(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳＴＩとＦＥＴのゲートの接合部におけるＳＴＩディボットの不所望な影響を減少する製造方法を提供する。【解決手段】ボロンイオン流が、ＦＥＴの活性領域のような活性領域の側壁に対するボロンイオンのようなイオン注入に使用される。ボロンイオン流は、側壁および／またはシリコン装置に対して、垂直傾斜成分と水平回転成分の両方を有し、それによって側壁に対して良好な視野方向を与える。これはシリコン装置のコンポーネント同士を、ＦＥＴ活性領域側壁のドーピングの効率を過度に減少せずに、共により接近させることを可能にし、ＳＴＩ材料によりトレンチを充填するのに先立ち、ＮＦＥＴの活性領域の側壁に対するボロンイオン流に良好な視野方向を与える。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）同一の第１の平面に分布された複数の領域を有するシリコン層を用意し、前記各領域は前記シリコン層のそれぞれのトレンチによって、隣接する領域から分離され、前記各領域は第１、第２、第３、第４の側壁を有し、これらの側壁は共に方形表面の境界を規定し、それぞれ前記トレンチの１つの側面を構成しており、
（ｂ）前記シリコン層とイオン源とを、第１の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｃ）前記シリコン層と前記イオン源が前記第１の相対的な方位にある状態で、前記第１の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第１の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させ、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｅ）前記ステップ（ｄ）の後、前記シリコン層と前記イオン源を、前記第１の相対的な方位とは異なる第２の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｆ）前記シリコン層と前記イオン源が前記第２の相対的な方位にある状態で、前記第２の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第２の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させるステップを含んでいる方法。
【請求項２】
前記第１の鋭角は４０度乃至５０度の範囲の角度である請求項１記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記複数の領域の一部をレジスト層でカバーし、それによって前記ステップ（ｃ）と（ｆ）の期間中に、各前記複数の領域の一部を前記レジスト層によりカバーするステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記複数の各領域上にポリシリコン層を形成するステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記各トレンチ中にシャロートレンチアイソレーション層を形成するステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項６】
（ｇ）前記ステップ（ｆ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｈ）前記シリコン層と前記イオン源とを、前記第１及び第２の相対的な方位とは異なる第３の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｉ）前記シリコン層と前記イオン源とが前記第３の相対的な方位にある状態で、前記第３の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第３の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させ、
（ｊ）前記ステップ（ｉ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｋ）前記ステップ（ｊ）の後、前記シリコン層と前記イオン源とを、前記第１、第２、第３の相対的な方位とは異なる第４の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｌ）前記シリコン層と前記イオン源とが前記第４の相対的な方位にある状態で、前記第４の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第４の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させるステップをさらに含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第１、第２、第３、第４の角度は４０度乃至５０度の範囲の角度である請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記イオンはボロンイオンである請求項１記載の方法。
【請求項９】
トレンチで囲まれている第１の領域と、前記トレンチの反対側の側面にある第２の領域とを有するシリコン層を用意し、前記第１の領域は、それぞれ前記トレンチの側壁を形成する第１および第２の側面を有し、
複数の逐次的な時間間隔の各期間中に、イオン流の量を交互に増加及び減少させて、前記時間間隔のうちの１つである第１の間隔中の、前記イオン流の量が増加したレベルにある状態で、前記イオン流が同時に前記第１および第２の側面に入射するステップを含んでいる方法。
【請求項１０】
前記イオン流の量を交互に増加及び減少させる前記ステップは、前記イオン流の量を交互に、ゼロから増加させ、ゼロへ減少させるステップを含んでいる請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記イオン流の量を交互に増加及び減少させる前記ステップは、前記複数の時間間隔の各期間中に、前記イオン流の量を交互に増加及び減少させ、それによって、前記時間間隔のうちの第１の時間間隔中、前記第１の時間間隔で前記イオン流の量が最大量である状態で、前記イオン流が同時に前記第１および第２の側面に入射し、前記時間間隔のうちの第２の時間間隔中、前記第２の時間間隔で前記イオン流の量が最大量である状態で、前記イオン流が前記第２の側面に入射するが、前記第１の側面には入射しない請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の領域はさらに、前記トレンチの側壁を形成する第３の側面を含み、前記第２の側面は前記第１と第３の側面の間に配置され、前記方法はさらに、前記時間間隔のうちの第３の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流が同時に前記第２および第３の側面に入射するステップを含んでいる請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２の側面はほぼ、相互に直交している請求項９記載の方法。
【請求項１４】
さらに、各前記複数の時間間隔の各時間間隔の間で、第１の軸を中心にして前記シリコン層を回転させるステップを含んでいる請求項９記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流は前記第１の側面に対して１つの入射角度で前記第１の側面を照射し、前記入射角度は４０度乃至５０度の範囲の角度で前記第１の軸を中心とする回転成分を含んでいる請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流は前記第１の側面に対して１つの入射角度で前記第１の側面を照射し、前記入射角度は約４５度で前記第１の軸を中心とする回転成分を含んでいる請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記時間間隔のうちの第２の時間間隔中、前記イオン流の量が増加したレベルにある状態で、前記イオン流は前記第２の側面に入射するが、前記第１の側面には入射しない請求項９記載の方法。
【請求項１８】
前記イオンはボロンイオンである請求項９記載の方法。
【請求項１９】
シリコン層と、
前記シリコン層上に配置され、活性領域を有するＮＦＥＴと、
前記シリコン層のトレンチ内に配置されている電気的分離層とを具備し、
前記トレンチは前記ＮＦＥＴの前記活性領域のエッジにより形成される第１の側壁を有し、
前記トレンチの底部の平均ボロン濃度が前記第１の側壁の平均ボロン濃度の約２倍である半導体装置。
【請求項２０】
さらに、前記シリコン層上に配置され、活性領域を有するＰＦＥＴを含み、前記トレンチは前記ＰＦＥＴの活性領域のエッジにより形成される第２の反対側の側壁を有し、前記トレンチの底部は前記第１と第２の側壁の間に配置されている請求項１９記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
Ｎ型の電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）は、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）層によって、半導体装置上の他のコンポーネントから電気的及び物理的に分離されている。例えば、図１は（シリコン基板のような）シリコン層101と、ＳＴＩ層102と、シリコン基板101及びＳＴＩ層102の上のポリシリコンゲート103とを有する通常のＮＦＥＴ装置を示している。ＮＦＥＴチャンネルの活性領域（即ちチャンネル）106は、ＳＴＩ層102により囲まれているシリコン基板101の領域で規定されている。さらに、ＳＴＩ層102と活性領域106との間の接合部におけるディボット（divot）105は、ＳＴＩ層102形成の副次的効果として生成される。このディボット105はディボット105の領域に不所望な電界密度を生じる可能性があり、それによってしきい値電圧が下がるので、過剰な電流リークを生じる。
【０００２】
ディボット105による不所望な影響を減少させるために、コーナーにおけるボロンのイオン注入がＳＴＩの充填前に使用されている。この技術では、ディボット105の活性領域側におけるボロンの濃度は、図２（ｂ）に示されているように、約２０度の傾斜角度によるイオン流205を使用して、ボロンイオンを注入することにより増加される。ボロンイオン流205は、既知のボロンイオン流源（図示せず）により発生させることができる。図２（ａ）に示されるように、ボロンのイオン注入は、半導体装置を９０度ずつインクリメントさせて回転させ、活性領域106の各側面に断続的なボロンのイオン注入を行うことによって、ほぼ長方形（例えば正方形）の活性領域106の各側面110、111、112、113で順次実行される。あるいは、半導体装置が連続的に回転されながら、連続的なボロンイオン流が時折使用される。ボロンイオン流205はまた、活性領域106を囲むトレンチ210（即ち、後にＳＴＩ層102で充填されるトレンチ）の露出した底部211を貫通する。ボロンイオン流205は、ＳｉＮマスク層201により、活性領域106の上部に到達するのが阻止される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前述のプロセスには限界がある。半導体装置が益々小さくなり、コンポーネント間の間隔も小さくなるので、コーナーのボロン注入の効率的な実行がより困難になる。例えば図２（ｃ）を参照すると、レジスト層202が隣接するＰ型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）203上に堆積されると、ボロンイオン流205が活性領域106の側壁に到達できる空きスペースは非常に狭くなる。ＮＦＥＴ106とＰＦＥＴ203との間のスペースが狭くなると、レジスト層202によるイオン注入の陰（即ちボロンイオン流を部分的または完全にブロックする）がさらに問題になる。実際に、ＮＦＥＴ106とＰＦＥＴ203との間のスペースが非常に狭くなるために、ボロンイオン流205が全く側壁110-113に効率的に到達できなくなる点が生じる可能性がある。別の技術では、レジスト層202を薄層として形成することにより、イオン注入の陰の問題を克服しようとしている。しかしながら、これによって製造プロセスは、レジスト層202の厚さが不均一であることと、実施できるボロンのイオン注入の許容可能な適用量が小さくなる問題に対処しなければならない等、多くの付加的な問題に直面する（薄いレジスト層は厚いレジスト層のようには効率的にボロンのイオン注入をマスクしないので）。
【０００４】
従って、ＳＴＩとＦＥＴのゲートの接合部におけるＳＴＩディボットの不所望な影響を減少するために、より良い方法の開発が望まれている。さらに、コンポーネントは飛躍的に小型になり、かつより密集されるので、これを効率的に行う必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
例えば、本発明の一形態によれば、イオン流はＦＥＴの活性領域の側壁にイオンを注入するために使用でき、イオン流は、側壁および／またはシリコン装置に対して、垂直傾斜成分と水平回転成分の両方を有し、それによって側壁に対して良好な視野方向を与える。これはシリコン装置のコンポーネント同士を、ＦＥＴ活性領域側壁のドーピングの効率を過度に減少せずに、より接近させることを可能にする。ＦＥＴがＮＦＥＴの場合、イオン流はボロンイオン流であってもよい。
【０００６】
７０％迄、又はそれ以上のシュリンク量が、活性領域の側壁に対して４５度の角度にイオン流を水平に回転させることによって実現できる。しかしながら、活性領域の幾何学形状および／またはその他の事項にしたがって、所望される他の鋭角も使用できる。
【０００７】
本発明のこれら及びその他の特徴は、例示的な実施形態についての以下の詳細な説明を考慮して、明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明及びその利点は、添付図面を考慮して以下の説明を参照することにより、さらに完全に理解されるであろう。同じ参照符号は同じ部分を示している。
【０００９】
図３（ａ）乃至（ｄ）を説明すると、図３（ａ）および図３（ｃ）に示されている平面図は、装置を見下ろした上方の視点からの図である。さらに、図３（ｂ）と図３（ｄ）の断面図は、図３（ａ）および図３（ｃ）の下部から装置を水平に横切って観察する横の視点からの図である。これらの視点を基準として使用すると、ボロンイオン流205は通常、図３（ａ）および図３（ｂ）に示されているように、垂直方向の傾斜および９０度の水平回転により、活性領域106の側壁に指向されている。この場合、ボロンイオン流205は、図８に示されているように、ある時間で断続的にオン及びオフに切換えることができる。活性領域106はそれぞれ０度、９０度、１８０度、２７０度で配置が回転され、側壁112、110、113、111のうちそれぞれ異なる側壁に対してイオン注入するために、ボロンイオン流205が選択的にオンに切換えられる。この結果、その側壁がイオン注入されているとき、各側壁110-113に対して、ボロンイオン流205は９０度の回転が行われる。図８の状態では、トレンチ底部211はボロンイオン流205の４つのショットを受け、各側壁110-113はボロンイオン流205の１つのショットを受ける。したがって任意の単位を使用すると、各側壁110-113は約１単位のボロン濃度を有し、トレンチ底部211は約４単位のボロンの濃度を有するといえる。
【００１０】
図３（ｂ）を参照すると、（例えば）側壁112に対するボロンイオン流205の所定の垂直方向傾斜角度Ｔおよび９０度の回転に対しては、ボロンイオン流205が側壁112に対して明白な視野方向を有することを可能にするために、コンポーネント間に必要最小限の距離ｄが存在することが認められる。仮にｄが非常に小さい場合、側壁112にはボロンによる正確なイオン注入ができない。
【００１１】
図３（ｃ）と図３（ｄ）を参照すると、代わりにボロンイオン流205のようなイオン流を、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示されているように、目下イオン注入している側壁112に対して、垂直方向傾斜角度Ｔと（約４０乃至５０度のような）鋭角の水平回転角度Ｒの両者を有する方向に指向することが有効であろう。この場合、ボロンイオン流205は図９または図１０に示されているように、ある時間に断続的にオン及びオフに切換えることができる。活性領域106は、それぞれ４５度、１３５度、２２５度、３１５度で配置が順次回転され、側壁の対112/110、110/113、113/111、111/112のうちそれぞれ異なる側壁の対に対してイオン注入されるように、ボロンイオン流205が選択的にオンに切換えられる。この結果、その側壁がイオン注入されているとき、各側壁110-113に対して、ボロンイオン流205は４５度の回転を行う。
【００１２】
さらに厳密には、この例では、活性領域106は、最初は“４５度”の方位に整列され、それによってボロンイオン流205は同時に側壁110と112に入射するが、側壁111または113には入射しない。次に、所定期間後、ボロンイオン流205はオフに切換えられるか、またはパワーを減少される。次に、活性領域106が“１３５度”にの方位に整列され、それによってボロンイオン流205は同時に側壁110と113に入射するが、側壁111または112には入射しない。その後、所定期間後、ボロンイオン流205は再度、オフに切換えられ、またはパワーを減少される。次に、活性領域106が“２２５度”の方位に整列され、それによってボロンイオン流205は同時に側壁111と113に入射するが、側壁110または112には入射しない。次に、所定期間後、ボロンイオン流205は再度、オフに切換えられ、またはパワーを減少される。最後に、活性領域106が“３１５度”の方位に整列され、それによってボロンイオン流205は同時に側壁111と112に入射するが、側壁110または113には入射しない。次に、所定期間後、ボロンイオン流205は再度、オフに切換えられ、またはパワーを減少される。
【００１３】
図９および図１０では、ボロンイオン流205は、ボロンイオン流205とシリコン層101および／または領域106との間の相対的な方位に応じて、パワーが増加または減少される。図９によれば、ボロンイオン流205はある個々の角度、即ち４５度、１３５度、２２５度、３１５度でのみオンに切換えられる。これは、例えば、最初に、要求されるボロンイオン流205に対して、シリコン層101を適切に位置させ、その後、その位置を維持しながら、ボロンイオン流205をオンとオフに切換えることによって達成できる。別の例では、図１０にしたがって、ボロンイオン流205は、種々の角度の一部の範囲に渡ってオンに切換えられる。例えば、ボロンイオン流205は、角度範囲Ｒ＝約３０度乃至約６０度にわたって、（パワーが可変量であるが）オンに切換えられる。これはボロンイオン流205を注入する前に、シリコン層101が停止されず、その代わりにボロンイオン流205が適時にオン及びオフに切換えられながら、連続的に回転している場合に生じる。勿論、所望されるように、ボロンイオン流205のパワーを完全にオフにする代わりとして、ボロンイオン流205のパワー量を、多少の低いベースラインに維持することが可能である。この例ではまた、ボロンイオン流205のパワーのピーク量は、この例での重要な角度、即ち４５度、１３５度、２２５度、３１５度で生じることにも注意すべきである。
【００１４】
図９に関連して前述したように、ボロンイオン流205は、回転角度Ｒが４５、１３５、２２５、３１５度（またはそのバリエーション）であるときに、活性領域106の２つの隣接する側壁に同時に入射される。したがって、図９のプロセス全体が完了されるときまでに、各側壁110-113は２ショットのボロンイオン流205を受ける。これは、図９の場合、側壁110-113で同一のボロン濃度を維持するために、各ショットのボロンの注入量が、図８の場合と比較して、約半分に減少されることを意味している。このことは、トレンチ底部211のボロン濃度もまた図８の場合と比較して、約１／２に減少されるという付加的な利点を与える。したがって、図８と同一の任意の単位を使用すると、図９の状態では、各側壁110-113が約１単位の平均ボロンイオン濃度を有し、トレンチ底部211は約２単位の平均ボロンイオン濃度を有し、これは図８の場合の半分である。トレンチ底部211の低いボロン濃度は、Ｐウェル／Ｎウェル接合部の接合リークを減少する（したがって改良する）。図８の場合、トレンチ底部211のボロン濃度は平均して、側壁110-113のボロン濃度の約４倍である。しかしながら、図９の場合には、トレンチ底部211のボロン濃度は平均して、側壁110-113のボロン濃度の約２倍である。
【００１５】
代わりに、図９に示されている４つのうち２つの位置だけがボロンのイオン注入に使用することができる。１つのケースでは、例えば図１１で示されているように、Ｒ＝４５度およびＲ＝２２５度の位置だけが使用されてもよい。第２のケースでは、例えば図１２で示されているように、Ｒ＝１３５度およびＲ＝３１５度の位置だけが使用されてもよい。４つの可能な位置のうち２つだけを使用することによって、活性領域106の各側面における各側壁110-113と、各トレンチ底部211の部分は、全体としてただ１回のボロンのショットを受ける。したがって、各２ショットのボロンの量は図８の通常の量と同じである。これにより、各側壁110-113の平均ボロン濃度は約１単位であり、トレンチ底部211の平均ボロン濃度は約２単位になる。再度述べると、トレンチ底部211は平均して、通常に受ける総注入量の半分の量を受ける。この変形ではさらに、（２注入ショットのみが必要なので）高いスループットとコストの低下の利点を有する。
【００１６】
シリコン層101および／または活性領域106に対するボロンイオン流205の適切な角度は、種々の方法で実現できる。例えばシリコン層101は、ボロンイオン流205のイオン源が固定した位置及び角度で維持されながら、そのシリコン層101の平面に垂直な固定した軸を中心に回転させることができる。これは最も経済的で実用的な策である可能性が大きい。しかしながら、シリコン層101は代わりに、ボロンイオン流205のイオン源が適切に移動されながら、固定した位置に維持されてもよい。第３の選択肢は、シリコン層101とボロンイオン流205のイオン源の両者を移動することである。
【００１７】
活性領域106の所定の側壁に対するボロンイオン流205の回転角度は、これらの例では常に４５度として示されているが、４０乃至５０度まで、または２０乃至７０度までのような任意の鋭角が使用できる。選択される特定の角度は、半導体装置および／または活性領域106の幾何学形状に従う。さらに、ボロンイオン流205と種々の側壁110-113との間の相対的な回転角度は、種々の側壁110-113の１以上の中では異なってもよい。
【００１８】
図３（ａ）および図３（ｂ）で示されている実施形態ならびに、図３（ｃ）および図３（ｄ）で示されている実施形態では、ボロンイオン流205は垂直方向の傾斜角度Ｔを有している。Ｔが小さくなる程、最小の許容可能な距離ｄの値も小さくなる。しかしながら、最小の許容可能な距離ｄの値は、図３（ｃ）および図３（ｄ）の場合のように、ボロンイオン流205の方向に対して、鋭角の水平回転成分を付加することによって、所定の値Ｔでさらに小さくできる。非常に小さい値のＴは大きい値のＴよりも効率が少ないので、有効である。
【００１９】
したがって、ボロンイオン流205の方向性に対して鋭角の回転成分を付加すると、傾斜角度Ｔを減少させる必要なく、距離ｄを減少することが可能になる。最小の許容可能な距離ｄは図４に示されているように、所定の傾斜角度Ｔと所定の回転角度Ｒに対して計算できる。特に、距離ｄは傾斜角度Ｔのタンジェントを取り、これを１＋（回転角度Ｒのタンジェントの二乗された逆数）の平方根によって割算することによって計算できる。ボロンイオン流205の方向性に対してＲの鋭角成分を付加することにより、側壁112に対する全入射角度θは、所定の傾斜角度Ｔに対して増加させることができる（この例では、側壁112はシリコン層101に対して完全に垂直または直交することを仮定している）。入射角θはＲのタンジェントと乗算されたＴのタンジェントを取り、その結果を、１＋（Ｔの二乗されたタンジェント＋Ｒの二乗されたタンジェント）の平方根によって割算することにより計算できる。その後、その結果的な分数のアークタンジェントが取られ、最終的に入射角θが得られる。
【００２０】
図５を参照すると、（例えば）側壁112に対して、９０度と４５度の両角度Ｒに関する傾斜角度Ｔの例示的な範囲に対して、先に説明した図４の式を使用した例示的な結果が示されている。図５から、低い値のｄは、４５度の回転のような鋭角の回転成分を付加することにより得られることは明白である。例えば、回転成分が鋭角ではなく９０度であり、傾斜Ｔが２０度であるならば、この例での距離ｄは１である。しかし、回転成分が鋭角であり、４５度であるならば、同一の傾斜Ｔでは、距離ｄは０．７に過ぎない。
【００２１】
図７の断面Ｃ−Ｃ’を示している図６を参照すると、示されているように直線の行及び列の規則的な配置のような任意の配置であるが、それに限定されない配置でシリコン層101上および／またはその内部にコンポーネントが分布されている。この例では、コンポーネント106、203、601-607はシリコン層101上および／またはその内部に含まれて示されている。シリコン層101は図７で示されているような厚さを有し、図６に示されているように平面に沿った長さ及び幅で延在している。各コンポーネントはシリコン層101の領域を規定することができ、共にシリコン層101により規定されている平面に対して平行または等しい平面を規定することができる。このような平面の一例が断面Ｃ−Ｃ’である。
【００２２】
図６で示されているように、ボロンイオン流205は、種々の領域およびシリコン層101自体により規定される平面で測定されるとき、側壁112に対して鋭角（この例では４５度）である。換言すると、ボロンイオン流205の方向が平面に対して垂直に投射された場合、側壁112に対する平面の角度は鋭角である。
【００２３】
図７は図６の断面Ｂ−Ｂ’を示している。傾斜角度Ｔ、ボロンイオン流205のその他の成分もまた、シリコン層101の平面と側壁112の両者に対して直交する平面で測定されるとき、シリコン層101の平面の垂線に対して鋭角である。このような平面の一例は断面Ｂ−Ｂ’である。換言すると、ボロンイオン流205の方向が断面Ｂ−Ｂ’の平面に対して垂直に投射された場合、平面Ｃ−Ｃ’の垂線に対するその平面の角度は角度Ｔであり、これは鋭角である。例えば、Ｔは１４から２６度までの範囲にあってよい。しかしながらＴは任意の鋭角である。前述したように、ボロンイオン流205はＴが小さくなるほど（即ち、ボロンイオン流205が急峻になる程）効率が低下する。また、前述したように、Ｔは鋭角Ｒをボロンイオン流205の方向性の成分として導入することによっても、小さくなることを防止できる。
【００２４】
ここで説明した種々の実施形態はＮＦＥＴの活性領域の側壁のボロンドーピングで処理されるが、実施形態の種々の特徴は、付加的にまたは代わりに、同一方法によるが、適切であるようにボロン以外の適切なイオンを使用して、ＰＦＥＴ活性領域の側壁のイオン注入にも適用できることに注意すべきである。
【００２５】
以上、ＳＴＩとＦＥＴのゲートの接合部におけるＳＴＩディボットの不所望な影響を減少させるための改良された方法について説明した。コンポーネントが飛躍的に小さくなり、かつより密集されて製造されるが、これはボロン注入（または別のイオンの注入）の効率を維持しながら、実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】トランジスタチャンネルのコーナーにディボットを有する例示的な半導体装置の断面図。
【図２】活性領域の側面に対して９０度の回転成分によるボロンのイオン注入を示している例示的なトランジスタの活性領域を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、及び（ｃ）は別の断面図。
【図３】活性領域の側面に対して９０度の回転成分によるボロンのイオン注入を示している図２（ａ）のトランジスタを含む半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその断面図、（ｃ）は活性領域の側面に対して回転成分を有するボロンのイオン注入を示している図２（ａ）のトランジスタを含む半導体装置の平面図、（ｄ）はその断面図。
【図４】図３（ｃ）および図３（ｄ）のトランジスタの活性領域の平面の斜視図。
【図５】使用できるボロンのイオン注入の例示的な角度を示すグラフ。
【図６】複数のコンポーネントを含んでいる半導体装置の第１の断面図。
【図７】図６の半導体装置の第２の断面図。
【図８】９０度回転された断続的なボロン流の形態を示すグラフ。
【図９】例示的な４５度回転された断続的なボロン流の形態を示すグラフ。
【図１０】別の例示的な４５度回転された断続的なボロン流の形態を示す別のグラフ。
【図１１】図９の状態に対する例示的な別の状態を示すグラフ。
【図１２】図９の状態に対する例示的な別の状態を示すグラフ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007096286.tif 000012
【図１２】
2007096286.tif 000013
【外国語明細書】
2007096286000001.pdf