(57)【要約】【課題】本発明は、スペーサのチャージングによる電子ビームの歪曲を抑制するために、電子放出部及びスペーサの配置構造を改善した、電子放出表示デバイスに関する。【解決手段】本発明による電子放出表示デバイスは、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板に形成される電子放出部と、第１基板に形成されていて、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と、蛍光層の一面に形成されるアノード電極と、第１基板及び第２基板の間で蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサとを含む。この時、スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域でスペーサに最も近い最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離をｘとし、スペーサの反対側の蛍光層の一端からスペーサまでの距離をＡとする時、０．０５＜ｘ／Ａ≦０．４の条件を満たす。【選択図】図１
2007128883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に形成される電子放出部と；
前記第１基板に形成されていて、前記電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と；
前記第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
前記第１基板及び第２基板の間で前記蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサと；を含み、
前記スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域でスペーサに最も近い最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離をｘとし、スペーサの反対側の蛍光層の一端からスペーサまでの距離をＡとする時、下記の条件を満たす、電子放出表示デバイス。
０．０５＜ｘ／Ａ≦０．４
【請求項２】
互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に形成される電子放出部と；
前記第１基板に形成されていて、前記電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と；
前記第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
前記第１基板及び第２基板の間で前記蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサと；を含み、
前記画素領域のうちの前記電子放出部が形成されて実際に電子が放出される領域を有効電子放出領域とし、スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域で有効電子放出領域及びスペーサの間の距離をｘ’とし、スペーサの反対側の蛍光層の一端からスペーサまでの距離をＡとする時、下記の条件を満たす、電子放出表示デバイス。
０．０５＜ｘ’／Ａ≦０．４
【請求項３】
前記駆動電極が前記電子放出部に電気的に連結されるカソード電極と、前記カソード電極と絶縁されて位置するゲート電極とを含む、請求項１または２に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項４】
前記電子放出部は、炭素系物質及びナノメートルサイズ物質のうちのいずれか一つからなる、請求項３に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項５】
前記駆動電極の上部で駆動電極と絶縁されて位置する集束電極をさらに含む、請求項３に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項６】
前記集束電極が前記画素領域ごとに電子放出部を囲む一つの開口部を形成し、前記有効電子放出領域が集束電極の開口部に対応する、請求項５に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項７】
前記スペーサは壁体型であり、いずれか一つの駆動電極と平行に配置される、請求項１または２に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項８】
互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に形成される電子放出部と；
前記第１基板に形成されていて、前記電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と；
前記第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
前記第１基板及び第２基板の間で前記蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサと；を含み、
前記スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域でスペーサに最も近い最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離をｘとし、電子ビームの発散角をθとし、前記第１基板及び第２基板の間隔をＹとする時、下記の条件を満たす、電子放出表示デバイス。
ｘ＞Ｙ・ｔａｎθ、この時、θ＜１０°
【請求項９】
互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に形成される電子放出部と；
前記第１基板に形成されていて、前記電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と；
前記第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
前記第１基板及び第２基板の間で前記蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサと；を含み、
前記画素領域のうちの前記電子放出部が形成されて実際に電子が放出される領域を有効電子放出領域とし、スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域で有効電子放出領域及びスペーサの間の距離をｘ’とし、電子ビームの発散角をθとし、前記第１基板及び第２基板の間隔をＹとする時、下記の条件を満たす、電子放出表示デバイス。
ｘ’＞Ｙ・ｔａｎθ、この時、θ＜１０°
【請求項１０】
前記駆動電極が前記電子放出部に電気的に連結されるカソード電極と、前記カソード電極と絶縁されて位置するゲート電極とを含む、請求項８または９に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項１１】
前記電子放出部は、炭素系物質及びナノメートルサイズ物質のうちのいずれか一つからなる、請求項１０に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項１２】
前記駆動電極の上部で駆動電極と絶縁されて位置する集束電極をさらに含む、請求項１０に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項１３】
前記集束電極が前記画素領域ごとに電子放出部を囲む一つの開口部を形成し、前記有効電子放出領域が集束電極の開口部に対応する、請求項１２に記載の電子放出表示デバイス。
【請求項１４】
前記スペーサは壁体型であり、いずれか一つの駆動電極と平行に配置される、請求項８または９に記載の電子放出表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出表示デバイスに関し、より詳細には、スペーサのチャージングによる電子ビームの走査経路の歪曲を抑制するために、電子放出部及びスペーサの配置構造を改善した、電子放出表示デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）は、電子源の種類によって、熱陰極（ｈｏｔ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式及び冷陰極（ｃｏｌｄ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式に分類することができる。
【０００３】
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ；ＦＥＡ）型、表面伝導放出（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ；ＳＣＥ）型、金属−絶縁層−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ；ＭＩＭ）型、及び金属−絶縁層−半導体（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＭＩＳ）型などが知られている。
【０００４】
このうち、電界放出アレイ（ＦＥＡ）型電子放出素子は、電子放出部と、この電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極として一つのカソード電極及び一つのゲート電極とを含み、電子放出部の材質として、仕事関数が低く縦横比が大きい物質、一例として、炭素ナノチューブ、黒鉛、及びダイヤモンド状カーボンのような炭素系物質を使用して、真空中で電界によって簡単に電子が放出される原理を利用する。
【０００５】
電子放出素子は、一基板にアレイを構成して配置されて電子放出デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）を構成し、電子放出デバイスは、蛍光層及びアノード電極などからなる発光ユニットが形成された他の基板と結合して、電子放出表示デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）を構成する。
【０００６】
電子放出表示デバイスにおいて、電子放出部及び駆動電極が形成される第１基板及び発光ユニットが形成される第２基板は、密封部材によって互いに接合された後、内部の空間が約１０−６ｔｏｒｒの真空度に排気されて、密封部材と共に真空容器を構成する。
【０００７】
前記真空容器は、内部及び外部の圧力差によって強い圧縮力の印加を受け、この圧縮力は、パネルのサイズに比例して大きくなる。したがって、第１基板及び第２基板の間に多数のスペーサを設置し、真空容器に印加される圧力を支持して、両基板の間隔を一定に維持する技術が開発されて使用されている。この時、スペーサは、駆動電極及びアノード電極の間の短絡を防止するために、主にガラスまたはセラミックのような誘電体からなり、蛍光層に影響を及ぼさないように、黒色層に対応して位置する。
【０００８】
しかし、大部分の電子放出表示デバイスは、集束電極が形成される場合にも、完全な電子ビームの直進性を確保するのが困難であるため、第１基板の電子放出部から放出された電子が、当該蛍光層が位置する第２基板に向かう時に、所定の発散角で広がって進行するようになる。このような電子ビームの広がりによってスペーサの表面に電子が衝突するようになり、電子が衝突したスペーサは、材質の特性（誘電率または二次電子放出係数など）によってその表面が正または負の電位に帯電される。
【０００９】
帯電されたスペーサは、スペーサの周囲の電場を変化させて、電子ビームの走査経路を歪曲させる。例えば、正の電位に帯電されたスペーサは電子ビームを引き寄せ、負の電位に帯電されたスペーサは電子ビームを押し離す。このような電子ビームの走査経路の歪曲は、スペーサの周囲の正確な色実現を阻害して、画面上でスペーサが認知される表示品質の低下を誘発する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は、前記問題点を解消するためのものであって、本発明の目的は、スペーサの表面に衝突する電子の量を最少化して、スペーサのチャージングによる電子ビームの走査経路の歪曲及びこれによる表示品質の低下を抑制することができる、電子放出表示デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、本発明の実施例による電子放出表示デバイスは、互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と、第１基板に形成される電子放出部と、第１基板に形成されていて、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と、蛍光層の一面に形成されるアノード電極と、第１基板及び第２基板の間で蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサとを含み、スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域でスペーサに最も近い最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離をｘとし、スペーサの反対側の蛍光層の一端からスペーサまでの距離をＡとする時、０．０５＜ｘ／Ａ≦０．４の条件を満たす。
【００１２】
また、本発明の他の実施例による電子放出表示デバイスは、互いに対向配置されて、画素領域が設定される第１基板及び第２基板と、第１基板に形成される電子放出部と、第１基板に形成されていて、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、第２基板の一面で互いに離隔して位置する蛍光層と、蛍光層の一面に形成されるアノード電極と、第１基板及び第２基板の間で蛍光層の間の領域に対応して位置するスペーサとを含み、スペーサと隣接する少なくとも一つの画素領域でスペーサに最も近い最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離をｘとし、電子ビームの発散角をθとし、第１基板及び第２基板の間隔をＹとする時、ｘ＞Ｙ・ｔａｎθ、この時、θ＜１０°の条件を満たす。
【００１３】
前記２種類の電子放出表示デバイスは、いずれも、前記画素領域のうちの電子放出部が形成されて実際に電子が放出される領域を有効電子放出領域とすれば、最外郭電子放出部及びスペーサの間の距離（ｘ）を有効電子放出領域及びスペーサの間の距離に代替することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による電子放出表示デバイスは、スペーサの表面の電子の衝突を最少化して、スペーサのチャージングによる電子ビームの歪曲を抑制することができる。したがって、本発明による電子放出表示デバイスは、スペーサの周囲の正確な色実現を可能にし、画面上でスペーサが認知される表示品質の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な相異した形態に具現され、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１６】
図１及び図２は各々本発明の一実施例による電子放出表示デバイスの部分分解斜視図及び部分断面図である。
【００１７】
図面を参照すれば、電子放出表示デバイスは、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１０及び第２基板１２を含む。第１基板１０及び第２基板１２の周縁には、密封部材（図示せず）が配置されて両基板を接合し、内部の空間が約１０−６ｔｏｒｒの真空度に排気されて、第１基板１０、第２基板１２、及び密封部材が真空容器を構成する。
【００１８】
前記第１基板１０のうちの第２基板１２に対向する面には、電子放出素子がアレイを構成して配置されて、第１基板１０と共に電子放出デバイスを構成し、電子放出デバイスが第２基板１２及び第２基板１２に形成された発光ユニットと結合して、電子放出表示デバイスを構成する。
【００１９】
まず、第１基板１０上には、第１電極であるカソード電極１４が第１基板１０の一方向に沿ってストライプパターンに形成され、カソード電極１４を覆って第１基板１０の全体に第１絶縁層１６が形成される。第１絶縁層１６上には、第２電極であるゲート電極１８がカソード電極１４と直交する方向に沿ってストライプパターンに形成される。
【００２０】
本実施例で、カソード電極１４及びゲート電極１８の交差領域を画素領域と定義すれば、カソード電極１４上に各画素領域に電子放出部２０が形成され、第１絶縁層１６及びゲート電極１８には、各電子放出部２０に対応する開口部１６１、１８１が形成されて、第１基板１０上に電子放出部２０が露出するようにする。
【００２１】
電子放出部２０は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば、炭素系物質またはナノメートルサイズ物質からなることができる。電子放出部２０は、一例として、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組み合わせからなる物質のうちの少なくともいずれか一つを含むことができ、その製造法としては、スクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、またはスパッタリングなどを適用することができる。
【００２２】
一方で、電子放出部は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主な材質とする先端の尖ったチップ構造物からなることができる。
【００２３】
図面では、電子放出部２０及びゲート電極の開口部１８１が円形を構成してカソード電極１４の長さ方向に沿って一列に配置される構造を示したが、電子放出部２０の形態、画素領域当たりの個数、及び配置形態などは、図示した例に限定されずに、多様に変形することができる。
【００２４】
また、前記では、ゲート電極１８が第１絶縁層１６を間においてカソード電極１４の上部に位置する構造について説明したが、ゲート電極１８が第１絶縁層１６を間においてカソード電極１４の下部に位置することもできる。この場合、電子放出部は、第１絶縁層上でカソード電極の側面に形成されることができる。
【００２５】
そして、ゲート電極１８及び第１絶縁層１６上に第３電極である集束電極２２が形成される。集束電極２２の下部には、第２絶縁層２４が位置してゲート電極１８及び集束電極２２を絶縁させ、集束電極２２及び第２絶縁層２４にも、電子ビームの通過のための開口部２２１、２４１が形成される。この開口部２２１、２４１は、一例として、画素領域ごとに一つ形成されて、集束電極２２が一つの画素領域から放出される電子を包括的に集束する。
【００２６】
次に、第２基板１２の第１基板１０に対向する一面には、蛍光層２６、一例として、赤色、緑色、及び青色の蛍光層２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂが互いに任意の間隔をおいて形成され、各蛍光層２６の間に画面のコントラストの向上のための黒色層２８が形成される。
【００２７】
本実施例で、蛍光層２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂは、第１基板１０に設定される画素領域ごとに一つが対応するように第２基板１２上に形成され、第２基板１２の一方向（一例として、図面のｘ軸方向）に沿って他の色の蛍光層が隣接するように配置され、この方向と直交する方向（図面のｙ軸方向）に沿って同一の色の蛍光層が隣接するように配置される。この時、各々の蛍光層２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂは、縦長形からなることができる（図４参照）。
【００２８】
前記蛍光層２６及び黒色層２８上に、アルミニウム（Ａｌ）のような金属膜からなるアノード電極３０が形成される。アノード電極３０は、電子ビームの加速に必要な高電圧の印加を受けて蛍光層２６を高電位状態に維持し、蛍光層２６から放射された可視光のうちの第１基板１０に向かって放射された可視光を第２基板１２側に反射させて、画面の輝度を高める役割を果たす。
【００２９】
一方、アノード電極３０は、金属膜でなくＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）のような透明導電膜からなることができる。この場合、アノード電極は、蛍光層及び黒色層の第２基板に対向する一面に位置し、所定の形態にパターニングされて複数形成されることができる。また、アノード電極として前記透明導電膜及び金属膜を同時に形成する構造も可能である。
【００３０】
そして、第１基板１０及び第２基板１２の間には、スペーサ３２が配置され、真空容器に印加される圧縮力を支持して、第１基板１０及び第２基板１２の間隔を一定に維持する。スペーサ３２は、主にガラスまたはセラミックのような誘電体からなり、集束電極２２及びアノード電極３０の間の短絡を防止して、蛍光層２６に影響を及ぼさないように、黒色層２８に対応して位置する。
【００３１】
図面では、一例として、所定の幅及び高さの壁体型スペーサを示したが、スペーサ３２の形態は、壁体型に限定されず、多様に変形することができる。壁体型スペーサ３２は、黒色層３０下で他の色の蛍光層が隣接する方向、つまり図面のｘ軸方向に沿って長く配置される。
【００３２】
前記構造の電子放出表示デバイスは、外部からカソード電極１４、ゲート電極１８、集束電極２２、及びアノード電極３０に所定の電圧が供給されて駆動する。
【００３３】
一例として、カソード電極１４及びゲート電極１８のうちのいずれか一つの電極が走査駆動電圧の印加を受けて走査電極として機能し、他の一つの電極がデータ駆動電圧の印加を受けてデータ電極として機能する。集束電極２２は、電子ビームの集束に必要な電圧、一例として、０ボルトまたは数ないし数十ボルトの負の直流電圧の印加を受け、アノード電極３０は、電子ビームの加速に必要な電圧、一例として、数百ないし数千ボルトの正の直流電圧の印加を受ける。
【００３４】
そうすると、カソード電極１４及びゲート電極１８の間の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部２０の周囲に電界が形成されて、これから電子が放出される。放出された電子は、集束電極開口部２２１を通過して電子ビームの束の中心部に集束され、アノード電極３０に印加された高電圧に引き寄せられて、対応する画素の蛍光層２６に衝突することによってこれを発光させる。
【００３５】
ところで、電子放出表示デバイスの動作中に集束電極２２が電子ビームの束に斥力を与えて電子を集束させても、集束電極開口部２２１を通過した電子は、その後の第２基板１２に向かう過程で所定の発散角で広がって進行するようになる。この時、広がった電子のうちの一部がスペーサ３２に衝突する場合、スペーサ３２の表面を帯電させて、電子ビームの歪曲を誘発するようになる。
【００３６】
本実施例で、電子放出部２０が位置し、集束電極開口部２２１によって囲まれて、実際に電子の放出及び電子の集束が行われる領域を有効電子放出領域とすれば、本実施例の電子放出表示デバイスは、有効電子放出領域及びスペーサ３２の位置関係あるいはスペーサ３２に最も近い最外郭電子放出部２０及びスペーサ３２の位置関係を下記のように設定して、スペーサ３２に対する電子ビームの衝突を最少化する。
【００３７】
図３及び図４は各々本発明の一実施例による電子放出表示デバイスのうちの第１基板構造物及び第２基板構造物の部分平面図である。
【００３８】
図面を参照すれば、電子放出表示デバイスの動作中に第２基板１２に到達する電子ビームスポットは有効電子放出領域より大きく形成されるので、これを考慮して、各々の蛍光層２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂは、カソード電極１４及びゲート電極１８の長さ方向に沿って当該画素の有効電子放出領域より大きな幅に形成される。そして、壁体型スペーサ３２が黒色層２８の内部で図面のｘ軸方向に沿って長く配置される。
【００３９】
前記構造で、スペーサ３２に隣接する画素領域の配置構造を見てみると、スペーサ３２に最も近い最外郭電子放出部２０及びスペーサ３２の間の距離をｘとし、スペーサ３２の反対側の蛍光層２６の一端からスペーサ３２までの距離をＡとする時、本実施例の電子放出表示デバイスは、下記の数式の条件を満たす。
【００４０】
０．０５＜ｘ／Ａ≦０．４（数式１）
【００４１】
前記で、ｘ／Ａが０．０５以下である場合には、電子ビームの発散角によって電子がスペーサ３２に衝突して、スペーサのチャージングが起こり、これによって電子ビームの歪曲が発生する。そして、ｘ／Ａが０．４を超える場合には、いずれかの画素領域で有効電子放出領域が占める面積が狭くなって、十分な数の電子放出部２０を形成することができないので、放出効率が低くなって、画面の輝度が低下する。
【００４２】
図５はｘ／Ａが０．４７である比較例の電子放出表示デバイスで測定した蛍光層の発光パターンを示した写真であって、スペーサの設置部位においてスペーサの上下両側で暗くなる現象が見られる。つまり、スペーサに隣接する画素領域では、電子ビームが蛍光層全体を発光させることができずに蛍光層の一部だけを発光させるので、蛍光層の発光均一度が低下して、画面上でスペーサの設置部位が認知されることが分かる。
【００４３】
この時、最外郭電子放出部２０及び有効電子放出領域端部の間の距離がきわめて微細であるため、前記数式で、スペーサ３２に最も近い最外郭電子放出部２０及びスペーサ３２の間の距離（ｘ）は、図６に示したように、有効電子放出領域及びスペーサ３２の間の距離（ｘ’）に代替されることができる。
【００４４】
このように、本実施例の電子放出表示デバイスは、前記数式の条件を満たすことによって、スペーサ３２に対する電子ビームの衝突を最少化して、スペーサ３２のチャージング及びこれによる電子ビームの歪曲を抑制し、一つの画素領域で十分な有効電子放出領域を確保して、優れた放出効率及び画面輝度を実現することができる。
【００４５】
また、一方で、図７に示したように、スペーサ３２に隣接する画素領域でスペーサ３２に最も近い最外郭電子放出部２０及びスペーサ３２の間の距離をｘとし、電子ビームの発散角をθとし、第１基板１０及び第２基板１２の間隔をＹとする時、本実施例の電子放出表示デバイスは、下記の数式の条件を満たす。
【００４６】
ｘ＞Ｙ・ｔａｎθ、この時、θ＜１０°（数式２）
【００４７】
前記で、ｘがＹ・ｔａｎθより大きい場合には、電子ビームの発散角によって電子がスペーサ３２の上部領域に衝突して、スペーサ３２のチャージングが起こり、これによって電子ビームの歪曲が発生する。つまり、前記数式の条件は、電子ビームの発散角が１０°未満である場合に、電子ビームの衝突がない位置にスペーサ３２が位置することを意味し、それによってスペーサ３２のチャージングを効果的に抑制することができる。
【００４８】
この時、前記と同様に、最外郭電子放出部２０及び有効電子放出領域端部の間の距離がきわめて微細であるため、前記数式で、スペーサ３２に最も近い最外郭電子放出部２０及びスペーサ３２の間の距離（ｘ）は、有効電子放出領域及びスペーサ３２の間の距離（ｘ’）に代替されることができる。
【００４９】
前記では、電子放出部が真空中で電界によって電子を放出する物質からなる電界放出アレイ（ＦＥＡ）型電子放出表示デバイスについて説明したが、本発明は、ＦＥＡ型に限定されず、電子放出部、蛍光層、及びスペーサを含む他のタイプの電子放出表示デバイスにも容易に適用される。
【００５０】
前記では、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これも本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスの部分分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスの部分断面図である。
【図３】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスのうちの第１基板構造物の部分平面図である。
【図４】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスのうちの第２基板構造物の部分平面図である。
【図５】比較例の電子放出表示デバイスで測定した蛍光層の発光パターンを示した写真である。
【図６】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスのうちの第１基板構造物の部分平面図である。
【図７】本発明の一実施例による電子放出表示デバイスの部分断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  第１基板
１２  第２基板
１４  カソード電極
１６  第１絶縁層
１８  ゲート電極
２０  電子放出部
２２  集束電極
２４  第２絶縁層
２６  蛍光層
２８  黒色層
３０  アノード電極
３２  スペーサ
１６１、１８１、２２１、２４１  開口部
【図１】
2007128883.tif 000003
【図２】
2007128883.tif 000004
【図３】
2007128883.tif 000005
【図４】
2007128883.tif 000006
【図６】
2007128883.tif 000007
【図７】
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【図５】
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