(57)【要約】【課題】形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法を得る。【解決手段】非磁性絶縁層上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法であって、先ず、非磁性絶縁層上に非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する。次に、メッキ下地膜上に台形形状の空間を有するレジストを形成し、この台形形状空間内に主磁極層をメッキにより形成した後、レジストを除去する。続いて、台形形状をなす主磁極層の側面をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する。そして、非磁性絶縁層が露出するまでメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを主磁極層の側面に再付着させる。【選択図】図２
2007184022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、
前記非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、
このメッキ下地膜の上に、前記台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、
このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
露出した台形形状をなす主磁極層の側面及び前記メッキ下地膜の一部をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、
前記非磁性絶縁層が露出するまで前記メッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを前記主磁極層の側面に再付着させる工程と、
を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することで前記メッキ下地膜を前記主磁極層の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜を再付着させる工程の後に、前記非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを、前記メッキ下地膜が付着している前記主磁極層の側面に再付着させる工程を有する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項４】
請求項３記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することで前記非磁性絶縁層を前記主磁極層の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項５】
非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、
前記非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、
このメッキ下地膜の上に、前記台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、
このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
露出した台形形状をなす主磁極層の側面及び前記メッキ下地膜をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、
前記非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを前記主磁極層及び前記メッキ下地膜の側面に再付着させる工程と、
を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項６】
請求項５記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することで前記非磁性絶縁層を前記主磁極層及び前記メッキ下地膜の側面に再付着させる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、前記メッキ下地膜は、ＮｉＰ、Ａｕ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴｉＮから選ばれる１種、または２種以上の非磁性材料により形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面で非磁性絶縁層を間に挟んで積層した主磁極層及び補助磁極層（リターンヨーク層）と、この主磁極層及び補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層と有している。記録媒体との対向面に露出する主磁極層の面積は補助磁極層の同面積より十分小さく、主磁極層と補助磁極層はハイト方向奥側で磁気的に接続されている。コイル層を通電すると、主磁極層と補助磁極層の間に記録磁界が誘導され、この記録磁界は主磁極層の媒体対向面に露出する先端面から記録媒体のハード膜に垂直に入射し、同記録媒体のソフト膜を通って補助磁極層に戻る。これにより、主磁極層との対向部分で磁気記録がなされる。
【０００３】
このような垂直磁気記録ヘッドでは、記録密度を向上させると共にスキュー時のフリンジング発生を防止するため、非磁性絶縁層の上に形成する主磁極層を、記録媒体との対向面側から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭となる台形形状（ベベル形状）とすることが要求されている。従来では、例えば特許文献１に記載されているように、フレームメッキ法を用いて非磁性絶縁層の上に主磁極層を形成した後、主磁極層の側面をサイドミリングすることにより、非磁性絶縁層側で幅狭となる台形形状の主磁極層を形成している。
【特許文献１】特開２００４−０７９０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年では、今後の更なる高記録密度化に適応できるよう、狭トラック化が進められている。上述したように主磁極層は逆台形形状で形成されているから、記録トラック幅を狭くすると、主磁極層のボトム部（非磁性絶縁層側）の幅寸法は記録トラック幅よりもさらに小さくなる。主磁極層のボトム部の幅寸法が極端に小さくなると、製造工程中に主磁極層のボトム部が浮いてしまったり、剥がれてしまったりする場合が多くなる。主磁極層が不安定な状態では、記録特性が悪化し、ヘッド品質が低下する。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、エッチング時に生じるメッキ下地膜の跳ね返りを積極的に利用し、メッキ下地膜の跳ね返りを主磁極層の少なくともボトム部に再付着させれば、該ボトム部が浮いたり剥がれたりしないよう保護できる（支えられる）ことに着目したものである。メッキ下地膜を非磁性材料で形成すれば、メッキ下地膜が主磁極層に再付着しても、主磁極層の記録トラック幅寸法は変化せず、記録特性には影響がない。
【０００７】
すなわち、本発明は、非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、このメッキ下地膜の上に、台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、レジストを除去する工程と、露出した台形形状をなす主磁極層の側面及びメッキ下地膜の一部をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、非磁性絶縁層が露出するまでメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜からの跳ね返りを主磁極層の側面に再付着させる工程とを有することを特徴としている。
【０００８】
メッキ下地膜のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することでメッキ下地膜を主磁極層の側面に再付着させることが実際的である。メッキ下地膜のエッチング跳ね返りは主磁極層のボトム部側から上方へ向かって順に付着していく。ミリング角度制御により、主磁極層の側面はエッチングされずにメッキ下地膜のみをエッチングでき、さらに、主磁極層のボトム部だけでなく主磁極層の側面全体にメッキ下地膜を再付着させることができる。
【０００９】
メッキ下地膜を再付着させる工程の後に、非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを、メッキ下地膜が付着している主磁極層の側面に再付着させる工程を有することが好ましい。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することで非磁性絶縁層を主磁極層の側面に再付着させることが実際的である。メッキ下地膜が付着している主磁極層の上からさらに非磁性絶縁層のエッチング跳ね返りを再付着させると、メッキ下地膜と非磁性絶縁層によって主磁極層が側面側から支えられ、より強固に主磁極層を保持することができる。
【００１０】
また本発明は、別の実施態様によれば、非磁性絶縁層の上に、記録媒体との対向面から見た形状が該非磁性絶縁層側で幅狭の台形形状をなす主磁極層を形成する垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法において、非磁性絶縁層の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜を形成する工程と、このメッキ下地膜の上に、台形形状の空間を有するレジストを形成する工程と、このレジストによって形成された台形形状空間内に、主磁極層をメッキにより形成する工程と、レジストを除去する工程と、露出した台形形状をなす主磁極層の側面及びメッキ下地膜をエッチングし、記録トラック幅寸法を規定する工程と、非磁性絶縁層をエッチングし、該非磁性絶縁層からの跳ね返りを主磁極層及びメッキ下地膜の側面に再付着させる工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
非磁性絶縁層のエッチングはイオンミリングにより行い、該ミリング角度を５°以上４０°以下に制御することで非磁性絶縁層を主磁極層及びメッキ下地膜の側面に再付着させることが実際的である。
【００１２】
メッキ下地膜は、ＮｉＰ、Ａｕ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴｉＮから選ばれる１種、または２種以上の非磁性材料により形成することができる。メッキ下地膜は単層構造であっても積層構造であってもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、非磁性材料からなるメッキ下地膜または非磁性絶縁層のエッチング跳ね返りを再付着させることによって主磁極層の少なくともボトム部が側面側から支えられるので、形成した狭トラック幅寸法の主磁極層を安定に保持できる垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図においてＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は垂直磁気記録ヘッドＨを構成する各層の積層方向及び記録媒体Ｍの移動方向で定義される。
【００１５】
図１は、本発明方法の第１実施形態により形成された主磁極層を含む薄膜磁気ヘッドＨの積層構造をトラック幅方向から見て示す部分断面図であり、図２は、図１の主磁極層を記録媒体との対向面から見て示す部分断面図である。
【００１６】
薄膜磁気ヘッドＨは、スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂに薄膜を積層してなる再生素子部Ｒと記録素子部Ｗを有する垂直磁気記録ヘッドであり、記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させることで記録動作する。記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１００の媒体対向面１００ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００１７】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１０１が形成され、この非磁性絶縁層１０１の上に、再生素子部Ｒが形成されている。再生素子部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０４と、この無機絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００１８】
上部シールド層１０５の上には、コイル絶縁下地層１０６を介して、導電性材料で形成された複数本の下層コイル１０７が形成されている。下層コイル１０７は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０７の周囲には、非磁性絶縁層１０８が形成されている。
【００１９】
非磁性絶縁層１０８の上面は平坦化されていて、この平坦面の上にメッキ下地層１０９が形成され、さらにメッキ下地層１０９の上に、主磁極層１１０が形成されている。主磁極層１１０は、記録媒体との対向面Ｆ（以下、単に対向面Ｆという）から図示Ｙ方向に所定長さＬを有し、且つ、対向面Ｆに露出する先端面１１０ａの図示Ｘ方向の寸法が記録トラック幅Ｔｗに規定されている。この主磁極層１１０は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で、メッキにより形成されている。
【００２０】
主磁極層１１０の図示Ｘ方向の両側及び図示Ｙ方向の後方には第１絶縁材料層１１１が形成され、この主磁極層１１０及び第１絶縁材料層１１１の上には、磁気ギャップ層１１３が形成されている。第１絶縁材料層１１１及び磁気ギャップ層１１３は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏなどの非磁性絶縁材料からなる。磁気ギャップ層１１３上には、コイル絶縁下地層１１４を介して上層コイル１１５が形成されている。上層コイル１１５は下層コイル１０７と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。上層コイル１１５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００２１】
上記下層コイル１０７と上層コイル１１５とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示Ｘ方向における端部同士が電気的に接続されている。コイル層（磁界発生手段）の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではない。
【００２２】
上層コイル１１５の周囲には非磁性絶縁層１１６が形成され、この非磁性絶縁層１１６の上から磁気ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料により補助磁極層（リターンヨーク層）１５０が形成されている。補助磁極層１５０は、対向面Ｆに露出する先端面１５０ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向している。補助磁極層１５０のハイト方向の後端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１５０ｂである。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１８が形成されている。この対向面Ｆからスロートハイト決め層１１８の前端縁までの距離により、垂直磁気記録ヘッドＨのスロートハイトが規定される。
【００２３】
補助磁極層１５０のハイト方向の後方には、上層コイル１１５から延出されたリード層１１９が、コイル絶縁下地層１１４を介して形成されている。そして、補助磁極層１５０およびリード層１１９が、非磁性絶縁材料で形成された保護層１２０に覆われている。
【００２４】
上記垂直磁気記録ヘッドＨにおいて、図２に示されるように主磁極層１１０は、対向面Ｆから見た形状がそのボトム部１１０ｂ側（非磁性絶縁層１０８側）ほど幅狭になる台形形状をなしている。現状の技術レベルにおける記録トラック幅寸法は１３０ｎｍ程度であり、主磁極層１１０のボトム部１１０ｂのトラック幅方向の寸法は、この記録トラック幅寸法よりも小さい。主磁極層１１０の側面１１０ｃはメッキ下地膜１０９の再付着膜１０９’で覆われており、この再付着膜１０９’によって、主磁極層１１０がボトム部１１０ｂ側から浮いたり倒れたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持されている。メッキ下地膜１０９は、例えばＮｉＰ、Ａｕ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴｉＮから選ばれる１種、または２種以上の非磁性材料から形成されるので、主磁極層１１０の記録トラック幅寸法は、ボトム部１１０ｂを覆う再付着膜１０９’に関係なく、主磁極層１１０の形状により規定されている。
【００２５】
次に、図３〜図６を参照し、図２の主磁極層１１０の形成方法について説明する。図３〜図６は、主磁極形成方法の各工程を、対向面Ｆから見て示す部分断面図である。
【００２６】
先ず、図３に示すように、非磁性絶縁層１０８の上に、非磁性材料からなるメッキ下地膜１０９を形成する。具体的にメッキ下地膜１０９は、例えばＮｉＰ、Ａｕ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＴｉＮから選ばれる１種、または２種以上の非磁性材料により形成することが好ましい。
【００２７】
次に、同図３に示すように、メッキ下地膜１０９の上にレジスト層Ｒを形成し、このレジスト層Ｒによって、非磁性絶縁層１０８側ほど幅狭になる台形形状の空間βを設ける。
【００２８】
続いて、図４に示すように、レジスト層Ｒにより形成された台形形状空間β内に、強磁性材料からなる主磁極層１１０をメッキにより形成する。主磁極層１１０は、ＮｉＦｅ−Ｘ（但し、ＸはＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｓのうち１種以上）、ＦｅＣｏ−Ｘ’（但し、Ｘ’はＰｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈのうち１種以上）、またはＦｅＣｏから形成することができる。
【００２９】
続いて、図５に示すように、レジスト層Ｒを除去し、台形形状をなす主磁極層１１０の側面１１０ｃをエッチング（サイドエッチング）して記録トラック幅寸法Ｔｗを規定する。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ１は４５°≦θ１≦７５°程度に制御する。図５の矢印方向はミリング方向である。
【００３０】
続いて、図６に示すように、非磁性絶縁層１０８が露出するまでメッキ下地膜１０９をエッチングし、メッキ下地膜１０９からの跳ね返りを主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着させる。メッキ下地膜１０９は、エッチングにより削られると、該メッキ下地膜１０９または該メッキ下地膜１０９の下の非磁性絶縁層１０８に当たって跳ね返り、主磁極層１１０のボトム部１１０ｂ側から上に向かって順に再付着していく。すなわち、主磁極層１１０の側面１１０ｃにメッキ下地膜１０９の再付着膜１０９’を形成する。このボトムエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ２を５°≦θ２≦４０°の範囲で制御することで、主磁極層１１０にエッチングダメージを与えることなくメッキ下地膜１０９のみをエッチングし、主磁極層１１０の側面１１０ｃ全体にメッキ下地膜１０９を再付着させることができる。主磁極層１１０の側面１１０ｃに形成されたメッキ下地膜１０９の再付着膜１０９’は、主磁極層１１０を側面から支えて主磁極層１１０の形状及び位置を安定化させる。メッキ下地膜１０９は非磁性材料で形成してあるので、主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着しても主磁極層１１０の磁気的特性に影響を与えることはなく、主磁極層１１０の記録トラック幅寸法は上記サイドエッチング工程で規定した寸法で維持される。
【００３１】
以上により、図２に示す垂直磁気記録ヘッドＨの主磁極層１１０が得られる。
【００３２】
次に、図７及び図８を参照し、本発明を適用した垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法の第２実施形態について説明する。
【００３３】
本第２実施形態で形成される主磁極層１１０は、図７に示すように、その側面１１０ｃが、メッキ下地膜１０９のエッチング跳ね返りにより形成された再付着膜１０９’と非磁性絶縁層１０８のエッチング跳ね返りにより形成された再付着膜１０８’の二層で覆われる。これら二層の再付着膜１０９’、１０８’により、主磁極層１１０は、ボトム部１１０ｂ側から浮いたり剥がれたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持される。この非磁性絶縁層１０８は非磁性であるから、主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着しても、主磁極層１１０の磁気的特性に影響を与えない。
【００３４】
この主磁極層１１０は、メッキ下地膜１０９を主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着させる工程まで第１実施形態と同様に実行した後に続いて、図８に示すように、非磁性絶縁層１０８をエッチングし、該非磁性絶縁層１０８からの跳ね返りを主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着させることで、得られる。非磁性絶縁層１０８のエッチング工程は、メッキ下地膜１０９のエッチング工程と同様、イオンミリングにより行い、そのミリング角度θ３を５°≦θ３≦４０°の範囲で制御することで、主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９の再付着膜１０９’にエッチングダメージを与えることなく非磁性絶縁層１０８のみをエッチングし、主磁極層１１０の側面１１０ｃ全体に非磁性絶縁層１０８を再付着させることができる。
【００３５】
本第２実施形態によれば、単層（メッキ下地膜１０９の再付着膜１０９’）で主磁極層１１０の側面１１０ｃを覆う第１実施形態よりも、より強固に主磁極層１１０を保持できる。
【００３６】
次に、図９〜図１１を参照し、本発明を適用した垂直磁気記録ヘッドの主磁極形成方法の第３実施形態について説明する。
【００３７】
本第３実施形態で形成される主磁極層１１０は、図９に示されるように、該主磁極層１１０とメッキ下地膜１０９が非磁性絶縁層１０８側で幅狭の台形形状を共に形成し、この主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９の側面が、非磁性絶縁層１０８の再付着膜１０８’で覆われる。この非磁性絶縁層１０８の再付着膜１０８’により、主磁極層１１０は、そのボトム部１１０ｂ側から浮いたり倒れたり等することなく、所望の台形形状で安定に保持される。
【００３８】
図１０及び図１１は、第３実施形態による主磁極形成方法の各工程を、対向面Ｆから見て示す部分断面図である。
【００３９】
先ず、上述した第１実施形態と同様にして、非磁性絶縁層１０８の上にメッキ下地膜１０９を形成し、メッキ下地膜１０９の上に非磁性絶縁層１０８側ほど幅狭になる台形形状の空間βを有するレジスト層Ｒを形成し、この台形形状空間β内に主磁極層１１０をメッキにより形成する（図３及び図４参照）。
【００４０】
主磁極層１１０を形成したら、図１０に示すように、レジスト層Ｒを除去し、主磁極層１１０の側面１１０ｃ及びメッキ下地膜１０９をエッチング（サイドエッチング）して記録トラック幅寸法Ｔｗを規定する。このエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ１は４５°≦θ１≦７５°程度に制御する。図５の矢印方向はミリング方向である。ここで、主磁極層１１０から露出しているメッキ下地膜１０９はエッチングによりすべて除去し、主磁極層１１０の下層位置にのみメッキ下地膜１０９を残す。残したメッキ下地膜１０９は、主磁極層１１０と共に台形形状を形成する。
【００４１】
続いて、図１１に示すように、非磁性絶縁層１０８をエッチングし、非磁性絶縁層１０８からの跳ね返りを主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９の側面に再付着させる。このボトムエッチング工程はイオンミリングにより行い、そのミリング角度θ２を５°≦θ２≦４０°の範囲で制御することで、主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９にエッチングダメージを与えることなく非磁性絶縁層１０８のみをエッチングし、主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９の側面全体に非磁性絶縁層１０８からの再付着膜１０８’を形成する。主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９の側面に形成された再付着膜１０８’は、主磁極層１１０及びメッキ下地膜１０９を側面から支えて主磁極層１１０の形状及び位置を安定化させる。第１及び第２実施形態と同様に非磁性絶縁層１０８は非磁性であるから、主磁極層１１０の側面１１０ｃに再付着しても主磁極層１１０の磁気的特性に影響を与えることはなく、主磁極層１１０の記録トラック幅寸法は上記サイドエッチング工程で規定した寸法で維持される。
【００４２】
以上により、図７に示す主磁極層１１０が得られる。
【００４３】
以上の各実施形態によれば、非磁性材料からなるメッキ下地膜１０９及び非磁性絶縁層１０８の少なくとも一方のエッチング跳ね返りを再付着させることによって主磁極層１１０をその側面１１０ｃ側から支えるので、狭トラック化により主磁極層のトラック幅方向の寸法が小さくなっても、主磁極層のボトム部の浮きや剥がれを防止でき、形成した主磁極層を安定に保持することができる。これにより、ヘッド品質も向上する。
【００４４】
各実施形態では、主磁極層１１０の側面１１０ｃ全体が再付着膜１０９’（１０８’）で覆われているが、この再付着膜１０９’（１０８’）は、主磁極層１１０の少なくともボトム部１１０ｂを覆っていればよい。また、主磁極層１１０の上面には、サイドエッチング時に主磁極層１１０の上面が削られることを防止する保護層を形成することもできる。
【００４５】
以上では、いわゆるシールデッドポール構造の垂直磁気記録ヘッドの主磁極層に本発明方法を適用した実施形態について説明したが、本発明方法は、単磁極型の垂直磁気記録ヘッドの主磁極層にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明方法の第１実施形態により形成された主磁極層を含む垂直磁気記録ヘッドの積層構造を、トラック幅方向から見て示す部分断面図である。
【図２】図１の主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図３】第１実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図４】図３に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図５】図４に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図６】図５に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図７】本発明方法の第２実施形態により形成された主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図８】第２実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図９】本発明方法の第３実施形態により形成された主磁極層を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図１０】第３実施形態による主磁極形成方法の一工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【図１１】図１０に示す工程の次工程を、媒体対向面から見て示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０８    非磁性絶縁層
１０８’  再付着膜
１０９    メッキ下地膜
１０９’  再付着膜
１１０    主磁極層
１１０ｂ  ボトム部
１１０ｃ  側面
１１３    磁気ギャップ層
１５０    補助磁極層
β    台形形状空間
Ｆ    対向面
Ｈ    垂直磁気記録ヘッド
Ｍ    記録媒体
Ｍａ    ハード膜
Ｍｂ    ソフト膜
Ｒ    レジスト層
Ｔｗ    トラック幅
【図１】
2007184022.tif 000003
【図２】
2007184022.tif 000004
【図３】
2007184022.tif 000005
【図４】
2007184022.tif 000006
【図５】
2007184022.tif 000007
【図６】
2007184022.tif 000008
【図７】
2007184022.tif 000009
【図８】
2007184022.tif 000010
【図９】
2007184022.tif 000011
【図１０】
2007184022.tif 000012
【図１１】
2007184022.tif 000013