(57)【要約】【課題】製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供する。【解決手段】表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層を有する基材微粒子からなる導電性微粒子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層を有する基材微粒子からなることを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】
銀より貴な貴金属は、金、パラジウム、又は、白金であることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く電気抵抗が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性微粒子は、一般に、バインダー樹脂等に混合され、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等の異方性導電材料として広く用いられている。これらの異方性導電材料は、例えば、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器において、配線回路基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等の小型部品を配線回路基板に電気的に接続したりするために、配線回路基板や電極端子の間に挟み込んで使用している。
【０００３】
従来、異方性導電材料に対して好適な導電性微粒子として、粒子径の均一な樹脂微粒子やガラスビーズ等の非導電性微粒子を基材微粒子として用い、基材微粒子の表面にニッケル等の金属によるメッキを形成させた導電性微粒子が報告されていた。しかしながら、ニッケルメッキされた導電性微粒子は経時的にメッキ層が腐食して電気抵抗が増大するという問題があった。
【０００４】
このような問題に対し、ニッケルメッキされた導電性微粒子の表面に、更に金層又は銀層を形成させた導電性微粒子が報告されている。例えば、特許文献１には、実質的に球状な樹脂微粒子の表面に、無電解メッキによりニッケル層を形成させた後、シアン化金を用いて金層を形成させた導電性微粒子が開示されている。また、例えば、特許文献２には、基材微粒子の表面に、無電解メッキによるニッケル層と、ニッケル層を覆う銅層とを形成させ、更に無電解銀メッキによる銅と銀との置換反応により銀層を形成させた導電性微粒子が開示されている。
【０００５】
しかしながら、ニッケル層の表面に金層を形成させた導電性微粒子は、接続安定性には優れるが、電気抵抗が高いという問題があった。
一方、ニッケル層の表面に銀層を形成させた導電性微粒子は、ニッケル層の表面に金層を形成させた導電性微粒子よりも電気抵抗が低く、基板等の熱圧着には好適に用いられるが、電流を流し使用しているうちにマイグレーションが起こり、断線の原因となるという問題があった。
【０００６】
そこで、安定した導通性と電気抵抗の低減化を目指した導電性微粒子として、例えば、特許文献３には、基材微粒子の表面に銀層を形成し、更に金層を形成させた導電性微粒子が開示されている。しかしながら、基材微粒子と銀層との密着性が悪いため、製造時及び基板等の熱圧着時に層が剥がれることがあった。
【特許文献１】特開平８−３１１６５５号公報
【特許文献２】特開平１１−６１４２４号公報
【特許文献３】特開２００２−２７００３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑み、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く電気抵抗が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層を有する基材微粒子からなる導電性微粒子である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討の結果、基材微粒子の表面に、ニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層（以下、この３層を併せて導電層ともいう）を順次形成させることにより、従来不可能であった、基材微粒子と導電層との高い密着性、低抵抗、高耐食性を兼ね備えることができ、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、接続抵抗が低い導電性微粒子となるということを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明の導電性微粒子は、基材微粒子と、上記基材微粒子の表面に形成された導電層とからなる。
【００１１】
上記基材微粒子としては特に限定されず、適度な弾性率、弾性変形性及び復元性を有するものであれば、無機材料であっても有機材料であってもよいが、適度な弾性率、弾性変形性及び復元性を制御しやすいため、樹脂からなる樹脂微粒子であることが好ましい。
【００１２】
上記樹脂微粒子としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ジビニルベンゼン重合樹脂；ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−アクリル酸エステル共重合体、ジビニルベンゼン−メタクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系共重合樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等からなるものが挙げられる。これらの樹脂微粒子は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１３】
上記基材微粒子の平均粒子径としては特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は２０μｍである。１μｍ未満であると、例えば、無電解メッキをする際に凝集しやすく、単粒子としにくくなることがあり、２０μｍを超えると、異方性導電材料として基板電極間等で用いられる範囲を超えてしまうことがある。より好ましい上限は１０μｍである。
【００１４】
上記導電層は、上記基材微粒子の表面に接するニッケル層を有する。
本発明において、上記ニッケル層は、上記基材微粒子と上記導電層との密着性を高め、製造時及び基板等の熱圧着時に導電層の剥がれが発生するのを抑制する目的で形成される。
【００１５】
上記ニッケル層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は５ｎｍ、好ましい上限は２０００ｎｍである。５ｎｍ未満であると、所望の密着性が得られないことがあり、２０００ｎｍを超えると、基材微粒子とニッケル層との熱膨張率の差から、上記ニッケル層が剥離しやすくなることがある。より好ましい下限は１０ｎｍ、より好ましい上限は５００ｎｍであり、更に好ましい下限は５０ｎｍ、更に好ましい上限は１００ｎｍである。
なお、上記ニッケル層の厚さは、無作為に選んだ１０個の粒子について測定し、これらを算術平均した厚さである。
【００１６】
上記導電層は、上記ニッケル層の表面に接する銀層を有する。
本発明において、上記銀層は、上記導電層の抵抗値を低下させる目的で形成される。また、従来のニッケル層の表面に金層を施した導電性微粒子よりも、金層の厚さを薄くしても導電性を保つことができるため、コスト面でも優れる。
なお、上記銀層は、銀と、銅、パラジウム、錫、コバルト、鉄、ニッケル、ビスマスからなる群より選択される少なくとも１種の金属とからなる銀の合金層であってもよい。
【００１７】
上記銀層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は５ｎｍ、好ましい上限は１０００ｎｍである。５ｎｍ未満であると、所望の導電性が得られないことがあり、１０００ｎｍを超えると、使用時にマイグレーションが発生しやすくなり、また、コストが高くなる。
なお、上記銀層の厚さは、無作為に選んだ１０個の粒子について測定し、これらを算術平均した厚さである。
【００１８】
上記導電層は、上記銀層の表面に接する銀より貴な貴金属層を有する。銀より貴な貴金属としては、具体的には、金、パラジウム、又は、白金等が挙げられる。
本発明において、上記銀より貴な貴金属層は、基板等の熱圧着後、使用とともにマイグレーションが発生するのを抑制するとともに、耐食性を高める目的で形成される。
なお、上記銀より貴な貴金属層は、銀より貴な貴金属と、銅、コバルト、ロジウム、ニッケル、錫、銀からなる群より選択される少なくとも１種の金属とからなる合金層であってもよい。ただし、高い耐酸化効果が必要である場合は、銀より貴な貴金属の純度は９９％以上であることが好ましい。
【００１９】
上記銀より貴な貴金属層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は５ｎｍ、好ましい上限は５０ｎｍである。５ｎｍ未満であると、導電層の酸化やマイグレーションの発生を防止することが困難となることがあり、５０ｎｍを超えても、それ以上の耐酸化効果が望めず、また、コストが高くなる。
なお、上記銀より貴な貴金属層の厚さは、無作為に選んだ１０個の粒子について測定し、これらを算術平均した厚さである。
【００２０】
上記基材微粒子の表面を被覆している導電層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は１５ｎｍ、好ましい上限は３０５０ｎｍである。１５ｎｍ未満であると、所望の導電性が得られないことがあり、３０５０ｎｍを超えると、基材微粒子と導電層との密着性が悪くなることがあり、また、コストも高くなる。
【００２１】
本発明の導電性微粒子の製造方法としては特に限定されず、例えば、基材微粒子の表面に無電解ニッケルメッキによりニッケル層を形成する工程と、上記ニッケル層の表面に無電解銀メッキにより銀層を形成する工程と、上記銀層の表面に従来公知の方法により銀より貴な貴金属層を形成する工程とからなる方法が挙げられる。
以下に、各工程の詳細を説明する。
【００２２】
上記ニッケル層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、触媒付与された基材微粒子を、還元剤の存在下でニッケルイオンを含有する溶液中に浸漬し、触媒を起点として基材微粒子の表面にニッケルを析出させる方法等が挙げられる。
ここで、上記触媒付与を行う方法としては、例えば、アルカリ溶液でエッチングされた基材微粒子に酸中和、及び、二塩化スズ（ＳｎＣｌ２）溶液におけるセンシタイジングを行い、二塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）溶液におけるアクチベイジングを行う無電解メッキ前処理工程を行う方法等が挙げられる。
なお、センシタイジングとは、絶縁物質の表面にＳｎ２＋イオンを吸着させる工程であり、アクチベイチングとは、絶縁性物質表面にＳｎ２＋＋Ｐｄ２＋→Ｓｎ４＋＋Ｐｄ０で示される反応を起こしてパラジウムを無電解メッキの触媒核とする工程である。
【００２３】
上記無電解銀メッキにより銀層を形成する方法としては特に限定されず、上記ニッケル層の表面に銀層が形成される方法であれば特に限定されないが、ニッケル層と銀層との密着性が優れたものとなるため、例えば、下地触媒型の還元型無電解銀メッキによる方法が好適に用いられる。また、下地触媒型の還元型無電解銀メッキによる方法に加えて、例えば、自己触媒型の還元型無電解銀メッキによる方法、及び、置換型無電解銀メッキによる方法等を併用してもよい。
【００２４】
上記下地触媒型の還元型無電解銀メッキによる方法は、ニッケル層のニッケルを触媒として銀層を析出させる方法である。
下地触媒型の還元型無電解銀メッキによる方法では、ニッケル層の表面で酸化反応を起こし析出金属である銀の表面では酸化反応を起こさない還元剤をニッケル層の表面に存在させ、無電解銀メッキ液中の銀塩を還元させて銀を析出させることにより銀メッキ被膜を形成することができる。
【００２５】
上記無電解銀メッキに用いる無電解銀メッキ液としては特に限定されず、一般の無電解銀メッキ液と同様に、銀イオン源として水溶性銀塩と、銀イオンを安定して溶解させるための錯化剤とを含むものが挙げられる。
【００２６】
上記水溶性銀塩としては、水溶性を示すものであれば特に限定されず、例えば、硝酸銀、硫酸銀等のノーシアン銀塩；シアン化銀等のシアン系銀塩等が挙げられる。なかでも、環境問題等の観点よりノーシアン銀塩が好ましい。
上記ノーシアン銀塩を用いることにより、ノーシアン無電解銀メッキを行うことができ、シアン浴のように強アルカリで用いられることがないため基材微粒子等への浸食がなく、環境にも配慮したものとなる。上記ノーシアン銀塩のなかでも、水への溶解性を考慮すると硝酸銀が好ましい。
【００２７】
上記銀より貴な貴金属層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、無電解メッキ、置換メッキ、電気メッキ、還元メッキ、スパッタリング等の従来公知の方法が挙げられる。
【００２８】
本発明の導電性微粒子は、上記構成からなることにより、製造時及び熱圧着時のメッキ剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、抵抗値が低いものとなる。
【００２９】
また、本発明の導電性微粒子をバインダー樹脂に分散させることにより異方性導電材料を製造することができる。このような異方性導電材料もまた、本発明の１つである。
【００３０】
本発明の異方性導電材料の具体的な例としては、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘着剤層、異方性導電フィルム、異方性導電シート等が挙げられる。
【００３１】
上記樹脂バインダーとしては特に限定されないが、絶縁性の樹脂が用いられ、例えば、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂等のビニル系樹脂；ポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂及びこれらの硬化剤からなる硬化性樹脂；スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、これらの水素添加物等の熱可塑性ブロック共重合体；スチレン−ブタジエン共重合ゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等のエラストマー類（ゴム類）等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
また、上記硬化性樹脂は、常温硬化型、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型のいずれの硬化型であってもよい。
【００３２】
本発明の異方性導電材料には、本発明の導電性微粒子、及び、上記樹脂バインダーの他に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、増量剤、軟化剤（可塑剤）、粘接着性向上剤、酸化防止剤（老化防止剤）、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等の各種添加剤を添加してもよい。
【００３３】
本発明の異方性導電材料の製造方法としては特に限定されず、例えば、絶縁性の樹脂バインダー中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤等とする方法や、絶縁性の樹脂バインダー中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に溶解（分散）させるか、又は、加熱溶解させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理面に所定のフィルム厚さとなるように塗工し、必要に応じて乾燥や冷却等を行って、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等とする方法等が挙げられ、製造しようとする異方性導電材料の種類に対応して、適宜の製造方法をとればよい。
また、絶縁性の樹脂バインダーと、本発明の導電性微粒子とを混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００３６】
（実施例１）
（無電解ニッケルメッキ）
粒径４μｍのジビニルベンゼン樹脂粒子を、イオン吸着剤の１０％溶液で５分間処理し、その後、硫酸パラジウム０．０１％水溶液で５分間処理し、更にジメチルアミンボランを加えて還元処理を施し、ろ過、洗浄することにより、パラジウムを担持した基材微粒子を得た。
次に、コハク酸ナトリウム１％とイオン交換水５００ｍＬとを含む溶液を調製し、基材微粒子１０ｇと混合してスラリーを調製し、更に硫酸を添加してスラリーのｐＨを５に調整した。一方、ニッケルメッキ液として、硫酸ニッケル１０％、次亜リン酸ナトリウム１０％、水酸化ナトリウム４％及びコハク酸ナトリウム２０％を含む前期ニッケル溶液を調製した。スラリーを８０℃にし、これに作製した前期ニッケル溶液を連続的に滴下し、２０分間攪拌することによりメッキ反応させた。このメッキ反応中に、著しい凝集はなく、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。
次に、硫酸ニッケル２０％、ジメチルアミンボラン５％、水酸化ナトリウム５％を含む後期ニッケル溶液を調製し、後期ニッケル液を調製した。その後、前期ニッケル液反応終了後の溶液に作製した後期ニッケル液を連続的に滴下し、１時間攪拌することによりメッキ反応させた。
【００３７】
（無電解銀メッキ）
次に、銀塩として硝酸銀４．２５ｇを純水１１８０ｍＬに室温で溶解した溶液に、還元剤としてベンズイミダゾール１５ｇを加えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したのを確認した後、錯化剤としてアンモニア６ｇ、クエン酸１水和物６ｇを溶解し、その後、結晶調整剤としてグリオキシル酸１０ｇを投入し完全溶解させ無電解銀メッキ液を調製した。
次に、得られたニッケルメッキ被膜が形成された粒子１０ｇを無電解銀メッキ液に投入し、この溶液を攪拌しながら加熱して温度を５０℃に保った。その後、ブフナー漏斗で濾別して粒子を分離し、銀メッキ被膜が形成された粒子を得た。
【００３８】
（無電解金メッキ）
次に、塩化金酸ナトリウム１０ｇとイオン交換水１０００ｍＬとを含む溶液を調製し、得られたニッケルメッキ被膜及び銀メッキ被膜が順次形成された粒子１５ｇを混合して水性懸濁液を調製した。得られた水性懸濁液に、チオ硫酸アンモニウム１５ｇ、亜硫酸アンモニウム８０ｇ、及び、リン酸水素アンモニウム４０ｇを投入しメッキ液を調製した。得られたメッキ液にヒドロキシルアミン４ｇを投入後、アンモニアを用いｐＨを９に合わせ、浴温を６０℃にし、１５〜２０分程度反応させることにより最外層に金メッキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
【００３９】
（実施例２）
実施例１と同様にしてニッケルメッキ被膜及び銀メッキ被膜が順次形成された粒子を作製した。
【００４０】
（無電解パラジウムメッキ）
次に、テトラクロロパラジウム９ｇ、エチレンジアミン１０．１ｇ、アミノピリジン５．３ｇ、次亜リン酸ナトリウム１７．８ｇ、ポリエチレングリコール２０ｇ、及び、イオン交換水１０００ｍＬを含む溶液を調製し、得られたニッケルメッキ被膜及び銀メッキ被膜が順次形成された粒子１５ｇを混合してメッキ液を調製した。得られたメッキ液にアンモニアを加えｐＨを７．５に合わせ、浴温を６５℃にし、１５〜２０分程度反応させることにより、最外層にパラジウムメッキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
【００４１】
（比較例１）
（Ｎｉ／Ａｕからなる導電層を有する導電性微粒子）
塩化金酸ナトリウム１０ｇとイオン交換水１０００ｍＬとを含む溶液を調製し、実施例１と同様のニッケルメッキ被膜が形成された粒子１２ｇを混合して水性懸濁液を調製した。得られた水性懸濁液に、チオ硫酸アンモニウム３０ｇ、亜硫酸アンモニウム８０ｇ、及び、リン酸水素アンモニウム４０ｇを投入しメッキ液を調製した。得られたメッキ液にヒドロキシルアミン１０ｇを投入後、アンモニアを用いｐＨを１０に合わせ、浴温を６０℃にし、１５〜２０分程度反応させることにより、最外層に金メッキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
【００４２】
（比較例２）
（Ｎｉ／Ａｇからなる導電層を有する導電性微粒子）
実施例１と同様にして、無電解ニッケルメッキを行い、ニッケルメッキ被膜が形成された粒子を得た。
次に、銀塩として硝酸銀４．２５ｇを純水１１８０ｍＬに室温で溶解した溶液に、還元剤としてベンズイミダゾール１５ｇを加えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したのを確認した後、錯化剤としてアンモニア６ｇ、クエン酸１水和物６ｇを溶解し、その後、結晶調整剤としてグリオキシル酸１０ｇを投入し完全溶解させ無電解銀メッキ液を調製した。次に、得られたニッケルメッキ被膜が形成された粒子を無電解銀メッキ液に投入し、この溶液を攪拌しながら加熱して温度を５０℃に保った。その後、ブフナー漏斗で濾別して粒子を分離し、分離した粒子に純水約１０００ｍＬを振り掛け洗浄した。その後、アルコール置換を行い、真空乾燥機で８０℃２時間乾燥し、最外層に銀メッキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
【００４３】
（比較例３）
（Ａｇ／Ａｕからなる導電層を有する導電性微粒子）
粒径４μｍのジビニルベンゼン樹脂粒子を、イオン吸着剤の１０％溶液で５分間処理し、その後、硫酸パラジウム０．０１％水溶液で５分間処理し、更にジメチルアミンボランを加えて還元処理を施し、ろ過、洗浄することにより、パラジウムを担持した基材微粒子を得た。次に、コハク酸ナトリウム１％とイオン交換水５００ｍＬ含む溶液を調製し、基材微粒子１０ｇとを混合してスラリーを調製し、更に硫酸を添加してスラリーのｐＨ６．５に調整した。
次に、銀塩として硝酸銀８．５ｇを純水２３６０ｍＬに室温で溶解した溶液に、還元剤としてベンズイミダゾール３０ｇを加えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したのを確認した後、錯化剤としてアンモニア１２ｇ、クエン酸１水和物１２ｇを溶解し、その後、結晶調整剤としてグリオキシル酸２０ｇを投入し完全溶解させ無電解銀メッキ液を調製した。この溶液を基材微粒子を含むスラリーに連続的に滴下し、１時間攪拌することによりメッキ反応させた。
次に、塩化金酸ナトリウム１０ｇとイオン交換水１０００ｍＬとを含む溶液を調製し、得られた銀メッキ被膜が形成された粒子１５ｇを混合して水性懸濁液を調製した。得られた水性懸濁液に、チオ硫酸アンモニウム１５ｇ、亜硫酸アンモニウム８０ｇ、及び、リン酸水素アンモニウム４０ｇを投入しメッキ液を調製した。得られたメッキ液にヒドロキシルアミン４ｇを投入後、アンモニアを用いｐＨを９に合わせ、浴温を６０℃にし、１５〜２０分程度反応させることにより、最外層に金メッキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
【００４４】
＜評価＞
実施例１〜２及び比較例１〜３で得られた導電性微粒子について以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４５】
（１）導電性微粒子の密着性評価
実施例１〜２及び比較例１〜３で得られたそれぞれの導電性微粒子について、１００ｍＬのビーカーに、導電性微粒子１ｇ、直径１ｍｍのジルコニアボール４０ｇ、及び、エタノール２０ｍＬを投入し、ステンレス製の４枚攪拌羽根により４００ｒｐｍで２分間攪拌し、ろ過乾燥を行い、導電性微粒子の解砕を行った。
解砕を行った導電性微粒子について、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍）にて５枚撮影し、１０００個観察中の割れた粒子数をカウントして、基材微粒子とメッキ被膜との密着性の評価を行った。なお、割れた粒子数は、導電性微粒子の直径の１／２以上のひびや剥がれをおこしたものをカウントした。
【００４６】
（２）抵抗評価
Ｌ／Ｓ１００μｍ／１００μｍの銅パターンを持つ基板２枚の交差部を導電性微粒子と樹脂との混合ペーストで接続し、加熱硬化後、抵抗を四端子法にて測定し、評価した。
【００４７】
（３）耐食性評価
表面にＮｉ／Ａｕ無電解メッキを施したＬ／Ｓ１００μｍ／１００μｍの銅パターンを持つ基板２枚の交差部を導電性微粒子と樹脂との混合ペーストで接続し、加熱硬化させ、８５℃８５％ＲＨ環境で１０００ｈ放置した。放置前後の抵抗を四端子法にて測定し、耐食性を評価した。
【００４８】
（４）マイグレーション評価
図１に示すような表面にＮｉ／Ａｕ無電解メッキを施した最小Ｌ／Ｓ２０μｍ／２０μｍの櫛型銅パターンの表面に導電性微粒子と樹脂との混合ペーストを塗布し、導電性微粒子を電極に確実に接触させるためにペーストの上からアルカリフリーガラス板を圧着し、加熱硬化させ、電極間５Ｖのバイアスを印加しながら８５℃８５％ＲＨ環境で１０００ｈ放置した。放置前後の電極間の絶縁抵抗を測定し、かつ、電極表面の外観変化（マイナス電極表面でのデントライト発生の有無）を観察することでマイグレーション耐性を評価した。
【００４９】
【表１】
2007194210.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明によれば、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】表面にＮｉ／Ａｕ無電解メッキを施した最小Ｌ／Ｓ２０μｍ／２０μｍの櫛型銅パターンの一例を示す模式図である。
【図１】
2007194210.tif 000003