(57)【要約】【課題】蛍光体と半導体発光素子を組み合わせたパワーＬＥＤと呼ばれる半導体発光装置では、大電流による発熱によって蛍光体の発光効率が低下し、装置自体の発光の色彩が発熱とともに変化するという課題があった。【解決手段】半導体発光素子１０の周囲に断熱層１１を印刷法により高精度で作製し、該断熱層の外側に蛍光体層１２を設けることで、半導体発光素子１０の発熱が直接蛍光体１１０に触れないようにし、発熱による蛍光体１１０の経時的劣化を改善する。【選択図】図１
2007194525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を被覆する蛍光体の含まれていない層と、
前記蛍光体が含まれていない層で被覆された前記半導体発光素子を載置するサブマウントを含む発光素子ユニットと、
前記蛍光体の含まれていない層に接触して配置された蛍光体層を
有する半導体発光装置。
【請求項２】
前記蛍光体層には、フィラーを含む請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体層は前記サブマウント上にある請求項１または２のいずれか記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記発光素子ユニットは、ハウジング内にある請求項１または２のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記発光素子ユニットの周囲に光を反射するフィラーを含む層がある請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記発光素子ユニットの周囲に光を反射するフィラーを含む層は、熱伝導性が高い請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記発光素子ユニットは放熱部材に接している請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子からの光で蛍光体を発光させ、半導体発光素子からの光と蛍光体からの光を合成した光を発光させる半導体発光装置にかかわる。特にパワーＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる大消費電力用の半導体発光装置にかかわるものである。
【背景技術】
【０００２】
青色の発光が可能な半導体発光装置が実用化され、さまざまな色合いの発光装置が設計できるようになった。すなわち、半導体発光素子と各種の色を発光する蛍光体を組み合わせる事でさまざまな色合いを発光させることが可能だからである。以後、半導体発光素子だけで構成する「単色型発光装置」に対して、半導体発光素子と蛍光体を組み合わせた発光装置を「混合型発光装置」または単に「発光装置」と呼ぶ。従って混合型発光装置は、半導体発光装置に含まれる。
【０００３】
例えば、白色の発光装置は、青色の半導体発光素子と黄色の蛍光体を組み合わせてできる。しかし、青色と黄色のわずかな混合の誤差で、発光波長に違いが生じ、白色といっても色合いに違いが生じる。発光装置として一定の色合いを実現するためには、蛍光体の部分における密度や厚みを調節して最終製品の色合いを調整しなければならない（特許文献１参照）。
【０００４】
このように、混合型発光装置においては、半導体発光素子と蛍光体の部分の微妙なバランスで色合いを実現している。そのため、各部の特性の製造後の経時変化もできるだけ少なくなるような工夫を行う必要がある。
【０００５】
例えば、使用できる発光素子が短波長化したために、蛍光体を混ぜ込む樹脂が経時的に劣化することに対する対策として樹脂の組成を特定するもの（特許文献２参照）、製造時の封止時に加わる熱歪から発光素子の動作不良や封止部分の剥離を回避するために緩和層を設ける工夫（特許文献３および特許文献４）がある。
【特許文献１】特開２００５−５６８８５号公報
【特許文献２】特開２００２−３７４００７号公報
【特許文献３】特開２００４−２４１７０４号公報
【特許文献４】特開２００１−１６８３９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
混合型発光装置の中で特にパワーＬＥＤと呼ばれる発光量の多いタイプのものは、上記のような問題の他に発熱に対する対策が必要となる。なお、パワーＬＥＤには蛍光体を用いない単色の半導体発光装置もある。
【０００７】
パワーＬＥＤは、一般に数百ｍＡ（ミリアンペア）から１Ａ（アンペア）以上の大電流を流して使用する半導体発光装置を指し、主として照明や大形ディスプレイなどの用途に使われる。大電流を流して多くの発光量を得るため、ジュール熱によって装置全体が熱を持つ。パワーＬＥＤに属する混合型発光装置の場合は、この熱によって蛍光体の発光効率が低下するという課題が生じる。蛍光体の発光効率の低下は、蛍光体の発する色合いの変化をもたらし、混合型発光装置全体としての色合いの変化をもたらすこととなる。言い換えると、点灯後、発光装置の温度が上がるにしたがって、色合いが変わるという課題が生じる。
【０００８】
そこで、蛍光体の温度上昇を回避しようとすると、半導体発光素子を断熱する必要がある。しかし、断熱のし過ぎは逆に半導体発光素子への熱ダメージを引き起こし、寿命の低下を招く。従って、蛍光体層の温度上昇の防止と、半導体発光素子への熱ダメージはバランスを取らなければならず、断熱層はその厚みを精密に制御する必要がある。
【０００９】
本発明はこのような課題を解決するために発想されたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明はかかる課題を解決するために、半導体発光素子と蛍光体の間に細かく制御した断熱層を設ける。具体的には、印刷法を用いて、１ｍｍ以下の精度で厚みを制御された断熱層を設ける。そして、その断熱層の外側に蛍光体層を配置する。
【００１１】
また、その蛍光体層に用いる樹脂には熱伝導率の高い特性を持たせる。具体的には、樹脂中に透明で熱伝導性のよいフィラーを混入させて、熱伝導性を高める。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、大電流を流して発熱する半導体発光素子に、蛍光体を含む層を直接触れさせない構造になる。従って、発光に伴う発熱による蛍光体の効率低下を緩和させることができ、装置としての発色の温度特性を小さくできるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１に本発明の混合型発光装置の断面図（混合型発光装置を主発光面に垂直な面で切った面）を示す。
【００１４】
なお、主発光面側とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の正の方向をいう（以下、本明細書中について同じ）。
【００１５】
混合型発光装置１の各部の詳細な説明に先立ち、この混合型発光装置１の概要を示す。
【００１６】
混合型発光装置１は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０を搭載し、上部に電極を配したサブマウント１５と、半導体発光素子１０の主発光面側を含む周囲を覆っている断熱層１１と、サブマウント１５の内部に設けられた導電性のあるスルーホール１４を通じて半導体発光素子１０と電気的に導通するリードフレーム１６と、リードフレームと一体に形成された放熱部材１７と、断熱層１１の周囲に設けられた蛍光体層１２を備えている。
【００１７】
図１ではリードフレーム１６と放熱部材１７を一体として表しているが、放熱部材１７はリードフレームとは、別々に構成されていてもよい。リードフレーム１６と放熱部材１７が一体となっている場合、放熱部材１７とはサブマウント１５に接触しているリードフレーム１６の部分を含むことを意味する。以下の実施の形態においても同じである。
【００１８】
混合型発光装置１は以下のように動作する。外部から供給される電流は、リードフレーム１６の一方から、スルーホール１４を通じて半導体発光素子１０内のＰＮ接合に流れる。そして、電流は、もう一方のスルーホール１４を通じて、他方のリードフレーム１６へと流れる。電流が、半導体発光素子１０内のＰＮ接合を通ることで、半導体発光素子１０が発光する。ここで発光する光の一部は、蛍光体層１２の蛍光体１１０により波長変換され、混合された光が発光しているように見える。
【００１９】
発光量を多くするために電流量を多くすると、主として半導体発光素子１０が発熱する。この熱はサブマウント１５から放熱部材１７に伝わる事によって放熱される。一方、半導体発光素子１０の周囲には、断熱層１１が配置されているので、蛍光体層１２に直接熱が伝わりにくい。この構成により、蛍光体層１２は熱によって温度上昇しにくくなる。すなわち、発光効率が低下しにくくなり、色合いが変化しにくいという効果を得る事ができる。
【００２０】
図１に示した混合型発光装置の作製方法について説明する。図２には、製造工程の１部を例示する。
【００２１】
サブマウント１５の材料に導電性を付与したスルーホール１４を設けたサブマウント母材３０を用意する（図２（ａ））。スルーホール１４の位置にバンプ電極を形成した半導体発光素子１０を配置する（図２（ｂ））。半導体発光素子１０を覆うように断熱層１１をスクリーン印刷法で塗布する（図２（ｃ））。印刷法を用いることによって、断熱層の厚みは１ｍｍ以下の精度で精密に制御することができる。また、一度に大量に作製することができコストダウンにも有利である。さらに、断熱層の形成後、上部を研磨機５０などで研磨してもよい（図２（ｄ））。
【００２２】
その後、サブマウント母材３０をスライサ５５などで切断することで、サブマウント上に半導体発光素子を配し、断熱層で覆った発光素子ユニット２０を得る（図２（ｅ））。
【００２３】
この方法によれば、サブマウント１５の半導体発光素子の載置部分の面積は、断熱層１１のＸ方向の断面積より、等しいか若しくは大きくなる。なお、Ｘ方向の断面積とは、図１のＸ方向を法線方向としたときの断面積をいう。
【００２４】
リードフレーム１６を所定の位置関係で金型に固定し、そこに溶融したフレーム基板１３ａの材料を流し込む。放熱部材１７をリードフレーム１６と別々にする場合は、放熱部材１７も一体に成型する。
【００２５】
リードフレーム１６と発光素子ユニット２０を電気的に導電するように配置をした後、
蛍光体を樹脂中に分散させた蛍光体層１２でトランスファーモールド技術により発光体ユニットの周囲を封止する。
【００２６】
このようにして製造した後、電流を流し、発光テストをして、所望の色調になっているかを確認する。断熱層１１及び蛍光体層１２の量は予め設計値として決められているが、製造時の誤差によって、混入量にばらつきが生じる。蛍光体層１２のばらつきは、色調のばらつきとなって現れる。
【００２７】
そこで、発光テストによって実際の色調を確認し、蛍光体層１２を削って最終的に所望の色調となるように調整する。従って、蛍光体層１２は予め少し多めになるように成型しておくのがよい。蛍光体層１２の研磨は、ラッピングマシンなどを用いて研磨する。以上のように、最終の色調の調整を終えて、混合型発光装置１を得る。
【００２８】
（各部の構成）以下、混合型発光装置１の各構成について、より具体的に説明する。なお、各構成についての説明は、特に言わない限り、他の実施の形態においても同様である。
【００２９】
（半導体発光素子１０）半導体発光素子１０は、窒化ガリウム系化合物からなる半導体を利用した青色ＬＥＤである。この半導体発光素子１０は、図３に示すように、例えば、ＧａＮを素材とした素子基板１００の一方の面上に、ＧａＮのｎ型層１０１、ＩｎＧａＮの活性層１０２及びＧａＮのｐ型層１０３をこの順で積層したものである。
【００３０】
そして、ｐ型層１０３の一部を、例えばエッチングによりｎ型層１０１を露出させる。この露出したｎ型層１０１の表面にｎ型電極１０４を形成している。ｐ型層１０３の表面にはｐ型電極１０５が形成されている。この半導体発光素子１０は、ｐ型電極とｎ型電極の双方を一方の面に有する、いわゆる、片面電極タイプである。
【００３１】
そして、これらのｎ型電極１０４及びｐ型電極１０５は、それぞれバンプ１０６を介し、表面に電極を有し、導電性を付与されたスルーホールを有するサブマウント１５と電気的に接続されている。バンプ１０６の材料は、例えばＡｕを用いることができるが、導電性の材料であればよい。バンプ１０６を用いて接続する方法は、発光光源の照射方向に光出力を遮るものがないので好ましい。
【００３２】
なお、青色ＬＥＤの構成としては、ここで挙げた例に限定されるものではない。例えば、素子基板１００としては、ＳｉＣを用いても良いし、絶縁性のサファイアを用いても良い。また例えば、ｎ型層１０１やｐ型層１０３としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型層１０１と、素子基板１００との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また、例えば、活性層１０２は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００３３】
（断熱層１１）断熱層１１は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂から選択される一種または２種以上の組み合わせからなる。特に、シリコーン樹脂は、弾性が大きく、半導体発光素子を外力から保護でき、また耐熱性及び耐光性に優れているので、より好ましい。また、断熱層１１はシロキサン系の樹脂であってもよい。
【００３４】
（蛍光体層１２）蛍光体層１２は、上述した青色ＬＥＤから発せられた青色光の一部を、内部に含む蛍光体１１０により、黄色光（５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピークを持つ光）に変換している。青色光と黄色光との混色により、半導体発光装置１全体としては、白色光を発する。
【００３５】
蛍光体層１２は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂を主成分とする樹脂に蛍光体１１０を分散して構成する。特に非シリコーン樹脂としては、シロキサン系の樹脂やポリオレフィン、シリコーン・エポキシハイブリッド樹脂などが好適である。
【００３６】
蛍光体層１２の内部に分散して配置されている蛍光体１１０の平均粒形は、例えば、３μｍから１５μｍであり、略球状である。この蛍光体１１０は、半導体発光素子１０から放射された青色光を吸収し、励起された後、黄色光を発する黄色蛍光体である。このような黄色蛍光体としては、希土類ドープ窒化物系、または、希土類ドープ酸化物系の蛍光体が好ましい。例えば、希土類ドープガーネットの（Ｙ・Ｓｍ）3（Ａｌ・Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅや（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12、希土類ドープアルカリ土類金属オルソ珪酸塩、希土類ドープチオガレート、希土類ドープアルミン酸塩等を好適に用いることができる。
【００３７】
また、蛍光体層１２には、熱伝導性の高い樹脂を用いる事で、断熱層１１を通って蛍光体層１２に到達した熱をできるだけ早く放熱させることができる。これは、蛍光体層１２の温度上昇を防止するだけでなく、半導体発光素子１０自体の放熱にも役立ち、半導体発光素子１０の熱劣化の防止効果もある。
【００３８】
樹脂に熱伝導性を付与する方法として、シリカなどの透明フィラーや発光波長より小さな粒径をもつフィラーを混入させることで、発光効率を低下させることなく、熱伝導性を高めることができる。
【００３９】
（フレーム基板１３ａ）フレーム基板はリードフレーム１６や放熱部材１７を一体とする。部材としては、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアミド樹脂等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いることができる。
【００４０】
（サブマウント１５）サブマウント１５は、上面に半導体発光素子１０を戴置し、表面に電極を有する構成をとる。
【００４１】
図３を参照して、サブマウント１５はスルーホール１４を有し、表面の電極はこのスルーホールに電気的に導通する。したがって、このスルーホール１４を介してリードフレーム１６に接続される。すなわち、半導体発光素子１０は、スルーホール１４を有するサブマウント１５に対して、フリップチップ接続される。
【００４２】
スルーホール１４は、内部に、例えば銅、アルミニウム、金等からなる導電材料を含む。
【００４３】
また、スルーホール１４は、サブマウント１５を含んでいればどのように形成されていてもよい。たとえば、サブマウント１５の端面に沿って形成されていてもよい。この場合、対になるスルーホール１４間の距離を大きくとることができるため、サブマウント１５を小型化した場合であっても、大きな断面積を得る事ができる。すなわち、リードフレーム１６との抵抗を低くする事ができる。
【００４４】
なお、サブマウント１５は、ツェナーダイオード、Ｓｉ（シリコン）ダイオード、Ｓｉ、セラミック等を用いることができる。スルーホール１４は、内部に、例えば銅、アルミニウム、金等からなる導電材料を含む。
【００４５】
このような構成にすれば半導体発光素子１０は、ボンディングワイヤーを使用しないので、サブマウント１５上にボンディングワイヤーを配置するための電極の領域を省くことができる。
【００４６】
また、この構成により、半導体発光素子１０の上方には光を遮るものがないため、輝度を向上させることができる。さらに、半導体発光素子１０の電極を大きくすることができるので、光の反射量が大きくなると同時に、接合の信頼性を向上することができる作用を有する。
【００４７】
（リードフレーム１６）リードフレーム１６は、導電性と放熱性に優れた金属、例えば、銅合金などで作られる。
【００４８】
（放熱部材１７）放熱部材１７は、放熱性に優れた部材からなることが好ましく、例えば、ヒートシンク、冷却体、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｄ、プリント配線板）等が該当する。放熱部材１７は、フレーム基板１３ａからは露出しており、発光装置の外に熱を逃がす。リードフレーム１６の肉厚部として一体に成型にされてもよい。
【００４９】
（実施の形態２）
図４は、本発明の混合型発光装置の他の構成を示す。本実施の形態では、蛍光体層１２も、断熱層１１と共に、印刷法で形成する。この方法によれば、発光装置１自体を非常に小さく形成することができる。また、装置自体を小さくすることで、体積あたりの表面積が大きくなり、放熱効果は一層高まる。
【００５０】
簡単に作製方法を説明すると、断熱層１１を形成するまでは図２と同じである。図２で切断工程に入る前に、蛍光体層１２を再度印刷法で塗布する。このように形成した後切断し、蛍光体層も一緒になった発光素子ユニットが出来上がる。これを蛍光体層付発光素子ユニット２４と呼ぶ。
【００５１】
蛍光体層付発光素子ユニット２４は、実施の形態１と同じく、フレーム基板でリードフレームと放熱部材が一体にされたものに接着され、図４に示す混合型発光装置を得る。
【００５２】
（実施の形態３）
図５に本実施の形態の混合型発光装置を示す。本実施の形態では、発光素子ユニット２０（指示番号は図中では省略）をハウジング１３内に収め、ハウジング１３内側を蛍光体層１２で充填する。構成としては、実施の形態１とほぼ同じである。しかし、ハウジング１３を用いるため、トランスファーモールドのような量産性は得られないが、蛍光体層１２を充填する際のストレスが少なくて済む。そのため、ボンディングなどの方法での接続も可能になる。
【００５３】
また、ハウジング１３の内部に傾斜部１８を設け、傾斜部１８の部分を鏡面加工を施す事で発光装置１全体の発光効率が向上する。
【００５４】
図５では、サブマウント１５はスルーホールを有していない。サブマウント１５上に設けられた電極から直接ボンディングワイヤー１０９によってリードフレーム１６へ電気的な接続を図っている。
【００５５】
また、スルーホールによる電気接続でないために、リードフレーム１６の一方を長く形成し、大きな放熱部材１７を長い方のリードフレームと一体的に成型した。このようにすることで、サブマウントを通じた放熱という点からも効率が高くなる。なお、サブマウントに関しては図１に示す、スルーホール１４を有したサブマウントを用いてもよい。その場合は、図１と同様のリードフレームの形状を用いるのが好適である。
【００５６】
また、サブマウントには、後述する実施の形態４で示すダイオードを用いることもできる。
【００５７】
本実施の形態の混合型発光装置の作製方法を簡単に述べる。図２に従って、発光素子ユニット２０を作製する。放熱部材１７と一体に成型したリードフレーム１６とともに、一体的に成型したハウジング１３に、発光素子ユニット２０を載置する。リードフレーム１６との間をボンディングワイヤー１０９で接続し、その後蛍光体層１２をハウジング１３内に充填する。
【００５８】
ハウジング１３の部材としては、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアミド樹脂等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いることができる。
【００５９】
発光素子ユニット２０と放熱部材１７との接着は、接着樹脂を用いる。サブマウント１５をダイオードで構成した場合は、接着樹脂には導電性の樹脂（以下「導電性ペースト」）を用いる。
【００６０】
例えば、半導体発光素子１０からの下向きの光を主発光面側へ反射する機能および発光素子ユニット２０から発生する熱を放熱部材１７に伝えるために熱伝導性も持たせるために、Ａｇペーストが好ましいが、特にＡｇペーストに限定するものではなく、熱伝導率の比較的高いＣｕ，Ａｕ，Ｓｎ，Ａｌ，Ｎｉなどの金属ペーストでもよい。
【００６１】
（実施の形態４）
図６に本実施の形態の混合型発光装置の構成を示す。本実施の形態では、発光素子ユニット２０（指示番号は図中では省略）がハウジング１３に載置されている点は実施の形態３と同じである。しかし、発光素子ユニット２０の主発光面以外の四方を熱伝導性が高く、反射性を有するフィラー入り樹脂で覆う。熱伝導性が高く、反射性を有するフィラー入り樹脂を反射性樹脂層２２と呼ぶ。
【００６２】
発光素子ユニット２０の主発光面上には蛍光体層１２を充填する。
【００６３】
このような構成にすることによって、発光素子ユニット２０から断熱層１１を通して発生してきた熱を効果的に放熱することができる。また、反射性を有するフィラーを含有しているので、装置１全体の発光効率も低下することがない。
【００６４】
本実施の形態の混合型発光装置１の製造方法を簡単に説明する。図２にしたがって、発光素子ユニット２０を形成する。リードフレーム１６、放熱部材１７を一体としたハウジング１３を作製し、発光素子ユニット２０を放熱部材１７に載置し、ボンディングワイヤー１０９でリードフレーム１６に接続する。発光素子ユニット２０と放熱部材１７の接着には実施の形態３で用いた導電性ペーストを用いる。
【００６５】
図６の場合はボンディングワイヤー１０９が１本だけであるが、サブマウント１５を、ツェナーダイオードにした場合を示している。もちろん、セラミックなどでサブマウント１５を構成し、２本のボンディングワイヤーでリードフレームと接続してもよいことは言うまでもない。
【００６６】
また、図１に示したスルーホールを有したサブマウントを用いる事もできる。
【００６７】
その後、発光素子ユニットの四方が浸かるように、反射性樹脂ペーストを流し込む。この反射性樹脂ペーストが固まり、反射性樹脂層２２を形成する。その後、蛍光体層１２を充填し、本実施の形態の混合型発光装置を得る。
【００６８】
本実施の形態に用いる反射性樹脂層２２の具体的な例を示す。なお、以下は例示でありこれに限定されるものではない。
【００６９】
本実施の形態では、反射性樹脂層２２は発光素子ユニット２０とリードフレーム１６の両方に接しているので、絶縁性は必須の特性である。
【００７０】
反射性を有するフィラーとしては、硫酸バリウム，炭酸カルシウム，アルミナ，シリカ等の組成にＣａ，Ｔｉ，Ｂａ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｋ，Ｏが含有された光反射粒子を含有したものがあげられる。
【００７１】
具体的には、エポキシ樹脂系やアクリル樹脂系またはシリコーン樹脂系の樹脂を生地として、ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の絶縁性の微粒子をフィラーとして混入したものを利用する。これらのフィラーの混入によって熱伝導性を高め、かつフィラー表面の白色光沢によって光の反射率も高める事ができる。
【００７２】
また、ＡｌとＳｉＯ２，ＡｇとＳｉＯ２との組合せをフィラーとしてもよく、ＳｉＯ２の成分比を適切にすることによって、熱伝導性の向上と光の反射性が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上のように、本発明は、発熱による蛍光体の効率低下を低減し、発色する色合いの温度特性が少ない混合型発光装置（半導体発光装置）を提供することができるので、特にパワーＬＥＤに好適に利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施の形態１に関わる混合型発光装置の構成図
【図２】発光素子ユニットの製造工程を示す図
【図３】半導体発光素子の構成を示す図
【図４】実施の形態２による混合型発光装置の構成図
【図５】実施の形態３による混合型発光装置の構成図
【図６】実施の形態４の混合型発光装置の構成図
【符号の説明】
【００７５】
１０  半導体発光素子
１１  断熱層
１２  蛍光体層
１３  ハウジング
１３ａ  フレーム基板
１４  スルーホール
１５  サブマウント
１６  リードフレーム
１７  放熱部材
２２  反射性樹脂層
１１０  蛍光体
１０９  ボンディングワイヤー
【図１】
2007194525.tif 000003
【図２】
2007194525.tif 000004
【図３】
2007194525.tif 000005
【図４】
2007194525.tif 000006
【図５】
2007194525.tif 000007
【図６】
2007194525.tif 000008