(57)【要約】【課題】高誘電率層や磁性層等の機能性セラミック層を基板内に形成しても特性バラツキが少なく、且つ絶縁層厚みの薄層化と配線導体層の厚みの厚膜化を同時に達成したコンパクトで高性能な複合配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性セラミック層、絶縁性セラミック層とは異なる材質から成る機能性セラミック層、配線電極層及び配線電極層に電気的に接続する配線回路層とを少なくとも具備する配線基板であって、絶縁性セラミック層が複数積層されてなり、機能性セラミック層は絶縁性セラミック層を貫通するように形成され、配線電極層は、機能性セラミック層を挟持してその層主面に於いて絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界の内側に形成されてなることを特徴とする配線基板、及び、その製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性セラミック層、前記絶縁性セラミック層とは異なる材質から成る機能性セラミック層、配線電極層及び前記配線電極層に電気的に接続する配線回路層とを少なくとも具備する配線基板であって、
前記絶縁性セラミック層が複数積層されてなり、前記機能性セラミック層は絶縁性セラミック層を貫通するように形成され、前記配線電極層は、機能性セラミック層を挟持して該層主面に於いて絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界の内側に形成されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線電極層と前記配線回路層とが絶縁セラミック層を貫通して形成されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線回路層が、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界に存在せず、前記配線電極層の主面に配線回路層が接続されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁性セラミック層が、焼成収縮開始温度の異なる第１の絶縁性セラミック層と第２の絶縁性セラミック層からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１、第２の絶縁性セラミック層が含有する成分の前記機能性セラミック層への拡散距離が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１，第２両絶縁性セラミック層のうち、少なくとも第１の絶縁性セラミック層は結晶化ガラスを含有し、少なくとも第２の絶縁性セラミック層はガラスを含有すると共に、前記第１の絶縁性セラミック層における結晶化ガラスの結晶化温度が、前記第２の絶縁性セラミック層におけるガラスの軟化温度以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記機能性セラミック層が、高誘電率セラミック層又は磁性セラミック層である請求項１乃至６の何れかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記機能性セラミック層が、前記絶縁性セラミック層との境界から内側１００μｍ未満の外縁領域層とその内側に境を接して該領域層を貫通するように形成された内側領域層との２層構造からなり、前記内側領域層が、高誘電率セラミック材料で構成され、前記外縁領域層が、前記内側領域層の構成材である高誘電率セラミック材料に前記絶縁性セラミック層の構成材料が拡散して形成され、前記絶縁性セラミック層より高く、前記高誘電率内側領域層より低い誘電率を有する複合セラミック誘電体層である請求項１乃至７の何れかに記載の配線基板。
【請求項９】
（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、配線電極、配線回路を含む配線導体層を構成すべき所定パターンの導体層を形成すると共に機能性セラミックペーストを塗布して所定パターンの機能性セラミック層を形成する工程、
（ｂ）前記機能性セラミック層及び前記導体層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、及びセラミック材料を含有する光硬化スラリーを、前記機能性セラミック層及び前記導体層の厚さ以上の厚さに塗布して絶縁性セラミック層となるべき光硬化性セラミック層を形成する工程と、
（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して、前記機能性セラミック層及び導体層の形成領域以外の領域の光硬化性セラミック層を光硬化させる工程と、
（ｄ）現像液を付与して、前記光硬化性セラミック層の前記機能性セラミック層表面及び前記導体層表面を含む非光硬化部を溶化、除去することによって、絶縁セラミックス層としての光硬化性セラミック層と機能性セラミック層と導体層からなる複合シートを作製する工程と、
（ｅ）前記複合シートを積層して積層体を形成する工程と
（ｆ）前記積層体を脱バインダー、焼成する工程とを具備する請求項１乃至８の何れかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機等に使用されるセラミック積層部品、積層基板などに適した配線基板とその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進んでおり、それに用いられる回路ブロックも、小型化、複合モジュール化が押し進められ、特に、セラミック多層基板などの積層部品は、その高密度化と小型化が急速に進められている。
【０００３】
このような動向の中で、高周波モジュールなどに適したセラミック多層基板が、誘電損失が小さく、且つ、コンデンサ等の受動素子の内蔵化が可能等の特徴から多用されており、更に小型化を推し進めるため、基板内の特定の一部分に高誘電率層や磁性層を内蔵したセラミック基板の検討が進められている。
【０００４】
従来のセラミック多層基板は、通常、グリーンシート法と呼ばれる製造方法により製造されるものである。
このグリーンシート法は、絶縁層となるセラミック粉末を含有するスラリーを用いてドクターブレード法等によってグリーンシートを作製し、次に、このグリーンシートのビアホール導体となる位置にＮＣパンチや金型などで貫通孔を形成し、導体ペーストを用いて、内部や表面の配線のパターンを印刷すると共に、前記貫通孔に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した後、同様にして作製した複数のグリーンシートを積層し、この積層体を一括同時焼成する製造方法である。
【０００５】
このグリーンシート法に於いて高誘電率層や磁性層などの機能性セラミック層を内蔵するには、例えば、特許文献１や特許文献２に記載されているように、絶縁性のグリーンシート以外に、高誘電性セラミック材料や、磁性セラミック材料などを用いて別途グリーンシートを作製し、これを絶縁性のグリーンシートと積層するか、又は、特許文献３に記載されているように絶縁性グリーンシートの所定箇所にＮＣパンチや金型などで凹部を形成し、高誘電率セラミックペーストや磁性セラミックペーストを充填して形成することが検討されている。
【０００６】
又、グリーンシート法に於いても、高精度化、さらには高密度化への要求に対応するため、絶縁層である配線導体層間の絶縁層厚みの薄層化と共に、配線導体層については低損失、低抵抗値を実現するため、配線導体層の厚みを厚くすることが求められている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１８５１４７号公報
【特許文献２】特開２００２−２９００５３号公報
【特許文献３】特開平１１−９７８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
高誘電率層や磁性層のような機能性セラミック層を設ける場合に於いても、特許文献１，２のように高誘電率グリーンシートや磁性グリーンシートを形成する方法では、多層回路基板の特定の層をすべて高誘電率化、又は磁性層化するために、例えばコンデンサを形成した部分以外の必要のない部分まで高誘電率化されるため、配線導体層を形成することが出来ず、回路設計が大きく制約されてしまうという問題があった。
【０００９】
又、特許文献３のように凹部内に、高誘電率材料ペーストや磁性材料ペーストを充填する場合でも、機能性セラミック層になる高誘電率セラミックペーストや磁性セラミックペーストと絶縁セラミック層になる絶縁性グリーンシートとを同時に焼成する場合には、その界面部分には、夫々のセラミック成分の拡散により組成変化が生じて本来の機能を発現出来ない領域が生じる。
この領域に配線導体層が重なる様に回路を形成すると特性バラツキの原因になり、最終的に製品の要求特性を満足できないという課題があった。
特に、上記界面部分拡散による特性変化は、例えば、絶縁セラミック層のような低誘電率層側にその影響が大きくあらわれる傾向がある。
【００１０】
更に、従来のグリーンシート法などの製造方法に於いては、この絶縁層厚みの薄層化と配線導体層の厚膜化と云う、二つの要求を同時に満たそうとすると、配線導体層が形成されている部分と形成されていない部分とで、配線導体層の厚み分の段差が必然的に発生してしまう。
この段差によって、積層不良（デラミネーション）が発生したり、無理に加圧して段差を埋めたとしても絶縁層に部分的な密度差が生じて、焼成後に変化するといった問題があり、絶縁層厚みの薄層化と配線導体層の厚みの厚膜化を同時に満たすには、限界があった。
【００１１】
従って、本発明は、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層を同一面に形成する場合でも、回路設計の制約を最小限に抑えて、機能性セラミック層の特性劣化を防止でき、絶縁層厚みの薄層化と配線導体層の厚みの厚膜化を同時に満たす高機能な複合積層配線基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、絶縁性セラミック層、前記絶縁性セラミック層とは異なる材質から成る機能性セラミック層、配線電極層及び前記配線電極層に電気的に接続する配線回路層とを少なくとも具備する配線基板であって、前記絶縁性セラミック層が複数積層されてなり、前記機能性セラミック層は絶縁性セラミック層を貫通するように形成され、前記配線電極層は、機能性セラミック層を挟持して該層主面に於いて絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界の内側に形成されてなることを特徴とする配線基板が提供される。
【００１３】
上記、本発明の配線基板は、絶縁セラミック層、機能性セラミック層、電極層や回路層を含む導体層からなる複合積層配線基板であって、機能性セラミック層が絶縁性セラミック層を貫通する態様に形成されている点、及び機能性セラミック層を挟持してその両面に配線層が形成され、且つ、該配線層が絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界の内側に形成されている点が構成上の顕著な特徴である。
これにより、本発明の配線基板は、前記特許文献１，２に記載されている方法の場合のように、基板構成層の特定層全体を機能セラミック層とすることによる、例えば、配線層形成に支障を生ずる等の回路設計上の不都合を生じることが無く、配線層や機能性セラミック層の大きさを適正に画定し、コンパクトな回路設計をすることが出来る。
又、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界拡散部の位置を避けて配線電極層や配線回路層の配置を規定することで、機能性セラミック層の特性低下を防止し、前記特許文献３開示の方法による場合に生じる可能性のある、最終製品のバラツキ発生を回避できる。
更に、導体層間の絶縁層の厚みの薄層化と、導体層の厚みの厚膜化を両立させることが出来、複合積層配線基板のより一層の高性能化が達成出来る。
【００１４】
本発明の配線基板では、配線電極層と配線回路層とが絶縁セラミック層を貫通して形成されていることが好ましい。
又、配線回路層が、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界に存在せず、配線電極層面に配線回路層が接続されてなることが好ましい。
更に、前記絶縁セラミック層が、収縮開始温度の異なる第１の絶縁性セラミック層と第２の絶縁セラミック層からなることが好ましい。
又、前記機能性セラミックス層に対する前記第１、第２の絶縁性セラミック層が含有する成分の拡散距離が１０μｍ以下であることが好ましい。
又、前記第１，第２の両絶縁性セラミック層のうち、少なくとも第１の絶縁性セラミック層は結晶化ガラスを含有し、少なくとも第２の絶縁性セラミック層はガラスを含有すると共に、前記第１の絶縁性セラミック層における結晶化ガラスの結晶化温度が、前記第２の絶縁性セラミック層におけるガラスの軟化温度以下であることが好ましい。
この場合、結晶化ガラスを含有する絶縁性セラミック層（第１）は導体及び機能性セラミック層からの元素拡散防止層として好適に機能する。
又、本発明の配線基板は、機能性セラミック層が、高誘電率層又は磁性層であり、配線導体層と組み合わせでコンデンサや電磁石や抵抗等の素子を形成する場合、特にその特性を顕著に発揮する。
【００１５】
更に、前記機能性セラミック層が、前記絶縁性セラミック層との境界から内側１００μｍ未満の外縁領域層とその内側に境を接して該領域層を貫通するように形成された内側領域層との２層構造からなり、前記内側領域層が、高誘電率セラミック材料で構成され、前記外縁領域層が、前記内側領域層の構成材である高誘電率セラミック材料に前記絶縁性セラミック層の構成材料が拡散して形成され、前記絶縁性セラミック層より高く、前記高誘電率内側領域層より低い誘電率を有する複合セラミック誘電体層である態様のものは、傾斜的に緩やかに焼成収縮挙動も変化するため構成層のクラックが無く反りが小さく、然も、コンデンサとして静電容量に優れる。
【００１６】
更に、本発明は、（ａ）光透過可能なキャリアフィルム表面に、配線電極層及び配線回路層からなる所定パターンの導体層を形成すると共に機能性セラミックペーストを塗布して所定パターンの機能性セラミック層を形成する工程、
（ｂ）前記機能性セラミック層及び前記導体層を形成したキャリアフィルム上に、少なくとも光硬化可能なモノマー、光重合開始剤、及びセラミック材料を含有する光硬化スラリーを、前記機能性セラミック層及び前記導体層の厚さ以上の厚さに塗布して絶縁セラミック層となるべき光硬化性セラミック層を形成する工程と、
（ｃ）前記キャリアフィルムの裏面より、光を照射して、前記機能性セラミック層及び導体層の形成領域以外の領域の光硬化性セラミック層を光硬化させる工程と、
（ｄ）現像液を付与して、前記光硬化性セラミック層の前記機能性セラミック層表面及び前記導体層表面を含む非光硬化部を溶化、除去することによって、絶縁セラミックス層としての光硬化性セラミック層と機能性セラミック層と導体層からなる複合シートを作製する工程と、
（ｅ）前記キャリアフィルムから剥離させた複合シートを積層して積層体を形成する工程と
（ｆ）前記の積層体を脱バインダー、焼成する工程とを具備する前記配線基板の製造方法をも提供する。
本発明の製造方法を採用することにより、上記本発明の配線基板を、容易に且つ、効率よく製造することが出来る。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板は、上述した絶縁性セラミック層中に貫通するように機能性セラミック層を形成する特定構成により、クラックやデラミネーションの発現が抑制され、例えば、コンデンサ等のデバイス素子を内蔵した高機能な複合積層配線基板であるにもかかわらず、小型、軽量で、然も、製品寸法、製品特性にバラツキが殆ど無い。
更に、異種材料を同時焼成しても反らないという特性がある。
又本発明の製造方法によれば、上記本発明の配線基板を容易に、効率よく、且つ常に高品質に製造することが出来ると共に、導体元素及び機能性セラミック層の拡散を抑制して特性変動を無くすことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、配線基板とその製造方法からなるが、先ず、本発明の配線基板を、積層部品用のセラミック多層回路基板を例に、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
本発明の配線基板（セラミック多層回路基板）は、例えば、その構造を説明するための模式図である図１（ａ）に示すように、積層された複数の絶縁性セラミック層２ａと、絶縁性セラミック層２ａを貫通して設けられた機能性セラミック層６と、機能性セラミック層６を挟持するように機能性セラミック層６の両主面に形成された配線電極層３ａと、配線電極層３ａに電気的に接続された配線回路層３ｂとを含む導体層３を備えてなるものであって、配線電極層３ａが、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６との境界７よりも機能性セラミック層６側に形成されていることが重要である。
ここで絶縁性セラミック層２ａは、収縮開始温度の異なる第１、第２の絶縁性セラミック層であってもよく、第１の絶縁性セラミック層に機能性セラミック層が形成されている場合はこの絶縁層を挟持するように第２の絶縁性セラミック層が積層されていることが重要である。
また、第２の絶縁性セラミック層に機能性セラミック層が形成されている場合はこの絶縁層を挟持するように第１の絶縁性セラミック層が積層されていることが重要である。
【００２０】
この配線基板１の配線電極層３ａには、配線回路層３ｂが電気的に接続されており、機能性セラミック層６と、配線電極層３ａと、配線回路層３ｂとで、例えばコンデンサ等のデバイス素子を形成している。
このデバイス素子を配線基板１に内蔵させることで、配線基板を高機能化し、配線基板や、配線基板と接続される外部電気回路基板に搭載するべき部品の数を減らすことが出来、電気回路の小型化と高性能化を達成出来る。
特に、機能性セラミック層６が絶縁性セラミック層２ａを貫通して設けられているため、配線基板１に於ける機能性セラミック層６の占める割合が不必要に大きくなることが無く、小型の配線基板となる。
又、絶縁性セラミック層２ａに収縮開始温度の異なる第１，第２の絶縁性セラミック層を用いることにより、第１絶縁性セラミック層が焼結する間は第２絶縁性セラミック層は熱収縮挙動を起こさず、拡散防止層の役割を担う。
又第２絶縁性セラミック層が焼結する間は第１絶縁性セラミック層が熱収縮を起こさず、拡散防止層の役割を担う。
その結果、同時に焼成収縮する場合と比較して、大幅に互いの成分が体積拡散して異なる層に移動し難いという特徴を持つ。
低温で収縮開始する絶縁性セラミック層を第１絶縁層、高温で収縮開始する絶縁性セラミック層を第２絶縁層とする。
第１絶縁層と第２絶縁層を隣り合うように形成して、機能性セラミック層を第２絶縁層内に部分的に形成する場合について以下に説明する。
１）焼成において第１絶縁層が先に収縮開始するが、隣り合う第２絶縁層と機能性セラミック層は、その時点で収縮しないため、いわゆる粉末の集合体である。
そのため毛管現象によるガラスの移動などの例外を除いて、第１絶縁層の成分が第２絶縁層または機能性セラミック層に拡散することはない。
又、逆に第２絶縁層又は機能性セラミック層の成分が焼結中に第１絶縁層内に拡散して行かないのは、収縮挙動が異なる異種材料の境界面が不活性なためである。
２）次に第２絶縁層と機能性セラミック層が収縮する温度域では第１絶縁層の焼結はほぼ完了している。
そのため第２絶縁層と機能性セラミック層の成分は第１絶縁層へは移動しにくい。
逆に第１絶縁層の成分が焼結中の第２絶縁層と機能性絶縁層に拡散して行かないのは収縮挙動が異なる異種材料の境界面が不活性なためである。
上述するように収縮挙動が異なる異種材料の境界面は拡散防止の機能を有する。
従って機能性セラミック層からの積層面に対する垂直方向の拡散を抑制することが出来ると共に、反り、収縮率のバラツキを低減できる。
一方、第１絶縁層と第２絶縁層の収縮開始温度が等しい場合は、同時焼成するとガラスの粘性流動中に互いの成分が拡散して、積層面に対する垂直方向の拡散が大きく、第２絶縁層に機能性セラミック層を部分的に形成しても、機能性セラミック層の特性が劣化する。
【００２１】
尚、例えば、高誘電率層として機能する機能性セラミック層６の誘電特性は、配線電極層間のセラミック組成ボイド状態によって決まるのであるが、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６との界面７では焼成工程に於いて両者の相互拡散が起こるため、特に絶縁性セラミック層２ａ側で特性が変化する部分が発生するため、この特性が変化しやすい部分を配線電極層によって挟持させた場合には、例えば、焼成ロットなどが替わった時に、特性の変化量に応じて、デバイス素子の誘電特性等も変化してしまい、素子の性能を厳密に制御することが出来ない。
【００２２】
これに対して、本発明の配線基板１では、配線電極層３ａを絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６との境界７よりも機能性セラミック層６側（内側）に形成することで、特性の変化しやすい絶縁性セラミック層２ａの影響を排除することが出来、精密に特性を制御した小型で高性能な配線基板となる。
【００２３】
又、機能性セラミック層６も絶縁性セラミック層２ａと比較すると、相互拡散の影響は小さいものの、皆無ではないため、その影響を小さくし、更に特性バラツキを改善するために、配線電極層３ａを、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６との境界７よりも５０μｍ以上、より好ましくは７５μｍ以上、特に好ましくは、１００μｍ以上機能性セラミック層６側に形成することが好ましい。
【００２４】
又、例えば、図１（ａ）や、その上面透視図である図１（ｂ）に示されているように、機能性セラミック層６に加えて、配線電極層３ａ、配線回路層３ｂも、絶縁性セラミック層２ａを貫通して形成することが好ましく、これにより配線電極層３ａ、配線回路層３ｂの厚みによって凹凸が生じることのない寸法精度、平坦度に優れた配線基板となる。
又、配線回路層は、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層との境界７に存在せず、配線電極層主面に接続された態様、一般にはビアホール接続が好ましい。
【００２５】
本発明の配線基板１を構成する絶縁性セラミック層２ａを形成するセラミック材料としては、
（１）  Al2O3,AlN,Si3N4,SiCを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、
（２）少なくともSiO2及びBaO,CaO,SrO,MgO等のアルカリ土類金属酸化物を含有する金属酸化物による混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成されるセラミック材料、
（３）ガラス粉末、或いはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼結性のセラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。  
【００２６】
用いられる（２）の混合物や、（３）のガラス組成物としては、SiO2-BaO-Al2O3系、SiO2-B2O3系、SiO2-B2O3-Al2O3系,SiO2-Al2O3-アルカリ金属酸化物系、さらにはこれらの系にアルカリ金属酸化物、ZnO,PbO,Pb,ZrO2,TiO2等を配合した組成物が挙げられる。
【００２７】
（３）に於けるセラミックフィラーとしては、Al2O3,SiO2,フォルステライト、コージェライト、ムライト、AlN,Si3N4,SiC,MgTiO3,CaTiO3の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラスに対して２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。
本発明に於いて、前記絶縁性セラミック層２ａは、それぞれ焼成収縮開始温度の異なる第１の層と第２の層とから成ることが好ましいが、特に前記焼成収縮開始温度の異なる第１、第２の絶縁性セラミック層の内、少なくとも第１の絶縁性セラミック層が結晶化ガラスを含有し、少なくとも第２の絶縁性セラミック層がガラスを含有するすると共に、前記第１の絶縁性セラミック層の結晶化ガラスの結晶化温度が、前記第２の絶縁性セラミック層のガラスの軟化温度以下である混合物を前記（３）から選択することが好ましい。
又、前記収縮開始温度の差としては５０℃以上、特に１００℃以上であることが互いの積層面での収縮抑制効果を助長する観点から望ましい。
【００２８】
一方、配線導体３は、絶縁基板２（絶縁セラミック層２ａを積層したもの）と同時焼成して形成するために、絶縁基板２を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられ、例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガンの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。
又、低抵抗化のために、銅などとの混合物としても良い。
セラミック材料が前記（２）、（３）の場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。
上記の導体材料には、セラミック材料と同時焼成する上で、セラミック材料を構成する成分を含有することが好ましい。
【００２９】
又、機能性セラミック層６は、例えば、コンデンサ素子形成用の高誘電率セラミック層、電磁石や電磁抵抗体形成用の磁性セラミック層、低誘電率、低誘電損失セラミック層等、その目的により種々変更されるが、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６とは、実質的に同じ温度で焼成される。
機能性セラミック層は、絶縁性セラミック層が第１，第２に分かれている場合はそのどちらかに収縮開始温度が類似する。
従って、例えば、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６を何れも１１００℃を越える温度、特に１２００℃以上の温度で焼成可能なセラミック材料によって形成すると良い。
【００３０】
具体的には、絶縁性セラミック層２ａを、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、フォルステライトの群から選ばれる少なくとも１種によって形成した場合、機能性セラミック層６は、前記絶縁性セラミック層２ａとは異なるセラミックであって、且つ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、フォルステライト、ムライト、エンスタタイト、シリカ、コーディエライトの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、必要に応じて、低誘電率化、高誘電率化、或いは磁性体化するためのセラミックスや金属成分を添加してなり、且つ、絶縁性セラミック層２ａと同じ温度で焼成可能なセラミック材料によって形成することが好ましい。
【００３１】
又、上記絶縁性セラミック層２ａの場合、配線導体層３は、タングステン、モリブデン、マンガンの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とするメタライズ材料によって形成される。
【００３２】
一方、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６を、何れも１１００℃以下、特に１０５０℃以下の温度で焼成可能なセラミック材料によって形成することも勿論出来る。
具体的には、ガラス、又はガラスと無機フィラーとの混合物を出発原料とするセラミック材料（以下、これらを総称してガラスセラミック材料という。）、又は少なくともSiO2を含む複数種の金属酸化物を出発原料とする公知の低温焼成磁器組成物を用いることが出来る。
【００３３】
用いられるガラス成分としては、少なくともSiO2を含み、Al2O3,B2O3,ZnO,PbO,アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物の内の少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、SiO2-B2O3系、SiO2-B2O3-Al2O3-MO系(但し、MはCa,Sr,Mg,Ba又はＺｎを示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げられる。
【００３４】
これらガラスには、焼成処理しても結晶化せず非晶質ガラスであるもの、又、焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種析出するもの等があるが、本発明に於いては何れのガラスも用いることが出来る。
【００３５】
又、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のSiO2や、Al2O3,ZrO2,ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれた少なくとも１種が好適に用いられる。
上記ガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを、ガラス成分１０〜９０重量％、特に、５０〜８０重量％と、セラミックフィラー成分１０〜９０重量％、特に２０〜５０重量％の割合で混合したものが好適に用いられる。
【００３６】
本発明に於いては、絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６とは、ガラス及び／又はフィラーは、異なる材料によって形成される。
具体的には、低誘電率セラミック層を形成する場合、低誘電率のガラス、又は低誘電率のシリカ、コージェライト、エンスタタイトの群から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含有するガラスセラミック材料によって形成することが好ましい。
【００３７】
又、高誘電率セラミック層を形成する場合、フィラーとしてTiO2,CaTiO3,SrTiO3,BaTiO3,LaTiO3などのチタン酸塩を含有するガラスセラミック材料によって形成されることが好ましい。
【００３８】
又、機能性セラミック層６を磁性材料によって形成する場合には、少なくとも鉄族元素を含有する化合物を含有するガラスセラミック材料によって形成することが好ましい。
【００３９】
尚、上記絶縁性セラミック層２ａと機能性セラミック層６を上記低温で焼成可能なセラミック材料によって形成する場合、導体層３（３ａ，３ｂ）は、Cu,Ag,Alの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とするメタライズ材料によって形成される。
【００４０】
機能性セラミック層が、コンデンサ形成用等の高誘電率化層を目的とする場合に於いて、本発明の配線基板で特に好適な態様の機能性セラミック層として、例えば、図１（ｃ）、（ｄ）に符号６で示したように、該層が外縁領域（６ｂ）と内側領域（６ａ）との２層構造からなり、内側領域層６ａが、高誘電率セラミック材料で構成され、外縁層６ｂが絶縁性セラミック層２ａの構成材料と内側層６ａの高誘電率セラミック材料との複合体より形成され、その誘電率が絶縁性セラミック層２ａより高く、内側領域層６ａより低い態様のものを挙げることが出来る。
尚、この態様の機能性セラミック層に於ける前記外縁層領域６ｂは、境を接して貫通する絶縁性セラミック層２ａとの境界７から内側１００μｍ未満、より好ましくは７５μｍ未満、特に０〜５０μｍの範囲である。
この態様のものは、積層による該層の反りやクラックの発生が殆ど無く、然も、コンデンサとして静電容量に優れる。
より具体的には、例えば、内側領域層６ａの構成材料にフィラーにCaTiO3を用いたガラスセラミックス（誘電率２０）を用い、絶縁性セラミック層２ａにAl2O3 をフィラーとしたガラスセラミックスを用いた場合、外縁層６ｂは、好適には相互のセラミックが拡散した層（誘電率１０）から構成される。
【００４１】
次に、上記のようなセラミック多層回路基板１などの積層部品を形成するのに好適な方法について以下に説明する。
先ず、図２（ａ）に示すような少なくともセラミック材料と、有機樹脂とを含有する厚みが５０μｍ以下の絶縁性セラミック層２ａの一部に、機能性セラミック層６（該層６が６ａ，ｂの２層からなる場合を含む）及び導体層３が、前記絶縁性セラミック層２ａを貫通して形成された複合シートａを作製する。
又、必要に応じて複合シートａと、図２（ｂ）に示すような、少なくともセラミック材料と、有機樹脂とを含有する厚みが５０μｍ以下の絶縁性セラミック層２ａの一部に、導体層３が、前記絶縁性セラミック層２ａを貫通して形成された複合シートｂを作製する。
【００４２】
又、場合によっては、図２（ｃ）に示すような、すくなくともセラミック材料と、有機樹脂とを含有する厚みが５０μｍ以下の絶縁性セラミック層２ａの一部に、機能性セラミック層６が、前記絶縁性セラミック層２ａを貫通して形成された複合シートｃを用いる場合もある。
【００４３】
この複合シートａ，ｂ，ｃに於ける絶縁性セラミック層２ａ、導体層３及び機能性セラミック層６の厚みは、いずれも１０〜５０μｍ、特に１５〜４０μｍ、更には１５〜３０μｍの薄層によって形成されており、絶縁性セラミック層２ａと、導体層３及び機能性セラミック層６の各厚み差が絶縁性セラミック層２ａの厚みの２０％以下、特に１０％以下、更には、５％以下であることによって、又は、厚み差が５μｍ以下、更には３μｍ以下であることによって、絶縁性セラミック層２ａ、導体層３及び機能性セラミック層６の個々の厚み差による段差の発生が抑制される。
【００４４】
かかる複合シートａ，ｂを形成する絶縁性セラミック層２ａ中のセラミック材料は、前記絶縁基板２を形成するセラミック材料とおなじであり、且つ導体層３中の導体材料は、前記導体層３を形成する材料と同じである。
【００４５】
この複合シートａ，ｂを作製するにあたり、まず、絶縁性セラミック層２ａを形成するために、少なくとも光硬化可能なモノマー及び前述したセラミック材料を含有する光硬化スラリーを調製する。
スラリー調製にあたっては、望ましくは前記セラミック材料に、光硬化可能なモノマーと、光重合開始剤と、有機バインダと、可塑剤とを、有機溶剤に混合し、ボールミルで混練して調製する。
【００４６】
光硬化成分としては、光硬化可能なモノマーや光重合開始剤などが挙げられる。
光硬化可能なモノマーとしては、低温で短時間の焼成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであることが望ましい。
【００４７】
又、光硬化可能なモノマーは、スリップ材の塗布・乾燥後の露光によって光重合される必要があり、遊離ラジカルの形成、連鎖成長付加重合が可能で、２級若しくは３級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば、少なくとも１つの重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等のアルキルアクリレート及びそれらに対応するアルキルメタクリレート等が挙げられる。
又、テトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチレングリコールジアクリレート及びそれらの対応するメタクリレートも有効である。
又、光重合開始剤としては、ベンゾフェノン類、アシロインエステル類化合物などが挙げられる。
【００４８】
又、有機バインダも、光硬化可能なモノマーと同様に熱分解性が良好であることが望まれ、同時にスリップの粘度を決めるものでもあるため、固形分との濡れ性も考慮することが必要である。
本発明では、アクリル酸若しくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。
【００４９】
有機溶剤としては、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルセルソルブ、３メトキシブチルアセテートの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００５０】
各成分の含有量は、セラミック粉末１００質量部あたり、光硬化モノマー及び光重合開始剤５〜２０質量部、有機バインダを１０〜４０質量部、可塑剤を１〜５質量部、有機溶剤を５０〜１００質量部の割合が適当である。
【００５１】
次に、導体層３を形成するための導体ペーストを調製する。
導体ペーストは、平均粒径が１〜３μｍ程度の前記導体材料の粉末に、必要に応じてセラミック材料を添加した無機成分に対して、エチルセルロース、アクリル樹脂などの有機バインダを加え、更にジブチルフタレート、αテルピネオール、、ブチルカルビトール、２，２，４ートリメチルー３，３−ペンタジオールモノイソブチレートなどの適当な溶剤を混合し、３本ロールミル等により均質に混練して調製される。
各成分の含有量は、セラミック粉末１００質量部あたり、光硬化モノマー及び光重合開始剤を５〜２０質量部、有機バインダを１０〜３０質量部、可塑剤を１〜５質量部、有機溶剤を５０〜１００質量部の割合が適当である。
【００５２】
又、機能性セラミック層６を形成するための機能性セラミックペーストは、所定の機能性セラミック材料組成物に対して、エチルセルロース、アクリル樹脂などの有機バインダを加え、更にジブチルフタレート、αテルピネオール、ブチルカルビトール、２，２，４ートリメチルー３、３ーペンタジオールモノイソブチレートなどの適当な溶剤を混合し、３本ロールミル等により均質に混練して調製される。
尚、機能性セラミック層が、例えば、図１（ｃ）、（ｄ）に示したように内部領域層６ａと外縁領域層６ｂからなる２層構造の場合は、焼成時の温度プロフィルの調整によって外縁領域層６ｂを形成する。
【００５３】
次に、上記の光硬化スラリー、導体ペースト及び機能性セラミックペーストを用いて以下の工程によって、複合シートを形成する。
先ず、図３（ａ）に示すように、樹脂フィルムなどからなる光透過可能なキャリアフィルム１０上に、前記導体ペーストをスクリーン印刷法等の一般的な印刷手法によって印刷、塗布して、光非透過性の所定の導体層１１を形成する。
又、機能性セラミックペーストをスクリーン印刷法等の一般的な印刷手法によって印刷、塗布して、機能性セラミック層１２を形成する。
前記導体層１１と機能性セラミック層１２は、どちらを先に形成してもかまわない。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記光硬化スラリーを、例えばドクターブレード法にて前記導体層１１及び機能性セラミック層１２の厚さ以上の厚さの所定厚みに全面に塗布して光硬化性セラミック層１３を形成する。
そして、図３（ｃ）に示すように、キャリアフィルム１０の裏面より例えば超高圧水銀灯を光源として用いて露光を行う。
この露光によって、導体層１１及び機能性セラミック層１２形成以外の領域の光硬化性セラミック層１３を光硬化させる。
この露光工程に於いては、光硬化性セラミック層１３は、導体層１１及び機能性セラミック層１２形成以外の領域の光硬化性セラミック層１３ａでは照射された光の量により裏面から一定の厚みまで光重合反応が起こり不溶化部を形成するが、導体層１１及び機能性セラミック層１２は紫外線を通過させないために、導体層１１及び機能性セラミック層１２上に形成されている光硬化性セラミック層１３ｂは、光硬化可能なモノマーの光重合反応が起こらない溶化部となる。
又、この時の露光量は、実質的に不溶化部の厚みが、導体層１１及び機能セラミック層１２の厚みと同じになるように露光量が調整されることが好ましい。
【００５５】
その後、この光硬化性セラミック層１３全体を現像処理する。
現像処理は、光硬化性セラミック層１３の溶化部を現像液で除去するもので、具体的には、例えば、トリエタノールアミン水溶液などを現像液として用いてスプレー現像、洗浄、乾燥を行う。
この処理により、図３（ｄ）に示すように、キャリアフィルム１０上には、導体層１１と機能性セラミック層１２と光硬化性セラミック層１３とが実質的に同一厚みで一体化した複合シートａが形成される。
尚、キャリアフィルム１０から複合シートａを剥離することによって、図２（ａ）に示すような複合シートａ単体を得ることが出来る。
【００５６】
又、図２（ｂ）の複合シートｂは、前記複合シートａの製造方法に於いて導体層１１のみを形成する以外は、全く同様にして作製される。
又、図２（ｃ）の複合シートｃは、前記複合シートａの製造方法に於いて機能性セラミック層１２のみを形成する以外は、全く同様にして作製される。
【００５７】
次に、この複合シートａを用いて図１のセラミック多層回路基板のような積層部品を製造する方法について以下に説明すると、先ず、前記図３（ａ）〜（ｄ）に従い、所定のパターンの導体層１１と機能性セラミック層１２と光硬化性セラミック層１３とが形成された複数の複合シートａ１、ａ２を作製する。
又、光硬化性セラミック層１３と所定のパターンの導体層１１が形成された複数の複合シートｂ１〜ｂ１２を作製する。
【００５８】
そして、図４（ａ）に示すように、これらの複合シートａ１，ａ２，ｂ１〜ｂ１２を位置合わせしながら、重ね合わせ一括して圧着することによって積層体１４を形成する。
なお、圧着時には、複合シートａ中の有機バインダのガラス転位点以上の温度をかけながら行うことが好ましい。
又、複合シート間に有機系接着剤を塗布して圧着してもよい。
尚、一括して積層する場合、すべてキャリアフィルム１０をはがして積層してもよいが、圧着時の最下面と最上面の取扱を考慮すれば、最下面と最上面のみは、キャリアフィルム１０から剥がすことなく、図４（ａ）に示すように、積層、圧着した後に、キャリアフィルム１０を剥がすことによって、図４（ｂ）のような積層体１４を形成することが出来る。
【００５９】
そして、この積層体１４を、所定の温度で焼成することによって、導体層１１による３次元的な回路が形成された積層部品を形成することが出来る。
尚、焼成にあたっては、作製された積層体１４を脱バイ工程で、成形体中に含まれている有機バインダ、光硬化可能なモノマーを焼失させ、焼成工程にて窒素などの不活性雰囲気中で、用いられた絶縁性セラミック材料、機能性セラミック材料及び導体材料が十分に焼成することの出来る温度で焼成され、前記セラミック層は相対密度９５％以上に緻密化される。
【００６０】
又、積層部品を製造する他の方法としては、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にしめすように、キャリアフィルム１０の表面に形成された複合シートｂ１２の表面に、キャリアフィルム１０の表面に形成された複合シートｂ１１を反転させて積層圧着し、複合シートｂ１１側のキャリアフィルム１０を剥離する。
次に、図５（ｄ）に示すように、この複合シートｂ１１の表面に、同様にしてキャリアフィルム１０の表面に形成された複合シートｂ１０を反転させて積層圧着し、複合シートｂ１０側のキャリアフィルム１０を剥離する。
これを繰り返すことによって、所望の層数の積層体１４を形成することが出来る。
その後、この積層体を前記と同様にして焼成することによって、積層部品を作製することが出来る。
【００６１】
又、必要に応じて、表面処理として、更に、基板表面に厚膜抵抗膜や厚膜保護膜の印刷・焼き付け、メッキ処理、更にＩＣチップを含む電子部品の実装を行う。
尚、表面の導体層３は、焼成された積層体１４の表面に、印刷・乾燥し、所定雰囲気で焼き付けを行ってもよい。
又、セラミック多層回路基板の表面に形成される表面導体層、端子電極の表面には、半田との濡れ性を改善するために、ニッケル、金などのメッキ層が１〜３μｍの厚みで形成される。
【００６２】
更に、絶縁基板内に形成される機能性セラミック層を高誘電率セラミックスによって形成し、コンデンサとして機能させる場合には、図４に記載されているように、所定パターンの導体層１１と機能性セラミック層１２と光硬化性セラミック層１３とが形成された複数の複合シートａ１，ａ２の上下面に、光硬化性セラミック層１３と所定のパターンの導体層１１が形成された複合シートｂ３、ｂ４，ｂ７、ｂ８を積層することで、導体層１１，１１をコンデンサ電極として機能させることが出来る。
【実施例】
【００６３】
「実施例１」
先ず、厚さ１００μｍのPET(ポリエチレンテレフタレート)からなる光透過可能なキャリアフィルム上に、導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷して、厚さ２０μｍの配線電極、配線回路等の配線層となるべき所定のパターンを有する導体層を形成した。
尚、導体ペーストは、Ag粉末にバリウムホウ珪酸ガラス粉末と、セルロース、有機溶剤を加え３本ロールミルで混合したものを使用した。
【００６４】
続いて、導体層を形成したキャリアフィルムの導体層を形成した側の導体層の無い部分に、所定のパターンを有する誘電体ペーストをスクリーン印刷法により印刷して、厚さ２０μｍの高誘電率層（機能性セラミック層）となる誘電体層パターンを形成した。
尚、誘電体ペーストは、MgTiO3(0.95モル)-CaTiO3(0.05モル)で表される主成分１００質量部に対して、BをB2O3換算で１０質量部、LiをLi２CO3換算で５質量部添加した組成からなるセラミック材料（比誘電率：２０）を１００質量部に対して、エチルセルロース２質量部、有機溶剤として２，２，４ートリメチルー３、３ーペンタジオールモノイソブチレートを１０質量部の割合で添加混合し、３本ロールミルで混合したものを使用した。
【００６５】
次に、上記導体層及び誘電体層が形成された側のキャリアフィルム上に、感光性スラリーをドクターブレード法により塗布、乾燥し、導体パターン及び誘電体層が存在しない場所での乾燥後の厚みが２８μｍとなるように絶縁性セラミック層となるべき光硬化性セラミック層を形成した。
感光性スラリーは、セラミック原料粉末１００質量部と、光硬化可能なモノマー（ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート）８質量部と、有機バインダ（アルキルメタクリレート）３５質量部と、可塑剤を３質量部、有機溶剤（エチルカルビトールアセテート）２０質量部に混合し、ボールミルで混練して作製した。
セラミック原料粉末としては、絶縁性セラミック層としてMgO-CaO-SiO2-Al2O3系ガラス粉末６０質量％と、Al2O3４０質量％の組成比のセラミック材料（比誘電率：８．０）を用いた。
【００６６】
次に、キャリアフィルムの裏面側より光硬化性セラミック層の裏面に、超高圧水銀灯（照度３０ｍＷ／ｃｍ２）を光源として２秒間全面露光した。
そして希釈濃度２．５％のトリエタノールアミン水溶液を現像液として用い３０秒間スプレー現像を行った。
この現像後に純水洗浄した後、乾燥を行った。
こうして出来上がった光硬化性セラミック層は、導体層及び誘電体層上の溶化部が現像により除去され導体層及び誘電体層が露出して、その結果、厚みが２５μｍの導体層（配線層）と、厚みが２５μｍの光硬化性セラミック層（絶縁性セラミック層）と、厚みが２５μｍの誘電体層（機能性セラミック層）とが一体化した複合シートとなった。
【００６７】
又、上記と同様にして、厚みが２５μｍの導体層と、厚みが２５μｍの光硬化性セラミック層とが一体化した複合シートを作製した。
同様に、内部配線導体層用、表面配線導体層用及びビア導体用、機能性セラミック層形成用の延べ５０層の複合シートを作製した。
【００６８】
上記のようにして作製した複合シートより、夫々キャリアフィルムを剥離し、順番に位置合わせを行いながら、積層を行った。
この後、プレス機を用いて、プレス圧１トン、温度６０℃にて５分間プレスを行い、積層体を圧着した。
この時、機能性セラミック層である誘電体層を含む複合シート２層を使用し、残りに誘電体層を含まない複合シートを使用した。
【００６９】
その後、大気中で３００℃で４時間脱バインダ処理した後、９００℃に昇温し、大気中で２時間焼成（但し、７００〜８５０℃の昇温時間４０分）を行い、セラミック多層回路基板を作製した。
上記方法により、セラミック多層回路基板を複数作製し、その内、誘電体層が形成された複合シートの上下面を挟持するシートの導電層（配線電極層）が、該挟持されている誘電体層と絶縁層との境界の１００μｍ内側に位置する態様のものを試料Ｎｏ．１（実施例）とし、前記試料Ｎｏ．１の配線回路層が絶縁層と誘電層（配線電極層）との境界に存在せず、配線電極層の主面に配線回路層が接続されている態様のものを試料Ｎｏ．２（実施例）とし、導電層（配線電極層）が、該挟持されている誘電体層と絶縁層との境界の外側に迄延びて位置する態様のものを試料Ｎｏ．３（比較例）とした。
又、これらとは別に、前記誘電体層形成複合シートに替えて全面が誘電体層からなるシートを用いた以外は試料Ｎｏ．１と同じ構造に形成した多層回路基板を作製し、これを試料Ｎｏ．４（比較例）とした。
これら、試料Ｎｏ．１〜４について積層体作製後の層クラック発生の有無、層の反り、及び、静電容量（配線電極層；１０ｍｍ□の対向電極層、電極間の誘電体膜厚；２０μｍ）を観察、測定、評価した。
結果を表１に示した。
作製した多層回路基板について、試料Ｎｏ．１、２（実施例）は、層のクラックが無く、反りも小さいだけでなく、導体層や誘電体層自体の厚みによる段差も全くなく、層間のデラミネーションも無かった。
又、配線導体層間の接続にあたり、導体層を３層以上垂直方向に積層することによって、ビア導体を形成したが、このビア導体を含む回路に於ける電気的接続に付いても全く問題は無かった。
又、導体層や誘電体層中には全く巣などの発生も認められなかった。
尚、誘電体層の上下に形成した電極層間には、８ｐＦの静電容量が得られた。
【００７０】
「実施例２」
実施例１に従い、内部配線導体層用、表面配線導体層用及びビア導体用、機能性セラミック層形成用の延べ７０層の複合シートを作製した。
そして、図５の方法に従い、先ず電極用の複合シート上に、ビア導体用の複合シートをキャリアフィルム毎に反転させて、複合シート同士を接触させて、位置合せを行いながら載置した。
【００７１】
続いて、プレス機を用いて、プレス圧１トン、温度６０℃にて１分間プレスを行い、前記電極用の複合シート上とビア導体用の複合シートとを圧着した後、ビア導体用の複合シート側のキャリアフィルムを剥離した。
続いて、再び別のビア導体用複合シート、内部配線導体層用の複合シート、表面配線導体層用、機能性セラミック層用の複合シートを同じように反転させて、位置合せを行いながら載置し、プレス機を用いて順次圧着した。
【００７２】
その後、大気中で３００℃、４時間で脱バインダ処理した後、絶縁セラミック層と機能性セラミック層との拡散を促進させるために、７００℃〜８５０℃の昇温速度を実施例１の半分にして、９００℃大気中で２時間焼成を行い、多層回路基板を作製した。
但し、この実施例２に於いては、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層（誘電体層）が拡散して形成された約５０μｍの外縁領域層と、絶縁性セラミック層と機能性セラミック層（内縁領域層）とからなる３層構造になっている。
上記方法で、セラミック多層回路基板を複数作製した。
その内、誘電体層（３層構造）が形成された複合シートの上下を挟持するシートの導電層（配線電極層）が、該挟持されている誘電体層と絶縁層との境界の内側に位置する態様のものを試料Ｎｏ．５（実施例）とし、導電層（配線電極層）が、該挟持されている誘電体層と絶縁層との境界の外側に延びて位置する態様のものを試料Ｎｏ．６（比較例）とした(但し、７００℃〜８５０℃昇温速度は実施例１と同じ）。
これら、試料Ｎｏ．５、６について積層体のクラック発生の有無、反り、及び静電容量を実施例１と同様に観察、測定、評価した。
結果を表１に示した。
【００７３】
試料Ｎｏ．５（実施例）の多層回路基板は、各層のクラックが全く無く、反りも殆ど無いだけでなく、導体層や誘電体層自体の厚みによる段差も全くなく、層間のデラミネーションも無かった。
又、配線導体層間の接続にあたり、導体層を３層以上垂直に積層することによって、ビア導体を形成したが、このビア導体を含む回路に於ける電気的接続についても全く問題は無かった。
又、導体層や機能性セラミック層中には、全く巣の発生が認められなかった。  尚、誘電体層の上下に形成した電極層間には、８．２pFの静電容量が得られた。
【００７４】
【表１】
2007184369.tif 000003
【００７５】
「実施例３」
表２に示すような、焼成収縮開始温度が異なる第１絶縁性セラミック層と第２絶縁性セラミック層、及び機能性セラミック層を形成する各組成物にそれぞれ有機バインダーとしてエチルセルロースと有機溶剤として２，２，４トリメチルペンタジオールモノイソブチレートを添加してなるスラリーを調製し、これをドクターブレード法により薄層化し、基板用のグリーンシートを作製した。
【００７６】
そして、グリーンシートの所定の位置にパンチング等により貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ粉末を含む導電性ペーストを充填し、又この導電性ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させた。
【００７７】
一方、最上層、最下層となるグリーンシートに、表面導体層のパターンで上記の導体性ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させた。
【００７８】
導電性ペーストが充填され、所定形状の導体層が形成されたグリーンシートを積層すると共に、最上層及び最下層に表層導体となる導体膜形成したグリーンシートを積層し積層成形体を作製した。
【００７９】
この後、大気中４００℃で脱バインダー処理し、更に９１０℃で焼成し、図４のａ１、ａ２を第１絶縁性セラミック層、ｂ１〜ｂ１２を第２絶縁性セラミック層とした配線基板を作製した。
尚、各絶縁層の厚みは０．０５ｍｍであり、配線基板の大きさは、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み０．７ｍｍであった。
【００８０】
又、グリーンシート積層体と焼成後の配線基板に対して、所定のポイント間の長さを測定することにより、Ｘ−Ｙ方向の配線基板の収縮率を測定した。
尚、各試料について１０個の試料を作製しそれぞれの収縮率を測定し、１０個の試料の収縮率の最大収縮率と最小収縮率の差を収縮バラツキとして評価した。
又、基板を研磨して光学顕微鏡で観察することにより、基板に於けるクラック、デラミネーションの有無を評価した。
【００８１】
更に、セラミックスＡを形成する組成物とセラミックスＢを形成する組成物についてワックスを添加して、荷重１ｔｏｎ／ｃｍ２でプレスすることにより圧粉体を形成し、この圧粉体に対して空気中でＴＭＡ（熱機械分析）による室温〜１０００℃の温度範囲により各セラミックスの収縮開始温度Ｓ、収縮終了温度Ｅ、室温〜９００℃における熱膨張係数を評価した。
【００８２】
ガラスの軟化点と結晶化温度は、ＤＴＡ（示差熱分析）により、１０℃／分で昇温して得られる曲線より評価した。
評価結果を表３に纏めて示した。
【００８３】
この表２，３から、本発明の配線基板は収縮率が０〜１０％と小さく、又焼成に於けるクラックやデラミネーションが発生しない基板であることが判る。
【００８４】
【表２】
2007184369.tif 000004
【００８５】
【表３】
2007184369.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の配線基板の積層構造を説明するための略図図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は透視平面図、（ｃ）は機能セラミック層が２層構造の場合の積層構造断面図、（ｄ）は２層構造の機能セラミック層の平面図である。
【図２】本発明配線基板に用いる積層用複合シートを説明するための断面略図である。
【図３】本発明の複合シートの作製方法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の積層配線基板を作成する方法を説明するための工程図である。
【図５】本発明の積層配線基板を作成する他の方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  配線基板
２  絶縁基板
２ａ、１３  絶縁性セラミック層
３、１１  配線導体層
３ａ  配線電極層
３ｂ  配線回路層
６、１２  機能性セラミック層
６ａ  内側領域層
６ｂ  外縁領域層
７  絶縁性セラミック層と機能性セラミック層の境界
ａ，ｂ，ｃ  複合シート
１０  キャリアフィルム
【図１】
2007184369.tif 000006
【図２】
2007184369.tif 000007
【図３】
2007184369.tif 000008
【図４】
2007184369.tif 000009
【図５】
2007184369.tif 000010