(57)【要約】【課題】工程単価の増加を防ぎ、且つ塗布不良発生を減らすことが可能な半導体装置製造装置を提供する。【解決手段】塗布薬液を吐出する薬液ノズル１０と、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズル１０に塗布薬液を供給する薬液貯蔵部２０と、薬液貯蔵部２０で塗布薬液を貯蔵している時間及び最後に塗布薬液を吐出してからの時間を測定する時間測定装置３２と、時間測定装置３２から測定結果からダミーディスペンスの間隔と吐出量を制御する制御コンピュータ３０と、制御コンピュータ３０からダミーディスペンスの間隔と吐出量を受信し、塗布薬液の吐出を制御する薬液吐出制御バルブ２３を備える。【選択図】図１
2007110030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記塗布薬液を貯蔵し、前記薬液ノズルに前記塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、
前記薬液貯蔵部で前記塗布薬液を貯蔵している時間及び最後に前記塗布薬液を吐出してからの時間を測定する時間測定装置と、
前記時間測定装置から測定結果からダミーディスペンスの間隔と吐出量を制御する制御コンピュータと、
前記制御コンピュータから前記ダミーディスペンスの間隔と吐出量を受信し、前記塗布薬液の吐出を制御する薬液吐出制御バルブ
とを備えることを特徴とする半導体装置製造装置。
【請求項２】
塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記塗布薬液を貯蔵し、前記薬液ノズルに前記塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、
前記塗布薬液を塗布する環境の環境データを測定する環境測定装置と、
前記環境測定装置から受信した前記環境データを基にサックバック量を計算し制御する制御コンピュータと、
前記制御コンピュータから前記サックバック量を受信し、前記塗布薬液のサックバックを調整するサックバック調整バルブ
とを備えることを特徴とする半導体装置製造装置。
【請求項３】
前記環境データは、少なくとも気圧、温度、及び湿度のいずれか１つであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置製造装置。
【請求項４】
リンス液を吐出するリンス液ノズルと、
前記リンス液を貯蔵し、前記リンス液ノズルに前記リンス薬液を供給するリンス液貯蔵部と、
前記リンス液ノズルに供給される前記リンス液中の気泡及びパーティクルを検知するリンス液ラインセンサと、
前記リンス液ラインセンサから前記気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、前記気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータと、
前記制御コンピュータから前記位置情報及び移動速度を受信し、前記気泡及びパーティクルを含む前記リンス液を排出するリンス液排出機構
とを備えることを特徴とする半導体装置製造装置。
【請求項５】
塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記塗布薬液を貯蔵し、前記薬液ノズルに前記塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、
前記薬液ノズルに供給される前記塗布薬液中の気泡及びパーティクルを検知する薬液ラインセンサと、
前記薬液ラインセンサから前記気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、前記気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータと、
前記制御コンピュータから前記位置情報及び移動速度を受信し、前記気泡及びパーティクルを含む前記塗布薬液の排出を制御する薬液排出バルブ
とを備えることを特徴とする半導体装置製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置製造に関し、特に半導体装置の製造ラインで塗布薬液やリンス液を滴下する半導体装置製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造ラインで用いる塗布装置は、ウェハ上に均一な膜を形成するために塗布薬液を安定して吐出しなければならない。塗布薬液の吐出安定性を低下させる原因としては、塗布装置のノズル先端で塗布薬液の劣化及び固化があげられる。そこで、薬液ノズル先端での塗布薬液の劣化及び固化を防ぐために、薬液ノズル洗浄機能、サックバック機構、及びダミーディスペンス機能等を有する塗布装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
薬液ノズルやウェハの洗浄に用いるリンス液は、リンス液ライン中に気泡が混入するとリンス液ノズルからの吐出状態が悪化したり、リンス液ノズルからのリンス液と気泡の同時吐出によりウェハ上に飛散したりする。そのような状態が発生するとエッチカット不良および、薬液ノズル洗浄機構からのリンス液だれ等の塗布不良が発生する。
【０００４】
サックバック機構は、薬液ノズル先端からの液ダレを防止するために、ライン中で体積変化を発生させ塗布薬液を薬液ノズル先端から数ｍｍ引き戻すものである。サックバックする量が多いときは、薬液ノズル先端で塗布薬液が固化してパーティクルが発生し塗布不良が生じる。また、サックバックする量が少ないときは、薬液ノズル先端から液ダレすることで塗布不良が発生する。
【０００５】
ダミーディスペンス機能は、薬液ノズル先端を洗浄した後に、薬液ノズル先端での劣化／固化を防ぐため装置待機時間に定期的に塗布薬液を少量破棄する機能である。最近の塗布薬液の高額化に伴い、ダミーディスペンスで破棄する塗布薬液の量が工程単価の増加につながる。
【０００６】
サックバックする量及びダミーディスペンスの間隔や量は、塗布装置が設置されてるクリーンルームの気圧、温度、湿度等の環境データ、又は塗布薬液を塗布装置に貯蔵してる時間に影響されるが、固定値が設定されている。
【０００７】
塗布不良が発生した場合、平坦な下地上ならば作業のやり直しが可能だが追加工程が必要になる。また、金属膜下絶縁膜（ＰＭＤ）等の埋め込みにスピンオングラス（ＳＯＧ）膜を利用する場合、塗布不良が発生すると埋め込み不良による絶縁性の劣化等をひきおこし、塗布不良が広範囲にわたる場合は不良ウエハの発生につながる。
【特許文献１】特開２０００−１５０３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、工程単価の増加を防ぎ、且つ塗布不良発生を減らすことが可能な半導体装置製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズルに塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、薬液貯蔵部で塗布薬液を貯蔵している時間及び最後に塗布薬液を吐出してからの時間を測定する時間測定装置と、時間測定装置から測定結果からダミーディスペンスの間隔と吐出量を制御する制御コンピュータと、制御コンピュータからダミーディスペンスの間隔と吐出量を受信し、塗布薬液の吐出を制御する薬液吐出制御バルブとを備える半導体装置製造装置が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズルに塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、塗布薬液を塗布する環境の環境データを測定する環境測定装置と、環境測定装置から受信した環境データを基にサックバック量を計算し制御する制御コンピュータと、制御コンピュータからサックバック量を受信し、塗布薬液のサックバックを調整するサックバック調整バルブとを備える半導体装置製造装置が提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、リンス液を吐出するリンス液ノズルと、リンス液を貯蔵し、リンス液ノズルにリンス薬液を供給するリンス液貯蔵部と、リンス液ノズルに供給されるリンス液中の気泡及びパーティクルを検知するリンス液ラインセンサと、リンス液ラインセンサから気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータと、制御コンピュータから位置情報及び移動速度を受信し、気泡及びパーティクルを含むリンス液を排出するリンス液排出機構とを備える半導体装置製造装置が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、塗布薬液を吐出する薬液ノズルと、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズルに塗布薬液を供給する薬液貯蔵部と、薬液ノズルに供給される塗布薬液中の気泡及びパーティクルを検知する薬液ラインセンサと、薬液ラインセンサから気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータと、制御コンピュータから位置情報及び移動速度を受信し、気泡及びパーティクルを含む塗布薬液の排出を制御する薬液排出バルブとを備える半導体装置製造装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、工程単価の増加を防ぎ、且つ塗布不良発生を減らすことが可能な半導体装置製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１５】
(第１の実施の形態)
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置は、図１に示すように、塗布薬液を吐出する薬液ノズル１０と、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズル１０に塗布薬液を供給する薬液貯蔵部２０と、薬液貯蔵部２０で塗布薬液を貯蔵している時間及び最後に塗布薬液を吐出してからの時間を測定する時間測定装置３２と、時間測定装置３２から測定結果からダミーディスペンスの間隔と吐出量を制御する制御コンピュータ３０と、制御コンピュータ３０からダミーディスペンスの間隔と吐出量を受信し、塗布薬液の吐出を制御する薬液吐出制御バルブ２３を備える。
【００１６】
薬液ノズル１０は、スピナー部１２に設置されるウェハ１４に塗布薬液を吐出する。また、薬液ノズル１０は、ウェハ１４に塗布薬液を吐出するとき以外は、待機ポッド４２で待機している。待機ポッド４２は廃液部４０と接続されていて、塗布薬液を破棄することが可能になっている。塗布薬液としては、ポリシラザン（ＰＳＺ）膜または過水素化シラザン重合体膜等を形成する薬液を用いる。
【００１７】
薬液貯蔵部２０は、薬液リザーバタンク２１と接続されている。薬液貯蔵部２０は、窒素ガスやドライガス等で加圧することで薬液リザーバタンク２１に適量の塗布薬液を供給する。薬液リザーバタンク２１は、ポンプ２２と接続されている。ポンプ２２は、薬液リザーバタンク２１から塗布薬液を吸い上げ、薬液ノズル１０に輸送する。ポンプ２２と薬液ノズル１０の間には薬液吐出制御バルブ２３が配置される。薬液吐出制御バルブ２３は、制御コンピュータ３０から薬液吐出量の制御信号を受信して、薬液ノズル１０からの薬液吐出量を制御する。
【００１８】
第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置の動作を説明する。まず、薬液貯蔵部２０で塗布薬液を貯蔵し始めてからの経過時間、及び最後に塗布薬液を吐出してからの時間を時間測定装置３２で測定する。時間測定装置３２は、時間測定結果を制御コンピュータ３０に送信する。制御コンピュータ３０は、時間測定結果を基にダミーディスペンスの適切な間隔と吐出量を計算する。制御コンピュータ３０の計算の結果得られたダミーディスペンスの間隔と吐出量に従って、塗布薬液は待機ポッド４２に薬液ノズル１０から破棄される。
【００１９】
第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置のダミーディスペンスの間隔と吐出量を比較してみる。従来の装置では図２のグラフの点線で示すように常に一定量をダミーディスペンスする。一方、第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置では、実線で示すように塗布薬液の貯蔵している時間によってダミーディスペンスの量を段階的に増やす。ダミーディスペンスの量を段階的に増やすのは、塗布薬液は貯蔵時間が長くなるにつれて酸素や水分等の影響で劣化が早くなるためである。
【００２０】
ダミーディスペンスの間隔と吐出量の具体例を図３に示す。従来は、ダミーディスペンスの間隔は０．５時間、吐出量は５ｃｃで一定である。第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置のダミーディスペンスの間隔は、薬液貯蔵部２０に塗布薬液を注入した直後は２時間、１０日後は０．５時間である。第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置のダミーディスペンスの吐出量は、注入直後は１ｃｃ、１０日後は５ｃｃである。結果として、１０日後には１時間あたりのダミーディスペンス量は同じであるが、塗布薬液の注入直後では圧倒的に第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置の方が少量とすることができる。
【００２１】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置によれば、時間経過と伴に最適な条件でダミーディスペンス条件が設定することができる。塗布不良発生を防ぐためのダミーディスペンスが、最適な条件で行われることによって、大幅な省薬液化をすることが可能となり、工程単価の増加を防ぐことができる。
【００２２】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置は、図４に示すように、塗布薬液を吐出する薬液ノズル１０と、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズル１０に塗布薬液を供給する薬液貯蔵部２０と、塗布薬液を塗布する環境の環境データを測定する環境測定装置３１と、環境測定装置３１から受信した環境データを基にサックバック量を計算し制御する制御コンピュータ３０と、制御コンピュータ３０からサックバック量を受信し、塗布薬液のサックバックを調整するサックバック調整バルブ２４とを備える。環境測定装置３１は、塗布を行うクリーンルームの気圧、温度、湿度等の環境データを測定するセンサーである。図１で示した半導体装置製造装置と実質的に同様の部位があるので、実質的に同様な部位の重複した記載は省略する。
【００２３】
第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置の動作を説明する。例えば、環境測定装置３１で天気による気圧の変化を測定する。環境測定装置３１は、気圧測定の結果を制御コンピュータ３０に送信する。制御コンピュータ３０は、気圧測定の結果を基に気圧に応じたサックバック量を計算する。サックバック量の計算結果に従って、サックバック調整バルブ２４が塗布薬液のサックバックを行う。
【００２４】
サックバック量は、気圧の変化に伴って変動する。例えば、図５に示すように、半導体装置製造装置の周囲の気圧が高いときは、塗布薬液の界面にかかる圧力が高いので界面を押し上げてしまう。したがって、通常の気圧のときの適正値の量をサックバックしたら適正値よりも多くサックバックしたことになってしまう。適正値より多くサックバックした状態だと、薬液ノズル１０の内壁側面部が空気と触れる面積が増えるので塗布薬液の固化が起きやすくなる。また、半導体装置製造装置の周囲の気圧が低いときは、塗布薬液の界面にかかる圧力が低いので界面を押し下げてしまう。したがって、通常の気圧のときの適正値の量をサックバックしたら適正値よりも少なくサックバックしたことになってしまう。適正値より少なくサックバックした状態だと、塗布薬液が薬液ノズル１０の外壁側面部へ表面張力および毛細管現象等で回ってしまい、液だれ若しくは外壁側面部で固化してしまう可能性がある。
【００２５】
気圧の変化による塗布不良で発生する不良半導体装置数の具体例を図６に示す。従来の一定量をサックバックする装置では、１気圧の近傍のときは不良数は少ないが、１気圧から変動があると不良数は増加する。しかしながら、第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置を用いた場合は、気圧に変動があっても不良半導体装置はない。
【００２６】
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置によれば、気圧の変化を測定して、気圧の変化に応じてサックバック量を変動させるので常に適正値のサックバックをすることができる。適正値のサックバックをすることで、薬液ノズル１０で薬液が固化及び液だれすることがなくなり、固化及び液だれによる塗布不良発生を防ぐことができ、工程単価の増加も防ぐことができる。
【００２７】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置は、図７に示すように、リンス液を吐出するリンス液ノズル５０と、リンス液を貯蔵し、リンス液ノズル５０にリンス薬液を供給するリンス液貯蔵部６０と、リンス液ノズル５０に供給されるリンス液中の気泡及びパーティクルを検知するリンス液ラインセンサ６２と、リンス液ラインセンサ６２から気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータ３０と、制御コンピュータ３０から位置情報を受信し、気泡及びパーティクルを含むリンス液を排出するリンス液排出機構６３とを備える。図１で示した半導体装置製造装置と実質的に同様の部位があるので、実質的に同様な部位の重複した記載は省略する。
【００２８】
リンス液ノズル５０は、スピナー部１２に設置されるウェハ１４の洗浄をするリンス液をを吐出する。リンス液としては、超純水等を用いることができる。
【００２９】
リンス液貯蔵部６０は、リンス液リザーバタンク６１と接続されている。リンス液貯蔵部６０は、窒素ガスやドライガス等で加圧することでリンス液リザーバタンク６１に適量のリンス液を供給する。リンス液リザーバタンク６１とリンス液ノズル５０の間には、リンス液ラインセンサ６２、リンス液排出機構６３、及びリンス液吐出制御バルブ６４が配置される。
【００３０】
リンス液ラインセンサ６２は、図８に示すように、発信素子６２１と受信素子６２２を備える。リンス液ラインセンサ６２の測定手段としては、音響法、光散乱法、及び光遮断法等を採用する。音響法は、発信素子６２１から超音波をリンス液に向かって発信し、受信素子６２２が液中にある気泡及びパーティクルに対して透過または反射する超音波を受信することで、リンス液中の気泡及びパーティクルを検知する。光散乱法及び光遮断法は、レーザ等の光をリンス液に向かって発信し、受信素子６２２が液中にある気泡及びパーティクルに対して透過または反射する光を受信することで、リンス液中の気泡及びパーティクルを検知する。音響法の特徴は、気泡及びパーティクルの粒径、個数、及び粒径分布の測定をすることができる。光散乱法及び光遮断法の特徴は、気泡及びパーティクルの粒径、個数、及び粒径分布の測定をすることができる。また、光散乱法及び光遮断法は、多様な液体に対応でき、特に濃度が低い液体に適する。
【００３１】
リンス液排出機構６３は、廃液部４０と接続されていて、リンス液を破棄することが可能になっている。リンス液排出機構６３には、三方弁等を用いることができる。リンス液吐出制御バルブ６４は、制御コンピュータ３０からリンス液吐出量の制御信号を受信して、リンス液ノズル５０からの薬液吐出量を制御する。
【００３２】
第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置の動作を説明する。まず、リンス液リザーバタンク６１からリンス液ノズル５０に流れるリンス液中の気泡及びパーティクルをリンス液ラインセンサ６２で検知する。リンス液ラインセンサ６２は、検知結果を制御コンピュータ３０に送信する。制御コンピュータ３０は、検知結果を基に気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する。制御コンピュータ３０の計算の結果得られた位置情報を基に、リンス液排出機構６３は気泡及びパーティクルを含むリンス液がリンス液排出機構６３を通過するタイミングで気泡及びパーティクルを含むリンス液を排出する。
【００３３】
第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置を用いた場合と従来の装置を用いた場合の不良ウェハ枚数の比較を図９のグラフに示す。図９における不良ウェハ枚数は、１ロット２４枚あたりの平均の塗布不良ウエハ枚数である。従来の装置では、リンス液リンス液貯蔵部交換後に一旦不良が発生すると、処理ロット数が増えるに従い，塗布不良ウエハ枚数が増大する。しかし、第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置を用いることで塗布欠陥の発生がほぼ完全に抑止できていることがわかる。
【００３４】
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置によれば、リンス液中にある気泡及びパーティクルをリンス液ノズル５０に届く前に排出することでエッジカット不良の発生を防ぐことが可能なので、工程単価の増加も防ぐことができる。
【００３５】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置は、図１０に示すように、塗布薬液を吐出する薬液ノズル１０と、塗布薬液を貯蔵し、薬液ノズル１０に塗布薬液を供給する薬液貯蔵部２０と、薬液ノズル１０に供給される塗布薬液中の気泡及びパーティクルを検知する薬液ラインセンサ２５と、薬液ラインセンサ２５から気泡及びパーティクルの検知結果を受信し、気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する制御コンピュータ３０と、制御コンピュータ３０から位置情報及び移動速度を受信し、気泡及びパーティクルを含む塗布薬液の排出を制御する薬液排出バルブ２６とを備える。図１で示した半導体装置製造装置と実質的に同様の部位があるので、実質的に同様な部位の重複した記載は省略する。
【００３６】
薬液ラインセンサ２５は、液体の温度を測定して比熱を算出する液体マスフローメータ等のセンサである。液体マスフローメータは、液体を一旦冷却したあとの温度上昇を測定することによって液体流量を算出するセンサで、液中の気泡は液体自体と比熱が大きく異なるために高感度の検出が可能である
第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置の動作を説明する。まず、塗布薬液がポンプ２２によって薬液リザーバタンク２１から吸い上げられる。塗布薬液は、ポンプ２２まで搬送される前に薬液ラインセンサ２５を通過する。このとき、薬液ラインセンサ２５は、塗布薬液中の気泡及びパーティクルを検知する。薬液ラインセンサ２５は、検知結果を制御コンピュータ３０に送信する。制御コンピュータ３０は、検知結果を基に気泡及びパーティクルの位置情報及び移動速度を計算する。気泡及びパーティクルを含む塗布薬液がウェハ１４に吐出されることが予測されるときは、図１１に示すように、制御コンピュータ３０が薬液排出バルブ２６に制御信号を送信して気泡及びパーティクルを含む塗布薬液をダミーディスペンスする。気泡及びパーティクルを含む塗布薬液をダミーディスペンスすることで、塗布不良発生を防ぐことができる。
【００３７】
第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置を用いた場合と従来の装置を用いた場合の不良ウェハ枚数の比較を図１２の表に示す。従来の装置では、塗布薬液投入直後に不良ウェハ枚数が多量に発生して、日数が経つ毎に不良ウェハ枚数がほぼ０で安定化する。塗布薬液投入後の日数経過と伴に塗布薬液加圧窒素が塗布薬液内に溶解することによる泡発生でまた不良ウェハ枚数が増大する。しかし、第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置を用いることで、不良ウェハ枚数の発生はほぼ完全に抑止できる。
【００３８】
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置によれば、塗布薬液中にある気泡及びパーティクルを薬液ノズル１０に届く前に排出することで塗布不良の発生を防ぐことが可能なので、工程単価の増加を防ぐことができる。また、塗布薬液投入後すぐにでも塗布不良なしに塗布することが可能になるので、塗布薬液によるラインパージ量削減による省薬液等にも有効である。
【００３９】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００４０】
例えば、図１３に示すように、第１〜第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置を合わせて１つの装置とすることも可能である。
【００４１】
また、第２の実施の形態において、サックバック量を決定する要素として気圧を用いたが、温度、湿度等の他の環境データを用いても構わない。
【００４２】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置の模式図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置を比較したグラフである。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置を比較した表である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置の模式図である。
【図５】気圧の変動によるサックバック量を示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置を比較した表である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置の模式図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置のリンス液ラインセンサの模式図である。
【図９】第３の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置を比較したグラフである。
【図１０】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置の模式図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置における塗布薬液をダミーディスペンスするときの動作を示す模式図である。
【図１２】第４の実施の形態に係る半導体装置製造装置と従来の装置を比較した表である。
【図１３】本発明のその他の実施の形態に係る半導体装置製造装置の模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…薬液ノズル
１２…スピナー部
１４…ウェハ
２０…薬液貯蔵部
２１…薬液リザーバタンク
２２…ポンプ
２３…薬液吐出制御バルブ
２４…サックバック調整バルブ
２５…薬液ラインセンサ
２６…薬液排出バルブ
３０…制御コンピュータ
３１…環境測定装置
３２…時間測定装置
４０…廃液部
４２…待機ポッド
５０…リンス液ノズル
６０…リンス液貯蔵部
６１…リンス液リザーバタンク
６２…リンス液ラインセンサ
６３…リンス液排出機構
６４…リンス液吐出制御バルブ
６２１…発信素子
６２２…受信素子
【図１】
2007110030.tif 000003
【図２】
2007110030.tif 000004
【図３】
2007110030.tif 000005
【図４】
2007110030.tif 000006
【図５】
2007110030.tif 000007
【図６】
2007110030.tif 000008
【図７】
2007110030.tif 000009
【図８】
2007110030.tif 000010
【図９】
2007110030.tif 000011
【図１０】
2007110030.tif 000012
【図１１】
2007110030.tif 000013
【図１２】
2007110030.tif 000014
【図１３】
2007110030.tif 000015