(57)【要約】【課題】周辺部への写り込みの問題を解消すると同時に、周辺回路におけるリーク電流の発生を低減することができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】複数の画素駆動素子が形成された画素領域ａと、周辺回路が形成された周辺領域ｂとを有する駆動基板と、駆動基板と液晶を挟んで対向するガラス基板とを備える液晶表示素子において、画素駆動素子と周辺回路との間に反射防止膜７が形成すると共に、画素駆動素子と反射防止膜との間に遮光壁８を形成する。【選択図】図２
2007293077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを備える駆動基板において、
前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、
前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成された
ことを特徴とする駆動基板。
【請求項２】
少なくとも前記画素駆動素子と前記画素駆動素子に映像信号を供給する水平駆動回路との間に前記遮光壁が形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動基板。
【請求項３】
前記画素領域端から前記周辺回路までの距離が２５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動基板。
【請求項４】
複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向するガラス基板とを備える液晶表示素子において、
前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、
前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成された
ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項５】
液晶表示素子を備え、該液晶表示素子によって変調された光を用いて映像表示を行なう液晶表示装置において、
前記液晶表示素子は、
複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向するガラス基板とを備え、
前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、
前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成された
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は駆動基板及び液晶表示素子、並びに液晶表示装置に関する。詳しくは、相対向する一対の基板間に液晶物質を保持した構造を有する透過型液晶表示素子に用いる駆動基板及び透過型液晶表示素子並びにそうした透過型液晶表示素子を用いた液晶表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶画素に対応して複数の画素駆動素子を配置するとともに、垂直走査方向に配置された各画素駆動素子に接続される複数のデータラインと、水平走査方向に配置された各画素駆動素子に接続される複数のスキャンラインとを有し、スキャンラインに順次垂直同期信号を供給するとともに、データラインにビデオ信号を供給することにより、画素駆動素子を駆動して液晶画素を制御する液晶表示素子が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
なお、一般的に液晶表示素子は、マトリクス状に画素駆動素子が設けられた画素領域（図６中符合Ａで示す領域）を中央部に有し、後述する水平走査回路や垂直走査回路等の周辺回路が設けられた周辺領域（図６中符合Ｂで示す領域）を画素領域の周辺に有する。
【０００３】
以下、図面を用いて従来の液晶表示素子について説明する。
図６は、従来のアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための図であり、ここで示す液晶表示素子は、Ｘ軸方向に平行に配列された複数のスキャンラインＸ１，Ｘ２，Ｘ３・・・と、Ｙ軸方向に平行に配列された複数のＹ１，Ｙ２，Ｙ３・・・とを備えており、各スキャンラインとデータラインの交点には、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の能動素子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２・・・が形成され、更に各能動素子に対応した、画素電極及び対向電極によって挟持された液晶から構成された液晶セルＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２・・・が形成されている。なお、各ＴＦＴは液晶画素に対応してマトリクス状に配置されており、各ＴＦＴのゲート電極はスキャンラインに接続されており、ソース電極はデータラインに接続されており、ドレイン電極は対応する液晶セルの画素電極に接続されている。
【０００４】
また、各データラインはそれぞれ対応する水平スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３・・・を介して共通のビデオライン２０１に接続されており、このビデオラインから映像信号が供給される。更に、各水平スイッチを構成するスイッチングトランジスタのゲート電極は水平走査回路２０２に接続されており、この水平走査回路は、外部から入力された信号を昇圧して水平走査回路及び垂直走査回路に信号を出力するレベル変換回路２０３から入力される水平クロック信号に同期して順次水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタのゲート電極に印加する。なお、各スキャンラインは垂直走査回路２０４に接続されている。
【０００５】
上記の様に構成された液晶表示素子では、垂直走査回路を駆動すると、スキャンラインが線順次で励起され、行毎にＴＦＴが選択される。この際、水平走査回路を駆動してスイッチングトランジスタを線順次で動作させると、ビデオラインに供給された映像信号が順次各データラインにサンプリングされる。サンプリングされた映像信号は行毎に選択されたＴＦＴを介して順次対応する液晶セルに書き込まれ、映像信号のサンプリングデータは点順次で個々の液晶セルに書き込まれることになる。
【０００６】
ここで、画素駆動素子をスイッチングする画素トランジスタは半導体であるシリコンで構成されており、この画素トランジスタに光が当たると光キャリアが発生し、ＴＦＴがオフの状態であってもリーク電流が流れてしまう。リーク電流が画素電位保持中に流れてしまうと、画素電位が適正な値からずれてしまい画質劣化として視認されることとなる。
【０００７】
また、水平走査回路や垂直走査回路についても同様であり、入射光が周辺回路へ到達すると、周辺回路内のトランジスタに光が当たって光キャリアが発生し、トランジスタがオフの状態であってもリーク電流が流れてしまう。特に各画素駆動素子に映像信号を供給する水平スイッチを構成するスイッチングトランジスタや、水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタに印加する水平走査回路内のトランジスタにリーク電流が流れた場合には、映像信号を供給すべきタイミング以外でデータラインに映像信号を供給してしまって、横クロストーク等の画質不良が視認されることとなる。
【０００８】
上記の様なリーク電流による問題を解消するために、図７（ａ）で示す様に、画素駆動素子３０１の上層及び周辺回路３０２の上層にアルミニウムから成る遮光膜３０３を形成して、画素駆動素子や周辺回路への光の入射を遮っている。また、図７中符合Ｃで示す画素領域から周辺回路までに所定の距離（例えば、４００μｍ）を確保するといった対策を採っている。なお、図７中符合Ａは画素領域を示し、図７中符号Ｂは周辺領域を示している。
【０００９】
ところで、近年は液晶表示素子の高輝度化が求められ、高輝度化に対応するために液晶表示素子に入射する光量が大きくなっているのであるが、液晶表示素子に入射する光量が大きくなってくると、投射（プロジェクション）した際に周辺部への写り込みが視認されてしまう。
即ち、液晶表示素子を使用した液晶表示装置（例えばプロジェクタ等）を用いて投射する際には、図８（ａ）で示す様に、液晶表示素子からの出射光はプリズム３０７に入射することになるが、液晶表示素子に入射する光量が大きくなるとプリズムに入射する光量も大きくなり、それに伴ってプリズム表面での反射光量も大きくなる。そして、プリズム表面での反射光は液晶表示素子の配線層３０６や遮光膜３０３で再反射してプリズムに入射することになるために周辺部への写り込みが視認されてしまうのである。なお、図８（ａ）では図示の便宜上プリズム表面での反射光が配線層で再反射する場合を図示しているが、配線層はパターニングされており、実際はプリズム表面での反射光の多くは遮光膜で再反射することとなる。
【００１０】
そこで、投影した際の周辺部への写り込みの問題を解消するために、即ち、プリズム表面での反射光の再反射を抑制するために、図８（ｂ）で示す様に、反射率の低い材料（例えば、ポリシリコン膜）から成る反射防止膜３０４を画素駆動素子と周辺回路との間に形成するといった対策を採っている。なお、反射防止膜と配線層との間には層間絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２膜）３０５が形成されている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−１６２６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、周辺部への写り込みの問題を解消すべく形成された反射防止膜は、層間絶縁膜よりも屈折率が一般的に高い（例えば、反射防止膜として用いられるポリシリコン膜の屈折率が４．５であるのに対して、層間絶縁膜として用いられるＳｉＯ２の屈折率は１．４６である）ために、斜め方向からの入射光が反射防止膜内を全反射しながら進んで周辺回路まで到達し、リーク電流が流れてしまうという現象が発生している（図７（ｂ）参照。）。
【００１３】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、周辺回路におけるリーク電流の発生を低減することができる駆動基板及び液晶表示素子並びに液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明に係る駆動基板は、複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを備える駆動基板において、前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成されている。
【００１５】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示素子は、複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向するガラス基板とを備える液晶表示素子において、前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成されている。
【００１６】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、液晶表示素子を備え、該液晶表示素子によって変調された光を用いて映像表示を行なう液晶表示装置において、前記液晶表示素子は、複数の画素駆動素子が形成された画素領域と、該画素領域の周辺に位置し、周辺回路が形成された周辺領域とを有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向するガラス基板とを備え、前記画素駆動素子と前記周辺回路との間に反射防止膜が形成されると共に、前記画素駆動素子と前記反射防止膜との間に、同反射防止膜内を伝播して前記周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成されている。
【００１７】
ここで、画素駆動素子と反射防止膜との間に、反射防止膜内を伝播して周辺回路に向かう光を遮光する遮光壁が形成されたことによって、周辺回路への横方向からの光の侵入を抑制することができ、周辺回路におけるリーク電流の発生を低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明を適用した駆動回路及び液晶表示素子並びに液晶表示装置では、周辺回路におけるリーク電流の発生を低減することができるために、表示特性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した液晶表示素子の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的は平面図であり、図２は本発明を適用した液晶表示素子の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的な断面図である。なお、図中符合ａはマトリクス状に画素駆動素子が設けられた画素領域を示し、図中符合ｂは水平走査回路や垂直走査回路等の周辺回路が設けられた周辺領域を示している。
【００２０】
図１及び図２で示す液晶表示素子は、従来の液晶表示素子と同様に、Ｘ軸方向に平行に配列された複数のスキャンラインＸ１，Ｘ２，Ｘ３・・・と、Ｙ軸方向に平行に配列された複数のＹ１，Ｙ２，Ｙ３・・・とを備えており、各スキャンラインとデータラインの交点には、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の能動素子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２・・・が形成され、更に各能動素子に対応した、画素電極及び対向電極によって挟持された液晶から構成された液晶セルＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２・・・が形成されている。なお、各ＴＦＴは液晶画素に対応してマトリクス状に配置されており、各ＴＦＴのゲート電極はスキャンラインに接続されており、ソース電極はデータラインに接続されており、ドレイン電極は対応する液晶セルの画素電極に接続されている。
【００２１】
また、各データラインはそれぞれ対応する水平スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３・・・を介して共通のビデオライン１に接続されており、このビデオラインから映像信号が供給される。更に、各水平スイッチを構成するスイッチングトランジスタのゲート電極は水平走査回路２に接続されており、この水平走査回路は、外部から入力された信号を昇圧して水平走査回路及び垂直走査回路に信号を出力するレベル変換回路３から入力される水平クロック信号に同期して順次水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタのゲート電極に印加する。なお、各スキャンラインは垂直走査回路４に接続されている。
【００２２】
更に、画素駆動素子５の上層及び周辺回路６（水平走査回路、垂直走査回路、レベル変換回路等）の上層にアルミニウムから成る遮光膜１４、１５を形成して、画素駆動素子及び周辺回路への光の入射を遮ることで、リーク電流による画質不良を抑制すると共に、画素駆動素子と周辺回路との間に反射率の低い材料（例えば、ポリシリコン膜）から成る反射防止膜７を形成して、投影した際の周辺部の写り込みの問題を解消している。
また、反射防止膜と周辺回路との間には、反射防止膜内を伝播して周辺回路に向かう入射光を遮光するアルミニウムから成る遮光壁８が形成されている。
【００２３】
ここで、本実施例では、画素駆動素子と水平走査回路との間（更に詳しくは、画素駆動素子と水平スイッチとの間）及び画素駆動素子と垂直走査回路との間の双方に遮光壁が形成された場合を例に挙げて説明を行なっているが、必ずしも双方に遮光壁が設けられる必要は無く、画素駆動素子と水平走査回路との間（更に詳しくは、画素駆動素子と水平スイッチとの間）若しくは画素駆動素子と垂直走査回路との間のいずれか一方に形成されても良い。但し、各画素駆動素子に映像信号を供給するスイッチを構成するスイッチングトランジスタや、水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタに印加する水平走査回路内のトランジスタにリーク電流が流れた場合には、映像信号を供給すべきタイミング以外でデータラインに映像信号を供給してしまうこととなり、直ちに横クロストーク等の画質不良が視認されてしまうことが考えられるために、少なくとも画素駆動素子と水平スイッチとの間には遮光壁が形成された方が好ましい。
【００２４】
また、本実施例では、画素駆動素子と周辺回路との間に遮光壁を１列のみ形成した場合を例に挙げて説明を行なったが、反射防止膜内を伝播して周辺回路に向かう入射光をより充分に遮光するためには、画素駆動素子と周辺回路との間に複数列の遮光壁を形成した方が好ましい。
【００２５】
以下、上記の様に構成された液晶表示素子の製造方法について説明する。
上記の様に構成された液晶表示素子を製造する場合には、先ず、石英基板１０表面に画素駆動素子のトランジスタ及び周辺回路内のトランジスタのソース、ドレイン部を形成するための第１のポリシリコン層１１ａを形成する。この際に、周辺回路内のトランジスタが形成される領域よりも少し内側領域にも遮光ストッパとして機能する幅約５〜１０μｍ程度の第１のポリシリコン層１１ｂを形成する（図３（ａ）参照。）。
【００２６】
次に、第１のポリシリコン層の上層にＳｉＯ２層１２を介して、画素駆動素子のトランジスタ及び周辺回路内のトランジスタのゲート部を形成するための第２のポリシリコン層１３を形成する。この際に、画素駆動素子と周辺回路の間にも反射防止膜として機能する第２のポリシリコン層を形成する（図３（ｂ）参照。）。
【００２７】
続いて、第２のポリシリコン層の上層にＳｉＯ２層を形成した後に（図３（ｃ）参照。）、画素駆動素子のトランジスタ及び周辺回路内のトランジスタの配線層を形成するためのコンタクトホールをＳｉＯ２層に形成する。この際に、第１のポリシリコン層１１ｂの上方にもコンタクトホールを形成する（図３（ｄ）参照。）。
【００２８】
次に、ＳｉＯ２層の上層に第１のアルミニウム膜１４を成膜して、画素駆動素子のトランジスタ及び周辺回路内のトランジスタの配線層を形成すると共に、画素駆動素子や周辺回路の遮光膜を形成する。この際に、第１のポリシリコン層１１ｂの上方に形成されたコンタクトホール内にアルミニウムが充填されることにより、遮光壁が形成されることとなる。その後、第１のアルミニウム膜の上層にＳｉＯ２層を形成し、更にＳｉＯ２層の上層に第２のアルミニウム膜１５を成膜することによって、図２で示す液晶表示素子を得ることができる。
【００２９】
上記した液晶表示素子では、反射防止膜内を伝播することで周辺回路に向かおうとする入射光を遮光することができ、周辺回路内のトランジスタの光リークを大幅に削減することが可能となり、液晶表示素子の表示品位の信頼性の向上が実現する。特に、水平スイッチ及び水平走査回路におけるリーク電流の削減は、横クロストーク等の画質不良の発生を抑制することができる。
【００３０】
また、遮光壁が入射光を充分に遮光でき、周辺回路を画素表示部から大きく離すことなしに周辺回路内のトランジスタのリーク電流の抑制が可能であるために、液晶表示素子の小型化が期待できる。即ち、図２中符合ｃで示す画素領域から周辺回路までの距離を短くしたとしても、遮光壁で入射光を遮ることができるために、液晶表示素子の小型化が実現できるのである。
【００３１】
更に、上記した液晶表示素子は、従来と同様のプロセスにおいて実現可能であり、即ち、トランジスタのコンタクトホール内に配線材料であるアルミニウムを埋め込むことによって遮光壁を形成しているものであり、新たなプロセスを追加することなく実現可能であるために、実現性が極めて高いものといえる。
【００３２】
ここで、図４に（１）従来の液晶表示素子（遮光壁が形成されていない液晶表示素子）と（２）本発明の液晶表示素子（遮光壁が形成された液晶表示素子）における、画素領域から周辺回路までの距離と横クロストークとの関係を示す。図４に示す関係から、遮光壁が形成されることによって、横クロストークの発生が抑制されていることが分かる。
なお、画素領域から周辺回路までの距離が２５０μｍよりも大きい場合には、入射光が周辺回路まで伝播し難くなるために、従来の液晶表示素子も本発明の液晶表示素子も同様の結果になったと考えられる。このことは、液晶表示素子の小型化が進んで、画素領域から周辺回路までの距離が２５０μｍ以下となった場合に、本発明の液晶表示素子と従来の液晶表示素子との横クロストークの発生の差が明瞭に現れることを意味するものである。
【００３３】
図５は本発明を適用した液晶表示装置の一例である透過型液晶プロジェクタを説明するための模式図であり、ここで示す透過型液晶プロジェクタ１００は、いわゆる３板方式として赤、緑、青の３原色に対応した３つのライトバルブに図１及び図２に示す液晶表示素子を使用し、スクリーン（図示せず）上に拡大投影されたカラー映像を表示する投射型の液晶表示装置である。
【００３４】
具体的に、この透過型液晶プロジェクタは、照明光を出射する光源であるランプ１０１と、ランプからの照明光のうち赤色光（Ｒ）のみを反射するＲダイクロイックミラー１０３Ｒと、ランプからの照明光のうち緑色光（Ｇ）のみを反射するＧダイクロイックミラー１０３Ｇと、赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）をそれぞれ変調して透過する光変調手段であるＲライトバルブ１０４Ｒ，Ｇライトバルブ１０４Ｇ及びＢライトバルブ１０４Ｂと、変調された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）を合成する合成光学手段であるダイクロイックプリズム１０５と、合成された照明光をスクリーンに投射する投射手段である投射レンズ１０６とを備えている。
【００３５】
ここで、ランプは、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）及び青色光（Ｂ）を含む白色光を照射するものであり、例えばハロゲンランプや、メタルハロゲンランプ、キセノンランプ等からなる。
【００３６】
また、ランプとＲダイクロイックミラーとの間の光路中には、赤外線や紫外線をカットするフィルタ１０９や、ランプから出射された照明光の照度分布を均一化するフライアイレンズ１０７や、照明光のＰ，Ｓ偏光成分を一方の偏光成分（例えばＳ偏光成分）に変換する偏光変換素子１０８等が配置されている。
【００３７】
また、ＲダイクロイックミラーとＲライトバルブとの間には、赤色光（Ｒ）をＲライトバルブに向けて反射させる全反射ミラー１１０が配置され、ＧダイクロイックミラーとＢライトバルブとの間には、青色光（Ｂ）をＢライトバルブに向けて反射させる全反射ミラー１１０が配置されると共にリレーレンズ１１１が配置されている。
【００３８】
投射レンズは、ダイクロイックプリズムからの光をスクリーンに向かって拡大投影する機能を有している。
【００３９】
以上の様に構成される透過型液晶プロジェクタでは、ランプから出射された白色光がＲダイクロイックミラー及びＧダイクロイックミラーによって赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）に分離される。これら分離された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）は、コンデンサレンズ１１２を介して各ライトバルブへと入射される。各ライトバルブに入射された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）は、各ライトバルブの各画素に印加される駆動電圧に応じて偏光変調された後、ダイクロイックプリズムによって合成され、この合成された光が投射レンズによってスクリーン上に拡大投射される。
【００４０】
以上の様にして、この透過型液晶プロジェクタでは、ライトバルブによって変調された光に応じた映像をスクリーン上に拡大投影することでカラー映像表示を行なう。
【００４１】
ところで、各ライトバルブを構成する液晶表示素子は、上述した様に、周辺回路内のトランジスタの光リークを大幅に削減することが可能であることから、ここで示す透過型プロジェクタにおいても表示品位の信頼性の向上が実現する。
【００４２】
なお、本実施例では透過型プロジェクタのようにスクリーンに投影する投射型の液晶表示装置を例に挙げて説明を行なったが、本発明は液晶表示素子を直接見るような直視型の液晶表示装置にも広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明を適用した液晶表示素子の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的は平面図である。
【図２】本発明を適用した液晶表示素子の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的な断面図である。
【図３】図１及び図２に示す液晶表示素子の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図４】画素領域から周辺回路までの距離と横クロストークとの関係を示す図である。
【図５】本発明を適用した映像表示装置の一例である透過型液晶プロジェクタを説明するための模式図である。
【図６】従来のアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的な平面図である。
【図７】従来のアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を説明するための模式的な断面図である。
【図８】周辺部への写り込み及び写り込み対策を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    ビデオライン
２    水平走査回路
３    レベル変換回路
４    垂直走査回路
５    画素トランジスタ
６    周辺回路
７    反射防止膜
８    遮光壁
１０    石英基板
１１ａ  第１のポリシリコン層
１１ｂ  第１のポリシリコン層
１２    ＳｉＯ２層
１３    第２のポリシリコン層
１４    第１のアルミニウム膜
１５    第２のアルミニウム膜
１００    透過型液晶プロジェクタ
１０１    ランプ
１０３Ｒ  Ｒダイクロイックミラー
１０３Ｇ  Ｇダイクロイックミラー
１０４Ｒ  Ｒライトバルブ
１０４Ｇ  Ｇライトバルブ
１０４Ｂ  Ｂライトバルブ
１０５    ダイクロイックプリズム
１０６    投射レンズ
１０７    フライアイレンズ
１０８    偏光変換素子
１０９    フィルタ
１１０    全反射ミラー
１１１    リレーレンズ
１１２    コンデンサレンズ
【図１】
2007293077.tif 000003
【図２】
2007293077.tif 000004
【図３】
2007293077.tif 000005
【図４】
2007293077.tif 000006
【図５】
2007293077.tif 000007
【図６】
2007293077.tif 000008
【図７】
2007293077.tif 000009
【図８】
2007293077.tif 000010