(57)【要約】【課題】樹脂層に対してスタンパーを容易に押し付け可能としつつ、スタンパーの剥離後において凹凸パターンの凹凸形状を十分に維持する。【解決手段】加工対象体１０の上に樹脂層３を形成する樹脂層形成処理と、スタンパー２を樹脂層３に押し付ける押し付け処理と、樹脂層３からスタンパー２を剥離する剥離処理とを実行することで加工対象体１０の上に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法であって、樹脂層形成処理時において、ガラス転移点が室温よりも高い樹脂材料を用いて樹脂層３を形成し、押し付け処理時において、樹脂層３等の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度となるように温度制御し、剥離処理時において、樹脂層３等の温度が樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下であって押し付け処理時における樹脂層３等の温度と等しいか、または、ほぼ等しい温度となるように温度制御する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の上に樹脂層を形成する樹脂層形成処理と、スタンパー側凹凸パターンが形成されたスタンパーを前記樹脂層に押し付ける押し付け処理と、前記樹脂層から前記スタンパーを剥離する剥離処理とを実行することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法であって、
前記樹脂層形成処理時において、ガラス転移点が室温よりも高い樹脂材料を用いて前記樹脂層を形成し、前記押し付け処理時において、前記基材、前記樹脂層および前記スタンパーの温度が前記樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度となるように温度制御し、前記剥離処理時において、前記基材、前記樹脂層および前記スタンパーの温度が前記樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下であって前記押し付け処理時における当該基材、当該樹脂層および当該スタンパーの温度と等しいか、または、ほぼ等しい温度となるように温度制御する凹凸パターン形成方法。
【請求項２】
前記樹脂材料として、ガラス転移点が４０℃以下の樹脂材料を用いる請求項１記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の凹凸パターン形成方法に従って前記基材の上に形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の上に形成した樹脂層にスタンパーを押し付けて凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法、およびその凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の凹凸パターン形成方法として、出願人は、情報記録媒体製造用の中間体（基材）における樹脂層にインプリント法によって凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法を特開２００５−３３９６６９号公報に開示している。この凹凸パターン形成方法では、まず、ガラス転移点が７０℃のノボラック系樹脂（以下、「樹脂材料」ともいう）を塗布することによって中間体に樹脂層を形成する。次いで、樹脂層が形成された中間体とスタンパーとをプレス機にセットした状態において、樹脂材料のガラス転移点よりも７０℃以上１２０℃以下の範囲（一例として、１００℃）だけ高温の所定温度（この例では、１７０℃）となるように中間体（樹脂層）およびスタンパーを加熱する。続いて、中間体の樹脂層にスタンパーの凹凸パターンを押し付ける。この際に、樹脂層がガラス転移点よりも高温となるように加熱されているため、スタンパーの凹凸パターンにおける各凸部が樹脂層に対してスムーズに押し込まれる。
【０００３】
次いで、中間体（樹脂層）からスタンパーを剥離する。この際に、スタンパーの押し付け開始から剥離完了までの間において中間体およびスタンパーの双方の温度が大きく変化したときには、中間体（基材および樹脂層）とスタンパーとが熱変形（収縮、または、膨張）する。この場合、中間体およびスタンパーは、その熱膨張率が相違するため、中間体およびスタンパーの間に熱変形量の差異が生じ、これに起因して樹脂層に転写した凹凸パターンが崩れて凹凸パターンにずれが生じる。したがって、出願人が開示している凹凸パターン形成方法では、押し付け開始から剥離までの間において中間体およびスタンパーの双方の温度が大きく変化しないように（一例として、押し付け開始時からの温度変化量が±０．２℃の範囲内となるように）加熱処理を継続し、その状態において樹脂層からスタンパーを剥離する。これにより、スタンパーの凹凸パターンが中間体の樹脂層に転写されて凹凸パターンの形成処理が完了する。
【特許文献１】特開２００５−３３９６６９号公報（第５−９頁、第１０−１４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、出願人が開示している凹凸パターン形成方法には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、出願人が開示している凹凸パターン形成方法では、スタンパーの各凸部を樹脂層に対してスムーズに押し込み可能とするために、樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも７０℃以上１２０℃以下の範囲だけ高温の所定温度となるように中間体（樹脂層）およびスタンパーを加熱している。また、この凹凸パターン形成方法では、中間体およびスタンパーの熱膨張率の差異に起因して樹脂層に転写した凹凸パターンにずれが生じる事態を回避するために、スタンパーの押し付け開始から剥離完了までの間において中間体およびスタンパーの双方の温度が大きく変化しないように加熱処理を継続して実行している。したがって、この凹凸パターン形成方法では、スタンパーの剥離が完了した時点において、凹凸パターンが転写された樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも非常に高い温度（ガラス転移点よりも７０℃以上１２０℃以下の範囲だけ高温の温度）となっている。このため、出願人が開示している凹凸パターン形成方法には、スタンパーの剥離が完了した後に樹脂層に転写されている凹凸パターンが変形し易い状態（凹凸形状の維持が困難な状態）となり、形成した凹凸パターンを例えばマスクパターンとして使用するのが困難となるおそれがある。また、この凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターンを例えばマスクパターンとして用いて情報記録媒体を製造したときには、情報記録媒体の全域に亘って凹凸パターンを高精度で形成するのが困難となるおそれがある。
【０００５】
また、出願人が開示している凹凸パターン形成方法では、一例として、ガラス転移点が７０℃の樹脂材料を用いて中間体に樹脂層を形成し、スタンパーの押し付け処理時には、樹脂材料のガラス転移点よりも１００℃だけ高温の１７０℃となるように中間体（樹脂層）およびスタンパーを加熱している。この場合、スタンパーの押し付け処理を開始する以前の樹脂層の温度は、室温とほぼ等しい温度となっているため、押し付け処理時に中間体（樹脂層）およびスタンパーの温度を１７０℃まで上昇させるためには、大量のエネルギーと長い加熱時間とを要することとなる。したがって、出願人が開示している凹凸パターン形成方法には、凹凸パターンの形成に要するコストが高騰すると共に、スループットが低下するおそれがあるという課題が存在する。また、この凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造したときには、情報記録媒体の製造コストが高騰するおそれがあるという課題が存在する。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、樹脂層に対してスタンパーを容易に押し付け可能としつつ、スタンパーの剥離後において凹凸パターンの凹凸形状を十分に維持し得る凹凸パターン形成方法と、その全域に亘って凹凸パターンを高精度で形成し得る情報記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。また、コストの低減およびスループットの向上を図り得る凹凸パターンの形成方法および情報記録媒体製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、基材の上に樹脂層を形成する樹脂層形成処理と、スタンパー側凹凸パターンが形成されたスタンパーを前記樹脂層に押し付ける押し付け処理と、前記樹脂層から前記スタンパーを剥離する剥離処理とを実行することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法であって、前記樹脂層形成処理時において、ガラス転移点が室温よりも高い樹脂材料を用いて前記樹脂層を形成し、前記押し付け処理時において、前記基材、前記樹脂層および前記スタンパーの温度が前記樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度となるように温度制御し、前記剥離処理時において、前記基材、前記樹脂層および前記スタンパーの温度が前記樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下であって前記押し付け処理時における当該基材、当該樹脂層および当該スタンパーの温度と等しいか、または、ほぼ等しい温度となるように温度制御する。なお、本明細書における「室温」とは、凹凸パターンの形成作業を行う作業場所における基材およびスタンパーの周囲の雰囲気の温度であって、加熱処理や冷却処理を行うことなく基材およびスタンパーを十分に長い時間放置したときに、基材およびスタンパーが徐々に近付いてゆく温度を意味する。また、樹脂層の形成に際して２種類以上の樹脂材料を混合した混合樹脂材料を使用するときには、その混合樹脂材料の主成分となっている樹脂材料のガラス転移点を基準として各処理時の温度を規定する。
【０００８】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、前記樹脂材料として、ガラス転移点が４０℃以下の樹脂材料を用いる。
【０００９】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記の凹凸パターン形成方法に従って前記基材の上に形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、ガラス転移点が室温よりも高い樹脂材料を用いて樹脂層を形成すると共に、押し付け処理時において、基材、樹脂層およびスタンパーの温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度となるように温度制御し、剥離処理時において、基材、樹脂層およびスタンパーの温度が樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下であって押し付け処理時における基材、樹脂層およびスタンパーの温度と等しいか、または、ほぼ等しい温度となるように温度制御することにより、スタンパーの押し付け処理時において樹脂層が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温となっているため、スタンパー側凹凸パターンにおける各凸部を樹脂層に対してスムーズに十分に奥深くまで押し込むことができる。また、スタンパーの剥離処理時に樹脂層が樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下となっているため、スタンパーを剥離した後に、樹脂層に転写した凹凸パターンが大きく変形する事態を回避して、その凹凸形状を高精度な状態で維持することができる。さらに、押し付け処理時と剥離処理時とで樹脂層の温度が等しいか、または、ほぼ等しい温度となっているため、基材（樹脂層）およびスタンパーの熱変形の発生を回避して、樹脂層に転写した凹凸パターンにずれが生じる事態を回避することができる。
【００１１】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、上記の樹脂材料として、ガラス転移点が４０℃以下の樹脂材料を用いて樹脂層を形成することにより、押し付け処理の開始に先立って樹脂層等を加熱するのに要するエネルギー、および押し付け処理の開始時から剥離処理が完了するまで樹脂層等の温度を維持するのに要するエネルギーを十分に低減することができると共に、樹脂層の加熱に要する時間を十分に短縮して凹凸パターン形成のスループットを十分に向上させることができる。
【００１２】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記の凹凸パターン形成方法に従って基材の上に形成した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造することにより、例えば、形成した凹凸パターンをマスクパターンとして、または、形成した凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンをマスクパターンとして用いて基材をエッチング処理することで、その全域に亘って凹凸パターンを高精度で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法の最良の形態について説明する。
【００１４】
図１に示すインプリント装置１００は、図２に示す磁気ディスク１の製造に際して、本発明に係る凹凸パターン形成方法に従い、加工対象体１０上の樹脂層３（図５参照）にスタンパー２（図３参照）を押し付けて凹凸パターン３５（図６参照）を形成する装置であって、プレス機１１０および制御部１２０を備えて構成されている。
【００１５】
この場合、磁気ディスク１は、同心円状、または、螺旋状の複数のデータ記録トラックが形成されて垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されたディスクリートトラック型の磁気記録媒体（パターンド媒体）であって、図２に示すように、軟磁性層１２、中間層１３および記録層（磁性記録層）１４がディスク状基材１１の上にこの順で形成されている。この磁気ディスク１は、本発明における情報記録媒体に相当し、その一方の面（同図における上面）には、少なくとも突端部側が磁性材料（記録層１４）で形成された複数の凸部１５ａ（記録領域）と複数の凹部１５ｂ（非記録領域）とが形成されてデータトラックパターンやサーボパターンとして機能する凹凸パターン１５が形成されている。また、凹凸パターン１５の各凹部１５ｂ内には、非磁性材料１６が埋め込まれている。さらに、各凸部１５ａの上と各凹部１５ｂ内に埋め込まれた非磁性材料１６の上には、例えばＤＬＣ（Diamond Like Carbon ）によって保護層１７が形成されると共に、保護層１７の表面には、潤滑剤（図示せず）が塗布されている。
【００１６】
この場合、本明細書における記録領域とは、記録された磁気的信号を読み出し可能に保持するように構成された領域（つまり磁気的信号を読み出し可能に保持する能力を有するように構成された領域）を意味する。また、本明細書における非記録領域とは、磁気的信号を読み出し可能に保持する上記の能力が記録領域の能力よりも低くなるように構成された領域、または、その能力を実質的に有しないように構成された領域を意味する。具体的には、本明細書における非記録領域とは、磁気的信号を記録した状態において、その領域から発生する磁界が記録領域よりも小さい領域、または、その領域から発生する磁界が実質的には存在しない領域を意味する。
【００１７】
一方、スタンパー２は、磁気ディスク１を製造する際に、加工対象体１０の上にマスクパターンとしての凹凸パターン３５（図６参照）を形成するための原盤であって、全体として円板状に構成されている。このスタンパー２は、図３に示すように、ニッケル層２１を電極として用いた電鋳処理によってニッケル層２１の上にニッケル層２２が形成されて薄板状に構成されている。また、スタンパー２には、磁気ディスク１における凹凸パターン１５の各凹部１５ｂに対応して形成された複数の凸部２５ａと、凹凸パターン１５の各凸部１５ａに対応して形成された複数の凹部２５ｂとを有する凹凸パターン２５（本発明における「スタンパー側凹凸パターン」の一例）が形成されている。また、加工対象体１０は、本発明における基材の一例であって、図４に示すように、軟磁性層１２、中間層１３および記録層１４がディスク状基材１１の上にこの順で形成されている。この場合、加工対象体１０における記録層１４の上には、後述するように、本発明における樹脂層形成処理に従って樹脂層３が形成される。
【００１８】
一方、プレス機１１０は、図１に示すように、ホットプレート１１１ａ，１１１ｂ（以下、区別しないときには「ホットプレート１１１」ともいう）と、上下動機構１１２とを備えている。ホットプレート１１１は、制御部１２０の制御に従い、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２を所定の温度となるように加熱処理する。また、ホットプレート１１１ａは、樹脂層３が形成された面を上向きにした状態の加工対象体１０を保持可能に構成され、ホットプレート１１１ｂは、凹凸パターン２５の形成面を下向きにした状態のスタンパー２を保持可能に構成されている。上下動機構１１２は、制御部１２０の制御に従い、ホットプレート１１１ａによって保持された加工対象体１０に向けてホットプレート１１１ｂを移動（下降）させることにより、ホットプレート１１１ｂによって保持されているスタンパー２を加工対象体１０上の樹脂層３に押し付ける。また、上下動機構１１２は、ホットプレート１１１ａに対してホットプレート１１１ｂを離間（上昇）させることにより、スタンパー２を樹脂層３から剥離する。制御部１２０は、ホットプレート１１１を制御して加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２を加熱させる（温度制御する）と共に、上下動機構１１２を制御して、加工対象体１０に対するスタンパー２の押し付け（本発明における押し付け処理）と、加工対象体１０に押し付けられているスタンパー２の加工対象体１０からの剥離（本発明における剥離処理）とを実行する。
【００１９】
上記の磁気ディスク１の製造に際しては、まず、本発明における凹凸パターン形成方法に従って加工対象体１０の上にマスクパターンとしての凹凸パターン３５を形成する。この際には、まず、一例として、そのガラス転移点が３４℃の樹脂材料（ガラス転移点が室温の一例である２５℃よりも高く、かつ、４０℃以下の樹脂材料の一例）を加工対象体１０における記録層１４の上にスピンコートする。この場合、樹脂層３の形成に用いる樹脂材料としては、一例として、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート）を溶剤として用いたアクリル樹脂を採用することができる。具体的には、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびスチレンの共重合体を主成分とするアクリル樹脂を採用することができる。次いで、塗布した樹脂材料の層に対して、一例として、９０℃で９０秒間のベイク処理を実行することにより、図４に示すように、厚みが７５ｎｍ程度の樹脂層３を加工対象体１０の上に形成する。以上により、本発明における樹脂層形成処理が完了する。
【００２０】
なお、本明細書における「ガラス転移点」については、「ＪＩＳ  Ｋ７１２１−１９８７（プラスチックの転移温度測定方法に関する規格）」等の測定規格に準じて実測する方法によって特定することができる。具体的には、上記のＪＩＳ規格に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に従って中間点ガラス転移温度（Ｔｍｇ）を測定することで本明細書におけるガラス転移点を特定することができる。本明細書では、各樹脂材料のガラス転移点について、上記の中間点ガラス転移温度（Ｔｍｇ）を記載する。この場合、加工対象体１０における記録層１４の上にスピンコートする上記の樹脂材料のガラス転移点については、上記の中間点ガラス転移温度（Ｔｍｇ）とＦＯＸの式（Phys. Rev., Vol.86, 652 （1952））によって算出されたガラス転移点とが同じ温度（３４℃）であった。なお、ＦＯＸの式で使用する各樹脂材料（アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、およびスチレン等の樹脂材料）のガラス転移点は、「Polymer handbook 4th Edition，John Wiley & Sons，Inc. (1999)」に記載された値を使用した。
【００２１】
次いで、インプリント装置１００によるインプリント処理を開始する。具体的には、まず、図１に示すように、樹脂層３が形成された面を上向きにして加工対象体１０をプレス機１１０（ホットプレート１１１ａ）にセットすると共に、凹凸パターン２５の形成面を下向きにしてスタンパー２をプレス機１１０（ホットプレート１１１ｂ）にセットする。続いて、制御部１２０がホットプレート１１１を制御することにより、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２の双方の温度が４５℃（樹脂層３を構成する樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度の一例）となるように加熱処理させる（本発明における温度制御）。この場合、この凹凸パターン形成方法では、後述するスタンパー２の押し付け開始から剥離完了までの間において、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２の双方の温度変化量が例えば±０．２℃の範囲内となるようにホットプレート１１１による加熱処理（温度制御）を継続して実行する。次いで、制御部１２０は、上下動機構１１２を制御してホットプレート１１１ａ上の加工対象体１０（樹脂層３）に向けてホットプレート１１１ｂを下降させることにより、加工対象体１０上の樹脂層３の表面にスタンパー２の凹凸パターン２５を押し付ける（本発明における押し付け処理の開始）。
【００２２】
この場合、この凹凸パターン形成方法では、樹脂層３を構成している樹脂材料のガラス転移点（この例では、３４℃）よりも５℃以上高い温度（この例では、４５℃）となるように加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２の双方を加熱した状態においてスタンパー２の凹凸パターン２５を樹脂層３に押し付けている。したがって、スタンパー２における凹凸パターン２５の各凸部２５ａが樹脂層３に対してスムーズに（容易に）押し込まれる。この結果、図５に示すように、スタンパー２の各凸部２５ａが樹脂層３に対して十分に奥深くまで押し込まれる。続いて、一例として、８．７ＭＰａの押圧力を加えた状態を５分間に亘って維持した後に、制御部１２０は、上下動機構１１２を制御してホットプレート１１１ｂを上動させることにより、樹脂層３からスタンパー２を剥離させる（本発明における剥離処理）。次いで、剥離処理を完了した加工対象体１０（樹脂層３）に対する加熱処理を停止した状態で放置することにより、室温となるまで冷却する。これにより、図６に示すように、スタンパー２における凹凸パターン２５の凹凸形状が樹脂層３に転写されて加工対象体１０の上に凹凸パターン３５が形成される。
【００２３】
この場合、加工対象体１０の上に形成された凹凸パターン３５は、スタンパー２の凹凸パターン２５における各凸部２５ａに対応して各凹部３５ｂが形成され、凹凸パターン２５における各凹部２５ｂに対応して各凸部３５ａが形成されている。また、この凹凸パターン形成方法では、前述したように、樹脂層３に対するスタンパー２の押し付け開始から剥離完了までの間において、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２の双方の温度変化量が例えば±０．２℃の範囲内となるように加熱処理（温度制御）を継続して実行している。したがって、スタンパー２の剥離が完了した時点における樹脂層３の温度は、樹脂層３に対するスタンパー２の押し付け処理の開始時点における樹脂層３の温度、すなわち、樹脂層３を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度とほぼ等しい温度であって、樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下（この例では、４５℃±０．２℃）となっている。このため、スタンパー２の剥離が完了した後に樹脂層３に形成された凹凸パターン３５が急激に変形する事態（凹凸パターン３５の凹凸形状が維持されない事態）が回避される。以上により、本発明に係る凹凸パターン形成方法による凹凸パターン３５（マスクパターン）の形成処理が完了する。
【００２４】
なお、前述した樹脂層形成処理に際して、そのガラス転移点が４０℃以上の樹脂材料を用いて樹脂層３を形成することもできるが、この方法を採用した場合には、押し付け処理の開始以前に室温（一例として、２５℃）とほぼ等しい温度となっている樹脂層３を樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温の温度となるように樹脂層３を加熱する際に、大量のエネルギーを消費すると共に、樹脂層３が所望の温度となるまでに長い時間を要することとなる。加えて、押し付け処理時における樹脂層３の温度と剥離処理時における樹脂層３の温度とが等しく（または、ほぼ等しく）なるように温度制御するために（剥離が完了するまで加工対象体１０、樹脂層３、およびスタンパー２の温度を高温のまま維持するために）、大量のエネルギーを消費される。したがって、ガラス転移点が４０℃以下の樹脂材料を用いて樹脂層３を形成することで、大量のエネルギーが消費される事態を回避しつつ、樹脂層３等を所望の温度まで上昇させるのに要する時間を短縮するのが好ましい。
【００２５】
次いで、加工対象体１０上の樹脂層３における凹凸パターン３５の各凹部３５ｂの底面に残存する残渣（スタンパー２の押し付け時において各凸部２５ａの突端面と加工対象体１０（記録層１４）との間に生じた樹脂材料）を例えば酸素プラズマ処理によって除去する。続いて、凹凸パターン３５（各凸部３５ａ）をマスクパターンとして用いて加工対象体１０（記録層１４）に対するエッチング処理を行うことにより、中間層１３の上に凹凸パターン１５を形成する。この場合、上記の凹凸パターン形成方法では、そのガラス転移点が室温（この例では、２５℃）よりも高い樹脂材料を塗布して樹脂層３を形成している。したがって、凹凸パターン３５の形成が完了した樹脂層３からスタンパー２を剥離した後に（加工対象体１０に対するエッチング処理の開始以前に）樹脂層３の温度が室温のまま維持されたとしても、凹凸パターン３５の凹凸形状が大きく変形する事態が回避されている。この結果、図６に破線で示すように、その凹凸形状が維持された状態の凹凸パターン３５における各凸部３５ａに対応して各凸部１５ａ（記録領域）が形成されると共に各凹部３５ｂに対応して各凹部１５ｂ（非記録領域）が形成されて、中間層１３の上に凹凸パターン１５が形成される。
【００２６】
続いて、加工対象体１０に形成された凹凸パターン１５を覆うようにして非磁性材料１６の層を形成した後に（図示せず）、例えばイオンビームエッチングによって非磁性材料１６の層の表面を平坦化する。この際には、一例として、非磁性材料の層から凹凸パターン１５の各凸部１５ａが露出するまでエッチング処理を行う。次いで、平坦化した加工対象体１０における各凸部１５ａの上と各凹部１５ｂ内に埋め込まれた非磁性材料１６の上に、例えばＤＬＣによって保護層１７を形成する。この後、保護層１７の表面に潤滑剤を塗布することにより、図２に示すように、磁気ディスク１が完成し、本発明に係る情報記録媒体製造方法が完了する。
【００２７】
次に、基材上の樹脂層に対するスタンパーの各凸部の押し込み容易性、スタンパーを剥離した後の凹凸形状の安定性（凹凸パターンの変形のし難さ）、および転写されたパターンの精度（ずれの有無）と、各処理時における樹脂層の温度との関係について、図面を参照して説明する。
【００２８】
まず、ガラス転移点が室温（一例として、２５℃）よりも高い樹脂材料（一例として、ガラス転移点が３４℃のアクリル樹脂）を用いて、図７に示す実施例１〜４および比較例１〜５の樹脂層を支持基材（図示せず）の上に形成した。この場合、樹脂材料としては、一例として、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート）を溶剤として用いたアクリル樹脂（アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびスチレンの共重合体を主成分とするアクリル樹脂）を使用した。また、この樹脂材料のガラス転移点（３４℃）については、上記したＪＩＳ規格に準じて測定した中間点ガラス転移温度（Ｔｍｇ）とＦＯＸの式によって算出されたガラス転移点とが共に同じ温度であった。また、形成した各実施例および各比較例の樹脂層に上記のスタンパー２における凹凸パターン２５を押し付けることによって支持基材の上（樹脂層）に凹凸パターンを形成した。なお、各樹脂層については、スタンパー２の押し付け時の樹脂層の温度、およびスタンパー２の剥離時における樹脂層の温度を除き、前述した樹脂層３および凹凸パターン３５の形成方法と同様の手順で形成した。このようにして凹凸パターンを形成した各実施例および各比較例の樹脂層について、その表面の凹凸形状を室温で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって観察することにより、各樹脂層に対するスタンパー２の各凸部２５ａの押し込み容易性と、スタンパー２を剥離した後の凹凸形状の安定性と、転写されたパターンの精度（ずれの有無）とを確認した。その結果を図７に示す。
【００２９】
なお、同図では、樹脂層に対する各凸部２５ａの押し込み量が不足して凹凸パターンの転写不良が生じたものについては、「押し込み容易性」の部位に「×」を付し、樹脂層に対する各凸部２５ａの押し込みが容易で、しかも、十分に奥深くまで各凸部２５ａを押し込むことができたものについては、「押し込み容易性」の部位に「○」を付した。また、スタンパー２の剥離後に凹凸パターンが短時間で大きく変形したもの（凹凸形状の維持が困難であったもの）については、「凹凸形状の安定性」の部位に「×」を付し、スタンパー２の剥離後における凹凸パターンの変形量が十分に小さい、または、殆ど変形が生じなかったものについては、「凹凸形状の安定性」の部位に「○」を付した。さらに、スタンパー２を剥離した時点において転写されている凹凸パターンにずれが生じていたものについては、「転写の精度」の部位に「×」を付し、凹凸パターンにずれが生じることなく高精度で転写されていたものには、「転写の精度」の部位に「○」を付した。
【００３０】
［実施例１］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも５℃だけ高温の温度（この例では、３９℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３１】
［実施例２］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも１０℃だけ高温の温度（この例では、４４℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３２】
［実施例３］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも１５℃だけ高温の温度（この例では、４９℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３３】
［実施例４］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の温度（この例では、５４℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３４】
［比較例１］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも４℃だけ高温の温度（この例では、３８℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３５】
［比較例２］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも４℃だけ高温の温度（この例では、３８℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に先立ち、スタンパー２に対する押圧力の印加を停止した状態において樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の温度（この例では、５４℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した後に、樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３６】
［比較例３］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも５℃だけ高温の温度（この例では、３９℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に先立ち、スタンパー２に対する押圧力の印加を停止した状態において樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の温度（この例では、５４℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した後に、樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３７】
［比較例４］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも５℃だけ高温の温度（この例では、３９℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に先立ち、スタンパー２に対する押圧力の印加を停止した状態において樹脂材料のガラス転移点よりも２１℃だけ高温の温度（この例では、５５℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した後に、樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３８】
［比較例５］
樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点よりも２１℃だけ高温の温度（この例では、５５℃）となるように支持基材、樹脂層およびスタンパー２を加熱した状態において押し付け処理を実行した後に、剥離処理に際して、押し付け処理時の温度を維持した状態において樹脂層からスタンパー２を剥離した。
【００３９】
図７に示すように、樹脂層に対するスタンパー２の押し付け処理時における樹脂層の温度が、樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点（この例では、３４℃）よりも５℃以上高温の実施例１〜４および比較例３〜５では、スタンパー２の各凸部２５ａを樹脂層に対して十分に奥深くまでスムーズに（容易に）押し込むことができる結果、凹凸パターンの転写不良が生じる事態を回避することができた。これに対して、押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃未満の比較例１，２では、スタンパー２の各凸部２５ａを樹脂層に対して十分に奥深くまで押し込むことができずに、凹凸パターンの転写不良が発生した。このように、押し付け処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温となるように加熱処理（温度制御）することで、凹凸パターンの転写不良が生じる事態を回避することができる。
【００４０】
この場合、押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも１５℃以上高い温度である実施例３，４では、樹脂層に対するスタンパーの押圧時間を短縮するか、または、樹脂層に対するスタンパーの押圧力を小さくする方法を採用したときであっても、スタンパー２の各凸部２５ａを樹脂層に対して十分に奥深くまで押し込むことができた。具体的には、実施例１，２では、押し付け処理に際して、８．７ＭＰａの押圧力をスタンパー２に加えた状態を５分間に亘って維持しているが、実施例３，４では、押し付け処理に際して、４．９ＭＰａの押圧力をスタンパー２に加えた状態を１分間に亘って維持するだけで転写不良を招くことなく凹凸パターンを転写することができた。このように、押し付け処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも１５℃以上高温となるように加熱処理（温度制御）することで、スタンパー２の押し付けに要する時間を短縮することができると共に、小さな押圧力であっても、凹凸パターンの転写不良が生じる事態を十分に回避することができる。
【００４１】
また、スタンパー２の剥離処理時における樹脂層の温度が、樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点（この例では、３４℃）よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）以下の温度である実施例１〜４および比較例１〜３では、スタンパー２を剥離した後に凹凸パターンが大きく変形することなく、スタンパー２の剥離時点からある程度の時間が経過した時点においても、その凹凸形状が十分に高精度な状態に維持された。これに対して、剥離処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）を超えた温度である比較例４，５では、スタンパー２を剥離した後に凹凸パターンが比較的短時間で大きく変形し、その凹凸形状を維持することができなかった。このように、剥離処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）以下の温度となるように加熱処理（温度制御）することで、スタンパー２の剥離後における凹凸パターンの大きな変形を回避して凹凸形状を高精度な状態に維持することができる。
【００４２】
さらに、押し付け処理時における樹脂層の温度と剥離処理時における樹脂層の温度とが等しい（または、ほぼ等しい）実施例１〜４、および比較例１，５では、支持基材、樹脂層およびスタンパー２が熱変形する事態が回避され、樹脂層に転写された凹凸パターンにずれが生じる事態が回避された。これに対して、押し付け処理時における樹脂層の温度と剥離処理時における樹脂層の温度とが大きく相違する比較例２〜４では、支持基材、樹脂層およびスタンパー２がそれぞれ熱変形（収縮）し、その変形量に差異が生じた結果、樹脂層に転写された凹凸パターンにずれが生じた。このように、押し付け処理時における樹脂層の温度と剥離処理時における樹脂層の温度とを等しく（または、ほぼ等しく）なるように温度制御することにより、転写された凹凸パターンにずれが生じる事態を回避することができる。
【００４３】
次に、樹脂層に形成された凹部３５ｂの深さ、およびその凹部３５ｂの底面における残渣の厚みと、各処理時における樹脂層の温度との関係について、図面を参照して説明する。なお、図８に示す実施例５〜１６の各樹脂層については、スタンパー２の押し付け時の樹脂層の温度、およびスタンパー２の剥離時における樹脂層の温度を除き、上記の各実施例１〜４の各樹脂層および凹凸パターン３５の形成方法と同様の手順で形成した。また、凹部３５ｂの深さは、データトラックパターン領域について室温で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。さらに、残渣の厚みは、データトラックパターン領域について室温で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて凹凸パターンの断面を観察することによって測定した。また、データトラックパターン領域における凸部３５ａの幅：凹部３５ｂの幅は、１０：８である。
【００４４】
図８に示すように、スタンパー２の押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点（この例では、３４℃）よりも５℃以上高温で、スタンパー２の剥離処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）以下の温度となる条件に従って形成された実施例１〜１６の樹脂層では、スタンパー２の押し付けによって樹脂層に形成された凹部３５ｂの深さが６９．１ｎｍから８４．７ｎｍの範囲内で十分に深く、凹部３５ｂの底面の残渣の厚みについても、最も厚いもので３６．６ｎｍと十分に薄くなっている。これに対して、押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも４℃だけ高温の条件に従って形成された比較例１の樹脂層では、スタンパー２の押し付けによって形成された凹部３５ｂの深さが５７．４ｎｍと浅く、凹部３５ｂの底面の残渣の厚みも４３．２ｎｍと非常に厚くなっている。また、剥離処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点（この例では、３４℃）よりも２１℃高温の条件に従って形成された比較例５の樹脂層では、スタンパー２の押し付けによって形成された凹部３５ｂの深さが５６．６ｎｍと浅く、凹部３５ｂの底面の残渣の厚みも４３．７ｎｍと非常に厚くなっている。
【００４５】
この場合、例えば、押し付け処理時における樹脂層の温度の差が１℃の実施例１，５の樹脂層では、凹部３５ｂの深さの差が１．５ｎｍと極く僅かであるのに対し、押し付け処理時における樹脂層の温度の差が上記と同じ１℃の実施例１の樹脂層と比較例１の樹脂層とでは、凹部３５ｂの深さの差が１４．７ｎｍと非常に大きくなっている。また、実施例１，５の樹脂層では、残渣の厚みの差が０．８ｎｍと極く僅かであるのに対し、実施例１の樹脂層と比較例１の樹脂層とでは、残渣の厚みの差が８．３ｎｍと非常に大きくなっている。したがって、押し付け処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温となるように加熱処理（温度制御）したときと、押し付け処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃未満だけ高温となるように加熱処理（温度制御）したときとで、凹凸パターンの押し込み容易性に大きな差異が生じるのを理解することができる。
【００４６】
また、例えば、剥離処理時における樹脂層の温度の差が１℃の実施例４，１６の樹脂層では、凹部３５ｂの深さの差が３．３ｎｍと極く僅かであるのに対し、剥離処理時における樹脂層の温度の差が上記と同じ１℃の実施例４の樹脂層と比較例５の樹脂層とでは、凹部３５ｂの深さの差が１２．５ｎｍと非常に大きくなっている。また、実施例４，１６の樹脂層では、残渣の厚みの差が１．９ｎｍと極く僅かであるのに対し、実施例４の樹脂層と比較例５の樹脂層とでは、残渣の厚みの差が７．１ｎｍと非常に大きくなっている。したがって、剥離処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）以下の温度となるように加熱処理（温度制御）したときと、剥離処理時の樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも２０℃だけ高温の所定温度（この例では、５４℃）を超える温度となるように加熱処理（温度制御）したときとで凹凸パターンの形状安定性（変形し易さ）に大きな差異が生じるのを理解することができる。
【００４７】
なお、図８からも明らかなように、押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温のときと、押し付け処理時における樹脂層の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃未満だけ高温のときとでは、押し付け処理時における樹脂層の温度の差と、凹部の深さ（または、残渣の厚み）の差との関係が大きく相違する。したがって、ガラス転移点が不明の樹脂材料で形成された樹脂層について、押し付け処理時の温度を例えば１℃刻みで変化させて、凹部３５ｂの深さ（または、残渣の厚み）を測定することで、温度の差に対する深さ（厚み）の差が大きく相違する（つまり大きく変化する）２つの温度（この例では３８℃および３９℃）を特定し、特定した２つの温度のうちの高い温度（この例では３９℃）よりも５℃だけ低い温度（この例では３４℃）をその樹脂層を構成している樹脂材料のガラス転移点として特定することができる。
【００４８】
このように、このインプリント装置１００による凹凸パターン形成方法によれば、ガラス転移点が室温よりも高い樹脂材料を用いて樹脂層３を形成すると共に、押し付け処理時において、加工対象体１０、樹脂層３およびスタンパー２の温度が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高い温度となるように温度制御し、剥離処理時において、加工対象体１０、樹脂層３およびスタンパー２の温度が樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下であって押し付け処理時における加工対象体１０、樹脂層３およびスタンパー２の温度と等しいか、または、ほぼ等しい温度となるように温度制御することにより、スタンパー２の押し付け処理時において樹脂層３が樹脂材料のガラス転移点よりも５℃以上高温となっているため、凹凸パターン２５における各凸部２５ａを樹脂層３に対してスムーズに十分に奥深くまで押し込むことができる。また、スタンパー２の剥離処理時に樹脂層３が樹脂材料のガラス転移点に対して２０℃高い温度以下となっているため、スタンパー２を剥離した後に、樹脂層３に転写した凹凸パターン３５が大きく変形する事態を回避して、その凹凸形状を高精度な状態で維持することができる。さらに、押し付け処理時と剥離処理時とで樹脂層３の温度が等しいか、または、ほぼ等しい温度となっているため、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２の熱変形の発生を回避して、樹脂層３に転写した凹凸パターン３５にずれが生じる事態を回避することができる。
【００４９】
また、このインプリント装置１００による凹凸パターン形成方法によれば、本発明における樹脂材料として、ガラス転移点が４０℃以下の樹脂材料を用いて樹脂層３を形成することにより、押し付け処理の開始に先立って樹脂層３等を加熱するのに要するエネルギー、および押し付け処理の開始時から剥離処理が完了するまで樹脂層３等の温度を維持するのに要するエネルギーを十分に低減することができると共に、樹脂層３の加熱に要する時間を十分に短縮して凹凸パターン形成のスループットを十分に向上させることができる。
【００５０】
また、上記の情報記録媒体製造方法によれば、上記の凹凸パターン形成方法に従って加工対象体１０（基材）の上に形成した凹凸パターン３５を用いて磁気ディスク１（情報記録媒体）を製造することにより、例えば、形成した凹凸パターン３５をマスクパターンとして、または、凹凸パターン３５と凹凸位置関係が一致する凹凸パターンをマスクパターンとして用いて加工対象体１０をエッチング処理することで、その全域に亘って凹凸パターン１５を高精度で形成することができる。
【００５１】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、上記の凹凸パターン形成方法では、加工対象体１０、樹脂層３およびスタンパー２に対する加熱処理を実行することで押し付け処理時および剥離処理時に樹脂層３が所望の温度となるように温度制御しているが、両処理時における樹脂層３の温度が所望の温度よりも高温となる条件下（一例として、インプリント処理を行う作業場所の温度が高いときや、ベイク処理等によって樹脂層３の温度が上昇しているとき）においては、加工対象体１０（樹脂層３）およびスタンパー２に対する冷却処理を実行することで樹脂層３が所望の温度となるように温度制御する方法を採用することができる。また、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って製造する情報記録媒体は、磁気ディスク１のような垂直記録方式の磁気記録媒体に限定されず、面内記録方式の磁気記録媒体にも適用することができる。
【００５２】
さらに、上記の磁気ディスク１では、凹凸パターン１５における凸部１５ａの突端部（磁気ディスク１の表面側）から基端部までの全体が記録層１４（磁性材料）で形成されているが、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って製造する情報記録媒体の構成はこれに限定されない。具体的には、例えば、本発明に係る凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターン３５（マスクパターン）を用いて記録層１４をエッチングする際に、そのエッチング量をある程度少なくする（形成する凹部１５ｂを浅くする）ことで、凸部１５ａ（記録領域）だけではなく凹部１５ｂ（非記録領域）の底部を含めて記録層１４で形成して磁気ディスクを構成することができる（図示せず）。また、本発明に係る凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターン３５（マスクパターン）を用いて記録層１４をエッチングする際に、そのエッチング量をある程度多くする（形成する凹部１５ｂを深くする）ことで、凹凸パターン１５における凸部１５ａの突端部（磁気記録媒体の表面側）のみが記録層１４で形成されて基端部側が非磁性材料または軟磁性材料等で形成された凸部１５ａ，１５ａ・・（記録領域）を有する凹凸パターン１５を形成して磁気ディスクを構成することができる（図示せず）。
【００５３】
さらに、本発明に係る凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターン（マスクパターン）を用いてディスク状基材１１をエッチング処理することでディスク状基材１１に凹凸パターン（凹凸パターン１５と凹凸の位置関係が同様の凹凸パターン：図示せず）を形成し、この凹凸パターンを覆うようにして薄厚の記録層１４を形成することにより、その表面が磁性材料で形成された複数の凸部１５ａ（記録領域）と、底面が磁性材料で形成された複数の凹部１５ｂ（非記録領域）とを有する凹凸パターン１５を形成して磁気ディスクを構成することができる。また、磁気的信号を読み出し可能に保持する能力が低い各種の材料、または、その能力を実質的に有しない各種の材料（一例として、非磁性材料）で形成した層の上に本発明に係る凹凸パターン形成方法に従って凹凸パターン（マスクパターン）を形成して、その凹凸パターンを用いて非磁性材料等の層に凹凸パターン（上記の凹凸パターン１５とは凹凸位置関係を反転させた凹凸パターン：凸部が非磁性材料等で構成された凹凸パターン）を形成し、この凹凸パターンの凹部内に磁気的信号を読み出し可能に保持する能力が高い各種の材料（一例として、磁性材料）を埋め込むことで磁気ディスクを構成することができる（図示せず）。この場合、この製造方法に従って製造した磁気記録媒体では、非磁性材料等の層に形成された凹凸パターンにおける凸部の形成領域が非記録領域に相当し、その凹凸パターンにおける凹部の形成領域（磁性材料を埋め込んだ領域）が記録領域に相当する。
【００５４】
さらに、上記の磁気ディスク１では、同心円状、または、螺旋状の複数のデータ記録トラックが形成されているが、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って製造する情報記録媒体の構成はこれに限定されず、データ記録トラックを構成する記録領域が磁気記録媒体の周方向において非記録領域を挟むようにして互いに分離させられているパターンド媒体がこれに含まれる。また、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って製造する情報記録媒体は、磁気ディスクのような磁気記録媒体に限定されず、光ディスクや光磁気ディスクの各種の情報記録媒体がこれに含まれる。さらに、本発明における基材の一方の面に樹脂層を形成してインプリント処理によってマスクパターンとしての凹凸パターンを形成する例について説明したが、両面記録型の情報記録媒体を製造する際には、基材の表裏両面に樹脂層を形成すると共に、両樹脂層にそれぞれスタンパーを押し付けて両樹脂層に凹凸パターンを形成する際に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】インプリント装置１００の構成を示す構成図である。
【図２】磁気ディスク１の断面図である。
【図３】スタンパー２の断面図である。
【図４】記録層１４上に樹脂層３を形成した状態の加工対象体１０の断面図である。
【図５】加工対象体１０上の樹脂層３にスタンパー２を押し付けた状態の断面図である。
【図６】図５に示す状態の樹脂層３からスタンパー２を剥離した状態の加工対象体１０の断面図である。
【図７】実施例１〜４の樹脂層および比較例１〜５の樹脂層について、スタンパーの押し込み容易性、転写後の凹凸パターンの形状安定性、および凹凸パターンの転写の精度を説明するための説明図である。
【図８】実施例１〜１６の樹脂層および比較例１，５の樹脂層について、剥離後の凹部３５ｂ（データトラックパターン領域の凹部）の深さ、および凹部３５ｂの底部の残渣の厚みを説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  磁気ディスク
２  スタンパー
３  樹脂層
１０  加工対象体
２５，３５  凹凸パターン
２５ａ，３５ａ  凸部
２５ｂ，３５ｂ  凹部
１００  インプリント装置
１１０  プレス機
１１１ａ，１１１ｂ  ホットプレート
１１２  上下動機構
１２０  制御部
【図１】
2007261252.tif 000003
【図２】
2007261252.tif 000004
【図３】
2007261252.tif 000005
【図４】
2007261252.tif 000006
【図５】
2007261252.tif 000007
【図６】
2007261252.tif 000008
【図７】
2007261252.tif 000009
【図８】
2007261252.tif 000010