(57)【要約】【課題】端子電極において抵抗体膜を形成することによって、抵抗素子を複合した積層電子部品において、抵抗体膜を形成した端子電極上にめっき膜を電気めっきによって能率的かつ均一な膜厚をもって形成できるようにする。【解決手段】端子電極１１を形成するため、部品本体２の表面に抵抗体膜２１を直接形成し、この抵抗体膜２１を覆うように比較的低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜２２を形成する。導電性樹脂膜２２は、好ましくは、１×１０−４Ω・ｍ未満の比抵抗を有するようにされ、その上に、電気めっきによって、均一な膜厚のめっき膜２３を能率的に形成することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ状の部品本体と前記部品本体の外表面上に形成される複数の端子電極とを備え、
前記部品本体は、複数の絶縁体層と複数の前記絶縁体層間の特定の界面に沿って形成されかつ前記部品本体の外表面上に引き出されて特定の前記端子電極に電気的に接続される内部電極とが積層された積層構造を有し、
前記端子電極の少なくとも１つは、体積抵抗率が比較的高い抵抗体膜と、前記抵抗体膜を覆いかつ前記抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜とを備える、抵抗性端子電極とされる、
積層電子部品。
【請求項２】
前記抵抗性端子電極は、前記導電性樹脂膜上に電気めっきによって形成されるめっき膜をさらに備える、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記部品本体は、相対向する２つの主面と前記主面間を連結する側面とを有し、前記抵抗体膜は、前記側面上の領域にのみ形成され、それによって、前記主面上には延びないようにされ、前記導電性樹脂膜は、前記側面上で前記抵抗体膜を覆いかつその一部が前記主面の一部上にまで延びるように形成される、請求項１または２に記載の積層電子部品。
【請求項４】
前記抵抗体膜は、前記部品本体の表面に直接形成され、かつ前記内部電極に接触している、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項５】
前記抵抗体膜に接触する前記内部電極は、その端縁が前記部品本体の表面から突出している、請求項４に記載の積層電子部品。
【請求項６】
前記抵抗体膜は、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有し、前記抵抗体膜に接触する前記内部電極は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含む、請求項４または５に記載の積層電子部品。
【請求項７】
前記抵抗性端子電極は、前記抵抗体膜の下に形成される下地膜をさらに備え、前記下地膜は、金属焼結体を導電成分として含み、かつ前記内部電極に接触している、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項８】
前記抵抗体膜は、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有し、前記下地膜は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含む、請求項７に記載の積層電子部品。
【請求項９】
前記内部電極の導電成分は、前記下地膜の導電成分に含まれる金属と同種の金属を含む、請求項７または８に記載の積層電子部品。
【請求項１０】
前記抵抗体膜の比抵抗は、１×１０-４Ω・ｍ以上である、請求項１ないし９のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項１１】
前記導電性樹脂膜の比抵抗は、１×１０-４Ω・ｍ未満である、請求項１ないし１０のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項１２】
前記内部電極は、静電容量を形成するように前記絶縁体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極を備え、前記端子電極は、前記第１の内部電極に電気的に接続される第１の端子電極と前記第２の内部電極に電気的に接続される第２の端子電極とを備え、それによって、ＣＲ複合部品を構成する、請求項１ないし１１のいずれかに記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層電子部品に関するもので、特に、積層構造を有する部品本体の外表面上に内部電極と電気的に接続されるように形成される端子電極の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの電源ラインでは、一般に、グラウンドとの間にバイパスコンデンサを接続することにより、ノイズを除去している。ところで、高密度実装可能とするためにほぼ全面が電源用導体パターンやグラウンド用導体パターンで覆われているプリント回路基板を用いた場合、電源とグラウンドとの間で共振現象が発生しやすい。共振現象が発生すると、放射ノイズが発生することになるため、共振現象を抑制する必要がある。
【０００３】
ところが、この共振現象を抑制するために、バイパスコンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いると、積層セラミックコンデンサは、通常、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が数ｍΩと小さく、自己共振周波数が１〜１００ＭＨｚ程度であるため、この周波数帯のインピーダンスが小さくなる。その結果、前述の共振現象であって、１〜１００ＭＨｚ帯で発生するものについては、これを抑えることができない。
【０００４】
一般に、積層セラミックコンデンサに対して直列に抵抗を接続すれば、共振現象を抑制できることが知られている。そして、このように共振現象を抑制できるようにするため、上述の抵抗を、ディスクリートな部品として積層セラミックコンデンサに接続するのではなく、積層セラミックコンデンサ自身の端子電極に組み込むことによって、抵抗を直列に接続した構造とされた積層セラミックコンデンサが、たとえば特許文献１および２に記載されている。特に、特許文献２では、導電性粒子と硬化型樹脂とを含む抵抗体ペーストを用いて、端子電極の下地となる抵抗体膜を形成し、その上に電気めっき膜を形成することが記載されている。
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２に記載のように、抵抗体膜上に電気めっきを施す場合、抵抗体膜の体積抵抗率が高いと、電気めっき時の電流が流れにくいため、電気めっきを施すことが困難である。
【０００６】
また、抵抗体膜上にめっき膜をたとえ形成できたとしても、めっき膜を均一な厚みで形成することが困難である。その結果、めっき膜の厚みの薄い箇所から湿気が浸入しやすくなり、耐湿性が劣化することがある。さらに、めっき膜の厚みが不均一である場合、抵抗体膜とめっき膜との間の接合力が比較的低く、実装工程などにおいて熱が加わった場合、抵抗体膜とめっき膜との間で剥がれが生じやすく、そのため、抵抗値の変動が生じやすい。
【０００７】
なお、以上の説明は、積層セラミックコンデンサについて行なったが、抵抗体膜を有する端子電極を備える他の積層電子部品においても、同様の問題に遭遇し得る。
【特許文献１】実開昭６２−１８４７２８号公報
【特許文献２】特開平１１−２８３８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解決し得る積層電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、チップ状の部品本体と部品本体の外表面上に形成される複数の端子電極とを備える、積層電子部品に向けられる。部品本体は、複数の絶縁体層と複数の絶縁体層間の特定の界面に沿って形成されかつ部品本体の外表面上に引き出されて特定の端子電極に電気的に接続される内部電極とが積層された積層構造を有している。
【００１０】
このような積層電子部品において、この発明では、前述した技術的課題を解決するため、端子電極の少なくとも１つは、体積抵抗率が比較的高い抵抗体膜と、この抵抗体膜を覆いかつ抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜とを備える、抵抗性端子電極とされることを特徴としている。
【００１１】
上述の抵抗性端子電極は、導電性樹脂膜上に電気めっきによって形成されるめっき膜をさらに備えることが好ましい。
【００１２】
部品本体が相対向する２つの主面とこれら主面間を連結する側面とを有しているとき、抵抗体膜は、側面上の領域にのみ形成され、それによって、主面上には延びないようにされ、他方、導電性樹脂膜は、側面上で抵抗体膜を覆いかつその一部が主面の一部上にまで延びるように形成されることが好ましい。
【００１３】
この発明の第１の実施態様では、抵抗体膜は、部品本体の表面に直接形成され、かつ内部電極に接触している。この場合、抵抗体膜に接触する内部電極は、その端縁が部品本体の表面から突出していることが好ましい。また、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有する場合、抵抗体膜に接触する内部電極は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。
【００１４】
この発明の第２の実施態様では、抵抗性端子電極は、抵抗体膜の下に形成される下地膜をさらに備え、下地膜は、金属焼結体を導電成分として含み、かつ内部電極に接触している。この第２の実施形態において、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有するとき、下地膜は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。また、内部電極の導電成分は、下地膜の導電成分に含まれる金属と同種の金属を含むことが好ましい。
【００１５】
この発明に係る積層電子部品において、抵抗体膜の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
他方、導電性樹脂膜の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｍ未満であることが好ましい。
【００１７】
この発明において、内部電極が、静電容量を形成するように絶縁体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極を備え、端子電極が、第１の内部電極に電気的に接続される第１の端子電極と第２の内部電極に電気的に接続される第２の内部電極とを備えていてもよい。この場合、この発明に係る積層電子部品は、ＣＲ複合部品を構成する。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、積層電子部品に備える抵抗性端子電極において、抵抗体膜が、体積抵抗率の比較的低い導電性樹脂膜によって覆われるので、抵抗性端子電極に対して、良好な電気めっきが可能な構造を与えることができる。
【００１９】
したがって、抵抗性端子電極において、導電性樹脂膜上に電気めっきによってめっき膜が形成されたとき、このめっき膜の厚みを均一なものとすることができる。そのため、積層電子部品の耐湿性を確保できるとともに、たとえば実装工程での熱による抵抗値の変動を生じさせにくくすることができる。なお、めっき膜が、たとえばＮｉのような半田の溶融温度では溶融しない金属からなる層と、その上に形成される、たとえばＳｎのような半田濡れ性の良好な金属からなる層との２層構造を有していると、抵抗性端子電極において、湿気からのシール性を確保することができるとともに、半田付け工程に対する耐熱性を確保することができ、さらに、良好な半田付け性を与えることができる。
【００２０】
部品本体が、相対向する２つの主面とこれら主面間を連結する側面とを有している場合において、抵抗体膜が、主面上には延びないように、側面上の領域にのみ形成され、導電性樹脂膜が、側面上で抵抗体膜を覆いかつその一部が主面の一部上にまで延びるように形成されると、抵抗体膜を外部環境からより遠ざけることができ、耐湿性をより向上させることができる。
【００２１】
この発明の第１の実施態様によれば、抵抗体膜が、部品本体の表面に直接形成され、かつ内部電極に接触するようにされるので、抵抗体膜の下に下地膜が形成される第２の実施態様に比べて、次のような優れた効果が奏される。
【００２２】
第２の実施態様のように、下地膜を形成する場合には、導電性ペーストの塗布および焼付けが適用されるが、導電性ペーストの塗布において、特にコーナー部分では塗布状態のコントロールが難しく、塗布厚みがばらつく。同様に、抵抗体膜を形成する場合にも、コーナー部分の塗布状態のコントロールが難しく、塗布厚みがばらつく。抵抗値は、抵抗体膜上に形成した導電性樹脂膜と下地膜との間に介在する抵抗体膜の最も厚みの薄い部分によって支配的に決定されるが、導電性ペーストや抵抗ペーストを塗布する場合、一般的にコーナー部分の塗布厚みが最も薄く、かつ塗布状態のコントロールが難しいため、コーナー部分での抵抗体膜の厚みばらつきが抵抗体膜の厚みばらつきが抵抗値に大きな影響を与えることになる。
【００２３】
これに対して、第１の実施態様の場合には、内部電極が引き出された側面上に抵抗体膜が直接形成されるため、側面での塗布状態のコントロールはしやすくなり、抵抗体膜の厚みのばらつきが抵抗値に及ぼす影響が少なくなり、抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００２４】
また、内部電極の引出し面積が抵抗値に影響を及ぼすことになるが、このような内部電極の引出し面積のばらつきは小さいため、この点においても、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。さらに、下地膜の形成のためのコストが不要となる。
【００２５】
この発明の第１の実施態様において、抵抗体膜に接触する内部電極の端縁が部品本体の表面から突出していると、内部電極と抵抗体膜ひいては抵抗性端子電極との間で信頼性の高い電気的接続状態が得られ、また、製品としての積層電子部品間での抵抗値のばらつきを抑制することができる。
【００２６】
この発明の第１の実施態様において、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有し、内部電極が、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むようにされると、抵抗体膜と内部電極との間で電池反応が発生することがなく、界面の接触抵抗が増加する問題に遭遇することはない。同様に、この発明の第２の実施態様において、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有し、下地膜が、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含んでいる場合にも、抵抗体膜と下地膜との間で電池反応が発生することがなく、界面の接触抵抗が増加する問題に遭遇することはない。
【００２７】
また、上述のように、内部電極または下地膜の導電成分として、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄまたはＡｕのような金属が用いられると、抵抗体膜および導電性樹脂膜を形成する際に各々の樹脂成分を硬化させるために付与される熱による特性変化が生じにくいものとすることができる。
【００２８】
この発明の第２の実施態様において、内部電極の導電成分が、下地膜の導電成分に含まれる金属と同種の金属を含んでいると、下地膜を形成するための焼成工程において、異種金属の場合に発生し得る金属の拡散を生じないようにすることができ、そのため、抵抗値を安定化させることができる。
【００２９】
この発明において、抵抗体膜の比抵抗が１×１０−４Ω・ｍ以上であると、共振防止用に十分な抵抗を抵抗性端子電極に確実に与えることができる。
【００３０】
この発明において、導電性樹脂膜の比抵抗が１×１０−４Ω・ｍ未満であると、良好なめっき付与性を導電性樹脂膜に確実に与えることができる。
【００３１】
この発明に係る積層電子部品がＣＲ複合部品を構成する場合、このＣＲ複合部品を電源ラインとグラウンドとの間に挿入するように用いると、ＣＲ複合部品が有する容量成分による電圧変動抑制効果と抵抗成分による共振抑制効果とが発揮され、電源電圧の安定化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図１および図２は、この発明に係る積層電子部品の一例としての３端子ＣＲ複合部品１の一般的な構造を説明するためのもので、図１は、３端子ＣＲ複合部品１の外観を示す斜視図であり、図２は、３端子ＣＲ複合部品１の内部構造を断面で示す平面図であり、図２（ａ）と同（ｂ）とでは互いに異なる断面を示している。
【００３３】
３端子ＣＲ複合部品１は、チップ状の部品本体２を備えている。部品本体２は、相対向する２つの主面３および４とこれら主面３および４間を連結する４つの側面５〜８とを有する直方体状をなしている。部品本体２の外表面上には、２つの第１の端子電極９および１０ならびに２つの第２の端子電極１１および１２がそれぞれ形成されている。
【００３４】
より詳細には、一方の第１の端子電極９は、部品本体２の短辺側の一方の側面５の中央部において帯状に延びながら、その一部が隣接する主面３および４の各一部にまで延びるように形成されている。他方の第１の端子電極１０は、上記側面５に対向する側面６の中央部において帯状に延びながら、その一部が隣接する主面３および４の各一部にまで延びるように形成されている。
【００３５】
また、一方の第２の端子電極１１は、部品本体２の長辺側の一方の側面７の中央部において帯状に延びながら、その一部が隣接する主面３および４の各一部にまで延びるように形成されている。他方の第２の端子電極１２は、上記側面７に対向する側面８の中央部において帯状に延びながら、その一部が隣接する主面３および４の各一部にまで延びるように形成されている。
【００３６】
部品本体２は、図２に示されているように、たとえばＢａＴｉＯ３系誘電体セラミックのようなセラミックからなる複数の絶縁体層１３を積層した積層構造を有している。部品本体２の内部には、複数の絶縁体層１３間の特定の界面に沿って、少なくとも１対の第１および第２の内部電極１４および１５が設けられている。第１および第２の内部電極１４および１５は、交互に積層され、かつ互いに対向し、この対向によって、静電容量が形成される。
【００３７】
なお、図２（ａ）と同（ｂ）とは互いに異なる断面を示していることは前述したが、図２（ａ）は、上述の第１の内部電極１４が位置する面での断面を示し、同（ｂ）は、上述の第２の内部電極１５が位置する面での断面を示している。
【００３８】
第１の内部電極１４は、部品本体２の短辺側の側面５および６上にそれぞれ比較的細幅の引出し部１６および１７をもって引出されて、前述の第１の端子電極９および１０に電気的に接続される。他方、第２の内部電極１５は、部品本体２の長辺側の側面７および８上にそれぞれ比較的細幅の引出し部１８および１９を持って引出されて、前述の第２の端子電極１１および１２に電気的に接続される。
【００３９】
この発明の第１の実施形態では、以上のような３端子ＣＲ複合部品１に備える第２の端子電極１１および１２が抵抗性端子電極とされ、これら第２の端子電極１１および１２の各々において、図３に示すような構造が採用される。図３は、この発明の第１の実施形態を説明するためのもので、図１および図２を参照して説明した３端子ＣＲ複合部品１の主要部を断面で示す正面図である。また、図４は、図３に示した３端子ＣＲ複合部品１の主要部のさらに一部を拡大して示す図である。図３および図４において、図１および図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
図３および図４には、一方の第２の端子電極１１が図示されている。もう一方の第２の端子電極１２については図示されないが、この第２の端子電極１２およびそれに関連する構成は、図示された端子電極１１の場合と実質的に同様である。したがって、以下の説明は、図示された第２の端子電極１１についてのみ行なう。なお、この実施形態では、第２の端子電極１１および１２は、グラウンド用端子電極として機能するものであり、第１の端子電極９および１０は、信号用端子電極として機能するものである。
【００４１】
図３および図４を参照して、第２の端子電極１１は、抵抗体膜２１と、この抵抗体膜２１を覆うように形成される導電性樹脂膜２２と、この導電性樹脂膜２２上に形成されるめっき膜２３とを備えている。
【００４２】
抵抗体膜２１は、比較的高い体積抵抗率を与えるもので、たとえば、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有している。抵抗体膜２１の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｍ以上とされることが好ましい。これによって、端子電極１１に、共振防止用として十分な抵抗を確実に与えることができる。また、抵抗体膜２１の比抵抗が１×１０−４Ω・ｍ未満である場合には、その上に導電性樹脂膜２２を形成することの意義が薄れてしまう。
【００４３】
抵抗体膜２１は、この実施形態では、部品本体２の側面７上に直接形成され、かつ内部電極１５に直接接触している。抵抗体膜２１が、前述したように、カーボン粒子を含んでいる場合には、これに接触する内部電極１５は、Ｃｕではなく、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。内部電極１５がＣｕを含む場合には、Ｃｕ−カーボン間で電池反応が発生し、界面の接触抵抗が増加するという問題に遭遇する。これに対して、上述したＮｉ、Ａｇ、ＰｄまたはＡｕといった金属の場合には、上述した電池反応は発生しない。
【００４４】
また、内部電極１５に含まれるＮｉ、Ａｇ、ＰｄまたはＡｕのような金属は、抵抗体膜２０および導電性樹脂膜２２を形成するにあたって、各々の樹脂成分を硬化させるために付与される熱に対しても特性変化が生じにくいという利点も有している。
【００４５】
また、図４に示されているように、抵抗体膜２１に接触する内部電極１５は、その引出し部１８の端縁が部品本体２の側面７から突出していることが好ましい。これによって、内部電極１５と抵抗体膜２１ひいては端子電極１１との間で信頼性の高い電気的接続状態が得られる。なお、内部電極１５の端縁を部品本体２の側面７から突出させる方法については、後述する製造方法の説明において明らかにする。
【００４６】
図３に示すように、抵抗体膜２１は、側面７上の領域にのみ形成され、それによって、主面３および４上には延びないようにされることが好ましい。そして、導電性樹脂膜２２は、側面７上で抵抗体膜２１を覆いかつその一部が主面３および４の各一部上にまで延びるように形成される。これによって、抵抗体膜２１を外部環境からより遠ざけることができ、端子電極１１ひいては３端子ＣＲ複合部品１の耐湿性をより向上させることができる。
【００４７】
導電性樹脂膜２２は、上述した抵抗体膜２１より低い体積抵抗率を有している。好ましくは、導電性樹脂膜２２の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｍ未満とされる。これによって、導電性樹脂膜２２の表面上に、電気めっきによって、めっき膜２３を形成するにあたり、良好なめっき付与性を確実に与えることができる。導電性樹脂膜２２は、たとえば、Ａｇ粉末のような導電性金属粉末をエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に分散させた導電性樹脂から構成される。
【００４８】
めっき膜２３は、導電性樹脂膜２２上に電気めっきによって形成される。上述したように、抵抗体膜２１が、体積抵抗率の比較的低い導電性樹脂膜２２によって覆われるので、めっき膜２３を形成するための電気めっき工程を良好な状態で実施することができる。より具体的には、めっき膜２３を、能率的にかつ均一な厚みをもって形成することができる。
【００４９】
この実施形態では、めっき膜２３は、図４に示すように、Ｎｉ層２４と、その上に形成されるＳｎ層２５との２層構造を有している。Ｎｉ層２４は半田の溶融温度では溶融しないようにするためのものであり、Ｓｎ層２５は、良好な半田濡れ性を与えるためのものである。このように、めっき膜２３を、Ｎｉ層２４とＳｎ層２５とからなる２層構造をもって構成すると、端子電極１１において、湿気からのシール性を確保することができるとともに、半田付け工程に対する耐熱性を確保することができ、さらに、良好な半田付与性を与えることができる。
【００５０】
なお、Ｎｉ層２４を構成するＮｉおよびＳｎ層２５を構成するＳｎは、それぞれ、同様の性質を有する他の金属に置き換えられてもよい。
【００５１】
次に、３端子ＣＲ複合部品１を製造するための方法について説明する。
【００５２】
まず、絶縁体層１３となるべきセラミックグリーンシートを用意し、特定のセラミックグリーンシート上に、導電性ペーストを用いて内部電極１４および１５を形成し、セラミックグリーンシートを積層し、圧着し、必要に応じて、カット工程を実施した後、焼成工程を実施し、焼結した部品本体２を得る。
【００５３】
次に、部品本体２の短辺側の側面５および６上に、たとえばＣｕを導電成分として含む導電性ペーストを付与し焼成することによって、第１の端子電極９および１０を形成する。
【００５４】
次に、部品本体２の長辺側の側面７および８に対してサンドブラスト処理を施す。たとえば、ブラスト粒子を０．３ＭＰａの圧力で側面７および８に向かって吹き付ける。このとき、側面５および６は、部品本体２を保持するホルダによって覆われているため、すでに形成された第１の端子電極９および１０が不所望にも削られてしまうことはない。このサンドブラスト処理に際して、内部電極１５に比べて、絶縁体層１３を構成するセラミックの方が削れやすいため、内部電極１５の端縁は、図４に示すように、部品本体２の側面７および８の各々から突出した状態となる。なお、図４では、部品本体２の側面８側が図示されていないが、側面８側においても、図示した側面７側と同様の状態が得られる。
【００５５】
次に、部品本体２の側面７および８の各々上に第２の端子電極１１および１２を形成するため、まず、抵抗体膜２１を形成する。抵抗体膜２１は、カーボン粒子を、フェノール樹脂またはエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に分散させた状態にあるペーストを塗布し、２４０〜３１０℃の温度５〜２０分間加熱し、ペーストを硬化させることによって形成される。
【００５６】
次に、抵抗体膜２１を覆うように、導電性樹脂膜２２を形成する。導電性樹脂膜は、たとえばＡｇ粉末をエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に分散させた導電性ペーストを、抵抗体膜２１を覆うように塗布し、１８０〜３１０℃の温度で５〜２０分間加熱し、この導電性ペーストを硬化させることによって形成される。なお、導電性樹脂膜２２の厚みは、塗布乾燥後において、１０〜６０μｍとなるようにされる。
【００５７】
次に、電気めっきを実施し、導電性樹脂膜２２上にめっき膜２３を形成する。より具体的には、導電性樹脂膜２２上に、たとえば厚み０．７〜８．０μｍのＮｉ層２４を形成し、次いで、その上に、厚み１．５〜８．０μｍのＳｎ層２５を形成する。なお、このようなめっき膜は、第１の端子電極９および１０上にも形成される。
【００５８】
図５は、この発明の第２の実施形態を説明するための図３に対応する図である。図５において、図３に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５９】
第２の実施形態による３端子ＣＲ複合部品１ａにおいては、抵抗性端子電極としての第２の端子電極１１および１２が、抵抗体膜２１の下に形成される下地膜２８をさらに備えていることを特徴としている。なお、図５には、図３の場合と同様、一方の第２の端子電極１１側の構成のみが図示され、もう一方の第２の端子電極１２側の構成については図示されていない。しかしながら、第２の端子電極１１側の構成と第２の端子電極１２側の構成とは実質的に同様であるので、以下の説明は、図示した第２の端子電極１１側についてのみ行なう。
【００６０】
下地膜２８は、金属焼結体を導電成分として含み、かつ第２の内部電極１５に接触している。第２の実施形態においても、第１の実施形態の場合と同様、第２の内部電極１５の端縁が側面７から突出していることが好ましい。
【００６１】
抵抗体膜２１が、前述したように、カーボン粒子を含む場合、下地膜２８については、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちに２種以上からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。抵抗体膜２１と下地膜２８との間で電池反応が発生することがなく、界面の接触抵抗が増加するという問題に遭遇しないためである。また、これらの金属は、抵抗体膜２１および導電性樹脂膜２２の形成工程等において付与される熱に対しても実質的な特性変化がない点でも有利である。
【００６２】
また、下地膜２８の導電成分に含まれる金属と同種の金属が、内部電極１５の導電成分として含まれていることが好ましい。下地膜２８を形成するための焼成工程において、異種金属の場合に発生し得る金属の拡散を生じないようにすることができ、抵抗値を安定化させることができるためである。
【００６３】
下地膜２８は、たとえば、上述のような金属を含む導電性ペーストを部品本体２の側面７および８上に塗布し、部品本体２を焼結させるための焼成工程において、上記導電性ペーストを同時に焼結させることによって形成される。この場合、下地膜２８の表面が酸化した場合には、サンドブラスト等によって、酸化膜を除去すればよい。
【００６４】
なお、下地膜２８を形成するため、上述した方法に代えて、たとえばＣｕを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けた後、電気めっきを実施し、その上にたとえばＮｉ膜を形成するようにしてもよい。
【００６５】
図６および図７は、この発明の第３の実施形態を説明するための図１および図２にそれぞれ対応する図である。図６および図７において、図１および図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６６】
第３の実施形態による３端子ＣＲ複合部品１ｂでは、第１の実施形態による３端子ＣＲ複合部品１と比べて、まず、第１の端子電極９および１０の形成態様が異なっている。より詳細には、一方の第１の端子電極９は、部品本体２の短辺側の一方の側面５の全面にわたって延びながら、その一部が側面５に隣接する主面３および４ならびに側面７および８の各一部にまで延びるように形成されている。他方の第１の端子電極１０は、部品本体２の短辺側の他方の側面６の全面にわたって延びながら、その一部が側面６に隣接する主面３および４ならびに側面７および８の各一部にまで延びるように形成されている。
【００６７】
第３の実施形態による３端子ＣＲ複合部品１ｂは、また、第１の実施形態による３端子ＣＲ複合部品１と比較して、第１の内部電極１４のパターンが異なっている。すなわち、第１の内部電極１４は、図７（ａ）に示すように、引出し部１６および１７の部分も含めて一様な幅をもって部品本体２の側面５および６上に引出されて、上述の第１の端子電極９および１０に電気的に接続される。
【００６８】
第１および第２の実施形態では、抵抗体膜２１を備える抵抗性端子電極は、第２の端子電極１１および１２において採用されたが、第３の実施形態では、第１の端子電極９および１０が抵抗性端子電極とされることが好ましい。なぜなら、抵抗性端子電極と電気的に接続される内部電極について、その端縁を部品本体の表面から突出させるためのサンドブラスト処理は、側面５および６に対して施す方がより容易であるためである。すなわち、まず、第２の端子電極１１および１２を形成した後、サンドブラスト処理を側面５および６に対して実施することは容易であるが、逆に、図６および図７に示すような態様で第１の端子電極９および１０を形成した後、側面７および８に対してサンドブラスト処理を施そうとすれば、特別なマスク等を用いない限り、第１の端子電極９および１０の、側面７および８上に形成された部分が不所望にも削られてしまうからである。
【００６９】
なお、上記の点を考慮するか、しないかに関わらず、抵抗性端子電極は、第１ないし第３の実施形態において、第１の端子電極９および１０と第２の端子電極１１および１２とのいずれに採用されてもよい。また、第１の端子電極９および１０のいずれか一方あるいは第２の端子電極１１および１２のいずれか一方について、抵抗性端子電極となる構成が採用されてもよい。
【００７０】
以上、この発明が、図１ないし図７に示すような３端子ＣＲ複合部品１、１ａおよび１ｂに適用された場合について説明したが、この発明は、通常の２端子の積層セラミックコンデンサにも適用することができ、さらには、コンデンサ以外の機能を備える積層電子部品にも適用することができる。さらに、セラミック電子部品に限らず、セラミックを用いない積層電子部品にも適用することができる。
【００７１】
次に、この発明による効果を確認するため、またはこの発明におけるより好ましい条件を求めるために実施した実験例について説明する。
【００７２】
１．実験例１
実験例１では、セラミック素体上に、表１に示すような比抵抗を有する抵抗性の下地膜を３０μｍの厚みをもって形成し、電流Ｄｋ値０．２０Ａ／ｄｍ２として、６０分間、バレルめっきによるＮｉ電気めっきを実施し、Ｎｉめっき膜の付着性を評価した。めっき膜が抵抗性下地膜を完全に覆っていて、この抵抗性下地膜の露出がない状態を、めっき付着性が良好であると判定した。全試料数１００個において、めっき付着性が不良であった試料数が表１に示されている。
【００７３】
【表１】
2007096215.tif 000003
【００７４】
表１からわかるように、抵抗性下地膜の比抵抗が１×１０−４Ω・ｍ以上である試料１〜３において、めっき付着不良が生じた。このことから、導電性樹脂膜の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｍ未満であることが好ましいことがわかる。
【００７５】
２．実験例２
実験例２では、導電性樹脂膜を形成した実施例と導電性樹脂膜を形成しなかった比較例との間で、めっき膜の付着性を比較した。
【００７６】
実施例および比較例は、ともに、図６および図７に示すような構造の３端子ＣＲ複合部品１ｂを試料とした。部品本体２の寸法は、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．８５ｍｍとした。第１の端子電極９および１０を抵抗性端子電極とし、そこに形成される抵抗体膜の比抵抗を５×１０−３Ω・ｍとし、その厚みを３０μｍとした。
【００７７】
また、実施例に係る３端子ＣＲ複合部品１ｂでは、上述の抵抗体膜上に、比抵抗が３×１０−５Ω・ｍの導電性樹脂膜を形成した。
【００７８】
以上のような実施例および比較例の各々に係る試料について、電流Ｄｋ値を０．１９Ａ／ｄｍ２、０．３１Ａ／ｄｍ２、０．４３Ａ／ｄｍ２、０．５５Ａ／ｄｍ２、０．６３Ａ／ｄｍ２と変化させ、７０分間、バレルめっきによるＮｉ電気めっきを実施した。そして、抵抗性端子電極である第１の端子電極９および１０上でのめっき付着性の良否を第１の実験例の場合と同様の基準により判定し、全試料数３０個において、めっき付着性が良好な試料数の比率をめっき良品率として求めた。その結果が図８に示されている。
【００７９】
図８に示すように、実施例では、すべての電流Ｄｋ値について１００％の良品率が得られた。これに対して、比較例では、Ｄｋ値をより大きくすることにより、めっき良品率が上昇したが、めっき良品率が５０％を超えることはなかった。
【００８０】
３．実験例３
実験例３では、導電性樹脂膜を形成した実施例と導電性樹脂膜を形成しなかった比較例との間で、めっき膜の厚みの均一性を比較した。
【００８１】
実験例３では、実験例２の場合と同じ実施例および比較例の各々に係る試料を用い、実施例では、電流Ｄｋ値を０．２８Ａ／ｄｍ２とし、比較例では、電流Ｄｋ値を０．４３Ａ／ｄｍ２とし、その他の条件については実験例２と同様の条件で電気めっきを実施し、形成されたＮｉめっき膜を断面研磨し、その厚みをデジタルマイクロスコープ（１０００倍）によって測定した。比較例では、Ｎｉめっき膜が形成されなかったものもあったが、Ｎｉめっき膜が形成された試料１８個について、その厚みの平均値および標準偏差を求めた。その結果が表２に示されている。
【００８２】
【表２】
2007096215.tif 000004
【００８３】
表２に示すように、実施例によれば、比較例に比べて、Ｎｉめっき膜のばらつきが格段に小さかった。なお、Ｎｉめっき膜の厚みの平均値については、比較例の方が実施例より大きくなっているが、これは、めっき膜が形成された試料のみについて、めっき膜が形成された部分のみの厚みを測定したためである。
【００８４】
４．実験例４
実験例４では、導電性樹脂膜を形成した実施例と導電性樹脂膜を形成しなかった比較例との間で、耐湿性を比較した。
【００８５】
実験例４では、実験例３で作製した実施例および比較例の各々に係る試料と比較して、抵抗体膜の比抵抗が３×１０−３Ω・ｍであることを除いて、他の条件については同じ試料を用いた。
【００８６】
耐湿性試験は、相対湿度１００％の雰囲気で４時間放置するスチームエージングを実施し、このスチームエージング前後での抵抗値の変化を求めた。抵抗値の測定にあたっては、１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で、各試料に係る３端子ＣＲ複合部品のＥＳＲを測定するようにした。このとき、ＥＳＲの測定は、抵抗体膜が形成された２つの端子電極の一方ごとに行なった。また、測定試料数は、実施例および比較例の各々につき、１０個とした。
【００８７】
図９（ａ）には、実施例に係る試料についてのスチームエージング前後の抵抗値が示され、同（ｂ）には、比較例に係る試料についてのスチームエージング前後の抵抗値が示されている。
【００８８】
比較例では、図９（ｂ）に示すように、スチームエージング前後で抵抗値が比較的大きく変化したのに対し、実施例では、図９（ａ）に示すように、スチームエージングの前後で抵抗値はわずかに変化したに過ぎなかった。このことから実施例に係る３端子ＣＲ複合部品は、優れた耐湿性を有していることがわかる。
【００８９】
５．実験例５
実験例５では、導電性樹脂膜を形成した実施例と導電性樹脂膜を形成しなかった比較例との間で、半田溶融温度での耐熱性を比較した。
【００９０】
実験例５では、上記実験例４において用いたのと同様の実施例および比較例の各々に係る試料を用いた。
【００９１】
耐熱性を評価するため、温度２７０℃の溶融半田槽に実施例および比較例の各々に係る試料を１０秒間浸漬し、この浸漬の前後で抵抗値を測定した。抵抗値の測定条件は、上記実験例４の場合と同様である。また、実施例および比較例の各々について、測定試料数を１８個とした。
【００９２】
図１０（ａ）には、実施例についての溶融半田浸漬前後の抵抗値が示され、同（ｂ）には、比較例についての溶融半田浸漬前後の抵抗値が示されている。
【００９３】
比較例では、図１０（ｂ）に示すように、溶融半田浸漬前後で抵抗値が比較的大きく変化しているのに対し、実施例では、図１０（ａ）に示すように、溶融半田浸漬前後で抵抗値がほとんど変化していない。このことから、実施例に係る３端子ＣＲ複合部品は、優れた耐熱性を有していることがわかる。
【００９４】
６．実験例６
実験例６は、内部電極の端縁を突出させるためのサンドブラスト処理による効果を確認するために実施したものである。
【００９５】
前述の実験例３において作製した実施例に係る試料は、サンドブラスト処理を施したものであったが、これと同様のサンドブラスト処理品と、サンドブラスト処理を施さなかったことを除いて同様の条件で作製したサンドブラスト非処理品とを用意した。そして、これらサンドブラスト処理品およびサンドブラスト非処理品の各々について、静電容量およびＥＳＲを測定した。静電容量については、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で測定し、ＥＳＲについては、１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で測定した。そして、全試料数３０個における平均値および標準偏差を、静電容量およびＥＳＲの各々について求めた。その結果が表３に示されている。
【００９６】
【表３】
2007096215.tif 000005
【００９７】
表３には、サンドブラスト処理の効果が顕著に現れている。すなわち、静電容量について比較すれば、サンドブラスト非処理品では十分な静電容量が得られず、ばらつきも大きかった。また、ＥＳＲについて比較すれば、サンドブラスト非処理品では、ＥＳＲが極めて高く、また、ばらつきも極めて大きかった。これに対して、サンドブラスト処理品によれば、十分な静電容量が得られ、かつＥＳＲが小さく、また、これらのばらつきも小さかった。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】この発明が適用され得る積層電子部品の一例としての３端子ＣＲ複合部品１の一般的な構造を説明するためのもので、３端子ＣＲ複合部品１の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示した３端子ＣＲ複合部品１の内部構造を断面で示す平面図であり、（ａ）は、第１の内部電極１４が位置する面での断面を示し、（ｂ）は、第２の内部電極１５が位置する面での断面を示している。
【図３】この発明の第１の実施形態を説明するためのもので、図１および図２に示した３端子ＣＲ複合部品１の主要部を断面で示す正面図である。
【図４】図３の一部をさらに拡大して断面で示す正面図である。
【図５】この発明の第２の実施形態を説明するための図３に対応する図である。
【図６】この発明の第３の実施形態を説明するための図１に対応する図である。
【図７】図６に示した３端子ＣＲ複合部品１ｂについての図２に対応する図である。
【図８】実験例２において得られためっき付着性に関するデータを示す図である。
【図９】実験例４において得られた耐湿性に関するデータを示す図である。
【図１０】実験例５において得られた半田溶融温度での耐熱性に関するデータを示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
１，１ａ，１ｂ  ３端子ＣＲ複合部品（積層電子部品）
２  部品本体
３，４  主面
５〜８  側面
９，１０  第１の端子電極
１１，１２  第２の端子電極
１３  絶縁体層
１４，１５  内部電極
２１  抵抗体膜
２２  導電性樹脂膜
２３  めっき膜
２８  下地膜
【図１】
2007096215.tif 000006
【図２】
2007096215.tif 000007
【図３】
2007096215.tif 000008
【図４】
2007096215.tif 000009
【図５】
2007096215.tif 000010
【図６】
2007096215.tif 000011
【図７】
2007096215.tif 000012
【図８】
2007096215.tif 000013
【図９】
2007096215.tif 000014
【図１０】
2007096215.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ状の部品本体と前記部品本体の外表面上に形成される複数の端子電極とを備え、
前記部品本体は、複数の絶縁体層と複数の前記絶縁体層間の特定の界面に沿って形成されかつ前記部品本体の外表面上に引き出されて特定の前記端子電極に電気的に接続される内部電極とが積層された積層構造を有し、
前記端子電極の少なくとも１つは、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有する抵抗体膜と、前記抵抗体膜を直接覆いかつ前記抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜とを備える、抵抗性端子電極とされる、
積層電子部品。
【請求項２】
前記抵抗性端子電極は、前記導電性樹脂膜上に電気めっきによって形成されるめっき膜をさらに備える、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記部品本体は、相対向する２つの主面と前記主面間を連結する側面とを有し、前記抵抗体膜は、前記側面上の領域にのみ形成され、それによって、前記主面上には延びないようにされ、前記導電性樹脂膜は、前記側面上で前記抵抗体膜を覆いかつその一部が前記主面の一部上にまで延びるように形成される、請求項１または２に記載の積層電子部品。
【請求項４】
前記抵抗体膜は、前記部品本体の表面に直接形成され、かつ前記内部電極に接触している、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項５】
前記抵抗体膜に接触する前記内部電極は、その端縁が前記部品本体の表面から突出している、請求項４に記載の積層電子部品。
【請求項６】
前記抵抗体膜に接触する前記内部電極は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含む、請求項４または５に記載の積層電子部品。
【請求項７】
前記抵抗性端子電極は、前記抵抗体膜の下に形成される下地膜をさらに備え、前記下地膜は、金属焼結体を導電成分として含み、かつ前記内部電極に接触している、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項８】
前記下地膜は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含む、請求項７に記載の積層電子部品。
【請求項９】
前記内部電極の導電成分は、前記下地膜の導電成分に含まれる金属と同種の金属を含む、請求項７または８に記載の積層電子部品。
【請求項１０】
前記抵抗体膜の比抵抗は、１×１０-４Ω・ｍ以上である、請求項１ないし９のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項１１】
前記導電性樹脂膜の比抵抗は、１×１０-４Ω・ｍ未満である、請求項１ないし１０のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項１２】
前記内部電極は、静電容量を形成するように前記絶縁体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極を備え、前記端子電極は、前記第１の内部電極に電気的に接続される第１の端子電極と前記第２の内部電極に電気的に接続される第２の端子電極とを備え、それによって、ＣＲ複合部品を構成する、請求項１ないし１１のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項１３】
チップ状の部品本体と前記部品本体の外表面上に形成される複数の端子電極とを備え、
前記部品本体は、複数の絶縁体層と複数の前記絶縁体層間の特定の界面に沿って形成されかつ前記部品本体の外表面上に引き出されて特定の前記端子電極に電気的に接続される内部電極とが積層された積層構造を有し、
前記端子電極の少なくとも１つは、導電性粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有する抵抗体膜と、前記抵抗体膜を直接覆いかつ前記抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜と、前記導電性樹脂膜を直接覆うように形成されためっき膜とを備える、抵抗性端子電極とされる、
積層電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような積層電子部品において、この発明では、前述した技術的課題を解決するため、端子電極の少なくとも１つは、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有する抵抗体膜と、この抵抗体膜を直接覆いかつ抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜とを備える、抵抗性端子電極とされることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の第１の実施態様では、抵抗体膜は、部品本体の表面に直接形成され、かつ内部電極に接触している。この場合、抵抗体膜に接触する内部電極は、その端縁が部品本体の表面から突出していることが好ましい。また、抵抗体膜が、前述のように、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有しているので、抵抗体膜に接触する内部電極は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の第２の実施態様では、抵抗性端子電極は、抵抗体膜の下に形成される下地膜をさらに備え、下地膜は、金属焼結体を導電成分として含み、かつ内部電極に接触している。この第２の実施形態において、抵抗体膜が、前述のように、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有しているので、下地膜は、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むことが好ましい。また、内部電極の導電成分は、下地膜の導電成分に含まれる金属と同種の金属を含むことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明において、内部電極が、静電容量を形成するように絶縁体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極を備え、端子電極が、第１の内部電極に電気的に接続される第１の端子電極と第２の内部電極に電気的に接続される第２の内部電極とを備えていてもよい。この場合、この発明に係る積層電子部品は、ＣＲ複合部品を構成する。
この発明に係る積層電子部品は、他の局面では、端子電極の少なくとも１つは、導電性粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有する抵抗体膜と、この抵抗体膜を直接覆いかつ抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜と、この導電性樹脂膜を直接覆うように形成されためっき膜とを備える、抵抗性端子電極とされることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明によれば、積層電子部品に備える抵抗性端子電極において、抵抗体膜が、当該抵抗体膜より低い体積抵抗率を有する導電性樹脂膜によって覆われるので、抵抗性端子電極に対して、良好な電気めっきが可能な構造を与えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この発明の第１の実施態様において、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有しているので、内部電極が、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含むようにされると、抵抗体膜と内部電極との間で電池反応が発生することがなく、界面の接触抵抗が増加する問題に遭遇することはない。同様に、この発明の第２の実施態様において、抵抗体膜が、カーボン粒子を熱硬化性樹脂に分散させた組成を有しているので、下地膜が、Ｎｉ、Ａｇ、ＰｄもしくはＡｕまたはこれらのうちの少なくとも２種からなる合金を導電成分として含んでいる場合にも、抵抗体膜と下地膜との間で電池反応が発生することがなく、界面の接触抵抗が増加する問題に遭遇することはない。