(57)【要約】【課題】  環境に配慮したコンパクトで且つ量産効率の高い周辺露光用光源装置を提供することである。【解決手段】  半導体製造工程のウエハの周辺露光に使用する周辺露光用光源装置であって、ウエハの周辺表面に近接して配置された発光ピーク波長が２４０ｎｍ〜３８０ｎｍの複数個の紫外線発光ダイオードからなるＬＥＤユニットと、該ＬＥＤユニットを構成する個々の紫外線発光ダイオードの発光パワー及びオン／オフを制御する制御手段と、を具備して構成する。【選択図】図２
2007194583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程のウエハの周辺露光に使用する周辺露光用光源装置であって、
ウエハの周辺表面に近接して配置された発光ピーク波長が２４０ｎｍ〜３８０ｎｍの複数個の紫外線発光ダイオードからなるＵＶ−ＬＥＤユニットと、
該ＵＶ−ＬＥＤユニットを構成する個々の紫外線発光ダイオードの発光パワー及びオン／オフを制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする周辺露光用光源装置。
【請求項２】
前記ＵＶ−ＬＥＤユニットをウエハの円周方向に概略等間隔離間して複数個設けたことを特徴とする請求項１記載の周辺露光用光源装置。
【請求項３】
前記ＵＶ−ＬＥＤユニットと前記ウエハとの間に、前記ＵＶ−ＬＥＤユニットからの出射光の前記ウエハに対する垂直成分の光を増強する光学系を配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の周辺露光用光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程のウエハの周辺露光に使用する周辺露光用光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスの前処理工程として、ウエハを回転させながらウエハ表面にフォトレジスト（以下、レジストと略称する）をコーティングする工程がある。この工程においては、レジストは周辺部を含んだウエハの全面上に塗られてしまうことになる。
【０００３】
ウエハのハンドリングのために、ウエハの周辺を保持する必要があるが、ウエハの周辺部までレジストがコーティングされていると、ウエハのハンドリング時にレジストが剥がれてしまい、パーティクルが発生して歩留まりの低下を招いてしまう。従って、パーティクルの発生を抑制するために、事前にウエハ周辺部を露光し、ウエハ周辺部の不要なレジストを薬液で現像して除去する必要がある。
【０００４】
一般的に、ウエハの周辺露光用には、図１に示すような紫外線光源装置（以下、光源装置と略称する）が用いられている。紫外線を発光する光源として、水銀と不活性ガスが封入された放電ランプ２が使用される。
【０００５】
光源装置は、放電ランプ２を点灯させるための電源部４と、放電ランプ２から発光した紫外線を集光するための楕円ミラー６と、紫外線を照射、遮光するためのシャッター８と、紫外線の光量を機械的に調整するための絞り１０と、光源装置の内部温度をコントロールするためのファン１２等から構成される。
【０００６】
電源部４は一連の制御を行うための制御回路を含んでいる。楕円ミラー６で集光された紫外線は、複数本の光ファイバから構成される石英製ファイバアレー１４で伝送され、光学系１６を通してほぼ均一な紫外光に変換される。
【０００７】
予めレジスト２０が塗布されたウエハ１８は、別に設けられた駆動部を有する回転ステージ２２上に配置され、所定の速度で回転される。均一化された紫外光は、所定の形状を有するマスク２４を通して、回転しているウエハ１８上のレジスト２０の周辺部表面に照射され、レジスト２０の周辺露光が行われる。露光された部分のレジストは、薬液で現像されウエハ１８上から剥離される。
【特許文献１】特開２０００−２９４８８４号公報
【特許文献２】特開２００２−３０３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したような光源装置は、半導体製造工程の中で２４時間連続的に使用される。そのため、ウエハ１枚当たりにかかる生産費用を低減させ、且つ量産効率を高めたいという要求が多々あった。
【０００９】
ところが、光源装置に搭載されている放電ランプには寿命があり、定期的に交換せざるを得ず、その都度半導体製造ライン自体を停止させて、約１時間程度費やして放電ランプの交換作業を行う必要があった。
【００１０】
そのため、装置が停止している間はウエハの処理も中断してしまい、量産効率が低下していた。また、放電ランプを点灯させるための電源は高電圧を有し、放電ランプを常時点灯させておかなければならないことや、ランプの発光効率があまり良くないこともあり、結果的に大電力を消費してしまい、ランニングコストに大きく影響していた。
【００１１】
さらに、量産効率を上げるためには、高エネルギーの光を照射することや、ウエハ周辺上の複数箇所を同時に処理することが考えられるが、前者はレジストの特性上、熱を吸収してレジスト内部の窒素ガスが発泡してしまうという問題があり、高エネルギーの光を照射することができなかった。
【００１２】
後者については、複数台の光源装置と複数組の石英ファイバアレーが必要となるため、コスト的な問題や占有スペースの問題があり、実用的でない。
【００１３】
半導体製造装置を小型化したいというニーズが高まってきている中、光源装置を構成する部品においては、光学的な関係から形状に制約があり、放電ランプを使用した光源装置自体の小型化には限界がある。また、光源装置を構成する部品自体が特有のもので、高価な部品が多数使用されている。
【００１４】
中でも、光源装置本体から紫外線を伝送するための石英製ファイバは非常に高価であり、従来の光源装置では必須なものである。更に、放電ランプには水銀が封入されており、使用済みの放電ランプを廃棄する場合には、環境上処理方法が制限されてしまうことも問題視されている。以上のように、放電ランプを使用した従来のウエハ周辺露光用光源装置は、半導体製造工程の中で様々な問題を有していた。
【００１５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体製造工程であるウエハの周辺露光において、環境に配慮したコンパクトで且つ量産効率の高い周辺露光用光源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１記載の発明によると、半導体製造工程のウエハの周辺露光に使用する周辺露光用光源装置であって、ウエハの周辺表面に近接して配置された発光ピーク波長が２４０ｎｍ〜３８０ｎｍの複数個の紫外線発光ダイオードからなるＵＶ−ＬＥＤユニットと、該ＵＶ−ＬＥＤユニットを構成する個々の紫外線発光ダイオードの発光パワー及びオン／オフを制御する制御手段と、を具備したことを特徴とする周辺露光用光源装置が提供される。
【００１７】
請求項２記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記ＵＶ−ＬＥＤユニットをウエハの円周方向に概略等間隔離間して複数個設けたことを特徴とする周辺露光用光源装置が提供される。
【００１８】
請求項３記載の発明によると、請求項１又は２記載の発明において、前記ＵＶ−ＬＥＤユニットと前記ウエハとの間に、前記ＵＶ−ＬＥＤユニットからの出射光の前記ウエハに対する垂直成分の光を増強する光学系を配置したことを特徴とする周辺露光用光源装置が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本願発明は、半導体周辺露光用光源装置の光源に紫外線発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）を使用し、且つウエハ表面に近接させて配置したことにより、従来の光源装置に比較して以下に列挙する様々な利点を有している。
【００２０】
（１）  制御手段により紫外線発光ダイオードの発光パワー及びオン／オフを個別に制御できるため、ＵＶ−ＬＥＤユニットとしての発光パワーの均一化が容易であるとともに、必要に応じて発光パワーをＵＶ−ＬＥＤ毎に異ならせることも可能である。
【００２１】
（２）  水銀を使用していないため、環境負荷を低減できる。
【００２２】
（３）  ＵＶ−ＬＥＤ自体の寿命が長いため、ＬＥＤユニットを交換せずに光源装置の長期間の使用が可能となる。
【００２３】
（４）  点灯時の省電力化に加え、瞬時のオン／オフが可能なため、消費電力を大幅に低減できる。
【００２４】
（５）  実点灯時間を低減でき、ＵＶ−ＬＥＤの使用時間を長期化できるため、ランニングコストを大幅に低減できる。
【００２５】
（６）  ＬＥＤは瞬時の立ち上げが可能なため、光源装置としての立ち上げ時間が不要となる。
【００２６】
（７）  熱線を含まないため、被照射物に対するダメージを低減できる。
【００２７】
（８）  石英ファイバや、遮光、光量調整のための機械的な構造物等が必要なく、装置のコンパクト化が図れる。
【００２８】
（９）  請求項２記載の発明によると、複数個のＵＶ−ＬＥＤユニットをウエハの周辺に円周方向概略等間隔で配置することによって、スループットを向上することができる。
【００２９】
（１０）  請求項３記載の発明によると、ＵＶ−ＬＥＤユニットとウエハとの間に、ＵＶ−ＬＥＤユニットからの出射光のウエハに対する垂直成分の光を増強する光学系を配置したことにより、露光時のレジストのダレダレ幅を最小に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、以下に記載の実施形態は、本発明の技術的な内容を例示するのであって、本発明は以下の内容に特定されるものではない。
【００３１】
図２は本発明実施形態の周辺露光用光源装置の概略構成図である。周辺露光用光源装置は、複数の紫外線発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）が内蔵されたＵＶ−ＬＥＤユニット２６と、制御回路を含んだ電源部２８と、搭載されたウエハ１８を回転させるための駆動部を有する回転ステージ２２から構成される。ＵＶ−ＬＥＤユニット２６と電源部２８とは電気ケーブル３０で接続されている。２４はマスクである。
【００３２】
図３は周辺露光を行ったウエハ１８の平面図である。ＵＶ−ＬＥＤユニット２６から照射される紫外線によりウエハ１８の周辺部分が露光され、薬液により現像され、露光された周辺部分のレジスト２０が除去される。除去されるレジスト幅Ｗは２〜３ｍｍである。ウエハ１８の周辺部分のレジスト２０を除去するのは、半導体製造プロセスの次工程でのウエハ１８のハンドリングのためである。
【００３３】
図４は電気回路の構成例を示すブロック図である。ＡＣ電源インレット３２から供給される商用電源が、ラインノイズフィルタ３４、ヒューズ３６及び電源スイッチ３８を介して電源ブロック４０に供給される。電源ブロック４０はＵＶ−ＬＥＤ駆動用主電源４２と、制御回路用補助電源４４を含んでいる。
【００３４】
制御回路用補助電源４４が生成する直流安定化電圧が、制御回路及び記憶回路ブロック４６に供給される。制御回路及び記憶回路ブロック４６には、通信用コネクタ４８と、外部制御入出力コネクタ５０と、フロントパネル５２と、アラーム検出回路５４が接続されている。
【００３５】
ＵＶ−ＬＥＤ駆動回路ブロック５８は、複数の定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎを含んでおり、ＵＶ−ＬＥＤ駆動用主電源４２が生成する直流安定化された電圧がこれらの定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎに供給される。
【００３６】
ＵＶ−ＬＥＤ駆動回路ブロック５８には、制御回路及び記憶回路ブロック４６も接続され、制御回路及び記憶回路ブロック４６により定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎの駆動が制御される。
【００３７】
ＵＶ−ＬＥＤユニット２６は、複数個のＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎを含んでおり、各ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎを点灯するための電源は、ＵＶ−ＬＥＤ駆動回路ブロック５８に配置されている定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎから供給される。
【００３８】
ＵＶ−ＬＥＤユニット２６は、照射強度及び照射面積に応じてＮ個（例えば８個）のＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎが最適な配列をもって配置構成される。
【００３９】
制御回路及び記憶回路ブロック４６は、マイクロコンピュータや各種メモリ（ＥＥＰＲＯＭ等）を備えており、予め記憶しているプログラムを実行することにより、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎを各々個別に照射強度と照射タイミングが制御可能であり、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６としての照射分布の制御が可能である。
【００４０】
制御回路及び記憶回路ブロック４６は、上位システム装置やＰＬＣ（プログラマブル・ロジック・コントローラ）及びパーソナルコンピュータと外部制御入出力コネクタ５０又は通信用コネクタ４８を経由して接続され、外部機器からの機能制御及びＲＳ２３２Ｃ等の通信が可能である。
【００４１】
制御回路及び記憶回路ブロック４６は、アラーム検出回路５４から与えられる信号により、安全性及び保守性を確保することが可能である。
【００４２】
フロントパネル５２には操作信号及び設定値を入力するスイッチと、液晶パネル等の表示器と、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎ駆動用の設定値を入力するボリューム等が配置されており、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎに対して個別に照射強度と照射タイミング及びＵＶ−ＬＥＤユニット２６としての照射分布の設定が可能である。
【００４３】
ＵＶ−ＬＥＤ駆動回路ブロック５８に配置された定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎは、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎを発光させる電流量を、制御回路及び記憶回路ブロック４６から制御信号として与えられた任意の設定電流値に保持する機能と、同じく制御回路及び記憶回路ブロック４６から制御信号として与えられた任意のタイミングにて、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎの点灯及び消灯を可能とする。
【００４４】
定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎは、接続されるＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎの点灯直後に過渡的に発生する突入電流を抑制するソフトスタート機能を備え、ＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎに対する電気的ストレスを低減し、使用時間に対する照射強度維持率の向上に寄与する機能を有している。
【００４５】
ＵＶ−ＬＥＤ駆動回路ブロック５８に配置する定電流駆動回路６０＃１〜６０＃Ｎの設置数及び結線を含む構成は、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６に配置されているＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃Ｎの結線（アノードコモン結線、カソードコモン結線、コモンを持たない結線、又はこれらの結線の混合結線）の構成に従い決定される。
【００４６】
図５はＵＶ−ＬＥＤユニット２６の詳細を示す断面図である。ＵＶ−ＬＥＤユニット２６のケーシングは概略直方体形状であり、アルミニウム等の金属或いはプラスチック又はセラミック等の絶縁物で形成されている。
【００４７】
アノード側基板６６上に、例えば発光ピーク波長３６５ｎｍのＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂが搭載されている。しかし、ＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂの発光ピーク波長は上述した値に限定されるものではなく、発光ピーク波長が２４０ｎｍ〜３８０ｎｍのＵＶ−ＬＥＤを採用可能である。
【００４８】
アノード側基板６６は冷却プレート６４上に搭載され、冷却プレート６４は冷却ブロック６２上に搭載されている。６８はカソード側プレートであり、アノード側基板６６とカソード側プレート６８は絶縁材料から形成されたプレート７０で絶縁されている。
【００４９】
７２ａ，７２ｂはアノード側ワイヤー、７４ａ，７４ｂはカソード側ワイヤーである。窓７６は例えば石英ガラス等から形成されており、紫外線を透過可能であるとともにウエハ処理時に発生するレジストの昇華物からＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂを保護する。窓７６はブロック７８で支持されている。
【００５０】
冷却ブロック６２は、自然空冷、強制空冷、又は冷却媒体を使用した冷却方法により冷却される。いずれの冷却方法を採用するかは、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６内に配置されるＵＶ−ＬＥＤの数によって決定される。
【００５１】
窓７６の表面には、レジストの昇華物による汚れ防止のために、酸化チタン薄膜がコーティングされていても良い。この酸化チタン薄膜はＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂから発光する紫外線により光触媒効果を発揮する。
【００５２】
さらに、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６の近傍に窒素等の不活性ガスをブローできるノズルを設け、照射雰囲気に気流の流れを作り、汚れを防止する方法を取ることも可能である。
【００５３】
ＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂから発光した紫外線は窓７６を透過し、所定の形状を有するマスク２４（図２参照）を通過する。そして、駆動部を有する回転ステージ２２上に配置されたウエハ１８表面のレジスト２０に照射され、レジスト２０の周辺露光が実行される。
【００５４】
ＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂから発光されるピーク波長３６５ｎｍの紫外線は、半導体の周辺露光に使用される水銀を用いた放電ランプの発光スペクトル（ｉ線）と同一であり、半導体製造で使用されているｉ線レジストへの適用が可能となる。
【００５５】
また、その他の発光ピーク波長を有する窒化物半導体発光ダイオードを用いれば、その他のレジストに対しても対応が可能であることはいうまでもない。
【００５６】
以上説明したように、本発明によれば、現在使用されている水銀放電ランプを利用した半導体周辺露光用光源装置に置き換え可能な光源の提供が可能であり、周辺露光用光源装置以外の従来の周辺設備がそのまま使用が可能である。
【実施例１】
【００５７】
ウエハの周辺露光工程では、レジスト膜の除去角度（以下、ダレ幅と称する）が重要視される。図６に周辺露光及びレジスト剥離後のレジスト膜２０の断面形状を示す。
【００５８】
８０ａのようにウエハ１８に対してレジスト膜２０が垂直に除去されるのが好ましいが、紫外線により露光された部分が薬液により現像されるため、少なからず８０ｂのようにレジスト膜２０の切れにダレが生じてしまう。そのため、レジスト膜２０表面に照射される紫外線の分布が重要となる。
【００５９】
図７はＵＶ−ＬＥＤユニット２６のＵＶ−ＬＥＤ５６＃１〜５６＃６の配列の一例を示したものである。８２はマスクである。今回評価に用いたマスク８２は実際の周辺露光に用いられるサイズ（４×２．５×０．２ｍｍ）と同形状のものを使用した。
【００６０】
図７（Ａ）はマスク８２の開口エッジをｃの位置に配置し、図７（Ｂ）はマスク８２の開口エッジをＵＶ−ＬＥＤ５６＃１及び５６＃４が半分かかるｄの位置に配置した。
【００６１】
このように、マスク８２をｃの位置に配置した場合と、ｄの位置に配置した場合のワークディスタンス０．５ｍｍにおける、図７中のＹ方向の紫外線強度を０．１ｍｍ間隔で測定を行った。
【００６２】
測定には紫外線強度計（ウシオ電機製  ＵＩＴ−１０１，ＵＶＤ−３６５ＳＤ）の受光部に直径０．１ｍｍのマスクを取り付けたものを用い、立ち上がり部の紫外線強度分布を測定した。その結果を図８に示す。
【００６３】
図８の横軸は受光部を図７中のＹ方向に移動させたときの距離を示し、０は図７中のｃ及びｄの直下に紫外線強度計の受光部の中心を配置したときの位置である。マスク８２の遮光部をマイナス、開口部をプラスで示した。また、縦軸は紫外線強度の最大値を１００パーセントとした場合の相対強度として示した。
【００６４】
図８のグラフより、図７（Ｂ）に示すマスク位置ｄの方が図７（Ａ）に示すマスク位置ｃに比較して、紫外線強度の立ち上がりが急峻になっていることが読み取れる。
【００６５】
レジスト膜のダレ幅は紫外線強度分布の立ち上がりの角度が大きく影響する。照射された光の角度が大きくなるほど、ダレ幅は大きくなり、逆にウエハに対して光の角度が垂直に近くなるほどダレ幅は小さくなる。
【００６６】
すなわち、垂直に入ってくる光の成分をできるだけレジスト膜のエッジ部分に投光させる必要がある。よって、図７（Ｂ）に示すように、マスク８２の開口エッジがＵＶ−ＬＥＤ５６＃１及び５６＃４と重なるｄの位置にマスク８２を配置することが好ましい。
【００６７】
上記構成の周辺露光用光源装置において、ｉ線レジストを用いて周辺露光を行った。発光中心波長３６５ｎｍの紫外線の強度を従来の１０００ｍＷ／ｃｍ２の３倍（３０００ｍＷ／ｃｍ２）に設定したところ、レジストの発泡がなく、従来の光源装置を使用した場合の約半分の時間で処理できることが確認された。
【００６８】
このように紫外線の強度を高くする事ができる理由は、発光中心波長３６５ｎｍのＵＶ−ＬＥＤが単一波長光源であり、他の波長成分をほとんど含んでいないため、被処理物自体に与える熱的な影響を低減可能なためである。
【実施例２】
【００６９】
中心発光波長３６５ｎｍのＵＶ−ＬＥＤユニット２６を２個ウエハ周辺上の対面、即ち円周方向に１８０度離間して配置した。３６５ｎｍの紫外線の強度を従来と同じく１０００ｍＷ／ｃｍ２に設定し、周辺露光を行った。
【００７０】
その結果、従来ウエハを１回転（３６０度）させなければならなかったところ、約半回転（１８０度）させることによって、ウエハの周辺露光を完了できることが確認された。
【００７１】
さらに、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６をウエハ周辺上に３個以上等間隔で配置することによって、更にウエハの回転角度を小さくすることが可能となり、処理時間を短縮できる。
【実施例３】
【００７２】
図２に示す周辺露光用光源装置に換えて図９に示すような周辺露光用光源装置でウエハ１８の周辺露光を行った。図９に示した周辺露光用光源装置は、ＵＶ−ＬＥＤユニット２６とマスク２４との間にＵＶ−ＬＥＤユニット２６からの出射光のウエハ１８に対する垂直成分の光を増強する光学系２７を配置したものである。
【００７３】
光学系２７は角ロッドレンズ２９と、群レンズ３１を含んでいる。ＵＶ−ＬＥＤユニット２６のＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂは角ロッドレンズ２９の横断面内に配置される。ＵＶ−ＬＥＤ５６ａ，５６ｂから出射された紫外線は角ロッドレンズ２９内に入射され、一部の紫外線は角ロッドレンズ２９内で全反射をしながら角ロッドレンズ２９を出射し、群レンズ３１を通過することにより、ウエハ１８に対する垂直成分の紫外線が増強される。
【００７４】
図１０に図２に示した周辺露光用光源装置でウエハ１８を露光した場合と、図９に示した光学系２７を有する周辺露光用光学装置でウエハ１８を露光した場合の、レジスト２０のダレ幅を測定した結果の一例を示す。
【００７５】
図１０で横軸はレジストのダレ幅、縦軸はレジストの厚みを示す。Ｗ１は光学系２７を有する図９に示した周辺露光用光学装置で露光した場合のレジストのダレ幅、Ｗ２は図２に示す周辺露光用光学装置で露光した場合のレジストのダレ幅をそれぞれ示す。
【００７６】
複数箇所でレジストのダレ幅を測定したところ、光学系２７を使用した場合のレジストのダレ幅は約５０〜１００μｍ、光学系２７を有しない図２に示した周辺露光用光学装置で露光した場合のレジストのダレ幅は約１５０〜２００μｍであった。
【００７７】
以上の結果から、複数のレンズからなる光学系を用い、ウエハ１８に対して照射する紫外線の角度をより垂直に近づけることによって、レジスト２０のダレ幅を最小に押さえることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】従来の紫外線光源装置の概略構成図である。
【図２】本発明実施形態の周辺露光用光源装置の概略構成図である。
【図３】周辺露光されたウエハの平面図である。
【図４】電気回路の実施形態ブロック図である。
【図５】ＵＶ−ＬＥＤユニットの詳細を示す断面図である。
【図６】周辺露光・剥離後のレジスト膜の断面を示す図である。
【図７】ＵＶ−ＬＥＤユニットに対するマスクの配置の仕方を示す説明図である。
【図８】図７のマスク配置位置に応じた立ち上がり部分の紫外線強度分布を示す図である。
【図９】本発明第２実施形態の周辺露光用光源装置の概略構成図である。
【図１０】光学系を使用しない場合と使用した場合のレジストのダレ幅を測定した結果の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１８    ウエハ
２０    フォトレジスト
２２    回転ステージ
２４    マスク
２６    ＵＶ−ＬＥＤユニット
２８    電源部
５６＃１〜５６＃Ｎ    ＵＶ−ＬＥＤ
５６ａ，５６ｂ    ＵＶ−ＬＥＤ
６０＃１〜６０＃Ｎ    定電流駆動回路
６２    冷却ブロック
６６    基板
７６    窓
【図１】
2007194583.tif 000003
【図２】
2007194583.tif 000004
【図３】
2007194583.tif 000005
【図４】
2007194583.tif 000006
【図５】
2007194583.tif 000007
【図６】
2007194583.tif 000008
【図７】
2007194583.tif 000009
【図８】
2007194583.tif 000010
【図９】
2007194583.tif 000011
【図１０】
2007194583.tif 000012