(57)【要約】【課題】特に、フィラー量の多いフラックス含有アンダーフィルを用いて半導体チップとパッケージ配線基板とをはんだバンプ（はんだ突起）同士で接続する際、バンプ接続部に前記フィラーが巻き込まれないようにして、高い接続信頼性を有するバンプ接続部を形成する。【解決手段】パッケージ配線基板上に形成した、ソルダーレジスト平面より突出した半球状突起を有する半球状はんだバンプを、加熱及び加圧処理によって、ソルダーレジスト平面より突出した薄厚円盤状突出部を有する円盤状はんだバンプにする。この時、特に、薄厚円盤状突出部の平面形状の径をソルダーレジストの開口部径の１．５倍以上にする。こうする事で、フラックス含有アンダーフィルを用いたバンプ間接続を行なったとき、比較的大きい径を有する円盤状突出部が加熱によって融解し、自身の表面張力によって半球状に変形して半導体チップ側のはんだバンプと接合する際に近傍のフィラーをバンプ接続領域から排除するように働き、結果としてフィラーが接合部に巻き込まれない。【選択図】図４
2007208080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、
該電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜と、
該開口部に充填され、該開口部より突出する突出部を有するとともに、該突出部の径が該開口部の径の１．５倍以上であるはんだ突起部と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記はんだ突起部の平面形状は、略円形であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
配線基板にはんだ突起を形成するはんだ突起形成方法であって、
前記配線基板に電極を形成する工程と、
前記電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部内にはんだペースト突起を充填形成する工程と、
前記はんだペースト突起を加熱することにより溶融させた後、凝固させ、半球状はんだ突起部を形成する工程と、
前記半球状はんだ突起部を加圧しながら溶融させ、頂部が平面であるはんだ突起を形成する工程と、
を含み、かつ
前記はんだ突起を形成する工程は、該はんだ突起の径が、前記開口部の径の１．５倍以上となるように加圧することを特徴とするはんだ突起形成方法。
【請求項４】
請求項３記載のはんだ突起形成方法によって、はんだ突起の形成された配線基板と、電極上に第２のはんだ突起部が形成された半導体素子とを電気的に接合する半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板のはんだ突起形成面または前記半導体素子の第２のはんだ突起形成面のいずれかに充填用補強材料を塗布する工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを位置合わせする工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを加熱することにより溶融させた後、凝固させ、互いに接合する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記充填用補強材料は、フラックス材料と無機充填材料とを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、はんだ突起形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、特にパッケージ基板への半導体素子の実装などにおいて、半導体素子とパッケージ配線基板の金属バンプ同士を、充填用補強材料を封入してつき合わせて接続するとき、これを容易かつ高い接続信頼性をもって実現する配線基板、はんだ突起形成方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の高機能化・高集積化に伴い、半導体チップの入出力端子数はますます増加し、それに応じて、そういった半導体チップを搭載し搭載基板と接続するための半導体パッケージの入出力端子数も増加している。それに対処するために、半導体パッケージの外周部にパッケージの入出力端子を配置するＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の半導体パッケージが、当初用いられてきた。しかし、この構造においても入出力端子数の増加に対応できなくなったことから、パッケージ底面にはんだボールを格子状に配置するＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造の半導体パッケージが用いられるようになった。
【０００３】
この様な方法は、このパッケージを搭載する電子機器のプリント基板の占有面積が、従来の方法に比べて相対的に小さくなることから、装置の小型化が図れるなどのメリットがあることも、広く用いられる理由となっている。
【０００４】
一方、こういった半導体パッケージの配線基板に半導体チップを実装する方法に関しても、半導体チップの底面全面に入出力端子を格子状に配置し、それぞれにはんだバンプ（はんだ突起）を形成して、これをパッケージ配線基板にはんだ付けする、ＦＣ―ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  ―  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）搭載法が適用されるようになってきている。このとき、はんだバンプ接合部は、機械的に半導体チップを接続すると同時に、電気的な接続も担っている。
【０００５】
半導体パッケージの、半導体チップ搭載・接続のための電極が形成された配線基板面は、絶縁層（通常ソルダーレジスト層）によって被覆されている。そして電極が形成された面のソルダーレジスト層が開口されていて、言わば、電極面がソルダーレジスト層の面から凹状に陥没する形となっている。そのため、このままの電極構成では半導体チップ裏面に形成されたはんだバンプと配線基板の電極との良好な半導体チップ接続が難しく、これが、半導体パッケージのチップ搭載用の配線基板にも、半球状の突起を有するはんだバンプ（ボール）を形成する理由の一つとなっている。
【０００６】
このはんだバンプの形成方法については、通常、メタルマスクを介してはんだペースト（例えば、２０μｍ径程度のはんだ粉末を高粘度のフラックス成分の混入した材料）を電極上に印刷し、はんだ融点以上に加熱して溶融し、その後、冷却することではんだが凝固し、半球状の突起を有するバンプが形成される。
【０００７】
しかし、このような半球状の突起をもつ配線基板のバンプは、半導体チップ裏面に形成されたはんだバンプ（同様に半球状の突起をもつバンプ）とつき合わせて実装するとき、位置ずれが生じ易くなる。従って、配線基板のバンプの半球状の突起を平坦化する必要がある。
【０００８】
はんだバンプの半球状の突起を平坦化する方法は、すでに提案されている（例えば、特許文献１）。この例においては、１４０〜１７０℃の加熱したはんだバンプを、セラミックからなるプレス面を有する治具で半球状の突起部をプレスして、上面頭部を平坦化した。全体形状がほぼ円柱状のバンプ（高さ１０〜３０μｍ、頭部径４０〜１７０μｍ程度が望ましいとしている）を形成している。
【０００９】
一方、半導体チップを半導体パッケージのチップ搭載用配線基板への実装の際しては、通常、半導体チップのはんだバンプに少量のフラックスを供給し、これを配線基板に形成された上面が平坦な円柱状のはんだバンプにつき合わせ、はんだ融点以上に加熱することで行われる。そして、バンプ接合部のフラックスを洗浄した後、半導体チップと配線基板の間に、フィラーが添加された樹脂を主成分とする充填用補強材料（アンダーフィル樹脂）を充填することで、両者の長期接続信頼性を確保することが行われる。
【００１０】
しかし、この時、バンプ接続部における、半導体チップ面と配線基板面の間隔が、例えば、５０μｍ程度と非常に狭く形成され、また搭載される半導体チップのサイズが大きい場合などにおいては、フラックスの洗浄を十分になし得ない状況が生じる。洗浄不良の結果、フラックスの残渣がバンプ接続部や基板あるいは半導体チップの表面などに存在すると、アンダーフィル樹脂が、半導体チップ／バンプ／配線基板のそれぞれの間で剥離を生じ易くなり、結果として十分な接続信頼性を確保することができない。
【００１１】
このようなフラックスの洗浄不良に起因する問題を解決する手段の一つに、フラックス作用を有する物質をアンダーフィル樹脂に添加した材料（フラックス含有アンダーフィル材料、フラックスアンダーフィル材料などと称される）の適用がある。これを用いた半導体チップの実装は、半導体チップもしくは配線基板に、このフラックス含有アンダーフィル材料を塗布し、半導体チップと配線基板のバンプをつき合わせて、はんだ融点以上に加熱・凝固化することで終了し、チップ・基板間接続とアンダーフィル充填の両工程を一度のプロセスで実現するものである。
【特許文献１】特開２００３−２１８１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
フラックス含有アンダーフィル材料は、現在、いくつかのメーカから市販されているが、一般的に、粘度調整などの点などから、これに含まれるＳｉＯ2などの無機充填材料からなるフィラーの含有量が比較的少なく配合されているものが多い。このことから、バンプ接合部に大きな応力が生じるような接合が行われた場合には、十分接続信頼性を確保できなくなるため、この材料の適用範囲が限定される。適用範囲を広げるために、フィラーの含有量を増やすことが要請される。しかし、固体成分であるフィラーの増加によって、フラックス含有アンダーフィル材料が高粘度となり、バンプ接続部にフィラーが巻き込まれ易くなるといった問題が生じる。この状況を、図５を用いて説明する。
【００１３】
図５に、パッケージ配線基板と半導体チップを、フィラー含有量の比較的多いフラックス含有アンダーフィル材料を用いて、バンプ接続するときの接続部分の模式的な断面図を示す。図５（１）において、パッケージ配線基板１０１上に、ソルダーレジスト１０２が形成され、図示するように、基板側電極１０３上に、頭部が平坦化された略円柱形の基板側はんだバンプ１０４が形成されている。他方それと対向してバンプ接続する半導体チップ１０５の面上にはチップ側電極１０６が形成され、その上には、半球状のチップ側はんだバンプ１０７が形成されている。パッケージ配線基板１０１と半導体チップ１０５の間には、特にフィラー含有量を含む、フラックス含有アンダーフィル１０８が導入されており、その中に含まれる無機材からなるフィラー１０９が図示するように存在する。フィラーが多い場合は、両バンプ１０４、１０７間に挟まれるように存在するケースが増える。本図において、バンプ接続するために両バンプ１０４、１０７が、つき合わされた状況を示す。
【００１４】
図５（２）は、上図の状態において、はんだバンプの融点である２４０℃の加熱を開始したときの状態を示し、両バンプ１０４、１０７のほぼ同時の溶融開始に伴って、バンプ間にあるフィラー１０９が溶融した両バンプ内に巻き込まれ始めることを示す。そして、図５（３）に示すように、冷却後、両バンプ１０４、１０７が接着して凝固し、結果としてフィラー１０９がバンプ接続の界面近傍に巻き込まれた状態で、バンプ接続が行なわれる。この状態では、十分な接続信頼性を得ることができなくなる。
【００１５】
そこで、本発明の課題は、たとえフィラー含有量の多い場合のフラックス含有アンダーフィルを用いたバンプ接続であっても、バンプ接続部にフィラーが巻き込まれるおそれの無い、半導体チップ全面にわたって接続信頼性の高いバンプ接続を行なうことができる、配線基板、はんだ突起形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の目的の配線基板は、
電極と、
該電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜と、
該開口部に充填され、該開口部より突出する突出部を有するとともに、該突出部の径が該開口部の径の１．５倍以上であるはんだ突起部と、
を有することを特徴とする配線基板、により可能となる。
【００１７】
そして、前記はんだ突起部の平面形状は、略円形であることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の目的のはんだ突起形成方法は、
配線基板にはんだ突起を形成するはんだ突起形成方法であって、
前記配線基板に電極を形成する工程と、
前記電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部内にはんだペースト突起を充填形成する工程と、
前記はんだペースト突起を加熱することにより溶融させた後、凝固させ、半球状はんだ突起部を形成する工程と、
前記半球状はんだ突起部を加圧しながら溶融させ、頂部が平面であるはんだ突起を形成する工程と、
を含み、かつ
前記はんだ突起を形成する工程は、該はんだ突起の径が、前記開口部の径の１．５倍以上となるように加圧することを特徴とするはんだ突起形成方法、により可能となる。
【００１９】
また、本発明の目的の半導体装置の製造方法は、
上述の、はんだ突起形成方法によって、はんだ突起の形成された配線基板と、電極上に第２のはんだ突起部が形成された半導体素子とを電気的に接合する半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板のはんだ突起形成面または前記半導体素子の第２のはんだ突起形成面のいずれかに充填用補強材料を塗布する工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを位置合わせする工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを加熱することにより溶融させた後、凝固させ、互いに接合する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法、により可能となる。
【００２０】
そして、前記充填用補強材料は、フラックス材料と無機充填材料とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の配線基板、はんだ突起形成方法及び半導体装置の製造方法を用いることで、フラックス含有アンダーフィルの適用することから生じる、チップ実装プロセスで重要なバンプ間接続の工程が簡略化するが可能となることに加え、フィラー含有量の多いものでも、高い接続信頼性を持つバンプ接続が可能となり、このフラックス含有アンダーフィル材料の適用範囲をさらに広げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
（本発明の実施の形態）
本発明による実施例を、図１〜図３で示す各工程における半導体装置の断面図により説明する。
【００２３】
図１（１）に、半導体チップを搭載するための半導体パッケージに用いる、パッケージ配線基板１の断面図を示す。この例ではＢＧＡパッケージを適用する例を示している。図示するように、パッケージ配線基板１は、主面（半導体チップ搭載面）側に、ソルダーレジスト２が塗布・形成され、半導体チップの入出力端子を電気的に接続する基板側電極３の個所のソルダーレジスト層は開口されている。このパッケージ配線基板１の反対面には、電子機器などの基板との接続のためのＢＧＡ用はんだボールが形成される電極やその周囲にソルダーレジストが形成されているが、本発明の工程の説明においては直接的な関連が無い個所であり、これについては以後の説明は行わない。
【００２４】
図１（２）に示すように、既知の、メタルマスクを用いたペースト印刷法により、基板側電極３それぞれの上に、はんだペーストを印刷する。すなわち、パッケージ配線基板１の主面に、その開口部が基板側電極３の位置に合致するように配置・開口した所定の開口径と厚さを持つ、メタルマスク４を配する。そして、そのメタルマスク４の上に、例えば、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの組成のはんだペースト５を滴下し、スキージ治具６などにより、図中の矢印方向にスキージして、はんだペースト５をメタルマスクの開口部中に埋め込む。
【００２５】
次に、図１（３）に示すように、メタルマスク４を取り外して、基板側電極３のそれぞれの上に、ソルダーレジスト２の面より突出した、印刷はんだペースト７を形成する。
【００２６】
次に、リフロー炉などを用いて、例えば２４０℃で加熱したのち、室温で自然凝固させ、図１（４）に示すように、上に凸の半球状突出部の形を持つ半球状はんだバンプ８を得る。このとき形成した半球状はんだバンプ８は、ソルダーレジスト面から突出した高さ３５μｍ、ピッチ１８０μｍ、ソルダーレジストの開口部の径は８０μｍであった。
【００２７】
次いで、図２（５）に示すように、半球状はんだバンプ８と同じ位置に１４０μｍの径の貫通穴を有する、厚さ１０μｍのステンレス板を用いたスペーサ９を、半球状はんだバンプ８の半球部を貫通穴に入れるように合わせて、パッケージ配線基板１上に搭載する。
【００２８】
次に、図２（６）に示すように、半球状はんだバンプ８上に、すべてのバンプを覆う大きさのガラス板１０を配置し、この状態でパッケージ配線基板１全体を、磁石板１１と４２アロイ板１２で挟むことで加圧処理を行い、そして図２（７）に示すように、これを２４０℃で加熱し、半球状はんだバンプ８の上部の平坦化処理を実施した。
【００２９】
そして、室温冷却後、平坦化のための各種治具を取り除いた結果、図２（８）に示すような、ソルダーレジストの開口径より大きな径を有した薄厚の円盤状に平坦化した上部を持つ、円盤状はんだバンプ１３を得た。このとき円盤状突出部は、平面形状で直径約１２０μｍ（すなわちソルダーレジスト開口部の径の１．５倍）、厚さ約１２μｍの薄厚円盤の形となっている。
【００３０】
次に、この円盤状はんだバンプ１３が形成されたパッケージ配線基板１に、半導体チップを搭載する。図３（９）に示すように、半導体チップ１４の主面（バンプ接続面）に、パッケージ配線基板１のバンプ位置と相対するように形成されたチップ側電極１５にチップ側はんだバンプ１６（この場合のはんだバンプの形状は、半球状突出部をもつ半球状はんだバンプで良い）が形成されている。このチップ側はんだバンプ１６は、例えば、パッケージ配線基板１側と同じバンプピッチ１８０μｍであり、はんだバンプの組成は、同様に、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕのものを用いる。
【００３１】
パッケージ配線基板１の円盤状はんだバンプ１３が形成された主面に、フラックス含有アンダーフィル１７を滴下して、これが面全体にわたるようにする。このとき、フラックス含有アンダーフィル１７は、例えば、ＳｉＯ2からなるフィラーの含有量が６０重量％と比較的多いものである。
【００３２】
こうして、図３（１０）に示すように、パッケージ配線基板１と半導体チップ１４のバンプ同士をつき合わせて、２４０℃に加熱し、バンプ接続を行なう。図中の矢印で示した接合領域Ａは、後述する説明領域を示す。
【００３３】
そして、室温冷却によるバンプ接続部の凝固により、図３（１１）に示すように、両バンプが一体化したはんだバンプ接続部１８を得ることができた。このように、本発明の方法で製造したはんだバンプ接続を有する試料を、−６５℃〜１２５℃の温度サイクル試験の供したところ、１０年相当以上の接続性を保証する高い接続信頼性が確認された。
【００３４】
上記の図３（１０）の接合領域Ａにおけるバンプ接合状況を、図４の、部分的に拡大したバンプ接続部分近傍の模式的な断面図を用いて、より詳細に説明する。
【００３５】
図４（１）は、パッケージ配線基板１上の円盤状はんだバンプ１３（このはんだバンプにおいて、実質的なバンプ間接続に寄与するはんだ領域となるソルダーレジスト２の面より上に突出した個所が、薄厚の比較的大きな径をもつ円盤状突出部になっていることに注意）と、半導体チップ１４上のチップ側はんだバンプ１６（半球状はんだバンプを適用）とをバンプ間接続するために両者をつき合わせた状況であり、その間にフラックス含有アンダーフィル１７が存在する。フラックス含有アンダーフィル１７に多く含まれるフィラー１９も模式的に示す。
【００３６】
図４（２）は、つき合せた状況下で、２４０℃の加熱を開始したときの様子を示す。このとき、円盤状はんだバンプ１３の比較的径を大きい薄厚となった円盤状の部分（円盤状突出部）は、チップ側はんだバンプ１６の半球状突出部と接合する際には、はんだ融点以上に加熱されてほぼ均一かつ容易に融解し、自身の表面張力によって半球状に変形し（図中の個所２０）、チップ側バンプの溶解と相俟って、図４（３）に示すように両者は一体化し、はんだバンプ接続部１８を形成する。特に、円盤状突出部の溶解と、その表面張力による半球状への変形過程は、その円盤径が大きいほぼ半球化への変化の度合いが大きく、両バンプ１３、１６の界面に存在した、あるいは、挟まれるように介在していたフィラー１９を、円盤状突出部が半球化する領域を含むバンプ接続領域からより有効に排除するように働き、その結果、フィラー１９のバンプ接合部への巻き込みが排除されるものと考えられる。実際、このバンプ接続断面を、顕微鏡を用いて観察したところ、使用フラックス含有アンダーフィルに由来するフィラーの結合したバンプ内への挟み込みや混入は認められなかった。
【００３７】
以上の実施例においては、円盤状突出部の径がソスダーレジストの開口部の径の１．５倍となっており、その結果、有効性が確認できた訳であるが、異なる円盤状突出部の径を有するはんだバンプでのバンプ接続実験結果を、本実施例と共に以下に示す。
（ａ）従来例（市販品）
ソルダーレジスト開口部のピッチ：１８０μｍ
ソルダーレジスト開口部の直径：    ８０μｍ
平坦化したはんだバンプの直径：    ８５μｍ（レジスト開口部比〜１倍）
接合結果；                      導通不良（ディージーチェーン接続）
（ｂ）試作比較例
ソルダーレジスト開口部のピッチ：１８０μｍ
ソルダーレジスト開口部の直径：    ８０μｍ
平坦化したはんだバンプの直径：  １００μｍ（レジスト開口部比１．２５倍）
接合結果；                      導通不良
（ｃ）本発明の結果
ソルダーレジスト開口部のピッチ：１８０μｍ
ソルダーレジスト開口部の直径：    ８０μｍ
平坦化したはんだバンプの直径：  １２０μｍ（レジスト開口部比１．５倍）
接合結果；                      導通良
温度サイクル試験：              １０年相当以上の接続信頼性
上記の比較例の結果から、フィラー巻き込み排除効果を得るためには、レジスト開口部比で、少なくとも１．５倍以上の平坦化したはんだバンプ（円盤状突出部）の径を必要とすることが、確認できた。
【００３８】
このように、フィラー含有量の多い、フラックス含有アンダーフィルを用いてのはんだバンプ間接続においても、一方の半球状はんだバンプを、その半球状突起を平坦化して円盤状にし、円盤状突出部の径を、レジスト開口部比で、少なくとも１．５倍にすることで
バンプ接続部に無機材料であるフィラーが巻き込まれるような状況を排除できることが解った。
【００３９】
上述した実施例においては、パッケージ配線基板のはんだバンプを円盤状はんだバンプとしたが、半導体チップ側のはんだバンプを円盤状はんだバンプとしても構わない。また使用したはんだ材料の組成やそれに関連する加熱温度は上述した値に限られず、またフラックス含有アンダーフィルに含まれるフィラー含有量も６０重量％に限られないことはいうまでも無い。
【００４０】
このような本発明の製造方法を適用することで、フラックス含有アンダーフィルの適用することから生じる、チップ実装プロセスで重要なバンプ間接続の工程が簡略化することに加え、フィラー含有量の多いフラックス含有アンダーフィルでも、高い接続信頼性を持つバンプ接続が可能となり、このフラックス含有アンダーフィル材料の適用範囲をさらに広げることができた。
【００４１】
以上の実施例を含む実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００４２】
（付記１）
電極と、
該電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜と、
該開口部に充填され、該開口部より突出する突出部を有するとともに、該突出部の径が該開口部の径の１．５倍以上であるはんだ突起部と、
を有することを特徴とする配線基板。
【００４３】
（付記２）
前記はんだ突起部の平面形状は、略円形であることを特徴とする付記１記載の配線基板。
【００４４】
（付記３）
配線基板にはんだ突起を形成するはんだ突起形成方法であって、
前記配線基板に電極を形成する工程と、
前記電極に対応する箇所に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部内にはんだペースト突起を充填形成する工程と、
前記はんだペースト突起を加熱することにより溶融させた後、凝固させ、半球状はんだ突起部を形成する工程と、
前記半球状はんだ突起部を加圧しながら溶融させ、頂部が平面であるはんだ突起を形成する工程と、
を含み、かつ
前記はんだ突起を形成する工程は、該はんだ突起の径が、前記開口部の径の１．５倍以上となるように加圧することを特徴とするはんだ突起形成方法。
【００４５】
（付記４）
前記はんだ突起の平面形状は、略円形であることを特徴とする付記３記載のはんだ突起形成方法。
【００４６】
（付記５）
前記はんだ突起を形成する工程は、前記はんだ突起の形状と略等しい形状の開口を有する開口版を配置する工程を含むことを特徴とする付記３または４記載のはんだ突起形成方法。
【００４７】
（付記６）
前記はんだ突起を形成する工程は、前記半球状はんだ突起部に対してぬれ性のない材料からなる平板を該半球状はんだ突起部に押し付けることで加圧することを特徴とする付記３ないし５のいずれかに記載のはんだ突起形成方法。
【００４８】
（付記７）
付記３ないし６のいずれかに記載のはんだ突起形成方法によって、はんだ突起の形成された配線基板と、電極上に第２のはんだ突起部が形成された半導体素子とを電気的に接合する半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板のはんだ突起形成面または前記半導体素子の第２のはんだ突起形成面のいずれかに充填用補強材料を塗布する工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを位置合わせする工程と、
前記はんだ突起と前記第２のはんだ突起とを加熱することにより溶融させた後、凝固させ、互いに接合する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４９】
（付記８）
前記充填用補強材料は、フラックス材料と無機充填材料とを含むことを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記９）
前記無機充填材料は、ＳｉＯ2を含み、かつ前記充填用補強材料中に、５０〜７０重量％含有することを特徴とする付記８記載の半導体層著の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例の工程を説明する図（その１）
【図２】本発明の実施例の工程を説明する図（その２）
【図３】本発明の実施例の工程を説明する図（その３）
【図４】本発明の実施例のはんだバンプ接合の詳細を説明する図
【図５】従来のはんだバンプ接合の詳細を説明する図
【符号の説明】
【００５２】
１、１０１    パッケージ配線基板
２、１０２    ソルダーレジスト
３、１０３    基板側電極
４    メタルマスク
５    はんだペースト
６    スキージ用治具
７    印刷はんだペースト
８    半球状はんだバンプ
９    スペーサ
１０    ガラス板
１１    磁石板
１２    ４２アロイ板
１３    円盤状はんだバンプ
１４、１０５    半導体チップ
１５、１０６    チップ側電極
１６、１０７    チップ側はんだバンプ
１７、１０８    フラックス含有アンダーフィル
１８    はんだバンプ接合部
１９、１０９    フィラー
２０    円盤状突起部の溶解と半球状化状態部
１０４    基板側はんだバンプ
【図１】
2007208080.tif 000003
【図２】
2007208080.tif 000004
【図３】
2007208080.tif 000005
【図４】
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【図５】
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