(57)【要約】【課題】目標電極の信号を外部に引出されて、計測、実証、回路改修または電子素子追加することができる。【解決手段】複数の電極を有するベース材を用意するステップと、信号を引出そうとする電極を選択するステップと、焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけ接触穴を形成し電極を露出するステップと、焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップとを含む回路信号の引出方法において、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードにより選ばれた電極の信号を引出すことを特徴とする回路信号の引出方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有するベース材を用意するステップと、
信号を引出そうとする電極を選択するステップと、
焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけ接触穴を形成し電極を露出するステップと、
焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップとを含む回路信号の引出方法において、
導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードにより選ばれた電極の信号を引出すことを特徴とする、
回路信号の引出方法。
【請求項２】
前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項３】
前記イオンビームはガリウム・イオンビーム（ｇａｌｌｉｕｍ）であることを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項４】
前記ノズルから噴出された気体分子は、白金（Ｐｔ）やタングステン（Ｗ）などの導電性材料の気体であることを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項５】
前記イオンビームと、ノズルから噴出された絶縁材質である気体分子とにより、前記接触穴７５の内周面に絶縁部を予めに形成して、前記絶縁部の上で導電材料を堆積して導電ピアを形成可能としたことを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項６】
前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項７】
前記導電粘り材料の表面に絶縁材料を被覆可能としたことを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項８】
前記リードは各種類の計測装置の入力端子と出力端子と接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項９】
前記リードは他のベース材の電極と接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１０】
前記リードは電子素子と接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１１】
前記リードは集積回路の金属接点と接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１２】
前記リードは回路板の金属接点と接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１３】
前記リードは他のリードと接続することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１４】
導電ピアの一側から導電性を持つ導電ピア延在段が別に延長してあり、導電粘り材料により前記導電ピア延在段がリードと電気的に連接し導電経路を形成することを特徴とする、請求項１に記載の回路信号の引出方法。
【請求項１５】
前記ノズルから噴出され絶縁部を堆積する絶縁材料の気体分子は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする、請求項５に記載の回路信号の引出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電粘り材料と、焦点が絞られたイオンビームとによって導電性経路を形成することにより回路信号を引出す方法に関し、特に、ベース材である集積回路の上での目標電極に、焦点が絞られたイオンビーム（ＦＩＢ）またはレーザにより導電ピア（ｐｉｅｒ）を形成して、導電ピアに導電粘り材料を設置することによりリードと接続し、前記リードによって目標電極の信号が外部に引出されて、計測、実証、回路改修または電子素子追加することができる回路信号の引出方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路の回路を改修する方法は、図１３乃至図１６に示すように、焦点が絞られたイオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザにより、集積回路７１の上での選ばれた電極７３に半導体製造プロセスでの各層素材７４（例えば、導電層と半導体層と絶縁層など）を穴あけ接触穴７５を形成することにより電極７３を露出して、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５内に導電体を堆積し導電ピア７６を形成してもいいし、前記接触穴７５の内周面に絶縁材料を堆積して絶縁部７７を予めに形成して、前記絶縁部７７の上で導電材料を堆積して導電ピア７６を形成してもよく、最後に、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザと、ノズル７２１から噴出された気体分子とにより、前記接触穴７５の導電ピア７６の間に導電体を堆積し導電ブリッジ７８を形成する。上記方法は、イオンビーム７２（ＦＩＢ）又はレーザにより電極の互いの連結関係を変更し又は省略するが、集積回路の上で電子素子を増加し回路特性を変更することができないので、集積回路の回路改修は極めて不便であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の主な目的は、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールを短縮でき、製造コストが低減できる回路信号の引出方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するためになされた本願の第１発明は、複数の電極を有するベース材を用意するステップと、信号を引出そうとする電極を選択するステップと、焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけ接触穴を形成し電極を露出するステップと、焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップとを含む回路信号の引出方法において、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードにより選ばれた電極の信号を引出すことを特徴とする回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【０００５】
本願の第２発明では、前記ベース材は集積回路（ＩＣ）であることを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【０００６】
本願の第３発明では、前記イオンビームはガリウム・イオンビーム（ｇａｌｌｉｕｍ）であることを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【０００７】
本願の第４発明では、前記ノズルから噴出された気体分子は、白金（Ｐｔ）やタングステン（Ｗ）などの導電性材料の気体であることを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【０００８】
本願の第５発明では、前記イオンビームと、ノズルから噴出された絶縁材質である気体分子とにより、前記接触穴７５の内周面に絶縁部を予めに形成して、前記絶縁部の上で導電材料を堆積して導電ピアを形成可能としたことを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【０００９】
本願の第６発明では、前記導電粘り材料は導電ゲルであることを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１０】
本願の第７発明では、前記導電粘り材料の表面に絶縁材料を被覆可能としたことを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１１】
本願の第８発明では、前記リードは各種類の計測装置の入力端子と出力端子と接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１２】
本願の第９発明では、前記リードは他のベース材の電極と接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１３】
本願の第１０発明では、前記リードは電子素子と接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１４】
本願の第１１発明では、前記リードは集積回路の金属接点と接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１５】
本願の第１２発明では、前記リードは回路板の金属接点と接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１６】
本願の第１３発明では、前記リードは他のリードと接続することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１７】
本願の第１４発明では、導電ピアの一側から導電性を持つ導電ピア延在段が別に延長してあり、導電粘り材料により前記導電ピア延在段がリードと電気的に連接し導電経路を形成することを特徴とする本願の第１発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【００１８】
本願の第１５発明では、前記ノズルから噴出され絶縁部を堆積する絶縁材料の気体分子は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする本願の第５発明に記載の回路信号の引出方法であることを要旨としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る回路信号の引出方法によれば、見本を先に作製してお客様に提出して、お客様は速めに実証することができることにより、市場での発売のスケジュールは短縮でき、製造コストが低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２１】
まず、本発明は多種類の実施例に適用できるので、出願者は説明を簡潔化するために、そのうちの一つの実施例を挙げて本考案の実施方法を説明するが、もちろん、本発明は各種類の回路の改修に適用できる。
【実施例】
【００２２】
図１を参照する。本発明は、複数の電極１１を有するベース材１（例えば集積回路）を含み、焦点が絞られたイオンビーム２（例えばガリウム・イオンビームなど）により、信号を引出そうとする電極１１の上の半導体製造プロセスでの各層素材１２（例えば、導電層と半導体層と絶縁層など）を除去することにより、電極１１に対応する接触穴１３がベース材１の上で形成される。
【００２３】
また、図２を参照する。選べれた電極１１に対応する各接触穴１３を前記ベース材１の上で形成して、焦点が絞られたイオンビーム２またはレーザと、ノズル２１から噴出された気体分子（白金（Ｐｔ）やタングステン（Ｗ）などの導電性材料の気体または二酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの絶縁材質の気体）とにより、各接触穴１３内に導電体を堆積し導電ピア３を形成してもいいし、前記接触穴１３の内周面に絶縁材料を堆積し絶縁部（図示せず）を予めに形成して、前記絶縁部（図示せず）の上で導電材料を堆積して導電ピア３を形成してもいい。
【００２４】
本発明の主な改良は、図３に示すように、前記導電ピア３の上で導電粘り材料４（例えば導電ゲルなど）を設置して、前記導電粘り材料４により導電ピア３がリード５と接続し、そうすると、選べれた電極１１の信号を引出すことができる。
【００２５】
電極１１に対応する導電ピア３は導電粘り材料３によってリード５と接続し、また、図４に示すように、導電粘り材料４の表面に絶縁材料６（例えば、絶縁ゲルや二酸化シリコン（ＳｉＯ2）など）を被覆してもよく、これにより、導電粘り材料４とリード５との間の連接強度と絶縁効果とが同時に向上できる。
【００２６】
そうすると、ベース材１の電極１１に対応する導電ピア３が導電粘り材料４によってリード５と接続し、前記リード５は、図５に示すように、各種類の計測装置５１の入力端子と出力端子と接続してもいいし、図６に示すように、他のベース材５２の電極５２１と接続してもいいし、図７に示すように、集積回路５３の金属接点５３１と接続してもいいし、図８に示すように、外部の電子素子５４と接続してもいいし、図９に示すように、外部の回路板５５の金属接点５５１と接続してもいいし、図１０に示すように、他のリード５６と接続してもよく、そうすると、前記リード５により、目標電極１１の信号を引出されて、計測、実証、回路改修または電子素子追加することができる。
【００２７】
また、図１１に示すように、本発明は、ベース材１の各接触穴１３内に堆積した導電ピア３の一側から導電性を持つ導電ピア延在段３１が別に延長してあり、導電粘り材料４により前記導電ピア延在段３１がリード５と電気的に連接し導電経路を形成してもいいし、図１２に示すように、導電粘り材料４の表面に絶縁材料６を被覆してもよく、これにより、選べれた電極１１の信号を引出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】焦点が絞られたイオンビームによりベース材の上で接触穴を開設することを示す断面概略図である。
【図２】ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとにより導電ピアを形成することを示す断面概略図である。
【図３】導電ピアの上で導電粘り材料を設置することにより、導電ピアがリードと接続することを示す断面概略図である。
【図４】導電粘り材料の表面に絶縁材料を被覆した状態を示す断面概略図である。
【図５】リードが計測装置に接続されたことを示す概略図である。
【図６】リードが他のベース材の電極に接続されたことを示す概略図である。
【図７】リードが集積回路の金属接点に接続されたことを示す概略図である。
【図８】リードが電子素子に接続されたことを示す概略図である。
【図９】リードが回路板の金属接点に接続されたことを示す概略図である。
【図１０】リードが他のリードに接続されたことを示す概略図である。
【図１１】導電ピア延在段に導電粘り材料を設置することによりリードと導電ピア延在段とが電気的に接続する状態を示す断面図である。
【図１２】導電ピア延在段の上での導電粘り材料の表面に絶縁材料が被覆してある状態を示す断面図である。
【図１３】従来の技術により、焦点が絞られたイオンビームによってベース材の上で接触穴を開設することを示す断面概略図である。
【図１４】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図１である。
【図１５】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図２である。
【図１６】従来の技術により、ノズルから噴出された気体分子と焦点が絞られたイオンビームとによって導電ピアを形成することを示す断面概略図３である。
【符号の説明】
【００２９】
１        ベース材                  １１      電極
１２      半導体製造プロセスでの各層材料
１３      接触穴                    ２        イオンビーム
２１      ノズル                    ３        導電ピア
３１      導電ピア延在段            ４        導電粘り材料
５        リード                    ５１      計測装置
５２      ベース材                  ５２１    電極
５３      集積回路                  ５３１    金属接点
５４      電子素子                  ５５      回路板
５５１    金属接点                  ５６      リード
６        絶縁材料                  ７１      集積回路
７２      イオンビーム              ７２１    ノズル
７３      電極
７４      半導体製造プロセスでの各層材料
７５      接触穴                    ７６      導電ピア
７７      絶縁部                    ７８      導電ブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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