(57)【要約】【課題】Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、前記支持基板の上に設けられ前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、
前記支持基板の上に設けられ前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、
前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体層は、前記支持基板の上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上に設けられたｎ型の第１の層と、前記第１の層の上に設けられ前記第１の層よりも高い不純物濃度を有する第２の層と、を含み、
前記バッファ層は、前記穴に露出する部分が取り除かれ、
前記ショットキー電極は、前記第１の層の表面に設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持基板の下面と前記穴の側面とに設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記ショットキー電極は、前記絶縁膜の上に延在してなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の半導体は、シリコンであり、
前記第２の半導体は、窒化物系半導体またはＳｉＣであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の半導体からなる支持基板の上に、前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上にオークミック電極を形成する工程と、
前記支持基板の下面から前記半導体層に至る穴を形成する工程と、
前記穴の中に露出した前記半導体層の表面にショットキー電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）は、高い整流作用を有し、ＰＮ接合型のダイオードよりも順方向の電圧降下が小さく逆回復時間が非常に速いことから、スイッチング電源のＰＦＣ(Power Factor Correction)回路やパワー用ＩＧＢＴのＦＷＤ(Free Wheel Diode)、携帯電話等の通信基地局用の高周波高出力素子などとして普及しつつある。
【０００３】
ショットキーバリアダイオードを大型化するためには、安価に大口径化できるシリコン（Ｓｉ）基板上に形成することが有効である。ワイドバンドギャップを有する半導体層として、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）若しくは炭化珪素（ＳｉＣ）等を用い、Ｓｉ基板との間に、導電性バッファ層を挟持したショットキーバリアダイオードが開示されている（特許文献１）。しかし、低抵抗のバッファ層を介しても、ワイドバンドギャップ半導体層とＳｉ基板との間には導電帯のバンド不連続が形成されてしまうために、これが抵抗成分となり、ショットキーバリアダイオードの順方向特性が劣化してしまう。
【特許文献１】特開２００４−２２６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
第１の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、
前記支持基板の上に設けられ前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、
前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００６】
本発明の他の一態様によれば、
第１の半導体からなる支持基板の上に、前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上にオークミック電極を形成する工程と、
前記支持基板の下面から前記半導体層に至る穴を形成する工程と、
前記穴の中に露出した前記半導体層の表面にショットキー電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオードを表す模式断面図である。  
Ｓｉ基板（支持基板）１０の主面上に、バッファ層２０と、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０と、オーミック電極４０と、がこの順で積層され、Ｓｉ基板１０の裏面側からｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０に到るトレンチ７０が形成されている。このトレンチ７０の底部には、トレンチ７０の側面から離間するようにショットキー電極５０が設けられている。つまり、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０が、オーミック電極４０と、ショットキー電極５０と、で挟持された構造を有する。これにより、Ｓｉ基板１０を用いても、順方向特性を劣化させることがなく、消費電力及び動作電圧を小さくすることができる。また、後に詳述するように、オーミック電極４０を形成してからショットキー電極５０を形成することができるので、オーミック電極４０の形成の際に加熱しても、ショットキー特性が低下することがない。従って、逆方向特性も良好なものとすることができる。また、トレンチ深さＤを、例えば９０マイクロメートル程度とし、電極間距離ｔを、例えば１０マイクロメートル程度（Ｄ＞ｔ）、として放熱性も向上させることができる。このトレンチ７０の空間領域には、伝熱可能な絶縁物として、例えば、空気が設けられている。
【０００９】
ここで、バッファ層２０は、Ｓｉ基板１０とｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０との格子定数のずれを緩和する役割を果たす。ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０は、Ｓｉ基板１０よりもバンドギャップが大きい半導体からなり、その材料には、例えばＧａＮやＡｌＧａＮなどのＧａＮ系半導体や、ＳｉＣなどを用いることができる。ＧａＮ系半導体を用いた場合も、ＳｉＣを用いた場合も、その不純物濃度は、５×１０１５〜１×１０１６ｃｍ−３程度とし、またその厚み（図１における厚みｔ）は、１０マイクロメータ程度とするとよい。
ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０の材料として、例えばＧａＮを用いた場合、バッファ層２０の材料としては、例えばＡｌＧａＮやＡｌＮを用いることができ、オーミック電極４０には、例えば、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）とをこの順に積層して合金化させたり、Ｔｉと、タンタル（Ｔａ）と、モリブデン（Ｍｏ）と、金（Ａｕ）と、をこの順で積層させたものを用いることができる。一方、ショットキー電極５０としては、ニッケル（Ｎｉ）と、金（Ａｕ）と、をこの順に積層させたり、パラジウム（Ｐｄ）と、Ｎｉと、Ａｕと、をこの順に積層させたものを用いることができる。
【００１０】
一方、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０の材料として３Ｃ−ＳｉＣを用いた場合には、バッファ層２０としては、例えば、c−ＢＰ（立方晶リン化硼素）を用いることができる。また、ＳｉＣの場合には、ショットキー電極５０としては、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができ、オーミック電極４０としては、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。
【００１１】
図２は、ショットキーバリアダイオードの比較例を表す模式断面図である。  
この比較例は、低抵抗のＳｉ基板１０と、低抵抗のバッファ層２０と、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０と、ショットキー電極５０と、がこの順に設けられ、Ｓｉ基板１０の裏面側にＡｌを用いたオーミック電極４０が設けられたショットキーバリアダイオードである。ここで、電極間距離Ｄ’は、例えば約１００マイクロメータ程度とすることができる。
【００１２】
図３は、本実施形態の実施例と比較例のショットキーバリアダイオードの電圧と電流の関係を例示するグラフ図である。  
ここで、本発明の実施例は、図１に例示したトレンチを有するショットキーバリアダイオードであり、また、比較例は、図２に表したショットキーバリアダイオードである。また、このグラフは横軸を電圧（ボルト）、縦軸を電圧（アンペア）とし、図中の領域Ｉは順方向特性、領域IIは逆方向特性を表す。本実施例の特性を（１）で表し、比較例を（２）で表した。
【００１３】
本実施例のショットキーバリアダイオードについて逆方向バイアス（領域II）を印加した時の電流は、比較例と同等であり、電流リークが少なく良好なショットキー接合が維持されていることが分かる。一方、順方向特性についてみると、比較例の場合は、順方向電流が小さく、抵抗値が高いことが分かる。これは、Ｓｉ基板１０とその上に形成したバッファ層２０や、各層の界面に形成される導電帯のバンド不連続が、電気的な抵抗成分となるためである。
【００１４】
これに対して、本実施例のショットキーバリアダイオードは、領域Ｉの順バイアス下において、比較例のショットキーバリアダイオードよりも小さな印加電圧で大きな電流を流すことができる。  
すなわち、本実施例のショットキーバリアダイオードは、Ｓｉ基板を用いながらも、ワイドバンドギャップ半導体層３０に直接的にオーミック電極４０を形成するので、順方向特性の劣化を抑制できる。  
次に、本実施形態のショットキーバリアダイオードの製造方法について説明する。
【００１５】
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの製造方法を例示する工程断面図である。  
以下に説明する具体例では、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０としてＧａＮを用い、バッファ層２０としてＡｌＧａＮを用いる。  
まず、図４（ａ）に表したように、Ｓｉ基板１０の上に、ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＧａＮ層３０と、ｎ＋型ＧａＮ層６０を順次形成する。この成膜方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。まず、１１２０℃で、Ｓｉ基板１０上にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを６０μｍｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を６０μｍｏｌ／ｍｉｎ、とアンモニア（ＮＨ３）ガスを０．１４ｍｏｌ／ｍｉｎをそれぞれ流してＡｌＧａＮ層２０を形成する。
【００１６】
そして、ＴＭＡガスの代わりにシラン（ＳｉＨ４）ガスを２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎを供給してｎ型ＧａＮ層３０を形成し、ＳｉＨ４ガスの流量を５０ｎｍｏｌ／ｍｉｎとして、ｎ型ＧａＮ層３０上に高濃度のｎ＋型ＧａＮ層６０を形成する。ここで、ｎ型ＧａＮ層３０のキャリア濃度は、１×１０１７ ｃｍ−３程度とし、ｎ＋型ＧａＮ層６０のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３程度とすることができる。
【００１７】
次に、この高濃度ｎ＋型ＧａＮ層６０の上に、ＴｉとＡｌとを順次積層し、例えば８００℃で９０秒間の熱処理を施すことにより、オーミック金属４０を形成する。  
次いで、図４（ｂ）に表したように、Ｓｉ基板１０を所定の膜厚までＣＭＰ(Chemical mechanical Polishing)、ＣＤＥ(Chemical Dry Etching)等を用いて薄くする。  
次に、図４（ｃ）に表したように、Ｓｉ基板１０下面からＲＩＥ(Reactive Ion Etching)やＣＤＥ等により、Ｓｉ基板１０と、ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＧａＮ層３０と、を順次エッチングしてトレンチ７０を形成する。
【００１８】
しかる後に、図４（ｄ）に表したように、トレンチ７０の底面にＮｉとＡｕとを順次積層してショットキー電極を形成する。
【００１９】
このように、本実施例では、高温下でオーミック電極４０を形成した後、トレンチ７０を形成し、オーミック電極４０の形成温度よりも低温でショットキー電極５０を形成することで、高温熱処理によるショットキー特性の劣化を防ぐことができる。また、トレンチ７０を形成してからオーミック電極４０を形成すると、高温熱処理によるストレスによって、半導体層にクラックなどが生ずるおそれがある。これに対して、本具体例によれば、オーミック電極４０を形成してからトレンチ７０を形成することにより、クラック等の欠陥を発生させることなくショットキーバリアダイオードを製造できる。
【００２０】
次に、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０を、３Ｃ−ＳｉＣ層とした場合の製造方法についても、簡単に説明する。  
まず、Ｓｉ基板１０上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用いて８００℃〜１０００℃下でジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス及びホスフィン（ＰＨ３）ガスを供給して、１マイクロメータ程度のｃ−ＢＰ層を形成する。次に、例えば、ジボランガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス及びホスフィンガスの供給を止め、基板温度を５００℃にして、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ）ガスを導入し、１マイクロメータ程度の３Ｃ−ＳｉＣ層を形成する。さらに、１１２０℃でシラン（ＳｉＨ４）ガス及びプロパン（Ｃ３Ｈ８）ガスを導入し、１５マイクロメータ程度まで成長させてリン（Ｐ）をドープしたｎ型の３Ｃ−ＳｉＣ層を形成する。次に、オーミック電極４０として、例えばＡｌ電極４０を形成する。その後、Ｓｉ基板１０の下面をパターニングした後、その中央部にＲＩＥやＣＤＥ等を用いて、Ｓｉ基板１０と、ｃ−ＢＰ層２０と、３Ｃ−ＳｉＣ層３０と、をエッチングして３Ｃ−ＳｉＣ層３０内にトレンチ底部を形成するようにトレンチ７０を設ける。このトレンチ７０底部にＮｉからなるショットキー電極５０を形成して、ショットキーバリアダイオードを製造する。  
このように、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０として３Ｃ−ＳｉＣ層を用いた場合も、オーミック電極４０を形成した後にショットキー電極５０を形成することにより、ショットキー特性の劣化を防ぐことができる。
【００２１】
以上、本発明の実施形態にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法について説明した。  
次に、本発明の実施形態にかかる他のショットキーバリアダイオードの具体例について説明する。
【００２２】
図５は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第２の具体例を表す断面図である。これ以降の図面については、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００２３】
本具体例においては、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０とオーミック電極４０との接触抵抗を低下させるため、ｎ型ＧａＮ層３０の表面に、例えばＳｉ等の不純物を導入して、高ドープ領域３０Ａを形成する。導入する方法としては、例えばレーザ・ドーピング法やイオン注入法などを用いることができる。これにより、オーミック電極４０の接触抵抗が低下するため、良好な順方向特性が得られる。一方、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０として３Ｃ−ＳｉＣ層を用いた場合も、その表面に高ドープ領域３０Ａを形成することにより、同様の効果が得られる。
【００２４】
図６は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第３の具体例を表す断面図である。  
本具体例においては、図４に関して前述したものと同様な構造を有し、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０とオーミック電極４０との接触抵抗を低下させるため、この間に高濃度のｎ＋型ワイドバンドギャップ半導体層６０を設けて接触抵抗を低下させている。ここで、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０を、例えばｎ型ＡｌＧａＮとし、ｎ＋型ワイドバンドギャップ半導体層６０を、例えばｎ＋型ＧａＮ層とすることで、結晶性の劣化を抑制できる。また、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０に、３Ｃ−ＳｉＣ層を用いても、同様な効果が得られる。
【００２５】
図７は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第４の具体例を表す断面図である。  
本具体例においては、トレンチ７０の側面及びＳｉ基板１０の下面にわたって絶縁膜８０が設けられ、この絶縁膜８０とトレンチ７０底部と、の上には、ショットキー電極５０が覆うように設けられている。これにより、ショットキー電極５０は、Ｓｉ基板１０の下面に延在する引出電極としても用いることができる。つまり、このショットキーバリアダイオードを図示しない実装基板などにマウントすると、Ｓｉ基板１０の下面に延在したショットキー電極５０により配線することができる。また、トレンチ７０の側面とＳｉ基板１０の下面には絶縁膜８０が設けられているため、これらの部分にはショットキー電極５０は接触せず、ショットキー特性に影響を与えることもない。ここで、絶縁膜８０の材質としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２）や、窒化珪素（ＳＮｘ）、ポリイミドなどの樹脂等を用いることが可能である。また、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０に３Ｃ−ＳｉＣ層を用いても、本具体例と同様の効果が得られる。
【００２６】
図８（ａ）は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第５の具体例を表す模式断面図であり、図８（ｂ）はその下面図である。
【００２７】
この具体例の基本構造は、図７に関して前述したものと類似するが、トレンチ７０の側面と底部のコーナーが丸められてラウンド形状が形成されている。仮に、トレンチ７０の底部のコーナーが鋭角であると電界が集中しやすく、ブレークダウンや破壊が生じることがある。これに対して、本具体例の如く、コーナーをラウンド形状とすることにより、電界集中が緩和され、高耐圧なショットキーバリアダイオードが得られる。
【００２８】
なお、図８（ｂ）に表したショットキーバリアダイオードの長さＬは、例えば、１ミリメータ程度とし、幅Ｗは、例えば０．５ミリメータ程度とすることができる。  
また、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層３０として３Ｃ−ＳｉＣを用いても、同様の構造を形成することができ、本具体例と同様の効果が得られる。
【００２９】
図９は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第６の具体例を表す模式断面図である。  
この具体例の基本構造は、図８に関して前述したものと類似するが、トレンチ７０が充填体８５により充填されている点が異なる。充填体８５を設けることにより、その上の薄膜状の部分を補強することが可能である。すなわち、トレンチ７０の平面サイズを大きくしても、機械的な強度を維持できる。また、充填体８５の材料として熱伝導率の高い材料を用いると、その上のワイドバンドギャップ半導体層において発生した熱を効率的に放出させることが可能となる。  
充填体８５の材料としては、例えば酸化珪素や窒化珪素などの無機材料や、金（Ａｕ）などの金属、ポリイミドなどの樹脂などを用いることが可能である。
【００３０】
図１０（ａ）は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第７の具体例を表す断面図であり図１０（ｂ）は、その下面図である。  
本具体例は、図８に例示したショットキーバリアダイオードが並列に繰り返すような構造を有する。ｎ＋型ワイドバンドギャップ半導体層６０の主面上には、オーミック電極４０が連続的に設けられている。また、それぞれのトレンチ７０の側面とＳｉ基板の下面とには絶縁膜８０が連続して形成されている。そして、この絶縁膜８０とトレンチ７０の底部との上には、ショットキー電極５０が連続的に設けられている。また、トレンチ７０のコーナーはラウンド形状とされており、これによりコーナー部の電界集中を緩和させることができる。オーミック電極４０とショットキー電極５０とにより挟持されたワイドバンドギャップ半導体層６０及び３０の厚みは、例えば１０マイクロメータ程度と薄い。従って、機械的あるいは熱的な外部応力などの観点から、この部分をあまり大面積にすることはできない。これに対して、本具体例の如く、複数のトレンチ７０を並列させる構造とすれば、機械的な強度を維持しつつ、ショットキー接合部の面積を増加させ電流容量を拡大できる。本具体例の長さＷ’は、例えば数ミリメータ程度とすることができ、このように大きなＳｉ基板を用いることより、良好な順方向特性及び逆方向特性を維持しつつ、電流容量の大きなショットキーバリアダイオードを実現できる。
【００３１】
図１１（ａ）は、本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第８の具体例を表す断面図であり、図１１（ｂ）はその下面図である。  
本具体例のショットキーバリアダイオードは、図１０に関して前述したものと類似した構造を有するが、トレンチ７０の中に充填体８５が埋入されている。充填体８５は、図９に関して前述したものと同様とすることができ、同様の作用効果が得られる。すなわち、トレンチ７０の平面サイズを大きくしても、機械的な強度を維持することができる。また、放熱性を改善することも可能である。
【００３２】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。  
例えば、ショットキーバリアダイオードを構成する各構成層や、外形寸法形状、トレンチ形状、コーナー部の形状、構成層、ワイドバンドギャップ半導体層の材質、などについては、当業者が適宜変更を加えたものであっても、本発明の要旨を包含する限りのいて本発明の範囲に包含される。
【００３３】
例えば、本発明の実施形態には、ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層をｎ型ＧａＮ層として説明したが、それ以外のＩｎＧａＮ層、ＡｌＮ層、ＢＡｌＮ層などの窒化物系半導体や、ＳｉＣ層を用いても上述した同様の効果が得られる。  
また、各具体例の構造は、技術的に可能な限りにおいてお互いに適宜組み合わせることが可能であり、そのように組み合わせて得られたショットキーバリアダイオードも本発明の範囲に包含される。
【００３４】
なお、本明細書において、「窒化物系半導体」とは、ＢｘＩｎｙＧａｚＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる組成式において、組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物系半導体」に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオードを表す断面図である。
【図２】ショットキーバリアダイオードの比較構造を表す断面図である。
【図３】本実施形態の実施例と比較例のショットキーバリアダイオードの電圧と電流の関係を例示するグラフ図である。
【図４】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの製造方法を例示する（ａ）〜（ｄ）工程断面図である。
【図５】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第２の具体例を表す断面図である。
【図６】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第３の具体例を表す断面図である。
【図７】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第４の具体例を表す断面図である。
【図８】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第５の具体例を表す模式図である。
【図９】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第６の具体例を表す断面図である。
【図１０】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第７の具体例を表す(ａ)断面図と（ｂ）下面図である。
【図１１】本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの第８の具体例を表す(ａ)断面図と（ｂ）下面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０ Ｓｉ基板、２０ バッファ層、ＡｌＧａＮ層、３０ ｎ型ワイドバンドギャップ半導体層、３０Ａ 高ドープ領域、４０ オーミック電極、５０ ショットキー電極、６０ ｎ＋型ワイドバンドギャップ半導体層、７０ トレンチ、８０ 絶縁膜、８５ 絶縁物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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