(57)【要約】【課題】  パワー半導体デバイスにおいて、漏れ電流路が形成されることを防止する製造方法を提供する。【解決手段】  III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体デバイスの製造方法であって、
導電性の基板を用意し、
第１の成長方法を用いて、前記基板の主たる表面上に、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を成長させ、第２の成長方法を用いて、前記少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることにより、前記基板上に、III族窒化物遷移層を成長させて、
前記遷移層上に、活性領域を形成することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記基板は、珪素を含んでいる、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、炭化珪素を含んでいる、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＨＶＰＥ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＢＥ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記第１の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第２の成長方法は、ＨＶＰＥ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＢＥ法である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
第３の成長方法を用いて、前記第２のIII族窒化物半導体層上に、第３のIII族窒化物半導体層を成長させることを特徴とする、請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第３の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第３の成長方法は、ＨＶＰＥ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第３の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第３の成長方法は、ＭＢＥ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第２の成長方法は、ＨＶＰＥ法であり、前記第３の成長方法は、ＭＢＥ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、前記第２の成長方法は、ＭＢＥ法であり、前記第３の成長方法は、ＨＶＰＥ法である、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１７】
複数の第１のIII族窒化物半導体層と、複数の第２のIII族窒化物半導体層と、複数の第３のIII族窒化物半導体層とを有し、前記第１、第２及び第３のIII族窒化物半導体層を、交互に設けてある、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１８】
前記遷移層は、AlNを含んでいる、請求項１記載の製造方法。
【請求項１９】
前記遷移層の組成は、厚さ方向に均一である、請求項１記載の製造方法。
【請求項２０】
前記遷移層の組成は、厚さ方向において傾斜している、請求項１記載の製造方法。
【請求項２１】
前記第１のIII族窒化物半導体層の組成は、前記第２のIII族窒化物半導体層の組成と異なっている、請求項１記載の製造方法。
【請求項２２】
前記第１のIII族窒化物半導体層の組成は、前記第２及び第３のIII族窒化物半導体層の組成とは異なっており、前記第２のIII族窒化物半導体層の組成は、前記第３のIII族窒化物半導体層の組成とは異なっている、請求項１０記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、2005年9月30日付け米国特許仮出願第60/722,510号「III族窒化物半導体デバイスにおける窒化アルミニウム層の品質を改良する方法」に基づく優先権を主張するものであり、その内容を、ここに組み込むものである。
【０００２】
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
本発明は、半導体デバイスに関し、より詳しく言うと、III族窒化物半導体デバイス及びその製造方法に関する。
【０００４】
III-V族半導体は、III族元素及びV族元素を含む半導体材料で形成されている。III-V族半導体は、パワーデバイスとして望ましいものであるが、製造が困難であるので、広範な開発は行われていない。
【０００５】
例えば、実用的に望まれる１つのIII-V族半導体は、III族窒化物半導体である。III族窒化物半導体またはGaN系半導体は、InAlGaN系の半導体合金に関連するものである。InAlGaN系の半導体合金の例は、GaN、AlGaN、AlN、InN、InGaN及びInAlGaNを含んでいる。窒素は、各合金に含まれており、InAlGaN系の合金を得るために、In、AlまたはGaの比率は変えられる。
【０００６】
III族窒化物半導体デバイスは、材料の高いバンドギャップのために、パワーデバイスに用いられることが望ましい。III族窒化物半導体を製造する場合、少なくとも１つのIII族窒化物半導体合金（すなわち、InAlGaN系合金）を、基板上に形成する必要がある。III族窒化物半導体の３つの公知の基板材料は、サファイア、SiC及びSiである。
【０００７】
商業的には、低コスト及び高熱伝導性のため、シリコン基板がより好ましい。しかしながら、III族窒化物半導体合金とシリコンとの格子の不整合、及び熱膨張特性の違いのために、III族窒化物半導体の厚膜層（例えば１ミクロン厚以上）は、クラッキングを発生したり、シリコンウェハーを湾曲させてしまったりする。III族窒化物半導体の厚膜層におけるクラッキングは、シリコン基板を用いた時には発生しないので、この問題は、シリコン基板上に形成されたIII族窒化物半導体に限定されるものではない。
【０００８】
クラッキングを防止するために、デバイスの活性領域と基板との間に、遷移層が設けられる。図１には、基板１４上に形成された遷移層１２上に設けられた活性領域１０を有する公知のIII族窒化物半導体を示してある。基板１４は、例えばシリコンダイオードである。
【０００９】
活性領域１０は、第１のバンドギャップである第１のIII族窒化物半導体層１６と、III族窒化物半導体層１６とヘテロ接合され、第２のバンドギャップである第２のIII族窒化物半導体層１８とを備えている。
【００１０】
２次元電子ガス（2DEG）は、III族窒化物半導体層１６及び１８間のヘテロ接合部に形成され、それにより、第２のIII族窒化物半導体層１８に電気的に接続された第１のパワー電極２０（例えばソース電極）と第２のパワー電極２２（例えばドレイン電極）との間に電流が流れる。
【００１１】
公知のように、ゲート電極２４に適切な電圧を印加すると、2DEGが断続的に形成され、ソース電極２０とドレイン電極２２との間の電流が制御される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ソース電極２０と、ドレイン電極２２との間の電流を、好適に制御するために、2DEG以外に、電流路が形成されないことが望ましい。しかし、基板１４が導電性である場合、遷移層１２及び基板１４には、漏れ電流路が形成される。
【００１３】
III族窒化物パワー半導体デバイスのスイッチング特性を改善するために、遷移層１２の漏れ電流路を小さくするか、または除去することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
遷移層にある漏れ電流路を小さくするか、または除去するために、本発明による方法では、第１の成長方法を用いて、少なくとも第１のIII族窒化物半導体層を基板上に成長させ、次いで、第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、前記した少なくとも第１のIII族窒化物半導体層上に、少なくとも第２のIII族窒化物半導体層を成長させることを含んでいる。
【００１５】
本発明の他の実施例によれば、遷移層を形成するために、第１及び第２の成長方法とは異なる第３の成長方法を用いて、第３のIII族窒化物半導体層を、第２のIII族窒化物半導体層上で成長させる。
【００１６】
本発明による製造方法で用いられる成長方法は、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法及び有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法である。II族窒化物半導体層を交互に形成するために、所望の厚さになるまで、これらの成長方法を、いかなる順序でも適用することができる。
【００１７】
本発明のその他の特徴及び利点は、図面を用いて行う詳細な説明から明らかになると思う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明によれば、遷移層の漏れ電流路を小さくするために、遷移層は、少なくとも２つの別々の成長方法により、最終的な厚さに成長される。
【００１９】
図２に示す本発明の第１の実施例において、第１の成長方法を用いて、第１のIII族窒化物半導体層２６を成長させ、次いで、異なる第２の成長方法を用いて、第１のIII族窒化物半導体層２６上に第２のIII族窒化物半導体層２８を成長させることにより、導電性の基板１４（例えばSiまたはSiC）上に遷移層１３を成長させる。その後、活性領域を、本発明により製造された遷移層１３上で成長させる。
【００２０】
本発明による製造方法で用いられる成長方法は、例えば、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、及びＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法である。これらの方法を、所望に応じて、交互に採用することができる。いくつかの可能な組み合わせを、表１に示す。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
本発明により製造される遷移層１３は、２つの層に限定されるものではない。遷移層１３を、異なる成長技術により交互に形成された第１のIII族窒化物半導体層２６、及び第２のIII族窒化物半導体層２８の複数の層とすることができる（図３参照）。
【００２３】
図４に示す本発明の第２の実施例による製造方法において、遷移層１３は、第１の成長方法を用いて成長された第１のIII族窒化物半導体層２６と、第１の成長方法とは異なる第２の成長方法を用いて、第１のIII族窒化物半導体層２６上に形成された第２のIII族窒化物半導体層２８と、第１及び第２の成長方法とは異なる成長方法を用いて、第２のIII族窒化物半導体層２８上に形成された、第３のIII族窒化物半導体層３０とを備えている。
【００２４】
本発明による遷移層１３を形成するのに用いられる異なる成長方法は、例えば、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法及びＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法である。これらの成長方法を、所望の順序で交互に用いることができる。いくつかの可能な組み合わせを、表２に示す。
【００２５】
【表２】
2007129203.tif 000004
【００２６】
遷移層１３は、第１のIII族窒化物半導体層２６、第２のIII族窒化物半導体層２８及び第３のIII族窒化物半導体層３０に限定されるものではない。
【００２７】
図５に示すように、遷移層１３は、例えば、複数の第１のIII族窒化物半導体層２６、複数の第２のIII族窒化物半導体層２８及び複数の第３のIII族窒化物半導体層３０を、交互に備えている。
【００２８】
図５では、遷移層１３を、第１のIII族窒化物半導体層２６、第２のIII族窒化物半導体層２８、第３のIII族窒化物半導体層３０、第１のIII族窒化物半導体層２６、第２のIII族窒化物半導体層２８及び第３のIII族窒化物半導体層３０の順で形成してあるが、本発明による遷移層は、いかなる順序でも成長可能である。例えば、遷移層１３を、半導体層２６、２８、３０、２６、２８、３０・・・の順で形成することができる。
【００２９】
本発明による遷移層１３の好適な材料は、AlNである。従って、本発明による遷移層１３における各III族窒化物半導体層は、異なる方法により成長されたAlNを含んでいる。
【００３０】
また、遷移層１３における各III族窒化物半導体層は、均一組成であるか、または変化する組成（例えば傾斜組成）である。さらに、各III族窒化物半導体層は、異なる組成を有することもできる。例えば、遷移層１３において、第１のIII族窒化物半導体層２６を均一組成とし、第２のIII族窒化物半導体層２８を傾斜組成とし、第３のIII族窒化物半導体層３０を、傾斜組成の場合のように滑らかにかつ漸進的にではなく、段階的に変化する組成とすることもできる。
【００３１】
本発明により製造されたデバイスは、本発明により成長された遷移層１３上に形成された活性領域を備えている。活性領域は、図１に示したヘテロ接合層と同様のIII族窒化物ヘテロ接合層を含んでいることもあれば、その他の層となっていることもある。
【００３２】
以上、本発明を、特定の実施例に基づいて説明したが、上記した以外の変更、修正、及び用途を、当業者であれば、容易に思いつくと思う。従って、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載にのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来のIII族窒化物半導体デバイスの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例におけるIII族窒化物半導体デバイスの部分断面図である。
【図３】第１の実施例の変形例におけるIII族窒化物半導体デバイスの部分断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例におけるIII族窒化物半導体デバイスの部分断面図である。
【図５】第２の実施例の変形例におけるIII族窒化物半導体デバイスの部分断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０      活性領域
１２      遷移層
１３      遷移層
１４      基板
１６      第１のIII族窒化物半導体層
１８      第２のIII族窒化物半導体層
２０      ソース電極
２２      ドレイン電極
２４      ゲート電極
２６      第１のIII族窒化物半導体層
２８      第２のIII族窒化物半導体層
３０      第３のIII族窒化物半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007129203.tif 000009
【外国語明細書】
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