(57)【要約】【課題】接合信頼性を高めるとともに、スライダの姿勢変化を抑制できる磁気ヘッドアッセンブリ及びその半田接合方法を得る。【解決手段】磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダの電極パッドと、該磁気抵抗効果素子と外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとを半田接合する磁気ヘッドアッセンブリにおいて、スライダ及びフレキシブル配線基板の電極パッドの半田接触面にはＡｕ膜が形成され、少なくとも該電極パッドの半田接触面と半田との境界に、Ａｕ膜のＡｕ原子が分散されてなるＡｕＳｎ分散層を有する。【選択図】図３
2007128574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダの電極パッドと、該磁気抵抗効果素子と外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとを半田接合する磁気ヘッドアッセンブリにおいて、
前記スライダ及びフレキシブル配線基板の電極パッドの半田接触面にはＡｕ膜が形成され、少なくとも該電極パッドの半田接触面と半田との境界に、前記Ａｕ膜のＡｕ原子が分散されてなるＡｕＳｎ分散層を有していることを特徴とする磁気ヘッドアッセンブリ。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記ＡｕＳｎ分散層の厚さが５０μｍ以上である磁気ヘッドアッセンブリ。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記ＡｕＳｎ分散層は、半田側から電極パッド側に向かうにつれてＡｕ原子の含有率が高くなっている磁気ヘッドアッセンブリ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記電極パッドと前記ＡｕＳｎ分散層の間に、該電極パッドの形成材料とＳｎからなるＳｎ化合物層が介在している磁気ヘッドアッセンブリ。
【請求項５】
請求項４記載の磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記電極パッドはＮｉまたはＣｕからなる単層構造、あるいはＮｉとＣｕの積層構造により形成されている磁気ヘッドアッセンブリ。
【請求項６】
磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダの電極パッドと、前記磁気抵抗効果素子と外部回路とを接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとを半田により接合する方法であって、
不活性ガス流により半田ボールを搬送するための搬送路を有し、この搬送路を通したレーザー光で該半田ボールを溶融させるキャピラリを準備する工程と、
このキャピラリを、前記スライダの電極パッドと前記フレキシブル配線基板の電極パッドとの接合面に向けて設置する工程と、
前記キャピラリの搬送路に半田ボールと不活性ガス流を導入し、同搬送路内を通るレーザー光により前記半田ボールを溶融させた状態で前記電極パッドの接合面に自然落下させる工程と、
この落下した半田ボールが固化するまで待機する工程と、
固化した半田ボールをレーザー照射により再溶融及び再固化させ、前記スライダの電極パッドと前記フレキシブル配線基板の電極パッドとを接合する工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法において、前記固化した半田ボールをレーザー照射する工程では、該半田ボールに前記キャピラリを近づけ、該キャピラリの搬送路内を通るレーザー光によって前記半田ボールを再溶融させる磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法。
【請求項８】
請求項６記載の磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法において、前記固化した半田ボールをレーザー照射する工程では、前記キャピラリとは別方向から照射されたレーザー光によって前記半田ボールを再溶融させる磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか一項に記載の磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法において、半導体レーザー、赤外線レーザーまたはＹＡＧレーザーを用いてレーザー照射する磁気ヘッドアッセンブリの半田接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとをＳｎ半田で接合する、磁気ヘッドアッセンブリ及びその半田接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）で使用されるいわゆる磁気ヘッドアッセンブリは、磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダと、可撓性を有する金属薄板からなり、スライダを弾性的に支持するフレキシャと、このフレキシャ表面に接着され、スライダの磁気抵抗効果素子とこの磁気ヘッドアッセンブリが装着される装置の回路系とを導通接続するフレキシブル配線基板とを備えている。フレキシャは、例えばスポット溶接によりロードビームに固定されている。この種の磁気ヘッドアッセンブリでは、従来一般に、互いに直交する位置関係でスライダの磁気抵抗効果素子用の電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを金ボールボンディング方式により接合していたが、近年では、ボンディング領域（電極パッドの大きさ及び電極パッド間隔）の狭小化に対応できるよう、金ボールよりも小さい球径で形成可能な半田ボールを用いた半田ボールボンディング方式が提案されている。
【０００３】
半田ボールボンディング方式は、例えば半田ボールを溶融した状態で接合面に吹き付けるＳＪＢ方式のマウンターを用いて実行することができ、このマウンターから接合面に供給した溶融半田を凝固させることで、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドを接合している。スライダ及びフレキシブル配線基板の電極パッド表面（接合面）には、半田ぬれ性を上げるため、Ａｕ膜からなる表面保護層が形成されている。
【特許文献１】特開２００４−２８３９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のように半田ボールを溶融した状態で供給しようとすると、半田ボールは、接合面に供給されるや否や急激に冷やされ、Ａｕが半田内部に十分拡散する前に固化してしまう。このため、固化した半田と電極パッドの境界面にはＡｕ−Ｓｎ化合物層が形成され、このＡｕ−Ｓｎ化合物層に起因する半田接合部の剥がれが生じている。また、半田ボールが固化する際に生じる収縮歪みにより、半田接合後のスライダ姿勢（ピッチ角）が大きく変動してしまうことが問題になっている。この姿勢変化は、磁気ヘッドスライダの浮上特性、すなわち、出力特性を悪化させてしまう。
【０００５】
本発明は、上述の従来課題に鑑みてなされたもので、接合信頼性を高めるとともに、スライダの姿勢変化を抑制できる磁気ヘッドアッセンブリ及びその半田接合方法を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、固化半田と電極パッドの境界面に生じたＡｕ−Ｓｎ化合物層が剥がれの要因であることを認識した上で、溶融した状態の半田ボールを接合面に供給した後に該接合面上で半田ボールに十分な熱エネルギーを与えることにより、電極パッドの半田接触面に生じているＡｕ−Ｓｎ化合物層を溶融半田内に分散できること、且つ、固化半田の収縮歪みを緩和してスライダの反りを軽減できることに着目してなされたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダの電極パッドと、該磁気抵抗効果素子と外部回路を接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとを半田接合する磁気ヘッドアッセンブリにおいて、スライダ及びフレキシブル配線基板の電極パッドの半田接触面にはＡｕ膜が形成され、少なくとも該電極パッドの半田接触面と半田との境界に、Ａｕ膜のＡｕ原子が分散されてなるＡｕＳｎ分散層を有していることを特徴としている。
【０００８】
ＡｕＳｎ分散層の厚さは５０μｍ以上であることが好ましい。この態様によれば、電極パッドと半田の間の密着層（ＮｉＳｎまたはＣｕＳｎ化合物）が形成され、半田接合強度を高めることができる。
【０００９】
ＡｕＳｎ分散層は、半田側から電極パッド側に向かうにつれてＡｕ原子の含有率が高くなっていることが好ましい。
【００１０】
電極パッドとＡｕＳｎ分散層の間には、電極パッドの形成材料とＳｎからなるＳｎ化合物層が介在していてもよい。電極パッドはＮｉまたはＣｕからなる単層構造、あるいはＮｉとＣｕの積層構造により形成されていることが実際的である。
【００１１】
磁気抵抗効果素子が組み込まれたスライダの電極パッドと、磁気抵抗効果素子と外部回路とを接続するフレキシブル配線基板の電極パッドとを半田により接合する方法であって、不活性ガス流により半田ボールを搬送するための搬送路を有し、この搬送路を通したレーザー光で該Ｓｎ半田ボールを溶融させるキャピラリを準備する工程と、このキャピラリを、スライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとの接合面に向けて設置する工程と、キャピラリの搬送路に半田ボールと不活性ガス流を導入し、同搬送路内を通るレーザー光により該半田ボールを溶融させた状態で電極パッドの接合面に自然落下させる工程と、ここの落下した半田ボールが固化するまで待機する工程と、固化した半田ボールをレーザー照射により再溶融及び再固化させてスライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとを接合する工程とを有することを特徴としている。
【００１２】
２回目のレーザー照射は、キャピラリの搬送路内を通るキャピラリ同軸方向のレーザー光を用いても、キャピラリ外から照射されるキャピラリ異軸方向のレーザー光を用いてもよい。すなわち、固化した半田ボールをレーザー照射する工程では、該半田ボールにキャピラリを近づけ、該キャピラリの搬送路内を通るレーザー光によって半田ボールを再溶融させることができる。あるいは、キャピラリとは別方向から照射されたレーザー光によって前記半田ボールを再溶融させることができる。
【００１３】
上記半田接合方法では、半導体レーザー、赤外線レーザーまたはＹＡＧレーザーのレーザー光を用いることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、接合信頼性を高めるとともに、スライダの姿勢変化を抑制できる磁気ヘッドアッセンブリ及びその半田接合方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の適用対象となる、ハードディスクドライブ用の磁気ヘッドアッセンブリ（完成状態）の一実施形態を示している。磁気ヘッドアッセンブリ１は、磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）１２が組み込まれたスライダ１１と、このスライダ１１の背面を例えば熱硬化性接着剤やＵＶ硬化性接着剤、導電性接着剤接着等で接着したフレキシャ２１を備えている。
【００１６】
フレキシャ２１は、板ばね状の可撓性を有する薄い金属板であって、ロードビームの先端部に、該ロードビームに対してスライダ１１を弾性的に浮遊支持した状態で装着している。フレキシャ２１の表面には、スライダ１１の磁気抵抗効果素子とこの磁気ヘッドアッセンブリが装着されるハードディスク装置の回路系とを導通接続するフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）２２が、接着剤による貼り付け等により固定されている。フレキシブル配線基板２２は、図２に拡大して示すように、フレキシャ２１の先端部に配置された複数の電極パッド２３から両側縁部に別れた後に両側縁部に沿って延び、フレキシャ２１の後端縁部からさらに引き出され、中継用フレキシブル配線基板２４を介して一つにまとめられている。中継用フレキシブル配線基板２４は、磁気ヘッドアッセンブリ１が搭載されるハードディスク装置の回路系に接続される。スライダ１１は、磁気抵抗効果素子１２に接続した複数の電極パッド１３をスライダ端面１１ａに有し、この電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３とが互いに直交する位置関係でフレキシャ２１上に装着されている。
【００１７】
上記構成の磁気ヘッドアッセンブリ１において、互いに直交する位置関係で設置されたスライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３は、鉛を含まず錫を主体とするＳｎ半田を用いて、半田ボールボンディングされている。
【００１８】
図３は、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３を接合している半田フィレット（半田接合部）４１を拡大して示している。スライダ１１及びフレキシブル配線基板２２の両電極パッド１３、２３の表面（半田接触面）には、半田濡れ性を向上させるため、Ａｕメッキ膜１３ａ、２３ａが形成されている。半田フィレット４１は、固化したＳｎ半田４２により大部分が形成されているが、少なくとも電極パッド１３、２３とＳｎ半田４２との境界に、ＡｕＳｎ分散層４３が存在している。ＡｕＳｎ分散層４３は、Ｓｎ半田４２が最初（１回目）に溶融及び固化したときに電極パッド１３、２３の表面に生じたＡｕ−Ｓｎ化合物がＳｎ半田４２の２回目の溶融により該Ｓｎ半田４２内に分散され、この分散された状態でＳｎ半田４２が再固化することにより生じる。ＡｕＳｎ分散層４３中のＡｕ原子濃度は、Ｓｎ半田４２側よりも電極パッド１３、２３側で高くなっている。Ａｕメッキ膜１３ａ、２３ａの厚さは０．５〜２．６μｍ程度であり、ＡｕＳｎ分散層４３は５０μｍ以上の厚さを有している。
【００１９】
図４〜図８を参照し、本発明による半田接合方法の第１実施形態について説明する。
【００２０】
先ず、図４に示すキャピラリ３０を準備する。キャピラリ３０は、球状の半田ボール４０を１つずつボンディングする単発用キャピラリである。このキャピラリ３０は、先細の送出端部３０ａを有する細長筒状をなし、送出端部３０ａの先端面中央に開口して球状の半田ボール４０を送出する円形の送出口３１と、該キャピラリ３０の軸線方向に沿って延びて送出口３１まで半田ボール４０及び窒素ガス流Ｎ2を搬送するための搬送路３２とを備えている。キャピラリ３０にはレーザー熱源が接続されている。このレーザー熱源にはＹＡＧレーザーを用いる。レーザー熱源から出力されたレーザー光は、キャピラリの軸線方向と平行な光束中心を有し、搬送路３２内を通って送出口３１から外方へ出射される。半田ボール４０は、窒素ガス流Ｎ2によって搬送路３２内を搬送されているときにレーザー光によって照射され、溶融した状態で送出口３１から外方へ放出される。図示されていないが、キャピラリ３０は、球状の半田ボール４０及び窒素ガス流Ｎ2を搬送路３２へ入れる導入口も備えている。具体的に本実施形態では、半田ボール４０の径をφ１００μｍ以下、使用するレーザー光の有効スポット径をφ１００μｍとしてある。
【００２１】
次に、図５に示すように、互いの電極パッド１３、２３が９０度対向する位置関係でスライダ１１とフレキシブル配線基板２２を取付台に設置し、この取付台を水平方向（図５の左右方向）から反時計回りに４５度傾けた状態で固定する。一方、キャピラリ３０は、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３との両方から約４５度傾けて、すなわち、垂直方向（図５の上下方向）に向けて設置する。このとき、キャピラリ３０の送出端部３０ａは、スライダ１１の電極パッド１３及びフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３の接合面に対して５０μｍ程度、離間させておく。
【００２２】
続いて、図６に示すように、キャピラリ３０の搬送路３２に半田ボール４０と窒素ガス流Ｎ２を導入し、レーザー熱源を作動させてレーザー光を搬送路３２へ出力させる。半田ボール４０は、鉛を含まず錫を主成分とする半田材からなり、直径φ１００μｍ以下の大きさである。搬送路３２に入れられた半田ボール４０は、キャピラリ３０の軸方向と平行に進むレーザー光によって溶融され、この溶融された状態のまま同搬送路を流れる窒素ガス流Ｎ２によって送出口３１へ送られ、送出口３１からスライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３の間に自然落下する。すると、半田ボール４０は、落下地点である電極パッド１３、２３によって急激に冷やされ、即座に、つまり、Ａｕが半田内に十分に拡散する前に固化する。電極パッド１３、２３の表面にはＡｕメッキ膜１３ａ、２３ａが形成されているため、電極パッド１３、２３と固化したＳｎ半田４２との境界には、ＡｕＳｎ化合物層が生じている。また、フレキシャ２１は、図８（Ａ）に示すように、半田ボール４０の固化による収縮歪みを受け、水平方向から反時計回り方向に向かって反りかえった状態となっている。固化した半田ボール４０は、窒素ガス流Ｎ2によって酸化防止される。上記工程により、１回目の溶融及び固化が実行されている。
【００２３】
続いて、図７に示すように、固化している半田ボール４０にキャピラリ３０を近づけて至近距離からレーザー光を照射する。レーザー照射時間は、半田ボール４０を完全に溶融できるように十分な長さに設定し、具体的には例えば１０ｍｓ以上とする。このレーザー照射は、キャピラリ３０とは別方向から照射されるレーザー光を用いてもよい。
【００２４】
半田ボール４０が完全に溶融されると、その溶融半田内に電極パッド１３、２３の表面に生じているＡｕＳｎ化合物層が分散され、この分散されたＡｕ原子を含んだ状態で溶融半田が固化して半田フィレット４１（図３）を形成する。この２回目の溶融及び固化により、形成された半田フィレット４１には、少なくとも電極パッド１３、２３と固化したＳｎ半田４２との境界に、Ａｕ原子が分散したＡｕＳｎ分散層４３が生じている。ＡｕＳｎ分散層４３中のＡｕ原子濃度は、Ｓｎ半田４２側よりも電極パッド１３、２３側で高くなっている。このＡｕＳｎ分散層４３が生じることにより、１回目の溶融及び固化で生じたＡｕＳｎ化合物層は消滅してＳｎＮｉまたはＣｎＳｎ化合物が形成され、半田フィレット４１の接合強度が高められる。ＡｕＳｎ分散層４３が５０μｍ以上の膜厚で生じていると、半田フィレット４１に十分な接合強度を与えられることを実験的に確かめている。
【００２５】
また半田ボール４０が上述のように２度溶融されると、フレキシャ２１にかかる収縮歪みが緩和されて、フレキシャ２１は半田接合前の水平な状態に戻ろうとする。上記２回目の溶融及び固化は電極パッド１３、２３上で実行されているため、Ｓｎ半田４２は溶融後、徐々に温度が下がって固化する（急冷ではない）。よって、Ｓｎ半田４２の固化による収縮歪みは１回目の固化時よりも小さく、図８（Ｂ）に示すようにフレキシャ２１の反りは１回目の固化時（図８（Ａ））よりも低減され、スライダ１１の姿勢変化を小さく抑えることができる。
【００２６】
上記半田フィレット４１により、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３は接合される。
【００２７】
図９は、半田接合前後におけるスライダ１１の姿勢変化（ピッチ角度変化）を示す散布図である。図９（Ａ）は１回のレーザー照射（キャピラリ３０から半田ボール４０を溶融させた状態で接合面に自然落下させる）により半田接合させた場合のスライダ１１の姿勢変化を示し、図９（Ｂ）は２回のレーザー照射（１回目のレーザー照射後、接合面上で再度レーザー照射させる）により半田接合させた場合のスライダ１１の姿勢変化を示している。なお、スライダ姿勢変化の測定条件は、以下のとおりである。
【００２８】
装置；ＰａｃＴｅｃｈ社製ＳＢＢ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂａｌｌ  Ｂｕｍｐｅｒ）
レーザー照射（１回目）；４０Ａで２ｍｓ
レーザー照射（２回目）；３８Ａで１５ｍｓ
半田ボール径；１００μｍ
図９（Ａ）（Ｂ）を比較してみると、接合前後におけるピッチ角の変化は、２回レーザー照射した場合のほうが１回レーザー照射の場合よりも小さいことが明らかである。具体的には、１回目レーザー照射後のピッチ角変化の平均値が−６８′であるのに対し、２回目レーザー照射後のピッチ角変化の平均値が−２６．５′であり、１回目レーザー照射後の場合の１／２以下にピッチ角変化は抑えられている。
【００２９】
以上では、図３の半田フィレット４１が得られる半田接合方法として、２回のレーザー照射によりＳｎ半田４２を溶融及び固化させる実施形態について説明したが、上記半田フィレット４１は１回のレーザー照射によっても、電極パッド１３、２３の表面にＡｕＳｎ化合物層を生じさせることなく形成可能である。以下では、図１０〜図１８を参照し、１回のレーザー照射による半田接合方法の実施形態について説明する。
【００３０】
先ず、図１０〜図１３に示すキャピラリ１３０を準備する。キャピラリ１３０は、先細の送出端部１３０ａを有する細長筒状をなし、送出端部１３０ａの先端面中央に開口して球状の半田ボール４０を送出する円形の送出口１３１と、該キャピラリ３０の軸線方向に沿って延びて送出口１３１まで半田ボール４０及び窒素ガス流Ｎ2を搬送するための搬送路１３２と、送出端部３０ａの先端端壁（送出端壁）を周方向に均等な間隔で形成した複数の切欠部１３４とを備えている。複数の切欠部１３４は、送出口１３１に連通しており、搬送路１３２を通って送出口１３１まで達した窒素ガス流Ｎ2を外部へ放出するための開口と、半田ボール４０の搬送方向とは別の方向から照射されたレーザー光を通過させるための開口とを兼用している。各切欠部１３４の断面形状は、半田ボール４０にレーザー光を直接照射しやすいように、送出端部１３０ａの先端側ほど拡がる断面台形状（図１２）をなしている。本実施形態の複数の切欠部１３４は、図１３に示すように送出端部１３０ａの先端端壁を９０度間隔で切り欠いた４つの切欠部で構成され、送出口１３１から十字方向に窒素ガス流Ｎ2を放出させる。図示されていないが、キャピラリ１３０は、球状の半田ボール４０及び窒素ガス流Ｎ2を搬送路１３２へ入れる導入口も備えている。
【００３１】
具体的に本実施形態では、半田ボール４０の径をφ１００μｍ以下、送出口１３１及び搬送路１３２の径を半田ボール４０より大きくし、切欠部１３４の深さを半田ボール４０より小さくし、使用するレーザー光の有効スポット径をφ５０〜１００μｍとしてある。
【００３２】
次に、図１４に示すように、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３との両方から約４５度傾けてキャピラリ１３０を配置し、キャピラリ３０の送出端部１３０ａを、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３の接合面から約２０μｍ離して位置決めする。これにより、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３とキャピラリ１３０の送出端部１３０ａ（送出口１３１）との間には、半田ボール４０を搭載及び保持するための空間αが形成される。
【００３３】
続いて、図１５に示すように、キャピラリ１３０の搬送路１３２に、球状の半田ボール４０を入れると共に窒素ガス流Ｎ2を流入する。搬送路１３２に入れられた半田ボール４０は、同搬送路１３２内を流れる窒素ガス流Ｎ2によって未溶融状態のまま送出口１３１へ送られ、送出口１３１からスライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３の間に自然落下する。半田ボール４０は、鉛を含まず錫を主成分とする半田材からなり、窒素ガス流Ｎ2によって酸化防止される。
【００３４】
自然落下した半田ボール４０は、図１６に示すように、送出端部３０ａの先端端壁に設けた複数の切欠部１３４から放射状に噴出する窒素ガス流Ｎ2によって、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３の接合面上で位置決め及び保持される。半田ボール４０は、送出口１３１から該送出口１３１の中心位置の直下に自然落下することが理想的であるが、送出口１３１の中心位置からずれてしまう場合もある。本実施形態では送出端部１３０ａの先端端壁の周方向に９０度間隔で４つの切欠部１３４が形成されているから、半田ボール４０が送出口３１の中心位置からずれると、そのずれた分だけ窒素ガス流Ｎ2の流路が狭くなり、窒素ガス流Ｎ2からの反発力を受けて中心側へ戻される。これにより、半田ボール４０は常に、送出口１３１の中心位置で保持される。
【００３５】
そして、窒素ガス流Ｎ2及び送出口１３１により半田ボール４０を保持した状態のまま、図１７に示すように、キャピラリ１３０の複数の切欠部１３４を通して半田ボール４０にレーザー光を直接照射する。図１７ではレーザー照射位置を符号Ｒで示す。このレーザー照射は、キャピラリ１３０とは別体のレーザー熱源により、キャピラリ１３０の送出口１３１が向いている方向（窒素ガス流Ｎ2によって半田ボール４０が搬送される方向）とは別の方向から行う。より具体的には例えば、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３との両方に対してはキャピラリ３０と同様に約４５度傾けた状態で、キャピラリ３０を時計回りまたは反時計回りに所定角度回転させた方向から、レーザー照射する。このときレーザー光のパワーは、半田ボール４０を完全に溶融させるため、レーザー有効スポット径が半田ボール４０より若干小さくなる程度のパワーに設定する。本実施形態では、直径１００μｍ程度の半田ボール４０を用いるので、レーザー光の有効スポット径は５０μｍ程度とすることが好ましい。レーザー熱源には、低エネルギーのレーザー光を放射する半導体レーザーや赤外線レーザーを用いることができる。複数の切欠部１３４はレーザー光を通過させやすいように送出端部１３０ａの先端側ほど拡がる断面台形形状で形成してあるので、レーザー光の損失が少なく、レーザー光を半田ボール４０に効率よく与えることができる。
【００３６】
上記レーザー照射を開始したら、図１８に示すように、スライダ１１の電極パッド１３とフレキシブル配線基板２２の電極パッド２３との接合面からキャピラリ３０を遠ざけて、レーザー照射を所定時間継続して半田ボール４０を完全に溶融させる。この完全溶融後、再固化して形成された半田フィレット４１により、スライダ１１及びフレキシブル配線基板２２の両電極パッド１３、２３は接合される。
【００３７】
上記第２実施形態によれば、１回のレーザー照射であっても、接合面上で半田ボール４０が完全に溶融されるので、形成される半田フィレット４１には、少なくとも電極パッド１３、２３と固化したＳｎ半田４２との境界に、該電極パッド１３、２３の表面のＡｕメッキ膜１３ａ、２３ａが溶融半田内に分散したＡｕＳｎ分散層４３が生じる。すなわち、ＡｕＳｎ化合物層は生じず且つＳｎＮｉまたはＣｕＳｎ化合物が形成されるので、半田フィレット４１に十分な接合強度を与えることができる。また、レーザー照射により溶融された半田は急激に冷やされることはないので、半田の固化による収縮歪みを低減することができ、スライダ１１の姿勢変化を良好に抑えることが可能である。
【００３８】
上記各実施形態では、半田ボール４０を搬送する際に窒素ガス流Ｎ2を用いているが、窒素ガス流Ｎ2以外にも、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス流を用いることができる。また、半田ボール４０には鉛を含まないＳｎ半田を用いているが、鉛と錫を主成分とする半田を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明方法の適用対象である、磁気ヘッドアッセンブリ（完成状態）の一実施形態を示す模式構成図である。
【図２】図１のスライダの電極パッドとフレキシブル配線基板の電極パッドとの接合部を拡大して示す模式図である。
【図３】図２の半田フィレットを拡大して示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による半田接合方法で用いるキャピラリを示す模式平面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半田接合方法の一工程を説明する模式断面図である。
【図６】図５に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【図７】図６に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【図８】（Ａ）１回目のレーザー照射後のスライダ姿勢を示す模式断面図である。（Ｂ）２回目のレーザー照射後のスライダ姿勢を示す模式断面図である。
【図９】（Ａ）１回のレーザー照射により半田接合させた場合の半田接合前後におけるスライダの姿勢変化を示す散布図である。（Ｂ）２回のレーザー照射により半田接合させた場合の半田接合前後におけるスライダの姿勢変化を示す散布図である。
【図１０】別の実施形態による半田接合方法に用いるキャピラリを示す模式平面図である。
【図１１】図１０のキャピラリの送出端部を一部破断して示す断面図ある。
【図１２】図１０のキャピラリの送出端部を示す側面図である。
【図１３】図１０のキャピラリの送出端部の先端面を示す平面図である
【図１４】別の実施形態による半田接合方法の一工程を説明する模式断面図である。
【図１５】図１４に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【図１６】図１５に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【図１７】図１６に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【図１８】図１７に示す工程の次工程を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  磁気ヘッドアッセンブリ
１１  スライダ
１２  磁気抵抗効果素子
１３  電極パッド
２１  フレキシャ
２２  フレキシブル配線基板
２３  電極パッド
３０  キャピラリ
３１  送出口
３２  搬送路
４０  半田ボール
４１  半田フィレット
４２  Ｓｎ半田
４３  ＡｕＳｎ分散層
【図１】
2007128574.tif 000003
【図２】
2007128574.tif 000004
【図３】
2007128574.tif 000005
【図４】
2007128574.tif 000006
【図５】
2007128574.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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