(57)【要約】【課題】光ヘッドを小型化する。【解決手段】第１基板１０と第２基板２０とは相互に対向する。第２基板２０の面上には、複数の発光素子Ｅと、各発光素子Ｅの階調を指定するデータ信号Ｄが供給されるデータ信号線ＬＤとが配置される。第１基板１０の面上には、各発光素子Ｅに対応する複数の単位回路Ｕと、各単位回路Ｕを順次に選択するシフトレジスタ４３とが配置される。単位回路Ｕは、シフトレジスタ４３による選択に応じてデータ信号線ＬＤから取得したデータ信号Ｄに基づいて、当該単位回路Ｕに対応する発光素子Ｅの発光を制御する。【選択図】図４
2007223095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する第１基板および第２基板を具備し、
前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面上には、
複数の発光素子と、
前記各発光素子の階調を指定するデータ信号が供給される信号線とが配置され、
前記第１基板のうち前記第２基板に対向する面上には、
前記各発光素子に対応する複数の単位回路と、
前記各単位回路を順次に選択する選択回路とが配置され、
前記各単位回路は、前記選択回路による選択に応じて前記信号線から取得したデータ信
号に基づいて、当該単位回路に対応する前記発光素子の発光を制御する
ことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
前記信号線は、前記各発光素子が配列する第１方向に沿って延在し、
前記各単位回路は、前記信号線から取得したデータ信号を保持する保持回路と、前記保
持回路が保持するデータ信号に応じて前記発光素子の発光を制御する発光制御回路とを含
み、前記第１方向に沿って配列する
請求項１に記載の光ヘッド。
【請求項３】
前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面上には、前記各発光素子が配列する第１
方向に延在する第１給電線および第２給電線が配置され、
前記各発光素子は、前記第１給電線と前記第２給電線とを結ぶ電気的な経路上に配置さ
れ、
前記各単位回路は、前記第１給電線から前記発光素子に供給される電流をデータ信号に
基づいて制御する
請求項１または請求項２に記載の光ヘッド。
【請求項４】
相互に対向する第１基板および第２基板を具備し、
前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面上には、
第１給電線および第２給電線と、
前記第１給電線と前記第２給電線とを結ぶ電気的な経路上の複数の発光素子とが配置さ
れ、
前記第１基板のうち前記第２基板に対向する面上には、
前記各発光素子に対応する複数の単位回路と、
前記各単位回路を順次に選択する選択回路とが配置され、
前記各単位回路は、前記選択回路による選択に応じて信号線から取得したデータ信号に
基づいて、前記第１給電線から前記発光素子に供給される電流を制御する
ことを特徴とする光ヘッド。
【請求項５】
前記第１給電線および前記第２給電線は、前記各発光素子が配列する第１方向に沿って
延在し、
前記各単位回路は、前記信号線から取得したデータ信号を保持する保持回路と、前記保
持回路が保持するデータ信号に応じて前記発光素子の発光を制御する発光制御回路とを含
み、前記第１方向に沿って配列する
請求項４に記載の光ヘッド。
【請求項６】
前記各単位回路は、前記第１給電線と前記発光素子とを結ぶ電気的な経路上に配置され
るとともにデータ信号に応じて前記発光素子の発光を制御する駆動素子を含み、
前記各単位回路の駆動素子と前記発光素子とは第１接続部にて電気的に接続され、
前記第１給電線と前記各単位回路の駆動素子とは第２接続部にて電気的に接続され、
前記各発光素子は、前記第２基板に垂直な方向からみて、前記第１接続部と前記第２接
続部との間隙の領域に配置される
請求項３から請求項５の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項７】
前記各発光素子と前記各単位回路とは重なり合い、
前記各発光素子は、相互に対向する第１電極および第２電極と両電極間に介在する発光
層とを含み、前記各発光素子の第２電極は、当該発光素子の発光層と前記単位回路との間
に介在する
請求項１から請求項６の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項８】
前記信号線と前記選択回路とは重なり合う
請求項１から請求項７の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項９】
前記選択回路は、前記各発光素子が配列する第１方向に沿って延在し、
前記各単位回路と前記各発光素子とは第１接続部にて電気的に接続され、
前記各発光素子は、前記第２基板に垂直な方向からみて、前記選択回路と前記第１接続
部との間隙の領域に配置される
請求項１から請求項８の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項１０】
前記信号線は、前記各発光素子が配列する第１方向に沿って延在し、
前記各単位回路と前記各発光素子とは第１接続部にて電気的に接続され、
前記各発光素子は、前記第２基板に垂直な方向からみて、前記信号線と前記第１接続部
との間隙の領域に配置される
請求項１から請求項８の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項１１】
露光によって潜像が形成される像担持体と、
前記像担持体を露光する請求項１から請求項１０の何れかに記載の光ヘッドと、
前記像担持体の潜像に対する現像剤の付着によって顕像を形成する現像器と
を具備する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード素子などの発光素子を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数の発光素子が基板に配列された光ヘッド（ラインヘッド）を感光体ドラムなどの像
担持体の露光に利用した画像形成装置が従来から提案されている。例えば特許文献１には
、各発光素子の駆動に関わる様々な要素を多数の発光素子とともにひとつの基板の面上に
配置した光ヘッドが開示されている。基板の面上には、例えば、各発光素子の階調を指定
するデータ信号が供給される複数の信号線や、各発光素子の駆動のためにデータ信号を信
号線から取得（サンプリング）する複数のスイッチング素子、各スイッチング素子を順番
にオン状態に遷移させるシフトレジスタなどが配置される。
【特許文献１】特開２００５−２３１１７１号公報（図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の構成においては、以上のような様々な要素の配置のために
大型の基板が必要となるから、光ヘッドやこれを利用した画像形成装置の小型化が制約さ
れるという問題があった。このような事情を背景として、本発明は、光ヘッドを小型化す
るという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明の第１の特徴に係る光ヘッドは、相互に対向する
第１基板および第２基板を具備し、第２基板のうち第１基板に対向する面上には、複数の
発光素子と、各発光素子の階調を指定するデータ信号が供給される信号線とが配置され、
第１基板のうち第２基板に対向する面上には、各発光素子に対応する複数の単位回路と、
各単位回路を順次に選択する選択回路（例えば図２のシフトレジスタ４３や図８のサンプ
リング回路４５）とが配置され、各単位回路は、選択回路による選択に応じて信号線から
取得したデータ信号に基づいて、当該単位回路に対応する発光素子の発光を制御する。
【０００５】
以上の構成においては、選択回路および複数の単位回路が配置された第１基板と複数の
発光素子および信号線が配置された第２基板とが相互に対向するから、これらの要素がひ
とつの基板の面上に相互に重なり合わないように配置された構成と比較して光ヘッドが小
型化される。また、例えば選択回路や単位回路が薄膜トランジスタなどの能動素子を含む
構成においては、能動素子をひとつの基板の面上に形成すれば足りる。したがって、第１
基板および第２基板の双方に能動素子が配置される構成（例えば第１基板に選択回路が配
置されて第２基板に各単位回路が配置された構成）と比較して製造コストが削減される。
【０００６】
さらに好適な態様において、信号線は、各発光素子が配列する第１方向（例えば図５の
Ｘ方向）に沿って延在し、各単位回路は、信号線から取得したデータ信号を保持する保持
回路と、保持回路が保持するデータ信号に応じて発光素子の発光を制御する発光制御回路
とを含み、第１方向に沿って配列する。この態様においては、データ信号を各単位回路に
入力する経路やデータ信号を保持回路から発光制御回路に伝送する経路など第１基板上の
データ信号の経路（以下「データ経路」という）と、第２基板上にてデータ信号を伝送す
る信号線とが、第１基板や第２基板に垂直な方向からみて交差する。したがって、データ
経路と信号線とがひとつの基板の別個の領域に設置された構成と比較して光ヘッドを小型
化することが可能である。
ところで、単純に光ヘッドの小型化という作用のみに着目すると、データ経路と信号線
とがひとつの基板の面上に配置されて相互に交差する構成も採用され得る。より具体的に
は、各単位回路を配列した基板の表面が絶縁層によって被覆され、信号線は絶縁層の表面
に形成されて各単位回路の配列と交差する。しかしながら、この構成においては、データ
経路および信号線の一方における電圧の変動が他方の電圧に影響する（例えばノイズが発
生する）可能性がある。特にデータ経路と信号線とが交差する箇所においてこの問題は顕
著である。もちろん絶縁層の膜厚を充分に確保すれば相互間の電気的な影響を低減するこ
とも可能ではあるが、所期の歩留まりを維持しながら絶縁層を充分な膜厚に欠陥なく形成
するのは製造技術上の事情から容易ではない。これに対し、本発明の好適な態様によれば
、第１基板と第２基板との間隔を適宜に選定することでデータ経路と信号線とが充分に離
間するから、データ経路および信号線の相互間における電気的な影響を容易に抑制するこ
とが可能である。
【０００７】
より具体的な態様において、第２基板のうち第１基板に対向する面上には、各発光素子
が配列する第１方向に延在する第１給電線（例えば図２の電源線４１）および第２給電線
（例えば図２の接地線４２）が配置され、各発光素子は、第１給電線と第２給電線とを結
ぶ電気的な経路上に配置され、各単位回路は、第１給電線から発光素子に供給される電流
をデータ信号に基づいて制御する。以上の態様によれば、第１基板と第２基板との間隔を
適宜に選定することで中間配線と第１給電線や第２給電線との電気的な影響を抑制するこ
とが可能である。
【０００８】
本発明の第２の特徴に係る光ヘッドは、相互に対向する第１基板および第２基板を具備
し、第２基板のうち第１基板に対向する面上には、第１給電線および第２給電線と、第１
給電線と第２給電線とを結ぶ電気的な経路上の複数の発光素子とが配置され、第１基板の
うち第２基板に対向する面上には、各発光素子に対応する複数の単位回路と、各単位回路
を順次に選択する選択回路とが配置され、各単位回路は、選択回路による選択に応じて信
号線から取得したデータ信号に基づいて、第１給電線から発光素子に供給される電流を制
御する。
【０００９】
以上の構成においては、選択回路および複数の単位回路が配置された第１基板と複数の
発光素子および信号線が配置された第２基板とが相互に対向するから、これらの要素がひ
とつの基板の面上に相互に重なり合わないように配置された構成と比較して光ヘッドが小
型化される。また、例えば選択回路や単位回路が薄膜トランジスタなどの能動素子を含む
構成においては、能動素子をひとつの基板の面上に形成すれば足りる。したがって、第１
基板および第２基板の双方に能動素子が配置される構成（例えば第１基板に選択回路が配
置されて第２基板に各単位回路が配置された構成）と比較して製造コストが削減される。
【００１０】
第２の特徴に係る光ヘッドの好適な態様において、第１給電線および第２給電線は、各
発光素子が配列する第１方向（例えば図５のＸ方向）に沿って延在し、各単位回路は、信
号線から取得したデータ信号を保持する保持回路と、保持回路が保持するデータ信号に応
じて発光素子の発光を制御する発光制御回路とを含み、第１方向に沿って配列する。この
構成においては、第１基板上にてデータ信号を伝送するデータ経路と第１給電線や第２給
電線とが交差するから、これらの要素がひとつの基板上に形成された構成と比較して光ヘ
ッドが小型化される。また、第１基板と第２基板との間隔を適宜に選定することでデータ
経路と第１給電線や第２給電線とが充分に離間するから、データ経路および各給電線の相
互間における電気的な影響を容易に抑制することができる。
【００１１】
なお、本発明の発光素子とは、電気エネルギの付与（例えば電流の供給や電界の印加）
によって発光する素子であり、例えば電流の供給によって輝度が制御される有機発光ダイ
オード素子である。また、本発明における「複数の発光素子」は、光ヘッドが備える発光
素子の全部であっても一部であってもよい。
【００１２】
ところで、各発光素子が第２基板の周辺の近傍に配置された構成においては、第１基板
と第２基板との接合部から浸入した水分や不純物が容易に発光素子に到達し、これによっ
て発光素子が劣化する可能性がある。一方、単純に第１基板や第２基板を大型化すること
で各発光素子の両側に各々の封止のためのスペースを確保する構成においては、光ヘッド
の小型化が阻害されるという問題がある。
そこで、第１および第２の特徴に係る光ヘッドの好適な態様において、各単位回路は、
第１給電線と発光素子とを結ぶ電気的な経路上に配置されるとともにデータ信号に応じて
発光素子の発光を制御する駆動素子（例えば図３の駆動トランジスタＲdr）を含み、各単
位回路の駆動素子と発光素子とは第１接続部（例えば図４の接続端子Ｃa1・導通粒子３１
・接続端子Ｃb1）にて電気的に接続され、第１給電線と各単位回路の駆動素子とは第２接
続部（例えば図４の接続端子Ｃa2・導通粒子３１・接続端子Ｃb2）にて電気的に接続され
、各発光素子は、第２基板に垂直な方向からみて、第１接続部と第２接続部との間隙の領
域に配置される。
以上の態様においては、各発光素子の配列を挟んだ両側に第１接続部と第２接続部とが
配置されるから、第１基板や第２基板を大型化することなく各発光素子と第２基板の周縁
との距離が充分に確保される。したがって、第１基板と第２基板との接合部から浸入した
水分や不純物が発光素子に到達する可能性は低減され、これらの付着に起因した発光素子
の劣化が抑制されるという利点がある。
【００１３】
第１および第２の特徴に係る光ヘッドの好適な態様において、各発光素子と各単位回路
とは、第１基板や第２基板に垂直な方向からみて相互に重なり合い、各発光素子は、相互
に対向する第１電極および第２電極と両電極間に介在する発光層とを含み、各発光素子の
第２電極は、当該発光素子の発光層と単位回路との間に介在する。以上の態様によれば、
各発光素子と各単位回路とが重なり合わないように配置された構成と比較して光ヘッド（
第１基板や第２基板）の小型化が可能である。また、発光層と単位回路との間に第２電極
が介在するから、単位回路から発光層に対する電気的な影響（例えばノイズ）が第２電極
によって遮蔽される。以上の作用および効果は、第２電極が複数の発光素子にわたって連
続に形成された態様において特に顕著となる。また、遮光性（光吸収性または光反射性）
の導電材料によって第２電極が形成された構成によれば、単位回路に向かう光が第２電極
によって遮光されるから、光照射に起因した単位回路の誤動作が防止されるという利点が
ある。
【００１４】
さらに好適な態様において、信号線と選択回路とは第１基板や第２基板に垂直な方向か
らみて相互に重なり合う。この態様によれば、信号線と選択回路とが重なり合わないよう
に配置された構成と比較して光ヘッドの小型化が可能である。
【００１５】
第１および第２の特徴に係る光ヘッドの具体的な態様において、選択回路は、各発光素
子が配列する第１方向に沿って延在し、各単位回路と各発光素子とは第１接続部にて電気
的に接続され、各発光素子は、第２基板に垂直な方向からみて、選択回路と第１接続部と
の間隙の領域に配置される。別の観点からすると、信号線は、各発光素子が配列する第１
方向に沿って延在し、各単位回路と各発光素子とは第１接続部にて電気的に接続され、各
発光素子は、第２基板に垂直な方向からみて、信号線と第１接続部との間隙の領域に配置
される。
以上の各態様においては、各発光素子の配列を挟んだ両側に第１接続部と他の要素（選
択回路や信号線）とが位置するから、第１基板や第２基板を大型化することなく各発光素
子と第２基板の周縁との距離が充分に確保される。したがって、各発光素子を良好に封止
することが可能である。
【００１６】
本発明に係る光ヘッドは各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例
は、以上の各態様に係る光ヘッドを感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写
真方式の画像形成装置である。この画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担
持体（例えば図１０の感光体ドラム７０）と、像担持体を露光する本発明の光ヘッドと、
像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付着によって顕像を形成する現像器と
を含む。もっとも、本発明に係る光ヘッドの用途は像担持体の露光に限定されない。例え
ば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る光ヘッドを原稿の照明に利用
することが可能である。この画像読取装置は、本発明に係る光ヘッドと、光ヘッドから出
射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Ch
arge Coupled Device）素子などの受光素子）とを具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光ヘッド（露光ヘッド）を利用した画像形成装置
の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は光ヘッドＨと集
光性レンズアレイ６０と感光体ドラム７０とを具備する。光ヘッドＨは、Ｘ方向（主走査
方向）に配列する多数の発光素子（図１では図示略）を含む。感光体ドラム７０は、Ｘ方
向に延在する回転軸に支持され、外周面を光ヘッドＨに対向させた状態で回転する。
【００１８】
集光性レンズアレイ６０は光ヘッドＨと感光体ドラム７０との間隙に配置される。この
集光性レンズアレイ６０は、各々の光軸を光ヘッドＨ（Ｚ方向）に向けた姿勢でアレイ状
に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。集光性レンズアレイ６０としては、例え
ば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（
セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。光ヘッドＨにおける各
発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ６０の各屈折率分布型レンズを透過したうえ
で感光体ドラム７０の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム７０の表面には所
望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１９】
図２は、光ヘッドＨの電気的な構成を示すブロック図である。図２に示すように、光ヘ
ッドＨは、複数の発光素子ＥがＸ方向に配列された素子アレイ部Ａと、電源線４１および
接地線４２と、各発光素子Ｅに対応する複数（発光素子Ｅと同数）の単位回路Ｕとを具備
する。各発光素子Ｅは、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）材料からなる発光層が陽極と
陰極との間に介在する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）
素子であり、発光層に供給される電流に応じた輝度（光度）に発光する。
【００２０】
電源線４１には外部の電源回路４６から外部接続端子Ｔp1を介して電源電位ＶDDが供給
される。接地線４２には電源回路４６から外部接続端子Ｔp2を介して接地電位ＶSSが供給
される。各発光素子Ｅの陰極は接地線４２に接続される。複数の単位回路Ｕは、Ｘ方向に
相隣接するｎ個（Ｕ1，Ｕ2，……，Ｕn）を単位としてｍ個のブロックＢ（Ｂ1，Ｂ2，…
…，Ｂm）に区分される（ｍおよびｎの各々は２以上の整数）。なお、本実施形態では説
明の便宜のために各ブロックＢに同数の単位回路Ｕが含まれる構成を例示するが、ブロッ
クＢごとに単位回路Ｕの個数が相違する構成としてもよい。
【００２１】
さらに、光ヘッドＨは、ブロックＢの総数に相当するｍビットのシフトレジスタ４３と
、各ブロックＢの単位回路Ｕの個数に相当するｎ本のデータ信号線ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤn）
を含む信号線群Ｌとを具備する。シフトレジスタ４３には外部の制御回路４７から外部接
続端子Ｔsを介してスタートパルスＳＰとクロック信号ＣＬＫとが供給される。シフトレ
ジスタ４３は、各単位回路ＵをブロックＢごとに選択するための手段であり、クロック信
号ＣＬＫに同期したスタートパルスＳＰのシフトによってｍ系統の選択信号Ｓ1〜Ｓmを生
成する。選択信号Ｓ1〜Ｓmの各々は、クロック信号ＣＬＫの１周期ごとに順番にアクティ
ブレベルとなる。選択信号Ｓi（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）は、ブロックＢiに属する
ｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnに対して共通に供給される。選択信号Ｓiのアクティブレベルへ
の遷移はブロックＢiに属する各単位回路Ｕ1〜Ｕnの選択を意味する。
【００２２】
図２の画像処理回路４８は、ひとつのブロックＢに属する単位回路Ｕの総数に相当する
ｎ系統のデータ信号Ｄ1〜Ｄnを生成する。データ信号Ｄj（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数
）は外部接続端子Ｔdを介してデータ信号線ＬＤjに供給される。ブロックＢ1〜Ｂmの各々
に属する第ｊ段目の単位回路Ｕj（合計ｍ個）はデータ信号線ＬＤjに対して共通に接続さ
れる。データ信号Ｄjは、ブロックＢ1〜Ｂmの各々の第ｊ段目の単位回路Ｕjに対応した発
光素子Ｅの輝度（階調）をブロックＢ1〜Ｂmの配列の順番に時分割にて指定する電圧信号
である。さらに詳述すると、データ信号Ｄjは、選択信号Ｓiがアクティブレベルとなる期
間において、ブロックＢiの単位回路Ｕjに対応した発光素子Ｅに指定された輝度に応じて
ハイレベルおよびローレベルの何れかとなる。
【００２３】
次に、図３を参照して、ひとつの単位回路Ｕの具体的な構成を説明する。なお、同図に
おいてはブロックＢiに属するひとつの単位回路Ｕjのみが図示されているが、総ての単位
回路Ｕ（Ｕ1〜Ｕn）は同様の構成である。図３に示すように、ひとつの単位回路Ｕjは、
保持回路４４１と発光制御回路４４２とを含む。
【００２４】
保持回路４４１は、選択信号ＳiによるブロックＢiの選択に応じてデータ信号線ＬＤj
からデータ信号Ｄjを取得して保持する手段（例えばラッチ回路）である。さらに詳述す
ると、保持回路４４１は、選択信号Ｓiがアクティブレベルに遷移したタイミングにてデ
ータ信号線ＬＤjからデータ信号Ｄjを取得し、選択信号Ｓiが次にアクティブレベルに遷
移するまでデータ信号Ｄjの出力を維持する。
【００２５】
発光制御回路４４２は、保持回路４４１が保持するデータ信号Ｄjに応じて発光素子Ｅ
の発光を制御する手段であり、ｐチャネル型のトランジスタ（以下「駆動トランジスタ」
という）Ｒdrとｎチャネル型のトランジスタＲ0とを含む。駆動トランジスタＲdrは、発
光素子Ｅに供給される電流を制御する手段であり、電源線４１と発光素子Ｅの陽極との間
に介在する。トランジスタＲ0は駆動トランジスタＲdrのドレイン（発光素子Ｅの陽極）
と接地線４２との間に介在する。駆動トランジスタＲdrおよびトランジスタＲ0の各々の
ゲートには保持回路４４１から出力されたデータ信号Ｄjが供給される。保持回路４４１
がローレベルのデータ信号Ｄjを保持している場合、駆動トランジスタＲdrはオン状態と
なり、トランジスタＲ0はオフ状態となる。したがって、発光素子Ｅは、電源線４１から
駆動トランジスタＲdrを介した電流の供給によって発光する。これに対し、データ信号Ｄ
jがハイレベルである場合には、駆動トランジスタＲdrはオフ状態とって発光素子Ｅは消
灯する。なお、駆動トランジスタＲdrがオフ状態にあるときのリーク電流はオン状態のト
ランジスタＲ0を経由して接地線４２に流れ込むから、データ信号Ｄjがハイレベルである
場合に発光素子Ｅを確実に消灯させることができる。
【００２６】
次に、光ヘッドＨの機械的な構造について説明する。図４は、図１におけるIV−IV線か
らみた断面図である。図１および図４に示すように、光ヘッドＨは、相互に対向する状態
で貼り合わされた第１基板１０と第２基板２０とを具備する。第２基板２０は第１基板１
０からみて感光体ドラム７０側に位置する。第１基板１０および第２基板２０は、Ｘ方向
を長手とする姿勢に固定された長尺状の板材である。
【００２７】
図５の部分(a)は、第１基板１０のうち第２基板２０に対向する表面（以下「対向面」
という）１０s上に配置された要素の構造を示す平面図であり、同図の部分(b)は、第２基
板２０のうち第１基板１０に対向する表面（以下「対向面」という）２０s上に配置され
た要素の構造を示す平面図である。図５の部分(a)および部分(b)の各々における紙面の手
前側が相互に向かい合うように第１基板１０と第２基板２０とが貼り合わされる。
【００２８】
図４と図５の部分(a)とに示すように、シフトレジスタ４３および各単位回路Ｕは第１
基板１０の対向面１０s上に配置される。図５の部分(a)に示すように、シフトレジスタ４
３は、Ｘ方向を長手としてＹ方向（副走査方向）の正側の周縁に沿うように配置された長
尺状の回路である。対向面１０sにはシフトレジスタ４３に接続される外部接続端子Ｔs（
図示略）が形成される。また、対向面１０sのうちＹ方向の負側の周縁に沿った領域には
、Ｘ方向に配列する複数の接続端子Ｃa1が配置される。複数の単位回路Ｕは、シフトレジ
スタ４３と接続端子Ｃa1の配列との間隙の領域にてＸ方向に配列する。
【００２９】
図４と図５の部分(b)とに示すように、複数の発光素子Ｅと電源線４１および接地線４
２と信号線群Ｌとは第２基板２０の対向面２０s上に配置される。信号線群Ｌを構成する
ｎ本のデータ信号線ＬＤ1〜ＬＤnは、対向面２０sのうちＹ方向の正側の周縁に沿った領
域にてＸ方向に延在する。各データ信号線ＬＤは、対向面２０sのうちＸ方向の正側の周
縁に形成された外部接続端子Ｔdに接続される。また、対向面２０sのうちＹ方向の負側の
周縁に沿った領域には、Ｘ方向に配列する複数の接続端子Ｃb1が配置される。電源線４１
および接地線４２は、信号線群Ｌと接続端子Ｃb1の配列との間隙の領域にてＸ方向に延在
する。電源線４１のうち第１基板１０の周縁に至った端部が図２の外部接続端子Ｔp1であ
る。同様に、接地線４２のうち第１基板１０の周縁に至った端部が外部接続端子Ｔp2であ
る。複数の発光素子Ｅは、接地線４２と接続端子Ｃb1の配列との間隙の領域にてＸ方向に
配列する。なお、第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態において、第２基板２
０上の外部接続端子Ｔd・Ｔp1・Ｔp2は、実際には第１基板１０とは重なり合わない。つ
まり、外部接続端子Ｔd・Ｔp1・Ｔp2は、第２基板２０のうち第１基板１０の周縁から張
り出す領域に形成される。同様に、第１基板１０上の外部接続端子Ｔsは第２基板２０と
は重なり合わない。
【００３０】
図４に示すように、第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態で第１基板１０の
各接続端子Ｃa1と第２基板２０の各接続端子Ｃb1とは相互に対向する。第１基板１０と第
２基板２０とは両者間に介在する異方性導電体３０によって接合される。異方性導電体３
０は、多数の導電性の粒子（以下「導通粒子」という）３１を接着剤３２に分散させた膜
体である。第１基板１０と第２基板２０との間隙に異方性導電体３０を介挿したうえで両
基板を熱圧着すると、第１基板１０と第２基板２０とが接着剤３２によって相互に接合さ
れるとともに接続端子Ｃa1とこれに対向する接続端子Ｃb1とが導通粒子３１に接触して電
気的に接続される。なお、導通粒子３１は、第１基板１０と第２基板２０との間隔を所定
の寸法に維持するスペーサとしても機能する。
【００３１】
図４に示すように、第１基板１０の各単位回路Ｕと第２基板２０の各発光素子Ｅとは、
第１基板１０や第２基板２０の表面に垂直なＺ方向からみて相互に重なり合う。この構成
によれば、ひとつの基板に区画された別個の領域に単位回路Ｕと発光素子Ｅとが配置され
た構成と比較して基板（第１基板１０・第２基板２０）が小型化される。さらに、本実施
形態においては、第１基板１０のシフトレジスタ４３（より詳細にはシフトレジスタ４３
を構成するトランジスタＱ）と第２基板２０の信号線群ＬとがＺ方向からみて相互に重な
り合う。この構成によれば、ひとつの基板の別個の領域にシフトレジスタ４３と信号線群
Ｌとが配置された構成と比較して基板が小型化される。以上のように、本実施形態によれ
ば第１基板１０や第２基板２０に必要となる面積が第１基板１０上の要素と第２基板２０
上の要素との重複分だけ削減される。したがって、光ヘッドＨやこれを内蔵する画像形成
装置が小型化されるという利点がある。
【００３２】
また、図５の部分(b)に示すように各発光素子ＥはＸ方向に延在する配線（信号線群Ｌ
・電源線４１・接地線４２）と接続端子Ｃb1の配列との間隙に位置する。換言すると、各
発光素子Ｅは、図４に示すように、Ｚ方向からみて接続端子Ｃa1・Ｃb1とシフトレジスタ
４３との間隙に位置する。この構成によれば、第２基板２０の周縁と発光素子Ｅとの距離
を充分に確保することが可能である。各発光素子Ｅが第２基板２０の周縁の近傍に配置さ
れた構成（例えば発光素子Ｅと第２基板２０の周縁との間に配線が介在しない構成）にお
いては、第１基板１０と第２基板２０との接合部から浸入した水分や不純物が容易に発光
素子Ｅに到達し、これによって発光素子Ｅが劣化する可能性がある。これに対し、本実施
形態によれば、第２基板２０のうちＹ方向の沿った中央寄りの位置に各発光素子Ｅが配置
されるから、第１基板１０と第２基板２０との接合部から浸入した水分や不純物が発光素
子Ｅに到達する可能性は低減される。すなわち、各発光素子Ｅを第１基板１０と第２基板
２０との間隙に良好に封止して外部との接触を有効に防止することが可能である。したが
って、本実施形態によれば、水分や不純物の付着に起因した発光素子Ｅの劣化が抑制され
るという利点がある。
【００３３】
なお、以上においては対向面１０sに外部接続端子Ｔsが形成された構成を例示したが、
第２基板２０の対向面２０sに形成された外部接続端子Ｔsを導通粒子３１によって第１基
板１０のシフトレジスタ４３に接続する構成としてもよい。この構成においては、総ての
外部接続端子（Ｔs・Ｔd・Ｔp1・Ｔp2）が第２基板２０に形成されるから、光ヘッドＨと
外部とを接続するための構成が簡素化されるという利点がある。
【００３４】
次に、図６は、第１基板１０に形成された要素の構成を示す断面図（図５の部分(a)に
おけるVI−VI線からみた断面図）である。図６と図４とでは上下（Ｚ方向）が逆転してい
る。図６に示すように、第１基板１０の対向面１０s上には、シフトレジスタ４３を構成
する複数のトランジスタＱ（図６ではひとつのみが図示されている）と、単位回路Ｕを構
成する複数のトランジスタＲとが配置される。なお、単位回路Ｕを構成するトランジスタ
（図３の駆動トランジスタＲdr・トランジスタＲ0や保持回路４４１を構成するトランジ
スタ）の各々を特に区別する必要がない場合には単に「トランジスタＲ」と表記する。ト
ランジスタＱとトランジスタＲとは共通の工程にて一括的に形成される。
【００３５】
第１基板１０上のトランジスタＱ・Ｒの各々は、第１基板１０の表面に半導体材料によ
って形成された半導体層１１と、半導体層１１上のゲート絶縁層Ｆa0を挟んで半導体層１
１（チャネル領域）に対向するゲート電極１２１とを含む薄膜トランジスタである。半導
体層１１は、例えばアモルファスシリコンに対するレーザアニールで形成されたポリシリ
コンの膜体である。ゲート電極１２１は第１絶縁層Ｆa1に覆われる。トランジスタＱ・Ｒ
の各々のソース電極１３１およびドレイン電極１３２は、アルミニウムなど低抵抗の金属
によって第１絶縁層Ｆa1の面上に形成されるとともにコンタクトホールを介して半導体層
１１（ソース領域およびドレイン領域）に導通する。トランジスタＱ・Ｒが形成された第
１基板１０の表面は第２絶縁層Ｆa2に覆われる。第１絶縁層Ｆa1や第２絶縁層Ｆa2はＳｉ
Ｏ2やＳｉＮなどの絶縁材料で形成された膜体である。
【００３６】
図６に示すように、各接続端子Ｃa1は第１層１３３と第２層１４とが第１基板１０側か
らこの順番に積層された構造となっている。各トランジスタＱ・Ｒのソース電極１３１お
よびドレイン電極１３２と第１層１３３とは、第１絶縁層Ｆa1の全面にわたって連続に形
成された導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。なお、ソース
電極１３１・ドレイン電極１３２と第１層１３３との関係のように、複数の要素が共通の
膜体（単層であるか複数層であるかは不問である）の選択的な除去によって同一の工程で
形成されることを以下では単に「同層から形成される」と表記する。同層から形成された
各要素の材料は当然に同一であって各々の膜厚は略一致する。複数の要素が同層から形成
される構成によれば、各々が別個の膜体から形成される構成と比較して、製造工程の簡素
化や製造コストの低減が実現されるという利点がある。
【００３７】
図６に示すように、各接続端子Ｃa1の第１層１３３は、第１絶縁層Ｆa1を貫通するコン
タクトホールを介して中間導電体１２２に電気的に接続される。中間導電体１２２は、ト
ランジスタＱ・Ｒのゲート電極１２１と同層から形成される。駆動トランジスタＲdrのド
レイン電極１３２は、中間導電体１２２を介して接続端子Ｃa1に接続される。
【００３８】
第２絶縁層Ｆa2のうち第１層１３３に重なり合う部分には開口部Ｏa1が形成される。第
２層１４は、開口部Ｏa1の内側に入り込むように形成されて第１層１３３と電気的に接続
される。第２層１４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxid
e）といった導電性の酸化物（光透過性の導電材料）によって形成される。このように耐
食性の高い第２層１４によってアルミニウムなど耐食性の低い材料の第１層１３３を被覆
することで第１層１３３の腐食が有効に防止される。
【００３９】
第２絶縁層Ｆa2のうち駆動トランジスタＲdrのソース電極１３１に重なり合う部分には
開口部Ｏa2が形成される。図６に示すように、開口部Ｏa2の内側に入り込むように接続端
子Ｃa2が第２層１４と同層から形成される。接続端子Ｃa2は、駆動トランジスタＲdrのソ
ース電極１３１に接触して電気的に接続される。また、第２絶縁層Ｆa2（トランジスタＱ
のドレイン電極１３２に重なり合う部分）には開口部Ｏa3が形成される。図６に示すよう
に、開口部Ｏa3の内側に入り込むように接続端子Ｃa3が第２層１４と同層から形成される
。接続端子Ｃa3は、シフトレジスタ４３や単位回路Ｕの保持回路４４１に電気的に接続さ
れる。
【００４０】
次に、図７は、第２基板２０に形成された要素の構成を示す断面図（図５の部分(b)に
おけるVII−VII線からみた断面図）である。図７に示すように、第２基板２０の対向面２
０s上には電源線４１とｎ本のデータ信号線ＬＤ1〜ＬＤnとがアルミニウムなどの低抵抗
な金属によって同層から形成される。電源線４１と信号線群Ｌとが形成された対向面２０
sは第１絶縁層Ｆb1に覆われる。
【００４１】
各接続端子Ｃb1は、接続端子Ｃa1と同様に、第１層２２１と第２層２４２とが第２基板
２０側からこの順番に積層された構造となっている。図７に示すように第１絶縁層Ｆb1の
面上には、接地線４２および中間導電体２２２・２２３が、アルミニウムなど低抵抗の金
属によって第１層２２１と同層から形成される。中間導電体２２２は、第１層２２１と同
様に、単位回路Ｕ（あるいは発光素子Ｅ）ごとに形成されてＸ方向に配列する導電体であ
る。総ての中間導電体２２２は、第１絶縁層Ｆb1を貫通するコンタクトホールを介して電
源線４１に電気的に接続される。同様に、中間導電体２２３は、単位回路Ｕ（発光素子Ｅ
）ごとに形成されてＸ方向に配列する。単位回路Ｕjに対応した中間導電体２２３は、第
１絶縁層Ｆb1を貫通するコンタクトホールを介してデータ信号線ＬＤjに電気的に接続さ
れる。
【００４２】
図７に示すように、第１絶縁層Ｆb1の表面は第２絶縁層Ｆb2に覆われる。第２絶縁層Ｆ
b2の面上には第１電極２４１が発光素子Ｅごとに相互に離間して形成される。第１電極２
４１は、発光素子Ｅの陽極として機能する略円形の電極であり、ＩＴＯやＩＺＯといった
光透過性の導電材料によって形成される。接続端子Ｃa1の第２層２４２は、第１電極２４
１に連続する部分であり、第２絶縁層Ｆb2に形成された開口部Ｏb1の内側に入り込むよう
に形成されて第１層２２１と電気的に接続される。したがって、図６における駆動トラン
ジスタＲdrのドレイン電極１３２は、中間導電体１２２と接続端子Ｃa1と導通粒子３１と
接続端子Ｃb1とを介して発光素子Ｅの第１電極２４１に電気的に接続される。
【００４３】
図７に図示された接続端子Ｃb2・Ｃb3および中間導電体２４３は、第２層２４２と同層
から形成された部分である。接続端子Ｃb2は、単位回路Ｕごとに形成されてＸ方向に配列
する端子であり、第２絶縁層Ｆb2のうち各中間導電体２２２と重なり合う開口部Ｏb2に入
り込んで中間導電体２２２と電気的に接続される。同様に、接続端子Ｃb3は、単位回路Ｕ
ごとに形成されてＸ方向に配列する端子であり、第２絶縁層Ｆb2の開口部Ｏb3に入り込ん
で中間導電体２２３に導通する。また、中間導電体２４３は、発光素子Ｅごとに形成され
、第２絶縁層Ｆb2の開口部Ｏb4を介して接地線４２に電気的に接続される。
【００４４】
以上の要素が形成された第２絶縁層Ｆb2の表面は第３絶縁層Ｆb3に覆われる。図７に示
すように、接続端子Ｃb1の第２層２４２と接続端子Ｃb2・Ｃb3と中間導電体２４３とは第
３絶縁層Ｆb3から露出する。また、第３絶縁層Ｆb3のうち第１電極２４１に重なり合う部
分には略円形の開口部Ｏb5が形成される。発光素子Ｅの発光層２５は、開口部Ｏb5の内側
であって第１電極２４１を底面とする空間に形成される。すなわち、第３絶縁層Ｆb3は、
発光層２５の平面的な形状を規定する役割を担う。発光層２５の形成には、例えば発光材
料の液滴をノズルから吐出して第１電極２４１の表面に付着させるインクジェット法（液
滴吐出法）が好適に採用される。なお、発光層２５による発光を促進または効率化するた
めの各種の機能層（正孔注入層・正孔輸送層・電子注入層・電子輸送層・正孔ブロック層
・電子ブロック層）が発光層２５に積層された構成としてもよい。
【００４５】
第３絶縁層Ｆb3の面上には、アクリルなどの有機材料やＳｉＯ2およびＳｉＮなどの無
機材料といった各種の絶縁材料によって隔壁Ｆb4が形成される。隔壁Ｆb4は、発光層２５
を露出させる開口部Ｏb6を有し、インクジェット法による発光層２５の形成時に発光材料
の液滴が到達する領域を発光素子Ｅごとに仕切る隔壁として機能する。したがって、スピ
ンコート技術や蒸着技術によって発光層２５が成膜される構成において隔壁Ｆb4は不要で
ある。図７に示すように、接続端子Ｃb1の第２層２４２と接続端子Ｃb2・Ｃb3と中間導電
体２４３とは隔壁Ｆb4から露出する。
【００４６】
図４に示すように、第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態において、第１基
板１０の接続端子Ｃa2と第２基板２０の接続端子Ｃb2とは両者間に介在する導通粒子３１
に接触する。したがって、図４・図６および図７に示すように、駆動トランジスタＲdrの
ソース電極１３１は、接続端子Ｃa2と導通粒子３１と接続端子Ｃb2と中間導電体２２２と
を介して電源線４１に電気的に接続される。以上のように、各発光素子Ｅは、各単位回路
Ｕおよび各発光素子Ｅが電気的に接続される箇所（Ｃa1・Ｃb1）と、電源線４１および各
単位回路Ｕが電気的に接続される箇所（Ｃa2・Ｃb2）との間隙の領域に配置される（図４
参照）。
【００４７】
また、図４に示すように接続端子Ｃa3と接続端子Ｃb3とは導通粒子３１に接触する。し
たがって、図４・図６および図７に示すように、第２基板２０上のデータ信号線ＬＤjは
、中間導電体２２３と接続端子Ｃb3と導通粒子３１と接続端子Ｃa3とを介して、第１基板
１０上のシフトレジスタ４３や単位回路Ｕj（保持回路４４１）に対して電気的に接続さ
れる。
【００４８】
図７に示す第２電極２７は、発光層２５を挟んで第１電極２４１に対向する電極（発光
素子Ｅの陰極）である。第２電極２７の材料としては、アルミニウムや銀などの金属およ
びこれらを主成分とする合金といった各種の光反射性の導電材料が採用される。発光層２
５から第１電極２４１側に放射された光と発光層２５から第１電極２４１とは反対側に放
射されて第２電極２７の表面にて反射した光とは、図４に白抜きの矢印で図示されるよう
に、第１電極２４１や第２基板２０を透過して感光体ドラム７０側に出射する。したがっ
て、第２基板２０には光透過性が要求されるが、第１基板１０に光透過性は不要である。
【００４９】
図５の部分(b)に示すように、第２電極２７は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形
成されるとともに接地線４２と重なり合う。さらに詳述すると、第２電極２７は、図７に
示すように、発光層２５の上層から隔壁Ｆb4を跨ぐ形状に形成されて中間導電体２４３に
接触する。すなわち、第２電極２７は中間導電体２４３を介して接地線４２に電気的に接
続される。
【００５０】
図４に示したように、発光素子Ｅと単位回路ＵとはＺ方向からみて重なり合うから、ト
ランジスタＲ（半導体層１１）と発光層２５との間には第２電極２７が介在する。したが
って、例えばトランジスタＲのオン・オフの切換に伴なって発生するノイズは第２電極２
７によって遮蔽されて発光層２５や第１電極２４１には影響しない。このように本実施形
態によれば、光ヘッドＨの小型化のために単位回路Ｕと発光素子Ｅとが重なり合う構成を
採用しているにも拘わらず、単位回路Ｕと発光素子Ｅとの相互間における電気的な影響が
抑制されるという利点がある。
【００５１】
また、発光層２５からの出射光が単位回路Ｕやシフトレジスタ４３に直接的に到達する
とすれば、半導体層１１の光励起に起因してトランジスタＱ・Ｒに誤動作（例えば電流の
リーク）が発生する可能性がある。これに対し、本実施形態においては遮光性（光反射性
）の第２電極２７が発光層２５と第１基板１０との間に介在するから、発光層２５から第
１基板１０側への放射光は第２電極２７によって遮光されて単位回路Ｕやシフトレジスタ
４３には到達しない。したがって、光照射に起因したトランジスタＱ・Ｒの誤動作を防止
することが可能である。
【００５２】
以上のように本実施形態においては、総てのトランジスタ（Ｑ・Ｒ）が第１基板１０に
形成され、第２基板２０には発光素子Ｅと各種の配線のみが形成される。この構成によれ
ば、シリコンの成膜やレーザアニールといったポリシリコンプロセス（半導体層１１の形
成）を第２基板２０に実施する必要がない。したがって、トランジスタＱ・Ｒが第１基板
１０および第２基板２０の双方に分散して配置された構成と比較して、光ヘッドＨの製造
工程が簡素化されるという利点がある。
【００５３】
ところで、本実施形態においては、第１基板１０上にてデータ信号Ｄが伝送される経路
（データ経路：接続端子Ｃa2から各単位回路Ｕに至る経路および各単位回路Ｕの保持回路
４４１から駆動トランジスタＲdrに至る経路）はＹ方向に延在する。これに対し、データ
信号線ＬＤ・電源線４１および接地線４２といった第２基板２０上の各配線（以下では「
Ｘ方向配線」と総称する）はＸ方向に延在する。すなわち、第１基板１０のデータ経路と
第２基板２０のＸ方向配線とはＺ方向からみて交差する。この構成によれば、データ経路
とＸ方向配線とがひとつの基板の別個の領域に形成された構成と比較して光ヘッドＨが小
型化されるという利点がある。
【００５４】
なお、データ経路とＸ方向配線とがＺ方向に近接する構成においては両者間に容量が寄
生するから、データ経路およびＸ方向配線の一方における電圧の変動に起因して他方にノ
イズが発生する可能性がある。本実施形態においては、データ経路が第１基板１０に形成
されるとともに配線が第２基板２０に形成されるから、第１基板１０と第２基板２０との
間隔を適宜に選定することでデータ経路とＸ方向配線とを充分に離間させることが可能で
ある。したがって、データ経路およびＸ方向配線の相互間における電気的な影響を容易に
抑制できるという利点がある。
【００５５】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係る光ヘッドＨ
の電気的な構成を示すブロック図であり、図９は、第１基板１０および第２基板２０の各
々に配置された要素の構成を示す平面図（図５に対応する平面図）である。なお、本実施
形態のうち作用や機能が第１実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付して
その詳細な説明を適宜に省略する。
【００５６】
図８および図９に示すように、本実施形態に係る光ヘッドＨにおいては、第１実施形態
のシフトレジスタ４３に代えて、サンプリング回路（デマルチプレクサ）４５が第１基板
１０の対向面１０sに配置される。サンプリング回路４５は、各単位回路Ｕに対応する複
数（「ｍ×ｎ」個）のトランジスタＳＷをＸ方向に配列した回路であり、シフトレジスタ
４３と同様に、各単位回路Ｕを順番に選択する手段として機能する。
【００５７】
第２基板２０の対向面２０sには、図８や図９の部分(b)に示すように、ｍ本のデータ信
号線ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤm）を含む信号線群Ｌと、ｎ本の選択信号線ＬＳ（ＬＳ1〜ＬＳn）
を含む信号線群Ｌaとが形成される。各選択信号線ＬＳは、信号線群Ｌと電源線４１との
間隙にてＸ方向に延在する。図８に示すように、ブロックＢiに属するｎ個の単位回路Ｕ1
〜Ｕnは、各々に対応するトランジスタＳＷを介してデータ信号線ＬＤiに対して共通に接
続される。また、ブロックＢ1〜Ｂmの各々における単位回路Ｕjに対応したトランジスタ
ＳＷ（合計ｍ個）のゲートは選択信号線ＬＳjに対して共通に接続される。
【００５８】
各選択信号線ＬＳjは、異方性導電体３０の導通粒子３１を介して、第１基板１０の対
向面１０sに配置されたトランジスタＳＷのゲートに電気的に接続される。以上の構成に
おいて、第２基板２０上の選択信号線ＬＳは、第１基板１０上のデータ経路や選択信号SE
Lが伝送される配線と交差する。したがって、第１実施形態と同様に、第１基板１０上の
経路と第２基板２０上のＸ方向配線（各選択信号線ＬＳを含む）の相互間における電気的
な干渉を抑制しながら光ヘッドＨを小型化することが可能である。また、各データ信号線
ＬＤ1〜ＬＤnおよび各選択信号線ＬＳ1〜ＬＳnは、Ｚ方向からみると、第１基板１０のサ
ンプリング回路４５（トランジスタＳＷ）に重なり合う。この構成によれば、信号線群Ｌ
・Ｌaがサンプリング回路４５に重なり合わない構成と比較して光ヘッドＨが小型化され
る。
【００５９】
選択信号線ＬＳjには制御回路４７から外部接続端子Ｔselを介して選択信号SELjが供給
される。選択信号SEL1〜SELnの各々は所定の周期で順番にアクティブレベルとなる。デー
タ信号線ＬＤiには画像処理回路４８からデータ信号Ｄiが供給される。選択信号SELjがア
クティブレベルに遷移すると、各単位回路Ｕjに対応した合計ｍ個のトランジスタＳＷが
一斉にオン状態に変化し、このときにデータ信号線ＬＤ1〜ＬＤmに供給されているデータ
信号Ｄ1〜Ｄmが各ブロックＢの単位回路Ｕjに対して並列に入力される。選択信号SEL1〜S
ELnによるｎ回の選択が完了すると、第１実施形態と同様に、総ての単位回路Ｕの保持回
路４４１にデータ信号Ｄが保持されることになる。
【００６０】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６１】
（１）変形例１  
以上の各形態においては、各発光素子Ｅからの放射光が第２基板２０を透過する構成（
ボトムエミッション構造）を例示したが、発光素子Ｅからの放射光が第２基板２０とは反
対側に出射するトップエミッション構造にも本発明は適用される。トップエミッション構
造の光ヘッドＨにおいては第２電極２７が光透過性の導電材料によって形成される。
【００６２】
（２）変形例２  
単位回路Ｕの構成は適宜に変更される。例えば、以上の各形態においてはラッチ回路が
保持回路４４１として利用された構成を例示したが、駆動トランジスタＲdrのゲートに接
続された容量素子が保持回路４４１とされた構成も採用される。この構成においては、駆
動トランジスタＲdrのゲートとデータ信号線ＬＤとの電気的な接続（導通／非導通）を選
択信号Ｓiに応じて制御するスイッチング素子が配置される。オン状態となったスイッチ
ング素子を介してデータ信号線ＬＤから駆動トランジスタＲdrのゲート電極１２１にデー
タ信号Ｄjが供給され、スイッチング素子がオフ状態に変化した後も、ゲート電極１２１
の電圧は容量素子（保持回路４４１）によってデータ信号Ｄjに応じた電圧に維持される
。
【００６３】
（３）変形例３  
以上の各形態においては発光素子ＥとしてＯＬＥＤ素子が採用された構成を例示したが
、これ以外の発光素子を利用した様々な光ヘッドにも本発明は適用される。例えば、無機
ＥＬ材料からなる発光層を含む発光素子や発光ダイオード素子、電界放出（ＦＥ：Field
Emission）素子、表面導電型電子放出（ＳＥ：Surface-conduction  Electron-emitter
）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic  electron  Surface  emitting）素子など様々
な発光素子を本発明に適用することができる。
【００６４】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る光ヘッドを利用した機器のひとつの形態として画像形成装置を例示
する。
図１０は、以上の各形態に係る光ヘッドＨを採用した画像形成装置の構成を示す断面図
である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係
る４個の光ヘッドＨ（ＨK，ＨC，ＨM，ＨY）と、各光ヘッドＨに対応する４個の感光体ド
ラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。ひとつの光ヘッドＨは、これに
対応した感光体ドラム７０の像形成面（外周面）に対向するように配置される。なお、各
符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロ
ー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００６５】
図１０に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベル
ト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベ
ルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期
して回転する。
【００６６】
各感光体ドラム７０の周囲には、光ヘッドＨのほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，
７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）
とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の像形成面を
一様に帯電させる。この帯電した像形成面を各光ヘッドＨが露光することで静電潜像が形
成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像剤（トナー）を付着させることで感光体ド
ラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００６７】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）
の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの
顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）
７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これ
に対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７
０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００６８】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から
１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送され
る。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７に
よってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシ
ート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート
７５を排出する。
【００６９】
以上に例示した画像形成装置はＯＬＥＤ素子を光源（露光手段）として利用しているの
で、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した
以外の構成の画像形成装置にも本発明を適用することができる。例えば、ロータリ現像式
の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的
に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装
置にも本発明に係る光ヘッドを利用することが可能である。
【００７０】
なお、本発明に係る光ヘッドの用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、本発明
の光ヘッドは、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）とし
て画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファ
クシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次
元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。
【図２】光ヘッドの電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】単位回路の構成を示すブロック図である。
【図４】図１のIV−IV線からみた断面図である。
【図５】第１基板・第２基板に配置される要素の構成を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線からみた断面図である。
【図７】図５のVII−VII線からみた断面図である。
【図８】第２実施形態に係る光ヘッドの電気的な構成を示すブロック図である。
【図９】第１基板・第２基板に配置される要素の構成を示す平面図である。
【図１０】本発明に係る画像形成装置の具体的な形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｈ……光ヘッド、１０……第１基板、２０……第２基板、１０s，２０s……対向面、３０
……異方性導電体、３１……導通粒子、３２……接着剤、４１……電源線、４２……接地
線、４３……シフトレジスタ、４４１……保持回路、４４２……発光制御回路、４５……
サンプリング回路、４６……電源回路、４７……制御回路、４８……画像処理回路、Ａ…
…素子アレイ部、Ｅ……発光素子、Ｌ……信号線群、ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤn）……データ信
号線、Ｕ（Ｕ1〜Ｕn）……単位回路、Ｂ（Ｂ1〜Ｂm）……ブロック、Ｔs，Ｔd，Ｔp1，Ｔ
p2……外部接続端子、Ｑ，Ｒ……トランジスタ、Ｃa1，Ｃa2，Ｃa3，Ｃb1，Ｃb2，Ｃb3）
……接続端子、６０……集光性レンズアレイ、７０……感光体ドラム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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