(57)【要約】【課題】半導体ウェーハを一括にコンタクトして検査するウェーハレベルバーンインにおいて、検査ボードのバンプが半導体ウェーハの複数のパッド電極の有効エリア内に確実にコンタクトでき、常に高精細なコンタクトを維持できるように検査ボードを検査できる検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前と分離した後とで、半導体ウェーハに構成された複数のパッド電極に記されたバンプの圧痕跡の状態を比較判定する。これにより、検査ボードにおけるバンプの位置を正確に認識することができ、また、検査ボードのバンプが半導体ウェーハのパッド電極における有効エリア内にコンタクトできたかどうかを正確に把握することができる。【選択図】図１
2007129114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前に、前記複数の検査用電極の状態を撮像手段により撮像する工程と、この撮像工程で得られたコンタクト前の撮像データを記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせた後に分離させた後、前記複数の検査用電極の状態を撮像手段により撮像する工程と、この撮像工程で得られた分離後の撮像データを記憶する工程と、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを比較判定する工程とを有することを特徴とする検査ボードの検査方法。
【請求項２】
比較判定する工程を、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを重ね合わせ、重なったそれぞれの撮像データを間引きし、残ったデータに基づいて判定することにより行うことを特徴とする請求項１記載の検査ボードの検査方法。
【請求項３】
次なるあらたな半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前に、すでに前回の検査において比較判定された結果から、複数の検査用電極の有効エリア内にコンタクトできるように検査ボードの位置を必要に応じて補正してコンタクトし、前記複数の検査用電極のうち、１つでも有効エリア内にコンタクトできなかった場合は、コンタクトすることを中断することを特徴とする請求項１または２に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項４】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前に前記複数の検査用電極の状態を撮像するコンタクト前撮像手段と、前記コンタクト前撮像手段で得られたコンタクト前の撮像データを記憶するコンタクト前記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせた後に分離させた後、前記複数の検査用電極の状態を撮像する分離後撮像手段と、前記分離後撮像手段で得られた分離後撮像データを記憶する分離後記憶手段と、前記記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを比較判定する比較判定手段とを有することを特徴とする検査ボードの検査装置。
【請求項５】
比較判定手段は、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを重ね合わせ、重なったそれぞれの撮像データを間引きし、残ったデータから判定することを特徴とする請求項４記載の検査ボードの検査装置。
【請求項６】
次なるあらたな半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前に、すでに前回の検査において比較判定された結果から、複数の検査用電極の有効エリア内にコンタクトできるように必要に応じて検査ボードの位置を補正してコンタクトさせ、前記複数の検査用電極のうち、１つでも有効エリア内にコンタクトできなかった場合は、コンタクトすることを中断させる手段を備えたことを特徴とする請求項４または５に記載の検査ボードの検査装置。
【請求項７】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像して記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせ、その後に分離させた後、前記検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムのコンタクト後の密着状態を撮像して記憶させる工程と、それぞれ記憶した初期密着時の状態とコンタクト後の密着状態とを比較判定する工程とを有することを特徴とする検査ボードの検査方法。
【請求項８】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像して記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前のバンプ付きフィルムの密着状態を撮像して記憶させる工程と、それぞれ記憶した初期密着時の状態とコンタクト前の密着状態とを比較判定する工程とを有することを特徴とする検査ボードの検査方法。
【請求項９】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態を、バンプ付きフィルムの密着幅に基づいて判定することを特徴とする請求項７または８に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項１０】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態を、検査ボードの高さに基づいて判定することを特徴とする請求項７または８に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項１１】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態は、前記バンプ付きフィルムの周辺に取付けられているセラミックリングに反射板を貼り付け、光の反射波を用いて検査ボードの高さを計測し、この計測データに基づいて判定することを特徴とする請求項７〜１０の何れか１項に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項１２】
比較判定結果により、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態が低下していると判定された箇所のみ、ローラ手段で加圧して密着させることを特徴とする請求項７〜１１の何れか１項に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項１３】
検査ボードにおけるバンプ付きフィルムの周辺に取付けられたセラミックリングを、検査ボードを形成する配線基板とＤＵＴ基板とを固定する金具に連結させたことを特徴とする請求項７〜１２の何れか１項に記載の検査ボードの検査方法。
【請求項１４】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像する初期密着状態撮像手段と、この初期密着状態を記憶する初期密着状態記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせ、その後に分離させた後、前記検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムのコンタクト後の密着状態を撮像するコンタクト後密着状態撮像手段と、このコンタクト後密着状態を記憶するコンタクト後密着状態記憶手段と、それぞれ記憶した初期密着状態とコンタクト後密着状態とを比較して判定する比較判定手段とを有することを特徴とする検査ボードの検査装置。
【請求項１５】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像する初期密着状態撮像手段と、この初期密着状態を記憶する初期密着状態記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前のバンプ付きフィルムの密着状態を撮像するコンタクト前密着状態撮像手段と、このコンタクト前密着状態を記憶するコンタクト前密着状態記憶手段と、それぞれ記憶した初期密着状態とコンタクト前密着状態とを比較して判定する比較判定手段とを有することを特徴とする検査ボードの検査装置。
【請求項１６】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態として、バンプ付きフィルムの密着幅を撮像するとともに記憶させて、比較判定手段により、前記密着幅に基づく状態を比較して判定することを特徴とする請求項１４または１５に記載の検査ボードの検査装置。
【請求項１７】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態として、検査ボードの高さを測定するとともに記憶させて、比較判定手段により、前記高さに基づく状態を比較判定手段により比較判定することを特徴とする請求項１４または１５に記載の検査ボードの検査装置。
【請求項１８】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態は、前記バンプ付きフィルムの周辺に取付けられているセラミックリングに反射板を貼り付け、光の反射波を用いて検査ボードの高さを計測し、この計測データに基づいて比較判定手段により判定することを特徴とする請求項１４〜１７の何れか１項に記載の検査ボードの検査装置。
【請求項１９】
検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態が低下していると判定された箇所を加圧して密着させるローラ手段を有することを特徴とする請求項１４〜１８の何れか１項に記載の検査ボードの検査装置。
【請求項２０】
検査ボードにおけるバンプ付きフィルムの周辺に取付けられたセラミックリングは、検査ボードを形成する配線基板とＤＵＴ基板とを固定する金具に連結させて取付けられていることを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の検査ボードの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハに形成された複数個の半導体装置に対して一括してバーンインを行う検査ボードの検査方法および検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チップ状の半導体装置（以下、「チップ」と称す）を製造する際には、製造初期に発生する不良品をスクリーニングするために、チップを高温、高電圧条件下で動作させる加速試験を行っており、これをバーンインと呼んでいる。
【０００３】
近年、半導体装置は微細化および高集積化が進み、それに伴って初期不良を短時間で検出するバーンイン技術が必要不可欠となってきた。このようなバーンイン技術に、半導体ウェーハ上に形成されている複数のチップをウェーハ状態で一括してバーンインするウェーハレベルバーンインがある。なお、本明細書では、ダイシング等によって最終的に半導体ウェーハから切り出されるチップを、ウェーハから切り出される前の状態においてもチップと称する。
【０００４】
図１１において、１は測定・検査の対象となる複数のチップ２０が形成された半導体ウェーハ（例えば８インチシリコンウェーハ）であり、２は半導体ウェーハ１上の複数のチップ２０に対して一括にコンタクトするための半導体装置用の検査ボードである。３は半導体ウェーハ１を載せるウェーハトレイであり、このウェーハトレイ３にはシールリング部４（なお、この例では、シール用のリング状凹部であり、別途シール材が嵌め合わされるが、これに限るものではなく、ウェーハトレイ３側に予めシール材を嵌め込んでいてもよい）および真空バルブ５が取付けられている。
【０００５】
図１２において、６は半導体ウェーハ１に複数配置されたチップ２０を、ウェーハレベルバーンイン時において動作させるためのパッド電極（電源端子および入力端子および出力端子ほかの検査の際に接触させる検査用電極）である。また、図１３は、検査ボード２と半導体ウェーハ１とウェーハトレイ３との構成状態を示した断面図である。
【０００６】
図１３に示すように、半導体ウェーハ１には、各チップ２０をそれぞれ動作させるためのパッド電極６がチップ搭載領域の全面に配置されている。検査ボード２は、半導体ウェーハ１上の多数のパッド電極６に対して、一括にコンタクトできる多数のプローブ電極（以下、バンプ１０と称す）が形成されたバンプ付きフィルム７と、測定・検査装置に電気的に接続される配線基板８と、これら配線基板８とバンプ付きフィルム７とを電気的に接続できる弾性部材たる局在型異方導電性ゴム９とを少なくとも備えていて、これら３つの部材（バンプ付きフィルム７、配線基板８および局在型異方導電性ゴム９）が密着固定されて１つの検査ボード２として形成されている。
【０００７】
検査の際には、図１１に示すように、半導体ウェーハ１がチップ状に分割されることなくウェーハトレイ３上に載置され、次いでこのウェーハトレイ３が検査ボード２に対して適切な位置にくるように高精度にコンタクトされる。
【０００８】
ここで、前記コンタクト手順に関して、図１４を用いて説明する。ウェーハトレイ３に置かれた半導体ウェーハ１と検査ボード２とを一括コンタクトするため、まず、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７の多数のバンプ１０の中から、数箇所のバンプ１０の高さを測定する（ステップＳ１４）。ここでの測定は、数箇所のバンプ１０の高さを測定し、記憶保持しておくだけである。そして、半導体ウェーハ１の多数のパッド電極６と、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７の多数のバンプ１０とが高精度に一括コンタクトできるよう位置合わせを行い、検査ボード２とウェーハトレイ３との間隔を縮小させることにより、図１３に示すように、半導体ウェーハ１を検査ボード２とウェーハトレイ３との間に挟み、前記コンタクトにより位置合わせした半導体ウェーハ１のパッド電極６と検査ボード２のバンプ１０とを物理的にコンタクトさせる（ステップＳ１５）。大気圧下では、検査ボード２とウェーハトレイ３との間に僅かな空間ができる場合があるが、この後、真空バルブ５により大気状態からシールして減圧させ、それにより検査ボード２によって半導体ウェーハ１を均等に押圧させる。その結果、検査ボード２の各バンプ１０がほぼ均等な力をもって半導体ウェーハ１上のパッド電極６を押圧することになり、半導体ウェーハ１の全面に形成された数千から数万個以上にも及ぶ多数のパッド電極６に対して、検査ボード２の各バンプ１０を同時にコンタクトさせるよう図っている。上記した密閉空間が減圧状態にある間は、ウェーハトレイ３が検査ボード２から離脱することはなく、半導体ウェーハ１はこれらの部材間に一体的に狭持される。
【０００９】
そして、この密着固定状態のウェーハトレイ３，半導体ウェーハ１，検査ボード２をバーンインボードに設置させて加熱する。そして、バーンイン装置からの電気信号および電源電圧を検査ボード２のバンプ１０を介して、半導体ウェーハ１の各チップのパッド電極６（入力端子および電源端子）に供給させ、対応するパッド電極６（出力端子）から出力信号を取り出して測定・検査することにより、前記パッド電極６−６間の半導体回路が正常か否を検査する。
【００１０】
検査が終了したら、検査ボード２と半導体ウェーハ１が置かれたウェーハトレイ３との間の密閉空間の圧力を上昇させて大気圧程度に回復させる。そして、図１５のフローチャートに示すように、ウェーハトレイ３を検査ボード２から分離させ（ステップＳ１６）、この後、半導体ウェーハ１を取り出す。
【００１１】
ここで、図１６は、パッド電極６にコンタクトされた検査ボード２のバンプ１０の痕跡を示したものである。コンタクト前のパッド電極６には、バーンイン前に半導体テスター装置のプローブを接触させることにより行うプローブ検査（初期検査）によるプローブの針跡１１のみしか残っていないが、検査ボード２をコンタクトさせた後のパッド電極６には、プローブ検査後の針跡１１に加えて、検査ボード２のバンプ１０の圧痕跡１２が残っている。
【００１２】
次に、ウェーハトレイ３に載せた半導体ウェーハ１を検査ボード２に密着させる箇所の状態について説明する。図１７は、図１１で説明した構成（ウェーハレベルバーンインにおいて、半導体ウェーハ１を検査ボード２とウェーハトレイ３との間に配置した状態）を示す断面図であり、図１８は、バンプ付きフィルム７に取り付けられているシール材としてのセラミックリング１３（このシール材としてのセラミックリング１３は、減圧密閉時にウェーハトレイ３のシールリング部４に嵌めこまれてシールされる）の近傍箇所の拡大構成を示す断面図である。
【００１３】
図１７に示すように、検査ボード２は、バンプ付きフィルム７と配線基板８と局在型異方導電性ゴム９とで構成されており、バンプ付きフィルム７と配線基板８は、図１８の領域（ａ）で示したバンプ付きフィルム７の外周部分で密着させている。
【００１４】
上記のようにウェーハレベルバーンインを行う場合、半導体ウェーハ１上に形成された複数のチップ２０の有効エリアパッド内に検査ボード２のバンプ１０を一括にコンタクトする必要があるが、これら複数のチップ２０が正常な位置でコンタクトできているかどうかの判断は、前記説明した従来のコンタクト手順および分離手順では、容易に判断することができない。これを解決するためには、パッド電極６のどこにバンプ１０がコンタクトされたかを常に管理する必要がある。これに対処する１つの方法として、特許文献１には、電極パッドにつけられた触針の針跡をカメラによって観察し、この針跡が電極パッドの適正な位置に付けられているかどうかを判断して、半導体ウェーハ上に形成されたチップ個々のコンタクト状態を検査する検査方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−６３８７７公報（第２−４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、前記従来の検査ボードの検査方法では、以下のような問題があった。
上述した図１４に示すコンタクト手順、および、図１５に示す分離手順のように、半導体ウェーハ１を一括でコンタクトする方法では、検査ボード２のバンプ１０が半導体ウェーハ１のパッド電極６のどの領域にコンタクトされているか、従来の手順では容易に判断することできず、図１６に示すパッド電極６の有効エリア内にバンプ１０がコンタクトできていなかった場合、コンタクト位置ずれによるオープン、ショートが発生し、半導体ウェーハのチップ個々へのダメージや、検査ボードを形成するバンプ付きフィルム７、配線基板８、局在型異方導電性ゴム９のそれぞれにも耐久性劣化等の影響が生じていた。また、図１８に示したように、検査ボード２を形成するバンプ付きフィルム７と配線基板８とが密着しているべきである箇所（領域ａ）の状態は、検査ボード２をコンタクトする工程前や分離した後での工程において、作業者それぞれが、検査ボード２の密着状態を目視にて確認しているだけで、どの程度、検査ボード２が経時変化により密着度合いが変化しているか、詳細を確認することができないという課題があった。
【００１６】
本発明は上記課題を解決するもので、半導体ウェーハを一括にコンタクトして検査するウェーハレベルバーンインにおいて、検査ボードのバンプが半導体ウェーハの複数のパッド電極の有効エリア内に確実にコンタクトでき、常に高精細なコンタクトを維持できるように検査ボードを検査できる検査方法および検査装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するために、本発明に係る検査ボードの検査方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前に、前記複数の検査用電極の状態を撮像手段により撮像する工程と、この撮像工程で得られたコンタクト前の撮像データを記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせた後に分離させた後、前記複数の検査用電極の状態を撮像手段により撮像する工程と、この撮像工程で得られた分離後の撮像データを記憶する工程と、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを比較判定する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、検査方法における比較判定する工程は、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを重ね合わせ、重なったそれぞれの撮像データを間引きし、残ったデータに基づいて判定することにより行うことを特徴とする。
【００１９】
また、次なるあらたな半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前に、すでに前回の検査において比較判定された結果から、複数の検査用電極の有効エリア内にコンタクトできるように検査ボードの位置を必要に応じて補正してコンタクトし、前記複数の検査用電極のうち、１つでも有効エリア内にコンタクトできなかった場合は、コンタクトすることを中断することを特徴とする。
【００２０】
さらに、本発明に係る検査ボードの検査装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前に前記複数の検査用電極の状態を撮像するコンタクト前撮像手段と、前記コンタクト前撮像手段で得られたコンタクト前の撮像データを記憶するコンタクト前記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせた後に分離させた後、前記複数の検査用電極の状態を撮像する分離後撮像手段と、前記分離後撮像手段で得られた分離後撮像データを記憶する分離後記憶手段と、前記記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを比較判定する比較判定手段とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、検査装置の比較判定手段は、記憶されたコンタクト前の撮像データと分離後の撮像データとを重ね合わせ、重なったそれぞれの撮像データを間引きし、残ったデータから判定することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の検査装置に、次なるあらたな半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前に、すでに前回の検査において比較判定された結果から、複数の検査用電極の有効エリア内にコンタクトできるように必要に応じて検査ボードの位置を補正してコンタクトさせ、前記複数の検査用電極のうち、１つでも有効エリア内にコンタクトできなかった場合は、コンタクトすることを中断させる手段を備えたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明に係る検査ボードの検査方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像して記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせ、その後に分離させた後、前記検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムのコンタクト後の密着状態を撮像して記憶させる工程と、それぞれ記憶した初期密着時の状態とコンタクト後の密着状態とを比較判定する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係る検査ボードの検査方法は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査方法であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像して記憶させる工程と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前のバンプ付きフィルムの密着状態を撮像して記憶させる工程と、それぞれ記憶した初期密着時の状態とコンタクト前の密着状態とを比較判定する工程とを有することを特徴とする。
【００２５】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態を、バンプ付きフィルムの密着幅に基づいて判定することを特徴とする。
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態を、検査ボードの高さに基づいて判定することを特徴とする。
【００２６】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態は、前記バンプ付きフィルムの周辺に取付けられているセラミックリングに反射板を貼り付け、光の反射波を用いて検査ボードの高さを計測し、この計測データに基づいて判定することを特徴とする。
【００２７】
また、比較判定結果により、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態が低下していると判定された箇所のみ、ローラ手段で加圧して密着させることを特徴とする。
【００２８】
また、検査ボードにおけるバンプ付きフィルムの周辺に取付けられたセラミックリングを、検査ボードを形成する配線基板とＤＵＴ基板とを固定する金具に連結させたことを特徴とする。
【００２９】
さらに、本発明に係る検査ボードの検査装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像する初期密着状態撮像手段と、この初期密着状態を記憶する初期密着状態記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせ、その後に分離させた後、前記検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムのコンタクト後の密着状態を撮像するコンタクト後密着状態撮像手段と、このコンタクト後密着状態を記憶するコンタクト後密着状態記憶手段と、それぞれ記憶した初期密着状態とコンタクト後密着状態とを比較して判定する比較判定手段とを有することを特徴とする。
【００３０】
また、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハに対して一括でコンタクトさせて検査する検査ボードの検査装置であって、バンプ付きフィルムの検査ボードに対する初期の密着状態を撮像する初期密着状態撮像手段と、この初期密着状態を記憶する初期密着状態記憶手段と、前記半導体ウェーハと前記検査ボードとをコンタクトさせる前のバンプ付きフィルムの密着状態を撮像するコンタクト前密着状態撮像手段と、このコンタクト前密着状態を記憶するコンタクト前密着状態記憶手段と、それぞれ記憶した初期密着状態とコンタクト前密着状態とを比較して判定する比較判定手段とを有することを特徴とする。
【００３１】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態として、バンプ付きフィルムの密着幅を撮像するとともに記憶させて、比較判定手段により、前記密着幅に基づく状態を比較して判定することを特徴とする。
【００３２】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態として、検査ボードの高さを測定するとともに記憶させて、比較判定手段により、前記高さに基づく状態を比較判定手段により比較判定することを特徴とする。
【００３３】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態は、前記バンプ付きフィルムの周辺に取付けられているセラミックリングに反射板を貼り付け、光の反射波を用いて検査ボードの高さを計測し、この計測データに基づいて比較判定手段により判定することを特徴とする。
【００３４】
また、検査ボードに取付けられたバンプ付きフィルムの密着状態が低下していると判定された箇所を加圧して密着させるローラ手段を有することを特徴とする。
また、検査ボードにおけるバンプ付きフィルムの周辺に取付けられたセラミックリングは、検査ボードを形成する配線基板とＤＵＴ基板とを固定する金具に連結させて取付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、半導体ウェーハを検査ボードにコンタクトする前と分離した後とで、前記半導体ウェーハに構成された複数のパッド電極に記されたバンプ痕の跡の状態を比較判定することで、確実かつ容易にパッド電極の有効エリア内にコンタクトすることができる。また、コンタクトする前に、初期と前回のパッド電極の位置情報を比較確認し、位置ズレが生じている場合のみ、位置補正を実施することで、常に高精細なコンタクトを維持できる。また、検査ボードに形成されたバンプ付きフィルムと配線基板の密着状態や組立高さを、半導体ウェーハと検査ボードがコンタクトする前や分離した後で、それぞれ測定することで、常に検査ボードの組立状態を把握することができ、未然に検査ボードに構成されたバンプ付きフィルム等の組立部材が落下することなどの不具合を防ぐことができる。また、検査ボードに形成されたバンプ付きフィルムと配線基板の密着箇所がはがれかかった時、ローラ手段で密着箇所を加圧することで、以前の密着状態に復活させることができる。さらに、バンプ付きフィルム周辺に取付けられたセラミックリングを、複数の金具で固定することで、さらに密着強度を強化でき、検査ボードに構成されたバンプ付きフィルム等の組立部材が落下することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明に係る検査ボード（半導体装置用の検査ボード）の検査方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、半導体ウェーハと検査ボードとをコンタクトする時の検査方法を示すフローチャートであり、図２は、同実施の形態１に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、コンタクト後の半導体ウェーハと検査ボードとを分離する時の検査方法を示すフローチャートである。図５〜図１０は、前記フローチャートでの処理の詳細を説明するための概略構成を示す図である。なお、半導体ウェーハおよび検査ボードの具体的構成は、図１１〜図１８に示すものと同様であるので、その詳しい説明については省略する。
【００３７】
図１１、図１２に示すように、半導体ウェーハ１は、そのウェーハ本体に複数の半導体装置（チップ２０と称す。なお、上述したように、ダイシング等によって最終的に半導体ウェーハから切り出されるチップを、ウェーハから切り出される前の状態においてもチップと称す。）を搭載しており、個々のチップ２０には検査用電極としてのパッド電極６が設けられている。本発明の検査ボードの検査方法においては、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前と、コンタクトさせた後（分離時）とに、従来とは異なる工程を設けている。
【００３８】
コンタクト時において従来技術と相違する点は、図１に示すように、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前に、半導体ウェーハ１に形成された複数のチップ２０のパッド電極６の状態を観察する工程（ステップＳ１）を設け、観察した状態を記憶することである。すなわち、具体的な詳細な説明としては、図５に示すように、半導体ウェーハ１の任意の５箇所（例えば、上、下、左、右、中央エリア）のそれぞれのチップ２０に形成された複数のパッド電極６の針跡１４Ａの状態（半導体テスター装置で初期検査を実施した後の、プローブの針跡１１が残っている状態）をＣＣＤカメラなどの撮像装置（撮像手段）で撮像し、これらの撮像データをそれぞれ記憶する。次に、前回（既に使用しているもの）と同じ検査ボード２を用いて、前回の分離時の工程で判定記憶された複数のパッド電極６に記された針跡１４Ｂの状態（プローブの針跡１１にバンプ１０の圧痕跡１２が加わった状態）を撮像装置で撮像し、撮像データに基づくバンプ１０の圧痕跡１２の状態から、位置補正が必要かどうかを比較判定する工程（ステップＳ２）を設ける。そして、コンタクトする前での位置補正が必要な場合は、複数のパッド電極６の有効エリア内にコンタクトできるよう位置補正を実施する。位置補正した結果に基づいて、パッド電極６の有効エリア内に全てコンタクトできたかどうかの判定（ステップＳ３）を実施し、１つでもパッド電極６の有効エリア内に位置補正できなかった場合は、この検査ボード２は使用できない状態であることを示すエラー処理（ステップＳ４）を実施して、コンタクト処理を中断する。また、パッド電極６の有効エリア内に位置補正できた場合は、従来コンタクト時に実施していた場合と同様に、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７の複数バンプ１０の中から、数箇所のバンプ１０の高さを測定し（ステップＳ１６）、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる（ステップＳ１７）。そして、この後ウェーハレベルバーンイン検査を行う。
【００３９】
一方、分離時において従来技術と相違する点は、図２に示すように、半導体ウェーハ１と検査ボード２とが分離された（ステップ１８）直後に、半導体ウェーハ１に形成された複数チップのパッド電極６の状態を観察する工程（ステップＳ５）を設け、観察した状態を記憶することである。具体的な詳細な説明としては、図６に示すように、コンタクト時と同じ半導体ウェーハ１の任意の５箇所（例えば、上、下、左、右、中央エリア）それぞれのチップ２０に形成された複数のパッド電極６の針跡１４Ａ、１４Ｂの状態（コンタクト前のプローブ針跡１１と、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７のバンプ１０のバンプ痕跡１２がそれぞれ残った状態）をそれぞれ記憶する。次に、針跡１４Ａの状態（半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前の状態）と針跡１４Ｂ（半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせた後の状態）とそれぞれを重ね合わせて比較する工程（ステップＳ６）を設け、比較判定することである。
【００４０】
ここでの詳細な説明としては、図７に示すように、コンタクト前の針跡１４Ａと分離後の針跡１４Ｂとを重ね合わせ、重ね合わせたデータを間引きして残ったデータ、すなわち、バンプ痕１２がパッド電極６の有効エリア内にコンタクトできているか比較判定する。次に、パッド電極６の有効エリア内にバンプ痕１２がコンタクトできているかどうかを判断する工程（ステップＳ７）を設けて、判断する。パッド電極６の有効エリア内にコンタクトできていない場合、次回別の半導体ウェーハを用いてコンタクトするために必要な位置補正が可能かどうか判定する工程（ステップＳ８）を設けて判定する。そして、補正可能であれば、次回のコンタクト前に補正データを取り扱うため、補正情報を一旦記憶する工程（ステップＳ９）を設けて、記憶させる。この記憶された補正情報は、図１に示したコンタクト前での、位置補正が必要かどうかを比較判定する工程（ステップＳ２）において利用する。逆に、補正不可能な状態であれば、現在使用している検査ボード２は使用できない状態であることを示すエラー処理工程（ステップＳ１０）を設けて、エラー判定する。前記パッド電極６の有効エリア内にコンタクトできている場合（ステップ７）、検査ボード２を形成するバンプ付きフィルム７の状態を、撮像装置であるＣＣＤカメラ１５で観察する工程（ステップＳ１１）を設けて、バンプ付きフィルム７の状態を観察する。ここでの詳細な説明としては、図８に示すように、分離後にバンプ付きフィルム７の状態を、ＣＣＤカメラ１５で観察し、領域（ａ）のバンプ付きフィルム７と配線基板８との密着幅を観察し記憶しておく。また、ＣＣＤカメラ１５により、バンプ付きフィルム７の外周部である領域（ａ）において、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との組立高さを観察して記憶させる。さらに、ＣＣＤカメラ１５を用いて、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３を覆うように貼り付けられた反射板１６を用いて、前記ＣＣＤカメラ１５からのレーザー光により、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との組立高さを観察して記憶させる。
【００４１】
次に、初期状態の密着幅と前記ＣＣＤカメラ１５で観察記録された密着幅とを、それぞれ比較判定する工程（ステップＳ１２）を設けて、密着状態の変化があるかどうかを比較判定する。ここでの比較判定工程では、初期状態の検査ボード２の組立高さと前記ＣＣＤカメラ１５で観察記録された検査ボード２の組立高さとも比較判定できる。前記比較判定で、変化量が基準値内の場合は、そのまま半導体ウェーハ１と検査ボード２とを分離し、以後のウェーハレベルバーンイン工程作業を実施する。逆に、変化量が基準値をオーバーする場合には、密着改善可能かどうかを、比較判定する（ステップＳ１３）。前記組立高さによる改善処理において、現在使用している検査ボード２は使用できない状態であることが判明した場合には、このエラー処理工程（ステップＳ１５）を設けて、エラー判定する。そして、検査ボード２の再組立工程作業を実施する。さらに、前記ステップＳ１３において、密着改善可能と判定された場合には、密着改善処理を行う工程（ステップＳ１４）を設けて、改善処理を行う。この改善処理の詳細な説明としては、図９に示すように、バンプ付きフィルム７と配線基板８の密着箇所（図９においては、バンプ付きフィルム７の外周部を示しているが、これに限るものではない）である領域（ａ）において、密着箇所が低下している箇所のみ、ローラ装置（ローラ手段）１７を用いて密着箇所に沿って円周状に加圧し、密着幅を改善する作業を実施する。ここで、初期状態の密着幅と同等の改善ができていれば、従来と同様に以後のウェーハレベルバーンイン工程作業を実施するが、密着幅改善ができていない時は、再度密着改善工程（ステップＳ１４）を実施して改善作業を継続実施する。
【００４２】
さらに、検査ボード２を形成するバンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との密着強度を高めるため、図１０に示すように、検査ボード２に供給される電源や信号を安定供給するためのＤＵＴ（Device Under Test）基板１９と配線基板８とを接続固定した複数の金具に、連結延長された延長固定金具１８を取付け、この延長固定金具１８をセラミックリング１３に連結し、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８とを固定している。
【００４３】
この検査ボードの検査方法並びに検査装置によれば、半導体ウェーハ１を検査ボード２にコンタクトする前と分離した後とで、半導体ウェーハ１に構成された複数のパッド電極６に記されたバンプ１０の圧痕跡１２の状態を比較判定することで、検査ボード２におけるバンプ１０の位置を正確に認識することができる。また、検査ボード２のバンプ１０が半導体ウェーハ１のパッド電極６における有効エリア内にコンタクトできたかどうかを正確に把握することができる。すなわち、半導体ウェーハ１を一括にコンタクトして検査するウェーハレベルバーンインにおいて、コンタクト検査中に半導体ウェーハ１を取外すことなく、パッド電極６のどの位置にバンプ１０がコンタクトできているかを、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトする前に、測定評価することで、確実に検査ボード２のバンプ１０が半導体ウェーハの複数のパッド電極６の有効エリア内にコンタクトができる。
【００４４】
また、コンタクトする前に、初期と前回のパッド電極６の針跡１４Ａ、１４Ｂの位置情報を比較確認し、位置ズレが生じている場合のみ、位置補正を実施することで、常に高精細なコンタクトを維持できる。この結果、確実かつ容易にパッド電極６の有効エリア内に検査ボード２のバンプ１０をコンタクトさせることができ、信頼性が向上する。
【００４５】
また、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７と配線基板８の密着状態（密着幅）や組立高さを、初期状態と、コンタクトして分離した後とで、それぞれ測定することで、常に検査ボード２の密着状態などの組立状態を把握することができ、未然に検査ボード２に構成されたバンプ付きフィルム７等の組立部材が落下することなどの不具合を防ぐことができ、信頼性が向上する。また、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７と配線基板８との密着箇所がはがれかかった時に、ローラ装置１７で密着箇所を加圧することで、以前の密着状態に復活させることができる。さらに、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられたセラミックリング１３を、延長固定金具１８で固定することで、さらに密着強度を強化でき、検査ボード２に構成されたバンプ付きフィルム７等の組立部材が落下することを防ぐことができる。
【００４６】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、半導体ウェーハおよび検査ボードをコンタクトする検査方法を示すフローチャートであり、図４は、同実施の形態２に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、半導体装置用の検査ボードの検査方法における、コンタクト後の半導体ウェーハおよび検査ボードを分離する検査方法を示すフローチャートである。図５〜図１０は、前記フローチャートでの処理の詳細を説明するための概略構成を示す図である。なお、半導体ウェーハおよび検査ボードの具体的構成は、図１１〜図１８に示すものと同様であるので、その詳しい説明については省略する。
【００４７】
図１１、図１２に示すように、半導体ウェーハ１は、そのウェーハ本体に複数の半導体装置（チップ２０と称す）を搭載しており、個々の半導体装置には検査用電極としてのパッド電極６が設けられている。本発明の検査ボードの検査方法においては、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前と、コンタクトさせた後（分離時）とに、従来とは異なる工程を設けている。
【００４８】
コンタクト時において従来技術と相違する点は、図３に示すように、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前に、半導体ウェーハ１に形成された複数のチップ２０のパッド電極６の状態を観察する工程（ステップＳ１）を設け、観察した状態を記憶することである。すなわち、具体的な詳細な説明としては、図５に示すように、半導体ウェーハ１の任意の５箇所（例えば、上、下、左、右、中央エリア）のそれぞれのチップ２０に形成された複数のパッド電極６の針跡１４Ａの状態（半導体テスター装置で初期検査を実施した後の、プローブの針跡１１が残っている状態）をＣＣＤカメラなどの撮像装置（撮像手段）で撮像し、これらの撮像データをそれぞれ記憶する。次に、前回（既に使用しているもの）と同じ検査ボード２を用いて、前回の分離時の工程で判定記憶された複数のパッド電極６に記された針跡１４Ｂの状態（プローブの針跡１１にバンプ１０の圧痕跡１２が加わった状態）を撮像装置で撮像し、撮像データに基づくバンプ１０の圧痕跡１２の状態から、位置補正が必要かどうかを比較判定する工程（ステップＳ２）を設ける。そして、コンタクトする前での位置補正が必要な場合は、複数のパッド電極６の有効エリア内にコンタクトできるよう位置補正を実施する。位置補正した結果に基づいて、パッド電極６の有効エリア内に全てコンタクトできたかどうかの判定（ステップＳ３）を実施し、１つでもパッド電極６の有効エリア内に位置補正できなかった場合は、この検査ボード２は使用できない状態であることを示すエラー処理（ステップＳ４）を実施して、コンタクト処理を中断する。また、パッド電極６の有効エリア内に位置補正できた場合は、次に、検査ボード２を形成するバンプ付きフィルム７の状態を、ＣＣＤカメラ１５で観察する（ステップＳ１１）。ここで、詳細な説明としては、図８に示すように、分離後にバンプ付きフィルム７の状態を、ＣＣＤカメラ１５で観察し、領域（ａ）のバンプ付きフィルム７と配線基板８との密着幅を観察し記憶しておく。また、ＣＣＤカメラ１５により、領域（ａ）において、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との組立高さを観察して記憶させる。さらに、ＣＣＤカメラ１５を用いて、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３を覆うように貼り付けられた反射板１６を用いて、前記ＣＣＤカメラ１５からのレーザー光により、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との組立高さを観察して記憶させる。
【００４９】
次に、初期状態の密着幅と前記ＣＣＤカメラ１５で観察記録された密着幅とを、それぞれ比較判定する工程（ステップＳ１２）を設けて、密着状態の変化があるかどうかを比較判定する。ここでの比較判定工程では、初期状態の検査ボード２の組立高さと前記ＣＣＤカメラ１５で観察記録された検査ボード２の組立高さとも比較判定できる。前記比較判定で、変化量が基準値内の場合は、従来コンタクト時に実施していた場合と同様に、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７の複数バンプ１０の中から、数箇所のバンプ１０の高さを測定し（ステップＳ１６）、半導体ウェーハ１と検査ボード２をコンタクトする（ステップＳ１７）。そして、以後ウェーハレベルバーンイン検査を行う。逆に、変化量が基準値をオーバーする場合には、密着改善可能かどうかを、比較判定する（ステップＳ１３）。前記組立高さによる改善処理において、現在使用している検査ボード２は使用できない状態であることが判明した場合には、このエラー処理工程（ステップＳ１５）を設けて、エラー判定する。そして、検査ボード２の再組立工程作業を実施する。さらに、前記ステップＳ１３において、密着改善可能と判定された場合には、密着改善処理を行う工程（ステップＳ１４）が設けられて、改善処理が行われる。この改善処理の詳細な説明としては、図９に示すように、バンプ付きフィルム７と配線基板８の密着箇所である領域（ａ）において、密着箇所が低下している箇所のみ、ローラ装置１７を用いて密着箇所に沿って円周状に加圧し、密着幅を改善する作業を実施する。ここで、初期状態の密着幅と同等の改善が出来ていれば、従来と同様に以後のウェーハレベルバーンイン工程作業を実施するが、密着幅改善が出来ていない時は、再度密着改善工程（ステップＳ１４）を実施して改善作業を継続実施する。
【００５０】
さらに、検査ボード２を形成するバンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８との密着強度を高めるため、図１０に示すように、検査ボード２に供給される電源や信号を安定供給するためのＤＵＴ（Device Under Test）基板１９と配線基板８とを接続固定した複数の金具に、連結延長された延長固定金具１８を取付け、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられているセラミックリング１３と配線基板８とを固定している。
【００５１】
一方、分離時において従来技術と相違する点は、図４に示すように、半導体ウェーハ１と検査ボード２とが分離された（ステップ１８）直後に、半導体ウェーハ１に形成された複数チップのパッド電極６の状態を観察する工程（ステップＳ５）を設け、観察した状態を記憶することである。具体的な詳細な説明としては、図６に示すように、コンタクト時と同じ半導体ウェーハ１の任意の５箇所（例えば、上、下、左、右、中央エリア）それぞれのチップに形成された複数のパッド電極６の針跡１４Ｂの状態（コンタクト前のプローブ針跡１１と、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７のバンプ１０のバンプ痕跡１２とがそれぞれ残った状態）をそれぞれ記憶する。次に、針跡１４Ａの状態（半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせる前の状態）と針跡１４Ｂ（半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトさせた後の状態）とそれぞれを重ね合わせて比較する工程（ステップＳ６）を設け、比較判定することである。
【００５２】
ここでの詳細な説明としては、図７に示すように、コンタクト前の針跡１４Ａと分離後の針跡１４Ｂとを重ね合わせ、重ね合わせたデータを間引きして残ったデータ、すなわち、バンプ痕１２がパッド電極６の有効エリア内にコンタクトできているか比較判定する。次に、パッド電極６の有効エリア内にバンプ痕１４がコンタクトできているかどうかを判断する工程（ステップＳ７）を設けて、判断する。パッド電極６の有効エリア内にコンタクトできていない場合、次回別の半導体ウェーハ１を用いてコンタクトするために必要な位置補正が可能かどうか判定する工程（ステップＳ８）を設けて判定する。そして、補正可能であれば、次回のコンタクト前に補正データを取り扱うため、補正情報を一旦記憶する工程（ステップＳ９）を設けて、記憶させる。この記憶された補正情報は、図３に示したコンタクト前での、位置補正が必要かどうかを比較判定する工程（ステップＳ２）において利用される。逆に、補正不可能な状態であれば、現在使用している検査ボード２は使用できない状態であることを示すエラー処理工程（ステップＳ１０）を設けて、エラー判定する。そして、以後のウェーハレベルバーンイン工程作業を実施する。
【００５３】
この実施の形態によっても、半導体ウェーハ１を検査ボード２にコンタクトする前と分離した後とで、半導体ウェーハ１に構成された複数のパッド電極６に記されたバンプ１０の圧痕跡１２の状態を比較判定するので、検査ボード２におけるバンプ１０の位置を正確に認識することができる。また、検査ボード２のバンプ１０が半導体ウェーハ１のパッド電極６における有効エリア内にコンタクトできたかどうかを正確に把握することができる。すなわち、半導体ウェーハ１を一括にコンタクトして検査するウェーハレベルバーンインにおいて、コンタクト検査中に半導体ウェーハ１を取外すことなく、パッド電極６のどの位置にバンプ１０がコンタクトできているかを、半導体ウェーハ１と検査ボード２とをコンタクトする前に、測定評価することで、確実に検査ボード２のバンプ１０が半導体ウェーハの複数のパッド電極６の有効エリア内にコンタクトができる。
【００５４】
また、コンタクトした後に、初期と今回のパッド電極６の位置情報を比較確認し、位置ズレが生じている場合のみ、位置補正を実施することで、常に高精細なコンタクトを維持できる。この結果、確実かつ容易にパッド電極６の有効エリア内に検査ボード２のバンプ１０をコンタクトさせることができ、信頼性が向上する。
【００５５】
また、この実施の形態においても、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７と配線基板８の密着状態（密着幅）や組立高さを、初期状態と、コンタクトして分離した後とで、それぞれ測定することで、常に検査ボード２の密着状態などの組立状態を把握することができ、未然に検査ボード２に構成されたバンプ付きフィルム７等の組立部材が落下することなどの不具合を防ぐことができ、信頼性が向上する。また、検査ボード２に形成されたバンプ付きフィルム７と配線基板８との密着箇所がはがれかかった時に、ローラ装置１７で密着箇所を加圧することで、以前の密着状態に復活させることができる。さらに、バンプ付きフィルム７の周辺に取付けられたセラミックリング１３を、延長固定金具１８で固定することで、さらに密着強度を強化でき、検査ボード２に構成されたバンプ付きフィルム７等の組立部材が落下することを防ぐことができる。
【００５６】
なお、実施の形態１および実施の形態２に記した、パッド電極６の針跡状態１２を確認するための半導体ウェーハ１の任意の箇所を５箇所としたが、これよりも少ない箇所でも良いし、また、多い箇所を選択しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の検査ボードの検査方法および検査装置は、ウェーハレベルバーンインでのコンタクト一括制御管理やコンタクト安定性等の用途にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、半導体ウェーハと検査ボードとをコンタクトする時の検査方法を示すフローチャート
【図２】同実施の形態１に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、コンタクト後の半導体ウェーハと検査ボードとを分離する時の検査方法を示すフローチャート
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、半導体ウェーハと検査ボードとをコンタクトする時の検査方法を示すフローチャート
【図４】同実施の形態２に係る半導体装置用の検査ボードの検査方法における、コンタクト後の半導体ウェーハと検査ボードとを分離する時の検査方法を示すフローチャート
【図５】本発明の実施の形態１および２における、コンタクトする時のパッド電極の針跡状態を示した平面図
【図６】本発明の実施の形態１および２における、分離する時のパッド電極の針跡状態を示した平面図
【図７】本発明の実施の形態１および２における、コンタクトする時、分離する時のパッド電極の針跡状態を重ね合わせ、重なったデータを間引いた状態を示した平面図
【図８】本発明の実施の形態１および２における、検査ボードを観察する状態を示した断面図
【図９】本発明の実施の形態１および２における、検査ボードを構成するバンプ付きフィルムと配線基板の密着箇所に、ローラ手段を用いて加圧接着している状態を示した断面図
【図１０】本発明の実施の形態１および２における、検査ボードを構成するバンプ付きフィルムの周辺に取付けられているセラミックリングに固定金具を取付けている状態を示した断面図
【図１１】ウェーハレベルバーンインにおいて、半導体ウェーハを検査ボードとウェーハトレイとの間に配置した状態を示す斜視図
【図１２】ウェーハ検査パッドを示す平面図
【図１３】ウェーハレベルバーンインの様子を示す断面図
【図１４】コンタクトする時の半導体検査ボードの検査方法を示したフローチャート
【図１５】分離する時の半導体検査ボードの検査方法を示したフローチャート
【図１６】コンタクト前のパッド電極の針跡状態と分離後のパッド電極の針跡状態とをそれぞれ示した平面図
【図１７】ウェーハレベルバーンインにおいて、半導体ウェーハを検査ボードとウェーハトレイとの間に配置した状態を示す断面図
【図１８】検査ボードを構成するバンプ付きフィルムと配線基板の密着構成を示した断面図
【符号の説明】
【００５９】
１  半導体ウェーハ
２  検査ボード
３  ウェーハトレイ
４  シールリング
５  真空バルブ
６  パッド電極（検査用電極）
７  バンプ付きフィルム
８  配線基板
９  異方性導電ゴムシート
１０  バンプ
１１  プローブ検査針跡
１２  バンプ痕とプローブ検査針跡
１３  セラミックリング
１４  バンプ痕
１５  ＣＣＤカメラ（撮像手段）
１６  反射板
１７  ローラ装置
１８  延長固定金具
１９  ＤＵＴ基板
２０  半導体装置（チップ）
【図１】
2007129114.tif 000003
【図２】
2007129114.tif 000004
【図３】
2007129114.tif 000005
【図４】
2007129114.tif 000006
【図５】
2007129114.tif 000007
【図６】
2007129114.tif 000008
【図７】
2007129114.tif 000009
【図８】
2007129114.tif 000010
【図９】
2007129114.tif 000011
【図１０】
2007129114.tif 000012
【図１１】
2007129114.tif 000013
【図１２】
2007129114.tif 000014
【図１３】
2007129114.tif 000015
【図１４】
2007129114.tif 000016
【図１５】
2007129114.tif 000017
【図１６】
2007129114.tif 000018
【図１７】
2007129114.tif 000019
【図１８】
2007129114.tif 000020