(57)【要約】【課題】  半導体発光素子からそれを収容している素子実装部材への放熱が効果的に行え、放熱特性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】  この発明は、基板部２３とその上方の半導体発光部２２とを有する半導体発光素子２１と、この半導体発光素子を収容する素子実装部材１１とを備えた半導体発光装置にあって、素子実装部材１１の上面に凹部１２−１を設け、半導体発光素子２１の基板部２３をこの凹部１２−１に収容し、その半導体発光部２２が当該凹部１２−１の上縁よりも上方に位置するようにしたものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部の上面に半導体発光部が設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子が実装される素子実装部材とを備え、
前記素子実装部材は上面に、前記半導体発光素子の基板部を収容する凹部を有し、
前記半導体発光素子は、前記基板部が前記素子実装部材の凹部内に収容され、前記半導体発光部が前記凹部の上縁よりも上方に位置するように、前記素子実装部材の上面に実装されたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記半導体発光素子の基板部に相当する深さと、前記基板部の外形に合致する形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記素子実装部材は上面に、前記凹部の上縁に連続し、上方ほど広がる傾斜形状の上側凹部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記素子実装部材は上面に、前記凹部の上縁に連続し、かつ、当該凹部と同心形状でかつ広い口径の上側凹部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子の基板部は、不透明基板にて形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子の基板部は、導電性の貼り替え基板にて形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子の半導体発光部を、それから放射される光を吸収し波長変換して発光する蛍光体にて覆ったことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記素子実装部材の凹部内に前記半導体発光素子の基板部を接着剤にて固定し、当該接着剤の上面の位置は、前記凹部の上縁の高さ以下にしたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記素子実装部材における、前記半導体発光素子の半導体発光部からの光が照射される面を鏡面にしたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光装置としてＧａＮ系化合物半導体を利用した発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と称する）の開発が盛んに行われている。このようなＬＥＤの用途として照明代替用途を目指した場合、放熱特性の向上および光取り出し効率向上が重要な開発目標となる。
【０００３】
図１３は、例えば、特開平１０−１０７３２５号公報（特許文献１）に開示されているような従来の半導体発光装置としてのＬＥＤを示している。この従来のＬＥＤは、カップ付きリードフレーム２６のカップ部１１０のカップ部内面１２０にＬＥＤチップ２１を収容して接着剤で固定し、ＬＥＤチップ２１の上面側の電極にワイヤー２５をボンディングし、そのワイヤー２５の他端をリードフレーム２７に接続し、これらの周囲を透光性の樹脂２０にて覆った構成である。
【０００４】
このような構成のＬＥＤにおいては、カップ付きリードフレーム２６のカップ部内面１２０の寸法がＬＥＤチップ２１の外形寸法に対して格段に大きく、したがってＬＥＤチップ２１の側面とカップ部内面１２０との間に広い空間が生じており、そのためにＬＥＤチップ子２１で発生した熱は底面一面のみを通じてリードフレーム２６に放熱されるだけであり、放熱特性が不十分である問題点があった。
【０００５】
また、特開２０００−３１５３２号公報（特許文献２）には、カップ付きリードフレームのカップ部あるいは基板に凹部を形成し、この凹部にほぼ合致する外形のＬＥＤチップを実装したＬＥＤが示されている。しかしながら、この従来例にあっては、凹部内にＬＥＤチップの全体が収容されているので、半導体発光部からの光がまず凹部内に出射し、反射を繰り返して装置の上部から取り出されることになるので、光取り出し効率が良くないという問題点があった。
【特許文献１】特開平１０−１０７３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−３１５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来の技術的課題に鑑みてなされたもので、半導体発光素子からそれを収容している素子実装部材への放熱が効果的に行え、放熱特性に優れた半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係わる半導体発光装置は、基板部の上面に半導体発光部が設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子が実装される素子実装部材とを備え、前記素子実装部材は上面に、前記半導体発光素子の基板部を収容する凹部を有し、前記半導体発光素子は、前記基板部が前記素子実装部材の凹部内に収容され、前記半導体発光部が前記凹部の上縁よりも上方に位置するように、前記素子実装部材の上面に実装されたものである。
【０００８】
また、前記凹部は、前記半導体発光素子の基板部に相当する深さと、前記基板部の外形に合致する形状を有することを特徴とするものである。
【０００９】
また、前記素子実装部材は上面に、前記凹部の上縁に連続し、上方ほど広がる傾斜形状の上側凹部を有することを特徴とするものである。
【００１０】
あるいは、前記素子実装部材は上面に、前記凹部の上縁に連続し、かつ、当該凹部と同心形状でかつ広い口径の上側凹部を有することを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記半導体発光素子の基板部は、不透明基板にて形成されたものであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記半導体発光素子の基板部は、導電性の貼り替え基板にて形成されたものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記半導体発光素子の半導体発光部を、それから放射される光を吸収し波長変換して発光する蛍光体にて覆ったことを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記素子実装部材の凹部内に前記半導体発光素子の基板部を接着剤にて固定し、当該接着剤の上面の位置は、前記凹部の上縁の高さ以下にしたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、前記素子実装部材における、前記半導体発光素子の半導体発光部からの光が照射される面を鏡面にしたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体発光素子の基板部が素子実装部材の凹部内に収容されているので、半導体発光素子で発生した熱を半導体発光素子の底面からのみならず基板部の側面からも素子実装部材に放熱させることができ、従来よりも放熱面積が大幅に増加し、高い放熱特性を示す。また、本発明によれば、高い放熱特性を備えている上に、半導体発光素子の上層の半導体発光部は素子実装部材の凹部の上縁よりも高い位置に位置するため、半導体発光部の側面からの発光も外部に取り出すことができ、光取り出し効率が良い。
【００１７】
また、本発明によれば、半導体発光素子の上層部の半導体発光部は素子実装部材の凹部の上面よりも高い位置に位置し、凹部には半導体発光素子の基板部のみを収容した形態なので、その基板部を素子実装部材の凹部内にハンダあるいは接着剤で接着固定する際にはそのハンダあるいは接着剤が基板部の周囲を接着するだけの量に止めることで半導体発光部まで達しない状態で接着固定することができ、これによって素子ショートの防止が容易に行える。
【００１８】
加えて、本発明によれば、半導体発光素子の上層の半導体発光部だけが素子実装部材の凹部の上面よりも高い位置に位置しているので、これに対して蛍光体を塗布する場合に半導体発光素子全体の厚みに対して薄い半導体発光部に蛍光体を塗布すればよくて、均一に塗布しやすくなり、色むらを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。
【００２０】
（第１の実施の形態）本発明の第１の実施の形態は、半導体発光装置として図１３に示したようなチップタイプＬＥＤに適用するものである。図１、図２は第１の実施の形態のチップタイプＬＥＤにおける素子実装部材としてのカップ付きリードフレーム１１及びそれに収容した半導体発光素子としてのＬＥＤチップ２１を示している。
【００２１】
このＬＥＤチップ２１は、図３に示す構造であり、下部の基板部２３とその上方の半導体発光部２２を有している。また半導体発光部２２の上面には電極２１２が形成してある。そして、半導体発光部２２からの発光は、電極２１２を介して上方に出射される。
【００２２】
ＬＥＤチップ２１を実装するために、カップ付きリードフレーム１１のカップ部内面１２−２の底部に、ＬＥＤチップ２１の基板部２３の厚み及び外形と略同一の深さ及び形状を有する凹部１２−１が連続するようにして形成してある。したがって、ＬＥＤチップ２１をリードフレーム１１に収容した状態では、その上部の半導体発光部２２がリードフレーム１１の凹部１２−１の開口面よりも高い位置に位置する。またカップ部内面１２−２は、ＬＥＤチップ２１が矩形であり、それに合致する形状の凹部１２−１も矩形であるので、上開口面が広く、下方の凹部１２−１側に至るまで漸次狭くなるように傾斜する４面を有している。このカップ部内面１２−２はＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２からの光を効率的に反射するために必要な場合には鏡面にすることができる。
【００２３】
ＬＥＤチップ２１のカップ付きリードフレーム１１への実装には、ＬＥＤチップ２１をカップ付きリードフレーム１１の凹部１２−１に挿入し、ＬＥＤチップ２１の基板部２３の底面と周囲を凹部１２−１にハンダ材もしくはダイボンド用樹脂の接着剤２４にて接着して固定する。このハンダ材を例示すれば、Ａｕ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系のハンダ材を採用することができる。またダイボンド樹脂接着剤を例示すれば、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ａｕペースト、Ｎｉペーストなどを採用することができる。このハンダ材あるいは接着剤２４は、凹部１２−１の開口面よりも上方にはみ出さないだけの量を使用し、ＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２からの出る光が接着剤２４によって阻害されないようにしている。図１、図２では省略してあるが、実際には図１３に示すように、ＬＥＤチップ２１を凹部１２−１に固定した後、ＬＥＤチップ２１の上面の電極２１２にワイヤー２５を接続し、そのワイヤー２５の他端をリードフレーム２７に接続する。そして、図１３に示すように、これらの要素の周囲を例えば、エポキシ樹脂のような透光性樹脂にて覆い、チップタイプＬＥＤを構成する。
【００２４】
ＬＥＤチップ２１は、図３に示す断面構造を有し、成長用基板であるＧａＮ基板２０１上に、ＧａＮ基板の表面側に、ｎコンタクト層２０２、ｎクラッド層２０３、活性層２０４、キャップ層２０５、ｐクラッド層２０６、ｐコンタクト層２０７を順に形成し、さらにＧａＮ基板２０１の裏面にｎ側電極２１１を接合し、またｐコンタクト層２０７の上表面にｐ側電極２１２を接合したものである。このｐ側電極２１２は、活性層２０４からの光を取り出すために、透光性に形成される。そしてｎ側電極２１１、基板２０１までを基板部２３とし、ｎコンタクト層２０２、ｎクラッド層２０３、活性層２０４、キャップ層２０５、ｐクラッド層２０６、ｐコンタクト層２０７、そしてｐ側電極２１２を半導体発光部２２とする。しかしながら、半導体発光部２２はＬＥＤチップ２１として光を出射する層を含めその上部層を含めばよく、活性層２０４を含めその上部層だけを含むものとしてもよい。
【００２５】
ＬＥＤチップ２１のサイズは特に限定されるものではないが、例示すれば、外形寸法が３００μｍ角〜１ｍｍ角であり、その全体の厚みが７０〜２００μｍ、そして半導体発光部２２の位置はチップ上面から１０μｍの位置で０．５μｍ〜５μｍの厚みである。
【００２６】
尚、これらの層は基本的な構成を示しており、ＬＥＤチップとして作用する限りは各層を追加しあるいは削除することは設計変更の範囲である。また基板２０１としては窒化物系半導体の成長の可能な基板、例えばＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、スピネル、サファイア等が使用可能であるが、ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の導電性の基板であることが望ましい。また、ＬＥＤチップは上記ＧａＮ系に限らず、要求される光源色に応じ、ＺｎＯ系、ＺｎＳｅ系、ＧａＡｓ系、ＧａＰ系等の他のＬＥＤ材料系も用いることが可能である。
【００２７】
本実施の形態の半導体発光装置であるＬＥＤでは、カップ付きリードフレームのカップ部内面１２−２の底部に連続するように凹部１２−１を形成し、その凹部１２−１の深さ及び形状をそこに収容するＬＥＤチップ２１の下部の基板部２３だけが丁度収まる寸法に設定しているので、ＬＥＤチップ２１がこの凹部１２−１に収容し固定された状態では、その上層部の半導体発光部２２は凹部１２−１の開口面よりも高い位置に位置し、そこから発する光を近接するカップ部内面１２−２に向けて照射することができる。そのため、ＬＥＤチップ２１の光を効率良く取り出すことができる。また、カップ付きリードフレーム１１に設けた凹部１２−１の形状がＬＥＤチップ２１の基板部２３の形状に合致するので、ＬＥＤチップ２１から光と共に発せられる熱を近接する凹部１２−１の内側面に伝達し、そこからリードフレーム１１自体に伝導させて放熱することができ、良好な放熱特性が得られる。加えて、本実施の形態によれば、ＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２がカップ付きリードフレーム１１の凹部１２−１の上面よりも高い位置にあるため、ＬＥＤチップ２１を凹部１２−１内にマウントする際のハンダあるいは接着剤２４がＬＥＤチップ２１の上面にまわりこみにくくなるため、素子がショートしにくくなる。
【００２８】
（第２実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態の半導体発光装置としてのチップタイプＬＥＤについて、図４、図５を用いて説明する。本実施の形態のＬＥＤは、光源としての半導体発光素子に貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａを採用したことを特徴とする。
【００２９】
貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａは、半導体形成工程に用いた成長用基板から半導体層を剥離し、導電性基板２２０に貼り替えて得たものである。図６に示すように、この貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａは、第１の実施の形態とは逆に上層から下方へ順に、ｎコンタクト層２０２、ｎクラッド層２０３、活性層２０４、キャップ層２０５、ｐクラッド層２０６、ｐコンタクト層２０７、ｐ型電極２１２を有する構造であり、このｐ型電極２１２の下面側に貼り替え基板である導電性基板２２０が接着してある。また上側となるｎコンタクト層２０２の上面にはｎ側電極２１３が形成してある。貼り替え基板である導電性基板２２０の厚さは、例示すれば２００〜４００μｍである。
【００３０】
ｐ型電極２１２は少なくともオーミック電極を含む。また透明オーミック電極と光を反射させる電極で構成してもよい。また、電極は全面に付けてもよいし、一部のみに付けてもよい。一部のみに電極を付ける場合、光を反射する膜を形成するのがより望ましい。導電性基板２２０との接着力を強くするためにパッド電極を設けてもよい。また接着にハンダを使用する際には、オーミック電極の保護のために、ＰｔやＰｄ等のバリアメタルを形成してもよい。貼り替え基板である導電性基板２２０は、金属と金属酸化物からなる導電性を有する。この導電性基板２２０をウエハの半導体層に接着するのに、ハンダ付けを行い、導電性ペーストで接着し、あるいは直接接着方式にて接着することによってｐ型電極２１２との電気的導通を持たせる。
【００３１】
ｎ側電極２１３は光の取り出しの妨げにならないような配置をすることが望ましい。また透明電極であればより望ましい。ワイヤー２５として金線を接続するために一部にはパッド電極を形成することが望ましい。
【００３２】
尚、図５では貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａの基本的な構成を示しており、ＬＥＤチップとして作用する限りは各層を追加しあるいは削除することは設計変更の範囲である。
【００３３】
本実施の形態に採用した上記のＬＥＤチップ２１Ａでは、第１の実施の形態とは逆に、ｎコンタクト層２０２、ｎクラッド層２０３、活性層２０４、キャップ層２０５、ｐクラッド層２０６、そして下側のｐコンタクト層２０７を半導体発光部２２Ａとし、ｐ側電極２１２と導電性基板２２０を基板部２３Ａとしている。尚、この分類も限定されず、半導体発光部２２Ａは実質的に光を発光する部分のみとしてもよい。
【００３４】
図４に示すように、本実施の形態のＬＥＤは、上記構造のＬＥＤチップ２１Ａをカップ付きリードフレーム１１のカップ部内面１２−２の底部に連続して形成された凹部１２−１内に収容し、接着剤２４にて固定した構成である。カップ付きリードフレーム１１の凹部１２−１、カップ部内面１２−２と、ＬＥＤチップ２１Ａとの形状、寸法関係は第１の実施の形態と同様である。すなわち、凹部１２−１の形状及び深さを、ＬＥＤチップ２１Ａの基板部２３Ａの厚み及び外形と略同一にして、ＬＥＤチップ２１Ａをリードフレーム１１の凹部１２−１に収容した状態でその上部の半導体発光部２２Ａがリードフレーム１１の凹部１２−１の開口面よりも高い位置に位置するようにしてある。またカップ部内面１２−２は、上開口面が広く、下方の凹部１２−１側に至るまで漸次狭くなるように傾斜する４面を有している。そしてカップ部内面１２−２はＬＥＤチップ２１Ａの半導体発光部２２Ａからの光を効率的に反射するために必要な場合には鏡面にすることができる。
【００３５】
ＬＥＤチップ２１Ａの基板部２３Ａとカップ付きリードフレーム１１の凹部１２−１との間は、ハンダ材もしくはダイボンド用樹脂にて接着している。接着剤２４は、凹部１２−１の開口面よりも上方にはみ出さないだけの量を使用し、ＬＥＤチップ２１Ａの半導体発光部２２Ａから出る光が接着剤２４によって阻害されないようにしている。図４中でも配線は省略しているが、第１の実施の形態と同様、図１３に示す配線である。
【００３６】
本実施の形態の半導体発光装置であるＬＥＤでは、第１の実施の形態と同様の作用、効果を奏する。加えて、半導体発光素子として貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａを採用したことでその基板部２３Ａの熱容量が大きく、それに接触している凹部１２−１の内面への熱伝達量も大きくでき、放熱特性がいっそう向上する。
【００３７】
（第３実施の形態）図６は、本発明の第３の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤを示したものである。本実施の形態のＬＥＤは、第１の実施の形態と同様のＬＥＤチップ２１を採用し、またカップ付きリードフレーム１１とそれに設けた凹部１２−１、カップ部内面１２−２の形状も第１の実施の形態と同様である。そして本実施の形態の特徴として、カップ付きリードフレーム１１のカップ部内に蛍光体３０をＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２を覆うように塗布している。
【００３８】
本実施の形態のＬＥＤの場合、これに対して通電してＬＥＤチップ２１を発光させると、その半導体発光部２２からの光を蛍光体３０によって異なる波長の光に変換して取り出すことができる。尚、ＬＥＤチップ２１が近紫外を発光するものであり、これに対して赤色光を取り出すＬＥＤである場合、蛍光体３０には、例えば、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕを採用することができ、緑色発光用であれば蛍光体３０にはＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、青色発光用であれば蛍光体３０には（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを採用することができる。
【００３９】
本実施の形態にあっても、第１の実施の形態と同様の作用、効果を奏し、ＬＥＤチップ２１の光を効率良く取り出すことができ、また、良好な放熱特性が得られる。加えて、本実施の形態によれば、ＬＥＤチップ２１の基板部２３をリードフレーム１１の凹部１２−１内にマウントするため、蛍光体３０をチップ２１の上部の半導体発光部２２上に均一に塗布しやすくなり、色むらを低減することができる。
【００４０】
（第４実施の形態）図６は、本発明の第４の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤを示したものである。本実施の形態のＬＥＤは、第２の実施の形態と同様の貼り替え基板型のＬＥＤチップ２１Ａ、カップ付きリードフレーム１１を採用している。そして本実施の形態の特徴として、カップ付きリードフレーム１１のカップ部内に蛍光体３０をＬＥＤチップ２１Ａの半導体発光部２２Ａを覆うように塗布している。
【００４１】
本実施の形態のＬＥＤの場合にも、これに対して通電してＬＥＤチップ２１Ａを発光させると、その半導体発光部２２Ａからの光を蛍光体３０によって異なる波長の光に変換して取り出すことができる。
【００４２】
本実施の形態にあっても、第２の実施の形態と同様の作用、効果を奏し、ＬＥＤチップ２１Ａの光を効率良く取り出すことができ、良好な放熱特性が得られ、素子をショートしにくくでき、蛍光体の均一な塗布による色むらの低減が可能である。
【００４３】
（第５〜第７の実施の形態）図８〜図１０に本発明の第５〜第７の実施の形態の半導体発光装置それぞれを示している。本発明にあっては、第１〜第４の実施の形態では、カップ付きリードフレーム１１のカップ部内面１２−２の形状をその底部の凹部１２−１の上縁に連続する傾斜面にしたが、そのような形状に限定されることはない。
【００４４】
図８に示す第５の実施の形態では、カップ付きリードフレーム１１Ａとして、そのカップ部内面１２−２とその底部の凹部１２−１との連続部分に水平な段部１２−３を形成したことを特徴としている。尚、その他の構成は、第３の実施の形態と同様であり、共通する要素には共通の符号を付して示してある。また、第１の実施の形態と同様に、用途によっては蛍光体３０は省略することができる。
【００４５】
第５の実施の形態によれば、第１の実施の形態、第３の実施の形態の作用、効果に加えて、水平な段部１２−３がＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２の端部下方に近接して位置するので、半導体発光部２２から下向きに出る光を効果的に反射させて上方へ出射させることができ、光の取り出し効率の向上が図れる。
【００４６】
図９に示す第６の実施の形態では、カップ付きリードフレーム１１Ｂとして、そのカップ部内面１２−２を凹部１２−１と同様に垂直な壁面を有する矩形とし、その底部の凹部１２−１とは水平な段部１２−３によって連続する形状にしたことを特徴としている。尚、その他の構成は、第３の実施の形態と同様であり、共通する要素には共通の符号を付して示してある。また、第１の実施の形態と同様に、用途によっては蛍光体３０を省略することができる。
【００４７】
第６の実施の形態によれば、従来例に対して、ＬＥＤチップ２１の放熱特性を向上させ、光取り出し効率を向上させ、素子のショートをしにくくさせ、また、蛍光体３０をＬＥＤチップ２１上に均一に塗布しやすくなり、色むらを低減することができる。
【００４８】
図１０に示す第７の実施の形態は、リードフレーム１１Ｃの上面部に凹部１２−１のみを形成し、この凹部１２−１内にＬＥＤチップ２１の基板部２３を挿入して接着固定し、リードフレーム１１Ｃの上面からＬＥＤチップ２１の半導体発光部２２は突出させ、その半導体発光部２２に対して蛍光体３０を塗布した構成を特徴としている。尚、ＬＥＤチップ２１の構造、その他の要素の構成は、第３の実施の形態と同様であり、共通する要素には共通の符号を付して示してある。また、第１の実施の形態と同様に、用途によっては蛍光体３０を省略することができる。
【００４９】
第７の実施の形態によれば、従来例に対して、ＬＥＤチップ２１の放熱特性を向上させ、光取り出し効率を向上させ、素子のショートをしにくくさせ、また、蛍光体３０をＬＥＤチップ２１上に均一に塗布しやすくなり、色むらを低減することができる。
【００５０】
尚、上記の各実施の形態ではチップタイプＬＥＤについて説明したが、本発明はこのタイプに限定されるものではなく、実装基板の該当箇所に上記各実施の形態のような凹部を多数、所定の配置にて形成し、それらの凹部それぞれにＬＥＤチップを実装するモジュールタイプＬＥＤのような半導体発光装置にも広く適用できる。
【実施例】
【００５１】
次に、本発明の実施例について、従来例としての比較例と対照させて説明する。本発明の実施例として図１、図２に示した第１の実施の形態のチップタイプＬＥＤであって、図１１に示すサイズのものを作製し、発光特性を測定した。また比較例として、図１３に示す従来例に対応するもので、図１２に示すサイズのものを作製し、発光特性を測定した。採用したＬＥＤチップ２１は共通であり、厚さが１５０μｍ、３５０μｍ角、そして半導体発光部の厚みが１０μｍである。接着剤２４には、Ａｇペーストを用いた。
【００５２】
以上の実施例と比較例との発光特性を測定したところ、実施例の放熱特性、取り出し光量において優れていることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図２】上記実施の形態のＬＥＤのカップ付きリードフレーム１１及びそれに実装したＬＥＤチップの平面図。
【図３】上記実施の形態で採用する半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図５】上記実施の形態で採用する半導体発光素子としての貼り替え基板型のＬＥＤチップの断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図７】本発明の第４の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図８】本発明の第５の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図９】本発明の第６の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図１０】本発明の第７の実施の形態の半導体発光装置としてのＬＥＤにおけるリードフレーム及びそれに実装した半導体発光素子としてのＬＥＤチップの断面図。
【図１１】本発明の実施例のＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装したＬＥＤチップの断面図及び平面図。
【図１２】本発明の比較例のＬＥＤにおけるカップ付きリードフレーム及びそれに実装したＬＥＤチップの断面図及び平面図。
【図１３】従来例のチップタイプＬＥＤの断面図。
【符号の説明】
【００５４】
１１，１１Ａ，１１Ｂ…カップ付きリードフレーム、１１Ｃ…リードフレーム、１２−１…凹部、１２−２…カップ部内面、１２−３…段部、２１…ＬＥＤチップ、２１Ａ…（貼り替え基板型の）ＬＥＤチップ、２２，２２Ａ…半導体発光部、２３，２３Ａ…基板部、２４…接着剤、３０…蛍光体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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