(57)【要約】【課題】結合係数を大きくできる分布帰還型半導体レーザを提供する。【解決手段】ＩｎＰ半導体領域１３は第１導電型を有しており、例えば第１導電型はｎ型である。また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。活性層１７はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５上に設けられている。III−Ｖ化合物半導体層１９は、またＶ族としてリンを含むIII−Ｖ化合物半導体からなり、またＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と活性層１７との間に設けられている。ＩｎＰ半導体領域１３は、分布帰還のための周期構造２０を有する。ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５は、ＩｎＰ半導体領域１３の周期構造２０上に設けられている。分布帰還のための回折格子は、少なくともＩｎＰ半導体領域１３およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５から構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分布帰還型半導体レーザであって、
分布帰還のための周期構造を有するＩｎＰ半導体領域と、
前記ＩｎＰ半導体領域の前記周期構造上に設けられたＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層と、
前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層上に設けられており量子井戸構造を有する活性層と、
前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層と前記活性層との間に設けられておりＶ族としてリンを含むIII−Ｖ化合物半導体層と
を備え、
前記分布帰還のための回折格子は、少なくとも前記ＩｎＰ半導体領域および前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層から構成される、ことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
【請求項２】
前記III−Ｖ化合物半導体層はＩｎＧａＡｓＰ半導体から成り、
前記ＩｎＧａＡｓＰ半導体のバンドギャップ波長は、１．２マイクロメートル以下である、ことを特徴とする請求項１に記載された分布帰還型半導体レーザ。
【請求項３】
前記活性層の井戸層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなり、
前記活性層のバリア層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなり、
前記III−Ｖ化合物半導体層はＩｎＰ半導体から成る、ことを特徴とする請求項１に記載された分布帰還型半導体レーザ。
【請求項４】
前記III−Ｖ化合物半導体層の厚さは４０ナノメートル以下である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載された分布帰還型半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分布帰還型半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には半導体レーザ素子が記載されている。この半導体光素子の作製では、回折格子が形成された基板上に、該回折格子を埋め込み平坦になるまで光ガイド層を第一の基板温度で形成する。次いで、第二の基板温度まで基板温度を昇温させながら、基板と同一材料からなる第１および第２のスペーサ層を形成し、その後、第二の基板温度で活性層を形成する。この作製方法によって、良好な回折格子保存高さの制御性・再現性と優れた活性層の結晶品質を実現し、高性能かつ長期信頼性に優れた半導体レーザ素子を歩留まり良く生産できる。
【特許文献１】特開平１１−１９５８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＩｎＰ半導体基板に形成された回折格子をＡｌＧａＩｎＡｓ半導体で埋め込む半導体レーザでは、回折格子をＧａＩｎＡｓＰ半導体で埋め込む半導体レーザに比べて、回折格子を構成する２つの半導体層の間の屈折率差を大きくできる。例えば、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層のバンドギャップ波長が１．１μｍであるとき、ｎ型ＩｎＰ半導体層とｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層との屈折率差△（０．１９）は、回折格子のためのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ半導体層とｎ型ＩｎＰ半導体層との屈折率差よりも大きい。つまり、回折格子のための凹凸が同じ深さであれば、屈折率差が大きい半導体層から成る回折格子と活性層との結合係数κＬが大きい。
【０００４】
発振波長１．３マイクロメートル帯のＡｌＧａＩｎＡｓ系分布帰還型半導体レーザの結合係数κＬは１．０〜１．４であることが好ましい。大きな結合係数κＬを得るために４０ナノメートル程度の深い回折格子用凹凸を形成すると、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体によって埋め込んで回折格子に起因する凹凸を平坦にするために厚いＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層が必要である。例えば、平坦な活性層を得るためには、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層の厚さは、９０ナノメートル程度（回折格子の底から上端まで）である。作製したＡｌＧａＩｎＡｓ系分布帰還型半導体レーザは、共振器長２５０マイクロメートル、反射防止（ＡＲ）コートおよび高反射（ＨＲ）コートの端面を有する。このＡｌＧａＩｎＡｓ系分布帰還型半導体レーザの結合係数は０．６程度である。４０ナノメートル程度の深い回折格子をＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層で埋め込むとＡｌＧａＩｎＡｓ埋め込み層の厚さが厚くなり、活性層から回折格子までの距離が長くなる。結果的に、結合係数は大きくできず、単一モード発振不良（ＳＭＳＲ不良）が生じるものもある。
【０００５】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、結合係数を大きくできる分布帰還型半導体レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る分布帰還型半導体レーザは、（ａ）分布帰還のための周期構造を有するＩｎＰ半導体領域と、（ｂ）前記ＩｎＰ半導体領域の前記周期構造上に設けられたＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層と、（ｃ）前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層上に設けられており量子井戸構造を有する活性層と、（ｄ）前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層と前記活性層との間に設けられておりＶ族としてリンを含むIII−Ｖ化合物半導体層とを備え、前記分布帰還のための回折格子は、少なくとも前記ＩｎＰ半導体領域および前記ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層から構成される。
【０００７】
この分布帰還型半導体レーザによれば、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層と活性層との間にIII−Ｖ化合物半導体層を設けると共に、このIII−Ｖ化合物半導体層の材料としてＶ族としてリンを含む材料を用いるので、該III−Ｖ化合物半導体層およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層の総厚を大きくすること無く、分布帰還のための周期構造を埋め込むことができる。
【０００８】
本発明の一側面に係る分布帰還型半導体レーザでは、前記III−Ｖ化合物半導体層はＩｎＧａＡｓＰ半導体から成り、前記ＩｎＧａＡｓＰ半導体のバンドギャップ波長は１．２マイクロメートル以下であることが好ましい。
【０００９】
この分布帰還型半導体レーザによれば、ＩｎＧａＡｓＰ半導体のバンドギャップ波長は１．２マイクロメートル以下であるので、III−Ｖ化合物半導体層の形成中にマストランスポートが生じる。このため、III−Ｖ化合物半導体層の厚みを大きくすることなく、周期構造を埋め込むことができる。
【００１０】
本発明の一側面に係る分布帰還型半導体レーザでは、前記活性層の井戸層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなり、前記活性層のバリア層はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなり、前記III−Ｖ化合物半導体層はＩｎＰ半導体から成ることが好ましい。この分布帰還型半導体レーザによれば、III−Ｖ化合物半導体層がＩｎＰ半導体であるので、III−Ｖ化合物半導体層の形成中にマストランスポートが生じる。井戸層、バリア層およびIII−Ｖ化合物半導体層のＶ族構成元素は一種類なので、III族原料の制御により組成を変更できる。これ故に、歩留まりが向上する。
【００１１】
本発明の一側面に係る分布帰還型半導体レーザでは、前記III−Ｖ化合物半導体層はＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体から成ることが好ましい。III−Ｖ化合物半導体層がＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体であるので、III−Ｖ化合物半導体層の形成中にマストランスポートが生じる。
【００１２】
本発明の一側面に係る分布帰還型半導体レーザでは、前記III−Ｖ化合物半導体層の厚さは４０ナノメートル以下であることが好ましい。この分布帰還型半導体レーザにおいて、III−Ｖ化合物半導体層の厚さが４０ナノメートル以下であれば、単一モード発振不良（ＳＭＳＲ不良）の発生を低減できる。
【００１３】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、結合係数を大きくできる分布帰還型半導体レーザが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の分布帰還型半導体レーザに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１６】
図１は、分布帰還型半導体レーザを示す図面である。図２は、図１に示された分布帰還型半導体レーザの回折格子の付近を示す図面である。分布帰還型半導体レーザ１１は、ＩｎＰ半導体領域１３と、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と、活性層１７と、III−Ｖ化合物半導体層１９とを備える。ＩｎＰ半導体領域１３は第１導電型を有しており、例えば第１導電型はｎ型である。また、ＩｎＰ半導体領域１３は、例えば、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。活性層１７は量子井戸構造２１を有しており、またＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５上に設けられている。量子井戸構造２１は、井戸層２１ａおよびバリア層２１ｂを含んでおり、井戸層２１ａおよびバリア層２１ｂは交互に配列されている。III−Ｖ化合物半導体層１９は、またＶ族としてリンを含むIII−Ｖ化合物半導体からなり、またＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と活性層１７との間に設けられている。図２を参照すると、ＩｎＰ半導体領域１３は、分布帰還のための周期構造２０を有する。ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５は、ＩｎＰ半導体領域１３の周期構造２０上に設けられている。分布帰還のための回折格子は、少なくともＩｎＰ半導体領域１３およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５から構成される。
【００１７】
図２に示されるように、この分布帰還型半導体レーザ１１によれば、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と活性層１７との間にIII−Ｖ化合物半導体層１９を設けると共に、このIII−Ｖ化合物半導体層１９の材料としてＶ族としてリンを含む材料を用いるので、該III−Ｖ化合物半導体層１９およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５の総厚Ｄ１、或いは回折格子と活性層との距離を大きくすること無く、分布帰還のための周期構造を埋め込むことができる。
【００１８】
一方、図３に示されるように、分布帰還型半導体レーザ４１は、ｎ型ＩｎＰ半導体領域４３上に活性層４７が設けられている。活性層４７とＩｎＰ半導体領域４３との間には、光ガイド層４５が設けられている。活性層４７は、ｎ型ＩｎＰ半導体領域４３とｐ型III−Ｖ化合物半導体層４９との間に設けられている。ＩｎＰ半導体領域４３は分布帰還のための周期構造５０を有しており、周期構造５０は光ガイド層４５を用いて埋め込まれる。この光ガイド層４５がＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなるので、周期構造５０の凹凸を十分に埋め込んで量子井戸構造の活性層４７を形成するためには、光ガイド層の厚さＤ２が必要である。厚さＤ２は厚さＤ１よりも大きい。
【００１９】
再び図１および図２を参照すると、分布帰還型半導体レーザ１１は、光ガイド層２２および第２導電型のクラッド層２３を含む。クラッド層２３は、例えばｐ型クラッドとして働き、例えばｐ型ＩｎＰ半導体からなる。一方、ＩｎＰ半導体領域１３の一部は、ｎ型クラッドとして働く。また、分布帰還型半導体レーザ１１は、クラッド層２３上に設けられており、第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体から成る中間層２５、及び第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体から成るコンタクト層２７を含む。
【００２０】
分布帰還型半導体レーザ１１は、所定の軸の方向に伸びる半導体メサ２９を有する。半導体メサ２９は、ＩｎＰ半導体領域１３の一部分１３ａと、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と、活性層１７と、III−Ｖ化合物半導体層１９と、光ガイド層２２と、第２導電型のクラッド層２３と、第２導電型のIII−Ｖ化合物半導体中間層２５と、コンタクト層２７とを含む。半導体メサ２９上には、第１の電極３１が設けられており、またＩｎＰ半導体領域１３の支持基体の裏面には、第２の電極３３が設けられている。半導体メサ２９は、埋め込み領域３５により埋め込まれている。埋め込み領域３５は、第１の電極３１からのキャリアを半導体メサ２９に閉じ込める。本実施例では、埋め込み領域３５はＦｅドープＩｎＰ半導体から成る。埋め込み領域３５の表面は、パッシベーション膜３７で覆われる。
【００２１】
分布帰還型半導体レーザ１１の一例は、
ＩｎＰ半導体領域１３：ｎ型ＩｎＰ基板
ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５：
ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、厚さ２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、バンドギャップ波長１．０μｍ以上１．２μｍ以下
III−Ｖ化合物半導体層１９：
ｎ型ＩｎＰ、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ、ｎ型ＡｌＩｎＡｓＰおよび／またはｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓＰ
厚さ１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、バンドギャップ波長０．８７μｍ以上１．２μｍ以下
活性層１７：
井戸層２１ａ：アンドープＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、バンドギャップ波長１．４μｍ
バリア層２１ｂ：アンドープＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、バンドギャップ波長１．０５μｍ
ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層（ｐ型光ガイド層）２２：ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、バンドギャップ波長１．０μｍ
ｐ型クラッド層２３：ｐ型ＩｎＰ半導体
ｐ型中間層２５：
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ半導体、バンドギャップ波長１．２μｍ
コンタクト層２７：ｐ型ＩｎＧａＡｓ半導体
である。
【００２２】
引き続き好適な実施例を説明する。分布帰還型半導体レーザ１１では、光ガイド層のためのIII−Ｖ化合物半導体層１９はＩｎＧａＡｓＰ半導体から成ることができる。このＩｎＧａＡｓＰ半導体のバンドギャップ波長は１．２マイクロメートル以下であることが好ましい。この分布帰還型半導体レーザ１１によれば、ＩｎＧａＡｓＰ半導体のバンドギャップ波長は１．２マイクロメートル以下であるので、III−Ｖ化合物半導体層１９の形成中にマストランスポートが生じる。このため、III−Ｖ化合物半導体層１９の厚みを大きくすることなく、周期構造２０を埋め込むことができる。
【００２３】
また、分布帰還型半導体レーザ１１では、活性層１７の井戸層２１ａはＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることができる。また、活性層１７のバリア層２１ｂはＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることができる。III−Ｖ化合物半導体層１９はＩｎＰ半導体から成ることが好ましい。この分布帰還型半導体レーザ１１によれば、III−Ｖ化合物半導体層１９がＩｎＰ半導体であるので、III−Ｖ化合物半導体層１９の形成中にマストランスポートが生じる。III−Ｖ化合物半導体層１９、井戸層２１ａおよびバリア層２１ｂのＶ族構成元素は一種類なので、III族原料の制御により組成を変更できる。これ故に、歩留まりが向上する。
【００２４】
分布帰還型半導体レーザ１１では、III−Ｖ化合物半導体層１９は、ＡｌＧａＩｎＡｓ或いはＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体であってもよい。III−Ｖ化合物半導体層１９がＡｌＧａＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体であるので、III−Ｖ化合物半導体層１９の形成中にマストランスポートが生じる。
【００２５】
分布帰還型半導体レーザ１１の好適な実施例では、分布帰還のための回折格子は、少なくともＩｎＰ半導体領域１３およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５から構成される。回折格子のために、ＩｎＰ半導体領域１３の周期構造２０上にＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５が設けられている。周期構造の凹凸に深さ（または高さ）Ｈ１は、例えば３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。III−Ｖ化合物半導体層１９の厚さは４０ナノメートル以下であることが好ましい。この分布帰還型半導体レーザ１１において、III−Ｖ化合物半導体層１９の厚さが４０ナノメートル以下であれば、結合係数が小さくなり過ぎることなく、この結果、単一モード発振不良（ＳＭＳＲ不良）の発生を低減できる。
【００２６】
（実施例）
本実施の形態の一実施例を図４、図５、図６を参照しながら説明する。まず、ｎ型ＩｎＰ基板５１を準備する。図４（Ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰ基板５１の主面５１ａは、回折格子のための深さ４０ｎｍの周期構造５２を有する。周期構造５２は、干渉露光法やＥＢ露光法などを用いて形成される。周期構造のピッチＰは、例えば２０３ｎｍである。
【００２７】
次に、ＩｎＰ基板５１を有機金属気相成長炉にセットする。成長圧力として６０Ｔｏｒｒ（なお、１Ｔｏｒｒは１３３．３２２Ｐａである）を用いる。成長圧力が６０Ｔｏｒｒに達した後、Ｈ２ガスのみ１０ｓｌｍ流しながら摂氏４００度まで昇温する。摂氏４００度で、５０ｓｃｃｍのＰＨ３および０．５ｓｃｃｍのＡｓＨ３の混合ガスを流し、摂氏５５０度まで昇温する。摂氏５５０度で安定したとき、図４（Ｂ）に示されるように、３０ｎｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層５３を成長する。この成長では、有機金属原料としてＴＭＡｌ、ＴＥＧａ、ＴＭＩｎを用い、ｎ型ドーピングガスとしてはＳｉ２Ｈ６を用いる。成長されたｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層５３のバンドギャップ波長は１．０μｍである。
【００２８】
ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層５３の成長後に摂氏６５０度まで昇温して、図４（Ｃ）に示されるように、２０ｎｍ厚のｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層５５を成長する。ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層５５のバンドギャップ波長は１．１μｍである。燐を含む中間層の成長温度は、摂氏６００度以上が望ましい。燐を含む中間層を摂氏６００度以上で成長させながら容易に中間層をマストランスポートさせることができる。
【００２９】
その後、摂氏７００度までＰＨ３およびＡｓＨ３（流量比ＰＨ３：ＡｓＨ３＝１００：１）を流しながら昇温する。摂氏７００度で安定したとき、図５（Ａ）に示されるように、活性層５７を形成する。活性層５７の構造は井戸層およびバリア層からなる。各バリア層はいずれか２つの井戸層の間に位置している。井戸層およびバリア層は互いに組成の異なるＡｌＧａＩｎＡｓからなり、井戸層のバンドギャップ波長は、例えばλ＝１．４μｍであり、バリア層のバンドギャップ波長は、例えばλ＝１．０５μｍであり、井戸層は圧縮歪み１％を受けている。
【００３０】
活性層５７の成長後、ＡｓＨ３雰囲気中で摂氏６５０度に降温する。そして、図５（Ｂ）に示されるように、４０ｎｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ光ガイド層５８、２．０μｍ厚のｐ型ＩｎＰクラッド層５９、０．１μｍ厚のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層６１、および０．２μｍ厚のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６３を成長する。
【００３１】
コンタクト層６３を成長後、フォトリソグラフィー技術を用いて幅１．５μｍ幅のストライプ状のＳｉＯ２マスク６５を形成する。図６（Ａ）に示されるように、塩素ガスと窒素ガスを用いて反応性イオンエッチング法により高さ４．０μｍの半導体メサ６７を形成する。半導体メサ６７は、エッチングされたｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層５３ａ、エッチングされたｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層５５ａ、エッチングされた活性層５７ａ、エッチングされたｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ光ガイド層５８ａ、エッチングされたｐ型ＩｎＰクラッド層５９ａ、エッチングされたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層６１ａ、およびエッチングされたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６３ａを含む。なお、ＩｎＰ基板５１の一部もエッチングされる。
【００３２】
半導体メサ６７を形成した後、図６（Ｂ）に示されるように、エッチャント（例えば、塩酸＋酢酸＋過酸化水素水の混合）を用いてウエットエッチング６９を行って反応性イオンエッチングで形成される変成層を除去する。
【００３３】
さらに、有機金属気相成長炉中で塩化水素ガスによるｉｎ−ｓｉｔｕエッチングを行うことによって、Ａｌ活性層周りの酸化物を除去する。ｉｎ−ｓｉｔｕエッチングした後、図６（Ｃ）に示されるように、有機金属気相成長炉から出すことなしにＦｅ−ＩｎＰ高抵抗埋め込み層７１を成長する。
【００３４】
次いで、マスク６５をフッ化水素酸で剥離した後に、プラズマＣＶＤ法によりウエハ全面にＳｉＯ２を堆積すると共に、フォトリソグラフィー技術を用いてメサストライプ上に開口を有するＳｉＯ２膜７３を形成する。図５（Ｃ）に示されるように、ＡｕＺｎ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着してＳｉＯ２膜７３上にアノード電極７５を形成する。さらに、１００μｍ程度の厚さまで基板５１の裏面５１ｂを研磨する。研磨のダメージ層を除去した後、裏面にＡｕＧｅＮｉを蒸着してカソード電極７７を作製する。
【００３５】
合金化処理の後に、さらに、レーザの共振器長が２５０μｍになるように劈開し、劈開面にそれぞれ、無反射（ＡＲ）コーティングおよび高反射（ＨＲ）コーティングを施す。これらの主要な工程により、１．３μｍ帯の波長で発振する分布帰還型半導体レーザを作製できる。
【００３６】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、分布帰還型半導体レーザを示す図面である。
【図２】図２は、図１に示された分布帰還型半導体レーザの回折格子の付近を示す図面である。
【図３】図３は、参考例として示される分布帰還型半導体レーザの回折格子の付近を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）は、分布帰還型半導体レーザの回折格子のための凹凸を作製するための工程を示す図面である。図４（Ｂ）は、分布帰還型半導体レーザの回折格子のための凹凸を埋め込むための工程を示す図面である。図４（Ｃ）は、分布帰還型半導体レーザの回折格子を作製するための工程を示す図面である。
【図５】図５（Ａ）は、分布帰還型半導体レーザのための活性層を作製する工程を示す図面である。図５（Ｂ）は、分布帰還型半導体レーザの作製のためのエピタキシャル成長工程を示す図面である。図５（Ｃ）は、分布帰還型半導体レーザのための電極を作製するための工程を示す図面である。
【図６】図６（Ａ）は、分布帰還型半導体レーザのための半導体メサを作製するための工程を示す図面である。図６（Ｂ）は、ドライエッチングの損傷を除くための工程を示す図面である。図６（Ｃ）は、分布帰還型半導体レーザのための埋め込み領域を作製するための工程を示す図面である。
【符号の説明】
【００３８】
１１…分布帰還型半導体レーザ、１３…ＩｎＰ半導体領域、１５…ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層、１７…活性層、１９…III−Ｖ化合物半導体層、２１…量子井戸構造、２１ａ…井戸層、２１ｂ…バリア層、２０…周期構造、２２…光ガイド層、２３…クラッド層、２５…第２導電型III−Ｖ化合物半導体中間層、２７…コンタクト層、２９…半導体メサ、３１…第１の電極、３３…第２の電極、３５…埋め込み領域、４１…分布帰還型半導体レーザ、４３…ｎ型ＩｎＰ半導体領域、４７…活性層、４５…光ガイド層、４９…ｐ型III−Ｖ化合物半導体層、５０…分布帰還のための周期構造、５１…ｎ型ＩｎＰ基板、５２…回折格子のための周期構造、Ｐ…周期構造のピッチ、５３…ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層、５５…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層、５７…活性層、５８…ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ光ガイド層、５９…ｐ型ＩｎＰクラッド層、６１…ＩｎＧａＡｓＰ中間層、６３…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６５…ＳｉＯ２マスク、６７…半導体メサ、５３ａ…エッチングされたｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層、５５ａ…エッチングされたｎ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層、５７ａ…エッチングされた活性層、５８ａ…エッチングされたｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ光ガイド層、５９ａ…エッチングされたｐ型ＩｎＰクラッド層、６１ａ…エッチングされたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層、６３ａ…エッチングされたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６９…ウエットエッチング、７１…Ｆｅ−ＩｎＰ高抵抗埋め込み層、７３…ＳｉＯ２膜、７５…アノード電極、７７…カソード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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