(57)【要約】【課題】配線基板への半導体素子の実装時に、半導体素子のコーナー部において導体配線に印加される応力に起因する最外部の導体配線の断線を抑制し、信頼性のある半導体装置を製造可能な配線基板を提供する。【解決手段】絶縁基材１と、絶縁基材上の半導体素子搭載領域４ａの各辺に沿って整列して設けられた複数の第１の導体配線１２と、第１の導体配線の各々に対してその両側の領域に跨り形成され、且つ導体配線の幅方向における断面形状が中央部が両側よりも高くなった中高の形状である第１の突起電極１３とを備える。半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、第１の導体配線に隣接して整列して第２の導体配線１４が設けられ、第２の導体配線は第１の導体配線よりも導体配線幅が太く、第２の導体配線上には、導体配線幅方向に第２の導体配線よりも小さい寸法を有する第２の突起電極１５が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、前記絶縁基材上の半導体素子搭載領域の各辺に沿って整列して設けられた複数の第１の導体配線と、前記第１の導体配線の各々に対してその両側の領域に跨り形成され、且つ前記導体配線の幅方向における断面形状が中央部が両側よりも高くなった中高の形状である第１の突起電極とを備えた配線基板において、
前記半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、前記第１の導体配線に隣接し整列して第２の導体配線が設けられ、
前記第２の導体配線は前記第１の導体配線よりも導体配線幅が太く、
前記第２の導体配線上には、導体配線幅方向に前記第２の導体配線よりも小さい寸法を有する第２の突起電極が形成されたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の突起電極の高さは前記第１の突起電極の高さと同一である請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁基材と、前記絶縁基材上に沿って整列して設けられた複数の導体配線と、前記導体配線の各々に対して形成された突起電極とを備えた配線基板の製造方法において、
前記絶縁基材上の半導体素子搭載領域の各辺に沿って整列して複数の第１の導体配線が設けられ、前記半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、前記第１の導体配線に隣接し整列して、前記第１の導体配線よりも導体配線幅が太い第２の導体配線が設けられた前記絶縁基材を用い、
前記絶縁基材における前記第１の導体配線及び第２の導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成し、前記フォトレジストに、前記整列している第１の導体配線を横切って導体配線の両側の領域を含む形状を有する長孔状パターンを有する第１の開口部と、前記第２の導体配線よりも導体配線幅方向における寸法が小さい第２の開口部とを設けて、前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記第１の導体配線及び前記第２の導体配線の一部を各々露出させ、
前記フォトレジストの第１の開口部及び第２の開口部を通して、露出した前記第１の導体配線及び前記第２の導体配線の一部に金属めっきを施して前記突起電極を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の配線基板と、前記配線基板に実装された半導体素子とを備え、前記突起電極を介して、前記半導体素子の電極パッドと前記導体配線とが接続されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）に用いられるテープキャリア基板のような配線基板、及びその配線基板と半導体素子を接合した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィルム基材を使用したパッケージモジュールの一種として、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ＯＮ  Ｆｉｌｍ）が知られている。図３は、ＣＯＦの一例の一部を示す断面図である（例えば特許文献１参照）。ＣＯＦは、柔軟な絶縁性のフィルム基材１を用いて形成されたテープキャリア基板の上に半導体素子４が搭載され、封止樹脂５により保護された構造を有し、フラットパネルディスプレイの駆動用ドライバとして主に使用されている。
【０００３】
テープキャリア基板の主たる要素としては、フィルム基材１の面上に形成された導体配線２とその導体配線上の突起電極（バンプ）３を含む。必要に応じて導体配線２の一部及び突起電極３上には金属めっき被膜６が形成され、金属めっき被膜６が形成されていない導体配線２上には絶縁樹脂であるソルダーレジスト７の層が形成される。一般的に、フィルム基材１としてはポリイミドが、導体配線２としては銅が使用される。また、突起電極３の形成方法としては、フィルム基材１上に導体配線２を形成後に金属めっきにより形成する方法が一般的である。
【０００４】
導体配線２は、半導体素子４上の電極パッド８と突起電極３を介して接続される。接続方法としては、テープキャリア基板上の半導体搭載部に封止樹脂を塗布した後、半導体素子４の電極パッド８とテープキャリア基板の突起電極３を対向させて、超音波および熱圧力により接続するのが一般的である。図４は半導体素子上の電極パット８とテープキャリア基板上の突起電極３を対向させた状態を示す平面図の例を示す。同図はテープキャリア基板側から見た図であるが、フィルム基材１については図示が省略されている。
【０００５】
以下、従来のテープキャリア基板の製造方法について、図５を用いて説明する。図５は従来のテープキャリア基板の製造工程を示す図であり、図５（ａ１）〜（ｄ１）はテープキャリア基板の半導体搭載部の平面図、図５（ａ２）〜（ｄ２）は各々図５（ａ１）〜（ｄ１）に対応し、図５（ａ１）に示すＣ−Ｃ’位置での断面を拡大して表している。
【０００６】
図５（ａ１）、（ａ２）に示すように、複数本の導体配線２が整列して設けられたフィルム基材１を用い、図５（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、フィルム基材１の導体配線２が設けられた面に、各導体配線２を横切って各導体配線２の両側の領域に広がる開口部１０を有するフォトレジスト９を形成する。これにより開口部１０中に各導体配線２の一部が露出する。
【０００７】
次に、フォトレジスト９の開口部１０を通して、その開口部１０中に露出した導体配線２に金属めっきを施して、図５（ｃ１）、（ｃ２）に示すように突起電極３を形成する。フォトレジスト９を除去すれば、図５（ｄ１）、（ｄ２）に示すように、導体配線２上に突起電極３が形成されたテープキャリア基板が得られる。
【０００８】
図５に示すように、フィルム基材１の上には、複数本の導体配線２が整列して設けられ、各導体配線２上に突起電極３が形成されている。また、突起電極３は、導体配線２を跨って導体配線２の両側の領域に形成されている。
【０００９】
また、図５（ｄ２）に示すように、突起電極３は、その導体配線２の幅方向に沿った断面形状は、中央部が両側よりも高くなった中高形状となっている。
【特許文献１】特開２００４−３２７９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、前述したようにテープキャリア基板上に半導体素子を搭載する時には超音波及び熱圧力を印加するが、その際、半導体素子４のコーナー部は特に超音波と圧力による応力が集中する。そのため、特に最外の導体配線２が断線し易い。図６に示しように、半導体素子４のコーナー部の導体配線２が断線して、断線部１１が形成される。特に、今後の狭リードピッチ化により導体配線２幅が狭くなると、さらに断線が発生し易くなり問題となる。
【００１１】
本発明は、配線基板への半導体素子の実装時に印加される応力に起因する、半導体素子のコーナーの最外部の導体配線の断線を抑制し、信頼性のある半導体装置を製造可能な配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の配線基板は、絶縁基材と、前記絶縁基材上の半導体素子搭載領域の各辺に沿って整列して設けられた複数の第１の導体配線と、前記第１の導体配線の各々に対してその両側の領域に跨り形成され、且つ前記導体配線の幅方向における断面形状が中央部が両側よりも高くなった中高の形状である第１の突起電極とを備える。前記半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、前記第１の導体配線に隣接し整列して第２の導体配線が設けられ、前記第２の導体配線は前記第１の導体配線よりも導体配線幅が太く、前記第２の導体配線上には、導体配線幅方向に前記第２の導体配線よりも小さい寸法を有する第２の突起電極が形成されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基材と、前記絶縁基材上に沿って整列して設けられた複数の導体配線と、前記導体配線の各々に対して形成された突起電極とを備えた配線基板を製造する方法である。前記絶縁基材上の半導体素子搭載領域の各辺に沿って整列して複数の第１の導体配線が設けられ、前記半導体素子搭載領域のコーナー領域部に、前記第１の導体配線に隣接し整列して、前記第１の導体配線よりも導体配線幅が太い第２の導体配線が設けられた前記絶縁基材を用いる。前記絶縁基材における前記第１の導体配線及び第２の導体配線が設けられた面にフォトレジストを形成し、前記フォトレジストに、前記整列している第１の導体配線を横切って導体配線の両側の領域を含む形状を有する長孔状パターンを有する第１の開口部と、前記第２の導体配線よりも導体配線幅方向における寸法が小さい第２の開口部とを設けて、前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記第１の導体配線及び前記第２の導体配線の一部を各々露出させ、次に、前記フォトレジストの第１の開口部及び第２の開口部を通して、露出した前記第１の導体配線及び前記第２の導体配線の一部に金属めっきを施して前記突起電極を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、コーナー領域部に配置された第２の導体配線の幅が太いので、配線基板への半導体素子の実装時における最外部の導体配線の断線が抑制され、信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
上記本発明の配線基板の構成において、前記第２の突起電極の高さは前記第１の突起電極の高さと同一であることが好ましい。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記構成の配線基板と、前記配線基板に実装された半導体素子とを備え、前記突起電極を介して、前記半導体素子の電極パッドと前記導体配線とが接続されたことを特徴とする。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態における配線基板の構造について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本実施の形態における配線基板の半導体素子搭載部の構成を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１８】
本実施の形態におけるテープキャリア基板の基本的な構成は、図３に示した従来例と同様であり、柔軟な絶縁性のフィルム基材１を用いて構成され、フィルム基材１の面上に形成された第１の導体配線１２とその導体配線上の第１の突起電極１３を含む。第１の導体配線１２は、半導体素子搭載領域４ａの各辺に沿うように複数整列されている。第１の突起電極１３は、第１の導体配線１２の両側の領域に跨り、且つ導体配線の幅方向における断面形状は、中央部が両側よりも高くなった中高の形状である。
【００１９】
本実施の形態においては、半導体素子４のコーナー領域部に、第１の導体配線１２に隣接して第２の導体配線１４が配置される。第２の導体配線１４は、第１の導体配線１２よりも導体配線幅が太く形成され、導体配線幅方向における寸法が第２の導体配線１４よりも小さい第２の突起電極１５を有する。
【００２０】
以上のような構成の場合には、半導体素子搭載領域４ａのコーナー部の第２の導体配線１４の幅が太いため、断線し難い。また、第２の突起電極１５は、第１の導体配線１２上の第１の突起電極１３と同程度の高さに形成されるように寸法を設計すればよいため、半導体素子４搭載時に安定した接続信頼性を得ることができる。
【００２１】
なお図示しないが、半導体素子搭載領域４ａのコーナー領域部の半導体素子上電極パッドと導体配線上突起電極の接合力を確保するために、第２の突起電極１５を第２の導体配線１４上に複数個設けても良い。
【００２２】
以下、上記配線基板の製造方法について説明する。図２は配線基板の製造方法を示し、図２（ａ１）〜（ｄ１）は配線基板の半導体搭載部の平面図、図２（ａ２）〜（ｄ２）は各々図２（ａ１）〜（ｄ１）に対応し、図２（ａ１）に示すＢ−Ｂ’位置の断面を示す。
【００２３】
図２（ａ１）、（ａ２）に示すように、絶縁基材として、第１の導体配線１２が半導体素子搭載領域（図示せず）に整列して設けられ、第１の導体配線１２よりも配線幅が太い第２の導体配線１４が第１の導体配線１２に隣接して半導体素子搭載領域のコーナー領域部に設けられたフィルム基材１を用意する。
【００２４】
次に図２（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、フィルム基材１における第１の導体配線１２及び第２の導体配線１４が設けられた面にフォトレジスト１６を付設し、整列している第１の導体配線１２を横切って導体配線の両側の領域を含む形状を有する長孔状パターンである第１の開口部１７と、第２の導体配線１４よりも導体配線幅方向に小さい第２の開口部１８とを形成する。それにより、第１の開口部１７及び前記第２の開口部１８に、第１の導体配線１２及び第２の導体配線１４の一部をそれぞれ露出させる。
【００２５】
次に図２（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、フォトレジスト１６の第１の開口部１７及び第２の開口部１８を通して、露出した第１の導体配線１２及び第２の導体配線１４の一部に金属めっきを施して、第１の突起電極１３及び第２の突起電極１４を形成する。
【００２６】
次にフォトレジスト１６を除去すれば、図２（ｄ１）、（ｄ２）に示すように、導体配線上に突起電極が形成された配線基板を形成できる。
【００２７】
上記製造方法によれば、半導体素子４のコーナー部の第２の導体配線１４幅が太いため、断線し難い。また、第２の突起電極１５が、第１の導体配線１２上の第１の突起電極１３と同程度の高さに形成されるようにフォトレジスト１６の第２の開口部１８の寸法を設計すればよいため、半導体素子４搭載時に安定した接続信頼性を得ることができる。
【００２８】
上述の構成の配線基板における半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極パッドと導体配線とを突起電極を介して接続することにより、信頼性の高い半導体装置を構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明によれば、配線基板と半導体素子との接合時に、最外部の導体配線の断線を防ぎ、安定した接合が実現でき、例えばＣＯＦ等の薄型を目指す画像表示装置の分野において有用である、
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態１における配線基板を示し、（ａ）は配線基板の一部を示す平面図、（ｂ）は配線基板の一部を示す断面図
【図２】同配線基板の製造工程を示し、（ａ）は配線基板の一部を示す平面図、（ｂ）は配線基板の一部を示す断面図
【図３】従来の半導体装置の一部を示す断面図
【図４】従来の半導体装置を示す平面図
【図５】従来の配線基板の製造工程を示し、（ａ）は配線基板の一部を示す平面図、（ｂ）は配線基板の一部を示す断面図
【図６】従来例における断線例を示す半導体装置の平面図
【符号の説明】
【００３１】
１    フィルム基材
２    導体配線
３    突起電極
４    半導体素子
４ａ  半導体素子搭載領域
５    封止樹脂
６    金属めっき被膜
７    ソルダーレジスト
８    電極パッド
９    フォトレジスト
１０    フォトレジストの開口部
１１    断線部
１２    第１の導体配線
１３    第１の突起電極
１４    第２の導体配線
１５    第２の突起電極
１６    フォトレジスト
１７    第１の開口部
１８    第２の開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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