(57)【要約】【課題】ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させて、明るいＬＣＤ表示を得る。【解決手段】ＴＦＴ５０の能動層ＰＳは折り返されてゲート線ＧＬと２箇所で交差し、ダブルゲートを形成しているが、その折り返しの向きが従来例と逆になっている。そのためドレイン電極１５は共通電位線ＣＯＭとゲート線ＧＬの間に配置され、第１のコンタクト部Ｃ１は、共通電位線ＣＯＭにオーバーラップする。また、第２のコンタクト部Ｃ２は、電極１６、コンタクトホールＣＨ３，ＣＨ５を介して共通電位線ＣＯＭと共通電極６２とを接続するが、この第２のコンタクト部Ｃ２も、共通電位線ＣＯＭとオーバーラップしており、第１のコンタクト部Ｃ１と横方向に並んで配置される。【選択図】図１
2007293155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極と、
前記共通電極と前記共通電位線を接続する第２のコンタクト部とを備え、
前記第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップし、横方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
複数の画素を備え、
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
複数のスリットを有する画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極下に絶縁膜を介して配置された共通電極と、
前記共通電極と前記共通電位線を接続する第２のコンタクト部とを備え、
前記第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップし、横方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
複数の画素を備え、
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
前記共通電位線に隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、
画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極と、
前記共通電極と前記共通電位線とを接続する第２のコンタクト部とを備え、
前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、
前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
前記共通電位線に隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、
複数のスリットを有する画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極下に絶縁膜を介して配置された共通電極と、
前記共通電極と前記共通電位線とを接続する第２のコンタクト部とを備え、
前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、
前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
複数の画素を備え、
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
前記共通電位線に隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、
画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極を備え、
前記複数の画素のうち、少なくとも第１色によって着色された画素のみ、前記共通電極と前記共通電位線とを接続する第２のコンタクト部とを備え、前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
各画素は薄膜トランジスタと、
共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、
前記共通電位線に隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、
複数のスリットを有する画素電極と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、
前記画素電極下に絶縁膜を介して配置された共通電極を備え、
前記複数の画素のうち、少なくとも第１色によって着色された画素のみ、前記共通電極と前記共通電位線とを接続する第２のコンタクト部とを備え、前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記スリットは前記薄膜トランジスタ上を含めて配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数のスリットは、横方向に対して５度〜１０度の方向に延びていることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数のスリットは、縦方向に延びていることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記共通電極は前記第１のコンタクト部上に開口部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記複数の画素のうち、第１色によって着色された画素及び第２色によって着色された画素のみ、前記第２のコンタクト部を備え、前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことを特徴とする請求項５、６に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１色は緑であって、波長のピークが５００ｎｍ〜５９０ｎｍであることを特徴とする請求項５、６、１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２色はシアンであって、波長のピークが４８５ｎｍ〜５３５ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記画素電極と接続された前記薄膜トランジスタの能動層が前記共通電位線の下に延びていることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、同一基板上の電極間の横方向の電界によって液晶分子の配向方向が制御される液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の広視野角化を図る手段の一つとして、同一基板上の電極間に横方向の電界を発生させ、この電界により液晶分子を基板に平行な面内で回転させることで光スイッチング機能を持たせる方式が開発されている。この技術の例としては、インプレイン・スイッチング（In-plane Switching，以降、「ＩＰＳ」と略称する）方式や、ＩＰＳ方式を改良したフリンジフィールド・スイッチング（Fringe-Field Switching，以降、「ＦＦＳ」と略称する）方式が知られている。
【０００３】
ＦＦＳ方式の液晶表示装置について図面を参照して説明する。図１１は、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の６画素を示す平面図であり、図１２は、図１１における一画素のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【０００４】
バックライト光源ＢＬと対向して、ガラス基板等からなるＴＦＴ基板１０が配置されている。ＴＦＴ基板１０のバックライト光源ＢＬと対向する側の表面には、バックライト光源ＢＬの光を直線偏光する第１の偏光板１１が形成されている。ＴＦＴ基板１０の反対側の表面には、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等からなるバッファ膜１２が形成されている。
【０００５】
そして、画素選択用のＴＦＴ５０（薄膜トランジスタ）の形成領域のバッファ膜１２上に、ポリシリコン等からなる能動層ＰＳが形成されている。バッファ膜１２上には、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等からなり能動層ＰＳを覆うゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３上には、能動層ＰＳと対向するように、ゲート線ＧＬが形成されている。ゲート線ＧＬは、クロムもしくはモリブデンを含む金属等からなる。ゲート絶縁膜１３上には、クロムもしくはモリブデンを含む金属等からなり共通電位を供給する共通電位線ＣＯＭが形成されている。ゲート線ＧＬ、共通電位線ＣＯＭ、及びゲート絶縁膜１３は、層間絶縁膜１４に覆われている。
【０００６】
層間絶縁膜１４及びゲート絶縁膜１３には、能動層ＰＳのソース領域を露出するコンタクトホールＣＨ１、及びドレイン領域を露出するコンタクトホールＣＨ２が設けられている。また、層間絶縁膜１４には、共通電位線ＣＯＭを露出するコンタクトホールＣＨ３が設けられている。
【０００７】
そして、層間絶縁膜１４の表面には、コンタクトホールＣＨ１を通して能動層ＰＳのソース領域と接続された表示信号線ＤＬが形成されている。また、層間絶縁膜１４の表面には、コンタクトホールＣＨ２を通して能動層ＰＳのドレイン領域と接続されたドレイン電極１５が形成されている。また、層間絶縁膜１４の表面には、共通電位線ＣＯＭと接続された電極１６が形成されている。これらの表示信号線ＤＬ、ドレイン電極１５、及び電極１６は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を含む金属等からなる。さらに、ドレイン電極１５、電極１６及び層間絶縁膜１４は、パッシベーション膜１７に覆われている。
【０００８】
パッシベーション膜１７上には平坦化膜１８が形成されている。パッシベーション膜１７及び平坦化膜１８には、ドレイン電極１５を露出するコンタクトホールＣＨ４が形成されている。また、パッシベーション膜１７、平坦化膜１８及び後述の絶縁膜６１には、電極１６を露出するコンタクトホールＣＨ５が設けられている。
【０００９】
平坦化膜１８上には、コンタクトホールＣＨ４を通してドレイン電極１５と接続された画素電極６０が形成されている。画素電極６０は、ＩＴＯ等の透明電極材料からなり、表示信号に応じた電圧が印加される。また、画素電極６０上には、これを覆う絶縁膜６１が形成されている。絶縁膜６１上には、平行に延びる複数のスリットＳを有した共通電極６２が形成されている。共通電極６２もＩＴＯ等の透明電極材料からなる。また、共通電極６２は、コンタクトホールＣＨ５を通して電極１６と接続される。また、絶縁膜６１上には、共通電極６２を覆う不図示の配向膜が形成されている。
【００１０】
また、ＴＦＴ基板１０と対向して、ガラス基板等からなるカラーフィルタ基板（以降、「ＣＦ基板」と略称する）２０が配置されている。ＴＦＴ基板１０と対向する側のＣＦ基板２０の表面には、不図示のカラーフィルタ及び配向膜が形成されている。ＴＦＴ基板１０と対向しない側のＣＦ基板２０の表面には、第２の偏光板２１が形成されている。第１及び第２の偏光板１１，２１は、各偏光板の偏光軸が互いに直交する関係を以って配置されている。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間には、液晶３０が封止されている。
【００１１】
上記液晶表示装置では、画素電極６０に表示電圧が印加されない状態（無電圧状態）では、液晶３０の液晶分子の長軸の平均的な配向方向（以降、単に「配向方向」と略称する）が第１の偏光板１１の偏光軸と平行な傾きとなる。このとき、液晶３０を透過する直線偏光は、その偏光軸が第２の偏光板２１の偏光軸と直交するため、第２の偏光板２１から出射されない。即ち表示状態は黒表示となる（ノーマリーブラック）。
【００１２】
一方、画素電極６０に表示電圧が印加されると、画素電極６０からスリットＳを通して下方の共通電極６２へ向かう電界が生じる。（図１２の矢印を参照）この電界は平面的に見ると、スリットＳの長手方向に垂直な電界であり、液晶分子はその電界の電気力線に平行又は垂直に配向する。このとき、液晶３０に入射した直線偏光は複屈折により楕円偏光となるが、第２の偏光板２１を透過する直線偏光成分を有することになり、この場合の表示状態は白表示となる。なお、ＦＦＳ方式の液晶表示装置については、以下の特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２９６６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ＴＦＴ５０と画素電極６０とを接続するコンタクト部、すなわち、ＴＦＴ５０のドレイン電極１５と画素電極６０とのコンタクト部Ｃ１は、図１１の平面図のように、ゲート線ＧＬの下側領域に配置されている。このコンタクト部Ｃ１は、アルミニウム等からなるドレイン電極１５を含むことから、この領域に共通電極６２のスリットＳを設けても、バックライト光源ＢＬからの光が透過せず、透過率に寄与しない。このため、画素の開口率が低くなるという問題を有していた。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そこで、本発明の液晶表示装置の第１の特徴構成は、複数の画素を備え、各画素は薄膜トランジスタと、共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極と、前記共通電極と前記共通電位線を接続する第２のコンタクト部とを備え、前記第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップし、横方向に並んで配置されたことである。
【００１５】
この構成によれば、画素の開口率を向上させて、明るいＬＣＤ表示を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置の第２の特徴構成は、複数の画素を備え、各画素は薄膜トランジスタと、共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、前記共通電位ラインに隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極と、前記共通電極と前記共通電位線とを接続する第２のコンタクト部とを備え、前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことである。
【００１７】
この構成によれば、画素の高精細化にも対応できる。
【００１８】
また、本発明の液晶表示装置の第３の特徴構成は、複数の画素を備え、各画素は薄膜トランジスタと、共通電位を供給する横方向に延びた共通電位線と、前記共通電位線に隣接し、前記薄膜トランジスタと交差して横方向に延びたゲート線と、画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する第１のコンタクト部と、前記画素電極上に絶縁膜を介して配置され、複数のスリットを有する共通電極を備え、前記複数の画素のうち、少なくとも第１色によって着色された画素のみ、前記共通電極と前記共通電位ラインとを接続する第２のコンタクト部とを備え、前記第２のコンタクト部は、前記共通電位線とオーバーラップして配置され、前記第１のコンタクト部は前記共通電位線と前記ゲート線との間に前記第２のコンタクト部と縦方向に並んで配置されたことである。
【００１９】
この構成によれば、高精細化によって生じる開口率、透過率の低下を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させて、明るいＬＣＤ表示を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態について図１を参照して説明する。図１は、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の６画素を示す平面図であり、従来例（図１１）とは画素内のＴＦＴ等のレイアウトが異なっているが、基本的な断面構造については図１２と同様である。そこで、図１１と同一の構成要素については同一符号を付して、そのレイアウトの相違について説明することにする。
【００２２】
共通電位線ＣＯＭと、ゲート線ＧＬは互いに隣接して、従来例と同様に図1の紙面横方向に延びているが、ＴＦＴ５０と、ＴＦＴ５０のドレイン電極１５と画素電極６０を接続する第１のコンタクト部Ｃ１の配置が異なっている。本発明によれば、ＴＦＴ５０の能動層ＰＳは折り返されてゲート線ＧＬと２箇所で交差し、ダブルゲートを形成しているが、その折り返しの向きが従来例と逆になっている。すなわち、ＴＦＴ５０の能動層ＰＳは、表示信号線ＤＬにコンタクトホールＣＨ１を通して接続され、図１の紙面下側に延びてゲート線ＧＬと交差して、上側に折り返され、再びゲート線ＧＬと交差する。
【００２３】
そのため、ドレイン電極１５は共通電位線ＣＯＭとゲート線ＧＬの間に配置され、第１のコンタクト部Ｃ１は、共通電位線ＣＯＭに少なくとも一部がオーバーラップする。また、第２のコンタクト部Ｃ２は、電極１６、コンタクトホールＣＨ３，ＣＨ５を介して共通電位線ＣＯＭと共通電極６２とを接続するが、この第２のコンタクト部Ｃ２も、共通電位線ＣＯＭと少なくとも一部がオーバーラップしており、第１のコンタクト部Ｃ１と横方向に並んで配置される。
【００２４】
このようなレイアウトによれば、透過率に寄与しない領域である第１のコンタクト部Ｃ１が共通電位線ＣＯＭとオーバーラップして配置されることにより、ゲート線ＧＬから下側領域が透過領域として利用できるようになり、開口率を向上させ、明るいＬＣＤ表示を得ることができる。すなわち、ゲート線ＧＬから下側領域と隣接の共通電位線ＣＯＭとの間の領域に、共通電極６２に、透過率に寄与する複数のスリットＳを形成することができる。特に、ＴＦＴ５０上、ゲート線ＧＬ上にもスリットＳを形成することができる。複数のスリットＳは、横方向、つまり配向膜のラビング方向に対して５度〜１０度の方向に延びている。
【００２５】
共通電極６２は、図２に示すように、第１のコンタクト部Ｃ１上に開口部Ｋを有していることが好ましい。つまり、共通電極６２はコンタクトホールＣＨ４の中に入らないようにする。これは、コンタクトホールＣＨ４において、絶縁膜６１のステップカバレッジが悪化して、コンタクトホールＣＨ４の中で画素電極６０と共通電極６２のショートが生じするのを防止するためである。
【００２６】
次に、上記の液晶表示装置の製造工程について、図３〜図５を参照して説明する。図３に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ５０のポリシリコンからなる能動層ＰＳ、能動層ＰＳを覆うゲート絶縁膜１３（図１２参照）、ゲート絶縁膜１３を能動層ＰＳと交差したゲート線ＧＬを形成する。また、ゲート線ＧＬと同時に共通電位線ＣＯＭも形成される。
【００２７】
次に、図４に示すように、層間絶縁膜１４（図１２参照）を形成し、コンタクトホールＣＨ１を通してＴＦＴ５０のソース領域と接続された表示信号線ＤＬ、コンタクトホールＣＨ２を通してＴＦＴ５０のドレイン領域と接続されたドレイン電極１５、コンタクトホールＣＨ３を通して共通電位線ＣＯＭと接続された電極１６を形成する。
【００２８】
次に、図５に示すように、パッシベーション膜１７及び平坦化膜１８（図１２参照）を形成した後に、コンタクトホールＣＨ４を通してドレイン電極１５と接続された画素電極６０を形成する。その後、図１に示すように、コンタクトホールＣＨ５を通して共通電位線ＣＯＭの電極１６と接続された共通電極６２を形成する。
【００２９】
また、上記の液晶表示装置において、図６に示すように、共通電極６２の複数のスリットＳの延びる方向を縦方向にしてもよい。そして、ＴＦＴ５０の上、ゲート線ＧＬ上にもスリットＳを形成する。このような構成でも、従来に比して透過率に寄与するスリットＳの領域を大きくとることができるので、より明るいＬＣＤ表示を得ることができる。この場合、複数のスリットＳは、配向膜のラビング方向に対して５度〜１０度の方向に延びている。
【００３０】
第２の実施の形態
第１の実施の形態の画素を高精細化のために縮小すると、図７に示すように、ＴＦＴ５０のドレイン電極１５と、共通電位線ＣＯＭ上の電極１６とがショートしてしまい、デザインルール上の制約から、第１のコンタクト部Ｃ１と第２のコンタクト部Ｃ２を共通電位線ＣＯＭ上に並んで配置することができなくなる。
【００３１】
そこで、第２の実施の形態は、図８に示すように、第２のコンタクト部Ｃ２は、共通電位線ＣＯＭとオーバーラップして配置されるが、第１のコンタクト部Ｃ１は共通電位線ＣＯＭとゲート線ＧＬとの間に、第２のコンタクト部Ｃ２と縦方向に並んで配置する。このように配置することで、画素の高精細化が可能になる。なお、図８では、画素の構成を見やすくするために、６個の画素のうち、上側の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３つの画素について、画素電極６０及び共通電極６２の図示が省略されている。
【００３２】
第３の実施の形態
第２の実施の形態では、第１のコンタクト部Ｃ１と第２のコンタクト部Ｃ２とは縦方向に並んで配置されるが、これにより、第２のコンタクト部Ｃ２が画素の透過領域に入り込み、開口率、透過率が低下してしまう。
【００３３】
そこで、第３の実施の形態は、図９に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３つの画素のうち、１つの画素にのみ、第２のコンタクト部Ｃ２を配置するようにした。図９では、画素の構成を見やすくするために、６個の画素のうち、上側の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３つの画素について、画素電極６０及び共通電極６２の図示が省略されている。
【００３４】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色は、ＣＦ基板２０の表面に設けられるカラーフィルタによって得られる。特に、青（Ｂ）に着色された画素にのみ、第２のコンタクト部Ｃ２を設けることにより、人間が感じる輝度に大きく影響する、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）については開口率が低下しないため、透過率の低下を最小限に抑えることができる。また、６画素に１つの第２のコンタクト部Ｃ２を配置し、または９〜１６画素に１つ第２のコンタクト部Ｃ２を配置することで、さらに透過率の低下を抑えることができる。
【００３５】
ところで、最近、表示色域を広げる技術として、従来の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にシアン（Ｃｙ）を加えた４色の画素で１絵素を構成するという技術が提案されている。この場合、緑（Ｇ）、シアン（Ｃｙ）の緑系の色の画素面積が大きくなるため、４画素で白を表示する場合に、白の色が緑っぽくなるという問題点があり、これを改善するために、緑（Ｇ）、シアン（Ｃｙ）の開口率を、ブラックマトリクスを用いて下げることで対策している。しかし、そのような対策によれば開口率の低下が生じてしまう。
【００３６】
そこで、本発明では、図１０に示すように、第２のコンタクト部Ｃ２を赤（Ｒ）、青（Ｂ）の画素には配置せず、緑（Ｇ）、シアン（Ｃｙ）にのみ、配置する。このような配置によれば、相対的に赤（Ｒ）、青（Ｂ）の画素の開口率が増加し、白の色をある程度、調整することができる。また、すべての画素に第２のコンタクト部Ｃ２を設けて、ブラックマトリクスだけで開口率を調整した場合に比べて、透過率を向上させることが可能になる。ここで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃｙ）の各色を波長によって定義しておくと、赤（Ｒ）の波長のピークは６００ｎｍ以上、青（Ｂ）の波長のピークは４１５〜５００ｎｍ、緑（Ｇ）の波長のピークは５００ｎｍ〜５９０ｎｍシアン（Ｃｙ）の波長のピークは４８５ｎｍ〜５３５である。
【００３７】
また、第１、第２、第３の実施の形態において、共通電極６２は絶縁膜６１を挟んで画素電極６０の上に形成されているが、これとは逆に、画素電極６０を絶縁膜６１を挟んで共通電極６２の上に形成してもよい。この場合には、画素電極６０に複数のスリットＳが形成される。
【００３８】
さらに、第１、第２、第３の実施の形態において、共通電極６２と画素電極６０との間で表示電圧を保持するための保持容量が形成されるが、液晶パネルが高精細化されて一画素の大きさが小さくなると、保持容量の容量値が不足するという問題が生じる。そこで、ＴＦＴ５０のドレイン領域（能動層ＰＳの一部）を共通電位線ＣＯＭの下にゲート絶縁膜を介して延在させることにより、ドレイン領域と共通電位線ＣＯＭの間で新たな保持容量を形成して、前記保持容量の容量値の不足を補うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の画素の第１のレイアウト図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の画素の部分断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の製造工程を説明する平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の製造工程を説明する平面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の製造工程を説明する平面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の画素の第２のレイアウト図である。
【図７】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の画素を高精細化した場合のレイアウト図である。
【図８】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の画素のレイアウト図である。
【図９】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の画素の第１のレイアウト図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の画素の第２のレイアウト図である。
【図１１】従来例の液晶表示装置の平面図である。
【図１２】図１１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  ＴＦＴ基板          １１  第１の偏光板      １２  バッファ膜
１３  ゲート絶縁膜        １４  層間絶縁膜        １５  ドレイン電極
１６  電極                １７  パッシベーション膜
１８  平坦化膜            ２０  ＣＦ基板          ２１  第２の偏光板
３０  液晶                ６０  画素電極          ６１  絶縁膜
６２  共通電極            ＢＬ  バックライト光源
Ｃ１  第１のコンタクト部            Ｃ２  第２のコンタクト部
ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３，ＣＨ４，ＣＨ５，ＣＨ６  コンタクトホール
ＣＯＭ  共通電位線        ＤＬ  表示信号線        ＧＬ  ゲート線
Ｋ  開口部                ＰＳ  能動層              Ｓ  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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