(57)【要約】【課題】メモリカードの大容量化（２ギガバイト超）に伴い、旧来のＦＡＴ１６のメモリカード制御装置は対応できない。【解決手段】コマンドを解析し論理アドレスを出力するコマンド解析手段と、複数の論理物理変換テーブルの中から論理アドレスにより使用する論理物理変換テーブルを判定・選択する使用テーブル判定出力手段と、論理アドレス、及び、使用テーブル判定出力手段からの変換テーブルから論理アドレスを物理アドレスへ変換するアドレス変換手段とを備え、論理アドレスに応じて、論理物理変換テーブルを変更する事により、旧来のＦＡＴ１６のメモリカード制御装置や、大容量に対応したメモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。【選択図】図１
2007128125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードにおいて、
前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析手段と、
複数の論理物理変換テーブルと、
前記複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力手段と、
前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換手段とを備え、
受信したコマンドの論理アドレスに基づいて、複数の論理物理変換テーブルから任意の論理物理変換テーブルを選択して、物理アドレスに変換する事を特徴とするメモリカード。
【請求項２】
前記メモリカード制御装置が指定する論理物理変換テーブルの記憶を行う使用テーブル記憶手段をさらに備え、
前記使用テーブル記憶手段に応じて、使用する論理物理変換テーブルを変更することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項３】
前記論理物理変換テーブルは、物理アドレスが重畳する事を特徴とする請求項１又は請求項２記載のメモリカード。
【請求項４】
前記メモリカード制御装置からのカード容量サイズ要求コマンドに対して、前記使用テーブル記憶手段で指定される論理物理変換テーブルで管理可能な容量サイズを応答することを特徴とする請求項２記載のメモリカード。
【請求項５】
物理スイッチ読み取り手段をさらに備え、
物理スイッチにより前記使用テーブル記憶手段を設定可能であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のメモリカード。
【請求項６】
前記使用テーブル記憶手段は、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）、ＯＵＭ（Ｏｖｏｎｉｃ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの不揮発メモリ上で保存されることを特徴とする請求項２記載のメモリカード。
【請求項７】
メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換方法において、
前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、
複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、
前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップとを備たことを特徴とする物理アドレス変換方法。
【請求項８】
メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換プログラムにおいて、
前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、
複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、
前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップをコンピュータに実行させるための物理アドレス変換プログラム。
【請求項９】
メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換プログラムを記録した記録媒体において、
前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、
複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、
前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップをコンピュータに実行させるための物理アドレス変換プログラムを記録した記録媒体。
【請求項１０】
メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードに用いられる集積回路において、
前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析部と、
複数の論理物理変換テーブルと、
前記複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力部と、
前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換部を備える集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリカードの論理アドレス物理アドレス変換に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや、携帯型音楽端末といったデジタル情報の記録・再生制御を行う機器(以下、「メモリカード制御装置」という。)において、デジタル情報の記録・再生のための記録装置としてＦｌａｓｈメモリなどの電源を切ってもデータが保存可能なメモリデバイスが用いられている。
これらのメモリカード制御装置では、記録情報の管理のためファイルシステムを用いて管理を行っている。ファイルシステムの代表的なＦＡＴ１６ファイルシステムを用いて管理する場合、クラスタアドレスでアドレッシング可能アドレスは１６ビットであり、クラスタサイズが３２キロバイトの場合、最大２ギガバイトがＦＡＴ１６ファイルシステムで管理可能な領域となる。
近年のメモリデバイスの製造技術の微細化や実装技術の進歩により、同一のサイズにおけるメモリ容量は増加の一途を辿っており、２ギガバイトを超えるメモリカードの製造も容易になってきている。
【０００３】
メモリカードに関する技術として、記憶可能容量を増加させるため、物理的に２つのメモリカードを搭載する記録装置（例えば、特許文献１参照。）や、同一アドレスに複数のデータやプログラムを保存できるように、一枚のＩＣメモリカードに複数のアドレス空間を持たせる（例えば、特許文献２参照。）等が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３２５１２７号公報
【特許文献２】特開平５−２３３４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記従来の構成では、ＦＡＴ１６ファイルシステムでは、１つのクラスタを大きくすれば大容量メモリに対応は可能であるが、クラスタサイズを固定としているシステムでは、クラスタサイズを変更すると意図しないデータ領域へのアクセスを行ってしまい、最悪の場合、データを破壊してしまう。
これらの問題を解決するために上記特許文献１又は特許文献２に開示された発明を実施すると、上記論理アドレスに対応する物理メモリは、特定範囲の物理領域からアロケーションされるため、例えば、同じ論理アドレスを使用し続けると、特定範囲の物理領域の寿命を早め、しいてはメモリカードそのものも使用不可になる。
【０００５】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、旧来のＦＡＴ１６のメモリカード制御装置(以下、「ＦＡＴ１６メモリカード制御装置」という。)や、大容量に対応したメモリカード制御装置（以下、「大容量メモリカード制御装置」という。）のどちらでも使用可能なメモリカードを提供することを目的とする。
さらに、メモリカードの全物理領域をアロケーションできるような構成を取ることにより、ウェアレベリングのばら撒き対象先メモリ空間として大容量メモリの全アドレスを使用可能とし、それにより、メモリカードの長寿命化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記従来の課題を解決するために、本発明のメモリカードは、メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードにおいて、前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析手段と、複数の論理物理変換テーブルと、前記複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力手段と、前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換手段とを備え、受信したコマンドの論理アドレスに基づいて、複数の論理物理変換テーブルから任意の論理物理変換テーブルを選択して、物理アドレスに変換する事を特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、前記メモリカード制御装置が指定する論理物理変換テーブルの記憶を行う使用テーブル記憶手段をさらに備え、前記使用テーブル記憶手段に応じて、使用する論理物理変換テーブルを変更することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の前記論理物理変換テーブルは、物理アドレスが重畳する事を特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、前記メモリカード制御装置からのカード容量サイズ要求コマンドに対して、前記使用テーブル記憶手段で指定される論理物理変換テーブルで管理可能な容量サイズを応答することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、物理スイッチ読み取り手段をさらに備え、物理スイッチにより前記使用テーブル記憶手段を設定可能であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の前記使用テーブル記憶手段は、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）、ＯＵＭ（Ｏｖｏｎｉｃ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの不揮発メモリ上で保存されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の物理アドレス変換方法は、メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換方法において、前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップとを備たことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の物理アドレス変換プログラムは、メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換プログラムにおいて、前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップをコンピュータに実行させるものである。
【００１４】
また、本発明の物理アドレス変換プログラムを記録した記録媒体は、メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードの物理アドレス変換プログラムを記録した記録媒体において、前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析ステップと、複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力ステップと、前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換ステップをコンピュータに実行させるための物理アドレス変換プログラムを記録したものである。
【００１５】
また、本発明の集積回路は、メモリカード制御装置から送信されるコマンドを処理するメモリカードに用いられる集積回路において、前記受信したコマンドを解析し、論理アドレスを抽出するコマンド解析部と、複数の論理物理変換テーブルと、前記複数の論理物理変換テーブルの中から前記論理アドレスに基づいて使用する論理物理変換テーブルを選択する使用テーブル判定出力部と、前記選択した論理物理変換テーブルに基づいて、前記論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換部を備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、コマンドを解析し論理アドレスを出力するコマンド解析手段と、複数の論理物理変換テーブルの中から論理アドレスにより使用する論理物理変換テーブルを判定・選択する使用テーブル判定出力手段と、論理アドレス、及び、使用テーブル判定出力手段からの変換テーブルから論理アドレスを物理アドレスへ変換するアドレス変換手段とを備え、論理アドレスに応じて、論理物理変換テーブルを変更する事により、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置や、大容量メモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。
【００１７】
本発明によれば、メモリカード制御装置が指定する論理物理変換テーブルの記憶を行う使用テーブル記憶手段を備え、使用テーブル記憶手段に応じて、使用する論理物理変換テーブルを固定することにより、メモリカード制御装置が論理物理変換テーブルを指定しない場合、旧来のメモリカードの論理物理変換テーブルを使用し、指定された場合その指定に従った論理物理変換テーブルを使用することにより、旧来のメモリカード装置でもメモリカードの全物理領域を使用することが出来る。
【００１８】
本発明によれば、論理物理変換テーブルの物理アドレスを重畳させることにより、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置と、大容量メモリカード制御装置の物理的なアドレスが一致するため、相互のデータ交換が可能となる。
【００１９】
本発明によれば、メモリカード制御装置からのカード容量サイズ要求コマンドに対して、使用テーブル記憶手段で指定される論理物理変換テーブルで管理可能な容量サイズを応答することにより、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置でも、大容量メモリカード制御装置のどちらでもメモリカードの正しい制御が可能となる。
【００２０】
本発明によれば、物理スイッチ読み取り手段を備え、物理スイッチにより使用テーブル記憶手段の設定を可能とすることにより、切換コマンドが発行出来ないＦＡＴ１６メモリカード制御装置においてもアクセスするメモリ領域を切り換える事が可能となる。
【００２１】
本発明のメモリカードによれば、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置や、大容量メモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供することができる。
さらに、全物理領域からアロケーションが可能な構成をとれるため、物理メモリの平均的な使用が可能となり、メモリカードの長寿命化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
実施の形態を説明する前にまず、メモリカードとそれを使用するメモリカード制御装置について説明する。
図１には、メモリカード制御装置１００と、メモリカード２００と、メモリカード制御装置１００とメモリカード２００の間でデータを送受信するバス３００が示されている。
【００２３】
メモリカード制御装置１００は、バス３００を通じてメモリカード２００の制御を行う。具体的には、デジタルカメラ、携帯型音楽端末、携帯電話、ＦＡＸ、カーナビ、ＤＶＤレコーダなどが考えられる。
【００２４】
メモリカード２００は、メモリカード制御装置１００と物理的な通信制御を行い、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｏｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を含むコントローラ２０１、コントローラ２０１から出力される論理的なコマンドからコマンドの内容を解析し論理アドレスを出力するコマンド解析手段２０２、論理アドレスから物理アドレスに変換を行うための複数の論理物理変換テーブル２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、・・・、出力された論理アドレスと複数の論理物理変換テーブルより使用するテーブルを判定し出力する使用テーブル判定出力手段２０４、出力された論理アドレスと出力された論理物理変換テーブルから物理アドレスを出力するアドレス変換手段２０５、及び、物理アドレスから実際のＦｌａｓｈのリード・ライト・イレースといった制御を行うＦｌａｓｈ制御部２０６よりなる。
【００２５】
メモリカード２００は、具体的には、ＳＤメモリカードに適応可能である。ＳＤメモリカードは、松下電器産業（株）、（株）東芝、サンディスクコーポレーションの３社が共同で開発した、取り扱いの容易なメモリデバイスである。
ＳＤメモリカードは、著作権保護機能を備え、２４×３２×２．１ｍｍのサイズであり、先行発売された同サイズのＭＭＣとは上位互換性を持つ。又、ＳＤメモリカードではＩＳＯ／ＩＥＣ９２９３で規定されているＦＡＴ１６ファイルシステムを採用している。
このＦＡＴ１６ファイルシステムを採用するメモリカードにアクセスする装置をＦＡＴ１６メモリカード制御装置と定義する。
【００２６】
（実施の形態１）
実施の形態１では、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置で使用するアドレスのデータ長は１６ビットアドレッシング、大容量メモリカード制御装置は１６ビットを超えるアドレッシングを行うメモリカード装置と定義する。
図２は、本発明の実施の形態１における論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）、論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）、及び、物理メモリ（Ｐ００１）を示した図である。
論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）は、図１の論理物理変換テーブル２０３ａ、論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）は、図１の論理物理変換テーブル２０３ｂを具体化したものである。論理物理変換テーブル１，及び論理物理変換テーブル２は、コントローラ２０１のＲＡＭ上に展開され、自由に書き換えが可能であるものとする。
【００２７】
論理物理変換テーブルは、メモリカード制御装置１００から送信される論理アドレスとメモリカード内の物理メモリを対応させる変換表であり、論理アドレスに対応する物理メモリは、対応する論理アドレスの同一の行の物理アドレスを参照する事により物理アドレスを取得することが可能となる。
今回、物理メモリ（Ｐ００１）としては、アドレス０ｘ０００００〜０ｘ３ＦＦＦＦの範囲の領域を取れるものとする。
さらに、１つの物理アドレスが示すクラスタのサイズを３２キロバイトと定義する(全物理領域は８ギガバイト)。ここでは、論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）を使用するのは大容量のメモリカード制御装置用の論理物理変換テーブル、論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）を使用するのはＦＡＴ１６メモリカード制御装置の論理物理変換テーブルと定義する。
論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）は、全領域を指し示すのに必要な論理アドレスを１８ビットデータとして定義し、物理アドレスも１８ビットデータとして定義する。
また、論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）は、旧来のＦＡＴ１６で用いられる論理アドレスを１６ビットデータとして定義し、物理アドレスは全物理領域を指し示すのに必要な１８ビットデータとして定義する。
【００２８】
次に図３を用いて、論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）と論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）の変換テーブル判定出力処理方法について説明を行う。
（イ）まず、ステップＳ１００において、メモリカード制御装置１００から送信され、コマンド解析手段２０２により出力される論理アドレスを読み出す。
（ロ）次に、ステップＳ１０１において、論理アドレスの範囲を判定する。旧来のアドレス範囲０ｘ０００００〜０ｘ０ＦＦＦＦの場合、ステップＳ１０２へ進み、０ｘ１００００以上のアドレス指定の場合、ステップＳ１０３へ分岐する。
（ハ）ステップＳ１０２では、論理物理変換テーブル２（Ｔ００２）を選択し処理を終了。
（ニ）ステップＳ１０３では、論理物理変換テーブル１（Ｔ００１）を選択し処理を終了。
【００２９】
以上の処理により、論理アドレスに応じて論理物理変換テーブルを変更する事が可能となり、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置や、大容量メモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。
また、本実施の形態では物理メモリが８ギガバイトの場合を明記したが、この物理メモリは８ギガに限定される訳ではなく、物理メモリのサイズが変更された場合には、論理物理変換テーブルのアドレスのビットサイズは、それが管理できるビットサイズ有ればよい。
さらに、本実施の形態において明らかなように、物理アドレスは物理メモリの全領域を指定可能であるため、物理メモリの平均的な使用の構成をとる事が可能となり、メモリカードの長寿命化を図ることが可能となる。
【００３０】
（実施の形態２）
実施の形態２では、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置は「使用テーブル設定コマンド」を発行できない制御装置、また、大容量メモリカード制御装置は「使用テーブル設定コマンド」を発行できる制御装置と定義する。
「使用テーブル設定コマンド」は、ＳＤカードのコマンドでいえば、リザーブコマンドを新規に「使用テーブル設定コマンド」と定義することにより実現できる。さらに、既存のコマンド内で、未使用ビットに「使用テーブル設定コマンド」との意味づけを行うことにより実現可能である。
【００３１】
図４は、本発明の実施の形態２のメモリカードのブロック図である。図４において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図４において、使用テーブル記憶手段２０７は、揮発性のメモリＲＡＭで構成されメモリカード電源投入時には状態がクリアされ、複数ある論理物理変換テーブルの内一つを選択し記憶する手段である。
この使用テーブル記憶手段２０７は、大容量メモリカード制御装置から「使用テーブル設定コマンド」（図示なし）により送信された選択を行う論理物理変換テーブル値を設定する。
ＦＡＴ１６メモリカード制御装置では使用テーブルを設定する「使用テーブル設定コマンド」は発行できないのでこの使用テーブル記憶手段には論理物理変換テーブル値は記憶されない（クリア）状態になる。
【００３２】
図５は、本発明の実施の形態２における論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）、論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）、及び、物理メモリ（Ｐ１０１）を示した図である。論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）は、図１の論理物理変換テーブル２０３ａ、論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）は、図１の論理物理変換テーブル２０３ｂを具体化したものである（物理メモリ（Ｐ１０１）は図示なし）。
今回、物理メモリ（Ｐ１０１）としては、アドレス０ｘ０００００〜０ｘ１ＦＦＦＦの範囲の領域を取れるものとする。さらに、１つの物理アドレスが示すクラスタのサイズを３２キロバイトと定義する(全物理領域は４ギガバイト)。ここでは、論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）を使用するのは大容量のメモリカード制御装置用の論理物理変換テーブル、論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）を使用するのはＦＡＴ１６メモリカード制御装置の論理物理変換テーブルと定義する。
論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）は、全領域を指し示すのに必要な論理アドレスを１７ビットデータとして定義し、物理アドレスも１７ビットデータとして定義する。また、論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）は、旧来のＦＡＴ１６で用いられる論理アドレスを１６ビットデータとして定義し、物理アドレスは全物理領域を指し示すのに必要な１７ビットデータとして定義する。
【００３３】
次に図６を用いて、論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）と論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）の変換テーブル判定出力処理方法について説明を行う。
（イ）まず、ステップＳ２００において、使用テーブル記憶手段２０７に記憶されているテーブル情報を読み出す。
（ロ）次に、ステップＳ２０１において、使用テーブル判定を行う。記憶されている情報がテーブル１の場合は、ステップＳ２０２へ、テーブル１でない場合は、ステップＳ２０３へ分岐する。
（ハ）ステップＳ２０２では、論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）を選択し処理を終了。
（ニ）ステップＳ２０３では、論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）を選択し処理を終了。
【００３４】
以上の処理により、「使用テーブル設定コマンド」の有無に応じて論理物理変換テーブルを変更する事が可能となり、すなわち、「使用テーブル設定コマンド」が発行できないＦＡＴ１６メモリカード制御装置ではＦＡＴ１６用の論理物理変換テーブル２（Ｔ１０２）、「使用テーブル設定コマンド」が発行可能な大容量メモリカード制御装置では、論理物理変換テーブル１（Ｔ１０１）を使用することが可能になり、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置や、大容量メモリカード制御装置のどちらでも使用可能なメモリカードを提供できる。
さらに、本実施の形態において明らかなように、物理アドレスは物理メモリの全領域を指定可能であるため、物理メモリの平均的な使用の構成をとる事が可能となり、メモリカードの長寿命化を図ることが可能となる。
【００３５】
（実施の形態３）
第３の実施の形態では、不揮発性の使用テーブル記憶手段を用いる事により、全物理領域をＦＡＴ１６メモリカード制御装置で使用可能としたメモリカードについて説明する。
図４は、本発明の実施の形態３のメモリカードのブロック図である。図４において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
使用テーブル記憶手段２０７は、揮発性のＲＡＭではなく、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ)、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）、ＯＵＭ（Ｏｖｏｎｉｃ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ）といった不揮発性のメモリで構成されるものとする。
【００３６】
図７は、本発明の実施の形態３の論理物理変換テーブルの図である。図７において、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の物理アドレスは、論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）、論理物理変換テーブル３（Ｔ２０３）、論理物理変換テーブル４（Ｔ２０４）、及び論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）と重畳されているものとする。
今回、物理メモリ（図示なし）としては、アドレス０ｘ０００００〜０ｘ３ＦＦＦＦの範囲の領域を取れるものとする。さらに、１つの物理アドレスが示すクラスタのサイズを３２キロバイトと定義する(全物理領域は８ギガバイト)。ここでは、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）を使用するのは大容量のメモリカード制御装置用の論理物理変換テーブル、論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）〜論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）を使用するのはＦＡＴ１６メモリカード制御装置の論理物理変換テーブルと定義する。
【００３７】
論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）は、全領域を指し示すのに必要な論理アドレスを１８ビットデータとして定義し、物理アドレスも１８ビットデータとして定義する。また、論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）〜論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）は、旧来のＦＡＴ１６で用いられる論理アドレスを１６ビットデータとして定義し、物理アドレスは全物理領域を指し示すのに必要な１８ビットデータとして定義する。
また、論理アドレスも、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の０ｘ０００００−０ｘ０ＦＦＦＦを論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）の０ｘ００００−０ｘＦＦＦＦ、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の０ｘ１００００−０ｘ１ＦＦＦＦを論理物理変換テーブル３（Ｔ２０３）の０ｘ００００−０ｘＦＦＦＦ、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の０ｘ２００００−０ｘ２ＦＦＦＦを論理物理変換テーブル４（Ｔ２０４）の０ｘ００００−０ｘＦＦＦＦ、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の０ｘ３００００−０ｘ３ＦＦＦＦを論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）の０ｘ００００−０ｘＦＦＦＦと割り当てる。
【００３８】
次に図８を用いて、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）〜論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）の変換テーブル判定出力処理方法について説明を行う。
（イ）まず、ステップＳ３００において、使用テーブル記憶手段２０７に記憶されているテーブル情報を読み出す。
（ロ）次に、ステップＳ３０１において、使用テーブル判定を行う。設定されている場合にはステップＳ３０２へ、設定されていない場合ステップＳ３０３へ分岐する。
（ハ）ステップＳ３０２では、設定されている論理物理変換テーブルを選択し処理を終了。
（ニ）ステップＳ３０３では、メモリカード制御装置１００から送信され、コマンド解析手段２０２により出力される論理アドレスを読み出す。
（ホ）次に、ステップＳ３０４において、論理アドレスの範囲を判定する。旧来のアドレス範囲０ｘ０００００〜０ｘ０ＦＦＦＦの場合、ステップＳ３０５へ進み、０ｘ１００００以上アドレス指定の場合、ステップＳ３０６へ分岐する。
（へ）ステップＳ３０５では、論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）を選択し処理を終了。
（ト）ステップＳ３０６では、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）を選択し処理を終了。
【００３９】
以上の処理により、大容量メモリカード制御装置が「使用テーブル設定コマンド」により論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）〜論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）を送信し、それを記憶することにより、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置は、使用する論理物理変換テーブルを固定的に選択することが可能となる（本実施の形態では２ギガバイトの領域）。さらに、他の論理物理変換テーブルを選択することにより、ＦＡＴ１６メモリカード制御装置でも、２ギガバイト以上の領域のアクセスが可能となる。
また、物理アドレスをＦＡＴ１６メモリカード制御装置と大容量メモリカード制御装置とで重畳させ、さらに、論理アドレスを特定の配置とすることにより、両装置の論理アドレスの関連付けができるため、両装置間でのデータのやりとりも可能となる。
さらに、本実施の形態では明示していないが、メモリカード制御装置１００からのカード容量サイズ要求コマンドに対して、記憶されている論理物理変換テーブルの管理サイズを応答する構成をとれば、メモリカード制御装置１００はメモリサイズに応じた制御を行うことが可能である。
本実施の形態の場合、論理物理変換テーブル１（Ｔ２０１）の場合は８ギガバイト、論理物理変換テーブル２（Ｔ２０２）〜論理物理変換テーブル５（Ｔ２０５）の場合、２ギガバイトの様に使用テーブル記憶手段２０７で指定される論理物理変換テーブルで管理可能な容量サイズを応答させる。
今回、使用テーブル記憶手段２０７としては、不揮発性のメモリのＭＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＯＵＭを明示したが、不揮発の書込可能なメモリ構成であれば何でもよく、特にＭＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＯＵＭに限定するものではない。
【００４０】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態では、メモリカードにメカニカルスイッチを取り付けることにより、使用テーブル記憶手段２０７を設定可能としたメモリカードについて説明する。
図９は、本発明の実施の形態４のメモリカードのブロック図である。図９において、図４と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図９では、図４に対してメカニカルスイッチ２０８、読み取り端子２０９ａ、２０９ｂ、及び２０９ｃと、スイッチ判定手段２１０をもつ。
メカニカルスイッチ２０８は上下移動し、読み取り端子２０９ａと２０９ｂ、または、２０９ｂと２０９ｃを短絡させる。読み取り端子２０９ａはシステム電源に接続させ、読み取り端子２０９ｃはグランドに接続する。短絡により、読み取り端子２０９ｂは、スイッチ判定部２１０にシステム電源電圧または、グランド電圧を出力する。
スイッチ判定手段２１０は、読み取り端子２０９ｂより出力する電圧を測定し、システム電源電圧の場合、論理物理変換テーブル２０３ａを使用テーブル記憶手段２０７に設定し、グランド電圧の場合、論理物理変換テーブル２０３ｂを使用テーブル記憶手段２０７に設定する。
【００４１】
以上の構成をとることにより、「使用テーブル設定コマンド」が発行できないＦＡＴ１６メモリカード制御装置においても、使用する論理物理変換テーブルをメカニカルスイッチにより指定することが可能となり、ＦＡＴ１６で扱える領域を超えるメモリ領域をアクセス可能なメモリカードを実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明にかかるメモリカードでは複数の論理物理変換テーブルを有すればよく、組み込み機器のメモリ制御等の用途にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１におけるメモリカードのブロック図
【図２】本発明の実施の形態１におけるメモリカードの論理物理変換テーブル図
【図３】本発明の実施の形態１におけるメモリカードのシーケンス図
【図４】本発明の実施の形態２におけるメモリカードのブロック図
【図５】本発明の実施の形態２におけるメモリカードの論理物理変換テーブル図
【図６】本発明の実施の形態２におけるメモリカードのシーケンス図
【図７】本発明の実施の形態３におけるメモリカードの論理物理変換テーブル図
【図８】本発明の実施の形態３におけるメモリカードのシーケンス図
【図９】本発明の実施の形態４におけるメモリカードのブロック図
【符号の説明】
【００４４】
１００    メモリカード制御装置
２００    メモリカード
３００    バス
２０１    コントローラ
２０２    コマンド解析手段
２０３ａ  論理物理変換テーブル１
２０３ｂ  論理物理変換テーブル２
２０３ｃ  論理物理変換テーブル３
２０４    使用テーブル判定出力手段
２０５    アドレス変換手段
２０６    Ｆｌａｓｈ制御部
２０７    使用テーブル記憶手段
２０８    メカニカルスイッチ
２０９ａ  読み取り端子ａ
２０９ｂ  読み取り端子ｂ
２０９ｃ  読み取り端子ｃ
２１０    スイッチ判定手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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