(57)【要約】【課題】出力光の出射方向の変化が小さい波長変換光学系を提供する。【解決手段】８倍波形成光学素子１２から出射した８倍波は、ハーフミラー１７によってその一部が分離され、モニタ装置１８に入射する。モニタ装置１８は、２次元ＣＣＤ等の撮像素子を有し、光がこれらの撮像素子に入射する位置から、８倍波の射出方向を算出して、出射光方向制御装置１９に送る。出射光方向制御装置１９は、８倍波の射出方向が予め定められた方向になるように、レンズ位置制御装置２０に指令を送り、レンズＬの姿勢を変えて、ダイクロイックミラー１３、ダイクロイックミラー１０、７倍波形成光学素子１１を経て８倍波形成光学素子１２に入射する基本波の入射方向を制御する。これにより、８倍波の射出方向が予め定められた方向になるように制御される。【選択図】  図２
2007279084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長変換光学素子を使用して、前記波長変換光学素子に入射する２つの入射光から、これら２つの光の周波数の和の周波数を有する出射光を発生させる波長変換光学系であって、出射する光の方向をモニタするモニタ装置と、前記入射光のうち少なくとも一つの、前記波長変換光学素子への入射方向を変える入射方向変更装置と、前記モニタ装置でモニタされた前記出射光の出射方向が一定となるように、前記入射方向変更装置を操作する出射光方向制御装置とを有することを特徴とする波長変換光学系。
【請求項２】
請求項１に記載の波長変換光学系であって、第１の基本波から少なくとも一つの波長変換光学素子を経て５倍波を形成する第１の波長変換光学系と、第２の基本波から２倍波を形成する２倍波形成光学素子と、第３の基本波と前記２倍波形成光学素子から出射した前記２倍波とを同一光路に合成する第１の光学部材と、前記第３の基本波と前記２倍波形成光学素子から出射した前記２倍波と前記第１の波長変換光学系から出射した前記５倍波とを同一光路に合成する第２の光学部材と、前記２倍波と前記５倍波とから７倍波を形成する７倍波形成光学素子と、前記７倍波形成光学素子から出射した前記第３の基本波と前記７倍波とから８倍波を形成する８倍波形成光学素子とを有することを特徴とする波長変換光学系。
【請求項３】
請求項２の波長変換光学系であって、前記モニタ装置は、前記８倍波形成光学素子からの前記８倍波の出射方向をモニタするものであり、前記入射方向変更装置は、前記８倍波形成光学素子への前記第３の基本波の入射方向を変えるものであることを特徴とする波長変換光学系。
【請求項４】
前記第１の基本波、第２の基本波、第３の基本波を発振する少なくとも１つのレーザ光源と、前記３つの基本波をそれぞれ増幅する複数の光ファイバー増幅器と、前記３つの基本波のうちの少なくとも２つの基本波が前記各光ファイバー増幅器に入射するタイミングをそれぞれ制御する複数の遅延装置と、請求項２又は請求項３に記載の波長変換光学系を有することを特徴とするレーザ光源。
【請求項５】
請求項４に記載のレーザ光源と、所定の露光パターンが設けられたフォトマスクを保持するマスク支持部と、露光対象物を保持する対象物保持部と、前記レーザ光源から出射される紫外光を前記マスク支持部に保持されたフォトマスクに照射させる照明光学系と、前記照明光学系を介して前記フォトマスクに照射されてここを通過した照射光を前記対象物保持部に保持された露光対象物に照射させる投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項４に記載のレーザ光源と、被検物を保持する支持部と、前記被検物からの光を検出する検出器と、前記レーザ光源から出射される紫外光を前記被検物に照射させる照明光学系と、前記被検物からの光を前記検出器に導く光学系とを有することを特徴とする被検物検査装置。
【請求項７】
高分子結晶を加工する高分子結晶の加工装置であって、請求項４に記載のレーザ光源と、当該レーザ光源から放出されるレーザ光を、被加工物である高分子結晶に導き、当該高分子結晶の被加工場所に集光させる光学系と、前記光学系と前記高分子結晶の相対位置を変化させる機構を有することを特徴とする高分子結晶の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光は近年において種々の用途に用いられており、例えば、金属の切断や加工を行ったり、半導体製造装置におけるフォトリソグラフィー装置の光源として用いられたり、各種測定装置に用いられたり、外科、眼科、歯科等の手術および治療装置に用いられたりしている。
【０００３】
ところが、ＡｒＦエキシマレーザ発振装置は、チャンバー内にアルゴンガス、フッ素ガス、ネオンガス等を封入して構成されるものであり、これらガスを密封する必要がある。さらに、各ガスの充填、回収を行う必要もあり、装置が大型化且つ複雑化しやすいという問題がある。又、ＡｒＦエキシマレーザ発振装置は、所定のレーザ光発生性能を保持するために、定期的に内部ガスの交換を行ったり、オーバーホールを行ったりする必要があるという問題もある。
【０００４】
よって、レーザ光源としてはこのようなエキシマレーザでなく、固体レーザを用いることが好ましい。ところが、固体レーザから放出されるレーザ光の波長は、可視領域から赤外領域であり、例えば検査装置に使用するには、波長が長すぎて高い分解能を得ることができない。そこで、このような固体レーザから放出される長波長の光を、非線形光学結晶からなる波長変換光学素子を用いることにより短波長の紫外光（例えば８倍波）に変換して用いる方法が開発され、例えば特開２００１−３５３１７６号公報（特許文献１）に記載されている。
【０００５】
これは、固体レーザから放出される近赤外の光（基本波）を光増幅した上で、波長変換光学素子を使用した波長変換光学系により、基本波の２倍波、３倍波を発生させ、２倍波と３倍波から５倍波を発生させ、この５倍波と２倍波から７倍波を発生させ、最後にこの７倍波と基本波より８倍波を発生させるものである。
【特許文献１】特開２００１−３５３１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような、波長変換に使用される波長変換光学素子においては、ポインティング変動と呼ばれる光路の変動又は変化がある。この原因は、
(1)波長変換光学素子（波長変換結晶）の熱的な特性変動
(2)波長変換光学素子（波長変換結晶）の加工誤差（素子の交換時に生じる素子の個体差による違い）
(3)大気の揺らぎによる光軸の変化
(4)光学調整に伴う光軸の変化
などであり、通常の状態では避けられない問題である。波長変換の途中における波長変換光学素子でポインティング変動が起こると、次に入射する波長変換光学素子への入射角が変わり、そのため波長変換効率の変化が発生したり、さらにポインティング変動を発生させる。又、波長変換光学系の出力である最終段の波長変換光学素子からの出射光の方向が変化したり変動したりすると、その出力を使用している光学系に不都合を生じる場合がある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、出力光の出射方向の変化が小さい波長変換光学系、それを使用したレーザ光源、さらには、このレーザ光源を使用した露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための第１の手段は、波長変換光学素子を使用して、前記波長変換光学素子に入射する２つの入射光から、これら２つの光の周波数の和の周波数を有する出射光を発生させる波長変換光学系であって、出射する光の方向をモニタするモニタ装置と、前記入射光のうち少なくとも一つの、前記波長変換光学素子への入射方向を変える入射方向変更装置と、前記モニタ装置でモニタされた前記出射光の出射方向が一定となるように、前記入射方向変更装置を操作する出射光方向制御装置とを有することを特徴とする波長変換光学系である。
【０００９】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、第１の基本波から少なくとも一つの波長変換光学素子を経て５倍波を形成する第１の波長変換光学系と、第２の基本波から２倍波を形成する２倍波形成光学素子と、第３の基本波と前記２倍波形成光学素子から出射した前記２倍波とを同一光路に合成する第１の光学部材と、前記第３の基本波と前記２倍波形成光学素子から出射した前記２倍波と前記第１の波長変換光学系から出射した前記５倍波とを同一光路に合成する第２の光学部材と、前記２倍波と前記５倍波とから７倍波を形成する７倍波形成光学素子と、前記７倍波形成光学素子から出射した前記第３の基本波と前記７倍波とから８倍波を形成する８倍波形成光学素子とを有することを特徴とする波長変換光学系である。
【００１０】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第２の手段であって、前記モニタ装置が、前記８倍波形成光学素子からの前記８倍波の出射方向をモニタするものであり、前記入射方向変更装置は、前記８倍波形成光学素子への前記第３の基本波の入射方向を変えるものであることを特徴とするものである。
【００１１】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第１の基本波、第２の基本波、第３の基本波を発振する少なくとも１つのレーザ光源と、前記３つの基本波をそれぞれ増幅する複数の光ファイバー増幅器と、前記３つの基本波のうちの少なくとも２つの基本波が前記各光ファイバー増幅器に入射するタイミングをそれぞれ制御する複数の遅延装置と、前記第の手段又は第３の手段である波長変換光学系を有することを特徴とするレーザ光源である。
【００１２】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第４の手段であるレーザ光源と、所定の露光パターンが設けられたフォトマスクを保持するマスク支持部と、露光対象物を保持する対象物保持部と、前記レーザ光源から出射される紫外光を前記マスク支持部に保持されたフォトマスクに照射させる照明光学系と、前記照明光学系を介して前記フォトマスクに照射されてここを通過した照射光を前記対象物保持部に保持された露光対象物に照射させる投影光学系とを有することを特徴とする露光装置である。
【００１３】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第４の手段であるレーザ光源と、被検物を保持する支持部と、前記被検物からの光を検出する検出器と、前記レーザ光源から出射される紫外光を前記被検物に照射させる照明光学系と、前記被検物からの光を前記検出器に導く光学系とを有することを特徴とする被検物検査装置である。
【００１４】
前記課題を解決するための第７の手段は、高分子結晶を加工する高分子結晶の加工装置であって、前記第４の手段であるレーザ光源と、当該レーザ光源から放出されるレーザ光を、被加工物である高分子結晶に導き、当該高分子結晶の被加工場所に集光させる光学系と、前記光学系と前記高分子結晶の相対位置を変化させる機構を有することを特徴とする高分子結晶の加工装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、出力光の出射方向の変化が小さい波長変換光学系、それを使用したレーザ光源、さらには、このレーザ光源を使用した露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明するが、その前に、本発明の波長変換光学系において、出力光の射出方向を一定に制御する方法の原理を図１を用いて説明する。
【００１７】
波長λ１とλ２の光から、それらの周波数の和の周波数に対応する波長λ３の光を発生させる場合、波長変換光学素子における位相整合条件は、それぞれの光の波数ベクトルをＫ１、Ｋ２、Ｋ３とするとき、
Ｋ１＋Ｋ２＝Ｋ３
となる。この関係を図１（ａ）に示す。
【００１８】
ここで、図１（ｂ）に示すように発生する光の進行方向が変化し、波数ベクトルＫ３がＫ３’に変化したとする。このとき、λ２の光の波数ベクトルＫ２’をＫ２”に変化させ、波数ベクトルＫ３’を波数ベクトルＫ３に戻す方法を考える。波数ベクトルＫ２”を、
Ｋ２”＝Ｋ３−Ｋ３’＋Ｋ２’
が成り立つ方向にすれば、調整することができる。波数ベクトルＫ２’をＫ２”に変化させることは、波長λ２の入射光の入射方向を変化させることにより実現できる。
【００１９】
図２は、本発明の実施の形態である波長変換光学系、及びレーザ装置の光学系の概要を示す図である。図２においては、楕円形で示されるのはコリメータレンズや集光レンズであり、その説明を省略する。又、Ｐ偏光を矢印で、Ｓ偏光を○中に点のある印で示し、基本波をω、ｎ倍波をｎωで示す。
【００２０】
この実施の形態においては、図示しない１つのＤＦＢレーザから放出される基本波（波長1547nm）を、３つに分岐して第１のＥＤＦＡ１と第２のＥＤＦＡ２と第３のＥＤＦＡ１４でそれぞれ増幅しているが、３つのＤＦＢレーザから放出される基本波をそれぞれＥＤＦＡにより増幅してもよい。
【００２１】
図２に示すように、第１のＥＤＦＡ１で増幅されたＰ偏光の基本波は、第１の２倍波形成光学素子（ＰＰＬＮ結晶）３に入射し、第１の２倍波形成光学素子３からは、基本波と共にＰ偏光の２倍波が発生する。この基本波と２倍波を、３倍波形成光学素子（ＬＢＯ結晶）４に入射させる。３倍波形成光学素子４からは、基本波と２倍波と共に、Ｓ偏光の３倍波が発生する。なお、２倍波形成光学素子３としては、ＰＰＬＮ結晶に限らず、ＰＰＫＴＰ結晶、ＰＰＳＬＴ結晶、ＬＢＯ結晶等を用いることもできる。
【００２２】
これらの光を、２波長波長板５を通すことにより、２倍波だけをＳ偏光に変換する。２波長波長板として、例えば結晶の光学軸と平行にカットした一軸性の結晶の平板からなる波長板が用いられる。一方の波長の光（２倍波）に対しては、偏光を回転させ、他方の波長の光に対しては、偏光が回転しないように、波長板（結晶）の厚さを一方の波長の光に対しては、λ／２の整数倍で、他方の波長の光に対しては、λの整数倍になるようにカットする。そして、共にＳ偏光となった２倍波と３倍波を、５倍波形成光学素子（ＬＢＯ結晶）６に入射させる。５倍波形成光学素子６からは、２倍波と３倍波と共にＰ偏光の５倍波が発生する。なお、Ｐ偏光の基本波はそのまま５倍波形成光学素子６を透過する。
【００２３】
５倍波形成光学素子６から発生する５倍波は、ウォークオフのため、断面が楕円形の形状をしており、そのままでは集光性が悪くて、次の波長変換には使用できない。よって、シリンドリカルレンズ７、８により、この楕円形の断面形状を円形に整形する。なお、５倍波形成光学素子６としては、ＢＢＯ結晶、ＣＢＯ結晶を用いることもできる。
【００２４】
一方、第１のDelay装置１５で遅延され、第２のＥＤＦＡ２で増幅されたＰ偏光の基本波は、第２の２倍波形成光学素子（ＰＰＬＮ結晶）９に入射し、第２の２倍波形成光学素子９からは、基本波と共にＰ偏光の２倍波が発生する。なお、ＰＰＬＮ結晶に代えてＰＰＫＴＰ結晶、ＰＰＳＬＴ結晶、ＬＢＯ結晶等を使用してもよい。なお、可能な限り基本波から２倍波への変換効率が高く、耐久性に優れたもの好ましい。
【００２５】
さらに、第２のDelay装置１６で遅延され、第３のＥＤＦＡ１４で増幅されたＳ偏光の基本波は、ダイクロイックミラー１３により前述のＰ偏光の２倍波と合成される。この例ではダイクロイックミラー１３は、基本波を透過し、２倍波を反射するようなものとなっている。合成されたＳ偏光の基本波とＰ偏光の２倍波を、前述のＰ偏光の５倍波と、ダイクロイックミラー１０により合成する。この例では、ダイクロイックミラー１０は、基本波と２倍波を透過し、５倍波を反射するようなものとなっている。この光の合成には、バルク型光学素子を用いることが可能であり、例えば、色分解・合成ミラー（ダイクロイックミラー）、反射型及び透過型回折光学素子を用いることが可能である。
【００２６】
合成されたＳ偏光の基本波、Ｐ偏光の２倍波、Ｐ偏光の５倍波は、７倍波形成光学素子（ＣＬＢＯ結晶）１１に入射し、７倍波形成光学素子１１からは、これらの光と共に、Ｓ偏光の７倍波が発生する。これらの光は、８倍波形成光学素子（ＣＬＢＯ結晶）１２に入射し、ここでＳ偏光の基本波とＳ偏光の７倍波が合成されてＰ偏光の８倍波が発生する。もし、８倍波のみを８倍波形成光学素子１２から放出される他の波長の光から分離したい場合は、ダイクロイックミラーや偏光ビームスプリッタ、プリズムを使用することにより、これらを分離すればよい。
【００２７】
８倍波形成光学素子１２から出射した８倍波は、ハーフミラー１７によってその一部が分離され、モニタ装置１８に入射する。モニタ装置１８は、２次元ＣＣＤ等の位置検出素子を有し、光がこれらの撮像素子に入射する位置から、８倍波の射出方向を算出して、出射光方向制御装置１９に送る。出射光方向制御装置１９は、８倍波の射出方向が予め定められた方向になるように、レンズ位置制御装置２０に指令を送り、レンズＬの姿勢を変えて、ダイクロイックミラー１３、ダイクロイックミラー１０、７倍波形成光学素子１１を経て８倍波形成光学素子１２に入射する基本波の入射方向を制御する。これにより、図１を使用して説明した原理に基づいて、８倍波の射出方向が予め定められた方向になるように制御される。なお、図示を省略しているがレンズＬとダイクロイックミラー１３との間には、基本波折り返し用ミラーが配置される場合があり、その場合には、このミラーの姿勢を変化させることにより、８倍波形成光学素子１２に入射する基本波の入射方向を制御するようにしてもよい。
【００２８】
以上の説明においては、８倍波形成光学素子１２における波長変換を例にとって説明したが、図２に示す光学系においては、２倍波、又は５倍波の入射方向を変化させることにより、７倍波形成光学素子１１における７倍波の射出方向を制御することも可能である。
【００２９】
次に、上述した本発明の実施の形態であるレーザ装置２１を用いて構成され、半導体製造工程の一つであるフォトリソグラフィエ程で使用される露光装置１００について、図３を参照して説明する。光リソグラフィエ程で使用される露光装置は、原理的には写真製版と同じであり、フォトマスク（レチクル）上に精密に描かれたデバイスパターンを、フォトレジストを塗布した半導体ウエハやガラス基板などの上に光学的に投影して転写する。
【００３０】
この露光装置１００は、上述したレーザ装置２１と、照明光学系１０２と、フォトマスク（レチクル）１１０を支持するマスク支持台１０３と、投影光学系１０４と、露光対象物たる半導体ウエハ１１５を載置保持する載置台１０５と、載置台１０５を水平移動させる駆動装置１０６とを備えて構成される。
【００３１】
この露光装置１００においては、上述したレーザ装置２１から出力されるレーザ光が、複数のレンズから構成される照明光学系１０２に入力され、ここを通ってマスク支持台１０３に支持されたフォトマスク１１０の全面に照射される。このように照射されてフォトマスク１１０を通過した光は、フォトマスク１１０に描かれたデバイスパターンの像を有しており、この光が投影光学系１０４を介して載置台１０５に載置された半導体ウエハ１１５の所定位置に照射される。
【００３２】
このとき、投影光学系１０４によりフォトマスク１１０のデバイスパターンの像が半導体ウエハ１１５の上に縮小されて結像露光される。上記のような露光装置によれば、小型軽量で配置の自由度が高い紫外光源の特性を生かして小型でメンテナンス性、操作性の良好な露光装置を得ることができる。
【００３３】
次に、以上説明した本発明に係るレーザ装置２１を用いて構成されるマスク欠陥検査装置について、図４を参照して以下に説明する。マスク欠陥検査装置は、フォトマスク上に精密に描かれたデバイスパターンをＴＤＩセンサ(Time Delay and Integration)上に光学的に投影し、センサ画像と所定の参照画像とを比較し、その差からパターンの欠陥を抽出する。マスク欠陥検査装置１２０は、上述したレーザ装置２１と、照明光学系１１２と、フォトマスク１１０を支持するマスク支持台１１３と、マスク支持台を水平移動させる駆動装置１１６と、投影光学系１１４と、ＴＤＩセンサ１２５とを備えて構成される。
【００３４】
このマスク欠陥検査装置１２０においては、上述したレーザ装置２１から出力されるレーザ光が、複数のレンズから構成される照明光学系１１２に入力され、ここを通ってマスク支持台１１３に支持されたフォトマスク１１０の所定領域に照射される。このように照射されてフオトマスク１１０を通過した光は、フォトマスク１１０に描かれたデバイスパターンの像を有しており、この光が投影光学系１１４を介してＴＤＩセンサ１２５の所定の位置に結像される。
【００３５】
なお、マスク支持台１１３の水平移動速度と、ＴＤＩ１２５の転送クロックとは同期している。被検物はマスクに限られず、ウエハ、液晶パネル等の検査にも用いられる。なお、被検物がウエハの場合は、ウエハからの反射光を検出し、ウエハの欠陥を検査する。
【００３６】
図５は本発明のレーザ装置２１を用いて構成される高分子結晶の加工装置の概要図である。レーザ装置２１から放出された紫外短パルスレーザ光１３９は、シャッタ１３２、強度調整素子１３３、照射位置制御機構１３４、集光光学系１３５を介して試料容器１３６中に入れられた高分子結晶１３８に集光照射される。試料容器１３６は、ステージ１３７に搭載され、光軸方向をｚ軸として、ｘ−ｙ−ｚ直交座標系でｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３次元方向の移動が可能とされていると共に、ｚ軸の周りに回転可能となっている。高分子結晶１３８の表面に集光照射されたレーザ光により、高分子結晶の加工が行われる。
【００３７】
ところで、高分子結晶である被加工物を加工する場合、レーザ光が被加工物の何処に照射されているかを確認する必要がある。しかし、レーザ光は、通常可視光でないことが多く、目視することができないので、光学顕微鏡と組み合わせて使用することが好ましい。
【００３８】
その例を図６に示す。(a)に示す光学系においては、紫外短パルスレーザシステム１４１(図7の符号２１、１３２〜１３４に対応)からのレーザ光を、集光光学系１３５を介して所定の点に集光する。ステージ１３７は図8において説明したような機能を有しており、高分子結晶１３８の入った試料容器１３６がステージ１３７上に載置されている。照明光源１４２からの可視光は、反射光１４３で反射され、試料容器１３６をケーラー照明する。高分子結晶１３８は、光学顕微鏡の対物レンズ１４４、接眼レンズ１４５を介して眼１４６により目視される。  光学顕微鏡の光軸位置には、十字状のマークが形成されており、光軸位置が目視できるようになっている。
【００３９】
そして、光学顕微鏡の焦点位置（合焦位置、すなわち目視したときピントが合う物面）は固定とされている。集光光学系１３５により集光されたレーザ光は、光学顕微鏡の光軸位置で、かつ光学顕微鏡の焦点位置に集光されるようになっている。よって、ステージ１３７上に被加工物を載置し、光学顕微鏡でその像を観察した場合、ピントが合っており、かつ十字マークの中心にある位置に、レーザシステム１４１からのレーザ光が集光されるようになっている。なお、レーザシステム１４１、集光光学系１３５、及び光学顕微鏡部の相対位置関係は固定されており、ステージ１３７のみがこれらの固定系に対して相対的に移動可能とされている。
【００４０】
よって、加工を行いたい場所が光学顕微鏡の光軸位置でかつ合焦位置となるようにステージ１３７を移動させながら加工を行うことにより、所望の場所の加工、及ぴ所望の形状の加工を行うことができる。もし、自動的に加工を行わせたいのであれば、光学顕微鏡に自動焦点調整装置をつけてステージ１３７をその指令により駆動すると共に、ステージ１３７の予め定められた所定部分が光学顕微鏡の光軸になるように、ステージ１３７を駆動するようにすればよい。または、初めに基準となる位置を合わせた後、サーボ機構によりステージ１３７を２次元又は３次元に駆動するようにしてもよい。
【００４１】
本発明のレーザ装置は、レーザ治療装置にも使用することができるが、レーザ装置が異なるだけで、前記特許文献１に記載した技術がそのまま使用できるので、その説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の波長変換光学系において、出力光の射出方向を一定に制御する方法の原理を説明するための図である。
【図２】本発明の実施の形態である波長変換光学系、及びレーザ装置の光学系の概要を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態であるレーザ装置を用いた露光装置の概要を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態であるレーザ装置を用いたマスク欠陥検査装置の概要を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態であるレーザ装置を用いた高分子結晶の加工装置の概要を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態であるレーザ装置を用いた高分子結晶の加工装置を光学顕微鏡と組み合わせて使用する例を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…第１のＥＤＦＡ、２…第２のＥＤＦＡ、３…第１の２倍波発生光学素子、４…３倍波形成光学素子、５…２波長波長板、６…５倍波形成光学素子、７…シリンドリカルレンズ、８…シリンドリカルレンズ、９…第２の２倍波形成光学素子、１０…ダイクロイックミラー、１１…７倍波形成光学素子、１２…８倍波形成光学素子、１３…ダイクロイックミラー、１４…第３のＥＤＡＦ増幅器、１５…第１のDelay装置、１６…第２のDelay装置、１７…ハーフミラー、１８…モニタ装置、１９…出射光方向制御装置、２０…レンズ位置制御装置
【図１】
2007279084.tif 000003
【図２】
2007279084.tif 000004
【図３】
2007279084.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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