(57)【要約】【課題】効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供する。【解決手段】表示装置は、表示素子１６と、この表示素子に接続されたトランジスタ２６を含み表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板８上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備えている。トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域５０ｂを有した半導体層５０を備えている。表示素子は、基板上に層間膜を介して形成されているとともにトランジスタに接続された第１電極６２、およびこの第１電極に重ねて形成された第２電極６６を有し、第１電極は、トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部６３を有している。リペア時、基板側からリペア領域にレーザ光を照射し、半導体層を切断する。【選択図】      図４
2007121424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、
前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、
前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第１電極、この第１電極に重ねて形成された第２電極を有し、前記第１電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記表示素子は、前記第１電極および第２電極間に配設された有機発光層を有している請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記各表示素子の第２電極は、前記第１電極の開口部と重なって位置した他の開口部を有している請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記駆動回路は、信号電流に応じた駆動電流を前記表示素子に供給する駆動トランジスタ、電圧電源間に前記表示素子および駆動トランジスタと直列に接続され前記トランジスタを構成した出力スイッチと、この駆動トランジスタに書き込まれる信号電流を保持する第１スイッチ、および前記駆動トランジスタのゲートとソースとの電位差を一定に保持する保持容量と、画素の選択および非選択を制御する画素スイッチと、を備えている請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタ、第１スイッチ、画素スイッチおよび出力スイッチは、半導体層にポリシリコンを用いた薄膜トランジスタで構成されている請求項４に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第１電極、この第１電極に重ねて形成された第２電極を有し、前記第１電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法において、
前記第１電極の開口部と重なって位置する前記半導体層のリペア領域に、前記基板側からレーザ光を照射して前記半導体層のリペア領域を切り離し、前記トランジスタと発光素子との接続を切断するアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。
【請求項７】
波長が５００〜５６０ｎｍのレーサ光を照射する請求項６に記載のアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス型表示装置およびそのリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されている。
【０００３】
このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子であるＯＬＥＤ（オーガニック・ライト・エミッティング・ダイオード）を用いた有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。有機ＥＬ表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置はマトリクス状に設けられた複数の画素を備え、各画素は、表示素子としての有機ＥＬ素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含んでいる。そして、有機ＥＬ表示装置は、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。画素回路は、例えば、有機ＥＬ素子に直列に接続された駆動トランジスタおよび出力スイッチ、駆動トランジスタのゲート−ドレイン間に接続され映像信号に応じたゲート電位を保持するダイオード接続スイッチ等を備えている。これらの駆動トランジスタ、出力スイッチ、ダイオード接続スイッチは、例えば、薄膜トランジスタにより構成されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比較して製造工程数が多く、また、構造も複雑になる。そのため、製造工程において、配線間ショート、トランジスタのゲートリーク、表示素子の陽極、陰極間ショート等が生じる場合がある。例えば、トランジスタのゲートリークが生じた場合、表示素子に常時電流が流れるため、表示素子が常時発光して輝点となる。また、表示素子の陽極、陰極ショートが生じた場合、ショートした部分に電流が流れ過ぎてしまい、逆に、有機層部分に電流が流れず滅点となる。
【０００６】
このことから、装置完成後の点灯試験により輝点が検出された際、この輝点画素を効率的に修復するリペア方法が要求されるようになっている。有機ＥＬ表示装置では、輝点をリペアする場合、発光素子の陰極と陽極との間に電流が流れないようにする必要がある。例えば、特許文献１には、装置完成後、レーザ光を所望の部位に照射してリペアを行う方法が提案されている。
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、完成した表示パネルにその発光面側からレーザ光を照射して所望の配線等を切断すると、レーザ光により不要な部位が損傷を受ける場合、あるいは、レーザ光により切断された配線等が変位して他の部位をショートさせてしまう場合が考えられる。そのため、効率的なリペアが困難になるとともに、リペアの信頼性が低下する。
【０００８】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置は、表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第１電極、この第１電極に重ねて形成された第２電極を有し、前記第１電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有している。
【００１０】
この発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法は、表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第１電極、この第１電極に重ねて形成された第２電極を有し、前記第１電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法において、  
前記第１電極の開口部と重なって位置する前記半導体層のリペア領域に、前記基板側からレーザ光を照射して前記半導体層のリペア領域を切り離し、前記トランジスタと発光素子との接続を切断することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の態様によれば、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置およびそのリペア方法について詳細に説明する。  
図１は、有機ＥＬ装置全体を概略的に示している。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、例えば、１０型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ＥＬパネル１０および有機ＥＬパネル１０を制御するコントローラ１２を備えている。
【００１３】
有機ＥＬパネル１０は、ガラス板等の絶縁基板８上にマトリクス状に配列され表示領域１１を構成したｍ×ｎ個の表示画素ＰＸ、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してｍ本ずつ設けられた第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、第２走査線Ｓｇｂ（１〜ｍ）および第３走査線Ｓｇｃ（１〜ｍ）、表示画素ＰＸの列毎にそれぞれ接続されたｎ本の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）、第１、第２、第３走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、Ｓｇｂ（１〜ｍ）、Ｓｇｃ（１〜ｍ）を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路（ＹＤＲ）１４、および複数の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）を駆動する信号線駆動回路（ＸＤＲ）１５を備えている。走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５は、表示領域１１の外側で絶縁基板８上に一体的に形成されている。
【００１４】
画素部として機能する各表示画素ＰＸは、対向電極間に光活性層を備えた表示素子と、この表示素子に駆動電流を供給する画素回路１８とを含んでいる。表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機ＥＬ素子１６を用いている。
【００１５】
図２に表示画素ＰＸの等価回路を示す。画素回路１８は電流信号からなる映像信号に応じて有機ＥＬ素子１６の発光を制御する電流駆動方式の画素回路であり、画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、出力スイッチ２６、および保持容量Ｃｓを備えている。画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、出力スイッチ２６は、ここでは同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素回路１８を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００１６】
駆動トランジスタ２２、出力スイッチ２６、および有機ＥＬ素子１６は、電圧電源線Ｖｄｄと基準電圧電源線Ｖｓｓとの間でこの順で直列に接続されている。基準電圧電源線Ｖｓｓおよび電圧電源線Ｖｄｄは、例えば、−９Ｖおよび＋６Ｖの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ２２は、その第１端子、ここではソースが電圧電源線Ｖｄｄに接続されている。有機ＥＬ素子１６は、一方の電極、ここではカソードが基準電圧電源線Ｖｓｓに接続されている。この発明におけるトランジスタとして機能する出力スイッチ２６は、そのソースが駆動トランジスタ２２の第２端子、ここではドレインに接続されている。出力スイッチ２６は、そのドレインが有機ＥＬ素子１６のアノードに接続され、更に、ゲートが第２走査線Ｓｇｂに接続されている。
【００１７】
駆動トランジスタ２２は、映像信号に応じた電流量の発光電流を有機ＥＬ素子１６に出力する。出力スイッチ２６は、第２走査線Ｓｇｂからの制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）によりオン（導通状態）、オフ（非導通状態）が制御され、駆動トランジスタ２２と有機ＥＬ素子１６との接続、非接続を制御する。
【００１８】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタ２２の第１端子、制御端子間、ここではソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ２２のゲート制御電位を保持する。画素スイッチ２０は、対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）と駆動トランジスタ２２のドレインとの間に接続され、そのゲートは第２走査線Ｓｇｂに接続されている。画素スイッチ２０は、第１走査線Ｓｇｂから供給される制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）に応答して対応の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）から階調電流としての信号電流を取り込む。
【００１９】
第１スイッチ２４は、駆動トランジスタ２２のドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートが第１走査線Ｓｇａに接続されている。第１スイッチ２４は、第１走査線Ｓｇａからの制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応じてオン、オフ制御され、駆動トランジスタ２２のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御するとともに、保持容量Ｃｓからの電流リークを規制する。
【００２０】
図４は表示画素ＰＸの平面構成を示している。絶縁基板８上には、マトリクス状に配置された画素に電圧および電流を供給するための配線電極群が設けられている。映像信号線Ｘ、第１、第２、第３走査線Ｓｇａ、Ｓｇｂ、Ｓｇｃを含む配線電極は、Ａｌ、Ｔｉまたは窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｚｒ等のいずれか１種または２種以上を含有する金属を単層または２層以上の積層構造に形成されている。本発明においては、この材料に限られるものではない。
【００２１】
駆動トランジスタ２２のゲート電圧を保持する保持容量ＣＳは、隣接する画素間の非表示領域におおむね形成されている。低分子の有機ＥＬ素子によりフルカラーパネルを作成する場合、有機ＥＬ層をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するため、隣接する画素間の非表示領域の幅は約１０〜２０μｍとなる。この部分は発光に寄与しない部分となるため、保持容量ＣＳをこの領域に形成することは、トランジスタを形成したガラス基板側から光を取り出す方式の場合、開口率向上のために有効な手段となる。
【００２２】
次に、図４および図５を参照して、画素回路および有機ＥＬ素子１６の構成を詳細に説明する。図５は、画素回路のうち、特に、出力スイッチ２６、駆動トランジスタ２２、保持容量Ｃｓ、有機ＥＬ素子１６の構成の一例を示している。  
出力スイッチ２６を構成したＰチャネル型の薄膜トランジスタは、透明な絶縁基板８上に形成されたポリシリコンからなる半導体層５０を備え、この半導体層はソース領域５０ａ、ドレイン領域５０ｂ、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域５０ｃを有している。本実施形態において、半導体層５０のドレイン領域５０ｂは、リペア時に切断されるリペア領域を構成している。
【００２３】
半導体層５０に重ねてゲート絶縁膜５２が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Ｇが設けられチャネル領域５０ｃと対向している。ゲート電極Ｇに重ねて層間絶縁膜５４が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極（ソース）Ｓおよびドレイン電極（ドレイン）Ｄが設けられている。ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、それぞれ層間絶縁膜５４およびゲート絶縁膜５２に貫通形成されたコンタクトを介して半導体層５０のソース領域５０ａおよびドレイン領域５０ｂにそれぞれ接続されている。なお、第１スイッチ２４、画素スイッチ２０、および駆動トランジスタ２２を構成する各薄膜トランジスタも上記と同一の構造に形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜５４上には映像信号線Ｘ、電圧電源線Ｖｄｄ等の複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜５４上には、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、配線を覆って保護膜５６が形成されている。更に、保護膜５６上には、絶縁層６０が順に積層されている。
【００２５】
有機ＥＬ素子１６は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層６４をアノード電極６２およびカソード電極６６間に挟持した構造を有している。第１電極として機能するアノード電極６２は、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明電極材料から形成され、保護膜５６上に設けられている。アノード電極６２の一部は、保護膜５６に貫通形成されたコンタクト６２ａを介して出力スイッチ２６のドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。また、アノード電極６２の内、出力スイッチ２６における半導体層５０のリペア領域、つまり、ドレイン領域５０ｂと重なって位置した部分には、例えば、矩形状の開口部６３が形成されている。この開口部６３はアノード電極６２をパターニングする際に電極と同時に形成される。
【００２６】
絶縁層６０の内、アノード電極６２上の部分はエッチングにより除去されている。そして、アノード電極６２上に有機発光層６４が形成され、更に、有機発光層６４および絶縁層６０に重ねて例えば、バリウム・アルミ合金から成るカソード電極６６が積層されている。第２電極として機能するカソード電極６６の内、出力スイッチ２６における半導体層５０のドレイン領域５０ｂと重なって位置した部分には、例えば、矩形状の開口部６７が形成されている。これにより、開口部６７は、アノード電極６２の開口部６３およびドレイン領域５０ｂと、絶縁基板８の厚さ方向に沿って重なっている。この開口部６７はカソード電極６６をパターニングする際に電極と同時に形成される。更に、有機発光層６４に水分が入らないようにするため、カソード電極６６の外側は、例えば透明なガラス板等からなる封止材８０によって封止されている。
【００２７】
このような構造の有機ＥＬ素子１６では、アノード電極６２から注入されたホールと、カソード電極６６から注入された電子とが有機発光層６４の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層６４から透明なアノード電極６２および光透過性絶縁基板８を介して外部へ放出される。
【００２８】
ここで、出力スイッチ２６を介してアノード電極６２を駆動トランジスタ２２のドレインに接続し、カソード電極６６を基準電圧電源線Ｖｓｓに接続する場合について説明したが、カソード電極６６を駆動トランジスタ２２のドレインに、アノード電極６２を基準電圧電源線Ｖｓｓに接続してもよい。有機ＥＬ素子１６の形成された絶縁基板８側を表示面とする場合について説明したが、有機ＥＬ素子の形成された基板８と対向する側（上記実施形態ではカソード電極６６側）を表示面とするものであってもよい。
【００２９】
いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えばカソード電極６６を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。
【００３０】
一方、図１に示すコントローラ１２は有機ＥＬパネル１０の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。そして、コントローラ１２は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路１５に供給する。
【００３１】
走査線駆動回路１４は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素ＰＸに制御信号、すなわち、制御信号Ｓａ（１〜ｍ）、Ｓｂ（１〜ｍ）、Ｓｃ〈１〜ｍ）を供給する。これにより、各第１、第２、第３走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、Ｓｇｂ（１〜ｍ）、Ｓｇｃ（１〜ｍ）は、互いに異なる１水平走査期間において、それぞれ制御信号Ｓａ（１〜ｍ）、制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）、制御信号Ｓｃ（１〜ｍ）により駆動される。
【００３２】
信号線駆動回路１５は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して信号電流Ｉｄａｔａとし、複数の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）に並列的に供給する。
【００３３】
画素回路１８の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。図２に示すように、映像信号書込み動作において、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）となるような制御信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、ここでは、制御信号Ｓａ、Ｓｂがローレベル、制御信号Ｓｃがハイレベル、が出力される。これにより、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。
【００３４】
映像信号書込み期間において、信号線駆動回路１５から対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）に供給された映像信号電流Ｉｄａｔａは画素スイッチ２０を介して、選択された表示画素ＰＸに供給される。表示画素ＰＸにおいて、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電流Ｉｄａｔａは駆動トランジスタ２２に供給され駆動トランジスタ２２を書き込み状態とする。これにより、電圧電源線Ｖｄｄから駆動トランジスタ２２を通して映像信号線Ｘ１に書き込み電流が流れ、映像信号電流Ｉｄａｔａの電流量に対応した駆動トランジスタ２２のゲート、ソース間電位が保持容量Ｃｓに書き込まれる。
【００３５】
次に、制御信号Ｓａ１、Ｓｂ１がハイレベル（オフ電位）となり、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、制御信号Ｓｃ１がローレベルとなり、出力スイッチ２６がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。図３に示すように、発光期間において、駆動トランジスタ２２は、保持容量Ｃｓに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、電圧電源線Ｖｄｄから映像信号電流Ｉｄａｔａに対応した電流量の発光電流を出力スイッチ２６側へ供給する。この発光電流は、出力スイッチ２６を通った後、有機ＥＬ素子１６に供給される。これにより有機ＥＬ素子１６が発光し、発光動作が開始される。そして、有機ＥＬ素子１６は、１フレーム期間後に、再び制御信号Ｓｃ１がオフ電位となるまで発光状態を維持する。
【００３６】
次に、上記のように構成された有機ＥＬ表示装置に欠点、例えば、輝点が生じた場合のリペア方法について説明する。  
まず、有機ＥＬ表示装置の完成後、点灯試験を行う。この点灯試験により点欠と判定された画素の内、トランジスタのゲートリークや、陽極、陰極間のショートが生じた画素は、常時、発光電流が流れるため、有機ＥＬ素子が発光して輝点となる。この場合、図５に示すように、絶縁基板８の発光面側から、輝点画素の出力スイッチ２６の半導体層５０、ここでは、リペア領域を構成するドレイン領域５０ｂにレーザ光を照射し、ドレイン領域５０ｂをレーザカットする。これにより、出力スイッチ２６と有機ＥＬ素子１６との接続を切断し、有機ＥＬ素子をフローティングする。その結果、輝点画素を減点化しリペアする。
【００３７】
レーサ光としては、グリーンレーザ、例えば、波長５００〜５６０ｎｍのＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザを用いる。グリーンレーザを用いる理由としては、赤外レーザでは、ポリシリコンからなる半導体層５０を透過し易く、熱加工による下層膜への損傷が大きいこと、また、紫外領域レーザでは、ガラス基板やアンダーコートへの吸収が大きく、半導体層を切断するためには高エネルギのレーザが必要であることが挙げられる。
【００３８】
レーザ光を照射して切断する半導体層は、発光層は金属配線と重ならない配置が望ましく、酸化膜や窒化膜等によって覆われた断面構造が望ましい。上記構成の有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ素子１６のカソード電極６６となる金属膜、および、アノード電極６２を構成したＩＴＯ膜は、ドレイン領域５０ｂと重なる部分が除去され開口部６７、６３を形成している。そのため、ドレイン領域５０ｂにレーザ光を照射した場合でも、このレーザ光によりアノード電極６２およびカソード電極６６が損傷を受けることを防止できる。その結果、例えば、レーザ光照射によりアノード電極６２が変形されカソード電極とショートするといった不具合の発生を防止することができる。これにより、輝点画素を容易に、かつ、確実に減点化しリペアすることが可能となる。
【００３９】
なお、上述した実施形態では、アノード電極６２およびカソード電極６６の両方に開口部６３、６７を設ける構成としたが、少なくともアノード電極に開口部を設けることによりレーザ光による損傷を防止することができる。
【００４０】
以上のことから、本実施形態によれば、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法が得られる。
【００４１】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４２】
例えば、有機ＥＬ素子のアノード電極、およびカソード電極に設けた開口部は、矩形状に限らず、必要に応じて他の形状としてもよい。レーザ光照射により切断するリペア領域は、半導体層のドレイン領域に限らず、ソース領域としてもよい。また、リペア領域は、アノード電極のコンタクト部分としてもよい。この場合、レーザ光を絶縁基板と反対側、つまり、封止材側からコンタクトに照射するようにしてもよく、また、波長４００ｎｍ以下の短波長レーザを用いることができる。
【００４３】
また、前述した実施形態において、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機ＥＬ素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、前記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図３】図３は、発光期間における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図４】図４は、表示画素を模式的に示す平面図である。
【図５】図５は、表示画素を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
８…絶縁基板、  １０…有機ＥＬパネル、１２…コントローラ、
１４…走査線駆動回路、  １５…信号線駆動回路、  １６…有機ＥＬ素子、
１８…画素回路、  ２０…画素スイッチ、  ２２…駆動トランジスタ、
２４…第１スイッチ、  ２６…出力スイッチ、  ５０…半導体層、
５０ａ…ソース領域、  ５０ｂ…ドレイン領域、  ６２…アノード電極、
６３、６７…開口部、  ６６…カソード電極
【図１】
2007121424.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2007121424.tif 000006
【図５】
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