(57)【要約】【課題】  磁気センサモジュールの製造コストを低減できる磁気センサモジュールの検査方法を提供する。【解決手段】  ウェハに複数形成されている、磁気センサとディジタル信号処理部とを有する磁気センサモジュールのいずれかに、前記磁気センサに磁界を印加するためのコイルを有するプローブカードを接触させ、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールから離間させることなく、前記プローブカードを介して検査信号を前記ディジタル信号処理部に入力し前記検査信号に対する前記ディジタル信号処理部の応答信号を前記プローブカードを介して取得することにより、前記ディジタル信号処理部を検査し、前記コイルに電流を供給しながら前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールの応答信号を取得することにより、前記磁気センサを検査する。【選択図】    図１
2007024518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに複数形成されている、磁気センサとディジタル信号処理部とを有する磁気センサモジュールのいずれかに、前記磁気センサに磁界を印加するためのコイルを有するプローブカードを接触させ、
前記プローブカードを前記磁気センサモジュールから離間させることなく、
前記プローブカードを介して検査信号を前記ディジタル信号処理部に入力し前記検査信号に対する前記ディジタル信号処理部の応答信号を前記プローブカードを介して取得することにより、前記ディジタル信号処理部を検査し、前記コイルに電流を供給しながら前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールの応答信号を取得することにより、前記磁気センサを検査する、
磁気センサモジュールの検査方法。
【請求項２】
前記ウェハに規則的に繰り返し形成されている基準パターンを基準にして、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールに対して位置合わせする、請求項１に記載の磁気センサモジュールの検査方法。
【請求項３】
複数の前記磁気センサモジュールに前記プローブカードを一度に接触させ、
前記磁気センサの検査時に、前記コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の前記磁気センサモジュールの前記磁気センサに印加する、請求項１又は２に記載の磁気センサモジュールの検査方法。
【請求項４】
前記磁気センサの検査結果に応じた前記磁気センサの補正値を前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールに入力することにより、前記磁気センサモジュールの記憶部に前記補正値を格納する、請求項１から３のいずれか一項に記載の磁気センサモジュールの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサモジュールの検査方法に関し、特にディジタル信号処理部を備える磁気センサモジュールを検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ヘルムホルツコイルを有する検査装置によりパッケージ封入後の磁気センサを検査する方法が開示されている。この検査方法では、ヘルムホルツコイルにより発生させた磁界にパッケージ封入後の磁気センサを配置して磁気センサの出力信号を測定することにより、パッケージ封入後の磁気センサを検査する。
一方、特許文献２には、コイルプローバを有する検査装置によりウェハ状態の磁気センサを検査する方法が開示されている。この検査方法では、磁気センサにコイルプローバの先端部分を近接させて磁気センサに磁界を印加しながら磁気センサの出力信号を測定することにより、ウェハ状態の磁気センサを検査する。
【０００３】
しかしながら、磁気センサとディジタル信号処理部を有する磁気センサモジュールの検査では、特許文献１に記載された検査装置や特許文献２に記載された検査装置に磁気センサモジュールを取付けて磁気センサを検査し、特許文献１及び特許文献２に記載された検査装置と異なる検査装置に磁気センサモジュールを取付けてディジタル信号処理部を検査する必要がある。このような複雑な検査工程は、磁気センサモジュールの製造コストを増大させている。
【特許文献１】特開平９−５０６０１号公報
【特許文献２】特開昭６２−５５９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、磁気センサモジュールの製造コストを低減できる磁気センサモジュールの検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記目的を達成するための電子デバイスの検査方法は、ウェハに複数形成されている、磁気センサとディジタル信号処理部とを有する磁気センサモジュールのいずれかに、前記磁気センサに磁界を印加するためのコイルを有するプローブカードを接触させ、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールから離間させることなく、前記プローブカードを介して検査信号を前記ディジタル信号処理部に入力し前記検査信号に対する前記ディジタル信号処理部の応答信号を前記プローブカードを介して取得することにより、前記ディジタル信号処理部を検査し、前記コイルに電流を供給しながら前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールの応答信号を取得することにより、前記磁気センサを検査する。
磁気センサモジュールに接触させたプローブカードを磁気センサモジュールから離間させることなく、すなわちプローブカードの磁気センサモジュールへの１回の接続で、ウェハに形成されている磁気センサモジュールのディジタル信号処理部の検査と磁気センサの検査の両方を行うことができるため、磁気センサモジュールの検査工程を簡素化でき、磁気センサモジュールの製造コストを低減することができる。
【０００６】
（２）前記ウェハに形成されている基準パターンを基準にして、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールに対して位置合わせしてもよい。
ウェハに規則的に繰り返し形成されている基準パターンを基準にしてコイルを有するプローブカードと磁気センサモジュールとを位置合わせすることにより、ダイシング後の磁気センサモジュールに付されたアライメントマークを基準にしてプローブカードとチップ状態の磁気センサモジュールとを位置合わせしたり、パッケージ封入後の磁気センサモジュールをソケットに装着してコイルと位置合わせする場合と比較して、プローブカードと磁気センサモジュールとの正確な位置合わせが可能になる。例えば基準パターンは、ウェハに形成された電子デバイスのパットや配線パターン、スクラブライン、樹脂で覆われた後に露出する端子等である。この結果、プローブカードのコイルにより正確な方向の磁界を印加しながら磁気センサを検査できるため、磁気センサの検査精度を高めることができる。尚、基準パターンは、一方向に伸びるパターンでなく、Ｘ方向とＹ方向の両方向に伸びるパターンであることが望ましい。また基準パターンは、長いパターンであることが望ましい。複数方向に伸びる長いパターンを基準パターンとして用いることにより、プローブカードと磁気センサモジュールとの位置合わせの精度を高めることができる。
【０００７】
（３）複数の前記磁気センサモジュールに前記プローブカードを一度に接触させ、
前記磁気センサの検査時に、前記コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の前記磁気センサモジュールの前記磁気センサに印加してもよい。
複数の磁気センサモジュールにプローブカードを一度に接触させ、コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の磁気センサモジュールに印加することにより、プローブカードの磁気センサモジュールへの１回の接続で複数の磁気センサモジュールのディジタル信号処理部及び磁気センサの検査を行うことができる。この結果、磁気センサモジュールを検査するために必要な磁気センサモジュール当たりのプローブカードの磁気センサモジュールへの接続回数を削減できるため、磁気センサモジュール当たりの検査時間を短縮することができる。
【０００８】
（４）前記磁気センサの検査結果に応じた前記磁気センサの補正値を前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールに入力することにより、前記磁気センサモジュールの記憶部に前記補正値を格納してもよい。
磁気センサの補正値をプローブカードを介して磁気センサモジュールに入力するため、プローブカードの磁気センサモジュールへの１回の接続で、ディジタル信号処理部の検査と磁気センサの検査に加えて、磁気センサモジュールの記憶部に磁気センサの補正値を格納することができる。
【０００９】
尚、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
図２は本発明の第一実施例による検査システムを示す模式図である。
本発明の第一実施例による検査システム１は、プローバ１００、テスタ２００等から構成され、ウェハ３０に形成されている磁気センサモジュールの検査を行う。
【００１１】
図３は第一実施例による検査システムの検査対象である磁気センサモジュールを説明するための模式図である。
磁気センサモジュール３００は、磁気センサ３０２、磁気センサ３０４、アナログ・ディジタル変換器（以下Ａ／Ｄ変換器という。）３２０、メモリ３３０、ディジタル信号処理部３４０、電源部３５０等から構成されている。
磁気センサ３０２と磁気センサ３０４は、外部磁界に応じたアナログ信号を出力し、それらの感度方向は互いに直交している。尚、磁気センサモジュール３００は、１つの磁気センサを備えてもよいし、３つ以上の磁気センサを備えてもよい。以下、磁気センサ３０２と磁気センサ３０４の両方を示す場合は「磁気センサ」という。
【００１２】
Ａ／Ｄ変換器３２０は、磁気センサが出力するアナログ信号をディジタル信号に変換する。尚、検査対象である磁気センサモジュール３００は、磁気センサが出力するアナログ信号をディジタル信号に変換するものでもよい。
記憶部としてのメモリ３３０は、磁気センサの補正値、温度補償値などの各種データが格納される不揮発性のメモリである。
【００１３】
ディジタル信号処理部３４０は、端子３６０に入力されるクロック信号に同期して、各種の信号処理を行う。例えばディジタル信号処理部３４０は、磁気センサの出力、メモリ３３０に格納されている補正値、温度補償値等から外部磁界の方向を示す信号（以下、角度信号という。）を生成し、端子３６２に角度信号を出力したり、メモリ３３０に各種データを書き込んだり、メモリ３３０から各種データを読み出す。
電源部３５０は、端子３６４に印加される電圧を入力として、磁気センサモジュール３００の各部に電源を供給する。以下、端子３６０から端子３６４以外の端子を含む全ての端子を示す場合は、「端子」という。
【００１４】
図２に示すように、プローバ１００にはウェハ３０が配置される。具体的には例えば、ウェハ３０は、プローバ１００の図示しないテストステージに取付けられる。テスタ２００は、テスタ本体２１０、テストステーション２２０等から構成されている。テストステーション２２０は、プローバ１００のテストステージ上に設置され、テスタ本体２１０に接続されている。テストステーション２２０には、後述するプローブカードが装着される。
【００１５】
図４は検査時におけるプローブカード近傍の拡大図である。図５はプローブカードの平面図である。
図４に示すように、プローバ１００は、ウェハ３０がプローブカード１３０に接近する方向とウェハ３０がプローブカード１３０から離間する方向とにテストステーション２２０に対して相対移動する。以下、テストステーション２２０に対して、プローバ１００のテストステージが上下方向（矢印Ｚ参照）に昇降するものとして説明する。
【００１６】
プローブカード１３０は、プローブヘッド１４０、プリント配線板１５０、コイル１６１からコイル１６４（図５参照）等から構成されている。
プリント配線板１５０は、テストステーション２２０に固定され、テストステーション２２０を介してテスタ本体２１０と電気的に接続されている。
プローブヘッド１４０は、基部１４２と複数のプローブ１４４を有し、プリント配線板１５０に固定されている。プローブ１４４は、基部１４２の中央近傍に配置されており、基部１４２から突出している。磁気センサモジュール３００の検査時、プローブ１４４の先端は磁気センサモジュール３００の端子に接触する。尚、プローブ１４４は基部１４２の中央近傍からずれて配置されてもよい。
【００１７】
コイル１６１からコイル１６４はプローブヘッド１４０に固定されている。具体的には例えば、コイル１６１から１６４は、それぞれプリント配線板１５０を貫通し、底が基部１４２に形成されている４つの凹部１４２ａに嵌め込まれている。図５に示すように、コイル１６１からコイル１６４は、基部１４２の中心を回転中心として互いに９０度回転した位置に配置されている。以下、コイル１６１からコイル１６４の全てを示す場合は「コイル」という。また、コイル１６１からコイル１６２に向かう方向を「Ｘ方向」（矢印Ｘ参照）、コイル１６３からコイル１６４に向かう方向を「Ｙ方向」（矢印Ｙ参照）という。
【００１８】
コイル１６１とコイル１６２はコイルの内側に互いに逆向きの磁界が発生するように電気的に接続されている。したがって、コイル１６１及びコイル１６２に電流を供給するとＸ方向または−Ｘ方向（Ｘ方向と逆方向）の磁界ＳＦ１が生じる。一方、コイル１６３と１６４はコイルの内側に互いに逆向きの磁界が発生するように電気的に接続されている。したがって、コイル１６３及び１６４に電流を供給するとＹ方向または−Ｙ方向（Ｙ方向と逆方向）の磁界ＳＦ２が生じる。この結果、プローブ１４４の先端近傍に磁界ＳＦ１と磁界ＳＦ２による合成磁界ＣＦ１が形成することができる。合成磁界ＣＦ１の大きさと方向は磁界ＳＦ１及び磁界ＳＦ２の大きさと向きにより決まる。したがって、コイル１６１からコイル１６４に供給する電流を制御することにより、プローブ１４４の先端近傍に任意の大きさ及び任意の方向の合成磁界ＣＦ１を発生させることができる。
【００１９】
図６に示すように、例えばプローブ１４４の先端近傍における磁界の方向がＸ方向と角度θをなす大きさｍの合成磁界ＣＦ１（図６（Ａ）参照）を発生させるためには、次式（１）に示す電流Ｉ１（図６（Ｂ）参照）をコイル１６１及び１６２に供給し、次式（２）に示す電流Ｉ２（図６（Ｃ）参照）をコイル１６３及び１６４とに供給すればよい。
【００２０】
Ｉ１＝ａＣＯＳθ      ・・・（１）
Ｉ２＝ａＳＩＮθ      ・・・（２）
【００２１】
ここで次式（１）及び次式（２）では、Ｉ１の絶対値とＩ２の絶対値とが、それぞれコイル１６１及びコイル１６２とコイル１６３及びコイル１６４とに供給する電流Ｉ１と電流Ｉ２の大きさを表す。またＩ１の符号とＩ２の符号とが、それぞれコイル１６１及びコイル１６２とコイル１６３及びコイル１６４とに供給する電流Ｉ１と電流Ｉ２の向きを表す。以下、合成磁界ＣＦ１の方向をＸ方向となす角度θで表す。尚、合成磁界ＣＦ１の大きさｍは、電流Ｉ１及び電流Ｉ２の最大電流値ａに相関し、その関係はコイル１６１からコイル１６４の巻線数等により決まる。
【００２２】
テスタ２００は、磁気センサモジュール３００に検査信号をプローブカード１３０を介して入力したり、プローブカード１３０のコイル１６１からコイル１６４に磁界を発生させたり、検査信号に対する磁気センサモジュール３００の応答信号をプローブカード１３０を介して取得することにより、磁気センサモジュール３００の検査を行う。
【００２３】
図１は、検査システム１による磁気センサモジュール３００のウェハ検査を説明するためのフローチャートである。このフローチャートは、ウェハ３０に形成された複数の磁気センサモジュール３００のうち任意の１つの磁気センサモジュール３００の検査の流れを示している。
【００２４】
まず、テスタ２００はゼロ磁場調整を行う（ステップＳ１００参照）。具体的にはテスタ２００は、磁界ＳＦ１及び磁界ＳＦ２により磁気センサモジュール３００に印加されているノイズ磁界を打ち消すために必要なコイルへの供給電流値（以下、ゼロ磁場補正値という。）を取得する。ここでノイズ磁界とは、地磁気や電気機器が発生させている磁界のことである。
【００２５】
例えば、ゼロ磁場調整は以下のように行われる。はじめに、外部磁界が取り除かれた状態（以下、ゼロ磁場状態という。）の出力が既知の磁気センサモジュール３００が形成されたウェハ３０をプローバ１００のテストステージに取付ける。テスタ２００は、コイル１６１からコイル１６４への供給電流値を変化させながら、磁気センサモジュール３００の応答信号がゼロ磁場状態を示したときの供給電流値をゼロ磁場補正値として読み取る。そしてテスタ２００は、検査システム１の記憶装置、例えばテスタ２００に搭載されている図示しないメモリ等にゼロ磁場補正値を格納する。ここでテスタ２００による磁気センサモジュール３００の応答信号の測定は、磁気センサモジュール３００に接触させたプローブカード１３０を介してテスタ２００が磁気センサモジュール３００の出力を読み取ることにより行われる。応答信号の測定方法についての詳細は後述する。尚、ゼロ磁場調整は常に行う必要はなく、例えば所定回数の検査毎に行えばよい。またゼロ磁場調整は、プローブ１４４の先端近傍にガウスメータ等の磁場測定装置を配置し、磁場測定装置により外部磁界を計測することにより行ってもよい。
【００２６】
ステップＳ１０１では、プローバ１００は、プローブカード１３０に磁気センサモジュール３００を位置合わせする。具体的には例えば、プローバ１００は、テストステージを移動させることにより、プローブカード１３０のＸ方向と磁気センサ３０２の設計上の感度方向とが平行になり、プローブカード１３０のＹ方向と磁気センサ３０４の設計上の感度方向とが平行になるように、ウェハ３０をプローブカード１３０に対して位置決めする。このとき、ウェハ３０に形成されているダイシングライン３２（図３参照）を基準にして、磁気センサモジュール３００をプローブカード１３０に対して位置合わせするとよい。基準ラインとしてのダイシングラインを基準にして磁気センサモジュール３００をプローブカード１３０に対して位置合わせすることにより、例えばダイシング後の磁気センサモジュール３００に付されたアライメントマークを基準にしてプローブカード１３０とチップ状態の磁気センサモジュール３００とを位置合わせしたり、パッケージ封入後の磁気センサモジュール３００をソケットに装着して磁気センサモジュール３００に磁界を印加するためのコイルと位置合わせする場合と比較して、コイルを有するプローブカード１３０と磁気センサモジュール３００との正確な位置合わせが可能になる。この結果、プローブカード１３０のコイルにより正確な方向の合成磁界ＣＦ１を印加しながら磁気センサを検査することができ、磁気センサの検査精度を高めることができる。
【００２７】
次に、磁気センサモジュール３００にプローブカード１３０を接触させる（ステップＳ１０２参照）。具体的にはプローバ１００は、テストステージを上昇させることにより、磁気センサモジュール３００の端子にプローブカード１３０のプローブ１４４を接触させる。この結果、テスタ２００は磁気センサモジュール３００と導通する。
【００２８】
次に、磁気センサモジュール３００に合成磁界ＣＦ１を印加することなく、磁気センサモジュール３００の検査を行う（ステップＳ１０４参照）。
図７は、ステップＳ１０４の検査の流れを示すフローチャートである。
まず、テスタ２００はオープン・ショートテストを行う（ステップＳ２００参照）。オープン・ショートテストでは、テスタ２００は、既存の検査方法により磁気センサモジュール３００に開放又は短絡した配線があるか否かを検査する。既存の検査方法とは、例えば所定端子（入出力用端子以外の検査用端子を含む）に電流を供給することによりその端子間の導通を判定する方法やバンダリスキャン等の検査方法である。
【００２９】
次に、テスタ２００はリーク電流テストを行う（ステップＳ２０２参照）。リーク電流テストでは、テスタ２００は、プローブカード１３０を介して磁気センサモジュール３００の所定端子（入出力用端子以外の検査用端子を含む）に電圧を印加することによりリーク電流を測定し、この測定結果に基づいて磁気センサモジュール３００の正常、異常を判定する。
【００３０】
次に、テスタ２００はファンクションテストを行う（ステップＳ２０４参照）。ファンクションテストでは、テスタ２００は磁気センサモジュール３００のディジタル信号処理部３４０が仕様どおりに作動しているか否かを検査する。
具体的には例えば、ファンクションテストは以下のように行われる。検査システム１は、複数パターンの検査信号と、正常なディジタル信号処理部３４０にそれらの検査信号を入力した際に出力される応答信号（以下、正常時応答信号）とを上述した記憶装置に記憶させている。テスタ２００はプローブカード１３０を介して磁気センサモジュール３００の端子３６４に電源電圧を印加し、端子３６０にクロック信号を入力し、端子３６２に検査信号を入力する。この結果、ディジタル信号処理部３４０は検査信号に応じた応答信号を端子３６２に出力する。テスタ２００はプローブカード１３０を介してこの応答信号を読み取る。そしてテスタ２００は、ディジタル信号処理部３４０が出力した応答信号と正常時応答信号とを比較することにより、ディジタル信号処理部３４０の正常、異常を判定する。テスタ２００は、記憶装置に記憶されている複数パターンの検査信号とそれに対応する正常時応答信号とを用いて、上述した一連の処理を繰り返すことにより、ディジタル信号処理部３４０の複数機能を検査する。尚、ステップＳ１０４の検査工程では、テスタ２００は磁気センサモジュール３００に合成磁界ＣＦ１を印加することなく行うことができるディジタル信号処理部３４０の検査を行えばよく、例示したオープン・ショートテスト、リーク電流テスト及びファンクションテストを必ずしも行う必要はない。
【００３１】
以上説明したステップＳ１０４の検査が終了すると、テスタ２００は磁気センサモジュール３００の磁気センサの検査を行う（図１のステップＳ１０６参照）。磁気センサの検査では、ファンクションテストに引き続き、磁気センサモジュール３００に電源電圧とクロック信号を供給した状態で、磁気センサモジュール３００に合成磁界ＣＦ１を印加する。
【００３２】
図８は、磁気センサの検査の流れを示すフローチャートである。
ステップＳ３００からステップＳ３０２では、テスタ２００は感度テストを行う。具体的には例えば、テスタ２００は磁気センサに感度範囲下限の大きさの外部磁界を印加する（ステップＳ３００参照）。より具体的には、テスタ２００は、ゼロ磁場補正値を加味した電流をコイル１６１からコイル１６４に供給することにより、磁気センサに感度範囲下限の大きさの外部磁界が印加されるような合成磁界ＣＦ１を発生させる。次に、テスタ２００は、プローブカード１３０を介して磁気センサモジュール３００の応答信号を読み取り、読み取った応答信号が印加中の外部磁界に応じた応答信号であるか否かを判別することにより、磁気センサの感度を検査する。そしてテスタ２００は、検査システム１の記憶装置に感度テストの検査結果を格納する（ステップＳ３０２参照）。
【００３３】
ステップＳ３０４からステップＳ３０８では、テスタ２００は直交度テストを行う。具体的には例えば、テスタ２００は磁気センサに０度の外部磁界を印加する（ステップＳ３０４参照）。より具体的にはテスタ２００は、ゼロ磁場補正値を加味した電流をコイル１６１からコイル１６４に供給することにより、０度の外部磁界が磁気センサに印加されるような合成磁界ＣＦ１を発生させる。次に、テスタ２００は、磁気センサ３０２の出力を示す応答信号と磁気センサ３０４の出力を示す応答信号とをディジタル信号処理部３４０に出力させて、それらの応答信号をプローブカード１３０を介して読み取る（ステップＳ３０６参照）。次に、テスタ２００は、読み取った応答信号から磁気センサ３０２の出力と磁気センサ３０４の出力の直交度を特定する。そしてテスタ２００は、検査システム１の記憶装置に磁気センサ３０２の出力と磁気センサ３０４の出力の直交度を格納する（ステップＳ３０８参照）。尚、直交度テストにおいて印加する外部磁界の方向は０度以外の方向でもよい。また、複数方向に印加した外部磁界に対する応答信号から磁気センサ３０２の出力と磁気センサ３０４の出力の直交度を判定してもよい。
【００３４】
ステップＳ３１０からステップＳ３１８では、テスタ２００は、所定間隔で３６０度の範囲の外部磁界を磁気センサモジュール３００印加し、異なる方向の外部磁界を磁気センサモジュール３００に印加する度に、その外部磁界に対する応答信号としての角度信号を読み取る。このテストでは、読み取った角度信号から例えばＸ方向、Ｙ方向座標面内に出力の方位円を取得する。そして方位円の中心が理想的な方位円の中心からずれていないか、方位円が閉じているか、方位円が楕円になっていないか等を確認する。以下、ステップＳ３０８からステップＳ３１８の処理を、検出角度テストという。
はじめに、テスタ２００は未測定の方向の外部磁界を磁気センサモジュール３００に印加する（ステップＳ３１０参照）。例えばテスタ２００は、２２．５度の間隔で３６０度の範囲の外部磁界に対する応答信号を測定する場合、０度、２２．５度、４５．０度、・・・、３３７．５度の外部磁界をこの順番で発生させる。
【００３５】
次に、テスタ２００は、プローブカード１３０を介して磁気センサモジュール３００の応答信号を読み取る（ステップＳ３１２参照）。
次に、テスタ２００は、磁気センサモジュール３００から応答信号が出力されたか否かを判定する（ステップＳ３１４参照）。磁気センサモジュール３００からの出力があった場合、テスタ２００はステップＳ３１６の検査工程に進む。磁気センサモジュール３００からの出力がなかった場合、テスタ２００は磁気センサモジュール３００が故障しているとみなす。その場合、テスタ２００は、未測定の方向の外部磁界があったとしても、磁気センサモジュール３００の測定を中止する。尚、テスタ２００は、磁気センサモジュール３００からの出力がなくても、測定を継続してもよい。
【００３６】
ステップＳ３１６では、テスタ２００は、検査システム１の記憶装置に読み取った応答信号を格納する。
次に、テスタ２００は全方向の外部磁界に対する応答信号を測定したか否かを判断する（ステップＳ３１８参照）。未測定の方向の外部磁界があると判断した場合、テスタ２００はステップＳ３１０の検査工程に戻る。全方向の外部磁界に対して測定済みであると判断した場合、テスタ２００は、コイル１６１からコイル１６４への電流供給を停止することにより、合成磁界ＣＦ１を取り除く（ステップＳ３２０参照）。尚、合成磁界ＣＦ１を取り除くタイミングは、全方向の外部磁界に対する応答信号を測定した後であればいつでもよい。
【００３７】
ステップＳ３２２では、テスタ２００は、磁気センサが全方向の外部磁界に対して適正な信号を出力したか否かを判定し、その判定結果を検出角度テストの検査結果として検査システム１の記憶装置に格納する。具体的には例えば、テスタ２００は、直交度テストの検査結果を加味しながら、測定した応答信号と印加した外部磁界に対する理想的な応答信号との誤差に基づいて、磁気センサの全方向の外部磁界に対する出力信号を評価する。
【００３８】
以上説明した検出角度検査が終了すると、テスタ２００は、図１に示すステップＳ１０８の検査工程に進む。
ステップＳ１０８では、テスタ２００は、各種テストの検査結果に応じた磁気センサの補正値を磁気センサモジュール３００のメモリ３３０に書き込む。
ステップＳ１１０では、テスタ２００は電源電流を検査する。具体的には例えば、テスタ２００は所定動作時の磁気センサモジュール３００の消費電流を測定する。所定動作時とは、例えば磁気センサモジュール３００の未作動時、角度信号読み取り時などである。テスタ２００は、測定された消費電流と正常な磁気センサモジュール３００の消費電流とを比較することにより、電源電流の正常、異常を判定する。
ステップＳ１１２では、プローバ１００は、プローブカード１３０から磁気センサモジュール３００を離間させる。具体的にはプローバ１００は、テストステージを降下させることにより、磁気センサモジュール３００の端子３６０から端子３６４からプローブカード１３０のプローブ１４４を離間させる。
【００３９】
以上説明したように、検査システム１による磁気センサモジュール３００のウェハ検査では、プローブカード１３０の磁気センサモジュール３００への１回の接続で、ディジタル信号処理部３４０の検査と磁気センサの検査と磁気センサの補正値のメモリ３３０への書き込みとを行うことができる。このように磁気センサモジュール３００の検査工程を簡素化できるため、磁気センサモジュール３００の製造コストを低減することができる。
【００４０】
尚、第一実施例に係るウェハ検査の各テストにおける検査結果が不良を示す場合、テスタ２００は、そのテスト以降の検査を行わず、未検査の磁気センサモジュール３００の検査に移ってもよい。
また、テスタ２００は、テスト毎に検査結果を判定しなくてもよい。
【００４１】
（第二実施例）
第二実施例による検査システムの構成要素は、プローブカードを除いて第一実施例による検査システム１の対応する構成要素と実質的に同一である。
図９は、第二実施例に係るプローブカードの平面図である。図１０は、検査時のプローブカード近傍の拡大図である。
第二実施例に係るプローブカード４３０は、プローブヘッド４４０、プリント配線板４５０、コイル４６１からコイル４６８等から構成されている。プリント配線板４５０は第一実施例に係るプリント配線板１５０と実質的に同一である。
【００４２】
プローブヘッド４４０は、基部４４２と複数のプローブ群４４５を有している。複数のプローブ群４４５は、基部４４２の中心近傍に格子状に配列されており、各プローブ群４４５は、第一実施例に係るプローブ１４４と実質的に同一の複数のプローブ４４４から構成されている。プローブカード４３０は、複数のプローブ群４４５によりウェハ３０に形成されている複数の磁気センサモジュール３００に接触することができる。尚、プローブ群４４５の数は、例示した４つに限定されず、２つでも３つでも５つ以上でもよい。またプローブ群４４５の配置は、ウェハ３０に形成された磁気センサモジュール３００の配置に応じて決まるため、プローブ群４４５は基部４４２にどのように配列されてもよい。
【００４３】
コイル４６１から４６８は、第一実施例に係るコイル１６１から１６４と同様に、プローブヘッド４４０に固定されている。コイル４６１とコイル４６２は、プローブ群４４５を挟んで両側に配置され、第一実施例に係るコイル１６１とコイル１６２の接続と同様に接続されている。コイル４６１とコイル４６２は、電流供給によりプローブ群４４５の先端近傍に磁界ＭＦ１発生させる。コイル４６３とコイル４６４は、磁界ＭＦ１と同一方向の磁界ＭＦ２をプローブ群４４５の先端近傍に発生するように、プローブ群４４５を挟んで両側に配置され接続されている。
【００４４】
コイル４６５とコイル４６６は、磁界ＭＦ１及び磁界ＭＦ２と直交する磁界ＭＦ３をプローブ群４４５の先端近傍に発生するように、プローブ群４４５を挟んで両側に配置され接続されている。コイル４６７とコイル４６８は、磁界ＭＦ３と同一方向の磁界ＭＦ４をプローブ群４４５の先端近傍に発生するように、プローブ群４４５を挟んで両側に配置され接続されている。以下、コイル４６１からコイル４６２に向かう方向をＸ２方向（矢印Ｘ２参照）、コイル４６５からコイル４６６に向かう方向をＹ２方向（矢印Ｙ２参照）という。
【００４５】
このようにプローブ群４４５を挟んで両側にコイルを２つずつ配置することにより、プローブ群４４５の先端近傍に磁界ＭＦ１及び磁界ＭＦ２によるＸ２方向の均一な磁界を印加することができ、複数のプローブ群４４５の先端近傍に磁界ＭＦ３及び磁界ＭＦ４によるＹ２方向の均一な磁界を印加することができる。尚、コイルはプローブ群４４５を挟んで両側に３つ以上配置してもよい。
【００４６】
第二実施例の検査システムによる磁気センサモジュール３００のウェハ検査の各ステップは、各ステップにおいて複数の磁気センサモジュール３００を検査対象とする点を除いて、第一実施例の検査システム１による磁気センサモジュール３００のウェハ検査と実質的に同一である。
第二実施例の磁気センサモジュール３００のウェハ検査では、プローブカード４３０の磁気センサモジュール３００への１回の接続で複数の磁気センサモジュール３００のディジタル信号処理部及び磁気センサの検査を行うことにより、磁気センサモジュール３００を検査するために必要な磁気センサモジュール３００当たりのプローブカード４３０の磁気センサモジュール３００への接続回数を削減することができる。この結果、磁気センサモジュール３００当たりの検査時間を短縮できるため、磁気センサモジュール３００の製造コストを低減することができる。
【００４７】
（第三実施例）
第一実施例に係るウェハ検査では、メモリ３３０に磁気センサの補正値を電気的に書き込みことにより、プローブカード１３０の磁気センサモジュール３００への１回の接続で、ディジタル信号処理部３４０及び磁気センサの検査とともに、磁気センサの補正値のメモリ３３０への書き込みを行う。しかし、磁気センサの補正値を書き込むための電気的に書き込み可能な記憶部（例えば第一実施例に係るメモリ３３０）を磁気センサモジュールが備えていない場合、第一実施例に係るウェハ検査の検査方法をそのまま適用することはできない。そこで第三実施例において、磁気センサの補正値を格納するための電気的に書き込み可能な記憶部を備えていない磁気センサモジュールの製造コストを低減する検査方法について説明する。
【００４８】
第三実施例に係る磁気センサモジュールは、第一実施例に係る磁気センサモジュール３００のメモリ３３０に換えて、レーザ書き込み型のメモリを有している。第三実施例による検査システムは、第一実施例による検査システム１と実質的に同一の構成要素に加え、レーザ書き込み型のメモリに磁気センサの補正値等を書き込むためのレーザ照射装置を備えている。
【００４９】
図１１は、第三実施例の検査システムによる磁気センサモジュールの検査の流れを示すフローチャートである。尚、図１１に示すフローチャートでは、ゼロ磁場調整のステップを省略している。
まず、プローバ１００は、第一実施例に係るウェハ検査のステップＳ１０１と同様にして、ウェハ３０に形成された未検査の磁気センサモジュールを、プローブカード１３０に位置合わせする（ステップＳ４００参照）。
ステップＳ４０２では、プローバ１００は、ウェハ３０に形成された未検査の磁気センサモジュールにプローブカード１３０を接触させる。
【００５０】
ステップＳ４０４では、テスタ２００は、第一実施例に係るウェハ検査のステップＳ１０４からステップＳ１１０の工程（図１参照）と同様にして、磁気センサモジュールの各種検査を行う。但し、テスタ２００は、第一実施例に係るウェハ検査のステップＳ１０８（図１参照）に対応する工程、すなわち磁気センサの補正値をレーザ書き込み型のメモリに書き込む工程を行わず、その補正値を検査システムの記憶装置に格納する。テスタ２００は、ウェハ３０に形成さている全ての磁気センサモジュールの検査が終了した後に、良品と判定した全ての磁気センサモジュールに磁気センサの記憶装置に格納された補正値を一括して書き込む。詳細は後述する。
【００５１】
ステップＳ４０６では、プローバ１００は、プローブカード１３０から磁気センサモジュールを離間させる。
ステップＳ４０８では、テスタ２００は、ウェハ３０に形成された全ての磁気センサモジュールを検査したか否かを判断する。未検査の磁気センサモジュールがあると判断した場合、テスタ２００はステップＳ４００の工程に戻り、未検査の磁気センサモジュールの検査を行う。全ての磁気センサモジュールの検査が終了したと判断した場合、テスタ２００はステップＳ４１０の工程に進む。
【００５２】
ステップＳ４１０では、テスタ２００は、ウェハ３０に形成されている磁気センサモジュールのうち良品と判定された全ての磁気センサモジュールの各メモリに、検査システムの記憶装置に格納されている対応する補正値を、レーザ照射装置により書き込む。具体的にはテスタ２００は、レーザ書き込み型のメモリにレーザ光をレーザ照射装置に照射させ、レーザ書き込み型のメモリ回路の一部をレーザ光で焼き切ることにより、レーザ書き込み型のメモリに磁気センサの補正値を書き込む。
【００５３】
以上説明した第三実施例に係るウェハ検査では、ウェハ３０に形成された全ての磁気センサモジュールを検査した後に、メモリに磁気センサの補正値を一括して書き込む。したがって、プローブカード１３０による磁気センサモジュール３００の検査と、レーザ照射装置による磁気センサの補正値のメモリへの書き込みとを交互に行う場合と比較して、磁気センサモジュールのウェハ検査の工程を簡素化できるため、磁気センサモジュールの製造コストを低減することができる。
尚、第三実施例に係るウェハ検査は、電気的に書き込み可能な記憶部を備えている磁気センサモジュールにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第一実施例に係るウェハ検査の流れを示すフローチャート。
【図２】第一実施例による検査システムの模式図。
【図３】第一実施例に係る磁気センサモジュールを説明するための模式図。
【図４】第一実施例による検査システムのプローブカード近傍の拡大図。
【図５】第一実施例に係るプローブカードの平面図。
【図６】合成磁界とコイルへの供給電流との関係を説明するための模式図。
【図７】磁界を印加することなく行う検査の流れを示すフローチャート。
【図８】磁界を印加しながら行う磁気センサの検査の流れを示すフローチャート。
【図９】第二実施例に係るプローブカードの平面図。
【図１０】第二実施例による検査システムのプローブカード近傍の拡大図。
【図１１】第三実施例に係るウェハ検査の流れを示すフローチャート。
【符号の説明】
【００５５】
３０  ウェハ、３２  ダイシングライン（基準パターン）、１３０、４３０  プローブカード、１６１〜１６４  コイル、３００  磁気センサモジュール、３０２、３０４  磁気センサ、３３０  メモリ（記憶部）、３４０  ディジタル信号処理部、４６１〜４６８  コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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