(57)【要約】【課題】光ディスクの記録面にディフェクトが存在しても、ＴＥ信号が乱れることを極力抑え、ディフェクトによるトラッキングの乱れが少なくなるようにする。【解決手段】２つのサブビームより得られた２つの信号がそれぞれ入力される第１の微分回路１０１、第２の微分回路１０２と、第１の微分回路１０１および第２の微分回路１０２の出力と所定の基準電圧とをそれぞれ比較する第１のコンパレータ１０３、第２のコンパレータ１０４と、第１のコンパレータ１０３、第２のコンパレータ１０４の出力に応じた値を記憶する記憶回路１０５と、記憶回路１０５の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第１のサンプルホールド回路１０６と第２のサンプルホールド回路１０７とを設ける。そして、第１のサンプルホールド回路１０６と第２のサンプルホールド回路１０７の出力の減算結果をＴＥ信号として出力する。【選択図】図１
2007179693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのサブビームを用いてトラッキングエラー信号を検出する光ディスク装置であって、
光ディスク上のディフェクトを２つのサブビームより得られたそれぞれの信号の微分値より検出するとともに、前記それぞれの信号の微分値に応じ、トラッキング制御をホールドすることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１の光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を微分する第１の微分回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を微分する第２の微分回路と、
前記第１の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第１のコンパレータと、
前記第２の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第２のコンパレータと、
前記第１および第２のコンパレータの出力に応じ、ディフェクト上をビームが通過する期間を示すディフェクト検出信号を出力する記憶回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を入力とし、前記記憶回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第１のサンプルホールド回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を入力とし、前記記憶回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第２のサンプルホールド回路と、
前記第１のおよび第２のサンプルホールド回路の出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１の光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を微分する第１の微分回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を微分する第２の微分回路と、
前記第１の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第１のコンパレータと、
前記第２の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力に応じ、一方のサブビームがディフェクト上を通過する期間を示す信号を出力する第１の記憶回路と、
前記第２のコンパレータの出力に応じ、他方のサブビームがディフェクト上を通過する期間を示す信号を出力する第２の記憶回路と、
前記第１および第２の記憶回路の出力を入力とし、ディフェクト上をビームが通過する期間を示すディフェクト検出信号を出力するＯＲ回路と
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を入力とし、前記ＯＲ回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第１のサンプルホールド回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を入力とし、前記ＯＲ回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第２のサンプルホールド回路と、
前記第１のおよび第２のサンプルホールド回路の出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
２つのサブビームを用いてトラッキングエラー信号を検出する光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方をＡＤ変換する第１のＡＤ変換回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方をＡＤ変換する第２のＡＤ変換回路と、
前記第１のおよび第２のＡＤ変換回路のそれぞれの出力に、一定以上の変化量を検出した場合に、それぞれの出力を変化前の値に保持する演算回路と、
前記演算回路が保持している前記第１のおよび第２のＡＤ変換回路のそれぞれの出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項４の光ディスク装置であって、
前記演算回路は、
前記第１のＡＤ変換回路の出力を入力とする第１の記憶回路と、
前記第２のＡＤ変換回路の出力を入力とする第２の記憶回路と、
前記第１のＡＤ変換回路の出力と前記第１の記憶回路の出力を入力とする第１のコンパレータと、
前記第２のＡＤ変換回路の出力と前記第２の記憶回路の出力を入力とする第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力と前記第２のコンパレータの出力とを入力とするＯＲ回路を備え、
前記第１および第２の記憶回路は、前記ＯＲ回路の出力に応じ、入力された信号をサンプルする状態と値を記憶したままの状態の何れかに制御されるように構成されていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項５の光ディスク装置であって、
前記第１のコンパレータは、Ｎ回目にサンプリングした前記第１のＡＤ変換回路の出力のレベルとＮ−１回目にサンプリングしたレベルとの差を求めて出力の変化を検出し、所定以上の変化があった場合に、前記第１の記憶回路に前記第１のＡＤ変換回路の出力が保持されるように出力を行なうとともに、次に、サンプリングした前記第１のＡＤ変換回路の出力レベルと前記第１の記憶回路に保持されている値との差を求め、所定以上の差があった場合に、前記第１のＡＤ変換回路の出力の変化の検出を再開するように構成され、
前記第２のコンパレータは、Ｎ回目にサンプリングした前記第２のＡＤ変換回路の出力のレベルとＮ−１回目にサンプリングしたレベルとの差を求めて出力の変化を検出し、所定以上の変化があった場合に、前記第２の記憶回路に前記第２のＡＤ変換回路の出力が保持されるように出力を行なうとともに、次に、サンプリングした前記第２のＡＤ変換回路の出力レベルと前記第２の記憶回路に保持されている値との差を求め、所定以上の差があった場合に、前記第２のＡＤ変換回路の出力の変化の検出を再開するように構成されていることを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに記録された情報を再生出力する３ビーム方式の光ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）等の光ディスクを再生する装置では、ディスク上のピット列を有するトラックに、光ピックアップからのビームによる読み取りスポットを追従させるためのトラッキング制御（トラッキングサーボ）が不可欠である。トラッキングサーボは、光ピックアップで検出された光ディスクからの戻り光（反射光）に基づく信号から生成したトラッキングエラー信号に基づいて行われている。
【０００３】
しかし、ディスク面に傷があったり、異物が付着していたり、あるいは記録されているピットが損相している場合（これらのような場合をディフェクトと称する）には、ビームがディフェクト部分に突入する際に、ディフェクトによりトラッキングエラー信号に乱れが生じてビームのトラッキングが変更され、ディフェクト部分からビームが脱出した際にトラッキングが乱れたり外れたりしてしまう可能性がある。
【０００４】
これに対しては、光ピックアップから得られるＲＦ信号のレベル変化に着目してディフェクト期間（ディフェクト上をビームが通過する期間）を検出し、その期間中はトラッキングエラー信号をミュート（適当な中間レベルの信号に固定）したり、ディフェクト期間の直前のレベルに固定したりすることで、ディフェクト期間におけるトラッキングエラー信号の乱れを抑え、ディフェクトによるトラッキングのずれの発生の減少を図るようにした光ディスク装置がある（例えば、特許文献１を参照）。
【０００５】
これを３ビーム方式の光ディスク装置に適用する場合には、図７に示す構成の光ディスク装置４００が考えられる。なお、３ビーム方式の光ディスク装置では、メインビームと２つのサブビームを用いて再生が行なわれる。ここで、２つのサブビームの一方は、メインビームに対して先行するビーム（先行サブビームと呼ぶ）であり、他方は、メインビームに対して後続するビーム（後続サブビームと呼ぶ）である。
【０００６】
図７において、４０１は光ピックアップであり、メインビームの戻り光（反射光）を検出する４分割されたメインビームセンサ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）と、メインビームセンサの前後で、かつピットの走査方向に対して両側（左右）に配された２つのサブビームセンサ（Ｅ、Ｆ）を備えている。サブビームセンサは、トラッキングサーボのために使用されるものであり、サブビームの戻り光（反射光）を検出するようになっている。ここで、先行サブビームの戻り光を検出するサブビームセンサをサブビームセンサＥ、後続サブビームの戻り光を検出するサブビームセンサをサブビームセンサＦとし、サブビームセンサＥで検出された信号をＥ信号、サブビームセンサＦで検出された信号をＦ信号とする。
【０００７】
また、光ピックアップ４０１は、トラッキングアクチュエータを備え、トラッキングアクチュエータのドライバアンプへ所定の信号が供給されることによって、トラッキングサーボを行なえるようになっている。
【０００８】
４０２、４０３は光ピックアップ４０１に接続された第１および第２の出力端子であり、第１の出力端子４０２にはＥ信号、第２の出力端子４０３にはＦ信号が出力されている。
【０００９】
４０４は光ピックアップ４０１に接続された第３の出力端子であり、メインビームセンサにより電気信号に変換された４つの電気信号（Ａ〜Ｄ信号と呼ぶ）を加算した信号（ＲＦ信号）を出力するようになっている。
【００１０】
４０５は第１の出力端子４０２および第２の出力端子４０３に接続され、Ｅ信号とＦ信号からＥ−Ｆの演算を行い、トラッキングエラー信号（ＴＥ信号）を生成するＴＥ信号生成部である。
【００１１】
４０６は、第３の出力端子４０４に接続され、ＲＦ信号を一定振幅に正規化するＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）である。
【００１２】
４０７は正規化されたＲＦ振幅を基に、ディフェクト期間を検出するディフェクト期間検出部であり、ディフェクト期間を示す信号（ディフェクト期間信号）を出力するようになっている。
【００１３】
４０８はＴＥ信号を用いてトラッキングサーボを行うトラッキング制御部である。この、トラッキング制御部４０８は、サーボホールド回路４０９を含んでいる。サーボホールド回路４０９は、ディフェクト期間信号に基づいて、ＴＥ信号をディフェクト期間前の値（レベル）にホールドする回路である。
【００１４】
４１０は、ディフェクト期間信号に基づいて、ＡＧＣ４０６のゲインをホールドするＡＧＣホールド回路である。
【００１５】
４１１は、フォーカスサーボを行なうための制御信号を生成するフォーカス制御部である。また４１２は情報が記録された光ディスクである。
【００１６】
上記の光ディスク装置４００では、ＴＥ信号はトラッキング制御部４０８を介して光ピックアップ４０１内のトラッキングアクチュエータのドライバアンプに供給される。これによりトラッキングサーボが行われつつ、光ディスク４１２に記録された情報からＲＦ信号が生成され、フォーカス制御部４１１でフォーカスサーボが行われて再生が行われる。
【特許文献１】特開昭６１−９６５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、ディフェクト期間の検出を光ピックアップ４０１から得られるＲＦ信号のレベル変化に基づいて行なったのでは、ビームがディフェクトに突入してから、ＲＦ信号のレベルが低下してディフェクト期間であることが検出されるまでに、多少のタイムラグがある。
【００１８】
図８は、ディスク表面上における、メインビーム、サブビーム、ディフェクトの位置関係を示す図である。同図において、２０はメインビーム、２１は先行サブビーム、２２は後続サブビーム、２３はディフェクトである。ディスクの回転方向に対して、先行サブビーム、メインビーム、後続サブビームの順番に並んでいる。ここで、図８に示すように、ディスク表面上にディフェクトが存在する場合、ディフェクト突入時のＥ信号とＦ信号は、図９に示すように、急峻に減衰する。したがって、ＲＦ信号のレベルに基づいてディフェクト期間の検出を行った場合、トラッキングサーボがホールドされる際のＴＥ信号の振幅が大きくなる。また、トラッキングサーボのホールドが解除された瞬間のＴＥ信号の変動が大きくなる。それゆえ、ディフェクトによるトラッキングの乱れが大きくなり、最悪の場合にはサーボが外れてしまう可能性があった。
【００１９】
本発明は、前記の問題に着目してなされたものであり、光ディスクの記録面にディフェクトが存在しても、ＴＥ信号が乱れることを極力抑え、ディフェクトによるトラッキングの乱れが少ない光ディスク装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記の課題を解決するため、請求項１の発明は、
２つのサブビームを用いてトラッキングエラー信号を検出する光ディスク装置であって、
光ディスク上のディフェクトを２つのサブビームより得られたそれぞれの信号の微分値より検出するとともに、前記それぞれの信号の微分値に応じ、トラッキング制御をホールドすることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項２の発明は、
請求項１の光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を微分する第１の微分回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を微分する第２の微分回路と、
前記第１の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第１のコンパレータと、
前記第２の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第２のコンパレータと、
前記第１および第２のコンパレータの出力に応じ、ディフェクト上をビームが通過する期間を示すディフェクト検出信号を出力する記憶回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を入力とし、前記記憶回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第１のサンプルホールド回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を入力とし、前記記憶回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第２のサンプルホールド回路と、
前記第１のおよび第２のサンプルホールド回路の出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする。
【００２２】
これらにより、トラッキングエラー信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、トラッキングの乱れを少なくすることができる。
【００２３】
また、請求項３の発明は、
請求項１の光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を微分する第１の微分回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を微分する第２の微分回路と、
前記第１の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第１のコンパレータと、
前記第２の微分回路の出力と所定の基準電圧とを比較する第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力に応じ、一方のサブビームがディフェクト上を通過する期間を示す信号を出力する第１の記憶回路と、
前記第２のコンパレータの出力に応じ、他方のサブビームがディフェクト上を通過する期間を示す信号を出力する第２の記憶回路と、
前記第１および第２の記憶回路の出力を入力とし、ディフェクト上をビームが通過する期間を示すディフェクト検出信号を出力するＯＲ回路と
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方を入力とし、前記ＯＲ回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第１のサンプルホールド回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方を入力とし、前記ＯＲ回路の出力に応じ、サンプル状態とホールド状態とが切り替わる第２のサンプルホールド回路と、
前記第１のおよび第２のサンプルホールド回路の出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする。
【００２４】
これにより、２つのサブビームを用いてディフェクトを検出するので、サブビームの一方のみしかディフェクトを通過しなかった場合にも確実にディフェクト期間を検出することが可能になる。
【００２５】
また、請求項４の発明は、
２つのサブビームを用いてトラッキングエラー信号を検出する光ディスク装置であって、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の一方をＡＤ変換する第１のＡＤ変換回路と、
前記２つのサブビームより得られた２つの信号の他方をＡＤ変換する第２のＡＤ変換回路と、
前記第１のおよび第２のＡＤ変換回路のそれぞれの出力に、一定以上の変化量を検出した場合に、それぞれの出力を変化前の値に保持する演算回路と、
前記演算回路が保持している前記第１のおよび第２のＡＤ変換回路のそれぞれの出力を入力とし、減算結果を前記トラッキングエラー信号として出力する減算回路と、
を備えたことを特徴とする。
【００２６】
また、請求項５の発明は、
請求項４の光ディスク装置であって、
前記演算回路は、
前記第１のＡＤ変換回路の出力を入力とする第１の記憶回路と、
前記第２のＡＤ変換回路の出力を入力とする第２の記憶回路と、
前記第１のＡＤ変換回路の出力と前記第１の記憶回路の出力を入力とする第１のコンパレータと、
前記第２のＡＤ変換回路の出力と前記第２の記憶回路の出力を入力とする第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力と前記第２のコンパレータの出力とを入力とするＯＲ回路を備え、
前記第１および第２の記憶回路は、前記ＯＲ回路の出力に応じ、入力された信号をサンプルする状態と値を記憶したままの状態の何れかに制御されるように構成されていることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項６の発明は、
請求項５の光ディスク装置であって、
前記第１のコンパレータは、Ｎ回目にサンプリングした前記第１のＡＤ変換回路の出力のレベルとＮ−１回目にサンプリングしたレベルとの差を求めて出力の変化を検出し、所定以上の変化があった場合に、前記第１の記憶回路に前記第１のＡＤ変換回路の出力が保持されるように出力を行なうとともに、次に、サンプリングした前記第１のＡＤ変換回路の出力レベルと前記第１の記憶回路に保持されている値との差を求め、所定以上の差があった場合に、前記第１のＡＤ変換回路の出力の変化の検出を再開するように構成され、
前記第２のコンパレータは、Ｎ回目にサンプリングした前記第２のＡＤ変換回路の出力のレベルとＮ−１回目にサンプリングしたレベルとの差を求めて出力の変化を検出し、所定以上の変化があった場合に、前記第２の記憶回路に前記第２のＡＤ変換回路の出力が保持されるように出力を行なうとともに、次に、サンプリングした前記第２のＡＤ変換回路の出力レベルと前記第２の記憶回路に保持されている値との差を求め、所定以上の差があった場合に、前記第２のＡＤ変換回路の出力の変化の検出を再開するように構成されていることを特徴とする。
【００２８】
これらにより、トラッキングエラー信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、トラッキングエラー信号（ＴＥ信号）が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、ディフェクトによるトラッキングの乱れを少なくすることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３１】
《発明の実施形態１》
図１は本発明の実施形態１に係る光ディスク装置１００の構成を示すブロック図である。また、図２は光ディスク装置１００に関する信号波形を示すものである。
【００３２】
なお、光ディスク装置１００は、３ビーム方式の光ディスク装置の例であり、メインビームと２つのサブビームを用いて再生が行なわれるものとする。ここで、２つのサブビームの一方は、メインビームに対して先行するビーム（先行サブビームと呼ぶ）であり、他方は、メインビームに対して後続するビーム（後続サブビームと呼ぶ）である。また、先行サブビームの戻り光から得られた信号をＥ信号、後続サブビームの戻り光から得られた信号をＦ信号とする。
【００３３】
図１において１０１と１０２はそれぞれＥ信号およびＦ信号が入力される第１の微分回路および第２の微分回路である。
【００３４】
１０３と１０４は入力として第１の微分回路１０１、および第２の微分回路１０２の出力がそれぞれ接続された第１のコンパレータおよび第２のコンパレータである。
【００３５】
第１のコンパレータ１０３は、入力された第１の微分回路１０１の出力と基準電圧Ｖｔｈ１とを比較し、その結果を記憶回路１０５に出力する。一方、第２のコンパレータ１０４は、第２の微分回路１０２の出力と基準電圧Ｖｔｈ２とを比較し、その結果を記憶回路１０５に出力する。
【００３６】
１０５は入力として第１のコンパレータ１０３、および第２のコンパレータ１０４の出力が接続された記憶回路である。記憶回路１０５は、第１のコンパレータ１０３での比較の結果、第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ１よりも下回った場合に、Ｈｉｇｈレベル（以下、Ｈレベルと略記）の信号を出力して、第１のサンプルホールド回路１０６、および第２のサンプルホールド回路１０７をホールド状態に制御するとともに、Ｈレベルの信号を、ディフェクト期間（ディフェクト上をビームが通過する期間）を示す信号（ディフェクト検出信号）として出力する。
【００３７】
また、記憶回路１０５は、第２のコンパレータ１０４での比較の結果、第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ２よりも上回った場合に、Ｌｏｗレベル（以下、Ｌレベルと略記）の信号を出力し、第１のサンプルホールド回路１０６、および第２のサンプルホールド回路１０７をサンプル状態にもどす。
【００３８】
１０６と１０７は入力として記憶回路１０５の出力とＥ信号とＦ信号がそれぞれ接続された第１のサンプルホールド回路および第２のサンプルホールド回路である。第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７はそれぞれスイッチ１０６ａおよびスイッチ１０７ａを備えている。スイッチ１０６ａおよびスイッチ１０７ａのオンオフが、記憶回路１０５の出力に応じて切り替えられ、上記のようにサンプル状態とホールド状態とが切り替えられる。
【００３９】
１０８は入力として第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７の出力が接続された減算回路であり、Ｅ信号とＦ信号の差分をトラッキングエラー信号（ＴＥ信号）として出力するようになっている。
【００４０】
以上のように構成された光ディスク装置１００について、その動作を説明する。
【００４１】
通常（ディフェクト部分にビームスポットが入っていない場合）は、第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７は、記憶回路１０５の出力に応じて、サンプル状態に固定されている。このとき、Ｅ信号およびＦ信号は、それぞれ第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７を介して減算回路１０８に入力される。そして、減算回路１０８によって、Ｅ信号とＦ信号の差分がＴＥ信号として出力される。
【００４２】
ここで、光ディスク面のディフェクトにビームスポットが突入した場合、Ｅ信号、およびＦ信号は急峻に減衰する。その際、第１の微分回路１０１の出力信号は、基準電圧Ｖｔｈ１を下回るような通常のレベルよりも大きな出力振幅が得られる。第１のコンパレータ１０３は、第１の微分回路１０１の出力と基準電圧Ｖｔｈ１とを比較する。第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ１よりも下回った場合に、記憶回路１０５はＨレベルの信号を出力し、第１のサンプルホールド回路１０６、および第２のサンプルホールド回路１０７をホールド状態にする。さらにディフェクト検出信号としてＨレベルの信号を出力する。
【００４３】
また、ディフェクトからビームスポットが外れた場合は、第２の微分回路１０２の出力信号は、基準電圧Ｖｔｈ２を上回るような通常のレベルよりも大きな出力振幅が得られる。第２のコンパレータ１０４は第２の微分回路１０２の出力とＶｔｈ２とを比較する。第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ２よりも上回った場合に、記憶回路１０５はＬレベルの信号を出力し、第１のサンプルホールド回路１０６、および第２のサンプルホールド回路１０７をサンプル状態にもどす。
【００４４】
以上のように本実施形態によれば、ＴＥ信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、トラッキングの乱れを少なくすることができる。また、従来はディフェクト検出回路としてピークホールド回路やレベルシフト回路など多数の回路を必要としていたため回路が複雑になっていたが、この実施形態により回路の簡素化が可能となる。
【００４５】
《発明の実施形態２》
図３は本発明の実施形態２に係る光ディスク装置２００の構成を示すブロック図である。また、図４は光ディスク装置２００に関する信号波形を示すものである。なお、以下に説明する各実施形態において、前記実施形態１等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４６】
図３に示すように、光ディスク装置２００は、第１の微分回路１０１、第２の微分回路１０２、第１のサンプルホールド回路１０６、第２のサンプルホールド回路１０７、減算回路１０８、第１のコンパレータ２０１、第２のコンパレータ２０２、第１の記憶回路２０３、第２の記憶回路２０４、およびＯＲ回路２０５を備えて構成されている。
【００４７】
第１のコンパレータ２０１、および第２のコンパレータ２０２は、入力として第１の微分回路１０１、第２の微分回路１０２の出力がそれぞれ接続されたコンパレータである。
【００４８】
第１のコンパレータ２０１は、入力された第１の微分回路１０１の出力を、基準電圧Ｖｔｈ３、および基準電圧Ｖｔｈ４と比較し、その結果を第１の記憶回路２０３に出力する。一方、第２のコンパレータ２０２は、入力された第２の微分回路１０２の出力を、基準電圧Ｖｔｈ５、および基準電圧Ｖｔｈ６と比較し、その結果を第２の記憶回路２０４に出力する。
【００４９】
第１の記憶回路２０３と第２の記憶回路２０４とは、入力としてそれぞれ第１のコンパレータ２０１、および第２のコンパレータ２０２の出力が接続された記憶回路である。
【００５０】
詳しくは、第１の記憶回路２０３は、第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ４よりも下回った場合に、Ｈレベルの信号を出力するとともに、第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ３よりも上回った場合に、Ｌレベルの信号を出力する。
【００５１】
また、第２の記憶回路２０４は、第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ６よりも下回った場合にＨレベルの信号を出力するとともに、第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ５よりも上回った場合にＬレベルの信号を出力する。
【００５２】
ＯＲ回路２０５は、第１の記憶回路２０３および第２の記憶回路２０４の出力信号が入力され、出力がスイッチ１０６ａおよびスイッチ１０７ａに接続されたＯＲ回路である。
【００５３】
以上のように構成された光ディスク装置２００について、その動作を説明する。
【００５４】
通常（ディフェクト部分にビームスポットが入っていない場合）は、第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７は、ＯＲ回路２０５の出力に応じて、サンプル状態に固定されている。このとき、Ｅ信号およびＦ信号は、それぞれ第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７を介して減算回路１０８に入力される。そして、減算回路１０８によって、Ｅ信号とＦ信号の差分がＴＥ信号として出力される。
【００５５】
ここで、光ディスク面のディフェクトにビームスポットが突入した場合、Ｅ信号、およびＦ信号は急峻に減衰する。その際、第１の微分回路１０１、および第２の微分回路１０２の出力信号は、それぞれ基準電圧Ｖｔｈ４、Ｖｔｈ６を下回るような通常のレベルよりも大きな出力振幅が得られる。第１のコンパレータ２０１は、第１の微分回路１０１が出力した信号と基準電圧Ｖｔｈ４とを比較し、第１のコンパレータ２０１は、第２の微分回路１０２が出力した信号と基準電圧Ｖｔｈ６とを比較する。
【００５６】
第１の記憶回路２０３は、第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ４よりも下回った場合に、Ｈレベルの信号を出力する。また、第２の記憶回路２０４は、第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ６よりも下回った場合にＨレベルの信号を出力する。
【００５７】
ＯＲ回路２０５は、第１の記憶回路２０３の出力と第２の記憶回路２０４の出力との論理和を求めた後、第１のサンプルホールド回路１０６、および第２のサンプルホールド回路１０７をホールド状態にする。さらに、ディフェクト検出信号としてＨレベルの信号を出力する。
【００５８】
また、ディフェクトからビームスポットが外れた場合は、第１の微分回路１０１および第２の微分回路１０２の出力信号は、それぞれ基準電圧Ｖｔｈ３、Ｖｔｈ５を上回るような通常のレベルよりも大きな出力振幅が得られる。
【００５９】
第１のコンパレータ２０１は、第１の微分回路１０１が出力した信号と基準電圧Ｖｔｈ３とを比較し、第２のコンパレータ２０２は、第２の微分回路１０２が出力した信号と基準電圧Ｖｔｈ５とを比較する。
【００６０】
第１の記憶回路２０３は、第１の微分回路１０１の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ３よりも上回った場合に、Ｌレベルの信号を出力する。また、第２の記憶回路２０４は第２の微分回路１０２の出力信号の電圧が基準電圧Ｖｔｈ５よりも上回った場合に、Ｌレベルの信号を出力する。ＯＲ回路２０５は、第１の記憶回路２０３の出力と第２の記憶回路２０４の出力との論理和を求めた後、第１のサンプルホールド回路１０６および第２のサンプルホールド回路１０７をサンプル状態にもどす。
【００６１】
以上のように本実施形態においてもやはり、実施形態１と同様に、ＴＥ信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、比較的簡素な回路構成で、トラッキングの乱れを少なくすることができる。
【００６２】
しかも、Ｅ信号とＦ信号の両方を用いてディフェクトを検出するので、サブビームの一方のみしかディフェクトを通過しなかった場合にも、実施形態１の光ディスク装置１００よりも確実に、ディフェクト期間を検出することが可能になる。
【００６３】
《発明の実施形態３》
図５は本発明の実施形態３に係る光ディスク装置３００の構成を示すブロック図である。また、図６は光ディスク装置３００に関する信号波形を示すものである。
【００６４】
図５に示すように、光ディスク装置３００は、第１のＡ／Ｄ変換器３０１、第２のＡ／Ｄ変換器３０２、第１のコンパレータ３０３、第２のコンパレータ３０４、第１の記憶回路３０５、第２の記憶回路３０６、ＯＲ回路３０７、および減算回路３０８を備えて構成されている。
【００６５】
第１のＡ／Ｄ変換器３０１、および第２のＡ／Ｄ変換器３０２は、それぞれＥ信号、およびＦ信号の明レベルにタイミングを合わせて、それぞれＥ信号、およびＦ信号をＡＤ変換するようになっている。ここで、第１のＡ／Ｄ変換器３０１および第２のＡ／Ｄ変換器３０２によってＡＤ変換された信号を、それぞれ信号Ｅ’および信号Ｆ’と呼ぶ。
【００６６】
第１のコンパレータ３０３は、所定のタイミングで第１のＡ／Ｄ変換器３０１の出力をサンプリングし、時間ｔにおける信号Ｅ’と時間（ｔ−１）における信号Ｅ’とを比較し、所定以上の差がある場合には、Ｈレベルの信号を出力するとともに、その後は、所定のタイミングで、第１のＡ／Ｄ変換器３０１が出力した信号Ｅ’と第１の記憶回路３０５に記憶されている信号Ｅ’とを比較し、所定以上の差がある場合には、Ｌレベルの信号を出力するようになっている。ここで、例えば時間ｔは、ｔ回目のサンプリングが行なわれた時刻を示している。
【００６７】
第２のコンパレータ３０４は、第１のコンパレータ３０３と同じ構成の回路であり、入力される信号が信号Ｆ’および第２の記憶回路３０６の出力である点が異なっている。
【００６８】
第１の記憶回路３０５は、信号Ｅ’を記憶する回路であり、入力された制御信号に応じて、信号Ｅ’のサンプル状態と、値を記憶したままの状態の何れかに制御されるようになっている。また、第２の記憶回路３０６は、信号Ｆ’を記憶する回路であり、入力された制御信号に応じて、信号Ｆ’のサンプル状態と、値を記憶したままの状態の何れかに制御されるようになっている。第１の記憶回路３０５、および第２の記憶回路３０６の状態を制御する制御信号は、ＯＲ回路３０７の出力信号である。
【００６９】
ＯＲ回路３０７は、第１のコンパレータ３０３の出力と第２のコンパレータ３０４の出力とが入力されたＯＲ回路である。
【００７０】
上記の第１のコンパレータ３０３、第２のコンパレータ３０４、第１の記憶回路３０５、第２の記憶回路３０６、およびＯＲ回路３０７によって、第１のＡ／Ｄ変換器３０１と第２のＡ／Ｄ変換器３０２のそれぞれの出力に、一定以上の変化量を検出され場合に、それぞれの出力を変化前の値に保持する演算回路が構成される。
【００７１】
減算回路３０８は、第１の記憶回路３０５、および第２の記憶回路３０６の出力信号を入力とする減算回路である。
【００７２】
以上のように構成された光ディスク装置３００について、その動作を説明する。
【００７３】
第１のＡ／Ｄ変換器３０１、および第２のＡ／Ｄ変換器３０２は、それぞれＥ信号、Ｆ信号の明レベルにタイミングを合わせてＡＤ変換を行なう。これにより、ＲＦ信号成分を除去した状態の信号を得ることができる。
【００７４】
通常（ディフェクト部分にビームスポットが入っていない場合）は、信号Ｅ’および信号Ｆ’は、それぞれ第１の記憶回路３０５、第２の記憶回路３０６を介して、減算回路３０８に入力される。そして減算回路３０８によって、信号Ｅ’と信号Ｆ’の差分がＴＥ信号として出力される。
【００７５】
この際、第１の記憶回路３０５、第２の記憶回路３０６はサンプル状態にあり、時間Ｔにおける信号Ｅ’および信号Ｆ’は、時間（Ｔ＋１）に減算回路３０８に入力されている。
【００７６】
例えば、時間ｔにおいて光ディスク面のディフェクトにビームスポットが突入した場合、Ｅ信号、Ｆ信号は急峻に減衰する。
【００７７】
第１のコンパレータ３０３は、時間ｔにおける信号Ｅ’と時間（ｔ−１）における信号Ｅ’とを比較し、また第２のコンパレータ３０４は、時間ｔにおける信号Ｆ’と時間（ｔ−１）における信号Ｆ’とを比較する。
【００７８】
比較の結果、一定値以上の差がある場合には、第１のコンパレータ３０３、および第２のコンパレータ３０４は、Ｈレベルの信号を出力する。これにより、ＯＲ回路３０７は、Ｈレベルの信号を出力し、第１の記憶回路３０５、および第２の記憶回路３０６が、時間（ｔ−１）の値を記憶したままの状態に制御される。また、ＯＲ回路３０７は、Ｈレベルの信号をディフェクト検出信号として出力する。
【００７９】
また、ディフェクトからビームスポットが外れる場合は、第１のコンパレータ３０３は、時間（ｔ−１）における信号Ｅ’と時間（ｔ＋ｎ）における信号Ｅ’とを比較し、また、第２のコンパレータ３０４は、時間（ｔ−１）における信号Ｆ’と時間（ｔ＋ｎ）における信号Ｆ’とを比較する。そして、比較の結果、差が一定値以内の場合には、第１のコンパレータ３０３、および第２のコンパレータ３０４は、Ｌレベルの信号を出力する。これにより、ＯＲ回路３０７は、Ｌレベルの信号を出力し、第１の記憶回路３０５、および第２の記憶回路３０６がサンプル状態に制御される。
【００８０】
以上のように本実施形態においても、ＴＥ信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、トラッキングの乱れを少なくすることができる。また、従来はディフェクト検出回路としてピークホールド回路やレベルシフト回路など多数の回路を必要としていたため回路が複雑になっていたが、この実施形態により回路の簡素化が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明に係る光ディスク装置は、ＴＥ信号が大きく乱れる前に、トラッキング制御のホールドを行うことが可能になるので、ディフェクトによるトラッキングの乱れを少なくすることが可能になるという効果を有し、光ディスクに記録された情報を再生出力する３ビーム方式の光ディスク装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態１に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】実施形態１に係る光ディスク装置に関する信号波形を示すものである。
【図３】実施形態２に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図４】実施形態２に係る光ディスク装置に関する信号波形を示すものである。
【図５】実施形態３に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図６】実施形態３に係る光ディスク装置に関する信号波形を示す図である。
【図７】従来の３ビーム方式の光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図８】ディスク面上における、メインビーム、サブビーム、ディフェクトの位置関係を示す図である。
【図９】従来の光ディスク装置における各部の信号波形を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１００      光ディスク装置
１０１      第１の微分回路
１０２      第２の微分回路
１０３      第１のコンパレータ
１０４      第２のコンパレータ
１０５      記憶回路
１０６      第１のサンプルホールド回路
１０６ａ    スイッチ
１０７      第２のサンプルホールド回路
１０７ａ    スイッチ
１０８      減算回路
２００      光ディスク装置
２０１      第１のコンパレータ
２０２      第２のコンパレータ
２０３      第１の記憶回路
２０４      第２の記憶回路
２０５      ＯＲ回路
３００      光ディスク装置
３０１      第１のＡ／Ｄ変換器
３０２      第２のＡ／Ｄ変換器
３０３      第１のコンパレータ
３０４      第２のコンパレータ
３０５      第１の記憶回路
３０６      第２の記憶回路
３０７      ＯＲ回路
３０８      減算回路
４００      光ディスク装置
４０１      光ピックアップ
４０２      第１の出力端子
４０３      第２の出力端子
４０４      第３の出力端子
４０５      ＴＥ信号生成部
４０６      ＡＧＣ回路
４０７      ディフェクト期間検出部
４０８      トラッキング制御部
４０９      サーボホールド回路
４１０      ＡＧＣホールド回路
４１１      フォーカス制御部
４１２      光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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