(57)【要約】【課題】トラック規定部の媒体対向面からの長さが、ヘッド製造工程での公差によりばらついた場合、記録磁界が変化し、それに伴い媒体上に記録されるトラック幅が変化する。【解決手段】磁気ヘッド１の主磁極３２は、平面形状が台形形状のトラック規定部３２１と、更に台形形状を有する磁束導入部３２２とで構成される。ここで、トラック規定部３２１は、浮上面（ＡＢＳ）と平行な幅が、ハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広がる形状をなしている。１０〜２０％の割合は、ヘッド製造工程での公差（±５％）によりばらつく場合を考慮し、形状を正確に制御できる範囲である。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体対向面を備えた主磁極と、前記媒体対向面の反対側において前記主磁極と磁気的に連結された副磁極と、該副磁極と前記主磁極とを磁気的に励起するために設けられたコイルと、前記副磁極と前記主磁極との間に設けられた絶縁膜とを有し、前記主磁極は下底に対して上底の幅が広いトラック規定部と、該トラック規定部に連なる前記媒体対向面から離れるにしたがって断面積が大きくなる磁束導入部とを有し、前記トラック規定部の上底の幅はハイト方向にハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広くなっていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁束導入部の断面積は、前記媒体対向面から離れるにしたがって段階的に大きくなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記副磁極は前記主磁極のリーディング側に配置されることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記副磁極は前記主磁極のトレーリング側に配置されることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記副磁極に隣接して配置された再生ヘッドをさらに有することを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記主磁極に隣接して配置された再生ヘッドをさらに有することを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記トラック規定部の上底の幅が広がっている領域は、ハイト方向に２０〜１５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
基板上に、媒体対向面を備えた主磁極と、前記媒体対向面の反対側において前記主磁極と磁気的に連結された副磁極と、該副磁極と前記主磁極とを磁気的に励起するために設けられたコイルと、前記副磁極と前記主磁極との間に設けられた絶縁膜とを有し、前記主磁極は下底に対して上底の幅が広いトラック規定部と、該トラック規定部に連なる前記媒体対向面から離れるにしたがって断面積が大きくなる磁束導入部とを有する磁気ヘッドの製造方法において、前記主磁極を形成する工程は、
前記主磁極となる磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に非磁性膜もしくは有機樹脂膜を形成する工程と、
前記非磁性膜もしくは有機樹脂膜をパターンニングしてマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記磁性膜を、イオンビームの入射角を前記基板面の法線方向に対して４０゜±２０゜に設定し、前記基板面を前記媒体対向面の鉛直方向に対して水平に±(１２０±１５)°の範囲の角度で振動させながらエッチングする工程と、
前記マスクを用いて前記磁性膜を、イオンビームの入射角を前記基板面の法線方向に対して６０°±２０°に設定し、前記基板面を前記媒体対向面の鉛直方向に対して水平に±(１２０±１５)°の範囲の角度で振動させながらエッチングする工程と、
前記マスクを用いて前記磁性膜を、イオンビームの入射角を前記基板面の法線方向に対して６５°±１５°に設定し、前記基板面を前記媒体対向面の鉛直方向に対して水平に±(１２０±１５)°の範囲の角度で振動させながらエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記磁性膜をエッチングする各工程において、イオンビームが入射する時間の割合は、前記基板面を振動させる角度を３等分し、振動範囲の端の領域にイオンビームが入射する時間が中央の領域よりも２０％以上長いことを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
基板上に、媒体対向面を備えた主磁極と、前記媒体対向面の反対側において前記主磁極と磁気的に連結された副磁極と、該副磁極と前記主磁極とを磁気的に励起するために設けられたコイルと、前記副磁極と前記主磁極との間に設けられた絶縁膜とを有し、前記主磁極は下底に対して上底の幅が広いトラック規定部と、該トラック規定部に連なる前記媒体対向面から離れるにしたがって断面積が大きくなる磁束導入部とを有する磁気ヘッドの製造方法において、前記主磁極を形成する工程は、
前記主磁極となる磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上に非磁性膜もしくは有機樹脂膜を形成する工程と、
前記非磁性膜もしくは有機樹脂膜を、トラック幅方向の凸部の長さが５〜１０nm、前記媒体対向面と鉛直方向の長さが２０〜１００nmのトラック規定部形状が描画されたレチクルを用いてパターンニングする工程と
前記パターニングされた非磁性膜もしくは有機樹脂膜をマスクとして、イオンビームの入射角を前記基板面の法線方向に対して６０°±２０°に設定し、前記磁性膜をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録用の単磁極ヘッドを備える磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ等の情報処理装置の外部記録装置として使用される磁気記録再生装置であるハードディスク装置は、大容量化・小型化が進み、それに対応するためハードディスク装置では、主に記録密度の向上を行っている。しかし、従来の長手磁気記録方式を用いて高密度化を行うと媒体上の磁化の転移領域で反磁界が大きいため記録層厚を薄くする必要があり、その結果、熱的な錯乱によって記録されたデータが消えてしまうという問題がある。一方、記録磁化の方向が媒体の膜厚方向である垂直磁気記録方式は、磁化転移領域で反磁界が小さいため媒体の膜厚を薄くする必要が比較的少なく、高記録密度化を達成しやすい。
【０００３】
垂直記録媒体に垂直磁気記録用磁気ヘッドすなわち垂直磁気記録ヘッド（単磁極ヘッド）を用いて信号を記録する場合、電気的信号はコイルによって磁気的信号に変換され、主磁極及び副磁極に磁束が励起される。この磁束の一部は副磁極から主磁極を通間し、記録媒体の垂直記録層を貫通する。そして、垂直記録層の下層の軟磁性下地層を通り副磁極へと戻る閉ループを描く。この際、副磁極は、主磁極から記録媒体の垂直記録層及び軟磁性下地層に生じた磁束を磁気的に効率よく、再び主磁極に戻すために用いられる。そしてこのような磁束の流れによって垂直記録層に磁化として信号の記録を行っている。
【０００４】
垂直磁気記録ヘッドにおいて、面記録密度の向上に伴い、記録トラック幅の縮小が望まれている。また、ハードディスク装置において、磁気ディスク媒体の内周から外周にわたって広範囲に記録再生を行う必要がある。しかし、磁気ディスク媒体の内周及び外周において、磁気ディスク媒体の回転方向の接線に対して磁気ヘッドは約−１５〜１５゜程度の範囲内においてスキュー角がついた状態で記録再生を行う。この際、主磁極の浮上面における形状が矩形形状であると記録トラック幅を縮小できないため、リーディング側の磁極幅をトレーリング側の磁極幅に対して狭い形状にして狭トラック化に対応している。
【０００５】
記録ヘッドの主磁極は、媒体対向面から略直交方向に延びる柱状のトラック規定部と、トラック規定部に連なり媒体対向面から離れるにしたがって断面の面積が大きくなる磁束導入部とを有する形状をしており、通常、イオンミリング法を用いて形成される。特許文献１には、主磁極をイオンミリング法で形成した場合、トラック規定部の基板側である下面の磁極幅は媒体対向面に近づくにしたがって幅が狭くなると同時に、トラック規定部の上面の磁極幅も磁束導入部上に形成されたマスクによりイオンミリング時に影になり、媒体対向面に近づくにしたがって幅が狭くなること、そしてこのような構造においては、トラック規定部の媒体対向面からの長さがヘッド製造工程での公差によりばらついた場合に、媒体対向面でのトラック規定面の磁極幅の分布に悪影響を与えることが記載されている。
【０００６】
さらに特許文献１には、媒体対向面に近づくにしたがってトラック規定部の上面の磁極幅が狭くなる構造を改善する方法として、主磁極となる磁性層上にエッチングレートが低い非磁性層もしくは有機樹脂層を形成し、この非磁性層もしくは有機樹脂層をマスクとしてイオンミリング法によりエッチングを行う際、次の３種類の工程を切り替えて行う方法が記載されている。
（１）イオンビームの入射角を５０°±２０°の範囲の角度とし、イオンビームの向きを、媒体から媒体対向面となる向きを基準として、水平に±（３０°〜１５０°）の範囲内で振動させながら、もしくは３６０°の全方位からイオンビームを入射するエッチング工程。
（２）イオンビームの入射角を６０°±２０°の範囲の角度とし、イオンビームの向きを、媒体から媒体対向面となる向きから＋９０°〜＋１３５°の範囲の所定の角度を中心として、水平に±４５°の範囲内の所定の角度範囲で振動させながら、イオンビームを入射するエッチング工程。
（３）イオンビームの入射角を６０°±２０°の範囲の角度とし、イオンビームの向きを、媒体から媒体対向面となる向きから−９０°〜−１３５°の範囲の所定の角度を中心として、水平に±４５°の範囲内の所定の角度範囲で振動させながら、イオンビームを入射するエッチング工程。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２１６３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
垂直磁気ヘッドでは記録媒体に対して大きな記録磁界を発生させることが重要であるが、上記したように記録トラック幅の縮小は記録ヘッドから媒体側へ生じる記録磁界の低下を引き起こす。したがって、記録トラック幅の縮小とともに、トラック規定部の媒体対向面からの長さ（フレアポイントまでの長さ）を短くする必要がある。しかしながら、トラック規定部の媒体対向面からフレアポイントまでの長さが短くなると、上記従来技術のように媒体対向面における主磁極の上面の幅が均一な形状は、トラック規定部の媒体対向面からの長さがヘッド製造工程での公差によりばらついた場合には、記録磁界が大きく変化する。同時に記録磁界の幅も変化するので、結果として、媒体上に記録されるトラック幅が変化することになる。
本発明の目的は、トラック規定部の媒体対向面からの長さがばらついた場合に対しても、媒体に記録される磁気的な幅のばらつきが小さい垂直磁気記録用の磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の代表的な磁気ヘッドにおいては、媒体対向面を備えた主磁極と、媒体対向面の反対側において主磁極と磁気的に連結された副磁極と、副磁極と主磁極とを磁気的に励起するために設けられたコイルと、副磁極と主磁極との間に設けられた絶縁膜とを有し、主磁極は下底に対して上底の幅が広いトラック規定部と、トラック規定部に連なる前記媒体対向面から離れるにしたがって断面積が大きくなる磁束導入部とを有し、トラック規定部の上底の幅はハイト方向にハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広くなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、トラック規定部の媒体対向面からの長さがばらついた場合に対しても、媒体に記録される磁気的な幅のばらつきが小さい垂直磁気記録用の磁気ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１〜４は、実施例による垂直記録用磁気ヘッド（磁気ヘッド）の構成例を示す図である。ここで図１は、磁気ヘッドの断面図であり、媒体対向面及び基板面双方の面に対して垂直な断面を示している。図２は、その平面図であり、媒体対向面に対して垂直で、基板面に対して平行な面の一部を示す。図３は磁気ヘッドの媒体対向面を示す図である。図４は、媒体対向面における主磁極部の拡大図である。これらの図において、１は磁気ヘッド、１１は基板、１２は絶縁膜、１３は下部シールド、１４は絶縁膜、１５は上部シールド、１６は磁気抵抗効果素子、１７は絶縁膜、１８は電極である。２１は副磁極、２２は絶縁膜、２３は絶縁膜、２４はコイル、２５，２６はヨークであり、２７は層間絶縁膜、３２は主磁極、３４は下地膜、３５は非磁性金属膜である。なお、C−C′は磁気ヘッドの媒体対向面（浮上面）を示す。
【００１２】
図示した磁気ヘッド１の再生部（再生ヘッド）１０は下部シールド１３、磁気抵抗効果膜１６、上部シールド１５を含む構成となっている。磁気抵抗効果膜１６の両脇には電極１８や図示していない磁区制御膜が接続される。磁気抵抗効果膜１６には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）膜、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）膜等の磁気抵抗効果を有する膜を用いることができる。また、磁気抵抗効果膜１６として、電流を膜に垂直に流すＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）膜やＣＰＰ形磁気抵抗効果膜を用いることができる。また、図示した磁気ヘッド１の記録部（記録ヘッド）２０は、副磁極２１上に絶縁膜２２を介して層間絶縁膜２７に覆われたコイル２４が配置され、副磁極２１はヨーク２５，２６を介して主磁極３２と磁気的に結合された構成となっている。
【００１３】
図２の平面図に示すように、記録ヘッド２０の主磁極３２は浮上面から２０〜３００ｎｍ離れた領域までは細いトラック規定部３２１と、さらに、それ以上離れた位置では広がった形状を有する磁束導入部３２２で構成されている。
【００１４】
図３に示すように、本実施例の磁気ヘッド１の浮上面は、副磁極２１上に絶縁膜２３を介して主磁極３２が形成されている。この例では、主磁極３２のリーディング側に副磁極２１が位置しているが、この主磁極３２と副磁極２１の位置関係は上下反転していても良い。また、トレーリングシールドと呼ばれるような、主磁極上に非磁性膜を介して軟磁性膜を形成した構造でも良いし、サイドシールドと呼ばれる主磁極の両脇に非磁性膜を介して軟磁性膜を形成した構造でも良い。
【００１５】
図４に示す拡大図において、主磁極３２の下層には、主磁極３２の磁気特性を向上するために下地膜３４が形成され、主磁極３２の上層には非磁性金属膜３５が形成される。主磁極３２はＦｅＣｏ，ＣｏＮｉＦｅ等の高飽和磁束密度を有する磁性膜もしくはＦｅＣｏ層と非磁性層との積層膜から構成される。非磁性金属膜３５としてはＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔａ，Au，ＴａＷ等やこれらの積層膜が用いられる。ただし、非磁性金属膜３５は必要に応じて付加すればよく、省略することができる。
【００１６】
図４に示すように、浮上面における主磁極３２の上底の幅が、下底の幅より広い構造にすることで、スキュー角がついた状態で記録を行う際に、近接のトラックのデータを誤って消去することのない磁気ヘッド１が得られる。単層の磁性膜あるいは磁性層と非磁性層との積層構造を有する主磁極３２のトラック幅ｗは、記録密度が高まるにつれて狭くなるが、例えば４０〜２５０ｎｍである。主磁極３２の膜厚ｔは、トラック幅ｗに対し０．５〜３の範囲とし、主磁極３２のトラック規定面におけるトレーリング側の一辺とその側辺とが作る内角αは７５〜８８°の範囲が望ましい。下地膜３４の膜厚は、２〜５０ｎｍの範囲が望ましい。本図では，主磁極３２の上底の端と下底の端とを結ぶ線は直線に描かれているが、内側に凸の弧や外側に凸の弧で結ばれていてもよい。
【００１７】
図５に主磁極３２と副磁極２１の位置関係が上記実施例と上下反転している構成例を示す。図５では図３と異なり主磁極３２のトレーリング側に副磁極２１が位置している。このような位置関係の場合、主磁極３２上に非磁性膜を介してトレーリングシールドと呼ばれる軟磁性膜を形成し、この軟磁性膜が副磁極２１と接した構造としても良いし、主磁極の両脇に非磁性膜を介してサイドシールドと呼ばれる軟磁性膜を形成し、この軟磁性膜が副磁極２１と接した構造としても良い。
【００１８】
図６に上記実施例による磁気ヘッド１を搭載した磁気ディスク装置の概略図を示す。磁気ディスク装置は、垂直記録層と軟磁性下地層を有する磁気ディスク４３と、磁気ディスク４３を支持して回転させるディスク駆動モータ４４と、磁気ヘッド１を搭載するスライダ４２と、スライダ４２を支持して磁気ディスク上を半径方向に移動させるアクチュエータ４１と、信号処理基板４５とを有する。信号処理基板４５は機構制御部４６と信号処理部４７を有し、機構制御部４６はアクチュエータ４１やディスク駆動モータ４４を制御し、信号処理部４７は磁気ヘッド１の記録ヘッド２０に供給する記録信号の処理および磁気ヘッド１の再生ヘッド１０からの再生信号を処理する。
【００１９】
図７に特許文献１に記載されているような従来の磁気ヘッドの主磁極のトレーリング側の平面図を示す。従来の磁気ヘッドにおいては主磁極のトラック規定部３２３は矩形形状をなし、磁束導入部３２４は台形形状をなしている。
【００２０】
図８に上記本発明の実施例による磁気ヘッド１の主磁極３２のトレーリング側の平面図を示す。実施例の磁気ヘッド１においては、主磁極３２のトラック規定部３２１の平面形状は台形形状をなし、更に台形形状を有する磁束導入部３２２がトラック規定部３２１の後端に接続されている。ここで、トラック規定部３２１は、浮上面（ＡＢＳ）と平行な幅が、ハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広がる形状をなしている。１０〜２０％の割合は、ヘッド製造工程での公差（±５％）によりばらつく場合を考慮し、形状を正確に制御できる範囲である。
【００２１】
図８のハイト方向、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の位置での各断面を図９に示す。図９に示すように、トラック規定面（ａ）の上底の幅W１に対して、ハイト方向（ｂ）の位置での上底の幅W２は広くなっている。また、下底の幅W１１に対して、幅W１２も広くなっている。さらに、ハイト方向（ｃ）の位置では（ｄ）の位置よりも上底の幅W３および下底の幅W１３はそれぞれ広くなっている。磁束導入部３２２である（ｄ）の位置では、（ｃ）の位置よりも上底の幅W４および下底の幅W１４はそれぞれ大きく広くなっている。なお、図９では各断面の上底の端点と下底の端点とを結ぶ線は直線で描かれているが、内側に凸の弧のような形状でも外側に凸の弧のような形状でもよい。このようにハイト方向に幅が広がる形状にすることにより、磁気ヘッド１の記録ヘッド２０から生じる磁界の強度を大きくすることができるので、磁界の幅のばらつきを、媒体対向面からの長さのばらつきに対して少なくすることができる。
【００２２】
図１０に、記録ヘッドから生じる磁界Hmaxとトラック規定部の上底の幅がハイト方向の長さに対して広がる割合Ｄとの関係を示す。図に示すように記録ヘッドから生じる磁界は、Ｄが１０〜３０％の場合に大きなヘッド磁界Hmaxが得られる。
【００２３】
次に図１１に、記録ヘッドから生じる磁界の幅Hｗとトラック規定部のハイト方向の長さLとの関係を示す。ここで前記記録ヘッドから生じる磁界の幅Hwとは5000 Oe (400KA/m)のヘッド磁界が得られる間隔とした。図にはトラック規定部の上底の幅がハイト方向の長さに対して広がる割合が(A):０％，(B):１０％，(C):２０％，(D):３０％の場合を示す。図に示すように、トラック規定部のハイト方向の長さが大きくなるにつれ、いずれの場合にも磁界の幅Hwは小さくなる。しかし、０％の場合と較べて１０％の場合及び２０％の場合の、トラック規定部のハイト方向の長さによる磁界の幅Hwの変化量は小さくなっている。これはトラック規定部の上底の幅がハイト方向の長さに対して広がる割合が０％のときよりもヘッド磁界が大きいため、結果として、ヘッド磁界の幅の縮小が緩和されるためである。一方、３０％の場合では悪くなっており、これはトラック規定部の浮上面の幾何学的なトラック幅が大きく変化したことに起因している。
【００２４】
上記図１０と図１１の結果から、トラック規定部の上底の幅がハイト方向の長さに対して広がる割合が１０〜２０％の場合に、記録ヘッドから生じる磁界が大きく、トラック規定部のハイト方向の長さのばらつきによる磁界の幅の変化量を小さくすることができる。
【００２５】
図１２に主磁極の変形例の平面図を示す。この変形例は、磁束導入部３２２をハイト方向にしたがって、多段で広がる形状にする例である。このように、磁束導入部がトラック規定部に向かって叙々に幅が狭まる形状にすることにより、トラック規定部での磁気的な飽和を改善することができる。したがって、磁気ヘッドの記録性能を改善することができる。
【００２６】
次に、上記実施例による磁気ヘッドの製造方法について説明する。主磁極３２より下の層の形成方法は従来と同じあるため、ここでは主として主磁極３２の形成方法について説明する。図１３は、主磁極３２の形成工程の一例を示す図で、媒体対向面を示す図である。図１３（ａ）に示すように、基板１１上に主磁極３２の下の層を形成したのち、その上に主磁極３２となる磁性膜、例えばＦｅＣｏあるいはＣｏＮｉＦｅをめっき法により５０〜３００ｎｍ形成する。次に、主磁極３２となる磁性膜上に第２のマスク３６となるエッチングレートが遅い非磁性膜もしくは有機樹脂膜を３０〜１０００ｎｍ形成する。次に、第１のマスク５０となるホトレジストを第２のマスク３６となる非磁性膜もしくは有機樹脂膜上に形成する。ここで非磁性膜もしくは有機樹脂膜に主磁極３２の平面形状を形づくるには、レチクルに描画された原図を露光装置にてホトレジストに転写する。この際、レチクル上の平面形状を、露光装置の縮尺に応じて設定する。例えば、露光装置の縮尺が１／５であれば、ハイト方向２５０nmに対し、トラック規定部のトレーリング側のトラック幅が２５〜５０nm広くなるように設定する。
【００２７】
次に図１３（ｂ）に示すように、ホトレジストをパターニングして第１のマスク５０を形成する。ホトレジストの膜厚は１００〜１５００ｎｍとした。ここで第１のマスク５０を形成する際には，光学的及び現像等の影響により、トラック規定部と磁束導入部との境界においてエッジがラウンドする。
【００２８】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１のマスク５０を用いて、エッチングにより第２のマスク３６となる非磁性膜もしくは有機樹脂膜を所定の形状に形成する。ここで第２のマスク３６となる膜が非磁性膜の場合には塩素系のエッチングガスが用いられる。また、第２のマスク３６となる膜が薄い場合は次工程のイオンビームでエッチングする際に同時に、エッチングしても良い。第２のマスク３６となる膜が有機樹脂膜の場合にはO２やCO２のエッチングガスが用いられる。ここで第２のマスク３６は、基板１１に対して略直交するようにエッチングすることが望ましい。
【００２９】
続いて、図１３（ｄ）に示すように第２のマスク３６を用いて、基板面の法線方向ｎに対するイオンビームの入射角θを設定し、イオンミリングにより主磁極３２となる磁性膜をエッチングし、逆台形形状の主磁極３２を形成する。図１３（ｄ）はエッチングされた結果を示しているので、第１のマスク５０はエッチングにより無くなり、第２のマスク３６はエッチングにより薄くかつ小さくなっている。以下、図１３（ｄ）の工程について主磁極３２の上面図を示す図１４を用いて詳細に説明する。
【００３０】
図１４（ａ）に、エッチング前の図１３（ｄ）の上面図を示す。第１のマスク５０の下層には第２のマスク３６および主磁極３２となる磁性膜が存在する。第２のマスク３６を用いて、図１４（ｂ）に示すようにイオンミリング法によりエッチングする。エッチングは次の（１）〜（３）のエッチング条件を切り替えながら３段階で行う。
（１）イオンビームの入射角θを４０゜±２０゜に設定し、イオンビームの向きは媒体から媒体対向面となる向き（媒体対向面に鉛直方向）Ｐを基準として、基板面を水平に±(１２０±１５)°の範囲内の角度βで振動させながら、イオンビームを入射するエッチング工程を行う。
（２）次に、イオンビームの入射角θを６０°±２０°に設定し、イオンビームの向きは媒体から媒体対向面となる向きＰを基準として、基板面を水平に±(１２０±１５)°の範囲内の角度βで振動させながら、イオンビームを入射するエッチング工程を行う。
（３）さらにイオンビームの入射角θを６５°±１５°に設定し、イオンビームの向きは媒体から媒体対向面となる向きＰを基準として、基板面を水平に±(１２０±１５)°の範囲内の角度βで振動させながら、イオンビームを入射するエッチング工程を行う。
【００３１】
上記３段階のエッチングを行うことにより、トラック規定部３２１と磁束導入部３２２との境界におけるエッジのラウンドが是正され、トラック規定部３２１の浮上面と平行な上底の幅はハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広がる形状が得られる。
【００３２】
なお、基板面を水平に振動させる角度βの範囲を変化させてエッチングを行ってみた結果、±９０°の場合はトラック規定部３２１の上底の幅のばらつきは３σ=２７nm、±１００°の場合は３σ=２１nm、±１１０°の場合は３σ=１７nm、±１２０°の場合は３σ=１６nm、±１３０°の場合は３σ=１７nm、±１４０°の場合は３σ=２０nmであった。したがって、基板を水平に振動させる角度の範囲は±１０５°〜１３５°の場合が、小さな公差が得られる。このようにイオンミリングによるイオンビームの入射角および入射の向きを制御することによって、磁束導入部の影になる影響を低減することができるので、公差を低減することができる。
【００３３】
次に、基板面を水平に±(１２０±１５)°の範囲内の角度で振動させる工程において、イオンビームが入射する時間の割合を変化させた。具体的には、振動範囲を３等分し、振動範囲の一端の領域にイオンビームが入射する時間を中央の領域よりも１０％，２０％，３０％と長くした。その結果、トラック規定部の上底の幅のばらつきは１０％の場合は３σ=２４nm、２０％の場合は３σ=１８nm、３０％の場合は３σ=１７nmとなり、振動範囲の一端の領域にイオンビームが入射する時間を中央の領域より長くすることにより公差が小さくなった。
【００３４】
次に主磁極３２の形成方法の他の例を図１５を参照して説明する。図１５にホトレジストに転写するレチクル５０に描画されたトラック規定部の形状を示す。レチクル上のトラック規定部において、トラック規定部のトラック幅方向の凸部の長さX１は５〜１０nmとし、媒体対向面と鉛直方向の長さY1は２０〜１００nmとした。このようにレチクル５０の形状をハイト方向の長さに対しての割合で広がる形状にすることで、図１３（ｄ）を用いて説明したように、レチクル５０の形状が転写された第２のマスク３６を用いて、基板面の法線方向ｎに対するイオンビームの入射角θを６０°±２０°に設定し、主磁極３２となる磁性層をエッチングすることにより、主磁極３２のトラック規定部の浮上面と平行な幅はハイト方向の長さに対して１０〜２０％の割合で広がる形状が得られる。ここでX１は１段のステップとしたが多段であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施例による磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１に示した磁気ヘッドの平面図である。
【図３】図１に示した磁気ヘッドの媒体対向面を示す図である。
【図４】図３における主磁極部分の拡大図である。
【図５】主磁極と副磁極の位置が逆になっている磁気ヘッドの媒体対向面を示す図である。
【図６】実施例による磁気ヘッドが搭載される磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの主磁極の平面図である。
【図８】本発明の実施例による磁気ヘッドの主磁極の平面図である。
【図９】図８のハイト方向位置(a),(b),(c),(d)における断面図である。
【図１０】本発明による磁気ヘッドの効果を示す図で、記録ヘッドから生じる磁界とトラック規定部の上底の幅がハイト方向の長さに対して広がる割合との関係を示す図である。
【図１１】本発明による磁気ヘッドの効果を示す図で、記録ヘッドから生じる磁界の幅とトラック規定部のハイト方向の長さとの関係を示す図である。
【図１２】実施例による磁気ヘッドの主磁極の変形例を示す平面図である。
【図１３】本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す図で、媒体対向面を示す図である。
【図１４】主磁極をイオンミリングにより形成する方法を示す平面図である。
【図１５】本発明の磁気ヘッドの他の製造方法で使用されるレチクルの平面図を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１…磁気ヘッド、
１０…再生ヘッド、
１１…基板、
１６…磁気抵抗効果膜、
２０…記録ヘッド、
２１…副磁極、
２２，２３…絶縁膜、
２４…コイル、
２５，２６…ヨーク、
２７…層間絶縁膜、
３２…主磁極、
３２１…トラック規定部、
３２２…磁束導入部、
３４…下地膜、
３５…非磁性金属膜、
３６…非磁性膜もしくは有機樹脂膜、
５０…レチクル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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