(57)【要約】【課題】従来のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では、構造上ＴＥＭモードが発生しやすく、３倍波以上になると十分に高域スプリアスモードを減衰することが出来なくなるという問題点があった。【解決手段】ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の上下のブロック３の間の中空部に薄い金属板５を挟み込む構造としたことにより、ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器内部で発生する横方向の電界成分を打ち消すことができ、３倍波以上の高域スプリアス抑圧性能を向上させることが出来る。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形導波管内の幅広面上下に電波伝搬方向と前記伝搬方向に直交する方向とに一様な太さの角柱からなる複数のブロックを周期的に配置して構成したワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器において、前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間の中空部に金属板を配置したことを特徴とするワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項２】
前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間隔よりも前記金属板の厚さを薄くしたことを特徴とする請求項１記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項３】
前記導波管低域通過ろ波器の中心に前記金属板を配置したことを特徴とする請求項１又は２記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項４】
前記金属板の厚さは前記導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼさない寸法に設定されていることを特徴とする請求項１乃至３記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項５】
前記金属板の代わりに金属棒を用いたことを特徴とする請求項１記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項６】
前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間隔よりも前記金属棒の太さを細くしたことを特徴とする請求項５記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項７】
前記導波管低域通過ろ波器の中心に前記金属棒を配置したことを特徴とする請求項５又は６記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【請求項８】
前記金属棒の太さは前記導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼさない寸法に設定されていることを特徴とする請求項５乃至７記載のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ波回路に用いられる導波管低域通過ろ波器に関し、特にスプリアス抑圧性能を改善することが可能なワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波回路に用いられる導波管低域通過ろ波器においては、２倍波、３倍波などの高域スプリアスモードを減衰させるため、例えば非特許文献１に記載されているような導波管低域通過ろ波器が用いられている。
【０００３】
非特許文献１に記載の導波管低域通過ろ波器は図８から図１０に示すように、矩形導波管を構成する上下のケース１、２の幅広面に細かなブロック（ボス）３が整列して設けられている。つまり矩形導波管内の幅広面上下に平行、及び直角方向に隆起部と溝部が交互に連続する構造を有しており、ワッフル菓子を焼く板のように見えることから一般的にワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器と呼ばれている。
【０００４】
このブロック３の高さや形状、あるいは上下のブロック３の距離（ギャップ）等で、電波の通過する周波数及び阻止される周波数が決定されることとなる。またこのワッフルアイアン型の導波管低域通過ろ波器は伝送方向に垂直な方向だけでなく、伝送方向にもスロットが切られていることから、高域スプリアスモードを減衰させることが可能となっている。なお、４は入出力の導波管とのインピーダンス整合を行うためのステップ変換部である。
【０００５】
また同様に高域スプリアスモードを減衰させる為に、図１１に示すような径の太い部分と細い部分が連続したような構造をした同軸型低域通過ろ波器が用いられている。
【０００６】
【非特許文献１】MICROWAVE FILTERS, IMPEDANCE−MATCHING NETWORKS, AND COUPLING STRUCTURES:G.L.MATTHAEI,L.YOUNG AND E.M.T.JONES,McGRAW−HILL BOOK COMPANY,1964,p.390〜409
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来技術におけるワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器においては、通過周波数帯域の３倍程度までは減水量を確保出来るが、それ以上の周波数帯域になると伝送方向に切り込まれたスロットに起因するＴＥＭモード（横方向の電界成分）が発生しやすく、十分な減衰量を確保することが出来なくなるという問題点を有している。
【０００８】
３倍波以上の高域スプリアスモードの抑圧性能を改善させるために、敢えて同軸部において別付けの同軸型低域通過ろ波器を用いる方法もあるが、装置自体が大きくなるという問題点があり、またコストも高くなってしまうという問題点もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は矩形導波管内の幅広面上下に電波伝搬方向と前記伝搬方向に直交する方向とに一様な太さの角柱からなる複数のブロックを周期的に配置して構成したワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器において、前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間の中空部に金属板を配置したことを特徴とする。また前記金属板の厚さは、前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間隔よりも薄くしたことを特徴とする。また前記金属板は、前記導波管低域通過ろ波器の中心に配置されていることを特徴とする。更に、前記金属板の厚さは前記導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼさない寸法に設定されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の実施例は金属板の代わりに金属棒を用いたことを特徴とする。また前記金属棒の太さは、前記上幅広面に配置された前記複数のブロックと前記下幅広面に配置された前記複数のブロックとの間隔よりも細くしたことを特徴とする。また前記金属棒は導波管低域通過ろ波器の中心に配置されていることを特徴とする。更に、金属棒の太さは前記導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼさない寸法に設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
かかる本発明のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器によれば、既存のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の構造を大きく変化させることなく３倍波以上の高域スプリアス抑圧性能を向上させることが出来る。
【００１２】
また、別付けの同軸型低域通過ろ波器を用いる必要が無くなることにより、装置自体を小さくすることができ、コストも安くなるという効果がある。更に、同軸型低域通過ろ波器は耐電力性が高くないため、大電力装置においては用いることが出来ないが、本発明のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では大電力装置においても用いることが出来るという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１から図３は本実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の構成を示す図である。本発明のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器は、図１から図３に示されるように、矩形導波管を構成する上下のケース１、２の幅広面に細かなブロック３が格子型に整列するように削り込まれている。つまり、矩形導波管内の幅広面上下に平行、及び直角方向に隆起部と溝部が交互に連続する構造となっている。また入出力導波管との間は、上下のケース１、２それぞれに階段状に形成されたステップ変成器４で段階的にインピーダンスを変えることにより整合が図られている。
【００１５】
以上は従来と同様であるが、本実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器は上下のブロック３で挟まれた中空部に薄い金属板５が配置されている構造となっていることを特徴としている。
【００１６】
この金属板５はワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の中心に位置するように構成されている。また金属板５の厚みは、ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼすことがない寸法に設定される。
【００１７】
次に本実施形態の動作について説明する。従来の導波管低域通過ろ波器においては阻止周波数が高くなってくるとワッフルアイアン構造のみでは導波管内を伝搬する横方向の電界成分を阻止できなくなってくる。
【００１８】
これに対し、本実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器においては高域周波数帯域において導波管内を伝搬する横方向の電界成分は金属板５によって阻止される。このことにより、高域周波数帯域においても大きな減衰量を得ることが可能となる。
【００１９】
図４は本実施形態の減衰特性を示した図である。なお、図４においては通過周波帯域を１３ＧＨｚ帯として設計している。
【００２０】
図４によれば、従来のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では約３５ＧＨｚ付近から減衰量が劣化してきているのに対し、本実施形態によるワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では５０ＧＨｚまで十分な減衰量を確保していることが分かる。
【００２１】
次に第二の実施形態について説明を行う。
【００２２】
図５から図７は第二の実施形態の構成を示す図である。図５から図７によれば、第二の実施形態は金属板５の代わりに金属棒６を用いていることを特徴としている。この金属棒６はワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の中心に位置するように構成されている。また金属棒６の太さは、ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の通過帯域に影響を及ぼすことがない寸法に設定される。
【００２３】
金属棒６を上下のブロック３で挟まれた中空部に配置することにより、金属板５と同様に高域周波数帯域において導波管内を伝搬する横方向の電界成分が金属棒６によって阻止されることにより、高域周波数帯域においても大きな減衰量を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器を電波の伝搬方向から見た図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図４】本実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の減衰特性を示した図である。
【図５】第二の実施形態のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器を電波の伝搬方向から見た図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図８】従来のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器を電波の伝搬方向から見た図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図１１】従来の同軸型低域通過ろ波器の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  ケース上
２  ケース下
３  ブロック
４  ステップ変成器
５  金属板
６  金属棒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007194912.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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