(57)【要約】      （修正有）【課題】マスク基板を移動する位置やビームを偏向する方位に誤差が生じても、製造歩留まりを向上し、スループットを向上するマスク描画方法及びマスク描画装置を提供する。【解決手段】マスクパターンを描画するストライプを、パターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板の面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数設定する。ここでは、ｘ方向とｙ方向とにおいて複数のストライプの端部が不規則な位置になるように、ストライプのそれぞれを配置する。そして、その設定した複数のストライプのそれぞれへ、順次、ビームを走査するスキャンＳを複数実施することによって、パターン描画領域にマスクパターンを描画する。【選択図】図３
2007279460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、
前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程と
を有し、
前記第１工程においては、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように、前記描画単位領域のそれぞれを配置する
マスク描画方法。
【請求項２】
前記第１工程おいては、前記描画単位領域において前記第１方向に延在する長さが、前記第２方向において不規則になるように、前記単位領域のそれぞれを設定する
請求項１に記載のマスク描画方法。
【請求項３】
前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査するスキャンを、前記パターン描画領域に対応するように、前記第１方向において複数実施する
請求項２に記載のマスク描画方法。
【請求項４】
前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向に複数実施した後に、さらに、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向に複数実施し、
前記第１のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域のうちから不規則に描画単位領域の一部を選択した後に、当該選択した一部の描画単位領域にマスクパターンを描画し、
前記第２のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域において前記第１ラスタスキャンにて選択された前記一部の描画単位領域を除く残りの描画単位領域を選択した後に、当該選択した残りの描画単位領域にマスクパターンを描画する
請求項１に記載のマスク描画方法。
【請求項５】
前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向に複数実施した後に、さらに、前記第１方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第２方向に複数実施する
請求項１に記載のマスク描画方法。
【請求項６】
前記第１のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域のうちから不規則に描画単位領域の一部を選択した後に、当該選択した一部の描画単位領域にマスクパターンを描画し、
前記第２のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域において前記第１スキャンにて選択された前記一部の描画単位領域を除く残りの描画単位領域を選択した後に、当該選択した残りの描画単位領域にマスクパターンを描画する
請求項５に記載のマスク描画方法。
【請求項７】
前記第１工程においては、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において、前記描画単位領域のそれぞれの一部が、他の近接する描画単位領域の一部に重なり合うように、前記複数の描画単位領域を配置し、
前記第２工程において、前記複数の描画単位領域にて互いに重なり合う重複領域については、前記複数の描画単位領域にて互いに重なり合わない非重複領域にて走査される前記ビームのエネルギーを、前記重複領域にて互いに重なり合う数に対応するように分割した後に、当該分割されたエネルギーに対応するビームを走査することによって、前記マスクパターンを描画する
請求項１に記載のマスク描画方法。
【請求項８】
前記第１工程においては、前記描画単位領域を複数のサイズに設定すると共に、当該複数サイズの描画単位領域のそれぞれを、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において不規則になるように配置する
請求項７に記載のマスク描画方法。
【請求項９】
マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、
前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程と
を有し、
前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向において複数実施した後に、さらに、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向において複数実施し、
前記第１のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域のうちから不規則に描画単位領域の一部を選択した後に、当該選択した一部の描画単位領域にマスクパターンを描画し、
前記第２のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域において前記第１のスキャンにて選択された前記一部の描画単位領域を除く残りの描画単位領域を選択した後に、当該選択した残りの描画単位領域にマスクパターンを描画する
マスク描画方法。
【請求項１０】
マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、
前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程と
を有し、
前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向に複数実施した後に、さらに、前記第１方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第２方向に複数実施する
マスク描画方法。
【請求項１１】
前記第１のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域のうちから不規則に描画単位領域の一部を選択した後に、当該選択した一部の描画単位領域にマスクパターンを描画し、
前記第２のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域において前記第１スキャンにて選択された前記一部の描画単位領域を除く残りの描画単位領域を選択した後に、当該選択した残りの描画単位領域にマスクパターンを描画する
請求項１０に記載のマスク描画方法。
【請求項１２】
マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、
前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程と
を有し、
前記第１工程においては、前記描画単位領域を複数のサイズに設定すると共に、当該複数サイズの描画単位領域のそれぞれが、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において不規則であって、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように配置する
マスク描画方法。
【請求項１３】
前記第１工程においては、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において、前記描画単位領域のそれぞれの一部が、他の近接する描画単位領域の一部に重なり合うように、前記複数の描画単位領域を配置し、
前記第２工程において、前記複数の描画単位領域にて互いに重なり合う重複領域については、前記複数の描画単位領域にて互いに重なり合わない非重複領域にて走査される前記ビームのエネルギーを、前記重複領域にて互いに重なり合う数に対応するように分割した後に、当該分割されたエネルギーに対応するビームを走査することによって、前記マスクパターンを描画する
請求項１２に記載のマスク描画方法。
【請求項１４】
マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、
前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程と
を有し、
前記第２工程においては、前記第１工程において設定された前記複数の描画単位領域において描画する位置が、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において不規則にシフトするように、前記ビームを走査する
マスク描画方法。
【請求項１５】
マスク基板の面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画装置であって、
前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する単位領域設定部と、
前記単位領域設定部によって設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画部と
を有し、
前記単位領域設定部は、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように、前記描画単位領域のそれぞれを配置する
マスク描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク描画方法およびマスク描画装置に関する。特に、マスク基板のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法およびマスク描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ，ＣＣＤ，ＣＭＯＳセンサなどの映像系の半導体デバイスは、高解像度化されている。このため、半導体デバイスを製造する際にリソグラフィ工程にて使用されるフォトマスクは、マスクパターンが微細に加工されている。
【０００３】
このフォトマスクを形成する際においては、まず、透明なマスク基板に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクス上に、感光性材料のレジスト膜を成膜する。
【０００４】
つぎに、電子線又はレーザ等のビームでレジスト膜をパターン描画する。たとえば、ラスタスキャン方式にてマスク描画装置がパターン描画を実施する。ここでは、マスク描画装置がビームを偏向できる領域が限定されるために、マスク基板においてマスクパターンが描画されるパターン描画領域を、マスク描画装置がストライプやフィールドなどと呼ばれる描画単位領域で区画する。たとえば、マスク基板を移動するｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数が並ぶように、描画単位領域を、５００μｍ〜１０００μｍ程度の矩形形状でマトリクス状に区画する。その後、ｘ方向に並ぶ描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査するスキャンを、ｙ方向に並ぶ描画単位領域に対応するように複数繰り返して、マスクパターンを描画する。たとえば、マスク描画装置がマスク基板をｘ方向に移動すると共に、ビームの照射動作および偏向動作をマスクパターンに対応するように制御することによってｘ方向へのスキャンを実施した後に、マスク基板をｙ方向に移動し、そのｘ方向へのスキャンを繰り返すことによって、この描画を実施する。
【０００５】
つぎに、そのマスクパターンが描画されたレジスト膜を現像処理し、レジストマスクを形成する。そして、そのレジストマスクを用いて遮光膜をエッチング加工することによって、遮光膜からなるマスクパターンを形成し、フォトマスクを完成させる。
【０００６】
しかしながら、マスク基板を移動する位置やビームを偏向する方位に誤差が生じる場合があるために、描画単位領域の境界部分においてマスクパターンが所定の形状または位置に描画されない場合がある。このため、特に、映像系の半導体デバイスにおいては、単位描画領域間の境界部分にて帯状のムラが発生し、画像品質が低下する場合がある。このため、製造歩留まりが低下する場合がある。
【０００７】
この不具合を改善するために、互いに隣接する描画単位領域を、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて重ね合わせて、多重描画を実施することによって、その帯状のムラを軽減させる方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２３１６０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、多重描画においては、同一個所を複数描画するために、描画時間が増大し、スループットが低下する不具合が発生する場合がある。また、従来においては、単一方向のスキャンを実施し、かつ、スキャンの開始点と終点とが同じであるために、帯状のムラを十分に軽減させることが困難な場合がある。このため、帯状のムラを十分に軽減させることができず、製造歩留まりとスループットとを向上させることが困難であった。
【００１０】
したがって、本発明は、製造歩留まりを向上することができ、スループットを向上可能なマスク描画方法およびマスク描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画方法は、マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程とを有し、前記第１工程においては、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように、前記描画単位領域のそれぞれを配置する。
【００１２】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画方法は、マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程とを有し、前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向において複数実施した後に、さらに、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向において複数実施し、前記第１のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域のうちから不規則に描画単位領域の一部を選択した後に、当該選択した一部の描画単位領域にマスクパターンを描画し、前記第２のスキャンにおいては、前記設定された複数の描画単位領域において前記第１のスキャンにて選択された前記一部の描画単位領域を除く残りの描画単位領域を選択した後に、当該選択した残りの描画単位領域にマスクパターンを描画する。
【００１３】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画方法は、マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程とを有し、前記第２工程においては、前記第２方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第１のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第１方向に複数実施した後に、さらに、前記第１方向に沿って並ぶ前記描画単位領域のそれぞれを順次走査する第２のスキャンを前記パターン描画領域に対応するように前記第２方向に複数実施する。
【００１４】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画方法は、マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程とを有し、前記第１工程においては、前記描画単位領域を複数のサイズに設定すると共に、当該複数サイズの描画単位領域のそれぞれが、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において不規則であって、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように配置する。
【００１５】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画方法は、マスク基板面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画方法であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する第１工程と、前記設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画する第２工程とを有し、前記第２工程においては、前記第１工程において設定された前記複数の描画単位領域において描画する位置が、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において不規則にシフトするように、前記ビームを走査する。
【００１６】
上記課題を達成するために、本発明のマスク描画装置は、マスク基板の面のパターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画装置であって、前記マスクパターンを描画する描画単位領域を、前記パターン描画領域に対応するように、前記マスク基板面の第１方向と、前記マスク基板面において前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに複数設定する単位領域設定部と、前記単位領域設定部によって設定した複数の描画単位領域のそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、前記パターン描画領域にマスクパターンを描画するマスク描画部とを有し、前記単位領域設定部は、前記第１方向と前記第２方向との少なくとも一方において前記複数の描画単位領域の端部が不規則な位置になるように、前記描画単位領域のそれぞれを配置する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、製造歩留まりを向上することができ、スループットを向上可能なマスク描画方法およびマスク描画装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜実施形態１＞
本発明にかかる実施形態１について説明する。
【００１９】
（装置）
図１は、本発明にかかる実施形態１において、マスク描画装置１の要部の構成を示す斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態のマスク描画装置１は、基板ステージ１１と、ビーム照射部２１と、ビーム偏向器３１と、ステージ位置モニタ部４１と、基板ステージ制御系１１１と、ビーム照射制御系１２１と、ビーム偏向制御系１３１と、中央処理装置２１１とを有し、マスク基板ＭＳの面のパターン描画領域ＰＲにマスクパターンを描画する。各部について、順次説明する。
【００２１】
基板ステージ１１は、マスク基板ＭＳが載置され、そのマスク基板ＭＳを支持する。たとえば、感光性材料からなるレジスト膜（図示なし）が表面に形成されたマスク基板ＭＳを支持する。そして、基板ステージ１１は、そのマスク基板ＭＳを、たとえば、真空吸着によって固定する。また、基板ステージ１１は、第１モータ１１ｘと第２モータ１１ｙとを含み、基板ステージ制御系１１１からの制御信号に基づいて、そのモータが移動動作を実施する。具体的には、マスク基板ＭＳが載置される面に沿ったｘ方向と、そのｘ方向に直交するｙ方向とのそれぞれに、第１モータ１１ｘと第２モータ１１ｙとのそれぞれが基板ステージ１１を移動する。そして、基板ステージ１１は、ステージ位置モニタ部４１によって位置が計測される。たとえば、基板ステージ１１は、反射鏡（図示なし）が設けられており、その反射鏡に対応するように設置された第１レーザ干渉計４１ｘと第２レーザ干渉計４１ｙとを用いてステージ位置モニタ部４１が、その位置を検出する。そして、基板ステージ１１は、基板ステージ制御系１１１からの制御信号に基づいて、予め設定された基準位置になるように、その位置が第１モータ１１ｘと第２モータ１１ｙとによって調整される。
【００２２】
ビーム照射部２１は、電子銃（図示なし）を含み、その電子銃から電子ビームを放射する。また、ブランキング電極（図示なし）を含み、基板ステージ１１に載置されているマスク基板ＭＳへ電子ビームを、そのブランキング電極（図示なし）を用いて遮る。具体的には、基板ステージ１１に載置されたマスク基板ＭＳのパターン描画領域において、マスクパターンを描画する際には、ブランキング電極が電子ビームを遮らずに、その電子ビームを、そのマスクパターンを描画する領域に照射する。一方で、マスクパターンを描画しない場合には、ビーム照射制御系１２１からの制御信号に基づいて、ブランキング電極が電子ビームを遮る。
【００２３】
ビーム偏向器３１は、ビーム偏向制御系１３１からの制御信号に基づいて、ビーム照射部２１によって照射されたビームを偏向する。具体的には、ビーム照射部２１の電子銃から照射された電子ビームを、基板ステージ１１に載置されたマスク基板ＭＳのパターン描画領域においてスキャンを実施する領域に対応するように偏向する。
【００２４】
ステージ位置モニタ部４１は、第１レーザ干渉計４１ｘと第２レーザ干渉計４１ｙとを含む。そして、第１レーザ干渉計４１ｘと第２レーザ干渉計４１ｙとが、基板ステージ１１に設置された反射鏡（図示なし）からの反射光を検知し、その検知結果から、基板ステージ１１の位置を検出する。
【００２５】
基板ステージ制御系１１１は、基板ステージ１１の動作を制御する。具体的には、基板ステージ制御系１１１は、中央処理装置２１１からの制御信号に基づいて、基板ステージ１１のテーブルをモータに移動させる。そして、基板ステージ制御系１１１は、レーザ干渉計（図示なし）によって計測された基板ステージ１１の位置を、予め設定された基準位置と比較した後に、その基準位置になるように基板ステージ１１の位置を調整する。
【００２６】
ビーム照射制御系１２１は、ビーム照射部２１の動作を制御する。具体的には、ビーム照射制御系１２１は、中央処理装置２１１からの制御信号に基づいて、ビーム照射部２１が照射する電子ビームをブランキングさせる。
【００２７】
ビーム偏向制御系１３１は、ビーム偏向器３１の動作を制御する。具体的には、ビーム偏向制御系１３１は、中央処理装置２１１からの制御信号に基づいて、ビーム照射部２１から照射された電子ビームをビーム偏向器３１に偏向させる。
【００２８】
中央処理装置２１１は、コンピュータ（図示なし）と記憶装置（図示なし）とを含み、各種データ処理を施すと共に、各部を制御する。ここでは、ＣＡＤシステム（図示なし）によって論理設計された回路パターンに基づいて、マスクパターンを描画する際に用いるマスクパターンデータを、コンピュータが記憶装置に記憶されたプログラムを用いてデータ処理し算出する。そして、そのマスクパターンデータに対応するように中央処理装置２１１が各部を制御し、マスク基板ＭＳにマスクパターンを描画する。
【００２９】
（動作）
以下より、本実施形態のマスク描画装置１の動作について説明する。
【００３０】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、マスク描画装置１の動作を示すフロー図である。
【００３１】
図２に示すように、マスクパターンデータの生成を実施する（Ｓ１１）。
【００３２】
ここでは、ＣＡＤシステム（図示なし）によって半導体デバイスの回路に対応するように論理設計された回路パターンに基づいて、マスクパターンを描画する際に用いるマスクパターンデータを、中央処理装置２１１が算出する。
【００３３】
つぎに、図２に示すように、ストライプＳＴの設定を実施する（Ｓ２１）。
【００３４】
ここでは、マスクパターンデータに基づいて、中央処理装置２１１がストライプＳＴの設定を実施する。
【００３５】
図３は、本発明にかかる実施形態１において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。
【００３６】
図３に示すように、マスクパターンを描画する描画単位領域であるストライプＳＴを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板ＭＳの面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数設定する。
【００３７】
そして、本実施形態においては、図３に示すように、その複数のストライプＳＴの間においてｙ方向における端部が、ｘ方向において互いに不規則な位置になるように、ストライプＳＴのそれぞれを配置する。
【００３８】
具体的には、ｙ方向にて延在するストライプＳＴの長さが、ｘ方向において不規則になるように、ストライプＳＴのそれぞれを設定する。つまり、図３に示すように、パターン描画領域ＰＲにおいてｙ方向の下端部から上端部へ向かうストライプＳＴの長さを複数設定する。
【００３９】
そして、図３に示すように、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにおいて、ｙ方向の下端部に対応する領域と、そのｙ方向の中央部に対応する領域との間、および、そのｙ方向の中央部に対応する領域と、そのｙ方向の上端部に対応する領域との間のそれぞれにおいて、その複数の長さに設定されたストライプＳＴのそれぞれのｙ方向における端部が、ｘ方向においてランダムであって、互いに近接するように配置する。このとき、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲの端部に、その複数配置するストライプの端部が対応するように調整する。
【００４０】
すなわち、ｘ方向に延在するスキャンの継ぎ目を直線にせずに、ランダムなストライプＳＴの長さにし、その継ぎ目が凹凸状になるようにする。たとえば、ｘ方向に並ぶストライプＳＴの全てにおいて互いに重複せずに、ストライプＳＴの継ぎ目が凹凸状になるように配置された領域については、ｙ方向において１００μｍ以上，２００μｍ以下の幅になるようにすることが好ましい。また、ｘ方向に並ぶストライプＳＴの全てにおいて互いに重複する領域については、ｙ方向において５００μｍ以上，１０００μｍ以下の幅にすることが好ましい。つまり、ｘ方向に並ぶストライプＳＴの全てにおいて互いに重複する領域にてｙ方向に延在する長さに対して、ｘ方向に並ぶストライプＳＴの全てにおいて互いに重複しない領域にてｙ方向に延在する長さが、短く、かつ、２０％程度の割合の長さになるようにすることが好ましい。
【００４１】
その後、前述の工程（Ｓ１１）にて算出したマスクパターンデータにおいて、上記のように設定した各ストライプに対応するマスクパターンデータの部分を、各ストライプＳＴに対応付けて、中央処理装置２１１が記憶装置に記憶させる。
【００４２】
つぎに、図２に示すように、マスクパターンの描画を実施する（Ｓ３１）。
【００４３】
ここでは、上記のように設定した複数のストライプＳＴのそれぞれへ、順次、ビームを走査することによって、パターン描画領域ＰＲにマスクパターンを描画するように、中央処理装置２１１が各部を制御する。
【００４４】
本実施形態においては、図３に示すように、ｘ方向に沿って並ぶように設定されたストライプＳＴのそれぞれを、順次、走査するスキャンＳを、パターン描画領域ＰＲに対応するように、ｙ方向において複数実施する。つまり、ステップ・アンド・リピード方式でのラスタスキャン方式によって、マスク描画を実施するように、各部を制御する。
【００４５】
具体的には、図３に示すように、ビーム照射部２１からの電子ビームを、ビーム偏向器３１に偏向させることによって、パターン描画領域ＰＲにてｙ方向の下端部ｙ１に対応する領域においてｘ方向にて一端ｘ１に位置するストライプＳＴに照射するように位置合わせする。そして、基板ステージ１１をｘ方向に移動させることによって、ｘ方向において一端ｘ１に位置するストライプＳＴから、順次、他端ｘｎに位置するストライプＳＴのそれぞれに、電子ビームの照射範囲を移動する。このとき、上記のようにして求めた描画単位パターンデータに応じて電子ビームをブランキングすることによって電子ビームの照射をオン・オフ制御することにより、ストライプＳＴごとに描画を実施する。
【００４６】
そして、パターン描画領域ＰＲにてｙ方向の下端部ｙ１に対応する領域に隣接する中央部ｙ２に対応する領域であって、ｘ方向において他端ｘｎに位置するストライプＳＴに照射するように、基板ステージ１１をｙ方向に移動し、位置合わせする。そして、基板ステージ１１をｘ方向に移動させることによって、ｘ方向において他端ｘｎに位置するストライプＳＴから、順次、一端ｘ１に位置するストライプＳＴのそれぞれに、上記と同様にして電子ビームを照射する。
【００４７】
その後、パターン描画領域ＰＲにてｙ方向の中央部ｙ２に対応する領域に隣接する上端部ｙ３に対応する領域であって、ｘ方向において一端ｘ１に位置するストライプＳＴに照射するように、基板ステージ１１をｙ方向に移動し、位置合わせする。そして、基板ステージ１１をｘ方向に移動させることによって、ｘ方向において一端ｘ１に位置するストライプＳＴから、順次、他端ｘｎに位置するストライプＳＴのそれぞれに、上記と同様にして電子ビームを照射する。
【００４８】
以上のように、本実施形態においてマスク基板ＭＳの面のパターン描画領域ＰＲにマスクパターンを描画する際においては、まず、マスクパターンを描画するストライプＳＴを、そのパターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板ＭＳの面のｘ方向と、そのマスク基板ＭＳの面においてｘ方向に直交するｙ方向とのそれぞれに複数設定する。ここでは、ｘ方向において、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように、各ストライプＳＴを配置する。具体的には、ｙ方向にて延在するストライプの長さが、ｘ方向において不規則になるように、各ストライプＳＴのそれぞれを設定する。つぎに、その設定した複数のストライプＳＴのそれぞれへ、順次、電子ビームを走査することによって、パターン描画領域ＰＲにマスクパターンを描画する。ここでは、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査するスキャンを、パターン描画領域ＰＲに対応するように、ｙ方向において複数実施する。
【００４９】
このため、本実施形態は、マスク基板ＭＳを移動する位置や電子ビームを偏向する方位に誤差が生じる場合であっても、ｘ方向においてストライプＳＴの端部が不規則であって凹凸状になっているために、ｙ方向に並ぶストライプＳＴの間の境界部分にて帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質を向上することができる。また、製造歩留まりを向上させることができる。そして、多重露光を実施していないため、スループットを向上させることができる。
【００５０】
＜実施形態２＞
本発明にかかる実施形態２について説明する。
【００５１】
本実施形態は、マスク描画装置１の動作において、ストライプＳＴの設定（Ｓ２１）と、マスクパターンの描画（Ｓ３１）とのそれぞれが、実施形態１と異なる。この点を除き、実施形態１と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【００５２】
ストライプＳＴの設定（Ｓ２１）の動作について説明する。
【００５３】
図４は、本発明にかかる実施形態２において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。
【００５４】
図４に示すように、単一の矩形形状のストライプＳＴを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板ＭＳの面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに、複数、マトリクス状に配置する。
【００５５】
本実施形態においては、図４に示すように、その複数のストライプＳＴの間においてｙ方向とｘ方向とのそれぞれの端部が直線状になるように、ストライプＳＴのそれぞれを配置する。
【００５６】
その後、前述の工程（Ｓ１１）にて算出したマスクパターンデータにおいて、上記のように設定した各ストライプＳＴに対応するマスクパターンデータの部分を、各ストライプＳＴに対応付けて、中央処理装置２１１が記憶装置に記憶させる。
【００５７】
マスクパターンの描画（Ｓ３１）の動作について説明する。
【００５８】
本実施形態にてマスクパターンの描画（Ｓ３１）を実施する際においては、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第１スキャンＳ１を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。
【００５９】
その後、さらに、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第２スキャンＳ２を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。つまり、実施形態１におけるスキャンを２回繰り返す。
【００６０】
図５は、本発明にかかる実施形態２において、第１のスキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とをマスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。図５において、図５（Ａ）は、第１のスキャンＳ１を実施する場合を示し、図５（Ｂ）は、第２スキャンＳ２を実施する場合を示している。そして、この図５においては、矢印で示した順に各ストライプＳＴを走査すると共に、そのストライプＳＴにおいてハッチングを示したものについて、マスクパターンの描画を実施することを示している。
【００６１】
まず、第１スキャンＳ１においては、図５（Ａ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴのうちから、不規則に一部のストライプＳＴを選択する。たとえば、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴのうちから、半分のストライプＳＴをランダムに選択する。そして、その選択した一部のストライプＳＴに対応するようにマスクパターンを描画する。たとえば、ステップ・アンド・リピード方式でのラスタスキャン方式によって、マスク描画を実施する。
【００６２】
一方で、第２スキャンＳ２においては、図５（Ｂ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、第１のスキャンＳ１にて選択された一部のストライプＳＴを除く、残りのストライプＳＴを選択する。そして、その選択した残りのストライプＳＴに対応するようにマスクパターンを、第１スキャンＳ１と同様に描画する。
【００６３】
以上のように、本実施形態は、複数のストライプＳＴのうちから不規則に一部のストライプＳＴを選択した後に、その選択した一部のストライプＳＴに対応するようにマスクパターンをラスタスキャン方式で描画する。その後、その選択された一部のストライプＳＴを除く残りのストライプＳＴを選択した後に、その選択した残りのストライプＳＴに対応するようにマスクパターンをラスタスキャン方式で描画する。このように、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲについて、ラスタスキャン方式で複数回のスキャンを実施する。
【００６４】
このため、本実施形態は、各ストライプＳＴを実質的にランダムにスキャンすることになるため、そのストライプＳＴにてスキャンされた描画領域の端部が不規則になる。したがって、帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質を向上することができる。また、製造歩留まりを向上させることができる。そして、多重露光を実施していないため、スループットを向上させることができる。
【００６５】
＜実施形態３＞
本発明にかかる実施形態３について説明する。
【００６６】
本実施形態は、マスク描画装置１の動作において、マスクパターンの描画（Ｓ３１）が、実施形態２と異なる。この点を除き、実施形態２と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【００６７】
マスクパターンの描画（Ｓ３１）の動作について説明する。
【００６８】
本実施形態にてマスクパターンの描画（Ｓ３１）を実施する際においては、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とを実施する。
【００６９】
図６は、本発明にかかる実施形態３において、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とのそれぞれを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。図６において、図６（Ａ）は、第１スキャンＳ１を実施する場合を示し、図６（Ｂ）は、第２スキャンＳ２を実施する場合を示している。そして、この図６においては、図５と同様に、矢印で示した順に各ストライプＳＴを走査すると共に、そのストライプＳＴにおいてハッチングを示したものについて、マスクパターンの描画を実施することを示している。
【００７０】
まず、第１スキャンＳ１においては、図６（Ａ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第１スキャンＳ１を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。たとえば、ステップ・アンド・リピード方式でマスク描画を実施する。
【００７１】
一方で、第２スキャンＳ２においては、図６（Ｂ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、ｙ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第２スキャンＳ２を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｘ方向において複数実施する。たとえば、ステップ・アンド・リピード方式でマスク描画を実施する。ここでは、ビームの走査方向をｘ方向からｙ方向に変えることにより、第２スキャンＳ２を実施する。つまり、実施形態１におけるスキャンをｘ方向とｙ方向とのそれぞれに沿うように実施する。なお、マスク基板ＭＳおよびマスクパターンデータを９０°回転させて、第２スキャンＳ２を実施しても良い。
【００７２】
以上のように、本実施形態においては、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第１スキャンＳ１と、ｙ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第２スキャンＳ２とをそれぞれ実施することによって、マスクパターンを描画する。
【００７３】
このため、本実施形態は、各ストライプＳＴの間の継ぎ目が一方向に集中せずに、ｘ方向とｙ方向とに分散する。したがって、帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質が向上することができる。また、製造歩留まりを向上させることができる。そして、多重露光を実施していないため、スループットを向上させることができる。
【００７４】
＜実施形態４＞
本発明にかかる実施形態４について説明する。
【００７５】
本実施形態は、マスク描画装置１の動作において、マスクパターンの描画（Ｓ３１）が、実施形態３と異なる。この点を除き、実施形態３と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【００７６】
マスクパターンの描画（Ｓ３１）の動作について説明する。
【００７７】
本実施形態にてマスクパターンの描画（Ｓ３１）を実施する際においては、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とを実施する。
【００７８】
図７は、本発明にかかる実施形態４において、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。図７において、図７（Ａ）は、第１スキャンＳ１を実施する場合を示し、図７（Ｂ）は、第２スキャンＳ２を実施する場合を示している。そして、この図７においては、図５，図６と同様に、矢印で示した順に各ストライプＳＴを走査すると共に、そのストライプＳＴにおいてハッチングを示したものについて、マスクパターンの描画を実施することを示している。
【００７９】
まず、第１スキャンＳ１においては、図７（Ａ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴのうちから不規則に一部のストライプＳＴを選択する。たとえば、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴのうちから半分のストライプＳＴをランダムに選択する。そして、図７（Ａ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを、順次、走査する第１スキャンＳ１を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。ここでは、その前述のようにランダムに選択した一部のストライプＳＴに対応するようにマスクパターンを描画する。
【００８０】
一方で、第２スキャンＳ２においては、図７（Ｂ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、第１スキャンＳ１にて選択された一部のストライプＳＴを除く残りのストライプＳＴを選択する。その後、図７（Ｂ）に示すように、上記の工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて、ｙ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを、順次、走査する第２スキャンＳ２を、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｘ方向において複数実施する。ここでは、その前述のようにランダムに選択した残りのストライプＳＴに対応するようにマスクパターンを描画する。
【００８１】
以上のように、本実施形態においては、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第１スキャンＳ１と、ｙ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを順次走査する第２スキャンＳ２とをそれぞれ実施することによって、マスクパターンを描画する。ここでは、複数のストライプＳＴのうちから不規則に一部のストライプＳＴを選択した後に、その選択した一部のストライプに対応するように、第１スキャンＳ１によって、マスクパターンをラスタスキャン方式で描画する。その後、第１スキャンＳ１にて選択された一部のストライプＳＴを除く残りのストライプＳＴを選択した後に、その選択した残りのストライプに対応するようにマスクパターンをラスタスキャン方式で描画する。
【００８２】
このため、本実施形態は、各ストライプＳＴを実質的にランダムにスキャンすることになるため、そのストライプＳＴにてスキャンされた描画領域の端部が不規則になると共に、各ストライプＳＴの間の継ぎ目が一方向に集中せずに、ｘ方向とｙ方向とに分散する。したがって、帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質が向上することができる。また、製造歩留まりを向上させることができる。そして、多重露光を実施していないため、スループットを向上させることができる。
【００８３】
＜実施形態５＞
本発明にかかる実施形態５について説明する。
【００８４】
本実施形態は、マスク描画装置１の動作において、ストライプＳＴの設定（Ｓ２１）と、マスクパターンの描画（Ｓ３１）とが、実施形態１と異なる。この点を除き、実施形態１と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【００８５】
ストライプＳＴの設定（Ｓ２１）の動作について説明する。
【００８６】
図８は、本発明にかかる実施形態５において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。図８においては、各ストライプＳＴ間にて端部が重複し下層側に位置する部分については、点線で示している。
【００８７】
図８に示すように、マスクパターンを描画する描画単位領域であるストライプＳＴを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板ＭＳの面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数設定する。ここでは、図８に示すように、複数サイズのストライプＳＴのそれぞれが、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則であって、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。また、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、ストライプＳＴのそれぞれの一部が、他の近接するストライプＳＴの一部に重なり合うように、その複数のストライプＳＴを配置する。
【００８８】
図９は、本発明にかかる実施形態５において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する際の動作を示す図である。図９においては、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）の順で、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示している。また、図９においては、各ストライプＳＴ間にて端部が重複し下層側に位置する部分については、点線で示している。
【００８９】
まず、図９（Ａ）に示すように、ストライプＳＴを複数のサイズに設定する。
【００９０】
ここでは、図９（Ａ）に示すように、マスク描画時において、基板ステージ１１をステップ状にｘ方向に移動させるステップ幅Ｄｘと、基板ステージ１１をステップ状にｙ方向に移動させるステップ幅Ｄｙとのそれぞれと同じサイズ以上になるように、たとえば、８種類のストライプＳＴを設定する。
【００９１】
たとえば、基板ステージ１１をステップ状にｘ方向に移動させるステップ幅Ｄｘと、基板ステージ１１をステップ状にｙ方向に移動させるステップ幅Ｄｙとのそれぞれに同じになるように、第１ストライプＳＴ１を設定する。具体的には、ｘ方向の幅が７５０μｍであって、ｙ方向の幅が７５０μｍになるように第１ストライプＳＴ１を設定する。そして、ｘ方向の幅が８２５μｍであって、ｙ方向の幅が８２５μｍになるように第２ストライプＳＴ２を設定する。そして、ｘ方向の幅が８２５μｍであって、ｙ方向の幅が９００μｍになるように第３ストライプＳＴ３を設定する。そして、ｘ方向の幅が９００μｍであって、ｙ方向の幅が８２５μｍになるように第４ストライプＳＴ４を設定する。そして、ｘ方向の幅が８７５μｍであって、ｙ方向の幅が１０００μｍになるように第５ストライプＳＴ５を設定する。そして、ｘ方向の幅が１０００μｍであって、ｙ方向の幅が８７５μｍになるように第６ストライプＳＴ６を設定する。そして、ｘ方向の幅が９００μｍであって、ｙ方向の幅が９００μｍになるように第７ストライプＳＴ７を設定する。そして、ｘ方向の幅が１０００μｍであって、ｙ方向の幅が１０００μｍになるように第８ストライプＳＴ８を設定する。
【００９２】
つぎに、図９（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すように、その複数サイズのストライプＳＴのそれぞれが、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則であって、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。また、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、ストライプＳＴのそれぞれの一部が、他の近接するストライプＳＴの一部に重なり合うように、その複数のストライプＳＴを配置する。
【００９３】
具体的には、まず、第１から第８のストライプＳＴ１〜ＳＴ８のそれぞれを設置する数が不規則になるように算出する。そして、図９（Ｂ）に示すように、第１ストライプＳＴ１を、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにてｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則であって、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにて、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。ここでは、ｘ方向における第１ストライプＳＴ１の中心と、基板ステージ１１をステップ状にｘ方向に移動させるステップ幅Ｄｘの中心とが互いに対応すると共に、ｙ方向における第１ストライプＳＴ１の中心と、基板ステージ１１をステップ状にｙ方向に移動させるステップ幅Ｄｙの中心とが互いに対応するように、第１ストライプＳＴ１を配置する。
【００９４】
つぎに、図９（Ｃ）に示すように、第２ストライプＳＴ２を、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにてストライプＳＴが配置されていない領域において、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則であって、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにて、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。ここでは、第１ストライプＳＴ１の場合と同様に、基板ステージ１１をステップ状にｘ方向およびｙ方向に移動させるステップ幅Ｄｘ，Ｄｙのそれぞれの中心に、第２ストライプＳＴ２のｘ方向およびｙ方向における中心が対応するように配置する。
【００９５】
つぎに、図９（Ｄ）に示すように、第３ストライプＳＴ３を、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにてストライプＳＴが配置されていない領域において、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則であって、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにて、その複数のストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。そして、第４ストライプＳＴ４と、第５ストライプＳＴ５と、第６ストライプＳＴ６と、第７ストライプＳＴ７と、第８ストライプＳＴ８とを、順次、図８に示すように、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲの全領域に対応するように配置する。
【００９６】
その後、前述の工程（Ｓ１１）にて算出したマスクパターンデータにおいて、上記のように設定した各ストライプＳＴに対応するマスクパターンデータの部分を、各ストライプＳＴに対応付けて、中央処理装置２１１が記憶装置に記憶させる。
【００９７】
マスクパターンの描画（Ｓ３１）の動作について説明する。
【００９８】
本実施形態にてマスクパターンの描画（Ｓ３１）を実施する際においては、実施形態１と同様に、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを、順次、ステップ状に走査するスキャンＳを、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。
【００９９】
ここで、本実施形態において、複数のストライプＳＴにて互いに重なり合う重複領域については、その複数のストライプＳＴにて互いに重なり合わない非重複領域にて走査される電子ビームのエネルギーを、その重複領域にて互いに重なり合う数に対応するように分割した後に、その分割されたエネルギーに対応する電子ビームを走査することによって、マスクパターンを描画する。
【０１００】
たとえば、図８に示すように、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲの左下側においてｘ方向に並ぶ第２ストライプＳＴ２と第４ストライプＳＴ４とに着目した場合、その第２ストライプＳＴ２と第４ストライプＳＴ４とが互いに重なり合う重複領域ＯＬと、その第２ストライプＳＴ２と第４ストライプＳＴ４とが互いに重なり合わない非重複領域ＳＴＤとが存在する。このため、その重複領域ＯＬについては第２ストライプＳＴ２と第４ストライプＳＴ４との２つが重なり合っているため、その非重複領域ＳＴＤにて描画する際の電子ビームのエネルギーを２分割する。そして、この重複領域ＯＬについては、その分割されたエネルギーに対応する電子ビームでマスクパターンを描画する。
【０１０１】
以上のように、本実施形態においては、ストライプＳＴを複数のサイズに設定すると共に、その複数サイズのストライプＳＴのそれぞれが、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、不規則であって、そのストライプＳＴの端部が不規則な位置になるように配置する。ここでは、また、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて、ストライプＳＴのそれぞれの一部が、他の近接するストライプＳＴの一部に重なり合うように、その複数のストライプを配置する。そして、その複数のストライプＳＴにて互いに重なり合う重複領域ＯＬについては、その複数のストライプＳＴにて互いに重なり合わない非重複領域ＳＴＤにて走査される電子ビームのエネルギーを、その重複領域ＯＬにて互いに重なり合う数に対応するように分割した後に、当該分割されたエネルギーに対応するビームを走査することによって、マスクパターンを描画する。
【０１０２】
このため、本実施形態は、ストライプＳＴの間の境界部においてランダムなズレが生じているために、帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質が向上することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、ストライプＳＴの全領域をオーバーラップさせる必要がないために、スループットを向上させることができる。
【０１０３】
＜実施形態６＞
本発明にかかる実施形態６について説明する。
【０１０４】
本実施形態は、マスク描画装置１の動作において、マスクパターンの描画（Ｓ３１）が、実施形態２と異なる。この点を除き、実施形態２と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【０１０５】
マスクパターンの描画（Ｓ３１）の動作について説明する。
【０１０６】
本実施形態にてマスクパターンの描画（Ｓ３１）を実施する際においては、ｘ方向に沿って並ぶストライプＳＴのそれぞれを、順次、走査するスキャンＳを、パターン描画領域ＰＲに対応するようにｙ方向において複数実施する。そして、前工程（Ｓ２１）にて設定された複数のストライプＳＴにおいて描画する位置が、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて不規則にシフトするように、電子ビームを走査する。
【０１０７】
図１０は、本発明にかかる実施形態６において、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにてパターン描画を実施する領域を示す平面図である。また、図１１は、本発明にかかる実施形態６において、ビーム偏向制御部１３１がビーム偏向器３１へ供給する入力信号と、基板ステージ制御系１１１が基板ステージ１１のモータへ供給する入力信号とを示す図である。図１１において、図１１（Ａ）は、ビーム偏向器３１へ供給する入力信号Ｉｂを示し、図１１（Ｂ）は、基板ステージ制御系１１１が基板ステージ１１のモータへ供給する入力信号Ｉｓを示しており、縦軸が強度であり、横軸が時間ｔである。
【０１０８】
ここでは、図１０に示すように、当初、図４に示すようにマスク基板ＭＳの面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれにおいて均等に設置されたストライプＳＴに対して、描画実施領域ＢＲがランダムにシフトするように、中央処理装置２１１が電子ビームを走査させる。
【０１０９】
これは、図１１（Ａ）に示すようなランダムな強度の入力信号Ｉｂを、ビーム偏向制御系１３１が前工程にて設定された設定値に対応する制御信号に加えて、ビーム偏向器３１へ供給すると共に、図１１（Ｂ）に示すランダムな強度の入力信号Ｉｓを、基板ステージ制御系１１１が前工程にて設定された設定値に対応する制御信号に加えて、基板ステージ１１のモータへ供給することによって、実施される。つまり、ビーム偏向制御部１３１がビーム偏向器３１へ供給する入力信号Ｉｂの強度に応じて、電子ビームが基準方位からｙ方向側へ更に偏向される。そして、これと共に、基板ステージ制御系１１１が基板ステージ１１のモータへ供給する入力信号Ｉｓの強度に応じて基板ステージ１１の位置がｘ方向において変位するため、電子ビームが基準位置からｘ方向側へ更に照射される。
【０１１０】
たとえば、マスク基板ＭＳの面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれについて−１０ｎｍから１０ｎｍのランダムなシフト量で、電子ビームの描画位置が設定位置に対してシフトさせる。なお、このシフト量は、マスク上の位置および寸法精度に応じて任意に設定可能である。また、このランダムなシフト量に対応した入力信号については、中央処理装置２１１が、データベースに記憶された乱数表に基づいて制御してもよく、乱数データを発生させて制御してもよい。
【０１１１】
以上のように、本実施形態においては、描画実施領域間の継ぎ目が凹凸状になるため、マスク基板ＭＳを移動する位置や電子ビームを偏向する方位に誤差が生じる場合であっても、帯状のムラが発生することを抑制することができる。よって、映像系の半導体デバイスに適用した場合には、画像品質が向上することができる。また、製造歩留まりを向上させることができる。そして、多重露光を実施していないため、スループットを向上させることができる。
【０１１２】
なお、上記の本実施形態において、マスク描画装置１は、本発明のマスク描画装置に相当する。
また、上記の本実施形態において、基板ステージ１１、ビーム照射部２１、ビーム偏向器３１、ステージ位置モニタ部４１、基板ステージ制御系１１１、ビーム照射制御系１２１、ビーム偏向制御系１３１は、本発明のマスク描画部に相当する。また、上記の本実施形態において、中央処理装置２１１は、本発明の単位領域設定部に相当する。また、上記の本実施形態において、マスク基板ＭＳは、本発明のマスク基板に相当する。また、上記の本実施形態において、パターン描画領域ＰＲは、本発明のパターン描画領域に相当する。また、上記の本実施形態において、ストライプＳＴは、本発明の描画単位領域に相当する。
【０１１３】
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【０１１４】
たとえば、上記の実施形態においては、ラスタスキャン方式にてマスク描画を実施する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、ベクタースキャン方式にてマスク描画を実施する場合に適用しても良い。また、ステップ・アンド・リピート方式以外に、ステージ連続移動方式によって、本実施形態を実施する場合においても、適用可能である。
【０１１５】
また、たとえば、上記の実施形態のそれぞれを互いに組み合わせて実施しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、マスク描画装置１の要部の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、マスク描画装置１の動作を示すフロー図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態２において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態２において、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とをマスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態３において、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態４において、第１スキャンＳ１と、第２スキャンＳ２とを、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにて実施する様子を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態５において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する様子を示す平面図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態５において、ストライプＳＴをマスク基板ＭＳの面に設定する際の動作を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態６において、マスク基板ＭＳのパターン描画領域ＰＲにてパターン描画を実施する領域を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態６において、ビーム偏向制御部１３１がビーム偏向器３１へ供給する入力信号と、基板ステージ制御系１１１が基板ステージ１１のモータへ供給する入力信号とを示す図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１…マスク描画装置（マスク描画装置）
１１…基板ステージ、
２１…ビーム照射部、
３１…ビーム偏向器、
４１…ステージ位置モニタ部、
１１１…基板ステージ制御系、
１２１…ビーム照射制御系、
１３１…ビーム偏向制御系、
２１１…中央制御部（単位領域設定部）
ＭＳ…マスク基板（マスク基板）
ＰＲ…パターン描画領域（パターン描画領域）
ＳＴ…ストライプ（描画単位領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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