(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ層の膜密度を高める。【解決手段】ＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の汎用のプレス法を用いて塗布膜３０に均一に加圧し、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。この際、隔壁部４７の表面及び塗布膜３０の表面に密着したパッキング部材８０上から所定の温度に温度管理された水等の流体８１を介して圧力を加える。凹凸が存在しても容易に塗布膜３０の表面に加圧することが可能である。加えて、流体８１は、パッキング部材８０の表面に接するように基板１上において、加えられた圧力に応じて基板１上の凹部６２内に入り込み、凹部６２内に形成された塗布膜３０の表面に均一に接し、且つ流体８１に加えられた圧力を全ての方向に均一に伝達する。これにより、塗布膜３０の表面をラミネートする密着部８０ａに流体８１を介して均一に圧力が伝達され、塗布膜３０の表面に均一に加圧できる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜工程と、
前記塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート工程と、
流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する加圧工程とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記ラミネート工程において、前記ラミネート膜を含む袋状のパッキング部材を用いることによって、前記塗布膜までが形成された基板をパッキングすること
を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜工程と、
前記塗布膜上に電極膜を形成する電極膜形成工程と、
前記電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート工程と、
流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する加圧工程とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記ラミネート工程において、前記ラミネート膜を含む袋状のパッキング部材を用いることによって、前記電極膜までが形成された基板をパッキングすること
を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記加圧工程が施された後、前記ラミネート膜を除去すること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記加圧工程において、冷間静水圧プレス、又は温間静水圧プレスによって前記塗布膜に加圧すること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜の表面をラミネートするラミネート膜に流体を介して均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
基板と、
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜上に形成された電極膜と、
前記電極膜の表面をラミネートするラミネート膜と、
流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
基板と、
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜上に形成された電極膜と、
前記電極膜の表面をラミネートするラミネート膜上から流体を介して前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜手段と、
流体を介して前記塗布膜に均一に加圧することによって前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成するために、前記塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート手段とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項１１】
基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜手段と、
前記塗布膜上に形成された電極膜に流体を介して均一に加圧することによって前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成するために、前記電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート手段とを備えたこと
を特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項１２】
前記流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧する加圧手段を備えたこと
を特徴とする請求項１０又は１１に記載の有機ＥＬ装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、インクジェット法等の塗布法を用いて有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造方法、及びそのような製造方法によって形成された有機ＥＬ装置、並びに有機ＥＬ装置の製造装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の有機ＥＬ装置の製造方法では、有機ＥＬ層を形成する方法として、例えば真空蒸着法等の物理的蒸着法を用いて低分子材料を蒸着させる方法と、インクジェット法等の塗布法を用いて高分子材料を塗布する方法とがある。
【０００３】
有機ＥＬ層の膜質は、有機ＥＬ装置の表示特性及び寿命を高めるために重要な因子であり、例えば特許文献１は、塗布法を用いて形成された有機ＥＬ層に加圧することによってその下層側に形成された他の層と有機ＥＬ層との密着性を高め、有機ＥＬ素子の長寿命化を図る技術を開示している。また、特許文献２に開示された技術によれば、有機化合物にラビング処理を施すことによって有機化合物の発光方向を電極側に向け、発光素子の光取り出し効率を高めている。特許文献３は、発光層にラビング処理を施すことによって薄膜且つ大面積の発光層を形成する技術を開示している。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３０６９５４号公報
【特許文献２】特開２００５−１００９７６号公報
【特許文献３】特開２００５−２６０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の有機ＥＬ装置の製造方法では、通常、有機ＥＬ層の一方の面側に、ＬｉＦ等のアルカリ金属、或いはアルカリ土類金属を含む電子注入層と、Ａｌ等の金属薄膜からなる陰極を形成する。
【０００６】
塗布法を用いて形成された有機ＥＬ層は、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ層に比べて粗膜であるため、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ層上に形成される電子注入層及び陰極と同様の成膜条件で電子注入層及び陰極を形成した場合、有機ＥＬ層の初期的な特性が低下してしまうことが多い。より具体的には、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ層上に形成される、例えば１ｎｍの膜厚を有するＬｉＦ等からなる電子注入層及びこの電子注入層上に形成されるＡｌ等からなる陰極と同様の電子注入層及び陰極を、塗布法を用いて形成された有機ＥＬ層上に形成した場合、化学的に不安定なＬｉ原子或いはイオンが有機ＥＬ層に拡散してしまい、これら拡散した原子又はイオンに起因して有機ＥＬ層の特性が低下してしまう。
【０００７】
一方、化学的に不安定な材料によって構成される電子注入層の膜厚を５乃至１０ｎｍ程度まで厚くした場合、有機ＥＬ装置の寿命、即ち信頼性を低下させてしまう問題が生じてしまう。
【０００８】
塗布法で形成された有機ＥＬ層の他方の面側には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料で形成された陽極及び正孔注入層が形成される。塗布法を用いて形成された有機ＥＬ層は粗膜であるため、陽極から有機ＥＬ層に拡散したインジウム原子によって有機ＥＬ層の寿命が低下してしまう場合もある。
【０００９】
このように、塗布法を用いて形成された有機ＥＬ層が粗膜であることを主たる要因として、有機ＥＬ装置に様々な不具合が生じる。
【００１０】
そこで、本願発明者等は、有機ＥＬ材料を塗布してなる塗布膜をアニールする際のアニール条件を最適化することにより、塗布膜をアニールしてなる有機ＥＬ層の初期特性を高めることを検討した。
【００１１】
しかしながら、有機ＥＬ層の表面平坦性を上げることによって有機ＥＬ装置の表示特性は向上するが、有機ＥＬ層が粗膜である点について根本的な解決が図られるに至っていないのが実情である。
【００１２】
また、塗布法の一例であるインクジェット法を用いて有機ＥＬ材料を塗布する場合、有機ＥＬ材料が塗布される領域、即ち基板上の凹部を規定する、所謂隔壁部の存在によって基板上には凹凸が形成されている。凹部に形成された有機ＥＬ層に加圧するために特許文献２及び３に記載されたローラを応用した場合、隔壁部の存在によって有機ＥＬ層に均一にローラを接触させることが困難であり、十分、且つ均一に有機ＥＬ層に加圧することは難しい。加えて、特許文献１に開示された技術を応用して有機ＥＬ層に加圧した場合、加圧槽内に充填されたガス等の流体が有機ＥＬ層に直接接することになり、有機ＥＬ層の膜質を低下させてしまう虞がある。
【００１３】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、インクジェット法等の塗布法を用いて形成される有機ＥＬ層の初期的な特性及び寿命が高められた有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ装置の製造方法、及びそのような製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置、並びに有機ＥＬ装置の製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜工程と、前記塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート工程と、流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する加圧工程とを備える。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、凹部は、例えば成膜工程に先んじて基板上に形成された隔壁部によって規定されており、各画素部の各々内に設けられている。
【００１６】
成膜工程において、例えばインクジェット法等の塗布法を用いて有機ＥＬ材料を凹部に塗布し、後述するラミネート工程及び加圧工程を経て最終的に有機ＥＬ層となる塗布膜を形成する。このような塗布膜は、例えば赤色、緑色、及び青色の夫々の色に発光する有機ＥＬ材料をインクジェット法を用いて各凹部に塗り分けられることによって形成されていてもよいし、凹部の内壁面及び凹部を規定する隔壁部の表面に沿って連続した一枚の膜として、スピンコート法等を用いて形成されていてもよい。凹部に塗布膜が形成された基板上には、例えば凹部を規定する隔壁部の凹凸形状に応じた凹凸が形成されている。
【００１７】
ラミネート工程において、ラミネート膜によって塗布膜の表面をラミネートする。塗布膜の表面をラミネートする際には、既存のラミネート法を用いればよい。ラミネート膜は、後述する加圧工程において流体が塗布膜に接しないように塗布膜の表面を保護する。
【００１８】
加圧工程において、流体を介してラミネート膜上から塗布膜に均一に加圧する。流体を介して加圧することによって、凹部に塗布膜を形成した場合でも塗布膜に均一に加圧できる。より具体的には、ローラ等を用いて基板上から塗布膜に加圧した場合、凹凸の存在によって塗布膜に均一に接するように基板上においてローラを移動させることは困難である。しかしながら、流体は、加えられた圧力に応じて基板上の凹部内に入り込み、凹部内に形成された塗布膜の表面に均一に接することが可能である。
【００１９】
加えて、流体は、流体に加えられた圧力を全ての方向に均一に伝達する。したがって、塗布膜の表面をラミネートするラミネート膜に流体を介して均一に圧力が伝達され、塗布膜の表面に均一に加圧できる。このような流体としては、例えば汎用のプレス工程で用いられる水或いはオイル等の圧力伝達媒体を用いればよい。
【００２０】
流体に加えられた圧力がラミネート膜を介して間接的に塗布膜の表面に伝達されるため、例えば水或いはオイル等の流体を用いた場合でも、これら流体が塗布膜に接することがない。したがって、水又はオイル等の流体が塗布膜に接することによって塗布膜の膜質が低下することを抑制できる。
【００２１】
加圧工程において、塗布膜に均一に加圧することによってこの塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する。これにより、例えば化学的に不安定なアルカリ金属等の金属材料を有機ＥＬ層上に蒸着した場合、これら金属材料が有機ＥＬ層中に拡散することを低減でき、有機ＥＬ層の初期特性が低下することを低減できる。
【００２２】
ここで、“膜密度”は、例えば、有機ＥＬ層の膜厚を基準とする、塗布膜の相対的な膜厚比によって定義される指標である。したがって、膜密度が１より大きければ、有機ＥＬ層の膜密度が塗布膜に比べて大きくなっていることになる。尚、以下の各発明において、“膜密度”は、本発明の膜密度と同様に定義されることに留意されたい。
【００２３】
このように、本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、塗布法を用いて形成された塗布膜を基に、この塗布膜より膜密度が高い有機ＥＬ層を形成できる。したがって、膜密度が低い塗布膜をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命を高めることが可能である。
【００２４】
本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一の態様では、前記ラミネート工程において、前記ラミネート膜を含む袋状のパッキング部材を用いることによって、前記塗布膜までが形成された基板をパッキングしてもよい。
【００２５】
この態様によれば、例えば塗布膜までが形成された基板を袋状のパッキング部材内に収納した後、このパッキング部材内から空気を排気することによって、ラミネート膜及び塗布膜間に空気を介在させることなく、塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートできる。この場合、ラミネート膜は、袋状のパッキング部材の一部を構成する膜であり、パッキング部材内から空気を排気することによってラミネート膜を塗布膜の表面に密着させることが可能である。この態様によれば、ラミネート膜によって簡便に塗布膜の表面をラミネートできる。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜工程と、前記塗布膜上に電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート工程と、流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する加圧工程とを備える。
【００２７】
本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、上述の本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、先ず塗布膜を形成する。
【００２８】
次に、電極膜形成工程において、塗布膜上に電極膜を形成する。電極膜は、例えば蒸着法を用いて電極材料を用いて形成された膜であり、電極膜が陰極である場合には、アルカリ金属等を用いて塗布膜上に形成された電子注入層及びこの電子注入層上にＡｌ等の金属材料を蒸着させてなる陰極本体を含む積層構造を有していてもよい。
【００２９】
ラミネート工程において、電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートする。これにより、上述の本発明の１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、後述する加圧工程において流体が電極膜に接することを低減でき、流体によって電極膜が劣化することを低減できる。
【００３０】
加圧工程において、塗布膜に均一に加圧することによってこの塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成する。上述の本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、塗布法を用いて形成された塗布膜を基に、この塗布膜より膜密度が高い有機ＥＬ層を形成できる。したがって、膜密度が低い塗布膜をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命を高めることが可能である。
【００３１】
本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一の態様では、前記ラミネート工程において、前記ラミネート膜を含む袋状のパッキング部材を用いることによって、前記電極膜までが形成された基板をパッキングしてもよい。
【００３２】
この態様によれば、上述の本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートできる。これにより、ラミネート膜を電極の表面に密着させることが可能である。この態様によれば、ラミネート膜によって簡便に電極膜の表面をラミネートできる。
【００３３】
本発明の第１及び第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記加圧工程が施された後、前記ラミネート膜を除去してもよい。
【００３４】
この態様によれば、例えば膜密度が高められた有機ＥＬ層上に、例えば蒸着法を用いて電極膜を形成できる。また、電極膜をラミネート膜を除去することによって、基板上において直接電極膜に配線を電気的に接続することが可能である。
【００３５】
尚、塗布膜を加圧することによって形成された有機ＥＬ層は、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ層に比べてその下地である凹部との密着力が高いため、加圧工程の後に有機ＥＬ層からラミネート膜を剥離した場合であっても、有機ＥＬ層が下地である凹部から剥離することはない。
【００３６】
本発明の第１及び第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記加圧工程において、冷間静水圧プレス、又は温間静水圧プレスによって前記塗布膜に加圧してもよい。
【００３７】
この態様によれば、汎用の冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）、又は温間静水圧プレス（ＷＩＰ）を用いて、簡便に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成できる。
【００３８】
本発明の第３の発明に係る有機ＥＬ装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜の表面をラミネートするラミネート膜に流体を介して均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備える。
【００３９】
本発明の第３の発明に係る有機ＥＬ装置によれば、本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、膜密度が低い塗布膜をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命が高められた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００４０】
本発明の第４の発明に係る有機ＥＬ装置は上記課題を解決するために、基板と、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜上に形成された電極膜と、前記電極膜の表面をラミネートするラミネート膜と、流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備える。
【００４１】
本発明の第４の発明に係る有機ＥＬ装置によれば、本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、膜密度が低い塗布膜をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命が高められた有機ＥＬ装置を提供できる。尚、本発明の第４の発明に係る有機ＥＬ装置によれば、ラミネート膜が残された状態であっても、例えば基板におけるラミネート膜が形成されていない部分、或いはラミネート膜に形成された孔部から電極膜及び外部回路を電気的に接続できる。
【００４２】
本発明の第５の発明に係る有機ＥＬ装置は上記課題を解決するために、基板と、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成された塗布膜上に形成された電極膜と、前記電極膜の表面をラミネートするラミネート膜上から流体を介して前記塗布膜に均一に加圧することによって、前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められるように形成された有機ＥＬ層とを備える。
【００４３】
本発明の第５の発明に係る有機ＥＬ装置によれば、本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、膜密度が低い塗布膜をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命が高められた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００４４】
本発明の第６の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜手段と、流体を介して前記塗布膜に均一に加圧することによって前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成するために、前記塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート手段とを備える。
【００４５】
本発明の第６の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置によれば、本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、有機ＥＬ材料を用いて形成された塗布膜の表面をラミネートできる。加えて、本発明の第６の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置によれば、例えばインクジェット装置等の成膜手段と、ラミネート装置等のラミネート手段とが併設されているため、塗布膜の形成及びラミネート膜による塗布膜表面のラミネートを連続した工程で、且つ迅速に行うことが可能である。したがって、インクジェット装置及びラミネート装置を別々に設ける場合に比べて、有機ＥＬ装置の生産性を高めることが可能である。
【００４６】
本発明の第７の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって塗布膜を形成する成膜手段と、前記塗布膜上に形成された電極膜に流体を介して均一に加圧することによって前記塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層を形成するために、前記電極膜の表面をラミネート膜によってラミネートするラミネート手段とを備える。
【００４７】
本発明の第７の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置によれば、本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、有機ＥＬ材料を用いて形成された塗布膜の表面をラミネートでき、有機ＥＬ装置の生産性を高めることが可能である。尚、電極膜を形成する、例えば蒸着装置は、本発明の第７の発明に係る有機ＥＬ装置に併設されていてもよいし、別に設けられていてもよい。
【００４８】
本発明の第６及び第７の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置の一の態様では、前記流体を介して前記ラミネート膜上から前記塗布膜に均一に加圧する加圧手段を備えていてもよい。
【００４９】
この態様によれば、例えば、汎用の冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）装置、又は温間静水圧プレス（ＷＩＰ）装置等の加圧手段をインクジェット装置及びラミネート装置と併設することによって、更に有機ＥＬ装置の生産性を高めることが可能である。
【００５０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、図面を参照しながら本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに有機ＥＬ装置の製造装置の各実施形態を説明する。
【００５２】
（第１実施形態）
（有機ＥＬ装置の構成）
図１乃至図７を参照しながら、本発明の第１の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法、及び本発明の第３の発明に係る有機ＥＬ装置、並びに本発明の第６の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置の各実施形態を説明する。
【００５３】
先ず、図１乃至図３を参照しながら本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０はサブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂを含んで構成されている。
【００５４】
図１において、有機ＥＬ装置１０の画素領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各サブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ、及び７１Ｂはマトリクス状に配列され、これら３つのサブ画素部を一組として一つの画素部７０が構成されている。後述するように、サブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂの夫々は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の各色の波長を有する光を出射する。これにより、有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０による画素部７０の制御下で画像をフルカラー表示できる。
【００５５】
画素領域１１０には各データ線１１４に対して配列されたサブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂに対応する電源供給線１１７が設けられている。
【００５６】
画素領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画素領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。
【００５７】
電源供給線１１７には、外部回路から画素部７０を駆動するための画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂが設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８がサブ画素部毎に設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。
【００５８】
尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
【００５９】
次に、図２乃至図３を参照しながら有機ＥＬ装置１０の具体的な構成を説明する。図２は、有機ＥＬ装置１０の概略構成を示す平面図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【００６０】
図２及び図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１上の画素領域１１０に形成された複数の画素部７０を備えている。
【００６１】
画素部７０は、基板１上における画素領域１１０にマトリクス状に配設されている。画素部７０は、図中横方向に沿って配列された３つのサブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂを一組として構成されており、画素領域１１０の図中縦方向及び横方向の夫々に沿って配列されている。各サブ画素部７１のうち隔壁部４７に囲まれた凹部６２に有機ＥＬ素子７２が形成されている。
【００６２】
図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂ、隔壁部４７、及び封止部２０を備えている。
【００６３】
有機ＥＬ素子７２は、有機ＥＬ層５０、各有機ＥＬ層５０上に形成された陰極４９、各有機ＥＬ層５０の下層側に形成された陽極３４、光反射膜３１、及び腐食防止膜３３を備えている。
【００６４】
有機ＥＬ層５０は、隔壁部４７によって規定された凹部６２にインクジェット法を用いて形成されている。より具体的には、有機ＥＬ層５０は、赤色に発光する有機ＥＬ材料、緑色に発光する有機ＥＬ材料、及び青色に発光する有機ＥＬ材料をサブ画素部７１毎に規定された凹部６２に塗り分けることによって形成された塗布膜が加圧されることによって形成されている。したがって、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂが備える有機ＥＬ層５０Ｒ、５０Ｇ及び５０Ｂは、加圧されていない塗布膜に比べて膜密度が相対的に高められている。このような有機ＥＬ層５０によれば、膜密度が低い塗布膜をそのまま発光層として用いる場合に比べて、陰極４９に含まれるアルカリ金属等の化学的に不安定な金属が有機ＥＬ層５０に拡散することを低減でき、有機ＥＬ素子７２の初期特性及び寿命を高めることが可能である。
【００６５】
尚、本実施形態では、有機ＥＬ層５０が、サブ画素部７１毎に設けられた凹部６２に有機ＥＬ材料を塗り分けることによって形成された場合を説明するが、本発明の第３の発明に係る有機ＥＬ装置は、凹部６２の内壁面及び凹部６２を規定する隔壁部４７の表面に沿って連続した一枚の膜として、スピンコート法等を用いて形成された有機ＥＬ層を有していてもよい。このような有機ＥＬ層も、後述する加圧工程によって加圧されることによって膜密度が高められる。
【００６６】
各有機ＥＬ層５０から出射された赤色光、緑色光、及び青色光は、有機ＥＬ層５０の下層側に形成された光反射膜３１によって図中上側に反射される。これにより、有機ＥＬ装置１０は画像をフルカラー表示できる。尚、有機ＥＬ層５０は発光層として機能する層だけでなく、電子注入層或いは電子輸送層等の各種層を含んでいてもよい。腐食防止膜３３は、有機ＥＬ素子７２の動作によって光反射膜３１が腐食することを防止する。
【００６７】
陽極３４は、基板１上に順次形成された平坦な層間絶縁膜４１、保護層４５、光反射膜３１及び腐食防止膜３３のうち腐食防止膜３３上に形成されている。陽極３４は、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。陽極３４は、サブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂの夫々に有機ＥＬ層５０の下層側に形成されており、有機ＥＬ層５０から出射された光を透過させる。陽極３４を透過した光は、光反射膜３１によって図中上側に反射される。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０は、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。尚、本発明の第３の発明に係る有機ＥＬ装置は、基板１側に向かって光を出射する、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用可能である。
【００６８】
陰極４９は、有機ＥＬ層５０を介して陽極３４に対向するようにサブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂに共通に形成されている。より具体的には、陰極４９は、各サブ画素部７０を互いに分ける隔壁部４７の表面及び各有機ＥＬ層５０の表面を被うように形成され、異なるサブ画素部７１Ｒ、７１Ｇ及び７１Ｂの夫々が有する有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂに共通とされる共通電極である。陰極４９は、Ａｌ等の金属薄膜或いは複数の金属薄膜が積層された積層膜であり、各有機ＥＬ層５０から出射された赤色光、緑色光及び青色光を有機ＥＬ層５０の上層側に透過させるように薄く形成されている。
【００６９】
封止板２０は、ガラス等の光透過性を有する材料を用いて形成されており、水分が有機ＥＬ装置１０の外部から有機ＥＬ層５０に浸入することを防止する。より具体的には、封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ素子７２が大気に触れないように封止する。封止板２０は、例えば封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布された接着剤を介して基板１に接着され、封止されている。これにより、例えば大気中に含まれる水分によって有機ＥＬ素子７２が劣化することを低減でき、有機ＥＬ装置１０の寿命を延ばすことが可能である。
【００７０】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図４乃至図６を参照しながら、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程フローを示した工程図である。図５は、図４に示すラミネート工程を模式的に示した工程図である。図６は、図４に示す加圧工程を模式的に示した工程図である。
【００７１】
図４において、基板１上の画素領域１１０を構成する複数の画素部７０の各々内に設けられた凹部６２にインクジェット法を用いて有機ＥＬ材料を塗布し、塗布膜を形成する（Ｓ１０）。この成膜工程において形成された塗布膜は、後述する加圧工程を経て最終的に形成される有機ＥＬ層５０の基になる膜である。
【００７２】
次に、乾燥工程において塗布膜を乾燥させた（Ｓ２０）後、ラミネート工程において、乾燥させた塗布膜の表面をラミネート膜によってラミネートする（Ｓ３０）。これにより、塗布膜の表面がラミネート膜によって保護される。
【００７３】
ここで、図５を参照しながら、ラミネート工程を詳細に説明する。尚、図５では、説明の便宜上、図３に示した基板１上の詳細な構成を省略している。
【００７４】
図５（ａ）において、袋状のパッキング部材８０内に、各凹部６２に塗布膜３０までが形成された基板１を収納する。パッキング部材８０は、その端に排気口８２を備えている。パッキング部材８０内の空気は、例えば、排気口８２に接続されたポンプ等の排気手段によって排気口８０からパッキング部材８０の外部に排気される。
【００７５】
図５（ｂ）は、パッキング部材８０によって基板１がパッキングされた状態を示す。図５（ｂ）に示すように、空気が排気されたパッキング部材８０は、基板１、基板１上に形成された塗布膜３０及び凹部６２を規定する隔壁部４７に密着する。したがって、パッキング部材８０の塗布膜３０に密着する密着部８０ａが、本発明の「ラミネート膜」の一例を構成する。密着部８０ａは、密着部８０ａ及び塗布膜３０間に空気を介在させることなく、塗布膜３０の表面をラミネートする。加えて、パッキング部材８０は、基板１上に形成された凹部６２及び凹部６２を規定する隔壁部４７の表面に密着する。したがって、パッキング部材８０によれば、基板１上に凹凸が存在する場合でも、この凹凸に応じて基板１に密着でき、塗布膜３０の表面を簡便にラミネートすることが可能である。加えて、パッキング部材８０は、後述する加圧工程において水等の流体が塗布膜３０に接しないように、塗布膜３０を保護する。これにより、流体８１が塗布膜３０に接することによって有機ＥＬ層５０の膜質が低下することを抑制できる。
【００７６】
尚、本実施形態では、パッキング部材８０を用いて塗布膜３０までが形成された基板１をパッキングしているが、塗布膜３０の表面をラミネートする際には、汎用のラミネート法を用いて塗布膜３０の表面のみをラミネートしてもよい。
【００７７】
再び、図４に戻り、密着部８０ａによってラミネートされた塗布膜３０に加圧し、塗布膜３０の膜密度を高める（Ｓ４０）。
【００７８】
ここで、図６を参照しながら、塗布膜３０に加圧する加圧工程を詳細に説明する。図６に示すように、ＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の汎用のプレス法を用いて塗布膜３０に均一に加圧し、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。この際、隔壁部４７の表面及び塗布膜３０の表面に密着したパッキング部材８０上から所定の温度に温度管理された水等の流体８１を介して圧力が加えられる。
【００７９】
流体８１を用いて塗布膜３０に圧力を加えることによって、ローラ等を用いて基板１上から塗布膜３０に加圧する場合のように凹凸の存在によって塗布膜３０に加圧することが困難な場合に比べて容易に塗布膜３０の表面に加圧することが可能である。加えて、流体８１は、加えられた圧力に応じて基板１上の凹部６２内に入り込み、凹部６２内に形成された塗布膜３０の表面に均一に接し、且つ流体８１に加えられた圧力を全ての方向に均一に伝達する。これにより、塗布膜３０の表面をラミネートする密着部８０ａに流体８１を介して均一に圧力が伝達され、塗布膜３０の表面に均一に加圧できる。このようにして、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０が形成される。
【００８０】
尚、流体８１としては、例えば汎用のプレス工程で用いられる水以外の他にオイル等の圧力伝達媒体を用いてもよい。このような流体を用いた場合でも、水を用いた場合と同様に均一に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成できる。
【００８１】
再び、図４に戻り、剥離工程においてパッキング部材８０を有機ＥＬ層５０から剥離する（Ｓ５０）。有機ＥＬ層５０は、塗布法の一例であるインクジェット法を用いて形成された塗布膜３０に加圧することによって形成されているため、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ層に比べて通常凹部６２との密着力が高い。したがって、有機ＥＬ５０からパッキング部材８０を剥離する際に、有機ＥＬ層５０が凹部６２から剥離することはない。
【００８２】
次に、陰極形成工程において、ＬｉＦ層等の電子注入層を含む陰極４９を蒸着法を用いて有機ＥＬ層５０上に形成する（Ｓ６０）。有機ＥＬ層５０は、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められているため、化学的に不安定なＬｉ等のアルカリ金属を含む薄膜を有機ＥＬ層上に蒸着法を用いて形成した場合でも、Ｌｉ等のアルカリ金属が有機ＥＬ層５０中に拡散することを低減できる。したがって、有機ＥＬ層５０によれば、Ｌｉ等のアルカリ金属の拡散によって有機ＥＬ層５０の初期特性が低下することを抑制できる。
【００８３】
最後に、陰極４９までが形成された基板１及び封止板２０とを接着し（Ｓ７０）、図３に示した有機ＥＬ装置１０を組み上げる。
【００８４】
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、塗布法を用いて形成された塗布膜３０を基に、塗布膜３０より膜密度が高い有機ＥＬ層５０を簡便に形成できる。したがって、膜密度が低い塗布膜３０をそのまま有機ＥＬ層等の発光層として用いる場合に比べて、有機ＥＬ層の初期特性及び寿命を高めることが可能である。
【００８５】
（有機ＥＬ装置の製造装置）
次に、図７を参照しながら、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置の構成を説明する。図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置の概略構成を示す平面図である。
【００８６】
図７において、有機ＥＬ装置の製造装置（以下、単に“製造装置”と称す。）９０は、インクジェット装置９１、乾燥装置９２、ラミネート装置９３、加圧装置９４、搬送室９５、搬送ロボット９６、シャッターＳＨ１、ＳＨ２、ＳＨ３及びＳＨ４を備えている。
【００８７】
インクジェット装置９１は、隔壁部４７によって凹部６２までが形成された基板１上に有機ＥＬ材料を含むインクを塗布する。インクジェット装置９１は、凹部６２にインクが塗り分けるノズルをチャンバー内に備えており、各色に発光する有機ＥＬ材料を含むインクが凹部６２毎に塗り分けられる。
【００８８】
搬送室９５は、シャッターＳＨ１、ＳＨ２、ＳＨ３、ＳＨ４、及びＳＨ５を介してインクジェット装置９１、乾燥室９２、ラミネート装置９３及び加圧装置９４と接続されている。搬送室９５内に設けられた搬送ロボット９６は、順次開閉されたシャッターＳＨ１及びＳＨ２を介して、塗布膜３０が形成された基板１をインクジェット装置９１から乾燥装置９２に搬送する。
【００８９】
乾燥装置９２は、基板１上に形成された塗布膜３０を乾燥させる。搬送ロボット９６は、順次開閉されたシャッターＳＨ２及びＳＨ３を介して基板１を乾燥装置９２からラミネート装置９３に搬送する。
【００９０】
ラミネート装置９３は、乾燥装置９２によって乾燥させた塗布膜３０をラミネートする。ラミネート装置９３は、例えばパッキング部材８０を用いて基板１をパッキングすることによって塗布膜３０の表面をラミネートする。
【００９１】
搬送ロボット９６は、順次開閉されたシャッターＳＨ３及びＳＨ４を介してラミネートされた基板１を加圧装置９４に搬送する。成膜装置９１、乾燥装置９２及びラミネート装置９３によって、一つの製造装置９０内において連続的に成膜工程、乾燥工程及びラミネート工程を連続して行うことによって、製造装置９０とは別に設けられたラミネート装置によってラミネート工程を施す場合に比べて、有機ＥＬ装置の生産性を高めることが可能である。
【００９２】
加圧装置９４は、例えばＷＩＰ法或いはＣＩＰ法統の汎用のプレス装置であり、塗布膜３０に均一に加圧することによって膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。尚、ＷＩＰ装置又はＣＩＰ装置等の加圧装置は、通常インクジェット装置、乾燥装置およびラミネート装置に比べてサイズが大きいため、製造装置９０とは別に設けられていてもよい。有機ＥＬ層５０が形成された基板１は、シャッターＳＨ５を介して加圧装置９４から不図示の剥離装置及び蒸着装置に搬送され、パッキング部材が基板１から除去された後、蒸着装置によって陰極４９が形成される。
【００９３】
尚、製造装置９０は、加圧工程が施された基板１からパッキング部材８０を除去する剥離装置を備えていてもよいし、更に陰極を形成するための蒸着装置を備えていてもよい。また、製造装置９０とは別に設けられた剥離装置によって基板１からパッキング部材を除去した後、剥離装置と同様に製造装置９０とは別に設けられた蒸着装置によって陰極４９が形成されてもよい。
【００９４】
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造装置９０によれば、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を迅速、且つ効率的に実施可能である。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造装置９０によれば、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法の利点を生かしつつ、優れた表示性能を有する有機ＥＬ装置１０を効率良く製造できる。
【００９５】
（実施例）
次に、表１及び表２を参照しながら、本願発明者等が本実施形態に係る有機ＥＬ装置について行った試験及びその試験結果を説明する。本試験では、有機ＥＬ層５０の加圧方法及び有機ＥＬ層上に形成されたＬｉＦ膜の夫々の膜厚が異なる有機ＥＬ装置を試料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦとし、各試料における有機ＥＬ層の単位面積当りの輝度が所定の輝度以下になるまでの時間を測定した。より具体的には、試料Ａ乃至Ｆの輝度が、１０００ｃｄ／ｃｍ２以下になるまでの時間を測定した。
【００９６】
尚、試料Ａ乃至Ｆの夫々は、有機ＥＬ装置１０と同様の構成を有しており、表１に示した有機ＥＬ層に対する加圧条件が異なる点で互いに相違する。試料Ａ乃至Ｆは、基板、ＩＴＯで形成された陽極、正孔注入層であるＰＥＤＯＴ膜及び発光層である有機ＥＬ層、更にその上にＬｉＦ及びＣａからなる複合膜として形成された電子注入層、及びＡｌを蒸着させることによって形成された陰極を備えている点で共通の構成を有している。
【００９７】
【表１】
2007128799.tif 000003
【００９８】
【表２】
2007128799.tif 000004
表１及び表２に示すように、本試験では、膜密度が高い試料ほど、所定の輝度以下になるまでの時間、即ち寿命が延びることが分かった。より具体的には、有機ＥＬ層に加圧しなかった試料Ａに比べて試料Ｃ、Ｄ及びＥでは、有機ＥＬ層に加圧する際の温度、圧力を上げるほど有機ＥＬ層の膜密度が向上し、これに伴い有機ＥＬ装置の寿命が延びることが分かった。また、ＬｉＦ膜の膜厚が互いに異なる試料Ｅ及びＦでは、寿命が６５００時間から８０００時間以上に向上している。この原因の一つとしては、本願発明者等は、ＬｉＦ膜の膜厚を薄くしたこと及び有機ＥＬ層の表面平坦性が高められたことが有機ＥＬ装置の寿命が延びた原因の一つであると推察している。また、試料Ｂは、ローラによって有機ＥＬ層に加圧されていないため、膜密度が高められていない結果となった。
【００９９】
このようの、本願発明者等が行った試験によれば、有機ＥＬ層の膜密度を高めることによって有機ＥＬ装置の寿命が延びることが確認された。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、加圧工程を施した有機ＥＬ層によって、長期間に亘って優れた表示性能を維持できる有機ＥＬ装置を提供可能であることが確認された。
【０１００】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法、本発明の第４及び第５の発明に係る有機ＥＬ装置、及び本発明の第７の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置の各実施形態を説明する。尚、以下の有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置並びに有機ＥＬ装置の製造装置では、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに有機ＥＬ装置の製造装置と共通する部分について共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【０１０１】
（有機ＥＬ装置の構成）
図８を参照しながら、本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明する。図８は、本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す図であり、図３に対応する断面図である。
【０１０２】
図８において、本実施形態の有機ＥＬ装置２１０は、陰極４９上にラミネート膜５５が残されている点において、第１実施形態の有機ＥＬ装置１０と構成が異なる。ラミネート膜５５は、後述する本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法において、陰極４９上から陰極４９に加圧する際に陰極４９の表面を保護する。ラミネート膜５５は、光透過性を有する材料で構成されており、各有機ＥＬ素子７２から図中上側に向かって出射される光を透過させる。尚、図８では図示していないが、ラミネート膜５５を部分的に除去することによって形成された孔部を介して、或いはラミネート膜が形成されていない部分を介して陰極４９及び陰極４９上の他の導電部、即ち、外部回路等を電気的に接続できる。
【０１０３】
加えて、有機ＥＬ装置２１０によれば、陰極４９上から有機ＥＬ層５０に加圧した後、ラミネート膜５５を剥離しなくてもよいため、ラミネート膜５５を陰極５５から剥離する際に生じる陰極５５の損傷を低減でき、且つ有機ＥＬ装置の製造プロセスも簡便にできる。
【０１０４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図９及び図１０を参照しながら、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。図９は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程フローを示す工程図である。図１０は、加圧工程を詳細に説明するための図である。
【０１０５】
図９において、第１実施形態と同様に成膜工程（Ｓ１０）及び乾燥工程（Ｓ２０）を経て、有機ＥＬ材料からなる塗布膜を形成する。続いて、蒸着法を用いて陰極４９を形成し（Ｓ６０）、陰極４９の表面をラミネート膜５５によってラミネートする。次に、ＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の流体を用いたプレス法を用いてラミネート膜５５上から陰極４９に加圧する（Ｓ４０）。
【０１０６】
ここで、図１０を参照しながら、塗布膜３０に加圧する加圧工程を詳細に説明する。図１０に示すように、ＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の汎用のプレス法を用いて流体８１を介して塗布膜３０に均一に加圧し、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。隔壁部４７の表面及び塗布膜３０の表面に渡って形成された陰極４９には、予めラミネート膜５５が形成されている。塗布膜３０は、ラミネート膜５５及び陰極４９を介して加えられる圧力によって均一に加圧される。
【０１０７】
このように、陰極４９上に形成されたラミネート膜５５を介して塗布膜３０に圧力を加えることによって、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、塗布膜３０に均一に加圧でき、膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成できる。これにより、陰極４９の下側に形成された塗布膜に均一に加圧され、塗布膜に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。
【０１０８】
再び図９に戻り、封止板２０によって基板１上に形成された有機ＥＬ素子７２を封止し（Ｓ７０）、有機ＥＬ装置２１０を組み上げる。
【０１０９】
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、ラミネート膜５５を剥離する工程を経ることなく、有機ＥＬ装置２１０を形成できる。したがって、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法に比べて、寿命の長い有機ＥＬ装置を簡便に製造できる。
【０１１０】
尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を実施可能な有機ＥＬ装置の製造装置は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置と同様の構成を有している。但し、塗布膜３が形成された基板１をラミネート装置９３内に搬送するに先んじて、基板１を別途設けられた蒸着装置内に搬送し、この蒸着装置内で陰極４９が形成された基板１を再び製造装置９０内のラミネート装置９３に搬送することによって陰極４９の表面をラミネートする。その後、加圧装９４内でラミネート膜５５を介して陰極４９、さらには下側に形成された塗布膜３０に加圧する。
【０１１１】
（第３実施形態）
次に、本発明の第５の発明に係る有機ＥＬ装置の実施形態、本発明の第２の発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の他の実施形態、及び本発明の第７の発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置の他の実施形態を説明する。尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造装置を同様の構成を有しているため、詳細な説明を省略する。図１１は本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程フローを示した工程図である。
【０１１２】
図１１において、成膜工程（Ｓ１０）及び乾燥工程（Ｓ２０）を経て有機ＥＬ材料によって形成された塗布膜３０を形成する。次に、蒸着法を用いて陰極４９を形成し（Ｓ６０）、パッキング部材８０の一部であるラミネート膜によって陰極４９の表面をラミネートする（Ｓ３０）。次に、ラミネート膜を介してＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の流体を用いたプレス法を用いてらラミネート膜上から陰極４９及びその下側に形成された塗布膜３０に均一に加圧する（Ｓ４０）。これにより、塗布膜３０に比べて膜密度が高めたれた有機ＥＬ層５０が形成される。次に、陰極４９からラミネート膜を剥離し（Ｓ５０）、封止工程（Ｓ７０）を経て有機ＥＬ装置を組み上げる。
【０１１３】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、陰極４９上からラミネート膜が除去されているため、有機ＥＬ層５０の膜密度が高められていることに加え、陰極４９及び陰極４９上に形成された他の回路部を容易に電気的に接続できる利点がある。
【０１１４】
（電子機器）
次に、上述の各実施形態に係る有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器について説明する。
【０１１５】
＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図１２を参照しながらモバイル型のコンピュータに上述した有機ＥＬ装置を適用した例について説明する。図１２は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。
【０１１６】
図１２において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、表示性能に優れ、且つ寿命特性に優れた有機ＥＬ素子を備えているため、長期間に亘って高品位で画像をフルカラー表示できる。
【０１１７】
＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図１３を参照して説明する。図１３は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。
【０１１８】
図１３において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。
【０１１９】
表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に高品質の画像を表示することができる。また、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子は、膜密度が高められた有機ＥＬ層を有しているため、信頼性も高められている。
【０１２０】
なお、本発明に係る有機ＥＬ装置は、上述した電子機器に応用される場合に限定されるものではなく、例えば、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、及び電子ペーパなどの電気泳動装置等などの各種電子機器に応用可能である。
【０１２１】
尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに有機ＥＬ装置の製造装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０の概略構成を示す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図である。
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるラミネート工程を模式的に示した工程図である。
【図６】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における加圧工程を模式的に示した工程図である。
【図７】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置の概略構成を示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【図９】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図である。
【図１０】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における加圧工程を模式的に示した工程図である。
【図１１】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１２３】
１・・・基板、１０、２１０・・・有機ＥＬ装置、３０・・・塗布膜、４７・・・隔壁部、５０・・・有機ＥＬ層、８０・・・パッキング部材、８０ａ・・・密着部、８１・・・流体
【図１】
2007128799.tif 000005
【図２】
2007128799.tif 000006
【図３】
2007128799.tif 000007
【図４】
2007128799.tif 000008
【図５】
2007128799.tif 000009
【図６】
2007128799.tif 000010
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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