(57)【要約】【課題】  多数のコンデンサマイクロホンを一体化した積層集合体の切断工程におけるバリや剥がれの発生を防ぐと共に、摩擦熱の発生を抑制して高性能で信頼性に優れたコンデンサマイクロホンとその製造方法を提供する。【解決手段】  多数の電気回路基板が一体化している集合電気回路基板１６と、多数の背面電極基板が一体化している集合背面電極基板１３と、多数のスペーサが一体化している集合スペーサ１０と、多数の振動膜支持枠が一体化している集合振動膜支持枠１とをそれぞれ接合して積層集合体を構成し、この積層集合体は製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙに沿って切断されることにより、各小片が製品とされると共に、集合振動膜支持枠１は、製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙを中心にしてライン状の溝孔５が形成される構造とその製造方法とした。これにより、切断工程でのバリや剥がれの発生を防止出来る。【選択図】      図１
2007208588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体等の電気エレメントを実装した電気回路基板、背面電極を有する背面電極基板、スペーサ、振動膜支持枠に張った振動膜を積層した構造のコンデンサマイクロホンであって、
半導体等の電気エレメントを実装した多数の電気回路基板が格子状に縦横に配置されて一体化している集合電気回路基板と、
背面電極を有する多数の背面電極基板が縦横に並んで一体化している集合背面電極基板と、
多数のスペーサが縦横に並んで一体化している集合スペーサと、
多数の振動膜支持枠が縦横に並んで一体化し、片面に振動膜を張った集合振動膜支持枠とをそれぞれ接合して積層集合体を構成し、
該積層集合体は製品領域の境界線に沿って切断されることにより、各小片が製品とされると共に、前記集合振動膜支持枠は、前記製品領域の境界線を略中心にして略ライン状に刳り抜かれた溝孔が形成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記集合振動膜支持枠は金属材料であることを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記集合振動膜支持枠はステンレス鋼であることを特徴とする請求項２記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記集合振動膜支持枠の前記溝孔は、エッチングによって加工されることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
半導体等の電気エレメントを実装した電気回路基板、背面電極を有する背面電極基板、スペーサ、振動膜支持枠に張った振動膜を積層した構造のコンデンサマイクロホンの製造方法であって、
半導体等の電気エレメントを実装した多数の電気回路基板が格子状に縦横に配置されて一体化している集合電気回路基板と、
背面電極を有する多数の背面電極基板が縦横に並んで一体化している集合背面電極基板と、
多数のスペーサが縦横に並んで一体化している集合スペーサと、
多数の振動膜支持枠が縦横に並んで一体化し、片面に振動膜を張った集合振動膜支持枠とをそれぞれ製造する工程と、
前記集合電気回路基板と前記集合背面電極基板と前記集合スペーサと前記集合振動膜支持枠とを接合して積層集合体を製造する接合工程と、
前記積層集合体を製品領域の境界線に沿って切断し、各小片が製品とされる切断工程とを備え、前記集合振動膜支持枠は、前記製品領域の境界線を略中心にして略ライン状の溝孔を形成するための刳り抜き工程を備えたことを特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯機器等に広く用いられる小型のコンデンサマイクロホンの構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレクトレット誘電体膜を用いたエレクトレットコンデンサマイクロホンは、構造が簡単で小型化し易く、且つ、低価格であることから多くのマイクロホン分野で活用されている。また、近年、急速に需要が伸びている携帯電話等のマイクロホンとして、更なる小型化、高性能化、低価格化の要求が高まっている。これらの要求に応えて、半導体等の電気エレメントを実装した電気回路基板、背面電極を有する背面電極基板、スペーサ、振動膜を張った振動膜支持枠をそれぞれ格子状に多数配置して積層した積層集合体を形成し、製品領域の境界線に沿って切断されることにより、各小片が製品となるコンデンサマイクロホンの製造方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。以下、図面に基づいて従来のコンデンサマイクロホンの製造方法とその問題点を説明する。
【０００３】
図６（ａ）は従来のコンデンサマイクロホンの断面図である。図６（ａ）に於いて、従来のコンデンサマイクロホン３０は、ＦＥＴ３１などの電気エレメントを搭載した電気回路基板３２、上面に背面電極３３ａを設け、下面にＦＥＴ３１を収容する窪みがある背面電極基板３３、スペーサ３４、下面に振動膜３５を張った振動膜支持枠３６で構成され、これらの部品を積層して接合した構造である。
【０００４】
尚、振動膜３５や背面電極３３ａは電気回路基板３２に電気接続しなければならないので、スペーサ３４や背面電極基板３３等は、図示は省くがスルーホールなどによって、上下両面の電極が導通しており、これらの部品を積層すれば、部品表面の電極同士の接触やスルーホールを通じて、所要の接続が得られる構造である。
【０００５】
図６（ｂ）は、従来のコンデンサマイクロホンの製造過程を示す斜視図である。図６（ｂ）に於いて、積層集合体４０は、それぞれの構成要素を格子状に多数配置した集合電気回路基板４１、集合背面電極基板４２、集合スペーサ４３、集合振動膜支持枠４４が積層された構造であり、この積層集合体４０を製品領域の境界線４５に沿って切断することにより、各小片が製品となる製造方法によって製造される。
【０００６】
図７は従来のコンデンサマイクロホンを積層集合体から切断して各小片を製品とする切断工程を示す断面図である。図７に於いて、積層集合体４０は、集合振動膜支持枠４４の面をダイシングシート５０に固着され、製品領域の境界線４５に沿ってダイシングブレード５１によって切断される。この切断工程によって積層集合体４０は、各小片に切断されてコンデンサマイクロホン３０が完成する。
【０００７】
このコンデンサマイクロホンの製造方法は、多くの部品領域を含む素材を積層して製品の集合体を作り、ダイシングで分割して一度に多数の製品を得るので、生産性が向上してコストダウンを実現出来る。また同一素材上に多数の部品が形成されるため、品質の管理が容易であって、歩留まり向上にもつながる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３４５０９２号公報（特許請求の範囲、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来のコンデンサマイクロホンの製造方法は、以下に示す課題がある。図８は、従来のコンデンサマイクロホンの切断工程の拡大断面図である。図８に於いて、ダイシングブレード５１が、積層集合体４０を製品の境界線４５に沿って切断すると、積層集合体４０は切断されて行くが、積層集合体４０の下部に位置する集合振動膜支持枠４４は、この集合振動膜支持枠４４に張り付けられている振動膜３５と共に、ダイシングブレード５１による切削応力によって押し下げられ、図示するように境界線４５付近にバリが発生し、集合振動膜支持枠４４が振動膜３５と共に境界線４５付近で集合スペーサ４３から剥がれる現象が起きる。
【００１０】
図９は、切断工程によってバリや剥がれが発生した従来のコンデンサマイクロホンの完成断面図の一例を示している。図示するように、切断工程の切削応力によって振動膜支持枠３６が振動膜３５と共に剥がれが発生すると、製品となったコンデンサマイクロホン３０の使用状態に於いて、振動膜３５と背面電極基板３３の僅かな空間に外部から水分やゴミ等が侵入し易くなる。この結果、内部に錆等が発生してコンデンサマイクロホンの性能や信頼性が低下する危険性がある。特に、コンデンサマイクロホンの薄型化やコストダウンのために集合振動膜支持枠４４の材料をステンレス鋼などの薄い金属板とした場合は、この切断工程によるバリや剥がれが発生しやすくなり、製造上の大きな課題となっていた。
【００１１】
また、集合振動膜支持枠４４の材料をステンレス鋼などの金属板とした場合、積層集合体４０の切断時に、ダイシングブレード５１と金属板である集合振動膜支持枠４４との摩擦による摩擦熱が発生し、この熱が集合背面電極基板４２に形成されている背面電極３３ａのエレクトレットの電荷をディスチャージするので、マイクロホンの感度が低下して性能が悪化する等の問題も有している。
【００１２】
本発明の目的は、上記課題を解決して、切断工程におけるバリや剥がれの発生を防ぐと共に、摩擦熱の発生を抑制して高性能で信頼性に優れたコンデンサマイクロホンとその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を解決するために、本発明のコンデンサマイクロホンは下記記載の構成と製造方法を採用する。
【００１４】
本発明は、半導体等の電気エレメントを実装した電気回路基板、背面電極を有する背面電極基板、スペーサ、振動膜支持枠に張った振動膜を積層した構造のコンデンサマイクロホンであって、半導体等の電気エレメントを実装した多数の電気回路基板が格子状に縦横に配置されて一体化している集合電気回路基板と、背面電極を有する多数の背面電極基板が縦横に並んで一体化している集合背面電極基板と、多数のスペーサが縦横に並んで一体化している集合スペーサと、多数の振動膜支持枠が縦横に並んで一体化し、片面に振動膜を張った集合振動膜支持枠とをそれぞれ接合して積層集合体を構成し、該積層集合体は製品領域の境界線に沿って切断されることにより、各小片が製品とされると共に、前記集合振動膜支持枠は、前記製品領域の境界線を略中心にして略ライン状に刳り抜かれた溝孔が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明により、コンデンサマイクロホンの一部分を構成する集合振動膜支持枠は、製品領域の境界線を中心にしてライン状の溝孔が形成されるので、切断工程での集合振動膜支持枠のバリや剥がれが無くなり、マイクロホン内部への水分やゴミ等の浸入を防ぐことが出来、マイクロホンの耐環境性能が向上し信頼性を高めることが出来る。また、集合振動膜支持枠に溝孔が形成されていることにより、切断工程でのダイシングブレードと集合振動膜支持枠との摩擦熱の発生を抑制するので、背面電極のエレクトレットの電荷のディスチャージを防ぐことが出来、マイクロホンの感度低下等を防止して高性能なコンデンサマイクロホンを実現出来る。
【００１６】
また、前記集合振動膜支持枠は金属材料であることを特徴とする。
【００１７】
これにより、集合振動膜支持枠は金属材料であるので、薄くても必要な強度を十分確保出来、コンデンサマイクロホンの薄型化を実現出来る。また、金属材料であることにより導電性を有するので、振動膜との電気的接続が可能となり、振動膜と電気回路基板上の電気エレメントとの電気的接続を容易に実現することが出来る。
【００１８】
また、前記集合振動膜支持枠はステンレス鋼であることを特徴とする。
【００１９】
これにより、集合振動膜支持枠はステンレス鋼であるので、薄くても必要な強度を十分確保出来、コンデンサマイクロホンの薄型化を実現出来る。また、ステンレス鋼はコストが安いので、コンデンサマイクロホンのコストダウンに貢献出来る。
【００２０】
また、前記集合振動膜支持枠の前記溝孔は、エッチングによって加工されることを特徴とする。
【００２１】
これにより、多数の振動膜支持枠が縦横に並んだ構成の集合振動膜支持枠は、エッチング加工によって一括して多数の溝孔を形成するので、加工精度の高い溝孔を形成出来ると共に、加工工数が少なくコストダウンを実現出来る。
【００２２】
また、本発明は、半導体等の電気エレメントを実装した電気回路基板、背面電極を有する背面電極基板、スペーサ、振動膜支持枠に張った振動膜を積層した構造のコンデンサマイクロホンの製造方法であって、半導体等の電気エレメントを実装した多数の電気回路基板が格子状に縦横に配置されて一体化している集合電気回路基板と、背面電極を有する多数の背面電極基板が縦横に並んで一体化している集合背面電極基板と、多数のスペーサが縦横に並んで一体化している集合スペーサと、多数の振動膜支持枠が縦横に並んで一体化し、片面に振動膜を張った集合振動膜支持枠とをそれぞれ製造する工程と、前記集合電気回路基板と前記集合背面電極基板と前記集合スペーサと前記集合振動膜支持枠とを接合して積層集合体を製造する接合工程と、前記積層集合体を製品領域の境界線に沿って切断し、各小片が製品とされる切断工程とを備え、前記集合振動膜支持枠は、前記製品領域の境界線を略中心にして略ライン状の溝孔を形成するための刳り抜き工程を備えたことを特徴とする。
【００２３】
本発明のコンデンサマイクロホンの製造方法により、コンデンサマイクロホンの一部分を構成する集合振動膜支持枠は、製品領域の境界線を中心にしてライン状の溝孔が形成される刳り抜き工程を備えているので、切断工程での集合振動膜支持枠のバリや剥がれが無くなり、マイクロホン内部への水分やゴミ等の浸入を防ぐことが出来、マイクロホンの耐環境性能が向上し信頼性を高めることが出来る。また、集合振動膜支持枠に溝孔が形成されていることにより、切断工程でのダイシングブレードと集合振動膜支持枠との摩擦熱の発生を抑制するので、背面電極のエレクトレットの電荷のディスチャージを防ぐことが出来、マイクロホンの感度低下等を防止して高性能なコンデンサマイクロホンを実現出来る。
【発明の効果】
【００２４】
上記の如く本発明によれば、コンデンサマイクロホンの構成部品を多数集合した積層集合体の切断工程におけるバリや剥がれの発生を防ぐことが出来るので、マイクロホン内部への水分やゴミ等の浸入を防ぐことが出来、耐環境性能が向上し、コンデンサマイクロホンの信頼性を高めることが出来る。また、切断工程における摩擦熱の発生を抑制してエレクトレットの電荷のディスチャージを防ぐので、感度の良い高性能なコンデンサマイクロホンとその製造方法を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面により本発明の実施の形態を詳述する。図１は、本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品を多数配置した各集合体の製造工程を示す斜視図である。図２は、本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品である振動膜支持枠を多数配置した集合振動膜支持枠の一部を示す上面図である。図３（ａ）は、本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品を多数配置した各集合体を接合して積層集合体を製造する接合工程を示す斜視図である。図３（ｂ）は、本発明のコンデンサマイクロホンを多数配置した積層集合体を切断する切断工程を示す斜視図である。図４は、本発明のコンデンサマイクロホンを多数配置した積層集合体を切断する切断工程を示す拡大断面図である。図５（ａ）は、本発明のコンデンサマイクロホンの完成斜視図である。図５（ｂ）は、本発明のコンデンサマイクロホンの完成断面図である。
【００２６】
図１に基づいて、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンの各構成部品の集合体の構成と製造工程を説明する。図１に於いて、１は本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンを構成する集合振動膜支持枠である。この集合振動膜支持枠１は、ステンレス鋼（以下、ＳＵＳと略す）などの薄板状の金属材料で成り、個々の部品である振動膜支持枠１ａが格子状に縦横に多数並んで一体化し、片面にメンブレンである振動膜２を張った集合体である。この振動膜支持枠１ａは、それぞれの中心付近に略円形の集音穴３と、各四隅に小孔４と、各四辺に製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙを中心としたライン状に刳り抜かれた溝孔５が形成されている。尚、溝孔５は、エッチング加工等による刳り抜き工程によって一括加工される。また、集合振動膜支持枠１の材料は、ＳＵＳに限定されず、アルミ、真鍮、洋白などでも良い。
【００２７】
１０は、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンを構成する集合スペーサである。この集合スペーサ１０は、個々の部品であるスペーサ１０ａが格子状に縦横に多数並んで一体化された集合体である。このスペーサ１０ａは、それぞれの中心付近に略円形のスペーサ穴１１と、各四隅に小孔１２が形成されている。１３は、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンを構成する集合背面電極基板である。この集合背面電極基板１３は、個々の部品である背面電極基板１３ａが格子状に縦横に多数並んで一体化された集合体である。この背面電極基板１３ａは、それぞれの中心付近に略円形の導電性の背面電極１４と、各四隅に小孔１５が形成されている。
【００２８】
１６は、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンを構成する集合電気回路基板である。この集合電気回路基板１６は、個々の部品である電気回路基板１６ａが格子状に縦横に多数並んで一体化された集合体である。この電気回路基板１６ａは、それぞれに電気エレメントしてのＦＥＴ１７ａとチップコンデンサ１７ｂ、１７ｃが実装され、また各四隅には小孔１８が形成されている。尚、電気回路基板１６ａには、ＦＥＴ１７ａやチップコンデンサ１７ｂ、１７ｃを電気的に接続する電極パターンや、背面電極基板１３ａと電気的に接続するための電極パターンが形成されているが図示は省略する。
【００２９】
以上のように、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンは、各構成部品の集合体である集合振動膜支持枠１と、集合スペーサ１０と、集合背面電極基板１３と、集合電気回路基板１６とを、それぞれの製造工程で一括製造する。
【００３０】
次に、本発明の要点である集合振動膜支持枠１に形成される溝孔５の構成を図２に基づいて詳細に説明する。図２に於いて、集合振動膜支持枠１は、前述した如く、多数の振動膜支持枠１ａの集合体であり、この振動膜支持枠１ａは、Ｘ方向とＹ方向にそれぞれ直角に交差し等間隔に設定されている製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙによって、格子状に縦横に並んで配置されている。そして、集音穴３は前述した如く振動膜支持枠１ａの中心付近に設けられ、また、振動膜支持枠１ａの四隅には小孔４が設けられている。
【００３１】
ライン状に刳り抜かれた溝孔５は、製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙを中心として、その境界線２０ｘ、２０ｙに沿って形成されている。ここで、溝孔５の両先端は、図示するように小孔４の外周からほぼ等しい間隔Ａを保って形成され、この間隔Ａの領域によって振動膜支持枠１ａは、隣接する他の振動膜支持枠１ａと結合されている。ここで、小孔４の外周と溝孔５の先端との間隔Ａは、０．３ｍｍ程度が好ましい。
【００３２】
尚、この間隔Ａが存在しないと、各振動膜支持枠１ａは分離してしまい集合体として取り扱うことが出来なくなってしまうため、間隔Ａは構造上不可欠な要素である。また、溝孔５は、後述する切断工程で使用するダイシングブレードから振動膜支持枠１ａを逃がすために形成されるものであり、溝孔５の幅Ｂは、そのダイシングブレードの厚みを考慮して決定することが好ましい。また、この実施形態に於いて溝孔５は、ライン状の長方形であるが、この形状に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更して良い。
【００３３】
次に図３（ａ）に基づいて、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンの接合工程を説明する。図３（ａ）に於いて、２１は接合工程によって各構成部品の集合体を積層して接合された積層集合体である。この接合工程は、各構成部品の集合体である集合振動膜支持枠１と、集合スペーサ１０と、集合背面電極基板１３と、集合電気回路基板１６とを、図１で図示した順序に積層して接合する。接合は各集合体の表面に接着剤を塗布して行ってもよいし、あるいは接着剤シートをそれぞれの層間に配置して重ね、加熱して接合しても良い。接着剤シートは図示を省くが、図１の集合スペーサ１０に似た形状のものを用いればよい。
【００３４】
また、各集合体それぞれの小孔４、１２、１５、１８は、スルホールとして機能し、積層される集合振動膜支持枠１と集合スペーサ１０と集合背面電極基板１３と集合電気回路基板１６とを電気的に接続し、マイクロホンとしての電気回路を形成する。この接合工程によって完成された積層集合体２１は、本発明のコンデンサマイクロホンが格子状に縦横に多数並んで配置された集合体である。そして、積層集合体２１に配置される多数のコンデンサマイクロホンは、前述したＸ方向とＹ方向にそれぞれ直角に交差し等間隔に設定されている製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙに沿って切断されることにより製品となる。
【００３５】
次に図３（ｂ）に基づいて、本発明の実施形態としてのコンデンサマイクロホンの切断工程を説明する。切断工程では、図３（ｂ）に示すように、積層集合体２１を製品の境界線２０ｘ、２０ｙに沿って、ダイシングブレード（図示せず）で切断することにより、積層集合体２１が小片に分割され、この分割された各小片が製品、すなわち、コンデンサマイクロホン２２となる。
【００３６】
このように多数のコンデンサマイクロホン２２が一体となった積層集合体２１を製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙに沿って切断し分割することによって、多数のコンデンサマイクロホン２２を一括製造することが出来る。尚、本発明の実施形態においては、説明の都合上、積層集合体２１は合計９個のコンデンサマイクロホン２２が一体化されているが、この数に限定されるものではなく、実際には数百個のコンデンサマイクロホンを一体化した積層集合体を用いて製造することが可能である。
【００３７】
次に図４に基づいて、切断工程の詳細を説明する。図４は、図３（ｂ）の切断工程の斜視図をＣ−Ｃ’で断面した積層集合体２１の切断工程の拡大断面図である。図４に於いて積層集合体２１は、集合振動膜支持枠１の面をダイシングシート２３に固着され、製品領域の境界線２０ｙに沿ってダイシングブレード２４によって切断される状態を示している。ここで、集合振動膜支持枠１は、前述した如く、溝孔５が製品領域の境界線２０ｙを中心として形成されており、この溝孔５によってダイシングブレード２４を逃げているので、積層集合体２１が切断されるとき、集合振動膜支持枠１の大部分はダイシングブレード２４に切断されず触れることもない。
【００３８】
すなわち、溝孔５の幅Ｂが、ダイシングブレード２４の厚みよりもある程度広く設定されることにより、集合振動膜支持枠１の切断は、間隔Ａ（図２参照）の領域のみが切断され、他の領域である溝孔５は、ダイシングブレード２４から逃げているので切断されずにコンデンサマイクロホン２２は個々に分離されて製品となる。この結果、図８の従来例で示したような、集合振動膜支持枠１が振動膜２と共にダイシングブレード２４による切削応力によって押し下げられ、境界線２０ｙ付近にバリが発生し、集合振動膜支持枠１と振動膜２が集合スペーサ１０や集合背面電極基板１３から剥がれる問題は発生しない。
【００３９】
次に図５（ａ）と図５（ｂ）に基づいて、積層集合体２１から切断され分割されたコンデンサマイクロホンの構造を説明する。図５（ａ）に於いて、２２は積層集合体２１から切断された完成品としての本発明のコンデンサマイクロホンである。コンデンサマイクロホン２２は、上面から振動膜支持枠１ａと、スペーサ１０ａと、背面電極基板１３ａと、電気回路基板１６ａとによって積層された構造である。
【００４０】
振動膜支持枠１ａの中央付近には、外部からの音を集める集音穴３が形成され、振動膜支持枠１ａの四辺には、切断された溝孔５が形成されている。また、コンデンサマイクロホン２２の四隅は、振動膜支持枠１ａとスペーサ１０ａと背面電極基板１３ａと電気回路基板１６ａを電気的に接続する小孔４、１２、１５，１８が積層され、約１／４に切断された凹部が形成される。
【００４１】
次に図５（ｂ）は、図５（ａ）のコンデンサマイクロホン２２をＤ−Ｄ’で断面した断面図である。図５（ｂ）に於いて、コンデンサマイク２２の下面側には、ＦＥＴ１７ａ、チップコンデンサ１７ｂ、１７ｃが実装された電気回路基板１６ａが配置され、この電気回路基板１６ａの上部には背面電極基板１３ａが固着されている。この背面電極基板１３ａは、ＦＥＴ１７ａ等を収容する凹部１３ｂが形成され、また、背面電極基板１３ａの上面には、略円形の背面電極１４が形成されている。背面電極１４の上面には図示は省略するがエレクトレット誘電体膜によって成るエレクトレット膜が膜形成される。
【００４２】
背面電極基板１３ａの上面周辺にはスペーサ１０ａが固着され、スペーサ１０ａの上面には、振動膜２を張った振動膜支持枠１ａが固着されている。尚、電気回路基板１６ａ、背面電極基板１３ａ、スペーサ１０ａ、振動膜支持枠１ａは、前述した如く、接着剤、又は接着シート等によって接合されているが、接着剤等の図示は省略する。この構造によって、振動膜２と背面電極基板１３ａ上の背面電極１４は僅かな隙間を介して対向し、コンデンサとして機能する。そして、外部からの音が集音穴３を通って振動膜２を振動させると、振動膜２と背面電極１４によって形成されるコンデンサの静電容量が僅かに変化する。
【００４３】
この静電容量の変化は、ＦＥＴ１７ａによって電気信号に変換され、変換された電気信号を外部に出力することによってマイクロホンとして機能する。尚、背面電極基板１３ａと電気回路基板１６ａには、振動膜２と背面電極１４への導電パターンや、電気信号を外部に出力する導電パターンが形成されているが、図示は省略する。
【００４４】
以上のように本発明のコンデンサマイクロホンとその製造方法によれば、コンデンサマイクロホンの一部分を構成する集合振動膜支持枠１は、製品領域の境界線２０ｘ、２０ｙを中心にしてライン状に刳り抜かれた溝孔５が形成されているので、切断工程において積層集合体２１が切断されるとき、集合振動膜支持枠１の大部分はダイシングブレード２４によって切断されることが無い。この結果、集合振動膜支持枠１のバリや剥がれが無くなり、マイクロホン内部への水分やゴミの浸入を防ぐことが出来、マイクロホンの耐環境性能が向上し信頼性を高めることが出来る。
【００４５】
また、集合振動膜支持枠１に溝孔５が形成されていることにより、ダイシングブレード２４が集合振動膜支持枠１を切断する領域は、わずかに図２で示す間隔Ａのみであるので、切断工程でのダイシングブレード２４と集合振動膜支持枠１との摩擦熱の発生が抑制され、この結果、背面電極１４のエレクトレットの電荷のディスチャージを防ぐことが出来、マイクロホンの感度低下等を防止し高性能なコンデンサマイクロホンを実現することが出来る。
【００４６】
また、集合振動膜支持枠１はＳＵＳ等の金属材料であるので、薄くても必要な強度を十分確保出来、コンデンサマイクロホンの薄型化を実現出来る。また、ＳＵＳ等はコストが安いので、コンデンサマイクロホンのコストダウンに貢献出来る。また、多数の振動膜支持枠１ａが縦横に並んだ構成の集合振動膜支持枠１は、エッチング加工によって一括して多数の溝孔５を形成出来るので、加工精度の高い溝孔５を実現出来ると共に、加工工数を減らしてコストダウンが可能となる。
【００４７】
更には、      集合振動膜支持枠１の材料であるＳＵＳは硬性が高いので、従来であれば集合振動膜支持枠１を切断するダイシングブレード２４の磨耗が激しいが、本発明は、集合振動膜支持枠１に溝孔５が形成されていることにより、ダイシングブレード２４が集合振動膜支持枠１を切断する実際の切断幅は極めて短いので、ダイシングブレード２４の磨耗が少なく、ダイシングブレード２４が長寿命となり製造コストを更に抑えることが可能となる。尚、本発明は、コンデンサマイクロホンに限定されるものではなく、多数の構成部品を一体化して集合体を製造し、切断工程によって製品化する他の製品とその製造方法に簡単に応用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品を多数配置した各集合体の製造工程を示す斜視図である。
【図２】本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品である振動膜支持枠を多数配置した集合振動膜支持枠の一部を示す上面図である。
【図３（ａ）】本発明のコンデンサマイクロホンの構成部品を多数配置した各集合体を接合して積層集合体を製造する接合工程を示す斜視図である。
【図３（ｂ）】本発明のコンデンサマイクロホンを多数配置した積層集合体を切断する切断工程を示す斜視図である。
【図４】本発明のコンデンサマイクロホンを多数配置した積層集合体を切断する切断工程を示す拡大断面図である。
【図５（ａ）】本発明のコンデンサマイクロホンの完成斜視図である。
【図５（ｂ）】本発明のコンデンサマイクロホンの完成断面図である。
【図６（ａ）】従来のコンデンサマイクロホンの完成断面図である。
【図６（ｂ）】従来のコンデンサマイクロホンの構成部品を多数配置した各集合体を接合して積層集合体を製造する接合工程を示す斜視図である。
【図７】従来のコンデンサマイクロホンを多数配置した積層集合体を切断する切断工程を示す断面図である。
【図８】従来のコンデンサマイクロホンの切断工程の拡大断面図である。
【図９】従来のコンデンサマイクロホンの問題点を示す完成断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１、４４  集合振動膜支持枠
１ａ、３６  振動膜支持枠  
２、３５  振動膜
３  集音穴
４、１２、１５、１８  小孔
５  溝孔
１０、４３  集合スペーサ
１０ａ、３４  スペーサ
１１  スペーサ穴
１３、４２  集合背面電極基板
１３ａ、３３  背面電極基板
１３ｂ  凹部
１４、３３ａ  背面電極
１６、４１  集合電気回路基板
１６ａ、３２  電気回路基板
１７ａ、３１  ＦＥＴ
１７ｂ、１７ｃ  チップコンデンサ
２０ｘ、２０ｙ、４５  境界線
２１、４０  積層集合体
２２、３０  コンデンサマイクロホン
２３、５０  ダイシングシート
２４、５１  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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【図４】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６（ａ）】
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【図６（ｂ）】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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