(57)【要約】【課題】電子の軌道のずれにより生ずる輝度変化を低減できる平面型表示装置を提供する。【解決手段】ゲート電極１３が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、（Ａ）電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように、（Ｂ）電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように、第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加する。【選択図】  図１
2007279542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の方向に延びるＭ本のゲート電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のカソード電極を備え、ゲート電極とカソード電極との重複領域には電子放出領域が形成されているカソードパネル、並びに、
（ｂ）蛍光体領域とアノード電極とを備えるアノードパネル、
から成り、ゲート電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
選択された選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、該選択ゲート電極の他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、該選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、
（Ａ）該電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加し、
（Ｂ）該電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加することを特徴とする平面型表示装置の駆動方法。
【請求項２】
選択ゲート電極、第１の隣接ゲート電極、第２の隣接ゲート電極以外のその他のゲート電極に印加する電圧をＶR_OTHとするとき、
前記（Ａ）においてＶR_N2＝ＶR_OTH、
前記（Ｂ）においてＶR_N1＝ＶR_OTH、
を満足することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置の駆動方法。
【請求項３】
（ａ）第１の方向に延びるＭ本のゲート電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のカソード電極を備え、ゲート電極とカソード電極との重複領域には電子放出領域が形成されているカソードパネル、並びに、
（ｂ）蛍光体領域とアノード電極とを備えるアノードパネル、
から成り、ゲート電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
選択された選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、該選択ゲート電極の他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、該選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、
（Ａ）該電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2が印加され、
（Ｂ）該電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2が印加されることを特徴とする平面型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線順次駆動方式の平面型表示装置、及び、係る平面型表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリックス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルとが、真空に保持された空間を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図１２に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図１３に示す。この表示装置を構成するカソードパネルＣＰは、第１の方向（図１２〜図１３においてＸ方向）に延びる帯状のＭ本のゲート電極１３、及び、第１の方向とは異なる第２の方向（図１２〜図１３においてＹ方向）に延びる帯状のＮ本のカソード電極１１を備える。そして、ゲート電極１３とカソード電極１１との重複領域には１サブピクセルを構成する電子放出領域ＥＡが形成されている。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に形成されている。尚、便宜のため、図１２においては、各電子放出領域ＥＡにそれぞれ１つ電子放出部１５を図示した。後述する図１４、図１５においても同様である。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（表示装置の表示領域に対応する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。図中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号４０は例えば板状のスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。尚、図１３においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。
【０００７】
アノード電極２４は、蛍光体領域２２からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体領域２２の帯電防止といった機能を有する。また、隔壁２１は、蛍光体領域２２から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域２２から放出された２次電子（以下、これらの電子を総称して、後方散乱電子と呼ぶ）が他の蛍光体領域２２に衝突し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止する機能を有する。
【０００８】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
【０００９】
そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
このような表示装置においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間が高真空となっているが故に、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に例えば板状のスペーサ４０を配しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ４０は、セラミック等の剛性材料から成る。
【００１１】
カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において線順次駆動方式により画像の表示を行う場合、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及び、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【００１２】
スペーサ４０は、その両端がそれぞれカソードパネルＣＰと、アノードパネルＡＰとに接している。アノードパネルＡＰの内面（アノード電極２４）には電子を加速するため高電圧が印加されているので、スペーサ４０に過大な電流が流れないように、スペーサ４０は基本的に高抵抗である必要がある。
【００１３】
図１４を参照して、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道について説明する。図１４は、ゲート電極１３mが選択されているときの電子の軌道の詳細を模式的に示したものである。図１４に示すように、ゲート電極１３mが選択されている場合には、ゲート電極１３mには電圧ＶR_on（例えば３５ボルト）が印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_off（例えば０ボルト）が印加される。ゲート電極１３mに隣接するゲート電極１３m-1，１３m+1にも電圧ＶR_offが印加されるので、ゲート電極１３mを中心として、ゲート電極１３m-1，１３m+1は電位的に対称な関係にある。このため、理想的な状態においては、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmは、ゲート電極１３m-1，１３m+1のいずれ側にも偏向されることなく直進する。通常、設計上は電子放出領域ＥＡから放出される電子が蛍光体領域２２の所定の位置（例えば、蛍光体領域２２の幾何学的な中心）に衝突するように、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとは位置合わせされた状態で組み立てられている。アノードパネルＡＰが、カソードパネルＣＰに対し、Ｘ方向及び／又はＹ方向に変位すると、表示装置に表示される画像が色ずれを起こす原因となる。従って、良好に位置合わせされた状態で表示装置を組み立てるために、例えば特開２０００−２５１８０７号公報（特許文献１）には、第１の基体（例えばカソードパネル）と第２の基体（例えばアノードパネル）とに対を成す嵌合部材を形成する方法等が提案されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２０００−２５１８０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、実際には、電子の軌道には種々の要因によりずれが生じ、これに伴い蛍光体領域２２における電子の衝突位置も変化する。例えば、表示装置において、ゲート電極１３間の距離にある程度のばらつきが生ずることは避けられない。このような場合には、ある特定のゲート電極１３と、これに対応する蛍光体領域２２との位置合わせにずれが生じ、ばらつきの程度によっては、特定のゲート電極１３に対応する蛍光体領域２２について電子の衝突位置のずれに起因する輝度変化が観察される。また、スペーサ４０が帯電することにより、スペーサ４０近傍の電子の軌道は影響を受ける。例えば、後方散乱電子がスペーサ４０に衝突することにより２次電子が放出されるが、衝突する電子と放出される電子の数は必ずしも一致せず、スペーサ４０の側面部は帯電する場合がある。図１５に示すように、例えばスペーサ４０の側面部に正電荷が帯電するとスペーサ４０近傍の電子はスペーサ４０側に引き寄せられ、電子の軌道が変化する。スペーサ４０の帯電の程度によっては、スペーサ４０に沿うゲート電極１２に対応する蛍光体領域２２において電子の衝突位置の変化に起因する輝度変化が観察される。これらの輝度変化は、表示装置に表示される画像の品質を劣化させる。
【００１６】
従って、本発明の目的は、電子放出領域から放出される電子の軌道のずれにより生ずる輝度変化を低減することができる平面型表示装置、及び、平面型表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置の駆動方法は、
（ａ）第１の方向に延びるＭ本のゲート電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のカソード電極を備え、ゲート電極とカソード電極との重複領域には電子放出領域が形成されているカソードパネル、並びに、
（ｂ）蛍光体領域とアノード電極とを備えるアノードパネル、
から成り、ゲート電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
選択された選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、選択ゲート電極の他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、該選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、
（Ａ）該電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加し、
（Ｂ）該電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加することを特徴とする。
【００１８】
そして、上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置は、
（ａ）第１の方向に延びるＭ本のゲート電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のカソード電極を備え、ゲート電極とカソード電極との重複領域には電子放出領域が形成されているカソードパネル、並びに、
（ｂ）蛍光体領域とアノード電極とを備えるアノードパネル、
から成り、ゲート電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
選択された選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、選択ゲート電極の他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、該選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、
（Ａ）該電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2が印加され、
（Ｂ）該電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2が印加されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の平面型表示装置あるいは本発明の平面型表示装置の駆動方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、「所定の位置」とは、設計上意図した動作条件で平面型表示装置を動作させたときに電子が蛍光体領域に衝突すべき位置を意味する。例えば、蛍光体領域の幾何学的な中心を「所定の位置」とすることができるが、これに限るものではない。本発明においては、電圧ＶR_N1と電圧ＶR_N2とが等しい状態において電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準とする。そして、電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加する。また、電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加する。尚、電圧ＶR_N1と電圧ＶR_N2の双方の値を調整する構成であってもよいし、いずれか一方の値を調整する構成であってもよい。これにより、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極と選択ゲート電極との間に形成される電界が変化し、蛍光体領域における電子の衝突位置が所定の位置に近づくように電子の軌道が補正される。蛍光体領域における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正されるので、電子の軌道のずれに起因する輝度変化を低減することができる。本発明においては、平面型表示装置の製造工程において、蛍光体領域における電子の衝突位置の変化に起因する輝度変化を測定し、測定結果に基づいて各ゲート電極毎に印加する電圧を設定する構成とすることもできる。例えば、各選択ゲート電極に対応する所定のパラメータを記憶させた半導体メモリー等の記憶手段を用いることにより、読み出したパラメータに応じて最適な値の電圧ＶR_N1や電圧ＶR_N2を印加する構成とすることができる。また、経時変化により蛍光体領域における電子の衝突位置が変化する場合には、平面型表示装置の累積動作時間に応じて電圧ＶR_N1や電圧ＶR_N2の値を変化させる構成とすることもできる。
【００２０】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明にあっては、選択ゲート電極、第１の隣接ゲート電極、第２の隣接ゲート電極以外のその他のゲート電極に印加する電圧をＶR_OTHとするとき、前記（Ａ）においてＶR_N2＝ＶR_OTH、前記（Ｂ）においてＶR_N1＝ＶR_OTHを満足する構成とすることができる。ここで、「ＶR_N2＝ＶR_OTHを満足する」、あるいは、「ＶR_N1＝ＶR_OTHを満足する」とは、ＶR_N2とＶR_OTH、あるいは、ＶR_N1とＶR_OTHとが実使用上同程度の電圧であれば足りる趣旨であり、厳密に値が一致することを要しない。この構成によれば、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極のいずれか一方の電圧のみを調整すればよいので、平面型表示装置の駆動回路等を簡略化することができる。また、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極に印加される電圧は電圧ＶR_OTH以下となる。従って、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極に対応する蛍光体領域が不要に発光することがなく、平面型表示装置の画質を損なうことがない利点を有する。
【００２１】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明にあっては、カソードパネルとアノードパネルとの間には、スペーサが第１の方向に沿って延びると共にゲート電極とゲート電極との間に配置されている構成であってもよい。例えばスペーサの側面に正電荷が帯電すると、スペーサ近傍を通過する電子には、スペーサに向かうように引力が働く。この場合には、スペーサ近傍のゲート電極が選択ゲート電極である場合には、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極のうち、よりスペーサから離れて位置する一方の隣接ゲート電極に、他方の隣接ゲート電極に印加する電圧よりも高い電圧を印加すればよい。これにより、スペーサ表面の帯電による電子の軌道の変化を打ち消すことができる。
【００２２】
本発明にあっては、ゲート電極の選択の順番は任意である。例えば、水平方向に延びるゲート電極が垂直面上に配置されているとき、垂直面の上側から下側に向かって順次ゲート電極を選択する構成であってもよいし、下側から上側に向かって順次ゲート電極を選択する構成であってもよい。本発明にあっては、ゲート電極はゲート電極駆動ドライバによって駆動され、カソード電極はカソード電極駆動ドライバによって駆動される構成とすることができるが、これらの駆動ドライバとして周知の駆動ドライバを用いることができる。また、ゲート電極やカソード電極のそれぞれに印加すべき電圧を生成させる回路（カソード電極駆動用電源やゲート電極駆動用電源）も、周知の回路（電源）から構成することができる。
【００２３】
本発明にあっては、階調制御方式として、電圧変調方式（ゲート電極を選択、走査する時、カソード電極への印加電圧を階調に応じて変化させる方式）、パルス幅変調方式［ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）方式：カソード電極への印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅を可変とし、時間的に階調制御を行う方式］、パルス数変調方式［ＰＮＭ（Pulse Numbers Modulation）方式：カソード電極への印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅も一定とし、印加電圧パルス数で階調制御を行う方式］、フレーム抜き取り方式（印加電圧を一定とし、フレーム表示の有無を制御することにより、時間的に階調制御を行う方式）、サブフィールド表示方式（１フレームを２のべき乗に応じた時間幅の各サブフィールドに分割し、このサブフィールドの組み合わせにより階調制御を行う方式）といった周知の階調制御方式を採用することができる。
【００２４】
本発明において、Ｎ及びＭの値の組合せとして、具体的には、（１９２０，１０８０）、（１９２０，１０３５）、（１０２４，７６８）、（８００，６００）、（６４０，４８０）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）、（１２８０，１０２４）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。尚、カラー表示の場合には、上記のＮを３倍すればよい。
【００２５】
本発明における平面型表示装置として、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）から構成された電子放出領域を有する冷陰極電界電子放出表示装置とすることができるし、あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）から構成された電子放出領域を有する平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子から構成された電子放出領域を有する平面型表示装置とすることもできる。
【００２６】
ここで、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第２の方向に延びるＮ本のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第２の方向とは異なる第１の方向に延びるＭ本のゲート電極、及び、
（ｅ）ゲート電極とカソード電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が配置されている構成とすることができる。
【００２７】
ここで、電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。
【００２８】
カソードパネルにおいて、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、ゲート電極とカソード電極とが重複する重複領域が電子放出領域に該当し、電子放出領域がカソードパネルの有効領域に２次元マトリクス状に配列されている。第１の方向をＸ方向、第２の方向をＹ方向としてもよいし、第１の方向をＹ方向、第２の方向をＸ方向としてもよい。
【００２９】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００３０】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路からアノード電極に印加される電圧（アノード電圧）ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。
【００３１】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００３２】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００３３】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成することができる。
【００３４】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００３５】
カソード電極、ゲート電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
【００３６】
絶縁層や構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００３７】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００３８】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００３９】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法、各種印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数ギガΩとすればよい。
【００４０】
カソードパネルを構成する支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００４１】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。メタルバック自体にアノード電極機能を持たせても良い。
【００４２】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが望ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサ群の数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。
【００４３】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；各種印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法や各種印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法や各種印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至７×１０-7ｍ（０．７μｍ）、好ましくは１×１０-7ｍ（１００ｎｍ）乃至４×１０-7ｍ（０．４μｍ）を例示することができる。
【００４４】
アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をアルミニウム（Ａｌ）から構成することが好ましい。
【００４５】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式はドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、平面型表示装置において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００４６】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００４７】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００４８】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、あるいは又、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００４９】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００５０】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００５１】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００５２】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間が真空状態となっているが故に、アノードパネルとカソードパネルとの間にスペーサを配しておかないと、大気圧によって冷陰極電界電子放出表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサを構成する剛性材料として、セラミックやガラスを例示することができる。セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミック材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料を用いることもできる。ガラス材料として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。尚、スペーサの端部に対して面取りを行い、突起部等を除去することが好ましい。スペーサは、例えば、アノードパネルに設けられた後述する隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００５３】
スペーサの表面に、帯電防止膜や抵抗体膜等が設けられてもよい。帯電防止膜を構成する２次電子放出係数が１に近い材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅx等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＮｄＯx、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢx、ＴｉＢx等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳx、ＷＳx等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。また、抵抗体膜を構成する材料として、例えば、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）やサーメットを例示することができる。帯電防止膜等のスペーサの表面に設けられる膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよい。例えば、膜は一層構造であって、複数の種類の材料からその層が構成されてもよいし、膜は複数層が積層して成り、それぞれの層が異なる材料から成るものであってもよい。これらの膜は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法等、周知の方法により形成することができる。また、これらの膜の膜厚は、必要に応じて任意に設定すればよい。
【００５４】
カソードパネルとアノードパネルとを接合部材により接合する場合、接合部材全体がフリットガラス等の接着層から成る構成とすることもできるし、あるいは又、接合部材が、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミック等の剛性材料から成る枠体と、枠体のカソードパネル側の面上に設けられている接着層と、枠体のアノードパネル側の面上に設けられている接着層とから成る構成とすることもできる。枠体の高さを適宜選択することにより、接合部材全体が接着層から成る構成に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。接着層を構成する材料として、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００５５】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００５６】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続された排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域（平面型表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【発明の効果】
【００５７】
本発明によれば、第１の方向に延びるゲート電極に対応する蛍光体領域に生ずる輝度変化を、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極とに印加する電圧を調整することにより容易に低減することができる。これにより、表示性能に優れた平面型表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
先ず、本発明の理解を助けるために基本的な動作原理を説明する。
【００５９】
背景技術で説明した表示装置に基づいて基本的な動作原理を説明する。図１の（Ａ）は、表示装置のゲート電極１３mが、ある選択期間Ｔmにおいて選択されているときの動作を模式的に示す図である。尚、便宜のため、図１の（Ａ）においては、各電子放出領域ＥＡにそれぞれ１つ電子放出部１５を図示した。後述する図１の（Ｂ）においても同様である。
【００６０】
背景技術において図１４を用いて説明したと同様に、ゲート電極１３mには電圧ＶR_on（例えば３５ボルト）が印加され、隣接するゲート電極１３m-1，１３m+1には電圧ＶR_off（例えば０ボルト）が印加されている。尚、カソード電極１１には、ある所定の電圧Ｖcが印加されている。ゲート電極１３mを中心として、ゲート電極１３m-1，１３m+1は電位的に対称な関係にある。このため、理想的な状態においては、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmは、ゲート電極１３m-1，１３m+1のいずれ側にも偏向されることなく直進する。また、背景技術で説明したが、電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は、ゲート電極１３mとカソード電極１１との間の電位差、即ちＶR_on−Ｖcに応じて定まる。
【００６１】
次いで、図１の（Ａ）の状態を基準として、ゲート電極１３mに隣接するゲート電極１３m-1，１３m+1の電圧を変えた状態の例について説明する。
【００６２】
図１の（Ｂ）は、選択されたゲート電極の一方（図１の＋Ｙ方向側）に隣接するゲート電極に電圧−ΔＶm-1_Tmが、選択されたゲート電極の他方（図１の−Ｙ方向側）に隣接する隣接ゲート電極に電圧ΔＶm+1_Tmが重畳して印加されているときの動作を模式的に示す図である。図１の（Ａ）に対して、図１の（Ｂ）では、ゲート電極１３mの一方に隣接するゲート電極１３m-1（以下、第１の隣接ゲート電極１３m-1と称する）には、電圧−ΔＶm-1_Tmが重畳して印加されている。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。また、ゲート電極１３mの他方に隣接するゲート電極１３m+1（以下、第２の隣接ゲート電極１３m+1と称する）には、電圧ΔＶm+1_Tmが重畳して印加されている。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。これにより、ゲート電極１３mを中心として、ゲート電極１３m-1，１３m+1は電位的に対称な関係ではなくなる。従って、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmは、第１の隣接ゲート電極１３m-1よりも相対的に高電位である第２の隣接ゲート電極１３m+1側へ偏向される。これにより、蛍光体領域における電子の衝突位置を変化させることができる。
【００６３】
この場合において、定性的には、電子の軌道ＴＲmの偏向量は、第１の隣接ゲート電極１３m-1と第２の隣接ゲート電極１３m+1との電位差の絶対値（図１に示した例では、ΔＶm-1_Tm＋ΔＶm+1_Tm）に応じて変化する。また、電子の軌道ＴＲmの偏向方向は、第１の隣接ゲート電極１３m-1と第２の隣接ゲート電極１３m+1のいずれが相対的に高電位であるかによって定まる。
【００６４】
図１の（Ｂ）では、第２の隣接ゲート電極１３m+1が相対的に高電位であるので、電子の軌道ＴＲmは、図１の（Ｂ）の左方向（−Ｙ方向）側に偏向される。尚、第１の隣接ゲート電極１３m-1あるいは第２の隣接ゲート電極１３m+1のいずれか一方の電圧を調整する構成とすることもできる。例えば、電子の軌道ＴＲmを図１の（Ｂ）の左方向（−Ｙ方向）側に偏向する場合には、上述の例の他、第１の隣接ゲート電極１３m-1にのみ電圧−ΔＶm-1_Tmを重畳して印加してもよい。あるいは、第２の隣接ゲート電極１３m+1にのみ電圧ΔＶm+1_Tmを重畳して印加してもよい。いずれの場合も、第２の隣接ゲート電極１３m+1が相対的に高電位であるので、電子の軌道は、図１の（Ｂ）の左方向（−Ｙ方向）側に偏向される。電子の軌道を図１の（Ｂ）の右方向（＋Ｙ方向）側に偏向する場合には、重畳する電圧の極性を逆にすればよいので、説明は省略する。
【００６５】
以上、本発明の理解を助けるために基本的な動作原理を説明した。次いで、実施例１等の平面型表示装置の基本的な構成、及び、平面型表示装置が設計的に理想的な状態にあるとした場合の動作について説明する。
【００６６】
実施例１あるいは後述する他の実施例（以下、実施例１等と呼ぶ場合がある）の平面型表示装置は、（ａ）第１の方向（実施例１等においてはＸ方向）に延びるＭ本のゲート電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向（実施例１等においてはＹ方向）に延びるＮ本のカソード電極を備え、ゲート電極とカソード電極との重複領域には電子放出領域が形成されているカソードパネル、並びに、（ｂ）蛍光体領域とアノード電極とを備えるアノードパネルから成り、ゲート電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置である。
【００６７】
より具体的には、実施例１等の平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）から成る。実施例１等の表示装置は、スピント型冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と呼ぶ）を有する表示装置であり、実施例１等の表示装置の概念的な一部端面図は背景技術で説明した図１２と同一であり、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図も図１３と同一である。カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰ、接合部材２６、スペーサ４０等の構成については、背景技術で説明したと同様である。
【００６８】
ゲート電極１３を走査電極として順次選択する場合の動作例を、図２及び図３を参照して説明する。図２は、支持体１０上におけるゲート電極１３とカソード電極１１の配置状態、ゲート電極１３とゲート電極制御回路３２との接続状態、及び、カソード電極１１とカソード電極制御回路３１との接続状態を模式的に示した図である。図３の左側は、実施例１等の表示装置における図２に示したカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図３の右側は、線順次駆動時にゲート電極１３及びカソード電極１１に印加される電圧を模式的に示した図である。尚、便宜のため、図３においては、各電子放出領域ＥＡにそれぞれ１つ電子放出部１５を図示した。後述する他の図面においても同様である。
【００６９】
説明の便宜上、ゲート電極１３は、図２の上側から下側（具体的には、ゲート電極１３1から１３M)に向かって順次選択されるものとし、また、ゲート電極１３の選択に応じて変化する電圧が、カソード電極制御回路３１によって全てのカソード電極１１に印加されるものとする。この表示装置では、ゲート電極１３がカソード電極１１よりも相対的に正電圧であって、ゲート電極１３とカソード電極１１との間の電位差が所謂カットオフ電圧（例えば２０ボルト）を超えると電子放出領域ＥＡから電子が放出される。そして、電子放出領域ＥＡから放出される電子の量はゲート電極１３とカソード電極１１との間の電位差に応じて変化する。カソード電極制御回路３１によって、カソード電極１１には、画像の輝度に応じて、ＶC_H（例えば１５ボルト）からＶC_L(例えば０ボルト）の範囲の値の電圧が印加される。ゲート電極制御回路３２によって、選択されたゲート電極１３には電圧ＶR_on（例えば３５ボルト）が印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_off（例えば０ボルト）が印加される。ゲート電極１３に電圧ＶR_on（３５ボルト）が印加されている状態において、選択されたゲート電極１３に対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は、カソード電極１１に電圧ＶC_L(０ボルト）が印加されたときに最大となり、カソード電極１１に電圧ＶC_H(１５ボルト）が印加されたときに最小となる。尚、選択期間Ｔm-2の間はゲート電極１３m-2が選択され、選択期間Ｔm-1の間はゲート電極１３m-1が選択され、選択期間Ｔmの間はゲート電極１３mが選択される。選択期間Ｔm+1，Ｔm+2についても同様である。尚、説明の便宜上、ＶC_H、ＶC_L、ＶR_on、ＶR_offはそれぞれ１５ボルト、０ボルト、３５ボルト、０ボルトとし、所謂カットオフ電圧は２０ボルトであるとして説明する。後述する他の実施例においても同様である。
【００７０】
図３に示すように、選択期間Ｔm-2の間、カソード電極１１n（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）には例えば電圧ＶC_H（１５ボルト）が印加され、ゲート電極１３m-2には電圧ＶR_onが印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_offが印加される。尚、すでに説明したが、この状態では選択されたゲート電極１３m-2に対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は最小となる。次いで、選択期間Ｔm-1の間、カソード電極１１nには例えば電圧（ＶC_H−（ＶC_H−ＶC_L）／４）が印加され、ゲート電極１３m-1には電圧ＶR_onが印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_offが印加される。その後、選択期間Ｔmの間、カソード電極１１nには例えば電圧（ＶC_H−（ＶC_H−ＶC_L）／２）が印加され、ゲート電極１３mには電圧ＶR_onが印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_offが印加される。次いで、選択期間Ｔm+1の間、カソード電極１１nには例えば電圧（ＶC_H−（ＶC_H−ＶC_L）×３／４）が印加され、ゲート電極１３m+1には電圧ＶR_onが印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_offが印加される。そして、選択期間Ｔm+2の間、カソード電極１１nには電圧ＶC_Lが印加され、ゲート電極１３m+2には電圧ＶR_onが印加され、それ以外のゲート電極１３には電圧ＶR_offが印加される。尚、すでに説明したが、この状態では選択されたゲート電極１３m+2に対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は最大となる。即ち、図３に示す動作では、ゲート電極１３m-2に対応する蛍光体領域２２からゲート電極１３m+2に対応する蛍光体領域２２に向かうにつれて輝度が高くなる画像が表示される。
【００７１】
以上、実施例１等の表示装置の基本的な構成、及び、表示装置が設計的に理想的な状態にあるとした場合の動作について説明した。図３においては、上記の動作により各電子放出領域ＥＡから放出される電子が蛍光体領域２２の所定の位置に衝突する場合、即ち設計的に理想的な場合を示した。
【００７２】
次いで、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００７３】
実施例１は、本発明の表示装置及びその駆動方法に関する。実施例１の表示装置において、選択された選択ゲート電極に印加する電圧をＶR_SELと表す。また、選択ゲート電極の一方（便宜上、各図において＋Ｙ方向側とする）に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加する電圧をＶR_N1、選択ゲート電極の他方（便宜上、各図において−Ｙ方向側とする）に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加する電圧をＶR_N2と表す。更に、選択ゲート電極、第１の隣接ゲート電極、第２の隣接ゲート電極以外のその他のゲート電極に印加する電圧をＶR_OTHと表す。後述する他の実施例においても同様である。
【００７４】
また、実施例１の表示装置は、設計上、電圧ＶR_N1と電圧ＶR_N2とが等しい状態（実施例１においては、ＶR_N1とＶR_N2とをＶR_OTHと同じ値とした状態）において電子放出領域ＥＡから放出される電子が蛍光体領域の所定の位置（実施例１では、蛍光体領域２２の幾何学的な中心）に衝突するように組み立てられている。後述する他の実施例においても同様である。
【００７５】
実施例１では、選択された選択ゲート電極の一方に隣接する第１の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N1と、該選択ゲート電極の他方に隣接する第２の隣接ゲート電極に印加される電圧ＶR_N2とが等しい状態において、該選択ゲート電極によって構成される電子放出領域から放出される電子が衝突すべき蛍光体領域の所定の位置を基準として、（Ａ）該電子放出領域から放出される電子が第１の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加し、（Ｂ）該電子放出領域から放出される電子が第２の隣接ゲート電極側に近い蛍光体領域の部分に衝突する場合には、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように第１の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極に電圧ＶR_N2を印加する。後述する他の実施例においても同様である。
【００７６】
図３においては表示装置が設計的に理想的な状態にあるとしたが、実際には、一部の電子の軌道にばらつきが生ずる場合がある。図４は、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmにずれが生じている例を模式的に示す図である。この例では、選択ゲート電極１３mに対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmは、図４の＋Ｙ方向に、例えばゲート電極間の距離のばらつき等により偏向している。
【００７７】
以下、図５を参照して、実施例１の表示装置及びその駆動方法により、図４に示す電子の軌道ＴＲmのずれを補正するときの動作を説明する。
【００７８】
図５は、実施例１の表示装置の動作を説明するための模式図であって、図の左側は、表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例１の表示装置における線順次駆動時にゲート電極１３及びカソード電極１１に印加される電圧を模式的に示した図である。後述する図７や他の実施例を説明するための図面においても同様である。図４を参照してゲート電極１３mに対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道がずれている状態を説明した。図５において、軌道ＴＲmは図４における軌道ＴＲmと対応する補正前の軌道である。
【００７９】
図４においてゲート電極１３mが選択されているとき（即ち、選択期間Ｔmの間）、選択ゲート電極１３mに印加されている電圧ＶR_SELはＶR_on（３５ボルト）である。そして、図４に示したように、選択ゲート電極１３mの一方に隣接する第１の隣接ゲート電極１３m-1に印加されている電圧ＶR_N1、及び、選択ゲート電極１３mの他方に隣接する第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加されている電圧ＶR_N2が、共にＶR_off（０ボルト）であるとき、選択ゲート電極１３mに対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmは、図４の＋Ｙ方向に偏向している。尚、その他のゲート電極１３m-2，１３m+2に印加されている電圧ＶR_OTHはＶR_off（０ボルト）である。蛍光体領域の所定の位置を基準として、電子放出領域から放出される電子が、第１の隣接ゲート電極１３m-1側に近い蛍光体領域の部分に衝突している。
【００８０】
そこで、実施例１の表示装置においては、図５に示すように、ゲート電極１３mが選択されているとき（即ち、選択期間Ｔmの間）、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように、第１の隣接ゲート電極１３m-1に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極１３m+1に電圧ＶR_N2を印加する。
【００８１】
より具体的には、選択期間Ｔmの間、第１の隣接ゲート電極１３m-1には電圧−ΔＶm-1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。同様に、第２の隣接ゲート電極１３m+1には、電圧ΔＶm+1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。即ち、第１の隣接ゲート電極１３m-1に印加される電圧ＶR_N1＝ＶR_off−ΔＶm-1_Tm、第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加される電圧ＶR_N2＝ＶR_off＋ΔＶm+1_Tmとなり、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足する。尚、図５においても、選択ゲート電極１３mに印加されている電圧ＶR_SELは、図４で示したと同様にＶR_onであり、その他のゲート電極１３m-2，１３m+2に印加されている電圧ＶR_OTHは、図４と同様にＶR_off（０ボルト）である。
【００８２】
これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第１の隣接ゲート電極１３m-1よりも相対的に高電位である第２の隣接ゲート電極１３m+1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。
【００８３】
次いで、図４とは逆に電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmが、例えばゲート電極間の距離のばらつきにより、−Ｙ方向に偏向している場合について説明する。図６は、図４に対応する図であり、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmにずれが生じている例を模式的に示す図である。
【００８４】
以下、図７を参照して、実施例１の表示装置及びその駆動方法により、図６に示す電子の軌道ＴＲmのずれを補正するときの動作を説明する。図７において、軌道ＴＲmは補正前の軌道である。この状態では、蛍光体領域の所定の位置を基準として、電子放出領域から放出される電子が、第２の隣接ゲート電極１３m+1側に近い蛍光体領域の部分に衝突している。
【００８５】
そこで、実施例１の表示装置においては、図７に示すように、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように、第１の隣接ゲート電極１３m-1に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極１３m+1に電圧ＶR_N2を印加する。
【００８６】
より具体的には、選択期間Ｔmの間、第１の隣接ゲート電極１３m-1には電圧ΔＶm-1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。同様に、第２の隣接ゲート電極１３m+1には電圧−ΔＶm+1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。即ち、第１の隣接ゲート電極１３m-1に印加される電圧ＶR_N1＝ＶR_off＋ΔＶm-1_Tm、第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加される電圧ＶR_N2＝ＶR_off−ΔＶm+1_Tmとなり、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足する。尚、図７においても、選択ゲート電極１３mに印加されている電圧ＶR_SELは、図６で示したと同様にＶR_onであり、その他のゲート電極１３m-2，１３m+2に印加されている電圧ＶR_OTHは、図６と同様にＶR_off（０ボルト）である。
【００８７】
これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第２の隣接ゲート電極１３m+1よりも相対的に高電位である第１の隣接ゲート電極１３m-1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。各ゲート電極１３に対応する電圧ＶR_N1、電圧ＶR_N2の値は、例えば、平面型表示装置の製造工程において、蛍光体領域における電子の衝突位置の変化に起因する輝度変化を測定して設定すればよい。
【００８８】
尚、電圧ＶR_OTHよりも相対的に正電圧が第１の隣接ゲート電極１３m-1あるいは第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加され、所謂カットオフ電圧を超えると、これらのゲート電極に対応する電子放出領域から電子が放出される。実施例ではカットオフ電圧は２０ボルトとしたので、図５においてΔＶm+1_Tm−ＶC_Lが２０ボルト以下であれば、第２の隣接ゲート電極１３m+1に対応する電子放出領域から電子が放出されることはない。同様に、図７においてΔＶm-1_Tm−ＶC_Lが２０ボルト以下であれば、第１の隣接ゲート電極１３m-1に対応する電子放出領域から電子が放出されることはない。
【実施例２】
【００８９】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２では、実施例１において説明した（Ａ）においてＶR_N2＝ＶR_OTH、（Ｂ）においてＶR_N1＝ＶR_OTHを満足する点が相違する。
【００９０】
以下、図８を参照して実施例２の表示装置及びその駆動方法を説明する。図８においても、軌道ＴＲmは図４における軌道ＴＲmと対応する補正前の軌道である。実施例１で説明したと同様に、この状態では、蛍光体領域の所定の位置を基準として、電子放出領域から放出される電子が、第１の隣接ゲート電極１３m-1側に近い蛍光体領域の部分に衝突している。
【００９１】
そこで、実施例２においても、図８に示すように、ＶR_N1＜ＶR_N2を満足するように、第１の隣接ゲート電極１３m-1に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極１３m+1に電圧ＶR_N2を印加する。
【００９２】
より具体的には、選択期間Ｔmの間、第１の隣接ゲート電極１３m-1には電圧−ΔＶm-1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。実施例１の図５とは異なり実施例２では、第２の隣接ゲート電極１３m+1には電圧ΔＶm+1_Tmを重畳しない。この場合には、第１の隣接ゲート電極１３m-1に印加される電圧ＶR_N1＝ＶR_off−ΔＶm-1_Tm、第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加される電圧ＶR_N2＝ＶR_off＝ＶR_OTHとなり、ＶR_N1＜ＶR_N2、かつ、ＶR_N2＝ＶR_OTHを満足する。尚、図８においても、選択ゲート電極１３mに印加されている電圧ＶR_SELは、図４で示したと同様にＶR_onであり、その他のゲート電極１３m-2，１３m+2に印加されている電圧ＶR_OTHは、図４と同様にＶR_off（０ボルト）である。
【００９３】
これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第１の隣接ゲート電極１３m-1よりも相対的に高電位である第２の隣接ゲート電極１３m+1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。尚、実施例１と同程度の補正の効果を得るためには、図８に示すΔＶm-1_Tmの値は、図５に示すΔＶm-1_Tmの値よりも大きくする必要がある。
【００９４】
次いで、図４とは逆に電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmが、−Ｙ方向に偏向している場合について説明する。
【００９５】
以下、図９を参照して、実施例２の表示装置及びその駆動方法により、図６に示す電子の軌道ＴＲmのずれを補正するときの動作を説明する。図９において、軌道ＴＲmは補正前の軌道である。実施例１で説明したと同様に、この状態では、蛍光体領域の所定の位置を基準として、電子放出領域から放出される電子が、第２の隣接ゲート電極１３m+1側に近い蛍光体領域の部分に衝突している。
【００９６】
そこで、実施例２においても、図９に示すように、ＶR_N1＞ＶR_N2を満足するように、第１の隣接ゲート電極１３m-1に電圧ＶR_N1、第２の隣接ゲート電極１３m+1に電圧ＶR_N2を印加する。
【００９７】
より具体的には、選択期間Ｔmの間、第２の隣接ゲート電極１３m+1には電圧−ΔＶm+1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。実施例１の図７とは異なり実施例２では、第１の隣接ゲート電極１３m-1には電圧ΔＶm-1_Tmを重畳しない。この場合には、第１の隣接ゲート電極１３m-1に印加される電圧ＶR_N1＝ＶR_off＝ＶR_OTH、第２の隣接ゲート電極１３m+1に印加される電圧ＶR_N2＝ＶR_off−ΔＶm+1_Tmとなり、ＶR_N1＞ＶR_N2、かつ、ＶR_N1＝ＶR_OTHを満足する。尚、図９においても、選択ゲート電極１３mに印加されている電圧ＶR_SELは、図６で示したと同様にＶR_onであり、その他のゲート電極１３m-2，１３m+2に印加されている電圧ＶR_OTHは、図６と同様にＶR_off（０ボルト）である。
【００９８】
これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第２の隣接ゲート電極１３m+1よりも相対的に高電位である第１の隣接ゲート電極１３m-1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。尚、実施例１と同程度の補正の効果を得るために、図９に示すΔＶm+1_Tmの値は、図７に示すΔＶm+1_Tmの値よりも大きくする必要がある。
【００９９】
実施例２の構成によれば、第１の隣接ゲート電極と第２の隣接ゲート電極のいずれか一方の電圧のみを調整すればよいので、表示装置の駆動回路等を簡略化することができる。また、電圧ＶR_N1と電圧ＶR_N2は電圧ＶR_OTH以下となるので、第１の隣接ゲート電極あるいは第２の隣接ゲート電極に対応する蛍光体領域が不要に発光することがない利点を有する。
【実施例３】
【０１００】
実施例３は、実施例１の変形である。基本的な動作は実施例１と共通する。実施例１等の説明に先立ち、図３を参照して表示装置が設計的に理想的な状態にあるときの動作を説明した。そして、図３においては、選択されたゲート電極以外の電極には電圧ＶR_off（０ボルト）が印加されるとした。実施例３では、表示装置が設計的に理想的な状態にあるとき、選択されたゲート電極以外の電極には電圧ＶR_off（０ボルト）よりも低い電圧を印加する点が相違する。
【０１０１】
図１０及び図１１を参照して、実施例３の表示装置及びその駆動方法を説明する。図１０は実施例１の図５に相当し、図１１は実施例１の図７に相当する。
【０１０２】
上述したように、実施例３においては、表示装置が設計的に理想的な状態にあるときには、選択されたゲート電極以外の電極には電圧ＶR_offよりも低い電圧を印加する。より具体的には、表示装置が設計的に理想的な状態にあるときには、選択されたゲート電極以外の電極にはＶR_off−ΔＶoff（但し、ΔＶoff＞０）を印加する。そして、この状態において、実施例１の図５あるいは図７を参照して説明したと同様の動作を行う。
【０１０３】
即ち、選択ゲート電極１３mに対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmが、図１０の＋Ｙ方向に偏向しているときには、実施例１の図５と同様に、第１の隣接ゲート電極１３m-1には、電圧−ΔＶm-1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。また、第２の隣接ゲート電極１３m+1には、電圧ΔＶm+1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第１の隣接ゲート電極１３m-1よりも相対的に高電位である第２の隣接ゲート電極１３m+1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。
【０１０４】
また、選択ゲート電極１３mに対応する電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲmが、図１１の−Ｙ方向に偏向しているときには、実施例１の図７と同様に、第１の隣接ゲート電極１３m-1には、電圧ΔＶm-1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm-1_Tm＞０である。また、第２の隣接ゲート電極１３m+1には、電圧−ΔＶm+1_Tmを重畳して印加する。尚、ΔＶm+1_Tm＞０である。これにより、電子放出領域ＥＡから放出される電子の軌道ＴＲ’mは、第２の隣接ゲート電極１３m+1よりも相対的に高電位である第１の隣接ゲート電極１３m-1側へ偏向され、蛍光体領域２２における電子の衝突位置と「所定の位置」とのずれが補正される。
【０１０５】
実施例３においては、図１０においてΔＶm+1_Tm−ΔＶoff−ＶC_Lが２０ボルト以下であれば、第２の隣接ゲート電極１３m+1に対応する電子放出領域から電子が放出されることはない。同様に、図１１においてΔＶm-1_Tm−ΔＶoff−ＶC_Lが２０ボルト以下であれば、第１の隣接ゲート電極１３m-1に対応する電子放出領域から電子が放出されることはない。第１の隣接ゲート電極あるいは第２の隣接ゲート電極に対応する電子放出領域の不要な電子放出に対して、実施例１よりも動作上ΔＶoffの余裕を確保することができる。
【０１０６】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した表示装置、カソードパネルやアノードパネル、電界放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【０１０７】
実施例にあっては、表示装置は順次１本のゲート電極が選択されるとして説明したが、これに限るものではない。例えば、表示装置の表示領域を、ゲート電極に沿う方向で複数の領域に分割し、これらの分割領域において、同時にそれぞれ１本ずつゲート電極が選択される構成であってもよい。この場合には、各分割領域において、実施例で説明した動作を行えばよい。
【０１０８】
実施例にあっては、その他のゲート電極（選択ゲート電極や第１あるいは第２の隣接ゲート電極に該当しないゲート電極）の全てに共通の電圧が印加されるとして説明したが、これに限るものではない。第１あるいは第２の隣接ゲート電極の近傍に位置するその他のゲート電極に、個別の電圧を印加する構成であってもよい。例えば補正の能率を向上させるために、第１あるいは第２の隣接ゲート電極に隣接するその他のゲート電極に、第１あるいは第２の隣接ゲート電極に印加する電圧と同様の電圧を印加してもよい。
【０１０９】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１１０】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。一対の電極を、ゲート電極とカソード電極とから成る構成とすればよい。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】図１の（Ａ）は、平面型表示装置のゲート電極が選択されているときの動作を模式的に示す図である。図１の（Ｂ）は、選択されたゲート電極の一方に隣接するゲート電極に電圧−ΔＶm-1_Tmが、ゲート電極の他方に隣接する隣接ゲート電極に電圧ΔＶm+1_Tmが重畳して印加されているときの動作を模式的に示す図である。
【図２】図２は、支持体上におけるゲート電極とカソード電極の配置状態、ゲート電極とゲート電極制御回路との接続状態、及び、カソード電極とカソード電極制御回路との接続状態を模式的に示した図である。
【図３】図３の左側は、実施例１等の平面型表示装置における図２に示したカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図３の右側は、線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図４】図４は、電子放出領域から放出される電子の軌道にずれが生じている例を模式的に示す図である。
【図５】図５は、実施例１の平面型表示装置の動作を説明するための模式図であって、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例１の平面型表示装置における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図６】図６は、電子放出領域から放出される電子の軌道にずれが生じている例を模式的に示す図である。
【図７】図７は、実施例１の平面型表示装置の動作を説明するための模式図であって、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例１の平面型表示装置における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図８】図８は、実施例２の平面型表示装置の動作を説明するための模式図であって、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例２の平面型表示装置における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図９】図９は、実施例２の平面型表示装置の動作を説明するための模式図であって、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例２の平面型表示装置における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図１０】図１０は、実施例３の平面型表示装置の変形例の動作を説明するための模式図であって、図５に対応し、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例３の平面型表示装置の変形例における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図１１】図１１は、実施例３の平面型表示装置の変形例の動作を説明するための模式図であって、図７に対応し、図の左側は、平面型表示装置のカソード電極１１n付近の模式的断面図であり、図の右側は、実施例３の平面型表示装置の変形例における線順次駆動時にゲート電極及びカソード電極に印加される電圧を模式的に示した図である。
【図１２】図１２は、スピント型電界放出素子を有する平面型表示装置の概念的な一部端面図である。
【図１３】図１３は、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図１４】図１４は、ゲート電極が選択されているときの電子の軌道の詳細を示したものである。
【図１５】図１５は、スペーサが正に帯電したときのスペーサ近傍の電子の軌道を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１１２】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１３Ａ・・・幹電極、１３Ｂ・・・枝電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５・・・電子放出部、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、２７・・・給電電極、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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