(57)【要約】【課題】  膜厚を均一化することができるパターン膜形成基板及びパターン膜形成基板の製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  パターン膜としての正孔注入層２０の材料をほぼ均一な膜厚で薄膜としての正孔注入膜２０ａを形成する薄膜形成工程（図３（ａ））と、正孔注入膜２０ａが形成された領域のうち、不要となる不要領域に向けて、正孔注入膜２０ａを溶解させる溶媒としての第１溶媒２５を吐出して、不要領域以外の領域にパターン膜としての正孔注入層２０を形成する溶媒吐出工程（同図（ｂ））と、正孔注入層２０を乾燥する乾燥工程（同図（ｃ））とを有する。【選択図】      図３
2007069067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターン膜が形成されたパターン膜形成基板の製造方法であって、
前記基板上の略全領域に、前記パターン膜の材料をほぼ均一な膜厚で薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜が形成された前記領域のうち、不要となる不要領域に向けて、前記薄膜を溶解させる溶媒を吐出して、前記不要領域以外の領域にパターン膜を形成する溶媒吐出工程と、
前記パターン膜を乾燥する乾燥工程と、を有することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項２】
基板上にパターン膜が形成されたパターン膜形成基板の製造方法であって、
前記基板上の略全領域に、前記パターン膜の材料をほぼ均一な膜厚で薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜が形成された前記領域のうち、不要となる不要領域に向けて、前記薄膜を分解させる溶媒を吐出して、前記不要領域以外の領域にパターン膜を形成する溶媒吐出工程と、
前記パターン膜を乾燥する乾燥工程と、を有することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のパターン膜形成基板の製造方法において、
前記薄膜形成工程の前記薄膜の材料は、正孔注入層の材料であり、
前記溶媒吐出工程では、前記正孔注入層の材料で形成された前記薄膜に向けて、前記溶媒を吐出することにより、前記正孔注入層を形成することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のパターン膜形成基板の製造方法において、
前記薄膜形成工程の前記薄膜の材料は、発光層の材料であり、
前記溶媒吐出工程では、前記発光層の材料で形成された前記薄膜に向けて、前記溶媒を吐出することにより、前記発光層を形成することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のパターン膜形成基板の製造方法において、
前記薄膜形成工程の前記薄膜の材料は、カラーフィルタ層の材料であり、
前記溶媒吐出工程では、前記カラーフィルタ層の材料で形成された前記薄膜に向けて、前記溶媒を吐出することにより、前記カラーフィルタ層を形成することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載のパターン膜形成基板の製造方法において、
前記薄膜形成工程の前記薄膜の材料は、金属配線層の材料であり、
前記溶媒吐出工程では、前記金属配線層の材料で形成された前記薄膜に向けて、前記溶媒を吐出することにより、前記金属配線層を形成することを特徴とするパターン膜形成基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のパターン膜形成基板の製造方法により製造されたことを特徴とするパターン膜形成基板。
【請求項８】
請求項７に記載のパターン膜形成基板を備えた電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン膜形成基板及びパターン膜形成基板の製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と略称する）装置の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、陽極側から正孔輸送層、発光層、電子輸送層のそれぞれ薄膜が順に積層されている。そして、両電極から注入された電子と正孔とが発光層内で結合し、励起したエネルギーが発光として放出される機構となっている。
【０００３】
上記の有機ＥＬ素子の製造方法としては、基板に形成されたバンクによって区画された領域内に、上記の正孔輸送層及び発光層の各材料となる液状の材料をインクジェット法により液滴吐出し、薄膜形成して積層する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７９０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような有機ＥＬ素子の構造は、薄膜を積層させることによってキャリア移動度のバランスを取っているので、膜厚の均一性が重要な課題であり、膜厚にばらつきがあると、発光層で発光しない、または、発光個所の不均一により、画素中の輝度むら等の問題があった。従って、上記の正孔輸送層及び発光層の各材料となる液状の材料をインクジェット法による薄膜形成方法では、液状材料の吐出量を厳しく制御・管理する必要があった。
【０００６】
本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであって、膜厚を均一化することができるパターン膜形成基板及びパターン膜形成基板の製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、基板上にパターン膜が形成されたパターン膜形成基板の製造方法であって、基板上の略全領域に、パターン膜の材料をほぼ均一な膜厚で薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜が形成された領域のうち、不要となる不要領域に向けて、薄膜を溶解させる溶媒を吐出して、不要領域以外の領域にパターン膜を形成する溶媒吐出工程と、パターン膜を乾燥する乾燥工程とを有することを要旨とする。
【０００８】
これによれば、薄膜形成工程により、基板上に薄膜が形成される。該薄膜は、例えば、スピンコート法等により、基板のほぼ全領域に均一の膜厚を有する薄膜を形成する。溶媒吐出工程では、基板上に形成された薄膜のうち、不要となる領域に向けて溶媒を吐出する。溶媒は、薄膜を溶解させるものであり、薄膜の材料ごとに合わせて選択される。本工程により、不要領域の薄膜は溶媒によって溶解され、必要とされる領域の薄膜のみが残り、乾燥工程を経て、パターン膜が形成される。従って、ほぼ均一の膜厚で形成された薄膜を溶媒により不必要な領域を溶解させるので、膜厚がほぼ均一なパターン膜を形成することができる。
【０００９】
本発明では、基板上にパターン膜が形成されたパターン膜形成基板の製造方法であって、基板上の略全領域に、パターン膜の材料をほぼ均一な膜厚で薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜が形成された領域のうち、不要となる不要領域に向けて、薄膜を分解させる溶媒を吐出して、不要領域以外の領域にパターン膜を形成する溶媒吐出工程と、パターン膜を乾燥する乾燥工程とを有することを要旨とする。
【００１０】
これによれば、薄膜形成工程により、基板上に薄膜が形成される。該薄膜は、例えば、スピンコート法等により、基板のほぼ全領域に均一の膜厚を有する薄膜を形成する。溶媒吐出工程では、基板上に形成された薄膜のうち、不要となる領域に向けて溶媒を吐出する。溶媒は、薄膜を分解させるものであり、薄膜の材料ごとに合わせて選択される。本工程により、不要領域の薄膜は溶媒によって分解され、必要とされる領域の薄膜のみが残り、乾燥工程を経て、パターン膜が形成される。従って、ほぼ均一の膜厚で形成された薄膜を溶媒により不必要な領域を溶解させるので、膜厚がほぼ均一なパターン膜を形成することができる。
【００１１】
本発明のパターン膜形成基板の製造方法では、薄膜形成工程の薄膜の材料は、正孔注入層の材料であり、溶媒吐出工程では、正孔注入層の材料で形成された薄膜に向けて、溶媒を吐出することにより、正孔注入層を形成してもよい。
【００１２】
これによれば、スピンコート法等により膜厚が略均一の正孔注入層の材料の薄膜が形成される。形成された薄膜のうちの不要な領域に向けて、溶媒を液滴吐出する。薄膜の不要な領域は、溶媒によって溶解され、必要とされる領域にパターン膜としての正孔輸送層が形成される。従って、膜厚がほぼ均一な正孔輸送層を形成することができる。
【００１３】
本発明のパターン膜形成基板の製造方法では、薄膜形成工程の薄膜の材料は、発光層の材料であり、溶媒吐出工程では、発光層の材料で形成された薄膜に向けて、溶媒を吐出することにより、発光層を形成してもよい。
【００１４】
これによれば、スピンコート法等により膜厚が略均一の発光層の材料の薄膜が形成される。形成された薄膜のうちの不要な領域に向けて、溶媒を液滴吐出する。薄膜の不要な領域は、溶媒によって溶解され、必要とされる領域にパターン膜としての発光層が形成される。従って、膜厚がほぼ均一な発光層を形成することができる。
【００１５】
本発明のパターン膜形成基板の製造方法では、薄膜形成工程の薄膜の材料は、カラーフィルタ層の材料であり、溶媒吐出工程では、カラーフィルタ層の材料で形成された薄膜に向けて、溶媒を吐出することにより、カラーフィルタ層を形成してもよい。
【００１６】
これによれば、スピンコート法等により膜厚が略均一のカラーフィルタ層の材料の薄膜が形成される。形成された薄膜のうちの不要な領域に向けて、溶媒を液滴吐出する。薄膜の不要な領域は、溶媒によって溶解され、必要とされる領域にパターン膜としてのカラーフィルタ層が形成される。従って、膜厚がほぼ均一なカラーフィルタ層を形成することができる。
【００１７】
本発明のパターン膜形成基板の製造方法では、薄膜形成工程の薄膜の材料は、金属配線層の材料であり、溶媒吐出工程では、金属配線層の材料で形成された薄膜に向けて、溶媒を吐出することにより、金属配線層を形成してもよい。
【００１８】
これによれば、スピンコート法等により膜厚が略均一の金属配線層の材料の薄膜が形成される。形成された薄膜のうちの不要な領域に向けて、溶媒を液滴吐出する。薄膜の不要な領域は、溶媒によって溶解され、必要とされる領域にパターン膜としての金属配線層が形成される。従って、膜厚がほぼ均一な金属配線層を形成することができる。
【００１９】
本発明のパターン形成基板は、上記のパターン膜形成基板の製造方法により製造されたことを要旨とする。
【００２０】
これによれば、膜厚がほぼ均一なパターン膜を有するパターン膜形成基板を提供することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置は、上記のパターン膜形成基板を備えたことを要旨とする。
【００２２】
これによれば、品質の良い電気光学装置を提供することができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００２４】
これによれば、品質の良い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した第１〜第３実施形態について図面に従って説明する。
【００２６】
[第１実施形態]
（パターン膜形成基板の構成）
まず、第１実施形態に係るパターン膜形成基板の構成について説明する。図１は、パターン膜形成基板としての有機ＥＬ形成基板の構成を示した断面図である。
【００２７】
図１に示すように、有機ＥＬ形成基板１は、基板１１の上に形成された駆動用ＴＦＴ素子１３等の回路部２と、回路部２の上に形成された有機ＥＬ素子等で構成されている。
【００２８】
基板１１は、透明性を有したものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、本実施形態では、ガラスを用いている。
【００２９】
次に、回路部２の構成について説明する。基板１１の表面にＳｉＯ2を主体とする下地保護膜１２が形成され、その上に駆動用ＴＦＴ素子１３が形成されている。駆動用ＴＦＴ素子１３の表面には、ＳｉＯ2またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層１４が形成されている。ゲート絶縁層１４の上には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層１５が形成されている。
【００３０】
第１層間絶縁層１５の上は、例えば、アクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層１６によって覆われている。なお、第２層間絶縁層１６は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等を用いることもできる。
【００３１】
第２層間絶縁層１６の上には、ＩＴＯからなる画素電極１７が形成され、画素電極１７は、配線１９を介して駆動用ＴＦＴ素子１３に接続されている。また、第２層間絶縁層１６の表面には、各有機ＥＬ素子の領域に対応して、ＳｉＯ2を主体とする隔壁１８が形成されている。
【００３２】
次に、有機ＥＬ素子の構成について説明する。有機ＥＬ素子は、陽極として機能する画素電極１７と、この画素電極１７からの正孔を注入／輸送するパターン膜としての正孔注入層２０と、有機ＥＬ物質からなるパターン膜としての発光層２１と、電子注入層２２と、共通陰極２３とが順に形成されたことによって構成されている。電子注入層２２は、共通陰極２３から発光層２１への電子注入効率を高める機能を有するものである。
【００３３】
このように構成された有機ＥＬ素子は、正孔注入層２０から注入された正孔と、共通陰極２３から送られてきた電子とが発光層２１で結合することにより発光するようになっている。
【００３４】
正孔注入層２０の材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）が用いられ、発光層２１の材料としては、ＥＬポリマーが用いられている。電子注入層２２の材料としては、金属錯体系、オキサジアゾール（ＦＢＤ）、トリアゾール（ＴＡＺ）系化合物等が用いられる。また、共通陰極２３は、導電性材料が用いられる。導電性材料として、導電性高分子材料、例えば、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物を用いることができる。
【００３５】
（パターン膜形成基板の製造方法）
次に、パターン膜形成基板の製造方法について説明する。まず、製造方法に用いる吐出ヘッドについて説明する。図２は、吐出ヘッドの構成を示し、図２（ａ）は、一部破断した斜視図であり、同図（ｂ）は、要部断面図である。
【００３６】
図２において、吐出ヘッド１１０は、振動板１１４と、ノズルプレート１１５を備えている。振動板１１４とノズルプレート１１５との間には、液溜まり１１６が配置され、孔１１８を介して供給される機能液が常に充填されるようになっている。また、振動板１１４と、ノズルプレート１１５との間には、複数の隔壁１１２が位置している。そして、振動板１１４と、ノズルプレート１１５と、一対の隔壁１１２とによって囲まれた部分がキャビティ１１１である。キャビティ１１１は、ノズル１２０に対応して設けられているため、キャビティ１１１の数とノズル１２０の数とは同じである。キャビティ１１１には、一対の隔壁１１２間に位置する供給口１１７を介して、液溜まり１１６から機能液が供給される。
【００３７】
図２（ｂ）に示すように、振動板１１４上には、それぞれのキャビティ１１１に対応して振動子１１３が取り付けられている。振動子１１３は、ピエゾ素子１１３ｃと、ピエゾ素子１１３ｃを挟む一対の電極１１３ａ、１１３ｂを有する。この一対の電極１１３ａ、１１３ｂに駆動電圧を与えることで、対応するノズル１２０から機能液が液滴１２１となって吐出される。ノズル１２０の周辺部には、液滴１２１の飛行曲がりやノズル１２０の孔詰まり等を防止するために、例えばＮｉ−テトラフルオロエチレン共析メッキ層からなる撥機能液層１１９が設けられている。なお、機能液を吐出させるために、振動子１１３の代わりに電気熱変換素子を用いてもよく、電気熱変換素子による材料液の熱膨張を利用して、材料液を吐出することができる。
【００３８】
次に、パターン膜形成基板の製造方法について説明する。図３は、パターン膜形成基板としての有機ＥＬ形成基板の製造方法を示す工程図である。
【００３９】
図３（ａ）の薄膜形成工程としての正孔注入膜形成工程では、基板１１上の回路部２の略全領域に、薄膜としての正孔注入膜２０ａを形成する。正孔注入膜２０ａの形成は、正孔注入膜材料をスピンコート法により被膜を形成し、その後、乾燥することにより成膜される。正孔注入膜２０ａの材料として、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）が用いられている。
【００４０】
図３（ｂ）の溶媒吐出工程としての第１溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０から正孔注入膜２０ａの表面に向けて、溶媒としての第１溶媒２５を液滴１２１として吐出する。第１溶媒２５は、正孔注入膜２０ａの不要領域に向けて吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としての正孔注入層２０が形成されるように、吐出位置及び吐出量を考慮して吐出される。
【００４１】
第１溶媒２５としては、水に塩酸を加えて希釈させたものが用いられる。具体的には、水/グリセリン/２-ｎ-ブトキシエタノール/塩酸＝８４/１０/５/１（ｗｔ％）の溶媒を用いる。なお、塩酸の代替として、酢酸、硫酸、燐酸等を用いてもよい。グリセリンは、吐出ヘッド１１０からの吐出性を考慮し、溶媒の粘度や沸点の調整のために用いられる。なお、グリセリンの代替として、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の多価アルコールを用いてもよい。２-ｎ-ブトキシエタノールは、正孔注入膜２０ａの表面に第１溶媒２５が付着したときの表面張力を調整するために用いられ、例えば、水と同等に表面張力が高くなるように調整される。なお、２-ｎ-ブトキシエタノールの代替として、１-ブタノール、２-メチル-１-プロパノール、１-ペンタノール、１-ヘキサノール、１-オクタノール等の沸点が水よりも高いアルコールを用いてもよい。
【００４２】
正孔注入膜２０ａは、正孔注入膜２０ａの表面に付着した第１溶媒２５によって溶解され、図３（ｃ）に示すように、パターン膜としての正孔注入層２０が形成される。
【００４３】
図３（ｃ）の乾燥工程としての第１乾燥工程では、正孔注入層２０が形成された基板１１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。
【００４４】
図３（ｄ）の薄膜形成工程としての発光膜形成工程では、隔壁１８と、正孔注入層２０の上の略全領域に薄膜としての発光膜２１ａを形成する。発光膜２１ａの形成は、発光層材料をスピンコート法により被膜を形成し、その後、乾燥することにより成膜される。発光膜２１ａの材料としては、ＥＬポリマーが用いられる。
【００４５】
図３（ｅ）の溶媒吐出工程としての第２溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０から形成された発光膜２１ａの表面に向けて、溶媒としての第２溶媒３０を液滴１２１として吐出する。第２溶媒３０は、発光膜２１ａの不要領域に向けて吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としての発光層２１が形成されるように、吐出位置及び吐出量を考慮して吐出される。
【００４６】
第２溶媒３０としては、例えば、キシレン/シクロヘキサノン＝４０/６０（ｗｔ％）の溶媒を用いる。また、キシレンの代替として、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系有機溶媒を用いてもよく、シクロヘキサノンの代替として、ナフタレン、テトラリン、ブチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ビフェニル等といった高沸点芳香族系有機溶媒を用いてもよい。
【００４７】
発光膜２１ａは、発光膜２１ａに付着した第２溶媒３０によって溶解され、図３（ｆ）に示すように、パターン膜としての発光層２１が形成される。
【００４８】
図３（ｆ）の乾燥工程としての第２乾燥工程では、発光層２１が形成された基板１１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。
【００４９】
図３（ｇ）では、発光層２１および隔壁１８を覆うように電子注入層２２を形成する。電子注入層２２の形成は、電子注入層材料をスピンコート法により形成し、その後乾燥して成膜される。そして、電子注入層２２の表面に共通陰極２３を形成する。共通陰極２３の形成は、共通陰極材料をスピンコート法により形成し、その後乾燥して成膜される。
【００５０】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図４は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【００５１】
図４において、有機ＥＬ装置４０は、有機ＥＬ形成基板１と封止基板４１で構成され、両基板１，４１は封止樹脂４２によって貼り合わされている。有機ＥＬ形成基板１、封止基板４１および封止樹脂４２で囲まれた領域には、封止基板４１の内面に水分や酸素を吸収するゲッター剤４３が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素ガス充填層４４となっている。このように構成することにより、有機ＥＬ装置４０内部への水分や酸素の浸透を抑制している。
【００５２】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図５は、電子機器としての携帯端末の構成を示す斜視図である。図５において、携帯端末５０の表示部に、有機ＥＬ装置４０が搭載されている。
【００５３】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５４】
（１）回路部２の上の略全領域に、ほぼ均一の膜厚に形成された正孔注入膜２０ａに向けて、第１溶媒２５を付着させることにより、不要領域が該第１溶媒２５によって溶解され、所望する形状の正孔注入層２０が形成される。また、回路部２及び正孔注入層２０の上の略全領域に、ほぼ均一の膜厚に形成された発光膜２１ａに向けて、第２溶媒３０を付着させることにより、不要領域が第２溶媒３０によって溶解され、所望する形状の発光層２１が形成される。従って、正孔注入層２０、発光層２１の膜厚のばらつきが抑えられ、画素中の輝度むら等の発生を低減させることができる。
【００５５】
（２）正孔注入層２０及び発光層２１は、これらを区画して各層を形成するためのバンクが不要となるので、さらに、高密度な画素を形成することができる。
【００５６】
[第２実施形態]
（パターン膜形成基板の構成）
次に、第２実施形態に係るパターン膜形成基板の構成について説明する。図６は、パターン膜形成基板としてのカラーフィルタ形成基板の構成を示した断面図である。
【００５７】
図６において、カラーフィルタ形成基板６０は、透明性を有する基板６１と、基板６１上に形成されたパターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）と、カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）の上に形成された保護膜６４で構成されている。また、カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）の各境界領域には、ブラックマトリクス６２が形成されている。
【００５８】
（パターン膜形成基板の製造方法）
次に、第２実施形態に係るパターン膜形成基板の製造方法について説明する。図７は、パターン膜形成基板としてのカラーフィルタ形成基板の製造方法を示す工程図である。
【００５９】
図７（ａ）の薄膜形成工程としての第１カラーフィルタ膜形成工程では、基板６１と基板６１に形成されたブラックマトリクス６２の上の略全領域に、薄膜としてのカラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）を形成する。カラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）の形成は、カラーフィルタ膜材料をスピンコート法により被膜し、その後、乾燥することにより形成される。
【００６０】
図７（ｂ）の溶媒吐出工程としての第１溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０からカラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）の表面に向けて、溶媒６５を液滴１２１として吐出し、カラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）の表面に付着させる。溶媒６５は、ＢＣＴＡＣ（ブチルカルビールアセテート）＝１００％（ｗｔ％）が用いられる。溶媒６５は、カラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）の不要領域に吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｒ）が形成されるように、吐出位置及び吐出量を調整して吐出される。カラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）は、溶媒６５によって溶解され、図７（ｃ）に示すように、パターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｒ）が形成される。
【００６１】
図７（ｃ）の乾燥工程としての第１乾燥工程では、カラーフィルタ層６３（Ｒ）が形成された基板６１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。
【００６２】
図７（ｄ）の薄膜形成工程としての第２カラーフィルタ膜形成工程では、カラーフィルタ層６３（Ｒ）が形成された領域以外の基板６１と基板６１に形成されたブラックマトリクス６２との上の略全領域に、薄膜としてのカラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）を形成する。カラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）の形成は、カラーフィルタ膜材料をスピンコート法により被膜し、その後、乾燥することにより形成される。
【００６３】
図７（ｅ）の溶媒吐出工程としての第２溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０からカラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）の表面に向けて、溶媒６５を液滴１２１として吐出し、カラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）の表面に付着させる。溶媒６５は、カラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）の不要領域に吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｇ）が形成されるように、吐出位置及び吐出量を調整して吐出される。カラーフィルタ膜６３ａ（Ｇ）は、溶媒６５によって溶解され、図７（ｆ）に示すように、パターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｇ）が形成される。なお、溶媒は、同図（ｂ）と同様にＢＣＴＡＣ（ブチルカルビールアセテート）＝１００％（ｗｔ％）が用いられる。
【００６４】
図７（ｆ）の乾燥工程としての第２乾燥工程では、カラーフィルタ層６３（Ｇ）が形成された基板６１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。
【００６５】
図７（ｇ）の薄膜形成工程としての第３カラーフィルタ膜形成工程では、カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ）が形成された領域以外の基板６１と基板６１に形成されたブラックマトリクス６２との上に、薄膜としてのカラーフィルタ膜６３ａ（Ｂ）を形成する。カラーフィルタ膜６３ａ（Ｂ）の形成は、カラーフィルタ層材料をスピンコート法により被膜し、その後、乾燥することにより、パターン膜としてのカラーフィルタ層６３（Ｂ）が形成される。
【００６６】
図７（ｈ）の保護膜形成工程では、カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）の上に、保護膜６４を形成する。保護膜６４の形成方法は、例えば、スピンコート法により形成される。
【００６７】
なお、本実施形態では、基板６１の上にカラーフィルタ層６３（Ｒ）を第１番目に形成したが、これに限定されず、カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）のいずれのパターン膜から形成してもよい。
【００６８】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図８は、電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示した断面図である。
【００６９】
図８において、液晶表示パネル７０は、カラーフィルタ形成基板６０と、素子電極７６等が形成された素子基板７１等で構成され、両基板６０，７１は、シール材７４で貼り合わされている。そして、シール材７４によって規制された間隔には、液晶７５が封入されている。カラーフィルタ形成基板６０の保護膜６４の上には、対向電極７２が形成され、対向電極７２の上には配向膜７３が形成されている。素子基板７１の上には素子電極７６が形成され、素子電極７６の上には配向膜７７が形成されている。また、両基板６０，７１の液晶７５と接する面の反対面には、それぞれに偏光板７８が備えられている。
【００７０】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図５は、電子機器としての携帯端末の構成を示す斜視図である。図５において、携帯端末５０の表示部に、液晶表示パネル７０が搭載されている。
【００７１】
従って、第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下に示す効果がある。
【００７２】
（１）基板６１の上の略全領域に、ほぼ均一の膜厚に形成されたカラーフィルタ膜６３ａ（Ｒ）の表面に溶媒６５を付着させることにより、不要領域が該溶媒６５によって溶解され、所望する形状のカラーフィルタ層６３（Ｒ）が形成される。同様にして、カラーフィルタ層６３（Ｇ）が形成され、最後に、カラーフィルタ層６３（Ｂ）が形成される。従って、各カラーフィルタ層６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）の膜厚のばらつきが抑えられ、さらに、ほぼ同一の膜厚を得ることができ、画素中の光の透過率のばらつきを抑え、色ムラ等の不具合を低減させることができる。
【００７３】
[第３実施形態]
（パターン膜形成基板の構成）
次に、第３実施形態に係るパターン膜形成基板の構成について説明する。図９は、パターン膜形成基板としての金属配線形成基板の構成を示す断面図である。
【００７４】
図９において、金属配線形成基板８０は、基板８１と、基板８１上に形成されたパターン膜としての密着層８３と、密着層８３の上に形成されたパターン膜としての金属配線層８２で構成されている。金属配線形成基板８０は、例えば、電極や配線が形成された液晶表示パネル等を構成するパターン膜形成基板に用いられる。基板８１は、透明性を有するガラスが用いられ、金属配線層８２は、銀（Ａｇ）が用いられる。密着層８３は、基板８１と金属配線層８２との密着性を高める機能を有し、シランカップリング剤（Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）3-ＳＩ（ＯＣＨ3）3）が用いられる。
【００７５】
（パターン膜形成基板の製造方法）
次に、パターン膜形成基板の製造方法について説明する。図１０は、パターン膜形成基板としての金属配線形成基板の製造方法を示す工程図である。
【００７６】
図１０（ａ）の薄膜形成工程としての密着膜形成工程では、基板８１の上の略全領域に、薄膜としての密着膜８３ａの薄膜を形成する。密着膜８３ａの形成は、密着膜材料のシランカップリング剤をスピンコート法により被膜し、その後、乾燥することにより形成される。
【００７７】
図１０（ｂ）の溶媒吐出工程としての第１溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０から密着膜８３ａの表面に向けて、溶媒としての第１溶媒８４を液滴１２１として吐出し、密着膜８３ａの表面に付着させる。第１溶媒８４は、密着膜８３ａの不要領域に吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としての密着層８３が形成されるように、吐出位置及び吐出量を調整して吐出される。第１溶媒８４は、水酸化ナトリウムを水に溶解させた水溶液が用いられる。具体的には、水/グリセリン/１-オクタノール/水酸化ナトリウム＝８４/１０/５/１（ｗｔ％）とした第１溶媒８４を用いる。密着膜８３ａは、第１溶媒８４によって分解され、図１０（ｃ）に示すように、パターン膜としての密着層８３が形成される。
【００７８】
図１０（ｃ）の乾燥工程としての第１乾燥工程では、密着層８３が形成された基板８１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。
【００７９】
図１０（ｄ）の薄膜形成工程としての金属配線膜形成工程では、基板８１と密着層８３の上の略全領域に、金属配線材料を塗布して薄膜としての金属配線膜８２ａを形成する。金属配線膜８２ａの形成は、スピンコート法、インクジェット法等により、金属配線の材料となる銀（Ａｇ）の薄膜を形成し、その後、乾燥することにより成膜される。
【００８０】
図１０（ｅ）の溶媒吐出工程としての第２溶媒吐出工程では、吐出ヘッド１１０から金属配線膜８２ａの表面に向けて、溶媒としての第２溶媒８５を液滴１２１として吐出し、金属配線膜８２ａの表面に付着させる。第２溶媒８５は、金属配線膜８２ａの不要領域に吐出される。このとき、所望する領域にパターン膜としての金属配線層８２が形成されるように、吐出位置及び吐出量を調整して吐出される。第２溶媒８５としては、水に塩酸を加えて希釈させたものが用いられる。具体的には、水/グリセリン/２-ｎ-ブトキシエタノール/塩酸＝８４/１０/５/１（ｗｔ％）の溶媒を用いる。なお、第２溶媒８５に用いられる塩酸、グリセリン及び２-ｎ-ブトキシエタノールの代替については、第１実施形態と同様なので説明を省略する。金属配線膜８２ａは、金属配線膜８２ａの表面に付着した第２溶媒８５によって溶解され、図１０（ｆ）に示すように、パターン膜としての金属配線層８２が形成される。
【００８１】
図１０（ｆ）の乾燥工程としての第２乾燥工程では、金属配線層８２が形成された基板８１を乾燥する。乾燥は、例えば、２００℃程度で加熱乾燥、または、減圧させて１００℃程度の加熱乾燥させてもよい。上記の工程を経て、金属配線形成基板８０が形成される。
【００８２】
（電気光学装置および電子機器の構成）
電気光学装置としては、例えば、第１及び第２実施形態に記載の有機ＥＬ装置の有機ＥＬ形成基板や液晶表示パネルのカラーフィルタ形成基板に用いられる（図４，８参照）。また、電子機器としては、例えば、有機ＥＬ装置や液晶表示パネルが搭載された携帯端末等に用いられる（図５参照）。
【００８３】
従って、上記の第３実施形態によれば、第１及び第２実施形態の効果に加え、以下に示す効果がある。
【００８４】
（１）基板８１の上に形成された密着膜８３ａに向けて、第１溶媒８４を付着させることにより、密着膜８３ａを分解させて、膜厚がほぼ等しい膜パターンとしての密着層８３を形成することができる。
【００８５】
（２）基板８１の上に形成された金属配線膜８２ａに向けて、第２溶媒８５を付着させることにより、金属配線膜８２ａを溶解させて、膜厚がほぼ等しい膜パターンとしての金属配線層８２を形成することができる。
【００８６】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００８７】
（変形例１）第１〜第３実施形態において、基板１１，６１，８１にはガラス基板を用いたが、これに限定されず、基板にプラスチック材を用いてもよい。この場合において、プラスチック基板の溶媒に対する保護膜として、プラスチック基板上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜、ポリシラザン膜、その他無機膜や有機/無機の混成膜を形成する。このようにしても、プラスチック基板上に、ほぼ均一の膜厚を有する薄膜が形成されたパターン膜形成基板を形成することができる。
【００８８】
（変形例２）第２実施形態において、金属配線層８２の材料には銀を用いたが、これに限定されず、金属配線の材料にＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を用いてもよい。このようにしても、溶媒として、水/グリセリン/２-ｎ-ブトキシエタノール/塩酸＝８４/１０/５/１（ｗｔ％）を用いることにより、均一な膜厚を有する金属配線形成基板を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】第１実施形態における有機ＥＬ形成基板の構成を示した断面図。
【図２】吐出ヘッドの構成を示し、（ａ）は一部破断した斜視図、（ｂ）は要部断面図。
【図３】第１実施形態における有機ＥＬ形成基板の製造方法を示す工程図。
【図４】有機ＥＬ装置の構成を示す断面図。
【図５】電子機器としての携帯端末の構成を示す斜視図。
【図６】第２実施形態におけるカラーフィルタ形成基板の構成を示した断面図。
【図７】第２実施形態におけるカラーフィルタ形成基板の製造方法を示す工程図。
【図８】第２実施形態における液晶表示パネルの構成を示す断面図。
【図９】第３実施形態における配線膜形成基板の構成を示す断面図。
【図１０】第３実施形態における配線膜形成基板の製造方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００９０】
１…パターン膜形成基板としての有機ＥＬ形成基板、２…回路部、１１，６１，８１…基板、１８…隔壁、２０…パターン膜としての正孔注入層、２０ａ…薄膜としての正孔注入膜、２１…パターン膜としての発光層、２１ａ…薄膜としての発光膜、２２…電子注入層、２３…共通陰極、２５，８４…溶媒としての第１溶媒、３０，８５…溶媒としての第２溶媒、４０…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、５０…電子機器としての携帯端末、６０…パターン膜形成基板としてのカラーフィルタ形成基板、６３（Ｒ），６３（Ｇ），６３（Ｂ）…パターン膜としてのカラーフィルタ層、６３ａ（Ｒ），６３ａ（Ｇ），６３ａ（Ｂ）…薄膜としてのカラーフィルタ膜、６５…溶媒、７０…電気光学装置としての液晶表示パネル、８０…パターン膜形成基板としての金属配線形成基板、８２…パターン膜としての金属配線層、８２ａ…薄膜としての金属配線膜、８３…パターン膜としての密着層、８３ａ…薄膜としての密着膜、１１０…吐出ヘッド、１２１…液滴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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