(57)【要約】【課題】  高電圧・高電流の領域において、破壊される事態が低減されたＩＧＢＴを提供すること。【解決手段】  ＩＧＢＴ１０は、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間に、半導体領域２５を備えている。半導体領域２５の不純物濃度は、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも濃く形成されている。さらに、半導体領域２５の不純物濃度は、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間で変化している。半導体領域２５の不純物濃度が最大となる位置は、ドリフト領域２８側に形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であり、
コレクタ電極と、
そのコレクタ電極に接しており、第１導電型の不純物を含むコレクタ領域と、
そのコレクタ領域に接しており、第２導電型の不純物を高濃度に含む半導体領域と、
その半導体領域に接しており、半導体領域によってコレクタ領域から隔てられており、第２導電型の不純物を低濃度に含むドリフト領域と、
そのドリフト領域に接しており、ドリフト領域によって半導体領域から隔てられており、第１導電型の不純物を含むボディ領域と、
ボディ領域に接しており、ボディ領域によってドリフト領域から隔てられており、第２導電型の不純物を高濃度に含むエミッタ領域と、
ドリフト領域とエミッタ領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、
エミッタ領域とボディ領域に接しているエミッタ電極を備えており、
前記半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域とドリフト領域の間で変化しており、不純物濃度が最大となる位置がドリフト領域側に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体領域は、第１半導体領域と第２半導体領域を備えており、
第１半導体領域は、コレクタ領域側に形成されており、第２半導体領域によってドリフト領域から隔てられており、
第２半導体領域は、ドリフト領域側に形成されており、第１半導体領域によってコレクタ領域から隔てられており、
第２半導体領域の不純物濃度は、第１半導体領域の不純物濃度よりも濃いことを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体領域の不純物濃度が最大となる位置が、コレクタ領域から１μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１又は２の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラ動作する半導体装置に関する。本発明は特に、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）に関する。
【背景技術】
【０００２】
車載用モータをインバータ制御する際に用いられるスイッチング素子には、高い耐圧特性と低いオン電圧が要求される。このような要求に応え得る半導体装置としてＩＧＢＴの開発が進められている。
図６に、縦型のＩＧＢＴ１００の要部断面図を模式的に示す。ＩＧＢＴ１００は、ｐ＋型のコレクタ領域１２２と、ｎ＋型のフィールドストップ領域１２６と、ｎ−型のドリフト領域１２８と、ｐ型のボディ領域１３２と、ｎ＋型のエミッタ領域１３６と、ｐ＋型のボディコンタクト領域１３４を備えている。エミッタ領域１３６とドリフト領域１２８を隔てているボディ領域１３２に、ゲート絶縁膜１４２を介してトレンチゲート電極１４４が対向している。トレンチゲート電極１４４は、ゲート電極Ｇに接続されている。コレクタ領域１２２は、コレクタ電極Ｃに接続されている。エミッタ領域１３６及びボディコンタクト領域１３４は、エミッタ電極Ｅに接続されている。
フィールドストップ領域１２６は、ＩＧＢＴ１００がオフしているときに、ドリフト領域１２８とボディ領域１３２のｐｎ接合からドリフト領域１２８内に広がる空乏層の伸張を停止させ、空乏層がコレクタ領域１２２に達するのを防止する。フィールドストップ領域１２６を設けることによって、ドリフト領域１２８の厚みを薄く調整することが可能になる。このため、ＩＧＢＴ１００は、低いオン電圧を実現することができる。フィールドストップ領域１２６が設けられているＩＧＢＴは、ノンパンチスルー型と称される。
【０００３】
この種のＩＧＢＴの耐圧特性を改善する技術として、特許文献１の技術が知られている。図７に、特許文献１で提案されているＩＧＢＴ１１０を示す。ＩＧＢＴ１１０は、コレクタ領域１２２とフィールドストップ領域１２６の間に、ｎ＋＋型のリークストップ領域１２４を備えている。リークストップ領域１２４の不純物濃度は、フィールドストップ領域１２６よりも濃く形成されている。リークストップ領域１２４は、コレクタ領域１２２からの正孔の注入を制限し、コレクタ領域１２２からリーク電流が漏出するのを抑制する。
図８に、ＩＧＢＴ１１０のコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係を示す。一般的なＩＧＢＴでは、高電圧・低電流の領域１７２において、ブレークダウンに達するよりも先にリーク電流が漏出する現象（ソフトブレークダウン：図８中の１７３参照）が発生する。このため、一般的なＩＧＢＴの耐圧は、ソフトブレークダウンによって低下してしまうことが多い。これに対して、特許文献１のＩＧＢＴ１１０では、リークストップ領域１２４が設けられていることによって、コレクタ領域１２２からリーク電流が漏出するのを抑制することができる（図中１７４参照）。このため、ＩＧＢＴ１１０は、高電圧・低電流の領域１７２において、耐圧が低下するのを抑制することができる。
【特許文献１】特開２００４−７９８７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間には、例えばＩＧＢＴに接続する他の回路素子がショートしたときに、大電圧・大電流が加わることがある。このような事態に対策を講じたＩＧＢＴの開発が望まれている。
特許文献１のＩＧＢＴ１１０は、リークストップ領域１２４の不純物濃度がフィールドストップ領域１２６の不純物濃度よりも濃く形成されている。このため、ＩＧＢＴ１１０のリークストップ領域１２４は、電界を保持することができない。ＩＧＢＴ１１０の電界強度は、フィールドストップ領域１２６において急激に低下する。このため、ＩＧＢＴ１１０では、高電圧・高電流が加わる状態において、フィールドストップ領域１２６とドリフト領域１２８の接合界面の電界強度が極めて高くなってしまう。このため、フィールドストップ領域１２６とドリフト領域１２８の接合界面において、インパクトイオン化に基づくアバランシェ電流が発生し、ひいては破壊に至ってしまうこともある。図８に示すように、ＩＧＢＴ１１０は、高電圧・高電流の領域１７５において、急激な電圧降下が見られ、耐圧特性が悪化している。
本発明は、高電圧・高電流の領域における耐圧特性を改善し、ＩＧＢＴの破壊が低減される構造を提案することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置は、コレクタ領域とドリフト領域の間に、伸張してくる空乏層を実質的に停止させる機能と、電界を保持する機能を併せ持つ半導体領域を備えていることを特徴としている。その半導体領域の不純物濃度は、ドリフト領域の不純物濃度よりも濃く形成されている。さらに、その半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域とドリフト領域の間で変化している。その半導体領域の不純物濃度が最大となる位置は、ドリフト領域側に形成されている。したがって、半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域側において薄く調整されている。
この半導体領域は、不純物濃度が最大となる位置がドリフト領域側に形成されているので、伸張してくる空乏層をドリフト領域側の半導体領域で実質的に停止させることができる。さらに、半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域側において薄く調整されている。このため、高電圧・高電流が加わるような場合は、空乏層の一部がコレクタ領域側の半導体領域にまで伸張し、コレクタ領域側の半導体領域において電界を保持することができる。コレクタ領域側の半導体領域でも電界を負担することができるので、高電圧・高電流が加わるような場合でも、半導体領域とドリフト領域の接合界面の電界強度を低く抑えることができる。
本発明の半導体装置によると、高電圧・高電流の領域における耐圧特性が改善される。本発明の半導体装置は、高電圧・高電流の領域において、破壊される事態が低減される。
【０００６】
ここで、本明細書で用いられる用語に関して説明する。
「半導体領域の不純物濃度が最大となる位置が、ドリフト領域側に形成されている」とは、半導体領域の不純物濃度が最大となる位置からコレクタ領域までの最短距離と、半導体領域の不純物濃度が最大となる位置からドリフト領域までの最短距離を比較したときに、ドリフト領域までの最短距離の方が短くなる位置に形成されていることをいう。
本明細書では、各半導体領域の不純物濃度を「高濃度」又は「低濃度」と記載することがある。この用語は、両者の相対的な濃度関係を表しているものである。
【０００７】
本発明の半導体装置は、コレクタ電極と、そのコレクタ電極に接するコレクタ領域と、そのコレクタ領域に接する半導体領域と、その半導体領域に接するとともに半導体領域によってコレクタ領域から隔てられているドリフト領域と、そのドリフト領域に接するとともにドリフト領域によって前記半導体領域から隔てられているボディ領域と、そのボディ領域に接するとともにボディ領域によってドリフト領域から隔てられているエミッタ領域と、ドリフト領域とエミッタ領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、エミッタ領域とボディ領域に接しているエミッタ電極を備えている。コレクタ領域は、第１導電型の不純物を含んでいる。前記半導体領域は、第２導電型の不純物を高濃度に含んでいる。ドリフト領域は、第２導電型の不純物を低濃度に含んでいる。ボディ領域は、第１導電型の不純物を含んでいる。エミッタ領域は、第２導電型の不純物を高濃度に含んでいる。本発明の半導体装置は、前記半導体領域の不純物濃度が、コレクタ領域とドリフト領域の間で変化しており、不純物濃度の最大となる位置がドリフト領域側に形成されていることを特徴としている。
上記の半導体装置は、ドリフト領域の不純物濃度が低濃度であり、そのドリフト領域に続く半導体領域の不純物濃度が高濃度である。その半導体領域の不純物濃度の最大となる位置が、ドリフト領域側に形成されている。したがって、半導体領域は、ドリフト領域から伸張してくる空乏層をドリフト領域側の半導体領域で実質的に停止させることができる。また、半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域側において薄く調整されている。このため、高電圧・高電流が加わるような場合は、空乏層の一部がコレクタ領域側の半導体領域にまで伸張し、コレクタ領域側の半導体領域において電界を保持することができる。コレクタ領域側の半導体領域でも電界を負担することができるので、高電圧・高電流が加わるような場合でも、半導体領域とドリフト領域の接合界面の電界強度を低く抑えることができる。
本発明の半導体装置によると、高電圧・高電流の領域における耐圧特性が改善される。本発明の半導体装置は、高電圧・高電流の領域において、破壊される事態が低減される。
【０００８】
本発明の半導体領域は、第１半導体領域と第２半導体領域を備えていることが好ましい。第１半導体領域は、コレクタ領域側に形成されており、第２半導体領域によってドリフト領域から隔てられている。第２半導体領域は、ドリフト領域側に形成されており、第１半導体領域によってコレクタ領域から隔てられている。第２半導体領域の不純物濃度は、第１半導体領域の不純物濃度よりも濃いことを特徴としている。
上記形態の半導体領域は、第１半導体領域と第２半導体領域を利用して、コレクタ領域とドリフト領域の間で不純物濃度が変化する状態を形成することができる。さらに、第２半導体領域の不純物濃度を第１半導体領域の不純物濃度よりも濃くすることによって、半導体領域の不純物濃度の最大となる位置が、ドリフト領域側に形成されている状態を形成することができる。
【０００９】
半導体領域の不純物濃度が最大となる位置が、コレクタ領域から１μｍ以上離れていることが好ましい。
これにより、高電圧・高電流が加わったときに、半導体領域で電界を保持する部分が十分に確保され、高電圧・高電流の領域において、半導体装置が破壊される事態を顕著に低減することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置によると、高電圧・高電流の領域における耐圧特性が改善され、半導体装置が破壊される事態が低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の主要な特徴を列記する。
（第１形態）第１半導体領域は、半導体装置の裏面からイオン注入して形成される。そのドーズ量は、２×１０13ｃｍ-2以下に調整されている。第２半導体領域も、半導体装置の裏面からイオン注入して形成される。そのドーズ量は、２×１０14ｃｍ-2以下に調整されている。
（第２形態）第１半導体領域の厚みは、第２半導体領域の厚みよりも大きい。
【実施例】
【００１２】
以下に、図面を参照して、実施例を説明する。実施例では、半導体材料にシリコンを用いた例を説明する。半導体材料は、シリコン以外の半導体材料を用いてもよい。
図１に、縦型のＩＧＢＴ１０の要部断面図を模式的に示す。ＩＧＢＴ１０は、ｐ＋型のコレクタ領域２２と、半導体領域２５と、ｎ−型のドリフト領域２８と、ｐ型のボディ領域３２と、ｎ＋型のエミッタ領域３６と、ｐ＋型のボディコンタクト領域３４を備えている。
【００１３】
コレクタ領域２２は、コレクタ電極Ｃに接続されている。コレクタ領域２２の厚みは、概ね0.1〜10μｍの範囲が望ましく、より好ましくは0.5〜1μｍの範囲である。コレクタ領域２２は、ボロンを含んでおり、その不純物濃度は、概ね1×1017〜1×1020ｃｍ-3の範囲が望ましく、より好ましくは1×1018〜5×1018ｃｍ-3の範囲である。なお、コレクタ領域２２は、コレクタ領域２２の一部が離間して形成され、半導体領域の一部がコレクタ電極Ｃに短絡する構造にしてもよい。即ち、コレクタ領域２２には、一般的にコレクタショート型と称される構造を採用してもよい。半導体領域２５は、コレクタ領域２２上に接して形成されている。ドリフト領域２８は、半導体領域２５上に接して形成されており、半導体領域２５によってコレクタ領域２２から隔てられている。ドリフト領域の厚みは、概ね10〜300μｍの範囲が望ましく、より好ましくは100〜200μｍの範囲である。ドリフト領域２８は、リンを含んでおり、その不純物濃度は、概ね1×1013〜1×1015ｃｍ-3の範囲が望ましく、より好ましくは5×1013〜2×1014ｃｍ-3の範囲である。ボディ領域３２は、ドリフト領域２８上に接して形成されており、ドリフト領域２８によって半導体領域２５から隔てられている。ボディ領域３２の厚みは、概ね1〜5μｍの範囲である。ボディ領域３２は、ボロンを含んでおり、その表面の不純物濃度は、概ね1×1016〜1×1018ｃｍ-3の範囲が望ましく、より好ましくは1×1017〜5×1017ｃｍ-3の範囲である。エミッタ領域３６は、ボディ領域３２の表面部に選択的に形成されており、ボディ領域３２によってドリフト領域２８から隔てられている。エミッタ領域３６は、リン又はヒ素を含んでおり、その表面の不純物濃度は、概ね1×1018〜1×1020ｃｍ-3の範囲である。ボディコンタクト領域３４も、ボディ領域３２の表面部に選択的に形成されている。ボディコンタクト領域３４は、ボロンを含んでおり、その不純物濃度は、概ね1×1018〜1×1020ｃｍ-3の範囲である。エミッタ領域３６及びボディコンタクト領域３４は、エミッタ電極Ｅに接続されている。
【００１４】
ＩＧＢＴ１０は、エミッタ領域３６とドリフト領域２８を隔てているボディ領域３２に、ゲート絶縁膜４２を介して対向しているトレンチゲート電極４４を備えている。ゲート絶縁膜４２は、酸化シリコンで形成されている。トレンチゲート電極４４は、ポリシリコンで形成されている。トレンチゲート電極４４は、ゲート電極Ｇに接続されている。
【００１５】
半導体領域２５は、第１半導体領域２４と第２半導体領域２６を備えている。第１半導体領域２４は、コレクタ領域２２側に形成されており、第２半導体領域２６によってドリフト領域２８から隔てられている。第２半導体領域２６は、ドリフト領域２８側に形成されており、第１半導体領域２４によってコレクタ領域２２から隔てられている。第１半導体領域２４の厚みは、第２半導体領域２６の厚いよりも大きい。第１半導体領域２４の厚みは、概ね2〜50μｍの範囲が望ましく、より好ましくは2〜7μｍの範囲である。第２半導体領域２６の厚みは、概ね0.5〜10μｍの範囲が望ましく、より好ましくは0.5〜3μｍの範囲である。
第１半導体領域２４及び第２半導体領域２６は、ＩＧＢＴ１０の裏面側からリン又は窒素等をイオン注入することによって形成することができる。第１半導体領域２４は、裏面からの注入深さが1〜25μｍの範囲に調整され、そのドーズ量は２×１０13ｃｍ-2以下に調整されている。また、ドーズ量の下限値は、第１半導体領域２４の不純物濃度がドリフト領域２８の不純物濃度よりも大きくなるように調整されている。第２半導体領域２６は、裏面から注入深さが第１半導体領域２４の注入深さよりも僅かに深い位置に調整され、そのドーズ量は２×１０14ｃｍ-2以下に調整されている。また、ドーズ量の下限値は、第２半導体領域２６の不純物濃度がドリフト領域２８の不純物濃度並びに第１半導体領域２４の不純物濃度よりも大きくなるように調整されている。
【００１６】
図２に、ＩＧＢＴ１０の不純物濃度の分布を示す。図２は、縦軸がＩＧＢＴ１０の表面からの深さであり、横軸が不純物濃度である。図中の符号は、ＩＧＢＴ１０の各半導体領域の符号に一致している。
図２に示すように、半導体領域２５の不純物濃度は、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも濃く形成されている。なお、半導体領域２５のうちの第１半導体領域２４は、コレクタ領域２２との接合面において大きく不純物濃度が低下している部分を備えている。しかしながら、半導体領域２５の全体としては、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも概ね濃く形成されていると評価することができる。さらに、第２半導体領域２６の不純物濃度は、第１半導体領域２４の不純物濃度よりも濃く形成されている。即ち、半導体領域２５の不純物濃度は、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間で変化している。半導体領域２５の不純物濃度の最大となる位置が、ドリフト領域２８側に形成されている。第２半導体領域２６は、ドリフト領域２８から伸張してくる空乏層を実質的に停止させることができる。実質的に停止させるとは、空乏層がコレクタ領域２２に達するのを防止することをいう。
【００１７】
図３（ａ）に、ＩＧＢＴ１０の電界強度の分布を示す。図３（ｂ）に、図７に示した従来のＩＧＢＴ１１０の電界強度の分布を示す。図３は、縦軸がＩＧＢＴ１０又はＩＧＢＴ１１０の表面からの深さであり、横軸が電界強度である。図中の符号は、ＩＧＢＴ１０又はＩＧＢＴ１１０の各半導体領域の符号に一致している。
図３（ａ）の実線は、ＩＧＢＴ１０の通常の電界強度の分布を示す。図３（ａ）の破線は、高電圧・高電流が印加されたときのＩＧＢＴ１０の電界強度の分布を示す。図３（ｂ）の実線は、従来ＩＧＢＴ１１０の通常の電界強度の分布を示す。図３（ｂ）の破線は、高電圧・高電流が印加されたときの従来のＩＧＢＴ１１０の電界強度の分布を示す。
【００１８】
図３（ｂ）に示すように、従来のＩＧＢＴ１１０では、リークストップ領域１２４の不純物濃度がフィールドストップ領域１２６の不純物濃度よりも濃く形成されている。このため、ＩＧＢＴ１１０のリークストップ領域１２４では、電界を保持することができない。ＩＧＢＴ１１０の電界強度は、フィールドストップ領域１２６において急激に低下する。このため、図３（ｂ）の破線に示すように、ＩＧＢＴ１１０では、高電圧・高電流が加わると、フィールドストップ領域１２６とドリフト領域１２８の接合界面の電界強度が極めて高くなってしまう。このため、ＩＧＢＴ１１０では、高電圧・高電流が加わると、フィールドストップ領域１２６とドリフト領域１２８の接合界面において、インパクトイオン化に基づくアバランシェ電流が発生してしまう。ＩＧＢＴ１１０は、高電圧・高電流の領域において、十分な電界を保持することができず、ひいては破壊に至ってしまう。
【００１９】
一方、本実施例のＩＧＢＴ１０の半導体領域２５は、不純物濃度が薄く調整されている第１半導体領域２４をコレクタ領域２２側に備えている。このため、ＩＧＢＴ１０では、高電圧・高電流が加わるような異常事態の場合は、空乏層の一部が第１半導体領域２４に伸張する。換言すると、第２半導体領域２６の不純物濃度は、通常の電圧が加わる状況で空乏層の伸張を実質的に停止させ、高電圧・高電流が加わるような異常事態の状況で空乏層を第１半導体領域２４にまで伸張させ得るように調整されている。これにより、ＩＧＢＴ１０では、高電圧・高電流が加わるような異常事態の場合は、第１半導体領域２４においても電界を保持することができる。第１半導体領域２４で電界を負担することができるので、高電圧・高電流が加わった場合でも、半導体領域２５とドリフト領域２８の接合界面の電界強度を低く抑えることができる。このため、ＩＧＢＴ１０では、半導体領域２５とドリフト領域２８の接合界面において、インパクトイオン化に基づくアバランシェ電流の発生が抑制される。ＩＧＢＴ１０は、高電圧・高電流の領域において、十分な電界を保持することができる。
【００２０】
図４の実線１０に、ＩＧＢＴ１０のコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係を示す。また、図４の破線１１０に、図７に示す従来のＩＧＢＴ１１０のコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係も示す。
図４に示すように、ＩＧＴＢ１０では、高電圧・高電流の領域において、電圧降下が抑えられていることが分かる。ＩＧＢＴ１０は、高電圧・高電流の領域における耐圧特性が改善される。ＩＧＢＴ１０は、高電圧・高電流の領域において、破壊されるという事態が低減される。
【００２１】
また、ＩＧＢＴ１０の半導体領域２５は、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも概ね濃く形成されている。このため、コレクタ領域２２からの正孔の注入を制限する効果も備えている。したがって、ＩＧＢＴ１０の半導体領域２５は、ソフトブレークダウンに対しても効果を奏し得る。
【００２２】
図５に、ＩＧＢＴ１０の変形例の不純物濃度の分布を示す。この変形例では、半導体領域２５が一つの領域で形成されている。しかしながら、この変形例においても、半導体領域２５の不純物濃度が、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも濃いという関係が得られている。さらに、半導体領域２５の不純物濃度が、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間で変化しているという関係が得られている。さらに、半導体領域２５の不純物濃度の最大となる位置が、ドリフト領域２８側に形成されているという関係も得られている。この半導体領域２５は、ＩＧＢＴ１０の裏面から深い位置にリン又は窒素等をイオン注入することによって形成することができる。
【００２３】
半導体領域２５は、不純物濃度の最大となる位置が、ドリフト領域２８側に形成されているので、伸張してくる空乏層を停止させることができる。さらに、半導体領域２５の不純物濃度は、コレクタ領域２２側において薄く調整されているので、高電圧・高電流が加わるような異常事態の場合は、この部分において電界を保持することができる。このため、前記部分で電界を保持することができるので、高電圧・高電流が加わった場合でも、半導体領域２５とドリフト領域２８の接合界面の電界強度を低く抑えることができる。この変形例のＩＧＢＴも、高電圧・高電流の領域における耐圧特性が改善される。この変形例のＩＧＢＴも、破壊される事態が低減される。
【００２４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、半導体領域２５は、奥行き方向に部分的に形成されていたとしても、本発明の効果を奏し得る。また、半導体領域２５の不純物濃度は、奥行き方向に変化していたとしても、本発明の効果を奏し得る。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施例のＩＧＢＴの要部断面図を模式的に示す。
【図２】実施例のＩＧＢＴの不純物濃度の分布を示す。
【図３】（ａ）実施例のＩＧＢＴの電界強度の分布を示す。（ｂ）従来のＩＧＢＴの電界強度の分布を示す。
【図４】実施例のＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係を示す。
【図５】変形例のＩＧＢＴの不純物濃度の分布を示す。
【図６】従来のパンチスルー型のＩＧＢＴの要部断面図を模式的に示す。
【図７】従来のＩＧＢＴの要部断面図を模式的に示す。
【図８】従来のＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の関係を示す。
【符号の説明】
【００２６】
２２：コレクタ領域
２４：第１半導体領域
２５：半導体領域
２６：第２半導体領域
２８：ドリフト領域
３２：ボディ領域
３４：ボディコンタクト領域
３６：エミッタ領域
４２：ゲート絶縁膜
４４：トレンチゲート電極
【図１】
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【図２】
2007184478.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007184478.tif 000007
【図６】
2007184478.tif 000008
【図７】
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【図８】
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