(57)【要約】【課題】空描画を行なうことなく試料台の最適な移動速度を算出し試料台速度を最適制御が可能で描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現する。【解決手段】描画データを図形分解部３に出力しショット可能な大きさに分解して描画データバッファ４に格納する。分解部３が出力したサブフィールド内の電子ビームの照射回数をカウンタ７で計数し試料台速度演算部１７に出力する。バッファ４に格納されたデータは補正演算部５で読み出し試料台制御部１４へ現在描画中のサブフィールド座標を出力する。バッファ４は１サブフィールド分以上の描画データを記憶し分解部３の動作と演算部５の動作を１サブフィールド分以上位相差を持たせ演算部１７に現在描画中サブフィールドの一つ以上先の描画データ数を出力する。試料台制御部１４はカウンタ７の出力サブフィールド毎のデータ数１６により試料台１３の最適移動速度を算出し試料台移動速度を制御する。【選択図】図１
2007194293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画パターンを小領域に分割し、試料を搭載する試料台を移動して、電子ビームを試料に照射し、上記分割した小領域毎に描画を行う電子ビーム描画装置において、
上記小領域に分割された描画データをショット可能な大きさに分解する分解手段と、
上記小領域毎の電子ビームの照射回数を計数する計数手段と、
上記分解手段が出力する描画データを上記小領域１つ分以上蓄積するデータ蓄積手段と、
上記データ蓄積手段が出力する描画データを読み出し、この読み出した描画データに補正演算を行う補正演算手段と、
上記照射回数が計数された小領域毎の描画データ数に基づいて、最適な試料台の移動速度を算出する速度算出手段と、
上記試料台の移動速度を制御する試料台移動制御手段と、
を備え、上記試料台移動制御手段は、描画動作の過程で計数された描画データ数に基づいて、最適な試料台移動速度を算出し、この算出した最適試料台移動速度に従って試料台の移動速度を制御して描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子ビーム描画装置において、上記試料台移動制御手段は、上記最適試料台移動速度を上記小領域における描画データ数、電子ビーム照射時間、偏向待ち時間及びオーバーヘッド時間に基づいて算出することを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項３】
請求項１記載の電子ビーム描画装置において、上記データ蓄積手段は、上記小領域１つ分以上のデータを蓄積することにより、現在描画しているの小領域の１つ以上先の小領域毎の描画データ数を上記計数手段により事前に計数し、小領域毎の描画データ数を上記試料台移動制御手段に入力し、上記試料台移動制御手段は、現在描画を行っている小領域の描画データ数及びその前後に描画を行う複数の小領域の描画データ数に基づいて最適試料台移動速度を算出し、試料台の移動を制御することを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項４】
請求項１記載の電子ビーム描画装置において、描画パターンの描画開始座標を記憶する描画開始座標テーブルを備え、上記試料台移動制御手段は、上記試料台を１度連続移動させる間に複数の描画パターンを描画する場合、描画パターンの間に上記描画開始座標テーブル座標が出力する次の描画パターンの描画開始座標を用い、試料台速度を制御することを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画パターンを小領域に分割し、試料を搭載する試料台を移動して、電子ビームを試料に照射し、上記分割した小領域毎に描画を行う電子ビーム描画装置において、
上記小領域に分割された描画データをショット可能な大きさに分解し、分割した描画データに対し補正演算を行う第１の描画データ制御手段と、
上記小領域に分割された描画データをショット可能な大きさに分解し、分割した描画データに対し補正演算を行う第２の描画データ制御手段と、
上記第２の描画データ制御手段が出力する上記小領域毎の電子ビームの照射回数を計数する計数手段と、
上記計数手段により計数された小領域毎の描画データ数を記憶する記憶手段と、
上記記憶手段から読み出した小領域毎の描画データ数に基づいて最適な試料台移動速度を算出する速度算出手段と、
試料台の移動速度を制御する試料台移動制御手段と、
を備え、上記第１の描画データ制御手段が試料への描画を行い、それと同時に上記第２の描画データ制御手段により第１の描画データ制御手段を用いて次に描画を行う描画パターンの描画動作を算出し、上記第２の描画データ処理手段にて出力される描画データ数を小領域毎に上記計数手段が計数し、計数した小領域毎の描画データ数を記憶手段に格納し、試料台移動制御手段は、上記実描画の際に上記記憶手段に格納された小領域毎の描画データ数を読み出し、読み出した描画データ数に基づいて最適な試料台移動速度を算出し、算出した最適試料台移動速度に従って、試料台移動速度を制御しながら描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項６】
請求項５記載の電子ビーム描画装置において、上記第２の描画データ制御手段にて、小領域毎の描画に要する時間を計測し、計測した小領域毎の描画時間を記憶手段に格納し、格納された描画時間に基づいて、最適な試料台移動速度を算出し、算出した最適試料台移動速度に従って、試料台移動速度を制御しながら描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項７】
描画パターンを小領域に分割し、試料を搭載する試料台を移動して、電子ビームを試料に照射し、上記分割した小領域毎に描画を行う電子ビーム描画方法において、
上記小領域に分割された描画データをショット可能な大きさに分解し、
上記小領域毎の電子ビームの照射回数を計数し、
上記分解した描画データを上記小領域１つ分以上蓄積し、
蓄積した描画データを読み出し、この読み出した描画データに補正演算を行い、
上記照射回数が計数された小領域毎の描画データ数に基づいて、最適な試料台の移動速度を算出し、
描画動作の過程で計数された描画データ数に基づいて、最適な試料台移動速度を算出し、この算出した最適試料台移動速度に従って試料台の移動速度を制御して描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置に係り、特に、描画中の試料台移動速度を制御可能な電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
試料台を連続的に逐次移動させ描画を行う電子ビーム描画装置の試料台制御に関する従来技術として特許文献１に記載された技術がある。
【０００３】
電子ビーム描画装置においては、電子銃より放出された電子ビームはカラムにより収束され、試料台に搭載された試料に照射される。外部記憶装置に格納された描画データは制御計算機の指示により、図形分解部へ出力される。
【０００４】
図形分解部は入力された描画データをショット可能な大きさの図形に分解し補正演算部へ出力する。補正演算部は分解された描画データを偏向歪み、ビーム寸法などの補正演算を行い、ＤＡ変換器へ出力する。ＤＡ変換器は補正演算部が出力する描画データをアナログ値に変換し、偏向器を駆動し電子ビームを試料上の所望の位置に照射し、所望のパターンを描画する。
【０００５】
また、補正演算部は試料台制御に対し、現在描画を行っている描画位置データを出力する。試料台制御は予め算出した目標速度テーブルを参照し、試料台の速度を制御する。
【０００６】
ここで、急激な試料台の速度変化は、カラムなどの構造物を振動させる要因となる。そして、構造物の振動が生じると、電子ビームの照射位置に誤差が生じ、描画精度の劣化を招く。
【０００７】
また、試料台の移動速度と描画の進行速度とに差がある場合、描画位置と試料台位置とに差が生じ、その差が偏向可能範囲を超えてしまうと描画を行うことができなくなる。
【０００８】
そのため、試料台はなるべく加減速を生じさせることなく、かつ、試料台位置と描画位置の差を小さくするように制御する必要がある。
【０００９】
次に、描画パターンの例を、図５、図６を用いて説明する。
【００１０】
図５は描画パターンの一例を示す図である。この例ではウエハ２５上にチップ２６を３０チップ配置している。各チップは同じの描画パターンとするが実際の描画パターンでは同一のチップでなくても良い。描画はストライプ２７という単位で行われる。ストライプ２７の長手方向に試料台を連続移動させ描画を行う。
【００１１】
また、試料台の移動方向と直交する方向は電子ビームの偏向にて描画を行う。そのため、ストライプ２７の幅は最大偏向幅以下にする必要がある。
【００１２】
図６は、図５に示すストライプ２７の拡大図である。この例では、１ストライプでチップの一部を描画しており、ストライプ中それぞれのチップに掛かる部分をチップストライプ２８とする。
【００１３】
図５中、Ｙｃｓ１からＹｃｓ４で示す座標は各チップストライプ２８の下辺の座標であり、チップストライプ開始座標とする。チップストライプ２８はさらに適当な大きさのサブフィールド２９に分割されており、サブフィールド２９の単位で試料台の移動速度を制御する。
【００１４】
ここで、目標速度テーブルの内容について説明する。目標移動速度テーブルは、描画中の描画位置データに対応する試料台の目標移動速度を記憶する。目標移動速度は描画パターン密度によって決まる試料台の移動速度である。
【００１５】
この算出方法は、まず、描画パターンを適当な大きさのサブフィールド２９に分割する。サブフィールド２９に分割した描画パターンを外部記憶装置から補正演算部５までのみを用いて実際に描画動作を行い、各サブフィールド２９毎の描画時間を計測する。この動作を空描画と呼ぶ。
【００１６】
ここで、計測したサブフィールド２９毎の描画時間をもとに目標移動速度を算出する。図７は目標速度テーブルの一例を示す図である。この例は、図６に示すストライプを描画する際の目標速度テーブルであり、同一の描画パターンを試料台の進行方向に４チップ描画する場合の例である。図７の中のＣＳ１からＣＳ４が実際に描画を行う部分の目標移動速度を示す。
【００１７】
なお、上述した例の場合、各チップストライプは同一の描画パターンであるので１チップ分の空描画を実行し、その結果を各チップの描画座標に合わせて配列することで１ストライプ分の目標座標テーブルを算出することができる。
【００１８】
試料台制御は目標速度テーブルが出力する目標試料台速度をもとに試料台の速度を制御する。レーザ測長計が出力する試料台座標を微分回路により微分し、現在の試料台の移動速度を求める。
【００１９】
減算器により、目標移動速度と現在の試料台移動速度の差（速度偏差）を求め混合回路に出力する。また、減算器により描画位置データと試料台座標の差（位置偏差）を求め、混合回路に出力する。混合回路は減算器の出力にもとづき、位置偏差、速度偏差がともに最小になる試料台移動速度を算出し、算出した速度にしたがって試料台の移動速度を制御する。
【００２０】
このように動作させることにより、例えば、描画パターンの密度が大きく変化することにより目標試料台速度が大きく変化する場合でも、最適な試料台移動速度制御を行うことが可能となる。
【００２１】
【特許文献１】特開平５−２６７１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
ところで、上述したように、従来の技術においては、予め空描画等の描画動作を行うことで描画時間を計測し、描画位置毎の目標試料台速度を求める必要がある。
【００２３】
この目標試料台移動速度の算出は描画と同じ時間を要するため、無駄時間となり、描画処理時間が長くなり、スループット低下の要因となっていた。
【００２４】
本発明の目的は、空描画を行なうことなく、リアルタイムで試料台の最適な移動速度を算出し、試料台速度を最適に制御することが可能であり、全体の描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の電子ビーム描画装置は、小領域に分割された描画データをショット可能な大きさに分解する分解手段と、小領域毎の電子ビームの照射回数を計数する計数手段と、分解手段が出力する描画データを小領域１つ分以上蓄積するデータ蓄積手段と、データ蓄積手段が出力する描画データを読み出し、この読み出した描画データに補正演算を行う補正演算手段と、照射回数が計数された小領域毎の描画データ数に基づいて、最適な試料台の移動速度を算出する速度算出手段と、試料台の移動速度を制御する試料台移動制御手段とを備える。
【００２６】
そして、試料台移動制御手段は、描画動作の過程で計数された描画データ数に基づいて、最適な試料台移動速度を算出し、この算出した最適試料台移動速度に従って試料台の移動速度を制御して描画を行う。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、空描画を行なうことなく、リアルタイムで試料台の最適な移動速度を算出し、試料台速度を最適に制御することが可能であり、全体の描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現することができる。
【００２８】
また、最適な試料台速度にて描画を行なうことができるので、試料台の加減速に伴う装置の振動を発生させることが無いため、描画精度の向上を図ることも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。  
図１は、本発明の第１の実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図である。図１において、１は外部記憶装置、２は制御計算機、３は図形分解部、４は描画データバッファ、５は補正演算部、６はＤＡ変換器、７は描画データカウンタ、８は電子銃、９はカラム、１０は偏向器、１１は電子ビーム、１２は試料、１３は試料台、１４は試料台制御部、１５は描画位置データ、１６は描画データ数、１７は試料台速度演算部、１８は微分回路、１９、２０は減算器、２１は混合回路、２２はレーザ測長計を示す。
【００３０】
次に、本発明の第１の実施形態の動作について説明する。なお、試料台制御部１４内の信号切り替え動作等は、制御計算機２からの指令により行われる。
【００３１】
図１において、電子銃８から放出された電子ビーム１１は、カラム９により収束され、試料台１３に搭載された試料１２に照射される。描画パターンの情報である描画データは、サブフィールドと呼ばれる適当な大きさの小領域に分割されて、外部記憶装置１に格納されている。
【００３２】
外部記憶装置１に格納された描画データは、制御計算機２の指示により、サブフィールドの描画順に従って図形分解部３へ出力される。図形分解部３は入力された描画データをショット可能な大きさに分解し、描画データバッファ４に格納する。
【００３３】
このとき、図形分解部３が出力したサブフィールド毎の描画データの数、すなわちサブフィールド内の電子ビームの照射回数を描画データカウンタ７により計数し、描画データ数１６として試料台速度演算部１７に出力する。
【００３４】
描画データバッファ４に格納された描画データは、補正演算部５により読み出される。補正演算部５は分解された描画データに対して、偏向歪み、ビーム寸法補正などの補正演算を行いＤＡ変換器６へ出力する。また、補正演算部５は試料台制御部１４へ現在描画を行っているサブフィールドの座標を描画座標１５として出力する。
【００３５】
ＤＡ変換器６は、補正演算部５が出力する描画データをアナログ値に変換して、偏向器１０を駆動し、電子ビーム１１を試料１２上の所望の位置に照射し、試料１２上に所望のパターンを描画する。
【００３６】
ここで、描画データバッファ４は、１サブフィールド分以上の描画データを記憶することが可能な容量を有している。これにより、図形分解部３の動作と後段の補正演算部５の動作とを１サブフィールド分以上位相差を持たせることができ、試料台速度演算部１７に、現在描画中サブフィールドの一つ以上先のサブフィールドの描画データ数を出力することが可能となる。
【００３７】
試料台制御部１４は、図形データカウンタ７が出力するサブフィールド毎のデータ数１６に基づいて、試料台１３の最適な移動速度を算出し、これを目標移動速度として試料台１３の移動速度を制御する。以降の試料台制御部の動作は従来の方法と同様である。
【００３８】
ここで、描画中における最適な試料台の移動速度について述べる。
【００３９】
最適な試料台の移動速度とは、描画の進行速度と等しい試料台１３の移動速度である。これにより、試料台移動方向のビームを偏向量を最も小さくすることができる。
【００４０】
ここで、図５に示すチップストライプを例に具体的に説明する。  
図５に示すチップストライプは、一辺がΔＬの大きさの正方形のサブフィールド２９に分割されており、図５中の横方向すなわち試料台１３の移動方向と直交する方向にＮ個のサブフィールド２９が並んでいるものとする。
【００４１】
このとき、Ｎ個のサブフィールド２９を描画する間に、ΔＬだけ試料台が移動する速度がこのパターンにおける最適な試料台移動速度となる。また、１サブフィールドあたりの試料台１３の移動距離は、横方向にＮ個サブフィールドが並んでいるので、ΔＬ／Ｎとなる。
【００４２】
一方、一サブフィールドを描画するのに要する時間Ｔｓｆは、そのサブフィールド２９内の電子ビームの照射回数Ｎｓｈ、照射時間Ｔｓｈ、偏向待ち時間Ｔｗｔ、オーバーヘッド時間Ｔｏｈよって決まり、次式（１）にて算出することができる。  
Ｔｓｆ＝（Ｔｓｈ＋Ｔｗｔ）・Ｎｓｈ＋Ｔｏｈ      −−−（１）
ここで、偏向待ち時間Ｔｗｔ、オーバーヘッド時間Ｔｏｈは、装置の性能によって決定し、照射時間Ｔｓｈは、使用するレジストの感度と電子ビームの電流密度すなわち描画条件によって決定する。
【００４３】
このため、Ｔｓｈ、Ｔｗｔ、Ｔｏｈは既知の定数であり、Ｎｓｈすなわちサブフィールドにおける描画データ数を変数とした関数にて算出することができる。
【００４４】
したがって、あるサブフィールドを描画する際の最適な試料台移動速度Ｖｓｆは次式（２）にて算出することができる。
【００４５】
Ｖｓｆ＝（ΔＬ／Ｎ）／Ｔｓｆ＝（ΔＬ／Ｎ）／（（Ｔｓｈ＋Ｔｗｔ）・Ｎｓｈ＋Ｔｏｈ）      −−−（２）
図２は、目標速度演算部１７の内部構成を示す図である。図２において、目標速度演算部１７は、最適速度演算部３３と、混合回路３４と、セレクタ３５と、レジスタ３６とを備えている。
【００４６】
目標速度演算部１７では、描画データ数カウンタ７から入力されるサブフィールド単位の描画データ数１６を最適速度演算部３３に入力し、上記式（２）を用いて、そのサブフィールドを描画する際の最適試料台速度を算出し、順次、混合回路３４に出力する。
【００４７】
描画データ数カウンタ７が出力する描画データ数１６は、実際に描画を行っているサブフィールドのそれと１サブフィールド分以上位相差を持たせるようにしている。これにより、混合回路３４に現在描画を行っているサブフィールドとその前後それぞれ１つ以上のサブフィールドの最適移動速度を入力することができる。
【００４８】
混合回路３４は、これらの複数の最適移動速度に基づいて、実際の試料台移動速度の変化が最小になる目標移動速度３２を算出し出力する。これにより、試料台速度の変化を予測しながら目標試料台速度を算出することが可能となり、描画密度が急激に変化した場合にも試料台移動速度の変化を小さくすることができる。
【００４９】
一方、描画開始時及びチップストライプの境界など図形分解部３が描画動作を行っていない場合には目標移動速度を算出ことができない。その場合は、セレクタ３５を切替え、予めレジスタ３６に設定された標準速度を目標移動速度３２として出力するようにする。このように動作することで、常に最適な目標移動速度を算出し、試料台速度を制御する。
【００５０】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、空描画を行なうことなく、試料台の最適速度を算出して制御することができるので、全体の描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現することができる。
【００５１】
また、描画速度が急激に変化した場合でも、試料台の速度変化を小さくすることができるため、試料台の加減速による装置の振動発生を防止して、描画精度を向上することができる。
【００５２】
ここで、描画パターンによっては、例えば、描画パターンの周辺に配置される評価用パターンのみのストライプを描画する場合のようにチップストライプの間隔が大きく離れている場合も考えられる。
【００５３】
このようなストライプを描画する場合には、チップストライプを移動する時間は描画に寄与しない無駄時間となる。
【００５４】
したがって、チップストライプ間が大きく離れている場合は、大きく離れていない場合と比較して、試料台１３を速く移動させることで無題時間を削減することができる。
【００５５】
ここで、目標速度演算部１７に予め設定する標準速度を大きくすると、上記無駄時間を削減することができるが、逆にチップストライプ間の距離が小さい場合に無駄な加減速を行なうこととなる。
【００５６】
図３は、本発明の第２の実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図であり、上記問題を解決するための構成例である。
【００５７】
上述した第１の実施形態と、第２の実施形態との構成の相違点は、試料台制御部１４の内部構成に、ストライプ内の各チップストライプの描画開始座標を記憶する開始座標メモリ３０とセレクタ３１とを追加したことである。
【００５８】
開始座標メモリ３０には、図５に示したＹｃｓ１からＹｃｓ４に示す各チップストライプ開始座標をその描画順に予め設定しておき、チップストライプ間ではセレクタ３１を切替え、次のチップストライプ開始座標を描画位置として減算器１９に出力するように動作する。
【００５９】
これにより、チップストライプ間の距離応じて減算器１９が出力する位置偏差が変化する。すなわち、チップストライプ間の距離が大きくなれば減算器１９が出力する位置偏差も大きくなる。混合回路２１の位置偏差が大きい場合にはそれを小さくするような試料台移動速度を出力するため、チップストライプ間が離れているほどはより高い試料台移動速度が指定されるようになり、チップストライプ間の試料台移動に要する時間を削減することができる。
【００６０】
このように動作させることにより、更なる無駄時間の削減を実現することが可能となる。
【００６１】
図４は、本発明の第３実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図である。
【００６２】
図４において、３７は第１の描画データ制御部、３８は第２の描画データ制御部、３９は描画時間計測部、４０は第１の描画時間メモリ１、４１は第２の描画時間メモリ、４２はセレクタ、４３は最適速度演算部、４４は試料台制御部である。
【００６３】
ここで、第１の描画データ制御部３７と第２の描画データ制御部３８とは同じ構成のものであり、描画データを分解、補正演算を行う機能を有する。また、描画データ計測部３９は、小領域に分割された描画パターンの小領域毎の描画時間を計測する機能を有し、第１の描画時間メモリ４０及び第２の描画時間メモリ４１は描画時間計測部３９にて計測した描画時間を格納するメモリである。
【００６４】
次に、第３の実施形態の動作を説明する。
【００６５】
まず、最初に描画を行うストライプの描画パターンを第２の描画データ制御部３８を用いて描画動作を行う。このとき、描画時間計測部３９は小領域毎の描画時間を計測し、第１の描画時間メモリ４０に格納する。この動作により最初のストライプの小領域毎の描画時間が第１描画時間メモリ４０に格納される。
【００６６】
次に、最初のストライプの描画パターンを第１の描画データ制御部３７を用いて実際の描画を行う。このとき、試料台制御部４４は、第１の描画データ制御部３７から出力される描画位置データ１５によって第１の描画時間メモリ４０に格納された小領域毎の描画時間を読み出し、最適速度演算部４３にて読み出した描画時間に基づいて最適な試料台移動速度を算出し、算出した試料台速度にしたがって試料台１３の移動を制御する。
【００６７】
また、第１の描画データ制御部３７が最初のストライプの描画パターンを描画すると同時に、第２の描画データ制御部３８を用いて第２ストライプの描画パターンを用い描画動作を行う。このとき、描画時間計測部３９は小領域毎の描画時間を計測し、第２の描画時間メモリ４１に格納する。この動作により最初のストライプの小領域毎の描画時間が第２描画時間メモリ４１に格納される。
【００６８】
次に、第１の描画データ制御部３７を用いて第２ストライプの描画パターンの実際の描画を行う。このとき、試料台制御部４４は、第２ストライプの描画時間が格納された第２の描画時間メモリ４１を読み出しながら最適な試料台速度を算出する。
【００６９】
また、同時に、第２の描画データ制御部３８を用いて第３ストライプの描画パターンを用い描画動作を行い、その小領域毎の描画時間を第１の描画時間メモリ４０に格納する。
【００７０】
以上のような動作を繰り返すことにより、描画パターン全体の空描画を行うことなく、最適な試料台速度を算出し、描画を行うことが可能となる。
【００７１】
上述した第３の実施形態は、最初の１ストライプ分のオーバーヘッド時間が発生するが、実際に描画パターンの描画動作を行い描画時間を計測し、その結果から試料台速度を算出する方法であるため、より正確に最適な試料台速度を算出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図である。
【図２】第１の実施形態における目標速度演算部の構成図である。
【図３】本発明の第２の実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図である。
【図４】本発明の第３の実施形態である電子ビーム描画装置の全体構成図である。
【図５】電子ビーム描画装置による描画パターンの一例を示す図である。
【図６】図５に示したストライプの拡大図である。
【図７】電子ビーム描画装置における目標速度テーブルの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１                外部記憶装置
２                制御計算機
３                図形分解部
４                描画データバッファ
５                補正演算部
６                ＤＡ変換器
７                描画データカウンタ
８                電子銃
９                カラム
１０              偏向器
１１              電子ビーム
１２              試料
１３              試料台
１４、４４        試料台制御部
１５              描画位置データ
１６              描画データ数
１７              試料台速度演算部
１８              微分回路
１９、２０        減算器
２１、３４        混合回路
２２              レーザ測長計
２５              ウエハ
２６              チップ
２７              ストライプ
２８              チップストライプ
２９              サブフィールド
３０              開始座標メモリ
３１、３５、４２  セレクタ
３２              目標移動速度
３３、４３        最適速度演算部
３６              レジスタ
３７              第１の描画データ制御部
３８              第２の描画データ制御部
３９              描画時間計測手段
４０              第１の描画時間メモリ
４１              第２の描画時間メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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