(57)【要約】【課題】簡易な構成で、表示品位のみならず、ＣＲ視野角特性、γ視野角特性、及び表示均一性が改善されたＦＦＳモードの液晶表示装置を提供する。【解決手段】互いに対向して配置された一対の第１の基板（１２）及び第２の基板（１２）と、該一対の基板の少なくとも一方の基板（１２）上に絶縁層（２０ａ、２０ｂ））を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極（１８）と共通電極（１６）と、前記一対の基板間に電圧無印加状態で、液晶分子（１４）が基板面に略平行に配向する液晶層と、該液晶層を挟持して配置された一対の偏光板（２２）とを有し、前記画素電極（１８）及び共通電極（１６）によって形成された電界により液晶層の配向を制御するＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶表示装置であって、前記絶縁層（２０ａ、２０ｂ）の膜厚が一画素内又は副画素間で異なる、又は前記絶縁層（２０ａ、２０ｂ）の誘電率が一画素内又は副画素間で異なる、ことを特徴とする液晶表示装置である。【選択図】  図１
2007279478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された一対の第１の基板及び第２の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極と共通電極と、前記一対の基板間に電圧無印加状態で、液晶分子が基板面に略平行に配向する液晶層と、該液晶層を挟持して配置された一対の偏光板とを有し、前記画素電極及び共通電極によって形成された電界により液晶層の配向を制御するＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶表示装置であって、
前記絶縁層の膜厚が一画素内又は副画素間で異なることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
互いに対向して配置された一対の第１の基板及び第２の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極と共通電極と、前記一対の基板間に電圧無印加状態で、液晶分子が基板面に略平行に配向する液晶層と、該液晶層を挟持して配置された一対の偏光板とを有し、前記画素電極及び共通電極によって形成された電界により液晶層の配向を制御するＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶表示装置であって、
前記絶縁層の誘電率が一画素内又は副画素間で異なることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記偏光板が、偏光フィルムと該偏光フィルムの少なくとも一方の面に設けられた保護フィルムとを有し、該保護フィルムの遅相軸が前記偏光フィルムの吸収軸又は前記液晶層の平均の配向制御方向の少なくとも一方と交差し、かつ、前記保護フィルムが下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである請求項１又は２に記載の液晶表示装置：
（Ｉ）  ０≦｜Ｒｅ（６３０）｜≦１０、かつ、０≦｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（ＩＩ）  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す。
【請求項４】
前記偏光板が、偏光フィルムと該偏光フィルムの少なくとも一方の面に設けられた保護フィルムとを有し、該保護フィルムの遅相軸が前記偏光フィルムの吸収軸又は前記液晶層の平均の配向制御方向の少なくとも一方と交差し、かつ、前記保護フィルムが、該保護フィルムの膜厚方向のＲｔｈが下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有するセルロースアシレートフィルムである請求項１又は２に記載の液晶表示装置：
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有した保護フィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該保護フィルムであって、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、フィルム原料ポリマーの重量に対するＲｈｔを低下させる化合物の質量（％）を表す。
【請求項５】
前記偏光板と前記液晶層との間に少なくとも１層の光学異方性層が配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記光学異方性層が、棒状液晶性化合物を含有する組成物からなる請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層が、選択波長フィルタとしての機能も有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層が、位相差を有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、水平方向に配向したネマチック液晶に横方向の電界を印加することにより表示を行うインプレーンスイッチングモード、特にＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）と呼ばれる横電界スイッチングモードの液晶表示装置の特性改善に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置としては、二枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶分子による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性分子がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性分子を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。
【０００３】
かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向させ、且つパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、ＴＶ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。
【０００４】
この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時における液晶層レターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示又は中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。
また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコティック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や、光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。
しかし、根本的なＩＰＳの課題として、透過率が他のモードに比較して低いということがあり、これを改善する方式として、従来メタル電極を用いていたものを、透明電極（ＩＴＯ）にする方式などが提案された（特許文献８）。さらに、透過率を改善する方法として、新たにフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）（特許文献９〜１１）が提案された。しかし、本方式においても表示品位は完璧ではなく、視野角特性、階調γ視野角特性等の改善が望まれている。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−８０４２４号公報
【特許文献２】特開平１０−５４９８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２０２３２３号公報
【特許文献４】特開平９−２９２５２２号公報
【特許文献５】特開平１１−１３３４０８号公報
【特許文献６】特開平１１−３０５２１７号公報
【特許文献７】特開平１０−３０７２９１号公報
【特許文献８】特許第３４６５８３５号
【特許文献９】特許第３１１４０６５号
【特許文献１０】ＵＳＰ６，３８８，７２６Ｂ
【特許文献１１】特許第３４６５８３５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記提案された方式の多くは、液晶セル中の液晶の複屈折の異方性を打ち消して視野角を改善する方式であるために、直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを十分に解決できないという問題がある。また、この光漏れを補償できるとされる方式でも、液晶セルを完全に光学的に補償することは非常に難しい。さらに、延伸複屈折ポリマーフィルムで光学補償を行うＦＦＳモード液晶セル用光学補償シートでは、複数のフィルムを用いる必要があり、その結果、光学補償シートの厚さが増し、表示装置の薄形化に不利である。また、延伸フィルムの積層には粘着層を用いるため、温湿度変化により粘着層が収縮してフィルム間の剥離や反りといった不良が発生することがあった。
また、ＦＦＳモードに関しては、ＩＰＳモードに比較して、電極間隙が狭いため、横電界が不均一であり、電極近傍の斜め電界により面内スイッチング（ＩＰＳ）しないで傾斜スイッチングするため、スイッチング効率が悪いという問題がある。さらに、ＩＰＳモードは液晶分子が略面内スイッチングするため、γ視野角特性（傾斜方位での色再現性）には優れているが、ＦＦＳは液晶分子が斜め及び斜め方向にスイッチングするため、γ視野角特性に劣るという問題があった。
【０００７】
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、簡易な構成で、表示品位のみならず、ＣＲ視野角特性、γ視野角特性、及び表示均一性が改善されたＦＦＳモードの液晶表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段は以下の通りである。
［１］  互いに対向して配置された一対の第１の基板及び第２の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極と共通電極と、前記一対の基板間に電圧無印加状態で、液晶分子が基板面に略平行に配向する液晶層と、該液晶層を挟持して配置された一対の偏光板とを有し、前記画素電極及び共通電極によって形成された電界により液晶層の配向を制御するＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶表示装置であって、
前記絶縁層の膜厚が一画素内又は副画素間で異なることを特徴とする液晶表示装置。
［２］  互いに対向して配置された一対の第１の基板及び第２の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極と共通電極と、前記一対の基板間に電圧無印加状態で、液晶分子が基板面に略平行に配向する液晶層と、該液晶層を挟持して配置された一対の偏光板とを有し、前記画素電極及び共通電極によって形成された電界により液晶層の配向を制御するＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶表示装置であって、
前記絶縁層の誘電率が一画素内又は副画素間で異なることを特徴とする液晶表示装置。
［３］  前記偏光板が、偏光フィルムと該偏光フィルムの少なくとも一方の面に設けられた保護フィルムとを有し、該保護フィルムの遅相軸が前記偏光フィルムの吸収軸又は前記液晶層の平均の配向制御方向の少なくとも一方と交差し、かつ、前記保護フィルムが下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムである［１］又は［２］の液晶表示装置：
（Ｉ）  ０≦Ｒｅ（６３０）≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（ＩＩ）  ｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す。
［４］  前記偏光板が、偏光フィルムと該偏光フィルムの少なくとも一方の面に設けられた保護フィルムとを有し、該保護フィルムの遅相軸が前記偏光フィルムの吸収軸又は前記液晶層の平均の配向制御方向の少なくとも一方と交差し、かつ、前記保護フィルムが、該保護フィルムの膜厚方向のＲｔｈが下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有するセルロースアシレートフィルムである［１］又は［２］の液晶表示装置：
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０
式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有した保護フィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該保護フィルムであって、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、フィルム原料ポリマーの重量に対するＲｈｔを低下させる化合物の質量（％）を表す。
［５］  前記偏光板と前記液晶層との間に少なくとも１層の光学異方性層が配置されている、［１］〜［４］のいずれかの液晶表示装置。
［６］  前記光学異方性層が、棒状液晶性化合物を含有する組成物からなる［５］の液晶表示装置。
［７］  前記絶縁層が、選択波長フィルタとしての機能も有する［１］〜［６］のいずれかの液晶表示装置。
［８］  前記絶縁層が、位相差を有する［１］〜［７］のいずれかの液晶表示装置。
［９］  前記液晶層が、負の誘電率異方性を有する［１］〜［８］のいずれかの液晶表示装置。
【０００９】
本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
測定されるフィルムが１軸または２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は、前記Ｒｅ（λ）を面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、フィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
【００１０】
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１）及び式（２）よりＲｔｈを算出することもできる。
【００１１】
【数１】
2007279478.tif 000003
Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２  −  ｎｚ）  ｘ  ｄ            −−−式（２）
注記：
上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。式中、ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表す。
【００１２】
測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ  ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）が算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨまたはＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ，ｎｙ，ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。
【００１３】
また、本明細書において、特に述べない限り、例えば、「４５°」、「平行」あるいは「垂直」とは、厳密な角度±５度未満の範囲内であることを意味する。すなわち、略４５度、略平行、略垂直の意である。厳密な角度との誤差は、４度未満であることが好ましく、３度未満であることがより好ましい。また、角度について、「＋」は時計周り方向を意味し、「−」は反時計周り方向を意味するものとする。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。また、「可視光領域」とは、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍのことをいう。さらに屈折率の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５５０ｎｍでの値である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、一画素内に異なる印加電圧―透過率（Ｖ−Ｔ）特性を示す複数のドメインを形成することにより、又はＲＧＢ各副画素でＶ−Ｔ特性を異ならせることにより、液晶表示装置の表示品位を向上させ、高輝度、広視野角、優れたγ階調視野角特性を示すＦＦＳモードの液晶表示装置を提供している。
【発明の実施の形態】
【００１５】
以下において、本発明を詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
以下、本発明の液晶表示装置の構成について図面を用いて説明する。
図１は、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の一例の断面模式図であり、閾値以上の電圧を印加したＯＮ状態を示す。図１に示すＦＦＳモードの液晶表示装置は、一対の透明基板１２と、その間に配置された棒状液晶性分子１４を含む液晶層とを有する。一方の透明基板１２の対向面には、共通電極１６と複数の画素電極１８とが配置され、その間に絶縁層２０ａ、２０ｂを介して配置されている。液晶表示装置には、一画素内に互いに厚さの異なる絶縁層２０ａ及び２０ｂが形成されていて、一画素内に、厚さが相対的に大きい絶縁層２０ａが配置された低閾値のドメインａ、及び厚さが相対的に小さい絶縁層２０ｂが配置された高閾値のドメインｂを含んでいる。また、一対の基板１２の外側には、一対の偏光板２２が吸収軸を互いに直交にして配置されている。
【００１６】
共通電極１６はパターニングされていない電極でも、線状などの電極でもよい。透明な材料からなる電極層であるのが好ましく、ＩＴＯ電極等が好ましい。上層に配置される画素電極１８は線状が好ましいが、下層に配置される共通電極１６からの電界が通過できる形状であれば、網目状、スパイラル状及び点状などいずれでもよい。また、電位が中立なフローティング電極をさらに追加してもよい。図２（ａ）及び（ｂ）に、画素電極１８の構成例を示す。画素電極１８は、図２（ａ）に示す通り、複数の線状電極層がパラレルに配置された構成であってもよいし、図２（ｂ）に示す通り、配向方向が異なるドメインを形成可能なように、複数の線状電極層が、ラビング方向に対して±θ（例えばθは１０°程度）で配置された構成であってもよい。棒状液晶性分子を傾斜した状態で回転させてスイッチングするためには、線状電極層の間隔は1〜３０μｍ程度とするのが好ましく、より好ましくは２〜１０μｍである。
【００１７】
絶縁層２０ａ及び２０ｂは、ＳｉＯ2等の酸化物、ＳｉＮ等の窒化物の無機系材料からなっていてもよいし、アクリルやエポキシ系等の有機材料系のでものいずれでもよい。一画素内に閾値特性の異なるドメインを複数形成するためには、絶縁層２０ａと２０ｂとの層厚の差は、０．１〜４μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１．５μｍ程度であるのがより好ましい。ただし、絶縁層の材質によって、層厚差の好ましい範囲は変動するので、この限りではない。また、厚さの異なる絶縁層を形成する方法については特に限定されない。例えば、一旦、厚さが均一な絶縁層を形成した後、フォトリソグラフィーとエッチング工程（ドライ、ウェット）等の処理を施すことによって、一画素内に異なる膜厚の絶縁層を形成することができる。その他、ＴＦＴを形成しているＴＦＴのゲート絶縁膜（一般にはＳiＮ）を局所的にエッチングする技術を利用して、本発明における対向電極と画素電極間の絶縁膜厚を変える等により、互いに異なる膜厚の絶縁層を形成してもよい。
【００１８】
電圧無印加のＯＦＦ状態では、液晶層中の棒状液晶性分子１４（ここでは正の誘電率異方性を有すると仮定する）は、基板１２の対向面に形成された配向膜（不図示）のラビング方向に対して分子の長軸方向を一致させて水平配向している。閾値以上の電圧を印加したＯＮ状態（図１）では、複数の線状の電極層からなる画素電極１８によって、基板１２に対して水平方向の電界が形成され、棒状液晶性分子１４はその長軸方向を電界の方向と一致させて配向するようになる。しかし、画素電極層１６の近傍に位置する液晶性分子１４は、その配向が画素電極層１６によって乱され、基板平面に対して所定の傾斜角度で配向する。このことが、従来のＦＦＳモードのγ視野角特性の低下の原因となっていた。図１の液晶表示装置は、一画素内に、閾値特性が異なるドメインａとドメインｂとを含んでいるので、棒状液晶性分子１４の配向の傾斜角、及び電界に対する長軸の配向方向の乱れが、各ドメインで異なる。その結果、観察方位に依存した液晶層の光学特性の変化が平均化され、従来のＦＦＳモードの液晶表示装置と比較してγ視野角特性が格段に改善されている。
【００１９】
図３に、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の他の例の断面模式図を示す。図３も図１と同様、閾値以上の電圧を印加したＯＮ状態を示している。また、図１中と同一の部材について同一の番号を付し、詳細な説明は省略するが、偏光板２２は、図中省略した。図４〜図７においても同様である。図３に示すＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＲＧＢ画素間の閾値特性が互いに異なる例である。具体的には、図３中、Ｒ画素１０Ｒ、Ｇ画素１０Ｇ及びＢ画素１０Ｂは、それぞれ、異なる膜厚の絶縁層２０ｒ、２０ｇ及び２０ｂを含んでいるので、閾値特性が互いに異なる。したがって、上記と同様に、ＲＧＢ各画素間で、ＯＮ状態における棒状液晶性分子１４の配向の傾斜角、及び電界に対する長軸の配向方向の乱れが異なり、その結果、観察方位に依存した液晶層の光学特性の変化が平均化され、γ視野角特性が改善されている。
【００２０】
図４は、図３の構成において、絶縁層そのものをカラーフィルタのＲＧＢ層として利用した例である。具体的には、Ｒ画素１０Ｒ’、Ｇ画素１０Ｇ’及びＢ画素１０Ｂ’は、それぞれ、異なる膜厚の絶縁層２０ｒ’、２０ｇ’及び２０ｂ’を含んでいる。絶縁層２０ｒ’、２０ｇ’及び２０ｂ’は、それぞれＲ、Ｇ、Ｂに着色された着色層であり、カラーフィルタを構成している。図４に示す液晶表示装置によれば、図３と同様の効果が得られるとともに、カラーフィルタの形成と絶縁層の形成とを同時にできるので、生産性の点でも有利である。絶縁層２０ｒ’、２０ｇ’及び２０ｂ’は、例えば、色素、顔料等の色材をポリマー等に混合した組成物から形成することができる。
【００２１】
図５に、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の他の例の断面模式図を示す。図５は、絶縁層の誘電率を変えることによって、一画素内に閾値特性が異なるドメインを複数形成した液晶表示装置の一例である。具体的には、図４に示す液晶表示装置は、一画素内に互いに誘電率が異なる絶縁層２０ａ’及び２０ｂ’が形成されていて、一画素内に、誘電率が相対的に小さい絶縁層２０ａ’が配置された低閾値のドメインａ’、及び誘電率が相対的に大きい絶縁層２０ｂ’が配置された高閾値のドメインｂ’を含んでいる。一画素内に、閾値特性が異なるドメインａ’とドメインｂ’とを含んでいるので、上記と同様、ＯＮ状態における棒状液晶性分子１４の配向の傾斜角、及び電界に対する長軸の配向方向の乱れが、各ドメインで異なり、その結果、観察方位に依存した液晶層の光学特性の変化が平均化され、γ視野角特性が改善されている。
【００２２】
なお、各ドメインに含まれる絶縁層の誘電率の差については、特に制限はないが、閾値特性が異なるドメインとするためには、各ドメインに含まれる絶縁層の誘電率の差は、２〜７程度であるのが好ましい。例えば、高誘電率の材料としては、チッ化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン等が挙げられ、低誘電率の材料としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらの例に限定されるものではない。
【００２３】
図６に、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の他の例の断面模式図を示す。ＲＧＢ画素間の閾値特性が互いに異なる例である。具体的には、図６中、Ｒ画素１０Ｒ”、Ｇ画素１０Ｇ”及びＢ画素１０Ｂ”は、それぞれ、異なる誘電率を示す絶縁層２０ｒ”、２０ｇ”及び２０ｂ”を含んでいるので、閾値特性が互いに異なる。したがって、上記と同様に、ＲＧＢ各画素間で、ＯＮ状態における棒状液晶性分子１４の配向の傾斜角、及び電界に対する長軸の配向方向の乱れが異なり、その結果、観察方位に依存した液晶層の光学特性の変化が平均化され、γ視野角特性が改善されている。
【００２４】
図７は、図６の構成において、絶縁層そのものをカラーフィルタのＲＧＢ層として利用した例である。具体的には、Ｒ画素１０Ｒ’’’、Ｇ画素１０Ｇ’’’及びＢ画素１０Ｂ’’’は、それぞれ、異なる膜厚の絶縁層２０ｒ’’’、２０ｇ’’’及び２０ｂ’’’を含んでいる。絶縁層２０ｒ’’’、２０ｇ’’’及び２０ｂ’’’は、それぞれＲ、Ｇ、Ｂに着色された着色層であり、カラーフィルタを構成している。図４に示す液晶表示装置によれば、図６と同様の効果が得られるとともに、カラーフィルタの形成と絶縁層の形成とを同時にできるので、生産性の点でも有利である。絶縁層２０ｒ’’’、２０ｇ’’’及び２０ｂ’’’は、例えば、色素、顔料等の色材を誘電率の異なるポリマー等にそれぞれ混合した組成物から形成することができる。
【００２５】
なお、図１、図３〜図７には、最も単純な構成を示したが、いずれの構成においても、閾値特性が異なるより多くのドメインを含む構成であっても、同様の効果が得られる。また、副画素はＲＧＢ副画素に限定されず、ＲＧＢＷ副画素等の他の態様であっても同様の効果が得られる。
【００２６】
本発明の液晶表示装置は、図１〜７に示す構成に限定されず、例えば、液晶セルと偏光フィルムとの間にカラーフィルタを配置してもよい。また、後述する様に、液晶セルと偏光板との間に、さらに、別の光学補償膜を配置することもできる。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。また、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、本発明の偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を設置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。
【００２７】
本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、ＴＦＴやＭＩＭのような３端子又は２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるＳＴＮ型に代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。
【００２８】
以下、本発明の液晶表示装置の種々の部材に用いられる材料や製造方法等について説明する。
［液晶層］
液晶層に用いられる液晶材料は、ネマチック液晶であれば、特に限定したものではない。誘電率異方性△εは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、屈折率異方性△ｎは小さいほうが液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることができる。ＦＦＳモードには、一般的には、誘電率異方性△εが正のネマチック液晶が用いられているが、本発明では、負のネマチック液晶材料を用いてもよく、特に限定されない。
【００２９】
本発明では、液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは、０．２〜１．２μｍ程度であり、０．２〜０．５μｍとするのが好ましい。こられの範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い画像が得られる。なお、上記範囲は、透過モードにおける好ましい範囲であり、反射モードでは液晶セル内の光路が２倍になることから、好ましいΔｎｄの範囲は上記の１／２程度の値になる。液晶層の厚み（ギャップ）については特に制限はないが、一般的には、２．５μｍ〜４．５μｍ程度である。上記範囲であると、可視光の範囲内で波長依存性が殆どない透過率特性がより容易に得られる。後述の配向膜と偏光板の組み合わせにより、液晶性分子がラビング方向から電界方向に４５度回転したとき最大透過率を得ることができる。なお、液晶層の厚み（ギャップ）はポリマビーズで制御してもよい。もちろんガラスビーズやファイバー、樹脂製の柱状スペーサでも同様のギャップを得ることができる。
【００３０】
本発明の液晶表示装置では、偏光板の保護フィルムの遅相軸と、偏光フィルムの吸収軸とを所定の関係とすることで、液晶表示装置の視野角がより改善される。さらに、偏光板と液晶セルとの間に光学補償膜を配置することにより、さらにより視野角を改善される。光学補償膜については、特に制限されず、光学補償能を有する限り、如何なる構成であってもよい。例えば、複屈折性の高分子フィルムや、透明支持体と該透明支持体上に形成された液晶性分子からなる光学補償膜の積層体などが挙げられる。後者の態様においては、偏光板の液晶層に近い側の保護フィルムが、前記光学補償膜の支持体を兼ねていてもよい。
【００３１】
［偏光板］
本発明では、偏光フィルムと該偏光フィルムを挟持する一対の保護フィルム又は該偏光板の少なくとも片面に設けられた保護フィルムとを有する偏光板を用いてもよい。例えば、ポリビニルアルコールフィルム等からなる偏光フィルムをヨウ素にて染色し、延伸を行い、その両面を保護フィルムにて積層して得られる偏光板を用いることができる。偏光板は液晶セルの外側に配置される。偏光フィルムと該偏光フィルムを挟持する一対の保護フィルムとからなる一対の偏光板を、液晶セルを挟持して配置させるのが好ましい。
【００３２】
［偏光フィルム］
偏光フィルムには、ヨウ素系偏光フィルム、二色性染料を用いる染料系偏光フィルムやポリエン系偏光フィルムがある。ヨウ素系偏光フィルム及び染料系偏光フィルムは、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。
【００３３】
また、偏光板の生産性の向上にとって保護フィルムの透湿性は、重要である。すなわち、偏光フィルムと保護フィルムは水系接着剤で貼り合わせられており、この接着剤溶剤は保護フィルム中を拡散することによって乾燥される。保護フィルムの透湿性が高ければ、高いほど乾燥は早くなり、生産性は向上するが、高くなりすぎると、液晶表示装置の使用環境（高湿下）により、水分が偏光フィルム中に入ることで偏光能が低下する傾向にある。
【００３４】
本発明に用いる偏光フィルムは、その吸収軸が長手方向に対して所定の角度を有しているのが好ましい。偏光フィルムの吸収軸が長手方向に対して所定の角度を有していると、遅相軸が長手方向と一致している保護フィルムと貼り合せる際に、ロールｔｏロールで容易に貼り合わせることができる。例えば、特開２００３−２０７６２８号公報に記載されているように長尺状に作製した偏光フィルムの両面に、長尺状に作製した一対の保護フィルムを貼り合せて、長尺状の積層体を得、所望の大きさに裁断（打ち抜き）する工程を経て、得率よく単板の偏光板を得ることができる。
【００３５】
本発明の液晶表示装置に用いる偏光板は、偏光フィルムと、偏光フィルムの少なくとも一方の面に設けられた保護フィルムとを有し、該保護フィルムが、下記（１）又は（２）のいずれかの条件を満たすものであるのが好ましい。
（１）下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルム
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５。
（上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す。）
（２）保護フィルムの膜厚方向のＲｔｈが下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有する、セルロースアシレートフィルム
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．０１≦Ａ≦３０。
（式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒｔｈ（Ａ）は、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有した保護フィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ（０）は、該保護フィルムであって、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、フィルム原料ポリマーの重量に対するＲｈｔを低下させる化合物の重量（％）を表す。）
ここで、フィルム原料のポリマーとは、フィルムを構成する主要成分の原料ポリマーをいい、例えば、セルロースアシレートが挙げられる。
【００３６】
以下、本発明において、偏光板の保護フィルムとして好ましいセルロースアシレートフィルムについて詳細に説明する。
セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあげられ、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができる。
【００３７】
本発明で用いることができるセルロースアシレートは、例えば、セルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数２〜２２のアセチル基のいずれも用いることができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートのセルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースを水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度が得られる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することができる。
【００３８】
前記セルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることが好ましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがより好ましく、２．８５〜３．００であることがさらに好ましい。
【００３９】
セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく、単一でも２種類以上の混合物でもよい。例えば、セルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステル、芳香族カルボニルエステル及び芳香族アルキルカルボニルエステル等が挙げられる。これらは、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、へプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、ｉｓｏ−ブタノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。これらの中でも、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。
【００４０】
上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基、プロピオニル基及びブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２．５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下できる。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらに好ましくは２．６５〜３．００である。
【００４１】
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が一定以下とすることによりセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になるのをより効果的に防止することができる。重合度を一定以上とすることにより、作製したフィルムの強度が低下してしまうのをより効果的に防止できる。平均重合度は、例えば、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。この方法は、特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。
【００４２】
低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。前記セルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。
【００４３】
前記保護フィルムとして用いるセルロースアシレートフィルムを作製する際は、置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であるセルロースアシレートから、１種を又は異なる２種類以上を選択して作製するのが好ましい。
【００４４】
前記セルロースアシレートフィルムを作製するのに用いるセルロースアシレート溶液には、各調製工程において種々の添加剤（例えば、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加してもよいが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、膜厚方向のＲｔｈが上記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有することが好ましい。
上記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）は
（ＩＩＩ−Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ＩＶ−Ｉ）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらに好ましい。
【００４５】
セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物について説明する。フィルム中のセルロースアシレートが面内及び膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いることによって、光学異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近いフィルムを作製することができる。ここで、ゼロに近くなるとは、例えば、任意のある波長で±２ｎｍ以下をいう。このためには光学異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。
【００４６】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内及び膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７以下の化合物を採用することにより、セルロースアシレートとの相溶性がよりよくなり、フィルムの白濁や粉吹きをより効果的に防止することができる。また、ｌｏｇＰ値が０以上の化合物を採用することにより、親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性が悪化してしまうのをより効果的に防止できる。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９）．）、Ｂｒｏｔｏ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−  Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４）．）などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７）．）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が所定の範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。
【００４７】
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有してもよいし、含有しなくてもよい。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０〜３０００であることが好ましく、１７０〜２０００であることがより好ましく、２００〜１０００であることがさらに好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であってもよいし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【００４８】
光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０〜９９％となるよう存在するのが好ましい。光学異方性を低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面及び中心部の化合物量を測定して求めることができる。
【００４９】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
光学異方性を低下させる化合物の第一の例は、下記一般式（１３）で表される化合物である。
【００５１】
【化１】
2007279478.tif 000004
上記一般式（１３）中、Ｒ11はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基及びスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基及びスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔ−アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ビシクロオクチル基、ノニル基、アダマンチル基、デシル基、ｔ−オクチル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、ジデシル基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、トリフェニルフェニル基）が特に好ましい。
以下に、一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、これらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｐｒiはイソプロピル基を意味する（以下、同じ）。
【００５２】
【化２】
2007279478.tif 000005
【００５３】
【化３】
2007279478.tif 000006
【００５４】
【化４】
2007279478.tif 000007
【００５５】
【化５】
2007279478.tif 000008
一般式（１８）中、Ｒ14はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ15及びＲ16はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ14は、フェニル基又は、環状アルキル基が好ましい。Ｒ15及びＲ16は、それぞれ、フェニル基又はアルキル基が好ましい。アルキル基としては、環状アルキル基及び直鎖のアルキル基のいずれも好ましい。
これらの基は、置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基及びスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基及びスルホンアミド基が特に好ましい。
一般式（１８）で表される化合物は、より好ましくは一般式（１９）で表される化合物である。
【００５６】
【化６】
2007279478.tif 000009
一般式（１９）中、Ｒ114、Ｒ115及びＲ116はそれぞれ独立にアルキル基又はアリール基を表す。アルキル基は、環状アルキル基及び直鎖のアルキル基のいずれも好ましいく、アリール基はフェニル基が好ましい。
以下に、一般式（１８）（及び一般式（１９））で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、これらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｂｕiはイソブチル基を意味する。
【００５７】
【化７】
2007279478.tif 000010
【００５８】
【化８】
2007279478.tif 000011
【００５９】
【化９】
2007279478.tif 000012
【００６０】
【化１０】
2007279478.tif 000013
【００６１】
【化１１】
2007279478.tif 000014
【００６２】
【化１２】
2007279478.tif 000015
【００６３】
【化１３】
2007279478.tif 000016
【００６４】
【化１４】
2007279478.tif 000017
【００６５】
【化１５】
2007279478.tif 000018
【００６６】
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。前記セルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（ＶＩＩ）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を、下記式（Ｖ）、（ＶＩ）を満たす範囲で少なくとも１種含有することが好ましい。
（ＶＩＩ）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
（Ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（ＶＩ）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（Ｖ）、（ＶＩ）は
（Ｖ−Ｉ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（ＶＩ−Ｉ）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがより好ましく、
（Ｖ−ＩＩ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（ＶＩ−ＩＩ）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらに好ましい。
上記の波長分散調整剤は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜及び｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。
【００６７】
セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。
【００６８】
従って上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。
【００６９】
また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜及び｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。前記セルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％〜９５％であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが好ましい。
【００７０】
上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましく、より好ましくは２６０〜８００であり、さらに好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であってもよいし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。
【００７１】
波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
【００７２】
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートに対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％であることがより好ましく、０．２〜１０質量％であることが特に好ましい。
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
また、これら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【００７３】
本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００７４】
ベンゾトリアゾール系化合物としては下記一般式（１０１）で示されるものが波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【００７５】
一般式（１０１）
Ｑ11−Ｑ12−ＯＨ
（一般式（１０１）中、Ｑ11は含窒素芳香族ヘテロ環を表し、Ｑ12は芳香族環を表す。）
【００７６】
Ｑ11は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５〜７員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５又は６員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンゾセレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ナフトチアゾール環、ナフトオキサゾール環、アザベンズイミダゾール環、プリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアザインデン環、テトラザインデン環等があげられ、さらに好ましくは、５員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール環である。
【００７７】
Ｑ12で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環は、好ましくは炭素数６〜３０の単環又は２環の芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜２０の単環又は２環の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の単環又は２環の芳香族炭化水素環であり、最も好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環は、好ましくは窒素原子又は硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ12で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ12は置換基を有してもよく、置換基としては、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００７８】
一般式（１０１）は、好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
【００７９】
一般式（１０１−Ａ）
【化１６】
2007279478.tif 000019
【００８０】
（一般式（１０１−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、及びＲ8はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００８１】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、及びＲ9はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1及びＲ3は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。
【００８２】
Ｒ2及びＲ4は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００８３】
Ｒ5及びＲ8は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００８４】
Ｒ6及びＲ7は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【００８５】
一般式（１０１）は、より好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
【００８６】
一般式（１０１−Ｂ）
【化１７】
2007279478.tif 000020
一般式（１０１−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6及びＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００８７】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、下記具体例に限定されるものではない。
【００８８】
【化１８】
2007279478.tif 000021
【００８９】
【化１９】
2007279478.tif 000022
【００９０】
以上例に挙げたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに前記セルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【００９１】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
【００９２】
一般式（１０２）
【化２０】
2007279478.tif 000023
（一般式（１０２）中、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ、芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子又は置換基を表す。）、酸素原子又は硫黄原子を表す。）
【００９３】
Ｑ1又はＱ2で表される芳香族環は、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ1及びＱ2で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環又は二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1及びＱ2で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ1又はＱ2で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは置換又は無置換のベンゼン環である。
Ｑ1又はＱ2は、さらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【００９４】
ＸはＮＲ（Ｒは水素原子又は置換基を表す。置換基としては上述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基はさらに置換してもよい。）、又は酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
【００９５】
一般式（１０２）は、好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
【００９６】
一般式（１０２−Ａ）
【化２１】
2007279478.tif 000024
【００９７】
（一般式（１０２−Ａ）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、及びＲ29はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００９８】
Ｒ21、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ28、及びＲ29はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【００９９】
Ｒ21、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ28、及びＲ29は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１００】
Ｒ22として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【０１０１】
Ｒ27として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。
【０１０２】
一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
【０１０３】
一般式（１０２−Ｂ）
【化２２】
2007279478.tif 000025
【０１０４】
（一般式（１０２−Ｂ）中、Ｒ10は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表す。）
【０１０５】
Ｒ10は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ10として好ましくは、アルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数５〜１２のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換又は無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。
【０１０６】
一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、下記具体例に限定されるものではない。
【０１０７】
【化２３】
2007279478.tif 000026
【０１０８】
【化２４】
2007279478.tif 000027
【０１０９】
【化２５】
2007279478.tif 000028
【０１１０】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
【０１１１】
一般式（１０３）
【化２６】
2007279478.tif 000029
（一般式（１０３）中、Ｑ31及びＱ32はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ31及びＸ32はそれぞれ、水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ31及びＱ32で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
【０１１２】
芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環又は２環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環であり、最も好ましくはベンゼン環である。
【０１１３】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０１１４】
Ｑ31及びＱ32で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ31及びＱ32はさらに置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましい。
【０１１５】
Ｘ31及びＸ32は水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ31及びＸ32で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ31及びＸ32はで表される置換基はさらに他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ31及びＸ32はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０１１６】
Ｘ31及びＸ32として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基及びこれらを組み合せたもの）である。
【０１１７】
一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
【０１１８】
一般式（１０３−Ａ）
【化２７】
2007279478.tif 000030
（一般式（１０３−Ａ）中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39及びＲ30はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ31及びＸ32は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０１１９】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39及びＲ30はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１２０】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39及びＲ30は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１２１】
Ｒ33及びＲ38は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０１２２】
一般式（１０３）は、より好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
【０１２３】
一般式（１０３−Ｂ）
【化２８】
2007279478.tif 000031
【０１２４】
（一般式（１０３−Ｂ）中、Ｒ33及びＲ38は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ33は水素原子、又は置換基を表す。）
【０１２５】
Ｘ33は、水素原子、又は置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合はさらに置換基で置換されてもよい。Ｘ33は、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ301（Ｒ301は、炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基及びこれらを組み合せたもの））である。
【０１２６】
一般式（１０３）としてさらに好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
【０１２７】
一般式（１０３−Ｃ）
【化２９】
2007279478.tif 000032
【０１２８】
（一般式（１０３−Ｃ）中、Ｒ33及びＲ38は、一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ302は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０１２９】
Ｒ302は、好ましくはＲ33及びＲ38の両方が水素原子の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０１３０】
Ｒ302は、好ましくはＲ33及びＲ38が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。
【０１３１】
一般式（１０３）で表される化合物はＪｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０１３２】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、下記具体例に限定されるものではない。
【０１３３】
【化３０】
2007279478.tif 000033
【０１３４】
【化３１】
2007279478.tif 000034
【０１３５】
【化３２】
2007279478.tif 000035
【０１３６】
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素（シリカ）、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０１３７】
これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次、２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。
【０１３８】
二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０１３９】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０１４０】
本発明において２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子がさらに再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がさらに好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ2あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇがさらに好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。
【０１４１】
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。例えば、炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が挙げられる。溶媒は１種類でもよいし、２種類以上を併用してもよい。
【０１４２】
上記の光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤の他に、前記セルロースアシレートフィルムには、種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加してもよいが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。さらにまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【０１４３】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらに好ましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がさらに好ましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。
【０１４４】
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、及び炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトン及び、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトン及びエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及びＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０１４５】
以上本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としてもよいし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としてもよく、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【０１４６】
その他、前記セルロースアシレート溶液及びその溶媒、その溶解方法等については、以下の公報に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号各公報などに記載されている。これらの公報には、セルロースアシレート溶液を調製するのに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０１４７】
前記セルロースアシレート溶液（ドープ）を調製する際に利用する溶解方法については特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。
【０１４８】
本発明で用いるセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。
【０１４９】
次に、前記セルロースアシレート溶液を用いたセルロースアシレートフィルムの製造方法について述べる。本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いることができる。例えば、溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。さらに、本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、偏光フィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。
【０１５０】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃、９０％ＲＨに２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅ及びＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
また、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅ及びＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムでは、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることが好ましい。より好ましくは２５％以下であり、２０％以下であることがさらに好ましい。
なお、セルロースアシレートフィルムからの揮散量は、８０℃、２４０時間処理したフィルム及び未処理のセルロースアシレートフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝  ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝／（未処理品中の残存化合物量）×１００
【０１５１】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）を算出することができる。
【０１５２】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることが好ましい。より好ましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらに好ましい。ヘイズの測定は、例えば、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで、ヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）を用いてＪＩＳ  Ｋ−６７１４に従って測定することができる。
【０１５３】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）及び膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）はともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃、８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。
【０１５４】
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃、８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましく、０．１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以下の平衡含水率とすることにより、レターデーションの湿度変化による依存性をより小さくでき好ましい。
含水率は、セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定し、水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出することができる。
【０１５５】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが好ましい。５００〜１８００ｇ／ｍ2・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ2・２４ｈ以下とすることにより、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性の絶対値を０．５ｎｍ／％ＲＨ以下により容易に保つことが可能となり、また、液晶表示装置の色味の変化や視野角の低下をより効果的に抑止できる。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度を４００ｇ／ｍ2・２４ｈ以上とすることにより、セルロースアシレートフィルムの接着剤が乾燥しやすくなり、接着性がよりよくなる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算するとよい。本発明では、膜厚は、８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ、として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性ＩＩ」（高分子実験講座４  共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ  Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ2）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求めた。
【０１５６】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率及び９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０．５％以下であることが好ましい。
より好ましくは０．３％以下であり、さらに好ましくは０．１５％以下である。
寸法変化率は、以下に述べる方法で求めたものである。すなわち、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ0）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ1）を測定し、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ2）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ0−Ｌ1｜／Ｌ0｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ0−Ｌ2｜／Ｌ0｝×１００、として寸度変化率を求めた。
【０１５７】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ／ｍｍ2であることが好ましく、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ／ｍｍ2であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ／ｍｍ2である。弾性率は、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ  Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃、７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定して得られる値をいう。
【０１５８】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎｅ以下であることが好ましく、３０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。光弾性係数は、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から算出することができる。
【０１５９】
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）又は垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行った。延伸前後における各試料の正面レターデーションは自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ（ｎ）をｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）、Ｒｅ（０）を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）としたときに、｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ（ｎ）−Ｒｅ（０）｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。
【０１６０】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、偏光フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍又はＴＤ近傍にあることが好ましい。遅相軸が偏光フィルムと平行又は直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、例えば、遅相軸とＭＤ又はＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。
【０１６１】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなる。このことは固有複屈折が正であることを示しており、セルロースアシレートフィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と垂直方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。
【０１６２】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなる場合もある。このことは固有複屈折が負であることを示しており、フィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と同一の方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、セルロースアシレートフィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。
【０１６３】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましく、より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。前記偏光フィルムの残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。
【０１６４】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。
【０１６５】
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムとの接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸又はアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０１６６】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が挙げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のセルロースアシレートフィルム表面の接触角が５５°以下であることが好ましい。より好ましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらに好ましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、セルロースアシレートフィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。
【０１６７】
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したセルロースアシレートフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることが好ましい。より好ましくは１８以下であり、１５以下であることがさらに好ましい。色差の測定は、例えば、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いて行なうことができる。測定の仕方は、セルロースアシレートフィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後キセノン光照射前のセルロースアシレートフィルムのカラーを測定し、初期値（Ｌ０*、ａ０*、ｂ０*）を求める。そして、セルロースアシレートフィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ／ｍ2、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射する。所定時間の経過後、セルロースアシレートフィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１*、ａ１*、ｂ１*）を求めた。これらから、色差ΔＥ*ａｂ＝（（Ｌ０*−Ｌ１*）＾２＋（ａ０*−ａ１*）＾２＋（ｂ０*−ｂ１*）＾２）＾０．５を求めることによって測定できる。
【０１６８】
［接着剤］
偏光フィルムと保護フィルムとの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層の厚みは、乾燥後の厚さが、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０５〜５μｍであることが特に好ましい。
【０１６９】
［偏光フィルムと保護フィルムの一貫製造工程］
本発明に使用可能な偏光板は、通常、偏光フィルム用フィルムを延伸後、収縮させ揮発分率を低下させる乾燥工程を有するが、乾燥後もしくは乾燥中に少なくとも片面に保護フィルムを貼り合わせた後、加熱工程を有することが好ましい。前記保護フィルムが、光学補償層として機能する光学補償膜の支持体を兼ねている態様では、片面に保護フィルム、反対側に光学補償膜を有する透明支持体を貼り合わせた後、加熱するのが好ましい。具体的な貼り付け方法として、フィルムの乾燥工程中、両端を保持した状態で接着剤を用いて偏光フィルムに保護フィルムを貼り付け、その後両端を耳きりする、もしくは乾燥後、両端保持部から偏光フィルム用フィルムを解除し、フィルム両端を耳きりした後、保護フィルムを貼り付けるなどの方法がある。耳きりの方法としては、刃物などのカッターで切る方法、レーザーを用いる方法など、一般的な技術を用いることができる。貼り合わせた後に、接着剤を乾燥させるため、及び偏光性能を良化させるために、加熱することが好ましい。加熱の条件としては、接着剤により異なるが、水系の場合は、３０℃以上が好ましく、さらに好ましくは４０〜１００℃、さらに好ましくは５０〜９０℃である。これらの工程は一貫のラインで製造されることが、性能上及び生産効率上更に好ましい。
【０１７０】
［偏光板の性能］
本発明における保護フィルム、偏光子、透明支持体からなる偏光板の光学的性質及び耐久性（短期、長期での保存性）は、市販のスーパーハイコントラスト品（例えば、株式会社サンリッツ社製ＨＬＣ２−５６１８等）と同等以上の性能を有することが好ましい。具体的には、可視光透過率が４２．５％以上で、偏光度｛（Ｔｐ−Ｔｃ）／（Ｔｐ＋Ｔｃ）｝1/2  ≧０．９９９５（但し、Ｔｐは平行透過率、Ｔｃは直交透過率）であり、６０℃、湿度９０％ＲＨ雰囲気下に５００時間及び８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合のその前後における光透過率の変化率が絶対値に基づいて３％以下、更には１％以下、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。
【０１７１】
［光学補償膜］
光学補償膜は、液晶表示装置において画像着色を解消したり、視野角を拡大するために用いられる。本発明では、前述した様に、光学補償膜は必須の部材ではなく、例えば、偏光板の一対の保護フィルムの一方又は双方に複屈折性を付加させて、光学補償膜として機能させる態様等では、別途光学補償膜を設けることは不要である。
【０１７２】
前記光学補償膜を形成する液晶性化合物の例には、棒状液晶性分子及び円盤状液晶性分子が含まれる。棒状液晶性分子及び円盤状液晶性分子（ディスコティック液晶性化合物）は、高分子液晶でも低分子液晶でもよく、さらに、低分子液晶が架橋され液晶性を示さなくなったものも含まれる。
光学異方性層の作製に棒状液晶性化合物を用いた場合は、棒状液晶性分子の配向方向は保護フィルム面に垂直，平行，ハイブリット配向でもよい。垂直，平行の場合はその長軸を支持体面へ投影した軸の平均方向が、配向軸に対して平行であるのが好ましい。また、光学異方性層の作製に円盤状液晶性化合物を用いた場合は、円盤状液晶性分子は、その短軸を支持体面へ投影した軸の平均方向が配向軸に対して平行であるのが好ましい。また、円盤面と層平面とのなす角（傾斜角）が深さ方向に変化する、後述のハイブリッド配向でもよい。
《棒状液晶性分子》
棒状液晶性分子としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類及びアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。
なお、棒状液晶性分子には、金属錯体も含まれる。また、棒状液晶性分子を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも、棒状液晶性分子として用いることができる。言い換えると、棒状液晶性分子は、（液晶）ポリマーと結合していてもよい。
棒状液晶性分子については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章及び第１１章、及び液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。  棒状液晶性分子の複屈折率は、０．００１〜０．７の範囲にあることが好ましい。
【０１７３】
棒状液晶性分子は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。重合性基は、ラジカル重合性不飽基或はカチオン重合性基が好ましく、具体的には、例えば特開２００２−６２４２７号公報明細書中の段落番号［００６４］〜［００８６］記載の重合性基、重合性液晶化合物が挙げられる。
【０１７４】
《ディスコティック液晶性化合物》
ディスコティック液晶性化合物は、ポリマーフィルム面に対して略垂直に配向させる。ディスコティック液晶性化合物は、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ  １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．  Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ  １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ  ２６５５（１９９４））等の文献に記載されているものを広く採用することができる。
【０１７５】
ディスコティック液晶性化合物は、重合により固定可能なように、例えば、特開平８−２７２８４号公報に記載のように重合性基を有するのが好ましい。例えば、ディスコティック液晶性化合物のディスコティックコアに、置換基として重合性基を結合させた構造が考えられるが、ディスコティックコアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、ディスコティックコアと重合性基との間に連結基を有する構造が好ましい。即ち、重合性基を有するディスコティック液晶性化合物は、下記式（ＩＩＩ）で表わされる化合物であることが好ましい。
式（ＩＩＩ）      Ｄ（−Ｌ−Ｐ）ｎ
式（ＩＩＩ）中、Ｄはディスコティックコアであり、Ｌは二価の連結基であり、Ｐは重合性基であり、ｎは４〜１２の整数である。
【０１７６】
前記式（ＩＩＩ）中のディスコティックコア（Ｄ）、二価の連結基（Ｌ）及び重合性基（Ｐ）の好ましい具体例は、それぞれ、特開２００１−４８３７号公報に記載の（Ｄ１）〜（Ｄ１５）、（Ｌ１）〜（Ｌ２５）、（Ｐ１）〜（Ｐ１８）であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。
【０１７７】
これらの液晶性化合物は、光学補償膜中では、略基板面に垂直配向している。ここで、略基板面にとは、例えば、基板面と平行又は、±５度ずれていることをいう。また、実質的に均一に配向していることが好ましく、実質的に均一に配向している状態で固定されていることがさらに好ましく、重合反応により液晶性化合物が固定されていることが最も好ましい。重合性基を有するディスコティック液晶性化合物の場合は、実質的に垂直配向させることが好ましい。実質的に垂直とは、ディスコティック液晶性化合物の円盤面と光学補償膜の面との平均角度（平均傾斜角）が７０度〜９０度の範囲内であることを意味する。
【０１７８】
光学補償膜は、液晶性化合物及び下記の重合開始剤や他の添加剤を含む塗布液を、配向膜の上に塗布することで形成することが好ましい。塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライド及びケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。塗布液の塗布は、公知の方法（例、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
【０１７９】
［液晶性化合物の配向状態の固定化］
配向させた液晶性化合物は、配向状態を維持して固定することが好ましい。固定化は、液晶性化合物に導入した重合性基の重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれるが、光重合反応がより好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号号公報に記載のもの）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号公報に記載のもの）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号公報に記載のもの）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号公報に記載のもの）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号公報に記載のもの）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号公報に記載のもの）及びオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号公報に記載のもの）が含まれる。
【０１８０】
光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。液晶性化合物の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ2〜５０Ｊ／ｃｍ2であることが好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ2であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。光学補償膜の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい。
【０１８１】
［垂直配向膜］
液晶性化合物を配向膜側で垂直に配向させるためには、配向膜の表面エネルギーを低下させることが重要である。具体的には、ポリマーの官能基により配向膜の表面エネルギーを低下させ、これにより液晶性化合物を立てた状態にする。配向膜の表面エネルギーを低下させる官能基としては、フッ素原子及び炭素原子数が１０以上の炭化水素基が有効である。フッ素原子又は炭化水素基を配向膜の表面に存在させるために、ポリマーの主鎖よりも側鎖にフッ素原子又は炭化水素基を導入することが好ましい。含フッ素ポリマーは、フッ素原子を０．０５〜８０重量％の割合で含むことが好ましく、０．１〜７０重量％の割合で含むことがより好ましく、０．５〜６５重量％の割合で含むことがさらに好ましく、１〜６０重量％の割合で含むことが最も好ましい。炭化水素基は、脂肪族基、芳香族基又はそれらの組み合わせである。脂肪族基は、環状、分岐状あるいは直鎖状のいずれでもよい。脂肪族基は、アルキル基（シクロアルキル基であってもよい）又はアルケニル基（シクロアルケニル基であってもよい）であることが好ましい。炭化水素基は、ハロゲン原子のような強い親水性を示さない置換基を有していてもよい。炭化水素基の炭素原子数は、１０〜１００であることが好ましく、１０〜６０であることがさらに好ましく、１０〜４０であることが最も好ましい。ポリマーの主鎖は、ポリイミド構造又はポリビニルアルコール構造を有することが好ましい。
【０１８２】
ポリイミドは、一般にテトラカルボン酸とジアミンとの縮合反応により合成する。二種類以上のテトラカルボン酸あるいは二種類以上のジアミンを用いて、コポリマーに相当するポリイミドを合成してもよい。フッ素原子又は炭化水素基は、テトラカルボン酸起源の繰り返し単位に存在していても、ジアミン起源の繰り返し単位に存在していても、両方の繰り返し単位に存在していてもよい。ポリイミドに炭化水素基を導入する場合、ポリイミドの主鎖又は側鎖にステロイド構造を形成することが特に好ましい。側鎖に存在するステロイド構造は、炭素原子数が１０以上の炭化水素基に相当し、液晶性化合物を垂直に配向させる機能を有する。本明細書においてステロイド構造とは、シクロペンタノヒドロフェナントレン環構造又はその環の結合の一部が脂肪族環の範囲（芳香族環を形成しない範囲）で二重結合となっている環構造を意味する。
【０１８３】
さらに液晶性化合物を垂直に配向させる手段として、ポリビニルアルコールやポリイミドの高分子に有機酸を混合する方法を好適に用いることができる。混合する酸としてはカルボン酸やスルホン酸、アミノ酸が好適に用いられる。後述の空気界面配向剤の内、酸性を示すものを使用してもよい。その混合量は高分子に対して、０．１重量％から２０重量％であることが好ましく、０．５重量％から１０重量％であることがさらに好ましい。
【０１８４】
ディスコティック液晶性化合物の均一配向には垂直配向膜をラビング処理し、配向方向を制御する。ラビング処理はポリマー層の表面を紙や布で一定方向に数回擦ることにより実施する。一方、棒状液晶性化合物の配向にはラビング処理は行なわないことが好ましい。いずれの配向膜においても、液晶化合物と透明支持体の密着性を改善する目的で、配向膜に重合性基を有することが好ましい。重合性基は、側鎖に重合性基を有する繰り返し単位を導入するか、あるいは、環状基の置換基として導入することができる。界面で液晶性化合物と化学結合を形成する配向膜を用いることがより好ましく、かかる配向膜としては特開平９−１５２５０９号公報に記載されている。配向膜の厚さは０．０１〜５μｍであることが好ましく、０．０５〜１μｍであることがさらに好ましい。なお、配向膜を用いて液晶性化合物を配向させてから、その配向状態のまま液晶性化合物を固定して位相差層を形成し、位相差層のみをポリマーフィルム（又は透明支持体）上に転写してもよい。
【０１８５】
［空気界面配向剤］
通常の液晶性化合物は空気界面側では傾斜して配向する性質を有するので、均一に垂直配向した状態を得るために、空気界面側においても液晶性化合物を垂直に配向制御することが必要である。この目的のために、空気界面側に偏在して、その排除体積効果や静電気的な効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を液晶塗布液に配合させる。液晶性化合物を垂直に配向させる作用は、ディスコティック液晶性化合物においてはそのダイレクターの傾斜角度、すなわちダイレクターと塗布液晶空気側表面とがなす角度を減少させる作用に相当する。ディスコティック液晶性分子のダイレクターの傾斜角度を減少させる化合物としては、次に示すような、空気界面側に偏在させるためにＦ原子を複数結合したものや、スルホニル基やカルボキシル基を結合したものに、さらに液晶性分子に垂直に配向するような排除体積効果を与える剛直性の構造単位を結合した化合物が好ましく用いられる。
【０１８６】
【化３３】
2007279478.tif 000036
【０１８７】
【化３４】
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【０１８８】
【化３５】
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【０１８９】
【化３６】
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【０１９０】
【化３７】
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【０１９１】
【化３８】
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【０１９２】
例示した化合物以外にも特開２００２−２０３６３号公報、特開２００２−１２９１６２号公報に記載されている化合物を空気界面配向剤として用いることができる。また、特願２００２−２１２１００号明細書の段落番号００７２〜００７５、特願２００２−２４３６００号明細書の段落番号００３８〜００４０と００４８〜００４９、特願２００２−２６２２３９号明細書の段落番号００３７〜００３９、特願２００３−９１７５２号明細書の段落番号００７１〜００７８に記載される事項も本発明に適宜適用することができる。
【０１９３】
液晶塗布液への空気界面配向剤の使用量は、０．０５重量％〜５重量％であることが好ましい。また、フッ素飽和系空気界面配向剤を用いる場合は、１重量％以下であることが好ましい。
【０１９４】
光学補償膜全体の面内レターデーション（Ｒｅ）は、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。光学補償膜全体の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、５０〜５００ｎｍであることが好ましい。光学補償膜の面内レターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）はそれぞれ以下の式で定義される。但し、ｄ2aは光学補償膜の厚み（μｍ）である。
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ2a
Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ2a
（式中、ｄ2a（ｎｍ）は光学補償膜全体の厚さであり、ｎｘ及びｎｙ（但し、ｎｙ＜ｎｘ）は面内の主平均屈折率であり、ｎｘは厚み方向の主平均屈折率であり、ｎｘ、ｎｙ及びｎｚはそれぞれ互いに直交する。）
【０１９５】
ディスコティック化合物以外の光学補償膜としては、延伸複屈折ポリマーフィルムからなる光学補償膜、及び透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物から形成された光学補償膜を有する光学補償膜があるが、本発明ではいずれも使用することができる。また、２層の光学補償膜の積層体とする場合をはじめ、積層構造の光学補償膜を用いることもできる。積層構造の光学補償膜については、厚さを考慮すると、高分子の延伸フィルムの積層体からなる光学補償膜よりも、塗布型の積層体からなる光学補償膜が好ましい。
【０１９６】
光学補償膜として用いられる高分子フィルムは、延伸された高分子フィルムであっても、また塗布型の高分子層と高分子フィルムとの併用でもよい。高分子フィルムの材料は、一般に合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、トリアセチルセルロース）が用いられる。これらの高分子フィルムは生産性向上や，温湿度変化時の形状安定性のため，フィルム長手方向が同一（ロールＴＯロール）であることが好ましい。
【０１９７】
液晶性化合物には多様な配向形態があるため、液晶性化合物からなる光学補償膜は、単層で又は複数層の積層体により、所望の光学的性質を発現する。即ち、光学補償膜は、支持体と該支持体上に形成された１以上の光学補償膜とからなる態様であってもよい。かかる態様の光学補償膜全体のレターデーションは、光学補償膜の光学異方性によって調整することができる。液晶性化合物にはその形状から、棒状液晶化合物とディスコティック液晶性化合物に分類できる。さらにそれぞれ低分子と高分子タイプがあり、いずれも使用することができる。液晶性化合物を利用して作製された光学補償膜は、液晶性化合物として、棒状液晶化合物又はディスコティック液晶性化合物を用いることが好ましく、重合性基を有するディスコティック液晶性化合物を用いるのがより好ましい。
【０１９８】
本発明の液晶表示装置は、黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において上述のセルロースアシレートフィルムを保護フィルムに用いることにより、色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護フィルムのうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護フィルム（セル側の保護フィルム）に本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。ＦＦＳ方式では下側偏光フィルムの保護フィルムと液晶層の間、前記セルロースアシレートフィルムからなる保護フィルムを１枚、上側の偏光フィルムと液晶層の間に配置することで、黒表示時の漏れ光の低減や視角方向での着色が解消されるので、好ましい。
【実施例】
【０１９９】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【０２００】
［実施例１］
＜ＦＦＳモード液晶セルの作製＞
図１に示す構成と同様の構成のＦＦＳモード液晶表示装置を作製した。
具体的には、一枚のカラーフィルタを有するガラス基板上に、共通電極ＩＴＯを形成し、その上にアクリル系有機絶縁膜（又はＳＩＮ等無機膜）を形成した。絶縁膜に、
フォトリソグラフィーを用いてエッチング（TFTなど能動素子製造工程と同時でも構わない）処理を施すことにより、一画素内に厚さが０．５μｍ程度互いに異なる絶縁膜を有する低閾値ドメインと、高閾値ドメインを形成した。その上に、スリットを設けた、画素電極（ライン幅５μｍ、電極間隙５μｍ）を形成した。さらに、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を４．１μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０９８及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は４００ｎｍであった。
【０２０１】
＜低レターデーション保護フィルムの作製  Ｒ１＞
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。
セルロースアセテート溶液Ｄ組成
酢化度２．８６のセルロースアセテート    １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）          ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                    ６０．０質量部
【０２０２】
（マット剤溶液の調製）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
マット剤溶液組成
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子分散液  １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）                      ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ                １０．３質量部
【０２０３】
（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学異方性を低下させる化合物（光学異方性低下剤）及び波長分散調整剤については下記表１に示すものを用いた。
添加剤溶液組成
光学異方性を低下させる化合物              ４９．３質量部
波長分散調整剤                              ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                      ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ                １２．８質量部
【０２０４】
（セルロースアセテートフィルム（低レターデーデーション保護フィルム  Ｒ１）の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｄを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部を、それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学異方性を低下させる化合物及び波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。得られたセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は４０μｍであった。
【０２０５】
＜偏光板の作製＞
偏光板は、アクリル系接着剤を用いて偏光フィルムの両側に保護フィルムの遅相軸と偏光フィルムの吸収軸が平行状態となるように接着して作製した。具体的には、アクリル系接着剤を用いて偏光フィルムの光源側（又は表示面）となる表面に、フジＴＡＣ（ＴＤ８０Ｕ）保護フィルム（Ｒｅ＝５ｎｍ、Ｒｔｈ＝４０ｎｍ）を、液晶セル側となる表面に、上記作製した低レターデーション保護フィルム（Ｒｅ＝０．５ｎｍ、Ｒｔｈ＝０．２ｎｍ）を積層して作製した。
【０２０６】
＜ＦＦＳモード液晶表示装置の作製＞
光学異方性フィルムＲ１を、上記で作製したＦＦＳモードの液晶セルの視認側面になるように粘着剤で積層した。一方、液晶セルの反対側の面には偏光板を粘着剤で積層して液晶表示装置を作製した。視認側の偏光板は電圧無印加時に液晶セル内の液晶組成物の異常光屈折率方向と偏光板の吸収軸が直交するように積層した。また偏光板の吸収軸と光学異方性フィルムＲ１の遅相軸は直交するように配置した。
【０２０７】
＜評価＞
作製した液晶表示装置について、直交する偏光板の光軸に対する方位方向４５°において法線方向からの傾き７０°の方向のコントラスト比を測定したところ、コントラスト比は３５であった。また、この液晶表示装置の黒表示時の面内ムラを目視に確認したところ、線状等の保護フィルムのレターデーションのばらつきによるムラは殆ど観測されなかった。また、偏光性能の劣化も殆ど観測されなかった。さらに観察方位に依存した透過率の変化を調べたが、いずれの方位においても正面観察時と同様の透過率が得られた。
なお、図５に示す構成、即ち、絶縁層の誘電率が異なるドメインを形成することでも、同様の効果が得られる。
【０２０８】
また、偏光板として、市販の偏光板を用いて同様に評価したところ、実施例１と同様に優れたγ視野角特性を示した。但し、上記低レターデーション保護フィルムを有する偏光板を用いた実施例１のほうが、観察方位に依存した色づきがより少なく、より優れていた。また、双方の液晶表示装置を、０℃、９５％ＲＨの条件下に２００時間投入した後、黒表示の面内ムラを目視に確認したところ、実施例１の液晶表示装置は、保護フィルムや液晶パネルが原因と推定されるムラがほとんど観測されず、また、偏光性能の劣化も殆ど観測されなかった。
【０２０９】
［実施例２］
図３に示す構成と同様の構成のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。具体的には、ＲＧＢ副画素間で、絶縁膜厚を変更し（Ｒ画素中の絶縁層の膜厚４．８μｍ、Ｇ画素中の絶縁層の膜厚４．１μｍ、Ｂ画素中の絶縁層の膜厚３．１μｍ）、ＲＧＢ各副画素単位で閾値特性を異ならせた。それ以外は、実施例１と同様にして、液晶表示装置を作製した。
この液晶表示装置について、上記と同様に評価したところ、実施例１と同様に、優れたγ視野角特性を示した。さらに、市販の偏光板を用いた液晶表示装置を作製して、上記と同様にその性能を比較したところ、低レターデーションの保護フィルムを有する偏光板を用いた実施例２の液晶表示装置のほうが、観察方位に依存した色づきがより少なく、優れていた。また、双方の液晶表示装置を、０℃、９５％ＲＨの条件下に２００時間投入した後、黒表示の面内ムラを目視に確認したところ、実施例２の液晶表示装置は、保護フィルムや液晶パネルが原因と推定されるムラがほとんど観測されず、また、偏光性能の劣化も殆ど観測されなかった。
なお、図５に示す構成、即ち、各画素間で絶縁層の誘電率が異なる構成でも、同様の効果が得られる。
【０２１０】
［実施例３］
図４に示す構成と同様の構成のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。具体的には、上記実施例２において、ＲＧＢ画素中の絶縁膜をそれぞれ、Ｒ色、Ｇ色及びＢ色に各々着色しカラーフィルタとして機能させ、カラーフィルタの作製工程を省略した。それ以外は、実施例２と同様にして、液晶表示装置を作製した。
この液晶表示装置について、上記と同様に評価したところ、実施例１及び２と同様に、優れたγ視野角特性を示した。さらに、市販の偏光板を用いた液晶表示装置を作製して、上記と同様にその性能を比較したところ、低レターデーションの保護フィルムを有する偏光板を用いた実施例３の液晶表示装置のほうが、観察方位に依存した色づきがより少なく、優れていた。また、双方の液晶表示装置を、０℃、９５％ＲＨの条件下に２００時間投入した後、黒表示の面内ムラを目視に確認したところ、実施例３の液晶表示装置は、保護フィルムや液晶パネルが原因と推定されるムラがほとんど観測されず、また、偏光性能の劣化も殆ど観測されなかった。
なお、図７に示す構成、即ち、各画素間で絶縁層の誘電率が異なる構成でも、同様の効果が得られる。
【０２１１】
［実施例４］
実施例１〜３について、誘電率異方性が正のネマチック液晶材料の代わりに、負のネマチック液晶材料を用いた以外は、それぞれ同様の構成の液晶表示装置を作製した。
同様に評価したところ、誘電率異方性が正のネマチック液晶材料を用いた液晶表示装置と比較して、白表示時の透過率の高い画像表示が可能であった。
【産業上の利用可能性】
【０２１２】
本発明によれば、簡易な構成で、表示品位のみならず、ＣＲ視野角特性、γ視野角特性、及び表示均一性が改善されたＦＦＳモードの液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置に利用可能な電極構成を示す平面模式図である。
【図３】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【図４】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【図５】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【図６】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【図７】本発明のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例の構成を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０２１４】
１２  透明基板
１４  液晶性分子
１６  共通電極
１８  画素電極
２０ａ、２０ｂ  絶縁層
２０ａ’、２０ｂ’  絶縁層
２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ  絶縁層
２０ｒ’、２０ｇ’、２０ｂ’  絶縁層
２０ｒ’’、２０ｇ’’、２０ｂ’’  絶縁層
２０ｒ’’’、２０ｇ’’’、２０ｂ’’’  絶縁層
２２  偏光板
１０Ｒ、１０Ｒ’、１０Ｒ’’ 、１０Ｒ’’’  Ｒ画素
１０Ｇ、１０Ｇ’、１０Ｇ’’ 、１０Ｇ’’’  Ｇ画素
１０Ｂ、１０Ｂ’、１０Ｂ’’ 、１０Ｂ’’’  Ｂ画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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