(57)【要約】【課題】接続端子の剥離を抑止する。【解決手段】一対の電圧印加用電極が設けられた振動子片が所定間隔で複数形成された水晶基板の一方の面に第１ガラス基板を、またもう一方の面に上記各電圧印加用電極の位置に符合する開口部が形成された第２ガラス基板をそれぞれ貼り合わせて上記各振動子を封止し、上記第２ガラス基板３００の表面３０１に上記電圧印加用電極に繋がる導電性薄膜を設け、さらに切断加工によって上記各振動子片を封止状態のまま分離する水晶振動子の製造方法であって、上記導電性薄膜を設ける前に、上記第２ガラス基板３００の表面上の切断ラインＬを含みかつ該切断ラインＬより幅広の領域Ａに連続あるいは離散して導電性薄膜の密着性を向上させる密着性向上工程を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電圧印加用電極が設けられた振動子片が所定間隔で複数形成された水晶基板の一方の面に第１ガラス基板を、またもう一方の面に前記各電圧印加用電極の位置に符合する開口部が形成された第２ガラス基板をそれぞれ貼り合わせて前記各振動子を封止し、前記第２ガラス基板の表面に前記電圧印加用電極に繋がる導電性薄膜を設け、さらに切断加工によって前記各振動子片を封止状態のまま分離する水晶振動子の製造方法であって、
前記導電性薄膜を設ける前に、前記第２ガラス基板の表面上の切断ラインを含みかつ該切断ラインより幅広の領域に連続あるいは離散して導電性薄膜の密着性を向上させる密着性向上工程を行うことを特徴とする水晶振動子の製造方法。
【請求項２】
前記密着性向上工程は、ブラスト処理によって前記領域に連続あるいは離散して窪みを形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項３】
前記窪みの深さは、前記第２ガラス基板の厚さの１／３〜１／４であることを特徴とする請求項２記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項４】
前記密着性向上工程は、前記第２ガラス基板を前記水晶基板に貼り合わせる前に行われることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項５】
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板は、該第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板と前記水晶基板との間に形成された金属層を用いた陽極接合によって、前記水晶基板と貼り合わされることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の水晶振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶振動子として、例えば一対の電圧印加用電極が設けられた振動子片をガラスによって封止した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような水晶振動子を製造する場合には、まず、振動子片が所定間隔で複数形成された水晶基板の両面にガラス基板を貼り合わせる。その後、例えばダイシングブレードを用いて、各振動紙片を封止状態のまま切断加工するダイシングを行うことによって、振動子片毎に個別化している。
【０００３】
ところで、水晶振動子では、電圧印加用電極と水晶振動子の外部との導通を確保する必要がある。このため、電圧印加用電極の位置に符合する開口部を一方のガラス基板に形成しておき、水晶基板とガラス基板とが貼り合わされた後に、開口部を介して電圧印加用電極に導通される接続端子を形成する。この接続端子は、電圧印加用電極からガラス基板の表面まで形成されており、この接続端子によって電圧印加用電極と外部との導通を確保している。
このような接続端子は、ダイシングの後すなわち各水晶振動子として個片化された後では、水晶振動子の一個一個に対して形成されることとなる。このため、水晶振動子の製造の手間及びコストが増大する。よって、ダイシングの前に、複数の開口部を含むガラス基板表面上の領域に一括して導電性薄膜を成膜し、ダイシングにおいて導電性薄膜を同時に切断加工することによって各接続端子に個別化している。このようにして各接続端子を形成することによって複数の接続端子を一括して形成することができる。
【特許文献１】特許第３３９０３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ガラス基板の表面上に形成された導電性薄膜はガラス基板の表面との密着性が悪く、例えば、高速回転するダイシングブレードと接触することによってめくれ上がる場合がある。このような場合には、例えば、めくれ上がった部分から導電性薄膜全体すなわち接続端子が剥離してしまう恐れがある。
【０００５】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、接続端子の剥離を抑止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、一対の電圧印加用電極が設けられた振動子片が所定間隔で複数形成された水晶基板の一方の面に第１ガラス基板を、またもう一方の面に上記各電圧印加用電極の位置に符合する開口部が形成された第２ガラス基板をそれぞれ貼り合わせて上記各振動子を封止し、上記第２ガラス基板の表面に上記電圧印加用電極に繋がる導電性薄膜を設け、さらに切断加工によって上記各振動子片を封止状態のまま分離する水晶振動子の製造方法であって、上記導電性薄膜を設ける前に、上記第２ガラス基板の表面上の切断ラインを含みかつ該切断ラインより幅広の領域に連続あるいは離散して導電性薄膜の密着性を向上させる密着性向上工程を行うことを特徴とする水晶振動子の製造方法。
【０００７】
このような特徴を有する本発明によれば、第２ガラス基板の表面上の切断ラインを含みかつ該切断ラインより幅広の領域に連続あるいは離散して導電性薄膜の密着性を向上させる密着性向上工程が行われる。このような密着性向上工程を行うことによって、後に第２ガラス基板の表面に導電性薄膜が成膜された場合に、上記領域における導電性薄膜の密着性が向上する。
上記領域は、切断ラインを含んでかつ切断ラインよりも幅広の領域であるため、従来の水晶振動子の製造方法において、導電性薄膜がめくれ上がってしまう領域を含んでいる。したがって、本発明のように、従来の水晶振動子の製造方法において導電性薄膜がめくれ上がってしまう領域における導電性薄膜の密着性を向上させることによって、導電性薄膜がめくれ上がることを抑止することができる。
したがって、本発明によれば、接続端子の剥離を抑止することが可能となる。
【０００８】
また、本発明においては、上記密着性向上工程は、ブラスト処理によって上記領域に連続あるいは離散して窪みを形成する工程であるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、ブラスト処理によって、上記領域に連続あるいは離散して窪みが形成される。ブラスト処理は、粒状の噴射材や投射材を処理対象物に対して噴きつけるあるいは投射することによって、処理対象物を加工する処理である。このブラスト処理は、粒状の噴射材や投射材を処理対象物に対して噴きつけるあるいは投射するため、加工表面が粗面化されるという特徴を有している。したがって、窪みの内面が粗面化され、導電性薄膜に対する密着性を向上させることが可能となる。
なお、具体的には、上記窪みの深さが、上記第２ガラス基板の厚さの１／３〜１／４であることが好ましい。このように、窪みの深さを第２ガラス基板の厚さの１／３〜１／４とすることによって、第２ガラス基板の強度を維持しつつ上記領域の導電性薄膜に対する密着性を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明においては、上記密着性向上工程が、上記第２ガラス基板を上記水晶基板に貼り合わせる前に行われるという構成を採用することができる。
例えば、第２ガラス基板を水晶基板に貼り合わせた後に密着性向上工程を行った場合には、密着性向上工程の過程において水晶基板を損傷する恐れがある。これに対して、上記構成のように、第２ガラス基板が水晶基板に貼り合わされる前に密着性向上工程を行うことによって、水晶基板を損傷する恐れなく、第２ガラス基板に対して密着性向上工程を行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明においては、上記第１ガラス基板及び上記第２ガラス基板は、該第１ガラス基板及び上記第２ガラス基板と上記水晶基板との間に形成された金属層を用いた陽極接合によって、上記水晶基板と貼り合わされるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、第１ガラス基板及び第２ガラス基板と水晶基板とを強固に貼り合わすことが可能となり、振動子片の封止状態を確実に維持すること容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明に係る水晶振動子の製造方法一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
図１は、本実施形態の水晶振動子の製造方法によって製造された水晶振動子１の概略構成を示した断面図である。また、図２は、水晶振動子１を下側から見た平面図である。なお、図１における断面図は、図２のＡ−Ａ線断面図であり、水晶振動子１を平面視における対角線で切断した断面図である。
図１に示すように、本実施形態の水晶振動子１は、一対の電圧印加用電極２１，２２が形成された振動子片２と、パッケージ３と、接続端子４とを備えている。
【００１３】
パッケージ３は、振動子片２の上側に位置する上側部３２と振動子片２の下側に位置する下側部３１とによって構成されている。このパッケージ３は、ガラスによって形成されている。そして、パッケージ３の上側部３２とパッケージ３の下側部３１とによって振動子片２が狭持されている。
また、振動子片２とパッケージ３との間には、金属からなる接合層５（金属層）が形成されている。なお、図１においては、振動子片２とパッケージ３の下側部３１との間には、電圧印加用電極２１，２２が示されているが、これらの電圧印加用電極２１，２２がない部分においては、振動子片２とパッケージ３の下側部３１との間に金属からなる接合層５が形成されている。そして、振動子片２とパッケージ３とは、この接合層５を用いた陽極接合によって貼り合わされている。  
つまり、パッケージ３の上側部３２とパッケージ３の下側部３１との間に振動子片２が配置され、これらの上側部３２とパッケージ３と下側部３１とが接合層５を介して貼り合わされている。
このような構成によって、振動子片２がパッケージ３によって封止されている。
【００１４】
図２に示すように、パッケージ３の下側部３１の周縁部３１２には、周縁部３１２に沿って第１欠落部６が形成されている。また、パッケージ３の下側部３１の四隅には、第２欠落部７が形成されている。なお、第１欠落部６は、図１に示すように、下側部３１の下面３１１から下側部３１の厚さの１／３〜１／４程度の深さまでしか形成されない。一方、第２欠落部７は、振動子片２の電圧印加用電極２１，２２が露出されるように、下側部３１の上面３１３まで形成されている。
なお、図１に示すように、第１欠落部６の壁面６１と第２欠落部７の壁面７１とは、どちらも傾斜して形成されている。
【００１５】
接続端子４は、第１欠落部６の壁面６１及び第２欠落部７の壁面７１を介して、パッケージ３の下側部３１の下面３１１から振動子片２の電圧印加用電極２１，２２に繋がって形成されている。より詳細には、一方の接続端子４１が電圧印加用電極２１と繋がって形成されており、他方の接続端子４２が電圧印加用電極２２と繋がって形成されている。
【００１６】
このように構成された水晶振動子１は、接続端子４を介して外部の半導体装置等と導通される。そして、半導体装置等によって駆動される。
【００１７】
次に、本実施形態の水晶振動子の製造方法について、図３〜図１１を参照して説明する。
なお、本実施形態の水晶振動子の製造方法においては、水晶振動子は、図１及び図２に示した水晶振動子の上下をひっくり返した状態で製造されるため、図３〜図１１においては、図１及び図２と上下が逆さまになって図示されている。
【００１８】
まず、図３に示すように、振動子片２が所定間隔で複数形成された水晶基板１００と、パッケージ３の上側部３２が複数形成された上側ガラス基板２００（第１ガラス基板）と、パッケージ３の下側部３１が複数形成された下側ガラス基板３００（第２ガラス基板）とを用意する。なお、水晶基板１００には、後のダイシングによって切断されることによって一対の電圧印加用電極２１，２２となる電極層２３が形成されている。
また、振動子片２と上側部３２と下側部３１とは、各々の基板において同一の所定間隔で配列されている。このため、水晶基板１００と、上側ガラス基板２００と、下側ガラス基板３００とを重ね合わせることによって、各基板の振動子片２とパッケージ３の上側部３２とパッケージ３の下側部３１とが重なり合う。
【００１９】
続いて、図４（下側ガラス基板３００の一方側の面３０１の一部を示す図）に示すような、下側ガラス基板３００の一方側の面３０１（表面）上であって、切断ラインＬを含みかつ切断ラインＬの幅ｄよりも幅広の領域Ａに、溝部４００（図５参照）をブラスト処理によって形成する（密着性向上工程）。なお、ここで言う切断ラインとは、ダイシングにおいてダイシングブレードによって切断加工されるラインのことである。また、下側ガラス基板３００の一方側の面３０１は、ダイシング後に各水晶振動子１が有するパッケージ３の下側部３１の下面３１１となる面である。
この溝部４００は、ダイシング後に第１欠落部６となる部位であり、図５に示すように、深さが下側ガラス基板３００の厚さの１／３〜１／４とされる。
【００２０】
なお、ブラスト処理は、粒状の噴射材や投射材を処理対象物に対して噴きつけるあるいは投射することによって、処理対象物を加工する処理である。このブラスト処理は、粒状の噴射材や投射材を処理対象物に対して噴きつけるあるいは投射するため、加工表面が粗面化されるという特徴を有している。そして、このようなブラスト処理によって溝部４００が形成されるため、溝部４００の内壁面４０１が粗面化される。このように内壁面４０１が粗面化されている場合には、内壁面４０１に対する薄膜の密着性を向上させることができる。
すなわち、下側ガラス基板３００の一方側の面３０１（表面）上であって、切断ラインＬを含みかつ切断ラインＬの幅ｄよりも幅広の領域Ａに対する薄膜の密着性が向上される。
なお、溝部４００の幅Ｄは、上述のように切断ラインＬの幅ｄ（ダイシングブレードの厚さ）よりも幅広とされているが、具体的には、切断ラインＬの幅ｄが１５０μｍ程度である場合には、２００〜３００μｍであることが好ましい。
【００２１】
次に、図６に示すように、下側ガラス基板３００に対して開口部５００を複数形成する。この開口部５００は、ダイシング後に第２欠落部７となる部位である。開口部５００は、水晶基板１００の電極層２３（振動子片２に設けられる各電圧印加用電極２１，２２）の位置に符合して形成され、本実施形態においては、図４に示す、切断ラインＬのうち、縦に延在する切断ラインＬと横に延在する切断ラインＬとが交差する領域に形成される。
なお、開口部５００も、溝部４００と同様にブラスト処理によって形成される。したがって、開口部５００の内壁面５０１も粗面化される。
【００２２】
続いて、図７に示すように、水晶基板１００の一方の面１０１に上側ガラス基板２００を貼り合わせ、水晶基板のもう一方の面１０２に下側ガラス基板３００を貼り合わせる。
具体的には、各基板の間に接合層５の材料を配置した上で上側ガラス基板２００、水晶基板１００、下側ガラス基板３００の順に下側から重ね合わせ、接合層５を用いて、上側ガラス基板２００と水晶基板１００と下側ガラス基板３００とを陽極接合によって接合する。
このように、上側ガラス基板２００と水晶基板１００と下側ガラス基板３００とを陽極接合によって接合することによって、各振動子片２が封止される。
【００２３】
そして、図８に示すように、下側ガラス基板３００の表面に、例えばスパッタ処理やメッキ処理によって、一括して導電性薄膜６００を形成する。
ここで、下側ガラス基板３００には、各電極層２３に符合する開口部５００が形成されている。このため、各導電性薄膜６００は、溝部４００の内壁面４０１と開口部５００の内壁面５０１を介して、電極層２３に繋がって形成される。
なお、この導電性薄膜６００は、ダイシング後に同一の振動子片２の電圧印加用電極２１，２２同士が導通しないようにパターニングされているものの、複数の開口部５００を含む領域全体にベタ成膜されている。このため、図９に示すように、導電性薄膜６００が、下側ガラス基板３００の一方側の面３０１（表面）上の切断ラインＬを跨いで形成される。なお、図９においては、溝部４００及び開口部５００の図示は省略している。
【００２４】
続いて、図１０に示すように、ダイシングブレード７００による切断加工によって、水晶基板１００、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００を、振動子片２を封止状態のまま分離する（ダイシング）。具体的には、ダイシングブレード７００で、下側ガラス基板３００の表面上の切断ラインＬを切断するようにして水晶基板１００、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００を切断加工する。このダイシングによって、各振動子片２毎に個片化され、水晶振動子１が製造される。
なお、ダイシングの際に、開口部５００及び溝部４００が２分化されることによって、２分化された開口部５００の一方側の内壁面５０１及び溝部４００の一方側の内壁面４０１に付着形成された導電性薄膜６００が接続端子４１とされ、２分化された開口部５００の他方側の内壁面５０１及び溝部４００の他方側の内壁面４０１に付着形成された導電性薄膜６００が接続端子４２とされる。また、ダイシングの際に、電極層２３が２分化されることによって、２分化された電極層２３の一方側が電圧印加用電極２１とされ、２分化された電極層２３の他方側が電圧印加用電極２２とされる。
【００２５】
なお、図１０において、溝部４００の幅がダイシングブレード７００の厚さに対して５倍程度に示されているが、これは、説明の便宜上、溝部４００の内壁面４０１及び開口部５００の内壁面５０１の傾斜を緩くして図示しているためである。上述のように、ダイシングブレードの厚さが１５０μｍ程度である場合には、溝部４００の幅Ｄは、２００〜３００μｍであることが好ましい。
【００２６】
さて、本実施形態の水晶振動子の製造方法においては、下側ガラス基板３００の表面上の切断ラインＬを含むかつ切断ラインＬよりも幅広の領域Ａに対して溝部４００が形成され、これによって、領域Ａの薄膜に対する密着性が向上されている。
このため、溝部４００の形成後に形成される導電性薄膜６００の溝部４００の内壁面４０１に対する密着性が向上されている。このため、高速回転するダイシングブレード７００の側部と導電性薄膜６００とが接触した場合であっても、導電性薄膜６００がめくれ上がることを抑止することができる。
従来の水晶振動子の製造方法では特にめくれ上がりやすかった開口部５００，５００間に形成された導電性薄膜６００も、切断ラインＬに幅広に形成された溝部４００によって下側ガラス基板３００に対する密着性が向上されている。このため、図１１に示すように、切断ラインＬをダイシングブレード７００によって切断した場合であっても、導電性薄膜６００がめくれ上がることを抑止することができる。
導電性薄膜６００は、上述のようにダイシング後に接続端子４となるものであるため、よって、本実施形態の水晶振動子の製造方法によれば、接続端子４の剥離を抑止することが可能となる。
【００２７】
また、本実施形態の水晶振動子の製造方法においては、溝部４００の深さが下側ガラス基板３００の厚さの１／３〜１／４とされている。このため、下側ガラス基板３００の強度を維持しつつ導電性薄膜６００に対する密着性を向上させることが可能となる。
【００２８】
また、本実施形態の水晶振動子の製造方法においては、下側ガラス基板３００に溝部４００を形成する工程が、下側ガラス基板３００と水晶基板１００とが貼り合わされる工程より前に行われている。
本発明は、下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを貼り合わせた後に下側ガラス基板３００に溝部４００を形成する工程を行うことを排除するものではないが、このような場合には、下側ガラス基板３００に溝部４００を形成する際に、水晶基板１００を損傷する恐れがある。よって、本実施形態の水晶振動子の製造方法のように、下側ガラス基板３００に溝部４００を形成する工程が、下側ガラス基板３００と水晶基板１００とが貼り合わされる工程より前に行われることによって、下側ガラス基板３００に溝部４００を形成する際に水晶基板１００が損傷される恐れを排除することができる。
【００２９】
また、本実施形態の水晶振動子の製造方法においては、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００が、接合層５を用いた陽極接合によって、水晶基板１００と貼り合わされている。このため、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを強固に貼り合わすことが可能となり、振動子片２の封止状態を確実に維持することが可能となる。
しかしながら、本発明は、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを陽極接合によって接合する場合に限定されるものではなく、振動子片２の封止可能な方法で上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを貼り合わせば良い。
【００３０】
なお、溝部４００の幅Ｄすなわち領域Ａの幅は、広くすればするほど、粗面化される領域が増えるため、導電性薄膜６００の密着性が向上する。しかしながら、本実施形態のように、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを陽極接合によって接合する場合には、粗面化された領域が広いと陽極接合の際に粗面化された部分で放電が生じ、下側ガラス基板３００が損傷する恐れがある。このため、上側ガラス基板２００及び下側ガラス基板３００と水晶基板１００とを陽極接合によって接合する場合には、溝部４００の幅Ｄすなわち領域Ａの幅は、陽極接合の際の放電によって下側ガラス基板３００が損傷しない程度にすることが好ましい。
【００３１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る水晶振動子の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００３２】
例えば、上記実施形態においては、ブラスト処理によって溝部４００を形成することによって溝部４００の内壁面４０１を粗面化し、これによって領域Ａに対する薄膜の密着性を向上させた。
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、エッチング処理によって内壁面が粗面化された溝部を形成し、これによって領域Ａに対する薄膜の密着性を向上させても良い。
また、溝部を形成せずに、領域Ａに対する薄膜の密着性を向上させても良い。具体的には、例えば、領域Ａに接着剤等を塗布することが考えられる。
【００３３】
また、上記実施形態においては、切断ラインＬを含みかつ切断ラインＬよりも幅広の領域Ａの全てに連続して溝部４００を形成した。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、切断ラインＬを含むかつ切断ラインＬより幅広の領域の一部に連続あるいは離散してブラスト処理によって窪みを形成しても良い。また、下側ガラス基板３００の表面におけるどちらか一方向に延在する領域Ａに対してのみ連続して溝部４００を形成しても良い。このような場合であっても、窪みの内壁面が粗面化されて薄膜の密着性が向上する。
ただし、上記実施形態のように、領域Ａの全てに連続して溝部４００を形成することによって、図２に示すように、水晶振動子１が備えるパッケージ３の下側部３１の周縁部３１２全てに第１欠落部６が形成される。このため、例えば、パッケージ３の面取りの行う場合には、予め下側部３１の周縁部３１２が面取りされた状態となるため、後の面取り工程を簡略化することが可能となる。
【００３４】
また、ガラス基板に薄膜を形成し、この薄膜が形成された部位を切断加工する技術全般に本発明を応用することもできる。例えば、インクジェットヘッドを製造する場合や液晶表示装置を製造する場合には、ガラス基板に薄膜を形成し、この薄膜が形成された部位を切断加工する技術を用いるため、この技術に本発明を応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法によって製造された水晶振動子の概略構成を示した断面図である。
【図２】図１に示す水晶振動子を下方から見た正面図である。
【図３】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図８】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態である水晶振動子の製造方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１……水晶振動子、２……振動子片、２１，２２……電圧印加用電極、２３……電極層、３……パッケージ、３１……下側部、３２……上側部、４，４１，４２……接続端子、５……接合層、１００……水晶基板、１０１，１０２……面、２００……上側ガラス基板（第１ガラス基板）、３００……下側ガラス基板（第２ガラス基板）、４００……溝部、４０１……内壁面、５００……開口部、５０１……内壁面、６００……導電性薄膜、７００……ダイシングブレード、Ｌ……切断ライン、Ａ……領域
【図１】
2007180623.tif 000003
【図２】
2007180623.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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