(57)【要約】【課題】簡単に取り替えることのできる生体情報検出センサシステムを提供することを課題とする。【解決手段】粘着材料が設けられた粘着面と、粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、前記粘着テープの粘着面側に取り付けられた、ＩＤタグとセンサを有する生体情報検出センサと、前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナと、を有し、前記ＩＤタグには、個人情報が記憶される生体情報検出センサシステムに関するものである。これにより、生体情報検出センサが汚れたとしてもすぐ新しいものに取り替えることができ、衛生的である。【選択図】図１
2007313299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着材料が設けられた粘着面と、前記粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、
前記粘着テープの粘着面側に取り付けられた、生体情報検出部と、メモリ部と、演算処理回路部と、通信回路部とを含む生体情報検出センサと、
前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナと、
を有し、
前記メモリ部には、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項２】
粘着材料が設けられた粘着面と、前記粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、
前記粘着テープの粘着面側に取り付けられた、生体情報検出部と、絶縁表面に形成され島状に分割形成された半導体層でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタで形成された、メモリ部と、演算処理回路部と、通信回路部とを含む生体情報検出センサと、
前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナと、
を有し、
前記メモリ部には、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記粘着テープの表面に溝部を設け、該溝部の底面に粘着材料を埋設し、前記粘着材料によって前記アンテナが固定されていることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記粘着テープの表面に溝部を設け、該溝部の側面に突起部を設け、前記アンテナが嵌装されていることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項５】
粘着材料が設けられた粘着面と、粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、
前記粘着テープの粘着面側に取り付けられ、ＩＤチップと生体情報検出部を有する生体情報検出センサと、
前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナと、
を有し、
前記ＩＤチップには、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記アンテナにより、ＩＤチップに記憶される情報及びセンサによって検出される情報の送受信を行うことを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記アンテナは、前記粘着テープの表面に設けられた固定機構により、前記粘着テープの表面に固定され、
前記固定機構とは、前記粘着テープの表面に溝を設け、溝の底面に粘着材料を設け、前記アンテナを貼り付ける機構、もしくは、
前記粘着テープの表面に溝を設け、前記溝の側面に突起部を設けて前記アンテナをはめ込む機構であることを特徴とする生体情報検出センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、人体の生体情報（電気信号）を、人体に取り付けられた生体情報検出センサで検出し、検出した生体情報を送信し、検出もしくは送信された生体情報について、外部機器と通信することができる生体情報処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、健康チェック等の要望に応えるため、使用者の検出部位に装着され、生体情報を検出する生体情報検出センサが開発され、電子デバイスの小型化と相まって生体情報検出センサの小型化が進みつつある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２７５１８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
生体情報検出センサを常に人体に接触させておくのは、不衛生であり、人体の皮膚に悪い影響を及ぼす恐れがある。
【０００４】
そこで本発明においては、簡単に取り替えることのできる生体情報検出センサ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、粘着材料が設けられた粘着面と、前記粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、前記粘着テープの粘着面側に取り付けられた、生体情報検出部と、メモリ部と、演算処理回路部と、通信回路部とを含む生体情報検出センサと、前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナとを有し、前記メモリ部には、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置に関するものである。
【０００６】
また本発明は、粘着材料が設けられた粘着面と、前記粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、前記粘着テープの粘着面側に取り付けられた、生体情報検出部と、絶縁表面に形成され島状に分割形成された半導体層でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタで形成された、メモリ部と、演算処理回路部と、通信回路部とを含む生体情報検出センサと、前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナとを有し、前記メモリ部には、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置に関するものである。
【０００７】
本発明において、前記粘着テープの表面に溝部を設け、該溝部の底面に粘着材料を埋設し、前記粘着材料によって前記アンテナが固定されているものである。
【０００８】
本発明において、前記粘着テープの表面に溝部を設け、該溝部の側面に突起部を設け、前記アンテナが嵌装されているものである。
【０００９】
また本発明は、粘着材料が設けられた粘着面と、粘着材料が設けられない表面を有する粘着テープと、前記粘着テープの粘着面側に取り付けられ、ＩＤチップ（ＩＣチップ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦＩＤ、無線タグともいう）と生体情報検出部を有する生体情報検出センサと、前記生体情報検出センサに接続され、前記粘着テープに設けられた溝を介して、前記粘着テープの粘着面から表面に取り出されたアンテナとを有し、前記ＩＤチップには、生体情報が記憶されることを特徴とする生体情報検出センサ装置に関するものである。
【００１０】
本発明において、前記アンテナにより、ＩＤチップに記憶される情報及びセンサによって検出される情報の送受信を行うものである。
【００１１】
本発明において、前記アンテナは、前記粘着テープの表面に設けられた固定機構により、前記粘着テープの表面に固定され、前記固定機構とは、前記粘着テープの表面に溝を設け、溝の底面に粘着材料を設け、前記アンテナを貼り付ける機構、もしくは、前記粘着テープの表面に溝を設け、前記溝の側面に突起部を設けて前記アンテナをはめ込む機構である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の生体情報検出センサ装置は、直接に人間の皮膚と接触させるものであるので、汗などで外側がすぐ汚れてしまう恐れがある。あるいは、生体情報検出センサ装置に含まれるトランジスタの半導体層が、汗に含まれているアルカリ金属元素によって汚染されてしまい、トランジスタの電気特性が低下する恐れもある。しかしながら、本発明によれば、生体情報検出センサが汚れたとしてもすぐ新しいものに取り替えることができ、衛生的である。
【００１３】
かつ、本発明の生体情報検出センサシステムは、製造コストが安いので、新しいものに取り替えることが簡単であり、常に衛生的な生体情報検出センサを身につけることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｂ）、図２（Ａ）〜図２（Ｂ）、図３を用いて説明する。
【００１５】
人間の手首１０６の脈のふれる部分に、生体情報検出センサ１０１を、粘着テープ１０３により貼り付ける。粘着テープ１０３は、粘着材料が設けられている粘着面と、粘着材料が設けられていない表面を有しており、生体情報検出センサ１０１は、粘着面に設けられた粘着材料によって、人間の手首１０６に貼り付けられる。生体情報検出センサ１０１には、湿度センサ、体温センサ、脈拍センサ、個人情報が記録されたＩＤチップ等が内蔵されている（図１参照）。本明細書では、生体情報検出センサ１０１とそれを貼り付ける粘着テープ１０３の組み合わせを生体情報検出センサ装置あるいは生体情報検出センサシステムと呼ぶことにする。なお図１では生体情報検出センサ１０１を手首に貼り付けてあるが、生体情報検出センサ１０１を貼り付ける場所は手首に限らず、足や耳や首等、必要に応じて場所を変えてもよい。
【００１６】
生体情報検出センサ１０１には、情報の送信または受信のためのアンテナ１０２が設けられている。アンテナ１０２は、粘着テープ１０３の粘着面から、溝１０４を介して、粘着材料が設けられていない表面に取り出される。粘着テープ１０３の表面には、アンテナ１０２を固定する固定機構１０５があり、粘着テープ１０３を手首１０６に固定した後、アンテナ１０２は粘着テープ１０３の表面に固定される（図２参照）。
【００１７】
固定機構１０５は、例えば粘着テープ１０３の表面に溝を設け、溝の底面に粘着材料を設け、アンテナ１０２を貼り付けるようにしてもよい。また、例えば粘着テープ１０３の表面に溝を設け、溝の側面に突起部を設けてアンテナ１０２をはめ込むようにしてもよい。
【００１８】
もしアンテナ１０２が長くて粘着テープ１０３表面の固定機構に収まりきらない場合は、別の粘着テープを用いて腕に貼り付ければよい。
【００１９】
粘着テープ１０３の表面に、アンテナ１０２の固定機構があるので、アンテナ１０２が日常の生活行動に対して邪魔にならない。
【００２０】
生体情報検出センサ１０１に内蔵されたＩＤチップには、その人物の名前、性別、血液型、生年月日、既往症、身長体重等のデータがあらかじめ記録されている。
【００２１】
生体情報検出センサ１０１に内蔵された脈拍センサは、検出した脈拍データをアンテナ１０２を介して、外部メモリに送る。送られた脈拍データは、あらかじめ外部メモリに登録されている脈拍データと比較され、正常か異常か判断される。
【００２２】
体温に関しても、脈拍と同様に、生体情報検出センサ１０１に内蔵された体温センサは、検出した体温データをアンテナ１０２を介して、外部メモリに送る。送られた体温データは、あらかじめ外部メモリに登録されている体温データと比較され、正常か異常か判断される。
【００２３】
検出された脈拍データ及び体温データは、アンテナ１０２を介して送られるが、それらデータは、読み込み（Ｒ）／書き込み（Ｗ）マシン（以下「Ｒ／Ｗマシン」という）１１１のアンテナ１１４を介してＲ／Ｗマシン１１１に取り込まれる。取り込まれたデータは、Ｒ／Ｗマシン１１１に内蔵されている内部メモリに蓄積される。Ｒ／Ｗマシン１１１の内蔵メモリにはあらかじめ脈拍データや体温データ等が登録されており、生体情報検出センサ１０１から送られてくるデータと比較検証される（図３参照）。
【００２４】
データの比較が行われ、送られてきたデータが異常だと判断されると、Ｒ／Ｗマシン１１１の表示部１１２に、アラームが表示され、異常を知らせる。このとき異常であるデータの数値が正常な数値とどのくらいかけ離れているのかを表示してもよい。
【００２５】
Ｒ／Ｗマシン１１１は、もう１つ表示部１１３を有しており、Ｒ／Ｗマシン１１１の状態そのものを表示する。また操作ボタン１１５は、必要に応じて表示の切り替えを行ったり、アラームを止めたり、電源をオン／オフするための操作ボタンである。
【００２６】
またＲ／Ｗマシン１１１は、生体情報検出センサ１０１に内蔵されたＩＤチップの記録された情報に変更があれば、その情報を書き換えることができる。例えば、ＩＤチップに蓄えられている情報のうち、身長体重、既往症等に変更があれば、書き換えることができる。
【００２７】
書き換えの方法は、操作ボタン１１５によりデータを作製し、アンテナ１１４より無線信号にて、生体情報検出センサ１０１に送る。アンテナ１０２を介して受け取った情報により、生体情報検出センサ１０１内のＩＤチップの内部情報を書き換える。
【００２８】
またＲ／Ｗマシン１１１で直接情報を作製せず、別のコンピュータ等でデータを作製し、そのデータをＲ／Ｗマシン１１１を介してＩＤチップに送ってもよい。
【００２９】
Ｒ／Ｗマシン１１１は、携帯型のものが好ましく、生体情報検出センサ１０１を装着している人間の側に置いておくことが好ましい。
【００３０】
なお本実施の形態は、必要があれば実施例と組み合わせることが可能である。
【実施例１】
【００３１】
本実施例では、本発明の生体情報検出センサを新生児を含む乳幼児に適用した例について、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を用いて説明する。
【００３２】
病院の新生児室２０５に置かれているベッド２０４には新生児２０１（２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、…）が寝かされており（図４（Ａ）参照）、新生児２０１の手首２０２には、生体情報検出センサシステム２１１が貼り付けられている（図４（Ｂ）参照）。
【００３３】
生体情報検出センサシステム２１１は、実施の形態で述べた構成をしている、すなわち、生体情報検出センサ２１２は、粘着テープ２１４により手首２０２に貼り付けられている。また生体情報検出センサ２１２には送受信用のアンテナ２１３が取り付けられており、アンテナ２１３は粘着テープ２１４に設けられた溝を通って、粘着面から表面に取り出され、粘着テープ２１４の表面に設けられた固定機構により、粘着テープ２１４の表面に固定される。
【００３４】
また実施の形態で述べたように、粘着テープの表面に溝部を設け、溝部の底面に粘着材料を埋設してアンテナを固定してもよいし、溝部の側面に突起部を設け、アンテナを嵌装してもよい。
【００３５】
生体情報検出センサ２１２には、湿度センサ、体温センサ、脈拍センサ、個人情報が記録されたＩＤチップが内蔵されている。個人情報とは、生年月日、性別、血液型、親の名前、身長体重等で、あらかじめＩＤチップに記憶させてから生体情報検出センサ２１２を装着してもよいし、身長体重など変化するものは、測定ごとに書き換えてもよい。また血液型など後から検査して判明するものなどについては、生体情報検出センサ２１２を装着した後に記憶させてもよい。
【００３６】
個人情報を生体情報検出センサ２１２中のＩＤチップに記憶させておくことにより、新生児２０１の識別を容易にし、万が一の取り違いを防止することができる。また身長体重、血液型等の情報を、簡単に知ることができる。
【００３７】
また生体情報検出センサ２１２に内蔵されている湿度センサ、体温センサ、脈拍センサなどの各種センサにより、新生児２０１の体調管理を行うことができる。例えば、体温センサにより体温を常時観察し、一定の温度以上を示したら警告を出すようにして、体調に異常があった場合でもすぐに対応することが可能となる。
【００３８】
新生児を含む乳幼児は新陳代謝が激しく、皮膚もあまり強くないので、頻繁に簡単に取り替えることのできる本実施例の生体情報検出センサシステムは、衛生的かつ簡便であるという利点がある。
【００３９】
また必要であれば生体情報検出センサ２１２に、位置情報を発信するような装置を内蔵してもよい、生体情報検出センサ２１２に設けられた発信装置と、発信装置を検知する検知装置を用いることにより、新生児室２０５にいるか、病院内の親の病室にいるか、あるいは親の病室の外にいるか、病院内のどこにいるかを瞬時に把握することができる。
【００４０】
なお本実施例は、必要があれば実施の形態、実施例と組み合わせることが可能である。
【実施例２】
【００４１】
本実施例では、本発明を用いてＩＤチップ（ＩＣタグ、ＩＣチップともいう）を作製した例を図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｂ）、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）及び図８（Ａ）〜図８（Ｂ）を用いて示す。
【００４２】
本実施例では、半導体素子として絶縁分離されたＴＦＴを例示するが、集積回路に用いられる半導体素子はこれに限定されず、あらゆる回路素子を用いることができる。例えば、ＴＦＴの他に、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、抵抗素子、コイル、容量素子、インダクタなどが代表的に挙げられる。
【００４３】
まずスパッタ法を用いて耐熱性を有する基板（第１の基板）４０１上に剥離層４０２を形成する。第１の基板４０１として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレス基板を含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【００４４】
剥離層４０２は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、微結晶シリコン（セミアモルファスシリコンを含む）等、シリコンを主成分とする層を用いることができる。剥離層４０２は、スパッタ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて形成することができる。本実施例では、膜厚５０ｎｍ程度の非晶質シリコンを減圧ＣＶＤ法で形成し、剥離層４０２として用いる。なお剥離層４０２はシリコンに限定されず、エッチングにより選択的に除去できる材料で形成すれば良い。剥離層４０２の膜厚は、５０〜６０ｎｍとするのが望ましい。セミアモルファスシリコンに関しては、３０〜５０ｎｍとしてもよい。
【００４５】
なおセミアモルファスシリコンに代表されるセミアモルファス半導体とは、非晶質半導体と結晶構造を有する半導体（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜である。このセミアモルファス半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものであり、その粒径を０．５〜２０ｎｍとして非単結晶半導体中に分散させて存在せしめることが可能である。
【００４６】
また、未結合手（ダングリングボンド）を終端化させる材料として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ここでは便宜上、このような半導体をセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）と呼ぶ。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なセミアモルファス半導体が得られる。
【００４７】
セミアモルファスシリコンは、そのラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしており、またＸ線回折では珪素（Ｓｉ）結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。
【００４８】
またセミアモルファスシリコンは珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４であり、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この珪素を含む気体を希釈して用いることで、セミアモルファスシリコンの形成を容易なものとすることができる。希釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪素を含む気体を希釈することが好ましい。
【００４９】
次に、剥離層４０２上に、下地膜４０３を形成する。下地膜４０３は第１の基板４０１中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、ＴＦＴなどの半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。また下地膜４０３は、後の半導体素子を剥離する工程において、半導体素子を保護する役目も有している。下地膜４０３は単層であっても複数の絶縁膜を積層したものであっても良い。よってアルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素や、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。
【００５０】
本実施例では、下層下地膜４０３ａとして膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜、中層下地膜４０３ｂとして膜厚５０ｎｍの酸素を含む窒化珪素膜、上層下地膜４０３ｃとして膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜を順に積層して下地膜４０３を形成するが、各膜の材質、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層下地膜４０３ａの窒素を含む酸化珪素膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン系樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法などによって形成しても良い。また、中層下地膜４０３ｂの酸素を含む窒化珪素膜に代えて、窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４等）を用いてもよい。また、上層下地膜４０３ｃの窒素を含む酸化珪素膜に代えて、酸化珪素膜を用いていても良い。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。
【００５１】
或いは、剥離層４０２に最も近い、下地膜４０３の下層下地膜４０３ａを窒素を含む酸化珪素膜または酸化珪素膜で形成し、中層下地膜４０３ｂをシロキサン系樹脂で形成し、上層下地膜４０３ｃを酸化珪素膜で形成しても良い。
【００５２】
ここで、酸化珪素膜は、ＳｉＨ４とＯ２、又はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）とＯ２等の混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、窒素を含む酸化珪素膜（組成比Ｏ＞Ｎ）、酸素を含む窒化珪素膜（組成比Ｎ＞Ｏ）は、代表的には、ＳｉＨ４とＮ２Ｏの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。
【００５３】
次に、下地膜４０３上に半導体膜を形成する。半導体膜は、下地膜４０３を形成した後、大気に曝さずに形成することが望ましい。半導体膜の膜厚は２０〜２００ｎｍ（望ましくは４０〜１７０ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ）とする。なお半導体膜は、非晶質半導体であっても良いし、セミアモルファス半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【００５４】
非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪素を含む気体を、水素、あるいは水素とヘリウムで希釈して用いても良い。
【００５５】
なお上述したようにセミアモルファス半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができるが、珪素を含む気体中に、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化物気体、ＧｅＨ４、ＧｅＦ４などのゲルマニウム化気体、Ｆ２などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。
【００５６】
例えば、ＳｉＨ４にＨ２を添加したガスを用いる場合、或いはＳｉＨ４にＦ２を添加したガスを用いる場合、形成したセミアモルファス半導体を用いてＴＦＴを作製すると、該ＴＦＴのサブスレッショルド係数（Ｓ値）を０．３５Ｖ／ｄｅｃ以下、代表的には０．２５〜０．０９Ｖ／ｄｅｃとし、移動度を１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃとすることができる。そして上記セミアモルファス半導体を用いたＴＦＴで、例えば１９段リングオシレータを形成した場合、電源電圧３〜５Ｖにおいて、その発振周波数は１ＭＨｚ以上、好ましくは１００ＭＨｚ以上の特性を得ることができる。また電源電圧３〜５Ｖにおいて、インバータ１段あたりの遅延時間は２６ｎｓ、好ましくは０．２６ｎｓ以下とすることができる。
【００５７】
そして半導体膜を、レーザを用いて結晶化する。或いは、触媒元素を用いる結晶化法と、レーザを用いたレーザ結晶化法とを組み合わせも良い。
【００５８】
レーザ結晶化を行なう場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜の耐性を高めるために、５００℃、１時間の加熱処理を該半導体膜に加えてもよい。
【００５９】
レーザ結晶化は、連続発振のレーザ（ＣＷレーザ）、または擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振レーザを用いることができる。
【００６０】
具体的には、連続発振のレーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４にドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザなどが挙げられる。
【００６１】
また擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振させることができるのであれば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザ、多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４にドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザのようなパルス発振レーザを用いることができる。
【００６２】
このようなパルス発振レーザは、発振周波数を増加させていくと、いずれは連続発振レーザと同等の効果を示すものである。
【００６３】
例えば連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。例えば、連続発振のＹＡＧレーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、半導体膜に照射する。エネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）とすれば良い。そして走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【００６４】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能なものであり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによってパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【００６５】
媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍｍの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。
【００６６】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力が向上する可能性がある。
【００６７】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザビームは射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利である。このように射出されたレーザビームを、光学系を用いて整形することによって、短辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
【００６８】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。
【００６９】
上述した半導体膜へのレーザ光の照射により、結晶性がより高められた結晶性半導体膜が形成される。
【００７０】
次に、結晶性半導体膜を用いて、島状半導体膜４０４〜４０６が形成される。この島状半導体膜４０４〜４０６は、ＴＦＴの活性層となる。
【００７１】
次に島状半導体膜にしきい値制御のための不純物を導入する。本実施例においてはジボラン（Ｂ２Ｈ６）をドープすることによってボロン（Ｂ）を島状半導体膜中に導入する。
【００７２】
次に島状半導体膜４０４〜４０６を覆うように絶縁膜を成膜する。絶縁膜には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒素を含んだ酸化珪素等を用いることができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。
【００７３】
次に、絶縁膜上に導電膜を成膜した後、導電膜を用いてゲート電極４４１〜４４３を形成する。
【００７４】
ゲート電極４４１〜４４３は、導電膜を単層または２層以上積層させた構造を用いて形成する。導電膜を２層以上積層させている場合は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料、若しくは化合物材料を積層させてゲート電極４４１〜４４３を形成してもよい。また、リン（Ｐ）等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてゲート電極を形成してもよい。
【００７５】
本実施例では、ゲート電極４４１〜４４３は以下のようにして形成される。まず第１の導電膜として、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜を１０〜５０ｎｍ、例えば３０ｎｍの膜厚で形成する。そして第１の導電膜上に第２の導電膜として、例えばタングステン（Ｗ）膜を２００〜４００ｎｍ、例えば３７０ｎｍの膜厚で形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜の積層膜を形成する。
【００７６】
次に第２の導電膜を異方性エッチングでエッチングし、上層ゲート電極４４１ｂ〜４４３ｂを形成する。次いで第１の導電膜を等方性エッチングでエッチングし、下層ゲート電極４４１ａ〜４４３ａを形成する。以上よりゲート電極４４１〜４４３を形成する。
【００７７】
ゲート電極４４１〜４４３は、ゲート配線の一部として形成してもよいし、別にゲート配線を形成して、そのゲート配線にゲート電極４４１〜４４３を接続してもよい。
【００７８】
そして、ゲート電極４４１〜４４３や、あるいはレジストをマスクとして用い、島状半導体膜４０４〜４０６それぞれに一導電性（ｎ型またはｐ型の導電性）を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらには低濃度不純物領域等を形成する。
【００７９】
まず、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、リン（Ｐ）を、加速電圧を６０〜１２０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０１３〜１×１０１５ｃｍ−２として島状半導体膜中に導入する。この不純物導入の際にｎチャネル型ＴＦＴ４５１のチャネル形成領域４１１、及びｎチャネル型ＴＦＴ４５３のチャネル形成領域４３１が形成される。
【００８０】
またｐチャネル型ＴＦＴ４５２を作製するために、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を印加電圧６０〜１００ｋｅＶ、例えば８０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１３〜５×１０１５ｃｍ−２、例えば３×１０１５ｃｍ−２の条件で、島状半導体膜中にボロン（Ｂ）を導入する。これによりｐチャネル型ＴＦＴ４５２のソース領域またはドレイン領域４２２、またこの不純物導入の際にチャネル形成領域４２１が形成される。
【００８１】
次に絶縁膜を用いてゲート絶縁膜４０７〜４０９を形成する。
【００８２】
ゲート絶縁膜４０７〜４０９形成後、ｎチャネル型ＴＦＴ４５１及び４５３となる島状半導体膜中に、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、印加電圧４０〜８０ｋｅＶ、例えば５０ｋｅＶ、ドーズ量１．０×１０１５〜２．５×１０１６ｃｍ−２、例えば３．０×１０１５ｃｍ−２で、リン（Ｐ）を導入する。これによりｎチャネル型ＴＦＴ４５１の低濃度不純物領域４１２、及びソース領域またはドレイン領域４１３、並びにｎチャネル型ＴＦＴ４５３の低濃度不純物領域４３２及び、ソース領域またはドレイン領域４３３が形成される。
【００８３】
本実施例においては、ｎチャネル型ＴＦＴ４５１のソース領域またはドレイン領域４１３、及びｎチャネル型ＴＦＴ４５３のソース領域またはドレイン領域４３３のそれぞれには、１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれることとなる。またｎチャネル型ＴＦＴ４５１の低濃度不純物領域４１２、及びｎチャネル型ＴＦＴ４５３の低濃度不純物領域４３２のそれぞれには、１×１０１８〜５×１０１９ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれる。さらに、ｐチャネル型ＴＦＴ４５２のソース領域またはドレイン領域４２２には、１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でボロン（Ｂ）が含まれる。
【００８４】
以上により、ｎチャネル型ＴＦＴ４５１、ｐチャネル型ＴＦＴ４５２、ｎチャネル型ＴＦＴ４５３が形成される（図５（Ａ）参照）。なお、本実施例では、ＴＦＴ４５１〜４５３をトップゲート構造としたが、ボトムゲート構造（逆スタガ構造）としてもよい。
【００８５】
ｎチャネル型ＴＦＴ４５１は、上層下地膜４０３ｃ上に島状半導体膜４０４、ゲート絶縁膜４０７、下層ゲート電極４４１ａ及び上層ゲート電極４４１ｂからなるゲート電極４４１を有している。島状半導体膜４０４には、チャネル形成領域４１１、低濃度不純物領域４１２、及びソース領域またはドレイン領域４１３が形成される。
【００８６】
ｐチャネル型ＴＦＴ４５２は、上層下地膜４０３ｃ上に島状半導体膜４０５、ゲート絶縁膜４０８、下層ゲート電極４４２ａ及び上層ゲート電極４４２ｂからなるゲート電極４４２を有している。島状半導体膜４０５には、チャネル形成領域４２１、及びソース領域またはドレイン領域４２２が形成される。
【００８７】
ｎチャネル型ＴＦＴ４５３は、上層下地膜４０３ｃ上に島状半導体膜４０６、ゲート絶縁膜４０９、下層ゲート電極４４３ａ及び上層ゲート電極４４３ｂからなるゲート電極４４３を有している。島状半導体膜４０６には、チャネル形成領域４３１、低濃度不純物領域４３２、及びソース領域またはドレイン領域４３３が形成される。
【００８８】
さらに、この後、ＴＦＴ４５１〜４５３を保護するためのパッシベーション膜４６１を形成しても良い。パッシベーション膜４６１は、アルカリ金属やアルカリ土類金属のＴＦＴ４５１〜４５３への侵入を防ぐことができる、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素などを用いるのが望ましい。具体的には、例えば膜厚６００ｎｍ程度の窒素を含む酸化珪素膜を、パッシベーション膜４６１として用いることができる。この場合、水素化処理工程は、該窒素を含む酸化珪素膜形成後に行っても良い。上記構成を用いることで、ＴＦＴ４５１〜４５３が下地膜４０３とパッシベーション膜４６１とで覆われるため、Ｎａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体素子に用いられている半導体膜中に拡散し、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすのをより防ぐことができる。
【００８９】
次にＴＦＴ４５１〜４５３及びパッシベーション膜４６１を覆うように、第１の層間絶縁膜４６２を形成する。第１の層間絶縁膜４６２は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド等の、耐熱性を有する有機樹脂を用いることができる。また上記有機樹脂の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂（以下、シロキサン系樹脂と呼ぶ）等を用いることができる。
【００９０】
シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造で構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられるものである。また置換基として、フルオロ基を用いてもよい。さらに置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【００９１】
第１の層間絶縁膜４６２の形成には、その材料に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を採用することができる。また、無機材料を用いてもよく、その際には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜等を用いることができる。なお、これらの絶縁膜を積層させて、第１の層間絶縁膜４６２を形成しても良い。
【００９２】
さらに本実施例では、第１の層間絶縁膜４６２上に、第２の層間絶縁膜４６３を形成する。第２の層間絶縁膜４６３としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する膜、又は、酸化珪素膜、窒化珪素膜或いは窒素を含む酸化珪素膜等を用いることができる。形成方法としては、プラズマＣＶＤ法や、大気圧プラズマ法等を用いることができる。あるいは、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、シロキサン系樹脂等を用いてもよい。
【００９３】
なお、第１の層間絶縁膜４６２又は第２の層間絶縁膜４６３と、後に形成される配線を構成する導電材料等との熱膨張率の差から生じる応力によって、第１の層間絶縁膜４６２又は第２の層間絶縁膜４６３の膜剥がれや割れが生じるのを防ぐために、第１の層間絶縁膜４６２又は第２の層間絶縁膜４６３中にフィラーを混入させておいても良い。
【００９４】
次に、第１の層間絶縁膜４６２及び第２の層間絶縁膜４６３にコンタクトホールを形成し、ＴＦＴ４５１〜４５３に接続する電極又は配線４７１〜４７５を形成する。本実施例では電極と配線を一体形成するが、電極と配線を別々に形成して電気的に接続させてもよい。コンタクトホール形成時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。本実施例では、電極又は配線４７１〜４７５を、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｔｉ、ＴｉＮを積層して５層構造とし、スパッタ法によって成膜したものを用いて形成する。
【００９５】
なお、アルミニウム膜（Ａｌ膜）において、珪素（Ｓｉ）を混入させる（本明細書では「Ａｌ−Ｓｉ」と呼ぶこともある）ことにより、配線形成時のレジストベークにおけるヒロックの発生を防止することができる。また、Ｓｉの代わりに、０．５％程度の銅（Ｃｕ）を混入させても良い。また、チタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）でＡｌ−Ｓｉ層をサンドイッチすることにより、耐ヒロック性がさらに向上する。なお、エッチング時には、窒素を含む酸化珪素等からなる上記ハードマスクを用いるのが望ましい。なお、配線の材料や、形成方法はこれらに限定されるものではなく、前述したゲート電極に用いられる材料を採用しても良い。
【００９６】
またこの電極又は配線４７１〜４７５を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素、及び炭素を含むアルミニウム合金膜で形成してもよい。このようなアルミニウム合金膜は、シリコンと接触してもシリコンとアルミニウムの相互拡散が防止できる。またこのようなアルミニウム合金膜は、透明導電膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウム錫酸化物）膜と接触しても酸化還元反応が起こらないため、両者を直接接触させることができる。さらにこのようなアルミ合金膜は、比抵抗が低く耐熱性にも優れているので、配線材料としては有用である。
【００９７】
なお、電極又は配線４７１、電極又は配線４７２は、ｎチャネル型ＴＦＴ４５１のソース領域またはドレイン領域４１３に接続されている。電極又は配線４７２、電極又は配線４７３は、ｐチャネル型ＴＦＴ４５２のソース領域またはドレイン領域４２２に接続されている。電極又は配線４７４、電極又は配線４７５は、ｎチャネル型ＴＦＴ４５３のソース領域またはドレイン領域４３３に接続されている。さらに電極又は配線４７５は、ｎチャネル型ＴＦＴ４５３のゲート電極４４３にも接続されている。ｎチャネル型ＴＦＴ４５３は、乱数ＲＯＭのメモリ素子として用いることができる（図５（Ｂ）参照）。
【００９８】
次に電極又は配線４７１〜４７５を覆うように、第２の層間絶縁膜４６３上に第３の層間絶縁膜４６４を形成する。第３の層間絶縁膜４６４は、電極又は配線４７１が一部露出する様な位置に開口部を有するように形成する。なお第３の層間絶縁膜４６４は、第１の層間絶縁膜４６２と同様の材料を用いて形成することが可能である。
【００９９】
次に、第３の層間絶縁膜４６４上にアンテナ４７７を形成する（図６（Ａ）参照）。アンテナ４７７は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉなどの金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電材料を用いることができる。そしてアンテナ４７７は、電極又は配線４７１と接続されている。なお図６（Ａ）では、アンテナ４７７が電極又は配線４７１と直接接続されているが、本発明のＩＤチップはこの構成に限定されない。例えば別途形成した配線を用いて、アンテナ４７７と電極又は配線４７１とを電気的に接続するようにしても良い。
【０１００】
アンテナ４７７は印刷法、フォトリソグラフィ法、蒸着法または液滴吐出法などを用いて形成することができる。本実施例では、アンテナ４７７が単層の導電膜で形成されているが、複数の導電膜が積層されたアンテナ４７７を形成することも可能である。例えば、Ｎｉなどで形成した配線に、Ｃｕを無電解めっきでコーティングして、アンテナ４７７を形成しても良い。
【０１０１】
なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。また印刷法にはスクリーン印刷法、オフセット印刷法などが含まれる。印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずとも、アンテナ４７７を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、ＩＤチップの作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０１０２】
液滴吐出法または各種印刷法を用いる場合、例えば、ＣｕをＡｇでコートした導電粒子なども用いることが可能である。なお液滴吐出法を用いてアンテナ４７７を形成する場合、該アンテナ４７７の密着性が高まるような処理を、第３の層間絶縁膜４６４の表面に施すことが望ましい。
【０１０３】
密着性を高めることができる方法として、具体的には、例えば触媒作用により導電膜または絶縁膜の密着性を高めることができる金属または金属化合物を第３の層間絶縁膜４６４の表面に付着させる方法、形成される導電膜または絶縁膜との密着性が高い有機系の絶縁膜、金属、金属化合物を第３の層間絶縁膜４６４の表面に付着させる方法、第３の層間絶縁膜４６４の表面に大気圧下または減圧下においてプラズマ処理を施し、表面改質を行なう方法などが挙げられる。また、上記導電膜または絶縁膜との密着性が高い金属として、チタン、チタン酸化物の他、３ｄ遷移元素であるＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが挙げられる。また金属化合物として、上述した金属の酸化物、窒化物、酸窒化物などが挙げられる。上記有機系の絶縁膜として、例えばポリイミド、シロキサン系樹脂等が挙げられる。
【０１０４】
第３の層間絶縁膜４６４に付着させる金属または金属化合物が導電性を有する場合、アンテナの正常な動作が妨げられないように、そのシート抵抗を制御する。具体的には、導電性を有する金属または金属化合物の平均の厚さを、例えば１〜１０ｎｍとなるように制御する、あるいは該金属または金属化合物を酸化により部分的に、または全体的に絶縁化すれば良い。或いは、密着性を高めたい領域以外は、付着した金属または金属化合物をエッチングにより選択的に除去しても良い。また金属または金属化合物を、予め基板の全面に付着させるのではなく、液滴吐出法、印刷法、ゾル−ゲル法などを用いて特定の領域にのみ選択的に付着させても良い。なお金属または金属化合物は、第３の層間絶縁膜４６４の表面において完全に連続した膜状である必要はなく、ある程度分散した状態であっても良い。
【０１０５】
そして図６（Ｂ）に示すように、アンテナ４７７を形成した後、アンテナ４７７を覆うように、第３の層間絶縁膜４６４上に保護層４６５を形成する。保護層４６５は、後に剥離層４０２をエッチングにより除去する際に、アンテナ４７７を保護することができる材料を用いる。例えば、水またはアルコール類に可溶なエポキシ系、アクリレート系、シリコンを含む樹脂を全面に塗布することで保護層４６５を形成することができる。
【０１０６】
本実施例では、スピンコート法で水溶性樹脂（東亜合成製：ＶＬ−ＷＳＨＬ１０）を膜厚３０μｍとなるように塗布し、仮硬化させるために２分間の露光を行ったあと、ＵＶ光を裏面から２．５分、表面から１０分、合計１２．５分の露光を行って本硬化させて、保護層４６５を形成する。なお、複数の有機樹脂を積層する場合、有機樹脂同士では使用している溶媒によって塗布または焼成時に一部溶解する恐れや、密着性が高くなりすぎたりする恐れがある。従って、第３の層間絶縁膜４６４と保護層４６５を共に同じ溶媒に可溶な有機樹脂を用いる場合、後の工程において保護層４６５の除去がスムーズに行なわれるように、第３の層間絶縁膜４６４を覆うように、無機絶縁膜（窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、窒化アルミニウム膜、または酸素を含む窒化アルミニウム膜、窒素を含む酸化アルミニウム膜）を形成しておくことが好ましい。
【０１０７】
次に図７（Ａ）に示すように、ＩＤチップどうしを分離するために開口部（溝ともいう）４８１を形成する。開口部４８１は、剥離層４０２が露出する程度であれば良い。開口部４８１の形成は、ダイシング、スクライビングなどを用いることができる。なお、第１の基板４０１上に形成されているＩＤチップを分離する必要がない場合、必ずしも開口部４８１を形成する必要はない。
【０１０８】
次に図７（Ｂ）に示すように、剥離層４０２をエッチングにより除去する。本実施例では、エッチングガスとしてフッ化ハロゲンを用い、該ガスを開口部４８１から導入する。本実施例では、例えばＣｌＦ３（三フッ化塩素）を用い、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：７９８パスカル（７９８Ｐａ）、時間：３ｈの条件で行なう。また、ＣｌＦ３ガスに窒素を混ぜたガスを用いても良い。ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンを用いることで、剥離層４０２が選択的にエッチングされ、第１の基板４０１をＴＦＴ４５１〜４５３から剥離することができる。なおフッ化ハロゲンは、気体であっても液体であってもどちらでも良い。
【０１０９】
次に図８（Ａ）に示すように、剥離されたＴＦＴ４５１〜４５３及びアンテナ４７７を、接着剤４８２を用いて第２の基板４９１に貼り合わせる。接着剤４８２は、第２の基板４９１と下地膜４０３とを貼り合わせることができる材料を用いる。接着剤４８２は、例えば反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。
【０１１０】
第２の基板４９１として、フレキシブルな紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。または第２の基板４９１として、フレキシブル無機材料を用いていても良い。プラスチック基板は、極性基のついたポリノルボルネンからなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。第２の基板４９１は集積回路において発生した熱を拡散させるために、２〜３０Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有する方が望ましい。
【０１１１】
次に図８（Ｂ）に示すように、保護層４６５を除去した後、アンテナ４７７を覆うように接着剤４８３を第３の層間絶縁膜４６４上に塗布し、カバー材４９２を貼り合わせる。カバー材４９２は第２の基板４９１と同様に、フレキシブルな紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。接着剤４８３の厚さは、例えば１０〜２００μｍとすれば良い。
【０１１２】
また接着剤４８３は、カバー材４９２と第３の層間絶縁膜４６４及びアンテナ４７７とを貼り合わせることができる材料を用いる。接着剤４８３は、例えば反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。
【０１１３】
上述した各工程を経て、ＩＤチップが完成する。上記作製方法によって、トータルの膜厚０．３μｍ以上３μｍ以下、代表的には２μｍ程度の飛躍的に薄い集積回路を第２の基板４９１とカバー材４９２との間に形成することができる。なお集積回路の厚さは、半導体素子自体の厚さのみならず、接着剤４８２と接着剤４８３間に形成された各種絶縁膜及び層間絶縁膜の厚さを含めるものとする。またＩＤチップが有する集積回路の占める面積を、５ｍｍ四方（２５ｍｍ２）以下、より望ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ２）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ２）程度とすることができる。
【０１１４】
なお集積回路を、第２の基板４９１とカバー材４９２の間のより中央に位置させることで、ＩＤチップの機械的強度を高めることができる。具体的には、第２の基板４９１とカバー材４９２の間の距離をｄとすると、第２の基板４９１と、集積回路の厚さ方向における中心との距離ｘが、以下の数１を満たすように、接着剤４８２、接着剤４８３の厚さを制御することが望ましい。
【０１１５】
【数１】
2007313299.tif 000003
【０１１６】
また好ましくは、以下の数２を満たすように、接着剤４８２、接着剤４８３の厚さを制御する。
【０１１７】
【数２】
2007313299.tif 000004
【０１１８】
なお図８（Ｂ）では、カバー材４９２を用いる例を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば図８（Ａ）に示した工程までで終了としても良い。
【０１１９】
なお本実施例では、耐熱性の高い第１の基板４０１と集積回路の間に剥離層を設け、エッチングにより該剥離層を除去することで基板と集積回路とを剥離する方法について示したが、本発明のＩＤチップの作製方法は、この構成に限定されない。例えば、耐熱性の高い基板と集積回路の間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して集積回路を剥離しても良い。或いは、耐熱性の高い基板と集積回路の間に、水素を含む非晶質半導体膜を用いた剥離層を設け、レーザ光の照射により該剥離層を除去することで基板と集積回路とを剥離しても良い。或いは、集積回路が形成された耐熱性の高い基板を機械的に削除または溶液やガスによるエッチングで除去することで集積回路を基板から切り離しても良い。
【０１２０】
またＩＤチップの可撓性を確保するために、下地膜４０３に接する接着剤４８２に有機樹脂を用いる場合、下地膜４０３として窒化珪素膜または窒素を含む酸化珪素膜を用いることで、有機樹脂からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体膜中に拡散するのを防ぐことができる。
【０１２１】
また対象物の表面が曲面を有しており、それにより該曲面貼り合わされたＩＤチップの第２の基板４９１が、錐面、柱面など母線の移動によって描かれる曲面を有するように曲がってしまう場合、該母線の方向とＴＦＴ４５１〜４５３のキャリアが移動する方向とを揃えておくことが望ましい。上記構成により、第２の基板４９１が曲がっても、それによってＴＦＴ４５１〜４５３の電気特性に影響が出るのを抑えることができる。また、島状の半導体膜が集積回路内において占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、第２の基板４９１が曲がっても、それによってＴＦＴ４５１〜４５３の電気特性に影響が出るのをより抑えることができる。
【０１２２】
なお本実施例では、アンテナを集積回路と同じ基板上に形成している例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。別の基板上に形成したアンテナと集積回路とを、後に貼り合わせることで、電気的に接続するようにしても良い。
【０１２３】
なお一般的にＩＤチップで用いられている電波の周波数は、１３．５６ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚが多く、該周波数の電波を検波できるようにＩＤチップを形成することが、汎用性を高める上で非常に重要である。
【０１２４】
また本実施例のＩＤチップでは、半導体基板を用いて形成されたＩＤチップよりも電波が遮蔽されにくく、電波の遮蔽により信号が減衰するのを防ぐことができるというメリットを有している。よって、半導体基板を用いずに済むので、ＩＤチップのコストを大幅に低くすることができる。例えば、直径１２インチのシリコン基板を用いた場合と、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合とを比較する。前者のシリコン基板の面積は約７３０００ｍｍ２であるが、後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ２であり、ガラス基板はシリコン基板の約９．２倍に相当する。後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ２では、基板の分断により消費される面積を無視すると、１ｍｍ四方のＩＤチップが約６７２０００個形成できる計算になり、該個数はシリコン基板の約９．２倍の数に相当する。そしてＩＤチップの量産化を行なうための設備投資は、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合の方が直径１２インチのシリコン基板を用いた場合よりも工程数が少なくて済むため、額を３分の１で済ませることができる。さらに本発明では、集積回路を剥離した後、ガラス基板を再び利用できる。よって、破損したガラス基板を補填する、あるいはガラス基板の表面を清浄化する費用を踏まえても、シリコン基板を用いる場合より大幅にコストを抑えることができる。またガラス基板を再利用せずに廃棄していったとしても、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板の値段は、直径１２インチのシリコン基板の半分程度で済むので、ＩＤチップのコストを大幅に低くすることができることがわかる。
【０１２５】
従って、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合、直径１２インチのシリコン基板を用いた場合よりも、ＩＤチップの値段を約３０分の１程度に抑えることができることがわかる。ＩＤチップは、使い捨てを前提とした用途も考えられるので、コストを大幅に低くすることができる本発明のＩＤチップは上記用途に非常に有用である。
【０１２６】
なお本実施例では、集積回路を剥離して、可撓性を有する基板に貼り合わせる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。例えばガラス基板のように、集積回路の作製工程における熱処理に耐えうるような、耐熱温度を有している基板を用いる場合、必ずしも集積回路を剥離する必要はない。
【０１２７】
また、本実施例は、必要であれば実施の形態及び他の実施例と自由に組み合わせることが可能である。
【実施例３】
【０１２８】
本実施例では、本発明の生体情報検出センサに組み込まれるＩＤチップ（ＩＣチップ、ＩＣタグともいう）において、実施例２とは異なる構成のものを作製した例を、図９（Ａ）〜図９（Ｂ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）、図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）及び図１２（Ａ）〜図１２（Ｂ）を用いて示す。
【０１２９】
本実施例では、半導体素子として絶縁分離されたＴＦＴを例示するが、集積回路に用いられる半導体素子はこれに限定されず、あらゆる回路素子を用いることができる。例えば、ＴＦＴの他に、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、抵抗素子、コイル、容量素子、インダクタなどが代表的に挙げられる。
【０１３０】
まず、スパッタ法を用いて耐熱性を有する基板（第１の基板）６０１上に剥離層６０２を形成する。第１の基板６０１として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレス基板を含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【０１３１】
剥離層６０２は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、微結晶シリコン（セミアモルファスシリコンを含む）等、シリコンを主成分とする層を用いることができる。剥離層６０２は、スパッタ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて形成することができる。本実施例では、膜厚５０ｎｍ程度の非晶質シリコンを減圧ＣＶＤ法で形成し、剥離層６０２として用いる。なお剥離層６０２はシリコンに限定されず、エッチングにより選択的に除去できる材料で形成すれば良い。剥離層６０２の膜厚は、５０〜６０ｎｍとするのが望ましい。セミアモルファスシリコンに関しては、３０〜５０ｎｍとしてもよい。
【０１３２】
なおセミアモルファスシリコンに代表されるセミアモルファス半導体とは、非晶質半導体と結晶構造を有する半導体（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜である。このセミアモルファス半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものであり、その粒径を０．５〜２０ｎｍとして非単結晶半導体中に分散させて存在せしめることが可能である。
【０１３３】
また、未結合手（ダングリングボンド）のを終端化させる材料として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ここでは便宜上、このような半導体をセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）と呼ぶ。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なセミアモルファス半導体が得られる。
【０１３４】
セミアモルファスシリコンは、そのラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしており、またＸ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。
【０１３５】
またセミアモルファスシリコンは珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４であり、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この珪素を含む気体を希釈して用いることで、セミアモルファスシリコンの形成を容易なものとすることができる。希釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪素を含む気体を希釈することが好ましい。
【０１３６】
次に、剥離層６０２上に、下地膜６０３を形成する。下地膜６０３は第１の基板６０１中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、ＴＦＴなどの半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。また下地膜６０３は、後の半導体素子を剥離する工程において、半導体素子を保護する役目も有している。下地膜６０３は単層であっても複数の絶縁膜を積層したものであっても良い。よってアルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素や、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。
【０１３７】
本実施例では、下層下地膜６０３ａとして膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜、中層下地膜６０３ｂとして膜厚５０ｎｍの酸素を含む窒化珪素膜、上層下地膜６０３ｃとして膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜を順に積層して下地膜６０３を形成するが、各膜の材質、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層下地膜６０３ａの窒素を含む酸化珪素膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン系樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法などによって形成しても良い。また、中層下地膜６０３ｂの酸素を含む窒化珪素膜に代えて、窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４等）を用いてもよい。また、上層下地膜６０３ｃの窒素を含む酸化珪素膜に代えて、酸化珪素膜を用いていても良い。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。
【０１３８】
或いは、剥離層６０２に最も近い、下地膜６０３の下層下地膜６０３ａを窒素を含む酸化珪素膜または酸化珪素膜で形成し、中層下地膜６０３ｂをシロキサン系樹脂で形成し、上層下地膜６０３ｃを酸化珪素膜で形成しても良い。
【０１３９】
ここで、酸化珪素膜は、ＳｉＨ４とＯ２、又はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）とＯ２等の混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、窒素を含む酸化珪素膜（組成比Ｏ＞Ｎ）、酸素を含む窒化珪素（組成比Ｎ＞Ｏ）は、代表的には、ＳｉＨ４とＮ２Ｏの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。
【０１４０】
次に、下地膜６０３上に半導体膜を形成する。半導体膜は、下地膜６０３を形成した後、大気に曝さずに形成することが望ましい。半導体膜の膜厚は２０〜２００ｎｍ（望ましくは４０〜１７０ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ）とする。なお半導体膜は、非晶質半導体であっても良いし、セミアモルファス半導体であっても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１４１】
非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪素を含む気体を、水素、あるいは水素とヘリウムで希釈して用いても良い。
【０１４２】
なお上述したようにセミアモルファス半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができるが、珪素を含む気体中に、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化物気体、ＧｅＨ４、ＧｅＦ４などのゲルマニウム化気体、Ｆ２などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。
【０１４３】
例えば、ＳｉＨ４にＨ２を添加したガスを用いる場合、或いはＳｉＨ４にＦ２を添加したガスを用いる場合、形成したセミアモルファス半導体を用いてＴＦＴを作製すると、該ＴＦＴのサブスレッショルド係数（Ｓ値）を０．３５Ｖ／ｄｅｃ以下、代表的には０．２５〜０．０９Ｖ／ｄｅｃとし、移動度を１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃとすることができる。そして上記セミアモルファス半導体を用いたＴＦＴで、例えば１９段リングオシレータを形成した場合、電源電圧３〜５Ｖにおいて、その発振周波数は１ＭＨｚ以上、好ましくは１００ＭＨｚ以上の特性を得ることができる。また電源電圧３〜５Ｖにおいて、インバータ１段あたりの遅延時間は２６ｎｓ、好ましくは０．２６ｎｓ以下とすることができる。
【０１４４】
次に半導体膜にレーザ照射装置から線状ビームを照射し、結晶化を行なう。
【０１４５】
レーザ結晶化を行なう場合、レーザ結晶化の前に、レーザに対する半導体膜の耐性を高めるために、５００℃、１時間の加熱処理を半導体膜に加えてもよい。
【０１４６】
レーザ結晶化は、連続発振のレーザ（ＣＷレーザ）、または擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振レーザを用いることができる。
【０１４７】
具体的には、連続発振のレーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４にドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザなどが挙げられる。
【０１４８】
また擬似ＣＷレーザとして、発振周波数が１０ＭＨｚ以上、好ましくは８０ＭＨｚ以上のパルス発振させることができるのであれば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザ、多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４にドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザのようなパルス発振レーザを用いることができる。
【０１４９】
このようなパルス発振レーザは、発振周波数を増加させていくと、いずれは連続発振レーザと同等の効果を示すものである。
【０１５０】
例えば連続発振が可能な固体レーザを用いる場合、第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。例えば、連続発振のＹＡＧレーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、半導体膜に照射する。エネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）とすれば良い。そして走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【０１５１】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能なものであり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによってパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【０１５２】
媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍｍの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。
【０１５３】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力が向上する可能性がある。
【０１５４】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザビームは射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利である。このように射出されたレーザビームを、光学系を用いて整形することによって、短辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
【０１５５】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。
【０１５６】
上述した半導体膜へのレーザ光の照射により、結晶性がより高められた結晶性半導体膜が形成される。
【０１５７】
次に、得られた結晶性半導体膜を用いて島状半導体膜６２１〜６２３を形成する。この島状半導体膜は、以降の工程で形成されるＴＦＴの活性層となる。
【０１５８】
次に島状半導体膜６２１〜６２３にしきい値制御のための不純物を導入する。本実施例においてはジボラン（Ｂ２Ｈ６）をドープすることによってボロン（Ｂ）を島状半導体膜６２１〜６２３中に導入する。
【０１５９】
次に島状半導体膜６２１〜６２３を覆うように絶縁膜を成膜する。絶縁膜には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒素を含んだ酸化珪素等を用いることができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。
【０１６０】
次に、絶縁膜を用いて、島状半導体膜６２１〜６２３上にそれぞれ、ゲート絶縁膜６６１〜６６３を形成する。
【０１６１】
島状半導体膜６２１〜６２３、並びにゲート絶縁膜６６１〜６６３を覆って、第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する。
【０１６２】
第１の導電膜及び第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料、若しくは化合物材料を積層させる。
【０１６３】
本実施例では、第１の導電膜として、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜を１０〜５０ｎｍ、例えば３０ｎｍの膜厚で形成する。そして第１の導電膜上に第２の導電膜として、例えばタングステン（Ｗ）膜を２００〜４００ｎｍ、例えば３７０ｎｍの膜厚で形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜の積層膜を形成する。
【０１６４】
次に第２の導電膜を異方性エッチングでエッチングし、上層ゲート電極６７１ｂ〜６７３ｂを形成する。次いで第１の導電膜を等方性エッチングでエッチングし、下層ゲート電極６７１ａ〜６７３ａを形成する。以上よりゲート電極６７１〜６７３を形成する。
【０１６５】
ゲート電極６７１〜６７３は、ゲート配線の一部として形成してもよいし、別にゲート配線を形成して、そのゲート配線にゲート電極６７１〜６７３を接続してもよい。
【０１６６】
次いで、ｐチャネル型ＴＦＴ６１２の活性層となる島状半導体膜６２２、ゲート絶縁膜６６２及びゲート電極６７２を覆ってレジストを形成する。
【０１６７】
そして、ゲート電極６７１及びゲート絶縁膜６６１をマスクとして用い、島状半導体膜６２１にｎ型を付与する不純物を添加し、チャネル形成領域６３１、低濃度不純物領域６３２、ソース領域またはドレイン領域６３３を形成する。また同時に、ゲート電極６７３及びゲート絶縁膜６６３をマスクとして用い、島状半導体膜６２３にｎ型を付与する不純物を添加し、チャネル形成領域６５１、低濃度不純物領域６５２、ソース領域またはドレイン領域６５３を形成する。
【０１６８】
まず、ｎ型を付与する元素としてリンを用い、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、リン（Ｐ）を、加速電圧を４０〜１００ｋｅＶ、例えば６０ｋｅＶ、ドーズ量を１×１０１３〜１×１０１５ｃｍ−２、例えば２．６×１０１３ｃｍ−２として島状半導体膜６２１及び６２３中に導入する。この不純物導入の際にｎチャネル型ＴＦＴ６１１のチャネル形成領域６３１及びｎチャネル型ＴＦＴ６１３のチャネル形成領域６５１が形成される。
【０１６９】
次いで島状半導体膜６２１及び６２３中に、フォスフィン（ＰＨ３）を用いて、印加電圧１０〜６０ｋｅＶ、例えば２０ｋｅＶ、ドーズ量５．０×１０１４〜２．５×１０１６ｃｍ−２、例えば３．０×１０１５ｃｍ−２で、リン（Ｐ）を導入する。これによりｎチャネル型ＴＦＴ６１１の低濃度不純物領域６３２、ソース領域またはドレイン領域６３３が形成される。またｎチャネル型ＴＦＴ６１３の低濃度不純物領域６５２、ソース領域またはドレイン領域６５３が形成される。
【０１７０】
本実施例においては、ｎチャネル型ＴＦＴ６１１のソース領域またはドレイン領域６３３、並びにｎチャネル型ＴＦＴ６１３のソース領域またはドレイン領域６５３には、それぞれ１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれることとなる。またｎチャネル型ＴＦＴ６１１の低濃度不純物領域６３２、並びにｎチャネル型ＴＦＴ６１３の低濃度不純物領域６５２には、それぞれ１×１０１８〜５×１０１９ｃｍ−３の濃度でリン（Ｐ）が含まれる。
【０１７１】
次いで島状半導体膜６２２、ゲート絶縁膜６６２及びゲート電極６７２上のレジストを除去し、島状半導体膜６２１、ゲート絶縁膜６６１及びゲート電極６７１、並びに、島状半導体膜６２３、ゲート絶縁膜６６３及びゲート電極６７３を覆って、それぞれレジストを形成する。
【０１７２】
ｐチャネル型ＴＦＴ６１２を作製するために、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を印加電圧６０〜１００ｋｅＶ、例えば８０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１３〜５×１０１５ｃｍ−２、例えば３×１０１５ｃｍ−２の条件で、島状半導体膜６２２中にホウ素（Ｂ）を導入する。これによりｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域６４２、またこの不純物導入の際にチャネル形成領域６４１が形成される。
【０１７３】
なおｐチャネル型ＴＦＴ６１２について、ホウ素の導入に際しては、印加電圧が高いために、下層ゲート電極６７２ａ及びゲート絶縁膜６６２を通しても、ソース領域またはドレイン領域６４２を形成するために十分なホウ素が島状半導体膜６２２中に添加される。
【０１７４】
ｐチャネル型ＴＦＴ６１２のソース領域またはドレイン領域６４２には、１×１０１９〜５×１０２１ｃｍ−３の濃度でボロン（Ｂ）が含まれる。
【０１７５】
次いで、レジストを除去後、島状半導体膜６２１〜６２３、ゲート絶縁膜６６１〜６６３、ゲート電極６７１〜６７３を覆うように、サイドウォールを形成するための絶縁膜を形成する。
【０１７６】
この絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により、酸化珪素膜や窒素を含む酸化珪素膜を用いて形成することができる。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により酸化珪素膜を膜厚５０〜２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍで成膜する。
【０１７７】
次いで絶縁膜をエッチングすることにより、ゲート絶縁膜６６１及びゲート電極６７１の側面にサイドウォール６６５を形成し、ゲート絶縁膜６６２及びゲート電極６７２の側面にサイドウォール６６６を形成し、ゲート絶縁膜６６３及びゲート電極６７３の側面にサイドウォール６６７を形成する。サイドウォール６６５〜６６７は、テーパー状や矩形状になるように形成し、本実施例では、テーパー状のサイドウォール６６５〜６６７を形成する。
【０１７８】
次に島状半導体膜６２１〜６２３、ゲート絶縁膜６６１〜６６３、ゲート電極６７１〜６７３、並びにサイドウォール６６５〜６６７を覆って、金属膜を形成する。
【０１７９】
金属膜として、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）等を用いることができる。本実施例では、金属膜として、ニッケル膜を１０ｎｍの厚さで成膜する。
【０１８０】
次いで、金属膜を形成した島状半導体膜６２１〜６２３を、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール法、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用して加熱する。これにより島状半導体膜６２１中にシリサイド領域６３５、島状半導体膜６２２中にシリサイド領域６４５、島状半導体膜６２３中にシリサイド領域６５５が形成される。本実施例では、ラピッドサーマルアニール法により３５０℃以上の温度で加熱することによりシリサイド領域６３５、６４５及び６５５を形成する。
【０１８１】
シリサイド領域６３５、６４５及び６５５を形成したら、未反応の金属膜を、硫酸や硝酸等の薬液によりエッチングして除去する。
【０１８２】
以上により、ｎチャネル型ＴＦＴ６１１、ｐチャネル型ＴＦＴ６１２、ｎチャネル型ＴＦＴ６１３が形成される（図９（Ａ）参照）。なお、本実施例では、ＴＦＴ６１１〜６１３をトップゲート構造としたが、ボトムゲート構造（逆スタガ構造）としてもよい。
【０１８３】
ｎチャネル型ＴＦＴ６１１は、上層下地膜６０３ｃ上に島状半導体膜６２１、ゲート絶縁膜６６１、下層ゲート電極６７１ａ及び上層ゲート電極６７１ｂからなるゲート電極６７１を有している。島状半導体膜６２１には、チャネル形成領域６３１、低濃度不純物領域６３２、ソース領域またはドレイン領域６３３、シリサイド領域６３５が形成される。シリサイド領域６３５は、ソース領域またはドレイン領域６３３の一部の中に形成される。またサイドウォール６６５が、ゲート絶縁膜６６１及びゲート電極６７１の側面に形成されている。
【０１８４】
ｐチャネル型ＴＦＴ６１２は、上層下地膜６０３ｃ上に島状半導体膜６２２、ゲート絶縁膜６６２、下層ゲート電極６７２ａ及び上層ゲート電極６７２ｂからなるゲート電極６７２を有している。島状半導体膜６２２には、チャネル形成領域６４１、ソース領域またはドレイン領域６４２、シリサイド領域６４５が形成される。シリサイド領域６４５は、ソース領域またはドレイン領域６４２の一部の中に形成される。またサイドウォール６６６が、ゲート絶縁膜６６２及びゲート電極６７２の側面に形成されている。
【０１８５】
ｎチャネル型ＴＦＴ６１３は、上層下地膜６０３ｃ上に島状半導体膜６２３、ゲート絶縁膜６６３、下層ゲート電極６７３ａ及び上層ゲート電極６７３ｂからなるゲート電極６７３を有している。島状半導体膜６２３には、チャネル形成領域６５１、低濃度不純物領域６５２、ソース領域またはドレイン領域６５３、シリサイド領域６５５が形成される。シリサイド領域６５５は、ソース領域またはドレイン領域６５３の一部の中に形成される。またサイドウォール６６７が、ゲート絶縁膜６６３及びゲート電極６７３の側面に形成されている。
【０１８６】
さらに、この後、ＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３を保護するためのパッシベーション膜６８１を形成しても良い。パッシベーション膜６８１は、アルカリ金属やアルカリ土類金属のＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３への侵入を防ぐことができる、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素などを用いるのが望ましい。具体的には、例えば膜厚６００ｎｍ程度の窒素を含む酸化珪素膜を、パッシベーション膜として用いることができる。この場合、水素化処理工程は、該窒素を含む酸化珪素膜形成後に行っても良い。上記構成を用いることで、ＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３が下地膜６０３とパッシベーション膜６８１とで覆われるため、Ｎａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体素子に用いられている半導体膜中に拡散し、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすのをより防ぐことができる。
【０１８７】
次にＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３及びパッシベーション膜６８１を覆うように、第１の層間絶縁膜６８２を形成する。第１の層間絶縁膜６８２は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド等の、耐熱性を有する有機樹脂を用いることができる。また上記有機樹脂の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂（以下、シロキサン系樹脂と呼ぶ）等を用いることができる。
【０１８８】
シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造で構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられるものである。また置換基として、フルオロ基を用いてもよい。さらに置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１８９】
第１の層間絶縁膜６８２の形成には、その材料に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を採用することができる。また、無機材料を用いてもよく、その際には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜等を用いることができる。なお、これらの絶縁膜を積層させて、第１の層間絶縁膜６８２を形成しても良い。
【０１９０】
さらに本実施例では、第１の層間絶縁膜６８２上に、第２の層間絶縁膜６８３を形成する。第２の層間絶縁膜６８３としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する膜、又は、酸化珪素膜、窒化珪素膜或いは窒素を含む酸化珪素膜等を用いることができる。形成方法としては、プラズマＣＶＤ法や、大気圧プラズマ等を用いることができる。あるいは、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、シロキサン系樹脂等を用いてもよい。
【０１９１】
なお、第１の層間絶縁膜６８２又は第２の層間絶縁膜６８３と、後に形成される配線を構成する導電材料等との熱膨張率の差から生じる応力によって、第１の層間絶縁膜６８２又は第２の層間絶縁膜６８３の膜剥がれや割れが生じるのを防ぐために、第１の層間絶縁膜６８２又は第２の層間絶縁膜６８３中にフィラーを混入させておいても良い。
【０１９２】
次に、第１の層間絶縁膜６８２及び第２の層間絶縁膜６８３にコンタクトホールを形成する。次いでコンタクトホールを介して、ＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３に接続する電極又は配線６９１〜６９５を形成する。本実施例では電極と配線を一体形成するが、電極と配線を別々に形成して電気的に接続させてもよい。コンタクトホール形成時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。本実施例では、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、珪素を含むアルミニウム（Ａｌ−Ｓｉ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を積層して５層構造とし、スパッタ法によって形成したものを用いて、電極又は配線６９１〜６９５を形成する。
【０１９３】
なお、アルミニウム（Ａｌ）膜において、珪素（Ｓｉ）を混入させる（本明細書では「Ａｌ−Ｓｉ」と呼ぶこともある）ことにより、配線形成時のレジストベークにおけるヒロックの発生を防止することができる。また、Ｓｉの代わりに、０．５％程度のＣｕを混入させても良い。また、チタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）でＡｌ−Ｓｉ層をサンドイッチすることにより、耐ヒロック性がさらに向上する。なお、エッチング時には、窒素を含む酸化珪素等からなる上記ハードマスクを用いるのが望ましい。なお、配線の材料や、形成方法はこれらに限定されるものではなく、前述したゲート電極に用いられる材料を採用しても良い。
【０１９４】
またこの電極又は配線６９１〜６９５を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素、及び炭素を含むアルミニウム合金膜で形成してもよい。このようなアルミニウム合金膜は、シリコンと接触してもシリコンとアルミニウムの相互拡散が防止できる。またこのようなアルミニウム合金膜は、透明導電膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウム錫酸化物）膜と接触しても酸化還元反応が起こらないため、両者を直接接触させることができる。さらにこのようなアルミ合金膜は、比抵抗が低く耐熱性にも優れているので、配線材料としては有用である。
【０１９５】
なお、電極又は配線６９１、並びに電極又は配線６９２はｎチャネル型ＴＦＴ６１１のソース領域またはドレイン領域６３３中のシリサイド領域に、電気的に接続されている。電極又は配線６９２、並びに電極又は配線６９３はｐチャネル型ＴＦＴ６１２のソース領域またはドレイン領域６４２中のシリサイド領域に電気的に接続されている。電極又は配線６９４、並びに電極又は配線６９５はｎチャネル型ＴＦＴ６１３のソース領域またはドレイン領域６５３中のシリサイド領域に、電気的に接続されている。さらに電極又は配線６９５は、ｎチャネル型ＴＦＴ６１３のゲート電極６７３にも接続されている。ｎチャネル型ＴＦＴ６１３は、乱数ＲＯＭのメモリ素子として用いることができる（図９（Ｂ）参照）。
【０１９６】
次に電極又は配線６９１〜６９５を覆うように、第２の層間絶縁膜６８３上に第３の層間絶縁膜７０１を形成する。第３の層間絶縁膜７０１は、電極又は配線６９１が一部露出する様な位置に開口部を有するように形成する。なお第３の層間絶縁膜７０１は、第１の層間絶縁膜６８２と同様の材料を用いて形成することが可能である。
【０１９７】
次に、第３の層間絶縁膜７０１上にアンテナ７０５を形成する（図１０（Ａ）参照）。アンテナ７０５は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉなどの金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電材料を用いることができる。そしてアンテナ７０５は、電極又は配線６９１と接続されている。なお図１０（Ａ）では、アンテナ７０５が電極又は配線６９１と直接接続されているが、本発明のＩＤチップはこの構成に限定されない。例えば別途形成した配線を用いて、アンテナ７０５と電極又は配線６９１とを電気的に接続するようにしても良い。
【０１９８】
アンテナ７０５は印刷法、フォトリソグラフィ法、蒸着法または液滴吐出法などを用いて形成することができる。本実施例では、アンテナ７０５が単層の導電膜で形成されているが、複数の導電膜が積層されたアンテナ７０５を形成することも可能である。例えば、Ｎｉなどで形成した配線に、Ｃｕを無電解めっきでコーティングして、アンテナ７０５を形成しても良い。
【０１９９】
なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。また印刷法にはスクリーン印刷法、オフセット印刷法などが含まれる。印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずとも、アンテナ７０５を形成することが可能になる。また、液滴吐出法、印刷法だと、フォトリソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、ＩＤチップの作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０２００】
液滴吐出法または各種印刷法を用いる場合、例えば、ＣｕをＡｇでコートした導電粒子なども用いることが可能である。なお液滴吐出法を用いてアンテナ７０５を形成する場合、該アンテナ７０５の密着性が高まるような処理を、第３の層間絶縁膜７０１の表面に施すことが望ましい。
【０２０１】
密着性を高めることができる方法として、具体的には、例えば触媒作用により導電膜または絶縁膜の密着性を高めることができる金属または金属化合物を第３の層間絶縁膜７０１の表面に付着させる方法、形成される導電膜または絶縁膜との密着性が高い有機系の絶縁膜、金属、金属化合物を第３の層間絶縁膜７０１の表面に付着させる方法、第３の層間絶縁膜７０１の表面に大気圧下または減圧下においてプラズマ処理を施し、表面改質を行なう方法などが挙げられる。また、上記導電膜または絶縁膜との密着性が高い金属として、チタン、チタン酸化物の他、３ｄ遷移元素であるＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが挙げられる。また金属化合物として、上述した金属の酸化物、窒化物、酸窒化物などが挙げられる。上記有機系の絶縁膜として、例えばポリイミド、シロキサンを含む樹脂等が挙げられる。
【０２０２】
第３の層間絶縁膜７０１に付着させる金属または金属化合物が導電性を有する場合、アンテナの正常な動作が妨げられないように、そのシート抵抗を制御する。具体的には、導電性を有する金属または金属化合物の平均の厚さを、例えば１〜１０ｎｍとなるように制御する、あるいは該金属または金属化合物を酸化により部分的に、または全体的に絶縁化すれば良い。或いは、密着性を高めたい領域以外は、付着した金属または金属化合物をエッチングにより選択的に除去しても良い。また金属または金属化合物を、予め基板の全面に付着させるのではなく、液滴吐出法、印刷法、ゾル−ゲル法などを用いて特定の領域にのみ選択的に付着させても良い。なお金属または金属化合物は、第３の層間絶縁膜７０１の表面において完全に連続した膜状である必要はなく、ある程度分散した状態であっても良い。
【０２０３】
そして図１０（Ｂ）に示すように、アンテナ７０５を形成した後、アンテナ７０５を覆うように、第３の層間絶縁膜７０１上に保護層７１１を形成する。保護層７１１は、後に剥離層６０２をエッチングにより除去する際に、アンテナ７０５を保護することができる材料を用いる。例えば、水またはアルコール類に可溶なエポキシ系、アクリレート系、シリコンを含む樹脂を全面に塗布することで保護層７１１を形成することができる。
【０２０４】
本実施例では、スピンコート法で水溶性樹脂（東亜合成製：ＶＬ−ＷＳＨＬ１０）を膜厚３０μｍとなるように塗布し、仮硬化させるために２分間の露光を行ったあと、ＵＶ光を裏面から２．５分、表面から１０分、合計１２．５分の露光を行って本硬化させて、保護層７１１を形成する。なお、複数の有機樹脂を積層する場合、有機樹脂同士では使用している溶媒によって塗布または焼成時に一部溶解する恐れや、密着性が高くなりすぎたりする恐れがある。従って、第３の層間絶縁膜７０１と保護層７１１を共に同じ溶媒に可溶な有機樹脂を用いる場合、後の工程において保護層７１１の除去がスムーズに行なわれるように、第３の層間絶縁膜７０１を覆うように、無機絶縁膜（窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、窒化アルミニウム膜、または酸素を含む窒化アルミニウム膜、窒素を含む酸化アルミニウム膜）を形成しておくことが好ましい。
【０２０５】
次に図１１（Ａ）に示すように、ＩＤチップどうしを分離するために開口部（溝ともいう）７１５を形成する。開口部７１５は、剥離層６０２が露出する程度であれば良い。開口部７１５の形成は、ダイシング、スクライビングなどを用いることができる。なお、第１の基板６０１上に形成されているＩＤチップを分離する必要がない場合、必ずしも開口部７１５を形成する必要はない。
【０２０６】
次に図１２（Ｂ）に示すように、剥離層６０２をエッチングにより除去する。本実施例では、エッチングガスとしてフッ化ハロゲンを用い、該ガスを開口部７１５から導入する。本実施例では、例えばＣｌＦ３（三フッ化塩素）を用い、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：７９８パスカル（７９８Ｐａ）、時間：３ｈの条件で行なう。また、ＣｌＦ３ガスに窒素を混ぜたガスを用いても良い。ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンを用いることで、剥離層６０２が選択的にエッチングされ、第１の基板６０１をＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３から剥離することができる。なおフッ化ハロゲンは、気体であっても液体であってもどちらでも良い。
【０２０７】
次に図１２（Ａ）に示すように、剥離されたＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３及びアンテナ７０５を、接着剤７２２を用いて第２の基板７２１に貼り合わせる。接着剤７２２は、第２の基板７２１と下地膜６０３とを貼り合わせることができる材料を用いる。接着剤７２２は、例えば反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。
【０２０８】
第２の基板７２１として、フレキシブルな紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。または第２の基板７２１として、フレキシブル無機材料を用いていても良い。プラスチック基板は、極性基のついたポリノルボルネンからなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。第２の基板７２１は集積回路において発生した熱を拡散させるために、２〜３０Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有する方が望ましい。
【０２０９】
次に図１２（Ｂ）に示すように、保護層７１１を除去した後、アンテナ７０５を覆うように接着剤７２６を第３の層間絶縁膜７０１上に塗布し、カバー材７２５を貼り合わせる。カバー材７２５は第２の基板７２１と同様に、フレキシブルな紙またはプラスチックなどの有機材料を用いることができる。接着剤７２６の厚さは、例えば１０〜２００μｍとすれば良い。
【０２１０】
また接着剤７２６は、カバー材７２５と第３の層間絶縁膜７０１及びアンテナ７０５とを貼り合わせることができる材料を用いる。接着剤７２６は、例えば反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。
【０２１１】
上述した各工程を経て、ＩＤチップが完成する。上記作製方法によって、トータルの膜厚０．３μｍ以上３μｍ以下、代表的には２μｍ程度の飛躍的に薄い集積回路を第２の基板７２１とカバー材７２５との間に形成することができる。なお集積回路の厚さは、半導体素子自体の厚さのみならず、接着剤７２２と接着剤７２６間に形成された各種絶縁膜及び層間絶縁膜の厚さを含めるものとする。またＩＤチップが有する集積回路の占める面積を、５ｍｍ四方（２５ｍｍ２）以下、より望ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ２）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ２）程度とすることができる。
【０２１２】
なお集積回路を、第２の基板７２１とカバー材７２５の間のより中央に位置させることで、ＩＤチップの機械的強度を高めることができる。具体的には、第２の基板７２１とカバー材７２５の間の距離をｄとすると、第２の基板７２１と、集積回路の厚さ方向における中心との距離ｘが、以下の数３を満たすように、接着剤７２２、接着剤７２６の厚さを制御することが望ましい。
【０２１３】
【数３】
2007313299.tif 000005
【０２１４】
また好ましくは、以下の数４を満たすように、接着剤７２２、接着剤７２６の厚さを制御する。
【０２１５】
【数４】
2007313299.tif 000006
【０２１６】
なお図１２（Ｂ）では、カバー材７２５を用いる例を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば図１２（Ａ）に示した工程までで終了としても良い。
【０２１７】
なお本実施例では、耐熱性の高い第１の基板６０１と集積回路の間に剥離層を設け、エッチングにより該剥離層を除去することで基板と集積回路とを剥離する方法について示したが、本発明のＩＤチップの作製方法は、この構成に限定されない。例えば、耐熱性の高い基板と集積回路の間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して集積回路を剥離しても良い。或いは、耐熱性の高い基板と集積回路の間に、水素を含む非晶質半導体膜を用いた剥離層を設け、レーザ光の照射により該剥離層を除去することで基板と集積回路とを剥離しても良い。或いは、集積回路が形成された耐熱性の高い基板を機械的に削除または溶液やガスによるエッチングで除去することで集積回路を基板から切り離しても良い。
【０２１８】
またＩＤチップの可撓性を確保するために、下地膜６０３に接する接着剤７２２に有機樹脂を用いる場合、下地膜６０３として窒化珪素膜または窒素を含む酸化珪素膜を用いることで、有機樹脂からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体膜中に拡散するのを防ぐことができる。
【０２１９】
また対象物の表面が曲面を有しており、それにより該曲面に貼り合わされたＩＤチップの第２の基板７２１が、錐面、柱面など母線の移動によって描かれる曲面を有するように曲がってしまう場合、該母線の方向とＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３のキャリアが移動する方向とを揃えておくことが望ましい。上記構成により、第２の基板７２１が曲がっても、それによってＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３の電気特性に影響が出るのを抑えることができる。また、島状の半導体膜が集積回路内において占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、第２の基板７２１が曲がっても、それによってＴＦＴ６１１〜ＴＦＴ６１３の電気特性に影響が出るのをより抑えることができる。
【０２２０】
なお本実施例では、アンテナを集積回路と同じ基板上に形成している例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。別の基板上に形成したアンテナと集積回路とを、後に貼り合わせることで、電気的に接続するようにしても良い。
【０２２１】
なお一般的にＩＤチップで用いられている電波の周波数は、１３．５６ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚが多く、該周波数の電波を検波できるようにＩＤチップを形成することが、汎用性を高める上で非常に重要である。
【０２２２】
また本実施例のＩＤチップでは、半導体基板を用いて形成されたＩＤチップよりも電波が遮蔽されにくく、電波の遮蔽により信号が減衰するのを防ぐことができるというメリットを有している。よって、半導体基板を用いずに済むので、ＩＤチップのコストを大幅に低くすることができる。例えば、直径１２インチのシリコン基板を用いた場合と、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合とを比較する。前者のシリコン基板の面積は約７３０００ｍｍ２であるが、後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ２であり、ガラス基板はシリコン基板の約９．２倍に相当する。後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ２では、基板の分断により消費される面積を無視すると、１ｍｍ四方のＩＤチップが約６７２０００個形成できる計算になり、該個数はシリコン基板の約９．２倍の数に相当する。そしてＩＤチップの量産化を行なうための設備投資は、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合の方が直径１２インチのシリコン基板を用いた場合よりも工程数が少なくて済むため、額を３分の１で済ませることができる。さらに本発明では、集積回路を剥離した後、ガラス基板を再び利用できる。よって、破損したガラス基板を補填する、あるいはガラス基板の表面を清浄化する費用を踏まえても、シリコン基板を用いる場合より大幅にコストを抑えることができる。またガラス基板を再利用せずに廃棄していったとしても、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板の値段は、直径１２インチのシリコン基板の半分程度で済むので、ＩＤチップのコストを大幅に低くすることができることがわかる。
【０２２３】
従って、７３０×９２０ｍｍ２のガラス基板を用いた場合、直径１２インチのシリコン基板を用いた場合よりも、ＩＤチップの値段を約３０分の１程度に抑えることができることがわかる。ＩＤチップは、使い捨てを前提とした用途も考えられるので、コストを大幅に低くすることができる本発明のＩＤチップは上記用途に非常に有用である。
【０２２４】
なお本実施例では、集積回路を剥離して、可撓性を有する基板に貼り合わせる例について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。例えばガラス基板のように、集積回路の作製工程における熱処理に耐えうるような、耐熱温度を有している基板を用いる場合、必ずしも集積回路を剥離する必要はない。
【０２２５】
また、本実施例は、必要であれば実施の形態及び他の実施例と自由に組み合わせることが可能である。
【実施例４】
【０２２６】
本実施例では、本発明の生体情報検出センサに用いられるＩＤチップ及びセンサの構成を、図１３〜図１９を用いて説明する。
【０２２７】
図１３に、集積回路部８０１とアンテナ８０２を備えたＩＤチップ８００の構成を示す。集積回路部８０１は、温度、湿度、照度、その他の特性を物理的又は化学的手段により検出するセンサ部（生体情報検出部）８０６を備えている。センサ部８０６は、センサ８０８とそれを制御するセンサ回路８０９が含まれている。センサ８０８は抵抗素子、容量結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子、熱起電力素子、圧電素子、トランジスタ、サーミスタ、ダイオードなどの半導体素子で形成される。センサ８０８の構成は、生体情報に対し何を検出するかで選択すれば良い。例えば、脈拍を検出したい場合には、圧電素子を用いれば良い。また、体温を測定するには熱起電力素子や抵抗素子を用いれば良い。センサ回路８０９はインピーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流の変化を検出し、アナログ／デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して演算処理回路部８０３に信号を出力する。
【０２２８】
メモリ部８０４は、読み出し専用メモリや、書き換え可能メモリの一方若しくは双方を備えている。メモリ部８０４は、スタティックＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  ＲＡＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどで構成することで、センサ部８０６及びアンテナ８０２を経由して受信した外部からの情報を随時記録することができる。メモリ部８０４は、センサ部８０６で検知した信号を格納する第１メモリ部８１０と、リーダ／ライタ装置から書き込まれた情報を記録する第２メモリ部８１１に分けて構成することもできる。また、マスクＲＯＭやプログラマブルＲＯＭで読み出し専用メモリ部を設けておいても良い。
【０２２９】
第１メモリ部８１０はセンサ部８０６で検知した生体情報を記録するために、逐次書き込みを可能とするとともに、データが消失しないフラッシュメモリなどで構成することが好ましい。また、フローティングゲート構造の記憶素子であって、一度だけ書き込み可能な記憶素子を適用することが好ましい。
【０２３０】
通信回路部８０５は、復調回路８１２、変調回路８１３を含んでいる。復調回路８１２は、アンテナ８０２を経由して入力される信号を復調して、演算処理回路部８０３に出力する。信号にはセンサ部８０６を制御する信号や、メモリ部８０４に記憶させる情報を含んでいる。また、センサ回路８０９から出力される信号や、メモリ部８０４から読み出された情報は、演算処理回路部８０３を通して変調回路８１３に出力される。変調回路８１３は、この信号を無線通信可能な信号に変調して、アンテナ８０２を介して外部装置に出力する。
【０２３１】
演算処理回路部８０３、センサ部８０６、メモリ部８０４及び通信回路部８０５を動作させるのに必要な電力は、アンテナ８０２を介して供給される。アンテナ８０２は、リーダ／ライタと呼ばれる外部装置から供給される電磁波を受信して、必要な電力を電源回路部８０７で発生させている。アンテナ８０２は通信する周波数帯に応じて適宜設計すれば良い。電磁波の周波数帯は、１３５ｋＨｚまでの長波帯、６〜６０ＭＨｚ（代表的には１３．５６ＭＨｚ）の短波帯、４００〜９５０ＭＨｚの超短波帯、２〜２５ＧＨｚのマイクロ波帯などを使用することができる。長波帯や短波帯のアンテナは、ループアンテナによる電磁誘導を利用したものが利用される。その他に相互誘導作用（電磁結合方式）又は静電気による誘導作用（静電結合方式）を利用したものであっても良い。電力は電源回路部８０７で生成する。アンテナ８０２はデータ通信用アンテナと、電力供給用アンテナを分離して設けても良い。
【０２３２】
このようなアンテナ８０２は、アルミニウム、銅、銀を含む金属材料で形成する。例えば、銅又は銀のペースト状組成物を、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット方式の印刷法でアンテナ８０２形成することができる。また、スパッタリングなどでアルミニウム膜を形成し、エッチング加工によりアンテナ８０２を形成しても良い。その他、電解メッキ法、無電解メッキ法を用いてアンテナ８０２を形成しても良い。もちろん実施例２のアンテナ４７７、実施例３のアンテナ７０５と同様の材料、同様の作製工程で形成してもよい。
【０２３３】
図１３で示すＩＤチップ８００において、メモリ部８０４の構成を変更したＩＤチップ８２０を図１４に示す。集積回路部８２１はメモリ部８２２を逐次書き込みを可能とするとともに、データが消失しないフローティングゲート構造の記憶素子で構成したものである。特に、フローティングゲート構造の記憶素子であって、一度だけ書き込み可能な記憶素子を適用することが好ましい。この構成のＩＤチップ８２０はセンサ８０８で検出したデータを記録して、読み出す機能のみを持っている。機能を単純化することにより、ＩＤチップ８２０を小型化することができる。また、省電力化することができる。
【０２３４】
図１５は、ＩＤチップ８００と情報の送受信を行うリーダ／ライタモジュール９００の一例を示す。リーダ／ライタモジュール９００は、アンテナ９０１と、発振器９０３、復調回路９０４、変調回路９０５を備えた通信回路部９０２を備えている。その他に演算処理回路部９０６、外部インターフェイス部９０７を備えコンピュータなどの情報処理装置と接続可能となっている。制御信号を暗号化して送受信するには、暗号化／復号化回路部９０８とメモリ部９０９を備えておけば良い。電源回路部９１０は各回路に電力を供給するものとなっている。
【０２３５】
図１３で示すＩＤチップ８００及び図１４で示すＩＤチップ８２０は、単結晶半導体で作製するトランジスタ、多結晶半導体膜を用いて作製するＴＦＴなど、その他の能動素子と受動素子を組み合わせて構成する。もちろん実施例２または実施例３の記載に基づいてＩＤチップを形成してもよい。
【０２３６】
図１６は基板９５０、素子形成層９５１及びアンテナ８０２を積層したＩＤチップ８００若しくはＩＤチップ８２０の一構成例を斜視図で示している。基板９５０は、例えば実施例２の基板４９１、実施例３の基板７２１と同様のものであればよい。
素子形成層９５１は、例えば、図８（Ｂ）に示す下地膜４０３、島状半導体膜４０４〜４０６、ゲート絶縁膜４０７〜４０９、ゲート電極４４１〜４４３、パッシベーション膜４６１、層間絶縁膜４６２、層間絶縁膜４６３、電極又は配線４７１が含まれている。また素子形成層９５１には、図１２（Ｂ）に示す下地膜６０３、島状半導体膜６２１〜６２３、ゲート絶縁膜６６１〜６６３、サイドウォール６６５〜６６７、ゲート電極６７１〜６７３、パッシベーション膜６８１、層間絶縁膜６８２、層間絶縁膜６８３、電極又は配線６９１〜６９５が含まれていてもよい。アンテナ８０２はＴＦＴで形成される回路と接続している。アンテナ８０２の上には、さらに無機絶縁材料又は有機絶縁材料により保護膜が形成されていても良い。このように、素子形成層９５１とアンテナ８０２を一体形成することによりＩＤチップの小型化を図ることができる。ＩＤチップ８００若しくはＩＤチップ８２０には、センサ部８０６が設けられている。センサ部８０６の構成は、光導入窓や静電容量を測定するための電極が設けられ、それが露出した状態にしてあっても良い。
【０２３７】
図１７はセンサ部８０６の一例を示している。このセンサ部８０６は温度を検知するセンサである。センサ８０８はＴＦＴを用いた複数段のリングオシレータ８５０で形成されている。これは、リングオシレータ８５０の発振周波数が温度に依存して変化することを利用したものである。ＴＦＴのしきい値電圧は、温度の上昇に伴って低下する。しきい値電圧の低下によりオン電流が増加する。リングオシレータ８５０は、ＴＦＴのオン電流が大きい程、発振周波数が高くなるという特性を持っている。この特性を利用して、リングオシレータ８５０を温度センサとして利用することができる。リングオシレータ８５０の発振周波数は、センサ回路８０９のパルスカウンタ８５１で計測することが可能である。パルスカウンタ８５１の信号は、そのまま、若しくはレベルシフトして演算処理回路部８０３に出力すれば良い。この温度を検知するセンサにより人体の体温を測定することができる。
【０２３８】
図１８（Ａ）は光の有無を検知するセンサの一例を示している。センサ８０８は、フォトダイオード、フォトトランジスタなどで形成されている。センサ回路８０９は、センサ駆動部８５２、検出部８５３及びＡ／Ｄ変換部８５４を含んでいる。フォトダイオード、フォトトランジスタなどで、例えば、人体が紫外線に曝露している時間を検出することができる。
【０２３９】
図１８（Ｂ）は検出部８５３を説明する回路図である。リセット用ＴＦＴ８５５を導通状態にするとセンサ８０８には逆バイアス電圧が印加される。ここで、センサ８０８のマイナス側端子の電位が電源電圧の電位まで充電される動作を「リセット」と呼ぶ。その後、リセット用ＴＦＴ８５５を非導通状態にする。そのとき、センサ８０８の起電力により、時間が経過するに従い電位状態が変化する。すなわち、電源電圧の電位まで充電されていたセンサ８０８のマイナス側端子の電位が、光電変換によって発生した電荷によって除々に低下する。ある一定時間を経過した後、バイアス用ＴＦＴ８５７を導通状態とすると、増幅用ＴＦＴ８５６を通って出力側に信号が出力される。この場合、増幅用ＴＦＴ８５６とバイアス用ＴＦＴ８５７は所謂ソースフォロワ回路として動作する。
【０２４０】
図１８（Ｂ）ではソースフォロワ回路をｎチャネル型ＴＦＴで形成した例で示されているが、勿論、ｐチャネル型ＴＦＴでも形成することができる。増幅側電源線８５８には電源電圧Ｖｄｄが加えられている。バイアス側電源線８５９は基準電位０ボルトが与えられている。増幅用ＴＦＴ８５６のドレイン端子は増幅側電源線８５８に接続され、増幅用ＴＦＴ８５６のソース端子はバイアス用ＴＦＴ８５７のドレイン端子に接続されている。バイアス用ＴＦＴ８５７のソース端子はバイアス側電源線８５９に接続されている。バイアス用ＴＦＴ８５７のゲート端子にはバイアス電圧Ｖｂが印加され、このＴＦＴにはバイアス電流Ｉｂが流れる。バイアス用ＴＦＴ８５７は基本的には定電流源として動作する。増幅用ＴＦＴ８５６のゲート端子には入力電圧Ｖｉｎが加えられ、ソース端子が出力端子となる。このソースフォロワ回路の入出力関係は、Ｖｏｕｔ＝Ｖｉｎ−Ｖｂとなる。この出力電圧ＶｏｕｔはＡ／Ｄ変換部８５４によりデジタル信号に変換する。デジタル信号は演算処理回路部８０３に出力する。
【０２４１】
図１９はセンサ８０８に静電容量を検出する素子を設けた一例を示している。静電容量を検出する素子は、一対の電極を備えている。電極間に液体又は気体などの媒体が充填されるようになっている。この一対の電極間の、静電容量の変化を検知することで、例えば人体の体温や脈拍や筋肉の動きを検出する。また、一対の電極間にポリイミド、アクリルその他吸湿性の誘電体を介在させて、電気抵抗の微小な変化を読み取ることにより人体の発汗を検知することもできる。
【０２４２】
センサ回路８０９は、以下に示す構成となっている。発振回路（パルスジェネレータ）８６０は測定基準信号を生成し、センサ８０８の電極にその信号を入力する。このときの電圧は電圧検出回路８６１にも入力される。電圧検出回路８６１により検出された基準信号は、変換回路８６３で実効値を示す電圧信号に変換される。センサ８０８の電極間に流れる電流は、電流検出回路８６２により検出する。電流検出回路８６２により検出された信号は、変換回路８６４により実効値を示す電流信号に変換される。演算回路８６６は、変換回路８６３の出力である電圧信号と、変換回路８６４の出力である電流信号を演算処理してインピーダンス若しくはアドミタンスなどの電気パラメータを算出する。また、電圧検出回路８６１の出力と電流検出回路８６２の出力は、位相比較回路８６５に入力される。位相比較回路８６５はこの両者の信号の位相差を、演算回路８６７に出力する。演算回路８６７は、演算回路８６６と位相比較回路８６５の出力信号を用いて静電容量を算出する。そして、その信号を演算処理回路部８０３に出力する。
【０２４３】
なお本実施例では、センサ部（生体情報検出部）１０８をＩＤチップに内蔵する構成を示しているが、センサ部はＩＤチップと別に形成して外付けとする構成にしてもよい。
【０２４４】
また、本実施例は、必要であれば実施の形態及び他の実施例と自由に組み合わせることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２４５】
本発明により、衛生的で簡単に取り替えることのできる生体情報検出センサを得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２４６】
【図１】本発明の生体情報検出センサを示す図。
【図２】本発明の生体情報検出センサを示す図。
【図３】本発明の生体情報検出センサを示す図。
【図４】本発明の生体情報検出センサを示す図。
【図５】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図６】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図７】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図８】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図９】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図１０】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図１１】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図１２】本発明のＩＤチップの作製工程を示す図。
【図１３】本発明のＩＤチップの構成を示す図。
【図１４】本発明のＩＤチップの構成を示す図。
【図１５】本発明のリーダ／ライタモジュールの構成を示す図。
【図１６】本発明のＩＤチップの一構成例を示す斜視図。
【図１７】本発明のセンサ部の構成を説明するブロック図。
【図１８】本発明のセンサ部の構成を説明するブロック図及び回路図。
【図１９】本発明のセンサ部の構成を説明するブロック図。
【符号の説明】
【０２４７】
１０１    生体情報検出センサ
１０２    アンテナ
１０３    粘着テープ
１０４    溝
１０５    固定機構
１０６    手首
１０８    センサ部
１１１    Ｒ／Ｗマシン
１１２    表示部
１１３    表示部
１１４    アンテナ
１１５    操作ボタン
２０１    新生児
２０１ａ  新生児
２０１ｂ  新生児
２０１ｃ  新生児
２０２    手首
２０４    ベッド
２０５    新生児室
２１１    生体情報検出センサシステム
２１２    生体情報検出センサ
２１３    アンテナ
２１４    粘着テープ
４０１    基板
４０２    剥離層
４０３    下地膜
４０３ａ  下層下地膜
４０３ｂ  中層下地膜
４０３ｃ  上層下地膜
４０４    島状半導体膜
４０５    島状半導体膜
４０６    島状半導体膜
４０７    ゲート絶縁膜
４０８    ゲート絶縁膜
４０９    ゲート絶縁膜
４１１    チャネル形成領域
４１２    低濃度不純物領域
４１３    ソース領域またはドレイン領域
４２１    チャネル形成領域
４２２    ソース領域またはドレイン領域
４３１    チャネル形成領域
４３２    低濃度不純物領域
４３３    ソース領域またはドレイン領域
４４１    ゲート電極
４４１ａ  下層ゲート電極
４４１ｂ  上層ゲート電極
４４２    ゲート電極
４４２ａ  下層ゲート電極
４４２ｂ  上層ゲート電極
４４３    ゲート電極
４４３ａ  下層ゲート電極
４４３ｂ  上層ゲート電極
４５１    ＴＦＴ
４５２    ＴＦＴ
４５３    ＴＦＴ
４６１    パッシベーション膜
４６２    層間絶縁膜
４６３    層間絶縁膜
４６４    層間絶縁膜
４６５    保護層
４７１    電極又は配線
４７２    電極又は配線
４７３    電極又は配線
４７４    電極又は配線
４７５    電極又は配線
４７７    アンテナ
４８１    開口部
４８２    接着剤
４８３    接着剤
４９１    基板
４９２    カバー材
６０１    基板
６０２    剥離層
６０３    下地膜
６０３ａ  下層下地膜
６０３ｂ  中層下地膜
６０３ｃ  上層下地膜
６１１    ＴＦＴ
６１２    ＴＦＴ
６１３    ＴＦＴ
６２１    島状半導体膜
６２２    島状半導体膜
６２３    島状半導体膜
６３１    チャネル形成領域
６３２    低濃度不純物領域
６３３    ソース領域またはドレイン領域
６３５    シリサイド領域
６４１    チャネル形成領域
６４２    ソース領域またはドレイン領域
６４５    シリサイド領域
６５１    チャネル形成領域
６５２    低濃度不純物領域
６５３    ソース領域またはドレイン領域
６５５    シリサイド領域
６６１    ゲート絶縁膜
６６２    ゲート絶縁膜
６６３    ゲート絶縁膜
６６５    サイドウォール
６６６    サイドウォール
６６７    サイドウォール
６７１    ゲート電極
６７１ａ  下層ゲート電極
６７１ｂ  上層ゲート電極
６７２    ゲート電極
６７２ａ  下層ゲート電極
６７２ｂ  上層ゲート電極
６７３    ゲート電極
６７３ａ  下層ゲート電極
６７３ｂ  上層ゲート電極
６８１    パッシベーション膜
６８２    層間絶縁膜
６８３    層間絶縁膜
６９１    電極又は配線
６９２    電極又は配線
６９３    電極又は配線
６９４    電極又は配線
６９５    電極又は配線
７０１    層間絶縁膜
７０５    アンテナ
７１１    保護層
７１５    開口部
７２１    基板
７２２    接着剤
７２５    カバー材
７２６    接着剤
８００    ＩＤチップ
８０１    集積回路部
８０２    アンテナ
８０３    演算処理回路部
８０４    メモリ部
８０５    通信回路部
８０６    センサ部
８０７    電源回路部
８０８    センサ
８０９    センサ回路
８１０    第１メモリ部
８１１    第２メモリ部
８１２    復調回路
８１３    変調回路
８２０    ＩＤチップ
８２１    集積回路部
８２２    メモリ部
８５０    リングオシレータ
８５１    パルスカウンタ
８５２    センサ駆動部
８５３    検出部
８５４    Ａ／Ｄ変換部
８５５    リセット用ＴＦＴ
８５６    増幅用ＴＦＴ
８５７    バイアス用ＴＦＴ
８５８    増幅側電源線
８５９    バイアス側電源線
８６０    発振回路
８６１    電圧検出回路
８６２    電流検出回路
８６３    変換回路
８６４    変換回路
８６５    位相比較回路
８６６    演算回路
８６７    演算回路
９００    リーダ／ライタモジュール
９０１    アンテナ
９０２    通信回路部
９０３    発振器
９０４    復調回路
９０５    変調回路
９０６    演算処理回路部
９０７    外部インターフェイス部
９０８    暗号化／復号化回路部
９０９    メモリ部
９１０    電源回路部
９５０    基板
９５１    素子形成層
【図１】
2007313299.tif 000007
【図２】
2007313299.tif 000008
【図３】
2007313299.tif 000009
【図４】
2007313299.tif 000010
【図５】
2007313299.tif 000011
【図６】
2007313299.tif 000012
【図７】
2007313299.tif 000013
【図８】
2007313299.tif 000014
【図９】
2007313299.tif 000015
【図１０】
2007313299.tif 000016
【図１１】
2007313299.tif 000017
【図１２】
2007313299.tif 000018
【図１３】
2007313299.tif 000019
【図１４】
2007313299.tif 000020
【図１５】
2007313299.tif 000021
【図１６】
2007313299.tif 000022
【図１７】
2007313299.tif 000023
【図１８】
2007313299.tif 000024
【図１９】
2007313299.tif 000025