(57)【要約】【課題】従来と比べて耐衝撃性が向上した半導体チップを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体チップ１は、平面形状が略長方形であり、能動面１０ａを形成している２つの長辺１１ａ及び裏面を形成している２つの長辺１１ｂそれぞれが研磨されている。この半導体装置によれば、シリコンウェハから半導体チップ１を切り出すときに４つの長辺１１ａ，１１ｂに割れや欠け等が形成されていても、割れや欠け等は研磨によって除去される。従って、従来と比べて耐衝撃性が向上する。能動面１０ａを形成している２つの短辺１２ａ及び裏面を形成している２つの短辺１２ｂそれぞれが更に研磨されていてもよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が略長方形であり、能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれが研磨されている半導体チップ。
【請求項２】
前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれが研磨されている請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
平面形状が略長方形であり、能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれが、前記能動面に対して斜面になっている半導体チップ
【請求項４】
前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれが、前記能動面に対して斜面になっている請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記半導体チップの側面が研磨されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体チップ。
【請求項６】
前記半導体チップの裏面が研磨されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体チップ。
【請求項７】
半導体ウェハから半導体チップを切り出す工程と、
前記半導体チップの能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれを研磨する工程と、
を具備する半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれを研磨する工程を更に具備する請求項７に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記半導体チップの側面を研磨する工程を更に具備する請求項７又は８に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記半導体チップの裏面を研磨する工程を更に具備する請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ及びその製造方法に関する。特に本発明は、従来と比べて耐衝撃性が向上した半導体チップ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の半導体チップ１００を説明する為の斜視図及び一部を拡大した図である。半導体チップ１００は、シリコンウェハをダイシングすることにより、シリコンウェハから切り出される。このダイシング工程において、半導体チップ１００の長辺１１１ａ，１１１ｂ及び短辺１１２ａ，１１２ｂそれぞれには、複数の割れや欠け１２０が形成される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２７３７３７号公報（第２段落〜第４段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体チップが実装された機器に衝撃が加わると、半導体チップが割れることがある。この割れは、半導体チップの縁に存在する割れや欠けを起点とする場合が多いと考えられる。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、従来と比べて耐衝撃性が向上した半導体チップ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体チップは、平面形状が略長方形であり、能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれが研磨されている。
【０００５】
この半導体装置によれば、シリコンウェハから半導体チップを切り出すときに前記４つの長辺に割れや欠け等が形成されていても、割れや欠け等は研磨によって除去される。従って、従来と比べて耐衝撃性が向上する。
【０００６】
前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれが研磨されていてもよい。この場合、シリコンウェハから半導体チップを切り出すときに前記４つの短辺に割れや欠け等が形成されていても、割れや欠け等は研磨によって除去される。従って、従来と比べて耐衝撃性が向上する。
【０００７】
本発明に係る他の半導体チップは、平面形状が略長方形であり、能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれが、前記能動面に対して斜面になっている。
この半導体チップにおいて、前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれが、前記能動面に対して斜面になっていてもよい。
【０００８】
上記した半導体チップにおいて、側面が研磨されていてもよいし、裏面が研磨されていてもよい。この場合、シリコンウェハから半導体チップを切り出すときに前記側面及び前記裏面に割れや欠け等が形成されていても、割れや欠け等は研磨によって除去される。従って、従来と比べて耐衝撃性が向上する。
【０００９】
本発明に係る半導体チップの製造方法は、半導体ウェハから半導体チップを切り出す工程と、
前記半導体チップの能動面を形成している２つの長辺及び裏面を形成している２つの長辺それぞれを研磨する工程と、
を具備する。
【００１０】
前記半導体チップを切り出す工程の後に、前記能動面を形成している２つの短辺及び前記裏面を形成している２つの短辺それぞれを研磨する工程を更に具備してもよいし、前記半導体チップの側面を研磨する工程を更に具備してもよいし、前記半導体チップの裏面を研磨する工程を更に具備してもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体チップの製造方法を説明する為の斜視図である。この方法によって製造される半導体チップは、例えば自動車の走行を制御するＩＣ、航空機の飛行を制御するＩＣ、精密医療機器を制御するＩＣ、ロケットや人工衛星等の宇宙機器を制御するＩＣ等、高い信頼性が要求される分野で使用される。
【００１２】
まず、シリコンウェハの表面すなわち能動面に、複数の半導体素子、配線及びパッド等の外部接続端子（それぞれ図示せず：以下半導体素子等と記載）を形成する。次いで、シリコンウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、複数の半導体チップを切り出す（Ｓ１０）。半導体チップの平面形状は長方形である。このダイシング作業において、半導体チップの能動面を形成する長辺及び短辺、並びに半導体チップの裏面を形成する長辺及び短辺には微小な割れや欠け等が複数形成される。また、半導体チップの裏面及び４つの側面にも微小な割れや欠け等が形成されることもある。
【００１３】
次いで、半導体チップの能動面を形成する長辺及び短辺、並びに半導体チップの裏面を形成する長辺及び短辺を研磨し、各々の部分に斜面を形成する。また、半導体チップの裏面及び４つの側面を研磨する（Ｓ２０）。これらの研磨は鏡面研磨であるのが好ましい。これらの研磨作業により、ダイシング時に形成された微小な割れや欠け等が除去される。尚、Ｓ２０に示した研磨工程は、例えば、研磨板と、半導体チップを保持して研磨板に押し当てる保持部と、を有する研磨装置を使って行う。また、回転している研磨板に半導体チップを手作業で押し当てることにより、研磨工程を行っても良い。
【００１４】
図２は、図１を用いて説明した方法により製造された半導体チップ１の斜視図である。半導体チップ１は表面１０ａが能動面になっている。能動面には半導体素子等が形成されている。
【００１５】
半導体チップ１の表面１０ａを形成する２つの長辺１１ａ及び２つの短辺１２ａ、並びに裏面を形成する２つの長辺１１ｂ及び２つの短辺１２ｂそれぞれは研磨されており、表面１０ａ及び裏面に対して斜面になっている。また、半導体チップ１の４つの側面、及び裏面それぞれも研磨されている。
【００１６】
上記したように、ダイシング時に半導体チップ１に形成された微小な割れや欠け等は、研磨によって除去されている。従って、衝撃が加わった場合に半導体チップ１が割れることが抑制され、半導体チップ１の耐衝撃性が向上する。
【００１７】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、半導体チップ１の長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１２ａ，１２ｂは研磨されており、割れや欠けが除去されている。従って、衝撃が加わった場合に半導体チップ１が割れることが抑制される。このため、半導体チップ１の信頼性が向上する。
【００１８】
また、半導体チップ１の側面及び裏面も研磨されているため、ダイシング時に側面及び裏面に割れや欠け等が形成されても、この割れや欠け等が除去される。従って、半導体チップ１耐衝撃性を向上させることができる。
【００１９】
また、シリコンウェハの裏面を研削することにより半導体チップ１の薄型化が行われた場合、半導体チップ１の裏面に研削痕が残る。研削痕が残っていると、研削痕を起点として半導体チップ１が割れることがある。しかし、本実施形態では、半導体チップ１の裏面を研磨することによって研磨痕が除去される。従って、更に半導体チップ１の耐衝撃性が向上する。
【００２０】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体チップ１の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る半導体チップ１は、長辺１１ａの２つの端部１１ｃ、長辺１１ｂの２つの端部１１ｄ、短辺１２ａの２つの端部１２ｃ、及び短辺１２ｂの２つの端部１２ｄが研磨されていない点を除いて、第１の実施形態に係る半導体チップ１と同様の構成である。端部１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄそれぞれの長さは、長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１２ａ，１２ｂの長さの１０％以下である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば第１及び第２の実施形態において、半導体チップ１の平面形状は長方形に限定されず、正方形であっても良い。また、半導体チップ１の平面形状が長方形の場合、半導体チップ１は長辺１１ａ，１１ｂと交わる方向に割れる場合がほとんどであるため、短辺１２ａ，１２ｂは研磨しなくても良い。また、長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１２ａ，１２ｂには研磨によって曲面が形成されてもよい。
【００２２】
また、半導体チップ１の側面及び裏面に生じる割れや欠け等の数は、長辺及び短辺に生じる割れや欠け等の数より少ないため、側面及び裏面は研磨しなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係る半導体チップの製造方法を説明する為のフローチャート。
【図２】図１で説明した方法により製造された半導体チップを説明する為の斜視図。
【図３】第２の実施形態に係る半導体チップ１を説明する為の斜視図
【図４】従来の半導体チップ１００を説明する為の斜視図及び一部を拡大した図。
【符号の説明】
【００２４】
１，１００…半導体チップ、１０ａ…表面、１１ａ，１１ｂ，１１１ａ，１１１ｂ…長辺、１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄ…端部、１２ａ，１２ｂ，１１２ａ，１１２ｂ…短辺、１２０…割れや欠け
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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