(57)【要約】【課題】電力制御を改善すると共に、出力電力の範囲にわたって無線周波数電力増幅器の電力効率を最適化するために、無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスするためのベースバンドプロセッサ及びベースバンド信号処理方法の提供。【解決手段】ベースバンドプロセッサ（１２０）は、無線周波数デジタル・アナログコンバータ（１１０）をバイアスするために複数のベース電流を発生させる複数の出力ドライバ（１５５，１５６，１５７−１…１５７−ｎ）を具備する。このベースバンドプロセッサ（１２０）は、複数のベース電流の間の関係を制御するためのプログラム信号を発生するシリアル制御インタフェース（１３１，２１０）を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスするために複数のベース電流を発生させる複数の出力ドライバと、
前記複数のベース電流の間の関係を制御するためのプログラム信号を発生するシリアル制御インタフェースと
を具備することを特徴とするベースバンドプロセッサ。
【請求項２】
前記関係は、前記複数のベース電流の間に固定された比であることを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項３】
前記複数の出力ドライバをバイアスするために複数のチューニング電圧を発生する複数のチューニング電圧発生器をさらに具備することを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項４】
前記複数のチューニング電圧発生器は、前記シリアル制御インタフェースによりプログラムされる電流乗算器を具備することを特徴とする請求項３記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項５】
前記シリアル制御インタフェースは、前記複数のチューニング電圧の間の比を制御することを特徴とする請求項３記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項６】
前記複数のチューニング電圧発生器は、前記複数の出力ドライバの相互コンダクタンスを調整することを特徴とする請求項３記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項７】
前記複数の出力ドライバは、単一の電力レベル信号を受信して前記複数のベース電流を調整することを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項８】
前記電力レベル信号は単一の電力制御電圧からなることを特徴とする請求項７記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項９】
前記単一の電力レベル信号を受信する１個以上のアナログマルチプレクサをさらに具備することを特徴とする請求項７記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１０】
前記１個以上のアナログマルチプレクサは、振幅信号を受信すると共に前記単一の電力レベル信号に従って前記振幅信号を倍化することを特徴とする請求項９記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１１】
前記複数の出力ドライバに前記単一の電力レベル信号を供給する１個以上のフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項７記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１２】
前記無線周波数デジタル・アナログコンバータの電流利得（β）を検出すると共に１／βに比例する補償信号を発生することを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１３】
前記補償信号に基づいて複数のチューニング電圧を発生する複数のチューニング電圧発生器をさらに具備することを特徴とする請求項１２記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１４】
前記無線周波数デジタル・アナログコンバータは、前記複数のベース電流によりバイアスされた複数の利得段を具備することを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１５】
無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスするために複数のベース電流を発生する複数の出力ドライバを具備するベースバンドプロセッサであって、
前記複数の出力ドライバは、単一の電力レベル信号を受信して前記複数のベース電流を調整することを特徴とするベースバンドプロセッサ。
【請求項１６】
前記単一の電力レベル信号は単一の電力制御電圧からなることを特徴とする請求項１記載のベースバンドプロセッサ。
【請求項１７】
複数のベース電流によりバイアスされる複数の利得段を具備する無線周波数デジタル・アナログコンバータであって、
前記複数のベース電流は、単一の電力レベル信号に基づいてベースバンドプロセッサにより発生することを特徴とする無線周波数デジタル・アナログコンバータ。
【請求項１８】
複数のベース電流の間の関係を制御するためのプログラム信号を発生する工程と、
前記複数のベース電流で無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスして電力効率を改善する工程と
を具備することを特徴とするベースバンド信号処理方法。
【請求項１９】
前記複数のベース電流の間の固定された比を維持しながら前記複数のベース電流を変更する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１８記載のベースバンド信号処理方法。
【請求項２０】
単一の電力レベル信号に基づいて前記複数のベース電流を発生する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１８記載のベースバンド信号処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はベースバンドプロセッサ、無線周波数デジタル・アナログコンバータ及びベースバンド信号処理方法、すなわち移動体通信における高周波デジタル・アナログコンバータをバイアスする技法に関する。
【背景技術】
【０００２】
極性（polar）送信器等の移動体通信送信器は、送信に先立って信号を増幅する極性デジタル無線周波数電力増幅器（ＲＦＰＡ）を有することができる。極性送信器において、送信されるデータは振幅信号及び位相信号に分離される。分離後、位相信号は位相変調器で使用され、振幅信号は、無線周波数デジタル・アナログコンバータ（ＲＦＤＡＣ）等の振幅変調器で使用される。
【特許文献１】米国特許出願公開２００６／５５５７３号明細書
【特許文献２】米国特許６９３０６２７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
作動時、ＲＦＤＡＣは、送信される電力の制御と、振幅信号の変調に使用することができる。
【０００４】
従って、電力制御を改善すると共に、出力電力の範囲にわたってＲＦＰＡ電力効率を最適化するために、ＲＦＤＡＣをバイアスするためのシステム及び技法に対するニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
解決策は、無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスするために複数のベース電流を発生させる複数の出力ドライバを具備するベースバンドプロセッサにより提供される。このベースバンドプロセッサは、複数のベース電流の間の関係を制御するためのプログラム信号を発生するシリアル制御インタフェースを具備する。
【０００６】
また、解決策は、無線周波数デジタル・アナログコンバータをバイアスするために複数のベース電流を発生させる複数の出力ドライバを具備するベースバンドプロセッサにより提供される。これら複数の出力ドライバは、ベース電流を調整する単一電力レベル信号を受信することができる。
【０００７】
解決策は、複数のベース信号によりバイアスされた複数の利得段を有する無線周波数デジタル・アナログコンバータにより提供される。これら複数のベース電流は、単一電力レベル信号に基づいたベースバンドプロセッサにより発生する。
【０００８】
解決策はまた、複数のベース電流の間の関係を制御するためのプログラム信号を発生する工程と、電力効率を改善するよう無線周波数デジタル・アナログコンバータを複数のベース電流でバイアスする工程とからなるベースバンド信号処理方法により提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、一例としての添付図面を参照して本発明を説明する。
【００１０】
図１は、ベースバンド信号処理システム１００の一実施形態を示す。図示されているように、ベースバンド信号処理システム１００は、ベースバンドプロセッサ１２０によりバイアスさえるＲＦＤＡＣ１１０を具備することができる。ＲＦＤＡＣ１１０は例えばＲＦＰＡにより実施できる。種々の実施において、ベースバンドプロセッサ１２０は、例えばベース電流ＩB1、ベース電流ＩB2、ＲＦＤＡＣ１００をバイアスするためのベース電流Ｉb1〜Ｉbnを含む複数のベース電流を発生するよう配列することができる。
【００１１】
図示されるように、ＲＦＤＡＣ１００は、例えば第１利得段１１１、第２利得段１１２、及び第２段の出力から搬送及び位相入力信号入力用に一緒に交流結合することができる第３利得段１１３を含む複数の利得段を具備することができる。本実施形態において、ＲＦ信号ΦはＲＦＤＡＣ１１０の第１利得段１１１に入力され、ベース電流ＩB1はベースバンドプロセッサ１２０からＲＦＤＡＣ１１０の第１利得段１１１で使用される。このように、第１利得段１１１はベース電流ＩB1によりバイアスされ、ＲＦ信号Φを増幅する。
【００１２】
ＲＦＤＡＣ１１０において、ベース電流ＩB2はベースバンドプロセッサ１２０から第２利得段１１２で使用される。このように、第２利得段１１２はベース電流ＩB2によりバイアスされ、第１利得段１１１から提供されたＲＦ信号Φをさらに増幅する。一般に、第２段１１２入力電力は第１利得段１１１により増幅されるので、ベース電流ＩB1及びベース電流ＩB2は異なっている。従って、第２利得段１１２はより高い直流出力点でバイアスされる。
【００１３】
第１利得段１１１及び第２利得段１１２により増幅された後、増幅ＲＦ信号Φは第３利得段１１３に送られる。第３利得段１１３において、増幅ＲＦ信号Φはベースバンド信号により変調され、次にアンテナ１１４を通って送信される。本明細書において、ベースバンド信号は、ベース電流Ｉb1〜Ｉbnを通って第３利得段１１３に供給される振幅信号を具備してもよい。種々の実施において、ベースバンドプロセッサ１２０から供給された合成されたベース電流Ｉb1〜Ｉbnは、第３利得段１１３により供給されるＲＦ信号Φの増幅を制御するのに使用できる。
【００１４】
種々の実施形態において、ベースバンドプロセッサ１２０は、第１利得段１１１、第２利得段１１２及び第３利得段１１３を個別にバイアスするベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを調整するよう配置できる。ＲＦＤＡＣ１１０は３個の利得段を具備するので、最適な電力効率及び線形性を得るために、各利得段に対して個別にバイアスを調整することが必要である。これは例えば、ＣＭＯＳ処理変動、電源供給変動、温度変動、相互コンダクタンス（Ｇm）変動等のオンチップ及びオフチップデバイスパラメータの変動の効果を補償し最小にすることが必要である。多くの場合、ＲＦＤＡＣ１１０の各利得段で使用されるベース電流の中で必要な関係すなわち比は、チップの間で同じではない。
【００１５】
図示されるように、ＲＦＤＡＣ１１０はセンスデバイス１１５を具備することができる。種々の実施形態において、ＲＦＤＡＣ１１０の利得段は、ヘテロ結合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）デバイス（例えば、GaAsＨＢＴデバイス）として実施されたトランジスタを具備してもよい。このような実施形態において、センスデバイス１１５はＲＦＤＡＣ１１０の他のトランジスタと同じ基板上に一体に形成されたＨＢＴを具備することができるので、ＲＦＤＡＣ１１０の他のトランジスタ及びセンスデバイス１１５の処理変数による変動は同様になる。
【００１６】
種々の実施において、ベースバンドプロセッサ１２０は、センスデバイス１１５のベースエミッタ電流に対するコレクタエミッタ電流の比、すなわち電流利得βを検出するよう配置できる。センスデバイス１１５の検知されたβから、ベースバンドプロセッサ１２０は、１／βに比例する補償信号を発生することができる。種々の実施形態において、１／β補償信号は、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを発生させるためにベースバンドプロセッサ１２０により使用できる。
【００１７】
一実施形態において、ベースバンドプロセッサ１２０は、センスデバイス１１５（例えばＨＢＴデバイス）のベースに電流ＭＶ＿Ｂを出力し、センスデバイス１１５のコレクタに固定された精密電流ＭＶ＿Ｃを供給してセンスデバイス１１５のβを決定することができる。ベースバンドプロセッサ１２０はセンスデバイス１１５のコレクタでの電圧を検知し維持することにより電流ＭＶ＿Ｂを自動的に調整することができるので、コレクタ電圧はセンスデバイス１１５を線形作動範囲に維持するのに十分に高い。電流ＭＶ＿Ｂの調整によってこのような条件が達成されると、結果として得られる電流ＭＶ＿Ｂは電流ＭＶ＿Ｃの１／βである。
【００１８】
種々の実施形態において、ベースバンドプロセッサ１２０は、例えばアナログベースバンド信号プロセッサ、振幅ベースバンドプロセシングチップにより実施することができる。図示されているように、ベースバンドプロセッサ１２０は、電力制御部１３０、フィルタ部１４０及びドライバ部１５０を有することができる。電力制御部１３０、フィルタ部１４０及びドライバ部１５０は、米国特許出願第１１／３９８０６０号明細書及び米国特許出願第１１／３９８０６０号明細書に詳細に説明されている。
【００１９】
電力制御部１３０はシリアル制御インタフェース１３１を具備することができる。シリアル制御インタフェース１３１は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）等のコンピュータからベースバンドプロセッサ１２０まで通信リンクを与えるよう配置できる。種々の実施において、シリアル制御インタフェース１３１は、ユーザにベースバンドプロセッサ１２０内でアクセスする能力、種々の要素をプログラムする能力を提供する。例えば、シリアル制御インタフェース１３１は、ドライバ部１５０内の要素のプログラムを可能にする。
【００２０】
一実施形態において、シリアル制御インタフェース１３１は、ＲＦＤＡＣ１１０に供給されたベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnの組を制御するためのプログラム信号を発生するよう配置することができる。例えば、シリアル制御インタフェース１３１は、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを個別に調整するために、ユーザがＲＦＤＡＣ１１０のドライバ部１５０にプログラム信号を送ることを可能にする。
【００２１】
種々の実施において、シリアル制御インタフェース１３１は、出力ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnの間で固定された比をユーザが維持することを可能にする。ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnの間の比は、例えばＲＦＰＡ電力効率を改善、最適化するよう制御できる。このように、ＲＦＰＡ電力効率は、出力電力の広い範囲にわたり維持することができる。いくつかの実施形態において、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを個別に細かくチューニングすることにより、更なる改善、最適化を達成することができる。
【００２２】
種々の実施形態において、シリアル制御インタフェース１３１は、ＲＦＤＡＣ１１０の個々の段をバイアスするためにドライバ部１５０のＧm値を調整するのに使用できる。ドライバ部１５０のＧm値は、ＲＦＰＡ効率を改善、最適化するために、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを制御するよう調整することができる。種々の実施形態において、最適なバイアス条件、Ｇm値が一旦決定されると、設定はシリアル制御インタフェース１３１のメモリにラッチすることができる。
【００２３】
種々の実施形態において、ベースバンドプロセッサ１２０は、ＲＦＰＡの出力電力を確立するために統一されたすなわち「単一点」電力制御を与えるよう配置できる。一実施形態において、例えばベースバンドプロセッサ１２０は、ＲＦＤＡＣ１１０の３段全てに対して同時にベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを調整する単一電力レベル信号を使用するよう配置することができる。種々の実施において、電力レベル信号は、フィルタ部１４０を通ってドライバ部１５０に印加されて中央すなわち「１ノブ」制御点を生成する単一電力制御電圧を有することができる。
【００２４】
例えば図１の実施形態を参照すると、「１ノブ」制御信号は、「電力レベル信号」入力信号と称することができる。本実施形態において、２組の電力制御信号はこの入力信号から生成してもよい。第１組の電力制御信号は、本来は直流であるが入力「電力レベル信号」に比例する信号を有することができる。第１組の電力制御信号は、ＲＦＤＡＣ１１０の第１利得段１１１及び第２利得段１１２に対してはドライバ部１５０に印加することができる。
【００２５】
第２組の電力制御信号は、２レベルの間を揺れ、入力「電力レベル信号」に比例する振幅を有するｎ個（例えば、ｎ＝１１）のアナログ信号を有することができる。本実施形態において、これらｎ個のアナログ信号源は、１ビットＤＡＣか、アナログ出力が「電力レベル信号」に比例するように構成されたアナログマルチプレクサを具備することができる。段をさらに辿ると、ｎ個のアナログ信号源は、図１に示されるｎ桁の「増幅信号」を具備することができる。
【００２６】
種々の実施形態において、この中心電力制御信号が変化すると全出力電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnが定数Ｇm1，Ｇm2，Ｇm3に比例して同時に変化し、ＲＦＤＡＶ１１０での出力電力に「１ノブ」制御の効果を与える。比例定数Ｇm1，Ｇm2，Ｇm3はシリアル制御インタフェース１３１を介して個々にプログラム可能であり、そこにあることを登録する。ドライバ部１５０に印加されると、信号電力制御電圧はＧm値に基づいてＲＦＤＡＣ１１０の多段を同時にバイアスし、ＲＦＰＡの出力電力を確立する。
【００２７】
ベースバンドプロセッサ１２０は、例えば振幅信号及び電力レベル信号を含む入力を受信するよう配置することができる。ある場合には、ベースバンドプロセッサ１２０への信号はデジタル信号プロセッサ、ベースバンド集積回路から受信することができ、座標回転デジタルコンピュータ（ＣＯＲＤＩＣ）アルゴリズムを実施する。
【００２８】
種々の実施において、ベースバンドプロセッサ１２０は、振幅信号及び位相信号に分離した入力データを受信することができる。例えば、ＲＦＤＡＣ１１０は、入力同相／クアッド位相（ＩＱ）ベースバンド信号を変調するのに使用できる。ＩＱベースバンド信号がＲＦＤＡＣ１１０に印加する前に、最初に振幅信号及び位相信号に分割される。振幅信号はベースバンドプロセッサ１２０及びＲＦＤＡＣ１１０への出力により量子化でき、そのＲＦ入力は位相成分により別途変調される。いくつかの実施形態において、ＲＦＤＡＣ１１０は極性送信器の最終段を具備することができ、送信電力レベルが減少すると電流排出が迅速に減少することを可能にする。
【００２９】
図示されるように、電力制御部１３０は、１個以上のアナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘを有することができる。ここで、ｘは任意の正の整数である。種々の実施形態において、アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘは、振幅信号及び電力レベル信号を受信するよう配置されてもよい。振幅信号は、例えば１個以上のデジタル振幅ベースバンド信号を具備することができる。一実施形態において、振幅信号はｎビット（例えば１１ビット）のコード化されたデジタル振幅信号を具備してもよい。
【００３０】
アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘは、ｎビットコード化デジタル振幅信号をアナログに変換するよう配置することができる。種々の実施形態において、アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘは、電力レベルの規模の振幅となる入力電力レベルに従ってデジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）を実行することができる。例えば、アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘへの１入力のコードは、電力レベルに従ってコモンモード直流レベルを参照した200ｍＶに変換することができる。
【００３１】
ベースバンドプロセッサ１２０は、第１フィルタ１４１及び１列のフィルタ１４２−１〜−ｙ等の複数のフィルタを有するフィルタ部１４０を具備することができる。ここで、ｙは任意の正の整数である。種々の実施形態において、第１フィルタ１４１及び１列のフィルタ１４２−１〜−ｙは、アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘからの出力を濾波するよう平行に配置してもよい。
【００３２】
フィルタ部１４０は、所定のカットオフ周波数を有するローパスフィルタ（ＬＰＦ）等の種々のタイプのフィルタを使用することができる。ある場合には、各ＬＰＦは、極限まで平坦な群遅延（線形位相応答）及び小さな行過ぎ量を有するベッセルフィルタ等の線形フィルタとして実施することができる。例えば、ＬＰＦは３次ベッセルフィルタとして実施してもよい。低消費電力の実施形態において、フィルタ部１４０は、受動ＲＣ回路網により縦続接続されたサレン・キーアーキテクチャを使用してもよい。本明細書では、これらの実施形態に限定しない。
【００３３】
ベースバンドプロセッサ１２０は、Ｖtune1発生器１５１、Ｖtune2発生器１５２及びＶtune3発生器１５３等の複数のチューニング電圧（Ｖtune）発生器を有するドライバ部１５０を具備することができる。３個のＶtune発生器が一例として図示されているが、他の実施においてより多い数又は少ない数のＶtune発生器を使用してもよいことが理解できよう。一実施形態において、Ｖtune1発生器はチューニング電圧Ｖtune1を発生し、Ｖtune2発生器はチューニング電圧Ｖtune2を発生し、Ｖtune3発生器はチューニング電圧Ｖtune3を発生する。図示されているように、チューニング電圧Ｖtune3は、単一利得増幅器等の増幅器１５４により増幅又は緩衝され得る。
【００３４】
種々の実施において、Ｖtune発生器は、シリアル制御インタフェース１３１により独立して制御することができる。各Ｖtune発生器は、例えばシリアル制御インタフェース１３１により独立してプログラムされるよう構成された電流乗算器（Ｉ乗算器又は電流乗算ＤＡＣ）を具備することができる。各Ｖtune発生器を独立して制御することにより、シリアル制御インタフェース１３１は、ＲＦＤＡＣ１１０の各段に供給されたベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnの比を制御するよう配置することができる。
【００３５】
一実施形態において、Ｖtune1発生器１５１、Ｖtune2発生器１５２及びＶtune3発生器１５３はそれぞれ５ビットのプログラム可能なＩ乗算器を具備することができ、シリアル制御インタフェース１３１は１５ビットのプログラム信号を発生することができる。シリアル制御インタフェース１３１からの１５ビットプログラム信号は３個の５ビット群に分割され、各５ビット群は個別のＩ乗算器を独立してプログラムする。シリアル制御インタフェース１３１からの５ビットを使用すると、Ｖtune1発生器１５１、Ｖtune2発生器１５２及びＶtune3発生器１５３の各Ｉ乗算器の乗算係数をプログラムすることができる。
【００３６】
種々の実施形態において、チューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2，Ｖtune3はそれぞれ異なるが、３個の５ビットデジタル値に対して比例する。一実施形態において、Ｖtune発生器は、互いに１：２：３の割合でチューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2，Ｖtune3を発生するよう配置することができる。例えば、Ｖtune1発生器は１に等しい乗算係数（Ｋ1）でプログラムされたＩ乗算器を具備することができ、Ｖtune2発生器は２に等しい乗算係数（Ｋ2）でプログラムされたＩ乗算器を具備することができ、Ｖtune3発生器は３に等しい乗算係数（Ｋ3）でプログラムされたＩ乗算器を具備することができる。プログラムされた後、Ｖtune発生器のＩ乗算器は、電流ＩDにＫ1，Ｋ2及びＫ3を個々に乗算するよう配置し、チューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2及びＶtune3を発生するよう使用される電流ＩD1，ＩD2，ＩD3を発生する。
【００３７】
図示されているように、ドライバ部１５０は、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎを有する複数の出力ドライバを具備することができる。ここで、ｎは任意の正の整数である。種々の実施形態において、チューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2及びＶtune3は、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎを有する出力ドライバに供給することができる。まとめると、チューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2及びＶtune3は、各出力ドライバのＧm値を調整し制御するのに使用して、出力電力の範囲にわたって最適化されたＲＦＰＡ電力効率を与えることができる。
【００３８】
一実施形態において、チューニング電圧Ｖtune1はＧm1ドライバ１５５に供給することができ、チューニング電圧Ｖtune2はＧm2ドライバ１５６に供給することができ、チューニング電圧Ｖtune3はＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎに供給することができる。Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎの各々は、例えばチューニング電圧Ｖtune1，Ｖtune2及びＶtune3を乗算するための乗算器を具備することができる。種々の実施において、Ｇm1，Ｇm2及びＧm3は、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎの中で一定比を与えるよう調整することができる。Ｇm1，Ｇm2及びＧm3を調整することにより、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnが調整される量が制御される。例えば、Ｇm1ドライバ１５５が供給するベース電流ＩB1、Ｇm2ドライバ１５６が供給するベース電流ＩB2、及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎが供給するベース電流ＩB1〜Ｉbnの中での比は、ＲＦＤＡＣ１１０におけるＲＦＰＡ電力効率の最適化を可能にするよう制御することができる。
【００３９】
種々の実施形態において、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎは、ベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを同時に調整する単一の電力レベル信号を使用するよう配置できる。このような実施形態において、電力レベルは第１フィルタ１４１により濾波され、Ｇm1ドライバ１５５及びＧm2ドライバ１５６に送ることができる。電力レベルは、例えばＧm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎに印加された単一電力制御電圧を具備してもよい。
【００４０】
種々の実施において、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎを含む全ての出力ドライバは、電力レベルに従った所定量により調整することができる。このように、単一の電力レベル信号は、Ｇm値に基づいてＲＦＤＡＣ１１０の多段を同時にバイアスするのに使用することができる。種々の実施において、電力レベル信号は、中央すなわち「１ノブ」制御点を生成するドライバ部１５０に印加された単一電力制御電圧を具備してもよい。このような実施においては、ＲＦＰＡの出力電力を確立するために、統一されたすなわち「単一点」電力制御が提供される。
【００４１】
例えば、図１の実施形態を参照すると、「１ノブ」制御信号は入力「電力レベル信号」を参照することができる。本実施形態において、２組の電力制御信号が「電力レベル信号」から発生する。第１組の電力制御信号は、元々は直流であるが入力「電力レベル信号」に比例する信号を含む。第１組の電力制御信号は、ＲＦＤＡＣ１１０の第１利得段１１１及び第２利得段１１２のためにＧm1ドライバ１５５及びＧm2ドライバ１５６に印加される。
【００４２】
第２組の電力制御信号は、２レベルの間を揺れ、入力「電力レベル信号」に比例する振幅を有するｎ個（例えば、ｎ＝１１）のアナログ信号を有することができる。本実施形態において、これらｎ個のアナログ信号源は、図１に図示されたアナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘ等の１ビットＤＡＣを具備することができる。アナログマルチプレクサ及びレベルシフトモジュール１３２−１〜−ｘは、アナログ出力が電力レベル信号に比例するように構成することができる。段をさらに辿ると、ｎ個のアナログ信号源は、図１に示されるｎ桁の「増幅信号」を具備することができる。
【００４３】
本実施形態において、中央電力制御信号が変化すると、全出力電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnが定数Ｇm1，Ｇm2及びＧm3に比例して同時に変化し、ＲＦＤＡＣ１１０での出力電力に対して「１ノブ」制御の効果を与える。比例定数Ｇm1，Ｇm2及びＧm3は、シリアル制御インタフェース１３１により個別のプログラム可能である。Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎに印加されると、単一電力制御信号は、Ｇm値に基づいてＲＦＤＡＣ１１０の多段を同時にバイアスし、ＲＦＰＡの出力を確立することができる。
【００４４】
種々の実施形態において、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎを含む出力ドライバは、ＣＭＯＳ処理変動、電源供給変動、温度変動、Ｇm変動等のオンチップ及びオフチップデバイスパラメータの変動を補償するようバイアスすることができる。
【００４５】
図示されているように、ドライバ部１５０は１／β発生器１５８を具備することができる。種々の実施において、１／β発生器１５８は、ＲＦＤＡＣ１１０のセンスデバイス１１５のβを検出するよう配置することができる。センスデバイス１１５の検出されたβから、１／β発生器１５８は、１／βに比例する補償信号を発生することができる。
【００４６】
種々の実施形態において、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎを含む出力ドライバは、１／βに比例する信号に基づいてベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを発生することができる。例えば一実施形態において、１／β発生器１５８は、Ｖtune1発生器１５１、Ｖtune2発生器１５２及びＶtune3発生器１５３に１／β補償信号を供給することができる。チューニング電圧Ｖtune1、Ｖtune2及びＶtune3によりバイアスされると、Ｇm1ドライバ１５５、Ｇm2ドライバ１５６及びＧm3ドライバ１５７−１〜−ｎは、ＲＦＤＡＣ１１０のβ変動が補償されたベース電流ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbnを発生するよう配置することができる。１／βの特性を担持するベース電流（例えば、ＩB1，ＩB2，Ｉb1〜Ｉbn）はβで乗算されるので、ＲＦＤＡＣ１１０のデバイスのコレクタ電流はβの変動にほぼ独立する。
【００４７】
図２は、チューニング電圧発生システム２００の一実施形態を示す。種々の実施形態において、チューニング電圧発生システム２００は、図１に示されたベースバンドプロセッサ１２０により実施してもよい。しかし、本明細書では、これらの実施形態に限定されない。
【００４８】
図示されているように、チューニング電圧発生システム２００は、シリアル制御インタフェース２１０、１／β発生器２２０、並びにＶtune1発生器２３０、Ｖtune2発生器２４０及びＶtune3発生器２５０からなる複数のＶtune発生器を具備する。共通電源ＶDD（例えば、2.85Ｖ）は、１／β発生器２２０、並びにＶtune1発生器２３０、Ｖtune2発生器２４０及びＶtune3発生器２５０に印加される。３個のＶtune発生器が一例として図示されているが、他の実施においてより多い数又は少ない数のＶtune発生器を使用してもよいことが理解できよう。
【００４９】
１／β発生器２２０は、ＨＢＴデバイス２２２（例えば、GaAsＨＢＴデバイス）に結合されたＰＭＯＳデバイス２２１（例えば、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ）を具備する。一実施形態において、βは、ＨＢＴデバイス２２２のために40から140の範囲で変化する。ＨＢＴデバイス２２２は電流源２２３及び増幅器２２４に結合される。電流源２２３はＨＢＴデバイス２２２のコレクタに供給される基準電流Ｉref（例えば、20μＡ）を発生し、増幅器２２４はＰＭＯＳデバイス２２１のゲートを駆動する。
【００５０】
コモンモード電圧Ｖcm（例えば、1.1Ｖ）が増幅器２２４の非反転入力（＋）に結合される。増幅器２２４の反転入力（−）及び非反転入力（＋）に電流は殆ど又は全く流れないので、反転入力（−）及び非反転入力（＋）での入力電圧はほぼ等しく、増幅器２２４の反転入力（−）及びＨＢＴデバイス２２２のコレクタでの電圧はＶcmである。ＨＢＴデバイス２２２のコレクタが電圧レベルＶcmに保たれると、ＨＢＴデバイス２２２は線形領域で作動することが保証される。Ｖcmでない場合、増幅器２２４は、電圧が高過ぎると負の引張り電圧等の補償電圧を発生する。
【００５１】
Ｖtune1発生器２３０はトランジスタ２３１を具備する。種々の実施形態において、トランジスタ２３１は、ＰＭＯＳデバイス２２１に類似すると共にＰＭＯＳ２２１に殆ど合致する。トランジスタ２３１のソースは共通供給電圧ＶDDに結合され、トランジスタ２３１のゲートは増幅器２２４の出力により駆動される。従って、トランジスタ２３１により駆動される電流ＩDは１／βに比例し、Ｉref／βに等しい。Ｖtune1発生器２３０において、ドレーン電流ＩDは乗算器Ｋ1２３２により乗算されて電流ＩD1を発生する。乗算器Ｋ1２３２は、シリアル制御インタフェース２１０により個別に制御することができる。
【００５２】
Ｖtune1発生器２３０は増幅器２３３を具備する。増幅器２３３の出力はトランジスタＭ1c２３４のゲートに結合され、増幅器２３３の反転（−）入力はトランジスタＭ1c２３４のドレーンに結合される。コモンモード電圧Ｖcmは増幅器２３３の非反転（＋）入力に結合され、トランジスタＭ1２３５のゲートに結合される。従って、増幅器２３３の反転（−）入力及びＭ1c２３４のドレーンでの電圧はＶcmである。
【００５３】
トランジスタＭ1c２３４のソースは、ノード２３６でトランジスタＭ1２３５のドレーンに結合される。電流ＩD1はトランジスタＭ1c２３４のドレーン電流に等しく、トランジスタＭ1２３５に強制されてノード２３６でバイアス制御信号Ｖtune1を発生する。チューニング電圧Ｖtune1は、飽和状態又は最終状態でトランジスタＭ1２３５を保つ電圧にすることができる。一実施形態において、トランジスタＭ1c２３４及びＭ1２３５は、例えば三極管モードでバイアスされたＮ−ＭＯＳＦＥＴを具備することができる。
【００５４】
Ｖtune2発生器２４０はトランジスタ２４１を具備する。種々の実施形態において、トランジスタ２４１は、ＰＭＯＳデバイス２２１に類似すると共にＰＭＯＳ２２１に殆ど合致する。トランジスタ２４１のソースは共通供給電圧ＶDDに結合され、トランジスタ２４１のゲートは増幅器２２４の出力により駆動される。従って、トランジスタ２４１により駆動される電流ＩDは１／βに比例し、Ｉref／βに等しい。Ｖtune2発生器２４０において、ドレーン電流ＩDは乗算器Ｋ2２４２により乗算されて電流ＩD2を発生する。乗算器Ｋ2２４２は、シリアル制御インタフェース２１０により個別に制御することができる。
【００５５】
Ｖtune2発生器２４０は増幅器２４３を具備する。増幅器２４３の出力はトランジスタＭ2c２４４のゲートに結合され、増幅器２４３の反転（−）入力はトランジスタＭ2c２４４のドレーンに結合される。コモンモード電圧Ｖcmは増幅器２４３の非反転（＋）入力に結合され、トランジスタＭ2２４５のゲートに結合される。従って、増幅器２４３の反転（−）入力及びＭ2c２４４のドレーンでの電圧はＶcmである。
【００５６】
トランジスタＭ2c２４４のソースは、ノード２４６でトランジスタＭ2２４５のドレーンに結合される。電流ＩD2はトランジスタＭ2c２４４のドレーン電流に等しく、トランジスタＭ2２４５に強制されてノード２４６でバイアス制御信号Ｖtune2を発生する。チューニング電圧Ｖtune2は、飽和状態又は最終状態でトランジスタＭ2２４５を保つ電圧にすることができる。一実施形態において、トランジスタＭ2c２４４及びＭ2２４５は、例えば三極管モードでバイアスされたＮ−ＭＯＳＦＥＴを具備することができる。
【００５７】
Ｖtune3発生器２５０はトランジスタ２５１を具備する。種々の実施形態において、トランジスタ２５１は、ＰＭＯＳデバイス２２１に類似すると共にＰＭＯＳ２２１に殆ど合致する。トランジスタ２５１のソースは共通供給電圧ＶDDに結合され、トランジスタ２５１のゲートは増幅器２２４の出力により駆動される。従って、トランジスタ２５１により駆動される電流ＩDは１／βに比例し、Ｉref／βに等しい。Ｖtune3発生器２５０において、ドレーン電流ＩDは乗算器Ｋ3２５２により乗算されて電流ＩD3を発生する。乗算器Ｋ3２５２は、シリアル制御インタフェース２１０により個別に制御することができる。
【００５８】
Ｖtune3発生器２５０は増幅器２５３を具備する。増幅器２５３の出力はトランジスタＭ3c２５４のゲートに結合され、増幅器２５３の反転（−）入力はトランジスタＭ3c２５４のドレーンに結合される。コモンモード電圧Ｖcmは増幅器２５３の非反転（＋）入力に結合され、トランジスタＭ3２５５のゲートに結合される。従って、増幅器２５３の反転（−）入力及びＭ3c２５４のドレーンでの電圧はＶcmである。
【００５９】
トランジスタＭ3c２５４のソースは、ノード２５６でトランジスタＭ3２５５のドレーンに結合される。電流ＩD3はトランジスタＭ3c２５４のドレーン電流に等しく、トランジスタＭ3２５５に強制されて増幅器２５７を通ってノード２５６でバイアス制御信号Ｖtune3を発生する。チューニング電圧Ｖtune3は、飽和状態又は最終状態でトランジスタＭ3２５５を保つ電圧にすることができる。一実施形態において、トランジスタＭ3c２５４及びＭ3２５５は、例えば三極管モードでバイアスされたＮ−ＭＯＳＦＥＴを具備することができる。
【００６０】
図３は、出力ドライバシステム３００の一実施形態を示す。種々の実施形態において、出力ドライバシステム３００は、図１に示されたベースバンドプロセッサ１２０により実施することができる。しかし、本明細書では、これらの実施形態に限定されない。
【００６１】
出力ドライバシステム３００は、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎからなる複数の出力ドライバを具備する。ここで、ｎは任意の正の整数である（例えば、ｎ＝１１）。図示されているように、出力ドライバ３１０−１〜−４等（例えば、ｘ１、ｘ２、ｘ４、ｘ８）の出力ドライバのいくつかは２倍加重であるが、出力ドライバ３１０−５〜―ｎのいくつかは等加重（例えば、ｘＮ）であってもよい。一実施形態において、例えばｘＮはｘ１６と等しい。しかし、本明細書ではこれらの実施形態に限定されない。
【００６２】
種々の実施形態において、チューニング電圧Ｖtune3はＧm3ドライバ３１０−１〜−ｎに供給され、出力電力の範囲にわたって最適のＲＦＰＡ電力効率を与えるようＧm3を調整及び制御することができる。各Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎは、例えば、チューニング電圧Ｖtune3を乗算するための乗算器を具備してもよい。種々の実施において、Ｇm3の値は、Ｇm3出力ドライバ３１０−１〜−ｎ及び他の出力ドライバ（例えば、Ｇm1ドライバ及びＧm2ドライバ）の間の一定比を与えるよう調整することができる。Ｇm3を調整することにより、ベース電流Ｉb1〜ＩbN_nが調整される量が制御される。
【００６３】
図示されているように、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎは、電力レベルに従った所定量により調整することができる。種々の実施形態において、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎは、単一の電力レベル信号を使用してベース電流Ｉb1〜ＩbN_nを同時に調整するよう配置することができる。このような実施形態において、電力レベルは、例えば１列のフィルタにより濾波され、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎに送ることができる。
【００６４】
いくつかの実施において、電力レベルは、他のドライバ（例えば、Ｇm1ドライバ及びＧm2ドライバ）と同様にＧm3ドライバ３１０−１〜−ｎに印加される単一の電力制御電圧を有することができる。このような実施において、統一されたすなわち「単一点」電力制御は、ＲＦＰＡの出力電力を確立するために提供される。
【００６５】
種々の実施形態において、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎは、ＣＭＯＳ処理変動、電源供給変動、温度変動、Ｇm変動等のオンチップ及びオフチップデバイスパラメータの変動を補償するようバイアスすることができる。例えば、Ｇm3ドライバ３１０−１〜−ｎは、１／βに比例する信号に基づいてベース電流Ｉb1〜ＩbN_nを発生することができる。
【００６６】
実際には、合成されたベース電流Ｉb1〜ＩbN_nは、ｎビットデジタルワード（例えば、１１ビットデジタルワード）を有する振幅信号を形成する。種々の実施形態において、ｎビットデジタルワードの各ビットは、あるＲＦＤＡＣ利得段のスイッチングトランジスタに対応することができる。各スイッチングトランジスタは、対応するビット値によってオン又はオフにバイアスされる。所定のスイッチングトランジスタをオン及びオフにバイアスすることにより、合成ベース電流Ｉb1〜ＩbN_nは、ＲＦＤＡＣ利得段により与えられる増幅を効果的に制御するのに使用することができる。
【００６７】
図４は、ＲＦＤＡＣ４００の一実施形態を示す。種々の実施形態において、ＲＦＤＡＣ４００は、図１に示されたＲＦＤＡＣ１００を具備してもよい。しかし、本明細書では、これらの実施形態に限定されない。
【００６８】
図示されているように、ＲＦＤＡＣ４００は、第１利得段４１０、第２利得段４２０、及び一緒に交流結合することができる第３利得段４３０を含む複数の利得段を具備することができる。本実施形態において、第１利得段４１０は、結合キャパシタ４１１、トランジスタ４１２、及び負荷としてのインダクタ４１３を具備する。第２利得段４２０は、結合キャパシタ４２１、トランジスタ４２２、及び負荷としてのインダクタ４２３を具備する。インダクタ４１３，４２３は、直流信号ではなく交流信号を増幅するのに使用することができる。
【００６９】
本実施形態において、第３利得段４３０は、結合キャパシタ４３１及び複数のスイッチングトランジスタ４３２−１〜−ｎを具備する。ここで、ｎは、任意の正の整数である（例えば、ｎ＝１１）。第３利得段４３０はまた、スイッチングトランジスタ４３２−１〜−ｎのベースに結合された複数の抵抗４３３−１〜−ｎ及び複数のキャパシタ４３４−１〜−ｎを具備する。図示されているように、スイッチングトランジスタ４３２−１〜−４（例えば、ｘ１、ｘ２、ｘ４、ｘ８）等のいくつかのトランジスタは等加重（例えば、ｘＮ）であってもよい。一実施形態において、例えばｘＮはｘ１６と等しい。しかし、本明細書ではこれらの実施形態に限定されない。
【００７０】
種々の実施において、ＲＦ信号Φ及びベース電流ＩB1は、ＲＦＤＡＣ４００の第１利得段４１０に印加される。第１利得段４１０において、入力ＲＦ信号Φはキャパシタ４１１に印加され、ベース電流ＩB1はトランジスタ４１２のベースに印加される。このように、トランジスタ４１２はベース電流ＩB1によりバイアスされ、ＲＦ信号Φにより変調される。
【００７１】
第２利得段４２０において、ベース電流ＩB2はトランジスタ４２２のベースに印加される。トランジスタ４２２はベース電流ＩB2によりバイアスされ、ＲＦ信号Φにより変調され第１利得段４１０により増幅される。一般に、第２利得段４２０は第１利得段４１０により増幅されているので、ベース電流ＩB1及びベース電流ＩB2は異なる。従って、第２利得段４２０はより高い直流出力点でバイアスされる。
【００７２】
第１利得段４１０及び第２利得段４２０により増幅された後、増幅されたＲＦ信号Φは第３利得段４３０に送ることができる。第３利得段４３０において、増幅されたＲＦ信号Φはベースバンド信号により変調され、アンテナ４３５を通って送信される。本実施形態において、ベースバンド信号は、ベース電流Ｉb1〜ＩbN_nを通って第３利得段４３０に供給された振幅信号を有することができる。
【００７３】
実際には、合成されたベース電流Ｉb1〜ＩbN_nは、ｎビットデジタルワード（例えば、１１ビットデジタルワード）を有する振幅信号を形成する。ｎビットデジタルワードの各ビットはスイッチングトランジスタ４３２−１〜−ｎに対応し、各スイッチングトランジスタ４３２−１〜−ｎは、対応するビット値によってオン又はオフにバイアスされる。所定のスイッチングトランジスタをオン及びオフにバイアスすることにより、第３利得段４３０により供給されるＲＦ信号Φの増幅を効果的に制御することができる。
【００７４】
図示されているように、ＲＦＤＡＣ４００は、ＲＦＤＡＣ４００の他のトランジスタと同じ基板上に一体に形成されたＨＢＴデバイスで実施したセンスデバイス４３６を具備することができる。このため、ＲＦＤＡＣ４００及びセンスデバイス４３６の他のトランジスタの処理変数による変動は同様になる。種々の実施において、電流ＭＶ＿Ｂはセンスデバイス４３６のベースで受信することができ、固定精密電流ＭＶ＿Ｃはセンスデバイス４３６のβを決定するためにセンスデバイス４３６のコレクタで受信してもよい。
【００７５】
実施形態を完全に理解できるよう多数の特定の詳細を説明した。しかし、当業者であれば理解できるように、これらの特定詳細が無くても実施形態を実施することができる。他の例では、実施形態を不明確にしないように、周知の作動、部品及び回路を詳細に説明していない。本明細書に開示された特定の構造的及び機能的詳細は代表例であり、実施形態の範囲を限定するものではないことを理解されたい。
【００７６】
当業者であれば、多くの変形、変更、置換及び等価物を想起するであろう。従って、特許請求の範囲は、実施形態の真髄の範囲内のそのような全ての変形、変更をカバーすることを意図されていると理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】ベースバンド信号処理システムの一実施形態を示す図である。
【図２】チューニング電圧発生システムの一実施形態を示す図である。
【図３】出力ドライバシステムの一実施形態を示す図である。
【図４】ＲＦＤＡＣの一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１１０                                  無線周波数デジタル・アナログコンバータ
１１１，１１２，１１３                  利得段
１２０                                  ベースバンドプロセッサ
１３１，２１０                          シリアル制御インタフェース
１３２−１…１３２−ｎ                  アナログマルチプレクサ
１４１，１４２−１…１４２−ｎ          フィルタ
１５１，１５２，１５３                  チューニング電圧発生器
１５５，１５６，１５７−１…１５７−ｎ  出力ドライバ
２３２，２４２，２５２                  電流乗算器
【図１】
2007312391.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2007312391.tif 000006