(57)【要約】      （修正有）【課題】定在波比（ＳＷＲ）耐性が高く、且つ十分な隣接チャネルリーク電力比（ＡＣＬＲ）および電力付加効率（ＰＡＥ）を有する電力増幅器およびその調整方法を提供する。【解決手段】並列接続された複数のトランジスタと、前記トランジスタのベースとバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗と、前記トランジスタのベース間に接続された安定化抵抗とを有する電力増幅器の調整方法であって、電力増幅器のＳＷＲが第１基準値（ＳＷＲ耐量）なるように第１負荷を接続して増幅特性が安定するバラスト抵抗Ｒおよび安定化抵抗ｒの範囲を求め（Ｓ０２）、ＳＷＲが１となるように第２負荷を接続してＡＣＬＲ、ＰＡＥをそれぞれ測定し（Ｓ０３、Ｓ０４）、ＡＣＬＲが第２基準値以下、且つＰＡＥが第３基準値以上を同時に満足する抵抗ｒを求め（Ｓ０８）、ｆ１から抵抗ｒに応じた抵抗Ｒを求める（Ｓ０９）。ｆ１〜ｆ３は抵抗Ｒ、ｒの一次結合式で表わされる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列接続された複数のトランジスタと、前記トランジスタのベースとバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗と、前記トランジスタのベース間に接続された安定化抵抗とを有し、信号入力端子に入力された高周波信号を前記複数のトランジスタで増幅して信号出力端子から出力する電力増幅器の調整方法であって、
前記信号出力端子に定在波比が１より大きい第１基準値になるように第１負荷を接続し、増幅特性が安定する前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗との関係を示す第１の式を求めるステップと、
前記信号出力端子に定在波比が１になるように第２負荷を接続し、前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗が前記第１の式を満足するときの隣接チャネルリーク電力比と、電力付加効率とをそれぞれ測定し、前記隣接チャネルリーク電力比と前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗との関係を示す第２の式と、前記電力付加効率と前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗との関係を示す第３の式とをそれぞれ求めるステップと、
前記第１および第２の式から前記隣接チャネルリーク電力比と前記安定化抵抗との関係を求め、前記第１および第３の式から前記電力付加効率と前記安定化抵抗との関係を求めるステップと、
前記隣接チャネルリーク電力比が第２基準値以下、且つ前記電力付加効率が第３基準値以上を同時に満足する安定化抵抗を求めるステップと、
前記第１の式から前記安定化抵抗に応じた前記バラスト抵抗を求めるステップと、
を具備することを特徴とする電力増幅器の調整方法。
【請求項２】
前記第１乃至第３の式が、それぞれ前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗の一次結合式であることを特徴とする請求項１に記載の半導体電力増幅器の調整方法。
【請求項３】
並列接続された複数のトランジスタと、
前記トランジスタのベースとバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗と、
前記トランジスタのベース間に接続された安定化抵抗と、
を具備し、
前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗とが、定在波比が１より大きい第１基準値のときに増幅特性が安定する前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗との関係を満足し、且つ定在波比が１のときに隣接チャネルリーク電力比が第２基準値以下、電力付加効率が第３基準値以上を同時に満足するように定められていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項４】
前記トランジスタが、化合物半導体によるバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項３に記載の電力増幅器。
【請求項５】
前記トランジスタのベースが前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗とに接続された第１増幅ユニット、または並列接続された前記トランジスタのベースが前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗とに共通接続された第２増幅ユニットが、並列接続されていることを特徴とする請求項３に記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のトランンジスタが並列接続された電力増幅器およびその調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代移動体通信（Ｗ―ＣＤＭＡ）などの普及に伴い、端末に用いられる電力増幅器には、送信波の電力が隣接チャネルに漏れて輻射されるのを防ぎ通話品質を確保するために低歪み特性と、バッテリの消耗を抑え通話時間を延長するために高い動作効率とが要求されている。
【０００３】
高出力の高周波電力増幅器は、複数のトランジスタを並列に接続して構成されている。複数のバイポーラトランジスタを並列に接続する場合、各トランジスタ間のベース電圧の不均一によるループ発振を防止するために、各トランジスタのベース間に安定化抵抗がそれぞれ接続されている。
【０００４】
更に、各トランジスタのベースにバイアス電流を与えるとともに、トランジスタ間の温度差に起因するトランジスタの熱破壊を防止するために、バイアス回路と各トランジスタのベースとの間にバラスト抵抗がそれぞれ接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
特許文献１に開示された電力増幅器は、並列接続された第１および第２トランジスタと、信号入力端子と第１トランジスタのベース端子との間に接続されるキャパシタと、信号入力端子と第２トランジスタのベース端子との間に接続されるキャパシタと、第１および第２トランジスタの各ベース端子間に接続される安定化抵抗と、ベース端子とバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗とを具備している。
【０００６】
然しながら、特許文献１に開示された電力増幅器には、安定化抵抗は小さい方が良いが、小さすぎると熱負帰還効果が薄れ、バラスト抵抗は高周波的にはオープンとするために大きいことが必要であるが、大きすぎると熱負帰還効果が薄れると記載されているだけであり、低歪み特性と高い動作効率とを同時に満たす安定化抵抗とバラスト抵抗との関係については定量的に何も開示していない。
【０００７】
そのため、一般にトレードオフの関係にある低歪み特性と高い動作効率とを同時に満たすように安定化抵抗とバラスト抵抗を適切に設定することが難しく、トライアンドエラーで調整せざるを得ないという問題がある。従って、十分な特性の電力増幅器が安定して得られないという問題がある。
【特許文献１】特開２００１−２７４６３９号公報（４頁、図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、定在波比耐性が高く、且つ十分な隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率を有する電力増幅器およびその調整方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の電力増幅器の調整方法は、並列接続された複数のトランジスタと、前記トランジスタのベースとバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗と、前記トランジスタのベース間に接続された安定化抵抗とを有し、信号入力端子に入力された高周波信号を前記複数のトランジスタで増幅して信号出力端子から出力する電力増幅器の調整方法であって、前記信号出力端子に定在波比が１より大きい第１基準値になるように第１負荷を接続し、増幅特性が安定する前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗との関係を示す第１の式を求めるステップと、前記信号出力端子に定在波比が１になるように第２負荷を接続し、前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗が前記第１の式を満足するときの隣接チャネルリーク電力比と、電力付加効率とをそれぞれ測定し、前記隣接チャネルリーク電力比と前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗との関係を示す第２の式と、前記電力付加効率と前記バラスト抵抗および前記安定化抵抗との関係を示す第３の式とをそれぞれ求めるステップと、前記第１および第２の式から前記隣接チャネルリーク電力比と前記安定化抵抗との関係を求め、前記第１および第３の式から前記電力付加効率と前記安定化抵抗との関係を求めるステップと、前記隣接チャネルリーク電力比が第２基準値以下、且つ前記電力付加効率が第３基準値以上を同時に満足する安定化抵抗を求めるステップと、前記第１の式から前記安定化抵抗に応じた前記バラスト抵抗を求めるステップと、を具備することを特徴としている。
【００１０】
本発明の一態様の電力増幅器は、並列接続された複数のトランジスタと、前記トランジスタのベースとバイアス回路との間に接続されたバラスト抵抗と、前記トランジスタのベース間に接続された安定化抵抗と、を具備し、前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗とが、定在波比が１より大きい第１基準値のときに増幅特性が安定する前記バラスト抵抗と前記安定化抵抗との関係を満足し、且つ定在波比が１のときに隣接チャネルリーク電力比が第２基準値以下、電力付加効率が第３基準値以上を同時に満足するように定められていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、定在波比耐性が高く、且つ十分な隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率を有する電力増幅器およびその調整方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１３】
本発明の実施例１に係る電力増幅器およびその調整方法について、図１および図２を用いて説明する。図１は電力増幅器の構成を示す回路図、図２は電力増幅器の調整方法を示すフローチャートである。
【００１４】
図１に示すように、本実施例の電力増幅器１０は、バイポーラトランジスタＱ１（以後、単にトランジスタという）を有する増幅ユニット１１を３６ユニット具備し、各増幅ユニット１１が並列に接続されている。  
各増幅ユニット１１は１のトランジスタＱ１を有しているので、電力増幅器１０は全体で３６のトランジスタＱ１を有している。
【００１５】
トランジスタＱ１のベースｂ１は直流カット用のキャパシタＣ１を介して高周波信号入力端子Ｐｉｎ接続され、且つバラスト抵抗Ｒ１を介してバイアス回路１２に接続されている。更に、トランジスタＱ１のベースｂ１間が安定化抵抗ｒ１を介して互いに接続されている。
【００１６】
トランジスタＱ１のコレクタｃ１は電源回路１３に接続され、且つ直流カット用のキャパシタＣ２を介して高周波出力端子Ｐｏｕｔに接続されている。
【００１７】
トランジスタＱ１のエミッタｅ１は接地ＧＮＤされている。高周波出力端子Ｐｏｕｔは負荷１４、例えば送信アンテナに接続されている。
【００１８】
トランジスタＱ１は、例えばサイズが３μｍ×３０μｍ程度のＩｎＧａＰをエミッタとするｎ型のＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタである。
【００１９】
安定化抵抗ｒ１は、各トランジスタＱ１間のベース電圧の不均一によるループ発振を防止している。  
バラスト抵抗Ｒ１は、各トランジスタＱ１のベースｂ１にバイアス電流を与えるとともに、トランジスタＱ１間の温度差に起因するトランジスタＱ１の熱破壊を防止している。
【００２０】
高周波信号入力端子Ｐｉｎに、例えば周波数２ＧＨｚのデジタル変調された高周波信号が入力されると、高周波信号は各トランジスタＱ１で増幅され、増幅された高周波信号は高周波出力端子Ｐｏｕｔを介して負荷１４に供給される。
【００２１】
電力増幅器１０は、電力増幅器の出力インピーダンスと負荷１４のインピーダンスが異なる場合、例えば送信アンテナが突然破損した場合に、進行波電力と反射波電力との比を示す定在波比（ＳＷＲ：Standing Wave Ratio、以後ＳＷＲともいう）が急上昇する。
【００２２】
このとき、電力増幅器１０には定在波比が急上昇しても増幅特性が安定する範囲内にバラスト抵抗Ｒ１と安定化抵抗ｒ１とが設定されていることが要求される。
【００２３】
同時に、電力増幅器１０は、電波の干渉による通話品質の劣化を防止するために、送信波の電力と隣接チャネルに漏れて輻射される電力との比を示す隣接チャネルリーク電力比（ＡＣＬＲ：Adjacent Channel Leakage Ratio、以後ＡＣＬＲともいう）が所定の値以下になるようにバラスト抵抗Ｒ１と安定化抵抗ｒ１が設定されていることが要求される。
【００２４】
更に、電力増幅器１０は、バッテリの消耗を抑え通話時間を延長するために、バッテリから電力増幅器に供給されたＤＣ電力が出力信号として高周波電力に変換される効率を示す電力付加効率（ＰＡＥ：Power Added Efficiency、以後ＰＡＥともいう）が所定の値以上になるようにバラスト抵抗Ｒ１と安定化抵抗ｒ１が設定されていることが要求される。
【００２５】
即ち、電力増幅器１０においては、バラスト抵抗Ｒ１と安定化抵抗ｒ１は定在波比が定在波比耐量に至った場合でも増幅特性が安定していること、且つ隣接チャネルリーク電力比と、電力付加効率のそれぞれの要求を同時に満たすように調整する必要がある。
【００２６】
本明細書では増幅特性が安定するとは、負荷１４で反射されて戻ってきた反射波電力によりトランジスタＱ１が破壊されることなく、且つループ発振が生じないことをいう。  
定在波比耐量（以後ＳＷＲ耐量、ＳＷＲ＊とも記す）とは、電力増幅器１０が耐えることのできる定在波比の上限をいう。  
また、抵抗とは抵抗体のみならず付随する配線抵抗およびコンタクト抵抗などを含むものをいう。
【００２７】
次に、電力増幅器１０の安定化抵抗ｒ１とバラスト抵抗Ｒ１の調整方法について説明する。  
各バラスト抵抗Ｒ１はバイアス回路１２とトランジスタＱ１のベースｂ１とに並列接続されているので、各バラスト抵抗Ｒ１の合成抵抗を等価的なバラスト抵抗Ｒ（Ｒ＝Ｒ１／３６）で表す。各安定化抵抗ｒ１は表記をバラスト抵抗Ｒに合せて安定化抵抗ｒ（ｒ＝ｒ１）と表す。  
図２に示すように、始に、電力増幅器１０の仕様として、定在波比耐量、隣接チャネルリーク電力比、電力付加効率を設定する（ステップＳ０１）。  
例えば、出力電力が２７ｄＢｍ（５００ｍＷ）のとき、定在波耐量が５（第１基準値）、隣接チャネルリーク電力比が−３９ｄＢｃ（第２基準値）以下、電力付加効率が４８％（第３基準値）以上に設定される。
【００２８】
次に、電力増幅器１０の高周波出力端子Ｐｏｕｔに定在波が定在波耐量である５となるように電力増幅器１０の出力インピーダンスと異なる第１負荷１４を接続し、増幅特性が安定するバラスト抵抗Ｒと安定化抵抗ｒの組合せを求める。組合せ数はできるだけ多くすることが望ましい（ステップＳ０２）。
【００２９】
次に、電力増幅器１０の高周波出力端子Ｐｏｕｔに定在波が通常の使用条件である１になるように電力増幅器１０の出力インピーダンスに等しい第２負荷１４を接続し、バラスト抵抗Ｒと安定化抵抗ｒの組合せに対して、隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率を測定する（ステップＳ０３）。
【００３０】
次に、バラスト抵抗Ｒと安定化抵抗ｒの全ての組合せについて、隣接チャネルリーク電力比、電力付加効率を測定したかをチェックし（ステップＳ０４）、全ての測定が終了していない場合にステップＳ０３戻り（ステップＳ０４のＮｏ）、全ての測定が終了している場合にステップＳ０５へいく（ステップＳ０４のＹｅｓ）。
【００３１】
次に、ステップＳ０２およびステップＳ０３の結果から、定在波比耐量とバラスト抵抗Ｒおよび安定化抵抗ｒとの関係を示す第１の式ｆ１と、隣接チャネルリーク電力比とバラスト抵抗Ｒおよび安定化抵抗ｒとの関係を示す第２の式ｆ２と、電力付加効率とバラスト抵抗Ｒおよび安定化抵抗ｒとの関係を示す第３の式ｆ３とを求める（ステップＳ０５）。
【００３２】
実験によれば、図３に示すように、第１乃至第３の式ｆ１、ｆ２、ｆ３はバラスト抵抗Ｒと安定化抵抗ｒの一次結合式で表わされる。  
ＳＷＲ＊＝ｆ１（Ｒ，ｒ）＝ａ０＋ａ１×Ｒ＋ａ２×ｒ＋ａ３（Ｒ×ｒ）
ＡＣＬＲ＝ｆ２（Ｒ，ｒ）＝ｂ０＋ｂ１×Ｒ＋ｂ２×ｒ＋ｂ３（Ｒ×ｒ）
ＰＡＥ  ＝ｆ３（Ｒ，ｒ）＝ｃ０＋ｃ１×Ｒ＋ｃ２×ｒ＋ｃ３（Ｒ×ｒ）
ここで、ａ０〜ａ３、ｂ０〜ｂ３、ｃ０〜ｃ３は最小自乗法よりに求めた係数であり、下記の値をとる。  
ａ０＝０．５      、ａ１＝０．１６７  、ａ２＝０．１    、ａ３＝０．０１１
ｂ０＝３９．３    、ｂ１＝０．０６    、ｂ２＝０．０６  、ｂ３＝−０．０１１
ｃ０＝４７．７３５、ｃ１＝０．０８７５、ｃ２＝０．１５１、ｃ３＝−０．０１７８
ＳＷＲ耐量が一定のとき、増幅特性が安定するバラスト抵抗Ｒと安定化抵抗ｒの範囲は安定化抵抗ｒが大きくなると、それに応じてバラスト抵抗Ｒは小さくなる関係にある。
【００３３】
次に、第１および第２の式ｆ１、ｆ２からバラスト抵抗Ｒを消去し、ＡＣＬＲと安定化抵抗ｒとの関係を示す第４の式ｆ４を求める（ステップＳ０６）。  
同様に、第１および第３の式ｆ１、ｆ３からバラスト抵抗Ｒを消去し、ＰＡＥと安定化抵抗ｒとの関係を示す第５の式ｆ５を求める（ステップＳ０７）。
【００３４】
具体的には、図４に示すように、第４および第５の式ｆ４、ｆ５はＳＷＲ耐量と安定化抵抗ｒにより、次式で表わされる。  
ＡＣＬＲ＝ｆ４（ｒ、ＳＷＲ＊）＝（ｄ０＋ｄ１×ｒ＋ｄ２×ｒ２）／（ｄ３＋ｄ４×ｒ）ＰＡＥ  ＝ｆ５（ｒ、ＳＷＲ＊）＝（ｅ０＋ｅ１×ｒ＋ｅ２×ｒ２）／（ｅ３＋ｅ４×ｒ）
計算によれば、係数ｄ０〜ｄ４およびｅ０〜ｅ４として、下記の値が得られた。  
ｄ０＝０．５３４７７＋０．０６ＳＷＲ、ｄ１＝０．４４１４３−０．０１ＳＷＲ、ｄ２＝０．００１６６、ｄ３＝０．１６７、ｄ４＝０．０１１
ｅ０＝７．９２７９９５＋０．０８７５ＳＷＲ、ｅ１＝０．５５１８０２−０．０１７８ＳＷＲ、ｅ２＝０．００１９４６１、ｅ３＝０．１６７、ｅ４＝０．０１１
【００３５】
次に、ＳＷＲ耐量が第１基準値のとき、ＡＣＬＲが第２基準値以下、且つＰＡＥが第３基準値以上を同時に満足する安定化抵抗ｒを求める（ステップＳ０８）。
【００３６】
図５は、第４および第５の式ｆ４、ｆ５において、ＳＷＲ耐量＝５のときの、安定化抵抗ｒとＡＣＬＲおよびＰＡＥと安定化抵抗ｒとの関係を示す図である。比較として、ＳＷＲ耐量＝３および、ＳＷＲ耐量＝７のときの結果も合せて示している。
【００３７】
図６に示すように、ＳＷＲ耐量が一定のとき、ＡＣＬＲおよびＰＡＥは安定化抵抗ｒに対して極小値をもつ関係にある。  
ＳＷＲ耐量が５（第１基準値）のとき、ＡＣＬＲが−３９ｄＢｃ（第２基準値）以下を満たす安定化抵抗ｒの範囲は７〜２０Ωである。  
ＰＡＥが４８％（第３基準値）以上を満たす安定化抵抗ｒの範囲は７〜２０Ωを含んでいる。  
これより、ＡＣＬＲが第２基準値以下、且つＰＡＥが第３基準値以上を同時に満たす安定化抵抗ｒの範囲は７〜２０Ωである。
【００３８】
一方、比較としたＳＷＲ耐量が７のときは、ＡＣＬＲが−３９ｄＢｃ（第２基準値）以下を満たす安定化抵抗ｒの範囲は７〜３３Ωである。  
ＰＡＥが４８％（第３基準値）以上を満たす安定化抵抗ｒの範囲は７Ω以下と、２３Ω以上である。  
これより、ＡＣＬＲが第２基準値以下、且つＰＡＥが第３基準値以上を同時に満たす安定化抵抗ｒの範囲は２３〜３３Ωである。
【００３９】
更に、比較としたＳＷＲ耐量が３のときは、ＰＡＥが４８％（第３基準値）以上を満たす安定化抵抗ｒの範囲は存在するが、ＡＣＬＲが−３９ｄＢｃ（第２基準値）以下を満たす安定化抵抗ｒの範囲は存在しない。
【００４０】
次に、第１の式ｆ１と求めた安定化抵抗ｒから、バラスト抵抗Ｒを求める（ステップＳ０９）。  
次に、安定化抵抗ｒおよびバラスト抵抗Ｒの範囲から、適当な安定化抵抗ｒとバラスト抵抗Ｒの組合せを決定する（ステップＳ１０）。
【００４１】
具体的には、図６に示すように、第１の式ｆ１よりバラスト抵抗Ｒは安定化抵抗ｒにより、Ｒ＝（ＳＷＲ＊−ａ０−ａ２×ｒ）／（ａ１＋ａ３×ｒ）で表わされる。  
安定化抵抗ｒが１０〜２０Ωのとき、バラスト抵抗Ｒは６．５〜１２．６Ωとなり、安定化抵抗ｒおよびバラスト抵抗Ｒの範囲は楕円で囲まれたグラフの線上にある。
【００４２】
従って、安定化抵抗ｒおよびバラスト抵抗Ｒの値がばらついてもマージンが確保できるように、中間値である安定化抵抗ｒ＝１５Ω、バラスト抵抗Ｒ＝９Ωを選択することが望ましい。
【００４３】
これにより、定在波比が定在波比耐量に至った場合でも増幅特性が安定し、且つ隣接チャネルリーク電力比と電力付加効率をともに満足する安定化抵抗ｒとバラスト抵抗Ｒの最適な組合せを容易に求めることが可能である。
【００４４】
以上説明したように、本実施例では、定在波比耐量と、隣接チャネルリーク電力比と、電力付加効率と安定化抵抗ｒおよびバラスト抵抗Ｒとの関係を示す第１乃至第３の式ｆ１、ｆ２、ｆ３を導入している。
【００４５】
その結果、定在波比が定在波比耐量に至った場合でも増幅特性が安定し、且つ隣接チャネルリーク電力比と、電力付加効率の要求仕様を同時に満足する安定化抵抗ｒとバラスト抵抗Ｒを容易に設定することができる。
【００４６】
従って、定在波比耐性が高く、且つ十分な隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率を有する電力増幅器１０およびその調整方法が得られる。
【００４７】
ここでは、トランジスタＱ１がＩｎＧａＰ／ＧａＡｓへテロバイポ―ラトランジスタＱ１である場合について説明したが、他のバイポ―ラトランジスタ、例えばＳｉＧｅをエミッタとするＳｉＧｅ／Ｓｉへテロバイポ―ラトランジスタにも適用することができる。
【００４８】
また、第１乃至第３の式ｆ１、ｆ２、ｆ３を安定化抵抗ｒとバラスト抵抗Ｒの一次結合式で表わした場合について説明したが、他の適当な近似式を用いることも可能である。
【００４９】
トランジスタＱ１の出力電力を大きくするためにエミッタサイズを大きくするかまたは増幅ユニット１１の数を増やす場合には、上述した調整方法に従って安定化抵抗ｒは小さく設定し、それに応じてバラスト抵抗Ｒは大きく設定すればよい。  
一方、出力電力を小さくするためにエミッタサイズを小さくするかまたは増幅ユニット１１の数を減らす場合に、上述した調整方法に従って安定化抵抗ｒは大きく設定し、それに応じてバラスト抵抗Ｒは小さく設定すればよい。
【実施例２】
【００５０】
図８は本発明の実施例２に係る電力増幅器の構成を示す回路図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５１】
本実施例が実施例１と異なる点は、１増幅ユニットを６トランジスタで構成し、６ユニットを並列接続したことにある。  
即ち、図８に示すように、本実施例の電力増幅器５０は、並列接続された６のトランジスタＱ１を有する増幅ユニット５１を６ユニット具備し、各増幅ユニット５１が並列に接続されている。  
増幅ユニット５１は６のトランジスタＱ１を有しているので、電力増幅器５０は全部で３６のトランジスタＱ１を有している。
【００５２】
電力増幅器５０はトランジスタＱ１の数が電力増幅器１０と等しいので、安定化抵抗ｒ、バラスト抵抗Ｒも等しくなり、ｒ＝１５ΩおよびＲ＝９Ωが適している。  
従って、安定化抵抗ｒ１＝ｒ＝１５Ω、バラスト抵抗Ｒ１＝３６×Ｒ＝３２４Ωとすることにより、定在波比耐量が５、隣接チャネルリーク電力比が−３９ｄＢｃ、電力付加効率が４８％を得ることができる。
【００５３】
以上説明したように、本実施例の電力増幅器５０は増幅ユニット５１を６トランジスタで構成し、６ユニットを並列に接続している。  
その結果、バラスト抵抗Ｒ１の値が小さくするとともに、バラスト抵抗Ｒ１および安定化抵抗ｒ１の数を削減することができる。  
従って、電力増幅器５０のサイズを小さくすることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係る電力増幅器の構成を示す回路図。
【図２】本発明の実施例１に係る電力増幅器の調整方法を示すフローチャート。
【図３】本発明の実施例１に係る定在波比、隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率と安定化抵抗およびバラスト抵抗との関係式を示す図。
【図４】本発明の実施例１に係る隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率と安定化抵抗との関係式を示す図。
【図５】本発明の実施例１に係る隣接チャネルリーク電力比および電力付加効率と安定化抵抗との関係を示す図。
【図６】本発明の実施例１に係るバラスト抵抗と安定化抵抗の関係を示す図。
【図７】本発明の実施例２に係る電力増幅器の構成を示す回路図。
【符号の説明】
【００５５】
１０、５０  電力増幅器
１１、５１  増幅ユニット
１２  バイアス回路
１３  電源回路
１４  負荷
Ｑ１  バイポーラトランジスタ
Ｒ、Ｒ１  バラスト抵抗
ｒ、ｒ１  安定化抵抗
Ｃ１、Ｃ２  キャパシタ
Ｐｉｎ  高周波信号入力端子
Ｐｏｕｔ  高周波信号出力端子
【図１】
2007312118.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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