(57)【要約】【課題】  本発明は、製造コストを低減することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板上に積層された複数の窒素含有炭化珪素層と、当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して形成した酸化膜とを備える。これにより、製造コストを低減することが可能となる。【選択図】    図１
2007180118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素基板と、
当該炭化珪素基板上に積層された複数の窒素含有炭化珪素層と、
当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して形成した酸化膜と
を備える炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
前記熱酸化処理される複数の窒素含有炭化珪素層の中で、最も前記炭化珪素基板に近い窒素含有炭化珪素層は、
前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層よりも窒素濃度が高いこと
を特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記熱酸化処理される複数の窒素含有炭化珪素層の中で、最も前記炭化珪素基板に近い窒素含有炭化珪素層は、
窒素濃度が５×１０１９ｃｍ−３以上、１×１０２１ｃｍ−３以下であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
炭化珪素基板上に複数の窒素含有炭化珪素層を形成する工程と、
当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して酸化膜を形成する工程と
を備える炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱酸化処理される複数の窒素含有炭化珪素層の中で、最も前記炭化珪素基板に近い窒素含有炭化珪素層は、
前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層よりも窒素濃度が高いこと
を特徴とする請求項４に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱酸化処理される複数の窒素含有炭化珪素層の中で、最も前記炭化珪素基板に近い窒素含有炭化珪素層は、
窒素濃度が５×１０１９ｃｍ−３以上、１×１０２１ｃｍ−３以下であること
を特徴とする請求項４又は５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の窒素含有炭化珪素層は、
前記熱酸化処理前に形成される窒素含有炭化珪素層と、前記前記熱酸化処理後に形成される窒素含有炭化珪素層とを含むこと
を特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の窒素含有炭化珪素層は、
前記熱酸化処理前に形成される窒素含有炭化珪素層のみからなること
を特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、及びその製造方法に関するものであり、特に炭化珪素半導体装置、及び炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）からなる層を熱酸化すると、二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜を得ることができる。したがって、従来から、二酸化珪素からなる層をゲート絶縁膜に適応した高耐圧の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が製造されている。
【０００３】
しかし、従来の熱酸化法で形成した炭化珪素半導体装置のＭＯＳ界面には多数のトラップ準位が存在する。その結果、チャネル移動度（チャネルコンダクタンス）が小さくなり、オン時の損失、すなわちオン抵抗が大きくなる問題点があった。
【０００４】
この問題に対処するため、例えば下記の非特許文献１には、ゲート絶縁膜形成後に一酸化窒素（ＮＯ）雰囲気下でウエハをアニール処理してＭＯＳ界面の窒化処理を行い、ＭＯＳ界面の品質を改善した炭化珪素半導体装置について記載されている。
【０００５】
また、非特許文献２には、酸素（Ｏ２）雰囲気下での熱処理によるゲート絶縁膜形成後に、Ｎ２Ｏ雰囲気下において１２００度以上でアニール処理し、ＭＯＳ界面の品質を改善した炭化珪素半導体装置や、Ｎ２Ｏ雰囲気下において１２００度以上で熱処理してゲート絶縁膜を形成し、ＭＯＳ界面の品質を改善した炭化珪素半導体装置について記載されている。
【０００６】
【非特許文献１】G.Y.Chung et al.,"Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide", Electron Device Letters, VOL. 22 (2001) No. 4, pp. 176-178
【非特許文献２】L.A.Lipkin et al.,"N2O Processing Improves the 4H-SiC:SiO2 Interface," Materials Science Forum Vols 389-393 (2002) pp. 985-988
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、非特許文献１に記載されている方法にて炭化珪素半導体装置を量産する場合、一酸化窒素雰囲気下でのアニール処理がルーチンプロセスとして用いられることとなる。しかし、一酸化窒素は毒性が強い。そのため、一酸化窒素を処理するための装置等、付帯設備の導入が必須となり、製造コストが上昇する。
【０００８】
また、非特許文献２に記載された方法では１２００度以上の高温雰囲気が必要となる。したがって、高温時の温度制御性に優れ、かつこのような高温熱処理の繰り返しに耐えうるような仕様の熱処理装置が要求されるので、非特許文献１の処理の場合と同様、製造コストが上昇する。
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、製造コストを低減することができる炭化珪素半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係わる炭化珪素半導体装置は、
炭化珪素基板と、
当該炭化珪素基板上に積層された複数の窒素含有炭化珪素層と、
当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して形成した酸化膜と
を備えること
としたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の炭化珪素半導体装置によれば、低コストの炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
本実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置、およびその製造方法の一例として、ｎチャネル炭化珪素半導体装置とその製造法について説明する。本実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、将来、ゲート酸化膜となるドリフト層に予め高濃度の窒素をドープしておき、ドリフト層形成後に熱酸化処理する点に特徴がある。
【００１３】
まず、図１に、炭化珪素半導体装置の断面構造を示す。図中、１はｎ型（第１導電型）基板、２はｎ型（第１導電型）の炭化珪素からなる第１ドリフト層、３はｎ型（第１導電型）の炭化珪素からなる第２ドリフト層、４はｐ型（第２導電型）のベース領域、５はｎ型（第１導電型）のソース領域、６は二酸化珪素からなるゲート絶縁膜、７はゲート電極、８はソース電極、９はドレイン電極、をそれぞれ表す。なお、図中、第２ドリフト層３が図示されていないが、この理由については後述する。
【００１４】
次に、本実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を、図２から９に基づき概説する。先ず、エピタキシャル結晶成長法により、ｎ型（第１導電型）基板１上にｎ型の炭化珪素からなる第１ドリフト層２、および第２ドリフト層３を形成する（図２）。なお、ｎ型基板１としては、例えば、ｎ型炭化珪素基板が好適である。
【００１５】
ここで、本実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置のエピタキシャル結晶成長法による、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置のドリフト層の形成方法を説明する。第１ドリフト層２の形成は、２５０ｍｂａｒに減圧した１５００度の高温雰囲気の中に、水素ガス５０Ｌ／分、シランガス９ｓｃｃｍ、プロパンガス４．５ｓｃｃｍ、および窒素ガス１ｓｃｃｍの流量で導入して行う。その後、約３．５時間、エピタキシャル結晶成長させ第１ドリフト層２を形成した後、窒素ガスの流量を増大させて第２ドリフト層３を形成する。上記のような条件下で形成した第１ドリフト層２の窒素濃度は約１×１０１６ｃｍ−３、膜厚は約１２μｍとなる。
【００１６】
この時、第２ドリフト層３は高濃度に窒素ドープしてなり、その濃度は、第１ドリフト層２よりも高濃度な、５×１０１９ｃｍ−３以上、１×１０２１ｃｍ−３以下が好ましい。この濃度が好ましい理由は以下の通りである。すなわち、炭化珪素を熱酸化して二酸化珪素からなるゲート絶縁膜を形成した場合、生成されるＳｉｃ−ＳｉＯ２界面トラップの面密度は、１０１２ｃｍ-2程度である。また、二酸化珪素の一層の厚みは約０．２ｎｍであるから、ＭＯＳ界面の界面トラップ密度は１０１２ｃｍ−２÷０．２ｎｍ＝５×１０１９ｃｍ−３となる。したがって、Ｓｉｃ−ＳｉＯ２界面トラップとすべて反応させるためには、少なくとも５×１０１９ｃｍ−３の窒素濃度が必要となる。
【００１７】
一方、上限値は、第２のドリフト層３にドープできる窒素濃度の限界が約１×１０２１ｃｍ−３であることに由来する。
【００１８】
なお、第２ドリフト層３の上に、１つ以上のドリフト層を形成してもよい。また、第１ドリフト層２と第２ドリフト層３の間に１つ以上のドリフト層を形成してもよい。また、第２ドリフト層３を含み、この第２ドリフト層３より上位に積層されたドリフト層の厚みは、５０ｎｍ以下が好ましい。
【００１９】
エピタキシャル結晶成長後、第２ドリフト層３上で所定の間隔に離間した部位に、レジストをマスクとして不純物をイオン注入し、一対のｐ型（第２導電型）のベース領域４を形成する。この時ｐ型ベース領域４は、少なくとも第２ドリフト層３の下にあるいずれかのドリフト層まで達していなければならない。レジスト除去後の断面構造を図３に示す。ｐ型となる不純物としては、例えばボロン（Ｂ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。
【００２０】
さらに、上記各ｐ型ベース領域４中に、レジストをマスクとして不純物をイオン注入し、ｎ型（第１導電型）のソース領域５を形成する。この時、ｎ型ソース領域５は少なくとも第２ドリフト層３の下にあるいずれかのドリフト層まで達していなければならない。レジスト除去後の断面構造を図４に示す。ｎ型不純物としては、例えばリン（Ｐ）あるいは窒素（Ｎ）が挙げられる。
【００２１】
そして、ｎ型およびｐ型不純物のイオン注入後、図４のウエハを高温でアニール処理すると、注入イオンが電気的に活性化される。
【００２２】
この処理の後に、高濃度に窒素ドープされている第２ドリフト層３を熱酸化法によって酸化する。この熱酸化によって、窒素含有の二酸化珪素からなるゲート絶縁膜６をウエハ全面に形成する。この時、第２ドリフト層３を酸化する範囲は、ウエハ全面（図５）でも、一部（図６）でも良い。すなわち図６は、第２ドリフト層３の一部が酸化され、酸化されなかった一部の第２ドリフト層３が残っている状態を示している。また、図１中、第２ドリフト層３が存在しなかったのは、図５に示すように、ウエハ全面を熱酸化処理したからである。
【００２３】
この熱酸化処理により、第２ドリフト層３を含み、この第２ドリフト層３からより上位に積層されたドリフト層から形成されたゲート絶縁膜６の厚みは、熱処理前の約２倍となる。また、第２ドリフト層３にドープする窒素濃度を上述のように設定することにより、ゲート絶縁膜６のＭＯＳ界面近傍の窒素含有率が、トラップ準位低減に適切とされる０．２％〜３％になる。
【００２４】
ここで、ゲート絶縁膜６の形成を目的とした熱酸化処理における熱処理装置内の温度プロファイルを図７に示す。なお、この熱酸化処理を実施する熱処理装置として、例えば反応炉が挙げられる。以下、反応炉を用いた場合を一例として説明を進める。
【００２５】
まず、７００度程度に昇温された反応炉内に、図４に示す、ベース領域４およびソース領域５形成後のウエハを導入し、アルゴン（Ａｒ）雰囲気、あるいは窒素（Ｎ２）雰囲気下で熱酸化を実施する温度に到達するまで昇温する。
【００２６】
次に、熱酸化温度に到達した時点で、反応炉内をアルゴン雰囲気あるいは窒素雰囲気から、水蒸気を含んだ酸素（Ｏ２）雰囲気、あるいは酸素のみの雰囲気に切り換え、所定時間この状態を保持し、熱酸化処理を行う。この熱酸化処理の過程で、ウエハ表面の炭化珪素層が酸化されて二酸化珪素からなるゲート絶縁膜６が形成される。
【００２７】
なお、この熱酸化処理は、処理開始後の一定期間は酸素のみの雰囲気で行い、残余の期間を水蒸気を含んだ酸素雰囲気で行っても良いし、あるいはその逆でも良い。この熱酸化処理は、９５０度以上、１１５０度以下の温度で実施される。これは、１１５０度より高温の熱酸化処理では、高温時の温度制御性に優れ、かつ高温下での熱処理の繰り返しに耐えうるような特別な仕様の熱処理装置が不可欠であり、この結果、製造コストが上昇する問題があるからである。一方、９５０度以下では、熱酸化処理が進行しない。
【００２８】
その後、熱酸化処理終了時に、反応炉内を再度アルゴン雰囲気もしくは窒素雰囲気に切り換え、数十分間温度を保持してアニール処理を行った後、７００度まで降温してウエハを反応炉外へ取り出す。
【００２９】
次に、図８に示すように、ゲート絶縁膜６上にゲート電極７を成膜およびパターニングする。なお、ゲート電極７は、一対のベース領域４およびソース領域５が両端部に位置し、ベース領域４間に露出した第１ドリフト層２が中央に位置するような形状にパターニングされる。
【００３０】
さらに、図９に示すように、各ソース領域４上のゲート絶縁膜６は、リソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去される。除去後、図１０に示すように、ソース領域４が表面に露出した部位に、ソース電極８を成膜およびパターニングする。最後に、基板１の裏面側にドレイン電極９を形成すると、図１に示すような素子構造の主要部が完成する。
【００３１】
以上説明したように、本実施の形態１では、ゲート絶縁膜６を形成するために、高濃度の窒素をドープした第２ドリフト層３を酸素雰囲気下で熱酸化処理した。これにより、ＭＯＳ界面の窒素含有量が適切な値となり、ＭＯＳ界面のトラップ準位が著しく低減される。この結果、ＭＯＳ界面の品質が改善されるので、製造コストを削減しながら、ゲート特性のよい炭化珪素半導体装置をえることができる。
【００３２】
また、ゲート絶縁膜形成後に一酸化窒素雰囲気下、あるいは二酸化窒素雰囲気下においてアニール処理する従来の製造方法では、アニール処理に用いる反応炉やアニール条件によってはＭＯＳ界面での窒素濃度のむらを生じる。この結果、製造された炭化珪素半導体装置ごとにゲート特性にばらつきを生じる可能性がある。
【００３３】
これに対し、本実施の形態１に係る製造方法では、熱酸化処理前に予め第２ドリフト層３に高濃度な窒素をドープしておき、その後熱酸化処理を行う。したがって、従来のような問題点が無く、炭化珪素半導体装置ごとのゲート特性のばらつきは生ぜず、安定したゲート特性の炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【００３４】
次に、本実施の形態１に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置のゲート特性を確認するため、図１１に比較結果を示す。図中、一方は、本実施の形態に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置であり、１×１０20ｃｍ−３の窒素をドープした第２ドリフト層３を形成し、１１００度の酸素雰囲気下で熱酸化処理を行った炭化珪素半導体装置である。他方は、窒素をドープせずに第２ドリフト層３を形成し、熱酸化処理を行った炭化珪素半導体装置である。
【００３５】
図から明らかなように、本実施の形態１に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置、すなわち、高濃度の窒素をドープした第２ドリフト層３を形成し、熱酸化処理を行った実施した炭化珪素半導体装置は、窒素をドープしなかった炭化珪素半導体装置に比べて、ドレイン電流値が大きく、かつ傾斜が急になっている。
【００３６】
線形領域から求めたチャネル移動度μｃｈは、窒素をドープしなかった炭化珪素半導体装置では２．８ｃｍ2／Ｖｓであったのに対して、本実施の形態１に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置では１７ｃｍ2／Ｖｓと、約６倍に改善された。これは、窒素をドープした第２ドリフト層３を形成し、この第２ドリフト層３を熱酸化処理するので、ＭＯＳ界面のトラップ準位の起源が窒化され、電気的に不活性になるためにＭＯＳ界面のトラップ準位が低減され、チャネル移動度が高くなったからである。
【００３７】
さらに、図１２に他の比較例を示す。図１１の場合と同様、図中、一方は、本実施の形態に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置であり、２×１０20ｃｍ−３の窒素をドープした第２ドリフト層３を形成し、１１５０度の酸素雰囲気下で熱酸化処理を行った炭化珪素半導体装置である。他方は、窒素をドープせずに第２ドリフト層３を形成し、熱酸化処理を行った炭化珪素半導体装置である。
【００３８】
線形領域から求めたチャネル移動度μｃｈは、窒素をドープしなかった炭化珪素半導体装置では２．８ｃｍ2／Ｖｓであったのに対して、本実施の形態に係る製造方法により製造された炭化珪素半導体装置では２０ｃｍ2／Ｖｓと、約７倍に改善された。これは、図１１の場合よりも、より多くの窒素を第２ドリフト層３にドープすることにより、ＭＯＳ界面のトラップ準位の起源の窒化がより進んだためである。つまり、第２ドリフト層３に含まれる窒素濃度は高いほど、チャネル移動度の向上が認められる。
【００３９】
なお、チャネル移動度は、熱酸化処理前の第２ドリフト層３にドープした窒素の有無に強く依存している。すなわち、５×１０１９ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下の濃度の窒素をドープした第２ドリフト層３を形成した場合、良好なゲート特性が得られた。
【００４０】
また、窒素をドープした第２ドリフト層３の酸素雰囲気下における熱酸化処理の効果は、ゲート絶縁膜６の膜厚に依存する。すなわち、ゲート絶縁膜６が、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の場合は、ゲート特性を改善する充分な効果が発現する。しかし、上記範囲外の膜厚の場合では、充分な効果は得られない。これは、ゲート絶縁膜６の膜厚が１００ｎｍ以上の場合はＭＯＳ界面まで熱が十分に届かないため、ＭＯＳ界面のトラップ準位の窒化が進行しないからである。また、膜厚が２ｎｍ未満の場合は、ゲート絶縁膜６の膜厚を均一に維持することが困難となり、実用上無視できないような素子ごとのゲート特性のばらつきが生じるからである。
【００４１】
なお、熱酸化処理の温度を１１５０度以下としても、処理条件の最適化によってＭＯＳ界面の品質を改善することはできる。しかし、９５０度より低い熱処理温度では、もはやＭＯＳ界面の充分な高品質化は困難となる。熱処理温度が低すぎて、効果が得られないからである。
【００４２】
実施の形態２．
本実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置、およびその製造方法の一例として、実施の形態１と同様、ｎチャネル炭化珪素半導体装置とその製造法について説明する。本実施の形態２では、第１のドリフト層２、ベース領域４、ソース領域５を形成し、アニール処理した後に、窒素をドープするドリフト層を形成し、熱酸化処理を行うことに特徴がある。以下、図１３から図１６を用いて説明する。
【００４３】
エピタキシャル結晶成長法による第１ドリフト層２のみの形成、ベース領域４、及びソース領域５の形成、さらに、熱処理装置による高温でアニール処理までの手順は、実施の形態１と同様である。
【００４４】
その後、図１４に示すように、エピタキシャル結晶成長法により、窒素をドープした第２ドリフト層１０を形成する。この第２ドリフト層１０は、窒素がドープされている層であれば１層である必要は無く、窒素濃度の異なる２層以上で構成されてもよい。ただし、最下層となる第２のドリフト層１０の窒素濃度は、実施の形態１と同様、５×１０１９ｃｍ−３以上、１×１０２１ｃｍ−３以下が好ましい。また、第２ドリフト層１０の層厚は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
【００４５】
なお、図１６に示すように、第２ドリフト層１０を形成する前に、ｎ型チャネルエピ層１１を形成してもよい。
【００４６】
この第２ドリフト層１０の形成後、ウエハを反応炉に入れ、第２ドリフト層１０を熱酸化法により酸化する。その結果、図１５に示すように、窒素含有の二酸化珪素からなるゲート絶縁膜６がウエハ全面に形成される。なお、第２ドリフト層１０を熱酸化してえられるゲート絶縁膜６の膜厚は、この第２ドリフト層１０の約２倍となる。また、第２ドリフト層１０にドープする窒素の濃度を上述のように設定することによって、ゲート絶縁膜６のＭＯＳ界面近傍の窒素含有率がトラップ準位低減に適切とされる０．２％〜３％になる。
【００４７】
熱酸化処理後の工程は実施の形態１と同様であり、これらの工程の後、図１に示す構造の炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【００４８】
その結果、図１６に示すような、ｎ型チャネルエピ層１１を形成した後に、窒素をドープした第２ドリフト層１０を形成し、１１００度の酸素雰囲気下で熱酸化処理を実施した炭化珪素半導体装置は、チャネル移動度３５ｃｍ2／Ｖｓという、極めて優れたゲート特性が得られた。
【００４９】
これは、高濃度の窒素をドープした第２ドリフト層１０を熱酸化処理することにより、ＭＯＳ界面のトラップ準位を著しく低減することができた上に、チャネル部にｎ領域を用いたことで、チャネルを通過する電子がＭＯＳ界面に存在するトラップ準位から受ける影響が小さくなったためである。
【００５０】
なお、本実施の形態２にて説明した製造方法は、炭化珪素層上に絶縁膜が形成される構造の炭化珪素半導体装置に適応可能である。このような炭化珪素半導体装置を製造する際に本実施の形態２にて説明した製造方法を用いると、チャネルを通過する電子がＭＯＳ界面に存在するトラップ準位から受ける影響が小さくなり、ゲート特性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造された炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図２】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図３】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図４】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図５】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図６】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図７】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための熱酸化処理の温度プロファイルを示す図である。
【図８】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図９】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図１０】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図１１】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置のゲート特性を示す図である。
【図１２】実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置のゲート特性を示す図である。
【図１３】実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図１４】実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図１５】実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【図１６】実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するための炭化珪素半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  基板、  ２  第１ドリフト層、  ３  第２ドリフト層、  ４  ベース領域、  ５  ソース領域、  ６  ゲート絶縁膜、  ７  ゲート電極、  ８  ソース電極、  ９  ドレイン電極、  １０  第２ドリフト層、  １１  チャネルエピ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007180118.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007180118.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007180118.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007180118.tif 000011
【図１０】
2007180118.tif 000012
【図１１】
2007180118.tif 000013
【図１２】
2007180118.tif 000014
【図１３】
2007180118.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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