(57)【要約】【課題】  フォトマスクの枚数を低減して製造コストの低減が可能なパターニング方法を提供する。【解決手段】  （ａ）電極層２０およびオーミック接続層３０を順に積層形成する工程と、（ｂ）接続層３０の表面の所定位置にエッチングマスク層４０を形成する工程と、（ｃ）接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートが、電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、（ｄ）電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートが、接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、接続層３０および電極層２０をパターニングするとともに、電極層２０の側面を傾斜面とする工程とを有する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層および機能層を順に積層形成する工程と、
前記機能層の表面の所定位置にエッチングマスク層を形成する工程と、
前記機能層の構成材料のエッチングレートが、前記金属層の構成材料および前記エッチングマスク層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、前記金属層の構成材料および前記エッチングマスク層の構成材料のエッチングレートが、前記機能層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、前記機能層および前記金属層をパターニングするとともに、前記金属層の側面を傾斜面とする工程と、
を有することを特徴とするパターニング方法。
【請求項２】
前記機能層は、前記金属層と半導体層との間のオーミック接続層であることを特徴とする請求項１に記載のパターニング方法。
【請求項３】
前記金属層の構成材料はモリブデンであり、前記機能層の構成材料はアモルファスシリコンであり、前記エッチングマスク層の構成材料はレジストであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターニング方法。
【請求項４】
前記第１エッチングは、エッチング処理室に供給する四フッ化炭素ガスおよび酸素ガスのうち、酸素ガスの流量比を５％以上３０％以下として行うことを特徴とする請求項３に記載のパターニング方法。
【請求項５】
前記第２エッチングは、エッチング処理室に供給する四フッ化炭素ガスおよび酸素ガスのうち、酸素ガスの流量比を７５％以上８５％以下として行うことを特徴とする請求項３に記載のパターニング方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５に記載のパターニング方法を使用して、前記金属層をパターニングすることにより薄膜トランジスタの電極層を形成するとともに、前記機能層をパターニングすることにより前記電極層と半導体層との間のオーミック接続層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターニング方法および薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８（ａ）は、従来技術に係る薄膜トランジスタの断面図である。この薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜１６を挟んで基板１２とは反対側にゲート電極１８が形成された、スタガ型の薄膜トランジスタである。そのゲート絶縁膜１６の下層には、半導体層１４が形成されている。その半導体層１４の両端部の下層には、モリブデン（Ｍｏ）からなる電極層２８（ソース電極層２８ｓおよびドレイン電極層２８ｄ）が形成されている。なお電極層２８と半導体層１４との間には、両者をオーミック接続するための接続層３８が形成されている。
【０００３】
上述した電極層２８は厚さ５００ｎｍ程度に形成され、半導体層１４は厚さ５０ｎｍ程度に形成される。そのため、電極層２８の側面を垂直面にすると、半導体層１４の段切れが発生するおそれがある。そこで、電極層２８の側面は傾斜面とされている。
図８（ｂ）は、従来技術に係る薄膜トランジスタの製造方法の説明図である。電極層２８の側面を傾斜面に整形するため、レジスト後退法が採用されている。レジスト後退法は、エッチングマスク層４０の縮小に伴って電極層２０のエッチング範囲を拡大することにより、電極層２８をパターニングしつつ、その側面を傾斜面に整形するものである。そして電極層２８の形成後、図８（ａ）に示す接続層３８をパターニングする。
【特許文献１】特開平６−２０８９７７号公報
【特許文献２】特開平７−２６３４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術では、レジスト後退法により電極層２８をパターニングするため第１のレジストが必要であり、また接続層３８をパターニングするため第２のレジストが必要である。すなわち、２回のフォトリソグラフィを実施するため、２枚のフォトマスクが必要になり、製造コストの低減に限界がある。
【０００５】
なお特許文献１および特許文献２には、異なるエッチングガスを用いて２回のエッチングを行うことにより、積層構造体をテーパ形状に整形する技術が提案されている。しかしながらこの技術では、２回のエッチングのため異なるエッチング装置を必要とするなど、製造コストの低減に限界がある。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、フォトマスクの枚数を削減して製造コストの低減が可能なパターニング方法および薄膜トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係るパターニング方法は、金属層および機能層を順に積層形成する工程と、前記機能層の表面の所定位置にエッチングマスク層を形成する工程と、前記機能層の構成材料のエッチングレートが、前記金属層の構成材料および前記エッチングマスク層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、前記金属層の構成材料および前記エッチングマスク層の構成材料のエッチングレートが、前記機能層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、前記機能層および前記金属層をパターニングするとともに、前記金属層の側面を傾斜面に整形する工程と、を有することを特徴とする。
また前記機能層は、前記金属層と半導体層との間のオーミック接続層であってもよい。
この構成によれば、機能層および金属層のパターニングを、一括して実施することが可能になる。そのため、フォトリソグラフィはエッチングマスク層を形成する際に１回だけ行えばよく、１枚のフォトマスクを形成すれば足りる。したがって、フォトマスクの枚数を削減して製造コストを低減することができる。また金属層の側面が傾斜面に整形されるので、金属層の表面に形成される半導体層の段切れを防止することができる。
【０００８】
また、前記金属層の構成材料はモリブデンであり、前記機能層の構成材料はアモルファスシリコンであり、エッチングマスク層の構成材料はレジストであってもよい。
また前記第１エッチングは、エッチング処理室に供給する四フッ化炭素ガスおよび酸素ガスのうち、酸素ガスの流量比を５％以上３０％以下として行うことが望ましい。
この構成によれば、機能層のアモルファスシリコン材料のエッチングレートを、金属層のモリブデン材料およびエッチングマスク層のレジスト材料のエッチングレートより大きくすることができる。
【０００９】
また前記第２エッチングは、エッチング処理室に供給する四フッ化炭素ガスおよび酸素ガスのうち、酸素ガスの流量比を７５％以上８５％以下として行うことが望ましい。
この構成によれば、金属層のモリブデン材料およびエッチングマスク層のレジスト材料のエッチングレートを、機能層のアモルファスシリコン材料のエッチングレートより大きくすることができる。
【００１０】
一方、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、上述したパターニング方法を採用して、前記金属層をパターニングすることにより薄膜トランジスタの電極層を形成するとともに、前記機能層をパターニングすることにより前記電極層と半導体層との間のオーミック接続層を形成することを特徴とする。
この構成によれば、電極層およびオーミック接続層のパターニングを、一括して実施することが可能になる。そのため、フォトリソグラフィはエッチングマスク層を形成する際に１回だけ行えばよく、１枚のフォトマスクを形成すれば足りる。したがって、フォトマスクの枚数を削減して製造コストを低減することができる。また電極層の側面が傾斜面に整形されるので、電極層の表面に形成される半導体層の段切れを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお以下には、本発明のパターニング方法を、薄膜トランジスタの製造方法に適用した場合を例にして説明する。また以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
（薄膜トランジスタ）
図１は、薄膜トランジスタの側面断面図である。この薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜１６を挟んで基板１２とは反対側にゲート電極１８が形成された、スタガ型の薄膜トランジスタである。
【００１３】
ゲート電極１８は、ポリシリコンや金属材料等によって構成されている。そのゲート電極１８の下層には、酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜１６が形成されている。そのゲート絶縁膜１６の下層には、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体層１４が形成されている。この半導体層１４は、アモルファスシリコンを１１００℃程度に加熱し、結晶化することによって形成されている。なおアモルファスシリコンにレーザを照射すれば、より低温で半導体層１４を形成することができる。
【００１４】
その半導体層１４の下層には、電極層２８が形成されている。具体的には、半導体層１４の一方端部の下層にソース電極層２８ｓが形成され、他方端部の下層にドレイン電極層２８ｄが形成されている。これらの電極層２８は、モリブデン（Ｍｏ）材料によって構成されている。高融点のＭｏ材料で電極層２８を形成することにより、アモルファスシリコンを加熱して半導体層１４を形成する際に、電極層２８の溶融を防止することができる。
【００１５】
なおＭｏ材料以外にも、ＡｕやＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｂ等の金属材料、またはこれらを主成分とする合金材料によって、電極層２８を構成することが可能である。ただし、半導体層１４の形成時に電極層２８の溶融を防止しうることが前提となる。例えば、Ａｌ材料により電極層２８を構成する場合には、アモルファスシリコンにレーザを照射して低温で半導体層を形成することにより、電極層２８の溶融を防止することができる。
なお、Ｃｕ材料により電極層２８を構成する場合には、半導体層１４へのＣｕの拡散を防止するため、電極層２８を覆うバリア層を形成すべきである。このバリア層は、ＴｉＷやＴｉＮ、ＴａＮ等で構成すればよい。
【００１６】
上述した電極層２８の厚さは５００ｎｍ程度に形成され、半導体層１４の厚さは５０ｎｍ程度に形成されている。そのため、電極層２８の側面を垂直面にすると、半導体層１４の段切れが発生するおそれがある。そこで、電極層２８の断面は台形状とされ、その側面は傾斜面とされている。これにより、半導体層１４の段切れが防止されている。
【００１７】
上述した半導体層１４と電極層２８との間には、両者をオーミック接続するための接続層３８が形成されている。この接続層は、リン（Ｐ）イオン等を高濃度にドープしたｎ形のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料で構成されている。これにより、半導体層１４と電極層２８との間のショットキー障壁の幅が小さくなり、両者のオーミック接続が実現されている。
【００１８】
（薄膜トランジスタの製造方法）
次に、本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法につき、図２ないし図５を用いて説明する。
図２および図３は、本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の工程図である。
まず図２（ａ）に示すように、基板１２の表面全体に、ＣＶＤ法やＰＶＤ法、塗布法、メッキ法等により電極層２０を形成する。次に、その電極層２０の表面全体に、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等により接続層３０を形成する。
【００１９】
次に図２（ｂ）に示すように、接続層３０の表面にエッチングマスク層４０を形成する。このエッチングマスク層４０の構成材料として、レジストを採用すればよい。具体的には、東京応化工業株式会社製のＴＳＭＲ−８９００Ｄ２ＬＢ（ポジレジスト）を採用することができる。エッチングマスク層４０は、厚さ１５００ｎｍ程度に形成する。またエッチングマスク層４０は、後述する方法で電極層をパターニングするため、電極層を形成すべき領域より広範囲に形成する。具体的には、まず接続層３０の表面全体にレジストを塗布する。レジストの塗布は、スピンコート法やディッピング法、スプレーコート法等によって行うことが可能である。次に、エッチングマスク層４０のパターンが描画されたフォトマスクを用いてレジストを露光する。そしてレジストを現像することにより、所定パターンのエッチングマスク層４０が形成される。
【００２０】
次に図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク層４０の開口部から露出した接続層３０をエッチングする（第１エッチング）。この第１エッチングは、プラズマエッチング装置や反応性イオンエッチング装置等を使用して行うことが可能である。
【００２１】
図４は、反応性イオンエッチング装置の概略構成図である。このエッチング装置５０は、排気ポンプ５１が接続されたエッチング処理室５２を備えている。このエッチング処理室５２の内部上方には、シャワーヘッド５４が設けられている。このシャワーヘッド５４は、バルブ５５を介して、四フッ化炭素（ＣＦ４）ガス供給装置５６および酸素（Ｏ２）ガス供給装置５７に接続されている。またエッチング処理室５２の内部下方には、基板１２を載置するテーブル５８が設けられている。このテーブルは、ＲＦ電源５９に接続されている。
【００２２】
この反応性イオンエッチング装置を使用してエッチングを行うには、まずシャワーヘッド５４からＣＦ４ガスおよびＯ２ガスをエッチング処理室５２の内部に供給する。その際、バルブ５５の開度を調節することにより、ＣＦ４ガスおよびＯ２ガスの流量比を調整することが可能である。また排気ポンプ５１の出力を調節して、エッチング処理室５２の内圧を１０Ｐａ程度に調整する。次に、ＲＦ電源５９の出力を７５０Ｗ程度に設定して、エッチング処理室５２の内部にプラズマを発生させる。このプラズマにより反応ガスが励起されて、ラジカルやイオン等の活性種が生成される。そのラジカルが基板１２に到達することにより、化学的エッチングが行われる。またイオンに加速電圧を印加して基板１２に引き込むことにより、物理的エッチングが行われる。
【００２３】
図５は、エッチング処理室に供給するＣＦ４ガスおよびＯ２ガスのうちＯ２ガスの割合（流量比）と、各材料のエッチングレートとの関係を示すグラフである。なおエッチングレートがマイナスになっているのは、エッチングによる反応生成物の再付着の影響等によるものである。
Ｏ２ガスの割合が５％以上３０％以下（すなわち、ＣＦ４ガスの割合が９５％以下７０％以上の範囲）の条件１では、ａ−Ｓｉのエッチングレートが、Ｍｏおよびレジストのエッチングレートより大きくなっている。特に、Ｏ２ガスの割合を略２０％（すなわち、ＣＦ４ガスの割合を８０％）とすれば、ａ−Ｓｉのエッチングレートが格段に大きくなる。この条件１の範囲内でエッチングを行うことにより、Ｍｏおよびレジストをエッチングすることなく、ａ−Ｓｉのみをエッチングすることができる。
【００２４】
そこで第１エッチングでは、条件１の範囲内でエッチングを行う。これにより、図２（ｃ）に示すように、レジストからなるエッチングマスク層４０を縮小させることなく、エッチングマスク層４０の開口部に配置されたａ−Ｓｉからなる接続層３０のみをエッチングすることができる。その際、Ｍｏからなる電極層２０の表面でエッチングがストップし、電極層２０がエッチングされることはない。
【００２５】
次に図２（ｄ）に示すように、接続層３０の開口部から露出した電極層２０をエッチングするとともに、エッチングマスク層４０を縮小させる（第２エッチング）。この第２エッチングも、プラズマエッチング装置や反応性イオンエッチング装置等を使用して行うことが可能である。
【００２６】
図５に示すように、Ｏ２ガスの割合が７５％以上８５％以下（すなわち、ＣＦ４ガスの割合が２５％以下１５％以上の範囲）の条件２では、Ｍｏおよびレジストのエッチングレートが、ａ−Ｓｉのエッチングレートより大きくなっている。特に、Ｏ２ガスの割合を略８０％（すなわち、ＣＦ４ガスの割合を２０％）とすれば、Ｍｏおよびレジストのエッチングレートが格段に大きくなる。この条件２の範囲内でエッチングを行うことにより、ａ−Ｓｉをエッチングすることなく、Ｍｏおよびレジストのみをエッチングすることができる。
【００２７】
そこで第２エッチングでは、条件２の範囲内でエッチングを行う。これにより、図２（ｄ）に示すように、ａ−Ｓｉからなる接続層３０の形状を変化させることなく、接続層３０の開口部から露出したＭｏからなる電極層２０をエッチングすることができる。これと同時に、接続層３０の表面に配置されたレジストからなるエッチングマスク層４０をエッチングすることができる。
【００２８】
そして、上述した第１エッチングおよび第２エッチングを繰り返し実施する。例えば、４０秒間の第１エッチングおよび３０秒間の第２エッチングを１セットとして、１５セット実施する。これにより、図３（ａ）に示すように、電極層２８および接続層３８をパターニングするとともに、電極層２８の側面を傾斜面に整形する。
【００２９】
図６は、エッチングによる形状変化の説明図である。１回目の第１エッチングでは、エッチングマスク層４０の開口部に合わせて接続層３０が形成される。次の１回目の第２エッチングでは、接続層３０の開口部に合わせて電極層２１が形成されるとともに、エッチングマスク層４１が縮小形成される。２回目の第１エッチングでは、エッチングマスク層４１の開口部に合わせて接続層３１が形成される。次の２回目の第２エッチングでは、接続層３１の開口部に合わせて電極層２２が形成されるとともに、エッチングマスク層４２が縮小形成される。このように、第１エッチングおよび第２エッチングを繰り返し実施することにより、理論的には電極層２８の側面が階段状に整形されることになる。ただし各エッチングの繰り返し数を増加させることにより、また一般に階段の角部および隅部が鈍るため、電極層２８の側面はほぼ傾斜面となる。
【００３０】
なおエッチング条件を調節することにより、電極層２８の側面の傾斜角度を調整することが可能である。具体的には、図５の条件２の範囲内でＯ２ガスの割合を増加させるほど、電極層の側面の傾斜角度が小さくなる（緩斜面になる）。Ｏ２ガスの割合を増加させるほど、レジストのエッチングレートがＭｏのエッチングレートより高くなるので、エッチングが縦方向より横方向に早く進行するからである。また第２エッチングの処理時間を長くするほど、電極層の側面の傾斜角度が大きくなる（急斜面になる）。
【００３１】
次に図３（ｂ）に示すように、接続層３８にＰイオン等をドープする。そして接続層３８および電極層２８を覆うように、ポリシリコンからなる半導体層１４を形成する。半導体層１４は、アモルファスシリコンを１１００℃程度に加熱し、結晶化することによって形成する。なお高融点のＭｏ材料で電極層２８を形成したので、アモルファスシリコンを加熱して半導体層１４を形成する際に、電極層２８の溶融を防止することができる。さらに、その半導体層１４の表面にゲート絶縁膜１６を形成し、そのゲート絶縁膜１６の表面にゲート電極１８を形成する。以上により、本実施形態に係る薄膜トランジスタ１０が完成する。
【００３２】
ところで、従来技術に係る薄膜トランジスタの製造方法では、レジスト後退法により電極層２８をパターニングした後に、電極層２８の表面に接続層をパターニングしていた。この場合、電極層２８をパターニングするため第１のレジストが必要であり、接続層３８をパターニングするため第２のレジストが必要である。すなわち、２回のフォトリソグラフィを実施するため、２枚のフォトマスクが必要になり、製造コストの低減に限界があった。
【００３３】
これに対して、本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法では、接続層３８のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートが、電極層２８のＭｏ材料およびエッチングマスクのレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、Ｍｏ材料およびレジスト材料のエッチングレートが、ａ−Ｓｉ材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、接続層３８および電極層２８をパターニングするとともに、電極層２８の側面を傾斜面に整形する構成とした。
この構成によれば、接続層３８および電極層２８のパターニングを、一括して実施することが可能になる。そのため、フォトリソグラフィはエッチングマスク層を形成する際に１回だけ行えばよく、１枚のフォトマスクを形成すれば足りる。したがって、フォトマスクの枚数を削減して製造コストを低減することができる。また電極層２８の側面が傾斜面に整形されるので、電極層２８の表面に形成される半導体層１４の段切れを防止することができる。
【００３４】
また本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法では、電極層および接続層を連続成膜し、一括してエッチングを行うことができる。そのため、電極層２８の形成後であって接続層３８の形成前に基板が大気曝露されることがなく、電極層２８と接続層３８との界面に異物が入り込むのを防止することができる。これにより、信頼性に優れた薄膜トランジスタを製造することができる。
【００３５】
なお、上述した電極層２８、接続層３８またはエッチングマスク層を、本実施形態とは異なる材料で構成する場合でも、接続層３８の構成材料のエッチングレートが、電極層２８の構成材料およびエッチングマスク層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、電極層２８の構成材料およびエッチングマスク層の構成材料のエッチングレートが、接続層３８の構成材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、本発明を適用することが可能である。
【００３６】
なお、電極層２８をＭｏ材料に代えてＣｕ材料で形成する場合には、Ｃｕ材料の半導体層１４への拡散を防止するため、電極層２８を覆うバリア層を形成する必要がある。この場合にも、バリア層の構成材料のエッチングレートが、電極層２８のＣｕ材料およびエッチングマスクのレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、Ｃｕ材料およびレジスト材料のエッチングレートが、バリア層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、本発明を適用することができる。
【００３７】
なお以上には、本発明に係るパターニング方法を、薄膜トランジスタの製造方法に適用した場合を例にして説明した。しかしながら、本発明に係るパターニング方法は、例えば配線層および機能層の積層体の製造方法に適用することも可能である。この場合には、機能層の構成材料のエッチングレートが、配線層の構成材料およびエッチングマスク層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、配線層の構成材料およびエッチングマスク層の構成材料のエッチングレートが、機能層の構成材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施すればよい。
【００３８】
（電子機器）
このように、本発明のパターニング方法を使用して様々な半導体装置を形成することができる。その半導体装置を備えた電子機器の例につき、図７を用いて説明する。
図７は、携帯電話の斜視図である。本発明のパターニング方法を使用して形成した半導体装置は、携帯電話３００の筐体内部に配置されている。これにより、低コストで信頼性に優れた携帯電話を提供することができる。
【００３９】
なお上述した半導体装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。いずれの電子機器も、本発明を適用することにより、低コストで信頼性に優れたものになる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】薄膜トランジスタの側面断面図である。
【図２】実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の工程図である。
【図３】実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の工程図である。
【図４】反応性イオンエッチング装置の概略構成図である。
【図５】Ｏ２ガスの割合と各材料のエッチングレートとの関係を示すグラフである。
【図６】エッチングによる形状変化の説明図である。
【図７】携帯電話の斜視図である。
【図８】従来技術に係る薄膜トランジスタの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０‥薄膜トランジスタ  １４‥半導体層  ２０，２８‥電極層（金属層）  ３０，３８‥オーミック接続層（機能層）  ４０‥エッチングマスク層  ５２‥エッチング処理室
【図１】
2007096053.tif 000003
【図２】
2007096053.tif 000004
【図３】
2007096053.tif 000005
【図４】
2007096053.tif 000006
【図５】
2007096053.tif 000007
【図６】
2007096053.tif 000008
【図７】
2007096053.tif 000009
【図８】
2007096053.tif 000010