(57)【要約】【課題】全体的な厚さ寸法を薄くすることができる半導体装置を得ることのできるリードフレームを提供する。【解決手段】半導体装置２７の組み立てに使用されるリードフレームであって、半導体チップ２１を載置するダイパッド３を中央部に備えた第一のリードフレーム５と、当該ダイパッド３の周囲に配置される複数のリード７を備えた第二のリードフレーム９とを重ね合わせた構成であり、前記第一のリードフレーム５は、リード１７を備えた構成である。【選択図】図１
2007129100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の組み立てに使用されるリードフレームであって、半導体チップを載置するダイパッドを中央部に備えた第一のリードフレームと、当該ダイパッドの周囲に配置される複数のリードを備えた第二のリードフレームとを重ね合わせた構成であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記第一のリードフレームは、リードを備えた構成であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
半導体装置の組み立てに使用されるリードフレームの製造方法であって、次の各工程よりなることを特徴とするリードフレームの製造方法
（ａ）  半導体チップを載置するダイパッドの複数箇所を環状の枠フレームに支持するための支持アームを残して前記ダイパッドと前記枠フレームとの間に空間部を打ち抜き加工すると共に、前記ダイパッドを前記枠フレームのなす平面より高位置に位置せしめるべく前記支持アームを曲げ加工して第一のリードフレームを製造する工程、
（ｂ）  前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードを環状の枠フレームに備えた第二のリードフレームを製造する工程、
（ｃ）  前記第一のリードフレームと第二のリードフレームとを重ね合わせる工程。
【請求項４】
請求項３に記載のリードフレームの製造方法において、第一、第二のリードフレームにおいての枠フレームに位置決め用の段部を加工することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びその製造方法に係り、さらに詳細には、ダイパッドに半導体チップを載置固定して半導体装置に組み立てたとき、厚さ寸法及び横寸法等の全体的構成の薄型化、小型化を図ることのできるリードフレーム及びその製造方法に関する。  
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として、図７に示す如き構成のものがある。上記半導体装置１０１は、リードフレーム１０３におけるダイパッド１０５上に半導体チップ１０７を載置固定した後、リード１０９の上部に備えたインナーリード１１１と前記半導体チップ１０７とをワイヤボンデングによりワイヤ１１３を介して電気的に接続し、その後に、リード１０３のインナーリード１１１及び半導体チップ１０７を樹脂１１５によってモールドした構成である（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−７７２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前記特許文献１に記載の半導体装置１０１においては、リード１０９の上部に備えたインナーリード１１１の高さ位置とダイパッド１０５との高さ位置がほぼ等しい高さ位置であって、このダイパッド１０５上の前記半導体チップ１０７及びインナーリード１１１を内包するように、樹脂１１５によってモールドした構成であるから、リード１０９の下部に備えたアウターリード１１７から前記樹脂１１５の上面までの高さ寸法（厚さ寸法）が大きくなるものであり、全体的構成の薄型化、小型化を図る上において問題がある。
【０００４】
また、リードフレームを製造する方法として、従来はシート状のワークをプレスによって打ち抜き加工を行うのが一般的であるから、リードフレームにおいてのダイパッドとアウターリードとの高さ位置をほぼ等しい高さ位置に設けて、すなわちインナーリードとアウターリードとの高さ位置の高低差を半導体チップの厚さ程度に設けて、インナーリードの高さ位置と前記半導体チップの上面の高さ位置とをほぼ等しく設けることは難しいものであった。  
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前述のごとき従来の問題に鑑みてなされたもので、請求項１に係る発明は、半導体装置の組み立てに使用されるリードフレームであって、半導体チップを載置するダイパッドを中央部に備えた第一のリードフレームと、当該ダイパッドの周囲に配置される複数のリードを備えた第二のリードフレームとを重ね合わせた構成である。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記第一のリードフレームは、リードを備えた構成である。
【０００７】
請求項３に係る発明は、半導体装置の組み立てに使用されるリードフレームの製造方法であって、半導体チップを載置するダイパッドの複数箇所を環状の枠フレームに支持するための支持アームを残して前記ダイパッドと前記枠フレームとの間に空間部を打ち抜き加工すると共に、前記ダイパッドを前記枠フレームのなす平面より高位置に位置せしめるべく前記支持アームを曲げ加工して第一のリードフレームを製造する（ａ）工程と、前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードを環状の枠フレームに備えた第二のリードフレームを製造する（ｂ）工程と
、前記第一のリードフレームと第二のリードフレームとを重ね合わせる（ｃ）工程とよりなるリードフレームの製造方法である。
【０００８】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載のリードフレームの製造方法において、第一、第二のリードフレームにおいての枠フレームに位置決め用の段部を加工するリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば半導体装置の厚さ寸法を薄くすることができ、前述したごとき従来の問題を解消することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態に係るリードフレーム１は、半導体チップ（図示省略）を載置するためのダイパッド３を中央部に備えた第一のリードフレーム５と、当該ダイパッド３の周囲に配置される複数のリード７を備えた第二のリードフレーム９とを重ね合わせた構成である。
【００１１】
より詳細には、前記第一のリードフレーム５は、図２に示すように、半導体チップ（図示省略）を載置固定する前記ダイパッド３を、環状の枠フレーム１１の中央部に備えた構成であって、前記ダイパッド３は、複数の支持アーム１３を介して前記枠フレーム１１の中央部に支持されているものである。
【００１２】
前記第一のリードフレーム５は、シート状のワークに打ち抜き加工を行うことによって制作されるもので、図３に示すように、半導体チップを載置する前記ダイパッド３と前記枠フレーム１１とを連結した前記支持アーム１３を残して、前記ダイパッド３の周囲と前記枠フレーム１１との間に空間部１５を打ち抜き加工するものである。この際、図３に示した構成においては、前記支持アーム１３の両側に近接してリード１７をも打ち抜き加工してある。
【００１３】
そして、図３に示した展開図の構成において前記支持アーム１３の曲げ加工を行うことにより、前記枠フレーム１１の成す平面の高さ位置よりも前記ダイパッド３の高さ位置を板厚程度高くしてある。また、前記リード１７の折り曲げ加工を行って、図２に示すように、当該リード１７と枠フレーム１１との連結部側をアウターリード１７Ａとし、リード１７の中央部を垂直な立上り部１７Ｂとしてあり、リード１７の先端側は内側すなわち前記ダイパッド３方向へ水平に折り曲げてインナーリード１７Ｃに形成してある。
【００１４】
さらに、第一のリードフレーム５における環状の前記枠フレーム１１は、正方形であって、４辺のそれぞれの中央部には、位置決め用の段部１１Ａが形成してある。
【００１５】
前記第二のリードフレーム９は、前記第一のリードフレーム５と同一材質、同一厚さの薄板よりなるものであって、図５に示す展開図のように、前記第一のリードフレーム５における環状の枠フレーム１１に対応した大きさの環状の枠フレーム１９を備えている。この枠フレーム１９は正方形であって、４辺のそれぞれの中央部には第一のリードフレーム５における枠フレーム１１の中央部に形成した前記段部１１Ａと対応して係合自在の段部１９Ａが板厚程度の高さに形成してある。
【００１６】
そして、前記各段部１９Ａの内側には、前記第一のリードフレーム５における前記リード１７の間に配置される複数の前記リード７が形成してある。このリード７は、前記リード１７と同様にアウターリード７Ａ、立上り部７Ｂ及びインナーリード７Ｃを備えた構成である。前記リード７におけるインナーリード７Ｃの間隔は等間隔であり、かつ前記インナーリード７Ｃの高さ位置は、第一、第二のリードフレーム５，９を重ね合わせたときに前記リード１７におけるインナーリード１７Ｃの高さ位置と一致する高さである。この第二のリードフレーム９はプレス加工によって打ち抜き加工及び成形加工されるものである。
【００１７】
以上のごとき構成において、図４に示すように第二のリードフレーム９の成形加工を行い、かつ図２に示すように第一のリードフレーム５の成形加工を行った後、図１に示すように、第二のリードフレーム９に備えた段部１９Ａに第一のリードフレーム５に備えた段部１１Ａを重ねるように係合することにより、リードフレーム１が得られるものである。
【００１８】
この際、第二のリードフレーム９における複数のリード７は、第一のリードフレーム５に形成した空間部１５内を貫通して、第一のリードフレーム５に備えたリード１７の間に位置するものである。そして、前記各リード７におけるインナーリード７Ｃと各リード１７のインナーリード１７Ｃの高さ位置は同一であり、かつ各インナーリード７Ｃ，１７Ｃの間隔は等しいものである。さらに、第一、第二のリードフレーム５、９を重ね合わせた構成においては、前記各リード７，１７における各アウターリード７Ａ，１７Ａの高さ位置は同一である。
【００１９】
前記第一のリードフレーム５及び第二のリードフレーム９には、それぞれ位置決め用の段部１１Ａ，１９Ａを備えた構成であるから、第一のリードフレーム５と第二のリードフレーム９とを重ね合わせるとき相互の位置的関係を正確に保持して組み合わせることが容易に行い得るものである。
【００２０】
前述のごとく第一のリードフレーム５と第二のリードフレーム９とを重ね合わせて一体化した後、図６に示すように、前記ダイパッド３上に半導体チップ２１を載置固定し、この半導体チップ２１と前記各インナーリード７Ｃ，１７Ｃとの間をワイヤボンデングによりワイヤ２３を介して電気的に接続し、その後に、半導体チップ２１及びインナーリード７Ｃ、１７Ｃ等を内包するように樹脂２５によってモールドし、かつ第一のリードフレーム５における枠フレーム１１と前記リード１７との接続部及び枠フレーム１１とダイパッド３との接続部を切断すると共に、第二のリードフレーム９における枠フレーム１９と前記リード７との接続部を切断することにより、半導体装置２７が得られるものである。
【００２１】
上記半導体装置２７においては、ダイパッド３の高さ位置はリード７、１７におけるアウターリードの高さ位置とほぼ等しい高さであり、各リード７，１７におけるインナーリードの高さ位置は前記ダイパッド３上の半導体チップ２１の上面の高さ位置とほぼ等しいので、全体的な高さ寸法（厚さ寸法）を小さくでき、前述したごとき従来の問題を解消しうるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係るリードフレームを示す斜視説明図である。
【図２】リードフレームを構成する第一のリードフレームの斜視説明図である。
【図３】第一のリードフレームの展開説明図である。
【図４】第二のリードフレームの斜視説明図である。
【図５】第二のリードフレームの展開説明図である。
【図６】半導体装置の断面説明図である。
【図７】従来の半導体装置の断面説明図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  リードフレーム
３  ダイパッド
５  第一のリードフレーム
７  リード
９  第二のリードフレーム
１１  枠フレーム
１３  支持アーム
１７  リード
１９  枠フレーム
２１  半導体チップ
２７  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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