(57)【要約】【課題】  シリコン薄膜部の欠陥が少なく、かつ吐出室の気密性に優れた高信頼性の液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法を提供する。【解決手段】  予め個別電極４１がパターン形成された電極基板４にシリコン基板３００を接合し、そのシリコン基板３００を薄板化し、その後、薄板化された前記シリコン基板３００に形成されたエッチングマスク（ＴＥＯＳハードマスク３０１）をパターニングして吐出室３１となる凹部３３をウェットエッチングにより形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、前記エッチングマスクにドライエッチングを施すことにより共通電極３８となる開口部３０４を形成し、その開口部３０４に前記共通電極３８をスパッタにより形成する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め個別電極がパターン形成された電極基板にシリコン基板を接合し、そのシリコン基板を薄板化し、その後、薄板化された前記シリコン基板に形成されたエッチングマスクをパターニングして吐出室となる凹部をウェットエッチングにより形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、
前記エッチングマスクにドライエッチングを施すことにより共通電極となる開口部を形成し、その開口部に前記共通電極を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記共通電極となる開口部は、前記薄板化されたシリコン基板にシリコンマスクをセットし、前記エッチングマスクを選択的にエッチングして形成することを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングは、ＲＩＥドライエッチングを用いることを特徴とする請求項１または２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記薄板化されたシリコン基板に別のシリコンマスクをセットし、フレキシブル配線基板を接続するためのＦＰＣ接続用開口部をドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記薄板化されたシリコン基板に前記別のシリコンマスクをセットし、ドライバＩＣをヘッド内部に実装するためのＩＣ実装用開口部をドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今の静電駆動方式のインクジェットプリンタでは、高解像度画像の高速印刷および多色印刷のために、インクジェットヘッドの多ノズル化および多列化が進んでおり、それに伴って１列当たりのノズルおよび吐出室の数が増加し、ノズル列の長尺化が進んでいる。このノズル列は一般的に、１列ごとに異なった色のインク（例えば、赤、緑、青等）を吐出するようになっている。
【０００３】
このような多ノズル化、多列化されたインクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドの製造方法においては、従来より、予め個別電極がパターン形成された電極ガラス基板とキャビティ基板を作製するためのシリコン基板とを接合してから、そのシリコン基板を薄板化し、その後に吐出室やリザーバ等のインク流路の各部分を形成するプロセスがとられている（例えば、特許文献１参照）。このプロセスでは、吐出室およびリザーバ部のエッチングマスクとしてプラズマＣＶＤにより成膜したＴＥＯＳ膜を用いている。ＴＥＯＳ膜はシリコンをアルカリエッチングする際のエッチングマスクとして用いられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８２５７２号公報（図４、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような従来の製造方法では、シリコンエッチングの終了後、基板全体をフッ酸水溶液に浸し、表面のＴＥＯＳ膜を全面エッチングにより剥離するため、振動板を構成するシリコン薄膜部にはこのウェットエッチングによる微小なクラック等の欠陥が多数発生し、場合によっては吐出室の気密性が損なわれるといった課題があった。
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、シリコン薄膜部の欠陥が少なく、かつ吐出室の気密性に優れた高信頼性の液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、予め個別電極がパターン形成された電極基板にシリコン基板を接合し、そのシリコン基板を薄板化し、その後、薄板化された前記シリコン基板に形成されたエッチングマスクをパターニングして吐出室となる凹部をウェットエッチングにより形成する液滴吐出ヘッドの製造方法において、
前記エッチングマスクにドライエッチングを施すことにより共通電極となる開口部を形成し、その開口部に前記共通電極を形成することとしたものである。
【０００８】
本発明によれば、薄板化されたシリコン基板に吐出室となる凹部をウェットエッチングにより形成した後では、そのエッチングマスクにドライエッチングにより共通電極となる開口部を形成するため、ウェットエッチングに起因するようなシリコン薄膜部の欠陥形成を解消することができ、これによって気密性に優れた吐出室を有する高信頼性の液滴吐出ヘッドを安価に提供することができる。
【０００９】
また、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法においては、前記共通電極となる開口部は、前記薄板化されたシリコン基板にシリコンマスクをセットし、前記エッチングマスクを選択的にエッチングして形成するものである。
シリコンマスクを使用することによって、共通電極となる開口部のみを確実にドライエッチングで開口することができる。
【００１０】
この場合、前記ドライエッチングは、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）ドライエッチングを用いるのが好ましい。
【００１１】
また、前記薄板化されたシリコン基板に別のシリコンマスクをセットし、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を接続するためのＦＰＣ接続用開口部をドライエッチングにより形成するものである。
別のシリコンマスクを使用すれば、ＦＰＣ接続用開口部をドライエッチングにより形成することができ、しかもドライエッチングであるので、上記同様にウェットエッチングに起因するようなシリコン薄膜部の欠陥形成を解消することができ、これによって気密性に優れた吐出室を有する高信頼性の液滴吐出ヘッドを安価に提供することができる。この場合は特に、電極基板、キャビティ基板、およびノズル基板の３つの基板を接合してなる従来の一般的な３層構造の液滴吐出ヘッドに適用して効果がある。
【００１２】
また、前記薄板化されたシリコン基板に前記別のシリコンマスクをセットし、ドライバＩＣをヘッド内部に実装するためのＩＣ実装用開口部をドライエッチングにより形成するものである。
上記と同様に別のシリコンマスクを使用すれば、ドライバＩＣをヘッド内部に実装するためのＩＣ実装用開口部をドライエッチングにより形成することができ、上記同様に高信頼性の液滴吐出ヘッドを安価に提供することができる。この場合は特に、電極基板、リザーバ基板、キャビティ基板、およびノズル基板の４つの基板を接合してなる４層構造の液滴吐出ヘッドに適用して効果がある。
【００１３】
また、本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記のいずれかの液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造するものである。
これによって、高信頼性の液滴吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の製造方法により製造された液滴吐出ヘッドの実施形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、フェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図１および図２を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、エッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。
【００１５】
図１は、本実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、入力信号を供給するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の一部を含めて示している。図２は、図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図である。
なお、図１および図２では、ドライバＩＣに入力信号を供給するためのリード部を模式的に示している。また、図１および図２では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
【００１６】
図１、図２に示す本実施形態に係るインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッドの一例）１０は、従来の一般的な静電駆動方式のインクジェットヘッドのようにノズル基板、キャビティ基板、電極基板の３つの基板を貼り合わせた３層構造ではなく、ノズル基板１、リザーバ基板２、キャビティ基板３、電極基板４の４つの基板を貼り合わせた４層構造で構成されている。リザーバ基板２の一方の面にはノズル基板１が接合されており、リザーバ基板２の他方の面にはキャビティ基板３が接合されている。また、キャビティ基板３のリザーバ基板２が接合された面の反対面には、電極基板４が接合されている。すなわち、図１、図２において下から、電極基板４、キャビティ基板３、リザーバ基板２、ノズル基板１の順で接合されている。また、キャビティ基板３の製造方法については後で詳しく説明するが、実際には、キャビティ基板３は、電極基板４に接合されたシリコン基板から作製されている。なお以下の説明では、説明の便宜上、各基板の図の上の方の面を「上面または表面」、図の下の方の面を「下面または裏面」と記すものとする。
また、このインクジェットヘッド１０は、後述する個別電極１１に駆動信号を供給するドライバＩＣ５が設けられている。
【００１７】
ノズル基板１は、例えば厚さ約５０μｍのシリコン単結晶基板（以下、単にシリコン基板とも称する）から作製されている。ノズル基板１には多数のノズル孔１１が所定のピッチで２列設けられている。各ノズル孔１１は、基板面に対し垂直にかつ同軸上に小さい穴の噴射口部分１１ａと噴射口部分１１ａよりも径の大きい導入口部分１１ｂとから構成されている。また、ノズル基板１の両側の端部はリザーバ基板２およびキャビティ基板３と同様にコ字状に切り欠いてあり、このコ字状の切欠き部７ａはＦＰＣ６を接続するためのＦＰＣ接続用開口部７を構成するものである。
【００１８】
リザーバ基板２は、例えば厚さ約１８０μｍのシリコン単結晶基板（これも単にシリコン基板とも称する）から作製されている。このリザーバ基板２には、リザーバ基板２を貫通し各ノズル孔１１に連通する少し大きい径（導入口部分１１ｂの径と同等もしくはそれよりも大きい径）のノズル連通孔２１と、両側にそれぞれ設けられた共通のリザーバ（共通インク室）２２となる凹部２３と、リザーバ２２とキャビティ基板３の各吐出室３１とを連通する供給口２４と、さらにドライバＩＣ５を実装するため中央部に設けられたＩＣ実装用開口部８となる長方形状の開口部８ａとが設けられている。また、各リザーバ２２となる凹部２３の底部にはインクカートリッジ（図示せず）から電極基板４およびキャビティ基板３を通じてインクを供給するためのインク供給孔２６が設けられている。さらに、リザーバ基板２の両端部には上記のようにＦＰＣ接続用開口部７となるコ字状の切欠き部７ｂが設けられている。
【００１９】
なお、リザーバ基板２の下面には、キャビティ基板３を薄くすることによる吐出室３１での流路抵抗の増加を防ぐために吐出室３１とノズル連通孔２１とに連通する細溝状の供給路２８（図２参照）が設けられているが、供給路２８は省略することもできる。
【００２０】
リザーバ基板２を貫通するノズル連通孔２１は、ノズル基板１のノズル孔１１と同軸上に設けられているので、インク滴の吐出の直進性が得られ、そのため吐出特性が格段に向上するものとなる。特に、微小のインク滴を狙い通りに着弾させることができるため、色ずれ等を生じることなく階調変化を忠実に再現することができ、より鮮明で高品位の画質を実現することができる。
【００２１】
キャビティ基板３は、例えば厚さ約３０μｍのシリコン単結晶基板（これも単にシリコン基板とも称する）から作製されている。このキャビティ基板３には上記のようにノズル連通孔２１と供給路２８に連通する吐出室３１となる凹部３３が設けられている。そして、吐出室３１（凹部３３）の底壁が振動板３２を構成している。また、振動板３２は、シリコンに高濃度のボロンをドープすることにより形成されるボロンドープ層により構成することができる。ボロンドープ層とすることにより、エッチングストップを十分に働かせることができるので振動板３２の面荒れや厚さを精度よく調整することができる。
【００２２】
また、キャビティ基板３の下面には例えばＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜からなる絶縁膜３４が例えば０．１μｍの厚さでプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成されている。この絶縁膜３４は、インクジェットヘッド１０の駆動時における絶縁破壊や短絡を防止するために設けられている。なお、絶縁膜３４はＳｉＯ2でもよい。
そして、キャビティ基板３の上面にはエッチングマスク３５となるＴＥＯＳ膜が例えばプラズマＣＶＤにより形成されている。さらに、キャビティ基板３には前記リザーバ２２に連通するインク供給孔３６が設けられ、両端部には前述のようにＦＰＣ接続用開口部７となるコ字状の切欠き部７ｃが設けられている。そして、この切欠き部７ｃの両側の上面には一対の共通電極３８が形成されている。共通電極３８にはＦＰＣ６のＣＯＭ配線６２が導電性接着剤等を用いて接続される。また、キャビティ基板３の中央部にはドライバＩＣ５を実装するためのＩＣ実装用開口部８となる長方形状の開口部８ｂが設けられている。
【００２３】
電極基板４は、例えば厚さ約１ｍｍのガラス基板から作製されている。中でも、キャビティ基板３のシリコン基板と熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いるのが適している。これは、電極基板４とキャビティ基板３を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、電極基板４とキャビティ基板３との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく電極基板４とキャビティ基板３を強固に接合することができるからである。
【００２４】
電極基板４には、キャビティ基板３の各振動板２２に対向する表面の位置にそれぞれ凹部４２が並列に２列設けられている。そして、これら２列の凹部４２の列の間には各凹部４２に連通する溝部４３が電極基板４の中央部に設けられている。各凹部４２および中央の溝部４３は、エッチングにより約０．３μｍの深さで形成されている。そして、各凹部４２の底面には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる個別電極４１が、例えば０．１μｍの厚さでスパッタにより形成されている。したがって、振動板３２と個別電極４１との間に形成されるギャップ（空隙）は、この凹部４２の深さ、個別電極４１および振動板３２を覆う絶縁膜３４の厚さにより決まることになる。このギャップ（電極間ギャップ）はインクジェットヘッドの吐出特性に大きく影響する。本実施形態の場合、電極間ギャップは０．２μｍとなっている。この電極間ギャップの開放端部はエポキシ接着剤等からなる封止材４６により封止される。これにより湿気や塵埃等が電極間ギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド１０の信頼性を高く保持することができる。
【００２５】
また、中央の溝部４３には、ドライバＩＣ５およびＦＰＣ６に接続するためのリード部４４が同じくＩＴＯパターンにより形成されている。リード部４４は、複数本のリード（配線）から構成されている。なお、本実施形態においてリード部４４とは、１つのドライバＩＣ５に接続される複数のリードをいうものとする。リード部４４は、電極基板４の端部にてＦＰＣ６のＩＣ入力配線６１と接続されるＦＰＣ実装部４４ａとなっており、ドライバＩＣ５の入力端子に２箇所で接続されるＩＣ入力実装部４４ｂ、４４ｃと、ドライバＩＣ５の下に配線されるＩＣ入力信号配線４４ｄとから構成されている。ドライバＩＣ５の出力端子は各列の個別電極４１に接続されている。
このようにリード部４４の配線が電極基板４とドライバＩＣ５に挟まれた状態で形成されているため、インクジェットヘッド１０の面積を増やす（横方向に大きく）ことなくコンパクトに配線することができる。
また、リード部４４は個別電極４１と同様にＩＴＯにより形成されているので、個別電極４１と同時形成が可能となり、製造工程を簡略化することができる。
なお、個別電極４１およびリード部４４の材料はＩＴＯに限定するものではなく、金、銅等の金属を用いてもよいが、ＩＴＯは透明であるので放電したかどうかの確認が行いやすいことなどの理由から、一般にＩＴＯが用いられる。
【００２６】
また、この電極基板４の両側には前述したようにインクカートリッジ（図示せず）に接続されるインク供給孔４５が設けられている。
【００２７】
ここで、上記のように構成されたインクジェットヘッド１０の動作について概要を説明する。
ＦＰＣ６の一方の端部は、インクジェットヘッド１０の制御部（図示せず）に接続されており、他方の端部のＣＯＭ配線６２はキャビティ基板３の共通電極３８に接続され、ＩＣ入力配線６１は電極基板４のリード部４４を介して電極基板４上に実装されたドライバＩＣ５に接続されている。したがって、インクジェットヘッド１０の制御部（図示せず）からドライバＩＣ５に駆動信号（パルス電圧）が供給されると、個別電極４１にはドライバＩＣ５からパルス電圧が印加され、個別電極４１をプラスに帯電させ、一方これに対応する振動板３２はマイナスに帯電する。このとき、個別電極４１と振動板３２間に静電気力（クーロン力）が発生するため、この静電気力により振動板３２は個別電極４１側に引き寄せられて撓む。これによって吐出室３１の容積が増大する。次に、パルス電圧をオフにすると、上記静電気力がなくなり振動板３２はその弾性力により元に戻り、その際、吐出室３１の容積が急激に減少するため、そのときの圧力により、吐出室３１内のインクの一部がノズル連通孔２１を通過しインク滴となってノズル孔１１から吐出される。そして、再びパルス電圧が印加され、振動板３２が個別電極４１側に撓むことにより、インクがリザーバ２２から供給口２４を通って吐出室３１内に補給される。
【００２８】
以上のように、本実施形態のインクジェットヘッド１０によれば、ノズル基板１、リザーバ基板２、キャビティ基板３および電極基板４を貼り合わせた４層構造とすることにより、内部に複数のドライバＩＣ５を実装することができ、小型で多ノズル化された高性能のインクジェットヘッドを構成することができる。
【００２９】
次に、このインクジェットヘッド１０の製造方法について図３乃至図５を参照して説明する。なお、図３乃至図５では図１に示したインクジェットヘッド１０が左右対称であるので、便宜上、右側の半分の断面を示すが、実際には左側の部分も同時に形成される。また、以下において示す基板の厚さやエッチング深さ等はあくまでも一例を示すものであり、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３０】
まず、例えば厚さ約２２０μｍに表面加工および表面の加工変質層の除去処理（前処理）がなされたシリコン基板３００を用意し、このシリコン基板３００の片面に例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって厚さ０．１μｍのＴＥＯＳ絶縁膜３４を成膜する（図３（Ａ））。ＴＥＯＳ絶縁膜３４の成膜は、例えば、温度３６０℃、高周波出力２５０Ｗ、圧力６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で行う。なお、絶縁膜３４はＳｉＯ2でもよい。また、シリコン基板３００は所要の厚さのボロンドープ層（図示せず）を有するものを用いてもよい。
【００３１】
次に、このシリコン基板３００を、ＴＥＯＳ絶縁膜３４を介して、前述のようにガラス基板に予め個別電極４１や凹部４２、リード部（図示せず）等が作製された電極基板４上に、個別電極４１に対向させて陽極接合する（図３（Ｂ））。陽極接合は、シリコン基板３００と電極基板４を３６０℃に加熱した後、電極基板４に負極、シリコン基板３００に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する。また、電極基板４にはインク供給孔４５が例えばドリル等を用いた切削加工により形成されている。
【００３２】
次に、陽極接合された上記シリコン基板３００の表面を、例えばバックグラインダーや、ポリッシャーによって研削加工し、さらに例えばフッ酸水溶液で表面を１０〜２０μｍエッチングして加工変質層を除去し、厚さが例えば３０μｍになるまで薄くする（図３（Ｃ））。
【００３３】
次に、この薄板化されたシリコン基板３００の表面に、エッチングマスクとなるＴＥＯＳハードマスク３０１を、例えばプラズマＣＶＤによって厚さ約０．８μｍで成膜する（図３（Ｄ））。
【００３４】
次に、そのＴＥＯＳハードマスク３０１の表面上にレジスト（図示せず）を形成し、フォトリソグラフイーによってレジストをパターニングしてエッチングすることにより、吐出室３１、インク供給孔３６、ＦＰＣ接続用開口部（図示せず）、およびドライバＩＣ５のＩＣ実装用開口部８に対応する開口部をＴＥＯＳハードマスク３０１に形成する（図３（Ｅ））。
【００３５】
次に、この陽極接合済みの基板を水酸化カリウム水溶液でエッチングすることにより、薄板化されたシリコン基板３００に、吐出室３１となる凹部３３、インク供給孔３６となる貫通孔を形成する（図３（Ｆ））。このとき、ＩＣ実装用開口部８およびＦＰＣ接続用開口部となる部分は未だ貫通させず基板厚さが薄くなる程度にとどめておく。また、ＴＥＯＳハードマスク３０１の厚さも薄くなる。なおこのエッチング工程では、最初は、濃度３５ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン基板３００の残りの厚さが例えば５μｍになるまでエッチングを行い、ついで濃度３ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液に切り替えてエッチングを行う。これにより、エッチングストップが十分に働くため、振動板３２の面荒れを防ぎ、かつその厚さを０．８０±０．０５μｍと高精度の厚さに形成することができる。エッチングストップとは、エッチング面から発生する気泡が停止した状態と定義し、実際のウェットエッチングにおいては、気泡の発生の停止をもってエッチングがストップしたものと判断する。
そして、エッチング後、レジストを剥離する。
【００３６】
次に、上記のように吐出室３１となる凹部３３等が形成されたシリコン基板３００（キャビティ基板３）上にシリコンマスク３０２をセットし、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）ドライエッチングによりＩＣ実装用開口部８およびＦＰＣ接続用開口部（図示せず）となる部分を開口する（図４（Ｇ））。このエッチングの条件は、例えば、高周波出力２００Ｗ、チャンバ圧力３９．９Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4ガス流量３０ｃｍ3／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）、エッチング時間６０分である。
このようにウェットエッチングではなくドライエッチングを行うことにより、ＩＣ実装用開口部８やＦＰＣ接続用開口部となる部分を選択的に開口することができるため、シリコン薄膜部の振動板３２にはウェットエッチングに起因するようなクラック等の欠陥が少なくなる。
【００３７】
次に、上記シリコンマスク３０２とは別のシリコンマスク３０３をシリコン基板３００上にセットし、同じくＲＩＥドライエッチングにより、共通電極３８を形成するための開口部３０４をＴＥＯＳハードマスク３０１（エッチングマスク３５）に形成する（図４（Ｈ））。このときのエッチング条件は、例えば、高周波出力２００Ｗ、チャンバ圧力３９．９Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4ガス流量３０ｃｍ3／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）、エッチング時間３０分である。
この工程においてもウェットエッチングではなくドライエッチングを行うことにより、共通電極３８のための開口部３０４をＴＥＯＳハードマスク３０１に選択的に形成するため、シリコン薄膜部の振動板３２にはウェットエッチングに起因するようなクラック等の欠陥が少なくなる。
【００３８】
次に、同じシリコンマスク３０３を用いて、上記のように開口されたＴＥＯＳハードマスク３０１（エッチングマスク３５）に、例えば白金（Ｐｔ）をスパッタリングして共通電極３８を形成する（図４（Ｉ））。
【００３９】
次に、振動板３２と個別電極４１との間のギャップの開放端部をエポキシ接着剤等からなる封止材４６で封止する（図４（Ｊ））。
以上により、個別電極４１がパターン形成された電極基板４にシリコン基板を接合した状態でキャビティ基板３を作製することができる。
【００４０】
その後、予めノズル連通孔２１やリザーバ２２、供給口２４等が形成されたリザーバ基板２を、上記のように作製されたキャビティ基板３上に接着剤により接着する（図５（Ｋ））。このとき、リザーバ基板２とキャビティ基板３とはエッチングマスク３５すなわちＴＥＯＳハードマスク３０１を介して接合される。
【００４１】
ついで、ドライバＩＣ５を電極基板４の個別電極４１およびリード部（図示せず）に接続し、さらにＦＰＣ（図示せず）のＩＣ入力配線をリード部の端部（ＦＰＣ実装部）に、またそのＦＰＣのＣＯＭ配線を上記共通電極３８に、導電性接着剤を用いて接続する（図５（Ｌ））。
【００４２】
最後に、予めノズル孔１１が形成されたノズル基板１をリザーバ基板２上に接着剤により接着する（図５（Ｍ））。そして、ダイシングにより個々のヘッドに分離すれば、図２に示したインクジェットヘッド１０が作製される。
【００４３】
以上のように、本実施形態のインクジェットヘッド１０の製造方法によれば、共通電極３８用の開口部およびＩＣ実装用開口部８をいずれもドライエッチングにより形成するため、ウェットエッチングを使用した場合に起因するシリコン薄膜部への欠陥形成を解消することができる。
さらに、図３（Ｆ）のシリコンアルカリエッチング以降のすべてのプロセスにおいて、ドライエッチング加工の適用が可能となり、ウェットエッチングの際に発生するシリコン薄膜部からのエッチング液の侵入を回避することができる。
よって、歩留まりが著しく向上し、製造コストの低減が可能であるとともに、表面欠陥の少ない、気密性に優れた吐出室を有する高信頼性のインクジェットヘッド１０を製造することができる。
【００４４】
上記の実施形態では、４層構造のインクジェットヘッドおよびその製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、従来の一般的な３層構造のインクジェットヘッドについても本発明を適用することができる。また、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】本発明のインクジェットヘッドの製造方法を示す製造工程の断面図。
【図４】図３に続く製造工程の断面図。
【図５】図４に続く製造工程の断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１  ノズル基板、２  リザーバ基板、３  キャビティ基板、４  電極基板、５  ドライバＩＣ、６  ＦＰＣ、７  ＦＰＣ接続用開口部、７ａ、７ｂ、７ｃ  切欠き部、８  ＩＣ実装用開口部、１０  インクジェットヘッド、１１  ノズル孔、２１  ノズル連通孔、２２  リザーバ、２３  凹部、２４  供給口、２６  インク供給孔、２８  供給路、３１  吐出室、３２  振動板、３３  凹部、３４  絶縁膜、３５  エッチングマスク（ＴＥＯＳ膜）、３６  インク供給孔、３８  共通電極、４１  個別電極、４２  凹部、４３  溝部、４４  リード部、４５  インク供給孔、４６  封止材、３００  シリコン基板、３０１  ＴＥＯＳハードマスク、３０２、３０３  シリコンマスク、３０４  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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