(57)【要約】      （修正有）【課題】切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズのオープン不良を防ぐことができる半導体装置を得る。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の配線と、複数の配線上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された複数のヒューズ１と、層間絶縁膜を貫通して複数の配線と複数のヒューズをそれぞれ接続する複数のビア３と、各ヒューズとその隣のヒューズに接続されたビアとの間にそれぞれ設けられた複数のシールド６とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された複数のヒューズと、
前記層間絶縁膜を貫通して前記複数の配線と前記複数のヒューズをそれぞれ接続する複数のビアと、
各ヒューズとその隣のヒューズに接続されたビアとの間にそれぞれ設けられた複数のシールドとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数のシールドは、各ビアをそれぞれ囲うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のシールドは、隣り合うヒューズの間に各ヒューズと平行にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冗長回路等に使用されるヒューズを有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
冗長回路を備えた半導体装置において、欠陥回路を除去するために、欠陥回路に接続されたヒューズがレーザーで切断される。このヒューズ切断部から半導体素子内部に水分が浸入するのを防ぐために、ヒューズ全体を囲むようにガードリングを設けた半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−６３０９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図６は、ヒューズが複数個の場合の従来の半導体装置を示す上面図である。図示のように、Ｃｕからなる複数のヒューズ１が、Ｃｕからなる引き出し配線２にビア３を介して接続されている。ヒューズ上開口部４において表面酸化膜（後述）が開口しており、この部分でヒューズ１の切断が行われる。そして、複数のヒューズ１全体を囲むようにガードリング５が形成されている。
【０００５】
図７は、図６のＡ−Ｂにおける断面図である。半導体基板１０上に引き出し配線２が形成され、同層にＳｉＯ２膜１１が形成されている。そして、引き出し配線２上に、ＳｉＮ膜１２及びＳｉＯ２膜１３が形成されている。ＳｉＯ２膜１３上にＣｕ配線１４が形成され、Ｃｕ配線１４上にＳｉＮ膜１５及びＳｉＯ２膜１６が形成されている。ＳｉＯ２膜１６上にＣｕ配線１７が形成され、Ｃｕ配線１７上にＳｉＮ膜１８及びＳｉＯ２膜１９が形成されている。ＳｉＯ２膜１９上にヒューズ１が形成され、その上にＳｉＮ膜２０及び表面酸化膜２１が形成されている。
【０００６】
そして、ビア３は、ＳｉＮ膜１２及びＳｉＯ２膜１３を貫通して引き出し配線２とＣｕ配線１４を接続し、ＳｉＮ膜１５及びＳｉＯ２膜１６を貫通してＣｕ配線１４とＣｕ配線１７を接続し、ＳｉＮ膜１８及びＳｉＯ２膜１９を貫通してＣｕ配線１７とヒューズ１を接続している。
【０００７】
この従来の半導体装置では、ヒューズの切断部から水分が浸入し、切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズに接続されたビアの底部を腐食し、非切断ヒューズをオープンとしてしまう不良が発生する。
【０００８】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズのオープン不良を防ぐことができる半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の配線と、複数の配線上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された複数のヒューズと、層間絶縁膜を貫通して複数の配線と複数のヒューズをそれぞれ接続する複数のビアと、各ヒューズとその隣のヒューズに接続されたビアとの間にそれぞれ設けられた複数のシールドとを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズのオープン不良を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す上面図であり、図２は、その要部を示す上面図である。図示のように、Ｃｕからなる複数のヒューズ１が、Ｃｕからなる引き出し配線２にビア３を介して接続されている。ヒューズ上開口部４において表面酸化膜（後述）が開口しており、この部分でヒューズ１の切断が行われる。そして、複数のヒューズ１全体を囲むようにガードリング５が形成されている。
【００１２】
さらに、本実施の形態では、各ビア３をそれぞれ囲うように複数のシールド６が形成されている。即ち、複数のシールド６は、各ヒューズ１とその隣のヒューズ１に接続されたビア３との間にそれぞれ形成されている。
【００１３】
図３は、図２のＡ−Ｂにおける断面図である。半導体基板１０上に引き出し配線２が形成され、同層にＳｉＯ２膜１１が形成されている。そして、引き出し配線２上に、ＳｉＮ膜１２及びＳｉＯ２膜１３が形成されている。ＳｉＯ２膜１３上にＣｕ配線１４が形成され、Ｃｕ配線１４上にＳｉＮ膜１５及びＳｉＯ２膜１６が形成されている。ＳｉＯ２膜１６上にＣｕ配線１７が形成され、Ｃｕ配線１７上にＳｉＮ膜１８及びＳｉＯ２膜１９が形成されている。ＳｉＯ２膜１９上にヒューズ１が形成され、その上にＳｉＮ膜２０及び表面酸化膜２１が形成されている。
【００１４】
そして、ビア３は、ＳｉＮ膜１２及びＳｉＯ２膜１３を貫通して引き出し配線２とＣｕ配線１４を接続し、ＳｉＮ膜１５及びＳｉＯ２膜１６を貫通してＣｕ配線１４とＣｕ配線１７を接続し、ＳｉＮ膜１８及びＳｉＯ２膜１９を貫通してＣｕ配線１７とヒューズ１を接続している。さらに、ビア３を囲うように複数のシールド６が形成されている。
【００１５】
上記のようにシールド６を設けたことにより、ヒューズの切断部から進入した水分が、切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズに接続されたビアに到達するのを防ぐことができる。従って、切断されたヒューズの隣の非切断ヒューズのオープン不良を防ぐことができる。
【００１６】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の要部を示す上面図である。図示のように、ビア３を囲うように複数のシールド６が形成されている。これにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００１７】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の要部を示す上面図である。図示のように、複数のシールド６が、隣り合うヒューズ１の間に各ヒューズ１と平行にそれぞれ形成されている。これにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の要部を示す上面図である。
【図３】図２のＡ−Ｂにおける断面図である
【図４】図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の要部を示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の要部を示す上面図である。
【図６】ヒューズが複数個の場合の従来の半導体装置を示す上面図である。
【図７】図６のＡ−Ｂにおける断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１  ヒューズ
２  引き出し配線（配線）
３  ビア
６  シールド
１０  半導体基板
１２，１５，１８  ＳｉＮ膜（層間絶縁膜）
１３，１６，１９  ＳｉＯ２膜（層間絶縁膜）
１４，１７  Ｃｕ配線（配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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