(57)【要約】【課題】経時安定性に優れた有機電界発光素子用組成物を提供する。さらに、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を安定且つ簡易に製造することができる有機電界発光素子の製造方法、及び、該製造方法により製造された有機電界発光素子を提供する。【解決手段】インクジェット法によるパターン形成に用いられる有機電界発光素子用組成物であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物、該有機電界発光素子用組成物をインクジェット装置によりをパターン状に吐出して前記有機化合物層形成する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、及び、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を有する転写材料を用いることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、並びに、これらの製造方法により得られた有機電界発光素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット法によるパターン形成に用いられる有機電界発光素子用組成物であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
【請求項２】
前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
【化１】
2007110067.tif 000148
（一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11とＬ11〜Ｌ15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。）
【請求項４】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【化２】
2007110067.tif 000149
（一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。）
【請求項５】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【化３】
2007110067.tif 000150
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有してもよい金属イオンを表す。）
【請求項６】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
第一の電極を基板上に形成する工程と、
該第一の電極を形成した基板上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物をインクジェット装置により被成膜面にパターン状に吐出して前記有機化合物層を形成する工程と、
該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
第一の電極を基板上に形成する工程と、
該第一の電極を形成した基板上に、仮支持体上に３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を有する転写材料を用い、前記有機化合物層側が基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引き剥がすことにより前記有機化合物層を前記基板の被成膜面に転写する工程と、
該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層が、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する液を用いて、前記仮支持体上に形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【化４】
2007110067.tif 000151
（一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11とＬ11〜Ｌ15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。）
【請求項１２】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【化５】
2007110067.tif 000152
（一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。）
【請求項１３】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【化６】
2007110067.tif 000153
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有してもよい金属イオンを表す。）
【請求項１４】
前記３座以上の配位子を含有する金属錯体を含有する液が、該金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項７〜１４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子の製造方法、及び有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発に行われており、中でも有機電界発光素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」又は「発光素子」と称する。）は低電圧で高輝度の発光が可能であるため注目されている。有機ＥＬ素子は、他の発光素子に比べて製造が容易であり、薄型かつ軽量の発光素子が構成できる等の利点を有していることから、薄型表示素子として研究開発が進められてきた。近年では、発光輝度、発光効率、耐久性等の点でも発光ダイオード（ＬＥＤ）に匹敵する高性能の有機ＥＬ素子が得られている。有機ＥＬ素子は、特に、安価な大面積フルカラー表示素子を実現するものとしても有望である。
【０００３】
有機ＥＬ素子の製造において、一対の電極間に設けられる有機化合物層（有機層）である薄膜パターンを形成する方法としては、真空蒸着法、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法等が行われている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の有機層の多くは蒸着法により製造されている。下記特許文献１及び特許文献２は、マイカ又はフイルムの仮基板上に予め有機化合物層を均一に蒸着法により形成し、次いで基板と有機層を近接させ、加熱蒸着する方法を提案している。しかしながらこれらの方法には、蒸着法を用いるために製造効率が悪いという問題がある。また、蒸着法を用いるために、有機電界発光（ＥＬ）用に低分子有機化合物しか使用できないため、フレキシブルなディスプレイ等に用いると耐屈曲性や膜強度等の耐久性が不充分であるという問題があり、特に大面積化した場合に問題になる。
【０００５】
低分子化合物をバインダー樹脂に分散させた発光薄膜を用いた高分子型の有機ＥＬ素子も知られている。これらの高分子型素子は大面積化にも有利であり、フレキシブルなディスプレイ用途として期待されているが、有機発光薄膜の形成に蒸着法を適応できないため、湿式法により基板上に直接薄膜を形成している。
【０００６】
しかし湿式法では、溶液の表面張力により有機薄膜の膜厚均一性が不充分になることや、有機層を積層する場合に各有機化合物層が界面で溶解してしまうという問題がある。このため、この方法により得られた有機電界発光素子には発光効率や素子耐久性に劣るという問題があった。
【０００７】
下記特許文献３は、有機薄膜と光熱変換層を有するドナーシートを用いて、レーザにより熱転写する方法を提案している。ところが当該文献に記載されるような熱転写の場合、有機層の接合界面に気体が巻き込まれ、素子機能が悪化するという問題がある。また、有機層の界面の状態に応じて、有機ＥＬ素子の発光効率や耐久性、更に発光面の均一性が異なるという問題もある。
【０００８】
また、プリント技術分野で利用されている熱ヘッドやレーザを用いたパターン状の熱書き込みを適用した有機薄膜パターン形成の場合、熱拡散性によりパターンの周辺に温度分布が生じて、有機薄膜パターンの輪郭がきれいにドナー側から切断されない。このため発光量にバラツキが生じたり、また、電気的不良や薄膜破片による欠陥が起こり、更に耐久性も悪くなるという問題がある。また基板と熱ヘッドやレーザとの位置合わせの不良により、歩留まり低下の問題もある。
【０００９】
インクジェット法は、精度の高いパターニングができること、大面積のパターン形成に適用可能であること、高価な真空装置を用いる必要がなく低価格化が可能であること等の利点を有しており、特に高分子系の有機化合物層の形成に好適である。インクジェット法を適用した有機ＥＬ素子の製造方法は各種開示されている（例えば、特許文献４〜６参照。）。
【００１０】
しかしながら、インクジェット法を用いた有機ＥＬ素子の製造に用いられる組成物については、経時安定性が低くインクジェット装置中などに長期間保持された場合などに劣化する問題がある。劣化した組成物を用いた素子の製造は、発光効率、駆動耐久性等の素子性能の低下を招来し、素子の安定した製造に支障を来すが、経時安定性に優れた有機電界発光素子用組成物は、未だ提供されていないのが現状である。
【００１１】
有機層の形成に転写材料を用いた有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている（例えば、特許文献７参照）。この製造方法によれば、有機層の形成に転写材料を用いることにより、発光効率、発光輝度及び耐久性に優れた発光素子を、簡便に製造することができる。しかしながら、転写層（有機層）を転写材料から基板に転写する際の加熱又は加圧下での安定性や、転写材料を経時保存した場合における安定性に関しては、更なる改善が望まれているのが現状である。
【特許文献１】特開平９−１６７６８４号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５６６５号公報
【特許文献３】国際公開第００／４１８９３号パンフレット
【特許文献４】特開平１１−４０３５８号公報
【特許文献５】特開平１１−５４２７０号公報
【特許文献６】国際公開第０３／０２６３５９Ａ１号パンフレット
【特許文献７】特開２００４−７９３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記従来の問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、経時安定性に優れた有機電界発光素子用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を安定且つ簡易に製造することができる有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
＜１＞  インクジェット法によるパターン形成に用いられる有機電界発光素子用組成物であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
【００１４】
＜２＞  前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする＜１＞に記載の組成物。
【００１５】
＜３＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の組成物。
【００１６】
【化１】
2007110067.tif 000002
【００１７】
一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11とＬ11〜Ｌ15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【００１８】
＜４＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の組成物。
【００１９】
【化２】
2007110067.tif 000003
【００２０】
一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【００２１】
＜５＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする＜１＞に記載の組成物。
【００２２】
【化３】
2007110067.tif 000004
【００２３】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有してもよい金属イオンを表す。
【００２４】
＜６＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液を含むことを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の組成物。
【００２５】
＜７＞  第一の電極を基板上に形成する工程と、
該第一の電極を形成した基板上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物をインクジェット装置により被成膜面にパターン状に吐出して前記有機化合物層を形成する工程と、
該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【００２６】
＜８＞  第一の電極を基板上に形成する工程と、
該第一の電極を形成した基板上に、仮支持体上に３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を有する転写材料を用い、前記有機化合物層側が基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引き剥がすことにより前記有機化合物層を前記基板の被成膜面に転写する工程と、
該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【００２７】
＜９＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層が、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する液を用いて、前記仮支持体上に形成されることを特徴とする＜８＞に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００２８】
＜１０＞  前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする＜８＞又は＜９＞に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００２９】
＜１１＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする＜８＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００３０】
【化４】
2007110067.tif 000005
【００３１】
一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11とＬ11〜Ｌ15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【００３２】
＜１２＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする＜８＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００３３】
【化５】
2007110067.tif 000006
【００３４】
一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【００３５】
＜１３＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする＜８＞又は＜９＞に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００３６】
【化６】
2007110067.tif 000007
【００３７】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有してもよい金属イオンを表す。
【００３８】
＜１４＞  前記３座以上の配位子を含有する金属錯体を含有する液が、該金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液であることを特徴とする＜８＞〜＜１３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００３９】
＜１５＞  ＜７＞〜＜１４＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、経時安定性に優れた有機電界発光素子用組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を安定且つ簡易に製造することができる有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明について詳細に説明する。
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物（以下、適宜「有機ＥＬ素子用組成物」と称する。）は、インクジェット法によるパターン形成に用いられる有機ＥＬ素子用組成物であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有することを特徴とする。
【００４２】
本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体は、液中での安定性に優れた金属錯体である。
本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、３座以上の配位子を有する金属錯体を用いることにより、有機ＥＬ素子用組成物の経時劣化を効果的に抑制することができる。この有機ＥＬ素子用組成物をインクジェット法による有機ＥＬ素子の製造に適用することにより、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を安定かつ簡易に製造することができる。
以下、本発明の有機ＥＬ素子用組成物を構成する各成分について説明する。
【００４３】
〔３座以上の配位子を有する金属錯体〕
先ず、本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体について詳細に説明する。
本発明における金属錯体において、金属イオンに配位する原子は特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子又はリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子又は炭素原子がより好ましく、窒素原子又は炭素原子が更に好ましい。
【００４４】
本発明における金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、亜鉛イオン、ニッケルイオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、希土類金属イオン（例えば、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオンなど）が好ましく、更に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、該金属錯体を発光材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオンが特に好ましい。
本発明における金属錯体を、電荷輸送材料や発光層中のホスト材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオンが特に好ましい。
【００４５】
本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体としては、発光効率向上、耐久性向上の観点から、３座以上６座以下の配位子を有する金属錯体が好ましく、イリジウムイオンに代表される６配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、３座、４座、又は６座の配位子を有する金属錯体がより更好ましく、白金イオンに代表される４配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、３座又は４座の配位子を有する金属錯体がより好ましく、４座の配位子を有する金属錯体が更に好ましい。
【００４６】
本発明における金属錯体の配位子は、発光効率向上、耐久性向上の観点から、鎖状、又は、環状であることが好ましく、中心金属（例えば、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物の場合であればＭ11を表す。）に窒素で配位する含窒素へテロ環（例えば、ピリジン環、キノリン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素６員ヘテロ環、含窒素５員ヘテロ環であることがより好ましい。これらのヘテロ環は他の環と縮合環を形成してもよい。
【００４７】
金属錯体の配位子が鎖状であるとは、金属錯体の配位子が環状構造をとらないことを意味する（例えば、ターピリジル配位子など。）。また、金属錯体の配位子が環状であるとは、金属錯体中の複数の配位子が互いに結合して、閉じた構造形成することを意味する（例えば、フタロシアニン配位子、クラウンエーテル配位子など。）。
【００４８】
本発明における金属錯体としては、以下に詳述する一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）又は一般式（III）で表される化合物であることが好ましい。
【００４９】
先ず、一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。
【００５０】
【化７】
2007110067.tif 000008
【００５１】
一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11とＬ11〜Ｌ15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【００５２】
一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価又は３価の金属イオンが好ましい。２価又は３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。
【００５３】
一般式（Ｉ）中、Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14は、それぞれ独立に、Ｍ11に配位する配位子を表す。Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14に含まれ、かつ、Ｍ11に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子、又はリン原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又は炭素原子がより好ましく、窒素原子、酸素原子、又は炭素原子が更に好ましい。
【００５４】
Ｍ11とＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14でそれぞれ形成される結合は、それぞれ独立に、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。本発明における配位子とは、説明の便宜上、配位結合のみならず他のイオン結合、共有結合により形成された場合においても用いるものとする。
Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、及びＬ14から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２がさらに好ましい。
【００５５】
Ｍ11に炭素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては、特に限定されないが、それぞれ独立にイミノ配位子、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばチオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など）及びこれらの互変異性体）が挙げられる。
【００５６】
Ｍ11に窒素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、含窒素へテロ環配位子（例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体（なお、本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、後述する化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。）など、アミノ配位子（アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ配位子など）が挙げられる。これらの配位子はさらに置換されていてもよい。
【００５７】
Ｍ11に酸素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル配位子（例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など）、エーテル配位子（例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など）などが挙げられる。
【００５８】
Ｍ11に硫黄原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など）、又はチオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など）などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。
【００５９】
Ｍ11にリン原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基は更に置換されてもよい。
【００６０】
Ｌ11及びＬ14は、それぞれ独立に、芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子（例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体など）が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、又はアリールアミノ配位子がさらに好ましく、芳香族炭素環配位子、又はアリールオキシ配位子が特に好ましい。
【００６１】
Ｌ12及びＬ13は、それぞれ独立に、Ｍ11と配位結合を形成する配位子が好ましく、Ｍ11と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズピロールなど）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）がさらに好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体（例えば、キノリン環など）が特に好ましい。
【００６２】
一般式（Ｉ）中、Ｌ15はＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ15は１〜４座の配位子が好ましく、１〜４座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜４座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｌ14で形成される４座配位子が好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｌ14で形成される４座配位子がより好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）がさらに好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。但し、Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。
【００６３】
一般式（Ｉ）中、Ｙ11、Ｙ12、及びＹ13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、又は二重結合を表す。連結基としては、特に限定されないが、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。このような連結基の具体例としては、例えば下記のものが挙げられる。
【００６４】
【化８】
2007110067.tif 000009
【００６５】
また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。
【００６６】
Ｙ11、Ｙ12、及びＹ13は、それぞれ独立に、単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましい。Ｙ11は、単結合、アルキレン基がより好ましく、アルキレン基がさらに好ましい。Ｙ12及びＹ13は、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
【００６７】
Ｙ12、Ｌ11、Ｌ12、及びＭ11で形成される環、Ｙ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＭ11で形成される環、Ｙ13、Ｌ13、Ｌ14、及びＭ11で形成される環は、それぞれ環員数４〜１０が好ましく、環員数５〜７がより好ましく、環員数５又は６がさらに好ましい。
【００６８】
一般式（Ｉ）中、ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11が配位数４の金属の場合、ｎ11は０であり、Ｍ11が配位数６の金属の場合、ｎ11は１、２が好ましく、１がより好ましい。Ｍ11が配位数６でｎ11が１の場合Ｌ15は２座配位子を表し、Ｍ11が配位数６でｎ11が２の場合Ｌ15は単座配位子を表す。Ｍ11が配位数８の金属の場合、ｎ11は１〜４が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ11が配位数８でｎ11が１の場合Ｌ15は４座配位子を表し、Ｍ11が配位数８でｎ11が２の場合Ｌ15は２座配位子を表す。ｎ11が複数のときは、複数のＬ15は同じであっても異なっていてもよい。
【００６９】
一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下に挙げる、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）で表される各化合物である。
一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００７０】
【化９】
2007110067.tif 000010
【００７１】
一般式（１）中、Ｍ21は金属イオンを表し、Ｙ21は連結基、単結合、又は二重結合を表す。Ｙ22、Ｙ23はそれぞれ単結合又は連結基を表す。Ｑ21、Ｑ22はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ21で形成される環とＹ21の間の結合及びＱ22で形成される環とＹ21の間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｘ21、Ｘ22は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ21及びＲ22並びにＲ23及びＲ24は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ25はＭ21に配位する配位子を表す。ｎ21は０〜４の整数を表す。
【００７２】
一般式（１）について詳細に説明する。
一般式（１）中、Ｍ21は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００７３】
Ｑ21、Ｑ22は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ21に配位する窒素を含む環）を形成する原子群を表す。Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
【００７４】
Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ベンズアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環など）及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）及び、これらの互変異性体であり、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、その縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。
【００７５】
Ｘ21、Ｘ22は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子であり、酸素原子、硫黄原子、置換された窒素原子がより好ましく、酸素原子、硫黄原子がさらに好ましく、酸素原子が特に好ましい。
【００７６】
Ｙ21は、前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００７７】
Ｙ22、Ｙ23は、それぞれ独立に、単結合、連結基を表し、単結合が好ましい。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【００７８】
Ｙ22又はＹ23として表される連結基としては、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン連結基が好ましく、カルボニル連結基、アルケニレン連結基がより好ましく、カルボニル連結基がさらに好ましい。
【００７９】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、
【００８０】
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【００８１】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【００８２】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、
【００８３】
リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００８４】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、Ｒ21とＲ22又はＲ23とＲ24が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、Ｒ21とＲ22又はＲ23とＲ24が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましい。
【００８５】
Ｌ25は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００８６】
ｎ21は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００８７】
一般式（１）において、Ｑ21、Ｑ22が形成する環がピリジン環のとき、Ｙ21は連結基を表す金属錯体であること、Ｑ21、Ｑ22が形成する環がピリジン環で、Ｙ21が単結合又は二重結合で、Ｘ21、Ｘ22が硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す金属錯体であること、或いは、Ｑ21、Ｑ22が形成する環が含窒素ヘテロ５員環、又は、窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環を表す金属錯体であることが好ましい。
【００８８】
一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（１−Ａ）で表される化合物である。
【００８９】
【化１０】
2007110067.tif 000011
【００９０】
一般式（１−Ａ）について説明する。
一般式（１−Ａ）中、Ｍ31は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９１】
Ｚ31、Ｚ32、Ｚ33、Ｚ34、Ｚ35、及びＺ36は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｚ31とＺ32、Ｚ32とＺ33、Ｚ33とＺ34、Ｚ34とＺ35、Ｚ35とＺ36が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよく、Ｚ31とＴ31、Ｚ36とＴ38が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよい。
【００９２】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
【００９３】
Ｔ31、Ｔ32、Ｔ33、Ｔ34、Ｔ35、Ｔ36、Ｔ37、及びＴ38は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｔ31とＴ32、Ｔ32とＴ33、Ｔ33とＴ34、Ｔ35とＴ36、Ｔ36とＴ37、Ｔ37とＴ38が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環など）を形成しても良い。
【００９４】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子がより好ましく、アリール基、ハロゲン原子がさらに好ましく、アリール基が特に好ましい。
【００９５】
Ｘ31、Ｘ32は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ21、Ｘ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９６】
一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００９７】
【化１１】
2007110067.tif 000012
【００９８】
一般式（２）中、Ｍ51は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９９】
Ｑ51、Ｑ52は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＱ21、Ｑ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１００】
Ｑ53、Ｑ54は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ51に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ53、Ｑ54で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（２９）のヘテロ５員環配位子など）、チアゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３０）のヘテロ５員環配位子など）、オキサゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３１）のヘテロ５員環配位子など）が好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体、チアゾール誘導体の互変異性体がより好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体がさらに好ましく、ピロール誘導体の互変異性体が特に好ましい。
【０１０１】
Ｙ51は前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０２】
Ｌ55は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０３】
ｎ51は前記ｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０４】
Ｗ51、Ｗ52は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、無置換の炭素原子がより好ましい。
【０１０５】
一般式（３）で表される化合物について説明する。
【０１０６】
【化１２】
2007110067.tif 000013
【０１０７】
一般式（３）中、ＭA1、ＱA1、ＱA2、ＹA1、ＹA2、ＹA3、ＲA1、ＲA2、ＲA3、ＲA4、ＬA5、ｎA1は、前記一般式（１）におけるＭ21、Ｑ21、Ｑ22、Ｙ21、Ｙ22、Ｙ23、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｌ25、ｎ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０８】
前記一般式（３）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（３−Ａ）で表される化合物について説明する。
【０１０９】
【化１３】
2007110067.tif 000014
【０１１０】
一般式（３−Ａ）中、Ｍ61は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１１】
Ｑ61、Ｑ62は、それぞれ独立に、環を形成する基を表す。Ｑ61、Ｑ62で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、チオフェン環、イソチアゾール環、フラン環、イソオキサゾ−ル環、及び、その縮環体が挙げられる。
【０１１２】
Ｑ61、Ｑ62で形成される環は、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、チアゾール環、及び、その縮環体であり、ベンゼン環、ピリジン環、及び、その縮環体がより好ましく、ベンゼン環、及び、その縮環体がさらに好ましい。
【０１１３】
Ｙ61は前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１４】
Ｙ62、Ｙ63は、それぞれ独立に、連結基又は単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【０１１５】
Ｙ62、Ｙ63は、それぞれ独立に、単結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
【０１１６】
Ｌ65は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１７】
ｎ61は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１８】
Ｚ61、Ｚ62、Ｚ63、Ｚ64、Ｚ65、Ｚ66、Ｚ67、及びＺ68は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｚ61とＺ62、Ｚ62とＺ63、Ｚ63とＺ64、Ｚ65とＺ66、Ｚ66とＺ67、Ｚ67とＺ68が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。Ｑ61、Ｑ62で形成される環がそれぞれＺ61、Ｚ68と連結基を介して結合し、環を形成してもよい。
【０１１９】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
【０１２０】
一般式（３−Ｂ）で表される化合物について説明する。
【０１２１】
【化１４】
2007110067.tif 000015
【０１２２】
一般式（３−Ｂ）中、Ｍ71は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２３】
Ｙ71、Ｙ72、Ｙ73は、それぞれ独立に、前記一般式（３−Ａ）におけるＹ62と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２４】
Ｌ75は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２５】
ｎ71は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２６】
Ｚ71、Ｚ72、Ｚ73、Ｚ74、Ｚ75、及びＺ76は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられる。Ｚ71とＺ72、Ｚ72とＺ73、Ｚ73とＺ74、Ｚ74とＺ75、Ｚ75とＺ76は連結基を介して結合し、環（例えば、ベンゼン環）を形成してもよい。Ｒ71〜Ｒ74は、前記一般式（１）におけるＲ21〜Ｒ24の置換基と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Ｒ71とＲ72、Ｒ73とＲ74は連結基を介して結合し、環（例えば、ベンゼン環、ピリジン環）を形成してもよい。
【０１２７】
一般式（３−Ｂ）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（３−Ｃ）で表される化合物について説明する。
【０１２８】
【化１５】
2007110067.tif 000016
【０１２９】
一般式（３−Ｃ）中、ＲC1、ＲC2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基として説明したアルキル基、アリール基を表す。ＲC3、ＲC4、ＲC5、及びＲC6は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基と同義である。ｎC3、ｎC6は０〜３の整数、ｎC4、ｎC5は０〜４の整数を表し、ＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6は、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子である。
【０１３０】
一般式（４）で表される化合物について説明する。
【０１３１】
【化１６】
2007110067.tif 000017
【０１３２】
一般式（４）中、ＭB1、ＹB2、ＹB3、ＲB1、ＲB2、ＲB3、ＲB4、ＬB5、ｎB3、ＸB1、ＸB2は、前記一般式（１）におけるＭ21、Ｙ22、Ｙ23、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｌ25、ｎ21、Ｘ21、Ｘ22とそれぞれ同義であり好ましい範囲も同様である。
ＹB1は連結基を表し、前記一般式（１）におけるＹ21と同様であり、好ましくは１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環又は炭素数２〜８のアルキレン基を表す。
ＲB5、ＲB6は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。ただし、ＹB1はＲB5又はＲB6と連結することはない。ｎB1、ｎB2は、それぞれ独立に、０ないし１の整数を表す。
【０１３３】
一般式（４）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（４−Ａ）で表される化合物である。
一般式（４−Ａ）で表される化合物について説明する
【０１３４】
【化１７】
2007110067.tif 000018
【０１３５】
一般式（４−Ａ）中、ＲD3、ＲD4は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲD1、ＲD2はそれぞれ置換基を表す。ＲD1、ＲD2、ＲD3、及びＲD4が表す置換基としては、前記一般式（４）におけるＲB5、ＲB6が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。ｎD1、ｎD2は０〜４の整数を表し、ＲD1、ＲD2をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲD1、ＲD2は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＹD1は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環又は炭素数１〜８のアルキレン基を表す。
【０１３６】
本発明における３座配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、下記一般式（５）で表される化合物である。
一般式（５）で表される化合物について説明する。
【０１３７】
【化１８】
2007110067.tif 000019
【０１３８】
一般式（５）中、Ｍ81は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３９】
Ｌ81、Ｌ82、及びＬ83は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＬ11、Ｌ12、Ｌ14と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４０】
Ｙ81、Ｙ82は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＹ11、Ｙ12と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４１】
Ｌ85はＭ81に配位する配位子を表す。Ｌ85は１〜３座の配位子が好ましく、１〜３座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜３座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、Ｌ81、Ｙ81、Ｌ82、Ｙ82、Ｌ83で形成される３座配位子が好ましく、Ｌ81、Ｙ81、Ｌ82、Ｙ82、Ｌ83で形成される３座配位子がより好ましい。Ｌ85が金属を介さずにＬ81、Ｌ83と連結することはない。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。
【０１４２】
ｎ81は０〜５を表す。Ｍ81が配位数４の金属の場合、ｎ81は１であり、Ｌ85は単座配位子を表す。Ｍ81が配位数６の金属の場合、ｎ81は１〜３が好ましく、１、３がより好ましく、１がさらに好ましい。Ｍ81が配位数６でｎ81が１の場合Ｌ85は３座配位子を表し、Ｍ81が配位数６でｎ81が２の場合Ｌ85は単座配位子１つと２座配位子１つを表し、Ｍ81が配位数６でｎ81が３の場合Ｌ85は単座配位子を表す。Ｍ81が配位数８の金属の場合、ｎ81は１〜５が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ81が配位数８でｎ81が１の場合Ｌ85は５座配位子を表し、ｎ81が２の場合Ｌ85は３座配位子１つと２座配位子１つを表し、ｎ81が３の場合Ｌ85は３座配位子１つと単座配位子２つ、又は、２座配位子２つと単座配位子１つを表し、ｎ81が４の場合Ｌ85は２座配位子１つと単座配位子３つを表し、ｎ81が５の場合Ｌ85は単座配位子５つを表す。ｎ81が複数のときは、複数のＬ85は同じであっても異なっていてもよい。
【０１４３】
一般式（５）の好ましい形態は、一般式（５）のＬ81、Ｌ82、Ｌ83が炭素原子でＭ81に配位する芳香族炭素環又はヘテロ環、又は窒素原子でＭ81に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ81、Ｌ82、Ｌ83のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環である。これら炭素原子で配位する芳香族炭素環、ヘテロ環及び窒素原子で配位する含窒素ヘテロ環は前記一般式（Ｉ）で説明したＭ11に炭素原子で配位する配位子及び窒素原子で配位する例が挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙ81、Ｙ82は好ましくは単結合ないしはメチレン基を表す。
前記一般式（５）で表される化合物の他の好ましい形態は、下記一般式（５−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（５−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（５−Ａ）で表される化合物について説明する。
【０１４４】
【化１９】
2007110067.tif 000020
【０１４５】
一般式（５−Ａ）中、Ｍ91は前記一般式（５）におけるＭ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４６】
Ｑ91、Ｑ92は含窒素へテロ環（Ｍ91に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ91、Ｑ92で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
【０１４７】
Ｑ91、Ｑ92で形成される含窒素ヘテロ環は、好ましくは、ピリジン環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）、及び、これらの互変異性体、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。
【０１４８】
Ｑ93は含窒素へテロ環（Ｍ91に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ93で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環の互変異性体、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロールなど）が好ましく、ピロール環の互変異性体及びピロール環を含む縮環体（例えばベンズピロールなど）の互変異性体がより好ましい。
【０１４９】
Ｗ91、Ｗ92は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＷ51、Ｗ52と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５０】
Ｌ95は前記一般式（５）におけるＬ85と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５１】
ｎ91は前記一般式（５）におけるｎ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５２】
一般式（５−Ｂ）で表される化合物について説明する。
【０１５３】
【化２０】
2007110067.tif 000021
【０１５４】
一般式（５−Ｂ）中、Ｍ101は、前記一般式（５）におけるＭ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５５】
Ｑ102は、前記一般式（１）におけるＱ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５６】
Ｑ101は前記一般式（５−Ａ）におけるＱ91と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５７】
Ｑ103は芳香環を形成する基を表す。Ｑ103で形成される芳香環としては特に限定されないが、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）が好ましく、ベンゼン環及びベンゼン環を含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【０１５８】
Ｙ101、Ｙ102は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＹ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５９】
Ｌ105は前記一般式（５）におけるＬ85と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６０】
ｎ101は前記一般式（５）におけるｎ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６１】
Ｘ101は前記一般式（１）におけるＸ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６２】
本発明における三座配位子を有する金属錯体の他の好ましい態様は、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物である。
【０１６３】
【化２１】
2007110067.tif 000022
【０１６４】
一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は、単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
【０１６５】
一般式（ＩＩ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンがさらに好ましい。具体的には、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、イリジウムイオンがさらに好ましい。
【０１６６】
ＱX11〜ＱX16は、ＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。
ＱX11〜ＱX16がＭX1に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
ＱX11〜ＱX16がＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、ＭX1に炭素原子で配位するものとしては、例えば、イミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）及びこれらを含む縮合環、及びこれらの互変異性体が挙げられる。
【０１６７】
ＭX1に窒素原子で配位するものとしては、例えば、含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよい。
【０１６８】
ＭX1に酸素原子で配位するものとしては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。
【０１６９】
ＭX1に珪素原子で配位するものとしては、アルキルシリル基（好ましくは炭素数３〜３０であり、たとえば、トリメチルシリル基などが挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは炭素数１８〜３０であり、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
【０１７０】
ＭX1に硫黄原子で配位するものとしては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。
【０１７１】
ＭX1にリン原子で配位するものとしては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
【０１７２】
ＱX11〜ＱX16で表される原子群として好ましくは、ＭX1に、炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ジアルキルホスフィノ基であり、より好ましくは炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基である。
ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【０１７３】
一般式（ＩＩ）中、ＬX11〜ＬX14は、単結合、二重結合、又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。該連結基の具体例を下記に示すが、これらに限定されることはない。
【０１７４】
【化２２】
2007110067.tif 000023
【０１７５】
これらの連結基はさらに置換されてもよく、置換基としては前記一般式（２）におけるＲ21〜Ｒ24で表される置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。ＬX11〜ＬX14として好ましくは、単結合、ジメチルメチレン基、ジメチルシリレン基である。
【０１７６】
一般式（ＩＩ）で表される化合物のうち、より好ましくは下記一般式（Ｘ２）で表される化合物であり、更に好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
先ず、一般式（Ｘ２）で表される化合物について説明する。
【０１７７】
【化２３】
2007110067.tif 000024
【０１７８】
一般式（Ｘ２）中、ＭX2は金属イオンを表す。ＹX21〜ＹX26はＭX2に配位する原子を表し、ＱX21〜ＱX26は、それぞれＹX21〜ＹX26と共に芳香環もしくは芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。ＬX21〜ＬX24は、単結合、二重結合又は連結基を表す。ＭX2とＹX21〜ＹX26との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【０１７９】
一般式（Ｘ２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｘ２）中、ＭX2は、前記一般式（ＩＩ）におけるＭX1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹX21〜ＹX26はＭX2に配位する原子を表す。ＹX21〜ＹX26とＭX2との結合は配位結合でも共有結合でもよい。ＹX21〜ＹX26としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、りん原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＱX21〜ＱX26は、それぞれＹX21〜ＹX26を含んで芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらはさらに縮環を有していても置換基を有していても良い。
【０１８０】
ＬX21〜ＬX24は前記一般式（ＩＩ）におけるＬX11〜ＬX14と同義であり好ましい範囲も同様である。
【０１８１】
一般式（ＩＩ）で表される化合物は、さらに好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
一般式（Ｘ３）について説明する。
【０１８２】
【化２４】
2007110067.tif 000025
【０１８３】
一般式（Ｘ３）中、ＭX3は金属イオンを表す。ＹX31〜ＹX36は、炭素原子、窒素原子、リン原子を表す。ＬX31〜ＬX34は、単結合、二重結合又は連結基を表す。ＭX3とＹX31〜ＹX36との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【０１８４】
ＭX3は前記一般式（ＩＩ）におけるＭX1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹX31〜ＹX36はＭX3に配位する原子を表す。ＹX31〜ＹX36とＭX3との結合は配位結合でも共有結合でも良い。ＹX31〜ＹX36としては、炭素原子、窒素原子、りん原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＬX31〜ＬX34は前記一般式（ＩＩ）におけるＬX11〜ＬX14と同義であり好ましい範囲も同様である。
【０１８５】
前記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、及び一般式（５）で表される化合物の具体例としては、特開２００５−３１０７３３号公報に記載の化合物（１）〜化合物（２４２）（以下に構造を示す。）、及び化合物（２４３）〜（２４４）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１８６】
【化２５】
2007110067.tif 000026
【０１８７】
【化２６】
2007110067.tif 000027
【０１８８】
【化２７】
2007110067.tif 000028
【０１８９】
【化２８】
2007110067.tif 000029
【０１９０】
【化２９】
2007110067.tif 000030
【０１９１】
【化３０】
2007110067.tif 000031
【０１９２】
【化３１】
2007110067.tif 000032
【０１９３】
【化３２】
2007110067.tif 000033
【０１９４】
【化３３】
2007110067.tif 000034
【０１９５】
【化３４】
2007110067.tif 000035
【０１９６】
【化３５】
2007110067.tif 000036
【０１９７】
【化３６】
2007110067.tif 000037
【０１９８】
【化３７】
2007110067.tif 000038
【０１９９】
【化３８】
2007110067.tif 000039
【０２００】
【化３９】
2007110067.tif 000040
【０２０１】
【化４０】
2007110067.tif 000041
【０２０２】
【化４１】
2007110067.tif 000042
【０２０３】
【化４２】
2007110067.tif 000043
【０２０４】
【化４３】
2007110067.tif 000044
【０２０５】
【化４４】
2007110067.tif 000045
【０２０６】
【化４５】
2007110067.tif 000046
【０２０７】
【化４６】
2007110067.tif 000047
【０２０８】
【化４７】
2007110067.tif 000048
【０２０９】
【化４８】
2007110067.tif 000049
【０２１０】
【化４９】
2007110067.tif 000050
【０２１１】
【化５０】
2007110067.tif 000051
【０２１２】
【化５１】
2007110067.tif 000052
【０２１３】
上記化合物例で代表される化合物のうち、ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、ターピリジン３座配位子から選ばれる配位子を有する化合物を除いた化合物がより好ましい。
【０２１４】
本発明における金属錯体〔前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物〕は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【０２１５】
本発明における金属錯体を合成する際の反応時間は反応原料の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。
【０２１６】
本発明における金属錯体合成の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
【０２１７】
本発明における金属錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を適宜選択することで、前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物で表される化合物は合成できる。
例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成する際は、６，６'−ビス（２−ヒ
ドロキシフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子又はその誘導体（例えば、２，９−ビ
ス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６'−ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。
【０２１８】
６，６'−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子の誘導体は
種々の公知の方法を用いて合成することができる。
例えば、２，２'−ビピリジル誘導体（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）と
アニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  ７４１，  １１，（１９４６）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２'−ビピリジ
ル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  ７４１，  １１，（１９４６）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２'−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６'−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２'−ビピリジルなど）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  ７４１，  １１，（１９４６）に記載の方法、又は、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。
【０２１９】
以下、下記一般式（III）で表される化合物について説明する。
【０２２０】
【化５２】
2007110067.tif 000053
【０２２１】
一般式（III）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。
【０２２２】
一般式（III）中、Ｑ11は、Ｑ11が結合する炭素原子２つとこれらの炭素原子に直接結合している窒素原子とを含んで、含窒素へテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ11で形成される含窒素へテロ環の環員数としては特に限定されないが、環員数１２〜２０が好ましく、環員数１４〜１６がより好ましく、環員数１６がさらに好ましい。
【０２２３】
Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13はそれぞれ独立に、置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13の組合せとしては、Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13の少なくとも１つが窒素原子であることが好ましい。
【０２２４】
炭素原子上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０２２５】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【０２２６】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
【０２２７】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【０２２８】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【０２２９】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、
【０２３０】
シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
これらの置換基の中でも、炭素原子上の置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、より好ましくはアリール基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはフェニル基、フッ素原子である。
【０２３１】
窒素原子上の置換基としては、前記炭素原子上の置換基として例示した置換基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０２３２】
一般式（III）中、ＭY1は配位子を更に有してもよい金属イオンを表し、他に配位子を有さない金属イオンがより好ましい。
【０２３３】
ＭY1で表される金属イオンとしては特に限定されないが、２価又は３価の金属イオンが好ましい。２価又は３価の金属イオンとしては、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンが好ましく、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオンがより好ましく、銅イオン、白金イオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。ＭY1は、Ｑ11に含まれる原子と結合していても結合していなくてもよく、結合している方が好ましい。
【０２３４】
ＭY1が、さらに有していてもよい配位子としては、特に限定されないが、単座、もしくは、２座の配位子が好ましく、２座の配位子がより好ましい。配位する原子としては、特に限定されないが、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素原子、りん原子が好ましく、酸素原子、窒素原子、炭素原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましい。
【０２３５】
前記一般式（III）で表される化合物の好ましい例は、下記一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物、又はそれらの互変異性体である。
一般式（III）で表される化合物としては、一般式（ａ）及び一般式（ｂ）で表される化合物又はその互変異性体がより好ましく、一般式（ｂ）で表される化合物又はその互変異性体がより好ましい。
また、一般式（III）で表される化合物としては、一般式（ｃ）又は一般式（ｇ）で表される化合物も好ましい。
一般式（ｃ）で表される化合物としては、一般式（ｄ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｆ）で表される化合物又はその互変異性体が好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物又はその互変異性体がより好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物又はその互変異性体がさらに好ましい。
【０２３６】
一般式（ｇ）で表される化合物としては、一般式（ｈ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｊ）で表される化合物又はその互変異性体が好ましく、一般式（ｈ）で表される化合物又はその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物又はその互変異性体がより好ましく、一般式（ｈ）表される化合物又はその互変異性体がさらに好ましい。
【０２３７】
以下、一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物について詳細に説明する。
【０２３８】
【化５３】
2007110067.tif 000054
【０２３９】
一般式（ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（ａ）中、Ｚ21、Ｚ22、Ｚ23、Ｚ24、Ｚ25、Ｚ26、Ｍ21はそれぞれ対応する前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ11、Ｚ12、Ｚ13、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13、ＭY1と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２４０】
Ｑ21、Ｑ22はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロール）、及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（ｂ）において、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が好ましく、ピロール環及びピロール環を含む縮環体（例えば、ベンズピロール）がより好ましい。
【０２４１】
Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24は、それぞれ独立に、置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、無置換の、炭素原子、窒素原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。
【０２４２】
一般式（ｂ）で表される化合物について説明する。
【０２４３】
【化５４】
2007110067.tif 000055
【０２４４】
一般式（ｂ）中、Ｚ41、Ｚ42、Ｚ43、Ｚ44、Ｚ45、Ｚ46、Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44、Ｍ41は前記一般式（ａ）におけるＺ21、Ｚ22、Ｚ23、Ｚ24、Ｚ25、Ｚ26、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24、Ｍ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２４５】
Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。置換基としては前記一般式（III）におけるＺ11又はＺ12について炭素原子上の置換基で説明した基が挙げられる。
【０２４６】
Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46は、それぞれ独立に、水素原子、又は前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ11又はＺ12上の置換基として例示したアルキル基、アリール基、Ｒ43とＲ44又はＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、アルキル基、アリール基、Ｒ43とＲ44又はＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、Ｒ43とＲ44又はＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましい。
【０２４７】
一般式（ｃ）で表される化合物について説明する。
【０２４８】
【化５５】
2007110067.tif 000056
【０２４９】
一般式（ｃ）中、Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103はそれぞれ独立に置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103の少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。
【０２５０】
Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104はそれぞれ独立に単結合又は連結基を表す。連結としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、アミノ連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【０２５１】
Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アミノ連結基、イミノ連結基が好ましく、単結合、アルキレン連結基、アルケニレン連結基、イミノ連結基がより好ましく、単結合、アルキレン連結基がさらに好ましい。
【０２５２】
Ｑ101、Ｑ103はそれぞれ独立にＭ101に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、又は、硫黄原子で配位する基を表す。
【０２５３】
Ｍ101に炭素原子で配位する基としては、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する６員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基がさらに好ましい。
【０２５４】
Ｍ101に窒素原子で配位する基としては、窒素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましい。
【０２５５】
Ｍ101にりん原子で配位する基としては、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基、りん原子で配位するアルコキシホスフィン基、りん原子で配位するアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するヘテロアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するホスフィニン基、りん原子で配位するホスホール基が好ましく、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基がより好ましい。
【０２５６】
Ｍ101に酸素原子で配位する基としては、オキシ基、酸素原子で配位するカルボニル基が好ましく、オキシ基がさらに好ましい。
【０２５７】
Ｍ101に硫黄原子で配位する基としては、スルフィド基、チオフェン基、チアゾール基が好ましく、チオフェン基がより好ましい。
【０２５８】
Ｑ101、Ｑ103はＭ101に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、酸素原子で配位する基が好ましく、炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基がより好ましく、炭素原子で配位する基がさらに好ましい。
【０２５９】
Ｑ102はＭ101に窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、又は、硫黄原子で配位する基を表し、窒素原子で配位する基がより好ましい。
【０２６０】
Ｍ101は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２６１】
一般式（ｄ）で表される化合物について説明する。
【０２６２】
【化５６】
2007110067.tif 000057
【０２６３】
一般式（ｄ）中、Ｚ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｌ201、Ｌ202、Ｌ203、Ｌ204、Ｍ201はそれぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子又は窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましい。
【０２６４】
一般式（ｅ）で表される化合物について説明する。
【０２６５】
【化５７】
2007110067.tif 000058
【０２６６】
一般式（ｅ）中、Ｚ301、Ｚ302、Ｚ303、Ｚ304、Ｚ305、Ｚ306、Ｚ307、Ｚ308、Ｚ309、Ｚ310、Ｌ301、Ｌ302、Ｌ303、Ｌ304、Ｍ301は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ204、Ｚ206、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ210、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２６７】
一般式（ｆ）で表される化合物について説明する。
【０２６８】
【化５８】
2007110067.tif 000059
【０２６９】
一般式（ｆ）中、Ｚ401、Ｚ402、Ｚ403、Ｚ404、Ｚ405、Ｚ406、Ｚ407、Ｚ408、Ｚ409、Ｚ410、Ｚ411、Ｚ412、Ｌ401、Ｌ402、Ｌ403、Ｌ404、Ｍ401は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。  Ｘ401、Ｘ402はそれぞれ独立に酸素原子、置換又は無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
【０２７０】
一般式（ｇ）で表される化合物について説明する
【０２７１】
【化５９】
2007110067.tif 000060
【０２７２】
一般式（ｇ）中、Ｚ501、Ｚ502、Ｚ503、Ｌ501、Ｌ502、Ｌ503、Ｌ504、Ｑ501、Ｑ502、Ｑ503、Ｍ501は、それぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｑ101、Ｑ103、Ｑ102、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７３】
一般式（ｈ）で表される化合物について説明する。
【０２７４】
【化６０】
2007110067.tif 000061
【０２７５】
一般式（ｈ）中、Ｚ601、Ｚ602、Ｚ603、Ｚ604、Ｚ605、Ｚ606、Ｚ607、Ｚ608、Ｚ609、Ｚ610、Ｚ611、Ｚ612、Ｌ601、Ｌ602、Ｌ603、Ｌ604、Ｍ601は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７６】
一般式（ｉ）で表される化合物について説明する。
【０２７７】
【化６１】
2007110067.tif 000062
【０２７８】
一般式（ｉ）中、Ｚ701、Ｚ702、Ｚ703、Ｚ704、Ｚ705、Ｚ706、Ｚ707、Ｚ708、Ｚ709、Ｚ710、Ｌ701、Ｌ702、Ｌ703、Ｌ704、Ｍ701はそれぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７９】
一般式（ｊ）で表される化合物について説明する。
【０２８０】
【化６２】
2007110067.tif 000063
【０２８１】
一般式（ｊ）中、Ｚ801、Ｚ802、Ｚ803、Ｚ804、Ｚ805、Ｚ806、Ｚ807、Ｚ808、Ｚ809、Ｚ810、Ｚ811、Ｚ812、Ｌ801、Ｌ802、Ｌ803、Ｌ804、Ｍ801、Ｘ801、Ｘ802は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）、（ｆ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101、Ｘ401、Ｘ402と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２８２】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、特願２００４−８８５７５号明細書記載の化合物（２）〜化合物（８）、化合物（１５）〜化合物（２０）、化合物（２７）〜化合物（３２）、化合物（３６）〜化合物（３８）、化合物（４２）〜化合物（４４）、化合物（５０）〜化合物（５２）、及び、化合物（５７）〜化合物（１５４）（以下に構造を示す。）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２８３】
【化６３】
2007110067.tif 000064
【０２８４】
【化６４】
2007110067.tif 000065
【０２８５】
【化６５】
2007110067.tif 000066
【０２８６】
【化６６】
2007110067.tif 000067
【０２８７】
【化６７】
2007110067.tif 000068
【０２８８】
【化６８】
2007110067.tif 000069
【０２８９】
【化６９】
2007110067.tif 000070
【０２９０】
【化７０】
2007110067.tif 000071
【０２９１】
【化７１】
2007110067.tif 000072
【０２９２】
【化７２】
2007110067.tif 000073
【０２９３】
【化７３】
2007110067.tif 000074
【０２９４】
【化７４】
2007110067.tif 000075
【０２９５】
【化７５】
2007110067.tif 000076
【０２９６】
【化７６】
2007110067.tif 000077
【０２９７】
【化７７】
2007110067.tif 000078
【０２９８】
【化７８】
2007110067.tif 000079
【０２９９】
【化７９】
2007110067.tif 000080
【０３００】
【化８０】
2007110067.tif 000081
【０３０１】
【化８１】
2007110067.tif 000082
【０３０２】
さらに、本発明における金属錯体の好ましい例としては、下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ｂ−１）、下記一般式（Ｃ−１）、下記一般式（Ｄ−１）、下記一般式（Ｅ−１）、及び下記一般式（Ｆ−１）で表される各化合物が挙げられる。
一般式（Ａ−１）について説明する。
【０３０３】
【化８２】
2007110067.tif 000083
【０３０４】
一般式（Ａ−１）中、ＭA1は金属イオンを表す。ＹA11、ＹA14、ＹA15及びＹA18は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹA12、ＹA13、ＹA16及びＹA17はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14は連結基を表し、これらの連結基は、同一構造であっても異なる構造であっても良い。ＱA11、ＱA12はＭA1に結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３０５】
一般式（Ａ−１）で表される化合物について、詳細に説明する。
ＭA1は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されることはないが、２価の金属イオンが好ましく、Ｐｔ2+、Ｐｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+、Ｚｎ2+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+が好ましく、Ｐｔ2+、Ｃｕ2+がより好ましく、Ｐｔ2+が特に好ましい。
ＹA11、ＹA14、ＹA15及びＹA18は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹA11、ＹA14、ＹA15及びＹA18として好ましくは、炭素原子である。
ＹA12、ＹA13、ＹA16及びＹA17はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＹA12、ＹA13、ＹA16及びＹA17として好ましくは、置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子である。
ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14は二価の連結基を表す。ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基としては、それぞれ独立に単結合のほか、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、単結合、置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、単結合、置換又は無置換のメチレン基である。ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【０３０６】
【化８３】
2007110067.tif 000084
【０３０７】
ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基は、さらに置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０３０８】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
【０３０９】
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【０３１０】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
【０３１１】
スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０３１２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、
【０３１３】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、
【０３１４】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
【０３１５】
これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、フッ素原子である。
【０３１６】
ＱA11、ＱA12はＭA1に結合する原子を含有する部分構造を表す。ＱA11、ＱA12はそれぞれ独立にＭA1に炭素原子で結合する基、窒素原子で結合する基、珪素原子で結合する基、リン原子で結合する基、酸素原子で結合する基、硫黄原子で結合する基が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子で結合する基がより好ましく、炭素原子、窒素原子で結合する基がさらに好ましく、炭素原子で結合する基が特に好ましい。
【０３１７】
炭素原子で結合する基としては、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する六員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する含窒素五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する含窒素六員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で結合するアリール基が特に好ましい。
【０３１８】
窒素原子で結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が特に好ましい。
【０３１９】
リン原子で結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。珪素原子で結合する基としては、置換シリル基が好ましい。酸素原子で結合する基としてはオキシ基、硫黄原子で結合する基としてはスルフィド基が好ましい。
【０３２０】
一般式（Ａ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ａ−２）、一般式（Ａ−３）、又は一般式（Ａ−４）で表される化合物である。
【０３２１】
【化８４】
2007110067.tif 000085
【０３２２】
一般式（Ａ−２）中、ＭA2は金属イオンを表す。ＹA21、ＹA24、ＹA25及びＹA28は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹA22、ＹA23、ＹA26及びＹA27はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA21、ＬA22、ＬA23、ＬA24は連結基を表す。ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25及びＺA26はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３２３】
【化８５】
2007110067.tif 000086
【０３２４】
一般式（Ａ−３）中、ＭA3は金属イオンを表す。ＹA31、ＹA34、ＹA35及びＹA38は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹA32、ＹA33、ＹA36及びＹA37はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA31、ＬA32、ＬA33、ＬA34は連結基を表す。ＺA31、ＺA32、ＺA33及びＺA34はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３２５】
【化８６】
2007110067.tif 000087
【０３２６】
一般式（Ａ−４）中、ＭA4は金属イオンを表す。ＹA41、ＹA44、ＹA45及びＹA48は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹA42、ＹA43、ＹA46及びＹA47はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA41、ＬA42、ＬA43、ＬA44は連結基を表す。ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45及びＺA46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸA41、ＸA42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３２７】
一般式（Ａ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA2、ＹA21、ＹA24、ＹA25、ＹA28、ＹA22、ＹA23、ＹA26、ＹA27、ＬA21、ＬA22、ＬA23、ＬA24はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25及びＺA26はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25及びＺA26として好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３２８】
一般式（Ａ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA3、ＹA31、ＹA34、ＹA35、ＹA38、ＹA32、ＹA33、ＹA36、ＹA37、ＬA31、ＬA32、ＬA33、ＬA34はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA31、ＺA32、ＺA33、及びＺA34はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA31、ＺA32、ＺA33、及びＺA34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３２９】
一般式（Ａ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA4、ＹA41、ＹA44、ＹA45、ＹA48、ＹA42、ＹA43、ＹA46、ＹA47、ＬA41、ＬA42、ＬA43、ＬA44はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45及びＺA46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45及びＺA46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸA41、ＸA42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸA41、ＸA42として好ましくはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３３０】
一般式（Ａ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３３１】
【化８７】
2007110067.tif 000088
【０３３２】
【化８８】
2007110067.tif 000089
【０３３３】
【化８９】
2007110067.tif 000090
【０３３４】
【化９０】
2007110067.tif 000091
【０３３５】
【化９１】
2007110067.tif 000092
【０３３６】
【化９２】
2007110067.tif 000093
【０３３７】
【化９３】
2007110067.tif 000094
【０３３８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である。
【０３３９】
【化９４】
2007110067.tif 000095
【０３４０】
一般式（Ｂ−１）中、ＭB1は金属イオンを表す。ＹB11、ＹB14、ＹB15及びＹB18は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹB12、ＹB13、ＹB16及びＹB17はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14は連結基を表す。ＱB11、ＱB12はＭB1に結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３４１】
一般式（Ｂ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−１）中、ＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14、ＱB11、ＱB12は、それぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０３４２】
一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｂ−２）、一般式（Ｂ−３）、又は一般式（Ｂ−４）で表される化合物である。
【０３４３】
【化９５】
2007110067.tif 000096
【０３４４】
一般式（Ｂ−２）中、ＭB2は金属イオンを表す。ＹB21、ＹB24、ＹB25及びＹB28は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹB22、ＹB23、ＹB26及びＹB27はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB21、ＬB22、ＬB23、ＬB24は連結基を表す。ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25及びＺB26はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３４５】
【化９６】
2007110067.tif 000097
【０３４６】
一般式（Ｂ−３）中、ＭB3は金属イオンを表す。ＹB31、ＹB34、ＹB35及びＹB38は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹB32、ＹB33、ＹB36及びＹB37は、それぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB31、ＬB32、ＬB33、ＬB34は連結基を表す。ＺB31、ＺB32、ＺB33及びＺB34は、それぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３４７】
【化９７】
2007110067.tif 000098
【０３４８】
一般式（Ｂ−４）中、ＭB4は金属イオンを表す。ＹB41、ＹB44、ＹB45及びＹB48は、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。ＹB42、ＹB43、ＹB46及びＹB47はそれぞれ独立に置換又は無置換の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB41、ＬB42、ＬB43、ＬB44は連結基を表す。ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45及びＺB46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸB41、ＸB42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３４９】
一般式（Ｂ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−２）中、ＭB2、ＹB21、ＹB24、ＹB25、ＹB28、ＹB22、ＹB23、ＹB26、ＹB27、ＬB21、ＬB22、ＬB23、ＬB24はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25及びＺB26は、それぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25及びＺB26として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３５０】
一般式（Ｂ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−３）中、ＭB3、ＹB31、ＹB34、ＹB35、ＹB38、ＹB32、ＹB33、ＹB36、ＹB37、ＬB31、ＬB32、ＬB33、ＬB34はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB31、ＺB32、ＺB33、及びＺB34はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB31、ＺB32、ＺB33、及びＺB34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３５１】
一般式（Ｂ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−４）中、ＭB4、ＹB41、ＹB44、ＹB45、ＹB48、ＹB42、ＹB43、ＹB46、ＹB47、ＬB41、ＬB42、ＬB43、ＬB44はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45及びＺB46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45及びＺB46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸB41、ＸB42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸB41、ＸB42として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３５２】
一般式（Ｂ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３５３】
【化９８】
2007110067.tif 000099
【０３５４】
【化９９】
2007110067.tif 000100
【０３５５】
【化１００】
2007110067.tif 000101
【０３５６】
【化１０１】
2007110067.tif 000102
【０３５７】
【化１０２】
2007110067.tif 000103
【０３５８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｃ−１）で表される化合物である。
【０３５９】
【化１０３】
2007110067.tif 000104
【０３６０】
一般式（Ｃ−１）中、ＭC1は金属イオンを表す。ＲC11、ＲC12は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、又は互いに連結することの無い置換基を表す。ＲC13、ＲC14は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、又は互いに連結することの無い置換基を表す。ＧC11、ＧC12は、それぞれ独立に、窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。ＬC11、ＬC12は連結基を表す。ＱC11、ＱC12はＭC1に結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３６１】
一般式（Ｃ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−１）中、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＱC11、ＱC12はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＬA11、ＬA12、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧC11、ＧC12は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは窒素原子、無置換の炭素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
ＲC11、ＲC12はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＲC11、ＲC12は互いに連結して五員環を形成してもよい。ＲC13、ＲC14はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＲC13、ＲC14は互いに連結して五員環を形成してもよい。
【０３６２】
ＲC11、ＲC12、ＲC13及びＲC14で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０３６３】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
【０３６４】
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【０３６５】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
【０３６６】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、
【０３６７】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
【０３６８】
ＲC11、ＲC12、ＲC13及びＲC14で表される置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ＲC11とＲC12、ＲC13とＲC14が互いに結合して五員環を形成する基であり、特に好ましくはＲC11とＲC12、ＲC13とＲC14が互いに結合して五員環を形成する基である。
【０３６９】
一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｃ−２）で表される化合物である。
【０３７０】
【化１０４】
2007110067.tif 000105
【０３７１】
一般式（Ｃ−２）中、ＭC2は金属イオンを表す。
ＹC21、ＹC22、ＹC23及びＹC24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC21、ＧC22は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC21、ＬC22は連結基を表す。ＱC21、ＱC22はＭC2に結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３７２】
一般式（Ｃ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−２）中、ＭC2、ＬC21、ＬC22、ＱC21、ＱC22、ＧC21、ＧC22はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）におけるＭC1、ＬC11、ＬC12、ＱC11、ＱC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ＹC21、ＹC22、ＹC23及びＹC24は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３７３】
一般式（Ｃ−２）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｃ−３）、一般式（Ｃ−４）又は一般式（Ｃ−５）で表される化合物である。
【０３７４】
【化１０５】
2007110067.tif 000106
【０３７５】
一般式（Ｃ−３）中、ＭC3は金属イオンを表す。
ＹC31、ＹC32、ＹC33及びＹC34は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC31、ＧC32は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC31、ＬC32は連結基を表す。ＺC31、ＺC32、ＺC33、ＺC34、ＺC35及びＺC36はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３７６】
【化１０６】
2007110067.tif 000107
【０３７７】
一般式（Ｃ−４）中、ＭC4は金属イオンを表す。ＹC41、ＹC42、ＹC43及びＹC44は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC41、ＧC42は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC41、ＬC42は連結基を表す。ＺC41、ＺC42、ＺC43及びＺC44はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３７８】
【化１０７】
2007110067.tif 000108
【０３７９】
一般式（Ｃ−５）中、ＭC5は金属イオンを表す。
ＹC51、ＹC52、ＹC53及びＹC54は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC51、ＧC52は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC51、ＬC52は連結基を表す。ＺC51、ＺC52、ＺC53、ＺC54、ＺC55及びＺC56はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸC51、ＸC52はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３８０】
一般式（Ｃ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−３）中、ＭC3、ＬC31、ＬC32、ＧC31、ＧC32はそれぞれ対応する、前記一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC31、ＺC32、ＺC33、ＺC34、ＺC35及びＺC36はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC31、ＺC32、ＺC33、ＺC34、ＺC35及びＺC36として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３８１】
一般式（Ｃ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−４）中、ＭC4、ＬC41、ＬC42、ＧC41、ＧC42は、それぞれ対応する前記一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC41、ＺC42、ＺC43、及びＺC44はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC41、ＺC42、ＺC43、及びＺC44として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３８２】
一般式（Ｃ−５）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭC5、ＬC51、ＬC52、ＧC51、ＧC52は、それぞれ対応する前記一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC51、ＺC52、ＺC53、ＺC54、ＺC55及びＺC56はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC51、ＺC52、ＺC53、ＺC54、ＺC55及びＺC56として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸC51、ＸC52はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸC51、ＸC52として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３８３】
一般式（Ｃ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３８４】
【化１０８】
2007110067.tif 000109
【０３８５】
【化１０９】
2007110067.tif 000110
【０３８６】
【化１１０】
2007110067.tif 000111
【０３８７】
【化１１１】
2007110067.tif 000112
【０３８８】
【化１１２】
2007110067.tif 000113
【０３８９】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である。
【０３９０】
【化１１３】
2007110067.tif 000114
【０３９１】
一般式（Ｄ−１）中、ＭD1は金属イオンを表す。
ＧD11、ＧD12は、それぞれ独立に窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。ＪD11、ＪD12、ＪD13及びＪD14は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＬD11、ＬD12は連結基を表す。
【０３９２】
一般式（Ｄ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−１）中、ＭD1、ＬD11、ＬD12はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＬA11、ＬA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧD11、ＧD12は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪD11、ＪD12、ＪD13及びＪD14は、これらが結合している原子群と共に、含窒素へテロ五員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【０３９３】
一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｄ−２）、一般式（Ｄ−３）、又は一般式（Ｄ−４）で表される化合物である。
【０３９４】
【化１１４】
2007110067.tif 000115
【０３９５】
一般式（Ｄ−２）中、ＭD2は金属イオンを表す。
ＧD21、ＧD22は、それぞれ独立に窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。
ＹD21、ＹD22、ＹD23及びＹD24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD21、ＸD22、ＸD23及びＸD24は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−を表す。
ＲD21、ＲD22及びＲD23は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＬD21、ＬD22は連結基を表す。
【０３９６】
【化１１５】
2007110067.tif 000116
【０３９７】
一般式（Ｄ−３）中、ＭD3は金属イオンを表す。
ＧD31、ＧD32は、それぞれ独立に窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。
ＹD31、ＹD32、ＹD33及びＹD34は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD31、ＸD32、ＸD33及びＸD34は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD31−、−Ｃ（ＲD32）ＲD33−を表す。
ＲD31、ＲD32及びＲD33は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＬD31、ＬD32は連結基を表す。
【０３９８】
【化１１６】
2007110067.tif 000117
【０３９９】
一般式（Ｄ−４）中、ＭD4は金属イオンを表す。
ＧD41、ＧD42は、それぞれ独立に窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表す。
ＹD41、ＹD42、ＹD43及びＹD44は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD41、ＸD42、ＸD43及びＸD44は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD41−、−Ｃ（ＲD42）ＲD43−を表す。ＲD41、ＲD42及びＲD43は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＬD41、ＬD42は連結基を表す。
【０４００】
一般式（Ｄ−２）について詳細に説明する。
ＭD2、ＬD21、ＬD22、ＧD21、ＧD22は、一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹD21、ＹD22、ＹD23及びＹD24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸD21、ＸD22、ＸD23及びＸD24は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−を表し、好ましくは硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−であり、より好ましくは−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−であり、さらに好ましくは−ＮＲD21−である。
ＲD21、ＲD22及びＲD23は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ＲD21、ＲD22及びＲD23で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、
【０４０１】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、
【０４０２】
ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。ＲD21、ＲD22及びＲD23は好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族
ヘテロ環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくはアリール基である。
【０４０３】
一般式（Ｄ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−３）中、ＭD3、ＬD31、ＬD32、ＧD31、ＧD32は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸD31、ＸD32、ＸD33及びＸD34はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22、ＸD23及びＸD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹD31、ＹD32、ＹD33及びＹD34はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹD21、ＹD22、ＹD23及びＹD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４０４】
一般式（Ｄ−４）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−４）中、ＭD4、ＬD41、ＬD42、ＧD41、ＧD42は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸD41、ＸD42、ＸD43及びＸD44は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22、ＸD23及びＸD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹD41、ＹD42、ＹD43及びＹD44は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹD21、ＹD22、ＹD23及びＹD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４０５】
一般式（Ｄ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４０６】
【化１１７】
2007110067.tif 000118
【０４０７】
【化１１８】
2007110067.tif 000119
【０４０８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。
【０４０９】
【化１１９】
2007110067.tif 000120
【０４１０】
一般式（Ｅ−１）中、ＭE1は金属イオンを表す。ＪE11、ＪE12は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＧE11、ＧE12、ＧE13及びＧE14は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE11、ＹE12、ＹE13及びＹE14はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４１１】
一般式（Ｅ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−１）中、ＭE1は一般式（Ａ−１）におけるＭA1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＧE11、ＧE12、ＧE13及びＧE14は一般式（Ｃ−１）におけるＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪE11、ＪE12は、一般式（Ｄ−１）におけるＪD12〜ＪD14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹE11、ＹE12、ＹE13及びＹE14はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−２）におけるＹC21〜ＹC24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４１２】
一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｅ−２）、又は一般式（Ｅ−３）で表される化合物である。
【０４１３】
【化１２０】
2007110067.tif 000121
【０４１４】
一般式（Ｅ−２）中、ＭE2は金属イオンを表す。ＧE21、ＧE22、ＧE23及びＧE24はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE21、ＹE22、ＹE23、ＹE24、ＹE25及びＹE26はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸE21及びＸE22は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲE21−、−Ｃ（ＲE22）ＲE23−を表す。ＲE21、ＲE22及びＲE23は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
【０４１５】
【化１２１】
2007110067.tif 000122
【０４１６】
一般式（Ｅ−３）中、ＭE3は金属イオンを表す。ＧE31、ＧE32、ＧE33及びＧE34はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE31、ＹE32、ＹE33、ＹE34、ＹE35及びＹE36はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸE31及びＸE32は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲE31−、−Ｃ（ＲE32）ＲE33−を表す。ＲE31、ＲE32及びＲE33は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
【０４１７】
一般式（Ｅ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−２）中、ＭE2、ＧE21、ＧE22、ＧE23、ＧE24、ＹE21、ＹE22、ＹE23、ＹE24は、それぞれ対応する一般式（Ｅ−１）におけるＭE1、ＧE11、ＧE12、ＧE13、ＧE14、ＹE11、ＹE12、ＹE13、ＹE14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸE21、ＸE22は一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４１８】
一般式（Ｅ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−３）中、ＭE3、ＧE31、ＧE32、ＧE33、ＧE34、ＹE31、ＹE32、ＹE33、ＹE34は、それぞれ対応する、一般式（Ｅ−１）におけるＭE1、ＧE11、ＧE12、ＧE13、ＧE14、ＹE11、ＹE12、ＹE13、ＹE14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸE31、ＸE32は対応する、一般式（Ｅ−２）におけるＸE21、ＸE22と同義であり、また好ましい
範囲も同様である。
【０４１９】
一般式（Ｅ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４２０】
【化１２２】
2007110067.tif 000123
【０４２１】
【化１２３】
2007110067.tif 000124
【０４２２】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である。
【０４２３】
【化１２４】
2007110067.tif 000125
【０４２４】
一般式（Ｆ−１）中、ＭF1は金属イオンを表す。ＬF11、ＬF12及びＬF13は連結基を表す。ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲF11とＲF12、ＲF12とＲF13、ＲF13とＲF14は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が形成する環は五員環である。ＱF11、ＱF12はＭF1に結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０４２５】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−１）中、ＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＱF11、ＱF12はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）におけるＭA1、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、ＲF11とＲF12、ＲF12とＲF13、ＲF13とＲF14は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が形成する環は五員環である。ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14で表される置換基としては、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＲC11〜ＲC14で表される置換基として挙げたものが適用できる。ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14として好ましくは、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が互いに結合して五員環を形成する基もしくは、ＲF12とＲF13が互いに結合して芳香環を形成する基である。
【０４２６】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｆ−２）、一般式（Ｆ−３）、又は一般式（Ｆ−４）で表される化合物である。
【０４２７】
【化１２５】
2007110067.tif 000126
【０４２８】
一般式（Ｆ−２）中、ＭF2は金属イオンを表す。ＬF21、ＬF22及びＬF23は連結基を表す。ＲF21、ＲF22、ＲF23及びＲF24は置換基を表し、ＲF21とＲF22、ＲF22とＲF23、ＲF23とＲF24は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF21とＲF22、ＲF23とＲF24が形成する環は五員環である。ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25及びＺF26はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４２９】
【化１２６】
2007110067.tif 000127
【０４３０】
一般式（Ｆ−３）中、ＭF3は金属イオンを表す。ＬF31、ＬF32及びＬF33は連結基を表す。ＲF31、ＲF32、ＲF33及びＲF34は置換基を表し、ＲF31とＲF32、ＲF32とＲF33、ＲF33とＲF34は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF31とＲF32、ＲF33とＲF34が形成する環は五員環である。ＺF31、ＺF32、ＺF33及びＺF34はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４３１】
【化１２７】
2007110067.tif 000128
【０４３２】
一般式（Ｆ−４）中、ＭF4は金属イオンを表す。ＬF41、ＬF42及びＬF43は連結基を表す。ＲF41、ＲF42、ＲF43及びＲF44は置換基を表し、ＲF41とＲF42、ＲF42とＲF43、ＲF43とＲF44は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF41とＲF42、ＲF43とＲF44が形成する環は五員環である。ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45、及びＺF46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸF41、ＸF42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０４３３】
一般式（Ｆ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭF2、ＬF21、ＬF22、ＬF23、ＲF21、ＲF22、ＲF23及びＲF24はそれぞれ対応する一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25及びＺF26はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25及びＺF26として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０４３４】
一般式（Ｆ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−３）中、ＭF3、ＬF31、ＬF32、ＬF33、ＲF31、ＲF32、ＲF33及びＲF34はそれぞれ対応する、一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＺF31、ＺF32、ＺF33及びＺF34はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF31、ＺF32、ＺF33及びＺF34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０４３５】
一般式（Ｆ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−４）中、ＭF4、ＬF41、ＬF42、ＬF43、ＲF41、ＲF42、ＲF43及びＲF44は一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13及びＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45及びＺF46はそれぞれ独立に窒素原子又は置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45及びＺF46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸF41、ＸF42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸF41、ＸF42として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０４３６】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４３７】
【化１２８】
2007110067.tif 000129
【０４３８】
【化１２９】
2007110067.tif 000130
【０４３９】
【化１３０】
2007110067.tif 000131
【０４４０】
【化１３１】
2007110067.tif 000132
【０４４１】
【化１３２】
2007110067.tif 000133
【０４４２】
前記一般式（Ａ−１）〜（Ｆ−１）で表される化合物は公知の方法により合成することができる。
【０４４３】
本発明における金属錯体は、有機ＥＬ素子用組成物中に、一種単独で含有されてもよいし、二種以上が併用されてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子用組成物における３座以上の配位子を有する金属錯体の含有量は、例えば、発光層用組成物とする場合であれば、該組成物に含まれる全固形分に対して、０．１〜７０質量％が好ましく、１〜２０質量％がより好ましい。
また、発光層以外の他の有機化合物等を形成する場合についても、各層の構成に応じて、本発明における金属錯体は、単独で又は下記に記す他の成分とともに適切な量を組成物中に含有させて使用することができる。
【０４４４】
〔他の成分〕
本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、本発明における金属錯体の他、当該金属錯体とともに有機化合物層を形成する他の構成成分を含有する。
本発明の有機ＥＬ素子用組成物を適用して形成しうる有機化合物層としては、発光層、電荷輸送層、電荷注入層等が挙げられ、上記他の成分としては、これらの層に含有される材料が挙げられる。
【０４４５】
本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、インクジェット用ノズル口で、有機ＥＬ組成物中の固型分が付着したり目詰りを起こすことを防止するとともに、ノズル口におけるインクの接触角を高く維持することに寄与し、これによってインクの飛行曲りを防止するため、溶媒に溶解又は分散していることが好ましい。
【０４４６】
溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノールなど等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、２−エチルヘキサン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチルなどのエステル類、ホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１,２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。などがある。これらの溶媒を混合して使用することも可能である。
【０４４７】
さらに、組成物中には、湿潤剤が含まれていることが好ましい。これにより、組成物がインクジェットノズル口で乾燥・凝固することを有効に防止することができる。かかる湿潤剤としては、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価アルコールが挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。
湿潤剤の添加量としては、組成物全体量に対し５〜２０質量％程度が好ましい。
【０４４８】
なお、有機ＥＬ素子用組成物は、更に、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、、粘度調整剤、老化防止剤、ｐＨ調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。
【０４４９】
本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、インクジェット方式によるパターン形成に用いられる。
【０４５０】
ここで、インクジェット方式によるパターン形成とは、有機ＥＬ素子用組成物を溶媒に溶解または分散させて吐出液として、インクジェット装置のヘッドから吐出させて、赤色、緑色、青色のような３原色またはその中間色のうち少なくとも１色の画素を形成することをいう。
【０４５１】
かかるインクジェット方式によれば、微細なパターニングを簡便にかつ短時間で行うことができる。また、吐出量の増減により膜厚の調整が容易になるため、それによって膜の性状や発色バランス、輝度等の発色能を容易かつ自由に制御することができる。
【０４５２】
本発明の有機ＥＬ素子用組成物の粘度は、１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、２ｍＰａ・ｓ〜４ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。有機ＥＬ素子用組成物の粘度が１ｍＰａ・ｓ未満である場合、形成された発色層が充分な発色能を発揮し得なくなる場合がある。一方、２０ｍＰａ・ｓを超える場合、ノズル孔から組成物を円滑に吐出させることができず、ノズル孔径を大きくする等の装置の仕様を変更しない限り、パターニングが困難となる場合がる。さらに、粘度が大きい場合、組成物中の固型分が析出し易く、ノズル孔の目詰りの発生頻度が高くなる。
【０４５３】
また、本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、表面張力が２０ｍＮ／ｍ〜７０ｍＮ／ｍであって、２５ｍＮ／ｍ〜４０×１０-3Ｎ／ｍが好ましい。この範囲の表面張力にすることにより、上述した接触角の場合と同様、飛行曲がりを抑制し、飛行曲がり頻度を低く抑えることができる。表面張力が２０ｍＮ／ｍ未満であると、組成物のノズル面の構成材料に対する濡れ性が増大するため、上記接触角の場合と同様飛行曲がりが生じ、飛行曲がり頻度が高くなる場合がある。また、７０ｍＮ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカス形状が安定しないため、組成物の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になる場合がある。
【０４５４】
また、本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、上述した粘度及び表面張力の少なくとも１つについて、前記数値範囲を満足することが好ましいが、２以上の任意の組合せの特性について条件を満足するもの、さらにはすべての特性について満足するものであってもよい。これによって、インクジェット方式により適した組成物とすることができる。
【０４５５】
また、本発明の有機ＥＬ素子用組成物は、前記３座以上の配位子を有する金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液として調製されてもよい。ポリマー分散液である場合、有機化合物層の各構成成分は、ポリマーに分散されていることが好ましい。有機化合物層の構成成分をポリマーに分散することにより、分散液中で有機化合物層の構成成分の安定性が向上し、発光効率及び耐久性において更に優れた有機電界発光素子を得ることができる。
【０４５６】
分散に用いられるポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能である。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用しても良い。ポリマーバインダーを含有する発光層は、湿式製膜法により容易に大面積に塗布形成することができる。中でも、例えば、特開２００１−１１５６８号、特開２００２−２５７７９号、特開２００４−１５２７４６号等に記載されるポリマーが好適に用いられる。
【０４５７】
ポリマー分散液は、溶媒（例えば、トルエンとクロロホルム１：１）にポリマー（例えば、ＰＶＫ）及び本発明における金属錯体を分散装置を用いて溶解又は分散に必要な時間攪拌し、溶解又は分散することにより調製することができる。分散装置は、特に限定されず公知の装置を用いることができる。
【０４５８】
［有機電界発光素子の製造方法及びそれにより製造された有機電界発光素子］
次に、本発明の有機電界発光素子の製造方法、及び、それにより製造された有機電界発光素子について詳細に説明する。
【０４５９】
（有機電界発光素子の製造方法の第１の態様）
本発明の有機電界発光素子の製造方法の第１の態様は、第一の電極を基板上に形成する工程と、該第一の電極を形成した基板上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物をインクジェット装置により被成膜面にパターン状に吐出して前記有機化合物層を形成する工程と、該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。以下、本態様の有機電界発光素子の製造方法を、適宜、「有機ＥＬ素子の製造方法（１）」と称する。
【０４６０】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法（１）では、経時安定性に優れた効果を発揮する本発明の有機ＥＬ素子用組成物を用いることにより、インクジェット装置中に備えられた有機ＥＬ素子用組成物の劣化が抑制されることから、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子を安定に且つ簡易に製造することができる。
また、有機ＥＬ素子の製造方法（１）においては、インクジェット装置により有機化合物層の形成を行うため、高精細なパターンニングが可能となるとともに、得られる素子の発光特性や形成される有機化合物層の膜性状等を容易に制御することが可能となる。
【０４６１】
有機ＥＬ素子の製造方法（１）において好適に用いられるインクジェット装置の一例について説明する。
このようなインクジェット装置では、まず、被成膜面に形成すべきパターン情報を、コンピュータのような情報供給源から、バスのような伝達手段を通し、インクジェット記録装置上に供給する。
インクジェット装置としては、有機ＥＬ素子用組成物の液滴を吐出可能に設けられたへッド及びそれを任意のパターンに従って駆動させる制御系を備えたものを用いればよい。この装置により、パターン情報に従って移動するへッドのノズル孔（吐出口）から有機ＥＬ素子用組成物の液滴を被成膜面の所定位置に吐出することで、パターン情報に従って組成物が被成膜面に付与される。
インクジェット装置に備えられているへッドには、有機ＥＬ素子用組成物を充填可能に構成されたキャビティが備えられ、該キャビティに体積変化を生じさせることが可能に構成された圧電素子に任意のパターンに応じた電圧を印加させ、キャビティ内の体積を変化させることで、中に貯えられた有機ＥＬ素子用組成物を吐出口から微小な液滴状にして被成膜面に所定のパターン状に供給して吸着させ、その後、有機ＥＬ素子用組成物中の溶媒や分散媒が除去されて、有機化合物層が形成される。
本発明においては上記した方式の他、他の原理を利用するヘッドも当然のことながら利用できる。
【０４６２】
有機ＥＬ素子の製造方法（１）の実施態様について、一例を挙げて説明するが、本発明にはこれに限定されるものではない。
（１）基板（ガラス基板等）上に、画素電極（ＩＴＯ電極等）をフォトリソグラフィー等によりパターニングする。さらに該画素電極間に光遮断層とインク垂れ防止用壁とを兼ねた隔壁をフォトリソグラフィー等により形成する。
（２）インクジェット装置のノズル孔から、所望の有機化合物層を形成するための有機ＥＬ素子用組成物をパターン状に吐出させ、被成膜面に有機ＥＬ素子用組成物を付与した後、組成物中に含まれる溶媒又は分散媒を加熱処理等により除去し有機化合物層を形成する。形成される有機化合物層は、発光層のみの単層であってもよいし、発光層を含めて２層以上の有機化合物層からなる積層構造であってもよい。
本発明においては、有機化合物層の少なくとも一層が、本発明の有機ＥＬ素子用組成物を用いてインクジェット法により形成される。なお、有機化合物層が積層構造である場合、本発明の有機ＥＬ素子用組成物を用いて形成される層を含む全ての層がインクジェット法により形成されてもよいし、一部の層については蒸着法等を用いた他の方法により形成されてもよい。
（３）さらに、有機化合物層上に対向電極を蒸着法等により形成し、有機ＥＬ素子が得られる。
【０４６３】
（有機ＥＬ素子の製造方法（１）を用いて製造される有機ＥＬ素子）
本発明の有機電界発光素子の第１の態様は、前述した有機ＥＬ素子の製造方法（１）を用いて製造されることを特徴とする（以下、適宜、「有機ＥＬ素子（１）」と称する。）。有機ＥＬ素子（１）は、発光層を含めて２層以上の有機化合物層を有することが好ましい。有機化合物層の少なくとも一層は、本発明の有機ＥＬ素子用組成物を用いて、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法（１）に係る工程により形成される。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含めて２層以上の有機化合物層を有することが好ましい。以下、有機ＥＬ素子（１）ついて詳述する。
【０４６４】
本発明の有機ＥＬ素子（１）は、基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【０４６５】
有機ＥＬ素子（１）における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。また、発光層としては一層だけでもよく、また、第一発光層、第二発光層、第三発光層等に発光層を分割してもよい。さらに、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【０４６６】
＜発光層＞
発光素子に電界を印加すると、発光層において陽極、正孔注入層又は正孔輸送層から注入された正孔と、陰極、電子注入層又は電子輸送層から注入された電子とが再結合し、光を発する。発光層をなす材料は、電界印加時に陽極等から正孔を受け取る機能、陰極等から電子を受け取る機能、電荷を移動させる機能、及び正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば特に限定されない。
有機ＥＬ素子（１）における発光層は、本発明の有機ＥＬ素子用組成物を用いて、前記した本発明に製造方法（１）に係る工程により形成されることが好ましい。
【０４６７】
有機ＥＬ素子（１）における発光層は、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有することが好ましく、該金属錯体が（Ａ）発光材料としての機能、（Ｂ）ホスト材料（以下、「電荷輸送材」ともいう。）としての機能、等を有することから、それぞれの機能を用いた態様が好ましい。
【０４６８】
前記金属錯体を前記（Ａ）発光材料の機能を有するものとして用いる場合、該金属錯体以外のその他の発光材料としては、一重項励起子及び三重項励起子のいずれかから発光するものを更に用いてもよい。例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、本発明の金属錯体以外の金属錯体（8-キノリノール誘導体の金属錯体、希土類錯体等）、高分子発光材料（ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等）、有機シラン、本発明の金属錯体以外の遷移金属錯体（イリジウムトリスフェニルピリジン錯体等）、これらの誘導体が使用できる。また、シアニン色素、メロシアニン色素、スチリル系色素、アントラセン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、クマリン、ＤＣＭ、ナイルレッドなどの色素、レーザ色素等で前記以外のものが使用できる。
【０４６９】
有機ＥＬ素子（１）における発光層中の発光性化合物の含有量は特に制限されないが、例えば、０．１〜７０質量％であるのが好ましく、１〜２０質量％であるのがより好ましい。発光性化合物の含有量が０．１質量％未満であるか又は７０質量％を超えると、その効果が充分に発揮されないことがある。
【０４７０】
有機ＥＬ素子（１）における発光層の厚さは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚さが２００ｎｍを超えると駆動電圧が上昇することがある。一方１０ｎｍ未満であると有機ＥＬ素子が短絡することがある。
【０４７１】
薄膜の乾燥条件は、例えば、使用する化合物、溶媒等の諸条件に応じて適宜選択することができるが、一般には、乾燥時の圧力を常圧又は減圧下に行うことができる。
【０４７２】
有機ＥＬ素子（１）における発光層は前述の通り、単一材料で形成されてもよいし、複数の材料で形成されてもよい。また、発光層は一つであっても複数であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光して白色等を発光してもよい。単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合も、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし複数の材料で形成されていてもよい。
【０４７３】
上述した発光層の他、有機ＥＬ素子（１）における、基板、電極、他の有機化合物層、その他の層、等の他の構成要素については、例えば、特開２００４−２２１０６８号の［００１３］から［００８２］、特開２００４−２１４１７８号の［００１７］から［００９１］、特開２００４−１４６０６７号の［００２４［から［００３５］、特開２００４−１０３５７７号の［００１７］から［００６８］、特開２００３−３２３９８７号の［００１４］から［００６２］、特開２００２−３０５０８３号の［００１５］から［００７７］、特開２００１−１７２２８４号の［０００８］から［００２８］、特開２０００−１８６０９４号の［００１３］から［００７５］、特表２００３−５１５８９７号の［００１６］から［０１１８］等に記載のものが本発明においても同様に適用することができる。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０４７４】
有機ＥＬ素子（１）における正孔注入層及び／又は正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層又は正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０４７５】
具体的には、無機化合物の場合は、塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
また、有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
【０４７６】
この他にも、特開平６−２１２１５３号、特開平１１−１１１４６３号、特開平１１−２５１０６７号、特開２０００−１９６１４０号、特開２０００−２８６０５４号、特開２０００−３１５５８０号、特開２００１−１０２１７５号、特開２００１−１６０４９３号、特開２００２−２５２０８５号、特開２００２−５６９８５号、特開２００３−１５７９８１号、特開２００３−２１７８６２号、特開２００３−２２９２７８号、特開２００４−３４２６１４号、特開２００５−７２０１２号、特開２００５−１６６６３７号、特開２００５−２０９６４３号等の各公報に記載の化合物を好適に用いることができる。
【０４７７】
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔注入層又は正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０４７８】
有機ＥＬ素子（１）における電子注入層及び／又は電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。
電子注入層又は電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用できる。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及び、Ｙｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
【０４７９】
電子供与性ドーパントとしては、この他にも、特開平６−２１２１５３号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００３−６８４６８号、特開２００３−２２９２７８号、特開２００４−３４２６１４号等の各公報に記載の材料を用いることができる。
【０４８０】
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子注入層材料又は電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０４８１】
（本発明の有機電界発光素子の製造方法の第２の態様）
本発明の有機電界発光素子の製造方法の第２の態様は、第一の電極を基板上に形成する工程と、該第一の電極を形成した基板上に、仮支持体上に３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を有する転写材料を用い、前記有機化合物層側が基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引き剥がすことにより前記有機化合物層を前記基板の被成膜面に転写する工程（以下、適宜「転写工程」と称する。）と、該有機化合物層上に第二の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。以下、本態様の有機電界発光素子の製造方法を、適宜、「有機ＥＬ素子の製造方法（２）」と称する。
【０４８２】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法（２）においては、３座以上の配位子を有するを含有する有機化合物層を、転写材料を用いた剥離転写法により形成することで、発光効率、発光輝度が高く、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を安定して製造することができる。
即ち、本発明における金属錯体は、加熱及び／又は加圧下での安定性に優れた化合物であり、有機化合物層を基板の被成膜面に転写する際に、加熱及び／又は加圧が行われる場合であっても、良好な性能を有する有機ＥＬ発光素子を製造することができる。また、当該金属錯体は、液中での安定性に優れた化合物であり、転写層（有機化合物層）が湿式形成される場合であっても、製造プロセスにおける経時劣化が小さく、良好な性能を有する有機ＥＬ素子を製造することができる。
【０４８３】
〔転写材料〕
まず、有機ＥＬ素子の製造方法（２）に用いられる転写材料について詳細に説明する。
転写材料は、仮支持体上に有機化合物層を形成することにより作製する。
有機ＥＬ素子の製造方法（２）においては、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層が、当該有機化合物層を形成した転写材料が用いて形成されることが必要であるが、該金属錯体を含有する有機化合物層以外の他の有機化合物層についても転写材料を用いて形成されてもよい。なお、転写に関する詳細な説明については後述する。
【０４８４】
転写材料は、蒸着法、湿式法等の公知の方法を適宜用いて作製することができるが、生産性の観点から湿式法を用いるのが好ましい。
有機化合物層を設けた転写材料は、個々独立した転写材料として作製してもよいし、面順次に設けてもよい。即ち、例えば、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を含む複数の有機化合物層を１枚の仮支持体に設けてもよい。このような転写材料を使用すれば、転写材料の交換の必要なしに、複数の有機化合物層を連続的に形成することができる。
【０４８５】
また、仮支持体上に２層以上の有機化合物層を予め積層した転写材料を使用すれば、１回の転写工程で基板の被成膜面に多層膜を積層することができる。即ち、例えば、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層を含む複数の有機化合物層を１枚の仮支持体上に積層してもよい。但し、仮支持体上に予め積層する場合、積層される各有機化合物層の界面が均一でないと正孔や電子の移動にムラが生じてしまうので、界面を均一にするために溶剤を慎重に選ぶ必要があり、またその溶剤に可溶な有機化合物層用の有機化合物を選択する必要がある。
【０４８６】
＜仮支持体＞
本発明に使用する仮支持体は、化学的及び熱的に安定であって、可撓性を有する材料により構成されることが好ましく、具体的にはフッ素樹脂［例えば４フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、３フッ化塩化エチレン樹脂（ＰＣＴＦＥ）］、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等の薄いシート、又はこれらの積層体が好ましい。仮支持体の厚さは１μｍ〜３００μｍが適当であり、更に３μｍ〜２００μｍが好ましく、特に３μｍ〜５０μｍであるのが好ましい。
【０４８７】
＜仮支持体への有機化合物層の形成＞
有機化合物層は、仮支持体上に、蒸着法、湿式法等の公知の方法を適宜用いて形成することができるが、塗布法、印刷法等の湿式法により形成することが好ましい。
本発明における金属錯体を含む有機化合物層が、湿式法により形成される場合には、該金属錯体を含有する液を用いて形成されることが好ましい。
【０４８８】
塗布法としては、有機化合物層の乾燥膜厚が、好ましくは２００ｎｍ以下で均一な膜厚分布が得られれば特に制限はなく、スピンコート法、グラビアコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、エクストルージェンコート法、インクジェット塗布法等が挙げられる。中でも、ロールツーロールによる生産性の高いエクストルージェンコート法が好ましい。
【０４８９】
印刷法としては、例えば特開２００１−５２８７２号公報、特開２００１−７６８７４号公報、特開２００１−９３６６８号公報、特開２００１−１５５８５８号公報、特開２００１−１５５８６１号公報等に記載のスクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法等が利用できる。
【０４９０】
仮支持体上に形成しうる有機化合物層としては、具体的には、それぞれの特質から発光層、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層等が挙げられる。
本発明において形成される、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機化合物層としては、発光層、電荷輸送層、電荷注入層などが挙げられ、発光層であることが好ましい。
また、有機化合物層の発色性を向上するための種々の層を挙げることができる。各層に用いる化合物の具体例については、例えば「月刊ディスプレイ」１９９８年１０月号別冊の「有機ＥＬディスプレイ」（テクノタイムズ社）等に記載されている。
以下、仮支持体上に形成しうる有機化合物層を構成する各要素について詳細に説明する。
【０４９１】
−３座以上の配位子を有する金属錯体−
有機化合物層に含有される３座以上の配位子を有する金属錯体は、本発明の有機ＥＬ素子用組成物の説明において既述した３座以上の配位子を有する金属錯体と同様である。
有機化合物層における３座以上の配位子を有する金属錯体の含有量は、該金属錯体が含有される層の種類により異なり、好ましい含有量は各層の説明において記載される含有量が適用される。
【０４９２】
−発光層−
有機化合物層は、少なくとも一層の発光層を含む。発光層は少なくとも一種の発光性化合物（発光材料）を含有する。本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体は、発光性化合物として発光層中に含有されることが好ましい。
発光性化合物は特に限定的ではなく、蛍光発光性化合物であっても燐光発光性化合物であってもよい。また蛍光発光性化合物及び燐光発光性化合物を同時に用いてもよい。また、本発明においては、発光輝度及び発光効率の点から燐光発光性化合物を用いるのが好ましい。なお、以下「誘導体」という用語はその化合物自身及びその誘導体を意味する。
【０４９３】
発光層に用いうる発光性化合物としては、本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体の他、例えば、以下に挙げる他の蛍光発光性化合物又は燐光発光性化合物を用いることができる。
蛍光発光性化合物としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、本発明における金属錯体以外の金属錯体（８−キノリノール誘導体の金属錯体、希土類錯体等）、高分子発光性化合物（ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等）等が使用できる。これらは単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。
燐光発光性化合物は、好ましくは三重項励起子から発光することができる化合物であり、オルトメタル化錯体及びポルフィリン錯体が好ましい。燐光発光性化合物は単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
【０４９４】
本発明でいうオルトメタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学  基礎と応用」，１５０頁及び２３２頁，裳華房社（１９８２年）、Ｈ．  Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」，７１〜７７頁及び１３５〜１４６頁，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する配位子は特に限定されないが、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体又は２−フェニルキノリン誘導体であるのが好ましい。これら誘導体は置換基を有してもよい。またこれらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいずれも使用可能であり、本発明ではロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることができる。このようなオルトメタル化錯体を含む有機薄膜層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメタル化錯体については、特願２０００−２５４１７１号に具体例が記載されている。
【０４９５】
本発明で用いるオルトメタル化錯体は、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９１年，３０号，１６８５頁、同１９８８年，２７号，３４６４頁、同１９９４年，  ３３号，  ５４５頁、Ｉｎｏｒｇ．  Ｃｈｉｍ．  Ａｃｔａ  １９９１年，  １８１号，  ２４５頁、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９８７年，３３５号，２９３頁、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８５年，１０７号，１４３１頁等に記載の公知の方法により合成することができる。
【０４９６】
発光層中の発光性化合物の含有量は特に制限されないが、例えば０．１〜７０質量％であるのが好ましく、１〜２０質量％であるのがより好ましい。発光性化合物の含有量が０．１質量％未満であるか又は７０質量％を超えると、その効果が充分に発揮されないことがある。
また、発光層中に、発光性化合物として、３座以上の配位子を有する金属錯体と他の発光性化合物とを併用することもできる。
【０４９７】
発光層は必要に応じてホスト化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料、電気的に不活性なポリマーバインダー等を含有してもよい。なおこれらの材料の機能は１つの化合物により同時に達成できることがある。例えば、カルバゾール誘導体はホスト化合物として機能するのみならず、正孔輸送材料としても機能する。
【０４９８】
ホスト化合物とは、その励起状態から発光性化合物へエネルギー移動が起こり、その結果その発光性化合物を発光させる化合物である。本発明における金属錯体は、ホスト化合物として発光層中に含有させることができる。
本発明に適用しうるホスト化合物としては、本発明における金属錯体の他、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
発光層におけるホスト化合物の含有量は０〜９９．９質量％が好ましく、０〜９９．０質量％がより好ましい。
【０４９９】
正孔輸送材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、及び陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば特に限定されず、低分子材料であっても高分子材料であってもよい。その具体例としては、本発明における金属錯体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。発光層における正孔輸送材料の含有量は０〜９９．９質量％が好ましく、０〜８０．０質量％がより好ましい。
【０５００】
電子輸送材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、及び陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば特に限定されない。その具体例としては、例えば、本発明における金属錯体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体等の金属錯体、メタロフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。発光層における電子輸送材料の含有量は０〜９９．９質量％が好ましく、０〜８０．０質量％がより好ましい。
【０５０１】
発光層が、塗布法により形成される場合には、ポリマーバインダーを含有することが好ましい。ポリマーバインダーとしては、ポリビニルカルバゾール、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能である。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用しても良い。ポリマーバインダーを含有する発光層は、湿式製膜法により容易に大面積に塗布形成することができる。
【０５０２】
発光層の厚さは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚さが２００ｎｍを超えると駆動電圧が上昇することがある。一方１０ｎｍ未満であると有機ＥＬ素子が短絡することがある。
【０５０３】
−正孔輸送層−
本発明においては、必要に応じて前記正孔輸送材料からなる正孔輸送層が形成されることが好ましい。正孔輸送層は前記ポリマーバインダーを含有してもよい。正孔輸送層の厚さは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚さが２００ｎｍを超えると駆動電圧が上昇することがあり、１０ｎｍ未満であると有機ＥＬ素子が短絡することがある。
【０５０４】
−電子輸送層−
本発明においては、必要に応じて前記電子輸送材料からなる電子輸送層を有してもよい。電子輸送層は上記ポリマーバインダーを含有してもよい。電子輸送層の厚さは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚さが２００ｎｍを超えると駆動電圧が上昇することがあり、１０ｎｍ未満であると有機電界発光素子が短絡することがある。
【０５０５】
有機化合物層を液相法により塗布形成する場合、有機化合物層の材料を溶解又は分散して塗布液を調製するのに用いる溶媒は特に制限はなく、有機化合物層を構成する成分の種類に応じて適宜選択することができる。溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノールなど等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、２−エチルヘキサン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチルなどのエステル類、ホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１,２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。これらの溶媒を混合して使用することも可能である。有機化合物層用塗布液における固形分量は特に制限はなく、その粘度も湿式製膜方法に応じて任意に選択することができる。
【０５０６】
仮支持体上に、本発明における金属錯体（３座以上の配位子を有する金属錯体）を含む有機化合物層を、塗布法により形成する場合の具体例を、バーコート法を用いた例により説明するが、これに限定されるものではない。
【０５０７】
（１）まず、本発明における金属錯体を溶媒に溶解又は分散して、金属錯体含有液を調製する。金属錯体含有液は、金属錯体を含有する有機化合物層の構成成分を含有することができる。
金属錯体含有液は、溶液であっても分散液であっても特に限定されるものではないが、本発明における金属錯体を分散するためのポリマーを含有したポリマー分散液であることが好ましい。金属錯体含有液がポリマー分散液である場合、本発明における金属錯体を含有する有機化合物層の構成成分は、ポリマーに分散されていることが好ましい。金属錯体を含有する有機化合物層の構成成分をポリマーに分散することにより、分散液中での構成成分の安定性が向上し、発光効率及び耐久性において更に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。分散に用いられるポリマーとしては、例えば、特開２００１−１１５６８号公報、特開２００２−２５７７９号公報、特開２００４−１５２７４６号公報、等に記載されるポリマーが好適に用いられる。
【０５０８】
本発明における金属錯体を溶解又は分散する溶媒としては、特に限定されるものではなく、有機化合物層の材料を溶解又は分散して塗布液を調製するのに用いる溶媒として前記した溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を混合して使用することも可能である。
本発明において用いる本発明における金属錯体等の分子量、置換基の種類、構造などにより最良の溶媒が選択される。
【０５０９】
（２）上記で得られた金属錯体含有液を、予め洗浄した仮支持体上にバーコート装置（例えば、マツボウ社製＃１０等）を用いてバーコートし、有機化合物層の薄膜を作製し、室温又は加熱下に常圧又は減圧下で乾燥して任意の膜厚の薄膜を作製することができる。
薄膜の乾燥条件は、例えば、使用する化合物、溶媒等の諸条件に応じて適宜選択することができるが、一般には、乾燥時の圧力を常圧又は減圧下に行うことができる。
【０５１０】
金属錯体含有液としてポリマー分散液を用いる場合は、種々の粘度のものが使用でき、その溶液粘度は塗布方法によって異なるため、塗布方法に合った粘度を有する溶液を調製することが好ましい。
ポリマー分散液は、溶媒（例えば、トルエンとクロロホルム１：１）にポリマー（例えば、ＰＶＫ）及び本発明における金属錯体を分散装置を用いて溶解又は分散に必要な時間攪拌し、溶解又は分散することにより調製することができる。分散装置は、特に限定されず公知の装置を用いることができる。
【０５１１】
有機化合物層自体又はその中の成分のガラス転移温度は、４０℃以上で、かつ転写温度＋４０℃以下が好ましく、更に５０℃以上で、かつ転写温度＋２０℃以下が好ましく、特に６０℃以上で、かつ転写温度以下が好ましい。また転写材料の有機化合物層自体又はその中の成分の流動開始温度は４０℃以上で、かつ転写温度＋４０℃以下が好ましく、更に５０℃以上で、かつ転写温度＋２０℃以下が好ましく、特に６０℃以上で、かつ転写温度以下が好ましい。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）により測定することができる。また流動開始温度は、例えば島津製作所（株）製のフローテスターＣＦＴ−５００を用いて測定することができる。
【０５１２】
〔有機ＥＬ素子の製造〕
有機ＥＬ素子の製造方法（２）では、以上説明した仮支持体上に有機化合物層を有する転写材料を用い、第一の電極を形成した基板上に、前記有機化合物層側が該基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、前記仮支持体を引き剥がすことにより前記有機化合物層を前記基板の被成膜面に転写し（剥離転写法）、該有機化合物層上に第二の電極を形成することにより有機ＥＬ素子を製造する。
【０５１３】
なお、複数の有機化合物層を形成する場合、本発明における金属錯体を含有する有機化合物層以外の他の層については、剥離転写法以外に、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の湿式法、印刷法等を併用することもできる。
【０５１４】
剥離転写法は、転写材料を加熱及び／又は加圧することにより有機化合物層を軟化させて、基板の被成膜面に接着させた後、仮支持体を剥離することにより有機化合物層だけを被成膜面に残留させる転写方法である。また、有機ＥＬ素子の製造方法（２）においては、剥離転写法と貼り合わせ法とを併用してもよい。貼り合せ法は、少なくとも２つの面の界面同士を密着、圧着、融着等により接合する方法である。具体的には、被成膜面に転写された有機化合物層と、電極及び／又は有機化合物層が形成された基板とを重ね合せた後、加熱及び／又は加圧することにより有機化合物層を軟化させて、基板上の電極及び／又は有機化合物層に接着させる方法である。本発明に用いる転写方法及び貼合せ方法は、加熱と加圧をそれぞれ単独で使用してもこれらを組み合せて使用してもよい。
【０５１５】
加熱手段としては、一般に公知の方法を用いることができ、例えばラミネータ、赤外線ヒータ、ローラーヒーター、レーザ、熱ヘッド等を用いることができる。大面積の転写を行う場合、面状加熱手段が好ましく、ラミネータ、赤外線ヒーター、ローラーヒーター等がより好ましい。転写用の温度は特に限定的でなく、有機化合物層の材質や加熱部材によって変更することができるが、一般に４０〜２５０℃が好ましく、更に５０〜２００℃が好ましく、特に６０〜１８０℃が好ましい。ただし転写用の温度の好ましい範囲は、加熱部材、転写材料及び基板の耐熱性に関係しており、耐熱性が向上すればそれにともなって変化する。加圧手段は特に限定されないが、ガラス等の歪により破壊されやすい基板を用いる場合は、均一に加圧できるものが好ましい。例えば、片方又は両方をゴムにした対ローラーを用いるのが好ましく、具体的には、ラミネータ（ファーストラミネータＶＡ−４００ＩＩＩ（大成ラミネータ（株）製）等）、熱転写プリント用の熱ヘッド等を用いることができる。加圧する場合、界面が均一に接しているのがよい。圧力は特に限定されないが、一般に０．１〜１００ＭＰａが好ましく、更に０．１〜３０ＭＰａが好ましく、特に０．１〜１０ＭＰａが好ましい。
【０５１６】
有機ＥＬ素子の製造方法（２）においては、転写・剥離工程を繰返し行い、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する有機化合物層を含む、複数の有機化合物層を基板上に積層することにより形成することもできる。複数の有機化合物層は同一の組成であっても異なっていてもよい。同一組成の場合、転写不良や剥離不良による層の抜けを防止することができるという利点がある。また、異なる層を設ける場合、機能を分離して発光効率を向上する設計とすることができ、例えば、転写法により被成膜面に、透明又は不透明の導電層／発光層／電子輸送層／電子注入層／背面電極、透明導電層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／透明又は不透明の背面電極を積層することができる。
【０５１７】
基板に転写した有機化合物層に対して、あるいは先に転写した有機化合物層に転写した新たな有機化合物層に対して、必要に応じて再加熱するのが好ましい。再加熱により有機化合物層は基板又は先に転写した有機化合物層にいっそう密着する。再加熱時に必要に応じて加圧するのが好ましい。再加熱温度は転写温度±５０℃の範囲であるのが好ましい。
【０５１８】
先の転写層が次の転写層に逆転写されないように、先の転写工程と次の転写工程の間で、被成膜面に密着力を向上するような表面処理を施してもよい。このような表面処理としては、例えばコロナ放電処理、火炎処理、グロー放電処理、プラズマ処理等の活性化処理が挙げられる。表面処理を併用する場合、逆転写しなければ、先の転写材料の転写温度が次の転写材料の転写温度未満であってもよい。
【０５１９】
転写法に用いる製造装置としては、仮支持体上に有機化合物層を形成した転写材料を送給する装置と、転写材料を加熱しながら基板の被成膜面に押し当てることにより、有機化合物層を基板の被成膜面に転写する装置と、転写後に仮支持体を有機化合物層から引き剥がす装置とを有する装置を用いることができる。製造装置は、転写装置に送給する前に転写材料及び／又は基板を予熱する手段を有するのが好ましい。また転写装置の後段に冷却装置を有するのが好ましい。
【０５２０】
有機ＥＬ素子の製造方法（２）に用いる装置は特に限定されず、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスで置換したグローブボックスと背面電極を形成するための蒸着装置、スパッタ装置等が連結した装置であって、形成した積層体を大気中に暴露せずに次工程に移せるものが好ましい。
【０５２１】
また、有機ＥＬ素子の製造方法（２）においては、各工程を水分濃度１００ｐｐｍ以下、且つ酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことが好ましい。
【０５２２】
有機ＥＬ素子の製造方法（２）の好適な実施態様を挙げるが、これに限定されるものではない。
まず、水分濃度１００ｐｐｍ以下、かつ酸素濃度１００ｐｐｍ以下の不活性ガス（窒素、アルゴン等）で置換したグローブボックス内で、本発明における金属錯体を含む有機化合物層の材料を溶解又は分散して塗布液を調製した後、グローブボックス内でスピンコータ等により仮支持体上に塗布し、製膜した有機化合物層を乾燥して転写材料を作製する。なお、本発明における金属錯体を含まない有機化合物層を形成するための転写材料についても、同様に作製することができる。
一方、グローブボックスに連結した蒸着機の真空チャンバー内に基板支持体を置き、基板支持体上に透明又は不透明の電極を形成する。次に、透明又は不透明の電極を形成した基板をグローブボックス内に移す。次いで、転写材料の有機化合物層側が基板の被成膜面に対面するように転写材料を基板に重ねて加熱及び／又は加圧し、仮支持体を引き剥がすことにより有機化合物層を基板の被成膜面に転写する。次に透明又は不透明の背面電極を形成するために基板をグローブボックスに連結した蒸着機に移し、透明又は不透明の背面電極を形成する。得られた積層体を再びグローブボックス内に戻して電極及び背面電極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線し、さらに封止材により封止することにより有機ＥＬ素子を作製する。
【０５２３】
（有機ＥＬ素子の製造方法（２）を用いて製造される有機ＥＬ素子）
本発明の有機電界発光素子の第１の態様は、前述した有機ＥＬ素子の製造方法（２）を用いて製造されることを特徴とする（以下、適宜、「有機ＥＬ素子（２）」と称する。）
【０５２４】
〔素子の全体構成〕
有機ＥＬ素子（２）の全体構成は、基板支持体に透明又は不透明の導電層／発光層／背面電極、透明導電層／発光層／電子輸送層／透明又は不透明の背面電極、透明又は不透明の導電層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／透明又は不透明の背面電極、透明又は不透明の導電層／正孔輸送層／発光層／透明又は不透明の背面電極、透明又は不透明の導電層／発光層／電子輸送層／電子注入層／透明又は不透明の背面電極、透明又は不透明の導電層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／透明又は不透明の背面電極等をこの順に積層した構成、これらを逆に積層した構成等であってよい。有機ＥＬ素子（２）は、通常透明導電層から発光が取り出される。
【０５２５】
＜有機化合物層＞
有機ＥＬ素子（２）における有機化合物層については、既述した、仮支持体上に形成しうる有機化合物層の内容が同様に適用される。
【０５２６】
−パターニング−
微細パターン状の有機化合物層の形成には、微細パターン状の開口部を有するマスク（微細マスク）を使用する。マスクの材質は限定的でないが、金属、ガラス、セラミック、耐熱性樹脂等の耐久性があって安価なものが好ましい。またこれらの材料を組み合わせて使用することもできる。また機械的強度及び有機化合物層の転写精度の観点から、マスクの厚さは２〜１００μｍであるのが好ましく、５〜６０μｍであることがより好ましい。
【０５２７】
転写材料における有機化合物層が正確にマスクの開口部の形状通りに下地の透明導電層又は他の有機化合物層に接着するように、マスク開口部は基板側より転写材料側の方が大きくなるようにテーパしているのが好ましい。
【０５２８】
また、凹凸パターンが形成された転写材料の表面を基板に重ね合わせ、転写材料の凸部に形成された有機化合物層を基板上に転写するパターニング方法も好ましい。転写材料の仮支持体の上に形成された有機化合物層の表面に所定のパターンの凹凸が形成された押圧部材を押圧することにより、押圧部材の凹凸に対応するパターンを転写材料の表面に形成することができる。転写材料は異なる組成の有機化合物層により複数の転写材料を形成してもよい。従って、基板上に複数の転写材料を用いて転写を繰り返すことにより、複数の異なる組成の有機化合物層が形成されたパターン状有機化合物層を作製することができる。
【０５２９】
〔その他の構成要素〕
本発明の有機ＥＬ素子における、基板、電極、他の有機化合物層、その他の層、等の他の構成要素については、既述したものの他、例えば、特開２００４−２２１０６８号の［００１３］から［００８２］、特開２００４−２１４１７８号の［００１７］から［００９１］、特開２００４−１４６０６７号の［００２４［から［００３５］、特開２００４−１０３５７７号の［００１７］から［００６８］、特開２００３−３２３９８７号の［００１４］から［００６２］、特開２００２−３０５０８３号の［００１５］から［００７７］、特開２００１−１７２２８４号の［０００８］から［００２８］、特開２０００−１８６０９４号の［００１３］から［００７５］、特表２００３−５１５８９７号の［００１６］から［０１１８］等に記載のものついても、本発明において同様に適用することができる。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０５３０】
有機ＥＬ素子（２）における正孔注入層及び／又は正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層又は正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０５３１】
具体的には、無機化合物の場合は、塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
また、有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
【０５３２】
この他にも、特開平６−２１２１５３号、特開平１１−１１１４６３号、特開平１１−２５１０６７号、特開２０００−１９６１４０号、特開２０００−２８６０５４号、特開２０００−３１５５８０号、特開２００１−１０２１７５号、特開２００１−１６０４９３号、特開２００２−２５２０８５号、特開２００２−５６９８５号、特開２００３−１５７９８１号、特開２００３−２１７８６２号、特開２００３−２２９２７８号、特開２００４−３４２６１４号、特開２００５−７２０１２号、特開２００５−１６６６３７号、特開２００５−２０９６４３号等の各公報に記載の化合物を好適に用いることができる。
【０５３３】
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔注入層又は正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０５３４】
有機ＥＬ素子（２）における電子注入層及び／又は電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。
電子注入層又は電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用できる。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及び、Ｙｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
【０５３５】
電子供与性ドーパントとしては、この他にも、特開平６−２１２１５３号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００３−６８４６８号、特開２００３−２２９２７８号、特開２００４−３４２６１４号等の各公報に記載の材料を用いることができる。
【０５３６】
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子注入層材料又は電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０５３７】
本発明の有機ＥＬ素子（１）及び（２）は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
【０５３８】
本発明の有機ＥＬ素子（１）及び（２）の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０５３９】
本発明の有機ＥＬ素子（１）及び（２）は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【実施例】
【０５４０】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【０５４１】
［比較例１Ａ］
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とする。この透明支持基板をエッチング、洗浄する。
このＩＴＯガラス基板上に、ホール注入・輸送層のＢａｙｔｒｏｎ Ｐ（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸ドープ体）／バイエル社製）をスピンコートした後、１００℃で１時間真空乾燥し、ホール注入・輸送層とする（膜厚約１００ｎｍ）。
この上に、ポリビニルカルバゾール（下記構造、Ｍｎ２５０００〜５００００、アルドリッチ社製） ０．４５質量％、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体（オルトメタル化錯体）０．０５質量％、水 １質量％、メタノール ２３．５質量％、ＤＭＦ ６０質量％、グリセリン ５質量％、及びジエチレングリコール １０質量％を含有する発光層用組成液をインクジェットプリント装置のヘッドから吐出させて塗布し、発光層とする（膜厚約５０ｎｍ）。
次いで、電子輸送材料ＢＡｌｑ及びＡｌｑをそれぞれ膜厚２０ｎｍ、３０ｎｍとなるように順次蒸着し、電子輸送層とする。
さらに、ＬｉＦを膜厚約３ｎｍを、１０-3〜１０-4Ｐａの真空中で基板温度室温条件下で蒸着する。
この上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、アルミニウムを膜厚約４００ｎｍ蒸着して比較例１Ａの素子を作製する。
なお、作製した素子は乾燥グローブボックス内で封止する。
【０５４２】
【化１３３】
2007110067.tif 000134
【０５４３】
［実施例１Ａ］
比較例１Ａの素子において、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−１）を用いる以外は比較例１Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５４４】
【化１３４】
2007110067.tif 000135
【０５４５】
［比較例２Ａ］
比較例１Ａの素子において、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、下記構造の化合物（Ｉｒ−１）を用いる以外は比較例１Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５４６】
【化１３５】
2007110067.tif 000136
【０５４７】
［実施例２Ａ］
実施例１Ａの素子において、化合物（Ｐｔ−１）の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−２）を用いる以外は比較例１Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５４８】
【化１３６】
2007110067.tif 000137
【０５４９】
＜素子評価＞
（１）発光効率：外部量子効率
ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用い、発光スペクトルと発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定する。これらの数値をもとに、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2付近の外部量子効率を輝度換算法により算出し、下記の基準に従い評価する。
【０５５０】
−評価基準−
○：５％以上
△：３％以上５％未満
×：３％未満
【０５５１】
（２）駆動耐久性：輝度半減時間
上記（１）と同様に、各素子を輝度１０００ｃｄ／ｍ2になるように直流電圧を印加し、輝度が５００ｃｄ／ｍ2になるまでの時間（輝度半減時間）を測定し、下記の評価基準に従い評価する。
【０５５２】
−評価基準−
○：２０００ｈｒ以上
△：１０００ｈｒ以上２０００未満
×：１０００ｈｒ未満
【０５５３】
以上の評価結果を下記表１に示す。なお、各素子の発光色を併記する。
【０５５４】
【表１】
2007110067.tif 000138
【０５５５】
［実施例１Ｂ、２Ｂ、及び、比較例１Ｂ、２Ｂ］
実施例１Ａ、２Ａ、及び、比較例１Ａ、２Ａの各素子の作製において、発光層用組成液を５時間経時した後、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出させて塗布する以外は、実施例１Ａ、２Ａ、及び、比較例１Ａ、２Ａと全く同様にして、実施例１Ｂ、２Ｂ、及び比較例１Ｂ、２Ｂの素子を作製する。
【０５５６】
＜素子評価＞
（３）溶液経時品の外部量子効率と輝度半減時間
上記のように作製した素子の外部量子効率、輝度半減時間を、それぞれ前記（１）及び（２）と同様な方法で測定する。
以上の評価結果を下記表２に示す。なお、各素子の発光色を併記する。
【０５５７】
【表２】
2007110067.tif 000139
【０５５８】
［実施例３Ａ、３Ｂ、及び、比較例３Ａ、３Ｂ］
実施例１Ａ、１Ｂの素子において、化合物（Ｐｔ−１）の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−３）を用いる以外は、実施例１Ａ、１Ｂと全く同様にして、実施例３Ａ、３Ｂの素子を作製する。
また、比較例１Ａ、１Ｂの素子に用いたトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、比較化合物として下記構造の化合物（Ｉｒ−３）を用いて比較例３Ａ、３Ｂの素子を作製する。
なお、実施例３Ａ、３Ｂ、及び、比較例３Ａ、３Ｂの素子の発光色は青色である。
実施例３Ａ、３Ｂは、比較例３Ａ、３Ｂに対して、溶液経時前後の、外部量子効率、駆動耐久性，溶液経時後の外部量子効率、溶液経時後の駆動耐久性に優れる。
【０５５９】
【化１３７】
2007110067.tif 000140
【０５６０】
また、実施例１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、及び３Ｂの各素子に用いる「Ｐｔ−１」、「Ｐｔ−２」、又は「Ｐｔ−３」に代えて、一般式（II）で表される化合物（例えば、例示化合物として先に挙げた、化合物（１０３）等）、又は、一般式（III）で表される化合物（例えば、例示化合物として先に挙げた、化合物（６４）や化合物（８２）等）を用いることで、同様の素子を作製することができる。これらの素子は、前記の各実施例と同様に本発明の良好な結果を得ることができる。
【０５６１】
以上の結果から明らかなように、３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機ＥＬ素子用組成物を用いて得られた、実施例１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、及び３Ｂの各素子は、２座配位子を有する金属錯体を含有する有機ＥＬ素子用組成物を用いて得られた比較例の素子に比べ、発光効率、駆動耐久性に優れる。また、３座以上の配位子を有する金属錯体を用いた素子は、２座配位子を有する金属錯体を用いた比較例の素子に比べ、溶液経時後の性能低下も小さく、製造要因変動による性能変化を抑えることができることが理解される。
【０５６２】
以上詳述したように、本発明によれば、発光効率が高く、駆動耐久性の高い発光素子を、インクジェット法を用いたパターン形成方法を用いて、安定に供給することができる有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。
【０５６３】
［比較例４Ａ］
（１）基板Ａの作製
基板支持体として厚さが０．５ｍｍのガラス板を２．５ｃｍ角に切断し、蒸着機の真空チャンバー内に導入し、ＳｎＯ2含有率が１０質量％のＩＴＯターゲット（インジウム：錫＝９５：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング（条件：基板支持体温度１００℃ 、酸素圧１×１０-３Ｐａ）により、厚さ０．２μｍのＩＴＯ薄膜からなる透明電極（陽極）を形成する。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□である。
次に、透明電極を形成したガラス板を蒸着機に連結したグローブボックス（水分濃度３０ｐｐｍ及び酸素濃度３０ｐｐｍの窒素ガスで置換したもの）に移し、透明電極（ＩＴＯ）よりアルミニウムのリード線を結線し、積層構造体を形成した。透明電極を形成したガラス板を洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）により洗浄した後、酸素プラズマ処理を行う。処理した透明電極の表面に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸の水性分散液（ＢＡＹＥＲ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ：固形分１．３質量％）をスピンコートした後、連結した真空チャンバー内に移し、１５０℃ で２時間真空乾燥して厚さ１００ｎｍのホール輸送層を形成する。
【０５６４】
（２）転写材料Ｍの作製
上記グローブボックス内で、厚さ１８８μｍのポリエーテルスルホン（住友ベークライト（株）製）からなる仮支持体の片面上に、下記組成を有する発光層用塗布液をスピンコーターを用いて塗布し、室温で乾燥することにより、厚さ４０ｎｍの発光層を仮支持体上に形成する。
＜発光層用塗布液組成＞
・ポリビニルカルバゾール（Ｍｗ＝６３０００、アルドリッチ社製）      ４０質量部
・トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体（オルトメタル化錯体）  １質量部
・ジクロロエタン                                                ３２００質量部
【０５６５】
（３）有機電界発光素子の作製
ホール輸送層を形成した基板Ａをグローブボックス内に戻し、基板Ａのホール輸送層の上面に転写材料Ｍの発光層側を重ね、一対の熱ローラーを用い１６０℃、０．３ＭＰａ、０．０５ｍ／ｍｉｎで加熱・加圧し、仮支持体を引き剥がすことにより、ホール輸送層の上面に発光層を形成した基板ＭＡを作製する。ハンディータイプのＵＶランプ（フナコシ（株）製、ＵＶＧＬ−２５）により２５４ｎｍの紫外線を照射し、発光層が均一に形成されていることを目視で確認する。
【０５６６】
発光層が形成された基板ＭＡを連結した蒸着機に移し、発光層に電子輸送材料として下記構造の化合物Ａを１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、０．０３６μｍの電子輸送層を設ける。  さらに、この上にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着法によりＬｉＦを３ｎｍ製膜した（電子注入層）。さらに、Ａｌを０．３μｍ蒸着して背面電極（陰極）を形成し、積層構造体を得る。
【０５６７】
【化１３８】
2007110067.tif 000141
【０５６８】
得られた積層構造体を蒸着機に連結したグローブボックス内に戻し、背面電極よりアルミニウムのリード線を結線する。さらに紫外線硬化型接着剤（長瀬チバ（株）製、ＸＮＲ５４９３）を用い、ガラス製の封止容器で封止して、比較例４Ａの有機ＥＬ素子を作製する。
【０５６９】
［実施例４Ａ］
比較例４Ａの素子において、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−１）を用いる以外は、比較例４Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５７０】
【化１３９】
2007110067.tif 000142
【０５７１】
［比較例５Ａ］
比較例４Ａの素子において、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、下記構造の化合物（Ｉｒ−１）を用いる以外は、比較例４Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５７２】
【化１４０】
2007110067.tif 000143
【０５７３】
［実施例５Ａ］
実施例４Ａの素子において、化合物（Ｐｔ−１）の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−２）を用いる以外は、実施例４Ａと全く同様にして素子を作製する。
【０５７４】
【化１４１】
2007110067.tif 000144
【０５７５】
＜素子評価＞
（１）発光効率：外部量子効率
ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用い、発光スペクトルと発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定する。これらの数値をもとに、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2付近の外部量子効率を輝度換算法により算出し、下記の基準に従い評価する。
【０５７６】
−評価基準−
○：５％以上
△：３％以上５％未満
×：３％未満
【０５７７】
（２）駆動耐久性：輝度半減時間
各素子を輝度１０００ｃｄ／ｍ2になるように直流電圧を印加し、輝度が５００ｃｄ／ｍ2になるまでの時間（輝度半減時間）を測定する。輝度半減時間を下記の評価基準に従い評価する。
【０５７８】
−評価基準−
○：２０００ｈｒ以上
△：１０００ｈｒ以上２０００未満
×：１０００ｈｒ未満
【０５７９】
以上の評価結果を下記表１に示す。なお、各素子の発光色を併記する。
【０５８０】
【表３】
2007110067.tif 000145
【０５８１】
［実施例４Ｂ、５Ｂ、及び、比較例４Ｂ、５Ｂ］
実施例４Ａ、５Ａ、及び、比較例４Ａ、５Ａの各素子の作製において、発光層用組成液を、５時間経時した後、スピンコートし、それ以外は実施例４Ａ、５Ａ、及び、比較例４Ａ、５Ａと全く同様にして、実施例４Ｂ、５Ｂ、及び比較例４Ｂ、５Ｂの素子を作製する。
【０５８２】
＜素子評価＞
（３）溶液経時品の外部量子効率と輝度半減時間
上記のように作製した素子の外部量子効率、輝度半減時間をそれぞれ前記（１）、（２）と同様な方法で測定する。
以上の評価結果を下記表２に示す。なお、各素子の発光色を併記する。
【０５８３】
【表４】
2007110067.tif 000146
【０５８４】
［実施例６Ａ、６Ｂ、及び、比較例６Ａ、６Ｂ］
実施例４Ａ、４Ｂの素子において、化合物（Ｐｔ−１）の代わりに、下記構造の化合物（Ｐｔ−３）を用いる以外は実施例４Ａ、４Ｂと全く同様にして実施例６Ａ、６Ｂの素子を作製する。
また、比較例４Ａ、４Ｂの素子のトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の代わりに、比較化合物として下記構造の化合物（Ｉｒ−３）を用いて比較例６Ａ、６Ｂの素子を作製する。
実施例６Ａ、６Ｂ、及び、比較例６Ａ、６Ｂの素子の発光色は青色である。実施例６Ａ、６Ｂは、比較例６Ａ、６Ｂの素子に対して、外部量子効率、駆動耐久性，溶液経時後の外部量子効率、溶液経時後の駆動耐久性に優れる。
【０５８５】
【化１４２】
2007110067.tif 000147
【０５８６】
［実施例７Ａ、７Ｂ］
（１）基板Ｂの作製
厚さ３０μｍのアルミニウム箔の両面にポリイミドシート（ユーピレックス５０Ｓ、厚さ５０μｍ、宇部興産（株）製）を接着剤を用いてラミネートし、グローブボックス（水分濃度３０ｐｐｍ 及び酸素濃度３０ｐｐｍの窒素ガスで置換したもの）内で洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）により洗浄した後、酸素プラズマ処理を行う。処理した基板を連結した蒸着機に移し、酸素プラズマ処理を行った片面上に、パターニングした蒸着用のマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、約０．１ｍＰａの減圧雰囲気中でＡｌを蒸着し、膜厚０．３μｍ の背面電極（陰極）を形成した。更に電子注入層として、膜厚３ｎｍのＬｉＦをＡｌ層と同パターンで蒸着した。電極及び電子注入層を形成した基板をグローブボックス内に移し、Ａｌ電極よりアルミニウムのリード線を結線した。基板を再度蒸着機に移し、ＬｉＦ上に電子輸送材として上記化合物Ａを１ｎｍ／秒の速度で蒸着して厚さ０．０３６μｍの電子輸送層を設ける。
【０５８７】
（２）基板ＭＡの作製
実施例４Ａ、４Ｂと同様にして発光層を形成して基板ＭＡを作製する。
【０５８８】
（３）有機電界発光素子の作製
上記グローブボックス内で基板ＭＡの発光層が転写された被成膜面と、基板Ｂの電子輸送層と、が対面するように基板ＭＡと基板Ｂを重ね合わせ、一対の熱ローラーを用い１６０℃ 、０．３ＭＰａ、０．０５ｍ／ｍｉｎで加熱・加圧し、貼り合せる。次いで、背面電極よりアルミニウムのリード線を結線して積層構造体を作製した。さらに紫外線硬化型接着剤（長瀬チバ（株）製、ＸＮＲ５４９３）を用い、ガラス製の封止容器で封止して、実施例６Ａ、６Ｂの有機ＥＬ素子を作製する。
【０５８９】
＜素子評価＞
得られた素子を実施例４Ａ、４Ｂと同様にして評価を行い、同様に良好な結果を得る。
【０５９０】
上記結果から明らかなように、３座以上の配位子を有する金属錯体を用いた実施例３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ａ、６Ｂ、７Ａ、及び７Ｂの各素子は、２座配位子を有する金属錯体を用いた比較例素子に比べ、発光効率、駆動耐久性に優れる。また、従来の２座配位子を有する金属錯体を用いた比較例の素子では、溶液経時により性能劣化が生じているのに対し、実施例の各素子では溶液経時後の性能低下も小さく、溶液経時後の性能低下も小さく、製造要因変動による性能変化を抑えることができることが理解される。
【０５９１】
また、実施例４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ａ、６Ｂ、７Ａ、及び７Ｂの各素子に用いる「Ｐｔ−１」、「Ｐｔ−２」、又は「Ｐｔ−３」に代えて、一般式（II）で表される化合物（例えば、例示化合物として先に挙げた、化合物（１０３）等）、又は、一般式（III）で表される化合物（例えば、例示化合物として先に挙げた、化合物（６４）や化合物（８２）等）を用いることで、同様の素子を作製することができる。これらの素子は、前記の各実施例と同様に本発明の良好な結果を得ることができる。
【０５９２】
以上詳述したように、本発明により、発光効率が高く、駆動耐久性の高い発光素子を、簡便な液相法を用いて、安定に供給することができる有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。また、剥離転写法（又は、剥離転写法及び貼り合わせ法）を用いることにより生産性よく、低コストで製造できる。本発明では転写材料を用いて有機層を形成するため、基板や有機層に欠陥等（表面の平滑性等の物理的欠陥）が存在しても欠陥の影響が低減され、面状発光が良好になる等の効果を有する。さらに、貼り合わせ法を用いることにより、層同士の密着性がよく、欠陥が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。