(57)【要約】      （修正有）【課題】小型薄型化及び気密性が高くかつ製造コストを抑えた回路基板とその製造方法及び電子部品を提供する。【解決手段】絶縁基板１の厚さ方向に、第一主面Aと第二主面Bとを接続するための内壁に段差を有したスルーホール２が形成され、スルーホール２の内壁と第一主面Aと第二主面Bのスルーホール２開口部周囲とに金属皮膜３、１２が形成され、スルーホール２に金属材４が充填されている。この回路基板の第一主面Aに形成された金属皮膜１２に導電性接着剤１１を介して電子素子７が搭載され、蓋体８により被覆されて電子部品となる。【選択図】図３
2007208040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するためのスルーホールが形成され、前記スルーホールの内壁と前記第一主面と前記第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜が形成され、前記スルーホールの第一主面側に段差部が形成され、前記スルーホールに金属材が充填されている回路基板。
【請求項２】
前記絶縁基板がガラス基板である請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記スルーホールは、前記第一主面から前記第二主面にかけてその内壁の径が漸次小さくなっている請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するため内壁に段差を
有したスルーホールを形成し、前記スルーホールの第一主面側に段差部を形成し、前記スルーホールの内壁と前記第一主面と前記第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜を形成し、前記スルーホールにキャピラリーツール先端に形成した球状ワィアーを超音波併用熱圧着法により充填接合し、前記球状ワイヤを前記段差内に収納してなる回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板がガラス基板である請求項４記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子や水晶振動子などを搭載する回路基板とその製造方法に関し、特にこの回路基板を容器の一部として使用した電子部品の気密性に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣ、ダイオード、水晶振動子、コンデンサなどの電子部品は、小型化及び表面実装化が要求されている。最近では、そのパッケージ基材として従来から広く用いられていたセラミックに加え、ガラスやシリコンなどの無機絶縁材料が用いられ始めている。
【０００３】
従来の回路基板としては、セラミック基板に形成されたスルーホールに導電性組成物を充填し電気的導通部を構成していた。また、その製造方法としてはスルーホール内へ導電性組成物を充填した後、乾燥工程、熱処理工程を経て電気的導通部を形成していた。さらに、電子部品としては電子素子を搭載した回路基板を蓋体で覆い保護しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。図５は、特許文献１に記載された従来の回路基板を示すものである。図５において、回路基板１０２はセラミック材料からなる絶縁基板の所定の位置に形成されたスルーホールに、銀粒子、ガラス粉末及びビヒクル（Ｖｅｈｉｃｌｅ）を含む導電性組成物を充填し、熱処理を行って電気的導通部１０８が形成されている。また、導電性組成物は銀粒子とガラス粉末の合計量に対する銀粒子の含有量が、８５〜９０重量％の範囲で、かつ軟化温度が５５０〜６５０℃のガラス粉末を用いていた。
また、回路基板１０２は無機粉末とバインダを含む複合物を焼成して、セラミックからなる平板状の絶縁基板を仕上げ加工し、絶縁基板の所定の位置に、その基板を貫通するスルーホールを後加工し、このスルーホールに、銀粒子、ガラス粉末及びビヒクルを含む導電性組成物を充填し、熱処理を行って電気的導通部１０８を形成するとともに、その際、導電性組成物として、銀粒子とガラス粉末の合計量に対する前記銀粒子の含有量が、８５〜９０重量％の範囲で、かつ軟化温度が５５０〜６５０℃のガラス粉末を使用した製造方法であった。
さらに、電子部品１０４は、キャビティ１０５及び回路基盤１０２表面がメタライズされた配線層１０７を備えた回路基板１０２と、回路基板１０２の表面を覆った蓋体１０３とから構成され、その内部に電子素子（水晶片）１０１が実装されている。回路基板１０２と蓋体１０３とは、金−錫合金、金−シリコン合金などからなる接合層１０９を介して接着されていた。
【特許文献１】特開２００３−１０１１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記従来の構成では、電気的導通部をＡｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3などからなる導電性組成物を用いて形成することになる。導電性組成物はガラス粉末を主成分とし、７５０℃〜９００℃の熱処理を要するため回路基板材料にセラミック以外を用いることが出来ない。そのため、製造コストに占める材料費の割合が大きくなり製造コストが上昇する。
また、セラミックは最小０．７μｍのアルミナ粒子が集合した粒界を持つため、回路基板の厚みを１５０μｍ以下に薄くした場合、気密性を維持するのに問題がある。また、薄くすることで焼結後に基板が反るという課題を有していた。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、小型薄型化及び気密性が高く、かつ製造コストを抑えた回路基板とその製造方法及び電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の回路基板は、絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するため内壁に段差を有したスルーホールが形成され、スルーホールの内壁と第一主面と第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜が形成され、スルーホールに金属材が充填されている。
本発明の回路基板の製造方法は、絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するため内壁に段差を有したスルーホールを形成し、スルーホールの内壁と第一主面と第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜を形成し、スルーホールにキャピラリーツール先端に形成した球状ワイヤを超音波併用熱圧着法により充填接合し、球状ワイヤを段差内に収納してなるバンプを形成することを特徴とする。
本発明の電子部品は、絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するためのスルーホールが形成され、スルーホールの内壁と段差部内壁と第一主面と第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜が形成され、スルーホールに金属材が充填接合され、第一主面に形成された導電膜に接続層を介して電子素子が搭載され、電子素子が蓋体により被覆されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、ワイヤボンダーを使用し超音波併用熱圧着法によりスルーホールに形成された導電膜と、ワイヤボンダーで形成された球状の金属材とを高速で高精度に接合することが出来る。これにより、セラミックでは困難であった小型で薄い回路基板を安価に製造することが出来る。また、この回路基板に電子素子を搭載し蓋体で被覆すれば気密性が高い電子部品を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、絶縁基板の厚さ方向に、第一主面と第二主面とを接続するために内壁に段差を有したスルーホールが形成されている。このスルーホールの大きさは、第一主面側の直径が１００μｍ以上１５０μｍ以下の範囲が好ましい。また、絶縁基板の厚さは、１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲が好ましい。前記スルーホール及び段差の内壁と前記第一主面と前記第二主面のスルーホール開口部周囲とに導電膜が形成されている。導電膜としては、ガラス面にスパッタリング法もしくはめっき法を用いることができる。スパッタリング法の場合はクロムまたはチタンを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下の厚さに形成することが好ましく、めっき法の場合は無電解ニッケルを１μｍから２μｍ形成することが好ましい。最表面には金等の金属を用い、電解めっきで０．３μｍ以上１．０μｍ以下の厚さのものが好ましい。前記スルーホールには金属材が充填されている。金属としては金等の金属を用い、平均直径１００μｍ以上１５０μｍ以下の粒子とするのが好ましい。
前記絶縁基板はガラス基板であり、前記金属材が球状であることが好ましい。
前記スルーホールが、前記第一主面の段差面から前記第二主面にかけてその内壁の径が漸次小さくなっていることが好ましい。漸次小さくすることで、スルーホールの内壁の導電膜と球状ワイヤとの接合面積を大きくすることが出来、球状ワイヤの直径を小さくつまり球状ワイヤの金属材の使用量を少なくすることが出来る。スルーホールの形状は、絶縁基板の厚みが１５０μｍ、段差部深さ３０μｍで、その時の第一主面側の直径を１００としたとき、第二主面側の直径は６０以下が好ましい。スルーホールの形成は、サンドブラスト法若しくはエッチング法で行うことができる。さらに、サンドブラストで形成したスルーホール内壁の表面はブラストのメディアにより適度に粗面が形成されており球状ワイヤとの接触面積を大きく確保することが可能となり接合強度に優れる。
【０００８】
本発明の回路基板の製造方法においては、スルーホールにキャピラリーツール先端に形成した球状ワイヤを超音波併用熱圧着法により充填接合する。ここで「超音波併用熱圧着法」とは熱と荷重に加えて超音波を併用する方式で、「熱圧着法」の熱（３００℃以上）と荷重を加えて接合する方式に比べて低温（１００〜２５０℃程度）で接合することが出来、ガラスエポキシ樹脂基板等の使用が可能となる。また、超音波を併用することでスルーホール内壁に形成された導電膜と球状ワイヤとが超音波による摩擦熱で「熱圧着法」に比べより強固に接合される。この方法では球状ワイヤの上面には切断時のひげが発生し、段差面からさらに凸状態であるが、この前記球状ワイヤが前記段差内に収納されたバンプを形成する。
前記方法においては、絶縁基板がガラス基板であり、前記充填材が球状ワイヤで超音波併用熱圧着法により充填接合するのが好ましい。
【０００９】
次に本発明の電子部品は、前記回路基板の第一主面に形成された導電膜に接続層を介して電子素子が搭載され、前記電子素子が蓋体により被覆されている。また絶縁基板中央に凹部が形成されているのが好ましい。この構造は、半導体素子や水晶振動子などを搭載する回路基板、特にこの回路基板を容器の一部として使用した電子部品に有用であり、特に気密性改善に適している。
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における回路基板の断面図である。図１において、回路基板１は線膨張係数が３０×１０-7/℃〜８０×１０-7/℃からなる硼珪酸ガラスか無アルカリガラス、若しくは線膨張係数が８０×１０-7/℃〜１２０×１０-7/℃からなるソーダガラスの基板であり、厚みは０．１５ｍｍである。回路基板１の第一主面Ａ側から第二主面Ｂにかけてその内壁の径が漸次小さくなっている貫通孔２を形成した。セラミックが１μｍ程度のアルミナ粒子が集合した粒界を持つ多孔質に対して、ガラスは酸化珪素分子がつながって出来た境目のない過冷却液体により特に気密性が高かった。貫通孔２は、第一主面Ａの段差部から第二主面Ｂにかけてその内壁の径が漸次小さな形状とした。貫通孔２の直径は、第一主面側が１２０μｍで第二主面は８０μｍとした。金属皮膜３は回路基板１の貫通孔２とその開口部周囲及び段差内壁に形成した。金属皮膜３は、ガラス面にスパッタリング法もしくはめっき法を用いることができる。スパッタリング法の場合はクロムまたはチタンを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下の厚さに形成することが好ましく、めっき法の場合は無電解ニッケルを１μｍから２μｍ形成することが好ましい。金属皮膜３の最上面は金、銀、銅などからなり、電気めっきにより形成し、その膜厚は０．５μｍ〜１．０μｍである。本実施形態では金属皮膜３は無電解ニッケルめっきを１μｍ以上２．０μｍ以下に形成した後に最上面は金を電気めっきにより０．５μｍの厚さに積層した。
ボール部４は、予め金属ワイヤより形成したボールを貫通孔２に充填した。ボール部４はワイヤボンディングに用いられている、超音波併用熱圧着法で接合されている。ボール部４の直径は１２０μｍであった。貫通孔２に形成されている金属皮膜３は、ボール部４により超音波併用熱圧着法による接合がされているので、貫通孔２の気密性が高かった。
【００１１】
（実施の形態２）
図２Ａ〜Ｅは、本発明の実施の形態２の回路基板の製造工程フローに沿った断面図である。図２Ａ〜Ｅにおいて、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図２Ａ〜Ｅにおいて、回路基板１は硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラスなどのガラス基板や、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック基板や、ガラスエポキシ樹脂基板から適宜選択することが可能である。本実施の形態では絶縁性及び気密性が高いガラス基板を用いて説明する。例えば、厚さが約０．１５ｍｍの硼珪酸ガラスからなる回路基板１にサンドブラスト法やエッチング法などを用いて貫通孔２を形成する。貫通孔２の大きさは直径１００μｍ〜１５０μｍで、第一主面側の段差面から第二主面にかけてその内壁の径が漸次小さくなっている形状を成している（図２Ａ）。この貫通孔２はボンディングされる金属ワイヤ３の寸法・材質、ボンディング方法に応じて、適切な寸法が選定される。
【００１２】
一方、回路基板１の上方に、上下動式のキャピラリーツール６を貫通孔２の位置に合わせて配置する。このキャピラリーツール６の中心に金属ワイヤ５が挿通されており、その先端部は略半球状に形成されている。金属ワイヤ５は、金、銅などからなり、回路基板１に形成され金属皮膜３の材質などに応じて、適宜選定する。ここでは金を主成分とした金属ワイヤ５を用いる。この金属ワイヤ５の太さは、例えば直径２５μｍ〜５０μｍである。金ワイヤを用いた場合、耐食性が高く、また、金属皮膜３の材質すべての接合に有効である。
トーチ（図示せず）により金属ワイヤ５の先端部を加熱溶融して、ボール部４を形成する。このボール部４は、直径が金属ワイヤ５の直径の約３〜４倍程度になるから、３８μｍの金ワイヤの場合で約１２０μｍ程度の大きさとなる。なお、ボール部４は、金属ワイヤ５の先端部と他の電位点との間で火花放電を発生させることにより、形成することもできる。
【００１３】
次に、１５０℃〜３５０℃に加熱された回路基板１の貫通孔２にキャピラリーツール６の下降動に合わせＹ方向に超音波振動を、また、Ｘ方向に機械的な微振動を加えながら回路基板１の貫通孔２にボール部４を下向きに押圧する（図２Ｂ〜Ｃ）。
この後、キャピラリーツール６を上昇し、金属ワイヤ５を適宜の長さの部分で切断する（図２Ｄ）。この方法では球状ワイヤの上面には切断時のひげが発生し、段差面からさらに凸状態であるが、この前記球状ワイヤが前記段差内に収納されたバンプが形成される。
その後例えばトーチ（図示せず）で加熱溶断する場合には、切断部にボール部４が形成されるから回路基板１を連続して製造する場合の作業性が向上する。
これにより貫通孔２が金属ワイヤ５の先端部が略半球状に形成されたボール部４により充填と同時に接合され電気的導通部を確保する。したがって、その貫通孔の気密性は従来に比べて著しく向上し、気密性が安定して維持される。（図２Ｅ）
なお、本実施の形態は平坦は回路基板１を用いて説明したが、回路基板１中央部にサンドブラスト法やエッチング法などを用いてキャビティと称される動作空間を形成しても良い。この場合、回路基板１とキャビティとが接着物を介することなく一体的に形成できるため、小型薄型化に有効である。
【００１４】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３における回路基板の断面図である。図３において、図１及び図２Ａ〜Ｅと同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図３において、７は回路基板１に実装される半導体素子や水晶振動子などからなる電子素子である。８は電子素子７を実装後に回路基板１を被覆する蓋体であり、サンドブラスト法かエッチング法でキャビティが形成されている。また基板との接合面に金錫等の接合層を１５μｍ施したガラス板からなる蓋体である。蓋体の厚みが０．３５ｍｍの場合キャビティの深さは０．２ｍｍとなる。蓋体８は透光性が高いガラス板で形成した。これによれば、電子素子７に水晶振動子を用いた場合、蓋体８を被覆後もレーザーを照射することで周波数調整することが可能となる。また、透光性が高いガラス板を用いることで、電子素子７に発光ダイオードなどの光半導体素子を用いることも可能となる。９は電子素子７の動作空間を確保するために回路基板１に形成されたキャビティで深さは３０μｍから５０μｍである。動作空間は電子素子７が水晶振動子の場合２００μｍ以上有れば良く、光半導体素子の場合は特に限定されることは無い。キャビティ９は回路基板１に一体形成されている。１０は回路基板１と蓋体８とを接合する金錫めっきや金錫ペースト又は低融点ガラスからなる接合層である。
【００１５】
図４Ａ〜Ｉは、本発明の実施の形態３における回路基板の製造ステップを示す。また、図４Ｊ〜Ｌは、本発明で製造した回路基板を用いた水晶振動子を搭載したパッケージの製造ステップを示す。回路基板１は硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラスなどのガラス基板や、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック基板や、ガラスエポキシ樹脂基板から適宜選択することが可能であるが、実施の形態３では電子部品に悪影響を与えにくいアルカリ溶出量が０ｍｇの無アルカリガラスで厚み０．１５ｍｍを使用した。
次に回路基板１の主面Ａ側に、水晶振動子の動作空間を確保するため、３０〜５０μｍのキャビティをサンドブラスト法で形成した。（図４Ｂ）次に主面Ａ側段差部１４から同じくサンドブラスト法で貫通孔２を形成するが、このとき主面Ａ側の貫通孔の直径は１２０μｍで主面Ｂ側の直径は８０μｍであり、主面Ａから主面Ｂにかけてその内壁の径が漸次小さくなっている（図４Ｃ）。
次に回路基板１の主面Ａと主面Ｂに導電膜を形成するが実施の形態３では、第一膜はクロムを０．１μｍ形成しその上にパラジウムを０．０５μｍスパッタリング法で形成する。その上に電解金めっきを０．５μｍ〜１．０μｍ形成する。これにより貫通孔２の内壁にも導電膜が形成される（図４Ｄ）。
次にエッチング法により第一主面Ａと第二主面Ｂに電極を形成するが、貫通孔２の内部と電極を形成する部分にレジストを塗布し、マスキング後エッチングすることで回路基板に必要な電子素子接続電極１２と外部接続電極１３と内壁に導電膜を有する貫通孔２が形成される（図４Ｅ）。
【００１６】
図４Ｆ及び図４Ｇは、実施の形態２と同じである。ワイヤボンダー若しくはバンプボンダーを使用し、還元性雰囲気（Ｎ2ガス等）の中で３００℃に加熱されたヒーター上に
回路基板１を押さえガイド（図示せず）で固定し回路基板１が動かないようにセットし、ワイヤボンダーのボンディングヘッドに組み込まれた上下動式のキャピラリーツール６を貫通孔２の位置に合わせて配置する。位置合わせはワイヤボンダーに備えられた位置認識装置によって貫通孔２の位置があらかじめ検出され自動で行う。このときの位置精度は±５μｍ以下が必要である。キャピラリーツール６の中心に金属ワイヤ５が挿通されており、その先端部は略半球状に形成されている。金属ワイヤ５は、金、銅などからなり、回路基板１に形成され金属皮膜３の材質などに応じて適宜選定するが、ここでは金を主成分とした金属ワイヤ５を用いた。この金属ワイヤ５を、トーチ（図示せず）により金属ワイヤ５の先端部を加熱溶融して、ボール部４を形成する。加熱溶融後のボール部４は、直径が金属ワイヤ５の約３〜４倍程度になるから、直径を約１２０μｍの大きさとするため直径３８μｍの金ワイヤを使用した。なお、ボール部４は、金属ワイヤ５の先端部とトーチ（図示せず）との間で火花放電を発生させることにより形成している。
【００１７】
次に、２５０℃〜３００℃に加熱された回路基板１の貫通孔２にキャピラリーツール６の下降動に合わせＹ方向に超音波振動を、また、Ｘ方向に機械的な微振動を加えながら回路基板１の貫通孔２にボール部４を下向きに１００グラム〜２００グラムの荷重で押圧する。この時の超音波の発振周波数は６０ＫＨｚから１２０ＫＨｚで、印加時間は１０〜５０ｍｓが好ましい。また超音波振動と同時にＸ方向に機械的な微振動をボンディングヘッドを左右（Ｘ方向）に移動させることで得る。このときのＸ方向の振動幅は、５〜１０μｍの間で超音波の振動幅と同じ位にすることが好ましい。この後、キャピラリーツール６を上昇し、金属ワイヤ５を適宜の長さの部分で切断する。この方法では球状ワイヤの上面には切断時のひげが発生し、段差面からさらに凸状態であるが、この前記球状ワイヤが前記段差内に収納されたバンプが形成される。
その後トーチ（図示せず）で加熱溶断し、切断部にボール部４が形成されるから回路基板１を連続して製造する場合の作業性が向上する。これにより貫通孔２が金属ワイヤ５の先端部が略半球状に形成されたボール部４により充填と同時に接合され電気的導通部を確保する。したがって、その貫通孔の気密性は従来に比べて著しく向上し、気密性が安定して維持される（図４Ｉ）。
【００１８】
図４Ｊ〜Ｌは本発明で製造した回路基板を用いた水晶振動子を搭載したパッケージの製造ステップである。図４Ｊで示すパッケージ寸法は、長胴方向長さが２．０ｍｍ、短胴方向長さが１．６ｍｍ、パッケージ厚は０．５０ｍｍであるが、本発明を用いることで、更に小型で薄型な（例えば長胴方向が１．６ｍｍで短胴方向が１．０ｍｍ厚み０．４ｍｍ）パッケージを安価に製作することが可能となる。
図４Ｊでは本発明によって製作された回路基板（図４Ｉ）の第一主面Ａの電子素子接続電極１２に導電性接着剤１１を塗布し水晶振動子を搭載している。これによって回路基板１の第二主面Ｂの外部接続電極１３は貫通孔２の内壁に形成された金属皮膜３を介して電子素子接続電極１２と導電性接着剤１１によって水晶振動子と電気的に接続される。
次に真空雰囲気中で、回路基板１を位置決め用冶具（図示せず）にセット後蓋体８を位置合わせし被覆する。蓋体８の回路基板１との接続部には、接合層１０が設けられているが本実施の形態３では無アルカリガラス上にスパッタリング法でクロムを０．１μｍ成膜し、その上にパラジウム０．０５μｍを成膜後に電解金めっきを０．５μｍ施し、更に接合材として金−錫合金めっきを１０〜１５μｍ電気めっきしている（図４Ｋ）。
次に蓋体８を５〜６×１０4Ｐａで加圧しながら、２９０〜３１０℃のＮ2ガス雰囲気炉中で回路基板１と共に加熱する。この時の加熱時間は３０秒から６０秒が好ましい。これにより本発明の回路基板１と蓋体８は接合材１０によって接合され、気密性に優れた水晶振動子用パッケージとなる。
またこのパッケージの信頼性は、気密性ではＰＣＴ２気圧、１００時間及びＰＣＴ３気圧、１００時間とも問題なく、耐湿性においても６０℃９５％、１０００時間を達成し、その他の信頼性試験でも問題なく、従来のセラミック製パッケージと同等であった。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
本発明は、半導体素子や水晶振動子などを搭載する回路基板とその製造方法に関し、特にこの回路基板を容器の一部として使用した電子部品に有用であり、特に気密性改善に適している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１における回路基板の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における回路基板の製造フローに沿った部分断面図
【図３】本発明の実施の形態３における電子部品の断面図
【図４】Ａ〜Ｉは、本発明の実施の形態３における回路基板の製造工程を示す断面図、Ｊ〜Ｍは同、回路基板を用いた水晶振動子を搭載したパッケージの製造工程を示す断面図
【図５】従来の電子部品の断面図
【符号の説明】
【００２１】
１    回路基板
２    貫通孔
３    金属皮膜
４    ボール部
５    金属ワイヤ
６    キャピラリーツール
７    電子素子
８    蓋体
９    キャビティ
１０    接合層
１１    導電性接着剤
１２    電子素子接続電極
１３    外部接続電極
１４    段差部
１０１    電子素子（水晶片）
１０２    回路基板（セラミック基板）
１０３    蓋体
１０４    電子部品（水晶振動子）
１０５    キャビティ
１０６    スルーホール
１０７    配線層（メタライズ層）
１０８    電気的導通部
１０９    接合層（Ａｕ−Ｓｎ）
Ａ    第一主面
Ｂ    第二主面
【図１】
2007208040.tif 000003
【図２】
2007208040.tif 000004
【図３】
2007208040.tif 000005
【図４】
2007208040.tif 000006
【図５】
2007208040.tif 000007