(57)【要約】【課題】画素サイズが狭小化した場合にも光学特性を精度良く実施することができ、好ましくは検査の自動化が容易であり、基板上に形成した各種機能膜の物理的な測定も行うことができる電気光学装置の検査方法を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置の検査方法は、有機膜上に金属膜を積層してなる機能部材の検査について、表示領域の有機膜と同時に形成された有機膜パターン１１５上に、表示領域の金属膜と同時に形成された金属膜パターン１２９を形成してなる検査パターン１５０を用いる。島状の有機膜パターン１１５ａ上に金属膜パターン１２９ａを形成してなる島状部１５０ａに対して検査光を照射することで前記機能部材の光学特性を測定し、有機膜パターン１１５ｂ上に部分的に金属膜パターン１２９ｂを形成してなる突出部１５０ｂの表面を探針で走査することで前記機能部材の有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定する。【選択図】図７
2007121833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機膜と金属膜とを積層してなる機能部材を表示領域内に備えた電気光学装置の検査方法であって、
前記表示領域の外側の前記基板上に、前記有機膜と同時に形成された島状の有機膜パターンと、該島状の有機膜パターンに積層して形成されるとともに前記金属膜と同時に形成された島状の金属膜パターンとを有した島状部を備え、前記島状部には、互いに交差する向きに該島状部の端縁から外側に前記有機膜パターンが延出されるとともに該延出された有機膜パターン上に前記金属膜パターンが部分的に形成された複数の突出部が設けられ、
前記金属膜パターンに検査光を照射して前記機能部材の光学特性を測定し、前記複数の突出部のうち所定の前記突出部の表面を探針で走査して前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項２】
前記有機膜と前記有機膜パターンは同一材質であり、前記金属膜と前記金属膜パターンは同一材質であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項３】
前記所定の突出部の表面を探針で走査する方向は、当該所定の突出部の突出方向と交差して横断する方向であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
複数の前記基板となるべき基板領域を平面配置してなる大型基板を用いて電気光学装置を製造するに際して、
前記基板領域の外側の前記大型基板上に設けられた前記島状部及び突出部を用いて前記光学特性及び膜厚の測定を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項５】
前記機能部材が、前記有機膜の表面に複数の凹凸部を平面配置してなる凹凸面が形成され、前記金属膜に前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与された散乱反射層であり、
前記島状部の有機膜パターンの表面に前記凹凸面が形成され、該有機膜パターン上に形成された前記金属膜パターンの表面に前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与されており、前記所定の突出部の前記金属膜パターンの表面にも凹凸形状が付与されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項６】
前記所定の突出部は、前記有機膜パターンと金属膜パターンとが平面的に重なる領域の前記有機膜パターン表面に前記凹凸面が形成され、該凹凸面上の前記金属膜パターンに凹凸形状が付与されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項７】
前記所定の突出部の前記金属膜パターンが、当該所定の突出部の突出方向と交差する方向において当該突出部の前記有機膜パターンの中央部に配置されており、前記所定の突出部の表面を探針で走査して前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項８】
前記所定の突出部の前記金属膜パターンが、当該所定の突出部の前記有機膜パターン上を経由して該有機膜パターンの外側の前記基板上まで延出されてなり、
前記有機膜パターンの外側に配された前記金属膜パターン上を含む前記基板上の領域を前記探針により走査することで、前記金属膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項９】
前記島状部が平面視略矩形状であり、かつ前記突出部が前記島状部の一辺端の一部に沿って設けられており、前記突出部に隣接する前記島状部の辺端から前記基板上に、前記金属膜パターンが前記突出部と略同一方向に延出されてなり、
前記島状部から前記基板上に延出された金属膜パターンと、前記突出部の表面とを前記探針により走査することで、前記有機膜及び金属膜の膜厚測定を行うことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項１０】
前記島状部が平面視略矩形状であり、前記突出部が前記島状部の隣接する二辺端部のそれぞれ設けられており、該突出部を前記所定の突出部として前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項１１】
前記島状部が平面視略矩形状であり、前記突出部が、前記島状部の各辺端部に少なくとも１つ設けられており、該突出部を前記所定の突出部として前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項１２】
基板上に有機膜と金属膜とを積層してなる機能部材を表示領域内に備えた電気光学装置に適用できる検査パターンであって、
前記表示領域の外側の前記基板上に、前記有機膜と同時に形成された島状の有機膜パターンと該島状の有機膜パターンに積層して形成されるとともに前記金属膜と同時に形成された島状の金属膜パターンとを有した島状部を備え、前記島状部には、互いに交差する向きに該島状部の端縁から外側に前記有機膜パターンが延出されるとともに該延出された有機膜パターン上に前記金属膜パターンが部分的に形成された複数の突出部が設けられていることを特徴とする検査パターン。
【請求項１３】
前記島状部の前記有機膜パターンに前記凹凸面が形成され、該有機膜パターン上に形成された前記金属膜パターンに前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与されていることを特徴とする請求項１２に記載の検査パターン。
【請求項１４】
前記突出部において、前記有機膜パターンと平面的に重なる位置の前記金属膜パターンにのみ前記凹凸形状が付与されていることを特徴とする請求項１３に記載の検査パターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の検査方法及び検査パターンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置やＥＬ装置等の電気光学装置の製造工程には、形成した金属膜や半導体素子の特性評価を行う検査工程が含まれている。この検査工程では、電気光学装置を構成する基板上にＴＥＧ（Test Element Group）等と称される検査用の素子や膜パターンをあらかじめ形成しておき、種々の検査装置を用いて特性評価が成される。例えば、アクティブマトリクス型液晶装置の製造工程では、画素スイッチング素子や駆動回路を構成するＴＦＴ素子の検査が行われている。また複数の電気光学装置用基板を多数枚取りできる大型基板の状態で半導体プロセス等を実施する製造プロセスでは、例えば特許文献１に記載のように、電気光学装置用基板を形成する有効領域の外側の非有効領域に上記ＴＥＧを形成することで、ＴＥＧ形成領域の制約を回避し、また検査を容易に行えるようにしている。
【特許文献１】特開２００１−３３７３４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、反射型液晶装置ないし半透過反射型液晶装置では、上記スイッチング素子等の特性検査に加えて、画素領域内に設けられた反射層についてその光学特性や断面形状の測定が製造過程において成されている。従来、この反射層の特性検査は表示領域に形成した画素を用いて行われており、例えば反射特性の測定では１画素内に設けられた反射層に対してレーザ光を照射し、その反射率や反射光の分布を測定していた。このような検査方法は、画素サイズが８０μｍ×１３０μｍ程度の大きさであれば問題なく行うことができるが、高精細化に伴い画素サイズが小さくなると、画素内の反射層が測定範囲より小さくなってしまい、正確な測定を行うことが困難になる。また、画素サイズの狭小化により測定器の位置合わせが困難になり、自動測定を行えなくなるという問題も生じる。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、画素サイズが狭小化した場合にも光学特性を精度良く実施することができ、好ましくは検査の自動化が容易であり、基板上に形成した各種機能膜の物理的な測定も行うことができる電気光学装置の検査方法、及びこれに用いる検査パターンを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に有機膜と金属膜とを積層してなる機能部材を表示領域内に備えた電気光学装置の検査方法であって、前記表示領域の外側の前記基板上に、前記有機膜と同時に形成された島状の有機膜パターンと、該島状の有機膜パターンに積層して形成されるとともに前記金属膜と同時に形成された島状の金属膜パターンとを有した島状部を備え、前記島状部には、互いに交差する向きに該島状部の端縁から外側に前記有機膜パターンが延出されるとともに該延出された有機膜パターン上に前記金属膜パターンが部分的に形成された複数の突出部が設けられ、前記金属膜パターンに検査光を照射して前記機能部材の光学特性を測定し、前記複数の突出部のうち所定の前記突出部の表面を探針で走査して前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することを特徴とする電気光学装置の検査方法を提供する。
この検査法法によれば、機能部材の光学特性と、機能部材を構成する有機膜及び／又は金属膜の膜厚の測定とを行うための検査パターン（島状部及び突出部）を表示領域の外側に設けているので、検査パターンのサイズ及び形状の自由度が向上し、狭小な画素に対して直接的に検査を行わなくとも、高精度の検査を迅速に行うことができる。また検査により表示領域に不具合が生じるということもない。さらに、１つの検査パターンで光学測定と膜厚測定の両方を実施できるので、検査パターンを設ける領域を節約でき、これによって検査パターンの配置の自由度も向上する。さらにまた、膜厚測定のための突出部を島状部に関して互いに交差する向きに配置しているので、基板の配置を変更することなく突出部に対する測定を実施することができ、検査工程の自動化も容易になる。
【０００６】
本発明の電気光学装置の検査方法では、前記有機膜と前記有機膜パターンは同一材質であり、前記金属膜と前記金属膜パターンは同一材質であることが好ましい。
本発明の電気光学装置の検査方法では、前記所定の突出部の表面を探針で走査する方向は、当該所定の突出部の突出方向と交差して横断する方向であることが好ましい。このような方向に前記探針を走査すれば、一走査で有機膜パターン表面と金属膜パターン表面とを走査することができ、多くの情報を効率的に取得することができる。
【０００７】
本発明の検査方法では、複数の前記基板となるべき基板領域を平面配置してなる大型基板を用いて電気光学装置を製造するに際して、前記基板領域の外側の前記大型基板上に設けられた前記島状部及び突出部を用いて前記光学特性及び膜厚の測定を行うこともできる。この検査法法によれば、大型基板の状態で効率よく前記機能部材の検査を行うことができるので、電気光学装置の製造効率を向上させることができる。
【０００８】
本発明の検査方法では、前記機能部材が、前記有機膜の表面に複数の凹凸部を平面配置してなる凹凸面が形成され、前記金属膜に前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与された散乱反射層であり、
前記島状部の有機膜パターンの表面に前記凹凸面が形成され、該有機膜パターン上に形成された前記金属膜パターンの表面に前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与されており、前記所定の突出部の前記金属膜パターンの表面にも凹凸形状が付与されている方法とすることもできる。すなわち本発明の検査方法は、反射型ないし半透過反射型の電気光学装置の反射層の検査に好適に用いることができる。検査パターンについて反射層と同様の散乱手段を付与しているので、反射層の検査を正確に行うことができる。
【０００９】
本発明の検査方法では、前記所定の突出部は、前記有機膜パターンと金属膜パターンとが平面的に重なる領域の前記有機膜パターン表面に前記凹凸面が形成され、該凹凸面上の前記金属膜パターンに凹凸形状が付与されている方法とすることもこともできる。このような検査方法とすることで、凹凸面を形成する前の有機膜の膜厚を、凹凸面の形成後にも知ることができるようになり、有機膜の形成不良等を発見しやすくなる。
【００１０】
本発明の検査方法では、前記所定の突出部の前記金属膜パターンが、当該所定の突出部の突出方向と交差する方向において当該突出部の前記有機膜パターンの中央部に配置されており、前記所定の突出部の表面を探針で走査して前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定する方法とすることもできる。このような検査方法とすることで、突出部における金属膜パターンと有機膜パターンとの境界部を突出部表面に多く確保できるので、突出部を用いた膜厚測定を容易かつ効率よく行えるようになる。
【００１１】
本発明の検査方法では、前記所定の突出部の前記金属膜パターンが、当該所定の突出部の前記有機膜パターン上を経由して該有機膜パターンの外側の前記基板上まで延出されてなり、前記有機膜パターンの外側に配された前記金属膜パターン上を含む前記基板上の領域を前記探針により走査することで、前記金属膜の膜厚を測定することもできる。このような検査方法とすれば、金属膜パターン自体の膜厚測定をも極めて容易に行えるので、有機膜及び金属膜の膜厚を含めた正確な検査が可能である。
【００１２】
本発明の検査方法では、前記島状部が平面視略矩形状であり、かつ前記突出部が前記島状部の一辺端の一部に沿って設けられており、前記突出部に隣接する前記島状部の辺端から前記基板上に、前記金属膜パターンが前記突出部と略同一方向に延出されてなり、前記島状部から前記基板上に延出された金属膜パターンと、前記突出部の表面とを前記探針により走査することで、前記有機膜及び金属膜の膜厚測定を行う方法とすることもできる。このような検査方法とすれば、金属膜パターン自体の膜厚測定をも極めて容易に行えるので、有機膜及び金属膜の膜厚を含めた正確な検査が可能である。
【００１３】
本発明の検査方法では、前記島状部が平面視略矩形状であり、前記突出部が前記島状部の隣接する二辺端部のそれぞれ設けられており、該突出部を前記所定の突出部として前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することもできる。このような検査方法とすれば、基板と膜厚測定装置との配置に依存せず突出部に対して膜厚測定を実施することができる。
【００１４】
本発明の検査方法では、前記島状部が平面視略矩形状であり、前記突出部が、前記島状部の各辺端部に少なくとも１つ設けられており、該突出部を前記所定の突出部として前記有機膜及び／又は金属膜の膜厚を測定することが好ましい。このような検査方法とすることで、突出部に対する膜厚測定をさらに効率よく容易、迅速に行うことができる。
【００１５】
本発明の検査パターンは、基板上に有機膜と金属膜とを積層してなる機能部材を表示領域内に備えた電気光学装置に適用できる検査パターンであって、前記表示領域の外側の前記基板上に、前記有機膜と同時に形成された島状の有機膜パターンと該島状の有機膜パターンに積層して形成されるとともに前記金属膜と同時に形成された島状の金属膜パターンとを有した島状部を備え、前記島状部には、互いに交差する向きに該島状部の端縁から外側に前記有機膜パターンが延出されるとともに該延出された有機膜パターン上に前記金属膜パターンが部分的に形成された複数の突出部が設けられていることを特徴とする。
この検査パターンによれば、前記機能部材の光学特性の測定と機能部材を構成する有機膜及び／又は金属膜の膜厚測定を、容易に効率よく行うことができる。
【００１６】
本発明の検査パターンでは、前記島状部の前記有機膜パターンに前記凹凸面が形成され、該有機膜パターン上に形成された前記金属膜パターンに前記凹凸面に倣う凹凸形状が付与されている構成とすることもできる。かかる検査パターンによれば、電気光学装置の散乱反射層の検査を容易に効率よく行うことができる。また前記凹凸形状は前記有機膜パターンと平面的に重なる位置の前記金属膜パターンにのみ前記凹凸形状が付与されている構成としてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、代表的な電気光学装置である液晶装置の製造方法に本発明を適用した例を挙げて、本発明の実施の形態について説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面構成図と、対向基板を含めて示す（ａ）図のＨ−Ｈ′線に沿う断面構成図である。図１（ａ）において、液晶装置１００（電気光学装置）のＴＦＴアレイ基板１０には、対向基板２０の縁に沿うようにシール材５２が設けられ、このシール材５２によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが所定の間隔をもって貼り合わされている。
【００１９】
ＴＦＴアレイ基板１０の図示下側の辺縁に、データ線駆動回路１０１が形成されており、図示左右方向に位置する辺縁にそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０においてデータ線駆動回路１０１が形成された張り出し領域には多数の端子１０２が形成されている。また画像表示領域１０ａに関してデータ線駆動回路１０１と反対側のＴＦＴアレイ基板１０上には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４同士を電気的に接続するための複数の配線１０５が形成されている。対向基板２０の４つのコーナー部に相当する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。
なお、走査線に供給される走査信号の遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよく、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａを挟んだ両側に配置した形態であってもよい。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって所定の間隙を介して貼り合わされ、これらの間隙に液晶５０が保持されている。シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺で貼り合わせるための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を一定に保持するためのグラスファイバ、ガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。また、液晶装置１００の背面側（図示下面側）には、ＬＥＤ（発光ダイオード）や冷陰極管を光源とするバックライト（照明装置）１２０が配設されている。
【００２１】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる画素電極９がマトリクス状に形成され、画素電極９を覆って配向膜１６が形成されている。対向基板２０の液晶５０側であってシール材５２の内側領域に、遮光性材料からなる周辺見切り用の遮光膜５３が形成されており、遮光膜５３の内側には、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９の縦横の境界領域に対応する格子状の遮光膜（ブラックマトリクス）２３が形成されている。遮光膜２３，５３の上層側には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極２１がベタ状に形成され、対向電極２１を覆って配向膜２６が形成されている。
【００２２】
なお、図１（ｂ）では図示を省略しているが、本実施形態の液晶装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示デバイスとして用いられるカラー液晶装置であり、対向基板２０の液晶５０側には、各画素電極９に対応してＲＧＢのカラーフィルタが設けられている。
【００２３】
次に、図２は、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板１０の回路構成図である。図２に示すように、液晶装置１００の画像表示領域には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、各走査線３ａと並列に延びる容量線３ｂとがそれぞれ配線されており、走査線３ａとデータ線６ａとに囲まれる領域に、サブ画素Ｄが形成されている。サブ画素Ｄの各々には、画素電極９と、画素スイッチング素子としてのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、走査線３ａから供給される走査信号によりＴＦＴ３０をスイッチングすることで、データ線６ａから供給される画像信号を所定のタイミングで画素電極９に書き込み、液晶を挟持して対向する電極との間で画像信号を保持するようになっている。また、前記画素電極９に書き込まれた画像信号のリークを防止するために、上記画素電極９と並列に保持容量７０が付加されており、保持容量７０を構成する一方の電極は容量線３ｂと電気的に接続されている。
【００２４】
図３は、画像表示領域１０ａの１画素領域におけるＴＦＴアレイ基板１０の平面構成図である。画像表示領域１０ａは、液晶装置１００の１表示単位を成すサブ画素Ｄ（Ｄ１〜Ｄ３）を平面視マトリクス状に配列してなる構成であり、本実施形態の液晶装置１００では、各サブ画素の平面領域に対応してＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色部を周期的に配列してなるカラーフィルタが設けられ、上記３色の着色部に対応する１組のサブ画素Ｄ１〜Ｄ３が、３色の光を混色して表示する１つの画素を構成している。
【００２５】
また、各画素を構成するサブ画素Ｄは、平面視矩形状の平面領域を区画して設けられた透過表示領域Ｄｔと反射表示領域Ｄｒとを有している。これらの領域のうち、反射表示領域Ｄｒには、光反射手段である反射層２９が形成され、入射光を反射して表示光として利用するようになっている。一方、透過表示領域Ｄｔは、図１に示したバックライト１２０の照明光を透過して表示光とするようになっている。
サブ画素Ｄ１〜Ｄ３の各平面領域内には、平面視矩形状の画素電極９と、この画素電極９の一部領域に平面的に重なる反射層（光反射手段）２９とが形成されている。反射層２９の形成領域が反射表示領域Ｄｒに対応し、反射層２９と重ならない画素電極９上の領域が透過表示領域Ｄｔに対応している。
【００２６】
前記画素電極９の縦横の境界に沿って延びるようにデータ線６ａと走査線３ａとが形成されており、データ線６ａと走査線３ａとの交差部近傍に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ｓと、ソース電極３６ａと、ドレイン電極３６ｂと、ゲート電極３０ｇとを有しており、前記ドレイン電極３６ａは、図示略のコンタクトホールを介して画素電極９（及び反射層２９）と電気的に接続されている。画素電極９は反射層２９を覆って形成されており、反射層２９は液晶に電界を印加する電極の一部を構成している。なお、図示は省略したが、各ドットには図２に示した保持容量７０が形成されている。
【００２７】
次に、図４はＴＦＴアレイ基板１０の部分断面構成図であって、図３のＪ−Ｊ’線に対応する図である。図４に示す断面構造をみると、ガラスや石英、プラスチック等の透光性を有する基板本体１０Ａの内面側（液晶５０側）に、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜１１が形成され、下地絶縁膜１１上に、所定平面形状にパターニングされたポリシリコン薄膜からなる半導体層３０ｓが形成されている。半導体層３０ｓは、アモルファスシリコン薄膜をレーザ結晶化法により結晶化した低温ポリシリコン薄膜である。
【００２８】
半導体層３０ｓ上を含む下地絶縁膜１１上には、ゲート絶縁膜２が形成されており、このゲート絶縁膜２を介して半導体層３０ｓと対向するようにゲート電極３０ｇが形成されている。ＴＦＴ３０を構成する半導体層３０ｓには、上記ゲート電極３０ｇと対向する領域にチャネル領域３０ａが形成されており、チャネル領域３０ａを挟んで両側にそれぞれ低濃度ソース領域３０ｄ、低濃度ドレイン領域３０ｅが形成されている。低濃度ソース領域３０ｄの外側に高濃度ソース領域３０ｂが形成され、低濃度ドレイン領域３０ｅの外側に高濃度ドレイン領域３０ｃが形成されている。ゲート電極３０ｇは、図３に示したように、走査線３ａを分岐して形成したものである。
【００２９】
ゲート電極３０ｇを含むゲート絶縁膜２上に、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２とゲート絶縁膜２とを貫通して前記半導体層３０ｓに達するコンタクトホール１２ａ、１２ｂが開口されている。そして、ＴＦＴ３０を構成するソース電極３６ａがコンタクトホール１２ａを介して半導体層３０ｓの高濃度ソース領域３０ｂと電気的に接続され、ドレイン電極３６ｂは、コンタクトホール１２ｂを介して半導体層３０ｓの高濃度ドレイン領域３０ｃと電気的に接続されている。上記ソース電極３６ａは、図３に示したように、データ線６ａの一部を画素電極９側へ分岐して形成したものであり、ドレイン電極３６ｂは半導体層３０ｓと一部平面的に重なるように配された矩形状の島状の導電膜である。
【００３０】
上記ソース電極３６ａ（データ線６ａ）、ドレイン電極３６ｂ上を含む第１層間絶縁膜１２上の領域に、酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、第２層間絶縁膜１３を貫通してドレイン電極３６ｂに達するコンタクトホール１３ａが形成されている。
第２層間絶縁膜１２を覆ってアクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる有機膜１５が形成されている。この有機膜１５を貫通してコンタクトホール１５ｂが形成されており、かかるコンタクトホール１５ｂは前記コンタクトホール１３ａと連続する開口部を形成している。有機膜１５の表面には、多数の凹部１５ａが、平面視でランダムに、かつ互いに隣接するように形成されている。
【００３１】
凹部１５ａが形成された有機膜表面にアルミニウムや銀等の光反射性の金属膜からなる反射層（光反射手段）２９が形成されている。薄い金属膜からなる反射層２９は、前記凹部１５ａが形成された有機膜１５の凹凸面の形状に倣う凹凸形状となり、前記凹部１５ａに対応する凹部２９ａをその表面に有するものとなっている。また、反射層２９の一部はコンタクトホール１３ａ、１５ｂからなる開口部内に埋設され、かかる開口部の底面に位置するドレイン電極３６ｂと電気的に接続されている。
【００３２】
上記反射層２９を含む有機膜１５上の領域に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる矩形状の画素電極９が形成されており、画素電極９の一部は上記コンタクトホール１３ａ、１５ｂにより形成された開口部内に埋設されている。また、画素電極９上には、図１（ｂ）に示したように、液晶５０の特性に応じた種類（ポリイミド等）の配向膜１６が形成されている。また、基板本体１０Ａの外面側には、偏光板や位相差板等の光学フィルム１７が配設されている。
【００３３】
対向基板２０は、先の基板本体１０Ａと同様の透明な基板本体２０Ａの内面側（液晶５０側）に、少なくともカラーフィルタ２４と、対向電極２１と、配向膜（図示略）とを順に積層形成した構成を備える。本実施形態では、画素駆動用のスイッチング素子がＴＦＴ３０であるので、対向基板２０の対向電極２１は、ＩＴＯ等の透光性導電材料からなる平面ベタ状の導電膜である。対向基板２０の外面側には、ＴＦＴアレイ基板１０側の光学フィルム１７に対応する位相差板や偏光板等の光学フィルム２７が配設されている。
【００３４】
（液晶装置の製造方法）
図５は、図１〜図４に示したＴＦＴアレイ基板１０を大型基板から製造する様子を示す概略平面図である。図６は、図５に示す領域１０Ｒを拡大して示す平面構成図である。
液晶装置１００を製造するにあたって、ＴＦＴアレイ基板１０は、図５および図６に示すように、それを多数枚取りできる大型基板１０ｅの状態で半導体プロセス等を用いて各種構成要素を形成した後、大型基板１０ｅから個別に切り出すことで製造する。なお、図５では１６枚取りの場合について示しｅいるが、ＴＦＴアレイ基板１０及び大型基板１０ｅの寸法により１枚の大型基板からとれるＴＦＴアレイ基板の枚数は異なることになる。
【００３５】
大型基板１０ｅにおいて、タイル状に配列された矩形状の基板領域１０ｓは、ＴＦＴアレイ基板１０として切り出される領域であり、このＴＦＴアレイ基板１０となるべき基板領域１０ｓを取り囲む斜線を付した格子状の領域は、切断時に除去される第１の切り捨て領域１０ｇである。また本実施形態の場合、切り捨て領域１０ｇを取り囲む枠状の第２の切り捨て領域１０ｆが設けられている。図５及び図６では、図面を見易くするために各切り捨て領域１０ｇ、１０ｆの比率を大きくして示している。
【００３６】
また図６に示すように、上記切り捨て領域１０ｇ、１０ｆのうち、基板領域１０ｓと隣接する第１の切り捨て領域１０ｇに対しては、画素スイッチング用のＴＦＴ３０などの形成工程をそのまま利用して、検査パターンとしての検査用ＴＦＴ１３０や、この検査用ＴＦＴ１３０に接続された複数の検査用端子１３１等が形成されている。通常、第１の切り捨て領域１０ｇに形成される検査用ＴＦＴ１３０は、１枚のＴＦＴアレイ基板１０に対して一対一に対応して設けられる。またこの他にも、基板領域１０ｓの周縁に沿って各種端子が設けられていてもよい。
【００３７】
そして、本実施形態の場合、図６に示すように、上記切り捨て領域１０ｇ、１０ｆのいずれか又は双方に、サブ画素Ｄに設けられる反射層２９の光学特性及び形成状態を検査するための検査パターン１５０が、少なくとも１つ以上設けられている。検査パターン１５０は、図６に示すように、第１の切り捨て領域１０ｇ内、第２の切り捨て領域１０ｆ内、又は第１の切り捨て領域１０ｇと第２の切り捨て領域１０ｆとに跨る位置のいずれに設けられていてもよい。また場合によっては、基板領域１０ｓ内であって、画像表示領域１０ａとなるべき領域の外側に配置されていてもよい。
【００３８】
第１の切り捨て領域１０ｇ内に設ける場合、図６右端部中央側の検査パターン１５０のように、格子状に延びる第１の切り捨て領域１０ｇの交差点付近に設ける形態のほか、隣接する基板領域１０ｓ間に検査パターン１５０を配置してもよい。検査パターン１５０は１００〜２００μｍ程度の幅があれば十分に機能するものであるため、切り捨て領域１０ｇの幅を勘案すれば、ほぼ制限無く任意の位置に形成することが可能である。ただし、図６のように第１の切り捨て領域１０ｇの外周部、あるいはそれより外側に検査パターン１５０を配置すれば、検査パターン１５０の平面寸法を大きくしやすく、検査を容易かつ円滑に行えるようになる。
【００３９】
図７は、検査パターン１５０の平面構成図である。図８は、図７のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。図９は、図７のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。図７から図９に示すように、検査パターン１５０は、その中央部に配された平面視略正方形状の島状部１５０ａと、島状部１５０ａの各辺端の中央部から外側に延出された４つの突出部１５０ｂとを有して構成されている。また、検査パターン１５０は、平面視概略十字形の有機膜パターン１１５上に、平面視概略十字形の金属膜パターン１２９を成膜してなる積層構造を有している。
【００４０】
島状部１５０ａは、上記有機膜パターン１１５のうち平面視略正方形状の部分の有機膜パターン１１５ａ上に、上記金属膜パターン１２９のうち平面視略正方形状の部分の金属膜パターン１２９ａを積層してなる構成である。また、突出部１５０ｂは、島状部１５０ａの有機膜パターン１１５ａから延出された平面視略矩形状の部分の有機膜パターン１１５ｂ上に、島状部１５０ａの金属膜パターン１１５ａから延出された平面視略矩形状の部分の金属膜パターン１２９ａを積層してなる構成である。
【００４１】
また、図８及び図９に示すように、検査パターン１５０は、大型基板１０ｅの基板本体１０Ｅ上に形成された回路層１１１上に形成されている。回路層１１１には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や駆動回路１０１，１０４等が形成されており、検査パターン１５０が設けられる切り捨て領域１０ｇ、１０ｆでは、図４に示したサブ画素の断面構造に含まれる各絶縁膜（下地絶縁膜１１、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３）が積層された構造となっている。
【００４２】
検査パターン１５０のうち、下層側の有機膜パターン１１５は、サブ画素Ｄ内に形成される有機膜１５と同じ工程で同時に形成されたものであり、上層側の金属膜パターン１２９は、サブ画素Ｄ内に形成される反射層２９と同じ工程で同時に形成されたものである。すなわち、検査パターン１５０は、回路層１１１を形成した後、サブ画素Ｄ内に有機膜１５及び反射層２９を形成する工程で、基板領域１０ｓの外側に同時に形成されるものである。
【００４３】
検査パターン１５０を構成する有機膜パターン１１５の一部表面領域には、サブ画素Ｄの有機膜１５の表面と同様の凹部が形成されており、従ってかかる凹部上に成膜された金属膜パターン１２９には、前記凹凸面の形状に倣う凹凸形状が付与されている。具体的には、前記凹凸面は、有機膜パターン１１５の表面領域のうち、金属膜パターン１２９と平面的に重なる平面領域に選択的に形成されており、有機膜パターン１１５の表面であって、金属膜パターン１２９の外側に位置する領域は、凹凸のない平坦面となっている。このような構成のもと、検査パターン１５０は、その島状部１５０ａがサブ画素Ｄの反射表示領域Ｄｒの反射層２９と同様の構成とされている。また、突出部１５０ｂは、金属膜パターン１２９ｂの形成された領域は反射層２９と同様の構成である一方、金属膜パターン１２９ｂに被覆されていない有機膜パターン１１５ｂを金属膜パターン１２９ｂの両側に備えたものとなっている。
【００４４】
上記構成を備えた検査パターン１５０は、大型基板１０ｅの状態で光学特性の測定、及び膜厚の測定を行う本発明に係る検査方法に用いられる。光学特性の測定は、サブ画素Ｄの反射層２９と同様の構成を具備した島状部１５０ａに対してレーザ光などの検査光を照射し、その反射光の強度や分布を測定することで、画像表示領域１０ａに形成された反射層（機能部材）２９の光学特性に係るデータ（反射率）を得られるようになっている。
【００４５】
上記反射層の光学特性の測定に際しては、従来、サブ画素Ｄに形成した反射層２９に対して直接レーザ光等を照射して反射率測定を行っていたが、高精細表示装置の狭小な画素では反射層２９が検査光の測定スポットより小さくなったり、反射層２９に対して正確に測定スポットを位置合わせするのが困難になる。これに対して本発明では、かかる反射率の測定は基板領域１０ｓの外側に設けた検査パターン１５０を用いて行われるので、検査パターン１５０として測定装置の仕様に合わせた適切なサイズのものを形成することができ、正確な反射率測定を容易に行うことができる。また、ＴＦＴアレイ基板１０となる基板領域１０ｓにレーザ光などを照射しないので、ＴＦＴアレイ基板１０に不測の不具合が生じることもない。
【００４６】
また、突出部１５０ｂは、図７及び図８に示すように有機膜パターン１１５ｂ表面に部分的に金属膜パターン１２９ｂが形成されたものとなっており、金属膜パターン１２９ｂは有機膜パターン１１５ｂ表面に選択的に形成された凹凸面に倣う凹凸形状を付与されたものとなっている。このような突出部１５０ｂに対して、探針を用いてその表面を有機膜パターン１１５ｂ上と金属膜パターン１２９ｂとを跨ぐように走査し、さらに有機膜パターン１１５ｂと回路層１１１とを跨ぐように走査する。これにより、有機膜パターン１１５ｂと回路層１１１との段差高さから、有機膜１５を形成するための材料を配した際（例えば液体樹脂材料の塗布時）の膜厚を得ることができ、また金属膜パターン１２９ｂと回路層１１１との段差高さから、サブ画素Ｄに実際に形成されている有機膜１５と反射層２９との合計膜厚を得ることができる。
【００４７】
このように、有機膜パターン１１５ｂ上に部分的に金属膜パターン１２９ｂを形成した突出部１５０ｂを用いて有機膜１５及び反射層２９の膜厚測定を行うことで、サブ画素Ｄに対して直接に検査を行うことなく上記各膜厚を得ることができ、検査によってＴＦＴアレイ基板１０に不測の不具合を生じることがなくなる。また、検査パターン１５０はその大きさの自由度が大きいため、突出部１５０ｂについても測定装置の仕様に合わせた適切なサイズの試料に対して測定を実施できるという利点がある。
【００４８】
さらに、突出部１５０ｂは島状部１５０ａを取り囲むようにして島状部１５０ａの４辺に沿う位置に設けられているので、測定装置の探針の走査方向が図７上下方向、左右方向のいずれであっても、大型基板１０ｅを回転させることなく膜厚測定を実施することができる。なお、突出部１５０ｂを少なくとも島状部１５０ａの隣接する２辺に沿う位置に設けておけば、大型基板１０ｅを回転させずに測定を実施することができるが、本実施形態のように島状部１５０ａの各辺に沿う位置に設けておくことで、測定装置の探針と突出部１５０ｂの位置合わせが容易になる。また、複数箇所の測定を迅速に行えるので、測定値のばらつきの減少にも寄与する。またこのように島状部１５０ａの４辺に突出部１５０ｂを設ける場合において、島状部１５０ａの対向する２辺に位置する突出部１５０ｂは島状部１５０ａに関して対称位置に配されていることが好ましい。このような配置とすることで、２箇所の突出部１５０ｂを用いた膜厚測定を迅速に行うことができ、測定の自動化も容易になる。
【００４９】
上記光学特性、及び膜厚の検査結果において、島状部１５０ａにおける光学特性が良好であり、また突出部１５０ｂにおける膜厚が正常範囲であれば、各ＴＦＴアレイ基板１０に形成したサブ画素Ｄの反射層２９が良好であるとして、大型基板１０ｅからＴＦＴアレイ基板１０を切り出した後、良品と判断されたＴＦＴアレイ基板１０を、液晶装置１００の組み立てに用いる。その一方で、上記光学特性及び膜厚の測定結果が正常範囲から外れていれば、サブ画素Ｄの反射層２９の特性にも不具合があるとして、該当する大型基板１０ｅ（あるいは検査パターン１５０近傍のＴＦＴアレイ基板１０）を廃棄する。
【００５０】
ところで、第１の切り捨て領域１０ｇに設けられた検査用ＴＦＴ１３０や検査用端子１３１は、大型基板１０ｅの状態で検査用端子１３１に検査プローブなどの検査電極を接触させて検査用ＴＦＴ１３０の電気的特性を検査するのに用いられる。その検査結果において、検査用ＴＦＴ１３０の電気的特性が良好であれば、それに対応するＴＦＴアレイ基板１０に形成した画素スイッチング用のＴＦＴ３０などが良好であるとして、大型基板１０ｅからＴＦＴアレイ基板１０を切り出した後、良品と判断されたＴＦＴアレイ基板１０を、液晶装置１００の組み立てに用いる。その一方で、検査用ＴＦＴ１３０に不具合があれば、それに対応するＴＦＴアレイ基板１０に形成した画素スイッチング用のＴＦＴ３０などにも不具合があるとして、該当するＴＦＴアレイ基板１０を廃棄する。
なお、大型基板１０ｅから基板領域１０ｓを切り出した状態において、このＴＦＴアレイ基板１０には、検査用ＴＦＴ１３０や検査用端子１３１その他の端子は一切除去される。
【００５１】
このように、本実施形態では、画像表示領域１０ａの外側に、サブ画素Ｄの反射層２９と同様の構成を具備した検査パターン１５０を設け、かかる検査パターン１５０を用いて反射層２９の光学特性の測定、及び構成部材の膜厚測定を行うようにしたので、画素の高精細化によってサブ画素Ｄに対する測定の実施が困難になった場合であっても、大型基板１０ｅの状態で容易かつ迅速に検査を行うことが可能なものとなっている。
【００５２】
またＴＦＴアレイ基板１０は、大型基板１０ｅの状態で各構成要素が形成された後、検査され、しかる後に、大型基板１０ｅから切り出される。また、検査に用いた検査パターン１５０は、液晶装置１００の完成後は不要となるものである。そのような点に鑑み、本実施形態では、液晶装置１００の完成後には不要となる検査パターン１５０について、大型基板１０ｅのうち、ＴＦＴアレイ基板１０として切り出される基板領域１０ｓの外側（切り捨て領域１０ｇ、１０ｆ）に形成している。このため、必要な大きさで検査パターン１５０を形成することができ、またＴＦＴアレイ基板１０の特性を害することもない。またＴＦＴアレイ基板１０において画像表示領域１０ａの外周領域から検査パターン１５０が占有する部分を省くことができ、液晶装置１００において、額縁領域と称せられる画像表示領域１０ａの外周領域を狭めることができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図１０（ａ）は、第１実施形態に係る検査パターン１５０に代えて用いることができる検査パターン１５２の平面構成図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。本実施形態に係る検査パターン１５２は、図７に示した検査パターン１５０において、金属膜パターン１２９の形状を異ならせたものである。検査パターン１５２は、平面視略正方形状の島状部１５２ａと、島状部１５２ａの各辺から延出された突出部１５２ｂとを備えて構成されており、第１実施形態と同様の平面形状の有機膜パターン１１５上に、第１実施形態に係る金属膜パターン１２９よりも外側に突出する部分が長く形成された金属膜パターン２２９を積層してなる構造を具備している。
【００５４】
本実施形態では、突出部１５２ｂの有機膜パターン１１５ｂ上に部分的に設けられる金属膜パターン２２９ｂが、島状部１５２ａ側から有機膜パターン１１５ｂ上を経由し、さらに有機膜パターン１１５ｂの外側の回路層１１１上まで延びている。島状部１５２ａは、平面視略正方形状の有機膜パターン１１５ａ上に平面視略正方形状の金属膜パターン２２９ａを積層した構造であり、第１実施形態に係る検査パターン１５０の島状部１５０ａと同様の構成である。
【００５５】
上記構成を備えた検査パターン１５２を用いるならば、突出部１５２ｂを用いた膜厚測定に際して、有機膜パターン１１５ｂの外側に延びた金属膜パターン２２９ｂと回路層１１１との段差を計測することで金属膜パターン１２９ｂ（サブ画素の反射層２９）自体の膜厚を測定することが可能になる。そして、突出部１５２ｂのうち、有機膜パターン１１５ｂと金属膜パターン１２９ｂとが平面的に重なる領域、及びその外側の領域（凹凸面を形成しない領域）の膜厚を測定することができるので、上記金属膜パターン１２９ｂ自体の膜厚から、有機膜パターン１１５における凹凸面を形成した領域とそれ以外の領域との膜厚差を算出することができ、サブ画素Ｄの有機膜１５に対する凹凸面の形成状態も知ることができる。なお、島状部１５２ａに対して検査光を照射することによる光学特性の測定ができるのは勿論である。
【００５６】
（第３の実施形態）
図１１（ａ）は、第１実施形態に係る検査パターン１５０に代えて用いることができる検査パターン１５３の平面構成図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿う断面構成図である。本実施形態に係る検査パターン１５３は、図７に示した検査パターン１５０において、金属膜パターン１２９の形状を異ならせたものである。検査パターン１５３は、平面視略正方形状の島状部１５３ａと、島状部１５３ａの各辺から延出された突出部１５３ｂとを備えて構成されており、第１実施形態と同様の平面形状の有機膜パターン１１５上に、第１実施形態に係る金属膜パターン１２９と異なり外側に突出する部分が２箇所形成された金属膜パターン３２９を積層してなる構造を具備している。
【００５７】
本実施形態では、突出部１５３ｂの有機膜パターン１１５ｂ上に部分的に設けられる金属膜パターン３２９ｂは、第１実施形態に係る検査パターン１５０の突出部１５０ｂと同様であるが、この突出部１５３ｂが設けられている島状部１５３ａの辺端の延在方向において当該突出部１５３ｂと隣接する位置に、島状部１５３ａの金属膜パターン３２９ａから外側に向かって、金属膜パターン３２９ｂと略同様の平面形状の金属膜パターン３２９ｃが延出されて有機膜パターン１１５の外側の回路層１１１上に形成されている。島状部１５３ａは、平面視略正方形状の有機膜パターン１１５ａ上に平面視略正方形状の金属膜パターン３２９ａを積層した構造であり、第１実施形態に係る検査パターン１５０の島状部１５０ａと同様の構成である。
【００５８】
上記構成を備えた検査パターン１５３を用いるならば、突出部１５３ｂを用いた膜厚測定に際して、有機膜パターン１１５ａ、１１５ｂの外側に延びた金属膜パターン３２９ｃと回路層１１１との段差を計測することで金属膜パターン３２９ｃ（サブ画素の反射層２９）自体の膜厚を測定することが可能になる。そして、突出部１５３ｂを用いた膜厚測定によって、有機膜パターン１１５ｂと金属膜パターン３２９ｂとが平面的に重なる領域、及びその外側の領域（凹凸面を形成しない領域）の膜厚を測定することができるので、上記金属膜パターン３２９ｃ自体の膜厚から、有機膜パターン１１５における凹凸面を形成した領域とそれ以外の領域との膜厚差を算出することができ、サブ画素Ｄの有機膜１５に対する凹凸面の形成状態も知ることができる。なお、島状部１５３ａに対して検査光を照射することによる光学特性の測定ができるのは勿論である。
【００５９】
（電子機器）
図１２は、上記実施形態に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００６０】
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、表示部を構成する液晶装置が正確な検査を経た信頼性の高いものとなっている。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、検査対象の機能部材として、有機膜１５上に反射層（金属膜）２９を積層した構造の機能部材について検査パターン１５０を用いて光学特性及び膜厚の測定を行う場合について説明したが、上記機能部材としては、散乱反射層に限られず、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される有機膜と金属膜との積層物であれば、任意の機能部材を検査対象とすることが可能である。また、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の平面構成図及び断面構成図。
【図２】同、回路構成図。
【図３】同、画素領域を拡大して示す平面構成図。
【図４】図３のＪ−Ｊ’線に沿う断面構成図。
【図５】大型基板を用いたＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す平面構成図。
【図６】大型基板の一部を拡大して示す平面構成図。
【図７】図６に示す検査パターンを拡大して示す図。
【図８】図７のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図９】図７のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図。
【図１０】第２実施形態に係る検査パターンの平面構成図及び断面構成図。
【図１１】第３実施形態に係る検査パターンの平面構成図及び断面構成図。
【図１２】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００６３】
１００  液晶装置（電気光学装置）、１０  ＴＦＴアレイ基板、２０  対向基板、１０ａ  画像表示領域、１０ｅ  大型基板、１０ｇ  第１の切り捨て領域、１０ｆ  第２の切り捨て領域、１０ｓ  基板領域、１５  有機膜、２９  反射層（金属膜）、１１５，１１５ａ，１１５ｂ  有機膜パターン、１２９，１２９ａ，１２９ｂ，２２９，２２９ａ，２２９ｂ，３２９，３２９ａ，３２９ｂ，３２９ｃ  金属膜パターン、１５０，１５２，１５３  検査パターン
【図１】
2007121833.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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