(57)【要約】【課題】  積層体製造におけるハンドリング性を改善し、しかも３０μｍピッチ以下の微細加工が可能で、かつ、屈曲性及び耐折性に優れた銅張積層体の製造方法を提供。【解決手段】  銅箔の一方の面に絶縁性樹脂よりなる絶縁層が形成される銅張積層体の製造方法において、銅箔として、１０μｍ以上の厚みを有した圧延銅箔を使用し、該銅箔の一方の面にポリイミド前駆体樹脂溶液を直接塗布した後、１００〜４００℃で熱処理してポリイミド樹脂絶縁層を形成し、過酸化水素を０．５〜１０％及び硫酸を０．５〜１５％の範囲濃度（ｗｔ％）で含有する液で、得られた積層体の絶縁層と接していない面を化学研磨し、該銅箔の厚みが１０〜９０％の範囲で除去されるようにすると共に、その表面粗度Ｒｚが２．５μｍ以下となるようにすることを特徴とする銅張積層体の製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔の一方の面に絶縁性樹脂よりなる絶縁層が形成される銅張積層体の製造方法において、銅箔として、１０μｍ以上の厚みを有した圧延銅箔を使用し、該銅箔の一方の面にポリイミド前駆体樹脂溶液を直接塗布した後、１００〜４００℃で熱処理してポリイミド樹脂絶縁層を形成し、過酸化水素を０．５〜１０％及び硫酸を０．５〜１５％の範囲濃度（ｗｔ％）で含有する液で、得られた積層体の絶縁層と接していない面を化学研磨し、該銅箔の厚みが１０〜９０％の範囲で除去されるようにすると共に、その表面粗度Ｒｚが２．５μｍ以下となるようにすることを特徴とする銅張積層体の製造方法。
【請求項２】
該積層体の絶縁層と接していない面の化学研磨前における圧延銅箔の表面粗度Ｒｚが、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の銅張積層体の製造方法。
【請求項３】
ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、圧下率９０％以上の圧延銅箔であることを特徴とする請求項１又は２記載の銅張積層体の製造方法。
【請求項４】
ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、引張強度４２０ＭＰａ以上の圧延銅箔であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
【請求項５】
ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の弾性率を１００％とした場合、３６０℃、６分間の熱処理後に、６０％以下の弾性率を有する圧延銅箔であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
【請求項６】
該積層体が、半導体素子の実装に使用されるチップ・オン・フィルム用積層体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は銅張積層体の製造方法に関するものであり、詳しくは、チップ・オン・フィルム（以下、ＣＯＦという。）用途として微細加工が可能で、屈曲性（又はフレキシブル性）及び耐折性に優れたフレキシブルプリント基板用の銅張積層体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の電子回路にはプリント基板が多く用いられているが、その中でも特にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）は、屈曲性を持つことと基板自体が薄いことから、テープキャリアにドライバＩＣを実装するＴＡＢ方式（テープ・オートメイティッド・ボンディング）に適用されてきた。最近では、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフィルムキャリアテープ上に直接搭載するＣＯＦ方式が開発され、配線の狭ピッチ化が進み、微細加工が可能であるフレキシブルプリント基板用の銅張積層体が必要とされている。
【０００３】
従来、微細加工が可能な銅張積層体を提供するための製造方法として主に、メタライジング法、ラミネート法、キャスト法がある。メタライジング法は、ポリイミドフィルムの表面にスパッタリングにより金属を薄く蒸着し、その上に所定の厚さに銅を無電解及び／又は電解メッキ法により形成する方法である。しかし、この製法ではピンホールと呼ばれる金属層に微小な穴が点在し、回路の耐エレクトロマイグレーション性に劣るといった微細回路形成において致命的な欠陥を有している。
【０００４】
ラミネート法は、銅箔をポリイミドフィルムに直接積層する方法である。この方法については、高い屈曲性を有する銅張積層体を得るために、再結晶焼鈍した圧延銅箔を使用することが提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。しかしながら、このような圧延銅箔は柔らかく、厚さが１０μｍ以下の薄い銅箔では、積層体製造時のハンドリングで変形しやすい。また、回路形成時のエッチング性が良好なプリント基板用として、結晶配向性の小さい電解銅箔をプリント配線基板に使用することが提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。しかしながら、このような銅箔は、結晶粒径が小さく、高い屈曲性及び耐折性が得られ難く、使用製品種の用途が限られてしまう。
【０００５】
キャスト法は、ポリイミド前駆体樹脂溶液を銅箔上に塗布した後、乾燥・硬化することによりポリイミドフィルム層を形成する方法である。この方法に限らず、良好な品質の積層体を製造するためには銅箔はある程度の厚みが必要であり、薄い銅箔層であることが要求される場合は、一旦中間体の積層体（化学研磨を行う前の積層体をいう）を作り、それをエッチングして目的の積層体を得ることが行われている。例えば、積層体製造における化学研磨による銅箔部の薄肉化において、化学研磨が均一に進み、かつ、化学研磨後の銅箔表面が平滑となる電解銅箔が提案されている（例えば、特許文献３を参照。）。しかしながら、電解銅箔では圧延銅箔ほどの十分な耐折性が得られていない。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２５６７６５号公報
【特許文献２】特開平７−２６８６７８号公報
【特許文献３】特開平９−２７２９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、斯かる実情に鑑み、積層体製造におけるハンドリング性を改善し、しかも３０μｍピッチ以下の微細加工が可能で、かつ、屈曲性及び耐折性に優れた銅張積層体の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、特定の厚み、及び所定の特性を有する圧延銅箔を使用し、その銅箔にキャスト方によりポリイミド樹脂絶縁層を所定の条件で形成した後、圧延銅箔面を一定条件で化学研磨し、銅箔の厚みを減少させると共に、その処理面の表面粗度Ｒｚを一定範囲とすると、銅張積層体はその製造工程が改善し、プリント基板に使用した際の微細加工が可能で、かつ屈曲性及び耐折性が十分にあることを見出し、本発明に至ったものである。
【０００９】
即ち、本発明の銅張積層体の製造方法は、以下の構成或いは構造を特徴とするものである。
【００１０】
（１）．銅箔の一方の面に絶縁性樹脂よりなる絶縁層が形成される銅張積層体の製造方法において、銅箔として、１０μｍ以上の厚みを有した圧延銅箔を使用し、該銅箔の一方の面にポリイミド前駆体樹脂溶液を直接塗布した後、１００〜４００℃で熱処理してポリイミド樹脂絶縁層を形成し、過酸化水素を０．５〜１０％及び硫酸を０．５〜１５％の範囲濃度（ｗｔ％）で含有する液で、得られた積層体の絶縁層と接していない面を化学研磨し、該銅箔の厚みが１０〜９０％の範囲で除去されるようにすると共に、その表面粗度Ｒｚが２．５μｍ以下となるようにすることを特徴とする銅張積層体の製造方法。
【００１１】
（２）．該積層体の絶縁層と接していない面の化学研磨前における圧延銅箔の表面粗度Ｒｚが、１．５μｍ以下であることを特徴とする上記（１）記載の銅張積層体の製造方法。
（３）．ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、圧下率９０％以上の圧延銅箔であることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の銅張積層体の製造方法。
（４）．ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、引張強度４２０ＭＰａ以上の圧延銅箔であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
（５）．ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔が、ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の弾性率を１００％とした場合、３６０℃、６分間の熱処理後に、６０％以下の弾性率を有する圧延銅箔であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
（６）．該積層体が、半導体素子の実装に使用されるチップ・オン・フィルム用積層体であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかの項に記載の銅張積層体の製造方法。
上記手段によれば、以下のような効果が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、屈曲性に優れる圧延銅箔をベースに、導体と絶縁体の間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れ、３０μｍピッチ以下の微細加工が可能で、かつ、屈曲性及び耐折性に優れる銅張積層体が得られる。これによりフレキシブルプリント基板用のＣＯＦ用途として有効に利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明にかかる銅張積層体は、銅箔の一方の面にポリイミド樹脂よりなる絶縁層が形成された構造を有する。ここで、本発明で使用する銅箔は純銅又は銅合金のことであり、これらは圧延銅箔である。
【００１４】
圧延銅箔は一般的に、高屈曲性を有する銅箔として知られており、その銅箔厚みが１０μｍ未満になると、銅箔自体が柔らかくなり、積層体製造時のハンドリングで変形しやすくなる。また銅箔の圧延が困難となり、積層体製造に適用できる形状が得られにくくなる傾向にあり、例えば、銅箔の厚みの不均一、端部のたるみ、フレアの発生が生じる。更に、銅箔の厚みの不均一さは化学研磨の精度に悪影響を与える原因ともなり、回路加工性にも悪影響を与える。従って、本発明にかかる積層体製造時の銅箔の厚みは、１０μｍ以上であることが必要である。好ましくは１１〜３５μｍがよく、更に好ましくは１２〜１８μｍがよい。銅箔の厚みが３５μｍより大きくなると、後述する化学研磨による薄肉化に時間がかかる。
【００１５】
銅箔の絶縁層を設ける側の表面粗度Ｒｚは３．０μｍ以下、好ましくは２．０μｍ以下、更に好ましくは１．２μｍ以下であることがよい。この表面粗度Ｒｚが３．０μｍより大きくなると、この上に絶縁層を形成し導体を除去し微細加工を行う際に、エッチング残りをおこし、回路の直線性が損なわれる。なお、表面粗度Ｒｚは「１０点平均粗さ」を表し、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定される。以下、特にことわりなき場合、表面粗度Ｒｚは同様にして測定されたときの値とする。
【００１６】
積層体を形成する絶縁層については、ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成する。ポリイミド前駆体樹脂溶液は、公知のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合して製造することができる。
【００１７】
用いられるジアミンとしては、例えば、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノ−２´−メトキシベンズアニリド、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２´−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、２，２´−ジメチル−４，４´−ジアミノビフェニル、３，３´−ジヒドロキシ−４，４´−ジアミノビフェニル、４，４´-ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。また、酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３´，４，４´−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、４，４´−オキシジフタル酸無水物等が挙げられる。ジアミン、酸無水物はそれぞれ、その１種のみを使用してもよく２種以上を併用して使用することも出来る。
【００１８】
本発明にかかるポリイミド樹脂前駆体の製造で用いられる有機溶媒は特に限定されるものではないが、樹脂成分を均一に溶解可能なものならば、１種もしくは２種以上併用した混合溶媒であっても差し支えない。例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ｎ−メチルピロリジノン、２−ブタノン、ジグライム、キシレン等がある。
【００１９】
上記ポリイミド前駆体樹脂溶液については、前駆体状態で銅箔層上に直接塗布して形成することが好ましく、重合された樹脂粘度を５００ｃｐｓ〜３５，０００ｃｐｓの範囲とすることが好ましい。ポリイミド樹脂層は、単層のみから形成されるものでも、複数層からなるものでも良い。ポリイミド樹脂層を複数層とする場合、異なる構成成分からなるポリイミド前駆体樹脂層の上に他のポリイミド前駆体樹脂溶液を順次塗布、乾燥して形成することができるし、多層を同時に塗布することもできる。ポリイミド樹脂層が３層以上からなる場合、同一の構成のポリイミド前駆体樹脂を２層以上使用しても良い。
【００２０】
ポリイミド前駆体樹脂液が銅箔層上に塗布されたのち、熱処理される。この熱処理は１００〜１５０℃を２〜４分大気中で乾燥し、その後、真空加熱を９時間程行うのがよい。ここでの加熱温度は、１５０〜４００℃であり、好ましくは２００〜３７０℃であり、更に好ましくは２８０〜３６０℃である。上記温度に加熱することにより、ポリイミド前駆体樹脂はポリイミド樹脂となり、中間体の積層体が得られる。
【００２１】
上記の熱処理によって得られる中間体の積層体は、銅箔層と絶縁層とからなる。この銅箔層を形成する銅箔は、上記のポリイミド前駆体樹脂液の熱処理工程の間に焼鈍又は再焼鈍され、積層前に比して柔軟になる。
【００２２】
上記で製造した中間体の積層体については、絶縁層と直接接していない銅箔面を、過酸化水素０．５〜１０％（ｗｔ％）及び硫酸０．５〜１５％（ｗｔ％）の範囲にあるエッチング液で化学研磨することによって、銅箔厚みの１０〜９０％を除去して本発明にかかる銅張積層体とする。そして、最終的に得られる銅張積層体の銅箔の厚さは３〜１８μｍ、好ましくは５〜１２μｍとすることがよい。銅箔の厚さが１８μｍよりも大きくなると、耐屈曲性、耐折性が低くなるばかりでなく、回路での微細加工が困難となる。銅箔の厚さが３μｍ未満になると、銅箔の機械的強度の低下による断線や、電流容量の減少を生じる傾向にある。
【００２３】
化学研磨後の銅箔の表面粗度Ｒｚは２．５μｍ以下である。好ましくは１．５μｍ以下であり、更に好ましくは１．０μｍ以下である。銅箔の表面粗度が２．５μｍよりも大きくなると、回路での微細加工が困難となる。
【００２４】
また、本発明にかかる積層体の絶縁層と接していない面の化学研磨前における圧延銅箔の表面粗度Ｒｚは１．５μｍ以下が好ましい。より好ましくは１．０μｍ以下、更に好ましくは０．８μｍ以下であることがよい。この表面粗度Ｒｚが１．５μｍより大きくなると、上記の化学研磨による表面粗度を制御しにくい。
【００２５】
本発明にかかるポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔は、圧下率９０％以上の圧延銅箔であることが好ましい。圧下率を９０％以上とすることで、銅結晶組織が十分に微細化され、均質となるため、必要な機械的強度が得られるようになる。より好ましくは９０〜９５％がよい。圧下率が９０％未満であると、必要な機械的強度が得られにくく、その後の焼鈍工程の焼鈍時間を長くする必要がある。なお、圧下率は、圧延前の銅箔厚さ（Ｌｏ）と圧延後の銅箔厚さ（Ｌ）によって、圧下率（％）＝Ｌ／Ｌｏ×１００の式で算出されるものである。
【００２６】
本発明で使用する圧延銅箔は、４２０ＭＰａ以上の引張強度を有することが好ましい。より好ましくは４５０ＭＰａ以上がよく、更に好ましくは４８０ＭＰａ以上がよい。銅箔の引張強度が４２０ＭＰａに満たないと、十分な強度が得られず、積層体製造時のしわや破断の問題が発生しやすい。
【００２７】
銅箔の屈曲性は焼鈍を行うことにより、圧延上がりよりも著しく向上する。本発明にかかる積層体の製造方法では、ポリイミド前駆体樹脂液を銅箔層上に塗布した後の熱処理工程を利用し、銅箔の焼鈍又は再焼鈍を行う。従って、ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の圧延銅箔は、ポリイミド樹脂絶縁層の形成前の弾性率を１００％とした場合、３６０℃、６分間の熱処理後に、６０％以下の弾性率を有する圧延銅箔であることがよい。この弾性率が６０％を超えた弾性率になると、ポリイミド前駆体樹脂液の塗布工程でのハンドリングで変形しやすくなる。
【００２８】
尚、本発明の銅張積層体の製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、実施例における各種物性の測定は以下の方法による。
【００３０】
［化学研磨後の銅箔厚みの測定］
本発明にかかる積層体において、ダイヤルゲージ（Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製）を用いて、幅方向に１０ｍｍ間隔で３０点厚みを測定した。その後銅部分をエッチング（薄肉化）し、ポリイミド樹脂層の厚みを同様に測定した。積層体の厚みとポリイミド樹脂層の厚みの差より化学研磨後の銅箔の厚みを算出した。
【００３１】
［銅箔の引張強度の測定］
幅１２．７ｍｍ×長さ２５４ｍｍの短冊形状試験片を切り出し、引張試験機（東洋精機株式会社製、ストログラフ−Ｒ１）を用いて、クロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間距離５０．８ｍｍで測定を行い、引張試験中の変位（伸び）を求め、ＳＳ曲線から０．２％耐力を算出した。
【００３２】
［銅箔の表面粗度の測定］
超深度形状測定顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ＶＫ−８５００）を用いて、２０００倍で銅箔面の長さ方向に１４０μｍ測定した。
【００３３】
［銅箔の弾性率の測定］
（株）東洋精機製作所製の万能試験機（STROGRAPH-R1）を使用し、２３℃、５０％RH環境下で測定した。
【００３４】
積層体の作成にあたり、下記２種類の銅箔を準備した。
１）．銅箔１：圧延銅箔、厚さ１２μｍ、絶縁層側Ｒｚ１．０μｍ、レジスト面側Ｒｚ０．８μｍ、圧下率９５％、引張強度５１０ＭＰａ、３６０℃、６分間の熱処理後の弾性率４９％（積層体形成前の弾性率１００％に対して）
２）．銅箔１ｂ：圧延銅箔、厚さ１８μｍ、絶縁層側Ｒｚ１．０μｍ、レジスト面側Ｒｚ０．８μｍ、圧下率９５％、引張強度５１０ＭＰａ、３６０℃、６分間の熱処理後の弾性率６５％（積層体形成前の弾性率１００％に対して）
３）．銅箔２：電解銅箔、厚さ１５μｍ、絶縁層側Ｒｚ０．８μｍ、レジスト面側Ｒｚ１．７μｍ
４）．銅箔３：電解銅箔、厚さ１２μｍ、絶縁層側Ｒｚ０．６μｍ、レジスト面側Ｒｚ０．８μｍ
５）．銅箔４：圧延銅箔、厚さ１８μｍ、絶縁層側Ｒｚ１．８μｍ、レジスト面側Ｒｚ１．８μｍ、圧下率９０％、引張強度４４０ＭＰａ、３６０℃、６分間の熱処理後の弾性率６５％（積層体形成前の弾性率１００％に対して）
【００３５】
積層体の化学研磨剤として、下記のエッチング液を用意した。
１）．エッチング液：過酸化水素／硫酸系化学研磨液（硫酸濃度２０ｇ／Ｌ、過酸化水素濃度８０ｇ／Ｌ）
【００３６】
（合成例１）
熱電対、攪拌機、窒素導入可能な反応容器に、ｎ−メチルピロリジノンを入れる。この反応容器を氷水に浸けた後、反応容器に無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）を投入し、その後、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、（ＤＡＰＥ）と２’−メトキシ４，４’−ジアミノベンズアニリド（ＭＡＢＡ）を投入した。モノマーの投入総量が１５ｗｔ％で、各ジアミンのモル比率は、ＭＡＢＡ：ＤＡＰＥ＝６０：４０となり、酸無水物とジアミンのモル比が０．９８：１．０となるよう投入した。その後、更に攪拌を続け、反応容器内の温度が、室温から±５℃の範囲となった時に反応容器を氷水から外した。室温のまま３時間攪拌を続け、得られたポリアミック酸の溶液粘度は、１５，０００ｃｐｓであった。
【００３７】
（合成例２）
ｎ−メチルピロリジノンを入れた反応容器を氷水に浸けた後、反応容器にＰＭＤＡと３，３’４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）を投入し、その後、ＤＡＰＥを投入した。モノマーの投入総量が１５ｗｔ％で、各酸無水物のモル比率は、ＢＴＤＡ：ＰＭＤＡ＝７０：３０となり、酸無水物とジアミンのモル比が１．０３：１．０となるよう投入した。その後、更に攪拌を続け、反応容器内の温度が、室温から±５℃の範囲となった時に反応容器を氷水から外した。室温のまま３時間攪拌を続け、得られたポリアミック酸の溶液粘度は、３，２００ｃｐｓであった。
【００３８】
（合成例３）
ｎ−メチルピロリジノンを入れた反応容器を氷水に浸けた後、反応容器に３，３’４，４’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、ＰＭＤＡを投入し、その後、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）を投入した。モノマーの投入総量が１５ｗｔ％で、各酸無水物のモル比率は、ＤＳＤＡ：ＰＭＤＡ、９０：１０となり、酸無水物とジアミンのモル比が１．０３：１．０となるよう投入した。その後、更に攪拌を続け、反応容器内の温度が、室温から±５℃の範囲となった時に反応容器を氷水から外した。室温のまま３時間攪拌を続け、得られたポリアミック酸の溶液粘度は、３，２００ｃｐｓであった。
【００３９】
（実施例１）
銅箔として、銅箔１を使用した。この圧延銅箔上に合成例１、２及び３のポリアミック酸溶液をそれぞれ質量比３：１４：３で塗布、乾燥を繰り返し、銅箔層上にポリイミド前駆体樹脂層が形成された積層体を得た。この積層体を３４０℃で、８時間かけて熱処理し、ポリイミド樹脂の厚みが４０μｍである片面銅箔の中間体の積層体を得た。この積層体を上記のエッチング液で、化学研磨して銅箔導体厚を均一に８μｍになるようにして、積層体を得た。このようにして得られた積層体において、絶縁層と接していない導体層の表面粗度Ｒｚは０．９μｍであった。
【００４０】
上記で得られた積層体に配線パターンを形成してＣＯＦフィルムキャリアテープとした。この時、インナーリード部の回路パターンを４０μｍピッチで作製した。
また、上記で得られた積層体に、所定の回路加工を行い、ＭＩＴ耐折性試験を行った。
【００４１】
銅箔として、銅箔１ｂを使用し、実施例１と同様に中間体の積層体を作製した。この積層体をエッチング液で８μｍまで化学研磨を実施した結果、レジスト面側Ｒｚ１．８μｍの積層体を得た。実施例１と同様の回路加工、ＭＩＴ試験を行った。
【００４２】
（比較例１）
銅箔として、銅箔２を使用し、実施例１と同様に中間体の積層体を作製した。この積層体をエッチング液で８μｍまで化学研磨を実施した結果、レジスト面側Ｒｚ０．８μｍの積層体を得た。実施例１と同様の回路加工、ＭＩＴ試験を行った。
【００４３】
（比較例２）
銅箔として、銅箔３を使用し、実施例１と同様に中間体の積層体を作製した。この積層体をエッチング液で８μｍまで化学研磨を実施した結果、レジスト面側Ｒｚ０．８μｍの積層体を得た。実施例１と同様の回路加工、ＭＩＴ試験を行った。
【００４４】
（比較例３）
銅箔として、銅箔４を使用し、実施例１と同様に中間体の積層体を作製した。この積層体をエッチング液で８μｍまで化学研磨を実施した結果、レジスト面側Ｒｚ３．２μｍの積層体を得た。実施例１と同様の回路加工、ＭＩＴ試験を行った。
【００４５】
以上の結果をまとめて表１に示す。表１において、ＭＩＴ耐折性は、Ｒ＝０．８ｍｍ、１／２（ｍｉｌ）カバー材付きでの試験条件での結果である。
【００４６】
【表１】
2007261174.tif 000002
【００４７】
表1の結果から、圧延銅箔の銅箔導体の化学研磨による薄肉化により、屈曲性および耐折性がより向上することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の銅張積層体の製造方法は、銅箔のポリアミド樹脂絶縁層との積層化のハンドリング性も良く、また製造された銅張積層体は微細加工が可能であり、極めてフレキシブルな産業上の利用可能性の高いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月30日(2006.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（実施例２）
銅箔として、銅箔１ｂを使用し、実施例１と同様に中間体の積層体を作製した。この積層体をエッチング液で８μｍまで化学研磨を実施した結果、レジスト面側Ｒｚ１．８μｍの積層体を得た。実施例１と同様の回路加工、ＭＩＴ試験を行った。