(57)【要約】【課題】複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なく小型で低コストに構成できる光ピックアップ装置を提供すること。【解決手段】光路４０上に、記録媒体によって変調された第１波長、第２波長の光ビーム３１、３２をそれぞれ分岐する第１、第２ビームスプリッタ面７、８を互いに平行に備える。それらの間の距離ｔは光軸４１、４２のずれを解消するように設定されている。第１受光素子１０は、分岐された各光ビーム３１ｂ、３２ｂの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出する。ホログラム素子５は、戻った光ビーム３１、３２を、それぞれ光軸４１、４２のずれを解消するように回折する。第２受光素子２は、回折された各光ビーム３１ｃ、３２ｃのフォーカスエラー信号成分を共通に検出する。【選択図】図１Ａ
2007128570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに波長が異なる光ビームを光路へ出射する光源群を備え、記録媒体の記録密度に応じて選択されたいずれかの光源からの光ビームで記録媒体を照射し、その記録媒体によって変調された反射光を上記光路から分岐して信号読み取りを行う光ピックアップ装置であって、
上記光源群は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に並べて配置され、それぞれ第１波長、第２波長の光ビームを出射する第１光源および第２光源を含み、
上記光路上に、上記記録媒体によって変調された上記第１波長の光ビームを分岐する第１ビームスプリッタ面と上記記録媒体によって変調された上記第２波長の光ビームを分岐する第２ビームスプリッタ面とを互いに平行に備え、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した上記各分岐された光ビームの光軸のずれを解消するように上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面との間の距離が設定され、
上記第１または第２ビームスプリッタ面で分岐された上記各光ビームの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出する第１受光素子を備え、
上記光源群と上記第１および第２ビームスプリッタ面がなす群との間の光路上に、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長および第２波長の光ビームを、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折するホログラム素子を備え、
上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を共通に検出する第２受光素子を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面とが一体に同一の光学部品に含まれていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記ホログラム素子が一体に固着されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を、それぞれ上記各光ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に関して、上記第１光源、第２光源の並びの外側で、かつ上記第１波長、第２波長のうち短い波長の光ビームを出射する光源の側に配置されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光ピックアップ装置において、
上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記第１受光素子が廃され、
上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分に加えて、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ上記各ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項８】
請求項６に記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に関して、上記第１光源、第２光源の並びの外側で、かつ上記第１波長、第２波長のうち短い波長の光ビームを出射する光源の側に配置されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項９】
請求項６に記載の光ピックアップ装置において、
上記ホログラム素子は、上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分に応じた３つ以上の領域に分割されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一つに記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記フォーカスエラー信号をシングルナイフエッジ法で生成するように１対の受光領域を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の光ピックアップ装置において、
上記第２受光素子は、上記フォーカスエラー信号をダブルナイフエッジ法で生成するように２対の受光領域を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の光ピックアップ装置において、
上記ホログラム素子の上記各光ビームを回折するホログラムが上記第１波長と第２波長との実質的に中間の波長で作製されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一つに記載の光ピックアップ装置において、
上記光源群は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に上記第１光源、第２光源と並べて配置され、第３波長の光ビームを出射する第３光源を含み、
上記光路上に、上記第１および第２ビームスプリッタ面と平行に、上記記録媒体によって変調された上記第３波長の光ビームを分岐する第３ビームスプリッタ面を備え、上記各光源間の距離に起因した上記各分岐された光ビームの光軸のずれを解消するように上記各ビームスプリッタ面間の距離が設定され、
上記第１受光素子は、上記第１、第２または第３ビームスプリッタ面によって分岐された上記各光ビームの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出し、
上記ホログラム素子は、上記光源群と上記第１、第２および第３ビームスプリッタ面がなす群との間の光路上に設けられ、上記各ビームスプリッタ面を透過して戻った上記各波長の光ビームを、上記各光源間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折し、
上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を共通に検出することを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は光ピックアップ装置に関し、より詳しくは、記録媒体の記録密度の規格の種類に応じて互いに波長が異なる複数の光源を備え、上記光源から記録媒体へ光ビームを照射し、その記録媒体からの反射光を受光素子で検出する光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザビーム等の光ビームを用いて光学的に信号の読み取りが行われる光ディスクとしては、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）などが普及している。このような記録密度の規格が異なる複数種類の光ディスクの記録や信号読み取りを行うために、図９Ａおよび図９Ｂに示すような光ピックアップ装置が知られている（図９Ａは上方から見たところ、図９Ｂは側方から見たところをそれぞれ示す。）。この光ピックアップ装置は、ＤＶＤ、ＣＤの記録密度の規格の種類に応じて互いに波長が異なる複数のレーザダイオード１０３、１０４を備える。そして、レーザダイオード１０３または１０４からビームスプリッタ１０９、コリメートレンズ１１１、立ち上げミラー１１２、対物レンズ１１３を順に通して光ディスク（ＤＶＤまたはＣＤ）１１４へ光ビームを実質的に垂直に照射する。その光ディスク１１４によって変調された反射光を、対物レンズ１１３、立ち上げミラー１１２、コリメートレンズ１１１を逆に通した後、ビームスプリッタ１０９で光路１４０から分岐する。次に、各分岐された光ビームを同軸化素子１０６に通して、レーザダイオード１０３の発光点とレーザダイオード１０４の発光点との間の距離Ｃに応じた光軸１４１，１４２のずれを解消し、受光素子１０で検出する。
【特許文献１】特開２００３−０９１８５６号公報
【特許文献２】特開平１０−１４３９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来例の光ピックアップ装置では、同軸化素子６は、具体的には、回折素子であって、片面に複雑な階段状の回折格子が形成されたものからなる。また、受光素子１０の受光面のパターンの形状に工夫が必要になる。このため、上記従来例の光ピックアップ装置は、実現することが困難で、全体として高コストになるという問題がある。
【０００４】
そこで、この発明の課題は、複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なく小型で低コストに構成できる光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、この発明の光ピックアップ装置は、
互いに波長が異なる光ビームを光路へ出射する光源群を備え、記録媒体の記録密度に応じて選択されたいずれかの光源からの光ビームで記録媒体を照射し、その記録媒体によって変調された反射光を上記光路から分岐して信号読み取りを行う光ピックアップ装置であって、
上記光源群は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に並べて配置され、それぞれ第１波長、第２波長の光ビームを出射する第１光源および第２光源を含み、
上記光路上に、上記記録媒体によって変調された上記第１波長の光ビームを分岐する第１ビームスプリッタ面と上記記録媒体によって変調された上記第２波長の光ビームを分岐する第２ビームスプリッタ面とを互いに平行に備え、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した上記各分岐された光ビームの光軸のずれを解消するように上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面との間の距離が設定され、
上記第１または第２ビームスプリッタ面で分岐された上記各光ビームの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出する第１受光素子を備え、
上記光源群と上記第１および第２ビームスプリッタ面がなす群との間の光路上に、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長および第２波長の光ビームを、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折するホログラム素子を備え、
上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を共通に検出する第２受光素子を備えたことを特徴とする。
【０００６】
ここで「第１光源と第２光源との間の距離」とは、上記第１光源の発光点と第２光源の発光点との間の距離を意味する。
【０００７】
この発明の光ピックアップ装置では、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した上記各分岐された光ビームの光軸のずれを解消するように上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面との間の距離が設定されている。したがって、従来例における同軸化素子のような複雑な構成部品を用いなくても良い。また、上記第１の受光素子は、上記第１または第２ビームスプリッタ面で分岐された上記各光ビームの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ上記各光ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で共通に検出できる。また、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長および第２波長の光ビームを、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折するホログラム素子のお蔭で、上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を、受光面上の実質的に同じ点で共通に検出できる（これにより、ナイフエッジ法によるフォーカスエラー検出が可能になり、望ましい。）。このように、この光ピックアップ装置は、複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なくて済む。したがって、小型で低コストに構成される。
【０００８】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面とが一体に同一の光学部品に含まれていることを特徴とする。
【０００９】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第１ビームスプリッタ面と第２ビームスプリッタ面とは一体に同一の光学部品に含まれている。したがって、さらに部品点数が少なくて済む。
【００１０】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記ホログラム素子が一体に固着されていることを特徴とする。
【００１１】
この一実施形態の光ピックアップ装置は、さらに小型に構成される。また、一旦組み立てられた後は、上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記ホログラム素子の間の相対的位置が変動しないので、信頼性が高まり、高性能になる。
【００１２】
さらに、上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記ホログラム素子に対して、上記光源群と、第１および第２受光素子とを一体化してユニット化すれば、さらに小型化、高信頼性化、および高性能化される。
【００１３】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を、それぞれ上記各光ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することを特徴とする。
【００１４】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、ナイフエッジ法によるフォーカスエラー検出が可能になる。これにより、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disk Random Access Memory；読み書き・消去のいずれも可能なＤＶＤ）等を読み取る場合にトラッククロス信号のフォーカスエラー信号への漏れ込みを最小限にできる。したがって、さらに高性能化される。
【００１５】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に関して、上記第１光源、第２光源の並びの外側で、かつ上記第１波長、第２波長のうち短い波長の光ビームを出射する光源の側に配置されていることを特徴とする。
【００１６】
一般に、ホログラム素子は、素子面に形成されたホログラムのピッチをｄ、素子面に垂直に入射する光の波長をλとしたとき、
sinθ＝λ／ｄ
で表される角度θで光を回折する。ここで、この一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に関して、上記第１光源、第２光源の並びの外側で、かつ上記第１波長、第２波長のうち短い波長の光ビームを出射する光源の側に配置されている。したがって、上記ホログラム素子は、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長および第２波長の光ビームを回折するとき、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折できる。
【００１７】
一実施形態の光ピックアップ装置では、
上記第１、第２ビームスプリッタ面および上記第１受光素子が廃され、
上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分に加えて、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出することを特徴とする。
【００１８】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、さらに部品点数が少なくて済む。したがって、さらに小型で低コストに構成される。
【００１９】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ上記各ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することを特徴とする。
【００２０】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、さらに小型化および高性能化が可能となる。
【００２１】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に関して、上記第１光源、第２光源の並びの外側で、かつ上記第１波長、第２波長のうち短い波長の光ビームを出射する光源の側に配置されていることを特徴とする。
【００２２】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、上記ホログラム素子は、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長および第２波長の光ビームを回折するとき、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折できる。
【００２３】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記ホログラム素子は、上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分に応じた３つ以上の領域に分割されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【００２４】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、上記ホログラム素子は、上記第１および第２ビームスプリッタ面を透過して戻った上記第１波長、第２波長の光ビームを回折するとき、上記フォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分のそれぞれについて、上記第１光源と第２光源との間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折できる。
【００２５】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記フォーカスエラー信号をシングルナイフエッジ法で生成するように１対の受光領域を有することを特徴とする。
【００２６】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、フォーカスエラー信号を生成するときの調整が容易になり、高信頼性化が可能となる。
【００２７】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記フォーカスエラー信号をダブルナイフエッジ法で生成するように２対の受光領域を有することを特徴とする。
【００２８】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、フォーカスエラー信号のＳ／Ｎ比（信号対ノイズ比）が高くなり、高信頼性化が可能となる。
【００２９】
一実施形態の光ピックアップ装置は、上記ホログラム素子の上記各光ビームを回折するホログラムが上記第１波長と第２波長との実質的に中間の波長で作製されていることを特徴とする。
【００３０】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を、受光面上の同じ点で精度良く検出できる。
【００３１】
一実施形態の光ピックアップ装置では、
上記光源群は、上記光路に対して実質的に垂直な方向に上記第１光源、第２光源と並べて配置され、第３波長の光ビームを出射する第３光源を含み、
上記光路上に、上記第１および第２ビームスプリッタ面と平行に、上記記録媒体によって変調された上記第３波長の光ビームを分岐する第３ビームスプリッタ面を備え、上記各光源間の距離に起因した上記各分岐された光ビームの光軸のずれを解消するように上記各ビームスプリッタ面間の距離が設定され、
上記第１受光素子は、上記第１、第２または第３ビームスプリッタ面によって分岐された上記各光ビームの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出し、
上記ホログラム素子は、上記光源群と上記第１、第２および第３ビームスプリッタ面がなす群との間の光路上に設けられ、上記各ビームスプリッタ面を透過して戻った上記各波長の光ビームを、上記各光源間の距離に起因した光軸のずれを解消するように回折し、
上記第２受光素子は、上記ホログラム素子で回折された上記各光ビームのフォーカスエラー信号成分を共通に検出することを特徴とする。
【００３２】
この一実施形態の光ピックアップ装置では、記録密度の規格が互いに異なる３種類の記録媒体、例えばＣＤとＤＶＤとＢＤ（ブルーレイディスク）の記録や信号読み取りが可能となる。しかも、この光ピックアップ装置は、複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なくて済む。したがって、小型で低コストに構成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、この発明の光ピックアップ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３４】
（第１実施形態）
図１Ａは一実施形態の光ピックアップ装置の構成を上方から見たところを示している。この光ピックアップ装置は、概略、略Ｌ状のフレーム１５を有する半導体レーザユニット５０と、コリメートレンズ１１と、立ち上げミラー１２と、対物レンズ１３（図２Ｂ参照）とを、光路４０に沿ってこの順に備えている。図２Ｂ中には、記録媒体としての光ディスク（ＣＤやＤＶＤなど）１４を併せて示している。
【００３５】
図１Ａ中に示す半導体レーザユニット５０は、第１波長（この例では７８０ｎｍ）のレーザビーム３１を光路４０へ出射する第１光源としての第１半導体レーザチップ４と、第２波長（この例では６５０ｎｍ）のレーザビーム３２を光路４０へ出射する第２光源としての第２半導体レーザチップ３と、第１受光素子としての第１フォトダイオードチップ１０と、第２受光素子としての第２フォトダイオードチップ２と、ホログラム素子５と、ビームスプリッタ部品９とを含んでいる。
【００３６】
第１半導体レーザチップ４、第２半導体レーザチップ３、第１フォトダイオードチップ１０、第２フォトダイオードチップ２、およびホログラム素子５は、フレーム１５に一体に取り付けられている。また、ビームスプリッタ部品９はホログラム素子５に一体に固着されている。これにより、半導体レーザユニット５０は一体化されている。
【００３７】
第１半導体レーザチップ４が出射する波長７８０ｎｍのレーザビーム３１は通常の記録密度をもつＣＤに対して記録や信号読み取りを行うためのものであり、第２半導体レーザチップ３が出射する波長６５０ｎｍのレーザビーム３２は高密度の記録密度をもつＤＶＤに対して記録や信号読み取りを行うためのものである。この光ピックアップ装置の外部に設けられた図示しない制御手段によって、記録媒体１４の記録密度の規格に応じて第１半導体レーザチップ４または第２半導体レーザチップ３が選択される。
【００３８】
図２Ａは、図１Ａにおいて、第２半導体レーザチップ３が選択されて、第２半導体レーザチップ３のみからレーザビーム３２（実線で示す）が出射されている態様を示している。図２Ｂは、図２Ａのものを側方から見たところを模式的に示している。図２Ｂによって良く分かるように、第２半導体レーザチップ３が出射したレーザビーム３２は、ホログラム素子５、ビームスプリッタ部品９、コリメートレンズ１１、立ち上げミラー１２、対物レンズ１３を順に通って、光ディスク１４に照射される。その光ディスク１４によって変調されたレーザビーム（反射光）３２は、対物レンズ１３、立ち上げミラー１２、コリメートレンズ１１を通った後、図２Ａに示すように、光路４０からビームスプリッタ部品９で分岐されて（分岐されたレーザビームを符号３２ｂで示す）、第１フォトダイオードチップ１０に入射する。また、ビームスプリッタ部品９を透過したレーザビーム３２は、ホログラム素子５によって回折されて（回折されたレーザビームを符号３２ｃで示す）、第２フォトダイオードチップ２に入射する。
【００３９】
図３Ａは、図１Ａにおいて、第１半導体レーザチップ４が選択されて、第１半導体レーザチップ４のみからレーザビーム３１（破線で示す）が出射されている態様を模式的に示している。図３Ｂは、図３Ａのものを側方から見たところを模式的に示している。図３Ｂによって良く分かるように、第１半導体レーザチップ４が出射したレーザビーム３１は、ホログラム素子５、ビームスプリッタ部品９、コリメートレンズ１１、立ち上げミラー１２、対物レンズ１３を順に通って、光ディスク１４に照射される。その光ディスク１４によって変調されたレーザビーム（反射光）３１は、対物レンズ１３、立ち上げミラー１２、コリメートレンズ１１を通った後、図３Ａに示すように、光路４０からビームスプリッタ部品９で分岐されて（分岐されたレーザビームを符号３１ｂで示す）、第１フォトダイオードチップ１０に入射する。また、ビームスプリッタ部品９を透過したレーザビーム３１は、ホログラム素子５によって回折されて（回折されたレーザビームを符号３１ｃで示す）、第２フォトダイオードチップ２に入射する。
【００４０】
ビームスプリッタ部品９は、互いに平行な第１ビームスプリッタ面７と第２ビームスプリッタ面８とを内包した光学部品である。この例では、第１ビームスプリッタ面７は、ダイクロイックフィルタからなり、第１波長７８０ｎｍのレーザビームを半分反射すると共に半分透過させるハーフミラーとなっている（なお、第１波長と実質的に異なる波長のレーザビームはほぼ全部透過される。）。第２ビームスプリッタ面８は、ダイクロイックフィルタからなり、第２波長６５０ｎｍのレーザビームを半分反射すると共に半分透過させるハーフミラーとなっている（なお、第２波長と実質的に異なる波長のレーザビームはほぼ全部透過される。）。このようなビームスプリッタ部品９は、例えば、両面にそれぞれダイクロイックフィルタが形成された平板を別の２枚の平板で挟み、それらを板面に対して斜め４５°に平行に切断することによって作製される。このようにビームスプリッタ部品９に二つのビームスプリッタ面７，８を内包させることにより、部品点数が少なくて済む。
【００４１】
第１ビームスプリッタ面７と第２ビームスプリッタ面８とは互いに平行に、第１および第２半導体レーザチップ４，３の光軸４１，４２に対して斜め４５°の角度で配置されている。記録媒体１４によって変調された反射光３１，３２は、それぞれ第１ビームスプリッタ面７，第２ビームスプリッタ面８で第１フォトダイオードチップ１０へ向けて分岐される。
【００４２】
ここで、第１ビームスプリッタ面７と第２ビームスプリッタ面８との間の距離ｔは、第１半導体レーザチップ４の発光点と第２半導体レーザチップ３の発光点との間の距離Ｃに起因した上記各分岐されたレーザビーム３１ｂ，３２ｂの光軸４１ｂ，４２ｂのずれを解消するように設定されている。すなわち、
Ｃ＝２１／２ｔ
なる関係が満たされている。これにより、各分岐されたレーザビーム３１ｂ，３２ｂの光軸４１ｂ，４２ｂが一致し、これらのレーザビーム３１ｂ，３２ｂは第１フォトダイオードチップ１０の受光面に対して実質的に垂直に入射する。したがって、従来例における同軸化素子のような複雑な構成部品を用いなくても良い。
【００４３】
第１フォトダイオードチップ１０は、受光面がレーザビーム３１ｂ，３２ｂの光軸４１ｂ，４２ｂに対して垂直に対向するようにフレーム１５に取り付けられている。
【００４４】
この例では、第１フォトダイオードチップ１０は、図１Ｃに示すような公知のパターンレイアウトを有している。すなわち、受光面の中心に４分割の受光領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ、その両側に各２分割の受光領域１０ｅ，１０ｅ；１０ｆ，１０ｆを有している。レーザビーム３１ｂ，３２ｂは、図示しない回折格子（例えばホログラム素子５の第１および第２半導体レーザチップ４，３側の面に設けられる。）によって図１Ａの紙面に垂直な方向に３ビームＭＢ，ＳＢ＋，ＳＢ−に分割されている。中心のメインビーム（０次ビーム）ＭＢを受ける４分割の受光領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄによって高周波（ＲＦ）信号成分とメインビームプッシュプル信号ＭＰＰが検出される。また、両側のサブビーム（±１次ビーム）ＳＢ＋，ＳＢ−を受ける各２分割の受光領域１０ｅ，１０ｅ；１０ｆ，１０ｆによってサブビームプッシュプル信号ＳＰＰが検出される。そして、メインビームプッシュプル信号ＭＰＰとサブビームプッシュプル信号ＳＰＰを用いた公知のＤＰＰ法（Differential Push-Pull Method；差分プッシュプル法）によってトラッキングエラー信号ＴＥＳが検出される。このようにして、この第１フォトダイオードチップ１０は、第１ビームスプリッタ面７または第２ビームスプリッタ面８で分岐された各レーザビーム３１ｂ，３２ｂの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出する。これにより、第１フォトダイオードチップ１０は、各レーザビーム３１ｂ，３２ｂの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ各レーザビーム３１ｂ，３２ｂに関して受光面上の実質的に同じ点で共通に検出できる。
【００４５】
なお、この第１フォトダイオードチップ１０には、ＤＶＤ−ＲＡＭなどのディスクによるトラッククロス信号のフォーカスへの漏れ込みが問題となる非点収差法や差動非点収差法のフォーカスエラーの検出機能は搭載されていない。
【００４６】
図１Ａ中に示すように、ホログラム素子５は、ビームスプリッタ部品９側の面にホログラムからなる回折格子１を有している。ホログラム素子５は、この回折格子１によって、ビームスプリッタ部品９を透過した戻った第１波長７８０ｎｍのレーザビーム３１および第２波長６５０ｎｍのレーザビーム３２を、第１半導体レーザチップ４の発光点と第２半導体レーザチップ３の発光点との間の距離Ｃに起因した光軸４１ｃ，４２ｃのずれを解消するように回折する。次に、この点を具体的に説明する。
【００４７】
一般に、ホログラム素子は、素子面に形成された回折格子のピッチをｄ、素子面に垂直に入射する光の波長をλとしたとき、
sinθ＝λ／ｄ
で表される角度θで光を回折する。したがって、図１Ｂに示すように、波長が長いレーザビーム３１が回折される角度Ｒは、波長が短いレーザビーム３２が回折される角度Ｑに比して大きくなる。ここで、この光ピックアップ装置では、第２フォトダイオードチップ２は、光路４０に対して実質的に垂直な方向（図１Ｂにおける縦方向）に関して、第１半導体レーザチップ４、第２半導体レーザチップ３の並びの外側で、かつ第１波長と第２波長のうち短い波長（６５０ｎｍ）のレーザビーム３２を出射する第２半導体レーザチップ３の側（図１Ｂにおける下側）に配置されている。より具体的には、この例では、回折格子１と第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に沿った方向の距離をＬ、第１半導体レーザチップ４と第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に垂直な方向の距離をＡ、第２半導体レーザチップ３と第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に垂直な方向の距離をＢ（＝Ａ−Ｃ）としたとき、
ＬsinＲ＝Ａ
ＬsinＱ＝Ｂ
なる関係が同時に満たされている。したがって、ホログラム素子５は、ビームスプリッタ部品９を透過した戻った第１波長、第２波長のレーザビーム３１，３２を回折するとき、第１半導体レーザチップ４の発光点と第２半導体レーザチップ３の発光点との間の距離Ｃに起因した光軸４１ｃ，４２ｃのずれを解消するように回折できる。
【００４８】
なお、図１Ａ中に、光軸４１，４２の中心と第２フォトダイオードチップ２の受光領域との間の距離をＤで表している。
【００４９】
ホログラム素子５で回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃは、第２フォトダイオードチップ２の受光面に入射する。この第２フォトダイオードチップ２を用いた公知のホログラムフーコー法によってフォーカスエラー信号が検出される。
【００５０】
詳しくは、図１Ｄに示すように、ホログラム素子５の回折格子１のパターンは２つの半円状の領域１ａ，１ｂを有している。これらの領域１ａ，１ｂでは格子の延びる方向が互いに若干異なっており、これによって、各レーザビーム３１ｃ，３２ｃが２つに分岐して回折される。ホログラムフーコー法によってフォーカスエラー信号を検出する場合、図１Ｄに示すように、回折格子１の各領域１ａ，１ｂで回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃを、第２フォトダイオードチップ２上の２組の各２分割の受光領域２ｅ，２ｆ；２ｇ，２ｈでそれぞれダブルナイフエッジ法によって検出しても良いし、また、図１Ｅに示すように、回折格子１の各領域１ａ，１ｂで回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃを、第２フォトダイオードチップ２上の１組の２負分割の受光領域２ｅ，２ｆでシングルナイフエッジ法によって検出しても良い。ダブルナイフエッジ法によれば、信号出力が２倍となってＳ／Ｎ比は向上するが、調整に精度が必要とされる。一方、シングルナイフエッジ法によれば、Ｓ／Ｎ比は向上しないが、調整が簡単になる。ダブルナイフエッジ法とシングルナイフエッジ法のいずれを用いるかは、この光ピックアップ装置を使用するシステムによって選択が可能である。
【００５１】
なお、図２Ｃは、図１Ｄに対応してダブルナイフエッジ法を用いる場合に、回折格子１の各領域１ａ，１ｂで回折された第２波長（６５０ｎｍ）のレーザビーム３２ｃが第２フォトダイオードチップ２上の２組の各２分割の受光領域２ｅ，２ｆ；２ｇ，２ｈに入射する態様を示している。また、図３Ｃは、図１Ｄに対応してダブルナイフエッジ法を用いる場合に、回折格子１の各領域１ａ，１ｂで回折された第１波長（７８０ｎｍ）のレーザビーム３１ｃが第２フォトダイオードチップ２上の２組の各２分割の受光領域２ｅ，２ｆ；２ｇ，２ｈに入射する態様を示している。
【００５２】
このように、ナイフエッジ法によるフォーカスエラー信号を検出することにより、ＤＶＤ−ＲＡＭ等を読み取る場合にトラッククロス信号のフォーカスエラー信号への漏れ込みを最小限にできる。したがって、この光ピックアップ装置が高性能化される。
【００５３】
図１Ｄおよび図１Ｅから分かるように、第２フォトダイオードチップ２は、ホログラム素子５で回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃのフォーカスエラー信号成分を、それぞれ各レーザビーム３１ｃ，３２ｃに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することができる。
【００５４】
このように、この光ピックアップ装置は、複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なくて済む。したがって、小型で低コストに構成される。特に、ビームスプリッタ部品９およびホログラム素子５を含む半導体レーザユニット５０が一体化されているので、この光ピックアップ装置は、さらに小型に構成される。また、一旦組み立てられた後は、第１、第２ビームスプリッタ面７，８およびホログラム素子５の間の相対的位置が変動しないので、信頼性が高まり、高性能になる。
【００５５】
なお、この実施形態では、第１ビームスプリッタ面７と第２ビームスプリッタ面８とをダイクロイックフィルタからなるハーフミラーとしたが、これに限られるものではなく、Ｐ波（反射面の法線に平行な偏光成分）とＳ波（反射面の法線に垂直な偏光成分）を選択して透過及び反射するＰＢＳ（Polarizing Beam Splitter；偏光変換素子）によって構成しても良い。
【００５６】
（第２実施形態）
図４Ａは別の実施形態の光ピックアップ装置の構成を上方から見たところを示している。この光ピックアップ装置は、概略、略直方体状のフレーム１５Ａを有する半導体レーザユニット５１と、コリメートレンズ１１と、立ち上げミラー１２と、対物レンズ１３（図２Ｂ参照）とを、光路４０に沿ってこの順に備えている。なお、図１Ａ中の構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付して、個々の説明を省略する。
【００５７】
この光ピックアップ装置では、図１Ａのものに対して、ビームスプリッタ部品９および第１フォトダイオードチップ１０が廃されている点が大きく相違している。
【００５８】
また、図４Ｃに示すように、ホログラム素子５Ａの回折格子１Ａは、半円状の領域１ａと、各１／４円状の領域１ｃ，１ｄとに３分割されている。これらの領域１ａ，１ｃ，１ｄでは格子の延びる方向が互いに若干異なっており、これによって、各レーザビーム３１，３２が３つに分岐して回折される。なお、図４Ｃ中には、領域１ａ，１ｃ，１ｄで回折されたレーザビームをそれぞれ符号３１ｃ１，３１ｃ２，３１ｃ３；３２ｃ１，３２ｃ２，３２ｃ３で表している。
【００５９】
図４Ａから分かるように、第２フォトダイオードチップ２Ａは、図１Ａの例と同様に、光路４０に対して実質的に垂直な方向（図４Ｂにおける縦方向）に関して、第１半導体レーザチップ４、第２半導体レーザチップ３の並びの外側で、かつ第１波長と第２波長のうち短い波長（６５０ｎｍ）のレーザビーム３２を出射する第２半導体レーザチップ３の側（図４Ｂにおける下側）に配置されている。より具体的には、図４Ｂに示すように、回折格子１Ａと第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に沿った方向の距離をＬ、第１半導体レーザチップ４と第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に垂直な方向の距離をＡ、第２半導体レーザチップ３と第２フォトダイオードチップ２との間の光軸４１，４２に垂直な方向の距離をＢ（＝Ａ−Ｃ）としたとき、
ＬsinＲ＝Ａ
ＬsinＱ＝Ｂ
なる関係が同時に満たされている。したがって、ホログラム素子５Ａは、第１波長、第２波長のレーザビーム３１，３２を回折するとき、第１半導体レーザチップ４の発光点と第２半導体レーザチップ３の発光点との間の距離Ｃに起因した光軸４１ｃ，４２ｃのずれを解消するように回折できる。
【００６０】
図４Ｃ中に示すように、第２フォトダイオードチップ２Ａのパターンは、ホログラム素子５Ａの回折格子１Ａの３つの領域１ａ，１ｃ，１ｄに対応して構成されている。すなわち、この第２フォトダイオードチップ２Ａは、中央に、回折格子１Ａの領域１ａで回折されたレーザビーム３１ｃ１，３２ｃ１を共通に受ける１組の２分割の領域２ａ，２ｂを有し、その両側に、回折格子１Ａの領域１ｃで回折されたレーザビーム３１ｃ２，３２ｃ２を共通に受ける領域２ｃ、折格子１Ａの領域１ｄで回折されたレーザビーム３１ｃ３，３２ｃ３を共通に受ける領域２ｄを有している。
【００６１】
図４Ｃ中に示す回折格子１Ａの半円状の領域１ａを使用するシングルナイフエッジ法によって、第２フォトダイオードチップ２Ａの受光領域２ａ，２ｂを用いてフォーカスエラー信号が検出される。シングルナイフエッジ法によればＤＶＤ−ＲＡＭ等を読み取る場合にトラッククロス信号のフォーカスエラーへの漏れ込みが生じない。したがって、良好なフォーカスエラー信号を得ることができる。  また、回折格子１Ａの他の領域１ｃ，１ｄに対応した受光領域２ｃ，２ｄへ受光せしめることによって、高周波信号成分とトラッキングエラー信号成分が検出される。なお、先の例と同様に、トラッキングエラー信号ＴＥＳは、第２フォトダイオードチップ２Ａの受光領域のパターンを用いてメインビームプッシュプル信号ＭＰＰだけでなくサブビームプッシュプル信号ＳＰＰをも検出し、公知のＤＰＰ法（Differential Push-Pull Method；差分プッシュプル法）を適用することによって得られる。
【００６２】
このように第２フォトダイオードチップ２Ａは、各レーザビーム３１，３２のフォーカスエラー信号成分、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ各ビームに関して受光面上の実質的に同じ点で共通に検出することができる。
【００６３】
また、この光ピックアップ装置では、図１Ａのものに比して、ビームスプリッタ部品９および第１フォトダイオードチップ１０が廃されていることから、部品点数が少なくて済む。したがって、さらに小型化、低コスト化が可能となる。
【００６４】
さらにホログラム素子５Ａの回折格子１Ａの分割数を増すことで、各種の光ディスクに対するプレーアビリティ（再生能力）を向上させることもできる。
【００６５】
次に、図５および図６Ａ〜図６Ｄを用いて、上述のホログラム素子５，５Ａに適したホログラムからなる回折格子（符号１Ｂで表す。）の作製の仕方について説明する。図５に示すように、一般的に、ホログラム９３のパターンは、半導体レーザチップの発光点の位置に該当する参照波光源位置９１と、受光素子上の受光スポットの位置に該当する記録光光源位置９２と、ホログラム９３が形成される基板面位置９０との３点の位置関係によって決定される。
【００６６】
図６Ａは、第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子１Ｂを設計し、その設計波長λｍと同じ波長（λｍ）で再生を行った場合に、受光素子（上述の第２フォトダイオードチップ２，２Ａに相当。ここでは符号２Ｂで表す。）上に入射する受光スポット３５のパターンと位置を模式的に示している。この場合、受光スポット３９はほぼ無収差で集光されている。
【００６７】
図６Ｂは、上の場合と同様に第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子１Ｂを設計し、その設計波長λｍより短い波長（この例では第２波長６５０ｎｍ。図６Ｂ中に符号λ２で表す。）で再生を行った場合に、受光素子２Ｂ上に入射する受光スポット３６のパターンと位置を模式的に示している。この場合に得られるスポット３６は、本来の無収差のスポット３５に対してややデフォーカスしたものとなる。そのスポット３６の位置は、本来の無収差のスポット３５の位置から回折格子１Ｂに対して近い側へややシフトしている。
【００６８】
図６Ｃは、上の場合と同様に第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子１Ｂを設計し、その設計波長λｍより長い波長（この例では第１波長７８０ｎｍ。図６Ｃ中に符号λ１で表す。）で再生を行った場合に、受光素子２Ｂ上に入射する受光スポット３７のパターンと位置を模式的に示している。この場合に得られるスポット３７は、本来の無収差のスポット３５に対してややデフォーカスしたものとなる。そのスポット３７の位置は、本来の無収差のスポット３５の位置から回折格子１Ｂに対して遠い側へややシフトしている。
【００６９】
図６Ｂと図６Ｃのいずれのスポット３６，３７も実用に耐えるレベルのものであり、受光素子２Ｂ上の受光領域の分割線の設計角度を両波長λ１，λ２に対して最適に設計しておけば、検出精度に問題は生じない。
【００７０】
図６Ｄは、第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子１Ｂを設計するとともに、その設計波長λｍより短い波長λ２で再生を行った場合に得られる受光スポット３６Ａの位置とその設計波長λｍより長い波長λ１で再生を行った場合に得られる受光スポット３７Ａの位置とがほぼ重なるように、上記二つの場合の発光点の位置を設計位置（この例では回折格子１Ｂのパターンの中心）からシフトさせた態様を示している。この場合、上記二つの場合に得られる受光スポット３６Ａ，３７Ａは、それぞれ本来の無収差のスポット３５に対してややデフォーカスしたものとなる。それらのスポット３６Ａ，３７Ａの位置は、互いに重なっている。いずれのスポット３６，３７も実用に耐えるレベルのものであり、検出精度に問題は生じない。しかも、このようにスポット３６Ａ，３７Ａの位置を重ねることによって、受光素子２Ｂの面積を最小とすることが可能となる。
【００７１】
なお、図６Ｅは、図１Ａに対応した視点での、ホログラム回折格子１Ｂと受光素子２Ｂとの配置を示している。
【００７２】
以上から明らかなように、この光ピックアップ装置は、この複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なく小型で低コストに構成できる。
【００７３】
（第３実施形態）
図７Ａはさらに別の実施形態の光ピックアップ装置の構成を上方から見たところを示している。この光ピックアップ装置は、概略、略Ｌ状のフレーム１５を有する半導体レーザユニット５２と、コリメートレンズ１１と、立ち上げミラー１２と、対物レンズ１３（図２Ｂ参照）とを、光路４０に沿ってこの順に備えている。なお、図１Ａ中の構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付して、個々の説明を省略する。
【００７４】
この光ピックアップ装置では、図１Ａのものに対して、ＢＤ（ブルーレイディスク）の記録や信号読み取りを行うための第３波長（この例では４０５ｎｍ）のレーザビーム３３を出射する第３光源としての第３半導体レーザチップ２２を含む点が大きく相違している。この例では、図１Ａにおける第２半導体レーザチップ３の位置に第３半導体レーザチップ２２が代わって配置されている。第２半導体レーザチップ３は、第１半導体レーザチップ４と第３半導体レーザチップ２２との中間に配置されている。
【００７５】
これに伴って、ビームスプリッタ部品９Ｃは、第１ビームスプリッタ面７、第２ビームスプリッタ面８に加えて、ダイクロイックフィルタからなり、第３波長６５０ｎｍのレーザビームを半分反射すると共に半分透過させるハーフミラーとして働く第３ビームスプリッタ面２１を含んでいる（なお、第３波長と実質的に異なる波長のレーザビームはほぼ全部透過される。）。
【００７６】
ここで、第１ビームスプリッタ面７と第２ビームスプリッタ面８との間の距離ｔ１、第２ビームスプリッタ面８と第３ビームスプリッタ面２１との間の距離ｔ２は、各半導体レーザチップ４，３，２２の発光点間の距離に起因した各分岐されたレーザビーム３１ｂ，３２ｂ，３３ｂの光軸４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ（図７Ｂ参照）のずれを解消するようにそれぞれ設定されている。
【００７７】
より具体的には、図７Ｂにおいて、
ＬsinＲ＝Ａ
ＬsinＰ＝Ｄ
ＬsinＱ＝Ｂ
なる関係が同時に満たされている。
【００７８】
第１フォトダイオードチップ１０Ｃは、第１、第２または第３ビームスプリッタ面７，８，２１によって分岐された各レーザビーム３１ｂ，３２ｂ，３３ｂの高周波信号成分およびトラッキング信号成分を共通に検出するようになっている。
【００７９】
ホログラム素子５Ｃは、各レーザビーム３１ｂ，３２ｂ，３３ｂの発光点間の距離に応じた光軸４１ｃ，４２ｃ，４３ｃ（図７Ｂ参照）のずれを解消するように各波長のレーザビーム３１，３２，３３を回折するようになっている。
【００８０】
また、第２フォトダイオードチップ２Ｃは、ホログラム素子５Ｃで回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃ，３３ｃのフォーカスエラー信号成分を共通に検出するようになっている。
【００８１】
この光ピックアップ装置では、記録密度の規格が互いに異なる３種類の記録媒体、すなわちＣＤとＤＶＤとＢＤの記録や信号読み取りが可能となる。しかも、この光ピックアップ装置は、複雑な構成部品が不要で、部品点数が少なくて済む。したがって、小型で低コストに構成される。
【００８２】
なお、第１実施形態（図１Ａのもの）に対する第２実施形態（図４Ａのもの）の関係と同様に、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、ビームスプリッタ部品９Ｃを省略することもできる。その場合、図８Ａ，図８Ｂ中のホログラム素子５Ｄの回折格子１Ｄ、第２フォトダイオードチップ２Ｄのパターンは、図４Ｃ中に示したホログラム素子５Ａの回折格子１Ａ、第２フォトダイオードチップ２Ａのパターンと同様に変形される。したがって、第２フォトダイオードチップ２Ｄは、ホログラム素子５Ｄで回折された各レーザビーム３１ｃ，３２ｃ，３３ｃのフォーカスエラー信号成分に加えて、高周波信号成分およびトラッキング信号成分を、それぞれ各レーザビーム３１ｃ，３２ｃ，３３ｃに関して受光面上の実質的に同じ点で検出することができる。
【００８３】
このような光ピックアップ装置では、さらに部品点数が少なくて済む。したがって、さらに小型で低コストに構成される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１Ａ】この発明の一実施形態の光ピックアップ装置を上方から見たところを示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａの光ピックアップ装置の動作を説明する図である。
【図１Ｃ】図１Ａの光ピックアップ装置の第１フォトダイオードチップのパターンレイアウトを示す図である。
【図１Ｄ】ダブルナイフエッジ法によってフォーカスエラー信号を検出する態様を示す図である。
【図１Ｅ】シングルナイフエッジ法によってフォーカスエラー信号を検出する態様を示す図である。
【図２Ａ】図１Ａの光ピックアップ装置で第２半導体レーザチップのみからレーザビームが出射されている態様を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ａのものを側方から見たところを模式的に示す図である。
【図２Ｃ】図１Ａの光ピックアップ装置で第２半導体レーザチップのみからレーザビームが出射されている場合に、ダブルナイフエッジ法によってフォーカスエラー信号を検出する態様を示す図である。
【図３Ａ】図１Ａの光ピックアップ装置で第１半導体レーザチップのみからレーザビームが出射されている態様を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ａのものを側方から見たところを模式的に示す図である。
【図３Ｃ】図１Ａの光ピックアップ装置で第１半導体レーザチップのみからレーザビームが出射されている場合に、ダブルナイフエッジ法によってフォーカスエラー信号を検出する態様を示す図である。
【図４Ａ】この発明の別の実施形態の光ピックアップ装置を上方から見たところを示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａの光ピックアップ装置の動作を説明する図である。
【図４Ｃ】図４Ａの光ピックアップ装置で信号を検出する態様を示す図である。
【図５】一般的なホログラムの作製の仕方を説明する図である。
【図６Ａ】第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子を設計し、その設計波長λｍと同じ波長（λｍ）で再生を行った場合の、受光素子上に入射する受光スポットのパターンと位置を示す図である。
【図６Ｂ】第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子を設計し、その設計波長λｍより短い波長（第２波長６５０ｎｍ）で再生を行った場合の、受光素子上に入射する受光スポットのパターンと位置を模式的に示す図である。
【図６Ｃ】第１波長７８０ｎｍと第２波長６５０ｎｍの実質的に中間の波長λｍでホログラム回折格子を設計し、その設計波長λｍより長い波長（第１波長７８０ｎｍ）で再生を行った場合の、受光素子上に入射する受光スポットのパターンと位置を模式的に示す図である。
【図６Ｄ】図６Ｂと図６Ｃの場合の発光点の位置をそれぞれ回折格子のパターンの中心からシフトさせた場合の、受光素子上に入射する受光スポットのパターンと位置を模式的に示す図である。
【図６Ｅ】図６Ａ乃至図６Ｄに示すホログラム回折格子と受光素子の、図１Ａに対応した視点での配置を示す図である。
【図７Ａ】この発明の別の実施形態の光ピックアップ装置を上方から見たところを示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａの光ピックアップ装置の動作を説明する図である。
【図８Ａ】この発明の別の実施形態の光ピックアップ装置を上方から見たところを示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａの光ピックアップ装置の動作を説明する図である。
【図９Ａ】従来の光ピックアップ装置を上方から見たところを示す図である。
【図９Ｂ】図９Ａの光ピックアップ装置を側方から見たところを示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ  ホログラム回折格子
２，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ  第２フォトダイオードチップ
３  第２半導体レーザチップ
４  第１半導体レーザチップ
５，５Ａ，５Ｃ，５Ｄ  ホログラム素子
７  第１ビームスプリッタ
８  第２ビームスプリッタ
９，９Ｃ  ビームスプリッタ部品
１０，１０Ｃ  第１フォトダイオードチップ
２１  第３ビームスプリッタ面
２２  第３半導体レーザチップ
【図１Ａ】
2007128570.tif 000003
【図１Ｂ】
2007128570.tif 000004
【図１Ｃ】
2007128570.tif 000005
【図１Ｄ】
2007128570.tif 000006
【図１Ｅ】
2007128570.tif 000007
【図２Ａ】
2007128570.tif 000008
【図２Ｂ】
2007128570.tif 000009
【図２Ｃ】
2007128570.tif 000010
【図３Ａ】
2007128570.tif 000011
【図３Ｂ】
2007128570.tif 000012
【図３Ｃ】
2007128570.tif 000013
【図４Ａ】
2007128570.tif 000014
【図４Ｂ】
2007128570.tif 000015
【図４Ｃ】
2007128570.tif 000016
【図５】
2007128570.tif 000017
【図６Ａ】
2007128570.tif 000018
【図６Ｂ】
2007128570.tif 000019
【図６Ｃ】
2007128570.tif 000020
【図６Ｄ】
2007128570.tif 000021
【図６Ｅ】
2007128570.tif 000022
【図７Ａ】
2007128570.tif 000023
【図７Ｂ】
2007128570.tif 000024
【図８Ａ】
2007128570.tif 000025
【図８Ｂ】
2007128570.tif 000026
【図９Ａ】
2007128570.tif 000027
【図９Ｂ】
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