(57)【要約】【課題】ガードリングの幅、ガードリングの深さ、ガードリングの濃度プロファイル等のようなガードリングの設計条件を簡単な方法によって容易に変更する。【解決手段】Ｎ−エピタキシャル層５の上面の酸化膜６に少なくとも２つのガードリング形成用開口６−１，６−２，・・，６−８を分割して形成し、ガードリング形成用開口６−１を介して導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−２を介して導入されたＰ型不純物とが一体化した１つのガードリング７としての第２導電型拡散領域を形成するように、ガードリング形成用開口６−１を介して導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−２を介して導入されたＰ型不純物とを拡散させる。【選択図】図１
2007096006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高濃度の不純物を含む第１導電型半導体基板上に低濃度の不純物を含む第１導電型半導体層を形成し、前記第１導電型半導体層の上面にマスクを形成し、前記マスクにガードリング形成用開口を形成し、前記ガードリング形成用開口を介して前記第１導電型半導体層内に第２導電型不純物を導入し、その第２導電型不純物を前記第１導電型半導体層内で拡散させることによりガードリングとしての第２導電型拡散領域を形成するガードリングの製造方法において、
前記マスクに少なくとも２つのガードリング形成用開口を分割して形成し、一のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物と、前記一のガードリング形成用開口に隣接する他のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物とが一体化した１つのガードリングとしての第２導電型拡散領域を形成するように、前記一のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物と、前記他のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物とを拡散させることを特徴とするガードリングの製造方法。
【請求項２】
前記マスクを用いることにより、前記ガードリングと、前記ガードリングの内周側の活性領域内の第２導電型拡散領域とを同時に形成することを特徴とする請求項１に記載のガードリングの製造方法。
【請求項３】
分割して形成される複数のガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側のガードリング形成用開口の幅をガードリング内周側のガードリング形成用開口の幅より狭くすることを特徴とする請求項１又は２に記載のガードリングの製造方法。
【請求項４】
分割して形成される少なくとも３つのガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅を、ガードリング内周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅より広くすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガードリングの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のガードリングの製造方法により製造されたガードリングを具備する半導体装置。
【請求項６】
高濃度の不純物を含む第１導電型半導体基板上に低濃度の不純物を含む第１導電型半導体層を形成し、前記第１導電型半導体層内にガードリングを形成した半導体装置において、前記ガードリングとその周囲の前記第１導電型半導体層との境界面のうち、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率を、ガードリング内周側かつガードリング下側の部分の曲率より小さくしたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガードリングの製造方法およびその製造方法により製造されたガードリングを具備する半導体装置に関し、特には、例えばガードリングの幅、深さ、曲率およびガードリングの濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を簡単な方法によって容易に変更することができるガードリングの製造方法および半導体装置に関する。
【０００２】
更に、本発明は、ガードリングを形成した半導体装置に関し、特には、逆電圧阻止特性を向上させることができ、逆バイアス印加時に半導体装置内で局所的に電界強度が高まってしまうおそれを低減することができる半導体装置に関する。
【０００３】
詳細には、本発明は、順電圧降下を低減し、逆電圧阻止特性を向上させ、逆回復時間を短縮することができるガードリングを具備する例えばダイオードのような半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００４】
従来から、逆バイアス印加時におけるアクティブエリア（活性領域）周辺の電界を緩和するために、半導体装置にガードリングを形成することが知られている。例えば特開平９−２３７９０５号公報に記載されたような従来の半導体装置では、不純物としてのボロンを注入してガードリングを形成するために、環状のガードリング形成用開口が酸化膜のマスクに形成されている。
【０００５】
図８〜図１０は従来の半導体装置の製造工程を説明するための図である。詳細には、図８は特開平９−２３７９０５号公報の図１２に相当する図、図９は特開平９−２３７９０５号公報の図１４に相当する図、図１０は特開平９−２３７９０５号公報の図１５に相当する図である。図８〜図１０において、４は高濃度の不純物を含むＮ＋半導体基板を示しており、５は低濃度の不純物を含むＮ−エピタキシャル層を示している。６はマスクとして機能する酸化膜を示しており、６’は酸化膜６に形成されたガードリング形成用開口を示しており、７はガードリングを示している。
【０００６】
特開平９−２３７９０５号公報に記載された従来の半導体装置の製造時には、まず最初に、図８に示すように、Ｎ＋半導体基板４上にＮ−エピタキシャル層５が成長せしめられる。次いで、酸化炉で加熱することにより、Ｎ−エピタキシャル層５の上面に酸化膜６が形成される。次いで、図９に示すように、酸化膜６のうち、ガードリング７が形成される部分が、フォトリソグラフィー技術を用いて選択的にエッチングして除去され、ガードリング形成用開口６’が形成される。次いで、図１０に示すように、Ｐ型不純物としてのボロンのデポジション（堆積）およびドライブイン（押し込み拡散）がガードリング形成用開口６’を介して行われ、それにより、半導体装置の耐圧を確保するためのガードリング７が形成される。
【０００７】
図１１は図１０に示した従来の半導体装置のＮ−エピタキシャル層５およびガードリング７を、上側から酸化膜６を透視して見た平面図である。図１１に示すように、ガードリング７は所定の幅Ｗ２を有して環状に形成されている。つまり、ガードリング７のうち、Ｎ−エピタキシャル層５の表面（上面）と同じ高さの部分の幅はＷ２になっている。
【０００８】
図１２は図１０に示した従来の半導体装置のガードリング７等の拡大図である。図１２に示すように、ガードリング形成用開口６’を介して導入されたドーパントとしてのＰ型不純物は、ガードリング形成用開口６’から下側に１拡散すると、ガードリング形成用開口６’の外周側の縁部から外周側（図１２の右側）およびガードリング形成用開口６’の内周側の縁部から内周側（図１２の左側）にそれぞれ０．８拡散することが、ドーパントの拡散理論として知られている。
【０００９】
つまり、特開平９−２３７９０５号公報に記載されたような従来の半導体装置では、Ｐ型不純物のボロンが、ガードリング形成用開口６’上に堆積されるか、あるいは、ガードリング形成用開口６’を介してＮ−エピタキシャル層５内にイオン注入され、その後、Ｐ型不純物のボロンの押し込み拡散が行われ、その結果、ガードリング７が形成される。
【００１０】
また、例えば特開２００５−１８３６０５の段落〔００１７〕、段落〔００２５〕などに記載されているように、従来の半導体装置の製造時においては、１つの酸化膜をマスクとして用いることにより、ガードリングと、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域とが、同時に形成される。
【００１１】
そのため、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリングの設計条件に基づいてのみならず、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域の設計条件にも基づいて、Ｐ型不純物をガードリング形成用開口上に堆積する条件、あるいは、Ｐ型不純物をＮ−エピタキシャル層内にイオン注入する条件、および、Ｎ−エピタキシャル層内に導入されたＰ型不純物を押し込み拡散する条件が決定される。
【００１２】
換言すれば、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリングの設計条件を変更するために、Ｐ型不純物をガードリング形成用開口上に堆積する条件、あるいは、Ｐ型不純物をＮ−エピタキシャル層内にイオン注入する条件、もしくは、Ｎ−エピタキシャル層内に導入されたＰ型不純物を押し込み拡散する条件を変更すると、それに伴って、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域の設計条件も変化してしまう。
【００１３】
一方、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域の設計条件を変更することなく、ガードリングの設計条件を変更しようとすると、ガードリング用のＰ型不純物の導入工程あるいはガードリング用のＰ型不純物の拡散工程を別個に追加・変更しなければならなくなってしまう。
【００１４】
そのため、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリングの設計条件を容易に変更することができなかった。
【００１５】
ちなみに、ガードリングの深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより浅い場合には、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５との境界面のうち、外周側かつ下側の部分（図１３中の破線部分）の曲率が大きくなり過ぎてしまう。図１３はガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより浅い状態を示した半導体装置の断面図である。
【００１６】
図１３に示すように、ガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより浅い場合には、上述したように、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５との境界面のうち、外周側かつ下側の部分（図１３中の破線部分）の曲率が大きくなり過ぎてしまい、その結果、逆バイアス印加時に、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５との境界面のうち、外周側かつ下側の部分（図１３中の破線部分）で局所的に電界強度が高まってしまい、逆電圧阻止特性が悪化してしまう。
【００１７】
ところが、上述したように、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリング７を最適化してガードリング７の深さＤを深くしようとすると、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域（図示せず）の設計条件が変化してしまう。そのため、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリング７の深さＤを容易に深くすることができなかった。
【００１８】
一方、ガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより深い場合には、ガードリング７の下側のＮ−エピタキシャル層５の厚さｔ（図１４参照）が薄くなってしまうため、低い逆方向電圧によって空乏層がＮ＋半導体基板４にぶつかり電界強度が高まってしまう。図１４はガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより深い状態を示した半導体装置の断面図である。
【００１９】
図１４に示すように、ガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより深い場合には、上述したように、ガードリング７の下側のＮ−エピタキシャル層５の厚さｔが薄くなってしまうため、低い逆方向電圧によって空乏層がＮ＋半導体基板４にぶつかる。そして更に印加電圧が高まると、電界強度が臨界電界を越え、アバランシェ降伏を起こし、半導体装置の高耐圧化が妨げられてしまう。
【００２０】
また、ガードリング７の外周側かつ下側の部分の曲率を小さくするためにガードリング７の深さＤを深くしようとすると、マスクのガードリング形成用開口の幅を広げなければならず、この場合、Ｎ−エピタキシャル層５内に拡散するＰ型不純物の総量が増大してしまう。その結果、順バイアス高電流領域においてＮ−エピタキシャル層５に移動するキャリヤ（ホール）が増大してしまい、逆回復時間が長くなってしまう。
【００２１】
ところが、上述したように、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリング７を最適化してガードリング７の深さＤを浅くしようとすると、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域（図示せず）の設計条件が変化してしまう。そのため、従来の半導体装置の製造時においては、ガードリング７の深さＤを容易に浅くすることができなかった。
【００２２】
つまり、従来の半導体装置の製造時においては、Ｐ型不純物の導入工程あるいはＰ型不純物の拡散工程を追加・変更することなく、例えばガードリングの幅、深さ、曲率およびガードリングの濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を容易に変更することができなかった。
【００２３】
また、特開平９−２３７９０５号公報に記載されたような従来の半導体装置では、図９および図１０に示したように、１つの環状のガードリング形成用開口６’を介してＰ型不純物としてのボロンをＮ−エピタキシャル層５内に注入することによりガードリング７が形成される。そのため、図１３に示したように、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５との境界面のうち、外周側かつ下側の部分（図１３中の破線部分）に曲率が大きい箇所が必ず生じてしまう。
【００２４】
その結果、１つの環状のガードリング形成用開口６’によってガードリング７が形成された従来の半導体装置においては、逆バイアス印加時に、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５との境界面のうち、外周側かつ下側の部分（図１３中の破線部分）で局所的に電界強度が高まってしまい、逆電圧阻止特性が悪化してしまう。つまり、キャリア発生が局所的に起こり、ガードリング７のＰ型領域を流れるホール電流の電流密度が高まることによって、半導体装置が破壊するおそれが生じてしまう。
【００２５】
【特許文献１】特開平９−２３７９０５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３６０５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
前記問題点に鑑み、本発明は、例えばガードリングの幅、深さ、曲率およびガードリングの濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を簡単な方法によって容易に変更することができるガードリングの製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【００２７】
更に、本発明は、逆電圧阻止特性を向上させることができ、逆バイアス印加時に半導体装置内で局所的に電界強度が高まってしまうおそれを低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
請求項１に記載の発明によれば、高濃度の不純物を含む第１導電型半導体基板上に低濃度の不純物を含む第１導電型半導体層を形成し、前記第１導電型半導体層の上面にマスクを形成し、前記マスクにガードリング形成用開口を形成し、前記ガードリング形成用開口を介して前記第１導電型半導体層内に第２導電型不純物を導入し、その第２導電型不純物を前記第１導電型半導体層内で拡散させることによりガードリングとしての第２導電型拡散領域を形成するガードリングの製造方法において、前記マスクに少なくとも２つのガードリング形成用開口を分割して形成し、一のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物と、前記一のガードリング形成用開口に隣接する他のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物とが一体化した１つのガードリングとしての第２導電型拡散領域を形成するように、前記一のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物と、前記他のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物とを拡散させることを特徴とするガードリングの製造方法が提供される。
【００２９】
請求項２に記載の発明によれば、前記マスクを用いることにより、前記ガードリングと、前記ガードリングの内周側の活性領域内の第２導電型拡散領域とを同時に形成することを特徴とする請求項１に記載のガードリングの製造方法が提供される。
【００３０】
請求項３に記載の発明によれば、分割して形成される複数のガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側のガードリング形成用開口の幅をガードリング内周側のガードリング形成用開口の幅より狭くすることを特徴とする請求項１又は２に記載のガードリングの製造方法が提供される。
【００３１】
請求項４に記載の発明によれば、分割して形成される少なくとも３つのガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅を、ガードリング内周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅より広くすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガードリングの製造方法が提供される。
【００３２】
請求項５に記載の発明によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガードリングの製造方法により製造されたガードリングを具備する半導体装置が提供される。
【００３３】
請求項６に記載の発明によれば、高濃度の不純物を含む第１導電型半導体基板上に低濃度の不純物を含む第１導電型半導体層を形成し、前記第１導電型半導体層内にガードリングを形成した半導体装置において、前記ガードリングとその周囲の前記第１導電型半導体層との境界面のうち、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率を、ガードリング内周側かつガードリング下側の部分の曲率より小さくしたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００３４】
請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法では、マスクに少なくとも２つのガードリング形成用開口が分割して形成される。つまり、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法では、マスクに少なくとも２つのガードリング形成用開口が分割して形成され、一のガードリング形成用開口と、その一のガードリング形成用開口に隣接する他のガードリング形成用開口との間にマスク部分が残される。その結果、マスクに１つのみのガードリング形成用開口が形成される場合よりも、ガードリング形成用開口の総面積が減少せしめられる。
【００３５】
更に、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法では、一のガードリング形成用開口を介して第１導電型半導体層内に導入された第２導電型不純物と、他のガードリング形成用開口を介して第１導電型半導体層内に導入された第２導電型不純物とが一体化した１つのガードリングとしての第２導電型拡散領域を形成するように、一のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物と、他のガードリング形成用開口を介して導入された第２導電型不純物とが拡散せしめられる。
【００３６】
好ましくは、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法では、１つのマスクを用いることにより、ガードリングと、ガードリングの内周側の活性領域内の第２導電型拡散領域とが同時に形成される。
【００３７】
そのため、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法によれば、マスクに形成された１つのガードリング形成用開口によって１つのガードリングが形成される場合よりも、ガードリングの幅を狭くし、ガードリングの深さを浅くし、ガードリングの濃度を低くし、第２導電型不純物の総量を少なくすることができる。
【００３８】
つまり、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法によれば、第２導電型不純物の導入工程あるいは第２導電型不純物の拡散工程を追加・変更することなく、マスクに形成されるガードリング形成用開口を変更するという極めて簡単な方法により、例えばガードリングの幅、深さ、およびガードリングの濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を容易に変更することができる。
【００３９】
詳細には、例えば同一の厚さ、同一の比抵抗の第１導電型半導体層としてのＮ−エピタキシャル層に対し、ガードリング形成用開口がマスクに分割して形成されない従来のガードリングの製造方法によって第２導電型拡散領域としてのＰ型ガードリング領域を拡散した場合と、ガードリング形成用開口がマスクに分割して形成される請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法によって第２導電型拡散領域としてのＰ型ガードリング領域を拡散した場合とを比較する。
【００４０】
請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法による場合には、従来のガードリングの製造方法による場合に比べ、ガードリングの深さが浅くなる。そのため、同一の逆バイアス電圧に対しガードリングのＰＮ接合からＮ−エピタキシャル層中に延びる空乏層が第１導電型半導体基板としてのＮ＋半導体基板にぶつかるまでの距離が長くなる。（図１３における厚さｔは、図１４における厚さｔより厚い。）また、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法による場合には、従来のガードリングの製造方法による場合に比べ、ガードリングのＰ型濃度が低くなる。そのため、ガードリングのＰＮ接合からガードリングのＰ型領域内に延びる距離が長くなる。従って、請求項１及び２に記載の発明のガードリングの製造方法による場合には、従来のガードリングの製造方法による場合に比べ、同一の逆バイアス電圧に対し、電界を緩和することができ、逆電圧阻止特性を向上させることができる。
【００４１】
また、詳細には、請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法によれば、上述したように、ガードリングの深さを浅くすることができるため、例えばガードリングの深さを浅くするのに加えて、第１導電型半導体層としてのＮ−エピタキシャル層の厚さを薄くすることにより、逆電圧阻止特性を維持したまま、Ｎ−エピタキシャル層のドリフト抵抗の低減により順電圧降下を減少させることができる。
【００４２】
更に、詳細には、ガードリング形成用開口がマスクに分割して形成される請求項１及び２に記載のガードリングの製造方法によれば、ガードリングの第２導電型不純物としてのＰ型不純物の総量を少なくすることができる。そのため、Ｐ型不純物の総量を少なくすることにより、特に、順バイアス高電流領域においてＮ−エピタキシャル層への少数キャリア（ホール）の注入が減り、逆回復時間を短くすることができる。
【００４３】
請求項３に記載のガードリングの製造方法では、分割して形成される複数のガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側のガードリング形成用開口の幅がガードリング内周側のガードリング形成用開口の幅より狭くされる。そのため、ガードリング外周側のガードリング形成用開口の幅とガードリング内周側のガードリング形成用開口の幅とが等しくされる場合、あるいは、マスクに１つのみのガードリング形成用開口が形成される場合よりも、ガードリングとしての第２導電型拡散領域とその周囲の第１導電型半導体層との境界面のうち、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率を小さくすることができる。
【００４４】
つまり、請求項３に記載のガードリングの製造方法によれば、分割して形成される複数のガードリング形成用開口の幅を異ならせるという極めて簡単な方法により、ガードリングとしての第２導電型拡散領域とその周囲の第１導電型半導体層との境界面の曲率を容易に変更することができる。
【００４５】
請求項４に記載のガードリングの製造方法では、分割して形成される少なくとも３つのガードリング形成用開口のうち、ガードリング外周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅が、ガードリング内周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅より広くされる。そのため、ガードリング外周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅とガードリング内周側の隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅とが等しくされる場合、あるいは、マスクに１つのみのガードリング形成用開口が形成される場合よりも、ガードリングとしての第２導電型拡散領域とその周囲の第１導電型半導体層との境界面のうち、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率を小さくすることができる。
【００４６】
つまり、請求項４に記載のガードリングの製造方法によれば、分割して形成される少なくとも３つのガードリング形成用開口のうち、隣接する２つのガードリング形成用開口の間のマスク部分の幅をガードリング外周側とガードリング内周側とで異ならせるという極めて簡単な方法により、ガードリングとしての第２導電型拡散領域とその周囲の第１導電型半導体層との境界面の曲率を容易に変更することができる。
【００４７】
請求項５に記載の半導体装置によれば、第２導電型不純物の導入工程あるいは第２導電型不純物の拡散工程を追加・変更することなく、マスクに形成されるガードリング形成用開口を変更するという極めて簡単な方法により、例えばガードリングの幅、深さ、曲率およびガードリングの濃度プロファイルなどのようなガードリングの条件を容易に変更することができる。
【００４８】
請求項６に記載の半導体装置では、ガードリングとその周囲の第１導電型半導体層との境界面のうち、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率が、ガードリング内周側かつガードリング下側の部分の曲率より小さくされている。そのため、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率と、ガードリング内周側かつガードリング下側の部分の曲率とがほぼ等しくされている場合よりも、逆電圧阻止特性を向上させることができる。
【００４９】
詳細には、請求項６に記載の半導体装置によれば、ガードリング外周側かつガードリング下側の部分の曲率と、ガードリング内周側かつガードリング下側の部分の曲率とがほぼ等しくされている場合のように、逆バイアス印加時に半導体装置内で局所的に電界強度が高まってしまうおそれを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、本発明の半導体装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳ（Ｍｅｒｇｅｄ  ｐ−ｉ−ｎ／Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）を示した図である。詳細には、図１（Ａ）はガードリングを形成するためのガードリング形成用開口６’およびアクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域を形成するためのＰ型領域形成用開口６”が形成されたマスクとしての酸化膜６の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００５１】
図１（Ｂ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置では、例えばリンＰ、砒素ＡｓあるいはアンチモンＳｂのような高濃度の不純物を含むＮ＋半導体基板４上に低濃度の不純物を含むＮ−エピタキシャル層５が形成されている。また、Ｎ−エピタキシャル層５の上面には、マスクとして機能する酸化膜６が形成され、酸化膜６には、ガードリング７を形成するためのガードリング形成用開口６’、および、ガードリング７の内周側（図１（Ｂ）の左側）のアクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’を形成するためのＰ型領域形成用開口６”が形成されている。
【００５２】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、ガードリング形成用開口６’が、例えば８本の環状のガードリング形成用開口６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８に分割して形成されている。更に、例えばボロンＢのようなＰ型不純物が、ガードリング形成用開口６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入され、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられ、その結果、１本の環状のガードリング７が形成されている。
【００５３】
第１の実施形態の半導体装置では、例えばイオン注入によってＰ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内に導入され、次いで、押し込み拡散によってＰ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられるが、第１の実施形態の半導体装置の変形例では、代わりに、例えばＰ型不純物をガードリング形成用開口６’上に堆積するなどの他の方法によってＰ型不純物をＮ−エピタキシャル層５内に導入し、次いで、押し込み拡散によってＰ型不純物をＮ−エピタキシャル層５内で拡散させることも可能である。
【００５４】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ｂ）に示すように、ガードリング形成用開口６−１から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−２から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。また、ガードリング形成用開口６−２から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−３から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。更に、ガードリング形成用開口６−３から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−４から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。
【００５５】
同様に、図１（Ｂ）に示すように、ガードリング形成用開口６−４から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−５から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。また、ガードリング形成用開口６−５から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−６から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。更に、ガードリング形成用開口６−６から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−７から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。また、ガードリング形成用開口６−７から導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−８から導入されたＰ型不純物とが、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられて一体化され、ガードリング７の一部を形成している。
【００５６】
また、図１（Ｂ）に示すように、Ｐ型領域形成用開口６”から導入されたＰ型不純物が、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられ、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’を形成している。
【００５７】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、Ｐ型不純物をＮ−エピタキシャル層５内に導入し、Ｎ−エピタキシャル層５内で拡散させる工程によって、ガードリング７およびアクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’が同時に形成されている。更に詳細には、Ｐ型不純物をＮ−エピタキシャル層５内に導入するイオン注入条件が、例えばドーズ量１×１０１４〜１０１５イオン／ｃｍ２、加速電圧数十ｋｅＶに設定されている。また、図１（Ｂ）に示すように、ガードリング形成用開口６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８が例えば約１〜２μｍピッチで配列されている。
【００５８】
第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ａ）に示すように、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’（図１（Ｂ）参照）を形成するためのＰ型領域形成用開口６”がストライプ状に形成されているが、第１の実施形態の半導体装置の他の変形例では、代わりに、Ｐ型領域形成用開口６”を例えばドット状のような他の任意の形状に形成することも可能である。
【００５９】
図２はＰ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内に導入される状態を説明するための図、図３はＰ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられる状態を説明するための図である。詳細には、図２（Ａ）および図３（Ａ）は図１に示した第１の実施形態の半導体装置のように複数のガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）から導入されたＰ型不純物によって１つのガードリング７が形成される場合を示しており、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）は図１０に示した従来の半導体装置のように１つのガードリング形成用開口６’から導入されたＰ型不純物によって１つのガードリング７が形成される場合を示している。
【００６０】
注入エネルギー、ドーズ量などのイオン注入条件が図２（Ａ）に示す半導体装置と図２（Ｂ）に示す半導体装置とで同一になるように設定されている場合、図２（Ａ）に示すように、ガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）が複数に分割して形成されている半導体装置においては、イオン注入された例えばボロンＢのようなドーパント原子７”は、互いに離間してＮ−エピタキシャル層５内に分布する。一方、図２（Ｂ）に示すように、ガードリング形成用開口６’が分割されていない半導体装置においては、イオン注入された例えばボロンＢのようなドーパント原子７”は、水平方向に連続してＮ−エピタキシャル層５内に分布する。
【００６１】
次いで、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置においては、ガードリング形成用開口６−１から導入されたドーパント原子７”の一部およびガードリング形成用開口６−２から導入されたドーパント原子７”の一部は、ガードリング形成用開口６−１とガードリング形成用開口６−２との間のマスク部分の下側に水平方向（図２（Ａ）の左右方向）に拡散する。そのため、ガードリング形成用開口６−１から導入されたドーパント原子７”およびガードリング形成用開口６−２から導入されたドーパント原子７”が下側（図２（Ａ）の下側）に拡散する速度は、ガードリング形成用開口６−１とガードリング形成用開口６−２との間にマスク部分が配置されていない場合よりも低下する。
【００６２】
また、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示すように、ガードリング形成用開口６−２から導入されたドーパント原子７”の一部およびガードリング形成用開口６−３から導入されたドーパント原子７”の一部は、ガードリング形成用開口６−２とガードリング形成用開口６−３との間のマスク部分の下側に水平方向（図２（Ａ）の左右方向）に拡散する。そのため、ガードリング形成用開口６−２から導入されたドーパント原子７”およびガードリング形成用開口６−３から導入されたドーパント原子７”が下側（図２（Ａ）の下側）に拡散する速度は、ガードリング形成用開口６−２とガードリング形成用開口６−３との間にマスク部分が配置されていない場合よりも低下する。
【００６３】
更に、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示すように、ガードリング形成用開口６−３から導入されたドーパント原子７”の一部およびガードリング形成用開口６−４から導入されたドーパント原子７”の一部は、ガードリング形成用開口６−３とガードリング形成用開口６−４との間のマスク部分の下側に水平方向（図２（Ａ）の左右方向）に拡散する。そのため、ガードリング形成用開口６−３から導入されたドーパント原子７”およびガードリング形成用開口６−４から導入されたドーパント原子７”が下側（図２（Ａ）の下側）に拡散する速度は、ガードリング形成用開口６−３とガードリング形成用開口６−４との間にマスク部分が配置されていない場合よりも低下する。
【００６４】
その結果、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’の幅Ｗと図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’の幅Ｗとが等しい場合であっても、図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング７の幅Ｗ１は、図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング７の幅Ｗ２より狭くなる。また、図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング７の深さＤ１は、図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング７の深さＤ２より浅くなる。
【００６５】
また、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置では、ガードリング形成用開口６−１とガードリング形成用開口６−２との間、ガードリング形成用開口６−２とガードリング形成用開口６−３との間、および、ガードリング形成用開口６−３とガードリング形成用開口６−４との間にマスク部分が残されるため、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’の総面積は、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’の総面積より小さくなる。その結果、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’から導入されるＰ型不純物の総量は、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング形成用開口６’から導入されるＰ型不純物の総量より少なくなる。それゆえ、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置におけるＰ型不純物の押し込み拡散条件と、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置におけるＰ型不純物の押し込み拡散条件とが同一に設定されると、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示す半導体装置のガードリング７のＰ型不純物濃度は、図２（Ｂ）および図３（Ｂ）に示す半導体装置のガードリング７のＰ型不純物濃度より低くなる。
【００６６】
換言すれば、図１に示した第１の実施形態の半導体装置では、マスクとしての酸化膜６に例えば８個のガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８）が分割して形成され、ガードリング形成用開口６−１とガードリング形成用開口６−２との間、ガードリング形成用開口６−２とガードリング形成用開口６−３との間、ガードリング形成用開口６−３とガードリング形成用開口６−４との間、ガードリング形成用開口６−４とガードリング形成用開口６−５との間、ガードリング形成用開口６−５とガードリング形成用開口６−６との間、ガードリング形成用開口６−６とガードリング形成用開口６−７との間、および、ガードリング形成用開口６−７とガードリング形成用開口６−８との間にマスク部分が残される。
【００６７】
そのため、図１０に示した従来の半導体装置のようにマスクとしての酸化膜６に１つのみのガードリング形成用開口６’が形成される場合よりも、ガードリング形成用開口６’の総面積が減少せしめられる。それゆえ、第１の実施形態の半導体装置によれば、マスクとしての酸化膜６に１つのみのガードリング形成用開口６’が形成される場合よりも、ガードリング７の幅を狭くし、ガードリング７の深さを浅くし、ガードリング７の濃度を低くし、Ｐ型不純物の総量を少なくすることができる。
【００６８】
更に、図１に示した第１の実施形態の半導体装置では、ガードリング形成用開口６−１を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−２を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−３を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−４を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−５を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−６を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−７を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−８を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物とが、一体化した１つのガードリング７を形成するように拡散せしめられる。
【００６９】
つまり、図１に示した第１の実施形態の半導体装置によれば、例えば注入エネルギー、ドーズ量等のようなＰ型不純物のイオン注入条件、あるいは、例えば熱処理温度、熱処理時間等のようなＰ型不純物の押し込み拡散条件を変更することなく、マスクとしての酸化膜６に形成されるガードリング形成用開口６’を変更するという極めて簡単な方法により、例えばガードリング７の幅、ガードリング７の深さ、ガードリング７の濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を容易に変更することができる。
【００７０】
以下、本発明の半導体装置の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置と同様に構成されている。従って、第２の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
【００７１】
図４は第２の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの一部を拡大して示した図である。詳細には、図４はマスクとしての酸化膜６の上面と、酸化膜６、ガードリング７およびＮ−エピタキシャル層５の断面とを示した図である。図５は第２の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの断面図である。
【００７２】
第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ｂ）に示すように、幅の等しい８本の環状のガードリング形成用開口６−１，６−２，６−３，６−４，６−５，６−６，６−７，６−８が等間隔で配列されるが、第２の実施形態の半導体装置では、図４に示すように、最も内周側のガードリング形成用開口６−１の幅Ｗ６−１が、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２の幅Ｗ６−２より広くされる。また、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２の幅Ｗ６−２が、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３の幅Ｗ６−３より広くされる。更に、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３の幅Ｗ６−３が、最も外周側のガードリング形成用開口６−４の幅Ｗ６−４より広くされる。
【００７３】
更に、第２の実施形態の半導体装置では、図４に示すように、最も内周側のガードリング形成用開口６−１と内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２との間のマスク部分の幅Ｗ１２が、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２と内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３との間のマスク部分の幅Ｗ２３より狭くされる。また、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２と内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３との間のマスク部分の幅Ｗ２３が、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３と最も外周側のガードリング形成用開口６−４との間のマスク部分の幅Ｗ３４より狭くされる。
【００７４】
その結果、第２の実施形態の半導体装置では、図４および図５に示すように、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面のうち、外周側かつ下側の部分の曲率が、内周側かつ下側の部分の曲率より小さくなるように、すなわち、直線的になるように、ガードリング７が形成される。つまり、ガードリング７の内周側の部分の深さが、内周側になるに従って急激に浅くなるのに対し、ガードリング７の外周側の部分の深さが、外周側になるに従って緩やかに浅くなるように、ガードリング７が形成される。
【００７５】
そのため、第２の実施形態の半導体装置によれば、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面のうち、外周側かつ下側の部分の曲率と、内周側かつ下側の部分の曲率とがほぼ等しくされている場合よりも、逆電圧阻止特性を向上させることができる。
【００７６】
詳細には、第２の実施形態の半導体装置によれば、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面のうち、外周側かつ下側の部分の曲率と、内周側かつ下側の部分の曲率とがほぼ等しくされている場合のように、逆バイアス印加時に半導体装置内で局所的に電界強度が高まってしまうおそれを低減することができる。
【００７７】
尚、図４および図５に示す第２の実施形態の半導体装置では、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面のうち、内周側かつ下側の部分の曲率が比較的大きくなるが、ガードリング７のＰＮ接合部（ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面）からＮ−エピタキシャル層５内に延びる空乏層と、アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’のＰＮ接合部（Ｐ型領域７’とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面）からＮ−エピタキシャル層５内に延びる空乏層とがピンチオフし、電界を緩和するため、電界強度が高まらない。
【００７８】
更に、図４および図５に示す第２の実施形態の半導体装置では、マスクとしての酸化膜６に例えば４個のガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）が分割して形成され、ガードリング形成用開口６−１とガードリング形成用開口６−２との間、ガードリング形成用開口６−２とガードリング形成用開口６−３との間、および、ガードリング形成用開口６−３とガードリング形成用開口６−４との間にマスク部分が残される。
【００７９】
そのため、図１０に示した従来の半導体装置のようにマスクとしての酸化膜６に１つのみのガードリング形成用開口６’が形成される場合よりも、ガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）の総面積が減少せしめられる。それゆえ、第２の実施形態の半導体装置によれば、マスクとしての酸化膜６に１つのみのガードリング形成用開口６’が形成される場合よりも、ガードリング７の幅を狭くし、ガードリング７の深さを浅くし、ガードリング７の濃度を低くし、Ｐ型不純物の総量を少なくすることができる。
【００８０】
また、図４および図５に示す第２の実施形態の半導体装置では、ガードリング形成用開口６−１を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−２を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−３を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物と、ガードリング形成用開口６−４を介してＮ−エピタキシャル層５内に導入されたＰ型不純物とが、一体化した１つのガードリング７を形成するように拡散せしめられる。
【００８１】
つまり、図４および図５に示す第２の実施形態の半導体装置によれば、例えばドーズ量、加速電圧等のようなＰ型不純物のイオン注入条件、あるいは、例えば熱処理温度、熱処理時間等のようなＰ型不純物の押し込み拡散条件を変更することなく、マスクとしての酸化膜６に形成されるガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）を変更するという極めて簡単な方法により、例えばガードリング７の幅、深さ、曲率およびガードリング７の濃度プロファイルなどのようなガードリングの設計条件を容易に変更することができる。
【００８２】
以下、本発明の半導体装置の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第２の実施形態の半導体装置と同様に構成されている。従って、第３の実施形態の半導体装置によれば、後述する点を除き、上述した第２の実施形態の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
【００８３】
図６は第３の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの一部を拡大して示した図である。詳細には、図６はマスクとしての酸化膜６の上面と、酸化膜６、ガードリング７およびＮ−エピタキシャル層５の断面とを示した図である。第３の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの断面図は、図５に示した第２の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの断面図とほぼ同様になる。
【００８４】
第２の実施形態の半導体装置では、図４に示したように、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３が環状かつ連続的に形成され、最も外周側のガードリング形成用開口６−４が環状かつ連続的に形成されているが、第３の実施形態の半導体装置では、図６に示すように、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３が、環状に配列された例えば矩形、多角形、円形などような任意の形状の複数の穴によって断続的に構成され、最も外周側のガードリング形成用開口６−４が、環状に配列された例えば矩形、多角形、円形などような任意の形状の複数の穴によって断続的に構成されている。
【００８５】
第３の実施形態の半導体装置では、図６に示すように、最も内周側のガードリング形成用開口６−１の幅Ｗ６−１が、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２の幅Ｗ６−２より広くされる。また、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２の幅Ｗ６−２が、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３の幅Ｗ６−３より広くされる。更に、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３の幅Ｗ６−３が、最も外周側のガードリング形成用開口６−４の幅Ｗ６−４より広くされる。
【００８６】
更に、第３の実施形態の半導体装置では、図６に示すように、最も内周側のガードリング形成用開口６−１と内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２との間のマスク部分の幅Ｗ１２が、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２と内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３との間のマスク部分の幅Ｗ２３より狭くされる。また、内周側から２番目のガードリング形成用開口６−２と内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３との間のマスク部分の幅Ｗ２３が、内周側から３番目のガードリング形成用開口６−３と最も外周側のガードリング形成用開口６−４との間のマスク部分の幅Ｗ３４より狭くされる。
【００８７】
その結果、第３の実施形態の半導体装置では、図６に示すように、ガードリング７とその周囲のＮ−エピタキシャル層５とのＰＮ接合面のうち、外周側かつ下側の部分の曲率が、内周側かつ下側の部分の曲率より小さくなるように、ガードリング７が形成される。つまり、ガードリング７の内周側の部分の深さが、内周側になるに従って急激に浅くなるのに対し、ガードリング７の外周側の部分の深さが、外周側になるに従って緩やかに浅くなるように、ガードリング７が形成される。
【００８８】
そのため、第３の実施形態の半導体装置によれば、第２の実施形態の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
【００８９】
以下、本発明の半導体装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第２または第３の実施形態の半導体装置と同様に構成されている。従って、第４の実施形態の半導体装置によれば、上述した第２または第３の実施形態の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
【００９０】
図７は第４の実施形態の半導体装置としてのダイオードの断面図である。第４の実施形態の半導体装置のガードリング７は、図４に示した第２の実施形態の半導体装置と同様のガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）により形成されるか、あるいは、図６に示した第４の実施形態の半導体装置と同様のガードリング形成用開口６’（６−１，６−２，６−３，６−４）により形成される。
【００９１】
上述した第１から第４の実施形態の半導体装置では、ガードリング７およびアクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’を形成するためのマスクが酸化膜６によって構成されているが、第１から第４の実施形態の半導体装置の変形例では、ガードリング７およびアクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域７’を形成するためのマスクをフォトレジストによって構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】第１の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳ（Ｍｅｒｇｅｄ  ｐ−ｉ−ｎ／Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）を示した図である。
【図２】Ｐ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内に導入される状態を説明するための図である。
【図３】Ｐ型不純物がＮ−エピタキシャル層５内で拡散せしめられる状態を説明するための図である。
【図４】第２の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの一部を拡大して示した図である。
【図５】第２の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの断面図である。
【図６】第３の実施形態の半導体装置としてのＭＰＳの一部を拡大して示した図である。
【図７】第４の実施形態の半導体装置としてのダイオードの断面図である。
【図８】従来の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図９】従来の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図１１】図１０に示した従来の半導体装置のＮ−エピタキシャル層５およびガードリング７を、上側から酸化膜６を透視して見た平面図である。
【図１２】図１０に示した従来の半導体装置のガードリング７等の拡大図である。
【図１３】ガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより浅い状態を示した半導体装置の断面図である。
【図１４】ガードリング７の深さＤが最適な設計条件のガードリングの深さより深い状態を示した半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
４                              Ｎ＋半導体基板
５                              Ｎ−エピタキシャル層
６                              酸化膜
６’                            ガードリング形成用開口
６−１，６−２，６−３，６−４  ガードリング形成用開口
６−５，６−６，６−７，６−８  ガードリング形成用開口
６”                            Ｐ型領域形成用開口
７                              ガードリング
７’                            アクティブエリア（活性領域）内のＰ型領域
【図１】
2007096006.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007096006.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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