(57)【要約】【課題】  テスト時間を効率的に短縮できる半導体装置の試験方法を提供する。【解決手段】  テストチップを取り囲む位置にあるウェハ上の参照領域内にあるテスト済みチップを選択する工程（ステップＳ１３）、選択されたテスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多いテスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程（ステップＳ１４）、及び、テストチップのテストは並べ替えられたテスト項目順に実施される工程（ステップＳ１５）を有する。【選択図】  図４
2007208046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストチップを取り囲む位置にあるウェハ上の参照領域内にあるテスト済みチップを選択する工程と、
選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、
前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項２】
前記参照領域は、前記テストチップを中心に置いて、前記テストチップの辺または角に接しているチップを少なくとも含むチップであって、テスト済みのチップからなる領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項３】
複数のショットに分けて形成されたパターンを有するウェハを用意する工程と、
テストチップと前記ショット内の同価の位置にある前記ウェハ上のテスト済みチップを選択する工程と、
選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、
前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項４】
前記同価の位置にあるテスト済みチップは、前記テストチップを中に有する前記ショットに相当する大きさの繰り返し単位の辺または角に接している前記繰り返し単位の中の同価の位置にあるテスト済みチップを含んでいることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項５】
前記ウェハのテストを行う前に得られた別ウェハのデータを基に、前記ショットに相当する繰り返し単位が存在すると判定する工程を、更に有することを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ上で行う半導体装置（形態的な側面からチップと称す）の良否判定のテストは、半導体装置の多機能化によりテスト項目数が増加する傾向にある。特にアナログ系の半導体装置においては、類似した内容のテストでも入力レベルを変化させたテストを行う必要があるため、テスト項目数は数百乃至それ以上に達する場合がある。
【０００３】
ウェハテストは、チップ毎に、ウェハ上の決められた位置から開始され、ウェハ上の配列の順番にテストが行われることが多い。それぞれのチップにおいて、第１のテスト項目から、例えば、数百番目のテスト項目まで設定された順番で行われる。テスト項目に不良が発見された時点で、不良品と判定される。良否判定においては、それ以上の測定は不要なので、プローバ及びテスタは次にテストすべきチップに移動する。次のチップにおいて、また、第１のテスト項目から設定された順番にテストを行うことを繰り返す。このため、アナログ系の半導体装置等におけるテスト項目数の増加は、ウェハテスト時間の増加に繋がり、ウェハテストのスループットを悪化させる。
【０００４】
そこで、良否判定のテストにおいて、最初のチップＮｏ．１〜１０は、いずれもテストプログラムに記述されたテスト項目の順にテストが行われ、次のチップＮｏ．１１〜２０は、チップＮｏ．１〜１０のテスト結果に基づいて、不良数が多いテスト項目の順に並べ替えられてテストが行われ、以降同様にして１０チップ毎にテスト項目の並べ替えが行われ、常に直前の１０チップ分のテスト結果において不良数が多かったものから順に次のテストが行われる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
開示された試験方法は、測定時間が近い１０チップに発生した不良テスト項目の頻度の順が、テストチップの測定に反映されるために、たまたま、直前の１０チップの分布に同じ不良原因の分布が重なった場合、テストチップのテスト時、不良テスト項目に達する時間、すなわち、テスト時間の短縮が可能となる。しかしながら、ウェハという平面的な広がりの中にチップは形成されるので、参照される直前の１０チップの分布と不良原因の分布とが異なる場合が少なくなく、テスト時間の短縮が期待するほど大きくならないという問題がある。
【特許文献１】特開平９−１８１１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、テスト時間を効率的に短縮できる半導体装置の試験方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置の試験方法は、テストチップを取り囲む位置にあるウェハ上の参照領域内にあるテスト済みチップを選択する工程と、選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の態様の半導体装置の試験方法は、複数のショットに分けて形成されたパターンを有するウェハを用意する工程と、テストチップと前記ショット内の同価の位置にある前記ウェハ上のテスト済みチップを選択する工程と、選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、テスト時間を効率的に短縮できる半導体装置の試験方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００１１】
まず、ウェハテスト工程を実行するとき、図１に示すように、ウェハ１上に２次元的に配置されたチップ５をそれぞれ区別するために、チップ５位置を示す座標が与えられる。例えば、縦軸の行方向に、実質的なウェハ端部を始点として「１」を与え、以下、長方形のチップの辺に平行な縦方向ピッチ毎に１つずつ増加する番号とする。同様に、長方形のチップの辺に平行な横軸の列方向に、実質的なウェハ端部を始点として「１」を与え、以下チップの横方向ピッチ毎に１つずつ増加する番号とする。引き出し線（波線）の先端で示されたチップ５は、行番号「４」、列番号「７」となり、例えば、（４，７）と座標表示することができる。
【００１２】
ウェハは、通常、円形をなしているので、行と列で表示された矩形の４つの角部、例えば、（１，１）、（１，１６）、（１６，１）、（１６，１６）等には、チップは存在せず、また、ウェハの周辺部に存在するチップは中心部にあるチップと比較して製造条件の違いが大きい、あるいは、完全なチップ形状を確保できない等の理由で、ウェハテスト工程では除外される。つまり、図１に示す円は、実際のウェハ１の外周より内側にあり、この円内にテストに値するチップ５が、例えば、１６４個分布している。
【００１３】
次に、ウェハテスト工程は、図２に模式的に示される試験装置１００によって実施される。図２に示すように、半導体装置の試験装置１００は、テスタ１０１とプローバ１０２がテスタサーバ１０４に接続され、テスタ１０１とテスタサーバ１０４が設定部１０６に接続されている。プローバ１０２の所定位置にウェハが載置され、移動機構でテストチップの位置を出し、テストチップの電極にプローブを接触させる。この接触した状態でテスタから電力供給及び試験信号供給が行われてウェハテストが実施される。通常、テスト項目は多く、チップの良否判定においては、テスト項目で不良が見つかった時点で、テストチップは不良チップと判定されて、次の、例えば、隣接したテストチップのテストに移行する。
【００１４】
ウェハテスト結果は、テスタサーバ１０４に送られ、テストチップの座標と共に、良否及び不良テスト項目番号等が記憶される。設定部１０６は、入出力装置や記憶装置を備えたコンピュータからなり、テストチップの周辺に分布する参照領域の設定、テストチップと同価の位置にある同価チップを参照する設定、テスト条件の設定、テスト結果の解析・表示、ウェハ／ロットの品質チェック、及び、その他の機能を有するアプリケーション等がインストールされている。
【００１５】
良否判定のウェハテスト工程を経て、チップ毎の良否及び不良テスト項目をウェハ上のチップ分布に対応させて模式的に表わした図を、図３（ａ）及び図３（ｂ）に例示する。なお、テストチップを全項目測定すると、複数のテスト項目で不良が出る場合でも、良否判定のテストでは、最初に不良が出たテスト項目が、そのテストチップの不良テスト項目として示されている。
【００１６】
図３（ａ）に示すように、ウェハ２は、良チップ１１が多く存在する一方、ウェハ２上にほぼランダムに分布した不良チップ１２、及び、比較的数字の小さい座標で示されるウェハ１の左上部に集中的に分布した不良チップ１３を有している。例えば、ウェハ製造工程でのダストは、ランダムな不良分布を示すことが多く、化学的なプロセス等や装置状態起因による不良は一定の領域に広がった不良分布を示すことがあることが知られている。
【００１７】
図３（ｂ）に示すように、ウェハ３は、良チップ２１が多く存在する一方、行方向及び列方向に一定の間隔を持って、不良チップ２２が分布する規則性を有している。この規則性は、後述するように、パターン転写工程で使用したステッパのショットに対応する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の実施例１に係る半導体装置の試験方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャートである。図５は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照領域を模式的に示す図である。
【００１９】
図４に示すように、テストチップのテスト項目の順序を決めるための参照領域を設定する（ステップＳ１１）。チップがテストで不良となるには原因があり、その原因が及ぶ範囲は、テストチップ一つだけの場合もあるが、複数のチップに同じように及ぶ場合もある。範囲の広さは様々であるが、チップは、ウェハ上に２次元的に配置されているので、その原因によって発生する不良も２次元的な広がりを有していると考えるのが一般的である。そこで、参照領域は、テストチップを中心に置いて、テストチップの辺または角に平面的に接している、あるいは、接していた（「一重に取り囲む」という）チップであって、テスト前のチップを除外した領域、すなわち、テスト済みのチップからなる領域とする。なお、ウェハの最初及び最後にテストされるチップは、その座標を試験装置１００に予め記憶させることが可能である。
【００２０】
次に、最初にテストされるチップは、図５に示すように、例えば（２，６）に位置するが、このテストチップが参照するようなデータがないことは明らかなので、当初設定されたテスト項目順にテストが行なわれる（ステップＳ１２）。不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされる。
【００２１】
次のテストチップに移行し、このテストチップの参照領域内にあるテスト済チップが選択される（ステップＳ１３）。
【００２２】
参照領域内にあるテスト済チップの選択を説明する。図５に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、参照領域３１は、テストチップ６を中心に置いて、その周囲を一重に取り囲むチップであって、テスト前のチップを除外した領域と定義してあるので、テストチップ６を（４，７）とすると、参照領域３１には、（３，６）、（３，７）、（３，８）、（４，６）のチップが含まれる。なお、ウェハテストの順序は、ウェハ端部の（２，６）のチップを始点として同一の行に沿って、ウェハ２の周辺部まで進み、周辺部では、図示された矢印の方向に向きを替えて、次の行に沿って進み、以下同様に、行番号が増える方向にテストされる。また、テストチップがウェハ２の内部にあるときは、参照領域３１として４個のチップが選択可能であるが、テストチップが、例えば、（３，１３）のように、ウェハ２の周辺部にあるときは、参照領域３１の中に、テスト済のチップがなくなる場合がある。また、図５の各チップ位置に記入されたｐ、ｆ３、ｆ９は、それぞれ、合格すなわち良、テスト項目番号「３」の不良、テスト項目番号「９」の不良を表わしている。
【００２３】
次に、参照領域内にあるテスト済チップの内の不良と判定されたチップのテスト項目及びその個数を集計し、個数の多いテスト項目順に並べて、このテスト項目順を先頭に置いた新たなテスト項目順を作成する（ステップＳ１４）。新たなテスト項目順は、例えば、図５に示す場合では、不良個数３個のテスト項目番号「９」が先頭に、次に不良個数１個のテスト項目番号「３」が続き、以下、この２項目を除外した当初設定したテスト項目順となる。なお、例えば、（３，１３）のように、参照領域３１の中に、テスト済のチップがなくなる場合は、１つ前のテストチップ、（２，１１）のチップで採用したテスト項目の順番を採用する。
【００２４】
次に、テストチップは、新たなテスト項目順に従って、テストが行われ、不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされ、次のチップのテストに移行する（ステップＳ１５）。
【００２５】
次に、最後のテストチップのテストが済んだかどうか、予め入力したチップの座標で確認する（ステップＳ１６）。ウェハ内の全チップがテスト済みでない場合、ステップＳ１３に戻り、次のテストチップ、例えば、図５に示す場合では、（４，８）のテストに移行する。
【００２６】
ウェハ内の全チップがテスト済みの場合、次に、ロット構成された最後のウェハがテスト済みかどうか、予め入力したウェハの番号で確認する（ステップＳ１７）。
【００２７】
ロット内の全ウェハがテスト済みでない場合、次のテストウェハを設定する（ステップＳ１８）。そして、ステップＳ１２に戻り、テストチップのテストを開始する。
【００２８】
一方、ロット内の全ウェハがテスト済みの場合は、ウェハテスト終了へ進める（ステップＳ１７）。
【００２９】
上述したように、本実施例では、テストチップ６を一重に取り囲むチップ、すなわち、平面的に隣接するチップであって、テスト前のチップを除外した参照領域３１内にあるテスト済みチップを選択し、選択されたテスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、テスト項目の順番を、不良数が多いテスト項目の順番に並べ替えてテスト項目の先頭に置いて、テストチップ６のテストは並べ替えられたテスト項目順に実施される。
【００３０】
その結果、テスト済みチップと同様の原因でテストチップ６が不良となる場合は、テスト項目順の早い時点で不良と判定される。しかも、テストチップ６を取り囲むテスト済みチップの分布する参照領域３１は、テスト前チップの分布する領域と平面をほぼ２分する関係にあるので、連続して分布した複数のチップに及ぶような範囲を有する原因による不良の約半分は、テストチップ６のテスト項目順に反映することができ、テスト開始の早い時点で不良と判定することが可能となる。すなわち、本実施例によれば、単に、時間的に接近して測定したチップの不良項目に基づくテスト項目順によるウェハテストと比較して、テスト時間をより効率的に短縮することが可能となる。
【００３１】
次に、本発明の実施例１の変形例を図６を参照しながら説明する。図６は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照領域を模式的に示す図である。図６に示すように、参照領域３２は、テストチップ６を中心に置いて、テストチップ６を一重に取り囲むチップ及び一重に取り囲むチップの辺または角に平面的に接している、あるいは、接していた（「二重に取り囲む」という）チップであって、テスト前のチップを除外した領域とする点が実施例１の半導体装置の測定方法と異なる。実施例１とは異なる構成部分について説明する。
【００３２】
半導体装置の試験方法は、上記実施例１の半導体装置の試験方法と同様である。
【００３３】
参照領域３２内にあるテストチップの選択を説明する。図６に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、参照領域３２は、テストチップ６を中心において、その周囲を二重に取り囲むチップであって、テスト済みのチップからなる領域なので、テストチップ６を（４，７）とすると、参照領域３２には、（２，６）、（２，７）、（２，８）、（２，９）、（３，５）、（３，６）、（３，７）、（３，８）、（３，９）、（４，５）、（４，６）のチップが含まれる。なお、テストチップがウェハ１の内部にあるときは、参照領域３２として最大１２個のチップが選択可能である。
【００３４】
本変形例の半導体装置の試験方法は、実施例１とは、参照領域３２が広くなった点が異なるだけなので、実施例１の半導体装置の試験方法と同様な効果を有している。その上、参照領域３２が広くなったので、ウェハ２の面内に非連続的に分布する原因による不良を捉え、テストチップ６のテスト項目順に反映させることが可能となり、テスト項目順の早い時点でテストチップ６を不良と判定することが可能となる。
【００３５】
なお、本変形例の参照領域３２は、テストチップ６を中心に置いて、その周囲を二重に取り囲むチップを含む領域としたが、より広い平面的な範囲、例えば、三重に取り囲むチップを含む領域等を参照領域とすることは可能である。また、テストチップ６からの距離で限定した範囲に含まれるテスト済みチップからなる領域を、参照領域とすることは差し支えない。
【実施例２】
【００３６】
本発明の実施例２に係る半導体装置の試験方法について、図７乃至図９を参照しながら説明する。図７はチップ毎の良否をウェハ上のチップ分布に対応させ、ショット領域に相当する繰り返し単位を重ねて模式的に示した図である。図８は半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャートである。図９は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照チップを模式的に示す図である。本実施例は、テストチップに対する繰り返し単位の整数倍だけずらした位置にある同価チップの不良テスト項目を参照して、テスト項目順を作成する点が上記実施例１及びその変形例と異なる。以下では、上記実施例１または変形例と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００３７】
図７に示すように、テスト済みのウェハ３は、図３（ｂ）に示されたウェハ上の良否判定済みチップ分布に、パターン転写工程で使用したステッパのショットに対応した単位の枠を繰り返し単位３３として重ねて表示してある。繰り返し単位３３は、始点を（１，１）において、ウェハ３を全てカバーするように並べられている。不良チップの多くは、繰り返し単位３３の特定の位置に出現している。なお、合否判定のウェハテストでは、繰り返し単位３３の大きさがショットの大きさに対応していれば、繰り返し単位３３の配置とショットの配置がぴったりと重ならなくても差し支えない。
【００３８】
本実施例の半導体装置の試験方法は、複数枚構成のロットの中の１枚のウェハテストが終了し、ショットに対応した繰り返しの不良があると判定される場合、ウェハ製造工程でショットに対応した不良原因があると予め把握または予想される場合、あるいは、過去のウェハテストデータに基づきショットに対応した不良が出易い傾向にある場合等に適用される。
【００３９】
図８に示すように、テストチップのテスト項目の順序を決めるために、ショットに相当する繰り返し単位を設定する（ステップＳ２１）。繰り返し単位は、行及び列方向のチップ数、例えば、４行×３列で規定される。そして、繰り返し単位を基準にして、テストチップを中に有する繰り返し単位の周囲を一重に取り囲む繰り返し単位（テストチップを有する繰り返し単位の辺または角に平面的に接する繰り返し単位）の中の同価チップであって、テスト前の同価チップを除外したテスト済みの同価チップが参照される。なお、ウェハの最初及び最後にテストされるチップは、その座標を試験装置１００に予め設定させることが可能である。
【００４０】
次に、最初にテストされるチップは、図９に示すように、例えば（２，６）に位置するが、このテストチップが参照するようなデータがないことは明らかなので、当初設定されたテスト項目順にテストが行なわれる（ステップＳ２２）。不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされる。
【００４１】
次のテストチップに移行し、このテストチップの同価チップが選択される（ステップＳ２３）。
【００４２】
テスト済の同価チップの選択を説明する。図９に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、例えば、座標（８，９）のテストチップ８に対して、同価の位置にある（４，６）、（４，９）、（４，１２）、（８，６）の同価チップ９が選択される。これらの同価チップ９は、テストチップ８を有する繰り返し単位３３を、一重に取り囲む繰り返し単位３３の中の同等の位置にあるチップである。なお、ウェハテストの順序は、実施例１と同様である。また、各チップ位置に記入されたｐ、ｆ２は、それぞれ、合格すなわち良、テスト項目番号「２」の不良を表わしている。
【００４３】
図９に示されるテストチップの座標を、例えば、（ａ，ｂ）とし、繰り返し単位を（ｍ，ｎ）とすると、行を左から右にテストしつつある場合は、（ａ−ｍ，ｂ−ｎ）、（ａ−ｍ，ｂ）、（ａ−ｍ，ｂ＋ｎ）、及び（ａ，ｂ−ｎ）、また、行を右から左にテストしつつある場合は、４番目が（ａ，ｂ＋ｎ）で表わされるチップが、テスト済みの同価チップとなる。
【００４４】
また、テストチップがウェハ３の中心部乃至その近辺にあるときは、同価チップとして４個のチップが選択可能であるが、テストチップが、ウェハ３の周辺部にあるときは、同価チップを選択できなくなる場合がある。
【００４５】
次に、テスト済同価チップの内の不良と判定されたチップのテスト項目及びその個数を集計し、個数の多いテスト項目順に並べて、このテスト項目順を先頭に置いた新たなテスト項目順を作成する（ステップＳ２４）。新たなテスト項目順は、例えば、図９に示す場合では、不良個数４個のテスト項目番号「２」が先頭に来て、以下、このテスト項目番号「２」を除外した当初設定したテスト項目順となる。なお、同価チップを選択できない場合は、１つ前のテストチップで採用したテスト項目の順番を採用する。
【００４６】
次に、テストチップは、新たなテスト項目順に沿って、テストが行われ、不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされ、次のチップのテストに移行する（ステップＳ２５）。
【００４７】
次に、最後のテストチップのテストが済んだかどうか、予め入力したチップの座標で確認する（ステップＳ２６）。ウェハ内の全チップがテスト済みでない場合、ステップＳ２３に戻り、次のテストチップ、例えば、図９に示す場合では、（８，１０）のテストに移行する。
【００４８】
ウェハ内の全チップがテスト済みの場合、次に、ロット構成された最後のウェハがテスト済みかどうか、予め入力したウェハの番号で確認する（ステップＳ２７）。
【００４９】
ロット内の全ウェハがテスト済みでない場合、次のテストウェハを設定する（ステップＳ２８）。そして、ステップＳ２２に戻り、テストチップのテストを開始する。
【００５０】
一方、ロット内の全ウェハがテスト済みとなった場合は、ウェハテスト終了へ進める（ステップＳ２７）。
【００５１】
上述したように、本実施例では、テストチップ８と同価の位置にあるウェハ３上のテスト済み同価チップを選択し、選択された同価チップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、テスト項目の順番を、不良数が多いテスト項目の順番に並べ替えてテスト項目の先頭に置いて、テストチップ８のテストは並べ替えられたテスト項目順に実施される。
【００５２】
その結果、同価チップと同様の原因でテストチップ８が不良となる場合は、テスト項目順の早い時点で不良と判定される。すなわち、本実施例によれば、不良チップの平面的な規則性に基づくテスト項目の順番が設定されているので、単に、時間的に接近して測定したチップの不良項目に基づいてなされたテスト項目順に比較して、テスト時間をより効率的に短縮することが可能となる。
【００５３】
なお、本実施例では、繰り返し単位を基準にして、テストチップを中に有する繰り返し単位の周囲を一重に取り囲む繰り返し単位の中の同価チップであって、テスト済みの同価チップが参照されたが、二重に取り囲む繰り返し単位（一重に取り囲む繰り返し単位及びこれらの辺または角に平面的に接する繰り返し単位）、あるいは、それ以上、例えば、ウェハ全面の中の同価チップであって、テスト済みの同価チップが参照されることは差し支えない。
【００５４】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５５】
例えば、実施例１では、テストチップを取り囲む参照領域の中のテスト済みチップの不良テスト項目の数に基づくテスト項目順を作成し、実施例２では、テストチップに対する繰り返し単位だけ離れた同価チップの不良テスト項目の数に基づくテスト項目順を作成したが、テストチップに対する参照チップとして実施例１で示した参照領域と実施例２で示した同価チップの両方を選択して、テストチップのテスト項目順は、実施例１で得られる不良テスト項目及びその数と実施例２で得られる不良テスト項目及びその数を合計した不良テスト項目及びその数に基づいて作成されて、ウェハテストが実施されることは差し支えない。
【００５６】
また、実施例２では、例えば、複数枚のウェハからなるロットの中の１枚のウェハのテストが終了し、ショットに対応した繰り返しの不良があると別途判定された後に行う試験方法の例として示したが、実施例２のテストを実施するステップ２１の前に、前記ショットに相当する繰り返し単位が存在するかどうかを判定する工程を追加して、連続的にテストを行うことは可能である。
【００５７】
また、実施例２では、ウェハテストの繰り返し単位をステッパのショットに基づく繰り返し単位としているが、ウェハ製造工程上のその他の繰り返し単位がウェハテストの繰り返し単位として選択されることは差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例に係るウェハ上のチップ（半導体装置）の位置を示すための座標を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の試験に使用される試験装置の構成を模式的に示すブロック図。
【図３】本発明の実施例に係るチップの良否判定結果をウェハ上のチップ分布に対応させて模式的に示す図。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャート。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照領域を模式的に示す図。
【図６】本発明の実施例1の変形例に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照領域を模式的に示す図
【図７】本発明の実施例２に係るチップ毎の良否をウェハ上のチップ分布に対応させ、ショット領域に相当する繰り返し単位領域を重ねて模式的に示す図。
【図８】本発明の実施例２に係る半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャート。
【図９】本発明の実施例２に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照チップ（同価チップ）を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００５９】
１、２、３  ウェハ
５  チップ
６、８  テストチップ
９  同価チップ
１１、２１  良チップ
１２、１３、２２  不良チップ
３１、３２  参照領域
３３  繰り返し単位
１００  試験装置
１０１  テスタ
１０２  プローバ
１０４  テスタサーバ
１０６  設定部
【図１】
2007208046.tif 000003
【図２】
2007208046.tif 000004
【図３】
2007208046.tif 000005
【図４】
2007208046.tif 000006
【図５】
2007208046.tif 000007
【図６】
2007208046.tif 000008
【図７】
2007208046.tif 000009
【図８】
2007208046.tif 000010
【図９】
2007208046.tif 000011