(57)【要約】【課題】比抵抗の低い配線を１５０℃以下の低温で基板上に連続して形成する。【解決手段】見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａと、見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂと、ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂、室温でエラストマー状の樹脂及び室温でワックス状の樹脂から選ばれる少なくとも１つの樹脂Ｃと、反応基を有する化合物Ｄと、前記化合物Ｄの硬化剤Ｅとを含む導電性ペースト１３を用いて、ＰＥＴ基板１０の上に配線パターン１４を形成し、配線パターン１４を１５０℃以下の温度で加熱し、加熱後の配線パターン１４を、６０℃以上１３０℃以下の温度及び０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理して配線基板１７を作製する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａと、
見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂと、
ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂、室温でエラストマー状の樹脂及び室温でワックス状の樹脂から選ばれる少なくとも１つの樹脂Ｃと、
反応基を有する化合物Ｄと、
前記化合物Ｄの硬化剤Ｅとを含むことを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
前記導電粉Ａの割合が、前記導電粉Ａ及び前記導電粉Ｂの全重量に対して、１０重量％以上５０重量％以下であり、前記樹脂Ｃの割合が、前記樹脂Ｃ、前記化合物Ｄ及び前記硬化剤Ｅの全重量に対して、５重量％以上３５重量％以下である請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記化合物Ｄは、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基価を有する化合物であり、前記硬化剤Ｅは、２以上のイソシアネート基を有する化合物である請求項１又は２に記載の導電性ペースト。
【請求項４】
前記化合物Ｄは、２以上のエポキシ基を有する化合物であり、前記硬化剤Ｅは、エポキシ硬化剤である請求項１又は２に記載の導電性ペースト。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて基板の上に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを１５０℃以下の温度で加熱する工程と、
前記加熱後の配線パターンを、６０℃以上１３０℃以下の温度及び０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成用の導電性ペースト、およびその導電性ペーストを用いた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィルム上に導電性ペーストを用いて配線パターンを形成したフィルム状配線基板は、印刷等の低コストのプロセスで製造ができることから、ノート型パーソナルコンピュータや携帯電話等で使用されている。このフィルム状配線基板は低コストであることから、最近では微小な無線チップにより人や物を管理・識別するＲＦ−ＩＤに用いるタグ等への適用も検討されている。このフィルム状配線基板に用いる導電性ペーストとしては、最も一般的なフィルムであるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に配線を形成できることを想定して、１５０℃以下の比較的低温でキュアされるペーストが使用されている。一方、ガラエポ基板等の硬質基板を用いて配線パターンを形成する場合には、基板自体が１５０℃を超える耐熱性を有するため、１５０℃以上の高温でキュアすることも可能である。
【０００３】
従来より種々の導電性ペーストが提案されており（例えば、特許文献１〜３参照。）、特許文献３には、低温硬化型の導電性ペーストが提案されている。また、導電性ペーストを用いた配線基板の製造方法も種々提案されている（例えば、特許文献４、５参照。）。
【特許文献１】特開平１−１５９９０６号公報
【特許文献２】特開平８−２４５７６４号公報
【特許文献３】特開２００１−１４９４３号公報
【特許文献４】特開２００３−１１０２２５号公報
【特許文献５】特開２００３−１８８４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の比較的低温でキュアする銀ペーストを用いて形成された配線は、その比抵抗が１０×１０-6Ωｃｍのオーダであり、銀単体の比抵抗１．７×１０-6Ωｃｍと比較して高い値を示し、配線用の導電性ペーストに使用する上では、未だ改良すべき点を残している。
【０００５】
上記改良すべき点に対し、製造プロセスからの改良も提案されており、配線を形成した後、配線に電圧を印加する方法（特許文献５）や、配線をプレスする方法等が提案されている。しかしこれらの方法は、バッチで処理する方法であるため、連続生産が困難となり、コスト高になるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題を解決したもので、新たな低温硬化型の導電性ペーストと、その導電性ペーストを用いた連続生産が可能な配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の導電性ペーストは、見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａと、見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂと、ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂Ｃと、反応基を有する化合物Ｄと、前記化合物Ｄの硬化剤Ｅとを含むことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、上記本発明の導電性ペーストを用いて基板の上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを１５０℃以下の温度で加熱する工程と、前記加熱後の配線パターンを、６０℃以上１３０℃以下の温度及び０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の導電性ペーストによれば、比抵抗の低い配線を１５０℃以下の低温で形成できる。また、本発明の配線基板の製造方法によれば、上記本発明の導電性ペーストを用いることにより、比抵抗の低い配線を１５０℃以下の低温で基板上に連続して形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１１】
ここで、見掛け密度とは、ＪＩＳ  Ｚ−２５０４等に準拠して測定される金属粉の充填密度であり、この値が金属本来の密度（真密度）より低くなるほど、充填されない空間の大きい嵩高な形状である金属粉であることになる。
（実施形態１）
先ず、本発明の導電性ペーストの実施の形態を説明する。本発明の導電性ペーストは、見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａと、見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂと、ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂Ｃと、反応基を有する化合物Ｄと、化合物Ｄの硬化剤Ｅとを含むことを特徴とする。
【００１２】
見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａは、嵩高であり、圧力を加えると変形しやすい性質を有するため、導電粉Ａを見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂとともに用いることにより、後述する本発明の配線基板の製造方法により導電性ペーストをロール処理した際に、導電粉Ａが変形して導電粉Ｂとの接触面積が増大して、導電性ペーストの比抵抗を低下させることができる。
【００１３】
また、ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂Ｃを用いることにより、上記導電粉Ａの変形を生じ易くするとともに、導電粉Ａが導電粉Ｂの表面へ移動して接触し易くすることができる。
【００１４】
以上より、本発明の導電性ペーストは、高い圧力のプレスを行わなくても、後述の本発明の配線基板の製造方法におけるロール処理により、１５０℃以下の低温でも比抵抗の低い配線を形成することができる。
【００１５】
上記導電粉Ａの割合は、導電粉Ａ及び導電粉Ｂの全重量に対して、１０重量％以上５０重量％以下が好ましく、１０重量％以上３０重量％以下がより好ましい。この範囲内であればロール処理後の配線の比抵抗を確実に低減できるからである。
【００１６】
また、上記樹脂Ｃの割合は、樹脂Ｃ、化合物Ｄ及び硬化剤Ｅの全重量に対して、５重量％以上３５重量％以下が好ましく、１０重量％以上３０重量％以下がより好ましい。樹脂Ｃの割合が５重量％以上であればロール処理後の配線の比抵抗をより低減できるが、３５重量％を超えるとロール処理後の配線の変形が大きくなるからである。
【００１７】
導電粉Ａ及び導電粉Ｂとしては、銀粉、銅粉等が使用できるが、特に導電性が高い銀粉が好ましい。また、導電粉Ａ及び導電粉Ｂの合計割合は、導電性ペーストの不揮発分の全重量に対して、７５重量％以上９０重量％以下が好ましく、８０重量％以上８８重量％以下がより好ましい。この範囲内であれば、ロール処理後の配線の比抵抗をより低減できるからである。
【００１８】
見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａとしては、例えば、商品名“Ａｇ−ＸＦ３０１”（福田金属箔粉製、見掛け密度：約０．５４ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡＹ−６０１０”（田中貴金属製、見掛け密度：０．４〜１．４ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡｇＣ−ＢＯ”（福田金属箔粉製、見掛け密度：０．７〜１．３ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡｇＣ−Ｇ”（福田金属箔粉製、見掛け密度：０．７〜１．３ｇ／ｃｍ3）等が使用できる。
【００１９】
見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂとしては、例えば、商品名“ＡｇＣ−２３７”（福田金属箔粉製、見掛け密度：２．５〜４ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡｇＣ−２３９”（福田金属箔粉製、見掛け密度：２〜３．５ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡｇＣ−２３９２”（福田金属箔粉製、見掛け密度：２．５〜３．５ｇ／ｃｍ3）、商品名“Ｔｙｐｅ−Ｓ”（田中貴金属製、見掛け密度：約４．３ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡｇＣ−４０１”（福田金属箔粉製、見掛け密度：２〜２．５ｇ／ｃｍ3）、商品名“ＡＧ−１２８”（昭栄化学工業製、見掛け密度：４〜４．５ｇ／ｃｍ3）等が使用できる。なお、導電粉Ｂの見掛け密度の上限は特に限定されないが、４．５ｇ／ｃｍ3程度である。
【００２０】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が６０℃以下の樹脂、室温でエラストマー状の樹脂及び室温でワックス状の樹脂から選ばれる少なくとも１つの樹脂Ｃとしては、特定のポリエステル、ポリウレタン、ポリブタジエン等が使用できる。ポリエステルとしては、例えば、商品名“ケミットＫ−１０８０”（東レ製、Ｔｇ：４３℃）、商品名“ケミットＲ−９９”（東レ製、Ｔｇ：−１９℃）等が使用できる。ポリウレタンとしては、例えば、商品名“ニッポラン３１１０”（日本ポリウレタン工業製、Ｔｇ：−１５℃）、商品名“ニッポラン３１１６”（日本ポリウレタン工業製、Ｔｇ：−１１℃）、商品名“タケラックＥ−３６５”（三井武田ケミカル製、室温でエラストマー状の樹脂）、商品名“ミラクトンＸＮ２００４”（日本ポリウレタン工業製、室温でエラストマー状の樹脂）等が使用できる。室温でエラストマー状の樹脂又はワックス状の樹脂であるポリブタジエンとしては、商品名“Ｈｙｃａｒ−ＣＴＢ”（宇部興産製）、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体“ＣＴＢＮ１３００”（商品名、宇部興産製）、ポリブタジエン“Ｍ−１０００”（商品名、新日本石油化学製）、ポリブタジエン“Ｅ−１０００”（商品名、新日本石油化学製）等が使用できる。
【００２１】
反応基を有する化合物Ｄとしては、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基価を有する化合物又は２以上のエポキシ基を有する化合物が使用できる。また、化合物Ｄの硬化剤Ｅとしては、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基価を有する化合物に対しては、２以上のイソシアネート基を有する化合物が使用でき、２以上のエポキシ基を有する化合物に対しては、エポキシ硬化剤が使用できる。
【００２２】
１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基価を有する化合物としては、例えば、ポリエステルポリオール“ニッポラン８００”、“ニッポラン１３６”（商品名、日本ポリウレタン工業製）、ポリエステルポリオール“Ｕ−５３”（商品名、三井武田ケミカル製）、ポリウレタンポリオール“タケラックＥ−５５０”、“タケラックＥ−５５３”（商品名、三井武田ケミカル製）、ポリカーボネートジオール“ニッポラン９８０Ｒ”、“ニッポラン２３０１”（商品名、日本ポリウレタン工業製）等が使用できる。
【００２３】
２以上のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、商品名“コロネートＨＸ”、商品名“コロネートＨＬ”（日本ポリウレタン工業製）、ポリイソシアネート“Ｄ−１０１Ａ”、“Ｄ１６５Ｎ”（商品名、三井武田ケミカル）、ブロックタイプイソシアネート“Ｂ８３０”（商品名、三井武田ケミカル製）、キシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、６−メトキシ−２，４−フェニレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、４，４’−シクロヘキサンジイソシアネート等が使用できる。
【００２４】
２以上のエポキシ基を有する化合物としては、例えば、芳香族系エポキシ、線状脂肪族エポキシ、脂環式エポキシ又はこれらの混合物が使用できる。芳香族系エポキシとしては、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ、ビスフェノールＡ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、ノボラック型エポキシ又はこれらの混合物が使用できる。線状脂肪族エポキシとしては、例えば、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル又はこれらの混合物が使用できる。脂環式エポキシとしては、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチルカルボキシレート等が使用できる。
【００２５】
エポキシ硬化剤としては、ポリアミン、酸無水物、イミダゾール化合物等が使用できる。ポリアミンとしては、例えば、イソホロンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキシスピロ−（５，５）−ウンデカンアダクト、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、ｍ−キシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、メンセンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、変性脂肪族ポリアミン“Ｑ６０４”、“Ｑ６３６”（商品名、三井化学製）、ポリアミドアミン“Ｑ６５１”（商品名、三井化学製）等が使用できる。酸無水物としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメート）、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、“リカシッドＴＭＴＡ”、“リカシッドＭＴ−５００”、“リカシッドＨＦ−２４Ｂ”、“リカシッドＨＦ−０４”（商品名、新日本理化製）、“エピキュアＹＨ３０６”、“エピキュアＹＨ３０７”（商品名、油化シェルエポキシ製）等が使用できる。イミダゾール化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等が使用できる。
【００２６】
反応基を有する化合物Ｄ、及び化合物Ｄの硬化剤Ｅは、導電粉を固定する役割のバインダ成分である。これらの成分のみをバインダとして使用した場合には、導電粉が上記導電粉Ａ、Ｂから構成されていても、形成した配線に圧力を印加することで、導電性を向上させようとする場合、高い圧力を必要とする。ここに、ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂、室温でエラストマー状の樹脂及び室温でワックス状の樹脂から選ばれる少なくとも１つの樹脂Ｃを添加することで、温度６０〜１３０℃、圧力０．１〜０．５ＭＰａ程度の一般的な熱ロールの加圧条件で配線の導電性を向上させることができるようになる。
【００２７】
（実施形態２）
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態を説明する。本発明の配線基板の製造方法は、実施形態１に記載の導電性ペーストを用いて基板の上に配線パターンを形成する工程と、上記配線パターンを１５０℃以下の温度で加熱する工程と、上記加熱後の配線パターンを、６０℃以上１３０℃以下の温度及び０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理する工程とを含むことを特徴とする。
【００２８】
実施形態１の導電性ペーストを用いて形成した配線パターンをロール処理することにより、１５０℃以下の低温でも比抵抗の低い配線を形成することができる。また、本発明の配線基板の製造方法には、高い圧力でのプレス等のバッチ処理やタクトの長い工程がないため、比抵抗の低い配線を基板上に連続して効率よく形成できる。
【００２９】
実施形態１の導電性ペーストを用いることにより、上記ロール処理前における配線パターンの比抵抗を４００×１０-6〜４０×１０-6Ωｍ程度にすることができ、さらにロール処理することで配線パターンの比抵抗を１０×１０-6〜４×１０-6Ωｍとすることができる。
【００３０】
上記基板としては、樹脂フィルムを用いることができる。樹脂フィルムを基板として用いることにより、基板に柔軟性を持たせることができ、リール・ツウ・リール等の効率的な製造方式を採用できる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）等のフィルムが使用できる。
【００３１】
また、上記基板としては、硬質基板も用いることができる。硬質基板としては、例えば、ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板、トリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名、三菱瓦斯化学製）を用いたＢＴ基板、セラミック基板等を使用できる。
【００３２】
上記導電性ペーストを用いて基板の上に配線パターンを形成する方法は特に限定されず、例えば、印刷法、ロール転写法、ロータリースクリーン転写法等の方法を採用できる。また、上記配線パターンを１５０℃以下の温度で加熱する方法も特に限定されず、例えば、赤外線加熱炉、オーブン等を用いる方法を採用できる。
【００３３】
以下、本発明の配線基板の製造方法を図面に基づき説明する。本発明の配線基板の製造方法の一例は、先ず図１に示すように、ＰＥＴ基板１０の上にスキージ１１を配置し、ブレード１２を用いて導電性ペースト１３をスクリーン印刷し、ＰＥＴ基板１０上に配線パターン１４を形成する。次に、スキージ１１を除去して配線パターン１４を１００℃以上１５０℃以下の温度で加熱する。その後、図２に示すように、上記加熱後の配線パターン１４を、６０℃以上１３０℃以下の温度に加熱された熱ローラ１５を用いて、０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理する。これにより、比抵抗が低い配線パターン１６を備えた配線基板１７が得られる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１）
＜導電性ペーストの作製＞
下記のとおり導電性ペーストを作製した。
【００３６】
導電粉Ａとして銀フィラー“Ａｇ−ＸＦ３０１”２０ｇ、導電粉Ｂとして銀フィラー“ＡｇＣ−２３９”６８ｇ、樹脂Ｃとしてポリウレタン“ニッポラン３１１０”（固形分量：２５重量％）７．６ｇ及びブタジエン−アクリロニトリル共重合体“ＣＴＢＮ１３００”０．５ｇ、化合物Ｄとして変性ビスフェノールＡ型エポキシ“リカレジンＢＥＯ−６０Ｅ”（商品名、新日本理化製）３．９ｇ及びトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル１．１ｇ、硬化剤Ｅとして酸無水物系エポキシ硬化剤“エピキュアＹＨ３０７”４．０ｇ及びマイクロカプセル型イミダゾール“ＨＸ３７２２”（商品名、旭化成製）０．６ｇ、その他の成分として、シランカップリング剤“ＫＢＭ４０３”（商品名、信越化学製）０．２ｇ及びチタネート系カップリング剤“ＫＲ−ＴＴＳ”（商品名、味の素ファインテクノ製）０．８ｇ、表面調整剤“ポリフローＮｏ．７５”（商品名、共栄社化学製）０．１ｇ、溶剤としてエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート３ｇを混合・撹拌し、銀ペーストを作製した。
【００３７】
＜配線基板の作製＞
図１に示すように、上記銀ペーストを厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムにスクリーン印刷し、オーブンを用いて１３０℃で１時間加熱して、幅０．４ｍｍ、長さ１３０ｍｍの直線状の配線を備える配線基板を作製した。作製した配線の厚さは１１μｍ、抵抗は１６Ωであった。抵抗は、デジタルマルチメータ“Ｒ６５５１”（商品名、アドバンテスト製）を用いて測定した。
【００３８】
次に、図２に示すように、この配線基板を送り速度１ｍ／ｍｉｎ、温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａの熱ローラ装置でロール処理した。ロール処理後の配線の厚さは１０μｍ、抵抗は２．２Ω、比抵抗は７．４×１０-6Ωｃｍであった。
【００３９】
（比較例１）
＜導電性ペーストの作製＞
導電粉Ａ及び樹脂Ｃを用いずに、下記のとおり導電性ペーストを作製した。
【００４０】
導電粉Ｂとして銀フィラー“ＡｇＣ−２３９”８８ｇ、化合物Ｄとして変性ビスフェノールＡ型エポキシ“リカレジンＢＥＯ−６０Ｅ”（商品名、新日本理化製）４．９ｇ及びトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル１．４ｇ、硬化剤Ｅとして酸無水物系エポキシ硬化剤“エピキュアＹＨ３０７”４．８ｇ及びマイクロカプセル型イミダゾール“ＨＸ３７２２”（商品名、旭化成製）０．９ｇ、その他の成分として、シランカップリング剤“ＫＢＭ４０３”（商品名、信越化学製）０．２ｇ及びチタネート系カップリング剤“ＫＲ−ＴＴＳ”（商品名、味の素ファインテクノ製）０．８ｇ、表面調整剤“ポリフローＮｏ．７５”（商品名、共栄社化学製）０．１ｇ、溶剤としてエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート６ｇを混合・撹拌し、銀ペーストを作製した。
【００４１】
＜配線基板の作製＞
上記銀ペーストを用いた以外は、実施例１と同様にして配線基板を作製した。その結果、ロール処理前の配線の厚さは１２μｍ、抵抗は８Ωであった。また、ロール処理後の配線の厚さは１２μｍ、抵抗は８Ωであり、ロール処理前と変化はなかった。
【００４２】
（実施例２）
ロール処理の圧力を０．５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様にして配線基板を作製した。その結果、ロール処理前の配線の厚さは１１μｍ、抵抗は１７Ωであった。また、ロール処理後の配線の厚さは１０μｍ、抵抗は１．３Ω、比抵抗は４．４×１０-6Ωｃｍであった。
【００４３】
（実施例３）
＜導電性ペーストの作製＞
下記のとおり導電性ペーストを作製した。
【００４４】
導電粉Ａとして銀フィラー“Ａｇ−ＸＦ３０１”１５ｇ、導電粉Ｂとして銀フィラー“ＡｇＣ−２３９”７３ｇ、樹脂Ｃとしてポリウレタン“ニッポラン３１１０”（固形分量：２５重量％）７．６ｇ及びポリブタジエン“Ｅ−１０００”０．５ｇ、化合物Ｄとしてポリカーボネートジオール“ニッポラン９８０Ｒ”４．１ｇ及び“タケラックＥ−５５３”（固形分量：５０重量％）８ｇ、硬化剤Ｅとして“コロネートＨＸ”１．５ｇ、その他の成分として、シランカップリング剤“ＫＢＭ４０３”（商品名、信越化学製）０．２ｇ及びチタネート系カップリング剤“ＫＲ−ＴＴＳ”（商品名、味の素ファインテクノ製）０．８ｇ、表面調整剤“ポリフローＮｏ．７５”（商品名、共栄社化学製）０．１ｇ、溶剤としてエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート２ｇを混合・撹拌し、銀ペーストを作製した。
【００４５】
＜配線基板の作製＞
上記銀ペーストを用い、ロール処理の温度を９０℃、圧力を０．５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様にして配線基板を作製した。その結果、ロール処理前の配線の厚さは１０μｍ、抵抗は２３Ωであった。また、ロール処理後の配線の厚さは９μｍ、抵抗は２．０Ω、比抵抗は６．１×１０-6Ωｃｍであった。
【００４６】
以上の実施例１、２を含む本発明の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００４７】
（付記１）  見掛け密度が０．４ｇ／ｃｍ3以上１．４ｇ／ｃｍ3以下の導電粉Ａと、
見掛け密度が１．５ｇ／ｃｍ3以上の導電粉Ｂと、
ガラス転移温度が６０℃以下の樹脂、室温でエラストマー状の樹脂及び室温でワックス状の樹脂から選ばれる少なくとも１つの樹脂Ｃと、
反応基を有する化合物Ｄと、
前記化合物Ｄの硬化剤Ｅとを含むことを特徴とする導電性ペースト。
【００４８】
（付記２）  前記導電粉Ａの割合が、前記導電粉Ａ及び前記導電粉Ｂの全重量に対して、１０重量％以上５０重量％以下であり、前記樹脂Ｃの割合が、前記樹脂Ｃ、前記化合物Ｄ及び前記硬化剤Ｅの全重量に対して、５重量％以上３５重量％以下である付記１に記載の導電性ペースト。
【００４９】
（付記３）  前記導電粉Ａ及び前記導電粉Ｂの割合が、導電性ペーストの不揮発分の全重量に対して、７５重量％以上９０重量％以下である付記１又は２に記載の導電性ペースト。
【００５０】
（付記４）  前記樹脂Ｃは、ポリエステル、ポリウレタン及びポリブタジエンから選ばれる少なくとも１種の樹脂である付記１又は２に記載の導電性ペースト。
【００５１】
（付記５）  前記化合物Ｄは、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基価を有する化合物であり、前記硬化剤Ｅは、２以上のイソシアネート基を有する化合物である付記１又は２に記載の導電性ペースト。
【００５２】
（付記６）  前記化合物Ｄは、２以上のエポキシ基を有する化合物であり、前記硬化剤Ｅは、エポキシ硬化剤である付記１又は２に記載の導電性ペースト。
【００５３】
（付記７）  付記１〜６のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて基板の上に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを１５０℃以下の温度で加熱する工程と、
前記加熱後の配線パターンを、６０℃以上１３０℃以下の温度及び０．１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の圧力でロール処理する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【００５４】
（付記８）  前記基板は、樹脂フィルムからなる付記７に記載の配線基板の製造方法。
【００５５】
（付記９）  前記基板は、硬質基板からなる請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  ＰＥＴ基板
１１  スキージ
１２  ブレード
１３  導電性ペースト
１４  配線パターン
１５  熱ローラ
１６  配線パターン
１７  配線基板
【図１】
2007184213.tif 000003
【図２】
2007184213.tif 000004