(57)【要約】【課題】  高い電磁波干渉抑制機能を持ちながら、薄膜化した電磁波干渉抑制体、特に厚さが１００μｍ未満の電磁波干渉抑制用フィルムの製造に有効な、電磁波干渉抑制体用の重合体組成物、並びに当該重合体組成物よりなる電磁波干渉抑制体の提供。【解決手段】  平均粒径１０μｍ以下の軟磁性粒子を含有するビニルアルコール系重合体組成物からなる電磁波干渉抑制体用の重合体組成物、及び当該重合体組成物を用いて製造した電磁波干渉抑制体。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径１０μｍ以下の軟磁性粒子を含有するビニルアルコール系重合体組成物からなることを特徴とする電磁波干渉抑制体用の重合体組成物。
【請求項２】
ビニルアルコール系重合体１００質量部に対して、軟磁性粒子を７００〜２０００質量部の割合で含有する請求項１に記載の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物。
【請求項３】
軟磁性粒子が、鉄および鉄化合物の少なくとも一方を含む軟磁性粒子である請求項１または２に記載の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の重合体組成物から製造した電磁波干渉抑制体。
【請求項５】
厚さが１００μｍ未満のフィルムである請求項４に記載の電磁波干渉抑制体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波干渉抑制体を製造するための重合体組成物および当該重合体組成物よりなる電磁波干渉抑制体に関する。より詳細には、本発明は、薄膜化した際にも高い電磁波干渉抑制機能を発揮する電磁波干渉抑制体を製造することのできる電磁波干渉抑制体用の重合体組成物、および当該重合体組成物よりなる電磁波干渉抑制性能に優れる電磁波干渉抑制体、特に薄膜フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、放送、移動体通信、レーダー、携帯電話、無線ＬＡＮ、パーソナルコンピューターなどにおいて電磁波が広く用いられるようになっており、それに伴って生活空間に電磁波が散乱し、電磁波障害、電子機器の誤作動などが問題になっている。例えば、電子機器では、情報の高度化、動作信号の高周波化、演算速度の高速化などに伴って生じる電磁波ノイズが、干渉や共振現象を引き起こし、機器の性能、信頼性の低下を誘発し易い状況になっている。かかる点から、近傍電磁界の電磁波対策に対するニーズが高くなっており、電磁波対策として、磁性損失特性を利用して電磁波ノイズを熱エネルギーに変換することのできる電磁波干渉抑制シートまたはフィルムが用いられるようになっている。しかしながら、従来用いられている電磁波干渉抑制用シートまたはフィルムは、厚さが１００μｍ以上、一般的には２００μｍまたはそれ以上と厚い。
前記したような電子機器では、機器の省電力化、小型化、高密度化、軽量化などに対するニーズが高く、それに伴って当該電子機器から発生する電磁波を干渉抑制するシートまたはフィルムにおいても薄膜化が求められている。
【０００３】
具体的な従来技術としては、ニーダーによる混練および圧延を行なって、金属粉末または合金粉末を、２５〜４０ｖｏｌ％の割合でポリプロピレンなどの重合体中に埋設させて製造した電磁波吸収シートが知られているが（特許文献１を参照）、この電磁波吸収シートの厚さは１ｍｍ（１０００μｍ）前後と厚い。特許文献１の電磁波シートにおいて、電磁波干渉抑制機能を維持したままシートの厚さを小さくするには、シート中により多くの軟磁性粉末を含有量すればよいが、軟磁性粉末の含有量を多くすると、軟磁性粉末を含有する重合体組成物の溶融粘度が大幅に上昇して成形性が低下するため、実際には電磁波干渉抑制機能を高く維持しながら薄い電磁波シートを製造することは困難であり、しかも得られる電磁波シートは力学物性および外観に劣ったものになり易い。また、溶融粘度を低下させて成形性を向上させるために成形温度を高くすると、重合体の劣化、それに伴う力学的特性や外観の不良などを生じ易い。かかる点から、特許文献１の技術による場合は、電磁波干渉抑制機能に優れる、厚さが１００μｍ未満の電磁波シートを得ることは困難であった。
【０００４】
また、軟磁性の金属粉末または合金粉末と、アクリルゴムなどのバインダーを混合した混合物をカレンダーロールで圧延して製造した電磁波シートが知られている（特許文献２を参照）。この特許文献２では、電磁波シートの厚さを０．１ｍｍ以下に規定しているが、実際に得られている電磁波シートの厚さは、薄くても０．１ｍｍ（１００μｍ）程度であり、１００μｍ未満、特に８０μｍ以下というような薄い電磁波シートは得られていない。特許文献２の技術においても、電磁波干渉抑制機能を維持しながら電磁波シートをより薄肉化しようとして軟磁性粉末の含有量を多くした場合には、特許文献１の場合と同じようなトラブルを生じ易く、薄い電磁波シートの製造は実際には困難である。
【０００５】
一方、基板上に軟磁性体（フェライト）を薄膜状にメッキしたフェライト薄膜が知られている（特許文献３を参照）。しかし、特許文献３のものは、メッキ層の酸化、屈曲などによるメッキ層の剥がれや脱落に伴う電磁波干渉抑制機能の低下が生じ易い。しかも、メッキ工程を伴うため、水質汚染などの製造時の環境への負荷が大きく、製造コストなどの点でも問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−６０３８３号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６３７１号公報
【特許文献３】特開２００５−９３４７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、高い電磁波干渉抑制機能を有しながら、薄く、しかも力学的特性、取り扱い性、外観などに優れ、機器の小型化、高密度化、軽量化に対する要求に良好に合致することのできる薄膜状の電磁波干渉抑制体、その製造に有効に用い得る電磁波干渉抑制体用の重合体組成物を提供することである。
特に本発明の目的は、従来よりも厚さが小さく、１００μｍ未満のフィルム状の電磁波干渉抑制体をも円滑に製造することのできる、電磁波干渉抑制体用の重合体組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の目的を達成すべく鋭意検討を重ねてきた。その結果、電磁波干渉抑制体を軟磁性粒子を配合した重合体組成物から製造するに当たって、組成物のベースをなす重合体素材として、多くの重合体のうちから、特にビニルアルコール系重合体を使用し、該ビニルアルコール系重合体に平均粒径が１０μｍ以下の軟磁性粒子を配合すると、軟磁性粒子の配合量を多くしても、ビニルアルコール系重合体と軟磁性粒子との間に高い親和性が維持されること、そして軟磁性粒子を含有する当該ビニルアルコール系重合体組成物を用いることによって、軟磁性粒子の含有量が多くて高い電磁波干渉抑制機能を有しながら、しかも厚さの薄いフィルムを良好な成形性で円滑に製造できることを見出した。
さらに、本発明者らは、軟磁性粒子を含有する前記ビニルアルコール系重合体組成物から得られる電磁波干渉抑制体は、力学的特性、取り扱い性、外観などにも優れることを見出した。
また、本発明者らは、上記したビニルアルコール系重合体組成物において、ビニルアルコール系重合体１００質量部に対して軟磁性粒子を７００〜２０００質量部の割合で配合すると、良好な成形性を維持しながら、電磁波干渉抑制機能に優れる薄膜状の電磁波干渉抑制体、特にフィルムが一層円滑に得られることを見出し、それらの知見に基づいて本発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明は、
（１）  平均粒径１０μｍ以下の軟磁性粒子を含有するビニルアルコール系重合体組成物からなることを特徴とする電磁波干渉抑制体用の重合体組成物である。
【００１０】
そして、本発明は、
（２）  ビニルアルコール系重合体１００質量部に対して、軟磁性粒子を７００〜２０００質量部の割合で含有する前記（１）の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物；および、
（３）  軟磁性粒子が、鉄および鉄化合物の少なくとも一方を含む軟磁性粒子である前記した（１）または（２）の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物；
である。
【００１１】
さらに、本発明は、
（４）  前記（１）〜（３）のいずれかの重合体組成物から製造した電磁波干渉抑制体；および、
（５）  厚さが１００μｍ未満のフィルムである前記（４）の電磁波干渉抑制体；
である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物を用いることにより、高い電磁波干渉抑制機能を持ちながら、電子部品のノイズ抑制用途などにおいて強く求められている、薄膜化した電磁波干渉抑制用フィルム、特に厚さが１００μｍ未満の電磁波干渉抑制用のフィルムなどを円滑に製造することができる。
本発明の重合体組成物を用いることによって、前記した電磁波干渉抑制体、特に電磁波干渉抑制用のフィルムを、簡単な工程、操作で円滑に製造することができる。
本発明の重合体組成物を用いて得られる電磁波干渉抑制体は、高い電磁波干渉抑制性能と併せて、外観、力学的特性などにも優れている。
そのため、本発明の電磁波干渉抑制体は、前記した優れた特性を活かして、電子機器部品用途などに有効に使用することができる。
特に、薄膜状の本発明の電磁波干渉抑制用フィルムを用いた場合には、電子機器の省電力化、小型化、高密度化、軽量化などを同時に図りながら、電磁波干渉を良好に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明について詳細に説明する。
本明細書でいう「電磁波干渉抑制」とは、電磁波を吸収、遮蔽して、電磁波による干渉、共振現象、電磁結合、不要輻射などを防止、抑制または低減する作用（機能）を意味し、したがって本発明の「電磁波干渉抑制体」は、前記した作用（機能）を有するものを意味する。
【００１４】
本発明における「ビニルアルコール系重合体」とは、ビニルアルコール単位を主体とし、ビニルアルコール単位中の水酸基がアセタール化されていない重合体（いわゆる「ポリリビニルアルコール系重合体」）（以下「ＰＶＡ系重合体」という）、およびビニルアルコール単位を主体とし、ビニルアルコール単位中の水酸基の少なくとも一部がアセタール化されている重合体（以下「ビニルアセタール系重合体」という）の総称である。
本発明では、ビニルアルコール系重合体として、ＰＶＡ系重合体を単独で用いてもよいし、ビニルアセタール系重合体を単独で用いてもよいし、またはＰＶＡとビニルアセタール系重合体を併用してもよい。
【００１５】
本発明で用いるＰＶＡ系重合体の重合度は特に制限されないが、重合体組成物から得られる電磁波干渉抑制体、特に電磁波干渉抑制用フィルムの力学的特性、寸法安定性などを考慮すると、平均重合度が１２００〜２００００の範囲にあるＰＶＡ系重合体を用いることが好ましい。高重合度のＰＶＡ系重合体を用いると、強度、耐湿熱性などに優れる電磁波干渉抑制体を得ることができるので好ましいが、ＰＶＡ系重合体の製造コストなどを考慮すると、平均重合度が１５００〜５０００のＰＶＡがより好ましく用いられる。
なお、本明細書でいう、ＰＶＡ系重合体およびビニルアセタール系重合体の平均重合度とは、ＪＩＳ  Ｋ  ６７２６に定められている平均重合度の測定方法に従って測定した平均重合度をいう。
【００１６】
ＰＶＡ系重合体のケン化度は特に限定されないが、重合体組成物から得られる電磁波干渉抑制体（特に薄膜状の電磁波干渉抑制用フィルム）の機械的強度が大きくなる点から、ケン化度が８８モル％以上、特に９６モル％以上のＰＶＡ系重合体を用いることが好ましい。ＰＶＡ系重合体のケン化度が８８モル％未満であると、ビニルアルコール系重合体組成物から得られる電磁波干渉抑制体の力学的特性、耐熱性、電磁波干渉抑制体を製造する際の工程性の不良を生じ易くなる。
【００１７】
本発明の重合体組成物で用いるＰＶＡ系重合体は、ビニルアルコールに由来する構造単位（ビニルアルコール単位）を主体とする重合体であって、ＰＶＡ系重合体におけるビニルアルコール単位の割合は、ＰＶＡ系重合体の全構造単位に基づいて、８８モル％以上、更には９０モル％以上、特に９２モル％以上であることが、電磁波干渉抑制体の力学的特性の点から好ましい。
【００１８】
ＰＶＡ系重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で（好ましくは１２モル％以下、より好ましくは１０モル％以下、更に好ましくは８モル％以下の割合で）、必要に応じて、ビニルアルコール単位以外の他の構造単位を含有していてもよい。その際の他の構造単位としては、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレンなどのオレフィン、（メタ）アクリル酸やその塩、（メタ）アクリル酸エステル［例えばメタクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルなど］、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミド類、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミドなどのＮ−ビニルアミド類、ホルマール、ブチラールなどのアセタール類、ポリアルキレンオキシドを側鎖に有するアリルエーテル類、メチルビニルエーテルなどのビニルエーテル類、（メタ）アクリロニトリルなどのニトリル類、塩化ビニルなどのハロゲン化ビニル類、マレイン酸、その塩、無水物、エステルなどの不飽和ジカルボン酸などに由来する構造単位を挙げることができ、ＰＶＡ系重合体は前記した他の構造単位の１種または２種以上を有することができる。
前記した他の構造単位のＰＶＡ系重合体への導入方法は特に制限されず、共重合によって導入しても又は後反応や変性などによって導入してもいずれでもよい。
【００１９】
本発明の重合体組成物で用い得るビニルアセタール系重合体は、ビニルアルコール単位を主体とし且つビニルアルコール単位中の水酸基の少なくとも一部がアセタール化されている重合体であればいずれでもよい。
そのうちでも、本発明では、ビニルアセタール系重合体として、平均重合度が１００〜５０００、特に１００〜２０００の範囲にあって、且つケン化度が８０モル％以上、特に８５モル％以上のポリビニルアルコール系重合体のアセタール化物が、得られる電磁波干渉抑制体の強度や耐熱性が良好になり、製造コストを安くすることができる点から好ましく用いられる。
【００２０】
ビニルアセタール系重合体のアセタール化度は特に制限されないが、一般的には、アセタール化度は３０〜９５モル％、特に４５〜９０モル％であることが、本発明のビニルアルコール系重合体組成物から得られる電磁波干渉抑制体の耐熱性、耐湿熱性、強度などが良好になる点から好ましい。
【００２１】
本発明で用いるビニルアセタール系重合体では、アセタール化は、従来既知のアセタール化反応によってなされていればよい。代表的には、ポリビニルアルコール系重合体中のビニルアルコール単位の水酸基が、ホルムアルデド、アセトアルデヒドおよびブチルアルデヒドから選ばれるアルデヒドの１種または２種以上によってアセタール化されているビニルアセタール系重合体を挙げることができる。具体例としては、ポリポリビニルアルコール系重合体をホルムアルデヒドでアセタール化したビニルホルマール系重合体、ポリビニルアルコール系重合体をアセトアルデヒドでアセタール化したビニルアセタール系重合体、ポリビニルアルコール系重合体をブチルアルデヒドでアセタール化したビニルブチラール系重合体などを挙げることができる。
【００２２】
ビニルアセタール系重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で（好ましくは１２モル％以下、より好ましくは１０モル％以下、更に好ましくは８モル％以下の割合で）、必要に応じて、ビニルアルコール単位やアセタール化されたビニルアルコール単位以外に、ＰＶＡ系重合体について上記で挙げたのと同様の他の構造単位の１種または２種以上を有していてもよい。
【００２３】
本発明で用いる「軟磁性粒子」とは、磁性粒子のうちで、特に透磁率の高い磁性粒子をいう。
本発明では、平均粒径が１０μｍ以下の軟磁性粒子を用いることが必要であり、０．１〜１０μｍの軟磁性粒子を用いることが好ましく、１〜７μｍの軟磁性粒子を用いることがより好ましい。平均粒径が１０μｍ以下の軟磁性粒子を用いることによって、ビニル重合体組成物中に多量の軟磁性粒子を含有させて、良好な工程性で、薄膜状の電磁波干渉抑制用フィルムなどを円滑に製造することができる。しかも、それによって得られる電磁波干渉抑制体は、力学的特性、外観などにおいても優れている。
軟磁性粒子の平均粒径が１０μｍよりも大きいと、電磁波干渉抑制用フィルムなどの電磁波干渉抑制体を製造する際に、軟磁性粒子が阻害物として働き、工程通過性が悪化し、電磁波干渉抑制体中に含有させ得る軟磁性粒子の量が制限されるため、電磁波干渉抑制能が低下する。
なお、本明細書でいう軟磁性粒子の平均粒径とは、以下の実施例に記載した方法で測定した平均粒径をいう。
【００２４】
本発明では、軟磁性粒子として、「軟磁性」を示す、平均粒径が１０μｍ以下の粒子のいずれもが使用でき、そのうちでも、鉄および鉄化合物の少なくとも一方を含む軟磁性粒子が好ましく用いられる。具体例としては、例えば、鉄、純鉄、鉄カルボニル、センダスト、パーマロイ、バリウムフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、マグネシウム亜鉛フェライト、マグネタイトのうちの１種または２種以上からなる軟磁性粒子を挙げることができる。前記したうちでも、コストと性能のバランスの点から、鉄、鉄カルボニルおよび／またはセンダストからなる軟磁性粒子がより好ましく用いられる。軟磁性粒子は、本発明の効果を損なわない範囲で、表面処理などを行なってあってもよい。
【００２５】
本発明の電磁波干渉抑制体用のビニルアルコール系重合体組成物は、ビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ系重合体および／またはビニルアセタール系重合体）１００質量部に対して、軟磁性粒子を７００〜２０００質量部、特に８００〜１５００質量部の割合で含有していることが好ましい。軟磁性粒子の含有量が少なすぎると、電磁波干渉抑制能性能の高い電磁波干渉抑制体が得られにくくなり、一方軟磁性粒子の含有量が多すぎると、電磁波干渉抑制体（特に薄膜状の電磁波干渉抑制体）を製造する際の工程不良、得られる電磁波干渉抑制体の力学的特性の低下などを生じ易くなる。
【００２６】
本発明のビニルアルコール系重合体組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、酸化防止剤、凍結防止剤、ｐＨ調整剤、分散剤、可塑剤、隠蔽剤、着色剤、油剤などを含有することができる。
【００２７】
上記した本発明のビニルアルコール系重合体組成物を用いることによって、高い電磁波干渉抑制能を有する本発明の電磁波干渉抑制体を円滑に得ることができる。
本発明の電磁波干渉抑制体の形状および構造は特に制限されず、電磁波干渉抑制体の使用形態、使用箇所などに応じて決めることができる。例えば、本発明の電磁波干渉抑制体は、板状、シート状、フィルム状、ブロック状、箱形、容器状、筒状などのいずれの形状であってもよい。
【００２８】
そのうちでも、本発明のビニルアルコール系重合体組成物では、ビニルアルコール系重合体と軟磁性粒子の親和性が高く、多量の軟磁性粒子をビニルアルコール系重体組成物中に含有させることができるため、ビニルアルコール系重合体組成物を用いて厚さの小さいフィルムを形成した際にも、当該フィルム中には多量の軟磁性粒子が含まれていることにより、高い電磁波干渉抑制能を発揮する。しかも、それにより得られるフィルkムは力学的特性にも優れている。かかる点から、本発明のビニルアルコール系重合体組成物を用いることによって、従来困難であった、厚さが１００μｍ未満、特に８０μｍ以下と薄くて、しかも高い電磁波干渉抑制能を有する電磁波干渉抑制用フィルムを円滑に得ることができる。厚さが１００μｍ未満の本発明の電磁波干渉抑制体は、電子機器の小型化、高密度化、軽量化というニーズに良好に適合する。
【００２９】
本発明のビニルアルコール系重合体組成物を用いて電磁波干渉抑制体を製造するに当たっては、ビニルアルコール系重合体組成物を適当な溶媒または分散媒に溶解または分散させて原液を調製し、この原液を、キャスト法やコート法などの適当な方法によって基体上に施した後、溶媒または分散媒を乾燥などによって除去する方法が、一般に好ましく採用される。
【００３０】
前記原液の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、水、メタノール、エタノールなどのアルコール類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミドなどを挙げることができ、これらの１種または２種以上を用いることができる。そのうちでも、コスト、環境負荷の低減などの点から、水が好ましく用いられる。
原液中でのビニルアルコール系重合体の濃度は特に制限されず、適宜調整することができるが、一般的には、原液中でのビニルアルコール系重合体の濃度が３〜１５質量％、特に５〜１２質量％であることが、原液の取り扱い性、電磁波干渉抑制体を製造する際の工程性、最終段階での溶媒または分散媒の除去の容易性などの点から好ましい。原液中でのビニルアルコール系重合体の濃度が低すぎると、電磁波干渉抑制体を製造する際の乾燥工程時に時間や熱エネルギーを多く要するようになり、一方原液中でのビニルアルコール系重合体の濃度が高すぎると、原液中にはビニルアルコール系重合体と共に更に多量の軟磁性粒子が含まれているために、原液の粘度が高くなり過ぎて、電磁波干渉抑制体を製造する際の取り扱い性、工程性などの不良、得られる電磁波干渉抑制体の外観不良などが生じ易くなる。
【００３１】
原液の調製方法は特に制限されず、例えば、ビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ系重合体および／またはビニルアセタール系重合体）と軟磁性粒子のそれぞれを別々に溶媒または分散媒に溶解または分散させた後に両方の液を混合する方法、ビニルアルコール系重合体と軟磁性粒子を一括して溶媒または分散媒に溶解または分散させる方法、ビニルアルコール系重合体と軟磁性粒子を同じ溶媒または分散媒に逐次に加え溶解または分散させる方法などを挙げることができる。
【００３２】
ビニルアルコール系重合体組成物を溶解または分散した原液を基体上にキャストまたはコートする方法やそれに用いる装置は特に制限されず、キャスト法やコート法によってＰＶＡ系重合体フィルムなどを作製する際に従来から採用されているのと同様の方法および装置を採用することができる。
基体上に膜状にキャストまたはコートした原液を乾燥して溶媒または分散媒を除去することによって、本発明の電磁波干渉抑制体（特にシート状またはフィルム状の電磁波干渉抑制体）を得ることができる。乾燥温度は、原液の調製に用いた溶媒または分散媒の種類などに応じて決めることができる。例えば、水を用いて原液を調製した場合は、通常、６０〜９０℃の乾燥温度が好ましく採用される。
原液を用いるかかる方法による場合は、溶融成形による場合に比べて成形時の熱負荷を低減できることから、ビニルアルコール系重合体の熱劣化を低減できるという効果もある。
【００３３】
ビニルアルコール系重合体組成物よりなる本発明の電磁波干渉抑制体は、必要に応じて、耐熱性や耐水性を高めるために熱処理を行なってもよい。また、ホルムアルデヒド、グルタルアルデヒド、ノンジアールなどのモノアルデヒド類、ジアルデヒド類、それらの誘導体を用いて電磁波干渉抑制体を構成するビニルアルコール系重合体中の水酸基をアセタール化して、耐熱性や耐水性などを更に向上させてもよい。また、他の架橋剤などを用いて架橋することもできる。
【実施例】
【００３４】
以下に、実施例などにより本発明について具体的に説明するが、本発明は以下の例により何ら限定されるものではない。
なお、以下の各実施例および比較例において、軟磁性粒子の平均粒径の測定、電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）の厚さ、電磁波干渉抑制性能および引張破断強度の測定は、次のようにして行なった。
【００３５】
（１）軟磁性粒子の平均粒径：
軟磁性粒子０．５ｇを、ガラスプレート（縦×横＝１８ｍｍ×１８ｍｍ）の全面に、茶サジを用いて均一の厚さに万遍なく拡げた後、当該ガラスプレートの中心部を電子顕微鏡（倍率４０００倍）によって写真撮影し（写真のサイズ＝１２０ｍｍ×１６０ｍｍ）、撮影した写真の中央部（対角線の交点を含むその周囲）から６０ｍｍ×８０ｍｍの写真片を裁断し、その写真片中に写っている全ての軟磁性粒子のそれぞれについて、その最も長い径（長径）と最も短い径（短径）を測定して、前記長径と短径を足して２で割ったものを個々の軟磁性粒子の粒径とした。前記写真片に写っている全ての軟磁性粒子（軟磁性粒子数は約１００個前後）について、同様にしてその粒径を求めて、全ての軟磁性粒子の粒径の平均値を採って、軟磁性粒子の平均粒径（μｍ）とした。
【００３６】
（２）電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）の厚さ：
以下の実施例または比較例で得られた電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）について、マイクロメーターを用いて厚さを測定した。
【００３７】
（３）電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）の電磁波干渉抑制性能：
図１に示す装置を用いて電磁波干渉抑制体の電磁波干渉抑制性能を測定した。
（ｉ）  図１において、１は試料載置用基体［日立化成社製「ＭＣＬ−ＬＸ−６７」、長さ×巾×厚さ＝３００ｍｍ×２００ｍｍ×１．６ｍｍ、εｒ（比誘電率）＝３．５（１ＧＨｚで）］、２はネットワークアナライザー（ヒューレットパッカード社製「８７２０Ｄ」）、３はストリップ線路［アイカ工業社製（銅箔製）、長さ×巾×厚さ＝１００ｍｍ×２．３ｍｍ×３５μｍ、Ｚ（インピーダンス）＝５０Ω］、４は試験片（電磁波干渉抑制用フィルム片、長さ×巾＝５０ｍｍ×４０ｍｍ）および５ａおよび５ｂは同軸ケーブル（アジレントテクノロジー社製「Ｐ５１３２Ｅ」）を示す。
（ii）  図１の試料載置用基体１の中央部に、ストリップ線路３を長さ方向に平行に載せた後、ストリップ線路３の向かって左端とネットワークアナライザー２のポート１を同軸ケーブル５ａにより接続し、またストリップ線路３の向かって右端とネットワークアナライザー２のポート２を同軸ケーブル５ｂで接続した。
（iii）  ストリップ線路３の中央部に、試験片４（電磁波干渉抑制用フィルム片）を、図１に示すように長さ方向に平行に載せた。
【００３８】
（iv）  上記（iii）の状態で、１ＧＨｚの電磁波をネットワークアナライザー２のポート１から流し、試験片４を経た後の電磁波の伝送信号をネットワークアナライザー２のポート２で測定し、Ｓパラメーター（信号スキャッタリング特性）Ｓ11と、ＳパラメーターＳ21を測定して、下記の数式（１）により電磁波の伝達減衰率（％）を求めた。
電磁波の伝達減衰率（％）＝｛１−（｜Ｓ11｜2＋｜Ｓ21｜2）｝×１００    （１）
（ｖ）  上記の数式（１）により求められる１ＧＨｚの電磁波の伝達減衰率が２０％以上である場合は、十分な電磁波干渉抑制能があると評価できる。
なお、上記の試験において、ストリップ３の上に試験片４を載せずに測定した際の電磁波の伝達減衰率は４％であった。
【００３９】
（４）電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）の引張破断強度：
以下の実施例または比較例で得られた電磁波干渉抑制体（電磁波干渉抑制用フィルム）から、長さ×巾＝１００ｍｍ×１０ｍｍの試験片を採取し、それを温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件下に１２時間放置して調湿した後、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、初荷重０．１Ｐａおよび引張速さ１００ｍｍ／分の条件下で引張り、破断に至る最大応力（ＭＰａ）を測定した。同じ操作を５回行なって平均値と採って、引張破断強度とした。
【００４０】
《実施例１》
（１）  平均重合度１７００、ケン化度９８．２モル％のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（株式会社クラレ製「ＰＶＡ−１１７」）１００質量部を精製水９００質量部に溶解して、ＰＶＡの１０質量％水溶液を調製した後、軟磁性粒子（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製「Ｒ−１４７０」、Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）の１０００質量部を混合して、室温下で１時間撹拌して、軟磁性粒子が均一に分散した原液を調製した。
（２）  上記（１）で得られた原液を、ポリテトラフルオロエチレン製の板（サイズ：縦×横＝５００ｍｍ×５００ｍｍ）の上に、バーコーターを用いてキャスト製膜した後、空気中にて、８０℃で１２時間乾燥して水分を完全に蒸発させて、厚さが５０μｍの電磁波干渉抑制体用のフィルムを製造した。
（３）  上記（２）で得られた電磁波干渉抑制体用のフィルムの電磁波干渉抑制性能および引張破断強力を上記した方法で測定したところ、下記の表１に示すとおりであった。
【００４１】
《実施例２》
（１）  平均重合度９００、ケン化度９８、アセタール化度（ブチラール化度）８６％のポリビニルブチラール（  Ｋｕｒａｒａｙ  Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｉｅｓ  Ｅｕｒｏｐｅ製「Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ  ６０ＨＨ」）１００質量部をエタノール９００質量部に溶解して、ポリビニルブチラールの１０質量％エタノール溶液を調製した後、実施例１で用いたのと同じ軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）の１０００質量部を混合して、室温下で１時間撹拌して、軟磁性粒子が均一に分散した原液を調製した。
（２）  上記（１）で得られた原液を、ポリテトラフルオロエチレン製の板（サイズ：縦×横＝５００ｍｍ×５００ｍｍ）の上に、バーコーターを用いてキャスト製膜した後、空気中にて、８０℃で１２時間乾燥してエタノールを完全に蒸発させて、厚さが５０μｍの電磁波干渉抑制体用のフィルムを製造した。
（３）  上記（２）で得られた電磁波干渉抑制体用のフィルムの電磁波干渉抑制性能および引張破断強力を上記した方法で測定したところ、下記の表１に示すとおりであった。
【００４２】
《実施例３》
（１）  実施例１の（１）において、軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）の使用量を１４００質量部に変えた以外は、実施例１と同様にして、厚さが５０μｍの電磁波干渉抑制体用のフィルムを製造した。
（２）  上記（１）で得られた電磁波干渉抑制体用のフィルムの電磁波干渉抑制性能および引張破断強力を上記した方法で測定したところ、下記の表１に示すとおりであった。
【００４３】
《比較例１》
（１）  実施例１の（１）において、軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）を加えなかった以外は、実施例１と同様にして、厚さが５０μｍの電磁波干渉抑制体用のフィルムを製造した。
（２）  上記（１）で得られた電磁波干渉抑制体用のフィルムの電磁波干渉抑制性能および引張破断強力を上記した方法で測定したところ、下記の表１に示すとおりであった。
【００４４】
《比較例２》
（１）  実施例２の（１）において、軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）を加えなかった以外は、実施例２と同様にして、厚さが５０μｍの電磁波干渉抑制体用のフィルムを製造した。
（２）  上記（１）で得られた電磁波干渉抑制体用のフィルムの電磁波干渉抑制性能および引張破断強力を上記した方法で測定したところ、下記の表１に示すとおりであった。
【００４５】
《比較例３》
（１）  塩素化ポリエチレン（日東電工株式会社製「エラスレン３０１Ａ」、塩素含有率３０質量％）を２００℃で溶融し、これに実施例１で使用したのと同じ軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）を、塩素化ポリエチレン１００質量部に対して１０００質量部の割合で混合して混合物を調製した。
（２）  上記（１）で得られた混合物を用いて、溶融成形を行なってフィルムを製造しようとしたが、塩素化ポリエチレンのバインダー力が不足していて混合物から軟磁性粒子が分離してしまい、フィルムへの成形を行なうことが出来なかった。
【００４６】
《比較例４》
実施例１の（１）において、軟磁性粒子（Ｃａｒｂｏｎｙｌ鉄、平均粒径６μｍ）１０００質量部の代わりに、平均粒径が３０μｍの軟磁性粒子（アトマイズセンダスト、日本アトマイズ加工社製「ＳＦＲ−ＦｅＳｉＡｌ」）１０００質量部を用い、それ以外は実施例１と同様にしてフィルムを製造したところ、それにより得られたフィルムは厚さの斑が大きく、しかも非常に脆くて形状保持性がないものであり、電磁波干渉抑制性能および引張破断強力の測定に供することができなかった。
【００４７】
【表１】
2007194448.tif 000002
【００４８】
上記の表１の結果にみるように、実施例１〜３では、平均粒径が１０μｍ以下（６μｍ）の軟磁性粒子を含有する本発明のビニルアルコール系重合体組成物（ＰＶＡ組成物またはビニルアセタール系重合体組成物）を用いたことにより、電磁波の伝達減衰率が高くて電磁波干渉抑制能に優れ、しかも力学的特性にも優れる、厚さが５０μｍの、電磁波干渉抑制体用の薄膜フィルムが円滑に得られている。
それに対して、比較例３では、ビニルアルコール系重合体ではなくて塩素化ポリエチレンを用いたことにより、また比較例４では、ビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ）を用いたものの平均粒径が３０μｍの軟磁性粒子を用いたことにより、重合体と軟磁性粒子の親和性が低く、いずれも、電磁波干渉抑制体用のフィルムを円滑に製造することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の電磁波干渉抑制体用の重合体組成物は、高い電磁波干渉抑制機能を持ちながら、電子部品のノイズ抑制用途などにおいて強く求められている、薄膜化した電磁波干渉抑制用フィルム、特に厚さが１００μｍ未満の電磁波干渉抑制用フィルムなどの製造に有効に使用することができる。
本発明の重合体組成物を用いて得られる電磁波干渉抑制体、特に厚さが１００μｍ未満の薄い電磁波干渉抑制用フィルムは、電子機器の省電力化、小型化、高密度化、軽量化などを同時に図りながら、電磁波干渉を抑制するのに有効に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本明細書の実施例および比較例で採用した、電磁波干渉抑制性能の測定方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    試料載置用基体
２    ネットワークアナライザー
３    ストリップ線路
４    試験片
５ａ  同軸ケーブル
５ｂ  同軸ケーブル
【図１】
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