(57)【要約】      （修正有）【課題】応力歪みによる異常電荷の発生を抑制した固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体層５３の表面に画像セルが形成され、画像セルはＮ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタを有している。第２トランジスタのゲートは、導出電極２６を介してＮ型領域５４から延出された延出領域２４に接続されている。導出電極２６と延出領域２４は、絶縁膜５９及び層間絶縁膜６１に形成されたコンタクトホール６３に埋め込まれたコンタクト２５を介して接続されている。画像セルの上方には、少なくともコンタクト２５に対する入射光を遮り、フォト・ダイオードＰＤに光を入射するための開口２９を有する遮光膜２８が形成されている。遮光膜２８は、コンタクト２５の形成により応力歪みが生じる半導体層の領域を覆うものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の表面に画像セルが形成された撮像半導体デバイスであって、
前記画像セルは、一導電型の第１領域と該第１領域と逆導電型の第２領域とにより形成されたＰＮを有する受光素子と、
前記受光素子から出力される光検出信号を増幅する増幅回路と、
一端が前記第１領域又は第２領域とコンタクトを介して接続され、他端が前記増幅回路に接続された導出電極と、
少なくとも前記コンタクトを覆い、前記受光素子に光を入射するための開口が形成された遮光層と、
を備えたことを特徴とする撮像半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の撮像半導体デバイスにおいて、
前記遮光層は、前記導出電極より上方の層間絶縁膜上面を覆う金属層であることを特徴とする撮像半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２記載の撮像半導体デバイスにおいて、
前記コンタクトから前記遮光層の開口までの長さは、前記半導体層から前記遮光層までの層構造により設定されたことを特徴とする撮像半導体デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の撮像半導体デバイスにおいて、
前記コンタクトから前記遮光層の開口までの長さは、前記半導体層の界面から前記導出電極までの距離以上、且つ前記半導体層の界面から前記遮光層までの距離以下に設定されたことを特徴とする撮像半導体デバイス。
【請求項５】
半導体層の表面に複数の行選択線と複数の列信号線の交点に接続されて行列配列された複数の画像セルを備えた固体撮像装置であって、
前記画像セルは、一導電型の第１領域と該第１領域と逆導電型の第２領域とにより形成されたＰＮを有する受光素子と、
前記受光素子から出力される光検出信号を増幅する増幅回路と、
一端が前記第１領域又は第２領域とコンタクトを介して接続され、他端が前記増幅回路に接続された導出電極と、
少なくとも前記コンタクトを覆い、前記受光素子に光を入射するための開口が形成された遮光層と、
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像半導体デバイス及び固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、種々の画像データを取得するために、ＭＯＳ型の撮像デバイスが用いられている。この種の撮像デバイスは、フォト・ダイオードのｐｎ接合容量に蓄積した電荷をＭＯＳ型のトランジスタ（例えば、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ））を介して読み出すようになっている。
【０００３】
一般に、ＭＯＳ型等の撮像デバイスは、撮影に用いられるネガ・フィルムに比べてラティテュード、即ちダイナミック・レンジが狭いと言われている。ラティテュードが狭いことは、画像の暗い部分が黒い画素データとして記録され、画像の明るい部分が白い画素データとして記録される。
【０００４】
このダイナミック・レンジを拡大する技術として、対数変換型の撮像デバイスがある。例えば、特許文献１に開示された画像セルは、光受光素子を第１のＭＯＳトランジスタの一方の端子と第２のＭＯＳトランジスタのゲート端子との間に接続され、第１のＭＯＳトランジスタの他方の端子は電圧供給源の一方の電極に接続されている。そして、サブ・スレッショルド領域にて動作する第１のＭＯＳトランジスタにより画像セル中で対数変換を行い、その変換結果を複数のトランジスタにより構成される増幅回路を介して出力する。
【特許文献１】米国特許５６０８２０４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フォト・ダイオードに直列接続された第１のＭＯＳトランジスタと、増幅回路を構成する増幅用トランジスタとの接続は、半導体層表面の絶縁膜に開口を形成し、該開口にコンタクトを埋め込み、このコンタクトと増幅用トランジスタとを配線により接続している。このため、半導体層には、絶縁膜への開口形成に伴う応力歪みが生じる。この応力歪みが発生した領域は、入射光により電荷を発生させ、この発生電荷はフォト・ダイオードにより発生する光電電荷による光検出信号にノイズとして混入する。
【０００６】
この発明は、異常電荷の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明による撮像半導体デバイスは、半導体層の表面に画像セルが形成され、前記画像セルは、一導電型の第１領域と該第１領域と逆導電型の第２領域とにより形成されたＰＮを有する受光素子と、前記受光素子から出力される光検出信号を増幅する増幅回路と、一端が前記第１領域又は第２領域とコンタクトを介して接続され、他端が前記増幅回路に接続された導出電極と、少なくとも前記コンタクトを覆い、前記受光素子に光を入射するための開口が形成された遮光層と、を備えたものである。
【０００８】
コンタクトとは、半導体層上の絶縁層に形成したコンタクトホールに埋め込まれ、絶縁層の上方に形成された配線と半導体層を接続するものであり、コンタクトを覆うことは、該コンタクトの形成により応力歪みが生じる半導体層の領域を覆うことである。
【０００９】
この発明によると、コンタクトの形成により半導体層に応力歪みが生じるが、遮光層によってコンタクト及びそのコンタクトの形成比より応力歪みが生じる領域には光が入射されない。従って、その応力歪みによる異常電荷の発生を抑制することができる。
【００１０】
この発明の一態様においては、前記遮光層は、前記導出電極より上方の層間絶縁膜上面を覆う金属層である。従って、コンタクト及びその周辺の領域に入射する光を遮ることができる。
【００１１】
この発明の一態様においては、前記コンタクトから前記遮光層の開口までの長さは、前記半導体層から前記遮光層までの層構造により設定されてなる。従って、コンタクト及びその周辺の入射光を遮るとともに、受光素子への入射光量を確保することができる。
【００１２】
この発明の一態様においては、前記コンタクトから前記遮光層の開口までの長さは、前記半導体層の界面から前記導出電極までの距離以上、且つ前記半導体層の界面から前記遮光層までの距離以下に設定されてなる。従って、コンタクト及びその周辺の入射光を遮るとともに、受光素子への入射光量を確保することができる。
【００１３】
この発明による固体撮像装置は、半導体層の表面に複数の行選択線と複数の列信号線の交点に接続されて行列配列された複数の画像セルを備え、前記画像セルは、一導電型の第１領域と該第１領域と逆導電型の第２領域とにより形成されたＰＮを有する受光素子と、前記受光素子から出力される光検出信号を増幅する増幅回路と、一端が前記第１領域又は第２領域とコンタクトを介して接続され、他端が前記増幅回路に接続された導出電極と、少なくとも前記コンタクトを覆い、前記受光素子に光を入射するための開口が形成された遮光層と、を備えたものである。
【００１４】
この発明によると、コンタクトの形成により半導体層に応力歪みが生じるが、遮光層によってコンタクト及びそのコンタクトの形成比より応力歪みが生じる領域には光が入射されない。従って、その応力歪みによる異常電荷の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上記述したように、本発明によれば、異常電荷の発生を抑制することが可能な撮像半導体デバイス及び固体撮像装置を提供することができる。（代表クレーム（１つ）の発明がそうすることのできる効果を記載する）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
図３に示すように、固体撮像装置１０は、撮像部１１、内部クロック発生回路１２、垂直走査回路１３、水平走査回路１４、出力回路１５を含む。
【００１７】
撮像部１１は、行列配列された複数の画像セルＣａを備えている。尚、図３には、４行４列のマトリックス状に配列された画像セルＣａからなる撮像部１１を示している。
内部クロック発生回路１２は、クロック信号Φ０が入力され、該クロック信号Φ０に基づいて垂直クロック信号Φｗと水平クロック信号Φｔを生成する。
【００１８】
垂直走査回路１３は、垂直方向のシフトレジスタであり、行選択線Ｗ１〜Ｗ４と、該行選択線Ｗ１〜Ｗ４と対を成すリセット線Ｒ１〜Ｒ４が接続されている。水平走査回路１４は複数（図３において４個）の増幅回路１６とシフトレジスタ１７とを含む。また、各画像セルＣａは、行選択線Ｗ１〜Ｗ４と対を成すリセット線Ｒ１〜Ｒ４が接続されている。
【００１９】
垂直走査回路１３は、垂直クロック信号Φｗに基づいて行選択線Ｗ１〜Ｗ４を順次駆動する。行選択線Ｗ１〜Ｗ４に接続された画像セルＣａは、行選択線Ｗ１〜Ｗ４を介して供給される駆動信号に応答して光電変換信号を列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４に出力する。
【００２０】
水平走査回路１４を構成する各増幅回路１６には各列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４が接続されている。各増幅回路１６は、列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４を介して入力される光電変換信号を増幅する増幅部と、その増幅部の出力信号を水平クロック信号Φｔに基づいてサンプリングしてデジタル信号に変換するアナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換部を含む。
【００２１】
水平走査回路１４を構成するシフトレジスタ１７は、増幅回路１６から出力されるデジタル信号を水平クロック信号Φｔに基づいて出力回路１５に転送する。
出力回路１５は、水平走査回路１４から出力される信号のパルス幅を伸長した出力信号ｏｕｔを生成し出力する。
【００２２】
次に、画像セルの構成を説明する。
図４は、行選択線Ｗ１と列信号線ＢＬ１との交点に接続された画像セルＣａを示す。
画像セルＣａは、受光素子としてのフォト・ダイオードＰＤと、３個のトランジスタＴ１〜Ｔ３を備えている。第１〜第３トランジスタＴ１〜Ｔ３は一導電チャネル型のトランジスタ（本実施形態ではＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ）であり、それらのバックゲートは低電位電源（本実施形態ではグランドＧＮＤ）に接続されている。
【００２３】
フォト・ダイオードＰＤは、アノードが第１電源としての低電位電源（本実施形態ではグランドＧＮＤ）に接続され、カソードが第１トランジスタＴ１に接続されている。第１トランジスタＴ１は、第１端子（ソース端子）がフォト・ダイオードＰＤに接続され、第２端子（ドレイン端子）が第２電源としての高電位電源Ｖｄｄに接続されている。そして、第１トランジスタＴ１は、ゲート端子がリセット線Ｒ１に接続され、該ゲート端子にリセット線Ｒ１を介して後述するリセット信号Φｒ１が供給されている。第１トランジスタＴ１はリセット用トランジスタであり、リセット信号Φｒ１に応答してオン・オフし、オンした第１トランジスタＴ１はフォト・ダイオードＰＤのカソード端子の電位を高電位電源Ｖｄｄレベルにリセットする。
【００２４】
フォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１との間の接続点であるセンスノードＮ１は第２トランジスタＴ２に接続されている。第２トランジスタＴ２は、ゲートがセンスノードＮ１に接続され、ソースが第３トランジスタＴ３に接続され、ドレインが高電位電源Ｖｄｄに接続されている。第２トランジスタＴ２は増幅用トランジスタであり、センスノードＮ１の電位を増幅した信号（光電変換信号）を出力する。従って、第２トランジスタＴ２は、フォト・ダイオードＰＤの出力端子（カソード）電位を増幅する増幅回路を構成する。
【００２５】
第３トランジスタＴ３は、第１端子（例えばソース端子）が第２トランジスタＴ２に接続され、第２端子（例えばドレイン端子）が列信号線ＢＬ１に接続されている。そして、第３トランジスタＴ３は、ゲート端子が行選択線Ｗ１に接続され、該ゲート端子に行選択線Ｗ１を介して後述する駆動信号Φｗ１が供給されている。第３トランジスタＴ３は行選択用トランジスタであり、行選択線Ｗ１を介して供給される駆動信号Φｗ１に応答してオン・オフし、第２トランジスタＴ２と列信号線ＢＬ１とを接離する。従って、第３トランジスタＴ３がオンしたときに、第２トランジスタＴ２から出力される信号（光電変換信号）が列信号線ＢＬ１に出力される。
【００２６】
このように構成された画像セルＣａは、行選択線Ｗ１及びリセット線Ｒ１を介して供給される駆動信号Φｗ１とリセット信号Φｒ１に従って動作する。駆動信号Φｗ１及びリセット信号Φｒ１は所定の波形を持つ。フォト・ダイオードＰＤは、第１トランジスタＴ１により高電位電源Ｖｄｄレベルにリセットされた後、光電変換による信号電荷を蓄積する。フォト・ダイオードＰＤは、リセットにより逆バイアス状態になっており等価的にキャパシタの働きをするので、信号電荷の蓄積によりセンスノードＮ１の電圧が変化する。第２トランジスタＴ２は、その電圧を増幅し、増幅された電圧がＨレベルの駆動信号Φｗ１に応答してオンした第３トランジスタＴ３を介して列信号線ＢＬ１に出力される。その後、第１トランジスタＴ１は、Ｈレベルのリセット信号Φｒ１に応答してオンし、フォト・ダイオードＰＤをリセットする。
【００２７】
上記のように構成される画像セルＣａを構成するフォト・ダイオードＰＤ及びトランジスタＴ１〜Ｔ３は、例えば図２に示すように配置されている。
画像セルＣａは矩形状に形成され、その画像セルＣａ内に同じく矩形状に形成されたフォト・ダイオードＰＤが配置されている。フォト・ダイオードＰＤに隣接した領域には、第１〜第３トランジスタＴ１〜Ｔ３が配置されている。各トランジスタＴ１〜Ｔ３は、それぞれ、所定の方向に沿って延びる矩形状に形成されたゲート配線２１と、該ゲート配線２１を挟むように形成されたドレイン領域２２及びソース領域２３とから構成されている。画像セルＣａは、フォト・ダイオードＰＤから所定の方向（トランジスタＴ１，Ｔ２が形成された領域に向かう方向）に延出された延出領域２４を備えている。該延出領域２４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型領域を延出して形成されている。
【００２８】
延出領域２４は、第１トランジスタＴ１のソース領域２３と接続されている。延出領域２４と第１トランジスタＴ１のソース領域２３は、延出領域２４及びソース領域２３が同じＮ型半導体層であるため、延出領域２４とソース領域２３とを重ねて形成することにより接続されている。
【００２９】
延出領域２４の先端には、フォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１との接続点（ノードＮ１）を第２トランジスタＴ２に接続するためのコンタクト２５が形成されている。画像セルＣａは、延出領域２４よりも上層の金属配線層に形成された導出電極２６を備え、該導出電極２６の一端はコンタクト２５に接続され、導出電極２６の他端は第２トランジスタＴ２のゲート配線２１と接続されている。金属配線層はゲート配線２１を形成する層よりも上層であるため、導出電極２６はゲート配線２１上に形成されたコンタクト２７を介して該ゲート配線２１と接続されている。
【００３０】
更に、画像セルＣａは、遮光層としての遮光膜２８により覆われ、該遮光膜２８にはフォト・ダイオードＰＤを露出する開口２９が形成されている。この開口２９は、矩形状のフォト・ダイオードＰＤに対応して矩形状に形成され、開口２９からフォト・ダイオードＰＤに光が入射される。開口２９の大きさは、フォト・ダイオードＰＤの大きさよりも小さく形成されている。従って、フォト・ダイオードＰＤの周辺、第１〜第３トランジスタＴ１〜Ｔ３、導出電極２６及びコンタクト２５，２７は遮光膜２８により覆われている。
【００３１】
図１は、固体撮像装置１０であるチップ５０の断面図である。一導電型半導体基板としてのチップ５０は、Ｐ型のシリコン基板５１と、その上方に形成されたＰ型エピタキシャル層５２を備えている。これらＰ型のシリコン基板５１とＰ型エピタキシャル層５２により半導体層５３が構成される。
【００３２】
Ｐ型エピタキシャル層５２には、その上面から所定の深さまで第１領域としてのＮ型領域５４が形成されている。Ｎ型領域５４には、その上面をほぼ覆うように第２領域としてのＰ型領域５５が形成され、該Ｐ型領域５５はＰ型エピタキシャル層５２とＰウェル５６を介して電気的に接続されている。これらＮ型領域５４及びＰ型領域５５によりフォト・ダイオードＰＤが構成されている。
【００３３】
また、Ｐ型エピタキシャル層５２には、その上面から所定の深さまでＮ型領域であるドレイン領域２２及びソース領域２３が形成されている。Ｐ型エピタキシャル層５２の上方には、酸化シリコンよりなる絶縁膜５９が、チップ５０の略全体を覆うように形成されている。ドレイン領域２２及びソース領域２３間には、絶縁膜５９の上方にゲート配線２１が形成され、このゲート配線２１，ドレイン領域２２及びソース領域２３により第１トランジスタＴ１が構成されている。第１トランジスタＴ１を構成するソース領域２３はフォト・ダイオードＰＤから延出形成されたＮ型領域である延出領域２４と領域的に重なるように形成されている。
【００３４】
絶縁膜５９の上方には、層間絶縁膜６１，６２が形成されている。第１の層間絶縁膜６１は例えば窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンからなり、その第１の層間絶縁膜６１の上方に形成された第２の層間絶縁膜６２は例えば酸化シリコンからなる。
【００３５】
絶縁膜５９及び層間絶縁膜６１には、所定位置に開口（コンタクトホール）６３がエッチングにより形成され、該開口６３には例えばタングステンからなるコンタクト２５が埋め込まれている。
【００３６】
第１の層間絶縁膜６１の上方にコンタクト２５と接続される導出電極２６と、該導出電極２６を覆う層間絶縁膜６６が形成されている。この導出電極２６が形成された層が金属配線層６７である。
【００３７】
層間絶縁膜６６の上には遮光膜２８が形成されている。この遮光膜２８は、チップ５０に照射される光を透過しない（遮光する）ように形成されたものであり、所定の金属（例えばアルミニウム）よりなる。この遮光膜２８には、チップ５０に照射される光をフォト・ダイオードＰＤに導くための開口２９が形成されている。
【００３８】
上記した様に、遮光膜２８は、光を透過しない、つまり該遮光膜２８より下方に形成されたトランジスタＴ１や導出電極２６に光が当らないようにしている。詳しくは、コンタクト２５を埋め込むため、絶縁膜５９及び層間絶縁膜６１に対するコンタクトホール６３の形成に伴い半導体層５３（ソース領域２３，延出領域２４）に応力歪みが生じる。この応力歪みが発生した領域は、入射光により異常電荷を発生させる。そして、この応力歪みが発生した領域は、フォト・ダイオードＰＤ及び第１トランジスタＴ１と増幅用の第２トランジスタＴ２とを接続する領域（ソース領域２３，延出領域２４）であるため、異常電荷はフォト・ダイオードＰＤにより発生する光電電荷により第２トランジスタＴ２に伝達される光検出信号にノイズとして混入する。
【００３９】
遮光膜２８の開口端及びコンタクトホール６３の位置は、応力歪みが発生した領域に光が入射されないように設定されている。応力歪みが発生する領域は、コンタクトホール６３を囲む環状の領域であり、領域の幅は、絶縁膜の膜厚（絶縁膜５９及び層間絶縁膜６１の厚さ）以下である。膜厚以下であるのは、絶縁膜に発生する応力歪みにバラツキがあるためである。従って、図１に示すように、コンタクトホール６３から遮光膜２８の開口端までの長さＷは、絶縁膜の膜厚Ｈ１（絶縁膜５９の厚さと層間絶縁膜６１の厚さの合計値）以上に設定されている。
【００４０】
尚、コンタクトホール６３から遮光膜２８の開口端までの長さＷをあまり長く設定すると、開口２９が小さくなってフォト・ダイオードＰＤに対する入射光の光量が減少する。この光量の減少はフォト・ダイオードＰＤから第２トランジスタＴ２に伝達される光検出信号のレベル低下となり、Ｓ／Ｎ比(signal-to-noise ratio )を低下させる。一方、チップ５０に対して斜めに光が入射した場合、コンタクトホール６３から遮光膜２８の開口端までの長さＷが短いと、応力歪みが発生した領域に光が入射される。これらを考慮すると、コンタクトホール６３から遮光膜２８の開口端までの長さＷは、フォト・ダイオードＰＤの上面から遮光膜２８までの高さ以下であることが好ましく、本実施形態では半導体層５３と絶縁膜５９との界面（Ｐ型エピタキシャル層５２の上面）から遮光膜２８までの高さＨ２以下に設定されている。つまり、コンタクトホール６３から遮光膜２８の開口端までの長さＷと、絶縁膜の膜厚Ｈ１と、半導体層５３と絶縁膜５９との界面（Ｐ型エピタキシャル層５２の上面）から遮光膜２８までの高さＨ２は、Ｈ１≦Ｗ≦Ｈ２の関係にある。
【００４１】
上記のように設定された開口２９を有する遮光膜２８は、コンタクトホール６３周辺の応力歪みが発生した領域に直接入射する光を遮る。従って、遮光膜２８は、応力歪みが発生した領域において直接入射による異常電荷の発生を防止するため、従来例に比べてフォト・ダイオードＰＤの光検出信号に対するノイズが低減される。
【００４２】
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）半導体層５３の表面に画像セルＣａが形成されている。画像セルＣａは、Ｎ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタＴ２を有している。第２トランジスタＴ２のゲートは、導出電極２６を介してフォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型領域５４から延出された延出領域２４に接続されている。導出電極２６と延出領域２４は、絶縁膜５９及び層間絶縁膜６１に形成されたコンタクトホール６３に埋め込まれたコンタクト２５を介して接続されている。画像セルＣａの上方には、少なくともコンタクト２５に対する入射光を遮り、フォト・ダイオードＰＤに光を入射するための開口２９を有する遮光膜２８が形成されている。遮光膜２８は、コンタクト２５の形成により応力歪みが生じる半導体層の領域を覆うものである。従って、コンタクト２５の形成により半導体層５３に応力歪みが生じるが、遮光膜２８によってコンタクト２５及びそのコンタクト２５の形成比より応力歪みが生じる領域には光が入射されない。従って、その応力歪みによる異常電荷の発生を抑制することができる。
【００４３】
（２）遮光膜２８は導出電極２６より上方の層間絶縁膜６６上面を覆う金属層である。従って、コンタクト２５及びその周辺の領域に入射する光を遮ることができる。
（３）コンタクト２５から遮光膜２８の開口２９までの長さＷは、半導体層５３から遮光膜２８までの層構造により設定されてなる。従って、コンタクト２５及びその周辺への入射光を遮るとともに、フォト・ダイオードＰＤへの入射光量を確保することができる。
【００４４】
（４）コンタクト２５から遮光膜２８の開口２９までの長さＷは、半導体層５３界面から導出電極２６までの高さＨ１以上、且つ半導体層５３界面から遮光膜２８までの高さＨ２以下に設定されてなる。従って、光がチップ５０に入射されても、コンタクト２５及びその周辺への入射光を遮るとともに、フォト・ダイオードＰＤへの入射光量を確保することができる。
【００４５】
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、トランジスタＴ１〜Ｔ３をＰチャネルＭＯＳトランジスタとしてもよい。また、各トランジスタＴ１〜Ｔ３を異なる導電型のトランジスタとしてもよい。これらの場合、フォト・ダイオードＰＤや電源との接続がトランジスタの導電型に応じて変更されることは言うまでもない。
【００４６】
・上記実施形態において、画像セルＣａをフォト・ダイオードＰＤ及び第１〜第３トランジスタＴ１〜Ｔ３を含む構成としたが、トランジスタの数を適宜変更しても良い。また、コンデンサ等の他の素子を含む構成としてもよい。
【００４７】
・上記実施形態では、一導電型半導体基板としてシリコン基板５１にエピタキシャル層５２を備えたチップ５０に画像セルＣａを形成したが、半導体基板としてシリコン基板そのもの、絶縁基板の表面に単結晶等を形成した基板を用いてもよい。また、張り合わせにより形成した基板を用いてもよい。
【００４８】
・上記実施形態において、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型領域５４をＰ型エピタキシャル層５２に形成したが、エピタキシャル層にウェルを形成し、該ウェルにフォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型領域及びＰ型領域を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】画像セルが形成されたチップの一部概略断面図である。
【図２】画像セルのレイアウトを示す概略平面図である。
【図３】固体撮像装置のブロック回路図である。
【図４】画像セルの回路図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０…固体撮像装置、２５…コンタクト、２６…導出電極、２８…遮光膜、２９…開口、５３…半導体層、６１，６６…層間絶縁膜、Ｃａ…画像セル、ＢＬ１〜ＢＬ４…列信号線、ＰＤ…フォト・ダイオード、Ｔ１〜Ｔ３…トランジスタ、Ｗ…長さ、Ｗ１〜Ｗ４…行選択線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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