(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロ磁気デバイスに適した磁気構造体、及び磁気構造体の製造方法の提供。【解決手段】タングステン（Ｗ）をドープ（ｄｏｐｅｄ）したコバルト−白金−リン（ＣｏＰｔＰ）組成のアウト・オブ・プレーンな固い磁気膜を、直流定電流電着の電気メッキによって形成し、Ａｕの中間層を介して多層構造に積層した後、空気中でアニールする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に堆積した少なくとも１層の磁気材料とを具備する磁気構造体であって、前記磁気材料が４５〜９５原子％のコバルトと、０．５〜５０原子％の白金と、０．５〜２０原子％のタングステンと、０．５〜１０原子％のリンとを含む、
磁気構造体。
【請求項２】
前記構造体が複数層の前記磁気材料を具備する、
請求項１に記載の磁気構造体。
【請求項３】
前記複数層が非磁性層によって挟み込まれている、
請求項２に記載の磁気構造体。
【請求項４】
コバルト、白金、タングステンおよびリンを含んでいる前記層または各層が、
相対的に高濃度のタングステンを含む粒界によって分割されている、相対的に低濃度のタングステンを有する結晶粒を具備する、
請求項１に記載の磁気構造体。
【請求項５】
電気化学槽内で前記基板に少なくとも１層の前記磁気材料を電気メッキすることを具備する、
請求項１に記載の磁気構造体の形成方法。
【請求項６】
前記電気化学槽の組成が、０．００１〜０．５ｍｏｌ／リットルのＣＯ２＋イオンと、０．００１〜０．５ｍｏｌ／リットルのＰｔＣｌ６２−イオンと、０．００１〜０．５ｍｏｌ／リットルのＷＯ４２−イオンと、０．００１〜０．５ｍｏｌ／リットルのＨＰＨＯ３−イオンとを含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記電気化学槽のｐＨが４．０〜５．０の間にある、
請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記電気メッキ処理が２０〜３０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で実行される、
請求項５から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記基板が（１１１）結晶方位を持つ金のシード層を担持する、
請求項５から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記磁気材料の層が１００〜５００℃の外気の環境でアニールされる工程をさらに含む、
請求項５から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記基板にさらなる磁気材料の層を電気メッキする少なくとも１つのさらなる工程を具備する、
請求項５から９のいずれかに記載の造方法。
【請求項１２】
前記構造体にアニールするそれぞれの工程が、磁気材料の連続するさらなる層の各々の形成後に、遂行される、
請求項１１に記載の磁気構造体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気構造体を一体化しているマイクロデバイス。
【請求項１４】
前記マイクロデバイスがＭＥＭＳデバイスである、
請求項１３に記載のマイクロデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気構造体、その構造体を製造する方法、およびそのような構造体を一体化しているデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ磁気デバイスで使われるマイクロ磁石は一般に、バルク希土類磁石であり、そのような磁石は、ワイヤー放電加工を使用して個々に微細加工されるネオジム−鉄−ホウ素（ＮｄＦｅＢ）とサマリウムコバルト（ＳｍＣｏ）の元素を含む［非特許文献１］。しかしながら、この製造方法は、フル（ｆｕｌｌ）統合製造または一括製造に適合していない。その理由は、磁石が手作業で組み立てられなければならないからである。
【０００３】
電気メッキおよび電解堆積を含む電気化学処理は、高い歩留りと価格効率の処理の要求を満たすのに適している。しかし、その結果としての電気メッキされた希土類材料の磁気特性は、それらのバルク対応物より非常に劣っている［非特許文献２、３］。その主な理由は、希土類元素の平衡電位が低いため、電解液から純粋な金属状態の希土類金属を効果的に電解共堆積させることが困難であるからである［非特許文献３］。
【０００４】
コバルト白金（ＣｏＰｔ）は、相対的に良好な磁気特性で電気メッキされ得る硬い磁気膜を約束するものに分類される。理論的には、Ｃｏ５０Ｐｔ５０の秩序相（ｏｒｄｅｒｅｄ  ｐｈａｓｅｓ）は、１０ｋＯｅ（エルステッド）を越える非常に高い保磁力を示すことができた［非特許文献４］。しかしながら、ＣｏＰｔ膜の厚さが１μｍを越えると、その本質的に高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）は、厚さの増加につれて急速に劣化することが知られている［非特許文献５］。このことは、マイクロデバイスにおけるこの材料の応用にとって主要な欠点である。その理由は、微小駆動の目的のために十分に高い絶対磁場の発生のため、厚い膜または微細構造がしばしば要求されるからである。
【０００５】
以前の特許出願（２００５年６月３日に出願されたシンガポール特許出願第２００５０３５６１−３号を優先権主張している、２００５年６月２４日に出願されたシンガポール特許出願第２００５０４００５−５号、両者の出願も本出願の優先日までに公開されていないが）において、本発明者のうちの２人は、材料のなかでもとりわけ、ＭＥＭＳデバイスで使用するため、およびＣｏ-Ｐｔ-Ｐの複数の電気メッキ層を有する磁気構造体を提案した。
【非特許文献１】Ｃ．  Ｙａｎ，  Ｘ．  Ｚｈａｏ，  Ｇ．  Ｄｉｎｇ，  Ｃ．  Ｚｈａｎｇ，  ａｎｄ  Ｂ．  Ｃａｉ，  “Ａｘｉａｌ  ｆｌｕｘ  ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｍｉｃｒｏｍｏｔｏｒ”，  Ｊ．  Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈ．  Ｍｉｃｒｏｅｎｇ．，  １１  （２００１）  １１３−１１７．
【非特許文献２】Ｈ．  Ｋａｒａｉ，  Ｋ．  Ｈａｒａ，  ａｎｄ  Ｙ．  Ｙａｏ，  Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ａｂｓｔｒａｃｔ  ｏｆ  ｔｈｅ  ７２ｎｄ  Ｍｅｅｔｉｎｇ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，  （１９８５）  ３０．
【非特許文献３】Ｙ．  Ｓａｔｏ，  Ｔ．  Ｔａｋａｚａｗａ，  Ｍ．  Ｔａｋａｈａｓｈｉ，  Ｈ．  Ｉｓｈｉｄａ，  ａｎｄ  Ｋ．  Ｋｏｂａｙａｋａｗａ，  “Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｍ−Ｃｏ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ”，  Ｐｌａｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｕｒｎｉｓｈｉｎｇ，  （１９９３）  ７２−７４．
【非特許文献４】Ｋ．  Ｒ．  Ｃｏｆｆｅｙ，  Ｍ．  Ａ．  Ｐａｒｋｅｒ，  Ｊ．  Ｋ．  Ｈｏｗａｒｄ，  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇｎ．，  ３１  （１９９５）  ２７３７．
【非特許文献５】Ｐ．  Ｌ．  Ｃａｖａｌｌｏｔｔｉ，  Ｎ．  Ｌｅｃｉｓ，  Ｈ．  Ｆａｕｓｅｒ，  Ａ．  Ｚｉｅｌｏｎｋａ，  Ｊ．  Ｐ．  Ｃｅｌｉｓ，  Ｇ．  Ｗｏｕｔｅｒｓ，  Ｊ．  Ｍａｃｈａｄｏ  ｄａ  Ｓｉｌｖａ，  Ｊ．  Ｍ．  Ｂｒｏｃｈａｄｏ  Ｏｌｉｖｅｉｒａ，  Ｍ．  Ａ．  Ｓａ，  Ｓｕｒｆ．  Ｃｏａｔ．  Ｔｅｃｈ．  １０５  （１９９８）  ２３２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、マイクロ磁気デバイスに用いるのに適した磁気構造体、ならびに、その構造体を一体化しているマイクロ磁気デバイスを提供することを意図している。さらに、本発明は、その構造体を製造する方法を提供することを意図している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一般論として、本発明は、磁気構造体が、添加（ａｄｄｉｔｉｖｅ）のタングステン（Ｗ）およびリン（Ｐ）（以下、ＣｏＰｔＷＰと称する）を用いて、ＣｏＰｔ層の基板に電着によって形成されることを提案する。
【０００８】
組成の好ましい値は、４５〜９５原子％のコバルトと、０．５〜５０原子％の白金と、０．５〜２０原子％のタングステンと、０．５〜１０原子％のリンである。
【０００９】
以下に詳細に述べるように、本発明のある実施形態は、高い磁化性能および保磁力を有する磁気膜である。特定的には、ＣｏＰｔＷＰの磁気薄膜は、選択された処理条件の下で電気メッキ処理により成功裏に製造された。
【００１０】
本発明のある実施形態において、非磁性電導層により間隔づけられている薄い個々のＣｏＰｔＷＰ層を具備する多層化された構造体が製造された。このことは、より高い残留磁化を達成することを可能にし、さらに、厚い単層膜の場合に観測されるアニールの後、Ｈｃにおける低下を回避することを可能にする。従って、本実施形態は、厚いＣｏＰｔＷＰ膜（多層化された構造体の形状で）の使用を可能にし、それにより、磁気マイクロデバイスに適用するための高い保磁特性を持つ十分に高い絶対磁場が生成される。
【００１１】
好ましくは、各ＣｏＰｔＷＰ層の厚さは、最大１．５μｍ、より好ましくは１μｍ未満、代表的には０．５μｍに維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施形態である磁気構造体を製造する方法が今や記述される。
本発明の好ましい実施形態が、図解の便宜のためのみであるが、添付図面を参照して記述される。
【００１３】
第１の工程において、Ｃｒ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）のシード（ｓｅｅｄ）層が、スパッタリングによりガラス基板に形成された。濃硫酸（Ｈ２ＳＯ４）（約３分間）によるシード層の活性化の後、電着がガルバノスタット／ポテンショスタットを介して回転ディスク電極（ＲＤＥ）装置を用いて実行された。Ａｇ／ＫＣｌは参照電極として使用され、一方、純粋な白金線は陽極として使用され、その結果、単層の磁気材料を製造した。
【００１４】
本実施形態の場合において、電解液はタングステン（Ｗ）を含む。しかしながら、比較例として、対照実験が遂行され、その実験において、厳密に同じ処理が、タングステンを含まない電解液組成物を用いて実行された。それによってコバルト−白金−リン（ＣｏＰｔＰ）の層を生成した。２つの電解液の組成が表１に示される。電解液の特性が、本実施形態の場合において、下記表の第３の列（ＣｏＰｔＰＷ）に与えられ、一方、比較例における電解液の特性が、第２の列（ＣｏＰｔＰ）に示される。各溶液は、ＮａＯＨとＨ２ＳＯ４を用いてＰＨ４．５に調整された。電流密度および攪拌速度に関する電気メッキの条件は表１にまとめられる。
【００１５】
【表１】
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【００１６】
３分間電気メッキしたＣｏＰｔＰを用いた比較例のアウト・オブ・プレーン（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）履歴曲線は、図１における実線の曲線１として示されている。それは、約５．８ｍｅｍｕの絶対残留磁化Ｍｒ、および約０．４の角形比（ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ）Ｓを有する約３０４３Ｏｅ（エルステッド）の高い保磁力Ｈｃを示す。
【００１７】
一方、本発明の実施形態の代表的な履歴曲線は、図１における曲線２によって示されている。前述したように、本実施形態において、非磁性タングステン（Ｗ）はＣｏＰｔＰのままでＣｏＰｔＰ電解液中に０．００３ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のＷを含ませることによって、電気メッキされた。ＣｏＰｔＰ−Ｗの磁気特性で顕著な改善は、厚さ０．５μｍの膜について、約３６６４〜３７８４Ｏｅの範囲（５つのサンプルの間で）内のＨｃ、７．８〜８．４ｍｅｍｕの絶対Ｍｒ、約０．５３〜０．５５のＳを持つことが観測された。履歴曲線における広がりは、タングステン（Ｗ）の添加（付加）により引き起こされる。従ってより高いＨｃおよびＭｒをもたらす。添加物ＷによるＨｃの増加のメカニズムは、粒界でＷの沈殿によって引き起こされると信じられており、粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ）でＰの沈殿によってもまた寄与される粒非結合効果（ｇｒａｉｎ  ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）を奏する。
【００１８】
それ故に、その結果として生じる構造体は、分離された磁性ＣｏＰｔ粒（ｇｒａｉｎｓ）から成り、それらの粒は殆んどがＷおよびＰによって形成された非磁性、または、かなり弱い磁気境界（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ）で取り囲まれている。そのような微小構造の形成は、磁区の磁性再配向のためにエネルギー障壁を増加させ、それによって膜の全体的な保持力Ｈｃを増加させ、それらを磁気的に堅固にする。Ｐｔはその装置内にも存在するが、Ｗとは異なる振る舞いを示し、前者は容易にＣｏと合金になることができ、従って、純粋なＣｏ（一般にＨｃが約５００Ｏｅ）と比較して非常に高いＨｃを有するＣｏＰｔ合金を形成することに留意すべきである。従って、本装置のＨｃの増加（純粋なＣｏと比較して）は、２つの要素からなる。一方はＰｔの合金化の影響によって達成された増加した磁気結晶異方性が生じ、他方は、粒界におけるＷの集中によって達成された粒非結合が生じる。
【００１９】
ＣｏＰｔＰ装置における添加物タングステン（Ｗ）の効果は、膜厚の関数として図２（ａ）、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示されるように、さらに詳細に調査された。アウト・オブ・プレーン（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅｓ）ＨｃおよびＳは、ＣｏＰｔＰおよびＣｏＰｔＷＰの両方に関しても膜厚を増加させるにつれて減少する。それにもかかわらず、全ての膜厚で、ＣｏＰｔＷＰはＣｏＰｔＰより高いＨｃとＳを示す。期待通り、絶対Ｍｒ（Ｍｓはもちろん）は、膜厚とともに増加する。その理由は、膜が厚くなるとともにより多くの磁気材料が存在するからである。しかしながら、絶対Ｍｒの増加は、図３（ここで、示された点は実験結果であり、線はそれらを用いて生成された内挿である）に示されるように約１μｍの膜厚を超えると停滞領域に到達していると考えられ、ほぼ確実に、厚さが増加するにつれてＳが減少するためである。その理由は、ＭｒがＭｒ＝Ｓ×Ｍｓによって規定されるＳに関係があるからである。
【００２０】
図４（ａ）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、３２０℃で、２時間、外気の雰囲気中でアニールする膜厚の関数としてＣｏＰｔＷＰの熱的安定性を示す。図４に示されている結果は、アニールすることが磁気特性のさらなる改善を提供する膜厚の範囲が存在することを示している。厚さが約０．２〜０．６μｍ（そして、特に０．３〜０．６μｍ）の範囲にあるとき、ＨｃおよびＳは、絶対Ｍｒのわずかな低下が観測されていたが、向上していることに留意されたい。図１における履歴曲線３（点線で示されている）から分かるように、３分間のメッキ処理後の厚さ約０．５μｍのサンプルに関して、酸化コバルトのような非磁性金属酸化物の形成を示す絶対Ｍｓに急激な低下がある。同時に、４ｋＯｅを越える高いＨｃと０．６を越える高いＳをもたらす履歴曲線に広がりがある。ポストアニールすることによるＨｃにおけるさらなる増加は、粒界における酸化タングステンのような金属酸化物の形成によって、引き起こされると信じられており、粒非結合と類似の効果をもたらす。従って、非磁性酸化物の形成がより効果的な粒非結合剤としての働きをすると考えられる。
【００２１】
同じ温度におけるアニールする時間を伸ばす効果は、同条件すなわち３分のメッキ時間のもとで、表１に示されるパラメータで処理された５つの別々のサンプルについて、図５（ａ）から図５（ｃ）に示される。各サンプルに対し、実験の点は、多くのアニールする時間の各々に対して与えられ、そしてそれぞれの線はそれらの内挿として提供されている。ＨｃおよびＳにおけるさらなる改善は、磁気特性の減少が観測された約６時間を越えるまで、観測され続ける。空気中でアニールすることによって引き起こされる必然的な酸化に起因して、Ｍｓはアニールする時間が増加するにつれて、Ｍｒがそのレベルを越えて非常に影響を受ける、元のアニールされていないＭｒレベルより下に降下する時まで降下し続ける。図４（ｂ）から、Ｍｒは、膜厚が約０．５μｍであるとき最小の影響を受けると考えられる。特に６時間アニールした後、図５の５つのサンプル間のばらつきは、図３で例示されるように、磁気特性に影響を及ぼすことができた膜厚におけるばらつきに起因することであろうことが殆ど確実である。膜厚の再現性は、メッキ処理の間、基板面の水素の泡の発生によってしばしば厄介となる。その理由は、金属イオンの金属への陰極還元が水素イオンの水素ガスへの還元と競合するからである。もし泡が十分に速く基板面から除かれることができないならば、それが金属材料のその後の効果的な堆積（付着）を容易に妨げられる。通常この問題は、メッキをする間より速い攪拌速度を用いることにより軽減できた。
【００２２】
要約すると、粒界における非磁性金属酸化物の形成によってもたらされる粒非結合に起因して、単層のＣｏＰｔＷＰを製造することができた。その単層のＣｏＰｔＷＰは、３２０℃でアニールした後、約７．０〜８．４ｍｅｍｕの絶対Ｍｒで約４２１１〜４６１９Ｏｅに改善されたＨｃ、および約０．６８〜０．８５のＳを示す。
【００２３】
高い絶対残留磁束（すなわちＭｒ）は、より厚い膜で達成されることができたが、厚いＣｏＰｔＷＰ膜は、３２０℃でアニールした後、急激な磁気低下という不利益を受ける。従って、Ｍｒを増加させ、アニールの低下を回避する意図で、アニールを遂行することの効果は、多層構造体の形成の間、実験的に研究された。予備研究のために、Ａｕ中間層を持つ３層の多層化された構造体が製作された。特定的には、本発明の第２の実施形態において、ＣｏＰｔＷＰの第１の層は、本発明の第１の実施形態に関する上述の工程によって堆積（付着、ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）されるが、ＣｏＰｔＷＰ磁気層の堆積の後に、この第２の実験において、金（Ａｕ）の層が磁気層の上にメッキされた。非シアン化Ａｕ電解液は、Ａｕ中間層をメッキするために電流密度２５ｍＡ／ｃｍ２、ｐＨ４．５および攪拌速度５００ｒｐｍで使用された。これらのメッキ条件の下で、各Ａｕ中間層の膜厚は約２００ｎｍであった。スパッタリングされたＡｕシード層の場合のように、各々メッキされたＡｕ中間層は、さらなる磁気ＣｏＰｔＷＰ層（または、比較例の場合、ＣｏＰｔＰ磁気層）のその上にメッキをする前に、濃硫酸（Ｈ２ＳＯ４）（約３分の間）によって活性化された。この処理は繰り返され、メッキされた金（Ａｕ）の２層によって挟み込まれる（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅｄ）３層の磁気ＣｏＰｔＷＰを具備する多層化された構造体が形成された。この構造体は図６に図式的に示される。
【００２４】
アニールの研究は、空気中３２０℃で２つの異なる方法によって遂行された。一つの方法は、一度だけ３２０℃で３時間、３層構造体にアニールし、一方、他の方法は、各層がメッキされた後続けて次の層のメッキの前に、３２０℃で１時間別々に個々のＣｏＰｔＷＰ膜にアニールした。
【００２５】
図７は、２つの方法によってアニールする前後の３層構造体の履歴曲線を示す。いずれの場合にも、曲線１はアニールする前の特性を示し、一方、曲線２はアニールした後の特性を示す。曲線１および２から観測されることとして、Ｈｃは、断面図で厚さ約１．５μｍの多層化された膜のアニール後図８のＳＥＭ画像に示されるように、３ｋＯｅを越えて維持された。アニールするいずれの方法も、ＨｃおよびＳに関して絶対Ｍｒのわずかな変化とともに、多層化された構造体の磁気特性を増大させた。しかしながら、個々のＣｏＰｔＷＰ層の別々のアニールは、一度だけのアニール処理による３．５ｋＯｅと比較すると、約３ｋＯｅから３．９ｋＯｅにＨｃのわずかに高い増加をもたらした。特定的には、厚さ１．５μｍの３層のＣｏＰｔＷＰ／Ａｕ構造体は、３２０℃で３時間アニールした後、３段階による連続アニールに次いでそれぞれの層の形成直後に、約３９２７Ｏｅの高いＨｃおよび約０．５８のＳを持つ約１４．９ｍｅｍｕの高い絶対Ｍｒを示した。単層ＣｏＰｔＷＰ膜の以前の研究から、我々は、粒界で非磁性金属酸化物の形成がＨｃの改善の原因であることを理解した。従って、アニールの効果の違いは、一度だけアニールする場合、ＣｏＰｔＷＰの２つの埋込層に対する粒界の酸化不足に起因すると考えられる。表２は、単層化および多層化された膜の磁気特性についてアニールの効果の比較を示す。
【００２６】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、アニールされていないコバルト−白金−リン（ＣｏＰｔＰ）構造体（曲線１）、アニールされていないＣｏＰｔＷＰ構造体（曲線２）とアニールされたＣｏＰｔＷＰ膜（空気中３２０℃で２時間）（曲線３）のアウト・オブ・プレーン（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）履歴曲線を示すグラフである。
【図２】図２（ａ）は、ＣｏＰｔＰおよびＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚とアウト・オブ・プレーン保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。図２（ｂ）は、ＣｏＰｔＰとＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚およびアウト・オブ・プレーン絶対磁化Ｍｒの変化を示すグラフである。図２（ｃ）は、ＣｏＰｔＰおよびＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚とアウト・オブ・プレーン角形比Ｓの変化を示すグラフである。
【図３】図３は、ＣｏＰｔＷＰ膜の磁気特性の膜厚への依存度を示すグラフである。
【図４】図４（ａ）は、空気中３２０℃で２時間アニールした前後のＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚およびアウト・オブ・プレーン保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。図４（ｂ）は、空気中３２０℃で２時間アニールした前後のＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚およびアウト・オブ・プレーン絶対磁化Ｍｒの変化を示すグラフである。図４（ｃ）は、空気中３２０℃で２時間アニールした前後のＣｏＰｔＷＰ膜の膜厚およびアウト・オブ・プレーン角形比Ｓの変化を示すグラフである。
【図５】図５（ａ）は、約０．５μｍの厚さのＣｏＰｔＷＰ膜の５つのサンプルに対する空気中３２０℃でのアニール時間とアウト・オブ・プレーン保磁力Ｈｃの変化を示すグラフである。図５（ｂ）は、約０．５μｍの厚さのＣｏＰｔＷＰ膜の５つのサンプルに対する空気中３２０℃でのアニール時間およびアウト・オブ・プレーン絶対磁化Ｍｒの変化を示すグラフである。図５（ｃ）は、約０．５μｍの厚さのＣｏＰｔＷＰ膜の５つのサンプルに対する空気中３２０℃でのアニール時間とアウト・オブ・プレーン角形比Ｓの変化を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態であるＣｏＰｔＷＰ／Ａｕの多層化された構造体を示す概略図である。
【図７】図７（ａ）は、空気中３２０℃で３時間アニールする前（曲線４）およびアニールした後（曲線５）の図６の実施形態の履歴曲線である。図７（ｂ）は、空気中３２０℃で１時間アニールする前（曲線６）およびアニールした後（曲線７）の３つのＣｏＰｔＷＰ層に分離している図６の実施形態の履歴曲線である。
【図８】図８は、図６で概略的に示されるように、３層のＣｏＰｔＷＰ／Ａｕの多層化された構造体の横断面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の画像である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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2007180532000002.pdf
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