(57)【要約】【課題】基板と半導体素子との接続信頼性の向上とともに、アンテナの微細化による配線密度の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置１は、第一アンテナ回路３を絶縁化された一面に配してなる半導体基板２と、該半導体基板２に載置され、前記第一アンテナ回路３と電気的に接続された半導体素子４とを少なくとも備えることを特徴とする。【選択図】図１
2007180762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一アンテナ回路を絶縁化された一面に配してなる半導体基板と、
該半導体基板に載置され、前記第一アンテナ回路と電気的に接続された半導体素子と、
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、凹部を備え、該凹部内に前記半導体素子が配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板は、絶縁化された他面に第二アンテナ回路をさらに備え、
前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、個別のアンテナ回路を構成していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、一つのアンテナ回路を構成していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子と通信用アンテナとを備えた半導体装置に係り、詳しくは、無線通信システムに使用されるＲＦＩＤ（RADIO Frequency Identification）タグ等の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信システムは、ロジスティクスや製品情報管理等、様々なシステムに使用されている。これらの無線通信システムの１つに、たとえばＲＦＩＤタグとリーダライタから構成されるものがある。このＲＦＩＤタグに対しては現在、小型化と通信距離の増大に対する需要が高まっている。
そのため、従来、ＲＦＩＤタグの通信距離の増大には、プリント基板など外付け基板に形成されたアンテナを用いることが一般的であり、ＩＣチップに搭載するオンチップアンテナに、外部アンテナを接続するバンプを付設するようにしたＩＣチップが提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３参照）。
【０００３】
しかしながら、このような外付けのアンテナを用いたＩＣチップは、次に示すような問題があった。
（１）アンテナ自身のサイズが大きくなることによりタグのサイズが大きくなる。
（２）外付け基板とＩＣチップとの熱膨張係数などが異なるため、タグとＩＣチップとの接続性に不安がある。
（３）アンテナが非半導体プロセスにより形成されるため微細化に限界がある。
【０００４】
また、ＲＦＩＤタグの小型化の要求に対しては、無線通信用ＩＣチップ上へのアンテナ集積も行われているが、このような手段では、ＩＣチップ上にアンテナを搭載するため、半導体プロセスの進展に伴うチップサイズの減少から、アンテナのサイズが小さく、満足な通信距離が得られていない。
【０００５】
さらに、このＩＣチップ上へのアンテナ集積に対しては、ＩＣチップを大型化するという解決手段もあるが、ＲＦＩＤタグにおいてＩＣ部分は、通常最新の半導体プロセスによるものを使用するためコストが高く、アンテナを載せるためだけにＩＣチップを大型化することはコスト的にできないのが現状である。
【特許文献１】特開２００５−０８５１８５号公報
【特許文献２】特開２００５−１６５７６９号公報
【特許文献３】特開２００５−１７３７９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板と半導体素子との接続信頼性の向上とともに、アンテナの微細化による配線密度の向上を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、第一アンテナ回路を絶縁化された一面に配してなる半導体基板と、該半導体基板に載置され、前記第一アンテナ回路と電気的に接続された半導体素子と、を少なくとも備えることを特徴とする。
本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、前記半導体基板は、凹部を備え、該凹部内に前記半導体素子が配されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項１又は２において、前記半導体基板は、絶縁化された他面に第二アンテナ回路をさらに備え、前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の請求項４に係る半導体装置は、請求項３において、前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、個別のアンテナ回路を構成していることを特徴とする。
本発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項３において、前記第一アンテナ回路と前記第二アンテナ回路は、一つのアンテナ回路を構成していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板の絶縁化された一面にアンテナ回路を配し、さらに、該半導体基板上に半導体素子を載置して、該半導体素子と前記アンテナ回路とを電気的に接続している。ゆえに、ＲＦＩＤ等の半導体装置において、アンテナ回路が配された半導体基板と、この半導体基板上に配される半導体素子と同じ部材からなるので、熱応力の影響を受けにくい。したがって、半導体基板と半導体素子の接続部における機械的な接続信頼性の向上とともに、電気的な接続信頼性の向上も図れる半導体装置を提供することができる。
また、本発明に係る半導体装置は、半導体基板を用いることによって半導体プロセスを利用してアンテナ回路を設ける構成としたことにより、アンテナ回路の微細化が容易に図れるので、高い配線密度のアンテナを基板上に備えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に一つのアンテナ回路が配された構造と、半導体基板上に二つ以上複数のアンテナ回路が配された構造とに大きく分けることができる。
まず、半導体基板上に一つのアンテナ回路が配された構造としては、図１乃至図４に示すことができる。
【００１０】
図１は、半導体装置の第一の構造を示す平面図である。なお、後述する実施形態においては、本実施形態と同様の構成部分については同じ符合を用い、その説明は省略することとし、特に説明しない限り同じであるものとする。
本実施形態における半導体装置１は、第一アンテナ回路３を配してなる半導体基板２と、該半導体基板２に載置され、前記第一アンテナ回路３と電気的に接続された半導体素子４と、を少なくとも備える。
【００１１】
半導体基板２は、絶縁化された一面を有し、大きさに特に制限は無い。したがって、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであっても良い。また、半導体基板２は、たとえば渦電流損失を抑えるために高抵抗基板といった、適した特性の基板を使用することもできる。
また、半導体基板２の一面の絶縁化は、たとえばシリコン基板の表面上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法又は熱酸化法によって酸化シリコン膜２を成膜することでなされる。
【００１２】
第一アンテナ回路３は、前記半導体基板２の絶縁化された一方の面側に形成された配線層であり、その一端３ａが、半導体素子４の第一接続パッド４ａに接続され、他端３ｂが、半導体素子４の第二接続パッド４ｂに接続されることによって、前記半導体素子４と電気的に接続されている。この第一アンテナ回路３の材料としては、たとえば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属配線が用いられ、これにより充分な導電性が得られる。また、第一アンテナ回路３は、たとえば電解銅メッキ法等のメッキ法などにより形成することができる。図示例では、第一アンテナ回路３は、半導体基板２の中央付近に配された一端３ａから外側へ向かって当該基板の一面に沿って渦巻状に卷回し、外周側の他端３ｂが前記渦巻状卷回部分を横切って内側へ戻る形状に形成されている。
【００１３】
また、第一アンテナ回路３の上には、必要に応じて封止樹脂層を設けることができる。この封止樹脂層としては、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００１４】
半導体素子４は、メモリやＣＰＵ及び外部からの入力に応答して信号を発生する機能を有するいわゆるＩＣチップであり、外部機器と非接触での通信により応答し、メモリ内の特定情報を変調して前記第一アンテナ回路３から出力するように構成されている。
また、半導体素子４の下面には、二つの接続パッド４ａ，４ｂがそれぞれ形成され、たとえば導電性樹脂（導電性ペースト）を介して、第一アンテナ回路３の一端３ａと半導体素子４の第一接続パッド４ａ、及び第一アンテナ回路３の他端３ｂと半導体素子４の第二接続パッド４ｂとが、それぞれ接続される。なお、第一アンテナ回路３を形成した半導体基板２と半導体素子４との接続は、上述のように導電性樹脂を用いた平面的なフリップチップ実装に限らず、突起状の接続バンプを用いたフリップチップ法でも良い。
【００１５】
以上のように構成された半導体装置１は、半導体プロセスを利用して、たとえばシリコン基板等の半導体基板２上に、微細化し、配線密度が向上した第一アンテナ回路３を形成することで、アンテナサイズを大型化して通信距離を伸ばすことができる。また、該半導体基板２上に、別プロセスで作製した半導体素子であるＩＣチップ４を載置（搭載）することで、熱応力の影響を受けにくく信頼性が向上し、高機能化されたものとすることができる。
【００１６】
さらに、本発明では、前記第一アンテナ回路３を多層構造に形成しても良い。これにより、アンテナ回路のターン数を多くすることができ、モジュールサイズを大きくすること無く、異なる特性を有する目的に応じたアンテナ回路を形成することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の第二の構造は、図２及び図３に示すとおり、半導体基板に凹部を形成し、該凹部内に半導体素子を配するようにしたものである。
図２は、本発明の半導体装置の第二の構造を示す平面図であり、図３は、図２に示す半導体装置のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
本実施形態における半導体装置１１は、第一アンテナ回路３を配してなる半導体基板２と、該半導体基板２に載置され、前記第一アンテナ回路３と電気的に接続された半導体素子４と、を少なくとも備え、前記半導体基板２は、凹部５を備え、該凹部５内に前記半導体素子４が配されている。
【００１８】
半導体基板２は、たとえば厚みが１００〜６２５μｍあり、凹部５は、たとえばＫＯＨ等のアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングにより形成される。この凹部５の深さは、半導体素子４の実装方法次第であるが、たとえば半導体素子４が隠れる程度に形成すれば良い。
また、半導体素子４の下面には、上記第一の構造の場合と同様に、二つの接続パッド４ａ，４ｂがそれぞれ形成されており、第一アンテナ回路３の一端３ａと半導体素子４の第一接続パッド４ａ、及び同他端３ｂと同第二接続パッド４ｂとが、それぞれ接続される。したがって、第一アンテナ回路３を形成した半導体基板２と半導体素子４との接続は、たとえば導電性樹脂（導電性ペースト）を用いた平面的なフリップチップ実装や、突起状の接続バンプを用いたフリップチップ実装により行うことができる。
【００１９】
以上のように構成された半導体装置１１は、半導体素子４の実装高さを低減することが可能となり、半導体装置１１表面の高さを揃え、薄型化されたものとすることができる。
また、凹部５の段差部分により、半導体素子４の半導体基板２への接続部分が外からの応力を直接受けないように避けることができ、応力の伝播を緩和することができる。
しかも、凹部５を形成することで半導体基板２の凹部５部分の厚さが薄くなり、たとえば第一アンテナ回路３が前記凹部５の周囲を渦巻状に卷回する形状である場合、該第一アンテナ回路３から発生する磁束が半導体基板２を通過することで低減してしまうことを抑制し、高性能化したものとすることができる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の第三の構造は、第一アンテナ回路が、上記図示例した実施形態のように、半導体基板の中央域を取り囲むように渦巻状に卷回する形状に配されている場合、図４に示すとおり、半導体素子を、前記半導体基板の周縁部寄りに配するようにしたものである。
図４は、本発明の半導体装置の第三の構造を示す平面図である。
本実施形態における半導体装置２１は、第一アンテナ回路３を配してなる半導体基板２と、該半導体基板２に載置され、前記第一アンテナ回路３と電気的に接続された半導体素子１４と、を少なくとも備え、前記半導体素子１４が、当該基板の一面に沿って渦巻状に卷回する形状の第一アンテナ回路３中央部から離れ、前記半導体基板２の周縁部寄りに配されている。
【００２１】
この場合、第一アンテナ回路３は、直接ボンディングワイヤ１６ａ，１６ｂによって前記半導体素子１４と電気的に接続されている。
すなわち、第一アンテナ回路３は、その一端３ａが第一接続パッド１３ａに接続され、一方、他端３ｂが第二接続パッド１３ｂに接続されている。また、半導体素子１４は、その上面に二つの接続パッド１４ａ，１４ｂがそれぞれ形成されている。そして、前記第一接続パッド１３ａは、第一ボンディングワイヤ１６ａによって、半導体素子１４の第一接続パッド１４ａに接続され、また、前記第二接続パッド１３ｂは、第二ボンディングワイヤ１６ｂによって、半導体素子１４の第二接続パッド１４ｂに接続されている。これにより、第一アンテナ回路３は、半導体素子１４と電気的に接続されるものとなっている。
【００２２】
以上のように構成された半導体装置２１は、第一アンテナ回路３により誘導される磁束を阻害させない位置に半導体素子１４を配するものなり、基板との相互作用を減少させ、該第一アンテナ回路３から発生する磁束が低減してしまうことを抑制し、高性能化したものとすることができる。
【００２３】
また、図示しないが、第一アンテナ回路が、半導体基板の中央域を取り囲むように渦巻状に卷回する形状に配されている場合、上記第二の構造の半導体装置の特徴である半導体基板の中央域への凹部の形成と、上記第三の構造の半導体装置の特徴である半導体基板の周縁部寄りへの半導体素子の配置とを併せて実施することにより、より一層第一アンテナ回路３から発生する磁束が低減してしまうことを抑制し、高性能化したものとすることが期待できる。
【００２４】
次に、半導体基板上に一つのアンテナ回路が配された構造の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
図５は、本発明による第三の構造の半導体装置を製造する工程の一例を順次説明する平面図である。
まず、半導体基板２として、たとえばＳｉＯ２  やＳｉＮ等によって絶縁化された一面を有するシリコン基板（以下、符号２で示す）を用意する［図５（ａ）参照］。このシリコン基板２の比抵抗は、たとえば１ｋΩｃｍである。
【００２５】
次いで、シリコン基板２の上に、第一アンテナ回路３を形成し、同時に、その一端に半導体素子１４との入出力に使用する第一接続パッド１３ａを接続すると共に、他端に同第二接続パッド１３ｂを接続する［図５（ｂ）参照］。この際、シリコン基板２上に、あらかじめ半導体素子１４が実装可能な凹部を形成するようにしても良い。また、アンテナパターンは、指向性、通信可能距離等によって変化するが、ここでは、基板に沿って渦巻状に卷回されたパターンのアンテナ回路を形成する。
アンテナ配線の材質は、たとえば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、その形成方法は、フォトリソグラフィー法と、メッキ法やスパッタリング法との組み合わせである。また、アンテナ配線は、単層にとどまらず、二層以上の配線としても良い。
【００２６】
次に、アンテナパターンの形成後、絶縁層を形成する。絶縁層の材質は、たとえばＳｉＯ２  やＳｉＮ等であり、絶縁層形成後、前記第一接続パッド１３ａ及び前記第二続パッド１３ｂに相当する部分の絶縁層を除去する［図５（ｃ）参照］。
その後、あらかじめ作製した半導体素子１４を、シリコン基板２の所定の位置に載置する［図５（ｄ）参照］。
そして、第一アンテナ回路３の第一接続パッド１３ａと半導体素子１４の第一接続パッド１４ａ、及び第一アンテナ回路３の第二接続パッド１３ｂと半導体素子１４の第二接続パッド１４ｂとを、たとえばワイヤーボンド法によりそれぞれ接続することで、図４に示す半導体装置２１とすることができる。
【００２７】
また、半導体基板上に二つ以上複数のアンテナ回路が配された構造としては、図６乃至図１１に示すことができる。
本発明の半導体装置の第四の構造は、図６乃至図８に示すとおり、アンテナ回路が貫通電極を介して半導体基板の裏側にも配されるものである。
図６は、本発明の半導体装置の第四の構造を示す一方の面の平面図であり、図７は、その他方の面の平面図であり、図８は、図６及び図７に示す半導体装置のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
本実施形態における半導体装置３１は、絶縁化された一面に配された第一アンテナ回路２３と、絶縁化された他面に配された第二アンテナ回路２５と、半導体素子３４とを半導体基板２上に備えている。
【００２８】
第一アンテナ回路２３は、前記半導体基板２の一方の面側に形成された配線層である。この第一アンテナ回路２３の材料としては、たとえばＣｕが用いられ、これにより充分な導電性が得られる。この第一アンテナ回路２３はＡｕ等によって形成しても良い。また、第一アンテナ回路２３は、たとえば電解銅メッキ法等のメッキ法などにより形成することができる。図示例では、第一アンテナ回路２３は、半導体基板２の下方の縁部側から上方の縁部側に向かって当該基板の一面に沿って蛇行するミアンダ型に形成されている。
また、第一アンテナ回路２３は、直接ボンディングワイヤ３６ａ，３６ｂによって前記半導体素子３４と電気的に接続され、第二アンテナ回路２５は、貫通電極３０ａ，３０ｂを介してボンディングワイヤ３６ｃ，３６ｄによって前記半導体素子３４と電気的に接続されている。
【００２９】
すなわち、半導体基板２の一方の面に配された第一アンテナ回路２３は、その一端２３ａが第一接続パッド３３ａに接続され、一方、他端２３ｂが第二接続パッド３３ｂに接続されている。そして、前記第一接続パッド３３ａは、第一ボンディングワイヤ３６ａによって、半導体素子３４の第一接続パッド３４ａに接続され、また、前記第二接続パッド３３ｂは、第二ボンディングワイヤ３６ｂによって、半導体素子３４の第二接続パッド３４ｂに接続されている。これにより、第一アンテナ回路２３は、半導体素子３４と電気的に接続されるものとなっている。
【００３０】
一方、半導体基板２の他方の面に配された第二アンテナ回路２５は、前記半導体基板２の他方の面側に形成された配線層である。この第二アンテナ回路２５の材料もまた、前記第一アンテナ回路２３と同様、たとえばＣｕやＡｕ等が用いられ、これにより充分な導電性が得られる。また、第一アンテナ回路２５は、たとえば電解銅メッキ法等のメッキ法などにより形成することができる。図示例では、第二アンテナ回路２５は、半導体基板２の一方の縁部側から他方の縁部側に向かって当該基板の一面に沿って蛇行するミアンダ型に形成されている。
【００３１】
また、第二アンテナ回路２５は、その一端２５ａが第一接続パッド３５ａに接続され、一方、他端２５ｂが第二接続パッド３５ｂに接続されている。この第一接続パッド３５ａは、第一貫通電極３０ａを介して当該半導体基板２の一方の面に形成された第三接続パッド３３ｃに接続され、第二接続パッド３５ｂは、第二貫通電極３０ｂを介して当該半導体基板２の一方の面に形成された第四接続パッド３３ｄに接続されている。そして、前記第三接続パッド３３ｃは、第三ボンディングワイヤ３６ｃによって、半導体素子３４の第三接続パッド３４ｃに接続され、また、前記第四接続パッド３３ｄは、第四ボンディングワイヤ３６ｄによって、半導体素子３４の第四接続パッド３４ｄに接続されている。これにより、第二アンテナ回路２５は、半導体素子３４と電気的に接続されるものとなっている。
【００３２】
したがって、半導体装置３１は、半導体素子３４の載置面だけではなく、その裏側面にも独立した別のアンテナ回路が形成された、第一アンテナ回路２３と第二アンテナ回路２５との二つの個別のアンテナ回路を有するものである。
そして、第一アンテナ回路２３及び第二アンテナ回路２５の上には、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなる封止樹脂層を、それぞれ設けることができる。
【００３３】
第一貫通電極３０ａ及び第二貫通電極３０ｂは、前記半導体基板２の一方の面から他方の面へ電気的に導通するように形成された配線層である。この第一貫通電極３０ａ及び第二貫通電極３０ｂは何れも、たとえば半導体基板２の一方の面から他方の面へ連通する中空の貫通孔を形成し、該貫通孔内に導電性材料を充填することにより形成される。なお、前記導電性材料は、必要に応じて絶縁部を介して貫通孔内に充填される。
【００３４】
以上のように構成された半導体装置３１は、貫通電極３０ａ，３０ｂを通して基板の裏側に、第一アンテナ回路２３とは個別の独立した構成の第二アンテナ回路２５を形成することができる。ゆえに、第一アンテナ回路２３と第二アンテナ回路２５とが同じ特性を有する構成とした場合には、表裏いずれかの面側が応答不能な状況にあっても、もう一方の面側のアンテナ回路の機能が確保されるものとなる。また、第一アンテナ回路２３と第二アンテナ回路２５とが異なる周波数に応答可能な構成とした場合には、異なる周波数に対して同時に対応可能とすることができる。
したがって、アンテナ特性を個々に設定した高機能化に寄与する半導体装置を提供することができる。しかも、アンテナ回路の設置面積を大きくすること無く、アンテナサイズを大型化することができ、小型化を図った半導体装置を提供することができる。したがって、コストの低減を図ることができる。
【００３５】
また、本発明では、前記第一アンテナ回路２３及び／又は前記第二アンテナ回路２５を多層構造に形成しても良い。これにより、アンテナ回路のターン数を多くすることができ、モジュールサイズを大きくすること無く、異なる特性を有する目的に応じたアンテナ回路を形成することもできる。
したがって、一つの半導体基板上に、個別にアンテナ特性を設定した複数のアンテナを組み合わせて搭載することができるので、高機能化した半導体装置とすることができる。
【００３６】
さらに、本発明の半導体装置の第五の構造は、図９乃至図１１に示すとおり、アンテナ回路が貫通電極を介して半導体基板の裏側にも配され、一つのアンテナ回路を構成するものである。
図９は、本発明の半導体装置の第五の構造を示す一方の面の平面図であり、図１０は、その他方の面の平面図であり、図１１は、図９及び図１０に示す半導体装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
本実施形態における半導体装置４１は、絶縁化された一面に配された第一アンテナ回路４３と、絶縁化された他面に配された第二アンテナ回路４５と、半導体素子４４とを半導体基板２上に備えている。
【００３７】
第一アンテナ回路４３は、その一端４３ａが第一接続パッド５３ａに接続され、他端４３ｂが第一貫通電極４０ａに接続されている。そして、この第一接続パッド５３ａは、第一ボンディングワイヤ４６ａによって、半導体素子４４の第一接続パッド４４ａに接続されている。
一方、第二アンテナ回路４５は、その一端４５ａが第一貫通電極４０ａに接続され、他端４５ｂが第一接続パッド５５に接続されている。また、前記第一接続パッド５５は、第二貫通電極４０ｂによって、前記第一アンテナ回路４３の形成面に配された第二接続パッド５３ｂに接続されている。そして、この第二接続パッド５３ｂは、第二ボンディングワイヤ４６ｂによって、半導体素子４４の第二接続パッド４４ｂに接続されている。
【００３８】
したがって、半導体装置４１は、半導体素子４４の載置面だけではなく、その裏側面にまで連続して直列接続された、前記第一アンテナ回路４３と前記第二アンテナ回路４５とから構成される一つのアンテナ回路を有するものである。これにより、第一アンテナ回路４３と第二アンテナ回路４５とは、第一貫通電極４０ａによって半導体素子４４と電気的に接続されるものとなっている。
そして、第一アンテナ回路４３及び第二アンテナ回路４５の上には、たとえばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなる封止樹脂層を、それぞれ設けることができる。
【００３９】
以上のように構成された半導体装置４１は、貫通電極３０ａ，３０ｂを通して基板の裏側に、第一アンテナ回路４３に直列接続してなる第二アンテナ回路４５を形成することができるので、アンテナ回路の設置面積を大きくすること無く、アンテナサイズを大型化することができ、小型化を図った半導体装置を提供することができる。したがって、コストの低減を図ることができる。しかも、基板の大きさを変えることなくアンテナの配線長を調整することができるので、色々な周波数に対応させた半導体装置の提供が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、無線通信システムに使用されるＲＦＩＤタグなどの各種半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の半導体装置の第一の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第二の構造を示す平面図である。
【図３】図２に示す半導体装置のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第三の構造を示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体装置を製造する一例を順次説明する平面図である。
【図６】本発明の半導体装置の第四の構造を示す一方の面の平面図である。
【図７】本発明の半導体装置の第四の構造を示す他方の面の平面図である。
【図８】図６及び図７に示す半導体装置のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の第五の構造を示す一方の面の平面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の第五の構造を示す他方の面の平面図である。
【図１１】図９及び図１０に示す半導体装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１、１１、２１、３１、４１  半導体装置、２  半導体基板、３、２３、４３  第一アンテナ回路、４、１４、３４、４４  半導体素子（ＩＣチップ）、４ａ、４ｂ  接続パッド、５  凹部、１２  絶縁層、１６ａ、１６ｂ  接続手段（ボンディングワイヤ）、２５、４５  第二アンテナ回路、３０ａ、３０ｂ、４０ａ、４０ｂ  貫通電極。
【図１】
2007180762.tif 000003
【図２】
2007180762.tif 000004
【図３】
2007180762.tif 000005
【図４】
2007180762.tif 000006
【図５】
2007180762.tif 000007
【図６】
2007180762.tif 000008
【図７】
2007180762.tif 000009
【図８】
2007180762.tif 000010
【図９】
2007180762.tif 000011
【図１０】
2007180762.tif 000012
【図１１】
2007180762.tif 000013