(57)【要約】【課題】半導体基板への実装不良及び実装ストレスによる性能低下を抑制した、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適で高性能な半導体装置の提供。【解決手段】本発明の半導体装置は、少なくとも２つのインターポーザを有してなり、一の前記インターポーザ１０Ａが、半導体チップ１１が樹脂封止されてなるパッケージＰの一部を形成し、他の前記インターポーザ１０Ｂが、半導体基板に実装可能な半田ボール１４を有し、一の前記インターポーザ１０Ａ及び他の前記インターポーザ１０Ｂが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
2007208211.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのインターポーザを有してなり、
一の前記インターポーザが、半導体チップが樹脂封止されてなるパッケージの一部を形成し、
他の前記インターポーザが、半導体基板に実装可能な半田ボールを有し、
一の前記インターポーザ及び他の前記インターポーザが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
インターポーザ同士の電気的な接続が、フレキシブル基板を通じて行われる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一のインターポーザにおける一の面の少なくとも一部と、他のインターポーザにおける一の面の少なくとも一部とが、接着材により固定された請求項１から２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
接着材が、フィルム状及びペースト状のいずれかの接着樹脂である請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
インターポーザ同士の電気的な接続が、半田ボールを通じて行われる請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板への実装不良及び実装ストレスによる性能低下を抑制した、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適で高性能な半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＢＧＡパッケージにおけるボールピッチの狭ピッチ化が進み、特にＦＢＧＡパッケージにおいては、現在ボールピッチ０．５ｍｍが主流となっており、今後、０．４μｍピッチ、更には０．３μｍピッチまで狭小化が進むことが期待されている。
しかし、ボールピッチが狭小化すると、例えば、図２２Ａに示すような、インターポーザ２上に半導体チップ３が搭載され、モールド樹脂４により封止されたパッケージ１では、図２２Ｂに示すように、半導体基板６への実装時に、リフロー等の熱ストレスが印加されると、パッケージ１が変形し、パッケージ１の中央部では隙間が生じることによる半田ボール５の未接続が、パッケージ１の外周部では、半田つぶれによる隣接ボール５同士のショート等が、それぞれ生じ易く、実装不良が生ずるという問題がある。ここで、パッケージ１の変形は、インターポーザ２、半導体チップ３、モールド樹脂４、ダイス付け材等の各部材の熱伸縮率の差により生ずる現象であり、図２５Ａに示すパッケージ１では、インターポーザ２の熱伸縮率に比して、モールド樹脂４の熱伸縮率が大きいため、リフロー時の熱により、凸状の反りが発生する。
【０００３】
例えば、熱膨張係数の異なる電気部品、例えば、ＩＣチップと配線基板とを、応力差異を減少させて接続するインターポーザが提案されている（特許文献１参照）。該インターポーザによれば、異なる熱膨張係数を有する二つの基板を含み、ＩＣチップが搭載される基板が、ＩＣチップの熱膨張係数との関係で選択された熱膨張係数を有し、配線基板に実装される基板が、配線基板の熱膨張係数との関係で選択された熱膨張係数を有するように、それぞれ設定することにより応力差異を低減する。しかし、この場合、電気部品の種類に応じた特定の熱膨張係数を有する基板を使用するため、基板の材料の選択の幅が狭くなる。また、前記特許文献１には、一般的に熱膨張係数が大きなモールド樹脂によりＩＣチップが封止されてなるパッケージへの応用については何ら開示されていない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２５０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、半導体基板への実装不良及び実装ストレスによる性能低下を抑制した、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適で高性能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の半導体装置は、少なくとも２つのインターポーザを有してなり、一の前記インターポーザが、半導体チップが樹脂封止されてなるパッケージの一部を形成し、他の前記インターポーザが、半導体基板に実装可能な半田ボールを有し、一の前記インターポーザ及び他の前記インターポーザが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されていることを特徴とする。
該半導体装置においては、一の前記インターポーザと他の前記インターポーザとが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されているので、例えば、半導体基板への実装時に、リフロー等の熱により封止樹脂が膨張し、前記パッケージ側のインターポーザ（一の前記インターポーザ）に反りが生じても、前記半導体基板に実装されるインターポーザ（他の前記インターポーザ）は、前記反りの影響を殆ど受けず、半田ボールの未接続や隣接ボール同士のショート等の実装不良の発生が抑制される。また、前記半導体基板に実装後、前記半導体基板に曲げ応力が付加された場合、該半導体基板に前記半田ボールを介して実装されている前記インターポーザ（他の前記インターポーザ）に曲げによる変形が生じても、前記パッケージ側のインターポーザ（一の前記インターポーザ）は、前記曲げによる影響を殆ど受けず、更に温度変化が生じても、前記実装時同様、他の前記インターポーザは前記反りの影響を殆ど受けないため、実装ストレスが低減される。このため、本発明の前記半導体装置は、高性能で信頼性が高く、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、半導体基板への実装不良及び実装ストレスによる性能低下を抑制した、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適で高性能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の半導体装置について、実施例をもって詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【０００９】
（実施例１）
本発明の半導体装置の第１の実施例を図１に示す。なお、図１は、半導体装置の垂直断面図である。
図１に示す半導体装置１００は、１２ｍｍ角、厚み０．２９ｍｍ程度のガラスエポキシ樹脂製のインターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂの２枚のインターポーザ（ガラスエポキシ樹脂基板）を用いて形成されたＢＧＡタイプのパッケージである。
図１に示すように、一のインターポーザ１０Ａの上面（表面）には半導体チップ１１が載置され、ダイボンディング材により固着されている。半導体チップ１１の電極は、インターポーザ１０ＡにおけるＣｕ配線とＡｕワイヤ１２により接続されている。そして、半導体チップ１１及び半導体チップ１１の周囲におけるインターポーザ１０Ａの表面は、Ａｕワイヤ１２と共にモールド樹脂１３により樹脂封止されて、半導体パッケージＰを形成している。
一方、他のインターポーザ１０Ｂの下面（表面）には、複数個の半田ボール１４が配設されている。
そして、インターポーザ１０Ａの端部とインターポーザ１０Ｂの端部とが、厚み１００μｍ程度のポリイミド樹脂製のフレキシブル基板２０により電気的に接続された状態にて、インターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとが対向配置され、インターポーザ１０Ａの下面（裏面）とインターポーザ１０Ｂの上面（裏面）とが、前記接着材としての接着樹脂３０により接着固定されている。ここで、インターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとの離間距離Ｈとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、インターポーザ１０Ａ及び１０Ｂが、それぞれの形状変化により互いに受ける影響を低減する点で、１０μｍ以上が好ましい。前記離間距離Ｈが、１０μｍ未満であると、リフロー時に、インターポーザ１０Ａに、２０〜３０μｍ程度の反りが生じることがある。
なお、インターポーザ１０Ａの上面（表面）には、半導体チップ１１の電極と接続される、図示しない電極パッドが配設されており、インターポーザ１０Ｂの下面（表面）には、半田ボール１４が形成される、図示しない電極パッドが配設されている。
【００１０】
インターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂとしては、その形状、構造、大きさ、厚み、材質（材料）などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。前記厚みとしては、２００〜４００μｍ程度が好ましい。また、前記材質（材料）としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂のほか、ポリイミド樹脂などが好適に挙げられる。
フレキシブル基板２０としては、可撓性を有する限り、その形状、構造、大きさ、厚み、材質（材料）などについては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
接着樹脂３０としては、その形状、材質（材料）などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記形状としては、フィルム状、ペースト状などが好適に挙げられ、前記材質（材料）としては、熱硬化性を有するものが好ましく、例えば、エポキシ樹脂が好適に挙げられる。
【００１１】
実施例１の半導体装置１００においては、２枚のインターポーザを有し、半導体チップ１１がモールド樹脂１３により樹脂封止されてなるパッケージの一部を形成するインターポーザ１０Ａと、半導体基板に実装可能な半田ボール１４を有するインターポーザ１０Ｂとが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態で、フレキシブル基板２０により電気的に接続されているので、例えば、半導体基板への実装時に、リフロー等の熱によりモールド樹脂１３が膨張し、インターポーザ１０Ａに反りが生じても、半導体基板に実装されるインターポーザ１０Ｂは、前記反りの影響を殆ど受けないため、半田ボール１４の未接続や隣接ボール同士のショート等の実装不良の発生が抑制される。また、半導体基板に実装後、半導体基板に曲げ応力が付加された場合、インターポーザ１０Ｂに曲げによる変形が生じても、インターポーザ１０Ａは、前記曲げによる影響を殆ど受けず、更に温度変化が生じても、前記実装時同様、インターポーザ１０Ｂは、インターポーザ１０Ａの反りの影響を殆ど受けず、実装ストレスが低減されるため、半導体装置１００は、高性能で信頼性が高く、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適である。
【００１２】
図１に示す、第１の実施例の半導体装置１００の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。
図２に示すように、まず、部品を搭載するインターポーザ（リジット基板）１０Ａ及び１０Ｂがフレキシブル基板２０で電気的に接続されて折り曲げ可能に形成されたものを１ｐｃｓ（ピース）とし、これが１０〜２０ｐｃｓ配列された、シート状のリジットフレキシブル基板１０における、インターポーザ１０Ａの上面（表面）に、それぞれ半導体チップ１１をダイボンディング材を用いて接着固定する。そして、インターポーザ１０Ａ上のＣｕ配線と、半導体チップ１１の電極パッドとを、Ａｕワイヤ１２により電気的に接続する。また、インターポーザ１０Ｂ上には、ランド１４Ａを形成する。なお、インターポーザ１０Ａ、インターポーザ１０Ｂ及びフレキシブル基板２０は、その周囲に形成された開口１０Ｃにより、容易に切断可能に設けられている。
【００１３】
次いで、リジットフレキシブル基板１０を、金型内に装着して、トランスファーモールド法により、半導体チップ１１を、モールド樹脂１３により樹脂封止する。図３に樹脂封止後のリジットフレキシブル基板１０を示す。次に、クレイドル部からインターポーザ１０Ａ、インターポーザ１０Ｂ及びフレキシブル基板２０を切断し、図４に示すように、個片化した後、図５に示すように、フレキシブル基板２０を折り曲げ、図６に示すように、インターポーザ１０Ａにおける、パッケージＰが形成された面の反対側に位置する面と、インターポーザ１０Ｂにおける、ランド１４Ａが形成された面の反対側に位置する面とを、接着樹脂３０により接着固定する。
ここで、接着樹脂３０による接着固定の方法としては、フィルム状のＮＣＦ（非導電性接着樹脂）を用い、熱圧着により固定してもよいし、ペースト状のエポキシ樹脂を塗布して熱硬化させることにより固定してもよい。また、塗布の方法としては、ディスペンサによる塗布でもよいし、印刷による塗布でもよい。
【００１４】
接着樹脂３０による固定部（接着樹脂３０のインターポーザ１０Ａ又はインターポーザ１０Ｂとの接触部位）の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、円形、楕円形、多角形などが挙げられる。前記固定部の個数としては、１個であってもよいし、複数個であってもよいが、前記固定部の総面積、即ち接着樹脂３０のインターポーザ１０Ａ又はインターポーザ１０Ｂとの接触総面積が、インターポーザ１０Ａ又はインターポーザ１０Ｂにおける固定される面の面積の半分以下であるのが好ましい。固定部の総面積が広すぎると、インターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂが、それぞれの形状変化に互いに追従してしまうことがある。接着樹脂３０の圧着又は塗布形状の態様としては、具体的には、例えば、図７Ａに示すように、インターポーザ１０Ａ又はインターポーザ１０Ｂにおける固定される面の中央部に形成された一つの楕円形状や、図７Ｂに示すように、複数個（図７Ｂでは５個）の円形状などが挙げられる。
【００１５】
また、前記接着材として、接着樹脂３０に代えて半田ボールを使用することもでき、図７Ｃに示すように、インターポーザ１０Ａの下面（裏面）と、インターポーザ１０Ｂの上面（裏面）とに、それぞれ電気的に接続しない、不図示のランドを設け、これらのランド間に半田ボール３１を搭載し、インターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂを固定してもよい。
その後、図８に示すように、インターポーザ１０Ｂの下面（表面）におけるランド１４（図４参照）上に半田ボール１４を搭載することにより、図２に示す、実施例１の半導体装置１００を製造することができる。
【００１６】
また、リジットフレキシブル基板として、図９に示すように、全体がポリイミド樹脂からなる基板４０を使用することもでき、インターポーザ４０Ａ及び４０Ｂがフレキシブル基板４１で電気的に接続されて折り曲げ可能に形成されたものを１ｐｃｓ（ピース）として用い、図３〜図８に示す製造方法と同様な方法により、本発明の半導体装置を製造することができる。なお、インターポーザ４０Ａ、インターポーザ４０Ｂ及びフレキシブル基板４１は、その周囲に形成された開口４０Ｃにより、容易に切断可能に設けられている。
【００１７】
（実施例２）
本発明の半導体装置の第２の実施例を図１０Ａ及び図１０Ｂに示す。なお、図１０Ａは、半導体装置の垂直断面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａにおける破線で囲まれたＸ部分の拡大図である。
図１０Ａに示す半導体装置２００は、実施例１の半導体装置１００において、インターポーザ１０Ａの下面（裏面）とインターポーザ１０Ｂの上面（裏面）とが接着樹脂３０により固定される代わりに、前記接着材としてフレキシブル基板を用い、フレキシブル基板２０により電気的に接続された側面と反対側に位置する、インターポーザ１０Ａの側面とインターポーザ１０Ｂの側面とが、フレキシブル基板３２により接続固定されている。即ち、図１０Ｂに示すように、インターポーザ１０Ａの側面から突出するように設けたフレキシブル基板からなる突起部３２を折り曲げて、インターポーザ１０Ｂの下面（表面）に掛け渡し、突起部３２とインターポーザ１０Ｂとの接触面に接着樹脂３０を塗布し、突起部３２を介してインターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂを固定している。
【００１８】
実施例２の半導体装置２００においても、インターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態で固定され、フレキシブル基板２０により電気的に接続されているので、実施例１の半導体装置１００と同様、実装不良の発生を抑制し、実装ストレスを低減することができる。また、インターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂが、両端で接着固定されているので、実施例１に比して、インターポーザの一方の形状変化に対する他方の追従性が、より効果的に低減される。
【００１９】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示す、第２の実施例の半導体装置２００の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。
図１１に示すように、まず、部品を搭載するインターポーザ（リジット基板）１０Ａ及び１０Ｂがフレキシブル基板２０で電気的に接続されて折り曲げ可能に形成され、かつインターポーザ１０Ａのインターポーザ１０Ｂとは反対側に、フレキシブル基板２０を突出させて形成した突起部３２を有するものを１ｐｃｓ（ピース）とし、これが１０〜２０ｐｃｓ配列された、シート状のリジットフレキシブル基板１０における、インターポーザ１０Ａの上面（表面）に、それぞれ半導体チップ１１をダイボンディング材を用いて接着固定する。そして、インターポーザ１０Ａ上のＣｕ配線と、半導体チップ１１の電極パッドとを、Ａｕワイヤ１２により電気的に接続する。また、インターポーザ１０Ｂ上には、ランド１４Ａを形成する。
【００２０】
次いで、リジットフレキシブル基板１０を、金型内に装着して、トランスファーモールド法により、半導体チップ１１を、モールド樹脂１３により樹脂封止する。図１２に樹脂封止後のリジットフレキシブル基板１０を示す。次に、図１３に示すように、インターポーザ１０Ｂ上に半田ボール１４を搭載する。そして、クレイドル部からインターポーザ１０Ａ、インターポーザ１０Ｂ及びフレキシブル基板２０を切断し、図１４に示すように、個片化した後、図１５に示すように、フレキシブル基板２０を折り曲げ、図１６に示すように、インターポーザ１０Ａにおける、パッケージＰが形成された面の反対側に位置する面と、インターポーザ１０Ｂにおける、半田ボール１４が形成された面の反対側に位置する面とが対向するように配置する。次いで、インターポーザ１０Ａの側面から突出するように形成したフレキシブル基板２０からなる突起部３２を折り曲げて、インターポーザ１０Ｂの下面（表面）に掛け渡し、突起部３２とインターポーザ１０Ｂとの接触面に接着樹脂３０を塗布して接着し、突起部３２を介してインターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂを固定することにより、図１０Ａ及び図１０Ｂに示す、実施例２の半導体装置２００を製造することができる。
【００２１】
実施例２の半導体装置２００は、更に以下に示す様に変形が可能である。即ち、図１０Ａにおける破線部で囲まれたＸ部分に示す、インターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂの固定は、例えば、図１７Ａに示すように、フレキシブル基板２０により電気的に接続された側面と反対側に位置する、インターポーザ１０Ａの側面とインターポーザ１０Ｂの側面とから、フレキシブル基板２０を突出させて、それぞれ突起部３２Ａ及び突起部３２Ｂを形成し、突起部３２Ａの先端と突起部３２Ｂの先端とを、接着樹脂３０により接着することにより行ってもよい。
また、図１７Ｂに示すように、インターポーザ１０Ａのインターポーザ１０Ｂとは反対側に、フレキシブル基板２０を突出させて突起部３２を形成し、一方、インターポーザ１０ＢにスリットＳを形成し、突起部３２をスリットＳに差し込み、スリットＳを貫通して突出した突起部３２の先端を接着樹脂３０により接着することにより、突起部３２を介してインターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとを固定してもよい。
【００２２】
（実施例３）
本発明の半導体装置の第３の実施例を図１８Ａ及び図１８Ｂに示す。なお、図１８Ａは、半導体装置の垂直断面図であり、図１８Ｂは、図１８Ａの斜視図である。
図１８Ａに示す半導体装置３００は、ガラスエポキシ樹脂製のインターポーザ１０Ａ及びインターポーザ１０Ｂの２枚のインターポーザ（ガラスエポキシ樹脂基板）を用いて形成されたＢＧＡタイプのパッケージであり、一のインターポーザ１０Ａの上面（表面）には半導体チップ１１が載置され、ダイボンディング材により固着されている。半導体チップ１１の電極は、インターポーザ１０ＡにおけるＣｕ配線とＡｕワイヤ１２により接続されている。そして、半導体チップ１１及び半導体チップ１１の周囲におけるインターポーザ１０Ａの表面が、Ａｕワイヤ１２と共にモールド樹脂１３により樹脂封止され、半導体パッケージＰを形成している。また、インターポーザ１０Ａの下面（裏面）には半田ボール１５が形成されている。なお、インターポーザ１０Ａの上面（表面）には、半導体チップ１１の電極と接続される、図示しない電極パッドが配設されている。
一方、他のインターポーザ１０Ｂの上面（裏面）及び下面（表面）には、図１８Ｂに示すように、インターポーザ１０Ａに形成された半田ボール１５の個数及び配列に対応した複数のランド１６が形成されており、更に下面（表面）には、ランド１６にそれぞれ半田ボール１７が搭載されている。
そして、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、インターポーザ１０Ｂの裏面におけるランド１６上に、インターポーザ１０Ａにおける半田ボール１５が搭載されるように、インターポーザ１０Ａがインターポーザ１０Ｂに積層されて対向配置された状態にて固定され、電気的に接続されている。また、半導体装置３００を、半田ボール１７を介して半導体基板に実装すると、半導体チップ１１と半導体基板とが電気的に接続される。
【００２３】
実施例３の半導体装置３００においては、インターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとが、半田ボール１５により電気的に接続されると共に、半田ボール１５を介して、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて固定されているので、実施例１の半導体装置１００と同様、実装不良の発生を抑制し、実装ストレスを低減することができる。
【００２４】
（実施例４）
本発明の半導体装置を半導体基板に実装した状態の一例を図１９〜図２１に示す。
例えば、実施例１の半導体装置１００を、半導体基板４００に実装する場合、リフローによる熱ストレスが印加されると、図１９に示すように、モールド樹脂１３が膨張し、インターポーザ１０Ａに凸形状の反りが発生する。このとき、半導体装置１００においては、インターポーザ１０Ａとインターポーザ１０Ｂとが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されているので、インターポーザ１０Ｂは、インターポーザ１０Ａの反りの影響を殆ど受けず、半田ボール１４の半導体基板４００に対する未接続や、隣接ボール同士のショート等の実装不良の発生が抑制される。
【００２５】
次に、実施例１の半導体装置１００を半導体基板４００に実装した後、２次実装性試験として、「ＥＩＡＪ  ＥＤ−４７０２Ａ」（ＪＥＩＴＡ発行）に記載の方法により、半導体基板４００に対して曲げ応力を印加して曲げ試験を行う。図２０に示すように、インターポーザ１０Ｂは、インターポーザ１０Ａの形状変化に追従しない、即ち、インターポーザ１０Ａから応力を受けないため、半導体基板４００の曲げに追従可能であり、半田ボール１４に印加される応力（実装ストレス）が低減される。また、半導体基板４００の曲げに対してインターポーザ１０Ｂが追従して変形するものの、インターポーザ１０Ａは、インターポーザ１０Ｂの形状変化に追従しないため、インターポーザ１０Ａの変形が抑制される。
【００２６】
更に、２次実装性試験として、前記「ＥＩＡＪ  ＥＤ−４７０２Ａ」（ＪＥＩＴＡ発行）に記載の方法により、−２５〜１２５℃での温度サイクル試験を行う。図２１に示すように、インターポーザ１０Ｂは、インターポーザ１０Ａの形状変化に追従しない、即ち、インターポーザ１０Ａから応力を受けないため、半導体基板４００の熱伸縮に追従可能であり、例えば、半導体基板４００が、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂製基板である場合、インターポーザ１０Ｂ及び半導体基板４００の熱伸縮率が略同等であるため、半田ボール１４に印加される応力（実装ストレス）が低減される。また、半導体基板４００の熱伸縮に対してインターポーザ１０Ｂが追従して変形しても、インターポーザ１０Ａは、インターポーザ１０Ｂの形状変化に追従しないため、インターポーザ１０Ａの変形が抑制される。
【００２７】
（従来例）
従来のＢＧＡタイプの半導体パッケージの一例を図２２Ａ及び図２２Ｂに示す。
図２２Ａに示すパッケージ１においては、インターポーザ２上に半導体チップ３が搭載されており、モールド樹脂４により封止されている。また、インターポーザ２の裏面には、半田ボール５が形成されている。
このような構造を有する従来のＢＧＡタイプのパッケージにおいては、図２２Ｂに示すように、半導体基板６への実装時に、リフロー等の熱ストレスが印加されると、インターポーザ２、半導体チップ３及びモールド樹脂４等の各部材の熱伸縮率の差により、パッケージ１に凸状の反りが発生する。そして、パッケージ１の中央部では、隙間が生じることによる半田ボール５の未接続が、パッケージ１の外周部では、半田つぶれによる隣接ボール５同士のショート等が、それぞれ生じ、実装不良が発生する。
【００２８】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  少なくとも２つのインターポーザを有してなり、
一の前記インターポーザが、半導体チップが樹脂封止されてなるパッケージの一部を形成し、
他の前記インターポーザが、半導体基板に実装可能な半田ボールを有し、
一の前記インターポーザ及び他の前記インターポーザが、それぞれの形状変化に互いに追従しない状態にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
（付記２）  インターポーザ同士の電気的な接続が、フレキシブル基板を通じて行われる付記１に記載の半導体装置。
（付記３）  一のインターポーザにおける一の面の少なくとも一部と、他のインターポーザにおける一の面の少なくとも一部とが、接着材により固定された付記１から２のいずれかに記載の半導体装置。
（付記４）  接着材による固定部を複数個有する付記３に記載の半導体装置。
（付記５）  接着剤により固定された部位の総面積が、インターポーザにおける被固定面の面積の半分以下である付記３から４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）  接着材が、フィルム状及びペースト状のいずれかの接着樹脂である付記３から５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）  接着材が、半田ボールである付記３から４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記８）  半田ボールが、電気的に接続されていない、一のインターポーザにおけるランドと他のインターポーザにおけるランドとを固定する付記７に記載の半導体装置。
（付記９）  インターポーザ同士の電気的な接続が、半田ボールを通じて行われる付記１に記載の半導体装置。
（付記１０）  一のインターポーザと他のインターポーザとが対向配置され、該インターポーザ同士の離間距離が、１０μｍ以上である付記１から９のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１１）  インターポーザが、ガラスエポキシ樹脂基板及びポリイミド基板のいずれかである付記１から１０のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１２）  パッケージが、ＦＢＧＡパッケージである付記１から１１のいずれかに記載の半導体装置。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明の半導体装置は、半導体基板への実装不良及び実装ストレスによる性能低下を抑制し高性能であるため、ＢＧＡパッケージ、特にＦＢＧＡパッケージに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の半導体装置の第１の実施例（実施例１）を示す垂直断面図である。
【図２】図２は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その１）であり、上面図を表す。
【図３】図３は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その２）であり、上面図を表す。
【図４】図４は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その３）であり、上面図を表す。
【図５】図５は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その４）であり、上面図を表す。
【図６】図６は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その５）であり、垂直断面図を表す。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における、接着材による接着態様の一例を示す上面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における、接着材による接着態様の一例を示す上面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における、接着材による接着態様の一例を示す垂直断面図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その６）であり、上面図を表す。
【図９】図９は、本発明の半導体装置（実施例１）の製造方法の一例におけるインターポーザの他の態様を示す上面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の半導体装置の第２の実施例(実施例２)を示す垂直断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａにおける破線で囲まれたＸ部分の拡大図である。
【図１１】図１１は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その１）であり、上面図を表す。
【図１２】図１２は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その２）であり、上面図を表す。
【図１３】図１３は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その３）であり、上面図を表す。
【図１４】図１４は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その４）であり、上面図を表す。
【図１５】図１５は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その５）であり、上面図を表す。
【図１６】図１６は、本発明の半導体装置（実施例２）の製造方法の一例における工程を説明するための工程図（その６）であり、垂直断面図を表す。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本発明の第２の実施例（実施例２）の半導体装置の一の変形例の垂直断面図であり、一部拡大図を表す。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、本発明の第２の実施例（実施例２）の半導体装置の他の変形例の垂直断面図であり、一部拡大図を表す。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本発明の半導体装置の第３の実施例（実施例３）を示す垂直断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、本発明の半導体装置の第３の実施例（実施例３）を示す斜視図である。
【図１９】図１９は、本発明の半導体装置（実施例１）の半導体基板への実装時の状態の一例を示す垂直断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の半導体装置（実施例１）の２次実装性試験（曲げ試験）後の状態の一例を示す垂直断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の半導体装置（実施例１）の２次実装性試験（温度サイクル試験）後の状態の一例を示す垂直断面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、従来の半導体装置を示す垂直断面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、従来の半導体装置の半導体基板への実装時の状態の一例を示す垂直断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０                    リジットフレキシブル基板
１０Ａ                  インターポーザ
１０Ｂ                  インターポーザ
１１                    半導体チップ
１２                    Ａｕワイヤ
１３                    モールド樹脂
１４                    半田ボール
１４Ａ，１６            ランド
１５，１７              半田ボール
２０                    フレキシブル基板
３０                    接着樹脂
３１                    半田ボール
３２                    突起部
１００，２００，３００  半導体装置
４００                  半導体基板
Ｐ                      パッケージ
Ｓ                      スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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