(57)【要約】【課題】コントラスト比を高めたエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】一対の透光性基板間にエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置において、それらの外側に配置された、積層された偏光板を有する円偏光板を設ける。このとき、対向する偏光板同士はクロスニコルまたはパラレルニコルとなるように配置する。その結果、コントラスト比の高い表示装置を提供することができる。【選択図】図１
2007180024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有し、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、
前記第１の透光性基板と、前記第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の透光性基板と、前記第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、
前記第１の透光性基板と、前記第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の透光性基板と、前記第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、
前記第１の透光性基板と、前記第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の透光性基板と、前記第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、
前記第１の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置され、
前記第２の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、
前記第１の透光性基板と、前記第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の透光性基板と、前記第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、
前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、
前記第１の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置され、
前記第２の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置された
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コントラスト比を高めるための表示装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のブラウン管と比べて、非常に薄型、軽量化を図った表示装置、所謂フラットパネルディスプレイにつき、開発が進められている。フラットパネルディスプレイには、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置、自発光素子を有する表示装置、電子源を利用したＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）等が競合しており、付加価値を高め、他製品と差別化するために低消費電力化、高コントラスト化が求められている。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、互いの基板にそれぞれ一枚の偏光板が設けられており、コントラスト比を維持している。コントラスト比が高まるにつれ、きれいな黒表示を行うことができ、ホームシアターのように暗室で映像を見る場合に、高い表示品質を提供することができる。
【０００４】
例えば、コントラスト比を高めるため、液晶セルの視認側にある基板の外側に第１の偏光板を設け、視認側と反対の基板の外側に第２の偏光板を設け、当該基板側に設けられた補助光源からの光を第２の偏光板を通して偏光させて液晶セルを通過する際、第３の偏光板を設ける構成が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
液晶表示装置と同様なフラットパネルディスプレイとして、エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置がある。エレクトロルミネッセンス素子は自発光型の素子であり、バックライト等の光照射手段を不要とすることができ、表示装置の薄型化を図ることができる。さらにエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置は、液晶表示装置と比較して、応答速度が速く、視野角依存も少ないといったメリットを有する。
【０００６】
このようなエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置に対しても、偏光板や円偏光板を設けた構成が提案されている（特許文献２、３参照）。
【０００７】
またエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置の構成として、透光性基板に挟持された発光素子から発光する光は、陽極基板側の光と、陰極基板側の光として観測することが可能なものが提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】国際公開第００／３４８２１号パンフレット
【特許文献２】特許第２７６１４５３号公報
【特許文献３】特許第３１７４３６７号公報
【特許文献４】特開平１０−２５５９７６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、コントラスト比を高める要求は、液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置に対しても求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を鑑み本発明は、互いに対向するように配置された透光性基板に、それぞれ複数の偏光板を有する円偏光板を設けることを特徴とする。複数の偏光板は、積層構造を有する偏光板とすることができる。なお、円偏光板とは、偏光板と位相差板とを有する構成のため、本発明は、互いに対向するように配置された透光性基板に、それぞれ位相差板と、複数の偏光板とを順に配置することを特徴とする。
【００１０】
対向する偏光板は、クロスニコル又はパラレルニコルとなるように配置する。クロスニコルとは、偏光板の透過軸同士が９０°ずれる配置である。パラレルニコルは、偏光板の透過軸同士のずれが０°となるような配置である。なお偏光板の透過軸と直交するように吸収軸が設けられおり、クロスニコルやパラレルニコルは吸収軸を用いても同様に規定される。積層された偏光板同士は、パラレルニコルとなるように配置する。
【００１１】
一方の基板側に設けられた偏光板と、位相差板とは、４５°ずれるように配置する。具体的には、偏光板の透過軸が９０°のとき、位相差板の遅相軸は４５°又は１３５°となるように配置する。
【００１２】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有することを特徴とする表示装置である。
【００１３】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１４】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１５】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１６】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１７】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１８】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸同士はパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸とは４５°となるように配置されたことを特徴とする表示装置である。
【００１９】
本発明において、表示素子は発光素子である。発光素子としてエレクトロルミネッセンスを利用した素子（エレクトロルミネッセンス素子）、プラズマを利用した素子や電界放出を利用した素子がある。エレクトロルミネッセンス素子は適用する材料により、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子と区別されうる。このような発光素子を有する表示装置を発光装置とも記す。
【発明の効果】
【００２０】
複数の偏光板を設けるといった簡便な構造により、発光素子を有する表示装置のコントラスト比を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。本実施の形態では、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いて説明する。
【００２３】
図１に示すように、互いに対向するように配置された第１の透光性基板１０１及び第２の透光性基板１０２に、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１００が挟持されている。エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の透光性基板１０１側及び第２の透光性基板１０２側（点線矢印方向）に発光した光を放射することが可能である。透光性基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。
【００２４】
第１の透光性基板１０１及び第２の透光性基板１０２の外側、つまりエレクトロルミネッセンス素子を有する層１００と接しない側には、位相差板、積層された偏光板が設けられている。光は、偏光板により直線偏光され、位相差板により円偏光される。すなわち、積層された偏光板は、積層された直線偏光板と記すことができる。積層された偏光板は、２つ以上の偏光板が積層された状態を指す。
【００２５】
第１の透光性基板１０１の外側には、順に位相差板（Ａ）１１３、第１の偏光板（Ａ）１１１、第２の偏光板（Ａ）１１２が設けられている。このように位相差板、この場合はλ／４板と、積層された偏光板とを合わせて、積層された偏光板（直線偏光板）を有する円偏光板とも記す。第１の偏光板（Ａ）１１１の透過軸（Ａ）と、第２の偏光板（Ａ）１１２の透過軸（Ａ）とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板（Ａ）１１１と、第２の偏光板（Ａ）１１２、つまり積層された偏光板（Ａ）はパラレルニコルとなるように配置される。
また位相差板（Ａ）１１３の遅相軸（Ａ）は、第１の偏光板（Ａ）１１１の透過軸（Ａ）及び第２の偏光板（Ａ）１１２の透過軸（Ａ）と４５°ずれるように配置される。
【００２６】
図２（Ａ）には、透過軸（Ａ）、遅相軸（Ａ）のずれ角を示す。遅相軸（Ａ）が１３５°をなし、透過軸（Ａ）は９０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。
【００２７】
また第２の透光性基板１０２の外側には、順に位相差板（Ｂ）１２３、第１の偏光板（Ｂ）１２１、第２の偏光板（Ｂ）１２２が設けられている。このように位相差板と、積層された偏光板とを合わせて、積層された偏光板を有する円偏光板とも記す。第１の偏光板（Ｂ）１２１の透過軸（Ｂ）と、第２の偏光板（Ｂ）１２２の透過軸（Ｂ）とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板（Ｂ）１２１と、第２の偏光板（Ｂ）１２２、つまり積層された偏光板（Ｂ）はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板（Ｂ）１２３の遅相軸（Ｂ）は、第１の偏光板（Ｂ）１２１の透過軸（Ｂ）及び第２の偏光板（Ｂ）１２２の透過軸（Ｂ）と４５°ずれるように配置される。
【００２８】
図２（Ｂ）には、透過軸（Ｂ）、遅相軸（Ｂ）のずれ角を示す。遅相軸（Ｂ）が４５°をなし、透過軸（Ｂ）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。すなわち積層された偏光板（Ａ）の透過軸に対し、位相差板（Ａ）の遅相軸が４５°となる、つまり４５°傾くように配置され、積層された偏光板（Ｂ）の透過軸に対し、位相差板（Ｂ）の遅相軸が４５°となる、つまり４５°傾くように配置される。
【００２９】
そして、第１の透光性基板１０１に設けられた、積層された偏光板（Ａ）の透過軸（Ａ）と、第２の透光性基板１０２に設けられた、積層された偏光板（Ｂ）の透過軸（Ｂ）とは直交することを特徴とする。すなわち、積層された偏光板（Ａ）と、積層された偏光板（Ｂ）、つまり対向する偏光板はクロスニコルをなすように配置する。
【００３０】
また図２（Ｃ）には、透過軸（Ａ）及び遅相軸（Ａ）を実線で示し、透過軸（Ｂ）及び遅相軸（Ｂ）を点線で示し、これらを重ねた状態を示す。図２（Ｃ）より、透過軸（Ａ）と透過軸（Ｂ）はクロスニコル状態を有し、且つ遅相軸（Ａ）と遅相軸（Ｂ）ともクロスニコル状態を有することがわかる。
【００３１】
これら偏光板は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とヨウ素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とヨウ素の混合層により、偏光度を制御することができる。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。
【００３２】
なお、偏光板の特性上、吸収軸と直交方向には透過軸がある。そのため、透過軸同士が平行となる場合もパラレルニコルと呼ぶことができる。
【００３３】
また位相差板の特性上、遅相軸と直交方向には進相軸がある。そのため、偏光板との配置は、遅相軸だけではなく進相軸を用いて決定することができる。本実施の形態では、透過軸と遅相軸が４５°ずれるように配置するため、言い換えると、透過軸と進相軸とが１３５°ずれるように配置することとなる。
【００３４】
そして、円偏光板には位相差板を数枚重ね合わせることによってｓ波とｐ波の位相差が９０度の波長範囲を広げることができる広帯域化された円偏光板があるが、この場合においても第１の透光性基板１０１の外側に配置する各位相差板の遅相軸と第２の透光性基板１０２の外側に配置する各位相差板とで同じ位相差板の遅相軸同士は９０度に配置され、かつ対向する偏光板の透過軸同士はクロスニコル配置であればよい。
【００３５】
このように積層された偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をクロスニコルとなるように配置する。このような偏光板を有する円偏光板を設けることにより、偏光板単層同士がクロスニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。
【００３６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、透過軸（Ａ）と透過軸（Ｂ）とがパラレルニコル状態、つまり対向する偏光板同士がパラレルニコル状態を有する表示装置の概念について説明する。
【００３７】
図３に示すように、第１の透光性基板２０１及び第２の透光性基板２０２に、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１００が挟持されている。エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の透光性基板２０１側及び第２の透光性基板２０２側に発光する。そして、第１の透光性基板２０１の外側には、順に位相差板（Ａ）２１３、第１の偏光板（Ａ）２１１、第２の偏光板（Ａ）２１２が設けられている。第１の偏光板（Ａ）２１１の透過軸（Ａ）と、第２の偏光板（Ａ）２１２の透過軸（Ａ）、つまり積層された偏光板（Ａ）はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板（Ａ）２１３の遅相軸（Ａ）は、第１の偏光板（Ａ）２１１の透過軸（Ａ）及び第２の偏光板（Ａ）２１２の透過軸（Ａ）と４５°ずれるように配置される。
【００３８】
図４（Ａ）には、透過軸（Ａ）、遅相軸（Ａ）のずれ角を示す。遅相軸（Ａ）が４５°をなし、透過軸（Ａ）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。
【００３９】
また第２の透光性基板２０２の外側には、順に位相差板（Ｂ）２２３、第１の偏光板（Ｂ）２２１、第２の偏光板（Ｂ）２２２が設けられている。第１の偏光板（Ｂ）２２１と、第２の偏光板（Ｂ）２２２、つまり積層された偏光板（Ｂ）はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板（Ｂ）２２３の遅相軸（Ｂ）は、第１の偏光板（Ｂ）２２１の透過軸（Ｂ）及び第２の偏光板（Ｂ）２２２の透過軸（Ｂ）と４５°ずれるように配置される。
【００４０】
図４（Ｂ）には、透過軸（Ｂ）、遅相軸（Ｂ）のずれ角を示す。遅相軸（Ｂ）が４５°をなし、透過軸（Ｂ）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。すなわち第１の偏光板の透過軸に対し、位相差板（Ａ）の遅相軸が４５°となる、つまり４５°傾くように配置され、第２の偏光板の透過軸に対し、位相差板（Ｂ）の遅相軸が４５°となる、つまり４５°傾くように配置され、積層された偏光板（Ａ）の透過軸に対し、積層された偏光板（Ｂ）の透過軸は０°となる、つまり０°傾くように配置される。
【００４１】
そして、上記実施の形態と異なり、第１の透光性基板２０１に設けられた、積層された偏光板（Ａ）の透過軸（Ａ）と、第２の透光性基板２０２に設けられた、積層された偏光板（Ｂ）の透過軸（Ｂ）とは平行とすることを特徴とする。すなわち、積層された偏光板（Ａ）と、積層された偏光板（Ｂ）、つまり対向する偏光板同士はパラレルニコルをなすように配置する。
【００４２】
また図４（Ｃ）には、透過軸（Ａ）及び遅相軸（Ａ）と、透過軸（Ｂ）及び遅相軸（Ｂ）とを重ねた状態を示しているが、パラレルニコルであることがわかる。
【００４３】
なお、円偏光板には位相差板を数枚重ね合わせることによってｓ波とｐ波の位相差が９０度の波長範囲を広げることができる広帯域化された円偏光板があるが、この場合においても第１の透光性基板２０１の外側に配置する各位相差板の遅相軸と第２の透光性基板２０２の外側に配置する各位相差板とで同じ位相差板の遅相軸同士は平行に配置され、かつ対向する偏光板の透過軸同士はパラレルニコル配置であればよい。
【００４４】
このように積層された偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をパラレルニコルとなるように配置する。このような円偏光板を設けることにより、偏光板単層同士がパラレルニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。
【００４５】
なお、広帯域化された円偏光板を使用した場合では、偏光板の透過軸及び位相差板の遅相軸の配置が実施の形態１および２とは異なる場合でも黒表示が行える場合があるが、このときにおいても実施の形態１および２と同様に積層する偏光板の透過軸をパラレルニコルとなるように配置すれば、コントラスト比を高めることができる。
【００４６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、積層された偏光板を有する円偏光板と、１つの偏光板を有する円偏光板とを用いた表示装置の概念について説明する。
【００４７】
上記実施の形態１で示したように、対向する偏光板同士はクロスニコルに配置する。そして図１７に示すように、第１の透光性基板１０１側には、基板側から順に位相差板（Ａ）１１３第１の偏光板（Ａ）１１１、第２の偏光板（Ａ）１１２を配置する。すなわち、第１の透光性基板１０１側では、第１の偏光板（Ａ）１１１及び第２の偏光板（Ａ）１１２により積層された偏光板が構成される。また第２の透光性基板１０２側には、基板側から順に、位相差板（Ｂ）１２３、第１の偏光板（Ｂ）１２１を配置する。すなわち、第２の透光性基板１０２側では、第１の偏光板（Ｂ）１２１により、単層構造の偏光板が構成される。その他の構成は図１と同様であるため、説明を省略する。
【００４８】
また図１８に示すように、第１の透光性基板１０１側には、基板側から順に位相差板（Ａ）１１３、第１の偏光板（Ａ）１１１を配置する。すなわち、第１の透光性基板１０１側では、第１の偏光板（Ａ）１１１により、単層構造の偏光板が構成される。また第２の透光性基板１０２側には、基板側から順に、位相差板（Ｂ）１２３、第１の偏光板（Ｂ）１２１、第２の偏光板（Ｂ）１２２を配置する。すなわち、第２の透光性基板１０２側では、第１の偏光板（Ｂ）１２１及び第２の偏光板（Ｂ）１２２により、積層された偏光板が構成される。その他の構成は図１と同様であるため、説明を省略する。
【００４９】
このように一方の円偏光板に積層された偏光板を有し、対向する偏光板同士の透過軸がクロスニコルとなるように配置することによっても、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。
【００５０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、積層された偏光板を有する円偏光板と、１つの偏光板を有する円偏光板とを用いた表示装置の概念について説明する。
【００５１】
上記実施の形態２で示したように、対向する偏光板同士はパラレルニコルに配置する。そして図１９に示すように、第１の透光性基板２０１側には、基板側から順に位相差板（Ａ）２１３、第１の偏光板（Ａ）２１１及び第２の偏光板（Ａ）２１２を配置する。すなわち、第１の透光性基板２０１側では、第１の偏光板（Ａ）２１１及び第２の偏光板（Ａ）２１２により積層された偏光板が構成される。また第２の透光性基板２０２側には、基板側から順に、位相差板（Ｂ）２２３、第１の偏光板（Ｂ）２２１を配置する。すなわち、第２の透光性基板２０２側では、第１の偏光板（Ｂ）２２１により、単層構造の偏光板が構成される。その他の構成は図３と同様であるため、説明を省略する。
【００５２】
また図２０に示すように、第１の透光性基板２０１側には、基板側から順に位相差板（Ａ）２１３、第１の偏光板（Ａ）２１１を配置する。すなわち、第１の透光性基板２０１側では、第１の偏光板（Ａ）２１１により単層構造の偏光板が構成される。また第２の透光性基板２０２側には、基板側から順に、位相差板（Ｂ）２２３、第１の偏光板（Ｂ）２２１、第２の偏光板（Ｂ）２２２を配置する。すなわち、第２の透光性基板２０２側では、第１の偏光板（Ｂ）２２１及び第２の偏光板（Ｂ）２２２により、積層された偏光板が構成される。その他の構成は図３と同様であるため、説明を省略する。
【００５３】
このように一方の円偏光板に積層された偏光板を有し、対向する偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように配置することによっても、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。
【００５４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図５を用いて、本発明の表示装置の断面図を例示する。
【００５５】
絶縁表面を有する透光性基板２０１上に絶縁層を介して薄膜トランジスタが形成される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴとも記す）は、所定の形状に加工された半導体層、半導体層を覆うゲート絶縁層、ゲート絶縁層を介して半導体層上に設けられたゲート電極、半導体膜中の不純物層に接続されるソース電極又はドレイン電極を有する。半導体層に用いられる材料は珪素を有する半導体材料であり、結晶状態は非晶質状態、微結晶状態、結晶状態のいずれであってもよい。ゲート絶縁膜を代表とする絶縁層は、好ましくは無機材料を用いるとよく、窒化珪素、又は酸化珪素を用いることができる。ゲート電極、ソース電極又はドレイン電極は導電性材料から形成すればよく、タングステン、タンタル、アルミニウム、チタン、銀、金、モリブデン、銅等を有する。表示装置は、画素部２１５、駆動回路部２１８に大きく分けることができ、画素部２１５に設けられた薄膜トランジスタ２０３はスイッチング素子として、駆動回路部に設けられた薄膜トランジスタ２０４はＣＭＯＳ回路として用いられる。ＣＭＯＳ回路として用いるためには、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとから構成される。駆動回路部２１８に設けられたＣＭＯＳ回路により、薄膜トランジスタ２０３を制御することができる。
【００５６】
薄膜トランジスタを覆うように、積層構造、又は単層構造からなる絶縁層が形成される。絶縁層は、無機材料又は有機材料から形成することができる。無機材料として、窒化珪素、酸化珪素を用いることができる。有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料を用いて形成すると、下方の凹凸に沿うような表面状態となり、有機材料を用いて形成すると、表面は平坦化される。例えば、絶縁層２０５において平坦性が要求される場合、有機材料を用いて形成するとよい。なお、無機材料であっても厚膜化することによって、平坦性を備えることができる。
【００５７】
ソース電極又はドレイン電極は、絶縁層２０５等に設けられた開口部に導電層を形成して作製される。このとき、絶縁層２０５上の配線として機能するような導電層を形成することができる。またゲート電極の導電層と、絶縁層２０５と、ソース電極又はドレイン電極の導電層によって、容量素子２１４を形成することができる。
【００５８】
そして、ソース電極及びドレイン電極のいずれか一と接続される第１の電極２０６を形成する。第１の電極２０６は透光性を有する材料を用いて形成する。透光性を有する材料とは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等が挙げられる。またＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（フッ化カルシウム、窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等の非透光性材料であっても、非常に薄い膜厚とすることにより、透光性を有することができるため、非透光性材料を第１の電極２０６に用いてもよい。
【００５９】
第１の電極２０６の端部を覆うように、絶縁層２１０を形成する。絶縁層２１０は絶縁層２０５と同様に形成することができる。第１の電極２０６の端部を覆うため、絶縁層２１０に対して開口部を設ける。開口部の端面は、テーパ形状を有するとよく、その後形成される層の段切れを防止することができる。例えば、絶縁層２１０に非感光性樹脂、又は感光性樹脂を用いる場合、露光条件により、開口部の側面にテーパを設けることができる。
【００６０】
その後、絶縁層２１０の開口部に電界発光層２０７を形成する。電界発光層は、各機能を有する層、具体的には正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。また各層の境界は必ずしも明確となっておらず、その一部が混在している場合もある。
【００６１】
具体的な発光層を形成する材料を例示すると、赤色系の発光を得たいときには、発光層に、４−（ジシアノメチレン）−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン、ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］２ａｃａｃ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、６００ｎｍから７００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
【００６２】
緑色系の発光を得たいときは、発光層に、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、５００ｎｍから６００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
【００６３】
また青色系の発光を得たいときは、発光層に、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、４００ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
【００６４】
また白色系の発光を得たいときは、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ３、Ａｌｑ３を蒸着法等により積層した構成を用いることができる。
【００６５】
その後、第２の電極２０８を形成する。第２の電極２０８は、第１の電極２０６と同様に形成することができる。第１の電極２０６、電界発光層２０７、第２の電極２０８を有する発光素子２０９を形成することができる。
【００６６】
このとき、第１の電極２０６、及び第２の電極２０８が透光性を有するため、電界発光層２０７から光を両方向へ発光させることができる。このような両方向へ発光させることができる表示装置を両面発光型の表示装置と呼ぶことができる。
【００６７】
その後、封止材２２８により、透光性基板２０１と、対向基板２２０とを貼り合わせる。本実施の形態では、封止材２２８は駆動回路部２１８の一部上に設けられているため、狭額縁化を図ることができる。勿論、封止材２２８の配置はこれに限定されるものではなく、駆動回路部２１８の外側に設けてもよい。
【００６８】
貼り合わせたことにより形成される空間には、窒素等の不活性気体を封入し、または透光性を有しかつ吸湿性の高い樹脂材料で充填する。その結果、発光素子２０９の劣化の一要因となる水分や酸素の侵入を防止することができる。また、透光性基板２０１と、対向基板２２０との間隔を保持するため、スペーサを設けてもよく、スペーサに吸湿性を持たせてもよい。スペーサは、球状又は柱状の形状を有する。
【００６９】
また対向基板２２０には、カラーフィルターやブラックマトリクスを設けることができる。カラーフィルターにより、単色発光層、例えば白色発光層を用いる場合であっても、フルカラー表示が可能となる。また各ＲＧＢの発光層を用いる場合であっても、カラーフィルターを設けることにより、発光される光の波長を制御することができ、綺麗な表示を提供することができる。またブラックマトリクスにより、配線等による外光の反射を低減することができる。
【００７０】
その後、透光性基板２０１の外側に、位相差板２３５、第１の偏光板２１６、第２の偏光板２１７、対向基板２２０の外側に、位相差板２２５、第１の偏光板２２６、第２の偏光板２２７を設ける。すなわち、透光性基板２０１、対向基板２２０のそれぞれ外側に、積層された偏光板を有する円偏光板を設ける。その結果、黒色を沈めることができ、コントラスト比を高めることができる。
【００７１】
本実施の形態では、駆動回路部も透光性基板２０１上に一体形成する形態を示したが、駆動回路部はシリコンウェハから形成されたＩＣ回路を用いてもよい。その場合、ＩＣ回路からの映像信号等は、接続端子等を介して、スイッチング用ＴＦＴ２０３に入力することができる。
【００７２】
なお本実施の形態では、アクティブ型の表示装置を用いて説明したが、パッシブ型の表示装置であっても、積層された偏光板を有する円偏光板を設けることができる。その結果、コントラスト比を高めることができる。
【００７３】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００７４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の画素部、駆動回路を有する表示装置の構成について説明する。
【００７５】
図６には、走査線駆動回路７２３及び信号線駆動回路７２２を、画素部７００の周辺に設けた状態のブロック図を示す。
【００７６】
画素部７００は、複数の画素を有し、画素には発光素子及びスイッチング素子が設けられている。
【００７７】
走査線駆動回路７２３は、シフトレジスタ７０１、レベルシフタ７０４、バッファ７０５を有する。シフトレジスタ７０１に入力されたスタートパルス（ＧＳＰ）、クロックパルス（ＧＣＫ）に基づき、信号が生成され、レベルシフタ７０４を介して、バッファ７０５へ入力される。バッファ７０５では、信号が増幅されて、画素部７００へ入力される。画素部７００には、発光素子と、発光素子を選択するスイッチング素子が設けられており、スイッチング素子が有するゲート線に、バッファ７０５からの信号が入力される。すると、所定の画素のスイッチング素子が選択される。
【００７８】
信号線駆動回路７２２は、シフトレジスタ７１１、第１のラッチ回路７１２、第２のラッチ回路７１３、レベルシフタ７１４、バッファ７１５を有する。シフトレジスタ７１１には、スタートパルス（ＳＳＰ）及びクロックパルス（ＳＣＫ）が入力され、第１のラッチ回路７１２にはデータ信号（ＤＡＴＡ）が入力され、第２のラッチ回路７１３にはラッチパルス（ＬＡＴ）が入力される。ＤＡＴＡは、ＳＳＰ及びＳＣＫに基づき、第２のラッチ回路７１３へ入力され、第２のラッチ回路７１３では一行分のＤＡＴＡが保持され、一斉に画素部７００へ入力される。
【００７９】
信号線駆動回路７２２、走査線駆動回路７２３、画素部７００は、同一基板上に設けられた半導体素子によって形成することができる。例えば、上記実施の形態で示した絶縁基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。
【００８０】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００８１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置が有する画素の等価回路図について、図７を用いて説明する。
【００８２】
図７（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６、それらの交点領域に発光素子６１１３、トランジスタ６１１０、６１１１、容量素子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によって映像信号（ビデオ信号とも記す）が入力される。トランジスタ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、トランジスタ６１１１のゲートへの、該映像信号の電位の供給を制御することができる。トランジスタ６１１１は、該映像信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制御することができる。容量素子６１１２は、トランジスタ６１１１のゲートとソースとの間の電圧（ゲート・ソース間電圧と記す）を保持することができる。なお、図７（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、トランジスタ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
【００８３】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示した画素に、トランジスタ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１１８により、トランジスタ６１１１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に映像信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。
【００８４】
図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ６１２５と、配線６１２６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１２５は、そのゲートの電位が、配線６１２６によって固定されている。そして、トランジスタ６１１１とトランジスタ６１２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図７（Ｃ）では、トランジスタ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御され、トランジスタ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御できる。
【００８５】
なお、本発明の表示装置が有する画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。例えば、カレントミラーを有する画素回路であって、アナログ階調表示を行う構成であってもよい。
【００８６】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００８７】
（実施の形態８）
本発明に係る電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図８を参照して説明する。
【００８８】
図８（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯情報端末機器を提供することができる。
【００８９】
図８（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高いデジタルビデオカメラを提供することができる。
【００９０】
図８（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯電話機を提供することができる。
【００９１】
図８（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の表示装置を適用することができる。
【００９２】
図８（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯型のコンピュータを提供することができる。
【００９３】
図８（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高いテレビジョン装置を提供することができる。
【００９４】
このように、本発明の表示装置により、コントラスト比の高い電子機器を提供することができる。
【実施例１】
【００９５】
本実施例では、積層された偏光板及び位相差板を用いた光学計算の結果について説明する。なお、コントラスト比を白表示の透過率（白透過率という）と黒表示の透過率（黒透過率という）の比（白透過率／黒透過率）として算出した。
【００９６】
なお、黒表示とは、図９に示す光学系を想定している。エレクトロルミネッセンス素子における黒表示は非発光状態であるため、λ／４板の間にエレクトロルミネッセンス素子の発光層は設けず、外光下での表示を想定しているため、外光の代わりにバックライトを配置した光学系である。そして、図９（Ａ）に示すようにλ／４板の遅相軸同士を９０度ずらし、対向する偏光板の透過軸同士をクロスニコル配置にし、積層する偏光板をパラレルニコルとした場合と、図９（Ｂ）に示すようにλ／４板の遅相軸同士を平行にし、対向する偏光板の透過軸をパラレルニコル配置にし、積層する偏光板をパラレルニコルとした。このように配置された光学系において、バックライトの輝度に対して透過率の計算を、積層する偏光板の枚数を変えて計算を行った。黒透過率とは当該光学系における光学計算の結果である。
【００９７】
なお、白表示とは、図１０に示す光学系を想定している。エレクトロルミネッセンス素子の白表示においては発光の代わりにバックライトを用いた光学系である。そして、図１０に示すようにバックライト上にλ／４板を配置し、λ／４板上に偏光板を配置し、対向側のλ／４板等は配置しなかった。このときλ／４板の遅相軸に対して偏光板の透過軸が４５度ずれるように配置している。また、積層する偏光板はパラレルニコルとした。このように配置された光学系において、バックライトの輝度に対して透過率の計算を、偏光板枚数を変えて計算を行った。なお、図１０に示す白透過率の光学系がλ／４板の遅相軸に対して偏光板の透過軸を４５度ずらして配置しているため、図９（Ａ）のクロスニコル配置及び図９（Ｂ）のパラレルニコルに配置の両方の場合の白透過率となる。
【００９８】
なお本実施例においての計算は、液晶用光学計算シミュレータＬＣＤ  ＭＡＳＴＥＲ（シンテック株式会社製）を用いている。波長に対する透過率の計算をＬＣＤ  ＭＡＳＴＥＲで光学計算を行う際、要素間の多重干渉を考慮していない２×２マトリックスの光学計算アルゴリズムで行い、光源波長は３８０ｎｍから７８０ｎｍの１０ｎｍ間隔で設定して求めた。λ／４板は、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍの領域すべてにおいて、リタデーションが１３７．５ｎｍである位相差板を使用した。また、偏光板は、屈折率ｎをｎ＝ｎ´＋ｉｎ´´とすると、波長５５０ｎｍにおいて透過軸のｎ´、ｎ´´がそれぞれｎ´＝１．５、ｎ´´＝３．２２×ｅ−５であり、吸収軸のｎ´、ｎ´´がそれぞれｎ´＝１．５、ｎ´´＝２．２１×ｅ−３である偏光板を使用した。また、バックライトにはＤ６５光源を使用し、偏光状態はＭｉｘｅｄ  ｃｉｒｃｕｌａｒｌｙ  ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎとした。
【００９９】
図１１は、図９（Ａ）に示すように対向する偏光板同士をクロスニコル配置とした場合に、偏光板枚数を変えたときのコントラスト比の計算結果を示す。当該コントラスト比は、図９（Ａ）に示す光学系の黒透過率と、図１０に示す光学系の白透過率の値とから求めた。図中の凡例のＢＬ＼２×１は、図９（Ａ）において、バックライト（ＢＬ）が配置され、バックライト側の偏光板枚数は２枚で、視認側の偏光板枚数は１枚であることを示す。同様に、ＢＬ＼１×１、ＢＬ＼２×２、ＢＬ＼１×２、ＢＬ＼３×１等の凡例も、バックライト側の偏光板枚数、視認側の偏光板の枚数を意味する。
【０１００】
また図中の凡例は、その最後尾の数字のみ図１０に示す光学系に適用される。すなわち、図中ＢＬ＼２×１であれば、最後尾の数が「１」であって、これは図１０における偏光板枚数が１枚の計算結果を使用していることを意味する。同様に、ＢＬ＼１×１、ＢＬ＼２×２、ＢＬ＼１×２、ＢＬ＼３×１等も、最後尾の数字のみが適用されており、これらは偏光板の枚数を示す。
【０１０１】
このように配置された試料に対して、白透過率と黒透過率の比（白透過率／黒透過率）からコントラスト比を求めた。
【０１０２】
図１１（Ａ）より、両側それぞれ、１枚ずつ偏光板が増えるごとにコントラスト比が増大することが分かる。また、図１１（Ｂ）より、片側１枚だけ偏光板を増やしてもコントラスト比は増大することが分かる。ＢＬ＼１×２、ＢＬ＼２×１のように全偏光板枚数が同じでバックライト側及び視認側のいずれの側の偏光板枚数が多いか比較すると、黒透過率は同じだが、白透過率は視認側偏光板枚数が少ないほうが高い。そのため、視認側偏光板枚数が少ないほうがコントラスト比は大きくなる。そして図１１（Ｃ）より、ＢＬ＼２×２、ＢＬ＼３×１のように全偏光板枚数が同じときは両側それぞれの偏光板枚数が２枚以上のほうがコントラスト比は大きくなる。
【０１０３】
続いて図９（Ｂ）の対向する偏光板同士をパラレルニコル配置としたときに偏光板枚数を変えたときのコントラスト比の計算結果を図１２に示す。図１２（Ａ）より、両側それぞれ、１枚ずつ偏光板が増えるごとにコントラスト比が増大することが分かる。また、図１２（Ｂ）より、片側１枚だけ偏光板を増やしてもコントラスト比は増大する。ＢＬ＼１×２、ＢＬ＼２×１のように全偏光板枚数が同じでバックライト側及び視認側のいずれの側の偏光板枚数が多いか比較すると、黒透過率は同じだが、白透過率は視認側偏光板枚数が少ないほうが高い。そのため、視認側偏光板枚数が少ないほうがコントラスト比は大きくなる。そして図１２（Ｃ）より、ＢＬ＼２×２、ＢＬ＼３×１のように全偏光板枚数が同じときは両側それぞれの偏光板枚数が２枚以上のほうがコントラスト比は大きくなる。
【０１０４】
以上の結果より、対向する偏光板同士をクロスニコルに配置する場合であっても、パラレルニコルに配置する場合であっても、偏光板の枚数を増やすにつれてコントラスト比は大きくなることがわかる。そして偏光板枚数が奇数枚のとき、視認側の偏光板枚数が少ない方が、コントラスト比は大きくなることがわかる。全偏光板枚数が同じときは両側それぞれの偏光板枚数が２枚以上のほうがコントラスト比は大きくなる。
【０１０５】
図１１と図１２を比較すると、対向する偏光板同士をクロスニコルに配置した場合広い波長領域においてコントラスト比が高い。これ対し、対向する偏光板同士をパラレルニコルに配置した場合では波長５５０ｎｍ付近のみ高コントラスト化が可能となっている。
【０１０６】
図１３にＢＬ＼１×１のときの透過率の波長分散特性を示す。対向する偏光板同士をクロスニコルに配置した場合、広い波長領域において透過率が低いことがわかる。これに対し、対向する偏光板同士をパラレルニコルに配置した場合では、波長５５０ｎｍ付近のみ透過率が低いことが分かる。一方、白透過率は、対向する偏光板同士がクロスニコル配置においてもパラレルニコル配置においても同じであった。このため、対向する偏光板同士がクロスニコル配置とパラレルニコル配置でコントラスト比に差が生じている。
【０１０７】
このように積層する偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように配置することにより、光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をパラレルニコルまたはクロスニコルとなるように配置した円偏光板を設けることにより、対向する単層構造の偏光板同士がパラレルニコルまたはクロスニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。なお、対向する偏光板はクロスニコル配置が好ましく、広帯域に渡って高いコントラスト比を得ることができる。
【実施例２】
【０１０８】
本実施例では、対向する円偏光板２枚をクロスニコルの配置としたときとパラレルニコル配置としたときの黒透過率の波長分散特性の実験結果について説明する。各試料に対して黒輝度と白輝度をそれぞれ測定し、白輝度と黒輝度の比（白輝度／黒輝度）であるコントラスト比を算出した。なお実施例１のコントラスト比は（白透過率／黒透過率）から求めたが、黒透過率は（黒輝度／基準となるバックライトの輝度）で求まり、白透過率は（白輝度／基準となるバックライトの輝度）で求まるため、（白透過率／黒透過率）と（白輝度／黒輝度）とから共にコントラスト比を算出することができる。
【０１０９】
まず、２枚の円偏光板ＷＢ−ＣＰ−Ｗ（住友化学社製）を図９（Ａ）、（Ｂ）のように対向する偏光板の透過軸同士がクロスニコル配置またはパラレルニコル配置となるように貼り合せ、自記分光光度計Ｕ−４０００（日立社製）にて透過率の波長分散特性を測定した。ここでは、両側の偏光板枚数を１枚ずつとして測定した。
【０１１０】
結果を図１４に示す。実施例１の結果と同様に、クロスニコル配置の方がパラレルニコル配置と比べて透過率が低いことが分かる。特に、波長６３０ｎｍから７８０ｎｍに透過率の差が大きく現れている。
【０１１１】
そこで、対向する偏光板同士の透過軸がクロスニコル配置において、黒輝度と白輝度を測定し、コントラスト比を算出した。黒輝度測定の光学系を図１５（Ａ）に、白輝度測定の光学系を図１５（Ｂ）に示す。ここでは、バックライト側の偏光板を３枚、視認側の偏光板を３枚としたときの光学系を示している。円偏光板はＷＢ−ＣＰ−Ｗ（住友化学社製）を、積層する偏光板はＮＰＦ−ＥＧ１４２５ＤＵ（日東電工社製）を使用した。なお積層する偏光板はガラス基板に貼り付けて使用しているが、ガラス基板の透過率は高く本実験の結果に影響を与えるものではないと考える。実験は暗室にて積層する偏光板の枚数を変えたときの輝度を色彩輝度計ＢＭ５Ａにて測定し、コントラスト比を算出した。
【０１１２】
コントラスト比の計算結果を図１６に示す。両側それぞれ、１枚ずつ増えるごとにとコントラスト比が増大することが分かる。ただし、ＢＬ＼３×３とＢＬ＼４×４ではコントラスト比がほぼ同じであることから、両側それぞれ３枚の偏光板を設けたとき、コントラスト比は飽和していると言える。
【０１１３】
このように積層する偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように配置することにより、光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をクロスニコルとなるように配置された円偏光板を設けることにより、対向する単層構造の偏光板同士がクロスニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。なお、対向する偏光板はクロスニコル配置が好ましく、広帯域に渡って高いコントラスト比を得ることができる。また積層される偏光板の枚数は、３枚が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の表示装置を示した図である
【図２】本発明の光軸を示した図である
【図３】本発明の表示装置を示した図である
【図４】本発明の光軸を示した図である
【図５】本発明の表示装置を示した図である
【図６】本発明の表示装置を示したブロック図である
【図７】本発明の表示装置が有する画素回路を示した図である
【図８】本発明の電子機器を示した図である
【図９】実施例１の黒透過率の測定系を示した図である
【図１０】実施例１の白透過率の測定系を示した図である
【図１１】実施例１の測定結果を示した図である
【図１２】実施例１の測定結果を示した図である
【図１３】実施例１の測定結果を示した図である
【図１４】実施例２の測定結果を示した図である
【図１５】実施例２の測定系を示した図である
【図１６】実施例２の測定結果を示した図である
【図１７】本発明の表示装置を示した図である
【図１８】本発明の表示装置を示した図である
【図１９】本発明の表示装置を示した図である
【図２０】本発明の表示装置を示した図である
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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