(57)【要約】【課題】熱膨張係数が６０〜８０×１０−７／℃の範囲内であるガラス材料全般およびＦｅ−Ｎｉ合金を代表とする金属類、セラミックスと自由に複合化が可能な導電性を有するガラス複合材を提供する。【解決手段】母材ガラスの表面に熱膨張係数をマッチングさせた導電性ガラス層をコートする。導電性ガラス層は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3および、（ＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3）より選ばれた１成分５〜１０ｗｔ％からなるガラスおよび、熱膨張係数調整用フィラーより構成される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材ガラスの表面に導電性ガラス層を有するガラス複合部材であって、
表面電気抵抗が１０8〜１０10Ω／□で、曲げ強度が３５０ＭＰａ以上であり、５ｋＶ以上の電圧領域における二次電子放出係数が１．５以下であることを特徴とするガラス複合材。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電性ガラス層は、バナジウム系ガラスであることを特徴とするガラス複合材。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記導電性ガラス層は、厚みが１μｍ〜５００μmであることを特徴とするガラス複合材。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかにおいて、
前記導電性ガラス層は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を５〜１０ｗｔ％を含有するガラス、および熱膨張係数調整用フィラーにより構成されることを特徴とするガラス複合材。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れかにおいて、
前記導電性ガラス層は、重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2を含有することを特徴とするガラス複合材。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記母材ガラスは、ＳＩＯ2含有ガラスと、Ｆｅ−Ｎｉ合金、ＳＩＯ2含有ガラスとＦｅ−Ｎｉ合金の何れかの組み合わせであることを特徴とするガラス複合材。
【請求項７】
二枚の基板を対向させて貼り合わせた画像表示装置における当該基板間の間に介在されるスペーサであって、
前記スペーサは、母材ガラスの表面に導電性ガラス層を有し、
前記導電性ガラス層の成分が、Ｖ2Ｏ5とＰ2Ｏ5とＢａＯとＳｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項８】
請求項７において、
前記導電性ガラス層が、熱膨張係数調整用フィラーを含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を５〜１０ｗｔ％を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項１０】
請求項７または８において、
前記導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2から構成されることを特徴とするスペーサ。
【請求項１１】
請求項７または８において、
前記導電性ガラス層が、５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項１２】
請求項９において、
前記表面導電性ガラス層が、５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記表面導電性ガラス層が、５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項１４】
二枚の基板を対向させ、当該基板間の間にスペーサを介在して貼り合わせた画像表示装置であって、
前記スペーサは、母材ガラスの表面に導電性ガラス層を有し、
前記導電性ガラス層の成分が、Ｖ2Ｏ5とＰ2Ｏ5とＢａＯとＳｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を含有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記導電性ガラス層が、熱膨張係数調整用フィラーを含有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１６】
請求項１４又は１５において、
前記導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を５〜１０ｗｔ％を含有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１７】
請求項１４または１５において、
前記導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2から構成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１８】
請求項１４または１５において、
前記導電性ガラス層が、５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を含有することを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に導電性を有するガラス複合材と、このガラス複合材で形成した画像表示パネル用のスペーサ、およびこのスペーサを用いて構成した画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
構造材としてのガラス材には、特に圧縮あるいは挫屈、剪断あるいは破断等の機械的強度を要求される場合がある。例えば、平板型の二枚の絶縁基板を貼り合わせて内部を真空状態とした形式の画像表示装置における当該絶縁基板間の間隔を所定値に保持するために両絶縁基板間に介在されるスペーサ（間隙保持部材）がある。ここでは、このようなスペーサを想定して説明するが、本発明はこれに限定されるものでないことは言うまでもない。
【０００３】
平板状の二枚の絶縁基板（背面基板および前面基板）を貼り合わせた画像表示装置、所謂平板型ディスプレイとして多様な形式が知られている。例えば、マトリクス状に配置した電子源を有する画像表示装置（平板型ディスプレイ、フラットパネルディスプレイ:ＦＰＤ）が注目されており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
【０００４】
電子放出型のＦＰＤは、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面基板とを貼り合わせて両パネルの対向する内部空間を所定の真空状態に封止する。背面基板にはマトリクス配列した多数の電子源を有し、前面基板は蛍光体層と電子源から放出された電子を蛍光体層に射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極を有する。
【０００５】
個々の電子源は、対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００６】
背面基板と前面基板の間隔は、表示領域内に両基板を支えるように配置される隔壁と称する部材（間隔保持部材、以下ではスペーサ）で所定間隔に保持される。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【０００７】
また、補強板で表した背面基板と前面基板を用いたもの、枠ガラスで高真容器を形成するものが特許文献３に開示されている。そして、ガラス板の封着に用いるフリットガラスとしての無鉛低融点ガラスに関しては、特許文献４に開示がある。特許文献４には、環境汚染の原因となるＰｂＯ-Ｂ2Ｏ3に代えてＢ2Ｏ3又はＶ2Ｏ5、ＢａＯを用いた無鉛低融点
ガラスを開示する。また、特許文献５には、Ｖ2Ｏ5-ＴｅＯ2系ガラスが開示されている。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６９０５号公報
【特許文献４】特開２００３−１９２３７８号公報
【特許文献５】特開２００４−２５０２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この種のＦPＤ用スペーサには、スペーサで保持された基板間の電圧差（２〜１０ｋＶ）による放電や帯電による電子軌道の変動を抑制するために、ある程度の電導電性を備えることが要求される。このため、従来は
（１）電性を有する材料を用いたスペーサを使用（ＴｉＣ粒子分散Ａｌ2Ｏ3セラミックス、導電性酸化物粒子を分散したガラスセラミックス）、
（２）絶縁材料でできたスペーサ表面にゾルゲル法により導電膜をコート、
（３）絶縁材料でできたスペーサ表面にスパッタ法により導電膜をコート、
などの手段が知られている。
【０００９】
しかし、（１）は、セラミックスの焼結体やガラスセラミックスのグリーンシートを切断する必要があり、非常に高価なものとなる、
（２）は、ゾルゲル法による導電膜は信頼性に乏しく、また電気特性が安定しない、
（３）スパッタ法によるコートは非常に高価なものとなる、
など、解決すべき課題がある。
【００１０】
このような課題について、本発明者らが鋭意検討をした結果、Ｖ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5を主成分とするガラスに各種添加剤を加えることにより、電気伝導性を有し、かつ熱膨張係数が６０〜８０×１０-7／℃の範囲内となる導電性ガラスを開発するに至った。
【００１１】
本発明の目的は、熱膨張係数が６０〜８０×１０-7／℃の範囲内であるガラス材料全般およびＦｅ−Ｎｉ合金を代表とする金属類、セラミックスと自由に複合化が可能な導電性を有するガラス複合材、導電性ガラスで形成したスペーサなどの各種構造部材、このスペーサ等の構造部材を用いた画像表示装置を提供することである。本発明は、特に、絶縁性を有する部材の表面に導電性を付与するものに有効である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明の手段は以下のとおりである。すなわち、
本発明のガラス複合材は、母材ガラスの表面に熱膨張係数をマッチングさせた導電性ガラス層をコートする。この時、導電性ガラス層は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3および、（ＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3）より選ばれた１成分５〜１０ｗｔ％からなるガラスおよび、熱膨張係数調整用フィラーより構成される。
【００１３】
また、本発明のガラス複合材は、重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ５、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2から構成される事を特徴とするガラス複合材とする。
【００１４】
また、本発明のガラス複合材は、母材の熱膨張係数が６０〜８０×１０-7／℃の範囲内であるガラス複合材とする。この母材は、ＳｉＯ2含有ガラス（ソーダガラス、バンテアン、キドガラス等の総称）、またはＦｅ−Ｎｉ合金、またはＳｉＯ2含有ガラスとＦｅ−Ｎｉ合金の組み合わせである。
【００１５】
本発明による画像表示装置用のスペーサは、表面電気抵抗が１０8〜１０10Ω／□であり、曲げ強度が３５０ＭＰａ以上であり、５ｋＶ以上の電圧領域における二次電子放出係数が１．５以下であるガラス複合材をスペーサとして用いる。
【００１６】
上記の特性を満たすガラス複合材として、母材ガラスの表面にバナジウム系ガラスをコートしたものを用いる。このスペーサは、解決すべき課題の項に記述した従来の（１）（３）よりも安価であり、同（２）よりも電気特性が安定である。本発明によれば、スペーサの母材として高強度ガラスを選定し、熱膨張係数をマッチングさせたバナジウム系ガラスを表面コートすることにより、高強度のスペーサが得られる。
【００１７】
また、本発明のスペーサは、５ｋＶ以上の電圧領域における二次電子放出係数が１．５以下であるバナジウム系ガラスを厚み１μｍ〜５００μｍで表面コートする。表面コートの厚みを１μｍ以上とするのは、厚さ１μｍ未満の薄膜にすると、電子がコート層を貫いてスペーサ母材ガラスまで到達してしまい、表面コート層の特性が活かせないからである。
【００１８】
本発明のガラス表示装置は、二枚の基板を対向させ、当該基板間の間にスペーサを介在して貼り合わせた構造を有し、このスペーサには、母材ガラスの表面に導電性ガラス層をコートしたものを用いる。導電性ガラス層の成分は、Ｖ2Ｏ5とＰ2Ｏ5とＢａＯとＳｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を含有する。
【００１９】
また、本発明は、導電性ガラス層に、熱膨張係数調整用フィラーを含有させることができる。
【００２０】
また、本発明は、導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、およびＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分を５〜１０ｗｔ％を含有する。
【００２１】
また、本発明は、導電性ガラス層を構成する前記成分は、重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2から構成される。前記導電性ガラス層に、５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を含有させたものとすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
元々、Ｖ2Ｏ5−Ｐ2Ｏ5系ガラスは導電性を有することで知られているが、例えば、スペーサ表面にコートする際、スペーサの材質に応じて熱膨張係数を調整しなければならない。検討の結果、重量百分率で４０〜６０ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜１０ｗｔ％ＢａＯ、５〜１５ｗｔ％Ｓｂ2ＯとするＶ2Ｏ5系ガラスとすることにより、熱膨張係数がソーダガラスと同程度、６０〜８０×１０-7／℃にできることがわかった。
【００２３】
上記Ｖ2Ｏ5系ガラスにＧｅＯ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ3より選ばれた１成分５〜１０ｗｔ％を添加することにより、導電性ガラスコート層の表面抵抗を調整でき、画像表示装置用のスペーサに必要とされる１０8〜１０10Ω／□にできる。
【００２４】
上記Ｖ2Ｏ5系ガラスの熱膨張係数をスペーサ母材と完全にマッチングさせるためには、低熱膨張係数のフィラー材を混合し、熱膨張係数を調整するとなおよい。
【００２５】
上記Ｖ2Ｏ5系ガラスの中でも、特に重量百分率で４５〜５５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5、２０〜３０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜８ｗｔ％ＢａＯ、７〜１２ｗｔ％Ｓｂ2Ｏ3、３〜７ｗｔ％ＧｅＯ2から構成されるガラスにすることにより、スペーサの母材をソーダガラスと想定した場合、フィラー混合不要の導電性ガラスコート層にできる。
【００２６】
上記導電性ガラスコート層を用いることにより、電子放出型の画像表示装置用のスペーサに必要とされる表面抵抗を満足できるが、更に５〜１５ｗｔ％のクロム酸化物を混合することにより、表示画像の画質に悪影響を及ぼすとされるスペーサからの二次電子の放出を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、実施例を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２８】
[Ｖ2Ｏ5系導電性ガラスの作製例]
実施例１では、導電性を有し、熱膨張係数が６０〜８０×１０-7／℃となるＶ2Ｏ5系ガラスの溶融例を説明する。
【００２９】
出発原料は、Ｖ2Ｏ5（高純度化学研究所製、純度９９．９％）、ＢａＯ（和光試薬製、純度９９．９％）、Ｐ2Ｏ5（高純度化学研究所製、純度９９．９％）、Ｓｂ2Ｏ3（高純度化学研究所製、純度９９．９％）、ＧｅＯ2（高純度化学研究所製、純度９９．９％）、Ｎｂ2Ｏ5（高純度化学研究所製、純度９９．９％）、ＳｉＯ2（高純度化学研究所製、純度９９．９％）である。
【００３０】
Ｖ2Ｏ5系導電性ガラスを作製するには、まず各原料を表１に示す重量比で混合する。この時Ｐ2Ｏ5を除く全ての原料をあらかじめ混合しておく。Ｐ2Ｏ5は吸湿性が高いため、長時間大気中に放置しないためである。Ｐ2Ｏ5以外の混合粉末をアルミナるつぼに入れ、アルミナるつぼごと秤に乗せ、Ｐ2Ｏ5を所定量秤量し、同時に金属製のスプーンで混合する。このとき、大気からの吸湿を避けるため、乳鉢やボールミルを用いた混合はしない。
【００３１】
上記の原料混合粉末が入ったアルミナるつぼを、ガラス溶解炉に設置し、加熱を開始する。昇温速度を５℃／ｍｉｎとし、目標温度に到達した時点から１時間保持する。本実施例では、目標温度を１０００℃〜１１００℃の範囲にしている。溶融(作製)温度を１０００℃〜１１００℃と高めにしたのは、これにより、Ｖ4+の生成量を増やすととともに、ガラス骨格をよりしっかりとしたものとするためである。また、これにより電気抵抗値を大きくすることができるためである。
【００３２】
溶解しているガラスを撹拌しながら１時間保持し、保持後はアルミナるつぼを溶解炉から取り出し、あらかじめ３００℃に加熱していた黒鉛鋳型に鋳込む。黒鉛鋳型に鋳込んだガラスは、あらかじめ歪取り温度に加熱している歪取り炉に移動し、１時間保持により歪を除去した後、１℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却した。得られたガラスは３０×４０×８０ｍｍの大きさである。このような手順で、表１に示すように、各種組成のガラス（サンプルガラスＮｏ.ＴＳ−１〜ＴＳ−２１（以下、サンプル「ＴＳ−１」のように表記））を作製し、得られたガラスブロックの表面抵抗を評価した後、ガラスブロックを４×４×１５ｍｍの大きさに切断し、熱膨張係数を評価した。残材を粉砕した粉末を用いて、ＤＴＡ分析（及びペースト作製）を行った。
【表１】
2007184146.tif 000002
【００３３】
実施例１のように、ガラス組成を変化させることにより、熱膨張係数を６０〜８０×１０-7／℃の範囲で変化させることができる。この範囲外の熱膨張係数にしたい場合は、適度な比率でフィラー材を混合すればよい。また本実施例によれば、Ｖ2Ｏ5系導電性ガラスの表面抵抗は１０8〜１０10Ω／□の範囲で制御することが可能である。
【実施例２】
【００３４】
[Ｖ2Ｏ5系ガラスコートスペーサの作製例]
実施例１にて作製した導電ガラスの中から表１におけるサンプル「ＴＳ−２０」を選定し、１０μｍ以下の粒子径まで微粉砕後、ペースト化した。ペースト化成分はニトロセルローズ１％、溶媒はブチルカルビトールとした。得られたペーストをソーダガラス製スペーサ（１１０ｍｍ×３ｍｍ×０．１ｍｍ）に厚さ１５０μｍにスクリーン印刷し、２５０℃のホットプレート上で乾燥した。
【００３５】
両面に印刷する必要があるため、片面に印刷、乾燥後、反対側の面にも同様に印刷し、乾燥した。バインダ成分としてニトロセルローズを用いているため、２５０℃の脱脂工程にて試料内の残留カーボン量は１００ｐｐｍ以下となることを確認している。
【００３６】
乾燥後のペースト塗布スペーサを電気炉にて５３０℃×３０ｍｉｎの熱処理をした。実施例１により、サンプル「ＴＳ−２０」の軟化点（Ｔｓ）が５０５℃であることから、ＴＳ−２０塗布層の焼成、固着温度として５３０℃を選定した。雰囲気ガスは大気とした。
【００３７】
同様の手法で、サンプル「ＴＳ−２０」の熱膨張係数調整のための低膨張係数フィラーを混合したサンプルを、表２に示すように作製した。同様に、Ｃｒ2Ｏ3粒子を混合したサンプル「ＴＳ−２０」をコートしたサンプルも作製した。
【００３８】
ＴＳ−２０コートを塗布した各種ガラススペーサの表面抵抗を評価した。また、機械的強度は３点曲げ試験により評価した。また同スペーサ３本を１０ｍｍ間隔で平行に並べ、挫掘強度試験を行った。結果を表２にまとめた。
【００３９】
同様の手法で、３点曲げ強度が１０００ＭＰａである高強度ガラススペーサ（１１０ｍｍ×２ｍｍ×０．１ｍｍ）にサンプル「ＴＳ−２０」サンプルガラスを表面コートしたスペーサの評価結果も併せて表２にまとめた。ガラススペーサ担体の強度に依存し、バナジウム系ガラスコートスペーサの強度を高めることができる。
【表２】
2007184146.tif 000003
【実施例３】
【００４０】
[Ｖ2Ｏ5系ガラスを用いて接合したＦｅ−Ｎｉ合金−ソーダガラス複合材]
実施例１にて作製した導電性のサンプルガラスの中からサンプル「ＴＳ−１１」を選定し、１０μｍ以下の粒子径まで微粉砕後、ペースト化した。サンプル「ＴＳ−１１」は熱膨張係数が７５×１０-7／℃でありＦｅ−Ｎｉ合金とソーダガラスとの整合性がよく、電気伝導度を有する上、サンプル「ＴＳ−２０」に比べてガラス転移点Ｔｇが高い、つまり耐熱温度が高いという特徴を有する。
【００４１】
サンプル「ＴＳ−１１」のペースト化成分は実施例１と同じく、ニトロセルローズ１％、溶媒はブチルカルビトールとした。得られたペーストをソーダガラス基板（１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍ）に厚さ１５０μｍにスクリーン印刷し、２５０℃のホットプレート上で乾燥した。バインダ成分としてニトロセルローズを用いているため、２５０℃の脱脂工程にて試料内の残留カーボン量は１００ｐｐｍ以下となることを確認している。
【００４２】
乾燥後のサンプル「ＴＳ−１１」のペースト塗布ソーダガラス基板上に、Ｆｅ−５０％Ｎｉ合金板（９０ｍｍ×９０ｍｍ×０．５ｍｍ）を乗せ、更に上から、Ｆｅ−Ｎｉ合金を押さえつける錘としてセラミックス板を乗せ、電気炉にて６５０℃×３０ｍｉｎの熱処理をした。
【００４３】
実施例１により、サンプル「ＴＳ−１１」の軟化点（Ｔｓ）が６２５℃であることから、該サンプル「ＴＳ−１１」塗布層の焼成、Ｆｅ−Ｎｉ合金−ソーダガラス接合温度として６５０℃を選定した。雰囲気ガスは大気とした。得られた接合部品をソーダガラス側から観察すると、非常に鮮やかな黒色を呈していた。
【００４４】
図１は、サンプル「ＴＳ−２０」または「ＴＳ−１１」を用いてソーダガラス同士、またはＦｅ−Ｎｉ合金とソーダガラスを接合した接合試験片の説明図である。また、図２は、図１の接合試験片を用いた強度評価の説明図である。接合試験片は、図１に示したサイズの第１の部品と第２の部品をサンプル「ＴＳ−２０」またはサンプル「ＴＳ−１１」でＴ字形に接合して構成する。Ｔ字形の接合寸法は図示したとおりである。
【００４５】
図２に示したように、図１で説明した図２（ａ）の接合ガラス評価試験片の第１の部品の一端を図２（ｂ）の試料固定冶具の溝に挿入する。図２（ｃ）に示したように、第１の部品はねじ穴にねじをねじ込んで固定する。試料固定冶具を固定台に固定する。
このようにして冶具に固定した接合試験片に対し、図２（a）および図２（c）に示したように、第２の部品に押圧具を押し当て、荷重Ｗを加える。この荷重Ｗを徐々に増加して行き、「ＴＳ−２０」および「ＴＳ−１１」による接合部が破断した時点での荷重Ｗを計測する。計測の結果、各試験片の接合強度は表３に示すとおりとなり、接合状態維持、ハンドリングその他外力に対する充分な強度を有する事が示された。
【表３】
2007184146.tif 000004
【実施例４】
【００４６】
Ｖ2Ｏ5系ガラスコートスペーサを搭載した画像表示装置の作製例を実施例４として説明する。なお、ここで説明するのは正確には画像表示装置を構成する画像表示パネルであり、この画像表示パネルに駆動回路等の付帯機能部材を組み込んで画像表示装置を構成するが、便宜上、画像表示装置と表記する。
【００４７】
図３は、本発明による画像表示装置の一例を説明する図である。図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した概略断面図である。図３において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１の内面には信号線（データ線、カソード電極線）ＣＬと走査線（ゲート電極線）ＧＬを有し、信号線ＣＬと走査線ＧＬの交差部分に電子源ＥＬＳが形成されている。走査線ＧＬの端部には図示しない走査線引出線が形成され、信号線ＣＬの端部には図示しない信号線引出線が形成されている。
【００４８】
また、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭ、陽極（メタルバック、アノード）ＡＤ及び蛍光体層ＰＨ等が形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁部に封止枠（枠ガラス）ＭＦＬを介在させて封着部材ＦＧＭにより貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＰＮＬ２の間に上記したスペーサＳＰＣが導電部材（図示せず）で接合されて植立される。
【００４９】
なお、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで密封された内部空間は、背面パネルＰＮＬ１の一部に設けた図示しない排気管から排気して所定の真空状態に保持される。これらの構成については後述する。
【００５０】
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。また、図５は、図４の要部拡大断面図である。図４、図５において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２は、周縁に設置した枠ガラスＭＦＬを介して一体化される。図３と同一符号は同一機能部分に対応する。枠ガラスＭＦＬと背面基板ＳＵＢ１および前面基板ＳＵＢ２は封着部材ＦＧＭで、例えば約３ｍｍ程度に間隔を保持して固定される。また、表示領域において、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２の間の感覚を保持するスペーサＳＰＣは導電性接合材ＦＧＳで固定される。
【００５１】
スペーサＳＰＣは、前記したような母材ガラスの表面に導電性ガラス層をコートしたＶ2Ｏ5系ガラスコートスペーサである。このスペーサのコート層である導電性ガラス層には、熱膨張係数調整用フィラーを含有する。
【００５２】
図６は、本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図６中に破線で示した領域は表示領域ＡＲであり、この表示領域ＡＲにｎ本の信号線ＣＬとｍ本の走査線ＧＬが互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の３つの単位画素（あるいは、副画素:サブピクセル）"Ｒ"，"Ｇ"，"Ｂ"の１グループでカラー１画素（カラーピクセル）を構成する。信号線ＣＬは、信号線引出端子ＣＬＴで画像信号駆動回路ＤＤＲに接続され、走査線ＧＬは走査線引出端子ＧＬＴで走査信号駆動回路ＳＤＲに接続されている。画像信号駆動回路ＤＤＲには外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００５３】
これにより、順次選択される走査線ＧＬに交差する信号線ＣＬに画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の自発光平面型の画像表示装置が実現される。
【００５４】
本発明の画像表示装置は、背面基板基板と前面基板の間に上記したスペーサを植立させることで、スペーサにチャージアップしようとする電荷が基板側に吸収され、高品質な画像表示が可能な画像表示装置を提供できる。
【００５５】
なお、前記実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述した各種の電子源を用いた自発光型の画像表示装置に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】サンプル「ＴＳ−２０」または「ＴＳ−１１」を用いてソーダガラス同士、またはＦｅ−Ｎｉ合金とソーダガラスを接合した接合試験片の説明図である。
【図２】図１の接合試験片を用いた強度評価の説明図である。
【図３】本発明による画像表示装置の一例を説明する図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。
【図５】図４の要部拡大断面図である。
【図６】本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。
【符号の説明】
【００５７】
ＳＵＢ１・・・背面基板、ＳＵＢ２・・・前面基板、ＳＰＣ・・・スペーサ、ＧＬ・・・走査線、ＣＬ・・・信号線、ＡＤ・・・陽極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ・・・蛍光体層、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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