(57)【要約】【課題】従来と比較して半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の略長方形の半導体チップ１０が切り出される半導体ウェハ１の裏面を、半導体チップ１０の長手方向に往復する研削板２０の表面に押し当てることにより研削する工程を有する。この半導体装置の製造方法によれば、研削板２０は半導体チップ１の長手方向に往復するため、全ての半導体チップ１０において、裏面に形成される研削痕は、半導体チップ１０の長手方向に沿う方向になる。従って、半導体チップ１０の抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、前記半導体チップの長手方向に往復する研削板の表面に押し当てることにより研削する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、回転する第１の研削板の表面に押し当てることにより研削する工程と、
研削された前記半導体ウェハの裏面を、前記半導体チップの長手方向に往復する第２の研削板の表面に押し当てることにより仕上げ研削する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、回転する第１の研削板の表面に押し当てることにより研削する工程と、
円板形状又は円柱形状である第２の研削板を回転させ、該第２の研削板の側面を前記半導体ウェハの裏面に押し付けつつ、前記第２の研削板を前記半導体チップの長手方向に往復させることにより、前記半導体ウェハの裏面を仕上げ研削する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体チップの縦横比は１．８倍以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
研削後の前記半導体ウェハの厚さは５００μｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
略長方形の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された半導体素子と、
前記半導体基板の裏面に形成された略直線状の研削痕と、
を具備し、
前記半導体基板の長手方向に対する前記研削痕の角度は、０°以上２０°以下である半導体装置。
【請求項７】
複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハと、
前記半導体ウェハの裏面に形成された略直線状の研削痕と、
を具備し、
前記半導体チップの長手方向に対する前記研削痕の角度は、０°以上２０°以下である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、従来と比較して半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器（例えば携帯通信端末）の軽量化が要求されている。このため、表示装置のドライバ等の半導体チップにも軽量化が要求されている。半導体チップを軽量化する方法の一つに、半導体チップが有する半導体基板（例えばシリコン基板）の裏面を研削して、基板を薄くする方法がある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１１８５号公報（図３及び第５段落）
【０００３】
図５は、半導体チップの半導体基板の裏面を研削する従来の方法を説明する為の概略図である。本方法において、半導体チップ１１０は、シリコンウェハ１００から切り出される前に裏面が研削される。シリコンウェハ１００の裏面は、回転式の研削装置に押し付けられることにより研削される。このとき、シリコンウェハ１００の裏面には研削痕１１０ａが形成される。研削痕１１０ａは、半導体基板の裏面の中心から縁に向かって、緩やかな渦巻状に伸びる。
【０００４】
図６は、シリコンウェハ１００から切り出された半導体チップ１１０の裏面の平面図である。上記したように、半導体ウェハの裏面の研削痕は緩やかな渦巻状である。このため、半導体チップ１１０の場所によって研削痕１１０ａの方向が異なり、一部の半導体チップ１１０では研削痕１１０ａが短辺に沿う方向に延伸する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体基板の裏面に形成された研削痕が半導体基板の短辺に沿う方向に延伸する場合、半導体チップの抗折強度が低下する。このため、従来の半導体チップは、研削痕の延伸方向がばらつくことに起因して、抗折強度にばらつきが生じていた。抗折強度が弱い半導体チップが電子機器に実装され、この電子機器に衝撃が加わった場合、半導体チップが割れる可能性が出てくる。従って、半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制する必要がある。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、従来と比較して半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、前記半導体チップの長手方向に往復する研削板の表面に押し当てることにより研削する工程を有する。
【０００８】
この半導体装置の製造方法によれば、前記研削板は前記半導体チップの長手方向に往復するため、全ての前記半導体チップにおいて、裏面に形成される研削痕は前記半導体チップの長手方向に沿う方向になる。従って、半導体チップの抗折強度にばらつきが生じることを抑制できる。
【０００９】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、回転する第１の研削板の表面に押し当てることにより研削する工程と、
研削された前記半導体ウェハの裏面を、前記半導体チップの長手方向に往復する第２の研削板の表面に押し当てることにより仕上げ研削する工程とを具備する。
【００１０】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハの裏面を、回転する第１の研削板の表面に押し当てることにより研削する工程と、
円板形状又は円柱形状である第２の研削板を回転させ、該第２の研削板の側面を前記半導体ウェハの裏面に押し付けつつ、前記第２の研削板を前記半導体チップの長手方向に往復させることにより、前記半導体ウェハの裏面を仕上げ研削する工程とを具備する。
【００１１】
上記した半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの縦横比は１．８倍以上であってもよい。また、研削後の前記半導体ウェハの厚さは５００μｍ以下であってもよい。
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、略長方形の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された半導体素子と、
前記半導体基板の裏面に形成された略直線状の研削痕と、
を具備し、
前記半導体基板の長手方向に対する前記研削痕の角度は、０°以上２０°以下である。
【００１３】
本発明に係る他の半導体装置は、複数の略長方形の半導体チップが切り出される半導体ウェハと、
前記半導体ウェハの裏面に形成された略直線状の研削痕と、
を具備し、
前記半導体チップの長手方向に対する前記研削痕の角度は、０°以上２０°以下である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の側面図である。本実施形態は、シリコンウェハ１の裏面を研削することによりシリコンウェハ１を薄くするものである。シリコンウェハ１を薄くすることにより、シリコンウェハ１から切り出される半導体チップ１０は軽量化する。
【００１５】
半導体チップ１０は、例えば表示装置のドライバであり、表面に複数の半導体素子、配線、及びパッド等の外部接続端子（以下、半導体素子等と記載）を有している。半導体素子等は、シリコンウェハ１の裏面が研削される前にシリコンウェハ１の表面に形成される。
【００１６】
半導体素子等が形成された後、シリコンウェハ１の裏面は、往復式の研削装置の研削板２０の表面に押し付けられることにより研削される。このとき、研削板２０の往復方向が、半導体チップ１０の長手方向に対して０°以上２０°以下、望ましくは略０°になるようにする。これにより、シリコンウェハ１は薄くなり、かつ裏面に略直線状の研削痕が形成される。
【００１７】
研削後のシリコンウェハ１の厚さは、例えば５００μｍ以下である。裏面が研削されたシリコンウェハ１からは、複数の半導体チップ１０が切り出される。半導体チップ１０は長方形であり、縦横比が例えば１．８倍以上である。
【００１８】
図２は、半導体チップ１０の裏面を示す平面図である。上記したように、図１に示した研削板２０の往復方向が、半導体チップ１０の長手方向に対して０°以上２０°以下であるため、すべての半導体チップ１０において研削痕１０ａの延伸方向が、半導体チップ１０の長手方向に対して０°以上２０°以下になる。
その後、半導体チップ１０は携帯通信端末等の電子機器に実装される。
【００１９】
このように、本発明の第１の実施形態によれば、すべての半導体チップ１０において、裏面に形成された研削痕１０ａの延伸方向が、半導体チップ１０の長手方向に対して０°以上２０°以下になる。従って、半導体チップ１０の抗折強度のばらつきが抑制され、抗折強度が弱い半導体チップ１０が製造されることを抑制できる。
また、裏面を仕上げ研磨して鏡面状態にしても同様の効果を得ることができるが、この場合と比較して、コストが低くなる。
【００２０】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為のフローチャートである。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、シリコンウェハ１の裏面の研削方法を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。以下、裏面研削方法を除いて説明を省略する。
【００２１】
シリコンウェハ１の裏面は、回転している研削板の表面に押し付けられることにより研削される（Ｓ１０）。この研削後の状態において、シリコンウェハ１の裏面に形成された研削痕は、緩やかな渦巻状である。
【００２２】
その後、シリコンウェハ１の裏面は、往復している研削板の表面に押し付けられることにより、仕上げ研削される（Ｓ２０）。仕上げ研削は、第１の実施形態に示した研削と同様の方法により行われる。この研削工程により、渦巻状の研削痕がなくなり、代わりに略直線状の研削痕が形成される。この研削痕の延伸方向は、第１の実施形態と同様に、半導体チップの長手方向に対して０°以上２０°以下である。尚、仕上げ研削は渦巻状の研削痕がなくなる程度の研削でよい。
従って、本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２３】
図４は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の側面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、シリコンウェハ１の裏面の仕上げ研削方法（図４のＳ２０）を除いて、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。以下、仕上げ研削方法を除いて説明を省略する。
【００２４】
本実施形態において、仕上げ研削に用いられる研削板２２は円板形状又は円柱形状であり、回転している。そして、研削板２２の側面が押し付けられることにより、シリコンウェハ１の裏面が仕上げ研削される。研削板２２は、研削中にジグザクに往復移動することにより、シリコンウェハ１の裏面全面を仕上げ研削するが、その往復方向は、半導体チップの長手方向に対して０°超２０°以下である。
従って、本実施形態によっても第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば第１の実施形態において、第３の実施形態の仕上げ研削工程で用いた研削方法を用いてシリコンウェハ１の裏面を研削してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図。
【図２】半導体チップ１０の裏面を示す平面図。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為のフローチャート。
【図４】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の側面図。
【図５】半導体チップの半導体基板の裏面を研削する従来の方法を説明する為の概略図。
【図６】シリコンウェハ１００から切り出された半導体チップ１１０の裏面の平面図。
【符号の説明】
【００２７】
１，１００…シリコンウェハ、１０，１１０…半導体チップ、１０ａ，１１０ａ…研削痕、２０，２２…研削板
【図１】
2007180097.tif 000003
【図２】
2007180097.tif 000004
【図３】
2007180097.tif 000005
【図４】
2007180097.tif 000006
【図５】
2007180097.tif 000007
【図６】
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