(57)【要約】【課題】画像欠陥が少なく優れた品質のａ−Ｓｉ電子写真感光体を常時安定して製造することができる方法を提供することを目的としている。【解決手段】反応容器内に処理基体を保持する基体保持部材を備え、該基体保持部材に装着される処理基体の表面上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記基体保持部材上に処理基体を組み上げる際に発生したダストが処理基体上に付着するのを防止する手段を用いることを特徴とする。【選択図】図１
2007121353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内に処理基体を保持する基体保持部材を備え、該基体保持部材に装着される処理基体の表面上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、
前記基体保持部材上に処理基体を組み上げる際に発生したダストが処理基体上に付着するのを防止する手段を用いることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記機能性膜は、プラズマＣＶＤ法により形成した非単結晶膜で形成されたことを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記基体保持部材及び処理基体の形状が円筒状であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記ダストが処理基体上に付着するのを防止する手段として、少なくとも遮蔽部材を用いることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、処理基体のインロー部に設置することを特徴とする請求項４記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記遮蔽部材は、処理基体上へのダスト付着を遮る遮蔽板から成ることを特徴とする請求項４又は５記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記遮蔽板の表面にダスト捕獲機能を設けたことを特徴とする請求項６記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記ダスト捕獲機能は、粘着力を持つことを特徴とする請求項７記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記ダストが処理基体上に付着するのを防止する手段として、少なくともダストの動きを制御する装置を用いることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
前記ダストの動きを制御する装置は、吸引機構を有する装置から成ることを特徴とする請求項９記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像欠陥の少ない、アモルファスシリコン電子写真感光体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
処理基体が反応容器内に設置され、堆積膜の形成やエッチング等の処理を施す際には、処理基体表面に付着したダストが製品の品質、性能に大きな影響を与える。具体的には、堆積膜の形成においては、処理基体の表面に付着したダストが核となって堆積膜が異常成長することで堆積膜の品質を低下させる。
【０００３】
又、エッチング処理においては、処理基体の表面に付着したダストによって適切な箇所にエッチングを施すことができなくなることがある。そのため、反応容器内に処理基体を設置する時には、出来るだけ処理基体の表面にダストが付着していない状態である必要があり、例えば、基体保管空間内で、基体の表面に清浄ガスを流し、層流境界層ないしは乱流境界層を形成することで、パーティクル汚染防止方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３６３１９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の方法により、処理基体の表面へのダスト付着防止が可能となり、品質の向上した製品を作製可能となってきた。
【０００５】
しかし、例えば電子写真装置用のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）電子写真感光体の作製方法に関して、更なる基体表面へのダスト付着防止技術の要求がある。
【０００６】
即ち、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を生産する場合、円筒状基体を真空反応容器内に運搬並びに保持する必要があることから、円筒状基体内部に基体保持部材を挿入し組み上げる作業が行われる。そして、挿入し組み上げる時には、クリーンルーム等のクリーンな環境下で、人手或は機械により基体保持部材を上方から円筒状基体内部に挿入装着される。
【０００７】
ここで、基体保持部材は、ガラスビーズを用いたサンドブラスト処理、水洗浄等の再生工程を経た後の部材を使用する。この際、水洗浄後の部材表面には落とし切れないガラスビーズの破片やアルミニウム微粉等のダストが存在する。そのため、人手或は機械で基体保持部材を把持した時の振動や、接触等でダストが脱落し円筒状基体表面に付着してしまう場合もあった。
【０００８】
又、特に人手で挿入する場合、基体保持部材と円筒状基体の隙間が狭いため、基体保持部材の表面と円筒状基体端部との摺擦により、ダストが発生してしまう場合がある。その結果、発生したダストが円筒状基体の表面へ付着し、該ダストを核として堆積膜の異常成長した「球状突起」を形成する。そして、該「球状突起」は、白点状、黒点状等の画像欠陥を引き起こし、品質低下の要因になってしまう。
【０００９】
従って、本発明は、上述したａ−Ｓｉ電子写真感光体における課題を解決し、優れた品質のａ−Ｓｉ電子写真感光体を常時安定して製造することができる方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の電子写真感光体の製造方法は、反応容器内に処理基体を保持する基体保持部材を備え、該基体保持部材に装着される処理基体の表面上に機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記基体保持部材上に処理基体を組み上げる際に発生したダストが処理基体上に付着しないように防止する手段を用いることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基体保持部材上に処理基体を組み上げる際に発生したダストが処理基体上に付着しないように防止する手段を用いることで、画像欠陥の原因となる球状突起を低減することが可能となり、常時安定した品質のａ−Ｓｉ電子写真感光体を連続的に製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１（ａ）は、円筒状補助部材１０２上に積み上げた円筒状基体１０１内部に円筒状基体保持部材１０３を挿入し組み上げる方法を示した一例の模式図である。
【００１４】
図１（ａ）は、円筒状基体保持部材１０３を上方から円筒状基体１０１内部へ挿入する場合に、遮蔽板１０４を用いた構成から成る。
【００１５】
本発明の遮蔽部材は、円筒状基体１０１内部に円筒状基体保持部材１０３を挿入する際に発生したダスト１０８が円筒状基体１０１の表面に付着するのを防止可能であれば、特に形状及び大きさの制限はない。しかし、取り扱い易さの観点から板状から成る遮蔽板が好ましく、遮蔽板の場合、図１（ｂ）の上視図に示した少なくとも２つに分割可能な構成が好ましい。又、遮蔽板の大きさは、円筒状基体１０１の直径を１００とすると、好ましくは１５０〜５００、より好ましくは２００〜３００とするのが好ましい。
【００１６】
又、本発明の遮蔽部材は、図１（ｃ）に示すように円筒状基体１０１のインロー部１０７に載置可能な断面がＬ字型の遮蔽板１０４の構成にすることが、設置時の安定性が増すことからより好ましい。勿論、図１（ｄ）のように円筒状基体１０１の肉厚面上に設置しても構わない。
【００１７】
又、本発明の遮蔽部材は、表面にダスト捕獲機能を設けることが好ましく、具体的には粘着力を持たせたり、表面に粗さを持たせたりすることが好ましい。特に、粘着力を持たせるために、図１（ｃ），（ｄ）に示すような粘着シート１０６を設けることで粘着シート上に付着したダスト１０８を逃がさなくすることが可能となる。
【００１８】
又、本発明の遮蔽部材の別の形状としては、例えば、図７の形状が好ましい例として挙げられる。
【００１９】
即ち、図７（ａ）のように遮蔽板７０４の端部を上方向に変化を持たせた形状が、遮蔽板７０４を分割する時のダストの脱落防止という観点から好ましく、図７（ｂ）のように遮蔽板７０４の端部を下方向に変化を持たせることでもダストの脱落時に円筒状基体表面からより遠ざけるという観点から好ましい。又、図７（ｃ）のように円筒状基体の表面を全体に覆うような形状の遮蔽部材７０５にしても構わない。
【００２０】
図２（ａ）は、円筒状補助部材２０２上に積み上げた円筒状基体２０１内部に円筒状基体保持部材２０３を挿入し組み上げる別の一例の模式図である。
【００２１】
図２（ａ）は、円筒状基体保持部材２０３を上方から円筒状基体２０１内部へ挿入する場合に、吸引機構２１１を設けてダスト２０８の動きを制御した装置を用いた構成から成る。
【００２２】
図示の吸引機構２１１は、吸引口２１２、吸引ノズル２０９、吸引機２１０から成り、摺擦により発生したダスト２０８が円筒状基体２０１方向へ落下していくのを吸引によりダスト２０８の動きを制御し、吸い上げ或は円筒状基体２０１表面と別の方向へ逃がす構成となっている。ここで、図２（ｂ）の上視図で示したように、吸引ノズルの本数は特に指定はないが、吸引の均一性の観点から４箇所に吸引ノズルを設けることがより好ましい。
【００２３】
又、本発明のダスト２０８の動きを制御する装置は、ダスト２０８の制御という点で、吸引機構２１１或は清浄ガスを吹き出す機構（不図示）のどちらの機構を用いても構わないが、発生したダストを確実に除去するという観点から吸引機構２１１がより好ましい。
【００２４】
又、本発明のダスト付着防止手段として、図５に示したように遮蔽板５０４と吸引機構５１１の両方を用いた構成にすることがより好ましい例として挙げられる。
【００２５】
図6(a)は、円筒状基体601 および円筒状補助部材602 を下降させて、円筒状基体保持部材603 と組み上げる一例の模式図である。
【００２６】
図６（ａ）は、円筒状基体６０１及び円筒状補助部材６０２下降させて、円筒状基体保持部材６０３と組み上げる場合に、遮蔽板６０４を設けた構成から成る。
【００２７】
図示の遮蔽板６０４は、円筒状基体６０１のインロー部（不図示）に載置可能な断面がＬ字型の遮蔽板６０４で、図６（ｂ）の上視図で示すように２つに分割可能な構成になっている。更に、遮蔽板６０４の下表面には、粘着力を持った粘着シート６０６が設けられており、粘着シート６０６上に付着したダスト６０８が逃げない構成となっている。
【００２８】
本発明で使用する円筒状基体保持部材１０３，２０３及び円筒状補助部材１０２，２０２は、堆積膜形成後、毎回、再生工程としてガラスビーズを用いた液体ホーニングによりブラスト処理が施される。ブラスト処理後、円筒状基体保持部材１０３，２０３の表面に付着したガラスビーズや母材の材質、例えばアルミニウムの微粉等のダストを出来るだけ取り除くために水洗及びエアブローを行う。
【００２９】
円筒状基体保持部材１０３，２０３及び円筒状補助部材１０２，２０２の母体となる材質としては、Ａｌ、ＦＥ等の金属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。又、円筒状基体保持部材１０３，２０３及び円筒状補助部材１０２，２０２を形成するＡｌとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金の何れかを用いることが好ましい。又、円筒状基体１０１，２０１と同種類の材料を含有した方が、熱膨張による体積変化が等しくなり、円筒状基体１０１，２０１との密着性或は円筒状基体１０１，２０１との間隔が安定して保たれるため、均一性の面から好ましい。
【００３０】
円筒状基体保持部材１０３，２０３の厚さ（肉厚）は基体を保持している間に変形することがなければ特に制限はない。しかし、現実的なコスト、取り扱い性、強度、加熱時間、加熱温度等を考慮すると好ましくは、０．５〜３０ｍｍ、より好ましくは１〜２０ｍｍとするのが望ましい。
【００３１】
又、円筒状基体保持部材１０３，２０３と円筒状基体１０１，２０１とは、ヒーター加熱時の熱伝導を良くするために出来るだけ隙間を無くすことが好ましく、０．０５ｍｍ〜２ｍｍの間隔が望ましい。
【００３２】
又、円筒状基体保持部材１０３，２０３の長さは、少なくとも円筒状基体１０１，２０１と相対する部分の長さで良いが、円筒状基体１０１，２０１よりも長い方が堆積する膜の均一性や取り扱いの面から好ましく、円筒状基体１０１，２０１の位置調整に、円筒状補助１０２，２０２を使用することが好ましい。
【００３３】
円筒状基体保持部材１０３，２０３の長さは、取り付ける装置によるもので一概には言えるものではない。しかし、コスト等に鑑みると１つの円筒状基体保持部材１０３，２０３に１つの円筒状基体１０１，２０１を配置する場合、円筒状基体保持部材１０３，２０３の長さは、円筒状基体１０１，２０１の長さを１００とすると、好ましくは１００〜２００、より好ましくは１１０〜１７０とするのが望ましい。１つの円筒状基体保持部材１０３，２０３に複数の円筒状基体を配する場合、複数の円筒状基体の堆積膜形成面の長さの合計が上述の関係とされれば良い。
【００３４】
又、円筒状基体保持部材１０３，２０３には、円筒状基体保持部材１０３，２０３の運搬や円筒状基体の搬送のために搬送用チャッキング部を形成することが望ましい。尚、搬送のためのチャッキングが正確で確実に行われるのであれば、凸形状、凹形状等の様々な形状とすることが可能である。
【００３５】
本発明で使用される円筒状基体１０１，２０１は、使用目的に応じた材質を有するものであれば良い。円筒状基体１０１，２０１の材質としては、例えば、Ａｌ、Ｆｅ等の金属及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられるが、加工性や製造コストを考慮して、Ａｌが最適である。又、円筒状基体１０１，２０１を形成するＡｌとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金の何れかを用いることが好ましい。
【００３６】
以上のように構成された円筒状基体を搬送し、堆積膜形成装置に設置する手順の一例について説明する。
【００３７】
図３の装置について説明すると、洗浄装置（不図示）により洗浄した円筒状基体３０１がクリーンルーム３１２内に搬入され、同時に円筒状基体３０１とは異なる輸送手段（不図示）より表面のブラスト処理を施し、クリーニング処理された円筒状基体保持部材３０３及び円筒状補助部材３０２が同じくクリーンルーム３１２内に搬入される。円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３、更に円筒状補助部材３０２は、本発明の方法により組み上げが行われステージ３２１上に載置される。
【００３８】
その後、組み上げ後の円筒状基体３０１及び円筒状基体保持部材３０３は、真空搬送容器３１６内に移動し、更に堆積膜形成装置に移動し設置される。
【００３９】
ここで、真空搬送容器３１６内への移動及び堆積膜形成装置への移動は、ゲートバルブ３１３を介して真空搬送容器３１６内に設けられた上下移動機構（不図示）により行われる。
【００４０】
ここで、堆積膜形成装置は、ゲートバルブ３１３、上下絶縁碍子３１５、カソード電極３２０、原料ガス導入管（不図示）、高周波電源３１９、マッチングボックス３１８で構成される。又、反応容器の下部には円筒状基体３０１を回転させるためのモータ（不図示）が設置され回転可能となっている。
【００４１】
又、反応容器には排気口３１７が接続されている。この排気口３１７は、排気装置（不図示）と連通し反応容器内をバラトロン等の圧力検出器（不図示）を見ながら一定の圧力に保つように構成されている。
【００４２】
以上のように構成された堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成する方法の手順の一例について以下説明する。
【００４３】
先ず、反応容器内を排気装置（不図示）により排気する。続いて反応容器内に原料ガス導入管（不図示）を介して、円筒状基体３０１の加熱に必要なガス、例えばＡｒ、Ｈｅ等のガスを供給し、排気装置を用いて反応容器内を所定の圧力になるように調整する。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ（不図示）にて、円筒状基体３０１の温度を２００［℃］〜４５０［℃］程度、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］程度の所望の温度に制御する。
【００４４】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体３０１上に堆積膜の形成を行う。即ち、加熱用のガスと堆積膜形成用の原料ガスをミキシング（不図示）を介して入れ替え、堆積膜形成用の原料ガスが所望の流量になるように調整する。次いで、反応容器内が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］程度の所望の圧力になるように調整しながら排気装置を調整する。
【００４５】
反応容器内の圧力が安定した後、高周波電源３１９を所望の電力に設定して、例えば周波数１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス３１８を介して反応容器に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。
【００４６】
この放電エネルギーによって、反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体３０１上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００４７】
次に、堆積膜が形成された後、原料ガス及び高周波電力の供給を停止し、反応容器内を排気する。その後、反応容器内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガス及びＮ２
の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状基体３０１及び円筒状基体保持部材３０３、円筒状補助部材３０２を真空搬送容器を用いて反応容器内から取り出す。取り出し後の反応容器内は、所望のクリーニング用ガス（例えば、三フッ化塩素）を反応容器内に導入し、所定のドラムエッチング処理が実施される。
【００４８】
又、取り出された円筒状基体保持部材３０３及び円筒状補助部材３０２は、再生工程としてガラスビーズを用いた液体ホーニングによりブラスト処理が施される。ブラスト処理後、円筒状基体保持部材１０３，２０３の表面に付着したガラスビーズや母材の材質、例えばアルミニウムの微粉等のダストを出来るだけ取り除くために、水洗及びエアブローを行う。
【００４９】
以上の各実施形態において、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４ ）、ジシラン（Ｓｉ２ Ｈ６ ）、四フッ化珪素（ＳｉＦ４ ）、六フッ化二珪素（Ｓｉ２ Ｆ６ ）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、又はそれらの混合ガスを用いても有効である。
【００５０】
希釈ガスとしては、水素（Ｈ２ ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いても有効である。又、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２ ）、アンモニア（ＮＨ３ ）等の窒素原子を含むもの、酸素（Ｏ２ ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２ ）、酸化二窒素（Ｎ２ Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２ ）等酸素原子を含むもの、メタン（ＣＨ４ ）、エタン（Ｃ２ Ｈ６ ）、エチレン（Ｃ２ Ｈ４ ）、アセチレン（Ｃ２ Ｈ２ ）、プロパン（Ｃ３ Ｈ８ ）等の炭化水素、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４ ）、フッ化窒素（ＮＦ３ ）等のフッ素化合物又はこれらの混合ガスを併用しても有効である。
【００５１】
又、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ２ Ｈ６ ）、フッ化硼素（ＢＦ３ ）、ホスフィン（ＰＨ３ ）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても同様に有効である。
【００５２】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００５３】
図３に示したクリーンルーム３１２に持ち込まれた洗浄後の円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３、円筒状補助部材３０２を人の手作業により組み上げを行った。ここで、円筒状基体３０１は、Ａｌ−Ｍｇ系合金より成る直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍである。又、円筒状基体保持部材３０３及び円筒状補助部材３０２は、表１の寸法形状のものを使用した。
【００５４】
次いで、組み上げ後の円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３、円筒状補助部材３０２を図３の搬送システムにて真空搬送容器３１６内に格納し、堆積膜形成装置内に設置し、表２に示す条件で図４に示す層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。図４中の４０１は円筒状基体を示し、４０２は下部電荷注入阻止層、４０３は光導電層、４０４は表面層をそれぞれ示す。
【００５５】
尚、本実施例では、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げの際、図１（ｃ）に示すように、ダストが円筒状基体の表面上に付着しないように防止する手段として遮蔽板１０４を用いた。
【００５６】
又、本実施例の遮蔽板１０４は、表面に粘着力を持った粘着シート１０６を設けており、付着したダストが逃げないようになっている。
【００５７】
更に、本実施例の遮蔽板１０４は、円筒状基体１０１のインロー部１０７に載置可能な断面がＬ字型から成る。
【００５８】
具体的な組み上げ方法は、組み上げ台１０５に円筒状補助部材１０２、円筒状基体１０１を積み上げ、本発明の遮蔽板を円筒状基体１０１のインロー部１０７に設置し、上方から円筒状基体保持部材１０３を挿入し、挿入が終了する直前に遮蔽板を２分割にして外した。
【００５９】
上述のように、電子写真感光体を１０ロット連続して作製し、作製したａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して「球状突起数」の評価を以下のように実施した。
【００６０】
「球状突起数」
作製した電子写真感光体の表面を光学顕微鏡を用いて自動で全面スキャンし、２０μｍ以上の球状突起の個数を調べた。値が小さいほど画像欠陥が少なく画質に優れていることを示す。
【００６１】
作製した全ての電子写真感光体に関し個数測定を行い、その平均値をもって「球状突起数」とし得られた「球状突起数」に対し、以下の比較例１の１ロット目で得られた値を１００として相対評価を行った。
【００６２】
更に、全ての電子写真感光体の個数結果に対して、最大値と平均値からばらつきを算出した。算出は、（最大値−平均値）／平均値とする。
【００６３】
その結果を表３に示す。
（比較例１）
実施例１と同様に、表１に示した寸法形状からなる円筒状基体保持部材３０３及び円筒状補助部材３０３を使用し、Ａｌ−Ｍｇ系合金よりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体３０１上に、表２の条件で図４に示す層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。
【００６４】
尚、本比較例では、円筒状基体と基体保持部材の組み上げ時に、ダストが円筒状基体上に付着しないように防止する手段を用いなかった。
【００６５】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
【００６６】
得られた結果を表３に示す。
【実施例２】
【００６７】
本実施例では、実施例１と同様に、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げに遮蔽板１０４を使用する。
【００６８】
しかし、本実施例の遮蔽板１０４は、円筒状基体１０１のインロー部１０７に設置可能なタイプではなく、図１（ｄ）に示すような円筒状基体１０１の肉厚面に置くタイプを使用した。
【００６９】
尚、本実施例の遮蔽板１０４は、表面に粘着力を持った粘着シート１０６を設けており、付着したダストが逃げないようになっている。
【００７０】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
【実施例３】
【００７１】
本実施例では、実施例１と同様に、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げに遮蔽板１０４を使用する。
【００７２】
しかし、本実施例の遮蔽板１０４は、その表面にダスト捕獲機能を有する粘着シートを設けなかった。
【００７３】
尚、本実施例の遮蔽板１０４は、図１（ｃ）に示すように円筒状基体１０１のインロー部１０７に載置可能な断面がＬ字型から成る。
【００７４】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
【実施例４】
【００７５】
本実施例では、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げの際、図２（ａ）に示すように、ダストが円筒状基体上に付着しないように防止する手段としてダストの動きを制御する吸引装置を用いた。
【００７６】
具体的な組み上げ方法は、組み上げ台２０５に円筒状補助部材２０２、円筒状基体２０１を積み上げ、本発明の吸引装置２１１の吸引ノズルを円筒状基体２０１端部付近に設置し、円筒状基体保持部材１０３を上方から挿入中に吸引させた。
【００７７】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
【実施例５】
【００７８】
本実施例では、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げの際、図５（ａ）に示すように、ダストが円筒状基体上に付着しないように防止する手段として、遮蔽板５０４とダストの動きを制御する吸引装置５１１の両方を用いた。
【００７９】
ここで、本実施例の遮蔽板１０４は、その表面にダスト捕獲機能を有する粘着シートを設けなかった。
【００８０】
又、施例の遮蔽板１０４は、円筒状基体１０１のインロー部１０７に載置可能な断面がＬ字型から成る。
【００８１】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
【実施例６】
【００８２】
本実施例では、円筒状基体３０１と円筒状基体保持部材３０３との組み上げの際、図６に示すように、円筒状基体６０１の下部に設置した蔽板６０４を使用した。
【００８３】
本実施例では、遮蔽板６０１上に円筒状基体６０１及び円筒状補助部材６０２を設置し、円筒状基体保持部材６０３の上方から下降させて組み上げを行った。
【００８４】
ここで、本実施例の遮蔽板６０４は、その下表面にダスト捕獲機能を有する粘着シートを設けた。
【００８５】
又、本実施例の遮蔽板１０４は、インロー部１０７を有した円筒状基体を上に載せることが可能な断面がＬ字型から成る。
【００８６】
これ以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。得られた結果を表３に示す。
【００８７】
表３の結果から、本発明の実施例１〜６によれば、遮蔽板又は／及び吸引機構を設けることで、画像欠陥の原因となる球状突起数及び球状突起数のばらつきが比較例１に比べて低減することが判明した。
【００８８】
実施例１と実施例２との比較から、遮蔽板の設置及び分割時の安定性を観点に遮蔽板が円筒状基体のインロー部に設置可能タイプにすることで、球状突起数のばらつきが低減することが判明した。
【００８９】
又、実施例１と実施例２の比較から、遮蔽板を２分割に外す時のダスト飛散防止を観点に遮蔽板の表面に粘着シートを設けることで、球状突起数のばらつきが低減することが判明した。
【００９０】
又、実施例４では、ダストの動きを制御する観点に、吸引装置を用いることで比較例１に比べて球状突起数が低減し、更に球状突起数のばらつきも低減することが判明した。更に、実施例５のように、遮蔽板及び吸引装置を用いることで、球状突起数及び球状突起数のばらつきが更に低減することが判明した。
【００９１】
又、円筒状基体を上から下降させて組み上げる場合でも、遮蔽板を用いることで実施例１と同様の効果が得られることが判明した。
【００９２】
以上の結果として、本発明の製造方法によれば、安定して高品位のａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製することが可能であることが判明した。
【００９３】
【表１】
2007121353.tif 000003
【００９４】
【表２】
2007121353.tif 000004
【００９５】
【表３】
2007121353.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明のダスト付着防止手段を模式的に示した図である。
【図２】本発明のダスト付着防止手段を模式的に示した図である。
【図３】電子写真感光体を形成するための装置の一例を示した図である。
【図４】電子写真感光体の層構成を模式的に示した図である。
【図５】本発明のダスト付着防止手段を模式的に示した図である。
【図６】本発明のダスト付着防止手段を模式的に示した図である。
【図７】本発明の遮蔽部材の別形状を示す図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０１，２０１，３０１，５０１，６０１，７０１    円筒状基体
１０２，２０２，３０２，５０２，６０２，７０２    円筒状補助部材
１０３，２０３，３０３，５０３，６０３            円筒状基体保持部材
１０４，５０４，６０４                    遮蔽板
７０５                                    遮蔽部材
１０５，２０５，５０５，６０５，７０５    組み上げ台
１０６，６０６          粘着シート
１０７                  インロー部
１０８，５０８，６０８  ダスト
２０９，５０９          吸引ノズル
２１２，５１２          吸引口
２１０，５１０          吸引機
２１１，５１１          吸引機構
３１２                クリーンルーム
３１３                ゲートバルブ
３１４                搬送レール
３１５                碍子
３１６                真空搬送容器
３１７                排気ライン
３１８                マッチングボックス
３１９                高周波電源
３２０                カソード
４０１                基板
４０２                下部電荷注入阻止層
４０３                光導電層
４０４                表面層
【図１】
2007121353.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007121353.tif 000011
【図７】
2007121353.tif 000012