示す。表1において、付着率（％）は網状体４に対するＣｕ端子電極塗膜５０２の付着率（Ｎ=10,000)を示す。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
表１を参照すると、網状体４を、SUS304（Fe-18Cr-Ni）、MN(63Ni−30Cu）及びHA（Ni-Cr-Mo)で構成した場合、付着率が１１〜７６．６２（％）に達するのに対し、Ｔｉによって構成した場合は、上述した他の材質に比較して著しく低い０．３７（％）である。このことは、Ｔｉを用いてベース板２及び網状体４を構成した場合、付着率が極めて低くなり、付着によるＣｕ端子電極塗膜５０２へのダメージが極小になることを意味する。ステンレス鋼等の金属基材の表面にめっきやコーティング等の手段によって、チタン被覆膜を形成した場合も、同様の結果が得られた。尚、表１の４に記載された合金ＭＮにおいて、材質成分(63Ni−30Cu）は、６３％以上のＮｉと、３０％程度のＣｕを含有することを示す。
【００３３】
しかも、ベース板２及び網状体４の表面に対するＣｕ端子電極塗膜５０２の付着が著しく低減されるから、ベース板２及び網状体４の表面に対するＣｕ成分の残留も極めて少なくなる。このため、冶具の耐用期間が著しく長くなり、コストダウンに寄与することができる。次に、この点について、表２を参照して説明する。表２は、ベース板２及び網状体４を、Ｔｉによって構成した場合において、繰り返し使用(投入数）したときの付着率及び付着不良率を示すデータである。
【００３４】
【表２】
2007194510.tif 000004
【００３５】
表２を参照すると、ベース板２及び網状体４を、Ｔｉによって構成した場合、投入数が増すと、付着率は高くなる傾向にあるが、端子に傷が残る付着不良率は、最大６回の繰り返し使用においても、０．０（％）であり、冶具の耐用期間が著しく長くなり、コストダウンに寄与することができることが分かる。
【００３６】
本発明は、種々のタイプの冶具に適用できる。その具体例を以下に示す。図５は本発明に係る治具の別の実施例を示す平面図、図６は図５に示した治具の分解図、図７は図５、図６に示した治具の部分拡大図である。
【００３７】
図５、図６を参照すると、図示の治具は、第１の薄板部材１０と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０とを含む。第３の薄板部材３０は、第２の薄板部材２２の上に配置され、第２の薄板部材２２は、第２の薄板部材２１の上に配置され、第２の薄板部材２１は、第１の薄板部材１０の上に配置されている。第１〜第３の薄板部材１０〜３０のそれぞれは、拡散接合、又は、熱圧着されていることが好ましい。
【００３８】
第１〜第３の薄板部材１０、２１、２２、３０は、チタンによって構成されている。これとは異なって、ステンレス鋼等の金属基材の表面にめっきやコーティング等の手段によって、チタン被覆膜を形成してもよい。第１〜第３の薄板部材１０〜３０のそれぞれの厚みは、例えば、１〜１０ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００３９】
第１の薄板部材１０は、基板１００と、通気孔１０１とを含む。通気孔１０１は、複数であり、基板１００の厚み方向に貫通している。通気孔１０１のそれぞれは、格子状に配列されている。
【００４０】
第２の薄板部材２１は、基板２１０と、第１のスリット２１１とを含む。第１のスリット２１１は、基板２１０の厚み方向に貫通している。第２の薄板部材２２は、基板２２０と、第２のスリット２２１とを含む。第２のスリット２２１は、基板２２０の厚み方向に貫通している。第２のスリット２２１は、厚み方向で見て、第１のスリット２１１と直交していることが好ましいが、交差する角度は任意である。
【００４１】
第３の薄板部材３０は、基板３００と、凹受部３０１とを含む。凹受部３０１は、格子状に配列され、それぞれが基板３００の厚み方向に貫通している。凹受部３０１−３０１間の間隔は任意である。
【００４２】
スリット２１１、２２１及び凹受部３０１は、厚み方向に連通するように組み合わされている。連通する部分（連通路）Ａ１、Ｂ１は、チップが通り抜けられる程度の内径を有し、基板１００の保持部１０２により、少なくとも部分的に塞がれている。
【００４３】
図８は、図５〜図７に示した治具の使用状態を説明する部分断面図である。図８において、セラミック電子部品５０のそれぞれは、凹受部３０１からスリット２１１、２２１に導かれ、保持部１０２に保持され、この状態で、脱バインダ工程、又は、焼成工程が施される。
【００４４】
本発明に特有の構成として、セラミック電子部品を受ける第１〜第３の薄板部材１０、２１、２２、３０が、チタンによって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にめっきやコーティング等の手段によって、チタン被覆膜が形成されているから、脱バインダ工程や焼成工程において、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。
【００４５】
第２の薄板部材２１、２２のスリット２１１、２２１、及び、第３の薄板部材３０の凹受部３０１は、厚み方向に連通するから、セラミック電子部品５０は、凹受部３０１からスリット２１１、２２１に導かれ、治具内に個別的に収納される。スリット２１１、２２１、及び、少なくとも２つの凹受部３０１は、凹受部３０１の一方−スリット２２１−スリット２１１−スリット２２１−凹受部３０１の他方へと抜ける流路（図５参照）を形成するので、通気性が良くなり、焼成雰囲気の均一化、及び、焼成温度の均一化が実現されるとともに、脱バイガスが放出され易くなる。このため、加熱むらが生じにくくなるとともに、脱バインダに要する時間が短縮される。
【００４６】
第１の薄板部材１０の保持部１０２は、連通路３０１、２１１、２２１を塞ぎ、セラミック電子部品５０を保持する。このため、セラミック電子部品５０を治具内に安定的に保持した状態で、脱バインダ工程、又は、焼成工程を施すことができ、電子部品を歩留まりよく製造し得る。
【００４７】
また、図示の第１の薄板部材１０は、通気孔１０１を含む。通気孔１０１は、連通路３０１、２１１、２２１に通じ、凹受部３０１−スリット２２１−スリット２１１−通気孔１０１へと抜ける流路（図５参照）を形成するので、更に通気性が良くなり、加熱むらが生じにくくなるとともに、脱バインダに要する時間が短縮される。
【００４８】
また、図示の実施例では、第１〜第３の薄板部材１０〜３０に連通路３０１、２１１、２２１、１０１が設けられている分だけ、空洞部分が多くなる。このため、熱容量小さくなり、脱バインダ、焼成工程における省エネルギー化が図られる。また、空洞部分により軽量化が図られる。
【００４９】
図９は、本発明に係る治具の別の一実施例を示す分解平面図、図１０は図９に示した治具の断面図である。これらの図において、図１〜図８に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。
【００５０】
図９、図１０に示した治具は、第１の薄板部材１０と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンによって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にめっきやコーティング等の手段によって、チタン被覆膜が形成されている。図６〜図８に示した実施例と異なって、第１の薄板部材１０には、通気孔が設けられていない。
【００５１】
図９、図１０に図示した実施例においては、第１の薄板部材１０、第２の薄板部材２１、２２、及び、第３の薄板部材３０が、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有するから、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。その他の作用効果については、先に述べた実施例とほぼ同じである。
【００５２】
図１１は、本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図、図１２は図１１に示した治具の断面図である。図１１、図１２に示した治具は、第１の薄板部材１０と、第２の薄板部材２１と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。従って、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。その他の作用効果については、先に述べた実施例とほぼ同じである。
【００５３】
図１３は、本発明に係る治具の更に別の一実施例を示す分解平面図である。図１３に示した治具は、第１の薄板部材１０と、第２の薄板部材２１と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。従って、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。その他の作用効果については、先に述べた実施例とほぼ同じである。
【００５４】
第２の薄板部材２１は、基板２１０と、第１のスリット２１１、２１２とを含む。第１のスリット２１１、２１２は、基板２１０の厚み方向に貫通しており、厚み方向で見て、互いに直交している。
【００５５】
図１４は本発明に係る治具の一実施例を示す平面図、図１５は図１４に示した治具の分解平面図、図１６は図１４、図１５に示した冶具の拡大断面図である。図１４〜図１６に図示された治具は、第１の薄板部材１１、１２と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。
【００５６】
第１の薄板部材１１、１２のそれぞれは、同一の構成であり、第２の薄板部材２１、２２のそれぞれは、同一の構成である。第３の薄板部材３０は、第２の薄板部材２２の上に配置され、第２の薄板部材２２は、第２の薄板部材２１の上に配置され、第２の薄板部材２１は、第１の薄板部材１２の上に配置され、第１の薄板部材１２は、第１の薄板部材１１の上に配置されている。第１〜第３の薄板部材１１〜３０のそれぞれは、拡散接合、又は、熱圧着されていることが好ましい。第１〜第３の薄板部材１１〜３０のそれぞれの厚みは、例えば、１〜１０ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００５７】
第３の薄板部材３０は、基板３００と、部品挿入用の凹受部３０１とを含む。凹受部３０１は、格子状に配列され、それぞれが基板３００の厚み方向に貫通している。凹受部３０１−３０１間の間隔は任意である。
【００５８】
第２の薄板部材２１は、基板２１０と、空洞部２０１とを含む。第２の薄板部材２２は、基板２２０と、空洞部２０１とを含む。空洞部２０１は、厚み方向でみて、凹受部３０１と重なる位置に形成され、基板２１０、２２０の厚み方向に貫通している。
【００５９】
空洞部２０１の最大差渡し寸法は、凹受部３０１の最大差渡し寸法よりも大きい。空洞部２０１において、チップが姿勢を変えるために必要だからである。
【００６０】
第１の薄板部材１１は、基板１１０と、第１の支持部１１１と、第２の支持部１１２と、溝部１１３とを含む。第１の薄板部材１２は、基板１２０と、第１の支持部１１１と、第２の支持部１１２と、溝部１１３とを含む。
【００６１】
第１の支持部１１１は、少なくとも一部が、厚み方向でみて、凹受部３０１と重ならない位置に形成されている。第２の支持部１１２は、少なくとも一部が、厚み方向で見て、凹受部３０１と重なる位置に形成されている。溝部１１３は、第１、第２の支持部１１１、１１２の周囲に形成されている。溝部１１３は、第１の支持部１１１がチップを支持している状態において、チップの端部付近に形成されていることが好ましい。
【００６２】
図１６は、図１４、図１５に示した治具の使用状態を説明する断面図である。図１６において、セラミック電子部品５０は、その長手方向に沿って、凹受部３０１から空洞部２０１に導かれる。連通路３０１、２０１は、チップが長手方向に沿って通り抜けられる程度の内径を有し、第２の支持部１１２は、少なくとも一部が、厚み方向で見て、凹受部３０１と重なる位置に形成されているから、長手方向に沿って挿入されたチップは、第２の支持部１１２に支持される。
【００６３】
次に、第２の支持部１１２に支持されたチップが転倒する。チップを転倒させる方法は、任意である。例えば、治具に振動を与えてチップを転倒させる方法や、支持装置を用いる方法等を挙げることができる。
【００６４】
空洞部２０１は、セラミック電子部品５０が略９０度回転し得るだけの空間を有するから、セラミック電子部品５０は、その長手方向が第２の薄板部材と平行になるように配置される。
【００６５】
第１の支持部１１１は、少なくとも一部が、厚み方向でみて、凹受部３０１と重ならない位置に形成されているから、転倒したチップは、その長手方向の中央部分が第１の支持部１１１に支持される。
【００６６】
第１の支持部１１１がチップを支持している状態において、チップの端部付近には溝部１１３が形成されているから、チップのＣｕ端子電極塗膜５０２と基板１１０、１２０との接触が回避される。これにより、チップと治具とが付着する不具合が回避される。
【００６７】
次に、この状態で、脱バインダ工程、焼成工程が施される。脱バインダ工程において、第１の薄板部材１１、１２、第２の薄板部材２１、２２及び第３の薄板部材３０は、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有するから、Ｃｕ端子電極塗膜５０２の付着、及び、付着不良を著しく低減できる。
【００６８】
セラミック電子部品５０は、その長手方向に沿って、凹受部３０１に挿入され、空洞部２０１において、長手方向が第２の薄板部材と平行になるように配置される。これにより、セラミック電子部品５０のそれぞれは、その長手方向に関して、治具との距離が一定になり、セラミック電子部品５０の長手方向に沿って加熱むらが生じる不具合が回避される。
【００６９】
また、第２の薄板部材２１、２２と平行に配置されることにより、セラミック電子部品５０の自重により、セラミック電子部品５０と治具とが付着する不具合が回避される。第２の薄板部材２１、２２と平行に配置されることにより、セラミック電子部品５０の自重が一点に集中しないからである。
【００７０】
第１の薄板部材１１、１２は、連通路３０１、２０１を、少なくとも部分的に塞ぎ、セラミック電子部品５０を保持する。これにより、セラミック電子部品５０を治具内に安定的に保持した状態で、脱バインダ工程、又は、焼成工程を施すことができ、歩留まりよく電子部品を製造し得る。
【００７１】
また、それぞれのセラミック電子部品５０は、空洞部２０１に個別的に保持され、互いに重なり合うことがないから、通気性が良くなる。このため、加熱むらが生じにくくなるとともに、脱バインダに要する時間が短縮される。
【００７２】
更に、図示の実施例では、溝部１１３が基板１１０、１２０の厚み方向に貫通しているから、第３の薄板部材３０の側から凹受部３０１、空洞部２０１に至り、溝部１１３を介して、第１の薄板部材１１の側へと抜ける流路（連通路）が形成される。かかる構成により、通気性が良くなり、加熱むらが生じにくくなるとともに、脱バインダに要する時間が短縮される。
【００７３】
特に、連通路３０１、２０１、１０３によれば、第１の薄板部材１１に面する側の外気と、第３の薄板部材３０に面する側の外気が通気し、セラミック電子部品５０に均一な外気が加わり、極めて良好な脱バインダ、焼成特性が得られる。
【００７４】
また、図示の実施例において、第１〜第３の薄板部材１１〜３０は、連通路３０１、２０１、１０３が設けられている分だけ、空洞部分が多くなる。このため、熱容量小さくなり、脱バインダ、焼成工程における省エネルギー化が図られる。また、空洞部分により軽量化が図られる。
【００７５】
図１７は、本発明に係る治具の別の実施例を示す分解平面図、図１８は図１７の１８−１８線に沿った断面図、図１９は図１８の１９−１９線に沿った断面図である。
【００７６】
図１７〜図１９に示した治具は、第１の薄板部材１１と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。
【００７７】
第１の薄板部材１１は、基板１１０と、第１の支持部１１１と、第２の支持部１１２と、溝部１１３とを含む。第１の支持部１１１は、２つの部分に分離され、第２の薄板部材２１と対向する側の一面から溝部１１３にかけて、テーパ（Ｖ字溝）を有する。
【００７８】
図１７において、溝部１１３は、チップの長手方向に沿った楕円形状部分１０３Ａと、長手方向に直交する方向の楕円形状部分１０３Ｂとを含む。楕円形状部分１０３Ａ、１０３Ｂは、セラミック電子部品５０の形状に対応して形成されている。
【００７９】
図１８において、セラミック電子部品５０は、その長手方向に沿って、凹受部３０１から空洞部２０１に導かれ、その後、セラミック電子部品５０は、バランスを失って転倒する。
【００８０】
図示の実施例では、第１の支持部１１１にテーパ（Ｖ字溝）が形成されているので、セラミック電子部品５０がテーパにより位置決めされる。このため、セラミック電子部品５０が空洞部２０１の壁面に接触し、チップと治具とが付着する不具合を回避し得る。
【００８１】
また、第１の支持部１１１の周囲には、セラミック電子部品５０の形状に対応する溝部１１３が形成されているので、第１の支持部１１１によりセラミック電子部品５０が位置決めされた状態において、チップと治具との接触を確実に回避し得る。
【００８２】
図２０は、本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図、図２１は図２０の２１−２１線に沿った断面図である。
【００８３】
図２０、図２１に示した治具は、第１の薄板部材１１と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０と、第４の薄板部材７０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。
【００８４】
第４の薄板部材７０は、基板７００と、通気孔７０１とを含む。図示の実施例では、連通路３０１、２０１、１０３、７０１が形成されているので、通気性が良くなり、加熱むらが生じにくくなるとともに、脱バインダに要する時間が短縮される。
【００８５】
図２２は、本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図、図２３は図２２に示した治具の断面図である。
【００８６】
図２２、図２３に示した治具は、第１の薄板部材１１と、第２の薄板部材２１、２２と、第３の薄板部材３０とを含む。これらは、チタンやチタン合金によって構成され、又は、ステンレス鋼等の金属基材の表面にチタン被覆膜を付着させた構成を有する。第２の薄板部材２１は、基板２１０と、第１のスリット２１１とを含む。第２の薄板部材２２は、基板２２０と、第２のスリット２２１とを含む。
【００８７】
スリット２１１、２２１は、厚み方向で見て、互いに交差しており、交差した部分に空洞部２０１が形成されている。スリット２１１、２２１の交差する角度は任意であるが、直交していることが好ましい。
【００８８】
図示の実施例では、連通路３０１、２０１、１０３だけでなく、凹受部３０１の一方−スリット２２１−凹受部３０１の他方へと抜ける流路（連通路）、凹受部３０１の一方−スリット２２１−スリット２１１−スリット２２１−凹受部３０１の他方へと抜ける流路（連通路）、及び、溝部１１３の一方−スリット２１１−溝部１１３の他方へと抜ける流路（連通路）が形成され、通気性が更に良好となる。
【００８９】
以上、好ましい実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、当業者であれば、その基本的技術思想および教示に基づき、種々の変形例を想到できることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品用冶具の一実施例を示す平面図。
【図２】図１に図示した矢印A部分の拡大平面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】図３に図示したセラミック電子部品用冶具にセラミック電子部品を収容した状態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る治具の別の実施例を示す平面図である。
【図６】図５に示した治具の分解図である。
【図７】図５、図６に示した治具の部分拡大図である。
【図８】図５〜図７に示した治具の使用状態を説明する部分断面図である。
【図９】本発明に係る治具の別の一実施例を示す分解平面図である。
【図１０】図９に示した治具の断面図である。
【図１１】本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図である。
【図１２】図１１に示した治具の断面図である。
【図１３】本発明に係る治具の更に別の一実施例を示す分解平面図である。
【図１４】本発明に係る治具の一実施例を示す平面図である。
【図１５】図１４に示した治具の分解平面図である。
【図１６】図１４、図１５に示した治具の使用状態を説明する断面図である。
【図１７】本発明に係る治具の別の実施例を示す分解平面図である。
【図１８】図１７の１８−１８線に沿った断面図である。
【図１９】図１８の１９−１９線に沿った断面図である。
【図２０】本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図である。
【図２１】図２０の２１−２１線に沿った断面図である。
【図２２】本発明に係る治具の更に別の実施例を示す分解平面図である。
【図２３】図２２に示した治具の断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
５０２                塗膜
２                ベース板
２００                平板面
４                網体
４１、４２                金属線
４３                交差部
４５                凹受部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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