(57)【要約】【課題】簡易な構成により、密閉性を有し、かつ、基板面内のエッチング量のばらつきを低減させるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を提供する。【解決手段】ウェットエッチング装置１は、内部に基板を収容可能であり、エッチングのための薬液を貯留する処理槽２と、処理槽２内に対して半導体基板６を搬送する搬送アーム３ａ・３ｂとを備えている。そして、搬送アーム３ａ・３ｂは、半導体基板６を保持するためのハンドリング部を有しており、上記ハンドリング部が半導体基板６を保持した状態で、半導体基板６を回転させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に基板を収容可能であり、エッチングのための薬液を貯留する処理槽と、
上記処理槽内に対して上記基板を搬送する搬送部材とを備え、
上記搬送部材は、上記基板を保持するための基板保持部を有しており、
上記基板保持部が上記基板を保持した状態で、該基板を回転させることを特徴とするウェットエッチング装置。
【請求項２】
上記搬送部材は、互いに平行な一対の部材であり、
上記搬送部材は、基板を保持した状態で、互いに逆方向に移動することで、該基板を該基板の中心を回転軸として回転させることを特徴とする請求項１に記載のウェットエッチング装置。
【請求項３】
上記一対の搬送部材は、上記基板保持部を互いに離間させる方向に移動することで、基板の保持を解除し、
上記処理槽内部には、上記搬送部材の上記基板の保持を解除したときに、該基板の状態を保持するための保持部材が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のウェットエッチング装置。
【請求項４】
上記処理槽から搬出された基板を乾燥させるための乾燥手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載のウェットエッチング装置。
【請求項５】
上記基板保持部は、上記処理槽の底面に対する垂直断面が円弧状の基板保持面を有しており、該基板保持面の円弧半径は上記基板の半径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のウェットエッチング装置。
【請求項６】
処理槽に貯留されるエッチングのための薬液に、基板が浸漬されることにより基板表面をエッチングするウェットエッチング方法であって、
上記基板を保持するとともに、該基板を該処理槽内部へ搬入し、該基板を該基板の中心を回転軸として反転させ、該基板を該処理槽内部から搬出することを特徴とするウェットエッチング方法。
【請求項７】
上記処理槽から搬出される上記基板は、該処理槽に貯留される薬液から搬出された部分が順次乾燥されることを特徴とする請求項６に記載のウェットエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薬液を用いて基板表面をエッチングするためのウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進むに従って、基板上に形成されたゲート絶縁体の薄膜化が要求されている。ゲート絶縁膜は、基板上に酸化膜が形成された後、該酸化膜をエッチングにより所定の厚みまで削ることによって形成される。このとき、ゲート絶縁膜は、同一基板面上およびバッチ処理された各基板面上において均一にエッチングされる必要がある。ゲート絶縁膜が均一にエッチングされていなければ、基板面上において膜厚にばらつきが生じ、製造歩留り又は該基板面上に形成される半導体素子の特性・信頼性に影響を与える可能性がある。
【０００３】
ゲート絶縁膜の形成に用いられるエッチング方法としては、ウェットエッチングとドライエッチングがある。このうち、ウェットエッチングはドライエッチングと比較して、一度に大量の基板をバッチ処理できることや、装置や薬品の価格が安いなどの利点がある。そのため、一般的には、ゲート絶縁膜の形成にはウェットエッチングが用いられる。
【０００４】
ウェットエッチングにより複数の基板をバッチ処理するには、ウェットエッチング装置が用いられる。ウェットエッチング装置は、エッチングのための薬液を貯留する処理槽内に、複数の基板を収容する構成である。また、ウェットエッチング装置には、基板をエッチングするための各薬液を貯留する複数の処理槽を有するコンベンショナルタイプと、基板をエッチングするための薬液を貯留する１つの処理槽からなり、基板をエッチングした後、該基板を洗浄するために該処理槽内の薬液を純水に置換するワンバスタイプとがある。
【０００５】
従来のワンバスタイプのウェットエッチング装置が、特許文献１に記載されている。以下に、特許文献１に記載された従来のワンバスタイプのウェットエッチング装置の構成について、図４を参照して説明する。図４は、従来のウェットエッチング装置１０１の概略構成を示す正面図である。
【０００６】
図４に示すように、従来のウェットエッチング装置１０１は、処理槽１０２と、回転用ローラー１０３と、押さえ用ローラー１０４と、吐出チューブ１０５とから構成されている。
【０００７】
処理槽１０２は矩形形状の底面を有する容器であり、その上面は設けられていない。上記底面は整流板であり、その下部には吐出チューブ１０５が設けられている。回転用ローラー１０３は、基板を回転させるためのものであり、処理槽１０２の外部に設けられた駆動手段により回転させられる。回転用ローラー１０３は、円柱状であり、その両端は処理槽１０２の互いに向かい合う両側面に接続されている。そして、回転用ローラー１０３の中心を通る軸は、処理槽１０２を介して上記駆動手段と接続されている。押さえ用ローラー１０４は、半導体基板１０６を押さえるためのものである。吐出チューブ１０５は、半導体基板１０６を洗浄するための純水を、整流板を介して処理槽１０２内部に吐出するためのものである。
【０００８】
表面に予め酸化膜が形成された半導体基板１０６は、処理槽１０２に貯留された薬液（例えばふっ酸）に浸漬され、回転用ローラー１０３と、押さえ用ローラー１０４とに支持される。そして、上記薬液により半導体基板１０６をエッチングした後、吐出チューブ１０５から処理槽１０２内に半導体基板１０６を洗浄するための純水が導入される。このとき、処理槽１０２内に貯留されていた薬液は、処理槽１０２の上面から排出される。そのため、処理槽１０２の底面近傍と上面近傍とでは、薬液の濃度に差が生じる。薬液の濃度に差が生じると、半導体基板１０６面上においてエッチング量にばらつきが生じてしまう。
【０００９】
そこで、処理槽１０２の外部に設けられた上記駆動手段によって、回転用ローラー１０３を回転させることにより、押さえ用ローラー１０４によって押さえられた半導体基板１０６は、半導体基板１０６の中心を回転軸として回転する。
【００１０】
これにより、ウェットエッチング装置１０１は、同一基板面内およびバッチ処理された各基板面上のエッチング量の均一化を向上させることができる。
【特許文献１】特開２００１−２８４３０５号公報（公開日平成１３年１０月１２日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来のウェットエッチング装置１０１は、半導体基板１０６を処理槽１０２内に貯留された薬液へ浸漬する際に生じる基板面上の浸漬時間のばらつきを考慮していない。ウェットエッチング装置１０１において、基板を処理槽１０２に貯留された薬液へ浸漬する場合には、半導体基板１０６上のａの位置とｃの位置とでは３〜５秒の差が生じる。そのため、半導体基板１０６上のａの位置とｃの位置とでは、図５に示すような、エッチング量のばらつきが生じる。図５は、従来のウェットエッチング装置１０１により処理された半導体基板１０６の段面図である。なお、図中のａ〜ｃは図４のａ〜ｃと対応しており、ｃ、ｂ、ａの順番に基板は処理槽１０２に貯留された薬液に浸漬される。
【００１２】
また、ウェットエッチング装置１０１では、処理槽１０２の外部に設けられた駆動手段により回転用ローラー１０３を回転させる。そのため、処理槽１０２には、上記駆動手段と回転用ローラー１０３とを接続するための穴が設けられる。その結果、処理槽１０２の密閉性および対磨耗性を維持することが難しくなる。
【００１３】
また、コンベンショナルタイプのウェットエッチング装置では、処理槽内に貯留された薬液が純水に置換されることがないので、半導体基板を該処理槽内でエッチングしている間に該半導体基板を回転させない。そのため、上記半導体基板は上記処理槽内に搬入された方向と同じ方向のまま該処理槽内から搬出される。その結果、上記半導体基板上のａの位置とｃの位置とでは、ワンバスタイプのウェットエッチング装置を用いた場合よりもエッチング量のばらつきが大きくなる。
【００１４】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な構成により、密閉性を有し、かつ、基板面内のエッチング量のばらつきを低減させるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のウェットエッチング装置は、上記課題を解決するために、内部に基板を収容可能であり、エッチングのための薬液を貯留する処理槽と、上記処理槽内に対して上記基板を搬送する搬送部材とを備え、上記搬送部材は、上記基板を保持するための基板保持部を有しており、上記基板保持部が上記基板を保持した状態で、該基板を回転させることを特徴としている。
【００１６】
上記構成により、上記処理槽内に対して基板を搬送する搬送部材により、該基板を保持した状態で、該基板を回転させることができる。その結果、上記基板を上記処理槽内部に搬入したときの該基板の位置と、該基板を該処理槽内から搬出したときの該基板の位置とを変化させることができる。
【００１７】
これにより、処理槽内へ搬入されるときの基板の位置と、処理槽内から搬出されるときの基板の位置とを回転させることにより、基板面上の各部における浸漬時間のばらつきが低減される。そのため、基板面上の各部におけるエッチング量のばらつきは低減される。
【００１８】
例えば、処理槽内へ搬入されるときの基板の位置と、処理槽内から搬出されるときの基板の位置とを反転させることにより、基板面上の各部における浸漬時間が均一となる。そのため、基板面上の各部におけるエッチング量は、ばらつきが低減され、略均一となる。
【００１９】
また、基板を回転させるために搬送部材を用いるため、処理槽に穴を設ける必要がなく、かつ、部品を追加する必要がない。その結果、簡易な構成で密閉性を有し、エッチング量のばらつきを低減させることが可能である。
【００２０】
また、本発明のウェットエッチング装置では、上記搬送部材は、互いに平行な一対の部材であり、上記搬送部材は、基板を保持した状態で、互いに逆方向に移動することで、該基板を該基板の中心を回転軸として回転させてもよい。
【００２１】
上記構成により、上記搬送部材を互いに逆方向に移動することにより、基板を該基板の中心を回転軸として回転させることができる。
【００２２】
これにより、処理槽内へ搬入されるときの基板の位置と、処理槽内から搬出されるときの基板の位置とを回転させることにより、基板面上の各部における浸漬時間のばらつきが低減される。そのため、基板面上の各部におけるエッチング量のばらつきは低減される。
【００２３】
また、本発明のウェットエッチング装置では、上記一対の搬送部材は、上記基板保持部を互いに離間させる方向に移動することで、基板の保持を解除し、上記処理槽内部には、上記搬送部材の上記基板の保持を解除したときに、該基板の状態を保持するための保持部材が設けられていてもよい。
【００２４】
上記搬送部材を互いに逆方向に移動させることにより、一度で所定の角度を回転させることができない場合に、再び該搬送部材を同じように互いに逆方向に移動させる必要がある。そこで、一度上記基板保持部の上記基板の保持を解除し、一対の該搬送部材の位置関係を最初の状態に戻す必要がある。
【００２５】
上記構成により、上記基板保持部は上記基板の保持を解除し、上記保持部材により該基板の状態を維持している間に、該搬送部材の位置を調節する。そして、位置が調節された上記搬送部材は、再び上記基板を保持し、互いに逆方向に移動することにより、さらに該基板を回転させる。
【００２６】
これにより、上記搬送部材を一度移動させることにより、上記基板を所定の角度回転させる場合と比較して、上記基板保持部の長さを短くすることができ、処理槽の容積を小さくすることが可能となる。
【００２７】
また、本発明のウェットエッチング装置では、上記処理槽から搬出された基板を乾燥させるための乾燥手段を備えていてもよい。
【００２８】
薬液によりエッチング処理した基板は、処理槽から搬出された後、即座に乾燥させる必要がある。これは、基板上に残留した薬液が、基板を処理槽から搬出した後も、エッチングを進めてしまうためである。
【００２９】
そこで、本発明の構成により、上記処理槽から搬出された上記基板は、上記薬液から出た瞬間に上記乾燥手段によって乾かされる。これにより、上記基板に付着した上記薬液により、エッチングが進んでしまうことを抑制することができる。
【００３０】
また、本発明のウェットエッチング装置では、上記基板保持部は、上記処理槽の底面に対する垂直断面が円弧状の基板保持面を有しており、該基板保持面の円弧半径は上記基板の半径よりも大きいことが好ましい。
【００３１】
上記構成により、基板保持面が直線状の構成である場合と比較して、上記基板保持面と上記基板との接触している部分が大きくなる。そのため、上記基板保持部は上記基板を安定して保持することができる。
【００３２】
本発明のウェットエッチング方法は、処理槽に貯留されるエッチングのための薬液に、基板が浸漬されることにより基板表面をエッチングするウェットエッチング方法であって、上記基板を保持するとともに、該基板を該処理槽内部へ搬入し、該基板を該基板の中心を回転軸として反転させ、該基板を該処理槽内部から搬出することを特徴としている。
【００３３】
上記方法により、上記基板を上記処理槽内部に搬入したときの該基板の位置と、該基板を該処理槽内から搬出したときの該基板の位置とを反転させることができる。
【００３４】
これにより、上記基板面上の各部において、上記処理槽内に貯留された薬液への浸漬時間が均一となる。そのため、上記基板面上の各部におけるエッチング量は、ばらつきが低減され、略均一となる。
【００３５】
また、本発明のウェットエッチング方法では、上記処理槽から搬出される上記基板は、該処理槽に貯留される薬液から搬出された部分が順次乾燥されてもよい。
【００３６】
薬液によって処理した基板は、処理槽から搬出されたとき即座に乾燥させる必要がある。これは、基板上に残留した薬液が、基板を処理槽から搬出した後も、エッチング反応を進めてしまうためである。
【００３７】
そこで、上記方法により、処理槽内に貯留される薬液によってエッチングされた基板は、該薬液から出た瞬間に順次乾燥される。これにより、上記基板に付着した上記薬液により、エッチングが進んでしまうことを抑制することができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明のウェットエッチング装置は、以上のように、処理槽内に対して基板を搬送する搬送部材とを備え、該搬送部材は、該基板を保持するための基板保持部を有しており、害基板保持部が該基板を保持した状態で、該基板を回転させることを特徴としている。
【００３９】
また、本発明のウェットエッチング方法は、基板を保持するとともに、該基板を該処理槽内部へ搬入し、該基板を該基板の中心を回転軸として反転させ、該基板を該処理槽内部から搬出することを特徴としている。
【００４０】
これにより、処理槽内へ搬入されるときの基板の位置と、処理槽内から搬出されるときの基板の位置とを回転させることが可能となり、基板面上の各部における浸漬時間のばらつきが低減される。そして、基板面上の各部におけるエッチング量のばらつきは低減される。また、基板を回転させるために搬送部材を用いるため、処理槽に穴を設ける必要がなく、かつ、部品を追加する必要がない。その結果、簡易な構成で密閉性を有し、エッチング量のばらつきを低減させることができるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明の一実施形態について図１〜図３に基づいて説明すると以下の通りである。
【００４２】
本発明のウェットエッチング装置は、エッチングのための薬液が貯留された処理槽内に、搬送部材により保持された半導体基板を搬入することにより、エッチングを行うものである。
【００４３】
本実施形態のウェットエッチング装置１の構成について図１を参照して説明する。図１は、基板搬入時における、ウェットエッチング装置１の概略構成を示す正面図である。なお、図中の破線の矢印は、半導体基板が移動する方向を示している。また、図中の△印は、半導体基板に設けられたノッチの位置を示している。
【００４４】
図１に示すように、ウェットエッチング装置１は、処理槽２と、搬送アーム（搬送部材）３ａ・３ｂと、ガイド（保持部材）４ａ・４ｂとを備えた構成である。
【００４５】
本実施形態のウェットエッチング装置１は、半導体基板６の表面を均一にエッチングするために用いられる。
【００４６】
処理槽２は、矩形形状の底面を有する容器であり、その上面は設けられていない。そして、半導体基板６のエッチング時には、処理槽２の内部にエッチングする材料に応じた薬液が導入される。
【００４７】
搬送アーム３ａ・３ｂは、半導体基板６を処理槽２の底面に対して垂直に保持するとともに、処理槽２に貯留された薬液に半導体基板６を浸漬させるためのものである。搬送アーム３ａ・３ｂは、互いに平行なハンドリング部（基板保持部）を有する一対の部材であり、そのハンドリング部を互いに平行に動かすことができる。また、搬送アーム３ａ・３ｂは、処理槽２の底面に対して垂直方向に、互いに逆方向に移動することもでき、これにより保持する半導体基板６を回転させることもできる。なお、搬送アーム３ａ・３ｂは、図示しない駆動手段によって駆動される。
【００４８】
上記ハンドリング部は、垂直断面が円弧状の基板保持面を有しており、その円弧半径は半導体基板６の半径よりも大きい。上記基板保持面を円弧状にすることにより、基板保持面が直線状の構成である場合と比較して、該基板保持面と半導体基板６との接触部分が大きくなる。そのため、搬送アーム３ａ・３ｂは半導体基板６を安定して保持することができる。
【００４９】
このように、半導体基板６を回転させるために搬送アーム３ａ・３ｂが用いられるために、処理槽２に穴を設ける必要性および新たに部品を追加する必要性がない。そのため、処理槽２の密閉性が維持される。
【００５０】
ガイド４ａ・４ｂは、搬送アーム３ａ・３ｂが半導体基板６から分離したときに、処理槽２内において半導体基板６を処理槽２に対して垂直に保持するためのものである。ガイド４ａ・４ｂは円柱状であり、その両端は処理槽２の互いに向かい合う両側面に接続されている。なお、ガイド４ａ・４ｂは円柱状の形状に限られず、半導体基板６を処理槽２の底面に対して垂直に保持できる構成であればよい。
【００５１】
また、本実施形態のウェットエッチング装置１は、処理槽２の上面から所定の距離離れた位置に乾燥手段５を備えている。乾燥手段５は、処理槽２の上面方向に向かってＮ２ガスを噴射する。そのため、処理槽２に貯留された薬液に浸漬された半導体基板６は、処理槽２から搬出される際に、薬液面から搬出された部分から順次乾かされる。なお、乾燥手段５から噴射される気体はＮ２ガスに限られない。また、本発明のウェットエッチング装置では、乾燥手段５が省略された構成であってもかまわない。
【００５２】
以上のように、本実施形態のウェットエッチング装置１は、半導体基板６を搬送アーム３ａ・３ｂを用いて回転させることにより、処理槽２内へ搬入されるときの半導体基板６の位置と、処理槽２内から搬出されるときの半導体基板２の位置とを反転させることができる。なお、本実施形態では、反転とは半導体基板６の中心を回転軸とし、１７０度〜１９０度の範囲内で回転させることをいう。
【００５３】
以下に、本実施形態のウェットエッチング方法について図１および図２（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態のウェットエッチング方法の各工程を示す平面図である。なお、白抜きの矢印は搬送アーム３ａ・３ｂの移動方向を示し、実線の矢印は半導体基板６の回転方向を示している。
【００５４】
図１に示すように、処理槽２に貯留された薬液に、搬送アーム３ａ・３ｂによって両端を保持された半導体基板６が、図中の破線の矢印に示すように、処理槽２の底面に対して垂直に浸漬される。これは、搬送アーム３ａ・３ｂが、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の上面から底面に向かって移動することにより行われる。
【００５５】
そして、図２（ａ）に示すように、搬送アーム３ａ・３ｂは処理槽２の底面に対して垂直に互いに逆方向に移動する。具体的には、半導体基板６を保持した搬送アーム３ａは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の底面から上面に向かって移動する。また、半導体基板６を保持した搬送アーム３ｂは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の上面から底面に向かって移動する。
【００５６】
これにより、搬送アーム３ａ・３ｂにより保持された半導体基板６は、搬送アーム３ａ・３ｂの移動により、図２（ａ）の実線の矢印で示した方向に、約４５度回転させられる。なお、搬送アーム３ａ・３ｂの移動量は、半導体基板６の直径および回転させる角度によって決定される。
【００５７】
以下に、搬送アーム３ａ・３ｂの移動量の決定方法の一例について説明する。
【００５８】
例えば、半導体基板６の直径が２００ｍｍの場合には、半導体基板６の円周は２００ｍｍ×３．１４＝６２８ｍｍである。そして、半導体基板６を１８０度回転させるためには、半導体基板６の円周（３６０度）の半分である３１４ｍｍ回転させる必要がある。同様に、半導体基板６を９０度回転させるためには、１５７ｍｍ回転させる必要があり、半導体基板６を４５度回転させるためには、７８．５ｍｍ回転させる必要がある。
【００５９】
なお、搬送アーム３ａ・３ｂの基板保持面は円弧状をしているために、搬送アーム３ａ・３ｂの移動量は、上述した計算値よりも回転角度がわずかに小さくなる。しかし、搬送アーム３ａ・３ｂの移動量は、任意に調整することが可能なために、問題とはならない。
【００６０】
次に、図２（ｂ）に示すように、搬送アーム３ａ・３ｂは、互いに処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の上面から底面に向かって移動する。そして、搬送アーム３ａ・３ｂは、搬送アーム３ａ・３ｂが保持する半導体基板６がガイド４ａ・４ｂによって処理槽２の底面に対して垂直に安定して支持できる位置まで移動する。
【００６１】
そして、図２（ｃ）に示すように、搬送アーム３ａ・３ｂは処理槽２の底面と平行な方向に対して互いに半導体基板６から離れる方向に移動し、半導体基板６から分離する。半導体基板６は、ガイド４ａ・４ｂによって支持されているため、処理槽２の底面に対して垂直な状態が維持される。
【００６２】
そして、図２（ｄ）に示すように、半導体基板６から分離した搬送アーム３ａ・３ｂは、図２（ａ）で移動した方向とは逆方向に移動する。具体的には、搬送アーム３ａは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の上面から底面に向かって移動する。また、搬送アーム３ｂは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の底面から上面に向かって移動する。これにより、搬送アーム３ａ・３ｂの位置は、処理槽２の底面から同じ距離離れた位置となる。
【００６３】
そして、図２（ｅ）に示すように、搬送アーム３ａ・３ｂは処理槽２の底面と平行な方向に対して互いに半導体基板６の方向に移動し、再び半導体基板６を保持する。
【００６４】
そして、図２（ｆ）に示すように、搬送アーム３ａ・３ｂにより保持した半導体基板６を、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の底面から上面に向かって移動させる。
【００６５】
それから、図２（ｇ）に示すように、図２（ａ）と同様に、搬送アーム３ａ・３ｂは処理槽２の底面に対して垂直に互いに逆方向に移動する。具体的には、半導体基板６を保持した搬送アーム３ａは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の底面から上面に向かって移動する。また、半導体基板６を保持した搬送アーム３ｂは、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の上面から底面に向かって移動する。
【００６６】
これにより、搬送アーム３ａ・３ｂにより保持された半導体基板６は、図２（ｇ）の実線の矢印で示した方向に、約４５度回転させられる。その結果、半導体基板６は、最初に半導体基板６が処理槽２に貯留された薬液に浸漬された位置から約９０度回転する。
【００６７】
そして、上述した図２（ｂ）〜図２（ｇ）の操作を２回繰り返すことにより、半導体基板６は、最初に半導体基板６が処理槽２に貯留された薬液に浸漬された位置から約１８０度回転することになる。
【００６８】
そして、図２（ｈ）に示すように、約１８０度回転した半導体基板６は、搬送アーム３ａ・３ｂによって両端を保持され、処理槽２の底面に対して垂直に処理槽２内部から搬出される。これは、搬送アーム３ａ・３ｂが、処理槽２の底面に対して垂直に、かつ、処理槽２の底面から上面に向かって移動することにより行われる。そして、乾燥手段５が、図中に実線の矢印で示すように、Ｎ２ガスを半導体基板６に向かって噴射し、処理槽２から搬出された半導体基板６上に残留している薬液を吹き飛ばし、乾燥させる。
【００６９】
半導体基板６上にエッチングのための薬液が残留していると、半導体基板６を処理槽２から搬出した後も、エッチングが進んでしまう。そのため、半導体基板６が処理槽２から搬出された瞬間に、乾燥手段５が半導体基板６を乾燥させることにより、エッチングが進んでしまうことを抑制する。
【００７０】
上述したように、本実施形態のウェットエッチング方法によりエッチングされる半導体基板６は、処理槽２内へ搬入されるときの位置と、処理槽２内から搬出されるときの位置とが１８０度回転している。したがって、半導体基板６が処理槽２内へ搬入されるときには、半導体基板６は基板上の位置ｃ、位置ｂ、位置ａの順番で薬液に浸漬されるが（図１参照）、半導体基板６が処理槽２内から搬出されるときは、半導体基板６は基板上の位置ｃ、位置ｂ、位置ａの順番で薬液から出される（図２（ａ）参照）。
【００７１】
図３は、従来のウェットエッチング装置１０１によりエッチングした半導体基板１０６および本実施形態のウェットエッチング装置１を用いてエッチングした半導体基板６における基板上の位置ａ〜ｃとエッチング量との関係を比較したグラフである。
【００７２】
図３に示すように、従来のウェットエッチング装置１０１によりエッチングを行うと、半導体基板１０６が処理槽１０２に貯留された薬液に浸漬された順番、すなわち基板上の位置ｃ、位置ｂ、位置ａの順に、半導体基板１０６面上においてエッチング量が減っていく。しかし、本実施形態のウェットエッチング装置１を用いて、本実施形態のウェットエッチング方法を行った半導体基板６は、半導体基板６が処理槽２に貯留された薬液に浸漬された順番に関係なく、半導体基板６面上においてエッチング量が均一となる。
【００７３】
このように、処理槽２内へ搬入されるときの半導体基板６の位置と、処理槽２内から搬出されるときの半導体基板６の位置とを１８０度回転させることにより、半導体基板６面上の各部における浸漬時間が均一となる。そのため、半導体基板６面上の各部におけるエッチング量は、ばらつきが低減され、略均一となる。
【００７４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法は、半導体基板のエッチングに好適に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】基板搬入時における、本発明のウェットエッチング装置の一実施形態における概略構成を示す正面図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、上記ウェットエッチング装置を用いたウェットエッチング方法を示す正面図である。
【図３】従来のウェットエッチング装置および上記ウェットエッチング装置における基板上の位置とエッチング量との関係を示したグラフである。
【図４】従来のウェットエッチング装置の概略構成を示す正面図である。
【図５】従来のウェットエッチング装置を用いてウェットエッチングを行った基板の断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  ウェットエッチング装置
２  処理槽
３ａ・３ｂ  搬送アーム（搬送部材）
４ａ・４ｂ  ガイド（保持部材）
５  乾燥手段
６  半導体基板
【図１】
2007208223.tif 000003
【図２】
2007208223.tif 000004
【図３】
2007208223.tif 000005
【図４】
2007208223.tif 000006
【図５】
2007208223.tif 000007