(57)【要約】【課題】半導体装置の製造工程において、エッチング量のモニタ精度を向上させる。  【解決手段】絶縁膜（バンク）１３によって所望の形状に区画された領域（開口部ＯＡ１）内に、膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを形成し、ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜１７のエッチング工程のモニタとして使用し、例えば、ゲート絶縁膜１７と同等もしくはゲート絶縁膜より若干厚い膜厚の検査パターン（例えば１７ｃ）が消失した時点で、エッチングを終了する。【選択図】図３
2007180121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上の第１領域に複数の開口部を有する第１膜を形成する工程と、
（ｂ）前記複数の開口部内に膜厚の異なる複数の第２膜を形成する工程と、
（ｃ）前記基板上の第２領域に第３膜を形成する工程と、
（ｄ）前記複数の第２膜のエッチングの程度を参照しながら前記第３膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１領域に複数の開口部を有する第１膜と、前記複数の開口部内の膜厚の異なる複数の第２膜と、を有する基板の、前記第１領域とは異なる第２領域に第３膜を形成する工程と、
前記複数の第２膜のエッチングの程度を参照しながら前記第３膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程は、開口面積がほぼ同じである複数の開口部を有する前記第１膜を形成する工程であり、
前記（ｂ）工程は、前記複数の開口部内に、異なる量の前記第２膜の溶液を滴下することにより、膜厚の異なる複数の前記第２膜を形成する工程であること、
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ａ）工程は、開口面積が異なる複数の開口部を有する前記第１膜を形成する工程であり、
前記（ｂ）工程は、前記複数の開口部内に、ほぼ同等量の前記第２膜の溶液を滴下することにより、膜厚の異なる複数の前記第２膜を形成する工程であること、
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２膜と前記第３膜は、同じ材料よりなる膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１領域は、スクライブライン上に存在することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項８】
基板上に形成された複数の開口部を有する第１膜と、
前記複数の開口部内に形成された膜厚の異なる複数の第２膜よりなる検査パターンと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法等に関するものであり、特に、検査パターンを用いた半導体装置の製造方法等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ等の半導体素子（デバイス）を有する半導体装置は、半導体膜、導電性膜および絶縁膜等の各種膜のパターニングを繰り返すことにより形成される。ここでパターニングとは、対象の膜を所望の形状に加工することをいい、例えば、パターニングの対象膜上に、フォトレジスト膜を形成し、露光・現像（フォトリソグラフィー）した後、このフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行うことにより所望の形状のパターンを得る。
【０００３】
従って、パターニングを精度良く行うためには、どの程度のエッチングが行われたかの検証が欠かせない。
【０００４】
そこで、基板をスクライブ（ダイシング、分割、切断）する際のスクライブライン上等、通常の素子形成領域に影響が少ない領域を利用し、検査パターンを形成しておき、この検査パターンを利用して、膜厚や、エッチングの終了時点をモニタしていた。
【０００５】
例えば、特許文献１（特開平６−２３２０８６）には、アンダーカット部のある半導体装置における、エッチングモニタ用のパターンに関する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平６−２３２０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エッチング量をモニタするため、検査パターンを形成する場合においても、通常はエッチング対象膜の下層の膜の形成時に当該膜を利用して検査パターンを形成するため、検査パターンの膜厚を変化させることができず、精度良くエッチング量をモニタすることは困難であった。
【０００７】
本発明は、半導体装置の製造工程において、検査パターンの形状や形成方法を工夫することにより、エッチング量のモニタ精度を向上させることを目的とする。また、エッチング量のモニタ精度を向上させることにより、形成される半導体装置の特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上の第１領域に複数の開口部を有する第１膜を形成する工程と、（ｂ）上記複数の開口部内に膜厚の異なる複数の第２膜を形成する工程と、（ｃ）上記基板上の第２領域に第３膜を形成する工程と、（ｄ）上記複数の第２膜のエッチングの程度を参照しながら上記第３膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第１領域に複数の開口部を有する第１膜と、上記複数の開口部内の膜厚の異なる複数の第２膜と、を有する基板の、上記第１領域とは異なる第２領域に第３膜を形成する工程と、上記複数の第２膜のエッチングの程度を参照しながら上記第３膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。    
【００１０】
上記方法によれば、上記複数の開口部内の膜厚の異なる複数の第２膜によってエッチングの程度が確認でき、第３膜を精度良くエッチングすることができる。
【００１１】
より好ましくは、上記（ａ）工程は、開口面積がほぼ同じである複数の開口部を有する上記第１膜を形成する工程であり、上記（ｂ）工程は、上記複数の開口部内に、異なる量の上記第２膜の溶液を滴下することにより、膜厚の異なる複数の上記第２膜を形成する工程である。
【００１２】
より好ましくは、上記（ａ）工程は、開口面積が異なる複数の開口部を有する上記第１膜を形成する工程であり、上記（ｂ）工程は、上記複数の開口部内に、ほぼ同等量の上記第２膜の溶液を滴下することにより、膜厚の異なる複数の上記第２膜を形成する工程である。
【００１３】
より好ましくは、上記第２膜と上記第３膜は、同じ材料よりなる膜である。
【００１４】
より好ましくは、上記第１領域は、スクライブライン上に存在する。
【００１５】
（２）本発明の電子機器の製造方法は、上記半導体装置の製造方法を有することを特徴とする。
【００１６】
（３）本発明の半導体装置は、基板上に形成された複数の開口部を有する第１膜と、上記複数の開口部内に形成された膜厚の異なる複数の第２膜よりなる検査パターンと、を有することを特徴とする。
【００１７】
（４）本発明の電子機器は、上記半導体装置を有することを特徴とする。ここで「電子機器」とは、本発明にかかる半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定はないが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付ファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどが含まれる。
【００１８】
なお、「電気光学装置」とは、本発明にかかる半導体装置を備えた液晶装置、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置などの表示装置や発光装置を含む。
【００１９】
また、「半導体装置」とは、トランジスタなどのスイッチング素子や、太陽電池などの光電変換素子のような、不純物ドープシリコン膜の用いられる構造を含み、これらが基板上に複数形成された形態のものも意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
【００２１】
本実施の形態においては、検査パターン（テストパターン）、その形成方法およびそれを用いたエッチング量のモニタ方法を、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：thin film transistor）の製造工程に適用した場合を一例として説明する。このＴＦＴは、電気光学装置、例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence、エレクトロルミネセンス）表示装置などに用いられ、例えば、画素のスイッチング素子として、また、画素を選択する駆動回路等として使用される。
【００２２】
図１〜図５は、本実施の形態のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図もしくは要部平面図である。ここで、断面図の左部は、検査パターン形成領域ＴＲであり、右部は、デバイス（半導体素子、ＴＦＴ）形成領域ＤＲである。この検査パターン形成領域ＴＲは、デバイス形成領域ＤＲに影響を与えないよう、例えば、基板を分割する際のスクライブライン上やデバイス形成領域ＤＲの端部に設けることが好ましい。もちろん、デバイス形成領域ＤＲの近傍やその内部に設けても良い。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、ガラス基板（基板、透明基板、絶縁性基板）１０上に絶縁膜１３として例えばＳＯＧ（spin on glass）膜を形成する。このＳＯＧ膜は、例えば、感光性のポリシラザン溶液（液体材料）をガラス基板（以下、単に「基板」という）１０上に塗布し、焼成する（熱処理を施す）ことにより形成する。ポリシラザン溶液は、ポリシラザンとキシレンの混合液であり、例えば、スピンコート（回転塗布）法により基板１０上に塗布され、熱処理（乾燥、焼成）することにより、ＳｉＯ2組成よりなる絶縁膜１３が形成される。
【００２４】
次いで、絶縁膜１３をパターニングすることにより、検査パターン形成領域ＴＲに複数の開口部ＯＡ１を形成し、デバイス形成領域ＤＲに、例えば、１つのＴＦＴを形成するための島領域に対応する開口部ＯＡ２を形成する。言い換えれば、開口部ＯＡ１、ＯＡ２を区画するバンク（土手）を形成する。このバンクの高さ（絶縁膜１３の膜厚）は、例えば、後述する半導体膜１５とゲート絶縁膜１７の膜厚の和程度とする。
【００２５】
これらの開口部ＯＡ１、ＯＡ２は、例えば、絶縁膜（感光性ポリシラザン）１２上に、マスク露光を施し、現像することにより、開口すべき領域上の絶縁膜１３を除去し、形成する。この場合、露光されなかった部分が現像によりなくなる。
【００２６】
本実施の形態によれば、感光性の絶縁膜１３を用いたので、露光・現像（フォトリソグラフィー）工程のみで開口部ＯＡ１、ＯＡ２を形成することができる。感光性を有する絶縁膜としては、感光性ポリシラザンの他、感光性アクリルや感光性ポリイミドなどを用いることができる。もちろん、例えば、感光性を有さない絶縁膜１３を用い、当該絶縁膜１３上に、フォトレジスト膜（以下、「レジスト膜」という）を形成し、露光・現像することにより、開口部すべき領域上のレジスト膜を除去し、残存するレジスト膜をマスクに、絶縁膜１３をエッチングすることにより開口部ＯＡ１、ＯＡ２を形成しても良い。この場合、その後、残存するレジスト膜を除去する。
【００２７】
ここで、開口部ＯＡ１の形状は、図１（ｂ）に示すように、ほぼ同じ略矩形の形状である。即ち、その開口面積（平面パターン面積）はほぼ同じである。
【００２８】
次いで、図１（ｃ）に示すように、デバイス形成領域ＤＲの開口部ＯＡ２中に半導体膜（半導体層）１５としてシリコン膜を形成する。このシリコン膜は、例えば、シラン化合物溶液（液体材料）を、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて開口部ＯＡ２中に吐出し、焼成する（熱処理を施す）ことにより形成する。シラン化合物溶液は例えば次のように調整する。
【００２９】
まず、低次シラン化合物として、シクロペンタシラン（沸点１９４℃）３ｇを２０ｍｌのビーカーに入れ、攪拌しながら４０５ｎｍ、強度１００ｍＷ／ｃｍ2の紫外線光を１０分間照射する。次いで、この液をテトラリン（沸点２０７℃）を溶媒として希釈した後、０．５μｍのメンブランフィルターでろ過し、高次シラン化合物を含む溶液とする。なお、高次シラン化合物を含む溶液の粘度は、常温で、５ｍＰａ・Ｓ程度で、また液中の高次シラン化合物の濃度は、２０重量％程度であり、シクロペンタシランと高次シラン化合物との比率は、重量比で５０：５０程度である。また、高次シラン化合物（−（ＳｉＨ2）ｎ−）の重合度ｎは、１００程度である。
【００３０】
このようなシラン化合物溶液（高次シラン化合物を含む溶液）を、開口部ＯＡ２に吐出し、塗布膜を形成した後、例えば窒素中にて５００℃で３０分程度の熱処理を施す（焼成する）ことにより、アモルファスシリコン膜が形成される。次いで、このアモルファスシリコン膜に対し、例えば、大気（室温）中で、波長３０８ｎｍのエキシマレーザーをエネルギー密度３００ｍＪ／ｃｍ2で照射（レーザーアニール）することによりアモルファスシリコン膜を多結晶化し、多結晶シリコン膜よりなる半導体膜１５が形成される。
【００３１】
次いで、図２（ａ）に示すように、デバイス形成領域ＤＲの開口部ＯＡ２中の半導体膜１５上にゲート絶縁膜１７として酸化シリコン膜を形成する。
【００３２】
ここでは、例えば、前述した半導体膜１５と同様に、シリコン化合物溶液を用いて塗布膜を形成した後、当該膜を熱酸化することで酸化シリコン膜（ＳｉＯ2膜）を形成する。
【００３３】
即ち、例えば、前述のシラン化合物溶液を準備し、この溶液を開口部ＯＡ２（半導体膜１５上）にインクジェット法を用いて吐出し、例えば、窒素中にて２００℃で３０分程度の第１熱処理（乾燥）を施し、塗布膜を形成する。次いで、この塗布膜を、大気中にて４００℃で３０分程度の第２熱処理を施し（熱酸化し）、酸化シリコン膜を形成する。
【００３４】
ここで、シラン化合物溶液をインクジェット法を用いて吐出する際、検査パターン形成領域ＴＲの複数の開口部ＯＡ１中にも、当該溶液を吐出（滴下、注入）し、同様に塗布膜を形成した後、当該膜を酸化させる。この際、各開口部ＯＡ１に吐出する溶液量を変化させ、開口部ＯＡ１中に膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを形成する。例えば、検査パターン１７ａにおいては、絶縁膜１３の膜厚と同程度、検査パターン１７ｂにおいては、絶縁膜１３の膜厚の３／４程度、検査パターン１７ｃおよび１７ｄにおいては、それぞれ、絶縁膜１３の膜厚の１／２および１／４程度の膜厚となるよう吐出量を調整する。その結果、検査パターン１７ａ〜１７ｄとして膜厚の異なる酸化シリコン膜が形成される。
【００３５】
なお、上記塗布膜は、酸素との反応性が高く、大気中においては５００℃程度の熱処理で酸化されるため、酸化膜形成に用いて好適である。もちろん、第１熱処理の温度を上げ、例えば、シリコン膜１５を形成する際の５００℃、３０分の熱処理を塗布膜に施し、シリコン膜を形成してから当該膜を酸化してもよいが、この場合は、１０００℃程度の高温の処理が必要となる。
【００３６】
次いで、図２（ｂ）に示すように、デバイス形成領域ＤＲのゲート絶縁膜１７上にゲート電極１９として導電性膜を形成する。この導電性膜は、例えば、導電性微粒子および有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する溶液（液体材料）を、インクジェット法を用いてゲート絶縁膜１７上のゲート電極形成領域に吐出し、熱処理を施すことにより形成する。
【００３７】
例えば、導電性微粒子の溶液を吐出した場合、その後の熱処理によって、導電性微粒子の集合体どうしを焼結によって接触させ導電性膜を形成することができる。また、有機金属化合物の溶液を用いた場合は、熱処理によって有機物が分解され、主として金属からなる導電性膜が形成される。また、導電性微粒子および有機金属化合物を含有する溶液を用いた場合には、上記２つの現象により導電性膜が形成される。
【００３８】
具体的には、例えば直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）に、トルエンを添加してこれを希釈し、その粘度を３ｍＰａ・ｓとなるように調整し、導電性微粒子分散液とする。当該分散液をインクジェット法を用いてゲート絶縁膜１７上のゲート電極形成領域に吐出し、熱処理を施すことによりゲート電極１９を形成する。
【００３９】
次いで、ゲート電極１９をマスクとして半導体膜１７中にドナーもしくはアクセプターとなる不純物イオン（Ｐ（リン）もしくはＢ（ボロン））を打ち込むことにより、ゲート電極１９の両側の半導体膜１７中にソース、ドレイン領域を形成する。これらの領域のうち、一方がソース電極となり他方がドレイン電極となる。
【００４０】
次いで、図３（ａ）に示すように、検査パターン形成領域ＴＲおよびデバイス形成領域ＤＲに絶縁膜２１を形成し、開口部ＯＡ１およびソース、ドレイン領域上の絶縁膜２１を除去する。その結果、検査パターン１７ａ〜１７ｄが露出し、また、デバイス形成領域ＤＲ上に開口部（コンタクトホールＣ１の上部）が形成され、その底部には、ゲート絶縁膜１７が露出する。
【００４１】
この絶縁膜２１は、絶縁膜１３と同様に、感光性のポリシラザン溶液を焼成することにより形成し、さらに、その開口部は、マスク露光により形成する。
【００４２】
本実施の形態によれば、感光性の絶縁膜を用いたので、露光・現像工程のみで開口部ＯＡ１、ＯＡ２を形成することができる。もちろん、例えば、感光性を有さない絶縁膜１３を用い、パターニングすることにより開口部を形成しても良い。
【００４３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜１７をエッチングすることによりコンタクトホールＣ１を形成する。
【００４４】
この際、各検査パターン１７ａ〜１７ｄを光学センサ３０によりモニタしながらゲート絶縁膜１７のエッチングを行う。言い換えれば、各検査パターン１７ａ〜１７ｄのエッチングの程度を参照しながらゲート絶縁膜１７のエッチングを行う。
【００４５】
即ち、エッチングが進むに従って、薄い検査パターンから消失する（１７ｄ→１７ｃ→１７ｂ→１７ａ）。これを光学センサ３０によりリアルタイムで確認しながらエッチングを行うことにより、エッチングの終点やエッチング速度の検証を行うことができる。
【００４６】
具体的には、図４（ａ）に示すように、エッチング開始前においては、光学センサ３０で検査パターン１７ａ〜１７ｄの存在が確認でき、エッチングが進むにつれ、検査パターン１７ｄが消失し（図４（ｂ））、次いで、検査パターン１７ｃが消失する（図４（ｃ））。
【００４７】
従って、例えば、１）ゲート絶縁膜１７と同等もしくはゲート絶縁膜より若干厚い膜厚の検査パターン（例えば１７ｃ）が消失した時点で、エッチングを終了する（エッチングの終了を確認する）ことができる。
【００４８】
また、２）１枚目の処理基板１０において、エッチングの終了と、残存する検査パターン（例えば、１７ａ、１７ｂ）をあらかじめ確認しておき、２枚目以降の処理基板１０においては、検査パターン１７ｃが消失した時点で、エッチングを終了することができる。
【００４９】
また、３）１枚目の処理基板１０において、各検査パターン（１７ｃ、１７ｄ）の消失時刻を測定しておき、２枚目以降の処理基板１０において当該時刻を確認することによってエッチング速度を検証することができる。この場合、エッチング速度が速すぎるもしくは遅すぎる場合には、エッチング条件を適宜見直すことができる。
【００５０】
また、４）エッチング終了時点があらかじめ把握できるため、エッチング初期や中期においては、エッチング速度を大きくでき、また、それ以降のエッチングの終了前の一定の期間においては、エッチング速度を低下させ、精度良くエッチングを行うことができる。なお、エッチングの終了時点の判定においては、若干のオーバーエッチングを加味しても良い。
【００５１】
このように、検査パターン１７ａ〜１７ｄを光学センサ３０で確認しながらエッチングを行うことにより、過剰なエッチングによる下層（この場合、半導体膜１５）へのダメージを低減でき、また、エッチング不足による接続不良を低減することができる。また、前述したようにエッチング速度を最適化でき、エッチング処理時間を低減することができる。なお、光学センサ３０は、例えば、膜の反射光を検知することにより、膜の有無を判定する。また、上記エッチングは、ウエットエッチングでもドライエッチングでも良い。
【００５２】
次いで、図５に示すように、コンタクトホールＣ１内およびその上部に導電性膜２３を形成することで、ソース、ドレイン電極（ソース、ドレイン引き出し配線）を形成する。この導電性膜２３は、例えば、ゲート電極１９と同様に、導電性微粒子および有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する分散液（液体材料）を、インクジェット法を用いてコンタクトホールＣ１内およびその上部に吐出し、熱処理を施すことにより形成する。
【００５３】
以上の工程によって、スタガ構造のＴＦＴがほぼ完成する（図５）。図示するように、検査パターン形成領域ＴＲには、ゲート絶縁膜１７のエッチングの際、除去しきれなかった検査パターンが、エッチング量相当分の膜厚を減じて残存している。言い換えれば、膜厚の異なる検査パターン（１７ａ、１７ｂ）が残存している。
【００５４】
このように、本実施の形態によれば、膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを用いることで、エッチング量のモニタ精度を向上させることができる。また、インクジェット法を用いることにより、容易に膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを形成することができる。また、エッチング処理時間を低減させることができ、スループットを向上させることができる。また、精度良くエッチングを行うことにより、形成される半導体装置の特性を向上させることができる。
【００５５】
＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、開口部ＯＡ１の形状（開口面積）をほぼ同じにし、吐出する溶液量を変化させることにより、検査パターン１７ａ〜１７ｄの膜厚を異なるものとしたが、以下のように検査パターン２７ａ〜２７ｄを形成しても良い。
【００５６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図６および図７は、本実施の形態のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図もしくは要部平面図である。なお、検査パターン２７ａ〜２７ｄの形成工程以外は、実施の形態１と同様であるためその詳細な説明を省略する。
【００５７】
即ち、図６（ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１０上に絶縁膜１３として例えば感光性ポリシラザンよりなる膜を形成し、次いで、絶縁膜１３をパターニングすることにより、検査パターン形成領域ＴＲに複数の開口部ＯＡ２１（２７ａ〜２７ｄ）を形成し、デバイス形成領域ＤＲに、開口部ＯＡ２を形成する。
【００５８】
ここで、各開口部ＯＡ２１の形状は、図６（ｂ）に示すように、開口面積が異なる略矩形の形状であり、例えば、開口部２７ａの開口面積は、開口部２７ｄの１／４であり、開口部２７ｂ、２７ｃについては、それぞれ開口部２７ｄの１／２、３／４である。
【００５９】
次いで、実施の形態１と同様に、半導体膜１５を形成した後、ゲート絶縁膜１７および検査パターン２７ａ〜２７ｄとして酸化シリコン膜を形成すべく、シラン化合物溶液を吐出し、塗布膜を形成した後、熱酸化する。この溶液の吐出の際、即ち、開口部ＯＡ２１（半導体膜１５上）および開口部ＯＡ２１にインクジェット法を用いてシラン化合物溶液を吐出する際、検査パターン形成領域ＴＲの複数の開口部ＯＡ２１中に、同量（ほぼ同等量）の溶液を吐出し成膜した後、熱酸化する。その結果、例えば、検査パターン２７ｂの膜厚は、検査パターン２７ａの膜厚の３／４程度となる。また、検査パターン２７ｃおよび２７ｄの膜厚は、それぞれ、検査パターン２７ａの膜厚の膜厚の１／２、１／４程度となる。つまり、検査パターン２７ａ〜２７ｄとして膜厚の異なる酸化シリコン膜が形成される。
【００６０】
なお、前述したように、高次シラン溶液の塗布膜もしくは乾燥膜は、シリコン膜ではないが、これらの膜は、酸素との反応性が非常に強く、熱酸化することにより容易に酸化膜となる。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、同量の溶液を吐出することで、異なる膜厚の検査パターン２７ａ〜２７ｄを形成することができる。従って、インクジェット装置の吐出量の微調整が不要となり、容易に膜厚の異なる検査パターン２７ａ〜２７ｄを形成することができる。特に、微細な検査パターンもしくは各検査パターンの膜厚の差（段階）を小さくする場合には、吐出量の調整に限界がある。従って、かかる場合には、開口面積を変える本実施の形態を用いて好適である。
【００６２】
次いで、図７（ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、デバイス形成領域ＤＲのゲート絶縁膜１７上にゲート電極１９として導電性膜を形成し、ゲート電極１９をマスクとして半導体膜１７中に不純物イオンを打ち込むことによりソース、ドレイン領域を形成する。
【００６３】
次いで、検査パターン形成領域ＴＲおよびデバイス形成領域ＤＲに絶縁膜２１を形成し、開口部ＯＡ１およびソース、ドレイン領域上の絶縁膜２１を除去する。その結果、検査パターン２７ａ〜２７ｄが露出し、また、デバイス形成領域ＤＲ上に開口部（コンタクトホールＣ１の上部）が形成され、その底部には、ゲート絶縁膜１７が露出する。
【００６４】
次いで、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜１７をエッチングすることによりコンタクトホールＣ１を形成する。この際、各検査パターン２７ａ〜２７ｄを光学センサ３０によりモニタしながらエッチングを行う。
【００６５】
このように、本実施の形態においても、膜厚の異なる検査パターン２７ａ〜２７ｄを光学センサ３０で確認しながらエッチングを行うことにより、実施の形態１において詳述した効果を奏することができる。
【００６６】
次いで、図７（ｂ）に示すように、実施の形態１と同様に、コンタクトホールＣ１内およびその上部に導電性膜２３を形成することで、スタガ構造のＴＦＴがほぼ完成する。
【００６７】
なお、上記実施の形態においては、エッチング対象のゲート絶縁膜１７と同じ膜（同じ材料よりなる膜）を検査パターン１７ａ〜１７ｄ、２７ａ〜２７ｄとして形成したが、エッチング対象膜と異なる材料（異なる膜）で検査パターンを形成しても良い。例えば、実施の形態１等において、半導体膜１５を形成する際、シラン化合物溶液を、開口部ＯＡ１に吐出し、シリコン膜で検査パターンを構成しても良い。
【００６８】
即ち、検査パターンは、エッチングモニタとしての役割を果たせば良く、エッチング対象膜と検査パターン膜とのエッチング比によって、例えばエッチングレートが遅すぎる場合には、開口面積を小さくする、もしくは、吐出量を少なくする（検査パターンの膜厚を小さくする）等して、対象膜のエッチングがモニタできるよう調整すれば良い。逆に、エッチングレートが速すぎる場合には、開口面積を大きくする、もしくは、吐出量を多くする（検査パターンの膜厚を大きくする）等して、調整すれば良い。特に、検査パターンの膜厚を大きくする場合には、それに応じてバンク高さも大きくする必要がある。但し、エッチング対象膜と同じ系列の材料（同時に形成された膜であるかは問わない）を検査パターンとした場合には、上記調整がし易く、エッチング量のモニタ精度を容易に向上させることができる。
【００６９】
また、上記実施の形態においては、検査パターン形状（開口部の形状）を略矩形としたが、他の形状としても良い。また、検査パターンは、２個以上であればその個数に限定はない。
【００７０】
また、上記実施の形態においては、絶縁膜１３、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１７、ゲート電極１９、絶縁膜２１、導電性膜２３を各種溶液または分散液（液体材料）を用いて形成したが、これらの膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学気相成長）法やＰＶＤ（physical vapor deposition、物理気相成長）法で形成しても良く、検査パターンのみ溶液または分散液（液体材料）の吐出により形成しても良い。但し、エッチング対象膜と成膜方法が類似している膜を検査パターンに用いた方が、よりエッチング量のモニタ精度を向上することができる。また、半導体素子（デバイス）に溶液を用いた膜が多く形成されている場合、当該膜の形成と同時に検査パターンを形成することができ、製造工程を簡略化することができる。
【００７１】
また、上記実施の形態においては、ゲート絶縁膜のエッチングモニタとして検査パターンを用いたが、他の工程で検査パターンを形成し、他の膜のエッチングモニタとして使用しても良い。また、あらかじめ検査パターンを形成した後、当該パターンを絶縁膜等でマスクしておき、エッチング精度が要求されるエッチング工程の前に検査パターンを露出させ、エッチング量のモニタを行っても良い。
【００７２】
また、本実施の形態においては、ＴＦＴの製造工程を例に説明したが、本発明は、エッチング工程を有する半導体装置の製造方法に広く適用可能である。即ち、あらかじめバンクによって所望の形状に区画した領域（開口部）内に、膜厚の異なる検査パターンを形成し、半導体素子を構成する膜のエッチング工程のモニタとして使用すれば良い。
【００７３】
＜電気光学装置および電子機器の説明＞
次に、前述の実施の形態で説明したＴＦＴが使用される電気光学装置や電子機器について説明する。
【００７４】
ＴＦＴは、前述したように、例えば、電気光学装置（表示装置または発光装置）の駆動素子として用いられる。図８に、電気光学装置を用いた電子機器の例を示す。図８（Ａ）は携帯電話への適用例であり、図８（Ｂ）は、ビデオカメラへの適用例である。また、図８（ｃ）は、テレビジョンへ（ＴＶ）の適用例であり、図８（Ｄ）は、ロールアップ式テレビジョンへの適用例である。
【００７５】
図８（Ａ）に示すように、携帯電話５３０には、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明を適用することができる。
【００７６】
図８（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０には、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明を適用することができる。
【００７７】
図８（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明を適用することができる。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置（電気光学装置）にも本発明を適用することができる。
【００７８】
図８（Ｄ）に示すように、ロールアップ式テレビジョン５６０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明を適用することができる。
【００７９】
なお、電気光学装置を有する電子機器としては、上記の他、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施の形態１のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図もしくは要部平面図
【図２】実施の形態１のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図
【図３】実施の形態１のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図
【図４】実施の形態１のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す要部平面図
【図５】実施の形態１のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図
【図６】実施の形態２のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図もしくは要部平面図
【図７】実施の形態２のＴＦＴ（半導体装置）の製造方法を示す工程断面図
【図８】電気光学装置を用いた電子機器の例を示す図
【符号の説明】
【００８１】
１０…ガラス基板、１３…絶縁膜、１５…半導体膜、１７…ゲート絶縁膜、１７ａ〜１７ｄ…検査パターン、１９…ゲート電極、２１…絶縁膜、２３…導電性膜、２７ａ〜２７ｄ…検査パターン、３０…光学センサ、５００…電気光学装置、５３０…携帯電話、５３１…アンテナ部、５３２…音声出力部、５３３…音声入力部、５３４…操作部、５４０…ビデオカメラ、５４１…受像部、５４２…操作部、５４３…音声入力部、５５０…テレビジョン、５６０…ロールアップ式テレビジョン、Ｃ１…コンタクトホール、ＤＲ…デバイス形成領域、ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ２１…開口部、ＴＲ…検査パターン形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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