(57)【要約】【課題】光記録媒体を製造した後の最適記録パワーの悪化を防止し、または低減できる光記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１上に、第１保護層１３、記録層１４、第２保護層１５をスパッタリング法により順次積層して形成する光記録媒体１０１の製造方法であって、第１保護層１３形成後でかつ記録層１４の形成前に（ａ）、第１保護層１３が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露する（ｂ）光記録媒体１０１の製造方法により、上記課題を解決する。記録層１４は金属窒化物系材料からなることが好ましく、第１保護層１３形成前に基板１１上に反射層１２を形成すること、第２保護層１５形成後に第２保護層１５上にカバー層１６を形成することが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１保護層、記録層、第２保護層をスパッタリング法により順次積層して形成する光記録媒体の製造方法であって、
前記第１保護層形成後でかつ前記記録層の形成前に、前記第１保護層が形成された前記基板を所定期間大気中に曝露することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記記録層は金属窒化物系材料からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第１保護層形成前に前記基板上に反射層を形成することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記第２保護層形成後に前記第２保護層上にカバー層を形成することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基板上に、記録層、保護層、反射層を含む複数層構造をスパッタリング法により積層形成する光記録媒体の製造方法であって、
１の層の形成後でかつ次の層の形成前に、少なくとも前記１の層が形成された基板を所定期間大気中に曝露することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の製造方法の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体として、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）が広く用いられるようになってきており、音声データや画像データなど、種々の情報が記録できるようになっている。ＤＶＤにおいては、再生専用のタイプの他、記録や追記が可能なＤＶＤ−Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｌｅ）、書き換えが可能なＤＶＤ−ＲＷ（Ｒｅ−Ｒｅｃｏｒｄａｌｅ）等のバリエーションがある。
【０００３】
このような光記録媒体のうち、無機記録材料を用いた記録型の光記録媒体（光ディスク）として、例えば、記録・再生用レーザ光の入射面側から、光透過層（基板）・誘電体層・記録層・誘電体層・反射層・基板を順次積層した構造の光学式情報記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】国際公開０３／１０１７５０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の光記録媒体のうち、青紫レーザによる追記型の光記録媒体の記録層として、金属窒化物系の材料が有望視されている。しかしながら、このような金属窒化物系の材料を記録層として用いた光記録媒体は、当該光記録媒体について温度８０℃、湿度８０％の加速試験（信頼性試験）を９６時間（４日）行うと、最適記録パワーが悪化する傾向が見られる。このことから、このような光記録媒体は、最適記録パワーの経時変化があると考えられる。
【０００５】
そこで、本願は、光記録媒体を製造した後の最適記録パワーの悪化を防止し、または低減できる光記録媒体の製造方法を提供することを課題の一例とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板上に、第１保護層、記録層、第２保護層をスパッタリング法により順次積層して形成する光記録媒体の製造方法であって、前記第１保護層形成後でかつ前記記録層の形成前に、前記第１保護層が形成された前記基板を所定期間大気中に曝露することを特徴とする。
【０００７】
また、上記課題を解決するために、請求項５に記載の発明は、基板上に、記録層、保護層、反射層を含む複数層構造をスパッタリング法により積層形成する光記録媒体の製造方法であって、１の層の形成後でかつ次の層の形成前に、少なくとも前記１の層が形成された基板を所定期間大気中に曝露することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明に好適な実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【０００９】
なお、図１は、第一実施形態の光記録媒体の製造方法の概略を示し、図２は、第一実施形態の他の光記録媒体の製造方法の概略を示す。図３は、第二実施形態の光記録媒体の製造方法の概略を示す。図４及び図５は実施例に関するため、後述する。
【００１０】
（第一実施形態）
第一実施形態の光記録媒体の製造方法においては、製造された光記録媒体が基板上に第１保護層、記録層、第２保護層を必須の層として有しており、反射層およびカバー層等のその他の層を任意の層として設けることができる。
【００１１】
（光記録媒体の製造方法）
図１を参照して第一実施形態の光記録媒体の製造方法について説明する。図１（ｃ）に示すように、第一実施形態の光記録媒体１０１は、基板１１上に、反射層１２、第１保護層１３、記録層１４、第２保護層１５、カバー層１６、が順次形成されている。第一実施形態の光記録媒体１０１は、カバー層１６側から記録用、再生用、または、記録・再生用のレーザ光が照射されることになる。
【００１２】
光記録媒体１０１は、基板１１上に、第１保護層１３、記録層１４、第２保護層１５をスパッタリング法により順次積層して形成される。このうち、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１保護層１３形成後でかつ記録層１４の形成前に、第１保護層１３が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露する。次いで、図１（ｃ）に示すように、第２保護層１５等を形成する。光記録媒体１０１の記録層１４形成前に、第１保護層１３が形成された基板１１を一度大気中に曝露することで、一度も大気中に出さないで光記録媒体を作る場合に比べて悪い環境で記録層１４を形成し、光記録媒体１０１を製造することになる。このように、光記録媒体１０１に与えられる経時劣化の影響を製造時に与えることで、製造後の光記録媒体１０１に経時劣化の影響が出ないようにすることができる。また、上述のタイミングで大気曝露を行うことにより、記録パワーのマージン、すなわち、ジッタが所定値未満である場合の記録パワーの幅が拡大される。
【００１３】
製造途中の光記録媒体１０１を大気に曝露するタイミングは、上述のように少なくとも第１保護層１３形成後でかつ記録層１４の形成前に一度行うことが必要である他は、特に限定されない。例えば、図２に示すように、基板１１に反射層１２を形成した直後（図２（ａ）、（ｂ））、第１保護層１３を形成した直後（図２（ｃ）、（ｄ））、記録層１４を形成した直後（図２（ｅ）、（ｆ））、の各タイミングで製造途中の光記録媒体１０２を大気に曝露してもよい。また、これらのうち第１保護層１３を形成した直後でかつ記録層１４の形成前（図２（ｃ）、（ｄ））を含み、他に１回以上いずれかのタイミングで大気に曝露してもよい。このように、光記録媒体の１の層の形成後でかつ次の層の形成前に、少なくとも１の層が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露すればよい。ただし、記録層１４形成後に製造途中の光記録媒体を大気中に曝露した場合（図２（ｅ）、（ｆ））には、製造後の光記録媒体１０１について信頼性試験を行った後に再生ジッタの悪化が早くなってしまう場合もあるが、大気中に曝露しない場合に比べると、製造後の光記録媒体１０１における経時劣化が低減され、所定の規格の範囲内の光記録媒体１０１を提供できる。
【００１４】
図２に示すように、各段階で基板１１を大気に曝す場合には、スパッタリング等の層形成を行う装置を他の装置に変更可能なため、初期投資が減らせるというメリットも生じる。具体的には、高額である複数（多数）の層を連続して形成が可能である、多くのカソード（マルチカソード）を持つ連続スパッタリング装置を使用せずに、安価であるシングルカソードもしくは少ないカソード数のスパッタリング装置を使用することが可能となる。
【００１５】
なお、大気は、通常の地球上の空気を示し、窒素約８０％、酸素約２０％、その他アルゴン、二酸化炭素、ネオン、ヘリウム、水素等が混合した気体である。基板１１を大気中に曝露することは、各層を形成するために用いた装置中に基板１１を設置したままで真空状態や流入ガス（低反応性のガス）のみの環境に空気を導入したり、各層を形成するために用いた装置から基板１１を取り出すことにより行われる。基板１１を大気中に曝露する所定期間は、上述のように第１保護層１３等の表面を劣化させることができれば特に限定されないが、通常、１秒〜３０分程度である。
【００１６】
（光記録媒体の層構成及び各層の形成方法）
光記録媒体１０１の層構成及び各層の形成方法について図１（ｃ）を用いて説明する。
【００１７】
まず、基板１１は、他の各層を形成するための基板となるものである。基板１１の材料は、通常、光記録媒体の基材として用いられる材料が用いられ、特に限定されないが、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等のプラスチック樹脂やガラスが用いられる。また、基板１１の材料として、平板上に紫外線硬化性樹脂などをスピンコート法等で塗布硬化させたものや、複数のプラスチック樹脂のシートを接着剤で貼り合わせたもの等も用いられる。
【００１８】
基板１１の寸法及び形状は特に限定されないが、通常は円盤状であり、厚さは、通常、０．３〜１．２ｍｍ程度であり、規格上、０．６ｍｍや１．１ｍｍのものが多く用いられる。基板１１の表面には、トラッキング用やアドレス用などの記録・再生用レーザ光を導くために、グルーブやピットなどの所定のパターンが必要に応じて設けられる。記録・再生用レーザ光は、通常、グルーブ内に照射される。なお、基板１１の形状は、略長方形のカード型の形状であってもよい。
【００１９】
次いで、反射層１２は、レーザ光に最も遠い側に位置し、レーザ光を反射させる。反射層１２の材料としては、スパッタリング法により成膜が可能である材料であり、反射層としての機能を有する材料であれば、特に限定されないが、以下に挙げる材料が用いられる。
【００２０】
反射層１２の材料としては、高反射率の金属や合金から構成することが好ましく、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等の一種からなる金属、または、これらを少なくとも一種含む合金を用いることができる。
【００２１】
反射層１２の形成方法は、特に限定されないが、ＤＣ（直流）電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法やＲＦ（高周波）電源を用いたＲＦスパッタリング法等が用いられる。
【００２２】
反射層１２を形成する際のＤＣスパッタリングの条件は、所望の機能を有する反射層１２を形成できれば、特に限定されないが、例えば、出力パワー１００〜４，０００Ｗ程度、流入ガス（主にＡｒガス）の流量５〜９０ｓｃｃｍ程度、成膜時間１．０〜５００秒程度、成膜レート１．０〜２０．０ｎｍ／ｋＷ／ｓｅｃ程度とする。
【００２３】
反射層１２の厚さは、特に限定されないが、通常、３０〜１５０ｎｍ程度とする。反射層１２の厚さが３０ｎｍ未満であると、十分な反射率が得にくくなり、１５０ｎｍを超えても、反射率の向上が小さい割にコストが大きくなる。
【００２４】
なお、反射層１２は、光記録媒体に任意に設けられる層である。反射層１２を設けた場合には、記録時のレーザ光の吸収により生じた熱をすばやく逃がすことができるため、高線速記録時の特性が向上する。
【００２５】
次いで、保護層１３、１５は、記録層１４を挟んで第１保護層１３と第２保護層１５とからなる。本願における保護層は誘電体層とも呼ばれる。
【００２６】
第１保護層１３は、光反射側に位置し、レーザ光による熱が反射層１２に逃げる前に一時的に蓄熱して記録層１４を十分に加熱する。第１保護層１３の材料としては、上述の機能を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、以下に挙げる材料が用いられる。
【００２７】
第１保護層１３用のＤＣスパッタリングターゲット材料としては、ＮｂＯｘ（ｘ＜５／２）を用いることができる。ＮｂＯｘ（ｘ＜５／２）ターゲットから、Ａｒ（アルゴン）ガスによって成膜したＮｂＯｘ（ｘ≦５／２）を第１保護層１３として用いることができる。また、ＮｂＯｘ（ｘ＜５／２）ターゲットから窒素や酸素を反応させながら成膜したＮｂＯｘ（ｘ≦５／２）、ＮｂＯｘ−ＮｂＮｙ等を、第１保護層１３として用いることができる。また、第１保護層１３のターゲット材料としては、その他に、Ｓｉ、Ａｌがある。Ｓｉ、Ａｌをターゲットとして窒素や酸素を反応させながら成膜するＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＮｘ、ＡｌＯｘ等を、第１保護層１３として用いることができる。さらに、第１保護層１３用のターゲットの材料としてＴｉＯｘ等を用いることも可能である。ただし、ＴｉＯｘ等の材料は成膜レートが低く、異常放電がおきやすい場合がある。さらにＺｎＳ−ＳｉＯ２に金属元素を添加してＤＣスパッタリングで成膜できるように調整された材料も存在しこれを用いることが可能である。
【００２８】
他に、第１保護層１３用のＲＦスパッタリングターゲット材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＺｒＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸなどの酸化物、窒化物、硫化物、各種金属酸化物、金属炭化物の金属化合物及びその混合物等が用いられる。
【００２９】
第１保護層１３の形成方法は、特に限定されないが、上述の材料に合わせて、ＤＣ（直流）電源もしくはパルスＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法やＲＦ（高周波）電源を用いたＲＦスパッタリング法等が用いられる。
【００３０】
第１保護層１３の厚さは、特に限定されないが、通常、４０ｎｍ以下であり、１０〜３０ｎｍ程度が好ましい。
【００３１】
なお、図３を用いて後述するが、第１保護層１３の反射層１２側の界面には第１保護層界面層１３Ａ、第１保護層１３の記録層１４側の界面には第１保護層界面層１３Ｂ、を設けることができる。第１保護層界面層１３Ａ、１３Ｂは、熱伝導のバランスを良好にし、記録性能を向上させ、膜の密着性を改善する機能を有している。この第１保護層界面層１３Ａ、１３Ｂの材料としては、ＺｎＳ、ＺｒＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸなどの酸化物、窒化物、硫化物、各種金属酸化物、金属炭化物の金属化合物及びその混合物等が用いられる。そして、第１保護層界面層１３Ａ、１３Ｂは、ＤＣ電源やＲＦ電源によるスパッタリング法等により形成される。第１保護層界面層１３Ａの厚さは、通常、１〜１０μｍ程度であり、第１保護層界面層１３Ｂの厚さは、通常、１〜１０μｍ程度である。なお、第１保護層１３、第１保護層界面層１３Ａ、１３Ｂは、異なる誘電体材料の積層構成となる。
【００３２】
次いで、記録層１４は、情報を記録するための層である。記録層１４の材料としては、記録層としての機能を有する材料であれば、特に限定されないが、以下に挙げる材料が用いられる。
【００３３】
記録層１４の材料としては、ＢｉＧｅ窒化物、ＢｉＴｉ窒化物、ＢｉＳｉ窒化物、ＢｉＡｌ窒化物、ＳｎＧｅ窒化物、ＳｎＴｉ窒化物、ＳｎＳｉ窒化物、ＳｎＡｌ窒化物、ＢｉＧｅ、ＢｉＴｉ、ＢｉＳｉ、ＢｉＡｌ、ＳｎＧｅ、ＳｎＴｉ、ＳｎＳｉ、ＳｎＡｌ等の、ＢｉまたはＳｎと、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌのいずれか一つと、を組み合わせた合金またはその窒化物を用いることができる（国際公開０３／１０１７５０号パンフレット参照）。このうち、記録層１４の材料として金属窒化物系材料が好ましく用いられる。記録層１４の材料としては、その他に、一般式（ＴｉｘＭ１１−ｘ）ｙＭ２１−ｙ（但し、Ｍ１はシリコン（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）のいずれか一方の元素、Ｍ２はＭ１及びチタン（Ｔｉ）と異なる元素、０．３≦ｘ≦０．８、０．７５≦ｙ≦１である）で表される合金を含む材料（特開２００４−２８４２４２号公報参照）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）及びシリコン（Ｓｉ）からなる群より選ばれた少なくとも２つの元素を含む合金を主成分とする材料（特開２００４−２８４２４１号公報参照）、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＢｉＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＳｂＴｅ等の相変化記録材料、等を用いることができる。
【００３４】
また、記録層１４が二層からなる場合には、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選択される元素を主成分とする第一の反応層と、第一の反応層に接触して記録時に第一の反応層の元素と共融結晶化されるＣｕを主成分とする第二の反応層と、を有するものとしてもよく（特開２００３−２０３３８３号公報参照）、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂからなる群より選択される元素を主成分とする第一の反応層と、第一の反応層に接触して記録時に第一の反応層の元素と共融結晶化される金属元素（Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｇａ等）を主成分とする第二の反応層と、を有するものとしてもよい（特開２００３−２００６６３号公報参照）。ここで、このように記録層１４を二層構造とする場合は、スパッタリングに必要なカソードの数が一つ増えることになる。
【００３５】
このように、記録層１４としては、その種類は限定されず、追記型、書換型等の各種の記録層を適用できる。
【００３６】
記録層１４の形成方法は、特に限定されないが、ＤＣ電源やＤＣパルス電源、ＲＦ電源を用いたスパッタリング法等が用いられる。
【００３７】
記録層１４の厚さは、記録層１４の物性、各保護層１３、１５の物性およびその厚さに応じて適宜決定されるが、通常、５〜４０ｎｍであり、好ましくは１０〜３０ｎｍである。記録層１４の厚さが５ｎｍ未満であると、変調度を大きくすることが困難となり、４０ｎｍを超えると、記録層１４における光吸収のために反射率が不十分になる場合がある。
【００３８】
次いで、第２保護層１５は、光入射側に位置し、光学的反射率調整用および記録モードをｈｉｇｈ  ｔｏ  ｌｏｗもしくはｌｏｗ  ｔｏ  ｈｉｇｈの所望の性能の方に調整するために設けられる。第２保護層１５の材料としては、このような保護層としての機能を有する材料であれば、特に限定されないが、上述の第１保護層１３と同様の材料が用いられる。
【００３９】
第２保護層１５の形成方法は、特に限定されないが、ＤＣ電源やＤＣパルス電源、ＲＦ電源を用いたスパッタリング法等が用いられる。
【００４０】
第２保護層１５の厚さは、特に限定されないが、通常、０〜１００ｎｍ程度とし、さらに、１０〜５０ｎｍ程度が好ましい。
【００４１】
なお、図３を用いて後述するが、第２保護層１５の記録層１４側の界面には第２保護層界面層１５Ａ、を設けることができる。第２保護層界面層１５Ａは、保護層１５と記録層１４との密着性の改善し、熱伝導をコントロールする機能を有している。この第２保護層界面層１５Ａの材料としては、ＺｎＳ、ＺｒＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸなどの酸化物、窒化物、硫化物、各種金属酸化物、金属炭化物の金属化合物及びその混合物等が用いられる。そして、第２保護層界面層１５Ａは、ＤＣ電源やＲＦ電源によるスパッタリング法等により形成される。第２保護層界面層１５Ａの厚さは、通常、１〜１０μｍ程度である。なお、第２保護層１５と第１保護層界面層１５Ａとは、異なる誘電体材料の積層構成となる。
【００４２】
次いで、カバー層１６は、光記録媒体１０１の各層を保護し、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられる。通常、カバー層１６側から記録・再生用レーザ光が入射されるため、カバー層１６は、このレーザ光に対して実質的に透明である必要がある。なお、カバー層１６は、本願の光記録媒体の製造方法において、任意に設けられる層である。
【００４３】
カバー層１６の材料は、通常、光記録媒体のカバー層（光透過層とも呼ばれる）として用いられる材料が用いられ、特に限定されないが、有機系の材料、特に、紫外線硬化性樹脂を紫外線照射により硬化させたものや電子線硬化性樹脂を電子線照射により硬化させたものが好ましく用いられる。カバー層１６の材料は、具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種プラスチック樹脂が用いられる。また、カバー層１６の材料としては、シート状であるプラスチック樹脂を用いてもよい。
【００４４】
カバー層１６の形成方法は、上述の機能を有するカバー層１６を形成できる方法であれば特に限定されないが、上述の樹脂を塗布する場合には、例えば、スピンコート法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディッピング等の方法を用いることができる。また、カバー層１６の形成方法として、上述のシート状であるプラスチック樹脂を用いる場合には、基板１１を含み各層が形成された片と、カバー層１６となるプラスチック樹脂シート片とを、従来公知の接着剤（紫外線硬化性樹脂等）で貼り合わせる。
【００４５】
カバー層１６の厚さは、特に限定されないが、通常、０．１〜６００μｍ程度とする。
【００４６】
なお、図示しないが、カバー層１６に代えて、第二の基板（基材）を用いることもできる。第二の基板も、カバー層１６と同様に、光記録媒体１０１の各層を保護し、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられるものであり、記録・再生用レーザ光に対して実質的に透明である必要がある。
【００４７】
第二の基板の材料や厚さは、上述の基板と同様である。第二の基板を設ける場合には、通常、基板１１を含み各層が形成された片と、第二の基板とを、従来公知の接着剤（紫外線硬化性樹脂等）で貼り合わせる。
【００４８】
ここで、カバー層１６や第二の基板側から照射される記録用、再生用または記録再生用のレーザ光としては、青色レーザ光、青紫色レーザ光、紫外レーザ光が主として挙げられ、本実施形態の光記録媒体１０１は、このレーザ光を照射して記録情報を読み取る方式の光記録媒体（追記型Ｂｌｕ−ｒａｙ  ディスク）である。
【００４９】
（第二実施形態）
第二実施形態の光記録媒体１０２は、図３（ａ）に示すように、例えば、基板１１としての１．１ｍｍ厚のＰＣ基板１１上に、反射層１２、第１保護層界面層１３Ａ、第１誘電体層１３、第１保護層界面層１３Ｂの順でスパッタリング法による成膜を行い、図３（ｂ）に示すように、一度大気中に曝露させて、図３（ｃ）に示すように、さらに記録層１４、第２保護層界面層１５Ａ、第２保護層１５の順でスパッタリング法による成膜を行い、この第２保護層１５の面にカバー層１６として、薄い樹脂シートを貼り合わせることにより作製される。また、カバー層１６として、第２保護層１５上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射して硬化させることにより、光記録媒体１０２を作製してもよい。光記録媒体１０２の性能を確保するために、このようにより多くの層を有する構成とすることができる。
【００５０】
光記録媒体の層構成は、上述の第一実施形態、第二実施形態に記載のものに限定されず、基板１１上に少なくとも第１保護層１３、記録層１４、第２保護層１５が設けられていればよく、その他の層や積層する順番は特に限定されない。また、基板１１上に記録層１４、保護層１３、１５、反射層１１を含む複数層構造が一回または複数回設けられていてもよい。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態の光記録媒体１０１の製造方法は、基板１１上に、第１保護層１３、記録層１４、第２保護層１５をスパッタリング法により順次積層して形成する光記録媒体１０１の製造方法であって、第１保護層１３形成後でかつ記録層１４の形成前に、第１保護層１３が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露することを特徴とする。
【００５２】
よって、光記録媒体１０１の記録層１４形成前に、第１保護層１３が形成された基板１１を一度大気中に曝露することで、一度も大気中に出さないで光記録媒体を作る場合に比べて悪い環境で記録層１４を形成し、光記録媒体１０１を製造することになる。このように、光記録媒体１０１に与えられる経時劣化の影響を製造時に与えることで、製造後の光記録媒体１０１に経時劣化の影響が出ないようにすることができる。具体的には、光記録媒体を製造した後の最適記録パワーの悪化を防止または低減でき、最適記録条件の変化を防止または低減できる。また、上述のタイミングで大気曝露を行うことにより、マージンが拡大されるという効果もある。
【００５３】
上記実施形態の光記録媒体１０１は、記録層１４が金属窒化物系材料からなることを特徴とする。よって、特に記録層１４が金属窒化物系材料からなる場合に顕著である光記録媒体１０１を製造した後の最適記録パワーの悪化を防止または低減でき、最適記録条件の変化を防止または低減できる。
【００５４】
また、上記実施形態の光記録媒体１０１は、第１保護層１３形成前に基板１１上に反射層１２を形成することを特徴とする。よって、光記録媒体１０１に反射層１２を設けた場合には、記録時のレーザ光の吸収により生じた熱をすばやく逃がすことができるため、高線速記録時の特性を向上させることができる。
【００５５】
上記実施形態の光記録媒体１０１は、第２保護層１５形成後に第２保護層１５上にカバー層１６を形成することを特徴とする。よって、カバー層１６により光記録媒体１０１の各層を保護し、耐擦傷性や耐食性を向上させることができる。
【００５６】
本実施形態の光記録媒体１０１は、基板１１上に、記録層１４、保護層１３、１５、反射層１１を含む複数層構造をスパッタリング法により積層形成する光記録媒体１０１の製造方法であって、１の層（例えば保護層１３）の形成後でかつ次の層（例えば記録層１４）の形成前に、少なくとも１の層（例えば保護層１３）が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露することを特徴とする。
【００５７】
よって、光記録媒体１０１の１の層（例えば保護層１３）の形成後でかつ次の層（例えば記録層１４）の形成前に、少なくとも１の層（例えば保護層１３）が形成された基板１１を所定期間大気中に曝露することで、一度も大気中に出さないで光記録媒体を作る場合に比べて悪い環境で記録層１４等を形成し、光記録媒体１０１を製造することになる。このように、光記録媒体１０１に与えられる経時劣化の影響を製造時に与えることで、製造後の光記録媒体１０１に経時劣化の影響が出ないようにすることができる。具体的には、光記録媒体１０１を製造した後の最適記録パワーの悪化を防止または低減でき、最適記録条件の変化を防止または低減できる。
【実施例】
【００５８】
以下に、光記録媒体の製造方法の実施例及び比較例により本願をより詳細に説明する。
【００５９】
実施例として、上述の第一実施形態と同様の層構成の光記録媒体を作製した。まず、ポリカーボネート樹脂（帝人化成株式会社製、ＡＤ５５０３）を１．１ｍｍ厚に成型した基板上に、反射層としてＡｇ−Ｐｄ（０．９質量％）−Ｃｕ（１．０質量％）ターゲット（株式会社フルヤ金属製）を使用してＲＦスパッタリングにより１００ｎｍの厚さで成膜した。成膜条件は、パワー１７５Ｗ、Ａｒガス流量９０ｓｃｃｍ、成膜時間３４０秒、成膜レート１．７ｎｍ／ｋＷ／ｓｅｃとした。
【００６０】
次いで、反射層上に第１保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）ターゲット（株式会社ジャパンエナジー製）をＲＦスパッタリングにより１０ｎｍの厚さで成膜した。成膜条件は、パワー４２０Ｗ、Ａｒガス流量９０ｓｃｃｍ、成膜時間４８秒、成膜レート１．１ｎｍ／ｋＷ／ｓｅｃの条件下で行った。
【００６１】
次いで、第１保護層が形成された基板を５分間大気に曝した。次いで、第１保護層上に記録層としてＢｉ−Ｇｅ（４０ａｔｍ％）ターゲット（株式会社豊島製作所製）を使用してＡｒ、Ｎ２雰囲気下でＲＦスパッタリングにより１９ｎｍの厚さでＢｉ−Ｇｅ−Ｎ膜を成膜した。使用したＢｉ−Ｇｅターゲットの比抵抗は１．７×１０−２Ω・ｃｍであった。成膜条件は、パワー１５０Ｗ、Ａｒ＋Ｎ２ガス流量９０ｓｃｃｍ、Ａｒ：Ｎ２比＝２：１、成膜時間１２０秒、成膜レート１．１ｎｍ／ｋＷ／ｓｅｃの条件下で行った。
【００６２】
次いで、記録層上に第２保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）ターゲット（株式会社ジャパンエナジー製）をＲＦスパッタリングにより２５ｎｍの厚さで成膜した。成膜条件は、パワー４２０Ｗ、Ａｒガス流量９０ｓｃｃｍ、成膜時間１２０秒、成膜レート０．５０ｎｍ／ｋＷ／ｓｅｃの条件下で行った。次いで、第２保護層上に、厚さ０．９ｍｍの樹脂シート（帝人化成株式会社製、ピュアエース）を紫外線硬化樹脂（大日本インク社製、試作品）により貼り合せることにより、実施例の光記録媒体を得た。
【００６３】
なお、実施例の光記録媒体の反射層、第１保護層、記録層、第２保護層の成膜には、キヤノンアネルバ株式会社製、型番：ＳＰＬ−５００のスパッタリング装置を用いた。
【００６４】
上述の実施例の光記録媒体の製造方法において、記録層を成膜する前の基板を大気に曝す工程を行わなかった他は、実施例の光記録媒体の製造方法と同様にして、比較例の光記録媒体を製造した。
【００６５】
（評価結果）
実施例及び比較例の光記録媒体について、最適記録パワー（Ｐｗ：単位ｍＷ）及び再生ジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ：単位％）を測定した。この測定は、光記録媒体製造直後の初期状態、信頼性試験（温度８０℃、湿度８０％）を９６時間（４日）行った後及び信頼性試験（温度８０℃、湿度８０％）を１９２時間（８日）行った後にそれぞれ行った。実施例の測定結果を図４に、比較例の測定結果を図５に示す。この信号特性は、パルステック社製、型番：ＯＤＵ−１０００の測定装置を使用して測定した。
【００６６】
図４及び図５に示すように、比較例の光記録媒体の最適記録パワーが信頼性試験後に大きくシフトしているのに対し、実施例の光記録媒体最適記録パワーのシフトがほとんどなくなっている。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第一実施形態の光記録媒体の製造方法の概略を示す図である。
【図２】第一実施形態の他の光記録媒体の製造方法の概略を示す図である。
【図３】第二実施形態の光記録媒体の製造方法の概略を示す図である。
【図４】実施例の光記録媒体の最適記録パワー及び再生ジッタの測定結果を示すグラフである。
【図５】比較例の光記録媒体の最適記録パワー及び再生ジッタの測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６８】
１０１、１０２…光記録媒体
１１…基板
１２…反射層
１３…第１保護層
１３Ａ、１３Ｂ…第１保護層界面層
１４…記録層
１５…第２保護層
１５Ａ…第２保護層界面層
１６…カバー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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