(57)【要約】【課題】積層構造の多層配線基板の表面に配置された複数の配線層の高さを揃えるのに好適な多層配線基板用基材、多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】多層配線基板用基材１乃至４は、フィルム状の熱可塑性絶縁樹脂層Ｘと、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ上に形成された回路配線層１１ａ乃至１１ｃ等と、前記熱可塑性絶縁樹脂層を貫通し、前記回路配線層１１ａ乃至１１ｃ等に達するように形成された貫通孔ＶＨ１と、前記貫通孔内ＶＨ１に充填され前記回路配線層に電気的に接続された層間導電部材２１ａ乃至２１ｃ等とを有する。また、複数の多層配線基板用基材を積層して構成された多層配線基板は、前記複数の基板用基材のうち少なくとも一つが前記回路配線層に重なる熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを有する多層配線基板用基材からなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状の熱可塑性絶縁樹脂層と、前記熱可塑性絶縁樹脂層上に形成された回路配線層と、前記熱可塑性絶縁樹脂層を貫通し、前記回路配線層に達するように形成された貫通孔と、前記貫通孔内に充填され前記回路配線層に電気的に接続された層間導電部材とを備えていることを特徴とする多層配線基板用基材。
【請求項２】
表面に回路配線層が形成された絶縁材料層を有する複数の多層配線基板用基材を積層して形成された積層体と、前記積層体の厚さ方向に相対する位置関係にある回路配線層相互を電気的に層間接続するために前記絶縁材料層に設けられた貫通孔及び前記貫通孔に充填された層間導電部材とを備え、前記複数の多層配線基板用基材の少なくとも一つは、その絶縁材料層が熱可塑性絶縁樹脂層を用いて構成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
前記多層配線基板用基材上に設けられた回路配線層の少なくとも一部が前記熱可塑性絶縁樹脂層に埋め込まれていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項２または請求項３の多層配線基板を製造する方法であって、前記複数の多層配線基板用基材を重ね合わせ配置する工程と、前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より低い温度でラミネートされた積層体を形成する工程と、平坦なプレス面を有するプレス工具により前記積層体の両面を挟み、前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より高い温度で加熱プレスする工程とを備えていることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路配線基板の分野に係り、特に表面実装密度の向上に好適な多層配線基板用基材、多層配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化、半導体チップなどの素子部品及び端子配列の狭ピッチ化等の要求に伴って、回路配線基板（プリント基板）も部品実装面積の精細化が進んでいる。同時に情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して、部品間を連結する配線の短縮化が求められ、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層（積層）化は必要不可欠となっていて、この要求に応えやすい多層配線基板の利用が増加している。
【０００３】
このような多層配線基板にあっては、多層配線層相互間に層間導電路が多数設けられていて、この層間導電路は、一般に、表側に回路配線層が設けられた絶縁基板に、その裏側からバイアホール（貫通孔）を設け、その貫通孔内面に導電メッキを施す方法或いはその貫通孔内に導電ペーストを充填する方法などによって形成される。
【０００４】
そして前記導電ペースト充填方法による層間導電路形成の方が、導電ペーストを貫通孔に作業性良く高速度で充填でき、前記メッキ法よりも生産性が著しく高く、多層配線基板の高密度化、回路パターンの微細化、積層数の増加などの要求に対応し易いために、前記導電ペースト充填方法の採用が増加している。
【０００５】
次に、前記導電ペースト充填方法によって層間導電路が形成される多層配線基板用基材及び多層配線基板の従来技術の一例を図４を参照して説明する。
【０００６】
図４（ａ）に示された多層配線基板用基材４１にあっては、平板状の絶縁性樹脂層Ａの一方の面に回路パターン化された配線層５１ａが設けられ、前記絶縁性樹脂層Ａの他方の面に全体的にフィルム状接着層Ｂが貼着されている。前記絶縁性樹脂層Ａの材料としては、一般に、ガラス転移温度Ｔｇを持たないもの、例えば非熱可塑性ポリイミドが使用されている。
【０００７】
前記絶縁性樹脂層Ａ及び接着層Ｂを貫通して配線層５１ａの内面に達するバイアホール（貫通孔）ＶＨが形成され、前記貫通孔ＶＨの内部には導電ペースト（導電性樹脂組成物）を充填することによって層間導電部材６１ａが設けられている。
【０００８】
前記層間導電部材６１ａの一端部は前記フィルム状接着層Ｂの露出表面から突出する突出部６１ｐを有している。前記多層配線基板用基材４１の全体構造は、例えば図４（ｂ）に示すように、前記配線層５１ａと同様な構造の配線層５１ｂ、５１ｃ、前記層間導電部材６１ａと同様な構造の層間導電部材６１ｂ、６１ｃを有する構成とされている。
【０００９】
図４（ｂ）に示す従来の多層配線基板は、前記多層配線基板用基材４１に、これと同様に形成された他の多層配線基板用基材４２乃至４４を重ね合わせ積層して形成される。これらの基板用基材の積層の際に、一基板用基材の層間導電部材の突出部６１ｐとこれに対向される他の基板用基材の配線層の部分との位置合わせを行い、これらの積層体の両面から加熱プレスを加えることによって一体化した多層配線基板が形成される。
【００１０】
前記加熱プレスにおいて、前記多層配線基板用基材４１の層間導電部材６１ａ、６１ｂ、６１ｃは、それらの各突出部６１ｐを下層の多層配線基板用基材４２の各配線層５２ａ、５２ｂ、５２ｃに突き合わせて押し潰されて機械的かつ電気的に強固に導通接触される。このような強固な導通接触を得るために、前記突出部６１ｐは重要な機能を果たしている。
【００１１】
また、図４（ｂ）中の左右両側に位置する層間導電部材６１ａ〜６３ａや６１ｂ〜６３ｂのように複数の層間導電部材が重なるスタック状態の部分、中央に位置する層間導電部材６１ｃのように単一で非スタック状態の部分或いは重なり（スタック）数が異なるスタック状態が存在する（このような従来技術は一例として特許文献１に開示されている）。
【特許文献１】特開２００２−２６５２２号特許公開公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、前記多層配線基板の一体化は、一般に、複数の多層配線基板用基材の積層配置状態に対してプレス機の加熱板との間にフィルム状のクッション材を挟んで加熱プレスすることによって行われる。また、前記従来の基板用基材に使用される前記突出部を有する各層間導電部材（導電ペースト）は前記接着層よりも硬度が大きく、前記接着層は特に加熱時に流動し易い。
【００１３】
そのために、前記加熱プレス時に、前記積層体に内部歪み及び前記接着層の流動などが生じ、積層体全体は、図４（ｂ）に示すように、前記層間導電部材の非スタック状態やスタック数の少ない状態にある位置での厚さがその周囲よりも薄くなるような変形を起こし易い。
【００１４】
従って、前記多層配線基板用基材４１の前記非スタック状態の層間導電部材６１ｃの位置における上表面がその周囲よりも沈んで平坦性が損なわれ、前記層間導電部材６１ｃに接続された配線層５１ｃと他の配線層５１ａ、５１ｂとの間に高低差ｈが生じる。
【００１５】
この高低差ｈは、前記多層配線基板の各配線層に電子部品を例えば自動化実装する際に、低い位置にあるパッドとしての前記配線層５１ｃへのはんだ付着が不充分となったり、はんだ付着ができなかったりするなどの電気的接続の信頼性を低下させるという問題点がある。
【００１６】
本発明は、前記従来の問題点を解決するもので、積層して一体化された構造の多層配線基板の表面に配置された複数の配線層の部分の高さを揃えるのに好適な多層配線基板用基材、多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に記載の本発明の多層配線基板用基材は、フィルム状の熱可塑性絶縁樹脂層と、前記熱可塑性絶縁樹脂層上に形成された回路配線層と、前記熱可塑性絶縁樹脂層を貫通し、前記回路配線層に達するように形成された貫通孔と、前記貫通孔内に充填され前記回路配線層に電気的に接続された層間導電部材とを備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項２に記載の本発明の多層配線基板は、表面に回路配線層が形成された絶縁材料層を有する複数の多層配線基板用基材を積層して形成された積層体と、前記積層体の厚さ方向に相対する位置関係にある回路配線層相互を電気的に層間接続するために前記絶縁材料層に設けられた貫通孔及び前記貫通孔に充填された層間導電部材とを備え、前記複数の多層配線基板用基材の少なくとも一つは、その絶縁材料層が熱可塑性絶縁樹脂層を用いて構成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項３に記載の本発明は、請求項２に記載の多層配線基板において、前記多層配線基板用基材上に設けられた回路配線層の少なくとも一部が前記熱可塑性絶縁樹脂層に埋め込まれていることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項４に記載の本発明は請求項２または請求項３の多層配線基板を製造する方法であって、前記複数の多層配線基板用基材を重ね合わせ配置する工程と、前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より低い温度でラミネートされた積層体を形成する工程と、平坦なプレス面を有するプレス工具により前記積層体の両面を挟み、前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より高い温度で加熱プレスする工程とを備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、層間導電路形成のために絶縁材料層に形成された貫通孔及びこの貫通孔内に充填された層間導電部材を有するタイプの多層配線基板に使用される多層配線基板用基材が前記絶縁材料層としての熱可塑性絶縁樹脂層上に回路配線層を設けた構成とされている。そのために、複数の多層配線基板用基材を積層して一体化された多層配線基板を形成する際、その基材が変形し各配線層の部分相互に高低差が生じても、少なくとも高位置にある配線層の部分を前記熱可塑性絶縁樹脂層に埋め込むことが可能である。そして、多層配線基板の完成構造としては、その表面の各配線層の部分を相互に均一な高さに揃えることができる。その結果、多層配線基板への電子部品の実装時の電気的接続の信頼性が向上する。
【００２２】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より低い温度でラミネートされた積層体を形成することにより、多層配線基板基材の変形を抑制できる。また、平坦なプレス面を有するプレス工具により前記熱可塑性絶縁樹脂層のガラス転移温度より高い温度で加熱プレスすることにより、少なくとも高位置にある配線層の部分を前記熱可塑性絶縁樹脂層に埋め込み、各配線層の部分を相互に均一な高さに揃えることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の多層配線基板基材及びその製造方法の一実施形態を図１を参照して説明する。図１（ａ）乃至図１（ｄ）は本実施形態における多層配線基板基材の製造工程を示し、図１（ｄ）はその多層配線基板基材の構造を示す一主要部の断面図である。
【００２４】
（実施例１）：
図１（ａ）に示すように、絶縁材料層としてのフィルム状の熱可塑性絶縁樹脂層Ｘは、例えばガラス転移温度Ｔｇが約２５０℃で、厚さ２５μｍのフレキシブルな熱可塑性ポリイミド或いは液晶ポリマー製の樹脂フィルムが用いられている。前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの一方の面（下面）にラミネートされた厚さ１０μｍの銅箔製の導電層に、例えば塩化鉄を用いた銅エッチング法による回路パターニングを施して、回路配線層１１ａを形成する。即ち、基板素材として前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの片面に銅箔をラミネートした片面ＣＣＬを使用している。
【００２５】
次に、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの他方の面（上面）には、フィルム状の厚さ２５μｍの絶縁性の熱硬化性樹脂接着層Ｙが１００℃の温度で３０秒間の温度条件下で、熱ラミネートして一体化される。前記熱硬化性樹脂接着層Ｙには例えばエポキシ樹脂及びアクリル系エラスマー製の接着シートが使用される。更に、前記熱硬化性樹脂接着層Ｙの上面には、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂製のカバーフィルム層Ｃが１００℃の温度で３０秒間の温度条件下で、熱ラミネートして一体化される。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、前記カバーフィルム層Ｃの上面側から、回路配線層１１側に向けて波長３５５ｎｍのＵＶ−ＹＡＧレーザービームを照射し、熱ラミネートされた前記カバーフィルム層Ｃ、熱硬化性樹脂接着層Ｙ及び熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを貫通し、前記回路配線層１１ａの一部内面に達する貫通孔（バイアホール）ＶＨ１を形成する。
【００２７】
前記貫通孔ＶＨ１は、前記各樹脂層Ｃ、Ｙ、Ｘを貫通する部分の内径が直径１００μｍの円筒状に形成され、前記回路配線層１１ａの中央部には、直径３０μｍの円形状の小孔１１ｈが形成され、前記回路配線層１１ａの一部内面は前記貫通孔ＶＨ１内に露出される。ここで、前記レーザービームの強度分布を、前記貫通孔ＶＨ１の直径相当に絞られビーム中心で特に尖鋭となるような凸状となるように調整しておけば、１回のビーム照射で前記貫通孔ＶＨ１及び小孔１１ｈを同時に簡単に形成することができる。
【００２８】
次に、例えば銅粒子製の導電材料フィラーを例えばエポキシ樹脂製のバインダーに混ぜ合わせた導電ペースト（導電性樹脂組成物）材料２１を前記カバーフィルム層Ｃ上に供給配置する。そこで、減圧下で前記小孔１１ｈから貫通孔ＶＨ１内の空気を吸引、即ち空気抜きしながら、スクリーン印刷機の印刷スキージＳによって、前記導電ペースト材料２１を前記貫通孔ＶＨ１及び小孔１１ｈ内に充填する。前記小孔１１ｈは、導電ペーストの充填が円滑に行われれるように設けたものであり、小孔１１ｈの形成を省略することもある。
【００２９】
その結果、図１（ｃ）に示すように、前記導電ペースト材料２１の充填形状通りのバイアホールタイプの層間導電部材２１ａが形成される。このとき、層間導電部材２１ａの上端面は、前記ペースト材料のスキージングにより、前記カバーフィルム層Ｃの上表面のレベルと丁度一致する程度の状態に形成される。そして、必要に応じて、この段階で、前記導電ペースト２１ａは、所定の温度で半硬化或いは仮硬化される。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、前記カバーフィルム層Ｃを剥離することによって、層間導電部材２１ａは、その上端が前記熱硬化性樹脂接着層Ｙの表面から突出する突出部２１ｐを有するように形成され、完成した多層配線基板用基材１の構造が得られる。この突出部２１ｐの高さが前記カバーフィルム層Ｃの厚さにより定まるので、前記カバーフィルム層Ｃは突出部２１ｐの高さ調整やパターンマスクフィルムとして利用される。
【００３１】
図１においては、前記多層配線基板用基材１は、一層間導電部材２１ａの周辺部分のみを代表して部分的に説明されているが、その全体構造では、図２に示されているように、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの表面の所望の位置に回路パターンを施した回路配線層の部分１１ａ、１１ｂ、１１ｃが形成されている。図２には、前記部分１１ａ、１１ｂが左右位置に、部分１１ｃが中央位置となるように配置された状態が示されている。前記回路配線層の部分１１ａ、１１ｂ、１１ｃに対応する各位置には、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ及び熱硬化性樹脂接着層Ｙを貫通する各貫通孔ＶＨ１が形成され、それぞれに対応して各層間導電部材２１ａ、２１ｂ、２１ｃが設けられている。なお、これまでの工程では、前記熱硬化性樹脂接着層Ｙは未硬化状態にある。
【００３２】
次に、前記多層配線基板用基材１を含む複数の多層配線基板用基材を用いて構成した多層配線基板及びその製造方法の一実施形態を、図２を参照して説明する。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示すように、第１の前記多層配線基板用基材１の下側には、第２乃至第４の多層配線基板用基材２、３、４を順次重ね合わせるように配置する。ここでは、前記第１乃至第３の多層配線基板用基材１、２、３は、それらの絶縁性の基材が、いずれも相互にラミネートされた熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ及び熱硬化性接着層Ｙで構成されている。最下層位置の前記第４多層配線基板用基材４の絶縁性の基材は、接着層Ｙを不要とし、貫通孔及び層間導電部材のない熱可塑性絶縁樹脂層Ｘで構成されている。
【００３４】
また、前記第２多層配線基板用基材２は、前記第１基板基材１の各配線層部分１１ａ、１１ｂ、１１ｃにそれぞれ対応する複数の配線層部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃを有し、その内の２つの前記配線層部分１２ａ、１２ｂにそれぞれ接続された各層間導電部材２２ａ、２２ｂ並びに各貫通孔（図中参照符号省略）が設けられている。前記配線層部分１２ｃに対応する位置には貫通孔及び層間導電部材は設けられていない。
【００３５】
前記第３基板基材３は、前記第２基板基材２の各配線層部分１２ａ、１２ｂに対応する配線層部分１３ａ、１３ｂ及び層間導電部材２３ａ、２３ｂ並びに各貫通孔を有し、前記第４基板用基材４は同様に対応する配線層部分１４ａ、１４ｂを有する。
【００３６】
従って、前記第１乃至第４基板用基材１乃至４の重ね合わせ配置において、図２中の左右両側に位置する層間導電部材２１ａ〜２３ａや２１ｂ〜２３ｂのように複数の層間導電部材が厚さ方向に重なるスタック（ビア・オン・ビア）状態の部分、中央に位置する層間導電部材２１ｃのように単一で非スタック状態の部分が存在する。また、図示されてないが、層間導電部材の重なり（スタック）数が異なるスタック状態が存在することもある。
【００３７】
即ち、一多層配線基板用基材は、他の多層配線基板用基材の層間導電部材に対して厚さ方向に重なる位置の層間導電部材及び重ならない位置の層間導電部材を有し、多層配線基板全体の厚さ方向での層間導電部材の重なり数（含む０；非スタック状態）が異なる状態にある。
【００３８】
前述のように各配線層部分及び各層間導電部材の相互の位置合わせをして、前記第１乃至第４多層配線基板用基材１乃至４を重ね合わせ配置する。そして、図２（ｂ）に示すように、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘのガラス転移温度より低い温度条件下で、フィルム状のクッション材を介してプレス機の加熱板によって加熱プレスして一括積層を行うことによって、ラミネートされた前記基板用基材１乃至４の積層体（第１段階の多層配線基板構造）を形成する。
【００３９】
このラミネートは、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘのガラス転移温度より低い１２０℃乃至１８０℃の温度で、必要に応じて減圧環境のもとに、４ＭＰａのプレス圧で１時間程度のプレスによって行われる。前記温度条件は前記熱硬化性接着層Ｙの熱硬化温度より高くされており、前記第１乃至第４基板用基材１乃至４は、このラミネート時に熱硬化する接着層Ｙによって強固に相互接着され、積層して一体化された前記第１段階の多層配線基板が得られる。
【００４０】
また、前記各層間導電部材の各突出端２１ｐ、２２ｐ等は、前記加熱プレスによって圧縮や押し潰しを受けつつ、対応する各回路配線層１２ａ乃至１４ｂに機械的及び電気的に強固に押し付け或いは突き刺され、複数の配線層に対して接触抵抗を低下させるように密着して導通性及び信頼性の高い接続状態を有する層間導電路を形成させることができる。
【００４１】
更に、前記ラミネート時の温度条件を前記熱硬化性接着層Ｙが流動を起こし難いように設定するなど、前記各基板用基材１〜４の変形をできるだけ抑制するように調整する。しかしながら、それでもなお、前記接着層よりも大きな各層間導電部材（導電ペースト）の硬度、前記接着層の流動性、前記層間導電部材の非スタック状態やスタック数の異なる状態等により、一体化された前記多層配線基板に変形が生じ、図２（ｂ）に示されているような、配線層１１ａ、１１ｂと他の配線層１１ｃとの間に高低差ｈ１が生じることがある。
【００４２】
そこで、図２（ｃ）に示すように、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘのガラス転移温度Ｔｇよりも高い２６０℃の温度で、前記第１段階の多層配線基板をその上下両面から第１及び第２プレス工具Ｐ１、Ｐ２によって挟む方向に加熱プレスを行う。前記プレス工具Ｐ１、Ｐ２は、各プレス面がいずれも直平面で平滑な面を有する鏡面板で構成されていて、その加圧力は４ＭＰａ、加圧時間は１０分とされている。
【００４３】
前記加熱プレス時に各熱可塑性絶縁樹脂層は熱軟化状態にあり、層間導電部材のスタック状態の位置にある配線層の部分１１ａ〜１４ａ、１１ｂ〜１４ｂは、押し下げられて、各基板基材１〜４の前記各熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの表面に埋め込まれる。このようにして、多層配線基板の上表面の前記各配線層１１ａ乃至１１ｃはその上表面が相互に均一な高さに揃えられ、相互に前記高低差ｈ１が無くなり或いは僅少となり、平坦性をもって配置された各配線層を有する第２段階の多層配線基板が形成される。
【００４４】
このとき、非スタック状態の位置にある前記配線層の部分１１ｃは、図示のように熱可塑性絶縁樹脂層Ｘに埋め込まれていないが、これら各配線層部分１１ａ、１１ｂ、１１ｃの高さを確実に揃えるために、前記配線層部分１１ｃも前記各熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの表面に埋め込まれるように前記プレスを進行させてもよい。そして、各配線層相互の高さをできるだけ揃えるためには、少なくとも層間導電層の重なり数（含む０；非スタック）が最も多く、高い位置にある配線層部分を各熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの表面に埋め込めばよい。
【００４５】
ここで、従来技術と比較すると、前記従来技術における複数の配線層相互間の高低差ｈ（図４（ｂ）参照）は、多層配線基板基材６枚を重ねた６層基板で、最大４０μｍにも及んでいたが、この実施例に係る本発明の前記第２段階の多層配線基板における配線層相互間の高低差は、同じく６層基板で、１０μｍ以内に押さえることができた。
【００４６】
このように複数の配線層相互が平坦化されたために、前記多層配線基板の各配線層に電子部品を例えば自動化実装する際に、各配線層に対する電子部品の供給配置が円滑となり、パッドとしての前記各配線層へのはんだ付着が充分に所望の均一性をもって行われ、電気的接続の信頼性が向上する。
【００４７】
ところで、前記実施例１における多層配線基板を構成する第１乃至第４多層配線基板基材１乃至４は、いずれも配線層に接する熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを有するものとされているが、前記基板基材１乃至４のうちで少なくとも一つが熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを有するもので構成されていればよい。例えば、配線層に接する熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを有する多層配線基板基材は、前記第４の基板基材４のみとし、第１乃至第３の基板基材１乃至３は、前記従来技術に示したようなガラス転移温度Ｔｇをもたない非熱可塑性ポリイミドなどの絶縁性樹脂層Ａを有するものであってもよい。
【００４８】
（実施例２）：
次に、多層配線基板用基材及びこれを用いて構成した多層配線基板の他の実施形態について図３を参照して説明する。ここでは、前記実施例１及び図１及び図２に示した部材と同等の部材には同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
まず、図３（ａ）に示された多層配線基板基材１ａは、回路配線層１１ａに接する熱可塑性絶縁樹脂層Ｘと熱硬化性樹脂接着層Ｙとの間に熱ラミネートされた別の絶縁材料層としての非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚを有する。前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘは、実施例１同様に例えばガラス転移温度Ｔｇが約２５０℃の熱可塑性ポリイミド或いは液晶ポリマーの樹脂フィルムで構成され、その厚さは１０μｍとされている。前記非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚはガラス転移温度Ｔｇを有しない非熱可塑性ポリイミドの樹脂フィルムで構成され、その厚さは１０μｍとされている。
【００５０】
即ち、相互に熱ラミネートされた前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ及び前記非熱可塑性樹脂層Ｚによる絶縁性の２層構造は、その合計層厚が２０μｍで、前記実施例１に示された層厚２５μｍの熱可塑性絶縁樹脂層Ｘと置換して使用されるものとみることもできる
従って、相互に熱ラミネートされた前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ及び前記非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚによる絶縁性の２層構造を有する多層配線基板用基材１ａは、前記実施例１の熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの代わりに前記２層構造体を置き換えるだけで、図１に示された実施例１の多層配線基板用基材１の製造方法と同様の方法で製造できる。
【００５１】
なお、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘは、前記非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚの表面上に、例えば塗布法によってフィルム状に形成してもよい。
【００５２】
また、本実施例の多層配線基板は、図３（ｂ）（実施例１の図２（ｃ）に対応）に示すように、前記実施例１の第１乃至第４の多層配線基板用基材１乃至４にそれぞれ対応する第１乃至第４の多層配線基板用基材１ａ乃至４ａの積層体で構成されている。そして、本実施例の多層配線基板の構造及びその製造方法は、前記２層構造が実施例１の熱可塑性絶縁樹脂層Ｘに置換されている以外は、例えば回路配線層１１ａ〜１１ｃ、１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂのパターン形状、層間導電部材２１ａ〜２３ａ、２１ｂ〜２３ｂ、２１ｃの配置関係などを含め前記実施例１と同等または同様である。
【００５３】
本実施例２によれば、前記実施例１と同様な作用効果が得られる。更に、回路配線層に接する前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘは、この絶縁樹脂層Ｘよりも適度に高い剛性、曲げ強度、引っ張り強度などの力学特性をもつ前記非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚによって裏張りされているために、回路パターニング中に撓みなどの変形が抑えられ、パターニングの作業性及び精度が高められる。また、加熱プレスに伴う配線パターン寸法のバラツキ及び貫通孔周辺への過度の応力集中などが抑制される。そして、前述のように前記絶縁性の２層構造の合計層厚は２０μｍで、前記実施例１の熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの層厚よりも薄くでき、多層配線基板用基材及び多層配線基板の厚さを前記実施例１のそれよりも薄型化することができる。
【００５４】
前記各実施例における熱可塑性樹脂層Ｘは、熱可塑性ポリイミドや液晶ポリマーに限らず、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）から適宜選択した樹脂材料を用いても、前記同様の効果が得られる。
【００５５】
なお、前記各実施例において、第１段階の多層配線基板の形成に当たっての加熱プレスは、全多層配線基板用基材を一括積層して行われたが、複数の多層配線基板用基材を一枚ずつ順次積層／プレスの繰り返しによって所望数の積層構造を得ることもできる。
【００５６】
更に各実施例の第４多層配線基板用基材４、４ａには片面ＣＣＬタイプの基材が使用されているが、両面に配線層を形成できる両面ＣＣＬを用いてもよい。両面ＣＣＬ使用の場合の前記第４基板用基材４、４ａは、両面配線層間の層間導電路を形成するために、前述のような貫通孔及び導電ペーストの充填による層間導電部材を設けてもよく、また、この層間導電部材はメッキによって形成されていてもよい。
【００５７】
ところで、前記熱硬化性樹脂接着層Ｙは、熱硬化性樹脂接着材の単一材料に限らず、絶縁性樹脂繊維シートに熱硬化性樹脂接着材を含浸させて絶縁基板としての機能と接着性とを兼ね備えた材料で構成してもよい。また、一方の面に回路配線層が形成される前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘの他方の面に、必要に応じて２層以上の多層に絶縁材料層を積層してもよい。
【００５８】
このように、前記多層配線基板用基材の絶縁材料層は種々の形態をとることがあり、その際、これらの絶縁材料層に関連して絶縁基材という用語を用いることがある。この場合、絶縁基材は、前記熱可塑性絶縁樹脂層Ｘ、熱硬化性樹脂接着層Ｙ、前記非熱可塑性絶縁樹脂層Ｚ、これら以外の前記他の絶縁材料層のいずれか一つを特定した対象とするも、これら各を絶縁材料層を適宜選択して組み合わせたものを対象とするも自由である。即ち、本発明の多層配線基板用基材は、回路配線層が形成される熱可塑性絶縁樹脂層Ｘを有するものであり、絶縁基材の対象の特定の仕方は自由である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例１に係る多層配線基板用基材の構造及び製造方法を説明するための図であり、（ａ）乃至（ｄ）は工程別の断面図、（ｄ）は前記多層配線基板基材の構造を示す一主要部の断面図ある。
【図２】本発明の実施例１に係る多層配線基板の構造及び製造方法を説明するための図であり、（ａ）乃至（ｃ）は工程別の断面図、（ｄ）は前記多層配線基板の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例２に係る多層配線基板用基材及び多層配線基板を示す図であり、（ａ）は多層配線基板用基材の要部拡大断面図、（ｂ）は多層配線基板の断面図である。
【図４】従来技術における多層配線基板用基材及び多層配線基板を示す図であり、（ａ）は多層配線基板用基材の要部拡大断面図、（ｂ）は多層配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１〜４、１ａ〜４ａ    多層配線基板用基材
１１ａ〜１１ｃ、１２ａ〜１２ｃ、１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ    回路配線層
１１ｈ    回路配線層の小孔
２１ａ〜２１ｃ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ    層間導電部材
２１ｐ    層間導電部材の突出部
Ｃ    カバーフィルム
ＶＨ１    貫通孔（バイアホール）
Ｘ    熱可塑性絶縁樹脂層
Ｙ    熱硬化樹脂接着層
Ｚ    非熱可塑性絶縁樹脂層
ｈ１    回路配線層相互間の高低差
【図１】
2007129017.tif 000003
【図２】
2007129017.tif 000004
【図３】
2007129017.tif 000005
【図４】
2007129017.tif 000006