(57)【要約】【課題】膜厚が内周側から外周側に向けて厚く形成したフォトレジスト層を簡便に、かつ低コストで製造することができるフォトレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】基板を均一に加熱する加熱工程と、前記基板の径よりも小さい径をもつターンテーブルに、前記加熱した基板の内周側が接するように載置することで、前記基板のターンテーブルに接している部分近傍の熱を前記ターンテーブルに吸収させる熱吸収工程と、前記基板を載置したターンテーブルを回転させつつ、前記基板上にフォトレジストを塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2007313424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を均一に加熱する加熱工程と、
前記基板の径よりも小さい径をもつターンテーブルに、前記加熱した基板の内周側が接するように載置することで、前記基板のターンテーブルに接している部分近傍の熱を前記ターンテーブルに吸収させる熱吸収工程と、
前記基板を載置したターンテーブルを回転させつつ、前記基板上にフォトレジストを塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトレジスト塗布方法において、
前記加熱工程では、ホットプレートを用いて前記基板を加熱することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のフォトレジスト塗布方法において、
前記加熱工程では、前記基板が４０℃以上９０℃未満に加熱されることを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のフォトレジスト塗布方法において、
前記塗布工程では、前記基板の外周側から内周側に向けて前記フォトレジストを塗布することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のフォトレジスト塗布方法において、
前記塗布工程では、前記加熱された基板の温度よりも温度が低いフォトレジストを、前記基板の内周側よりも外周側に向けて少なく塗布することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のフォトレジスト塗布方法において、
前記基板は、前記基板の中心に開口部のない円形形状であることを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト塗布方法に関する。より具体的には、例えば膜厚が内周側から外周側に向けて厚く形成されたフォトレジスト層を形成するのに好適なフォトレジスト塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンパクトディスク、レーザディスク、光磁気ディスク等の光ディスクにおいては、その記録情報領域全面にわたって記録再生特性を均一にするために、ピットあるいはグルーブの形状をディスク全面で均一になるようにしている。特に、ピットあるいはグルーブの深さは、光ディスクを製造するために用いられる光ディスク原盤において基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚で決定されるため、当該フォトレジスト層の膜厚が内周側から外周側にかけて均一になるように、光ディスク原盤の製造装置のスピンプログラム、排気量及びフォトレジストの粘度等の諸条件が管理されている。
【０００３】
ここで、光ディスクの中でも追記型のＤＶＤ−Ｒのように、グルーブの深さが大きい（約９０〜２５０ｎｍ）光ディスクを製造する場合、光ディスクの外周側でグルーブの転写性が落ちることによりグルーブの深さが小さくなり、記録再生特性が外周側で劣化するという問題が生じていた。そのため、光ディスク原盤の製造装置のスピンプログラム等を管理するなどして光ディスク原盤において基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚を内周側から外周側に向けて、あるいは中周部から外周側に向けて厚くなるように形成し、光ディスクの外周側のピットあるいはグルーブの深さを大きく形成することにより、記録再生特性が外周側で劣化するという問題を解決するための試みがなされている。
【０００４】
しかしながら、光ディスク原盤におけるフォトレジスト層の膜厚を内周側から外周側に向けて厚く形成するためには、フォトレジスト溶液の粘度、塗布量及び塗布時間等諸条件の管理や、複雑なスピンプログラム制御が必要となり、フォトレジスト層の内周側から外周側に向けて安定した膜厚差を有する光ディスク原盤の作製が困難であった。
【０００５】
ここで特許文献１には、光ディスク原盤の製造装置中の光ディスク原盤における基板の面内における空気の流速を整流板により制御して、基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚を内周側から外周側に向けて厚くなるようにした技術が開示されている。また、特許文献２には、薬液塗布装置中のターンテーブルに基板の位置によって温度を変化させるための温度調整機構を設け、この温度調整機構により基板の位置によって温度を変化させた後に、基板にフォトレジストを塗布することによって、基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚を制御できるようにした技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１４４３３０号公報
【特許文献２】特開平８−２９３４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されている技術においては、整流板、ダクト、流速検出装置、ファン制御装置などが必要となり、光ディスク原盤の製造装置全体が複雑で高価なものとなってしまう。また、特許文献２に開示されている技術においては、薬液塗布装置のターンテーブルに基板の位置によって温度を変化させるための温度調整機構を設ける必要があり、薬液塗布装置全体が複雑で高価なものとなってしまう。
【０００７】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、膜厚が内周側から外周側に向けて厚く形成したフォトレジスト層を簡便に、かつ低コストで製造することができるフォトレジスト塗布方法を提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、基板を均一に加熱する加熱工程と、前記基板の径よりも小さい径をもつターンテーブルに、前記加熱した基板の内周側が接するように載置することで、前記基板のターンテーブルに接している部分近傍の熱を前記ターンテーブルに吸収させる熱吸収工程と、前記基板を載置したターンテーブルを回転させつつ、前記基板上にフォトレジストを塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本願のフォトレジスト塗布方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本願のフォトレジスト塗布方法を示すフローシート図である。
【００１１】
図１に示すように、本願の方法においては、先ず加熱工程が行われる。
【００１２】
本願の方法における加熱工程とは、フォトレジストが塗布される前段階の基板を、予備的に均一に加熱することを目的とした工程である。
【００１３】
本願は、基板上にフォトレジスト層を形成するにあたり、当該層の膜厚が基板の内周側から外周側に向かって徐々に厚くなるように形成することが容易にできる方法を提供する。このように、基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚を、内周側より外周側を厚く形成することにより、これを光ディスク原盤として用いる場合に、外周側に形成するピット若しくはグルーブの深さを内周側のそれよりも深く形成することが可能となり便利である。
【００１４】
ここで、本願の方法は、フォトレジスト層の膜厚を基板の内周側から外周側に向かって徐々に厚くなるように形成する手段として、フォトレジストが塗布される時点での基板の温度差を利用することに特徴を有しており、さらに具体的には、フォトレジストが塗布される時点での基板の温度を、その内周側から外周側に向かって徐々に高温とすることに特徴を有している。基板のフォトレジストに対する濡れ性は温度に依存し、基板の温度が高いほど、濡れ性は悪化する。本願は、この性質を利用して、基板の内周側と外周側の温度差を利用してフォトレジスト層の厚さを変化せしめるのである。
【００１５】
このような本願の方法においては、上述してきたように、フォトレジストを塗布する段階においては、基板の内周側と外周側に温度差を設けることが必要となるが、当該加熱工程にあっては、基板の部分に応じた温度差を設ける必要はなく、基板全体を均一に加熱すればよい。従来の方法によれば、基板の温度差を用いてフォトレジスト層の厚さをコントロールする場合、基板を加熱する段階で基板の部分部分に応じて加熱を行わなければならず、その分だけ装置が複雑となっていたところ、本願は、発想を転換し、基板を加熱する段階（加熱工程）においては温度差を設けず均一に加熱し、その後、フォトレジストを塗布する前に熱吸収工程（後に詳細は説明する。）を設けることで、一旦均一に加熱された基板に所望の温度差を形成することを特徴としている。従って、当該加熱工程は、本願の方法において必須の工程であり、この後に行われる熱吸収工程と一体をなす工程であるといえる。
【００１６】
本願の方法における加熱工程にあっては、この後行われる熱吸収工程において、基板の一部の熱が吸収されることにより基板に温度差を生じせしめることができる程度に、基板を加熱すればよい。具体的には、後述の熱吸収工程において基板からの熱を吸収する役割を果たすターンテーブルの表面温度以上に加熱する必要があり、例えば４０℃以上９０℃未満に加熱されることが好ましい。基板の加熱温度が４０℃より低いと、熱吸収工程において用いられるターンテーブルと基板との温度差が小さすぎ、効率よく熱を吸収することができず、その結果、基板に温度差を設けることが困難となる。一方で、基板の加熱温度を９０℃以上とすると、当該基板上に塗布するフォトレジストに対する濡れ性が悪くなり、フォトレジストを塗布する際に支障をきたす虞がある。
【００１７】
当該加熱工程において用いられる装置としては、基板を上記温度範囲内に均一に加熱することが可能な装置であればいかなる装置であってもよく、特に限定されることはない。具体的には、例えば、ホットプレート、温風オーブン、遠赤オーブン等を挙げることができる。
【００１８】
図２は、加熱工程においてホットプレートを用い基板を加熱する場合の斜視図である。
【００１９】
ホットプレート１は、基板３を所望の温度に均一に加熱することができるとともに、安全性が高く簡便であるため本願の方法に好適である。なお、ホットプレート１の温度を設定する際には、温度調整つまみ２を用いて調整すればよく、また、加熱時間については、当該ホットプレートの熱量や、基板の材質、大きさ等により左右されるため、特に限定されることはないが、一般的なホットプレートを用いる場合には、板厚１．１ｍｍの基板を用いると、６０ｓｅｃ〜１８０ｓｅｃであることが好ましく、特に１２０ｓｅｃであることが好ましい。
【００２０】
ここで、本願の方法は、その処理対象となる基板（つまり、フォトレジスト層が形成される基板）を特に限定することはなく、例えば、光ディスク原盤を形成する際に用いられる基板であればいかなる材質であっても問題なく処理可能である。具体的には、ガラス基板、Ｓｉウエハー等を挙げることができる。また、ガラス基板の種類としては、青板ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス等を挙げることができる。
【００２１】
また、基板の大きさや厚みについても本願の方法は特に限定することはなく、フォトレジスト層が形成された後の用途等に応じて任意に選択可能である。例えば、光ディスク原盤として用いる場合には、基板の大きさは通常直径１５０ｍｍ〜２２０ｍｍとなり、特に２００ｍｍ程度が一般的である。また、基板３の厚みについても任意に選択可能であるが、例えば、光ディスク原盤として用いる場合には、通常１ｍｍ〜１０ｍｍとなり、特に１．１ｍｍが一般的である。なお、基板の形状についても本願の方法は特に限定することはないが、例えば、光ディスク原盤として用いる場合には、円形形状であることが一般的であり、この場合においては、中心に開口部のないことが好ましい。後述する熱吸収工程において、基板の中心部近傍（内周側）とターンテーブルとを接触せしめることにより熱を吸収することから、当該部分に開口部があると、効率よく熱を吸収することができないからである。
【００２２】
次に、熱吸収工程について説明する。
【００２３】
本願の方法における熱吸収工程とは、前記加熱工程において、所定の温度に均一に加熱された基板を、ターンテーブルに、当該基板の内周側とターンテーブルとが接するように載置することで、当該基板のターンテーブルに接している部分近傍の熱をターンテーブルに吸収させるために行う工程である。つまり、所定の温度に均一に加熱された基板について、その内周側をターンテーブルによって部分的に冷却し、基板の内周側と外周側とに温度差を形成するための工程である。前記加熱工程と当該熱吸収工程とにより、基板に簡便に温度差を設けることができ、当該温度差を利用して当該基板上に形成されるフォトレジスト層の膜厚をコントロールすることができるのである。
【００２４】
図３は、ターンテーブル上に加熱工程終了後の基板を載置した状態を示す図である。
【００２５】
このような本願の方法における熱吸収工程にあっては、前述の如く、ターンテーブル１２を用いて基板３の内周側（符号Ｘ参照）の熱を吸収する（冷却する）ことで外周側（符号Ｙ参照）との間に温度差を設けることが目的となる。当該工程において形成される基板外周側と内周側との温度差については、この後に行われる塗布工程において形成するフォトレジスト層の膜厚をどの程度にするかによっても左右されるため、一概に決定することは困難であるが、例えば、その温度差を５〜５０℃程度とすることが好ましい。当該温度差を設けることにより、フォトレジスト層の膜厚を所望の厚さにコントロールすることができる。
【００２６】
また、ターンテーブル１２の材質等についても、本願の方法では特に限定することはなく、適宜設計することが可能であるが、前述の如く、当該ターンテーブル１２により加熱された基板の内周側を冷却せしめることが必要となるため、その材質にあっては、例えば、アルミニウム、シリコン樹脂、又は、熱伝導率が低いフッ素樹脂等を挙げることができる。また、当該ターンテーブル１２の大きさ、や厚み等についても特に限定されることはなく、任意に設定することができる。しかしながら、ターンテーブル１２の大きさについては、基板の径よりも小さいことが必要であり（基板の内周側を選択的に冷却することを考えれば当然である）、従って、例えば、基板の直径が前述の如く２００ｍｍの場合には、ターンテーブル１２の直径は３０ｍｍ〜４０ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００２７】
本願の方法における熱吸収工程にあっては、加熱工程により高温となった基板を、いわば室温状態のターンテーブル上に載置することのみによって、基板の所定部分の熱をターンテーブルによって冷却せしめているが、これに限定されることはなく、例えば、ターンテーブルを室温以下に冷却しておいてもよい。
【００２８】
次に、塗布工程について説明する。
【００２９】
本願の方法における塗布工程とは、前記加熱工程、および熱吸収工程を経て基板の位置によって温度差（基板の内周側は温度が低く、基板の外周側は温度が高くなっている）が形成された基板上に、フォトレジストを塗布するための工程である。前述したように、部分部分によって温度の異なる基板を回転させつつその上にフォトレジストを塗布することにより、当該温度差に起因してフォトレジストに対する濡れ性の違いを利用して、基板上に厚さの異なるフォトレジスト層を形成することができる。つまり、塗布されたフォトレジストは、シンナー等の溶剤成分が含まれているため、基板の温度差を利用して基板に塗布されたフォトレジストに含まれる溶剤成分の気化速度を変化させることにより、フォトレジストの流れを制御する。すなわち、基板の内周側（温度の低い部分）では溶剤成分の気化がされ難いため、フォトレジストは外側に流れやすくなり（濡れ性が良い）、基板の内周側の膜厚は比較的薄くなる。一方、基板の外周側（温度の高い部分）では溶剤成分の気化がされ易いため、フォトレジストが積層されやすくなり（濡れ性が悪い）、基板の外周側の膜厚は比較的厚くなる。
【００３０】
図４は、塗布工程を説明するための図である。
【００３１】
まず、フォトレジスト塗布ノズル１３を塗布開始位置に移動させる。ここで、当該塗布開始位置については特に限定することはなく、任意の位置に移動すればよいが、基板３の外周側から内周側に向けてフォトレジストを塗布することが好ましく（図４中の矢印参照）、従ってフォトレジスト塗布ノズル１３を基板３の外周側（塗布開始位置）に移動させることが好ましい。基板３の外周側から内周側に向けて塗布するのは、内周側からフォトレジストを塗布した場合には最初に塗布されたフォトレジストが基板３上で乱れ、基板３の温度分布に悪影響を及ぼす可能性があり、これを防止するためである。
【００３２】
次に、基板３を載置したターンテーブル１２を回転させつつ、基板３上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する。
【００３３】
ターンテーブル１２を回転させるのは、基板３の全面に効率よくフォトレジストを塗布するためである。ここで、ターンテーブル１２の回転速度については特に限定することはないが、例えば、１５０ｒｐｍ〜２５０ｒｐｍ程度が好ましく、特に、１９０ｒｐｍとすることが好ましい。ターンテーブル１２による回転時間は、２０ｓｅｃ〜３０ｓｅｃ程度が好ましく、特に２２ｓｅｃとすることが好ましい。
【００３４】
また、塗布時間についても本願は特に限定することはなく、フォトレジストの塗布量や形成しようとするフォトレジスト層の膜厚、さらには基板３の大きさ等により異なるが、光ディスク原盤を形成する場合にあっては、通常９ｓｅｃ〜２７ｓｅｃ程度が好ましく、特に１８ｓｅｃとすることが好ましい。
【００３５】
本願の塗布工程において用いられるフォトレジスト（剤）については、本願は特に限定することはなく、従来公知のいかなるフォトレジストをも用いることができる。具体的には、例えば、東京応化工業株式会社の高解像度ｇ線ポジ型フォトレジストＴＳＭＲ−Ｖ９０  ＬＢ  （粘度１９ｃｐ）、ＴＳＭＲ−８９００、ＯＦＰＲ８００等を用いることができる。また、フォトレジストの粘度は、シンナー等の溶剤成分で希釈することにより調整することができる。フォトレジストの塗布量についても、任意に設計可能であるが、例えば、光ディスク原盤を形成する場合にあっては、０．７ｃｃ／ｓｅｃ〜２ｃｃ／ｓｅｃとすることが一般的であり、特に、１ｃｃ／ｓｅｃとすることが好ましい。
【００３６】
ここで更に、加熱された基板の温度よりも温度が低いフォトレジストを、基板の内周側よりも外周側に向けて少なく塗布してもよい。このように、加熱した基板よりも温度の低いフォトレジストが外周側よりも内周側に多く塗布されることによって、温度の低いフォトレジストが多く塗布された内周側の基板の温度が下がることになり、基板に温度差を設けることができる。つまり、基板の温度を内周側から外周側に向かって高温とすることができるため、基板の温度差に起因して基板上に厚さの異なるフォトレジスト層を形成することができることになる。上記効果を得るためには、フォトレジストの温度は、例えば、室温（２３℃）程度であることが好ましく、特に２０℃〜３０℃であることが好ましい。
【００３７】
次に、フォトレジスト塗布ノズル１３を外周側から内周側に向けて移動させる。
【００３８】
基板３の塗布開始位置（外周側）から塗布を開始し、基板３の中心（内周側）を通って、塗布開始位置の反対側である基板３の外周側までフォトレジスト塗布ノズル１３を移動させながらフォトレジストの塗布を行う。フォトレジスト塗布ノズル１３の移動速度は、５ｍｍ／ｓｅｃ〜１５ｍｍ／ｓｅｃ程度が好ましく、特に、１０ｍｍ／ｓｅｃとすることが好ましい。
【００３９】
次に、フォトレジスト塗布（フォトレジスト層形成）終了後、フォトレジスト塗布ノズル１３の引き込みを行う（フォトレジスト塗布ノズル１３が予め設置されていた場所（原点位置）にもどす）。
【００４０】
次に、ターンテーブル１２を高速で回転させる。
【００４１】
ターンテーブル１３の回転速度については特に限定することはないが、基板３にフォトレジストを塗布する際のターンテーブル１２の回転速度より速く回転させることが好ましい。例えば、６００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ程度が好ましく、特に、１２７０ｒｐｍとすることが好ましい。このようにターンテーブル１２を高速で回転させることによって、基板３に塗布されたフォトレジストを振り切り、気化によって膜厚を制御することができる。ターンテーブル１３による回転時間は、４５ｓｅｃ〜９０ｓｅｃ程度が好ましく、特に６５ｓｅｃとすることが好ましい。
【００４２】
次に、ターンテーブル１２の回転を停止させ、基板３をターンテーブル１２から取り外す。
【００４３】
以上説明したように、基板３の位置によって温度に差を設けた（基板３の内周側５は温度が低く、基板３の外周側６は温度が高くなっている）後に、基板３上に当該塗布工程を行うことによって、膜厚が内周側から外周側に向けて厚く（基板３の内周側５は膜厚が浅く、基板３の外周側６は膜厚が厚く）形成されたフォトレジスト層４を形成することができる。（図５参照）。
【実施例】
【００４４】
本願の方法を実施例１〜４、比較例１を用いてさらに具体的に説明する。
（実施例１）
青板ガラスからなり、径２００ｍｍの円形形状を呈する基板を準備し、これを図１に示したようなホットプレートを用いて１２０ｓｅｃ加熱することにより、基板全体を５０℃に加熱した（加熱工程）。
【００４５】
次いで、加熱工程終了後の基板を図３に示したようなターンテーブル直径３０ｍｍに、当該基板の内周側が接するように載置することによって、基板のターンテーブルに接している部分近傍の熱をターンテーブルに吸収させた（熱吸収工程）。当該工程により、基板３の位置（内周側と外周側）によって温度差が生じている。
【００４６】
その後、基板上にフォトレジスト（東京応化工業株式会社の高解像度ｇ線ポジ型フォトレジストＴＳＭＲ−Ｖ９０  ＬＢ  （粘度１９ｃｐ）を塗布し（塗布工程）、フォトレジスト層を形成した。なお、フォトレジストは、１３対８７の比でシンナーにより希釈したものを使用した。
【００４７】
以下、当該フォトレジスト形成方法を実施例１の方法とし、この方法により形成されたフォトレジスト層を、実施例１のフォトレジスト層とする。
（実施例２）
基板の加熱温度を６０℃とした以外の諸条件は全て実施例１の方法と同様とすることにより（これを実施例２の方法とする。）、実施例２のフォトレジスト層を形成した。
（実施例３）
基板の加熱温度を７０℃とした以外の諸条件は全て実施例１の方法と同様とすることにより（これを実施例３の方法とする。）、実施例３のフォトレジスト層を形成した。
（実施例４）
ターンテーブルの径を４０ｍｍとした以外の諸条件は全て実施例２の方法と同様とすることにより（これを実施例４の方法とする。）、実施例４のフォトレジスト層を形成した。
（比較例１）
室温２３℃の基板をターンテーブルに載置し、基板上にフォトレジストを塗布し（塗布工程）、フォトレジスト層を形成した（つまり、加熱工程および熱吸収工程を行っていない。）なお、装置、フォトレジスト、その他の諸条件については、実施例１の方法と同様とし（これを比較例１の方法とする。）、比較例１のフォトレジスト層を形成した。
＜結果１＞
実施例１〜３、および比較例１のフォトレジスト層それぞれの厚さを調べた（具体的には、それぞれについて、基板の中心から２０ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍ、５０ｍｍ、および６０ｍｍの位置を測定した。）その結果を図６に示す。
【００４８】
図６は、基板の中心からの距離とフォトレジスト層の厚さとの関係を示す図である。
【００４９】
図６からも明らかなように、比較例１のフォトレジスト層は、基板の位置、具体的には、中心から２０ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍ、５０ｍｍ、６０ｍｍ離れた位置に関わらず、層厚はほぼ一定であったのに対し、本願の実施例１〜３のフォトレジスト層にあっては、基板の中心からの距離が離れるほど（内周側から外周側に向かうほど）層が厚くなった。これは、本願の実施例１〜３の方法において、加熱工程および熱吸収工程が行われた結果、フォトレジストを塗布する前の段階における基板に所望の温度差が形成され、当該温度差に起因してフォトレジスト層の厚さをコントロールすることができたことを示している。
【００５０】
さらに、図６に示した本願の実施例１〜３のフォトレジスト層の厚さを比較すると、加熱工程において基板を加熱するに際し、より高温に加熱した方が（実施例３は７０℃）、
フォトレジスト層の内周側と外周側との厚さの差を大きく形成できることがわかる。
【００５１】
これは、基板を加熱する際の温度を調整することによって、フォトレジスト層の内周側と外周側の膜厚の差を簡便に制御することができる。
＜結果２＞
実施例２、４のフォトレジスト層それぞれの厚さを調べた（具体的には、それぞれについて、基板の中心から２０ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍ、５０ｍｍ、および６０ｍｍの位置を測定した。）その結果を図７に示す。
【００５２】
図７は、基板の中心からの距離とフォトレジスト層の厚さとの関係を示す図である。
【００５３】
図７によれば、直径が４０ｍｍのターンテーブルでは、基板の中心から２０ｍｍの距離の膜厚が、直径が３０ｍｍのターンテーブルにおける基板の中心から２０ｍｍの距離の膜厚よりも薄くなった。よって、ターンテーブルの径を変化させることによって、フォトレジスト層の内周側と外周側の膜厚の差を簡便に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本願のフォトレジスト塗布方法を示すフローシート図である。
【図２】加熱工程においてホットプレートを用い基板を加熱する場合の斜視図である。
【図３】ターンテーブル上に加熱工程終了後の基板を載置した状態を示す図である。
【図４】塗布工程を説明するための図である。
【図５】光ディスク原盤を説明するための図である。
【図６】基板の中心からの距離とフォトレジスト層の厚さとの関係を示す図である。
【図７】基板の中心からの距離とフォトレジスト層の厚さとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・ホットプレート
２・・・温度調整つまみ
３・・・基板
４・・・フォトレジスト層
５・・・内周側
６・・・外周側
１１・・・フォトレジスト塗布装置
１２・・・ターンテーブル
１３・・・フォトレジスト塗布ノズル
【図１】
2007313424.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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