(57)【要約】【課題】発光面における発光強度むらが小さく、かつ発光を外部に効率的に取り出すことができる化合物半導体発光素子を用いたＬＥＤパッケージを提供すること。【解決手段】平滑な側面および平坦な底面を有する凹部に半導体発光素子を搭載し、その凹部を透光性樹脂で封止して製造したＬＥＤパッケージにおいて、凹部の底面における金属リード部の面積が全底面に対して３％〜５０％の範囲内であることを特徴とするＬＥＤパッケージ。【選択図】図３
2007194401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平滑な側面および平坦な底面を有する凹部に半導体発光素子を搭載し、その凹部を透光性樹脂で封止して製造したＬＥＤパッケージにおいて、凹部の底面における金属リード部の面積が全底面に対して３％〜５０％の範囲内であることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
側面および底面が、一体成型された樹脂からなる請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
一体成型された樹脂が、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の添加物を含有している請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
底面がメタルベース基板上に形成された絶縁層を含み、側面がリフレクタからなる請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
透光性樹脂がエポキシ樹脂またはシリコン樹脂からなる請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は化合物半導体発光素子を用いた、電力−光変換効率に優れ、均一な発光を外部に取り出すことができるＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体発光素子を搭載するＬＥＤパッケージは、小型で長寿命であり発光効率に優れていることから、照明、各種ディスプレイ、バックライトなどの用途に使用されている。またそれらの用途に応じて様々な構造のものが考案されている。例えば、配光指向性の高い砲弾タイプ、薄くて小型の面実装タイプ、放熱部を備える高出力タイプなどがある。これらは、形状や特性に応じてさらに多くのタイプに細分化されている。
【０００３】
これらのうち、面実装タイプとして例えば平面図および断面図を図１および図２に示すＬＥＤパッケージがある。このＬＥＤパッケージは以下の工程により作られる。リードフレームの金属リード部１上に熱可塑性樹脂の射出成型によって凹部６を形成するように樹脂成型体２を一体成型する。発光素子３はボンディング側金属リード１１に導電性ダイボンディングペースト４を用いて接着し、硬化固着させる。ここでの発光素子３は一般的な上下電極タイプである。次に、発光素子３上の電極３１と対極側金属リード１２を金線５によりワイアボンディングする。次に、発光素子３および金線５を被覆するように熱硬化性の透光性樹脂により凹部６を封止する。最後にＬＥＤパッケージをリードフレームから分離する。
【０００４】
従来、このようなＬＥＤパッケージでは、発光の取り出し効率の向上のため、または発光角度の制御のために、樹脂成型体部材に光反射機能を付与することにより、発光素子からの直接光のみならず、間接光も利用することが一般的である。樹脂成型体に光反射機能を付与するためには、例えば発光素子を囲む樹脂成型体に光反射剤フィラーとしてチタン酸カリウム等を添加したり、あるいは樹脂成型体の内周面にめっきを施すことによって光反射機能をもたせることが知られている。また、特許文献１のように凹部底面の光反射フィラー層を利用する例が知られている。このように、パッケージ部材の組成および構造を最適化することでＬＥＤパッケージの外部に取り出すことのできる発光量を増大させ、光取り出し効率を向上させることができる。
【０００５】
一方、発光特性の一つとして発光強度のむらがある。これはＬＥＤパッケージの発光状態を観察する際において、発光面における発光強度分布の均一性を意味するものである。発光強度のむらが大きい場合、使用時に光源としての視認性不良や対象物を均一に照射できないなどの問題を生じさせる。この発光強度のむらを生じさせる要因としては多種考えられるが、例えば発光素子自体の発光分布が均一でない場合が考えられる。また、発光素子のＬＥＤパッケージ内における搭載位置が非対称の場合が考えられる。また、発光素子からの光を反射している、前記パッケージ部材の形状が最適化されていないこと等による場合が考えられる。例えば特許文献２では、金属リード部の突端を熱可塑性樹脂で被覆するために、発光素子が置かれる凹部底面に段差が形成されており、また凹部側面も全周に亘って一様な平滑面ではないために、発光角度によって発光強度むらを抑えることは困難である。
【０００６】
上述の問題を解決する方法として、例えば凹部６を封止する透光性樹脂の内部にチタン酸バリウムおよび酸化チタンなどの酸化物粒子を光拡散剤として添加することによって透光性樹脂内部で散乱されて一様となった発光を外部に取り出すことが特許文献３などに紹介されている。しかしながら、この光拡散剤を添加する方法では、発光素子からの発光が透光性樹脂内で一部吸収されるため、ＬＥＤパッケージ外部に取り出すことのできる発光の量が減少し、光取り出し効率を低下させてしまうというデメリットがある。従って高い発光強度で発光むらを抑えたＬＥＤパッケージを得るためには、光取り出し効率を低下させることなく、発光むらを抑えることが望ましい。
【０００７】
また、従来のＬＥＤパッケージにおいて発光素子を搭載する凹部底面に着目すると、この底面を占めている金属リード部の面積が広く取られている。この理由としては、ダイボンディングおよびワイアボンディングのボンディング面積をそれぞれ広くすることにより、ボンディング作業を容易にできる点が挙げられる。しかしながら、凹部底面における金属リード部とそれ以外の部分との反射特性の差が顕著であることによる、発光強度のむらが発生することが見出された。
【０００８】
【特許文献１】特許第３６５５２６７号公報
【特許文献２】特許第３６５９６３５号公報
【特許文献３】特許第３４２８５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、上述の問題を解決し、発光面における発光強度むらが小さく、かつ発光を外部に効率的に取り出すことができる化合物半導体発光素子を用いたＬＥＤパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、下記の発明を提供する。
（１）平滑な側面および平坦な底面を有する凹部に半導体発光素子を搭載し、その凹部を透光性樹脂で封止して製造したＬＥＤパッケージにおいて、凹部の底面における金属リード部の面積が全底面に対して３％〜５０％の範囲内であることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【００１１】
（２）側面および底面が、一体成型された樹脂からなる上記１項に記載のＬＥＤパッケージ。
【００１２】
（３）一体成型された樹脂が、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の添加物を含有している上記２項に記載のＬＥＤパッケージ。
【００１３】
（４）底面がメタルベース基板上に形成された絶縁層を含み、側面がリフレクタからなる上記１項に記載のＬＥＤパッケージ。
【００１４】
（５）透光性樹脂がエポキシ樹脂またはシリコン樹脂からなる上記１〜４項のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の化合物半導体発光素子を搭載したＬＥＤパッケージは、発光素子を搭載する凹部の底面において、金属リード部の面積を抑制することで、発光強度のむらの少ない均一な発光を取り出すことのできる、ＬＥＤパッケージである。発光の取り出し効率を減じることなく、また製造工程を増やすことなく特性向上を実現できることにも利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明のＬＥＤパッケージは平滑な側面、および金属リード部を表面に有する平坦な底面からなる凹部を有し、該凹部の底面に半導体発光素子を搭載し、該凹部を透光性樹脂で封止したＬＥＤパッケージであって、該底面における金属リード部の面積が全底面に対して３％以上５０％以下とすることを特徴としている。このＬＥＤパッケージは凹部を構成する側面及び底面が一体成型された樹脂から構成されていてもよく、また別個に組み合わされていてもよい。別個に組み合わせる場合、底面がメタルベース基板上に形成された絶縁層からなり、側面がリフレクタからなる構造とすることが望ましい。
なお、半導体発光素子は、凹部において金属リード部に搭載することも、また、金属リード部以外に搭載することも可能である。半導体発光素子を金属リード部に搭載した場合において、金属リード部の面積が全底面に対して３〜５０％の定義は、金属リード部で半導体発光素子を搭載した部分を含んだ面積の、全底面対する範囲である。
【００１７】
以下本発明の実施の形態について一体成型された樹脂からなるＬＥＤパッケージを例にとり説明する。本発明のＬＥＤパッケージは、その平面図および断面図が図３および図４に示されるように、凹部６を形成する樹脂成型体２は、金属リード１と一体化されており、凹部の底面に発光素子３が搭載されている。発光素子の底面はダイボンディングペースト４によって固定されており、発光素子の上面の電極３１は金線５により金属リード１と接続されている。これら発光素子及び金線は凹部６を封止する透光性樹脂により覆われている。このＬＥＤパッケージは金属リードに通電させることによって発光させることができる。以下本発明の各構成部材について順次説明する。
【００１８】
ＬＥＤパッケージを構成する樹脂成型体は、金属リード１上に熱可塑性樹脂を射出成型することにより形成する。従って射出成型に使用する金型の設計により、様々な形状を実現することが可能である。
【００１９】
樹脂成型体の全体の大きさは縦が３〜２０ｍｍ、横が３〜２０ｍｍおよび高さが１〜１０ｍｍ程度となるように成型し、発光素子の搭載部となる凹部の大きさは縦が２〜１９ｍｍ、横が２〜１９ｍｍおよび高さが０．５〜９ｍｍとすることができる。しかし、これらの大きさに限定されるものではない。また形状については全体及び凹部共に直方体、円筒形および錐形などの形状を自由に選択することが可能である。凹部底面についても円形、楕円形または方形とすることができる。
【００２０】
凹部の側面の断面角度は配光の指向角を制御するために自由に設計することが可能であり、かつその断面形状は図２の従来例のように直線から構成されていてもよいし、図４のように曲線から構成されていてもよい。凹部底面および側面の表面は段差がなく平滑であることが好ましい。また、凹部底面および側面は発光方向に対して対称的な形状とすることが望ましい。凹部底面および側面の表面が一様に平滑ではなく、また凹部底面および側面の形状が非対称の場合、特定方向に対する発光強度が変化するために発光むらが生じて好ましくない。
【００２１】
また、発光素子を搭載する凹部について、配光特性や側面の反射特性の制御をより自由に行うために側面部に銀めっきを施すことも可能である。また凹部の底面および側面は一体成型時に一度に成型してもよいが、後述するように側面部については一体成型せずに、異なる材料で構成されていてもよい。側面に銀めっきを施した樹脂製のリフレクタを配置することも可能である。この場合、発光素子を搭載後にリフレクタを接着することによって組み合わせることができる。
【００２２】
成型に使用する熱可塑性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレートなどを使用できる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部の底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、パッケージ全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
【００２３】
金属リード１は、０．１〜０．５ｍｍ程度の厚みをもつ金属板であり、加工性、熱伝導性に優れた金属として鉄／銅合金をベースとし、その上にめっき層としてニッケル、チタン、金、銀などを数μｍ積層したリードフレームの一部である。めっきを施すのは耐食性及び光反射率向上のためであるが、特に最表面のめっき層としては反射率の高い銀を選択することがパッケージ外部への発光取り出し量を増大させる点から好ましい。特に発光素子の波長が６００ｎｍ以下の短波長の場合、金属リードの最表面に金を選択すると光反射率が低いために全体の発光効率が下がり、好ましくない。リードフレームは、熱可塑性樹脂の射出成型前にカソード側およびアノード側が分離されるようにプレス加工でパターンが抜かれている。発光素子３は金属リード上に搭載してもよく、また樹脂成型体上に搭載しても構わない。
【００２４】
次に金属リードの面積について図５を用いて説明する。ＬＥＤパッケージに通電させて発光させる際に、凹部底面よりＬＥＤパッケージ正面に向けて垂直方向に放射される成分は、底面を構成する二種類の材料からの光よりなる。一つは樹脂成型体表面からの反射光３Ａであり、もう一つは金属リード表面からの反射光３Ｂである。これらはそれぞれの材質及び面粗さが異なることによる反射特性の差によって正面への強度が異なる。その理由は発光素子から樹脂成型体表面へ放射された光は乱反射されるために垂直方向へも散乱される。しかしながら、発光素子から金属リード部へ放射された光は正反射され、角度が浅いために垂直方向へ取り出される光量が小さい。従ってこれら底面から垂直方向へ反射された光の光量に差が生じるため、正面から観察した場合に発光面のむらとして認識されることになる。
【００２５】
このような発光面のむらは、金属リード部が底面を占める面積比が大きい場合に暗い側の領域が広がるために顕著となるため、金属リード部の面積を樹脂成型体部の面積よりも小さくすることが望ましく、さらにできるだけ小さくするほうが望ましい。しかしワイアボンディング作業を一箇所実施するための面積として最低０．１ｍｍ2を必要とするために、従って直径２ｍｍの底面積において３％を下回ることは実質的に困難である。以上の理由により、金属リード部の占める割合が３％〜５０％の範囲内において発光面のむらを抑制することができる。好ましくは３％〜３５％であり、さらに好ましくは３％〜１５％である。
【００２６】
発光素子を搭載する凹部について、底面及び側面が一体成型された樹脂成型体については上述したが、底面及び側面を分離した構造とし、底面としてメタルベース基板を利用することも可能である。メタルベース基板は放熱性の高いアルミニウム又は銅基板上に絶縁薄膜として耐熱性のあるエポキシ樹脂を１〜１００μｍ積層し、その上に金又は銀めっき配線パターンを形成した後、この配線パターンを保護するために絶縁薄膜を再度積層することによって作製できる。メタルベース基板では発光素子を絶縁薄膜上に搭載することによって底面において金属リード部が占める面積を小さくすることが可能となるために、発光面のむらをより抑えることが可能となる。また、ＬＥＤパッケージの底面全体から効率的な放熱が可能となるために、特に高温での動作が安定するメリットがある。また、絶縁薄膜とする樹脂層は反射率向上のために光反射剤として二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって光取り出し効率を上げることができる。
【００２７】
また、凹部を形成する側面としてリフレクタを配置することによって配光特性や側面からの反射特性を向上させることが望ましい。リフレクタは金属または樹脂から形成され、縦横が２〜３０ｍｍ、高さが２〜１０ｍｍの大きさを自由にとることができるがこの大きさに限定されるものではない。形状は逆円錐形および逆角錐形などの形状を自由に選択できる。また光反射率を向上させるために側面に銀めっきを施してもよい。
【００２８】
本発明で用いられる化合物半導体発光素子は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰおよびＩｎＧａＮなどの化合物半導体単結晶からなる材料を選ぶことによって、紫外光〜赤外光に渡る発光波長を選択することができる。化合物半導体エピタキシャルウェハは適当な基板上にＬＰＥ法、ＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法などのエピタキシャル成長方法により、発光層を積層して作製できる。エピタキシャルウェハはラッパーや研削機により定厚加工を施した後、リソグラフィーによって電極を形成する。電極形成後、ダイサー又はブレーカーにより分割して素子を得ることができる。エピタキシャル成長において半導体基板を用いる場合は、電極を基板下面と、エピタキシャル成長層表面上面とに形成することができるので、発光素子の上面と下面にコンタクトを取ればよい。従ってＬＥＤパッケージ搭載時には発光素子下面を導電性のダイボンディングペーストにて接続できるので、ワイアボンディングは上面電極に少なくとも１回実施すればよい。一方でＩｎＧａＮを発光層とする発光素子の場合、特に絶縁性のサファイア基板上に発光層を成長させた場合、電極はエピタキシャル成長層をエッチング加工することによって同一面に設け、同一面からコンタクトをとる必要がある。この場合、ワイアボンディングを少なくとも２回行う必要がある。
【００２９】
発光素子の大きさは必要とする光学電気特性に応じて自由に設計可能であり、一辺が２００〜１０００μｍとする方形で、高さは５０〜３００μｍであるが、これに限定されるものではない。
【００３０】
なお、本発明のＬＥＤパッケージには発光素子を複数搭載させてもよいし、異なる発光波長をもつ複数の発光素子を搭載させてもよい。
【００３１】
化合物半導体発光素子はダイボンディングペーストにより、凹部底面を構成する金属リード部又は樹脂成型体上に固定する。発光素子の構造が上下電極タイプの場合、底面でコンタクトをとる必要があるために、フィラーとして銀粒子を含む導電性の熱硬化性エポキシ樹脂を用いる。前記ダイボンディングペーストを塗布後に発光素子をダイボンディングし、オーブン中で１００〜１５０℃にて熱硬化させることによって接着する。一方、発光素子の構造が同一面に電極を形成するタイプの場合、底面でコンタクトをとる必要がないために、銀粒子を含まない絶縁性のダイボンディングペーストを使用可能である。特にエネルギーの大きい短波長の発光波長をもつ発光素子を搭載したＬＥＤパッケージの場合、通電発光時間の経過に伴いダイボンディングペーストの樹脂が劣化し、光の取り出し効率が低下しやすい。従って、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが望ましい。
【００３２】
封止樹脂は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤパッケージの発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。従って耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコン樹脂を選択する。主なエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡグリシジルエーテルやビスフェノールＦグリシジルエーテルなどが挙げられ、特に高温での熱変形抑制、耐候性、変色防止の効果を高めるために脂環式エポキシを添加することが望ましい。しかしながらエポキシ樹脂は、５００ｎｍ以下の短波長の光や高熱に弱く、駆動時間の経過とともに劣化が進行し、光の透過率が著しく低下して、発光効率が減少する場合がある。一方、シリコン樹脂は耐光性、耐熱性の点でエポキシ樹脂よりも優れているため短波長の発光素子の封止樹脂として適している。さらにまたシリコン樹脂は硬化後の硬度がエポキシ樹脂と比較して小さいため、加熱処理によるＬＥＤパッケージの変形が少ない点も好ましい。しかしながら樹脂成型体への密着度が低い点やＬＥＤ動作温度付近で膨張係数が大きく変動する場合は好ましくない。従ってＬＥＤパッケージの動作条件に応じて適切な封止樹脂を選択する必要がある。
【００３３】
本発明のＬＥＤパッケージは、発光強度が高くなおかつ発光むらが抑えられている特長を生かして、各種照明、ディスプレイ、インジケーター、バックライトなどの用途に広く用いることができる。
【実施例】
【００３４】
以下に本発明を実施例および比較例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１）
図３は本実施例で作製したＬＥＤパッケージの平面模式図であり、図４はその断面模式図である。化合物半導体発光素子はサファイア基板上にＩｎＧａＮの発光層を含むエピタキシャル層を成長させた後にｎ側とｐ側の両電極を共に発光素子の上面から形成した、いわゆるフェイスアップ型の発光素子である。以下発光素子の作製方法について述べる。
【００３６】
発光素子は、サファイアからなる基板上に、ＡｌＮからなるバッファ層を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した。窒化ガリウム系化合物半導体層は、厚さ１０μｍのＧｅドープｎ型ＧａＮコンタクト層および厚さ０．０２μｍのＳｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層、厚さ１６ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ井戸層を５回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層、および厚さ０．０１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層と厚さ０．１８μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.02Ｇａ0.98Ｎコンタクト層からなっている。ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層上に、厚さ２００ｎｍのＩＴＯからなる透明電極層および、Ａｕ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ５層構造（厚さはそれぞれ５０／２０／１０／１００／２００ｎｍ）のボンディングパッドよりなる正極を形成した。ｎ型ＧａＮコンタクト層には、Ｔｉ／Ａｕの二層構造の負極を形成した。光取り出し面はＩＴＯ電極側とした。素子サイズは３５０μｍ角となるような素子を作製した。
【００３７】
樹脂成型体は二酸化チタンを含むポリフタルアミド樹脂を金属リード１と一体成型されるように成型した。成型したＬＥＤパッケージは縦５ｍｍ横５．５ｍｍ高さ１．５ｍｍの直方体とし、発光素子を搭載する凹部６の底面は直径２ｍｍ、開口部は直径４ｍｍとなる円形とし、高さ１ｍｍなるように成型した。また、側面は断面形状が放物線から構成されるパラボラ形状となるようにした。
【００３８】
金属リード１は厚さ０．１ｍｍのものを使用し、銅板上に銀めっきを２μｍ積層したものを使用した。発光素子ボンディング側金属リード１１を幅０．５ｍｍ長さ１．２５ｍｍで底面中央へ延伸し、反対側に対極側金属リード１２を幅０．５ｍｍ長さ０．２ｍｍとなるように配置し、底面に占める金属リードの面積比を２３％とした。
【００３９】
発光素子は透明エポキシ樹脂にて発光素子ボンディング側金属リード１１上にダイボンディングした後、１５０℃にて９０分間硬化させ、その後上面の電極と各金属リード間を直径２５μｍの金線にてワイアボンディングした。その後、シリコン樹脂を凹部内に注入し、発光素子及びワイアを封止した後、１５０℃にて１８０分間硬化させ、ＬＥＤパッケージを完成した。
【００４０】
本実施例にて製作されたＬＥＤパッケージの金属リードの順方向に定電流で２０ｍＡを通電させた結果、発光むらがなく底面から一様に発光することを確認した。さらに発光出力として１１ｍＷの高い値を確認した。
【００４１】
（比較例）
図１は本比較例で作製したＬＥＤパッケージの平面模式図であり、図２はその断面模式図である。凹部底面における金属リードの形状を占有面積比が大きくなるように変化させたことを除いて、実施例１と同様にＬＥＤパッケージを作製した。図１に示したように、発光素子ボンディング側金属リード１１と対極側金属リード１２の幅は金属リード１の幅のままとし、それらの間隙を幅０．５５ｍｍとすることによって、金属リードの底面に対する面積比を６５％とした。
【００４２】
得られたＬＥＤパッケージを実施例１と同様に定電流２０ｍＡを通電させて発光させた結果、凹部底面の金属リード部の発光むらが目立つパターンを示した。また発光出力として１０．２ｍＷと低い値を示した。
【００４３】
（実施例２）
図６は本実施例で作製したＬＥＤパッケージの平面模式図であり、図７はその断面模式図である。本実施例ではメタルベース基板を用いてＬＥＤパッケージを製作した。発光素子については実施例１と同じものを使用した。メタルベース基板１０は厚さ１ｍｍのアルミ基板上に耐熱性の絶縁樹脂層８を５μｍの厚さで塗布した後、金めっき配線パターン９を形成し、ｎ側とｐ側を分離した。その後、めっき配線パターン９を被覆するように耐熱性の絶縁樹脂層８を３μｍの厚さで塗布した。この時にワイアボンディングする領域（図６中４１および４２）のみマスキングし、めっき配線が露出するようにした。図６に示したように、露出する金属リード部４１および４２はそれぞれ幅０．５ｍｍ長さ０．２ｍｍの大きさのものを対角位置に二箇所形成し、底面に対する面積比を６．４％とした。
【００４４】
発光素子を絶縁樹脂層に搭載後、ワイアボンディングを行った。リフレクタ２１は耐熱性樹脂を用いて作製し、外径５ｍｍ高さ２ｍｍとした。凹部６の底面は直径２ｍｍ、開口部は直径３．５ｍｍの円形とし、内部がすり鉢状の形状になるように加工した後、内面に厚さ２μｍの銀めっきを施した。このリフレクタを耐熱性接着剤を用いてアルミベース基板に接着した後、凹部６をシリコン樹脂で封止した。
【００４５】
以上のようにして作製したＬＥＤパッケージに定電流２０ｍＡを通電させた結果、発光むらのない一様な発光パターンを示し、また発光出力として１２．５ｍＷという高い値を示した。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のＬＥＤパッケージは、発光強度が高く且つ発光むらが抑えられているので、各種照明、ディスプレイ、インジケーターおよびバックライトなどの用途に広く用いることができ、産業上の利用価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】比較例で作製した従来のＬＥＤパッケージの平面模式図である。
【図２】比較例で作製した従来のＬＥＤパッケージの断面模式図である。
【図３】実施例１で作製した本発明のＬＥＤパッケージの平面模式図である。
【図４】実施例１で作製した本発明のＬＥＤパッケージの断面模式図である。
【図５】本発明の発光素子からの光の反射を説明する図である。
【図６】実施例２で作製した本発明のＬＥＤパッケージの平面模式図である。
【図７】実施例２で作製した本発明のＬＥＤパッケージの断面模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    金属リード
２    樹脂成型体
３    発光素子
４    ダイボンディングペースト
５    金線
６    凹部
７    拡散剤粒子
８    絶縁樹脂層
９    めっき配線パターン
１０    メタルベース基板
１１    発光素子ボンディング側金属リード
１２    対極側金属リード
２１    リフレクタ
３１    発光素子電極
【図１】
2007194401.tif 000003
【図２】
2007194401.tif 000004
【図３】
2007194401.tif 000005
【図４】
2007194401.tif 000006
【図５】
2007194401.tif 000007
【図６】
2007194401.tif 000008
【図７】
2007194401.tif 000009