(57)【要約】【課題】アノード電極におけるウィスカーやヒロックの発生を抑制し、耐電圧特性の劣化、放電の発生を確実に抑制できる構造、構成を有する平面型表示装置を提供する。【解決手段】平面型表示装置は、複数の電子放出領域ＥＡが支持体１０に設けられたカソードパネルＣＰ、並びに、複数の蛍光体領域２２及びアノード電極２４が基板２０に設けられたアノードパネルＡＰから成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとはそれらの周縁部で接合部材２６を介して接合されており、アノード電極２４は、蛍光体領域２２を被覆するアノード電極中央部２４Ａ、及び、該アノード電極中央部２４Ａを取り囲み、該アノード電極中央部２４Ａから延在し、基板２０に接して設けられたアノード電極周辺部２４Ｂから構成され、アノード電極周辺部２４Ｂの平均厚さｔPは、アノード電極中央部２４Ａの平均厚さｔCよりも薄い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極は、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、該アノード電極中央部から延在し、基板に接して設けられたアノード電極周辺部から構成され、
アノード電極周辺部の平均厚さは、アノード電極中央部の平均厚さよりも薄いことを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
アノード電極は、アルミニウム又はアルミニウム合金から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
アノード電極周辺部の平均厚さをｔP、アノード電極中央部の平均厚さをｔCとしたとき、０．１≦ｔP／ｔC≦０．５を満足することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極は、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、基板に接して設けられたアノード電極周辺部から構成され、
アノード電極中央部は、第１の導電材料から成り、
アノード電極周辺部は、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成ることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項５】
第１の導電材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、
第２の導電材料は、カーボン、炭化珪素、及び、クロムから成る群から選択された少なくとも１種類の材料であることを特徴とする請求項４に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極はアルミニウム合金から成り、以て、アノード電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする平面型表示装置。
【請求項７】
アルミニウム合金は、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｍｏ合金、Ａｌ−Ｗ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、及び、Ａｌ−Ｍｇ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金であることを特徴とする請求項６に記載の平面型表示装置。
【請求項８】
アノード電極の下には合金化阻止層が形成され、合金化阻止層の下には、アルミニウムから成る反射層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の平面型表示装置。
【請求項９】
収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノードパネルと対向する電子放出領域の部分は収束電極から構成されており、
該収束電極はアルミニウム合金から成り、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする平面型表示装置。
【請求項１０】
アルミニウム合金は、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｍｏ合金、Ａｌ−Ｗ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、及び、Ａｌ−Ｍｇ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金であることを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置。
【請求項１１】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、該アノード電極中央部から延在するアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成する工程を備え、
アノード電極周辺部の平均厚さは、アノード電極中央部の平均厚さよりも薄いことを特徴とするアノードパネルの製造方法。
【請求項１２】
アノード電極はアルミニウム又はアルミニウム合金から成り、
アノード電極を物理的気相成長法によって形成することを特徴とする請求項１１に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項１３】
アノード電極周辺部の平均厚さをｔP、アノード電極中央部の平均厚さをｔCとしたとき、０．１≦ｔP／ｔC≦０．５を満足することを特徴とする請求項１１に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項１４】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲むアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成する工程を備え、
アノード電極中央部は、第１の導電材料から成り、
アノード電極周辺部は、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成ることを特徴とするアノードパネルの製造方法。
【請求項１５】
第１の導電材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、
第２の導電材料は、カーボン、炭化珪素、及び、クロムから成る群から選択された少なくとも１種類の材料であることを特徴とする請求項１４に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項１６】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウム層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成した後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、以て、アルミニウム合金から成るアノード電極を得ることを特徴とするアノードパネルの製造方法。
【請求項１７】
合金化層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、及び、Ｍｇから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることを特徴とする請求項１６に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項１８】
蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウムから成る反射層を形成し、次いで、反射層上に合金化阻止層、アルミニウム層を順次形成することを特徴とする請求項１６に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項１９】
複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウム合金から成るアノード電極を形成し、以て、アノード電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とするアノードパネルの製造方法。
【請求項２０】
アルミニウム合金は、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、及び、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金であることを特徴とする請求項１９に記載のアノードパネルの製造方法。
【請求項２１】
収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法であって、
アルミニウム層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成した後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、以て、アルミニウム合金から成る収束電極を得ることを特徴とするカソードパネルの製造方法。
【請求項２２】
合金化層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、及び、Ｍｇから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることを特徴とする請求項２１に記載のカソードパネルの製造方法。
【請求項２３】
収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法であって、
アルミニウム合金から成る収束電極を形成し、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とするカソードパネルの製造方法。
【請求項２４】
アルミニウム合金は、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、及び、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金であることを特徴とする請求項２３に記載のカソードパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型表示装置、平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法、及び、平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルＣＰと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルＡＰとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルＣＰは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の模式的な一部端面図を図２０に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図２２に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを有する、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の模式的な一部端面図を図２１に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【０００６】
そして、絶縁層１２及びゲート電極１３の上には層間絶縁層１６が設けられ、層間絶縁層１６にはゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと連通する開口部（第３開口部１４Ｃ）が設けられ、更には、層間絶縁層１６上から第３開口部１４Ｃの側壁に亙り、収束電極３１７が設けられている。図２１及び図２２においては、層間絶縁層及び収束電極の図示を省略した。
【０００７】
これらの表示装置において、カソード電極１１は、第１の方向（図面ではＸ方向で表す）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１の方向（Ｘ方向）とは異なる第２の方向（図面ではＹ方向で表す）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域が、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している。
【０００８】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極３２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。また、１サブピクセルを構成する蛍光体領域２２のそれぞれは隔壁２１によって囲まれており、隔壁２１の平面形状は格子形状（井桁形状）である。尚、図中、参照番号４０はスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。図２１及び図２２においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。
【０００９】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−３１１５０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、表示装置の耐電圧特性を著しく低下させる原因として、表示装置の内部（空間内）における異物の存在が挙げられる。外部からの異物に対しては、表示装置の製造工程において異物の侵入を極力抑える製造方法や製造環境等で対策をとることができる。
【００１２】
しかしながら、表示装置の製造工程における熱処理過程において、アルミニウムから成るアノード電極３２４や収束電極３１７に、ウィスカー及び／又はヒロックといった一種の突起部が発生する場合がある。尚、針状の突起部をウィスカーと呼び、塊状の突起部をヒロックと呼ぶ。そして、このような突起部は、表示装置の実動作時に加わる電圧によって放電が生じる原因となる場合がある。また、表示装置の実動作時に加わる電圧によって生成する電界に起因した静電力により、突起部が剥離し、異物となり、表示装置の耐電圧特性を著しく低下させる原因となる。
【００１３】
このウィスカーやヒロックは、表示装置の製造工程における熱処理過程において、アルミニウムから成るアノード電極３２４や収束電極３１７と、これらの下地との間の熱膨張の差に起因した圧縮応力によって生じると考えられる。しかしながら、本発明者らが調べた限りでは、アノード電極３２４や収束電極３１７におけるウィスカーやヒロックの発生を抑制する技術は知られていない。
【００１４】
例えば、特開２００３−３１１５０には、アノード電極を酸化物膜あるいは窒化物膜で被覆することによって放電の発生を抑制する技術が開示されている。しかしながら、この特許公開公報には、ウィスカーやヒロックの発生に関しての記載は認められない。
【００１５】
従って、本発明の目的は、アノード電極や収束電極におけるウィスカーやヒロックの発生を抑制し、耐電圧特性の劣化、放電の発生を確実に抑制できる構造、構成を有する平面型表示装置、並びに、係る平面型表示装置を構成するアノードパネル及びカソードパネルを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極は、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、該アノード電極中央部から延在し、基板に接して設けられたアノード電極周辺部から構成され、
アノード電極周辺部の平均厚さは、アノード電極中央部の平均厚さよりも薄いことを特徴とする。
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係るアノードパネルの製造方法は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、該アノード電極中央部から延在するアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成する工程を備え、
アノード電極周辺部の平均厚さは、アノード電極中央部の平均厚さよりも薄いことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第１の態様に係るアノードパネルの製造方法において、アノード電極は、アルミニウム又はアルミニウム合金から成る構成とすることができ、アノード電極を物理的気相成長法（ＰＶＤ法）によって形成することが望ましい。アノード電極周辺部の平均厚さをｔP、アノード電極中央部の平均厚さをｔCとしたとき、０．１≦ｔP／ｔC≦０．５を満足することが好ましい。あるいは又、０．０５μｍ≦ｔP≦０．１μｍ、０．２μｍ≦ｔC≦０．５μｍを満足することが好ましい。
【００１９】
本発明の第１の態様に係るアノードパネルの製造方法においては、アノード電極中央部及びアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成するが、先ず、アノード電極中央部を形成し、次いで、アノード電極周辺部を形成してもよいし、先ず、アノード電極周辺部を形成し、次いで、アノード電極中央部を形成してもよいし、先ず、アノード電極中央部の下層部とアノード電極周辺部を形成し、次いで、アノード電極中央部の上層部を形成してもよい。
【００２０】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極は、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲み、基板に接して設けられたアノード電極周辺部から構成され、
アノード電極中央部は、第１の導電材料から成り、
アノード電極周辺部は、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成ることを特徴とする。
【００２１】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係るアノードパネルの製造方法は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、蛍光体領域を被覆するアノード電極中央部、及び、該アノード電極中央部を取り囲むアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成する工程を備え、
アノード電極中央部は、第１の導電材料から成り、
アノード電極周辺部は、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成ることを特徴とする。
【００２２】
本発明の第２の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第２の態様に係るアノードパネルの製造方法においては、第１の導電材料をアルミニウム又はアルミニウム合金から構成し、第２の導電材料を、ウィスカーやヒロックが発生し難く、しかも、平面型表示装置に要求される電気特性（例えば、電圧降下や高圧安定性）を満足する材料から構成することが好ましく、第２の導電材料として、具体的には、例えば、カーボン、炭化珪素、及び、クロムから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。
【００２３】
尚、本発明の第２の態様に係るアノードパネルの製造方法においては、アノード電極中央部及びアノード電極周辺部から成るアノード電極を形成するが、先ず、アノード電極中央部を形成し、次いで、アノード電極周辺部を形成してもよいし、先ず、アノード電極周辺部を形成し、次いで、アノード電極中央部を形成してもよい。
【００２４】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る平面型表示装置は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノード電極はアルミニウム合金から成り、以て、アノード電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする。
【００２５】
本発明の第３の態様に係る平面型表示装置においては、アルミニウム合金として、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｍｏ合金、Ａｌ−Ｗ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、及び、Ａｌ−Ｍｇ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金を挙げることができる。あるいは又、アノード電極の下には合金化阻止層（例えば、ＳｉＯ2といった酸化膜やＳｉＮといった窒化膜から成る）が形成され、合金化阻止層の下には、アルミニウムから成る反射層が形成されている構成とすることが、蛍光体領域からアノード電極中央部に向かって射出された光を確実に反射させてアノードパネルから射出させ、平面型表示装置における輝度の増加を図るといった観点から好ましい。尚、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置にあっては、アノード電極の厚さ方向の全てにおいてアノード電極がアルミニウム合金から構成されていてもよいし、アノード電極の表面がアルミニウム合金から構成され、アノード電極のその他の部分（アノード電極の厚さ方向において、基板により近い部分）はアルミニウムから構成されていてもよい。
【００２６】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係るアノードパネルの製造方法は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウム層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成した後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、以て、アルミニウム合金から成るアノード電極を得ることを特徴とする。
【００２７】
本発明の第３の態様に係るアノードパネルの製造方法において、合金化層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、及び、Ｍｇから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることが好ましい。あるいは又、蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウムから成る反射層を形成し、次いで、反射層上に合金化阻止層（例えば、ＳｉＯ2といった酸化膜やＳｉＮといった窒化膜から成る）、アルミニウム層を順次形成する構成とすることが、蛍光体領域からアノード電極中央部に向かって射出された光を確実に反射させてアノードパネルから射出させ、平面型表示装置における輝度の増加を図るといった観点から好ましい。ここで、合金化層の厚さとして、１０ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、２０ｎｍ乃至３０ｎｍを例示することができる。尚、合金化層の厚さが薄すぎると、連続した層の状態になっていない部分が合金化層に生じる結果、十分な合金化が進まない虞がある。あるいは又、アルミニウム層の厚さをＴ1、合金化層の厚さをＴ2としたとき、０．０２≦Ｔ2／Ｔ1≦０．５、好ましくは０．０５≦Ｔ2／Ｔ1≦０．３を満足することが望ましい。尚、本発明の第３の態様に係るアノードパネルの製造方法にあっては、アノード電極の厚さ方向の全てにおいてアノード電極がアルミニウム合金から構成されていてもよいし、アノード電極の表面がアルミニウム合金から構成され、アノード電極のその他の部分（アノード電極の厚さ方向において、基板により近い部分）はアルミニウムから構成されていてもよい。
【００２８】
本発明の第３の態様に係るアノードパネルの製造方法においては、あるいは、後述する本発明の第１の態様に係るカソードパネルの製造方法においては、アルミニウム層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成するが、アルミニウム層の形成から合金化層の形成までの間、アルミニウム層を大気に暴露しないことが、アルミニウム層の表面に酸化膜を形成させないといった観点から好ましい。アルミニウム層及び合金化層に施す熱処理方法として、合金化層を構成する材料にも依るが、熱処理の全体の時間を例えば１０時間程度とし、大気雰囲気で、熱処理温度３５０゜Ｃ乃至４００゜Ｃを約７０分乃至８０分間保持するといった熱処理方法を例示することができる。
【００２９】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係るアノードパネルの製造方法は、複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法であって、
蛍光体領域を基板上に形成した後、少なくとも蛍光体領域を被覆するアルミニウム合金から成るアノード電極を形成し、以て、アノード電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする。
【００３０】
本発明の第４の態様に係るアノードパネルの製造方法において、アルミニウム合金として、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、及び、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金を挙げることができる。尚、本発明の第４の態様に係るアノードパネルの製造方法にあっては、アノード電極の厚さ方向の全てにおいてアノード電極がアルミニウム合金から構成されている。
【００３１】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る平面型表示装置は、収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
アノードパネルと対向する電子放出領域の部分は収束電極から構成されており、
該収束電極はアルミニウム合金から成り、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする。
【００３２】
本発明の第４の態様に係る平面型表示装置において、アルミニウム合金として、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｍｏ合金、Ａｌ−Ｗ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、及び、Ａｌ−Ｍｇ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金を挙げることができる。尚、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置にあっては、収束電極の厚さ方向の全てにおいて収束電極がアルミニウム合金から構成されていてもよいし、収束電極の表面がアルミニウム合金から構成され、収束電極のその他の部分（収束電極の厚さ方向において、支持体により近い部分）はアルミニウムから構成されていてもよい。
【００３３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係るカソードパネルの製造方法は、収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法であって、
アルミニウム層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成した後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、以て、アルミニウム合金から成る収束電極を得ることを特徴とする。
【００３４】
本発明の第１の態様に係るカソードパネルの製造方法において、合金化層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、及び、Ｍｇから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることが好ましい。合金化層の厚さとして、１０ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、２０ｎｍ乃至３０ｎｍを例示することができる。尚、合金化層の厚さが薄すぎると、連続した層の状態になっていない部分が合金化層に生じる結果、十分な合金化が進まない虞がある。あるいは又、アルミニウム層の厚さをＴ’1、合金化層の厚さをＴ’2としたとき、０．０２≦Ｔ’2／Ｔ’1≦０．５、好ましくは０．０５≦Ｔ’2／Ｔ’1≦０．３を満足することが望ましい。尚、本発明の第１の態様に係るカソードパネルの製造方法にあっては、収束電極の厚さ方向の全てにおいて収束電極がアルミニウム合金から構成されていてもよいし、収束電極の表面がアルミニウム合金から構成され、収束電極のその他の部分（収束電極の厚さ方向において、支持体により近い部分）はアルミニウムから構成されていてもよい。
【００３５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係るカソードパネルの製造方法は、収束電極を備えた複数の電子放出領域が支持体に設けられたカソードパネル、並びに、複数の蛍光体領域及びアノード電極が基板に設けられたアノードパネルから成り、カソードパネルとアノードパネルとが、それらの周縁部で接合部材を介して接合されて成る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法であって、
アルミニウム合金から成る収束電極を形成し、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することを特徴とする。
【００３６】
本発明の第２の態様に係るカソードパネルの製造方法において、アルミニウム合金として、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、及び、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る群から選択された少なくとも１種類の合金を挙げることができる。尚、本発明の第２の態様に係るカソードパネルの製造方法にあっては、収束電極の厚さ方向の全てにおいて収束電極がアルミニウム合金から構成されている。
【００３７】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様〜第３の態様に係る平面型表示装置、本発明の第１の態様〜第４の態様に係るアノードパネルの製造方法において、アルミニウム合金を構成する材料（例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ）の含有率は、純粋なアルミニウムを用いた場合の発光効率を１００％とした場合、発光効率が８０％以上、好ましくは９０％以上となるような含有率であることが、平面型表示装置の輝度低下を生じさせないといった観点から望ましい。あるいは又、アルミニウム合金層の熱膨張係数と下地の熱膨張係数との差の絶対値が出来るだけ小さくなるような含有率であることが、ウィスカー及び／又はヒロックの発生を一層抑制するといった観点から望ましい。尚、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第４の態様に係る平面型表示装置、本発明の第１の態様〜第２の態様に係るカソードパネルの製造方法においても、アルミニウム合金層の熱膨張係数と下地の熱膨張係数との差の絶対値が出来るだけ小さいことが、ウィスカー及び／又はヒロックの発生を一層抑制するといった観点から望ましい。
【００３８】
アノード電極（後述するアノード電極ユニットを包含する）の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。本発明の第２の態様〜第４の態様に係る平面型表示装置にあっては、基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さとして、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００３９】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは、アノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが望ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。このように、アノード電極を有効領域のほぼ全面に亙って形成する代わりに、より小さい面積を有するアノード電極ユニットに分割した形で形成すれば、アノード電極ユニットと電子放出領域との間の静電容量を減少させることができる。その結果、放電の発生を低減することができ、放電に起因したアノード電極や電子放出領域の損傷の発生を効果的に減少させることができる。
【００４０】
尚、アノード電極抵抗体層も、アノード電極と同様の、あるいは、類似した方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。
【００４１】
アノード電極をアノード電極ユニットから構成する場合であって隔壁（後述する）が形成されている場合、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面上に亙り形成されている形態とすることができる。尚、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面の途中まで形成されている形態であってもよい。
【００４２】
蛍光体領域のそれぞれは、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００４３】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００４４】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００４５】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子といった所謂後方散乱電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００４６】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００４７】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００４８】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００４９】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様〜第４の態様に係る平面型表示装置、本発明の第１の態様〜第４の態様に係るアノードパネルの製造方法、本発明の第１の態様〜第２の態様に係るカソードパネルの製造方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と略称する場合がある）にあっては、アノードパネルを構成する基板として、あるいは又、カソードパネルを構成する支持体として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００５０】
本発明において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【００５１】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００５２】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００５３】
電界放出素子は、より具体的には、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分（重複領域）に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
【００５４】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００５５】
カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソードパネルにおいて、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分（重複領域）は電子放出領域に該当し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００５６】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複部分（重複領域）におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００５７】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複部分（重複領域）におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００５８】
本発明の第１の態様〜第３の態様に係る平面型表示装置において、電子放出領域を構成する電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。また、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置においては、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられており、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極及び層間絶縁層には、第３開口部が設けられている。
【００５９】
カソード電極、ゲート電極の構成材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。本発明の第１の態様〜第３の態様に係る平面型表示装置において、収束電極を設ける場合、収束電極の構成材料として、上述したカソード電極、ゲート電極の構成材料（但し、アルミニウムを除く）を挙げることができる。また、本発明の第１の態様〜第３の態様に係る平面型表示装置において、収束電極を設ける場合であって、収束電極の構成材料をアルミニウムとする場合、収束電極を本発明の第４の態様に係る平面型表示装置の構成とすることが好ましい。
【００６０】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【００６１】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００６２】
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００６３】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。収束電極及び層間絶縁層に設けられた第３開口部の形成も同様の方法で行うことができる。
【００６４】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００６５】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体薄膜を形成してもよい。抵抗体薄膜を形成することによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体薄膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系抵抗体材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体抵抗体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体薄膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００６６】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層から成る接合部材を用いて行ってもよいし、あるいは、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いて行ってもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみから成る接合部材を使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６７】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスとすることが好ましいが、大気中で行うこともできる。
【００６８】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００６９】
カソードパネルとアノードパネルによって挟まれた空間は高真空となっている。従って、カソードパネルとアノードパネルとの間に、例えば、セラミックス材料やガラスといった高抵抗材料から作製されたスペーサを配設しておかないと、大気圧によって平面型表示装置が損傷を受けてしまう。
【００７０】
スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００７１】
スペーサの表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ2等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＣｒＡｌxＯy、Ｎｄ2Ｏ3、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢ2、ＴｉＢ2等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ2、ＷＳ2等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。
【発明の効果】
【００７２】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法にあっては、アノード電極周辺部の平均厚さがアノード電極中央部の平均厚さよりも薄い。従って、平面型表示装置の製造工程における熱処理過程において、アノード電極周辺部とその下地である平坦な基板との間の熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。尚、アノード電極中央部の平均厚さをアノード電極周辺部の平均厚さ程度に薄くすると、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子といった所謂後方散乱電子がアノード電極中央部を容易に通過してしまい、他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止することが困難となる虞がある。アノード電極中央部の下地は凹凸を有する蛍光体領域や光吸収層、隔壁であるが故に、平面型表示装置の製造工程における熱処理過程において生じる圧縮応力が左程高くなく、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。
【００７３】
また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法にあっては、アノード電極周辺部が第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成るので、アノード電極周辺部をウィスカーやヒロックが生じ難い導電材料から構成することができる。
【００７４】
更には、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第３の態様、第４の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法にあっては、アノード電極はアルミニウム合金から成るので、平面型表示装置の製造工程における熱処理過程において、アノード電極周辺部とその下地である基板との間の熱膨張の差を小さくできるので、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。
【００７５】
また、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置、あるいは、本発明の第１の態様、第２の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法にあっては、収束電極はアルミニウム合金から成るので、平面型表示装置の製造工程における熱処理過程において、収束電極とその下地との間の熱膨張の差を小さくできるので、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。
【００７６】
そして、以上の結果として、本発明により、実動作時に加わる電圧によっても放電が生じ難く、また、耐電圧特性に優れ、安定した動作特性を示し、高い信頼性、長寿命を有する平面型表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７７】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、各実施例における平面型表示装置の共通した概要を、以下、説明する。ここで、実施例１〜実施例７における平面型表示装置は、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）である。
【００７８】
実施例１〜実施例７における表示装置は、複数の電子放出領域ＥＡが支持体１０に設けられたカソードパネルＣＰ、並びに、複数の蛍光体領域２２及びアノード電極２４，１２４，２２４が基板２０に設けられたアノードパネルＡＰから成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが、それらの周縁部で接合部材２６を介して接合されている。ここで、実施例１〜実施例７の表示装置は、有効領域ＥＦ、及び、有効領域ＥＦを取り囲む無効領域ＮＥを有する。尚、有効領域ＥＦとは、表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、この有効領域ＥＦは、額縁状に包囲する無効領域ＮＥによって囲まれている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間は真空（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）に保持されている。尚、複数の電子放出領域ＥＡは、有効領域ＥＦを構成する支持体１０の部分に２次元マトリクス状に配列され、複数の蛍光体領域２２は、各蛍光体領域２２が電子放出領域ＥＡに対向するように、有効領域ＥＦを構成する基板２０の部分に２次元マトリクス状に配列されている。カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのアノードパネルＡＰ及びカソードパネルＣＰの一部分の模式的な部分的分解斜視図は、基本的に、図２２に示したと同様である。
【００７９】
実施例１〜実施例７において、電子放出領域を構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、図１、図３〜図５、あるいは、図７〜図１１に示すように、
（ａ）支持体１０に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５、
から構成されている。
【００８０】
あるいは又、実施例１〜実施例７にあっては、電子放出素子は、例えば扁平型電界放出素子から構成されている。即ち、扁平型電界放出素子は、図２１に示したように、
（ａ）支持体１０上に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａ、
から構成されている。ここで、電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【００８１】
カソードパネルＣＰにおいて、カソード電極１１は、第１の方向（図面におけるＸ方向参照）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図面におけるＹ方向参照）に延びる帯状である。カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡには、複数の電界放出素子が設けられている。また、絶縁層１２及びゲート電極１３上には層間絶縁層１６が設けられており、更には、収束電極１７が、電界放出素子の所定の配列方向に沿って層間絶縁層１６上に設けられており、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極１７及び層間絶縁層１６には、第３開口部１４Ｃが設けられている。
【００８２】
実施例１〜実施例７において、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体領域２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、アノード電極２４，１２４，２２４から構成されている。そして、蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間の基板２０上には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。更には、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3，純度９９．８重量％）から成るスペーサ４０（図面によっては図示せず）が配置されている。
【００８３】
実施例１〜実施例７の表示装置において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極１７は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極中央部あるいはアノード電極ユニットはアノード電極制御回路３３に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。表示装置の実動作時、アノード電極制御回路３３からアノード電極中央部あるいはアノード電極ユニットに印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。
【００８４】
表示装置の実動作時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極１７には例えば０ボルトが収束電極制御回路（図示せず）から印加され、アノード電極中央部あるいはアノード電極ユニットにはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極中央部あるいはアノード電極ユニットに引き付けられ、アノード電極中央部あるいはアノード電極ユニットを通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及び、カソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。
【実施例１】
【００８５】
実施例１は、本発明の第１の態様及び第４の態様に係る平面型表示装置、及び、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法に関する。
【００８６】
実施例１の表示装置の模式的な一部端面図を図１に示し、実施例１の表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図を図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。ここで、図２の（Ａ）あるいは後述する図６の（Ａ）においては、アノード電極等を取り去ったと仮定したときの蛍光体領域２２の配置状態を模式的に示し、図２の（Ｂ）あるいは後述する図６の（Ｂ）においては、蛍光体領域２２を被覆した状態のアノード電極等の配置状態を概念図として示す。
【００８７】
実施例１にあっては、アノード電極２４は、蛍光体領域２２を被覆するアノード電極中央部２４Ａ、及び、このアノード電極中央部２４Ａを取り囲み、このアノード電極中央部２４Ａから延在し、基板２０に接して設けられたアノード電極周辺部２４Ｂから構成されている。尚、アノード電極中央部２４Ａは有効領域ＥＦを構成する基板２０の部分に形成され、アノード電極周辺部２４Ｂは無効領域ＮＥを構成する基板２０の部分に形成されている。そして、アノード電極周辺部２４Ｂの平均厚さｔPは、アノード電極中央部２４Ａの平均厚さｔCよりも薄い。具体的には、アノード電極周辺部２４Ｂの平均厚さｔPは０．１μｍであり、アノード電極中央部２４Ａの平均厚さｔCは０．３μｍである。即ち、ｔP／ｔC＝０．３３である。アノード電極２４（アノード電極中央部２４Ａ及びアノード電極周辺部２４Ｂ）は、アルミニウム（Ａｌ）から成る。尚、アノード電極２４（アノード電極中央部２４Ａ及びアノード電極周辺部２４Ｂ）を、アルミニウム合金［具体的には、例えば、Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有率：２０重量％）］から構成することもできる。
【００８８】
また、アノードパネルＡＰと対向する電子放出領域ＥＡの部分は収束電極１７から構成されており、この収束電極１７は、厚さ０．４μｍのアルミニウム合金［具体的には、例えば、Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有率：２０重量％）］から成り、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制する。
【００８９】
以下、支持体等の模式的な一部端面図である図１８の（Ａ）、（Ｂ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）を参照して、実施例１の表示装置の製造方法を説明する。
【００９０】
先ず、例えば、スピント型電界放出素子を製造する。このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、第３開口部１４Ｃの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、第２開口部１４Ｂの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、収束電極１７、ゲート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層１８を予め形成しておく方法について説明する。尚、電界放出素子の製造方法を説明するための図面においては、便宜上、１つの電界放出素子のみを図示した。
【００９１】
［工程−Ｃ−１００］
具体的には、先ず、例えばガラス基板から成る支持体１０の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマＣＶＤ法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、帯状のカソード電極１１を形成する。その後、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。
【００９２】
［工程−Ｃ−１１０］
次に、絶縁層１２上に、ゲート電極用導電材料層（例えば、クロム層）をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、クロム（Ｃｒ）から成り、帯状のゲート電極１３を得ることができる。帯状のカソード電極１１は、図面の紙面左右方向に延び、帯状のゲート電極１３は、図面の紙面垂直方向に延びている。
【００９３】
ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のゲート電極を形成することが可能である。
【００９４】
［工程−Ｃ−１２０］
その後、アルミニウム合金から成る収束電極１７を形成し、以て、収束電極１７での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制する。具体的には、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に、更に、ポリイミド樹脂から成る層間絶縁層１６を設け、層間絶縁層１６上に収束電極１７を設ける。より具体的には、例えば、感光性ポリイミド樹脂を全面に形成し、係る感光性ポリイミド樹脂を露光、現像、焼成することで、第３開口部１４Ｃが設けられた層間絶縁層１６を得ることができる。その後、支持体１０を回転させながら、斜め真空蒸着法によって、層間絶縁層１６上に、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｒ合金）から成る収束電極１７を形成する。収束電極１７は、第３開口部１４Ｃの上部側面まで延在する。次に、レジスト層を設け、エッチングによってゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層１２に第２開口部１４Ｂを形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図１８の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００９５】
［工程−Ｃ−１３０］
次に、支持体１０を回転させながらゲート電極１３上を含む絶縁層１２上、及び、収束電極１７上にニッケル（Ｎｉ）を斜め真空蒸着することにより、剥離層１８を形成する（図１８の（Ｂ）参照）。このとき、支持体１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、第２開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、収束電極１７、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に剥離層１８を形成することができる。剥離層１８は、第１開口部１４Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって第１開口部１４Ａが実質的に縮径される。
【００９６】
［工程−Ｃ−１４０］
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０度）。このとき、図１９の（Ａ）に示すように、剥離層１８上でオーバーハング形状を有する導電材料層１９が成長するに伴い、第１開口部１４Ａの実質的な直径が次第に縮小されるので、第２開口部１４Ｂの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第１開口部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第２開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５となる。
【００９７】
［工程−Ｃ−１５０］
その後、リフトオフ法にて剥離層１８を収束電極１７、ゲート電極１３及び絶縁層１２の表面から剥離し、収束電極１７、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上方の導電材料層１９を選択的に除去する。次いで、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが、ゲート電極１３の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）混合液を用いることができる。こうして、図１９の（Ｂ）に示す構造を有するスピント型電界放出素子を得ることができる。
【００９８】
このようにして、電界放出素子が支持体１０に複数、形成されて成るカソードパネルＣＰを得ることができる。
【００９９】
一方、アノードパネルＡＰを、以下に説明する方法に基づき作製する。
【０１００】
［工程−Ａ−１００］
先ず、基板２０上に、格子状の酸化クロムから成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３を形成する。
【０１０１】
［工程−Ａ−１１０］
次に、光吸収層２３によって囲まれた基板２０の露出した表面の部分の上に蛍光体領域２２を形成する。具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒを形成するために、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂と水に赤色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラリーを全面に塗布した後、かかる赤色発光蛍光体スラリーを乾燥する。その後、基板２０側から赤色発光蛍光体領域２２Ｒを形成すべき赤色発光蛍光体スラリーの部分に紫外線を照射し、赤色発光蛍光体スラリーを露光する。赤色発光蛍光体スラリーは基板２０側から徐々に硬化する。形成される赤色発光蛍光体領域２２Ｒの厚さは、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射量により決定される。ここでは、例えば、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射時間を調整して、赤色発光蛍光体領域２２Ｒの厚さを約８μｍとした。その後、赤色発光蛍光体スラリーを現像することによって、所定の領域に赤色発光蛍光体領域２２Ｒを形成することができる。以下、緑色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑色発光蛍光体領域２２Ｇを形成し、更に、青色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって青色発光蛍光体領域２２Ｂを形成する。蛍光体領域の形成方法は、以上に説明した方法に限定されず、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法等により各蛍光体領域を形成してもよい。
【０１０２】
［工程−Ａ−１２０］
その後、全面に樹脂層を形成する。具体的には、メタルマスク印刷法あるいはスクリーン印刷法に基づき、樹脂層を形成することができる。次に、樹脂層を乾燥させる。即ち、基板２０を乾燥炉内に搬入し、所定の温度にて乾燥させる。樹脂層の乾燥温度は例えば５０°Ｃ〜９０°Ｃの範囲内とすることが好ましく、樹脂層の乾燥時間は例えば数分〜数十分の範囲内とすることが好ましい。勿論、乾燥温度の高低に伴い、乾燥時間は減増する。
【０１０３】
あるいは又、樹脂層を、以下に説明する方法で形成することもできる。即ち、蛍光体領域２２が形成された基板２０を、処理槽内に満たされた液体（具体的には、水）中に、蛍光体領域２２が液面側を向くように浸漬する。尚、処理槽の排出部は閉じておく。そして、液面上に、実質的に平坦な表面を有する樹脂層を形成する。具体的には、樹脂層を構成する樹脂（ラッカー）を溶解した有機溶剤を液面に滴下する。即ち、液面上に、樹脂層を形成するための樹脂層材料を展開する。樹脂層を構成する樹脂（ラッカー）は、広義のワニスの一種で、セルロース誘導体、一般にニトロセルロースを主成分とした配合物を低級脂肪酸エステルのような揮発性溶剤に溶かしたもの、あるいは、他の合成高分子を用いたウレタンラッカー、アクリルラッカーから構成される。続いて、樹脂層材料を液面に浮遊させた状態において、例えば２分間程度乾燥させる。これによって、樹脂層材料が成膜され、液面上に樹脂層が平坦に形成される。樹脂層を形成する際には、例えば、その厚さが約３０ｎｍとなるように樹脂層材料の展開量を調整する。続いて、処理槽の排出部を開き、処理槽から液体を排出して液面を降下させることにより、液面上に形成されていた樹脂層が基板２０に近づく方向に移動し、樹脂層が蛍光体領域２２及び光吸収層２３に接触し、最終的に、樹脂層が蛍光体領域２２及び光吸収層２３上に残される。
【０１０４】
このように蛍光体領域２２を基板２０上に形成した後、蛍光体領域２２を被覆するアノード電極中央部２４Ａ、及び、このアノード電極中央部２４Ａを取り囲み、アノード電極中央部２４Ａから延在するアノード電極周辺部２４Ｂから成るアノード電極２４を、以下の方法に基づき、形成する。
【０１０５】
［工程−Ａ−１３０］
即ち、その後、有効領域ＥＦに導電材料層を形成する。具体的には、アノード電極中央部２４Ａのパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法といったＰＶＤ法により、樹脂層を覆うように、例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る導電材料層を形成する。導電材料層の平均厚さはｔCである。
【０１０６】
［工程−Ａ−１４０］
次いで、加熱処理を施すことで樹脂層を除去する。具体的には、４００゜Ｃ程度で樹脂層を焼成する。この焼成処理により樹脂層が燃焼して焼失し、アルミニウム（Ａｌ）から成る導電材料層（アノード電極中央部２４Ａ）が蛍光体領域２２上及び光吸収層２３上に残される。尚、樹脂層の燃焼により生じたガスは、例えば、導電材料層に生じる微細な孔を通じて外部に排出される。この孔は微細なため、アノード電極中央部２４Ａの構造的な強度や画像表示特性に深刻な影響を及ぼすものではない。
【０１０７】
［工程−Ａ−１５０］
その後、無効領域ＮＥにアノード電極周辺部２４Ｂを形成する。具体的には、アノード電極周辺部２４Ｂのパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法といったＰＶＤ法により、基板２０上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）から成るアノード電極周辺部２４Ｂを形成する。アノード電極周辺部２４Ｂの平均厚さはｔPである。
【０１０８】
以上の工程によって、アノードパネルＡＰを完成することができる。
【０１０９】
尚、アノード電極周辺部２４Ｂを先に形成し、アノード電極中央部２４Ａを後に形成してもよい。あるいは又、アノード電極中央部２４Ａの下層部とアノード電極周辺部２４Ｂとを同時に形成し、次いで、アノード電極中央部２４Ａの上層部を形成してもよい。
【０１１０】
［工程−Ａ−１６０］
次に、表示装置の組み立てを行う。具体的には、例えば、アノードパネルＡＰの有効領域ＥＦに設けられたスペーサ保持部（図示せず）にスペーサ（図示せず）を取り付け、蛍光体領域２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、基板２０と支持体１０）とを、セラミックスやガラスから作製された高さ約２ｍｍの枠体とフリットガラスから構成された接着層とから成る接合部材２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、例えば、窒素ガス雰囲気において、接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成すればよい。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及び排気管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点で排気管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とに囲まれた空間を真空にすることができる。あるいは又、例えば、接合部材２６とアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの貼り合わせを高真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみから成る接合部材によってアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。
【０１１１】
実施例１にあっては、アノード電極２４を、厚さｔCのアノード電極中央部２４Ａと、厚さｔPのアノード電極周辺部２４Ｂとから構成したので、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部２４Ｂにおいて、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。尚、アノード電極中央部２４Ａにおいても、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。
【０１１２】
アノード電極周辺部２４Ｂの下地は平坦な基板２０であり、アノード電極中央部２４Ａの下地は凹凸を有する蛍光体領域２２及び光吸収層２３である。ところで、アノード電極周辺部２４Ｂの厚さをアノード電極中央部２４Ａの厚さと同程度とした場合、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部２４Ｂと基板２０との間の熱膨張の差に起因した圧縮応力がアノード電極周辺部２４Ｂに生じ、ウィスカーやヒロックが生じてしまう。然るに、実施例１にあっては、アノード電極周辺部２４Ｂの平均厚さｔPがアノード電極中央部２４Ａの平均厚さｔCよりも薄いので、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部２４Ｂとその下地である平坦な基板２０との間の熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。尚、アノード電極中央部の平均厚さは十分厚いので、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子といった後方散乱電子がアノード電極中央部を通過し難く、他の蛍光体領域に入射して所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止することができる。また、アノード電極中央部２４Ａの下地は凹凸を有する蛍光体領域２２や光吸収層２３であるが故に、［工程−Ａ−１６０］において生じる圧縮応力が左程高くなく、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生し難い。
【０１１３】
比較のため、アノード電極２４を、同じ厚さ（ｔC）のアルミニウム（Ａｌ）から成るアノード電極中央部２４Ａとアノード電極周辺部２４Ｂとから構成した表示装置を作製したところ、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部２４Ｂにおいて、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が多発した。
【０１１４】
より正確にアルミニウム層の厚さとウィスカー、ヒロックといった一種の突起部の生成との関係を調べた。具体的には、ガラス基板上に厚さ０．１６μｍのＣｒ層を成膜し、このＣｒ層上にアルミニウム層をスパッタリング法にて形成した。アルミニウム層の厚さを０．４μｍと０．１μｍとした。そして、このテスト基板に対して、真空雰囲気中にて、３５０゜Ｃ、４時間の加熱処理を施し、アルミニウム層に発生したウィスカーの数と長さを測定した。ウィスカーの数の測定結果、及び、ウィスカーの長さの測定結果を、以下の表１に示す。表１からも明らかなように、アルミニウム層の厚さを０．１μｍとした方が、発生したウィスカーの数が少なく、しかも、ウィスカーの長さも短い。
【０１１５】
［表１］
アルミニウム層の平均厚さ    ウィスカーの数    ウィスカーの平均長さ
０．１μｍ                  １．２本          ５７．５μｍ
０．４μｍ                ３１．５本          ９７．３μｍ
【０１１６】
また、実施例１にあっては、収束電極１７をアルミニウム合金から構成したので、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、収束電極１７とその下地である層間絶縁層１６との間の熱膨張の差を小さくでき、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカーやヒロックが生じるといった現象が発生しなかった。尚、後述する実施例２〜実施例６においても同様の結果を得ることができた。
【０１１７】
比較のため、収束電極をアルミニウムから構成した表示装置を作製したところ、［工程−Ａ−１６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、収束電極１７において、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が多発した。
【実施例２】
【０１１８】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２のアノードパネルＡＰにあっては、各蛍光体領域２２を取り囲む格子状の隔壁２１が基板２０上に形成されている。
【０１１９】
実施例２にあっても、１画素は、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂから構成されており、１サブピクセルは、蛍光体領域２２から構成されている。表示装置の模式的な一部端面図を図３に示すように、実施例２にあっては、実施例１と異なり、各蛍光体領域２２が隔壁２１によって囲まれている。格子状の隔壁２１における蛍光体領域２２を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）は、矩形形状（長方形）であり、これらの平面形状（開口領域の平面形状）は２次元マトリクス状（より具体的には、井桁）に配列され、格子状の隔壁２１が形成されている。尚、参照番号４０はスペーサであり、参照番号２５は、隔壁２１によって構成されたスペーサ保持部である。
【０１２０】
実施例１〜実施例７における隔壁２１とスペーサ４０と蛍光体領域２２の配置状態の一例を模式的に図１２〜図１７に示す。尚、図１、図３〜図５、あるいは、図７〜図１１に示す表示装置における蛍光体領域等の配列を、図１３あるいは図１５に示す構成としている。また、図１２〜図１７においてはアノード電極の図示を省略している。隔壁２１の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域２２の四方を取り囲む形状（図１２、図１３、図１４、図１５参照）、あるいは、略矩形の（あるいは帯状の）蛍光体領域２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状を挙げることができる（図１６及び図１７参照）。尚、図１６に示す蛍光体領域２２にあっては、蛍光体領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、図１６の上下方向に延びる帯状とすることもできる。隔壁２１の一部は、スペーサ４０を保持するためのスペーサ保持部２５としても機能する。
【０１２１】
このように隔壁２１が形成されている点を除き、実施例２におけるアノードパネルＡＰあるいは実施例２の表示装置の構造、構成は、実施例１におけるアノードパネルＡＰあるいは実施例１の表示装置の構造、構成と同じとすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１２２】
以下、実施例２の平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法の実施例１との相違についての概要を説明する。
【０１２３】
［工程−Ａ−２００］
先ず、基板２０上に格子状の隔壁２１を形成する。具体的には、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス層を約５０μｍの厚さで形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって鉛ガラス層を選択的に加工することにより、井桁状の隔壁２１を形成する。尚、場合によっては、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法にて基板２０上に印刷し、次いで、かかる低融点ガラスペーストを焼成することによって隔壁２１を形成してもよいし、感光性ポリイミド樹脂層を基板２０の全面に形成した後、かかる感光性ポリイミド樹脂層を露光、現像することによって、隔壁２１を形成してもよい。隔壁２１の開口領域の大きさを、およそ、縦×横×高さ＝２８０μｍ×１００μｍ×６０μｍとした。尚、隔壁２１の形成前に、隔壁２１を形成すべき基板２０の部分の表面に、例えば、酸化クロムから成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３を形成することが好ましい。
【０１２４】
［工程−Ａ−２１０］
次に、隔壁２１によって取り囲まれた基板２０の部分の上に、実施例１の［工程−Ａ−１１０］と同様にして、蛍光体領域２２を形成する。
【０１２５】
［工程−Ａ−２２０］
その後、隔壁２１の頂面上及び蛍光体領域２２上に樹脂層を形成する。具体的には、実施例１の［工程−Ａ−１２０］と概ね同様の工程を実行すればよい。
【０１２６】
［工程−Ａ−２３０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１３０］と同様にして、全面に（具体的には樹脂層上に）導電材料層を形成する。
【０１２７】
［工程−Ａ−２４０］
次いで、実施例１の［工程−Ａ−１４０］と同様にして、加熱処理を施すことで樹脂層を除去する。
【０１２８】
［工程−Ａ−２５０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１５０］と同様にして、アノード電極周辺部２４Ｂを形成する。尚、アノード電極周辺部２４Ｂを先に形成し、アノード電極中央部２４Ａを後に形成してもよい。あるいは又、アノード電極中央部２４Ａの下層部とアノード電極周辺部２４Ｂとを同時に形成し、次いで、アノード電極中央部２４Ａの上層部を形成してもよい。
【０１２９】
［工程−Ａ−２６０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１６０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【実施例３】
【０１３０】
実施例３は、実施例２の変形である。実施例２にあっては、隔壁２１の頂面には、アノード電極中央部２４Ａが形成されている。一方、表示装置の模式的な一部端面図を図４に示すように、実施例３にあっては、アノード電極中央部２４Ａは、各蛍光体領域２２を覆い、且つ、隔壁２１の側面まで延びているが、隔壁２１の頂面にはアノード電極中央部２４Ａは形成されていない。即ち、アノード電極２４は、複数の（より具体的には、サブピクセルに対応した）アノード電極ユニット２４Ｃから構成されている。尚、隣接するアノード電極ユニット２４Ｃ間は、アノード電極抵抗体層２７によって電気的に接続されている。
【０１３１】
このように隔壁２１が形成され、しかも、アノード電極２４が複数のアノード電極ユニット２４Ｃから構成されている点を除き、実施例３におけるアノードパネルＡＰあるいは実施例３の表示装置の構造、構成は、実施例１におけるアノードパネルＡＰあるいは実施例１の表示装置の構造、構成と同じとすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１３２】
実施例３におけるアノードパネルＡＰは、実施例２の［工程−Ａ−２４０］と［工程−Ａ−２５０］の間において、適切な方法（例えば、エッチング法）で隔壁２１の頂面に位置するアノード電極中央部２４Ａの部分を除去するか、実施例２の［工程−Ａ−２３０］において、全面に導電材料層を形成する代わりに、蛍光体領域２２上（あるいは、蛍光体領域２２及び隔壁２１の側面の上）に導電材料層を形成する。そして、隔壁２１の頂面から側面に亙り、隣接するアノード電極ユニット２４Ｃ間を電気的に接続するアノード電極抵抗体層２７を形成することで、作製することができる。尚、アノード電極抵抗体層２７の形成を先に行い、アノード電極ユニット２４Ｃの形成を後に行ってもよい。
【実施例４】
【０１３３】
実施例１は、本発明の第２の態様及び第４の態様に係る平面型表示装置、及び、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法に関する。
【０１３４】
実施例４の表示装置の模式的な一部端面図を図５に示し、実施例４の表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図を図６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
【０１３５】
実施例４にあっては、アノード電極１２４は、蛍光体領域２２を被覆するアノード電極中央部１２４Ａ、及び、このアノード電極中央部１２４Ａを取り囲み、基板２０に接して設けられたアノード電極周辺部１２４Ｂから構成されている。尚、アノード電極中央部１２４Ａは有効領域ＥＦを構成する基板２０の部分に形成され、アノード電極周辺部１２４Ｂは無効領域ＮＥを構成する基板２０の部分に形成されている。そして、アノード電極中央部１２４Ａは第１の導電材料（具体的には、厚さ０．３μｍのアルミニウム）から構成され、アノード電極周辺部１２４Ｂは、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料（具体的には、厚さ０．２μｍのカーボン）から構成されている。尚、アノード電極中央部１２４Ａを実施例１と同様のアルミニウム合金から構成することもできる。
【０１３６】
また、アノードパネルＡＰと対向する電子放出領域ＥＡの部分は収束電極１７から構成されており、この収束電極１７は、実施例１と同様に、アルミニウム合金［具体的には、例えば、Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有率：２０重量％）］から成り、以て、収束電極での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制する。次に説明する実施例５、実施例６にあっても同様である。
【０１３７】
以下、実施例４の表示装置の製造方法を説明する。尚、カソードパネルＣＰは、実施例１において説明したと同様に作製すればよいので、カソードパネルＣＰの製造方法の説明は省略し、アノードパネルＡＰの製造方法を、以下、説明する。
【０１３８】
［工程−Ａ−４００］
先ず、基板２０上に、格子状の酸化クロムから成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３を形成する。
【０１３９】
［工程−Ａ−４１０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１１０］と同様にして、光吸収層２３によって囲まれた基板２０の露出した表面の部分の上に蛍光体領域２２を形成する。
【０１４０】
［工程−Ａ−４２０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１２０］と同様にして、全面に樹脂層を形成する。
【０１４１】
このように蛍光体領域２２を基板２０上に形成した後、蛍光体領域２２を被覆するアノード電極中央部１２４Ａ、及び、このアノード電極中央部１２４Ａを取り囲むアノード電極周辺部１２４Ｂから成るアノード電極１２４を、以下の方法に基づき、形成する。
【０１４２】
［工程−Ａ−４３０］
即ち、その後、実施例１の［工程−Ａ−１３０］と同様にして、有効領域ＥＦに導電材料層を形成する。具体的には、アノード電極中央部１２４Ａのパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法により、樹脂層を覆うように、例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る導電材料層を形成することで、アノード電極中央部１２４Ａを得ることができる。
【０１４３】
［工程−Ａ−４４０］
次いで、実施例１の［工程−Ａ−１４０］と同様にして、加熱処理を施すことで樹脂層を除去する。
【０１４４】
［工程−Ａ−４５０］
その後、無効領域ＮＥにアノード電極周辺部１２４Ｂを形成する。具体的には、アノード電極周辺部１２４Ｂのパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法により、基板２０上に、例えばカーボンから成るアノード電極周辺部１２４Ｂを形成する。
【０１４５】
以上の工程によって、アノードパネルＡＰを完成することができる。
【０１４６】
尚、アノード電極周辺部１２４Ｂを先に形成し、アノード電極中央部１２４Ａを後に形成してもよい。
【０１４７】
［工程−Ａ−４６０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１６０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１４８】
実施例４にあっては、アノード電極１２４を、アルミニウムから成るアノード電極中央部１２４Ａと、カーボンから成るアノード電極周辺部１２４Ｂとから構成したので、［工程−Ａ−４６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部１２４Ｂにおいて、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。
【０１４９】
比較のため、アノード電極１２４を、アルミニウム（Ａｌ）から成るアノード電極中央部とアノード電極周辺部とから構成した表示装置を作製したところ、［工程−Ａ−４６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極周辺部において、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が多発した。
【０１５０】
尚、実施例４のアノードパネルＡＰの構造を、実施例２あるいは実施例３において説明したアノードパネルＡＰの構造とすることができる。係る構造を有するアノードパネルＡＰを備えた表示装置の模式的な一部端面図を、図７及び図８に示す。
【実施例５】
【０１５１】
実施例５は、本発明の第３の態様及び第４の態様に係る平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法に関する。
【０１５２】
実施例５の表示装置の模式的な一部端面図を図９に示す。
【０１５３】
実施例５にあっては、アノード電極２２４は、アルミニウム合金（具体的には、例えば、Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有率：２０重量％）］から成り、以て、アノード電極２２４での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制する。
【０１５４】
以下、実施例５の表示装置の製造方法を説明する。尚、カソードパネルＣＰは、実施例１において説明したと同様に作製すればよいので、カソードパネルＣＰの製造方法の説明は省略し、アノードパネルＡＰの製造方法を、以下、説明する。
【０１５５】
［工程−Ａ−５００］
先ず、基板２０上に、格子状の酸化クロムから成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３を形成する。
【０１５６】
［工程−Ａ−５１０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１１０］と同様にして、光吸収層２３によって囲まれた基板２０の露出した表面の部分の上に蛍光体領域２２を形成する。
【０１５７】
［工程−Ａ−５２０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１２０］と同様にして、全面に樹脂層を形成する。
【０１５８】
［工程−Ａ−５３０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１３０］と同様にして、有効領域ＥＦに（更には、場合によっては無効領域ＮＥにまで）、アルミニウム層を形成する。具体的には、アノード電極２２４のパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法により、樹脂層を覆うように、アルミニウム（Ａｌ）層を形成する。アルミニウム層の厚さを０．３μｍとした。
【０１５９】
［工程−Ａ−５４０］
次いで、アルミニウム層上に、厚さ２０ｎｍのＣｒから成る合金化層（合金化促進層）をスパッタリング法にて成膜する。
【０１６０】
［工程−Ａ−５５０］
その後、加熱処理を施すことで樹脂層を除去する。このとき、アルミニウム層及び合金化層にも熱が加わる結果、アルミニウム層と合金化層とが反応し、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｒ合金）から成るアノード電極２２４を得ることができる。
【０１６１】
以上の工程によって、アノードパネルＡＰを完成することができる。
【０１６２】
［工程−Ａ−５６０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１６０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１６３】
実施例５にあっては、アノード電極２２４を、アルミニウム合金から構成することで、熱膨張係数がアルミニウムとは異なる結果、実施例１における［工程−Ａ−１６０］と同様の工程において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、下地との間の熱ストレスが緩和されるため、また、アノード電極２２４とその下地である基板２０との間の熱膨張の差を小さくできるので、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、アノード電極２２４において、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。
【０１６４】
比較のため、アノード電極を、厚さ０．３μｍのアルミニウム（Ａｌ）から構成した表示装置を作製したところ、［工程−Ａ−５６０］において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、アノード電極の周辺部（無効領域ＮＥ上に形成されたアノード電極の部分）において、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生した。
【０１６５】
尚、実施例５あるいは後述する実施例６のアノードパネルＡＰの構造を、実施例２あるいは実施例３において説明したアノードパネルＡＰの構造とすることができる。係る構造を有するアノードパネルＡＰを備えた表示装置の模式的な一部端面図を、図１０及び図１１に示す。
【０１６６】
［工程−Ａ−５２０］の後、蛍光体領域２２を被覆するアルミニウムから成る厚さ２００ｎｍの反射層を真空蒸着法又はスパッタリング法といったＰＶＤ法に基づき形成した後、反射層上に厚さ１０ｎｍ以下のＳｉＯ2から成る合金化阻止層をスパッタリング法に基づき形成し、次いで、［工程−Ａ−５３０］以降の工程を実行してもよい。尚、［工程−Ａ−５３０］において形成したアルミニウム層の厚さを０．１μｍとし、［工程−Ａ−５４０］において形成したＣｒから成る合金化層の厚さを２０ｎｍとした。これによって、最終的に、蛍光体領域２２の上方に、アルミニウムから成る反射層、合金化阻止層、アルミニウム合金から成るアノード電極２２４の積層構造を得ることができ、蛍光体領域２２からアノード電極２２４に向かって射出された光を確実に反射させてアノードパネルＡＰから射出させることができ、表示装置における輝度の増加を図ることができる。
【実施例６】
【０１６７】
実施例６は、実施例５の変形であり、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置におけるアノードパネルの製造方法に関する。アノード電極２２４を含む実施例６の表示装置は、実施例５にて説明したアノード電極２２４を含む表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【０１６８】
以下、実施例６の表示装置の製造方法を説明する。尚、カソードパネルＣＰは、実施例１において説明したと同様に作製すればよいので、カソードパネルＣＰの製造方法の説明は省略し、アノードパネルＡＰの製造方法を、以下、説明する。
【０１６９】
［工程−Ａ−６００］
先ず、基板２０上に、格子状の酸化クロムから成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３を形成する。
【０１７０】
［工程−Ａ−６１０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１１０］と同様にして、光吸収層２３によって囲まれた基板２０の露出した表面の部分の上に蛍光体領域２２を形成する。
【０１７１】
［工程−Ａ−６２０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１２０］と同様にして、全面に樹脂層を形成する。
【０１７２】
［工程−Ａ−６３０］
その後、実施例１の［工程−Ａ−１３０］と同様にして、有効領域ＥＦに（更には、場合によっては無効領域ＮＥまでに）、アルミニウム合金層を形成する。具体的には、アノード電極２２４のパターンを有するマスクを介しての真空蒸着法又はスパッタリング法により、樹脂層を覆うように、アルミニウム合金層（Ａｌ−Ｃｒ層）を形成する。アルミニウム合金層の厚さを０．３μｍとした。こうして、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｒ合金）から成るアノード電極２２４を得ることができる。
【０１７３】
［工程−Ａ−６４０］
その後、加熱処理を施すことで樹脂層を除去する。
【０１７４】
以上の工程によって、アノードパネルＡＰを完成することができる。
【０１７５】
［工程−Ａ−６５０］
次に、実施例１の［工程−Ａ−１６０］と同様にして、表示装置の組み立てを行う。
【０１７６】
実施例６にあっては、実施例５と同様に、アノード電極２２４を、アルミニウム合金から構成することで、熱膨張係数がアルミニウムとは異なる結果、実施例１における［工程−Ａ−１６０］と同様の工程において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、下地との間の熱ストレスが緩和されるため、また、アノード電極２２４とその下地である基板２０との間の熱膨張の差を小さくできるので、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、アノード電極２２４において、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。
【実施例７】
【０１７７】
実施例７は、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置、及び、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルの製造方法に関する。収束電極１７を含む実施例７の表示装置は、実施例１にて説明した収束電極１７を含む表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【０１７８】
以下、実施例７の表示装置の製造方法を説明する。尚、アノードパネルＡＰは、実施例１〜実施例６において説明したと同様に作製すればよいので、アノードパネルＡＰの製造方法の説明は省略し、カソードパネルＣＰの製造方法を、以下、説明する。
【０１７９】
［工程−Ｃ−７００］
先ず、実施例１の［工程−Ｃ−１００］と同様にして、帯状のカソード電極１１を形成し、更には、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。
【０１８０】
［工程−Ｃ−７１０］
次に、実施例１の［工程−Ｃ−１１０］と同様にして、絶縁層１２上に帯状のゲート電極１３を形成する。
【０１８１】
［工程−Ｃ−７２０］
その後、アルミニウム（Ａｌ）層を形成し、次いで、アルミニウム層上に合金化層を形成した後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、アルミニウム合金から成る収束電極１７を得る。具体的には、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に、例えば、感光性ポリイミド樹脂を全面に形成し、係る感光性ポリイミド樹脂を露光、現像、焼成することで、第３開口部１４Ｃが設けられた層間絶縁層１６を得ることができる。その後、支持体１０を回転させながら、斜め真空蒸着法によって、層間絶縁層１６上に、アルミニウム層を形成する。アルミニウム層は、第３開口部１４Ｃの上部側面まで延在する。層間絶縁層１６上のアルミニウム層の厚さを０．２μｍとした。
【０１８２】
次いで、アルミニウム層上に、厚さ２０ｎｍのＣｒから成る合金化層を斜め真空蒸着法によって成膜する。
【０１８３】
その後、アルミニウム層及び合金化層に熱処理を施すことでアルミニウム層と合金化層とを反応させ、アルミニウム合金から成る収束電極１７を得る。熱処理の条件を、窒素ガス雰囲気、約４００゜Ｃ、１０〜３０分とした。これによって、収束電極１７での放電の原因となるウィスカー及び／又はヒロックの発生を抑制することができる。
【０１８４】
次に、レジスト層を設け、エッチングによってゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層１２に第２開口部１４Ｂを形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。
【０１８５】
［工程−Ｃ−７３０］
次に、実施例１の［工程−Ｃ−１３０］〜［工程−Ｃ−１５０］と同様にして、電子放出部１５を形成する。
【０１８６】
このようにして、電界放出素子が支持体１０に複数、形成されて成るカソードパネルＣＰを得ることができる。
【０１８７】
その後、実施例１〜実施例６と同様にして、表示装置を完成させる。
【０１８８】
実施例７にあっても、収束電極１７をアルミニウム合金から構成したので、実施例１における［工程−Ａ−１６０］と同様の工程において接着層を約４００゜Ｃで１０〜３０分で焼成したとき、収束電極１７とその下地である層間絶縁層１６との間の熱膨張の差を小さくでき、熱膨張の差に起因した圧縮応力を低くできる結果、ウィスカー、ヒロックといった一種の突起部が発生することがなかった。
【０１８９】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。場合によっては、収束電極の形成を省略することもできる。
【０１９０】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１９１】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１９２】
【図１】図１は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例１の平面型表示装置の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の平面型表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図３】図３は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例２の平面型表示装置の模式的な一部端面図である。
【図４】図４は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例３の平面型表示装置の模式的な一部端面図である。
【図５】図５は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例４の平面型表示装置の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例４の平面型表示装置におけるアノードパネルの構成要素の配置状態を示す概念図である。
【図７】図７は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例４の平面型表示装置の変形例の模式的な一部端面図である。
【図８】図８は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例４の平面型表示装置の別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図９】図９は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例５の平面型表示装置の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例５の平面型表示装置の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた実施例５の平面型表示装置の別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１３】図１３は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１４】図１４は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１５】図１５は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１６】図１６は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１７】図１７は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図１８の（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２１】図２１は、扁平型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の概念的な一部端面図である。
【図２２】図２２は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１９３】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域、ＥＦ・・・有効領域、ＮＥ・・・無効領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、１８・・・剥離層、１９・・・導電材料層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４，１２４，２２４・・・アノード電極、２４Ａ，１２４Ａ・・・アノード電極中央部、２４Ｂ，１２４Ｂ・・・アノード電極周辺部、２４Ｃ，１２４Ｃ，２２４Ｃ・・・アノード電極ユニット、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、２７・・・アノード電極抵抗体層、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ
【図１】
2007128701.tif 000003
【図２】
2007128701.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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