(57)【要約】【課題】各プロセス・モジュールのコンディショニング時間にばらつきがあっても、システム全体の資源を可及的に有効利用して生産性の向上をはかる。【解決手段】この処理システムにおいては、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の間で所望のプロセスレシピに対するコンディショニング時間が不揃いである場合は、それらのプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4のどれか１つでもコンディショニングを完了した時点で該当の搬送経路上で基板搬送を開始して該プロセス・モジュールを稼動させる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送部の周囲に複数の被処理基板を収納するカセットと前記基板に実質的に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールとを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
前記複数のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステム内に投入された各基板にいずれか１つのプロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる処理システム。
【請求項２】
前記コンディショニングが完了している複数のプロセス・モジュールに対して、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各プロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、前記プロセスが済んだプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
搬送部の周囲に複数の被処理基板を収納するカセットと前記基板に実質的に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールとを配置し、前記カセットと各組の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
前記複数組のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組から逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステムに投入された各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる処理システム。
【請求項４】
前記コンディショニングが完了している複数組のプロセス・モジュールについては、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各組のプロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、前記レシピの複合プロセスが終了した組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
各組内では各基板が各組に属する複数のプロセス・モジュールに所定の順序でシリアルに搬送され、各プロセス・モジュールで前記複合プロセスの一部を受ける請求項３または請求項４に記載の処理システム。
【請求項６】
前記複合プロセスは、先工程の第１プロセスと後工程の第２プロセスとからなり、
各組のプロセス・モジュールは、前記第１プロセスを実行するための第１群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つと、前記第２プロセスを実行するための第２群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つとで構成される請求項３〜５のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項７】
各組内で前記第１群に属する第１のプロセス・モジュールが前記第２群に属する第２のプロセス・モジュールよりも先に前記コンディショニングを完了させた場合は、前記第２のプロセス・モジュールが前記コンディショニングを完了させるまでの残時間を先読み方式で監視し、前記残時間が所定の基準値を下回った時点で当該組に対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始する請求項６に記載の処理システム。
【請求項８】
前記基準値は、前記残時間監視の各時点で前記第１プロセスを未だ受けていない未処理の基板が前記搬送部内で待機している位置から前記第１のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、前記基板が前記第１プロセスを受けるために前記第１のプロセス・モジュール内に滞在するレシピ時間と、前記第１のプロセス・モジュール内の滞在を終えた前記基板が前記第１のプロセス・モジュールから搬出されるまでの第２の搬送時間とを含む時間として設定される請求項７に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第１群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを最初に完了させたものと前記第２群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを最初に完了させたものとで第１組のプロセス・モジュールが構成され、
前記第１群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを２番目に完了させたものと前記第２群のプロセス・モジュールの中で前記コンディショニングを２番目に完了させたものとで第２組のプロセス・モジュールが構成される請求項６〜８のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１０】
各々の前記プロセス・モジュールが前記基板を保持して設定温度に加熱するためのサセプタを有し、前記サセプタの温度が前記プロセスの実行を可能な状態にする条件の一つである請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記プロセス・モジュールが減圧下で前記プロセスを実行するための真空チャンバを有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１２】
大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールを前記搬送経路の途中に設ける請求項１１に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記ロードロック・モジュールが全搬送経路で共用される請求項１２に記載の処理システム。
【請求項１４】
前記ロードロック・モジュールが各搬送経路毎に個別に設けられる請求項１２に記載の処理システム。
【請求項１５】
前記搬送部が、
各々の前記真空搬送室と第１のゲートバルブを介して連結され、前記ロードロック・モジュールと第２のゲートバルブを介して連結される真空搬送室と、
前記ロードロック・モジュールと前記プロセス・モジュールとの間で前記基板を搬送するために前記真空搬送室内に設けられる第１の搬送機構と
を有する請求項１３または請求項１４に記載の処理システム。
【請求項１６】
前記搬送機構が、各々の前記プロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで当該プロセス・モジュールで前記プロセスを終えた基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで当該プロセス・モジュールで前記プロセスを受けるべき別の基板を搬入し、前記ロードロック・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで未処理の基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで処理済みの基板を搬入する請求項１５に記載の処理システム。
【請求項１７】
前記カセットを大気圧下で支持するロードポートと、
前記ロードポートに接続または隣接し、前記ロードロック・モジュールに第３のゲートバルブを介して連結される大気圧搬送モジュールと、
前記ロードポート上の前記カセットと前記ロードロック・モジュールとの間で前記基板を搬送するために前記大気圧搬送モジュール内に設けられる第２の搬送機構と
を有する請求項１５または請求項１６に記載の処理システム。
【請求項１８】
真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に実質的に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
前記複数のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの前記プロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる処理システム。
【請求項１９】
真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に実質的に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各組のプロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、
前記複数組のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送部の周囲に複数のプロセス・モジュールを集約して設けるインライン式の処理システムに係り、特に複数台または複数組のプロセス・モジュールに実質的に同一のプロセスを並列的に行わせる処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえばクラスタツールは、同一または異なるプロセスを連続的または同時進行的に行えるように複数のプロセス・モジュールを主搬送室の周りに配置する構成を採る処理システムであり、典型的には半導体製造装置で採用されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
このようなクラスタツールの処理システムにおいては、個々のプロセス・モジュールがモジュール内の各部の動作や状態を制御したりプロセスを実行制御するためのプロセス用モジュール・コントローラを備えるとともに、主搬送室内の搬送機構もその搬送手順や搬送アームの動作を制御するための搬送用モジュール・コントローラを備える。そして、システム全体を統括制御するメインコントローラとモジュール・コントローラとの間でレシピ情報、制御信号等をやりとりしながら、各プロセス・モジュールによる所定の枚葉処理と搬送機構による基板搬送とが一定のサイクルおよび一定の搬送パターンで繰り返し行われる。特に、複数台または複数組のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを並列的に行わせる場合は、単一または複合プロセスの生産性を倍増させることができる。
【特許文献１】特開２０００−１２７０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような処理システムは長時間連続して稼動するのが常であり、それによって高い生産性が得られる。さらに、フレキシビリティも備えており、レシピ次第で多種多様なプロセスを実現することができる。その場合、ロットの切れ目等で、システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールにおいて新たなプロセスレシピのためにモジュール内部の条件を設定値に合わせるためのコンディショニングまたはプロローグが相当の時間をかけて行われる。この種の条件の代表的なものは、プロセス・モジュールの処理室またはチャンバ内の温度や内壁状態等である。チャンバ内の温度としては、特に基板を保持して加熱するサセプタの温度が重要である。
【０００５】
しかしながら、複数台または複数組のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを行わせるにしても、機差によって各条件の設定値に到達させるまでの時間がプロセス・モジュール間でばらつくことがある。たとえば、プロセス温度としてレシピ上の設定温度は６００℃でも、サセプタ温度の設定値に関しては或るプロセス・モジュールは５９０℃で、別のプロセス・モジュールは６１０℃であったりする。また、サセプタ温度の設定値が同じであっても、各プロセス・モジュールで温度センサの感度が機差によって異なるため設定値に到達したと判断する時間に差が生じることがある。そのような場合、コンディショニングの完了する時刻が各プロセス・モジュールで区区になり、プロセス・モジュールの台数が多いほど最短時間と最長時間の差が大きくなる。
【０００６】
従来のクラスタツールにおいては、新たに開始するプロセスレシピのためのコンディショニングを完了していないプロセス・モジュールが一つでもあれば他の全てのプロセス・モジュールが待ち状態に置かれ、最後のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了した時点で全プロセス・モジュールが一斉に稼動し始めるようになっている。しかしながら、上記のような待ち状態の間はシステムが実質的に全然稼動しておらず、生産性の面で改善の余地があった。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、所望のプロセスに対して各プロセス・モジュールのコンディションが整うまでの時間にばらつきがあっても、システム全体の資源を可及的に有効利用して生産性の向上をはかる処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点による処理システムは、搬送部の周囲に複数の被処理基板を収納するカセットと前記基板に実質的に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールとを配置し、前記カセットと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステム内に投入された各基板にいずれか１つのプロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる。
【０００９】
この第１の処理システムにおいては、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、複数のプロセス・モジュールの中のどれか１つでもコンディショニングを完了した時は、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールに当該プロセスを行わせる。その後、残りのプロセス・モジュールの中のどれかがコンディショニングを完了させる度毎に、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールにも当該プロセスを行わせる。
【００１０】
なお、上記第１の処理システムにおいて、各搬送経路上で基板搬送を開始するということは、当該搬送経路上のプロセス・モジュールにコンディショニング完了後に最初の基板を搬入するための搬送を開始するという意味であり、その開始時点まで当該基板を搬送エリア内の任意の位置で待機させておくことが可能である。
【００１１】
本発明の好適な一実施形態によれば、コンディショニングが完了している複数のプロセス・モジュールに対して、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各プロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、当該プロセスが済んだプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する。このように、稼動中の複数のプロセス・モジュールに係る基板搬送のシーケンスに一定の順番または時間的なオフセットを設けることで、並列処理のスループットを高めることができる。
【００１２】
また、本発明の第２の観点による処理システムは、搬送部の周囲に複数の被処理基板を収納するカセットと前記基板に実質的に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールとを配置し、前記カセットと各組の前記プロセス・モジュールとの間に前記搬送部を介して基板を搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数組のプロセス・モジュールが前記複合プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組から逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、前記カセットを通じてシステムに投入された各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる。
【００１３】
この第２の処理システムにおいては、複数組のプロセス・モジュールに実質的に同一の複合プロセスを並列的に行わせるに際して、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立すれば、直ちにその組み合わせに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、その組み合わせのプロセス・モジュールに当該複合プロセスを行わせる。その後も、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立した次第、その組み合わせに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、それらのプロセス・モジュールにも当該複合プロセスを行わせる。
【００１４】
本発明の好適な一態様においては、コンディショニングが完了している複数組のプロセス・モジュールについては、一定のサイクルと一定の順序で未処理の基板を一枚ずつ各組のプロセス・モジュールにそれと対応する搬送経路から搬入し、当該レシピの複合プロセスが終了した組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する搬送経路へ処理済みの基板を搬出する。このように、稼動中の複数の組のプロセス・モジュールに係る基板搬送のシーケンスに一定の順番または時間的なオフセットを設けることで、並列処理のスループットを高めることができる。また、好ましい一態様として、各組内では各基板が各組に属する複数のプロセス・モジュールに所定の順序でシリアルに搬送され、各プロセス・モジュールで複合プロセスの一部を受ける。
【００１５】
また、別の好適な一態様においては、複合プロセスは先工程の第１プロセスと後工程の第２プロセスとからなり、各組のプロセス・モジュールは、第１プロセスを実行するための第１群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つと、第２プロセスを実行するための第２群のプロセス・モジュールの中のいずれか１つとで構成される。本発明によれば、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせる場合には、プロセス・モジュールの組み合わせを予め固定しておくのも可能であるが、複数通りの組み合わせパターンを想定し、コンディションニング完了時間の順序にしたがって条件的に組み合わせパターンに決定するのが好ましい。一典型例として、第１群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを最初に完了させたものと第２群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを最初に完了させたものとで第１組のプロセス・モジュールを構成し、第１群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを２番目に完了させたものと第２群のプロセス・モジュールの中でコンディショニングを２番目に完了させたものとで第２組のプロセス・モジュールを構成してよい。
【００１６】
本発明の好適な一態様によれば、このような複合処理形態において、各組内で第１群に属する第１のプロセス・モジュールが第２群に属する第２のプロセス・モジュールよりも先にコンディショニングを完了させた場合は、第２のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了させるまでの残時間を先読み方式で監視し、残時間が所定の基準値を下回った時点で当該組に対応する搬送経路上の基板搬送を開始する。この場合、基準値は、残時間監視の各時点で第１プロセスを未だ受けていない未処理の基板が搬送部内で待機している位置から第１のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、当該基板が第１プロセスを受けるために第１のプロセス・モジュール内に滞在するレシピ時間と、第１のプロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板が第１のプロセス・モジュールから搬出されるまでの第２の搬送時間とを含む時間として設定されるのが好ましい。このような先読み方式によれば、第２のプロセス・モジュールがそのコンディショニングを完了させる前から当該搬送経路上の基板搬送をジャストイン・タイムで開始させることが可能であり、スループットの一層の向上をはかることができる。
【００１７】
また、本発明の好適な一態様においては、プロセス・モジュールが基板を保持して設定温度に加熱するためのサセプタを有し、このサセプタの温度が当該プロセスの実行を可能な状態にする一条件となる。プロセス・モジュールは、減圧下でプロセスを実行するための真空チャンバを有する。この場合、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールが搬送経路の途中に設けられる。ロードロック・モジュールは、全搬送経路共用に設けられてもよく、各搬送経路毎に個別に設けられてもよい。
【００１８】
ロードロック・モジュールが設けられる場合、搬送部は、各々の真空搬送室と第１のゲートバルブを介して連結され、ロードロック・モジュールと第２のゲートバルブを介して連結される真空搬送室を有し、この真空搬送室内にロードロック・モジュールとプロセス・モジュールとの間で基板を搬送するための第１の搬送機構を設ける。好ましい一態様によれば、この第１の搬送機構が、各々のプロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、各プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで当該プロセス・モジュールでプロセスを終えた基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで当該プロセス・モジュールでプロセスを受けるべき別の基板を搬入し、ロードロック・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで未処理の基板を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで処理済みの基板を搬入する。また、本発明の処理システムには、好ましい一態様として、カセットを大気圧下で支持するロードポートと、このロードポートに接続または隣接し、ロードロック・モジュールに第３のゲートバルブを介して連結される大気圧搬送モジュールと、ロードポート上のカセットとロードロック・モジュールとの間で基板を搬送するために大気圧搬送モジュール内に設けられる第２の搬送機構とが備えられる。
【００１９】
本発明の第３の観点による処理システムは、真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に実質的に同一のプロセスを施す複数のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各々の前記プロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数のプロセス・モジュールが前記プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの前記プロセス・モジュールによる前記プロセスを受けさせる。
【００２０】
この第３の処理システムにおいても、上記第１の処理システムと同様に、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、複数のプロセス・モジュールの中のどれか１つでもコンディショニングを完了した時は、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールに当該プロセスを行わせる。その後、残りのプロセス・モジュールの中のどれかがコンディショニングを完了させる度毎に、そのプロセス・モジュールに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、そのプロセス・モジュールにも当該プロセスを行わせる。
【００２１】
本発明の第４の観点による処理システムは、真空搬送室の周囲に、減圧下で被処理基板に実質的に同一の複合プロセスを施す複数組のプロセス・モジュールと、大気圧空間と減圧空間との間で転送される被処理体を一時的に留め置くために室内が選択的に大気圧状態または減圧状態に切り換えられるロードロック・モジュールとを配置し、前記ロードロック・モジュールと各組のプロセス・モジュールとの間に前記真空搬送室を介して基板を一枚単位で搬送する所定の搬送経路を設定する処理システムであって、前記複数組のプロセス・モジュールが前記複合プロセスの実行を可能な状態にするためのコンディショニングをそれぞれ行った場合に、前記コンディショニングを完了させた組のプロセス・モジュールから逐次それと対応する前記搬送経路上の基板搬送を開始して、大気空間から前記ロードロック・モジュールを介して減圧空間に投入される各基板にいずれか１つの組のプロセス・モジュールによる前記複合プロセスを受けさせる。
【００２２】
この第４の処理システムにおいても、上記第２の処理システムと同様に、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせるに際して、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立すれば、直ちにその組み合わせに対応する搬送経路上で基板搬送を開始して、その組み合わせのプロセス・モジュールに当該複合プロセスを行わせる。その後も、コンディショニングを完了させたプロセス・モジュールの中で該複合プロセスの実行可能な組み合わせが成立した次第、その組み合わせに対応する搬送経路上でも基板搬送を開始して、それらのプロセス・モジュールにも当該複合プロセスを行わせる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の処理システムによれば、上記のような構成と作用により、所望のプロセスに対して各プロセス・モジュールのコンディションが整うまでの時間にばらつきがあっても、システム全体の資源を可及的に有効利用して生産性の向上をはかることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２５】
図１に、本発明の一実施形態におけるクラスタツールの処理システムの構成を示す。このクラスタツールの処理システムは、中央搬送室を構成するトランスファ・モジュールＴＭの周りに複数たとえば４台のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4と２つのロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2とを環状に配置したマルチチャンバ装置である。各々のモジュールは個別に所望の真空度で減圧空間を形成できる真空チャンバまたは処理室を有しており、中心部のトランスファ・モジュールＴＭは周辺部の各モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＬＬＭ1，ＬＬＭ2とゲートバルブＧＶを介して連結されている。
【００２６】
トランスファ・モジュールＴＭの室内には、旋回および伸縮可能な一対の搬送アームＦA，ＦBを有する真空搬送ロボットＲＢ1が設けられている。この搬送ロボットＲＢ1は、真空搬送用モジュール・コントローラＭＣT（図３）の制御の下で動作し、各搬送アームＦA，ＦBがそのフォーク形のエンドエフェクタに１枚の被処理体たとえば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を保持できるようになっており、周囲の各モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＬＬＭ1，ＬＬＭ2に開状態のゲートバルブＧＶを通って搬送アームＦA，ＦBのいずれか一方を選択的に挿入または引き抜いてウエハの搬入（ローディング）／搬出（アンローディング）を行うことができる。両搬送アームＦA，ＦBは、ロボット本体に互いに背中合わせに搭載され、一体的に旋回運動し、一方の搬送アームが原位置または復動位置に止まった状態で他方の搬送アームが原位置と前方（周辺モジュール内）の往動位置との間で伸縮移動するようになっている。
【００２７】
プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4は、それぞれのチャンバ内にウエハ保持用の載置台またはサセプタを備えており、それぞれ個別のプロセス用モジュール・コントローラＭＣ1，ＭＣ2，ＭＣ3，ＭＣ4（図３）の制御の下で、所定の用力（処理ガス、電力等）を用いてチャンバ内の温度、圧力、電界、磁界、処理ガス濃度等を制御することにより所定の枚葉プロセス、たとえばＣＶＤまたはスパッタリング等の成膜処理、熱処理、ドライエッチング加工等を行うようになっている。
【００２８】
ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2は、必要に応じて加熱部または冷却部を装備することも可能であり、トランスファ・モジュールＴＭと反対側でゲートバルブ（またはドアバルブ）ＧＶを介して常時大気圧下のローダ・モジュールＬＭと連結されている。さらに、このローダ・モジュールＬＭと隣接してロードポートＬＰおよびオリフラ合わせ機構ＯＲＴも設けられている。ロードポートＬＰは、外部搬送車との間でウエハカセットＣＲの投入、払出しに用いられる。オリフラ合わせ機構ＯＲＴは、ウエハＷのオリエンテーションフラットまたはノッチを所定の位置または向きに合わせるために用いられる。
【００２９】
ローダ・モジュールＬＭ内に設けられている大気搬送ロボットＲＢ2は、伸縮可能な搬送アームを有し、リニアガイド（リニアスライダ）ＬＡ上で水平方向に移動可能であるとともに、昇降・旋回可能であり、大気搬送用モジュール・コントローラＭＣL（図３）の制御の下で動作し、ロードポートＬＰ、オリフラ合わせ機構ＯＲＴおよびロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の間を行き来してウエハを１枚または複数枚単位で搬送する。なお、リニアガイドＬＡは、たとえば永久磁石からなるマグネット、駆動用励磁コイルおよびスケールヘッド等で構成され、ホストコントローラからのコマンドに応じて搬送ロボットＲＢ2の直線駆動制御を行う。
【００３０】
ここで、ロードポートＬＰに投入されたウエハカセットＣＲ内の一枚のウエハにこのクラスタツール内の任意のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ1）で単一のプロセスを受けさせるための基本的なウエハ搬送シーケンスを説明する。このシステム内のウエハ搬送に際しては、所定のプログラムにしたがって各部を動作させるために、システム全体を統括制御するイクイップメント・コントローラＥＣと、搬送（大気搬送、真空搬送）モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLと、各プロセスモジュール・コントローラＭＣ1，ＭＣ2，ＭＣ3，ＭＣ4との間で所要のデータや制御信号がやりとりされる（図３）。なお、このクラスタツールにおける制御系の構成は図３にのみ示し、他の図では図示省略している。
【００３１】
ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2は、ロードポートＬＰ上のウエハカセットＣＲから１枚のウエハＷiを取り出し、このウエハＷiをオリフラ合わせ機構ＯＲＴに搬送してオリフラ合わせを受けさせ、それが済んだ後にロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2のいずれか一方（たとえばＬＬＭ1）に移送する。移送先のロードロック・モジュールＬＬＭ1は、大気圧状態でウエハＷiを受け取り、搬入後に室内を真空引きし、減圧状態でウエハＷiをトランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1に渡す。
【００３２】
搬送ロボットＲＢ1は、搬送アームＦA，ＦBの片方を用いて、ロードロック・モジュールＬＬＭ1よりウエハＷiを取り出し、次いで所定角度だけ旋回して該当のプロセス・モジュールＰＭ1と向かい合い、ロードロック・モジュールＬＬＭ1から取り出してきたウエハＷiをプロセス・モジュールＰＭ1に搬入する。プロセス・モジュールＰＭ1は、予め設定されたレシピにしたがい所定の条件（ガス、圧力、高周波電力、時間等）で枚葉プロセスを実施する。
【００３３】
この枚葉プロセスが終了した後に、搬送ロボットＲＢ1は、ウエハＷiをプロセス・モジュールＰＭ1から搬出し、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の片方（たとえばＬＬＭ2）に戻す。当該ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、処理済みのウエハＷiを搬入すると、室内を減圧状態から大気圧状態に切り替える。しかる後、ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2が、大気圧状態のロードロック・モジュールＬＬＭ2からウエハＷiを取り出して該当のウエハカセットＣＲに戻す。なお、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2において滞在中のウエハＷiに所望の雰囲気下で加熱または冷却処理を施すこともできる。
【００３４】
このクラスタツール内の任意の組のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ1，ＰＭ2）で一枚のウエハＷiに複合プロセスを受けさせる場合は、１番目のプロセス・モジュールＰＭ1で第１工程の枚葉プロセスが行われる。この第１プロセスの終了後、搬送ロボットＲＢ1は、プロセス・モジュールＰＭ1から搬出したウエハＷiを次に２番目のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ2）に搬入する。この２番目のプロセス・モジュールＰＭ2でも、予め設定されたレシピにしたがい所定の条件で第２工程の枚葉プロセスを実施する。
【００３５】
この第２プロセスが終了すると、搬送ロボットＲＢ1は、ウエハＷiを２番目のプロセス・モジュールＰＭ2から搬出し、それからロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の片方に搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2とロードポートＬＰとの間のウエハ搬送は上記した単一プロセスの場合と同じでよい。
【００３６】
この実施形態では、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が上記のように一対の搬送アームＦA，ＦBを有しており、その周囲の各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4に対して、当該モジュールで処理が済んだ直後のウエハと次に当該モジュールで処理を受けるべきウエハとを１回のモジュール・アクセスで入れ替えるピック＆プレース動作を行えるようになっている。
【００３７】
ここで、図２につき、この実施形態におけるピック＆プレース動作を模式的な図解で説明する。搬送ロボットＲＢ1は、図２の(A)に示すように、目的のプロセス・モジュールＰＭnに搬入すべき未処理（処理前）のウエハＷjを片方の搬送アームたとえばＦAに保持し、もう片方の搬送アームＦBをウエハ無しの空の状態にして当該プロセス・モジュールＰＭnと向き合う。そして、図２の(B)，(C)に示すように、空の搬送アームＦBを当該プロセス・モジュールＰＭnのチャンバに挿入して中から処理済のウエハＷiを取り出す（ピック動作）。次に、図２の(D)に示すように、搬送アームＦA，ＦBを１８０゜旋回（反転）させて、未処理のウエハＷjを保持している搬送アームＦAをプロセス・モジュールＰＭnの正面に付ける。そして、今度は、図２の(E) ，(F)に示すように、搬送アームＦAを当該プロセス・モジュールＰＭnのチャンバに挿入して内部の載置台または支持ピン等に該ウエハＷjを渡し、空になった搬送アームＦAを引き抜く（プレース動作）。なお、このピック＆プレース動作の間、当該プロセス・モジュールＰＭnのウエハ出入口に設けられているゲートバルブＧＶ（図１）は開いたままになっている。
【００３８】
このように、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1は、各プロセス・モジュールＰＭnに対する１回のアクセスで、当該モジュールで処理の済んだウエハＷiと次に当該モジュールで処理を受けるべき半導体ウエハＷjとを上記のようなピック＆プレース動作により入れ替えることができる。さらに、搬送ロボットＲＢ1は、各ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2に対しても上記と同様のピック＆プレース動作により１回のアクセスで新規ウエハおよび処理済ウエハの入れ替えまたは受け渡しを行うことができる。また、１回のアクセスにおいて、ピック動作に続いて間髪を入れずにプレース動作を行うことも可能であれば、ピック動作の後に少し待ち時間を置いてからプレース動作を行うことも可能である。さらに、ウエハＷiを搬出するピック動作のみあるいはウエハＷjを搬入するプレース動作のみを単発で行うことも可能である。
【００３９】
このクラスタツールの処理システムにおいて、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の中の複数台を同一機種で構成した場合は、それら複数のプロセス・モジュールに同一レシピのプロセスを並列的に行わせることができる。一例として、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の全部を同一機種のＣＶＤ装置に揃えた場合は、それら４台で同一レシピの成膜プロセスを並列的に行わせることができる。この場合、システム内には、図３に示すように、ロードポートＬＰにセットされているウエハカセットＣＲと各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4との間でウエハＷを行き来させる搬送経路が設定される。なお、図示の搬送経路においてはオリフラ合わせ機構ＯＲＴを省いている。
【００４０】
より詳細には、ロードポートＬＰとロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）との間に、ローダ・モジュールＬＭを介して、つまり大気搬送ロボットＲＢ2によってウエハＷを一枚単位で往復搬送する大気系の搬送経路ＳAが設定される。この搬送経路ＳAは全てのウエハＷが通る共通の経路である。また、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4との間には、トランスファ・モジュールＴＭを介して、つまり真空搬送ロボットＲＢ1によってウエハＷを一枚単位で往復搬送する真空系の搬送経路ＳB、Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4が設定される。ここで、ＳBはロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と真空搬送ロボットＲＢ1との間で全てのウエハＷが通る共通の搬送経路である。一方、Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4は真空搬送ロボットＲＢ1と各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4との間の搬送経路であり、それぞれ４組にグルーピングされた一部のウエハＷが通る並列的な搬送経路である。
【００４１】
ここで、図３につき、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の全部が稼動しているときのシステム内の搬送シーケンスを説明する。一例として、ウエハカセットＣＲ内の４つの基板Ｗi，Ｗi+1，Ｗi+2，Ｗi+3がこの順にそれぞれプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4で同一レシピの成膜プロセスを受けるとする。この場合、１番目のウエハＷiは、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ1の行きの経路または往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ1に搬入される。次に、２番目のウエハＷi+1は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ2の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ2に搬入される。次に、３番目のウエハＷi+2は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ3の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ3に搬入される。そして、４番目のウエハＷi+3は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ4の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ4に搬入される。
【００４２】
しかる後、最初に上記プロセスを終えたウエハＷiは、プロセス・モジュールＰＭ1からＳ1→ＳB→ＳAの帰りの経路または復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。次に、２番目に上記プロセスを終えたウエハＷi+1は、プロセス・モジュールＰＭ2からＳ2→ＳB→ＳAの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。次に、３番目に上記プロセスを終えたウエハＷi+2は、プロセス・モジュールＰＭ3からＳ3→ＳB→ＳAの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。そして、４番目に上記プロセスを終えたウエハＷi+3は、プロセス・モジュールＰＭ4からＳ4→ＳB→ＳAの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。
【００４３】
なお、プロセス・モジュールＰＭ1から１番目のウエハＷiが搬出される時は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ1の往路を経由してきた５番目のウエハＷi+4が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷiと入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ1に搬入される。また、プロセス・モジュールＰＭ2から２番目のウエハＷi+1が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ2の往路を経由してきた６番目のウエハＷi+5が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷi+1と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ2に搬入される。また、プロセス・モジュールＰＭ3から３番目のウエハＷi+2が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ3の往路を経由してきた７番目のウエハＷi+6が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷi+2と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ3に搬入される。そして、プロセス・モジュールＰＭ4から４番目のウエハＷi+3が搬出される時は、ロードポートＬＰからＳA→ＳB→Ｓ4の往路を経由してきた８番目のウエハＷi+7が上記ピック＆プレース動作により該ウエハＷi+3と入れ替わりにプロセス・モジュールＰＭ4に搬入される。
【００４４】
ところで、この処理システムにおいて、プロセスレシピを変更した場合は、ロットの切れ目等で、システム内の基板搬送を全て停止し、各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4において新たなプロセスレシピのためにモジュール内部の条件（たとえばサセプタの温度、チャンバ内壁等）を基準値または基準状態に合わせるためのコンディショニングまたはプロローグが相当の時間をかけて行われる。通常、このコンディショニングに要する時間はプロセス・モジュールＰＭ毎にまちまちである。すなわち、従来技術の説明の中でも述べたように、同一の機種であっても、機差によりコンディショニングに要する時間（たとえば、サセプタの温度を待機用の設定温度からプロセス用の設定温度まで上げる時間）にばらつきが生じる。
【００４５】
この処理システムは、このようなコンディショニングを実施した場合は、次のような手順で実プロセスを開始するようにしている。たとえば、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の中でＰＭ2が最先にコンディショニングを完了したとする。この場合、プロセス・モジュールＰＭ2のモジュール・コントローラＭＣ2は、コンディショニングが完了したことを知らせる所定の状態表示信号（レディ信号）をイクイップメント・コントローラＥＣに送る。そうすると、イクイップメント・コントローラＥＣは搬送（大気搬送、真空搬送）モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLにそのことを知らせる。そして、それらのモジュール・コントローラＭＣ2，ＭＣT，ＭＣLの制御の下で、プロセス・モジュールＰＭ2はもちろんのこと、大気搬送ロボットＲＢ2、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）および真空搬送ロボットＲＢ1がそれぞれ稼動し始めて、図４に示すように搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2上で基板搬送が開始される。すなわち、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲから未処理の基板Ｗ1，Ｗ2，Ｗ3，Ｗ4・・・が一定のサイクルでＳA→ＳB→Ｓ2の往路を経由してプロセス・モジュールＰＭ2に順次一枚ずつ送り込まれる。そして、プロセス・モジュールＰＭ2から処理済みの基板Ｗ1，Ｗ2，Ｗ3，Ｗ4・・・が一定のサイクルで順次一枚ずつＳ2→ＳB→ＳAの復路を経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。その際、プロセス・モジュールＰＭ2においては、ピック＆プレース動作により、プロセスを終えた基板Ｗiが搬出されるのと入れ替わりに、次の基板Ｗi+1が搬入される。
【００４６】
まもなくしてプロセス・モジュールＰＭ4が２番目にコンディショニングを完了させたとする。このときにも、プロセス・モジュールＰＭ4のモジュール・コントローラＭＣ4よりイクイップメント・コントローラＥＣにレディ信号が送られ、そのことが搬送モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLにも知らされる。こうして、プロセス・モジュールＰＭ4が稼動し始め、図５に示すように搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ4も成立する。すなわち、これまでのプロセス・モジュールＰＭ2による単独稼動からＰＭ2，ＰＭ4による２台並列稼動に切り換わり、搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2だけでなく搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ4上でも基板搬送が行われるようになる。この場合、或る基板Ｗiがプロセス・モジュールＰＭ2でプロセスを受けている間にプロセス・モジュールＰＭ4よりレディ信号が出されたときは、次の基板Ｗi+1をＳA→ＳB→Ｓ2の往路からＳA→ＳB→Ｓ4の搬送経路に移してプロセス・モジュールＰＭ4に搬入することも可能である。その場合、基板Ｗi+1の次の基板Ｗi+2は搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2上で搬送され、基板Ｗi+2の次の基板Ｗi+3は搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ4上で搬送されることになる。後続の基板についても同様である。
【００４７】
次に、プロセス・モジュールＰＭ1が３番目にコンディショニングを完了させたとする。このときにも、やはりプロセス・モジュールＰＭ1のモジュール・コントローラＭＣ1よりイクイップメント・コントローラＥＣにレディ信号が送られ、そのことが搬送モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLにも知らされる。。こうして、プロセス・モジュールＰＭ1も稼動し始め、図６に示すように搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ1も成立する。すなわち、これまでのＰＭ2，ＰＭ4による２台並列稼動からＰＭ2，ＰＭ4，ＰＭ1よる３台並列稼動に切り換わり、搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2、ＳA−ＳB−Ｓ4に加えて搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ1上でも基板搬送が行われるようになる。この場合にも、或る基板Ｗi，Ｗi+1がそれぞれプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4でプロセスを受けている間にプロセス・モジュールＰＭ1よりレディ信号が出されたときは、次の基板Ｗi+2をＳA→ＳB→Ｓ2の往路からＳA→ＳB→Ｓ1の搬送経路に移してプロセス・モジュールＰＭ1に送り込むことも可能である。その場合、基板Ｗi+2の次の基板Ｗi+3は搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2上で搬送され、基板Ｗi+3の次の基板Ｗi+4は搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ4上で搬送され、基板Ｗi+4の次の基板Ｗi+5は搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ1上で搬送されることになる。
【００４８】
そして、最後にプロセス・モジュールＰＭ3がコンディショニングを完了させると、それ以降は実質的に図３と同じ４台並列稼動となり、４系統の搬送経路ＳA−ＳB−Ｓ2、ＳA−ＳB−Ｓ4、ＳA−ＳB−Ｓ1、ＳA−ＳB−Ｓ3上で基板搬送が行われるようになる。もっとも、本例の場合は、ＰＭ2，ＰＭ4，ＰＭ1，ＰＭ3の順に基板の搬送ないし搬入／搬出が繰り返される。
【００４９】
このように、この実施形態においては、実プロセス開始前のコンディショニングにおいて、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の中のどれか１台でもコンディショニングを完了した時は、つまりシステム内の搬送経路ＳＡ−ＳB−Ｓ1、ＳA−ＳB−Ｓ2、ＳA−ＳB−Ｓ3、ＳA−ＳB−Ｓ4の中のどれか１つでも成立したなら、直ちに当該搬送経路上で基板搬送を開始して当該プロセス・モジュールＰＭに枚葉プロセスの動作を一定サイクルで繰り返し行わせるので、システム内で稼動可能な資源を有効利用し、生産性を向上させることができる。
【００５０】
なお、この実施形態において各搬送経路上で基板搬送を開始するということは、当該搬送経路上のプロセス・モジュールに対してコンディショニング完了後に最初の基板Ｗを搬入するための搬送を開始するという意味であり、その開始時点まで基板Ｗを搬送エリア内の任意の位置、つまりロードポートＬＰ、ローダ・モジュールＬＭ、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）またはトランスファ・モジュールＴＭ内の任意の位置で待機させておくことが可能である。したがって、たとえば上記の例で、プロセス・モジュールＰＭ4が２番目にコンディショニングを完了させた時点で、未処理の次の基板Ｗi+1がトランスファ・モジュールＴＭ内で、つまり真空搬送ロボットＲＢ1の搬送アーム上で待機していたときは、搬送経路ＳA→ＳB→Ｓ4上の基板搬送を開始させてこの基板Ｗi+1をプロセス・モジュールＰＭ4に搬入することも可能である。
【００５１】
このクラスタツールの処理システムは、２組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせることも可能である。たとえば、Ｓｉプロセスでバリアメタルに用いられるＴi／ＴiＮの積層膜をインラインの連続成膜処理で形成するアプリケーションでは、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ3に下層のＴi膜を形成するためのＣＶＤ装置を充て、プロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4に上層のＴiＮ膜を形成するためのＣＶＤ装置を充てることができる。この場合、プロセス・モジュールの組み合わせパターンは２種類、つまり図７に示すように［ＰＭ1→ＰＭ2］、［ＰＭ3→ＰＭ4］の組み合わせパターンと、図８に示すように［ＰＭ1→ＰＭ4］、［ＰＭ3→ＰＭ2］の組み合わせパターンがある。いずれか１種類の組み合わせパターンに固定することも可能であるが、この実施形態は２種類のいずれも選択可能とし、後述するコンディションニング完了時間の順序にしたがって条件的にいずれか一方の組み合わせパターンに決めるようにしている。
【００５２】
なお、図７の場合は、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と一方の組（便宜上「Ａ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ1→Ｓa→Ｓ2が設定される。ここで、Ｓ1はロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ1までの行きの搬送経路であり、Ｓaはプロセス・モジュールＰＭ1から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ2までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ2はプロセス・モジュールＰＭ2からロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）への帰りの搬送経路である。
【００５３】
未処理のウエハＷiは、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から搬送経路Ｓ1を経由してプロセス・モジュールＰＭ1に搬入され、そこで第１工程のプロセス（Ｔi成膜処理）を受ける。この第１工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷiはプロセス・モジュールＰＭ1から搬送経路Ｓaを経由してプロセス・モジュールＰＭ2に移され、そこで第２工程のプロセス（ＴiＮ成膜処理）を受ける。この第２工程が終了すると、次にウエハＷiはプロセス・モジュールＰＭ1から搬送経路Ｓ2を経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）に戻される。各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2においてはピック＆プレース動作によりウエハの搬出／搬入が行われてよい。
【００５４】
さらに、図７においては、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と他方の組（便宜上「Ｂ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ3→Ｓb→Ｓ4が設定される。ここで、Ｓ3はロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ3までの行きの搬送経路であり、Ｓbはプロセス・モジュールＰＭ3から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ4までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ4はプロセス・モジュールＰＭ4からロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）への帰りの搬送経路である。
【００５５】
未処理のウエハＷjは、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から搬送経路Ｓ3を経由してプロセス・モジュールＰＭ3に搬入され、そこで第１工程のプロセス（Ｔi成膜処理）を受ける。そして、第１工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷiはプロセス・モジュールＰＭ3から搬送経路Ｓbを経由してプロセス・モジュールＰＭ4に搬入され、そこで第２工程のプロセス（ＴiＮ成膜処理）を受ける。この第２工程のプロセスが終了すると、次にウエハＷjはプロセス・モジュールＰＭ4から搬送経路Ｓ4を経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）に戻される。各プロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4においてはピック＆プレース動作により１回のアクセスで前後してウエハの搬出／搬入が行われてよい。
【００５６】
図７の場合、全体的な搬送パターンとして、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲから大気搬送経路ＳA−ＳBを経由してロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）に投入された基板Ｗは、真空空間においては、搬送経路Ｓ1→Ｓa→Ｓ2を経由してＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］によりインラインで連続的に第１および第２プロセスを受けるものと、搬送経路Ｓ3→Ｓb→Ｓ4を経由してＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］によりインラインで連続的に第１および第２プロセスを受けるものとに一定の時間差をおいて一枚ずつ交互に分かれる。そして、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）に回収された各基板は、そこから大気搬送経路ＳA−ＳBを経由してロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに戻される。
【００５７】
図８の場合は、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と一方の組（便宜上「Ｃ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ4］との間に、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ1→Ｓc→Ｓ2が設定される。ここで、Ｓ1はロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ1までの行きの搬送経路であり、Ｓcはプロセス・モジュールＰＭ1から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ4までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ4はプロセス・モジュールＰＭ4からロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）への帰りの搬送経路である。
【００５８】
さらに、図８において、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）と他方の組（便宜上「Ｄ組」とする。）のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ2］との間には、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1によってウエハＷを一枚単位で搬送する一方向の搬送経路Ｓ3→Ｓd→Ｓ2が設定される。ここで、Ｓ3はロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）から第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ3までの行きの搬送経路であり、Ｓdはプロセス・モジュールＰＭ3から第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ2までの渡り歩きの搬送経路であり、Ｓ2はプロセス・モジュールＰＭ2からロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）への帰りの搬送経路である。
【００５９】
図８の組み合わせパターンは、図７の組み合わせパターンにおいて第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4を相互に差し替えたものに相当する。したがって、図８の搬送パターンも、上記した図７の搬送パターンにおいてプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4を相互に差し替えたものに相当する。
【００６０】
このように、複数組のプロセス・モジュールに同一レシピの複合プロセスを並列的に行わせる場合にも、コンディショニングは各プロセス・モジュール毎に個別に行われるため、コンディショニングの完了する時間にばらつきが出る。この処理システムは、以下のような手順で実プロセスを開始するようにしている。
【００６１】
たとえば、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の中でＰＭ1が最先にコンディショニングを完了したとする。この時点では、第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4のいずれも未だコンディショニング中なので、プロセス・モジュールＰＭ1をそのまま待機させておく。そして、そのうちプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4のいずれか一方たとえばＰＭ2がコンディショニングを完了した時点で、図９に示すようにＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］を成立させ、搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓa→Ｓ2）上で基板搬送を開始する。これにより、この処理システムは、ウエハカセットＣＲ内のウエハＷに一枚ずつＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］によるインラインの複合プロセス（Ｔi／ＴiＮの積層膜形成）を実施することができる。
【００６２】
この後は、残りのプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4の一方がコンディショニングを完了しても上記系統の片肺運転がそのまま継続し、最後にプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4の他方がコンディショニングを完了した時点で搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓb→Ｓ4）上でも基板搬送を開始してＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］を稼動させる。ただし、プロセス・モジュールＰＭ3がプロセス・モジュールＰＭ4よりも先にコンディショニングを完了させた場合、プロセス・モジュールＰＭ3で１回目の第１プロセス（Ｔi成膜処理）を実行している間にプロセス・モジュールＰＭ4のコンディショニングが完了するものと先読みで判断したときは、プロセス・モジュールＰＭ4のコンディショニングが完了する前にプロセス・モジュールＰＭ3の稼動と搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓb→Ｓ4）上の基板搬送とを開始することも可能である。こうして、いずれはＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］とＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］とによる２系統のフル稼動モードとなり、図７について上述した搬送パターンで各部の搬送が周期的に繰り返し行われる。
【００６３】
上記先読みの判断は、プロセス・モジュールＰＭ4のモジュール・コントローラＭＣ4を通じてイクイップメント・コントローラＥＣが行う。すなわち、モジュール・コントローラＭＣ4は、コンディショニングの処理内容を規定するレシピ（プロローグレシピ、前処理レシピ等）情報を基に当該プロセス・モジュールＰＭ4におけるコンディショニングの進捗状況をステップ単位で把握し、先読みでコンディショニング完了までの残時間ＴRを演算し、これを逐次更新する。イクイップメント・コントローラＥＣは、時々刻々と変化する残時間ＴRのデータをモジュール・コントローラＭＣ4よりリアルタイムで受け取り（または読み取り）、受け取った残時間ＴRを所定の基準値または規定値ＴSと比較し、残時間ＴRが規定値ＴSを下回った時点で搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓb→Ｓ4）上の基板搬送を開始させる。
【００６４】
この先読み方式において、イクイップメント・コントローラＥＣは、搬送モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLを通じて搬送エリア内、つまりロードポートＬＰ、ローダ・モジュールＬＭ、ロードロック・モジュール（ＬＬＭ1,ＬＬＭ2）またはトランスファ・モジュールＴＭ内で待機している未処理の基板Ｗの位置を監視し、その待機位置から当該基板ＷをＢ組の第１プロセス用のプロセス・モジュールＰＭ3に搬入するまでの第１の搬送時間Ｔaを計算で割り出す。そして、この第１の搬送時間Ｔaに、当該基板Ｗが第１プロセスを受けるためにプロセス・モジュールＰＭ3内に滞在するレシピ時間Ｔbと、プロセス・モジュールＰＭ3内の滞在を終えた当該基板Ｗがプロセス・モジュールＰＭ3から搬出されるまでの第２の搬送時間Ｔcとを足し合わせて最小所要時間（Ｔa＋Ｔb＋Ｔc）を求める。そして、この最小所要時間以上の範囲内で上記規定値Ｔsを選定する。通常は、最小所要時間をそのまま規定値Ｔsとしてよい。これにより、プロセス・モジュールＰＭ3で１回目の第１プロセスを終えたばかりの基板Ｗを、無駄な待ち時間を費やすことなく、コンディショニングを完了させたばかりのプロセス・モジュールＰＭ4にジャストイン・タイムで搬入することが可能となる。
【００６５】
なお、搬送エリア（ロードポートＬＰ〜トランスファ・モジュールＴＭ）内で待機中の未処理の基板Ｗが移動すると、その位置に応じて第１の搬送時間Ｔaは変わるので、その都度規定値Ｔsを更新することになる。また、搬送エリア（ロードポートＬＰ〜トランスファ・モジュールＴＭ）内で待機している未処理の基板Ｗが複数ある場合は、所定の選定基準にしたがって上記先読み方式の判断対象となる基板Ｗをその中のいずれか１つに選んでもよく、あるいは複数候補を立てて後で条件的に１つに絞り込むことも可能である。
【００６６】
コンディショニング中のプロセス・モジュールにおける残時間ＴRは時間の経過とともに減少する。一方、搬送エリア内で待機している未処理の基板Ｗは、上流側に位置しているものほど第１の搬送時間Ｔaが長く、大きな規定値Ｔsをとる。したがって、通常、残時間ＴRは最上流の位置で待機している基板Ｗに係る規定値Ｔsを最初に下回ることになるので、その基板Ｗを上記先読みの判断対象としてよい。しかし、まだコンディショニングを完了していない残りのプロセス・モジュールＰＭ4について残時間ＴRの監視を開始した時点でその残時間ＴRが上流側の位置で待機している基板Ｗに係る規定値Ｔsを既に下回っていることもあり得る。その場合は、その残時間ＴRより小さな規定値の中で最大の値をとる下流側の基板Ｗを上記先読みの判断対象としてよい。
【００６７】
なお、上記先読み方式は、先行した稼動するＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］についてそれと対応する搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓa→Ｓ2）上の基板搬送を開始させる場合にも適用することができる。すなわち、上記の例のように第１プロセス用のプロセス・モジュールＰＭ1が一番最初にコンディショニングを完了させた場合、イクイップメント・コントローラＥＣは、モジュール・コントローラＭＣ2，ＭＣ4を通じて両プロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4におけるそれぞれの残時間ＴRを比較して、短い方（上記の例の場合はプロセス・モジュールＰＭ2）の残時間ＴRを選択する。そして、搬送エリア内の最も下流側の位置で待機している未処理の基板に係る規定値Ｔsを該残時間ＴRが下回った時点で搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓa→Ｓ2）上の基板搬送を開始させてよい。
【００６８】
上記の例で、コンディショニングを完了させた順序がたとえばＰＭ3，ＰＭ2，ＰＭ1，ＰＭ4の場合は、図１０に示すように、ＰＭ3，ＰＭ2のコンディショニングが完了した時点でＤ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ2］を成立させ、搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓd→Ｓ2）上で基板搬送を開始してよい。その後、ＰＭ1，ＰＭ4のコンディショニングが完了した時点から搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓc→Ｓ4）上でも基板搬送を開始してＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ4］を稼動させてよく、結果的には図８の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働する。
【００６９】
また、上記の例で、コンディショニングを完了させた順序がたとえばＰＭ3，ＰＭ1，ＰＭ4，ＰＭ2の場合は、ＰＭ4がコンディショニングを完了した時点でＰＭ3，ＰＭ1のいずれか１つとＰＭ4とを組み合わせてＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］もしくはＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ4］を成立させ、搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓb→Ｓ4）もしくは搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓc→Ｓ4）上で基板搬送を開始することができる。ここでＢ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ4］を成立させて搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓb→Ｓ4）上の基板搬送を開始した場合は、その後にＰＭ2がコンディショニングを完了した時点でＡ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ2］が成立し、ここから搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓa→Ｓ2）上の基板搬送も加わり、結果的には図７の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働するようになる。また、ＰＭ4がコンディショニングを完了した時点でＣ組のプロセス・モジュール［ＰＭ1→ＰＭ4］を成立させて搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ1→Ｓc→Ｓ4）上の基板搬送を開始した場合は、その後にＰＭ2がコンディショニングを完了した時点でＤ組のプロセス・モジュール［ＰＭ3→ＰＭ2］が成立し、ここから搬送経路ＳA−ＳB−（Ｓ3→Ｓd→Ｓ2）上の基板搬送も加わり、結果的には図８の組み合わせパターンおよび搬送パターンでシステム内の全てのモジュールおよび全ての搬送機構がフル稼働するようになる。
【００７０】
他にも、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の間でコンディショニングを完了させる順序には多数のパターンがあるが、いずれの場合にもコンディショニングを完了させたプロセス・モジュールが第１工程用のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ3と第２工程用のプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4とでそれぞれ１台以上出揃った時点で、インラインの複合プロセスを実行できる１系統のプロセス・モジュールを編成して、それと対応する搬送経路上で基板搬送を開始する。そして、最後（４番目）のプロセス・モジュールがコンディショニングを完了させた時点で残り１系統のプロセス・モジュールを稼動させ、それと対応する搬送経路上でも基板搬送を行う。これにより、システム内で稼動可能な資源を有効利用し、生産性を向上させることができる。
【００７１】
本発明の適用可能なクラスタツールは、上記した実施形態の装置構成（図１）に限定されるものではなく、レイアウトや各部の構成等において種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態における双子型のロードロック・モジュール（ＬＬＭ1，ＬＬＭ2）は、行き（未処理）のウエハＷを１枚単位で留め置き、帰り（処理済）のウエハＷを１枚単位で留め置くものであるとともに、行きのウエハＷと帰りのウエハＷとを同時に留め置くこともできるものであった。しかし、大気系搬送経路と真空系搬送経路との間にロードロック・モジュールを設ける形態は任意であり、たとえば、全搬送経路共通のロードロック・モジュールを設ける構成も可能であり、各搬送経路専用のロードロック・モジュールを設ける構成も可能である。
【００７２】
また、図１１に示すように、トランスファ・モジュールＴＭを水平方向に延ばしてトランスファ・モジュールＴＭに連結可能つまりクラスタツール内で稼動可能なプロセス・モジュールの台数を増やす構成（図１１の例は６台）も可能である。この構成例では、トランスファ・モジュールＴＭ内に長手方向に延びる２本のレール１０が敷設され、搬送ロボットＲＢ1がレール１０上で直進移動可能なスライダ１２を有している。また、この搬送ロボットＲＢ1は、互いに鋭角（たとえば６０゜）離れた２方向で伸縮可能な一対の搬送アームＦA，ＦBを有しており、各モジュールに対してピック＆プレース動作により両搬送アームＦA，ＦBを交互に出し入れするときなどに旋回角度が小さくて済むという特長を有している。
【００７３】
図１１のクラスタツールにおいては、６台のプロセス・モジュールＰＭ1〜ＰＭ6の全部に一部または全部共通のレシピで単一プロセスを並列的に行わせることも可能であれば、一部または全部共通のレシピで複合プロセスを並列的に行うための２組または３組のプロセス・モジュールを編成することも可能である。いずれの編成パターンにおいても、上記先読み方式で基板搬送路上の基板搬送を開始させる手法を適用することができる。
【００７４】
特に、順に連続して処理を行う第１プロセス・モジュール、第２プロセス・モジュールおよび第３プロセス・モジュールで１組の複合プロセスを構成する場合は、コンディショニングをまだ完了していない第３プロセス・モジュールが最後に１台残った時点からその第３プロセス・モジュールについて残時間ＴRをリアルタイムで監視し、搬送エリア内で待機している所定の未処理基板に係る規定値Ｔsを該残時間ＴRが下回った時点で該当搬送経路上の基板搬送を開始するようにしてよい。
【００７５】
その場合、規定値Ｔsは、当該基板が待機位置から第１プロセス用のプロセス・モジュールに搬入されるまでの第１の搬送時間と、当該基板Ｗが第１プロセスを受けるためにその第１プロセス・モジュール内に滞在する第１のレシピ時間と、その第１プロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板Ｗがそこから搬出されて第２プロセス用のプロセス・モジュールに搬入するまでの第２の搬送時間と、当該基板Ｗが第２プロセスを受けるためにその第２プロセス・モジュール内に滞在する第２のレシピ時間と、その第２プロセス・モジュール内の滞在を終えた当該基板Ｗがそこから搬出されるまでの第３の搬送時間とを足し合わせた最小所要時間を求め、その最小所要時間以上の範囲内で規定値Ｔsを決定してよい。
【００７６】
なお、上記の実施形態では、トランスファ・モジュールＴＭ内の真空搬送ロボットＲＢ1とローダ・モジュールＬＭ内の大気搬送ロボットＲＢ2をそれぞれ個別の搬送用モジュール・コントローラＭＣT，ＭＣLによって制御している。しかし、１つのコントローラによって真空搬送ロボットＲＢ1と大気搬送ロボットＲＢ2とを同時または並列的に制御することも可能である。同様に、プロセス用モジュール・コントローラＭＣ1，ＭＣ2，ＭＣ3，ＭＣ4の全部を１つのコントローラで制御するようにしてもよい。
【００７７】
本発明の処理システムは、上記実施形態のような真空系の処理システムに限定されるものではなく、一部または全体が大気系の処理部を有するシステムにも適用可能である。被処理体も、半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】一実施形態における処理システムの構成を示す略平面図である。
【図２】実施形態におけるピック＆プレース動作を説明するための模式図である。
【図３】実施形態における単一プロセスのためのプロセス・モジュールと搬送経路の関係を示す図である。
【図４】実施形態における作用の一段階を示す図である。
【図５】実施形態における作用の一段階を示す図である。
【図６】実施形態における作用の一段階を示す図である。
【図７】実施形態における複合プロセスのための第１のプロセス・モジュール組み合わせパターンと搬送経路との関係を示す図である。
【図８】実施形態における複合プロセスのための第２のプロセス・モジュール組み合わせパターンと搬送経路との関係を示す図である。
【図９】実施形態における作用の一段階を示す図である。
【図１０】実施形態における作用の一段階を示す図である。
【図１１】実施形態のクラスタツールの一変形例の構成を示す略平面図である。
【符号の説明】
【００７９】
ＴＭ    トランスファ・モジュール
ＲＢ1    真空搬送ロボット
ＦA，ＦB    搬送アーム
ＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＰＭ5，ＰＭ6    プロセス・モジュール
ＬＬＭ1，ＬＬＭ2    ロードロック・モジュール
ＧＶ    ゲートバルブ
ＬＭ    ローダ・モジュール
ＬＰ    ロードポート
ＯＲＴ    オリフラ合わせ機構
ＲＢ2    大気搬送ロボット
１０    案内レール
１２    スライダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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