(57)【要約】【課題】光ヘッドを小型化する。【解決手段】第１基板１０と第２基板２０とは相互に対向する。第２基板２０の面上には、複数の発光素子Ｅと、各発光素子Ｅに対応する複数の単位回路Ｕとが配置される。第１基板１０の面上には、各発光素子Ｅの階調を指定するデータ信号Ｄが供給されるデータ信号線ＬＤと、各単位回路Ｕを順次に選択するシフトレジスタ４３とが配置される。各単位回路Ｕは、シフトレジスタ４３による選択に応じてデータ信号線ＬＤから取得したデータ信号Ｄに基づいて、当該単位回路Ｕに対応する発光素子Ｅの発光を制御する。第１基板１０や第２基板２０に垂直な方向からみて、シフトレジスタ４３を構成するトランジスタＱと各発光素子Ｅとは重なり合う。【選択図】図４
2007223093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子と、
前記各発光素子に対応する複数の単位回路と、
前記各発光素子の階調を指定するデータ信号が供給される信号線と、
前記各単位回路を順次に選択する選択回路とを具備し、
前記各単位回路は、前記選択回路による選択に応じて前記信号線から取得したデータ信
号に基づいて、当該単位回路に対応する前記発光素子の発光を制御し、
前記各発光素子と前記選択回路とは重なり合う
ことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
前記選択回路は、半導体層を有するトランジスタを含んで構成され、
前記各発光素子は、前記選択回路のトランジスタの半導体層と重なり合う
請求項１に記載の光ヘッド。
【請求項３】
前記各発光素子は、相互に対向する第１電極および第２電極と両電極間に介在する発光
層とを含み、前記各発光素子の第２電極は、前記複数の発光素子にわたって連続に形成さ
れて前記各発光素子の発光層と前記選択回路との間に介在する
請求項１または請求項２に記載の光ヘッド。
【請求項４】
前記第２電極は遮光性を有する
請求項３に記載の光ヘッド。
【請求項５】
前記各単位回路と前記信号線とは重なり合い、
前記第２電極は、前記各単位回路と前記信号線との間に介在する
請求項３または請求項４に記載の光ヘッド。
【請求項６】
前記各単位回路は、前記信号線から取得したデータ信号を保持する保持回路を含み、
前記第２電極は、前記各単位回路の保持回路と前記信号線との間に介在する
請求項５に記載の光ヘッド。
【請求項７】
前記第２電極よりも抵抗率が低い材料で形成されて前記第２電極に導通する補助配線を
具備し、
前記各単位回路は、半導体層を有するトランジスタを含んで構成され、
前記補助配線は、前記単位回路のトランジスタの半導体層と重なり合う
請求項３から請求項６の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項８】
相互に対向する第１基板および第２基板を具備し、
前記選択回路は、前記第１基板のうち前記第２基板に対向する面上に配置され、
前記複数の発光素子は、前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面上に配置される
請求項１から請求項７の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項９】
前記複数の単位回路は、前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面上に配置される
請求項８に記載の光ヘッド。
【請求項１０】
前記各単位回路は、前記信号線から取得したデータ信号を保持する保持回路と、前記保
持回路が保持するデータ信号に応じて前記発光素子の発光を制御する発光制御回路とを含
み、
前記各単位回路の保持回路は、前記第１基板のうち前記第２基板に対向する面上に配置
され、前記各単位回路の発光制御回路は、前記第２基板のうち前記第１基板に対向する面
上に配置される
請求項８に記載の光ヘッド。
【請求項１１】
前記第１基板に形成された要素と前記第２基板に形成された要素とが、前記第１基板と
前記第２基板との間隙に配置された導電体を介して電気的に接続され、
当該光ヘッドと外部とを電気的に接続するための接続端子は第１基板の面上のみに形成
される
請求項８から請求項１０の何れかに記載の光ヘッド。
【請求項１２】
露光によって潜像が形成される像担持体と、
前記像担持体を露光する請求項１から請求項１１の何れかに記載の光ヘッドと、
前記像担持体の潜像に対する現像剤の付着によって顕像を形成する現像器と
を具備する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード素子などの発光素子を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数の発光素子が基板に配列された光ヘッド（ラインヘッド）を感光体ドラムなどの像
担持体の露光に利用した画像形成装置が従来から提案されている。例えば特許文献１には
、各発光素子の駆動に関わる様々な要素を多数の発光素子とともにひとつの基板の面上に
配置した光ヘッドが開示されている。基板の面上には、例えば、各発光素子の階調を指定
するデータ信号が供給される複数の信号線や、各発光素子の駆動のためにデータ信号を信
号線から取得（サンプリング）する複数のスイッチング素子、各スイッチング素子を順番
にオン状態に遷移させるシフトレジスタなどが配置される。
【特許文献１】特開２００５−２３１１７１号公報（図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の構成においては、以上のような様々な要素の配置のために
大型の基板が必要となるから、光ヘッドやこれを利用した画像形成装置の小型化が制約さ
れるという問題があった。このような事情を背景として、本発明は、光ヘッドを小型化す
るという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る光ヘッドは、複数の発光素子と、各発光素
子に対応する複数の単位回路と、各発光素子の階調を指定するデータ信号が供給される信
号線（例えば図２のデータ信号線ＬＤ）と、各単位回路を順次に選択する選択回路（例え
ば図２のシフトレジスタ４３や図１０のサンプリング回路４５）とを具備し、各単位回路
は、選択回路による選択に応じて信号線から取得したデータ信号に基づいて、当該単位回
路に対応する発光素子の発光を制御し、各発光素子と選択回路とは、例えば各発光素子が
配列された基板に垂直な方向からみて重なり合う。より具体的には、選択回路がトランジ
スタ（例えば図６のトランジスタＱや図１０のトランジスタＳＷ）を含んで構成される光
ヘッドにおいて、各発光素子は、例えば選択回路のトランジスタの半導体層（例えば図６
の半導体層１１）と重なり合う。
【０００５】
以上の構成によれば、各発光素子と選択回路とが重なり合うように配置されるから、各
発光素子と選択回路とが重なり合わないように配置された構成と比較して光ヘッドを小型
化することが可能である。例えば、各発光素子が配列された基板に垂直な方向からみて各
発光素子と選択回路とが重なり合う構成とすれば、基板の別個の領域に発光素子と選択回
路とが配置された構成と比較して基板を小型化することができる。
【０００６】
本発明の発光素子とは、電気エネルギの付与（例えば電流の供給や電界の印加）によっ
て発光する素子であり、例えば電流の供給によって発光する有機発光ダイオード素子であ
る。本発明における「複数の発光素子」は、光ヘッドが備える総ての発光素子であっても
一部の発光素子であってもよい。したがって、光ヘッドの総ての発光素子が選択回路と重
なり合う必要はない。
【０００７】
本発明の好適な態様において、各発光素子は、相互に対向する第１電極および第２電極
と両電極間に介在する発光層とを含み、各発光素子の第２電極は、複数の発光素子にわた
って連続に形成されて各発光素子の発光層と選択回路との間に介在する。この態様によれ
ば、第２電極が発光層と選択回路との間に介在するから、選択回路および発光層の一方か
ら他方に対する電気的な影響（例えばノイズ）を第２電極によって遮蔽することが可能で
ある。また、遮光性（光吸収性または光反射性）の導電材料によって第２電極が形成され
た構成によれば、発光層による放射光が第２電極によって遮光されて選択回路に到達しな
いから、光照射に起因した選択回路の誤動作が防止されるという利点がある。
【０００８】
また、各単位回路と信号線とが重なり合う構成も好適である。この構成によれば、各単
位回路と信号線とが重なり合わないように配置された構成と比較して光ヘッドを小型化す
ることが可能である。また、各単位回路と信号線との間に第２電極を介在させた構成とす
れば、各単位回路および信号線の一方から他方に対する電気的な影響を第２電極によって
遮蔽することができる。
なお、第２電極は、単位回路と信号線とが重なり合う領域の全部にわたって両者間に介
在する必要はない。ただし、各単位回路が、信号線から取得したデータ信号を保持する保
持回路を含む構成においては、各単位回路の保持回路と信号線との間に第２電極を介在さ
せた構成が好適である。この構成によれば、保持回路が保持するデータ信号に対する信号
線の電圧の変動の影響が第２電極によって抑制される。したがって、各発光素子の発光を
データ信号に応じて確実に制御することが可能となる。
【０００９】
本発明の好適な態様においては、第２電極よりも抵抗率が低い材料で形成されて第２電
極に導通する補助配線がさらに配置され、各単位回路は、半導体層（例えば図７の半導体
層２１）を有するトランジスタ（例えば図７のトランジスタＲ）を含んで構成され、補助
配線は、単位回路のトランジスタの半導体層と重なり合う。この構成によれば、第２電極
における電圧降下が補助配線によって抑制されるから、各発光素子を高い精度で所期の輝
度に制御することが可能となる。また、単位回路のトランジスタの半導体層と重なり合う
ように補助配線が形成されるから、半導体層に対する電気的な影響を補助配線によって抑
制できる。また、遮光性の材料によって補助配線が形成された構成によれば、半導体層に
向かう光が補助配線によって遮光されるから、光照射に起因したトランジスタの誤動作（
電流のリーク）を防止できる。
【００１０】
本発明の好適な態様に係る光ヘッドは、相互に対向する第１基板および第２基板を具備
する。選択回路は、第１基板のうち第２基板に対向する面上に配置され、複数の発光素子
は、第２基板のうち第１基板に対向する面上に配置される。以上の構成によれば、選択回
路と各発光素子とが重なり合う構成を第１基板と第２基板との接合によって容易に実現す
ることができる。
【００１１】
各単位回路が配置される位置は任意である。例えば、第１基板のうち第２基板に対向す
る面上や第２基板のうち第１基板に対向する面上に各単位回路の全部を配置した構成が採
用される。ただし、ひとつの基板のみに各単位回路の全部の要素が配置された構成におい
ては、その基板における回路の規模が他方の基板と比較して過大となって光ヘッドの小型
化が制約される場合もある。そこで、本発明の好適な態様においては、ひとつの単位回路
を構成する各要素が第１基板と第２基板とに分散して配置される。例えば、各単位回路が
、信号線から取得したデータ信号を保持する保持回路と、保持回路が保持するデータ信号
に応じて発光素子の発光を制御する発光制御回路とを含む構成においては、各単位回路の
保持回路が、第１基板のうち第２基板に対向する面上に配置され、各単位回路の発光制御
回路が、第２基板のうち第１基板に対向する面上に配置される。この態様によれば、第１
基板上の回路の規模と第２基板上の回路の規模との不均衡を抑制することができる。また
、保持回路が選択回路とともに第１基板に配置されるから、選択回路が各単位回路を選択
するための信号を第１基板から第２基板にわたって伝送する必要がないという利点がある
。なお、この態様の具体例は第２実施形態および第３実施形態として後述される。
【００１２】
本発明の具体的な態様において、第１基板に形成された要素と第２基板に形成された要
素とが、第１基板と第２基板との間隙に配置された導電体（例えば図４の導通粒子３１）
を介して電気的に接続され、当該光ヘッドと外部とを電気的に接続するための接続端子は
第１基板の面上のみに形成される。この態様によれば、接続端子が第１基板の面上のみに
形成されるから、光ヘッドと外部とを接続するための構成が簡素化されるという利点があ
る。
【００１３】
本発明に係る光ヘッドは各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例
は、以上の各態様に係る光ヘッドを感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した画像形
成装置である。この画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体（例えば図
１１の感光体ドラム７０）と、像担持体を露光する本発明の光ヘッドと、像担持体の潜像
に対する現像剤（例えばトナー）の付着によって顕像を形成する現像器とを含む。もっと
も、本発明に係る光ヘッドの用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナな
どの画像読取装置においては、本発明に係る光ヘッドを原稿の照明に利用することが可能
である。この画像読取装置は、本発明に係る光ヘッドと、光ヘッドから出射して読取対象
（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled D
evice）素子などの受光素子）とを具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光ヘッド（露光ヘッド）を感光体ドラムの露光に
利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成
装置は光ヘッドＨと集光性レンズアレイ６０と感光体ドラム７０とを含む。光ヘッドＨは
、Ｘ方向（主走査方向）に配列する多数の発光素子（図１では図示略）を含む。感光体ド
ラム７０は、Ｘ方向に延在する回転軸に支持され、外周面を光ヘッドＨに対向させた状態
で回転する。
【００１５】
集光性レンズアレイ６０は光ヘッドＨと感光体ドラム７０との間隙に配置される。この
集光性レンズアレイ６０は、各々の光軸を光ヘッドＨ（Ｚ方向）に向けた姿勢でアレイ状
に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。集光性レンズアレイ６０としては、例え
ば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（
セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。光ヘッドＨにおける各
発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ６０の各屈折率分布型レンズを透過したうえ
で感光体ドラム７０の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム７０の表面には所
望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１６】
図２は、光ヘッドＨの電気的な構成を示すブロック図である。図２に示すように、光ヘ
ッドＨは、複数の発光素子ＥがＸ方向に配列された素子アレイ部Ａと、電源線４１および
接地線４２と、各発光素子Ｅに対応する複数（発光素子Ｅと同数）の単位回路Ｕとを具備
する。各発光素子Ｅは、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）材料からなる発光層が陽極と
陰極との間に介在する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）
素子であり、発光層に供給される電流に応じた輝度（光度）に発光する。
【００１７】
電源線４１には外部の電源回路４６から外部接続端子Ｔp1を介して電源電位ＶDDが供給
される。接地線４２には電源回路４６から外部接続端子Ｔp2を介して接地電位ＶSSが供給
される。各発光素子Ｅの陰極は接地線４２に接続される。複数の単位回路Ｕは、Ｘ方向に
相隣接するｎ個（Ｕ1，Ｕ2，……，Ｕn）を単位としてｍ個のブロックＢ（Ｂ1，Ｂ2，…
…，Ｂm）に区分される（ｍおよびｎの各々は２以上の整数）。なお、本実施形態では説
明の便宜のために各ブロックＢに同数の単位回路Ｕが含まれる構成を例示するが、ブロッ
クＢごとに単位回路Ｕの個数が相違する構成としてもよい。
【００１８】
さらに、光ヘッドＨは、ブロックＢの総数に相当するｍビットのシフトレジスタ４３と
、各ブロックＢの単位回路Ｕの個数に相当するｎ本のデータ信号線ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤn）
を含む信号線群Ｌとを具備する。シフトレジスタ４３には外部の制御回路４７から外部接
続端子Ｔsを介してスタートパルスＳＰとクロック信号ＣＬＫとが供給される。シフトレ
ジスタ４３は、各単位回路ＵをブロックＢごとに選択するための手段であり、クロック信
号ＣＬＫに同期したスタートパルスＳＰのシフトによってｍ系統の選択信号Ｓ1〜Ｓmを生
成する。選択信号Ｓ1〜Ｓmの各々は、クロック信号ＣＬＫの１周期ごとに順番にアクティ
ブレベルとなる。選択信号Ｓi（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）は、ブロックＢiに属する
ｎ個の単位回路Ｕに対して共通に供給される。選択信号Ｓiのアクティブレベルへの遷移
はブロックＢiに属する各単位回路Ｕの選択を意味する。
【００１９】
図２の画像処理回路４８は、ひとつのブロックＢに属する単位回路Ｕの総数に相当する
ｎ系統のデータ信号Ｄ1〜Ｄnを生成する。データ信号Ｄj（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数
）は各外部接続端子Ｔdを介してデータ信号線ＬＤjに供給される。ブロックＢ1〜Ｂmの各
々に属する第ｊ段目の単位回路Ｕj（合計ｍ個）はデータ信号線ＬＤjに対して共通に接続
される。データ信号Ｄjは、ブロックＢ1〜Ｂmの各々の第ｊ段目の単位回路Ｕjに対応した
発光素子Ｅの輝度をブロックＢ1〜Ｂmの配列の順番に時分割にて指定する電圧信号である
。さらに詳述すると、データ信号Ｄjは、選択信号Ｓiがアクティブレベルとなる期間にお
いて、ブロックＢiの単位回路Ｕjに対応した発光素子Ｅに指定された輝度（階調）に応じ
てハイレベルおよびローレベルの何れかとなる。
【００２０】
次に、図３を参照して、ひとつの単位回路Ｕの具体的な構成を説明する。なお、同図に
おいてはブロックＢiに属するひとつの単位回路Ｕjのみが図示されているが、総ての単位
回路Ｕ（Ｕ1〜Ｕn）は同様の構成である。図３に示すように、ひとつの単位回路Ｕjは、
保持回路４４１と発光制御回路４４２とを含む。
【００２１】
保持回路４４１は、選択信号ＳiによるブロックＢiの選択に応じてデータ信号線ＬＤj
からデータ信号Ｄjを取得して保持する手段（例えばラッチ回路）である。さらに詳述す
ると、保持回路４４１は、選択信号Ｓiがアクティブレベルに遷移したタイミングにてデ
ータ信号線ＬＤjからデータ信号Ｄjを取得（サンプリング）し、選択信号Ｓiが次にアク
ティブレベルに遷移するまでデータ信号Ｄjの出力を維持する。
【００２２】
発光制御回路４４２は、保持回路４４１が保持するデータ信号Ｄjに応じて発光素子Ｅ
の発光を制御する手段であり、ｐチャネル型のトランジスタ（以下「駆動トランジスタ」
という）Ｒdrとｎチャネル型のトランジスタＲ0とを含む。駆動トランジスタＲdrは、発
光素子Ｅに供給される電流を制御する手段であり、電源線４１と発光素子Ｅの陽極との間
に介在する。トランジスタＲ0は駆動トランジスタＲdrのドレイン（発光素子Ｅの陽極）
と接地線４２との間に介在する。駆動トランジスタＲdrおよびトランジスタＲ0の各々の
ゲートには保持回路４４１から出力されたデータ信号Ｄjが供給される。保持回路４４１
がローレベルのデータ信号Ｄjを保持している場合、駆動トランジスタＲdrはオン状態と
なり、トランジスタＲ0はオフ状態となる。したがって、発光素子Ｅは、電源線４１から
駆動トランジスタＲdrを介した電流の供給によって発光する。これに対し、データ信号Ｄ
jがハイレベルである場合には、駆動トランジスタＲdrはオフ状態とって発光素子Ｅは消
灯する。なお、駆動トランジスタＲdrがオフ状態にあるときのリーク電流はオン状態のト
ランジスタＲ0を経由して接地線４２に流れ込むから、データ信号Ｄjがハイレベルである
場合に発光素子Ｅを確実に消灯させることができる。
【００２３】
次に、光ヘッドＨの機械的な構造について説明する。図４は、図１におけるIV−IV線か
らみた断面図である。図１および図４に示すように、光ヘッドＨは、相互に対向する状態
に貼り合わされた第１基板１０と第２基板２０とを具備する。第２基板２０は第１基板１
０からみて感光体ドラム７０（集光性レンズアレイ６０）側に位置する。第１基板１０お
よび第２基板２０は、Ｘ方向を長手とする姿勢に固定された長尺状の板材である。
【００２４】
図５の部分(a)は、第１基板１０のうち第２基板２０に対向する表面（以下「対向面」
という）１０s上に配置された要素の構造を示す平面図であり、同図の部分(b)は、第２基
板２０のうち第１基板１０に対向する表面（以下「対向面」という）２０s上に配置され
た要素の構造を示す平面図である。図５の部分(a)および部分(b)の各々における紙面の手
前側が相互に向かい合うように第１基板１０と第２基板２０とが貼り合わされる。
【００２５】
図４と図５の部分(a)とに示すように、シフトレジスタ４３と信号線群Ｌとは第１基板
１０の対向面１０s上に配置される。図５の部分(a)に示すように、シフトレジスタ４３は
、Ｘ方向を長手としてＹ方向の正側の周縁に沿うように配置された長尺状の回路であり、
第１基板１０のうちＸ方向の負側の周縁に形成された外部接続端子Ｔsに接続される。ま
た、対向面１０sのうちＹ方向の負側の周縁に沿った領域には、Ｘ方向に配列する複数の
接続端子Ｃa（Ｃa1・Ｃa2）が形成される。信号線群Ｌを構成するｎ本のデータ信号線Ｌ
Ｄ1〜ＬＤnは、対向面１０sのうちシフトレジスタ４３と接続端子Ｃaの配列との間隙にて
Ｘ方向に延在する。各データ信号線ＬＤは、第１基板１０のうちＸ方向の負側の周縁に形
成された外部接続端子Ｔdに接続される。
【００２６】
図４と図５の部分(b)とに示すように、複数の発光素子Ｅと複数の単位回路Ｕとは第２
基板２０の対向面２０s上に配置される。複数の発光素子Ｅは、第２基板２０のうちＹ方
向の正側の周縁に沿うようにＸ方向に配列する。また、対向面２０sのうちＹ方向の負側
の周縁に沿った領域には、Ｘ方向に配列する複数の接続端子Ｃb（Ｃb1・Ｃb2）が形成さ
れる。複数の単位回路Ｕは、発光素子Ｅの配列と接続端子Ｃbの配列との間隙（第２基板
２０の幅方向における中央部の領域）にてＸ方向に配列する。
【００２７】
図４に示すように、第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態で第１基板１０の
各接続端子Ｃaと第２基板２０の各接続端子Ｃbとは相互に対向する。第１基板１０と第２
基板２０との接合には異方性導電体３０が使用される。異方性導電体３０は、多数の導電
性の粒子（以下「導通粒子」という）３１を接着剤３２に分散させた膜体である。第１基
板１０と第２基板２０との間隙に異方性導電体３０を介挿したうえで両基板を熱圧着する
と、第１基板１０と第２基板２０とが接着剤３２によって相互に固定されるとともに接続
端子Ｃaとこれに対向する接続端子Ｃbとが導通粒子３１に接触する。このように接続端子
Ｃaと接続端子Ｃbとが導通粒子３１を介して電気的に接続した箇所が図２の基板間導通部
Ｃである。導通粒子３１は、第１基板１０と第２基板２０との間隔を所定の寸法に維持す
るスペーサとしても機能する。
【００２８】
図４に示すように、第１基板１０のシフトレジスタ４３（より詳細にはシフトレジスタ
４３を構成するトランジスタＱ）と第２基板２０の各発光素子Ｅとは、第１基板１０や第
２基板２０の表面に垂直なＺ方向からみて相互に重なり合う。この構成によれば、ひとつ
の基板の表面に区画された別個の領域にシフトレジスタ４３と発光素子Ｅとが配置された
構成と比較して基板（第１基板１０・第２基板２０）が小型化される。さらに、本実施形
態においては第１基板１０の信号線群Ｌと第２基板２０の各単位回路ＵとがＺ方向からみ
て相互に重なり合う。この構成によれば、ひとつの基板の別個の領域に単位回路Ｕと信号
線群Ｌとが配置された構成と比較して基板が小型化される。以上のように、本実施形態に
よれば第１基板１０や第２基板２０に必要となる面積が第１基板１０上の要素と第２基板
２０上の要素との重複の分だけ削減される。したがって、光ヘッドＨやこれを内蔵する画
像形成装置が小型化されるという利点がある。
【００２９】
次に、図６は、第１基板１０に形成された要素の構成を示す断面図（図５の部分(a)に
おけるVI−VI線からみた断面図）である。図６と図４とでは上下（Ｚ方向）が逆転してい
る。図６に示すように、第１基板１０の面上にはシフトレジスタ４３を構成する多数のト
ランジスタＱ（図６においてはひとつのみが図示されている）が形成される。
【００３０】
トランジスタＱは、第１基板１０の表面に半導体材料によって形成された半導体層１１
と、半導体層１１を覆うゲート絶縁層Ｆa0を挟んで半導体層１１（チャネル領域）に対向
するゲート電極１２とを含む薄膜トランジスタである。半導体層１１は、例えばアモルフ
ァスシリコンに対するレーザアニールで形成されたポリシリコンの膜体である。ゲート電
極１２は第１絶縁層Ｆa1に覆われる。トランジスタＱのソース電極１３１およびドレイン
電極１３２は、アルミニウムなど低抵抗の金属によって第１絶縁層Ｆa1の面上に形成され
るとともにコンタクトホールを介して半導体層１１（ソース領域およびドレイン領域）に
導通する。トランジスタＱが形成された第１基板１０の表面は第２絶縁層Ｆa2に覆われる
。第１絶縁層Ｆa1や第２絶縁層Ｆa2はＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁材料で形成された膜体
である。
【００３１】
図６に示すように、信号線群Ｌを構成する各データ信号線ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤn）はゲー
ト絶縁層Ｆa0の面上に形成される。トランジスタＱのゲート電極１２とデータ信号線ＬＤ
とは、ゲート絶縁層Ｆa0の全域にわたって連続に形成された導電膜（例えばアルミニウム
の薄膜）のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。なお、ゲート電極１
２とデータ信号線ＬＤとの関係のように、複数の要素が共通の膜体（単層であるか複数層
であるかは不問である）の選択的な除去によって同一の工程で形成されることを以下では
単に「同層から形成される」と表記する。同層から形成された各要素の材料は当然に同一
であって各々の膜厚は略一致する。複数の要素が同層から形成される構成によれば、各々
が別個の膜体から形成される構成と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が実
現されるという利点がある。
【００３２】
図６に示すように、各接続端子Ｃaは第１層１３３と第２層１４とが第１基板１０側か
らこの順番に積層された構造となっている。第１層１３３は、第１絶縁層Ｆa1の面上に、
トランジスタＱのソース電極１３１やドレイン電極１３２と同層から形成される。第２絶
縁層Ｆa2のうち第１層１３３と重なり合う部分には開口部Ｏa1が形成される。第２層１４
は、開口部Ｏa1の内側に入り込むように形成されて第１層１３３と電気的に接続される。
第２層１４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）とい
った導電性の酸化物（光透過性の導電材料）によって形成される。このように耐食性の高
い第２層１４によってアルミニウムなど耐食性の低い材料の第１層１３３を被覆すること
で第１層１３３の腐食が有効に防止される。
【００３３】
第１基板１０に形成された複数の接続端子Ｃaは、データ信号Ｄ1〜Ｄnの伝送に利用さ
れる接続端子Ｃa1と、選択信号Ｓ1〜Ｓmの伝送に利用される接続端子Ｃa2とを含む。図５
の部分(a)や図６に示すように、接続端子Ｃa1の第１層１３３には配線Ｌd1が連続する。
配線Ｌd1は、第１層１３３からＹ方向に延在してデータ信号線ＬＤと接続端子Ｃa1とを電
気的に接続する配線であり、第１層１３３やトランジスタＱのソース電極１３１およびド
レイン電極１３２と同層から形成される。配線Ｌd1のうち接続端子Ｃa1とは反対側の端部
は、第１絶縁層Ｆa1を貫通するコンタクトホールｈ1を介して下層のデータ信号線ＬＤに
電気的に接続される。また、図５の部分(a)に示す配線Ｌs1は、接続端子Ｃa2の第１層１
３３に連続する配線であり、Ｙ方向に延在してシフトレジスタ４３（例えばトランジスタ
Ｑ）に電気的に接続される。
【００３４】
次に、図７は、第２基板２０に形成された要素の構成を示す断面図（図５の部分(b)に
おけるVII−VII線からみた断面図）である。図７に示すように、第２基板２０の対向面２
０s上には単位回路Ｕを構成する多数のトランジスタＲが形成される。なお、図７におい
ては、発光制御回路４４２の駆動トランジスタＲdrと保持回路４４１を構成するトランジ
スタＲとが図示されている。なお、第２基板２０に形成されたトランジスタ（すなわち図
２の駆動トランジスタＲdrおよびトランジスタＲ0や保持回路４４１を構成するトランジ
スタ）の各々を特に区別する必要がない場合には単に「トランジスタＲ」と表記する。
【００３５】
トランジスタＲは、第１基板１０のトランジスタＱと同様の材料および構造の薄膜トラ
ンジスタであり、対向面２０sに形成された半導体層２１と、ゲート絶縁層Ｆb0を挟んで
半導体層２１に対向するゲート電極２２とを含む。トランジスタＲのソース電極２３１お
よびドレイン電極２３２は、ゲート電極２２を覆う第１絶縁層Ｆb1の面上に形成されると
ともにコンタクトホールを介して半導体層２１（ソース領域およびドレイン領域）に導通
する。図５の部分(b)および図７に示すように、対向面２０sのうち単位回路Ｕの配列と発
光素子Ｅの配列との間隙にはＸ方向に延在する電源線４１が形成される。電源線４１と各
トランジスタＲのゲート電極２２とは同層から形成される。電源線４１のうち第１基板１
０におけるＸ方向の正側の周縁に至った端部は図２の外部接続端子Ｔp1として機能する。
【００３６】
図７に示すように、第１絶縁層Ｆb1の表面は第２絶縁層Ｆb2に覆われる。第２絶縁層Ｆ
b2の面上には第１電極２４１が発光素子Ｅごとに相互に離間して形成される。第１電極２
４１は、発光素子Ｅの陽極として機能する略円形の電極であり、ＩＴＯやＩＺＯといった
光透過性の導電材料によって形成される。図７に示すように、第１電極２４１は、第２絶
縁層Ｆb2を貫通するコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＲdrのドレイン電極
２３２に電気的に接続される。
【００３７】
第１基板１０の接続端子Ｃaと同様に、各接続端子Ｃbは第１層２３３と第２層２４２と
が積層された構造となっている。第１層２３３は、トランジスタＲのソース電極２３１や
ドレイン電極２３２と同層から形成され、第２層２４２は第１電極２４１と同層から形成
される。第２層２４２は、第２絶縁層Ｆb2に形成された開口部Ｏb1を介して第１層２３３
に電気的に接続される。
【００３８】
図５の部分(b)に示すように、第２基板２０に配列された複数の接続端子Ｃbは、第１基
板１０の接続端子Ｃa1に対向する接続端子Ｃb1と、第１基板１０の接続端子Ｃa2に対向す
る接続端子Ｃb2とに区別される。各接続端子Ｃb1は、第１層２３３からＹ方向に連続する
配線Ｌd2を介して単位回路Ｕに電気的に接続される。したがって、ブロックＢ1〜Ｂmの各
々に属する単位回路Ｕjは、配線Ｌd2・接続端子Ｃb1・導通粒子３１・接続端子Ｃa1およ
び配線Ｌd1を介してデータ信号線ＬＤjに電気的に接続される。
【００３９】
各接続端子Ｃb2は、ｍ本の配線ＬsAと１本の配線ＬsBとを介してひとつのブロックＢの
ｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnに接続される。各配線ＬsAはトランジスタＲのソース電極２３１
やドレイン電極２３２と同層から形成され、配線ＬsBはトランジスタＲのゲート電極２２
と同層から形成される。単位回路Ｕnに至る配線ＬsAは接続端子Ｃb2の第１層２３３に連
続する。したがって、単位回路Ｕnは配線ＬsAを介して接続端子Ｃb2に電気的に接続され
る。各配線ＬsAは、第１絶縁層Ｆb1のコンタクトホールｈ2を介して下層の配線ＬsBに電
気的に接続される。したがって、ブロックＢiの単位回路Ｕ1〜Ｕn-1は、配線ＬsA・配線
ＬsBおよび第ｎ番目の配線ＬsAを介して接続端子Ｃb2に接続される。そして、接続端子Ｃ
b2は、導通粒子３１・接続端子Ｃa2および配線Ｌs1を介してシフトレジスタ４３に電気的
に接続される。
【００４０】
第１電極２４１や第２層２４２が形成された第２絶縁層Ｆb2の表面は第３絶縁層Ｆb3に
覆われる。第３絶縁層Ｆb3のうち接続端子Ｃbの第２層２４２と重なり合う部分には開口
部Ｏb2が形成される。さらに、第３絶縁層Ｆb3のうち第１電極２４１と重なり合う部分に
は略円形の開口部Ｏb3が形成される。発光素子Ｅの発光層２５は、開口部Ｏb3の内側であ
って第１電極２４１を底面とする空間に形成される。すなわち、第３絶縁層Ｆb3は、発光
層２５の平面的な形状を規定する役割を担う。図４に示すように、発光層２５は、Ｚ方向
からみて第１基板１０上のトランジスタＱの半導体層１１と重なり合う。発光層２５の形
成には、例えば発光材料の液滴をノズルから吐出して第１電極２４１の表面に付着させる
インクジェット法（液滴吐出法）が好適に採用される。なお、発光層２５による発光を促
進または効率化するための各種の機能層（正孔注入層・正孔輸送層・電子注入層・電子輸
送層・正孔ブロック層・電子ブロック層）が発光層２５に積層された構成としてもよい。
【００４１】
第３絶縁層Ｆb3の面上には、アクリルなどの有機材料やＳｉＯ2およびＳｉＮなどの無
機材料といった各種の絶縁材料によって隔壁Ｆb4が形成される。隔壁Ｆb4は、発光層２５
を露出させる開口部Ｏb4を有し、インクジェット法による発光層２５の形成時に発光材料
の液滴が到達する領域を発光素子Ｅごとに仕切る要素として機能する。図７に示すように
、隔壁Ｆb4のうち接続端子Ｃbと重なり合う領域には開口部Ｏb5が形成される。接続端子
Ｃbの第２層２４２のうち第３絶縁層Ｆb3および隔壁Ｆb4から露出した部分が異方性導電
体３０の導通粒子３１に接触する。
【００４２】
図７における第２電極２７は、発光層２５を挟んで第１電極２４１に対向する電極（図
２の接地線４２に相当する）であり、図５の部分(b)に示すように、複数の発光素子Ｅに
わたって連続に形成されて第２基板２０の周縁の外部接続端子Ｔp2に電気的に接続される
。なお、第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態において、第２基板２０上の外
部接続端子Ｔp1・Ｔp2は、実際には第１基板１０とは重なり合わない。つまり、外部接続
端子Ｔp1・Ｔp2は、第２基板２０のうち第１基板１０の周縁から張り出す領域に形成され
る。同様に、第１基板１０上の外部接続端子Ｔs・Ｔdは第２基板２０とは重なり合わない
。
【００４３】
第２電極２７の材料としては、アルミニウムや銀などの金属およびこれらを主成分とす
る合金といった各種の光反射性の導電材料が採用される。発光層２５から第１電極２４１
側に放射された光と発光層２５から第１電極２４１とは反対側に放射されて第２電極２７
の表面にて反射した光とは、図４に白抜きの矢印で図示されるように、第１電極２４１や
第２基板２０を透過して感光体ドラム７０側に出射する。したがって、第２基板２０には
光透過性が要求されるが、第１基板１０に光透過性は不要である。
【００４４】
図４に示したように、Ｚ方向からみて発光素子Ｅとシフトレジスタ４３とは重なり合う
から、シフトレジスタ４３のトランジスタＱと発光素子Ｅの発光層２５との間には第２電
極２７が介在する。したがって、例えばトランジスタＱのオン・オフの切換に伴なって発
生するノイズは第２電極２７によって遮蔽されて発光層２５や第１電極２４１には影響し
ない。このように本実施形態によれば、光ヘッドＨの小型化のためにシフトレジスタ４３
と発光素子Ｅとが重なり合う構成を採用しているにも拘わらず、シフトレジスタ４３と発
光素子Ｅとの相互間における電気的な影響を低減できるという利点がある。
【００４５】
また、発光層２５からの放射光が直接的にシフトレジスタ４３のトランジスタＱに到達
するとすれば、半導体層１１の光励起に起因してトランジスタＱに誤動作（例えば電流の
リーク）が発生する可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、遮光性（光反射性
）を有する第２電極２７が発光層２５とシフトレジスタ４３との間に介在するから、発光
層２５から第１基板１０側への放射光は第２電極２７によって遮光されてトランジスタＱ
には到達しない。したがって、光照射に起因したトランジスタＱの誤動作を防止すること
が可能である。
【００４６】
図５の部分(b)や図７に示すように、第２電極２７は、発光層２５に加えて隔壁Ｆb4の
面上にも形成される。図７に示すように隔壁Ｆb4は各単位回路Ｕを被覆するように形成さ
れるから、第２電極２７は、Ｚ方向からみて単位回路Ｕの各トランジスタＲや保持回路４
４１と重なり合う。また、図４に示したようにＺ方向からみて単位回路Ｕと信号線群Ｌと
は重なり合う。したがって、単位回路Ｕの各トランジスタＲと各データ信号線ＬＤ1〜Ｌ
Ｄnとの間には第２電極２７が介在する。この構成によれば、各データ信号線ＬＤの電圧
の変動に起因したノイズは第２電極２７によって遮蔽されて単位回路Ｕには到達しない。
同様に、トランジスタＲのオン・オフの切換に伴なうノイズは第２電極２７によって遮蔽
されてデータ信号線ＬＤには影響しない。このように本実施形態によれば、信号線群Ｌと
各単位回路Ｕとの相互間における電気的な影響を低減できるという利点がある。特に本実
施形態においては、信号線群Ｌと保持回路４４１との間に第２電極２７が介在するから、
保持回路４４１に保持されたデータ信号Ｄjがデータ信号線ＬＤの電圧（データ信号）に
応じて変動する可能性が低減される。したがって、各発光素子Ｅをデータ信号Ｄjに応じ
て確実に制御できる。
【００４７】
ところで、第１基板１０の要素と第２基板２０の要素とが導通粒子３１を介して電気的
に接続される基板間導通部Ｃにおいては、導通粒子３１の分布の様子や導通粒子３１と基
板上の要素との接触の状態など様々な要因によって、電気的な接続の位置ごとに抵抗値の
バラツキが発生し易い。したがって、電源線４１から接地線４２に至る経路上に基板間導
通部Ｃが介在する構成（例えば駆動トランジスタＲdrが第１基板１０に配置された構成）
においては、基板間導通部Ｃにおける抵抗値のバラツキに起因して、各発光素子Ｅに供給
される電流の電流値が相違する場合がある。これに対し、本実施形態においては、電源線
４１から駆動トランジスタＲdrや発光素子Ｅを経由して接地線４２に至る経路上の総ての
要素が第２基板２０に形成される。すなわち、電源線４１から接地線４２に至る経路上に
は基板間導通部Ｃが介在しない。この構成によれば、基板間導通部Ｃにおける抵抗値のバ
ラツキが各発光素子Ｅの電流に与える影響は解消されるから、発光素子Ｅの輝度をデータ
信号に応じて高精度に制御できるという利点がある。
【００４８】
図７に図示された補助配線２８は、第２電極２７よりも抵抗率が低い導電材料によって
形成されて第２電極２７に導通する配線である。この構成によれば、第２電極２７におけ
る電圧降下が抑制されるから、各発光素子Ｅに供給される接地電位ＶSSは均一化される。
したがって、第２電極２７における電圧降下に起因した各発光素子Ｅの輝度のムラを抑制
できる。第１基板１０と第２基板２０とが接合された状態において、補助配線２８は第１
基板１０上の第２絶縁層Ｆa2の表面に接触する。なお、本実施形態では第２電極２７の表
面に補助配線２８が形成された構成を例示したが、補助配線２８が形成される位置は適宜
に変更される。例えば、第２電極２７と隔壁Ｆb4との間に補助配線２８が介挿された構成
としてもよい。
【００４９】
補助配線２８は、第２電極２７のうち隔壁Ｆb4の面上に位置する部分の表面に、遮光性
（例えば光反射性）の導電材料によって形成される。したがって、補助配線２８は、Ｚ方
向からみて単位回路Ｕの各トランジスタＲと重なり合い、第２電極２７と同様に単位回路
Ｕと信号線群Ｌとの間に介在する。この構成によれば、信号線群Ｌと各単位回路Ｕとの相
互的な影響を低減できるという先述の効果が、補助配線２８を形成しない構成と比較して
いっそう増進される。さらに、補助配線２８は遮光性を有するから、発光素子Ｅからの出
射光を補助配線２８によっても遮光できるという利点がある。
【００５０】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち作用や機能が
第１実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に
省略する。
【００５１】
図８の部分(a)は、第１基板１０の対向面１０s上の要素を示す平面図であり、図８の部
分(b)は第２基板２０の対向面２０s上の要素を示す平面図である。同図の部分(a)に示す
ように、各単位回路Ｕの保持回路４４１は対向面１０sに配置される。また、同図の部分(
b)に示すように、各単位回路Ｕの発光制御回路４４２は対向面２０sに配置される。なお
、各発光素子Ｅとシフトレジスタ４３とが重なり合う構成や信号線群Ｌと各単位回路Ｕと
が重なり合う構成は第１実施形態と同様である。したがって、本実施形態によっても第１
実施形態と同様の効果が奏される。
【００５２】
ブロックＢ1〜Ｂmの各々における単位回路Ｕjの保持回路４４１は、トランジスタＱの
ソース電極１３１やドレイン電極１３２と同層から形成された配線Ｌd1を介してデータ信
号線ＬＤjに接続される。また、ブロックＢiに属する単位回路Ｕ1〜Ｕnの保持回路４４１
は、第１実施形態と同態様の配線（ソース電極１３１と同層から形成された配線ＬsA・ゲ
ート電極１２と同層から形成された配線ＬsB）によってシフトレジスタ４３に接続される
。以上のように、選択信号Ｓiに応じてデータ信号Ｄjを取得・保持する保持回路４４１が
第１基板１０に配置されるから、選択信号Ｓiを第２基板２０に伝送するための接続端子
Ｃa2および接続端子Ｃb2は本実施形態において不要である。すなわち、本実施形態によれ
ば接続端子Ｃaや接続端子Ｃbの個数が削減されるから、第１基板１０上の要素と第２基板
２０上の要素との接続に不良が発生する可能性を低減できるという利点がある。
【００５３】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち作用や機能が
第１実施形態や第２実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細
な説明を適宜に省略する。
【００５４】
図９の部分(a)は、第１基板１０の対向面１０s上の要素を示す平面図であり、図９の部
分(b)は第２基板２０の対向面２０s上の要素を示す平面図である。本実施形態においては
第２実施形態と同様に、各単位回路Ｕのうち保持回路４４１が対向面１０sに配置される
とともに発光制御回路４４２が対向面２０sに配置される。なお、各発光素子Ｅとシフト
レジスタ４３とが重なり合う構成や信号線群Ｌと各単位回路Ｕとが重なり合う構成は第１
実施形態と同様である。
【００５５】
各駆動トランジスタＲdrのソース電極２３１が接続される電源線４１は、トランジスタ
Ｒのゲート電極２２と同層から形成され、図９の部分(b)に示すように、接続端子Ｃb1の
配列と発光制御回路４４２の配列との間隙にてＸ方向に延在する。電源線４１のうち第２
基板２０におけるＹ方向の負側の周縁に至った端部は接続端子Ｃb3となる。また、対向面
２０sには、第２電極２７と電気的に接続された接続端子Ｃb4が電源線４１と同層から形
成される。
【００５６】
図９の部分(a)に示すように、第１基板１０の対向面１０sのうちＸ方向の負側の周縁に
は、接続端子Ｃb3に対向する外部接続端子Ｔp1と接続端子Ｃb4に対向する外部接続端子Ｔ
p2とが形成される。接続端子Ｃb3と外部接続端子Ｔp1とは導通粒子３１を介して相互に導
通する。同様に接続端子Ｃb4と外部接続端子Ｔp2とは導通粒子３１によって電気的に接続
される。以上のように本実施形態においては、総ての外部接続端子（Ｔs・Ｔd・Ｔp1・Ｔ
p2）が第１基板１０に形成されるから、光ヘッドＨと外部とを接続するための構成が簡素
化されるという利点がある。例えば、第１実施形態おいては、外部接続端子Ｔsおよび外
部接続端子Ｔdに導通する配線基板（典型的にはフレキシブル配線基板）を第１基板１０
に実装するとともに外部接続端子Ｔp1・Ｔp2に導通する配線基板を第２基板２０に実装す
る必要がある。これに対し、本実施形態においては第１基板１０のみに配線基板を実装す
れば足りるから、光ヘッドＨの部品点数が削減されるとともにこれによる製造コストの低
減が実現される。
【００５７】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５８】
（１）変形例１  
以上の各形態においては、シフトレジスタ４３や信号線群Ｌが配置された第１基板１０
と発光素子Ｅや単位回路Ｕ（第２実施形態においては発光制御回路４４２）が配置された
第２基板２０とが相互に接合された構成を例示したが、２枚の基板の接合は本発明におい
て必ずしも必要ではない。例えば、各要素が図７のように配置された第２基板２０を絶縁
層によって被覆し、シフトレジスタ４３や信号線群Ｌといった図６の各要素をこの絶縁層
の面上に形成してもよい。図６の各要素を絶縁層の面上に形成する方法は、第１実施形態
において各要素を第１基板１０の面上に形成する方法と同様である。以上の構成において
は、接続端子Ｃaおよび接続端子Ｃbや異方性導電体３０が不要とされる。
【００５９】
（２）変形例２  
第１実施形態においては単位回路Ｕの全部が第２基板２０に配置された構成を例示し、
第２実施形態および第３実施形態においては保持回路４４１と発光制御回路４４２とが第
１基板１０と第２基板２０とに分散して配置された構成を例示したが、単位回路Ｕの全部
（保持回路４４１および発光制御回路４４２の双方）が第１基板１０に配置された構成も
採用される。この構成においては、トランジスタＱの半導体層１１とトランジスタＲの半
導体層２１とを第１基板１０の面上に同層から形成することができ、第２基板２０には半
導体層２１を形成する必要がないから、第１実施形態ないし第３実施形態と比較して光ヘ
ッドＨの製造工程が簡素化されるという利点がある。
【００６０】
（３）変形例３  
以上の各形態においては、発光素子Ｅが配置された第２基板２０を各発光素子Ｅからの
放射光が透過する構成（ボトムエミッション構造）を例示したが、発光素子Ｅからの放射
光が第２基板２０とは反対側に出射するトップエミッション構造にも本発明は適用される
。トップエミッション構造の光ヘッドＨにおいては第２電極２７が光透過性の導電材料に
よって形成される。ただし、この構成において充分な光量の出射光を感光体ドラム７０側
に出射するためには、シフトレジスタ４３を構成する要素（例えばトランジスタＱ）が発
光層２５と比較して充分に小さいことが望ましい。
【００６１】
（４）変形例４  
単位回路Ｕの構成は適宜に変更される。例えば、以上の各形態においてはラッチ回路が
保持回路４４１として利用された構成を例示したが、駆動トランジスタＲdrのゲートに接
続された容量素子が保持回路４４１とされた構成も採用される。この構成においては、駆
動トランジスタＲdrのゲートとデータ信号線ＬＤとの電気的な接続（導通／非導通）を選
択信号Ｓiに応じて制御するスイッチング素子が配置される。オン状態となったスイッチ
ング素子を介してデータ信号線ＬＤから駆動トランジスタＲdrのゲート電極２２にデータ
信号Ｄjが供給され、スイッチング素子がオフ状態に変化した後も、ゲート電極２２の電
圧は容量素子（保持回路４４１）によってデータ信号Ｄjに応じた電圧に維持される。
【００６２】
（５）変形例５  
以上の各形態においてはシフトレジスタ４３が各単位回路Ｕを順次に選択する構成を例
示したが、単位回路Ｕを選択する回路（本発明における選択回路）の構成は任意である。
例えば、図２のシフトレジスタ４３の代わりに図１０のサンプリング回路（デマルチプレ
クサ）４５が第１基板１０に配置された構成も採用される。サンプリング回路４５は、各
々が別個の単位回路Ｕに対応する複数（「ｍ×ｎ」個）のトランジスタＳＷを含む。
【００６３】
第１基板１０の対向面１０sには、図１０に示すように、ｍ本のデータ信号線ＬＤ（Ｌ
Ｄ1〜ＬＤm）を含む信号線群Ｌと、ｎ本の選択信号線ＬＳ（ＬＳ1〜ＬＳn）を含む信号線
群Ｌaとが形成される。ブロックＢiに属するｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnは、各々に対応する
トランジスタＳＷを介してデータ信号線ＬＤiに共通に接続される。また、ブロックＢ1〜
Ｂmの各々における単位回路Ｕjに対応したトランジスタＳＷ（合計ｍ個）のゲートは選択
信号線ＬＳjに対して共通に接続される。
【００６４】
選択信号線ＬＳjには制御回路４７から選択信号SELjが供給される。選択信号SEL1〜SEL
nは所定の周期で順番にアクティブレベルとなる信号である。データ信号線ＬＤiには画像
処理回路４８からデータ信号Ｄiが供給される。選択信号SELjがアクティブレベルに遷移
すると、各単位回路Ｕjに対応した合計ｍ個のトランジスタＳＷが一斉にオン状態に変化
し、このときにデータ信号線ＬＤ1〜ＬＤmに供給されているデータ信号Ｄ1〜Ｄmが各ブロ
ックＢの単位回路Ｕjに対して並列に入力される。すなわち、サンプリング回路４５は、
各ブロックＢに属するｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnのなかから、データ信号Ｄの取込みの対象
となるべき単位回路Ｕjを選択する手段として機能する。選択信号SEL1〜SELnによるｎ回
の選択が完了すると、総ての単位回路Ｕの保持回路４４１には、以上の各形態と同様に、
その単位回路Ｕに対応したデータ信号Ｄjが保持される。
【００６５】
図１０の構成における各トランジスタＳＷ（より詳細には半導体層）は、第１基板１０
や第２基板２０に垂直な方向からみて発光素子Ｅと重なり合う。また、各データ信号線Ｌ
Ｄと各選択信号線ＬＳとは、第２基板２０上の単位回路Ｕを構成する各トランジスタＲと
重なり合う。したがって、本変形例によっても第１実施形態と同様の作用および効果が奏
される。なお、図１０のサンプリング回路４５や信号線群Ｌおよび信号線群Ｌaによって
各単位回路Ｕを選択する構成は、第２実施形態や第３実施形態についても同様に採用され
る。
【００６６】
（６）変形例６  
以上の各形態においては各単位回路Ｕと重なり合わないように電源線４１が形成された
構成を例示したが、各単位回路ＵのトランジスタＲ（より詳細には半導体層２１）と重な
り合うように電源線４１が形成された構成も採用される。この構成における電源線４１は
、例えばトランジスタＲのソース電極２３１（ドレイン電極２３２）や第１電極２４１と
同層から形成される。この構成によれば、第１基板１０上の要素による電気的な影響（例
えば第１基板１０上の要素における電圧の変動）に起因したトランジスタＲの誤動作が抑
制されるという利点がある。
【００６７】
（７）変形例７  
以上の各形態においては発光素子ＥとしてＯＬＥＤ素子が採用された構成を例示したが
、これ以外の発光素子を利用した様々な光ヘッドにも本発明は適用される。例えば、無機
ＥＬ材料からなる発光層を含む発光素子や発光ダイオード素子、電界放出（ＦＥ：Field
Emission）素子、表面導電型電子放出（ＳＥ：Surface-conduction  Electron-emitter
）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic  electron  Surface  emitting）素子など様々
な発光素子を本発明に適用することができる。
【００６８】
＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る光ヘッドを利用した機器のひとつの形態として画像形成装置を例示
する。
図１１は、以上の各形態に係る光ヘッドＨを採用した画像形成装置の構成を示す断面図
である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係
る４個の光ヘッドＨ（ＨK，ＨC，ＨM，ＨY）と、各光ヘッドＨに対応する４個の感光体ド
ラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。ひとつの光ヘッドＨは、これに
対応した感光体ドラム７０の像形成面（外周面）と対向するように配置される。なお、各
符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロ
ー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００６９】
図１１に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベル
ト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベ
ルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期
して回転する。
【００７０】
各感光体ドラム７０の周囲には、光ヘッドＨのほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，
７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）
とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の像形成面を
一様に帯電させる。この帯電した像形成面を各光ヘッドＨが露光することで静電潜像が形
成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像剤（トナー）を付着させることで感光体ド
ラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００７１】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）
の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの
顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）
７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これ
に対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７
０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００７２】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から
１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送され
る。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７に
よってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシ
ート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート
７５を排出する。
【００７３】
以上に例示した画像形成装置はＯＬＥＤ素子を光源（露光手段）として利用しているの
で、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した
以外の構成の画像形成装置にも本発明を適用することができる。例えば、ロータリ現像式
の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的
に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装
置にも本発明に係る光ヘッドを利用することが可能である。
【００７４】
なお、本発明に係る光ヘッドの用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、本発明
の光ヘッドは、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）とし
て画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファ
クシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次
元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。
【図２】光ヘッドの電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】単位回路の構成を示すブロック図である。
【図４】光ヘッドの構造を示す断面図である。
【図５】第１基板・第２基板に配置される要素の構成を示す平面図である。
【図６】第１基板とその表面上の要素との構成を示す断面図である。
【図７】第２基板とその表面上の要素との構成を示す断面図である。
【図８】第２実施形態において第１基板・第２基板に配置される要素の構成を示す平面図である。
【図９】第３実施形態において第１基板・第２基板に配置される要素の構成を示す平面図である。
【図１０】変形例に係る光ヘッドの電気的な構成を示すブロック図である。
【図１１】本発明に係る画像形成装置の具体的な形態を示す概念図である。
【符号の説明】
【００７６】
Ｈ……光ヘッド、１０……第１基板、２０……第２基板、１０s，２０s……対向面、３０
……異方性導電体、３１……導通粒子、３２……接着剤、４１……電源線、４２……接地
線、４３……シフトレジスタ、４４１……保持回路、４４２……発光制御回路、４５……
サンプリング回路、４６……電源回路、４７……制御回路、４８……画像処理回路、Ａ…
…素子アレイ部、Ｅ……発光素子、Ｌ……信号線群、ＬＤ（ＬＤ1〜ＬＤn）……データ信
号線、Ｕ（Ｕ1〜Ｕn）……単位回路、Ｂ（Ｂ1〜Ｂm）……ブロック、Ｔs，Ｔd，Ｔp1，Ｔ
p2……外部接続端子、Ｑ，Ｒ……トランジスタ、Ｃa（Ｃa1，Ｃa2），Ｃb（Ｃb1，Ｃb2）
……接続端子、６０……集光性レンズアレイ、７０……感光体ドラム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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