(57)【要約】【課題】磁気データ記録層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成することを目的とする。【解決手段】磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。同磁気記録媒体の製造方法と使用するスパッタターゲットとの構成を特定構成とした。【選択図】図１
2007128630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に付着され、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層と、
該シード層上に付着された下地層と、
該下地層上に付着された磁気データ記録粒状層と、
を備え、
前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
基板と、
該基板上に付着され、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層と、
該シード層上に付着された下地層と、
該下地層上に付着された磁気データ記録粒状層と、
を備え、
前記合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
基板と、
該基板上に付着され、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層と、
該シード層上に付着された下地層と、
該下地層上に付着された磁気データ記録粒状層と、
を備え、
前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高い温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
タンタル（Ｔａ）と、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程と、
第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、
第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程と、
を備えることを特徴とする磁気記録媒体製造方法。
【請求項１０】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１１】
前記第１のシード層、前記第１の下地層及び／又は前記第１の磁気データ記録粒状層を、コスパッタリング装置、即ち同時スパッタリング装置を用いてスパッタすることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１２】
タンタル（Ｔａ）と、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し且つ１．４７Åより小さい原子半径を有する合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程と、
第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、
第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程と、
を備えることを特徴とする磁気記録媒体製造方法。
【請求項１３】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１４】
前記第１のシード層、前記第１の下地層及び／又は前記第１の磁気データ記録粒状層を、コスパッタリング装置、即ち同時スパッタリング装置を用いてスパッタすることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１５】
前記第１の下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１６】
タンタル（Ｔａ）と、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し室温より高い温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり且つ１．４７Åより小さい原子半径を有する合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程と、
第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、
第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程と、
を備えることを特徴とする磁気記録媒体製造方法。
【請求項１７】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１８】
前記第１のシード層、前記第１の下地層及び／又は前記第１の磁気データ記録粒状層を、コスパッタリング装置、即ち同時スパッタリング装置を用いてスパッタすることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項１９】
前記第１の下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項２０】
タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなり、
前記合金化元素が、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有することを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２１】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２０に記載のスパッタターゲット。
【請求項２２】
タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなり、
前記合金化元素が、室温又それより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し且つ１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２３】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２２に記載のスパッタターゲット。
【請求項２４】
タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなり、
体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高い温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり且つ１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２５】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）及びクロム（Ｃｒ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２４に記載のスパッタターゲット。
【請求項２６】
タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、
合金化元素からなる第２の領域と、
を備え、
前記合金化元素が、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有することを特徴とするトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【請求項２７】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２６に記載のトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【請求項２８】
タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、
合金化元素からなる第２の領域と、
を備え、
前記合金化元素が、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とするトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【請求項２９】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２８に記載のトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【請求項３０】
タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、
合金化元素からなる第２の領域と、
を備え、
前記合金化元素が、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高い温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能で、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有することを特徴とするトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【請求項３１】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）及びクロム（Ｃｒ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項３０に記載のトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に関し、より詳しくは、垂直磁気記録（ＰＭＲ）用途に用いられる磁気記録媒体に対するシード層の付着、つまり、タンタル合金を主成分とするスパッタターゲットを用いて付着され、それに続いて付着される下地層及び／又は粒状磁気層の粒径を微細化し格子不整合を低減するシード層を備えた垂直磁気記録（ＰＭＲ）用途に用いられる磁気記録媒体に関する。また、本発明は、この磁気記録媒体の製造方法及び製造に使用するスパッタターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタリングプロセスは、例えば半導体表面を被覆したり、磁気記録媒体の表面に成膜したりするような、精密に制御された厚さ及び狭い原子比公差内の薄膜材料付着物を基板上に形成する種々の分野に用いられている。通常の一形態においては、ターゲットの背面に磁石を配置することによりスパッタターゲットに長円形状の磁場を付与する。電子が、スパッタリングターゲット近傍で捕捉され、アルゴンイオンの生成を改善し、スパッタリング速度を増加させる。このプラズマ内のイオンはスパッタターゲット表面に衝突して、これによりスパッタターゲットがその表面から原子を放出する。陰極側のスパッタターゲットと被覆対象である陽極側の基板との間の電圧差によって、放出された原子が基板表面に所望の膜を形成する。
【０００３】
他の通常のスパッタリング技術としては、コ・スパッタリング（同時スパッタリング装置：co-sputtering）及びトリアトロン（triatron）を用いるコ・スパッタリングがある。コ・スパッタリングプロセスでは、独立した電源を持つ複数の独立したスパッタターゲットを真空チャンバ内に配置して同時にスパッタし、付着表面の均一性を複数のスパッタターゲットの１つ以上を選択的にスパッタすることによって制御する。従来のコ・スパッタリングを用いてＸ1−Ｘ2薄膜をスパッタするには、例えば、Ｘ1からなるスパッタターゲットを、Ｘ2からなるスパッタターゲットと共に真空チャンバ内に配置し、同時に両スパッタターゲットをスパッタする。一方、トリアトロン装置のコ・スパッタリングは、複数の独立した組成領域を持つ１つのスパッタターゲットを用いる。トリアトロン装置に上述の例を適応させる場合、１つのトリアトロンスパッタターゲットは、Ｘ1だけからなる領域とＸ2だけからなる領域を有し、Ｘ1−Ｘ2薄膜を付着するために両領域を同時にスパッタする。
【０００４】
従来の磁気記録媒体の製造時には、夫々が異なる材料の複数のスパッタターゲットにより、複数の薄膜層が順次基板上にスパッタされ、その結果、薄膜の付着物が積層される。図６は、従来の磁気記録媒体の一般的な薄膜積層構造１００を示す。積層構造１００の底部に、一般的にアルミニウム或いはガラスの非磁性基板１０１がある。シード層１０４は、基板１０１上に付着され、上層の粒状組織の形態及び配向を規定し、一般的にタンタル（Ｔａ）からなる。磁性及び／又は非磁性層１０２は、状況に応じて基板１０１とシード層１０４の間に付着される。この層１０２は、追加的に、下地層、反強磁性層或いは他のタイプの層を含んでもよい。
【０００５】
次に、しばしば１つから３つの個別の層からなる下地層１０５が、シード層１０４上に付着される。下地層１０５は、一般的に弱磁性で結晶質であり、六方最密構造（ＨＣＰ）である。下地層１０５は、続いて膜表面に対して垂直に付着されたコバルト（Ｃｏ）を主成分とする磁気データ記録粒状層１０６のＣｏ（０００２）集合組織を強化するのに用いられ、媒体の垂直異方性を増大する。磁気データ記録粒状層１０６が、下地層１０５上に続いて付着され、更に、潤滑層や炭素（Ｃ）保護膜等の任意の追加的な層１０７が粒状層１０６上に付着される。
【０００６】
下地層１０５は、次に付着された磁気データ記録粒状層１０６の結晶組織を強化する。更に、磁気データ記録粒状層１０６が微細な粒径の結晶構造の下地層上にエピタキシャルに成長するならば、磁気データ記録粒状層１０６の粒径も同様に微細化される。更に、下地層１０５と磁気データ記録粒状層１０６との間で緊密に結晶格子が調和していると、略欠陥のない接合面を提供し、潜在的には面内磁化、つまりインプレーン磁気形成に対する助成作用を低減させることになる。
【０００７】
磁気記録媒体の単位面積当たりの記録可能なデータ量は、磁気データ記録粒状層の冶金学的な特性及び組成に直接的に関係し、同様に、磁気データ記録粒状層をスパッタするスパッタターゲット材に関係する。近年、磁気データ記録産業は、データ記録容量の持続的な増大要求を支えるべく、従来の長手磁気記録（ＬＭＲ）に対抗して垂直磁気記録（ＰＭＲ）として知られる技術を追求している。ＰＭＲは、軟磁性下地層と組み合わせて垂直単磁極記録ヘッドを使用することによる高い書込み効率を示し、ビットを磁気記録媒体面に対して垂直に記録し、より小さなビットサイズとより大きな保磁力を可能にする。将来、ＰＭＲは、ディスクの保磁力を増大し信号増幅を増強することが期待され、優れた記録文書のデータ保持が可能になる。
【０００８】
ＰＭＲ媒体の高記録密度を達成するために、熱安定性を高め、媒体雑音特性を下げる必要がある。ＰＭＲ媒体に要求される最も重要な熱安定性と媒体雑音特性を実現するための１つの技術は、高い磁気結晶異方性（Ｋｕ）を有する磁気領域を備えた粒状磁気媒体を提供することであり、構造的に、磁気的に又電気的に隔絶した母体中に微粒のミクロ組織を十分に閉じ込めることである。大きな異方性エネルギは既に従来のＬＭＲでも必要とされているが、ＰＭＲは、低い媒体雑音特性と高い熱安定性を達成するために、適切な粒子間分離及び磁気領域間のごくわずかな漏話（クロストーク）しか有しない、より微細な粒子のミクロ組織を必要となる。
【０００９】
酸素濃度の高い粒界の存在は、粒子の微粒化を著しく改善し、優れたミクロ組織的、磁気的、電気的分離を付与する。この点で、酸素（Ｏ）含有磁気データ記録層１０６は、粒界領域の酸素がＣｏ，Ｃｒ，Ｐｔの酸化物を含有する粒状層の粒子の成長を制限し粒径の微細化を助長する非晶質で硬く脆い粒界領域を形成するので、しばしば少なくとも１つのＣｏＣｒＰｔを主成分とする合金層を有する。また、一般的に、特定の磁気ヘッドデザインに見合う飽和磁化（Ｍｓ）に調整するため、ＣｏＰｔ（Ｃｒ）（Ｂ）を主成分とする磁気データ記録層がＣｏＣｒＰｔを主成分とする粒状磁気層上に付着される。
【００１０】
従って、公知のスパッタターゲット合金及び組成を改善し、特にＰＭＲに使用する磁気データ記録粒状層に関して、より多くのデータ記録の可能性を持つ磁気データ記録粒状層を提供することが極めて望ましいと考えられる。特に、シード層がスパッタされる場合には、次に付着される下地層や磁気データ記録粒状層の結晶化度合を増大し粒径をより一層微細化するスパッタターゲットを提供することが極めて望ましい。
【発明の開示】
【００１１】
本発明は、磁気記録媒体に関し、より詳しくは、垂直磁気記録（ＰＭＲ）用途に用いられる磁気記録媒体に対するシード層の付着、つまり、タンタル合金を主成分とするスパッタターゲットを用いて付着され、それに続いて付着される下地層及び／又は粒状磁気層の粒径を微細化し格子不整合を低減するシード層を備える垂直磁気記録（ＰＭＲ）用途に用いられる磁気記録媒体に関する。また、この磁気記録媒体の製造方法及び製造に使用するスパッタターゲットに関する。
【００１２】
第１の構成によれば、本発明は、基板と、この基板上に付着されタンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層とを備える磁気記録媒体である。また、前記磁気記録媒体は、シード層上に付着された下地層と、この下地層上に付着された磁気データ記録粒状層も備える。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する。
【００１３】
前記合金化元素は、結晶構造のシード層の粒径の微細化を促進する。結晶構造の下地層の微細化された粒径が、続いて付着される粒状磁気層の粒径の減少を助長するのと同じように、同様の効果が、もし下地層が粒径の微細化された結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層上にエピタキシャル的に続いて付着されるならばその下地層によって実現される。本発明は、実質的に純粋なタンタル（Ｔａ）を、結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜の粒径微細化因子として振舞う元素と合金することによって粒径の微細化を促進する。前記元素は、体心立方（ＢＢＣ）のタンタル（Ｔａ）相に室温でほとんど溶解しないので、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜に非晶質の粒界を形成し、プロセス中により一層粒子の成長を制限することで粒径の縮小を助長する。
【００１４】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）から選択される。
【００１５】
第２の構成によれば、本発明は、基板と、この基板上に付着されタンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層とを備える磁気記録媒体である。また、前記磁気記録媒体は、前記シード層上に付着された下地層と、この下地層上に付着された磁気データ記録粒状層も備える。前記合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００１６】
ルテニウム（Ｒｕ）のＨＣＰ（０００２）面に対するＢＢＣ（１１０）面の対称性により、本発明は、例えばルテニウム（Ｒｕ）或いはルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする下地層或いは異なる卑金属からなる下地層のような結晶構造の下地層と、タンタル（Ｔａ）及び室温或いはそれより高温の下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能な元素を合金化した結晶構造のシード層としたタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層との格子不整合を低減する。これら合金化元素は、室温或いはそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）と固溶体を形成し、従って、タンタル（Ｔａ）の面内格子定数を変更し、その結果、格子不整合を低減する。主成分のタンタル（Ｔａ）合金内の合金化元素は、室温或いはそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に対していくらかの溶解度を有するので、合金化元素はタンタル（Ｔａ）と置換型固溶体を形成し、その面内の格子定数に影響を与える。更に、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する非磁性或いは弱磁性である。タンタル（Ｔａ）の面内格子定数は、ルテニウム（Ｒｕ）の面内格子定数より大きいので、合金化元素は、タンタル（Ｔａ）の原子半径である１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００１７】
合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）から選択される。１つの例では、前記下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなる。尚、下地層は、他の卑金属或いは元素で構成することが可能である。
【００１８】
第３の構成によれば、本発明は、基板と、この基板上に付着されタンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるシード層とを備える磁気記録媒体である。磁気記録媒体は、前記シード層上に付着された下地層と、この下地層上に付着された磁気データ記録粒状層も備える。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、室温より高温でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００１９】
従って、タンタル（Ｔａ）合金内に非晶質粒界を形成し、結晶化度を改善する合金化元素を利用することにより、本発明は、その後に付着される層の微粒化因子及び残留界面応力を取除く格子不整合低減因子として振舞うタンタル（Ｔａ）合金シード層を提供する。
【００２０】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される。
【００２１】
第４の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程を備える磁気記録媒体製造方法である。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する。また、この方法は、第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程も備える。
【００２２】
第１のシード層、第１の下地層及び／又は第１の磁気データ記録粒状層を、コ・スパッタリングプロセス或いは装置、或いはトリアトロン装置を用いてスパッタする。
【００２３】
第５の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し且つ１．４７Åより小さい原子半径を有する合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程を備える磁気記録媒体製造方法である。また、この方法は、第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程も備える。
【００２４】
第６の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程を備える磁気記録媒体製造方法である。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し室温より高温でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ１．４７Åより小さい原子半径を有する。また、この方法は、第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程も備える。
【００２５】
第７の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるスパッタターゲットである。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する。
【００２６】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）から選択される。
【００２７】
第８の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるスパッタターゲットである。前記合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００２８】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）から選択される。
【００２９】
第９の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるスパッタターゲットである。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、室温より高温でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００３０】
前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）から選択される。
【００３１】
第１０の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、合金化元素からなる第２の領域とを備えるトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲットである。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、且つ、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する。
【００３２】
第１１の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、合金化元素からなる第２の領域とを備えるトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲットである。前記合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００３３】
第１２の構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と、合金化元素からなる第２の領域とを備えるトリアトロンスパッタリング用スパッタターゲットである。前記合金化元素は、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有し、室温より高温でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。
【００３４】
下記の好ましい実施形態の記載において、同記載の一部をなす添付図面を参照して本発明を実施する特定の実施形態について説明する。尚、他の諸実施形態を利用することが可能であり、且つ、本発明を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることを理解すべきである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明は、結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層上に下地層を付着することにより、下地層及び続いて付着される磁気データ記録粒状層の粒径をより一層微細化する。タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層は、粒径の微細化因子として振舞う成分を含み、その成分は、室温（ＲＴ）（約２０−２３℃又は６８−７３°F）でタンタル（Ｔａ）への溶解度が制限され、粒状層内のタンタル（Ｔａ）の粒子の成長をより一層抑制する非晶質の粒界領域を形成する。更に、本発明は、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層に、室温及び室温より高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能な元素を混ぜることによりシード層と下地層との間の格子不整合を低減し、その結果、接合面の残留応力を最小化し、結晶構造を改善する。
【００３６】
結晶構造の下地層の微細化された粒径が、続いて付着される粒状磁気層の粒径の減少を助長するのと同じように、同様の効果が、下地層が粒径の微細化された結晶構造のタンタル合金を主成分とするシード層上にエピタキシャル的に続いて付着される場合にその下地層によって実現される。実質的に純粋なタンタル（Ｔａ）を、結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜の粒径微細化因子として振舞う合金化元素と合金する。その合金化元素は、室温でＢＣＣタンタル（Ｔａ）相に対する溶解度をほとんど持たない。その結果、合金化元素は、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層に非晶質の粒界を形成し、プロセス中に粒子の成長をより一層抑制することにより粒径の縮小を助長する。
【００３７】
合金元素は、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する非磁性或いは弱磁性である。下記の表１は、シード層膜の粒径を縮小する改善された合金を形成するために、タンタル（Ｔａ）に混ぜることが可能な合金元素の一覧を示すが、これらの特徴を満たすその他の元素も同様に使用することが可能である。
【００３８】
【表１】
2007128630.tif 000003
【００３９】
合金化元素を、タンタル（Ｔａ）を主成分とする合金に５０％のような高い原子パーセントで添加することはできるが、１％、５％、１５−２５％或いは４０−５０％のようなより高い或いは低い原子パーセントを用いることもできる。また、合金化元素を、室温或いはそれより高くした温度下で最大溶解度の限度を越えて添加することも可能である。室温より高い或いは室温を越えた昇温値ということは、一般的に約２０−２３℃或いは６８−７３°Ｆと考えられる室温を超えた温度を意味する。室温より高い或いは室温を越えた昇温値の例としては、２５℃、１００℃、１０００℃、２５００℃或いは５０００℃等がある。
【００４０】
接合面の残留応力を最小化し結晶構造を改善するためにタンタル（Ｔａ）を主成分とするシード層を合金化することによって、本発明は、シード層及び下地層の間の格子不整合を抑制する。ＢＣＣ（１１０）面は、室温の付着条件下で非晶質基板上に付着された約３０ナノメートルのタンタル（Ｔａ）膜の支配的結晶配向である。ルテニウム（Ｒｕ）のＨＣＰ（０００２）面に対するＢＣＣ（１１０）の対称性によって、本発明は、結晶構造のシード層に、タンタル（Ｔａ）と室温或いはそれより高くした温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能な元素を混ぜることにより、結晶構造のルテニウム（Ｒｕ）或いはルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする下地層とタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層の格子不整合を低減する。これら合金化元素は、室温或いはそれより高くした温度でタンタル（Ｔａ）と固溶体を形成し、従って、タンタル（Ｔａ）の面内の格子定数を変更し、それによって、格子不整合を減少する。
【００４１】
タンタル（Ｔａ）合金内の合金化元素は、室温或いはそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に対していくらかの溶解度を有するので、合金化元素はタンタル（Ｔａ）と置換型の固溶体を形成し、面内の格子定数に影響を与える。更に、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/kg以下の質量磁化率を有する非磁性或いは弱磁性である。タンタル（Ｔａ）の面内格子定数は、ルテニウム（Ｒｕ）の格子定数より大きいので、合金化元素は、タンタル（Ｔａ）の原子半径である１．４７Åより小さい原子半径を有する。上述の基準に基づいて、下記の表２は、続いて付着される下地層と格子整合する可能性があり、更に結晶化度を改善する可能性がある合金を形成するためにタンタル（Ｔａ）と合金化できる合金化元素の一覧表を示す。
【００４２】
【表２】
2007128630.tif 000004
【００４３】
タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層の合金化元素を、タンタル（Ｔａ）に対する溶解度範囲内或いは室温或いはそれ以上の合金化元素の溶解度限界を超えて添加する。
【００４４】
図１は、本発明の１つの実施形態によるスパッタターゲットでスパッタされたシード層を備える薄膜積層構造を示す。簡潔に言えば、磁気記録媒体は、基板と、この基板上に付着されたシード層とを備え、前記シード層は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素からなる。また、磁気記録媒体は、前記シード層上に付着された下地層と、この下地層上に付着された磁気データ記録粒状層も備える。
【００４５】
より詳細には、磁気記録媒体２００は、基板２０１と、この基板２０１上に付着されたシード層２０４とを備え、前記シード層２０４は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素からなる。１つ以上の下地層、反強磁性層或いはその他のタイプの層を備えた層２０２が、基板２０１とシード層２０４の間に付着される。尚、層２０２は省略してもよい。
【００４６】
また、磁気記録媒体２００は、シード層２０４上に付着された下地層２０５と、この下地層２０５上に付着された磁気データ記録粒状層２０６も備える。更に、磁気記録媒体２００は、炭素（Ｃ）保護膜或いは潤滑層のような１つ以上の層２０７を備える。尚、層２０７は省略してもよい。
【００４７】
下地層２０５は、ルテニウム（Ｒｕ）或いはルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金からなる。尚、この技術分野で一般的に使用される他の卑金属を、ルテニウム（Ｒｕ）と併用して或いはルテニウム（Ｒｕ）の代わりに使用してもよい。特に、ニッケル（Ｎｉ）、テルビウム（Ｔｂ）或いはチタン（Ｔｉ）を下地層として使用することが可能であり、室温でＨＣＰ構造を持つあらゆる材料を使用することができる。
【００４８】
この構成に関連する１つの態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度は、室温で１０原子パーセント以下であり、また、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する。これらの条件を満足し合金化元素として使用できる元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）である。しかし、これら元素に限定されるものではなく、上述の基準を満たす他の元素を、これら記載された元素と併用して或いはこれら記載された元素の代わりに使用することが可能である。
【００４９】
実質的に純粋なタンタル（Ｔａ）を、結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜で粒径の微細化因子として振舞う合金化元素と合金する。その合金化元素は、室温でＢＣＣタンタル（Ｔａ）相にほとんど溶解しないので、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜に非晶質粒界を形成し、プロセス中に粒子の成長をより一層抑制して粒径の縮小に役立つ。
【００５０】
この構成に関連する第２の別の態様によれば、合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。これらの条件を満たし合金化元素として使用できる元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）である。しかし、これら元素に限定されるものではなく、上述の基準を満たす他の元素を、これら記載された元素と併用して或いはこれら記載された元素の代わりに使用することが可能である。
【００５１】
この点に関しては、シード層と下地層の間の格子不整合は、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層を合金することによって減少されるので、接合面の残留応力が最小化され、結晶化度が改善される。主成分のタンタル（Ｔａ）合金内の合金化元素は、室温或いはそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）にいくらか溶解するので、合金化元素は、タンタル（Ｔａ）と置換型固溶体を形成し、面内の格子定数に影響を与える。
【００５２】
この構成に関連する第３の別の態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、前記合金元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高温下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。これらの条件を満足し合金化元素として使用できる元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）である。しかし、これら元素に限定されるものではなく、上述の基準を満たす他の元素を、これら記載された元素と併用して或いはこれら記載された元素の代わりに使用することが可能である。
【００５３】
より詳細に上述されているように、この個々の態様は、粒子の微細化と格子不整合の減少の両方の利益をもたらす。特に、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層膜に非晶質の粒界を形成し、結晶化度を改善する合金化元素を用いることにより、タンタル（Ｔａ）合金は、その後に付着される層の微粒化因子及び残留界面応力を取除く格子不整合低減因子の両方として振舞う。
【００５４】
第１のシード層、第１の下地層及び／又は第１の磁気データ記録粒状層を、コ・スパッタリング装置（同時スパッタリング装置）或いはプロセスを用いてスパッタする。前に示したように、コ・スパッタリングプロセスは、真空チャンバ内に同時に配置され独立電源を有する複数の独立したスパッタターゲットを使用し、複数のスパッタターゲットの１つ以上を選択的にスパッタすることによりスパッタ表面の均一性を制御する。
【００５５】
本発明は、ＰＭＲに用いられる磁気媒体積層構造において、下地層及び／又は磁気データ記録粒状層と共に付着されるタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層に関する。本発明は、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とする結晶構造のシード層上に下地層をエピタキシャル的に付着することによって下地層の粒子を微細化する。タンタル（Ｔａ）合金内の合金化元素は、室温でのタンタル（Ｔａ）に対する制限された溶解度或いは不溶性によって、非晶質の粒界を形成しまた粒径の成長をより一層抑制することにより粒径を微細化する。更に、本発明は、格子を伸縮するようにタンタル（Ｔａ）と固溶体を形成する合金化元素を使用することにより、ＨＣＰ構造の下地層とＢＣＣタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層との間の格子不整合を減少し、下地層の結晶化度を改善する。
【００５６】
本発明を用いれば、シード層の粒径が微細化され、続いて付着される層が改善された結晶構造のシード層上に形成されるので、ＣｏＰｔ（Ｃｒ）（Ｂ）酸化物を含有する磁気データ記録粒状媒体層及び／又はＨＣＰをベースとする下地層を含む磁気媒体積層構造の垂直異方性は、それに応じて増大される。合金化元素を組み入れることにより、結晶構造のシード層は、ＨＣＰ下地層との格子不整合の可能性を最小限にする。合金化元素は、固溶体を形成することにより、タンタル（Ｔａ）の格子内に残存する傾向を有し、それによって、タンタル（Ｔａ）の面内格子定数に影響を与える。それぞれのこれら改善の結果として、ＰＭＲ媒体積層構造の信号対雑音比（ＳＮＲ）及び磁気結晶異方性（Ｋｕ）が改善される。
【００５７】
図２は、合金化元素がＨＣＰ下地層の結晶化度を改善できることを実証する３０ナノメートルタンタル（Ｔａ）膜のＸ線回折（ＸＲＤ）スペクトルである。図示のように、室温で非晶質の基板上に付着した場合、タンタル（Ｔａ）膜は、膜表面と平行なＢＣＣタンタル（Ｔａ）の（１１０）面を持つ結晶構造となる。ＢＣＣタンタル（Ｔａ）の（１１０）面の対称性により、膜表面と平行なＨＣＰ（０００２）面を持つルテニウム（Ｒｕ）膜の成長に対して非常に有利な表面となる。図２に示したように、ルテニウム（Ｒｕ）或いはルテニウム（Ｒｕ）合金を主成分とする下地層の強い（０００２）配向は、粒状磁気記録層の（０００２）集合組織の成長を促進する。例えば、図３において、それぞれの結晶配向に関して、実質的に純粋なタンタル（Ｔａ）とルテニウム（Ｒｕ）膜は、実質的に約５．６％の格子不整合を有する。タンタル（Ｔａ）に溶解できる合金化元素をタンタル（Ｔａ）に合金することは、この５．６％の不整合を実質的に取除く。
【００５８】
図４は、本発明の第２実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示すフローチャートである。簡潔に言えば、この磁気記録媒体の製造方法は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなる第１のスパッタターゲットで、基板上に少なくとも第１のシード層をスパッタする工程を備える。また、この製造方法は、第２のスパッタターゲットで前記第１のシード層上に少なくとも第１の下地層をスパッタする工程と、第３のスパッタターゲットで前記第１の下地層上に少なくとも第１の磁気データ記録粒状層をスパッタする工程も備える。
【００５９】
より詳しくは、このプロセスは、ステップ５００（図中、Ｓ５００で示し、以下同様とする）で開始し、ステップ５０１で、反強磁性層或いは下地層のような特定の層を基板上に付着する。尚、ステップ５０１は省略してもよい。ステップ５０２で、少なくとも第１のシード層をタンタル（Ｔａ）と合金化元素からなる第１のスパッタターゲットで基板上にスパッタする。上述のステップ５０１の記載によって既に理解されたように、追加的な層を基板と第１のシード層の間に付着してもよいので、第１のシード層は、基板と直接物理的に結合している必要はない。
【００６０】
この構成に関連する１つの態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する。これらの条件を満たし合金化元素として使用可能な元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）であるが、これら元素に限定されない。
【００６１】
この構成に関連する第２の別の態様によれば、合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。これらの条件を満たし合金化元素として使用できる元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）であるが、これら元素に限定されない。
【００６２】
この構成に関連する第３の別の態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、前記合金元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高温でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有する。これらの条件を満たし合金化元素として使用できる元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）であるが、これら元素に限定されない。
【００６３】
ステップ５０４で、少なくとも第１の下地層を、第２のスパッタターゲットで第１のシード層上にスパッタする。第１の下地層は、ルテニウム（Ｒｕ）或いはルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする合金であるが、例えばニッケル（Ｎｉ）やチタン（Ｔｉ）のような、この技術分野で一般的に使用される別の元素を代用して、或いは、ルテニウム（Ｒｕ）と併用して使用することが可能である。第１の下地層は、シード層と同時にスパッタするが、シード層を単独でスパッタすることもできる。
【００６４】
ステップ５０５で、少なくとも第１の磁気データ記録粒状層を第３のスパッタターゲットで第１の下地層上にスパッタする。第１の磁気データ記録粒状層は、シード層及び／又は第１の下地層と同時にスパッタするが、シード層及び／又は第１の下地層を第１の磁気データ記録粒状層と分けてスパッタすることもできる。ステップ５０６で、カーボン（Ｃ）保護膜及び／又は潤滑層のような付加的な層を、第１の磁気データ記録粒状層上にスパッタする。ステップ５０７で、プロセスは終了する。尚、ステップ５０６は省略してもよい。
【００６５】
図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第３の実施形態によるトリアトロンスパッタターゲットの上面図及び断面図をそれぞれ示す。簡潔に言えば、トリアトロンスパッタリング用スパッタターゲットは、タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域と合金化元素からなる第２の領域とを備える。図５に示すように、トリアトロン装置のコ・スパッタリングは、複数の独立した組成領域を有する単一のスパッタターゲットを使用する。この単一のトリアトロンスパッタターゲットは、タンタル（Ｔａ）だけからなる領域とＸ1だけからなる領域を有し、Ｔａ−Ｘ1薄膜を付着するために両領域を同時にスパッタする。
【００６６】
より詳細には、トリアトロンスパッタリング用スパッタターゲット６０１は、タンタル（Ｔａ）からなる第１の領域６０２と、合金化元素からなる第２の領域６０４とを備える。第１の領域６０２は、外側の環形で示され、第２の領域６０４は、内側の円形で示されている。尚、それぞれの位置を反対にしてもよい。また、全く異なる形状或いは区分を用いることができる。
【００６７】
１つの態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）であるが、これら元素に限定されない。
【００６８】
第２の別の態様によれば、合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）であるが、これら元素に限定されない。
【００６９】
第３の別の態様によれば、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、前記合金元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高い温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）であるが、これら元素に限定されない。
【００７０】
付加的な示していない構成によれば、本発明は、タンタル（Ｔａ）と合金化元素とからなるスパッタターゲットである。体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度は、室温で１０原子パーセント以下であり、合金化元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）及びタングステン（Ｗ）であるが、これら元素に限定されない。また、合金化元素は、室温又はそれより高くした温度下でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）であるが、これら元素に限定されない。更に、体心立方のタンタル（Ｔａ）相に対する合金化元素の溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり、前記合金元素は、１．５×１０-7ｍ3/ｋｇ以下の質量磁化率を有し、室温より高い温度でタンタル（Ｔａ）に溶解可能であり、且つ、１．４７Åより小さい原子半径を有し、そして、可能性のある合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、白金（Ｐｔ）及びクロム（Ｃｒ）であるが、これら元素に限定されない。
【００７１】
本発明により開示された概念に基づいて、タンタル（Ｔａ）を主成分とする合金のスパッタターゲットは、微細化された粒径を有する結晶構造のタンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層を生成するために用いることができ、結晶構造の下地層の粒径を微細化し、続いて付着される粒状磁気層のエピタキシャル成長を促進する。その利点のために、本発明は、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層を合金にする付加的な技術を提供し、タンタル（Ｔａ）合金を主成分とするシード層と下地層の間の格子不整合を減少し、下地層の結晶化度に有益な影響を与える。これら利益のそれぞれは、ＳＮＲを改善し、ＰＭＲに使用される媒体積層構造の垂直異方性を増大する。
【００７２】
上記実施形態では、特定な具体的実施形態について記述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や変形が本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によってなされるであろうことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１実施形態によるスパッタターゲットでスパッタされたシード層を備える積層構造を示す図である。
【図２】本発明が、格子不整合を減少できると同時に続いて付着されるＨＣＰ下地層の結晶化度を改善できることを実証するタンタル（Ｔａ）膜のＸ線回折（ＸＲＤ）スペクトルである。
【図３】実質的に純粋なタンタル（Ｔａ）膜とルテニウム（Ｒｅ）膜の格子不整合を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第３実施形態によるトリアトロンスパッタターゲットを示し、（Ａ）上面図、（Ｂ）は断面図である。
【図６】従来のＰＭＲ媒体の代表的な薄膜積層構造を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
２００    磁気記録媒体
２０１    基板
２０４    シード層
２０５    下地層
２０６    磁気データ記録粒状層
２０７    カーボン保護膜（又は潤滑層）
【図１】
2007128630.tif 000005
【図２】
2007128630.tif 000006
【図３】
2007128630.tif 000007
【図４】
2007128630.tif 000008
【図５】
2007128630.tif 000009
【図６】
2007128630.tif 000010