(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子における発光波長の短波長化および高輝度化を図ることができる新規なドーパント材料、ならびに当該材料を用いた有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】下記一般式で表されるピリドン誘導体、ならびに、有機電界発光素子。2007302562.tif 000012（Ｒ1はアリール基またはＮ原子を有さない複素環基を、Ｒ2はアリール基、Ｎ原子を有さない複素環基、またはアルコキシカルボニル基を、Ｒ3はアリール基、Ｎ原子を有さない複素環基、またはアルキル基を、Ｒ4は水素原子、アルキル基、アリール基、水酸基、アミノ基を表す。）【選択図】図１
2007302562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光素子におけるドーパント材料用である、下記一般式で表されるピリドン誘導体。
【化１】
2007302562.tif 000011
（式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基を表し、Ｒ2は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数５以下のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ3は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒ4は、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の１つ以上が４−クロロフェニル基または４−ブロモフェニル基である、請求項１に記載のピリドン誘導体。
【請求項３】
Ｒ4が炭素数１〜５のアルキル基である、請求項２に記載のピリドン誘導体。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がフェニル基であり、Ｒ4が炭素数１〜４のアルキル基である、請求項１に記載のピリドン誘導体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のピリドン誘導体を、発光層におけるドーパント材料として用いた有機電界発光素子。
【請求項６】
前記発光層が、ホスト材料として、カルバゾール系化合物および／またはオキサジアゾール系化合物を含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な用途である有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「ＥＬ素子」という）におけるドーパント材料用としてのピリドン誘導体、ならびに、当該ピリドン誘導体をドーパント材料として用いたＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ素子は自己発光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高く、さらには薄膜型の完全固体素子であるために省スペースなどの観点から注目され、実用化研究が実施されており、一部製品化も行われている。
【０００３】
発光材料は、通常、ホスト材料を有し、ドーパント材料の有無により大きく２つに分けられる。ここで、ホスト材料は、それ自身は発光能力は低いが、成膜性が高く、発光能力の高い他のものを混合して用いる材料であり、ドーパント材料はそれ自身は発光能力は高いが単独では成膜できない発光材料である。ドーパント材料としては、従来、蛍光材料（たとえば、特開２００４−２６５６２３号公報（特許文献１））もしくはリン光材料（特開２００５−２０３２９３号公報（特許文献２））が一般的に知られている。これまでリン光材料では、青色発光をするものが知られている（特開２００５−２９７８５号公報（特許文献３））が、蛍光材料で青色発光するものは少なく、新規な材料の開発が待たれている。
【特許文献１】特開２００４−２６５６２３号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３２９３号公報
【特許文献３】特開２００５−２９７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、有機ＥＬ素子における発光波長の短波長化および高輝度化を図ることができる新規なドーパント材料、ならびに当該材料を用いた有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、置換基の種類・位置を最適化したピリドン誘導体を、有機ＥＬ素子における発光層のドーパント材料として用いることで、当該素子の発光波長の短波長化および高輝度化を図ることができることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明は以下のとおりである。
【０００６】
本発明は、有機電界発光素子におけるドーパント材料用である、下記一般式で表されるピリドン誘導体である。
【０００７】
【化１】
2007302562.tif 000003
【０００８】
（式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基を表し、Ｒ2は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数５以下のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ3は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数４以下のアルキル基を表し、Ｒ4は、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基を表す。）
本発明のピリドン誘導体は、以下の（１）または（２）であることが好ましい。
【０００９】
（１）一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の１つ以上が４−クロロフェニル基または４−ブロモフェニル基である（より好ましくは、Ｒ4が炭素数１〜５のアルキル基である）、
（２）一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がフェニル基であり、Ｒ4が炭素数１〜４のアルキル基である。
【００１０】
本発明はまた、上述した本発明のピリドン誘導体を、発光層におけるドーパント材料として用いた有機ＥＬ素子も提供する。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子において、前記発光層が、ホスト材料として、カルバゾール系化合物および／またはオキサゾール系化合物を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、最適な構造を有するピリドン誘導体を、有機ＥＬ素子の発光層におけるドーパント材料として用いることにより、発光波長の短波長化および高輝度化が達成された有機ＥＬ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００１４】
本発明のピリドン誘導体は、下記一般式で表される。
【００１５】
【化２】
2007302562.tif 000004
【００１６】
上記式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基を表す。耐熱性および発光波長制御の観点からは、Ｒ1は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。
【００１７】
Ｒ1が置換基を有していてもよいアリール基である場合、置換基としてはたとえばハロゲン基、アルコキシ基、ニトロ基、アルキル基、アミノ基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−ビフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ニトロフェニル基などが挙げられる。Ｒ1が置換基を有していてもよいアリール基である場合、合成のし易さの観点からは、フェニル基、４−クロロフェニル基が好ましい。
【００１８】
また、Ｒ1が置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基である場合、具体的には、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、ベンゾチエニル基などが挙げられる。Ｒ1が置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基である場合、合成のし易さの観点からは、２−フリル基、２−チエニル基が好ましい。
【００１９】
上記式中、Ｒ2は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数５以下のアルコキシカルボニル基を表す。耐熱性および発光波長制御の観点からは、Ｒ2は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。
【００２０】
Ｒ2が置換基を有していてもよいアリール基である場合、具体例としてはＲ1について上述したものと同じものが挙げられ、合成のし易さの観点からは、フェニル基、４−クロロフェニル基が好ましい。またＲ2が置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基である場合、具体例としてはＲ1について上述したものと同じものが挙げられ、合成のし易さの観点からは、２−フリル基、２−チエニル基が好ましい。
【００２１】
またＲ2が炭素数５以下のアルコキシカルボニル基である場合、具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基などを挙げることができる。当該アルコキシカルボニル基における炭素数が６以上である場合には、熱安定性が低いという不具合がある。良好な耐熱性を付与する観点からは、上記アルコキシカルボニル基の炭素数は１〜３であることが好ましい。
【００２２】
上記式において、Ｒ3は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基、または炭素数４以下のアルキル基を表す。耐熱性および発光波長制御の観点からは、Ｒ3は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。
【００２３】
Ｒ3が置換基を有していてもよいアリール基である場合、具体例としてはＲ1について上述したものと同じものが挙げられ、合成のし易さの観点からは、フェニル基、４−クロロフェニル基が好ましい。またＲ3が置換基を有していてもよいＮ原子を有さない複素環基である場合、具体例としてはＲ1について上述したものと同じものが挙げられ、合成のし易さの観点からは、２−フリル基、２−チエニル基が好ましい。
【００２４】
またＲ3が炭素数４以下のアルキル基である場合、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基またはｔ−ブチル基が挙げられる。当該アルキル基における炭素数が５以上である場合には、熱安定性が低いという不具合がある。良好な耐熱性を付与する観点からは、上記アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましい。
【００２５】
上記式において、Ｒ4は、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基を表す。溶媒溶解性を付与する観点から、Ｒ4はアルキル基であることが好ましい。
【００２６】
Ｒ4がアルキル基である場合、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が挙げられる。当該アルキル基における炭素数は、良好な耐熱性を付与する観点からは、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。
【００２７】
Ｒ4が置換基を有していてもよいアリール基である場合、具体例としてはＲ1について上述したものと同じものが挙げられ、合成のし易さの観点から、フェニル基、４−クロロフェニル基が好ましい。
【００２８】
またＲ4が置換基を有してもよいアミノ基である場合、たとえばアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基が挙げられ、中でもジメチルアミノ基が好ましい。
【００２９】
本発明は、上述した一般式（Ｉ）で表される本発明のピリドン誘導体を、有機ＥＬ素子におけるドーパント材料用という新規な用途に適用する点にその特徴を有する。上述した本発明のピリドン誘導体は、その詳細な作用機序は不明であるが青色発光するものであり、当該ピリドン誘導体をドーパント材料として用いることにより、発光波長の短波長化および高輝度化が達成された有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００３０】
一般式（Ｉ）で表されるピリドン誘導体のうち、たとえば以下に示すものが好ましいものとして挙げられる。
【００３１】
【化３】
2007302562.tif 000005
【００３２】
すなわち、本発明のピリドン誘導体は、ドーパント材料として合成のし易さの観点から、以下の（１）または（２）であることが好ましい。
【００３３】
（１）一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の１つ以上が４−クロロフェニル基または４−ブロモフェニル基である（より好ましくは、Ｒ4が炭素数１〜５のアルキル基である）、
（２）一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がフェニル基であり、Ｒ4が炭素数１〜４のアルキル基である。
【００３４】
上述した一般式（Ｉ）で表される本発明のピリドン誘導体は、下記スキームに示すように、対応するピロン誘導体に、相当するアミンおよびトリエチルアミンを加え、エタノール中、封管して加熱攪拌するという自体公知の方法により容易に合成することができる。
【００３５】
【化４】
2007302562.tif 000006
【００３６】
本発明はまた、上述した本発明のピリドン誘導体を、発光層におけるドーパント材料として用いた有機ＥＬ素子も提供するものである。本発明の有機ＥＬ素子は、上述したように、従来の有機ＥＬ素子と比較して、発光波長の短波長化および高輝度化が達成される。なお、有機ＥＬ素子において、発光層にドーパント材料として本発明のピリドン誘導体が含まれているか否かは、たとえば、ＡＲＹ−４００（日本ブルカー社製）を用いて、1Ｈ−ＮＭＲスペクトル、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定することで化学構造を同定することで確認することができる。
【００３７】
有機ＥＬ素子の基本動作は、周知のとおり、本質的に、電子および正孔を電極から注入する過程と、電子および正孔が固体中を移動する過程と、電子および正孔が再結合し、一重項または三重項励起子を生成する過程と、その励起子が発光する過程とからなる。本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、ドーパント材料として上述した青色発光する本発明のピリドン誘導体を含んでなるが、通常は、正孔輸送性物質および／または電子輸送性物質をさらに含むものである。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送性物質としては、特に制限されるものではなく、正孔輸送性物質として公知の適宜の物質、たとえば、アリールアミン系化合物、イミダゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、トリアゾール系化合物、カルコン系化合物、スチリルアントラセン系化合物、スチルベン系化合物、テトラアリールエテン系化合物、トリアリールアミン系化合物、トリアリールエテン系化合物、トリアリールメタン系化合物、フタロシアニン系化合物、フルオレノン系化合物、ヒドラジン系化合物、カルバゾール系化合物、Ｎ−ビニルカルバゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、ピラゾロン系化合物、フェニルアントラセン系化合物、フェニレンジアミン系化合物、ポリアリールアルカン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリフェニレンビニレン系化合物から選ばれる１種以上を挙げることができる。
【００３９】
また本発明の有機ＥＬ素子において、電子輸送性物質としても、特に制限されるものではなく、電子輸送性物質として公知の適宜の物質、たとえば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、２，９−ジエチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどとその誘導体やこれまで優れた電子輸送性を有することが報告されているオキサジアゾール系化合物やトリアゾール系化合物を挙げることができる。
【００４０】
本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、良好な成膜性、ピリドン誘導体の良好な分散性の確保の観点から、上述した中でも、カルバゾール系化合物および／またはオキサジアゾール系化合物をホスト材料として含有することが特に好ましい。
【００４１】
また本発明の有機ＥＬ素子の発光層において、上述した中から適宜選ばれる正孔輸送性物質と電子輸送性物質との混合物をホスト材料として用いてもよい。これにより、正孔は正孔輸送性物質によりゲストへ運ばれ、また電子は電子輸送性物質中への正孔および電子の同時注入が抑制されることで、ホスト材料からの発光を抑制することができ、発光層の劣化抑制、耐久性向上を図ることができるという利点がある。
【００４２】
本発明の有機ＥＬ素子における発光層において、ドーパント材料としての本発明のピリドン誘導体は、ホスト材料全体１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜５０重量部、より好ましくは０．１〜３０重量部、特に好ましくは０．２〜１５重量部の割合で配合される。前記ドーパント材料の配合割合が０．０５重量部未満である場合には、ホスト材料からの発光が優先して起こる傾向にあるためであり、また、前記ドーパント材料の配合割合が５０重量部を超える場合には、効率的な発光が起こらず十分な発光強度が得られない虞があるためである。
【００４３】
なお、本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、上述したホスト材料およびドーパント材料（本発明のピリドン誘導体）以外に、本発明の効果を阻害しない範囲で適宜の添加物（たとえば、酸化防止剤、光拡散剤、熱安定化剤、光安定化剤など）を含有していても勿論よい。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子における発光層を形成するにあたっては、予めホスト材料とドーパント材料とを所定の割合で混合しておくか、あるいは、真空蒸着における両者の加熱速度を互いに独立して制御することによって、発光層における両者の配合比を調節することができる。また、各層の形成方法としては、スピンコートや真空蒸着も挙げることができる。
【００４５】
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した本発明のピリドン誘導体をドーパント材料として用いた発光層を備えるものであれば、その構造については特に制限されるものではなく、従来公知の適宜の構造を備える有機ＥＬ素子にて実現することが可能である。当該有機ＥＬ素子の構造としては、たとえば、陽極−発光層−陰極の単層型、陽極−正孔輸送層−発光層＋電子輸送層−陰極の二層型、陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極の三層型を基本的なものとして挙げることができ、必要に応じて、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を設けたり、電子輸送層と陰極との間に正孔阻止層および／または電子注入層を設けてなる構造を採用することができる。また、陽極−正孔注入層−発光層−陰極のような二層型であってもよい。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子における陽極は、当分野において従来より広く用いられている適宜の材料を用いて形成することができ、特に制限されるものではないが、好ましくは４ｅＶ以上（より好ましくは４．８ｅＶ以上）の仕事関数を有する金属、合金、酸化金属を好適に用いて形成することができる。このような陽極の形成材料として、具体的には、白金、パラジウム、銀、タングステン、ニッケル、コバルト、ＩＴＯ、Ｃｕｌ、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどが挙げられる。上記中でも、高い透明性を有することからＩＴＯ透明電極が好ましく用いられる。陽極としてＩＴＯ透明電極を用いる場合、表面の平滑なものが好ましく、また表面の汚れをよく洗浄して使用する。洗浄法としては、既知の方法でよいが、オゾン雰囲気下での紫外線照射や酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行ったものが好適である。
【００４７】
本発明の有機ＥＬ素子における陰極も、当分野において従来より広く用いられている適宜の材料を用いて形成することができ、特に制限されるものではないが、好ましくは４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属、合金を好適に用いて形成することができる。このような陰極の形成材料として、具体的には、セシウム、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、サマリウムおよびこれらの合金などを挙げることができる。
【００４８】
また、本発明の有機ＥＬ素子が正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層の形成に用いられる正孔輸送性物質としては、特に制限されるものではなく、上述したような正孔輸送性物質から選ばれる１種以上を用いることができる。なお、上述した正孔輸送性物質のうち、分子内の分極が大きく、陽極（ＩＴＯなど）との密着性が高い化合物は、正孔注入層や、成功注入層−正孔輸送層を形成する材料としても用いることができる。
【００４９】
また本発明の有機ＥＬ素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層の形成に用いられる電子輸送性物質としては、特に制限されるものではなく、上述したような電子輸送性物質から選ばれる１種以上を用いることができる。
【００５０】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極、（正孔輸送層、）発光層、（電子輸送層、）陰極に、さらに必要に応じて上述した正孔注入層などを、互いに密着させながら順次積層し、一体化形成することにより作製することができる。このような有機ＥＬ素子の作製は、従来公知の適宜の手法により行うことができる。なお、各層を形成するにあたっては、有機化合物の酸化や分解、さらには酸素や水分の吸着などを最小限に抑えるべく、高真空下、詳細には１０-5Ｔｏｒｒ以下で連続して作業するのが好ましい。
【００５１】
このようにして形成された有機ＥＬ素子は、使用環境における劣化を最小限に抑えるべく、素子の一部または全体を、たとえば、不活性ガス雰囲気下で封止ガラスや金属キャップにより、封止するか、あるいは紫外線硬化樹脂などによる保護層で覆うのが好ましい。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層においてピリドン誘導体と組み合わせて用いるホスト材料の種類、配合割合にもよるが、通常、青色、とりわけ、４００〜４９０ｎｍ付近に蛍光極大などの発光極大を有する。このように本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、その結果として、輝度が大きいので、発光体や、情報を視覚的に表示する情報機器において多種多様の用途を有する。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子は、光源とする発光体は消費電力が小さい上に、軽量なパネル状に構成することができるので、一般照明の光源に加えて、たとえば、液晶素子、複写装置、印字装置、電子写真装置、コンピュータおよびその応用機器、工業制御機器、電子計測器、分析機器、計器一般、通信機器、医療用電子計測機器、自動車を含む車輌、船舶、航空機、宇宙船などに搭載する機器、航空機の管制機器、インテリア、看板、標識などにおける省エネルギーにして省スペースな光源として有用である。
【００５３】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５４】
まず、本発明に用いたドーパント材料について、製造例１〜３に述べる。
＜製造例１：１−メチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン（ＩＩ）の合成＞
本発明のピリドン誘導体の一例として、１−メチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン(ＩＩ)の合成法を、下記スキームに示す。
【００５５】
【化５】
2007302562.tif 000007
【００５６】
まず、オートクレーブに、対応するピロン誘導体（０．２ｍｍｏｌ)、メチルアミン塩酸塩（１０ｍｍｏｌ、５０当量）、トリエチルアミン（１０ｍｍｏｌ、５０当量）、エタノール１０ｍＬを加え、１２０℃で６時間反応した。その後、エバポレーターで溶媒を減圧留去し、得られた固体に塩化メチレン、水を加えて有機層を抽出し、さらに水層を塩化メチレンで２回抽出した。得られた有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、エバポレーターで減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製した。収率は８８％であった。得られた化合物について、以下の値が測定された。
ＩＲ（ＫＢｒ,ｃｍ-1）１６３７（Ｃ＝Ｏ）；1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：３．４７（ｓ，３Ｈ，Ｎ−ＣＨ3），６．２７（ｓ，１Ｈ，ｖｉｎｙｌ−Ｈ)，７．１１−７．５０（ｍ，１５Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）;13Ｃ−ＮＭＲ（６８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：３４．８，１１０．１，１２６．６，１２７．４，１２７．５，１２７．８，１２８．３，１２８．５，１２８．８，１２９．１，１３．９，１３５．４，１３５．６，１３９．０，１４７．９，１４８．５，１６２．９；Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ24Ｈ19ＮＯ:Ｃ，８５．４３；Ｈ，５．６８;Ｎ, ４．１５;Ｏ，４．７４. Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８５．３３；Ｈ，５．８９；Ｎ，４．１３.
ｍ．ｐ.１７０℃
最大吸収波長λabs, max＝３４０ｎｍ
最大蛍光波長λflu, max＝４４１ｎｍ
＜製造例２：１−メチル−３，４−ジフェニル−６−（４−ブロモフェニル）−２−ピリドン（ＩＩＩ）の合成＞
１−メチル−３，４−ジフェニル−６−（４−ブロモフェニル）−２−ピリドン（ＩＩＩ）の合成法を、下記スキームに示す。
【００５７】
【化６】
2007302562.tif 000008
【００５８】
まずオートクレーブに、対応するピロン誘導体（０．２ｍｍｏｌ)、メチルアミン塩酸塩（１０ｍｍｏｌ、５０当量)、トリエチルアミン（１０ｍｍｏｌ、５０当量)、エタノール１０ｍＬを加え、１２０℃で６時間反応した。その後、エバポレーターで溶媒を減圧留去し、得られた固体に塩化メチレン、水を加えて有機層を抽出し、さらに水層を塩化メチレンで２回抽出した。得られた有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、エバポレーターで減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製した。収率は９６％であった。得られた化合物について、以下の値が測定された。
ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ-1）１６３２(Ｃ＝Ｏ）；1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ,ＣＤＣｌ3)δ：３．４５（ｓ，３Ｈ，Ｎ−ＣＨ3），６．２４（ｓ，１Ｈ，ｖｉｎｙｌ−Ｈ），７．２０−７．２６（ｍ，１０Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ） ；13Ｃ−ＮＭＲ（６８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ:３４．８，１１０．２，１２３．５，１２６．７，１２７．４７，１２７．５２，１２７．８，１２８．０，１２８．７，１２９．９，１３０．８，１３１．８，１３４．２，１３５．４，１３８．８，１４６．６，１４８．５，１６２．８
ｍ．ｐ.２５２−２５３℃
最大吸収波長λabs, max＝３４１ｎｍ
最大蛍光波長λflu, max＝４４９ｎｍ
＜製造例３：１−ｎ−ブチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン（ＩＶ）の合成＞
１−ｎ−ブチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン（ＩＶ）の合成法を、下記スキームに示す。
【００５９】
【化７】
2007302562.tif 000009
【００６０】
まずオートクレーブに、３，４，６―トリフェニル−α−ピロン（０．６ｍｍｏｌ）、ｎ−ブチルアミン塩酸塩（３０ｍｍｏｌ、５０当量)、トリエチルアミン（３０ｍｍｏｌ、５０当量）、エタノール１５ｍＬを加え、１５０℃で３時間反応した。その後、エバポレーターで溶媒を減圧留去し、得られた固体に塩化メチレン、水を加えて有機層を抽出し、さらに水層を塩化メチレンで２回抽出した。得られた有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、エバポレーターで減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製した。収率は６８％であった。得られた化合物について、以下の値が測定された。
ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ-1)１６３９（Ｃ＝Ｏ）；1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3)δ：０．７６（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２９Ｈｚ，Ｎ−（ＣＨ2）3−ＣＨ3），１．１１−１．２５（ｍ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ3），１．６１−１．７２（ｍ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ3)，３．９４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．９７Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ3），６．２０（ｓ，１Ｈ，ｖｉｎｙｌ−Ｈ），７．０９−７．２２ （ｍ，１０Ｈ，Ｐｈ），７．４２−７．４８（ｍ，５Ｈ，Ｐｈ）； 13Ｃ−ＮＭＲ（６８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：１３．６，２０．１，３０．８，４６．５，１１０．３，１１０．４，１２６．７，１２７．５，１２７．８，１２７．９，１２８．４，１２８．６，１２８．９，１２９．０，１３１．１，１３５．６，１３５．８，１３９．１，１４７．８，１４８．３，１６２．３，ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ27Ｈ25ＮＯ（Ｍ）３７９．１９３６, ｆｏｕｎｄ ３７９．１９３４.
ｍ．ｐ.１４８−１５０℃
最大吸収波長λabs, max＝３３９ ｎｍ
最大蛍光波長λflu, max＝４３９ ｎｍ
＜実施例１＞
洗浄したＩＴＯ基板の上に１０-5Ｔｏｒｒ以下の条件で、ポリ(エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）／ポリ（スルホン化スチレン）（ＰＳＳ）を用い、スピンコート法にて３５ｎｍの層を形成し、正孔注入層とした。その上に、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）／２−(４−ビフェニルイル)−５−(４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾ−ル（ＰＢＤ）／１−メチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン（ＩＩ）＝５０／２０／０．５（重量比）の溶液を用い、スピンコートにて９５ｎｍの層を形成し、発光層とした。最後に、陰極としてＣｓＦ／ＭｇＡｇ／Ａｇを形成し、本発明の有機ＥＬ素子を作製した。
【００６１】
＜実施例２＞
洗浄したＩＴＯ基板の上に１０-5Ｔｏｒｒ以下の条件で、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用い、スピンコート法にて３５ｎｍの層を形成し、正孔注入層とした。その上に、ＰＶＫ／ＰＢＤ／１−メチル−３，４−ジフェニル−６−（４−ブロモフェニル）−２−ピリドン（ＩＩＩ））＝５０／２０／０．５（重量比）の溶液を用い、スピンコートにて９５ｎｍの層を形成し、発光層とした。最後に、陰極としてＣｓＦ／ＭｇＡｇ／Ａｇを形成し、本発明の有機ＥＬ素子を作製した。
【００６２】
＜実施例３＞
洗浄したＩＴＯ基板の上に１０-5Ｔｏｒｒ以下の条件で、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用い、スピンコート法にて３５ｎｍの層を形成し、正孔注入層とした。その上に、ＰＶＫ／ＰＢＤ／１−ｎ−ブチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピリドン（ＩＶ）＝５０／２０／０．５（重量比）の溶液を用い、スピンコートにて９５ｎｍの層を形成し、発光層とした。最後に、陰極としてＣｓＦ／ＭｇＡｇ／Ａｇを形成し、本発明の有機ＥＬ素子を作製した。
【００６３】
＜比較例＞
洗浄したＩＴＯ基板の上に１０-5Ｔｏｒｒ以下の条件で、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用い、スピンコート法にて３５ｎｍの層を形成し、正孔注入層とした。その上に、ＰＶＫ／ＰＢＤ／１−メチル−３，４，６−トリフェニル−２−ピロン（Ｖ）（下記化学式を参照）＝５０／２０／０．５（重量比）の溶液を用い、スピンコートにて９５ｎｍの層を形成し、発光層とした。最後に、陰極としてＣｓＦ／ＭｇＡｇ／Ａｇを形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
【００６４】
【化８】
2007302562.tif 000010
【００６５】
図１は、実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示す図であり、図１において縦軸はＥＬ強度（ａ．ｕ．）、横軸は波長（ｎｍ）を示している。図１に示すように、本発明のピリドン誘導体をドーパント材料として用いた発光層を備える実施例１〜３の有機ＥＬ素子では、４２０ｎｍを中心とする発光が観測された。なお、図１に示した発光スペクトルは、マルチチャネルアナライザ装置ＰＭＡ−１１（浜松ホトニクス社製）を用いて測定されたものである。
【００６６】
図２は、実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の電流と電圧との関係を示すグラフであり、図２において縦軸は電流密度（Ａ／ｃｍ2）、横軸は電圧（Ｖ）を示している。また図３は、実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の発光輝度と電圧との関係を示すグラフであり、図３において縦軸は発光輝度（ｃｄ／ｍ2）、横軸は電流密度（Ａ／ｃｍ2）を示している。なお、図２に示したグラフは、プログラマブル電圧電流発生器Ｒ６１４４（アドバンテスト社製）とスーパーデジタルマルチメーター  モデル２０００（ケースレー社製）とを組み合わせて構成した有機ＥＬ電圧−電流特性測定装置を用いて測定されたものであり、図３に示したグラフは、プログラマブル電圧電流発生器Ｒ６１４４（アドバンテスト社製）と輝度計ＬＳ−１００とを組み合わせて構成した有機ＥＬ発光特性測定装置を用いて測定されたものである。図２より、実施例１〜３で得られた本発明の有機ＥＬ素子は、比較例で得られた有機ＥＬ素子と比較して良好な電流−電圧特性を示すことが分かる。中でも特に、実施例３で得られた有機ＥＬ素子は、印加電圧８Ｖにおいて、最大電流密度０．１６Ａ／ｃｍ2と最大発光輝度４４０ｃｄ／ｍ2が観測された（図３）。
【００６７】
今回開示された実施の形態、実施例および比較例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示すグラフであり、縦軸はＥＬ強度（ａ．ｕ．）、横軸は波長（ｎｍ）を示している。
【図２】実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の電流−電圧の関係を示すグラフであり、縦軸は電流密度（Ａ／ｃｍ2）、横軸は電圧（Ｖ）を示している。
【図３】実施例１〜３および比較例で得られた有機ＥＬ素子の発光輝度と電圧との関係を示すグラフであり、縦軸は発光輝度（ｃｄ／ｍ2）、横軸は電流密度（Ａ／ｃｍ2）を示している。
【図１】
2007302562.tif 000013
【図２】
2007302562.tif 000014
【図３】
2007302562.tif 000015