(57)【要約】      （修正有）【課題】錫・亜鉛はんだと鉛との組合わせによる接合部の劣化を抑制するはんだ付方法を提供する。【解決手段】回路基板と電子部品との錫−亜鉛を含有する鉛フリーはんだを用いたはんだ接合の際に、はんだ接合部と溶融はんだの接触時間を２秒ないし７秒とすることにより、回路基板の鉛フリー化で過渡的に残る錫・鉛めっきリードを有する挿入型の部品を用いる場合に接合後のはんだフィレット中に鉛の残留をコントロールでき、高温にさらされた環境でも接合部の劣化を抑制することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付け方法であって、
はんだ槽に収容された錫および亜鉛を少なくとも含有する溶融はんだの表面に、前記はんだ槽の下方から前記溶融はんだを噴流させて溶融はんだ湧出部を形成し、前記溶融はんだ湧出部に前記挿入部品を配置した回路基板を接触させて、前記回路基板の回路部と前記リードとをハンダ付けする際に、
前記溶融はんだと前記回路基板のはんだ接合する任意の一点とが接触する時間を２秒以上７秒以下とすることを特徴とするはんだ付け方法。
【請求項２】
前記溶融はんだ湧出部は、第１の溶融はんだ湧出部および第２の溶融はんだ湧出部とを有し、前記第２の溶融はんだ湧出部における溶融はんだと前記回路基板との接触時間を、第１の溶融はんだ湧出部における溶融はんだと前記回路基板の接触時間に２秒加えた時間より短いことを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け方法。
【請求項３】
リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、
溶融はんだと回路基板とが接触する時間が２秒以上７秒以下で、挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とするはんだ付方法。
【請求項４】
リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、
挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とする、回路基板の電極が銅あるいは銅に錫基合金を被覆してはんだ付を行った実装回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金属、合金、及び、導電性物質一般の接合に関し、特に実装回路基板表面にフローはんだ付けを行うはんだ接合方法およびそれによって得られた実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ある物体とその物体よりも融点が低い物質を用いた接合技術としてのはんだ付けは古くから用いられており、その起源は古代メソポタミア文明に遡ることができるとも言われている。
【０００３】
電子機器の接合に使用されるはんだは、実装回路基板における半導体、マイクロプロセッサー、メモリー、抵抗などの電子部品と回路基板との接合をはじめとして幅広く用いられている。その長所としては部品を回路基板に固定するだけでなく、導電性を有する金属をはんだに含有させることにより有機系の接着剤と異なる電気的接合も兼ね備えている点にある。今日パーソナルコンピューター、携帯電話などに代表されるパーソナル機器の急激な普及が進むにつれ、電子部品の実装技術におけるはんだ接合はますますその重要性が増している。
【０００４】
ところが、このような電子機器の普及は人々の生活を豊かにしている反面、技術革新によって古くなっていく機器が多量に廃棄されており、そのリサイクル技術が強く求められている。また、環境汚染を未然に防ぐという観点から、事前に有害性の高い物質を用いない製造方法も提唱されており、はんだ技術も例外ではない。
現在最も多く使われているのは、錫と鉛を用いた共晶はんだであり、銅板に対するぬれ性が他の金属混合物よりも優れているという特質を持つ。ところが、この共晶はんだに含まれる鉛が、有害性を有していることから、廃棄された電子機器を埋め立て処分した場合、長年に渡り酸性雨などに晒されて鉛イオンの土壌中への溶出が懸念されている。溶出した金属イオンは食物連鎖よって生態系の中で濃縮されていくと、家畜や人間などに大きな被害をもたらすこともあるため、固定化する技術も提案されているが、土中への長期にわたる拡散については十分なデータが得られていない。また、近年水質汚濁の防止という視点から、法的な規制も強化される状況に至っている。
【０００５】
このような中で、近年製造工程で不可避な量以外は鉛を含まない種々の鉛フリーはんだが提唱されており、その中で、低コスト低融点化を期待される錫・亜鉛系鉛フリーはんだが有望視されている（特許文献１）。しかし、錫・亜鉛系鉛フリーはんだは、接合界面に少量の鉛が存在すると長時間の高温放置によって接合部が劣化し装置の故障の原因となる。
【特許文献１】特開平８−２４３７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、挿入型の部品のスルーホール基板への実装における非鉛系はんだを用いた接合において、接合界面における鉛の量を制御し、高温環境における接合信頼性を向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の本発明は、リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付け方法であって、錫および亜鉛を少なくとも含有する溶融はんだ材料を収容したはんだ槽の溶融はんだ表面に、はんだ槽の下方から溶融はんだを噴流させて溶融はんだ湧出部を形成し、前記溶融はんだ湧出部に挿入部品を配置した回路基板を接触させて、前記回路基板の回路部と前記挿入部品のリードとをハンダ付けする際に、
前記溶融はんだと前記回路基板のはんだ接合する任意の一点とが接触する時間を２秒以上７秒以下とすることを特徴とするはんだ付け方法である。
【０００８】
前記第１の本発明の前記はんだ槽において、溶融はんだ湧出部の数を２とするとともに、第２の溶融はんだ湧出部における溶融はんだと前記回路基板との接触時間を、第１の溶融はんだ湧出部における溶融はんだと前記回路基板の接触時間に２秒加えた時間より短いことが好ましい。
【０００９】
第２の本発明は、リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、
溶融はんだと回路基板とが接触する時間が２秒以上７秒以下で、挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とするはんだ付方法である。
【００１０】
第３の本発明は、リードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、
挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とする、回路基板の電極が銅あるいは銅に錫基合金を被覆してはんだ付を行った実装回路基板である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、鉛フリーはんだによるはんだ接合における鉛の偏析を抑制し、高温耐久性の優れたはんだ接合を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図を用いて本実施の形態において用いることのできるはんだ付け装置を説明する。
図１が、本発明のはんだ付け方法を実施するのに適したフローはんだ付け装置の概略を示す図の一例である。図１において、フローはんだ付け装置１は、溶融はんだ２を収容しているはんだ槽３があり、その上方にレールやコンベアーのような搬送手段４が、配設されている。この搬送手段４上には、電子部品５が挿入された回路基板６が配置され、この回路基板６は図面矢印方向に移動できるようになっている。はんだ槽３内には、溶融はんだを噴流させるためのノズル８ａ、８ｂが設置されており、溶融はんだ湧出部２ａ、２ｂを形成している。そして、この溶融はんだ湧出部２ａ、２ｂが前記回路基板６の下面に接して回路基板６に搭載されている電子部品５のリードと、回路基板６の配線部とをはんだ接合するようになっている。このはんだ付け装置１の上流側には、回路基板６を予熱するための予熱装置７、７’が配置されている。
【００１３】
以上、フローはんだ付け装置の要部について説明したが、実際のはんだ付け装置には、これらの要素以外に、図示しないがはんだ槽を収容する筐体、はんだ槽の温度をモニターする測定装置、はんだ槽を加熱する加熱装置、溶融はんだをはんだ槽の下方から吸い上げ、はんだ槽の上方に噴出させて溶融はんだ湧出部を形成する循環ポンプ、筐体内の雰囲気を制御する気体制御装置、回路基板６をレールに搭載する移載装置、回路基板を搬送手段で搬送する駆動装置、はんだ付けが終わった回路基板を冷却する冷却装置、回路基板を搬送手段から取り外す移載装置、はんだ材料を補充するはんだ補充装置、これらのシステムをモニターし制御する制御装置などが備わっている。
【００１４】
前記フローはんだ付け装置においては、予熱装置７、７’を２基設置する例を示したが、必ずしも２基とは限らず、はんだ装置内の温度プロファイルを適正化するために任意の数の予熱装置を設置することができる。また、はんだ槽内の溶融はんだ湧出部を２つ形成する例を示したが、これは、１つであっても差し支えない。
【００１５】
上記はんだ付け装置を用いて、以下の方法によってはんだ付けが行われる。
まず、はんだ槽３内に、はんだ合金を収容し、加熱して溶融する。はんだ材料は、はんだ付け工程中に消費され減量するために、常時補充を行うとともに、その温度を正確に管理することが必要である。
【００１６】
はんだをはんだ槽３に収容し、加熱してはんだ合金が溶融温度に到達した時点から、不活性ガスをはんだ付け対象物が移動する領域に流し続け、酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下、好ましくは６０〜２００ｐｐｍの範囲にすることが好ましい。溶融はんだは、できる限りその温度のまま保持する。
【００１７】
次に、循環ポンプを用いて溶融はんだ槽３の下部からはんだを吸い込み、溶融はんだ槽３の上部に湧き出させるようにして循環・噴流し続ける。湧き出した部分（溶融はんだ湧出部）２ａ，２ｂのはんだに超音波の印加やはんだが湧き出す部分を周期的に振らせることにより、噴流はんだが回路基板に接触する時の僅かな冷却による溶融はんだの固化を抑制させても良い。
【００１８】
電子部品５を挿着した回路基板６を、図１の左側から、搬送手段４に載置し、搬送する。はんだ槽３の溶融はんだ湧出部分２ａ，２ｂにおいて、回路基板６の底部と、湧出はんだとを接触させ、溶融はんだが回路基板６の電極部と電子部品５のリード間、特にスルーホール内部に十分浸透するよう、接触時間および接触温度を制御する。
【００１９】
はんだが、接合部分に浸透した後、接合部分を冷却して、接合を完了する。
【００２０】
このようにして形成したはんだ接合について図を用いて説明する。図２が、本実施の形態によって形成したはんだ接合を施した回路基板の要部断面図である。図２において、回路基板１３には、スルーホール１３ａが形成されている。そして、この基板１３表面およびスルーホール１３ａの内面には、銅のような導電性金属によって回路部１４が形成されている。この回路基板１３のスルーホール１３ａには、電子部品１１のリード１２が挿入され、回路基板１３の回路部１４、スルーホール１３ａ内面、および電子部品１１のリード１２によって囲繞された空間に、はんだ材料１５が進入し、はんだ接合が形成される。はんだ接合によって、はんだが回路基板の電極部に接している部分、すなわち、濡れて広がる部分は、フィレットと呼ばれており、この部分のはんだ接合の状態が、電子回路の電気的特性および機械的寿命を決定付けることになる。
【００２１】
本発明を適用するのに適した回路基板への実装形態としては、片面実装、両面表面実装リード付き部品搭載、片面表面実装リード付き部品搭載、リードスルー実装などがある。回路基板の材料としては、ガラスエポキシ樹脂のような複合材料を用いることが、耐熱性、機械的強度等の点において優れており好ましい。
【００２２】
はんだと接合する回路基板の電極は、銅あるいはプリフラックスを塗布した銅が代表例として挙げられ、さらに銅表面に錫めっきあるいは錫を基とする合金を被覆したものを用いても良い。錫を基とする合金としては錫・亜鉛合金(Sn-6mass%Zn〜Sn-12mass%Zn)、錫・銅合金(Sn-0.5mass%Cu〜Sn-0.9mass%Cu)、錫・銀合金(Sn-3.0mass%Ag〜Sn-4.0mass%Ag)、錫・銀・銅合金(Sn-3.0mass%Ag-0.5mass%Cu)などが挙げられる。
【００２３】
この実施形態において、はんだ接合の態様としては、半導体分野で用いられる挿入型の部品としてのＩＣパッケージ（ＤＩＰが代表例）の導電部と回路基板との接合、挿入型のコネクタの導電部と回路基板との接合、挿入型の受動部品の各導電部と回路基板との接合などが挙げられる。
挿入部品である電子部品としては、ＤＩＰのようなＩＣパッケージ、コネクタ、セラミックコンデンサ、インダクタ、ジャンパ、トランジスタ、ダイオード、アルミ電解（コンデンサ）、タンタル半固定抵抗、トリマー、カプラ、コイル、リアクタンスなどが挙げられる。
【００２４】
通常電子部品のリード部分は、鋼材等から形成されており、はんだ接合を容易にするために、Ｓｎ−Ｐｂメッキが施されている。本発明のはんだ接合方法を、このＳｎ−Ｐｂメッキを施したリードを有する電子部品に適用する場合に最もその効果を発揮する。
【００２５】
本実施の形態において用いるのに適したはんだ材料は、鉛フリーはんだとして知られている錫−亜鉛系のはんだ材料が適している。具体的には、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、およびＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎなどの合金であり、さらに具体的には、Ｓｎ−６Ｚｎ、Ｓｎ−９Ｚｎ、Ｓｎ−１２Ｚｎ、Ｓｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉ、Ｓｎ−８Ｚｎ−６Ｂｉ、Ｓｎ−７Ｚｎ−０．００３Ａｌ、あるいはＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ等が挙げられるが、特に、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだが好ましい。
【００２６】
本発明においては、このはんだ接合にあたって、前記図１におけるはんだ槽３のはんだ湧出部２ａ，２ｂと、回路基板６のはんだ接合する任意の点が接触する時間を２秒ないし７秒とすることによって、高温耐熱性の優れたはんだ接合を得るものである。はんだ湧出部を２つ有するはんだ付け装置を用いてはんだ接合を行う場合には、第２のはんだ湧出部との接触時間を、第１のはんだ湧出部との接合時間に２秒加えた時間以下にする必要がある。第２のはんだ湧出部との接触時間がこれ以上であると、鉛の偏在化が進行し、はんだ接合部に所要の鉛含有量に制御することができず、はんだ接合の高温信頼性を損なうことになる。
【００２７】
以上に説明したように、溶融はんだと回路基板のはんだ接合部分との接触時間を上記範囲とすることによって、はんだ接合における鉛の偏析を抑制し、高温耐久性の優れたはんだ接合を行うことができる。
【００２８】
従来Ｓｎ−Ｐｂ系のメッキを施したリードを有している電子部品を搭載した回路基板のはんだ接合を行うと、メッキ中の鉛が溶融はんだ中に溶出し、直径が数μｍの粒子を形成してしまう。この鉛粒子が高温に加熱されると、接合部が劣化し、クラックが発生して電気抵抗の増加が見られる他、機械的強度が低下して、大きな加重が負荷されると破断する恐れがある。このような現象は、電子部品のリードにＳｎ−Ｐｂ系メッキを施した場合に、最も顕著に現れる。
【００２９】
本発明の接合方法を採用すると、図２のはんだ接合部１５の内、回路基板１３の部品搭載側表面に形成されるはんだ１５の、リード界面から５０〜１００μｍ離れた領域のはんだ組成が、鉛０．１重量％以下となり、鉛残留による高温劣化の原因を生起することなく信頼性の高い接合が可能になる。なお、上記領域のはんだ組成は、鉛元素が局所的に偏在した場合、鉛の微細粒子として偏在することがあり、スポット的に分析を行うと、分析位置によって、組成の差が大きくなる。そこで、リード界面から５０〜１００μｍの領域で、回路基板の表面より外方の円筒状の部分の平均的な組成を分析することが必要である。
【実施例】
【００３０】
以下このような装置を用いて回路基板に電子部品を搭載しはんだ付けを行う例について説明する。
【００３１】
（実施例１〜１０、比較例１〜４）
はんだ溶融槽内に極低酸素状態で作成した組成比がモル数換算で錫９０．９％以上、亜鉛９％他の金属元素含有量が０．１％未満のはんだを、はんだ槽に３００〜４５０ｋｇ入れ、そのほぼ理論値としての共晶点である１９８℃よりも１７℃高い２１５℃で保持し完全にはんだを溶融させた。この時、１９０℃に到達した時点から不活性ガスをはんだ付け対象物が移動する領域に流し続け、酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下、好ましくは６０〜２００ｐｐｍの範囲にした。
【００３２】
次に、循環ポンプを用いて溶融はんだ槽の下部からはんだを吸い込み、溶融はんだ槽の上部に湧き出させるようにして循環・噴流し続けた。湧出はんだ部分に超音波を印加して溶融はんだの固形化を抑制させた。
【００３３】
一方、寸法が１８０ｍｍ×２００ｍｍ×１．６ｍｍｔの両面実装型ガラスエポキシ基板に、表１に示す表面処理を行い、部品挿入用電極に銅めっき処理を施した回路基板を準備した。この回路基板のスルーホールの孔径は、１．１ｍｍとした。前記回路基板表面に、千住金属工業製のポストフラックス（型式：ＨＳＸ−０３）を、回路基板表面に、６５〜９０ｃｃ／ｍｉｎの噴霧量で噴霧した。上記回路基板に、Ｓｎ‐１０ｍａｓｓ％Ｐｂめっき（平均５μｍ厚）を施した１６ピンの銅リードを有するＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）部品を挿入した。
【００３４】
この状態で次の仕様、搬送条件で部品を挿入した後に、フラックス（千住金属工業製：ＨＳＸ−０１）を塗布した回路基板を６、搬送角５°でコンベアーで搬送し、フローディップを実施した。このとき、搬送スピードを変化させ、回路基板６とはんだとの接触時間（ディップタイム）を１〜８秒の間で変化させた。ここで言う回路基板と噴流はんだとの接触時間とは、回路基板のはんだ面の任意の１点が噴流はんだと接触する時間であり、1次噴流のディップタイムと２次噴流のディップタイムの合計値で表現している。また、ディップタイムは、マルコム社製のディップテスターで測定した。
【００３５】
また、はんだ付装置内の雰囲気を酸素濃度６０〜２００ｐｐｍ（ジルコニア式濃度計による）に制御した。さらに、はんだの噴流と接触させる前に回路基板を予備加熱によって加熱するプロセスで、基板部品面の温度を１１５〜１３０℃の範囲内にすることによって、錫・鉛共晶はんだの２３０℃での回路基板のディップタイム（概ね３〜５秒）と同等もしくは短い時間とすることができる。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
フローディップした基板をコンベアーから取り出し冷却した後、拡大鏡による観察を実施したところ、いずれの電極パターンにおいてもはんだのブリッジは認められず、挿入部品へのはんだのスルーホール上がりも良好であった。次に挿入部品を実装した回路基板の１枚を初期断面観察用としてＳＥＭ観察を実施したところ、ハンダとリードとの間に平坦な反応相と考えられる０．５〜０．９μｍの厚さの層状の領域が認められ、その界面には０．１μｍを超えるボイドは観察されなかった。
【００３８】
他の回路基板については、高温槽中で１２５℃の温度で１０００ｈ放置した。その後、高温槽から取出し、回路基板のリードを含むスルーホールとその周辺を切出し、樹脂による包埋・研磨後にＳＥＭによる観察を実施した。このとき、ディップタイムが２秒未満では、基板部品面側のリードとスルーホール上部のはんだとの接合界面に鉛が偏析する傾向が見られた。また、ディップタイムが７秒を越えると基板部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの鉛含有量が０．１ｗｔ％を越えるようになり、５μｍに達する粒状化した鉛がフィレットの広範囲に散見され、その粒状化した鉛に接するように銅と亜鉛の反応相がリード側からスルーホール側に向かって存在し、さらに錫母相との界面に１０μｍ前後の隙間も一部に認められた。
【００３９】
一方、ディップタイムが２〜７秒の範囲内では、基板部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な鉛含有量がＥＤＸによる分析から０．１ｗｔ％未満であり、５μｍに達する粒状化した鉛は見られなかった。また、その粒状化した鉛に接するように銅と亜鉛の反応相がリード側からスルーホール側に向かって存在し伸びているが、錫母相との界面に１０μｍ前後の隙間も一部に認められず劣化を抑制する傾向が認められた。これは、はんだと回路基板が接触する時に、２秒未満では銅リードに施された錫・鉛めっきが十分はんだと溶け合わず鉛の偏析が生じやすいこと、また、７秒を越えると噴流はんだとリードとのディップタイムが長くフィレットを形成していない部品面上部のＩＣ側に近いリード領域からもめっきの溶出がおこり過剰な鉛がフィレット中に残るものと考えられる。特に２次噴流の影響を受けやすく、２次噴流のディップタイムが１次噴流のディップタイムより２秒以上長いと鉛による影響が顕在化し、高温放置後の劣化が早まりやすい。さらに、７秒を越えると噴流はんだが焼き付けられたように０．２ｍｍ以下の細かな粒子が固まり状に回路基板上のレジスト面の一部に付着するようになり、外観も見劣りしやすい状況も確認された。
【００４０】
以上のことから、本発明によるリードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、噴流はんだと回路基板とが接触する時間が２秒以上７秒以下で、挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とするはんだ付方法は、回路基板の鉛フリー化で過渡的に残る錫・鉛めっきリードを有する挿入型の部品を用いる場合に接合後のはんだフィレット中に鉛の残留をコントロールでき、高温にさらされた環境でも接合部の劣化を抑制することができる。
【００４１】
また、本発明によるリードを有する挿入部品をスルーホールに実装する回路基板のはんだ付において、挿入するリードを含む回路基板の部品面側のリード界面から５０〜１００μｍ離れたはんだフィレットでの平均的な組成として鉛含有量が鉛を重量比で０．１％以下、亜鉛を重量比で６〜１２％の範囲でそれぞれ含有し、残部が実質的に錫であるフィレットを形成することを特徴とする、回路基板の電極が銅あるいは銅に錫基合金を被覆してはんだ付を行った実装基板は、回路基板の鉛フリー化で過渡的に残る錫・鉛めっきリードを有する挿入型の部品を用いる場合に接合後のはんだフィレット中に鉛の残留をコントロールでき、高温にさらされた環境でも接合部の劣化を抑制し製品としての信頼性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明で用いることのできるはんだ付け装置の概略断面図である。
【図２】本発明によって作成することができる回路基板のはんだ接合部の要部断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…フロータイプはんだ付け装置
２…溶融はんだ
３…溶融はんだ槽
４…コンベアー
５…電子部品
６…回路基板
７…予熱装置
８ａ，８ｂ…ノズル
１１…電子部品
１２…リード
１３…回路基板
１４…電極部
１５…はんだ
【図１】
2007096125.tif 000004
【図２】
2007096125.tif 000005