(57)【要約】【課題】液晶装置における耐光性寿命を短時間で評価することを可能とした、液晶装置用基板の評価方法、及び液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０´，２０´上に無機配向膜１６，２２を形成して液晶装置用基板１０，２０を形成する工程と、無機配向膜１６，２２の吸着水分量を推定し、吸着水分量を所定値と比較することで液晶装置用基板１０，２０により構成される液晶装置１の耐光性寿命を評価する耐光性評価工程と、を含む液晶装置の製造方法である。この耐光性評価工程により、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置１を構成する一対の液晶装置用基板１０，２０を選択し、この一対の液晶装置用基板１０，２０を貼り合わせる。【選択図】図１
2007293186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に無機配向膜を備えた液晶装置用基板の評価方法であって、
前記無機配向膜における吸着水分量を推定する工程と、該吸着水分量を所定値と比較して前記一対の液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性寿命を評価する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置用基板の評価方法。
【請求項２】
前記吸着水分量を推定する工程は、前記液晶装置用基板と同一条件の下で形成された無機配向膜を備えた測定用基板を用い、該測定用基板を加熱処理することで前記測定用基板に設けられた無機配向膜に吸着された水分を蒸発させ、蒸発した水分量を前記液晶装置用基板における吸着水分量と推定することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置用基板の評価方法。
【請求項３】
基板上に無機配向膜を形成して液晶装置用基板を形成する工程と、
前記無機配向膜の吸着水分量を推定し、該吸着水分量を所定値と比較することで前記液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性寿命を評価する耐光性評価工程と、を含む液晶装置の製造方法であって、
該耐光性評価工程により、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置を構成する一対の液晶装置用基板を選択し、該一対の液晶装置用基板を貼り合わせることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記耐光性寿命評価工程において、前記液晶装置用基板により構成される液晶装置が所望の耐光性が得られないと評価される場合、
前記無機配向膜を除去し再形成する工程と、該再形成した無機配向膜の水分吸着量を推定する工程と、を前記液晶装置用基板により構成される液晶装置が所望の耐光性寿命を備えると評価されるまで繰り返すことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記耐光性評価工程において、前記液晶装置用基板と同一条件の下で形成された無機配向膜を備えた測定用基板を用い、該測定用基板を加熱処理することで前記測定用基板に設けられた無機配向膜に吸着された水分を蒸発させ、蒸発した水分量を前記液晶装置用基板における吸着水分量と推定することを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
同一の処理室内にて、前記測定用基板及び前記液晶装置用基板に蒸着処理を行うことで無機配向膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置用基板の評価方法、及び液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶プロジェクタの光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような配向膜としては、例えばポリイミド等に有機材料からなるものにラビング処理を施したものが知られている。しかしながら、液晶プロジェクタにおいては、液晶装置が光源からの強い光や熱に曝されるため、上述したような有機材料からなる配向膜には劣化が生じてしまう。そこで、耐光性、及び耐熱性に優れた無機材料からなる無機配向膜を備えた液晶装置が考えられている。
【０００３】
ところで、このような液晶装置はその品質を保証すべく、表示特性の変化を評価するための耐光性試験が行われている。このような耐光性試験として、例えば液晶装置のサンプルに直接光を照射し表示品質が低下するまでの時間を測定することにより、耐光性寿命を判定する方法がある。しかしながら、上述したような液晶装置のサンプルを用いる耐光性試験には、膨大な時間が必要となり実用性が低いものとなってしまう。そこで、例えば加速要因として液晶装置に照射する光量を増大させた耐光性加速試験を行うことで液晶装置の耐光性寿命を予測し、耐光性試験の期間を短縮することで液晶装置の開発期間の短縮が図られている。このような耐光性加速試験として、液晶装置に実使用時と同等の光を均一に照射するとともに、光量と温度とをパラメータとして用いることで耐光性寿命の予測精度を向上させたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−４５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載された耐光性加速試験においても、試験期間に数日から数ヶ月の時間が必要となるため、この試験期間の分だけ液晶装置の開発期間が延びてしまう原因となっていた。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、液晶装置における耐光性寿命を短時間で評価することを可能とした、液晶装置用基板の評価方法、及び液晶装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、後述する実験結果のように、無機配向膜を備えてなる液晶装置の耐光性寿命は、前記無機配向膜に吸着された水分量に依存するとの知見を得た。そして、このような知見に基づき、本発明者は本発明を完成させた。
【０００７】
本発明の液晶装置用基板の評価方法は、基板上に無機配向膜を備えた液晶装置用基板の評価方法であって、前記無機配向膜における吸着水分量を推定する工程と、該吸着水分量を所定値と比較して前記一対の液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性寿命を評価する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
後述する実験結果に示されるように、液晶装置における耐光性寿命は、この液晶装置を構成している液晶装置用基板に設けられている無機配向膜に吸着された水分量に依存している。そこで、所望の耐光性寿命を有した液晶装置を構成する液晶装置用基板に設けられた無機配向膜における吸着水分量を所定値として定めている。よって、本発明の液晶装置用基板の評価方法を採用すれば、無機配向膜における吸着水分量を所定値と比較することにより、この液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性を評価することができる。
したがって、前記無機配向膜における吸着水分量を推定することで、従来のように組立後の液晶装置に対して行われていた耐光性試験に比べ、耐光性寿命を短時間で評価するが可能となる。
【０００９】
また、上記液晶装置用基板の評価方法は、前記吸着水分量を推定する工程は、前記液晶装置用基板と同一条件の下で形成された無機配向膜を備えた測定用基板を用い、該測定用基板を加熱処理することで前記測定用基板に設けられた無機配向膜に吸着された水分を蒸発させ、蒸発した水分量を前記液晶装置用基板における吸着水分量と推定するのが好ましい。
【００１０】
このようにすれば、無機配向膜中から水分を蒸発させる検査工程は破壊検査に該当するため、例えば液晶装置用基板を直接加熱処理してしまうと、水分蒸発後の液晶装置用基板は吸着水分量が特定できなくなり、液晶装置の耐光性寿命を評価することができない。そこで、本発明を採用すれば、同一条件の下で形成された無機配向膜における吸着水分量をそれぞれ等しいものとみなし、この測定用基板により液晶装置用基板における吸着水分量を推定しているので、液晶装置用基板の吸着水分量が変動することがない。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造方法は、基板上に無機配向膜を形成して液晶装置用基板を形成する工程と、前記無機配向膜の吸着水分量を推定し、該吸着水分量を所定値と比較することで前記液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性寿命を評価する耐光性評価工程と、を含む液晶装置の製造方法であって、該耐光性評価工程により、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置を構成する一対の液晶装置用基板を選択し、該一対の液晶装置用基板を貼り合わせることを特徴とする。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、耐光性評価工程によって、液晶装置用基板の無機配向膜における水分吸着量を推定することで、組み立て後の液晶装置が所望の耐光性寿命を得られない液晶装置用基板を製造工程中に選別して取り除くことで、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置のみを確実に製造することができる。よって、従来のような長期間を要する耐光性試験を行うことなく、耐光性寿命を備えた品質保証性の高い液晶装置のみを提供することができる。
【００１３】
また、上記液晶装置の製造方法は、前記耐光性寿命評価工程において、前記液晶装置用基板により構成される液晶装置が所望の耐光性が得られないと評価される場合、前記無機配向膜を除去し再形成する工程と、該再形成した無機配向膜の水分吸着量を推定する工程と、を前記液晶装置用基板により構成される液晶装置が所望の耐光性寿命を備えると評価されるまで繰り返すのが好ましい。
【００１４】
このようにすれば、所望の耐光性が得られないと評価された液晶装置用基板における無機配向膜のみを再形成し、液晶装置用基板を無駄にすることなく再利用しているので、液晶装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００１５】
また、上記液晶装置の製造方法は、前記耐光性評価工程において、前記液晶装置用基板と同一条件の下で形成された無機配向膜を備えた測定用基板を用い、該測定用基板を加熱処理することで前記測定用基板に設けられた無機配向膜に吸着された水分を蒸発させ、蒸発した水分量を前記液晶装置用基板における吸着水分量と推定するのが好ましい。
【００１６】
無機配向膜中から水分を蒸発させる検査工程は破壊検査に該当するため、例えば液晶装置用基板を直接加熱処理してしまうと、水分蒸発後の液晶装置用基板は吸着水分量が特定できなくなり、液晶装置の耐光性寿命を評価することができない。
そこで、本発明を採用すれば、同一条件の下で形成された無機配向膜における吸着水分量をそれぞれ等しいものとみなし、この測定用基板により液晶装置用基板における吸着水分量を推定しているので、液晶装置用基板の吸着水分量が変動することがない。よって、水分吸着量が推定された液晶装置用基板により、所望の耐光性を備えた液晶装置を確実に製造することができる。
【００１７】
また、上記液晶装置の製造方法は、同一の処理室内にて、前記測定用基板及び前記液晶装置用基板に蒸着処理を行うことで無機配向膜を形成するのが好ましい。
このようにすれば、例えば装着装置の処理室内にて測定用基板及び液晶装置用基板に一括して無機配向膜を形成できるので、検査用基板に液晶装置用基板と同一条件の下で無機配向膜を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る液晶装置用基板の評価方法、及び液晶装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下、図面を参照しながら説明するが、各図において各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
まず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明するに先んじ、この製造方法により得た液晶装置１の概略構造について説明する。
液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）１０と対向基板（液晶装置用基板）２０とが図示しないシール材により貼りあわされていて、該シール材に囲まれた領域に液晶５０を封入されたものとなっている。
【００２０】
図１は、液晶装置１の内部構造を示す拡大図である。図１に示すように、液晶装置１は、ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９が形成されており、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ電気的に接続されている。
【００２１】
また、前記画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層には、上述した斜方蒸着によって形成されたＳｉＯ２を主体とする無機配向膜１６が設けられている。
【００２２】
一方、前記対向基板２０は、上基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、前記対向電極２１の上層側には、上記ＴＦＴアレイ基板１０側と同様にＳｉＯ２を主体とする無機配向膜２２が設けられている。
【００２３】
（液晶装置の製造方法）
次に、上記液晶装置１を製造する工程について説明する。液晶装置１の製造方法は、基板上に無機配向膜を形成して液晶装置用基板を形成する工程と、前記無機配向膜の吸着水分量を推定し、該吸着水分量を所定値と比較することで前記液晶装置用基板により構成される液晶装置の耐光性寿命を評価する耐光性評価工程と、を有している。そして、前記耐光性評価工程により、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置を構成する一対の液晶装置用基板を選択し、該一対の液晶装置用基板を前記シール材を介して貼り合わせることで液晶装置を製造する。なお、この耐光性評価工程は、液晶装置用基板の評価方法と実質同一なものであることから、液晶装置の製造工程の説明において液晶装置用基板の評価方法について説明することとする。
【００２４】
本実施形態に係る耐光性評価工程は、無機配向膜における吸着水分量を推定する工程と、該吸着水分量を所定値と比較して前記ＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０により構成される液晶装置の耐光性寿命を判定する工程と、を備えている。なお、上記所定値とは、後述する実験例によって定められた、無機配向膜における吸着水分量と液晶装置の耐光性寿命との相関関係に基づくものである。
【００２５】
具体的に本実施形態では、前記吸着水分量が前記所定値に比べて大きい場合に、前記液晶装置用基板により構成される液晶装置が所望の耐光性を有しないと判定し、前記吸着水分量が前記所定値に比べて小さい場合に、前記液晶装置が所望の耐光性を有すると判定している。ここで、耐光性と無機配向膜における吸着水分量との相関関係、すなわち上記所定値を定めるための実験例、及び実験結果について説明する。
【００２６】
（実験例）
はじめに、同一の成膜条件の下でガラス基板上に無機配向膜を形成することで、一対の液晶装置用基板、及び水分測定用基板を形成する。前記液晶装置用基板は、液晶装置を構成するもので、上記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を構成するものである。一方、前記測定用基板は、液晶装置を構成するためのＴＦＴ素子や電極等は設けられず、無機配向膜のみが形成されたもので、後述するように吸着水分量を測定するために用いられるものである。これら液晶装置用基板、及び水分測定用基板に設けられた無機配向膜は、上述したように同一の成膜条件の下で形成されたものとなっているので、各無機配向膜に吸着された水分量は略等しいものとみなすことができる。
【００２７】
本実施形態では、このような無機配向膜を形成するに際して、斜方蒸着法を用いた。図２（ａ）は、斜方蒸着法による成膜を行う成膜装置の一例としての、蒸着装置５０３を示す図である。この蒸着装置５０３には、無機配向膜材料の蒸気流を発生させる蒸着源５１２と、無機配向膜形成前の前記液晶装置用基板、及び測定用基板（以下、単に基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）と記す）を保持する保持機構５１４とがチャンバ（処理室）５０２内に設けられている。
【００２８】
この蒸着装置５０３において基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）は、蒸着源５１２と基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）の被成膜面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように、保持機構５１４によって保持されている。したがって、図２（ａ）、（ｂ）において矢印Ｙ１によって示される、蒸着源５１２で発生された無機材料の進行方向、すなわち無機材料が飛ぶ方向と、基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）において無機配向膜が形成される基板面（被成膜面）とのなす角度θ１は、角度θ０を変化させることによって調整可能となっている。なお、この角度θ１は、無機配向膜において配向制御を行うための表面形状効果が得られるように柱状構造物を基板面上に配列させるための所定値に設定されている。なお、本実施形態では斜方蒸着を行うことから、角度θ１は９０°未満となっていて、具体的には４５〜５０°となっている。なお、蒸着圧力は２×１０−３〜３×１０−３Ｐａで行っている。
【００２９】
このような蒸着装置５０３によって斜方蒸着を行うと、図２（ｂ）中矢印で示すように、蒸着源５１２から昇華した配向膜材料が基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）に対して略一定の入射角度（傾斜角度）で連続入射する。すると、基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）には図３に示すように配向膜材料が斜め柱状に堆積し、これによってＳｉＯ２（珪素酸化物）を主体とする柱状構造体１２０ａが形成される。そして、この柱状構造体１２０ａが基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）の表面に無数に形成されたことにより、無機配向膜１２０が形成される。このように柱状構造体１２０ａが所定の傾斜角度で形成され、これにより無機配向膜１２０が形成される。この前記柱状構造体１２０ａに沿って液晶分子が配向されることにより、液晶分子にプレチルト角が付与することができる。すなわち、前述したように液晶分子は、非選択電圧印加時に、無機配向膜１２０によって所定方向に配向規制されるようになっているのである。上述した成膜条件によって、厚さが２６．６〜１２２．４ｎｍ程度の無機配向膜１２０を基板１００Ａ（２００Ａ，３００Ａ）上に形成できる。なお、本実験例では、一方の液晶装置用基板１００をＴＦＴアレイ基板１０として用い、他方の液晶装置用基板２００を対向基板２０として用いた。
このように、蒸着装置５０３における同一チャンバ５０２内にて、一括して無機配向膜を形成することにより、前記液晶装置用基板１００，２００と水分測定用基板３００には同一条件の下で無機配向膜１２０が形成されたものとなる。
【００３０】
そして、上記測定用基板３００に形成された無機配向膜１２０ａにおける吸着水分量を質量分析装置を用いて測定し、前記配向膜の単位面積辺りの吸着水分量を算出する。具体的には、直径１００ｍｍの開口部が設けられたカバー部材を介して、前記開口内の無機配向膜を加熱処理することで、前記無機配向膜１２０ａに吸着している水分を蒸発させ、蒸発した水分量を測定する。
【００３１】
このように、無機配向膜中から水分を蒸発させる工程は破壊検査に該当するため、例えば液晶装置用基板１００，２００を直接加熱処理してしまうと、水分蒸発後の液晶装置用基板１００，２００における吸着水分量を特定することができず、後述するように液晶装置の耐光性寿命を評価することができなくなってしまう。
【００３２】
そこで、本実験では、前記液晶装置用基板１００，２００と同一条件の下で形成された無機配向膜１２０ａを備える水分測定用基板３００における吸着水分量が、前記液晶装置用基板１００，２００に形成された無機配向膜における吸着水分量と等しいものとみなしている。このように、水分測定用基板３００を用いることで、これら液晶装置用基板１００，２００における吸着水分量を変動させることなく、液晶装置用基板１００，２００における吸着水分量を推定することができる。
【００３３】
前記無機配向膜に吸着されている水分量の測定条件する際に用いる質量分析装置として、ＡＰＩ−ＭＳ（ＵＧ−４００Ｐ；ルネサス東日本セミコンダクタ製）、ＴＤＳ（ルネサス東日本セミコンダクタ製）等を用いることができる。
【００３４】
なお、本実験例では、上記ＴＤＳを用いた。この時の分析条件は、真空雰囲気中において、１Ｌ／ｍｉｎにてＡｒガス（キャリアガス）を供給し、４０℃〜７００℃の間を昇温速度２℃／ｍｉｎで測定した。
【００３５】
よって、蒸発した水分量を上記ＴＤＳ用いることで、無機配向膜１２０ａの単位面積辺りの吸着水分量を測定した。
上記液晶装置用基板１００，２００と上記測定用基板３００に設けられた無機配向膜は、上述したように同一の成膜条件により形成されていることから、吸着水分量が略同等になっていると考えられる。したがって、測定用基板３００に設けられた無機配向膜１２０ａにおける吸着水分量を、前記液晶装置用基板１００，２００に設けられた無機配向膜における吸着水分量とみなしている。
【００３６】
次に、液晶装置の耐光性寿命を測定する方法について説明する。前記一対の液晶装置用基板１００，２００をシール材を介して貼り合わせ、該シール材によって囲まれた領域に液晶を充填することで液晶装置を構成できる。なお、上記液晶装置に充填する液晶としてはネガ型の液晶を用いた。
【００３７】
このようにして形成した液晶装置における耐光性寿命を測定する。
耐光性を測定する方法としては従来の耐光性加速試験を行った。本実験では、特定波長、例えば４４０ｎｍの青色光を液晶装置に８００時間程度照射し、光が照射された箇所に、目視により表示不良が確認された際の時間を液晶装置における耐光性寿命と定める。このようにして、液晶装置用基板１００，２００と、これら基板１００，２００から構成される液晶装置の耐光性寿命との対応関係が得られる。
【００３８】
このようにして、複数の成膜条件下で無機配向膜を形成した液晶装置用基板を用いて、液晶装置を構成し、それぞれについて無機配向膜における吸着水分量と液晶装置の耐光性寿命とをプロットし図４に示すグラフを得た。
【００３９】
（実験結果）
図４は、無機配向膜の吸着水分量と液晶装置の耐光性との相関関係を示すグラフである。このグラフは、縦軸に液晶装置における耐光性寿命の相対値を示し、横軸に無機配向膜の単位面積辺りの吸着水分量（μｇ／ｃｍ２）を示している。
【００４０】
図４に示すグラフより、無機配向膜における吸着水分量の増加に伴い、液晶装置の耐光性寿命が短くなることが確認できた。したがって、無機配向膜における吸着水分量を測定することにより、液晶装置の耐光性寿命を推定することが可能となるのである。
【００４１】
ところで、上記グラフは液晶装置における耐光性が１．０以上となる場合に、液晶装置が所望の耐光性寿命を備えていることを意味し、このときの吸着水分量を所定値Ｘとした。すなわち、無機配向膜における吸着水分量が上記所定値Ｘよりも小さい液晶装置用基板を用いて液晶装置を構成すれば、所望の耐光性を備えた液晶装置を得ることを意味している。
【００４２】
以下に、上述した実験により求められた所定値Ｘに基づいた耐光性評価工程を含む、本実施形態に係る液晶装置１の製造工程について図５を参照して説明する。はじめに、基板上に無機配向膜を形成して液晶装置用基板を形成する。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板（基板）１０’上に、図１に示した画素スイッチング用のＴＦＴ３０及びＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする画素電極９を従来公知の方法により形成する。そして、前記画素電極９の表層にＳｉＯ２を主体とする無機配向膜１６を形成し、液晶装置用基板としてのＴＦＴアレイ基板１０を形成する。
【００４３】
同様にして、ガラス基板（基板）２０’上に遮光膜２３を形成し、この遮光膜２３上にＩＴＯ膜からなる対向電極２１を形成する。そして、前記対向電極２１の表層にＳｉＯ２を主体とする無機配向膜２２を形成することで、図５（ａ）に示す、液晶装置用基板としての対向基板２０を形成する。なお、上記無機配向膜１６，２２は、上述した蒸着装置５０３によって同一条件の下で形成される。
【００４４】
ところで、本実施形態では、上記無機配向膜１６，２２を形成するとともに、前記蒸着装置５０３によってガラス基板上に無機配向膜４０ａを形成し、モニタ基板（検査用基板）４０を形成しておく。すなわち、このモニタ基板４０は、上記ＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０と同一条件の下で形成された無機配向膜４０ａを備えたものである。
【００４５】
（耐光性評価工程）
続いて、本実施形態に係る耐光性評価工程を用いて、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０における無機配向膜１６，２２の水分吸着量を推定する。
ところで、無機配向膜中から水分を蒸発させる処理工程は破壊検査に該当するため、例えば前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０に加熱処理を行ってしまうと、水分蒸発後のこれら基板１０，２０における吸着水分量を特定できなくなってしまう。
【００４６】
そこで、本実施形態では吸着水分量を推定する際に、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０と同一条件の下で形成された無機配向膜を備えてなるモニタ基板４０を用いることで耐光性評価工程を行っている。具体的には、図５（ｂ）に示すように、前記モニタ基板４０を加熱処理し、無機配向膜４０ａに吸着された水分を蒸発させ、該蒸発した水分量を上述した質量分析装置Ｔによって測定することで、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０における水分吸着量を推定する。
【００４７】
このとき、前記モニタ基板４０から、基板１０，２０における吸着水分量を推定しているので、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の吸着水分量が変動することがない。このように、モニタ基板４０における水分吸着量から上記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０における水分吸着量を推定している。
【００４８】
続いて、モニタ基板４０における水分吸着量の推定値を上述した所定値Ｘとを比較する。その結果、前記推定値が所定値Ｘよりも大きい場合には、これら基板１０，２０により構成される液晶装置１が所望の耐光性寿命を得ることができないと判定する。一方、前記水分吸着量が所定値Ｘよりも低い場合には、これら基板１０，２０により構成される液晶装置１が所望の耐光性を備えていると判定する。したがって、液晶装置を組み立てる前に、所望の耐光性を有しない液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板１０，２０を選別することが可能となる。
【００４９】
このように、本発明に係る液晶装置用基板の評価方法の一実施形態としての、耐光性評価工程は、上述した実験結果から得た、無機配向膜における吸着水分量と液晶装置の耐光性との相関関係に基づき、組み立てる前に液晶装置の耐光性寿命を判定することができる。
【００５０】
ここで、耐光性評価工程によって、基板１０，２０により構成される液晶装置が所望の耐光性寿命を得ることができないと評価される場合、前記無機配向膜を除去し再形成する工程と、この再形成した無機配向膜の水分吸着量を推定する工程とを前記基板１０，２０により構成される液晶装置が所望の耐光性寿命を備えると評価されるまで繰り返すようにしてもよい。
【００５１】
前記モニタ基板４０から推定された吸着水分量が所定値Ｘよりも大きい（液晶装置が所望の耐光性を得られない）場合、図５（ｃ）に示すように、前記基板１０，２０、及びモニタ基板４０に形成された無機配向膜を除去する。そして、前記蒸着装置５０３の成膜条件を変更して、前記ガラス基板１０´，２０´及びモニタ基板４０に無機配向膜を再形成する。このように再形成された無機配向膜は、膜厚や配向方向が変わることで無機配向膜の表面積が変化し、これにより無機配向膜の吸着水分量が変動することとなる。そして、前記モニタ基板４０上に再形成した無機配向膜の水分吸着量を再測定し、前記基板１０，２０における水分吸着量を推定する。そして、水分吸着量を前記所定値Ｘと比較し、前記基板１０，２０によって構成される液晶装置の耐光性寿命が所望の耐光性寿命を備えると評価されるまでこれらの工程（図５に示した工程）を繰り返す。
このようにすれば、所望の耐光性が得られないと評価されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０における無機配向膜を再形成することで、予めＴＦＴ素子や電極等が形成されたガラス基板１０´，２０´を無駄にすることなく再利用できるので、液晶装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００５２】
このような耐光性評価工程を用いることで、組立の前段階で無機配向膜中に吸着されている水分量を測定することで、組立後の液晶装置１の耐光性寿命を推定できるので、従来のように組み立て後に耐光性試験を行っていた場合に比べ、短時間で耐光性寿命の推定をすることができる。また、組立前のＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０の段階にて液晶装置１の耐光性寿命を推定できるので、耐光性寿命の短い液晶装置１が製造されるのを未然に防止している。
【００５３】
続いて、上記耐光性評価工程により選別されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をシール材を介して貼り合せる。なお、このシール材には図示しない液晶注入口が設けられている。そして、シール材を介して前記ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を貼り合わせた後、前記液晶注入口から液晶５０を注入した後、前記液晶注入口を封止することで図１に示した液晶装置１を製造できる。
【００５４】
このように本実施形態の液晶装置１の製造方法によれば、耐光性評価工程によって、ＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０の無機配向膜１６，２２における水分吸着量を推定し、組み立て後の液晶装置１が所望の耐光性寿命を得られないＴＦＴアレイ基板、及び対向基板を製造工程中に選別して取り除くことで、所望の耐光性寿命を備えた液晶装置のみを確実に製造することができる。また、本実施形態では、上述したように耐光性寿命を得られないと評価したＴＦＴアレイ基板、及び対向基板に対し、配向膜を再形成して再利用を図っているので、液晶装置の製造コストの低減を図っている。したがって、従来のような長期間を要する耐光性試験を行うことなく、耐光性寿命を備えた品質保証性の高い液晶装置１のみを製造することができる。
【００５５】
なお、上記実施形態では、各ガラス基板から形成したＴＦＴアレイ基板１０、及び対向基板２０を貼り合わせて液晶装置を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば、複数の液晶装置を含んだウエハ状の液晶装置用基板を貼り合わせ、個片化することで各液晶装置を製造する場合に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】液晶装置の内部構造を示す拡大図である。
【図２】（ａ）は成膜装置を示し、（ｂ）は配向膜材料の入射角度を示す図である。
【図３】斜方蒸着により形成された無機配向膜を示す図である。
【図４】本実験結果のグラフを示す図である。
【図５】液晶装置の製造工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５７】
Ｘ…所定値、１０…ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）、２０…対向基板（液晶装置用基板）、４０…モニタ基板（検査用基板）、４０ａ…無機配向膜、１０´…ガラス基板（基板）、２０´…ガラス基板（基板）、１６…無機配向膜、２２…無機配向膜、１００…液晶装置
【図１】
2007293186.tif 000003
【図２】
2007293186.tif 000004
【図３】
2007293186.tif 000005
【図４】
2007293186.tif 000006
【図５】
2007293186.tif 000007