(57)【要約】【課題】評価用半導体装置の二次実装評価をするのに、かかる工数を抑えて、早く評価することができる評価用半導体装置、及び評価用半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】評価用半導体装置１１は、二次実装評価を行うために用いられ、ボンディングパッド２３が形成されたダミーチップ１２と、ダミーチップ１２が搭載されるインターポーザー１５と、インターポーザー１５に設けられたハンダボール１４と、ボンディングパッド２３からハンダボール１４に至るまでを電気的に接続するためのボンディングワイヤ１３とを有する。ダミーチップ１２は、製品であるＩＣチップとしての機能を必要としないことから、ボンディングパッド２３の形成を、インクジェット法によって所望の位置や形状に印刷する。これにより、早く評価用半導体装置１１を製造することができ、二次実装評価を早く行うことができる。【選択図】図１
2007121059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の二次実装評価を行うための、周囲の領域と電気的に絶縁された複数の導体
部を用い、前記導体部の各々が電気的に導通された導体対をなすように構成された電極と
を備えたダミーチップが基板に搭載された評価用半導体装置であって、
印刷技術を用いて形成された前記電極を有することを特徴とする評価用半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の評価用半導体装置であって、
前記導体部と外部とを電気的に接続するために前記基板に設けられた外部端子と、
前記導体部と前記外部端子とを電気的に接続する接続部品と、
を更に有することを特徴とする評価用半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の評価用半導体装置であって、
前記導体部は、前記半導体装置の導体部の位置及び形状と揃えて形成されていることを
特徴とする評価用半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の評価用半導体装置であって、
前記電極は、区分けなく一体で形成されることを特徴とする評価用半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の評価用半導体装置であって、
前記印刷技術は、インクジェット法であることを特徴とする評価用半導体装置。
【請求項６】
半導体装置の二次実装評価を行うために用いられる評価用半導体装置であって、
前記評価用半導体装置の基板に搭載されるダミーチップに、印刷技術を用いて電極を印
刷する印刷工程と、
前記電極と、前記基板に形成され外部と接続するための外部端子とを、接続部品を介し
て電気的に接続する二次実装工程と、
を有することを特徴とする評価用半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、二次実装の電気的な接続評価を行う評価用半導体装置、及び評価用
半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した評価用半導体装置は、例えば、特許文献１に記載のような製品となる半導体パ
ッケージにおいて、ＩＣチップから接続部品であるボンディングワイヤを介してパッケー
ジに設けられた外部端子であるハンダボールに至るまで確実に電気が流れるか、いわゆる
二次実装の電気的な接続評価を行うために、製品となる半導体パッケージの代わりとして
用いられる。詳しくは、製品であるＩＣチップの代わりとなるダミーチップの表面に形成
されたボンディングパッドから、ボンディングワイヤ、パッケージの基板に形成されたリ
ード線、ハンダボールに至るまでの接合部分の電気的な接続状態をみている。
【０００３】
ダミーチップは、製品であるＩＣチップで電気的な検査を行うと、ＩＣチップの機能に
支障を与えたり、オープン状態やショート状態が評価できなかったりすることから、例え
ば、トランジスタ回路が形成されていない。ダミーチップの製造方法は、製品をつくると
きと同じように半導体プロセスを用いて製造される。詳しくは、例えば、複数枚のマスク
を用いてボンディングパッドなどを形成することにより、ダミーチップが完成する。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２３４４３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、製品としての機能を必要としないダミーチップのボンディングパッドで
あるにもかかわらず、通常の半導体プロセス（膜の塗布、露光、エッチングなど）を行わ
なければならないことから、時間（設計、マスク製造、プロセス形成など）がかかったり
、工数（設計など）がかかったりするという問題があった。その結果、二次実装評価をす
るのに遅くなってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、評価用半導体装置の二次実装評価をするのに、かかる工数を抑えて、早く評
価することができる評価用半導体装置、及び評価用半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る評価用半導体装置は、半導体装置の二次実装
評価を行うための、周囲の領域と電気的に絶縁された複数の導体部を用い、前記導体部の
各々が電気的に導通された導体対をなすように構成された電極とを備えたダミーチップが
基板に搭載された評価用半導体装置であって、印刷技術を用いて形成された前記電極を有
する。
【０００８】
この構成によれば、電極が印刷技術によって形成されていることにより、半導体装置を
製造するときの半導体プロセス工程を経ることなく評価用半導体装置を完成させることが
できる。これにより、電極を、半導体プロセスを用いるときと比較して早く形成すること
ができ、ダミーチップを早く製造することができる。その結果、評価用半導体装置の二次
実装評価を早期に行うことができる。加えて、評価用半導体装置を製造するのにかかる工
数を抑えることができる。
更に、導体部が導体対をなすように構成されていることから、二次実装された接続部が
電気的にショート（ＯＮ状態）、又は、オープン（ＯＦＦ状態）であることを判断するこ
とが可能となり、二次実装の電気的接続状態が正常か否かを確認することができる。
【０００９】
本発明に係る評価用半導体装置では、前記基板に形成され、前記導体部と外部とを電気
的に接続する外部端子と、前記電極と前記外部端子とを電気的に接続する接続部品と、を
更に有する。
【００１０】
この構成によれば、接続部品によって電極と外部端子とが電気的に接続され、外部端子
によって外部と電気的に接続することが可能となるので、評価用半導体装置の二次実装評
価（接続部品を介して、電極から外部端子に至るまでの電気的接続評価）を早期に行うこ
とができる。
【００１１】
本発明に係る評価用半導体装置では、前記導体部は、前記半導体装置の導体部の位置及
び形状と揃えて形成されていることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、製品となる半導体装置の導体部の位置や形状に揃えて導体部が形成
されているので、より製品に近い状態（最終製品に近い状態）に評価用半導体装置を製造
することが可能となり、より製品に近い状態で二次実装評価を行うことができる。加えて
、製品の電極の位置及び形状に揃えて形成されているので、電極と接続部品とを、実際の
製造工程と同様の工程によって接続させることができる。
【００１３】
本発明に係る評価用半導体装置では、前記電極は、区分けなく一体で形成されることが
望ましい。
【００１４】
この構成によれば、導体対をなす電極が一体で形成されているので、２つの導体部など
を別々に形成する必要がなく、同時に形成することができる。これにより、効率よく電極
を形成することができる。
【００１５】
本発明に係る評価用半導体装置では、前記印刷技術は、インクジェット法であることが
望ましい。
【００１６】
この構成によれば、インクジェット法によって電極を形成するので、半導体プロセスの
マスクを用いる形成方法と比較して、形成する位置や形状に自由度を持たせることが可能
となる。これにより、製品の機種がたくさんあったとしても、それぞれに合った位置や形
状に即座に対応させることができる。その結果、早く評価用半導体装置を形成することが
できる。加えて、かかるコストを抑えることができる。
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明に係る評価用半導体装置の製造方法は、半導体装置
の二次実装評価を行うために用いられる評価用半導体装置であって、前記評価用半導体装
置の基板に搭載されるダミーチップに、印刷技術を用いて電極を印刷する印刷工程と、前
記電極と、前記基板に形成され外部と接続するための外部端子とを、接続部品を介して電
気的に接続する二次実装工程と、を有する。
【００１８】
この方法によれば、印刷工程によって、電極を印刷してダミーチップを完成させたあと
、二次実装工程によって、基板にダミーチップを搭載するとともに、接続部品を介して電
極と外部端子とを接続して評価用半導体装置を製造するので、半導体プロセスを行うこと
なくダミーチップを製造することが可能となる。これにより、早く評価用半導体装置を製
造することができ、その結果、評価用半導体装置の二次実装評価を早く行うことができる
。加えて、評価用半導体装置を製造するのにかかる工数を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る評価用半導体装置、及び評価用半導体装置の製造方法の実施形態に
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、評価用半導体装置の構造を示す模式図である。図１（ａ）は、評価用半導体装
置を上方からみた模式平面図である。図１（ｂ）は、評価用半導体装置の構造を示す模式
断面図である。以下、評価用半導体装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２１】
図１に示すように、評価用半導体装置１１は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と
呼ばれるタイプの半導体パッケージを擬似化して製造したものであり、二次実装評価を行
うために用いられる。二次実装評価とは、例えば、図１（ｂ）に示すように、ダミーチッ
プ１２から接続部品であるボンディングワイヤ１３を介して、外部端子であるハンダボー
ル１４に至るまでの接合部分が、確実に接合されているかを確認する電気的な接合評価で
ある。
【００２２】
評価用半導体装置１１は、ダミーチップ１２と、基板であるインターポーザー（キャリ
ア基板）１５と、ボンディングワイヤ１３と、モールド樹脂（封止材）１６と、ハンダボ
ール１４とを有する。
【００２３】
ダミーチップ１２は、二次実装評価を行うために、製品として用いられるＩＣチップを
擬似化して（ＩＣチップに見立てて）製造したものである。詳しくは、ダミーチップ１２
の外形寸法や厚み寸法などが、製品のＩＣチップと同様の寸法に形成されている。また、
ダミーチップ１２には、二次実装評価に必要のない、例えば、トランジスタ回路が実装さ
れていない。これは、ダミーチップ１２にトランジスタ回路が形成されていることにより
、導体部であるボンディングパッド２３間のショート状態やオープン状態を確認すること
ができないためである。加えて、二次実装評価を行うために電気を流したとき、トランジ
スタ回路を破壊する恐れがあるためである。
【００２４】
ダミーチップ１２は、インターポーザー１５に搭載されている。また、ダミーチップ１
２の上面外周部（図１（ａ）参照）には、外部取り出し用の電極として、ボンディングパ
ッド２３が複数形成されている。複数のボンディングパッド２３には、二次実装評価を行
うべく、導体対である一対のボンディングパッド２３を電気的に接続するための接続配線
２４が形成されている。
なお、接続配線２４で接続された一対のボンディングパッド２３が、ダミーチップ１２
の上面の外周に亘って形成されている状態を、例えば、デイジーチェーンという。
【００２５】
インターポーザー１５は、ダミーチップ１２を搭載するために用いられるとともに、ダ
ミーチップ１２と外部とを電気的に接続するために用いられる。インターポーザー１５の
表面１５ａ（ダミーチップ１２搭載側）には、ボンディングワイヤ１３と接続されるリー
ド線１７が形成されている。リード線１７は、例えば、銅である。なお、図１（ａ）のリ
ード線形成領域１７ａは、複数のリード線１７が形成されている領域を示す。
また、インターポーザー１５の裏面１５ｂには、外部と電気的に接続するためのハンダ
ボール１４が形成されている。
【００２６】
また、インターポーザー１５には、リード線１７とハンダボール１４とを電気的に接続
するためのコンタクト電極１８が形成されている。コンタクト電極１８は、例えば、イン
ターポーザー１５に形成されたスルーホール１８ａの中に埋め込まれている。コンタクト
電極１８は、例えば、銅である。このコンタクト電極１８を介して、リード線１７と、イ
ンターポーザー１５の裏面１５ｂ側に形成されたランド１９及びハンダボール１４とを、
電気的に接続することが可能となっている。また、コンタクト電極１８に代えて、ハンダ
ボール１４の一部がスルーホール１８ａに埋め込まれることによって、リード線１７とハ
ンダボール１４とを電気的に接続されるようにしてもよい。
【００２７】
ランド１９は、インターポーザー１５において、ハンダボール１４の電気的な接続部を
十分に確保するために用いられる。ランド１９は、例えば、導通性に優れた銅で構成され
ている。コンタクト電極１８は、ランド１９を介して、ハンダボール１４と電気的に接続
されている。
【００２８】
ボンディングワイヤ１３（接続部品）は、ダミーチップ１２に形成されたボンディング
パッド２３と、インターポーザー１５上に形成されたリード線１７とを、電気的に接続す
るために用いられる。
【００２９】
モールド樹脂１６は、インターポーザー１５上に固められた樹脂であり、ダミーチップ
１２やボンディングワイヤ１３を機械的な外力から保護するために用いられる。加えて、
モールド樹脂１６は、ダミーチップ１２の表面１２ａに水分や埃が付いて、ダミーチップ
１２の特性が悪くなったり、寿命が短くなったりすることを防ぐために用いられる。
【００３０】
ハンダボール１４（外部端子）は、上記したように、電気の取り出し口（外部出力電極
）であり、インターポーザー１５の裏面１５ｂ側にランド１９と接して形成されている。
ハンダボール１４は、インターポーザー１５の裏面１５ｂ側に、例えば、それぞれのボン
ディングパッド２３と電気的に接続された状態で形成されている。また、ハンダボール１
４は、二次実装評価を行うときに、後述する測定器３２（図３参照）と接続される。
【００３１】
図２は、ダミーチップの構造を示す模式図である。図２（ａ）は、ダミーチップを上方
からみた模式平面図である。図２（ｂ）は、ダミーチップを側方からみた模式側面図であ
る。図２（ｃ）は、図２（ａ）のダミーチップの一部を拡大して示す模式拡大図である。
以下、ダミーチップの構造を、図２を参照しながら説明する。
【００３２】
ダミーチップ１２は、上記したように、製品のＩＣチップとしての機能を有していない
、擬似的に製造されたものである。ダミーチップ１２は、二次実装評価の対象となる製品
（ＩＣチップ）の外形形状及び寸法などと同様に形成されており、チップ本体２１と、電
極であるパッド電極２２とを有する。
【００３３】
チップ本体２１は、例えば、シリコン材料で構成されている。チップ本体２１の上面に
は、ボンディングワイヤ１３を介してリード線１７やハンダボール１４（図１（ｂ）参照
）と電気的に接続するためのパッド電極２２が形成されている。パッド電極２２は、例え
ば、チップ本体２１上面の周方向端部近傍に形成されている。また、チップ本体２１の最
上部には、図示しない、絶縁膜として機能するポリイミド樹脂が、パッド電極２２の領域
を除いて形成されている。
【００３４】
パッド電極２２は、上記したように、チップ本体２１の上面に形成されており、例えば
、銅で構成されている。パッド電極２２は、例えば、印刷技術を用いて形成されている。
印刷技術は、例えば、インクジェット法である。また、パッド電極２２は、第１パッド電
極２２ａと、第２パッド電極２２ｂとを有する。
【００３５】
第１パッド電極２２ａは、図２（ｃ）に示すように、導体対である第１ボンディングパ
ッド領域２３ａと第２ボンディングパッド領域２３ｂと、接続配線である第１接続配線領
域２４ａとを有する。
【００３６】
第１ボンディングパッド領域２３ａは、評価対象となる製品（ＩＣチップ）に形成され
たボンディングパッドの形状、寸法、及び配置位置と同様に形成されている。また、第１
ボンディングパッド領域２３ａは、ボンディングワイヤ１３の一端（他端は、リード線１
７と接続される）と電気的に接続することが可能な領域である。
【００３７】
第２ボンディングパッド領域２３ｂは、第１ボンディングパッド領域２３ａと同様に、
評価対象となる製品（ＩＣチップ）に形成されたボンディングパッドの形状、寸法、及び
配置位置と同様に形成されている。また、第２ボンディングパッド領域２３ｂは、第１ボ
ンディングパッド領域２３ａと同様に、ボンディングワイヤ１３の一端（他端は、リード
線１７と接続される）と電気的に接続することが可能な領域である。
【００３８】
第１接続配線領域２４ａは、二次実装評価を行うべく、第１ボンディングパッド領域２
３ａと第２ボンディングパッド領域２３ｂとを、電気的に接続するために用いられる。詳
述すると、接続配線２４（図１（ａ）参照）は、一対のボンディングパッド（例えば、２
３ａと２３ｂ）毎に形成されている。
【００３９】
第２パッド電極２２ｂは、第３ボンディングパッド領域２３ｃと、第４ボンディングパ
ッド領域２３ｄと、第２接続配線領域２４ｂとを有する。
【００４０】
第３ボンディングパッド領域２３ｃ及び第４ボンディングパッド領域２３ｄは、上記し
た第１ボンディングパッド領域２３ａ及び第２ボンディングパッド領域２３ｂと同様に、
評価対象となる製品（ＩＣチップ）に形成されたボンディングパッドの形状、寸法、及び
配置位置と同様に形成されている。
【００４１】
第２接続配線領域２４ｂは、上記した第１接続配線領域２４ａと同様の機能を有し、二
次実装評価を行うべく、第３ボンディングパッド領域２３ｃと第４ボンディングパッド領
域２３ｄとを、電気的に接続するために用いられる。
【００４２】
以上のように、ダミーチップ１２は、二次実装評価を行うために最小限の要素（チップ
本体２１、パッド電極２２）で構成されており、二次実装評価を行うことが可能となって
いる。
【００４３】
図３は、評価用半導体装置の二次実装評価システムの構成を示す模式図である。図３（
ａ）は、評価用半導体装置の二次実装評価システムの構成を、モールド樹脂を除いた状態
で上方からみた模式平面図である。図３（ｂ）は、評価用半導体装置の二次実装評価シス
テムの構成を示す模式断面図である。以下、評価用半導体装置の二次実装評価システムの
構造を、図３を参照しながら説明する。
【００４４】
図３に示すように、評価用半導体装置１１の二次実装評価システム３１は、上記したよ
うに、製品として用いられる半導体パッケージの二次実装評価を行うために構成されたも
のであり、半導体パッケージの代わりとなる評価用半導体装置１１と、測定器３２とを有
する。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、評価用半導体装置１１は、インターポーザー１５の裏面１５
ｂ側に複数のハンダボール１４が設けられている。ハンダボール１４は、第１ボンディン
グパッド領域２３ａと第１ボンディングワイヤ１３ａを介して電気的に接続された第１ハ
ンダボール１４ａと、第２ボンディングパッド領域２３ｂと第２ボンディングワイヤ１３
ｂを介して電気的に接続された第２ハンダボール１４ｂとを有する。更に、ハンダボール
１４は、第３ボンディングパッド領域２３ｃと第３ボンディングワイヤ１３ｃを介して電
気的に接続された第３ハンダボール１４ｃと、第４ボンディングパッド領域２３ｄと第４
ボンディングワイヤ１３ｄを介して電気的に接続された第４ハンダボール１４ｄとを有す
る。
【００４６】
測定器３２は、上記したように、二次実装評価を行うべく評価用半導体装置１１に電気
を流すために用いられる。更に測定器３２は、電気的に導通している場合（ショート状態
）と、導通していない場合（オープン状態）とを判別することが可能となっている。
測定器３２は、例えば、ハンダボール１４に（＋）の電位を印加するための第１電極３
３と、（−）の電位を印加するための第２電極３４とを有する。
【００４７】
次に、二次実装評価を行う方法を説明する。まず、図３（ｂ）に示すように、第１ボン
ディングパッド領域２３ａと電気的に導通するべく第１ハンダボール１４ａに、第１電極
３３を接続する。更に、第２ボンディングパッド領域２３ｂと電気的に導通するべく第２
ハンダボール１４ｂに、第２電極３４を接続する。
【００４８】
第１ボンディングパッド領域２３ａと第２ボンディングパッド領域２３ｂとが、第１接
続配線領域２４ａを介して繋がっているので（図３（ａ）参照）、第１電極３３及び第２
電極３４によって電圧を印加したときに、ショートの状態（ＯＮ状態）となるはずである
。これにより、第１ボンディングパッド領域２３ａから第１ボンディングワイヤ１３ａを
介して第１ハンダボール１４ａに至るまで、及び、第２ボンディングパッド領域２３ｂか
ら第２ボンディングワイヤ１３ｂを介して第２ハンダボール１４ｂに至るまで、それぞれ
確実に接続されていることが判断できる。
一方、ショートの状態でなくオープンの状態であれば、二次実装が正常に接続されてお
らず、異常な状態であると判断することができる。
【００４９】
次に、第２ボンディングパッド領域２３ｂと電気的に導通するべく第２ハンダボール１
４ｂに、第１電極３３を接続する。更に、第３ボンディングパッド領域２３ｃと電気的に
導通するべく第３ハンダボール１４ｃに、第２電極３４を接続する。
【００５０】
第２ボンディングパッド領域２３ｂと第３ボンディングパッド領域２３ｃとが繋がって
いないことから（図３（ａ）参照）、第１電極３３及び第２電極３４によって電圧を印加
したとき、オープンの状態（ＯＦＦ状態）となるはずである。これにより、第２ボンディ
ングパッド領域２３ｂから第２ボンディングワイヤ１３ｂを介して第２ハンダボール１４
ｂに至るまで、及び、第３ボンディングパッド領域２３ｃから第３ボンディングワイヤ１
３ｃを介して第３ハンダボール１４ｃに至るまで、それぞれ確実に接続されていることが
判断できる。
一方、オープンの状態でなくショートの状態であれば、二次実装が正常に接続されてお
らず、異常な状態であると判断することができる。
【００５１】
図４は、評価用半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下、評価用半導
体装置の製造方法を、図４を参照しながら説明する。
【００５２】
図４に示すように、まず、ステップＳ１１（印刷工程）では、ダミーチップ１２の上面
に複数のパッド電極２２（ボンディングパッド２３、接続配線２４）を形成する。詳述す
ると、パッド電極２２は、例えば、図示しないインクジェット吐出装置を用いて形成する
。インクジェット吐出装置は、ダミーチップ１２上に銅からなるパッド電極２２を形成す
るために、銅材料を吐出することが可能な吐出ヘッドと、吐出ヘッドの位置を移動させる
ヘッド位置駆動部と、インクジェット吐出装置の全体の制御を司るコントロール部（いず
れも図示せず）とを有する。
【００５３】
コントロール部からの命令に従って、ヘッド位置駆動部が、形成すべくパッド電極２２
の形状や位置に吐出ヘッドを移動させることにより、所望の形状のパッド電極２２を所望
の位置（ボンディングワイヤ１３と接続される位置）に形成することが可能となっている
。つまり、パッド電極２２は、コントロール部のプログラムを変更するだけで、それぞれ
の機種のＩＣチップに対応した（配置位置、形状、レイアウト、寸法など）パッド電極２
２を形成することができる。
以上のように、チップ本体２１の上面に、インクジェット法によりパッド電極２２を形
成することにより、ダミーチップ１２が完成する。
【００５４】
ステップＳ１２（二次実装工程）では、ワイヤボンディング形成により、ダミーチップ
１２をインターポーザー１５上に搭載する。詳述すると、チップ本体２１上のパッド電極
２２と、インターポーザー１５上に形成されたリード線１７とを、ボンディングワイヤ１
３によってそれぞれを固着することにより電気的に接続される。このとき、第１ボンディ
ングパッド領域２３ａや第２ボンディングパッド領域２３ｂなどが、製品のＩＣチップと
同様に形成されていることから、通常行っているワイヤボンディング工程で、ボンディン
グワイヤ１３とボンディングパッド２３とを接続させることができる。
以上のように、ボンディングワイヤ１３によってボンディングパッド２３とリード線１
７とを接続することにより、ボンディングパッド２３からハンダボール１４に至るまでが
電気的に接続された状態となる。
【００５５】
ステップＳ１３では、モールド樹脂１６で封止することにより、評価用半導体装置１１
を完成させる。まず、モールド樹脂１６で、インターポーザー１５上のダミーチップ１２
やリード線１７、ボンディングワイヤ１３など全体を封入する。これにより、ボンディン
グパッド２３、ボンディングワイヤ１３、リード線１７などを、機械的な外力及び水分や
埃などから防ぐことが可能となる。
【００５６】
以上のように、通常の半導体プロセス工程を用いることなく、ダミーチップ１２上にイ
ンクジェット法によってパッド電極２２を形成することにより、例えば、従来のようにパ
ッド電極２２を形成するべく専用のマスクなどを用いることなく形成することが可能とな
り、これにより、早期にダミーチップ１２を形成することができる。その結果、二次実装
評価を行うまでの日数を半減させることができる。
詳しくは、従来のダミーチップ１２を製造するのに、例えば、設計に２日、マスク製造
に５日、プロセスに３日、その他（二次実装から封止まで）の作り込みに５日、のトータ
ル１５日を要していた。これを、例えば、設計に２日、ダミーチップ１２の作り込みに１
日、その他（二次実装から封止まで）の作りこみに５日、のトータル８日で、ダミーチッ
プ１２を完成させることができる。
【００５７】
以上詳述したように、本実施形態の評価用半導体装置、及び評価用半導体装置の製造方
法によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、製品となる半導体装置（半導体パッケージ）の二次実装評
価をするべく、製品としての機能を必要としないダミーチップ１２のボンディングパッド
２３を、印刷技術の一つであるインクジェット法によって形成することにより、従来の製
造方法である半導体プロセスと比べ、マスクなどを用いずに形成することが可能となり、
より簡略化した製造方法で行うことができる。これにより、従来の半導体プロセス工程と
比較して、早くダミーチップ１２を製造することが可能となり、製品の二次実装評価を早
く行うことができる。また、製品を製造する前の製品開発段階で、二次実装評価を行うこ
とができる。
【００５８】
（２）本実施形態によれば、パッド電極２２を製造するのに、従来の半導体プロセスに
使用するマスクなどの設計を行うことなく、インクジェット吐出装置にパッド電極２２の
寸法や位置の情報などを入力するだけで、ダミーチップ１２を製造することが可能となる
。よって、ダミーチップ１２を製造するのにかかる工数を抑えることができる。
【００５９】
（３）本実施形態によれば、ダミーチップ１２のパッド電極２２を製造するのに、従来
の半導体プロセスに用いる複数枚（例えば、ボンディングパッド形成用、最上層の開口孔
形成用、コンタクトホール形成用の３枚）の高価なマスクを製造せずに、更に半導体プロ
セスを行うことなくインクジェット吐出装置で形成するので、かかるコストを抑えること
ができる。
【００６０】
（４）本実施形態によれば、パッド電極２２をインクジェット法を用いて形成するので
、インクジェット吐出装置にボンディングパッド２３の位置や大きさなどのデータを入力
するだけで自由に変更することが可能となり（例えば、マスクは決まったサイズにしか対
応できない）、即座に任意の位置や形状、サイズに対応したボンディングパッド２３を形
成することができる。
【００６１】
（５）本実施形態によれば、ダミーチップ１２に、例えばトランジスタ回路を形成する
必要がないことから、製品の大きさに合わせたシリコン材料を用いることができる。これ
により、半導体プロセスのように、複数の層を形成することなく、ダミーチップ１２を製
造することができる。よって、かかる時間やコストを抑えることができる。
【００６２】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６３】
（変形例１）インクジェット法によって、ダミーチップ１２のボンディングパッド２３
を形成するとき、機種別のボンディングパッドデータが蓄積された、例えば、ライブラリ
を活用することが望ましい。ボンディングパッドデータとは、例えば、ボンディングパッ
ドを形成するべく位置やサイズ、形状などの情報である。これによれば、機種毎にデータ
化されているので、評価したい機種がわかれば、即座にインクジェット吐出装置にデータ
を入力し、機種に合ったパッド電極を形成することができる。その結果、早期に二次実装
評価を行うことができる。
【００６４】
（変形例２）上記したように、パッド電極２２を形成するのに、インクジェット吐出装
置を用いて、銅材料を吐出することにより形成していることに限定されず、写真を印刷で
きるような印刷技術であればよく、例えば、銅材料を塗布法などによって形成するように
してもよい。また、例えば、凸版式印刷法、平版式印刷法、凹版式印刷法、孔版式印刷法
で形成するようにしてもよい。
【００６５】
（変形例３）上記したように、パッド電極２２（ボンディングパッド２３、接続配線２
４含む）を、銅で形成することに限定されず、例えば、導電性のいい金属材料であればよ
い。
【００６６】
（変形例４）上記したように、チップ本体２１をシリコン材料で形成していることに限
定されず、最終製品と同様の外形を得られるものであればよい。詳しくは、チップ本体２
１にボンディングパッド２３及び接続配線２４を形成することができる絶縁性の材質であ
ればよく、例えば、インターポーザーを用いるようにしてもよい。このとき、チップ本体
２１の上面に、絶縁フィルムを貼ったり、ポリイミドを形成したりすることが望ましい。
これによれば、ダミーチップを作ることができるとともに、ダミーチップとモールド樹脂
とが接する部分の接合強度を、実際のＩＣチップと同じ状態にして、二次実装評価をする
ことができる。
【００６７】
（変形例５）上記したように、モールド樹脂１６によって封止まで行った状態の評価用
半導体装置１１で二次実装評価することに代えて、例えば、モールド樹脂１６を形成する
前のマザー基板にダミーチップが実装された状態で、二次実装評価（オープン状態／ショ
ート状態）をするようにしてもよい。これによれば、実際の製品の状態と異なるものの、
ボンディングパッド２３からハンダボール１４に至るまでの二次実装評価を確認すること
ができる。
【００６８】
（変形例６）上記したように、１つの機種のダミーチップ１２を製造することに代えて
、複数の機種に対応できるように、大きなチップ（マザーボード）に複数のパッド電極２
２を形成しておき、評価を行う都度、評価対象となる機種のサイズに合わせてマザーボー
ドを切断（ダイシング）することで、所望のサイズのダミーチップを完成させるようにし
てもよい。
【００６９】
（変形例７）上記したように、評価用半導体装置１１として、ＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）と呼ばれるタイプの半導体パッケージを説明したが、これに限定されず、バンプ電極
を用いてダミーチップ１２とハンダボール１４とを電気的に接続する、ＦＣＢＧＡ（Flip
Chip Ball Grid Array）などの半導体パッケージに適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】一実施形態における、評価用半導体装置の構成を示す模式図。（ａ）は、評価用半導体装置を上方からみた模式平面図。（ｂ）は、評価用半導体装置の構造を示す模式断面図。
【図２】ダミーチップの構造を示す模式図。（ａ）は、ダミーチップを上方からみた模式平面図。（ｂ）は、ダミーチップを側方からみた模式側面図。（ｃ）は、（ａ）のダミーチップの一部を拡大して示す模式拡大図。
【図３】評価用半導体装置の二次実装評価システムの構成を示す模式図。（ａ）は、評価用半導体装置の二次実装評価システムの構成を上方からみた模式平面図。（ｂ）は、評価用半導体装置の二次実装評価システムの構成を示す模式断面図。
【図４】評価用半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００７１】
１１…評価用半導体装置、１２…ダミーチップ、１２ａ…表面、１３…接続部品である
ボンディングワイヤ、１３ａ…第１ボンディングワイヤ、１３ｂ…第２ボンディングワイ
ヤ、１３ｃ…第３ボンディングワイヤ、１３ｄ…第４ボンディングワイヤ、１４…外部端
子であるハンダボール、１４ａ…第１ハンダボール、１４ｂ…第２ハンダボール、１４ｃ
…第３ハンダボール、１４ｄ…第４ハンダボール、１５…基板であるインターポーザー、
１５ａ…表面、１５ｂ…裏面、１６…モールド樹脂、１７…リード線、１７ａ…リード線
形成領域、１８…コンタクト電極、１８ａ…スルーホール、１９…ランド、２１…チップ
本体、２２…電極であるパッド電極、２２ａ…パッド電極の一つである第１パッド電極、
２２ｂ…パッド電極の一つである第２パッド電極、２３…導体部であるボンディングパッ
ド、２３ａ…第１パッド電極を構成する第１ボンディングパッド領域、２３ｂ…第１パッ
ド電極を構成する第２ボンディングパッド領域、２３ｃ…第２パッド電極を構成する第３
ボンディングパッド領域、２３ｄ…第２パッド電極を構成する第４ボンディングパッド領
域、２４…電極を構成する接続配線、２４ａ…第１パッド電極を構成する第１接続配線領
域、２４ｂ…第２パッド電極を構成する第２接続配線領域、３１…二次実装評価システム
、３２…測定器、３３…第１電極、３４…第２電極。
【図１】
2007121059.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2007121059.tif 000006