(57)【要約】【課題】同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するために重ね合わせ描画する場合、描画位置合わせのためのアライメントマークを反射光で検出する際のコントラストが高く検出精度が良好なパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程とを有し、前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、前記パターンを描画する工程の前に、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去する。【選択図】図１
2007279710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、
少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程と
を有し、
前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、前記パターンを描画する工程の前に、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、
少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程と
を有し、
前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、該遮光部及び透光部のアライメント検出光に対する反射率差が３０％以上となるような処理を、前記パターンを描画する工程の前に行うことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記遮光部及び透光部のアライメント検出光に対する反射率差が３０％以上となるような処理が、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去する処理であることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記アライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターンを描画する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行って第２のパターンを描画する工程とを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のパターン形成方法を用いて遮光部、透光部及び半透光部を有するパターンを形成する工程を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：以下、ＬＣＤと呼ぶ）等の製造に使用されるグレートーンマスクや、半導体装置の製造に使用される位相シフトマスクの製造等に好適なパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＣＤの分野において、製造に必要なフォトマスク枚数を削減する方法が提案されている。即ち、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案された（例えば下記非特許文献１）。
この方法は、遮光部と透光部と半透光部（グレートーン部）を有するフォトマスク（以下、グレートーンマスクという）を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。
【０００３】
ここで用いられるグレートーンマスクとしては、半透光部が微細パターンで形成されている構造のものが知られているが、半透光部は、グレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンからなる遮光パターンで形成する必要があり、微細パターンタイプの半透光部は、グレートーン部分の設計、具体的には遮光部と透光部の中間的なハーフトーン効果を持たせるための微細パターンをライン・アンド・スペースタイプにするのかドット（網点）タイプにするのか、或いはその他のパターンにするのかの選択があり、さらにライン・アンド・スペースタイプの場合、線幅をどのくらいにするのか、光が透過する部分と遮光される部分の比率をどうするか、全体の透過率をどの程度に設計するかなど非常に多くのことを考慮し設計を行わなくてはならなかった。また、マスク製造においても線幅の中心値の管理及びマスク内の線幅のばらつき管理と非常に難しい生産技術が要求されていた。
【０００４】
そこで、ハーフトーン露光したい部分を半透過性のハーフトーン膜（半透光膜）とすることが従来提案されている。このハーフトーン膜を用いることでハーフトーン部分の露光量を少なくしてハーフトーン露光することが出来る。ハーフトーン膜に変更することで、設計においては全体の透過率がどのくらい必要かを検討するのみで済み、マスクにおいてもハーフトーン膜の膜種であるとか膜厚を選択するだけでマスクの生産が可能となる。従って、マスク製造ではハーフトーン膜の膜厚制御を行うだけで済み、比較的管理が容易である。また、ハーフトーン膜であればフォトリソグラフィー工程により容易にパターニングできるので、複雑なパターン形状であっても可能となる。
【０００５】
このようなハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクとして、例えば、遮光部が、透光性基板上に設けられた遮光膜及びその上に成膜された半透光膜より形成され、半透光部は、半透光部に対応する領域を露出させた透光性基板上に成膜された半透光膜より形成されているグレートーンマスクが本出願人により先に提案されている（特願２００４−６５１１５）。
【０００６】
このグレートーンマスクは、例えば、次のような方法により製造することができる。
まず、透光性基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する。
次に、前記マスクブランク上に前記遮光部に対応する領域の第１のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより遮光膜パターンを形成し、前記半透光部及び透光部に対応する領域の透光性基板を露出させる。
次に前記工程で残存したレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜する。
さらに、前記遮光部及び半透光部に対応する領域に第２のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜をエッチングすることにより、透光部を形成する。
【０００７】
【非特許文献１】「月刊エフピーディ・インテリジェンス（ＦＰＤ Intelligence）」、１９９９年５月、ｐ．３１−３５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述の、遮光部が少なくとも遮光膜で形成され、半透光部が半透光膜で形成されているハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクの製造方法においては、レジストパターンを形成するためのパターン描画を２回行う必要がある。そのため、従来は、２回のパターン描画の位置を合わせるためのマーク（アライメントマーク）を１回目のパターン描画時にマスクパターンと一緒に形成し、２回目のパターン描画の際に、描画装置によりそのアライメントマークを検出して位置合わせを行い２回目の描画を行っている。例えば、大型サイズのマスク製造に用いているレーザ描画装置では、描画用レーザを用いてアライメントマークからの反射光又は透過光を検出して位置合わせを行っている。
【０００９】
しかし、従来は、レーザ描画時のレーザ光の反射、あるいはグレートーンマスク使用時の露光光の反射を低減するために、遮光部を形成する遮光膜上に反射防止膜が形成されているが、上述のパターン描画工程において、遮光部と透光部からなるアライメントマークを反射光で検出する場合、アライメントマークの遮光部における最上層に反射防止膜が形成されていると、アライメントマークの透光部のガラス基板面との反射率差が小さく反射のコントラストがとれないため、アライメントマークの検出が困難であった。アライメントマークの検出精度が低いと、１回目の描画パターンと２回目の描画パターンとが高い精度で位置合わせされず１回目の描画パターンと２回目の描画パターンとの位置ずれが発生する原因となる。位置ずれのあるデバイスパターンが形成されたグレートーンマスクを用いて例えばＴＦＴ基板を製造した場合、重大な故障（動作不良）が発生するおそれがある。
【００１０】
また、半導体装置の製造に使用されるフォトマスクにおいては、回路パターンの微細化に伴い、解像力を向上させる技術として、位相シフトマスクが知られている。位相シフトマスクの代表的な例としては、透光性基板上に、遮光膜パターンと、光（露光光）の位相を変化させる位相シフター膜パターンが形成された構成のものが知られている。このような位相シフトマスクの製造においても、第１層目（例えば遮光膜）のパターンと第２層目（例えば位相シフター膜）のパターンを形成するための重ね合わせ描画を行うが、位相シフトマスクの作用効果を発揮させるためには、第１層目パターンと第２層目パターンとが高い重ね合わせ位置精度で形成される必要がある。
【００１１】
以上のような事情から、重ね合わせ描画により１回目（１層目）の描画パターンと２回目（２層目）の描画パターンとが高い精度で位置合わせされて形成されるためにも、アライメントマークの検出精度を高めることは重要な課題である。
【００１２】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するために重ね合わせ描画する場合、描画位置合わせのためのアライメントマークを反射光で検出する際のコントラストが高く検出精度が良好で、そのため１回目の描画パターン（第1の描画パターン）と２回目の描画パターン（第２の描画パターン）とが高い精度で位置合わせされて形成されるパターン形成方法及びそれを用いたグレートーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程とを有し、前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、前記パターンを描画する工程の前に、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去することを特徴とするパターン形成方法である。
（構成２）同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程とを有し、前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、該遮光部及び透光部のアライメント検出光に対する反射率差が３０％以上となるような処理を、前記パターンを描画する工程の前に行うことを特徴とするパターン形成方法である。
（構成３）前記遮光部及び透光部のアライメント検出光に対する反射率差が３０％以上となるような処理が、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去する処理であることを特徴とする構成２記載のパターン形成方法である。
（構成４）前記アライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターンを描画する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行って第２のパターンを描画する工程とを有することを特徴とする構成１乃至３のいずれか一に記載のパターン形成方法である。
（構成５）構成１乃至４のいずれか一に記載のパターン形成方法を用いて遮光部、透光部及び半透光部を有するパターンを形成する工程を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法である。
【００１４】
構成１によれば、本発明のパターン形成方法は、同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程とを有し、前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、前記パターンを描画する工程の前に、最上層に反射防止膜を備える前記アライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去する。これにより、アライメントマークの遮光部では反射率を低減させる反射防止膜がなくなり比較的反射率の高い遮光膜で形成され、ガラス基板のような透光性基板面が露出した透光部と遮光部との反射光に対する反射率差が大きくなるため、アライメントマークを反射光で検出する際のコントラストが高く検出精度が良好になる。その結果、同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するためにアライメントマークを用いて重ね合わせ描画する場合、例えば、１回目の描画パターン（第1の描画パターン）と２回目の描画パターン（第２の描画パターン）とが高い精度で位置合わせされて形成される。
【００１５】
構成２によれば、本発明のパターン形成方法は、同一基板上に、フォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、少なくとも、描画位置合わせに用いるアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行ってパターンを描画する工程とを有し、前記アライメントマークは遮光部及び透光部からなり、該遮光部及び透光部のアライメント検出光に対する反射率差が３０％以上となるような処理を、前記パターンを描画する工程の前に行う。これにより、アライメントマークの遮光部と透光部との反射光に対する反射率差が３０％以上と大きくなるため、アライメントマークをアライメント検出光（反射光）で検出する際のコントラストが高く検出精度が良好になる。その結果、同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するためにアライメントマークを用いて重ね合わせ描画する場合、例えば、１回目の描画パターン（第1の描画パターン）と２回目の描画パターン（第２の描画パターン）とが高い精度で位置合わせされて形成される。
【００１６】
構成３にあるように、たとえば最上層に反射防止膜を備えるアライメントマークの遮光部における前記反射防止膜を除去する処理を行うことにより、構成２のアライメントマークの遮光部及び透光部のアライメント検出光（反射光）に対する反射率差が３０％以上となるようにすることができる。
構成４にあるように、本発明のパターン形成方法は、たとえば、アライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターンを描画する工程と、前記アライメントマークを用いて位置合わせを行って第２のパターンを描画する工程とを有するパターン形成方法に適用すると好適である。
【００１７】
構成５にあるように、構成１乃至３のいずれかに記載のパターン形成方法を用いてパターンを形成する工程を含むグレートーンマスクの製造方法によれば、アライメントマークを用いて位置合わせを行いパターンを描画する場合、アライメントマークの検出精度が良好であるため、位置ずれの無いデバイスパターンが形成されたグレートーンマスクを得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のパターン形成方法によれば、同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するため重ね合わせ描画する場合、描画位置合わせのためのアライメントマークの遮光部と透光部との反射光に対する反射率差が大きく、アライメントマークをアライメント検出光（反射光）で検出する際のコントラストが高く検出精度が良好になる。そのため、同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いて例えば第1のパターンと第２のパターンとをアライメントマークを用いて重ね合わせ描画する場合、第１のパターンと第２のパターンとが高い精度で重ね位置合わせされたパターンを形成することができる。
また、本発明のパターン形成方法は、たとえば、透光性基板上に、遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンが形成されたグレートーンマスクの製造に用いると好適である。つまり、本発明のパターン形成方法を用いてパターンを形成する工程を含むグレートーンマスクの製造方法によれば、位置ずれを抑制したデバイスパターンが形成されたグレートーンマスクを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明のパターン形成方法を、透光性基板上に遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンが形成されたグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１を示すもので、その製造工程を順に示す模式的断面図である。
本実施の形態で使用するマスクブランク１０は、図１（ａ）に示すように、合成石英ガラス等の透光性基板１上に、遮光膜２と反射防止膜３を形成したものである。
ここで、遮光膜２の材質としては、薄膜で高い遮光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。また、反射防止膜３の材質としては、例えば上記遮光層の材質の酸化物等が挙げられる。
【００２０】
上記マスクブランク１０は、透光性基板１上に、遮光膜２と反射防止膜３を順に成膜することで得られるが、その成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、膜厚に関しては、特に制約はないが、要は良好な遮光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
【００２１】
まず、このマスクブランク１０を用いて、そのデバイスパターン領域には第1のパターンを形成し、その非デバイスパターン領域（デバイスパターンが形成される領域を除く領域）に描画位置合わせ用のアライメントマーク７を形成する。たとえば、このマスクブランク１０上に描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行ってレジスト膜を形成した後、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて所定のパターン描画を行う。この場合の描画データは、例えばデバイスパターンの遮光部に対応するパターンデータとアライメントマーク７のパターンデータである。なお、アライメントマーク７の形状、大きさ等は任意である。描画後、これを現像して、レジストパターン４ａ（同図（ｂ））とし、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングして（同図（ｃ））、残存するレジストパターン４ａを除去することにより、図１（ｄ）に示すような第１のパターン３ａ，２ａ及び透光部７ａと遮光部７ｂとからなるアライメントマーク７を形成する。
【００２２】
次に、以上のようにして得られた透光性基板１上にアライメントマーク７及び第１のパターン（遮光膜パターン）を有する基板上の全面に半透光膜５を成膜する（同図（ｅ）参照）。半透光膜５の材質としては、薄膜で、透光部の透過率を１００％とした場合に透過率５０％程度の半透過性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ化合物（Ｃｒの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など）、ＭｏＳｉ、Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透過性も得られる材質である。なお、ここで透過率とは、グレートーンマスクを使用する例えば大型ＬＣＤ用露光機の露光光の波長に対する透過率のことである。また、半透光膜の透過率は５０％程度に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかは設計上の問題である。
【００２３】
また、遮光膜２と反射防止膜３と半透光膜５の材質の組合せに関しては、本実施の形態においては特に制約されない。互いの膜のエッチング特性が同一又は近似していてもよく、或いは、互いの膜のエッチング特性が異なっていてもよい。本実施の形態では、最終的に半透光部となる領域を露出させた透光性基板上に直接半透光膜を成膜することにより半透光部を形成するので、膜材料に関して特に制約されることは無く、遮光膜と半透光膜のエッチング特性が同一或いは近似した材質の組合せを選択することが出来る。例えば、同一の材質、主成分が同一の材質（例えばＣｒとＣｒ化合物など）等の組合せを任意に選択することができるので、選択の幅が広い。
半透光膜５の成膜方法については、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、半透光膜５の膜厚に関しては、特に制約はないが、所望の半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
【００２４】
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜４を形成する（同図（ｆ）参照）。そして、上記アライメントマーク７上のレジスト膜のみを剥離して除去する（同図（ｇ））。アライメントマーク７部分だけをスポット露光し現像することによりレジスト膜を除去する方法でもよい。また、上記レジストをアライメントマーク７上を除いて塗布する方法でもよい。次いで、エッチングにより、アライメントマーク７の遮光部７ｂの表面にある半透光膜５及び反射防止膜３、並びに透光部７ａの半透光膜５を除去する（同図（ｈ））。これにより、アライメントマーク７の透光部７ａは透光性基板１が露出した状態にあり、遮光部７ｂは反射防止膜は除去されて遮光膜２のみからなる。
【００２５】
そして、２回目の描画を行う。すなわち、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて、上記アライメントマーク７を用いて位置合わせを行って第２のパターンの描画を行う。この時の描画データは、たとえばデバイスパターンの透光部に対応するパターンデータである。アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、反射光でアライメントマーク７を検出する際、透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が向上する。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの透光部ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域ではレジスト膜が残存するレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｉ）参照）。
【００２６】
次に、形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、デバイスパターンの透光部となる領域の露出した半透光膜５をエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターンの半透光部は透光部と画され、デバイスパターンの半透光部及び透光部が形成される（同図（ｊ）参照）。なお、アライメントマーク７も露出しているので、遮蔽用のテープ等を貼付して保護しエッチングされないようにしてもよい。残存するレジストパターン４ｂは、酸素アッシング等を用いて除去する。
【００２７】
以上のようにしてグレートーンマスク２０が出来上がる（同図（ｋ）参照）。グレートーンマスク２０は、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されている。デバイスパターン８は、遮光部８ａ、半透光部８ｂ及び透光部８ｃを有し、遮光部８ａは、透光性基板１上に形成された遮光膜２ａと反射防止膜３ａ及びその上の半透光膜５ａよりなり、半透光部８ｂは、透光性基板１上に成膜された半透光膜５ａよりなり、透光部８ｃは、透光性基板１が露出した部分によりなる。
【００２８】
図１２は、本実施の形態のグレートーンマスクにおける、アライメント光の波長に対する反射率を測定した結果を示すものである。同図（ｃ）のように、「Ａ」は透光性基板１、「Ｂ」は基板１上に遮光膜２及び反射防止膜３が形成されている部分、「Ｃ」は基板１上に遮光膜２及び反射防止膜３並びに半透光膜５が形成されている部分、「Ｄ」は基板１上に半透光膜５が形成されている部分、「Ｅ」は基板１上に遮光膜２が形成されている部分を示す。同図（ａ），（ｂ）は、通常用いられるアライメント光の波長３６５ｎｍ，４０５ｎｍ、４１３ｎｍ、４３６ｎｍに対する上記「Ａ」〜「Ｅ」の部分の反射率を数値及びグラフで示したものである。第２のパターンの描画時（図１（ｉ））、アライメントマーク７は、透光性基板１の露出した透光部７ａと遮光膜２を有する遮光部７ｂからなり、何れの波長のアライメント光に対しても透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差（「Ｅ」と「Ａ」との差）は３０％以上あるため、パターン描画時のアライメントマーク検出のコントラストが高い。
本実施の形態においては、上述したようにアライメントマーク７を用いて位置合わせを行って描画する際に、アライメントマーク７のコントラストが高く検出精度が良好で、その結果第１のパターンと第２のパターンとは、高い精度で重ね位置合わせされて形成される。
【００２９】
（実施の形態２）
図２は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態２を示す模式的断面図である。
図２（ａ）〜（ｄ）の工程は、実施の形態１における図１（ａ）〜（ｄ）の工程と全く同じである。
次に、アライメントマーク７を除く部分にレジスト膜４を形成する（同図（ｅ））。アライメントマーク７を除く部分にレジスト膜４を形成する方法としては、実施の形態１で説明したような全面にレジスト膜を形成した後、アライメントマーク７の部分を取り除く、又はスポット露光、現像により除去、或いはアライメントマーク７を除く部分にレジストを塗布する方法等が適用できる。そして、アライメントマーク７の遮光部７ｂの表面にある反射防止膜３をエッチングにより除去する。
次に、アライメントマーク７の部分を遮蔽板６等で保護して、半透光膜５を成膜する（同図（ｆ））。
【００３０】
次に、全面にレジスト膜４を形成し（同図（ｇ））、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う。アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、反射光でアライメントマーク７を検出する際、透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が向上する。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。描画後、現像してレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｈ））。形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、露出した半透光膜５をエッチングにより除去し（同図（ｉ））、残存するレジストパターン４ｂを除去することにより、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されたグレートーンマスク２０が出来上がる（同図（ｊ））。
【００３１】
（実施の形態３）
図３は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態３を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、前記マスクブランク１０のアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜４を形成し、アライメントマーク７の部分の反射防止膜３をエッチング等により除去する（図３（ａ）、（ｂ））。
次に、残存するレジスト膜４を剥離した後、再度全面にレジスト膜を形成し、実施の形態１と同様に、アライメントマーク７と第１のパターンを含むパターン描画を行い、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｃ））。次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出した遮光膜２をエッチングして（同図（ｄ））、残存するレジストパターン４ａを除去することにより、同図（ｅ）に示すような第１のパターン３ａ，２ａ及びアライメントマーク７を形成する。
【００３２】
続く（ｆ）〜（ｉ）の工程は、前述の実施の形態２における（ｆ）〜（ｉ）の工程と全く同様にして、図３（ｊ）に示すグレートーンマスク２０が出来上がる。
本実施の形態においても、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う工程（図３（ｈ））では、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、反射光でアライメントマーク７を検出する際、透光性基板１表面の露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度を向上できる。
【００３３】
（実施の形態４）
図４は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態４を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、先ず描画位置合わせに用いるアライメントマーク７を形成しておき、このアライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターン及び第２のパターンの描画を行う。
すなわち、マスクブランク１０を用いて、例えば、そのアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜を形成した後、アライメントマーク７の部分の反射防止膜３をエッチング等により除去する。次に、残存するレジスト膜を剥離した後、再度全面にレジスト膜を形成し、アライメントマーク７を描画し、現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜２をエッチングすることにより、同図（ｂ）に示すようなアライメントマーク７を形成する。この段階で、アライメントマーク７の遮光部７ｂの反射防止膜は除去されている。
【００３４】
次に、全面にレジスト膜４を形成し（同図（ｃ））、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第１のパターンの描画を行う。ここでは第１のパターンはデバイスパターンに対応するパターンである。アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がなく、反射光でアライメントマーク７を検出する際、基板１表面が露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が高い。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。
描画後、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｄ））。次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングして（同図（ｅ））、残存するレジストパターン４ａを除去することにより、同図（ｆ）に示すような第１のパターン３ａ，２ａ及びアライメントマーク７を形成する。
【００３５】
続く（ｇ）〜（ｊ）の工程は、前述の実施の形態２における（ｆ）〜（ｉ）の工程と全く同様にして、図４（ｋ）に示すグレートーンマスク２０が出来上がる。なお、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う工程（図４（ｉ））においても、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、反射光でアライメントマーク７を検出する際、基板１表面の露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度を向上できる。
【００３６】
（実施の形態５）
図５は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態５を示す模式的断面図である。
本実施の形態で使用するマスクブランク１０は、図５（ａ）に示すように、実施の形態１で用いたものと同じである。
まず、このマスクブランク１０を用いて、全面に描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜を形成した後、上記アライメントマーク７を含む第１のパターンの描画を行う。この場合の描画データは、例えばデバイスパターンの半透光部に対応するパターンデータ及びアライメントマーク７のパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上のデバイスパターン形成領域においては、例えばデバイスパターンの半透光部を形成する領域ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域にはレジスト膜が残存するレジストパターン４ａを形成する（図５（ｂ）参照）。
【００３７】
次に、形成されたレジストパターン４ａをマスクとして、露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングして、デバイスパターンの遮光部及び透光部に対応するパターン及びアライメントマーク７のパターン（遮光膜パターン２ａと反射防止膜パターン３ａの積層）を形成する（同図（ｃ）参照）。残存するレジストパターン４ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（同図（ｄ）参照）。
次に、以上のようにして得られた基板上の全面に半透光膜５を成膜する（同図（ｅ）参照）。
【００３８】
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜４を形成する（同図（ｆ）参照）。
そして、上記アライメントマーク７上のレジスト膜のみを剥離して除去する（同図（ｇ））。アライメントマーク７部分だけをスポット露光し現像する、或いは上記レジストをアライメントマーク７上を除いて塗布する方法でもよい。次いで、エッチングにより、アライメントマーク７の遮光部７ｂの表面にある半透光膜５及び反射防止膜３、並びに透光部７ａの半透光膜５を除去する（同図（ｈ））。これにより、アライメントマーク７の透光部７ａは透光性基板１が露出した状態にあり、遮光部７ｂは反射防止膜は除去されて遮光膜２のみからなる。
【００３９】
そして、２回目の描画を行う。すなわち、上記アライメントマーク７を用いて位置合わせを行って第２のパターンの描画を行う。この時の描画データは、たとえばデバイスパターンの透光部に対応するパターンデータである。本実施の形態においても、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、反射光でアライメントマーク７を検出する際、基板１表面の透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度が高い。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの透光部ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域ではレジスト膜が残存するレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｉ）参照）。
【００４０】
次に、形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、デバイスパターンの透光部となる領域の露出した半透光膜５、反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングにより除去する（同図（ｊ）参照）。なお、アライメントマーク７も露出しているので、遮蔽用のテープ等を貼付して保護しエッチングされないようにしてもよい。残存するレジストパターン４ｂは、酸素アッシング等を用いて除去する。
以上のようにして、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されグレートーンマスク２０が出来上がる（同図（ｋ）参照）。
【００４１】
（実施の形態６）
図６は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態６を示す模式的断面図である。
図６（ａ）〜（ｄ）の工程は、実施の形態５における図５（ａ）〜（ｄ）の工程と全く同じである。
次に、アライメントマーク７を除く部分にレジスト膜４を形成する（同図（ｅ））。アライメントマーク７を除く部分にレジスト膜４を形成する方法としては、全面にレジスト膜を形成した後、アライメントマーク７の部分を取り除く、又はスポット露光、現像により除去、或いはアライメントマーク７を除く部分にレジストを塗布する方法等が適用できる。そして、アライメントマーク７の遮光部７ｂの表面にある反射防止膜３をエッチングにより除去し、残存するレジスト膜は除去する（同図（ｆ））。
次に、アライメントマーク７の部分を遮蔽板６等で保護して、半透光膜５を成膜する（同図（ｇ））。
【００４２】
次に、全面にレジスト膜４を形成し（同図（ｈ））、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う。本実施の形態においても、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が向上する。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。描画後、現像してレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｉ））。形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、露出した半透光膜５、反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングにより除去し（同図（ｊ））、残存するレジストパターン４ｂを除去することにより、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されたグレートーンマスク２０が出来上がる（同図（ｋ））。
【００４３】
（実施の形態７）
図７は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態７を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、前記マスクブランク１０のアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜４を形成し、アライメントマーク７の部分の反射防止膜３をエッチング等により除去する（図７（ａ）、（ｂ））。
次に、残存するレジスト膜４を剥離した後、再度全面にレジスト膜を形成し、実施の形態５と同様に、アライメントマーク７と第１のパターンを含むパターン描画を行い、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｃ））。次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出した遮光膜２をエッチングして（同図（ｄ））、残存するレジストパターン４ａを除去することにより、同図（ｅ）に示すような第１のパターン３ａ，２ａ及びアライメントマーク７を形成する。
【００４４】
続く（ｆ）〜（ｉ）の工程は、前述の実施の形態６における図６（ｇ）〜（ｊ）の工程と全く同様にして、図７（ｊ）に示すグレートーンマスク２０が出来上がる。
本実施の形態においても、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う工程（図７（ｈ））では、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、透光性基板１表面の露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度を向上できる。
【００４５】
（実施の形態８）
図８は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態８を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、前述の実施の形態４と同様、先ず描画位置合わせに用いるアライメントマーク７を形成しておき、このアライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターン及び第２のパターンの描画を行う。
すなわち、マスクブランク１０を用いて、例えば、そのアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜を形成した後、アライメントマーク７の部分の反射防止膜３をエッチング等により除去する。次に、残存するレジスト膜を剥離した後、再度全面にレジスト膜を形成し、アライメントマーク７を描画し、現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜２をエッチングすることにより、同図（ｂ）に示すようなアライメントマーク７を形成する。この段階で、アライメントマーク７の遮光部７ｂの反射防止膜は除去されている。
【００４６】
次に、全面にレジスト膜４を形成し（同図（ｃ））、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第１のパターンの描画を行う。反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がなく、基板１表面が露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が高い。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。
描画後、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｄ））。次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングし、残存するレジストパターン４ａを除去することにより、同図（ｅ）に示すような第１のパターン３ａ，２ａ及びアライメントマーク７を形成する。
【００４７】
続く（ｆ）〜（ｉ）の工程は、前述の実施の形態６における（ｇ）〜（ｊ）の工程と全く同様にして、図８（ｊ）に示すグレートーンマスク２０が出来上がる。なお、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う工程（図８（ｈ））においても、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、基板１表面の露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度を向上できる。
【００４８】
（実施の形態９）
図９は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態９を示す模式的断面図である。
まず本実施の形態で使用するマスクブランク１１は、図９（ａ）に示すように、透光性基板１上に、順に、半透光膜５と、遮光膜２と反射防止膜３を形成したものである。ここで、半透光膜５、遮光膜２、反射防止膜３の材質は実施の形態１で挙げたものと同様である。但し、本実施の形態では、半透光膜５と、遮光膜２及び反射防止膜３とはエッチング特性の異なる材質を選択することが望ましい。
まず、このマスクブランク１１を用いて、全面に描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜を形成した後、前記アライメントマーク７を含む第１のパターンの描画を行う。この場合の描画データは、例えばデバイスパターンの透光部に対応するパターンデータ及びアライメントマーク７のパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上のデバイスパターン形成領域においては、例えばデバイスパターンの透光部を形成する領域及びアライメントマーク７の透光部ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域にはレジスト膜が残存するレジストパターン４ａを形成する（図９（ｂ）参照）。
【００４９】
次に、形成されたレジストパターン４ａをマスクとして、露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングし（同図（ｃ））、残存するレジストパターン４ａを除去してから（同図（ｄ））、さらに反射防止膜パターン３ａ及び遮光膜パターン２ａをマスクとして、露出した半透光膜５をエッチングすることにより、デバイスパターンの遮光部及び半透光部に対応するパターン及びアライメントマーク７のパターン（半透光膜パターン５ａと遮光膜パターン２ａと反射防止膜パターン３ａの積層）を形成する（同図（ｅ）参照）。
【００５０】
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜４を形成する（同図（ｆ）参照）。
そして、上記アライメントマーク７上のレジスト膜のみを剥離して除去する（同図（ｇ））。アライメントマーク７部分だけをスポット露光し現像する、或いは上記レジストをアライメントマーク７部分を除いて塗布する方法でもよい。次いで、エッチングにより、アライメントマーク７の遮光部７ｂの表面にある反射防止膜３を除去する（同図（ｈ））。これにより、アライメントマーク７の透光部７ａは透光性基板１が露出した状態にあり、遮光部７ｂの表面は反射防止膜が除去されて遮光膜２からなる。
そして、２回目の描画を行う。すなわち、上記アライメントマーク７を用いて位置合わせを行って第２のパターンの描画を行う。この時の描画データは、たとえばデバイスパターンの遮光部に対応するパターンデータである。本実施の形態においても、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、基板１表面の透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度が高い。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの遮光部ではレジスト膜が残存し、それ以外の領域ではレジスト膜が除去されたレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｉ）参照）。
【００５１】
次に、形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、デバイスパターンの半透光部となる領域に露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングにより除去する（同図（ｊ）参照）。なお、アライメントマーク７も露出しているので、遮蔽用のテープ等を貼付して保護しエッチングされないようにしてもよい。残存するレジストパターン４ｂは、酸素アッシング等を用いて除去する。
【００５２】
以上のようにして、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されグレートーンマスク２１が出来上がる（同図（ｋ）参照）。
デバイスパターン８は、遮光部８ａは、透光性基板１上に形成された半透光膜５ａ及びその上に形成された遮光膜２ｂと反射防止膜３ｂよりなり、半透光部８ｂは、透光性基板１上に形成された半透光膜５ａよりなり、透光部８ｃは、透光性基板１が露出した部分によりなる。
【００５３】
（実施の形態１０）
図１０は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１０を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、先ず前記マスクブランク１１のアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜４を形成し、アライメントマーク７の部分の反射防止膜３をエッチング等により除去する（図１０（ａ）、（ｂ））。
次に、残存するレジスト膜４を剥離した後、再度全面にレジスト膜を形成し、実施の形態９と同様に、アライメントマーク７と第１のパターンを含むパターン描画を行い、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｃ））。次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出したデバイスパターン領域の反射防止膜３及び遮光膜２、アライメントマーク７の透光部の遮光膜２をエッチングし（同図（ｄ））、残存するレジストパターン４ａを除去してから（同図（ｅ））、さらに反射防止膜パターン３ａ及び遮光膜パターン２ａ（アライメントマーク７部分では遮光膜パターン）をマスクとして、露出した半透光膜５をエッチングすることにより、デバイスパターンの遮光部及び半透光部に対応するパターン（半透光膜パターン５ａと遮光膜パターン２ａと反射防止膜パターン３ａの積層）及びアライメントマーク７のパターン（半透光膜パターン５ａと遮光膜パターン２ａの積層）を形成する（同図（ｆ）参照）。
【００５４】
次に、全面にレジスト膜４を形成し（同図（ｇ））、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う。描画後、現像してレジストパターン４ｂを形成する（同図（ｈ））。本実施の形態においても、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、基板１表面の透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が向上する。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。
【００５５】
次に、形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、デバイスパターンの半透光部となる領域に露出した反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングにより除去し（同図（ｉ））、残存するレジストパターン４ｂを除去することにより、実施の形態９と同様の、アライメントマーク７と、デバイスパターン８とが形成されたグレートーンマスク２２が出来上がる（同図（ｊ））。
【００５６】
（実施の形態１１）
図１１は、本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１１を示す模式的断面図である。
本実施の形態では、前述の実施の形態４あるいは実施の形態８と同様、先ず描画位置合わせに用いるアライメントマーク７を形成しておき、このアライメントマークを用いて位置合わせを行って第１のパターン及び第２のパターンの描画を行う。
すなわち、マスクブランク１１を用いて、全面にレジスト膜を形成し、アライメントマーク７を描画し、現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、露出した反射防止膜３と遮光膜２と半透光膜５をエッチングする（図１１（ａ））。次に、残存するレジスト膜を剥離した後、例えばアライメントマーク７を除く領域にレジスト膜を形成し、アライメントマーク７の遮光部の反射防止膜３をエッチング等により除去することにより、同図（ｂ）に示すようなアライメントマーク７を形成する。
【００５７】
次に、再度全面にレジスト膜４を形成し、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第１のパターンの描画を行う。描画後、現像して、レジストパターン４ａを形成する（同図（ｃ））。第１のパターン描画工程において、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がなく、基板１表面が露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、検出精度が高い。なお、アライメントマーク７上のレジスト膜は除去するとなおよい。ここでレジスト膜を除去した場合、後のエッチング工程でアライメントマーク７がエッチングされないようにするため、エッチング工程の前にアライメントマーク７を遮蔽用のテープ等で保護してもよい。
【００５８】
次いで、このレジストパターン４ａをマスクとして、露出したデバイスパターン領域の反射防止膜３及び遮光膜２をエッチングし（同図（ｄ））、残存するレジストパターン４ａを除去してから（同図（ｅ））、さらに反射防止膜パターン３ａ及び遮光膜パターン２ａをマスクとして、露出した半透光膜５をエッチングすることにより、デバイスパターンの遮光部及び半透光部に対応するパターン（半透光膜パターン５ａと遮光膜パターン２ａと反射防止膜パターン３ａの積層）及びアライメントマーク７のパターン（半透光膜パターン５ａと遮光膜パターン２ａの積層）を形成する（同図（ｆ）参照）。
続く（ｇ）〜（ｉ）の工程は、前述の実施の形態１０における（ｇ）〜（ｉ）の工程と全く同様にして、図１１（ｊ）に示すグレートーンマスク２２が出来上がる。なお、アライメントマーク７を用いて位置合わせを行い第２のパターンの描画を行う工程（図１１（ｈ））においても、反射光でアライメントマーク７を検出する際、アライメントマーク７の遮光部７ｂ表面には反射防止膜がないので、基板１表面の露出した透光部７ａと遮光部７ｂとの反射率差が大きくコントラストが高くなるため、アライメントマーク７の検出精度を向上できる。
【００５９】
また、以上説明した実施の形態では、ポジ型のレジストを用いた場合を例示したが、ネガ型レジストを用いてもよい。この場合、描画データが反転するだけで、工程は上述と全く同様にして実施できる。
また、以上の実施の形態では、専ら本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した例を説明したが、本発明はこれには限定されず、例えば、透光性基板上に遮光膜パターンと位相シフター膜パターンとを重ね合わせ描画工程により形成する位相シフトマスクの製造工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１を示す模式的断面図である。
【図２】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態２を示す模式的断面図である。
【図３】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態３を示す模式的断面図である。
【図４】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態４を示す模式的断面図である。
【図５】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態５を示す模式的断面図である。
【図６】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態６を示す模式的断面図である。
【図７】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態７を示す模式的断面図である。
【図８】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態８を示す模式的断面図である。
【図９】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態９を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１０を示す模式的断面図である。
【図１１】本発明のパターン形成方法をグレートーンマスクの製造工程に適用した実施の形態１１を示す模式的断面図である。
【図１２】実施の形態１における、アライメント光波長に対する反射率の測定結果を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  透光性基板
２  遮光膜
３  反射防止膜
４  レジスト膜
５  半透光膜
６  遮蔽板
７  アライメントマーク
８  デバイスパターン
１０，１１  マスクブランク
２０，２１，２２  グレートーンマスク
【図１】
2007279710.tif 000003
【図２】
2007279710.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007279710.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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