(57)【要約】      （修正有）【課題】  低コストで、湿潤化学物質を含まないバンプの形成方法を提供する。【解決手段】  基板上に多層バンプを形成する方法は、基板上に第一金属粉末を蒸着するステップと、第一金属粉末の一部を選択的に溶融又はリフロして第一バンプ１５０を形成するステップとを含む。次に、第二金属粉末は第一バンプ上に蒸着され、第二バンプを形成するために溶融される。マスキングプレート２３２は、照射光線２４０を介して溶融される金属粉末の一部を選択するため基板上に配置される。多層バンプは、湿潤化学物質を必要とせずに形成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に二重層バンプを形成する方法であって、
前記基板上に第一金属粉末を蒸着するステップと、
前記第一金属粉末を溶融して第一バンプを形成するステップと、
少なくとも前記第一バンプ上に第二金属粉末を蒸着するステップと、
前記第二金属粉末を溶融して前記第一バンプ上に第二バンプを形成するステップとを備え、前記第一バンプ及び前記第二バンプが二重層バンプを形成する方法。
【請求項２】
請求項１記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第一金属粉末を溶融するステップは、更に、
前記基板上に第一マスキングプレートを配置するステップであって、前記第一マスキングプレートは少なくとも一つの開口を備えているステップと、
少なくとも一つの開口を介して前記第一金属粉末の選択された部分に光線を照射することにより、その選択された部分を溶融するステップとを備える方法。
【請求項３】
請求項２記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第二金属粉末を溶融するステップは、更に、
前記基板上に第二マスキングプレートを配置するステップであって、前記第二マスキングプレートは少なくとも一つの開口を備えているステップと、
前記第二マスキングプレートの開口を介して前記第二金属粉末の選択された部分に光線を照射することにより、その選択された部分を溶融するステップとを備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第二金属粉末の融点は、前記第一金属粉末の融点よりも低い方法。
【請求項５】
請求項１記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第一金属粉末及び前記第二金属粉末は、約５μｍ〜約１０μｍの粒子径を有している方法。
【請求項６】
請求項５記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第一金属粉末は銅又は高融点鉛はんだを含み、前記第二金属粉末は共晶はんだを含む方法。
【請求項７】
請求項１記載の二重層バンプを形成する方法は、更に、
前記第一金属粉末を蒸着する前に前記基板上のボンドパッドを洗浄するステップを備える方法。
【請求項８】
請求項７記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記洗浄するステップは、前記ボンドパッドに光線を照射して、同ボンドパッド上の不純物を焼き尽くすステップを備える方法。
【請求項９】
請求項１記載の二重層バンプを形成する方法において、
前記第一金属粉末を溶融するステップは、更に、プログラム可能な単一のレーザ光線により前記第一金属粉末の一部に光線を照射するステップを備える方法。
【請求項１０】
請求項１記載の二重層バンプを形成する方法は、更に、
前記基板上に残存する前記第一及び第二金属粉末の非溶融部分を除去するステップを備える方法。
【請求項１１】
ボンドパッドを備えた基板と、
前記ボンドパッド上に形成された二重層バンプとを備え、
前記二重層バンプは、前記ボンドパッドに接続された第一バンプと、前記第一バンプに接続された第二バンプとを含み、前記第二バンプは、前記第一バンプを形成する材料よりも融点の低い材料から形成されている半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体デバイスにおいて、
前記第一バンプは、前記基板上に蒸着された第一金属粉末を溶融して形成され、前記第二バンプは、前記第一バンプ上に蒸着された第二金属粉末を溶融して形成される半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、
前記第一及び第二金属粉末は、約５μｍ〜約１０μｍの粒子径を有している半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体デバイスにおいて、
前記第一バンプは銅又は高融点鉛はんだを含み、前記第二バンプは共晶はんだを含む半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１３記載の半導体デバイスにおいて、
前記第一金属粉末の融点は、３００℃よりも高い融点を有している半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体デバイスにおいて、
前記第二金属粉末は、約１５０℃〜約２００℃の融点を有している半導体デバイス。
【請求項１７】
基板上に多層コネクタを形成する方法であって、
前記基板上に第一金属粉末を蒸着するステップと、
前記第一金属粉末の選択された部分に光線を照射して第一バンプを形成するステップと、
前記第一バンプ上に第二金属粉末を蒸着するステップと、
前記第二金属粉末に光線を照射して、前記第一バンプ上に第二バンプを形成するステップとを備え、前記第一バンプ及び前記第二バンプが多層コネクタを形成する方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の多層コネクタを形成する方法において、
前記第一及び第二金属粉末は、前記基板上に配置されたマスキングプレートの開口を通過して導かれた照射光線により照射される方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の多層コネクタを形成する方法において、
前記第二金属粉末の融点は、前記第一金属粉末の融点よりも低い方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の多層コネクタを形成する方法において、
前記第一金属粉末及び前記第二金属粉末は、約５μｍ〜約１０μｍの粒子径を有している方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ又はプリント基板（ＰＣＢ）上にバンプを形成する方法に係り、詳しくは、金属粉末と局部照射とを用いて、フリップチップボンディング用の多層コネクタを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フリップチップアセンブリでは、導電バンプにより、基板又は回路基板上に半導体チップを裏返しにして、直接電気的に接続する方法が用いられる。一般に、フリップチップアセンブリは、３つの工程、つまり、チップ上にバンプを形成する工程と、バンプチップをボード又は基板に取着する工程と、バンプチップの下層に残存する空隙を非伝導性材料により充填する工程とによって作製される。
【０００３】
導電バンプは、フリップチップアセンブリにおいて複数の機能を有しており、例えば、半導体チップと基板との間を電気的に接続したり、半導体チップから基板に熱を伝えるための熱伝導路等を提供したりする。また、バンプは、基板への機械的な取付部分や、半導体チップと基板伝導体との間の電気的な接触を抑止するスペーサとしての機能も果たす。
【０００４】
ウェハ基板上にバンプを形成する方法が幾つかある。バンプを形成する方法のうちの一つは、ウェハ基板上のボンドパッドと整合する開口を備えたフォトレジスト層を形成するステップと、スクリーン印刷により開口内にハンダペーストを塗布するステップと、その後、ハンダペーストを溶融又はリフロしてバンプを形成するステップとを含む。開口は、フォトレジストに光線を照射したり、フォトレジストを現像したりすることにより形成される。
【０００５】
この方法には、ウェハの各部分を処理する際、新しいフォトレジスト層を必要とするといった問題がある。また、化学廃棄物を生じる化学溶液によるフォトレジスト層の除去を必要とするといった問題もある。更に、バンプ隆起部（バンプ高さ）はフォトレジストマスクの厚さによって決まるといった問題もある。より高い隆起部を得るには、より厚いフォトレジスト層が必要となる。
【０００６】
しかしながら、低く、又は微細なピッチ（バンプ間隔）が必要な場合、フォトレジスト層の最大厚さは制限されてしまう。実際に、フォトレジスト層の開口は、逆円錐形を有していることが一般的であり、その開口は、ボンドパッドの狭い末端に向けてテーパ状をなしている。従って、高い隆起部と低ピッチとの間にトレードオフの関係が存在する。
【０００７】
バンプを形成する別の方法は、ウェハ基板に塗布されたフォトレジスト層をパターニングしてバンプ部を形成し、バンプ部上にハンダ合金による電気メッキを行うステップを含む。そして、球体をなすはんだ合金をリフロする前に、フォトレジスト層が除去される。この電気メッキ方法によれば、低いピッチを提供できる一方で、湿潤化学物質やメッキ浴溶液を必要とするという問題がある。更に、こうした化学プロセスは、有害な材料を含むとともに、慎重に取り扱う必要がある。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／００６４９３０Ａ１号明細書
【特許文献２】米国特許第５４７０７８７号明細書
【特許文献３】特開２００２−０７６０４３号公報
【特許文献４】特開平７−１５３７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した点を考慮して、低コストで、湿潤化学物質を含まないバンプを形成する方法が望まれている。更に、高い隆起部（バンプ高さ）と、低く、又は微細なピッチ（バンプ間隔）とを提供する方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
半導体チップ又はプリント基板（ＰＣＢ）上に多層バンプ又はコネクタを形成する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、添付の図面を参照して、以下の詳細な説明により、容易に理解されるであろう。説明を容易にするため、同じ部材番号は、同じ構成要素を示している。
以下の説明では、本発明を完全に理解するために多くの詳細な説明が記載されている。しかしながら、当業者にとって、これらの詳細な説明の一部又は全てが不足していたとしても、本発明を実行できることは明らかである。他の例では、本発明を不必要に曖昧にしないため、周知のプロセス手順を詳細に説明しなかった。
【００１１】
さて、図１には、本発明の一実施形態による半導体チップ、ウェハ又はＰＣＢ基板１０４の拡大断面図が示されている。基板１０４は、バンプが形成されるバンプ部１１２を規定する多数のボンドパッド１０８を含む。バンプを形成する前に、基板１０４は、酸化アルミニウム等の不純物をボンドパッド１０８から除去するために洗浄される。
【００１２】
こうした洗浄のため、一以上の開口１２０がパターニングされたマスキングプレート１１６は、その開口１２０をバンプ部１１２と整合させるようにして基板１０４上に配置される。赤外線又はレーザ光線等の局在化された照射光線１２４がマスキングプレート１１６上に提供されて、バンプ部１１２に導かれる。光線１２４は、パッド１０８上のあらゆる不純物を焼き尽くす。
【００１３】
開口１２０は、照射光線をバンプ部１１２に至るように通過させる一方、マスキングプレート１１６は、残りの基板１０４に光線が照射されることを抑止する。マスキングプレート１１６は、金属又はセラミック材料から作製され、約５００μｍ〜約１ｍｍの厚さを有している。開口１２０は、ボンドパッド１０８の寸法と適合するように、約４０μｍ〜約６０μｍの直径を有している。
【００１４】
図２には、第一金属粉末１２８を有する基板１０４の断面図が示されている。第一金属粉末１２８は、バンプ部１１２上にほぼ均一な層を形成するよう基板１０４上に蒸着される。開口１３６を備えたマスキングプレート１３２は、マスキングプレート１３２の開口１３６をバンプ部１１２と整合させるようにして基板１０４上に配置される。マスキングプレート１３２として、照射光線１２４の調節に用いられる図１記載のマスキングプレート１１６と同じものを用いることができる。
【００１５】
第一金属粉末１２８は、好ましくは、銅又は高融点の鉛はんだを含み、約５μｍ〜約１０μｍの粒子径を有している。他の粒径の粒子を使用してもよいが、粒径が大きくなるほど、バンプサイズやバンプピッチが大きくなることを理解すべきである。通常、第一金属粉末１２８として選択された金属粉末は少なくとも約３００℃の融点を有しているが、これに限定されない。
【００１６】
図３には、第一金属粉末１２８の第一照射中における基板１０４の断面図が示されている。第一照射光線１４０は、マスキングプレート（１３２又は１１６）を介して照射される。マスキングプレートにより、光線１４０は、開口（１３６又は１２０）を介して第一金属粉末１２８の選択された部分に導かれる。従って、第一金属粉末１２８の選択された部分が溶融又はリフロされて、ボンドパッド１０８上に多くの第一バンプ１５０が形成される。第一照射光線１４０は、例えば赤外線又はレーザ光線等、第一金属粉末を加熱及び溶融するのに適した任意の種類の光線であってもよい。現在、焦点を合わせ易いという理由から、レーザ光線を使用することが好ましい。
【００１７】
図４には、基板１０４と、第一バンプ１５０上に設けられた第二金属粉末２２８とを有する基板１０４の断面図が示されている。好ましくは、第一金属粉末１２８よりも融点の低い第二金属粉末２２８は、例えば、散布によって、第一バンプ１５０上に蒸着される。通常、第二金属粉末２２８の融点は、約１５０℃〜約２００℃の範囲に設定されるが、これらに限定されない。
【００１８】
第二金属粉末２２８は、約５μｍ〜約１０μｍの粒径を有する共晶はんだ（例えば、スズ−鉛）である。しかしながら、粒径が大きくなるほど、バンプサイズとバンプピッチとが大きくなることを十分に理解すべきである。マスキングプレート２３２は、マスキングプレート２３２の開口２３６を第二バンプ２５０が形成される第一バンプ１５０と整合させるようにして第二金属粉末２２８上に配置される。マスキングプレート２３２は、図１記載のマスキングプレート１１６、図２記載のマスキングプレート１３２と同じであってもよく、又はその両方と同じであってもよい。
【００１９】
図５には、第二金属粉末２２８の第二照射中における基板１０４の断面図が示されている。第二照射光線２４０は、マスキングプレート（２３２、１３２又は１１６）を介して照射される。マスキングプレートにより、照射光線２４０は、開口（２３６、１３６又は１２０）を介して第二金属粉末２２８の選択された部分に導かれる。従って、第二金属粉末２２８の選択された部分が溶融又はリフロされて、第一バンプ１５０上に多くの第二バンプ２５０が形成される。第二金属粉末２２８の融点は第一金属粉末１２８よりも低いため、第二バンプ２５０を形成するため第二金属粉末２２８が溶融又はリフロされるとき、第一バンプ１５０は溶融しない。
【００２０】
第二照射光線２４０は、赤外線又はレーザ光線であってもよく、それらにより、第一バンプ１５０との結合のため十分に溶融する段階にまで第二金属粉末２２８が加熱される。次に、第二バンプ２５０は冷却されて、固化する。最終的には、第一及び第二金属粉末の非溶融部分１２８ａ、２２８ａが、例えば、ブローイングやスピニングによって取り除かれる。
【００２１】
本発明の別の実施形態において、バンプは、ボンドパッド１０８上に提供されるパッド治金について形成される。アンダーバンプの金属化（ＵＢＭ）として知られるパッド治金によって、基板１０４が保護されるとともに、バンプと、プリント基板（ＰＣＢ）等の外部基板との間に電気的及び機械的な接続が提供される。一般に、ＵＢＭは、当業者に公知の方法によりボンドパッド１０８上に形成された金属の連続層を含む。
【００２２】
別の実施形態において、金属粉末（１２８，２２８）を溶融又はリフロしたり、及び上記のバンプ部１１２を洗浄したりするための照射光線を、プログラム可能な単一のレーザ光線に置き換えてもよい。そうしたプログラム可能な単一レーザ光線によれば、金属粉末（１２８、２２８）を溶融する熱がバンプ部１１２に対しより一層正確に導かれる。従って、熱暴露を制御するマスキングプレートを必ずしも必要とはせず、バンプ（１５０、２５０）を形成する金属粉末（１２８，２２８）の一部を選択的に溶融することができる。
【００２３】
図６には、本発明の一実施形態による基板１０４のボンドパッド１０８上に形成される多くの二重層金属バンプ３５０の断面図が示されている。各二重層バンプ３５０は、ボンドパッド１０８に接続される第一バンプ１５０と、第一バンプ１５０上に形成及び接続される第二バンプ２５０とを含む。フリップチップアセンブリにおいて、例えば、二重層バンプ３５０は、半導体基板１０４を電子パッケージ内の外部基板に電気的に接続するためのコネクタを提供する。一般に、第一バンプ１５０は、隆起部を提供し、一方、第二バンプ２５０は、はんだ接合構造を提供する。
【００２４】
上記のプロセスを、基板１０４上へのバンプの形成について記載したが、本発明は、ＰＣＢ基板上への相互接続又はバンプの形成に適用することができる。上記のプロセスは、二層より多い層のバンプを有するコネクタの形成に適用することができる。例えば、コネクタの第三バンプは、第二バンプ２５０上に第三金属粉末を蒸着させ、第三金属粉末の一部を選択的に溶融又はリフロすることにより形成することができる。
【００２５】
本発明によれば、特に、必要とされる手段を最小限にし、湿潤化学プロセスを含まず、再利用可能なマスキングプレートを用いる等の理由から、製造コストを低減することができる。プログラム可能であり、金属粉末を選択的に溶融する単一のレーザ光線を使用する場合、マスキングプレートを省略してもよい。
【００２６】
本発明の更に別の利点としては、単一層のバンプと比較して二重バンプ又は多層バンプによって高い隆起部が得られることが挙げられる。高温時、シリコンウェハ及びバンプは、シリコンウェハと、ＰＣＢ等の外部表面との間の膨張差により生じる熱機械的応力の影響を受けやすい。膨張差は、異なる材料における熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合によるものである。過剰な応力によって、シリコン破砕やバンブ破砕等がもたらされる虞がある。高い隆起部によって、ＣＴＥの不整合による応力が解放されるため、バンプ接合の信頼性が向上する。
【００２７】
本発明の更に別の利点として、バンプサイズ及びバンプピッチの縮小化が挙げられる。第一バンプ１５０上に第二バンプ２５０を形成することにより、バンプサイズ又は直径を増大させずに、高い隆起部を得ることができる。これにより、用いられる金属粉末粒子径及びマスキングプレートの開口の解像度に応じて、約５０μｍ〜約７５μｍの範囲よりも低く、又は微細なバンプピッチが可能になる。プログラム可能なレーザ光線が用いられる実施形態において、バンプサイズ及びピッチは、レーザ光線の分解能に応じて決められる。
【００２８】
本発明の他の実施形態は、当業者にとって、本発明の明細書及び実施面を考慮すれば明らかである。更に、説明を明確にするため、特定の専門用語を用いたが、本発明を制限するものではない。上記の実施形態および好適な特徴は、例示的なものとみなすべきであり、本発明は、添付の特許請求の範囲により規定される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態による半導体ウェハの拡大断面図。
【図２】本発明の一実施形態による第一金属粉末を有する図１の半導体ウェハの拡大断面図。
【図３】本発明の一実施形態による第一金属粉末の第一照射中における図２の半導体ウェハの拡大断面図。
【図４】本発明の一実施形態による第一バンプ上に第二金属粉末を有する図３の半導体ウェハの拡大断面図。
【図５】本発明の一実施形態による第二金属粉末の第二照射中における図４の半導体ウェハの拡大断面図。
【図６】本発明の一実施形態による半導体ウェハのボンドパッド上に形成された多数の二重層金属バンプの拡大断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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2007129220.tif 000010
2007129220.tif 000011
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