(57)【要約】【課題】光学要素への堆積物を装置外で除去する。【解決手段】放射集光器、カバープレート、及び放射集光器をカバープレートに接続する支持部材を有するコレクタアセンブリが提供される。カバープレートはコレクタチャンバの開口部を覆うように設計されている。コレクタチャンバの開口部は放射集光器及び支持部材を通過させられる大きさを有してもよい。放射集光器は異なるクリーニング処理によりクリーニングされうる。この処理はクリーニング装置で実行されうる。このクリーニング装置は例えば、少なくとも放射集光器の周囲を包囲する収容容積を形成するよう設計されている包囲カバーと、少なくとも放射集光器をクリーニングすべくクリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を収容容積に供給するよう構成されているインレットと、クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を収容容積から取り除くよう構成されているアウトレットと、を備えてもよい。【選択図】図４
2007110107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射集光器の堆積物をクリーニングする方法であって、
コレクタチャンバ及びコレクタアセンブリを設け、前記コレクタアセンブリは放射集光器と、支持部材により前記放射集光器に接続されるカバープレートとを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバに接続されており、かつ前記カバープレートは前記放射集光器が前記コレクタチャンバに収容されるようコレクタチャンバ開口部を覆っており、
前記コレクタチャンバと前記カバープレートとの接続を解除し、
前記放射集光器が前記コレクタチャンバ開口部を通じて前記コレクタチャンバの外部に移動するように前記コレクタアセンブリを取り外し、
少なくとも前記放射集光器の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを設け、これにより収容容積が形成され、
クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給し、
前記クリーニングガスまたは前記クリーニング液の前記少なくとも一方により少なくとも前記放射集光器から堆積物の少なくとも一部を除去することを備える方法。
【請求項２】
前記クリーニングガスは、ハロゲン含有気体及び水素含有気体からなるグループから１つ以上選択されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記クリーニングガスはＨ２含有気体を含み、前記Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｈ２含有気体を供給し、
前記Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、
続いてハロゲン含有気体を供給することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ハロゲン含有気体を供給することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
続いてＨ２含有気体を供給することをさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項７】
続いてＨ２含有気体を供給することをさらに備える請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、これにより水素ラジカル含有気体を含むクリーニング後処理ガスを生成することをさらに備える請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を続いて供給することをさらに備える請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
堆積物がＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなるグループから選択される１つ以上の元素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記収容容積の少なくとも一部、前記クリーニングガス、及び前記クリーニング液の１つ以上を加熱することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記収容容積の少なくとも一部及び前記収容容積からの排出ガスの少なくとも一方を冷却することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記クリーニング液は、エッチング液を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記放射集光器の少なくとも一部及び前記包囲カバーの少なくとも一部の少なくとも一方を保護材で保護することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記放射集光器の少なくとも一部及び前記包囲カバーの少なくとも一部の少なくとも一方にＳｎの標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する材料を適用することにより保護することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記放射集光器の少なくとも一部及び前記包囲カバーの少なくとも一部の少なくとも一方にＳｎの標準還元電位よりも低い電位を課すことにより保護することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記放射集光器の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを設けることは、前記放射集光器の両端部に防護壁を設けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記放射集光器は複数のリフレクタを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材を備え、前記カバープレートはコレクタチャンバの開口部を覆うように設計されているコレクタアセンブリ。
【請求項２０】
前記支持部材は平板状の構造体である請求項１９に記載のコレクタアセンブリ。
【請求項２１】
前記カバープレートは平坦な面を有する請求項１９に記載のコレクタアセンブリ。
【請求項２２】
コレクタチャンバとコレクタアセンブリとを備える機構であって、前記コレクタチャンバはコレクタチャンバ開口部を有し、前記コレクタアセンブリは放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを含み、前記カバープレートは前記コレクタチャンバ開口部を覆うように設計されており、前記コレクタチャンバ開口部は前記放射集光器及び前記支持部材を通過させられる大きさを有する機構。
【請求項２３】
前記コレクタチャンバは、前記コレクタチャンバ開口部を画定するよう構成されているフランジを備える請求項２２に記載の機構。
【請求項２４】
前記フランジは、前記コレクタチャンバ開口部を前記カバープレートでシールするために前記カバープレートに接続されるよう構成されているリムを含む請求項２３に記載の機構。
【請求項２５】
前記機構は露光装置である請求項２２に記載の機構。
【請求項２６】
前記機構は、放射を生成する放射源と、前記コレクタチャンバに前記放射集光器が搭載されているときに前記放射源と前記放射集光器との間に配設される第１の汚染物質バリアとを備える請求項２５に記載の機構。
【請求項２７】
前記機構は、駆動可能にモータに接続されている第２の汚染物質バリアを備える請求項２６に記載の機構。
【請求項２８】
前記モータは、前記第１の汚染物質バリアの開口部の内部に少なくとも一部が配置されている請求項２７に記載の機構。
【請求項２９】
前記モータは、一部が前記第１の汚染物質バリアの開口部の内部に配置され、一部が前記放射集光器の内部に配置されている請求項２７に記載の機構。
【請求項３０】
前記機構は、１つ以上のケーブル及び１つ以上のガスダクトの少なくとも一方を収容し、１つ以上のケーブル及び１つ以上のガスダクトの前記少なくとも一方を前記コレクタチャンバの内部から前記コレクタチャンバの外部へと前記放射集光器に案内されることなく案内するよう構成されている少なくとも１つの中空軸を備える請求項２５に記載の機構。
【請求項３１】
前記機構は、前記コレクタチャンバに前記放射集光器が搭載されているときに前記放射源と前記放射集光器との間に配設される第１の汚染物質バリアを備え、前記中空軸は前記第１の汚染物質バリアのスポークの少なくとも一部である請求項３０に記載の機構。
【請求項３２】
前記機構は、
放射源からの放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
パターンが付与された放射ビームを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニング用デバイスを支持するよう構成されている支持部と、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
前記パターンが付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するよう構成されている投影系と、を備える請求項２５に記載の機構。
【請求項３３】
放射を生成する放射源と、
放射集光器を収容するコレクタチャンバと、
前記放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバの開口部を覆っているコレクタアセンブリと、
前記放射源と前記放射集光器との間に配設される第１の汚染物質バリアと、
駆動可能にモータに接続されている第２の汚染物質バリアと、
前記放射集光器を通過せずに前記モータから前記コレクタチャンバの外部にケーブルを案内するための中空軸と、
前記放射からの放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
パターンが付与された放射ビームを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニング用デバイスを支持するよう構成されている支持部と、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
前記パターンが付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するよう構成されている投影系と、を備える露光装置。
【請求項３４】
コレクタアセンブリとクリーニング装置とを備えるアセンブリであって、前記コレクタアセンブリは、前記放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバの開口部を覆うよう設計されており、前記クリーニング装置は、
少なくとも前記放射集光器の周囲を包囲する収容容積を形成するよう設計されている包囲カバーと、
少なくとも前記放射集光器をクリーニングすべくクリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給するよう構成されているインレットと、
前記クリーニングガス及び前記クリーニング液の前記少なくとも一方を前記収容容積から取り除くよう構成されているアウトレットと、を備えるアセンブリ。
【請求項３５】
前記クリーニング装置は、前記収容容積を加熱するよう構成されている加熱要素を備える請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項３６】
前記収容容積は、前記収容容積の少なくとも一部を冷却するよう構成されている冷却装置を備える請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項３７】
前記クリーニング装置は、前記収容容積からの排出ガスを冷却するために排出口を冷却するよう構成されている冷却装置を備える請求項３５に記載のアセンブリ。
【請求項３８】
前記クリーニング装置は、前記放射集光器の少なくとも一部及び前記包囲カバーの少なくとも一部の少なくとも一方にＳｎの標準還元電位より低い電位を課すように設計され構成されている電圧源を備える請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項３９】
前記包囲カバーの少なくとも一部は保護材を含む請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項４０】
前記包囲カバーの少なくとも一部は、Ｓｎの標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する材料を含む請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項４１】
前記包囲カバーは、前記放射集光器の２つの端部に配設されるよう設計されている２つの防護壁を含む請求項３４に記載のアセンブリ。
【請求項４２】
堆積物で汚染される少なくとも１つの光学要素を有する露光装置を設け、
前記光学要素の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを設け、これにより収容容積が形成され、
クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給し、
前記光学要素から前記堆積物の少なくとも一部を除去することを備えるクリーニング方法。
【請求項４３】
クリーニング後処理ガスを続いて供給することをさらに備え、前記クリーニング後処理ガスは、水素ラジカル含有気体、Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を含む請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
露光装置の構成要素から汚染物質を除去するクリーニング方法であって、
（ａ）前記要素に１つ以上の気体を、
（ａ１）前記要素にハロゲン含有気体を供給すること、または、
（ａ２）水素ラジカル含有気体を得るべくＨ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成して前記水素ラジカル含有気体を前記要素に供給し、続いてハロゲン含有気体を前記要素に更に供給すること、
により供給し、
（ｂ）（ａ１）または（ａ２）のハロゲン含有気体の供給後に更にクリーニング後処理ガスを前記要素に供給することを備える方法。
【請求項４５】
前記クリーニング後処理ガスは、水素ラジカル含有気体、Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を含む請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記要素は、回折格子スペクトルフィルタ、透過型光学フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルター、回折格子入射ミラー、直入射ミラー、回折格子入射集光器、直入射集光器、（光学）センサ、汚染物質バリア、マスク、及び構造的要素からなるグループから選択される１つ以上の要素を含む請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
少なくとも１つの光学要素の周囲を包囲する収容容積を形成するよう設計されている包囲カバーと、
クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給するよう構成されているインレットと、
前記クリーニングガス及び前記クリーニング液の前記少なくとも一方を前記収容容積から取り除くよう構成されているアウトレットと、を備えるクリーニング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学要素上の堆積物の装置外での除去に関するものであり、例えば露光装置に用いられる。本発明はクリーニング方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。露光装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）などのマイクロデバイスの製造に用いられる。例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニング用デバイスが、集積回路の各層に対応した回路パターンを形成するために使用され得る。このパターンが基板（例えばシリコンウエハ）のターゲット部分（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイ）に転写されることになる。パターンの転写は典型的には、基板に塗布された照射感応材料（レジスト）層への像形成により行われる。一般には一枚の基板には、連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークが含まれる。公知の露光装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、ターゲット部分にパターン全体が一度に露光されるように各ターゲット部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームを介してパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または非平行に走査するようにして各ターゲット部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニング用デバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
露光装置においては、基板に結像され得るフィーチャサイズは投影される放射の波長によって制限される。デバイスを高密度に有し高速に動作する集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを結像することができることが望ましい。現在の露光装置の大部分では水銀ランプまたはエキシマレーザにより発生させた紫外光が使用されている一方、より短い例えば１３ｎｍ程度の波長の放射を使用することが提案されてきている。このような放射は極紫外（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれており、使用しうる放射源として例えばレーザ生成プラズマ光源、放電プラズマ源、あるいは電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。
【０００４】
ＥＵＶの放射源は典型的には例えばレーザ生成プラズマ光源または放電プラズマ源などのプラズマ源である。これらのプラズマ源に共通する特徴は、プラズマから四方八方へと飛散する高速のイオン及び原子を生成することである。これらの粒子により集光器やコンデンサミラーが損傷を受ける可能性がある。この集光器やコンデンサミラーは、一般に多層ミラーやグレーズ光ミラーであり、表面が傷つきやすい。この表面は、プラズマから飛散した粒子の衝突やスパッタリングにより徐々に劣化され、ミラーの寿命は減少される。この放射集光器にとってスパッタリングの影響が特に問題である。このミラーの役割は、プラズマ源から四方に発せられる放射を集めて照明系の他のミラーに向けることにある。放射集光器はプラズマ源の非常に近くにかつプラズマ源からの視線上に配置されるので、プラズマから大量の高速粒子を受けてしまう。システム内の他のミラーはある程度シールドされ得るので、プラズマから飛散する粒子のスパッタリングによる損傷は一般にはより小さい。
【０００５】
近い将来においては、極紫外（ＥＵＶ）放射源はＥＵＶ放射を生成するのにおそらくスズまたは他の金属蒸気が用いられるだろう。このスズが露光装置内部に漏れ出して露光装置の例えば放射集光器のミラーなどのミラー上に堆積するかもしれない。この放射集光器のミラーはＥＵＶ反射用に例えばルテニウム（Ｒｕ）の最外層を有する。この反射用のＲｕ層に約１０ｎｍ以上のスズ（Ｓｎ）が堆積したら、ＳｎのバルクにＥＵＶ放射が反射するのと同じになってしまう。数ｎｍのＳｎの堆積はＳｎによるＥＵＶ放射源近傍ではすぐに生じてしまう。ルテニウムの反射率に比べてスズの反射率は非常に低いので、集光器を介して伝達される光量は大きく低下してしまう。放射源からのデブリまたはこのデブリが放射集光器に堆積することにより生じる二次的粒子を防ぐために、汚染物質対策用のバリアが使用される場合がある。このようなバリアはデブリの一部を取り除くであろうが、それでもなお放射集光器や他の光学要素に堆積するデブリはあるであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一側面によれば、露光装置の放射集光器のような光学要素への堆積物を装置外で除去する方法が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、本発明は、放射集光器の堆積物をクリーニングする方法であって、コレクタチャンバ及びコレクタアセンブリを設け、前記コレクタアセンブリは放射集光器と、支持部材により前記放射集光器に接続されるカバープレートとを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバに接続されており、かつ前記カバープレートは前記放射集光器が前記コレクタチャンバに収容されるようコレクタチャンバ開口部を覆っており、前記コレクタチャンバと前記カバープレートとの接続を解除し、前記放射集光器が前記コレクタチャンバ開口部を通じて前記コレクタチャンバの外部に移動するように前記コレクタアセンブリを取り外し、少なくとも前記放射集光器の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを設け、これにより収容容積が形成され、クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給し、前記クリーニングガスまたは前記クリーニング液の前記少なくとも一方により少なくとも前記放射集光器から堆積物の少なくとも一部を除去することを備える方法に関する。
【０００８】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材を備え、前記カバープレートはコレクタチャンバの開口部を覆うように設計されているコレクタアセンブリに関する。
【０００９】
本発明の更なる他の一側面によれば、本発明は、コレクタチャンバとコレクタアセンブリとを備える機構であって、前記コレクタチャンバはコレクタチャンバ開口部を有し、前記コレクタアセンブリは放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを含み、前記カバープレートは前記コレクタチャンバ開口部を覆うように設計されており、前記コレクタチャンバ開口部は前記放射集光器及び前記支持部材を通過させられる大きさを有する機構に関する。
【００１０】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、放射を生成する放射源と、放射集光器を収容するコレクタチャンバと、前記放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバの開口部を覆うコレクタアセンブリと、前記放射源と前記放射集光器との間に配設される第１の汚染物質バリアと、駆動可能にモータに接続されている第２の汚染物質バリアと、前記放射集光器を通過せずに前記コレクタチャンバの外部に前記モータからケーブルを案内するための中空軸と、前記放射からの放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、パターンが付与された放射ビームを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニング用デバイスを支持するよう構成されている支持部と、基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、前記パターンが付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するよう構成されている投影系と、を備える露光装置に関する。
【００１１】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、コレクタアセンブリとクリーニング装置とを備えるアセンブリであって、前記コレクタアセンブリは、前記放射集光器と、カバープレートと、前記放射集光器を前記カバープレートに接続する支持部材とを備え、前記カバープレートは前記コレクタチャンバの開口部を覆うよう設計されており、前記クリーニング装置は、少なくとも前記放射集光器の周囲を包囲する収容容積を形成するよう設計されている包囲カバーと、前記放射集光器をクリーニングすべくクリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給するよう構成されているインレットと、前記クリーニングガス及び前記クリーニング液の前記少なくとも一方を前記収容容積から取り除くよう構成されているアウトレットと、を備えるアセンブリに関する。
【００１２】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、堆積物で汚染される少なくとも１つの光学要素を有する露光装置を設け、前記光学要素の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを設け、これにより収容容積が形成され、クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給し、前記光学要素から前記堆積物の少なくとも一部を除去することを備えるクリーニング方法に関する。
【００１３】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、少なくとも１つの光学要素の周囲を包囲する収容容積を形成するよう設計されている包囲カバーと、クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を前記収容容積に供給するよう構成されているインレットと、前記クリーニングガス及び前記クリーニング液の前記少なくとも一方を前記収容容積から取り除くよう構成されているアウトレットと、を備えるクリーニング装置に関する。
【００１４】
本発明の他の一側面によれば、本発明は、露光装置の構成要素から汚染物質を除去するクリーニング方法であって、
（ａ）前記要素に１つ以上の気体を、
（ａ１）前記要素にハロゲン含有気体を供給すること、または、
（ａ２）水素ラジカル含有気体を得るべくＨ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成して前記水素ラジカル含有気体を前記要素に供給し、続いてハロゲン含有気体を前記要素に更に供給すること、
により供給し、
（ｂ）（ａ１）または（ａ２）のハロゲン含有気体の供給後に更にクリーニング後処理ガスを前記要素に供給することを備える方法に関する。
このクリーニング方法は、一実施例としては露光装置の装置外で実行されてもよく、他の実施例としては露光装置内部で実行されてもよい。また、この方法は、一実施例としては露光処理中に（装置内で）適用してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施形態が添付の模式的な図面を参照してあくまでも一例として以下に記述される。図面中の参照符号は本文中の対応箇所を示している。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置１を模式的に示す図である。装置１は放射を生成する放射源ＳＯと、放射源ＳＯから受けた放射を放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）に調整するよう構成されている照明系（照明器）ＩＬとを含む。放射源ＳＯは別個のユニットとして構成されていてもよい。支持部（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニング用デバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、所定のパラメータに従って正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている。基板テーブル（ウエハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストでコーティングされたウエハ）Ｗを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている。投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳは、パターニング用デバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイ）に投影するよう構成されている。
【００１７】
照明系は、放射の方向や形状の調整または制御用に、各種の光学要素、例えば屈折、反射、磁気的、電磁気的、静電的、または他の各種光学要素、あるいはこれらの任意の組み合わせといった各種の光学要素を含んでもよい。
【００１８】
支持部はパターニング用デバイスを支持する。支持部は例えばパターニング用デバイスの荷重を支える。支持部は、パターニング用デバイスの向きや露光装置の構成、あるいはパターニング用デバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた形でパターニング用デバイスを保持する。支持部においては、パターニング用デバイスを保持するために、機械的、真空、静電、あるいは他の固定用技術が用いられる。支持部はフレームまたはテーブルであってよく、例えば必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持部は、パターニング用デバイスを、例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニング用デバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００１９】
本明細書では「パターニング用デバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００２０】
パターニング用デバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニング用デバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィーの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように独立に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与される。
【００２１】
本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは浸漬液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折、反射、反射屈折、磁気的、電磁気的、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。
【００２２】
本発明の一実施形態としては、（例えば反射型マスクを用いる）反射型露光装置である。これに代えて、（例えば透過型マスクを用いる）透過型露光装置を用いることもできる。
【００２３】
露光装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板ステージ（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上の他のテーブルで露光が行われている間に１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００２４】
露光装置は、基板の少なくとも一部が液体で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水のような液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。この浸漬液は、例えばパターニング用デバイスと投影系との間のような露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００２５】
図１に示されるように照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射を受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、光源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当なダイレクトミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００２６】
照明器ＩＬは放射ビームの角強度を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器ＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外周部及び／または内周部での量（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００２７】
放射ビームＢは、支持部（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されるパターニング用デバイス（例えばマスクＭＡ）に入射して、当該パターニング用デバイスによりパターンが付与される。マスクＭＡを横切った放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに投影する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからの機械的修正後や走査中に行われる。一般にマスクテーブルＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは逆に、マスクテーブルＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに１つ以上のダイがある場合にはマスクアライメントマークをダイの間に配置してもよい。
【００２８】
図示の装置は例えば次のうちの１つ以上のモードで使用することができる。
ａ．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）でターゲット部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがＸ及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光領域の最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Ｃのサイズを制限することになる。
ｂ．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光領域の最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の（非走査方向の）幅を制限し、スキャン移動距離がターゲット部分の（走査方向の）長さを決定する。
ｃ．更に他のモードにおいては、マスクテーブルＭＴはプログラム可能なパターニング用デバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、移動されるか走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能なパターニング用デバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後にあるいは走査中の連続するパルス照射の間に必要に応じて更新される。このモードは、例えば上述のプログラマブルミラーアレイなどのプログラム可能なパターニング用デバイスを使用するマスクレス（マスクを使わない）リソグラフィーに適用し得る。
【００２９】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
【００３０】
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、１つまたは各種の光学要素の組み合わせを指し示すものであってもよい。ここでの光学要素は、例えば屈折、反射、磁気的、電磁気的、及び静電的光学要素のいずれかを含むものであってもよい。
【００３１】
ここで「層」という用語は、当業者に知られているように、他の層及び／または（使用中において）真空のような他の媒体との１以上の境界面を有する層を意味してもよい。また、「層」という用語は、いくつかの層を示す場合もある。これらの層は互いに隣接するか、あるいは互いの上にあってもよい。これらは１種類の材料を含んでもよいし、いくつかの材料が組み合わされたものを含んでもよい。「層」という用語は、ここでは連続層であっても非連続層であってもよい。例えば、コーティングは光学要素の最上部の一層である。
【００３２】
本発明において、「材料」という用語は、いくつかの材料の組み合わせも含んで解釈され得る。「堆積物」という用語は、当業者に知られているように、表面（例えば光学要素の表面）に化学的にまたは物理的に付着した材料を指す。この堆積物は１つの層であってもよいし、多層構造を含んでいてもよい。堆積物は保護層のようなキャップ層を含んでもよく、プラズマ源からスパッタされた粒子のような不要な堆積物を含んでもよい。堆積物は、堆積していたものが再度堆積したり蒸着したりしたものであってもよい。堆積物は、例えばスパッタ粒子源を有する装置の使用後に、スパッタされた粒子などを含む保護層としてのキャップ層を含んでもよい。あるいは、Ｂ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、及びＳｎ（スズ）から選択される１以上の元素を含む材料からなる堆積物を含んでもよい。「堆積物がＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎ、及びこれらの組み合わせから選択される１以上の元素を含む」という記述における「元素」という用語は、これらの元素の１以上を含むか、これらの元素の１以上を含む粒子を含むか、これらの元素の１以上を含む化合物（例えばＳｉまたはＳｎの酸化物、ＳｉまたはＳｎの炭化物、ＳｉまたはＳｎの窒化物など）を含むか、これらの元素の１以上を含む合金を含むか、あるいはこれらの組み合わせ（例えばＳｎ、Ｏ、Ｃ、及びＨを含む堆積物など）を示すということは当業者に明らかだろう。「Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎ、及びこれらの組み合わせから選択される１以上の元素を含む堆積物」という表現は、特定の実施例では、原子状のＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎ、またはこれらの組み合わせを含む単層または多層を示してもよい。窒化物層などの化合物層は当業者に知られているように酸化物の不純物を含んでもよい。「汚染物質」という用語は、スズ堆積物などの堆積物を示すが、露光装置の光学要素または他の要素の表面に物理的または化学的に吸着された不要の物質を示してもよい。特に、「汚染物質」という用語は、例えばハロゲンが適用されるクリーニング処理後に表面に吸着され得るハロゲン化金属またはハロゲン分子を示す。
【００３３】
「ハロゲン含有気体」または「水素含有気体」という用語は、それぞれハロゲンガスまたは水素ガスを少なくとも含む気体または気体混合物を示す。「ハロゲン含有気体」というときの「ハロゲン」という用語は、（ラジカルな）原子あるいは化合物としてのＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択される少なくとも１以上を示し、例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、例えばＣｌＦ３などのハロゲン間化合物、あるいはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択される１以上を含み、約５０〜５００度程度の間の温度で気相に転移する他の化合物でもよい。この化合物は、（ａ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎの１以上を含む化合物（堆積物）をそれぞれ単体のＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎへと反応または還元するか、（ｂ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎの１以上を含む化合物に反応して揮発性物質を生成するか、（ｃ）Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎの１以上を含む化合物に反応して、ハロゲンまたは水素との反応により揮発性物質となる物質を生成するか、（ｄ）単体のＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎのそれぞれに反応して揮発性物質を生成するか、あるいは、（ｅ）例えば熱線やプラズマに接したときに（堆積物と反応しうるような）ハロゲンラジカルとなるものであってもよい。Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２を用いることができ、特にＩ２がよい。これらの気体は、例えばＡｒなどのバッファーガスといった追加要素を更に含んでもよい。「ハロゲニド」という用語は、例えばＩ、Ｂｒ、Ｃｌなどのハロゲンの例えばＣ、Ｓｉ、またはＧｅとの例えば二価以上の化合物、例えばＣＣｌ４（四塩化炭素）、ＳｉＣｌ４（四塩化ケイ素）を指す。「水素」及び「水素ラジカル」という用語は、それらの同位体、特に重水素を含む。よって「水素含有気体」という用語は、Ｈ２、重水素、三重水素、またはその類似物を含む気体を示す。一実施例においては、水素含有気体は、Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ２からなるグループから選択された１以上の気体を含む。よって「水素含有気体」という用語は、Ｈ２、Ｄ２、Ｔ２、ＨＤ、ＨＴ、またはＤＴを含む気体からなるグループから選択される気体を示す。ハロゲン含有気体または水素含有気体は例えばＡｒなどのバッファーガスといった追加要素を更に含んでもよい。「水素ラジカルの流れ」は、水素ラジカルが存在する気体における気体の流れを示す。通常このような気体は、ラジカルの再結合があるため、水素分子（例えばＨ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ２の１以上）も含んでおり、すべての水素がラジカル状態に移行しているわけではない。「水素ラジカル含有気体」という用語は、水素ラジカル、重水素、三重水素、またはこれらの類似物を含む気体を示す。この気体は、未解離または水素ラジカルの再結合によるＨ２などの他の要素を更に含んでもよい。「水素含有気体源」という用語は、少なくとも水素分子（及び／または上述の類似物）を少なくとも含む気体の１つ以上の供給源を示す。「水素ラジカル源」という用語は、水素ガス（水素含有気体）の少なくとも一部を水素ラジカルに変化させ、水素ラジカル含有気体を生成する装置を示す。本明細書で「水素含有気体の少なくとも一部を水素ラジカル含有気体に変化させる」という表現は、（水素含有気体源からの）水素含有気体の水素分子の全量の少なくとも一部を水素ラジカルに変化させ、水素ラジカル含有気体を生成するという処理を示す。また、水素ラジカルの生成中には陽子も生成されうる。陽子にもクリーニング作用があり、陽子含有気体もクリーニング用ガスとして用いることができる。よって「水素ラジカル」及び「水素ラジカル含有気体」という用語は、一実施例においては「陽子」及び「陽子含有気体」をそれぞれ示す場合もある。当業者に明らかなように、「水素ラジカル含有気体」及び「陽子含有気体」等は、水素ラジカルを含む気体及び陽子を含む気体をそれぞれ示す。プラズマやホットフィラメントなどのラジカル生成器は、当業者に知られているように一般にラジカルと陽子の両方を生成する。
【００３４】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、及び極紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）、更にイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を示す。一般に、７８０ｎｍ〜３０００ｎｍの間の波長を有する放射は赤外（ＩＲ）放射とみなされる。ＵＶは１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の波長の放射を示す。リソグラフィーでは通常、水銀ランプにより生成される波長、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、及び／または３６５ｎｍのＩ線が用いられる。ＶＵＶ（Ｖａｃｕｕｍ  ＵＶ）とは真空紫外（つまり大気に吸収されるＵＶ）であり、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の波長をいう。ＤＵＶ（Ｄｅｅｐ  ＵＶ）とは深紫外であり、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍといったエキシマレーザにより生成される波長が通常リソグラフィーに使われる。ある波長幅が例えば５〜２０ｎｍの範囲に含まれる波長を有する放射とは、波長幅の少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲にあることであると当業者に理解される。
【００３５】
図２は、投影装置１をより詳しく示し、投影装置１は放射系４２、照明光学ユニット４４、及び投影系ＰＳを含む。放射系４２は、例えば放電プラズマにより形成される放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、例えばキセノンガス、リチウム蒸気、またはスズ蒸気などの気体または蒸気により生成される。これらの気体または蒸気では非常に高温のプラズマが生成され、ＥＵＶ域の電磁スペクトルの放射が発せられる。この非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマ例えば電気放電を引き起こすことにより生成される。放射を十分に生成するには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または適当な他の気体または蒸気の分圧は例えば１０Ｐａとされる必要があり得る。放射源ＳＯにより発せられる放射は、ソースチャンバ４７の開口部の内部または後部に位置するガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介して、ソースチャンバ４７からコレクタチャンバ４８へと進入する。汚染物質トラップ４９はチャンネル構造を備えてもよい。汚染物質トラップ４９は、ガスバリアまたはガスバリアとチャンネル構造との組み合わせを備えてもよい。一実施例ではＥＵＶ放射源としてＳｎ源が用いられる。
【００３６】
コレクタチャンバ４８は、例えば回折格子入射集光器により構成される放射集光器５０を含む。放射集光器５０は上流側放射集光部５０ａ及び下流側放射集光部５０ｂを有する。集光器５０を通過した放射は回折格子スペクトルフィルタ５１で反射されて、コレクタチャンバ４８の開口部に位置する仮想点光源５２に合焦される。コレクタチャンバ４８からの放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４で直入射リフレクタ５３、５４により、レチクルまたはマスクステージＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクへと反射される。パターンを付与されたビーム５７が形成され、このビームは投影系ＰＳで反射要素５８、５９を介してウエハステージまたは基板ステージＷＴへと結像される。一般には照明光学ユニット４４及び投影系ＰＳには図示されているものより多くの要素が存在しうる。回折格子スペクトルフィルタ５１は、露光装置の種類に応じて任意的に設けるようにしてもよい。また、図示されているミラーよりも多くのミラーを用いてもよい。例えば、５８、５９に加えて１乃至４つの更なるミラーがあってもよい。放射集光器５０は公知の技術である。
【００３７】
放射集光器５０として回折格子入射ミラーの代わりに、直入射集光器を用いてもよい。図２ではコレクタミラー５０の一実施例が、リフレクタ１４２、１４３、１４６を有する入れ子式の集光器として模式的に示されている。この集光器をここでは集光器（あるいはコレクタミラー）の一例として用いる。よって、コレクタミラー５０は回折格子入射集光器と一般に適宜解釈され得る一方、特定の実施例では直入射集光器と解釈されてもよい。
【００３８】
また、図２に模式的に図示される回折格子５１の代わりに、透過型の光学フィルタを用いてもよい。ＥＵＶを透過し、かつＵＶをあまり透過しないか吸収する光学フィルタは公知である。そこで、「回折格子スペクトル純度フィルタ」は、ここでは、回折格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」を示すものとする。図２には示されていないが、例えばコレクタミラー５０の上流に配置されるＥＵＶ透過型光学フィルタ、あるいは照明ユニット４４及び／または投影系ＰＳに設けられるＥＵＶ透過型光学フィルタが任意的な光学要素として設けられてもよい。
【００３９】
図２に示されるあらゆる光学要素（及びこの実施例で図示されていない光学要素も）は、（例えば放射源ＳＯにより生成される）例えばＳｎなどの汚染物質の堆積に傷つけられやすい。これは、放射集光器５０及び、存在する場合には回折格子スペクトルフィルタ５１にとって問題である。このため、本発明のクリーニング方法がこれらの光学要素に施される。本発明のクリーニング方法は、直入射リフレクタ５３、５４や反射要素５８、５９、他のミラーや回折格子などの他の光学要素にも施される。一実施例においては、ここでいう光学要素は、コレクタミラー５０、放射系４２（ソースコレクタモジュールとしても知られる）、照明系ＩＬ、及び投影系ＰＳ（投影光学系ボックス、ＰＯＢとしても知られる）からなるグループがら選択される。一実施例では光学要素はスペクトル純度フィルタ５１である。このように、一実施例では光学要素は、放射系４２、照明系４４、投影系ＰＳに存在し得る１つ以上の光学要素からなるグループから選択される。放射系４２には、例えば放射集光器５０（直入射集光器または回折格子入射集光器）、スペクトル純度フィルタ５１（回折格子または透過型フィルタ）、放射系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。照明系４４には、ミラー５３及び５４（または、存在する場合には、他のミラー）、照明系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。投影系ＰＳには、ミラー５８及び５９（または、存在する場合には、他のミラー）、投影系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。他の実施例では、光学要素はマスク（例えば図１に示されるマスクＭＡ）、特に反射型多層マスクであってもよい。実施例においては、「光学要素」という用語には、汚染物質バリア４９も含まれる。よって、光学要素という用語は、回折格子スペクトルフィルタ、透過型光学フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルター、回折格子入射ミラー、直入射ミラー（例えば多層集光器）、回折格子入射集光器、直入射集光器、（光学）センサ（例えばＥＵＶ感応センサ）、汚染物質バリア４９、及びマスクからなるグループから選択される１つ以上の要素を示す。
【００４０】
また、Ｓｎなどの堆積や他の汚染物質により汚染され得るのは光学要素だけではなく、壁面やホルダ、支持系、ガスロック、上述と同様に汚染物質バリア４９などの構造的要素も同様である。この構造的要素への堆積物が光学要素の光学特性に直接影響するのではなく、再堆積によって光学要素に堆積（つまり再堆積）した場合に光学特性に影響しうる。このため、光学要素に堆積していない堆積物であっても、後々に再堆積により光学要素の表面を汚染する可能性がある。これにより反射性、透過性、均一性などの光学特性の低下につながるおそれがある。また、ハロゲン化金属からのハロゲン分子が光学要素の表面で脱着したり再吸着したりし得る。
【００４１】
一実施例（上述も参照せよ）においては、放射集光器５０は回折格子入射集光器であってもよい。集光器５０は光軸Ｏに沿って位置合わせされている。放射源ＳＯまたはその像は光軸Ｏ上に位置する。放射集光器５０はリフレクタ１４２、１４３、１４６を含んでもよい（複数のウォルタ（Ｗｏｌｔｅｒ）型リフレクタを備えるＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られる）。これはシェルと呼ばれる場合もある。これらのリフレクタ（シェル）１４２、１４３、１４６は入れ子状かつ光軸Ｏに関して回転対称であってもよい。図２では（他の図でも同様に）、内側のリフレクタを参照符号１４２で示し、中間のリフレクタを参照符号１４３で示し、外側のリフレクタを参照符号１４６で示す。放射集光器５０は、所定の体積、すなわち外側のリフレクタ１４６の体積を包含する。通常、外側のリフレクタ１４６内部の体積は周囲から閉じられているが、複数の小開口部があってもよい。リフレクタ１４２、１４３、１４６はいずれも、単一のまたは複数の反射層を少なくとも一部に含む表面を有する。このため、リフレクタ１４２、１４３、１４６（放射集光器（コレクタミラーとも呼ばれる）の実施例としてはより多くのリフレクタがあってもよい）は少なくとも一部分が、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射かつ集光するよう設計されている。またリフレクタの少なくとも一部はＥＵＶ放射を反射かつ集光しないように設計されていてもよい。例えばリフレクタの背面の少なくとも一部はＥＵＶ放射を反射かつ集光しないように設計されていてもよい。この部分は背面とも呼ばれる。反射層の表面において、保護用のまたは光学フィルタとしてのキャップ層が反射層表面の少なくとも一部に追加的に形成されていてもよい。
【００４２】
放射集光器５０は通常は放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の近傍に配置される。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は少なくとも２つの隣接する反射表面を有してもよく、放射源ＳＯから遠いほうの反射表面が放射源ＳＯに近いものよりも光軸Ｏとなす角が小さいように配置されている。このように、回折格子入射反射器５０は、光軸Ｏに沿って伝わる（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するよう構成されている。少なくとも２つのリフレクタは実質的に同軸にかつ光軸Ｏに実質的に回転対称に延びて配置されていてもよい。放射集光器５０は外側のリフレクタ１４６の外表面または周囲に例えば保護用のホルダやヒータなどの更なる特徴を有していてもよい。参照符号１８０は２つのリフレクタ例えばリフレクタ１４２及び１４３の間の空間を示す。
【００４３】
使用中には、外側のリフレクタ１４６及び内側のリフレクタ１４２、１４３の１つ以上に堆積物が観察されうる。この堆積物は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなるグループから選択される１以上の元素、及びこれらの組み合わせを含んでもよい。Ｃ（炭素）は、露光装置内に存在する不要な炭化水素に起因して放射集光器５０への堆積物となりうる。また、保護用のキャップ層に故意に含まれている場合もある。Ｓｉ（シリコン）は保護用のキャップ層に故意に含まれている場合がある。Ｓｎ（スズ）は例えばＳｎを生成する放射源ＳＯに起因して存在する場合もあるし、保護用のキャップ層に故意に含まれている場合もある。またＳｉはレジストからの放出ガスに起因して堆積物に存在することもある。堆積物には、例えばＭｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕなどの例えば露光装置の壁面や配線、ガスバリアなどに使用されている物質が含まれる場合もある。
【００４４】
放射集光器５０はこのような堆積物により劣化されうる（例えば放射源ＳＯからのイオン、電子、クラスター、ドロップレット、電極の腐食などのデブリによる劣化がある）。例えばＳｎ放射源によるＳｎ堆積物は数モノレイヤーで放射集光器５０や他の光学要素の反射に悪影響を与え得る。よってこれらの光学要素にはクリーニングが必要となるであろう。
【００４５】
堆積物、特にＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎからなるグループから選択される１以上の元素を含む堆積物は、一実施例ではハロゲン（気体）、例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２により除去されうる。他の実施例では水素ラジカルが用いられ、別の実施例では水素ラジカルと１以上のハロゲンとの組み合わせ、あるいはこれらが同時にまたは順番に組み合わされて用いられる。例えばＳｎ、Ｓｉ、またはＧｅなどの堆積物がある場合に少量の酸素が存在する場合には、Ｓｎ酸化物やＳｉまたはＧｅの酸化物が通常ある程度生じる。これらの酸化物を除去するために、これらの酸化物を還元する工程が、原子状のＳｎ、Ｓｉ、Ｇｅをハロゲン化物及び／または水素化物を形成して除去する前に必要となることもある。
【００４６】
［放射集光器の取り外し］
図３は、ソースコレクタモジュールの一実施例を示す図である。このソースコレクタモジュールでは、光軸Ｏが水平面（例えば地表面）に対して所定の角度で交わっており、これは多くの実際の状況で用いられ得る。汚染物質バリア４９が示されており、これは上流側汚染物質バリア４９ａ及び下流側汚染物質バリア４９ｂを有する。
【００４７】
ソースコレクタモジュールは、回転可能な汚染物質バリア２０２を追加的に備えてもよい。この回転可能な汚染物質バリア２０２は汚染物質バリア４９よりも上流側（つまり放射源ＳＯの近く）に配置される。回転可能な汚染物質バリア２０２はモータ２０４により光軸Ｏまわりに回転可能である。モータ２０４は駆動軸２０６により回転可能な汚染物質バリア２０２に接続されている。モータ２０４は一部が汚染物質バリア４９の開口部６３の内部に配置され、一部が放射集光器５０の内部に配置されている。放射集光器５０は、例えば複数のロッドを備える支持構造部２０５によりコレクタチャンバ４８に支持されている。
【００４８】
モータ２０４の下流側に接続されているのは中空軸２０８であり、この中空軸２０８は光軸に沿って延び、放射源ＳＯで生成される放射の一部を妨げるのをできるだけ避けるようになっている。中空軸２０８は複数のケーブル２１０を収容する。これらのケーブル２１０によりモータ２０４へのエネルギーの供給や、センサ（図示せず）の信号の入出力などが行われる。中空軸２０８は、ソースコレクタモジュールへの所望のガスの供給または排出のための１つ以上のダクトを収容していてもよい。ケーブル２１０は、シールリング２１３を介してソースコレクタモジュールの外部へと導かれる。
【００４９】
放射集光器５０のクリーニングを装置外、つまりコレクタチャンバ４８の外部で行う場合には、放射集光器５０はコレクタチャンバ４８から取り外されなければならない。そのようにしてもよいが、以下の理由により迅速に行うことはできないかもしれない。
ａ．中空軸２０８及びケーブル２１０も取り外さなければならない。
ｂ．モータ２０４やベアリングなどの他の部位が損傷されないように気をつけなければならない。
ｃ．上流側放射集光器５０ａが下流側汚染物質バリア４９ｂを損傷しないように気をつけなければならない。
【００５０】
図４は、コレクタチャンバ４８から放射集光器５０を取り外しやすいように改良されたソースコレクタモジュールの一実施形態を示す図である。１つ目の特徴としては、モータ２０４がもはや中空軸２０８に下流側で接続されていない。その代わりに、中空軸２０１が放射集光器５０から上流側に設けられており、この中空軸２０１はケーブル２１０や、望まれる場合にはガス供給／排出用のダクト（図示せず）などの他の要素を収容する。中空軸は放射集光器５０の外側にあるように構成される。このような中空軸２０１は汚染物質バリア４９のスポークであってもよい。あるいは、ケーブル２１０（存在する場合にはダクトも）は、汚染物質バリア４９の複数のスポークに収容されてもよい。
【００５１】
コレクタチャンバ４８は、コレクタチャンバ４８から放射集光器５０を取り外すのに十分な大きさである開口部２１６を有する。コレクタチャンバ４８は、コレクタチャンバ４８から延び、開口部２１６を画定するフランジ２１１を有する。フランジ２１１はリム２０７を備える。放射集光器５０は、カバープレート２１４に接続される支持部材２１２に接続されている。放射集光器５０、支持部材２１２、及びカバープレート２１４は取り外し可能なコレクタアセンブリ２０９を構成する。
【００５２】
カバープレート２１４は平坦なプレートとして図示されているが、カバープレート２１４は、例えば部分的に円筒状の形状でもよく、適宜の形状に形成することができる。また、カバープレート２１４はロードロックとして設計されていてもよい。ロードロックは２つのドアを有し、一方は、内側のロードロック体積をコレクタチャンバ４８から遮断し、もう一方は、内側のロードロック体積をロードロック及びコレクタチャンバ外側の外部体積から遮断するように構成されている。この外部体積においてコレクタアセンブリ２０９はクリーニングされ得る。このロードロックを介してコレクタアセンブリ２０９を取り外す際には、ロードロックとコレクタチャンバ４８との間のドアが開かれ、コレクタアセンブリ２０９はロードロックのほうに移動される。この移動の前は、ロードロックはコレクタチャンバ４８と同じ圧（真空）とされている。そして、ロードロックとコレクタチャンバ４８との間のドアが閉じられて、ロードロックは外部体積と同圧とされる。コレクタアセンブリは、外部体積とロードロックとの間にある他方のドアを介してロードロックから移動される。このようなロードロックによりコレクタチャンバ４８の内部環境（すなわち真空）を、コレクタアセンブリを取り外している間、できるだけ保持することができる。コレクタアセンブリ２０９をコレクタチャンバ４８に戻すときにも、このようなロードロックを逆の手順で用いることができる。これをすべて自動的にロードロックが行うことが可能であることは、当業者に明らかであろう。
【００５３】
他の実施例として、このロードロックがクリーニング装置と一体であってもよい。このようにすれば、取り外し及びクリーニングのための外部体積へのドアは不要である。取り外し及びクリーニングを１つの装置で行うことができるからである。
【００５４】
カバープレートは、コレクタチャンバ４８の内部が真空であり外部が真空ではないために生じる真空力により開口部２１６をシールしてもよい。しかし、図６に示されるように、カバープレート２１４は、ボルトなどの取り外し可能な接続部材２１８、２２０によりリム２０７に接続されてもよい。公知の他の種類の取り外し可能な接続部材、例えばあらゆる種類の固定装置により接続されてもよい。接続部材２１８、２２０及びフランジ２１１はリム２０７とともに、カバープレート２１４がコレクタチャンバ４８に接続されたときに開口部２１６に真空シールが形成されるように設計される。
【００５５】
図４の実施例においては、やはりモータ２０４は一部が放射集光器５０へと延びている。コレクタアセンブリ２０９は、基本的には、コレクタチャンバ４８から開口部２１６を介して容易に取り外すことができる単一のユニットを形成する。しかし、光軸Ｏに垂直な方向への単一の移動だけでモータ２０４及び／または汚染物質バリア４９の損傷を防ぐようにコレクタアセンブリ２０９を取り外すことはできない。このような損傷を避ける１つの方法としては、矢印２１５により示されるように、まずコレクタアセンブリ２０９を（コレクタチャンバ４８からカバープレート２１４を持ち上げるために）光軸Ｏに垂直な方向に短い第１の距離だけ移動させ、次いでコレクタアセンブリ２０９を光軸Ｏに沿って放射源ＳＯから離れる方向に第２の距離だけ移動させ、更にコレクタアセンブリ２０９を光軸Ｏに垂直な方向に第３の距離だけ移動させるというものであろう。
【００５６】
図５ａ〜図５ｃは、使用しうる３つの汚染物質バリア４９、４９’、４９’’を示す。図５ａ〜図５ｃは、異なる形状及び向きに形成されているブレード２０３を示す。これらのブレード２０３はいずれも各々の表面が放射源ＳＯを始点として発せられる直線に平行となるような向きに形成されている。よって、ブレード２０３は放射源ＳＯにより生成される放射を直接妨げることがない。図５ａ〜５ｃには、ケーブルやダクトなどを収容するよう構成されている中空軸２０１が明示されている。先に説明したように、中空軸２０１は、汚染物質バリア４９、４９’、４９’’のスポークとしての機能を有していてもよい。また、中空軸２０１はモータ２０４の支持部として使用されてもよい。もちろん、汚染物質バリア４９、４９’、４９’’の他の中空スポークのような他の支持機構がモータ２０４を支持するために使用されてもよい。
【００５７】
図６は、ソースコレクタモジュールの更に改良された実施形態を示す。この構成は、以下の構造的な詳細を除いては図４に示される実施形態と同様である。
ａ．放射集光器５０の中にまで延在しないようにモータ２０４の長さがより短くなっている。これにより、接続部材２１８、２２０を取り外して、矢印２１５に示されるようにコレクタアセンブリ２０９を光軸Ｏに垂直な方向に外側に移動するだけで簡単に放射集光器５０を取り外すことができる。
ｂ．下流側汚染物質バリア４９ｂ及び上流側放射集光器５０ａがともに平坦な表面を有している。このため、コレクタアセンブリ２０９を外部へと移動する際にできるだけこれらの表面が接触して損傷されるのを防ぐことができる。
【００５８】
図７ａ及び図７ｂは、コレクタアセンブリ２０９及びコレクタチャンバ４８に関して、使用しうる異なる実施例を３次元的に示す図である。図７ａ及び図７ｂにおいては、先行する他の図と同一の構成要素は同じ参照符号が用いられている。図７ａでは、コレクタチャンバ４８は、汚染物質バリア４９、２０２（の一部）及び放射源ＳＯを収容するハウジング２１８に接続されている。
【００５９】
［基本的なクリーニング方法及び装置］
一実施例においては、装置外でのクリーニング方法が提供される。この方法は、コレクタアセンブリ２０９の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバー５００が準備され、これにより収容容積が形成され、クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方がコレクタ収容容積に供給され、当該クリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方によりコレクタアセンブリ２０９から堆積物の少なくとも一部が除去されることを含む。
【００６０】
図８にクリーニング装置６００の一実施形態が模式的に示される。このクリーニング装置６００は、両端部５０ａ及び５０ｂでの防護壁としてそれぞれ用いられるよう構成されているドア１２０及び１３０、及び周囲カバー２００（コレクタアセンブリ２０９を実質的に取り囲む）を備える包囲カバー５００を有する。包囲カバー５００は放射集光器５０を内部に収容するように構成されている。包囲カバー５００はコレクタアセンブリ２０９を円筒状に収容するように設計されている。これは、コレクタアセンブリ２０９を収容するのに適切なあらゆる形状を包囲カバー５００が有してもよいということを意味する。包囲カバー５００は、立方体、直方体または繭状の形状などであってもよい。図示されるように、クリーニング装置６００は、気体供給源または液体供給源６（１）から収容容積にクリーニングガス及びクリーニング液の少なくとも一方を供給するよう構成されているインレット２（１）を有する。また、クリーニング装置６００は、排出ユニット６（２）により収容容積から気体及び液体の少なくとも一方を除去するように構成されているアウトレット２（２）を有する。参照符号２０２は任意的な冷却装置を示す。
【００６１】
具体的な一実施例としては、クリーニング装置６００は、放射集光器５０の両端部に配置されるよう設計されている２つの防護壁１２０、１３０を備える。クリーニング装置６００自身は包囲カバーを有していない。図８ｂに示されるように、カバー２００はコレクタミラー５０の外表面、例えば外側のリフレクタ１４６の外表面であってもよい。両端部５０ａ及び５０ｂのそれぞれにドアまたはシャッタのような２つの防護壁１２０及び１３０を設けることにより、比較的シンプルに包囲カバーが形成される。この包囲カバーは、外側のリフレクタ１４６の外表面、及び図８で参照符号１２０及び１３０により示される例えばドアまたはシャッタを備え、収容容積を形成する。すなわち、この収容容積は、防護壁１２０及び１３０、及び放射集光器５０の外表面によって囲まれている。一実施例では放射集光器５０の両端部５０ａ及び５０ｂに防護壁１２０及び１３０を設けるだけで、収容容積が外側のリフレクタ１４６、及びドア、シャッタ、または他の防護壁１２０及び１３０の内部に形成される。このため、一実施例では、放射集光器５０の周囲を取り囲むよう設計されている包囲カバーを形成する方法は、放射集光器５０の両端部５０ａ及び５０ｂに防護壁１２０及び１３０を設けることを備える。よって、図８ｂに模式的に示される実施形態に係るクリーニング装置６００は、２つの防護壁１２０及び１３０の単なる配列であってもよい。この２つの防護壁１２０及び１３０はそれぞれ、放射集光器５０に収容容積を形成するように設計されており、この容積にクリーニング液、クリーニングガス、またはその両方、及び除去用液体、気体またはその両方を供給するためのインレット２（１）及びアウトレット２（２）を備える。
【００６２】
本発明の装置の他の実施形態においては、図８ｃに示されるように、クリーニング装置はコレクタアセンブリ２０９の全体を受け入れるように設計されている。クリーニング装置６００は包囲カバー５００を備え、この包囲カバー５００はカバー２００及びドア１２０及び１３０を備える。ドア１２０及び１３０及びカバー２００は、コレクタアセンブリ２０９を受け入れるように設計されており、包囲カバー５００は、例えばガスインレット２（１）を介して気体または液体の１つ以上を用いるクリーニング用の容器をして使用され得る。図８ｃに示されるように、具体的な一実施例では、例えばトップローダ式とも言えるクリーニング装置を用いることができる。この実施例では、クリーニング装置６００は、２つのドア１２０及び１３０をスライドさせるか、あるいはコレクタアセンブリ２０９をクリーニング装置６００に搬入するための開口部が形成されるように開放させることができる。クリーニング装置６００への搬入後にドア１２０及び１３０は閉じられる。クリーニング装置６００はコレクタアセンブリ２０９を収容するために適切ないかなる形状を有していてもよい。変形例として、図８ｃに示される実施例において、コレクタミラー５０を実質的に収容する包囲カバー５００が形成されていてもよい。また、ドア１２０及び１３０は、ドア１２０及び１３０が支持部材２１２の周囲を円筒状に閉鎖するように構成されるようにノッチを有していてもよい。
【００６３】
一実施例においては、本発明に係るクリーニング装置は、収容容積を加熱するよう構成された加熱要素を更に備えてもよい。上述の「加熱要素」という用語は複数の加熱要素を含んでもよい。収容容積の加熱は各種の方法で行うことができる。例えば、一実施例では収容容積の少なくとも一部分を一カ所以上加熱してもよいし、一実施例ではクリーニングガスを加熱してもよいし、一実施例ではクリーニング液を加熱してもよい。収容容積の加熱は、放射集光器５０のような収容容積内部の光学要素を加熱することにより行ってもよいし、包囲カバー５００の収容容積内部に加熱要素を配置することにより行ってもよい。よって、クリーニング装置は、コレクタチャンバ４８の水分仕様に関連する所定の水分仕様にコレクタアセンブリを調整するための真空焼成機能を実行することも可能であろう。
【００６４】
具体的な実施例においては、図９に示されるように、放射集光器５０は、収容容積を加熱するための１つ以上の加熱要素をさらに含む。図９は中間リフレクタ１４３及び外側リフレクタ１４６を有する放射集光器５０の一部を模式的に示す図である。リフレクタ１４３及び１４６の間の空間１８０の内部に、ＥＵＶ放射３５の外側つまりミラー１４３の影となるいくつかの領域がある。これらの領域は参照符号３２及び３４で灰色領域として示されている。例えば、これらの領域はフィラメント１１０（１）及び１１０（２）を配置するのに用いることができる。しかし、これらの領域には、加熱線、または温度制御用の加熱流体または冷却流体を輸送する配管（図示せず）を設けることも可能である。
【００６５】
図１０は、制御部４０により制御される熱源３８を模式的に示す図である。熱源３８は、コネクタ３１により外側リフレクタ１４６に接続されてもよい。コネクタ３１は熱伝導性を有してもよい。制御部４０は、適切にプログラムされたコンピュータ、または適宜のアナログ及び／またはデジタル回路を有するコンピュータとして実現されていてもよい。矢印３７に示されるように、熱源３８は、放射集光器５０の外側リフレクタ１４６に向けて熱を生成する。熱源３８は、異なる加熱要素を備えてもよく、また外側リフレクタ１４６の異なる領域が選択的に加熱されうるように構成されていてもよい。これにより、堆積物の除去をより良好に制御することができる。熱源３８は制御部４０により制御される。また、制御部４０は他に、ポンプ２９や、熱電対などの測定装置、ガス圧、ガスの流れ、ミラー１４２及び／またはミラー１４６の反射性を分析する分析ユニット、堆積層の厚さを測定する分析ユニットなど（図１０には図示されていないが、当業者には知られている）を制御してもよい。例えば熱源３８などのヒータ、及び放射集光器５０に接続される加熱要素は、（図９のフィラメント１１０（１）及び１１０（２）のような）加熱線、加熱されるべき体積に加熱ガスを供給するための加熱流体または加熱ガスを内部に含み輸送するチューブ、放射集光器５０に接続されまたは熱伝導可能な状態とされているヒータ（例えば図１０の熱源３８）あるいはガスバリアに接続されまたは熱伝導可能な状態とされているヒータ（例えば図１０の熱源３８）、加熱ランプ（赤外放射ランプなど）及びＥＵＶ放射源（放射源ＳＯなど）からなるグループから選択されてもよい。最後の２つは予熱源として使用されてもよい。
【００６６】
ところで、熱源３８は、包囲カバー５００の内表面、つまり防護壁１２０及び１３０及びカバー２００の１つ以上のいずれかの内表面に加熱要素を有していてもよい。また、インレット２（１）を介して供給される気体または液体、あるいはドア１２０または１３０は、加熱（または予熱）されてもよい。この加熱（または予熱）は、例えば気体または液体の供給源（またはポンプ）６（１）と包囲カバー５００との間に配設される加熱装置（または予熱装置）により、収容容積が加熱されるように行われてもよい。よって、一実施例では、放射集光器の収容部（ドア１２０、１３０、及びカバー２００など）、及び収容容積に供給されるクリーニングガスまたはクリーニング液またはその両方からなるグループから選択される１つ以上の少なくとも一部が加熱されることを更に含む方法が提供される。一実施例では、収容容積を加熱するために使用され得る収容容積内部の１つ以上の加熱用フィラメントは、Ｈ２含有気体（以下も参照せよ）中のＨ２由来の水素ラジカルを発生させるのに用いられてもよい。
【００６７】
一実施例では、包囲カバー５００は試験管の一種となるように構成されてもよい。この実施例では、コレクタアセンブリを入れるための１つの開口部と１つのドア１２０（または１３０）だけを必要としていてもよい。ここで、包囲カバー５００は放射集光器にスライドさせるか、あるいは放射集光器を包囲カバー５００へとスライドさせて進入させ、ドア１２０（または１３０）を閉じて、本発明に係るクリーニング方法が実行されてもよい。
【００６８】
各実施例において、「バリア」または「防護壁」という用語は、ドアやバルブ、シャッタ、ダイアフラム構造のシャッタ、または室や空間、チューブなどを区切るための他の要素や装置を示し、本発明の文脈では放射集光器５０の端部５０ａまたは５０ｂを閉じるためのものを示す。
【００６９】
ここで、内部容積とは、外側リフレクタ１４６及び放射集光器５０の両端部５０ａ及び５０ｂにより囲まれる体積をいう。また、「収容容積」は、この内部容積のうち包囲カバー５００により囲まれる部分を示し、この容積は、（例えば図８ｂに模式的に示される実施例では）放射集光器５０の外側リフレクタ１４６及び防護壁１２０及び１３０のそれぞれにより囲まれている。あるいは、「収容容積」は、包囲カバー５００により提供される容積を示し、この容積は、（例えば図８ａ及び図８ｃに模式的に示される実施例では）カバー２００及び防護壁１２０及び１３０により囲まれている。しかし、図８ａに示される例えばクリーニング装置となる包囲カバー５００は、例えば「ドア」１３０に統合されているカバー２００のように（試験管のように）１つの閉じられた端部を有していてもよい。この場合、収容容積は、コレクタアセンブリ２０９を入れるための唯一の開口部となる防護壁１２０とカバー２００とにより囲まれる容積によって定められる。
【００７０】
図８ａ、図８ｂ、及び図８ｃにおいては、ガス式または液式のクリーニング手段が供給源またはポンプ６（１）及びインレット２（１）により供給され得る。
【００７１】
クリーニングガスまたは反応生成ガス（例えば排出ガスとしての水素化スズやハロゲン化スズ）のいずれかまたは両方（混合気体）の気体、及びクリーニング液または反応生成液体のいずれかまたは両方（例えば反応生成物を含むクリーニング液）の液体は、包囲カバー５００からアウトレット２（２）により、例えばポンプ６（２）により取り除かれる。例えばクリーニング処理は、バッチ処理または連続的処理で行われてもよい。例えばバッチ処理の場合には、アウトレット２（２）は必須ではない。また、例えばバッチ処理の場合には、防護壁１２０及び１３０のそれぞれにより閉じられる放射集光器５０の端部５０ａ及び５０ｂでは気体用または液体用のインレット２（１）が使われてもよい。具体的な一実施例では、本発明に係るクリーニング方法は、クリーニング後処理ガスを続いて供給することを含んでもよく、このクリーニング後処理ガスは、水素ラジカル含有気体、Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を含んでもよい。クリーニングガス（またはクリーニング液）の供給後に、クリーニング後処理ガスが（光学）要素に供給されうる。「クリーニング後処理」及び「クリーニング後処理ガス」という用語はそれぞれ、一実施例では、先クリーニング処理の後に行われる処理及びその処理で用いられる気体を示す。特に、ハロゲンが使用される先クリーニング処理の後に行われるクリーニング後処理を示す。一実施例では、先クリーニング処理の後にハロゲン分子またはハロゲン化物（またはその両方）を少なくとも部分的に除去するために、クリーニング後処理ガスが（先クリーニング処理に続いて）クリーニング後処理で導入される。
【００７２】
ポンプまたはガス供給源６（１）、ポンプ６（２）、インレット２（１）、及びアウトレット２（２）は、それぞれ複数の供給源／ポンプ、インレット及びアウトレットであってもよい。これらは適宜構成されてカバー２００またはドア１２０または１３０などに接続される。
【００７３】
一実施例では、クリーニングガスは、ハロゲン含有気体及び水素含有気体からなるグループの１つ以上から選択される。
【００７４】
［水素ラジカルクリーニング］
一実施例においては、クリーニングガスがＨ２含有気体を含むクリーニング方法が提供される。この方法は、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成することをさらに含む。水素ラジカル含有気体が、クリーニングされるべき（光学）要素に供給される。このようにして、堆積物は除去プロセスにおいて除去される。除去プロセスでは堆積物が水素ラジカルに接触する。水素ラジカルは、異なる方法により生成されうる。一実施例では、１つ以上のラジカル生成装置によりＨ２含有気体のＨ２から水素ラジカルの少なくとも一部が生成される。ラジカル生成装置は、ホットフィラメント、プラズマ、放射、及び触媒のグループから選択される。この触媒は、Ｈ２を水素ラジカルに変換するよう構成されており、触媒表面に吸着されたＨ２をＨラジカルまたはＨ原子に解離する。この触媒は、遷移金属を用いる触媒を含み、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、及びＲｕを含む触媒であってもよい。この触媒はＲｕ層を含んでもよく、例えば、放射集光器５０の回折格子入射ミラーまたは多層部の表面においてＲｕが最表面に含まれていてもよい。ラジカルを生成するための放射には、ＥＵＶ放射、ＤＵＶ放射、ＵＶ放射などが含まれてもよく、例えば、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び１２６ｎｍからなるグループから選択される波長を有する放射が含まれてもよい。またこの放射は、水素から水素ラジカルを生成するような電子ビームやイオン化された放射を含んでもよい。一実施例では、露光装置の放射源ＳＯは、ラジカル生成用の放射の放射源ＳＯとして用いられる。他の実施例では、水素ガスからの水素ラジカルの形成を誘起する放射を生成する他の放射源が存在してもよい。プラズマは、誘導結合ＲＦプラズマまたは電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマであってもよい。プラズマは、グロー放電またはスパーク放電により生成されてもよい。水素含有ガスの水素分子の全量の少なくとも一部がこれらのプラズマにより水素ラジカルまたは陽子またはその両方に変換される。具体的な一実施例では、例えば図２に模式的に図示され本明細書に説明されるコレクタミラーが使用される場合には、コレクタミラー５０のシェル間で放電が生成される（図２の符号１８０を参照）。例えばシェル間で例えばＲＦ放電が生成されてもよく、例えばシェル１４２とモータ２０４及び中空軸２０８の１つ以上との間に生成されてもよい。
【００７５】
水素ラジカルは、Ｓｎ（またはＳｎ酸化物）、Ｃ、Ｓｉ（またはＳｉ酸化物）などの汚染物質と反応して揮発性水素化物及び／または水を生成する（例えばＳｎ酸化物などの酸化物が還元されるときに）。これらは例えば排出により除去されうる。Ｓｎ及びＳｉは酸化されて、または少なくとも部分的に酸化物として堆積物またはキャップ層として存在し得るものであるが、それぞれ原子状のＳｎ及びＳｉへと還元され、更に水素化物（またはハロゲン化物、下記参照）として除去されうる。このため、この実施例では、スズ酸化物（及び／または放射集光器５０上の他の酸化物の堆積物、例えばシリコン酸化物）を揮発性の水素化スズ（及び／または他の水素化物、例えばシリコン水素化物、ゲルマニウム水素化物、ＣＨ４など）へと原子状水素により還元かつ揮発化するだけでクリーニングが実質的に遂行される。
【００７６】
リフレクタ１４３及び１４６上の堆積物を除去するためには、放射集光器５０のミラー１４３及び１４６が存在する空間１８０にインレット２（１）を通じてガス供給源６（１）によりＨ２を含む気体が供給されてもよい。ホットフィラメント１１０（１）が存在するために、水素ガスは水素ラジカルに解離される。水素ラジカルの一部が放射集光器５０の表面の堆積物に接触し、水素ラジカルはＳｉ（Ｓｉ酸化物を含む）、Ｓｎ（スズ酸化物を含む）、及びＣなどの１つ以上と反応する。このようにして、放射集光器５０の堆積物は水素ラジカルの少なくとも一部と接触するようになり、堆積物の少なくとも一部が除去される。揮発性化合物の少なくとも一部は、例えば符号６（２）及び２（２）により示される排出口及びポンプにより取り除かれる。また、複数の供給源及び排出口が形成されていてもよい。堆積物の除去速度は、例えば、１００ｎｍ〜１５０ｎｍとすることができるであろう。成長または除去速度は装置外部の蛍光Ｘ線分析装置により得ることができる。
【００７７】
例えば、放射集光器５０の内部容積への気体の供給中または供給後に、水素ガスの場合には水素ラジカルが形成されるようにフィラメント１１０（１）、１１０（２）が加熱されてもよい。フィラメント１１０（１）、１１０（２）の温度は通常１４００℃から２４００℃の間である。放射集光器５０の内部容積の温度は通常、処理中において室温（約２０℃）から５００℃の間であり、望ましい温度範囲としては５０℃から３００℃の範囲であり、例えば１００℃から２００℃の範囲である。加熱用フィラメント１１０（１）、１１０（２）、及び例えばシャッタ１２０または１３０に統合されている加熱要素３８（図９及び図１０を参照）、及び他の加熱要素は、この温度を実現するように用いられる。
【００７８】
［ハロゲンクリーニング］
Ｂ、Ｃ、Ｇｅ、及びＳｎのグループから選択される１つ以上の元素を例えば含む堆積物は水素ラジカルにより除去されうるが、例えばＳｎはハロゲンを供給することによっても除去されうる。このため、一実施例ではクリーニング方法は、ハロゲン含有気体、特にＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、及びＩ２からなるグループから選択される１つ以上の気体を供給することをさらに含む。ハロゲン含有気体は、クリーニングされるべき（光学）要素に供給される。更なる実施例では、クリーニングガスがＩ２を含む気体であるクリーニング方法が提供される。Ｉ２含有気体は、露光装置の他の箇所に実質的に腐食作用がないかまたは小さい腐食作用でミラー表面から選択的に堆積物を特にＳｎ堆積物を除去することにより良好な結果を得ることができる。このため、この実施例では、ハロゲン含有気体でスズ（及び／または他の堆積物、例えば放射集光器５０上のシリコン）を揮発化するだけで実質的にクリーニング処理が遂行され、これにより放射集光器５０上の堆積物が除去される。
【００７９】
ハロゲン含有気体は供給源６（１）からインレット２（１）を通じて放射集光器５０の内部容積へと供給されうる。温度を１００℃から５００℃、例えば１００℃から３００℃、例えば１３０℃から２００℃とすることにより、Ｓｎを含む堆積物の場合には、ハロゲンは例えばスズのハロゲン化物を生成し、放射集光器５０の表面からスズの少なくとも一部が除去される。加熱用フィラメント１１０（１）、１１０（２）は、ドアまたはシャッタ１３０に統合されている加熱要素３０と同様に、また他の加熱要素と同様に、この温度を実現するために用いられる。
【００８０】
一実施例では、加熱用フィラメント１１０（１）、１１０（２）は、ハロゲン含有気体に含まれるハロゲンまたはハロゲン化合物からハロゲンラジカルを形成するために用いられてもよい。
【００８１】
［Ｈラジカル、ハロゲンの順に行われるクリーニング］
本発明の更なる実施形態によれば、クリーニング方法は、Ｈ２含有気体を供給し、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、ハロゲン含有気体を続いて供給することを含む。水素ラジカル含有気体及びハロゲン含有気体は、クリーニングされるべき（光学）要素に供給される。このようにして、次の処理が実行され得る。まず原子状水素によるクリーニングでＳｎＯｘ（及び／または放射集光器５０上の他の酸化物の堆積物、例えばシリコン酸化物）がＳｎ（及び／または他の単体または金属化合物、それぞれ例えばＳｉ）に還元される。次にハロゲン例えばＩ２によるクリーニングでＳｎ（及び／または他の単体例えばＳｉ）がハロゲン化物例えばヨウ化物（及び／または他のハロゲン化物、例えばＳｉＩ４）の形で除去される。
【００８２】
変形例では、水素含有気体がハロゲンガスをも含み、上述の２つの処理が実質的に同時に行われるようにしてもよい。これにより、除去処理において放射集光器５０から堆積物の少なくとも一部を除去することを含む方法が実現されうる。この除去処理においては、放射集光器５０を収容する収容容積の少なくとも一部にＨ２及びハロゲンを含む気体を供給し、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、気体中の水素ラジカル及びハロゲンの少なくとも一部を堆積物に接触させるように放射集光器５０にもたらし、堆積物の少なくとも一部を除去する。ハロゲンは揮発性のハロゲン化物を生成し、例えばＳｎ及びＳｉ堆積物の除去を改善しうる。
【００８３】
［Ｈラジカル／ハロゲンまたはハロゲンに続いて水素ラジカルを用いるクリーニング］
上述の一実施形態ではクリーニング方法はハロゲン含有気体を供給することを含む（すなわちハロゲンクリーニング）。上述の他の一実施形態ではクリーニング方法はＨ２含有気体を供給し、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、次いでハロゲン含有気体を供給することを含む（すなわちＨラジカル及びハロゲンの順のクリーニング）。更なる一実施形態においては、これら２つの実施形態のいずれかにおいてハロゲン含有気体の供給に続いてＨ２含有気体が（再度）導入される。Ｈ２含有気体が（再度）導入されて水素ラジカルが生成される。このようにして、スズのハロゲン化物などの金属ハロゲン化物の残り及びハロゲン含有気体（例えばＩ２）のハロゲンの残りが水素化物を形成することにより除去されうる。これはクリーニング後処理ガスを使用するクリーニング後処理である（下記参照）。
【００８４】
上述のように、ハロゲンを用いるクリーニング後に、露光装置及び／または露光処理にとって除去されることが有効な汚染物質がまだ残っている場合がある。例えば、ヨウ素ガス処理後に、放射集光器５０（例えばシェル１４２、１４３、１４６などのＲｕ表面）及び使用される構造材料の表面にヨウ素の跡が残る。これらの跡（汚染）はＩ２であり、表面に化学的に強く吸着されており、表面上に非揮発性の金属ヨウ化物を形成しうる。これらの跡は、ＥＵＶ放射源の使用中に例えばＥＵＶ照射の影響によりＩ２または金属ヨウ化物が脱着した場合に、あるいはメンテナンス中にこれらのヨウ化物が周囲の空気中の水分に反応してした場合に、腐食の問題を引き起こす可能性がある。ＥＵＶ照射中には通常のクリーニングまたは真空条件下では脱着しないであろう金属ヨウ化物が、ＥＵＶ照射面での二次的電子の形成により脱着する可能性がより大きくなる。これらの二次的電子は１０〜２０ｅＶのエネルギを有しており、これはちょうど金属ヨウ化物の拘束エネルギを打ち破るのに必要とされるエネルギであり、これにより迅速に脱着が生じる。これらの金属ヨウ化物は一部が中間焦点を通じてＥＵＶ装置の光学系の他の部分に向けて運ばれて、ミラーの劣化を引き起こす可能性がある。また、表面に残されている金属ヨウ化物はメンテナンス工程中にその表面が（湿った）空気にさらされて腐食を引き起こす可能性がある。金属ヨウ化物は非常に高い吸湿性を有し、すぐに表面を湿らせてしまう。ＭＩｘ＋ｘＨ２Ｏは、ｘＨＩ＋Ｍ（ＯＨ）ｘとなる。ＨＩの水溶液は非常に強力な酸であり、更に腐食を進行させる可能性がある。同様に、他のハロゲン（またはハロゲンの組み合わせ）を用いるクリーニングにも当てはまりうる。このため、ハロゲンを用いるクリーニング処理の後には、クリーニング後処理ガスを用いるクリーニング後処理を実行してもよい。この場合クリーニング後処理ガスがその元素に供給される。
【００８５】
このため、具体的な一実施例では、露光装置の構成要素から汚染物質を除去する方法が提供される。この方法は、（ａ）（ａ１）ハロゲン含有気体を構成要素に供給するか、または（ａ２）Ｈ２含有気体を構成要素に供給し、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成し、次いでハロゲン含有気体を構成要素に供給することにより構成要素に１つ以上の気体を供給し、（ｂ）ハロゲン含有気体（ａ１またはａ２）の供給後に、クリーニング後処理ガスを続いて構成要素に供給することを含む。ここで、処理ａ１またはａ２は代替的なクリーニング処理を示し、処理ｂは本発明の一実施形態に係るクリーニング後処理を示す。
【００８６】
一実施例では、クリーニング後処理ガスは、水素ラジカル含有気体、Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を含む。説明されたように例えば水素ラジカルガスを用いうるとともに、以下に述べるように例えばＨ２Ｏ含有気体を用いてもよい。「Ｈ２Ｏ含有気体」または「Ｈ２Ｏ２含有気体」などという用語は、全体がＨ２ＯまたはＨ２Ｏ２のいずれかからなる気体を示すとともに、例えばＮ２、Ａｒ、Ｘｅなどの他の物質を更に含む気体を示してもよい。また２つ以上の気体の混合物を用いてもよい。
【００８７】
具体的な一実施例では、クリーニング後処理ガスは、水素ラジカル含有気体を含む。水素ラジカルは、説明したように複数の方法で生成することが可能である。
【００８８】
この具体的な実施例の第１の変形例では、汚染物質、特にＳｎなどの汚染物質（堆積物を含む）は、ハロゲンにより少なくとも一部が除去される。ハロゲン含有気体により汚染物質中の元素が処理されて揮発性の金属ハロゲン化物（例えばＳｎのハロゲン化物）が形成されて除去される（ａ１）。この処理は、「ハロゲンクリーニング」と称して概要を先に述べている。ハロゲン含有気体は一実施例では、ハロゲンガスまたは水素ラジカルまたはその両方をさらに含む。これに引き続いて、つまりハロゲン含有気体の供給後に、表面に付着したハロゲンや浮遊するハロゲン、Ｓｎヨウ化物などの金属ハロゲン化物の汚染物質などの除去されずに残されている汚染などが、水素含有気体の供給及び水素ラジカルの生成により除去され得る（ｂ）。すなわち、クリーニング後処理ガスとしての水素ラジカル含有気体が構成要素に供給される。これらのラジカルは金属ハロゲン化物またはハロゲン分子と反応して揮発性の水素化物（金属水素化物）またはハロゲン化水素（ＨＩやＨＣｌなど）を形成し、排出口を通じて除去されうる。このようにして、ヨウ素またはヨウ素化合物は構成要素から除去される。他のハロゲンが使われている場合も同様である。よって、一実施例ではクリーニング方法は、ハロゲン含有気体を供給し、次いでＨ２含有気体を供給し、Ｈ２含有気体のＨ２から水素ラジカルを生成することを更に含み、これにより水素ラジカル含有気体を含むクリーニング後処理ガスが供給される。このガスはクリーニングされるべき（光学）要素に供給される。
【００８９】
この具体的な実施例の第２の変形例では、まず水素ラジカルが生成されて構成要素に供給され、次いでハロゲン含有気体が構成要素に供給される（ａ２）。この処理は、「水素ラジカル、ハロゲンの順に行われるクリーニング」と称して概要を先に述べている。水素ラジカルにより、金属酸化物は還元され金属（酸化物）の一部は揮発性の水素化物（Ｓｎの水素化物）へと反応し得る。（還元された）汚染物質の少なくとも一部、特にＳｎなどの汚染物質は、ハロゲンにより除去される。上述のように、ハロゲン含有気体は一実施例では、水素ガスまたは水素ラジカルまたはその両方を更に含んでもよい。これに引き続いて、表面に付着したハロゲンや浮遊するハロゲン、Ｓｎヨウ化物などの金属ハロゲン化物の汚染物質などの除去されずに残されている汚染などが、水素含有気体の供給及び水素ラジカルの生成により除去され得る（ｂ）。これらのラジカルは金属ハロゲン化物またはハロゲン分子と反応して揮発性の水素化物またはハロゲン化水素（ＨＩやＨＣｌなど）を形成し、排出口を通じて除去されうる。このようにして、ヨウ素またはヨウ素化合物は構成要素から除去される。他のハロゲンが使われている場合も同様である。
【００９０】
上述の実施例ではクリーニング後処理ガスは水素ラジカル含有気体を含む。他の実施例では、クリーニング後処理ガスは、Ｈ２Ｏ含有気体、ＮＨ３含有気体、Ｎ２Ｏ含有気体、Ｈ２Ｏ２含有気体、Ｏ３含有気体、及びＯ２含有気体からなるグループから選択される１つ以上の気体を含んでもよい。
【００９１】
これらの気体は例えば次のような反応を引き起こす。
ＲｕＩ３＋３Ｈ２Ｏ→３ＨＩ＋Ｒｕ（ＯＨ）３  （１）
これは更に次のように反応する。
４Ｒｕ（ＯＨ）３＋３Ｈ２→４Ｒｕ＋１２Ｈ２Ｏ
ＲｕＩ３＋３Ｈ２Ｏ２→Ｒｕ＋３ＨＩ＋３Ｈ２Ｏ  （２）
ＲｕＩ３（ｓ）＋ＮＨ３→Ｒｕ（ＮＨ３）ｘＩｙ  （３）
【００９２】
他のほとんどの金属（例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｉなど）についても同様の反応式を書くことができる。このため、例えばＲｕ、Ｐｔ、またはＰｄ、特にＲｕの最表面を有する光学的表面はこのようにしてクリーニングされ、またこのような最表面を有しない例えば構造的要素などの他の表面もクリーニングされ得る。式（１）〜（３）は、生じ得る複数の反応の一例を示すものに過ぎない。このため、これらの分子の１つ以上を含む気体もクリーニング後処理ガスとして用いうる。（例えば式（１）のような）いくつかの場合においては、（水素）酸化物が生成されうる。いくつかの適用例、特に構造材料の表面などの反射性を有しない箇所への適用に関しては、特に安定的な（水素）酸化物の層が形成される場合には、（水素）酸化物の形成は受け入れ可能である点に留意されたい。
【００９３】
ここで、「要素に供給する」という表現は、水素ラジカル含有気体またはクリーニング（後処理）ガスなどの気体の対流及び／またはまたは拡散によってクリーニングされるべきまたは処理されるべき要素表面の少なくとも一部に供給される処理を示す。
【００９４】
更なる具体的な実施例では、クリーニングされるべき構成要素を収容する体積、コレクタミラー５０または放射系４２などを取り囲む例えば包囲カバー（例えば上記のもの）は、クリーニング後処理ガス及び生成ガス、特に金属ハロゲン化物及び金属水素化物からなるグループから選択される生成ガスの少なくとも１つ以上が気体状態となるように所定の温度（及び圧力）に保持される。このようにして、式（１）〜（３）に示されるようなクリーニング後処理ガス（Ｉ２、Ｈ２Ｏなど）及び生成ガス（ＨＩ、スズ水素化物、ハロゲン化スズ、Ｒｕ−ＮＨ３−ハロゲン化化合物など）は、排出口から容易に排出されうる。上述のようにホットフィラメントやＩＲ加熱、プラズマなどの加熱要素を使用して加熱してもよい。
【００９５】
このクリーニング方法は、装置外でも装置内部でも実行されうる。装置外でのクリーニングは、例えば上述のようにクリーニング装置６００の包囲カバー５００で実行されてもよい。
【００９６】
例えばＨ２とハロゲンとの混合物を含む気体は、放射集光器５０のリフレクタ１４３及び１４６が存在する空間にインレット２（１）を通じて気体供給源６（１）により例えば供給されてもよい。同様にして、水素含有気体、水素ラジカル含有気体、ハロゲン含有気体、及びクリーニング後処理ガスがインレット２（１）を通じて気体供給源６（１）により供給されてもよい。上述のように、包囲カバー５００は、コレクタミラーまたは集光器５０を含んでもよく、他の（光学）要素を収容してもよい。
【００９７】
一方、本明細書に引用される例えば米国特許公開公報ＵＳ２００６１７５５５８号に記載される方法に類似させて、特にそこに記載されている収容容積または包囲カバーを使用してクリーニングを装置内部で行うこともできる。例えば、放射集光器を取り囲む放射集光器収容容積または放射集光器を取り囲む包囲カバーを用いることができる。ＵＳ２００６１７５５５８号に記載されている包囲カバーは、コレクタミラー５０（放射集光器５０）のクリーニングに適用可能であり、回折格子スペクトル純度フィルタ５１などの他の要素のクリーニングにも適用可能である。更に、クリーニングは、クリーニングされるべき構成要素を取り囲む体積に気体を供給することにより実行することができる。例えば、放射系４２、照明光学ユニット４４（ＩＬ）、または投影系ＰＳに気体を供給してもよい。最後に、これらのユニットはインレットとアウトレットとを含んでもよいことは当業者に明らかであろう。ＥＰ１６４３３１０の図７に例えば図示されている。
【００９８】
このため、汚染物質をクリーニングされるべき構成要素は、放射系４２、照明系４４、または投影系ＰＳに含まれる光学要素からなるグループから選択されてもよい。放射系４２には、例えば放射集光器５０（直入射集光器または回折格子入射集光器）、スペクトル純度フィルタ５１（回折格子または透過型フィルタ）、放射系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。照明系４４には、ミラー５３及び５４（または、存在する場合には、他のミラー）、照明系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。投影系ＰＳには、ミラー５８及び５９（または、存在する場合には、他のミラー）、投影系の（光学）センサ（図示せず）などが含まれる。一実施例においては、「要素」または「クリーニングされるべき要素」という用語は、回折格子スペクトルフィルタ、透過型光学フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルター、回折格子入射ミラー、直入射ミラー（例えば多層集光器）、回折格子入射集光器、直入射集光器、（光学）センサ（例えばＥＵＶ感応センサ）、汚染物質バリア４９、マスクＭＡ、及び構造的要素からなるグループから選択される１つ以上の要素を示す。構造的要素は、壁面やホルダ、ドアなどを含む（上記を参照）。
【００９９】
［ゲッタ］
一実施例においては、１つ以上のゲッタ板、ゲッタ体、またはゲッタコーティングが用いられる。このゲッタ板等においてハロゲンガス、ハロゲン化物、及び水素化物から選択される１つ以上の気体が堆積物を形成するかまたは反応して、露光装置の他の光学要素に対して無害化され得る。例えば、ＮｉコーティングはＩ２をとらえるのに使用され得る。このようなゲッタ材は、別体のまたは追加のバリアとして使用され得る。例えば、放射集光器５０の内部容積に向けられているシャッタ１２０及び／または１３０の表面の少なくとも一部に形成されてもよいし、カバー２００の少なくとも一部に形成されてもよい（例えば図８ａ及び図８ｃを参照）。
【０１００】
更なる実施例は、収容容積にゲッタ材を用意することを更に含む方法である。ゲッタ材は、例えばＩ２と反応しうる金属であるＳｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＮｉのグループから選択される１つ以上の金属から選択されてもよい。例えば、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｄ、及びＦｅは約１５０℃でＩ２と反応して、この温度またはこれよりも高温で揮発性を有する生成物を形成する。Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉは約３００℃〜５００℃でＩ２と反応して、この温度範囲またはこれよりも高温で揮発性を有する生成物を形成する。ゲッタ材を備えるとともに、冷却装置、加熱装置、または冷却装置及び加熱装置の両方が備えられる。このようにして、ゲッタ材は所望の温度、つまり揮発性のハロゲン化物などが形成される温度以下に維持される（ゲッタリング）。一方、ゲッタ材を加熱することにより、例えば揮発性ハロゲン化物の最表層を除去してもとの金属層を露出させて再度ゲッタ材として使用しうるように再生してもよい。この再生処理はオフラインで実行されてもよい。
【０１０１】
一実施形態では、収容容積は、収容容積の少なくとも一部を冷却するよう構成されている冷却要素をさらに備える。上述の「冷却要素」という用語は、複数の冷却要素を示してもよい。具体的な一実施形態ではシャッタ１２０及び／または１３０、カバー２００が冷却されてもよい。
【０１０２】
一実施例では、ハロゲン化物の分圧を低減させるコールドトラップとしてシャッタ１２０及び／または１３０を用いることによりゲッタリングが行われる。例えば、たいていの金属ヨウ化物は室温で蒸気圧が低く、トラップされる。このため、一実施例では、例えば収容容積からの排出ガスを冷却することをさらに含む方法が提供される。代替的にまたは追加的に、シャッタ１２０の少なくとも一部、シャッタ１３０の少なくとも一部、及び包囲カバー２００の少なくとも一部から選択される少なくとも１つが冷却装置によって冷却されてもよい。この冷却装置は当該箇所を室温以下に、例えば０℃以下に、例えば−１９６℃（液体窒素温度）から０℃の範囲に、例えば約−１００℃に冷却するのに適したものであってもよい。更なる実施例では、コールドトラップなどのこの冷却装置は、図８ａ及び図８ｂに冷却装置２０２として模式的に示されるように排出口２（２）に接続される。このため、放射集光器収容部は、放射集光器収容部の少なくとも一部のための冷却装置をさらに含んでもよい。また、一実施例では、本発明のクリーニング装置６００は、収容容積からの排出ガスを排出口で冷却するよう構成されている冷却装置をさらに含んでもよい。よって一実施例によれば、収容容積の少なくとも一部と収容容積からの排出ガスとの少なくとも一方を冷却することをさらに含む方法が提供される。
【０１０３】
よって、ヒータ３８は冷却器も備えてもよい。つまり参照符号３８は、温度を制御して包囲カバー５００（例えばバリア１２０、バリア１３０（あれば）、カバー２００（あれば））、クリーニングガス、クリーニング液、排出ガス（冷却装置２０２も参照）、排出液、及び加熱用フィラメント１１０（１）、１１０（２）の１つ以上を加熱または冷却することが可能であってもよい。加熱及び冷却は制御部４０により制御されてもよい。
【０１０４】
［液体］
本発明の一実施例では、クリーニング手段はクリーニング液を含む。変形例として、クリーニング液はエッチング液を含む。この液体は、例えばＨ２ＳＯ４、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｈ３ＢＯ３などの酸、または例えばシュウ酸、酢酸、ギ酸などの当業者に公知の他の酸、またはこれらの酸の２つ以上の混合物を含んでもよい。この液体はインレット２（１）から供給されてもよい。包囲カバー５００の内部で放射集光器５０がこの液体に浸されるか、放射集光器５０にこの液体が噴射されてもよい。クリーニング液は収容容積に流入する前に加熱されてもよいし、例えば加熱装置１１０（１）、１１０（２）または３８により包囲カバー５００の内部が加熱されていてもよい。当業者であれば、所望の量のエッチングがなされるようにエッチング液中の１種以上の酸の濃度を選択するであろう。エッチング液の温度は、例えば概ね−２０℃から１５０℃の間としてもよく、所望の量のエッチングがなされるように当業者は選択するであろう。
【０１０５】
コレクタ収容部は、コレクタ収容部の少なくとも一部のための冷却装置をさらに含んでもよい。上述のように、一実施例では装置３８がバリア１２０及び／または１３０、カバー２００などの包囲カバー５００の少なくとも一部を冷却するのに用いられてもよい。また、本発明のクリーニング装置６００は、収容容積からの排出液用に排出口を冷却するよう構成されている冷却装置３８をさらに含んでもよい。このため、一実施形態によれば、収容容積の少なくとも一部及び収容容積からの排出液の少なくとも一方を冷却することを更に備える方法が提供される。
【０１０６】
クリーニング処理は複数の工程を含んでもよく、上述のように複数の液体によるクリーニング工程または複数の気体によるクリーニング工程、またはこれらの組み合わせのいずれかを含んでもよい。組み合わせる場合には、工程が順次行われてもよいし同時に行われてもよい。クリーニング処理は、例えば放射集光器５０の反射特性の測定などのように光学要素の特性を測定することによりモニタされてもよい（上述も参照）。
【０１０７】
［保護層・コーティング］
クリーニングに用いられる媒体は活性が高く、特に液体を使うクリーニング技術ではそうであるので、クリーニングされる必要がないのにクリーニング手段に攻撃され得る表面には保護層を形成してもよい。一実施例では、クリーニング方法は、放射集光器の少なくとも一部及び包囲カバー５００の少なくとも一部の少なくとも一方を保護材で保護することをさらに備える。例えば一実施例では、包囲カバーの少なくとも一部が保護材を備えるか、またはリフレクタ１４２、１４３、及び１４６の非反射部の少なくとも一部が保護材を備えてもよい。一実施例では、保護材は例えばコーティングであり、例えば金属やセラミックなどのコーティングである。一実施例では、この保護材またはコーティングは実質的にピンホールを有しない。他の実施例では、この保護材またはコーティング層の厚さは５μｍ以上であり、例えば５〜２０μｍ程度であり、変形例では５〜１５μｍ程度である。
【０１０８】
変形例では、放射集光器５０などの光学要素の光学的に機能しない部分（すなわち例えばリフレクタ１４２、１４３、１４６の反射面は光学的に機能するが、これらのリフレクタの背面は光学的に機能しない）を保護するようにコーティングが選択されてもよい。他の実施例では、包囲カバー５００の少なくとも一部がコーティングを備えてもよく、特にクリーニング液にさらされる包囲カバー５００の部分にコーティングを備えてもよい。
【０１０９】
［保護層の材質］
他の実施例は、放射集光器の少なくとも一部及び包囲カバー５００の少なくとも一部の少なくとも一方を保護することを含む方法である。この方法では、Ｓｎの標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する材料を用いて保護される。すなわち、変形例では放射集光器の少なくとも一部が、または他の変形例では包囲カバー５００の少なくとも一部が、Ｓｎの標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する材料またはコーティングを少なくとも部分的に含む。例えば、リフレクタ１４２、１４３、１４６のＲｕミラー表面からＳｎをクリーニングする場合においては、クリーニング液に触れ得るリフレクタの外表面のミラー以外の残りの部分は、例えばコーティング材または構造材のいずれかとしてＡｕ、Ｉｒ、Ａｇ、Ｒｕ、及びＲｈなどの金属を用いることによりクリーニング液から保護されうる。一方、ＦｅやＮｉなどの金属は使用を避けるか、例えばコーティングなどの他の手段により保護する。また、他の実施例では、コーティングはＳｎのコーティングであってもよく、例えば５μｍ以上、例えば５〜２０μｍ程度、変形例では５〜１５μｍ程度の厚さを有していてもよい。
【０１１０】
以下には、「ｔｈｅ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  ６９ｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，  ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ，  Ｂｏｃａ  Ｒａｔｏｎ，  ＦＡ，  ＵＳＡ」に記載される還元電位Ｅ°（単位はＶ）に基づいて、いくつかの材料を示す。
【０１１１】
【表１】
2007110107.tif 000003
【０１１２】
変形例では、光学的に機能しない放射集光器５０などの光学要素の部分が保護されるように、０．２Ｖ以上の還元電位を有する保護材料が選択される。他の実施例では、０．４Ｖ以上の還元電位を有する保護材料が選択される。更なる実施例では、包囲カバー５００の少なくとも一部、特にクリーニング液にさらされる包囲カバー５００の部位は、Ｓｎの標準還元電位よりも高い標準還元電位を有する材料を含む。
【０１１３】
［保護層の電圧］
他の実施例は、Ｓｎの標準還元電位よりも低い電位を課すことにより放射集光器の少なくとも一部及び包囲カバー５００の少なくとも一部の少なくとも一方を保護することを含む方法である。よって、一実施例では、放射集光器の少なくとも一部及び包囲カバー５００の少なくとも一部の少なくとも一方に対してＳｎの標準還元電位よりも低い電位を課すよう設計され構成されている電圧源をさらに備えるクリーニング装置が提供されてもよい。特にこの電位により、リフレクタ１４２、１４３、１４６の背面などの光学的に機能していない部位、またはカバー２００の内表面及び／またはドア／シャッタ１２０、１３０の内表面などのクリーニング液にさらされる包囲カバー５００の部位が保護される。
【０１１４】
具体的な実施例では、電圧は少なくとも−１．０Ｖであり、変形例では少なくとも−１．５Ｖまたはそれ以下であり、更なる変形例では−２Ｖ以下であり、また例えば−３Ｖ以下であり、−４Ｖ以下であり、または少なくとも−５Ｖ以下である。負の電位を課すために電圧供給源が、保護されるべき表面に接続されて用いられてもよい。
【０１１５】
ここでは特にＩＣの製造における露光装置の使用を例として説明しているが、ここで記述されたシステムは他の用途にも適用可能である。例えば光集積回路システムや磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むフラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造に用いることが可能である。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は上述のまたは他の基板処理装置に適用しうる。また、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよい。基板という用語は既に処理された多数の層を含む基板を示すものであってもよい。
【０１１６】
ここでは特に光学的なリソグラフィーを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は他にも適用な可能であり、例えばインプリントリソグラフィーなど文脈が許す限り光学的なリソグラフィーに限られるものではない。インプリントリソグラフィーでは、パターニング用デバイスの局所的な凹凸（トポグラフィー）が  基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外部に移動される。
【０１１７】
これまでに本発明の具体的な実施例が説明されているが、説明された以外の方式で本発明を実施することも可能である。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読取可能な１つ以上のシークエンスを含むコンピュータプログラムの形式、またはこのコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリや磁気・光ディスク）の形式であってもよい。このコンピュータプログラムは、堆積物の除去の制御、圧力制御、分圧制御、気体の流れの制御、ドア・シャッタ１２０、１３０の制御などに用いることができる。
【０１１８】
ここでの説明は発明をわかりやすく説明するためのものであって、発明を限定する趣旨ではない。よって、当業者は、請求の範囲から離れることなく本発明に修正を加えることができるであろう。
【０１１９】
本発明は、実施例に記載された露光装置での使用または露光装置への適用に限られるものではない。また、図面にはたいてい、本発明を理解するのに必要な構成だけを含めている。露光装置の図は模式的なものであり実物と同じ縮尺ではない。本発明は図面に示される構成要素には限定されない（例えば図面には複数のミラーが描かれている）。また、本発明は、図１及び図２を参照して説明される露光装置に限定されない。放射集光器に関して説明された本発明は、（他の）多層、回折格子入射ミラーまたは他の光学要素にも適用可能である。上述の実施形態は組み合わされてもよい。例えば、図示されるものよりも多くの加熱要素３８またはホットフィラメント１１０（１）、１１０（２）があってもよく、図示される場所以外のところにあってもよい。また、気体供給源及びポンプのそれぞれ、インレット及びアウトレットのそれぞれは、交換可能な場合もある。例えば気体供給用のインレットは、引き続いて気体排出用のアウトレットとして用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。
【図２】図１の露光装置のＥＵＶ照明系及び投影光学系を模式的に示す側年図である。
【図３】ソースコレクタモジュールの断面を模式的に示す図である。
【図４】ソースコレクタモジュールの代替例の断面を模式的に示す図である。
【図５】使用しうる異なる汚染物質バリアを示す図である。
【図６】ソースコレクタモジュールの更なる代替例の断面を模式的に示す図である。
【図７】コレクタチャンバ及びコレクタアセンブリを示す斜視図である。
【図８】クリーニング装置の異なる選択肢を模式的に示す図である。
【図９】フィラメントを有する放射集光器を示す図である。
【図１０】温度制御部を有する放射集光器を示す図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１  露光装置、  ６  気体供給源、  ４０  制御部、  ４２  放射系、  ４４  照明ユニット、  ４８  コレクタチャンバ、  ４９  汚染物質バリア、  ５０  放射集光器、  １１０  フィラメント、  １２０  バリア、  １３０  バリア、  ２００  カバー、  ２０１  中空軸、  ２０４  モータ、  ２１０  ケーブル、  ２１１  フランジ、  ２１２  支持部材、  ２１４  カバープレート、  ２１６  開口部、  ５００  包囲カバー、  ６００  クリーニング装置。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
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