(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品の信頼性を確保しつつ歩留まりを向上することができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数の導体パターンと、同一層上の各導体パターンどうしを連結する連結パターンとを、薄膜形成法を用いてセラミックグリーンシート上に形成するパターン形成ステップと、前記導体パターン及び前記連結パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層する積層ステップと、前記積層ステップで得られる積層体を切断する切断ステップとを含む積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【選択図】図２
2007180128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体パターンと、同一層上の各導体パターンどうしを連結する連結パターンとを、薄膜形成法を用いてセラミックグリーンシート上に形成するパターン形成ステップと、
前記導体パターン及び前記連結パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層する積層ステップと、
前記積層ステップで得られる積層体を切断する切断ステップと、
を含む積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記切断ステップでは、少なくとも１の連結パターンを除去するように前記積層体を切断する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記連結パターンは、各導体パターンどうしを連結する第１連結部と、各導体パターンを取り囲む第２連結部とを含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
少なくとも１の連結パターンは、前記積層体の切断ライン上に形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記連結パターンは、各積層セラミック電子部品の導体パターンの外部電極が直接接続される第１端部どうしを連結するように形成され、
前記切断ステップでは、前記導体パターンの第１端部又は前記連結パターンを露出するように前記積層体を各積層セラミック電子部品に切断する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記連結パターンは、前記導体パターンの移動により各層の導体パターンの重畳面積がより小さくなる方向（以下、第１方向という）に沿うように前記導体パターンを連結し、かつ、前記第１方向以外の第２方向に沿って形成される連結パターンの幅よりも、前記第１方向に沿って形成される連結パターンの幅の方が大きくなるように形成される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜形成法は、電解めっき法である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的な積層セラミック部品である積層セラミックコンデンサは、誘電体層（セラミック層）及び一対の内部電極（内部導体）が交互に積層されてなる積層体と、積層体の一対の端面に形成された一対の外部電極（外部導体）とからなり、一対の外部電極は、夫々内部電極に電気的に接続されている。
近年、積層セラミックコンデンサの小型化・高容量化のために、内部電極の薄層化が図られている。図１５（ａ）〜（ｃ）は、特許文献１の積層セラミックコンデンサの製造方法を示す断面図である。特許文献１には、誘電体層となるセラミックグリーンシート５２の主面上に、内部電極となる導体パターン５３、５４を電解めっき法により形成する工程と、導体パターン５３、５４が形成されたセラミックグリーンシート５２を複数積層圧着して積層体を形成する工程と、この積層体を積層方向に切断して積層体を得る工程とを具備する積層セラミックコンデンサの製造方法が開示されている。ここで、図１５（ａ）に示すように、積層体は、互いに対向電極となる上部及び下部の内部電極５３、５４が形成されたセラミックグリーンシート５２が複数枚積層されて形成される。
【特許文献１】特開２０００−２４３６５０号公報（８−９頁、図１、３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記製造方法によれば、図１５（ａ）に示すように、導体パターン５３、５４が積層方向に重なり、導体パターン５３、５４が形成されている部分と形成されていない部分との違いにより段差が生じる。そのため、図１５（ｂ）に示すように、積層されたセラミックグリーンシート５２の圧着時に、この段差を埋めるようにセラミックグリーンシート５２が移動する。このとき、導体パターン５３、５４は、図１５（ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート５２の移動により力を受けて段差内に向かって移動する。よって、導体パターン間の切断マージンが小さくなり、導体パターンの一端を露出するように切断できないなどの問題や、所望の箇所で導体パターンを切断することができないなどの問題が生じる。導体パターンの一端を露出できなければ外部電極との接続を行えない。また、１つの導体パターンにおいて両端が露出されてしまった場合には、対向する内部電極間を絶縁することができない。このように、従来の製造方法によれば、歩留まりが低下したり、電子部品としての信頼性が低下するなどの問題がある。
【０００４】
そこで、本発明は、積層セラミック電子部品の信頼性を確保しつつ歩留まりを向上することができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願第１発明は、上記の課題を解決するために、複数の導体パターンと、同一層上の各導体パターンどうしを連結する連結パターンとを、薄膜形成法を用いてセラミックグリーンシート上に形成するパターン形成ステップと、前記導体パターン及び前記連結パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層する積層ステップと、前記積層ステップで得られる積層体を切断する切断ステップとを含む積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【０００６】
各積層セラミック電子部品の導体パターンどうしが連結パターンにより連結されているため、セラミックグリーンシートの積層時に導体パターンが移動するのを防止することができる。また、導体パターン及び連結パターンは薄膜形成法により形成されているため、導体パターン及び連結パターンの材料である金属粒子どうしが金属結合をしており、セラミックグリーンシートの積層時に、導体パターン及び連結パターンの歪みが発生し難い。このように導体パターン及び連結パターンの移動や変形が抑えられると、セラミックグリーンシート自体も導体パターン及び連結パターンに拘束され、伸縮や歪みが抑えられる。例えば、積層時の加熱や圧力の印加によりセラミックグリーンシートが延びて薄くなったり、積層後の冷却によってセラミックグリーンシートが収縮するのを防止する。よって、導体パターンがセラミックグリーンシートを介して積層セラミック電子部品ごとに正確に位置合わせされた積層体が形成される。また、このようにグリーシートや導体パターンの移動及び変形が抑制されることで、積層セラミック電子部品の電荷量が所望の値から増減することを防止する。以上より、各積層セラミック電子部品の信頼性を向上できるとともに、製造の歩留まりを向上することができる。
【０００７】
なお、導体パターン及び連結パターンを同一工程で形成すると、製造工程を複雑にすることなく連結パターンを形成することができ好ましい。また、２つの積層セラミック電子部品に対して１つの導体パターンを形成し、切断時に２つに分割すると、積層セラミック電子部品の生産効率が向上するので好ましい。
本願第２発明は、第１発明において、前記切断ステップでは、少なくとも１の連結パターンを除去するように前記積層体を切断する、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【０００８】
各積層セラミック電子部品の両端部には外部電極がそれぞれ形成されるが、連結パターンが除去され残存しないように積層体を切断することにより、両端部の外部電極が連結パターンを介して電気的に接続されるのを防止することができる。ここで、積層体の切断には、刃幅が例えば連結パターンの幅よりも大きい切断刃を用い、連結パターンを除去する。
【０００９】
本願第３発明は、第１発明において、前記連結パターンは、各導体パターンどうしを連結する第１連結部と、各導体パターンを取り囲む第２連結部とを含む、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
導体パターンを連結する第１連結部は、導体パターンの移動を防止する。また、導体パターンを取り囲むように形成される第２連結部は、導体パターン間の段差をなくし、セラミックグリーンシートが導体パターン間に入り込むのを防止する。これにより、導体パターン間に入り込んだセラミックグリーンシートが伸縮して導体パターンを移動させることを防止することができる。また、導体パターン間の間隙に第２連結部が存在していることにより、積層体をプレスする際、セラミックグリーンシートに対し圧力がより均一にかかるようになり、セラミック層間で剥離が生じるのを防止することができるようになる。
【００１０】
本願第４発明は、第１発明において、少なくとも１の連結パターンは、前記積層体の切断ライン上に形成される、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
連結パターンが切断ライン上に形成されるため、切断ステップにおいて積層体を各積層セラミック電子部品に分割しつつ連結パターンを除去することができる。
本願第５発明は、第１発明において、前記連結パターンは、各積層セラミック電子部品の導体パターンの外部電極が直接接続される第１端部どうしを連結するように形成され、前記切断ステップでは、前記導体パターンの第１端部又は前記連結パターンを露出するように前記積層体を各積層セラミック電子部品に切断する、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【００１１】
切断により露出された導体パターンの第１端部又は連結パターンに直接的に接続されるように外部電極を設けることで、積層コンデンサを完成することができる。  また、連結パターンが露出されるように切断される場合には、外部電極と連結パターンとの接触面積が大きいため接触抵抗を小さくすることができる。これは、連結パターンが第１端部を連結するように延在して形成されるため、切断して導体パターンの第１端部を露出した場合よりも連結パターンを露出した方が露出される面積が大きくなるためである。
【００１２】
本願第６発明は、第１発明において、前記連結パターンは、前記導体パターンの移動により各層の導体パターンの重畳面積がより小さくなる方向（以下、第１方向という）に沿うように前記導体パターンを連結し、かつ、前記第１方向以外の第２方向に沿って形成される連結パターンの幅よりも、前記第１方向に沿って形成される連結パターンの幅の方が大きくなるように形成される、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【００１３】
導体パターンは各層間で互いに重畳するように積層されるが、積層時の熱や圧力により導体パターンは移動しようとする。ここで、導体パターンは重畳面積が大きければセラミックグリーンシートを介して互いに固定され位置ずれし難い。つまり、導体パターンは、重畳面積がより小さくなる方向へと移動し易い。そこで、連結パターンにより、導体パターンが移動しやすい方向に沿って導体パターンどうしを連結し、かつ連結パターンの幅を大きく形成する。これにより、導体パターンの移動をさらに防止することができる。
【００１４】
本願第７発明は、第１発明において、前記薄膜形成法は、電解めっき法である、積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
電解めっき法によりパターンを形成することにより、複雑なパターンや微細なパターンを位置ずれやにじみを生じること無く精度良く形成することができる。また、例えば幅が約１０μｍ以下などの微細な連結パターンである場合には、厚みが１００μｍ以下の小さい切断刃でも除去することができる。よって、厚みの小さな切断刃により精度良く積層体を切断できるとともに、切断刃の厚みの選択の自由度が増す。さらに、連結パターンが十分に微細に形成されれば、厚みの大きな切断刃を用いれば、切断の位置ずれが生じても連結パターンを除去可能であり切断位置のマージンが増す。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の製造方法によれば、積層セラミック電子部品の信頼性を確保しつつ歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜第１実施形態例＞
積層セラミック電子部品としての積層コンデンサの構成及び製造方法を以下に説明する。積層コンデンサは、内部電極となる導体パターンと誘電体材料を含むセラミックグリーンシートとを交互に積層した積層体を個々に切断し、それぞれに外部電極を設けることで形成される。
【００１７】
（１）構成
図１（ａ）は本発明の第１実施形態例に係る積層体の平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のａ−ａ’断面図である。また、図２（ａ）は積層コンデンサの外観図、図２（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ’断面図、図２（ｃ）は同図（ａ）のｃ−ｃ’断面図である。さらに、図３（ａ）は図１（ａ）の導体パターン３ａ及び連結パターン４ａの拡大図、図３（ｂ）は図１（ａ）の導体パターン３ｂ及び連結パターン４ｂの拡大図である。
【００１８】
（１−１）積層体及び積層コンデンサ
導体パターン３ａ及び３ｂ（以下、導体パターン３）は、それぞれ同一層上にそれぞれ独立の島状に複数個形成されており、積層コンデンサの内部電極となる。そして、導体パターン３ａが形成されている層と導体パターン３ｂが形成されている層とが、セラミックグリーンシート２を介して互いに重畳するように繰り返し積層される。このように導体パターン３が形成されたセラミックグリーンシート２が積層されて積層体が構成され、この積層体を所定の切断ラインで切断して個々の積層コンデンサに分割する。
【００１９】
このとき、切断された積層体の両端部の一端には導体パターン３ａが露出され、他端には導体パターン３ｂが露出される。露出された導体パターン３ａ及び３ｂそれぞれに図２（ａ）〜（ｃ）に示すように外部電極５及び６が形成され、積層コンデンサ１が完成する。図２（ｃ）等に示すように、導体パターン３ａは、外部電極５と接続される端部（以下、第１端部αいう）では露出されるが、外部電極６が形成される端部（以下、第２端部βいう）では外部電極６と所定の距離Ｌａ’だけ離隔される。ここで、導体パターン３は、図１に示すように、１つの導体パターンで２つの積層コンデンサの内部電極を構成しており、積層体１の切断により２つに分離される。なお、第１端部αは、導体パターン３ａ及び３ｂの中央部に位置し、切断により露出される。一方、第２端部βは、導体パターン３ａ及び３ｂの両端部に位置し、切断により露出されない。同様に、導体パターン３ｂは外部電極６と接続される第１端部αでは露出されるが、外部電極５が形成される第２端部βでは外部電極５と所定の距離Ｌｂ’だけ離隔される。また、導体パターン３ａ及び３ｂの側面は、積層コンデンサの側面からそれぞれ所定の距離Ｗａ’及びＷｂ’だけ離隔される。以上より、外部電極５から電圧を受けた導体パターン３ａと外部電極６から電圧を受けた導体パターン３ｂとの間に電荷が蓄積される。
【００２０】
（１−２）連結パターン及び導体パターンの配置
連結パターン４ａは、導体パターン３ａと同一層に形成され、複数の島状の導体パターン３ａを互いに連結している。連結パターン４ａは、例えば積層体１の切断ラインに対応して形成されている。具体的に、導体パターン３ａはその中央部で２つに分離されるように切断され、さらに個々のパターンに分離されるようにその周囲が切断される。よって、連結パターン４ａは、図１（ａ）に示すように、１つの導体パターン３ａの中央部を互いに連結するように形成され、さらに導体パターン３ａを取り囲むように形成される。このように、連結パターンが切断ライン上に形成されるため、後述の通り積層体を各積層コンデンサに分割しつつ連結パターンを除去することができる。
【００２１】
ここで、連結パターン４ａの各部を、図３（ａ）に示すように、導体パターン３ａの中央部にＷ方向に沿って配置される連結パターン４ａ−１、導体パターン３ａと離隔して連結パターン４ａ−１と平行に配置される連結パターン４ａ−２、導体パターン３ａと離隔して連結パターン４ａ−１と交差する連結パターン４ａ−３とする。連結パターン４ａ−１は、導体パターン３ａの第１端部αどうしを直接的に連結するように形成される。また、連結パターン４ａ−２は導体パターン３ａと例えば所定の距離Ｌａだけ離隔して配置され、連結パターン４ａ−３は導体パターン３ａと例えば所定の距離Ｗａだけ離隔して配置される。
【００２２】
ここで、導体パターン３ａどうしを連結する連結パターン４ａ−１は、積層圧着時に導体パターン３ａが移動するのを防止、特にＷ方向に移動するのを防止することができる。さらに、連結パターン４ａ−１どうしを接続する連結パターン４ａ−２によって、連結パターン４ａ−１自身の移動が抑えられ、更に連結パターン４ａ−２どうしを接続する連結パターン４ａ−３によって、連結パターン４ａ−２自身の移動が抑えられる。結果として、導体パターン３ａおよび連結パターン４ａ全体がＬ方向及びＷ方向のいずれにも移動するのを防止することができるようになる。このように導体パターン３ａおよび連結パターン４ａの移動が抑制されると、セラミックグリーンシートは導体パターン３ａおよび連結パターン４ａに拘束された状態となり、セラミックグリーンシートの伸縮や歪みを防止することも可能となる。
【００２３】
また、導体パターン３ａ間の間隙に連結パターン４ａが存在していることにより、積層体をプレスする際、セラミックグリーンシートに対し圧力がより均一にかかるようになり、セラミック層間で剥離が生じるのを防止することができるようになる。
さらに、導体パターン３ａを取り囲むように形成される連結パターン４ａ−２及び４ａ−３により、導体パターン３ａ間の段差を小さくすることができるという利点もある。
【００２４】
また、連結パターン４ｂの各部を、図３（ｂ）に示すように、導体パターン３ｂの中央部にＷ方向に沿って配置される連結パターン４ｂ−１、導体パターン３ｂと離隔して連結パターン４ｂ−１と平行に配置される連結パターン４ｂ−２、導体パターン３ｂと離隔して連結パターン４ｂ−１と交差する連結パターン４ｂ−３とする。連結パターン４ｂは、連結パターン４ａの場合と同様に切断ラインに対応して配置される。このとき、連結パターン４ｂ−１は、導体パターン３ｂの第１端部αどうしを直接的に連結するように形成される。また、連結パターン４ｂ−２は導体パターン３ｂと例えば所定の距離Ｌｂだけ離隔して配置され、連結パターン４ｂ−３は導体パターン３ｂと例えば所定の距離Ｗｂだけ離隔して配置される。前述と同様に、連結パターン４ｂ−１は導体パターン３ｂどうしを連結し、連結パターン４ｂ−２及び４ｂ−３は導体パターン３ｂ間の段差をなくす。
【００２５】
なお、所定の距離Ｌａ及びＬｂが同程度であり、所定の距離Ｗａ及びＷｂが同程度であれば、導体パターン３ａ及び３ｂを効率よく重畳でき、また設計が容易であるので好ましい。また、連結パターンの幅よりも広い刃幅を有する切断刃により積層体を切断した場合、切断後の図２に示す所定の距離、Ｗａ’、Ｗｂ’、Ｌａ’、Ｌｂ’それぞれは、切断前の図３に示す所定の距離、Ｗａ、Ｗｂ、Ｌａ、Ｌｂよりも短くなる。逆に、刃幅の小さな切断刃により積層体を切断した場合、切断後の所定の距離、Ｗａ’、Ｗｂ’、Ｌａ’、Ｌｂ’それぞれは、切断前の所定の距離、Ｗａ、Ｗｂ、Ｌａ、Ｌｂと同程度になる。
【００２６】
（１−３）位置合わせ
導体パターン３ａ及び３ｂは、切断された積層体の両端部のうち一端に導体パターン３ａが露出され、他端に導体パターン３ｂが露出されるように位置合わせして積層される。
具体的には、図１（ａ）、（ｂ）及び図３（ａ）、（ｂ）を参照すれば、上下で隣接する導体パターン３ａと導体パターン３ｂにおいて、導体パターン３ａの中央部と導体パターン３ｂの中央部とが隣接する切断ライン上に位置するように、つまり、導体パターン３ａの第１端部αと導体パターン３ｂの第１端部αとが隣接する切断ライン上に位置するように配置される。なお、積層された導体パターン３ａの第１端部αどうしは、同一の切断ライン上に位置するように配置される。同様に、積層された導体パターン３ｂの第１端部αどうしは、同一の切断ライン上に位置するように配置される。よって、連結パターン４ａ−１と連結パターン４ｂ−２とが同じ切断ライン上に、連結パターン４ａ−２と連結パターン４ｂ−１とが同じ切断ライン上に、連結パターン４ａ−３と連結パターン４ｂ−３とが同じ切断ライン上に位置するように配置される。このように位置合わせして積層された積層体を、導体パターン３ａ及び３ｂともに第１端部α側で切断すると導体パターン３ａ及び３ｂのそれぞれの第１端部αが切断後の積層体の両端部で交互に露出される。
【００２７】
（１−４）切断
次に、導体パターン３ａ及び３ｂとセラミックグリーンシート２とが交互に積層された積層体の切断について説明する。図４Ａは積層体の切断位置を示す平面図（１）、図４Ｂは積層体の切断位置を示す平面図（２）、図５は各積層コンデンサに切断された積層体の１つを示す斜視図である。
【００２８】
図４Ａでは、連結パターンの近傍の一点鎖線上に沿って、連結パターンを除去するように積層体を切断する。よって、Ｗ方向の切断により連結パターン４ａ−１及び４ａ−２が除去され、Ｌ方向の切断により連結パターン４ａ−３が除去される。図４Ｂでは、連結パターン上を切断刃により切断する。このとき、刃幅が例えば連結パターンの幅よりも大きい切断刃を用い、連結パターン上を切断することにより連結パターンを除去する。以上より、切断刃の刃幅が連結パターンよりも小さい場合は図４Ａのように連結ラインの近傍に沿って積層体を切断し、切断刃の刃幅が連結パターンよりも大きい場合は図４Ｂのように連結ライン上に沿って積層体を切断することで、連結パターンを除去することができる。また、この切断により、図５に示すように導体パターン３ａ及び３ｂそれぞれの第１端部αが露出される。以上のように、連結パターン４ａ、４ｂが除去され残存しないように積層体を切断することにより、積層コンデンサの両端部の外部電極５、６が連結パターン４ａ、４ｂを介して電気的に接続されるのを防止することができる。
【００２９】
（２）製造方法
次に、積層コンデンサの製造方法について説明する。図６は、積層体の製造方法を示す説明図である。
まず、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）などからなる基板１０上に、後工程の電解めっきのための導電処理を施す。そして、電解めっき処理後のめっき層を剥がれやすくするために、ステンレス、チタン、チタン合金、クロム、クロム合金などの導電性膜１２を形成する（図６（ａ）参照）。基板１０として、表面を鏡面加工したステンレスやチタン等を用いる場合には、導電性膜１２を形成する必要は無い。
【００３０】
次に、この基板１０表面の全面に感光性レジスト膜を塗布し、内部電極となる導体パターン３ａ、３ｂ及び連結パターン４ａ、４ｂを形成する部分を感光させないようにマスクを当て、露光、現像を行う。その後、未硬化のレジスト膜を洗浄除去することにより、導体パターン３ａ、３ｂ及び連結パターン４ａ、４ｂが形成される部分のレジスト膜を除去する。これにより、電解めっき用のレジストパターン１４が形成される（図６（ｂ）参照）。ここで、レジスト膜としては、例えばＤＬＣ（Diamond Like Carbon）やＧＬＣ（Graphite Like Carbon）を用いても良い。ＤＬＣやＧＬＣは、電気抵抗が高いため電解めっき処理においてＤＬＣやＧＬＣ表面にめっきが析出し難い。また、ＤＬＣやＧＬＣは、剥離性に優れるため、めっき膜の転写を良好に行うことが可能である。なお、内部電極となる導体パターンの材料としては、製造工程においてセラミックグリーンシートと反応せずに同時に焼成可能な金属が好ましく、例えばＮｉ、Ｃｕなどの非金属やこれらの非金属を主成分とする金属が挙げられる。また、導体パターン及び連結パターンを同一材料で形成すると、製造工程が容易であり好ましい。
【００３１】
次に、図６（ｂ）のように処理された基板１０を電解めっき液に浸漬し、電解めっき処理を行うことでめっき膜が形成される（図６（ｃ）参照）。その後、アルカリ洗浄などによりレジストパターン１４を除去することにより、基板１０上に導体パターン３ａ、３ｂ及び連結パターン４ａ、４ｂとなるめっきパターン１６が形成される。
次に、誘電体層となるセラミックグリーンシート２を用意し、このセラミックグリーンシート２上にめっきパターン１６が形成された基板１０を熱圧着転写する（図６（ｄ）参照）。これにより、セラミックグリーンシート２上に導体パターン３ａ、３ｂ及び連結パターン４ａ、４ｂを形成する（図６（ｅ）参照）。あるいは、基板１０上に形成されためっきパターン１６を支持フィルム上に転写した後、支持フィルム上のめっきパターン１６を被覆するように誘電体スラリを塗布後乾燥してセラミックグリーンシート２を形成するようにしても良い。
【００３２】
セラミックグリーンシートを構成する誘電体の材料としては、例えばＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉ０3、ＳｒＴｉ０3などが挙げられる。また、焼成温度の低下のためにＳｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3等を添加しても良く、耐還元性や温度特性を調整するためにＹ、Ｌａ、Ｃｅ等を添加しても良い。
次に、導体パターン３ａ、３ｂ及び連結パターン４ａ、４ｂが形成されたセラミックグリーンシート２を複数枚、積層圧着して積層体を形成する（図６（ｆ）参照）。このように形成された積層体を、連結パターンを除去するように積層方向に切断し、各積層コンデンサに切断された未焼成状態の積層体を得る。
【００３３】
このとき、上述の図６（ａ）〜（ｆ）の工程において、導体パターン３、４の周囲に切断位置を示すカットマーク用パターンを導体パターン及び連結パターンとともに形成し、このカットマーク用パターンを基準に切断するようにしても良い。また、カットマーク用パターンどうしを連結パターンで連結するようにしても良い。これにより、積層体の積層圧着時にカットマーク用パターンが移動せず、切断の際の位置ずれを抑制することができる。
【００３４】
最後に、各積層コンデンサに切断された未焼成状態の積層体を焼成する。この焼成された積層体の両端にそれぞれ外部電極５、６を形成し、図２（ａ）に示す積層コンデンサ１を形成する。外部電極の材料としては、例えば金、銀、パラジウム、銅及びこれらの合金などが挙げられ、また内部電極と同じ金属であっても良い。
以上のように、電解めっき法により導体パターンや連結パターンを形成することにより、複雑なパターンや微細なパターンを位置ずれやにじみを生じること無く精度良く形成することができる。また、例えば幅が約１０μｍ以下などの微細な連結パターンである場合には、刃幅が１００μｍ以下の小さい切断刃でも除去することができる。よって、刃幅の小さな切断刃により精度良く積層体を切断できるとともに、切断刃の刃幅の選択の自由度が増す。さらに、連結パターンが十分に極細に形成されれば、刃幅の大きな切断刃を用いれば、切断の位置ずれが生じても連結パターンを除去可能であり切断位置のマージンが増す。
【００３５】
以上のように、導体パターン及び連結パターンを同一工程で形成すると、製造工程を複雑にすることなく連結パターンを形成することができ好ましい。
（３）作用効果
各積層コンデンサの導体パターンどうしが連結パターンにより連結されているため、セラミックグリーンシートの積層時に導体パターンが移動するのを防止することができる。また、連結パターンどうしを連結する連結パターンは、連結パターンの移動を防止する。さらに、導体パターン及び連結パターンは薄膜形成法により形成されているため、導体パターン及び連結パターンの材料である金属粒子どうしが金属結合をしており、セラミックグリーンシートの積層時に、導体パターン及び連結パターンの歪みが発生し難い。このように導体パターン及び連結パターンの移動や歪みを抑制することで、セラミックグリーンシートを導体パターン及び連結パターンにより拘束してセラミックグリーンシートの伸縮や歪みを防止することも可能となる。例えば、積層時の加熱や圧力の印加によりセラミックグリーンシートが延びて薄くなったり、積層後の冷却によってセラミックグリーンシートが収縮するのを防止する。これにより、導体パターンがセラミックグリーンシートを介して積層コンデンサごとに正確に位置合わせされた積層体が形成される。
【００３６】
また、導体パターン間の間隙に連結パターンが存在していることにより、積層体をプレスする際、セラミックグリーンシートに対し圧力がより均一にかかるようになり、セラミック層間で剥離が生じるのを防止することができるようになる。さらに、第２端部βと第２端部βとのあいだ等の導体パターン間に配置された連結パターンは、導体パターン間の段差を小さくする。
【００３７】
また、このようにグリーシートや導体パターンの移動及び変形が抑制されることで、積層コンデンサの電荷量が所望の値から増減することを防止する。以上より、各積層コンデンサの信頼性を向上できるとともに、製造の歩留まりを向上することができる。
また、上述のように２つの積層コンデンサに対して１つの導体パターンを形成し、切断時に２つに分割すると、積層コンデンサの生産効率が向上するので好ましい。
【００３８】
＜第２実施形態例＞
（１）構成
図７は、本発明の第２実施形態例に係る積層体の平面図、図８は導体パターン３ａ及び連結パターン２４ａの拡大図である。第１実施形態例とは、連結パターンの幅の太さの設計が異なる。その他のパターンの配置及び位置合わせ方法等は第１実施形態例と同様であり、また第１実施形態例と同一の符号番号は第１実施形態例と同様の構成であるので、説明を省略する。
【００３９】
連結パターン２４ａは同一層の導体パターン３ａどうしを連結し、連結パターン２４ｂは同一層の導体パターン３ｂどうしを連結している。ここで、連結パターン２４ａの各部を、図８に示すように、導体パターン３ａの中央部にＷ方向に沿って配置される連結パターン２４ａ−１、導体パターン３ａと離隔して連結パターン２４ａ−１と平行に配置される連結パターン２４ａ−２、導体パターン３ａと離隔して連結パターン２４ａ−１と交差する連結パターン２４ａ−３とする。連結パターン２４ａ−１は、導体パターン３ａの第１端部αどうしを直接的に連結するように形成される。また、連結パターン２４ａ−２は導体パターン３ａの第２端部βと例えば所定の距離Ｌｄだけ離隔して配置され、連結パターン２４ａ−３は導体パターン３ａと例えば所定の距離Ｗｄだけ離隔して配置される。ここで、連結パターン２４ａ−１及び２４ａ−２の幅Ｌｃは、連結パターン２４ａ−３の幅Ｗｃよりも大きい（Ｌｃ＞Ｗｃ）。ここで、図７において、導体パターン３ａのエンドマージンＡ１は導体パターン３ｂと重畳するとともに、導体パターン３ｂはエンドマージンＡ１を超えてＬ方向に延在するように形成されている。また、導体パターン３ｂのエンドマージンＡ２は導体パターン３ａと重畳するとともに、導体パターン３ａはエンドマージンＡ２を超えてＬ方向に延在するように形成されている。一方、導体パターン３ａ及び３ｂのエンドマージンＢ１及びＢ２は互いに重畳しているだけで、Ｗ方向に延在するような導体パターンは形成されていない。このとき、導体パターン３ａ及び３ｂは、その重畳面積がより小さくなる方向、つまりＷ方向に移動しようとする。よって、移動しやすいＷ方向に沿って導体パターンを連結するとともにＷ方向の連結パターンの幅を太くすることで、導体パターンの移動を効果的に抑制する。
【００４０】
図９は、各積層コンデンサに切断された積層体の１つを示す斜視図である。各積層コンデンサに切断された積層体の１つを示す積層体の切断の際には、連結パターン２４ａ−１及び２４ａ−２は、例えばその幅よりも狭い刃幅の切断刃により切断することにより、切り出された積層体の端面に露出されるようにして積層体の各層にその一部が残存することとなる。一方、連結パターン２４ａ−３は、例えばその幅よりも大きな刃幅の切断刃を用いることにより除去される。例えば、図８に示す連結ラインの中央部の一点鎖線上に沿って積層体を切断する。なお、導体パターン３ａ、３ｂの第２端部β側に残存する連結パターン２４ａ−２、２４ｂ−２は、積層コンデンサの容量形成には実質的に寄与しないが、後述するように、切り出された各積層体の段差を小さくしたり、外部部電極の積層体への接着性を高くするためのダミー電極として機能する。
【００４１】
図１０（ａ）は積層コンデンサの外観図、図１０（ｂ）は同図（ａ）のｅ−ｅ’断面図、図１０（ｃ）は図（ａ）のｆ−ｆ’断面図である。図９のように切断された積層体に図１０（ａ）に示すように外部電極５、６を形成して積層コンデンサ２０が完成する。ここで、導体パターン３ａに連結された連結パターン２４ａ−１は外部電極５と連結される。また、導体パターン３ａと所定の距離Ｌｄ離隔された連結パターン２４ａ−２は外部電極６と連結される。一方、導体パターン３ｂの層においては、導体パターン３ｂに連結された連結パターン２４ｂ−１と外部電極６とが接続され、導体パターン３ｂと所定の距離だけ離隔された連結パターン２４ｂ−２が外部電極５と接続される。
【００４２】
（２）製造方法
上記のような積層体の製造方法は、図６（ｂ）において形成するレジストパターン１４を図７のように設計する点が第１実施形態例と異なる。その他の製造方法は同様であるので説明を省略する。
（３）作用効果
上記第２実施形態例によれば、第１実施形態例の作用効果に加えてさらに以下のような作用効果を得ることができる。
【００４３】
導体パターンは各層間で互いに重畳するように積層されるが、積層時の熱や圧力により導体パターンは移動しようとする。ここで、導体パターンは重畳面積が大きければセラミックグリーンシートを介して互いに固定され位置ずれし難くなる。つまり、導体パターンは、重畳面積がより小さくなる方向へと移動し易い。そこで、連結パターンにより、導体パターンが移動しやすい方向に沿って導体パターンどうしを連結し、かつ連結パターンの幅を大きく形成する。これにより、導体パターンの移動をさらに防止することができる。
【００４４】
また、上述のように連結パターンが露出されるように切断される場合には、外部電極と連結パターンとの接触面積が大きいため接触抵抗を小さくすることができる。これは、連結パターンが第１端部αを連結するように延在して形成されるため、導体パターンの第１端部αを露出する場合よりも連結パターン２４ａ−１及び２４ａ−２等を露出した方が露出される面積が大きくなるためである。
【００４５】
さらに、導体パターンと外部電極とのあいだに連結パターンが配置されることで、段差が小さくなり、セラミックグリーンシートの歪みを抑えることができる。具体的に、導体パターン３ａの第２端部βと外部電極６とのあいだに連結パターン２４ａ−２が配置され、導体パターン３ｂの第２端部βと外部電極５とのあいだに連結パターン２４ｂ−２が配置されていることで段差を小さくすることができる。ここで、段差による歪みがあると、デラミネーション（層間剥離）、クラック（欠け）などが発生し易くなる。デラミネーションやクラックは、電気的特性の劣化、寿命時間の低下などを招き、コンデンサの信頼性が低下する。したがって、歪みをなくすことにより、デラミネーションやクラックの発生が抑えられ信頼性が高いコンデンサを形成することができる。また、段差による歪みがあると、コンデンサを実装した際、姿勢の安定性を欠き、実装の信頼性が低下するという問題も発生する。したがって、歪みをなくすことにより、実装の安定性が良くなるという効果もある。
【００４６】
また、第２端部β側における連結パターンと外部電極との接続は、セラミックグリーンシートと外部電極との接続よりも接着性が高く好ましい。
＜第３実施形態例＞
（１）構成
図１１（ａ）は本発明の第３実施形態例に係る積層体の平面図、図１１（ｂ）は同図（ａ）のｇ−ｇ’断面図である。図１２（ａ）は図１１の導体パターン３３ａ及び連結パターン３４ａの拡大図、図１２（ｂ）は図１１の導体パターン３３ｂ及び連結パターン３４ｂの拡大図である。第１実施形態例では１つの導体パターンが２つの積層コンデンサに対応しているが、第３実施形態例では１つの導体パターンが１つの積層コンデンサに対応している。
【００４７】
導体パターン３３ａは連結パターン３４ａによりお互いに連結されており、導体パターン３３ｂは連結パターン３４ｂによりお互いに連結されている。ここで、連結パターン３４ａの各部を、図１２（ａ）に示すように、導体パターン３３ａの第１端部αどうしをＷ方向に連結する連結パターン３４ａ−１、導体パターン３３ａと離隔して連結パターン３４ａ−１と交差する連結パターン３４ａ−２とする。また、連結パターン３４ａ−１は導体パターン３３ａの第２端部βと例えば所定の距離Ｌｆだけ離隔して配置され、連結パターン３４ａ−２は導体パターン３３ａと例えば所定の距離Ｗｆだけ離隔して配置される。
【００４８】
同様に、連結パターン３４ｂの各部を、図１２（ｂ）に示すように、導体パターン３３ｂの第１端部αどうしをＷ方向に沿って連結する連結パターン３４ｂ−１、導体パターン３３ｂと離隔して連結パターン３４ｂ−１と交差する連結パターン３４ｂ−２とする。また、連結パターン３４ｂ−１は導体パターン３３ｂの第２端部βと例えば所定の距離Ｌｇだけ離隔して配置され、連結パターン３４ｂ−２は導体パターン３３ｂと例えば所定の距離Ｗｇだけ離隔して配置される。
【００４９】
導体パターン３３ａの層と導体パターン３３ｂの層とを積層する際には、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、連結パターン３４ａ−１と連結パターン３４ａ−２とで囲まれる領域において、導体パターン３３ａの第１端部αと導体パターン３３ｂの第１端部αとを交互に対向させる。このように配置された積層体を図１２に示す一点鎖線で切断すると、導体パターン３３ａ及び３３ｂの第１端部αが両端部に露出される。切断された積層体の両端部それぞれに外部電極を形成することで積層コンデンサを得ることができる。
【００５０】
＜その他の実施形態例＞
（１）変形例１
図１３（ａ）は上記実施形態例に係る別の積層体の平面図、図１３（ｂ）は同図（ａ）のｈ−ｈ’断面図である。図１や図７に示す実施形態例では、同一平面上の導体パターンはその中央部が同列上に配置されている。しかし、図１２に示すように中央部、つまり外部電極が形成される第１端部αが交互に配置された、インタデジタル型の導体パターン配置としても良い。また、図１２にように導体パターンを配置する構成に、Ｗ方向とＬ方向とで連結パターンの幅の大きさを変える第２実施形態例を適用しても良い。
【００５１】
（２）変形例２
上記実施形態例では、全ての導体パターンどうしが連結パターンにより連結されているが、導体パターンの移動が防止できる程度に連結されていれば良く、全ての導体パターンが連結パターンにより連結されている必要はない。
また、図３等において、導体パターン３ａの第１端部αを連結する連結パターン４ａ−１のみを形成し、連結パターン４ａ−２及び４ａ−３を省略しても良い。
【００５２】
また、連結パターンの配置は、積層体の切断により除去されるように配置されるか、除去されない場合でも対向する両電極間が電気的に接続されなければ上記配置に限定されない。
また、全ての連結パターンが切断ライン上に形成されている必要はない。例えば、図１４は、一部の連結パターンが切断ライン上に形成されていない場合を示す説明図である。図１４において、導体パターン３ａは複数の連結パターン４ａ−１、４ａ−１’、４ａ−１’’により互いにＷ方向に連結されている。ここで、連結パターン４ａ−１は切断ライン上に位置し、連結４ａ−１’及び連結４ａ−１’’は切断ライン上に位置しない。このように連結パターンが切断ライン上に位置しない場合、切断により連結パターンが除去されずに、外部電極が形成される端部以外で露出される場合があるので、かかる露出部分は外部と電気的に絶縁された状態にしておくことが好ましい。
【００５３】
（３）変形例３
導体パターン及び連結パターンは、薄膜形成法を用いて形成されれば良く、めっき法に限定されない。薄膜形成法としては、めっき法の他に例えば、蒸着法、スパッタリング等が挙げられる。また、上記実施形態例では電解めっき法により導体パターン及び連結パターンを形成しているが、例えば無電解めっき、化学めっき及び溶融めっきなどの他のめっき法を採用しても良い。
【００５４】
（４）変形例４
上記では積層コンデンサを例に挙げたが、コイル、インダクタ、回路基板などの他の積層セラミック部品にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、所望のパターンが所定の位置から移動するのを防止できる。よって、配線等のパターンを正確に位置合わせして積層する製造工程を経るような積層セラミック電子部品に好適である。また、特に熱圧着等の製造工程を経る電子部品積層セラミック電子部品などを製造する際に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）第１実施形態例に係る積層体の平面図。（ｂ）図（ａ）のａ−ａ’断面図。
【図２】（ａ）積層コンデンサの外観図。（ｂ）図（ａ）のｂ−ｂ’断面図。（ｃ）図（ａ）のｃ−ｃ’断面図。
【図３】（ａ）図１（ａ）の導体パターン３ａ及び連結パターン４ａの拡大図。（ｂ）図１（ａ）の導体パターン３ｂ及び連結パターン４ｂの拡大図。
【図４Ａ】積層体の切断位置を示す平面図（１）。
【図４Ｂ】積層体の切断位置を示す平面図（２）。
【図５】各積層コンデンサに切断された積層体の１つを示す斜視図。
【図６】（ａ）積層体の製造方法を示す説明図（１）。（ｂ）積層体の製造方法を示す説明図（２）。（ｃ）積層体の製造方法を示す説明図（３）。（ｄ）積層体の製造方法を示す説明図（４）。（ｅ）積層体の製造方法を示す説明図（５）。（ｆ）積層体の製造方法を示す説明図（６）。
【図７】第２実施形態例に係る積層体の平面図。
【図８】導体パターン３ａ及び連結パターン２４ａの拡大図。
【図９】各積層コンデンサに切断された積層体の１つを示す斜視図。
【図１０】（ａ）積層コンデンサの外観図。（ｂ）図（ａ）のｅ−ｅ’断面図。（ｃ）図（ａ）のｆ−ｆ’断面図。
【図１１】（ａ）第３実施形態例に係る積層体の平面図。（ｂ）同図（ａ）のｇ−ｇ’断面図。
【図１２】（ａ）図１１（ａ）の導体パターン３３ａ及び連結パターン３４ａの拡大図。（ｂ）図１１（ａ）の導体パターン３３ｂ及び連結パターン３４ｂの拡大図。
【図１３】（ａ）別の積層体の平面図。（ｂ）図（ａ）のｈ−ｈ’断面図。
【図１４】一部の連結パターンが切断ライン上に形成されていない場合を示す説明図。
【図１５】（ａ）特許文献１の積層セラミックコンデンサの製造方法を示す断面図（１）。（ａ）特許文献１の積層セラミックコンデンサの製造方法を示す断面図（２）。（ｃ）特許文献１の積層セラミックコンデンサの製造方法を示す断面図（３）。
【符号の説明】
【００５７】
２：セラミックグリーンシート
３ａ、３ｂ、３３ａ、３３ｂ、：導体パターン
４ａ、４ｂ、２４ａ、２４ｂ、３４ａ、３４ｂ：連結パターン
５、６：外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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