(57)【要約】      （修正有）【課題】単結晶引上げ法において、種結晶体の反りや破断などを防止するとともに、引き上げられる単結晶の変形を防止することができる種結晶体の保持方法を提供する。【解決手段】種結晶体８が棒状部９と膨大部１０とを有し、保持具７が、膨大部１０を遊嵌状態で把持する嵌合凹部と、棒状部９を下方に突出垂下させる突出口とを有し、種結晶体８を保持具７に装着し、膨大部１０の上面全体に押さえ板２０を配置し、押さえ板２０を押圧する押圧部材１９により、クッション材２１を介在させた状態で押さえ板２０を押圧することにより、種結晶体８を押さえ板２０により押圧固定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶引上げ法において用いられる種結晶体を保持具によって保持する方法であって、該種結晶体が、少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とを有し、
該保持具が、該種結晶体の膨大部を遊嵌状態で把持する嵌合凹部と、該種結晶体の棒状部を下方に突出垂下させる突出口とを有し、
該種結晶体を該保持具に装着し、
該種結晶体の膨大部の上面全体に押さえ板を配置し、
該押さえ板を押圧する押圧部材により、該押さえ板と該押圧部材との間にクッション材を介在させた状態で、該押さえ板を押圧することにより、
該種結晶体を該押さえ板により押圧固定すること
を特徴とする単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項２】
前記押さえ板がカーボン製であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項３】
前記押さえ板の厚みが１〜５０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項４】
前記保持具が、前記押圧部材を挿入するための貫通口が設けられた上壁を有することを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項５】
前記押圧部材が、前記貫通口に挿入され、かつ、前記保持具に接続された単結晶引上げ軸であることを特徴とする請求項４に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項６】
前記押圧部材が、前記貫通口に挿入された、単結晶引上げ軸と前記保持具との接続治具であることを特徴とする請求項４に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項７】
前記クッション材がカーボンフェルトからなることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【請求項８】
前記種結晶体がフッ化金属からなることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶引き上げ法により単結晶を製造する際に用いられる種結晶体の保持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
単結晶シリコン等の単結晶体の製造に際して、単結晶引上げ法（チョクラルスキー法）が汎用されている。単結晶引上げ法は、坩堝中の単結晶製造原料の融液に、目的とする単結晶からなる種結晶体を接触させ、次いで、その種結晶体を坩堝の加熱域から徐々に引き上げて緩やかな温度勾配で冷却することにより、該種結晶体を起点として下方に単結晶を育成する方法である。
【０００３】
従来、単結晶引上げ法に用いられる種結晶体としては、円柱等の棒状体が用いられ、この棒状の単結晶体は、図９に概略図として示した単結晶引上げ装置において、引き上げロッド（６）の先端に接続された単結晶体保持具（７）に、該種結晶体（８）の上方を嵌挿して固定されていた。前記種結晶体（８）の保持具（７）への固定は、図１０に示すように種結晶体の側壁上部に形成されたノッチ（２４）やピン挿入孔に、保持具（７）のこれらの細工部位に対応する位置に形成されたピン挿入孔（２５）から、固定ピン（２６）を挿入することにより行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、こうした種結晶体にノッチやピン挿入孔を形成して固定する方法は、種結晶体への細工段階において局所的に強い切削力が加わるため破断し易いという問題があった。また、単結晶体の引き上げ時において、釣支される単結晶体の荷重が大きくなると、ここを起点として種結晶体が変形または破断したり、単結晶体が種結晶体とともに落下したり、引き上げられる単結晶に変形が生ずるなどの問題があった。
【０００５】
特に、引き上げる単結晶体が、近年、その有用性が高まっているフッ化金属類、特に直径が１５０ｍｍを超えるような大型のフッ化金属単結晶体である場合には、上記変形や破断が生じ易く、これらの材料の工業的な生産の大きな障害になっていた。すなわち、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム等のフッ化金属単結晶体は、高温においては融点未満の温度でも塑性変形しやすいという性質を有している。そのため、上述した種結晶体にノッチを形成して固定する方法では、ノッチが浅いと、単結晶体の成長に伴って、種結晶体の該ノッチ部より上方の部分が引き伸ばされるなどの変形を生じ、固定ピンをすり抜けて落下してしまう場合があった。一方、ノッチを深くすると該ノッチ部の強度が不足し、この部分が引き伸ばされやすくなり、やはり最終的には破断して脱落してしまう場合があった。
【０００６】
また、上記フッ化金属単結晶は劈開性が強いものが多いため（特にフッ化カルシウム単結晶体）、該フッ化金属単結晶にピン挿入孔を形成することは困難であり、さらにピン挿入孔を窄孔した部分の強度が不足するため、該ピン挿入孔部分で破断しやすい。
【０００７】
このような問題点を改善するためには、たとえば、特開平９−１９４２９１号公報（特許文献２）に提案されている、上部の水平部材（膨大部）と、水平部材の中央部で下方に延在する垂直部材（棒状部）とが一体に結合したＴ字型種結晶体を用いることが考えられる。このように、種結晶体の頭部をＴ字型に加工して保持具に支持される鍔部を形成することにより、種結晶体の落下などを防止する効果が得られる。
【０００８】
上記のようなＴ字型種結晶体の保持具内での上下方向の固定は、通常、保持具上壁に設
けられた貫通口から、単結晶引上げロッドを挿入し、種結晶体を押圧することにより行われる。しかしながら、このような固定方法では、種結晶体頭部の膨大部が、釣支される単結晶体の重量に耐えきれず、上面側に反ってしまい、大型のフッ化金属単結晶体を引き上げた場合などには、単結晶体の成長に伴い徐々に変形し、最終的には種結晶体が破断し落下してしまうことがある。さらに落下にまでは至らなくても、頭部の膨大部が上方に反ることにより、棒状部が下方へ移動することになり、それに連動して結晶成長面もまた下方へ移動することになる。フッ化金属の単結晶引上げ法による単結晶の成長速度は、通常、１〜１０ｍｍ／ｈｒであるため、結晶成長面位置の僅かな変位もその成長に多大な影響を及ぼし、結晶性の低下などを引き起こすことが多い。
【特許文献１】特開平１１−１３９８９７号公報
【特許文献２】特開平９−１９４２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決しようとするものであり、単結晶引上げ法において、種結晶体の反りや破断などを防止するとともに、引き上げられる単結晶体の変形および落下を防止することができる種結晶体の保持方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った。その結果、種結晶体の膨大部の上面全体を押さえる部材で、種結晶体を押圧固定することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る単結晶引上げ用種結晶体の保持方法は、
単結晶引上げ法において用いられる種結晶体を保持具によって保持する方法であって、該種結晶体が、少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とを有し、該保持具が、該種結晶体の膨大部を遊嵌状態で把持する嵌合凹部と、該種結晶体の棒状部を下方に突出垂下させる突出口とを有し、該種結晶体を該保持具に装着し、該種結晶体の膨大部の上面全体に押さえ板を配置し、該押さえ板を押圧する押圧部材により、該押さえ板と該押圧部材との間にクッション材を介在させた状態で、該押さえ板を押圧することにより、該種結晶体を該押さえ板により押圧固定することを特徴とする。
【００１２】
前記保持具は、前記押圧部材を挿入するための貫通口が設けられた上壁を有していてもよい。前記押さえ板は、カーボン製であること、ならびに、厚みが１〜５０ｍｍであることが好ましい。前記クッション材はカーボンフェルトからなることが好ましい。前記種結晶体として、フッ化金属からなる種結晶体を用いることができる。
【００１３】
また、前記押圧部材として、前記貫通口に挿入され、かつ、前記保持具に接続された単結晶引上げ軸、あるいは、前記貫通口に挿入された、引上げ軸と保持具との連結治具を用いることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、単結晶引上げ法において、種結晶体の反りや破断などを良好に防止することができるとともに、引き上げられる単結晶体の落下および変形を防止することができる。したがって、結晶性等に優れた単結晶体を効率的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る単結晶引上げ用種結晶体の保持方法について詳細に説明する。
本発明の単結晶引上げ用種結晶体の保持方法は、単結晶引上げ法において用いられる種結晶体を保持具によって保持する方法である。
【００１６】
＜種結晶体＞
本発明で用いられる種結晶体は、単結晶引上げ法において用いられ、図４に示すように、少なくとも先端部（１１）が単結晶体である棒状部（９）と、頭部の膨大部（１０）とを有する。このような形状への加工は、種結晶部分を含む種結晶体加工用の結晶ブロックを板状に切断加工した後に全体を徐々に研削していくことにより行うことができる。したがって、ノッチ等を細工する場合のように局所的に強い応力がかかることがないため、種結晶体の加工時における破断の危険性を大きく低減できる。なお、種結晶体加工用の結晶ブロックは、単結晶引き上げ法や坩堝降下法（ブリッジマン法）等の単結晶体製造方法で得られたものが何等制限なく使用できる。
【００１７】
上記棒状部（９）は、先端面を原料融液に接触させることにより、単結晶育成の核とする部分である。その先端面は、結晶の育成面として所望される結晶面となるように研削し、棒状部（９）の軸は該結晶面に対して垂直になるように伸出させることが好ましい。このように、先端面を特定の結晶面とするには、種結晶加工用の結晶ブロックの端面をＸ線回折などの方法により正確に目的の結晶面に削り出しておき、この面を基準として種結晶体（８）の形状に加工すればよい。
【００１８】
上記棒状部（９）は、少なくともその先端部（１１）が上記の如く単結晶体で形成されていれば、必ずしも全体が単結晶体で形成されている必要はない。しかしながら、引上げ法による単結晶の育成は、種結晶体をソフトに原料融液に接触させなければ順調に育成が開始されず、これを種結晶体の原料融液への一回の接触で成功させることは困難なことが多い。また、この場合、先端部の相当量は溶融消失してしまう。したがって、保持具（７）に装着した同じ種結晶体（８）を用いて、繰り返して原料の融液への接触を試みることができるように、棒状部（９）における単結晶部分は、先端部（１１）からできるだけ長く形成されていることが望ましい。具体的には、単結晶部分が２ｃｍ以上であることが好ましい。また、単結晶部と多結晶部とを含む原料結晶体を、種結晶体の先端部が単結晶体となるように加工する困難性の点から、原料結晶体として単結晶体を用いて種結晶体を製造することが好ましい。すなわち、種結晶体としては、実質的にすべて単結晶体からなる種結晶体であることが特に好ましい。こうした単結晶部分を含めて、棒状部（９）は、通常、３〜４０ｃｍとすることが好ましい。
【００１９】
上記棒状部（９）の形状は、角柱状または円柱状のいずれであってもよく、また、棒状部の一部に括れ部や凹凸部等が設けられていてもよいが、加工の容易性等から、四角柱であることが好ましい。また、単結晶体の育成は、通常、このような種結晶を縦方向へ成長させると同時に、所望の直径になるまでは徐々に横方向にも成長させる。そのため、この横方向への成長を均一にさせやすい点で、棒状部（９）の横断面形状は３回対称以上の回転対称であることが好ましい。これらの理由により、棒状部（９）の形状は、正四角柱とすることが特に好ましい。
【００２０】
上記棒状部（９）の径は、その先端部、すなわち、溶融液に接触する部分の水平断面積が、通常は７５〜１６００ｍｍ2である。前記断面積が大きいほど、棒状部（９）を破断
や変形させることなく、より重い（大口径、長尺の）単結晶体を育成することができるため、種結晶体（８）の頭部の膨大部（１０）に変形を生じさせることなく単結晶体を育成させる効果がより顕著に発揮されて好ましい。棒状部（９）における前記断面積が２００ｍ2以上の場合に特に顕著である。なお、棒状部（９）が正四角柱である場合、角部が欠
損し易くなるため、該角部を隅切りすることが好ましい。
【００２１】
上記膨大部（１０）の形状は、特に制限されるものではなく、例えば、棒状部末端の壁面全周が均等に拡径されて円筒状または角筒状に膨大していたり、上記壁面が前後方向お
よび左右方向に拡径されて、平面視十字状に膨大していてもよいが、図４に示されるように、左右方向にのみ均等に拡径されて平板状に膨大していることが好ましい。種結晶体を得るための原料結晶体の大きさがより小さくてよく、加工も容易であり、また、後述する保持具の形状も複雑化させずにすむからである。その拡径の程度は、保持具により確実に保持可能な程度であり、一般には、棒状部の中心から壁面までの長さに対して１．１倍以上、より好適には１．２〜３倍の長さで拡径されていることが好ましい。
【００２２】
上記膨大部（１０）は、保持の安定性や破断の抑制の観点から、その下面が棒状部（９）に向かって下り傾斜面を形成していることが好ましい。前記傾斜面の角度は、水平面に対して１０〜６０度、好ましくは１０〜４０度であることが望ましい。また、同様の観点から、上記膨大部（１０）の屈曲部（１５）は、滑らかな曲線状になっていることが好ましい。
【００２３】
上記膨大部（１０）の高さは、棒状部（９）の先端断面積の１／２乗相当の長さの０．８〜５倍であることが好ましく、１〜３倍であることがより好ましい。前述したように、棒状部（９）の先端断面積が大きいほど、棒状部（９）の破断等を生じることなく、重い（大きな）単結晶体を育成することができる。しかし、単結晶体の重量に応じて、棒状部（９）には引き下げようとする力が作用している。後述するように、従来技術の保持方法によれば、前記応力は、膨大部の拡径部分を上方向へ変形させようとする力として作用するが、本発明の保持方法によれば、後述する抑え板（２０）が存在するため、膨大部（１０）においては、該押さえ板（２０）と保持具の底壁（１３）によって挟持されている膨大部の拡径部分を内側方向（棒状部の方向）に引っ張る力として作用する。そのため、棒状部の先端断面積を大きくして、重い単結晶体を育成しようとしても、該膨大部の高さがあまりに低い（薄い）と、引っ張り応力により破断したり、変形したりしてしまう場合がある。一方、膨大部の高さが高すぎても（厚すぎても）、種結晶体を作製するための原料結晶体として大きなものが必要となり経済的ではない。なお、膨大部下面が傾斜している場合における膨大部（１０）の高さとは、種結晶体（８）の屈曲部（１５）からその直上の上端面までの高さである。
【００２４】
＜保持具および保持方法＞
本発明で用いられる保持具は、単結晶引上げ法において、上記種結晶体（８）を保持するために用いられ、図５および図６に示すように、該種結晶体（８）の頭部の膨大部（１０）を遊嵌状態で把持する嵌合凹部（１２）と、該種結晶体の棒状部（９）を下方に突出垂下させる突出口（１４）とを有する。また、前記保持具（７）の上壁（１８）には、後述する貫通口（１６）が設けられていることが好ましい。
【００２５】
上記保持具（７）によれば、図１に示すように、上記膨大部（１０）に外嵌させ、上記棒状部（９）を下方に突出垂下させることにより、上記種結晶体（８）を簡単かつ確実に保持することができる。
【００２６】
上記保持具（７）による膨大部（１０）の保持は、該保持具（７）の内壁面の全てが、膨大部（１０）の壁面、すなわち、上下面、左右側面および背側面と接していてもよい。しかしながら、フッ化金属からなる種結晶体（８）の熱膨張性は１５〜５０ｐｐｍ／Ｋ程度（温度によっても異なる）であり、通常、カーボンや高融点金属等の材質からなる保持具（７）の熱膨張性が１〜１０ｐｐｍ／Ｋ程度であるのと比べて遙かに大きい。そのため、このように熱膨張差が大きい場合において、上記の如く両部材の各壁面との密着性をあまり高くすると、単結晶引き上げ時に種結晶体（８）の膨張圧力によって、保持部材（７）が破断するおそれがある。
【００２７】
したがって、未加熱状態では、膨大部（１０）の保持は、その下面のみの支持で行えば
十分であり、膨大部（１０）の側面の少なくとも一部（好適には全部）および上面と、保持具（７）の内壁面との間には、単結晶引き上げ時における種結晶体（８）と保持具（７）の熱膨張差分以上の間隙を空けることが好ましい。特に、フッ化カルシウム等のフッ化金属は熱膨張性が大きいため、上記態様に遊嵌させることは有効である。
【００２８】
なお、上記熱膨張差分とは、種結晶体（８）を保持具（７）に装着する際の未加熱状態での温度（通常は室温）から、結晶引上げ時に種結晶体（８）の膨大部（１０）が到達する最高温度（以下、所定温度）までの温度差における熱膨張の差である。例えば、フッ化カルシウムの単結晶体引上げに際しては、フッ化カルシウムからなる種結晶体は１４００℃程度まで加熱される。本発明者らの実測によれば、フッ化カルシウム単結晶は、室温から１４００℃まで昇温したときには３％程度膨張する。したがって、保持具（７）の材料として、同じく１４００℃まで加熱したときの線熱膨張率が０．６％程度の材質のもの（例えば、等方性高密度黒鉛の焼結体）を用いる場合には、種結晶（８）の大きさに対して少なくとも２．４％相当（両側合計）の間隙を設ければよい。
【００２９】
加工誤差や高温における線熱膨張率の測定誤差等を考慮すると、上記間隙は、両側合計で、種結晶体を構成する物質を所定温度まで加熱したときの線熱膨張率（Ｘ％）以上とすることが好ましく、（Ｘ＋１）％以上とすることがより好ましい。なお、この間隙は、あまり広すぎても、種結晶体（８）の保持の確実性を低下させ、種結晶体（８）のがたつき、中心位置ずれ、変形の要因になる場合もある。そのため、上面方向を除き、両側合計で（Ｘ＋７）％以下とすることが好ましく、（Ｘ＋３）％以下とすることがより好ましい。
【００３０】
より具体的には、例えば、種結晶体（８）が、２０ｍｍ角の正四角柱状の棒状部（９）と、幅３０ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、高さ２５ｍｍの膨大部（１０）とを有するフッ化カルシウム（Ｘ＝３）であり、保持具（７）がカーボンである場合、上記間隙は少なくとも、幅方向に計０．９〜２．４ｍｍ（片側当たり０．４５〜１．２ｍｍ）、厚さ方向に計０．６〜１．６ｍｍ（片側当たり０．３〜０．８）ｍｍあけることが望ましく、幅方向に計１．２〜１．５ｍｍ、厚さ方向に計０．８〜１．０ｍｍあけることがより望ましい。さらに、保持具の突出口（１４）の内壁と棒状部（９）との間についても、上記と同程度もしくはそれ以上の間隙を存在させることが望ましい。なお、種結晶体（８）の上面方向の間隙については後述する。
【００３１】
前述したように、本発明では、膨大部（１０）の保持の安定性や破断の抑制効果を向上させるために、種結晶体（８）の膨大部（１０）の下面を、棒状部（９）に向かって下り傾斜面とした場合、これに対応して、保持具（７）の底壁（１３）面も、突出口（１４）に向かって下り傾斜面とすることが好ましい。ここで、種結晶体（８）の膨大部（１０）の下面が水平である場合には、屈曲部（１５）への応力集中が激しくなり破断等の危険性が高まる。また、膨大部（１０）の下面が、棒状部（９）に向かって上り傾斜面を形成している場合も、屈曲部（１５）近傍への応力集中が激しくなり、また種結晶体（８）の保持の安定性が低下する。膨大部（１０）の保持をより安定にする観点から、前記下面の傾斜角度は、水平面に対して５〜６０度、好ましくは１０〜４０度であることが望ましい。
【００３２】
本発明の種結晶体の保持方法では、上記種結晶体（８）を上記保持具（７）に装着し、該種結晶体の膨大部の上面全体に押さえ板（２０）を配置し、該押さえ板を押圧する押圧部材により、該押さえ板と該押圧部材との間にクッション材を介在させた状態で、該押さえ板を押圧することにより、該種結晶体を該押さえ板により押圧固定する。
【００３３】
すなわち、本発明の作用機構を示す模式図である図７（ａ）に示すように、室温付近の温度で保持具（７）に装着される種結晶体（８）は、その膨大部（１０）の下面が該保持具（７）の下壁上面に接するように配され、上面は、押さえ板（２０）およびクッション
材（２１）を介して押さえ部材（１９）により押圧されて保持される。そして、種結晶体（８）と保持具（７）の側壁との間には上述したような熱膨張差分の間隙（２９）が設けられる。種結晶体（８）は、単結晶体の育成のために炉内を昇温させると膨張するが、図７（ｂ）に示すように、側面方向の熱膨張は上記間隙（２９）により吸収され、上下方向の熱膨張は、上記クッション材（２１）が圧縮変形することにより吸収される。そのため、保持具（７）の熱膨張率に対して種結晶体（８）の熱膨張率が大きくても、保持具（７）には実質的に応力がかからず、保持具（７）が破断するようなことはない。
【００３４】
一方、図８（ａ）に示すように、クッション材を設けず、昇温前の状態で上面方向にも熱膨張差分の間隙（３０）を設けた場合には、熱膨張前には種結晶体（８）を充分に保持することができず、種結晶体（８）のがたつきや位置ずれを生じやすい。また、図８（ｂ）に示すように、同じくクッション材を設けず、かつ、昇温前の状態で上面に間隙を設けずに固定すると、昇温に伴う熱膨張により生じた上下方向への応力が緩和されず保持具（７）に作用し、図８（ｃ）に示すように保持具（７）が破断してしまうおそれがある。
【００３５】
さらに、育成に伴い徐々に単結晶体が大きくなってくると、種単結晶体（８）にかかる単結晶体の重量が徐々に増加していく。そのため、種結晶体（８）における膨大部（１０）の中心部では引き下げられる方向への応力が作用するとともに、保持具の底壁（１３）と種結晶体の膨大部下面との接触部のなかの最も棒状部よりの部分（通常、屈曲部（１５）近傍とされる）を支点として、該接触部分よりも外側（膨大部の両端方向）では上方向へ変形させようとする力が作用する。そして、図８（ｄ）に示すように押さえ板を配置していない場合には、図８（ｅ）に示すように、上下方向の熱膨張は、クッション材（２１）が圧縮変形することにより吸収されるが、育成された単結晶体の重量によっては、図８（ｆ）に示すように種結晶体（８）が変形し、相対的に種結晶体の位置が低くなったり、極端な場合には保持具（７）をすり抜けて落下してしまう場合がある。
【００３６】
これに対し本発明では、図７（ａ）に示すように種結晶体（８）の上面に押さえ板（２０）を配置することにより、この上下方向への変形（反り）が抑えられる。
上記押圧部材としては、種結晶体（８）の膨大部上面に配置された押さえ板（２１）を押圧する、あるいは、押圧部材と押さえ板の間に他の部材（中間部材）を介在させて該押さえ板（２１）を押圧もしくは固定することができれば、特に限定されない。たとえば、保持具（７）の上壁（１８）の内壁面が押圧部材の役割を果たしていてもよく、図１に示すように保持具（７）に接続する単結晶引上げロッド（６）等の単結晶引上げ軸を押圧部材として用いてもよく、単結晶引上げロッドや単結晶引上げワイヤ等の単結晶引上げ軸を、接続治具を介して保持具（７）と接続する場合には、該接続治具を押圧部材として用いてもよい。
【００３７】
上記押圧部材として単結晶引上げロッド（６）を用いる場合の例を説明する。たとえば、図１に示すように、種結晶体（８）の膨大部（１０）の上面全体に押さえ板（２０）を配置し、該押さえ板（２０）の上にクッション材（２１）を配置する。そして、ロッド（６）の先端部（１９）を貫通口（１６）に挿入し、押さえ板（２０）と該ロッド（６）の先端部（１９）との間にクッション材（２１）を介在させた状態で、該押さえ板（２０）を該ロッド（６）の先端部（１９）により押圧する。これにより、種結晶体（８）が、押さえ板（２０）により、がたつきや位置ずれがないように強固に押圧固定される。
【００３８】
上記のように種結晶体（８）の膨大部（１０）の上面全体を押さえ板（２０）で押圧することにより、膨大部（１０）の上面の一部を押圧していた場合に、押圧部材が接していない膨大部（１０）の部分が、釣支される単結晶体の重量などの影響により上面側に反ってしまう現象を良好に防止することができる。
【００３９】
上記押さえ板（２０）としては、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶体の引き上げ時に副反応を引き起こさない材料から構成され、上記膨大部（１０）の上面全体を押圧することにより、種結晶体（８）の反りや変形を防止することができれば何ら制限なく使用することができる。例えば、カーボン製の板、セラミックス製の板、高融点金属製の板などが挙げられる。これらの中では、非酸化性雰囲気下での耐熱性や、反応副生物等として生じる可能性のあるフッ化水素やフッ素ガスに対する化学的耐久性に優れ、また製造する単結晶体中に不純物元素が取り込まれる可能性が極めて低く、さらには安価な点で、等方性高密度黒鉛の焼結体などのカーボン製板が好ましい。
【００４０】
上記押さえ板（２０）の厚みは、上記膨大部（１０）の反りを防止することができれば特に限定されないが、通常、１〜５０ｍｍ、好ましくは３〜２０ｍｍであり、特に３〜１０ｍｍである。押さえ板（２０）の厚みが前記範囲内にあることにより、膨大部（１０）の反りを良好に防止することができる。
【００４１】
上記押圧部材によって押さえ板を押圧する際に、該押圧部材とクッション材との間に、あるいは、該押さえ板とクッション材との間に、該押さえ板を押圧する中間部材をさらに介在させてもよい。たとえば、図２（Ａ）に示すように、押さえ板（２０）と、ロッド（６）の先端部（１９）との間に、該押さえ板（２０）を押圧する中間部材（２２）をさらに介在させてもよく、図２（Ｂ）に示すように、押さえ板（２０）とクッション材（２１）との間に中間部材（２２）をさらに介在させてもよい。
【００４２】
また、上記中間部材（２２）は、図３（Ａ）に示すように、上記押圧部材（ロッド（６））に設けられた凹部に収納するような態様としてもよい。これにより、中間部材（２２）による押さえ板（２０）への押圧を安定して行うことができる。さらには、このようにクッション材（２１）を凹部に収納する態様とすれば、カーボン系以外の材質のクッション材を用いた場合に、該クッション材を構成する物質に由来する単結晶体の汚染や、外部雰囲気（フッ化水素やフッ素ガス）によるクッション材の損傷を防止しやすい。また、凹部を深くすることにより、クッション材の位置を、炉内でも、より低温の場所（上方）にすることができるため、耐熱性の点で保持具内（押さえ板近傍）では使用困難な材質のクッション材でも使用することができる。
【００４３】
なお、中間部材を用いる場合には、クッション材（２１）は、図３（Ａ）に示すように、中間部材（２２）と押圧部材（ロッド（６））との間に配置してもよし、中間部材（２２）と押さえ板（２０）との間にクッション材を配置してもよい。また、上記押さえ板（２０）と中間部材（２２）とが一体化した形状のものを用いてもよい。
【００４４】
上記中間部材（２２）としては、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶体の引き上げ時に副反応を引き起こさない材料から構成され、上記押さえ板（２０）を良好に押圧することができれば何ら制限なく使用することができる。具体的には、カーボン、セラミックス、高融点金属などが挙げられる。これらの中では、非酸化性雰囲気下での耐熱性や、反応副生物等として生じる可能性のあるフッ化水素やフッ素ガスに対する化学的耐久性に優れ、また製造する単結晶体中に不純物が取り込まれる可能性が極めて低く、さらには安価な点で、等方性高密度黒鉛の焼結体などのカーボン製であることが好ましい。
【００４５】
また、図３（Ｂ）に示すように、押圧部材を単結晶引上げロッドまたは接続治具とは別個の部材とすることもできる。この場合の材質も、上記中間部材と同様である。
前述した通り、上記押さえ板（２０）または中間部材（２２）の上面に、直接押圧部材（たとえば、ロッド（６））が接すると、上記種結晶体（８）や押さえ板（２０）の熱膨張によって、保持具（７）が破断したり、該押さえ板（２０）、中間部材（２２）または
種結晶体（８）が圧壊するおそれがある。そのため、押圧部材による押さえ板（２０）の押圧の際に、上記クッション材（２１）を介在させる必要がある。このように、クッション材（２１）を介在させることにより、熱膨張等による保持具（７）、押さえ板（２０）または中間部材（２２）の損傷や破壊を防止するとともに、種結晶体（８）の反りや破断を防止することができる。
【００４６】
上記クッション材（２１）としては、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶体の引き上げ時に副反応を引き起こさない材料であれば何ら制限なく使用することができ、例えば、カーボンフェルト、セラミックスフェルト、石綿等のフェルト系材料が挙げられる。また、セラミックスバネや高耐熱性金属バネなどのバネも使用できる。クッション材についても、非酸化性雰囲気下での耐熱性や、反応副生物等として生じる可能性のあるフッ化水素やフッ素ガスに対する化学的耐久性に優れ、製造する単結晶体中に該クッション材由来の不純物元素が取り込まれる可能性が極めて低く、さらには安価な点でカーボン製であることが好ましい。
【００４７】
また、上記クッション材（２１）は、保持具および／または押圧部材の構造を単純なものとしやすく、保持具に種結晶体を装着する場合の操作も簡単になる点でフェルト系材料であることが好ましい。クッション材としてフェルト系のものを用いる場合には、その厚みが無加圧状態で２〜１００ｍｍ程度で、指で強く挟む程度の力で圧縮した際に１／２〜１／１０程度の厚さに変形するものが好ましい。
【００４８】
一方、種結晶体の熱膨張率が極めて大きい場合には、フェルト系材料よりもバネを用いる方が、押圧固定の際にしっかりと固定でき、かつ熱膨張も十分に緩和させやすい場合がある。このようにバネ系のクッション材を用いる場合には、耐熱性や化学的耐久性等の観点から、図３（Ａ）に示すように、該クッション材（バネ）が、押圧部材（たとえば、ロッド（６））に設けられた凹部に収納され、該凹部の開口部は中間部材により閉塞された態様とすることが好ましい。
【００４９】
上述のような様々な態様の中でも、図１に示すような、押圧部材として、単結晶引上げロッドや単結晶引上げワイヤ等の単結晶引上げ軸、または、単結晶引上げ軸と保持具との接続治具を用い、該押圧部材を保持具の上壁に設けられた貫通口から挿入させることにより、（カーボン）フェルトからなるクッション材および押さえ板を介して種結晶体を押圧固定する構造とすることが、保持具および／または押圧部材の構造を単純なものとしやすく、保持具に種結晶体、押さえ板およびクッション材等を装着する場合の操作も簡単になる点で特に好ましい。
【００５０】
上記保持具（７）において、種結晶体（８）の嵌合凹部（１２）への嵌入口（１７）は、壁部のいずれの位置に開口させてもよいが、上壁や底壁に設けた場合、軸ずれを生じた状態で種結晶が固定される危険性が高くなるとともに、操作性が悪くなるため、側壁の一部、好ましくは前壁または後壁に設ける。この場合、嵌入口（１７）の下部は、底壁（１３）に設けられる前記突出口（１４）の周壁上まで下方に延設し、種結晶体（８）の棒状部（９）の上部を、該突出口（１４）に嵌入できるようにする。
【００５１】
また、この嵌入口（１７）に対応した塞ぎ材（２７）を用意し、種結晶体（８）を嵌合凹部（１２）に嵌合した後、該塞ぎ材（２７）により該嵌入口（１７）の大部分を塞ぐことが、種結晶体（８）の保持の確実性をさらに向上させる観点からより好ましい。なお、この場合においても、塞ぎ材（２７）の内壁面と膨大部（１０）の前面との間は、両部材の熱膨張差分以上の間隙を設けることが好ましい。
【００５２】
さらに、図６に示すように該塞ぎ材と押え板とを兼用する部材（２８）を用いることも
好適である。このような態様とした場合には、押圧部材により押え板部分（兼用部材（２８）の天板部）を押圧固定することにより、塞ぎ材部分（側壁部）も同時に固定されるため、図５に示す態様のように塞ぎ材（２７）を別途固定する必要がなくなり、操作性がさらに向上する。
【００５３】
保持具上壁（１８）と種結晶体（８）の上面との間隙（幅）は、種結晶体（８）と保持具（７）との熱膨張差分に加えて、押え板（２０）の厚み分と該押え板の熱膨張分の間隙があればよいが、種結晶体や押え板の嵌合凹部（１２）への嵌入の際の作業性に優れる点で、上記間隙に加えてさらに０．５〜２０ｍｍ、好ましくは１〜１０ｍｍの余裕を持たせることが望ましい。また、図１や図２（Ａ）に示す態様のように、クッション材（２１）が押え板（２０）と保持具上壁（１８）の間に挟まれるように配置される場合には、該クッション材（２１）の厚み分もさらに加えた間隙幅とする。
【００５４】
以上の構造を有する保持具（７）は、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶の引き上げ時に副反応を引き起こさない材質から選定される。一般には、グラファイト、グラッシーカーボン、イリジウム、ロジウム、モリブデン、白金、白金−ロジウム合金、タングステン、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどが挙げられる。この中では、グラファイト、グラッシーカーボン等のカーボンやイリジウムが好適であり、特に押さえ板におけるのと同じ理由でカーボン製であることが特に好ましい。
【００５５】
本発明において、種結晶体（８）を保持具（７）に嵌入させ、押え板（２０）およびクッション材（２１）を介して押圧部材で押圧固定する手順は特に限定されない。一般的な手順としては、例えば、保持具（７）が図５に示す態様である場合には、該保持具（７）の嵌合凹部（１２）へクッション材（２１）および押さえ板（２０）を嵌入して配置し、該押さえ板（２０）を保持具上壁（１８）に押さえつけた状態で、種結晶体（８）を該嵌合凹部（１２）へ嵌入させ、次いで、貫通孔（１５）から押圧部材を螺挿して押圧固定する手法や、保持具（７）の嵌合凹部（１２）へ種結晶体（８）と押さえ板（２０）を嵌入して配置し、貫通孔（１５）からクッション材（２１）を押入した後、該貫通孔（１５）から押圧部材を螺挿して押圧固定したりする手法が挙げられる。このとき、塞ぎ材（２７）により嵌入口（１７）を塞ぐ順序は、押圧部材により押圧固定する前でも後でもよい。
【００５６】
また、保持具（７）が図６に示す態様である場合のように、押さえ板が塞ぎ部材と兼用である場合には、上記のうちの貫通孔（１５）からクッション材を押入する後者の手法を採用することができる。
【００５７】
＜単結晶の製造方法＞
本発明の種結晶体の保持方法は、単結晶引き上げ法により単結晶体を製造するに際して制限なく採用できる。例えば、シリコン；ゲルマニウム；ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂなどのＩＩＩ族とＶ族の化合物；ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどのＩＩ族とＶＩ族の化合物等の半導体単結晶体の製造に良好に適用できる。また、上述したように、熱膨張率が大きく、高温下では変形しやすく、さらには劈開性が強いものが多いなどの点で、本発明の効果がより顕著に発揮されることから、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化アルミニウム、ＬｉＣａＡｌＦ6等のフッ化金属からなる単結晶体の製造に適用するのが好適である。なかでも、フッ化
カルシウム単結晶体の製造に適用した場合に最も顕著に効果が発揮される。
【００５８】
引き上げ法の具体的操作方法も、図９の概略図に示されるような引き上げ装置を用いて実施される公知の方法が制限なく実施できる。
図９は、単結晶引き上げ装置の代表的態様の概略図である。図９の単結晶引き上げ装置において、チャンバー（１）内には、回転可能な坩堝（２）が設置されており、その内部
には単結晶製造原料の融液が収容され、ここから単結晶体（３）が引き上げられる。坩堝（２）の周囲には、溶融ヒーター（４）が設けられ、さらに、溶融ヒーター（４）を取り囲むように黒鉛多孔質体等からなる断熱材（５）が設けられている。また、坩堝（２）の中心軸上には回転可能な単結晶引き上げロッド（６）が吊設されており、その先端には保持具（７）を介して種結晶体（８）が取り付けられている。
【００５９】
上記単結晶引き上げ装置において、保持具（７）の単結晶引き上げロッド（６）への接続方法としては、たとえば、図１等に示すように、保持具（７）の上壁（１８）に設けられた貫通口（１６）に、ロッド（６）の先端に設けられたネジ部（１９）を螺挿して接続する方法や、ロッド（６）の先端部等にフランジを設け、該フランジと保持具（７）の上壁（１８）とをビス止め等することにより接続する方法などが挙げられる。
【００６０】
なお、単結晶引上げロッドを直接保持具（７）と接続せずに接続治具を介して接続してもよい。また、単結晶引上げ軸としてワイヤを用いる場合には、接続治具を介して接続するのが通常である。接続治具を用いる場合における該接続治具と保持具（７）との接続は、上記単結晶引上げロッドと接続治具との接続方法と同様である。接続治具と単結晶引上げ軸との接続もまた、公知の方法で行えばよい。
【００６１】
上記のような単結晶引き上げ装置を用いた単結晶引上げ法において、上述した本発明の種結晶体の保持方法を採用すれば、保持する種結晶体の変形、破断および落下などを良好に防止することができるとともに、引き上げられる単結晶体の落下および変形を防止することができることから、結晶性等に優れた単結晶体を効率的に得ることができる。
【００６２】
［実施例］
以下、本発明を実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら制限されることはない。
【００６３】
〔実施例１〕
ブリッジマン法で得られたかなりの部分が単結晶体で構成されてなるフッ化カルシウムの結晶ブロックの一端に（１１１）面を正確に削りだし、この面を基準に板状に切り出したものを研削機を用いて研削加工し、図４に模式図を示した形状の種結晶体（８）を得た。この種結晶体（８）は、棒状部（９）と膨大部（１０）とを有するように加工された。前記棒状部（９）は、一辺が２．５ｃｍ、上下長さが１５ｃｍの正四角柱状であり、膨大部（１０）が、左右幅４ｃｍ、前後幅（厚さ）２．５ｃｍ、上下幅（高さ）２．４ｃｍ、下面の棒状部（９）に向かっての下り傾斜角度３０度の傾斜面となるように加工した。また、棒状部（９）の先端面は、結晶の（１１１）面である。この種結晶体は実質的に全てフッ化カルシウムの単結晶からなっているものであった。
【００６４】
上記種結晶体（８）の形状に対応させて図５に示した形状の保持具（７）および塞ぎ材（２７）を高密度黒鉛の焼結体（室温から１４００℃までの熱膨張率０．６％）により作製した。この保持具（７）の嵌合凹部（１２）は、膨大部（１０）を嵌合した際に、左右幅方向において２ｍｍ（片側当たり１ｍｍ）、前後幅方向において１．２ｍｍ（片側当たり０．６ｍｍ）の幅で間隙が形成されるように設計した。なお、この幅は、単結晶引き上げ時に１４００℃まで加熱された際における、上記種結晶体の熱膨張分（３％）にさらに約２％相当分の余裕を持たせた幅に相当する。また、膨大部（１０）の上面と嵌合凹部（１２）の上壁との間に１０ｍｍの幅で間隙が形成されるように設計した。
【００６５】
図１に示すように、保持具（７）の嵌合凹部（１２）に、種結晶体（８）の膨大部（１０）を嵌合し、棒状部（９）を突出口（１９）から下方に突出垂下させた。このとき、図１に示すように、膨大部（１０）の上面全体と保持具の上壁との間に、前記保持具（７）
と同じ材質の厚み５ｍｍ、縦横２５ｍｍ×４０ｍｍの押さえ板（２０）を介在させ、さらに、該押さえ板（２０）とネジ部（１９）との間に、カーボンフェルト（日本カーボン製「GF-20-10F」）からなるクッション材（２１）を介在させた。さらに、嵌入口（１７）
を塞ぎ材（２７）によりビス止めして塞いだ。
【００６６】
次いで、図９に示される構造の単結晶引き上げ装置の引き上げロッド（６）の先端に設けられたネジ部（１９）を、上記保持具（７）の貫通口（１６）に螺挿して、保持具（７）をロッド（６）に接続した。その結果、ロッド（６）の先端面（ネジ部（１９））がクッション材を介して押さえ板（２０）を押圧することにより、押さえ板（２０）が種結晶体（８）の膨大部（１０）の上面全体を押圧し、保持具（７）内において種結晶体（８）が固定されるようにした。このときロッド（６）の先端面（ネジ部（１９））により押圧された部分のクッション材（カーボンフェルト）は約２ｍｍまで圧縮された状態となった（無加圧状態では約１０ｍｍ）。
【００６７】
以上の後、単結晶引き上げ装置（１）の高純度グラファイト製の坩堝（２）内（外直径５０ｃｍ、高さ３０ｃｍ）に、十分な精製処理および水分除去処理を施した高純度の原料フッ化カルシウム塊７０ｋｇと、スカベンジャーとして０．１％の高純度フッ化亜鉛を投入し、チャンバー内を真空引きした。次いで、溶融ヒーター（４）に通電し原料の過熱を開始し徐々に２５０℃まで昇温し、この温度に２時間保持した。その後、再び昇温を開始し、６００℃に達した時点で、真空排気ラインを遮断し、高純度アルゴンをチャンバー内に供給し、内圧を１０６．４ｋＰａに保った。
【００６８】
原料が完全に溶融した坩堝底温度１４８０℃で４０分間保持した後、ヒータ出力を低下させて同１４４０℃で１２０分間保持した後、ロッド（６）を垂下させて、種結晶体（８）における棒状体（９）の先端面を原料融液の表面に接触させ、単結晶の育成を開始した。種結晶体（８）は、５回／分で回転させ２ｍｍ／Ｈｒにて１００時間引き上げを行ったところ、種結晶体（８）の膨大部（１０）の反りは起こらず、順調に単結晶の育成が行えた。育成終了後、常温まで降温した。以上により、最大直径２５ｃｍ、重量３０ｋｇのフッ化カルシウム単結晶体が得られた。
【００６９】
〔実施例２〕
実施例１と同様にして、棒状部（９）が、一辺が２ｃｍ、上下長さが１２ｃｍの正四角柱状であり、膨大部（１０）が、左右幅４ｃｍ、前後幅（厚さ）２ｃｍ、上下幅（高さ）２．４ｃｍ、下面の棒状部（９）に向かっての下り傾斜角度３０度の傾斜面となっているフッ化カルシウムの単結晶からなる種結晶体を加工した。棒状部（９）の先端面は、結晶の（１００）面である。
【００７０】
上記種結晶体（８）の形状に対応させて図６に示した形状の保持具（７）および、押さえ板兼塞ぎ材（２８）を高密度黒鉛の焼結体（室温から１４００℃までの熱膨張率０．６％）により作製した。この保持具（７）の嵌合凹部（１２）は、膨大部（１０）を嵌合した際に、左右幅方向において２ｍｍ（片側当たり１ｍｍ）、前後幅方向において１ｍｍ（片側当たり０．５ｍｍ）の幅で間隙が形成されるように設計した。なお、この幅は、単結晶引き上げ時に１４００℃まで加熱された際における、上記種結晶体の熱膨張分（３％）にさらに約２％相当分の余裕を持たせた幅に相当する。また、膨大部（１０）の上面と嵌合凹部（１２）の上壁との間に８ｍｍの幅で間隙が形成されるように設計した。押さえ板兼塞ぎ材（２８）の天板部（押さえ板相当部）の厚さは４ｍｍである。
【００７１】
保持具（７）の嵌合凹部（１２）に、種結晶体（８）の膨大部（１０）を嵌合し、棒状部（９）を突出口（１９）から下方に突出垂下させた。次いで、押さえ板兼塞ぎ材（２８）を嵌入口（１７）に装着した後、保持具（７）の貫通孔（１６）からφ１８ｍｍ、厚さ
１０ｍｍの円盤状（０．４ｇ）のカーボンフェルト（日本カーボン製「GF-20-10F」）を
挿入した。次いで、貫通孔（１６）から単結晶引き上げ装置の引き上げロッド（６）の先端に設けられたネジ部（１９）を、螺挿して、保持具（７）をロッド（６）に接続した。その結果、ロッド（６）の先端面（ネジ部（１９））がクッション材を介して押さえ板兼塞ぎ材（２８）を押圧することにより、押さえ板兼塞ぎ材（２８）の天板部が種結晶体（８）の膨大部（１０）の上面全体を押圧し、保持具（７）内において種結晶体（８）が固定されるようにした。また押さえ板兼塞ぎ材（２８）がロッド（６）により押圧固定されることにより、実施例１の如く別途塞ぎ材をビス止め固定する必要はなかった。
【００７２】
以上の後、単結晶引き上げ装置（１）の高純度グラファイト製の坩堝（２）内（外直径３６ｃｍ、高さ２５ｃｍ）に、十分な精製処理および水分除去処理を施した高純度の原料フッ化カルシウム塊４０ｋｇと、スカベンジャーとして０．１％の高純度フッ化亜鉛を投入し、チャンバー内を真空引きした。次いで、溶融ヒーター（４）に通電し原料の過熱を開始し徐々に２５０℃まで昇温し、この温度に２時間保持した。その後、再び昇温を開始し、６００℃に達した時点で、真空排気ラインを遮断し、高純度アルゴンをチャンバー内に供給し、内圧を１０４．１ｋＰａに保った。
【００７３】
原料が完全に溶融した坩堝底温度１４８０℃で４０分間保持した後、ヒータ出力を低下させて同１４４０℃で１２０分間保持した後、ロッド（６）を垂下させて、種結晶体（８）における棒状体（９）の先端面を原料融液の表面に接触させ、単結晶の育成を開始した。種結晶体（８）は、６回／分で回転させ２ｍｍ／Ｈｒにて１１０時間引き上げを行ったところ、種結晶体（８）の膨大部（１０）の反りは起こらず、順調に単結晶の育成が行えた。育成終了後、常温まで降温した。以上により、最大直径１９ｃｍ、重量２０ｋｇのフッ化カルシウム単結晶体が得られた。
【００７４】
〔比較例１〕
上記押さえ板（２０）を用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして単結晶の育成を行った。その結果、単結晶の育成途中において、種結晶体（８）の膨大部（１０）が上面側に反ってしまい、約７０時間後に単結晶体とともに種結晶体が坩堝中へ落下した。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の保持方法によって種結晶体を保持した様子を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の保持方法によって種結晶体を保持した様子を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の保持方法によって種結晶体を保持した様子を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明で用いることができる種結晶体を模式的に示す正面である。
【図５】本発明で用いることができる種結晶体保持具を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明で用いることができる種結晶体保持具を模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の作用機構を模式的に示す説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の方法において、クッション材を用いなかった場合の種結晶体および保持具の状態を模式的に示す説明図であり、（ｄ）〜（ｆ）は、押さえ板を用いなかった場合の種結晶体および保持具の状態を模式的に示す説明図である。
【図９】単結晶引上げ装置の概略図である。
【図１０】従来の保持具への種結晶体の保持方法を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７６】
１；チャンバー
２；坩堝
３；単結晶体
４；溶融ヒーター
５；断熱材
６；単結晶引き上げロッド
７；保持具
８；種結晶体
９；棒状部
１０；膨大部
１１；先端部
１２；嵌合凹部
１３；底壁
１４；突出口
１５；屈曲部
１６；貫通口
１７；嵌入口
１８；上壁
１９；ネジ部
２０；押さえ板
２１；クッション材
２２；中間部材
２３；凹部
２４；ノッチ
２５；ピン挿入孔
２６；固定ピン
２７；塞ぎ材
２８；押さえ板兼塞ぎ材
２９；間隙
３０；間隙
３１；ボルト
３２；押圧部材
３３；単結晶引上げ軸
【図１】
2007261855.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007261855.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007261855.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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