(57)【要約】【課題】ＣＯ2レーザーを用いて銅張積層板に孔を形成する場合に、低い加工エネルギーで良好に孔を形成することができるプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】多層積層板を用いてプリント配線板を製造する方法において、表層の銅箔(4a)表面に波長９．３〜１０．６μｍにおける吸光度が０．０５以上となる加工層(5a)を形成しておき、加工層(5a)側からＣＯ2レーザーを照射して、表層の銅箔(4a)とその下の内層(3a)に孔(6)を形成する。これにより、低い加工エネルギーで正確に所定の径の孔(6)を形成することができる。従って、内層銅箔へのダメージを低減することができ、加工性にすぐれたプリント配線板の製造方法を提供できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層積層板を用いてプリント配線板を製造する方法において、
表層の銅箔表面に波長９．３μｍ〜１０．６μｍの範囲における吸光度が０．０５以上となる加工層を形成しておき、
前記加工層側からＣＯ2レーザーを照射して、前記表層の銅箔とその下の内層に孔を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記加工層の前記吸光度は、０．０７以上である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記加工層の形成方法は、硫酸と、過酸化水素と、フェニルテトラゾール又はその誘導体と、塩素イオンとを含むエッチング液による表面加工である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記加工層の形成方法は、第二銅イオン源と、酸解離定数ｐＫａが５以下の有機酸と、ハロゲンイオンとを含むエッチング液による表面加工である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記加工層は、有機銅被膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記孔を形成した銅箔表面に、硫酸および過酸化水素を含む液を接触させて銅箔のバリを取る請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記孔の内部をデスミア処理する請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記孔の内部をデスミア処理した後に、前記孔を形成した銅箔表面に、硫酸および過酸化水素を含む液を接触させて銅箔のバリを取る請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線板の製造方法に関する。とくに銅張積層板にプリプレグ層と銅箔を積層した多層積層板の銅箔側から炭酸ガス（ＣＯ2）レーザーを照射して、銅箔とその下の内層（プリプレグ層）に孔を形成するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、高密度化、高機能化により、プリント配線板においても高密度回路形成が要求されている。この要求を満たすべく、多層プリント配線板においては層間接続のためにＢＶＨ（Build  Via  hole）などの貫通孔が形成される。その際の穴あけの手段として、加工効率やコスト面からＣＯ2レーザーが多く使用されている。
【０００３】
従来は、ＣＯ2レーザーで銅張積層板に孔を形成するためには、まず、孔をあける部分の銅箔をエッチングによって除去しておき、その後、銅層間に位置する樹脂部のみをレーザーで穴あけするコンフォーマル・マスク法が採用されていた。このコンフォーマル・マスク法では、エッチングのコストがかかる上、エッチングによる銅除去の信頼性、あるいは銅層間の回路の位置あわせ精度などの技術的な問題もあった。
【０００４】
最近ではこのようなコンフォーマル・マスク法にかえて銅箔上からＣＯ2レーザーを照射して孔を形成するダイレクト法が考えられている。
【０００５】
このため、銅張積層板に炭酸ガス（ＣＯ2）レーザーやＹＡＧレーザーなどのレーザーを照射して貫通孔を穿孔することが提案されている（例えば下記特許文献１〜４）。また、銅表面に特定範囲の高炭素含有銅箔を形成しておくことも提案されている（下記特許文献５）。
【特許文献１】特開２００４−１５４８４３号公報
【特許文献２】特開２００４−１５４８４４号公報
【特許文献３】特開２００４−２７３９１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２８１８７２号公報
【特許文献５】特開２００４−００６６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ダイレクト法においてＣＯ2レーザーを使用すると、ＣＯ2レーザーの波長領域、すなわち、９．３μｍ付近では、銅箔表面でレーザーが反射してしまい、良好に孔をあけることができない。従って、銅箔表面に表面処理、例えば、黒化処理などを施すことによって銅表面に色をつけてＣＯ2レーザーの反射を少なくすることなどが行われているが、樹脂のみを穿孔する場合にくらべ、高いエネルギーを必要とし、内層銅箔にダメージを与えるおそれもあった。
【０００７】
また、上記ダイレクト法の別の問題点として、孔をあけた後、銅表面に銅の飛び散りや、孔の周縁部に銅の塊、いわゆるバリが残るという問題点があった。通常、形成した孔には無電解銅めっき、電解銅めっきを施して導通を図るが、上記のようなバリが孔の周縁部付近に残っているとめっき不良が生じ、電気的信頼性が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、ＣＯ2レーザーを用いて銅張積層板に孔を形成する場合に、低い加工エネルギーで良好に孔を形成することができるプリント配線板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のプリント配線板の製造方法は、多層積層板を用いてプリント配線板を製造する方法において、表層の銅箔表面に波長９．３μｍ〜１０．６μｍの範囲における吸光度が０．０５以上となる加工層を形成しておき、前記加工層側からＣＯ2レーザーを照射して、前記表層の銅箔とその下の内層に孔を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＣＯ2レーザーを照射する銅表面に、ＣＯ2レーザーの赤外線波長領域である９．３μｍ〜１０．６μｍでの吸光度が、０．０５以上となる加工層を形成するため、低い加工エネルギーで正確に所定の径の孔を形成することができる。従って、内層銅箔へのダメージを低減することができ、加工性にすぐれたプリント配線板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（１）本発明の概要
本発明は、例えば基板の表面に銅が積層された銅張積層板にプリプレグ層が積層され、その表面に銅箔が形成されている多層積層板を用いてプリント配線板を製造する製造方法に好適である。前記表層の銅箔表面に波長９．３μｍ〜１０．６μｍにおける吸光度が０．０５以上（好ましくは０．０７以上）となる加工層を形成しておき、前記加工層側からＣＯ2レーザーを照射して、前記表層の銅箔とその下の内層（プリプレグ層）に孔を形成する。
【００１２】
基板としては、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂含浸基板（ガラスエポキシ基板）、アラミド繊維強化エポキシ樹脂含浸基板（アラミドエポキシ基板）などの樹脂を含む基板（樹脂基板）、又はセラミック基板などを用いる。前記基板の表面に銅が積層され銅張積層板とされ、これにプリプレグ層が積層され、その表面に銅箔が形成されて多層積層板となる。プリプレグ層は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂層や繊維強化樹脂層を使用できる。
【００１３】
図１Ａ〜Ｄは本発明の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程別断面図である。まず図１Ａに示すように、内層基材１の両表面に銅箔２ａ，２ｂが積層され銅張積層板となる。次に図１Ｂに示すようにプリプレグ層３ａ，３ｂが積層され、その表面に銅箔４ａ，４ｂが積層され多層積層板となる。次に図１Ｃに示すように、多層積層板の表層の銅箔４ａ，４ｂの表面に、波長９．３μｍ〜１０．６μｍにおける吸光度が０．０５以上となる加工層５ａ，５ｂを形成する。次に図１Ｄに示すように、外層の加工層５ａ側からＣＯ2レーザーを照射して、加工層５ａ、表層の銅箔４ａ及びプリプレグ層３ａに孔６を形成する。
【００１４】
（２）銅の表面加工
表層の銅箔表面に波長９．３μｍ〜１０．６μｍの範囲における吸光度が０．０５以上（好ましくは０．０７以上）となる加工層を形成する表面処理方法は、特に限定されるものではないが、例えば、以下のような表面加工１，２などの方法が挙げられる。
【００１５】
（ａ）表面加工１
この方法では、前記銅表面の加工は、硫酸と、過酸化水素と、フェニルテトラゾール又はその誘導体と、塩素イオンとを含むエッチング液（例えばマイクロエッチング液）による表面加工を用いる。
【００１６】
前記エッチング液における硫酸の濃度は、エッチング速度やエッチング液の銅溶解許容量に応じて調整されるが、通常６０〜２２０ｇ／リットル、好ましくは９０〜２２０ｇ／リットルである。硫酸の濃度が６０ｇ／リットル未満ではエッチング速度が遅くなる傾向がある。一方、２２０ｇ／リットルを超えると、濃度の増加に見合うエッチング速度の増加がない上、硫酸銅の結晶が析出しやすくなる傾向がある。
【００１７】
過酸化水素の濃度は、エッチング速度や表面粗化能力に応じて調整されるが、通常５〜７０ｇ／リットル、好ましくは７〜５６ｇ／リットルである。過酸化水素の濃度が５ｇ／リットル未満ではエッチング速度が遅く、銅表面を充分に粗化できなくなる可能性がある。一方、７０ｇ／リットルを超えるとエッチング速度が速くなりすぎて一様なエッチングができなくなる可能性がある上、銅表面を充分に粗化できなくなるおそれがある。
【００１８】
エッチング液には、前記硫酸および過酸化水素からなる主剤に加え、過酸化水素の分解を抑制し、かつ表面を粗化させるために、助剤としてフェニルテトラゾール又はその誘導体と塩素イオンが配合される。本発明においては、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾールなどの種々のアゾール類のうちでも、特にフェニルテトラゾール又はその誘導体を使用することにより、銅表面が充分に粗化され、過酸化水素の分解が著しく抑制されるという効果が得られる。
【００１９】
前記フェニルテトラゾールとしては、例えば１−フェニルテトラゾール、５−フェニルテトラゾール等があげられるが、水に溶解させやすいことから、５−フェニルテトラゾールが好ましい。なお、前記フェニルテトラゾール誘導体としては、前記効果を発現させるものである限り、−ＮＨ2基、−ＳＨ基などの置換基を有していてもよく、カルシウム、銅、ナトリウムなどとの金属塩であってもよい。
【００２０】
前記フェニルテトラゾール又はその誘導体の濃度は、粗化形状やエッチング液の銅溶解許容量に応じて調整されるが、０．０１〜０．４ｇ／リットルが好ましく、さらに０．０３〜０．３５ｇ／リットルが好ましい。フェニルテトラゾールの濃度が０．０１ｇ／リットル未満ではエッチング速度が遅くて充分に粗化することができなくなる可能性がある。一方、０．４ｇ／リットルを超えると液中に安定に溶解させにくくなる可能性がある。
【００２１】
前記塩素イオンのイオン源としては、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩酸等があげられる。
【００２２】
前記塩素イオンの濃度は、粗化形状やエッチング速度に応じて調整されるが、１〜６０ｐｐｍが好ましく、さらに２〜１０ｐｐｍが好ましい。塩素イオン濃度が１ｐｐｍ未満では銅表面を充分に粗化できなくなる可能性がある。一方、６０ｐｐｍを超えた場合は、エッチング速度が遅くなり、銅表面を充分に粗化できなくなる可能性がある。
【００２３】
エッチング液には、エッチング液を連続して使用して多量の銅または銅合金を処理する場合の過酸化水素の分解を抑制するため、ベンゼンスルホン酸類を添加することが好ましい。前記ベンゼンスルホン酸類は、エッチング液中では、過酸化水素により酸化され、褐色ないし黒色の沈澱が生じることが知られている（特開平１１−１４０６６９号公報参照）。しかし、本発明ではベンゼンスルホン酸類とフェニルテトラゾールを併用することにより、褐色の沈澱が生じることなく過酸化水素の分解抑制作用が発現する。前記ベンゼンスルホン酸類の具体例としては、例えばベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ｍ−キシレンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸等があげられる。
【００２４】
前記ベンゼンスルホン酸類の濃度は、液中の過酸化水素の安定性に応じて調整されるが、１０ｇ／リットル以下が好ましく、さらに２〜４ｇ／リットルが好ましい。ベンゼンスルホン酸類は、濃度が１０ｇ／リットルを超えても添加量の増加に見合う過酸化水素の安定効果の向上は見られない傾向にある。
【００２５】
本発明で使用するエッチング液には、消泡剤、界面活性剤などの種々の添加剤を、必要に応じて添加してもよい。
【００２６】
本発明で使用するエッチング液は、前記の各成分を水に溶解させることにより容易に調整することができる。前記水としては、イオン交換水が好ましい。
【００２７】
前記エッチング液の使用方法としては、例えば銅または銅合金にエッチング液をスプレーする方法、エッチング液中に銅または銅合金を浸漬する方法などがあげられる。
【００２８】
エッチング量は、銅表面に接触させる樹脂の種類などにより適宜設定すればよいが、０．５〜３μｍが好ましく、さらに１〜２．５μｍが好ましい。なお、本明細書にいうエッチング量とは被処理剤のエッチング前後の重量変化と銅の表面積、密度から算出したエッチング深さをいう。エッチング量は、エッチング液の組成、温度、エッチング時間により調整することができる。エッチング液を使用する際の温度は通常２０〜４０℃の範囲であり、エッチング時間は通常１０〜１２０秒の範囲である。
【００２９】
表面加工１の液に銅表面がさらされると、エッチングと同時に処理された表面には有機銅被膜が形成される。有機銅被膜の形成される過程は、まず、液中のフェニルテトラゾール又はその誘導体が銅表面に吸着し、さらに過酸化水素によってフェニルテトラゾール又はその誘導体が吸着した銅が酸化され液中に銅が溶出される。この溶出された銅イオンの一部がフェニルテトラゾール又はその誘導体とキレートを作り、銅表面に有機銅被膜として付着する。有機銅被膜の厚みは２〜２．５ｎｍに形成することが好ましい。
【００３０】
（ｂ）表面加工２
この方法では、銅表面の加工は、第二銅イオン源と、酸解離定数ｐＫａが５以下の有機酸と、ハロゲンイオンとを含むエッチング液（例えばマイクロエッチング液）による表面加工を用いる。
【００３１】
本発明の好ましい例で用いる第二銅イオン源は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用するものである。酸化剤として第二銅イオン源を用いるため、エッチング液として適度なエッチングスピードを発現させることができ、しかも銅表面に深い凹凸を有する形状を安定してつくることができる。前記第二銅イオン源としては、例えば有機酸の銅塩や、塩化銅（II）、臭化銅（II）、水酸化銅（II）等があげられる。前記銅塩を形成する有機酸に特に限定はないが、後述するｐＫａが５以下の有機酸が好ましい。前記第二銅イオン源は２種以上を併用してもよい。
【００３２】
前記第二銅イオン源の含有量は、金属銅に換算して０．０１〜２０％（重量％、以下同様）が好ましく、さらに０．１〜１０％が好ましい。前記含有量が少なすぎるとエッチングスピードが遅くなる可能性がある。一方、多すぎると溶解しにくくなる傾向にあり、スマットのようなものが生じるおそれがある。
【００３３】
ｐＫａが５以下の有機酸は、第二銅イオン源によって酸化された銅を溶解させるため、またｐＨ調整のためにも配合されるものである。前記有機酸のｐＫａが５を超えると酸化銅を充分に溶解することができなくなるおそれがある。ｐＫａが５以下の有機酸の具体例としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酢酸、吉草酸、カプロン酸等の飽和脂肪酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等の不飽和脂肪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメロン酸等の脂肪族飽和ジカルボン酸、マレイン酸などの脂肪族不飽和ジカルボン酸、安息香酸、フタル酸、桂皮酸等の芳香族カルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のオキシカルボン酸、スルファミン酸、β−クロロプロピオン酸、ニコチン酸、アスコルビン酸、ヒドロキシピバリン酸、レブリン酸等の置換基を有するカルボン酸、それらの誘導体等があげられる。前記有機酸は２種以上を併用してもよい。
【００３４】
前記有機酸の含有量は０．１〜３０％程度が好ましい。前記含有量が少なすぎると酸化銅を充分に溶解することができずスマットのようなものが残る可能性があり、安定したエッチングスピードが得られなくなるおそれがある。一方、多すぎると銅の溶解安定性が低下し、銅表面に再酸化が生じるおそれがある。
【００３５】
ハロゲンイオンは、銅の溶解を補助するために配合されるものである。前記ハロゲンイオンのイオン源としては、例えば塩素イオン、臭素イオン等のイオン源である。例えば塩酸、臭化水素酸、塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、臭化カリウム、塩化銅、臭化銅、塩化亜鉛、塩化鉄、臭化錫等やその他溶液中でハロゲンイオンを解離しうる化合物があげられる。前記イオン源は２種以上を併用してもよい。なお、例えば塩化銅（II）は、ハロゲンイオンのイオン源と第二銅イオン源の両方の作用を有するものとして使用することができる。
【００３６】
エッチング液には、エッチング処理中のｐＨの変動を少なくするために有機酸のナトリウム塩やカリウム塩やアンモニウム塩等の塩や、銅の溶解安定性を向上させるためにエチレンジアミン、ピリジン、アニリン、アンモニア、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン等の錯化剤を添加してもよく、必要に応じてその他の種々の添加剤等を添加してもよい。
【００３７】
エッチング液の使用方法に特に限定はないが、例えば処理される銅または銅合金にスプレーして吹き付ける方法、銅または銅合金をエッチング液中に浸漬する方法等があげられる。浸漬による場合には、銅や銅合金のエッチングによってエッチング液中に生成した第一銅イオンを第二銅イオンに酸化するため、バブリング等による空気の吹き込みが行われる。また、上記エッチング液は使用後の廃液処理が容易であり、例えば中和、高分子凝集剤等を利用する一般的な簡便な方法で処理できる。
【００３８】
（３）ＣＯ2レーザー照射加工
本発明は、ＣＯ2レーザーを使用したダイレクト法に関する。ＣＯ2レーザーの波長領域は９．３μｍ〜１０．６μｍであることから、波長９．３μｍ〜１０．６μｍでの吸光度が０．０５以上になる加工層を銅表面に形成しておく。
【００３９】
ＣＯ2レーザーは、赤外線波長領域である、９．３μｍ〜１０．６μｍの波長を使用する。加工エネルギーは孔をあける表面の銅箔の厚みなどによって適宜選択できるが、例えば８〜２７ｍＪで１ショット照射して穿孔することができる。さらに好ましくは、低い加工エネルギーである２〜５ｍＪにて２ショット目を照射することで、ビア底のクリーニングができる。なお、かならずしも２ショット照射する必要はない。また、必要であれば、３ショット以上照射させてもいい。
【００４０】
ここで、ＣＯ2レーザーの加工エネルギーとは、加工に必要な出力と周波数の商（加工エネルギー[Ｊ]＝出力［Ｗ］／周波数［Ｈｚ］）をいう。
【００４１】
（４）デスミア処理
上記ＣＯ2レーザーによって孔をあけた後に、孔内に残っている樹脂残渣を除去するデスミア処理をしてもよい。
【００４２】
デスミア処理の方法は適宜公知の方法を採用することが可能であるが、例えば、まず、アルカリ性膨潤剤で膨潤処理し、公知の過マンガン酸デスミア剤でデスミア処理をした後、還元処理を行う方法などが挙げられる。
【００４３】
（５）バリ除去処理
上記ＣＯ2レーザーによって孔をあける際に、開口部周辺にバリが発生する場合がある。ここでいうバリとは、開口部周辺の銅箔表面に飛び散った銅の塊や、開口部周縁に突起状に残った銅、あるいは、開口部周縁部が庇状に残っている部分の銅の総称をいう。バリが残る理由としては、同じエネルギーのＣＯ2レーザーで銅と樹脂を加工した場合、樹脂と銅の加工エネルギーに差があることから、銅よりも樹脂の開口径が大きくなるためであると考えられる。このようなバリが残ったまま次工程で銅めっき処理を施すと、バリの付近に空隙が生じたり、均一なめっきができないなどのめっき不良が生じたりする可能性がある。
【００４４】
バリを除去するための処理としては、機械研磨なども考えられるが作業効率が極めて悪いという問題がある。本発明ではバリ除去処理方法として、銅を溶解可能な処理液を、上記ＣＯ2レーザーによって孔をあけた銅箔に接触させる方法を採用することが好ましい。
【００４５】
上記処理液としては、銅を溶解させることができる液であれば適宜選択使用が可能であるが、特に、硫酸及び過酸化水素を含む銅エッチング液が適している。また、接触時間や液温度などの条件はバリの量や銅箔の厚みなどに応じて適宜調整することができる。また、エッチングの方法もスプレー式、浸漬式いずれも適用することが可能である。
【００４６】
上記デスミア処理とバリ除去処理の工程の順序は問わないが、デスミア処理を行ってから、バリ除去処理を行うと、バリの除去性、特に庇状のバリ部分の除去性が良好になるので好ましい。スミアが残った状態でバリ除去処理を行った場合には、スミアがバリ除去効果を低下させる傾向がある。よって、デスミア処理後にバリ除去処理を行うと、バリをより容易に除去することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【００４８】
（１）多層積層板
銅張積層板（ＣＣＬ：三菱瓦斯化学社製商品名"CCL-EL170"、以下同様）にプリプレグ（日立化成工業社製商品名"GEA-679F(FROE)"60μｍ、レーザービルドアップ用）と厚み１８μｍの銅箔(商品名"3EC-VLP")を積層して４層積層板を作製した。前記銅箔はレーザー加工前の銅厚が５μｍ若しくは１０μｍとなるように、エッチング液と後述する表面処理剤で処理した。前記エッチング液はとくに限定しないが、例えばメック社製"CB-5612"を用いることができる。
【００４９】
（２）レーザー加工条件
ＣＯ2レーザー加工機として日立ビアメカニクス社製商品名"LC-2G212/2C"を使用し、レーザー照射側（表面側）の直径が１００μｍ、底面側の直径が８０μｍ〜１００μｍとなる加工条件を各例に対して設定して照射したときのエネルギーを測定した。
【００５０】
（３）吸光度
吸光度はフーリエ変換赤外分光分析(Fourier Transform Infrared Spectroscopy,以下FT-IR)を用いた。FT-IRは、試料に赤外線(波長2.5〜25μｍ)を照射して、双極子モーメントが変化する分子骨格の振動回転数に対応する周波数の光の吸収を吸光度で示す分析法である。
【００５１】
（実施例１，３）
実施例１，３として、上記各銅箔厚みの４層積層板をそれぞれ準備し、表層の銅表面を上記表面加工１で説明した有機酸系マイクロエッチング液（メック社製商品名"CZ8100"）を使用して、３５℃で８０秒間スプレー処理した。
【００５２】
（実施例２，４）
実施例２，４として、上記各銅箔厚みの４層積層板をそれぞれ準備し、表層の銅表面を上記表面加工２で説明した硫酸・過酸化水素系マイクロエッチング液（メック社製商品名"B07770V"）を使用して、２５℃で１００秒間浸漬処理した。
【００５３】
（比較例１，２）
比較例１，２として、上記各銅箔厚みの４層積層板をそれぞれ準備し、以下の手順で処理した。
【００５４】
まず、４層積層板の銅表面の脱脂および汚れを除去するために銅表面を約０．５μｍエッチングし、水洗した。そして、２５℃の硫酸水溶液（５容量％）で５０秒間酸洗浄し、水洗後、９５℃の黒化処理液で３分間浸漬処理した後、水洗し、乾燥させた。なお、上記黒化処理液の組成は、ＮａＯＨが３０ｇ／リットル、ＮａＣｌＯ2が７０ｇ／リットル、Ｎａ3ＰＯ4が１０ｇ／リットルで、残部が水であった。
【００５５】
以上の実施例１〜４、比較例１〜２について、レーザー照射後の孔の表面直径、底面直径を測定した結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2007129193.tif 000003
【００５７】
以上の結果から実施例１〜４は良好な貫通孔を形成できることが確認できた。
【００５８】
図２は、実施例１〜４及び比較例１〜２の表面処理と総加工エネルギーをまとめたグラフである。各実施例は、比較例１〜２に比較して低いエネルギーで孔をあけられることが確認できた。
【００５９】
（実施例５）
実施例５として、実施例２の条件で孔をあけた積層板を用意し、下記の処理を行った。なお、処理前の積層板の上面写真及び断面写真を図３Ａ，Ｂにそれぞれ示す。
【００６０】
（デスミア処理）
まず、水酸化ナトリウム系膨潤剤（マクダーミッド社製  商品名：MACUDAIZAR9204）により60-80℃で5分間、浸漬処理し、続いて過マンガン酸系デスミア剤（マクダーミッド社製  商品名：MACUDAIZAR9275）により80-85℃で5-7分間、浸漬処理し、水洗後、さらに還元剤溶液（マクダーミッド社製  商品名：MACUDAIZAR9279）により45-60℃で5分間、浸漬処理をした。
【００６１】
（バリ除去処理）
上記デスミア処理後、乾燥させた積層板を硫酸・過酸化水素系のエッチング液（メック社製  商品名：メックパワーエッチHE7000）で3.0μmエッチング処理し、水洗、乾燥をすることでバリを除去した。この時のエッチング処理条件は、スプレー処理（スプレー圧0.04MPa）で、液温度は25℃とした。バリ除去処理後の上面写真及び断面写真を図４Ａ，Ｂにそれぞれ示す。
【００６２】
（めっき処理）
バリ除去処理後、無電解銅めっきを施した後、電解銅めっきで厚さ30μmの銅めっき層を形成した。めっき処理後の断面写真を図５に示す。
【００６３】
（実施例６）
実施例６として、上記実施例５と同じ処理条件で、順序をバリ除去処理→デスミア処理→めっき処理として各処理を行った。この際の、デスミア処理後の上面写真及び断面写真を図６Ａ，Ｂにそれぞれ示す。また、めっき処理後の断面写真を図７に示す。
【００６４】
図４Ａ，Ｂ及び図６Ａ，Ｂに示すように、バリ除去処理後の積層板は実施例５，６のいずれも銅表面の飛び散りや孔の周縁部の突起などのバリは除去できていた。実施例５では、処理前の孔の周縁部の銅箔において樹脂層の開口縁よりも約20μｍ程度突出していた庇状のバリが完全に除去されていた。また、図５に示すように、均一に良好な状態にめっき層が形成されていた。実施例６でも、バリ除去処理後には庇状のバリについては、突出量が約10μｍ程度になるまで除去されていた。また、図７に示すように、樹脂層の開口縁部でわずかに空隙が生じたがめっきの均一性は良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】Ａ〜Ｄは本発明の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程別断面図である。
【図２】本発明の実施例１〜４及び比較例１〜２の表面処理と総加工エネルギーをまとめたグラフである。
【図３】Ａ，Ｂは、本発明の実施例５における、それぞれバリ除去処理前の積層板の上面写真及び断面写真である。
【図４】Ａ，Ｂは、本発明の実施例５における、それぞれバリ除去処理後の積層板の上面写真及び断面写真である。
【図５】本発明の実施例５におけるめっき処理後の断面写真である。
【図６】Ａ，Ｂは、本発明の実施例６における、それぞれデスミア処理後の上面写真及び断面写真である。
【図７】本発明の実施例６におけるめっき処理後の断面写真である。
【符号の説明】
【００６６】
１  内層基材
２ａ，２ｂ  銅箔
３ａ，３ｂ  プリプレグ層
４ａ，４ｂ  銅箔
５ａ，５ｂ  加工層
６  孔
【図１】
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【図２】
2007129193.tif 000005
【図３】
2007129193.tif 000006
【図４】
2007129193.tif 000007
【図５】
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【図６】
2007129193.tif 000009
【図７】
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