(57)【要約】【課題】腐食性や耐久性等に優れた磁気抵抗効果素子を備え、画素面積が大きく、製造が容易な電気光学装置、そのような電気光学装置の効率的な製造方法、及び表示特性が向上した電子機器を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス方式の電気光学装置、その製造方法、およびそのような電気光学装置を備えた電子機器であって、電気光学装置のデータ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備える。【選択図】図１
2007121689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス方式の電気光学装置であって、データ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果素子が、下層から、第１の磁性層と、非磁性層と、第２の磁性層とを順次に含むサンドイッチ構造体であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子における第１の磁性層を構成する磁性材料の保持力を、第２の磁性層を構成する磁性材料の保持力よりも小さくすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれ磁性材料と、有機マトリックスあるいは無機マトリックスと、を含む磁気組成物から構成してあることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，及び希土類元素の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子における第１の磁性層と、第２の磁性層とが、垂直方向から眺めた場合に、直交配置されていることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子における第２の磁性層が、電気光学材料の駆動用データ線の一部を兼用することを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果素子が、ＴＭＲ型(Tunneling Magnet Resistance)、ＧＭＲ型(Giant Magnet Resistance)、ＡＭＲ型(Anisotropic Magnet Resistance)、およびコロッサル（ＣＭＲ）型のいずれか一つであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果素子における磁気特性が、コモン電極あるいは走査線への電圧印加によって得られるファラデー効果によって制御されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
アクティブマトリクス方式として、駆動用スイッチング素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記駆動用スイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を形成する工程を備えることを特徴とした電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９に記載されたいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。特に、駆動用スイッチング素子として磁気抵抗効果素子を備えた電気光学装置、そのような電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶表示装置は、それぞれ電極が形成された一対の基板を対向配置するとともに、それぞれの電極の交差領域である複数の画素に印加する電圧を選択的にオン、オフさせることによって、当該画素領域の液晶材料を通過する光を変調させ、画像や文字等を表示させている。また、近年、高精細な画像表示を実現するために、非線形の二端子型のＴＦＤ素子（Thin Film Diode）や、非線形の三端子型のＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を介して駆動電圧を液晶素子に伝えるアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置が使用されている。
【０００３】
かかるアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置に使用される素子基板として、ＴＦＤ素子を備えた素子基板は、並列配置されたデータ線と、複数の画素に対応した画素電極とが、ＴＦＤ素子を介して、電気的に接続されている。
より具体的には、図１３に示すように、並列配置されたデータ線１０６５と、複数画素に対応した画素電極１０６６とが、金属膜１０６３と、電気絶縁膜１０６２と、を含む二端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子１０６４を介して、電気的に接続されており、液晶材料を挟んで対向する走査電極（図示せず）との間に、所定電圧を印加して、駆動させている。
【０００４】
また、アクティブマトリクス型構造の液晶表示装置に使用されるＴＦＴ素子を備えた素子基板は、並列配置されたデータ線と、複数の画素に対応した画素電極とが、ＴＦＴ素子を介して、電気的に接続されている。
より具体的には、図１４に示すように、並列配置されたデータ線１５８０と、複数画素に対応した画素電極１５６３とが、ソース電極１５６６と、ゲート電極１５６５と、ドレイン電極１５６７と、トランジスタ１５６８と、を含む三端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子１５７０を介して、電気的に接続されており、液晶材料を挟んで対向する共通電極（図示せず）との間に、所定電圧を印加して、駆動させている。
【０００５】
そこで、図１５に示すように、画素電極におけるＴＦＴスイッチング素子を構成するトランジスタ１２１４の一つに、そのＯＮ／ＯＦＦ状態に対して不揮発性を付与するために、磁気抵抗素子１２１２を設けた一体型デジタイジングタブレットやそれを用いたディスプレイが開示されている（例えば、特許文献１や２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２６３２６８号  （特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開２００３−２６３２６９号  （特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＴＦＴ素子やＴＦＴ素子を備えた素子基板は、それぞれの画素毎に、金属材料からなるスイッチング素子の存在領域を確保しているために、スイッチング素子が劣化したり、画素間領域の面積が大きくなったりするという問題が見られた。特に、画素設計の高精細化が進み、それぞれのデータ線の線幅や間隔が小さくなっており、かかるスイッチング素子の劣化や画素面積の減少は大きな問題となっている。
【０００７】
一方、特許文献１や特許文献２に開示された一体型デジタイジングタブレットは、別途、磁気抵抗素子と、非線形の三端子型のスイッチング素子とを組み合わせる必要であるため、構成がさらに複雑になって、製造コストが高くなったり、歩留りが著しく低下したりするなどの問題が見られた。
【０００８】
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、アクティブマトリクス方式の電気光学装置における素子基板において、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を直接的に備えることにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、スイッチング素子として、腐食性や耐久性に優れた磁気抵抗効果素子を備えることにより、画素設計の高精細化が進んだ場合であっても、画素の開口率を大きくすることができるとともに、製造容易な電気光学装置を提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は、そのような電気光学装置の効率的な製造方法、さらに、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、アクティブマトリクス方式の電気光学装置であって、データ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備えた電気光学装置が提供され、上述した課題を解決することができる。
すなわち、スイッチング素子として、腐食性や耐熱性に優れた磁気抵抗効果素子を設けることにより、スイッチング素子の耐久性や温度特性を飛躍的に伸ばせるとともに、スイッチング素子の形成領域を小さくして、画素面積を拡大させることができる。また、磁気抵抗効果素子であれば、ＯＮ／ＯＦＦ状態に対して不揮発性を付与した二端子型のスイッチング素子として形成することができるため、消費電力が少なくなるばかりか、応答性についても早くすることができる。さらに、磁気抵抗効果素子であれば、二端子型のスイッチング素子であることから、ＴＦＤ素子の製造方法に準じて作成することができ、製造コストを低減できたり、歩留りを高めたりすることができる。
なお、磁気抵抗効果素子の一部に電流を流すことによって、それに含まれる磁性層の磁化方向及び電気抵抗を調整し、コンデンサとしての機能を発揮させることができる。
【００１０】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子が、下層から、第１の磁性層と、非磁性層と、第２の磁性層とを順次に含むサンドイッチ構造体であることが好ましい。
このように構成することにより、第１の磁性層あるいは第２の磁性層の磁化方向及び電気抵抗を調整し、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分に発揮することができる。すなわち、磁界を外部変化させて、第１の磁性層あるいは第２の磁性層の磁化方向及び電気抵抗を調整し、第１の磁性層あるいは第２の磁性層に流れる電流を制御することができる。
【００１１】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層を構成する磁性材料の保持力を、第２の磁性層を構成する磁性材料の保持力よりも小さくすることが好ましい。
このように構成することにより、保持力がより小さい第１の磁性層の磁力（磁気特性）を選択的に変更することができる。したがって、外部から磁界を変化させて、特に第１の磁性層の磁化方向及び電気抵抗を調整し、第１の磁性層に流れる電流を制御することができる。
【００１２】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれ磁性材料と、有機マトリックスあるいは無機マトリックスと、を含む磁気組成物から構成してあることが好ましい。
このように構成することにより、磁気抵抗効果素子からなる配線の形成が容易かつ精度良くできるばかり、耐久性も向上させることができる。
【００１３】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，及び希土類元素の少なくとも一つを含んでいることが好ましい。
このように強磁性材料を含んで構成することにより、磁気抵抗効果素子の特性を高めることができ、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分に発揮することができる。
【００１４】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層と、第２の磁性層とが、垂直方向から眺めた場合に、直交配置されていることが好ましい。
このように構成することにより、磁気抵抗効果素子の特性を高めることができ、第１の磁性層あるいは第２の磁性層の磁力及び磁力方向を調整して、第１の磁性層あるいは第２の磁性層に流れる電流を容易かつ精度良く制御することができる。
【００１５】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第２の磁性層が、電気光学材料の駆動用データ線の一部を兼用することが好ましい。
このように構成することにより、電気光学装置における配線の引き回しを容易にすることでき、磁気抵抗効果素子の配置制限等についても少なくなる。
なお、第２の磁性層が駆動用データ線の一部であれば、その第２の磁性層に対して外部磁界を付与するために、例えば、電気光学材料を介して、第２の磁性層の上方に並行的に位置するコモン電極や走査線を使用することができる。
【００１６】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子が、ＴＭＲ型(Tunneling Magnet Resistance)、ＧＭＲ型(Giant Magnet Resistance)、ＡＭＲ型(Anisotropic Magnet Resistance)、およびコロッサル（ＣＭＲ）型のいずれか一つであることが好ましい。
このように構成することにより、実績がある磁気抵抗効果素子を採用できるため、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分に発揮することができる。
例えば、ＴＭＲ型磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果素子の典型であるが、厚さが数ナノメートルという非常に薄い絶縁膜を、強磁性膜で挟んだ三層構造から構成される素子である。そして、二つの強磁性膜における相対的磁化の向きを、電流を流すことによって、制御し、磁化の向きが同じ方向と、反対方向で、電気抵抗が大きく異なる現象を生じさせる素子であることから、本発明に最も好適な磁気抵抗効果素子である。
【００１７】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における磁気特性が、走査線やコモン線への電圧印加によって得られるファラデー効果によって制御されていることが好ましい。
すなわち、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子として機能させるためには、第１の磁性層と、第２の磁性層との磁力を所定関係となるように変化させなければならないが、走査線やコモン線を使用することによって、特別な磁化装置を必要することなく、磁気抵抗効果素子を、耐久性や高速応答性に優れたスイッチング素子として機能させることができる。
【００１８】
また、本発明の別の態様は、アクティブマトリクス方式として、駆動用スイッチング素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、駆動用スイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を形成する工程を備えることが好ましい。
すなわち、このように電気光学装置を製造することにより、腐食性や耐熱性に優れるとともに、小型化に寄与する磁気抵抗効果素子を設けて、スイッチング素子の耐久性や温度特性を飛躍的に伸ばせるとともに、スイッチング素子形成領域を小さくして、画素面積を拡大した電気光学装置を効率的に製造することができる。
また、磁気抵抗効果素子であれば、ＯＮ／ＯＦＦ状態に対して不揮発性を付与した二端子型のスイッチング素子として形成することができるため、消費電力が少ないばかりか、速い応答性を有する電気光学装置を効率的に製造することができる。
さらに、磁気抵抗効果素子であれば、二端子型のスイッチング素子であることから、同様に二端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子の製造方法に準じて作成することができるため、製造コストを低減できたり、歩留りを高めたりすることができる。
【００１９】
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。
すなわち、腐食性や耐熱性に優れるとともに、画素面積が大きな電気光学装置を備えているために、画像の表示特性が向上するとともに、消費電力が少ない電子機器を効率的かつ経済的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態は、アクティブマトリクス方式の電気光学装置であって、データ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備えた電気光学装置である。
以下、図１〜図８を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、カラーフィルタ基板３０、及びスイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９を備えた素子基板６０を用いた液晶表示装置１０を例に採って説明する。
【００２２】
１．電気光学装置の基本構造
まず、図１及び図２を参照して、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置１０の基本構造、すなわち、配線構造や、セル構造等について具体的に説明する。ここで、図１は、本実施形態に係るスイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９を備えた液晶表示装置１０の概略配線図であり、図２は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の概略断面図である。
かかる液晶表示装置１０によれば、図１の概略配線図から理解されるように、データ線６５と、画素電極６３との間に位置して、電気光学材料としての液晶材料２１を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子６９を電気的に備えている。そして、スイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する素子基板６０を備えた液晶表示装置１０であることから、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて適宜取付けられる。
また、図２に示すように、かかる液晶表示装置１０は、ガラス基板等を基体６１とする素子基板６０と、ガラス基板等を基体３１とするカラーフィルタ基板３０とが対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部（図示せず）を介して液晶材料２１を注入した後、封止材（図示せず）にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００２３】
また、素子基板６０における基体６１の内面、すなわち、カラーフィルタ基板３０に対向する表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極６３が形成され、カラーフィルタ基板３０における基体３１の内面、すなわち、素子基板６０に対向する基板の表面上には、ストライプ状に配置された複数の走査電極３３が形成されている。
なお、従来のスイッチング素子としてのＴＦＴ素子を用いた場合には、素子基板６０に対向する基板の表面上には、コモン電極が形成されているが、そのような構成に対しても、磁気抵抗効果素子を適用することができる。
また、画素電極６３は、磁気抵抗効果素子６９を介して、データ線６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の走査電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して素子基板６０上の引回し配線（図示せず）に対して電気的に接続されている。このように構成された画素電極６３と走査電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として表示領域を構成することになる。したがって、所望の画素に対して電圧を印加することにより、当該画素の液晶材料２１に電界を発生させ、表示領域全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００２４】
また、素子基板６０は、カラーフィルタ基板３０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、データ線６５、引回し配線（図示せず）及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。
そして、データ線６５又は引回し配線（図示せず）の端部には、液晶駆動回路等を内蔵した駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されている。さらに、外部接続用端子６７のうち、表示領域側の端部にも、駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されているとともに、他方の端部には、フレキシブル回路基板９３が実装されている。
【００２５】
２．素子基板
（１）基本構成
次に、図３〜図５を参照して、本発明の電気光学装置としての液晶表示装置１０に使用される素子基板６０について、詳細に説明する。
ここで、図３（ａ）は、素子基板６０の概略断面図であり、この図３（ａ）は、平面図である図３（ｂ）中のＡＡ断面を矢印方向に切断して、側方から見た概略断面図である。なお、それぞれ配向膜や偏光板等については適宜省略されている。
また、素子基板６０は、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、基本的に、ガラス基板等からなる基体６１と、データ線６５と、スイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９と、画素電極６３と、から構成されている。また、画素電極６３上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５が形成されている。さらに、素子基板６０の外面には、図示しないものの、通常、位相差板（１／４波長板）及び偏光板が配置されている。
【００２６】
（２）データ線
また、図３（ｂ）に示すように、素子基板６０上のデータ線６５は、複数の配線が並列したストライプ状に構成されている。また、図示しないものの、ドライバ等の実装領域側の辺に対して垂直方向に延びる辺側には、導電性粒子を含むシール材を介して、カラーフィルタ基板３０上の走査電極３３と電気的に接続される引回し配線が設けられている。
かかるデータ線６５や引回し配線は、製造工程の簡略化及び電気抵抗の低下の観点から、例えば、タンタル層、酸化タンタル層、及びクロム層が順次形成されて構成されている。
【００２７】
（３）画素電極
また、図３（ｂ）に示すように、それぞれのデータ線６５には、スイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９が電気接続され、さらに、磁気抵抗効果素子６９におけるデータ線６５の反対側には、画素電極６３が電気的に接続されている。また、画素電極６３は、それぞれのデータ線６５の間にマトリクス状に配置されている。
かかる画素電極６３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料を用いて形成することができる。
【００２８】
（４）スイッチング素子
また、データ線６５と、画素電極６３とを電気的に接続するとともに、非線形駆動するスイッチング素子６９としては、二端子型非線形素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子や、三端子型非線形素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子が典型的であるが、本実施形態に係る液晶表示装置１０は、図３や図４に示すように、二端子型非線形素子である磁気抵抗効果素子６９を備えている。
但し、磁気抵抗効果素子６９と、これらのＴＦＤ素子や、ＴＦＴ素子と適宜組み合わせて、別構成のスイッチング素子とすることも好ましい。
【００２９】
まず、かかる磁気抵抗効果素子６９がＴＭＲ型の場合は、図４（ａ）及び（ｂ）、あるいは図４（ｃ）に示すように、下層から、第１の磁性層６６と、非磁性層６７と、第２の磁性層６４とを順次に含むサンドイッチ構造体であることが好ましい。
この理由は、このようなＴＭＲ型の磁気抵抗効果素子６９であれば、データ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するための小型かつ高機能なスイッチング素子として機能させることができるためである。より具体的には、二端子型非線形素子であるＴＦＤと同様のコンデンサからなるスイッチング素子としての働きを十分に発揮させるためである。すなわち、外部から磁界の付与方法にもよるが、外部から磁界を、下側に位置する第１の磁性層６６のみに付与して、第２の磁性層６４の磁性や磁界はそのまま変えずに、第１の磁性層６６の磁性や磁界を選択的に変更することができるためである。したがって、いわゆる「トンネル磁気抵抗効果」を発揮して、電気抵抗を大きく変えることができ、その結果、外部ノイズ等の影響を受けずに、磁気抵抗効果素子６９を介して画素電極６３に流れ込む電流量を調整することができる。
より具体的には、図４（ａ）に示す磁気抵抗効果素子６９の場合は、第１の磁性層６６の磁力方向(矢印ａ２)と、第２の磁性層６４の磁力方向(矢印ａ１)とが一致することから、磁気抵抗効果素子６９の電気抵抗が小さくなって、矢印Ａで示されるように、画素電極６３に流れ込む電流量が多くなる。なお、第１の磁性層６６の磁力方向が矢印ａ２の方向であることをより明確にすべく、図４（ａ）中、第１の磁性層６６の断面において、それと等価の記号を付してある。
一方、図４（ｂ）に示す磁気抵抗効果素子６９の場合は、第１の磁性層６６の磁力方向（矢印ｂ）と、第２の磁性層６４の磁力方向(矢印ａ１)とが逆方向となることから、磁気抵抗効果素子６９の電気抵抗が大きくなって、バツ印付きの矢印Ａで示されるように、画素電極６３に流れ込む電流量をなくしたり、あるいは少なくしたりすることができる。なお、第１の磁性層６６の磁力方向が矢印ｂの方向であることをより明確にすべく、図４（ｂ）中、第１の磁性層６６の断面において、それと等価の記号を付してある。
すなわち、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子６９のトンネル磁気抵抗効果、ひいてはそれを利用した電流量の調整によって、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として機能させることができる。
なお、第１の磁性層６６及び第２の磁性層６４は、それぞれＩｎＳｂ、ＭｇＯ、Ｇａ等を主成分とするとともに、それらの間の非磁性層６７は、磁気抵抗効果素子６９のトンネル磁気抵抗効果を有効に発揮させるために、例えば、厚さ０．００１〜０．５μｍの電気絶縁性樹脂や電気絶縁性のセラミック材料から構成してあることが好ましい。
その他、上述した図４（ｃ）は、スイッチング素子として、二つの磁気抵抗効果素子６９を備えた場合であって、バックトゥバック構造（Ｂａｃｋ  ｔｏ  Ｂａｃｋ）であるとともに、第２の磁性層６４が、電気光学材料の駆動用のデータ線６５の一部を兼用する構造であるが、それぞれ詳細については、後述する。
【００３０】
また、磁気抵抗効果素子６９は、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ１）を、第２の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ２）よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、保持力よりが小さい第１の磁性層の磁気特性や磁界方向を、第２の磁性層と比較して、より選択的に変更することができるためである。したがって、第１の磁性層の磁界等を外部変化させて、特に第１の磁性層の磁化方向及び電気抵抗を調整し、第２の磁性層に流れる電流を制御することができる。すなわち、このように構成することにより、上述した磁気抵抗効果素子を利用することにより、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分に発揮することができる。
なお、外部磁界によって、第２の磁性層についてはそのまま変えずに、第１の磁性層のみの磁気特性や磁界方向をさらに選択的に変化させるには、第１の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ１）を、第２の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ２）の２分の１以下とすることが好ましく、１０分の１以下とすることがより好ましい。
なお、この第１の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ１）と、第２の磁性層を構成する磁性材料の保持力（Ｈ２）との大小関係は、これに限定されるものではなく、回路設計の態様等に応じて、適宜変更することができる。すなわち、保持力（Ｈ１）と保持力（Ｈ２）とを等しくすることもでき、保持力（Ｈ１）を保持力（Ｈ２）より大きくすることもできる。
【００３１】
また、磁気抵抗効果素子６９における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれ磁性材料と、有機マトリックスあるいは無機マトリックスと、を含む磁気組成物から構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、磁気抵抗効果素子からなる配線の形成が容易になるばかり、精度良く形成できるばかりか、耐久性についても向上させることができるためである。
したがって、磁気組成物の全体量を１００重量％としたときに、第１の磁性層あるいは第２の磁性層を構成する磁性材料の添加量を１０〜９８重量％の範囲内の値とすることが好ましく、５０〜９５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、７０〜９０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、図４（ａ）及び（ｂ）に示す磁性材料は、第１の磁性層６６の断面が台形状になるように成形してある。一方、第２の磁性層６４は、所定の成形材料等から構成されており、第１の磁性層６６をまたぐように配置され、特に、垂直方向に透視した場合に直交配置するように、一例ではあるが帯状に構成してある。
【００３２】
また、電気光学装置を構成するにあたり、磁気抵抗効果素子における第１の磁性層及び第２の磁性層が、それぞれクロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び希土類元素の少なくとも一つの強磁性材料を含んでいることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、磁気抵抗効果素子の特性を高めることができ、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分に発揮することができるためである。
また、第１の磁性層あるいは第２の磁性層を構成するに際して、これら磁性層の全体量を１００重量％としたときに、希土類元素等の強磁性材料の添加量を１〜９０重量％の範囲内の値とすることが好ましく、５〜８５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜７０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、このような強磁性材料については、第２の磁性層の保持力を強く調整するために、第２の磁性層に対して、第１の磁性層よりも多く添加することがより好ましい。
【００３３】
また、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子６９における第１の磁性層６６と、第２の磁性層６４とが、垂直方向に眺めた場合に、直交配置されていることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、磁気抵抗効果素子の特性を高め、トンネル磁気抵抗効果、ひいてはそれを利用した電流値の制御が容易になるためである。すなわち、第１の磁性層あるいは第２の磁性層の磁力及び磁力方向を調整して、第１の磁性層あるいは第２の磁性層に流れる電流を容易かつ精度良く制御することができるためである。したがって、第１の磁性層と、第２の磁性層とを直交配置することにより、二端子型のスイッチング素子としての磁気抵抗効果素子の働きを十分に発揮することができる。その他、第１の磁性層と、第２の磁性層とを直交配置することにより、磁気抵抗効果素子の配置場所や所要面積の制限等が少なくなって、画素電極への電気的接続がさらに容易になる。
なお、第１の磁性層と、第２の磁性層とが、垂直方向に眺めた場合に、それらが完全に９０°方向に直交配置されている必要はなく、直交角が３０〜１２０°の範囲であれば許容範囲であり、４５〜１００°の範囲であればさらに好適である。
【００３４】
また、磁気抵抗効果素子６９における第２の磁性層６４が、電気光学材料の駆動用のデータ線６５の一部を兼用することが好ましい。すなわち、図４（ｃ）に示すように、第２の磁性層６４が延設されて、データ線６５と電気的に接続されることが好ましい。
この理由は、第２の磁性層は、通常、駆動用のデータ線を介して、駆動用半導体に電気接続されているが、このように第２の磁性層が、電気光学材料を駆動させるためのデータ線（信号線）の一部を兼用することにより、当該駆動用のデータ線と、第２の磁性層と電気接続箇所が少なくなって、配線の引き回しが容易になったり、耐久性が向上したり、さらにはより製造工程が簡略化されるためである。
したがって、磁気抵抗効果素子６９が、データ線６５と、画素電極６３との間に位置して、電気光学材料２１を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、有効に機能することになる。
【００３５】
また、磁気抵抗効果素子の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ＴＭＲ型(Tunneling Magnet Resistance)、ＧＭＲ型(Giant Magnet Resistance)、ＡＭＲ型(Anisotropic Magnet Resistance)、およびコロッサル（ＣＭＲ）型のいずれか一つであることが好ましい。
特に、ＴＭＲ型の磁気抵抗効果素子は、薄型化が可能であって、感度が高く、しかも誘導ノイズを受けにくい一方、使用可能な温度範囲が広いことから好適な磁気抵抗効果素子である。
より具体的には、ＴＭＲ型の磁気抵抗効果素子は、厚さが数ナノメートルという非常に薄い絶縁膜を、強磁性膜で挟んだ三層構造から構成される素子である。そして、二つの強磁性膜における相対的磁化の向きを、電流を流すことによって、制御し、磁化の向きが同じ方向と、反対方向で、電気抵抗が大きく異なる現象を生じさせる素子である。
そして、図５に、所定条件で測定したＴＭＲ型の磁気抵抗効果素子における磁気抵抗曲線を示す。また、かかるＴＭＲ型の磁気抵抗効果素子を長手方向（ｙ方向）の板状と仮定すると、素子面（Ｘ−Ｙ方向）に垂直なＺ軸を想定した場合、磁界ＨがＸ−Ｚ面にあって、かつ、磁界がＸ軸方向と一致する場合に、磁気抵抗効果素子の抵抗値は最小となる。一方、磁界がＹ軸方向やＺ軸方向にかかる場合には、磁気抵抗効果素子の抵抗値はほとんどかわらなくなる。参考のため、磁界をＸ軸方向と一致させ、固定した状態で磁界の強さを変化させた場合の磁気抵抗曲線の一例を図６に示す。
【００３６】
また、ＧＭＲ型の磁気抵抗効果素子であれば、実績がある磁気抵抗効果素子として採用できるため、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子としての働きを十分かつ安定的に発揮することができる。
一例であるが、図７に、所定条件で測定したＧＭＲ型の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗曲線を示す。
【００３７】
また、磁気抵抗効果素子における磁気特性が、コモン電極や走査電極への電圧印加によって得られるファラデー効果によって制御されていることが好ましい。
すなわち、コンデンサからなる二端子型のスイッチング素子として機能させるためには、第１の磁性層と、第２の磁性層との磁力を所定関係となるように変化させなければならないが、コモン電極や走査電極を使用することによって、特別な磁化装置を設ける必要がなくなり、容易にスイッチング素子として機能させることができる。
【００３８】
また、磁気抵抗効果素子６９は、図３、図４（ｃ）、あるいは図８に示すように、互いに逆方向に接続される二つの素子からなるバックトゥバック構造となる第１の磁気抵抗効果素子及び第２の磁気抵抗効果素子６９から構成されていることが好ましい。すなわち、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、端子間に印加されると導通状態となるように構成されていることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、正負対称なパルス波形を使用することができ、液晶表示装置等における液晶材料の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶材料の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれることによる。したがって、二個の磁気抵抗効果素子を逆向きに直列接続することにより、正負対称なパルス波形を使用することができるためである。
【００３９】
また、図８に示すように、所定方向に隣接する二つの画素電極６３に対応したスイッチング素子としての磁気抵抗効果素子６９を構成するために電極の一部を共有させてある。
例えば、図８に示す例では、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応した磁気抵抗効果素子６９を構成する第１の磁性層６６を共有させて構成されている。
このように構成することにより、所定方向に隣接する画素電極６３に対応した磁気抵抗効果素子６９を、同じ画素間領域にまとめて配置することができる。したがって、磁気抵抗効果素子６９を配置するための画素間領域を小さくすることができるために、画素電極６３を大きくして、画素面積を拡大することができる。
【００４０】
３．カラーフィルタ基板
また、図２に示すように、素子基板６０と対向するカラーフィルタ基板３０は、一例として、ガラス基板等からなる基体３１と、遮光膜３９と、着色層３７と、絶縁層４０と、走査電極３３と、から構成されている。また、走査電極３３上には、液晶材料の配向性を制御するための配向膜４５を備えるとともに、走査電極３３等が形成されている面とは反対側の面に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
【００４１】
また、カラーフィルタ基板３０に形成された遮光膜３９は、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得るための膜である。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を重ね合わせることにより、遮光膜を形成することもできる。
【００４２】
また、遮光膜３９は、スイッチング素子６９の形成領域と重なる位置にも形成されていることが好ましい。
この理由は、素子基板６０上のスイッチング素子６９部の光抜けが発生しないようにして、コントラストの低下を防止することができるためである。
なお、本発明の電気光学装置であれば、スイッチング素子６９と重なる位置に遮光膜３９を形成する際に、所定方向に隣接する画素に対応したスイッチング素子６９が近接しているために、遮光膜３９の面積を小さくすることができるとともに、簡易な形状として配置することができる。
【００４３】
また、着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層３７の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００４４】
また、着色層３７上には、基板表面の平坦化を図るとともに、遮光膜３９等の導電性の材料からなる部材と走査電極３３と間の電気絶縁性を確保するために、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料からなる絶縁層４０が形成されている。
また、絶縁層４０の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極３３が形成されている。かかる走査電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。そして、この走査電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５が形成されている。
【００４５】
また、半透過反射型の液晶表示装置とする場合には、例えば、基体３１と遮光膜３９との間に光反射膜３５を形成することにより、反射領域Ｒを形成することができる。かかる光反射膜３５は、例えば、アルミニウム等の金属材料からなり、透過領域Ｔに対応した開口部が形成されている一方で、反射領域Ｒにおいては、太陽光等の外光を反射させて、反射型表示を可能にするための部材である。
【００４６】
また、半透過反射型の液晶表示装置において、後述するように、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域Ｒを配置する場合には、光反射膜３５は、パターニングされている。そして、透過領域Ｔも、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に配置される場合には、隣接する二つの画素Ｇにおける開口部が連続していることが好ましい。この理由は、開口部の形成が容易であって、光反射膜３５の存在領域が小さい分、画素Ｇの開口面積を拡大させやすいためである。
【００４７】
また、電気光学装置が半透過反射型の電気光学装置である場合に、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されるとともに、絶縁層４０が、隣接する画素の反射領域Ｒが連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることが好ましい。
この理由は、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔそれぞれにおけるリタデーションを最適化することができるとともに、隣接する画素において、反射領域Ｒ又は透過領域Ｔが隣接して配置されるために、電極の一部を共有させた磁気抵抗効果素子６９を、反射領域Ｒ又は透過領域Ｔいずれか同じ領域に形成することができるためである。また、このようなマルチギャップ構造とすることにより、一つの画素に含まれる絶縁層４０の段差部分を減少させて、液晶材料２１の配向不良を低減させることができるためである。
したがって、隣接する画素における素子部分の遮光処理や絶縁処理を容易にすることができるとともに、表示される画像の表示特性を向上させることができる。
【００４８】
また、このようにマルチギャップ段差を構成した場合には、スイッチング素子６９をそれぞれの画素における反射領域Ｒに配置してあることが好ましい。
この理由は、かかる素子６９を透過領域Ｔに配置すると、本来、電圧によって駆動しない領域にあるために、光抜けが発生して、コントラストが著しく低下する場合があるためである。逆に、反射領域Ｒにおいては、コントラストが、もともと透過領域Ｔと比較して若干低い傾向にあるために、光抜けによるコントラストへの影響が小さく、相対的に、透過領域Ｔに配置するよりも、表示特性への影響を小さくすることができる。
したがって、光反射膜３５が形成された反射領域Ｒに素子６９を配置することによって、かかる表示特性への影響を小さくすることができるとともに、素子６９が近接して配置されているために、簡易な形状での遮光膜の形成等が容易になる。
【００４９】
［第２実施形態］
第２実施形態は、アクティブマトリクス方式として、駆動用スイッチング素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、駆動用スイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を形成する工程を備えた電気光学装置の製造方法である。
以下、第２実施形態にかかる電気光学装置の製造方法として、第１実施形態の液晶表示装置１０を例にとって、その製造方法を、図９〜図１１を適宜参照しながら説明する。
【００５０】
１．カラーフィルタ基板の製造工程
カラーフィルタ基板３０は、図９〜図１０に示すように、ガラス基板からなる基体３１における、表示領域に相当する箇所に、遮光膜３９、着色層３７、絶縁層４０、及び走査電極３３、配向膜４５等を順次形成することにより製造することができる。これらの反射層３５等の形成方法は特に制限されるものではなく、公知の方法により形成することができる。
ここで、本実施形態で製造する液晶表示装置１０に使用されるカラーフィルタ基板３０の製造工程には、第１実施形態で述べたように、リタデーションの最適化を図るために、反射領域に絶縁層４０を形成する工程を含んでいる。すなわち、図９（ｄ）〜図１０（ａ）に示すように、着色層３７等が形成された基板上に、アクリル樹脂等の透明樹脂層４０Ｘを形成した後、所定形状にパターニングされたパターンマスク１２１を介して露光し、現像処理することにより、反射領域Ｒに対応した絶縁層４０を形成することができる。
【００５１】
２．素子基板の製造工程
（１）第１の磁性層の形成
素子基板６０は、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板６１上に、第１の磁性層６６を形成する。この第１の磁性層６６は、例えば、所定の磁性材料から構成されており、印刷法や積層法を用いて形成することができる。
次いで、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法においては、第１の磁性層６６を、データ線６５に沿って隣接するか、又はデータ線６５に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極６３に対応した磁気抵抗効果素子６９に共有させるために、隣接する二つの画素にまたがって形成する。
このように実施することにより、磁気抵抗効果素子６９の形成領域を小さくする一方、画素電極６３を大きくすることができるため、それぞれの画素面積を拡大して、明るさ等の表示特性を向上させた電気光学装置を効率的に製造することができるためである。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第１の磁性層６６の表面を、非磁性材料により被覆して、非磁性層６７を形成する。
【００５２】
（２）第２の磁性層及びデータ線の形成
次いで、再び、第１の磁性層６６の上に非磁性層６７が形成されたガラス基板６１上に、全面的に第２の磁性材料を塗布し、それをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることにより、図１１（ｃ）に示すように、第２の磁性層６４を形成する。そして、その後に、第１の磁性層６６と電気的に接続するように、データ線６５を形成する。このようにして、磁気抵抗効果素子６９及びデータ線６５を形成することができる。
【００５３】
（３）画素電極の形成
次いで、図１１（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、磁気抵抗効果素子６９と電気的に接続された画素電極６３を形成する。
【００５４】
（４）配向膜の形成
次いで、図１１（ｅ）に示すように、画素電極６３等が形成された素子基板６０上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５を形成することにより、素子基板６０を製造することができる。
【００５５】
３．貼り合わせ工程
次いで、図示しないものの、カラーフィルタ基板３０又は素子基板６０のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材２３を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板３０及び素子基板６０を貼り合わせて、図２に示すようなセル構造を形成する。
【００５６】
４．後工程
次いで、セル内に、シール材２３の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入した後、封止材等により封止する。
さらに、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）及び偏光板を配置したり、ドライバを実装したりするとともに、バックライト等とともに筐体に組み込むことにより、図２に示すような液晶表示装置１０を製造することができる。
【００５７】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
【００５８】
図１２は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、液晶パネル２０を、パネル構造体２０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好ましい。
【００５９】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２０Ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、所定方向に隣接する画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させて、画素面積を拡大した電気光学装置を備えているために、明るく、優れた画像表示を実現できる電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、腐食性や耐久性に優れた磁気抵抗効果素子を備えることにより、画素設計の高精細化が進んだ場合であっても、画素の開口率を大きくすることができるとともに、製造容易な電気光学装置を提供することができる。
したがって、スイッチング素子として磁気抵抗効果素子を備えた液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置の概略回路配線図である。
【図２】第１実施形態の液晶表示装置の概略断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ素子基板を説明するための断面図及び平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれスイッチング素子としての磁気抵抗効果素子を説明するための断面図及び平面図である。
【図５】磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）の磁気抵抗曲線を示す図である。
【図６】磁界をＸ軸方向と一致させ、固定した状態で磁界の強さを変化させた場合の磁気抵抗曲線を示す図である。
【図７】磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の磁気抵抗曲線を示す図である。
【図８】二つの画素電極に対応した磁気抵抗効果素子を説明するための平面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、素子基板の製造方法を説明するために供する図である。
【図１２】第３実施形態の電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１３】従来のＴＦＤ素子を説明する図である。（その１）
【図１４】従来のＴＦＴ素子を説明する図である。（その２）
【図１５】従来のＴＦＴ素子に、磁気抵抗素子を設けた一体型デジタイジングタブレットを説明する図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０：電気光学装置（液晶表示装置）、２３：シール材、３０：カラーフィルタ基板、３３：走査電極（対向電極）、３５：光反射膜、４０：絶縁層、４０Ｘ：透明樹脂層、６０：素子基板、６１：ガラス基板、６３：画素電極、６４：第２の磁性層、６５：データ線、６６：第１の磁性層、６７：非磁性層、６９：磁気抵抗効果素子、７２：絶縁膜、７５：配向膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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