(57)【要約】【課題】配線の自由度を高くするとともに基板割れを生じにくくする。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、半導体基板の裏面におけるグランドプレート以外の領域に形成され、低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンとを備える。さらに、半導体基板は、表面がベース基板の主面に対向した状態で、当該ベース基板に実装される。そして、半導体装置は、半導体基板の表面に表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングによりベース基板と接続されるパッドと、半導体基板の裏面に裏面側配線パターンと導通するように形成され、ワイヤーボンディングによりベース基板と接続されるパッドと備える。【選択図】図２
2007129078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、
前記半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、
前記半導体基板の裏面における前記グランドプレート以外の領域に形成され、前記所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンと
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、表面がベース基板の主面に対向した状態で、当該ベース基板に実装され、
前記半導体基板の表面に前記表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングにより前記ベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、
前記半導体基板の裏面に前記裏面側配線パターンと導通するように形成され、ワイヤーボンディングにより前記ベース基板と接続されるワイヤーボンディング用パッドと
を更に備える請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記高周波配線は、前記半導体基板における前記グランドプレートと反対側の領域に形成されることによりマイクロストリップラインを構成する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低周波配線は、前記高周波配線よりも太い
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記表面側配線パターンは、前記低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を更に有し、
前記ワイヤーボンディング用パッドと前記半導体基板の表面に形成された素子との間に、前記低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線は、
前記半導体基板の裏面に形成され、一端が前記ワイヤーボンディング用パッドと接続された第１配線と、
前記半導体基板の裏面に形成され、一端が前記素子と接続された第２配線と、
前記第１配線の他端と前記第２配線の他端とを接続する前記半導体基板を貫通するビアホールと
を含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記表面側配線パターンは、前記低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を更に有し、
前記半導体基板の表面における高周波配線により分割される一方側の第１領域から他方側の第２領域に、前記低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線は、
前記半導体基板の表面の前記第１領域に形成された第３配線と、
前記半導体基板の裏面の前記第１領域から第２領域に亘って形成された横断配線と、
前記半導体基板の表面の前記第２領域に形成された第４配線と、
前記第３配線の端部と前記横断配線の第１領域の端部とを接続する前記半導体基板を貫通する第１領域ビアホールと、
前記第４配線の端部と前記横断配線の第２領域の端部とを接続する前記半導体基板を貫通する第２領域ビアホールと
を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板は、化合物半導体基板である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、当該ベース基板に実装される半導体装置において、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され、フリップチップボンディングにより前記ベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、
前記半導体基板の裏面に形成され、ワイヤーボンディングにより前記ベース基板と接続されるワイヤーボンディング用パッドと
を備える半導体装置。
【請求項９】
ベース基板と、
半導体基板を有し、当該半導体基板の表面が前記ベース基板の主面に対向した状態で、前記ベース基板に実装された半導体装置とを備え、
前記半導体装置は、
前記半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、
前記半導体基板の表面側に前記表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングにより前記ベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、
前記半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、
前記半導体基板の裏面における前記グランドプレート以外の領域に形成され、前記所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンと有し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の主面とがフリップチップボンディングにより接続された
電子機器。
【請求項１０】
ベース基板と、
半導体基板を有し、当該半導体基板の表面が前記ベース基板の主面に対向した状態で、前記ベース基板に実装された半導体装置とを備え、
前記半導体装置は、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の主面とがフリップチップボンディングにより接続し、
前記半導体基板の裏面と前記ベース基板の主面とがワイヤーボンディングにより接続された
電子機器。
【請求項１１】
半導体基板を有する半導体装置を、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、前記ベース基板に実装する実装方法において、
前記半導体装置は、
前記半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、
前記半導体基板の表面に前記表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングにより前記ベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、
前記半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、
前記半導体基板の裏面における前記グランドプレート以外の領域に形成され、前記所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンと有し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の主面とをフリップチップボンディングにより接続するフリップチップボンディング段階
を備える実装方法。
【請求項１２】
半導体基板を有する半導体装置を、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、前記ベース基板に実装する実装方法において、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の主面とをフリップチップボンディングにより接続するフリップチップボンディング段階と、
前記半導体基板の裏面と前記ベース基板の主面とをワイヤーボンディングにより接続するワイヤーボンディング段階と
を備える実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子機器及び実装方法に関する。特に本発明は、表面がベース基板の主面に対向した状態で実装される半導体装置、及び、この半導体装置を用いた電子機器及び実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップと呼ばれる半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。フリップチップは、半導体基板の表面（回路面）に接続用の金属パッドを並べ、表面を下に向けてベース基板に押し付ける形で実装される半導体装置である。また、マイクロストリップ線路と呼ばれる高周波信号を伝送する信号線構造が知られている。マイクロストリップ線路は、半導体基板の裏面に形成された金属のグランドプレートと、半導体基板の表面に形成された配線とを有し、高周波信号を伝送できる線路である。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２１３４７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、マイクロストリップ線路をフリップチップに適用した場合、基板の表面にＤＣバイアス配線及び高周波配線が設けられるので、高周波配線とＤＣバイアス配線とが交差する部分が多くなる。この交差部分は、例えばエアーブリッジとしなければならない。しかしながら、エアーブリッジは、高周波特性の悪化に繋がるとともに構造も複雑となる。エアーブリッジを少なくした場合には、回路レイアウトの自由度が制限されてしまう。
【０００５】
また、マイクロストリップ線路をＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体基板に用いた場合、基板厚を薄くするので強度が落ちる。従って、これをさらにフリップチップに適用した場合、実装時において基板に割れが生じ易くなる。特に、バンプ数が多い場合、実装時における半導体基板に対する機械的な負荷が増えて、割れが生じ易くなる。
【０００６】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる半導体装置、電子機器及び実装方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の形態によると、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、半導体基板の裏面におけるグランドプレート以外の領域に形成され、所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンとを備える半導体装置を提供する。
【０００８】
半導体基板は、表面がベース基板の主面に対向した状態で、当該ベース基板に実装され、半導体基板の表面に表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングによりベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、半導体基板の裏面に裏面側配線パターンと導通するように形成され、ワイヤーボンディングによりベース基板と接続されるワイヤーボンディング用パッドとを更に備えてよい。
【０００９】
高周波配線は、半導体基板におけるグランドプレートと反対側の領域に形成されることによりマイクロストリップラインを構成してよい。
低周波配線は、高周波配線よりも太くてよい。
【００１０】
表面側配線パターンは、低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を更に有し、ワイヤーボンディング用パッドと半導体基板の表面に形成された素子との間に、低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線は、半導体基板の裏面に形成され、一端がワイヤーボンディング用パッドと接続された第１配線と、半導体基板の裏面に形成され、一端が素子と接続された第２配線と、第１配線の他端と第２配線の他端とを接続する半導体基板を貫通するビアホールとを含んでよい。
【００１１】
表面側配線パターンは、低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を更に有し、半導体基板の表面における高周波配線により分割される一方側の第１領域から他方側の第２領域に、低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線は、半導体基板の表面の第１領域に形成された第３配線と、半導体基板の裏面の第１領域から第２領域に亘って形成された横断配線と、半導体基板の表面の第２領域に形成された第４配線と、第３配線の端部と横断配線の第１領域の端部とを接続する半導体基板を貫通する第１領域ビアホールと、第４配線の端部と横断配線の第２領域の端部とを接続する半導体基板を貫通する第２領域ビアホールとを含んでよい。
半導体基板は、化合物半導体基板であってよい。
【００１２】
本発明の第２の形態によると、半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、当該ベース基板に実装される半導体装置において、半導体基板と、半導体基板の表面に形成され、フリップチップボンディングによりベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、半導体基板の裏面に形成され、ワイヤーボンディングによりベース基板と接続されるワイヤーボンディング用パッドとを備える半導体装置を提供する。
【００１３】
本発明の第３の形態によると、ベース基板と、半導体基板を有し、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、ベース基板に実装された半導体装置とを備え、半導体装置は、半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、半導体基板の表面側に表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングによりベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、半導体基板の裏面におけるグランドプレート以外の領域に形成され、所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンと有し、半導体基板の表面とベース基板の主面とがフリップチップボンディングにより接続された電子機器を提供する。
【００１４】
本発明の第４の形態によると、ベース基板と、半導体基板を有し、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、ベース基板に実装された半導体装置とを備え、半導体装置は、半導体基板の表面とベース基板の主面とがフリップチップボンディングにより接続し、半導体基板の裏面とベース基板の主面とがワイヤーボンディングにより接続された電子機器を提供する。
【００１５】
本発明の第５の形態によると、半導体基板を有する半導体装置を、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、ベース基板に実装する実装方法において、半導体装置は、半導体基板の表面に形成された、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線を有する表面側配線パターンと、半導体基板の表面に表面側配線パターンと導通するように形成され、フリップチップボンディングによりベース基板と接続されるフリップチップボンディング用パッドと、半導体基板の裏面に形成されたグランドプレートと、半導体基板の裏面におけるグランドプレート以外の領域に形成され、所定の周波数以下の低周波信号又は固定電圧を伝送する低周波配線を有する裏面側配線パターンと有し、半導体基板の表面とベース基板の主面とをフリップチップボンディングにより接続するフリップチップボンディング段階を備える実装方法を提供する。
【００１６】
本発明の第６の形態によると、半導体基板を有する半導体装置を、当該半導体基板の表面がベース基板の主面に対向した状態で、ベース基板に実装する実装方法において、半導体基板の表面とベース基板の主面とをフリップチップボンディングにより接続するフリップチップボンディング段階と、半導体基板の裏面とベース基板の主面とをワイヤーボンディングにより接続するワイヤーボンディング段階とを備える実装方法を提供する。
【００１７】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、配線の自由度を高くするとともに、基板に割れを生じにくくする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２０】
図１及び図２は、半導体装置１１が実装されたベース基板１２を示す。なお、図１は斜視図であり、図２は側面図である。
電子機器１０は、半導体装置１１が実装されたベース基板１２を備える。半導体装置１１は、例えばＧａＡｓ及びＩｎＰ等の化合物半導体基板である半導体基板２１を有する。半導体基板２１は、表面２２に１以上のフリップチップボンディング用パッド２４（以下、ＦＣボンディング用パッド２４と称する。）が形成され、裏面２３に１つ以上のワイヤーボンディング用パッド２５が形成されている。なお、半導体基板２１は、Ｓｉ等の単体元素の半導体基板でもよい。ベース基板１２は、主面３１に、１つ以上のフリップチップボンディング用電極部３２（以下、ＦＣボンディング用電極部３２と称する。）、及び、１つ以上のワイヤーボンディング用電極部３３が形成されている。
【００２１】
半導体装置１１は、半導体基板２１の表面２２がベース基板１２の主面３１に対向した状態とされて、ベース基板１２に実装される。
それぞれのＦＣボンディング用パッド２４は、半導体基板２１がベース基板１２に実装された場合に、接続対象となるＦＣボンディング用電極部３２と向かい合う位置に形成される。ＦＣボンディング用パッド２４及びＦＣボンディング用電極部３２は、実装時において、バンプ３５を介してフリップチップボンディングにより接続される。
【００２２】
それぞれのワイヤーボンディング用パッド２５は、半導体基板２１がベース基板１２に実装された場合に、接続対象となるワイヤーボンディング用電極部３３の近傍に位置するように形成される。ワイヤーボンディング用パッド２５及びワイヤーボンディング用電極部３３は、半導体基板２１がベース基板１２に実装された場合に、ワイヤー３６を介してワイヤーボンディングにより接続される。
【００２３】
以上のような半導体装置１１及びベース基板１２によれば、フリップチップボンディング及びワイヤーボンディングの両者を用いて実装することができる。このため、半導体基板２１の表面２２及び裏面２３の両者にパッドを形成できるので、回路レイアウトの自由度が高くなる。また、ワイヤーボンディングを用いるので、その分だけフリップチップボンディングによる接続数を減らすことができ、フリップチップボンディングによる実装時における半導体基板２１に対する機械的な負荷を減少して、例えば基板割れ等を少なくすることができる。
【００２４】
図３は半導体基板２１の表面２２の一例を示す。図４は半導体基板２１の裏面２３の一例を示す。
半導体基板２１の表面２２は、一例として、図３に示すように、１以上のＦＣボンディング用パッド２４と、１以上の能動素子４１と、１以上の受動素子４２と、表面側配線パターン４３とが形成される。ＦＣボンディング用パッド２４は、フリップチップボンディングのためのバンプ３５が接続される領域であり、例えば金属で形成される。能動素子４１は、本発明に係る素子の一例であり、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）及びショットキーゲート型電界効果とトランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）等である。受動素子４２は、本発明に係る素子の一例であり、キャパシタ、インダクタ及び抵抗等である。
【００２５】
表面側配線パターン４３は、金属等の導電体の電気配線パターンである。表面側配線パターン４３は、ＦＣボンディング用パッド２４、能動素子４１及び受動素子４２の間を電気的に接続する。表面側配線パターン４３は、所定の周波数より高い高周波信号を伝送する高周波配線と、前記所定の周波数以下の低周波信号、又は、電源電圧、グランド電位等の固定電圧を伝送する低周波配線とを含む。
【００２６】
半導体基板２１の裏面２３は、図４に示すように、ワイヤーボンディング用パッド２５と、裏面側配線パターン４４と、グランドプレート４５とが形成される。ワイヤーボンディング用パッド２５は、ワイヤーボンディングのためのワイヤー３６が接続される領域であり、例えば金属で形成される。ワイヤーボンディング用パッド２５は、例えば、裏面２３における周縁に形成されてよい。
【００２７】
裏面側配線パターン４４は、金属等の導電体の電気配線パターンである。裏面側配線パターン４４は、ワイヤーボンディング用パッド２５と、半導体基板２１を貫通して表面２２及び裏面２３を電気的に接続するビアホールとの間を接続する。また、裏面側配線パターン４４は、２つのビアホール間を電気的に接続する。裏面側配線パターン４４は、所定の周波数以下の低周波信号、又は、電源電圧、グランド電位等の固定電圧を伝送する低周波配線を含む。グランドプレート４５は、例えば金属等の導電体のプレートである。グランドプレート４５は、ワイヤーボンディング用パッド２５が形成された領域及び裏面側配線パターン４４が形成された領域を除く領域のうち、その多くの部分を占める領域に形成される。
【００２８】
ここで、表面２２に形成される表面側配線パターン４３に含まれる高周波配線は、裏面２３に形成されているグランドプレート４５の反対外の領域に配置され、マイクロストリップラインを構成する。これにより、電波が外部を放射せずに高周波信号を伝送することができる。また、表面２２及び裏面２３に形成される低周波配線は、高周波配線よりも太い。これにより、低周波信号又は固定電圧を安定して伝送することができる。
【００２９】
以上のよう構成の半導体装置１１は、例えば差動増幅器等の所定の電気回路としての動作をする。さらに、当該半導体装置１１によれば、高周波信号を伝送するマイクロストリップラインが形成されているので、高周波信号を少ない損失で伝送することができる。
【００３０】
さらに、当該半導体装置１１によれば、半導体基板２１の裏面２３におけるグランドプレート４５以外の領域に、低周波配線を含む裏面側配線パターン４４を形成する。これにより、半導体基板２１の裏面２３に、低周波信号又は固定電圧を伝送することができるので、表面２２における高周波配線の自由度が向上するとともに、より効率的に信号伝送ができる。
【００３１】
図５は、半導体装置１１における表面２２と裏面２３との間を接続する低周波配線を示す。裏面２３に形成されたワイヤーボンディング用パッド２５は、表面２２上に形成された能動素子４１（又は受動素子４２）と低周波配線を介して接続される。
ワイヤーボンディング用パッド２５と能動素子４１又は受動素子４２との間を低周波配線で接続する場合、当該低周波配線は、図５に示すように、金属等の導電体の、第１配線６１と、第２配線６２と、第１ビアホール６３とを有する。第１配線６１は、半導体基板２１の裏面２３に形成され、一端がワイヤーボンディング用パッド２５と接続する。第２配線６２は、半導体基板２１の表面２２に形成され、一端が能動素子４１又は受動素子４２と接続する。第１ビアホール６３は、半導体基板２１を貫通して、第１配線６１の他端と第２配線６２の他端とを接続する。
【００３２】
以上のように、半導体装置１１によれば、第１配線６１、第２配線６２及び第１ビアホール６３を介してワイヤーボンディング用パッド２５を能動素子４１又は受動素子４２と接続するので、フリップチップボンディングをする場合に裏面２３側を利用してベース基板１２とワイヤーボンディングできる。
【００３３】
図６及び図７は、表面２２において、ある高周波配線７０を横断する部分における低周波配線を示す。図６は半導体基板２１の要部の平面図であり、図７は、図６におけるＸ１−Ｘ２線を切断した場合の断面図である。
ある高周波配線７０により、半導体基板２１の平面領域を２つに分割した場合における一方側の領域を第１領域７１とし、他方側の領域を第２領域７２とする。第１領域７１と第２領域７２との間を低周波配線で接続する場合、高周波配線７０を低周波配線が横断することとなる。当該低周波配線は、図６及び図７に示すように、金属等の導電体の第３配線７３、横断配線７４と、第４配線７５と、第１領域ビアホール７６と、第２領域ビアホール７７とを有する。
【００３４】
第３配線７３は、半導体基板２１の表面２２の第１領域７１に形成される。横断配線７４は、半導体基板２１の裏面２３の第１領域７１から第２領域７２に亘って形成される。第４配線７５は、半導体基板２１の表面２２の第２領域７２に形成される。第１領域ビアホール７６は、半導体基板２１を貫通して、第３配線７３の端部と横断配線７４の第１領域７１の端部とを接続する。第２領域ビアホール７７は、半導体基板２１を貫通して、第４配線７５の端部と横断配線７４の第２領域７２の端部とを接続する。
【００３５】
以上のように、半導体装置１１によれば、高周波配線７０が低周波配線を横断する場合に、第３配線７３、横断配線７４、第４配線７５、第１領域ビアホール７６及び第２領域ビアホール７７によって低周波配線を構成する。従って、エアーブリッジを用いずに高周波配線７０を横断できるので、高周波特性の悪化せず、また、構成及び製造が簡易となる。
【００３６】
図８は、半導体装置１１をベース基板１２に実装する場合の工程を示す。
半導体装置１１をベース基板１２に実装する場合、まず、フリップチップボンディング工程Ｓ１１を行う。フリップチップボンディング工程Ｓ１１においては、フリップチップボンディング装置により、例えば半導体基板２１の裏面２３をエアー等で吸着することにより表面２２を主面３１に対向させて、ＦＣボンディング用パッド２４とＦＣボンディング用電極部３２とをフリップチップボンディングにより接続する。
【００３７】
続いて、ワイヤーボンディング工程Ｓ１２を行う。ワイヤーボンディング工程Ｓ１２においては、ワイヤーボンディング装置により、ワイヤーボンディング用パッド２５とワイヤーボンディング用電極部３３とをワイヤーボンディングにより接続する。
【００３８】
これにより、フリップチップボンディング及びワイヤーボンディングの両者によって実装された電子機器１０を製造することができる。すなわち、フリップチップボンディングは、高周波信号の伝送に適しているが、実装時に半導体基板２１に与える機械的な負荷が大きい。ワイヤーボンディングは、実装時において半導体基板２１に与える機械的な負荷は小さいが、高周波信号の伝送に適していない。このようなトレードオフの関係を有する２種類のボンディング方法によって実装するので、互いの欠点を補った実装をすることができる。
【００３９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】半導体装置１１が実装されたベース基板１２の斜視図である。
【図２】半導体装置１１が実装されたベース基板１２の側面図である。
【図３】半導体基板２１の表面２２を示す。
【図４】半導体基板２１の裏面２３を示す。
【図５】表面２２と裏面２３との間を接続する低周波配線を示した半導体基板２１の部分的な断面図である。
【図６】ある高周波配線７０を交差する低周波配線を示した半導体基板２１の要部の平面図である。
【図７】図６におけるＸ１−Ｘ２線を切断した場合の断面図である。
【図８】半導体装置１１をベース基板１２に実装する場合の工程を示す。
【符号の説明】
【００４１】
１０  電子機器
１１  半導体装置
１２  ベース基板
２１  半導体基板
２２  表面
２３  裏面
２４  ＦＣボンディング用パッド
２５  ワイヤーボンディング用パッド
３１  主面
３２  ＦＣボンディング用電極部
３３  ワイヤーボンディング用電極部
３５  バンプ
３６  ワイヤー
４１  能動素子
４２  受動素子
４３  表面側配線パターン
４４  裏面側配線パターン
４５  グランドプレート
６１  第１配線
６２  第２配線
６３  第１ビアホール
７０  高周波配線
７１  第１領域
７２  第２領域
７３  第３配線
７４  横断配線
７５  第４配線
７６  第１領域ビアホール
７７  第２領域ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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