(57)【要約】【課題】  本発明では、感知素子が多数個形成された場合でも、感知素子から得られる電力を外部に取り出す構造が簡素化された受光装置を提供する。【解決手段】  本発明の受光装置１０は、基板１１と、基板１１の上面に形成された第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの上面に形成された半導体層１４と、半導体層１４の上面に形成された第１電極層１２Ａ〜１２Ｄとを具備する。更に第１電極層１２Ａ〜１２Ｄと、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄとが重畳する領域により感知素子１５が形成されている。また、各第１電極層１２Ａ〜１２Ｄ、各第２電極層１３Ａ〜１３Ｄ毎に個別に電力が出力されている。【選択図】  図１
2007096222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に積層させた第１電極層、半導体層および第２電極層を具備し、
前記第１電極層は、帯状に独立して複数個が形成され、
前記第２電極層は、第１電極層と交差するように、帯状に独立して複数個が形成され、
前記第１電極層および前記第２電極層の各々から電力を取り出すことを特徴とする受光装置。
【請求項２】
前記第１電極層同士および前記第２電極層同士は、一定の間隔にて離間されることを特徴とする請求項１記載の受光装置。
【請求項３】
端部に位置する前記第１電極層および前記第２電極層と、前記基板の周縁部との距離は、前記一定の間隔の半分であることを特徴とする請求項２記載の受光装置。
【請求項４】
前記第１電極層および前記第２電極層は制御部に接続され、
重畳する前記第１電極層および前記第２電極層により感知素子が形成され、
前記制御部は、前記第１電極層および前記第２電極層の出力に基づいて、光が照射された前記感知素子を特定することを特徴とする請求項１記載の受光装置。
【請求項５】
前記第１電極層および前記第２電極層のいずれか一方は、透明電極層であることを特徴とする請求項１記載の受光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光装置に関し、特に、光を感知する感知素子が基板上にマトリックス状に配置された受光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上にシリコン等から成る半導体素子を多数個形成し、この半導体素子により受光した位置を検出する位置センサが用いられていた（下記特許文献１参照）。基板上にて光が照射された位置を検出することにより、光を発生させる光源の変位を知ることができる。
【０００３】
図５を参照して、照射された位置を認識可能な受光装置１００の構成を説明する。図５（Ａ）は受光装置１００の平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【０００４】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、受光装置１００は、基板１０１の上面にマトリックス状に多数個の感知素子１０５が形成されている。また、各感知素子１０５は、基板１０１の上面に積層された第２電極１０３、半導体層１０４および第１電極１０２とから成る。感知素子１０５を構成する第１電極１０２および第２電極１０３は、個別に分離されている。また、各感知素子１０５を構成する第１電極１０２および第２電極１０３は、信号を外部に出力するために、各々が出力端子（不図示）に接続されていた。
【０００５】
受光装置１００に部分的に光が照射された場合は、受光した感知素子１０５のみから電力が外部に出力される。一方、受光しない感知素子１０５からは電力は出力されない。従って、感知素子１０５からの出力を調べることにより、基板１０１上に於いて受光した領域を検出することができる。
【特許文献１】特開２００２−０９０１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した受光装置１００では、感知素子１０５の各々に出力端子が接続されていたので、多数の出力端子が必要に成る。従って、装置の構造が複雑になり、製造コストが高くなってしまう問題があった。また、感知素子１０５の数を増加させると、このような問題は更に顕著になる。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みて成され、本発明の主たる目的は、感知素子が多数個形成された場合でも、感知素子から得られる電力を外部に取り出す構造が簡素化された受光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の受光装置は、基板に積層させた第１電極層、半導体層および第２電極層を具備し、前記第１電極層は、帯状に独立して複数個が形成され、前記第２電極層は、第１電極層と交差するように、帯状に独立して複数個が形成され、前記第１電極層および前記第２電極層の各々から電力を取り出すことを特徴とする。
【０００９】
更に本発明の受光装置では、前記第１電極層同士および前記第２電極層同士は、一定の間隔にて離間されることを特徴とする。
【００１０】
更に本発明の受光装置では、端部に位置する前記第１電極層および前記第２電極層と、前記基板の周縁部との距離は、前記一定の間隔の半分であることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明の受光装置では、前記第１電極層および前記第２電極層は制御部に接続され、重畳する前記第１電極層および前記第２電極層により感知素子が形成され、前記制御部は、前記第１電極層および前記第２電極層の出力に基づいて、光が照射された前記感知素子を特定することを特徴とする。
【００１２】
更に本発明の受光装置では、前記第１電極層および前記第２電極層のいずれか一方は、透明電極層であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、受光装置に形成される感知素子の数に対して、出力端子の数が低減されるので、受光装置の出力構造を簡素化することができる。具体的には、本発明の受光装置では、互いに交差するように帯状の第１電極層および第２電極層が形成されている。そして、第１電極層および第２電極層の重畳する領域により、外部から入射する光を感知する感知素子が形成されている。従って、帯状の各第１電極層および第２電極層毎に電力を取り出すことにより、光が照射された感知素子を特定することができる。
【００１４】
更に、本発明によると、第１電極層および第２電極層等が形成された基板をタイル状に配置した場合に於いても、各電極層同士が離間する距離を一定にすることができる。具体的には、端部に位置する第１電極層と基板の終端部とが離間する距離を、第１電極層同士が離間する距離の半分にしている。更に、端部に位置する第２電極層と基板の終端部とが離間する距離を、第２電極層同士が離間する距離の半分にしている。このことにより、第１電極層および第２電極層が形成された基板をタイル状に配置した場合でも、第１電極層同士が離間する距離および、第２電極同士が離間する距離を同一にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１から図４を参照して、本形態の受光装置１０を説明する。
【００１６】
図１を参照して、本形態の受光装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は受光装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ’線に於ける断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照して、本形態の受光装置１０は、基板１１と、基板１１の上面に形成された第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの上面に形成された半導体層１４と、半導体層１４の上面に形成された第１電極層１２Ａ〜１２Ｄとを具備する。
【００１８】
基板１１は、ガラス、金属または樹脂等から成り、その厚みは例えば１０μｍ〜２０００μｍ程度である。基板１１としてアルミニウム、ステンレス、銅等の金属が採用された場合は、基板１１の表面には樹脂材料から成る絶縁層が設けられ、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと基板１１とが絶縁される。基板１１は可撓性を有するものでも良いし、可撓性を有さないものでも良い。また、基板１１の材料としてガラスや樹脂等の光を透過させる材料を採用し、基板１１を透過する光を検出する場合は、第２電極層として透明電極が用いられる。
【００１９】
第２電極層１３Ａ〜１３Ｄは、基板１１の表面に帯状に設けられている。ここでは、紙面上にて左右方向に細長く延在する４つの第２電極層１３Ａ〜１３Ｄが、基板１１の表面に形成されている。更に、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄは、基板１１の左側の端部から、対向する右側の端部まで延在している。第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの幅Ｌ４は、１ｍｍ〜１０ｍｍ（例えば４ｍｍ）程度である。第２電極層１３Ａ〜１３Ｄ同士が離間する距離Ｌ５は一定であり、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ（例えば０．１ｍｍ）である。
【００２０】
更に、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄは、厚みが０．１μｍ〜１．０μｍの導電材料から成る。この導電材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の薄膜金属や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明金属膜が使用できる。更には、ニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）等の金属粉が混入された樹脂から成る導電性ペーストを、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの材料として採用することができる。特に、図１（Ｂ）を参照して、基板１１をガラス等の透明材料として、下方から光を半導体層１４に照射する場合は、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄとして透明金属膜が採用される。本形態では、各第２電極層１３Ａ〜１３Ｄに、出力端子が個別に接続され、発電された電力が外部に出力される。
【００２１】
半導体層１４は、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウム等を、ｐｎ、ｐｉｎ、ｎｐまたはｎｉｐに積層し、基板１１および第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの上面全域を被覆するように形成されている。半導体層１４の膜厚は、０．１〜１．０μｍ程度である。
【００２２】
第１電極層１２Ａ〜１２Ｄは、半導体層１４の上面に帯状に設けられている。紙面上では、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄは、基板１１の上端部から下端部まで、細長く帯状に延在している。第１電極層１２Ａ〜１２Ｄは、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと直角に交差している。本形態では、各第１電極層１２Ａ〜１２Ｄに出力端子が個別に接続され、発電された電力が個別に外部に出力される。
【００２３】
第１電極層１２Ａ〜１２Ｄの厚みおよび材料は、上記した第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと同様である。更に、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄの幅Ｌ１および、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄ同士が離間する距離Ｌ２も、上記した第２電極層１３Ａ〜１３Ｄと同様で良い。また、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄは、厚みが２０μｍ〜１０００μｍ程度の樹脂から成る保護膜により被覆されても良い。
【００２４】
感知素子１５は、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄと、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄとが交差する部分にて形成される。ここでは、マトリックス状に１６個の感知素子１５が形成されている。図１（Ａ）を参照して、感知素子１５が形成される領域に於いては、半導体層１４が、第１電極層１２Ｃおよび第２電極層１３Ａにより挟み込まれた構造となる。従って、例えば感知素子１５に外部から光が照射されると、第１電極層１２Ｃおよび第２電極層１３Ａから電力が出力される。
【００２５】
本形態では、１つの基板１１に、帯状の第１電極層１２Ａ〜１２Ｄおよび第２電極層１３Ａ〜１３Ｄが交差するように形成されているので、１６個の感知素子１５が形成される。従って、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄおよび第２電極層１３Ａ〜１３Ｄからの出力を、外部に設けた制御部等により解析することにより、光が照射された感知素子１５を特定することができる。この事項については、図３を参照して後述する。
【００２６】
更に本形態では、端部に位置する第１電極層１２Ａと基板１１の周縁端部とを離間させている。第１電極層１２Ａと基板１１の周縁端部とが離間する距離Ｌ３は、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄ同士が離間する距離Ｌ２の半分である。即ち、距離Ｌ２が０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ（例えば０．１ｍｍ）の場合は、距離Ｌ３は、０．０２５ｍｍ〜０．１ｍｍ（例えば０．０５ｍｍ）である。
【００２７】
この事項は、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄに付いても同様である。即ち、第２電極層１３Ａと基板１１の周縁端部とが離間する距離Ｌ６は、第２電極層１３Ａ〜１３Ｄ同士が離間する距離Ｌ５の半分程度である。具体的には、距離Ｌ６は上記した距離Ｌ３と同様であり、０．０２５ｍｍ〜０．１ｍｍ（例えば０．０５ｍｍ）である。
【００２８】
上記のように、各電極層と基板１１の周縁端部とが離間する距離を、各電極層同士が離間する距離の半分にすることにより、多数個の基板１１をタイル状に配置して、大型の受光装置を形成しても、各電極層同士の間隔を同一にすることができる。更には各感知素子１５が離間する距離も同一にすることができる。この事項については、図２を参照して後述する。
【００２９】
図２に、４つの受光装置１０Ａ〜１０Ｄを組み合わせて１つの大型の受光装置１０Ｅを形成した平面図を示す。各受光装置１０Ａ〜１０Ｄの構成は、図１に示した受光装置１０と同様である。
【００３０】
ここでは、受光装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃおよび１０Ｄがタイル状に隙間無く配置されて１つの受光装置１０Ｅが形成されている。従って、ここでは、合計で６４個の感知素子１５が受光装置１０Ｅの表面に形成される。このように面積の大きい受光装置１０Ｅを形成することにより、光のセンシングを広範囲にて行うことができる。
【００３１】
そして、隣接する受光装置が具備する第１電極層および第２電極層は、電気的に接続されている。即ち、受光装置１０Ａの第２電極層１３Ａ１〜１３Ａ４は、受光装置１０Ｂの第２電極層１３Ｂ１〜１３Ｂ４と接続される。更に、受光装置１０Ｃの第２電極層１３Ｃ１〜１３Ｃ４は、受光装置１０Ｄの第２電極層１３Ｄ１〜１３Ｄ４と接続される。また、受光装置１０Ａの第１電極層１２Ａ１〜１２Ａ４は、受光装置１０Ｃの第１電極層１２Ｃ１〜１２Ｃ４と接続される。更に、受光装置１０Ｂの第１電極層１２Ｂ１〜１２Ｂ４は、受光装置１０Ｄの第１電極層１２Ｄ１〜１２Ｄ４と接続される。
【００３２】
各電極層同士は、半田、導電性ペースト、金属細線等を用いて接続することができる。更には、電極層自体を溶融させて各電極層同士を接続することもできる。
【００３３】
上記のように、各受光装置１０Ａ〜１０Ｄの第１電極層および第２電極層が互いに接続されるので、受光装置１０Ｅが具備する出力端子の数は１６個となる。従って、感知素子１５に対する出力端子の個数が低減されるので、受光装置１０Ｅと外部とを接続する構造を簡素化できる利点がある。例えば、受光装置１０Ｅの右側側面に於いて、第２電極層１３Ｂ１〜１３Ｂ４および１３Ｄ１〜１３Ｄ４に８個の出力端子が形成されて外部と接続される。そして、受光装置の下側側面に於いて、第１電極層１２Ｃ１〜１２Ｃ４および１２Ｄ１〜１２Ｄ４に８個の出力端子が形成されて外部と接続される。
【００３４】
また、本形態では、各受光装置１０Ａ〜１０Ｄの端部に位置する各電極層と基板の終端部とが離間する距離を、各電極層同士が離間する距離の半分にしている。従って、受光装置１０Ｅの全ての第１電極層同士および第２電極層同士が離間する距離を同一にすることができる。更には、感知素子１５同士の間隔を一定にすることもできる。
【００３５】
具体的には、受光装置１０Ａと受光装置１０Ｂとの境界では、受光装置１０Ａの右端に配置された第１電極層１２Ａ４と、受光装置１０Ｂの左端に配置された第１電極層１２Ｂ１とが隣接されている。そして、第１電極層１２Ａ４と第１電極層１２Ｂ１とが離間する距離Ｌ９は、受光装置１０Ａに於いて第１電極層同士が離間する距離Ｌ７と等しく成る。更に距離Ｌ９は、受光装置１０Ｂに於いて、第１電極層同士が離間する距離Ｌ１１とも等しくなる。
【００３６】
即ち、受光装置１０Ａに於いては、右端に位置する第１電極層１２Ａ４と基板１１Ａの周縁部とが離間する距離Ｌ８が、第１電極層１２Ａ１〜１２Ａ４同士が離間する距離Ｌ７の半分である。更に、受光装置１０Ｂに於いては、左端に位置する第１電極層１２Ｂ１と基板１１Ｂの周縁部とが離間する距離Ｌ１０は、第１電極層１２Ｂ１〜１２Ｂ４同士が離間する距離Ｌ１１の半分である。また、受光装置１０Ａと受光装置１０Ｂとでは、第１電極層同士が離間する距離は等しい。
【００３７】
また、受光装置１０Ａの第１電極層１２Ａ４と、受光装置１０Ｂの第１電極層１２Ｂ１とが離間する距離Ｌ９は、距離Ｌ８と距離Ｌ１０とを加算した長さになる。このことから、距離Ｌ９が、各回路装置に於いて第１電極層同士が離間する距離Ｌ７、Ｌ１１と等しくなる。従って、受光装置１０Ｅが具備する全ての第１電極層１２Ａ１〜１２Ａ４、１２Ｂ１〜１２Ｂ４は、等間隔に離間されている。
【００３８】
また、紙面上に横長に延在する第２電極層に関しても、全ての第２電極層が等間隔に離間して配置されている。特に、受光装置１０Ｂと受光装置１０Ｄとの境界に於いては、受光装置１０Ｂの第２電極層１３Ｂ４と、受光装置１０Ｄの第２電極層１３Ｄ１とが隣接している。
【００３９】
ここでも、受光装置１０Ｂに於いて、下端に位置する第２電極層１３Ｂ４と基板１１Ｂの下端とが離間する距離Ｌ１３は、第２電極層同士が離間する距離Ｌ１２の半分である。また、受光装置１０Ｄに於いて、上端に位置する第２電極層１３Ｄ１と基板１１Ｄの上端とが離間する距離Ｌ１４は、第２電極層同士が離間する距離Ｌ１６の半分である。従って、受光装置１０Ｂの第２電極層１３Ｂ４と、受光装置１０Ｄの第２電極層１３Ｄ１とが離間する距離Ｌ１５は、距離Ｌ１３と距離Ｌ１４とを加算した距離になり、他の第２電極層同士が離間する距離Ｌ１２、Ｌ１６と等しくなる。このことから、受光装置１０Ｅに於いては、全ての第２電極層同士が等間隔に配置される。
【００４０】
上記した本形態の構成により、受光装置１０Ｅの全ての第１電極層同士および第２電極層同士が等間隔に離間されている。このことから、第１電極層と第２電極層とが重畳する領域である感知素子１５も、全てが等間隔に配置されている。従って、各第１電極層および第２電極層から個別に出力される電力を解析することにより、受光した感知素子１５を特定して、更に、受光装置１０Ｅに於いて受光した位置を容易に算出することができる。
【００４１】
また、上記では、４つの受光装置１０Ａ〜１０Ｄをタイル状に組み合わせて１つの正方形状の受光装置１０Ｅを構成したが、組み合わせを変化させることにより、他の形状の受光装置を構成することもできる。
【００４２】
例えば、９個の受光装置を３×３にタイル状に組み合わせると、１４４個の感知素子１５を具備する正方形の受光装置が形成され、より広範囲のセンシングが可能な受光装置を提供することができる。この場合も、出力端子の数は２４個となり、感知素子の個数に対する出力端子の個数が低減される利点がある。また、受光装置１０Ａ〜１０Ｄ等の組み合わせにより、例えば長方形等の正方形以外の形状を具備する受光装置が構成されても良い。
【００４３】
更に本形態では、複数個の受光装置をタイル状に配置して大型の受光装置を構成した場合でも、全ての第１電極層および第２電極層が等間隔に配置されている。従って、大型の受光装置から得られる出力を基にした、受光している位置の算出が容易になる。
【００４４】
図３を参照して、次に、図１に構成を示した受光装置１０の動作を説明する。ここでは、受光装置１０の各電極が、コンピュータ等から成る制御部１６に接続されている。
【００４５】
受光装置１０の各第１電極層１２Ａ〜１２Ｄおよび各第２電極層１３Ａ〜１３Ｄは、個別に配線１７Ａ〜１７Ｈを介して制御部１６に接続される。そして、各第１電極層１２Ａ〜１２Ｄおよび各第２電極層１３Ａ〜１３Ｄの出力に基づいて、制御部１６は、受光装置１０の表面に於いて受光した部分を特定する。受光装置１０の受光した領域が変化した場合は、第１電極層１２Ａ〜１２Ｄおよび第２電極層１３Ａ〜１３Ｄからの出力が変化し、制御部１６において新たに照射された部分が特定される。
【００４６】
ここで、受光装置１０の受光している部分が受光領域１９Ａから受光領域１９Ｂに変化した場合について説明する。
【００４７】
受光装置１０の受光領域１９Ａのみに光が照射された場合、受光領域１９Ａのみが発電領域として機能する。受光領域１９Ａは、第１電極層１２Ｂおよび第２電極層１３Ｂが重畳する領域である。従って、第１電極層１２Ｂから制御部１６に電力が出力され、他の第１電極層からは電力が出力されない。同様に、第２電極層１３Ｂから制御部１６に電力が出力され、他の第２電極層からは電力が出力されない。従って、これらのことを、制御部１６にて検出することにより、受光装置１０に於いて光が照射された領域を特定することができる。
【００４８】
次に、光が照射される領域が、受光領域１９Ａから受光領域１９Ｂに移動した場合、受光領域１９Ａは発電領域として機能せず、受光領域１９Ｂのみが発電領域として機能する。受光領域１９Ｂでは、第１電極層１２Ｂと第２電極層１３Ｄとが重畳している。従って、第１電極層１２Ｂおよび第２電極層１３Ｄから制御部１６に電力が出力される。そして、他の第１電極層および第２電極層からは、電力が制御部１６に供給されない。これらのことを制御部１６にて検出することにより、受光装置１０にて、受光している領域が変化したことが認識される。
【００４９】
また、各電極層の幅等の大きさに関する情報を予め制御部１６に入力しておくことにより、受光領域の変位を検出することができる。例えば、各第１電極層および第２電極層の幅が０．４ｍｍであり、各電極層同士が離間する距離が０．１ｍｍであり、受光される領域が受光領域１９Ａから受光領域１９Ｂへと変化したと仮定する。この場合、受光している領域が、紙面上にて下方に８．２ｍｍ移動したことが、制御部１６により算出される。
【００５０】
上記では、受光領域１９Ａ、１９Ｂのみに光が照射されて、他の領域が光に照射されない場合に場合について説明したが、他の露光の条件でも良い。即ち、受光装置１０全体が光に晒され、受光領域１９Ａ、１９Ｂに対して特に強い光が照射されても良い。この場合は、受光領域１９Ａ、１９Ｂに位置している第１電極層または第２電極層からの出力が、他の第１電極層または第２電極層よりも大きくなる。この事項を制御部１６により検出すればよい。
【００５１】
次に、図４を参照して、上記した受光装置１０の応用例を説明する。ここでは、受光装置１０を用いて、Ｂ地点の変位を測定する方法を説明する。
【００５２】
この応用例では、例えば数百メートル程度に離間したＡ地点およびＢ地点に、発光装置１８および受光装置１０を設置して、Ｂ地点の変位を測定している。受光装置１０には、図３に示したような制御部が接続されている。
【００５３】
発光装置１８は、Ａ地点に設置されて受光装置１０に対して光を照射する機能を有する。発光装置１８が照射する光としてはレーザー光が好適である。直進性に優れたレーザー光を用いることにより、受光装置１０の特定の箇所を正確に発光装置１８により照射することができる。
【００５４】
何らかの原因によりＢ地点が変位すると、発光装置１８により受光装置１０が照射される領域が変化する。即ち、発光装置１８により受光する領域が、例えば図３に示したように、受光領域１９Ａから受光領域１９Ｂに変化する。コンピュータ等の制御手段を用いて、受光領域の変化量を算出することにより、受光装置１０が設置されたＢ地点の変位量が得られる。
【００５５】
上記した発光装置１８と受光装置１０との組み合わせは、土砂崩れ、雪崩、地震、火山の噴火等の自然災害を予測するシステムとして用いることができる。即ち、発光装置１８と受光装置１０によりＢ地点の変位を常時計測する。そして、Ｂ地点の変位が一定以上に成ったら、サイレン等の報知手段を稼働させることもできる。このことにより、自然災害を事前に周知させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の受光装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の受光装置を示す平面図である。
【図３】本発明の受光装置を示す平面図である。
【図４】本発明の受光装置の応用例を示す図である。
【図５】従来の受光装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０              受光装置
１１              基板
１２Ａ〜１２Ｄ    第１電極層
１３Ａ〜１３Ｄ    第２電極層
１４              半導体層
１５              感知素子
１６              制御部
１７Ａ〜１７Ｈ    配線
１８              発光装置
１９Ａ、１９Ｂ    受光領域
【図１】
2007096222.tif 000003
【図２】
2007096222.tif 000004
【図３】
2007096222.tif 000005
【図４】
2007096222.tif 000006
【図５】
2007096222.tif 000007