(57)【要約】【課題】使用済みの各処理液が混合することを防止することができる処理液回収機構を備えた基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】被処理基板を載置する基板載置手段と、前記基板載置手段を回転駆動する回転駆動手段と、前記基板載置手段に載置された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板載置手段に載置された被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、前記駆動手段による被処理基板の回転に伴って飛散した処理液をその種類に応じて回収するように設けられた複数の環状処理槽を有する処理液回収手段と、前記処理液を前記複数の環状処理槽のいずれかで回収するときに当該処理中の環状処理槽からの排気を他の環状処理槽からの排気よりも多くなるように制御する排気制御手段とを備える基板処理装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置された被処理基板を回転駆動させながら、当該被処理基板の表面に処理液を供給するステップと、
前記被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、前記被処理基板の回転に伴って飛散した処理液をその種類に応じて回収するように設けられた複数の環状処理槽を有する処理液回収手段を用いて、前記処理液を前記複数の環状処理槽のいずれかで回収するときに当該処理中の環状処理槽からの排気を他の環状処理槽からの排気よりも多くなるように制御しながら前記処理液を回収するステップと、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記処理液を回収するステップは、処理を行っていない前記他の環状処理槽からも、前記処理中の環状処理槽よりも少量の排気を行って排気制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
被処理基板を載置する基板載置手段と、
前記基板載置手段を回転駆動する回転駆動手段と、
前記基板載置手段に載置された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板載置手段に載置された被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、前記駆動手段による被処理基板の回転に伴って飛散した処理液をその種類に応じて回収するように設けられた複数の環状処理槽を有する処理液回収手段と、
各基板処理槽の排気量をそれぞれ単独に制御できる排気制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記基板載置手段を昇降させる昇降手段と、
前記基板載置手段の位置が前記各環状処理槽への導路開口部と対応するように前記昇降手段を制御する昇降制御手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウェーハ等の各種基板に対して基板処理を行う基板処理方法及び基板処理装置に係り、特に基板を処理した後の各種処理液を回収する機構を改良した基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板の表面処理を行う基板処理装置は、その用途に応じていわゆるバッチ式または枚葉式という２つの異なる方式の何れかに大別される。
【０００３】
このうち、バッチ式を採用した基板処理装置は、多数枚の被処理基板、例えば、半導体ウェーハ（以下、総称してウェーハという）をカセットにセットして、このカセットを処理槽に貯溜された処理液に浸漬して、これらのウェーハを一括して処理する装置であって、一度に大量のウェーハを処理できるという利点を有している。
【０００４】
また、枚葉式を採用した基板処理装置は、１枚のウェーハを載置台に載置し、この載置台を回転させながら、ウェーハ表面に処理液を滴下して、ウェーハを１枚ずつ処理する装置であって、ウェーハ１枚ずつ処理するので、複数枚のウェーハ間の相互汚染を回避することができ、しかも使用する処理液はろ過（再）調整された新液を使用できる。
【０００５】
このような枚葉式を採用した基板処理装置では、複数種類の洗浄液に対応して使用済の洗浄液をその種類毎に分離回収するように複数の円環状処理槽（リングカナル）を備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
図６は下記特許文献１に記載された基板処理装置の概略を示す断面図である。この基板処理装置は、鉢３２０から構成されており、この鉢内部のスペース３２１の中に、支持器３０１が矢印３２２の方向に上下することができるように収められている。このために、シャフト３０７を駆動するモータ３２３は図示されていない駆動装置によって上下に動かすことができる。
【０００７】
そして、鉢３２０の中には３本のカナル３２５、３２６、および３２７が上下に重ねられて備えられている。これらのリング形のカナル３２５、３２６、および３２７はリング形のスリット３２８、３２９、および３３０を通じて鉢３２０の内側のスペース３２１に向かって開口している。
【０００８】
さらに、鉢３２０の中の、カナル３２５、３２６、および３２７の外側にはリングスペース３３１が備えられており、このスペースはソケット管３３２を介して吸引装置に接続されている。カナル３２５、３２６、および３２７は開口部３３３、３３４、および３３５を介してリングスペース３３１と結合されている。
【０００９】
支持器３０１の上部では、共通の開口部３４２の中に、パイプ３４３、３４４、および３４５が開口している。パイプ３４４および３４５は容器３４６および３４７と接続されており、これらの容器の中には処理液をストックしておくことができる。
【００１０】
また、パイプ３４１はカナル３２７から廃棄パイプ３４８へ接続されている。パイプ３４０は３路弁３４９に、またパイプ３３９は３路弁３５０へ接続されている。これらの弁３４９または３５０を調整することによって、カナル３２５および／または３２６から取り出された液体をあるいはストック容器３４６または３４７の中へ送り返し、またあるいは、廃棄パイプ３４８へ送り出すことができる。
【００１１】
カナル３２５、３２６、および３２７の中では支持器３０１の上に載せられたケイ素円板３１１から遠心力によって飛ばされた処理液が集積され、パイプ３３９、３４０、および３４１を通じて運び出される。リングスペース３３１とソケット管３３２からなる吸引装置は、装置の運転の間、一定の空気が流れるようにしている。
【００１２】
また、枚葉式を採用した基板処理装置において、純水系の排気に薬液蒸気が入らないように排気を弱める基板処理装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
図７は下記特許文献２に記載された基板処理装置の概略を示す側面図である。この基板処理装置は、モータ４５７の駆動により基板Ｗを保持した状態で回転するスピンチャック４５８と、スピンチャック４５８に保持された基板Ｗに除去液を供給するための第１ノズル４４１と、スピンチャック４５８に保持された基板Ｗに中間リンス液と純水とを供給するための第２ノズル４４２と、基板処理時に基板Ｗから飛散する除去液、中間リンス液および純水を捕獲するための円周状の昇降カップ４５１および固定カップ４５２とを備えている。
【００１４】
固定カップ４５２は、円周状に形成された第１凹部４５５と、この第１凹部４５５の内側において円周状に形成された第２凹部４５６とを備えている。第１凹部４５５は、昇降カップ４５１が除去液回収位置に配置された状態の昇降カップ４５１により捕獲された除去液を回収するためのものである。また、第２凹部４５６は、昇降カップ４５１が排液回収位置に配置された状態の昇降カップ４５１により捕獲された中間リンス液または純水を回収するためのものである。
【００１５】
第１凹部４５５は、除去液を回収するための管路４６１を介して除去液貯留部４６２と接続されている。第１凹部４５５により回収された除去液は、除去液貯留部４６２に一旦貯留された後、ポンプ４６４の作用により第１ノズル４４１に再度送液され、第１ノズル４４１よりスピンチャック４５８に保持された基板Ｗの表面に供給される。
【００１６】
第１ノズル４４１より除去液を吐出し、基板Ｗの表面に除去液を供給することにより、反応生成物の除去処理を行うとき、排気量調整弁４６０により昇降カップ４５１および固定カップ４５２よりなるカップ内の雰囲気の排気が弱められる。
【００１７】
また、第２ノズル４４２より中間リンス液および純水を吐出し、基板Ｗの表面に中間リンス液および純水を供給することにより、基板Ｗを洗浄するとき、基板Ｗの端縁から飛散する中間リンス液および純水は、昇降カップ４５１の側壁により捕獲され、固定カップ４５２における第２凹部４５６および排気管４３５を介して気液分離部４６５に流入した後、分離回収機構４６７を介して中間リンス液回収用ドレイン４６８または純水回収用ドレイン４６９にそれぞれ排出される。このときの排気量は、排気量調整弁４６０により通常の状態に復帰する。
【００１８】
【特許文献１】特公平７−１５１５０号公報（段落［００１２］〜［００１９］、図１）
【特許文献２】特開２００２−３０５１７３号公報（段落［００２９］〜［００７９］、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記特許文献１に記載されたリングカナルでは、排液については各薬液ごとの排液パイプにて対応しているものの、排気については各薬液に対して同じ排気口にて対応している。このため、基板処理後の薬液蒸気が全て混じり合ってしまい、配管内で薬液蒸気が反応して析出物が発生するという問題を生ずる。また、薬液蒸気の排出処理においても同一に処理することになり、種類の異なる薬液蒸気ごとに処理できないという問題がある。
【００２０】
また、上記特許文献２に記載されたように、除去液の薬液蒸気はシンク全体の排気口から排出されるため、排気は、純水系（中間リンス液および純水）の排気管４３５とシンク全体用の排気管４３４しかない。このため、薬液が２種類以上になった場合には、薬液蒸気の雰囲気が長く残る可能性もあり、基板に悪影響を及ぼすことがある。
【００２１】
そこで、本発明は上記従来技術が抱える課題を解決するためになされたものであり、使用済みの各処理液が混合することを防止することができる処理液回収機構を備えた基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、請求項１の発明に係る基板処理方法は、載置された被処理基板を回転駆動させながら、当該被処理基板の表面に処理液を供給するステップと、
前記被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、前記被処理基板の回転に伴って飛散した処理液をその種類に応じて回収するように設けられた複数の環状処理槽を有する処理液回収手段を用いて、前記処理液を前記複数の環状処理槽のいずれかで回収するときに当該処理中の環状処理槽からの排気を他の環状処理槽からの排気よりも多くなるように制御しながら前記処理液を回収するステップと、を備えることを特徴とする。
【００２３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理方法に係り、前記処理液を回収するステップは、処理を行っていない前記他の環状処理槽からも、前記処理中の環状処理槽よりも少量の排気を行って排気制御することを特徴とする。
【００２４】
請求項３の発明に係る基板処理装置は、被処理基板を載置する基板載置手段と、前記基板載置手段を回転駆動する回転駆動手段と、前記基板載置手段に載置された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板載置手段に載置された被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、前記駆動手段による被処理基板の回転に伴って飛散した処理液をその種類に応じて回収するように設けられた複数の環状処理槽を有する処理液回収手段と、各基板処理槽の排気量をそれぞれ単独に制御できる排気制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００２５】
請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置に係り、前記基板載置手段を昇降させる昇降手段と、前記基板載置手段の位置が前記各環状処理槽への導路開口部と対応するように前記昇降手段を制御する昇降制御手段とを更に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は上記構成を備えることにより、以下に示す効果を奏する。すなわち、請求項１に記載の発明によれば、基板を処理した処理液を前記複数の環状処理槽のいずれかで回収するときに、当該処理中の環状処理槽からの排気を他の環状処理槽からの排気よりも多くなるように制御して回収するようにしたので、処理中の薬液蒸気が他の環状処理槽に入ることを防止することができる。これにより、例えば、酸性の薬液による処理とアルカリ性の薬液による処理とを行う場合に、その混入により生じる析出物を環状処理槽や排気系部材表面で発生させることなく、各種処理液の基板処理を行うことができる。
【００２７】
請求項２の発明によれば、処理中の環状処理槽を除いた他の環状処理槽の排気を止めずに弱いながらも排気することで、処理中ではない環状処理槽内側に付着した薬液蒸気等が、基板の回転によって起こる風によって被処理基板の回りに逆流することを防ぐことができる。
【００２８】
請求項３の発明によれば、排気制御手段によって処理液回収手段からの排気量を制御するようになしたので、上記請求項１の発明の効果を奏することができる基板処理装置を提供することができる。
【００２９】
請求項４の発明によれば、基板載置手段を昇降させる昇降手段と、基板載置手段の位置が各環状処理槽への導路開口部と対応するように昇降手段を制御する昇降制御手段とを更に備える構成にすることにより、処理中の薬液及び薬液蒸気が他の環状処理槽に入ることを防止することができようになり、種類の異なる薬液の混入により生じる析出物を環状処理槽や排気系部材表面で発生させることなく、各種処理液の基板処理を効率よく行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の最良の実施形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理装置を例示するものであって、本発明をこの基板処理装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００３１】
図１〜図４は本発明の実施例に係る基板処理装置の構成をそれぞれ異なる状態で示す側面概要図である。図５は排液口および排気口の構成を示し、図１のＡ−Ａ線から切断した平面図である。
【００３２】
本実施例の基板処理装置１は、図１に示すように、被処理対象の各種基板、例えばウェーハＷが設置され、このウェーハＷの表面に各種処理液による処理を行うための基板処理機構２と、使用済みの各種処理液を選択的に分別回収する処理液回収機構３とを備えて構成されている。
【００３３】
基板処理機構２は、ウェーハＷを支持し、鉛直軸芯回りに回転する基板支持体（以下、支持体という）２１と、この支持体２１に接続されているシャフト２２と、支持体２１で保持されたウェーハＷをシャフト２２の軸方向に回転させる駆動装置２３と、支持体２１の高さを上下方向に移動させる昇降装置２４と、ウェーハＷの表面に処理液を滴下する噴射ノズル２５とを備えている。
【００３４】
支持体２１は、その形状が円柱状であり、その上面は平坦面２６で形成され、この平坦面２６の外周縁部付近にはウェーハＷが載置される複数本の基板支持ピン２７が設けられ、さらにこのウェーハＷの回転中の水平方向への移動を阻止する移動規制ピン２８がウェーハＷの外周縁に接触するように設けられている。なお、これらの基板支持ピン２７及び移動規制ピン２８は、平坦面２６上に３個以上を略等間隔に設けることが好ましい。また、ここでは基板支持ピン２７及び移動規制ピン２８は別部材としているが、１本のピン、例えば、基板支持部を背低にして段差を設けたピンとしてもよい。
【００３５】
噴射ノズル２５は、その吐出口がウェーハＷの処理面に向くように配設されており、処理液回収機構３の外に設置されている処理液供給装置（図示省略）に配管（図示省略）により接続され、所定の処理液を供給できるようになっている。
【００３６】
また、処理液回収機構３は、支持体２１の周囲に、４種類の処理廃液を分離して回収するための処理カップ３０と、処理カップ３０の一端に着脱可能に取り付けられた案内板３１とから構成されている。
【００３７】
処理カップ３０は、上面および底面が開口した略円筒状の形状をしており、中心側から順に間隔をあけて配置された、第１のカップ３０ａ、第２のカップ３０ｂ、第３のカップ３０ｃ、第４のカップ３０ｄ、および第５のカップ３０ｅから構成されている。
【００３８】
また、各カップ３０ａ〜３０ｅの底部には、カップの外周側面および／または内周側面に、そのカップの外周側および／または内周側に隣接する他のカップと互いに接触する接触面を有し、その外周側面側の接触面表面には、カップの上面から底面に向けて（鉛直軸方向に）複数本の凹状溝３２ａ〜３２ｄが等間隔に形成されており、その空間は、開口導路として各カップで回収された処理液とその蒸気を下方へ排出する。
【００３９】
さらに、第１〜４のカップ３０ａ〜３０ｄの各底部には、その内部に使用済処理液を回収するための環状の回収槽３４ａ〜３４ｄが設けられており、各開口導路（凹状溝３２ａ〜３２ｄ）を介して排出された処理液および雰囲気ガスを回収する。
【００４０】
そして、回収槽３４ａ〜３４ｄには、使用済処理液を排出する排液口３５ａ〜３５ｄまたはカップ内の雰囲気ガスを排出する排気口３６ａ〜３６ｄが所定の位置に設けられ、この排液口３５ａ〜３５ｄは、排液処理装置（図示省略）に配管により接続されており、排気口３６ａ〜３６ｄは、配管４１ａ〜４１ｄとそれぞれ接続された排気制御手段４０ａ〜４０ｄを介して排気処理装置（図示省略）に接続されている。
【００４１】
排液口３５ａ〜３５ｄおよび排気口３６ａ〜３６ｄは、図５に示すように、同心円上の所定位置にそれぞれ４個をほぼ等間隔に設けられている。これにより、排液および排気を均一化することができるようになる。
各４個の排気口３６ａ〜３６ｄは排気集積空間（図示省略）で合流させ、共通の排気制御手段４０ａ〜４０ｄに接続してあり、各排気制御手段４０ａ〜４０ｄは、各排気量を制御する排気量制御部４２に接続してある。
【００４２】
なお、排液口３５ａ〜３５ｄは、回収槽３４ａ〜３４ｄへ流入した排液が直ちに排出されるような構造になっているのに対し、排気口３６ａ〜３６ｄは、回収槽３４ａ〜３４ｄへ排液と排気が流入するが、経路に折り返し導路を設けることにより排液の流入を防ぐ構造になっており、排気のみを排気口３６ａ〜３６ｄから排出される。
【００４３】
さらに、案内板３１は、図１に示すように、上面および底面が開口した略円筒状の形状をしており、中心側から順に第１の案内板３１ａ、第２の案内板３１ｂ、第３の案内板３１ｃ、第４の案内板３１ｄ、および第５の案内板３１ｅから構成されている。
【００４４】
また、案内板３１ａ〜３１ｅの一端部には処理カップ３０と着脱可能な結合部が設けられており、それぞれ第１〜第５のカップ３０ａ〜３０ｅに取り付けられている。さらに、第２〜第５の案内板３１ｂ〜３１ｅの他端部には、各カップの廃液取り込み口３７ａ〜３７ｄが上下４段階の位置にそれぞれ配置されるように、上端位置から内側に向かう上り傾斜面が設けられている。そして、図１〜図４に示すように、これらの廃液取り込み口３７ａ〜３７ｄに対応する上下４段階の処理位置Ｈａ〜Ｈｄに支持体２１が昇降するようになっている。
【００４５】
排気量制御部４２は、論理演算を実行するＣＰＵと、ＣＰＵにより実行される動作プログラムが格納されたＲＯＭと、ＣＰＵ動作時にデータ等が一時的に保持されるＲＡＭと、昇降装置２４や各排気制御手段４０ａ〜４０ｄ等と接続されるインターフェースにより構成されており、支持体２１が昇降して設定される処理位置Ｈａ〜Ｈｄに対応する廃液取り込み口３７ａ〜３７ｄに応じて各排気制御手段４０ａ〜４０ｄの排気量を制御する。
【００４６】
すなわち、図１に示すように、支持体２１が処理位置Ｈａに設定されると、処理中の排気制御手段４０ａの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ｂ〜４０ｄの排気量は処理中の排気制御手段４０ａの排気量よりも少なく、例えば処理中の排気量を１００とした場合に、他の排気量を２０程度にしておく。
【００４７】
また、図２に示すように、支持体２１が処理位置Ｈｂに設定されると、処理中の排気制御手段４０ｂの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ａ、４０ｃ、および４０ｄの排気量は処理中の排気制御手段４０ｂの排気量よりも少なくしておく。さらに、図３に示すように、支持体２１が処理位置Ｈｃに設定されると、処理中の排気制御手段４０ｃの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ａ、４０ｂ、および４０ｄの排気量は処理中の排気制御手段４０ｃの排気量よりも少なくしておく。同様に、図４に示すように、支持体２１が処理位置Ｈｄに設定されると、処理中の排気制御手段４０ｄの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ａ〜４０ｃの排気量は処理中の排気制御手段４０ｄの排気量よりも少なくしておく。
【００４８】
以上のように構成された基板処理装置１を用いたウェーハＷの処理方法について以下に説明する。
先ず、図示しない搬送機構を用いてウェーハＷ１枚を支持体２１の支持ピン２７上に載置する。次に、駆動装置２３を作動させることによりシャフト２２を介して支持体２１を回転させ、噴射ノズル２５から回転するウェーハＷの上面に処理液を滴下する。この噴射ノズル２５は、図示しない移動手段によって、ウェーハＷの半径方向に直線的に、あるいはウェーハＷの中心を通る円弧を描くように往復運動させて処理液を噴射させる。これによって、ウェーハＷ上の処理液の均一化が図られる。さらに、ウェーハＷ表面に滴下された処理液は、遠心力によってウェーハＷ上で外周方向に流れ、外周端部から吹き飛ばされる。このウェーハＷは、回転中に横方向へ移動しようとするが、この移動は規制ピン２８によって阻止される。
【００４９】
ここで、図１に示すように、第１の処理液でウェーハＷを処理するときは、支持体２１は昇降装置２４によって第１の処理位置Ｈａに設定され、回転処理により吹き飛ばされた第１の処理液は、廃液取り込み口３７ａで集められて回収槽３４ａを介して回収される。このとき、排気量制御部４２により、処理中の排気制御手段４０ａの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ｂ〜４０ｄの排気量は処理中の排気制御手段４０ａの排気量よりも少なく、例えば、処理中の排気を１００とした場合に、他の排気を２０程度になるように各排気量を制御する。
【００５０】
つぎに、図２に示すように、第２の処理液でウェーハＷを処理するときは、支持体２１は昇降装置２４によって第２の処理位置Ｈｂに設定され、回転処理により吹き飛ばされた第２の処理液は、廃液取り込み口３７ｂで集められて回収槽３４ｂを介して回収される。このとき、図１に示すように、排気量制御部４２により、処理中の排気制御手段４０ｂの排気量は多く、その他の排気制御手段４０ａ、４０ｃ、および４０ｄの排気量は処理中の排気制御手段４０ｂの排気量よりも少なくなるように各排気量を制御する。
【００５１】
同様に、図３または図４に示すように、第３、第４の処理液でウェーハＷを処理するときは、支持体２１は昇降装置２４によって第３の処理位置Ｈｃまたは第４の処理位置Ｈｄにそれぞれ設定され、回転処理により吹き飛ばされた第３、第４の処理液は、それぞれ廃液取り込み口３７ｃ、３７ｄで集められて回収槽３４ｃ、３４ｄを介して回収される。このとき、図１に示すように、排気量制御部４２により、処理中の排気制御手段４０ｃまたは４０ｄの排気量が処理中の排気制御手段の排気量よりも多くなるように各排気量を制御する。
【００５２】
以上のような処理を行うことで、複数種類の薬液及び薬液蒸気を所定の処理槽に回収するときに、他の処理槽に混入することなく回収を行うことができる。さらに、排気系部材表面の析出物の発生を防止することができるため、信頼性の高い基板処理が可能となる。また、処理中以外の排気を止めずに弱いながらも排気することで、処理中ではない環状処理槽内側に付着した薬液の蒸気が被処理基板の周りに基板の回転によって起こる風による逆流することを防ぐことができる。
【００５３】
なお、上記の実施例では、処理中の排気を多く、その他の排気を少なくしたが、薬液蒸気が基板上においても特に問題ない成分の時など処理中の排気のみを実行するか、処理中の排気を極めて多くし、その他の排気を停止するか、その他の排気を極めて少なくしてもよい。この場合、薬液蒸気が他の回収処理槽および排出配管に流入することを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は本発明の実施例に係る基板処理装置の構成を示す側面概要図である。
【図２】図２は本発明の実施例に係る基板処理装置の構成を示す他の側面概要図である。
【図３】図３は本発明の実施例に係る基板処理装置の構成を示す更に他の側面概要図である。
【図４】図４は本発明の実施例に係る基板処理装置の構成を示す更に他の側面概要図である。
【図５】図５は排液口および排気口の構成を示し、図１のＡ−Ａ線から切断した平面図である。
【図６】図６は従来技術の基板処理装置を示す断面図である。
【図７】図７は従来技術の基板処理装置を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ｗ        被処理基板（ウェーハ）
１        基板処理装置
２        基板処理機構
３        処理液回収機構
２１        （基板）支持体
２２        シャフト
２３        駆動装置
２４        昇降装置
２５        噴射ノズル
３０        処理カップ
３１        案内板
３２        凹状溝
３４        回収槽
３５        排液口
３６        排気口
４０        排気制御手段
４１        配管
４２        排気量制御部
【図１】
2007180379.tif 000003
【図２】
2007180379.tif 000004
【図３】
2007180379.tif 000005
【図４】
2007180379.tif 000006
【図５】
2007180379.tif 000007
【図６】
2007180379.tif 000008
【図７】
2007180379.tif 000009