(57)【要約】【課題】集積回路に、回路を改修し、又は電子部品を追加することが可能な電子回路の改修方法を提供すること。【解決手段】複数の電極を有するベース材を用意するステップと、信号を引出そうとする電極を複数に選択するステップと、焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけ接触穴を形成し電極を露出するステップと、焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップとを含む電子回路の改修方法において、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、導電粘り材料と導電ブリッジとにより二つの前記導電ピアが電気的に接続することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有するベース材を用意するステップ（ａ）と、
信号を引出そうとする電極を複数に選択するステップ（ｂ）と、
焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけて接触穴を形成し電極を露出するステップ（ｃ）と、
焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップ（ｄ）とを含む電子回路の改修方法において、
更に、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、導電粘り材料と導電ブリッジとにより二つの前記導電ピアが電気的に接続するステップ（ｅ）を含むことを特徴とする、
電子回路の改修方法。
【請求項２】
前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項３】
前記ベース材はプリント回路板（ＰＣＢ）であることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項４】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間には、更に、各接触穴の内壁面に絶縁部を形成するステップ（ｃ-１）を有することを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項５】
前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項６】
前記導電ブリッジは複数の玉形状を呈する導電粘り材料で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項７】
前記導電ブリッジは金属製リードであることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項８】
前記導電ブリッジは、複数の玉形状を呈する導電粘り材料と、電子素子とを連接して構成されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項９】
前記導電ブリッジは、少なくとも一本リードと、電子素子とを連接して構成されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１０】
前記導電ピアの一側には導電ピア延長段が延在してあり、前記導電ピア延長段は導電ピアと同じように導電性材質であり、前記導電ピア延長段の上で導電粘り材料を設置すると、導電ブリッジにより二つの前記導電ピアは電気的に連接する状態になることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１１】
前記導電ブリッジの下には絶縁材料が設けてあることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１２】
前記ノズルから噴出され絶縁部を堆積する絶縁材料は絶縁ゲルであることを特徴とする、請求項１１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１３】
複数の電極を有するベース材を用意するステップ（ａ）と、
信号を引出そうとする電極を複数に選択するステップ（ｂ）と、
レーザビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけて接触穴を形成し電極を露出するステップ（ｃ）と、
レーザビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップ（ｄ）とを含む電子回路の改修方法において、
更に、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、導電粘り材料と導電ブリッジとにより二つの前記導電ピアが電気的に接続するステップ（ｅ）を含むことを特徴とする、
電子回路の改修方法。
【請求項１４】
前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１５】
前記ベース材はプリント回路板（ＰＣＢ）であることを特徴とする、請求項１３に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１６】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間には、更に、各接触穴の内壁面に絶縁部を形成するステップ（ｃ-１）を有することを特徴とする、請求項１３に記載の電子回路の改修方法。
【請求項１７】
前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする、請求項１３に記載の電子回路の改修方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電粘り材料と、焦点が絞られたイオンビームとによって導電性経路を形成することにより電子回路を改修する方法に係り、特に、ベース材である集積回路の上での目標電極に、焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）またはレーザにより導電ピア（ｐｉｅｒ）を形成して、導電ピアに導電粘り材料を設置することにより導電ブリッジ（例えば、導電粘り材料、リード、又は電子素子などの導電体）と接続することにより、抵抗値がより低い導電通路を得ることができ、又は電子回路に電子素子を追加することができる電子回路の改修方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
目下、集積回路の回路を改修する方法は、図１４乃至図１７に示すように、焦点が絞られたイオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザにより、集積回路７１の上での選ばれた電極７３に半導体製造プロセスでの各層素材７４（例えば、導電層と半導体層と絶縁層など）を穴あけ接触穴７５を形成することにより電極７３を露出して、焦点が絞られたイオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５内に導電体を堆積し導電ピア７６を形成してもいいし、前記接触穴７５の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部７７を予めに形成して、前記絶縁部７７の上で導電材料を堆積して導電ピア７６を形成してもよく、最後に、焦点が絞られたイオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５の導電ピア７６の間に導電体を堆積し導電ブリッジ７８を形成する。上記方法の大きな問題は、抵抗値が極めて大きく、連接しようとする二つの目標電極の距離が遠いほど、導電体で形成した導電ブリッジの長さが長いので、抵抗値がもっと高くなり、だから、近年以来、抵抗値を低減する技術および特許が相次ぎ発表された。
【０００３】
Van Doorselaerなどは、２０回の国際検査および疲労分析シンポジウム（１９９４年１１月１３〜１８日、P397〜405）で、「How to Use Cu-Plating for Low Ohmic Long-Distance FIB Connections」を発表し、それは、銅メッキと、焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）によるCVDとにより、抵抗値が低い導電通路を得る方法であり、一般の焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）によるCVDで得られた導電通路の抵抗値はより高いが、前記導電通路に銅メッキをすると、抵抗値が降下する。
【０００４】
また、米国特許第5,429,994号公報に開示したのは、焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）によるCVDにより導電通路を形成して、無電解メッキにより前記導電通路に導電材質を堆積し、前記導電通路全体の抵抗値を降下する方法である。
【０００５】
また、米国特許第6692995号公報に開示したのは、スパッタリングまたは蒸着などにより、抵抗値がより低い導電通路を得る方法である。
【０００６】
また、台湾特許第86110359号公報に開示したのは、マスクを使用して、スパッタリングまたは蒸着などにより、マスクの上で抵抗値がより低くて長さが長い導電通路を得る方法である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、これには次のような欠点があった。
（イ）上記方法は、抵抗値を低減する効果を有するが、成形プロセスは全て複雑で遅いので、製造時間がかなり掛かり、且つ製造プロセスが不安定なので、チップでの回路と素子とに傷付けることがよくあり、実用性が高くない。
【０００８】
（ロ）集積回路の回路を改修する方法は、主に、焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）又はレーザにより、集積回路での電極の互いの連結関係を変更し又は省略することだけが可能であり、集積回路に電子素子を追加して回路特性を変更することが出来なかった。
【０００９】
本発明の主な目的は、集積回路に、回路を改修し、又は電子部品を追加することが快速に完成できるので、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールは短縮でき、製造コストは低減できる電子回路の改修方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記欠点を解決するためになされた本願の発明は、複数の電極を有するベース材を用意するステップ（ａ）と、信号を引出そうとする電極を複数に選択するステップ（ｂ）と、焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけて接触穴を形成し電極を露出するステップ（ｃ）と、焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップ（ｄ）とを含む電子回路の改修方法において、更に、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、導電粘り材料と導電ブリッジとにより二つの前記導電ピアが電気的に接続するステップ（ｅ）を含むことを特徴とする電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１１】
本願の発明では、前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１２】
本願の発明では、前記ベース材はプリント回路板（ＰＣＢ）であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１３】
本願の発明では、ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間には、更に、各接触穴の内壁面に絶縁部を形成するステップ（ｃ-１）を有することを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１４】
本願の発明では、前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１５】
本願の発明では、前記導電ブリッジは複数の玉形状を呈する導電粘り材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１６】
本願の発明では、前記導電ブリッジは金属製リードであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１７】
本願の発明では、前記導電ブリッジは、複数の玉形状を呈する導電粘り材料と、電子素子とを連接して構成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１８】
本願の発明では、前記導電ブリッジは、少なくとも一本リードと、電子素子とを連接して構成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００１９】
本願の発明では、前記導電ピアの一側には導電ピア延長段が延在してあり、前記導電ピア延長段は導電ピアと同じように導電性材質であり、前記導電ピア延長段の上で導電粘り材料を設置すると、導電ブリッジにより二つの前記導電ピアは電気的に連接する状態になることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２０】
本願の発明では、前記導電ブリッジの下には絶縁材料が設けてあることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２１】
本願の発明では、前記ノズルから噴出され絶縁部を堆積する絶縁材料は絶縁ゲルであることを特徴とする請求項１１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２２】
本願の発明では、複数の電極を有するベース材を用意するステップ（ａ）と、信号を引出そうとする電極を複数に選択するステップ（ｂ）と、レーザビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけて接触穴を形成し電極を露出するステップ（ｃ）と、レーザビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップ（ｄ）とを含む電子回路の改修方法において、更に、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、導電粘り材料と導電ブリッジとにより二つの前記導電ピアが電気的に接続するステップ（ｅ）を含むことを特徴とする電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２３】
本願の発明では、前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２４】
本願の発明では、前記ベース材はプリント回路板（ＰＣＢ）であることを特徴とする請求項１３に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２５】
本願の発明では、ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間には、更に、各接触穴の内壁面に絶縁部を形成するステップ（ｃ-１）を有することを特徴とする請求項１３に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【００２６】
本願の発明では、前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする請求項１３に記載の電子回路の改修方法であることを要旨としている。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る電子回路の改修方法によれば、集積回路に、回路を改修し、又は電子部品を追加することが快速に完成できるので、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールは短縮でき、製造コストは低減でき、且つ導電ブリッジの抵抗値は降下になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
まず、本発明は多種類の実施例に適用できるので、出願者は説明を簡潔化するために、そのうちの一つの実施例を挙げて本考案の実施方法を説明するが、もちろん、本発明は各種類の回路の改修に適用できる。
【００３０】
また、図１を参照する。本発明は、複数の電極１１を有するベース材１（例えば集積回路）を含み、焦点が絞られたイオンビーム２（例えばガリウム・イオンビームなど）又はレーザにより、連接しようとする複数の電極１１の上の半導体製造プロセスでの各層素材１２（例えば、導電層と半導体層と絶縁層など）を除去することにより、電極１１に対応する接触穴１３がベース材１の上で形成される。
【００３１】
また、図２を参照する。選べれた電極１１に対応する各接触穴１３を前記ベース材１の上で形成して、焦点が絞られたイオンビーム２またはレーザと、ノズル３から噴出された気体分子（白金（Pt）やタングステン（W）などの導電性材料の気体または二酸化シリコン（SiO2）などの絶縁材質の気体）とにより、各接触穴１３内に導電体を堆積し導電ピア４を形成してもいいし、前記接触穴１３の内周面に絶縁材料を堆積し絶縁部（図示せず）を予めに形成して、前記絶縁部（図示せず）の上で導電材料を堆積して導電ピア４を形成してもいい。
【００３２】
本発明の主な改良は、図３に示すように、前記導電ピア４の上で導電粘り材料５（例えば導電ゲルなど）を設置して、図４乃至図７に示すように、複数の玉形状を呈する前記導電粘り材料５により導電ピア４が各種類の導電性材質で作製された導電ブリッジ６（floor of a bridge）と接続し、前記導電ブリッジ６は、導電粘り材料６１でもいいし、リード６２でもいいし、電子素子６３（例えば能動素子または受動素子）でもいいし、リード６２と電子素子６３との組合でもよく、そうすると、導電ピアの間に導電ブリッジを形成し、又は回路内に電子素子６３を追加することができ、電子回路を改修する目的を達成することができる。
【００３３】
また、図８乃至図１０を参照する。ベース材１の各接触穴１３内に導電体を堆積して形成された導電ピア４の一側には導電ピア延長段４１が延在してあり、前記導電ピア延長段４１は導電ピア４と同じように導電性材質であり、前記導電ピア延長段４１の上で複数の玉形状を呈する導電粘り材料５を設置すると、導電ブリッジ６により二つの前記導電ピア４は電気的に連接する状態になり、且つ前記導電ブリッジ６は、導電粘り材料６１でもいいし、リード６２でもいいし、電子素子６３（例えば能動素子または受動素子）でもよく、そうすると、導電ピア延長段の間に導電ブリッジを形成し、又は回路内に電子素子６３を追加することができ、電子回路を改修する目的を達成することができる。
【００３４】
また、図１１乃至図１３を参照する。各種類の導電性を持つ導電ブリッジ６の下に絶縁材料６４（例えば、絶縁ゲル、二酸化シリコン（SiO2）など）を設けてもよく、そうすると、電気特性はもっと良くなる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】焦点が絞られたイオンビームによりベース材の上で接触穴を開設することを示す断面概略図である。
【図２】ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとにより導電ピアを形成することを示す断面概略図である。
【図３】導電ピアの上で導電粘り材料を設置することを示す断面概略図である。
【図４】導電粘り材料と導電ブリッジである導電粘り材料とにより二つの導電ピアは電気的に接続する状態になることを示す断面図である。
【図５】導電粘り材料と導電ブリッジであるリードとにより二つの導電ピアは電気的に接続する状態になることを示す断面図である。
【図６】複数の玉形状を呈する導電粘り材料と導電ブリッジである電子素子とにより二つの導電ピアは電気的に接続する状態になることを示す上面概略図である。
【図７】導電粘り材料とリードと電子素子とにより二つの導電ピアは電気的に接続する状態になることを示す断面図である。
【図８】導電粘り材料と導電ブリッジである導電粘り材料とにより二つの導電ピア延長段は電気的に接続する状態になることを示す断面図である。
【図９】導電粘り材料と導電ブリッジであるリードとにより二つの導電ピア延長段は電気的に接続する状態になることを示す断面図である。
【図１０】複数の玉形状を呈する導電粘り材料と導電ブリッジである電子素子とにより二つの導電ピア延長段は電気的に接続する状態になることを示す上面概略図である。
【図１１】導電ブリッジである導電粘り材料の下に絶縁材料を設置したことを示す断面図である。
【図１２】導電ブリッジであるリードの下に絶縁材料を設置したことを示す断面図である。
【図１３】導電ブリッジである電子素子の下に絶縁材料を設置したことを示す上面概略図である。
【図１４】従来の技術により、焦点が絞られたイオンビームによってベース材の上で接触穴を開設することを示す断面概略図である。
【図１５】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図１である。
【図１６】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図２である。
【図１７】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図３である。
【符号の説明】
【００３６】
１        ベース材                １１      電極
１２      半導体製造プロセスでの各層材料
１３      接触穴                  ２        イオンビーム
３        ノズル                  ４        導電ピア
４１      導電ピア延長段          ５        導電粘り材料
６        導電ブリッジ            ６１      導電粘り材料
６２      リード                  ６３      電子素子
６４      絶縁材料                ７１      集積回路
７２      イオンビーム            ７２１    ノズル
７３      電極                    ７４      導電ピア
７７      絶縁部                  ７８      導電ブリッジ
【図１】
2007184488.tif 000003
【図２】
2007184488.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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