(57)【要約】【課題】保存安定性が高く、かつ、高速記録に適した光学的情報記録媒体を提供する。【解決手段】光学的情報記録媒体１００は、記録層１０４に隣接して、界面層１０３、１０５を有する。界面層１０３、１０５は、Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物を含む混合体を主成分とする誘電体層として構成される。この界面層１０３、１０５により、記録層１０４の結晶化温度を低下させることなく、結晶化速度を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光照射により光学特性が変化する記録層を有し、該記録層にレーザ光を照射することにより情報の記録・再生を行う光学的情報記録媒体において、
少なくともアルミニウムの酸化物と、イットリウムの酸化物と、タンタルの酸化物とを含む誘電体層を有することを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記誘電体層が前記記録層に隣接していることを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記誘電体層が、Ａｌ２Ｏ３と、Ｙ２Ｏ３と、Ｔａ２Ｏ５との混合体を主成分とすることを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記混合体の主成分が、（Ａｌ２Ｏ３）ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｙ（Ｔａ２Ｏ５）ｚで表され、ｘ、ｙ、及び、ｚが、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｚ≦６０、５≦ｘ≦３０を満たすことを特徴とする、請求項３に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記誘電体層の膜厚が、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層の組成が（（Ｇｅ１−ｕＳｎｕＴｅ）α（ＳｂｖＢｉｗＩｎ２−ｖ−ｗＴｅ３）であり、０≦ｕ≦０．３、４≦α≦４０、０≦ｗ≦１．９５、１．５≦ｖ＋ｗ≦１．９５であることを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的情報記録媒体に関し、更に詳しくは、レーザ光照射により記録層の光学特性を変化させて情報の記録・再生を行う光学的情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光磁気ディスクや相変化光ディスクなどの書き換え可能な光ディスクでは、記録膜にレーザ光を照射し、記録膜の磁気光学特性や、反射率、光学的位相等の光学特性を変化させることにより、情報の記録・再生が行われる。近年、光ディスクには、高速記録の要求が高まっており、ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＡＭでは、１６倍速での記録が実現されている。一方、光ディスクにおいては、大容量化への要求も強く、今後は、高速記録が可能な大容量光ディスクの実現が望まれている。光ディスクの記録容量を増大させるには、より微小なレーザビームでの記録・再生が有効であり、近年、波長４０５ｎｍ前後の半導体レーザを用いて記録・再生を行う光ディスクの研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
微小なレーザビームを用いた相変化光ディスクでは、オーバーライト記録において、消去率の低下が問題となる。相変化ディスクにおける消去は、非晶質状態にある記録マークを結晶化させることにより行われるため、相変化記録層を一定時間結晶化温度以上に保持する必要がある。しかしながら、ビーム径の減少と共に、記録層が結晶化温度以上に保持される時間（以下、単に保持時間とも呼ぶ）が減少するため、結晶化が不十分になり、消去が正しく行われない可能性が高くなる。また、保持時間は、ビーム径の減少のみではなく、記録線速向上によっても低下するため、波長４０５ｎｍ程度の半導体レーザを用いた高速記録の実現には、保持時間が短くても結晶化が完了する、すなわち結晶化速度が十分に速い記録層が必要となる。
【０００４】
記録層の結晶化速度の向上手法としては、
（１）記録層の組成を最適化し記録層自体の結晶化速度を速める手法
（２）記録層に隣接して結晶化促進層を設けることで結晶化速度を速める手法
がある（（１）の手法については、例えば、特許文献１参照。（２）の手法については、例えば、特許文献２参照。）。（１）については、Ｓｂを主成分とし、添加元素としてＧｅ、Ｇａ、Ｔｅ等を用いた記録層が良く知られている。（２）については、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３系記録層に隣接してＧｅＮ、ＳｉＮ、ＨｆＯ２、ＳｉＣなどの界面層と呼ばれる層を設けることで結晶核の生成頻度を増加させ、結果的に結晶化時間を短縮する手法がよく知られている。界面層は、保護膜として用いられるＺｎＳ−ＳｉＯ２膜からのＳ拡散を防止し、繰り返し記録特性を向上させる役割も担っている。
【特許文献１】特開２００３−２００６６５号公報
【特許文献２】特開２０００−２２２７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記（１）の手法では、記録層は、融点近傍での結晶成長速度が非常に速いため、記録パルス照射時に、記録層の温度が融点以上に達して融解しても、冷却後に非晶質状態とならずに結晶状態となり、記録マークが形成できないという問題が生じやすい。また、結晶化速度を向上させた場合には、記録マークの保存安定性が低くなり、室温でも長時間保存しておくと記録データが消失するという問題が生じやすい。
【０００６】
青紫色半導体レーザを用いた高速記録においては、従来以上に結晶化時間を短縮することが必要となる。また、単に結晶化速度を向上させるばかりではなく、記録マークの安定性を損なうことなく結晶化速度を向上させることが必要である。（２）の手法のように、界面層を付加する場合には、結晶化時間をある程度短縮できるものの、従来用いられている界面層では、結晶化時間短縮、保存安定性、及び、繰り返し記録特性向上の観点でまだ十分とは言えず、さらなる特性改善が求められる。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、記録マークの保存安定性が高く、かつ、高速記録に適した光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の光学的情報記録媒体は、レーザ光照射により光学特性が変化する記録層を有し、該記録層にレーザ光を照射することにより情報の記録・再生を行う光学的情報記録媒体において、少なくともアルミニウムの酸化物と、イットリウムの酸化物と、タンタルの酸化物とを含む誘電体層を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の光学的情報記録媒体では、アルミニウムの酸化物、イットリウムの酸化物、及び、タンタルの酸化物を含む誘電体層を用いる。このような誘電体層を記録層に隣接して配置すると、記録層における結晶化温度を高くしたまま、記録層の結晶化速度を向上できる。このため、記録マークの保存安定性が高く、かつ、結晶化速度が速い、高速記録に適した光学的情報記録媒体を実現できる。
【００１０】
本発明の光学的情報記録媒体では、前記誘電体層が前記記録層に隣接していることが好ましい。前記誘電体層は、記録層の両側に配置する構成を採用することができ、或いは、記録層の片側に配置する構成を採用できる。
【００１１】
本発明の光学的情報記録媒体では、前記誘電体層が、Ａｌ２Ｏ３と、Ｙ２Ｏ３と、Ｔａ２Ｏ５との混合体を主成分とする構成を採用できる。この場合、前記混合体の主成分が、（Ａｌ２Ｏ３）ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｙ（Ｔａ２Ｏ５）ｚで表され、ｘ、ｙ、及び、ｚが、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｚ≦６０、５≦ｘ≦３０を満たすことが好ましい。誘電体層の組成比をこのように設定することで、保存安定性と繰り返し記録特性とを良好にすることができる。
【００１２】
本発明の光学的情報記録媒体では、前記誘電体層の膜厚が、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。この場合、良好な繰り返し記録特性を実現できる。
【００１３】
本発明の光学的情報記録媒体では、前記記録層の組成が（（Ｇｅ１−ｕＳｎｕＴｅ）α（ＳｂｖＢｉｗＩｎ２−ｖ−ｗＴｅ３）であり、０≦ｕ≦０．３、４≦α≦４０、０≦ｗ≦１．９５、１．５≦ｖ＋ｗ≦１．９５であることが好ましい。このような組成の記録層と、前記誘電体層とを組み合わせることにより、良好な保存安定性と繰り返し記録特性とを実現できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光学的情報記録媒体では、アルミニウムの酸化物、イットリウムの酸化物、及び、タンタルの酸化物を含む誘電体層を用いる。このような誘電体層を記録層に隣接して配置すると、記録層における結晶化温度を高くしたまま、記録層の結晶化速度を向上できる。これにより、記録マークの保存安定性が高く、かつ、結晶化速度が速い、高速記録に適した光学的情報記録媒体を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態の光学的情報記録媒体の断面構造を示している。光学的情報記録媒体１００は、基板１０１上に、保護層１０２、界面層１０３、記録層１０４、界面層１０５、保護層１０６、及び、反射層１０７を順次に積層した構成を有する。基板１０１には、ポリカーボネート（ＰＣ）等のプラスチック、或いは、ガラスなどの基板を用いることができる。保護層１０２、１０６、及び、界面層１０３、１０５には、誘電体が一般的に用いられる。保護層１０２、１０６には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることができる。屈折率及び繰り返し記録特性の観点からは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が好適である。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組成は、（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘの組成表現において、０．５≦ｘ≦０．９の範囲が特に好適である。
【００１６】
界面層１０３、１０５は、結晶化速度向上及び繰り返し回数向上を目的として付加され、少なくともＡｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物を含む。記録層１０４としては、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの相変化記録層を用いることができる。記録層１０４の組成については、界面層１０３、１０５との組み合わせにおいては、（Ｇｅ１−ｕＳｎｕＴｅ）α（ＳｂｖＢｉｗＩｎ２−ｖ−ｗＴｅ３）、０≦ｕ≦０．５、４≦α≦４０、０≦ｗ≦１．９５、１．５≦ｖ＋ｗ≦１．９５とすると、特に好適である。反射層１０７としては、Ａｇ或いはＡｌを主成分とする材料が好適である。反射層１０７の耐候性向上を目的として、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの元素を添加しても良い。
【００１７】
本発明者は、さまざまな材料の組み合わせについて実験的に調べた結果、界面層１０３、１０５に、Ａｌ酸化物、Ｙ酸化物、及び、Ｔａ酸化物の混合体を主成分とする誘電体を用いることで、繰り返し回数や保存安定性を損なうことなく、従来から用いられている材料で界面層を構成する場合に比して、大幅に結晶化速度を向上させることができることを見出した。なお、界面層１０３、１０５は、記録層１０４の両側に設けることで、より結晶化速度向上の効果を高めることができるが、界面層１０３、１０５の何れか一方のみを、記録層１０４の片側に設けてもよい。記録層１０４の両側に設けられる界面層１０３及び界面層１０５の組成は、必ずしも同一である必要はなく、界面層１０３と界面層１０５とで、組成を変化させ、或いは、異なる材料を組み合わせてもよい。
【００１８】
Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物の混合体は、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、及び、Ｔａ２Ｏ５の混合体を焼結法などで作成したターゲットをスパッタリングすることで作成することができる。スパッタリングはＡｒのみで行っても良く、また、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガスで行っても良い。主成分となる組成は、（Ａｌ２Ｏ３）ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｙ（Ｔａ２Ｏ５）ｚにおいて、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｚ≦６０、５≦ｘ≦３０を満たすことがより望ましい。これは、Ａｌ２Ｏ３が多すぎると保存安定性が劣化するという問題が生じるためである。また、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５が多すぎると繰り返し可能回数が低下するという問題が生じるためである。
【００１９】
なお、界面層１０３、１０５を、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）のみで形成した場合には、組成比を調整しても、結晶化速度、保存安定性、及び、繰り返し記録特性の全てを満足することはできなかった。本願発明者は、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）に、更に（Ｙ２Ｏ３）を加えることで、全ての特性を満足できることを実験的に見いだした。界面層１０３、１０５には、Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物の混合体（主成分）以外に、ビスマスの酸化物、セリウムの酸化物、珪素の酸化物、ガドリニウムの酸化物等を適宜含ませることができる。この場合でも、主成分を９０％以上含んでいることが望ましい。
【００２０】
実施例１
ポリカーボネート（ＰＣ）基板１０１上に、保護層１０２、界面層１０３、記録層１０４、界面層１０５、保護層１０６、及び、反射層１０７を順次スパッタリングにより積層し、界面層１０３、１０５の材料として複数の材料を用いたディスクを作成した。保護層１０２には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を５０ｎｍとした。記録層１０４には、Ｇｅ１０Ｔｅ１０−Ｂｉ１．８Ｉｎ０．２Ｔｅ３を用い、膜厚を１５ｎｍとした。保護層１０６には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を１５ｎｍとした。反射層１０７にはＡｌ−Ｔｉを用い、膜厚を１００ｎｍとした。
【００２１】
本実施例においては、界面層１０３、１０５の組成は同一とし、（Ａｌ２Ｏ３）２５−（Ｙ２Ｏ３）３５−（Ｔａ２Ｏ５）４０、ＧｅＣｒＮ、ＳｉＣの３種類を用いた。界面層１０３、１０５の膜厚は、５ｎｍとした。ＰＣ基板１０１に形成されたトラッキングサーボ用の案内溝の深さは２５ｎｍ、ピッチは０．４μｍとした。作成した相変化光ディスクついて、波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．６５の光ヘッドを用いて、消去率と線速との関係を調べた。消去率は、各線速において、長さ１μｍのマークに対して、記録／ＤＣ消去を行って測定した。
【００２２】
図２は、消去率と線速との関係を示している。一般に、記録層の結晶化速度が速い場合には、線速が高くなっても消去率はほとんど低下しないのに対し、結晶化速度が遅い場合には、低い線速では高い消去率が得られるものの、線速が高くなるにつれ消去率が急激に低下する。同図に示すように、界面層１０３、１０５を有しない光ディスクでは、結晶化速度が遅く、線速が高くなるにつれて、消去率が急激に低下する（グラフ（ａ））。界面層１０３、１０５として、ＳｉＣ又はＧｅＣｒＮを用いた場合には、界面層なしに比して、消去率が低下する線速が高くはなる。しかし、線速１５ｍ／ｓ付近から、消去率は急激に低下する（グラフ（ｂ）、（ｃ））。これに対し、界面層１０３、１４として、（Ａｌ２Ｏ３）２５−（Ｙ２Ｏ３）３５−（Ｔａ２Ｏ５）４０を用いた場合には、線速が高くなっても消去率は急激に低下せず、結晶化速度向上効果が顕著に高いことがわかる（グラフ（ｄ））。
【００２３】
実施例２
実施例１で用いたＰＣ基板と同一の基板１０１上に、保護層１０２、界面層１０３、記録層１０４、界面層１０５、保護層１０６、及び、反射層１０７を順次スパッタリングにより積層し、界面層１０３、１０５のターゲット組成を種々変化させたディスクを作成した。保護層１０２には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を５０ｎｍとした。記録層１０４には、Ｇｅ１０Ｔｅ１０−Ｂｉ１．９Ｉｎ０．１Ｔｅ３を用い、膜厚を１５ｎｍとした。保護層１０６には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を１５ｎｍとした。反射層１０７にはＡｌ−Ｔｉを用い、膜厚を１００ｎｍとした。界面層１０３、１０５には、Ａｌ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５を用い、膜厚を５ｎｍとした。
【００２４】
作成したディスクにデータを記録し、環境試験を行って、組成比と保存安定性との関係を調べた。情報の記録には、波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の光ヘッドを用いた。線速を２６．４ｍ／ｓ、クロック周波数を２５９ＭＨｚとして、（１−７）変調のデータを記録した。環境試験の条件は、温度８５度、湿度９０％、３００時間とし、環境試験前後でビットエラーレートの比較を行った。結果を下記表１に示す。
【表１】
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【００２５】
表１を参照すると、Ａｌ２Ｏ３の組成比が低い場合には、環境試験前後でのエラーレートの変化自体には少ないものの、エラーレートそのものが悪いことがわかる。これはＡｌ２Ｏ３組成が少ない場合には結晶化速度が低下するためと考えられる。一方、Ａｌ２Ｏ３組成が多い場合には、結晶化速度が速く初期のエラーレートは良好であるものの、Ａｌ２Ｏ３の濃度が３０％より多い場合には、環境試験後のエラーレートが増大して、保存安定性が劣化することが分かる。従って、Ａｌ２Ｏ３の濃度としては、５％〜３０％が好適である。
【００２６】
実施例３
実施例１で用いたＰＣ基板と同一の基板１０１上に、保護層１０２、界面層１０３、記録層１０４、界面層１０５、保護層１０６、及び、反射層１０７を順次スパッタリングにより積層し、界面層１０３、１０５のターゲット組成を種々変化させたディスクを作成した。保護層１０２には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を５０ｎｍとした。記録層１０４には、Ｇｅ６Ｔｅ６−Ｂｉ１．８Ｉｎ０．２Ｔｅ３を用い、膜厚を１５ｎｍとした。保護層１０６には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を１５ｎｍとした。反射層１０７にはＡｌ−Ｔｉを用い、膜厚を１００ｎｍとした。界面層１０３、１０５には、Ａｌ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５を用い、膜厚を５ｎｍとした。
【００２７】
作成したディスクにデータを繰り返しオーバライト記録し、組成比と繰り返し回数との関係を調べた。情報の記録には、波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の光ヘッドを用いた。線速を２６．４ｍ／ｓ、クロック周波数を２５９ＭＨｚとして、（１−７）変調のデータを繰り返しオーバーライト記録して、繰り返し可能回数を測定した。繰り返し可能回数は、エラーレートが１×１０−４以下となる繰り返し回数の上限値で定義した。結果を、下記表２に示す。
【表２】
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【００２８】
表２を参照すると、Ａｌ２Ｏ３の濃度が５〜３０％で、かつ、Ｔａ２Ｏ５の濃度が２０〜６０％の組成では、繰り返し可能回数が１０００回以上となって、良好な繰り返し記録特性が得られることがわかる。また、Ｔａ２Ｏ５の濃度が２０〜５５％の組成では、繰り返し可能回数が１５００回以上となり、特に良好な繰り返し記録特性が得られることがわかる。本実施例の結果と実施例２の結果とを合わせると、界面層１０３、１０５の組成を、（Ａｌ２Ｏ３）ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｙ（Ｔａ２Ｏ５）ｚの組成表現おいて、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、２０≦ｚ≦６０、５≦ｘ≦３０の関係を満足する組み合わせとするとこで、結晶化促進効果が高く高線速での消去率が良好であり、かつ、記録マークの保存安定性も良好であり、さらに、繰り返し記録特性も良好な相変化光ディスクを実現することが可能であることがわかる。
【００２９】
実施例４
実施例１で用いたＰＣ基板と同一の基板１０１上に、保護層１０２、界面層１０３、記録層１０４、界面層１０５、保護層１０６、及び、反射層１０７を順次スパッタリングにより積層し、界面層１０３の膜厚を変化させたディスクを作成した。保護層１０２には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を５０ｎｍとした。記録層１０４には、Ｇｅ６Ｔｅ６−Ｂｉ１．８Ｉｎ０．２Ｔｅ３を用い、膜厚を１５ｎｍとした。保護層１０６には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚を１５ｎｍとした。反射層１０７にはＡｌ−Ｔｉを用い、膜厚を１００ｎｍとした。界面層１０３、１０５には、（Ａｌ２Ｏ３）２０−（Ｙ２Ｏ３）３５−（Ｔａ２Ｏ５）４５を用い、界面層１０３の膜厚は１〜２０ｎｍの間で変化させ、界面層１０５の膜厚は５ｎｍとした。
【００３０】
作成したディスクにデータを繰り返しオーバーライト記録し、組成比と繰り返し可能回数との関係を調べた。繰り返し可能回数の定義、及び、繰り返し回数の測定方法については、実施例３と同一とした。図３は、界面層１０３の膜厚と繰り返し可能回数との関係を示している。同図を参照すると、界面層１０３の膜厚を３〜１５ｎｍの範囲とすることで、１０００回以上の繰り返し可能回数を実現できることがわかる。
【００３１】
実施例５
実施例１で用いたディスクと同一構成のディスクを作成し、記録層１０４の組成を変化させて、界面層１０３、１０５による結晶化促進効果と記録層１０４の組成との関係、及び、保存安定性と記録層１０４の組成との関係を調べた。界面層１０３、１０５には、実施例１と同じ（Ａｌ２Ｏ３）２５−（Ｙ２Ｏ３）３５−（Ｔａ２Ｏ５）４０を用いた。結晶化促進効果は、線速２６．４ｍ／ｓにおいて、ＤＣ消去率３０ｄＢ以上が得られるか否かを判断基準とした。また、保存安定性は、温度８０℃、湿度９０％、５００時間の環境試験後に、１×１０−４以下のエラーレートが得られるかどうかを判断基準とした。検討を行った代表的な組成についての結果を下記表３に示す。
【表３】
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【００３２】
表３を参照すると、（Ｇｅ１−ｕＳｎｕＴｅ）α（ＳｂｖＢｉｗＩｎ２−ｖ−ｗＴｅ３）記録層１０４と、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｙ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）界面層１０３、１０５との組み合わせにおいて、記録層１０４の組成として、以下に示す範囲が好適であることが分かった。
（１）αが４０より大きくなると、結晶化促進効果が小さくなり高線速での消去率が低下する。一方、αが４より小さい場合には、記録マークの保存安定性が低くなる。従って、４≦α≦４０の範囲が好適である。Ｇｅの一部をＳｎで置換することもできるが、置換の割合が３０％を越えると保存安定性が低下することから、０≦ｕ≦０．３の範囲が望ましい。
（２）ｖ＋ｗが１．５より小さい場合には、保存安定性は良好であるものの、結晶化促進効果が小さくなり高線速での消去率が低下する。また、ｖ＋ｗが１．９５より大きい場合には、記録マークの保存安定性が低くなる。従って、１．５≦ｖ＋ｗ≦１．９５の範囲が好適である。
【００３３】
以上、実施例を用いて説明したように、本発明では、界面層１０３、１０５、Ａｌの酸化物、Ｙの酸化物、及び、Ｔａの酸化物を含む材料で構成することにより、記録層１０４における結晶化速度を向上できる。また、これら化合物の組成比を適切に設定することにより、記録層１０４の結晶化温度を低下させることなく、結晶化速度を向上させることが可能となり、記録マークの保存安定性が高く、かつ、高速記録に適した光学的情報記録媒体を実現できる。
【００３４】
なお、上記実施形態では、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｙ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）誘電体層を、界面層１０３、１０５として用いる例について説明したが、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｙ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）誘電体層は、界面層１０３、１０５以外の誘電体層に使用することもできる。例えば、（Ａｌ２Ｏ３）−（Ｙ２Ｏ３）−（Ｔａ２Ｏ５）誘電体層を、反射層１０７に隣接する保護層１０６に用いることができる。この場合、保護層１０６には、Ｓが含まれないため、反射層１０７にＡｇを用いた場合でも、Ａｇの硫化を抑止することができる。
【００３５】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の光学的情報記録媒体は、上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態の光学的情報記録媒体の構造を示す断面図。
【図２】線速と消去率との関係を示すグラフ。
【図３】界面層の膜厚と繰り返し可能回数との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００３７】
１００：光学的情報記録媒体
１０１：基板
１０２、１０６：保護層
１０３、１０５：界面層
１０４：記録層
１０７：反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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