(57)【要約】【課題】従来よりもさらに簡便かつ信頼性も高く、光ディスクの再生耐久性を測定する方法及び装置を提供する。【解決手段】光ディスクに対し、パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーのレーザビームによりそれぞれ繰り返し再生を行って、それぞれの再生パワーにおける、再生回数に対する特性値が変化し、前記特性値が特定の値を示したときの前記繰り返し再生の再生回数の対数を縦軸に取り、再生パワーの逆数を横軸に取ったグラフにおいて、前記グラフの傾きを用いて光ディスクの再生耐久性を評価する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの再生耐久性を評価する方法であって、
パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーのレーザビームによりそれぞれ繰り返し再生を行って、それぞれの再生パワーにおける、再生回数に対する特性値が変化し、前記特性値が特定の値に達したときの前記繰り返し再生の再生回数の対数を縦軸に取り、再生パワーの逆数を横軸に取ったグラフにおいて、前記グラフの傾きを用いる、光ディスクの再生耐久性を評価する方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記再生パワーは、パワーレベルの相異なる２種であることを特徴とする、光ディスクの再生耐久性を評価する方法。
【請求項３】
光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置であって、
前記光ディスクにレーザビームを照射するためのヘッドと、
このヘッドに対して、前記レーザビームを制御するためのレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路と、
前記レーザ駆動信号を生成するレーザコントロール回路と、
パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーのレーザビームによりそれぞれ繰り返し再生を行った場合に、再生回数に対する特性値の変化を測定できる特性値測定部と、
前記特性値が特定の値に達したときに、その時点の再生回数を記録する再生回数記録部と、
前記再生回数記録部が記録したデータと所定の計算式に基づき、前記光ディスクの通常の再生パワーのレーザビームにおける再生可能回数を演算する再生耐久性判定部と、
からなる再生耐久性評価回路と、
を有することを特徴とする光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記再生パワーは、パワーレベルの相異なる２種であることを特徴とする光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの繰り返し再生に対する耐久性を評価する方法及び情報再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ；商標）等の光ディスクと光ディスクを用いて多種多様なコンテンツの記録や再生が行われている。光ディスクは、他の媒体と比較すると、コンテンツを長期間に渡って保存したり、何度も再生するような、いわゆるアーカイバル的な用途に適している。したがって、光ディスクでは、何回再生しても一定の品質で再生が行えたり、さらには記録したコンテンツが消失しない、という再生耐久性が極めて重要であり、一般的には１００万回程度の再生をしても安定であることが求められている。
【０００３】
しかしながら、光ディスクの繰り返し再生に対する耐久性を評価するために、実際に１００万回程度の再生を実施すると、連続的に最低でも数時間に及んでレーザパワーを照射する必要がある。これは、非効率であり、またレーザの劣化にもつながってしまう。
【０００４】
これに対して、特許文献１においては、複数の再生パワーのレーザビームによる繰り返し再生から得られた測定値を基にして、再生回数の常用対数と再生パワーとの関係を示す一次の近似式を求め、この近似式により任意の再生パワーのレーザビームで繰り返し再生をした場合における光記録媒体の再生耐久性を評価する方法が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−６９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、従来よりもさらに簡便かつ信頼性も高く、光ディスクの再生耐久性を評価する方法及び装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
熱によって反応が進行する反応のうち、以下の関係式で表される過程のことを熱活性化過程と呼ぶ。
【０００８】
ν＝Αｅｘｐ（−ΔＥ／ｋＢ／Τ）・・・（１）
【０００９】
この式はアレニウスの式と呼ばれており、νは反応速度、ΔＥは反応の活性化エネルギー、ｋＢはボルツマン定数、Τは温度であり、Ａ、Ｂは定数である。ΔＥはトータルな反応を律速する過程に固有な数値である。発明者らは種々の検討の結果、上記のアレニウスの式は、光ディスクの再生劣化において、光ディスクの評価パラメーターを用いて以下のように変換できることを見いだした。
【００１０】
Ν＝Α´ｅｘｐ（ΔＥ´／ｋＢ／Ｐｒ）＋Ｂ´・・・（２）
→Ｌｎ（Ν）＝ΔＥ´／ｋＢｘ１／Ｐｒ＋Ｃ・・・（３）
【００１１】
ここで、Νは光ディスクの信号品質を表す指標が、一定値の劣化をしたときの再生回数であり、信号品質を表す指標として、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）やジッタ、エラーレート等を用いることができ、一定値の劣化の一定値の数値は任意であるが、たとえばＣＮＲでは初期値と比べて−３ｄＢ、ジッタでは初期値と比べて＋１％の変化、エラーレートであればそのシステムが許容する最大のエラーレートを取ることができ、そのときの再生回数がＮとなる。ΔＥ´は擬似的な反応の活性化エネルギー、Ｐｒは再生パワー、Ｃは定数である。ΔＥはトータルな反応を律速する過程に固有な数値であることから、擬似的な活性化エネルギーΔＥ´は再生劣化モードに固有な値をとり、Ｐｒが一定の範囲では媒体の構造・材料によって決定される。
【００１２】
（１）式が（２）式に変換できることは次のように説明できる。νは反応速度、Ｎはその反応が一定程度進行するための回数、つまり時間に置き換えることができるので、ν∝１／Ｎと考えられる。したがって、（１）式のｅｘｐ内の−（マイナス）、が（２）式のｅｘｐ内では＋（プラス）になる。また、光ディスクの再生では温度を与える熱源は再生パワーのレーザビームであり、Ｔ∝Ｐｒであるため、（１）式から（２）式において適当に定数を変化させる（Ｂ´→Ｃ）ことによりＴをＰｒに置き換えることができる。
【００１３】
本発明では、ΔＥ´を用いて再生耐久性の評価を行う。具体的には、実際にドライブで用いるレーザビームの再生パワーを、Ｐｒ１よりも高い、少なくとも２種の再生パワーＰｒ２、Ｐｒ３として、Ｎ２、Ｎ３を測定し、（３）式を用いてΔＥ´を算出し、その結果を用いて、実際にドライブで用いる再生パワーＰｒ１での再生耐久回数Ｎ１を算出する。（３）式から明らかなように、再生パワーを高くすると一定量の劣化のための再生回数（時間）は指数関数的に減少するために、実際にドライブで用いるような低い再生パワーのレーザビームで直接測定するよりも大幅に簡便かつ迅速である。
【００１４】
（１）式のΔＥ、つまり（２）、（３）式のΔＥ´は反応を律速する過程に固有な数値であることから、劣化をおよぼす原因が同一であれば、劣化を示す指標としてＣＮＲやジッタ、エラーレート等のいずれも利用してもよい。また本方法では（３）式の傾きΔＥ´を用いるので、傾きを算出するためのＮを決定する劣化量の取り方は任意であり、たとえばＣＮＲの劣化量として、劣化を及ぼす原因が同一であれば、−１ｄＢ、−３ｄＢ、−５ｄＢ等々いずれの値を採用してもよい。劣化を及ぼす原因が同一であることは（２）、（３）式が成立することによって確かめることができる。
【００１５】
以上の点をふまえ、本発明者は鋭意研究の結果、２種以上の再生パワーのレーザビームを用いてデータを再生し、その劣化を数値として表すことにより、従来よりもさらに簡便かつ信頼性も高く、光ディスクの再生耐久性を評価できることを見出した。
【００１６】
また、上述の議論から、本方法を用いることにより、再生専用光ディスクおよび記録型光ディスクとも再生耐久性を評価できることは明らかである。
【００１７】
即ち、以下の実施例により上記課題を解決することができる。
【００１８】
（１）光ディスクの再生耐久性を評価する方法であって、パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーのレーザビームによりそれぞれ繰り返し再生を行って、それぞれの再生パワーにおける、再生回数に対する特性値が変化し、前記特性値が特定の値に達したときの前記繰り返し再生の再生回数の対数を縦軸に取り、再生パワーの逆数を横軸に取ったグラフにおいて、前記グラフの傾きを用いて再生耐久性を推定する、光ディスクの再生耐久性を評価する方法。
【００１９】
（２）前記再生パワーは、パワーレベルの相異なる２種であることを特徴とする、請求項１記載の光ディスクの再生耐久性を評価する方法。
【００２０】
（３）光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置であって、前記光ディスクにレーザビームを照射するためのヘッドと、このヘッドに対して、前記レーザビームを制御するためのレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路と、前記レーザ駆動信号を生成するレーザコントロール回路と、パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーのレーザビームによりそれぞれ繰り返し再生を行った場合に、再生回数に対する特性値の変化を測定できる特性値測定部と、前記特性値が特定の値に達したときに、その時点の再生回数を記録する再生回数記録部と、前記再生回数記録部が記録したデータと所定の計算式に基づき、前記光ディスクの通常の再生パワーのレーザビームにおける再生可能回数を演算する再生耐久性判定部と、からなる再生耐久性評価回路と、を有することを特徴とする光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置。
【００２１】
（４）前記再生パワーは、パワーレベルの相異なる２種であることを特徴とする請求項３記載の光ディスクの再生耐久性を評価する情報再生装置。
【発明の効果】
【００２２】
この発明においては、光ディスクの再生耐久性を短時間で精度よく評価することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
最良の形態の、光ディスクの再生耐久性を評価する方法は、光ディスクに対し、パワーレベルの相異なる少なくとも２種の再生パワーによりそれぞれ繰り返し再生を行って、それぞれの再生パワーにおける、再生回数に対する特性値が変化し、前記特性値が特定の値に達したときの前記繰り返し再生の再生回数の対数を縦軸に取り、再生パワーの逆数を横軸に取ったグラフにおいて、前記グラフの傾きを用いて再生耐久性を推定することによって、短時間で精度よく評価することができる。光ディスクは、媒体の種類を問わない。
【実施例】
【００２４】
以下、本発明の実施例について図２、図３及び図４を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図２に示される、この実施例に係る情報再生装置３０は、光ディスク１０に対して情報の再生及び再生耐久性評価を行うようにされている。
【００２６】
情報再生装置３０は、光ディスク１０を回転させるためのスピンドルモータ３２と、レーザ光源３３及び光学系（図示省略）を有し、レーザビームを光ディスク１０に照射するためのヘッド３４と、このヘッド３４及びスピンドルモータ３２を制御するためのコントローラ３６と、ヘッド３４からのレーザビームを、パルス列に変調制御するためのレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路３８と、前記ヘッド３４にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路４０と、を備えて構成されている。
【００２７】
コントローラ３６には、フォーカスサーボ追従回路３６Ａ、トラッキングサーボ追従回路３６Ｂ、レーザコントロール回路３６Ｃ及び再生耐久性評価回路３６Ｄが含まれている。
【００２８】
レーザコントロール回路３６Ｃは、レーザ駆動回路３８により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、対象となる光ディスクに記録されている再生条件設定情報に基づいて、再生耐久性の評価に適切なレーザ駆動信号の生成を行なうようにされている。
【００２９】
再生条件設定情報とは、光ディスクの記録データを再生する場合に必要な各種条件を特定するために用いられる情報を言う。本実施例においては、再生条件設定情報には、光ディスクの再生耐久性を評価するために必要な情報が少なくとも含まれている。
【００３０】
再生条件設定情報としては、光ディスクの再生耐久性の評価に必要な各条件を具体的に示すもののみならず、情報再生装置内に予め格納されている各種条件のいずれかを指定することにより、再生条件の特定を行なうものも含まれる。
【００３１】
再生耐久性評価回路３６Ｄには、図３に示されるように、特性値測定部６０、再生回数記録部６２、再生耐久性判定部６４が含まれている。
【００３２】
特性値測定部６０は、コントローラ３６から出力される再生データをリアルタイムあるいは、特定の再生回数おきに読み取り、再生回数に対する特性値の変化を測定できる機能を有している。
【００３３】
再生回数記録部６２は、特性値が特定の値に達したときに、その時点の再生回数を記録する機能を有している。
【００３４】
再生耐久性判定部６４は、再生回数記録部６２が記録したデータと（１）式に基づき、ディスクの通常の再生パワーにおける再生可能回数を演算する機能を有している。
【００３５】
なお、特性値測定部６０、再生回数記録部６２、再生耐久性判定部６４はそれぞれ独立していてもよいし、一体になっていてもよい。
【００３６】
また、特性を示す値は、ＣＮＲ、ジッタ、エラーレート等を単独で使用してもよいし、これらを組み合わせてもよい。
【００３７】
特性値測定部６０、再生回数記録部６２、再生耐久性判定部６４は図４に示したフローチャートに従い、記録型光ディスクの再生耐久性を評価するようにされている。
【００３８】
ここで、図４に示したフローチャートに即して、具体的な再生耐久性の評価法を説明する。
【００３９】
Ａ１においては、再生パワーＰｒを、光記録媒体に記録されている通常再生条件設定情報に含まれる通常再生パワーＰｒ１、あるいは、規格で定められた推奨再生パワーＰｒ２よりも高く設定し、レーザを照射する。Ｐｒの設定は、Ｐｒ＞Ｐｒ１あるいはＰｒ＞Ｐｒ２を満たせば任意であるが、測定を早く終了させるためには、劣化のモードが変化しない限り高く設定するとよい。
【００４０】
ここで、劣化のモードとは、劣化の種類のことを言い、例えば、非晶質である記録マークの結晶化による消失を一つの劣化のモードとすると、媒体を構成している各膜が、混合してしまったり、特定の膜が熱により機械的に破壊されてしまうことは異なる劣化のモードとなる。
【００４１】
Ａ２においては、再生パワーＰｒのレーザを照射しながら、あるいは特定の回数おきに、着目する特性値を測定する。前述したように、着目する特性としては、ＣＮＲ、ジッタ、エラーレート等を用いることができる。
【００４２】
Ａ３においては、測定した特性値が、決められた値よりも劣化したかどうかを判定する。決められた値の数値は任意であるが、前述のように、例えばＣＮＲでは初期値と比べて−３ｄＢ、ジッタでは初期値と比べて＋１％、エラーであれば許容される最大のエラーレートを取ることができる。劣化の度合いが一定値よりも少ない場合は、一定値の劣化を生じるまで上述の作業を続ける。あまりに多数の回数の再生を行っても劣化が進行しない場合は、途中でさらに再生パワーＰｒを高くしてＡ１から試行を始め直してもよい。
【００４３】
Ａ４においては、劣化の度合いが一定値に達したとき、このときの再生回数を記録する。記録のタイミングはリアルタイムでもよいし、時間を置いて記録してもよい。
【００４４】
Ａ５においては、何回目の試行かを確認する。ここで、試行回数をＭとする。
【００４５】
Ａ６においては、Ｍ＝１かどうかを確認する。Ｍ＝１の場合は、Ａ９へ、Ｍ＝１でない場合はＡ７へ移行する。
【００４６】
Ａ７においては、さらに試行を続けるかどうかを確認する。さらに試行を続ける場合は、Ａ１０へ、試行を続けない場合は、Ａ８へ移行する。
【００４７】
Ａ８においては、（１）式に従い、通常再生パワーＰｒ１で再生した場合の、耐久回数を算出する。
【００４８】
Ａ９においては、Ｐｒ＞Ｐｒ１あるいはＰｒ＞Ｐｒ２の範囲で、Ｍ＝１の場合に設定した値と異なる値をＰｒに設定し、Ａ２へ移行する。
【００４９】
Ａ１０においては、Ｐｒ＞Ｐｒ１あるいはＰｒ＞Ｐｒ２の範囲で、すでに設定した値と異なる値をＰｒに設定し、Ａ２へ移行する。
【００５０】
このとき、Ａ８において、（１）式を適用するためには、少なくとも異なる２種の再生パワーを用いる必要があるが、Ａ６において、試行の回数を確認しており、少なくとも２回の試行が行われている、即ち少なくとも異なる２種の再生パワーを用いているため、（１）式を適用するための条件が保証される。
【００５１】
なお、２種以上の再生パワーの最小差は、０でなければよく、情報再生装置によって多少異なるが、測定の際における再生パワーの差の設定は例えば、再生パワーが１．０≦ａ＜１０、ｎを整数として、ａ×１０ｎｍＷと表わされるときに、１．０×１０ｎ−１ｍＷ、あるいは２．０×１０ｎ−１ｍＷを最小差としてもよい。
【００５２】
また、試行回数は、多いほどデータの信頼性は増すが、測定のために時間がかかり、評価時間を短縮することができるという本実施例の効果が損なわれることとなる。ただし、目的に応じて何度の試行を行うかは実施者の自由である。
【００５３】
［測定例１］
本発明による測定例１について、以下に説明する。
【００５４】
この測定例においては、光ディスクとして、超解像光ディスク１０Ａを用いる。
【００５５】
超解像光ディスクとは、ディスク内に解像度を向上させる層を設けることにより波長λ、対物レンズの開口数ＮＡの再生光学系において、解像限界よりも小さなλ／（４ＮＡ）よりも小さいマーク（ビット）列を読み取ることができるディスクである。
【００５６】
この超解像光ディスク１０Ａは、図１に示されるように、基板１２上に第１の誘電体層１４、超解像層１６、第２の誘電体層１８、記録層２０、第３の誘電体層２２及び光透過層２４をこの順で積層した構成とされている。
【００５７】
前記基板１２は、例えばポリカーボネートから形成されている。
【００５８】
又、前記第１の誘電体層１４、第２の誘電体層１８、及び、第３の誘電体層２２は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＺｎＯ等の、半導体・金属の酸化物、硫化物等から構成されている。
【００５９】
又、前記記録層２０は、ＰｔＯｘ等の、白金と酸素に熱分解した結果、その部分の光学定数が変化する材料から構成されているが、ＰｔＯｘに限定されるものでなく、記録用レーザー光の照射によって、光学定数が変化し、且つ、なんらかの形状変化を生じ、再生用レーザー光の照射において、記録層２０に形成された記録マークが消失しない材料であればよい。
【００６０】
前記超解像層１６は、λ／（４ＮＡ）以下の長さの記録マークを再生可能とする、超解像能を有する材料からなり、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅのいずれかの単体、あるいは、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｉのいずれかの化合物、例えば、前記いずれかの単体を一方に含むＳｂ−Ｚｎ又はＴｅ−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｂｉ、Ｂｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅのいずれかの化合物、のうち一つの材料から構成されている。
【００６１】
なお、他の材料であっても、再生用レーザー光の波長に対して不透明であって、且つ熱伝導率が低い材料であればよい。
【００６２】
更に、超解像層１６の材料として、上記の材料に、Ａｇ、Ｉｎの少なくとも一方が含まれているものであってもよい。
【００６３】
実際には、前記基板１２上に形成した第１、第２、第３の誘電体層１４、１８、２２の材料を、例えば、それぞれ（ＺｎＳ）８５（ＳｉＯ２）１５とし、更に、超解像層１６をＳｂ７５Ｔｅ２５とし、記録層２０をＰｔＯｘとして、超解像光ディスクを構成した。
【００６４】
具体的には、光ディスクとして、ポリカーボネード基板上に、厚さ４０ｎｍのＡｇ：Ｐｄ：Ｃｕ：＝９８：１：１からなる反射膜、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第１の誘電体層、厚さ１０ｎｍのＳｂ７５Ｔｅ２５からなる超解像層、厚さ４０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第２の誘電体層、厚さ４ｎｍのＰｔＯｘからなる記録層、厚さ９０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第３の誘電体層、厚さ０．１ｍｍの光透過層を順に積層して構成した超解像光ディスクを用いた。また、波長λ＝４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．８５の光学系を用いた。
【００６５】
この測定例においては、超解像再生のためにＰｒ＝２．０ｍＷの照射が必要であり、再生耐久性もＰｒ＝２．０ｍＷで評価する必要があるが、実際には、３つの再生パワーＰｒ１＝２．２ｍＷ、Ｐｒ２＝２．４ｍＷ、Ｐｒ３＝２．６ｍＷで測定を行った。これらの逆数はそれぞれ、１／Ｐｒ１＝０．４５、１／Ｐｒ２＝０．４２、１／Ｐｒ３＝０．３８である。また、各再生パワーで再生したときに、ＣＮＲが再生初期から−３ｄＢになるまでの再生回数はそれぞれＰｒ１：約２００００回、Ｐｒ２：約７０００回、Ｐｒ３：約２８００回である。これらの結果を図５に示す。図５においては、縦軸を３００ｎｍ（＞λ／（４ＮＡ））の記録マークを各再生パワーで再生したときに、ＣＮＲが再生初期から−３ｄＢになったときの回数を対数軸と、横軸を再生パワーの逆数とし、Ｐｒ１に対応する点をＡで、Ｐｒ２に対応する点をＢで、Ｐｒ３に対応する点をＣで表している。図５より、式（３）に従って再生劣化が進行していること、すなわち本評価方法の信頼性の高さが確認できる。ここで、本測定例に必要なＰｒ＝２．０ｍＷでの評価ではＣＮＲが−３ｄＢになるまで約６０，０００回の再生が必要であることが分かっているが、Ｐｒ２（Ｂ）とＰｒ３（Ｃ）の結果から図５のように傾きを求め、本来の再生パワーであるＰｒ＝２．０ｍＷへ外挿すれば、同様の結果を得ることができ、実際にＰｒ＝２．０ｍＷでの再生耐久性を測定するよりもはるかに簡便かつ迅速に、本来の再生パワーであるＰｒ＝２．０ｍＷでの再生耐久性を見積もることができる。なお、７５ｎｍ（＜λ／（４ＮＡ））の記録マークの再生耐久性の評価でも全く同様の結果が得られた。また、縦軸Ｎの指標として、再生初期のＣＮＲから−１ｄＢのＣＮＲになったときの回数を取った場合も式（３）が成立することも確かめることができた。
【００６６】
［測定例２］
本発明による測定例２について、以下に説明する。
【００６７】
この測定例においては、光ディスクとして、測定例１で用いたものに加え、材料系の異なる超解像光ディスクを用いた。具体的には、ポリカーボネート基板上に、厚さ４０ｎｍのＡｇ：Ｐｄ：Ｃｕ：＝９８：１：１からなる反射膜、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第１の誘電体層、厚さ１０ｎｍのＢｉ５０Ｇｅ５０からなる超解像層、厚さ４０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第２の誘電体層、厚さ４ｎｍのＰｔＯｘからなる記録層、厚さ９０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８５：１５からなる第３の誘電体層、厚さ０．１ｍｍの光透過層を順に積層して構成した超解像光ディスクを用いた。測定方法は測定例１と同様である。この測定値においては、Ｐｒ＝１．２ｍＷ、１．４ｍＷ、１．６ｍＷ、１．８ｍＷ、２．０ｍＷ、２．２ｍＷの再生パワーで測定を行った。これらの逆数は、それぞれ０．８３、０．７１、０．６３、０．５６、０．５０、０．４５である。図６に、測定例１と測定例２の両方の結果を示す。図６においては、測定例１の結果から得られた傾きをＤで、即定例２の結果から得られた傾きをＥで示す。図６から、光ディスクの材料系を変化させても（３）式が成り立つこと、及び材料系の違いにより、ΔＥ´が異なる値を示すことが分かる。
【００６８】
［測定例３］
本発明による測定例３について、以下に説明する。
【００６９】
この測定例においては、光ディスクとして、相変化型ディスクを用いた。具体的には、ポリカーボネート基板上に、厚さ１００ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０からなる第１誘電体層、厚さ１００ｎｍのＡｇ：Ｐｄ：Ｃｕ：＝９８：１：１からなる反射層、厚さ１２ｎｍのＣｅＯ２からなる第２誘電体層、厚さ１２ｎｍのＳｂ：Ｔｅ：Ｇｅ：Ｔｂ＝７４．３：１９．２：４．０：２．５からなる記録層、厚さ５ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝５０：５０からなる第３誘電体層及び厚さ３０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０からなる第４誘電体層、厚さ６０ｎｍのＡｌ２Ｏ３からなる放熱層を順に積層して構成した相変化型ディスクを用いた。
【００７０】
図７においては、縦軸を、（１、７）ＲＬＬ変調信号を再生したときのジッタを各再生パワーで再生したときに、再生初期のジッタから＋１％増加したときの回数を対数軸で、横軸に再生パワーの逆数を表示している。図７より、式（３）に従って再生劣化が進行していること、すなわち本評価方法の信頼性の高さが確認できる。また、本測定例は測定例１と比較して、媒体のタイプ及び縦軸の指標の取り方を変化させても、本測定例に係る評価方法が信頼性高く用いることができることを示している。本測定例で使用した相変化型ディスクの通常の再生パワーは０．５ｍＷ以下であり、測定例１で使用した超解像光ディスクの通常の再生パワーより低いが、再生パワーの高低に関わらず、再生耐久性を見積もることができる。
【００７１】
また、図示しないが、縦軸の指標として、再生初期のジッタから＋２％ジッタが増加したときの回数を取った場合でも式（３）が成立することも確認した。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明による測定例１により評価すべき超解像光ディスクを模式的に示す断面図
【図２】本発明の実施例に係る情報再生装置を模式的に示すブロック図
【図３】本発明の実施例に係る再生耐久性評価回路を模式的に示すブロック図
【図４】本発明の実施例に係る再生耐久性の評価方法の概要を示すフローチャート
【図５】本発明による測定例１に係る光ディスクの再生耐久性を示すグラフ
【図６】本発明による測定例１及び測定例２に係る光ディスクの再生耐久性を比較して示すグラフ
【図７】本発明の測定例３に係る光ディスクの再生耐久性を示すグラフ
【符号の説明】
【００７３】
１０…光ディスク
１０Ａ…超解像光ディスク
１２…基板
１６…超解像層
２０…記録層
２４…光透過層
３０…情報再生装置
３３…レーザ光源
３４…ヘッド
３６…コントローラ
３６Ｃ…レーザコントロール回路
３６Ｄ…再生耐久性評価回路
３８…レーザ駆動回路
６０…特性値測定部
６２…再生回数記録部
６４…再生耐久性判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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