(57)【要約】【課題】積層体内部のインダクタをなす導電体の電気的特性の劣化を低減して小型化が可能な高周波電子部品を提供する。【解決手段】非磁性材料を主としてなる積層体110の内部にインダクタを形成する導電体111〜115と、このインダクタを形成する導電体111〜115に対して対向するように積層体110の内部に磁性材料層141,142を設けた積層インダクタ素子100Cを構成する。これにより、インダクタを形成する導電体111〜115に対して対向するように磁性材料層141,142が設けられているので、インダクタを形成する導電体111〜115から発せられる磁界に対して磁性材料層141,142を挟んで配置された接地導電体151,152によって引き起こされる磁束の乱れが低減されると共に、磁界によって導電体に発生する渦電流が抑えられ、小型化してもインダクタをなす導電体111〜115の電気的特性の劣化を低減できる。【選択図】図１
2007129061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材料を主としてなる積層体の内部にインダクタを形成する導電体を備えた高周波電子部品において、
前記インダクタを形成する導電体に対して対向するように前記積層体の内部或いは表面の何れかに磁性材料層が設けられている
ことを特徴とする高周波電子部品。
【請求項２】
前記インダクタを形成する導電体に対して前記非磁性材料を介して対向するように前記積層体の内部或いは外部の何れかに配置される接地導電体の、前記インダクタを形成する導電体の側の前記積層体内部に磁性材料層が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波電子部品。
【請求項３】
前記接地導電体が前記積層体内部に設けられており、前記接地導電体に接して前記磁性材料層が設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の高周波電子部品。
【請求項４】
前記インダクタを形成する導電体がマイクロストリップラインであることを特徴とする請求項１に記載の高周波電子部品。
【請求項５】
前記インダクタを形成する導電体がスパイラル状に周回するコイル導体であることを特徴とする請求項１に記載の高周波電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性材料を主としてなる積層体内部にインダクタ導電体を有する高周波電子部品に関し、特にインダクタの特性劣化を抑制できる高周波電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、インダクタやフィルタ等の高周波電子部品に対する小型化及び低背化の要求は高まる一方である。その要求に応えるため、外部の影響を受けないようにするために部品内部に設けられていたスペースを無くし、極限の設計をしなければならなくなっている。
【０００３】
さらに、モジュールや装置を小型化するために、これに用いる高周波電子部品の間隔及び高周波電子部品とモジュールのシールドケースとの間隔等もぎりぎりまで接近するようになってきている。
【０００４】
この種の高周波電子部品を用いた回路装置としては、例えば特開平８−３１６６８６号公報（特許文献１）に開示される高周波回路装置が知られている。
【特許文献１】特開平８−３１６６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したように高周波電子部品内部のスペースを無くし、モジュールや装置に用いる高周波電子部品の間隔及び高周波電子部品とモジュールのシールドケースとの間隔等をぎりぎりまで接近させると、高周波電子部品の特性変動が起こることがあり、これに対する新たな対策が必要になった。
【０００６】
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、積層体内部のインダクタをなす導電体の電気的特性の劣化を低減して小型化が可能な高周波電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前記目的を達成するために、非磁性材料を主としてなる積層体の内部にインダクタを形成する導電体を備えた高周波電子部品において、前記インダクタを形成する導電体に対して対向するように前記積層体の内部或いは表面の何れかに磁性材料層が設けられている高周波電子部品を提案する。
【０００８】
本発明の高周波電子部品は、前記インダクタを形成する導電体に対して対向するように磁性材料層が設けられているので、前記インダクタを形成する導電体から発せられる磁界に対して前記インダクタを形成する導電体に対して前記磁性材料層を挟んで配置された対向導電体によって引き起こされる磁束の乱れが低減されると共に、前記磁界によって前記対向導電体に発生する渦電流が抑えられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の高周波電子部品によれば、前記インダクタを形成する導電体に対して近接するＧＮＤ（接地）電極や配線パターンなどの内部電極、或いは部品外部に存在するシールドケースや、近接して配置された部品、プリント配線基板のパターン等による前記インダクタが発する磁界への影響を小さくすることができるため、前記インダクタや前記インダクタを用いたフィルタ等の特性を安定したものにすることができると共に、高周波電子部品を小型化しても安定したほぼ同様の特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は本発明の第１実施形態における高周波電子部品の一例である積層インダクタ素子の側面概略断面図である。図において、100A,100B,100Cのそれぞれは積層インダクタ素子である。
【００１２】
積層インダクタ素子100Aは、非磁性材料を主としてなる積層体101と、積層体101の内部の複数層に埋設された複数の導電体111〜115、これらの導電体111〜115を螺旋状に連結するビア導電体121、積層体101の内部の上層部と下層部に設けられた磁性材料層141,142、及び積層体101の両端部のそれぞれに設けられた外部電極131,132から構成されている。
【００１３】
導電体111〜115は螺旋状をなすコイルを形成するもので、導電体111の一端は外部電極131に接続され、導電体111の他端はそれぞれ異なる層に配置された導電体112〜114及びビア導電体121を介して導電体115の一端に接続され、導電体115の他端は外部電極132に接続されている。
【００１４】
また、磁性材料層141は、平面状をなし、導電体111に対して所定の間隔をあけた上層に、導電体111に面対向するように設けられ、磁性材料層142は導電体115に対して所定の間隔をあけた下層に、導電体115に面対向するように設けられている。
【００１５】
積層インダクタ素子100Bは、上記の積層インダクタ素子100Aに接地導電体151,152を設けた構成をなしている。接地導電体151は磁性材料層141の上面に接して設けられ、接地導電体152は磁性材料層142の下面に接して設けられ、これらの接地導電体151,152は積層体110の側面に設けられた図示せぬ接地用外部電極に導電接続されている。
【００１６】
積層インダクタ素子100Cは、上記の積層インダクタ素子100Bとほぼ同様の構成をなし、これらの相違点は、導電体111と磁性材料層141との間の距離および導電体115と磁性材料層142との間の距離を小さく設定し、これらの間の無駄なスペースを省いて積層体110の高さを低く形成したものである。
【００１７】
次に、上記構成よりなる積層インダクタ素子100A,100B,100Cの電気的特性を、比較例を挙げて説明する。比較例としては、図２に示す積層インダクタ素子200A,200B,200Cを用いた。これらの積層インダクタ素子200A,200B,200Cは、前述した積層インダクタ素子100A,100B,100Cから磁性材料層141,142を除去したものである。
【００１８】
図３は本発明を適用した積層インダクタ100A,100B,100Cと比較例としての積層インダクタ200A,200B,200Cのインダクタンス値をシミュレーションしたときの値を示す図であり、図４はこれらのＱ値をシミュレーションしたときの値を示す図である。図３に示すように、接地導電体151,152を設けた場合、この接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させても本発明を適用した積層インダクタ素子100A,100B,100Cのインダクタンス値はほぼ同じ値を示している。これに対して、比較例の積層インダクタ素子200A,200B,200Cでは、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離が短くなるにつれてインダクタンス値が低下している。
【００１９】
即ち、図３に示すように、本発明を適用すると、積層インダクタ素子100Aのように接地導電体151,152が設けられていない場合（A11）は、７．６０ｎＨのインダクタンス値を有し、積層インダクタ素子100B,100Cのように接地導電体151,152が設けられている場合（A12〜A15）は、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させても、コイル導体から接地導電体151,152までの距離が、１６７μｍ（A12）のとき６．８０ｎＨ、１３１μｍ（A13）のとき６．６５ｎＨ、９３μｍ（A14）のとき６．５４ｎＨ、５８μｍ（A15）のとき６．４３ｎＨとなってほぼ同じ値を維持している。
【００２０】
これに対して、比較例の積層インダクタ素子200A,200B,200Cでは、積層インダクタ素子200Aのように接地導電体151,152が設けられていない場合（B11）は、７．００ｎＨのインダクタンス値を有し、積層インダクタ素子200B,200Cのように接地導電体151,152が設けられている場合（B12〜B15）は、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体151,152までの距離が、１６７μｍ（B12）のとき６．００ｎＨ、１３１μｍ（B13）のとき５．５６ｎＨ、９３μｍ（B14）のとき４．９１ｎＨ、５８μｍ（B15）のとき４．００ｎＨとなり、距離が短くなるにつれてインダクタンス値が低下している。
【００２１】
また、図４に示すように、本発明を適用すると、積層インダクタ素子100Aのように接地導電体151,152が設けられていない場合（A21）は、４６．０のＱ値を有し、積層インダクタ素子100B,100Cのように接地導電体151,152が設けられている場合（A22〜A25）は、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体151,152までの距離が、１６７μｍ（A22）のときのＱ値は３６．４、１３１μｍ（A23）のときのＱ値は３５．０、９３μｍ（A24）のときのＱ値は３１．４、５８μｍ（A25）のときのＱ値は２７．７となる。
【００２２】
これに対して、比較例の積層インダクタ素子200A,200B,200Cでは、積層インダクタ素子200Aのように接地導電体151,152が設けられていない場合（B21）は、４４．０のＱ値を有し、積層インダクタ素子200B,200Cのように接地導電体151,152が設けられている場合（B22〜B25）は、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体151,152までの距離が、１６７μｍ（B22）のときのＱ値は３３．２、１３１μｍ（B23）のときのＱ値は３０．０、９３μｍ（B24）のときのＱ値は２５．９、５８μｍ（B25）のときのＱ値は１８．６となる。
【００２３】
このように本発明を適用した場合は、接地導電体151,152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させてもほぼ同じインダクタンス値を維持し、磁性材料層141,142を設けない場合に比べてＱ値の変動も低減する。
【００２４】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
【００２５】
図５は本発明の第２実施形態における高周波電子部品の一例である積層インダクタ素子の側面概略断面図である。図において、前述した第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略する。また、300A,300B,300Cのそれぞれは積層インダクタ素子で、前述した第１実施形態における積層インダクタ素子100A,100B,100Cから上側の磁性材料層141と接地導電体151を除去した構成をなすものである。
【００２６】
次に、上記構成よりなる積層インダクタ素子300A,300B,300Cの電気的特性を、比較例を挙げて説明する。比較例としては、図６に示す積層インダクタ素子400A,400B,400Cを用いた。これらの積層インダクタ素子400A,400B,400Cは、前述した積層インダクタ素子300A,300B,300Cから磁性材料層142を除去したものである。
【００２７】
図７は本発明を適用した積層インダクタ300A,300B,300Cと比較例としての積層インダクタ400A,400B,400Cのインダクタンス値をシミュレーションしたときの値を示す図であり、図８はこれらのＱ値をシミュレーションしたときの値を示す図である。図７に示すように、接地導電体152を設けた場合、この接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させても本発明を適用した積層インダクタ素子300A,300B,300Cのインダクタンス値はほぼ同じ値を示している。これに対して、比較例の積層インダクタ素子400A,400B,400Cでは、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離が短くなるにつれてインダクタンス値が低下している。
【００２８】
即ち、図７に示すように、本発明を適用すると、積層インダクタ素子300Aのように接地導電体152が設けられていない場合（A31）は、７．６０ｎＨのインダクタンス値を有し、積層インダクタ素子300B,300Cのように接地導電体152が設けられている場合（A32〜A35）は、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させても、コイル導体から接地導電体152までの距離が、１６７μｍ（A32）のとき６．９１ｎＨ、１３１μｍ（A33）のとき６．８１ｎＨ、９３μｍ（A34）のとき６．７０ｎＨ、５８μｍ（A35）のとき６．４９ｎＨとなってほぼ同じ値を維持している。
【００２９】
これに対して、比較例の積層インダクタ素子400A,400B,400Cでは、積層インダクタ素子400Aのように接地導電体152が設けられていない場合（B31）は、７．００ｎＨのインダクタンス値を有し、積層インダクタ素子400B,400Cのように接地導電体152が設けられている場合（B32〜B35）は、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体152までの距離が、１６７μｍ（B32）のとき６．２８ｎＨ、１３１μｍ（B33）のとき６．０６ｎＨ、９３μｍ（B34）のとき５．５７ｎＨ、５８μｍ（B35）のとき４．７９ｎＨとなり、距離が短くなるにつれてインダクタンス値が低下している。
【００３０】
また、図８に示すように、本発明を適用すると、積層インダクタ素子300Aのように接地導電体152が設けられていない場合（A41）は、４４．４のＱ値を有し、積層インダクタ素子300B,300Cのように接地導電体152が設けられている場合（A42〜A45）は、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体152までの距離が、１６７μｍ（A42）のときのＱ値は３９．８、１３１μｍ（A43）のときのＱ値は３８．０、９３μｍ（A44）のときのＱ値は３６．６、５８μｍ（A45）のときのＱ値は２４．３となる。
【００３１】
これに対して、比較例の積層インダクタ素子400A,400B,400Cでは、積層インダクタ素子400Aのように接地導電体152が設けられていない場合（B41）は、４３．１のＱ値を有し、積層インダクタ素子400B,400Cのように接地導電体152が設けられている場合（B42〜B45）は、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させると、コイル導体から接地導電体152までの距離が、１６７μｍ（B42）のときのＱ値は３７．６、１３１μｍ（B43）のときのＱ値は３４．８、９３μｍ（B44）のときのＱ値は３０．２、５８μｍ（B45）のときのＱ値は２４．７となる。
【００３２】
このように本発明を適用した場合は、接地導電体152と導電体111〜115によって形成されるコイル導体との間の距離を変化させてもほぼ同じインダクタンス値を維持し、磁性材料層142を設けない場合に比べてＱ値の変動も低減する。
【００３３】
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
【００３４】
図９は本発明の第３実施形態における高周波電子部品の一例であるローパスフィルタ素子の側面概略断面図である。図において、500A,500B,500Cのそれぞれはローパスフィルタ素子である。
【００３５】
ローパスフィルタ素子500Aは、非磁性材料を主としてなる積層体501と、積層体501の内部の複数層に埋設された複数の導電体511〜514,521〜524,531,541,542、これらの導電体を接続するビア導電体532,543、積層体501の内部の上層部に設けられた磁性材料層551とを備えている。
【００３６】
導電体511〜514,531は螺旋状をなすコイルを形成するもので、導電体511の一端は図示せぬ外部電極に接続され、導電体511の他端はそれぞれ異なる層に配置された導電体512〜514及びビア導電体532を介して導電体531の一端に接続されている。
【００３７】
導電体521〜524,531は螺旋状をなすコイルを形成するもので、導電体521の一端は図示せぬ外部電極に接続され、導電体521の他端はそれぞれ異なる層に配置された導電体522〜524及びビア導電体532を介して導電体531の他端に接続されている。
【００３８】
また、導電体531の中央部はビア導電体543を介して平面状の導電体541に接続され、この導電体541に対して所定間隔をあけて対向するよう図示せぬ接地外部電極に接続された平面状の接地導電体542が配置されている。
【００３９】
磁性材料層551は、平面状をなし、導電体511,512に対して所定の間隔をあけた上層に、導電体511,521に面対向するように設けられている。
【００４０】
ローパスフィルタ素子500B,500Cは、上記のローパスフィルタ素子500Aにシールドケース561を設けた構成をなし、ローパスフィルタ素子500Bでは積層体501の表面とシールドケース561との間隔が広く設定され、ローパスフィルタ素子500Cでは積層体501の表面とシールドケース561との間隔が狭く設定されている。
【００４１】
次に、上記構成よりなるローパスフィルタ素子500A,500B,500Cの電気的特性を、比較例を挙げて説明する。比較例としては、図１０に示すローパスフィルタ素子600A,600B,600Cを用いた。これらのローパスフィルタ素子600A,600B,600Cは、前述したローパスフィルタ素子500A,500B,500Cから磁性材料層551を除去したものである。
【００４２】
図１１は本発明を適用したローパスフィルタ素子500A,500B,500Cの減衰量の周波数特性のシミュレーション結果を示す図、図１２は比較例としてのローパスフィルタ素子600A,600B,600Cの減衰量の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【００４３】
図１１において、特性曲線AT11はシールドケース561がないローパスフィルタ素子500Aの周波数特性を表したもので、１〜１．５ＧＨｚでは減衰量は、ほぼ０ｄＢを示し、１．５ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し、２．４ＧＨｚにおいて極大値−４８ｄＢを示している。その後、２．４ＧＨｚから２．７ＧＨｚまで減衰量は徐々に減少し、２．７ＧＨｚにおいて極小値−３２ｄＢを示した後、減衰量は徐々に増加して３．０ＧＨｚにおいて再度極大値−５３ｄＢを示している。その後、減衰量は徐々に減少して５．０ＧＨｚでは−１７ｄＢを示している。
【００４４】
特性曲線AT12〜AT15はシールドケース561を備えたローパスフィルタ素子500A,500Cにおける減衰量の周波数特性を示している。
【００４５】
特性曲線AT12は、積層体501とシールドケース561との間隔が３００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT11の周波数特性を約４０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００４６】
特性曲線AT13は、積層体501とシールドケース561との間隔が２００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT11の周波数特性を約８０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００４７】
特性曲線AT14は、積層体501とシールドケース561との間隔が１００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT11の周波数特性を約１２０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００４８】
特性曲線AT15は、積層体501とシールドケース561との間隔が５０μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT11の周波数特性を約１６０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００４９】
図１２において、特性曲線AT21はシールドケース561がないローパスフィルタ素子600Aの周波数特性を表したもので、１〜１．５ＧＨｚでは減衰量は、ほぼ０ｄＢを示し、１．５ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し、２．４ＧＨｚにおいて極大値−４８ｄＢを示している。その後、２．４ＧＨｚから２．７ＧＨｚまで減衰量は徐々に減少し、２．７ＧＨｚにおいて極小値−３２ｄＢを示した後、減衰量は徐々に増加して３．１５ＧＨｚにおいて再度極大値−５３ｄＢを示している。その後、減衰量は徐々に減少して５．０ＧＨｚでは−１７ｄＢを示している。
【００５０】
特性曲線AT22〜AT25はシールドケース561を備えたローパスフィルタ素子600A,600Cにおける減衰量の周波数特性を示している。
【００５１】
特性曲線AT22は、積層体501とシールドケース561との間隔が３００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT21の周波数特性を約４５ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００５２】
特性曲線AT23は、積層体501とシールドケース561との間隔が２００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT21の周波数特性を約９０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００５３】
特性曲線AT24は、積層体501とシールドケース561との間隔が１００μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT21の周波数特性を約２１０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００５４】
特性曲線AT25は、積層体501とシールドケース561との間隔が５０μｍに設定されているときの周波数特性であり、特性曲線AT21の周波数特性を約３６０ＭＨｚほど高周波方向へシフトさせた周波数特性を示している。
【００５５】
このように本発明を適用した場合は、シールドケース561がないときの周波数特性とシールドケース561を積層体501に５０μｍまで近づけたときの周波数特性とでは約１６０ＭＨｚの周波数シフトを生じただけで、磁性材料層551を設けないときに比べて周波数のシフト量を半分以下に抑えることができた。
【００５６】
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
【００５７】
図１３は本発明の第４実施形態における高周波電子部品の一例であるバンドパスフィルタ素子の側面概略断面図である。図において、700A,700B,700Cのそれぞれはバンドパスフィルタ素子である。
【００５８】
バンドパスフィルタ素子700Aは、非磁性材料を主としてなる積層体701と、積層体701の内部の複数層に埋設された複数の導電体702〜705と、積層体701の内部の上層部に設けられた磁性材料層710とを備えている。
【００５９】
導電体702はインダクタを形成するマイクロストリップラインで、その一端部の上下層のそれぞれには非磁性材料層を挟んで導電体703,704 が設けられている。これらの導電体703,704は平面上をなし、キャパシタを形成するように導電体702と面対向するように配置されている。また、導電体702の他端部の上下層のそれぞれにも非磁性材料層を挟んで導電体705,706が設けられている。これらの導電体705,706は平面上をなし、キャパシタを形成するように導電体702と面対向するように配置されている。
【００６０】
磁性材料層710は平面上をなし、導電体702〜706に対して所定の間隔をあけた上層に、導電体702〜706に面対向するように設けられている。
【００６１】
バンドパスフィルタ素子700B,700Cは、上記のバンドパスフィルタ素子700Aにシールドケース720を設けた構成をなし、バンドパスフィルタ素子700Bでは積層体701表面とシールドケース720との間隔が広く設定され、ローパスフィルタ素子700Cでは積層体701の表面とシールドケース720との間隔が狭く設定されている。
【００６２】
次に、上記構成よりなるバンドパスフィルタ素子700A,700B,700Cの電気的特性を、比較例を挙げて説明する。比較例としては、図１４に示すバンドパスフィルタ素子800A,800B,800Cを用いた。これらのバンドパスフィルタ素子800A,800B,800Cは、前述したバンドパスフィルタ素子700A,700B,700Cから磁性材料層701を除去したものである。
【００６３】
図１５は本発明を適用したバンドパスフィルタ素子700A,700B,700Cの減衰量の周波数特性のシミュレーション結果を示す図、図１６は比較例としてのバンドパスフィルタ素子800A,800B,800Cの減衰量の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【００６４】
図１５において、特性曲線AT31はシールドケース720がないバンドパスフィルタ素子700Aの周波数特性を表したもので、１．００ＧＨｚでは−３８．３ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．００ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．１６ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．１６ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−３０．０ｄＢである。
【００６５】
特性曲線AT32〜AT35はシールドケース720を備えたバンドパスフィルタ素子700B,700Cにおける減衰量の周波数特性を示している。
【００６６】
特性曲線AT32は、積層体701とシールドケース720との間隔が３００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４１．７ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０１ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．１８ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．１８ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２９．６ｄＢである。
【００６７】
特性曲線AT33は、積層体701とシールドケース720との間隔が２００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４２．５ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０３ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．１９ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．１９ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２９．１ｄＢｄＢである。
【００６８】
特性曲線AT34は、積層体701とシールドケース720との間隔が１００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４４．２ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０５ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．２２ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．２２ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２７．５ｄＢである。
【００６９】
特性曲線AT35は、積層体701とシールドケース720との間隔が５０μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４５．８ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．１０ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．２５ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．２５ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２５．８ｄＢである。
【００７０】
図１６において、特性曲線AT41はシールドケース720がないバンドパスフィルタ素子800Aの周波数特性を表したもので、１．００ＧＨｚでは−３８．７ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．００ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．２２ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．２２ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２８．６ｄＢである。
【００７１】
特性曲線AT42〜AT45はシールドケース720を備えたバンドパスフィルタ素子800B,800Cにおける減衰量の周波数特性を示している。
【００７２】
特性曲線AT42は、積層体701とシールドケース720との間隔が３００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４１．５ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０７ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．２５ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．２５ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２７．４ｄＢである。
【００７３】
特性曲線AT43は、積層体701とシールドケース720との間隔が２００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４２．７ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０８ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．２８ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．２８ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２６．２ｄＢｄＢで。
【００７４】
特性曲線AT44は、積層体701とシールドケース720との間隔が１００μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４４．４ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．０９ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．３６ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．３６ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−２２．２ｄＢである。
【００７５】
特性曲線AT45は、積層体701とシールドケース720との間隔が５０μｍに設定されているときの周波数特性であり、１．００ＧＨｚでは−４６．０ｄＢの減衰量を有し、１．００ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が減少し、約２．１６ＧＨｚにおいて減衰量がほぼ０ｄＢになり、その後２．４０ＧＨｚまでほぼ０ｄＢを維持し、２．４０ＧＨｚから周波数が上昇するに従って徐々に減衰量が増加し３．００ＧＨｚにおける減衰量は−１９．０ｄＢである。
【００７６】
このように本発明を適用した場合は、シールドケース720がないときの周波数特性とシールドケース720を積層体701に５０μｍまで近づけたときの周波数特性とでは約１００ＭＨｚの周波数シフトを生じただけで、磁性材料層701を設けないときに比べて周波数のシフト量を低減することができた。
【００７７】
前述したように上記第１乃至第４実施形態の高周波電子部品によれば、インダクタ及びマイクロストリップライン等を形成する導電体に面した所定部分に磁性材料層を形成することによって、磁束の乱れを無くしたり、電極に発生する渦電流を抑えることができるので、特に部品のインダクタ部、マイクロストリップライン部等に対して近接するＧＮＤ電極や配線パターンなどの内部電極、或いは部品外部に存在するシールドケースや、近接して配置された部品、プリント配線基板のパターン等の影響による特性変動を小さくすることができ、その結果として、上記の高周波電子部品を用いたモジュールや装置を小型化してもインダクタやフィルタ等の電気的特性を安定させることができる。
【００７８】
尚、上記実施形態は、本発明の一具体例であって、本発明が上記実施形態の構成のみに限定されることはない。例えば、上記各実施形態では積層体110,501,701の内部に磁性材料層141,142,551,710を設けたが、これに限定されることはなく、磁性材料層141,142,551,710を積層体110,501,701の表面に設けてもほぼ同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態における高周波電子部品の一例である積層インダクタ素子の側面概略断面図
【図２】本発明の第１実施形態における比較例としての積層インダクタ素子の側面概略断面図
【図３】本発明の第１実施形態における積層インダクタ素子のインダクタンス値を示す図
【図４】本発明の第１実施形態における積層インダクタ素子ぼＱ値を示す図
【図５】本発明の第２実施形態における高周波電子部品の一例である積層インダクタ素子の側面概略断面図
【図６】本発明の第２実施形態における比較例としての積層インダクタ素子の側面概略断面図
【図７】本発明の第２実施形態における積層インダクタ素子のインダクタンス値を示す図
【図８】本発明の第２実施形態における積層インダクタ素子ぼＱ値を示す図
【図９】本発明の第３実施形態におけるローパスフィルタ素子の側面概略断面図
【図１０】本発明の第３実施形態における比較例としてのローパスフィルタ素子の側面概略断面図
【図１１】本発明の第３実施形態におけるローパスフィルタ素子の減衰量の周波数特性を示す図
【図１２】本発明の第３実施形態における比較例のローパスフィルタ素子の減衰量の周波数特性を示す図
【図１３】本発明の第４実施形態におけるバンドパスフィルタ素子の側面概略断面図
【図１４】本発明の第４実施形態における比較例としてのバンドパスフィルタ素子の側面概略断面図
【図１５】本発明の第４実施形態におけるバンドパスフィルタ素子の減衰量の周波数特性を示す図
【図１６】本発明の第４実施形態における比較例のバンドパスフィルタ素子の減衰量の周波数特性を示す図
【符号の説明】
【００８０】
100A,100B,100C,300A,300B,300C…積層インダクタ素子、110…積層体、111〜115…導電体、121…ビア導電体、131,132…外部電極、141,142…磁性材料層、151,152…接地導電体、500A,500B,500C…ローパスフィルタ素子、501…積層体、511〜514,521〜524,531,541,542…導電体、532,543…ビア導電体、551…磁性材料層、561…シールドケース、700A,700B,700C…バンドパスフィルタ素子、701…積層体、702〜706…導電体、710…磁性材料層、720…シールドケース。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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