(57)【要約】【課題】  ノズル製造工程が簡略なインクジェットノズル製造方法およびインクジェットノズルおよびインクジェットプリンタを提供する。【解決手段】  インク液供給用の穴加工を施した基板に第１の高分子樹脂で穴埋めを行う工程、基板上にノズルパターンの液流路型材を第２の高分子樹脂で形成する工程、この基板上に液流路形成用材料として第３の硬化型樹脂を被覆し仮硬化させる工程、第３の硬化型樹脂をパターンニング後に本硬化させる工程、前記液流路型材を構成する第２の高分子樹脂を除去して液流路を形成する工程、前記インク液供給路の穴埋め材を構成する第１の高分子樹脂を除去してインク液供給路を形成する工程、及び、吐出エネルギー発生手段を形成する工程を少なくとも有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、第１の高分子樹脂を加熱により揮発性モノマーに分解除去する。【選択図】  図１
2007313715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱抵抗体を有する基板面に対して垂直方向にインク液滴が吐出されるインクジェット記録ヘッドにおいて、前記基板上に感光性樹脂層からなるインク流路パターンを有し、前記発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有する上部保護層と、前記上部保護層の上に密着向上層を有するインクジェット記録ヘッドであって、
前記上部保護層と前記密着向上層を同時エッチングによってパターンを形成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
発熱抵抗体を有する基板面に対して垂直方向にインク液滴が吐出されるインクジェット記録ヘッドにおいて、前記基板上に感光性樹脂層からなるインク流路パターンを有し、前記発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有する上部保護層と、前記上部保護層の上に密着向上層を有するインクジェット記録ヘッドであって、
前記上部保護層と前記密着向上層を同時エッチングによってパターンを形成し、かつ、発熱抵抗体部のみ前記密着向上層を除去することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記密着向上層は珪素酸化物、珪素窒化物、または珪素炭化物のいずれかからなることを特徴とする請求項１および請求項２に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット記録方式に用いる記録液小滴を発生するためのインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクの小滴を発生させ、それを紙等の被プリント媒体に付着せしめてプリントを行うインクジェットプリント方式は、プリント時の騒音が極めて少なく、かつ高速プリントが可能であり、しかもインクジェット記録ヘッドを極めて小型化できるため、カラー化及びコンパクト化が容易であるプリント方式である。該インクジェットプリント方式のひとつに発熱素子によってインクを発泡せしめ、この気泡の成長を利用してインクを吐出するタイプがある。
【０００３】
記録技術の進展に伴い、インクジェット記録技術にもより高密度高精度な記録が求められている。この要求を満たすインクジェット記録ヘッドとして、特開平６−２８６１４９に示されるようなフォトリソ技術を用いて溶解可能な樹脂でインク液流路をパターニングし、該パターンをエポキシ樹脂等で被覆、硬化し、基板を切断した後に、その後溶解可能な樹脂を溶出除去する方法が提案されている。
【０００４】
前述した製造方法において、高密度かつ高精度のインクジェット記録ヘッドを得ることができるものの、近年、プリントスピードの高速化を達成するために、該ヘッドに搭載される吐出エレメントを長尺化する必要がある。また、インク組成を大幅に変更し、印字物の耐光性や耐ガス性を向上させる必要もあり、該新規インクを吐出するため吐出エレメントの構成材料も該新規インクに耐えうるものでなくてはならない。吐出エレメントの長尺化（特に０．５インチ以上）やインク組成の変更は、該構成部材の線膨張率の違い、液流路壁や吐出口を形成する樹脂層の応力等にひずみを生じ、また新規インクによっても界面に影響を与え、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層とヒータ基板上の上部保護層との間で剥離が発生してしまう。また、該上部保護層上に有機密着向上層を設けても、該密着向上層と前記上部保護層の界面付近で剥離が発生し、インクが基板上に浸透し、配線の腐食を引き起こしてしまい、その結果、良好な印字が得られず、長期に渡る品質信頼性を確保することが困難であった。したがって、インク吐出圧力発生素子が形成された基板上に珪素酸化物、珪素窒化物、珪素炭化物のいずれかからなる密着向上層を形成することにより、高精度に液流路形状を形成することと各膜間において剥離のない信頼性に優れたインクジェット記録ヘッドを得ることができ、０．５インチ以上に長尺化されたインクジェット記録ヘッドにおいても、液流路部材が剥離することなく、長期に渡り高い信頼性を得ることができる構造が提案されている。
【特許文献１】特開平６−２８６１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図２に密着向上層を形成した従来のインクジェット記録ヘッド基板の膜構成を示す。２０１は、シリコン基板。２０２は、熱酸化膜からなる蓄熱層を示すものであり、２０３は、蓄熱を兼ねる珪素酸化膜、珪素窒化膜等からなる層間膜、２０４は発熱抵抗体層、２０５はＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕなどの金属材料からなる配線としての電極層。２０６は珪素酸化膜、珪素窒化膜などからなる絶縁層としても機能する保護層を示す。２０７は、発熱抵抗体の発熱に伴う化学的、物理的衝撃から守るための上部保護層である。該上部保護層は、耐熱性、機械的特性、化学安定性、耐酸化性、耐インク性などに優れた膜特性が要求され、従来、貴金属やタンタル（Ｔａ）が用いられている。２０９は、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層とヒータ基板上の上部保護層との密着向上層である。該密着向上層は、珪素酸化物、珪素窒化物、珪素炭化物のいずれかが用いられている。また、３０１はインク供給口部、３０２はヒータ部を示す。
【０００６】
本来、前記密着向上層２０９は、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層とヒータ基板上の上部保護層との密着性向上、または、有機密着向上層とヒータ基板上の上部保護層との密着性向上を目的として設けられている。したがって、前記密着向上層はヒータ基板上の上部保護層が形成されている部分のみに設けられていれば、その機能は十分に満たされる。
【０００７】
しかしながら、従来構造（図２）において、上部保護層を成膜およびパターニングした後、ＳｉＯ膜等から成る密着向上層２０９の成膜およびパターニングを行おうとした場合、インク供給口部３０１においては、密着向上層を除去することができない。なぜなら、上部保護層パターニング時にインク供給口部の上部保護層は除去されており、密着向上層のパターニングではフッ酸を含む溶剤でウエットエッチングを行うため、密着向上層とその下層であるＳｉＮ膜（保護層２０６）との選択比が取れないからである。
【０００８】
したがって、インク供給口部の密着向上層は、インク液供給口を形成する工程でヒータ基板裏面より異方性エッチング法等によってインク流路を形成した後、フッ酸等を含む溶剤によってウエットエッチングを行う。この場合、ＳｉＯ膜の下層はポリメチルイソプロペニルケトンから成るレジスト材であり、該密着向上層はエッチング可能である。このように、従来技術においてはノズル形成工程において該密着向上層を除去する工程が追加されていた。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、インク吐出圧力発生素子が形成された基板上に前記密着向上層を形成する場合において、その機能を維持し、かつ、前記密着向上層を形成することにより増加したインク供給口形成工程のいくつかを削減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、発熱抵抗体を有する基板面に対して垂直方向にインク液滴が吐出されるインクジェット記録ヘッドにおいて、前記基板上に感光性樹脂層からなるインク流路パターンを有し、前記発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有する上部保護層と、前記上部保護層の上に密着向上層を有するインクジェット記録ヘッドであって、前記上部保護層と前記密着向上層の形状が同一であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上、説明したように、本発明によれば、インクジェット記録ヘッドにおいて、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層とヒータ基板上の上部保護層との密着性向上、または、有機密着向上層とヒータ基板上の上部保護層との密着性向上を目的とした密着向上層を形成する際に、前記上部保護層と前記密着向上層の形状を同一にすることにより、その機能を損なうことなく、インク供給口形成時における密着向上層を除去する工程を削減することができるため、生産性が向上する。
【００１２】
また、特に０．５インチ以上の長尺化されたインクジェット記録ヘッドの吐出エレメントを形成する際に、剥れのない吐出性能の安定した長期に渡って信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを提供することができ、さらには、高いインク選択自由度を有することとなり、耐光性や耐ガス性に優れた新規インク組成に対しても高い信頼性を有したインクジェット記録ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明のインクジェット記録ヘッド基板の断面模式図である。２０１は、シリコン基板。２０２は、熱酸化膜からなる蓄熱層を示すものであり、２０３は、蓄熱を兼ねる珪素酸化膜、珪素窒化膜等からなる層間膜、２０４は発熱抵抗体層、２０５はＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕなどの金属材料からなる配線としての電極層。２０６は珪素酸化膜、珪素窒化膜などからなる絶縁層としても機能する保護層を示す。２０７は、発熱抵抗体の発熱に伴う化学的、物理的衝撃から守るための上部保護層である。該上部保護層は、耐熱性、機械的特性、化学安定性、耐酸化性、耐インク性などに優れた膜特性が要求され、従来、貴金属やタンタル（Ｔａ）が用いられている。２０９は、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層とヒータ基板上の上部保護層との密着向上層である。該密着向上層は、珪素酸化物、珪素窒化物、珪素炭化物のいずれかが用いられている。また、３０１はインク供給口部、３０２はヒータ部を示す。本発明のインクジェット記録ヘッド基板においては、図１に示すように、前記上部保護層２０７が配置されている領域だけに、前記密着向上層２０９が形成されている。
【００１４】
以下、本発明におけるインクジェット記録ヘッドの製造方法の一例を、図３〜図１２を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１５】
図３から図１０および図１２は、本実施形態の記録ヘッドの製造工程を示す図である。同図では各工程におけるヒータ部の膜構造を模式的に示しているが、基板の全てにおける膜構造が以下に示す工程のいくつかの工程によって同時に形成されることは勿論である。
【００１６】
図３で、シリコン基板２０１にＳｉＯ膜（蓄熱層２０２）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光を行い、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００１７】
次に、ＡｌまたはＡｌ合金の膜（第１の電気配線膜）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００１８】
次に、図４で、ＳｉＯ膜（層間絶縁膜２０３）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００１９】
次に、図５で、ＴａＳｉＮ膜（発熱抵抗体層２０４）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００２０】
次に、図６で、ＡｌまたはＡｌ合金の膜（第２の電気配線膜２０５）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置、または、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００２１】
次に、図７で、ＳｉＮ膜（保護層２０６）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００２２】
次に、図８で、Ｔａ膜（上部保護層２０７）をスパッタ成膜装置により成膜を行う。該上部保護層２０７は、耐熱性、機械的特性、化学安定性、耐酸化性、耐インク性などに優れた膜特性が要求され、従来、貴金属やタンタル（Ｔａ）が用いられている。
【００２３】
次に、図９で、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）をＣＶＤ成膜装置により成膜を行う。該密着向上層２０９は、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層５とヒータ基板上の上部保護層２０７との密着向上層であり、前記珪素酸化物（ＳｉＯ膜）の他に、珪素窒化物、珪素炭化物のいずれかを用いる。
【００２４】
次に、図１０で、レジスト塗布／露光を行い、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）をウエットエッチング装置によりパターニングを行った後、Ｔａ膜（上部保護層２０７）を、ドライエッチング装置でパターニングを行う。これにより、上部保護層２０７と密着向上層２０９が同一形状となる。
【００２５】
ここで、本実施例では、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）のパターニング方法としてウエットエッチング法を用いた。ドライエッチング法を用いた場合、密着向上層成膜時の熱によってＴａ膜（上部保護層２０７）表面が酸化され、その酸化膜の影響でＴａ膜パターニング時に残渣が発生し、電極配線部で電極間ショートを引き起こす等の電気的トラブルが発生することがあった。それに対して、ウエットエッチング法を用いた場合、フッ酸等を含む溶剤でＳｉＯ膜のウエットエッチングを行うため、同時にＴａ膜表面の酸化膜が除去され、Ｔａ膜の残渣の発生が極めて少ない。したがって、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）のパターニング方法としては、ウエットエッチング法を用いた方が好ましい。
【００２６】
続いて、吐出エレメントの形成を図１２（ａ）〜（ｅ）で説明する。
【００２７】
図１２（ａ）で、前記ヒータ基板２００上にスピンコート法にて、有機密着向上層２を塗布する。該有機密着向上層の材料としては、ポリエーテルアミド樹脂を選択でき、該樹脂はアルカリエッチング耐性に優れ、且つ、シリコン等の無機膜との密着性も良好であり、さらには、インクジェット記録ヘッドの保護膜としても用いることができる等の利点があり、特に好ましいものである。その後フォトリソグラフィー技術により、所望の形状にパターニングを行う。このパターニングは、通常の有機膜のドライエッチングと同様の方法で行うことができる。すなわち、ポジ型のレジストをマスクとして、酸素ガスプラズマによりエッチングを行うことができる。また、前記有機密着向上層２を設けない場合でも、本発明の効果に影響はない。
【００２８】
次に、図１２（ｂ）で、最終的にインク液流路となるべく溶解可能な固体層３として、レジストを塗布する。該レジスト材料は、ポリメチルイソプロペニルケトンから成り、ネガ型のレジストとして作用し、インク液流路の形状にフォトリソ技術によりパターニングされる。
【００２９】
次に、図１２（ｃ），（ｄ）で、液流路壁や吐出口を形成すべく被覆樹脂層５を形成する。該被覆樹脂層５を形成する前に、密着向上のためシランカップリング処理などを適宜行うことができる。前記被覆樹脂層５は、従来、知られているコーティング法を適宜選択することができ、インク液流路パターンが形成されたヒータ基板上に塗布することができる。塗布された被膜樹脂層５は、フォトリソ技術にてパターニングされる。
【００３０】
その後、図１２（ｅ）で、ヒータ基板裏面よりインク液供給口７として、異方性エッチング法、サンドブラスト法、異方性プラズマエッチング法などにより、ヒータ基板裏面からインク供給口を形成する。最も好ましくは、テトラメチルヒドロキシアミン（ＴＭＡＨ）、ＮａＯＨやＫＯＨ等を用いた化学的シリコン異方性エッチング法により、インク液供給口７を形成した。
【００３１】
次に、溶解可能な固体層３，４を除去すべく、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光による全面露光を行った後、現像、乾燥を行った。
【００３２】
以上の工程によりノズル部が形成された基板を、ダイシングソーなどにより分離切断、チップ化し、発熱抵抗体を駆動するための電気的接合とインク供給部材の接合を行い、インクジェット記録ヘッドが完成する。
【実施例２】
【００３３】
図３から図１２は、本実施形態の記録ヘッドの製造工程を示す図である。同図では各工程におけるヒータ部の膜構造を模式的に示しているが、基板の全てにおける膜構造が以下に示す工程のいくつかの工程によって同時に形成されることは勿論である。
【００３４】
図３で、シリコン基板２０１にＳｉＯ膜（蓄熱層２０２）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光を行い、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００３５】
次に、ＡｌまたはＡｌ合金の膜（第１の電気配線膜）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００３６】
次に、図４で、ＳｉＯ膜（層間絶縁膜２０３）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００３７】
次に、図５で、ＴａＳｉＮ膜（発熱抵抗体層２０４）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００３８】
次に、図６で、ＡｌまたはＡｌ合金の膜（第２の電気配線膜２０５）をスパッタ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置、または、ウエットエッチング装置によりパターニングを行う。
【００３９】
次に、図７で、ＳｉＮ膜（保護層２０６）をＣＶＤ成膜装置により成膜／レジスト塗布／露光し、ドライエッチング装置によりパターニングを行う。
【００４０】
次に、図８で、Ｔａ膜（上部保護層２０７）をスパッタ成膜装置により成膜を行う。該上部保護層２０７は、耐熱性、機械的特性、化学安定性、耐酸化性、耐インク性などに優れた膜特性が要求され、従来、貴金属やタンタル（Ｔａ）が用いられている。
【００４１】
次に、図９で、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）をＣＶＤ成膜装置により成膜を行う。該密着向上層２０９は、液流路壁や吐出口を形成する被覆樹脂層５とヒータ基板上の上部保護層２０７との密着向上層であり、前記珪素酸化物（ＳｉＯ膜）の他に、珪素窒化物、珪素炭化物のいずれかを用いる。
【００４２】
次に、図１０で、レジスト塗布／露光を行い、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）をウエットエッチング装置によりパターニングを行った後、Ｔａ膜（上部保護層２０７）を、ドライエッチング装置でパターニングを行う。これにより、上部保護層２０７と密着向上層２０９が同一形状となる。
【００４３】
ここで、本実施例では、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）のパターニング方法としてウエットエッチング法を用いた。ドライエッチング法を用いた場合、密着向上層成膜時の熱によってＴａ膜（上部保護層２０７）表面が酸化され、その酸化膜の影響でＴａ膜パターニング時に残渣が発生し、電極配線部で電極間ショートを引き起こす等の電気的トラブルが発生することがあった。それに対して、ウエットエッチング法を用いた場合、フッ酸等を含む溶剤でＳｉＯ膜のウエットエッチングを行うため、同時にＴａ膜表面の酸化膜が除去され、Ｔａ膜の残渣の発生が極めて少ない。したがって、ＳｉＯ膜（密着向上層２０９）のパターニング方法としては、ウエットエッチング法を用いた方が好ましい。
【００４４】
次に、図１１で、発熱抵抗体層の発熱抵抗体で発生した熱がインクに作用する熱作用部２０８上にあるＳｉＯ膜（密着向上層２０９）をウエットエッチング装置によりパターニングを行う。ここで、実施例１では熱作用部２０８上においては密着向上層が存在しているが、インク突出時の発泡の安定性を考慮すると、図１１のように熱作用部２０８上においては、密着向上層２０９を除去した方が好ましい。
【００４５】
続いて、吐出エレメントの形成を図１２（ａ）〜（ｅ）で説明する。
【００４６】
図１２（ａ）で、前記ヒータ基板２００上にスピンコート法にて、有機密着向上層２を塗布する。該有機密着向上層の材料としては、ポリエーテルアミド樹脂を選択でき、該樹脂はアルカリエッチング耐性に優れ、且つ、シリコン等の無機膜との密着性も良好であり、さらには、インクジェット記録ヘッドの保護膜としても用いることができる等の利点があり、特に好ましいものである。その後フォトリソグラフィー技術により、所望の形状にパターニングを行う。このパターニングは、通常の有機膜のドライエッチングと同様の方法で行うことができる。すなわち、ポジ型のレジストをマスクとして、酸素ガスプラズマによりエッチングを行うことができる。また、前記有機密着向上層２を設けない場合でも、本発明の効果に影響はない。
【００４７】
次に、図１２（ｂ）で、最終的にインク液流路となるべく溶解可能な固体層３として、レジストを塗布する。該レジスト材料は、ポリメチルイソプロペニルケトンから成り、ネガ型のレジストとして作用し、インク液流路の形状にフォトリソ技術によりパターニングされる。
【００４８】
次に、図１２（ｃ），（ｄ）で、液流路壁や吐出口を形成すべく被覆樹脂層５を形成する。該被覆樹脂層５を形成する前に、密着向上のためシランカップリング処理などを適宜行うことができる。前記被覆樹脂層５は、従来、知られているコーティング法を適宜選択することができ、インク液流路パターンが形成されたヒータ基板上に塗布することができる。塗布された被膜樹脂層５は、フォトリソ技術にてパターニングされる。
【００４９】
その後、図１２（ｅ）で、ヒータ基板裏面よりインク液供給口７として、異方性エッチング法、サンドブラスト法、異方性プラズマエッチング法などにより、ヒータ基板裏面からインク供給口を形成する。最も好ましくは、テトラメチルヒドロキシアミン（ＴＭＡＨ）、ＮａＯＨやＫＯＨ等を用いた化学的シリコン異方性エッチング法により、インク液供給口７を形成した。
【００５０】
次に、溶解可能な固体層３，４を除去すべく、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光による全面露光を行った後、現像、乾燥を行った。
【００５１】
以上の工程によりノズル部が形成された基板を、ダイシングソーなどにより分離切断、チップ化し、発熱抵抗体を駆動するための電気的接合とインク供給部材の接合を行い、インクジェット記録ヘッドが完成する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明におけるヒータ基板の基本的な断面模式図である。
【図２】従来のヒータ基板の断面模式図である。
【図３】図４〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図４】図３および図５〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図５】図３，図４および図６〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図６】図３〜図５および図７〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図７】図３〜図６および図８〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図８】図３〜図７および図９〜図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図９】図３〜図８および図１０，図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図１０】図３〜図９および図１１と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図１１】図３〜図１０と共に本実施形態のヒータ基板の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明における吐出エレメントの基本的な製造工程の一例を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
２  有機密着向上層
３  溶解可能な樹脂層（インク流路部）
４  溶解可能な樹脂層（土台部）
５  被覆樹脂層
６  インク吐出口
７  インク供給口
８  溶解可能な固体層除去のための貫通口
２００  ヒータ基板
２０１  シリコン基板
２０２  蓄熱層
２０３  層間膜
２０４  発熱抵抗体層
２０５  電極層
２０６  絶縁層
２０７  上部保護層
２０８  熱作用部
２０９  密着向上層
３０１  インク供給口部
３０２  ヒータ部
【図１】
2007313715.tif 000003
【図２】
2007313715.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007313715.tif 000013
【図１２】
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