(57)【要約】【課題】本発明は小型化が図れるよう構造の改善されたＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、ＳＡＷ素子１１２がデバイスウェハ１１１の上面に形成されたＳＡＷデバイス１１２と、ＳＡＷデバイスの上部に接合し、上下に貫通するビアホール（Ｈ）を有するキャップウェハ１２１と、ビアホールの一部を充填するように設けられた導電部材１２５と、を含み、ビアホールは、キャップウェハの下面から所定の深さまで内径が次第に狭くなる第１ビア部（Ｈ１）と、第１ビア部からキャップウェハの上面まで内径が次第に広がる第２ビア部（Ｈ２）と、を有する。【選択図】図２
2007208968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷ素子がデバイスウェハの上面に形成されたＳＡＷデバイスと、
前記ＳＡＷデバイスの上部に接合し、上下に貫通するビアホールを有するキャップウェハと、
前記ビアホールの一部を充填するように設けられた導電部材と、を含み、
前記ビアホールは、前記キャップウェハの下面から所定の深さまで内径が次第に狭くなる第１ビア部と、前記第１ビア部から前記キャップウェハの上面まで内径が次第に広がる第２ビア部と、
を有することを特徴とするＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項２】
前記ＳＡＷデバイスが、
前記ＳＡＷ素子に接続されるように前記デバイスウェハの上面に備えられるデバイスパッドと、
前記デバイスウェハの上面に備えられたデバイスシーリングラインと、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項３】
前記キャップウェハの上面に形成されたキャップパッドと、
前記キャップウェハの下面に形成され、前記導電部材を介して前記キャップパッドと電気的に接続される連結パッドと、
を更に含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項４】
前記導電部材が、
前記第１ビア部と前記第２ビア部の内面を覆うように備えられ、下端は前記連結パッドに電気的に接続される第１金属層と、
前記第２ビア部を充填するよう前記第１金属層上に備えられて前記キャップパッドと電気的に接続される第２金属層と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項５】
前記第２金属層が、前記第１金属層の上部に電気メッキによって形成されることを特徴とする請求項４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項６】
前記キャップパッドが、前記ビアホールの上部を覆うよう備えられたことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項７】
前記連結パッドが、前記ビアホールと前記キャップウェハの下面の境界で前記導電部材に接続されることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項８】
前記キャップウェハの下面に備えられ、前記ビアホールと前記キャップウェハの下面の境界から備えられるシーリングラインを更に含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項９】
前記キャップウェハと前記ＳＡＷデバイスとの間に前記ＳＡＷ素子を収容する空洞部が備えられたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項１０】
前記キャップウェハが、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項１１】
前記ＳＡＷデバイスが、前記キャップウェハと同一の物質からなることを特徴とする請求項１０に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項１２】
前記第１ビア部が前記第２ビア部より深く形成されたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ。
【請求項１３】
（ａ）ＳＡＷ素子がデバイスウェハの上面に備えられたＳＡＷデバイスを形成するステップと、
（ｂ）キャップウェハの下面から所定の深さまで内径が次第に小さくなる第１ビア部、及び前記第１ビア部から前記キャップウェハの上面まで内径が次第に広がる第２ビア部を含むビアホールの一部分に導電部材が充填された構造のパッケージングキャップを形成するステップと、
（ｃ）前記パッケージングキャップを前記ＳＡＷデバイスの上部に接合するステップと、
を含むことを特徴とするＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）のステップにおいて、
（ｂ１）前記キャップウェハの下面を所定の深さで加工し第１ビア部を形成するステップと、
（ｂ２）前記キャップウェハの上面を所定の深さで加工し前記第１ビア部と連通される第２ビア部を形成するステップと、
（ｂ３）前記第１ビア部と前記第２ビア部に相異なる量の割合で金属物質を充填し前記導電部材を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１３に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１５】
前記（ｂ）のステップにおいて、
（ｂ４）前記導電部材に電気的に接続されるように前記キャップウェハの上面に前記キャップパッドを形成するステップと、
（ｂ５）前記導電部材に電気的に接続される連結パッド及び前記導電部材と電気的に隔絶されるキャップシーリングラインを前記キャップウェハの下面に形成するステップと、
を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１６】
前記（ｂ１）及び（ｂ２）のステップにおいて、前記第１ビア部と前記第２ビア部を相異なる深さで形成することを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１７】
前記第１ビア部を形成するステップが、
前記キャップウェハの下面にドライフィルムレジストをパターニングするステップと、
前記ドライフィルムレジストによって開口されたキャップウェハの下面をサンドブラスト加工するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１８】
前記第２ビア部を形成するステップが、
前記キャップウェハの上面にドライフィルムレジストをパターニングするステップと、
前記ドライフィルムレジストによって開口されたキャップウェハの上面をサンドブラスト加工するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項１９】
前記（ｂ３）のステップにおいて、
前記ビアホールを含んで前記キャップウェハの表面を覆うように第１金属層を蒸着するステップと、
前記第２ビア部を充填するように前記第１金属層上に金属物質を電気メッキして形成するステップと、
前記キャップウェハの上面と下面のそれぞれが露出するように研磨加工を行なって前記キャップウェハの上面と下面の第１金属層を取除くステップと、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２０】
前記（ｂ４）のステップにおいて、前記キャップパッドを、前記ビアホールの上部に位置して前記導電部材を覆うようにパターン形成することを特徴とする請求項１５に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２１】
前記（ｂ５）のステップにおいて、
前記キャップウェハの下面を覆うように金属物質を所定の厚さで形成する第１ステップと、
前記金属物質をフォトレジストを用いて所定のパターンで加工し、前記連結パッドと前記キャップシーリングラインとを同時に形成する第２ステップと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２２】
前記第２ステップにおいて、前記導電部材と前記キャップシーリングラインが電気的に隔絶されるように、前記ビアホールの一部が露出するように前記ビアホール内の導電部材を部分的に取除くステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２３】
前記（ｂ５）のステップにおいて、
前記キャップウェハの下面を覆うように金属物質を所定の厚さで形成する第１ステップと、
前記金属物質をフォトレジストを用いて所定パターンで加工して前記連結パッドと前記キャップシーリングラインとを同時に形成し、前記ビアホール内の第１金属層を部分的に取除いて前記キャップシーリングラインと前記第１金属層を電気的に隔絶させる第２ステップと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２４】
前記（ａ）のステップにおいて、前記デバイスウェハの上面にデバイスパッドとデバイスシーリングラインを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２５】
前記（ｃ）のステップにおいて、前記キャップウェハの底面に形成されたキャップシーリングラインと前記デバイスウェハの上面に形成されたデバイスシーリングラインとを相互に接合させてなることを特徴とする請求項１３に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２６】
前記キャップウェハが、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなることを特徴とする請求項１３〜２５のいずれか１項に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【請求項２７】
前記デバイスウェハが、前記キャップウェハと同一の物質からなることを特徴とする請求項２６に記載のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性表面波デバイスをウェハレベルパッケージング方法に基づいてパッケージングする弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子機器の小型化及び高性能化に伴って、電子機器に搭載された電子部品も小型化及び高性能化がなされている。特に、電波を送受信する電子機器におけるフィルター、遅延線、オシレーターなどの電子部品として使われている弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷと称する）デバイスは、不要な信号を抑圧する目的を有し、携帯電話機などにおける無線周波（ＲＦ）部で広く使われている。しかし、携帯電話機などの急速な小型化及び高性能化により、パッケージを有するＳＡＷデバイスにおける小型化及び高性能化が求められている。さらに、ＳＡＷデバイスの使い道が拡大されてＳＡＷデバイスの需要も急速に増加しており、製造コストの軽減が最も重要な要素になっている。
【０００３】
従来技術によるＳＡＷデバイスを用いて製造したフィルター装置（ＳＡＷフィルター１０）の構成を図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する。図示されたように、ＳＡＷフィルター１０は、セラミックスパッケージ１１と、パッケージ１１内が空洞化されることにより形成された空洞部１２と、該空洞部１２の開口部を密封する金属キャップ１３と、空洞部１２内に実装されるＳＡＷ素子１４からなる。図１Ｂに示したように、パッケージ１１は３つの基板１１ａ、１１ｂ、１１ｃを接合した３階の構造をなしている。それぞれの基板１１ａ、１１ｂ、１１ｃにかけて電極パッド１５、配線パターン１６、及びフットパターン１７が形成されている。ＳＡＷ素子１４は、空洞部１２の底部に斜線電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴ称する）を有する面が上に向いている状態（フェースアップ状態）で固定されている。そしてＳＡＷ素子１４は、空洞部１２内に露出した配線パターン１５と金属ワイヤ１８によって電気的に接続されている。また、金属キャップ１３は半田や樹脂などの接合材料１９によってパッケージ１１の上面に固着される。
【０００４】
前述した構成を有するＳＡＷフィルター１０は、内蔵したＳＡＷ素子を密封するため、ワイヤを利用してパッケージ１１にＳＡＷ素子１４を電気的に接続し、そのパッケージ１１の上部に金属キャップ１３を接合することから、小型化できないという問題がある。さらに、ＳＡＷ素子１４のサイズが小さくなるほどＳＡＷフィルター１０の製造が複雑になることから、コストが増加するという問題がある。
【０００５】
したがって、ＳＡＷデバイスの小型化を図るためにウェハレベルパッケージング技術を利用した様々な方法が研究開発されつつある。特に、ＳＡＷ素子がウェハ上に備えられたＳＡＷデバイスと、そのＳＡＷデバイスの上部にパッケージングキャップを接合しパッケージングする方法に対する研究開発が盛んになされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前述した問題点を勘案して案出されたもので、その目的は、小型化が図れるよう構造の改善されたＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するための本発明にかかるＳＡＷウェハレベルパッケージは、ＳＡＷ素子がデバイスウェハの上面に形成されたＳＡＷデバイスと、
前記ＳＡＷデバイスの上部に接合し、上下に貫通するビアホールを有するキャップウェハと、前記ビアホールの一部を充填するよう設けられた導電部材と、を含み、前記ビアホールは、前記キャップウェハの下面から所定の深さまで内径が次第に狭くなる第１ビア部と、前記第１ビア部から前記キャップウェハの上面まで内径が次第に広がる第２ビア部と、を有することを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記ＳＡＷデバイスが、前記ＳＡＷ素子に接続されるように前記デバイスウェハの上面に備えられるデバイスパッドと、前記デバイスウェハの上面に備えられたデバイスシーリングラインと、を更に含むことが好ましい。
【０００９】
また、前記キャップウェハの上面に形成されたキャップパッドと、前記キャップウェハの下面に形成され、前記導電部材を介して前記キャップパッドと電気的に接続される連結パッドと、を更に含むことが好ましい。
【００１０】
また、前記導電部材が、前記第１ビア部と前記第２ビア部の内面を覆うように備えられ、下端は前記連結パッドに電気的に接続される第１金属層と、前記第２ビア部を充填するよう前記第１金属層上に備えられて前記キャップパッドと電気的に接続される第２金属層と、を含むことがよい。
【００１１】
また、前記第２金属層が、前記第１金属層の上部に電気メッキによって形成され、前記キャップパッドが、前記ビアホールの上部を覆うよう備えられることが好ましい。
【００１２】
さらに、前記連結パッドが、前記ビアホールと前記キャップウェハの下面の境界で前記導電部材に接続されることが好ましい。
【００１３】
前記キャップウェハの下面に備えられ、前記ビアホールと前記キャップウェハの下面の境界から備えられるシーリングラインを更に含むことがよい。
【００１４】
また、前記キャップウェハと前記ＳＡＷデバイスとの間に前記ＳＡＷ素子を収容する空洞部が備えられることが好ましく、前記キャップウェハが、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなることが好ましい。
【００１５】
また、前記ＳＡＷデバイスが、前記キャップウェハと同一の物質からなることがよい。
【００１６】
また、前記第１ビア部が前記第２ビア部より深く形成されることが好ましい。
【００１７】
前述した目的を達成するための本発明のＳＡＷデバイスウェハレベルのパッケージング方法は、（ａ）ＳＡＷ素子がデバイスウェハの上面に備えられたＳＡＷデバイスを形成するステップと、（ｂ）キャップウェハの下面から所定の深さまで内径が次第に小さくなる第１ビア部、及び前記第１ビア部から前記キャップウェハの上面まで内径が次第に広がる第２ビア部を含むビアホールの一部分に導電部材が充填された構造のパッケージングキャップを形成するステップと、（ｃ）前記パッケージングキャップを前記ＳＡＷデバイスの上部に接合するステップと、を含むことを特徴とする。
【００１８】
ここで、前記（ｂ）のステップが、（ｂ１）前記キャップウェハの下面を所定の深さで加工し第１ビア部を形成するステップと、（ｂ２）前記キャップウェハの上面を所定の深さで加工し前記第１ビア部と連通される第２ビア部を形成するステップと、（ｂ３）前記第１ビア部と前記第２ビア部に相異なる量の割合で金属物質で充填し前記導電部材を備えるステップと、を含むことが好ましい。
【００１９】
さらに、前記（ｂ）のステップにおいて、（ｂ４）前記導電部材に電気的に接続されるよう前記キャップウェハの上面に前記キャップパッドを形成するステップと、（ｂ５）前記導電部材に電気的に接続される連結パッドと前記導電部材と電気的に隔絶されるキャップシーリングラインを前記キャップウェハの下面に形成するステップと、を更に含むことを特徴とする。
【００２０】
ここで、前記（ｂ１）及び（ｂ２）のステップにおいて、前記第１ビア部と前記第２ビア部を相異なる深さで形成することが好ましく、前記第１ビア部を形成するステップが、前記キャップウェハの下面にドライフィルムレジストをパターニングするステップと、前記ドライフィルムレジストによって開口されたキャップウェハの下面をサンドブラスト加工するステップと、を含むことが好ましい。
【００２１】
さらに、前記第２ビア部を形成するステップが、前記キャップウェハの上面にドライフィルムレジストをパターニングするステップと、前記ドライフィルムレジストによって開口されたキャップウェハの上面をサンドブラスト加工するステップと、を含むことが好ましい。
【００２２】
前記（ｂ３）のステップにおいて、前記ビアホールを含んで前記キャップウェハの表面を覆うように第１金属層を蒸着するステップと、前記第２ビア部を充填するように前記第１金属層上に金属物質を電気メッキして形成するステップと、前記キャップウェハの上面と下面のそれぞれが露出するよう研磨加工を行なって前記キャップウェハの上面と下面の第１金属層を取除くステップと、を含むことがよい。
【００２３】
さらに、前記（ｂ４）のステップにおいて、前記キャップパッドを、前記ビアホールの上部に位置して前記導電部材を覆うようにパターン形成することが好ましく、前記（ｂ５）のステップにおいては、前記キャップウェハの下面を覆うように金属物質を所定の厚さで形成する第１ステップと、前記金属物質をフォトレジストを用いて所定のパターンで加工し前記連結パッドと前記キャップシーリングラインとを同時に形成する第２ステップと、を含むことが好ましい。
【００２４】
なお、前記第２ステップにおいて、前記導電部材と前記キャップシーリングラインが電気的に隔絶されるように、前記ビアホールの一部が露出するように前記ビアホール内の導電部材を部分的に取除くステップを含むことができる。
【００２５】
また、前記（ｂ５）のステップにおいて、前記キャップウェハの下面を覆うように金属物質を所定の厚さで形成する第１ステップと、前記金属物質をフォトレジストを用いて所定パターンで加工して前記連結パッドと前記キャップシーリングラインとを同時に形成し、前記ビアホール内の第１金属層を部分的に取除いて前記キャップシーリングラインと前記第１金属層を電気的に隔絶させる第２ステップと、を含むことが好ましい。
【００２６】
さらに、前記（ａ）のステップにおいて、前記デバイスウェハの上面にデバイスパッドとデバイスシーリングラインを形成するステップを含み、前記（ｃ）ステップにおいて、前記キャップウェハの底面に形成されたキャップシーリングラインと前記デバイスウェハの上面に形成されたデバイスシーリングラインとを相互に接合させてなることが好ましい。
【００２７】
ここで、前記キャップウェハが、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなることが好ましい。
【００２８】
さらに、前記デバイスウェハが、前記キャップウェハと同一の物質からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係るＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ及びパッケージング方法によると、ＳＡＷデバイスウェハとパッケージングキャップを別の工程を介して製造した後、パッケージング工程で製造することにより、簡単でありながら容易に小型化されたＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージを提供することができる。
【００３０】
また、パッケージングキャップのキャップウェハにビアホールを２回の工程を経て区分づけ加工することにより、ビアホールのサイズを縮小させ得る。特に、ビアホールをギャップウェハの下面と上面それぞれにおいて相異なる深さで第１及び第２ビア部に区分づけ加工することによって、ビアホールを電気メッキし充填する際に、ビアホールを部分的に充填することができる。したがって、充填されない第１ビア部に備えられたシード層を後続工程にて容易に加工できる長所がある。さらに、電気メッキによる導電部材の電気的特性も向上される利点がある。
【００３１】
また、ビアホールのサイズが小さくなるにつれそのビアホールを通じて電気的に接続されるキャップパッドと連結パッドの形成位置に対する設計自由度が増加し、パッケージサイズを最小化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態によるＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ及びそのパッケージング方法に対して説明する。
【００３３】
図２は、本発明の一実施の形態に係る弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを示す断面図である。
【００３４】
＜実施形態１＞
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ１００は、ＳＡＷ素子１１２がデバイスウェハ１１１の上面に形成されたＳＡＷデバイス１１０と、該ＳＡＷデバイス１１０の上部に接合されるパッケージングキャップ１２０を備える。パッケージングキャップ１２０とＳＡＷデバイス１１０とが接合されることによってそれらの間に空洞部１３０がＳＡＷ素子１１２を収容すべく備えられる。
【００３５】
ＳＡＷデバイス１１０は、圧電物質であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）物質により形成されたデバイスウェハ１１１と、デバイスウェハ１１１の上面に設置されるＳＡＷ素子１１２と、デバイスウェハ１１１の上面に所定パターンで形成されるデバイスパッド１１３と、デバイスシーリングライン１１４と、を備える。
【００３６】
ＳＡＷ素子１１２は、空洞部１３０の底部、すなわちデバイスウェハ１１１の上面に斜線電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を有する面が上に向いた状態（フェースアップ状態）で備えられている。かかるＳＡＷ素子１１２は、デバイスウェハ１１１上に金属物質を所定パターンで蒸着し形成することができる。デバイスウェハ１１１の上部にデバイスパッド１１３とデバイスシーリングライン１１４とが同一高さに形成されている。デバイスパッド１１３とデバイスシーリングライン１１４は同一金属材質で形成されることもできる。前記のようなＳＡＷ素子１１２と、デバイスパッド１１３と、デバイスシーリングライン１１４は、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）などを主成分にして形成され得る。デバイスパッド１１３は複数備えられている。デバイスシーリングライン１１４は、パッケージングキャップ１２０とパッケージングを行なうために接合される。
【００３７】
パッケージングキャップ１２０は、ビアホール（Ｈ）を有するキャップウェハ１２１と、キャップウェハ１２１の上面に備えられたキャップパッド１２２と、キャップウェハ１２１の下面に備えられた連結パッド１２３と、キャップシーリングライン１２４とを備える。
【００３８】
キャップウェハ１２１はデバイスウェハ１１１と同一材質で形成されることができ、ビアホール（Ｈ）はキャップウェハ１２１を上下に貫通するよう形成されている。このビアホール（Ｈ）はキャップウェハ１２１の下面から所定の深さで形成された第１ビア部（Ｈ１）と、キャップウェハ１２１の上面から所定の深さで形成された第２ビア部（Ｈ２）に区分付けられる。前記第１及び第２ビア部（Ｈ１、Ｈ２）のそれぞれはキャップウェハの外側面から次第に内径が狭くなるように形成され、互いに連通して形成される。かかるビアホール（Ｈ）は、キャップウェハ１２１の下面と上面それぞれを別のエッチング工程を介して加工することによって、第１及び第２ビア部（Ｈ１、Ｈ２）に区分づけられる形状を有する。特に、前記第１及び第２ビア部（Ｈ１、Ｈ２）は、相異なる深さで形成されており、本実施形態では、後述する導電部材１２５が完全に充填される第２ビア部（Ｈ２）が、第１ビア部（Ｈ１）よりも浅い深さで形成される。
【００３９】
前記ビアホール（Ｈ）には導電性物質で形成された導電部材１２５が充填される。導電部材１２５は、後で説明するが、金属物質を蒸着してシード層を形成し、そのシード層（金属層）上に金属物質を電気メッキして充填することにより形成される。このような導電部材１２５は、第２ビア部（Ｈ２）の部分を全て充填してキャップパッド１２２と接続し、第１ビア部（Ｈ１）の内面の一部分だけ所定の厚さで塗布するよう備えられる。したがって、導電部材１２５の上部はキャップパッド１２２に連結され、下部は連結パッド１２３に連結されることから、キャップパッドと連結パッド１２３を電気的に接続させる。そして、導電部材１２５はキャップシーリングライン１２４とは電気的に接続されない。
【００４０】
前記キャップパッド１２２は、キャップウェハ１２１の上面にそれぞれのビアホール（Ｈ）に対応するように備えられ、好適にはそのビアホール（Ｈ）に備えられた導電部材１２５を覆うように所定パターンで形成される。キャップパッド１２２は、キャップウェハ１２１の上面に金属物質でパターニングされる。
【００４１】
連結パッド１２３は、デバイスパッド１１３に対応するように複数設けられる。連結パッド１２３は、デバイスパッド１１３に電気的に接続されるように接合される。
【００４２】
キャップシーリングライン１２４は、連結パッド１２３と同一の物質で形成され、その連結パッド１２３と同時に形成され得る。このキャップシーリングライン１２４は前記デバイスシーリングライン１１４に対応する位置にて形成される。したがって、連結パッド１２３をデバイスパッド１１３に接合させると同時にデバイスシーリングライン１１４とキャップシーリングライン１２４とを接合させることにより、空洞部１３０を外部から密閉することができる。
【００４３】
一方、連結パッド１２３は、ビアホール（Ｈ）とキャップウェハ１２１の下面との境界部分から所定パターンで形成されて、導電部材１２５と連結される。またキャップシーリングライン１２４は、ビアホール（Ｈ）とキャップウェハ１２１の下面の境界部分から所定パターンで形成されて、ビアホール（Ｈ）の露出面（Ｓ１）と接するようになる。これにより、キャップシーリングライン１２４は、導電部材１２５と電気的に隔絶された状態で形成され得る。
【００４４】
以上で説明したように、キャップウェハ１２１にキャップパッド１２２を形成するが、ビアホール（Ｈ）の上部に直接キャップパッド１２２を形成することによって、キャップパッド１２２の間の間隔を小さくすることができることから単位別にパッケージングキャップ１２０のサイズを減らすことができる。
【００４５】
また、連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４とをキャップウェハ１２１の下面に形成し、それぞれをビアホール（Ｈ）に接して形成することができる。したがって、両側に備えられたキャップシーリングライン１２４の間の距離を狭めることができるので、その分パッケージングキャップ１２０の左右（図面上で）のサイズを減少させる利点がある。
【００４６】
また、ビアホール（Ｈ）が上下に第１ビア部（Ｈ１）と第２ビア部（Ｈ２）とに区分付けられるので、ビアホール（Ｈ）の内径を最小化し加工できる。ビアホール（Ｈ）の内径を最小化することにより、結局、キャップシーリングライン１２４の間の間隔を減らしたり、あるいは様々なパターン設計が可能になり、よって高い設計自由度を提供することができる。
【００４７】
さらに、図２における図面符号１４０は、キャップパッド１２２上に備えられたソルダボールである。ソルダボール１４０は、完成されたＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージをＰＣＢ基板などにマウントするために備えられたものである。
【００４８】
前記構成を有するＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージの製造方法について説明する。
【００４９】
図３Ａないし図３Ｈは、図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【００５０】
まず、図３Ａに図示されたように、キャップウェハ１２１の底面にはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ；  Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）２１０をパターニングした後、そのドライフィルムレジスト２１０を介して開口されたキャップウェハ１２１の下面に所定深さでエッチング加工を行い、第１ビア部（Ｈ１）を形成する。ここで第１ビア部（Ｈ１）は、サンドブラスト工程を通じて形成されることができる。これにより、第１ビア部（Ｈ１）が深くなるほど狭くなる形状で加工される。
【００５１】
次に、図３Ｂに図示されたように、キャップウェハ１２１の上面にドライフィルムレジスト２２０をパターニングしてから、そのドライフィルムレジスト２２０を通じて開口されたキャップウェハ１２１の上面をエッチング加工し、第２ビア部（Ｈ２）を形成する。第２ビア部（Ｈ２）もサンドブラスト工程を介して形成され得る。第２ビア部（Ｈ２）は、第１ビア部（Ｈ１）と連通される深さで形成される。このように、キャップウェハ１２１の下面と上面それぞれを、２回のエッチング工程を通じて所定の深さで加工しビアホール（Ｈ）を形成することにより、ビアホール（Ｈ）の内径が必要以上に大きくなることを抑えて、小さいサイズのビアホール（Ｈ）の加工が実施される。また、第２ビア部（Ｈ２）は、第１ビア部（Ｈ１）に比べて浅い深さで形成される。このために、先に加工する第１ビア部（Ｈ１）の深さを十分深く形成することが好ましい。もちろん、第２ビア部（Ｈ２）の深さも深くなるほど狭くなる形状を有する。
【００５２】
次に、図３Ｃに図示されたように、キャップウェハ１２１の露出した表面にシード層２３０を所定の厚さで形成する。シード層２３０は、金属物質を蒸着して形成することができる。シード層２３０は、キャップウェハ１２１の上面と下面とを含んでビアホール（Ｈ）の内面全てを覆うよう形成されている。シード層２３０をなしている金属物質はクロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）を主成分とした金属であることが好ましい。
【００５３】
次に、図３Ｄに図示されたように、シード層２３０上に金属物質を電気メッキし、第１ビア部（Ｈ２）を充填させることによって、図２で説明した導電部材１２５が形成される。すなわち、キャップウェハ２１の上面においてビアホール（Ｈ）を電気メッキすれば、第２ビア部（Ｈ２）と第１ビア部（Ｈ１）の境界で狭くなっているので、金属物質が第２ビア部（Ｈ２）にだけ充填され、第１ビア部（Ｈ１）ではそのまま通過し、充填されない。よって、第１ビア部（Ｈ１）には先に蒸着されたシード層２３０のみ残される。このように、前記ビアホール（Ｈ）を第１及び第２ビア部（Ｈ１、Ｈ２）に区分して形成することで、ビアホール（Ｈ）を部分的にメッキし充填することができる。後述するが、金属物質で充填されない第１ビア部（Ｈ１）のシード層２３０を部分的にパターニングする工程などを含むことで、他の後工程が容易になる利点がある。ここで、導電部材１２５は、先に蒸着されたシード層２３０を第１金属層とし、後に電気メッキされた部分を第２金属層とに区分づける。
【００５４】
前記のような電気メッキによる導電部材１２５の形成の後には、図３Ｅに図示されたように、キャップウェハ１２１の上面と下面それぞれを研摩し平坦化させる。この平坦化工程では、例えばグラインディング及びポリッシング工程により、キャップウェハ１２１の上面と下面とに形成されたシード層２３０を取り除く。
【００５５】
次に、図３Ｆに図示されたように、キャップウェハ１２１の上面にキャップパッド１２２を形成する。このキャップパッド１２２は、キャップウェハ１２１の上面に金属物質を塗布してからマスクパターニングを行なって形成される。キャップパッド１２２は、ビアホール（Ｈ）の上部、すなわち導電部材１２５を覆うように形成される。
【００５６】
次に、図３Ｇに図示されたように、キャップウェハ１２１の下面に連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４を形成する。連結パッド１２３は、導電部材１２５に電気的に接続されるようビアホール（Ｈ）とキャップウェハ１２１の下面の境界から形成される。そしてキャップシーリングライン１２４は、ビアホール（Ｈ）とキャップウェハ１２１の境界から形成されるが、導電部材１２５の除去された露出面（Ｓ１）に接し、導電部材１２５とは電気的に隔絶されて形成される。このような連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４は、同一の金属物質で同時に形成されることができ、同一の高さで形成され得る。
【００５７】
なお、前記開口した露出面（Ｓ１）は、キャップウェハ１２１の下面に金属物質の形成後、フォトレジストを利用して金属物質のパターニングを行い、連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４を形成する際に、導電部材１２５の一部を一緒にパターニングして取り除くことにより備えらえる。
【００５８】
勿論、連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４とをリフトオフ（ｌｉｆｔ  ｏｆｆ）方式に基づいて形成させることもできる。
【００５９】
前述した方法に基づいて連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４をビアホール（Ｈ）周辺に形成させることができる。したがって、図面において左右側に配置された連結パッド１２３間の間隔を減らし得る。すなわち、ビアホール（Ｈ）の下部に連結パッドを形成する場合、その分だけ連結パッド間の距離を広く離隔させて、キャップウェハ１２１のサイズを広く取ることができる。また、キャップシーリングライン１２４の場合においてもビアホール（Ｈ）に隣接して形成されることができるので、キャップウェハ１２１のサイズを減らすことができる設計自由度を提供することができる。ここで、連結パッド１２３とキャップシーリングライン１２４は金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）が使用される。
【００６０】
次のステップとして、図３Ｈに図示されたように、キャップパッド１２２の上部にソルダボール１４０を形成する。ソルダボール１４０は、キャップウェハ１２１をＳＡＷデバイス１１０とパッケージングした後に形成することもできる。
【００６１】
前述の方法によりパッケージングキャップ１２０の製造が完了すれば、別の工程を通じて製造されたＳＡＷデバイス１１０と接合してパッケージングを行なうことにより、ＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージが完成される。
【００６２】
前記ＳＡＷデバイス１１０の製造工程は、デバイスウェハ１１１上にＳＡＷ素子１１２、デバイスパッド１１３、及びデバイスシーリングライン１１４をパターニングし形成することで簡単に製造できる。
【００６３】
したがって、完了したパッケージングキャップ１２０をＳＡＷデバイス１１０の上部に接合するが、連結パッド１２３はデバイスパッド１１３と接合させ、キャップシーリングライン１２４はデバイスシーリングライン１１４と接合させる。これにより、ＳＡＷ素子１１２を収容した空洞部１３０が外部から密閉されることで、ＳＡＷ素子１１２は、デバイスパッド１１３、連結パッド１２３、導電部材１２５、及びキャップパッド１２２を通じて外部の電子機器と接続させることができる。
【００６４】
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが、本発明の保護範囲は前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１Ａ】従来における弾性表面波デバイスパッケージを概略的に示す斜視図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを示す断面図である。
【図３Ａ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｂ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｃ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｄ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｅ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｆ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｇ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図３Ｈ】図２に図示された弾性表面波デバイスウェハレベルパッケージを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００    ＳＡＷデバイスウェハレベルパッケージ、
１１０    ＳＡＷデバイス、
１１１    ウェハ、
１１２    ＳＡＷ素子、
１１３    デバイスパッド、
１１４    デバイスシーリングライン、
１２０    パッケージングキャップ、
１２１    キャップウェハ、
１２２    キャップパッド、
１２３    連結パッド、
１２４    キャップシーリングライン、
１２５    導電部材、
１３０    空洞部、
Ｈ    ビア部、
Ｈ１    第１ビア部、
Ｈ２    第２ビア部。
【図１Ａ】
2007208968.tif 000003
【図１Ｂ】
2007208968.tif 000004
【図２】
2007208968.tif 000005
【図３Ａ】
2007208968.tif 000006
【図３Ｂ】
2007208968.tif 000007
【図３Ｃ】
2007208968.tif 000008
【図３Ｄ】
2007208968.tif 000009
【図３Ｅ】
2007208968.tif 000010
【図３Ｆ】
2007208968.tif 000011
【図３Ｇ】
2007208968.tif 000012
【図３Ｈ】
2007208968.tif 000013