(57)【要約】【課題】ダイパッドのアップセットされた中央搭載部に半導体チップを搭載し、半導体チップと信号用リードとにワイヤーボンディングを行う際、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することが可能なリードフレームを提供する。【解決手段】半導体チップを搭載するためのダイパッド２が吊りリード３によって支持され、ダイパッド２の周辺に信号用リード４が配設され、ダイパッド２の中央搭載部２ａはその周辺部２ｂよりもアップセットされて突出し、ダイパッド２の周端部に、中央搭載部２ａに搭載される半導体チップを支持するための羽根体６が設けられている。【選択図】図１
2007194379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に用いられるリードフレームであって、
半導体チップを搭載するためのダイパッドが吊りリードによって支持され、
ダイパッドの周辺に、ダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードが配設され、
ダイパッドの中央搭載部はその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの周端部に、ダイパッドの中央搭載部に搭載される半導体チップを支持するための支持体が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
支持体は半導体チップを支持する平坦支持部を有し、
前記平坦支持部はダイパッドの中央搭載部と同じ側にアップセットされて突出していることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
支持体の平坦支持部はダイパッドの中央搭載部と同じ高さであることを特徴とする請求項２記載のリードフレーム。
【請求項４】
支持体の平坦支持部の高さは、ダイパッドの中央搭載部の高さに比べて、半導体チップを中央搭載部に接合する接着部材の厚み分だけ高いことを特徴とする請求項２記載のリードフレーム。
【請求項５】
ダイパッドの中央搭載部は半切断加工によりアップセットされ、
支持体の平坦支持部は曲げ加工によりアップセットされることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
ダイパッドの中央搭載部と支持体の平坦支持部とは、共に、半切断加工によりアップセットされることを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
【請求項７】
曲げ加工によって支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部との間に、傾斜した曲げ部が形成され、
曲げ部に、表裏両面に開口する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項５記載のリードフレーム。
【請求項８】
半切断加工によって、支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部との境界部分に、段差を有する半切断部が形成され、
表裏両面に開口する貫通孔が半切断部から支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部とに跨って形成されていることを特徴とする請求項６記載のリードフレーム。
【請求項９】
リードフレームは、吊りリードによって支持されたダイパッドと、ダイパッドの周辺からダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードとを備え、
ダイパッドの中央搭載部がその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの中央搭載部に半導体チップが搭載され、
半導体チップと信号用リードとが金属細線によって電気的に接続され、
ダイパッドの周端部に、半導体チップを支持する支持体が設けられ、
半導体チップは接着部材を介してダイパッドの中央搭載部と支持体とに接合され、
リードフレームと半導体チップと金属細線とが封止樹脂によって封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
リードフレームは、吊りリードによって支持されたダイパッドと、ダイパッドの周辺からダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードとを備え、
ダイパッドの中央搭載部がその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの中央搭載部に半導体チップが搭載され、
半導体チップと信号用リードとが金属細線によって電気的に接続され、
ダイパッドの周端部に、半導体チップを支持する支持体が設けられ、
半導体チップは、接着部材を介してダイパッドの中央搭載部に接合されているとともに、支持体に直接当接して支持されており、
リードフレームと半導体チップと金属細線とが封止樹脂によって封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドの中央搭載部と支持体とに接着部材を設ける工程と、
接着部材を介して半導体チップをダイパッドの中央搭載部と支持体とに接合する工程と、
半導体チップと信号用リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって一体的に封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記請求項１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドの中央搭載部に接着部材を設ける工程と、
半導体チップを、ダイパッドの中央搭載部に接着部材を介して接合するとともに、支持体に直接当接させて支持する工程と、
半導体チップと信号用リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって一体的に封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッドに半導体チップを搭載するリードフレーム、および、このリードフレームを備えた半導体装置、および、この半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型半導体装置のパッケージ構造として、最も広く普及しているのは、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）などの、外部接続端子としてリードフレームを用いたパッケージであることは周知である。
【０００３】
特に、高発熱の半導体チップを搭載する場合には、半導体チップを搭載したダイパッドの下面を封止樹脂で覆わずに露出させたダイパッド露出構造のパッケージが用いられる。
これらのリードフレームを用いたパッケージは、実装できる接続端子数や小型化の面でＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの近年普及してきているエリアアレイ型パッケージに比べて、不利な面もあるが、生産性やコスト面での優位性が高いことから、今後も多くの需要が見込まれるパッケージである。
【０００４】
以下、図１２および図１３を参照しながら、従来の半導体装置について説明する。
図１２は従来のリードフレーム３０であり、このうち（ａ）はリードフレーム３０の上面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線におけるリードフレーム３０の断面図を示す。また、図１３は図１２のリードフレーム３０を用いた半導体装置３６の断面図を示す。
【０００５】
一般的に、リードフレーム３０は、鉄または銅を主成分とした合金からなる板を、エッチングもしくはプレス加工によってパターン形成される。リードフレーム３０は、半導体チップを搭載する平坦なダイパッド３１と、ダイパッド３１の四隅を支持する複数の吊りリード３２と、ダイパッド３１の周辺からダイパッド３１に向かって延びた複数の信号用リード３３とにより構成されており、図示していない周囲の枠部と一体的に形成されている。
【０００６】
次に、前記リードフレーム３０を備えた半導体装置３６の構成を説明する。
図１３に示すように、前記ダイパッド３１には、接着部材３７を介して、半導体チップ３８が接合されている。半導体チップ３８上に備えられた電極パッド（図示省略）と信号用リード３３とが金や銅等を材料とした金属細線３９によって接続されている。リードフレーム３０と半導体チップ３８と金属細線３９とは、エポキシ系樹脂を材料とした封止樹脂４０によって一体的に封止されている。
【０００７】
次に、前記半導体装置３６の製造方法を説明する。
先ず、接着部材３７を介して、半導体チップ３８をダイパッド３１に接合し固着する。その後、ワイヤーボンダーを用いた熱圧着と超音波とにより、金属細線３９の一端を半導体チップ３８の電極パッド（図示省略）に接続し、金属細線３９の他端を信号用リード３３に接続する。次に、リードフレーム３０と半導体チップ３８と金属細線３９とをトランスファーモールドにより、封止樹脂４０にて一体的に封止する。このとき、ダイパッド３１の下面を封止樹脂４０から露出させる。最後に、リードフレーム３０の切り離し加工を行うことで、半導体装置３６が製造される。
【０００８】
しかしながら上記の従来形式では、半導体装置３６を製造する際の樹脂封止工程において、水分が吊りリード３２の上面と封止樹脂４０との境界を通って半導体チップ３８とダイパッド３１との間に侵入し、半導体チップ３８が損傷するといった問題があった。尚、このような問題は水分の侵入経路の長さＬが短いほど発生する虞れがある。
【０００９】
この問題の対策として、図１４に示すように、ダイパッド３１の中央搭載部３１ａを、その周辺部３１ｂよりも一段高く突出するようにアップセットしたものがある。尚、アップセットされた中央搭載部３１ａは上面から見て円形に形成されている。図１５に示すように、接着部材３７を介して、半導体チップ３８をダイパッド３１の中央搭載部３１ａに接合し固着することによって、半導体装置３６が製造される。
【００１０】
これによると、図１４，図１５に示すように、ダイパッド３１の中央搭載部３１ａが一段高くアップセットされているため、水分の侵入経路の長さＬが延長され、これにより、製造時の樹脂封止工程において、半導体チップ３８とダイパッド３１との間への水分の侵入を大幅に抑制することができ、半導体チップ３８の損傷を防止することができるといった効果が発揮される。
【００１１】
また、下記特許文献１には、ダイパッド３１の中央搭載部３１ａをアップセットした構成が記載されている。尚、記特許文献１に記載されているように、吊りリードに立ち上がり部を形成して変形吸収機能を付与した場合、前記のようにダイパッドの中央搭載部をアップセットすることによって、半導体チップが吊りリードの立ち上がり部に干渉するのを防止することができ、大型の半導体チップでも搭載可能となるといった別の効果も発揮される。
【特許文献１】特開２０００−２４３８９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら前記図１４，図１５に示したようなダイパッド３１の中央部をアップセットした従来形式では、ダイパッド３１の中央搭載部３１ａが周辺部３１ｂよりも一段高くなっているため、中央搭載部３１ａに搭載された半導体チップ３８はその周囲がダイパッド３１の周辺部３１ｂから浮き上がった状態となる。したがって、前記半導体装置３６の製造過程において、ワイヤーボンダーを用いてワイヤーボンディングを行う際、図１６，図１７に示すように、ワイヤーボンディングツール４１によって半導体チップ３８の周縁部が傾いたり撓むため、圧力や超音波振動の伝播が緩和されてしまう。これにより、接合に必要な力が金属細線３９の一端部に十分に作用せず、金属細線３９の一端部と半導体チップ３８の周縁部に配置された電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するといった問題がある。このような接続不良は、半導体チップ３８のサイズが大きいほど或いは厚みが薄いほど、顕著に発生する。
【００１３】
本発明は、ダイパッドのアップセットされた中央搭載部に半導体チップを搭載し、この半導体チップと信号用リードとにワイヤーボンディングを行う際、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することが可能なリードフレームおよび半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本第１発明におけるリードフレームは、半導体装置に用いられるリードフレームであって、
半導体チップを搭載するためのダイパッドが吊りリードによって支持され、
ダイパッドの周辺に、ダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードが配設され、
ダイパッドの中央搭載部はその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの周端部に、ダイパッドの中央搭載部に搭載される半導体チップを支持するための支持体が設けられているものである。
【００１５】
これによると、半導体チップをダイパッドの中央搭載部に搭載した際、半導体チップは支持体によって支持されるため、ワイヤーボンディング時、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディングツールによって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線に伝播し、接合に必要な力が金属細線の端部に十分に作用するため、金属細線の端部と半導体チップの電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【００１６】
また、本第２発明におけるリードフレームは、支持体は半導体チップを支持する平坦支持部を有し、
前記平坦支持部はダイパッドの中央搭載部と同じ側にアップセットされて突出しているものである。
【００１７】
これによると、半導体チップをダイパッドの中央搭載部に搭載した際、半導体チップは支持体の平坦支持部によって支持される。
また、本第３発明におけるリードフレームは、支持体の平坦支持部はダイパッドの中央搭載部と同じ高さであるものである。
【００１８】
これによると、ダイパッドの中央搭載部と支持体の平坦支持部とにそれぞれ接着部材を設け、半導体チップを中央搭載部と平坦支持部との両者に固着させることができる。
また、本第４発明におけるリードフレームは、支持体の平坦支持部の高さは、ダイパッドの中央搭載部の高さに比べて、半導体チップを中央搭載部に接合する接着部材の厚み分だけ高いものである。
【００１９】
これによると、ダイパッドの中央搭載部に接着部材を設け、半導体チップを中央搭載部に固着させることができる。この際、平坦支持部の高さは中央搭載部の高さよりも前記接着部材の厚み分だけ高いため、半導体チップは、平坦支持部に直接当接した状態で、平坦支持部により支持される。
【００２０】
また、本第５発明におけるリードフレームは、ダイパッドの中央搭載部は半切断加工によりアップセットされ、
支持体の平坦支持部は曲げ加工によりアップセットされるものである。
【００２１】
また、本第６発明におけるリードフレームは、ダイパッドの中央搭載部と支持体の平坦支持部とは、共に、半切断加工によりアップセットされるものである。
また、本第７発明におけるリードフレームは、曲げ加工によって支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部との間に、傾斜した曲げ部が形成され、
曲げ部に、表裏両面に開口する貫通孔が形成されているものである。
【００２２】
これによると、半導体チップをダイパッドの中央搭載部に搭載し、ワイヤーボンディングを行った後、リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって封止する際、封止樹脂を貫通孔から注入して半導体チップとダイパッドの中央搭載部の周辺部との間に充填させることができる。これにより、前記半導体チップと中央搭載部の周辺部との間の空間が封止樹脂によって確実に封止される。
【００２３】
また、本第８発明におけるリードフレームは、半切断加工によって、支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部との境界部分に、段差を有する半切断部が形成され、
表裏両面に開口する貫通孔が半切断部から支持体の平坦支持部とダイパッドの周端部とに跨って形成されているものである。
【００２４】
これによると、半導体チップをダイパッドの中央搭載部に搭載し、ワイヤーボンディングを行った後、リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって封止する際、封止樹脂を貫通孔から注入して半導体チップとダイパッドの中央搭載部の周辺部との間に充填させることができる。これにより、前記半導体チップと中央搭載部の周辺部との間の空間が封止樹脂によって確実に封止される。
【００２５】
また、本第９発明における半導体装置は、リードフレームは、吊りリードによって支持されたダイパッドと、ダイパッドの周辺からダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードとを備え、
ダイパッドの中央搭載部がその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの中央搭載部に半導体チップが搭載され、
半導体チップと信号用リードとが金属細線によって電気的に接続され、
ダイパッドの周端部に、半導体チップを支持する支持体が設けられ、
半導体チップは接着部材を介してダイパッドの中央搭載部と支持体とに接合され、
リードフレームと半導体チップと金属細線とが封止樹脂によって封止されているものである。
【００２６】
これによると、ダイパッドの中央搭載部に搭載された半導体チップは支持体によって支持されるため、ワイヤーボンディング時、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディングツールによって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線に伝播し、接合に必要な力が金属細線の端部に十分に作用するため、金属細線の端部と半導体チップの電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【００２７】
また、本第１０発明における半導体装置は、リードフレームは、吊りリードによって支持されたダイパッドと、ダイパッドの周辺からダイパッドに向かって延びる複数の信号用リードとを備え、
ダイパッドの中央搭載部がその周辺部よりもアップセットされて突出しており、
ダイパッドの中央搭載部に半導体チップが搭載され、
半導体チップと信号用リードとが金属細線によって電気的に接続され、
ダイパッドの周端部に、半導体チップを支持する支持体が設けられ、
半導体チップは、接着部材を介してダイパッドの中央搭載部に接合されているとともに、支持体に直接当接して支持されており、
リードフレームと半導体チップと金属細線とが封止樹脂によって封止されているものである。
【００２８】
これによると、ダイパッドの中央搭載部に搭載された半導体チップは、支持体によって支持されるため、ワイヤーボンディング時、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディングツールによって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線に伝播し、接合に必要な力が金属細線の端部に十分に作用するため、金属細線の端部と半導体チップの電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【００２９】
また、本第１１発明は、前記第９発明に記載の半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドの中央搭載部と支持体とに接着部材を設ける工程と、
接着部材を介して半導体チップをダイパッドの中央搭載部と支持体とに接合する工程と、
半導体チップと信号用リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって一体的に封止する工程とを備えたものである。
【００３０】
また、本第１２発明は、前記第１０発明に記載の半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドの中央搭載部に接着部材を設ける工程と、
半導体チップを、ダイパッドの中央搭載部に接着部材を介して接合するとともに、支持体に直接当接させて支持する工程と、
半導体チップと信号用リードとを金属細線によって電気的に接続する工程と、
リードフレームと半導体チップと金属細線とを封止樹脂によって一体的に封止する工程とを備えたものである。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように、本発明によると、半導体チップをダイパッドの中央搭載部に搭載した際、半導体チップは支持体によって支持されるため、ワイヤーボンディング時、半導体チップの周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディング時のワイヤーボンディングツールによって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線に伝播するため、金属細線の端部と半導体チップの電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基いて説明する。
（第一の実施の形態）
まず、本発明の第一の実施形態を図１〜図４に基づき説明する。
図１は、本発明の第一の実施形態に係るリードフレームの図面で、（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は（ａ）に図示されているＸ−Ｘ'線でのダイパッドの断面図である。
【００３３】
図１に示すように、１は半導体装置１１に用いられるリードフレームである。このリードフレーム１は、鉄・ニッケル合金・銅を主成分とする合金等の金属を材料とした薄板にプレスもしくはエッチング加工を施すことにより形成されており、半導体チップ１２を搭載するためのダイパッド２と、ダイパッド２の四隅を支持する複数の吊りリード３と、ダイパッド２の周辺に配列されてダイパッド２に向かって延びる複数の信号用リード４とを有している。尚、リードフレーム１は図示していない周囲の枠部と一体的に形成されている。
【００３４】
ダイパッド２は平面視において四角形状に形成されており、ダイパッド２の中央搭載部２ａがその周辺部２ｂよりも一段高い位置にアップセットされて突出している。尚、アップセットされた中央搭載部２ａは平面視において円形状に形成されている。
【００３５】
ダイパッド２の四辺周端部には、半導体チップ１２を支持する羽根体６（支持体の一例）が設けられている。羽根体６は、ダイパッド２の四辺周端部から斜め上向きに傾斜した曲げ部６ａと、曲げ部６ａの外端に設けられた平坦支持部６ｂとを有している。平坦支持部６ｂはダイパッド２の中央搭載部２ａと同じ側にアップセットされて突出しており、ダイパッド２の下面から平坦支持部６ｂまでの高さＨ１はダイパッド２の下面から中央搭載部２ａまでの高さＨ２と同一である。また、各曲げ部６ａには、表裏両面に開口する貫通孔７が形成されている。尚、各羽根体６は、吊りリード３の形成部分を除いて、ダイパッド２の各辺の全長にわたって形成されている。
【００３６】
次に、前記ダイパッド２の加工方法を説明する。
図２（ａ）に示すように、金属を材料とした薄板にプレスもしくはエッチング加工を施すことにより、ダイパッド２とダイパッド２の四辺周端部につながって形成された羽根体６との基本形状を有する平坦な金属板１９を形成する。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、ダイパッド２の周囲を金型２０の上型２０ａと下型２０ｂとで挟み込んで固定し、ダイパッド２の中心部の下面に対して、プレスによる抜き打ち加工を途中で停止することにより、下方から抜き型２１で板厚の半分まで打ち抜き加工（半切断加工）を行う。
【００３８】
これにより、図２（ｃ）に示すように、円形に打ち抜かれる手前の半切断状態となって半切断部２ｃが形成され、アップセットされた中央搭載部２ａが形成される。
次に、図２（ｄ）に示すように、ダイパッド２の中央搭載部２ａの周囲を金型２０の上型２０ａと下型２０ｂで挟み込んで固定し、曲げ部６ａに相当する間隔をあけて、羽根体６の外端部を金型２２の上型２２ａと下型２２ｂとで挟み込み、金属板１９の厚みの半分を持ち上げて曲げ加工を行う。
【００３９】
これにより、図２（ｅ）に示すように、金型２０と金型２２との間に曲げ部６ａが形成されるとともに、曲げ部６ａの外端部にアップセットされた平坦支持部６ｂが形成される。
【００４０】
尚、貫通孔７（図１参照）は曲げ部６ａを形成するよりも前の段階で形成しておく。また、図２（ｅ）のような断面構造は、プレス加工以外に、ハーフエッチング加工により形成することも可能である。
【００４１】
次に、前記リードフレーム１を備えた半導体装置１１の構成を説明する。
図３は前記半導体装置１１の断面図であり、前記リードフレーム１のダイパッド２の中央搭載部２ａには、回路形成面を上にして半導体チップ１２が搭載されている。半導体チップ１２の回路形成面には電極パッド（図示省略）が形成されており、各電極パッドは、ワイヤーボンディングにより接合される金属細線１３によって、信号用リード４と電気的に接続されている。
【００４２】
半導体チップ１２の周縁部は下方から各羽根体６の平坦支持部６ｂによって支持されている。半導体チップ１２は、接着部材１４を介して、ダイパッド２の中央搭載部２ａと各羽根体６の平坦支持部６ｂとに接合され固着されている。リードフレーム１と半導体チップ１２と金属細線１３とは封止樹脂１５により一体的に封止されており、封止樹脂１５によって半導体装置１１の外形が形成される。尚、封止樹脂１５の材料には、一般的に、エポキシ系の熱硬化性樹脂が用いられる。
【００４３】
次に、前記半導体装置１１の製造方法を説明する。
先ず、図４（ａ）に示すように、前述の加工方法（図２参照）により形成されたリードフレーム１を準備する。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示すように、ダイパッド２の中央搭載部２ａと各羽根体６の平坦支持部６ｂとにそれぞれ接着部材１４を塗布する。尚、接着部材１４には、銀と樹脂を混ぜ合わせたペーストを用いることが一般的であるが、ポリイミド系のテープ材料を用いることもある。
【００４５】
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ１２を、搭載し、接着部材１４でダイパッド２の中央搭載部２ａと各羽根体６の平坦支持部６ｂとに固着させる。その際、半導体チップ１２を圧着させた後、接着部材１４を乾燥・硬化させるため、１５０〜１８０℃程度の炉に投入する。
【００４６】
次に、図４（ｄ）に示すように、半導体チップ１２の上部に形成された電極パッドと信号用リード４とを、ワイヤーボンディングにより、金属細線１３を介して接続する。尚、金属細線１３の材料はＡｕやＡｌなどの金属を用いることが一般的である。また、ワイヤーボンディングによる接合の際には、ワイヤーボンディングツール４１（仮想線参照）によって上方から超音波と圧力と熱とを加えて接合する超音波熱圧着方式が用いられることが一般的である。
【００４７】
その後、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１と半導体チップ１２と金属細線１３とを封止樹脂１５により一体的に封止する。この際の封止方式としては、一般的に、最終形状を形作る封止金型に封止樹脂１５を流し込んで成型するトランスファーモールド方式が用いられる。
【００４８】
以上のような工程により、半導体装置１１が製造される。
以下、前記構成における作用効果について説明する。
前記半導体装置１１の製造方法において、図４（ｃ）に示したように、半導体チップ１２をダイパッド２の中央搭載部２ａに搭載した際、半導体チップ１２の周縁部が各羽根体６の平坦支持部６ｂによって下方から支持される。したがって、図４（ｄ）に示したワイヤーボンディングの際、半導体チップ１２の周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディングツール４１によって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線１３に伝播し、接合に必要な力が金属細線１３の端部に十分に作用するため、金属細線１３の端部と半導体チップ１２の電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【００４９】
尚、各羽根体６は、吊りリード３の形成部分を除いて、ダイパッド２の各辺の全長にわたって形成されているため、半導体チップ１２の四隅を除いた周縁部のほぼ全域を各羽根体６で支持することができる。
【００５０】
また、図４（ｅ）に示したように、樹脂封止の際、封止樹脂１５を各貫通孔７から注入して半導体チップ１２とダイパッド２の中央搭載部２ａの周辺部２ｂとの間に充填させることができる。これにより、半導体チップ１２と前記周辺部２ｂとの間の空間が封止樹脂１５によって確実に封止される。
【００５１】
（第二の実施の形態）
次に、本発明の第二の実施形態を図５〜図７に基づき説明する。
図７（ｂ）に示すように、半導体チップ１２をダイパッド２の中央搭載部２ａに接合する接着部材１４の厚みをｔとした場合、図５（ｂ）に示すように、ダイパッド２の下面から平坦支持部６ｂまでの高さＨ１は、ダイパッド２の下面から中央搭載部２ａまでの高さＨ２に比べて、前記接着部材１４の厚みｔだけ高く設定されている。
【００５２】
尚、前記のように平坦支持部６ｂの高さＨ１と中央搭載部２ａの高さＨ２とが異なったダイパッド２の加工方法は上述した第一の実施の形態と同様である。
次に、前記リードフレーム１を備えた半導体装置１１の構成を説明する。
【００５３】
図６は前記半導体装置１１の断面図であり、ダイパッド２の中央搭載部２ａには半導体チップ１２が搭載されている。この半導体チップ１２は、接着部材１４を介してダイパッド２の中央搭載部２ａに接合され固着されているとともに、各羽根体６の平坦支持部６ｂに直接当接して下方から支持されている。尚、この場合、前記半導体チップ１２と平坦支持部６ｂとの間には接着部材１４が介在していない。
【００５４】
次に、前記半導体装置１１の製造方法を説明する。
先ず、図７（ａ）に示すように、ダイパッド２に中央搭載部２ａと羽根体６とを加工したリードフレーム１を準備する。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示すように、ダイパッド２の中央搭載部２ａに接着部材１４を塗布する。
次に、図７（ｃ）に示すように、半導体チップ１２を、搭載し、接着部材１４でダイパッド２の中央搭載部２ａに固着させるとともに、各羽根体６の平坦支持部６ｂに当接させる。
【００５６】
次に、図７（ｄ）に示すように、半導体チップ１２の上部に形成された電極パッドと信号用リード４とを、ワイヤーボンディングにより、金属細線１３を介して接続する。
その後、図７（ｅ）に示すように、リードフレーム１と半導体チップ１２と金属細線１３とを封止樹脂１５により一体的に封止する。
【００５７】
以上のような工程により、半導体装置１１が製造される。
以下、前記構成における作用効果について説明する。
前記半導体装置１１の製造方法において、図７（ｃ）に示したように、半導体チップ１２をダイパッド２の中央搭載部２ａに搭載した際、半導体チップ１２の周縁部は、各羽根体６の平坦支持部６ｂに直接当接した状態で、各平坦支持部６ｂによって下方から支持される。したがって、図７（ｄ）に示したワイヤーボンディングの際、半導体チップ１２の周縁部に傾きや撓みが発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤーボンディングツール４１によって付与される圧力や超音波振動がほとんど緩和されずに安定して金属細線１３に伝播し、接合に必要な力が金属細線１３の端部に十分に作用するため、金属細線１３の端部と半導体チップ１２の電極パッドとの接続部分に接続不良が発生するのを防止することができる。
【００５８】
（第三の実施の形態）
次に、本発明の第三の実施形態を図８〜図１０に基づき説明する。
図８に示すように、ダイパッド２の中央搭載部２ａと各羽根体６の平坦支持部６ｂとは、共に、半切断加工によりアップセットされ形成されている。この半切断加工によって、ダイパッド２の中央搭載部２ａと周辺部２ｂとの境界部分に、段差を有する半切断部２ｃが形成されるとともに、ダイパッド２の周端部と各平坦支持部６ｂとの境界部分に、段差を有する半切断部２ｄが形成される。
【００５９】
また、表裏両面に開口する貫通孔７が前記半切断部２ｄに沿って複数形成され、これら各貫通孔７は半切断部２ｄから平坦支持部６ｂとダイパッド２の周端部とに跨って形成されている。尚、本第三の実施の形態においては、羽根体６を、曲げ加工ではなく、半切断加工によって形成しているため、羽根体６に、上述した第一および第二の実施の形態のような曲げ部６ａ（図１，図５参照）は形成されない。また、平坦支持部６ｂの高さＨ１は中央搭載部２ａの高さＨ２と同一に設定されている。
【００６０】
次に、前記ダイパッド２の加工方法を説明する。
図９（ａ）に示すように、ダイパッド２とダイパッド２の四辺周端部につながって形成された羽根体６との基本形状を有する平坦な金属板１９を形成する。
【００６１】
次に、図９（ｂ）に示すように、ダイパッド２の周囲を金型２０の上型２０ａと下型２０ｂとで挟み込んで固定し、プレスによる抜き打ち加工を途中で停止することにより、ダイパッド２の中心部の下面に対して、下方から抜き型２１ａで板厚の半分まで打ち抜き加工（半切断加工）を行うと同時に、ダイパッド２の周端部と各羽根体６との境界部分の下面に対して、下方から抜き型２１ｂ，２１ｃで板厚の半分まで打ち抜き加工（半切断加工）を行う。
【００６２】
これにより、図９（ｃ）に示すように、円形に打ち抜かれる手前の半切断状態となって半切断部２ｃが形成され、アップセットされた中央搭載部２ａが形成されるとともに、円形に打ち抜かれる手前の半切断状態となって半切断部２ｄが形成され、アップセットされた平坦支持部６ｂが形成される。
【００６３】
尚、貫通孔７（図８参照）は半切断部２ｄを形成するよりも前の段階で形成しておく。また、図９（ｃ）のような断面構造は、プレス加工以外に、ハーフエッチング加工により形成することも可能である。
【００６４】
図１０は前記リードフレーム１を用いた半導体装置１１の構成を示す断面図であり、この半導体装置１１は上述した第一の実施形態のもの（図３参照）と同様に構成されている。また、図１０に示した半導体装置１１の製造方法は上述した第一の実施形態のもの（図４参照）と同様である。
【００６５】
これによると、図９に示すように、ダイパッド２の加工方法において、１種類の加工（すなわち半切断加工）のみによって、アップセットされた中央搭載部２ａと平坦支持部６ｂとを形成しているため、加工工程が容易になる。これに対して、上述した第一の実施形態のものでは、図２に示したように、２種類の加工（すなわち曲げ加工と半切断加工）によって、アップセットされた中央搭載部２ａと平坦支持部６ｂとを形成しているため、第三の実施の形態と比べると、若干、加工に手間を要した。
【００６６】
前記第三の実施の形態では、平坦支持部６ｂの高さＨ１を中央搭載部２ａの高さＨ２と同一にしているが、上述した第二の実施形態と同様に、平坦支持部６ｂの高さＨ１を、中央搭載部２ａの高さＨ２に比べて、接着部材１４の厚みｔだけ高くしてもよい。
【００６７】
（第四の実施の形態）
上述した第一〜第三の実施の形態の各リードフレーム１において、図１１に示すように、吊りリード３の中央部分に、屈曲した立ち上がり部３ａを形成している。尚、ダイパッド２の下面から立ち上がり部３ａまでの高さＨ３はダイパッド２の下面から中央搭載部２ａまでの高さＨ２よりも低く設定されている。
【００６８】
これによると、吊りリード３の変形は立ち上がり部３ａによって吸収される。
前記各実施の形態では、ダイパッド２の中央搭載部２ａを平面視において円形にアップセットしているが、円形に限定されるものではなく、例えば四角形にアップセットしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上説明したように、本発明は、ＱＦＰやＱＦＮなどの樹脂封止型半導体装置に有効であり、特にダイパッド露出構造の樹脂封止型半導体装置に有効である。また、その半導体装置を用いた電子機器全般にも有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第一の実施形態におけるリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線でのダイパッドの断面図である。
【図２】同、ダイパッドの加工方法を示す図である。
【図３】同、リードフレームを備えた半導体装置の断面図である。
【図４】同、半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の第二の実施形態におけるリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線でのダイパッドの断面図である。
【図６】同、リードフレームを備えた半導体装置の断面図である。
【図７】同、半導体装置の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第三の実施形態におけるリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線でのダイパッドの断面図である。
【図９】同、ダイパッドの加工方法を示す図である。
【図１０】同、リードフレームを備えた半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の第四の実施形態におけるリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ'線での断面図である。
【図１２】従来のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線での断面図である。
【図１３】同、リードフレームを備えた半導体装置の断面図である。
【図１４】従来のアップセットしたリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ'線でのダイパッドの断面図である。
【図１５】同、アップセットしたリードフレームを備えた半導体装置の断面図である。
【図１６】同、アップセットしたリードフレームを用いた場合のワイヤーボンディング時の不具合を示す図である。
【図１７】同、アップセットしたリードフレームを用いた場合のワイヤーボンディング時の不具合を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１      リードフレーム
２      ダイパッド
２ａ    中央搭載部
２ｂ    周辺部
２ｄ    半切断部
３      吊りリード
４      信号用リード
６      羽根体（支持体）
６ａ    曲げ部
６ｂ    平坦支持部
７      貫通孔
１１    半導体装置
１２    半導体チップ
１３    金属細線
１４    接着部材
１５    封止樹脂
Ｈ１    支持体の平坦支持部の高さ
Ｈ２    ダイパッドの中央搭載部の高さ
ｔ      接着部材の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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