(57)【要約】【課題】液晶用の加熱ヒータをＴＦＴ基板に組み込む際に、液晶を迅速に加熱でき、しかもこの加熱ヒータとＴＦＴ基板の配線との電気的接触が起らないようにした液晶装置を提供すること。【解決手段】複数本のゲート線６及びソース線７がマトリクス状に配線された交点にＴＦＴが接続されるとともに各配線の端部が所定幅のシール領域外へ導出されてＩＣチップＩＣ１、ＩＣ２に接続された下基板２と、下基板と対向配置される上基板３とを有し、これらの上下基板が下基板のシール領域に沿って枠状のシール部材を介在されて貼り合わされ、この貼り合わせでできた空間に液晶５が封入された液晶表示装置１において、下基板の表面には液晶を加熱するヒータ層９が形成されており、さらに、シール領域とゲート線及びソース線から選択される少なくとも一方が立体交差する箇所には、ヒータ層が除去されたヒータ除去領域９Ａ、９Ｂが形成されている。【選択図】図２
2007279096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の第１、第２配線がマトリクス状に配線された交点に液晶駆動素子が接続される
とともに各配線の端部が所定幅のシール領域外へ導出されて液晶駆動回路に接続された第
１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを有し、これらの第１、第２基板が
前記第１基板のシール領域に沿って枠状のシール部材を介在されて貼り合わされ、この貼
り合わせでできた空間に液晶が封入された液晶装置において、
前記第１基板の表面には前記液晶を加熱するヒータ層が形成されており、さらに、前記
シール領域と前記第１、第２配線から選択される少なくとも一方の配線とが立体交差する
箇所には、前記ヒータ層が除去されたヒータ除去領域が形成されていることを特徴とする
液晶装置。
【請求項２】
前記ヒータ除去領域は、前記シール領域と前記少なくとも一方の配線とが立体交差する
箇所に複数個に分けて形成された矩形状の領域からなることを特徴とする請求項１に記載
の液晶装置。
【請求項３】
前記ヒータ除去領域は、前記シール領域と立体交差する複数本の配線のそれぞれの直下
部に形成された該配線より若干大きな幅長を有するスリット状の領域からなることを特徴
とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記ヒータ層の前記液晶が封入された表示領域内に形成された部分は、複数本の線条ヒ
ータ層で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項５】
前記複数本の線条ヒータ層は、前記第１配線及び第２配線から選択される少なくとも一
方の配線と絶縁層を介して平面視で重なっていることを特徴とする請求項４に記載の液晶
装置。
【請求項６】
前記ヒータ層は、高導電度を有する金属薄膜で形成されていることを特徴とする請求項
１〜５のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項７】
前記金属薄膜は、モリブデンからなることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記ヒータ層は、透明抵抗材で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の液晶装置。
【請求項９】
前記ヒータ層は、前記表示領域内の全面に形成されていることを特徴とする請求項８に
記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記透明抵抗材は、インジウムスズ酸化物であることを特徴とする請求項８又は９に記
載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶装置に係り、特に液晶を加熱するヒータを装置内部に組み込んだ液晶装置
に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車には例えばカーナビゲーション及びテレビジョン等が搭載され、これらの
表示体として、小型・軽量、薄型化が可能でしかも低消費電力等の特徴を有する液晶表示
パネルが多く使用されている。この液晶表示パネルは、一対のガラス基板を用いて、これ
らの基板を間に枠状シール部材を介在させて貼り合わせ、これにより一対のガラス基板と
シール部材とで形成された空間内に液晶が封入された構成となっている。ところが、この
液晶は、周囲温度によってその動作特性が変化する性質を有し、特に周囲温度が低い、例
えばマイナス１０℃以下になると、その応答速度が極度に遅くなって画像乱れ等が発生し
表示品質が低下してしまうという課題がある。
【０００３】
そこで、これまでの液晶表示パネルは、パネルにヒータを付設して液晶を加熱する方法
が採用されている（例えば、下記特許文献１、２参照）。
【０００４】
下記特許文献１、２に記載された液晶表示装置は、いずれも液晶表示パネルと別体の透
明材料からなる面状ヒータを予め準備しておき、このヒータを表示パネルに装着したもの
である。
【０００５】
また、液晶表示パネルに直接ヒータを組み込んだものも知られている（例えば、下記特
許文献３参照）。なお、図９は下記特許文献３に記載された液晶表示パネルを示し、図９
（ａ）は概略平面図、図９（ｂ）は要部拡大断面図である。
【０００６】
この液晶表示パネル１００は、一対のガラス基板１１０、１２０が枠状シール部材１０
１を介在して貼り合わされ、この貼り合わされてできた空間内に液晶が封入された構成を
有し、その外縁部がＦＰＣ１０２を介して液晶駆動用の制御基板１０３に接続されている
。一方の基板１１０はＴＦＴ基板と呼ばれているもので、このＴＦＴ基板１１０には、複
数本のゲートバス線とデータバス線とがマトリクス状に配線され、これらのデータバス線
とゲートバス線とが交差する箇所に薄膜トランジスタ（図示省略）が形成されたものであ
り、他方の基板１２０は、カラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）と呼ばれている
もので、このＣＦ基板１２０には、ヒータ用共通電極１２１、カラーフィルタ１２３及び
共通電極１２４が形成されている。基板１２０のヒータ用共通電極１２１及び共通電極１
２４は、それぞれ導電体１２２、１２５を介して、基板１１０に形成された配線１１１、
１１２に接続されて、配線１１１からヒータ用共通電極１２１に電力が供給されて、液晶
が加熱されるようになっている。
【特許文献１】特開平６−２８３２６１号公報（図３、段落〔００１１〕、〔００１２〕）
【特許文献２】特開昭５８−１２６５１７号公報（図３、特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００５−１２２１９０号公報（図３、図４、段落〔００２８〕〜〔００３４〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１、２に記載された液晶表示装置のように、別体の加熱ヒ
ータを液晶表示パネルに装着すると、液晶表示パネルの外側から表示パネルを通して液晶
を加熱するので加熱効率が低くなり、この加熱効率を上げようとすると供給電力を上げざ
るを得なくなり、また液晶を素早く加熱することが難しく、さらに光透過率が低下してし
まうという課題がある。
【０００８】
この点、上記特許文献３に記載された液晶表示装置は、液晶表示パネルに直接ヒータを
組み込んでいるので、上記の課題は一応解消される。しかし、この液晶表示パネルは、Ｃ
Ｆ基板にヒータを付設しているので、ＴＦＴ基板に設けた配線と接続するための接続手段
が必要となって構造が複雑化し製造が面倒になっている。また、液晶表示パネルの設計上
、ＣＦ基板側でなくＴＦＴ基板にヒータを組み込んだ方が加熱効率、製造技術上或いはそ
の他の点から設計・製造がし易い。この場合、このＴＦＴ基板には、その表面に複数個の
薄膜トランジスタ、複数本の配線及び電極等が複雑に配設されているので、これらの部材
とヒータとが電気的に接触して製品不良を招来し、また、表示品質に悪影響を及ぼすとい
う問題がある。
【０００９】
この問題は、特に液晶表示装置の製造工程における基板の貼り合わせ工程で、シール部
材が塗布された部分で発生することが多い。すなわち、シール材には通常絶縁性粒体であ
るフィラが含有されているが、このシール材を基板間に介在させ、両基板を押圧すること
で貼り合わせる場合に、このフィラがＴＦＴ基板上の配線部分を押圧し、配線間の絶縁膜
を破膜することで生じることが考えられる。
【００１０】
そこで、本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の
目的は、液晶用の加熱ヒータをＴＦＴ基板に組み込む際に、この加熱ヒータとＴＦＴ基板
の配線との電気的接触が起らないようにした液晶装置を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、液晶の加熱を迅速に行なうことができる液晶装置を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記目的は以下の構成により達成できる。すなわち、請求項１の液晶装置の発
明は、複数本の第１、第２配線がマトリクス状に配線された交点に液晶駆動素子が接続さ
れるとともに各配線の端部が所定幅のシール領域外へ導出されて液晶駆動回路に接続され
た第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを有し、これらの第１、第２基
板が前記第１基板のシール領域に沿って枠状のシール部材を介在されて貼り合わされ、こ
の貼り合わせでできた空間に液晶が封入された液晶装置において、
前記第１基板の表面には前記液晶を加熱するヒータ層が形成されており、さらに、前記
シール領域と前記第１、第２配線から選択される少なくとも一方の配線とが立体交差する
箇所には、前記ヒータ層が除去されたヒータ除去領域が形成されていることを特徴とする
。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液晶装置において、前記ヒータ除去
領域は、前記シール領域と前記少なくとも一方の配線とが立体交差する箇所に複数個に分
けて形成された矩形状の領域からなることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の液晶装置において、前記ヒータ除去
領域は、前記シール領域と立体交差する複数本の配線のそれぞれの直下部に形成された該
配線より若干大きな幅長を有するスリット状の領域からなることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶装置において、
前記ヒータ層の前記液晶が封入された表示領域内に形成された部分は、複数本の線条ヒー
タ層で形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の液晶装置において、前記複数本の線
条ヒータ層は、前記第１配線及び第２配線から選択される少なくとも一方の配線と絶縁層
を介して平面視で重なっていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶装置において、
前記ヒータ層は、高導電度を有する金属薄膜で形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の液晶装置において、前記金属薄膜は
、モリブデンからなることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶装置において、
前記ヒータ層は、透明抵抗材で形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の液晶装置において、前記ヒータ層は
、前記表示領域内の全面に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の液晶装置において、前記透
明抵抗材は、インジウムスズ酸化物であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、上記の構成を備えることにより以下の優れた効果を奏する。すなわち、請求
項１の発明によれば、第１基板に設けたヒータ層は、シール領域と配線とが立体交差する
箇所がヒータ除去領域として除去されているので、パネル製造時における第１、第２基板
の貼り合わせ時に基板が加圧されても、シール領域内の配線下にヒータ層が存在しないた
めにシール部材に含まれるフィラによって第１基板上の絶縁層が破損したとしても配線と
ヒータ層とが電気的に接触する恐れがなく製品不良を未然に防止できる。また、ヒータ層
を第１、第２配線及び液晶駆動素子を備える第１基板側に形成したので、第１基板を構成
する配線材料等をそのまま使用することが可能になり、ヒータ層の形成が容易になる。さ
らに、ヒータ層が液晶層に近接しているので、迅速な液晶の加熱が可能になる。
【００２３】
また、請求項２、３の発明によれば、ヒータ除去領域を矩形状（請求項２）にすれば比
較的大きな領域を確保することができるので面倒な位置合わせを行う必要がなくなり、ま
たスリット状（請求項３）にすれば、ヒータ除去領域の総面積を比較的小さく維持するこ
とができるので、ヒータ層の熱効率を低下させることなく上記請求項１の発明の効果を奏
することが可能なシール除去領域を形成することができる。
【００２４】
請求項４、５の発明によれば、表示領域のヒータ層を線条ヒータ層とし、さらにこの線
条ヒータ層を配線に平面視で重なるように配設したので、各画素の透過率に与える影響を
低減できるとともに、透光性を有しない高い抵抗値を有する素材であっても使用すること
ができる。そして、配線と重ねることで遮光層としての機能も実現できる。
【００２５】
請求項６の発明によれば、熱効率の高い抵抗素材を用いることができ、ヒータ層の素材
の選択の幅を広くできる。
【００２６】
請求項７の発明によれば、モリブデンは、通常、液晶装置の製造に使用されるので、こ
の素材をそのまま使用できることになり、ヒータ層の形成が容易になる。
【００２７】
請求項８の発明によれば、ヒータ層を透明抵抗材で形成することにより、液晶装置の透
過部にもヒータ層を形成することができるので、基板表面に簡単に形成できる。特に、第
１基板をＴＦＴ基板にする場合は、この基板に通常使用される画素電極材をそのまま使用
できるので、その形成が極めて簡単になる。
【００２８】
請求項９の発明によれば、ヒータ層が表示領域内の全面に形成されることにより、該領
域内での液晶加熱を均一かつ効率的に行うことができる。
【００２９】
請求項１０の発明によれば、インジウムスズ酸化物は、通常、液晶装置の製造に使用さ
れるので、この素材をそのまま使用できることになり、ヒータ層の形成が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の液晶装置の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであっ
て、本発明をこの液晶装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含
まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。なお、図１は本発明の一
実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す概略斜視図であり、図２は図１の液晶表示
装置を下基板の配線等が透視して見えるように示した平面図である。
【実施例１】
【００３１】
先ず、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置１の概要を図１、図２を参照して説明す
る。
この液晶表示装置１は、ガラスやプラスチック等の透明材料からなる一対の基板２、３
を有し、その間に枠状のシール部材４を介在させて貼り合わせ、これらの貼り合わせによ
って両基板２、３とシール部材４間に形成された空間に液晶５が封入された構成を有して
いる。そして、下基板２は、長辺２１、２２及び短辺２３、２４を有する長方形状の板体
をなし、上基板３よりひとまわり大判の基板が使用され、両基板２、３を貼り合せたとき
に上基板３からはみ出した基板部分が張り出し部２Ｓ、２Ｔとなっている。これらの張り
出し部２Ｓ、２Ｔは、上基板３の隣接する二つの周辺に沿ってＬ字状に形成され（なお、
図２では長辺２２及び短辺２４に形成されている。）、各基板張り出し部２Ｓ、２Ｔ上に
液晶５を駆動する駆動回路を有する液晶駆動用半導体（以下、ＩＣチップという）ＩＣ１
、ＩＣ２が１乃至複数個実装されている。なお、ここで使用されるシール部材４は公知の
もの、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に絶縁性粒体のフィラ４ａを混入したものを
使用する。
【００３２】
図３は図２の液晶表示装置のＩＣチップが実装された長辺部分を拡大して示す拡大平面
図、図４は図３のＡ−Ａ線で切断した断面図、図５は図３のＢ−Ｂ線で切断した断面図、
図６は図３のＣ−Ｃ線で切断した断面図である。なお、図３に示す線条ヒータ層９１〜９
ｎは同一形状を備えているので符号９ｍを付して統一表記している。
【００３３】
下基板２は、ＴＦＴ基板と呼ばれるもので、図４に示すように、その基板表面にはヒー
タ層９が形成されている。なおこのヒータ層９の構造については後述する。このＴＦＴ基
板２は、ヒータ層９を絶縁層１０で覆い、この絶縁層１０の上方に複数本のゲート線６を
配設した後、ゲート絶縁膜１１を介してソース線７がゲート線６に対して垂直に配線され
、これらのゲート線６とソース線７とが交差する位置の近傍にスイッチング素子としての
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が接続されている。このように、複数本のゲート線６及びソ
ース線７がマトリクス状に配線され、これらのゲート線６とソース線７とが交差する近傍
にＴＦＴ（図示省略）が接続されたのち、保護絶縁膜１２と画素電極１３とを形成するこ
とにより、ゲート線６とソース線７に囲まれた領域が１画素領域となる。また、ゲート線
６及びソース線７の端部は、シール部材４塗布部分から外側へ引き出されて複数個のＩＣ
チップＩＣ１、ＩＣ２にそれぞれ接続されている。この接続は、例えば図４に示すように
、保護絶縁膜１２上にコンタクトホールＣを形成し、このコンタクトホールＣに導電部材
Ｔを設け、この導電部材ＴにＩＣチップＩＣ２の端子を実装することで行われる。ゲート
線６及びソース線７に接続されたＴＦＴは、ＩＣチップＩＣ１、ＩＣ２から送出される信
号よって作動され、この液晶が封入されたシール部材４で囲まれた内側が液晶駆動領域、
いわゆる表示領域ＤＡとなっている。なお、図２では、表示領域ＤＡ内のゲート線６、ソ
ース線７及びＴＦＴ等は省略されている。
【００３４】
また、上基板３は、カラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）と呼ばれるもので、
図４に示すように、その表面にカラーフィルタ層３ａが形成され、このカラーフィルタ層
３ａの上に共通電極３ｂが形成されている。
【００３５】
次に、ヒータ層の構造を主に図３〜図５を参照して説明する。
ヒータ層９は、ＴＦＴ基板２の表面に設けられている。このヒータ層９は、複数本の線
条ヒータ層９１〜９ｎと、これらの線条ヒータ層９１〜９ｎの両端部に接続されて各線条
ヒータ層９１〜９ｎに電力を供給する２本の給電層９ａ、９ｂとからなり、これらの線条
ヒータ層９１〜９ｎ及び給電層９ａ、９ｂは、電気導電度が高い金属、例えばモリブテン
（Ｍｏ）等からなる金属薄膜で一体に形成されている。膜厚は、５００〜１２００Åの範
囲が好ましく、特に、７００〜９００Åの範囲内であるのが望ましい。
【００３６】
各線条ヒータ層９１〜９ｎは、それぞれが所定の幅長を有しており、表示領域ＤＡ内に
所定の隙間をあけてＴＦＴ基板２の図２の上方から下方へ向かって、すなわち後述するソ
ース線７に略平行に併設されている。これらの線条ヒータ層９１〜９ｎは、絶縁層１０等
の上に配設されるソース線７と平面視で重なる位置に設けられ、その線幅は、ソース線７
の線幅と同じか或いは僅かに幅広になっている。このように線条ヒータ層９１〜９ｎとソ
ース線７とを重ねることにより、各画素の透過率に与える影響を低減しつつ、遮光層とし
ての機能をも実現できる。また、２本の給電層９ａ、９ｂは、それぞれ所定の幅長を有し
、張り出し部２Ｔ側の給電層９ｂが他方の給電層９ａより幅広に形成されている。そして
シール部材４は、複数の絶縁層及び各種配線の上にあってその一部が給電層９ａ、９ｂと
重なる位置に配設されている。
【００３７】
この給電層９ａ、９ｂのうち、張り出し部２Ｔ側の給電層９ｂのソース線７とシール部
材４とが重なる部分には、給電層９ｂを構成する金属薄膜が除去された複数のヒータ除去
領域９Ａが形成されている。これらのヒータ除去領域９Ａは、４個のＩＣチップＩＣ２か
らそれぞれ延びているソース線７に対応した位置に形成されており、いずれも同じパター
ンで形成されているので、その１つのヒータ除去領域９Ａについて図３〜図５を参照して
説明する。
【００３８】
ヒータ除去領域９Ａは、図３及び図４に示すように、シール部材４の下にあって、しか
もソース線７が形成されている箇所に形成されている。その除去範囲はソース線７の直下
部だけでなく、同一のＩＣチップＩＣ２から延びた各ソース線７間をも除去した矩形状の
範囲に形成されている。ヒータ除去領域９Ａをこのように広い範囲にすると、配線との位
置合わせが不要になりこのヒータ除去領域９Ａの形成が容易になる。また、給電層９ｂに
複数個のヒータ除去領域９Ａを形成しても、この給電層９ｂが幅広に形成されていること
により、電気抵抗値を所定の値に設定できるので、表示領域ＤＡ内の温度と給電層９ｂの
温度とのバランスをとることができる。なお、線条ヒータ層９１〜９ｎは、ソース線７と
ほぼ同じ太さの線条部材にするとその表面積は小さくなるが、上述のように線条ヒータ層
９１〜９ｎに電気導電度が高い金属（Ｍｏ等）を使用することにより電気抵抗を所定の抵
抗値にして十分な発熱量を得ることができる。また、ヒータ除去領域９Ａは、矩形状に形
成された領域が各ＩＣチップＩＣ２毎に複数個形成されており、この複数個のヒータ除去
領域９Ａは、図３及び図５に示すように、互いに所定距離離反して設けられ、給電層９ｂ
が途中で断線しないようになっている。
【００３９】
次いで、ヒータ層９が形成されたＴＦＴ基板２は、その上に、ＴＦＴ、ゲート線６及び
ソース線７等が設けられて、ＣＦ基板３と貼り合わされる。そこで、以下にこれらの工程
を説明する。
【００４０】
ヒータ層９が形成されたＴＦＴ基板２には、ヒータ層９を覆うように絶縁層１０が形成
され、この絶縁層１０の上にゲート電極（図示省略）を有するゲート線６を長辺２１、２
２に平行に複数本形成し、同時にこのゲート線６に補助容量線（図示省略）を形成し、こ
れらをゲート絶縁膜１１で覆う。そしてゲート電極の上にはゲート絶縁膜１１を介してＴ
ＦＴを構成する非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層（図示省略）が形
成され、またゲート絶縁膜１１上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の
ソース線７がゲート線６と直交するようにして形成され、このソース線７からはＴＦＴの
ソース電極（図示省略）が延設され、このソース電極が半導体層に接触している。また、
ソース線７及びソース電極と同一の材料でかつ同時に形成されたドレイン電極（図示省略
）がゲート絶縁膜１１上に設けられており、このドレイン電極も半導体層と接触している
。これらのソース線７、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１１を覆うようにして例えば無機絶縁材料
からなる保護絶縁膜１２が積層され、この保護絶縁膜１２上に例えばＩＴＯからなる画素
電極１３が形成されドレイン電極に接続されることでＴＦＴ基板２が完成する。
【００４１】
そして、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との貼り合わせは、以下の手順で行なわれる。
まず、ＴＦＴ基板２を第１のディスペンサ装置にセットしてシール部材４（例えばエポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂に絶縁性粒体のフィラ４ａを混入したもの）を枠状にかつその
一辺がヒータ除去領域９Ａに位置するように塗布し、次に、ＴＦＴ基板２を第２のディス
ペンサ装置にセットしてコンタクト材を各トランスファ電極上に塗布する。その後、ＴＦ
Ｔ基板２の表示領域ＤＡにスペーサを均一に散布し、ＣＦ基板３のシール部材４及びコン
タクト材が当接する部分に仮止め用接着剤を塗布する。その後、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板
３とを貼り合わせ、仮止め用接着剤を硬化させて仮止めが完了する。そして、仮止めされ
た両基板２、３を加圧しながら加熱処理するとシール部材４及びコンタクト材の熱硬化性
樹脂が硬化し、空の液晶表示パネルが完成する。この空の液晶表示パネル内に注入口（図
示省略）から液晶５を注入し、この注入口を封止剤で塞ぐと液晶表示装置１が完成する。
なお、ＴＦＴ基板２の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有する
バックライトないしはサイドライトが配置されている。
【００４２】
また、図２ではヒータ層９をソース線７に平行に延びる線条ヒータ層９１〜９ｎによっ
て形成したが、この線条ヒータ層９１〜９ｎは、ゲート線６に平行に形成することも可能
である。ただし、ソース線７の下部には絶縁層１０に加えてゲート絶縁膜１１が形成され
ているため、ヒータ層９との距離がゲート線６に比べて遠く、絶縁層１０等が破損してヒ
ータ層９に接触する危険性がより小さくなるとともに、ヒータ層９とソース線７との距離
がゲート線６に比べて遠いため、この間に生じる容量も小さく抑えることができるので、
好ましくはソース線７の下部に設ける。
【００４３】
上記実施形態では給電層９のヒータ除去領域９Ａを各ソース線７の接続されているＩＣ
チップＩＣ２単位でそれぞれ矩形状に形成したが、個々のソース線７の直下部のみを除去
するようにしてもよい。なお、図７は他の実施形態に係る液晶表示装置のＩＣチップが実
装された長辺部分を拡大して示す拡大平面図であり、図８は図７のＤ−Ｄ線の断面図であ
る。また、他の実施形態の液晶表示装置は、ヒータ除去領域の形状以外は上記実施形態の
液晶表示装置１と同一の構造を備えているので、ここではヒータ除去領域に関する点のみ
説明し、他の構成については上述の説明との重複を避けるため省略する。
【００４４】
上記他の実施形態に係る液晶表示装置１Ａは、図７に示すように、上記実施形態の液晶
表示装置１と同じく給電層９ｂが張り出し部２Ｔ近傍に形成され、表示領域ＤＡにはこの
給電層９ｂからソース線７に平行に複数本の線条ヒータ層９ｍが形成され、この線条ヒー
タ層９ｍはソース線７と重なるように形成されている。
【００４５】
そして、給電層９ｂのシール部材４の塗布領域におけるソース線７に重複する位置には
、図７及び図８に示すように、このソース線７よりも僅かにその幅長が大きなスリット状
のヒータ除去領域９Ｂが形成されている。この複数本のヒータ除去領域９Ｂは、隣接する
ヒータ除去領域９Ｂ同士が離反している。なお、ヒータ除去領域９Ｂの縦方向の長さはシ
ール部材４の塗布領域の幅よりも若干長く形成されることが好ましく、ヒータ除去領域９
Ｂをこのようにシール部材４とソース線７が立体交差する部分よりも僅かに大きくするこ
とにより、貼り合わせ時の絶縁層１０等の破損を抑制することができる。
【００４６】
したがって、このようにソース線７と立体交差する給電層９ｂにヒータ除去領域９Ａあ
るいは９Ｂを設けると、液晶表示パネルの製造工程において、給電層９とソース線７との
電気的な接触をなくすることができる。すなわち、液晶表示パネルは、ＴＦＴ及びＣＦ基
板２、３にそれぞれ配線、絶縁膜及びフィルタ等を装着した後に、これらの基板を貼り合
わせる工程を経て製造されるが、この貼り合せ工程において、ＴＦＴ基板２は、そのシー
ル領域に枠状のシール部材４が形成された後に、そのシール部材４の上にＣＦ基板３が載
置されてＣＦ基板３に所定の押圧力を加えることによって貼り合わされる。このとき、枠
状シール部材４の下にソース線７が存在すると、貼り合わせ時の押圧力によって、ヒータ
層７を覆う絶縁層１０等が破れてソース線７とヒータ層９とが電気的に接続されて短絡事
故を起すことがあるが、ソース線７と立体交差する給電層９ｂにヒータ除去領域９Ａある
いは９Ｂを形成することにより、絶縁層１０等が破れても給電層９ｂとソース線７とが接
触することがない。
【００４７】
なお、上述した実施形態においては、ヒータ層９として給電層９ａ、９ｂと線条ヒータ
層９１〜９ｎとを同一の層上に同一部材で一体形成したものを説明したが、これに限らず
例えば給電層９ａ、９ｂはゲート電極６と同一工程で形成され、給電層９ａ、９ｂと線条
ヒータ層９１〜９ｎとはコンタクトホールを介して接続するようにしてもよい。また、表
示領域ＤＡ部分のヒータ層９を線条ヒータ層９１〜９ｎとしたが、これに限らず、例えば
表示領域ＤＡ全体を覆うようにヒータ層９を設けるようにしても良い。ただし、この場合
はこのヒータ層９を透光性を有する部材で形成する必要があり、その材料としては、好ま
しくは画素電極１３等で使用されるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）
を使用すると好ましい。
【００４８】
この液晶装置は、各種の電子機器、例えば、コンピュータ装置、モニタ装置、テレビジ
ョン装置、プロジェクタ装置、携帯電話機などに搭載されて使用される。特に、カーナビ
ゲーション装置などの車載用電子機器、野外で用いる各種の電子機器などが本発明を適用
するのに好適な例として挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す概略斜視図である。
【図２】図２は図１の液晶表示装置を下基板の配線等が透視して見えるように示した平面図である。
【図３】図３は図２の液晶表示装置のＩＣチップが実装された長辺部分を拡大して示す拡大平面図である。
【図４】図４は図３のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図５】図５は図３のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図６】図６は図３のＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
【図７】図７は他の実施形態に係る液晶表示装置のＩＣチップが実装された長辺部分を拡大して示す拡大平面図である。
【図８】図８は図７のＤ−Ｄ線で切断した断面図である。
【図９】図９は先行技術の液晶表示パネルを示し、図９（ａ）は概略平面図、図９（ｂ）は要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１          液晶表示装置
２          下基板（ＴＦＴ基板）
２Ｔ、２Ｓ  張り出し部
３          上基板（ＣＦ基板）
４          シール部材
４ａ        フィラ
５          液晶
６          ゲート線
７          ソース線
９          ヒータ層
９１〜９ｎ  線条ヒータ層
９ａ、９ｂ  給電層
９Ａ、９Ｂ  ヒータ除去領域
１０        絶縁層
１１        ゲート絶縁膜
１２        保護絶縁膜
１３        画素電極
ＩＣ１、ＩＣ２  ＩＣチップ
ＤＡ        表示領域
【図１】
2007279096.tif 000003
【図２】
2007279096.tif 000004
【図３】
2007279096.tif 000005
【図４】
2007279096.tif 000006
【図５】
2007279096.tif 000007
【図６】
2007279096.tif 000008
【図７】
2007279096.tif 000009
【図８】
2007279096.tif 000010
【図９】
2007279096.tif 000011