(57)【要約】【課題】  減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供する。【解決手段】  積層型フィルタ１においては、コイル部１０は、浮遊容量発生部１５との間で浮遊容量を発生するコイル部分１０ａと、浮遊容量発生部２０との間で浮遊容量を発生するコイル部分１０ｂとを含むこととなる。そのため、コイル部分１０ａと、コイル部分１０ａ及び浮遊容量発生部１５により構成されるコンデンサ部分２１とが並列接続された並列共振回路２３が形成され、コイル部１０ｂと、コイル部分１０ｂ及び浮遊容量発生部２０により構成されるコンデンサ部分２２とが並列接続された並列共振回路２４が形成される。これにより、積層型フィルタ１は並列共振回路２３と並列共振回路２４とが直列に接続された回路構成となり、２組の減衰特性が合成されるため、減衰特性において減衰を深く、且つ遮断帯域を広くすることができる。【選択図】  図３
2007096922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
前記積層体に形成された第１の端子電極及び第２の端子電極と、
前記積層体内に形成された複数の第１の導体部が電気的に接続されることにより構成され、一端が前記第１の端子電極に電気的に接続されると共に、他端が前記第２の端子電極に電気的に接続されたコイル部と、
前記第１の導体部との間で浮遊容量を発生させるように前記積層体内に形成された第２の導体部を有し、一端が前記第１の端子電極又は前記第２の端子電極の一方に電気的に接続された第１の浮遊容量発生部と、
前記第１の導体部との間で浮遊容量を発生させるように前記積層体内に形成された第３の導体部を有し、一端が前記第１の端子電極又は前記第２の端子電極の他方に電気的に接続された第２の浮遊容量発生部と、
を備えることを特徴とする積層型フィルタ。
【請求項２】
前記コイル部が発生する磁束を分断するように、前記積層体内において前記第１の浮遊容量発生部と前記第２の浮遊容量発生部との間に形成された第４の導体部を更に備えることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ。
【請求項３】
前記第４の導体部は、前記コイル部の中心軸線方向から見て、前記コイル部により囲まれる内側の領域を含む形状を有していることを特徴とする請求項２記載の積層型フィルタ。
【請求項４】
前記第２の導体部及び前記第３の導体部は、前記コイル部の中心軸線方向から見て、前記第１の導体部と重なる形状を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の積層型フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層型フィルタとして、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、積層体に形成された端子電極と、積層体内に設けられ、端子電極と電気的に接続されたコイル部及びコンデン部と、を備えるものが知られている。一例として、特許文献１に記載された積層型フィルタでは、積層体内に形成された複数のコイル導体によりコイル部が構成されると共に、積層体内に形成された複数のキャパシタ導体によりコンデンサ部が構成さており、コイル部とコンデンサ部とが並列接続されている。
【特許文献１】特開２００５−０５０９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された積層型フィルタにあっては、コイル部とコンデンサ部とが並列接続されているため、共振周波数での減衰が浅く、且つ所定の挿入損失（例えば、２０ｄＢ）での周波数帯域（遮断帯域）が狭い減衰特性を示す。これは、コイル部とコンデンサ部との並列共振にて減衰が生じるものの、並列共振周波数より高い周波数帯域でのコンデンサ部のインピーダンスが低いため、並列共振周波数より高い周波数帯域では、入力信号がコンデンサ部のみを通過して出力されるためである。減衰特性において減衰が浅く、且つ遮断帯域が狭い場合、除去したいノイズの周波数帯域のみを選択的に除去する回路設計技術が確立されていても、積層型フィルタ毎の減衰特性のばらつきや、実装時の部品配置による発生ノイズの帯域ばらつき等により、ノイズを十分に除去できないという問題が生じるおそれがある。
【０００４】
本発明は、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る積層型フィルタにおいては、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、積層体に形成された第１の端子電極及び第２の端子電極と、積層体内に形成された複数の第１の導体部が電気的に接続されることにより構成され、一端が第１の端子電極に電気的に接続されると共に、他端が第２の端子電極に電気的に接続されたコイル部と、第１の導体部との間で浮遊容量を発生させるように積層体内に形成された第２の導体部を有し、一端が第１の端子電極又は第２の端子電極の一方に電気的に接続された第１の浮遊容量発生部と、第１の導体部との間で浮遊容量を発生させるように積層体内に形成された第３の導体部を有し、一端が第１の端子電極又は第２の端子電極の他方に電気的に接続された第２の浮遊容量発生部と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
この積層型フィルタによれば、コイル部は、第１の浮遊容量発生部との間で浮遊容量を発生する第１のコイル部分と、第２の浮遊容量発生部との間で浮遊容量を発生する第２のコイル部分とを含むこととなる。そのため、第１のコイル部分と、第１のコイル部分及び第１の浮遊容量発生部により構成される第１のコンデンサ部分とが並列接続された第１の並列共振回路が形成され、第２のコイル部分と、第２のコイル部分及び第２の浮遊容量発生部により構成される第２のコンデンサ部分とが並列接続されて第２の並列共振回路が形成される。これにより、この積層型フィルタは、第１の並列共振回路と第２の並列共振回路とが直列に接続された回路構成となり、２組の減衰特性が合成されるため、減衰特性において減衰を深く、且つ遮断帯域を広くすることができる。
【０００７】
また、本発明に係る積層型フィルタにおいては、第１の浮遊容量発生部と第２の浮遊容量発生部との間に形成された第４の導体部を更に備えることが好ましい。この積層型フィルタによれば、２組の並列共振回路の独立性が高められた状態で減衰特性が合成されるため、減衰特性において減衰を更に深く、且つ遮断帯域を更に広くすることができる。
【０００８】
また、本発明に係る積層型フィルタにおいては、第４の導体部は、コイル部の中心軸線方向から見て、コイル部により囲まれる内側の領域を含む形状を有していることが好ましい。この積層型フィルタによれば、コイル部が発生する磁束を確実に分断することができ、２組の並列共振回路の独立性が更に高められた状態で減衰特性が合成されるため、減衰特性において減衰を更に深く、遮断帯域をより一層広くすることができる。
【０００９】
また、本発明に係る積層型フィルタにおいては、第２の導体部及び前記第３の導体部は、コイル部の中心軸線方向から見て、第１の導体部と重なる形状を有していることが好ましい。この積層型フィルタによれば、コイル部が発生する磁束を、第２の導体部及び第３の導体部が阻害することが抑制されるため、高周波帯域の特性を高めることができる。                                  
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る積層型フィルタの好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１に示されるように、第１の実施形態に係る積層型フィルタ１は、直方体状の積層体２と、積層体２の長手方向における両端部に形成された端子電極（第１の端子電極）３及び端子電極（第２の端子電極）４とを備えている。積層体２は、図２に示されるように、複数の絶縁体層６１〜６２０が積層されて構成されている。各絶縁体層６１〜６２０は、長方形薄板状に形成されており、端子電極３が形成される縁部から時計回りに縁部６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを有している。
【００１３】
絶縁体層６４，６８，６１６上のそれぞれには、縁部６ｂ及び縁部６ｃに沿って延在する導体部（第１の導体部）７１，７２，７３が形成されており、絶縁体層６６，６１０，６１４上のそれぞれには、縁部６ａ及び縁部６ｄに沿って延在する導体部（第１の導体部）７４，７５，７６が形成されている。また、絶縁体層６２上には、端子電極３と接続された引出部８１が形成されており、絶縁体層６１８上には、端子電極４と接続された引出部８２が形成されている。
【００１４】
導体部７１の縁部６ｄ側の端部と導体部７４の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６５上に形成された接続部９、及び絶縁体層６４，６５に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、導体部７４の縁部６ｂ側の端部と導体部７２の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６７上に形成された接続部９、及び絶縁体層６６，６７に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。同様に、導体部７２の縁部６ｄ側の端部と導体部７５の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６９上に形成された接続部９、及び絶縁体層６８，６９に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、導体部７６の縁部６ｂ側の端部と導体部７３の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６１５上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１４，６１５に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００１５】
また、引出部８１と導体部７１の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６３上に形成された接続部９、及び絶縁体層６２，６３に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、引出部８２と導体部７３の縁部６ｄ側の端部とは、絶縁体層６１７上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１６，６１７に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。更に、導体部７５の縁部６ｂ側の端部と導体部７６の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６１１上に形成された接続部９、絶縁体層６１２上に形成された導体部（第４の導体部）１１、絶縁体層６１３上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１０〜６１３に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００１６】
以上の電気的接続により、積層型フィルタ１は、積層体２内に形成された複数の導体部７１〜７６が電気的に接続されることにより構成されたコイル部１０を備え、コイル部１０は、一端が端子電極３に電気的に接続されると共に、他端が端子電極４に電気的に接続されることになる。
【００１７】
絶縁体層６５，６９上のそれぞれには、縁部６ａ及び縁部６ｂに沿って延在する導体部（第２の導体部）１２１，１２２が形成されており、絶縁体層６７上には、縁部６ｃ及び縁部６ｄに沿って延在する導体部（第２の導体部）１２３が形成されている。また、絶縁体層６３上には、端子電極３と接続された引出部１３が形成されている。
【００１８】
導体部１２１の縁部６ｃ側の端部と導体部１２３の縁部６ｂ側の端部とは、絶縁体層６６上に形成された接続部９、及び絶縁体層６５，６６に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、導体部１２３の縁部６ａ側の端部と導体部１２２の縁部６ｄ側の端部とは、絶縁体層６８上に形成された接続部９、及び絶縁体層６７，６８に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。また、引出部１３と導体部１２１の縁部６ｄ側の端部とは、絶縁体層６４上に形成された接続部９、及び絶縁体層６３，６４に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００１９】
以上の電気的接続により、積層型フィルタ１は、導体部７１，７４との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２１、導体部７２，７５との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２２、及び導体部７４，７２との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２３を有した浮遊容量発生部１５（第１の浮遊容量発生部）を備え、浮遊容量発生部１５は、一端が端子電極３に電気的に接続され、他端が端子電極４に電気的に接続されないことになる。なお、導体部１２１〜１２３はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０を構成する導体部７１，７２，７４，７５と重なる形状を有している。
【００２０】
絶縁体層６１５上には、縁部６ｃ及び縁部６ｄに沿って延在する導体部（第３の導体部）１６１が形成されており、絶縁体層６１７上には、縁部６ａ及び縁部６ｂに沿って延在する導体部（第３の導体部）１６２が形成されている。また、絶縁体層６１９上には、端子電極４と接続された引出部１７が形成されている。
【００２１】
導体部１６１の縁部６ａ側の端部と導体部１６２の縁部６ｄ側の端部とは、絶縁体層６１６上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１５，６１６に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。また、引出部１７と導体部１６２の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６１８上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１７，６１８に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００２２】
以上の電気的接続により、積層型フィルタ１は、導体部７６，７３との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１６１、及び導体部７３との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１６２を有した浮遊容量発生部２０（第２の浮遊容量発生部）を備え、浮遊容量発生部２０は、一端が端子電極４に電気的に接続され、他端が端子電極３に電気的に接続されないことになる。なお、導体部１６１，１６２はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０を構成する導体部７３，７６と重なる形状を有している。
【００２３】
以上のように構成された積層型フィルタ１においては、図３及び図４に示されるように、コイル部１０は、浮遊容量発生部１５との間で浮遊容量を発生するコイル部分１０ａと、浮遊容量発生部２０との間で浮遊容量を発生するコイル部分１０ｂとを含むこととなる。そのため、コイル部分１０ａと、コイル部分１０ａ及び浮遊容量発生部１５により構成されるコンデンサ部分２１とが並列接続された並列共振回路２３が形成され、コイル部分１０ｂと、コイル部分１０ｂ及び浮遊容量発生部２０により構成されるコンデンサ部分２２とが並列接続された並列共振回路２４が形成される。これにより、積層型フィルタ１は、並列共振回路２３と並列共振回路２４とが直列に接続された回路構成となり、２組の減衰特性が合成されるため、減衰特性において減衰を深く、且つ遮断帯域を広くすることができる。
【００２４】
また、図５に示されるように、導体部１１はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０により囲まれる内側の領域Ｒを含む形状を有している。そのため、図４に示されるように、コイル部１０が発生する磁束Ｆが確実に分断され、２組の並列共振回路２３，２４の独立性が高められた状態で減衰特性が合成されることになる。従って、減衰特性において減衰を更に深く、且つ遮断帯域を更に広くすることができる。
【００２５】
また、浮遊容量発生部１５を構成する導体部１２１〜１２３、及び浮遊容量発生部２０を構成する導体部１６１，１６２はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０を構成する導体部７１〜７６と重なる形状を有している。これにより、コイル部１０が発生する磁束Ｆを、導体部１２１〜１２３及び導体部１６１，１６２が阻害することが抑制されるため、高周波帯域の特性を高めることができる。
【００２６】
次に、積層型フィルタ１の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、絶縁体層６１〜６２０となるグリーンシートを用意する。グリーンシートは、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＣｕＯの混合粉を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成され、その厚さは、例えば、２０μｍ程度に設定される。なお、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＣｕＯの混合粉の代わりに、誘電体材料（ＴｉＯ２、ＣｕＯ、ＮｉＯ及びＭｎＣＯの混合粉等）や、酸化物セラミック材料（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、フォルステライト、ステアタイト、コージライト等）を用いてもよく、これらの混合粉を用いてもよい。
【００２８】
続いて、絶縁体層６１〜６２０となる各グリーンシートの所定の位置（すなわち、導体部７１〜７６、引出部８１、接続部９、導体部１１、導体部１２１，１２３、引出部１３、及び導体部１６１，１６２においてスルーホールを形成する位置）に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
【００２９】
続いて、絶縁体層６１〜６２０となる各グリーンシートに、導体部７１〜７６、引出部８１，８２、接続部９、導体部１１、導体部１２１〜１２３、引出部１３、導体部１６１，１６２、引出部１７に対応する各導体パターンを形成する。各導体パターンは、例えば、銀若しくはニッケルを主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。
【００３０】
続いて、絶縁体層６１〜６２０となる各グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８００〜９４０度）にて焼成する。これにより、積層体２が形成されることとなる。積層体２は、例えば、完成後における長手方向の長さが１．０ｍｍ、幅が０．５ｍｍ、高さが０．５ｍｍとなるようにする。導体部７１〜７６、引出部８１，８２、接続部９、導体部１２１〜１２３、引出部１３、導体部１６１，１６２、引出部１７の焼成後における厚さは、例えば１２μｍ程度に設定され、導体部１１の焼成後における厚さは、例えば３μｍ程度に設定される。導体部７１〜７６、引出部８１，８２、導体部１２１〜１２３、引出部１３、導体部１６１，１６２、引出部１７の焼成後における幅は、例えば７０μｍ程度に設定される。
【００３１】
続いて、この積層体２に端子電極３，４を形成する。これにより、積層型フィルタ１が得られることとなる。端子電極３，４は、積層体２の外表面に銀、ニッケル若しくは銅を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度（例えば、６００〜７８０℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、又は、Ｎｉ／Ａｇ等が用いられる。
【００３２】
[第２の実施形態]
第２の実施形態に係る積層型フィルタ１は、以下の点で第１の実施形態に係る積層型フィルタ１と主に相違している。
【００３３】
すなわち、第２の実施形態に係る積層型フィルタ１においては、図６に示されるように、浮遊容量発生部１５は、導体部１１に近接した絶縁体層６１０に形成された引出部１３を介して、端子電極４と電気的に接続されている。また、浮遊容量発生部２０は、導体部１１に近接した絶縁体層６１３に形成された引出部１７を介して、端子電極３に電気的に接続されている。このように、コイル部１０の巻回中心部に引出部１３，１７を配置することにより、結合が大きくなるため、浮遊容量を大きくとることができる。
【００３４】
[第３の実施形態]
第３の実施形態に係る積層型フィルタ１は、以下の点で第２の実施形態に係る積層型フィルタ１と主に相違している。
【００３５】
すなわち、第３の実施形態に係る積層型フィルタ１においては、図７に示されるように、絶縁体層６１２上に形成された導体部１１は、コイル部１０から電気的に絶縁され、フローティング状態となっている。これにより、導体部１１と導体部７６との間、及び導体部１１と導体部７３との間に発生する浮遊容量が小さくなり、コイル部分１０ａ及びコイル部１０ｂの自己共振周波数を高く設定することができる。
【００３６】
[第４の実施形態]
第４の実施形態に係る積層型フィルタ１は、積層体２内の導体パターンにおいて第１の実施形態に係る積層型フィルタ１と主に相違している。以下、第４の実施形態に係る積層型フィルタ１の導体パターンについて説明する。
【００３７】
図８に示すように、絶縁体層６３，６７，６１５，６１８上のそれぞれには、縁部６ａ、縁部６ｂ及び縁部６ｃに沿って延在する導体部７１，７２，７３，７４が形成されており、絶縁体層６６，６１０，６１６上のそれぞれには、縁部６ｃ、縁部６ｄ及び縁部６ａに沿って延在する導体部７５，７６，７７が形成されている。また、絶縁体層６２上には、端子電極３と接続された引出部８１が形成されており、絶縁体層６１９上には、端子電極４と接続された引出部８２が形成されている。
【００３８】
導体部７１の縁部６ｃ側の端部と導体部７５の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６４，６５上に形成された接続部９、及び絶縁体層６３，６４，６５に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、導体部７５の縁部６ａ側の端部と導体部７２の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６６に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。同様に、導体部７２の縁部６ｃ側の端部と導体部７６の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６８，６９上に形成された接続部９、及び絶縁体層６７，６８，６９に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。導体部７３の縁部６ｃ側の端部と導体部７７の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６１５，６１６に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、導体部７７の縁部ａ側の端部と導体部７４の縁部ａ側の端部とは、絶縁体層６１７上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１６，６１７に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００３９】
また、引出部８１と導体部７１の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６２に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されており、引出部８２と導体部７４の縁部６ｃ側の端部とは、絶縁体層６１８に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。更に、導体部７６の縁部６ａ側の端部と導体部７３の縁部６ａ側の端部とは、絶縁体層６１１上に形成された接続部９、絶縁体層６１２上に形成された導体部１１、絶縁体層６１３，６１４上に形成された接続部９、及び絶縁体層６１０〜６１４に形成されたスルーホールを介して、電気的に接続されている。
【００４０】
以上の電気的接続により、積層型フィルタ１は、積層体２内に形成された複数の導体部７１〜７７が電気的に接続されることにより構成されたコイル部１０を備え、コイル部１０は、一端が端子電極３に電気的に接続されると共に、他端が端子電極４に電気的に接続されることになる。
【００４１】
絶縁体層６４，６５，６８，６９上のそれぞれには、縁部６ｄ、縁部６ａ及び縁部６ｂに沿って延在する導体部１２１〜１２４、及び各導体部１２１〜１２４と端子電極３とを電気的に接続する引出部１３が形成されている。
【００４２】
以上により、積層型フィルタ１は、導体部７１との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２１を有した浮遊容量発生部１５１、導体部７５との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２２を有した浮遊容量発生部１５２、導体部７２との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２３を有した浮遊容量発生部１５３、及び導体部７６との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１２４を有した浮遊容量発生部１５４を備え、各浮遊容量発生部１５１〜１５４は、一端が端子電極３に電気的に接続されることになる。なお、導体部１２１〜１２４はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０を構成する導体部７１，７２，７５，７６と重なる形状を有している。
【００４３】
絶縁体層６１４，６１７上のそれぞれには、縁部６ｂ、縁部６ｃ及び縁部６ｄに沿って延在する導体部１６１，１６２、及び各導体部１６１，１６２と、端子電極４とを電気的に接続する引出部１７が形成されている。
【００４４】
以上により、積層型フィルタ１は、導体部７３との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１６１を有した浮遊容量発生部２０１、導体部７４，７７との間で浮遊容量を発生させるように積層体２内に形成された導体部１６２を有した浮遊容量発生部２０２を備え、各浮遊容量発生部２０１，２０２は、一端が端子電極４に電気的に接続されることになる。なお、導体部１６１，１６２はコイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０を構成する導体部７３，７４，７７と重なる形状を有している。
【００４５】
以上のように構成された積層型フィルタ１によっても、第１の実施形態に係る積層型フィルタ１と同様の効果が奏される。
【００４６】
[第５の実施形態]
第５の実施形態に係る積層型フィルタ１は、図９に示されるように、導体部１１が存在しない点で第１の実施形態に係る積層型フィルタ１と主に相違している。第５の実施形態に係る積層型フィルタ１においても、減衰が深く、且つ遮断帯域が広い減衰特性を得ることができる。
【００４７】
[第６の実施形態]
次に、第６の実施形態に係る積層型フィルタ１を図１０及び図１１により説明する。本実施形態に係る積層型フィルタ１は、積層体２の側面に端子電極３，４を4組並設し、積層体２内に第１の実施形態に係る積層型フィルタ１を構成するコイル部１０、浮遊容量発生部１５及び浮遊容量発生部２０を4組並設することにより形成されている。
【００４８】
このように積層型フィルタ１をアレイ状に形成してもよい。
【００４９】
最後に、本発明に係る積層型フィルタの減衰特性がより一層向上されていることを、コイル部とコンデンサ部とが並列接続されてなる特許文献１記載の積層型フィルタと比較することにより具体的に示す。
【００５０】
積層型フィルタの電気的特性を図１２に示す。図中、実線Ａは第１の実施形態に係る積層型フィルタ、鎖線Ｂは第５の実施形態に係る積層型フィルタ、点線Ｃは特許文献１記載の積層型フィルタを示している。例えば２０ｄＢの挿入損失での周波数帯域は第１の実施形態に係る積層型フィルタでは約４６０ＭＨｚ、第５の実施形態に係る積層型フィルタでは約２５０ＭＨｚ、特許文献１記載の積層型フィルタでは１００ＭＨｚである。以上のことから、本発明により減衰特性がより一層向上されることが確認された。
【００５１】
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではない。
【００５２】
例えば、第１〜第４の実施形態及び第６の実施形態に係る積層型フィルタ１では、浮遊容量発生部１５と浮遊容量発生部２０との間に形成された導体部１１を備えていれば、コイル部１０の中心軸線Ｌ方向から見て、コイル部１０により囲まれる内側の領域Ｒを含む形状を有していなくともよい。
【００５３】
また、第４の実施形態に係る積層型フィルタでは、導体部７１と導体部７５との間に設けられた浮遊容量発生部１５１，１５２はどちらか一方が存在していればよく、他方は存在していなくともよい。導体部７２と導体部７６との間に設けられた浮遊容量発生部１５３，１５４に関しても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１の実施形態に係る積層型フィルタを示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態に係る積層型フィルタの磁束分断の様子を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態に係る積層型フィルタのコイル部をその中心軸線方向から見た図である。
【図６】第２の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図７】第３の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図８】第４の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図９】第５の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図１０】第６の実施形態に係る積層型フィルタを示す斜視図である。
【図１１】第６の実施形態に係る積層型フィルタの積層体を示す分解斜視図である。
【図１２】積層型フィルタの電気的特性を示す線図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・積層型フィルタ、２・・・積層体、３・・・端子電極（第１の端子電極）、４・・・端子電極（第２の端子電極）、６１〜６２０・・・絶縁体層、７１〜７７・・・導体部（第１の導体部）、１０・・・コイル部、１１・・・導体部（第４の導体部）、１２１〜１２４・・・導体部（第２の導体部）、１５，１５１〜１５４・・・浮遊容量発生部（第１の浮遊容量発生部）、１６１，１６２，・・・導体部（第３の導体部）、２０，２０１，２０２・・・浮遊容量発生部（第２の浮遊容量発生部）、Ｆ・・・磁束、Ｌ・・・中心軸線、Ｒ・・・領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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