(57)【要約】【課題】大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格であり、かつ外部回路接続手段単位の出力段差、すなわち画像ムラを発生させない。【解決手段】絶縁基板端部に各画素１６のスイッチ素子に接続された信号線又はゲート線である画素配線と外部回路接続手段（ＴＣＰ）を接続するための接続端子１９が画素１６より小さいピッチで配置されている。前記画素配線と前記接続端子を接続する引き出し配線１７が配置されており、前記１つのＴＣＰに接続される複数の引き出し配線が１つの配線群１８を形成している。前記配線群における複数の引き出し配線の配列された形状が前記ＴＣＰ毎に異なり、かつ前記引き出し配線１７の配線幅及び長さを調整することにより、前記各配線群において総配線抵抗の差を最小にする。【選択図】図３
2007184407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素がマトリクス状に配列され、前記スイッチ素子に接続された画素配線を有する検出基板と、前記検出基板と外部回路を接続する複数個の外部回路接続手段を備えた電磁波検出装置において、
前記絶縁基板端部に前記画素配線と前記外部回路接続手段を接続するための接続端子が前記画素より小さいピッチで配置され、前記画素配線と前記接続端子を接続する引き出し配線が配置されており、前記１つの外部回路接続手段に接続される複数の引き出し配線が１つの配線群を形成しており、前記配線群における複数の引き出し配線の配列された形状が前記外部回路接続手段毎に異なり、かつ前記引き出し配線の配線幅及び長さを調整することにより、前記各配線群において総配線抵抗の差を最小にしたことを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項２】
前記引き出し配線は、前記画素配線と平行で前記画素配線と接続される第一の直線部と、前記接続端子と平行で前記接続端子と接続される第二の直線部と、前記両直線部を接続する斜め配線部とから形成され、前記引き出し配線の第一の直線部、第二の直線部、又は前記斜め配線部のいずれかの配線幅及び長さを調整することにより、前記各配線群において総配線抵抗の差を最小にしたことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項３】
前記各配線群において総配線抵抗の差をなくし、同等としたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波検出装置。
【請求項４】
１つの配線群の複数の引き出し配線において各配線抵抗を同等としたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項５】
１つの配線群の複数の引き出し配線において各配線抵抗を徐々に変化させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項６】
前記画素配線は、前記スイッチ素子に接続された信号線又はゲート線であり、前記複数の引き出し配線により形成される１つの配線群の両端に、前記変換素子に接続されたバイアス線の引き出し配線を配置することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項７】
前記外部回路接続手段は、テープキャリアパッケージであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の電磁波検出装置において、入射する電磁波は放射線であって、前記変換素子上に、該放射線を前記変換素子が感知可能な波長帯域の電磁波に変換する波長変換体を更に有することを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の電磁波検出装置において、入射する電磁波は放射線であって、前記変換素子は該放射線を電気信号に変換する素子であることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の電磁波検出装置と、
前記電磁波検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可視光、赤外線等の光、Ｘ線、α線、β線、γ線等の放射線を含む電磁波を電気信号に変換する電磁波検出装置、及び該電磁波検出装置を用いた放射線撮像システムに関する。特に、放射線を検出する放射線検出装置に好適に用いられ、医療用画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置等に応用される。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁波検出装置である放射線検出装置は、入射する放射線を光電変換可能な波長領域の光に変換する波長変換体と光電変換装置を組み合わせた装置、又は入射する放射線を半導体変換素子が直接電気信号に変換する装置である。
【０００３】
従来の光電変換装置は、絶縁基板上に光を電気信号に変換する半導体変換素子である光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたスイッチ素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）から成る画素が２次元のマトリクス状に配列されている。更に、絶縁基板上に光電変換素子にバイアスを印加するバイアス線と、スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線と、光電変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する。
【０００４】
下記特許文献１，２に示されているように、絶縁基板上の画素領域と絶縁基板外の信号読み出し回路は、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）を介して接続される。信号線は、画素領域外の引き出し配線によりＴＣＰに接続される。
【０００５】
一方、光電変換装置ではないが、絶縁基板上の画素領域と絶縁基板外の回路をＴＣＰを介して接続する際、引き出し配線を用いる点では類似の技術分野として液晶表示装置がある。液晶表示装置において、近年、ＴＦＴを用いた液晶パネルの製造技術が進展し、パネルの大型化と共に表示部の大画面化が進んでいる。
【０００６】
この液晶表示装置の製造技術は、半導体変換素子（光電変換素子）とＴＦＴを有する大面積エリアセンサに応用される。例えば、本発明の対象である電磁波検出装置を用いたＸ線撮像装置のような放射線撮像装置等の各分野で利用されている。放射線撮像装置は、液晶表示装置（液晶ディスプレイ）とは異なり、微小信号をディジタル変換して画像出力するという特徴を持っている。
【０００７】
また、人体の関節の撮影等に用いられるハンディー型の撮像装置も普及している。以上のことから、低コスト化だけでなく、高性能、又はコンパクトな放射線撮像装置が望まれている。
【０００８】
大画面化が望まれている液晶ディスプレイにおいては、狭額縁化のために、パネル内において、ＴＣＰに接続される電極と表示電極を接続する引き出し配線の面積を小さくする、下記特許文献３のような液晶表示装置の提案がなされている。
【０００９】
図８は、従来の液晶表示装置の平面図であり、図９は、従来の液晶表示装置において液晶表示素子を構成する電極基板端部の平面図である。
【００１０】
図８において、液晶駆動用ＰＣＢ（プリント回路基板）１０２と、駆動用半導体ＩＣチップ１０３を搭載したＴＣＰ１０４と、液晶表示素子１０１との接続状態を示している。
【００１１】
図９において、電極基板に実装される１個のＴＣＰに対応する端子群の中心線から右側の引き出し配線の一部を示している。なお、駆動素子である１個のＴＣＰの電極数は、通常、８０〜１６０本程度あるが、ここでは８本に省略した。
【００１２】
１１１は、透明絶縁基板上の一方の面に電極を形成した電極基板であり、液晶表示素子を構成する。２１〜２８は画素を構成する表示用電極で、透明導電膜から成り、電極基板１１１の面上に平行に形成されている。また、３１〜３８はＴＣＰの電極と接続される端子（接続用電極）、１１〜１８は表示用電極２と端子３とを接続する引き出し配線の一部である斜め直線配線である。１１２はＴＣＰをこの電極基板１１１上に実装する際のＴＣＰの位置合せ用マーク、１１３は電極基板１１１に実装される１個のＴＣＰに対応する端子群の中心線、１１４はシール材が設けられる部分である。
【００１３】
電極基板１１１上にそれぞれ平行に配線された複数本の表示用電極２ｎのピッチよりも、電極基板１１１の端部に引き出され、ＴＣＰに接続される端子３ｎのピッチの方が狭くなる。したがって、両者を接続する引き出し配線が必要となる。引き出し配線は、表示用電極２ｎからそのまま延長した部分と、端子３ｎからそのまま延長した部分と、この２つの延長した部分をそれぞれ接続する平行な斜め直線配線１ｎとから成る。また、斜め直線配線１ｎは、表示用電極２ｎ及び端子３ｎに対する角度θが等しい。この場合、１つのＴＣＰに接続される複数の引き出し配線から成る１つの配線群において、各引き出し配線の配線抵抗と、各引き出し配線の配線間容量がそれぞれ等しくなるように、２つの延長した部分の長さと、斜め直線配線１ｎの幅、及び角度を調整している。
【特許文献１】特開２００１−２７４４２０号公報
【特許文献２】特開２００４−９６０００号公報
【特許文献３】特開平８−７６１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献３では、１つのＴＣＰに接続される複数の引き出し配線から成る１つの配線群の中で、各引き出し配線の抵抗が同等となるように、引き出し配線の角度を規定し、かつ長さと幅を調整している。そして、ＴＣＰ数に合わせて、配列形状が同一の配線群を繰り返し配置するのが一般的である。
【００１５】
一方、大画面化と共にＴＣＰにおいては狭ピッチ化技術が進み、１つのＴＣＰに接続する電極数、すなわち画素数を増加させることが可能となった。これにより、１パネルに使用するＴＣＰ数の削減が可能となり、低コスト化が実現されている。
【００１６】
また、液晶表示装置、あるいは電磁波検出装置においては、大面積化と同時に軽量化、及びコンパクト化が望まれている。しかしながら、従来のように、引き出し配線から成る複数の配線群を同一形状で繰り返し配置した場合、大型のＰＣＢ、又は複数のＰＣＢが必要となり、その結果、コストアップとなる。また、各ＰＣＢは基板の裏面にＴＣＰを折り曲げて実装されるため、ＰＣＢ同士が干渉し、コンパクト性の低下という事態が生ずる場合がある。
【００１７】
前述のように放射線撮像装置は、液晶ディスプレイとは異なり、微小信号をディジタル変換して画像出力するという特徴を持っており、また放射線撮像装置においては、各ＴＣＰの両端、即ち各配線群の両端にバイアス線を配置する場合がある。このため、各配線群は事実上不連続となり、例えば各配線群の総配線抵抗が異なると、ＴＣＰ単位の画像ムラとして出力段差が生じる場合がある。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格であり、かつ外部回路接続手段単位の出力段差、すなわち画像ムラが発生しない電磁波検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述の課題を解決するため、本発明の電磁波検出装置は、絶縁基板上に、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素がマトリクス状に配列され、前記スイッチ素子に接続された画素配線を有する検出基板と、前記検出基板と外部回路を接続する複数個の外部回路接続手段を備えた電磁波検出装置において、
前記絶縁基板端部に前記画素配線と前記外部回路接続手段を接続するための接続端子が前記画素より小さいピッチで配置され、前記画素配線と前記接続端子を接続する引き出し配線が配置されており、前記１つの外部回路接続手段に接続される複数の引き出し配線が１つの配線群を形成しており、前記配線群における複数の引き出し配線の配列された形状が前記外部回路接続手段毎に異なり、かつ前記引き出し配線の配線幅及び長さを調整することにより、前記各配線群において総配線抵抗の差を最小にしたことを特徴とする。
【００２０】
なお、本明細書において、電磁波を電気信号に変換する変換素子とは、可視光、赤外光等の光から、Ｘ線、α線、β線、γ線等の放射線までの波長領域の電磁波を受け、この電磁波を電気信号に変換する素子を示す。また、本発明における変換素子は、可視光、赤外光等の光を電気信号に変換する光電変換素子、アモルファスセレン等を半導体層として有するＸ線等の放射線を電気信号に変換する素子を含むものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、外部回路接続手段を接続するための接続端子を、基板の一部分に集中させることで、外部回路を小さく、かつ、外部回路接続手段の部品数を少なくできる。その結果、大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格な電磁波検出装置が実現可能となる。
【００２２】
更に、引き出し配線の少なくとも一部の配線幅及び長さを調整し、各配線群において総配線抵抗の差を最小にすることにより、外部回路接続手段単位の出力段差、すなわち画像ムラが発生しない電磁波検出装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
本発明は、電磁波検出装置を対象としているが、周辺回路を含めた撮像用の放射線検出装置である放射線撮像装置として説明する。
【００２５】
［実施形態１］
以下本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置について、図面を用いて説明する。
【００２６】
図１は本発明の放射線撮像装置の概略図、図２は等価回路図、図３は図１中のＡ部分に相当し、光電変換基板端部の拡大平面図である。
【００２７】
本実施形態における放射線撮像装置は、半導体変換素子である光電変換素子とスイッチ素子（ＴＦＴ）を絶縁基板上に有する検出基板としての光電変換基板と、放射線を可視光に変換するための蛍光体を組み合わせた放射線撮像装置である。
【００２８】
図１に示すように放射線撮像装置は、光電変換基板１１とＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）１４と読み出し装置１３とゲート駆動装置１２と波長変換体の代表的なものである蛍光体１５から構成される。読み出し装置１３とゲート駆動装置１２は、プリント回路基板（ＰＣＢ）である。光電変換基板１１は、所定の切断部で切断され、ＴＣＰ１４を介して、信号線及びバイアス線は読み出し装置１３に、ゲート線はゲート駆動装置１２にそれぞれ接続される。蛍光体１５は接着層を介して光電変換基板１１に接続される。また、読み出し装置１３とゲート駆動装置１２は、組み立て時に光電変換基板１１の裏面にＴＣＰ１４を折り曲げて配置されるため、双方が干渉しないよう図１のように、各ＰＣＢは基板の端部に配置されている。
【００２９】
図２において、Ｐ１１〜Ｐ３３は光電変換素子、Ｔ１１〜Ｔ３３はスイッチ素子となる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、各画素を構成している。光電変換素子は、例えば、水素化アモルファスシリコンを用いた半導体変換素子である。各画素は２次元のマトリクス状に配列され、バイアス線、ゲート線、及び信号線が接続される。各光電変換素子は共通のバイアス線Ｖｓ１〜Ｖｓ３に接続されており、読み出し装置１３から一定バイアスが印加される。このバイアス線は、図示するように画素領域外で共通化され、ＴＣＰの両端からバイアスが印加される。各ＴＦＴのゲート電極は、共通のゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ３に接続されており、ゲート駆動装置からＴＦＴのゲートのＯＮ、ＯＦＦを制御する。また、各ＴＦＴのソース若しくはドレイン電極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３に接続されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３は、読み出し装置に接続されている。１つの光電変換素子、ＴＦＴが、１画素を構成している。なお、図２には画素エリアに３×３画素を示しているが、実際には例えば２０００×２０００画素が絶縁基板に配置され、光電変換基板を構成している。
【００３０】
被検体に向けて曝射されたＸ線は、被検体により減衰を受けて透過し、図１に示す蛍光体１５で可視光に変換され、この可視光が光電変換素子に入射し、電荷（電気信号）に変換される。この電荷は、ゲート駆動装置１２により印加されるゲート駆動パルスによりＴＦＴを介して信号線に転送され、読み出し装置１３により外部に読み出される。この期間、バイアス線の電位は一定電位に固定されている。その後、バイアス線の電位を切替えることにより、若しくはＴＦＴを介して光電変換素子の残留電荷をリセットする。
【００３１】
光電変換基板１１の端部、すなわち絶縁基板の端部には、ＴＣＰ１４を接続するための接続端子と、この接続端子とバイアス線、ゲート線、及び信号線を接続する引き出し配線が配置されている。
【００３２】
ここで、上述のように接続端子を基板の一部分に集中させた場合、ＴＣＰ単位毎に引き出し配線の長さ、すなわち配線抵抗が異なるため、ＴＣＰ単位で出力段差、すなわち画像ムラが発生してしまう。
【００３３】
図３は、図１中のＡ部分に相当し、画素１６がマトリクス状に配列された画素領域の信号線Ｓｉｇに接続される引き出し配線１７を示している。引き出し配線１７は、画素領域外に配置されており、信号線Ｓｉｇに接続された画素１６と同ピッチの第一の直線部１７ａと、接続端子１９に接続された画素ピッチより小さいピッチの第二の直線部１７ｂと、両直線部を接続する斜め配線部１７ｃから構成される。また、複数の引き出し配線１７が、１つのＴＣＰ１４に対し、１つの配線群１８を形成している。１つの配線群１８は、他の配線群と比較して複数の引き出し配線の配列された形状が異なっている。すなわち、これらの配線群は、配線群１８１，１８２のようにＴＣＰ単位で異なった形状であり、従来のように同一形状の配線群が繰り返されることはない。これにより、大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格な放射線撮像装置が実現可能となる。
【００３４】
また、本実施形態においては、引き出し配線１７の第一の直線部１７ａは、低抵抗化のために各信号線より配線幅を大きくしている。また、第二の直線部１７ｂ、及び斜め配線部１７ｃにおいて、配線が長い部分ほど配線幅を大きくしている。これは１つの配線群内だけではなく、全ての配線群、すなわち全ての引き出し配線において実施される。これにより、全ての引き出し配線の配線抵抗をほぼ同等となる。これにより、各配線群においても、同数の引き出し配線があり、総配線抵抗が同等となり、図示するように、バイアス線が配線群の間に配置された場合でも、ＴＣＰ単位の出力段差が発生しない。
【００３５】
なおバイアス線は、図示するように画素領域外で共通化され、ＴＣＰの両端からバイアスが印加される。
【００３６】
本実施形態では、スイッチ素子に接続される信号線を例に挙げたが、ゲート線の場合も引き出し配線の配線群において電圧のバラツキがあると不都合であり、総配線抵抗の差を最小にして同様の効果が得られる。また、半導体変換素子を光電変換素子とし、蛍光体と組み合わせた間接型の放射線撮像装置を示したが、半導体変換素子にアモルファスセレン等を用いて、Ｘ線を直接電荷に変換する直接型の放射線撮像装置においても同様の効果が得られる。また、間接型の放射線撮像装置の半導体変換素子は、ＭＩＳ型、ＰＩＮ型のどちらであっても構わない。また、画素の構造に関しては、半導体変換素子とスイッチ素子が同一層で構成されている平面型でも、スイッチ素子が形成されている層上に半導体変換素子が形成されている積層型でも構わない。
【００３７】
［実施形態２］
以下本発明の第２の実施形態である放射線撮像装置について、図面を用いて説明する。
【００３８】
本発明の放射線撮像装置の概略図は、実施形態１と同様の図１であり、図４は図１中のＡ部分及びＢ部分に相当し、光電変換基板端部の拡大平面図である。
【００３９】
本実施形態における放射線撮像装置において、引き出し配線１７は、図４に示すように、画素領域外に配置されている。信号線Ｓｉｇに接続された画素１６と同ピッチの第一の直線部１７ａと、接続端子１９に接続された画素ピッチより小さいピッチの第二の直線部１７ｂと、両直線部を接続する斜め配線部１７ｃから構成される。また、複数の引き出し配線１７が、１つのＴＣＰ１４に対し、１つの配線群１８を形成している。１つの配線群１８は、他の配線群と比較して複数の引き出し配線の配列された形状が異なっている。すなわち、これらの配線群は、配線群１８１〜１８４のように、ＴＣＰ単位で異なった形状となっている。これにより、大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格な放射線撮像装置が実現可能となる。
【００４０】
また、本実施形態においては、引き出し配線１７の第一の直線部１７ａは、低抵抗化のために各信号線より配線幅を大きくしている。また、配線群毎に第二の直線部１７ｂ、及び斜め配線部１７ｃの配線幅が異なる。具体的には、Ａ部分のように信号線とＴＣＰ１４の接続端子の距離が大きい場合には、斜め配線部１７ｃの配線長が長くなるため、配線幅を大きくしている。これに対してＢ部分においては、信号線ＳｉｇとＴＣＰ１４の接続端子１９の距離が小さいため、斜め配線部１７ｃの配線長がＡ部分より短い。よって、配線幅を小さくしている。これにより、Ａ部分とＢ部分において、各斜め配線部１７ｃの配線抵抗はほぼ同等となる。一方、各斜め配線部１７ｃの角度θを同様にしているため、第二の直線部１７ｂの配線長はＡ部分が短く、Ｂ部分が長い。よって、第二の直線部１７ｂの配線幅は、Ａ部分が小さく、Ｂ部分を大きくしている。これにより、Ａ部分とＢ部分において、第二の直線部１７ｂの配線抵抗はほぼ同等となる。つまり、配線群毎に引き出し配線１７の配線幅が異なる。
【００４１】
以上のことにより、各配線群において、同数の引き出し配線があり、総配線抵抗が同等となるため、図示するように、バイアス線が配線群の間に配置された場合でも、ＴＣＰ単位の出力段差が発生しない。また、引き出し配線１７の配線抵抗は、１つの配線群の中では異なるが、これは徐々に変化するため、出力としてはなだらかなシェーディングとなり、問題を生じない。
【００４２】
なおバイアス線は、図示するように画素領域外で共通化され、ＴＣＰの両端からバイアスが印加される。
【００４３】
本実施形態では、スイッチ素子に接続される信号線を例に挙げたが、ゲート線の場合も引き出し配線の配線群において電圧のバラツキがあると不都合であり、総配線抵抗の差を最小にして同様の効果が得られる。
【００４４】
［実施形態３］
以下本発明の第３の実施形態である放射線撮像装置について、図面を用いて説明する。
【００４５】
本発明の放射線撮像装置の概略図は、実施形態１と同様の図１であり、図５は図１中のＣ部分に相当し、光電変換基板端部の拡大平面図である。
【００４６】
本実施形態における放射線撮像装置において、引き出し配線１７は、図５に示すように、画素領域外に配置されており、信号線Ｓｉｇに接続された画素１６と同ピッチの第一の直線部１７ａと、接続端子１９に接続された画素ピッチより小さいピッチの第二の直線部１７ｂと、両直線部を接続する斜め配線部１７ｃから構成される。また、複数の引き出し配線が、１つのＴＣＰ１４に対し、１つの配線群１８を形成しており、各配線群１８１，１８２は、ＴＣＰ単位で異なった形状となっている。これにより、大面積であるが、軽量、コンパクト、低価格な放射線撮像装置が実現可能となる。
【００４７】
また、本実施形態においては、光電変換基板の終端と信号線の距離Ｌが小さい場合を想定している。この場合、実施形態１、又は実施形態２のように、斜め配線部の配線幅を自由に調整するスペースがなくなり、斜め配線部の配線幅は、全ての引き出し配線において同様となる。そこで、引き出し配線１７の第一の直線部１７ａ、及び第二の直線部１７ｂの配線幅を可能なだけ大きくし、各引き出し配線の低抵抗化を行う。つまり、斜め配線部１７ｃに比べ、第一の直線部１７ａ、及び第二の直線部１７ｂの配線幅を大きくしている。
【００４８】
これにより、各配線群において、同数の引き出し配線があり、総配線抵抗の差が小さくなるため、図示するように、バイアス線が配線群の間に配置された場合でも、ＴＣＰ単位の出力段差を軽減することができる。また、引き出し配線の配線抵抗は、１つの配線群の中では異なるが、これは徐々に変化するため、出力としてはなだらかなシェーディングとなり、問題はない。
【００４９】
なおバイアス線は、図示するように画素領域外で共通化され、ＴＣＰの両端からバイアスが印加される。
【００５０】
本実施形態では、スイッチ素子に接続される信号線を例に挙げたが、ゲート線の場合も引き出し配線の配線群において電圧のバラツキがあると不都合であり、総配線抵抗の差を最小にして同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
［応用例１］
図６は本発明による放射線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００５２】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータ（蛍光体）を上部に実装した放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され、コントロールルームに有る表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００５３】
また、この情報は、電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどに設置された表示手段となるディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の記録手段に保存することができる。これにより、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００５４】
［応用例２］
図７は本発明による放射線撮像装置の、ハンディー型の放射線撮像装置に応用した場合の、撮影状況を表した概略図である。
【００５５】
この放射線撮像装置は、図１のように、ＰＣＢが小さく、かつＴＣＰ数の削減により、軽量でコンパクトなハンディー型の放射線撮像装置７０４０である。Ｘ線７０６０は、被検体である患者７０６１の側方から照射される。患者７０６１は、放射線撮像装置が薄いため、装置を容易に脇に挟むことができる。また、脇に挟まれる側は、図１において、ＰＣＢが接続されない側である。この部分には接続端子、及び引き出し配線の配置が不要であるため、基板端部まで画素の配置が可能であり、装置端部まで画像が取得できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置を説明する概略図
【図２】同放射線撮像装置を説明する等価回路図
【図３】同放射線撮像装置を説明する光電変換基板端部の拡大平面図
【図４】本発明の第２の実施形態である放射線撮像装置を説明する光電変換基板端部の拡大平面図
【図５】本発明の第３の実施形態である放射線撮像装置を説明する光電変換基板端部の拡大平面図
【図６】本発明の放射線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を説明する概略図
【図７】本発明の放射線撮像装置のハンディー型放射線撮像装置への応用例を説明する概略図
【図８】従来の液晶表示装置の平面図
【図９】従来の液晶表示装置において液晶表示素子を構成する電極基板端部の平面図
【符号の説明】
【００５７】
１１…光電変換基板
１２…ゲート駆動装置
１３…読み出し装置
１４…ＴＣＰ
１５…蛍光体
１６…画素
１７…引き出し配線
１７ａ…第一の直線部
１７ｂ…第二の直線部
１７ｃ…斜め配線部
１８（１８１，１８２，１８３，１８４）…配線群
１９…接続端子
Ｖｇ…ゲート線
Ｓｉｇ…信号線
Ｖｓ…バイアス線
Ｐ１１〜Ｐ３３…半導体変換素子（光電変換素子）
Ｔ１１〜Ｔ３３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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