(57)【要約】【課題】  二酸化シリコンに対してＣ４Ｆ８及び窒化チタンに対してＣＦ４を用いるエッチング工程を提供すること。【解決手段】  導電体の上の誘電体層及びキャップ層をエッチングして、導電体を露出させる方法が開示される。一つの実施形態においては、本方法には、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む二酸化シリコン（ＳｉＯ２）エッチング化学処理剤、及びテトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む窒化チタン（ＴｉＮ）エッチング化学処理剤を用いることが含まれる。本方法は、エッチング速度の低下を防ぎ、低減された静電気放電（ＥＳＤ）欠陥を示す。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
テトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、前記導電体を露出するステップと
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５の標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記キャップ層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む方法。
【請求項４】
前記エッチング・ステップの各々は反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャックの圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエッチング・ステップの前に、デスカム処理を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記デスカム処理を実行するステップは、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）を含む気体流を用いることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の誘電体層をエッチングする前に、前記第１の誘電体層の上に位置し、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップを更に含む方法。
【請求項９】
前記キャップ層をエッチングするステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３−１７標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）の気体流を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）の気体流を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、導電体を露出するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記第２の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）をさらに含む前記気体流と、の条件を用いることを含む方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法において、前記キャップ層をエッチングするステップは、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）を更に含む前記気体流と、の条件を用いることを含む方法。
【請求項１３】
前記エッチング・ステップの各々が、反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法であって、前記第１のエッチング・ステップの前に、前記デスカム処理実行ステップは窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の気体流を用いてデスカム処理を実行するステップを更に含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記デスカム処理を実行するステップは、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の付加的条件を用いることを含む方法。
【請求項１７】
前記キャップ層のエッチング・ステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
窒化チタン（ＴｉＮ）キャップ層と、その上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層と、その上の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層と、その上のパターン付けされたフォトレジストとを含む積層の下にある導電体を露出する方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層を通してエッチングするステップと、
９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いて、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を通してエッチングするステップと、
２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いて、窒化チタン（ＴｉＮ）層を通してエッチングするステップと
を含む方法。
【請求項１９】
前記エッチング・ステップの前にデスカム処理ステップが実行され、前記エッチング・ステップの後に灰化ステップが実行される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に半導体製造に関し、より具体的には、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）に対してオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、及び窒化チタン（ＴｉＮ）に対してテトラフルオロメタン（ＣＦ４）を用いるエッチング工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業において、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）は半導体チップ内で回路の経路を開くために用いられる。ＲＩＥを用いて形成される一つの構造は、例えば、ビアであるが、これは異なる層の中の導電体を電気的に接続するものである。ＲＩＥはプラズマ（気体）エッチングの一変形であり、そのプラズマ・エッチングにおいては、半導体ウェハがラジオ波（ＲＦ）を加えられた電極上に置かれ、エッチング化学種がプラズマから引き出されてエッチングされるべき表面に向けて加速される。化学的エッチング反応が起こって表面の部分が除去される。ＲＩＥは、半導体製造における最も一般的なエッチング法の一つである。
【０００３】
図１を見ると、エッチング前の層１２及び１４を含む通常の半導体構造体１０が示されている。構造体１０は、導電体１８（例えば、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の）を囲む誘電体層１６（例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の）を含む導電体層１４と、導電体層１４の上のキャップ層２０（例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）の）と、キャップ層２０の上の誘電体層２２（例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の）と、誘電体層２２の上の別の誘電体層２４（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）の）と、パターン付けされたフォトレジスト２６とを有する。
【０００４】
典型的なＲＩＥ工程は、例えば、凡そ２ＭＨｚ（底部ＲＦ電源電極）及び凡そ２７ＭＨｚ（上部バイアス電力電極）の二つのＲＦ設定が可能な単一のプラズマ・チャンバ内で実施される。厚さ６μｍのフォトレジスト２６（例えば、Ｇｐｏｌｙ）と、厚さ４０００Åの窒化シリコンの誘電体層２４と、厚さ４５００Åの二酸化シリコンの誘電体層２２と、厚さ２５０−３５０Åの窒化チタンのキャップ層２０とを有する積層に対する一つの通常のＲＩＥ工程をここで説明する。通常のＲＩＥ工程は、デスカム処理を実行するステップと、誘電体層２４をエッチングするステップと、アルゴン（Ａｒ）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び一酸化炭素（ＣＯ）を用いて誘電体層２２をエッチングするステップと、キャップ層２０を２段階エッチングするステップとを含む。第１のキャップ層エッチング・ステップには、アルゴン（Ａｒ）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、酸素（Ｏ２）、及びトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を用いることができ、第２のキャップ層エッチング・ステップには、アルゴン（Ａｒ）及び三フッ化窒素（ＮＦ３）を用いることができる。最後に、酸素（Ｏ２）プラズマ化学処理（灰化）を実行して、導電体１８から残留ＲＩＥポリマーを除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
誘電体エッチング装置内でＴｉＮを除去するための通常のＲＩＥ工程は、多くの問題を抱えている。第１に、その工程は装置の劣化をもたらし、より具体的には、エッチング速度の低下、及び、次のＲＩＥ処理におけるエッチングの均一性の低下をもたらし、その結果、歩留りを減少させる。第２に、典型的なプラズマ工程はウェハの劣化をもたらす。例えば、上記の工程は、ウェハの切り口内における静電気放電（ＥＳＤ）欠陥の増加を示している。この事態に対処する一つの方法は、誘電体エッチング方式ではなく、金属エッチング方式を利用することである。しかし、これらの方式は、キャップ層２０（窒化チタン）の下に残存する、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の導電体１８の形状に欠陥を生じる。即ち、その方式はアルミニウム（Ａｌ）に対しては選択できない。
【０００６】
上述の状況に鑑みて、当技術分野において関連技術による問題のない改善されたＲＩＥ工程が要求されている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、導電体上の誘電体層及びキャップ層をエッチングして導電体を露出させる方法を含む。一つの実施形態においては、本方法には、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む二酸化シリコン（ＳｉＯ２）エッチング化学処理剤、及びテトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む窒化チタン（ＴｉＮ）エッチング化学処理剤を用いることが含まれる。本工程は、エッチング速度の低下を防ぎ、低減されたＥＳＤ欠陥を示す。
【０００８】
本発明の第１の態様は、導電体を露出させるエッチング法に向けられ、その方法は、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングするステップとを含んだ、導電体を露出させる方法である。
【０００９】
本発明の第２の態様は、導電体を露出させるエッチング法を含み、その方法は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）の凡そ１３−１７標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）の気体流を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップと、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）の凡そ１３５−１６５ｓｃｃｍの気体流を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングするステップとを含んだ、導電体を露出させる方法である。
【００１０】
本発明の第３の態様は、窒化チタン（ＴｉＮ）キャップ層と、その上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層と、その上の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層と、その上のパターン付けされたフォトレジストとを有する積層の下の導電体を露出させる方法に関し、その方法は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層を通してエッチングするステップと、以下の諸条件、即ち、凡そ９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、凡そ２７ＭＨｚ及び凡そ２ＭＨｚにおける凡そ９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、並びに、凡そ３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、凡そ１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び凡そ５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を通してエッチングするステップと、以下の諸条件、即ち、凡そ２５５−２８５ｍＴｏｒｒの圧力と、凡そ２７ＭＨｚにおける凡そ１３５０−１４５０W及び凡そ２ＭＨｚにおける凡そ６５０−７５０ワットのＲＦエネルギーと、並びに、凡そ１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び凡そ９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）の気体流と、の条件を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含む窒化チタン層を通してエッチングするステップとを含む。
【００１１】
本発明の前述及び他の特徴は、本発明の実施形態に関する以下のより詳細な説明から明瞭となるであろう。
【００１２】
本発明の実施形態は、以下の図面を参照しながら詳細に説明されるが、そこでは同様の符号は同様の要素を示す。
【００１３】
本発明の図面は、一定の尺度で描かれてはいないことに注意されたい。図面は、本発明の典型的な態様を示すだけのものであり、従って、本発明の範囲を限定するものとは考えてはならない。図面において、図面間で同じ番号付けは同じ要素を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
添付の図面に関して、図２−図６は、本発明による導電体を露出させる開口を形成するためのエッチング法の一つの実施形態を示す。開口のパターンはフォトレジストによって与えられる。本方法では、通常の方法を修正して静電気放電（ＥＳＤ）欠陥を低減し、エッチング速度を低下させないようにする。本工程は、典型的な誘電体反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）装置内で実施され、金属ＲＩＥ装置は用いない。用いられるＲＩＥチャンバは、例えば、凡そ２ＭＨｚ（底部ＲＦ電源電極）及び凡そ２７ＭＨｚ（上部バイアス電力電極）の二つのＲＦ設定が可能なものである。
【００１５】
本工程は、図１に示されたものに類似した、誘電体層１１２を含む積層（大ビア・パッド積層とよばれることもある）を有する通常の半導体構造体１００から開始する。構造体１００は、導電体１１８（例えば、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の）を取り囲む誘電体層１１６（例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）又は任意の他の適切な誘電体材料の）を含む導電体層１１４を有する。導電体１１８の上の積層は、導電体層１１４の上の窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層１２０と、キャップ層１２０の上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む誘電体層１２２と、誘電体層１２２の上の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む別の誘電体層１２４と、パターン付けされたフォトレジスト１２６とを含む。パターン付けされたフォトレジスト１２６は、導電体１１８を露出するために形成されるべき開口のパターンを含む。誘電体層１２２は、水素化シリコンオキシカーバイド（ＳｉＣＯＨ）、Ｎｏｖｅｌｌｕｓ社から入手可能なＣＯＲＡＬ（登録商標）、テトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）（ＴＥＯＳ）、フッ素ドープＴＥＯＳ（ＦＴＥＯＳ）、フッ素ドープ・シリケート・ガラス（ＦＳＧ）、非ドープ・シリケート・ガラス（ＵＳＧ）、ホウリン酸シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）などの任意の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）型材料を含むことができる。キャップ層１２０は、任意の典型的な窒化チタン・ベースのキャップ材料を含むことができる。
【００１６】
本発明は、６μｍのフォトレジスト１２（例えばＧｐｏｌｙ）と、４０００Åの窒化シリコンの誘電体層１２４と、４５００Åの二酸化シリコンを含む誘電体層１２２と、２５０−３５０Åの窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層１２０との厚さを有する積層に関して説明される。積層の厚さが変化するところでは、少なくともエッチング時間を適切に変化させ得ることを理解されたい。
【００１７】
本方法の初めのステップは、図２に示されるように、デスカム処理２００を実行することを含む。デスカム処理を実行するステップは、エッチングに先立ってリソグラフ・ステップからの残留物を除去し、これにより窒化シリコン表面のより均一なエッチングを可能にする。一つの実施形態においては、デスカム処理は窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の気体流を用いて実行される。本説明において、「凡そＸ−Ｙ」という用語が用いられる。この「凡そ」は、その範囲の下限値と上限値とに適用されるものと理解されたい。デスカム処理を実行するステップは、凡そ８−１２秒の間継続することができる。デスカム処理を実行するステップにはまた、ヘリウム（Ｈｅ）による凡そ１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック９０（図２−図６）の圧力、及び、凡そ１８−２２℃のチャック温度の付加的な条件を用いることが含まれてもよい。
【００１８】
図３に示されるように、次のステップは、例えば窒化シリコンの誘電体層１２４を通してエッチング２０２を行うことである。エッチング２０２の条件は、任意の通常の方法であってよい。例えば、エッチング２０２の条件には、アルゴン（Ａｒ）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）及び酸素（Ｏ２）の気体流を用いることが含まれてよい。トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）（フルオロフォルムとしても知られている）は、例えば、フレオン（登録商標）２３という商品名でデュポン社から入手できる。エッチング２０２は、凡そ４０−５０秒間継続することができる。チャック９０の圧力は、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）による凡そ１８−２０Ｔｏｒｒとし、チャック９０の温度は凡そ１８−２０℃とすることができる。
【００１９】
次に、図４に示されるように、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む誘電体層１２２がエッチングされる。一つの実施形態においては、エッチング２０４の化学処理には、以下の諸条件、即ち、凡そ９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、凡そ２７ＭＨｚ及び凡そ２ＭＨｚにおける凡そ９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、並びに、凡そ３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、凡そ１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び凡そ５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いることが含まれる。エッチング２０４は、凡そ８０−９５秒間継続することができる。エッチング２０４にはまた、ヘリウム（Ｈｅ）による凡そ１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック９０の圧力、及び、凡そ１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることもできる。
【００２０】
図５を参照すると、次のステップは、窒化チタン（ＴｉＮ）を含んだキャップ層１２０をエッチングすることを含む。エッチング２０６では、以下の諸条件、即ち、凡そ２５５−２８５ｍＴの圧力と、凡そ２７ＭＨｚにおける凡そ１３５０−１４５０ワット（Ｗ）及び凡そ２ＭＨｚにおける凡そ６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、並びに、凡そ１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び凡そ９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いることができる。エッチング２０６は凡そ８５−１００秒間継続することができる。エッチング２０６にはまた、ヘリウム（Ｈｅ）による凡そ１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック９０の圧力、及び、凡そ１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることもできる。
【００２１】
図６は、導電体１１８から残留ＲＩＥポリマーを除去するための灰化ステップ２０８の実行を含む次のステップを示す。灰化実行ステップ２０８には、任意の現在既知の又は後に開発される酸素ベースの灰化化学処理剤を含めることができる。
【００２２】
上述の発明は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）及び窒化チタン（ＴｉＮ）をエッチングするための２段階工程を提供する。本工程は、アルミニウム（Ａｌ）に対して選択的なものであり、従来のＲＩＥ工程と比べて、より少量のフォトレジスト１２６を消費する。本方法は、従来の方法を変更して、静電気放電（ＥＳＤ）欠陥が低減され、エッチング速度が低下しないようにしたものである。更に、本工程は、典型的な誘電体反応性イオン・エッチング装置内で実行され、即ち、金属エッチング装置は用いない。
【００２３】
本発明は、上に概観された特定の実施形態に関連して説明されているが、明らかに、多くの代替、変更及び改変が当業者には明白であろう。従って、上に示された本発明の実施形態は、説明のためであって、限定のためではない。添付の請求項によって規定される本発明の精神と範囲から逸脱することなしに、種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】エッチング前の誘電体層を含む従来の半導体構造体を示す。
【図２】本発明によるエッチング方法の一つの実施形態を示す。
【図３】本発明によるエッチング方法の一つの実施形態を示す。
【図４】本発明によるエッチング方法の一つの実施形態を示す。
【図５】本発明によるエッチング方法の一つの実施形態を示す。
【図６】本発明によるエッチング方法の一つの実施形態を示す。
【符号の説明】
【００２５】
１０，１００：半導体構造体
１２，１１２：誘電体層を含む積層
１４，１１４：導電体を含む層
１６，２２、２４、１１６、１２２、１２４：誘電体層
１８，１１８：導電体
２０，１２０：キャップ層
２６、１２６：フォトレジスト
２００：デスカム処理
２０２、２０４、２０６：エッチング
２０８：灰化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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