(57)【要約】      （修正有）【課題】高い配線密度の配線基板にソルダーマスク作製時間を削減できるソルダーマスクの形成方法と高い配線密度の配線基板とを提供することにある。【解決手段】配線基板３００上のベース層３１０の表面にソルダーマスクを形成することに適しており、そのうち、前記表面が第１領域Ａ１および第２領域Ａ２ならびに前記表面上に配線パターンを有する前記配線基板を含むものであり、前記方法が以下のステップ：スクリーン印刷プロセスを実行することにより前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に第１サブソルダーマスク３３０ａを形成すること；およびインクジェットプロセスを実行することにより前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に第２サブソルダーマスク３３０ｂ形成することを包括するものである。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーマスクを形成する方法であって、配線基板上のベース層の表面にソルダーマスクを形成することに適しており、そのうち、前記表面が第１領域および第２領域ならびに前記表面上に配線パターンを有する前記配線基板を含むものであり、前記方法が以下のステップ：
スクリーン印刷プロセスを実行することにより前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に第１サブソルダーマスクを形成すること；および
インクジェットプロセスを実行することにより前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に第２サブソルダーマスク形成すること；
を包括するものであることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１の前記方法であって、そのうち、前記第２サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション（junction）中で既に形成された前記第１サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものであることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１の前記方法であって、そのうち、前記第１サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション中で既に形成された前記第２サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものであることを特徴とする方法。
【請求項４】
ソルダーマスクを形成する方法であって、配線基板上のベース層の表面にソルダーマスクを形成することに適しており、そのうち、前記表面が第１領域および第２領域ならびに前記表面上に配線パターンを有する前記配線基板を含むものであり、前記方法が以下のステップ：
フォトリソグラフィープロセスを実行することにより前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に第１サブソルダーマスクを形成すること；および
インクジェットプロセスを実行することにより前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に第２サブソルダーマスク形成すること；
を包括するものであることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４の前記方法であって、そのうち、前記第２サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション中で既に形成された前記第１サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものであることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４の前記方法であって、そのうち、前記第１サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション中で既に形成された前記第２サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものであることを特徴とする方法。
【請求項７】
その上に形成されたソルダーマスクを有する配線基板であって：
第１領域および第２領域に分割された表面を有するベース層；
前記ベース層の前記表面上に配置された配線パターン；
前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に配置された第１サブソルダーマスク；および
前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に配置された第２サブソルダーマスクであり、前記第２サブソルダーマスクが前記第１領域および前記第２領域間のジャンクション（junction）中で前記第１サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするもの；
を包括するものであることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項７の前記配線基板であって、そのうち、前記第１サブソルダーマスクが前記第１領域中の前記配線パターンの一部をカバーするものであることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項７の前記配線基板であって、そのうち、前記第２サブソルダーマスクが前記第２領域中の前記配線パターンの一部を露出するものであることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項７の前記配線基板であって、そのうち、前記第１領域内の前記配線パターンの前記領域が前記第２領域内の配線パターンの前記領域よりも小さい配線密度を有するものであること特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項７の前記配線基板であって、そのうち、前記第１サブソルダーマスクが前記第２サブソルダーマスクよりも大きい厚さを有するものであることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項７の前記配線基板であって、そのうち、前記第１サブソルダーマスクが前記第２サブソルダーマスクよりも小さい厚さを有するものであることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ソルダーマスクを形成する方法に関し、特に、配線基板上にソルダーマスクを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル電子技術の急速な発展にともなって、印刷配線基板がデジタル電子製品に広く使用されている。モバイル電話、コンピューター、デジタルカメラなどのような電子製品は、印刷配線基板をともなって製造される。言い換えれば、配線基板は、ほぼ全部の電子装置に使用されている。製造方法によって、配線基板は、２つの主要なタイプ：ラミネーション法（lamination method）およびビルトアップ法（built-up method）に分けることができる。一般に、ラミネーション法は、低い配線密度を有する印刷配線基板（Printed Wiring Board = PWB）の製造に供給される。反対に、ビルトアップ法は、高い配線密度を備えたパッケージ基板に供給される。しかしながら、高い配線密度を備えた配線基板への動向により、ＰＷＢまたはパッケージ基板のいずれにも関わりなく、ＰＷＢおよびパッケージ基板の設計は、高い配線密度ならびに細い線幅の要求に直面しなければならないものとなっている。
【０００３】
上述したように、配線基板は、外部の電子装置へのサポートおよび装置間の電流伝達の媒体を提供するためのものである。従って、配線基板の製造において、外部電子装置の組み立て領域の配線が定義されなければならず、また、高分子重量層が非組み立て領域をカバーして配線基板の保護として提供されなければならない。保護高分子重量層は、しばしばソルダーマスクと呼ばれている。従来において、配線基板上にソルダーマスクを形成するコーティング過程は、配線基板の表面にフォトリソグラフィーインク層をスプレーする；パターン化ソルダーマスクを製造するために、フォトリソグラフィーインク層が露光ならびに現像されるものとなっている。
【０００４】
図１（Ａ）は、その上にソルダーマスクを有する従来の配線基板を示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿って示した要部断面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示した配線基板１００は、ベース層１１０と、配線パターン１２０と、ソルダーマスク１３０とを含んでいる。ベース層１１０は、例えば、単一な絶縁層、あるいは複数のパターン化導電層および少なくとも１つの絶縁層が交互に積み重ねられたものである。ベース層１１０の表面上の配線パターン１２０は、複数のパッド１２２と複数の導電トレース１２４とを含んでいる。パッド１２２は、ソルダーマスク１３０の開口１３０ａによって露出され、キャパシターまたはダイオードのような他の外部電子装置に対する搭載および接続に使用される。導電トレース１２４は、電流信号を伝送するためにパッド１２２に接続される。また、ソルダーマスク１３０もまた外部装置に接続されていない導電トレース１２４の他の部分（エリアは、図１（Ａ）に点線で表示）をカバーして何らかの保護を提供している。
【０００５】
例えば、非ソルダーマスク定義（NSDM）を使用することにより、配線基板１２０のパッド１２２および開口１３０ａ間にギャップｄ１ができる。ソルダーマスク１３０を形成するプロセスにおいて、ギャップｄ１の寸法は、主要には、コーティング機械のアラインメント精度によって決定される。一般に、スクリーン印刷法をソルダーマスク１３０の製造に使用すると、アラインメント精度が低いので、パッド１２２を直接被覆してパッド１２２の露出された表面を減少させることからソルダーマスク１３０を守るためにギャップｄ１を大きくしなければならない。反対に、もしもより高いアラインメント精度を備えているフォトリソグラフィックプロセスがソルダーマスク１３０の製造に使用されるならば、ギャップｄ１は、スクリーン印刷法により製造されるものより小さくすることができる。かくして、配線基板１００の配線密度を向上させることができる。
【０００６】
配線基板１００の高い配線密度の要求にともなって、パッドｄ１およびソルダーマスク１３０の開口１３０ａ間のギャップｄ１が減らされなければならず、より多くの配線パターン１２０を同一エリア内に適合させることができる。従って、フォトリソグラフィックプロセスがアラインメントの高い精度要求のためにソルダーマスク１３０の形成手段としてより多く採用されるようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
より大きな配線基板１００を製造するという今後の動向にともなって、より小さいギャップｄ１を製作できるソルダーマスク１３０を形成するフォトリソグラフィック法でさえも配線基板の拡張ならびに縮小のために精確なアラインメントを獲得するための複数の垂下基板（trail substrates）を必要とする。その代わりに、ガラス基板または分離露光法（separate exposure method）がこの問題を解決するために使用される。しかしながら、後述した方法は、ソルダーマスク１３０を形成するプロセスを複雑にするだけでなく、製造コストの増大も相当なものがある。インクジェット印刷プロセスは、比較的小さいギャップｄ１を備える高いアラインメントのソルダーマスク１３０を製造するために拡張ならびに縮小を補うことができるものの、より大きい配線基板１００をコーティングする必要があるため、製造工程のスローダウンを導くものとなる。その結果として、製造コストの増大が高い配線密度を備えた配線基板１００の大量生産のためにインクジェット印刷技術を不適切なものにしている。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、高い配線密度の配線基板においてソルダーマスクを作製するのに必要な時間を削減することのできるソルダーマスクの形成方法を提供することにある。
【０００９】
この発明の別な目的は、製作時間を短縮したソルダーマスクを備える高い配線密度の配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、ソルダーマスクを形成する方法であって、配線基板上のベース層の表面にソルダーマスクを形成することに適しており、そのうち、前記表面が第１領域および第２領域ならびに前記表面上に配線パターンを有する前記配線基板を含むものであり、前記方法が以下のステップ：スクリーン印刷プロセスを実行することにより前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に第１サブソルダーマスクを形成すること；およびインクジェットプロセスを実行することにより前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に第２サブソルダーマスク形成することを包括するものである。
【００１１】
この発明の実施形態において、前記第２サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション（junction）中で既に形成された前記第１サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものである。
【００１２】
この発明の実施形態において、前記第１サブソルダーマスクが第１領域および第２領域間のジャンクション中で既に形成された前記第２サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成されるものである。
【００１３】
この発明の実施形態において、その上に形成されたソルダーマスクを有する配線基板であって：第１領域および第２領域に分割された表面を有するベース層；前記ベース層の前記表面上に配置された配線パターン；前記第１領域中の前記ベース層の前記表面上に配置された第１サブソルダーマスク；および前記第２領域中の前記ベース層の前記表面上に配置された第２サブソルダーマスクであり、前記第２サブソルダーマスクが前記第１領域および前記第２領域間のジャンクション（junction）中で前記第１サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするものを包括するものである。
【００１４】
この発明の実施形態において、前記第１領域内の前記配線パターンの前記領域が前記第２領域内の配線パターンの前記領域よりも小さい配線密度を有するものである。
【００１５】
この発明の実施形態において、前記第１サブソルダーマスクが前記第１領域中の前記配線パターンの一部をカバーするとともに、前記第２サブソルダーマスクが前記第２領域中の前記配線パターンの一部を露出するものである。
【００１６】
この発明の実施形態において、前記第１サブソルダーマスクが前記第２サブソルダーマスクよりも大きい厚さを有するものであるか、または、前記第１サブソルダーマスクが前記第２サブソルダーマスクよりも小さい厚さを有するものである。
【００１７】
つまり、この発明は、スクリーン印刷またはフォトリソグラフィックプロセスをインクジェット印刷プロセスと一緒に使用して、短縮された製造時間および高いアラインメント精度ならびに信頼性を備える配線基板上のソルダーマスクを製造するものである。従って、高い配線密度を備えた配線基板の大量生産に適合した方法であり、生産性が向上し、製造コストが低減するものである。
【発明の効果】
【００１８】
この発明の利点は、以下の通りである。
１．インクジェット印刷プロセスが高い配線密度を有する配線基板の領域上にソルダーマスクを形成するために用いられるので、配線基板の配線パターンおよびソルダーマスク間のギャップが低減する。その結果、この発明は、高い配線密度を備える配線基板上にソルダーマスク層を形成するのに適したものとなる。
２．スクリーン印刷プロセスまたはフォトリソグラフィックプロセスがインクジェット印刷プロセスと一緒に使用されて配線基板上にソルダーマスクを形成するため、この発明は、高い配線密度を備える配線基板上にソルダーマスクを形成する速度を向上させることができ、配線基板の生産性を向上させ、全体的な製造コストを低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施例＞
図２（Ａ）と図３（Ａ）と図４（Ａ）とは、この発明の第１実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示す要部断面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示す要部断面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示す要部断面図である。図２（Ａ）と図２（Ｂ）とにおいて、配線基板３００は、ベース層３１０と、ベース層３１０の表面３１０ａ上に配置された配線パターン３２０とを含む。ベース層３１０は、例えば、単一な絶縁層であるか、または複数のパターン化導電層および少なくとも１つの絶縁層を互いの上に代わる代わる積み上げられたものからなる。配線パターン３２０は、複数のパッド３２２と複数の導電トレース３２４とを含む。パッド３２２は、外部電子デバイスへの導電手段を支持ならびに提供するために使われるとともに、導電トレース３２４は、信号電流を伝送するために使われる。
【００２０】
図２（Ａ）において、点線がベース層３１０の表面３１０ａを第１領域Ａ１および第２領域Ａ２に分けている。つまり、ベース層３１０の表面３１０ａ上の第１領域Ａ１および第２領域Ａ２が点線によって示されたジャンクション（junction）Ｉに存在する。第１実施例では、第２領域Ａ２の配線密度が第１領域の配線密度よりも高い。配線パターン３２０中のパッド３２２は、配線密度の高い第２領域Ａ２に位置している。
【００２１】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）とに示したように、スクリーン印刷プロセスによって第１領域Ａ１中のベース層３１０の表面３１０ａ上に第１サブソルダーマスク３３０ａが形成されるとともに、第１サブソルダーマスク３３０ａが第１領域Ａ１中の配線パターン３２０の一部分をカバーしている。配線基板３００の表面３１０ａ上の第１領域Ａ１が低い配線密度を有しているので、インク層が第１サブソルダーマスク３３０ａを形成するためにスクリーン印刷法によりコーティングされることができる。この段階では、高い配線密度を有する表面３１０ａ上の第２領域Ａ２には、その上に形成または堆積されるソルダーマスク材料がない。
【００２２】
図４（Ａ）と図４（Ｂ）とに示したように、スクリーン印刷プロセスを介して第１サブソルダーマスク３３０ａを形成した後、インクジェット印刷法が第２領域Ａ２中のベース層３１０の表面３１０ａ上に第２サブソルダーマスク３３０ｂを形成するために使われる。さらに、第２サブソルダーマスク３３０ｂ中の開口３３２もまた配線パターン３２０のパッド３２２（部分）を露出させる。第２領域Ａ２中の表面３１０ａが高い配線密度を有するため、ソルダーマスクを形成して第２領域Ａ２を覆う時には、より精確なアラインメントが必要となる。従って、高い精度を有するインクジェット印刷法が第２サブソルダーマスク３３０ｂを形成して第２領域Ａ２を覆うために使用される。配線基板３００を覆うソルダーマスクを形成するインクジェット印刷法は、スクリーン印刷またはフォトリソグラフィックプロセスと比較して高いアラインメント精度を有するから、第２サブソルダーマスク３３０ｂおよび配線パターン３２０のパッド３２２間のギャップｄ１が従来技術（図１（Ａ）および図１（Ｂ）に図示）により作製されたギャップｄ１より小さいものとなる。この段階までで、配線基板３００のベース層３１０上に第１サブソルダーマスク３３０ａおよび第２サブソルダーマスク３３０ｂからなるソルダーマスクを製造するために求められるステップが完了する。
【００２３】
注意すべきことは、図４（Ｂ）に示したように、第２サブソルダーマスク３３０ｂが第１領域Ａ１および第２領域Ａ２間のジャンクションＩ上で既に形成されている第１サブソルダーマスク３３０ａと部分的にオーバーラップするように形成されるということである。これにより、第１領域Ａ１中の第１サブソルダーマスク３３０ａおよび第２領域Ａ２中の第２サブソルダーマスク３３０ｂ間のジャンクションＩ上にギャップを設けないことを確実にするものである。
【００２４】
同じく、図４（Ｂ）において、第２サブソルダーマスク３３０ｂの厚さは、ある値だけ第１サブソルダーマスク３３０ａの厚さよりも小さくなっている。しかしながら、この実施形態は、第２サブソルダーマスク３３０ｂの厚さをそのようなものにだけ限定するものではない。図５は、図４（Ａ）中で第１サブソルダーマスクよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスクを示す要部断面図である。図５において、インクジェットプロセスで第１サブソルダーマスク３３０ａよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスク３３０ｂを作製する。さらに、第２サブソルダーマスク３３０ｂが、また第１領域Ａ１および第２領域Ａ２間のジャンクションＩ上で既に形成されている第１サブソルダーマスク３３０ａと部分的にオーバーラップするように形成される。これによって、第１領域Ａ１中の第１サブソルダーマスク３３０ａおよび第２領域Ａ２中の第２サブソルダーマスク３３０ｂ間のジャンクションＩ上にギャップを設けないことを確実にするものである。
＜第２実施例＞
次に、別な実施形態が配線基板上にソルダーマスクを形成するプロセスの説明に使用される。図６（Ａ），図７（Ａ），図８（Ａ），図９（Ａ）は、この発明の第２実施例にかかるサブソルダーマスクを形成する方法を示す平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。図６（Ａ）と図６（Ｂ）とにおいて、配線基板４００は、図２（Ａ）の配線基板３００に類似した構造を有している。配線基板４００は、ベース層４１０と、ベース層４１０の表面４１０ａ上に配置された配線パターン４２０とを含む。ベース層４１０をパターン化するプロセスは、第１実施例で使われたプロセスと同一であるから、改めて説明しない。配線パターン４２０は、複数のパッド４２２と複数の導電トレース４２４とを含む。第２実施例では、図６（Ａ）に点線で表示されたジャンクション（junction）Ｉがベース層４１０の表面４１０ａを低い配線密度を備える第１領域Ａ１と高い配線密度を備える第２領域Ａ２とに分けている。配線パターン４２０のパッド４２２は、第２領域Ａ２に位置し、高い配線密度を備えている。
【００２５】
図７（Ａ）と図７（Ｂ）とに示すように、感光インク層Ｏがベース層４１０の表面４１０ａ（第１領域Ａ１および第２領域Ａ２ともに含む）上に全体的に堆積されて配線パターン４２０全体をカバーしている。
【００２６】
図８（Ａ）と図８（Ｂ）とに示すように、ベース層４１０の表面４１０ａ上に感光インク層Ｏを形成した（図７（Ａ）と図７（Ｂ）とに図示）後、感光インク層Ｏが露光ならびに現像されて第１サブソルダーマスク４３０ａを形成し、第１領域Ａ１中の配線パターン４２０の一部分をカバーする。第２実施例では、第１サブソルダーマスク４３０ａが第１領域Ａ１に適合したパターン輪郭を有するとともに、第２領域Ａ２を露出させる。従って、図７（Ａ）と図７（Ｂ）とに示した感光インク層Ｏの露光および現像プロセスを実施した後に、図８（Ａ）と図８（Ｂ）とに示した第１サブソルダーマスク４３０ａが形成される。
【００２７】
図９（Ａ）と図９（Ｂ）とに示したように、フォトリソグラフィックプロセスでパターン化された第１サブソルダーマスクを形成した後、第２領域Ａ２中でベース層４１０の表面４１０ａ上に第２サブソルダーマスク４３０ｂを形成するためにインクジェット印刷プロセスが実施される。第２サブソルダーマスク４３０ｂ中の開口４３２により配線パターン４２０のパッド４２２（一部分）がそれぞれ露出される。第１実施例と同様に、第２領域Ａ２にソルダーマスクを形成するプロセスは、第２領域Ａ２中の配線基板４００の表面４１０ａ上の配線密度が高いので、高いアラインメント精度が要求される。従って、高いアラインメント精度を提供することのできるインクジェット印刷プロセスが第２領域Ａ２上に第２サブソルダーマスクを形成するために適切な方法である。インクジェット印刷プロセスは、スクリーン印刷プロセスまたはフォトリソグラフィックプロセスのどちらよりも高いアラインメント精度を有するので、第２サブソルダーマスク４３０ｂおよび配線パターン４２０のパッド４２２間のギャプｄ３が従来技術（図１（Ａ）、図１（Ｂ）に図示）で作製されるギャップｄ１よりも小さいものとなる。この段階に至って、第１サブソルダーマスク４３０ａおよび第２サブソルダーマスク４３０ｂからなるソルダーマスクを配線基板４００のベース層４１０上に製作するために必要とされるステップが完了する。
【００２８】
第１実施例と同様に、第２サブソルダーマスク４３０ｂは、図９（Ｂ）に示すように、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２間のジャンクションＩ上で既に形成されている第１サブソルダーマスク４３０ａとオーバーラップするように形成され、第１領域Ａ１中の第１サブソルダーマスク４３０ａおよび第２領域Ａ２中の第２サブソルダーマスク４３０ｂ間のジャンクションＩにギャップが存在しないことを確実なものとしている。
【００２９】
図９（Ｂ）に示すように、第２サブソルダーマスク４３０ｂの厚さは、第１サブソルダーマスク４３０ａの厚さより一定値だけ小さくなっている。しかしながら、この実施形態は、第２サブソルダーマスク３３０ｂの厚さをそのようなものだけに限定するものではない。図１０は、図９（Ａ）中で第１サブソルダーマスクよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスクを示す要部断面図である。図１０において、インクジェットプロセスで第１サブソルダーマスク３３０ａよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスク３３０ｂを作製する。さらに、第２サブソルダーマスク３３０ｂが、また第１領域Ａ１および第２領域Ａ２間のジャンクションＩ上で既に形成されている第１サブソルダーマスク３３０ａと部分的にオーバーラップするように形成される。
【００３０】
上述した２つの実施例において、第１サブソルダーマスク４３０ａは、第２サブソルダーマスク４３０ｂを形成する前に配線基板のベース層上に形成される。当然のことながら、このことは、この発明の範囲を限定するものではない。ソルダーマスクを形成するプロセスにおいて、第２サブソルダーマスクは、第１サブソルダーマスクを形成する前に形成することができる。ジャンクション（junction）上での第１サブソルダーマスクおよび第２サブソルダーマスク間の緊密な結合を確実なものとするために、第１サブソルダーマスクは、第１領域および第２領域間のジャンクション（junction）上で既に形成されている第２サブソルダーマスクと部分的にオーバーラップするように形成される。さらに、第１サブソルダーマスクの厚さは、第２サブソルダーマスクの厚さよりも大きい、あるいは、小さいものとすることができる。
【００３１】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）は、その上にソルダーマスクを有する従来の配線基板を示した平面図であり、（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿って示した要部断面図である。
【図２】（Ａ）は、この発明の第１実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示した要部断面図である。
【図３】（Ａ）は、この発明の第１実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図３（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示した要部断面図である。
【図４】（Ａ）は、この発明の第１実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図４（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿って示した要部断面図である。
【図５】図４（Ａ）中で第１サブソルダーマスクよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスクを示す要部断面図である。
【図６】（Ａ）は、この発明の第２実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図６（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。
【図７】（Ａ）は、この発明の第２実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図７（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。
【図８】（Ａ）は、この発明の第２実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図８（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。
【図９】（Ａ）は、この発明の第２実施例にかかるソルダーマスクを形成する方法を示す平面図であり、（Ｂ）は、図９（Ａ）のＹ−Ｙ′線に沿って示した要部断面図である。
【図１０】図９（Ａ）中で第１サブソルダーマスクよりも大きな厚さを有する第２サブソルダーマスクを示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
３００，４００  配線基板
３１０，４１０  ベース層
３１０ａ，４１０ａ  表面
３２０，４２０  配線パターン
３２２，４２２  パッド
３２４，３２４  導電トレース
３３２，４３２  開口
３３０ａ，４３０ａ  第１サブソルダーマスク
３３０ｂ、４３０ｂ  第２サブソルダーマスク
Ａ１  第１領域
Ａ２  第２領域
Ｉ  ジャンクション（junction）
ｄ２，ｄ３  ギャップ
【図１】
2007129178.tif 000003
【図２】
2007129178.tif 000004
【図３】
2007129178.tif 000005
【図４】
2007129178.tif 000006
【図５】
2007129178.tif 000007
【図６】
2007129178.tif 000008
【図７】
2007129178.tif 000009
【図８】
2007129178.tif 000010
【図９】
2007129178.tif 000011
【図１０】
2007129178.tif 000012