(57)【要約】【課題】ウェーハにカバーガラスを接合する際に発生する電荷を除電する。【解決手段】    電子回路が形成されているウェーハ１１表面に厚さ１００μｍのスペーサを設ける。ウェーハ１１をＸＹθステージ２０に載置してアライメントを完了する。微弱Ｘ線管型除電装置３０と接続されているノズル３１の孔３３からイオン化気流３２をウェーハ１１に吹き付け続ける。上側テーブル２５にカバーガラス１２を吸着させる。ウェーハ１１が載置しているＸＹθステージ２０を上昇させる。ウェーハ１１とカバーガラス１２とを接合する。ＸＹθステージ２０を５０μｍ下降させる。発生している電荷は、上側テーブル２５から放電されるため、ウェーハ１１上に形成されている電子回路の破壊が防止される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、絶縁性基板とを接合して製造する固体撮像装置の製造方法において、
前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合する際に、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を除電することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板と前記絶縁性基板との接合は、スペーサを介して行われることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記除電を微弱Ｘ線管型除電装置により行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記微弱Ｘ線管型除電装置が、イオン化気流吹付型であることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記微弱Ｘ線管型除電装置は、イオン化気流吹付用のノズルを備え、
前記ノズルには、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の一方向にわたり前記イオン化気流を吹き出す複数の孔が形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方が配置されている平面であって、
前記ノズルの配置位置を前記平面に投影した場合に、前記ノズル投影位置と前記半導体基板又は前記絶縁性基板との最小距離Ｌ１（ｍｍ）が、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記孔の開口面積が、０．３％以上１．５％以下の範囲であることを特徴とする請求項５又は６に記載の固体撮像措置の製造方法。
【請求項８】
前記孔から吹き出される前記イオン化気流の吹付平均角度θ１（度）は、
前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の平面に対して０度以上５度以下の範囲であることを特徴とする請求項５ないし７何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記イオン化気流が、クラス１０以下のドライ且つクリーンな圧縮エアであることを特徴とする請求項４ないし８何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記圧縮エアの露点が、−３０℃以下であることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合させて基板ユニットを形成した後に、
前記基板ユニットをその接合位置から下降させることを特徴とする請求項１ないし１０何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板ユニットの下降距離が、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）よりも短いことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）に対して、
０．０２×Ｔ１以上１．０×Ｔ１以下であることを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板ユニットの下降位置における保持時間を１０秒以上４０秒以下とすることを特徴とする請求項１１ないし１４何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記固体撮像装置を製造する製造室内の空気の露点が８℃以下であり、且つ温度が２０℃以上２５℃以下であることを特徴とする請求項１ないし１５何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁性基板が、光学ガラスであることを特徴とする請求項１ないし１６何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記固体撮像装置の帯電量が、０．２ｋＶ以下であることを特徴とする請求項１ないし１７何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
半導体基板と絶縁性基板とを接合して基板ユニットを形成する際の基板ユニットの除電方法において、
前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を微弱Ｘ線管型除電装置により除電することを特徴とする基板ユニットの除電方法。
【請求項２０】
前記微弱Ｘ線管型除電装置が、イオン化気流吹付型であることを特徴とする請求項１９に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２１】
前記微弱Ｘ線管型除電装置は、イオン化気流吹付用のノズルを備え、
前記ノズルには、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の一方向にわたり前記イオン化気流を吹き付ける複数の孔が形成されていることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２２】
前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方が配置されている平面であって、
前記ノズルの配置位置を前記平面に投影した場合に、前記ノズル投影位置と前記半導体基板又は前記絶縁性基板との最小距離Ｌ１（ｍｍ）が、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２３】
前記孔の開口面積が、０．３％以上１．５％以下の範囲であることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２４】
前記孔から吹き出される前記イオン化気流の吹付平均角度θ１（度）は、
前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の平面に対して０度以上５度以下の範囲であることを特徴とする請求項２１ないし２３に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２５】
前記イオン化気流が、クラス１０以下のドライ且つクリーンな圧縮エアであることを特徴とする請求項２０ないし２４何れか１項に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２６】
前記圧縮エアの露点が、−３０℃以下であることを特徴とする請求項２５に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２７】
前記基板ユニットが、前記半導体基板と前記絶縁性基板とがスペーサを介して接合されたものであって、
前記半導体基板と前記絶縁性基板との接合位置から前記基板ユニットを下降させることを特徴とする請求項１９ないし２６何れか１項に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２８】
前記基板ユニットの下降距離が、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２７に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項２９】
前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）よりも短いことを特徴とする請求項２７に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項３０】
前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）に対して、
０．０２×Ｔ１以上１．０×Ｔ１以下であることを特徴とする請求項２７に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項３１】
前記基板ユニットの下降位置における保持時間を１０秒以上４０秒以下とすることを特徴とする請求項２７ないし３０何れか１項に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項３２】
前記絶縁性基板が、光学ガラスであることを特徴とする請求項１９ないし３１何れか１項に記載の基板ユニットの除電方法。
【請求項３３】
半導体基板と、絶縁性基板とを接合して製造する固体撮像装置の製造装置において、
前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合する際に、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を除電する微弱Ｘ線型除電装置を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板ユニットの除電方法並びに固体撮像装置の製造方法及び製造装置に関し、特にチップサイズパッケージタイプの基板ユニットの除電方法並びにその方法を用いる固体撮像装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや携帯電話に用いられるＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）からなる固体撮像装置は、近年ますます小型化が要求されている。このため、固体撮像素子チップ全体をセラミックスなどのパッケージに気密封止した従来の大型パッケージから、最近では固体撮像素子チップの大きさと略等しい大きさのチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプに移行しつつある。
【０００３】
また、ウェーハ（半導体基板）上に多数の固体撮像素子を形成し、一方、透明材料からなる封止部材（ガラス板）に固体撮像素子の受光エリアを囲う枠部（スペーサ）を多数一体形成する。そして、封止部材（ガラス板）は、枠部（スペーサ）を介してウェーハに接合される。各個体撮像素子の受光エリアを密閉し、固体撮像装置がウェーハレベルで多数形成された積層体を製造し、次にこれら積層体を個々の固体撮像装置に分割することによって、固体撮像装置をウェーハレベルで一括製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−２３１９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、封止部材は通常は絶縁体であるので静電気が帯電しやすい。また、近年の固体撮像素子の高画素化に伴い、転送効率を考慮して保護回路が簡素化され静電気に対して弱くなり始めている。そこで、放電針（エミッタ）を用いたコロナ放電方式の送風型除電装置（エアイオナイザ）が、静電気対策として多く使われている。また、大きな帯電を防止する場合には湿度を５０％ＲＨ以上（加湿効果を高める場合、６５％ＲＨ以上）に保てば良いとされている。
【０００５】
しかしながら、コロナ放電方式の場合、イオン風を封止部材と固体撮像素子が形成されているウェーハとの接合が完了する前に吹き付けると、撮像素子の表面の撮像面（マイクロレンズ）及び封止部材表面（内側）に放電針（エミッタ）からの塵埃（異物）が付着するおそれがある。また、ウェーハに形成されている固体撮像素子では、画像に影響する５μｍ以上の塵埃（異物）を付着させないで清浄を保つ必要がある。また、コロナ放電方式では、オゾンが発生するため、安全衛生上好ましくないと言う問題も生じている。さらに、コロナ放電方式では、放電針（エミッタ）の交換や放電針の掃除を頻発に実施する必要があり、保全が大変である。
【０００６】
また、加湿した場合には封止部材とウェーハとの接合時に封止部材内面湿度も上がり、チップサイズパッケージ状態に加工後、封止部材内面に結露が発生するという問題が生じる。更には、固体撮像素子の端子、アルミパッド表面に腐食を発生させるおそれもある。
【０００７】
本発明の目的は、（１）半導体基板と絶縁性基板とから固体撮像装置を製造する際の静電気障害防止及び（２）固体撮像装置への塵埃付着防止、（３）半導体基板を絶縁性基板で封止した後に結露が発生することを防止し安定した生産品質が得られる固体撮像装置の製造方法及び製造装置並びに基板ユニットの除電方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、前記目的を達成するために、半導体基板と、絶縁性基板とを接合して製造する固体撮像装置の製造方法において、前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合する際に、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を除電する。請求項１によれば、半導体基板と絶縁性基板とから固体撮像装置を製造する際の静電気障害を防止できる。
【０００９】
請求項２の発明は、前記半導体基板と前記絶縁性基板との接合は、スペーサを介して行われることが好ましい。請求項３の発明は、前記除電を微弱Ｘ線管型除電装置により行うことが好ましい。請求項３によれば、固体撮像装置への塵埃の付着を防止できる。請求項４の発明は、前記微弱Ｘ線管型除電装置が、イオン化気流吹付型であることが好ましい。
【００１０】
請求項５の発明は、前記微弱Ｘ線管型除電装置は、イオン化気流吹付用のノズルを備え、前記ノズルには、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の一方向にわたり前記イオン化気流を吹き出す複数の孔が形成されていることが好ましい。請求項６の発明は、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方が配置されている平面であって、前記ノズルの配置位置を前記平面に投影した場合に、前記ノズル投影位置と前記半導体基板又は前記絶縁性基板との最小距離Ｌ１（ｍｍ）が、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましい。請求項７の発明は、前記孔の開口面積が、０．３％以上１．５％以下の範囲であることが好ましい。請求項８の発明は、  前記孔から吹き出される前記イオン化気流の吹付平均角度θ１（度）は、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の平面に対して０度以上５度以下の範囲であることが好ましい。
【００１１】
請求項９の発明は、前記イオン化気流が、クラス１０以下のドライ且つクリーンな圧縮エアであることが好ましい。請求項１０の発明は、前記圧縮エアの露点が、−３０℃以下であることが好ましい。請求項１０によれば、半導体基板を絶縁性基板で封止した後に結露が発生することを防止できる。
【００１２】
請求項１１の発明は、前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合させて基板ユニットを形成した後に、前記基板ユニットをその接合位置から下降させることが好ましい。請求項１１によれば、半導体基板と絶縁性基板とから固体撮像装置を製造する際の静電気障害の発生を防止できる。
【００１３】
請求項１２の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましい。請求項１３の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）よりも短いことが好ましい。請求項１４の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）に対して、０．０２×Ｔ１以上１．０×Ｔ１以下であることが好ましい。請求項１５の発明は、前記基板ユニットの下降位置における保持時間を１０秒以上４０秒以下とすることが好ましい。
【００１４】
請求項１６の発明は、前記固体撮像装置を製造する製造室内の空気の露点が８℃以下であり、且つ温度が２０℃以上２５℃以下であることが好ましい。請求項１６によれば、半導体基板を絶縁性基板で封止した後に結露が発生することを防止できる。請求項１７の発明は、前記絶縁性基板が、光学ガラスであることが好ましい。請求項１８の発明は、前記固体撮像装置の帯電量が、０．２ｋＶ以下であることが好ましい。
【００１５】
請求項１９の発明は、前記目的を達成するために、半導体基板と絶縁性基板とを接合して基板ユニットを形成する際の基板ユニットの除電方法において、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を微弱Ｘ線管型除電装置により除電する。請求項１９によれば、半導体基板と絶縁性基板とから基板ユニットを製造する際の静電気障害防止及び前記基板ユニットへの塵埃付着を防止することができる。
【００１６】
請求項２０の発明は、前記微弱Ｘ線管型除電装置が、イオン化気流吹付型であることが好ましい。請求項２１の発明は、前記微弱Ｘ線管型除電装置は、イオン化気流吹付用のノズルを備え、前記ノズルには、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の一方向にわたり前記イオン化気流を吹き付ける複数の孔が形成されていることが好ましい。請求項２２の発明は、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方が配置されている平面であって、前記ノズルの配置位置を前記平面に投影した場合に、前記ノズル投影位置と前記半導体基板又は前記絶縁性基板との最小距離Ｌ１（ｍｍ）が、＿１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
請求項２３の発明は、前記孔の開口面積が、０．３％以上１．５％以下の範囲であることが好ましい。請求項２４の発明は、前記孔から吹き出される前記イオン化気流の吹付平均角度θ１（度）は、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方の平面に対して０度以上５度以下の範囲であることが好ましい。請求項２５の発明は、前記イオン化気流が、クラス１０以下のドライ且つクリーンな圧縮エアであることが好ましい。
【００１８】
請求項２６の発明は、前記圧縮エアの露点が、−３０℃以下であることが好ましい。請求項２６によれば、半導体基板を絶縁性基板で封止した後に結露が発生することを防止できる。
【００１９】
請求項２７の発明は、前記基板ユニットが、前記半導体基板と前記絶縁性基板とがスペーサを介して接合されたものであって、前記半導体基板と前記絶縁性基板との接合位置から前記基板ユニットを下降させることが好ましい。請求項２７によれば、半導体基板と絶縁性基板とから基板ユニットを製造する際の静電気発生による障害を防止できる。
【００２０】
請求項２８の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、０．０１ｍｍ以上    １．０ｍｍ以下であることが好ましい。請求項２９の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）よりも短いことが好ましい。請求項３０の発明は、前記基板ユニットの下降距離が、前記スペーサの厚さＴ１（ｍｍ）に対して、０．０２×Ｔ１以上１．０×Ｔ１以下であることが好ましい。請求項３１の発明は、前記基板ユニットの下降位置における保持時間を１０秒以上４０秒以下とすることが好ましい。請求項３２の発明は、前記絶縁性基板が、光学ガラスであることが好ましい。
【００２１】
請求項３３の発明は、前記目的を達成するために、半導体基板と、絶縁性基板とを接合して製造する固体撮像装置の製造装置において、前記半導体基板と前記絶縁性基板とを接合する際に、前記半導体基板と前記絶縁性基板との少なくとも何れか一方を除電する微弱Ｘ線型除電装置を備える。請求項３３によれば、半導体基板と絶縁性基板とから固体撮像装置を製造する際の静電気障害が発生することを防止できると共に固体撮像装置への塵埃付着を防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、（１）半導体基板と絶縁性基板とから固体撮像装置を製造する際の静電気障害防止及び（２）固体撮像装置への塵埃付着防止、（３）半導体基板を絶縁性基板で封止した後に結露が発生することを防止し安定した生産品質の固体撮像装置が得られる。また、基板ユニットを効率良く除電できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１に本発明に係る固体撮像装置の製造方法、特に除電方法に用いられる装置１０の接合部１０ａを示す。電子回路が形成されている半導体基板であるウェーハ（以下、単にウェーハと称する）１１は、下側吸着テーブル（以下、下側テーブルと称する）２１に載置されている。下側テーブル２１は、ＸＹθステージ２０上に固定されており、３次元方向に自由に移動が可能である。なお、ウェーハ１１上に形成されている電子回路は、例えば固体撮像素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）素子などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。説明は固体撮像素子が形成されているもので行う。ウェーハ１１は、下側テーブル２１に載置されアライメントが完了して待機中となる。
【００２４】
そして、ウェーハ１１表面への除電が開始される。本発明に用いられる除電装置３０は、微弱Ｘ線管型除電装置であることがコロナ放電方式の除電装置よりも好ましい。これは、コロナ放電方式除電装置では、放電針（エミッタ）からの塵埃の付着、オゾン発生による環境悪化、エミッタの保守管理などの事を行わないことによるコスト低下が見込めるからである。また、微弱Ｘ線管型除電装置のなかでも、イオン化気流吹付型を用いることが好ましい。イオン化気流を吹き付けることで、ウェーハやカバーガラスなどを２次元的（すなわち、平面上にわたり）に除電することが可能となるからである。また、他の理由としてイオン化気流の吹付量は、容易に制御できるため、帯電量に最適なイオン化気流を吹き付けることが可能となる。一例として、イオン発生を波長０．１３ｎｍ（＝１．３オングストローム）以上、管電圧９．５ｋＶ，管電流１５０μＡ微弱Ｘ線管で行い、冷却方式は自然空冷、イオン出力窓材がベリリウム（厚さ０．３ｍｍ）からＸ線線量等量１０ｍＳｖ／ｈ（距離１ｍ）で行う形態が挙げられる。微弱Ｘ線管型除電装置３０のノズル３１からイオン化気流３２が、ウェーハ１１表面に吹き付けられる。なお、ノズル３１の形状及びイオン化気流３２については後述する。
【００２５】
絶縁性基板１２をウェーハ搬送ロボットのハンド１３で接合部１０へ供給する。絶縁性基板１２としては、カバーガラス、透明樹脂板などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。説明はカバーガラスを用いて行う。
【００２６】
カバーガラス１２は、上側基準吸着テーブル（以下、上側テーブルと称する）２５に固定される。上側テーブル２５へのカバーガラス１２の固定は、上側テーブル２５に取り付けられている吸着ピン２６により行われている。吸着ピン２６は真空装置（図示しない）に接続されており、吸着ピン２６内を真空引きすることで、上側テーブル２５にカバーガラス１２を固定している。そして、図示しないアライメントカメラによりカバーガラス１２のアライメントが測定される。
【００２７】
カバーガラス１２のアライメント測定結果を考慮しつつ、下側テーブル２１が載置されているＸＹθステージ２０があおり調整位置まで上昇する。ウェーハ１１とカバーガラス１２との隙間が隙間計測計により測定される。隙間計測計で計測される隙間の間隔を考慮しつつ、あおり調整がなされる。あおり調整とは、ウェーハ１１とカバーガラス１２との接合面を略平行とする調整方法である。
【００２８】
その後にアライメント合わせ位置までＸＹθステージ２０が更に上昇する。アライメント合わせ位置で、下側テーブル２１が載置されているＸＹθステージ２０が移動することで、ウェーハ１１とカバーガラス１２とのアライメント合わせがなされる。そして、図２に示すようにＸＹθステージ２０が接合位置まで上昇する。接合位置でウェーハ１１とカバーガラス１２とが接合する。なお、このときにウェーハ１１とカバーガラス１２とは、その間にスペーサ１５を介して接合されることが好ましい。
【００２９】
スペーサ１５は特に限定されるものではないが、シリコン、銅箔等の金属、樹脂、接着剤、フォトレジストなどから形成されていることが好ましいが、これらに限定されるものではない。また、大きさ（高さ）Ｔ１は、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であることが好ましい。断面形状は、長方形、四辺形、楕円、円などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
そして、吸着ピン２６によるカバーガラス１２の真空吸着を停止して、カバーガラス１２が上側テーブル２５に吸着されていることを解除する。これにより、カバーガラス１２はウェーハ１１上に接合され、ウェーハと一体となる。以下、基板ユニット１６と称する。図３に示すように基板ユニット１６が載置されている下側テーブル２１をＸＹθステージ２０と共に下降させることで、除電位置まで下降させる。
【００３１】
通常、固体撮像装置の製造工程において、各工程で基板などに帯電が生じやすい。本発明に係る接合工程では、絶縁性が高いカバーガラス１２にウェーハ１１より多くの帯電がなされている。そこで、カバーガラス１２に帯電している電荷がウェーハ１１を通るよりも上側テーブル２５を通って除電されやすくなるようにすることで、ウェーハ１１に形成されている電子回路などの電気的破壊の発生を防止できる。
【００３２】
そのため、ＸＹθステージ２０の除電待機位置までの下降距離は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは０．０２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、最も好ましくは０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。また、基板ユニット１６にスペーサ１５が設けられているときは、スペーサ１５の高さＴ１（ｍｍ）に対して、０．５×Ｔ１以上１．０×Ｔ１以下であることが好ましく、より好ましくは０．５×Ｔ１以上０．８×Ｔ１以下であり、最も好ましくは０．５Ｔ１以上０．６×Ｔ１以下である。これにより、主にカバーガラス１２に帯電している電荷が、ウェーハ１１よりも多く上側テーブル２５を通る事により、ウェーハ１１に形成されている電子回路の破壊を防止できる。一例としては、スペーサ１５の高さＴ１（ｍｍ）に０．１ｍｍのものを用いた場合に下降距離（ｍｍ）を０．０５ｍｍとする形態が挙げられる。
【００３３】
ＸＹθステージ２０を除電位置で１０秒以上４０秒以下の範囲で除電することが好ましく、より好ましく１０秒以上３０秒以下であり、最も好ましくは１０秒以上２０秒以下である。１０秒未満であると基板ユニット、特にカバーガラス１２に帯電している電荷の除電が十分に行えない場合がある。また６０秒を超えると、装置全体の生産タクトタイムを著しく延ばし、生産性を低下させる恐れがある。一例として、２０秒間停止させる形態が挙げられる。
【００３４】
最後に、基板ユニット１６が載置しているＸＹθステージ２０は、ウェーハ受け渡し位置まで下降される。そして基板ユニット１６が下側テーブル２１ごと次工程に搬送される。そして、ＸＹθステージ２０上には次のウェーハが載置している下側テーブルが搬送され、アライメントが調整されて待機モードに入る。
【００３５】
イオン化気流３２の吹付型は特に限定されるものではないが、図１に示すようにウェーハ１１又はカバーガラス１２の一方向にわたって設けられるノズル３１により行うことが、ウェーハ１１又はカバーガラス１２の表面全体の除電を行えるために好ましい。また、イオン化気流３２の吹付量を容易に制御するため、ノズル３１にイオン化気流を吹き出す孔３３が形成されていることが好ましい。孔３３の個数，形状などは特に限定されるものではないが、開口面積は０．３％以上１．５％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５％以下１．０％以上であり、最も好ましくは０．６％以上０．８％以下である。開口面積が０．３％未満であると、イオン化気流３２が２次元的に広がり難くなり、ウェーハ１１又はカバーガラス１２の全面へのイオン化気流３２の吹付を十分に行えないおそれが生じる。また、開口面積が１．５％を超えると、イオン化気流の風圧が下がり、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面を除電するのに必要なイオン化気流３２を、十分に吹き付けることができない恐れがある。
【００３６】
図４に示すようにウェーハ１１とノズル３１との最小距離Ｌ１（ｍｍ）は、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｍｍ以上１９０ｍｍ以下であり、最も好ましくは１５０ｍｍ以上１８０ｍｍ以下である。本発明において、最小距離Ｌ１は、図４に示すようにノズル３１の配置位置をウェーハ１１が載置されている平面に投影した位置３１ａのウェーハのノズル側端部１１ａとノズル投影位置３１ａとの距離を意味する。なお、吹付基板がカバーガラス１２の場合も同様に、ノズル配置位置をカバーガラスが配置されている平面に投影し、カバーガラスのノズル側端部とノズル投影位置との距離を意味する。また、ウェーハ１１とノズル投影位置３１ａとの最大距離Ｌ２（ｍｍ）は、５００ｍｍ以下とすることが、イオン化気流３２を十分に吹き付けることができるため好ましく、より好ましくは４５０ｍｍ以下であり、最も好ましくは４００ｍｍ以下である。なお、一例としては３００ｍｍとする形態が挙げられる。
【００３７】
図４に示すようにノズル３１からイオン化気流３２の吹付角度の平均角度（以下、吹付平均角度と称する）θ１（度）は、ウェーハ平面１１ｃに対して０度以上５度以下であることが好ましい。吹付平均角度θ１が０度未満である場合、イオン化気流の多くが下側吸着テーブルに当たり、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面を除電するに必要なイオン化気流３２を十分に吹き付けることができないなどの弊害が生じる恐れがある。また、５度を超えると、イオン化気流の多くが上側基準テーブルに当たり、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面を除電するのに必要なイオン化気流３２を十分に吹き付けることができない恐れがある。なお、吹付先がカバーガラス１２の場合も吹付平均角度の好ましい範囲は、前記範囲と同様である。
【００３８】
また、図５に示すようにノズル３１に形成される孔３３は吹付角度範囲θ２（度）が狭くなるように形成されていることが好ましい。図４に示されているように孔３３から吹き出されるイオン化気流３２の吹付角度範囲θ２（度）は、３０度以下であることが好ましく、より好ましくは２５度以下であり、最も好ましくは２０度以下である。
【００３９】
ノズル３１からウェーハ１１又はカバーガラス１２へ吹き付けられるイオン化気流３２はクラス１０以下のクリーンな空気（清浄空気）であることが好ましく、最も好ましくはクラス１以下の清浄空気である。また、前記清浄空気はドライ（乾燥空気）であることが好ましい。例えば、相対湿度で５．０％ＲＨ以下であることが好ましく、より好ましくは３．０％ＲＨ以下であり、最も好ましくは２．０％ＲＨ以下である。相対湿度が１．５％ＲＨ未満であると、その乾燥空気を製造するコストがかかり過ぎるおそれがある。また、１０％ＲＨを超えると、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面の湿度が上がり過ぎ、結露などの不良の原因となるおそれがある。
【００４０】
イオン化気流３２の供給量は、室温、大気圧（２３℃，０．１ＭＰａ）下で１５０Ｌ／ｍｉｎ以上３５０Ｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましく、より好ましくは２００Ｌ／ｍｉｎ以上３５０Ｌ／ｍｉｎ以下であり、最も好ましくは３００Ｌ／ｍｉｎである。一例としては、温度２４℃で露点温度−３０℃のイオン化気流３２を同温度下で３００Ｌ／ｍｉｎとする形態が挙げられる。
【００４１】
また、イオン化気流３２は圧縮エアであることが好ましい。圧縮エアをノズル３１の孔３３からウェーハ１１又はカバーガラス１２に吹き付けることで、圧縮エアが２次元的に広がり好ましい圧力でウェーハ１１又はカバーガラス１２の表面の全域にわたり、吹き付けられることとなる。圧縮エアの圧力は、常温（２３℃）で０．３ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以上０．６ＭＰａ以下である。０．３ＭＰａ未満であると、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面を除電するに必要なイオン化気流３２を十分に吹き付けることができない恐れがある。また、０．８ＭＰａを超えた場合、ウェーハ１１又はカバーガラス１２を上側基準吸着テーブル及び下側吸着テーブルより落下させる、又はイオン化気流発生装置内の微弱Ｘ線管を破損させてしまう恐れがある。前記圧縮エアの露点は、−３０℃以下であることが好ましく、より好ましくは−４０℃以下であり、最も好ましくは−５０℃以下である。圧縮エアの露点を−３０℃以下とすることにより、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面に結露が生じることを抑制できる。
【００４２】
圧縮エアの吹付量は、常温常圧下（２３℃，０．１ＭＰａ）で１５０Ｌ／ｍｉｎ以上３５０Ｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましく、より好ましくは２００Ｌ／ｍｉｎ以上３００Ｌ／ｍｉｎ以下であり、最も好ましくは３００Ｌ／ｍｉｎである。吹付量が１５０Ｌ／ｍｉｎ未満であると、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面を除電するのに必要なイオン化気流３２を吹き付けられないおそれが生じる。また、３５０Ｌ／ｍｉｎを超えると高圧になりすぎてウェーハ１１又はカバーガラス１２の保持位置をずらしてしまう恐れが生じる。また、工場の設備コストの上昇になる。一例としては、温度２４℃、圧力０．５ＭＰａの条件下で露点温度−３０℃の圧縮エアを同条件下で３００Ｌ／ｍｉｎで吹き付ける形態が挙げられる。
【００４３】
また、ウェーハ１１とカバーガラス１２とを接合する工程を行う製造室１０内の空気の露点は８℃以下が好ましく、より好ましくは０℃以下であり、最も好ましくは−２０℃以下である。空気の露点が８℃を超えると、ウェーハ１１とカバーガラス１２とにイオン化気流３２を吹き付けても、搬送中などでそれらの表面に結露が生じるおそれがある。また、製造室内の温度は、２０℃以上２５℃以下とすることが好ましく、より好ましくは２１℃以上２４℃以下であり、最も好ましくは２３℃である。製造室内の温度が２０℃未満であると、    空調設備のコストの上昇になる。また、２５℃を超えると、好適なイオン化気流３２をノズル３１の孔３３から吹き出しても、ウェーハ１１又はカバーガラス１２表面に達するまでに温度変化が生じ、目的とする除電を行えないおそれがある。
【００４４】
前記各実験条件を選択することで、基板ユニット１６の帯電量を０．２ｋＶ以下とすることが可能となり、より条件を選択することで０．１ｋＶ以下とすることが可能となり、最も実験条件を選択することで０ｋＶ以下とすることが可能となる。例えば、ウェーハ１１上に２ｋＶ帯電している電荷を０．２ｋＶとするまでに８秒以内とすることが可能となる。従来のコロナ放電方式除電装置では２ｋＶを０．２ｋＶまで除電するのに１２０秒間かかる。
【００４５】
図６に本発明に係る基板ユニット１６の一例を示す。ウェーハ１１上に厚さＴ１（ｍｍ）のスペーサ１５が設けられている。そして、スペーサ１５を介してカバーガラス１２がウェーハ１１と接合して基板ユニット１６を構成しいている。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る基板ユニットの除電方法を説明するための概略図である。
【図２】本発明に係る基板ユニットの除電方法を実施するための工程を説明するための図である。
【図３】本発明に係る基板ユニットの除電方法を実施するための工程を説明するための図である。
【図４】本発明に用いられる除電装置が備えるノズルの配置位置を説明するための図である。
【図５】本発明に用いられる除電装置が備えるノズルの概略図である。
【図６】本発明に係る固体撮像装置の製造方法により得られる固体撮像装置の一例の概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…製造室、１１…ウェーハ、１２…カバーガラス、１５…スペーサ、３０…除電装置、３１…ノズル、３２…イオン化気流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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