(57)【要約】【課題】携帯電話等の携帯型情報端末機器に用いて両面表示可能な表示装置の薄型化、低消費電力化、及び製造時の歩留まりを向上させる。【解決手段】第１の基板１ａと、第２の基板１ｂと、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置３００１と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置３００２と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、
第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、
前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、
前記第１のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、
第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、
前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、
前記第１のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２のＴＦＴ領域に形成された前記ゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第２のＴＦＴ領域に形成された前記配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、に形成された透明電極は、同層であること特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、に形成された層間絶縁膜は、同層であること特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置であり、
前記第２の液晶表示装置は、反射型又は半透過型の液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、
前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域の配線と、前記第２のＴＦＴ領域の配線と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、
前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記基板上に、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域の前記ゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９において、
前記基板上に、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域の前記配線と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板上に、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、の透明電極を同時に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記基板上に、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とを形成する際、
前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、の層間絶縁膜を同時に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の携帯型情報端末機器に用いて両面表示可能な表示装置、及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の携帯電話においては、メインディスプレイと、メールの到着や時間を知らせる為の背面ディスプレイ（サブディスプレイ）とで構成されたものが広く採用されている。
【０００３】
例えば、メインディスプレイ及びサブディスプレイの両方を透過型液晶パネルとした構造がある。これは、一つのバックライト装置の両側に液晶パネルを一枚ずつ設けた構成となっている。（例えば、特許文献１）
【０００４】
また、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）などの能動素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置がある。（例えば、特許文献２）
【特許文献１】特開２００１−２９８５１９号公報
【特許文献２】特開平９−１７１１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、一つのバックライト装置の両側に液晶パネルを一枚ずつ設けた構成は、基板を４枚使用している。そして、表示装置の厚さは、基板４枚分の厚さとバックライトの厚さの和よりも厚くなる。そして、携帯型情報端末機器等は薄型化が要望されている為、表示装置をもっと薄くする必要がある。
【０００６】
また、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦＴ、容量、抵抗等の素子を配置した電気回路を有する領域（ＴＦＴ領域）が形成された基板と、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、液晶に電圧を印加する為の電極を有する領域（対向領域）が形成された基板と、の間に配向膜、スペーサー及び液晶を挟み込むという構成である。したがって、一つの液晶表示装置を作製する為には、基板を２枚用意し、ＴＦＴ領域が形成された基板と対向領域が形成された基板を、別々に作製する必要がある。
【０００７】
したがって、従来の技術では、ＴＦＴ等を有する基板の装置処理回数と、カラーフィルター等を有する基板の装置処理回数と、の合計の装置処理回数が多くなってしまうという問題がある。
【０００８】
合計装置処理回数が増加すると、歩留まりが低下し、コストの増加にもつながる。
【０００９】
「装置処理回数」とは、液晶表示装置が完成するまでに基板が装置で処理される回数である。以下の記載においても同様である。
【００１０】
本発明は、上述の課題に鑑み、薄型で両面表示可能な液晶表示装置及びその歩留まりを向上させる作製方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成について述べる。
【００１２】
「液晶表示装置作製用基板」とは、上記ＴＦＴ領域又は上記対向領域のどちらか一方が、少なくとも一つ形成されている基板をいう。
【００１３】
「ＴＦＴ領域」とは、少なくとも、液晶表示制御の為のＴＦＴと、ＴＦＴ同士を接続する配線と、画素電極と、（以下「ＴＦＴ等」という）を配置した電気回路を有する領域をいう。また、他の構成要素（例えば、ＴＦＴ同士を接続する配線と、画素電極と容量素子、抵抗素子、層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等）を有するものであっても、液晶表示制御の為のＴＦＴ等を有していれば「ＴＦＴ領域」に含むものをいう。
【００１４】
「対向領域」とは、少なくとも、対向電極を有する領域をいう。また、（例えば、層間絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等）を有するものであっても、対向電極を有していれば「対向領域」に含むものをいう。
【００１５】
ここで、液晶に電圧を印加する為の電極を「画素電極」と「対向電極」とする。また、ＴＦＴ等によって表示制御のために電圧が制御される電極を「画素電極」とする。一方、画素電極の対向側に位置し、表示中は電圧の制御がなされず一定の電圧が印加される電極を「対向電極」とする。
【００１６】
本発明に係る液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極を有し、第１の対向領域は、第１のブラックマトリクスを有しており、第２の対向領域は、第２のブラックマトリクスを有しており、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。
【００１７】
「ブラックマトリクス」とは、ＲＧＢ（赤、緑、青）のカラーフィルタの各ドットの周辺を窓枠のように黒く縁取り、光漏れ防止（遮光）の役割を果たし、同時にコントラスト向上や製造時の混色防止の役割を果たすものである。
【００１８】
ここで、同時に成膜した薄膜を、マスクパターン転写技術を用いて加工し、Ａ１からＡＮまでのＮ個の領域（Ｎは２以上の自然数）を形成した場合、「Ａ１と、Ａ２と、〜ＡＮと、は同層」と記載するものとする。例えば、導電膜を成膜し、マスクパターン転写技術により、第１の電極と、第２の電極と、第１の配線と、第２の配線と、を形成した場合、「第１の電極と、第２の電極と、第１の配線と、第２の配線と、は同層」と記載する。また、「Ａ１と、Ａ２と、〜ＡＮと、は同層」であれば、「Ａ１と、Ａ２と、〜ＡＮと、は同一材料」からなる。
【００１９】
ここで、「成膜」とは、基板全面に所望の物質を形成することをいう。例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、蒸着法等により基板全面に所望の物質を形成する方法があり、また、スピンコート法、スリット方式等の液体材料を用いて膜を形成する方法も含むこととする。ただし、これら例示した方法に限定されるものではなく、関連する技術分野において、基板全面に所望の物質を形成することができる他の技術手段も含まれるものとする。以下の記載においても同様である。
【００２０】
また、「マスクパターン」とは、マスクの幾何学的模様（パターン）のことである。マスクパターンは作製しようとする素子及び電気回路構成によって決定される。以下の記載においても同様である。
【００２１】
また、「マスクパターン転写技術」とは、所望の物質を所望のマスクパターンに形成する技術をいう。例えば、リソグラフィ法、インクジェット法、ナノインプリント法等により、一時的なマスクを形成し、マスクに覆われていない部分をエッチングし、その後、一時的なマスクを除去することにより、所望の物質を所望の形状に加工する方法や、感光性の有機膜（例えば、レジスト、アクリル、ポリイミド等）にマスクパターンを露光後、現像することにより露光された部分を除去し、感光性の有機膜を所望の形状に加工する方法がある。また、インクジェット法やナノインプリント法等により、直接的に所望の物質を所望のマスクパターンを形成する方法もある。ただし、これら例示した方法に限定されるものではなく、関連する技術分野において、所望の物質を所望のマスクパターンを形成することができる他の技術手段も含まれるものとする。以下の記載においても同様である。
【００２２】
なお、成膜を行い、リソグラフィ法により、一時的なマスクを形成し、マスクに覆われていない部分をエッチングし、その後、一時的なマスクを除去することにより、所望の物質を所望の形状に加工する方法は広く採用されており、この方法を用いて、ＴＦＴや容量、抵抗等の素子を配置した電気回路は、一度基板全面に所望の物質を成膜した後、所望のマスクパターンに加工するので、同じ材料を用いて同時に別々の素子を形成することが可能である。
【００２３】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板の構成は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線を有し、第１の対向領域は、第１のブラックマトリクスを有しており、第２の対向領域は、第２のブラックマトリクスを有しており、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第２のＴＦＴ領域にブラックマトリクスを有することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のブラックマトリクスを有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のブラックマトリクスを有し、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極と、反射電極と、を有し、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記反射電極と、同層であることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線と、反射電極と、を有し、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記反射電極と、同層であることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のゲート電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のゲート電極を有し、第２の対向領域は反射電極を有し、前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記反射電極と、は同層であることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の配線を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の配線を有し、第２の対向領域は反射電極を有し、前記第１の配線と、前記第２の配線と、前記反射電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３０】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第１の対向領域は、第２の透明電極を有しており、第２の対向領域は、第３の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３１】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第１の対向領域は、第２の透明電極を有しており、第２のＴＦＴ領域は、第３の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の透明電極を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の透明電極を有し、第１の対向領域は、第３の透明電極を有しており、第２の対向領域は、第４の透明電極を有し、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３３】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は、第１の層間絶縁膜を有しており、第２の対向領域は、第２の層間絶縁膜を有し、前記第１の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜と、は同層であることを特徴とする。
【００３４】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１の層間絶縁膜を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の層間絶縁膜を有し、第１の対向領域は、第３の層間絶縁膜を有しており、第２の対向領域は、第４の層間絶縁膜を有し、前記第１の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜と、前記第４の層間絶縁膜と、は同層であることを特徴とする。
【００３５】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は、第１の透明電極と、第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、を有し、第２の対向領域は、第２の透明電極と、第２のＴＦＴ領域は第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、を有し、前記第１の透明電極は、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第１のブルーカラーフィルターと、の上に接して設けられており、前記第２の透明電極は、前記第２のレッドカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、の上に接して設けられており、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３６】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１の対向領域は第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、第１の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、第２の透明電極と、第３の透明電極と、第４の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第１のブルーカラーフィルターと、は前記第１の透明電極の下に接して配置され、前記第２のレッドカラーフィルターは、前記第２の透明電極の下に配置され、前記第２のグリーンカラーフィルターは、前記第３の透明電極の下に配置され、前記第２のブルーカラーフィルターは、前記第４の透明電極の下に配置され、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極の材料と、前記第２の透明電極の材料と、前記第３の透明電極の材料と、前記第４の透明電極の材料と、は同層であることを特徴とする。
【００３７】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、第１の透明電極と、第２の透明電極と、第３の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、第４の透明電極と、第５の透明電極と、第６の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同一物質からなり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、前記第５の透明電極と、前記第６の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３８】
また、本発明に係る他の液晶表示装置、又は液晶表示装置作製用基板は、第１のＴＦＴ領域は、第１のブラックマトリクスと、第１のレッドカラーフィルターと、第１のグリーンカラーフィルターと、第１のブルーカラーフィルターと、からなる第１の層間絶縁膜と、第１の透明電極と、第２の透明電極と、第３の透明電極と、を有し、第２のＴＦＴ領域は、第２の層間絶縁膜と、第２のブラックマトリクスと、第２のレッドカラーフィルターと、第２のグリーンカラーフィルターと、第２のブルーカラーフィルターと、からなる第１の層間絶縁膜と、第４の透明電極と、第５の透明電極と、第６の透明電極と、を有し、前記第１のレッドカラーフィルターは、前記第１の透明電極の下に配置され、前記第１のグリーンカラーフィルターは、前記第２の透明電極の下に配置され、前記第１のブルーカラーフィルターは、前記第３の透明電極の下に配置され、前記第２のレッドカラーフィルターは、前記第４の透明電極の下に配置され、前記第２のグリーンカラーフィルターは、前記第５の透明電極の下に配置され、前記第２のブルーカラーフィルターは、前記第６の透明電極の下に配置されており、前記第１のブラックマトリクスと、前記第２のブラックマトリクスと、は同層であり、前記第１のレッドカラーフィルターと、前記第２のレッドカラーフィルターと、は同層であり、前記第１のグリーンカラーフィルターと、前記第２のグリーンカラーフィルターと、は同層であり、第１のブルーカラーフィルターと、前記第２のブルーカラーフィルターと、は同層であり、前記第１の透明電極と、前記第２の透明電極と、前記第３の透明電極と、前記第４の透明電極と、前記第５の透明電極と、前記第６の透明電極と、は同層であることを特徴とする。
【００３９】
本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、を有し、前記第１の基板は、第１のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、第２のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、を有することを特徴とする。
【００４０】
本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、を有し、前記第１の基板は、第１のＴＦＴ領域と、第２のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、第１の対向領域と、第２の対向領域と、を有することを特徴とする。
【００４１】
また、本発明に係る他の液晶表示装置の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有することを特徴とする。
【００４２】
ここで、透過型のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置及び反射型のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置について述べる。
【００４３】
「透過型」の液晶表示装置とは、画面裏面の光源（例えばバックライト等）により表示を行うタイプの液晶表示装置である。つまり、液晶表示装置の裏面から光を入射した場合、入射した面と反対側にある表面にて表示が行われる方式の液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。
【００４４】
「反射型」の液晶表示装置とは、画面表面の光源（例えば、外光、フロントライト等）により表示を行うタイプの液晶表示装置である。つまり、液晶表示装置の表面から光を入射した場合、液晶表示装置に設けられた光を反射することのできる物質（例えば金属電極）に反射した光が入射した面に反射され、入射した表面にて表示が行われる方式の液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。
【００４５】
「アクティブマトリクス方式」の液晶表示装置とは、液晶表示の制御が画素部ごとに設けられた薄膜トランジスタにより行われるタイプの液晶表示装置をいう。以下の記載においても同様である。
【００４６】
また、本発明に係る他の液晶表示装置の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、半透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有することを特徴とする。
【００４７】
「半透過型」の液晶表示装置は、画面裏面から光が入射されている時は「透過型」の液晶表示装置の機能を有する。一方、画面裏面から光源が入射されていない時は、「反射型」の液晶表示装置の機能を有する。
【００４８】
本発明に係る液晶表示装置の他の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有することを特徴とする。
【００４９】
本発明に係る液晶表示装置の他の構成は、第１の基板と、第２の基板と、を含む液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、半透過型のアクティブマトリクス方式の第１の液晶表示装置と、反射型のアクティブマトリクス方式の第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１の基板は、前記第１の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、前記第２の液晶表示装置のＴＦＴ領域と、を有し、前記第２の基板は、前記第１の液晶表示装置の対向領域と、前記第２の液晶表示装置の対向領域と、を有することを特徴とする。
【００５０】
また、本発明に係る第１の液晶表示装置の液晶と第２の液晶表示装置の液晶がシール材によって分離されていても良い。
【００５１】
上述した液晶表示装置の構成、及び液晶表示装置作製用基板の構成は、適宜組み合わせることが可能である。
【００５２】
本発明の表示装置は、第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。
【００５３】
本発明の表示装置は、第１のＴＦＴ領域と、第１の対向領域と、が形成された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と、第２の対向領域と、が形成された第２の基板と、前記第１のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を有し、前記第１のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２の対向領域に形成されたブラックマトリクスと、前記第１の対向領域の有するブラックマトリクスと、は同層であることを特徴とする。
【００５４】
本発明の表示装置は、前記第２のＴＦＴ領域に形成されたゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする。
【００５５】
本発明の表示装置は、前記第２のＴＦＴ領域に形成された配線と、前記第２のＴＦＴ領域に形成された反射電極と、は同層であることを特徴とする。
【００５６】
本発明の表示装置は、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、に形成された透明電極は、同層であること特徴とする。
【００５７】
本発明の表示装置は、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、に形成された層間絶縁膜は、同層であること特徴とする。
【００５８】
本発明の表示装置は、前記第１の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置であり、前記第２の液晶表示装置は、反射型又は半透過型の液晶表示装置であることを特徴とする。
【００５９】
本発明の表示装置の作製方法は、基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする。
【００６０】
本発明の表示装置の作製方法は、基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域の配線と、前記第２のＴＦＴ領域の配線と、前記第２の対向領域のブラックマトリクスと、前記第１の対向領域のブラックマトリクスと、を同時に形成し、前記第１及び第２のＴＦＴ領域と前記第１及び第２の対向領域とが形成された前記基板を分断することにより、第１のＴＦＴ領域と第２の対向領域とが配置された第１の基板と、第２のＴＦＴ領域と第１の対向領域とが配置された第２の基板と、を形成し、前記第１の基板と第２の基板とを対向して貼り合わせることにより、前記第１のＴＦＴ領域と前記第１の対向領域が対向してなる第１の液晶表示装置と、前記第２のＴＦＴ領域と前記第２の対向領域が対向してなる第２の液晶表示装置と、を形成することを特徴とする。
【００６１】
本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域のゲート電極と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする。
【００６２】
本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第２のＴＦＴ領域の配線と、前記第２のＴＦＴ領域の反射電極と、を同時に形成することを特徴とする。
【００６３】
本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第２の対向領域と、の透明電極を同時に形成することを特徴とする。
【００６４】
本発明の表示装置の作製方法は、前記基板上に、第１及び第２のＴＦＴ領域と第１及び第２の対向領域とを形成する際、前記第１のＴＦＴ領域と、前記第２のＴＦＴ領域と、前記第１の対向領域と、前記第２の対向領域と、の層間絶縁膜を同時に形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００６５】
本発明の構成により、消費電力が低く、両面表示可能な薄型の液晶表示装置の提供ができる。
【００６６】
また、本発明の構成により、液晶表示装置作製時の使用基板枚数を減少できる為、歩留まりが向上でき、コストの削減が可能となる。
【００６７】
また、本発明の構成により、対向領域の作製材料の一部とＴＦＴ領域の作製材料の一部に同じ材料を使用し、ＴＦＴ領域の形成時と同時に対向領域を形成できる為、装置処理回数の減少、及び使用材料を減少させることができる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
以下に実施の形態を示す。なお、以下の実施の形態は適宜に組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態１）
【００６９】
本実施の形態では、アクティブマトリクス型のＴＦＴ領域と、対向領域と、をそれぞれ２つ有する基板を両面表示可能な液晶表示パネルに組み立てる方法の一例を説明する。
【００７０】
最初に、基板の構成について説明する。
【００７１】
基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が隣り合って配置されるようにし、且つ第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１が隣り合って配置されるような構成の基板を作製する。（図１（Ａ）参照）
【００７２】
基板１は、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスでなるもの、石英、シリコンウエハなどを用いることができる。これらの材料は、半導体装置の用途、又は温度などプロセス条件に応じて適宜選択することができる。
【００７３】
プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。
【００７４】
ＴＦＴ領域は、少なくとも、ＴＦＴと、画素電極と、電気回路構成や液晶表示装置の機能に応じて各ＴＦＴを電気的に接続する為の配線と、外部入力端子（ＦＰＣ等）と電気回路部を接続する為の配線と、を有している。また、必要に応じて、層間絶縁膜、反射電極等を有する。また、電気回路の構成上必要であれば容量素子や抵抗素子等の素子を配置してもよい。
【００７５】
ＴＦＴと、容量素子や抵抗素子等の素子、画素電極及び反射電極は電気回路構成に応じて配線で電気的に接続されている。
【００７６】
なお、層間絶縁膜は、ゲート電極と配線等の導電体同士のショートを防ぐ為のものである。また、平坦化可能な材料（例えばアクリル、ポリイミド、シロキサン等）を使用すれば基板上の凹凸（ＴＦＴの作製は、成膜とリソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングする工程を繰り返すので、工程が進む程凹凸が多くなる。）を平坦化する効果もある。
【００７７】
ここで、「平坦化」とは、基板上に凹凸を有するとき、凸部分の膜厚は薄くデポジッションされ、凹部分の膜厚は厚くデポジッションされることにより凹凸の段差を減らすことをいう。以下の記載においても同様である。
【００７８】
また、反射電極は、外光を反射することができればよいので、必ずしも電気的に接続されている必要はない。
【００７９】
ＴＦＴは、少なくとも、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、島状半導体層と、を有しており、島状半導体層は、少なくとも、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル形成領域を有している。必要であれば、低濃度不純物領域（以下ＬＤＤ領域）をチャネル形成領域とソース領域間又はチャネル形成領域とドレイン領域間の一方又は両方に設けても良い。
【００８０】
上記の容量素子や抵抗は、ゲート電極や島状半導体層、配線、層間絶縁膜、反射電極等を形成する材料を使用して作製することが可能である。
【００８１】
対向領域は、少なくとも対向電極を有している。また、必要に応じて、カラーフィルター、ブラックマトリクス、平坦化絶縁層、反射電極等を有する。これらは、液晶表示装置の構造によって適宜取捨選択が可能である。
【００８２】
なお、カラーフィルターは、液晶表示装置の表示画像に色彩を付ける為のものであり、ＲＧＢ（赤、緑、青）の３種類がある。
【００８３】
また、対向電極は、対向領域に形成されていて、液晶に電圧を印加する為の役割を果たすためのものである。
【００８４】
また、「平坦化絶縁膜」（もしくは、「オーバーコート膜」又は「層間絶縁膜」という）とは、対向電極を形成する前に、対向領域の例えばブラックマトリクス形成やカラーフィルタ形成により形成された凹凸を平坦化する為の膜である。
【００８５】
上記のブラックマトリクス、対向電極、平坦化絶縁層、反射電極等は、ＴＦＴを構成するゲート電極や配線、層間絶縁膜、反射電極等を形成する材料を使用して作製することが可能である。
【００８６】
例えば、ブラックマトリクスは、ＴＦＴを構成するゲート電極材料や配線材料と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴのゲート電極や配線の作製時と同時に対向領域のブラックマトリクスを作製できる。
【００８７】
さらに、同様に対向電極は、画素電極、ゲート電極、配線と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの画素電極、ゲート電極、配線の作製時と同時に対向領域の対向電極を作製できる。
【００８８】
さらに、同様に平坦化絶縁層には、平坦化可能な材料を使用した層間絶縁膜と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの層間絶縁膜の作製時と同時に対向領域の平坦化絶縁層を作製できる。
【００８９】
このように、対向領域の材料をＴＦＴの構成材料と同一の材料を使用し、ＴＦＴの構成材料の一つの形成時と同時に対向領域の構成材料を形成できるので、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる。その結果、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
【００９０】
次いで、上述した構成の基板から両面表示可能な液晶表示装置に組み立てる手順を説明する。
【００９１】
基板１を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２を有する第１の基板１ａと、第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１を有する第２の基板１ｂと、になるように分断する。（図１（Ａ）（Ｂ）参照  分断箇所を図１（Ａ）第１の破線８０００ａで示した。）
【００９２】
次に、配向膜を第１の基板１ａ及び第２の基板１ｂに形成し、スペーサーを散布し、第１の基板１ａの第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴ及び第２の対向領域２００２のＴＦＴが配置されていない部分にシール材４０００を形成する。（図２（Ａ）参照）
【００９３】
なお、第１のＴＦＴ領域１００１の一部にシール材４０００が形成された重畳領域５０００には配線が形成されている。（図２（Ａ）（Ｂ）参照）
【００９４】
ただし、液晶の注入口を形成する為に、第１の基板１ａの第１のＴＦＴ領域１００１の周りのうちの一部及び第２の対向領域２００２の周りのうちの一部にはシール材４０００は形成しない。（図２（Ａ）（Ｂ）参照）
【００９５】
また、シール材４０００は、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が分離されるように形成する。（図２（Ａ）（Ｂ）参照）
【００９６】
したがって、例えば、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２の間の領域全体にシール材を形成しても良い。（図２（Ａ）参照）
【００９７】
また、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２の間の領域にシール材４０００で区切られた空間があっても良い。（図２（Ｂ）参照）
【００９８】
なお、本実施の形態では、第１の基板１ａにシール材４０００を形成したが、第２の基板１ｂにシール材４０００を形成しても良く、適宜選択可能である。
【００９９】
次に、第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に第１の対向領域２００１が配置され、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に第２の対向領域２００２が配置されるように、第１の基板１ａと第２の基板１ｂを貼り合わせて、シール材４０００を硬化する。（図３（Ａ）参照）
【０１００】
次に、液晶の注入口から液晶を注入した後、液晶注入口を第１の封止領域４００１及び第２の封止領域４００２で封止する。（図３（Ｂ）参照）
【０１０１】
なお、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２との間をシール材４０００で区切ることにより、第１の液晶表示領域３００１に使用するバックライトの光を遮光することが可能である。これにより、第２の液晶表示領域３００２の表示に与える影響を低減できる。
【０１０２】
また、上記シール材４０００の構成により、第１のＴＦＴ領域１００１に印加される電圧によって第２の液晶表示領域３００２の表示に影響を与えたり、逆に、第２のＴＦＴ領域１００２に印加される電圧によって第１の液晶表示領域３００１の表示に影響を与えたりすることはなくなる。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、上記効果を得る為にシール材で液晶表示領域を分離したが、必ずしも分離する必要はない。（図３５参照）
【０１０４】
次に、偏光板を取り付ける。
【０１０５】
次に第１のＦＰＣ６００１及び第２のＦＰＣ６００２を貼り付ける。（図４（Ａ）参照）
【０１０６】
なお、ＦＰＣはＦｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略称であり、以下も同様に記載する。
【０１０７】
また、第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１から構成される液晶表示領域を第１の液晶表示領域３００１とし、第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２から構成される液晶表示領域を第２の液晶表示領域３００２とする。（図４（ａ）参照）
【０１０８】
また、第１の液晶表示領域３００１は透過型又は半透過型の液晶表示装置であり、第２の液晶表示領域３００２は反射型の液晶表示装置である。
【０１０９】
したがって、第１の液晶表示領域３００１はバックライト等を使用することによって、明るく鮮明な表示とすることができ、第２の液晶表示領域３００２はバックライトを設ける必要はなく、低消費電力化が可能である。（バックライトは、第１の液晶表示領域３００１の第１のＴＦＴ領域１００１の配置された基板側に取り付ける）
【０１１０】
なお、第２の液晶表示領域３００２の第２のＴＦＴ領域１００２の配置された基板側にフロントライトを設けても良い。
【０１１１】
更に、第１のＦＰＣ６００１と第２のＦＰＣ６００２を設け、別々の表示信号を送ることができるので、例えば、メインパネルとなる第１の液晶表示領域３００１が表示されているときは、サブパネルとなる第２の液晶表示領域３００２の電源を止め、逆にサブパネルとなる第２の液晶表示領域３００２が表示されているときは、メインパネルとなる第１の液晶表示領域３００１の電源を止めるといった動作をさせることが可能であり、消費電力の低下が可能である。
【０１１２】
このようにして、両面表示可能な液晶表示装置ができる。（図４（Ａ）参照）
【０１１３】
液晶表示装置を携帯電話に取り付けたものを図示する。（図４（Ｂ）参照）
【０１１４】
上記の方法を用いて作製した液晶表示装置の断面図を図３６に示す。
【０１１５】
第１の液晶表示装置７００１は透過型又は半透過型の液晶表示装置である。そして、バックライト１００００からの光８００１が第１の液晶表示領域３００１を透過する。また、バックライトが光を発していない場合、外部からの光８００２が第１の液晶表示領域３００１内において反射する。したがって、第１の液晶表示領域３００１の表示面は、バックライト１００００が配置された面の反対側である。
【０１１６】
また、第２の液晶表示装置７００２は反射型の液晶表示装置である。そして、外部からの光８００３が第２の液晶表示領域３００２内において反射する。したがって、第２の液晶表示領域３００２の表示面は、バックライト１００００が配置された面である。
【０１１７】
外部からの光８００２、８００３は自然光である。また、バックライト又は導光板を使用して光を入射しても良い。なお、外部からの光８００３が自然光である場合、バックライト１００００以外のバックライトを必要としない。したがって、液晶表示装置を薄型化できる。
【０１１８】
本実施形態の構成により、薄型の両面表示可能な液晶表示装置を作製でき、且つ１枚の基板上に対向領域を同時に作製可能である為、液晶表示パネル作製時の使用基板の減少が可能である為、歩留まりを向上でき、コストを削減できることになる。
（実施の形態２）
【０１１９】
実施の形態１においては、基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２の対向領域２００２が互いに隣り合って配置されるようにし、且つ第２のＴＦＴ領域１００２と第１の対向領域２００１が互いに隣り合うように配置した。（図１（Ａ）参照）
【０１２０】
本実施の形態では、基板１上に、第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２が隣り合って配置されるようにし、且つ第２の対向領域２００２と第１の対向領域２００１が隣り合って配置されるような構成の基板を作製する。（図５（Ａ）参照）
【０１２１】
本実施の形態の場合も、実施の形態１と同様に、対向領域の材料をＴＦＴの構成材料と同一の材料を使用し、ＴＦＴの構成材料の一つの形成時と同時に対向領域の構成材料を形成できることにより、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、工程期間の減削減及びコストの削減が可能となる。
【０１２２】
本実施の形態の場合も、実施の形態１に記述したように、ブラックマトリクスは、ＴＦＴを構成するゲート電極材料や配線材料と同一の材料を使用して形成し、ＴＦＴのゲート電極や配線の作製時と同時に対向領域のブラックマトリクスを作製できる。
【０１２３】
同様に、対向電極は、画素電極、ゲート電極、配線と同一の材料を使用して形成し、ＴＦＴの画素電極、ゲート電極、配線の作製時と同時に対向領域の対向電極を作製できる。
【０１２４】
同様に、平坦化絶縁層には、平坦化可能な材料を使用した層間絶縁膜と同一の材料を使用して形成することが可能である。即ち、ＴＦＴの層間絶縁膜の作製時と同時に対向領域の平坦化絶縁層を作製できる。
【０１２５】
また、本実施の形態の場合、ＴＦＴ領域の層間絶縁膜にカラーフィルターと黒色の有機膜を使用することにより、対向領域の平坦化絶縁層及びブラックマトリクスを使用する必要をなくすことが可能である。
【０１２６】
即ち、一画素に対して、ＲＧＢのうち何れかの色が割り当てられる為、画素電極の下に配置される層間絶縁膜をそれぞれ割り当てられる色のカラーフィルターとして配置し、画素電極下以外の層間絶縁膜は黒い有機膜にすることでブラックマトリクスの役割を果たすため、対向領域には、対向電極のみを形成すれば良くなる。
【０１２７】
対向領域において、平坦な基板の上に対向電極を形成することになり、平坦化絶縁膜を形成する必要はなくなる。
【０１２８】
したがって、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
【０１２９】
また、ブラックマトリクスを新たにＴＦＴの層間絶縁膜として採用することは、使用材料が一つ増加するので、画素電極下以外の層間絶縁膜をＲＧＢ何れかのカラーフィルタとしても良く、この場合も、対向領域作製の為の装置処理回数の減少及び使用材料を減少させることができる為、工程期間の減削減及びコストの削減が可能となる。
【０１３０】
本実施形態の構成の場合、基板１を、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２を有する第３の基板１ｃと、第１の対向領域２００１と第２の対向領域２００２を有する第４の基板１ｄと、になるように分断する。また、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２をＦＰＣに接続する領域を露出させるため、第４の基板１ｄを短くカットしておく。（図５（Ａａ）（Ｂ）参照  分断箇所を図５（Ａ）第２の破線８０００ｂ、第３の破線８０００ｃで示した）
【０１３１】
次に、第３の基板１ｃにシール材を形成する。シール材４０００は実施の形態１と同様に、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２が完全に分離されるように形成する。（図６（Ａ）参照）
【０１３２】
第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に第１の対向領域２００１が配置され、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に第２の対向領域２００２が配置されるように貼り合わせる。（図６（Ｂ）参照）
【０１３３】
次に、実施の形態１と同様に、ＦＰＣ、偏光板、バックライトを取り付け、組み立てて、例えば、携帯電話を作製する。
【０１３４】
本実施の形態においても、薄型の両面表示可能な液晶表示装置を作製でき、且つ液晶表示パネル作製時の使用基板枚数は１枚で済むため、歩留まりを向上でき、コストを削減できることになる。
（実施の形態３）
【０１３５】
実施の形態１、２では、１枚の基板に両面表示可能な液晶表示装置に最低限必要な４つの領域（第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２）が形成された形態を例示した。
【０１３６】
本実施の形態では、ＴＦＴ領域と対向領域を複数作製する一例を説明する。
【０１３７】
両面表示可能な液晶表示装置に最低限必要な４つの領域をマトリクス状に並べて作製する。（図７参照  図７においては一部符号を省略している。）
【０１３８】
ＴＦＴ領域と対向領域が完成した後、適宜基板を切断し、実施形態１、２の方法を適用することにより、両面表示可能な液晶表示装置を作製することが可能である。（図８（Ａ）（Ｂ）参照  第４の破線８０００ｄに沿って基板を分断する。）
【０１３９】
本実施の形態を採用すれば、実施の形態１、２の効果に加え、大型の基板から複数の液晶表示装置を作成することが可能となる。
【０１４０】
大型の基板から複数の液晶表示装置を作成することが可能になるということは、同じ数の液晶表示装置を作成するときの合計装置処理回数を削減できるということであり、コストの低減にもつながる。
（実施の形態４）
【０１４１】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置などのＴＦＴや容量素子、抵抗素子等の素子を配置した電気回路の代表的な作製方法は、成膜を行う工程と、マスクパターン転写技術によりマスクパターンを形成する工程と、を繰り返し、所望の素子を作製すると同時に回路を作製するものである。
【０１４２】
本実施形態では、実施の形態１において、透過型若しくは半透過型の液晶表示装置用の第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１と反射型の液晶表示装置用の第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２を、上述した代表的な作製方法により、同一の基板上に作製する方法の一例を説明する。
【０１４３】
本実施形態では、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴは逆スタガ型ＴＦＴの代表的な作製方法の一例を説明する。
【０１４４】
なお、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に、第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴのうちの一つと、第２のＴＦＴ領域１００２のうちのＴＦＴの一つと、第１の対向領域２００１のカラーフィルタのうちの一つと、第２の対向領域２００２のカラーフィルタのうちの一つ（レッドカラーフィルター領域）と、を図示して説明を行うが、それぞれのＴＦＴ領域は複数のＴＦＴ及び必要な素子、配線等を有しており、また、対向領域は、グリーンカラーフィルター領域及びブルーカラーフィルター領域等を有している。
【０１４５】
また、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に、４つの領域（第１のＴＦＴ領域１００１、第２のＴＦＴ領域１００２、第１の対向領域２００１、第２の対向領域２００２）を一点鎖線で囲んで図示する。
【０１４６】
また、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能である。また、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０１４７】
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【０１４８】
まず、基板１００を用意する。（図９（Ａ）参照）
【０１４９】
基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルニウムホウケイ酸ガラスなどのガラスでなるものや、石英や、シリコンウエハなど、半導体装置の用途や、温度などプロセス条件によって適宜選択することができる。
【０１５０】
プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１００の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。
【０１５１】
次に、基板１００上に第１の導電膜２００を成膜する。（図９（Ｂ）参照）
【０１５２】
次に、第１の導電膜２００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のゲート電極２０１ａ、第１のゲート配線２０２ａ）を形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のゲート電極２０１ｂ、第２のゲート配線２０２ｂを形成し、第１の対向領域２００１に第１のブラックマトリクス２０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図９（Ｃ）参照）
【０１５３】
なお、図示していない第１のゲート配線２０２ａと第１のゲート電極２０１ａは、電気的に接続されている。
【０１５４】
同様に、図示していない第２のゲート配線２０２ｂと第２のゲート電極２０１ｂは、電気的に接続されている。
【０１５５】
第１の導電膜２００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。
【０１５６】
例えば、３００ｎｍの膜厚でＭｏ（モリブデン）を形成する。第１の導電膜には、Ｍｏ（モリブデン）の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０１５７】
なお、第１のゲート電極２０１ａ、第２のゲート電極２０１ｂ、第１のゲート配線２０２ａ、第２のゲート配線２０２ｂ、第１のブラックマトリクス２０３ａ、第２のブラックマトリクス２０３ｂは、第１の導電膜２００をリソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして形成している為、第１の導電膜２００と同じ材料である。
【０１５８】
ブラックマトリクス材料をゲート電極材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりが向上でき、コストの削減が可能となる。
【０１５９】
次に、ゲート絶縁膜１０３を成膜し、ゲート絶縁膜１０３上に第１の半導体膜１０２を成膜する。（図９（Ｄ）参照）
【０１６０】
ゲート絶縁膜１０３は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。
【０１６１】
例えば、３００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜１０３には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１６２】
第１の半導体膜１０２は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した半導体材料である。
【０１６３】
例えば、１５０ｎｍの膜厚でアモルファスシリコン膜を形成する。第１の半導体膜１０２の材料はシリコンに限られたものではなく、他の半導体材料も適宜選択可能である。
【０１６４】
また、ゲート絶縁膜１０３と第１の半導体膜１０２は、真空雰囲気内で連続成膜することが好ましい。真空雰囲気内で連続成膜することで大気雰囲気からのゲート絶縁膜界面の汚染が防止され、ゲート絶縁膜界面の欠陥低減になるからである。
【０１６５】
また、第１の半導体膜１０２の結晶性を高める為に、レーザー光の照射やファーネスアニール、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）等により、エネルギーを加えて結晶化をしても良い。
【０１６６】
ここで、作製されるＴＦＴの閾値電圧制御の為に不純物イオンをドーピングしても良い。
【０１６７】
次に、第１の半導体膜１０２上に第１の不純物半導体膜１０４を成膜する。（図１０（Ａ）参照）
【０１６８】
第１の不純物半導体膜は、ＣＶＤ法等により形成されたドナー型元素を含む半導体膜である。
【０１６９】
例えば、５０ｎｍの膜厚でリン（Ｐ）を含むシリコン膜を形成する。
【０１７０】
なお、本実施の形態では、ｎ−ｃｈＴＦＴを作製する為、第１の不純物半導体膜１０４はリン（Ｐ）を含むシリコン膜としたが、ｐ−ｃｈＴＦＴを作製する場合は、ボロン（Ｂ）等のアクセプター型元素を含む半導体膜を形成する。
【０１７１】
次に、積層された第１の不純物半導体膜１０４と第１の半導体膜１０２を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の島状不純物半導体層１０４ａ及び第１の島状半導体層１０２ａを形成し、且つ第２のＴＦＴ領域１００２に第２の島状不純物半導体層１０４ｂ及び第２の島状半導体層１０２ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１０（Ｂ）参照）
【０１７２】
次に、ゲート絶縁膜１０３を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のゲート配線２０２ａの一部を露出させて第１のコンタクト領域９００ａを形成し、第２のゲート配線２０２ｂの一部を露出させて第２のコンタクト領域９００ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。
【０１７３】
次に、第２の導電膜４００を成膜する。（図１０（Ｃ）参照）
【０１７４】
第２の導電膜４００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。
【０１７５】
例えば、３００ｎｍの膜厚でＭｏ（モリブデン）を形成する。第２の導電膜には、Ｍｏ（モリブデン）の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０１７６】
次に、第２の導電膜４００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。なお、第１の反射電極４０２ａは、反射電極の機能と画素電極の機能を兼ねている。（図１０（Ｄ）参照）
【０１７７】
なお、ここで形成される配線は、マスクパターンに応じて、適宜ＴＦＴ、コンタクト領域を介して露出されたゲート配線、その他の素子等と接続される。
【０１７８】
また、この時、第１の島状不純物半導体層１０４ａはＴＦＴのチャネル形成領域となる領域上のみ露出するようにマスクパターンを形成し、また、第２の島状不純物半導体層１０４ｂをＴＦＴのチャネル形成領域となる領域上のみ露出するようにマスクパターンを形成するようにする。その後、転写したレジストマスクを除去する。
【０１７９】
次に、第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂをマスクとして、第１の島状半導体層のチャネル形成領域上の不純物半導体層を自己整合的にエッチングすることにより、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のソース領域１０５ａ及び第１のドレイン領域１０６ａを形成し、同時に、第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａをマスクとして、第２の島状半導体層のチャネル形成領域上の不純物半導体層を自己整合的にエッチングすることによって、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のソース領域１０５ｂ及び第２のドレイン領域１０６ｂを形成する。（図１１（Ａ）参照）
【０１８０】
ここで、第１の島状半導体層１０２ａと、第１のソース領域１０５ａと、第１のドレイン領域１０６ａと、で構成された島状の半導体層を第３の島状半導体層１０２ｃとし、第２の島状半導体層１０２ｂと、第２のソース領域１０５ｂと、第２のドレイン領域１０６ｂと、で構成された島状の半導体層を第４の島状半導体層１０２ｄとする。（図１１（Ａ）参照）
【０１８１】
次に、第１の層間絶縁膜３００を成膜する。（図１１（Ｂ）参照）
【０１８２】
第１の層間絶縁膜３００は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。
【０１８３】
例えば、２００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。第１の層間絶縁膜３００には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１８４】
次に、第１の層間絶縁膜３００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１の配線４０１ａの一部を露出させて第３のコンタクト領域９００ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１１（Ｃ）参照）
【０１８５】
また、同時に、第２の配線４０１ｂの一部を露出させて第４のコンタクト領域９００ｄを形成し、第３の配線４０１ｃの一部を露出させて第５のコンタクト領域９００ｅを形成する。
【０１８６】
次に、レッドカラーフィルター膜７１１を成膜する。（図１１（Ｄ）参照）
【０１８７】
次に、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のレッドカラーフィルター領域７１１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のレッドカラーフィルター領域７１１ｂを形成する。（図１２（Ａ）参照）
【０１８８】
レッドカラーフィルター膜７１１は、スピンコート法等を用いて形成した赤色のカラーレジストである。
【０１８９】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０１９０】
次に、グリーンカラーフィルター膜７２１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のグリーンカラーフィルター領域７２１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のグリーンカラーフィルター領域７２１ｂを形成する。
【０１９１】
グリーンカラーフィルター膜７２１は、スピンコート法等を用いて形成した緑色のカラーレジストである。
【０１９２】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０１９３】
次に、ブルーカラーフィルター膜７３１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のブルーカラーフィルター領域７３１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブルーカラーフィルター領域７３１ｂを形成する。
【０１９４】
ブルーカラーフィルター膜７３１は、スピンコート法等を用いて形成した青色のカラーレジストである。
【０１９５】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０１９６】
次に、第２の層間絶縁膜５００を成膜する。（図１２（Ｂ）参照）
【０１９７】
第２の層間絶縁膜５００は、スピンコート法等を用いて形成した絶縁材料である。
【０１９８】
例えば、１μｍの膜厚でアクリルを形成する。第２の層間絶縁膜５００には、アクリルの他にも、ポリイミド、シロキサン等を少なくとも主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０１９９】
これらの材料を用いることにより、平坦化の効果を得られる。
【０２００】
次に、第２の層間絶縁膜５００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１の絶縁領域５０１ａ及び第２の絶縁領域５０１ｂを形成する。（図１２（Ｃ）参照）
【０２０１】
次に、透明導電膜６００を成膜する。（図１２（Ｄ）参照）
【０２０２】
透明導電膜６００は、スパッタリング法等を用いて形成した透過性の高い導電材料である。
【０２０３】
例えば、９０ｎｍの膜厚でインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯという。）を形成する。透明導電膜６００には、ＩＴＯの他にも、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（以下ＩＴＳＯという）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。
【０２０４】
次に、透明導電膜６００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に第１の透明電極６０１ａ、第１の対向領域に第２の透明電極６０１ｂ、第２の対向領域に第３の透明電極６０１ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１３参照）
【０２０５】
以上のようにして、透過型若しくは半透過型の第１のＴＦＴ領域１００１と反射型の第２のＴＦＴ領域１００２と第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に配置される第１の対向領域２００１と第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に配置される第２の対向領域２００２を同一の基板上に作製することができる。
【０２０６】
次に、実施の形態１に記載した方法により、液晶パネル作製する。
【０２０７】
液晶パネルは、第１の液晶表示領域３００１及び第２の液晶表示領域３００２を有しており、第１の液晶表示領域３００１内にＦＰＣ接続配線９０００ａを有し、及び第２の液晶表示領域３００２内にＦＰＣ接続配線９０００ｂを有する。（図１９参照  図１９は、実施の形態１の基板配置を本実施の形態に適用した図を例示した。）
【０２０８】
以上実施の形態４によれば、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態５）
【０２０９】
実施の形態４では、第２のＴＦＴ領域１００２に形成される反射電極に配線と同じ材料を使用したが、反射電極と画素電極を兼用せずに、画素電極に透明電極を用い、ゲート電極材料を反射電極として使用しても良い。（図２０、図２１参照）
【０２１０】
例えば、第２の反射電極２０４は、ゲート絶縁膜１０３と第１の層間絶縁膜３００を介して、画素電極の下層に配置することができる。（図２０参照）
【０２１１】
この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａの代わりに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。
【０２１２】
また、第２の反射電極２０４と第４の透明電極６０１ｄを接して形成することができる（図２１参照）。
【０２１３】
この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、ゲート絶縁膜１０３のマスクパターン形成時に第２の反射電極２０４の上のゲート絶縁膜１０３を除去し、第１の層間絶縁膜３００のマスクパターン形成時に第２の反射電極２０４上の第１の層間絶縁膜３００を除去し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。
（実施の形態６）
【０２１４】
実施の形態４、５では、ブラックマトリクス材料にゲート電極材料と同じ材料を使用したが、ブラックマトリクス材料に配線膜と同じ材料を使用しても良い。（図２２、図２３、図２４参照）
【０２１５】
この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第１のブラックマトリクス２０３ａ、第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成しないで、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の対向領域２００１に第３のブラックマトリクス４０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第４のブラックマトリクス４０３ｂを形成すればよい。
（実施の形態７）
【０２１６】
本実施の形態では、実施の形態２に記載した基板の作製方法を例示する。なお、実施の形態４と同様の作製方法を用いるので、実施の形態４と異なる部分のみについて説明を行う。
【０２１７】
本実施の形態の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成せずに第３の反射電極２０５を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成した後、マスクパターン転写技術により、第３のブラックマトリクス８００を第２の対向領域２００２に形成する。
【０２１８】
第３のブラックマトリクスは、例えば、黒色の有機膜を使用する。
【０２１９】
これにより、透過型又は半透過型の第１の液晶表示領域３００１と反射型の第２の液晶表示領域３００２を形成することが可能である。（図２５参照）
（実施の形態８）
【０２２０】
実施の形態７において、第２の対向領域２００２の第３の反射電極２０５に第１の導電膜２００と同じ材料を使用したが、第３の反射電極２０５に第２の導電膜４００と同じ材料を使用することが可能である。（図２６参照）
【０２２１】
この場合の作製方法は、実施の形態７の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に第２の対向領域２００２に第３の反射電極２０５を形成せずに、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第４の反射電極４０４を形成すれば良い。
（実施の形態９）
【０２２２】
実施の形態７においては、第２の層間絶縁膜５００を形成しなくても良い。（図２７参照）
【０２２３】
この場合は、実施の形態７において、第２の層間絶縁膜５００を形成する工程と、第２の層間絶縁膜５００のマスクパターンを形成する工程と、を除外すればよい。
【０２２４】
本実施形態の場合、第２の層間絶縁膜５００を形成する必要がない為、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１０）
【０２２５】
実施の形態８においては、第２の層間絶縁膜５００を形成しなくても良い。（図２８参照）
【０２２６】
この場合は、実施の形態８において、第２の層間絶縁膜５００を形成する工程と、第２の層間絶縁膜５００のマスクパターンを形成する工程と、を除外すればよい。
【０２２７】
本実施形態の場合、第２の層間絶縁膜５００を形成する必要がない為、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１１）
【０２２８】
実施の形態９においては、カラーフィルター領域を第２のＴＦＴ領域１００２に形成することが可能である（図２９参照）
【０２２９】
この場合は、第９の実施の形態において、カラーフィルター領域形成時に、第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第２のＴＦＴ領域１００２の第４の透明電極６０１ｄの下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成すればよい。
【０２３０】
この場合、カラーフィルター領域は表示面となる基板に配置されるので、より鮮明な表示が可能となる。
（実施の形態１２）
【０２３１】
実施の形態１０においては、カラーフィルター領域を第２のＴＦＴ領域１００２に形成することが可能である（図３０参照）
【０２３２】
この場合は、第１０の実施の形態において、カラーフィルター領域形成時に、第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第２のＴＦＴ領域１００２の第４の透明電極６０１ｄの下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成すればよい。
【０２３３】
この場合、カラーフィルター領域は表示面となる基板に配置されるので、より鮮明な表示が可能となる。
（実施の形態１３）
【０２３４】
本実施形態では、透過型若しくは半透過型の液晶表示装置用の第１のＴＦＴ領域１００１と第１の対向領域２００１と反射型の液晶表示装置用の第２のＴＦＴ領域１００２と第２の対向領域２００２を同一の基板上に作製する方法の一例を説明する。
【０２３５】
本実施形態では、第１のＴＦＴ領域１００１と第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴはトップゲート型ＴＦＴの一例を説明する。
【０２３６】
なお、本実施形態の説明に使用する図において、便宜的に第１のＴＦＴ領域１００１のＴＦＴの一つと、第２のＴＦＴ領域１００２のＴＦＴの一つと、第１の対向領域２００１のカラーフィルタの一つと、第２の対向領域２００２のカラーフィルタの一つ（レッドカラーフィルター領域）と、を図示して説明を行うが、それぞれのＴＦＴ領域は複数のＴＦＴ及び必要な素子、配線等を有しており、また、対向領域は、図示していないグリーンカラーフィルター領域及びブルーカラーフィルター領域等を有しているものとする。
【０２３７】
また、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能である。また、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０２３８】
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【０２３９】
まず、基板１００を用意する。（図１４（Ａ）参照）
【０２４０】
基板１００は、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルニウムホウケイ酸ガラスなどのガラスでなるものや、石英や、シリコンウエハなど、半導体装置の用途や、温度などプロセス条件によって適宜選択することができる。
【０２４１】
プロセス温度に耐え得れば、耐熱性の高いプラスチック材料、例えばポリカーボネイド、ポリイミド、アクリル材料でなる基板を用いることもできる。また、基板１００の形状は平面、曲面あるいは両方を有するものであり、平板状、帯状、長尺のものなど、プロセスや製造装置によって適宜選択される。
【０２４２】
次に、基板１００上に、下地絶縁膜１０１を成膜し、下地絶縁膜１０１上に、第１の半導体膜１０２を成膜する。（図１４（Ｂ）参照）
【０２４３】
下地絶縁膜１０１は、基板１００から不純物が拡散することを防止する膜で、例えば、１００ｎｍの膜厚で酸化窒化シリコンを形成する。下地絶縁膜１０１には、酸化窒化シリコンの他にも、窒化酸化シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等の単層又は積層を用いることができる。
【０２４４】
第１の半導体膜１０２は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した半導体材料である。
【０２４５】
例えば、５４ｎｍの膜厚でアモルファスシリコン膜を形成する。第１の半導体膜１０２の材料はシリコンに限られたものではなく、他の半導体材料も適宜選択可能である。
【０２４６】
また、第１の半導体膜１０２の結晶性を高める為に、レーザー光の照射やファーネスアニール、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）等により、エネルギーを加えて結晶化をしても良い。
【０２４７】
ここで、作製されるＴＦＴの閾値電圧制御の為に不純物イオンをドーピングしても良い。
【０２４８】
次に、第１の半導体膜１０２を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の島状半導体層１０２ａ及び第２の島状半導体層１０２ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１４（Ｃ）参照）
【０２４９】
次に、ゲート絶縁膜１０３を成膜する。（図１４（Ｄ）参照）
【０２５０】
ゲート絶縁膜１０３は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。
【０２５１】
例えば、１００ｎｍの膜厚で酸化窒化シリコン膜を形成する。ゲート絶縁膜１０３には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０２５２】
次に、ゲート絶縁膜１０３上に第１の導電膜２００を成膜する。（図１５（Ａ）参照）
【０２５３】
第１の導電膜２００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。
【０２５４】
例えば、３００ｎｍの膜厚でＭｏ（モリブデン）を形成する。第１の導電膜には、Ｍｏ（モリブデン）の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０２５５】
次に、第１の導電膜２００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１のゲート電極２０１ａ、第１のゲート配線２０２ａを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第２のゲート電極２０１ｂ、第２のゲート配線２０２ｂを形成し、第１の対向領域２００１に第１のブラックマトリクス２０３ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１５（Ｂ）参照）
【０２５６】
ブラックマトリクス材料をゲート電極材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能である為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
【０２５７】
次に、第１の島状半導体層１０２ａ及び第２の島状半導体層１０２ｂに不純物イオンの注入を行い、第１のＴＦＴ領域１００１に、第１のソース領域１０５ａ、第１のドレイン領域１０６ａを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に、第２のソース領域１０５ｂ、第２のドレイン領域１０６ｂを形成する。（図１５（Ｃ）参照）
【０２５８】
不純物の注入方法としては、イオン注入法、プラズマドーピング法、又はイオンシャワードーピング法が可能であり、注入するイオンは、ｎ−ｃｈＴＦＴにする場合は、ドナー型元素（例えばＰ（リン）やＡｓ（ヒ素））を注入し、ｐ−ｃｈＴＦＴにする場合は、アクセプター型元素（例えばＢ（ボロン））を注入する。
【０２５９】
また、基板面内にｎ−ｃｈＴＦＴとｐ−ｃｈＴＦＴを配置したいわゆるＣＭＯＳ回路を作製する場合、ドナー型元素を注入する時は、ｐ−ｃｈＴＦＴになる領域をマスクで覆ってドナー元素を注入し、アクセプター型元素を注入する時は、ｎ−ｃｈＴＦＴになる領域をマスクで覆ってアクセプター型元素を注入する。
【０２６０】
なお、マスクで覆う方法には、例えば、リソグラフィ法を用いる。
【０２６１】
次に、第１の層間絶縁膜３００を成膜する。（図１５（Ｄ）参照）
【０２６２】
第１の層間絶縁膜３００は、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて形成した絶縁材料であり、例えばシリコンを主成分とする絶縁材料である。
【０２６３】
例えば、１００ｎｍの膜厚で窒化シリコン膜を形成する。第１の層間絶縁膜３００には、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０２６４】
次に、注入した不純物イオンを活性化する為にアニールを行う。
【０２６５】
アニールは、例えば、窒素雰囲気で５５０度１時間でファーネスアニールを行う。アニールはＲＴＡやレーザー照射によって行っても良い。
【０２６６】
次に、レッドカラーフィルター膜７１１を成膜する。（図１６（Ａ）参照）
【０２６７】
次に、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のレッドカラーフィルター領域７１１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のレッドカラーフィルター領域７１１ｂを形成する。（図１６（Ｂ）参照）
【０２６８】
レッドカラーフィルター膜７１１は、スピンコート法等を用いて形成した赤色のカラーレジストである。
【０２６９】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０２７０】
次に、グリーンカラーフィルター膜７２１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のグリーンカラーフィルター領域７２１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のグリーンカラーフィルター領域７２１ｂを形成する。
【０２７１】
グリーンカラーフィルター膜７２１は、スピンコート法等を用いて形成した緑色のカラーレジストである。
【０２７２】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０２７３】
次に、ブルーカラーフィルター膜７３１を成膜し、リソグラフィ法によりマスクパターンを露光し、現像して、第１の対向領域２００１に第１のブルーカラーフィルター領域７３１ａを形成し、第２の対向領域２００２に第２のブルーカラーフィルター領域７３１ｂを形成する。
【０２７４】
ブルーカラーフィルター膜７３１は、スピンコート法等を用いて形成した青色のカラーレジストである。
【０２７５】
例えば、１．０μｍの膜厚でカラーレジストを形成する。
【０２７６】
次に、第２の層間絶縁膜５００を成膜する。（図１６（Ｃ）参照）
【０２７７】
第２の層間絶縁膜５００は、スピンコート法等を用いて形成した絶縁材料である。
【０２７８】
例えば、１μｍの膜厚でアクリルを形成する。第２の層間絶縁膜５００には、アクリルの他にも、ポリイミド、シロキサン等を少なくとも主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０２７９】
これらの材料を用いることにより、平坦化の効果を得られる。
【０２８０】
次に、第２の層間絶縁膜５００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に、第１のソース領域１０５ａの一部を露出して第１のコンタクト領域９０１ａを形成し、第１のドレイン領域１０６ａの一部を露出して第２のコンタクト領域９０１ｂを形成し、第１のゲート電極２０１ａの一部を露出して第３のコンタクト領域９０１ｃを形成し第２のＴＦＴ領域に、第２のソース領域１０５ｂの一部を露出して第４のコンタクト領域９０１ｄを形成し、第２のドレイン領域１０６ｂの一部を露出して第５のコンタクト領域９０１ｅを形成し、第２のゲート電極２０１ｂの一部を露出して第６のコンタクト領域９０１ｆを形成する。（図１６（Ｄ）参照）
【０２８１】
ここで、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２上の第２の層間絶縁膜５００は除去しないので、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２に平坦化層が形成されることとなる。（図１６（Ｄ）参照）
【０２８２】
ＴＦＴ領域の層間絶縁膜材料を対向領域の平坦化絶縁膜材料と同一の材料を使用して、基板面内に同時に作製することにより、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となる為、歩留まりを向上でき、コストの削減が可能となる。
【０２８３】
次に、第２の導電膜４００を成膜する。（図１７（Ａ）参照）
【０２８４】
第２の導電膜４００は、スパッタ法等を用いて形成した導電材料からなる導電膜であり、導電性材料または半導体材料を主成分とする材料である。
【０２８５】
例えば、１００ｎｍの膜厚でＴｉ（チタン）を形成した後、３００ｎｍの膜厚でＡｌ（アルミニウム）を形成する。第１の導電膜には、Ｔｉ（チタン）とＡｌ（アルミニウム）の積層の他にも、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、これら金属材料とシリコンとの化合物であるシリサイド、Ｎ型又はＰ型の導電性を有するポリシリコン等の材料、低抵抗金属材料Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等を主成分とする材料を少なくとも一層有する構造であれば特に限定されることなく用いることができる。
【０２８６】
次に、第２の導電膜４００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域１００１に第１の配線４０１ａ、第２の配線４０１ｂを形成し、第２のＴＦＴ領域１００２に第３の配線４０１ｃ、第１の反射電極４０２ａを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。なお、第１の反射電極４０２ａは、反射電極の機能と画素電極の機能を兼ねている。（図１７（Ｂ）参照）
【０２８７】
なお、ここで形成される配線は、マスクパターンに応じて、適宜ＴＦＴ、コンタクト領域を介して露出されたゲート配線、その他の素子等と接続される。
【０２８８】
次に、透明導電膜６００を成膜する。（図１７（Ｃ））
【０２８９】
透明導電膜６００は、スパッタリング法等を用いて形成した透過性の高い導電材料である。
【０２９０】
例えば、９０ｎｍの膜厚でインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯという。）を形成する。透明導電膜６００には、ＩＴＯの他にも、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（以下ＩＴＳＯという）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。
【０２９１】
次に、透明導電膜６００を、リソグラフィ法によりマスクパターンを転写し、エッチングして、第１のＴＦＴ領域に第１の透明電極６０１ａ、第１の対向領域に第２の透明電極６０１ｂ、第２の対向領域に第３の透明電極６０１ｃを形成する。その後、転写したレジストマスクを除去する。（図１８参照）
【０２９２】
以上のようにして、透過型若しくは半透過型の第１のＴＦＴ領域１００１と、反射型の第２のＴＦＴ領域１００２と、第１のＴＦＴ領域１００１の対向側に配置される第１の対向領域２００１と、第２のＴＦＴ領域１００２の対向側に配置される第２の対向領域２００２と、を同一の基板上に作製することができる。
【０２９３】
次に、実施の形態１に記載した方法で、液晶パネル作製する。
【０２９４】
液晶パネルは、第１の液晶表示領域３００１及び第２の液晶表示領域３００２を有しており、第１の液晶表示領域３００１内にＦＰＣ接続配線９０００ａを有し、及び第２の液晶表示領域３００２内にＦＰＣ接続配線９０００ｂを有する。（図３１参照  図３１は、実施の形態１の基板配置を本実施の形態に適用した図を例示した。）
【０２９５】
以上本実施の形態によれば、マスク数の削減、装置処理回数の削減、使用材料の削減が可能となり、従って、コストの削減が可能となる。
（実施の形態１４）
【０２９６】
実施の形態１３では、第２のＴＦＴ領域１００２に形成される反射電極に配線と同じ材料を使用したが、反射電極と画素電極を兼用せずに、画素電極に透明電極を用い、ゲート電極材料を反射電極として使用しても良い。（図３２参照）
【０２９７】
この場合の作製方法は、実施の形態４の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の反射電極２０４を形成し、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａの代わりに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成すれば良い。
（実施の形態１５）
【０２９８】
本実施の形態では、実施の形態２に記載した基板の作製方法を例示する。なお、実施の形態１３と同様の作製方法を用いるので、実施の形態４と異なる部分のみについて説明を行う。
【０２９９】
本実施の形態の作製方法は、実施の形態１３の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第２のブラックマトリクス２０３ｂを形成せずに第３の反射電極２０５を形成する。（第１の対向領域２００１には、第１のブラックマトリクス２０３ａを形成する。）
【０３００】
また、カラーフィルター領域形成時に、第１の対向領域２００１及び第２の対向領域２００２にはカラーフィルター領域を形成せず、第１のＴＦＴ領域１００１の透明電極の下、及び第２のＴＦＴ領域１００２の透明電極の下にカラーフィルター領域が配置されるようにカラーフィルター領域を形成する。
【０３０１】
また、第２の層間絶縁膜５００に黒色の有機膜を使用し、且つカラーフィルタ領域上の第２の層間絶縁膜５００は除去する。
【０３０２】
また、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第１の反射電極４０２ａを形成せずに第４の配線４０１ｄを形成し、透明導電膜６００のマスクパターン形成時に、第４の透明電極６０１ｄを形成する。
【０３０３】
なお、第１の層間絶縁膜３００を形成した後に、カラーフィルタ領域と第２の層間絶縁膜５００を形成するが、上記のようにカラーフィルター領域を先に形成しても良いし、第２の層間絶縁膜５００を先に形成しても良い。
【０３０４】
第２の層間絶縁膜５００を先に形成する場合には、カラーフィルター領域が配置される位置の第２の層間絶縁膜をマスクパターン転写技術により除去しておけばよい。
【０３０５】
次に、第２の実施形態と同様の方法で組み立てを行う。
【０３０６】
以上のようにして、第１の液晶表示領域３００１と第２の液晶表示領域３００２を有し、対向領域にカラーフィルター領域を配置していない両面表示可能な液晶表示装置を作成できる。（図３３参照）
【０３０７】
本実施の形態を採用することにより、第１のＴＦＴ領域１００１及び第１の対向領域２００１にブラックマトリクスの役割を果たす領域を形成することが可能な為、第１の液晶表示領域３００１のコントラストを向上できる。
（実施の形態１６）
【０３０８】
実施の形態１５において、第２の対向領域２００２の第３の反射電極２０５に第１の導電膜２００と同じ材料を使用したが、第３の反射電極２０５に第２の導電膜４００と同じ材料を使用することが可能である。（図３４参照）
【０３０９】
この場合の作製方法は、実施の形態１５の場合において、第１の導電膜２００のマスクパターン形成時に第２の対向領域２００２に第３の反射電極２０５を形成せずに、第２の導電膜４００のマスクパターン形成時に、第２の対向領域２００２に第４の反射電極４０４を形成すれば良い。
【０３１０】
本実施の形態を採用することにより、実施の形態１５と同様に、第１のＴＦＴ領域１００１及び第１の対向領域２００１にブラックマトリクスの役割を果たす領域を形成することが可能な為、第１の液晶表示領域３００１のコントラストを向上できる。
【０３１１】
さらに本実施の形態では、第１の対向領域２００１において透明電極と第４の反射電極４０４が接している為、対向領域の電極の抵抗を下げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０３１２】
【図１】液晶表示装置の組立て方法。
【図２】液晶表示装置の組立て方法。
【図３】液晶表示装置の組立て方法。
【図４】液晶表示装置の組立て方法。及び液晶表示装置を使用した携帯電話。
【図５】液晶表示装置の組立て方法。
【図６】液晶表示装置の組立て方法。
【図７】大判基板に作製した液晶表示装置作製用基板の図。
【図８】大判基板に作製した液晶表示装置作製用基板の図及び分断の例。
【図９】ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１０】ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１１】ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１２】ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１３】ボトムゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１４】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１５】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１６】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１７】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１８】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図１９】トップゲート型ＴＦＴ及び対向領域の作製方法（断面図）。
【図２０】両面表示装置断面図（実施の形態１７）
【図２１】両面表示装置断面図（実施の形態１８）
【図２２】両面表示装置断面図（実施の形態１９）
【図２３】両面表示装置断面図（実施の形態２０）
【図２４】両面表示装置断面図（実施の形態２１）
【図２５】両面表示装置断面図（実施の形態２２）
【図２６】両面表示装置断面図（実施の形態２３）
【図２７】両面表示装置断面図（実施の形態２４）
【図２８】両面表示装置断面図（実施の形態２５）
【図２９】両面表示装置断面図（実施の形態２６）
【図３０】両面表示装置断面図（実施の形態２７）
【図３１】両面表示装置断面図（実施の形態２８）
【図３２】両面表示装置断面図（実施の形態２９）
【図３３】両面表示装置断面図（実施の形態３０）
【図３４】両面表示装置断面図（実施の形態３１）
【図３５】液晶表示装置の組立て方法。
【図３６】両面表示装置断面図。
【符号の説明】
【０３１３】
１  基板
１ａ  第１の基板
１ｂ  第２の基板
１ｃ  第３の基板
１ｄ  第４の基板
１００  基板
１０１  下地絶縁膜
１０２  第１の半導体膜
１０２ａ  第１の島状半導体層
１０２ｂ  第２の島状半導体層
１０２ｃ  第３の島状半導体層
１０２ｄ  第４の島状半導体層
１０３  ゲート絶縁膜
１０４ａ  第１の島状不純物半導体層
１０４ｂ  第２の島状不純物半導体層
１０４  第１の不純物半導体膜
１０５ａ  第１のソース領域
１０６ａ  第１のドレイン領域
１０５ｂ  第２のソース領域
１０６ｂ  第２のドレイン領域
２００  第１の導電膜
２０１ａ  第１のゲート電極
２０１ｂ  第２のゲート電極
２０２ａ  第１のゲート配線
２０２ｂ  第２のゲート配線
２０３ａ  第１のブラックマトリクス
２０３ｂ  第２のブラックマトリクス
２０４  第２の反射電極
２０５  第３の反射電極
３００  第１の層間絶縁膜
４００  第２の導電膜
４０１ａ  第１の配線
４０１ｂ  第２の配線
４０１ｃ  第３の配線
４０１ｄ  第４の配線
４０２ａ  第１の反射電極
４０３ａ  第３のブラックマトリクス
４０３ｂ  第４のブラックマトリクス
４０４  第４の反射電極
５００  第２の層間絶縁膜
５０１ａ  第１の絶縁領域
５０１ｂ  第２の絶縁領域
６００  透明導電膜
６０１ａ  第１の透明電極
６０１ｂ  第２の透明電極
６０１ｃ  第３の透明電極
６０１ｄ  第４の透明電極
７１１  レッドカラーフィルター膜
７１１ａ  第１のレッドカラーフィルター領域
７１１ｂ  第２のレッドカラーフィルター領域
７２１  グリーンカラーフィルター膜
７２１ａ  第１のグリーンカラーフィルター領域
７２１ｂ  第２のグリーンカラーフィルター領域
７３１  ブルーカラーフィルター膜
７３１ａ  第１のブルーカラーフィルター領域
７３１ｂ  第２のブルーカラーフィルター領域
８００  第３のブラックマトリクス
９００ａ  第１のコンタクト領域
９００ｂ  第２のコンタクト領域
９００ｃ  第３のコンタクト領域
９００ｄ  第４のコンタクト領域
９００ｅ  第５のコンタクト領域
９００ｆ  第６のコンタクト領域
９０１ａ  第１のコンタクト領域
９０１ｂ  第２のコンタクト領域
９０１ｃ  第３のコンタクト領域
９０１ｄ  第４のコンタクト領域
９０１ｅ  第５のコンタクト領域
９０１ｆ  第６のコンタクト領域
１００１  第１のＴＦＴ領域
１００２  第２のＴＦＴ領域
２００１  第１の対向領域
２００２  第２の対向領域
３００１  第１の液晶表示領域
３００２  第２の液晶表示領域
４０００  シール材
４００１  第１の封止領域
４００２  第２の封止領域
５０００  重畳領域
６００１  第１のＦＰＣ
６００２  第２のＦＰＣ
７００１  第１の液晶表示装置
７００２  第２の液晶表示装置
８０００ａ  第１の破線
８０００ｂ  第２の破線
８０００ｃ  第３の破線
８０００ｄ  第４の破線
８００１  光
８００２  光
８００３  光
１００００  バックライト  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007179034.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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