(57)【要約】      （修正有）【課題】ボイド防止型回路基板及びそれを有する半導体パッケージを提供する。【解決手段】上部面に形成された電極パターン１２２を覆って保護し、上記電極パターン１２２に載せられるソルダボール１２８周辺に露出部を形成するように塗布される保護層１２４を含み、上記露出部側に注入されるアンダーフィル材が上記電極パターン１２２より先に接する露出部で上記露出部を通して露出される電極パターン１２２の厚さとほぼ同一な少なくとも一つの間隙補償部を具備する。半導体チップ１１０と基板１２０との間に液状のアンダーフィル材を注入する工程において、相互異なる毛細管現象によって大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止し、製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることができる。【選択図】図４ｂ
2007110081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部面に形成された電極パターンと、
前記電極パターンを覆って保護し、前記電極パターンに載せられるソルダボール周辺に露出部を形成するように塗布される保護層と、
前記露出部側に注入されるアンダーフィル材が前記電極パターンより先に接する露出部において前記露出部を通して露出される電極パターンの厚さとほぼ同一な少なくとも一つの間隙補償部と
を具備するボイド防止型回路基板。
【請求項２】
前記間隙補償部は前記露出部で露出される電極パターンの幅とほぼ同一の幅を有することを特徴とする請求項１に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項３】
前記間隙補償部は前記ソルダボールを基準にして前記電極パターンと９０度以上の位相差をおいて具備されることを特徴とする請求項１に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項４】
前記間隙補償部は前記電極パターンから延長されるパターン延長型突出部であることを特徴とする請求項１に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項５】
前記パターン延長型突出部は前記電極パターンと同一材質から成って前記電極パターンの製造工程において具備されることを特徴とする請求項４に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項６】
前記パターン延長型突出部の先端部は前記露出部との境界部位に該当する保護層に接するように具備されることを特徴とする請求項４に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項７】
前記間隙補償部は前記保護層から前記ソルダボール側に延長される保護層延長型突出部であることを特徴とする請求項１に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項８】
前記保護層延長型突出部は前記保護層と同一材質から成って前記保護層の塗布において具備されることを特徴とする請求項７に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項９】
前記保護層延長型突出部の先端部は前記ソルダボールの外部面近傍まで延長されることを特徴とする請求項７に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項１０】
前記間隙補償部は前記電極パターンに一端が接せず、前記保護層と他端が接せず、分離されるよう独立的に具備される独立型突出部であることを特徴とする請求項１に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項１１】
前記独立型突出部は前記電極パターンと同一材質から成って前記電極パターンの製造工程において具備されることを特徴とする請求項１０に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項１２】
前記独立型突出部は前記保護層と同一材質から成って前記保護層の塗布において具備されることを特徴とする請求項１０に記載のボイド防止型回路基板。
【請求項１３】
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップがソルダボールを媒介にして搭載され、上部面に形成されて前記ソルダボールが載せられる電極パターン、および、前記電極パターンを覆って保護し、前記ソルダボール周辺に露出部を形成するように塗布される保護層を具備する基板と、
前記半導体チップと基板との間に形成されたギャップに注入されるアンダーフィル材によって具備されるアンダーフィル層と、
前記アンダーフィル材が前記電極パターンより先に接する露出部において前記半導体チップとの間隙が前記半導体チップと電極パターンとの間隙とほぼ同じになるように前記露出部に具備される少なくとも一つの間隙補償部と、
を含むフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記間隙補償部は前記露出部で露出される電極パターンの幅とほぼほぼ同一の幅を有することを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記間隙補償部は前記露出部で露出される電極パターンの厚さとほぼ同一な厚さで具備されることを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記間隙補償部は前記ソルダボールを基準にして前記電極パターンと９０度以上の位相差をおいて具備されることを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記間隙補償部は前記電極パターンから延長されるように前記基板上に具備されるパターン延長型突出部であることを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記パターン延長型突出部は前記電極パターンと同一材質から成って前記電極パターンの製造工程において具備されることを特徴とする請求項１７に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記パターン延長型突出部の先端部は前記露出部との境界部位に該当する保護層に接するように具備されることを特徴とする請求項１７に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記間隙補償部は前記保護層から前記ソルダボール側に延長されるように前記基板上に具備される保護層延長型突出部であることを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記保護層延長型突出部は前記保護層と同一材質から成って前記保護層の塗布において具備されることを特徴とする請求項２０に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記保護層延長型突出部の先端部は前記ソルダボールの外部面近傍まで延長されることを特徴とする請求項２０に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記間隙補償部は前記電極パターンに一端が接せず、前記保護層と他端が接せず分離するように前記基板上に独立的に具備される独立型突出部を特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記独立型突出部は前記電極パターンと同一材質から成って前記電極パターンの製造工程において具備されることを特徴とする請求項２３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記独立型突出部は前記保護層と同一材質から成って前記保護層の塗布において具備されることを特徴とする請求項２３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記間隙補償部は前記半導体チップの下部面に前記基板側に下向き突出されるように具備されるチップ延長型突出部であることを特徴とする請求項１３に記載のフリップチップ半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ボイド防止型回路基板及びそれを有する半導体パッケージに関するもので、より詳しくは半導体チップとの間にアンダーフィル材を注入する工程において、間隙差に起因して発生される相互異なる毛細管現象により大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止して製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることのできるボイド防止型回路基板およびそれを有する半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の薄型化、小型化の趨勢に伴って半導体素子を搭載するパッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）技術も高速、高機能、高密度実装が求められ、このような要求に応じてチップスケールパッケージ形態のフリップチップ実装技術が登場するようになった。
【０００３】
一般的に公知されているフリップチップ実装技術は半導体チップをパッケージングせず、そのまま回路基板に実装して半導体チップパッケージを製造する技術である。
【０００４】
図１は、従来の半導体パッケージを示す断面図である。図２ａは、図１の要部に対する部分的な平面図である。図２ｂは、図２ａのＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図である。図１に示すように、回路基板２の上部面には信号線に該当する電極パターン３を具備し、上記電極パターン３が形成された回路基板２上部面にはソルダ-レジスト（ｓｏｌｄｅｒ-ｒｅｓｉｓｔｏｒ）用保護層４を一定の厚さに塗布する。
【０００５】
電極パターン３は連結端子３ａを有する。電極パターン３は、上記連結端子３ａのみを外部に露出させ、他の部分は保護層４が塗布される。一方、連結端子３ａの周辺の上記回路基板２は、外部に露出させる露出部６を形成するべく、その上部面に保護層４が塗布されない。
【０００６】
上記電極パターン３の連結端子３ａには実装しようとする半導体チップ１の下部面に形成された電極端子（図示せず）と対応配置されるソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）７を載せておき、上記半導体チップ１が上記ソルダボール７を媒介にして上記回路基板２と接続される。
【０００７】
このような方法で上記回路基板２に半導体チップ１が実装されると半導体チップ１の下面に付着されたソルダボール７の高さにより上記半導体チップ１と回路基板２との間にギャップ（ｇａｐ）が発生し、半導体チップ１の支持力が弱化され、震動に起因するストレス（ｓｔｒｅｓｓ）によって上記ソルダボール７との接続部位が破断される恐れがある。
【０００８】
このため、上記半導体チップ１と回路基板２との間には不図示のディスペンサ（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）を利用して絶縁性樹脂から成るアンダーフィル材を注入し、それを硬化させて半導体チップ１を支持するアンダーフィル層８を形成してフリップチップ型半導体パッケージ１０を製造完成した。
【０００９】
しかし、図２ａに示すように、上記半導体チップ１と回路基板２との間にアンダーフィル層８を形成するためにアンダーフィル材が注入される方向（Ｂ）が上記電極パターン３と互いに一致しない正反対側または他位置に形成される場合、上記半導体チップ１が回路基板２との間隙は上記露出部６において一定せず、それによって上記露出部６に空気が満たされるボイド（ｖｏｉｄ）が発生する。
【００１０】
即ち、図２ｂに示すように、上記露出部６で上記半導体チップ１と基板２との間隙Ｔ１は、上記露出部６で露出される保護層４と半導体チップ１との間隙Ｔ２より広く形成されアンダーフィル材の注入の際、毛細管現状の効果が低く現れるので、上記間隙Ｔ１を通して注入されるアンダーフィル材の流れは相対的に狭い大きさを有する間隙Ｔ２を通して注入されるアンダーフィル材の流れより相対的に遅く形成される。
【００１１】
このような場合、上記半導体チップ１と基板２との間に矢印Ｂ方向に注入されるアンダーフィル材の流れは、図２ａに示すように点線で表す矢印Ｃ方向にように流れ上記露出部６と半導体チップ１との間に満たされる際、上記間隙Ｔ１でのアンダーフィル材の流速は上記間隙Ｔ２での流速より遅くなり、これによって上記アンダーフィル材がソルダボール７の外部面に接するように達する過程においてアンダーフィル材が大気中の空気を包囲しながら空気が満たされるボイドＶを発生した。
【００１２】
上記ボイドＶがアンダーフィル層８の内部に形成されると、製造完成された半導体パッケージ１０の信頼性試験および品質苛酷試験、並びに製造ラインで上記アンダーフィル層８が摂氏２００℃以上の高温に加熱する過程において空気が満たされたボイドＶが膨脹されて破裂され、それによって製品不良をもたらすばかりでなく製品信頼性を低下させる主原因となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明は上記の問題点を解決するために案出したもので、その目的は半導体チップとの間にアンダーフィル材を注入する工程において、相互異なる毛細管現象によって大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止することのできるボイド防止型回路基板を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、半導体チップとの間にアンダーフィル材を注入する工程において、相互異なる毛細管現象によって大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止して製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることのできる半導体パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するための技術的な手段として、本発明は、上部面に形成された電極パターンを覆って保護し、上記電極パターンに載せられるソルダボール周辺に露出部を形成するように塗布される保護層を含み、上記露出部側に注入されるアンダーフィル材が上記電極パターンより先に接する露出部において上記露出部を通して露出される電極パターンの厚さとほぼ同一な少なくとも一つの間隙補償部と、を具備するボイド防止型回路基板を提供する。
【００１６】
好ましくは、上記間隙補償部は上記露出部で露出される電極パターンの幅とほぼ同一な大きさで具備される。
【００１７】
好ましくは、上記間隙補償部は上記ソルダボールを基準にして上記電極パターンと９０度以上の位相差をおいて具備される。
【００１８】
好ましくは、上記間隙補償部は上記電極パターンから延長されるパターン延長型突出部である。
【００１９】
より好ましくは、上記パターン延長型突出部は上記電極パターンと同一材質から成って上記電極パターンの製造工程において具備される。
【００２０】
より好ましくは、上記パターン延長型突出部の先端部は上記露出部との境界部位に該当する保護層に接するように具備される。
【００２１】
好ましくは、上記間隙補償部は上記保護層から上記ソルダボール側に延長される保護層延長型突出部である。
【００２２】
より好ましくは、上記保護層延長型突出部は上記保護層と同一材質から成って上記保護層の塗布において具備される。
【００２３】
より好ましくは、上記保護層延長型突出部の先端部は上記ソルダボールの外部面近傍まで延長される。
【００２４】
好ましくは、上記間隙補償部は上記電極パターンに一端が接せず上記保護層と他端が接せず分離されるよう独立的に具備される独立型突出部である。
【００２５】
より好ましくは、上記独立型突出部は上記電極パターンと同一材質から成って上記電極パターンの製造工程において具備される。
【００２６】
より好ましくは、上記独立型突出部は上記保護層と同一材質から成って上記保護層の塗布において具備される。
【００２７】
また、本発明は、少なくとも一つの半導体チップと、上記半導体チップがソルダボールを媒介にして搭載され、上記ソルダボールが載せられる電極パターンが上部面に具備され、上記電極パターンを覆って保護し、上記ソルダボール周辺に露出部を形成するように塗布される保護層を具備する基板と、上記半導体チップと基板との間に形成されたギャップに注入されるアンダーフィル材によって具備されるアンダーフィル層と、上記アンダーフィル材が上記電極パターンより先に接する露出部において上記半導体チップとの間隙が上記半導体チップと電極パターンとの間隙とほぼ同じになるように上記露出部に具備される少なくとも一つの間隙補償部と、を含むフリップチップ半導体パッケージを提供する。
【００２８】
好ましくは、上記間隙補償部は上記露出部で露出される電極パターンの幅とほぼ同一な大きさで具備される。
【００２９】
好ましくは、上記間隙補償部は上記露出部で露出される電極パターンの厚さとほぼ同一な厚さで具備される。
【００３０】
好ましくは、上記間隙補償部は上記ソルダボールを基準にして上記電極パターンと９０度以上の位相差をおいて具備される。
【００３１】
好ましくは、上記間隙補償部は上記電極パターンから延長されるよう上記基板上に具備されるパターン延長型突出部である。
【００３２】
より好ましくは、上記パターン延長型突出部は上記電極パターンと同一材質から成って上記電極パターンの製造工程において具備される。
【００３３】
より好ましくは、上記パターン延長型突出部の先端部は上記露出部との境界部位に該当する保護層に接するように具備される。
【００３４】
好ましくは、上記間隙補償部は上記保護層から上記ソルダボール側に延長されるように上記基板上に具備される保護層延長型突出部である。
【００３５】
より好ましくは、上記保護層延長型突出部は上記保護層と同一材質から成って上記保護層の塗布において具備される。
【００３６】
より好ましくは、上記保護層延長型突出部の先端部は上記ソルダボールの外部面近傍まで延長される。
【００３７】
好ましくは、上記間隙補償部は上記電極パターンに一端が接せず上記保護層と他端が接せず分離されるよう上記基板上に独立的に具備される独立型突出部である。
【００３８】
より好ましくは、上記独立型突出部は上記電極パターンと同一材質から成って上記電極パターンの製造工程において具備される。
【００３９】
より好ましくは、上記独立型突出部は上記保護層と同一材質から成って上記保護層の塗布において具備される。
【００４０】
好ましくは、上記間隙補償部は上記半導体チップの下部面に上記基板側に下向き突出されるように具備されるチップ延長型突出部である。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、アンダーフィル材の注入時、注入されるアンダーフィル材が最前に接する露出部において半導体チップとの間隙が半導体チップと保護層間の間隙と互いに最大限に同じになるように間隙補償部を露出部に具備することによって、間隙補償部を通してアンダーフィル材がソルダボール側に注入される流速と、保護層を通してアンダーフィル材が露出部周辺に注入される流速が互いに同じになるので、アンダーフィル材が満たされる露出部において空気が包囲されるボイドの発生を防止し、それによって製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明について添付された図面を用いてより詳しく説明する。
【実施例１】
【００４３】
図３は、本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第１実施例を示した断面図であり、図４ａは本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第１実施例の要部に対する部分的平面図で、図４ｂは本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第１実施例の部分断面図である。
【００４４】
本発明のフリップチップ半導体パッケージ１００は図３および図４ａ、ｂに示すように半導体チップ１１０、基板１２０、アンダーフィル層１３０及び間隙補償部１４０と、を含んで成る。
【００４５】
即ち、上記半導体チップ１１０は上記基板１２０の上部面にソルダボール１２８を媒介にしてフリップチップボンディングされる少なくとも一つの能動チップ部品である。
【００４６】
さらに、上記基板１２０は上部面に予め設計されたパターンに沿って銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）のような導電性物質を素材にして電極パターン１２２を印刷したり、ラミネーティング（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）して具備する。
【００４７】
上記電極パターン１２２の一端部には上記半導体チップ１１０の下面に形成された電極端子（図示せず）と対応する連結端子１２２ａを具備する。
【００４８】
上記電極パターン１２２が形成された基板１２０の上部面にはメッキや半田付けの際、上記電極パターン１２２と基板１２０が保護できるようソルダ-レジスト用保護層１２４を一定の厚さに塗布する。
【００４９】
そして、上記電極パターン１２２の連結端子１２２ａ周辺には上記基板１２０の上部面を一部露出させることが可能となるように上記保護層１２４が塗布されない露出部１２６を具備する。
【００５０】
ここで、上記ソルダ-レジスト用保護層１２４はメッキや半田付けの際、マスク（ｍａｓｋ）または絶縁層として機能するようにエポキシのような絶縁素材から成るのが好ましい。
【００５１】
また、上記露出部１２６は図面上で上記ソルダボール１２８を取り囲む環状で示したが、これに限定されるものではなく、上記基板１２０の設計条件に従って多様に変更しても良い。
【００５２】
さらに、上記半導体チップ１１０が搭載される基板１２０周辺にはキャパシタ、インダクタ、抵抗のような受動素子（図示せず）を搭載してもよい。
【００５３】
また、上記アンダーフィル層１３０は上記基板１２０とこれに搭載される半導体チップ１１０との隙間であるギャップによって上記半導体チップ１１０の支持力が劣って、上記ソルダボール１２８との接続部位を補強するようにディスペンサ（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）（図示せず）を利用して絶縁性樹脂から成る液状のアンダーフィル材を上記ギャップに注入し、毛細管現象によって充填し、これを硬化させて半導体チップ１１０を保持する。
【００５４】
一方、上記間隙補償部１４０はアンダーフィル材の注入時、上記基板１２０の上部面の一部と上記電極パターン１２２の一部を外部露出させる露出部１２６で上記半導体チップ１１０と基板１２０との間隙が一定でないため毛細管現象の具合が異なって表すことに起因するボイドの発生を防止するように上記露出部１２６に少なくとも一つ具備される。
【００５５】
このような間隙補償部１４０は上記半導体チップ１１０と基板１２０の間にアンダーフィル材を注入する際、上記アンダーフィル材が上記電極パターン１２２より先に接する露出部１２６において上記半導体チップ１１０との間隙Ｔ３が上記半導体チップ１１０と電極パターン１２２との間隙Ｔ２とほぼ同じになるように具備する。
【００５６】
このために、上記露出部１２６に具備される間隙補償部１４０は上記露出部１２６を通して露出される電極パターン１２２の厚さと同じく具備されなければならない。
【００５７】
これにより、上記アンダーフィル材を注入する方向（Ｂ）を基準にして上記半導体チップ１１０と基板１２０との間隙は、ほぼ一定になるように形成されこれを通して注入されるアンダーフィル材の毛細管現象が上記間隙補償部１４０と上記保護層１２４上に同一に発生されアンダーフィル材の注入流速がほぼ同じになる。
【００５８】
さらに、上記間隙補償部１４０はアンダーフィル材の流入方向に形成されるように上記ソルダボール１２８を基準にして上記電極パターン１２２と９０度以上の位相差をおいて具備されるのが好ましい。
【００５９】
上記間隙補償部１４０は、図４ａ、ｂに示すように、上記電極パターン１２２から連続して延長され上記基板１２０上に具備されるパターン延長型突出部１４１として具備してもよい。
【００６０】
ここで、上記パターン延長型突出部１４１は上記電極パターン１２２と同一材質から成って上記電極パターン１２２の製造工程において共に具備されることが好ましい。
【００６１】
また、上記パターン延長型突出部１４１は上記アンダーフィル材が注入される方向と一致されるように上記電極パターン１２２から直線型に延長され得るが、これに限定されるものではなく、上記アンダーフィル材が注入される方向に対して傾斜するように上記電極パターン１２２から傾斜型に延長されることもできる。
【００６２】
さらに、上記パターン延長型突出部１４１の先端部は、液状の注入材が上記パターン延長型突出部１４１を経て上記ソルダボール１２８まで流れる流れが、より円滑に行われるように上記露出部１２６との境界部位に該当する保護層１２４に接するように具備されることが好ましい。さらに、上記間隙補償部１４０は上記露出部１２６で露出される上記パターン延長型突出部１４１の幅とほぼ同一な幅で具備されることが好ましい。
【実施例２】
【００６３】
図５ａは、本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第２実施例の要部に対する部分的な平面図で、図５ｂは本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第２実施例の要部に対する部分断面図である。
【００６４】
上記露出部１２６に具備される間隙補償部１４０は図５ａ、ｂに示すように、上記露出部１２６の境界部位に該当する保護層１２４から上記ソルダボール１２８側に一定長さ延長されて上記基板１２０上に具備される保護層延長型突出部１４２として具備されることもできる。
【００６５】
このような保護層延長型突出部１４２は上記保護層１２４と同一材質から成って上記保護層１２４の塗布時一体で具備され、その先端部はアンダーフィル材の流れが上記保護層延長型突出部１４２を通して上記ソルダボール１２８まで流れる流れが、より円滑に行われるように上記ソルダボール１２８の外周面近傍まで延長されるのが好ましい。
【実施例３】
【００６６】
図６ａは、本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第３実施例の要部に対する部分的な平面図で、図６ｂは本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第３実施例の要部に対する部分断面図である。
【００６７】
上記露出部１２６に具備される間隙補償部１４０は、図６ａ、ｂに示すように、上記電極パターン１２２に一端が接せず、上記保護層１２４と他端が接せず分離されるように上記基板１２０上に独立的に具備される独立型突出部１４３である。
【００６８】
ここで、上記独立型突出部１４３は、上記電極パターン１２２の製造工程時これと同一な材質で具備されることも可能であり、上記保護層１２４の塗布工程時これと同一材質で具備されることもできる。
【００６９】
さらに、上記半導体チップ１１０と基板１２０にはこれらを外部環境から保護できるようにエポキシのような樹脂材からモールド部（図示せず）を成形することもできる。
【実施例４】
【００７０】
図７は、本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第４実施例の要部に対する部分断面図である。
【００７１】
上記露出部１２６に具備される間隙補償部１４０は、図７に示すように、上記電極パターン１２２に一端が連結されず上記保護層１２４に他端が接しないながら上記半導体チップ１１０の下部面から上記基板１２０側に下向き突出されるチップ延長型突出部１４４として具備されることも可能である。
【００７２】
この際、上記チップ延長型突出部１４４が下向き突出される大きさは上記基板１２０との間隙Ｔ３が上記半導体チップ１１０と電極パターン１２２との間隙Ｔ２とほぼ同じになるように具備されるのが好ましい。
【００７３】
上記した構成の半導体パッケージ１００の基板１２０は、上部面にパターン印刷された電極パターン１２２及び基板１２０をメッキや半田付けの際に保護できるようにソルダ-レジスト用保護層１２４を一定の厚さに塗布し、上記ソルダボール１２８が載せられる電極パターン１２２の連結端子周辺は上記保護層１２４が塗布されない露出部１２６によって外部露出される。
【００７４】
このような状態で、上記電極パターン１２２の連結端子１２２ａにソルダボール１２８を載せておいて、上記ソルダボール１２８を媒介にして半導体チップ１１０は基板１２０と電気的に連結されるように搭載される。
【００７５】
さらに、上記半導体チップ１１０と基板１２０との間には半導体チップの支持力を強化させ、接続部が補強できるように液状のアンダーフィル材をディスペンサで注入した後硬化させることでアンダーフィル層１３０を形成するようになる。
【００７６】
一方、上記半導体チップ１１０と基板１２０との間にアンダーフィル材を矢印Ｂ方向に注入する工程において、図４ａ、ｂに示すように、上記アンダーフィル材の注入される方向を基準にしてアンダーフィル材が最前に接するようになる露出部１２６には電極パターン１２２から延長されるパターン延長型突出部１４１から成る間隙補償部１４０を具備するため、上記パターン延長型突出部１４１と半導体チップ１１０との間隙Ｔ３は上記半導体チップ１１０と電極パターン１２２との間隙Ｔ２と同じになる。
【００７７】
ここで、上記間隙補償部１４０は上記電極パターン１２２から延長されるパターン延長型突出部１４１であり得るが、これに限定されるものではなく、図５ａ、ｂに示すように上記保護層１２４から延長される保護層延長型突出部１４２であったり、図６ａ、ｂに示すように上記電極パターン１２２と一端が分離され上記保護層１２４に他端が分離される独立型突出部１４３であったり、図７に示すように半導体チップ１１０の下部面から下向き突出されるチップ延長型突出部１４４であり得る。
【００７８】
これにより、上記間隙補償部１４０を通して上記ソルダボール１２８側に広がるアンダフィル材の流速は上記保護層１２４を通して上記露出部１２６周辺に広がるのと互いに同じになる。
【００７９】
これによって上記露出部１２６に満たされるアンダーフィル材が上記ソルダボール１２８の外部面に接するように達する過程においてアンダーフィル材が大気中の空気を包囲しながら空気が満たされるボイドＶの発生を抑制することができ、上記半導体チップ１１０と基板１２０との間にアンダーフィル材を注入して充填する作業を、より円滑に行うことができる。
【００８０】
本発明は、特定の実施例に関して図示し、説明したが、以下の請求範囲によって備えられる本発明の精神や分野を外れない範囲内において本発明が多様に改造および変化され得ることを当業界において通常の知識を有する者は容易に判ることを明らかにしておく。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】従来の半導体パッケージを示す断面図である。
【図２ａ】図１の要部に対する部分的な平面図である。
【図２ｂ】図２ａのＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図である。
【図３】本発明による半導体パッケージの第１実施例を示す断面図である。
【図４ａ】本発明によるフリップチップ半導体パッケージの第１実施例を示すものであって、要部に対する部分的な平面図である。
【図４ｂ】図４ａのＹ１−Ｙ１’線に沿って切断した断面図である。
【図５ａ】本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第２実施例を示すものであって、要部に対する部分的な平面図である。
【図５ｂ】図５ａのＹ２−Ｙ２’線に沿って切断した断面図である。
【図６ａ】本発明によるフリップチップ半導体チップパッケージの第３実施例を示すものであって、要部に対する部分的な平面図である。
【図６ｂ】図６ａのＹ３−Ｙ３’線に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明による半導体チップパッケージの第４実施例の部分断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１１０  半導体チップ
１２０  基板
１２２  電極パターン
１２２ａ  連結端子
１２４  保護層
１２６  露出部
１２８  ソルダボール
１３０  アンダーフィル層
１４０  間隙補償部
１４１  パターン延長型突出部
１４２  保護層延長型突出部
１４３  独立型突出部
１４４  チップ延長型突出部
【図１】
2007110081.tif 000003
【図２ａ】
2007110081.tif 000004
【図２ｂ】
2007110081.tif 000005
【図３】
2007110081.tif 000006
【図４ａ】
2007110081.tif 000007
【図４ｂ】
2007110081.tif 000008
【図５ａ】
2007110081.tif 000009
【図５ｂ】
2007110081.tif 000010
【図６ａ】
2007110081.tif 000011
【図６ｂ】
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【図７】
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