(57)【要約】【課題】半透過反射型の液晶装置において、複数の色のサブ画素のうち特定色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することが可能な液晶装置を提供する。【解決手段】半透過反射型の液晶装置は、複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、Ｇ、Ｒ、Ｂの各着色層を有するカラーフィルタ基板と、マルチギャップ構造を形成する層間絶縁膜を有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。この液晶装置において、Ｒの着色層の厚さはＧ及びＢの着色層の厚さより厚く設定されている。これにより、Ｒの輝度を高めることができる。また、Ｒの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さは、Ｇ及びＢの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さより薄く設定されている。これにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブ画素に対応する各液晶層の厚さを揃えることができ、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色で透過率を一定に保つことができると共に、Ｒのサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。【選択図】図４
2007279276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と対向基板の間に液晶層を挟持してなり、
透過領域及び反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、
前記基板は前記液晶層の厚さを領域毎に規定する絶縁層を有すると共に、前記対向基板は前記サブ画素毎に単一色からなる複数の色層を有し、
前記複数の色層において、特定の色層の厚さは他の色層の厚さより厚く設定され、
前記特定の色層に対応する領域に設けられた前記絶縁層の厚さは、前記他の色層に対応する領域に設けられた前記絶縁層の厚さより相対的に薄く設定されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記複数の色層は、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層を含み、
前記特定の色層は前記赤色の色層であり、前記他の色層は前記緑色の色層及び前記青色の色層であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記赤色の色層が配置される前記サブ画素の前記透過領域に対応する前記絶縁層の厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に係る前記サブ画素の前記透過領域に対応する前記絶縁層の厚さより相対的に薄く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記反射領域に位置する前記絶縁層の表面は凹凸状の形状に形成され、
前記赤色の色層が配置される前記サブ画素の前記反射領域に対応する前記絶縁層の平均的な厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に係る前記サブ画素の前記反射領域に対応する前記絶縁層の平均的な厚さより相対的に薄く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記赤色の色層に対応する前記液晶層の厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に対応する前記液晶層の厚さより相対的に厚く設定されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に対応する前記液晶層の相対的な厚さは同一の値に設定されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記液晶の屈折率異方性Δｎと前記液晶層の厚さｄの積であるΔｎｄを、波長λで除算して得られる値は略一定の値に設定されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記基板には、前記サブ画素毎にスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とが備えられ、前記絶縁層は前記スイッチング素子を被覆する層間絶縁膜であり、該絶縁層の前記液晶層側の表面には前記画素電極が配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
赤色光を発光する第１半導体発光素子と、緑色光を発光する第２半導体発光素子と、青色光を発光する第３半導体発光素子とにより構成される照明装置を有し、
前記照明装置は、前記単位画素を照明する位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを備え、明所では外光を利用して表示を行う反射型表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して表示を行う透過型表示モードとを有する、カラー方式の半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
かかる液晶装置は、基板と対向基板との間に液晶を挟持してなり、基板には、ゲート線及びソース線、それらの配線に接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、そのＴＦＴ素子に接続された画素電極、ＴＦＴ素子や画素電極等を覆うように設けられた層間絶縁膜、反射型表示が行われる反射領域に対応する層間絶縁膜上に設けられ、画素電極と接続された反射電極、並びに配向層などが設けられている一方、対向基板には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタ、ブラックマトリクス、透明電極、及び配向層などが設けられている。この液晶装置では、反射領域の液晶層の厚さ（セル厚）と、透過領域の液晶層の厚さ（セル厚）との関係が１：２となるように層間絶縁膜の厚さが規定されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７２２２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような液晶装置では、透過型表示を行うために照明装置が設けられるが、そのような照明装置では、その性質上、特定色の光は殆ど蛍光しておらず、その特定色の輝度（強度）は弱くなっている。例えば、赤色光、緑色光、青色光の各ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を有する、いわゆるＲＧＢＬＥＤの光源を有する照明装置の場合には、長波長であるＲの光は殆ど蛍光しておらず、そのＲの輝度（強度）は弱くなっている。
【０００６】
そのため、それを補うために一般的には、Ｒのカラーフィルタの厚さを、Ｇのカラーフィルタの厚さ及びＢのカラーフィルタの厚さよりも相対的に厚くすることがある。しかしながら、リタデーションΔｎｄ（液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積）と波長λの関係式であるΔｎｄ／λから考えると、つまり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色でΔｎｄ／λを揃えてＲに最適なリタデーションを形成することを考えると、上記の関係式で波長λの大きいＲの画素に対応する液晶層の厚さｄを厚くする必要があるので、そのためにはＲのカラーフィルタの厚さを薄くする必要がある。したがって、Ｒの輝度を高めるにはＲのカラーフィルタの厚さを薄くする必要がある一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色でΔｎｄ／λを揃えてＲに最適なリタデーションを形成するためにはＲのカラーフィルタの厚さを薄くする必要があるため、その両者はトレードオフの関係に立ち、その両者の課題を一挙に解消するのは困難である。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、複数の色のサブ画素を含み、透過領域と反射領域とで液晶層の厚さが異なるマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置において、複数の色のサブ画素のうち特定色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することが可能な液晶装置及びそれを用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、基板と対向基板の間に液晶層を挟持してなり、透過領域及び反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、前記基板は前記液晶層の厚さを領域毎に規定する絶縁層を有すると共に、前記対向基板は前記サブ画素毎に単一色からなる複数の色層を有し、前記複数の色層において、特定の色層の厚さは他の色層の厚さより厚く設定され、前記特定の色層に対応する領域に設けられた前記絶縁層の厚さは、前記他の色層に対応する領域に設けられた前記絶縁層の厚さより相対的に薄く設定されている。
【０００９】
上記の液晶装置は、基板と対向基板の間に液晶層を挟持してなり、透過型表示が行われる透過領域及び反射型表示が行われる反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備えている。このため、この液晶装置は、半透過反射型の液晶装置を構成している。そして、基板は、液晶層の厚さを領域毎に規定する絶縁層（層間絶縁膜）を有すると共に、対向基板はサブ画素毎に単一色からなる複数の色層を有する。
【００１０】
ここで、この液晶装置において透過型表示を行う為に単位画素を照明する位置に照明装置が設けられる。好適な例では、赤色光を発光する第１半導体発光素子と、緑色光を発光する第２半導体発光素子と、青色光を発光する第３半導体発光素子とにより構成される照明装置を有し、前記照明装置は、前記単位画素を照明する位置に配置されているのが好ましい。しかし、かかる照明装置では、その性質上、例えば赤色などの特定の色層に対応する色の光（以下、「特定色の光」と称する）を殆ど蛍光させることができず、特定色の光の輝度（強度）が弱くなってしまうことがある。そのため、それを補うためには、特定の色層の厚さを、他の色層の厚さよりも相対的に厚くすることが考えられる。
【００１１】
しかしながら、リタデーションΔｎｄ（液晶の屈折率異方性Δｎと液晶層の厚さｄの積）と波長λの関係式であるΔｎｄ／λから考えると、つまり、全ての色層でΔｎｄ／λを揃えて特定色に最適なリタデーションを形成することを考えると、上記の関係式で、例えば特定の色層に対応する色の波長λが他の色層の色の波長λより大きい場合、その波長λの大きい特定の色層に対応する液晶層の厚さｄを厚くする必要があるので、そのためには特定の色層の厚さを薄くする必要がある。したがって、特定色の輝度を高めるには特定の色層を薄くする必要がある一方、全ての色層でΔｎｄ／λを揃えて特定色に最適なリタデーションを形成するためには、特定の色層の厚さを薄くする必要があるため、その両者はトレードオフの関係に立ち、その両者の課題を一挙に解消するのは困難である。
【００１２】
そこで、かかる問題を一挙に解消するために、この液晶装置では次のような構成を採用している。まず、複数の色層において、特定の色層の厚さは他の色層の厚さより厚く設定されている。これにより、照明装置を発光させたときに、その性質上、特定色の光が殆ど蛍光せず、そのために特定色の輝度（強）が弱い状態となっている場合でも、特定色の輝度を高めることができる。また、特定の色層に対応する領域に設けられた絶縁層の厚さは、他の色層に対応する領域に設けられた絶縁層の厚さより相対的に薄く設定されている。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λにおいて、全ての色層に対応する液晶層の厚さを揃えることが可能となり、全ての色層で透過率を一定に保つことができると共に、特定色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１３】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記複数の色層は、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層を含み、前記特定の色層は前記赤色の色層であり、前記他の色層は前記緑色の色層及び前記青色の色層である。これにより、照明装置を発光させたときに、その性質上、長波長たる赤色の光が殆ど蛍光せず、そのために赤色の輝度（強）が弱い状態となっている場合でも、赤色の輝度を高めることができる。また、赤色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１４】
上記の液晶装置の他の態様では、前記赤色の色層が配置される前記サブ画素の前記透過領域に対応する前記絶縁層の厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に係る前記サブ画素の前記透過領域に対応する前記絶縁層の厚さより相対的に薄く設定されている。これにより、サブ画素の透過領域において、赤色の輝度を高めつつ、赤色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１５】
上記の液晶装置の他の態様では、前記反射領域に位置する前記絶縁層の表面は凹凸状の形状に形成され、前記赤色の色層が配置される前記サブ画素の前記反射領域に対応する前記絶縁層の平均的な厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に係る前記サブ画素の前記反射領域に対応する前記絶縁層の平均的な厚さより相対的に薄く設定されている。
【００１６】
この態様では、サブ画素の反射領域に位置する絶縁層の表面は凹凸状の形状に形成され
ているので、その凹凸が形成された絶縁層上に反射膜を形成することにより、その反射膜にて反射される光を観察側へ適度に散乱させることができる。そして、赤色の色層が配置されるサブ画素の反射領域に対応する絶縁層の平均的な厚さは、緑色の色層及び青色の色層の各々に係るサブ画素の反射領域に対応する絶縁層の平均的な厚さより相対的に薄く設定されている。これにより、サブ画素の反射領域において、赤色の輝度を高めつつ、赤色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１７】
上記の液晶装置の他の態様では、前記赤色の色層に対応する前記液晶層の厚さは、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に対応する前記液晶層の厚さより相対的に厚く設定されている。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、赤色、緑色、青色の各色で透過率をより一定に保つことができると共に、赤色の輝度を高めつつ、赤色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１８】
上記の液晶装置の他の態様では、前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層の各々に対応する前記液晶層の相対的な厚さは同一の値に設定されている。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、赤色、緑色、青色の各色で透過率をある程度一定に保つことができると共に、赤色の輝度を高めつつ、赤色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００１９】
上記の液晶装置の他の態様では、前記液晶の屈折率異方性Δｎと前記液晶層の厚さｄの積であるΔｎｄを、波長λで除算して得られる値は略一定の値に設定されている。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、全ての色で透過率を略一定に保つことができると共に、赤色又は特定色の輝度を高めつつ、赤色又は特定色のサブ画素に最適なリタデーションを形成することができる。
【００２０】
上記の液晶装置の他の態様では、前記基板には、前記サブ画素毎にスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とが備えられ、前記絶縁層は前記スイッチング素子を被覆する層間絶縁膜であり、該絶縁層の前記液晶層側の表面に前記画素電極が配置されている。
【００２１】
この態様では、基板には、サブ画素毎に、三端子型素子の一例としてのα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子やＰ−Ｓｉ型のＴＦＴ素子、又は二端子型非線形素子の一例としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などのスイッチング素子と、そのスイッチング素子に接続され、ＩＴＯ等からなる画素電極とが備えられている。そして、絶縁層は、スイッチング素子を被覆する層間絶縁膜となっている。また、かかる絶縁層の液晶層側の表面には画素電極が配置されている。
【００２２】
本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。
【００２４】
[液晶装置の構成]
まず、図１及び図２を参照して、本発明の実施形態に係る液晶装置１００の構成等について説明する。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、観察側としての紙面手前側にカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側に素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１では、紙面縦方向（列方向）をＹ方向と、また、紙面横方向（行方向）をＸ方向と規定する。また、図１において、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）の３色の各着色層６に対応する領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、それら各色のサブ画素領域ＳＧにより構成される１行３列の画素配列は、１つの画素領域Ｇを示している。以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ内に存在する１つの表示領域を「サブ画素ＳＰ」と称し、また、１つの画素領域ＡＧ内に対応する表示領域を「単位画素Ｐ」と称する。
【００２６】
液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５の内側に、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。
【００２７】
液晶装置１００は、Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてα（アモルファス）−Ｓｉ型のＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、明所では外光を利用して表示を行う反射型表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して表示を行う透過型表示モードとを有する半透過反射型の液晶装置である。
【００２８】
まず、素子基板９１の平面構成について説明する。
【００２９】
素子基板９１の内面上には、主として、複数のソース線３２、複数のゲート線３３、複数の補助容量線３４、複数のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、複数の画素電極１０、ドライバＩＣ４０、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４１などが形成若しくは実装されている。
【００３０】
図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、ドライバＩＣ４０が実装されている。ドライバＩＣ４０の入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣ４１と電気的に接続されている。ＦＰＣ４１の一端側は、図示しない電子機器と接続されている。
【００３１】
各ソース線３２は、ドライバＩＣ４０側から画像信号が供給され、Ｘ方向に適宜の間隔をおいてＹ方向に延在するように形成されており、各ソース線３２の一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３２】
各ゲート線３３は、ドライバＩＣ４０側から線順次駆動方式により走査信号が供給され、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配線３３ａの終端部からＸ方向に且つ後述する有効表示領域Ｖ内に延在するように形成された第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２と交差する方向、即ちＹ方向に適宜の間隔をおいてＸ方向に延在するように形成されており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３３】
各補助容量線３４は、ゲート線３３の第２配線３３ｂと同方向に延在するように設けられ、且つ、Ｙ方向に相隣接する、ゲート線３３の第２配線３３ｂの間に設けられている。
【００３４】
各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置に対応して設けられている。そして、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各画素電極１０は、各サブ画素領域ＳＧ内に設けられている。
【００３５】
１つの画素領域ＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８となっている。
【００３６】
次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。
【００３７】
カラーフィルタ基板９２は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６Ｇ、６Ｒ、６Ｂ、及び共通電極８（矩形の破線で囲まれる領域）などを備える。
【００３８】
Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６Ｇ、６Ｒ、６Ｂは、各々サブ画素に対応して設けられている。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。ＢＭは、各ソース線３２、各ゲート線３３の第２配線３ｂ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び補助容量部７０（図３及び図５を参照）に対応する位置などに形成されている。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの透明導電材料からなり、シール材５の内側の領域に略一面に亘って形成されている。共通電極８は、シール材５の隅の領域Ｅ１において配線１５の一端側と電気的に接続されていると共に、当該配線１５の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する共通電位用出力端子と電気的に接続されている。
【００３９】
以上の構成を有する液晶装置１００は、図２に示す電気的等価回路を有し、その駆動時に次のようにして動作を行う。
【００４０】
まず、画像信号を供給するソース線３２はα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のソース電極３２ｘ（図３及び図５も参照）に繋がっており、画素電極１０は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３７（図３及び図５も参照）に接続されている。そして、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のゲート電極３３ｘ（図３及び図５も参照）にはゲート線３３の第２配線３３ｂが繋がっており、スイッチング素子であるα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、ソース線３２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。この画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、或いは、相隣接する複数のゲート線３２同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ゲート信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、ゲート線３３に所定のタイミングでパルス的に、この順に線順次で印加される。
【００４１】
画素電極１０を介して液晶層４に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、カラーフィルタ基板９２に設けられた共通電極８（図４も参照）との間で一定期間保持される。そして、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１０と共通電極８との間に形成される液晶容量ＣＬＣと並列に、前述の補助容量線３４等にて構成される補助容量部７０（図３及び図５も参照）の補助容量Ｃｓを付加する。このようにして、例えば画素電極１０の電圧は、補助容量部７０の補助容量Ｃｓによりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持され、保持特性はさらに改善され、コントラスト比を向上させることができる。以上のようにして、この液晶装置１００では、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４内の液晶分子の配向状態が制御されることとなる。これにより、有効表示領域Ｖ内において所望の画像を表示することができる。
【００４２】
（画素構成）
次に、図３乃至図５を参照して、本実施形態に係る画素構成について説明する。
【００４３】
図３は、観察側からカラーフィルタ基板９２を透視した状態で素子基板９１を平面視したときの単位画素Ｐに対応する液晶装置１００の要部平面図である。図４は、図３における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った単位画素Ｐを通る位置で切断した液晶装置１００の要部断面図である。図５は、図３における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿ったα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び補助容量部７０を含む位置で切断した素子基板９１の要部断面図である。なお、図５では、実際は、層間絶縁膜５２の表面には凹凸が形成されており、その凹凸を反映するように反射膜５、画素電極１０及び配向膜１９も凹凸の形状を有するが、その図示は便宜上省略している。
【００４４】
本実施形態の液晶装置１００は、カラー表示の最小単位となる単位画素Ｐは、Ｇ、Ｒ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰを１行３列に配置して構成される。各サブ画素ＳＰは、その略中央位置に設けられた透過領域Ｅｔ（サブ画素ＳＰ内の矩形状の破線領域で囲まれる部分）と、当該透過領域Ｅｔの両側に反射領域Ｅｒとを有する。このため、透過領域Ｅｔにおいて透過型表示が行うことできる一方、反射領域Ｅｒにおいて反射型表示を行うことができる。なお、本発明では、各サブ画素ＳＰ内において、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの相対的な位置関係及びそれらの領域の設定数に限定はない。
【００４５】
まず、カラーフィルタ基板９２の構成について説明する。
【００４６】
上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６Ｇ、着色層６Ｒ及び着色層６Ｂのうちいずれか一つの着色層６が設けられている。ここで、単位画素Ｐに着目した場合、各着色層６の配列順序は、Ｘ方向に向かって、着色層６Ｇ、着色層６Ｒ、着色層６Ｂとなっているが、本発明では、Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６の配列順序に限定はない。Ｒの着色層６Ｒの厚さｄ２は、Ｇの着色層６Ｇの厚さｄ１及びＢの着色層６Ｂの厚さｄ３より相対的に厚く設定されている。ここで、Ｇの着色層６Ｇの厚さｄ１とＢの着色層６Ｂの厚さｄ３とは、同一又は非同一であっても構わない。上側基板２の内面上であって、各ゲート線３３の第２配線３３ｂ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、各ソース線３２及び各補助容量部７０の各々と重なる位置には遮光性を有するＢＭが設けられている。ＢＭの内面上及び反射領域Ｅｒに位置する各着色層６の内面上には、アクリル樹脂などの透光性絶縁材料からなるオーバーコート層１６が設けられている。しかし、透過領域Ｅｔに位置する各着色層６の内面上にはオーバーコート層１６が設けられていない。このオーバーコート層１６は、カラーフィルタ基板９２の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から着色層６を保護する機能を有する。ＢＭ及び反射領域Ｅｒの各々に位置するオーバーコート層１６の内面上、並びに透過領域Ｅｔに位置する各着色層６の内面上には、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる共通電極８が設けられている。共通電極８の内面上には、所定の方向にラビング処理が施されたポリイミド樹脂等の有機材料からなる配向膜１８が設けられている。また、上側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１２が配置され、その位相差板１２の外面上には偏光板１４が配置されている。
【００４７】
次に、素子基板９１における画素構成について説明する。
【００４８】
下側基板１の内面上には、複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４が夫々Ｘ方向に延在するように設けられている。複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４は、遮光性を有する導電材料、例えばアルミニウム、モリブデン、クロム或いはこれらの合金等の導電材料にて形成されているのが好ましい。各第２配線３３ｂは、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて設けられている一方、補助容量線３４は、その相隣接する第２配線３３ｂの間に且つ当該各第２配線３３ｂのうち一方の第２配線３３ｂ側の近傍位置に設けられている。各第２配線３３ｂは、サブ画素ＳＰ毎にゲート電極３３ｘを有し、後述する他の要素と共にα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する。補助容量線３４は、サブ画素ＳＰ毎に、その一部を幅広とすることにより形成された補助容量電極３４ｘを有する。
【００４９】
下側基板１、各第２配線３３ｂ及び各補助容量電極３４ｘ等の内面上には、窒化シリコンなどの透明樹脂材料よりなるゲート絶縁膜５０が設けられている。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、各ゲート電極３３ｘに対応する位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する、α−Ｓｉ層３６が島状に設けられている。図４及び図５に示すように、下側基板１及びゲート絶縁膜５０の内面上であって、各サブ画素ＳＰの間にはソース線３２がＹ方向に延在するように設けられている。
【００５０】
各ソース線３２は、アルミニウムやクロム等の導電材料にて形成され、各サブ画素ＳＰの間においてＹ方向に延在するように設けられている。各ソース線３２は、α−Ｓｉ層３６側に分岐してなるソース電極３２ｘを有する。各ソース電極３２ｘは、各α−Ｓｉ層３６と部分的に重なっており、その両者は電気的に接続されている。補助容量部７０に位置するゲート絶縁膜５０、及び各α−Ｓｉ層３６等の内面上には、例えばソース線３２と同一の材料により形成されたドレイン電極３７が設けられている。このため、ドレイン電極３７の一端側は、各α−Ｓｉ層３６と電気的に接続されている。こうして、各ゲート線３３の第２配線３３ｂと各ソース線３２との交差位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１が形成されている。そして、α−Ｓｉ層３６とゲート電極３３ｘとの間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする素子容量ＣＴＦＴが形成されている。一方、各補助容量電極３４ｘとドレイン電極３７との間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする補助容量Ｃｓが形成されている。なお、本明細書中では、補助容量Ｃｓが形成されている領域を「補助容量部７０」と称する。
【００５１】
ゲート絶縁膜５０、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、及び各補助容量電極３４ｘの内面上には、例えば無機絶縁材料よりなる保護絶縁膜５１が設けられている。保護絶縁膜５１は、各補助容量電極３４ｘに対応する位置にコンタクトホール５１ａを有する。このため、各補助容量部７０に対応するドレイン電極３７の内面上には保護絶縁膜５１が設けられていない。保護絶縁膜５１の内面上には、例えば有機絶縁材料よりなる層間絶縁膜５２が設けられている。各サブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する層間絶縁膜５２の表面は、図４に示すように、凹凸状の形状に形成されている。このため、各サブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する層間絶縁膜５２は光を散乱させる散乱層として機能する。一方、各サブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する層間絶縁膜５２の表面は、図４に示すように、平坦性を有するように形成されている。また、各サブ画素ＳＰを区画する領域、即ちＢＭに位置する層間絶縁膜５２の表面も、図４に示すように平坦性を有するように形成されている。
【００５２】
ここで、層間絶縁膜５２の表面の凹凸状の形状は、例えば面積階調型の多階調露光マスクを用いて層間絶縁膜５２の表面に露光を実施することにより形成される。面積階調型の多階調露光マスクは、露光装置の特性である露光解像限界よりも小さい遮光パターンの集合によって透過光量が異なる複数の領域を形成してなる面積階調マスクである。例えば、露光装置の解像限界が３μｍである場合に、直径が１μｍの複数の遮光パターンを１μｍの間隔で集合させて遮光領域を形成するような態様が考えられる。露光解像限界よりも小さい遮光パターンは、例えば、Ｃｒ（クロム）によって形成することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、層間絶縁膜５２の表面に凹凸状の形状を形成するためのマスクとしては、上記した面積階調型の多階調露光マスクに限定されない。即ち、本実施形態では、凹凸状の形状を形成するための第１のマスク及び第２のマスクを用いて２度露光を実施することにより、或いは、ハーフトーン型の多階調マスクを用いることにより、層間絶縁膜５２の表面に凹凸状の形状を形成するようにしても構わない。ここで、後者の「ハーフトーン型の多階調マスク」とは、ガラス等の透光性材料によって形成された基板上に部分光透過パターンを設けることによって形成される。この部分光透過パターンは、光を減衰して透過させる材料を基板上に塗布した後、その材料を光描画によって所定パターンに形成したものである。光を減衰して透過させる材料としては、例えばモリブデンシリサイドを用いることができる。
【００５４】
また、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２は、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２より厚さが相対的に薄く設定されている。具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに着目した場合、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ６は、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ４、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ８より相対的に薄く設定されている。一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに着目した場合、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ７は、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ５、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ９より薄く設定されている。
【００５５】
以上に述べた層間絶縁膜５２の層構造を形成するには、例えば以下のようにして行う。
【００５６】
ＢＭに位置する層間絶縁膜５２、並びにＧ及びＢの各サブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する層間絶縁膜５２を形成するためには光を完全に遮断する完全遮光型マスクを用いて当該層間絶縁膜５２に露光を実施することにより、また、Ｒの各サブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する層間絶縁膜５２を形成するためには遮光パターンを有しないハーフトーン型マスクを用いて当該層間絶縁膜５２に露光を実施することにより、さらに、Ｒ、Ｇ及びＢの各サブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する凹凸形状を有する層間絶縁膜５２を形成するためにはハーフトーン型の多階調マスクを用いて当該層間絶縁膜５２に露光を実施することにより、上記した図４に示される層間絶縁膜５２の層構造を形成することができる。
【００５７】
ＢＭに位置する層間絶縁膜５２の内面上、及び、Ｇ、Ｒ、Ｂの各サブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の内面上には、アルミニウム等の反射性を有する材料にて形成された反射膜５が形成されている。反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の表面は凹凸の形状に形成されているので、反射領域Ｅｒに位置する反射膜５は、その凹凸を反映して凹凸の形状に形成されている。これにより、反射膜５により反射された光を観察側へ適度に散乱させることができる。また、サブ画素ＳＰを区画する領域等に形成されたＢＭに対応する層間絶縁膜５２の表面は平坦性を有するように形成されているので、ＢＭに位置する層間絶縁膜５２上に設けられた反射膜５も平坦性を有するように形成されている。このため、非駆動領域たるＢＭの下方に位置する反射膜５により反射された光は鏡面反射してＢＭにより覆い隠されるため、表示品位に悪影響を及ぼすのを防止できる。また、層間絶縁膜５２は、補助容量部７０に対応する位置にコンタクトホール５２ａを有する。
【００５８】
反射領域Ｅｒに位置する反射膜５の内面上、及び、透過領域Ｅｔに位置する層間絶縁膜５２の内面上には、Ｇ、Ｒ、Ｂの各サブ画素ＳＰ毎に、サブ画素領域ＳＧと略同一の大きさを有し、例えばＩＴＯなどの透明導電材料よりなる画素電極１０が形成されている。また、画素電極１０の一部は、コンタクトホール５１ａ及び５２ａ内まで入り込むように形成され、当該コンタクトホール５１ａ及び５２ａを通じてドレイン電極３７と電気的に接続されている。また、反射膜５及び画素電極１０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施されたポリイミド樹脂等の有機材料からなる配向膜１９が設けられている。また、下側基板１の外面上には位相差板（１／４波長板）１１が配置され、その位相差板１１の外面上には偏光板１３が配置されている。また、偏光板１３の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、図示を省略するが赤色（Ｒ）を発光する赤色ＬＥＤ、緑（Ｇ）の光を発光する緑色ＬＥＤ、及び青色（Ｂ）の光を発光する青色ＬＥＤを同数ずつ有する、いわゆるＲＧＢＬＥＤの光源を備えて構成される。このため、バックライト１５によって発光される光は、赤色光と緑色光と青色光が混光した白色光である。
【００５９】
以上に述べた画素構成を有する、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とはシール材５（図１を参照）を介して対向しており、その両基板の間にはＴＮ型の液晶が封入されて液晶層４が形成されている。また、この液晶装置１００では、素子基板９１に設けられた配向膜１９と、カラーフィルタ基板９２に設けられた配向膜１８との間であって、例えば各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１に設けられた図示しないフォトスペーサによって、Ｇ、Ｒ、Ｂの各サブ画素ＳＰにおいて、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの各液晶層４の厚さが一定の厚さに規定されている。
【００６０】
さて、本実施形態の液晶装置１００において反射型表示がなされる場合、観察側から液晶装置１００内に入射した外光は、図４に示す経路Ｒに沿って進行し、着色層６等が形成されている領域を通過して、その着色層６の下方に位置する反射膜５により反射され、再び着色層６等を通過して観察側へ出射する。これにより、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。一方、かかる液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図４に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及びＧ、Ｒ、Ｂの各着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その各着色層６を通過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００６１】
以上の構成を有する液晶装置１００は、次のような特有の作用効果を奏する。
【００６２】
本実施形態では、ＲＧＢＬＥＤの光源を有するバックライト１５を用いているが、このようなバックライト１５では、その性質上、Ｒの波長のように長波長側の光は殆ど蛍光しておらず、Ｒの色の輝度（強度）は弱くなっている。そのため、それを補うために一般的には、Ｒの着色層６Ｒの厚さを、Ｇの色の着色層６Ｇの厚さ及びＢの着色層６Ｒの厚さよりも相対的に厚くすることがある。しかしながら、リタデーションと波長の関係式であるΔｎｄ／λから考えると、つまり、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色でΔｎｄ／λを揃えてＲに最適なリタデーションを形成することを考えると、上記の関係式で波長λの大きいＲのサブ画素ＳＰに対応する液晶層４の厚さｄを厚くする必要があるので、そのためにはＲの着色層６Ｒの厚さを薄くする必要がある。したがって、Ｒの輝度を高めるにはＲの着色層６Ｒを薄くする必要がある一方、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色でΔｎｄ／λを揃えてＲに最適なリタデーションを形成するためにはＲの着色層６Ｒの厚さを薄くする必要があるため、その両者はトレードオフの関係に立ち、その両者の課題を一挙に解消するのは困難である。
【００６３】
そこで、かかる問題を一挙に解消するために、本実施形態では、Ｒの着色層６Ｒの厚さを、Ｇの色の着色層６Ｇの厚さ及びＢの着色層６Ｒの厚さよりも相対的に厚くしつつ、素子基板９１側において、Ｒのサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２の厚さを、Ｇ及びＢの各サブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２の厚さより相対的に薄くする。
【００６４】
具体的には、本実施形態では、Ｒの着色層６Ｒの厚さｄ２は、Ｇの着色層６Ｇの厚さｄ１及びＢの着色層６Ｂの厚さｄ３より相対的に厚く設定されている。これにより、バックライト１５を発光させたときに、その性質上、長波長側のＲの光が殆ど蛍光せず、そのためにＲの色の輝度（強）が弱い状態となっている場合でも、長波長側のＲの輝度を高めることができる。
【００６５】
また、本実施形態では、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２の厚さは、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２よりも相対的な厚さが薄く設定されている。具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに着目した場合、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ６は、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ４、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに対応する層間絶縁膜５２の平均的な厚さｄ８より相対的に薄く設定されている。一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに着目した場合、Ｒの着色層６Ｒに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ７は、Ｇの着色層６Ｇに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ５、及び、Ｂの着色層６Ｂに係るサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに対応する層間絶縁膜５２の厚さｄ９より相対的に薄く設定されている。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λにおいて、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素ＳＰの各液晶層４の厚さを揃えることができ、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色で透過率を一定に保つことができると共に、Ｒのサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。
【００６６】
好適な例では、図４において、Ｒのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｒｒは、Ｇのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｇｒ、及び、Ｂのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｂｒより相対的に厚く設定されているのが好ましいと共に、Ｒのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｒｔは、Ｇのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｇｔ、及び、Ｂのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｂｔより相対的に厚く設定されているのが好ましい。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色で透過率をより一定に保つことができると共に、Ｒの輝度を高めつつ、Ｒのサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。
【００６７】
または、好適な例では、図４において、Ｒのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｒｒは、Ｇのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｇｒ、及び、Ｂのサブ画素ＳＰの反射領域Ｅｒに位置する液晶層４の厚さｄｂｒと夫々同一の厚さに設定されているのが好ましいと共に、Ｒのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｒｔは、Ｇのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｇｔ、及び、Ｂのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔに位置する液晶層４の厚さｄｂｔと夫々同一の厚さに設定されているのが好ましい。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色で透過率をある程度一定に保つことができると共に、Ｒの輝度を高めつつ、Ｒのサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。
【００６８】
また、本実施形態では、液晶の屈折率異方性Δｎと液晶層４の厚さｄの積であるΔｎｄを、波長λで除算して得られるΔｎｄ／λの値は略一定の値に設定されているのが好ましい。これにより、上記の関係式であるΔｎｄ／λに基づき、Ｇ、Ｒ、Ｂの全ての色で透過率を略一定に保つことができると共に、Ｒの輝度を高めつつ、Ｒのサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。
【００６９】
［変形例］
上記の実施形態では、Ｒの着色層６Ｒの厚さを、Ｇの色の着色層６Ｇの厚さ及びＢの着色層６Ｒの厚さよりも相対的に厚くしつつ、素子基板９１側において、Ｒのサブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２の厚さを、Ｇ及びＢの各サブ画素ＳＰに位置する層間絶縁膜５２の厚さより相対的に薄くするように設定した。しかし、本発明では、その構成に限定されず、単位画素Ｐが任意の単一色の着色層を複数有する複数のサブ画素ＳＰにより構成されている場合には、複数の着色層において、特定色の着色層の厚さが他の色の着色層の厚さより厚く設定され、特定色の着色層に位置する層間絶縁膜５２の厚さが、他の色の着色層に位置する層間絶縁膜５２の厚さより相対的に薄く設定された構成とすることもできる。  これにより、バックライト１５を発光させたときに、その性質上、特定色の光が殆ど蛍光せず、そのために特定色の輝度（強）が弱い状態となっている場合でも、特定色の輝度を高めることができる。また、特定色の着色層に位置する層間絶縁膜５２の厚さが、他の色の着色層に位置する層間絶縁膜５２の厚さより相対的に薄く設定されているので、上記の関係式であるΔｎｄ／λにおいて、全ての色の着色層に対応する液晶層４の厚さを揃えることが可能となり、全ての色の着色層で透過率を一定に保つことができると共に、特定色のサブ画素ＳＰに最適なリタデーションを形成することができる。
【００７０】
また、上記の実施形態では、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２１を用いた液晶装置に本発明を適用したが、これに限らず、スイッチング素子として、三端子型素子の他の例としてのＰ−Ｓｉ型のＴＦＴ素子等や、二端子型非線形素子の一例としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いた液晶装置に本発明を適用しても構わない。
【００７１】
その他、本発明は、上記の各実施形態及び変形例の構成に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形をすることが可能である。
【００７２】
[電子機器]
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図６を参照して説明する。
【００７３】
まず、各実施形態に係る液晶装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図６（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。
【００７４】
続いて、各実施形態に係る液晶装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図６（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【００７５】
なお、各実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器としては、図６（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図６（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の電気的等価回路図。
【図３】本実施形態の画素構成を示す平面図。
【図４】本実施形態の画素構成を示す断面図。
【図５】ＴＦＤ素子及び補助容量部を通る位置で切断した素子基板の要部断面図。
【図６】本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【００７７】
４  液晶層、  ５  反射膜、  ６  着色層、  ８  共通電極、  １０  画素電極、  １６  オーバーコート層、  ２１  α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子、３２  ソース線、  ３３  ゲート線、  ５２  層間絶縁膜、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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