(57)【要約】【課題】Ａｌ配線の層間絶縁膜であるシリコン窒化膜を用いてマイクロレンズアレイを形成する集積回路において、Ａｌ配線のストレスマイグレーション及びレンズ形状の崩れを防止する。【解決手段】半導体基板２０の上に第１層の配線２６と第２層の配線２８との層間絶縁膜としてシリコン窒化膜４２を形成する。撮像部２４にはシリコン窒化膜４２の表面をレンズ形状として凸レンズ４４が密集配置されたレンズアレイが形成される。このシリコン窒化膜４２の表面にシリコン酸化膜４８を成膜する。第２層のＡｌ膜はシリコン酸化膜４８の表面に形成する。Ａｌ膜は、レンズアレイ表面等、不要部分からエッチング除去され、配線２８が形成される。【選択図】図１
2007096202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、レンズアレイが形成されるレンズ領域と配線膜をパターニングして配線が形成される回路領域とが併設される集積回路において、
前記レンズ領域及び前記回路領域に積層され、前記レンズ領域では表面がそれぞれ凸面又は凹面である複数のレンズを構成する第１の透明絶縁膜と、
前記第１の透明絶縁膜の表面に積層される第２の透明絶縁膜と、
を有し、
前記レンズアレイにて隣り合う前記レンズは、密集配置され、
前記配線膜は、前記第２の透明絶縁膜の表面に積層され、
前記第２の透明絶縁膜は、前記第１の透明絶縁膜より酸化シリコンの含有率が高く、かつ前記配線膜のパターニングにおけるエッチングに対し前記第１の透明絶縁膜よりエッチングレートが低いこと、
を特徴とする集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路において、
前記レンズアレイにて隣り合う前記レンズは、互いの前記凸面又は凹面の縁を接するように密集配置されること、を特徴とする集積回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の集積回路において、
前記第１の透明絶縁膜は、前記第２の透明絶縁膜より窒化シリコンの含有率が高いこと、を特徴とする集積回路。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の集積回路において、
前記第１の透明絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第２の透明絶縁膜は、シリコン酸化膜であること、
を特徴とする集積回路。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の集積回路において、
前記配線膜はアルミニウム膜であること、を特徴とする集積回路。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の集積回路において、
前記基板は、半導体基板であり、
前記レンズ領域は、前記レンズ毎に、受光量に応じた信号電荷を生じる受光画素が前記半導体基板に形成された撮像部を構成すること、
を特徴とする集積回路。
【請求項７】
基板上に、レンズアレイが形成されるレンズ領域と配線膜をパターニングして配線が形成される回路領域とが併設される集積回路の製造方法において、
前記レンズ領域及び前記回路領域に第１の透明絶縁膜を積層する工程と、
前記レンズ領域に積層された前記第１の透明絶縁膜の表面に凹凸を形成し、複数のレンズが密集配置された前記レンズアレイを形成する工程と、
前記レンズ領域及び前記回路領域の第１の透明絶縁膜の表面に第２の透明絶縁膜を積層する工程と、
前記配線膜を前記第２の透明絶縁膜の表面に積層する工程と、
少なくとも前記レンズ領域を含む不要領域の前記配線膜をエッチング除去し、前記配線を形成する工程と、
を有し、
前記第２の透明絶縁膜は、前記第１の透明絶縁膜より酸化シリコンの含有率が高く、かつ前記配線膜の前記エッチングに対し前記第１の透明絶縁膜よりエッチングレートが低い材料で形成されること、
を特徴とする集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズを備えた集積回路に関し、特にレンズアレイ及び配線の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子やＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）撮像素子は高画素化が求められている。特に、携帯電話などのモバイル機器にて用いられる小型の撮像装置で求められるように、撮像素子を小型に保ちつつ、又はより小型化を図りつつ、高画素の撮像素子を実現するためには、単位画素の面積を小さくする必要がある。
【０００３】
この単位画素の面積縮小に伴い単位画素内の受光部の面積も縮小し、撮像素子の感度は低下する。この問題への対策として、撮像装置の個々の受光画素に対応してマイクロレンズを形成する構成が知られている。マイクロレンズを形成することで、受光部の面積より広い領域の光を当該受光部に集光させて情報電荷を生成することができるので、撮像装置の感度低下を抑制することができる。
【０００４】
マイクロレンズの形成方法として、撮像素子の配線形成後に積層される透明樹脂層を用いて形成する方法の他に、配線形成を完了する前に例えば、層間絶縁膜を用いて形成する方法がある。図５は、この後者の方法で形成された固体撮像素子の模式的な断面図である。シリコン半導体基板２には受光部が形成され、この半導体基板２の表面にシリコン酸化膜４が形成される。このシリコン酸化膜４の上に、第１の配線層（配線膜）を形成するアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜が形成される。この配線層をパターニングして第１層配線６を形成した後、透明の層間絶縁膜８が積層される。
【０００５】
この層間絶縁膜８は、酸化シリコン（ＳiＯ２）より光の屈折率が大きい窒化シリコン（Ｓi３Ｎ４）で形成される。撮像素子の撮像部には層間絶縁膜８の表面に複数の凸部１０が形成され、これらがそれぞれレンズアレイの凸レンズを構成する。また、層間絶縁膜８は、配線が形成される回路領域においては、第１層配線６の上に形成される第２層配線１２との間に配置され、両配線間の絶縁を実現する。第２層配線１２を形成するための金属からなる配線膜は、回路領域だけでなく、レンズアレイが形成された撮像部にも成膜される。第２層配線１２は、この配線膜をパターニングして不要部分をエッチング除去して形成される。第２層配線１２の形成後、撮像素子の表面には樹脂等からなる平坦化膜１６や、さらにその上にカラーフィルタ（図示せず）が形成される。
【０００６】
ここで、平坦化膜を構成する樹脂の屈折率は窒化シリコンより小さく、この屈折率の違いにより、窒化シリコンで形成された各凸部１０は、その表面にて撮像部に入射した光を屈折させて、それぞれ対応する受光部に向けて集光するレンズ機能を発揮する。このようにして、撮像素子の撮像部には、半導体基板２上の受光部の配列に対応して当該凸レンズ構造が配列され、レンズアレイが形成される。ここで集光効率を高めるために、各レンズの面積はできるだけ大きくすることが好ましい。そこで、レンズアレイは、隣り合うレンズ同士ができるだけ近接するように密集配置される。
【０００７】
なお、図５では、第２層配線１２の形成後、平坦化膜１６の形成に先立って、素子の表面に比較的薄いシリコン窒化膜１４を形成する構成を示している。この場合には、層間絶縁膜８とシリコン窒化膜１４とが一体となって凸レンズを構成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
シリコン窒化膜に接して形成された配線は、素子形成時や経時変化により断線等の欠陥を比較的生じやすいという問題がある。これは、シリコン窒化膜の熱膨張係数が比較的大きい等の理由により、配線に対して機械的な応力のサイクルが作用しストレスマイグレーションが起こりやすいためであると考えられている。特に、このストレスマイグレーションはＡｌ配線で起こりやすい。さらに、密集配置されたレンズアレイにおいては、シリコン窒化膜の上に成膜された配線膜のパターニングにおいて凸部１０のレンズ形状が崩れやすいという問題があった。具体的には、レンズアレイを構成する層間絶縁膜８の表面には、近接した凸レンズの境界に、レンズの凸面同士に挟まれて狭い谷状の溝１８、例えばＶ字型の溝が形成され、この上に成膜される配線膜をパターニングする際のエッチングで、当該溝１８に配線膜が残りやすい。ここで、シリコン窒化膜はエッチング方法によっては比較的浸食されやすい場合があり、そのため、溝１８の配線膜を好適に取り除くためにエッチングを多めにすると、シリコン窒化膜にもエッチングされる部分が生じる。その結果、レンズ形状が変化し、集光率が低下する等の不都合を生じ得る。これらの問題は、レンズアレイを形成する層間絶縁膜が純粋なシリコン窒化膜である場合に限られず、例えば、窒化シリコンと酸化シリコンとが混合されたシリコンオキシナイトライドであっても起こり得るし、屈折率が大きくレンズを形成し得る一方で熱膨張率や配線膜のエッチングに対するエッチングレートも大きいという性質を有する他の材料を層間絶縁膜に用いた場合にも起こり得る。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、固体撮像素子等の集積回路において、レンズアレイ及び配線の双方を簡易な構成で好適に形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る集積回路は、基板上に、レンズアレイが形成されるレンズ領域と配線膜をパターニングして配線が形成される回路領域とが併設される集積回路において、前記レンズ領域及び前記回路領域に積層され、前記レンズ領域では表面がそれぞれ凸面又は凹面である複数のレンズを構成する第１の透明絶縁膜と、前記第１の透明絶縁膜の表面に積層される第２の透明絶縁膜と、を有し、前記レンズアレイにて隣り合う前記レンズは密集配置され、前記配線膜が、前記第２の透明絶縁膜の表面に積層され、前記第２の透明絶縁膜が、前記第１の透明絶縁膜より酸化シリコンの含有率が高く、かつ前記配線膜のパターニングにおけるエッチングに対し前記第１の透明絶縁膜よりエッチングレートが低いものである。
【００１１】
他の本発明に係る集積回路においては、前記レンズアレイにて隣り合う前記レンズが、互いの前記凸面又は凹面の縁を接するように密集配置される。
【００１２】
本発明の好適な態様は、前記基板が、半導体基板であり、前記レンズ領域が、前記レンズ毎に、受光量に応じた信号電荷を生じる受光画素が前記半導体基板に形成された撮像部を構成する集積回路である。
【００１３】
本発明に係る集積回路の製造方法は、基板上に、レンズアレイが形成されるレンズ領域と配線膜をパターニングして配線が形成される回路領域とが併設される集積回路の製造方法であって、前記レンズ領域及び前記回路領域に第１の透明絶縁膜を積層する工程と、前記レンズ領域に積層された前記第１の透明絶縁膜の表面に凹凸を形成し、複数のレンズが密集配置された前記レンズアレイを形成する工程と、前記レンズ領域及び前記回路領域の第１の透明絶縁膜の表面に第２の透明絶縁膜を積層する工程と、前記配線膜を前記第２の透明絶縁膜の表面に積層する工程と、少なくとも前記レンズ領域を含む不要領域の前記配線膜をエッチング除去し、前記配線を形成する工程と、を有し、前記第２の透明絶縁膜が、前記第１の透明絶縁膜より酸化シリコンの含有率が高く、かつ前記配線膜の前記エッチングに対し前記第１の透明絶縁膜よりエッチングレートが低い材料で形成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レンズの凹凸が形成される第１の透明絶縁膜の表面に、酸化シリコンを含有する第２の透明絶縁膜が形成される。配線膜はこの第２の透明絶縁膜の表面に形成され、パターニングされる。酸化シリコンの屈折率は従来、第１の透明絶縁膜の表面に接して配置されていた平坦化膜の屈折率に近く、よって、基本的に第１の透明絶縁膜より酸化シリコンの含有率が高い第２の透明絶縁膜の方が屈折率が小さくなる。そのため、第２の透明絶縁膜に形成された凸レンズの集光機能を損なわない。さらに、酸化シリコンは、熱膨張率が比較的小さいと共に、一般的な配線材料のエッチングに対するエッチングレートも比較的小さい。よって、第２の透明絶縁膜は、その上に形成される配線のストレスマイグレーションを抑制し得ると共に、凸レンズの境界が接したＶ字型の溝部に残りがちな配線膜を除去するためにオーバーエッチングしても、凸レンズの形状の崩れを抑制し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る固体撮像素子の断面構造を説明する模式図である。この図においてシリコン半導体基板２０には、当該半導体基板２０の表面に複数の受光部２２が配列された撮像部２４と、撮像部２４の外側であって配線２６，２８が配置される回路領域３０と設けられている。
【００１７】
半導体基板２０の表面には、熱酸化等のプロセスによりシリコン酸化膜４０が形成される。なお、撮像部２４及び回路領域３０それぞれのシリコン酸化膜４０を別工程で形成し、撮像部２４ではシリコン酸化膜４０を薄いゲート酸化膜、回路領域３０ではシリコン酸化膜４０を厚い局所酸化膜（ＬＯＣＯＳ）とすることができる。
【００１８】
回路領域３０においては、シリコン酸化膜４０の表面上に第１の配線層からなる配線２６が形成される。配線２６と、さらにその上層にて形成される第２の配線層からなる配線２８との間を絶縁する層間絶縁膜として、配線２６，２８相互間にシリコン窒化膜４２が形成される。
【００１９】
シリコン窒化膜４２は撮像部２４にも積層される。シリコン窒化膜４２は透明であり、かつ屈折率がシリコン酸化膜や、平坦化膜を構成する樹脂に比べて大きく、撮像部２４においてはレンズアレイを構成する。撮像部２４上のシリコン窒化膜４２は、表面に凹凸が形成され、凸部は、表面が基本的に上向きに凸の曲面に形成され、凸レンズ４４を構成し、凹部は、凸レンズ４４が互いに隣接する境界におおむねＶ字型の溝４６に形成される。凸レンズ４４は各受光部２２の上方に配置され、外部から撮像部２４へ入射する光を受光部２２に集光する働きを有する。
【００２０】
シリコン窒化膜４２の表面には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによりシリコン酸化膜４８が積層される。シリコン酸化膜４８は配線２６，２８の相互間の層間絶縁膜の一部を構成し、このシリコン酸化膜４８の表面上に配線２８が形成される。
【００２１】
配線２８の形成後、素子表面の凹凸を平坦化するためにシリコン酸化膜等からなる平坦化膜５０が積層され、さらに必要に応じてカラーフィルタアレイ（図示せず）が積層される。
【００２２】
次の本固体撮像素子の上述の構成の製造方法を説明する。図２〜図４は、その製造方法の主要な工程での固体撮像素子の断面構造を示す模式図である。ここでは、半導体基板２０に周知の製造方法で受光部２２が形成され、さらにシリコン酸化膜４０が積層された状態（図２（ａ））、以降の工程を説明する。シリコン酸化膜４０の表面には第１の配線層として、例えば、Ａｌ膜６０がＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法などにより成長される。Ａｌ膜６０の上にはレジストが塗布され、当該レジスト膜はフォトマスクを用いた露光及び現像工程により配線２６に応じた形状に加工される。このレジスト膜をマスクとしてＡｌ膜６０のエッチングが行われ、回路領域３０の上に配線２６が形成される（図２（ｂ））。なお、レジスト膜はＡｌ膜６０のエッチング終了後、除去される。
【００２３】
配線２６の形成後、第１のシリコン窒化膜６２を形成する（図２（ｃ））。この第１のシリコン窒化膜６２は、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などの各種成膜技術を用いて形成することができる。シリコン窒化膜６２の表面上には、上述のＡｌ膜６０に対する場合と同様の技術によりパターニングされたレジスト膜が形成される。レジスト膜は各受光部２２に対応する位置及び回路領域３０に残される。この残されたレジスト膜をマスクとして、シリコン窒化膜６２に対してエッチングが施され、受光部２２毎に凸部６４が形成される。ここで、エッチングはドライエッチングであってもよいしウェットエッチングであってもよい。このエッチングで形成されるシリコン窒化膜６２の凸部６４が後の工程により、撮像部２４のレンズアレイにおける凸レンズ形状の基礎となる。よって、シリコン窒化膜６２のエッチング量は必要とする凸レンズの高さに応じて決定される。図２（ｄ）には、ドライエッチングプロセスにより半導体基板２０の表面に対してほぼ垂直方向にシリコン窒化膜６２をエッチングした例を示しているが、ウェットエッチングプロセスによって凸部６４をテーパー状に形成することもできる。
【００２４】
凸部６４の平面形状は所望の凸レンズの平面形状に応じて定めることができる。できるだけレンズ面積を大きくして集光効率を高める観点からは、レンズの平面形状は単位画素の形状に相似とすることが好適であり、これに伴い、凸部６４の平面形状も受光画素の形状に応じて決定することができる。例えば、受光画素が長方形の場合は直方体の凸部６４を形成することが好適である。
【００２５】
撮像部２４に凸部６４を形成した後、シリコン窒化膜６２の表面上に第２のシリコン窒化膜６６を形成する（図３（ａ））。第２のシリコン窒化膜６６は、ＣＶＤ法を用いて、凸部６４の形成された撮像部２４、及び回路領域３０の第１のシリコン窒化膜６２の露出された表面に対しておよそ均一の膜厚で形成される。第２のシリコン窒化膜６６の形成には、ＣＶＤ法以外にも、露出された表面に対しておよそ均一の膜厚で形成することが可能な成膜方法であれば適用することができる。
【００２６】
凸部６４は、第２のシリコン窒化膜６６を被着され、一回り大きな凸部６８を形成する。この凸部６８を有する第２のシリコン窒化膜６６に対して、ガスイオンを照射する。このガスイオンの照射は凸部６８の角部を削り落とす目的で実施される。ここで、ガスイオンは不活性ガスイオンであることが好ましく、不活性ガスイオンとしてアルゴンイオンを用いることができるが、他の不活性ガスイオンを照射してもよい。アルゴンイオンを照射する場合、アルゴンイオンプラズマを生成し、生成されたプラズマに電界を掛けることにより第２のシリコン窒化膜６６にアルゴンイオンを照射（衝突）させる。このとき、アルゴンイオンの運動エネルギーは、第２のシリコン窒化膜６６の表面原子または分子の結合を切断し、かつ照射方向の他の原子または分子との再結合を許容するよう（表面原子又は分子が凸部６８の近傍のみに移動するよう）、その大きさが調整される。
【００２７】
アルゴンイオンが照射された後のシリコン窒化膜６２，６６からなる光透過膜は、図３（ｂ）に示すように、第２のシリコン窒化膜６６の凸部６８の角部が削り落とされ、その削り落とされた部分が凸部６８の周辺部分に移動する。こうして、凸部６４上の第２のシリコン窒化膜６６の表面に曲部が形成され、第１及び第２のシリコン窒化膜６２，６６が一体となって凸レンズ４４を構成する。この第２のシリコン窒化膜６６を形成した上でガスイオンを照射する工程によって、凸部６８相互間の溝の部分まで拡大した凸レンズ４４の曲面が形成され、受光面の広いレンズを効率よく形成することができる。
【００２８】
ちなみに、第１のシリコン窒化膜６２の凸部６４の間隔は、それを形成する際のエッチングに対しマスクとされるレジストパターンの間隔に応じて制限される。このレジストパターンの間隔はフォトリソグラフィ技術による制約を受け、それを小さくすることには限界がある。そのため、凸部６４に対してガスイオンを照射して角を削りレンズ面積を拡大させても、隣り合うレンズ同士が境界を接するように、凸部６４の間隔を小さく設定することは必ずしも可能ではない。これに対して、本構成では第２のシリコン窒化膜６６で凸部６４を覆って、より大きな凸部６８を形成することで、凸部６８の間隔を凸部６４の間隔より狭めることができ、隣り合うレンズ同士が境界を接し密集配置されたレンズアレイを形成することが容易となる。
【００２９】
ここで示す製造方法では、図１に示した構造のシリコン窒化膜４２が２層のシリコン窒化膜６２，６６を積層して構成され、それらシリコン窒化膜６２，６６を用いて撮像部２４に複数の凸レンズが密集配置されたレンズアレイが形成される（図３（ｂ））。このレンズ形状の形成後、シリコン窒化膜６６の表面上にシリコン酸化膜４８を形成する（図３（ｃ））。
【００３０】
シリコン酸化膜４８の表面上に第２の配線層として、例えば、Ａｌ膜７０がＰＶＤ法などにより成長される。Ａｌ膜７０の上にはレジストが塗布され、フォトマスクを用いた露光及び現像工程により、形成しようとする配線２８に応じた形状のレジスト膜７２が形成される（図４（ａ））。このレジスト膜７２をマスクとしてＡｌ膜７０のエッチングが行われ、回路領域３０においてシリコン酸化膜４８の表面に配線２８が形成される（図４（ｂ））。
【００３１】
Ａｌ等の配線層のエッチング方法としてはウェットエッチング及びドライエッチングのいずれも可能であるが、配線の微細化に伴い、現在では、ウェットエッチングより加工精度が高いドライエッチングが主に用いられる。本製造方法においても、配線２６，２８のパターニングをドライエッチングにて行う。ここで、ドライエッチングのエッチングレートは、概してシリコン窒化膜よりシリコン酸化膜の方が小さくなる。例えば、プラズマエッチングでは、ガス組成や種類、条件等を変えても、シリコン窒化膜よりシリコン酸化膜の方がエッチングレートが小さくなるという関係が基本的に成り立つことが知られている。またケミカルドライエッチングにおいても同様の関係が成り立つことが知られている。本固体撮像素子では、シリコン窒化膜４２の表面にシリコン酸化膜４８を形成することで、Ａｌ膜７０のエッチング除去時に撮像部２４の凸レンズ４４がエッチングされて形状が崩れることが防止される。
【００３２】
Ａｌ膜７０のエッチング終了後、その表面のレジストを除去した上で、平坦化膜５０が積層され（図４（ｃ））、本固体撮像素子の基本的な構造ができ上がる。ここで、平坦化膜５０の屈折率は従来同様、シリコン窒化膜４２より小さく、またシリコン酸化膜４８の屈折率も平坦化膜５０に近い値でありシリコン窒化膜４２より小さい。そのため、外部から半導体基板２０の表面へ向けて入射する光は、凸レンズ４４の表面にて屈折して、受光部２２に向けて集光する。すなわち、シリコン酸化膜４８は、凸レンズ４４の集光機能を損なわない。
【００３３】
本固体撮像素子では、シリコン窒化膜４２で凸レンズ４４を形成し、その表面をシリコン酸化膜４８で覆う。このシリコン酸化膜４８は、シリコン窒化膜４２に起因する配線２８のストレスマイグレーションを防止するために、シリコン窒化膜４２と配線２８との間に形成するシリコン酸化膜と共通である。すなわち、回路領域３０における配線２８のストレスマイグレーション防止のためのシリコン酸化膜と撮像部２４における凸レンズ４４の形状保護のためのシリコン酸化膜とを同一工程で形成することができる。
【００３４】
ここでは、シリコン窒化膜４２の上に積層する膜はシリコン酸化膜４８としたが、酸化シリコンに加えて他の成分を含む材料で形成しても良い。またシリコン窒化膜４２に代えて、窒化シリコンに加えて他の成分を含む材料の膜で凸レンズ４４及び配線２６，２８の層間絶縁膜を形成しても良い。例えば、シリコン窒化膜４２、シリコン酸化膜４８をそれぞれシリコンオキシナイトライドとすることができ、その場合、シリコン窒化膜４２に代わる下層膜における窒化シリコンの含有率をシリコン酸化膜４８に代わる上層膜よりも大きくし、また、上層膜における酸化シリコンの含有率を下層膜よりも大きくすることで、上述の配線２８のストレスマイグレーションの防止と、凸レンズ４４の形状保護及び集光機能確保とを図ることが可能である。また、シリコン窒化膜４２等で形成され密集配置されるレンズの形状は凸レンズに限られず、凹レンズとしてもよい。この場合にも、レンズアレイ部分では、表面の凹凸に起因して、配線を形成するためのＡｌ膜のエッチングの進行にばらつきが生じ得る。そのため、シリコン窒化膜４２等のレンズ形成膜の表面に、シリコン酸化膜４８等の比較的エッチングレートが低い膜を積層することで、レンズ形状のくずれが防止される。
【００３５】
上述の本発明の実施形態は固体撮像素子であったが、本発明は、マイクロレンズアレイを備える他の集積回路、例えば、表示装置等に用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の断面構造を説明する模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の主要な製造工程での断面構造を示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の主要な製造工程での断面構造を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係る固体撮像素子の主要な製造工程での断面構造を示す模式図である。
【図５】最上層の配線の形成前にレンズアレイが形成される固体撮像素子の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
２０  半導体基板、２２  受光部、２４  撮像部、２６，２８  配線、３０  回路領域、４０，４８  シリコン酸化膜、４２，６２，６６  シリコン窒化膜、４４  凸レンズ、４６  溝、５０  平坦化膜、６０，７０  Ａｌ膜、６２  層間絶縁膜、６４，６８  凸部、７２  レジスト膜。
【図１】
2007096202.tif 000003
【図２】
2007096202.tif 000004
【図３】
2007096202.tif 000005
【図４】
2007096202.tif 000006
【図５】
2007096202.tif 000007