(57)【要約】【課題】通過帯域の高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品を提供する。【解決手段】本部品は、誘電体磁器ブロック２００を備える誘電体電子部品１００において、誘電体磁器ブロック２００は、長辺２２１と短辺２２２とを有する略長方形状をなす一面２２０を有し、誘電体磁器ブロック２００には、一面２２０から対向する他面２３０まで貫通して一面２２０の長辺２２１方向に列設された複数の貫通孔２１３が形成され、更に、誘電体磁器ブロック２００の一面２２０側には、列設された貫通孔２１３のうちの列の端に位置する貫通孔２１３と少なくとも一部が重なるように、貫通孔２１３よりも大きく開口し且つ貫通孔２１３よりも深さの浅い共振周波数調整孔２１２が形成され、共振周波数調整孔２１２の開口端縁と短辺との最短距離Ａ、及び共振周波数調整孔の長辺方向の開口長さＢは、Ｂ<Ａを満たす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品において、
該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、
該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、
更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、
該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離Ａ、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さＢは、Ｂ<Ａを満たすことを特徴とする誘電体電子部品。
【請求項２】
上記Ａと上記ＢとがＡ<２Ｂを満たす請求項１に記載の誘電体電子部品。
【請求項３】
誘電体フィルタである請求項１又は２に記載の誘電体電子部品。
【請求項４】
誘電体デュプレクサである請求項１又は２に記載の誘電体電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体電子部品に関する。更に詳しくは、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体電子部品を用いてフィルタを設計する場合、図２０に例示するように、信号を通過させることを目的とする通過帯域６０１と、通過させないことを目的とする遮断帯域６０２及び６０３とが、各々周波数域と減衰量とで設定される。そして、フィルタの周波数−減衰量曲線６０４は、通過帯域６０１、遮断帯域６０２及び６０３と接することなく、通過帯域６０１の上方（通過帯域６０１の下限減衰量よりも小さい減衰量）及び遮断帯域６０２及び６０３の下方（遮断帯域６０２及び６０３の上限減衰量よりも大きい減衰量）を通過するようにフィルタ特性が調整される。これら周波数域と減衰量との相関は誘電体電子部品の形状等の微調整により制御できることが知られている。例えば、通過帯域に対して高周波側の減衰量が制御された誘電体電子部品としては下記特許文献１及び下記特許文献２が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９０１０７号公報
【特許文献２】特開２００４−２４２０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１及び上記特許文献２は、いずれも誘電体磁器ブロックの外周面に所定の形状の導体層が設けられた誘電体電子部品である。これらの誘電体電子部品は、通過帯域の減衰特性にほとんど影響なく高域側の減衰特性が制御されている点で優れている。しかし、フィルタの設計では、種々の制御態様を使い分け、更には組み合わせることにより、設計幅が広がるため、より多くの制御態様が求められている。
本発明は、上記課題を解決するものであり、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性を制御できる新規な制御態様を提供し、これを用いた通過帯域の高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下に示す通りである。
（１）誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品において、
該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、
該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、
更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、
該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離Ａ、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さＢは、Ｂ<Ａを満たすことを特徴とする誘電体電子部品。
（２）上記Ａと上記ＢとがＡ<２Ｂを満たす上記（１）に記載の誘電体電子部品。
（３）誘電体フィルタである上記（１）又は（２）に記載の誘電体電子部品。
（４）誘電体デュプレクサである上記（１）又は（２）に記載の誘電体電子部品。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の誘電体電子部品によれば、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
Ａ<２Ｂを満たす場合は、上記効果を得ながら、十分に小型化された誘電体電子部品を得ることができる。
誘電体フィルタである場合は、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
誘電体デュプレクサである場合は、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の誘電体電子部品は、誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品において、該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離Ａ、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さＢは、Ｂ<Ａを満たすことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一実施形態である誘電体電子部品を図面を参考しつつ説明する。
尚、図１は本発明の誘電体電子部品１００の一実施形態の模式的な斜視図であり、図２はその模式的な断面図であり、図３は列の端に位置する貫通孔２１３及び共振周波数調整孔２１２の一面側２２０における模式的な部分拡大図である。また、図２では、分かり易さのため内導体３００及び外導体４００等の厚さを誇張して図示しているが、実際には誘電体磁器ブロック２００に比べて非常に薄い層であるため、他の図ではこれらの形状のみを示している。
【０００９】
図１及び図２に示すように、本発明の誘電体電子部品１００は、誘電体磁器ブロック２００を備える。この誘電体磁器ブロック２００は、貫通孔２１３と共振周波数調整孔２１２とを有する。この誘電体ブロック２００は、長辺２２１と短辺２２２とを有する略長方形状をなす一面２２０を有し、貫通孔２１３はこの一面２２０から対向する他面２３０まで貫通して一面２２０の長辺２２１の方向に列設されている。また、共振周波数調整孔２１２は誘電体磁器ブロック２００の一面２２０側に形成されている。また、共振周波数調整孔２１２は列設された貫通孔２１３のうちの列の端に位置する貫通孔２１３（以下、単に「列端貫通孔」ともいう）と少なくとも一部が重なり、貫通孔２１３よりも大きく開口し且つ貫通孔２１３よりも深さが浅く形成されている。
更に、図３に示すように、共振周波数調整孔２１２の一面２２０における開口部の端縁（開口端縁）２２３と一面２２０を構成する短辺２２２との最短距離Ａ、及び共振周波数調整孔２１２の長辺２２１の方向の開口部の長さ（開口長さ）Ｂは、Ｂ<Ａを満たす形状である。
【００１０】
このＢ<Ａを満たすことにより、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた誘電特性を得ることができる。即ち、従来の誘電体磁器ブロックでは、例えば、図９、図１１、図１４及び図１６に示すように上記Ａと上記Ｂとの関係はＢ≧Ａとなるように設計されている。これに対して、例えば、図１０、図１２、図１５及び図１７に示す本発明品ようにＢ<Ａとした誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品では、通過帯域の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく（即ち、目的とする通過帯域の挿入損失の大きさは小さく保ちながら）、通過帯域の高周波側の減衰極がより低周波側にシフトされた特性を得ることができる。このため、通過帯域の高周波側に設定される遮断帯域の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品を得ることができる。
また、上記Ａと上記Ｂとは、Ｂ<Ａに加えて、Ａ<２Ｂを満たすことが好ましい。Ａ≧２Ｂであってもよいが、Ａ≧２Ｂであると誘電体磁器ブロックが過度に大きくなるため、通常、小型化を要求される誘電体磁器ブロックではＡ<２Ｂが好ましい。
【００１１】
共振周波数調整孔２１２と貫通孔２１３との位置関係は特に限定されないが、図４及び図５に示すように、貫通孔２１３はその全体が共振周波数調整孔２１２と重なってもよく、図６〜８に示すように貫通孔２１３の一部のみが共振周波数調整孔２１２と重なり、貫通孔２１３の他部（重ならない部分）は共振周波数調整孔２１２の外側へはみ出して配置されてもよい。図６〜８に示すように貫通孔２１３の一部が共振周波数調整孔２１２の外側へはみ出して配置されている場合は、上記開口長さＢは図６〜８に示すように共振周波数調整孔２１２の実側壁面の開口端縁２２３と仮想側壁面の開口端縁２２４との間の長さを表す。
【００１２】
通常、共振周波数調整孔２１２は、図７に示すように、その平面形状が対称軸を有するため、上記実側壁面の開口端縁２２３から仮想側壁面の開口端縁２２４の位置が決定される。但し、共振周波数調整孔２１２の平面形状が対称軸を有さない形状である場合には、図８に示すように、共振周波数調整孔２１２の実側壁面の端線２２５と端線２２６とを対辺とする平面を上記仮想側壁面とする。
【００１３】
更に、本発明の誘電体電子部品は、図１及び図２に示すように、上記誘電体磁器ブロック２００以外にも、通常、内導体３００、外導体４００及び端子電極５００を備える。
このうち内導体３００は、上記各貫通孔２１３の内壁面を覆う導体層である。内導体３００は貫通孔２１３の全面を覆い、且つ共振周波数調整孔２１２の内壁面のうちの全部又は一部を覆う導体層である。
【００１４】
外導体４００は、誘電体磁器ブロック２００の所定の部位を除く外表面を覆う導体層である。上記所定の部位とは、例えば、上記一面２２０の少なくとも一部及び端子電極を区画形成するための端子電極区画部４０１等が挙げられる。
また、この内導体３００と外導体４００とは誘電体磁器ブロック２００の他面２３０において電気的に接続されている（短絡されている）。
端子電極５００は、通常、２つ以上を備える。特に本発明の誘電体電子部品を誘電体フィルタとして用いる場合には２つを備え、誘電体デュプレクサとして用いる場合には３つを備えることが各々好ましい。
【００１５】
上記共振周波数調整孔２１２は、誘電体磁器ブロック２００の列端貫通孔２１３に対しては備えられているが、その他の貫通孔２１３に対しては備えられていてもよく、備えられていなくてもよい。即ち、例えば、誘電体磁器ブロック２００に形成された貫通孔２１３の全てに対して共振周波数調整孔２１２が形成されていてもよく、誘電体磁器ブロック２００に形成された貫通孔２１３の少なくとも列端貫通孔２１３を含む一部の貫通孔２１３のみに対して共振周波数調整孔２１２が形成されていてもよい。この共振周波数調整孔２１２を備えることにより共振周波数を調整することができる。
また、共振周波数調整孔２１２は、その大きさ（開口端縁の総延長）、平面形状及び深さ等により共振周波数を調整することができる。即ち、例えば、共振周波数調整孔２１２の開口端縁の総延長が長い程、また、共振周波数調整孔２１２の深さが深い程、共振周波数を低くすることができる。
【００１６】
上記誘電体磁器ブロックを構成する誘電体磁器材料は特に限定されないが、例えば、アルミナ系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３系誘電体磁器、Ｂａ−Ｔｉ酸化物系誘電体磁器等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよいが、通常、１種のみを用いる。
【００１７】
上記内導体及び外導体を構成する導体材料は特に限定されないが、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属を導体成分として含有させることができる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。即ち、単体金属からなってもよく、合金からなってもよく、その他の導体材料からなってもよい。
【００１８】
本発明の誘電体電子部品は前述のように、誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサとして用いることができる。前記図１及び図２は、本発明を誘電体フィルタとして実施した実施形態を例示したものである。一方、本発明を誘電体デュプレクサとして実施した実施形態を図１９に例示する。
図１９において、誘電体電子部品１００は誘電体デュプレクサである。この誘電体デュプレクサは、８つの貫通孔２１３を備える誘電体磁器ブロック２００と、内導体３００と、外導体４００と、３つの端子電極５００と、を備える。
【００１９】
この誘電体磁器ブロック２００は、例えば、長辺１１ｍｍ及び短辺２ｍｍである長方形状の一面２２０を備え、高さ６．５ｍｍである誘電体磁器とすることができる。また、誘電体磁器ブロック２００には、上記８つの貫通孔２１３のうちの、少なくとも列端貫通孔を含む６つの貫通孔２１３に対応する共振周波数調整孔２１２が形成されている。即ち、２つの貫通孔２１３には対応する共振周波数調整孔２１２が形成されていない。上記６つの貫通孔２１３及びこれらに対応する共振周波数調整孔２１２は共振孔として機能され、上記２つの貫通孔２１３は励振孔として機能される。
【００２０】
更に、「Ａ」の長さ（列端貫通孔２１３に対応する共振数端数調整孔２１２の一面２２０における開口端縁２２３と一面２２０を構成する短辺２２２との最短距離）は１ｍｍとすることができる。一方、「Ｂ」の長さ（列端貫通孔２１３に対応する共振周波数調整孔２１２の長辺２２１方向の開口長さ）は０．９ｍｍとすることができる。即ち、Ｂ<Ａ<２Ｂを満たしている。
【００２１】
更に、上記内導体３００は、８つの全ての貫通孔２１３の全ての内壁面を覆い、且つ６つの共振周波数調整孔２１２の全ての内壁面を覆って配設されている。また、上記外導体４００は、誘電体磁器ブロック２００の外表面のうちの一面２２０の一部及び端子電極区画部４０１を除く表面を覆って配設されている。また、共振孔（共振周波数調整孔２１２とこの共振周波数調整孔２１２を対応して備える６つの貫通孔２１３）の内壁面を覆う内導体３００は外導体４００と他面２３０において短絡されている。一方、この励振孔（共振周波数調整孔２１２を対応して備えない２つの貫通孔２１３）の内壁面を覆う内導体３００は外導体４００と一面２２０において短絡されており、また図示されない接続導体により他面側に配置された一対の端子電極５００と各々接続されている。また、各端子電極５００は外導体４００の一部である端子電極区画部４０１を除去して得られた電極である。
【実施例】
【００２２】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（１）実施例１
図１０及び図１２に示す実施例１の誘電体電子部品１００を製造した。図１０は実施例１の誘電体電子部品１００の模式的な斜視図であり、図１２は一面２２０における平面図である。
【００２３】
実施例１の誘電体電子部品１００は、４つの貫通孔２１３を備える誘電体磁器ブロック２００と、内導体３００と、外導体４００と、２つの端子電極５００と、を備える。
誘電体磁器ブロック２００は、長辺１０ｍｍ及び短辺２．４ｍｍである長方形状の一面２２０を備え、高さ３．８ｍｍであるチタン酸バリウム系誘電体磁器からなる誘電体である。
また、この誘電体磁器ブロック２００には、上記４つの貫通孔２１３の各々の全てに対応する共振周波数調整孔２１２が形成されている。各貫通孔２１３と対応する共振周波数調整孔２１２との形状及び位置関係は図１２に示す通りであり、各貫通孔２１３の孔径は全て０．７ｍｍである。
【００２４】
更に、「Ａ」の長さ（共振周波数調整孔２１２の一面２２０における開口端縁２２３と一面２２０を構成する短辺２２２との最短距離）は２．１ｍｍである。一方、「Ｂ」の長さ（共振周波数調整孔２１２の長辺２２１方向の開口長さ）は１．６ｍｍである。尚、実施例１における「Ｂ」は、共振周波数調整孔の対称軸から求められる仮想側壁面を想定した開口長さである。これらの「Ａ」と「Ｂ」とは、Ｂ<Ａを満たし、且つＡ<２Ｂを満たしている。即ち、Ｂ<Ａ<２Ｂである。
【００２５】
上記内導体３００は、４つの全ての共振周波数調整孔２１２及び貫通孔２１３の全ての内壁面を覆って配設されている。また、上記外導体４００は、誘電体磁器ブロック２００の外表面のうちの一面２２０及び端子電極区画部４０１を除く表面を覆って配設されている。従って、内導体３００と外導体４００とは他面２３０において短絡されている。更に、端子電極５００は外導体４００の一部である端子電極区画部４０１を除去して得られた電極である。
【００２６】
（２）比較例１
図９及び図１１に示す比較例１の誘電体電子部品１００と製造した。図９は比較例１の誘電体電子部品１００の模式的な斜視図であり、図１１は一面２２０における平面図である。比較例１の誘電体電子部品１００は、誘電体磁器ブロック２００における「Ａ」が１．１ｍｍであり、「Ｂ」が１．６ｍｍである。即ち、Ｂ>Ａである。その他は実施例１と同じである。
【００２７】
（３）実施例１と比較例１との周波数−減衰量曲線の比較
実施例１及び比較例１の各誘電体電子部品の周波数−減衰量曲線をプロットした。その結果を図１３に示した。図１３において太線は実施例１の周波数−減衰量曲線６０４であり、細線は比較例１の周波数−減衰量曲線６０４である。この結果から、比較例１に対して実施例１は、通過帯域６０１の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく（即ち、目的とする通過帯域６０１の挿入損失の大きさは小さく保ちながら）、通過帯域６０１の高周波側の減衰極６０５がより低周波側にシフトされた特性が得られている。このため、通過帯域６０１の高周波側に設定される遮断帯域６０３の低周波端における減衰量が、比較例１では２６．７ｄＢであるのに対して、実施例１では２９．４ｄＢであり、遮断帯域６０３の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品となっていることが分かる。即ち、実施例１は、比較例２に対して「Ａ」の長さを延長することによって、貫通孔２１３及び共振周波数調整孔２１２の形状はほぼ維持したままで上記効果を達成できている。
【００２８】
（４）実施例２
図１５及び図１７に示す実施例２の誘電体電子部品１００と製造した。図１５は実施例２の誘電体電子部品１００の模式的な斜視図であり、図１７は一面２２０における平面図である。実施例２の誘電体電子部品１００は、誘電体磁器ブロック２００における「Ａ」が１．４ｍｍであり、「Ｂ」が１．０ｍｍであり、Ｂ<Ａを満たし、且つＡ<２Ｂを満たしている。即ち、Ｂ<Ａ<２Ｂである。その他は実施例１と同じである。
【００２９】
（５）比較例２
図１４及び図１６に示す比較例２の誘電体電子部品１００と製造した。図１４は比較例２の誘電体電子部品１００の模式的な斜視図であり、図１６は一面２２０における平面図である。比較例２の誘電体電子部品１００は、誘電体磁器ブロック２００における「Ａ」が１．２ｍｍであり、「Ｂ」が１．４ｍｍである。即ち、Ｂ>Ａである。その他は実施例２と同じである。
【００３０】
（６）実施例２と比較例２との周波数−減衰量曲線の比較
実施例２及び比較例２の各誘電体電子部品を用い、上記（３）と同様にして各々の周波数−減衰量曲線をプロットした。その結果を図１８に示した。図１８において太線は実施例２の周波数−減衰量曲線６０４であり、細線は比較例２の周波数−減衰量曲線６０４である。この結果から、比較例２に対して実施例２は、通過帯域６０１の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく（即ち、目的とする通過帯域６０１の挿入損失の大きさは小さく保ちながら）、通過帯域６０１の高周波側の減衰極６０５がより低周波側にシフトされた特性が得られている。このため、通過帯域６０１の高周波側に設定される遮断帯域６０３の低周波端における減衰量が、比較例２では２１．０ｄＢであるのに対して、実施例２では２４．２ｄＢであり、遮断帯域６０３の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品となっていることが分かる。即ち、実施例２は、比較例２に対して「Ｂ」の長さを小さくすることによって上記効果を達成している。
【００３１】
尚、本発明では上記の実施例に限られず、目的及び用途等によって本発明の範囲内において種々変更した実施例とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明の誘電体電子部品は通信関連機器等として広く利用される。特に、移動体通信用基地局用機器、移動体通信用交換器用機器、家庭内コードレス電話用機器、無線ＬＡＮ用機器等のマイクロ波帯域及びミリ波帯域における通信機器に好適である。具体的には、例えば、各種フィルタ（受信側フィルタ、送信側フィルタ、デュプレクサ及び、帯域通過フィルタ等）などである。尚、上記移動体通信には、携帯電話、ＰＨＳ電話、衛星通信電話、自動車電話等が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の誘電体電子部品の一例の模式的な斜視図である。
【図２】図１の誘電体電子部品の模式的な断面図である。
【図３】図１の誘電体電子部品の模式的な部分拡大断面図である。
【図４】本発明の誘電体電子部品の他例の模式的な部分拡大斜視図である。
【図５】図４の誘電体電子部品の模式的な部分拡大平面図である。
【図６】本発明の誘電体電子部品の他例の模式的な部分拡大斜視図である。
【図７】図６の誘電体電子部品の模式的な部分拡大平面図である。
【図８】図６の誘電体電子部品の模式的な部分拡大平面図である。
【図９】比較例１の誘電体電子部品の模式的な斜視図である。
【図１０】実施例１の誘電体電子部品の模式的な斜視図である。
【図１１】比較例１の誘電体電子部品の一面における模式的な平面図である。
【図１２】実施例１の誘電体電子部品の一面における模式的な平面図である。
【図１３】実施例１及び比較例１の各々の周波数−減衰量曲線をプロットしたグラフである。
【図１４】比較例２の誘電体電子部品の模式的な斜視図である。
【図１５】実施例２の誘電体電子部品の模式的な斜視図である。
【図１６】比較例２の誘電体電子部品の一面における模式的な平面図である。
【図１７】実施例２の誘電体電子部品の一面における模式的な平面図である。
【図１８】実施例２及び比較例２の各々の周波数−減衰量曲線をプロットしたグラフである。
【図１９】本発明の誘電体電子部品の更に他例の模式的な斜視図である。
【図２０】通過帯域及び遮断帯域と周波数−減衰量を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００３４】
１００；誘電体電子部品、２００；誘電体磁器ブロック、２１２；共振周波数調整孔、２１３；貫通孔、２２０；一面、２２１；長辺、２２２；短辺、２２３；開口端縁、２３０；他面、３００；内導体、４００；外導体、５００；端子電極、６０１；通過帯域、６０２及び６０３；遮断帯域、６０４；周波数−減衰量曲線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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