(57)【要約】【課題】プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法として、静電チャックによる基板の支持を解除する際に、基板にプラズマチャージが生じ難くする。【解決手段】静電チャック２に電圧を供給してウエハＷを支持する。静電チャック２の上側の空間に、ガス導入ノズル４１，４２からシランガス、酸素ガス、およびアルゴンガスを導入し、これらのガスを励起することによりプラズマを発生させて、ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成する。次に、シランガスと酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスの導入を継続した状態で、反応室内の圧力を所定値まで上昇させ、静電チャック２への電圧の供給を停止する。これにより、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態のウエハＷを接触させてウエハＷから電荷を逃がす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に基板を支持する静電チャックが設置され、反応室内の静電チャックの上側の空間に気体を導入する気体導入口を備えたプラズマＣＶＤ装置を用いて、基板上にシリコン酸化膜を形成する方法であって、
前記静電チャックに電圧を供給して基板を支持し、前記空間に前記気体導入口からシラン（ＳｉＨ4）ガス、酸素（Ｏ2）ガス、およびアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、これらのガスを励起することによりプラズマを発生させて、前記基板上にシリコン酸化膜を形成した後に、
シランガスと酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスの導入を継続した状態で、前記反応室内の圧力を所定値まで上昇させ、静電チャックへの電圧の供給を停止した後に、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態の基板を接触させて基板から電荷を逃がすことにより、静電チャックによる基板の支持を解除することを特徴とするプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項２】
ゲート酸化膜の上にゲート電極を形成した後の層間絶縁膜の形成を、請求項１記載のシリコン酸化膜の形成方法で行うＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴの製造に際しては、素子領域に熱酸化法でゲート酸化膜を形成し、その上にゲート電極およびアルミニウム配線層を形成した後に、層間絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法でシリコン酸化膜を形成することが行われている。
プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法の従来例としては、下記の特許文献１に示す方法が挙げられる。
【０００３】
この方法では、反応室内に基板を支持する静電チャックが設置され、反応室内の静電チャックの上側の空間に気体を導入する気体導入口を備えたプラズマＣＶＤ装置を用いている。そして、先ず、静電チャックに電圧を供給して基板を支持し、前記空間に前記気体導入口から、シラン（ＳｉＨ4）ガス、酸素（Ｏ2）ガス、およびアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、これらのガスを励起することによりプラズマを発生させて、前記基板上にシリコン酸化膜を形成する。
【０００４】
次に、シランガスの導入を停止し、アルゴンガスと酸素ガスの導入を継続した状態で、静電チャックへの電圧の供給を停止した後に、アルゴンガスと酸素ガスの励起によるプラズマで基板から電荷を逃がすことにより、静電チャックによる基板の支持を解除している。
このように従来は、基板を静電チャックから外すためのプラズマをアルゴンガスと酸素ガスの励起により発生させるか、酸素ガスの励起により発生させている。これは、酸素ガスの励起で発生するプラズマが広がり難いことから、基板にゴミが付き難いと考えられていたためである。
【特許文献１】特開２００２−４３３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極およびアルミニウム配線層上にシリコン酸化膜を形成する方法として、前記従来の方法を採用すると、静電チャックによる基板の支持を解除する際に、プラズマを構成していた荷電粒子が基板に蓄積された状態（「プラズマチャージ」された状態）となり、ゲート酸化膜にダメージが生じ易いという問題点がある。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法として、静電チャックによる基板の支持を解除する際に、基板にプラズマチャージが生じ難くする方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の「プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法」は、反応室内に基板を支持する静電チャックが設置され、反応室内の静電チャックの上側の空間に気体を導入する気体導入口を備えたプラズマＣＶＤ装置を用いて、基板上にシリコン酸化膜を形成する方法であって、前記静電チャックに電圧を供給して基板を支持し、前記空間に前記気体導入口からシラン（ＳｉＨ4）ガス、酸素（Ｏ2）ガス、およびアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、これらのガスを励起することによりプラズマを発生させて、前記基板上にシリコン酸化膜を形成した後に、シランガスと酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスの導入を継続した状態で、前記反応室内の圧力を所定値まで上昇させ、静電チャックへの電圧の供給を停止した後に、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態の基板を接触させて基板から電荷を逃がすことにより、静電チャックによる基板の支持を解除することを特徴とする。
【０００８】
本発明の方法によれば、静電チャックによる基板の支持を解除するためのプラズマを発生させるガスとして、アルゴンガスを用いることで、従来のように酸素ガスとアルゴンガスの両方または酸素ガスを用いた場合よりも、静電チャックによる基板の支持を解除する際に基板に生じるプラズマチャージを低減できる。
また、ＭＯＳＦＥＴの製造方法における、ゲート酸化膜の上にゲート電極を形成した後の層間絶縁膜の形成を、本発明の「プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法」で行うことにより、従来の「プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法」で行った場合と比較して、ゲート酸化膜にダメージを生じ難くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、この実施形態で使用したプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。
このプラズマＣＶＤ装置の反応室は、上部がドーム状で中間部と下部が円筒状である石英製の容器１からなる。下部の円筒は中間部の円筒より直径が小さく形成されている。この反応室内の中間部に、ウエハ（基板）Ｗを支持する静電チャック２と、静電チャック２を上下動させるリフト機構３が設置されている。静電チャック２には、直流電源からの配線２１と、ヘリウム（Ｈｅ）ガス供給源からの配管２２と、高周波電源２３からの配線２４が接続されている。
【００１０】
反応室内には、また、ドームの頂点位置から鉛直下方に延びるガス導入ノズル（気体導入口）４１が設置され、ウエハＷが設置される位置より少し高い位置に、水平方向に延びるガス導入ノズル（気体導入口）４２が設置されている。鉛直下方に延びるガス導入ノズル４１には、シラン（ＳｉＨ4）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスが供給される配管４３が接続されている。水平方向に延びるガス導入ノズル４２には、シラン（ＳｉＨ4）ガスと酸素（Ｏ2）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスが供給される配管４４が接続されている。
【００１１】
反応室の下側円筒部内には、真空引き用のターボ分子ポンプに向かう配管を開閉するゲートバルブ５と、反応室内の圧力を制御するスロットルバルブ６が配置されている。
容器１の外側には、ドーム部の上側部分とドーム部の下側部分に、それぞれコイル７１，７２が巻かれている。上側部分のコイル７１は、鉛直下方に延びるノズル４１を中心とし、直径が静電チャック２と同じ程度の円に沿うように巻かれている。下側部分のコイル７２は、水平方向に延びるガス導入ノズル４２より少し高い位置に巻かれている。これらのコイル７１，７２には、それぞれ高周波電源７３，７４が接続されている。
【００１２】
この実施形態では、図２に示すタイミングチャートに従って、反応室内へのシランガス（ＳｉＨ4）の導入、反応室内への酸素（Ｏ2）ガスの導入、反応室内へのアルゴンガス（Ａｒ）の導入、高周波（ＲＦ）電源７３，７４，２３のパワー調節、静電チャック２への電圧の供給、静電チャック２へのヘリウム（Ｈｅ）ガスの供給、反応室内の圧力を制御する。
【００１３】
すなわち、時刻ｔ1 で、配管４３，４４にアルゴンガス供給源からアルゴンガスを所定流量で供給することにより、ガス導入ノズル４１，４２から反応室内へのアルゴンガスの導入を開始する。次に、時刻ｔ2 で、配管４４に酸素ガス供給源から酸素ガスを所定流量で供給することにより、ガス導入ノズル４２から反応室内への酸素ガスの導入を開始する。次に、時刻ｔ3で、ゲートバルブ５を開け、スロットルバルブ６の開度を調節することにより、反応室内の圧力を上昇させるとともに、高周波（ＲＦ）電源７３をＯＮにして、そのパワーを所定値とする。
【００１４】
次に、時刻ｔ4で、スロットルバルブ６の開度を調節することにより、反応室内の圧力を低下させるとともに、高周波（ＲＦ）電源７４をＯＮにして、そのパワーを所定値とする。次に、時刻ｔ5で、直流電源をＯＮにすることにより、静電チャック２へ電圧を供給する。
次に、時刻ｔ6で、配管４３，４４にシランガス供給源からシランガスを所定流量で供給することにより、ガス導入ノズル４１，４２から反応室内へのシランガスの導入を開始する。次に、時刻ｔ7で、配管２２にヘリウムガス供給源からヘリウムガスを供給することにより、配管２２から静電チャック２へのヘリウムガスの供給を開始する。次に、時刻ｔ8で、高周波（ＲＦ）電源２３をＯＮにして、そのパワーを所定値とする。
【００１５】
次に、時刻ｔ9 で、配管４３，４４にシランガス供給源からのシランガス供給を停止することにより、ガス導入ノズル４１，４２から反応室内へのシランガスの導入を停止するとともに、高周波（ＲＦ）電源２３をＯＦＦにする。
次に、時刻ｔ10で、配管４４に酸素ガス供給源からの酸素ガス供給を停止することにより、ガス導入ノズル４２から反応室内への酸素ガスの導入を停止するとともに、高周波（ＲＦ）電源７４のパワーを所定値まで下げる。また、配管２２にヘリウムガス供給源からのヘリウムガスの供給を停止することにより、配管２２から静電チャック２へのヘリウムガスの供給を停止する。また、スロットルバルブ６の開度を調節することにより、反応室内の圧力を上昇させる。なお、ガス導入ノズル４２から反応室内への酸素ガスの導入を停止するタイミングは、図２に一点鎖線で示すように、時刻ｔ9でもよい。
【００１６】
次に、時刻ｔ11で、直流電源をＯＦＦにすることにより、静電チャック２へ電圧供給を停止する。次に、時刻ｔ12で、高周波（ＲＦ）電源７３，７４をＯＦＦにするとともに、スロットルバルブ６の開度を調節して反応室内の圧力を下げる。また、配管４３，４４にアルゴンガス供給源からのアルゴンガス供給を停止することにより、ガス導入ノズル４１，４２から反応室内へのアルゴンガスの導入を停止する。
【００１７】
図２に示すタイミングチャートに従った制御により、時刻ｔ5 で静電チャック２に電圧が供給されてウエハＷが支持され、時刻ｔ7 で静電チャック２にヘリウムガスが供給され、時刻ｔ8で静電チャック２へバイアスパワーが付与された状態となる。この状態で、時刻ｔ9までの間、反応室内の静電チャック２の上側の空間にガス導入ノズル４１，４２からシランガス、酸素ガス、およびアルゴンガスが導入されて、コイル７１，７２に対する高周波電源７３，７４からの高周波電力の供給によって、反応室内でこれらのガスが励起されてプラズマが発生し、ウエハＷ上にシリコン酸化膜が形成される。
【００１８】
そして、シランガスと酸素ガスの導入が停止された時刻ｔ10から時刻ｔ12までの間、アルゴンガスの導入と高周波電源７３のパワーが持続され、高周波電源７４のパワーが所定値（例えば、成膜時の「１／３」程度）に保持される。また、この時刻ｔ10で反応室内の圧力が所定値まで上昇し、時刻ｔ11で静電チャック２への電圧の供給が停止される。
そのため、時刻ｔ11と時刻ｔ12との間に、リフト機構３により静電チャック２を上昇させることにより、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態のウエハＷが接触して、ウエハＷから電荷が逃げる。次いで、時刻ｔ12でアルゴンガスの供給が停止され、高周波電源７３，７４がＯＦＦにされ、スロットルバルブ６の開度が調節されて反応室内の圧力が低下した後に、ウエハＷを静電チャックから外して、反応室の外部に搬送する。
【００１９】
〔本発明の効果を調べる試験〕
ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜の上にゲート電極を形成した後の層間絶縁膜の形成を、上述の図２に示すタイミングチャートに従った本発明の実施形態に相当する方法と、図３に示すタイミングチャートに従った従来技術の方法で行った場合の、ゲート酸化膜に生じるダメージを比較する試験を行った。この試験について以下に説明する。
【００２０】
図３に示すタイミングチャートは、時刻ｔ8 までは図２と同じであるが、時刻ｔ9 以降で、反応室内への酸素（Ｏ2 ）ガスの導入、反応室内へのアルゴンガス（Ａｒ）の導入、高周波（ＲＦ）電源７４のパワー調節、反応室内の圧力の制御方法が異なる。
すなわち、図３に示すタイミングチャートでは、時刻ｔ9 で、配管４３，４４にアルゴンガス供給源からのアルゴンガス供給を停止することにより、ガス導入ノズル４１，４２から反応室内へのアルゴンガスの導入を停止する。また、時刻ｔ10で、ガス導入ノズル４２から反応室内への酸素ガスの導入を継続するとともに、高周波電源７４のパワーを所定値まで下げるが、この所定値は図２の場合よりも高い（例えば、成膜時の「２／３」程度）。また、時刻ｔ10で反応室内の圧力を変えない。なお、ガス導入ノズル４２から反応室内へのアルゴンガスの導入を停止するタイミングは、図３に一点鎖線で示すように、時刻ｔ12でもよい。
【００２１】
したがって、図３に示すタイミングチャートに従った制御でも、時刻ｔ8 から時刻ｔ9 までの間でウエハＷ上にシリコン酸化膜が形成されるが、前述の違いにより、シランガスとアルゴンガスの導入が停止された時刻ｔ9 から時刻ｔ12までの間、酸素ガスの導入と高周波電源７３のパワーが持続され、高周波電源７４のパワーが成膜時の「２／３」程度に保持される。
【００２２】
この試験では、先ず、図４に示すＴＥＧ（Test Element Group）を含むチップ単位の素子を、ウエハＷ面内に１２８個形成した。図５は図４のＡ−Ａ断面図であり、図６は図４のＢ−Ｂ断面図である。
これらの図に示すように、このＴＥＧは、シリコン基板８１に、ＬＯＣＯＳ膜８２を形成した後に、素子領域に熱酸化膜８３を形成し、その上にポリシリコン膜を形成した後に図４に示す形状にパターニングすることで作製される。このポリシリコンパターン８４は、熱酸化膜８３の上部を含む位置に幅広に形成した電極部８４ａと、幅の狭い線状部８４ｂとからなる。
【００２３】
前記各素子に、アンテナ比が１７０、６００、１５００（１．５Ｋ）、２５００（２．５Ｋ）、４０００（４Ｋ）、５０００（５Ｋ）、７５００（７．５Ｋ）、１５０００（１５Ｋ）である８種類のＴＥＧを形成した。アンテナ比が各値になるように、熱酸化膜８３の面積は一定にし、ＴＥＧ毎にポリシリコンパターン８４の面積を変えた。ＴＥＧのアンテナ比が大きいほど、ポリシリコンパターン８４が電荷を引き寄せ易いため、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後に静電チャックによるウエハＷの支持を解除する際に、ウエハＷにプラズマチャージが生じ易く、熱酸化膜８３が破壊され易い。
【００２４】
このようにして８種類のアンテナ比のＴＥＧを含む素子が１２８個形成されたウエハＷの上に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用い、図２および３に示すタイミングチャートに従った各方法でシリコン酸化膜を形成した後、全てのＴＥＧについてＴＺＤＢ（Time Zero Dielectric Breakdown：瞬時絶縁破壊）測定を行った。
ＴＺＤＢ測定は、一定電圧を所定時間毎に印加しながら、熱酸化膜８３に流れるリーク電流を常時測定することで行い、リーク電流が１０μＡ／ｃｍ2になるか、初期のリーク電流の１００倍になった時点で「絶縁膜が破壊された」と判定し、その時点の電圧を調べた。そして、この電圧値から電界強度を算出し、算出された電界強度を横軸とし、累積破壊率（％）を縦軸としたグラフにまとめた。
【００２５】
なお、プラズマＣＶＤ装置としては、アプライドマテリアルズ社製の「Ｕｌｔｉｍａ  ＨＤＰ  Ｃｅｎｔｕｒａ」を用い、以下の条件で行った。
シランガス（ＳｉＨ4）の流量：７０sccm
酸素（Ｏ2）ガスの流量：１２６sccm
アルゴンガス（Ａｒ）の流量：１２６sccm  
高周波電源７３のパワー：時刻ｔ3 で１３００Ｗ
：時刻ｔ10で１０００Ｗ
高周波電源７４のパワー：時刻ｔ4 で３０００Ｗ
：時刻ｔ10で１０００Ｗ（図２）と２０００Ｗ（図３）
高周波電源２３のパワー：３５００Ｗ
静電チャック２への供給電圧：９５０Ｖ
ヘリウム（Ｈｅ）ガスの圧力：導入側５．０torr、排気側８．５torr
反応室内の圧力：時刻ｔ1 で５ｍtorr
：時刻ｔ3 で１５ｍtorr
：時刻ｔ10で１５ｍtorr（図２）
：時刻ｔ12で５ｍtorr（図２）
この結果を示すグラフを図７〜１２に示す。
【００２６】
図７は、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成する前の結果を示すグラフである。図８は、図２に示すタイミングチャートに従った方法で、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後の結果を示すグラフである。図９は、図２に示すタイミングチャートに従い、図８の結果を得た方法とは成膜条件（時刻ｔ9 まで）が異なる方法で、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後の結果を示すグラフである。
【００２７】
図１０は、図３に示すタイミングチャート（時刻ｔ9 でアルゴンガスの供給を停止する）に従い、図８の結果を得た方法と成膜条件（時刻ｔ9 まで）が同じ方法で、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後の結果を示すグラフである。図１１は、図３に示すタイミングチャート（時刻ｔ12でアルゴンガスの供給を停止する）に従い、図８の結果を得た方法と成膜条件（時刻ｔ9 まで）が同じ方法で、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後の結果を示すグラフである。
【００２８】
図１２は、図３に示すタイミングチャート（時刻ｔ9 でアルゴンガスの供給を停止する）に従い、図９の結果を得た方法と成膜条件（時刻ｔ9 まで）が同じ方法で、ＴＥＧ上にプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を形成した後の結果を示すグラフである。
すなわち、図８と図９は、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成後にウエハＷを静電チャック２から外すためのプラズマを、アルゴンガスの励起により発生させた本発明の方法の結果を示すグラフである。図１０と１２は、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成後にウエハＷを静電チャック２から外すためのプラズマを、酸素ガスの励起により発生させた従来の方法の結果を示すグラフである。図１１は、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成後にウエハＷを静電チャック２から外すためのプラズマを、酸素ガスとアルゴンガスの励起により発生させた従来の方法の結果を示すグラフである。
【００２９】
そして、図８と図９のグラフは図７のグラフと同様に、電界強度が１１ＭＶ／ｃｍ未満では、アンテナ比が最も高い場合でも累積破壊率は２０％以下であり、１１ＭＶ／ｃｍの付近で急激に高くなっている。これに対して、図１０〜１２のグラフは、アンテナ比が６００以下のＴＥＧについては、電界強度が１１ＭＶ／ｃｍ未満で累積破壊率が２０％以下となった場合もあるが、多くは電界強度が２ＭＶ／ｃｍ以下でも累積破壊率が２０％を超え、１ＭＶ／ｃｍの付近で急激に高くなる場合もある。
【００３０】
この結果から、ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜の上にゲート電極を形成した後の層間絶縁膜の形成を、本発明の実施形態に相当する方法で行った方が、従来技術の方法で行った場合よりも、静電チャックから外す際に基板に生じるプラズマチャージが低減されて、ゲート酸化膜に生じるダメージを低減できることが分かる。
なお、プラズマＣＶＤ装置としてアプライドマテリアルズ社製の「Ｕｌｔｉｍａ  ＨＤＰ  Ｃｅｎｔｕｒａ」を用いた場合、ウエハＷを静電チャック２から外す際（時刻ｔ9 以降）の各条件の好適範囲は以下の通りである。
【００３１】
アルゴンガス（Ａｒ）の流量：１２６ sccm で、時刻ｔ10〜ｔ12の反応室内の圧力：１０〜２０ｍtorr、１５ｍtorrが特に好ましい。
反応室内の圧力：５ｍtorrの場合、アルゴンガス（Ａｒ）の流量：１５０ sccm 。
高周波電源７４のパワーは、時刻ｔ10〜ｔ12で５００〜１５００Ｗ。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施形態で使用したプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図。
【図２】実施形態の方法を示すタイミングチャート。
【図３】従来技術の方法を示すタイミングチャート。
【図４】試験で形成したＴＥＧを示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ断面図。
【図６】図４のＢ−Ｂ断面図。
【図７】シリコン酸化膜を形成する前のＴＺＤＢ結果を示すグラフ。
【図８】図２の方法でシリコン酸化膜を形成した後のＴＺＤＢ結果のグラフ。
【図９】図２の方法でシリコン酸化膜を形成した後のＴＺＤＢ結果のグラフ。
【図１０】図３の方法でシリコン酸化膜を形成した後のＴＺＤＢ結果のグラフ。
【図１１】図３の方法でシリコン酸化膜を形成した後のＴＺＤＢ結果のグラフ。
【図１２】図３の方法でシリコン酸化膜を形成した後のＴＺＤＢ結果のグラフ。
【符号の説明】
【００３３】
１…反応室をなす容器、２…静電チャック、３…リフト機構、４１，４２…ガス導入ノズル（気体導入口）、２１…直流電源からの配線、２２…ヘリウムガス供給源からの配管、２３…高周波電源、２４…高周波電源からの配線、４３，４４…配管、５…ゲートバルブ、６…スロットルバルブ、７１，７２…コイル、７３，７４…高周波電源、８１…ＴＥＧのシリコン基板、８２…ＴＥＧのＬＯＣＯＳ膜、８３…ＴＥＧの熱酸化膜（ゲート酸化膜）、８４…ＴＥＧのポリシリコンパターン、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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