(57)【要約】【課題】スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】回転自在である研磨パッド１に対し保持したウェーハを接離する為に上昇下降自在である研磨ヘッド２と、ウェーハの研磨が完了した直後に研磨ヘッド２が上昇し保持されているウェーハと研磨パッド１との間に生成される空間に挿入され研磨ヘッド２が保持しているウェーハと接触してスラリー付着状態を検出するウェーハ接触面４、基部３をもつスラリー検出器とを備える。【選択図】        図１
2007180366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在である研磨パッドに対し保持したウェーハを接離する為に上昇下降自在である研磨ヘッドと、
ウェーハの研磨が完了した直後に研磨ヘッドが上昇し保持されているウェーハと研磨パッドとの間に生成される空間に挿入され研磨ヘッドが保持しているウェーハと接触してスラリー付着状態を検出するウェーハ接触面をもつスラリー検出器と
を備えてなることを特徴とするスラリー残マップ検出装置。
【請求項２】
研磨ヘッドは研磨工程中にスラリーの軌跡或いはスラリーの洗浄効果を確認するため任意のタイミングで上昇下降可能であって、上昇した際にウェーハと研磨パッドとの間にスラリー検出器を受容してからウェーハをスラリー検出器に於けるウェーハ接触面に圧接する構成をもつこと
を特徴とする請求項１記載のスラリー残マップ検出装置。
【請求項３】
スラリー検出器に於けるウェーハ接触面がスラリーの軌跡を採り込む為にスラリーの成分と反応する材質で構成されてなること
を特徴とする請求項１記載のスラリー残マップ検出装置。
【請求項４】
ウェーハへのスラリー付着状態を撮影する為のカメラが付設されてなること
を特徴とする請求項１記載のスラリー残マップ検出装置。
【請求項５】
ウェーハとの対向面にウェーハに付着したスラリーを含め液体が分布したままの状態で採取する多数の微細凹所が並設されてなるウェーハ接触面をもったスラリー検出器を備えてなること
を特徴とする請求項１記載のスラリー残マップ検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）直後のウェーハに付着・残留したスラリーの軌跡や分布を瞬時に検出する機能を有するスラリー残マップ検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体デバイスに於いては、Ｃｕ配線を用いた製品が多くなっていて、その配線を形成する場合には、Ｃｕ−ＣＭＰが重要な工程となる。
【０００３】
その工程で用いるＣＭＰ装置として、現在、研磨部と後処理部とを備えたものが主流になっていて、ウェーハを研磨をした後に後洗浄ユニットに移送され、ドライイン・ドライアウトが可能となっている。
【０００４】
一般に、Ｃｕ−ＣＭＰに於いては、Ｃｕ配線の腐食が問題となっていて、腐食が進んだ場合、メッキ工程で溝内に埋め込んだＣｕが根こそぎ腐食されてしまうことがある。
【０００５】
本発明者等は、その原因調査を行ったところ、研磨直後のスラリーがウェーハ外周に集まっていて、Ｃｕ腐食マップとスラリー分布とは一致する事が判り、その原因は、ウェーハが回転しながら研磨パッドから離れる動作をする為、薄いスラリーがウェーハ周辺に集まり、スラリーのエッチング作用によってＣｕ配線が腐食してしまうものと考えられる。
【０００６】
また、ウェーハに付着した微量の研磨剤やプラテン回転時に飛散した研磨剤は、純水洗浄できないユニットに蓄積し、２次腐食を発生させてしまう事も判った。
【０００７】
前記したところから、Ｃｕ腐食の実態を把握するには、研磨ヘッドに保持された状態に於けるスラリーの付着状態（例えば、付着の分布、付着の濃度）の調査が重要である事は判ったが、今まで、ＣＭＰに於いては、研磨面が濡れた状態で測定を行なう旨の発想がなかったし、また、ＣＭＰ装置自体もドライイン・ドライアウトの形式が主流となった為、例えばウェーハ搬送時における研磨パッドと研磨ヘッドとの距離が無く、濡れたウェーハを測定する事を前提とした装置構成にはなっていない。
【０００８】
そのため、研磨レート測定やパーティクルチェック等は、ＣＭＰ後、ウェーハの後処理を行なって、乾燥した状態にしてから測定器にかけるようにしている。
【０００９】
従来の事例（例えば、特許文献１を参照）では、洗浄された装置の状態を比較する実験の方法として、ウェーハ保持面にウェーハ鏡面を接触させてパーティクルを転写するという方法が知られているが、この方法では、ウェーハ接触による転写を２回連続でして行なうなど、煩雑な作業を必要とし、また、再現性の問題もあり、安易に実行できるものではない。
【特許文献１】特開２００１−２６７２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明では、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
現在に至るまで、ウェーハのＣＭＰに於いて、ウェーハが研磨ヘッドに保持された状態で、スラリーのウェーハ表面への付着・残留状態を研磨パッドが離れた瞬間に検出・記録する有効な手段は存在していない。
【００１２】
ウェーハ表面に於ける研磨剤の残留状態が不明という事であれば、最適化された後洗浄が実施されているかどうかも不明という事になるし、且つ、それを確認する手段もないと言うことである。
【００１３】
そこで、従来は、「装置から出た時点で、きれいであれば良し」、との考えから、洗浄過多の条件が設定されてしまうことになる。しかも、そのような条件で洗浄を行った場合であっても、ウェーハ表面に残留したスラリーが、後洗浄ユニットに入るまでの間に、ウェーハに影響を与えている場合、これを検出する事が難しい。
【００１４】
前記したところから、本発明に依るスラリー残マップ検出装置では、回転自在である研磨パッドに対し保持したウェーハを接離する為に上昇下降自在である研磨ヘッドと、ウェーハの研磨が完了した直後に研磨ヘッドが上昇し保持されているウェーハと研磨パッドとの間に生成される空間に挿入され研磨ヘッドが保持しているウェーハと接触してスラリー付着状態を検出するウェーハ接触面をもつスラリー検出器とを備えてなることが基本となっている。
【発明の効果】
【００１５】
前記手段を採ることに依り、ＣＭＰ直後にウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出することができるので、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視することが容易になり、その結果、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明のスラリー残マップ検出装置では、ウェーハのＣＭＰ直後、研磨ヘッド上に在るウェーハにスラリー検出器を直接接触させる事により、「ウェーハ間での転写」等、煩雑且つ検出結果にノイズが入り易い作業はしなくて良い。
【００１７】
また、ウェーハとスラリー検出器との接触タイミングを適宜に操作する事により、研磨中、研磨後、洗浄後等の各時点でのスラリー付着状態を確認できる。
【００１８】
更に、スラリー検出器に於けるウェーハと接触する部分に、例えばスラリー中の特定成分と反応して発色するような材料を設置して、スラリーの付着状態、或いは、その濃度を視覚的に容易に確認可能である。
【００１９】
更にまた、スラリー検出器表面に水分を弾く材料を用いた場合、スラリーが検出器上で移動してしまい、分布取得の精度が低下するが、スラリー検出器表面を親水性の紙或いは布にすることで、水分の移動を防止する事が可能である。
【００２０】
更にまた、スラリー検出器表面に特に親水性の材料を使用した場合、条件に依って、取得したマップがぼやけてしまうことも起こるが、そのマップを即時に画像として記録してしまう事により、経時変化を考慮する必要はない。
【００２１】
更にまた、ＣＭＰ直後に於けるウェーハ上の付着物を、液体のまま分布を保って採取可能であり、しかも、その付着物サンプルをスラリー残マップ検出装置外に取り出して、種々な分析装置にかけて、より詳細な情報を得る事が可能である。
【実施例１】
【００２２】
図１乃至図５は本発明に於ける実施例を説明する為のスラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図であり、図に於いて、１は研磨プラテン（パッド）、２はウェーハを保持する研磨ヘッド、３はスラリー検出器に於ける基部、４はスラリー検出器に於けるウェーハ接触部、５はカメラをそれぞれ示している。尚、実施例１、そして、以下に説明する各実施例に於いても、スラリー検出器は検出装置本体から容易に取り外し可能な構成になっていることが好ましい。このような構成にすると、洗浄や表面材料の交換などの保守作業が容易になる。
【００２３】
図１の状態は、ウェーハ（図示せず）を保持した研磨ヘッド２が下降して研磨プラテン１に触接し、研磨プラテン１が回転してウェーハを研磨中であることを示している。
【００２４】
図２の状態は、研磨が終了し、研磨ヘッド２が研磨プラテン１から離れ、待機位置に上昇したことを示している。尚、この時点で、スラリー検出部に於けるウェーハ接触部４には既に試験紙或いは試験シートがセットされている。
【００２５】
図３の状態は、研磨プラテン１とウェーハを保持し且つ待機位置に上昇した研磨ヘッド２との間にウェーハ接触部４がウェーハと接触可能である位置までスラリー検出部を挿入したことを示している。
【００２６】
図４の状態は、研磨ヘッド２とスラリー検出器とを相対的に接近させて、ウェーハをスラリー検出器のウェーハ接触部４に接触させ、ウェーハに付着したスラリーの付着状態、即ち、スラリーの分布を検出する。
【００２７】
図４に関する上記説明では、研磨ヘッド２を下降してスラリー検出器のウェーハ接触部４に接触させているが、逆に、スラリー検出器を上昇させてウェーハ接触部４を研磨ヘッド２のウェーハに押し付けるようにしても良い。
【実施例２】
【００２８】
研磨ヘッド２とスラリー検出器の動作は、検出装置側のコンピュータープログラムに寄って、任意のタイミングで実行し且つ制御できるようにする。当該動作の制御を検出装置側に任せる事で、人手に依って転写するよりも、作業時のノイズを減少させる事が可能であり、そして、研磨直後、或いは、リンス用純水噴射直後のような各処理時点でのサンプル取得が容易になる。
【実施例３】
【００２９】
一般に、スラリーの含有成分や酸性またはアルカリ性などの性質は既知であるから、その中の特定項目に反応する薬剤を塗布または含有させたシートをスラリー検出器のウェーハ接触部４に設置する事で、その部分に於けるスラリー分布や濃度を取り込むことができる。例えば、簡易な手段として、シート状のｐＨ試験紙を用いる事で、ｐＨの濃度を知得できる。
【実施例４】
【００３０】
スラリー検出器のウェーハ接触部４の表面を親水性の材質にしたり、或いは、親水性の紙や布を設置する事により、水分の飛散を防止して、スラリーの分布を高感度で取得することができる。
【実施例５】
【００３１】
図５及び図６はスラリー分布サンプル採取後にスラリー検出器を速やかに待機位置に戻し、カメラ５を用いて表面の状態を画像として記録することを説明している。この場合、撮影位置は必ずしも待機位置と同じである必要は無い。
【００３２】
ウェーハ接触部４に親水性の紙や布などの材料を用いた場合、時間経過に伴う水分の浸透により、取得したスラリー残マップがぼやけてしまう。そこで、即時、画像として記録することに依って、スラリー残マップの経時変化に注意を払う必要は無くなる。
【００３３】
ところで、前記説明した実施例１乃至５に於いては、何れもスラリーの分布を検出する場合、研磨プラテン１と研磨ヘッド２との間にウェーハ接触部４をもつスラリー検出器を挿入してサンプルを採取し、その後、該スラリー検出部を研磨プラテン１と研磨ヘッド２との間から脱出するようになっている。このような機構については、既存の技術を利用して様々なものを実現できるが、次に、実用性が高いものを採り上げて例示する。
【実施例６】
【００３４】
図７乃至図９は実施例１乃至実施例５に用いることが可能な研磨ヘッドとスラリー検出器との対応関係を例示する要部平面説明図であり、また、図１０及び図１１は研磨ヘッドに於けるリテーナーリングについて説明する為の研磨ヘッド近傍に関する要部切断側面図であり、何れの図も図１乃至図６に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。尚、図８及び図９に見られる研磨ヘッド２とスラリー検出部との関係は、図１乃至図６について説明した実施例１乃至実施例５と全く変わりない構成を平面で示したものであるから新たな実施例とはしない。
【００３５】
図７に見られる研磨ヘッド２とスラリー検出部に於ける基部３とは、基部３が研磨ヘッド２に対して回動自在に軸着された構成になっていて、研磨が終了し、研磨ヘッド２が研磨プラテン１から離れ、待機位置に上昇した場合、スラリー検出部の基部３は、（Ａ）の矢印に見られるように回動し、（Ｂ）に見られるように研磨ヘッド２にスラリー検出部のウェーハ接触部４が対向した状態で停止するようになっている。
【００３６】
図８及び図９に見られる研磨ヘッド２とスラリー検出部との関係の概略を纏めると、図は於いては、研磨が終了し、研磨ヘッド２が研磨プラテン１から離れ、待機位置に上昇した場合、スラリー検出部の基部３が矢印方向にスライドして研磨ヘッド２の直下に進入しようとしている状態を表し、図９に於いては、基部３が研磨ヘッド２の直下に定位している状態であり、スラリーの採取後、基部３は矢印方向に離脱することを表している。
【００３７】
ところで、通常、研磨ヘッド２に於けるウェーハ外周対応部分には、図７（Ｂ）に破線で示してあるように、リテーナーリングと称する凸部分が存在するので、スラリー検出部のウェーハ接触部４としては、ウェーハと同じサイズにして、且つ、基部３からウェーハ方向に若干突出している構成にする。                                              
【００３８】
図１０及び図１１はリテーナーリングについて説明する為の研磨ヘッド近傍を表す要部切断側面図であり、図１０は研磨中の状態、図１１はウェーハ搬送中の状態を示し、図１乃至図９に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００３９】
図１０並びに図１１に於いて、２Ａはリテーナーリング、２Ｂは開口、２Ｃはメンブレン、１４はウェーハをそれぞれ示している。
【００４０】
図示されているように、研磨ヘッド２とウェーハ１４との間には、周辺が研磨パッド１側に固着されたゴム状の膜からなるメンブレン２Ｃが設けられていて、研磨ヘッド２内から加圧することでメンブレン２Ｃをウェーハ１４側に膨らませ、ウェーハ１４を研磨パッド１に押し付ける。
【００４１】
この場合、ウェーハ１４は研磨ヘッド２に固着されているわけではなく、単純に上から研磨パッド１に押し付けられているだけであり、そして、このウェーハ１４を研磨ヘッド２の所定箇所に保持し、且つ、ウェーハ１４の外淵部分への応力を緩和する為、研磨ヘッド２の縁辺にはリテーナーリング２Ａが設けられている。
【００４２】
ウェーハ１４の研磨中、リテーナーリング２Ａも研磨パッド１に押し付けられて、ウェーハ１４と略同じ高さになっている為、必然的にスラリーなどに曝されている。そして、研磨ヘッド２が研磨パッド１から離れた状態では、メンブレン２Ｃを研磨ヘッド２内に吸引することで、ウェーハ１４との間に減圧状態を発生させ、ウェーハ１４を吸着するようにしている。
【００４３】
従って、ウェーハ１４の表面は、リテーナーリング２Ａに於ける研磨パッド１側の表面に比較して僅かに研磨ヘッド２側に位置していることになる。このような構成になっていることから、スラリー検出部のウェーハ接触部４がウェーハ１４に比較して大きい場合、リテーナーリング２Ａが邪魔でウェーハ１４に接触することができない。仮に、ウェーハ１４とリテーナーリング２Ａの高さが同一で、ウェーハ接触部４がウェーハ１４と接触可能であるとしても、リテーナーリング２Ａもスラリーを浴びている為、採取したデータには、ウェーハ１４の外縁部にリテーナーリング２Ａの影響が付加されたものとなってしまう。
【００４４】
このようなことから、リテーナーリング２Ａの影響を排除する為、スラリー検出部に於けるウェーハ接触部４はウェーハ１４と同サイズで、且つ、基部３からウェーハ１４方向に若干突出した構成とし、リテーナーリング２Ａ及びそこに付着したスラリーに接触しないように配慮しなければならない。
【００４５】
さきに図５及び図６について説明した実施例５に於いては、スラリー分布サンプル採取後にスラリー検出器を待機位置に戻し、カメラ５を用いて表面の状態を画像として記録するようにしたが、カメラに依って画像を記録するのであれば、更に好ましい構成にすることができる。
【実施例７】
【００４６】
図１２はカメラを用いてスラリー分布を画像として撮影する機構の他の例を説明する為のスラリー検出部を表す要部切断側面図であり、この場合、スラリー検出器に於けるウェーハ接触部４の表面を透明板４Ａで構成し、スラリー検出器に於ける基部３の内部にカメラ５を上向きに設置し、透明板４Ａをウェーハに接触させ、裏側からスラリーの模様を写し取ることができるようにしたものであって、このようにするとスラリーが着色されている場合等には有効である。
【実施例８】
【００４７】
図１３及び図１４はサンプル採取用スラリー検出器を表す要部平面図（図１３）及び要部切断側面図（図１４）であり、図１乃至図６に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００４８】
各図から明らかなように、基部３上に設置されたウェーハ接触部４の表面側には、ウェーハ上の付着物、例えばスラリーを液体のまま、しかも、分布の状態を保ったまま採取する為の表面が円形を成している多数のサンプル採取用微細凹所７が形成され、そして、各サンプル採取用微細凹所７を囲むように余剰の液体を排出する為の溝１１が配設されている。この溝１１は所要の方向に傾斜させたり、或いは、適所に液抜きの為の吹き抜け穴を形成するなどして、溝１１内には液体が滞留しない構造になっていて、この構造に依り、採取されたサンプルが混合しないようになっている。
【００４９】
このサンプル採取用スラリー検出器を、図４について説明したように、研磨ヘッド２に保持されたウェーハに当接した場合、ウェーハ接触部４に形成された多数のサンプル採取用微細凹所７内にスラリーが液体のまま収容され、スラリー分布のマップが得られる。
【００５０】
さきに実施例１の説明箇所で触れたが、実施例８に於いても、サンプル採取用スラリー検出器全体を検出装置から取り外し可能な構造にしておけば、採取したサンプルを検出装置外に持ち出して種々な分析器、測定器を用いて分析調査することが可能であるから、用途が更に拡大される。
【実施例９】
【００５１】
図１５は図１３及び図１４に見られるサンプル採取用スラリー検出器を基に作製したｐＨ測定可能なスラリー検出器を表す要部切断側面図であり、図１３及び図１４に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００５２】
図１５に於いて、８は採取されたサンプル（液体）、９はｐＨ測定用端子、１０はデータ取得用配線をそれぞれ示していて、このｐＨ測定可能なスラリー検出器では、云うまでもなく、ｐＨ測定用端子９、従って、微細凹所７はウェーハ接触部４上に万遍なく多数配置するほど精度の高いデータが得られる。
【００５３】
それらのｐＨ測定用端子９はデータ処理用機器に接続しなければならないが、その接続方法としては、有線、無線を問われず、要は、データの転送が可能であれば良い。
【００５４】
ウェーハ表面から各微細凹所７に流れ込んだ液体サンプル８のｐＨは瞬時に測定されてデータ処理される。
【００５５】
この実施例９に依る結果は「試験紙上に転写された模様」といった漠然としたものではなく、「座標とｐＨ」というデジタルな形で得られるので、データ加工や解析に好都合である。
【実施例１０】
【００５６】
図１６及び図１７は実施例９と同様に図１３及び図１４に見られるサンプル採取用スラリー検出器を基に作製され多くのサンプルの採取を可能にしたスラリー検出器を表す要部切断側面図であり、図１３及び図１４に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００５７】
図１６及び図１７に於いて、１２は排出される余剰分スラリー、１３はサンプル吸引装置、１４はウェーハ、１５はウェーハ表面に残留した液体をそれぞれ示している。
【００５８】
図１６に見られるように、各サンプル採取用微細凹所７の下方に微細な注射器状のシリンダーとピストンとからなるサンプル吸引装置１３に依り、ウェーハ１４と接触した時点でスラリーのサンプルを吸引し、必要量の吸引が終わったところで図１７に見られるようにピストンを固定し、採取した液体が逸散することを防ぎ、この後、スラリー検出器に依る検出を行なう。
【００５９】
サンプル採取用スラリー検出器は、取り外して外部に持ち出すことが前提になっているので、使用後、持ち出し先で洗浄してから戻すことが必要である。尚、ｐＨ測定型のように、持ち出さずにＣＭＰ装置内で自動洗浄可能な形式であれば好都合であるが、洗浄及び乾燥のユニットが新たに必要となり、装置は大型化する。
【００６０】
本発明に於いては、前記説明した実施の形態を含め、多くの形態で実施することができので、以下、それを付記として例示する。                                          
【００６１】
（付記１）
回転自在である研磨パッドに対し保持したウェーハを接離する為に上昇下降自在である研磨ヘッドと、
ウェーハの研磨が完了した直後に研磨ヘッドが上昇し保持されているウェーハと研磨パッドとの間に生成される空間に挿入され研磨ヘッドが保持しているウェーハと接触してスラリー付着状態を検出するウェーハ接触面をもつスラリー検出器と
を備えてなることを特徴とするスラリー残マップ検出装置。
【００６２】
（付記２）
研磨ヘッドは研磨工程中にスラリーの軌跡或いはスラリーの洗浄効果を確認するため任意のタイミングで上昇下降可能であって、上昇した際にウェーハと研磨パッドとの間にスラリー検出器を受容してからウェーハをスラリー検出器に於けるウェーハ接触面に圧接する構成をもつこと
を特徴とする（付記１）記載のスラリー残マップ検出装置。
【００６３】
（付記３）
スラリー検出器に於けるウェーハ接触面がスラリーの軌跡を採り込む為にスラリーの成分と反応する材質で構成されてなること
を特徴とする（付記１）記載のスラリー残マップ検出装置。
【００６４】
（付記４）
スラリー検出器に於けるウェーハ接触面がスラリーの軌跡を採り込む為に吸水性の材質で構成されてなること
を特徴とする（付記１）記載のスラリー残マップ検出装置。
【００６５】
（付記５）
ウェーハへのスラリー付着状態を撮影する為のカメラが付設されてなること
を特徴とする（付記１）記載のスラリー残マップ検出装置。
【００６６】
（付記６）
ウェーハとの対向面にウェーハに付着したスラリーを含め液体が分布したままの状態で採取する多数の微細凹所が並設されてなるウェーハ接触面をもったスラリー検出器を備えてなること
を特徴とする（付記１）記載のスラリー残マップ検出装置。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図２】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図３】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図４】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図５】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図６】スラリー残マップ検出装置及びＣＭＰ装置を表す要部説明図である。
【図７】研磨ヘッドとスラリー検出器の対応関係を例示する要部平面説明図である。
【図８】研磨ヘッドとスラリー検出器の対応関係を例示する要部平面説明図である。
【図９】研磨ヘッドとスラリー検出器の対応関係を例示する要部平面説明図である。
【図１０】リテーナーリングについて説明する為の研磨ヘッド近傍を表す要部切断側面図である。
【図１１】リテーナーリングについて説明する為の研磨ヘッド近傍を表す要部切断側面図である。
【図１２】カメラ内蔵のスラリー検出器を表す要部切断側面図である。
【図１３】サンプル採取用スラリー検出器を表す要部平面図である。
【図１４】サンプル採取用スラリー検出器を表す要部切断側面図である。
【図１５】ｐＨ測定可能なスラリー検出器を表す要部切断側面図である。
【図１６】サンプル採取用スラリー検出器を表す要部切断側面図である。
【図１７】サンプル採取用スラリー検出器を表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  研磨プラテン（パッド）
２  ウェーハを保持する研磨ヘッド
３  スラリー検出器に於ける基部
４  スラリー検出器に於けるウェーハ接触部
４Ａ  透明板
５  カメラ
７  微細凹所
８  採取されたサンプル（液体）
９  ｐＨ測定用端子
１０  データ取得用配線
１１  余剰分スラリー排出用の溝
１２  排出される余剰分スラリー
１３  サンプル吸引装置
１４  ウェーハ
１５  ウェーハ表面に残留した液体
【図１】
2007180366.tif 000003
【図２】
2007180366.tif 000004
【図３】
2007180366.tif 000005
【図４】
2007180366.tif 000006
【図５】
2007180366.tif 000007
【図６】
2007180366.tif 000008
【図７】
2007180366.tif 000009
【図８】
2007180366.tif 000010
【図９】
2007180366.tif 000011
【図１０】
2007180366.tif 000012
【図１１】
2007180366.tif 000013
【図１２】
2007180366.tif 000014
【図１３】
2007180366.tif 000015
【図１４】
2007180366.tif 000016
【図１５】
2007180366.tif 000017
【図１６】
2007180366.tif 000018
【図１７】
2007180366.tif 000019