(57)【要約】【課題】ヒートスプレッダモジュールの構成部材である絶縁基板に微小な割れが生じた場合でも、容易に絶縁耐圧上の不具合を見つけることができるようにして、ヒートスプレッダモジュールに対する検査精度を向上させる。【解決手段】ヒートスプレッダモジュール１０は、積層体１２と、該積層体１２上に接合されたヒートスプレッダ材１６と、該ヒートスプレッダ材１６上に接合された回路基板１８とを有する。積層体１２は、台座２０と、該台座２０上に接合された絶縁基板２２と、該絶縁基板２２上に接合された中間金属板２４とを有する。液体をしみ込ませた不織布７２を用意し、この不織布７２で、絶縁基板２２のうち、中間金属板２４からはみ出した部分（露出部分２２ａ）を拭く。絶縁基板２２の露出部分２２ａの液体が除去される程度に乾燥する。回路基板１８と台座２０間にパルス電圧を印加する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属板と、第２金属板と、前記第１金属板と前記第２金属板との間に介在された絶縁基板とを有する積層体の検査方法において、
前記積層体のうち、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する工程と、
前記液体を塗布した部分を乾燥する工程と、
前記絶縁基板に電圧を印加する工程とを有することを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の積層体の検査方法において、
前記絶縁基板に電圧を印加して、前記積層体の絶縁耐圧を測定することを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項３】
請求項１記載の積層体の検査方法において、
前記絶縁基板に電圧を印加して、前記積層体の絶縁抵抗を測定することを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体の検査方法において、
前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する際に、前記液体をしみ込ませた不織布を前記絶縁基板が露出する部分を拭くことによって行うことを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体の検査方法において、
前記絶縁基板の面積は、少なくとも前記第１金属板の面積よりも大きいことを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体の検査方法において、
前記液体は、前記絶縁基板との濡れ角度が９０°以下であることを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体の検査方法において、
前記液体は、有機化合物であることを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項８】
請求項７記載の積層体の検査方法において、
前記有機化合物は、アルコール、フェノール、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミン又はその誘導体系列であることを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体の検査方法において、
前記液体は、水であることを特徴とする積層体の検査方法。
【請求項１０】
第１金属板と、第２金属板と、前記第１金属板と前記第２金属板との間に介在された絶縁基板とを有する積層体と、ヒートスプレッダ材とを具備したヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記ヒートスプレッダモジュールのうち、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する工程と、
前記液体を塗布した部分を乾燥する工程と、
前記絶縁基板に電圧を印加する工程とを有することを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記第１金属板が金属製の台座であり、
前記第２金属板が中間金属板であり、
前記ヒートスプレッダモジュールは、前記台座上に、前記絶縁基板と、前記中間金属板と、前記ヒートスプレッダ材と、半導体回路が実装される回路基板とがこの順番で接合されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１２】
請求項１０記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記第１金属板が半導体回路が実装される回路基板であり、
前記第２金属板が中間金属板であり、
前記ヒートスプレッダモジュールは、前記ヒートスプレッダ材上に、前記中間金属板と、前記絶縁基板と、前記回路基板とがこの順番で接合されていることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記絶縁基板に電圧を印加して、前記ヒートスプレッダモジュールの絶縁耐圧を測定することを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記絶縁基板に電圧を印加して、前記ヒートスプレッダモジュールの絶縁抵抗を測定することを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する際に、前記液体をしみ込ませた不織布を前記絶縁基板が露出する部分を拭くことによって行うことを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記絶縁基板の面積は、少なくとも前記金属板の面積よりも大きいことを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記液体は、前記絶縁基板との濡れ角度が９０°以下であることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１８】
請求項１０〜１７のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記液体は、有機化合物であることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記有機化合物は、アルコール、フェノール、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミン又はその誘導体系列であることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【請求項２０】
請求項１０〜１７のいずれか１項に記載のヒートスプレッダモジュールの検査方法において、
前記液体は、水であることを特徴とするヒートスプレッダモジュールの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の金属板で挟まれた絶縁基板を有する積層体や半導体等で構成されたＩＣチップ等を冷却するために使用されるヒートスプレッダモジュールの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ゲート隔離型バイポーラトランジスタ）等の半導体回路の発熱を効果的に放散させる部材として、後述する積層体を含むヒートスプレッダモジュールが使用されている。
【０００３】
積層体は、金属製の台座と、該台座上に接合された絶縁基板と、該絶縁基板上に接合された回路基板とを有する。台座及び回路基板として、アルミニウムや銅が使用され、絶縁基板として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等が使用される。
【０００４】
上述のヒートスプレッダモジュールは、例えば回路、絶縁基板及び台座を硬ろう材を用いて加圧しつつ接合することで、熱抵抗となる接合層を残留させず、かつ、１工程で接合する手法が開示され、実用化されている。この手法によれば高い熱伝導率をもったヒートスプレッダモジュールを安価に得ることができる（例えば特許文献１及び２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４３４８２号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ヒートスプレッダモジュール上に実装される半導体回路を良好に動作させるには、上述した積層体が電気的に絶縁されていることが必要である。
【０００７】
絶縁基板は、その脆性的な特性から、応力がかかると、変形せずにクラック等の割れが入り易い。絶縁基板に割れが生じると、所望の絶縁耐圧（あるいは所望の絶縁抵抗）を得ることができず、不慮の短絡現象が生じるおそれがある。
【０００８】
しかし、従来は、積層体の絶縁耐圧（あるいは絶縁抵抗）を測定する場合、湿度が低く制御された状況、すなわち、乾燥した状況で実施するようにしている。そのため、絶縁基板に割れが生じた場合、その割れには空気層が存在することとなり、見かけ上、所望の絶縁耐圧（あるいは所望の絶縁抵抗）があるものと測定されるおそれがある。
【０００９】
そこで、従来では、目視によって割れを検出するようにしているため、熟練が必要であることと、１つの製品に対して５分以上の目視検査が必要であり、また、検査精度も検査員の熟練度、疲労度等に影響され、検査工程の簡略化にも限界がある。特に、絶縁基板に微小な割れが生じている場合、絶縁耐圧上の不具合を発見することは困難であった。
【００１０】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、積層体の構成部材である絶縁基板に微小な割れが生じた場合でも、容易に絶縁耐圧上の不具合を見つけることができ、積層体に対する検査精度を向上させることができる積層体の検査方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、上述した積層体を有するヒートスプレッダモジュールの絶縁耐圧上の不具合を容易に見つけることができ、ヒートスプレッダモジュールに対する検査精度を向上させることができるヒートスプレッダモジュールの検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の本発明に係る積層体の検査方法は、第１金属板と、第２金属板と、前記第１金属板と前記第２金属板との間に介在された絶縁基板とを有する積層体の検査方法において、前記積層体のうち、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する工程と、前記液体を塗布した部分を乾燥する工程と、前記絶縁基板に電圧を印加する工程とを有することを特徴とする。絶縁基板に電圧を印加する手法としては、絶縁基板を挟む２つの導電部分間に電圧をかける等がある。
【００１３】
まず、積層体の絶縁基板に割れが生じている場合、積層体のうち、絶縁基板が露出する部分に液体を塗布することで、液体が割れ部分にしみ込むこととなる。その後、液体を塗布した部分を乾燥しても、割れ部分にしみ込んだ液体は残留する。このとき、微小な割れであっても、液体は残留することとなる。この状態で、絶縁基板に電圧を印加することで、割れ部分に残留する液体を通じて電流が流れ、絶縁体圧が低下していることを容易に知ることができる。つまり、絶縁基板に電圧を印加して、前記積層体の絶縁耐圧を測定することができる。あるいは、絶縁基板に電圧を印加して、前記積層体の絶縁抵抗を測定することができる。
【００１４】
この場合、単に液体を塗布して、電圧を印加するだけであるため、熟練は不要となり、検査時間も長くて１製品につき、３０秒程度で済むため、検査工程の簡略化、検査時間の短縮化、コストの低廉化に寄与する。しかも、検査員の熟練度、疲労度等に影響されることなく、割れのある絶縁基板を１００％検出することができ、検査精度を大幅に向上させることができる。
【００１５】
もちろん、絶縁基板に割れが生じていない場合は、絶縁基板内に液体が残留することがないため、所望の絶縁耐圧（あるいは所望の絶縁抵抗）を得ることができる。
【００１６】
このように、本発明においては、積層体の構成部材である絶縁基板に微小な割れが生じた場合でも、容易に絶縁耐圧上の不具合を見つけることができ、積層体に対する検査精度を向上させることができる。これは、積層体の絶縁耐圧と絶縁抵抗特性の信頼性を高める上で有利となる。
【００１７】
そして、第１の本発明において、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する際に、前記液体をしみ込ませた不織布を前記絶縁基板が露出する部分を拭くことによって行うようにしてもよい。これにより、絶縁基板の露出部分に液体を容易に塗布することができ、コストもかからないため、経済的である。
【００１８】
また、第１の本発明において、前記絶縁基板の面積は、少なくとも前記第１金属板の面積よりも大きいことが好ましい。これにより、絶縁基板の露出部分が多くなり、液体の塗布を簡単に行うことができる。
【００１９】
また、第１の本発明において、前記液体は、前記絶縁基板との濡れ角度が９０°以下であることが好ましい。これにより、絶縁基板に割れが生じていた場合、その割れの部分に液体が浸透し易くなり、微小な割れでも液体を十分にしみ込ませることができる。
【００２０】
また、第１の本発明において、液体は、有機化合物であってもよいし、水であってもよい。液体を有機化合物とする場合は、アルコール、フェノール、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミン又はその誘導体系列を用いることができる。液体を水とする場合は、水道水等を使用することができ、安価に行うことができる。
【００２１】
次に、第２の本発明に係るヒートスプレッダモジュールの検査方法は、第１金属板と、第２金属板と、前記第１金属板と前記第２金属板との間に介在された絶縁基板とを有する積層体と、ヒートスプレッダ材とを具備したヒートスプレッダモジュールの検査方法において、前記ヒートスプレッダモジュールのうち、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する工程と、前記液体を塗布した部分を乾燥する工程と、前記絶縁基板に電圧を印加する工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
これにより、ヒートスプレッダモジュールの絶縁耐圧上の不具合を容易に見つけることができ、ヒートスプレッダモジュールに対する検査精度を向上させることができる。これは、ヒートスプレッダモジュールの絶縁耐圧と絶縁抵抗特性の信頼性を高める上で有利となる。
【００２３】
ヒートスプレッダモジュールは、前記第１金属板が金属製の台座であって、前記第２金属板が中間金属板である場合、前記台座上に、前記絶縁基板と、前記中間金属板と、前記ヒートスプレッダ材と、半導体回路が実装される回路基板とがこの順番で接合されていてもよい。
【００２４】
あるいは、前記第１金属板が半導体回路が実装される回路基板であって、前記第２金属板が中間金属板である場合に、前記ヒートスプレッダ材上に、前記中間金属板と、前記絶縁基板と、前記回路基板とがこの順番で接合されていてもよい。
【００２５】
そして、第２の本発明において、前記絶縁基板に電圧を印加して、前記ヒートスプレッダモジュールの絶縁耐圧を測定するようにしてもよいし、前記ヒートスプレッダモジュールの絶縁抵抗を測定するようにしてもよい。
【００２６】
また、第２の本発明において、前記絶縁基板が露出する部分に液体を塗布する際に、前記液体をしみ込ませた不織布を前記絶縁基板が露出する部分を拭くことによって行うようにしてもよい。
【００２７】
また、第２の本発明において、前記絶縁基板の面積は、少なくとも前記金属板の面積よりも大きくするようにしてもよい。
【００２８】
また、第２の本発明において、前記液体は、前記絶縁基板との濡れ角度が９０°以下であることが好ましい。
【００２９】
また、第２の本発明において、前記液体は、有機化合物であってもよい。この場合、前記有機化合物は、アルコール、フェノール、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミン又はその誘導体系列を使用することができる。
【００３０】
また、第２の本発明において、前記液体は、水であってもよい。
【００３１】
なお、第１及び第２の本発明において、絶縁基板は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）又は酸化ボロン（ＢＮ）を用いることができる。
【００３２】
また、第２の本発明において、ヒートスプレッダ材は、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ合金、ニッケル（Ｎｉ）、Ｎｉ合金、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）を用いることができる。
【００３３】
第２の本発明において、ヒートスプレッダ材は、複合材を用いることができる。この場合、複合材として炭素（Ｃ）と金属材料との複合材を用いることができ、金属材料として、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金を用いることができる。また、炭素の代わりに、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＢＮを用いることができる。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように、本発明に係るヒートスプレッダモジュールによれば、接合材料として硬ろう材を用いたとしても、接合後も台座の耐力値を一定以上に保てるので取り扱い時の変形を抑制することができ、しかも、熱伝導率を低下させることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明に係る積層体の検査方法及びヒートスプレッダモジュールの検査方法の実施の形態例を図１〜図９を参照しながら説明する。
【００３６】
本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０は、図１に示すように、積層体１２と、該積層体１２上に第１ろう材１４ａを介して接合されたヒートスプレッダ材１６と、該ヒートスプレッダ材１６上に第２ろう材１４ｂを介して接合された回路基板１８とを有する。
【００３７】
積層体１２は、台座２０と、該台座２０上に第３ろう材１４ｃを介して接合された絶縁基板２２と、該絶縁基板２２上に第４ろう材１４ｄを介して接合された中間金属板２４とを有する。
【００３８】
回路基板１８上には半田層２６を介してＩＧＢＴ等の半導体回路（ＩＣチップ）２８が実装され、台座２０の下面に例えばＡｌやＣｕで構成された放熱体としてのヒートシンク（図示せず）が例えばねじ止め等によって固定される。
【００３９】
ヒートスプレッダ材１６の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。１５０Ｗ／ｍＫ未満であると、ヒートスプレッダモジュール１０が使用されることに伴ってＩＣチップ２８が発した熱をヒートスプレッダモジュール１０の外部へと伝達させる速度が遅くなるので、該ヒートスプレッダモジュール１０の温度を一定に保持する効果に乏しくなるからである。
【００４０】
ヒートスプレッダ材１６の構成材料は、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢｅＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｅ2Ｃ、Ｃ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｉからなる群から選択された少なくとも１つを好適な例として挙げることができる。すなわち、ヒートスプレッダ材１６は、これらの中から選定された単体または２つ以上からなる複合材から構成することができる。複合材としては、ＳｉＣ／Ｃｕ複合材４０（図２参照）やＣ／Ｃｕ複合材４２（図３参照）を例示することができる。
【００４１】
ＳｉＣ／Ｃｕ複合材４０は、図２に示すように、ＳｉＣで構成された多孔質焼結体４４の開気孔４６内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金４８を含浸し、次いで、このＣｕ又はＣｕ合金４８を固化することにより得られる。
【００４２】
Ｃ／Ｃｕ複合材４２は、図３に示すように、カーボン又はその同素体を予備焼成してネットワーク化することによって得られる多孔質焼結体５０の開気孔５２内に溶融したＣｕ又はＣｕ合金５４を含浸し、次いで、このＣｕ又はＣｕ合金５４を固化することにより得られるものであって、例えば特開２００１−３３９０２２号公報に示される部材である。
【００４３】
ヒートスプレッダ材１６が上述した複合材料や合金からなる場合、熱膨張率や熱伝導率は、構成成分の組成比を設定することにより、熱膨張率３．０×１０-6〜１．０×１０-5／Ｋ、熱伝導率：１５０Ｗ／ｍＫ以上に制御することができる。
【００４４】
積層体１２の台座２０は、銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ合金）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ合金）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（Ｍｏ合金）、タングステン（Ｗ）、タングステン合金（Ｗ合金）が適用できるが、特に６００〜９００℃で１０分間の熱処理を行った後に、熱伝導率が２７０Ｗ／ｍＫ以上、耐力が４５ＭＰａ以上であるＣｕ合金にて構成されている。
【００４５】
台座２０を構成するＣｕ合金としては、
（ａ）クロム（Ｃｒ）が０．１〜１．５質量％、残部がＣｕのＣｕ合金、
（ｂ）ジルコニア（Ｚｒ）が０．１〜０．５質量％、残部がＣｕのＣｕ合金、
（ｃ）Ｚｒが０．０５〜０．３質量％、Ｃｒが０．３〜１．２質量％、残部がＣｕのＣｕ合金、
（ｄ）銀（Ａｇ）が０．０１〜１．５質量％、残部がＣｕのＣｕ合金、
（ｅ）鉄（Ｆｅ）が１．４〜３．０質量％、亜鉛（Ｚｎ）が０．０５〜０．２質量％、リン（Ｐ）が０．０１〜０．１質量％、残部がＣｕのＣｕ合金、
（ｆ）アルミナ分散銅、
のいずれかであることが好ましい。
【００４６】
また、台座２０の厚さは、０．１ｍｍ以上であって、ヒートスプレッダモジュール１０全体の厚さの４０％以下であることが好ましい。
【００４７】
積層体１２の絶縁基板２２は、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＢｅＯ又はＢＮを用いることができる。特に、本実施の形態では、絶縁基板２２の面積は、中間金属板２４の面積よりも大きく、台座２０の面積よりも小さく設定されている。従って、絶縁基板２２のうち、中間金属板２４からはみ出た部分２２ａが露出することになる。
【００４８】
積層体１２の中間金属板２４は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金を用いることができる。
【００４９】
第１ろう材１４ａ〜第４ろう材１４ｄは、活性元素を含む硬ろう材であることが好ましい。この場合、活性元素は、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅ等の周期律表第２Ａ族、Ｃｅ等の第３Ａ族、Ｔｉ、Ｚｒ等の第４Ａ族、又は、Ｎｂ等の第５Ａ族、Ｂ、Ｓｉ等の第４Ｂ族に属する元素のうちの少なくとも１つを使用することができる。この実施の形態では、第１ろう材１４ａ〜第４ろう材１４ｄとして、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉの硬ろう材又はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉの硬ろう材を使用した。この場合、活性元素はＴｉである。
【００５０】
次に、本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュール１０の製造方法について、図４〜図８を参照しながら説明する。
【００５１】
まず、図４のステップＳ１のセッティング工程において、図５に示すように、台座２０上に、第３ろう材１４ｃ、絶縁基板２２、第４ろう材１４ｄ、中間金属板２４、第１ろう材１４ａ、ヒートスプレッダ材１６、第２ろう材１４ｂ及び回路基板１８の順に載置（セッティング）する。このセッティング工程は、例えば大気中で行われる。
【００５２】
次に、図４のステップＳ２の接合工程において、図６に示すように、第３ろう材１４ｃ、絶縁基板２２、第４ろう材１４ｄ、中間金属板２４、第１ろう材１４ａ、ヒートスプレッダ材１６、第２ろう材１４ｂ及び回路基板１８がセッティングされた台座２０を治具７０上に固定し、例えば１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空中にて、上方から加圧を行いながら、昇温・降温を行って接合する。この接合処理によって、図１に示すように、積層体１２（台座２０、絶縁基板２２、中間金属板２４）、ヒートスプレッダ材１６及び回路基板１８が一体化された接合体、即ち、ヒートスプレッダモジュール１０が得られる。接合は、水素雰囲気中、不活性ガス中でもよく、荷重に関しても必要に応じて選択することができる。
【００５３】
第１ろう材１４ａ〜第４ろう材１４ｄの厚み制御をする場合、上述の接合工程では、０．０５ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下の力で加圧することが好ましい。この場合、接合後の第１ろう材１４ａ〜第４ろう材１４ｄの平均厚みは、それぞれ５０μｍ以下、望ましくは１０μｍ以下、さらに望ましくは５μｍ以下である。この厚みは、加圧力によって制御可能である。
【００５４】
そして、本実施の形態では、その後、図４のステップＳ３の液体塗布工程において、図７に示すように、液体をしみ込ませた不織布７２を用意し、この不織布７２で、絶縁基板２２のうち、中間金属板２４からはみ出した部分（露出部分２２ａ）を拭く。
【００５５】
このとき、積層体１２の絶縁基板２２に割れが生じている場合は、液体が割れ部分にしみ込むこととなる。
【００５６】
その後、図４のステップＳ４の乾燥工程において、絶縁基板２２の露出部分２２ａの液体が除去される程度に乾燥する。このとき、液体を塗布した部分は乾燥するが、割れ部分にしみ込んだ液体は残留する。このとき、微小な割れであっても、液体は残留することとなる。
【００５７】
液体としては、絶縁基板２２との濡れ角度が９０°以下となる液体を使用することが好ましい。これにより、絶縁基板２２に割れが生じていた場合、その割れの部分に液体が浸透し易くなり、微小な割れでも液体を十分にしみ込ませることができる。
【００５８】
この場合、液体は、有機化合物であってもよいし、水であってもよい。液体を有機化合物とする場合は、アルコール、フェノール、エーテル、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、アミン又はその誘導体系列を用いることができる。液体を水とする場合は、水道水等を使用することができ、安価に行うことができる。
【００５９】
その後、図４のステップＳ５の電圧印加工程において、絶縁基板２２に電圧を印加する。具体的には、図８に示すように、回路基板１８の上面にパルス電源８４の第１電極８６を接触させ、台座２０の下面に第２電極８８を接触させて、第１電極８６及び第２電極８８間に５００Ｖの電圧（交流またな直流）印加する。もちろん、積層体１２の中間金属板２４に第１電極８６を接触させ、積層体１２の台座２０に第２電極８８を接触させて上述のパルス電圧を印加するようにしてもよい。
【００６０】
回路基板１８と台座２０間（あるいは積層体１２の中間金属板２４と台座２０間）にパルス電圧を印加することで、割れ部分に残留する液体を通じて電流が流れ、絶縁体圧が低下していることを容易に知ることができる。
【００６１】
つまり、回路基板１８と台座２０間（あるいは積層体１２の中間金属板２４と台座２０間）にパルス電圧を印加することによって、積層体１２（あるいはヒートスプレッダモジュール１０）の絶縁耐圧（あるいは絶縁抵抗）を測定することができる。
【００６２】
この場合、単に液体を塗布して、パルス電圧を印加するだけであるため、熟練は不要となり、検査時間も長くて１製品につき、３０秒程度で済むため、検査工程の簡略化、検査時間の短縮化、コストの低廉化に寄与する。しかも、検査員の熟練度、疲労度等に影響されることなく、割れのある絶縁基板２２を１００％検出することができ、検査精度を大幅に向上させることができる。
【００６３】
もちろん、絶縁基板２２に割れが生じていない場合は、絶縁基板２２内に液体が残留することがないため、所望の絶縁耐圧（あるいは所望の絶縁抵抗）を得ることができる。所望の絶縁耐圧としては、１×１０11オーム以上が挙げられ、好ましくは５×１０11〜１×１０12オームである。
【００６４】
このように、本実施の形態においては、積層体１２の構成部材である絶縁基板２２に微小な割れが生じた場合でも、容易に絶縁耐圧上の不具合を見つけることができ、積層体１２（あるいはヒートスプレッダモジュール１０）に対する検査精度を向上させることができる。これは、積層体１２（あるいはヒートスプレッダモジュール１０）の絶縁耐圧と絶縁抵抗特性の信頼性を高める上で有利となる。
【００６５】
上述の例では、ヒートスプレッダモジュール１０の構成として、図１に挙げた構成を示したが、その他、図９に示す変形例に係るヒートスプレッダモジュール１０ａでも同様である。
【００６６】
すなわち、この変形例に係るヒートスプレッダモジュール１０ａは、図９に示すように、積層体１２と、該積層体１２下に第１ろう材１４ａを介して接合されたヒートスプレッダ材１６と、該ヒートスプレッダ材１６下に第２ろう材１４ｂを介して接合された台座２０とを有する。
【００６７】
積層体１２は、中間金属板２４と、該中間金属板２４上に第３ろう材１４ｃを介して接合された絶縁基板２２と、該絶縁基板２２上に第４ろう材１４ｄを介して接合された回路基板１８とを有する。
【００６８】
この変形例に係るヒートスプレッダモジュール１０ａに対しても、積層体１２のうち、絶縁基板２２が露出する部分２２ａに液体を塗布し、その後、液体を塗布した部分を乾燥し、その後、回路基板１８と台座２０間（あるいは回路基板１８と中間金属板２４間）にパルス電圧を印加することによって、積層体１２（あるいはヒートスプレッダモジュール１０ａ）の絶縁抵抗（あるいは絶縁耐圧）を測定することができる。
【００６９】
なお、この発明に係る積層体の検査方法及びヒートスプレッダモジュールの検査方法は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施の形態に係るヒートスプレッダモジュールの構成を示す縦断面図である。
【図２】ヒートスプレッダ材の構成材料の一例であるＳｉＣ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。
【図３】ヒートスプレッダ材の構成材料の他の例であるＣ／Ｃｕ複合材を示す拡大図である。
【図４】本実施の形態に係る製造方法を示すフローチャートである。
【図５】セッティング工程を示す説明図である。
【図６】接合工程を示す説明図である。
【図７】液体塗布工程を示す説明図である。
【図８】電圧印加工程を示す説明図である。
【図９】変形例に係るヒートスプレッダモジュールの構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０、１０ａ…ヒートスプレッダモジュール    １２…積層体
１４ａ〜１４ｄ…ろう材                      １６…ヒートスプレッダ材
１８…回路基板                              ２０…台座
２２…絶縁基板                              ２４…金属板
７２…不織布
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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