(57)【要約】【課題】アニール処理による特性の低下を抑制できるセラミックス膜の形成方法、及びアニール装置を提供することにある。【解決手段】アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有するハロゲンランプ４と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する遠赤外線ヒータ５とによって積層体１０の加熱を行う。これにより、遠赤外線によって圧電膜１２を短時間で効率よく加熱するとともに、近赤外線によって金属基板１１を加熱して圧電膜１２からの金属基板１１を介した放熱を抑制することで、圧電膜１２を短時間でアニール処理に充分な温度まで至らしめ、拡散を抑制しつつ充分なアニール処理を行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板上にセラミックス膜を積層して積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体をアニール処理するアニール処理工程と、を含み、かつ、
前記アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有する第１の熱源と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する第２の熱源とによって前記積層体の加熱を行うセラミックス膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１の熱源として、発する赤外線の前記金属基板による吸収率が前記セラミックス膜による吸収率よりも大きい熱源を使用するとともに、
前記第２の熱源として、発する赤外線の前記セラミックス膜による吸収率が前記金属基板による吸収率に対して３倍以上である熱源を使用する、請求項１に記載のセラミックス膜の形成方法。
【請求項３】
前記第１の熱源として、発する赤外線の前記金属基板による吸収率が前記セラミックス膜による吸収率よりも大きい熱源を使用するとともに、
前記第２の熱源として、発する赤外線の前記セラミックス膜による吸収率が前記金属基板による吸収率に対して５倍以上である熱源を使用する、請求項１に記載のセラミックス膜の形成方法。
【請求項４】
前記アニール工程において、
前記金属基板の温度が５００℃以上６００℃以下、かつ、前記セラミックス膜の温度が８００℃以上に保持されるように前記第１の熱源および前記第２の熱源の照射強度を制御する、請求項１〜請求項３のいずれかに記載のセラミックス膜の形成方法。
【請求項５】
前記セラミックス膜が前記金属基板の表裏両面のうち一方の面に積層されており、
前記アニール工程において、前記第２の熱源が前記積層体における前記金属基板側の面を加熱するとともに、前記第１の熱源が前記積層体における前記セラミックス膜側の面を加熱する、請求項１〜請求項４のいずれかに記載のセラミックス膜の形成方法。
【請求項６】
前記積層体形成工程において、前記セラミックス膜の形成が、このセラミックス膜の材料となるセラミックス粒子を含むエアロゾルを前記金属基板に吹き付けることにより行われるものである、請求項１〜請求項５のいずれかに記載のセラミックス膜の形成方法。
【請求項７】
金属基板上に形成されたセラミックス膜のアニール処理を行うために使用するアニール装置であって、
前記金属基板に前記セラミックス膜が積層された積層体を保持する保持部と、
前記積層体に赤外線を照射する熱源とを備え、
前記熱源が、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有する第１の熱源と波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する第２の熱源とを備えるものであるアニール装置。
【請求項８】
前記アニール装置が前記金属基板の表裏両面のうち一方の面に前記セラミックス膜が積層された積層体のアニール処理を行うためのものであって、
前記第１の熱源が前記保持部に保持された前記積層体における前記セラミックス膜側に配され、
前記第２の熱源が前記保持部に保持された前記積層体における前記金属基板側に配されている、請求項７に記載のアニール装置。
【請求項９】
前記金属基板および前記セラミックス膜の表面温度を測定する温度センサと、得られた温度データに基づいて熱源の出力をコントロールする制御機構とを備える請求項７または請求項８に記載のアニール装置。
【請求項１０】
前記温度センサが放射温度計である請求項８または請求項９に記載のアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス膜の形成方法、およびアニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットヘッド等に用いられる圧電アクチュエータとしては、例えば特許文献１に示すように、加圧室基板においてノズル開口と連通する加圧室の開口部を閉じるように設けられる基板（弾性膜）を備え、この基板上に下部電極、圧電膜および上部電極を順に積層したものがある。下部電極と上部電極との間に電界を印加すると、圧電膜の変形に伴って基板が撓み、加圧室内のインクが加圧されてノズル開口から吐出される。
【０００３】
このような圧電アクチュエータにおける圧電膜の製造方法として、ゾルーゲル法、スパッタ法、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）等、種々の手法が開発されている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開平８−２５２９１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２０２２６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、成膜の工程においては、膜の形成後に焼結や圧電特性の回復を目的として電気炉中で加熱するアニール処理を行うことが一般的である。しかし、高い圧電特性を得ようとして高温で長時間アニール処理を行うと、基板−圧電膜間での構成元素の拡散が発生し、かえって圧電特性を低下させてしまうことがある。特に、近年、安価で加工性に優れたステンレス等の金属板を基板として使用したいという要望があるが、このような場合には金属元素の圧電膜への拡散による圧電特性低下の問題が大きくなる。
【０００５】
そこで、この問題を解決するために、レーザや加熱ランプ等を使用して高速で昇温を行い、短時間でアニール処理を施す技術も検討されている。しかし、圧電材料（多くは金属酸化物）と金属基板との吸収波長が異なるため、温度制御を安定して行うことが困難であった。
【０００６】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、アニール処理による特性の低下を抑制できるセラミックス膜の形成方法、及びアニール装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、アニール処理による特性の低下を抑制できるセラミックス膜の形成方法、及びアニール装置を開発すべく鋭意研究してきたところ、以下の知見を見出した。
【０００８】
金属とセラミックスとでは、電磁波の吸収波長が異なる。すなわち、金属は波長の短い近赤外領域の光を比較的良く吸収するが、波長の長い遠赤外領域の光はほとんど吸収しない。一方、セラミックスは遠赤外領域の光を良く吸収するが、近赤外領域の光はあまり吸収しない。このため、例えば近赤外領域に中心波長をもつ熱源を用いて加熱を行うと、セラミックス膜の加熱効率が低くアニールが充分に行われない一方、金属基板が大きく加熱されて酸化してしまうおそれがある。また、遠赤外領域に中心波長を持つ熱源を用いて加熱を行うと、セラミックス膜は加熱されるが金属基板はほとんど加熱されないため、温まったセラミックス膜から冷たい金属基板を介して放熱が起こり、結果として加熱効率が低下してしまう。
【０００９】
以上の知見に基づいて、本発明者は、近赤外線を主として発する熱源と、遠赤外線を主として発する熱源とを併用することが、基板およびセラミックス膜の加熱温度をコントロールするために効果的であることを見出した。すなわち、遠赤外線によってセラミックス膜を効率よく加熱するとともに、近赤外線によって基板を加熱してセラミックス膜からの放熱を抑制することで、セラミックス膜を短時間でアニール処理に充分な温度まで至らしめ、拡散を抑制しつつ充分なアニール処理を行うことができる。本発明は、かかる新規な知見に基づいてなされたものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、金属基板上にセラミックス膜を積層して積層体を形成する積層体形成工程と、前記セラミックス膜をアニール処理するアニール処理工程と、を含み、かつ、前記アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有する第１の熱源と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する第２の熱源とによって前記積層体の加熱を行うセラミックス膜の形成方法である。
【００１１】
なお、「金属基板上にセラミックス膜を積層」とは、必ずしも金属基板上に直接にセラミックス膜が形成されていることのみを意味するものではなく、金属基板上に中間層が形成され、その中間層上にセラミックス膜が形成されている場合も含む意である。
【００１２】
また、本発明のアニール装置は、金属基板上に形成されたセラミックス膜のアニール処理を行うために使用するアニール装置であって、前記金属基板に前記セラミックス膜が積層された積層体を保持する保持部と、前記積層体に赤外線を照射する熱源とを備え、前記熱源が、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有する第１の熱源と波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する第２の熱源とを備えるものである。
【００１３】
第１の熱源としては、発する赤外線の金属基板による吸収率がセラミックス膜による吸収率よりも大きい熱源を、第２の熱源として、発する赤外線のセラミックス膜による吸収率が金属基板による吸収率に対して３倍以上である熱源を特に好適に使用できる。
また、第２の熱源として、発する赤外線のセラミックス膜による吸収率が金属基板による吸収率に対して５倍以上である熱源を使用すれば、さらに好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のセラミックス膜の形成方法またはアニール装置によれば、アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有する第１の熱源と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する第２の熱源とによって加熱を行う。これにより、遠赤外線によってセラミックス膜を短時間で効率よく加熱するとともに、近赤外線によって基板を加熱してセラミックス膜からの放熱を抑制することで、セラミックス膜を短時間でアニール処理に充分な温度まで至らしめ、拡散を抑制しつつ充分なアニール処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜第１実施形態＞
以下、本発明を具体化した第１実施形態について、図１および図２を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態においては、金属基板１１上に圧電膜１２（本発明のセラミックス膜に該当する）を積層した積層体１０を形成し、次いで圧電膜１２にアニール処理を施すことによって圧電アクチュエータを製造する方法、およびアニール処理に使用するアニール装置１について説明する。なお、積層体１０において、圧電膜１２は金属基板１１の面上において外周縁からやや内側位置までの領域を残して、金属基板１１よりも一回り小さく形成されている。
【００１６】
図１には、本発明を具体化したアニール装置１を示す。このアニール装置１には、アニーリングチャンバ２内に設置されて積層体１０を載置するためのテーブル３、および積層体１０を加熱するための２つの熱源が備えられている。
【００１７】
２つの熱源のうち一方の熱源としては、金属基板１１の加熱に寄与する熱源が、他方の熱源としては、セラミックスである圧電膜１２の加熱に寄与する熱源が、それぞれ使用される。図２には、電磁波の波長と物質の放射率（＝吸収率）との関係を示すグラフを示した。グラフ中、セラミックスの放射率を１点鎖線で、金属の放射率を実線で示している。このグラフから分かるように、金属による電磁波吸収率は波長が大きくなるにつれて徐々に低下していき、約２μｍ以上の遠赤外領域では吸収率が１０％以下という低い値でほぼ一定となってしまう。これに対し、セラミックスによる電磁波吸収率は、波長が大きくなるほど増大し、特に約２μｍ以上の遠赤外領域で極めて大きくなる。
【００１８】
したがって、２つの熱源として、金属基板を効率的に加熱できる近赤外領域を波長域とする熱源と、セラミックスを効率的に加熱できる遠赤外領域を波長域とする熱源とを組み合わせて使用すれば良い。具体的には、第１の熱源として例えば０．５５〜１．９μｍの近赤外領域を波長域とするハロゲンランプ４を、第２の熱源として例えば２．０〜１０μｍの遠赤外領域を波長域とする遠赤外線ヒータ５を使用することができる。これらハロゲンランプ４および遠赤外線ヒータ５は、テーブル３の上面から上方にやや離間した位置に、水平方向に並列して配され、テーブル３上に載置された積層体１０に向けて赤外線を照射できるようになっている。
【００１９】
さらに、アニーリングチャンバ２内には、金属基板１１および圧電膜１２の表面温度を測定するための２つの放射温度計６、７が設置されている。放射温度計６、７は、非接触で測定が可能であり、アニーリングチャンバ２内での設置位置の自由度が高いため、金属基板１１および圧電膜１２の表面温度を測定するために好適である。これら２つの放射温度計６、７は、いずれもテーブル３の上方に設置されており、それぞれ積層体１０から放射される赤外線を検知するためのセンサ部６Ａ、７Ａを備えている。
【００２０】
これらのハロゲンランプ４、遠赤外線ヒータ５および２つの放射温度計６、７は、出力制御プログラムを格納したコンピュータ８（本発明の制御装置に該当する）に接続されており、放射温度計６、７によって測定される金属基板１１および圧電膜１２の表面温度の変化に応じて、ハロゲンランプ４、遠赤外線ヒータ５の出力を制御できるようになっている。
【００２１】
次に、金属基板１１上に圧電膜１２を形成し、上記したアニール装置１を使用して圧電膜１２のアニール処理を行う方法について説明する。
【００２２】
まず、金属基板１１上に圧電膜１２を形成して積層体１０を作製する（積層体形成工程）。圧電膜１２は、例えばＰＺＴなど、圧電膜１２の材料として通常に使用される材料を使用して、ゾルーゲル法、スパッタ法、エアロゾルデポジション法など、圧電膜１２の形成のために使用される公知の方法によって金属基板１１上に形成することができる。特に、圧電膜１２の材料となる圧電材料の粒子を含むエアロゾルを金属基板１１に吹き付けて付着させることによって膜を形成するエアロゾルデポジション法を好ましく適用できる。
【００２３】
次に、形成された圧電膜１２のアニール処理を行う。まず、セラミックスまたは金属により形成された支持板９上に、圧電膜１２が形成された側の面を上向きにして積層体１０を載置する。この状態で、支持板９をアニーリングチャンバ２内に搬入し、テーブル３上に載置する。
【００２４】
次いで、ハロゲンランプ４、遠赤外線ヒータ５のスイッチを入れ、積層体１０に向かって赤外線を照射することで、積層体１０を所定時間加熱する（アニール処理工程）。このとき、セラミックスからなる圧電膜１２は、主として遠赤外線ヒータ５から発せられる遠赤外線を吸収して発熱し、比較的短時間でアニール処理に必要な温度に達する。このように、高い昇温速度を実現できる遠赤外線ヒータ５を使用することによって、短時間でアニール処理を行い、金属基板１１からの金属元素の拡散を最低限度に抑えることが可能となる。一方、金属基板１１は、主としてハロゲンランプ４から発せられる近赤外線を吸収し、発熱する。このように金属基板１１をも加熱することで、圧電膜１２の熱が金属基板１１を介して放熱されることを抑制し、圧電膜１２の温度を安定化することができる。
【００２５】
加熱は、金属基板１１および圧電膜１２の温度がそれぞれ所定の目標温度となるようにハロゲンランプ４および遠赤外線ヒータ５の出力をコントロールしつつ行うことが好ましい。金属基板１１の温度は、圧電膜１２からの放熱が抑えられ、かつ、自身が溶融・酸化するには至らない温度である５００℃〜６００℃の範囲内に制御することが好ましい。また、圧電膜１２の温度は、充分な焼結や特性回復が可能な８００℃以上（８００℃〜９００℃程度）となるように制御することが好ましい。
【００２６】
このような温度制御は、放射温度計６、７により金属基板１１および圧電膜１２の温度を測定し、得られた温度データに基づいてコンピュータ８により熱源の出力をコントロールすることにより行うことができる。
【００２７】
すなわち、ハロゲンランプ４および遠赤外線ヒータ５により赤外線の照射を行っている間、圧電膜１２および金属基板１１の温度は、放射温度計６、７によりモニタリングされる。一方の放射温度計６は、センサ部６Ａをテーブル３上に載置された積層体１０の圧電膜１２に向けて設置され、圧電膜１２の表面温度をモニタリングする。一方、他方の放射温度計７は、センサ部７Ａを積層体１０の外周縁付近において圧電膜１２から露出した金属基板１１の表面に向けて設置され、金属基板１１の表面温度をモニタリングする。
【００２８】
これらの放射温度計６、７により得られた温度データは、コンピュータ８に送られる。コンピュータ８は、得られた温度データがあらかじめ入力された最適温度範囲（例えば金属基板１１については５００℃〜６００℃、圧電膜１２については８００℃〜９００℃程度）よりも下方に外れた場合には、ハロゲンランプ４または遠赤外線ヒータ５に対して出力を上げるよう命令を出す。一方、温度データが最適温度範囲よりも上方に外れた場合には、ハロゲンランプ４または遠赤外線ヒータ５に対して出力を下げるよう命令を出す。このようにして、圧電膜１２および金属基板１１の温度が常に最適温度範囲に保たれるよう調整が行われる。
【００２９】
アニール処理が終了したら、積層体１０をアニーリングチャンバ２から搬出し、自然放冷させる。この後、圧電膜１２の分極処理、電極の形成等、必要な工程を経て圧電アクチュエータが完成する。
【００３０】
以上のように本実施形態によれば、アニール処理工程において、波長２μｍ未満の近赤外領域に中心波長を有するハロゲンランプ４と、波長２μｍ以上の遠赤外領域に中心波長を有する遠赤外線ヒータ５とによって積層体１０の加熱を行う。これにより、遠赤外線によって圧電膜１２を短時間で効率よく加熱するとともに、近赤外線によって金属基板１１を加熱して圧電膜１２からの金属基板１１を介した放熱を抑制することで、圧電膜１２を短時間でアニール処理に充分な温度まで至らしめ、拡散を抑制しつつ充分なアニール処理を行うことができる。
【００３１】
なお、第１の熱源であるハロゲンランプ４の中心波長は、発する赤外線の金属基板１１による吸収率が圧電膜１２による吸収率よりも大きくなるように、０．８μｍ以下とすることが好ましい。また、第２の熱源である遠赤外線ヒータ５の中心波長は、発する赤外線の圧電膜１２による吸収率が金属基板１１による吸収率に対して３倍以上となるように、２．０５μｍ以上とすることが好ましく、５倍以上となる２．４μｍ以上とすることがより好ましい。
【００３２】
＜第２実施形態＞
以下、本発明の第２実施形態について、図３を参照しつつ説明する。本実施形態の第１実施形態との主たる相違点は、ハロゲンランプ２４が積層体１０において金属基板１１側に配され、遠赤外線ヒータ２５が積層体１０において圧電膜１２側に配されている点にある。なお、第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
本実施形態のアニール装置２０は、第１実施形態と同様にアニーリングチャンバ２を備えており、その内部には、積層体１０を支持するための支持枠２１が設置されている。支持枠２１は、第１実施形態のテーブル３と異なり、積層体１０の上下両面から赤外線を照射できるよう、枠状に形成されている。この支持枠２１は、外形が金属基板１１の外形よりもやや大きくされ、枠内の開口部２１Ａが金属基板１１の外形よりもやや小さく、圧電膜１２の外形よりもやや大きくされており、金属基板１１の周縁部（圧電膜１２の形成領域よりも外側領域）を下側から支持できるようになっている。
【００３４】
この支持枠２１の下方には、ハロゲンランプ２４が設置され、支持枠２１上に載置された積層体１０に向けて下側から近赤外線を照射できるようになっている。一方、この支持枠２１の上方には、遠赤外線ヒータ２５が設置され、支持枠２１上に載置された積層体１０に向けて上側から遠赤外線を照射できるようになっている。
【００３５】
さらに、アニーリングチャンバ２内には、金属基板１１および圧電膜１２の表面温度を測定するための２つの放射温度計２６、２７が設置されている。これらのうち一方の放射温度計２６は、支持枠２１の上方に設置され、他方の放射温度計２７は、支持枠２１の下方に設置されている。
【００３６】
これらのハロゲンランプ２４、遠赤外線ヒータ２５および２つの放射温度計２６、２７は、第１実施形態と同様に、出力制御プログラムを格納したコンピュータ８に接続されており、金属基板１１および圧電膜１２の温度変化に応じて、ハロゲンランプ２４、遠赤外線ヒータ２５の出力を制御できるようになっている。
【００３７】
このアニール装置２０によってアニール処理を行うには、まず、第１実施形態と同様にして金属基板１１上に圧電膜１２を形成した積層体１０を作製する。そして、この積層体１０を、圧電膜１２側を上側に向けた状態で支持枠２１上にセットする。
【００３８】
次いで、ハロゲンランプ２４、遠赤外線ヒータ２５のスイッチを入れ、積層体１０に向かって赤外線を照射することで、積層体１０を所定時間加熱する。このとき、遠赤外線ヒータ２５からは積層体１０の上面側、すなわち圧電膜１２を積層した側の面に向かって遠赤外線が照射される。また、ハロゲンランプ２４からは、積層体１０の下面側、すなわち金属基板１１側に向かって近赤外線が照射される。セラミックスからなる圧電膜１２は、遠赤外線ヒータ２５によって照射される遠赤外線を吸収して発熱し、比較的短時間でアニール処理に必要な温度に達する。一方、金属基板１１は、主としてハロゲンランプ２４によって照射される近赤外線を吸収し、発熱する。このように金属基板１１が加熱されることで、圧電膜１２の熱が金属基板１１を介して放熱されることを抑制し、圧電膜１２の温度を安定化させる。
【００３９】
この間、圧電膜１２および金属基板１１の温度は、放射温度計２６、２７によりモニタリングされる。上側の放射温度計２６は、センサ部２６Ａを、支持枠２１上に設置された積層体１０の圧電膜１２に向けており、圧電膜１２の温度をモニタリングする。また、下側の放射温度計２７は、センサ部２７Ａを、支持枠２１上に設置された積層体１０において開口部２１Ａからの金属基板１１の露出面に向けており、金属基板１１の温度をモニタリングする。
【００４０】
これらの放射温度計２６、２７により得られた温度データは、コンピュータ８に送られ、コンピュータ８は、得られた温度データを基に、圧電膜１２および金属基板１１の温度が常に最適温度範囲に保たれるようハロゲンランプ２４または遠赤外線ヒータ２５の出力を調整する。
【００４１】
アニール処理が終了したら、積層体１０をアニーリングチャンバ２から搬出し、自然放冷させる。この後、圧電膜１２の分極処理、電極の形成等、必要な工程を経て圧電アクチュエータが完成する。
【００４２】
以上のように本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。加えて、金属基板１１に対して、第１実施形態のように圧電膜１２を介してではなく、支持枠２１の開口部２１Ａを通して直接に近紫外線を照射することができるから、加熱効率が向上する。
【００４３】
本発明の技術的範囲は、上記した実施形態によって限定されるものではなく、例えば、次に記載するようなものも本発明の技術的範囲に含まれる。その他、本発明の技術的範囲は、均等の範囲にまで及ぶものである。
【００４４】
（１）上記各実施形態では、金属基板１１上に直接に圧電膜１２を形成させていたが、金属基板とセラミックス膜との間に中間層が存在していても構わない。
【００４５】
（２）第１実施形態では、金属基板１１の外周縁付近において圧電膜１２から露出した領域の温度を測定していたが、金属基板の表面温度は、例えば積層体を載置するテーブルに孔を空けてこの孔内に露出した金属基板の裏面に放射温度計のセンサ部を向けることにより、金属基板の裏面側から測定しても良い。
【００４６】
（３）上記実施形態で述べた波長による吸収率の違いは、金属とセラミックスとの組み合わせであればその種類を問わずほぼ同じ傾向を示すから、本発明は金属基板およびセラミックス膜の材質に制約なく適用することができる。また、セラミックス膜の形成方法にも特に制限はなく、例えばゾルーゲル法、スパッタ法、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）など、一般的な膜形成方法を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１実施形態のアニール装置の概略側面図
【図２】電磁波の波長と物質の放射率（＝吸収率）との関係を示すグラフ
【図３】第２実施形態のアニール装置の概略側面図
【符号の説明】
【００４８】
１、２０…アニール装置
３…テーブル（保持部）
４、２４…ハロゲンランプ（第１の熱源）
５、２５…遠赤外線ヒータ（第２の熱源）
６、２６…放射温度計（温度センサ）
７、２７…放射温度計（温度センサ）
８…コンピュータ（制御機構）
１０…積層体
１１…金属基板
１２…圧電膜（セラミックス膜）
２１…支持枠（保持部）
【図１】
2007261869.tif 000003
【図２】
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【図３】
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