(57)【要約】【課題】  腐食媒体がＡｌで構成されたボンディング用のパッドに浸入することを防止でき、ボンディング箇所での電気的な接続構造の耐久性能が劣化することを防止できる圧力センサを提供する。【解決手段】  Ａｕ膜２６とＳｉＮなどで構成される第１保護膜２４との間からの腐食媒体の透過をし難くできるスパッタ法や蒸着法によってＡｕ膜２６を形成しつつ、ウェハ全面に形成されるＡｕ膜２６を第２保護膜２５の表面に形成することで、第２保護膜２５の一部と共にＡｕ膜２６のうちの不要部分を除去する。このため、電極間における絶縁のために、Ａｕ膜２６を除去したとしても、Ａｕ膜２６をパターニングするものではないため、Ａｕ専用のフォトリソグラフィの工程ラインを追加する必要がない。したがって、製造設備を増加しなくても、ボンディング箇所での電気的な接続構造の耐久性能が劣化することを防止できる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ素子（２０）が形成された半導体基板（２１）と、
前記半導体基板（２１）の表面に形成され、前記センサ素子（２０）の所望場所に繋がるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（２２）と、
前記絶縁膜（２２）の上の所定領域に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記センサ素子（２０）と電気的に接続される第１金属膜（２３）と、
前記第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域を露出させるコンタクトホール（２４ａ）が形成され、前記第１金属膜（２３）および前記絶縁膜（２２）の上に形成された第１保護膜（２４）と、
前記第１保護膜（２４）の上に形成され、前記第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域を露出させる開口部を有した第２保護膜（２５）と、
前記第２保護膜（２５）における前記開口部の側壁面と前記第１金属膜（２３）における前記パッドとなる領域の表面にスパッタ法もしくは蒸着法によって形成された第２金属膜（２６）と、
前記第２金属膜（２６）と電気的に接続されたボンディングワイヤ（１３）とを有し、
前記半導体基板（２１）に形成された前記センサ素子（２０）により、圧力導入孔（３１）から導入された圧力測定対象の圧力に応じた検出信号を発生させるように構成された圧力センサ。
【請求項２】
前記第２保護膜（２６）は、有機樹脂材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記第１金属膜はＡｌ膜（２３）であり、
前記第２金属膜はＡｕ膜（２６）を含む膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記第２金属膜は最上層がＡｕ膜（２６）となっている金属膜の積層膜であることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記第２保護膜（２５）における前記開口部において、前記第１保護膜（２４）が部分的に露出しており、
前記第２保護膜（２５）の上面は、前記第２金属膜（２６）のうち前記第１保護膜（２４）の上に形成された部分の表面よりも上に位置していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項６】
センサ素子（２０）が形成された半導体基板（２１）を用意する工程と、
前記半導体基板（２１）の表面に、前記センサ素子（２０）の所望場所に繋がるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（２２）を形成する工程と、
前記絶縁膜（２２）の上の所定領域に、前記コンタクトホールを通じて前記センサ素子（２０）と電気的に接続される第１金属膜（２３）を形成する工程と、
前記第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域が露出するように、前記第１金属膜（２３）および前記絶縁膜（２２）の上に第１保護膜（２４）を形成する工程と、
前記第１保護膜（２４）の上に、前記第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域を露出させる開口部を有した第２保護膜（２５）を形成する工程と、
前記第２保護膜（２５）の表面と前記第１金属膜（２３）における前記パッドとなる領域の表面とに、スパッタ法または蒸着法にて、第２金属膜（２６）を形成する工程と、
機械加工により、前記第２保護膜（２５）および前記第２金属膜（２６）を前記第２保護膜（２５）の厚みの途中まで除去し、前記第２保護膜（２５）における前記開口部の側壁面と前記第１金属膜（２３）における前記パッドとなる領域の表面に前記第２金属膜（２６）を残す工程と、を有していることを特徴とする圧力センサの製造方法。
【請求項７】
前記第２保護膜（２５）を形成する工程では、前記第２保護膜（２５）を有機樹脂材料で形成することを特徴とする請求項６に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項８】
前記第２保護膜（２５）を形成する工程では、前記第２保護膜（２５）を１５μｍ以上の膜厚とすることを特徴とする請求項６または７に記載の圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体で構成されたセンシング部を構成するセンサ素子およびこのセンサ素子に備えられたパッドと電気的な接続が行われるボンディング部分の腐食を防止できる構造の圧力センサおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体で構成されたセンサ素子およびこのセンサ素子に備えられたパッドと電気的な接続が行われるボンディング部分をメタルダイヤフラムで覆い、このメタルダイヤフラム内にオイルを充填した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような構造の圧力センサでは、圧力センサに備えられた圧力導入孔を通じて圧力媒体となる流体が導入されると、その流体の圧力がメタルダイアフラムおよびオイルを介して、センサ素子に印加されることになる。このため、センサ素子に備えられたダイヤフラムが歪み、ダイヤフラム内に形成されたゲージ抵抗が圧縮応力もしくは引張応力によって変形し、これにより、センサ素子から流体の圧力に応じた検出信号が出力されるようになっている。
【０００４】
このような構成の圧力センサの場合、メタルダイヤフラムが必要とされることから部品点数の増加になっており、また、メタルダイヤフラムによるオイルの密封構造が必要となることから、圧力センサの構造の複雑化を招くという問題がある。
【０００５】
これに対し、メタルダイヤフラムを無くす構造とすることも考えられるが、そのような構造とした場合、半導体で構成されたセンサ素子が腐食性の液体に曝されるような状況、例えばディーゼル車の排気清浄フィルタであるＤＰＦの差圧計測やエンジンルーム内の雰囲気中での圧力測定を行うようなものに圧力センサが適用された場合、ボンディング用のパッドの材質がＡｌであるために腐食が発生するという問題が発生する。
【０００６】
このため、本出願人らは、先に、ボンディング箇所をゲル保護層で覆うと共に、Ａｌで構成されたボンディング用のパッドの表面を無電解メッキによるＮｉとＡｕの積層膜によて皮膜することで、腐食媒体と被腐食対象となるＡｌとの接触確率を下げ、パッド腐食の耐性向上を図ることができる構造を提案している。（特願２００４−５６２９２３参照）。
【特許文献１】特開平７−２４３９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記のような構造を採用したとしても、Ａｕ膜とパッドの周囲に形成されるＳｉＮによって構成される絶縁膜との間の密着性が良好でないため、Ａｕ膜と絶縁膜との界面からゲル保護層を透過した腐食媒体がＡｌで構成されたボンディング用のパッドに浸入し、ＡＬ侵食が発生するということが確認された。
【０００８】
この状況を確実に無くすために、本発明者らは、ＳｉＮで構成された絶縁膜の上にスパッタ法や蒸着法でＡｕ膜を形成することにより、Ａｕ膜とＳｉＮで構成された絶縁膜の間を腐食媒体が透過し難くなるようにし、Ａｌ侵食を回避するという構造を見出した。
【０００９】
しかしながら、一般的に、スパッタ法や蒸着法ではウェハ全面にＡｕ膜が形成されることになるため、電極間の絶縁のために、スパッタ法もしくは蒸着法でＡｕ膜を形成した後でＡｕ膜をパターニングしなければならない。このとき、ＡｕがＳｉを汚染するため、Ａｕ専用のフォトリソグラフィの工程ラインが必要となり、製造設備の増加を余儀なくされる。そして、これに伴う製品製造コストの増加も招いてしまう。
【００１０】
本発明は上記点に鑑みて、Ａｕ膜をフォトリソグラフィによってパターニングしなくても、腐食媒体がＡｌで構成されたボンディング用のパッドに浸入することを防止でき、ボンディング箇所での電気的な接続構造の耐久性能が劣化することを防止できる圧力センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１保護膜（２４）の上に、第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域を露出させる開口部を有した第２保護膜（２５）を形成すると共に、第２保護膜（２５）における開口部の側壁面と第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域の表面にスパッタ法もしくは蒸着法によって形成された第２金属膜（２６）を形成することを特徴としている。
【００１２】
このように、第１保護膜（２４）の上に第２保護膜（２５）を形成し、第２保護膜（２５）における開口部の側壁面と第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域の表面にスパッタ法もしくは蒸着法によって第２金属膜（２６）を形成する。例えば、請求項６に示したように、第２保護膜（２５）の表面全面に第２金属膜（２６）を形成したのち、第２保護膜（２５）と共に第２金属膜（２６）の一部を機械的に除去する。このようにすれば、腐食媒体がＡｌで構成されたボンディング用のパッドに浸入することを防止でき、ボンディング箇所での電気的な接続構造の耐久性能が劣化することを防止できる圧力センサを製造するに際し、第２金属膜（２６）を形成するために専用のフォトリソグラフィの工程ラインを増加する必要がなくなる。
【００１３】
例えば、第２保護膜（２６）の材質としては、請求項２に示されるように、有機樹脂材料が挙げられる。
【００１４】
また、請求項３に示されるように、第１金属膜としてはＡｌ膜（２３）、第２金属膜としてはＡｕ膜（２６）を含む膜を用いることができる。さらに、請求項４に示されるように、第２金属膜として最上層がＡｕ膜（２６）となっている金属膜の積層膜を用いることもできる。
【００１５】
請求項６ないし８に記載の発明では、第１保護膜（２４）の上に、第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域を露出させる開口部を有した第２保護膜（２５）を形成する工程と、第２保護膜（２５）の表面と第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域の表面とに、スパッタ法または蒸着法にて、第２金属膜（２６）を形成する工程と、機械加工により、第２保護膜（２５）および第２金属膜（２６）を第２保護膜（２５）の厚みの途中まで除去し、第２保護膜（２５）における開口部の側壁面と第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域の表面に第２金属膜（２６）を残す工程と、を有していることを特徴としている。
【００１６】
このように、機械加工によって第２保護膜（２５）および第２金属膜（２６）を第２保護膜（２５）の厚みの途中まで除去することで、第２保護膜（２５）における開口部の側壁面と第１金属膜（２３）におけるパッドとなる領域の表面に第２金属膜（２６）を残すことができる。
【００１７】
例えば、請求項７に示すように、第２保護膜（２５）として有機樹脂材料を用いることができる。
【００１８】
また、請求項８に示されるように、第２保護膜（２５）を１５μｍ以上の膜厚とすれば、機械加工のバラツキを見込んで、正確に第２保護膜（２５）の厚みの途中まで除去することが可能となる。
【００１９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態が適用された圧力センサについて説明する。図１に、本実施形態における圧力センサＳ１の断面図を示し、この図に基づいて説明する。なお、この圧力センサＳ１は、例えば、ディーゼル車の排気清浄フィルタであるＤＰＦの差圧計測等に適用される。
【００２１】
図１に示されるように、第１のケースとしてのコネクタケース１０は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより作られ、本実施形態では略円柱状をなしている。この樹脂ケースとしてのコネクタケース１０の一端部（図１中、下方側の端部）には、凹部１１が形成されている。
【００２２】
この凹部１１の底面には、圧力検出用のセンサ素子２０が配設されている。
【００２３】
センサ素子２０は、その表面に受圧面としてのダイアフラムを有し、このダイアフラムの表面に形成されたゲージ抵抗により、ダイアフラムが受けた圧力を電気信号に変換し、この電気信号をセンサ信号として出力する半導体ダイアフラム式のものである。
【００２４】
そして、センサ素子２０は、ガラス等よりなる台座２０ａに陽極接合等により一体化されており、この台座２０ａを凹部１１の底面に接着することで、センサ素子２０はコネクタケース１０に搭載されている。
【００２５】
また、コネクタケース１０には、センサ素子２０と外部の回路等とを電気的に接続するための複数個の金属製棒状のターミナル１２が貫通している。
【００２６】
本実施形態では、ターミナル１２は黄銅（真鍮）にメッキ処理（例えばＮｉメッキ）を施した材料よりなり、インサートモールドによりコネクタケース１０と一体に成形されることによってコネクタケース１０内にて保持されている。
【００２７】
各ターミナル１２の一端側（図１中、下方端側）の端部は、センサ素子２０の搭載領域の周囲において凹部１１の底面から突出して配置されている。一方、各ターミナル１２の他端側（図１中、上方端側）の端部は、コネクタケース１０の他端側の開口部１６内に露出している。
【００２８】
この凹部１１内に突出する各ターミナル１２の一端部とセンサ素子２０とは、金やアルミニウム等のボンディングワイヤ１３により結線され電気的に接続されている。なお、ここで説明したセンサ素子２０とボンディングワイヤ１３との電気的な接続構造が本発明の特徴となる部分であり、この接続構造の詳細については後で説明を行うことにする。
【００２９】
また、凹部１１内にはシリコン系樹脂等からなるシール剤１４が設けられており、このシール剤１４によって、凹部１１に突出するターミナル１２の根元部とコネクタケース１０との隙間が封止されている。
【００３０】
そして、ハウジング１０の一面１０ａ側において、センサ素子２０やボンディングワイヤ１３およびターミナル１２の根元部等を覆うようにゲル保護層１５が備えられている。
【００３１】
一方、図１において、コネクタケース１０の他端部（図１中、上方側の端部）側は開口部１６となっており、この開口部１６は、ターミナル１２の他端側を例えばワイヤハーネス等の外部配線部材（図示せず）を介して上記外部回路（車両のＥＣＵ等）に電気的に接続するためのコネクタ部となっている。
【００３２】
つまり、開口部１６内に露出する各ターミナル１２の他端側は、このコネクタ部によって外部と電気的に接続が可能となっている。こうして、センサ素子２０と外部との間の信号の伝達は、ボンディングワイヤ１３およびターミナル１２を介して行われるようになっている。
【００３３】
また、図１に示されるように、コネクタケース１０の一端部には、第２のケースとしてのハウジング３０が組み付けられている。具体的には、ハウジング３０には収容凹部３０ａが形成されており、この収容凹部３０ａ内にコネクタケース１０の一端側が挿入されることで、コネクタケース１０にハウジング３０が組みつけられた構成となっている。
【００３４】
これにより、第１のケースとしてのコネクタケース１０と第２のケースとしてのハウジング３０とが一体に組み付けられてなるケーシング１００が構成されており、このケーシング１００内にセンサ素子２０が設けられた形となっている。
【００３５】
このハウジング３０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料よりなるものであり、測定対象物からの測定圧力が導入される圧力導入孔３１と、圧力センサＳ１を測定対象物に固定するためのネジ部３２とを有する。上述したように、測定対象物としては、例えばディーゼル車の排気清浄フィルタであるＤＰＦであり、測定圧力は、そのＤＰＦの差圧などである。
【００３６】
さらに、ハウジング３０における収容凹部３０ａには、コネクタケース１０の先端面１０ａと対向する一面３０ｂが備えられている。この一面３０ｂにコネクタケース１０が接触することで、コネクタケース１０の位置決めが為されるようになっている。
【００３７】
また、コネクタケース１０の先端面１０ａには、圧力導入孔３１の外縁を囲むように、環状の溝（Ｏリング溝）１７が形成され、この溝１７内には、Ｏリング１８が配設されており、コネクタケース１０の先端面１０ａとハウジング３０の一面３０ｂとの界面から導入された測定対象物となる流体が洩れないようにされている。
【００３８】
そして、図１に示されるように、ハウジング３０のうち収容凹部３０ａ側の端部がコネクタケース１０の一端部にかしめられることで、かしめ部３６が形成され、それによって、ハウジング３０とコネクタケース１０とが固定され一体化されている。
【００３９】
こうしてコネクタケース１０とハウジング３０とが組み合わされることで構成された圧力センサＳ１では、圧力導入孔３１を通じて測定対象物となる流体が導入されると、その流体の圧力は、ゲル保護層１５を介して、センサ素子２０、ボンディングワイヤ１３、ターミナル１２に印加されることになる。
【００４０】
次に、上記のように構成された圧力センサＳ１におけるセンサ素子２０とボンディングワイヤ１３との電気的な接続構造について説明する。図２は、センサ素子２０とボンディングワイヤ１３との電気的な接続部分の断面構造を示した図である。
【００４１】
図２に示されるように、センサ素子２０が作り込まれた半導体チップ２１の表面にはＳＯ2等で構成された絶縁膜２２が形成されている。この絶縁膜２２の表面にはＡｌ膜２３が形成されている。このＡｌ膜２３は、本発明における第１金属膜に相当するもので、絶縁膜２２に形成された図示しないコンタクトホールを通じてセンサ素子２０の所望部位と電気的に接続された構造となっている。
【００４２】
Ａｌ膜２３の表面および絶縁膜２２の表面には、ＳｉＮ（もしくは、窒化珪素膜や酸化珪素膜に窒化珪素膜を積層した膜）等からなる第１保護膜２４が形成されている。この第１保護膜２４には、コンタクトホール２４ａが形成されており、このコンタクトホール２４ａを通じてＡｌ膜２３のうちパッドとなる部分が露出させられている。
【００４３】
また、第１保護膜２４の表面のうち、コンタクトホール２４ａが形成されていない領域において、第２保護膜２５が形成されている。この第２保護膜２５は、後述するバイト５０（図３（ｃ）参照）によって形崩れすることなく削ることができる材質、つまり脆性材料ではない材質で、かつ、Ａｕとの密着性が高い材質の材料、例えばポリイミド等の有機樹脂材料で構成されている。例えば、図２において、第２保護膜２５の膜厚は、１０μｍ程度とされている。
【００４４】
なお、ここでは第２保護膜２５の膜厚を１０μｍとしているが、必ずしもこの値でなければならない訳ではない。例えば、第２保護膜２５の膜厚を１μｍ〜１００μｍの範囲で変更可能である。ここで、下限値を１μｍとしたのは、切削加工、研削加工などの装置側で位置決め精度が０．５μｍ程度であるためであり、上限値を１００μｍとしたのはパターニングする樹脂にフィルムレジストを用いた場合の上限がこの値となるためである。また、第２保護膜２５の膜厚を３μｍ〜３０μｍとすると好ましい。機械加工装置側の精度が０．５μｍ、Ｓｉ基板の厚さばらつきが１μｍ、残すスパッタ膜が１μｍ程度であり、これらが加算されても加工できるよう余裕を０．５μｍみると、第２保護膜２５の膜厚を３μｍ以上とするのが好ましい。一方、設備が容易なスピンコートの方式で膜厚ばらつきの小さい厚い樹脂膜を得たい場合、塗布しやすく、膜厚ばらつきを小さくしたいという、より低粘度側への要求と厚い樹脂膜を得たいという、より高粘度側への要求を共に満足しようとすると、第２保護膜２５の膜厚を３０μｍ以下にするのが好ましい。さらに、加工マージンを考慮すれば、第２保護膜２５の膜厚を７μｍ以上かつ１５μｍ以下とすると最適である。
【００４５】
さらに、第２保護膜２５の開口部の側壁面と第２保護膜２５の開口部から露出した第１保護膜２４およびＡｌ膜２３の表面には、耐腐食性を有したＡｕ膜２６が形成されている。このＡｕ膜２６は、本発明における第２金属膜に相当するものである。
【００４６】
そして、このＡｕ膜２６の表面にボンディングワイヤ１３が接合され、Ａｕ膜２６やＡｌ膜２３を介して、ボンディングワイヤ１３が半導体チップ２１に形成されたセンサ素子２０と電気的に接合された構造となっている。
【００４７】
続いて、本実施形態における圧力センサＳ１の製造方法について説明する。ただし、圧力センサＳ１の基本的な製造方法に関しては従来と同様であるため、ここでは、本発明の特徴部分となるセンサ素子２０とボンディングワイヤ１３との電気的な接続部分における製造方法に関して説明することとする。
【００４８】
図３は、図２に示したセンサ素子２０とボンディングワイヤ１３との電気的な接続部分の製造工程を示したものである。
【００４９】
まず、図３（ａ）に示す工程では、従来から周知となっている手法によって半導体チップ２１に対してゲージ抵抗などのセンサ素子２０を作り込み、その後、電気化学エッチング等の手法によりダイヤフラムを形成する。そして、絶縁膜２２を形成したのち、第１金属膜となるＡｌ膜２３をデポジション等によって形成し、さらにパターニングして所望位置に残す。
【００５０】
続いて、Ａｌ膜２３および絶縁膜２２の表面にＳｉＮ等で構成された第１保護膜２４を成膜したのち、フォトエッチング等を行うことで、第１保護膜２４のうちＡｌ膜２３のパッドとなる領域の上部に形成された部分を除去し、コンタクトホール２４ａを形成する。これにより、Ａｌ膜２３のパッドとなる領域が露出した状態となる。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、例えばポリイミドによって第２保護膜２５を例えば１５μｍ程度で形成したのち、フォトエッチング等を行うことで、第１保護膜２４のうちコンタクトホール２４ａが形成されていない領域において、第２保護膜２５を残す。そして、スパッタ法により、Ａｕ膜２６を成膜する。このとき、Ａｕ膜２６はウェハ全面に形成されることになる。
【００５２】
また、図３（ｃ）に示す工程では、ウェハ面内において、切削用のダイヤモンド製のバイト５０を走査することで、バイト５０によってＡｕ膜２６および第２保護膜２５の上部を削り取る。このとき、例えば、第２保護膜２５の表面から数μｍ程度のみがバイト５０によって除去できるように、バイト５０を走査する。換言すれば、第２保護膜２５の厚みの途中までバイト５０で削り取り、Ａｕ膜２６のうち第１保護膜２４の表面に形成された表面よりも上の位置まで第２保護膜２５を残すようにしている。
【００５３】
なお、バイト５０による表面切削は、一般的に金属加工技術において使用されているものであるが、その切削深さには幾らかバラツキが生じることになる。このバラツキを考慮し、バラツキが発生しても切削表面がＡｕ膜２６のうち第１保護膜２４の表面に形成されたものの表面から第２保護膜２５の切削前の表面までの間に位置するように、第２保護膜２５の厚みを設定している。
【００５４】
このようにして、図３（ｄ）に示されるように、第２保護膜２５の開口部の側壁面と第２保護膜２５の開口部から露出した第１保護膜２４およびＡｌ膜２３の表面にのみ、耐腐食性を有したＡｕ膜２６が形成された構造が完成する。
【００５５】
この後、超音波ボンディングなどによってボンディングワイヤ１３をＡｕ膜２６の表面に接合することで、図２に示した電気的な接続構造が完成する。
【００５６】
以上説明した本実施形態の圧力センサＳ１では、Ａｕ膜２６とＳｉＮなどで構成される第１保護膜２４との間からの腐食媒体の透過をし難くできるスパッタ法によってＡｕ膜２６を形成しつつ、ウェハ全面に形成されるＡｕ膜２６を第２保護膜２５の表面に形成することで、第２保護膜２５の一部と共にＡｕ膜２６のうちの不要部分を除去するようにしている。
【００５７】
このため、電極間における絶縁のために、Ａｕ膜２６を除去したとしても、Ａｕ膜２６をパターニングするものではないため、Ａｕ専用のフォトリソグラフィの工程ラインを追加する必要がない。したがって、製造設備を増加しなくても、腐食媒体がＡｌで構成されたボンディング用のパッドに浸入することを防止でき、ボンディング箇所での電気的な接続構造の耐久性能が劣化することを防止できる圧力センサにできる。
【００５８】
（他の実施形態）
上記実施形態では、スパッタ法によってＡｕ膜２６を形成する手法について説明したが、蒸着法による場合にも、同様のことが言える。
【００５９】
上記実施形態では、Ａｌ膜２３の表面に直接Ａｕ膜２６が形成されるものを例に挙げて説明したが、ボンディングワイヤ１３との電気的接続のためにＡｕ膜２６を最上層に配置できれば良いため、Ａｌ膜２３とＡｕ膜２６との間に他の金属層が配置されていても構わない。このため、第２金属層をＡｕ膜２６だけでなく、Ａｌ膜２３の上にＮｉ膜を形成し、さらにＮｉ膜２３の上にＡｕ膜２６を形成した積層構造としても構わない。
【００６０】
上記実施形態では、冶具としてバイト５０を用い、バイト５０によってＡｕ膜２６や第２保護膜２５を切削する機械加工について説明したが、その他、冶具として多刃工具を用いて切削を行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの断面構成を示す図である。
【図２】図１に示す圧力センサにおけるセンサ素子とボンディングワイヤとの接合部分における電気的な接続構造の断面図である。
【図３】図１に示す圧力センサにおけるセンサ素子とボンディングワイヤとの接合部分における電気的な接続構造の製造工程を示した図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｓ１…圧力センサ、１０…コネクタケース、１３…ボンディングワイヤ、２０…センサ素子、２１…半導体チップ（半導体基板）、２２…絶縁膜、２３…Ａｌ膜、２４…第１保護膜、２５…第２保護膜、２６…Ａｕ膜、３０…ハウジング。
【図１】
2007024777.tif 000003
【図２】
2007024777.tif 000004
【図３】
2007024777.tif 000005