(57)【要約】【課題】フロート青板ガラス基板のＳｎを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、前記エアー面を上面に揃え、エアー面上にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜して、変換効率及び歩留りを向上させ、製造コストを低減する。【解決手段】ガラス基板表面に紫外線を照射し、発光した場合は、その面がＳｎを含むフロート面Ｂと識別（Ｐ１）し、Ｓｎ含有マークを付与（Ｐ２）する。Ｓｎ含有マークが付与されていないエアー面Ａが上面の場合は、そのまま洗浄・乾燥工程を経て、エアー面ＡにＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する。フロート面Ｂが上面の場合は、上下反転（Ｐ３）させた後、洗浄・乾燥工程（Ｐ４）を経て、上面のエアー面ＡにＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜（Ｐ５）する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロートガラスである青板ガラスの表面はＳｎを含まないエアー面とＳｎを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上にＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 系）系薄膜太陽電池デバイスを形成することを特徴とするＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
フロートガラスである青板ガラスの表面はＳｎを含まないエアー面とＳｎを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上にＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 系）系薄膜太陽電池デバイスを製膜することを特徴とするＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記青板ガラスの表面のＳｎの含有の有無を識別するガラス表面識別手段によりＳｎを含有しない青板ガラスのエアー面を識別し、前記エアー面に前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜することを特徴とする請求項２に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記ガラス表面識別手段によりＳｎを含有する青板ガラスのフロート面を識別し、Ｓｎ含有マーク付与手段により前記フロート面にＳｎを含有することを示すＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスのエアー面にＳｎが含有しないことを示すマーク）を迅速且つ正確に施し、前記Ｓｎを含有しない青板ガラスのエアー面に前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜することを特徴とする請求項３に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記ガラス表面識別手段は、青板ガラスの両表面に、Ｓｎの存在により蛍光を発光し、且つ、ガラスを透過しない（吸収される）波長である２００〜３００ｎｍ、好ましくは２５０〜３００ｎｍ程度の波長の紫外線を照射し、前記紫外線の照射により蛍光が発生する（Ｓｎから発生する蛍光の量が多い（一定値以上の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成しない面と識別し、蛍光が発生しない（Ｓｎから発生する蛍光の量が少ない（一定値以下の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する面と識別することを特徴とする請求項３又は４に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記Ｓｎ含有マークは、後工程の物理的又は化学的処理に耐え且つ機械又は目視により識別可能なインク又は塗料若しくはレーザー、ガラススクライバー（ダイヤモンド）、サンドブラスト等によりガラス表面にマーク、傷等の目印を、青板ガラスの表面の外周部の一定箇所に付与することを特徴とする請求項３又は４に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
一定寸法に裁断された一定枚数の、Ｓｎを含有しないエアー面を原則としてＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面（以下、製膜面という。）である上、下、左、右の何れか１つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面識別手段に順次１枚づつ搬送し、前記ガラス表面識別手段によりＳｎを含有する青板ガラスのフロート面を識別し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面（以下、非製膜面という。例えば、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記青板ガラスを次工程（ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの製膜面（例えば、上面）を前記フロート面であると識別した場合は、その青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外することを特徴とする請求項３、４又は５に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
一定寸法に裁断された一定枚数の、Ｓｎを含有しないエアー面を原則としてＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面（以下、製膜面という。）である上、下、左、右の何れか１つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面識別手段に順次１枚づつ搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面（以下、非製膜面という。例えば、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記Ｓｎ含有マーク付与手段により青板ガラスの非製膜面（例えば、下面）にＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスの表面にＳｎを含有しないことを示すマーク）を施し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの製膜面（例えば、上面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記Ｓｎ含有マーク付与手段により青板ガラスの製膜面（例えば、上面）にＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスの表面にＳｎを含有しないことを示すマーク）を施し、前記Ｓｎ含有マークが青板ガラスの非製膜面（例えば、下面）に付与されている場合は、前記青板ガラスを次工程（洗浄工程及びＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に搬送し、前記Ｓｎ含有マークが青板ガラスの青板ガラスの製膜面（例えば、上面）に付与されている場合は、その青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外することを特徴とする請求項３、４、５又は６に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記搬送ラインから除外した青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して積載することを特徴とする請求項８に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、アルカリバリア層製膜処理工程、金属裏面電極層製膜工程、第１パターン形成工程、光吸収層製膜工程、高抵抗バッファ層製膜工程、第２パターン形成工程、窓層製膜工程、第３パターン形成工程の順からなることを特徴とする請求項２又は３に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、その工程の一部で、前記青板ガラスのエアー面を上方向、下方向、横方向、一定角度傾斜した横方向の何れか１つの状態でそのエアー面に製膜することを特徴とする請求項１０に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの構造及びその製造方法、特に、フロートガラス基板のＳｎを含有しないエアー面側に太陽電池デバイスを製膜するＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールにおいては、大面積化、製造コスト上の関係からそのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスはフロート法により製造されたフロート青板ガラス基板上に製膜されている。前記フロート青板ガラス基板は、図６に示すように、溶解した錫の上に溶解したガラスを浮かせて所定の厚みにするフロート法により製造されるため、ガラス基板のフロート面はＳｎを含有し、エアー面はＳｎを含有しないという性質を有する。そして、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスをフロート青板ガラス基板のフロート面又はエアー面の何れの面上に製膜しても、太陽電池特性等に顕著な差異はないと考えられていた。
【０００３】
本出願人は、図２に示すように、フロート青板ガラス基板のＳｎを含有しないエアー面側にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜した場合の方が、フロート青板ガラス基板のＳｎを含有するフロート面側にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜した場合よりも変換効率が高いことを発見した。
【０００４】
また、プラズマディスプレイ用のガラス基板において、そのフロート面の判別方法として、紫外線照射によりフロート面に存在するＳｎからの可視光を検出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。プラズマディスプレイ用のガラス基板としてフロートガラスが使用され、プラズマディスプレイは表示電極やデータ電極にＡｇ材料を使用する。その結果、ガラス基板のフロート面に表示電極やデータ電極となるＡｇ材料を塗布した場合、フロートガラスのフロート面上に存在するＳｎとＡｇ材料のＡｇイオンとの間の酸化還元反応によりＡｇ−Ｓｎコロイドが生成し、ガラス基板が黄色に変色し、表示画像の品質が大きく損なう。これを防止するため、フロートガラスのフロート面側には電極を形成しないようにすることが要求される。そのため、前記特許文献１に記載のフロートガラス基板のフロート面を判定する方法は、フロート面はＳｎを含有するので、フロートガラス基板に紫外線を照射し、フロート面に存在するＳｎからの蛍光を可視光で検出してフロート面を判定するものである。
【０００５】
本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製造方法においては、基板としてフロート青板ガラスを用い、Ｓｎを含有するフロート面側にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜するとその光吸収層中にＳｎが拡散して不適当な欠陥カルコパイライト構造が形成され高効率のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスが得られないという問題があるため、そのフロート面とエアー面との識別処理を行う。なお、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスのガラス基板のフロート面とエアー面との識別処理としては前記公知のプラズマディスプレイ用のガラス基板のフロート面の判別方法を用いる。しかし、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製造方法においては、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別処理の後、ガラス基板の洗浄処理を実施し、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜を行うため、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別処理をしても、ガラス面が何れか一方に揃っていない場合には、ガラス面を何れか一方に揃える必要がある。また、前記識別処理では、その後の処理又は保管等により、ガラスの面が反転する可能性があり、その場合には、フロート面とエアー面が明確に識別されているとはいえない。そこで、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別結果を認識可能な形で迅速且つ確実にガラス基板上に残存させることが不可欠である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−５１４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記問題点を解消するもので、本発明の目的は、フロート青板ガラスのＳｎを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、Ｓｎ含むフロート面にＳｎ含有識別マークを付与して、フロート青板ガスのＳｎを含まないエアー面を上下左右の何れか１つの方向に揃え、エアー面にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成することにより、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの変換効率及び歩留りを向上させ、製造コストを低減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明は、フロートガラスである青板ガラスの表面はＳｎを含まないエアー面とＳｎを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上にＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 系）系薄膜太陽電池デバイスを形成するＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールである。
【０００９】
（２）本発明は、フロートガラスである青板ガラスの表面はＳｎを含まないエアー面とＳｎを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上にＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 系）系薄膜太陽電池デバイスを製膜するＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１０】
（３）本発明は、前記青板ガラスの表面のＳｎの含有の有無を識別するガラス表面識別手段によりＳｎを含有しない青板ガラスのエアー面を識別し、前記エアー面に前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する前記（２）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１１】
（４）本発明は、前記ガラス表面識別手段によりＳｎを含有する青板ガラスのフロート面を識別し、Ｓｎ含有マーク付与手段により前記フロート面にＳｎを含有することを示すＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスのエアー面にＳｎが含有しないことを示すマーク）を迅速且つ正確に施し、前記Ｓｎを含有しない青板ガラスのエアー面に前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する前記（３）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１２】
（５）本発明は、前記ガラス表面識別手段は、青板ガラスの両表面に、Ｓｎの存在により蛍光を発光し、且つ、ガラスを透過しない（吸収される）波長である２００〜３００ｎｍ、好ましくは２５０〜３００ｎｍ程度の波長の紫外線を照射し、前記紫外線の照射により蛍光が発生する（Ｓｎから発生する蛍光の量が多い（一定値以上の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成しない面と識別し、蛍光が発生しない（Ｓｎから発生する蛍光の量が少ない（一定値以下の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する面と識別する前記（３）又は（４）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１３】
（６）本発明は、前記Ｓｎ含有マークが、後工程の物理的又は化学的処理に耐え且つ機械又は目視により識別可能なインク又は塗料若しくはレーザー、ガラススクライバー（ダイヤモンド）、サンドブラスト等によりガラス表面にマーク、傷等の目印を、青板ガラスの表面の外周部の一定箇所に付与する前記（３）又は（４）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１４】
（７）本発明は、一定寸法に裁断された一定枚数の、Ｓｎを含有しないエアー面を原則としてＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面（以下、製膜面という。）である上、下、左、右の何れか１つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面識別手段に順次１枚づつ搬送し、前記ガラス表面識別手段によりＳｎを含有する青板ガラスのフロート面を識別し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面（以下、非製膜面という。例えば、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記青板ガラスを次工程（ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの製膜面（例えば、上面）を前記フロート面であると識別した場合は、その青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外する前記（３）、（４）又は（５）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１５】
（８）本発明は、一定寸法に裁断された一定枚数の、Ｓｎを含有しないエアー面を原則としてＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面（以下、製膜面という。）である上、下、左、右の何れか１つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面識別手段に順次１枚づつ搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面（以下、非製膜面という。例えば、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記Ｓｎ含有マーク付与手段により青板ガラスの非製膜面（例えば、下面）にＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスの表面にＳｎを含有しないことを示すマーク）を施し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの製膜面（例えば、上面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記Ｓｎ含有マーク付与手段により青板ガラスの製膜面（例えば、上面）にＳｎ含有マーク（又はＳｎを含有しない青板ガラスの表面にＳｎを含有しないことを示すマーク）を施し、前記Ｓｎ含有マークが青板ガラスの非製膜面（例えば、下面）に付与されている場合は、前記青板ガラスを次工程（洗浄工程及びＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に搬送し、前記Ｓｎ含有マークが青板ガラスの青板ガラスの製膜面（例えば、上面）に付与されている場合は、その青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外する前記（３）、（４）、（５）又は（６）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１６】
（９）本発明は、前記搬送ラインから除外した青板ガラスを１８０°（上下又は左右に）反転して積載する前記（８）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１７】
（１０）本発明は、前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程が、アルカリバリア層製膜処理工程、金属裏面電極層製膜工程、第１パターン形成工程、光吸収層製膜工程、高抵抗バッファ層製膜工程、第２パターン形成工程、窓層製膜工程、第３パターン形成工程の順からな前記（２）又は（３）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【００１８】
（１１）本発明は、前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、その工程の一部で、前記青板ガラスのエアー面を上方向、下方向、横方向、一定角度傾斜した横方向の何れか１つの状態でそのエアー面に製膜する前記（１０）に記載のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、フロート青板ガラスのＳｎを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、Ｓｎ含むフロート面にＳｎ含有識別マークを付与して、フロート青板ガスのＳｎを含まないエアー面を上下左右の何れか１つの方向に揃え、エアー面にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成することにより、ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの変換効率及び歩留りが向上すると共に、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２又はその製造方法、特に、フロート青板ガラス基板（以下、ガラス基板という。）２ＡのＳｎを含有しない面（エアー面）ＡにＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成（製膜）するＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュール又はその製造方法に関するものである。ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュール１は、図４に示すように、ガラス基板２Ａ上に、アルカリバリア層、金属裏面電極層２Ｂ、ｐ形半導体の光吸収層２Ｃ、高抵抗のバッファ層２Ｄ、ｎ形の透明導電膜からなる窓層２Ｅの順に積層された積層構造のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス（図５参照）の上面に架橋されたＥＶＡ樹脂等のプラスチック樹脂３によりカバーガラス４が接着され、前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの裏面に、バックシート５及びケーブル付き接続箱６が設置され、この外周部にシール材７を介してフレーム８が取り付けられた構造体である。
【００２１】
前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２は、多元化合物半導体薄膜を光吸収層として使用したヘテロ接合薄膜太陽電池、特に、Cu-III-VI2族カルコパイライト半導体、例えば、二セレン化銅インジウム(CISe)、二セレン化銅インジウム・ガリウム(CIGSe) 、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム(CIGSSe)、二イオウ化銅インジウム・ガリウム(CIGS)又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム(CIGSSe)層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム(CIGSe) のようなｐ形半導体の光吸収層とｐｎヘテロ接合を有する。
【００２２】
前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２はそのガラス基板として、フロート法により製造された青板ガラスが使用される。前記フロート青板ガラス基板（以下、ガラス基板という。）２Ａは、図６に示すように、溶解したＳｎの上に溶解したガラスを浮かせて所定の厚みにするフロート法により製造されるため、ガラス基板２Ａの両表面には、Ｓｎを含まないエアー面ＡとＳｎを含むフロート面とがあり、前記フロート面にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成すると、前記ＣＩＳ系（ＣｕＩｎＳｅ2 系）薄膜太陽電池デバイスの光吸収層の製膜工程における４００〜６００℃の加熱中にＳｎが前記光吸収層中に拡散して、望ましい結晶系（結晶構造）であるカルコパイライト構造を形成せずに、高効率太陽電池製造に不適当な結晶構造である欠陥カルコパイライト構造又はスタナイト構造を形成という問題があり、ガラス基板２ＡのＳｎを含有しないエアー面Ａの表面に、前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成する必要がある。
【００２３】
ガラス基板２ＡのＳｎを含まないエアー面Ａに複数のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を（接続パターンにより）電気的に接続したもの（以下、サーキットという。）を形成したサーキットＸと、ガラス基板２ＡのＳｎを含むフロート面Ｂにサーキットを形成したサーキットＹの夫々２４０枚の変換効率（特性Ｘと特性Ｙ）の測定結果の比較分布図を図２に示す。その結果、ガラス基板２Ａのエアー面にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成（製膜）したサーキットＸの変換効率（特性Ｘ）は、ガラス基板２Ａのフロート面にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを形成（製膜）したサーキットＹの変換効率（特性Ｙ）と比べて、より高い変換効率の部分に分布枚数が多く存在する、即ち、サーキットＸはサーキットＹよりも変換効率が高いことが証明される。そこで、本発明においては、図５に示すように、フロート青板ガラス基板２ＡのＳｎを含まないエアー面Ａ側にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成（製膜）したＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス又はその製造方法を提供するものである。
【００２４】
ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２をガラス基板２Ａ上に製膜するには、先ず、前記ガラス基板２Ａの表面にＳｎが含まれているか否かを識別する必要がある。
【００２５】
本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、ガラス洗浄・乾燥工程Ｐ４の前にガラス基板２Ａの表面のＳｎの含有の有無を識別するガラス表面識別手段によりガラス基板２Ａのエアー面Ａ、フロート面Ｂを識別するガラス表面識別工程Ｐ１を設けて、前記エアー面Ａに前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成する。
【００２６】
前記ガラス表面識別工程Ｐ１によりエアー面Ａを識別するガラス表面識別処理した後、Ｓｎ含有マーク付与工程Ｐ２においては、Ｓｎ含有マーク付与部Ｐ２で前記フロート面Ｂの一部（外周部又は四隅）の識別し易い箇所に、後工程において消滅しない耐久性のある部材又は方法により、迅速且つ正確にＳｎを含有することを示すＳｎ含有マークを施す。前記マークは特殊塗料（例えば、速乾蛍光塗料）による塗布、特殊インキ（例えば、蛍光インキ）によるスタンプ印刷、前記マークが印刷された貼着シールの等の貼着、又はレーザー、サンドブラスト、スクライバー（ダイヤモンド）等によりガラス表面にマーク、傷等の目印をを付与する。マークは文字、数字、バーコード、その他マークである。このＳｎ含有マークはガラス洗浄処理後においてもその存在を明確にすることにより、以後の製膜工程で製膜処理の迅速性及び正確性を維持（確保）することができる。
【００２７】
前記ガラス表面識別手段Ｐ１は、図１に示すように、ガラス基板２Ａの両表面に紫外線ランプＬにより、Ｓｎの存在により蛍光を発光し、且つ、ガラスを透過しない（吸収される）波長である２００〜３００ｎｍ、好ましくは２５０〜３００ｎｍ程度の波長の紫外線を照射し、前記紫外線の照射により蛍光が発生する（Ｓｎから発生する蛍光の量が多い（一定値以上の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成しない面と判別し、蛍光が発生しない（Ｓｎから発生する蛍光の量が少ない（一定値以下の））場合は前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を形成する面と判別する。前記蛍光を受光素子Ｃにより受光しその出力量により錫の含有の有無を判別する。
【００２８】
前記ガラス表面識別工程Ｐ１に搬入されるガラス基板２Ａは、一定寸法に裁断された一定枚数の、Ｓｎを含有しない表面を原則としてＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を製膜する製膜面（以下、製膜面という）である上、下、左、右の何れか１つの向き（本実施例では上向き）に積載されたもので、これを前記ガラス表面識別手段Ｐ１に順次１枚づつ搬送し、前記ガラス表面判別手段Ｐ１がガラス基板２Ａの前記製膜面（本実施例では、上面）がエアー面Ａであるか否かを識別する。前記ガラス表面判別手段Ｐ１がガラス基板２Ａの製膜面（本実施例では、上面）をエアー面Ａであると識別し、Ｓｎ含有マーク付与部Ｐ２でガラス基板２ＡのＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス２を製膜しない非製膜面（以下、非製膜面という。本実施例では、下面）にＳｎ含有マークを付与した場合は、前記ガラス基板２Ａを次工程の反転工程Ｐ３に搬送し、（上下又は左右に）反転せずにそのまま次工程のガラス洗浄・乾燥工程Ｐ４に搬送する。また、前記ガラス表面判別手段Ｐ１がガラス基板２Ａの非製膜面（本実施例では、下面）をエアー面Ａであると識別し、Ｓｎ含有マーク付与部Ｐ２でガラス基板２Ａの製膜面（本実施例では、上面）にＳｎ含有マークを付与した場合は、前記ガラス基板２Ａを次工程のガラス基板反転工程Ｐ３に搬送し、１８０°（上下又は左右、本実施例では、上下）反転して、製膜面（本実施例では、上面）をエアー面として次工程のガラス洗浄・乾燥工程Ｐ４に搬送する（ケース１）。
【００２９】
また、前記ガラス表面判別手段Ｐ１がガラス基板２Ａの非製膜面（本実施例では、下面）をエアー面Ａであると識別し、Ｓｎ含有マーク付与部Ｐ２でガラス基板２Ａの製膜面（本実施例では、上面）にＳｎ含有マークを付与した場合は、搬送ラインから除外し、除外したガラス基板２Ａを１８０°（本実施例では、上下）反転して一定方向に揃えて積載する（ケース２）方法もある。その結果、除外して積載したガラス基板２ＡはＳｎを含有しない表面を一定方向に揃えて積載することができ、これをそのまま、ガラス洗浄・乾燥処理工程Ｐ４に搬送することができる。
【００３０】
なお、前記ガラス表面識別工程Ｐ１、Ｓｎ含有マーク付与工程Ｐ２、ガラス基板反転工程Ｐ３、ガラス基板洗浄・乾燥工程Ｐ４では、後工程のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜処理Ｐ５において、装置の配置及び加工処理上、エアー面が上面であると都合が良いために、ガラス基板２Ａのエアー面Ａが上面（フロート面Ｂは下面）に位置する製膜面となるように各ガラス基板２Ａを揃える方法を採っているが、ガラス基板２Ａの積載状態及び製膜面は水平方向及び垂直方向があり、その場合、ガラス基板２Ａのエアー面Ａが本実施例の上面以外の、下面、左面、右面となるように各ガラス基板２Ａを揃える方法もある。製膜装置の設置位置としては、ガラス基板２Ａの上、下、左、右の何れかがあり、その結果、製膜面は、上面、下面、左面、右面の何れか、非製膜面は、製膜面と反対の下面、上面、右面、左面の何れかとなる。
【００３１】
前記ガラス洗浄・乾燥工程Ｐ４で洗浄・乾燥処理されたガラス基板２Ａは、連続して、又は一時保管の後、ガラス基板２Ａのエアー面側にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜処理Ｐ５を施す。
【００３２】
前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製膜処理工程Ｐ５の詳細を以下に示す。
ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製膜処理工程は、図３に示すように、アルカリバリア層製膜処理工程、金属裏面電極層製膜工程、第１パターン形成工程、光吸収層製膜工程、高抵抗バッファ層製膜工程、第２パターン形成工程、窓層製膜工程、第３パターン形成工程の順で処理される。前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜処理工程の後に、更に、仕上げ工程（電極部の設置）、バスバーリボン半田付け工程、第１出力測定工程、パッケージング工程、第２出力測定工程、試験（耐圧試験等）工程、梱包工程等の順に処理が施されＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールが製造される。
【００３３】
また、前記ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程Ｐ５においては、その工程の一部で、前記ガラス基板２Ａのエアー面Ａ又は製膜面の方向を、上方向、下方向、横方向、一定角度傾斜した横方向の何れか１つの状態にして、そのエアー面Ａに製膜することもできる。前記エアー面Ａ又は製膜面の方向は、本発明におけるＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程Ｐ５に限らず、その前工程であるガラス表面識別工程Ｐ１、Ｓｎ含有マーク付与工程Ｐ２、ガラス基板反転工程Ｐ３、ガラス基板洗浄・乾燥工程Ｐ４においてもその方向を設定（採用）することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造方法におけるガラス基板の表裏面識別処理工程Ｐ１、Ｓｎ含有マーク付与工程Ｐ２、ガラス面反転処理工程Ｐ３を示す図である。
【図２】本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスにおいて、ガラス基板２ＡのＳｎを含まないエアー面Ａに形成したサーキットＸの変換効率Ｘとガラス基板２ＡのＳｎを含むフロート面Ｂに形成したサーキットＹの変換効率Ｙの比較分布図である。
【図３】本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの製造工程図である。
【図４】本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールの構成図である。
【図５】ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの構成図である。
【図６】ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュールのガラス基板に用いられるフロートガラスの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１        ＣＩＳ系薄膜太陽電池モジュール
２        ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイス部
２Ａ      ガラス基板
Ａ        エアー面
Ｂ        フロート面
２Ｂ      アルカリバリア層
２Ｃ      金属裏面電極層
２Ｄ      光吸収層
２Ｅ      バッファ層
２Ｆ      窓層
３        ＥＶＡ樹脂
４        カバーガラス
５        バックシート
６        ケーブル付き接続箱
７        シール材
８        フレーム
Ｐ１      ガラス表面識別工程
Ｐ２      Ｓｎ含有マーク付与工程
Ｐ３      カラス基板反転工程
Ｐ４      カラス洗浄・乾燥工程
Ｐ５      ＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスの製膜処理工程
Ｐ５１    アルカリバリア層製膜処理工程
Ｐ５２    金属裏面電極層製膜工程
Ｐ５３    第１パターン形成工程
Ｐ５４    光吸収層製膜工程
Ｐ５５    高抵抗バッファ層製膜工程
Ｐ５６    第２パターン形成工程
Ｐ５７    窓層製膜工程
Ｐ５８    第３パターン形成工程
Ｘ        ガラス基板２ＡのＳｎを含まないエアー面Ａに形成したサーキットの変換効率
Ｙ        ガラス基板２ＡのＳｎを含むフロート面Ｂに形成したサーキットの変換効率
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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