(57)【要約】      （修正有）【課題】リソグラフィ工程において連続して基板を処理する際に、露光処理を遅滞させることなく、適した露光量で露光することができる露光方法を提供する。【解決手段】レジストを塗布するレジスト塗布ユニットを複数有する装置により塗布される基板上のレジストを露光する露光方法において、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが前記基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータに基づいて、前記基板上の露光量パターンを選択する選択ステップＳ１０４と、前記選択ステップにおいて選択された前記露光量パターンで前記基板上のレジストを露光するステップＳ１０５とを備えることを特徴とする露光方法。【選択図】図４
2007184537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレジスト塗布ユニットのいずれかにより塗布された基板上のレジストを露光する露光方法において、
前記複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが前記基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータに基づいて、前記基板上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択する選択ステップと、
前記選択ステップにおいて選択される前記露光量パターンで前記基板上のレジストを露光するステップと
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記基板上に塗布されるレジストを露光する露光装置が前記複数のレジスト塗布ユニットを有する装置から前記塗布ユニットデータを受信するステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記複数のレジスト塗布ユニットのいずれかが前記基板上にレジストを塗布した後に前記塗布ユニットデータを受信し、前記塗布ユニットデータは複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが前記基板上にレジストを塗布したのかを表すことを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
複数のレジスト塗布ユニットのいずれかにより塗布され、複数のレジスト現像ユニットのいずれかにより現像される基板上のレジストを露光する露光方法において、
前記複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが前記基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータと、前記複数のレジスト現像ユニットの内どのレジスト現像ユニットが前記基板上のレジストを現像するのかを表す現像ユニットデータとに基づいて、前記基板上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択する選択ステップと、
前記選択ステップにおいて選択される前記露光量パターンで前記基板上のレジストを露光するステップと
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項５】
前記複数のレジスト塗布ユニット及び前記複数のレジスト現像ユニットを有するレジスト塗布現像装置と前記基板上に塗布されるレジストを露光する露光装置とが前記塗布ユニットデータ及び前記現像ユニットデータを通信するステップを備えることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記複数のレジスト塗布ユニットを有するレジスト塗布装置と前記基板上に塗布されるレジストを露光する露光装置とが前記塗布ユニットデータを通信し、前記複数のレジスト現像ユニットを有するレジスト現像装置と前記露光装置とが前記現像ユニットデータを通信するステップを備えることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項７】
複数のレジスト塗布ユニットのいずれかにより塗布された基板上のレジストを露光する露光装置において、
前記複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが前記基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータに基づいて、前記基板上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択するコンピュータを有し、
前記コンピュータにより選択される露光量パターンで前記基板上のレジストを露光することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
前記コンピュータは前記複数のレジスト塗布ユニットを有する装置から前記塗布ユニットデータを受信することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
複数の基板上にレジストを塗布する装置において、
前記複数の基板にレジストを塗布する複数のレジスト塗布ユニットと
前記複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが、前記複数の基板の内ある１つの基板にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータを、前記複数の基板のそれぞれに塗布されるレジストを露光する露光装置に送信するコンピュータと
を有することを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の露光方法を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、複数の基板上にレジストを塗布する装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ工程では、基板であるウェハの上にレジストを塗布する（塗布処理）プロセス、塗布されたレジストを露光して潜像を形成する（露光処理）プロセスとレジストに形成された潜像を現像する（現像処理）プロセスを経る。この工程では、レジストの塗布及び現像を行うコータ・デベロッパと呼ばれる装置と、露光装置が用いられる。例えば、まず、コータ・デベロッパによりウェハ上にレジストが塗布される。その後、ウェハが露光装置に受け渡され、露光装置が原版であるマスクを照明し、塗布されたレジストにマスクのパターンの像を投影して潜像を形成する。そして再度、コータ・デベロッパにウェハを移動させ、レジストに形成された潜像を現像する。
【０００３】
一般に、ウェハ上にレジストを塗布する際、レジストの膜厚にばらつきが生じることが知られている。レジストの膜厚のばらつきは、ウェハ上に形成されるパターンの線幅に影響を及ぼす。したがって、パターンの形成を精度良く行うために、その影響を小さくする必要がある。
【０００４】
そこで、レジストの膜厚に応じて露光量を設定することが開示されている（特許文献１参照）。特許文献１には、レジストの膜厚のばらつきを得る方法として、全てのウェハについてレジストの膜厚を計測する方法や、レジスト塗布装置に特有なレジストの膜厚のばらつきを予め記憶しておく方法が開示されている。
【０００５】
また、露光装置内においてレジストの膜厚を計測し、予め用意されたレジストの膜厚と最適な露光量との関係を示すデータベースに基づいて、露光量を補正する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１４４００９号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、単位時間あたりのウェハの処理枚数であるスループットを向上させるために、レジストの塗布から現像までのプロセスにおける処理時間を短縮することが要求されている。
【０００７】
しかし、特許文献２に開示された発明では、全てのウェハについてレジストの膜厚を計測しているので、露光を開始する前に計測時間の分だけ余分な時間がかかり、露光処理が遅れることによりスループットが低下する。よって、特許文献１に開示されているように、レジスト塗布装置に特有なレジストの膜厚のばらつきを予め用意して、露光量を補正することが有効である。
【０００８】
ここで、レジストを塗布するユニットであるレジスト塗布ユニットを複数有するレジスト塗布装置を考える。この場合、複数のレジスト塗布ユニットと１つの露光装置とが組み合わされて使用される。そのため、ウェハ上にレジストを塗布したレジスト塗布ユニットが異なれば、露光装置に搬入されて露光される各ウェハによってレジストの膜厚のばらつきが異なる。したがって、特許文献１に開示された発明のように、ある特定のレジスト塗布ユニットに関するレジストの膜厚のばらつきだけを予め用意しておいても、適切な露光量で露光するために露光処理が遅滞する。なぜならば、複数のレジスト塗布ユニットと１つの露光装置との連係がないからである。
【０００９】
そこで、本発明は、連続的にウェハを処理している際に、露光処理を遅滞させることなく、露光量を補正することができる露光方法、露光装置及び複数の基板上にレジストを塗布する装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１側面に係る露光方法は、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータに基づいて、基板上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択する選択ステップと、前記選択ステップにおいて選択される前記露光量パターンで前記基板上のレジストを露光するステップとを備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の第２の側面に係る露光装置は、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが基板上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータに基づいて、基板上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択するコンピュータを有し、コンピュータにより選択される露光量パターンで基板上のレジストを露光することを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明の第３の側面に係る、複数の基板上にレジストを塗布する装置は、複数の基板にレジストを塗布する複数のレジスト塗布ユニットと、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが、複数の基板の内ある１つの基板にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータを、複数の基板のそれぞれに塗布されるレジストを露光する露光装置に送信するコンピュータとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、連続的にウェハを処理している際に、露光処理を遅滞させることなく、露光量を補正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１を用いて本実施例の全体構成を説明する。露光装置１とコータ・デベロッパ３はウェハ搬送部５を介して接続されている。露光装置１は、光源からの光を用いて照明光学系４３により原版であるマスク４２を照明し、投影光学系４４を介して基板であるウェハ４１の上に塗布されたレジストにマスク４２のパターンの像を投影露光する。そして、そのレジストに潜像を形成する。レジスト塗布現像装置であるコータ・デベロッパ３は、ウェハ上（基板上）にレジストを塗布するユニットであるレジスト塗布ユニットと、レジストに形成された潜像を現像するユニットであるレジスト現像ユニットを有する。ここで、ユニットとは所望の機能を果たす機構の単位を示す。
【００１６】
本実施例では、コータ・デベロッパ３は複数のレジスト塗布ユニット１０、１１と複数のレジスト現像ユニット１２、１３を収納し、それぞれのユニットは複数の基板を連続的に処理することができる。レジスト塗布ユニットによる塗布処理では、露光装置の露光処理に比べ費やす時間が長いため、１つの露光装置に対して複数のレジスト塗布ユニットを用いることにより露光処理を停滞させることなく、スループットを向上させることができる。また、複数のレジスト塗布ユニットの内何れかのユニットが故障により停止したときでも、故障していないユニットを用いてレジストの塗布から現像までの処理を続行することができる。
【００１７】
露光装置１は装置内部にコンピュータ２を備え、コータ・デベロッパ３は装置内部にコンピュータ４を備える。コンピュータ２及びコンピュータ４に用いられるコンピュータの構成を図２に示す。図２に示すように、コンピュータは制御部３１，記憶部３２、ブリッジ３３、ビデオメモリ３４、ネットワークインターフェイス３５、入力インターフェイス３６を有し、それぞれがバスを介してブリッジ３３と接続されている。さらに、ビデオメモリ３４はディスプレイ３７と、入力インターフェイス３６は入力装置３８と接続されている。ネットワークインターフェイス３５は外部の装置や同じ露光装置内の装置（照明光学系２３、投影光学系２４や不図示のレチクルステージ、マスクステージ等）と接続されている。具体的な構成として例えば、制御部３１としてＣＰＵ、やＤＳＰ、マイクロコンピュータ、ＦＰＧＡ等、記憶部３２としてＲＡＭ等のメモリ、入力装置３８としてマウスやキーボードを用いることができる。ネットワークインターフェイス３５を介して外部の装置から得られた情報は、ブリッジ３３を介して記憶部に記憶される。そして、記憶された情報を基に制御部３１においてプログラムの実行、データの演算を行い、適宜ビデオメモリ３４を介して演算結果をディスプレイ３７に表示する。入力装置３８から得られた情報に関しても同様である。
【００１８】
コンピュータ２のネットワークインターフェイス３５は、図１に示す通信回線６を介してコンピュータ４のネットワークインターフェイス３５と接続され、後述するようにウェハ情報、塗布ユニットデータや現像ユニットデータを通信する。通信回線６としては、ＲＳ−２３２Ｃなどのシリアルケ−ブルやパラレルケーブルなどのデータを転送することができるケーブルを使用すればよい。コンピュータ２では、これらの情報及びデータをブリッジを介して記憶部に記憶し、制御部においてプログラムの実行、データの演算を行う。
【００１９】
以上では、コンピュータ２及びコンピュータ４の各ネットワークインターフェイスが直接データの通信を行う場合を説明したが、図３に示すように、ホストコンピュータ８を介してデータの通信を行っても良い。図３のようにホストコンピュータ８が接続されているネットワーク７等に、ネットワークケーブル９を用いて露光装置１とコータ・デベロッパ３とを接続する。この場合、露光装置１とコータ・デベロッパ３とは直接にデータの通信を行わず、ホストコンピュータ８を介してデータの通信を行うことになる。ホストコンピュータ８は、露光装置１が設置される工場内に設置されてもよく、その工場外に設置されていてもよい。なお、ネットワークケーブル９を用いずに、無線ＬＡＮ等を用いて無線通信により露光装置１とコータ・デベロッパ３とホストコンピュータを介してデータを通信してもよい。また、無線通信により露光装置１とコータ・デベロッパ３とが直接にデータの通信を行ってもよい。
【００２０】
次に図４を参照して、上述の装置を用いたリソグラフィ工程を説明する。ウェハは不図示の自動搬送装置を介してコータ・デベロッパ３に搬送されているとする。そして、複数あるレジスト塗布ユニット１０，１１から１つを選択して、搬送されたウェハにレジストを塗布する塗布処理が行われる（Ｓ１０１）。その後、レジストが塗布されたウェハに対して加熱処理が行われる（Ｓ１０２）。そして、加熱処理されたウェハは露光装置１に搬送される。露光装置１はレジストが塗布されたウェハを受け取り、後述するように、塗布ユニットデータ又は現像ユニットデータを通信する（Ｓ１０３）。そして、それらのユニットデータに基づいて、ウェハ上の複数のショットのそれぞれに対する露光量を示す露光量パターンを選択する（Ｓ１０４）。次に、選択される露光量パターンでウェハ上のレジストを露光する露光処理が行われる（Ｓ１０５）。露光処理では、マスクのパターンの像を塗布されたレジストに投影露光し、潜像を形成する。次に、露光処理が行われたウェハは、コータ・デベロッパに搬送され、再び加熱処理される（Ｓ１０６）。そして、複数あるレジスト現像ユニット１２，１３から１つが選択され、現像液を塗布してレジストに形成された潜像を現像する現像処理が行われる（Ｓ１０７）。その後、エッチングやイオン注入などが行われて、ウェハ上に回路パターンが形成される。
【００２１】
上述のように、塗布処理の際に、レジスト塗布ユニットに特有なレジストの膜厚のばらつきが生じる。例えば、レジスト液や現像液を回転塗布方式により処理する場合、回転軸であるスピンナ及びパッドの違いにより半径方向に塗布むらが生じる。このため、ウェハの形状、オリエンテーションフラット、ノッチも影響して、ウェハの中心部と周辺部のレジスト膜厚が異なる。
【００２２】
本実施例では、複数のウェハをレジスト塗布ユニット１０及びレジスト塗布ユニット１１で塗布処理をすることになる。そのため、レジスト塗布ユニット１０により処理されたレジストの膜厚のばらつきとレジスト塗布ユニット１１により処理されたレジストの膜厚のばらつきとは異なる。
【００２３】
そのため、露光装置１において、ウェハ４１上に塗布されたレジストの膜厚のばらつきに応じて、つまり、ウェハ４１にレジストを塗布したレジスト塗布ユニットに応じて、露光量を調整することが必要である。
【００２４】
露光量を調整するにあたって、露光処理の遅滞を防止するため、それぞれのレジスト塗布ユニットに適した露光量パターンを予め設定しておく。まず、レジスト塗布ユニット１０を用いて、ウェハにレジストを塗布する。その際、レジスト塗布ユニット１０に特有のレジストの膜厚のばらつきが生じる。そのため、レジストの膜厚に応じて適した露光量を設定する。露光量の設定においては、ショット領域ごとに露光量を設定してもよく、ウェハの平坦面における位置の関数として任意の位置において露光量を設定しても良い。
【００２５】
ショット領域ごとに露光量を設定する場合、図５に示すように、露光装置１のディスプレイに表示されたウェハ４１の各ショット領域（図５の四角で区切られた各領域）に対して、キーボード等の入力装置により露光量を数値で入力して露光量を設定する。図５に示すように、露光量の大きさは色の濃淡によって表示され、色が濃いほど露光量が大きいことを示し、露光量を識別しやすくなっている。これらのショット領域の全てについて露光量を設定し、設定された露光量を露光量パターンとして記憶部３２に記憶しておく。そして、その露光量パターンと、レジスト塗布ユニット１０とを関連づけておく。レジスト塗布ユニット１１についても同様に露光量の設定を行い、露光量パターンを記憶しておく。
【００２６】
ウェハ４１の平坦面における位置の関数として露光量を設定する場合、例えば、図６に示すように、ウェハ４１の平坦面における直交座標系のｘ、ｙの変数を用いて、露光量を負のガウス分布で表すことができる。この際、ガウス分布の平均値、標準偏差や相関関数を、レジストの膜厚のばらつきに応じて適切に設定する。また、ある１点からの距離に応じた変数、例えば中心からの距離を用いても露光量分布を表すことができる。これらのように表された露光量分布を露光量パターンとして記憶することもできる。
【００２７】
なお、露光装置１及びレジスト塗布ユニット１０，１１を長期間使用すると、レジストの膜厚のばらつきが変化したり、実際の露光量が設定した露光量からずれたりしてしまうことがある。したがって、リソグラフィ工程における一連の処理中に、レジストの膜厚の計測や、ウェハ上の照度分布を計測し、計測結果に基づいて露光量の補正値を計算し、予め設定した露光量パターンを適時変更する方法も考えられる。
【００２８】
このように、各レジスト塗布ユニットを用いてウェハにレジストを塗布し、そのユニットに適した露光量パターンを決めておく。そして、それぞれのレジスト塗布ユニットに関連付けて、露光量パターンを記憶部３２に記憶しておく。
【００２９】
次に、露光量パターンの選択とデータの通信について説明する。図７は、本実施例における露光量パターンの選択チャートを示している。図４のＳ１０５において、露光装置１は選択された露光量パターンでウェハ上のレジストを露光する。そこで、露光処理をする前に、露光装置１は、これから露光処理が行われるウェハ４１を識別するウェハ情報を得る。ウェハ情報はウェハに刻印されたＩＤ（識別情報）でも良いし、露光装置１とコータ・デベロッパ３との間で取り決められたＩＤでも良い。また露光装置がウェハを受け取った際に、装置内部でのみ取り扱われるＩＤを作成しても良い。
【００３０】
露光装置１はウェハ情報を得ると共に、コータ・デベロッパ３から送信された、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットがウェハ上にレジストを塗布するのかを表す塗布ユニットデータ２０（Ｃ１〜Ｃ４）も得る。つまり、ウェハ情報が示すウェハ４１にレジストを塗布したユニットに対応するデータ（Ｃ１〜Ｃ４のうち何れか１つ）をコータ・デベロッパ３から露光装置１がネットワークインターフェイス３５を介して受信する。ここではレジスト塗布ユニットが４つあるとした。塗布ユニットデータ２０は、４つのレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットが、処理の対象となる１つの基板にレジストを塗布するのかを表す。そして、露光装置１が受け取った塗布ユニットデータ２０は記憶部３２に記憶され、制御部３１により同じく記憶部３２に記憶された露光量パターン２１（Ｐ１〜Ｐ４）から、塗布ユニットデータ２０に対応する露光量パターン２１が１つ選択される。そして、露光装置１は選択された露光量パターン２１でウェハ４１上のレジストを露光する。例えば、露光装置１が受け取った塗布ユニットデータ２０がＣ２であった場合は、露光量パターン２１からＣ２に対応する露光量パターンＰ２を選択して、露光処理する際の露光量の目標値として用いる。
【００３１】
塗布ユニットデータ２０の通信タイミングとしては、ウェハの搬送時でも良いし、予めスケジューリングされているのであれば塗布処理の前でも良く、対象とするウェハを露光するまでの任意のタイミングでの通信が可能である。塗布処理の後に通信する場合は、塗布ユニットデータ２０は、複数のレジスト塗布ユニットの内どのレジスト塗布ユニットがウェハ上にレジストを塗布したのかを表す。
【００３２】
なお、予めレジスト塗布ユニットを使用する順番がスケジューリングされているのであれば、塗布ユニットデータの通信は行わなくてもよい。例えば、その順番に整理され、記憶部３２に記憶された塗布ユニットデータに基づいて、露光量パターンをその順番に応じて予めスケジューリングしてもよい。
【００３３】
また露光処理後に、コータ・デベロッパ３に対してウェハ情報と共に塗布ユニットデータ２０を受け渡す場合もある。この場合はコータ・デベロッパ３では、レジスト塗布ユニットでの処理を鑑みてレジスト現像ユニット１２、１３から最適なレジスト現像ユニットを選択することが可能となる。
【００３４】
本実施例では、レジスト塗布ユニット及びレジスト現像ユニットをそれぞれ複数有するコータ・デベロッパ３と、露光装置１とが塗布ユニットデータを通信する場合について説明した。ただし、レジスト塗布ユニットとレジスト現像ユニットが互いに別々の装置内に収納されている場合でも良い。その場合、露光装置とレジスト塗布ユニットを収納するレジスト塗布装置とがウェハ情報や塗布ユニットデータの通信を行うことになる。また、露光装置とレジスト現像ユニットを有するレジスト現像装置との間でもデータの通信を行うことができるようにする。なお、レジスト塗布装置は、レジスト塗布ユニットを有するが、レジスト現像ユニットを有さない装置という意味で使用される。また、レジスト現像装置は、レジスト現像ユニットを有するが、レジスト塗布ユニットを有さない装置という意味で使用される。
【００３５】
また、本実施例ではリソグラフィ工程を１回だけ行う場合を説明したが、リソグラフィ工程を複数回行ってウェハ上に回路パターンを形成する複数回露光でも良い。
【００３６】
本実施例では、塗布ユニットデータに基づいて、露光処理を遅滞させることなく適切な露光量パターンを選択することができる。また、適切な露光量で露光処理を行うため、ウェハ上に目標とするパターンを精度良く形成することができる。
【実施例２】
【００３７】
次に、図８を用いて第２の実施例について説明する。第１の実施例とは、露光量パターンの選択の方法が異なるだけで、その他は同じである。
【００３８】
図８は、本実施例における露光量パターンの選択チャートを示している。本実施例における露光量パターンの選択方法では、レジスト塗布ユニットに対応した露光量パターンについて、平均的な露光量パターン２２（Ｍ）を設定する。さらに、各レジスト塗布ユニットに対応する露光量パターンと平均的な露光量パターン２２との差分２３（ｐ１〜ｐ４）を登録する。
【００３９】
この方法では、塗布ユニットデータ２０が得られない場合は平均的な露光量パターン２２（Ｍ）を用い、塗布ユニットデータ２０が得られる場合は平均的な露光量パターン２２に差分情報２３を加算したものを用いる。
【００４０】
本実施例では、平均的な露光量パターン及び差分情報を用いるため、露光処理を遅滞させることなく、適切な露光量を選択することができる。また、適切な露光量で露光処理を行うためウェハ上に目標とする回路パターンを精度良く形成することができる。
【実施例３】
【００４１】
次に、図９を用いて第３の実施例について説明する。レジスト現像ユニットは、レジスト塗布ユニットと同様に、各ユニットに特有な誤差を有する。したがって、ウェハ上に形成されるパタ−ンは、現像処理を行うレジスト現像ユニットによっても影響を受ける。そこで、本実施例では、露光量を補正するにあたり、次の工程で現像処理するレジスト現像ユニットを考慮する。そして、レジスト塗布ユニット、レジスト現像ユニットの両方と、露光装置１とが連係して処理を行う。
【００４２】
各装置の配置及び通信方法を含めて、コータ・デベロッパ３の塗布ユニットデータを受け取るまでは第１の実施例と同様である。
【００４３】
図９は、本実施例における露光量パターンの選択チャートを示している。露光装置１はウェハ情報を得て、コータ・デベロッパ３からウェハ情報の示すウェアにレジストを塗布した塗布ユニットデータ２０（Ｃ１〜Ｃ４）を受け取る。その後、複数のレジスト現像ユニットの内どのレジスト現像ユニットが前記基板上のレジストを現像するのかを表す現像ユニットデータ２４（Ｄ１〜Ｄ４）から、次の工程で現像処理するユニットのデータ（Ｄ１〜Ｄ４の何れか１つ）を選択する。ここでは、レジスト現像ユニットが４つあるとした。そして、塗布ユニットデータと現像ユニットデータの組み合わせに該当する露光量パターン２１（Ｐ１〜Ｐ１６のうち何れか１つ）を選択する。
【００４４】
例えば、露光装置１が受け取ったウェハにレジストを塗布した塗布ユニットデータがＣ３であった場合に、その後、そのウェハの現像処理を行う現像ユニットデータをＤ２と仮定する。そして、Ｃ３とＤ２の組み合わせに対応するＰ１０の露光量パターンを選択して、その露光量パターンを、露光処理する際の露光量の目標値として用いる。
【００４５】
このとき各ユニットのデータの取り扱い、通信タイミング及び露光量補正パターンの設定例に関しては実施例１と同様である。
【００４６】
本実施例では、レジスト塗布ユニットデータ、及び、次の工程で用いられる予定のレジスト現像ユニットのデータを露光装置が得る。その際、レジスト塗布ユニット及びレジスト現像ユニットを１つの装置にそれぞれ複数有する場合でも、複数のレジスト塗布ユニットと複数のレジスト現像ユニットとが互いに別々の装置内に収められている場合でも適用することができる。
【００４７】
本実施例によれば、露光処理を遅滞させることなく、現像処理を考慮して適切な露光量を選択することができ、ウェハ上に目標とする回路パターンをより高い精度で形成することができる。
【実施例４】
【００４８】
次に、図１０及び図１１を参照して、実施例１〜３における露光方法を用いたデバイス製造方法の実施例を説明する。
【００４９】
図１０は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【００５０】
ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５１】
図１１は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３ではウェハに電極を形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、上述の実施例のようにレジスト塗布ユニットを用いてウェハにレジストを塗布する。ステップ１６（露光）では、上述の実施例で説明したように、レジストを塗布したレジスト塗布ユニットに応じて選択された露光量パターンでマスクのパターンの像をウェハ上のレジストに露光し、潜像を形成する。ステップ１７（現像）では、レジストに形成した潜像を現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１における露光装置とコータ・デベロッパの全体構成図。
【図２】装置に収納されるコンピュータの構成図。
【図３】ネットワークの構成図。
【図４】リソグラフィ工程の処理フロー図。
【図５】各ショット領域の露光量パターンの設定例を示す図。
【図６】ガウス分布による露光量パターンの設定例を示す図。
【図７】実施例１における露光量パターンの選択チャート。
【図８】実施例２における露光量パターンの選択チャート。
【図９】実施例３における露光量パターンの選択チャート。
【図１０】半導体デバイスの製造プロセスを示す図。
【図１１】ウェハプロセスの詳細を示す図。
【符号の説明】
【００５３】
１  露光装置
２  コンピュータ
３  コータ・デベロッパ
４  コンピュータ
１０、１１  レジスト塗布ユニット
１２、１３  レジスト現像ユニット
２０  塗布ユニットデータ
２１  露光量パターン
２４  現像ユニットデータ
４１  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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