(57)【要約】【課題】伝送損失が少ない高周波信号用分配器を提供する。【解決手段】プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有し、高周波信号を入力する端子40，41及び高周波信号を分配する複数の出力端子42，43が設けられた帯状の導電膜1，1'を有する高周波伝送線路4を具備する高周波信号用分配器。【選択図】図20
2007312322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力した高周波信号を分配する高周波信号用分配器であって、(a) プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有し、前記高周波信号を入力する端子及び前記高周波信号を分配する複数の出力端子が設けられた帯状の導電膜からなる高周波伝送線路、又は(b) 前記帯状導電膜及び誘電性支持体からなる高周波伝送線路を具備することを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波信号用分配器において、分配数は２〜８であることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高周波信号用分配器において、前記高周波信号はテレビジョン信号であることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜及び前記誘電性支持体からなる高周波伝送線路は、前記帯状導電膜が二本離隔して前記誘電性支持体上に並列配置されていることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波信号用分配器において、前記二本の帯状導電膜の一方には入力側同軸ケーブル及び出力側同軸ケーブルの内導体が接続され、他方には前記入力側同軸ケーブル及び前記出力側同軸ケーブルの外導体が接続されることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の高周波信号用分配器において、前記高周波伝送線路は前記誘電性支持体がL字状断面を有し、前記二本の帯状導電膜が、前記L字状断面を有する誘電性支持体の内側に、各々の水平面が直交するように配置されていることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の高周波信号用分配器において、前記高周波伝送線路は前記誘電性支持体が板状であり、前記二本の帯状導電膜が、前記板状誘電性支持体上に平面配置されていることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜のプラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレート及び／又はポリブチレンテレフタレートからなることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜の金属薄膜は蒸着膜又は箔であることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜の金属薄膜は銅及び／又はアルミニウムからなることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項１１】
請求項１〜10のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜の微細孔の平均開口径は0.5〜100μmであることを特徴とする高周波信号用分配器。
【請求項１２】
請求項１〜11のいずれかに記載の高周波信号用分配器において、前記帯状導電膜の微細孔の平均分布密度は500個／cm2以上であることを特徴とする高周波信号用分配器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号用分配器に関し、特に金属薄膜及びプラスチックフィルムを有する帯状の導電膜を具備する高周波信号用分配器に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン信号等の高周波信号を分割するために、分配器が使用されている。近年テレビジョン放送のデジタル化、衛星放送の多チャンネル化や、インターネット信号の伝送経路としても利用されること等により、高周波信号用分配器に対して、広帯域化や大容量化とともに、伝送損失の低減化が求められている。
【０００３】
従来高周波信号用分配器は、フェライトコアにコイルを巻回した高周波トランスを主要素として構成されている。しかし従来の高周波信号用分配器では、コアによる磁気損失があり、分割により信号が減衰するので、増幅器を用いる必要がある。
【０００４】
そこで特開2001-16063号（特許文献１）は、図27に示すような、各々絶縁膜100上に形成された、マイクロストリップ線路110，110及びマイクロスクウェア111からなるローパスフィルタ部112と、マイクロストリップ線路113，113及びマイクロスクウェア114からなるインピーダンス変換部115とを有するフィルタが、並列接続され、マイクロストリップ線路110の出力端部に分離抵抗116が設けられた高周波用分岐／分配器を提案している。
【０００５】
この高周波用分岐／分配器では、コイルに相当する誘導成分であるマイクロストリップ線路110及び113と、コンデンサに相当する容量成分であるマイクロスクウェア111及び114とを有するフィルタを並列接続し、高周波信号を分配する。そのためコアによる磁気損失がなく、少ない損失で高周波信号が分配される。またインピーダンス変換部115では、信号線路上のX点及びY点から上流側を見た特性インピ−ダンスと、出力端子OUT1及びOUT2に接続される伝送路の特性インピ−ダンスとを整合させることができる。そのためインピーダンス不整合による反射波が生じず、容易に高域高周波信号を分配し、反射なく伝搬させることができる。しかし高周波信号用分配器に対して、伝送損失の一層の低減化が求められている。
【０００６】
【特許文献１】特開2001-16063号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の目的は、伝送損失が少ない高周波信号用分配器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を形成し、かつ多数の微細孔を形成した帯状の導電膜を用いると、伝送損失が少ない高周波信号用分配器が得られることを見出し、本発明に想到した。
【０００９】
すなわち、本発明の高周波信号用分配器は、(a) プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有し、高周波信号を入力する端子及び前記高周波信号を分配する複数の出力端子が設けられた帯状の導電膜からなる高周波伝送線路、又は(b) 前記帯状導電膜及び誘電性支持体からなる高周波伝送線路を具備することを特徴とする。
【００１０】
係る高周波信号用分配器の分配数は２〜８であるのが好ましい。前記高周波信号はテレビジョン信号であるのが好ましい。前記帯状導電膜及び前記誘電性支持体からなる高周波伝送線路は、前記帯状導電膜が二本離隔して前記誘電性支持体上に並列配置されているのが好ましい。これら二本の帯状導電膜の一方には入力側同軸ケーブル及び出力側同軸ケーブルの内導体が接続されるとともに、他方には前記入力側同軸ケーブル及び前記出力側同軸ケーブルの外導体が接続されるのが好ましい。
【００１１】
本発明の好ましい例では、前記高周波伝送線路は前記誘電性支持体がL字状断面を有し、前記二本の帯状導電膜が、前記L字状断面を有する誘電性支持体の内側に、各々の水平面が直交するように配置されている。本発明の別の好ましい例では、前記高周波伝送線路は前記誘電性支持体が板状であり、前記二本の帯状導電膜が、前記板状誘電性支持体上に平面配置されている。
【００１２】
前記帯状導電膜のプラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレート及び／又はポリブチレンテレフタレートからなるのが好ましい。前記帯状導電膜の金属薄膜は蒸着膜又は箔であるのが好ましい。前記帯状導電膜の金属薄膜は銅及び／又はアルミニウムからなるのが好ましい。前記帯状導電膜の微細孔の平均開口径は0.5〜100μmであるのが好ましい。前記帯状導電膜の微細孔の平均分布密度は500個／cm2以上とするのが好ましく、これにより一層伝送損失が少なくなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の高周波信号用分配器は伝送損失が少ない。さらに構造がシンプルであり、軽量性にも優れている。このような特性を有する本発明の高周波信号用分配器は、テレビジョン信号、インターネット信号、各種無線信号等の分配器；航空機、自動車等の電装系の信号分配器；各種情報処理機器の信号分配器；通信機器、情報通信網等の信号分配器等として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の高周波信号用分配器は、(a) プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有し、高周波信号を入力する端子及び前記高周波信号を分配する複数の出力端子が設けられた帯状の導電膜からなる高周波伝送線路、又は(b) 係る帯状導電膜及び誘電性支持体からなる高周波伝送線路を具備する。まず帯状導電膜について説明し、次いで高周波伝送線路及び高周波信号用分配器について説明する。
【００１５】
[1] 帯状導電膜
(1) 構造
図１は帯状導電膜の一例を示す。この例では、帯状導電膜１は、プラスチックフィルム10の一面に一様に形成された金属薄膜11を有し、多数の微細孔12を有する。図２は帯状導電膜の別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の両面に、一様に形成された金属薄膜11を有する以外、図１に示す膜と同じである。図３は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、金属薄膜11の表面に保護膜10'を設けた以外、図１に示す膜と同じである。保護膜10'の形成方法としては、プラスチックフィルムを接合する方法、樹脂をコーティングする方法等が挙げられる。図４は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、金属薄膜11の両面に、プラスチックフィルム10，10を有する以外、図１に示す膜と同じである。
【００１６】
図５は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の二本の金属薄膜11が離隔して平行に形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図６は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の一本の金属薄膜11が形成されており、他面に一様に金属薄膜11が形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図７は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面において、中心部にストリップ状の金属薄膜11が設けられているとともに、その両側に離隔して幅広の金属薄膜11が設けられている以外、図１に示す膜と同じである。
【００１７】
(2) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を構成する樹脂は特に制限されず、有極性又は無極性のいずれでもよい。樹脂として、例えばポリエステル；ポリイミド（PI）；ポリフェニレンサルファイド（PPS）；ポリアミド（PA）；ポリアミドイミド（PAI）；ポリエーテルサルフォン（PES）；ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）；ポリカーボネート（PC）；アクリル樹脂；ポリスチレン（PS）；スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ABS）樹脂；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリエチレン（PE）、ポリプロピレン（PP）等のポリオレフィン；ポリ塩化ビニル（PCV）；熱可塑性エラストマー等が挙げられる。中でもプラスチックフィルム10は、各々耐熱性の高いポリエステル、PPS、PA、PI、PAI、PES及びPEEKからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるのが好ましく、ポリエステル及び／又はPIからなるのがより好ましく、ポリエステルからなるのが特に好ましい。
【００１８】
(a) ポリエステルフィルム
ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリブチレンテレフタレート（PBT）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリブチレンナフタレート（PBN）等、種々のポリエステル樹脂からなるフィルムを使用することができる。中でも、PETフィルム及びPBTフィルムは市販品として安価に入手できるので、好ましい。以下これらを例にとって、詳細に説明する。
【００１９】
(i) PETフィルム
PETフィルムは、基本的にエチレングリコールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但しPETフィルムの特性を損なわない範囲で、エチレングリコール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、ジエチレングリコール、1,4-ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられ、またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PETフィルムは、例えば東レ（株）の「ルミラー」や、東洋紡績（株）の「東洋紡エステルフィルム」や、ユニチカ（株）の「エンブレット」等のように、通常二軸延伸フィルムとして市販されている。
【００２０】
PETフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が約3.0であり、誘電正接（106 Hz）が約0.016であり、約250〜270℃の融点及び約70〜80℃のガラス転移温度を有する。なお誘電率及び誘電正接はASTM D150により測定することができ、融点はASTM D4591により測定することができ、ガラス転移温度はJIS K7121により測定することができる（以下同じ）。
【００２１】
(ii) PBTフィルム
PBTフィルムは、基本的に1,4-ブタンジオールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但し熱収縮性等の物性を損なわない範囲で、1,4-ブタンジオール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられる。またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PBTフィルムを構成するPBT樹脂の具体例としては、例えば東レ（株）から商品名「トレコン」として市販されているホモPBT樹脂を挙げることができる。
【００２２】
PBTフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が約3.3であり、誘電正接（106 Hz）が約0.02であり、約220〜230℃の融点及び約20〜45℃のガラス転移温度を有する。
【００２３】
PBTフィルムの熱収縮率は、MD（長手方向）及びTD（横手方向）ともに２％以下であるのが好ましい。ここでMD及びTDの熱収縮率はそれぞれ、PBTフィルムを150℃に10分間加熱する条件で測定したものである。熱収縮率が２％以下のPBTフィルムは、空冷インフレーション成形法により製造することができる。PBTフィルムを空冷インフレーション成形法により製造する方法として、特開2004-268257号に記載の方法を挙げることができる。
【００２４】
(iii) ポリエステルフィルム中の他の添加成分
ポリエステルフィルムは、単一樹脂成分からなるものに限定されず、複数の樹脂成分からなるものでもよい。樹脂成分の組合せとしては、複数のポリエステル樹脂の組合せの他に、一種又は二種以上のポリエステル樹脂に本発明の効果を阻害しない範囲で他の熱可塑性樹脂を添加したものが挙げられる。他の熱可塑性樹脂としては、PPS；PA；PI；PAI； PES；PEEK；ポリカーボネート；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリオレフィン；ポリ塩化ビニル；熱可塑性エラストマー等を挙げることができる。他の熱可塑性樹脂を含有する場合、その割合はポリエステルフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましく、5〜15質量％であるのがより好ましく、５〜10質量％であるのが特に好ましい。従って特に断りがない限り、本明細書において使用する用語「PETフィルム」及び「PBTフィルム」はそれぞれ、PET又はPBTの単体のみならず、PET又はPBT＋他の熱可塑性樹脂からなる組成物を含むものと理解すべきである。
【００２５】
ポリエステルフィルムは、必要に応じて、可塑剤、酸化肪止剤や紫外線吸収剤等の安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、染料や顔料等の着色剤、流動性の改善のための潤滑剤、無機充填剤等の添加剤を適宜含有しても良い。
【００２６】
(b) ポリイミドフィルム
ポリイミド（PI）フィルムは、基本的に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応物からなる。PIフィルムとしては、ピロメリット酸二無水物と4,4’-ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合反応物を主成分とするものが好ましい。PIフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が約3.4であり、誘電正接（106 Hz）が約0.01である。PIフィルムも他の熱可塑性樹脂や添加剤を含有してもよい。他の熱可塑性樹脂の含有量はPIフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましい。PIフィルムの市販品としては、例えば東レ・デュボン（株）の「カプトン」や、鐘渕化学工業（株）の「アピカル」や、宇部興産（株）の「ユーピレックス」や、三菱樹脂（株）の「ダイアラミー」等を挙げることができる。
【００２７】
(c) フィルムの組合せ
プラスチックフィルム10は単層に限らず、積層して使用することもできる。例えば、異なるプラスチックフィルム同士を熱融着したり、ポリエチレン等の接着層を介して接着したりすることにより、積層フィルムを形成することができる。
【００２８】
(d) フィルムの厚さ
プラスチックフィルム10の厚さに特に制限はないが、実用的には約４〜50μmとするのが好適である。プラスチックフィルム10の厚さを約４μm未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。特にポリエステルフィルムの厚さを約50μm超にすると、フィルム価格が高騰する。
【００２９】
(3) 金属薄膜
金属薄膜11を構成する金属としては、銅、アルミニウム、亜鉛、銀、金、錫、珪素、チタン、コバルト、ニッケル及び鉄あるいはこれらの合金など導電性を有するものであれば特に限定されない。中でも銅及びアルミニウムが導電性や原料コストの点から好ましい。金属薄膜11としては、蒸着膜、箔、めっき膜等が挙げられるが、蒸着膜が好ましい。蒸着膜は一般的に純度が高く、耐酸化性に優れている。金属薄膜11は一層に限定されず、多層でもよい。例えば銅層の表面にさらに銀層又はニッケル層を設けてもよい。
【００３０】
金属薄膜11の厚さは、伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよいが、50 nm以上であるのが好ましく、100 nm以上であるのがより好ましい。厚さの上限は、製造効率の点から10μmであるのが好ましい。
【００３１】
(4) 微細孔
微細孔12は、少なくとも金属薄膜11に形成されているのが好ましい。よって微細孔12は貫通孔に限定されず、未貫通孔でもよい。ただし微細孔12は、プラスチックフィルム10にも形成されているのがより好ましいので、貫通孔を含むのが好ましい。微細孔12が未貫通孔を含む場合であっても、未貫通孔は金属薄膜11を貫通しているのが好ましい。微細孔12の平均開口径は0.5〜100μmであるのが好ましい。微細孔12の平均開口径を0.5μｍ未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。また微細孔12の平均開口径を100μm超にすると、帯状導電膜１の強度が低下する恐れがある。微細孔12の平均開口径は、0.5〜50μmであるのがより好ましく、0.5〜20μｍであるのが特に好ましい。
【００３２】
微細孔12の平均分布密度は500個／cm2以上であるのが好ましい。微細孔12の平均分布密度が500個／cm2未満であると、伝送損失が多い。なお微細孔12の平均分布密度の上限は技術的に可能な限りいくらでも良く、特に制限されない。ただし帯状導電膜１の伝送損失を低減し、かつ膜強度を保持する観点から、微細孔12の平均分布密度は１×103〜３×104個／cm2であるのがより好ましく、１×104〜３×104個／cm2であるのが特に好ましい。
【００３３】
微細孔12は、図１(b)、図２(b)、図３(b)及び図４(b)に示すように、その壁面に金属薄膜層11が形成されているのが好ましく、これにより伝送損失が一層少なくなる。ただし微細孔12の壁面に金属薄膜層11を形成することに限定する趣旨ではない。
【００３４】
(5) 製造方法
帯状導電膜１は、プラスチックフィルム10の少なくとも一面に金属薄膜11を形成し、必要に応じて金属薄膜11の表面にさらにプラスチックフィルム10を積層した後、以下に述べるポーラス加工により微細孔12を形成し、必要に応じて金属薄膜11の表面に保護膜10'を形成し、次いでスリットすることにより製造することができる。
【００３５】
(a) 金属薄膜形成工程
金属薄膜11の形成方法に特に制限はないが、蒸着法、箔を接合する方法、めっき法（電気めっき法、無電解めっき法等）等が挙げられる。中でも金属薄膜形成方法としては蒸着法が好ましい。金属の蒸着方法に特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法等公知の方法を適用することができる。ただし経済性の点では真空蒸着法が好ましい。
【００３６】
真空蒸着法は、一般的に半連続式（フィルムの送り出し、蒸着及び巻取りを真空中で行う方法）又は連続式（フィルムの送り出しと巻取りは大気中で、蒸着のみを真空中で行う方法）により行う方法である。具体的には、10-2 Pa程度の高真空下で、金属を高周波誘導加熱方式又は抵抗加熱方式（輻射）により加熱し、蒸発させ、その蒸気をプラスチックフィルム10に凝縮させ、金属層11を形成する。
【００３７】
化学気相蒸着法（CVD法）を用いる場合、低温で薄膜を形成できるプラズマCVD法を用いるのが好ましい。プラズマCVD法は、対向する電極間もしくはコイルに高周波電力を印加して低圧反応ガスのプラズマを発生させて金属蒸着層を形成するか、減圧下で反応ガスの高周波グロー放電分解により金属蒸着層を形成する方法である。出発原料としてハロゲン化金属、有機金属、有機金属錯体、金属アルコラート等を用い、さらに窒素、アンモニア、一酸化二窒素、酸素、一酸化炭素、メタン、水素等の反応性ガスをヘリウム、アルゴン等のキャリアガスとともに用いる。
【００３８】
銅蒸着層を形成する場合、例えば原料ガスとして銅アセチルアセトナート［Cu(acac)2］を用いるが、水素を添加することにより炭素を効果的に除去することができる。
【００３９】
アルミニウム蒸着層を形成する場合、例えば原料ガスとしてトリメチルアルミニウム（Al(CH3)3）を用い、0.03 〜0.06 W／cm3のプラズマパワー密度下、下記式(1)：
2 Al(CH3)3  ＋  H2  →  2 Al(CH3)2  ＋  2CH4  ・・・(1)
、及び下記式(2)：
Al(CH3)2  ＋  H2  →  Al  ＋  2CH4  ・・・(2)
により表される反応を選択的に生じさせる。式(1)はプラズマ中で起こる反応を表し、式(2)はフィルム表面で起こる反応を表す。
【００４０】
プラスチックフィルム10と蒸着する金属との密着性を高めるために、蒸着操作の前にプラスチックフィルム10に洗浄を兼ねた表面処理を施すのが好ましい。表面処理としては、ブラスト、エンボス加工等による機械的処理；コロナ放電、プラズマ、火炎処理等による物理化学的処理；溶剤、酸性溶液、アルカリ性溶液等による化学的処理等がある。表面処理後のフィルム10を加熱又は真空加熱処理して、フィルム10中の水分やガス分を除去してもよい。
【００４１】
プラスチックフィルム10と金属箔11を接合するには、真空プレス装置等を用いてプラスチックフィルム10と金属箔11とを熱圧着する方法、接着剤を用いる方法などが挙げられる。接着剤として、例えば、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂（EVA）、ポリビニルアセタール系樹脂［例えばポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール（PVB樹脂）、変性PVB等］、塩化ビニル樹脂、ホットメルト接着剤、シーラントフィルム等が挙げられる。シーラントフィルムは、ポリエチレンフィルム、無延伸ポリプロピレンフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、ポリスチレンフィルム、エチレン-酢酸ビニル共重合体（EVA）とポリエチレンとの混合物からなるフィルム等により形成することができる。
【００４２】
図５〜図７に示すような、ストリップ状の金属薄膜11を形成する方法として、例えばプラスチックフィルム10上に一様に金属薄膜11を形成した後、レジスト塗布及び露光工程によりストリップ状回路を印刷し、金属薄膜11の不要部分を除去するエッチング処理を行う方法が挙げられる。また金属薄膜11を形成しない部分に予めマスク層を設けた後、プラスチックフィルム10上に蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成し、マスク層を除去する方法も挙げられる。マスク層を構成する物質としては、例えば流動パラフィン、シリコーン系有機化合物、フッ素系有機化合物等の絶縁性有機物が好ましい。マスク層を形成する方法として、コーティング法、真空蒸着法等が挙げられる。
【００４３】
(b) ポーラス加工工程
金属薄膜11を形成したプラスチックフィルム10に微細孔12を形成するには、例えば特許第2063411号、特開2002-059487号、特許第2643730号、特許第2542772号、特許第2703151号、特開平9-99492号、特開平9-57860号等に開示の方法を採用することができる。例えば特許第2063411号に開示の方法を利用すると、鋭い角部を有する多数のモース硬度５以上の粒子が表面に付着した第一ロールと、表面が平滑な第二ロールとの間に、金属薄膜11を形成したフィルム10を通過させるとともに、各ロール間を通過するフィルムへの押圧力を各ロールと接触するフィルム面全体に亘って均一となるように調節することにより、第一ロール表面の多数の粒子の鋭い角部でフィルムに微細孔12を多数形成することができる。第二ロールとしては、例えば鉄系ロール、表面にNiメッキ、Crメッキ等を施した鉄系ロール、ステンレス系ロール、特殊鋼ロール等を用いることができる。微細孔12の平均開口径や平均分布密度は、第一ロールに付着される微粒子の粒径や密度を調整することにより調整できる。また第一ロール及び第二ロール間の押圧力を調節することにより、貫通孔及び未貫通孔の一方又は両方を形成することができる。微細孔12は帯状導電膜１の全面に一様に設けるのが好ましい。
【００４４】
上記(a)で述べた方法で金属薄膜11を形成した後、金属薄膜形成面を第一ロールに当接させるポーラス加工を行うことにより、第一ロール表面の多数の微粒子の角部で、金属薄膜11を形成したフィルム10に多数の微細孔12が形成されると同時に、金属薄膜11が微細孔12の壁面に沿って塑性変形する。その結果、壁面に金属薄膜11が形成された微細孔12が形成される。金属薄膜11を両面に有する薄膜の場合、ポーラス加工を施すことにより各金属薄膜11を連結させることができる。
【００４５】
金属薄膜11を有するプラスチックフィルム10に高密度で微細孔12を形成する場合、上記第一及び第二のロールを有する穿孔ユニットを２式設け、二段階で微細孔12を形成してもよい。この時二段目の第一ロールに当接する面は、一段目の第一ロールに当接した面の反対面であるのが好ましい。また金属薄膜11を有するプラスチックフィルム10を二つの第一ロールの間に通すことにより、両面から微細孔12を形成してもよい。
【００４６】
(c) スリット工程
得られた微細孔付き導電膜を所望の幅にスリットする。スリット方法は特に制限されず、公知のスリッタを用いる方法が挙げられる。
【００４７】
[2] 高周波伝送線路
以下高周波伝送線路（以下単に「伝送線路」とよぶ）について図面を用いて詳細に説明する。
【００４８】
(1) 第一の伝送線路
第一の伝送線路は、図１〜図７のいずれかに示す一本の帯状導電膜１のみからなる。第一の伝送線路の幅は、伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。
【００４９】
以下第二〜第十三の伝送線路は、少なくとも一本の帯状導電膜及び誘電性支持体からなる。ただし第二〜第十三の伝送線路が具備する帯状導電膜は図示のものに限定されず、図１〜図７に示すいずれの膜でもよい。
【００５０】
(2) 第二の伝送線路
図８は第二の伝送線路を示す。この伝送線路では、二本の帯状導電膜1，1'が、板状の誘電性支持体２上に平面配置され、平行線路が形成されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜1，1'間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。優れた伝送性を得るために、誘電性支持体２は、二本の帯状導電膜1，1'間に、凸部20を有するのが好ましい。ただし凸部20は必ずしも必要ない。図８に示すように、二本の帯状導電膜1，1'が各々一面に金属薄膜11を有する場合、積層配置が同じであるのが好ましい。
【００５１】
帯状導電膜1，1'の幅d1，d2は、伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。幅d1，d2は、通常１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。幅d1，d2が、１mm以上であれば、高周波信号に対して十分な伝達性を有する。幅d1，d2を10 mm超としても、膜価格が高騰する。ただし幅d1，d2は、必ずしも同じである必要はない。
【００５２】
二本の帯状導電膜1，1'の間隔d3は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d3が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10mm超だと放射損失が多い。凸部20の高さhは１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。
【００５３】
誘電性支持体２を構成する誘電体は特に制限されず、例えばプラスチックフィルム10と同じ樹脂；GaAs等の半導体；アルミナ等のセラミックス等が挙げられる。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜1，1'を平面配置できればよく、図示のものに限定されない。誘電性支持体２の厚さは、伝送する信号の容量や周波数、形状保持性、必要な強度等に応じて適宜設定できる（以下同じ）。帯状導電膜1，1'を、誘電性支持体２に固定するには、接着剤を介して積層するのが好ましい（以下同じ）。接着剤は上記と同じでよい。
【００５４】
(3) 第三の伝送線路
図９は第三の伝送線路を示す。図９において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第三の伝送線路では、二本の帯状導電膜1，1'が、U字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、対向配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜1，1'間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。図９に示すように、二本の帯状導電膜1，1'が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜11，11が対向するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜を対向配置できればよく、図示のものに限定されない。
【００５５】
各帯状導電膜1，1'の幅は第二の伝送線路と同じでよい。ただし帯状導電膜1，1'の幅は、必ずしも同じである必要はない。二本の帯状導電膜の間隔d4は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d4が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10 mm超だと放射損失が多い。
【００５６】
(4) 第四の伝送線路
図10は第四の伝送線路を示す。図10において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。この伝送線路では、二本の帯状導電膜1，1'が、L字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、各々の水平面が直交するように配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜1，1'間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。図10に示すように、二本の帯状導電膜1，1'が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜表面11，11が互いに面するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜1，1'を各々の水平面が直交するように配置できればよく、図示のものに限定されない。
【００５７】
各帯状導電膜1，1'の幅は第二の伝送線路と同じでよい。ただし帯状導電膜1，1'の幅は、必ずしも同じである必要はない。二本の帯状導電膜1，1'の間隔d5は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d5が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10 mm超だと放射損失が多い。
【００５８】
(5) 第五の伝送線路
図11は第五の伝送線路を示す。図11において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第五の伝送線路は、誘電性支持体２が、断面がU字状の２つの支持体を、開放端を外方に向けてL字状に接合した形状である以外第四の伝送線路と同じである。
【００５９】
(6) 第六の伝送線路
図12は第六の伝送線路を示す。図12において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第六の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の両面に、帯状導電膜からなる接地導体1'，1'が設けられており、板状誘電体基板２の中心部に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が、接地導体1'，1'と平行になるように設けられたストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。
【００６０】
ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'，1'との各間隔は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１及び接地導体1'，1'のうち一つ又は二つに帯状導電膜を用い、他の導体には帯状導電膜以外の導体を用いてもよい。帯状導電膜以外の導体としては、金属のみからなる薄膜（例えば銅蒸着膜、銅箔等）を使用すればよい（以下同様）。
【００６１】
(7) 第七の伝送線路
図13は第七の伝送線路を示す。図13において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第七の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、他面に帯状導電膜からなる接地導体1'が設けられたマイクロストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と接地導体1'との間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'との間隔は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１又は接地導体1'の一方のみに帯状導電膜を用い、他の導体には帯状導電膜以外の導体を用いてもよい。
【００６２】
(8) 第八の伝送線路
図14は第八の伝送線路を示す。図14において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第八の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、ストリップ導体１の両側に離隔して帯状導電膜からなる２つの接地導体1'，1'が設けられたコプレナ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波信号を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'，1'との各間隔は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１及び接地導体1'，1'のうち一つ又は二つに帯状導電膜を用い、他の導体には帯状導電膜以外の導体を用いてもよい。帯状導電膜からなるストリップ導体１の幅は第二の伝送線路の導体と同じでよい。
【００６３】
(9) 第九の伝送線路
図15は第九の伝送線路を示す。図15において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第九の伝送線路では、断面が円環状の円筒状誘電性支持体２の内周面に帯状導電膜からなる中心導体１を設け、外周面に帯状導電膜からなる接地導体1'を設けた同軸線路を形成している。同軸線路の径（内径及び外径）は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。中心導体１又は接地導体1'の一方のみに帯状導電膜を用い、他の導体には帯状導電膜以外の導体を用いてもよい。
【００６４】
(10) 第十の伝送線路
図16は第十の伝送線路を示す。図16において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十の伝送線路では、断面が方形の導体管３の内部に、側面が方形導体管３の両内側面と接し、かつ上下面が方形導体管３の上下面とは接しないように平行に固定された板状誘電体基板２を有し、板状誘電体基板２の一面に帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられたサスペンデッド線路が形成されている。ストリップ導体１の幅や、方形導体管３のサイズは伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。
【００６５】
(11) 第十一の伝送線路
図17は第十一の伝送線路を示す。図17において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十一の伝送線路では、断面が方形の角柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体方形導波管を形成している。誘電体方形導波管の断面積は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。
【００６６】
(12) 第十二の伝送線路
図18は第十二の伝送線路を示す。図18において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十二の伝送線路では、断面がH形の柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体リッジ導波管を形成している。誘電体リッジ導波管の断面積は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。
【００６７】
(13) 第十三の伝送線路
図19は第十三の伝送線路を示す。図19において図８と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十三の伝送線路では、円柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体円形導波管を形成している。誘電体円形導波管の断面積は伝送する信号の容量、周波数等に応じて適宜設定すればよい。
【００６８】
[3] 高周波信号用分配器
(1) 構造
図20は高周波信号用分配器の一例を示す。この高周波信号用分配器では、シールドケース５内に、第二の高周波伝送線路（図８参照）４が収容されている。伝送線路４の一方の帯状導電膜1は、入力側同軸ケーブル（アンテナ線）6及び出力側同軸ケーブル7の内導体（芯線）に接続する内導体用であり、他方の帯状導電膜1'は入力側同軸ケーブル6及び出力側同軸ケーブル7の外導体（シールド線）に接続する外導体用である。
【００６９】
内導体用導電膜1及び外導体用導電膜1'には、各々の一端部に接続された一対の内導体用入力端子40及び外導体用入力端子41が設けられており、入力端子40及び41の接続点40'及び41'から離隔して、六対の内導体用出力端子42及び外導体用出力端子43がほぼ等間隔で設けられている。
【００７０】
この例では６分配器を形成しているが、内導体用出力端子42及び外導体用出力端子43からなる端子対の数は、所望の分配数に応じて適宜設定すればよい。この端子対の数（分配数）は通常２〜８である。
【００７１】
限定的ではないが、内導体用入力端子40及び外導体用入力端子41の接続点40'及び41'から、最も近い内導体用出力端子42及び外導体用出力端子43の接続点42'及び43'までの長さL1は3 cm以上であるのが好ましく、5 cm以上であるのがより好ましい。限定的ではないが、信号の減衰を一層抑制するため、接続点40'及び41'から、最も遠い内導体用出力端子42及び外導体用出力端子43の接続点42'及び43'までの長さL2は20 cm以下であるのが好ましく、15 cm以下であるのがより好ましい。
【００７２】
高周波信号用分配器は第一〜第十三のいずれの伝送線路を具備してもよい。第一〜第十三のいずれの伝送線路を用いた場合でも、長さL1及びL2は上記と同じである。図１，３及び４に示す帯状導電膜１からなる伝送線路４を用いる場合、入力側同軸ケーブル6及び出力側同軸ケーブル7の各内導体及び外導体を全て、伝送線路４の金属薄膜11に接続すればよい。図２及び図５に示す伝送線路４を用いる場合、上記と同様に金属薄膜11，11の一方を内導体用として使用し、他方を外導体用として使用すればよい。図６に示す伝送線路４を用いる場合、ストリップ状の金属薄膜11を上記と同様に内導体用として使用し、他面の一様に形成された金属薄膜11'を上記と同様に外導体用として使用すればよい。図７に示す伝送線路４を用いる場合、ストリップ状の金属薄膜11を上記と同様に内導体用として使用し、その両側に離隔して設けられた幅広の金属薄膜11，11を上記と同様に外導体用として使用すればよい。
【００７３】
第三〜第五の伝送線路（図9〜図11参照）を用いる場合、第二の伝送線路の場合と同じく、一方の帯状導電膜1を内導体用として使用し、他方の帯状導電膜1'を外導体用として使用すればよい。第六〜第九の伝送線路（図12〜図15参照）を用いる場合、上記と同様にストリップ導体又は中心導体１を内導体用として使用し、接地導体1'を外導体用として使用すればよい。第十の伝送線路（図16参照）を用いる場合、上記と同様にストリップ導体１を内導体用として使用し、方形導体管３を外導体用として使用すればよい。第十一〜第十三の伝送線路（図17〜図19参照）を用いる場合、入力側同軸ケーブル6及び出力側同軸ケーブル7の各内導体及び外導体を全て、帯状導電膜1に接続すればよい。
【００７４】
中でも伝送線路４としては、第二〜第五の伝送線路（図８〜図11参照）が好ましく、第二〜第四の伝送線路がより好ましく、第四の伝送線路が特に好ましい。
【００７５】
図21及び図22は、図20に示す高周波信号用分配器に、入力用同軸コネクタ44及び出力用同軸コネクタ45を設けた状態を示す。入力用同軸コネクタ44及び出力用同軸コネクタ45は、各々の内導体44a及び45aを接続点40'及び42'と内部同軸ケーブル46及び46'で結線し、各々の外導体44b及び45bを接続点41'及び43'と内部同軸ケーブル46及び46'で結線すればよい。ただし同軸コネクタ44及び45を設けることに限定されず、入力側同軸ケーブル6及び出力側同軸ケーブル7を、内部同軸ケーブル46及び46'が接続された慣用の芯線金具及び締付金具を介して直付けしてもよい。
【００７６】
(2) 使用方法
本発明の高周波信号用分配器は、従来の分配器と同様にして使用することができる。図23は、本発明の高周波信号用分配器にVHF／UHFアンテナ60を接続し、6台のチューナー内蔵機器（テレビ受像機、VTR、パーソナルコンピュータ等）70に分配した例を示す。VHF／UHFアンテナ60に加えて、ケーブルテレビ（CATV）用ケーブル及び／又はBS／CSアンテナ61も接続する場合、図24に示すように、混合器62を用いればよい。勿論必要に応じて、増幅器を使用してもよい。図21及び22に示す高周波信号用分配器は、全端子（コネクタ）45が通電型であり、チューナー内蔵機器70をいずれのコネクタ45に接続してもBS／CSアンテナ等に通電することができる。内部同軸ケーブル46'の途中にコンデンサ等を設けると、端子（コネクタ）45を非通電型とすることができるので、各端子（コネクタ）45毎に通電型／非通電型の選択をすることができる。
【００７７】
本発明の高周波信号用分配器は、HF帯（10〜70 MHz）、VHF帯（70〜300 MHz）、UHF帯（300〜770 MHz）、BS帯（770〜1,336 MHz）及びCS帯（1,336〜2,610 MHz）のいずれの周波数帯域の信号にも使用可能である。
【００７８】
以上のような本発明の高周波信号用分配器は伝送損失が少ない。その理由は定かではないが、例えば高周波信号の伝播時に帯状導電膜１の微細孔12に渦電流が発生して、伝送線路４のインピーダンスや電流密度が低下するといったことが推測される。
【００７９】
以上の通り図面を参照して本発明を説明したが、本発明はそれらに限定されず、本発明の趣旨を変更しない限り種々の変更を加えることができる。例えば図８〜図11に示すような二本の帯状導電膜1，1'が並列している第二〜第五の伝送線路において、各帯状導電膜1，1'の水平面が交わる角度は、ほぼ０度（第二及び第三の伝送線路）やほぼ90度（第四及び第五の伝送線路）に限らず、これら以外でもよい。
【実施例】
【００８０】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
【００８１】
実施例１
（帯状導電膜の作製）
PETフィルム：二軸延伸PETフィルム［厚さ：12μm、融点：265℃、ガラス転移温度：75℃、商品名：「ルミラー」（東レ（株）製）］。
【００８２】
上記PETフィルムの一面に、真空蒸着法により0.3μmの厚さの銅蒸着層を形成した。次いで定位置に固定した第一ロール（粒径30〜60μmの合成ダイヤモンド微粒子を電着したもの）と金属製第二ロールとの間に、得られた銅蒸着フィルムを通過させた。得られた多孔質銅蒸着PETフィルムの微細孔の平均開口径は１〜５μmであり、微細孔の密度は２×104〜2.5×104 個／cm2であった。得られた導電膜の表面を光学顕微鏡により観察した。得られた光学顕微鏡写真を図25（10倍×10倍）に示す。図25から、多数の微細な貫通孔が一様に形成されていることが分かった。得られた多孔質銅蒸着PETフィルムをスリットし、3.0 mmの幅を有する帯状導電膜を作製した。
【００８３】
（伝送線路の作製）
２本の上記帯状導電膜を、L字状断面を有するPCV製支持体に固定し、図10に示す伝送線路を作製した（長さ：17 cm、二本の帯状導電膜の間隔d5：３mm）。
【００８４】
（信号伝送性評価）
図26に示すように、伝送線路4の内導体用帯状導電膜1及び外導体用帯状導電膜1'の一端部に、VHF／UHFアンテナに接続した同軸ケーブル（型名：5C-2V、長さ：3 m）6を鰐口クリップ8により接続し、上記長さL1が5 cmとなり、上記長さL2が15 cmとなるように、ほぼ等間隔で、6台のテレビ受像機に接続した各同軸ケーブル（型名：5C-2V、長さ：1 m）7を鰐口クリップ8により接続した。
【００８５】
VHF／UHFアンテナにより受信したテレビジョン信号を６分配し、各同軸ケーブル7に接続したテレビ受像機で映像を確認したところ、増幅器を用いなくても、分配しないで受像した場合とほぼ同じく、ノイズの無い安定した画像が得られ、伝送損失が少ないことが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】(a)は伝送線路の一例を示す断面図であり、(b)は図１(a)の部分Aを示す拡大断面図である。
【図２】(a)は伝送線路の別の例を示す断面図であり、(b)は図２(a)の部分Bを示す拡大断面図である。
【図３】(a)は伝送線路のさらに別の例を示す断面図であり、(b)は図３(a)の部分Cを示す拡大断面図である。
【図４】(a)は伝送線路のさらに別の例を示す断面図であり、(b)は図４(a)の部分Dを示す拡大断面図である。
【図５】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図６】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図７】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図８】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図９】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１０】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１１】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１２】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１３】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１４】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１５】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１６】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１７】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１８】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図１９】伝送線路のさらに別の例を示す斜視図である。
【図２０】本発明の一実施例による高周波信号用分配器を示す概略斜視図である。
【図２１】図20の高周波信号用分配器について、同軸コネクタを設けた状態を示す概略図である。
【図２２】図21の高周波信号用分配器について、結線構成を示す概略図である。
【図２３】本発明の高周波信号用分配器とアンテナ及びチューナー内蔵機器との接続構成の一例を示す概略図である。
【図２４】本発明の高周波信号用分配器とアンテナ及びチューナー内蔵機器との接続構成の別の例を示す概略図である。
【図２５】実施例１の導電膜の光学顕微鏡写真である。
【図２６】実施例１の伝送線路に、同軸ケーブルを接続した状態を示す斜視図である。
【図２７】従来の分配器の例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００８７】
1，1'・・・帯状導電膜
10・・・プラスチックフィルム
10'・・・保護膜
11・・・金属薄膜
12・・・微細孔
２・・・誘電性支持体
３・・・導体管
４・・・高周波伝送線路
５・・・シールドケース
６・・・入力側同軸ケーブル
７・・・出力側同軸ケーブル
８・・・鰐口クリップ
40・・・内導体用入力端子
40'・・・接続点
41・・・外導体用入力端子
41'・・・接続点
42・・・内導体用出力端子
42'・・・接続点
43・・・外導体用出力端子
43'・・・接続点
44・・・入力用同軸コネクタ
44a・・・内導体
44b・・・外導体
45・・・出力用同軸コネクタ
45a・・・内導体
45b・・・外導体
46，46’・・・内部同軸ケーブル
60・・・VHF／UHFアンテナ
61・・・BS／CSアンテナ
62・・・混合器
70・・・チューナー内蔵機器
100・・・絶縁膜
110，113・・・マイクロストリップ線路
111，114・・・マイクロスクウェア
112・・・ローパスフィルタ部
115・・・インピーダンス変換部
116・・・分離抵抗
【図１】
2007312322.tif 000003
【図２】
2007312322.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007312322.tif 000009
【図８】
2007312322.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2007312322.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２５】
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