(57)【要約】      （修正有）【課題】微小で微細ピッチな電極を有する回路装置にも安定な接続状態が達成され、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるシート状プローブおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されるとともに、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体１５を備えた接点膜を有し、前記電極構造体の各々は、前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部１６と、前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部１７と、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部１８と、前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように形成されている保持部１９とよりなる。【選択図】図３
2007121089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とするシート状プローブ。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層内に完全に埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とするシート状プローブ。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層の表面と略同一となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とするシート状プローブ。
【請求項４】
前記シート状プローブが、
前記絶縁層を支持する支持体を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項５】
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部
形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記表面電極部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第１裏面側金属層を露出させる工程と、
その後、前記第１裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように保持部を形成する工程と、
前記絶縁性シートの一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
【請求項６】
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第１裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートの一部を除去することにより、前記絶縁層中に前記保持部が埋没状態となるようにする工程と、
前記絶縁性シートと前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
【請求項７】
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第１裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートを除去することにより、前記保持部が前記絶縁層の表面と略同一となるようにする工程と、
前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁層の上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
【請求項８】
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔が、
前記絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
【請求項９】
前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施し、裏面電極部および支持体部に分割除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
【請求項１０】
前記積層体における前記絶縁性シートはエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項５から９のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
【請求項１１】
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔が、
前記絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項５から９のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
【請求項１２】
前記積層体における前記絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔がエッチングにより形成される
ことを特徴とする請求項１１に記載のシート状プローブの製造方法。
【請求項１３】
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された請求項１から４のいずれかに記載のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。
【請求項１４】
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路、または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする請求項１３に記載の回路検査用プローブ。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載された回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項１６】
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された請求項５から１２のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法にて製造されたシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。
【請求項１７】
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする請求項１６に記載の回路検査用プローブ。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載された回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその製造方法ならびにその応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子など電子部品の回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。
【０００３】
このような検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
また、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであって、ウエハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなる。
【０００４】
また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。
さらに、ウエハには一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）ごとに異なるため、ウエハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
【０００５】
以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された柔軟な絶縁性シートに、その厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブと、を備えてなるものが提案されている（例えば特許文献１（特開平７−２３１０１９号公報）参照）。
【０００６】
図３４は、検査用回路基板８５と、異方導電性シート８０と、シート状プローブ９０と、を備えてなる従来の回路検査用プローブの一例における構成を示した説明用断面図である。
【０００７】
この回路検査用プローブにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された、多数の検査電極８６を有する検査用回路基板８５が設けられ、この検査用回路基板８５の一面上に、異方導電性シート８０を介してシート状プローブ９０が配置されている。
【０００８】
異方導電性シート８０は、厚み方向にのみ導電性を示したもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示した加圧導電性導電部を有するものであり、このような異方導電性シート８０としては、種々の構造のものが知られている。
【０００９】
例えば特許文献２（特開昭５１−９３３９３号公報）には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【００１０】
また特許文献３（特開昭５３−１４７７７２号公報）には、導電性磁性体粒子をエラス
トマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【００１１】
さらに特許文献４（特開昭６１−２５０９０６号公報）には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された、偏在型異方導電性シートが開示されている。
シート状プローブ９０は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート９１を有し、この絶縁性シート９１に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体９５が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。
【００１２】
この電極構造体９５の各々は、絶縁性シート９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁性シート９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁性シート９１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部９８を介して一体に連結されて構成されている。
【００１３】
このようなシート状プローブ９０は、一般に、以下のようにして製造される。
図３５（ａ）に示したように、まず絶縁性シート９１の一面に金属層９２が形成されてなる積層体９０Ａを用意する。
【００１４】
そして図３５（ｂ）に示したように、絶縁性シート９１にその厚み方向に貫通する貫通孔９８Ｈを形成する。
次いで、図３５（ｃ）に示したように、絶縁性シート９１の金属層９２上にレジスト膜９３を形成したうえで、金属層９２を共通電極として電解メッキ処理を施す。
【００１５】
これにより、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの内部に金属の堆積体が充填されて金属層９２に一体に連結された短絡部９８が形成されるとともに、絶縁性シート９１の表面に、短絡部９８に一体に連結された突起状の表面電極部９６が形成される。
【００１６】
その後、金属層９２からレジスト膜９３を除去し、さらに図３５（ｄ）に示したように、表面電極部９６を含む絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９４Ａを形成するとともに、金属層９２上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜９４Ｂを形成する。
【００１７】
さらに金属層９２に対してエッチング処理を施すことにより、図３５（ｅ）に示したように、金属層９２における露出する部分が除去されて裏面電極部９７が形成され、電極構造体９５が形成される。
【００１８】
そして、絶縁性シート９１および表面電極部９６上に形成されたレジスト膜９４Ａを除去するとともに、裏面電極部９７上に形成されたレジスト膜９４Ｂを除去することにより、図３４に示したようなシート状プローブ９０が得られる。
【００１９】
上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置例えばウエハの表面に、シート状プローブ９０における電極構造体９５の表面電極部９６がウエハの被検査電極上に位置するよう配置され、この状態で、ウエハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート８０が、シート状プローブ９０における電極構造体９５の裏面電極部９７によって押圧される。
【００２０】
これにより、異方導電性シート８０には、裏面電極部９７と検査用回路基板８５の検査電極８６との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板８５の検査電極８６との電気的接続が達成される。そしてこの状態で、ウエ
ハの電気的検査が実行される。
【００２１】
このような検査用プローブによれば、ウエハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シートが変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。
【００２２】
しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブの製造方法における短絡部９８および表面電極部９６を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長する。
【００２３】
このため、図３６に示したように、得られる表面電極部９６においては、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗは、表面電極部９６の突出高さｈと同等の大きさとなる。
【００２４】
従って、得られる表面電極部９６の径Ｒは、突出高さｈの２倍を超えて相当に大きいものとなる。
そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体９５間の離間距離を十分に確保することができない。
【００２５】
その結果、得られるシート状プローブにおいては、絶縁性シート９１による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。
また、図３５（ｃ）に示した電解メッキ処理において、金属層９２の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈごとにメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部９６の突出高さｈや、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗすなわち径Ｒに大きなバラツキが生じる。
【００２６】
そして、表面電極部９６の突出高さｈに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部９６の径に大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部９６同士が短絡する恐れがある。
【００２７】
以上において、得られる表面電極部９６の径を小さくする手段としては、表面電極部９６の突出高さｈを小さくする手段と、短絡部９８の径（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示した。）ｒを小さくする、すなわち絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの径を小さくする手段と、が考えられる。
【００２８】
しかしながら、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。
また、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部９８および表面電極部９６を形成すること自体が困難となる。
【００２９】
このような問題を解決するため、特許文献５（特開平１１−３２６３７８号公報）および特許文献６（特開２００２−１９６０１８号公報）において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。
【００３０】
特許文献５（特開平１１−３２６３７８号公報）に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図３７（ａ）に示したように、絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９３Ａおよび表面
側金属層９２Ａがこの順で形成され、絶縁性シート９１の裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｂを用意する。
【００３１】
さらに図３７（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｂにおける裏面側金属層９２Ｂ、絶縁性シート９１およびレジスト膜９３Ａの各々に、互いに連通し厚み方向に伸びるとともに、積層体９０Ｂの裏面に形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部９６に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
【００３２】
次いで図３７（ｃ）に示したように、表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００３３】
そして、裏面側金属層９２Ｂにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図３７（ｄ）に示したように、裏面電極部９７を形成し、シート状プローブ９０が得られる。
【００３４】
また、特許文献６（特開２００２−１９６０１８号公報）に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図３８（ａ）に示したように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材９１Ａの表面に表面側金属層９２Ａが形成され、絶縁性シート材９１Ａの裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｃを用意する。
【００３５】
さらに図３８（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｃにおける裏面側金属層９２Ｂおよび絶縁性シート材９１Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体９５の短絡部９８および表面電極部９６に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
【００３６】
次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図３８（ｃ）に示したように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００３７】
その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去するとともに、絶縁性シート材９１Ａをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去する。
これにより図３８（ｄ）に示したように、所要の厚みの絶縁性シート９１を形成するとともに、表面電極部９６を露出させる。
【００３８】
そして、裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理することにより、裏面電極部９７を形成し、シート状プローブが得られる。
このようなシート状プローブによれば、表面電極部がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部を、隣接する電極構造体の表面電極部との離間距離が十分に確保された状態で形成することができる。
【００３９】
さらに、電極構造体の各々の表面電極部は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所をキャビティとして成形されるため、表面電極部の突出高さのバラツキが小さい電極構造体が得られる。
【００４０】
しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径、すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものである。
【００４１】
このため、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。
さらに上記のようなシート状プローブにおいては、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径９２Ｔは積層体９０Ｃの裏面に形成した開口部９２Ｈの径より小さなものとなる。
【００４２】
このため、絶縁性シートの厚みが増せば、同一の先端径９２Ｔを得るためには裏面側に形成する開口部９２Ｈの径も大きなものとする必要があった。
そのため、微細ピッチで高密度な電極構造体を有するシート状プローブを製造する場合、絶縁性シートの厚みが大きくなると積層体９０Ｃの裏面側の隣接する開口部９２Ｈ間に絶縁部９２Ｎを確保する必要性から開口部９２Ｈの径を大きくできない。
【００４３】
そのため絶縁性シートの厚みが大きくなると、電極構造体形成用凹所９０Ｋの先端径９２Ｔが小さくなり、表面側金属層９２Ａに接しない電極構造体形成用凹所９０Ｋが形成されてしまう場合があった。
【００４４】
このように電極構造体形成用凹所９０Ｋが表面側金属層９２Ａに十分に接しない場合、メッキにより金属を充填することができず電極構造体数が不足し、使用が困難なシート状プローブが生産されてしまうことがあった。
【００４５】
また、電極構造体の先端部の径が小さくなると、繰り返し使用において先端部が摩耗、欠損して電極構造体の高さバラツキが大きくなる傾向があり、電極構造体強度の面から先端部の先端径や基端の径が小さくし過ぎないことや、電極構造体の材質により先端部の径を調整することも必要である。
【００４６】
しかしながら、上記のシート状プローブの製造方法においては、先端部の径の調整が裏面側の開口部径により調整することになるため、積層体の厚みにより裏面側の開口部径の調節が制限され、特に微小、微細ピッチで高密度のシート状プローブの製造において所望する先端部径の電極構造体を構成することが困難になる場合があった。
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献３】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献４】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献５】特開平１１−３２６３７８号公報
【特許文献６】特開２００２−１９６０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４７】
本発明は、このような現状に鑑み、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することを目的とする。
【００４８】
また、絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供することを目的とする。
【００４９】
さらに、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが
でき、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【００５０】
また、厚みの大きい絶縁層よりなるシート状プローブにおいて表面電極部の先端径や基端径を所望の径に調整できるシート状プローブの製造方法を提供することを目的とする。
さらに、上記のシート状プローブを備えた回路検査用プローブを提供することを目的とする。
【００５１】
また、上記の回路検査用プローブを備えた回路装置の検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５２】
本発明は、前述したような従来技術における課題および目的を達成するために発明されたものであって、
本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
【００５３】
また、本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層内に完全に埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
【００５４】
また、本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏
面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層の表面と略同一となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
【００５５】
また、本発明のシート状プローブは、
前記シート状プローブが、
前記絶縁層を支持する支持体を有することを特徴とする。
【００５６】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記表面電極部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第１裏面側金属層を露出させる工程と、
その後、前記第１裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように保持部を形成する工程と、
前記絶縁性シートの一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【００５７】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第１裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートの一部を除去することにより、前記絶縁層中に前記保持部が埋没状態となるようにする工程と、
前記絶縁性シートと前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【００５８】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第１裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第１裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第２裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第２裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートを除去することにより、前記保持部が前記絶縁層の表面と略同一となるようにする工程と、
前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁層の上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【００５９】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔が、
前記絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。
【００６０】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記第２裏面側金属層にエッチング処理を施し、裏面電極部および支持体部に分割除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【００６１】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記積層体における前記絶縁性シートはエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。
【００６２】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔が、
前記絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。
【００６３】
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記積層体における前記絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。
【００６４】
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された上記のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。
【００６５】
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路、または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
【００６６】
また、本発明の回路装置の検査装置は、
上記の回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする。
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された上記のシート状プローブの製造方法にて製造されたシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。
【００６７】
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
【００６８】
また、本発明の回路装置の検査装置は、
上記の回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００６９】
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体には、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部が形成されているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
【００７０】
更に電極構造体の保持部が絶縁層に一部または全部が埋没しているので、バーンイン試験等において繰り返し試験を行った場合においても、保持部の変形が抑制され、保持部が絶縁層より剥離することが抑制される。
【００７１】
これにより電極構造体の絶縁層からの脱落を更に抑制でき、シート状プローブの耐久性が更に高いものとなる。
また、小さい径の表面電極部を形成することが可能であることにより、隣接する表面電極部の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁層による柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
【００７２】
また、本発明のシート状プローブによれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、従って、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
【００７３】
さらに、本発明のシート状プローブによれば、多孔膜とリング状の支持板とは、これらの間に実質的に接着剤層が介在しない状態で互いに固定されるので、シート状プローブの高さバラツキを低減することができる。
【００７４】
したがって、ウエハに形成された集積回路などの回路装置における被検査電極のそれぞれと、検査装置の検査電極との電気的導通を低い加圧力で確保でき、被検査電極やシート状プローブの電極構造体などの破損を防止できる。
【００７５】
また、本発明のシート状プローブの製造方法によれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って、良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。
【００７６】
さらに、本発明のシート状プローブの製造方法によれば、絶縁性シートを有する積層体に予め表面電極部形成用凹所を形成し、表面電極部形成用凹所をキャビティとして表面電極部を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部が得られる。
【００７７】
そして表面電極部を形成した後に絶縁層を設け、絶縁層に短絡部形成用凹所を形成し、短絡部形成用凹所をキャビティとして短絡部を形成するため、短絡部の先端の径を先端部の基端の径より小さくして電極構造体を構成することができる。
【００７８】
従って、先端部と短絡部を形成するための凹所を１回で絶縁層に形成する方法に比べて、厚みの厚い絶縁層の場合でも裏面側電極部を小さく形成できる。
その結果、微細ピッチで高密度の電極構造体を有するシート状プローブを容易に製造することができる。
【００７９】
そして、絶縁層への先端部形成用凹所の形成と短絡部形成用凹所の形成を別途に行うので、先端部形成用凹所の形状と短絡部形成用凹所の形状が任意に設定できる。
これにより、短絡部の径を大きくしないで、短絡部の基端の径を大きくすることも可能であり、表面電極部の基端の径が大きく先端の径が小さく、かつ裏面電極部の径が小さな電極構造体を有する絶縁性シートの厚みの大きいシート状プローブを製造することができる。
【００８０】
また、絶縁層の表面に形成された第１裏面側金属層をエッチング処理することにより、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部を確実に形成することができる。
【００８１】
このため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性を有する。
さらに、支持体により絶縁層が支持されているため、検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。
【００８２】
また、本発明のプローブカードによれば、上記のシート状プローブを備えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブにおける電極構造体が脱落することがなく、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるので、高い耐久性が得られる。
【００８３】
さらに、本発明の回路装置の検査装置によれば、上記のプローブカードを備えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、多数の回路装置の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
なお、貼付した各図面は説明用のものであって、その各部の具体的なサイズ、形状などは本明細書の記載、および従来技術に基づいて当業者に理解されるところによる。
＜シート状プローブ＞
図１は、本発明のシート状プローブの実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図
、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線による断面図、図２は、図１に示したシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図３は、図２に示したシート状プローブのＸ−Ｘ線における説明用断面図、図４は、本発明のシート状プローブの電極構造体を拡大して示した説明用断面図である。
【００８５】
本発明のシート状プローブ１０は、複数の集積回路が形成された８インチなどのウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、図１（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された支持体２５を有し、この貫通孔内には接点膜９が配置されている。
【００８６】
接点膜９は、支持体２５の貫通孔周辺の支持部２２で、支持体２５に支持されている。
図１（ｂ）に示したように、この支持部２２は、支持体２５の上に絶縁膜からなる接点膜９が形成され、この支持体２５によって接点膜９が支持されている。
【００８７】
接点膜９は、図２に示したように、柔軟な絶縁層１８Ｂに電極構造体１５が貫通形成された構造になっている。
すなわち、絶縁層１８Ｂの厚み方向に延びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されている。
【００８８】
また、図３に示したように、電極構造体１５の各々は、絶縁層１８Ｂの表面に露出し、絶縁層１８Ｂの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁層１８Ｂの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して絶縁層１８Ｂをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８と、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部１９とより構成されている。
【００８９】
この電極構造体１５においては、表面電極部１６が、短絡部１８に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされている。
【００９０】
また、図４に示したように、表面電極部１６の基端の径Ｒ１が基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ３より大きくなっている。
絶縁層１８Ｂとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
【００９１】
また、短絡部１８を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
また、絶縁層１８Ｂの厚みｄは、絶縁層１８Ｂが柔軟なものであれば特に限定されないが、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
【００９２】
支持体２５は絶縁層１８Ｂと一体的に設けられるもので、絶縁層１８Ｂと積層された状態で絶縁層１８Ｂの表面に設けられてもよく、絶縁層１８Ｂに中間層として含まれてもよい。
【００９３】
そして支持体２５は、電極構造体１５と離間して配置され、電極構造体１５と支持体２
５は絶縁層１８Ｂにより連結されるので、電極構造体１５と支持体２５とは電気的に絶縁されている。
【００９４】
また、後述するシート状プローブ１０の製造方法によれば、支持体２５は第２裏面側金属層１７Ａの一部を除去することにより形成されるものである。
支持体２５となる第２裏面側金属層１７Ａを構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができる。
【００９５】
また、エッチング処理によって容易に第２裏面側金属層１７Ａを支持体２５と裏面電極部１７に分離分割できる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好ましい。
【００９６】
また、支持体２５は、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【００９７】
このような支持体２５を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼、モリブデン、モリブデン合金または合金鋼が挙げられる。
【００９８】
支持体２５の厚みは、３〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する支持体２５として必要な強度が得られないことがある。
【００９９】
一方、この厚みが過大である場合には、製造方法において、エッチング処理によって第２裏面側金属層１７Ａより支持体２５と裏面電極部１７に分離分割することが困難となることがある。
【０１００】
また、絶縁層をエッチングなどにより、図５（ａ）、図５（ｂ）に示したように、多数の接点膜９に分離して支持体２５に支持させてもよい。
この場合、支持体２５の各々の開口部２６に電極構造体１５を保持する柔軟な接点膜９が互いに独立した状態（図５（ａ））、部分的に独立した状態（図５（ｂ））で配置される。
【０１０１】
接点膜９の各々は、図５（ａ）、図５（ｂ）に示したように、柔軟な絶縁層１８Ｂを有する。
この絶縁層１８Ｂには、絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜９は、支持体２５の開口部内に位置するよう配置されている。
【０１０２】
電極構造体１５を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができる。
また電極構造体１５としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよく、表面電極部１６と短絡部１８が異なる金属により構成されてもよい。
【０１０３】
さらに、電極構造体１５における表面電極部１６および裏面電極部１７の表面には、電極部の酸化を防止するとともに、接触抵抗の小さい電極部を得るために、金、銀、パラジ
ウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていてもよい。
【０１０４】
電極構造体１５において、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．１１〜０．９であることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．６である。
【０１０５】
このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置が、ピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
【０１０６】
また、表面電極部１６の基端の径Ｒ１は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する突出高さｈの比ｈ／Ｒ１は、０．２〜０．８であることが好ましく、より好ましくは０．２５〜０．６である。
【０１０７】
このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置が、ピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体１５を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。
【０１０８】
表面電極部１６の基端の径Ｒ１は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜６０μｍである。
表面電極部１６の突出高さｈの高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１２〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍである。
【０１０９】
また、裏面電極部１７の外径Ｒ５は、裏面電極部１７に連結された短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４より大きく、かつ、電極構造体１５のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましい。
【０１１０】
これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
また、裏面電極部１７の厚みｄ２は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、１０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは１２〜６０μｍである。
【０１１１】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４に対する絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３の比Ｒ３／Ｒ４は、０．２〜１であることが好ましく、より好ましくは０．３〜０．９である。
【０１１２】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３は、電極構造体１５のピッチの１０〜５０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５％である。
また、保持部１９の径Ｒ６は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは４０〜６０％である。
【０１１３】
また、保持部１９の厚みｄ１は、３〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは４〜４０μｍである。
これらのシート状プローブにおける電極構造体１５の作製方法などは、特開平１１−２０４１７７号公報、特開２００３−９２３１７号公報に記載されている。
＜シート状プローブの製造方法＞
以下、シート状プローブ１０の製造方法について説明する。
【０１１４】
まず図６（ａ）に示したように、絶縁性シート１１と、この絶縁性シート１１の表面に形成された表面側金属層１６Ａと、絶縁性シート１１の裏面に形成された第１裏面側金属層１９Ａとよりなる積層体１０Ａを用意する。
【０１１５】
この積層体１０Ａにおいて、第１裏面側金属層１９Ａは、形成すべき電極構造体１５における保持部１９の厚みと同等の厚みを有するものである。
さらに絶縁性シート１１は、絶縁性シート１１の厚みと第１裏面側金属層１９Ａの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体１５における表面電極部１６の突出高さと同等となるものである。
【０１１６】
また、絶縁性シート１１を構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
【０１１７】
なお、表面電極部１６を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
【０１１８】
また、絶縁性シート１１の厚みｄは、絶縁性シート１１が柔軟なものであれば特に限定されないが、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２５μｍである。
【０１１９】
このような積層体１０Ａは、一般に市販されている両面に例えば銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。
このような積層体１０Ａに対し、図６（ｂ）に示したように、その表面側金属層１６Ａの表面全体に保護フィルム４０Ａを積層するとともに、第１裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔１２Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜１２Ａを形成する。
【０１２０】
ここで、レジスト膜１２Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図６（ｃ）に示したように、第１裏面側金属層１９Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成される。
【０１２１】
その後、絶縁性シート１１に対し、レジスト膜１２Ａの各パターン孔１２Ｈおよび第１裏面側金属層１９Ａの各パターン孔１９Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図７（ａ）に示したように、絶縁性シート１１に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１１Ｈが形成される。
【０１２２】
これにより、積層体１０Ａの裏面に、第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈ、絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成される。
【０１２３】
以上において、第１裏面側金属層１９Ａをエッチング処理するためのエッチング剤とし
ては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなる場合には、塩化第二鉄水溶液を用いることができる。
【０１２４】
また、絶縁性シート１１をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液等を用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート１１に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１１Ｈを形成することができる。
【０１２５】
このようにして、表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成された積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、図７（ｂ）に示したように、積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における保持部１９のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔１３Ｈが形成されたレジスト膜１３Ａを形成する。
【０１２６】
ここで、レジスト膜１３Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるが感光性ドライフィルムレジストが好ましい。
【０１２７】
次いで、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋおよびレジスト膜１３Ａの各パターン孔１３Ｈ内に金属を充填する。
【０１２８】
これにより図７（ｃ）に示したように、複数の表面電極部１６、表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁性シート１１の裏面に沿って外側に伸びる保持部１９が形成される。
【０１２９】
ここで、保持部１９の各々は、第１裏面側金属層１９Ａを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部１６、保持部１９が形成された積層体１０Ａよりレジスト膜１３Ａを除去し、図８（ａ）に示したように第１裏面側金属層１９Ａと保持部１９を覆うように絶縁層１８Ｂを形成し、さらに絶縁層１８Ｂの表面に第２裏面側金属層１７Ａを形成し積層体１０Ｂとする。
【０１３０】
また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミド、ポリイミドフィルムなどを用いることができ、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを用いる場合には熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより絶縁層１８Ｂを形成することが好ましい。
【０１３１】
また、ポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムを接着剤などで積層体１０Ａに積層することにより形成することができる。
さらに、ポリイミドフィルムを加熱圧着して積層体１０Ａに積層することにより形成することができる。
【０１３２】
また、片面に例えば４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、接着層を介して積層体１０Ａに積層することにより絶縁層１８Ｂと第２裏面側金属層１７Ａを形成することもできる。
【０１３３】
さらに、片面に例えば４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを加熱圧着して積層体１０Ａに一体化することもできる。
第２裏面側金属層１７Ａは、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７の厚みより小さい厚みで、形成すべき支持体２５の厚みと同等の厚みを有するものである。
【０１３４】
その後、図８（ｂ）に示したように積層体１０Ｂに対し、第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１３５】
ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図８（ｃ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１３６】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび第２裏面側金属層１７Ａの各パターン孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去する。
【０１３７】
これにより図９（ａ）に示したように、絶縁層１８Ｂに第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通し、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり、底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。
【０１３８】
これにより、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。
【０１３９】
以上において、第２裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択さる。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、絶縁性シート１１のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。
【０１４０】
このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、図９（ｂ）に示したように、積層体１０Ｂに第２裏面側金属層１７Ａの表面に形成すべき裏面電極部１７のパターンに対応する複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。
【０１４１】
ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填することにより、図９（ｃ）に示したように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の他端に連結された裏面電極部１７が形成される。
【０１４２】
ここで、裏面電極部１７の各々は、第２裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部１６、保持部１９、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｃからレジスト膜２９Ａを除去し、その後に図１０（ａ）に示したように裏面電極部１７と支持体２５とする第２裏面側金属層１７Ａ部分を覆い、除去すべき第２裏面側金属層１７Ａ部分に対応するパターンに従ってパターン孔２９Ｋを有するパター
ニングされたエッチング用レジスト膜２９Ｂを形成する。
【０１４３】
ここで、レジスト膜２９Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面側金属層１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ａを除去し、表面側金属層１６Ａおよび第２裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施す。
【０１４４】
これにより、図１０（ｂ）に示したように表面側金属層１６Ａを除去し、さらに第２裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去して開口部２６を形成し、互いに分離した複数の裏面電極部１７および支持体２５が形成される。
【０１４５】
さらに、図１０（ｃ）に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜２９Ｂを除去した後、裏面電極部１７、支持体２５、開口部２６を覆うように、レジスト膜１７Ｅを形成する。
ここで、レジスト膜１７Ｅを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
【０１４６】
そしてレジスト膜１７Ｅの表面全体に保護フィルム４０Ｂを積層する。
次いで、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図１１（ａ）に示したように、表面電極部１６、第１裏面側金属層１９Ａを露出し、その後、表面電極部１６および第１裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ａを形成する。
【０１４７】
その後、第１裏面側金属層１９Ａにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図１１（ｂ）に示したように、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部１９が形成され、これにより電極構造体１５が形成される。
【０１４８】
そして、図１１（ｃ）に示したように、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ａを除去する。
さらに、図１２（ａ）に示したように、支持体２５の一部を露出させるよう、レジスト膜１４Ｂを積層体１０Ｃの上面に形成する。
【０１４９】
その後、エッチング処理をすることにより、図１２（ｂ）に示したように、支持体２５の一部が露出される。
さらに、図１２（ｃ）に示したように、レジスト膜１７Ｅより保護フィルム４０Ｂを剥離し、さらに絶縁層１８Ｂの上下面に形成されたレジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを除去する。
【０１５０】
これにより、図１３に示した図１２（ｃ）の拡大部Ｂの拡大図のように、第１裏面側金属層１９Ａの厚みに相当する厚み分、保持部１９が絶縁層１８Ｂの表面に露出しており、保持部１９の絶縁層１８Ｂに一部埋設される部分の厚みが、保持部１９の全厚より第１裏面側金属層１９Ａの厚みを差し引いた厚みに相当するシート状プローブ１０が得られる。
【０１５１】
このような方法によれば、絶縁性シート１１を有する積層体１０Ａに予め表面電極部形成用凹所１０Ｋを形成し、表面電極部形成用凹所１０Ｋをキャビティとして表面電極部１６を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部１６が得られる。
【０１５２】
また、絶縁層１８Ｂの表面に形成された第１裏面側金属層１９Ａをエッチング処理することにより、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁性シート１１の表面に沿って外
方に伸びる保持部１９を確実に形成することができるため、表面電極部１６の径が小さくても、電極構造体１５が絶縁層１８Ｂから脱落することがなく高い耐久性を有するシート状プローブ１０を製造することができる。
【０１５３】
そして、表面電極部１６を形成した絶縁性シート１１に一体的に積層された絶縁層１８Ｂを有する積層体１０Ｂに短絡部形成用凹所１８Ｋを形成し、短絡部形成用凹所１８Ｋをキャビティとして短絡部１８を形成するため、表面電極部形成用凹所１０Ｋと短絡部形成用凹所１８Ｋを個別に形成するので、厚みの大きい絶縁層１８Ｂに対しても確実に表面電極部１６に連通する短絡部形成用凹所１８Ｋが形成でき、短絡部１８の厚みの大きい電極構造体１５を形成できる。
【０１５４】
そのため、厚みの大きな絶縁層１８Ｂよりなるシート状プローブ１０を確実に製造することができる。
そして、積層体１０Ｃを構成する第２裏面側金属層１７Ａをエッチング処理して、開口部２６を形成することにより第２裏面側金属層１７Ａを分割分離して裏面電極部１７と支持体２５を形成するので、絶縁層１８Ｂに一体化し、電極構造体１５とは電気的に絶縁した金属よりなる支持体２５を確実に製造することができる。
【０１５５】
次に、本発明の第２の実施例のシート状プローブ１０の製造方法について説明する。
図１４（ａ）から図１９（ｂ）に示した第２の実施例は、基本的には先に説明した第１の実施例におけるシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、保持部１９の上面に絶縁性シート１１を残存させることによって、保持部１９が絶縁シート１１と絶縁層１８Ｂとの間に埋没した状態となっている点である。
【０１５６】
この実施例では、図６（ａ）から図７（ａ）までの工程は、第１の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
図１４（ａ）に示したように図７（ａ）と同様に、絶縁性シート１１に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１１Ｈが形成される。
【０１５７】
これにより、積層体１０Ａの裏面に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈ、絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成される。
【０１５８】
このようにして表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成された積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、図１４（ｂ）に示したように、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋに金属を充填するとともに、絶縁性シート１１の裏面に表面電極部１６または保持部形成用金属層１９Ｂを形成する。
【０１５９】
さらに、図１４（ｃ）に示したように積層体１０Ａに対し、保持部形成用金属層１９Ｂの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するレジストパターン７０Ａを形成する。
【０１６０】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａと保持部形成用金属層１９Ｂに対し、レジストパターン７０Ａ以外の部分より露出した部分にエッチング処理を施して、その部分を除去する。
これにより、図１５（ａ）に示したように、第１裏面側金属層１９Ａに、レジストパターン７０Ａ以外の部分と連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成され、さらに複数の表面電極部１６、表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁性シート１１の裏面に沿って外側に伸びる保持部１９が形成される。
【０１６１】
このようにして表面電極部１６、保持部１９が形成された積層体１０Ａよりレジストパターン７０Ａを除去し、図１５（ｂ）に示したように絶縁性シート１１と保持部１９を覆うように絶縁層１８Ｂを形成し、さらに絶縁層１８Ｂの表面に第２裏面側金属層１７Ａを形成し積層体１０Ｂとする。
【０１６２】
また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミド、ポリイミドフィルムなどを用いることができ、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを用いる場合には熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより絶縁層１８Ｂを形成することが好ましい。
【０１６３】
また、ポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムを接着剤などで積層体１０Ａに積層することにより形成することができる。
さらに片面に、４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、積層体１０Ａに接着剤を介して積層することにより、絶縁層１８Ｂと第２裏面側金属層１７Ａを形成することもできる。
【０１６４】
また、上記の接着剤を用いる方法の他にも、加熱加圧プレスを用いて、積層体１０Ａとポリイミドフィルムとを圧着させて積層することもできる。
第２裏面側金属層１７Ａは、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７の厚みより小さい厚みで、形成すべき支持体２５の厚みと同等の厚みを有するものとされる。
【０１６５】
その後、図１５（ｃ）に示したように積層体１０Ｂに対し、第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１６６】
ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１６（ａ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１６７】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび第２裏面側金属層１７Ａの各パターン孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図１６（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。
【０１６８】
これにより、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。
【０１６９】
以上において、第２裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択さる。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、絶縁性シート１１のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。
【０１７０】
このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去する。
その後、図１６（ｃ）に示したように、積層体１０Ｂに、第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。
【０１７１】
ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填する。
【０１７２】
これにより図１７（ａ）に示したように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の他端に連結された裏面電極部１７が形成される。
【０１７３】
ここで、裏面電極部１７の各々は、第２裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部１６、保持部１９、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｃからレジスト膜２９Ａを除去する。
【０１７４】
さらに図１７（ｂ）に示したように、裏面電極部１７と支持体２５とする第２裏面側金属層１７Ａ部分を覆い、除去すべき第２裏面側金属層１７Ａ部分に対応するパターンに従ってパターン孔２９Ｋを有するパターニングされたエッチング用レジスト膜２９Ｂを形成する。
【０１７５】
ここで、レジスト膜２９Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面側金属層１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ａを除去し、表面側金属層１６Ａおよび第２裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施す。
【０１７６】
これにより図１７（ｃ）に示したように、表面側金属層１６Ａを除去するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去して開口部２６を形成し、互いに分離した複数の裏面電極部１７および支持体２５が形成される。
【０１７７】
さらに、図１８（ａ）に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜２９Ｂを除去した後、裏面電極部１７、支持体２５、開口部２６を覆うように、レジスト膜１７Ｅを形成する。
ここで、レジスト膜１７Ｅを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
【０１７８】
そして、レジスト膜１７Ｅの表面全体に保護フィルム４０Ｂを積層する。
次いで、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施してその一部を除去し、図１８（ｂ）に示したように、表面電極部１６を露出する。
【０１７９】
この際、絶縁性シート１１に対して行われるエッチング処理は、保持部１９が埋没状態となるよう、絶縁性シート１１の一部が残るように行う。
さらに、図１８（ｃ）に示したように、支持体２５の一部を露出させるよう、レジスト膜１４Ｂを積層体１０Ｃの上面に形成する。
【０１８０】
その後、絶縁性シート１１および絶縁層１８Ｂに対してエッチング処理をすることにより、図１９（ａ）に示したように、支持体２５の一部が露出される。
さらに、図１９（ｂ）に示したように、レジスト膜１７Ｅより保護フィルム４０Ｂを剥離し、さらに絶縁層１８Ｂの下面に形成されたレジスト膜１７Ｅと、絶縁性シート１１の上面に形成されたレジスト膜１４Ｂを除去する。
【０１８１】
これにより、図２０に示した図１９（ｂ）の拡大部Ｂの拡大図のように、保持部１９の全厚が絶縁層１８Ｂに埋没され、エッチングにより厚みが薄くなり、残存している絶縁性シート１１の厚み分が保持部１９の上面に残存し、保持部１９全体がこれらに完全に埋没されたシート状プローブ１０が得られる。
【０１８２】
次に、本発明の第３の実施例のシート状プローブ１０の製造方法について説明する。
図２１（ａ）から図２２（ｂ）に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図１２（ｃ）に示したように、保持部１９が絶縁層１８Ｂ内に一部埋没した状態ではなく、絶縁性シート１１を全て除去することにより、絶縁層１８Ｂと保持部１９とが面一の状態となっている点である。
【０１８３】
この実施例では、上記の第２の実施例と、図１４（ａ）から図１８（ｂ）までの工程は同様であるため、同様の工程については簡単に説明する。
上記の第２の実施例と、図１４（ａ）から図１８（ｂ）までの工程を経ることによって、図２１（ａ）に示したように絶縁性シート１１の一部が除去された積層体１０Ｃが得られる。
【０１８４】
さらに、図２１（ｂ）に示したように、絶縁性シート１１にエッチング処理を施すことにより、保持部１９が絶縁層１８Ｂの表面と略同一と成るようにする。
なお、絶縁性シート１１と絶縁層１８Ｂのエッチング処理は、絶縁性シート１１と絶縁層１８Ｂとの界面で、確実にエッチングを停止できるよう、絶縁性シート１１と絶縁層１８Ｂの両ポリイミド材のエッチング速度が異なるものを使用すると良い。
【０１８５】
この際、絶縁層１８Ｂに用いられるポリイミド材を、絶縁性シート１１に用いられるポリイミド材よりエッチング速度が遅いポリイミド材とすることにより、容易にこれらの界面でエッチングを停止することができる。
【０１８６】
その後、図２１（ｃ）に示したように、支持体２５の一部を露出させるよう、レジスト膜１４Ｂを積層体１０Ｃの上面に形成する。
その後、絶縁層１８Ｂに対してエッチング処理をすることにより、図２２（ａ）に示したように、支持体２５の一部が露出される。
【０１８７】
さらに、図２２（ｂ）に示したように、レジスト膜１７Ｅより保護フィルム４０Ｂを剥離し、さらに絶縁層１８Ｂの下面に形成されたレジスト膜１７Ｅと、上面に形成されたレジスト膜１４Ｂを除去する。
【０１８８】
これにより、図２３に示した図２２（ｂ）の拡大部Ｂの拡大図のように、保持部１９の全厚が絶縁層１８Ｂに埋設され、保持部１９の厚みが、第１裏面側金属層１９Ａの厚みに相当する厚みと、表面電極部１６を形成する際にメッキにより形成された厚みの合計となっているシート状プローブ１０が得られる。
＜プローブカードおよび回路装置の検査装置＞
図２４は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示した説明用断面図である。
【０１８９】
この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。
この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウエハ６の被検査電極７の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード１（絶縁層１８Ｂを支持体２５で支持するシート状プローブ）を有する。
【０１９０】
このプローブカード１においては、図２７にも拡大して示したように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極２１が表面に形成された検査用回路基板２０を有している。
【０１９１】
さらに、この検査用回路基板２０の表面には、異方導電性コネクター３０が配置され、この異方導電性コネクター３０の表面には、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体１５が配置された、図３に示した構成のシート状プローブ１０が配置されている。
【０１９２】
そしてシート状プローブ１０は、ガイドピン５０により異方導電性コネクター３０と、電極構造体１５と導電部３６が一致するように固定された状態で保持されている。
また、プローブカード１における検査用回路基板２０の裏面（図において上面）には、プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、ウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【０１９３】
また、このような回路装置の検査装置は、図２５に示したように、シート状プローブ１０が、支持体２５の外縁部に支持板２が接着剤により接着された状態で使用されてもよい。
【０１９４】
また、シート状プローブ１０の周縁部には、剛性を有する平板リング状の支持板２が設けられている。
支持板２の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。
【０１９５】
このような回路装置の検査装置は、分解すると図２６（ａ）、図２６（ｂ）に示したような構成であり、異方導電性コネクター３０のフレーム板３１に形成された貫通孔と、ガイドピン５０とが嵌合することによって、位置決めを行っている。
【０１９６】
また、シート状プローブ１０は、支持体２５の外縁部に接着した支持板２と、加圧板３の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになっている。
さらに、検査用回路基板２０を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができる。
【０１９７】
その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナなどのセラミックス材料などが挙げられる。
【０１９８】
また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。
【０１９９】
このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。
異方導電性コネクター３０は、図２８に示したように、被検査回路装置であるウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７が配置された電極領域に対応して複数の開口３２が形成されたフレーム板３１と、このフレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート３５とにより構成されている。
【０２００】
フレーム板３１を構成する材料としては、フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３１を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
【０２０１】
フレーム板３１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
【０２０２】
フレーム板３１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｂｅｌ  Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【０２０３】
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
【０２０４】
フレーム板３１の厚みは、その形状が維持されるとともに、異方導電性シート３５を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
【０２０５】
異方導電性シート３５の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ６に形成された一の電極領域の被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部３６と、これらの導電部３６の各々を相互に絶縁する絶縁部３７とにより構成されている。
【０２０６】
また、図示の例では、異方導電性シート３５の両面には、導電部３６およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部３８が形成されている。
異方導電性シート３５における導電部３６の各々には、磁性を示した導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。
【０２０７】
これに対して、絶縁部３７は、導電性粒子Ｐが全くあるいは殆ど含有されていないものである。
異方導電性シート３５の全厚（図示の例では導電部３６における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。
【０２０８】
この厚みが５０μｍ以上であれば、異方導電性シート３５には十分な強度が得られる。
一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。
【０２０９】
突出部３８の突出高さは、その合計が突出部３８における厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、小さい加圧力で導電部３６が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
【０２１０】
また、突出部３８の突出高さは、突出部３８の最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、突出部３８が加圧されたときに座屈することがないため、導電性が確実に得られる。
【０２１１】
異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
【０２１２】
導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
【０２１３】
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い導電部３６が得られやすい。
一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な導電部３６を容易に形成することができ、また得られる導電部３６は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
【０２１４】
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2以上のものである。具体的には、鉄、ニッケル、コバルト
またはそれらの合金などが挙げられる。
【０２１５】
磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
【０２１６】
導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター３０を高温環境下で繰り返し使用したとき、導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
【０２１７】
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる異方導電性シート３５は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部３６において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触
が得られる。
【０２１８】
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状、星形状、またはこれらが凝集した２次粒子による塊状であることが好ましい。
【０２１９】
導電部３６における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。
【０２２０】
一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部３６は脆弱なものとなりやすく、導電部３６として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクター３０は、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。
【０２２１】
上記の検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード１が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の電極構造体１５における表面電極部１６の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、さらに表面電極部１６の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。
【０２２２】
この状態においては、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５における導電部３６の各々は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。
【０２２３】
このため、導電部３６にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１との電気的接続が達成される。
その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【０２２４】
上記のプローブカード１によれば、図３に示したシート状プローブ１０を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ１０における電極構造体１５が脱落することがなく、絶縁層１８Ｂの厚みが大きいため高い耐久性が得られる。
【０２２５】
そして、上記の検査装置によれば、図３に示したシート状プローブ１０を有するプローブカード１を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
【０２２６】
またプローブカード１は、高い耐久性を有するため、多数のウエハ６の検査を行う場合でも長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように種々の変更を加えることが可能である。
（１）図２４および図２５に示したプローブカード１は、ウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極７に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に電気的に接続されるものであってもよい。
【０２２７】
選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極７の数などを考慮して適宜選択され、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。
【０２２８】
このようなプローブカード１を有する検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。
【０２２９】
そして、このような検査装置によれば、直径が８インチまたは１２インチのウエハ６に高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板２０の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
（２）異方導電性コネクター３０における異方導電性シート３５には、被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部３６の他に、被検査電極７に電気的に接続されない非接続用の導電部３６が形成されていてもよい。
（３）本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウエハ６に限定されるものではなく、半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＣＭＣなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。
（４）シート状プローブ１０は、円筒形のセラミックなどの保持体により保持された状態にて、異方導電性シート３５や検査用回路基板２０と、例えばガイドピン５０などにて固定一体化することもできる。
（５）本発明のシート状プローブ１０の製造方法において、第２裏面側金属層１７Ａは必須のものでなく、これを省略し短絡部形成用凹所１８Ｋとパターン孔１７Ｈに金属を充填することにより短絡部１８と一体化した裏面電極部１７を形成してもよい。
【０２３０】
この場合、支持体２５は、別途用意した支持体２５と製造したシート状プローブ１０に接着剤などを用いて積層して、一体化してもよい。
（６）本発明のシート状プローブ１０においては、例えば図５（ａ）に示したような電極構造体１５を有する絶縁層１８Ｂよりなる複数の接点膜９が、支持体２５の開口部２６の各々に配置し支持体２５により支持された状態のシート状プローブ１０であるとよい。
【０２３１】
さらに図５（ｂ）に示したように、一つの接点膜９が支持体２５の複数の開口部２６を覆うように配置されたものであってもよい。
このように独立する複数の接点膜９によりシート状プローブ１０を構成することにより、例えば直径８インチ以上のウエハ検査用のシート状プローブ１０を構成した場合、温度変化による接点膜９の伸縮が小さくなり電極構造体１５の位置ずれが小さくなり好ましい。
【０２３２】
このようなシート状プローブは、本発明のシート状プローブ１０の製造方法における図１２（ｂ）の状態で、絶縁層１８Ｂにレジストによるパターニングとエッチングにより絶縁層１８Ｂを任意の形状の接点膜９に分割することにより得られる。
【実施例】
【０２３３】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔試験用ウエハの作製〕
図２９に示したように、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハ６上に、それぞれ寸法が６．５ｍｍ×６．５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で３９３個形成した。
【０２３４】
ウエハ６に形成された集積回路Ｌの各々は、図３０に示したように、その中央に被検査電極領域Ａを有し、この被検査電極領域Ａには、図３１に示したように、それぞれ縦方向（図３１において上下方向）の寸法が２００μｍで横方向（図３１において左右方向）の寸法が５０μｍの矩形の６０個の被検査電極７が１００μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２３５】
このウエハ６全体の被検査電極７の総数は２３５８０個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ１」という。
【０２３６】
また、全ての被検査電極７を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌにおける６０個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極７から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の３９３個の集積回路（Ｌ）をウエハ６上に形成した。
【０２３７】
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
〈実施例１〉
直径が２０ｃｍで厚みが１７．５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが５μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体Ａ」という。）を用意した（図６（ａ）参照）。
【０２３８】
積層体１０Ａは、厚みが１７．５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１の一面に厚みが５μｍの銅よりなる第１裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが５μｍの銅よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。
【０２３９】
上記の積層体１０Ａに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第１裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が５０μｍの円形の２３５８０個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図６（ｂ）参照）。
【０２４０】
ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２４１】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層１１Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１９Ｈを形成した（図６（ｃ）参照）。
【０２４２】
その後、絶縁性シート１１に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２３５８０個の貫通孔１１Ｈを形成した（図７（ａ）参照）。
【０２４３】
この貫通孔１３Ｈの各々は、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径と
なるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が５０μｍ、表面側の開口径が３０μｍのものであった。
【０２４４】
次いで、積層体１０Ａを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、積層体１０Ａに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第１裏面側金属層１９Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜１３Ａを形成するとともに、レジスト膜１３Ａに絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈに連通する直径６０μｍの２３５８０個のパターン孔１３Ｈを形成した（図７（ｂ）参照）。
【０２４５】
ここで、レジスト膜１３Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２４６】
このようにして、絶縁性シート１１の裏面に、それぞれ絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈ、第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈおよびレジスト膜１３Ａのパターン孔１３Ｈが連通されてなる２３５８０個の表面電極部形成用凹所１０Ｋを形成した。
【０２４７】
次いで積層体１０Ａを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６および第１裏面側金属層１９Ａによって互いに連結された保持部１９を形成した（図７（ｃ）参照）。
【０２４８】
次いで、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１３Ａを除去した。
そして、直径が２２ｃｍで厚みが２５μｍの４２アロイよりなる金属層の一面に直径が２０．４ｃｍで厚みが３７．５μｍのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層シートＢ」という。）とを用意した。
【０２４９】
次いで、積層シートＢにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約１μｍの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し、この接着層上に積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａ側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体１０Ｂを作製した。
【０２５０】
積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが３７．５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる第２裏面側金属層１７Ａを有するものである（図８（ａ）参照）。
【０２５１】
次いで、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍで円形の２３５８０個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図８（ｂ）参照）。
【０２５２】
ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２５３】
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞ
れレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１７Ｈを形成した（図８（ｃ）参照）。
【０２５４】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ連通した２３５８０個の貫通孔１８Ｈを形成した（図９（ａ）参照）。
【０２５５】
この貫通孔１３Ｈの各々は、絶縁膜１３の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部１６が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が２０μｍのものであった。
【０２５６】
次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
その後、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成するとともに、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が１５０μｍ×６０μｍの矩形の２３５８０個のパターン孔２９Ｈを形成した（図９（ｂ）参照）。
【０２５７】
ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２５８】
このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２３５８０個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。
【０２５９】
次いで積層体１０Ｂを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および第２裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成し、これを積層体１０Ｃとした（図９（ｃ）参照）。
【０２６０】
次いで、積層体１０Ｃを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａにおける支持膜となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１０（ａ）参照）。
【０２６１】
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２６２】
次いで、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ａを除去し、その後、表面側金属層１６Ａおよび第２裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層１６Ａの全部を除去するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去した。
【０２６３】
これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハＷ１に
形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する支持体２５を形成した（図１０（ｂ）参照）。
【０２６４】
次いで、積層体１０Ｃを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持体２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジスト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１０（ｃ）参照）。
【０２６５】
その後、積層体１０Ｃに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１を除去した。
【０２６６】
次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部１６および第１裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜１４Ａを形成した（図１１（ａ）参照）。
【０２６７】
ここで、レジスト膜１４Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２６８】
その後、第１裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる円板リング状の保持部１９を形成し、電極構造体１５を形成した（図１１（ｂ）参照）。
【０２６９】
さらに、積層体１０Ｃの支持体２５の一部を露出させるため、表面電極部１６を覆うとともに、絶縁層１８Ｂの上面にレジスト膜１４Ｂを形成した（図１２（ａ）参照）。
ここで、レジスト膜１４Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２７０】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持体２５の一部分を露出した（図１２（ｂ）参照）。
【０２７１】
そして、レジスト膜１７Ｅから保護シールを除去した後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｂを除去するとともに、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１７Ｅを除去した（図１２（ｃ）参照）。
【０２７２】
その後、支持体２５における周縁部分の表面に、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２を配置した後、支持板２と支持体２５とを加圧し、１８０℃で２時間保持することにより、支持板２を支持体２５に接合することにより、シート状プローブ１０を製造した。
【０２７３】
このシート状プローブ１０は、図１３に示した図１２（ｃ）の拡大部Ｂの拡大図のように、第１裏面側金属層１９Ａの厚みに相当する厚み分、保持部１９が絶縁層１８Ｂの表面に露出している。
【０２７４】
なお、保持部１９の絶縁層１８Ｂに一部埋設される部分の厚みは、保持部１９の全厚より第１裏面側金属層１９Ａの厚みを差し引いた厚みに相当する。
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
【０２７５】
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの厚みｄが３７．５μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ１が５０μｍ、その先端の径Ｒ２が３０μｍ、その突出高さｈが１２．５μｍ、短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が２５μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みｄ２が５０μｍ、保持部１９の形状が円形リング板状で、その外径Ｒ６が６０μｍ、その厚みｄ１が３０μｍのものである。
【０２７６】
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＥ１」〜「シート状プローブＥ４」とする。
〈実施例２〉
ポリイミドシート（東レ・デュポン（株）「カプトン」登録商標  ポリイミドフィルム
品種１００ＥＮ  両面に厚み４μｍの銅層を有する）を加工して、直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体Ａ」という。）を用意した（図６（ａ）参照）。
【０２７７】
積層体１０Ａは、厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１の一面に厚みが４μｍの銅よりなる第１裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが４μｍの銅よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。
【０２７８】
上記の積層体１０Ａに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第１裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２３５８０個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図６（ｂ）参照）。
【０２７９】
ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２８０】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層１１Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１９Ｈを形成した（図６（ｃ）参照）。
【０２８１】
その後、絶縁性シート１１に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２３５８０個の貫通孔１１Ｈを形成した（図１４（ａ）参照）。
【０２８２】
この貫通孔１３Ｈの各々は、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が６０μｍ、表面側の開口径が３０μｍの
ものであった。
【０２８３】
次いで、積層体１０Ａを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去した。
さらに積層体１０Ａを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施した。
【０２８４】
これにより、各表面電極部形成用凹所１０Ｋ内に金属を充填するとともに、第１裏面側金属層１９Ａの表面に厚み２μｍのニッケルメッキよりなる保持部形成用金属層１９Ｂを形成した。
【０２８５】
これにより、のちに保持部１９となる保持部形成用金属層１９Ｂと第１裏面側金属層１９Ａ、さらに表面電極部１６とが連結された（図１４（ｂ）参照）。
さらに積層体１０Ａに対し、保持部形成用金属層１９Ｂの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従う、寸法が１６０μｍ×７０μｍの矩形のエッチング用のレジストパターン７０Ａを形成した（図１４（ｃ）参照）。
【０２８６】
次いで、保持部形成用金属層１９Ｂと第１裏面側金属層１９Ａに対し、レジストパターン７０Ａ以外の箇所より露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、第１裏面側金属層１９Ａに、それぞれレジストパターン７０Ａ以外の箇所と連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成される。
【０２８７】
これにより、複数の表面電極部１６、表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁性シート１１の裏面に沿って外側に伸びる寸法が１６０μｍ×７０μｍの矩形の保持部１９が形成された（図１５（ａ）参照）。
【０２８８】
また表面電極部１６、保持部１９が形成された積層体１０Ａよりレジストパターン７０Ａを除去し、直径が２２ｃｍで厚みが２５μｍの４２アロイよりなる金属層の一面に直径が２０．４ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層シートＢ」という。）を用意した。
【０２８９】
ポリイミドシートとしては宇部興産社製の厚み２５μｍの熱可塑性のポリイミドフィルム（品名ユーピレックス−Ｓ）を使用した。
次いで、積層シートＢにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約１μｍの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し加熱乾燥の後、この接着層上に積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａ側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体１０Ｂを作製した。
【０２９０】
積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる第２裏面側金属層１７Ａを有するものである（図１５（ｂ）参照）。
【０２９１】
次いで、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍで円形の２３５８０個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図１５（ｃ）参照）。
【０２９２】
ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる
現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２９３】
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１６（ａ）参照）。
【０２９４】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ連通した２３５８０個の貫通孔１８Ｈを形成した（図１６（ｂ）参照）。
【０２９５】
この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部１６が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が４０μｍのものであった。
【０２９６】
次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
その後、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成するとともに、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が１５０μｍ×６０μｍの矩形の２３５８０個のパターン孔２９Ｈを形成した（図１６（ｃ）参照）。
【０２９７】
ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２９８】
このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２３５８０個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。
【０２９９】
次いで積層体１０Ｂを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および第２裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成し、これを積層体１０Ｃとした（図１７（ａ）参照）。
【０３００】
次いで、積層体１０Ｃを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｃからレジスト膜２９Ａを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａにおける支持体２５となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１７（ｂ）参照）。
【０３０１】
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３０２】
次いで、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ａを除去し、その後、表面側金属層１６Ａおよび第２裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０
秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層１６Ａの全部を除去するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去した。
【０３０３】
これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する支持体２５を形成した（図１７（ｃ）参照）。
【０３０４】
次いで、積層体１０Ｃを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持体２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジスト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１８（ａ）参照）。
【０３０５】
その後、積層体１０Ｃに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、６分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１の表面部分を除去し、絶縁性シートの厚みを２５μｍから５μｍとした（図１８（ｂ）参照）。
【０３０６】
次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部１６および第１裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜１４Ｂを形成した（図１８（ｃ）参照）。
【０３０７】
ここで、レジスト膜１４Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３０８】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持体２５の一部分を露出した（図１９（ａ）参照）。
【０３０９】
そして、レジスト膜１７Ｅから保護フィルム４０Ｂを除去した後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｂを除去するとともに、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１７Ｅを除去した（図１９（ｂ）参照）。
【０３１０】
その後、支持体２５における周縁部分の表面に、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２を配置した後、支持板２と支持体２５とを加圧し、１８０℃で２時間保持することにより、支持板２を支持体２５に接合することにより、シート状プローブ１０を製造した。
【０３１１】
このようなシート状プローブ１０は、図２０に示した図１９（ｂ）の拡大部Ｂの拡大図のように、保持部１９の全厚が絶縁層１８Ｂに埋没され、エッチングにより厚みが薄くなり、残存している絶縁性シート１１の厚み分が保持部１９の上面に残存し、保持部１９全体が絶縁層１８Ｂに完全に埋没されている。
【０３１２】
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの厚みｄが２５μｍ、電極構造体１５
の表面電極部１６の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ１が６０μｍ、その先端の径Ｒ２が３０μｍ、その絶縁性シート１１の表面からの突出高さｈが２０μｍ、短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が４０μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みｄ２が５０μｍ、保持部１９の形状が矩形で、その横幅が７０μｍ、縦幅が１６０μｍ、その厚みｄ１が６μｍ（銅層４μｍ＋ニッケル層２μｍ）のものである。保持部１９の表側には厚み５μｍの絶縁性シート１１が積層されている。
【０３１３】
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＦ１」〜「シート状プローブＦ４」とする。
〈実施例３〉
ポリイミドシート（東レ・デュポン（株）「カプトン」登録商法  ポリイミドフィルム
品種１００ＥＮ  両面に厚み４μｍの銅層を有する）を加工して、直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体Ａ」という。）を用意した（図６（ａ）参照）。
【０３１４】
積層体１０Ａは、厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１の一面に厚みが４μｍの銅よりなる第１裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが４μｍの銅よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。
【０３１５】
上記の積層体１０Ａに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第１裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２３５８０個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図６（ｂ）参照）。
【０３１６】
ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３１７】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層１１Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１９Ｈを形成した（図６（ｃ）参照）。
【０３１８】
その後、絶縁性シート１１に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２３５８０個の貫通孔１１Ｈを形成した（図１４（ａ）参照）。
【０３１９】
この貫通孔１３Ｈの各々は、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が６０μｍ、表面側の開口径が３０μｍのものであった。
【０３２０】
次いで、積層体１０Ａを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、次いで積層体１０Ａを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋ内に金属を充填するこ
とにより、表面電極部１６を形成し、第１裏面側金属層１９Ａの表面にニッケルメッキ層を形成した（図１４（ｂ）参照）。
【０３２１】
さらに積層体１０Ａに対し、第１裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従う複数の寸法が１６０μｍ×７０μｍの矩形のエッチング用のレジストパターン７０Ａを形成した（図１４（ｃ）参照）。
【０３２２】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、レジストパターン７０Ａ以外の箇所より露出した部分にエッチング処理を施して除去した。
第１裏面側金属層１９Ａに、それぞれレジストパターン７０Ａ以外の箇所と連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成される。これにより、複数の表面電極部１６、表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁性シート１１の裏面に沿って外側に伸びる保持部１９が形成された（図１５（ａ）参照）。
【０３２３】
また表面電極部１６、保持部１９が形成された積層体１０Ａよりレジストパターン７０Ａを除去し、直径が２２ｃｍで厚みが２５μｍの４２アロイよりなる金属層の一面に直径が２０．４ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層シートＢ」という。）を用意した。
【０３２４】
ポリイミドシートとしては宇部興産社製の厚み２５μｍの熱可塑性のポリイミドフィルム（品名ユーピレックス−Ｓ）を使用した。
次いで、積層シートＢにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約１μｍの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し加熱乾燥の後、この接着層上に積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａ側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体１０Ｂを作製した。
【０３２５】
積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる第２裏面側金属層１７Ａを有するものである（図１５（ｂ）参照）。
【０３２６】
次いで、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成するとともに、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍで円形の２３５８０個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図１５（ｃ）参照）。
【０３２７】
ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３２８】
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２３５８０個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１６（ａ）参照）。
【０３２９】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ連通した２３５８０個の貫通孔１８Ｈを形成した（図１６（ｂ）参照）。
【０３３０】
この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部１６が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が４０μｍのものであった。
【０３３１】
次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
その後、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成するとともに、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が１５０μｍ×６０μｍの矩形の２３５８０個のパターン孔２９Ｈを形成した（図１６（ｃ）参照）。
【０３３２】
ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３３３】
このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２３５８０個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。
【０３３４】
次いで積層体１０Ｂを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および第２裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成し、これを積層体１０Ｃとした（図１７（ａ）参照）。
【０３３５】
次いで、積層体１０Ｃを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｃからレジスト膜２９Ａを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２裏面側金属層１７Ａにおける支持体２５となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１７（ｂ）参照）。
【０３３６】
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３３７】
次いで、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ａを除去し、その後、表面側金属層１６Ａおよび第２裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層１６Ａの全部を除去するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去した。
【０３３８】
これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する支持体２５を形成した（図１７（ｃ）参照）。
【０３３９】
次いで、積層体１０Ｃを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持体２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジ
スト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１８（ａ）参照）。
【０３４０】
その後、積層体１０Ｃに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、保持部１９が絶縁層内に完全に埋没している位置まで絶縁性シート１１を除去した（図２１（ａ）参照）。
【０３４１】
さらに、積層対１０Ｃの絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施すことにより、保持部１９が絶縁層１８Ｂの表面と略同一となるようにした（図２１（ｂ）参照）。
次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部１６および第１裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜１４Ｂを形成した（図２１（ｃ）参照）。
【０３４２】
ここで、レジスト膜１４Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０３４３】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、８分間の条件で絶縁性シート１１にエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１と絶縁層１８Ｂの界面までエッチングを進めて絶縁層１８Ｂを露出させた（図２２（ａ）参照）。
【０３４４】
そして、レジスト膜１７Ｅから保護フィルム４０Ｂを除去した後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｂを除去するとともに、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１７Ｅを除去した（図２２（ｂ）参照）。
【０３４５】
その後、支持体２５における周縁部分の表面に、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２を配置した後、支持板２と支持体２５とを加圧し、１８０℃で２時間保持することにより、支持板２を支持体２５に接合することにより、シート状プローブ１０を製造した。
【０３４６】
このようなシート状プローブ１０は、図２３に示した図２２（ｂ）の拡大部Ｂの拡大図のように、保持部１９の全厚が絶縁層１８Ｂに埋設されている。
なお、保持部１９の厚みは、第１裏面側金属層１９Ａの厚みに相当する厚みと、表面電極部１６を形成する際にメッキにより形成された厚みの合計である。
【０３４７】
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの厚みｄが２５μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ１が６０μｍ、その先端の径Ｒ２が３０μｍ、その絶縁層１８ｂからの突出高さｈが２５μｍ、短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が４０μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みｄ２が５０μｍ、保持部１９の形状が矩形で、その横幅が７０μｍ、縦幅が１６０μｍ、その厚みｄ１が６μｍ（銅層４μｍ＋ニッケル層２μｍ）のものである。
【０３４８】
保持部における図において上部側の銅層の表面と絶縁層１８Ｂの表面が略同一面となっているものである。
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
【０３４９】
これらのシート状プローブを「シート状プローブＧ１」〜「シート状プローブＧ４」とする。
〈比較例１〉
シート状プローブの作製において、積層体Ａを形成した後、表面電極部を形成しないで絶縁層１８Ｂと第２の裏面側電極層を積層し、積層体Ｂとした。
【０３５０】
この積層体Ｂに対して、特願２００３−３５８１０６号に記載された方法に従い、第２裏面側金属層側１７Ａから順次に表面側金属層１６Ａ貫通孔を形成し、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所を作成し、金属を充填すること以外は、実施例１と同様にしてシート状プローブを作成した。
【０３５１】
得られたシート状プローブは、絶縁膜の厚みｄが３７．５μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が２５μｍ、その先端の径が５μｍ、その突出高さが２５μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が２５μｍ、保持部の直径が６０μｍで厚みが５μｍ、裏面側の他端の径が６０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が６０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みが３０μｍのものである。
【０３５２】
このようにして、合計で５枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＮ１」〜「シート状プローブＮ４」とする。
〈異方導電性コネクターの作製〉
（１）磁性芯粒子の調製：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製、「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
【０３５３】
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０3ｍ2／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2であった。
【０３５４】
このニッケル粒子を「磁性芯粒子［Ａ］」とする。
（２）導電性粒子の調製：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子［Ａ］１００ｇを投入し、さらに、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子［Ａ］を含有するスラリーを得て、これより導電性粒子を調製した。
【０３５５】
この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理し、導電性粒子を得た。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０3ｍ2／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。
【０３５６】
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
（３）フレーム板の作製：
図３２および図３３に示した構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１における各被検査電極領域に対応して形成された３９３個の開口３２を有する直径が８インチのフレーム板３１を作製した。
【０３５７】
このフレーム板３１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは、６０μｍである。
開口３２の各々は、その横方向（図３２および図３３において左右方向）の寸法が６４００μｍで縦方向（図３２および図３３において上下方向）の寸法が３２０μｍである。
【０３５８】
縦方向に隣接する開口３２の間の中央位置には、円形の空気流入孔３３が形成されており、その直径は１０００μｍである。
（４）異方導電性シート用成形材料の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、導電性粒子［ａ］３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。
【０３５９】
以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液およびＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
【０３６０】
ここで、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ii）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
【０３６１】
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。
次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。
【０３６２】
このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（iii）シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
【０３６３】
上記（ii）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。
このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（iv）デュロメーターＡ硬度は、上記（iii)と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
（５）異方導電性コネクターの作製：
上記（１）で作製したフレーム板３１および上記（４）で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された、図２６に示した構成の３９３個の異方導電性シート３５を形成することにより、異方導電性コネクターを製造した。
【０３６４】
ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート３５について具体的に説明すると、異方導電性シート３５の
各々は、横方向の寸法が７０００μｍ、縦方向の寸法が１２００μｍであり、６０個の導電部３６が１００μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部３６の各々は、横方向の寸法が４０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍ、突出部３８の突出高さが２５μｍ、絶縁部３７の厚みが１００μｍである。
【０３６５】
また、横方向において最も外側に位置する導電部３６とフレーム板の開口縁との間には、非接続用の導電部が配置されている。
非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍである。
【０３６６】
また、各異方導電性シート３５における導電部３６中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部３６について体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で１６枚の異方導電性コネクターを製造した。
【０３６７】
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ１６」とする。
〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極２１が形成された検査用回路基板２０を作製した。
【０３６８】
この検査用回路基板２０は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。
得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
〈シート状プローブの評価〉
（１）試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）：
シート状プローブＥ１、Ｅ２、Ｆ１、Ｆ２、Ｇ１、Ｇ２およびシート状プローブＮ１、Ｎ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
【０３６９】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が試験用ウエハＷ１の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３７０】
このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々がシート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３７１】
そして、検査用回路基板Ｔ１を下方に１９０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
ここで、異方導電性コネクターとしては下記表１に示したものを使用した。
【０３７２】
そして、検査用回路基板Ｔ１における２３５８０個の検査電極の各々に順次電圧を印加するとともに、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
【０３７３】
ここで、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を表１に示した。
【０３７４】
【表１】
2007121089.tif 000003
【０３７５】
（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
シート状プローブＥ３、Ｅ４、Ｆ３、Ｆ４、Ｇ３、Ｇ４およびシート状プローブＮ３、Ｎ４の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。
【０３７６】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３７７】
このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々がシート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３７８】
そして、検査用回路基板Ｔ１を下方に１９０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
ここで、異方導電性コネクターとしては下記表２に示したものを使用した。
【０３７９】
そして、検査用回路基板Ｔ１における２３５８０個の検査電極について、シート状プローブ、異方導電性コネクターおよび試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査電極と試験用ウエハＷ２の被検査電極との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。
【０３８０】
この操作を「操作（１）」とする。
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温して温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に１９０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。
【０３８１】
次いで、試験台を室温（２５℃）まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして合計で２００サイクルを連続して行った。
【０３８２】
ここで、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を表２に示した。
【０３８３】
【表２】
2007121089.tif 000004
【０３８４】
また、試験２が終了した後、シート状プローブＥ３、Ｅ４、Ｆ３、Ｆ４、Ｇ３、Ｇ４、
Ｎ３、Ｎ４の各々の電極構造体および保持部の状態を、実体顕微鏡を用いて目視にて観察した。
【０３８５】
シート状プローブＥ３、Ｅ４、Ｆ３、Ｆ４、Ｇ３、Ｇ４については、いずれの電極構造体も絶縁層から脱落しておらず、高い耐久性を有することが確認された。
保持部については、実施例２に係るシート状プローブＦ３、Ｆ４については、いずれの電極構造体の保持部も変形を生じておらず、保持部の密着性が極めて良好であった。
【０３８６】
シート状プローブＥ３、Ｅ４、Ｇ３、Ｇ４の保持部については、実施例１に係るシート状プローブＥ３、Ｅ４については約５０個の電極構造体の保持部が変形して絶縁膜より剥離し、まくれ上がっており、実施例３に係るシート状プローブＧ３、Ｇ４については約１０個の保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
【０３８７】
これに対し、シート状プローブＮ３については、２３８５０個の電極構造体のうち、１３４個の電極構造体が絶縁膜から脱落しており、またシート状プローブＮ４については、２３８５０個の電極構造体のうち、７８個の電極構造体が絶縁膜から脱落していた。
【０３８８】
保持部については、全体の５％以上（１０００個以上）の電極構造体において、保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
【図面の簡単な説明】
【０３８９】
【図１】図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。
【図３】図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。
【図４】図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。
【図５】図５は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第２の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第２の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。
【図２１】図２１は、本発明の第３の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の第３の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の第３の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。
【図２４】図２４は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの他の実施形態を示した断面図である。
【図２６】図２６は、図２５のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。
【図２７】図２７は、図２４および図２５に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。
【図２８】図２８は、図２４および図２５に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。
【図２９】図２９は、実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。
【図３０】図３０は、図２９に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。
【図３１】図３１は、図３０に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。
【図３２】図３２は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。
【図３３】図３３は、図３２に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。
【図３４】図３４は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図３５】図３５は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。
【図３６】図３６は、図３５に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。
【図３７】図３７は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【図３８】図３８は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【符号の説明】
【０３９０】
１・・・プローブカード
２・・・支持板
３・・・加圧板
４・・・ウエハ載置台
５・・・加熱器
６・・・ウエハ
７・・・被検査電極
９・・・接点膜
１０・・・シート状プローブ
１０Ｋ・・表面電極部形成用凹所
１０Ａ・・積層体
１０Ｂ・・積層体
１０Ｃ・・積層体
１１Ｈ・・貫通孔
１１Ａ・・支持膜形成用層
１１・・・絶縁性シート
１２Ａ・・レジスト膜
１２Ｈ・・パターン孔
１３Ａ・・レジスト膜
１３Ｈ・・パターン孔
１３Ｈ・・貫通孔
１３・・・絶縁膜
１４Ａ・・レジスト膜
１４Ｂ・・レジスト膜
１５・・・電極構造体
１６Ａ・・表面側金属層
１６・・・表面電極部
１７Ｈ・・パターン孔
１７Ｅ・・レジスト膜
１７Ａ・・裏面側金属層
１７・・・第２裏面電極部
１８Ｈ・・貫通孔
１８Ｂ・・絶縁層
１８・・・短絡部
１８Ｋ・・短絡部形成用凹所
１９Ｂ・・保持部形成用金属層
１９Ｈ・・パターン孔
１９・・・保持部
１９Ａ・・第１裏面側金属層
２０・・・検査用回路基板
２１・・・検査電極
２２・・・支持部
２５・・・支持体
２６・・・開口部
２８Ａ・・レジスト膜
２８Ｈ・・パターン孔
２９Ｂ・・エッチング用レジスト膜
２９Ｋ・・パターン孔
２９Ａ・・レジスト膜
２９Ｂ・・レジスト膜
２９Ｈ・・パターン孔
３０・・・異方導電性コネクター
３１・・・フレーム板
３２・・・開口
３３・・・空気流入孔
３５・・・異方導電性シート
３６・・・導電部
３７・・・絶縁部
３８・・・突出部
４０Ａ・・保護フィルム
４０Ｂ・・保護フィルム
５０・・・ガイドピン
７０Ａ・・レジストパターン
８０・・・異方導電性シート
８５・・・検査用回路基板
８６・・・検査電極
９０・・・シート状プローブ
９０Ａ・・積層体
９０Ｂ・・積層体
９０Ｃ・・積層体
９０Ｋ・・電極構造体形成用凹所
９１・・・絶縁性シート
９１Ａ・・絶縁性シート材
９２Ｈ・・開口部
９２・・・金属層
９２Ｎ・・絶縁部
９２Ｔ・・先端径
９２Ａ・・表面側金属層
９２Ｂ・・裏面側金属層
９３・・・レジスト膜
９３Ａ・・レジスト膜
９４Ａ・・レジスト膜
９４Ｂ・・レジスト膜
９５・・・電極構造体
９６・・・表面電極部
９７・・・裏面電極部
９８Ｈ・・貫通孔
９８・・・短絡部
Ｐ・・・導電性粒子
Ａ・・・被検査電極領域
Ｂ・・・拡大部
Ｌ・・・集積回路
Ｒ１・・径
Ｒ２・・径
Ｒ３・・径
Ｒ４・・径
Ｒ５・・径
Ｒ６・・径
ｄ・・・厚み
ｄ１・・厚み
ｄ２・・厚み
ｈ・・・突出高さ
Ｗ・・・距離
１１０・・・シート状プローブ
１１１・・・シート状プローブ
【図１】
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【図２】
2007121089.tif 000006
【図３】
2007121089.tif 000007
【図４】
2007121089.tif 000008
【図５】
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【図６】
2007121089.tif 000010
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007121089.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007121089.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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