(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置における電磁波の漏洩が抑制できるようにする。【解決手段】ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、基板台１０２からフランジ１１１にかけて架け渡され、加えて、フランジ１１１を貫通して真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。フランジ１１１は、例えばステンレス鋼から構成され、容器下部１０１ａの所定箇所に設けられた開口部を気密に塞ぐように固定されている。また、ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、溶接部１１０においてフランジ１１１の貫通部に溶接され、機密封止された状態でフランジ１１１に固定されている。【選択図】  図１
2007128670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部が金属より構成された真空容器と、
この真空容器内にプラズマを生成するための電磁波を前記真空容器の内部に供給する高周波発生源と、
前記真空容器内に配置された基板台と、
この基板台に内蔵されたヒータと、
金属から構成されて前記ヒータを絶縁分離した状態で保護する筒状のヒータシースと、
前記真空容器の金属より構成された一部の領域に設けられ、金属より構成されたシース取り出し部と
を少なくとも備え、
前記ヒータシースは、前記シース取り出し部を気密封止された状態で貫通して前記真空容器の外部に取り出され、かつ、前記シース取り出し部に電気的に接続されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記基板台に内蔵された熱電対と、
金属から構成されて前記熱電対及びこの配線を絶縁分離した状態で保護する筒状の熱電対シースと
を備え、
前記熱電対シースは、前記シース取り出し部を気密封止された状態で貫通して前記真空容器の外部に取り出され、かつ、前記シース取り出し部に電気的に接続されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプラズマ処理装置において、
前記シース取り出し部は、前記真空容器の金属より構成された一部の領域に設けられた開口部に、この開口部を気密封止するように固定されたフランジである
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
一部が金属より構成された真空容器と、
この真空容器内にプラズマを生成するための電磁波を前記真空容器の内部に供給する高周波発生源と、
前記真空容器内に配置された基板台と、
この基板台に内蔵されたヒータと、
金属から構成されて前記ヒータを絶縁分離した状態で保護する筒状のヒータシースと、
前記真空容器の一部に設けられた絶縁部と、
前記ヒータに接続し、前記ヒータシースの一端より取り出されて前記絶縁部を介して前記真空容器の外部に取り出される配線と、
前記ヒータシースの一端から前記絶縁部を含む前記真空容器の所定領域にかけての空間を、前記真空容器の他の内部空間より分離するように覆って設けられた金属シェルと
を少なくとも備え、
前記金属シェルは、開口部を備え、かつ、前記ヒータシース及び前記真空容器と電気的に接続されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理装置において、
前記基板台に内蔵された熱電対と、
金属から構成されて前記熱電対及びこの配線を絶縁分離した状態で保護する筒状の熱電対シースと、
前記真空容器の一部に設けられた他の絶縁部と、
前記熱電対に接続し、前記熱電対シースの一端より取り出されて前記他の絶縁部を介して前記真空容器の外部に取り出される熱電対配線と、
前記熱電対シースの一端から前記他の絶縁部を含む前記真空容器の所定領域にかけての空間を、前記真空容器の他の内部空間より分離するように覆って設けられた他の金属シェルと
を少なくとも備え、
前記他の金属シェルは、開口部を備え、かつ、前記熱電対シース及び前記真空容器と電気的に接続されている
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波を用いて生成したプラズマによる処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ及び平面ディスプレイの製造において、プラズマ処理装置が用いられている（特許文献１，特許文献２，特許文献３参照）。例えば、スパッタリング装置やプラズマＣＶＤ装置が絶縁膜や金属膜の形成に用いられ、ドライエッチング装置が配線加工などに用いられている。このようなプラズマ処理では、処理対象の基板が載置された真空チャンバの中で、電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させ、発生したイオンや電子を基板の表面に衝突させ、スパッタリングやエッチングなどの処理を行う。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０８６５８１号公報
【特許文献２】特開２００４−３４９１１９号公報
【特許文献３】特開平６−１１１９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、プラズマ処理を行うために真空チャンバ内でプラズマ放電を発生させると、プラズマ放電に伴って電磁波が発生する。この電磁波は、人体への影響や、装置への悪影響などの観点から、注意が必要である。例えば、装置から電磁波が漏洩し、漏洩した電磁波を連続して長期間にわたり作業者が受容する場合、作業者に対する影響が無視できないものとなる。ところが、プラズマ処理装置では、処理対象の基板を加熱するために基板台にヒータを内蔵しているが、このヒータへの配線を経路として装置の外部へ電磁波が漏洩しやすいものとなっている。
【０００５】
上述した電磁波の漏洩経路について、図５を用いて説明する。図５は、従来よりあるプラズマ処理装置の構成を示す構成図である。このプラズマ処理装置は、真空チャンバ５０１の内部に、基板Ｗが載置される基板台５０２が配置され、基板台５０２には、ヒータ５０３及び熱電対５０４が内蔵されている。ヒータ５０３の配線５０５は、電流導入端子５０６に接続されている。同様に、熱電対５０４の配線５０７は、電流導入端子５０８に接続されている。
【０００６】
ヒータ５０３は、金属材料から構成されたヒータシース５０９に覆われて保護され、配線５０５が接続される側の一部が、基板台５０２より露出している。同様に、熱電対５０４は、金属材料から構成された熱電対シース５１０に覆われて保護され、配線５０７が接続される側の一部が、基板台５０２より露出している。なお、ヒータシース５０９は、内部に絶縁部材が充填され、ヒータ配線５０５と絶縁分離されている。同様に、熱電対シース５１０は、内部に絶縁部材が充填され、熱電対配線５０７と絶縁分離されている。また、電流導入端子５０６，電流導入端子５０９は、真空チャンバ５０１の側壁の絶縁部５１１，絶縁部５１２に固定され、金属材料から構成されている真空チャンバ５０１の部分から絶縁分離されている。
【０００７】
また、真空チャンバ５０１の上部には、高周波発生源５１３が設けられている。図示しない排気機構により真空チャンバ５０１内を排気した状態で、図示しないガス供給部より所定のガスを真空チャンバ５０１内に導入し、この状態で高周波発生源５１３より高周波を供給することで、真空チャンバ５０１内に上記ガスのプラズマが生成されるようになる。このようにプラズマが生成されている状態で、供給されている高周波（電磁波）の一部は、絶縁分離された金属の隙間を通り抜ける性質があるため、基板台５０２（基板Ｗ）の表面−ヒータシース５０９−絶縁部５１１の経路を通り、真空チャンバ５０１の外部に漏れやすい。また、電磁波は、基板台５０２の表面−熱電対シース５１０−絶縁部５１２の経路を通り、真空チャンバ５０１の外部に漏れやすい。
【０００８】
このように、真空チャンバ５０１の内部に配置されているヒータ配線５０５（ヒータシース５０９）や熱電対配線５０７（熱電対シース５１０）の構造は、電磁波が外部へ漏洩しやすい構造である。また、プラズマ生成に用いる高周波の周波数が上昇するにつれ、電磁波の漏洩がより顕著なものとなる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、プラズマ処理装置における電磁波の漏洩が抑制できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るプラズマ処理装置は、一部が金属より構成された真空容器と、この真空容器内にプラズマを生成するための電磁波を真空容器の内部に供給する高周波発生源と、真空容器内に配置された基板台と、この基板台に内蔵されたヒータと、金属から構成されてヒータを絶縁分離した状態で保護する筒状のヒータシースと、真空容器の金属より構成された一部の領域に設けられ、金属より構成されたシース取り出し部とを少なくとも備え、ヒータシースは、シース取り出し部を気密封止された状態で貫通して真空容器の外部に取り出され、かつ、シース取り出し部に電気的に接続されているようにしたものである。従って、ヒータの真空容器の外部へと接続される経路において、ヒータシースとヒータとの間などの絶縁分離された金属の隙間は、ヒータシースに覆われ、真空容器内の電磁波に晒されることがない。
【００１０】
上記プラズマ処理装置において、基板台に内蔵された熱電対と、金属から構成されて熱電対及びこの配線を絶縁分離した状態で保護する筒状の熱電対シースとを備え、熱電対シースは、シース取り出し部を気密封止された状態で貫通して真空容器の外部に取り出され、かつ、シース取り出し部に電気的に接続されているようにしてもよい。また、シース取り出し部は、真空容器の金属より構成された一部の領域に設けられた開口部に、この開口部を気密封止するように固定されたフランジであればよい。
【００１１】
また、本発明に係るプラズマ処理装置は、一部が金属より構成された真空容器と、この真空容器内にプラズマを生成するための電磁波を真空容器の内部に供給する高周波発生源と、真空容器内に配置された基板台と、この基板台に内蔵されたヒータと、金属から構成されてヒータを絶縁分離した状態で保護する筒状のヒータシースと、真空容器の一部に設けられた絶縁部と、ヒータに接続し、ヒータシースの一端より取り出されて絶縁部を介して真空容器の外部に取り出される配線と、ヒータシースの一端から絶縁部を含む真空容器の所定領域にかけての空間を、真空容器の他の内部空間より分離するように覆って設けられた金属シェルとを少なくとも備え、金属シェルは、開口部を備え、かつ、ヒータシース及び真空容器と電気的に接続されているようにしたものである。従って、ヒータの真空容器の外部へと接続される経路において、絶縁分離された金属の隙間が存在する領域は、金属シェルにより覆われ、真空容器内の電磁波に晒されることがない。
【００１２】
上記プラズマ処理装置において、基板台に内蔵された熱電対と、金属から構成されて熱電対及びこの配線を絶縁分離した状態で保護する筒状の熱電対シースと、真空容器の一部に設けられた他の絶縁部と、熱電対に接続し、熱電対シースの一端より取り出されて他の絶縁部を介して真空容器の外部に取り出される熱電対配線と、熱電対シースの一端から他の絶縁部を含む真空容器の所定領域にかけての空間を、真空容器の他の内部空間より分離するように覆って設けられた他の金属シェルとを少なくとも備え、他の金属シェルは、開口部を備え、かつ、熱電対シース及び真空容器と電気的に接続されているようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明では、ヒータの真空容器の外部へと接続される経路において、ヒータシースとヒータとの間などの絶縁分離された金属の隙間を、真空容器に電気的に接続されているヒータシースや金属シェルで覆うようにし、真空容器内の電磁波に晒されることがない状態とした。この結果、本発明によれば、プラズマ処理装置における電磁波の漏洩が抑制できるようになるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。図１では、断面を模式的に示している。図１に示すプラズマ処理装置は、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成された容器下部１０１ａと、誘電体からなる容器上部１０１ｂとから構成された真空チャンバ（真空容器）１０１より構成され、真空チャンバ１０１の内部に、基板Ｗが載置される基板台１０２が配置されている。基板台１０２は、例えば、容器下部１０１ａの側部に、図示しない支持体により支持固定され、また、例えば、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成されている。また、容器上部１０１ｂの上に高周波発生源１１４が設けられている。例えば、図示しない排気機構により真空チャンバ１０１内を排気した状態で、図示しないガス供給部より所定のガスを真空チャンバ１０１内に導入し、この状態で高周波発生源１１４より高周波（１３．５ＭＨｚ〜３ＧＨｚ）を、例えば図示しないアンテナを用いて供給することで、真空チャンバ１０１内に上記ガスのプラズマが生成されるようになる。
【００１５】
次に、基板台１０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなるヒータシース１０５に覆われて保護されたヒータ１０３が内蔵されている。ヒータ１０３は、電熱線である。また、基板台１０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなる熱電対シース１０８に覆われて保護された熱電対１０６及び熱電対配線１０７が内蔵されている。ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、図１（ｂ）に部分を拡大して示すように、例えば酸化マグネシウムの粉体からなる絶縁部材１０４及び絶縁部材１０９が充填され、これにより内蔵されている配線などが絶縁分離されている。なお、ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、例えば筒状に形成されている。
【００１６】
このように構成されたヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、基板台１０２からフランジ１１１にかけて架け渡され、加えて、フランジ１１１を貫通して真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。フランジ１１１は、例えばステンレス鋼から構成され、容器下部１０１ａの所定箇所に設けられた開口部を気密に塞ぐように固定されている。例えば、フランジ１１１は、オーリング１１２により気密が保持された状態で、固定ピン１１３により容器下部１０１ａに固定されている。また、ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、溶接部１１０においてフランジ１１１の貫通部に溶接され、機密封止された状態でフランジ１１１に固定されている。
【００１７】
従って、ヒータシース１０５及び熱電対シース１０８は、フランジ１１１を介して容器下部１０１ａ（真空チャンバ１０１）に電気的に接続されている。また、ヒータシース１０５の内部に配設されているヒータ１０３の配線は、真空チャンバ１０１の内部で露出することなく真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。同様に、熱電対シース１０８の内部に配設されている熱電対配線１０７は、真空チャンバ１０１の内部で露出することなく真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。
【００１８】
この結果、図１に示すプラズマ処理装置によれば、例えば、ヒータシース１０５を伝播する電磁波は、ヒータシース１０５と電気的に接続されているフランジ１１１により、真空チャンバ１０１内に反射され、真空チャンバ１０１の外部に漏洩することがない。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態に係る他のプラズマ処理装置について説明する。図２は、本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。図２では、断面を模式的に示している。図２に示すプラズマ処理装置は、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成された容器下部２０１ａと、誘電体からなる容器上部２０１ｂとから構成された真空チャンバ（真空容器）２０１より構成され、真空チャンバ２０１の内部に、基板Ｗが載置される基板台２０２が配置されている。基板台２０２は、例えば、容器下部１０１ａの側部に、図示しない支持体により支持固定され、また例えば、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成されている。また、容器上部２０１ｂの上に高周波発生源２１４が設けられている。例えば、図示しない排気機構により真空チャンバ２０１内を排気した状態で、図示しないガス供給部より所定のガスを真空チャンバ２０１内に導入し、この状態で高周波発生源２１４より高周波を供給することで、真空チャンバ２０１内に上記ガスのプラズマが生成されるようになる。
【００２０】
次に、基板台２０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなるヒータシース２０５に覆われて保護されたヒータ２０３が内蔵されている。ヒータ２０３は、電熱線である。また、基板台２０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなる熱電対シース２０７に覆われて保護された熱電対２０６及びこの配線が内蔵されている。ヒータシース２０５及び熱電対シース２０７は、図２（ｂ）に部分を拡大して示すように、絶縁部材２０４及び絶縁部材２０９が充填され、これにより内蔵されている配線などが絶縁分離されている。なお、ヒータシース２０５及び熱電対シース２０７は、例えば筒状に形成されている。
【００２１】
次に、ヒータ２０３の配線は、電流導入端子２１０に接続され、熱電対２０６の配線は、電流導入端子２１２に接続されている。電流導入端子２１０，電流導入端子２１２は、真空チャンバ２０１（容器下部２０１ａ）の一部に設けられた絶縁部２１１，絶縁部２１３に固定され、金属材料から構成されている真空チャンバ２０１の部分から絶縁分離されている。また、ヒータ２０３を保護するヒータシース２０５は、配線が接続される側の一部が基板台２０２より露出している。同様に、熱電対２０６を保護する熱電対シース２０７は、配線が接続される側の一部が、基板台２０２より露出している。
【００２２】
加えて、図２に示すプラズマ処理装置は、露出している部分のヒータシース２０５の先端部から電流導入端子２１０までの領域（空間）、及び、露出している部分の熱電対シース２０７の先端部から電流導入端子２１２までの領域（空間）を覆う、例えば円筒形状の金属シェル２２１を備える。金属シェル２２１の一方は、ヒータシース２０５及び熱電対シース２０７の先端部に、金属よりなる固定部材２２２により固定されている。固定部材２２２は、例えば、リング状に形成されている。金属シェル２２１の他方は、容器下部２０１ａに、金属よりなる固定部材２２３により固定されている。
【００２３】
金属シェル２２１は、図２（ｂ）に拡大して示すように、ヒータシース２０５の先端部から絶縁部２１１を含む容器下部２０１ａの所定領域にかけての空間を、真空チャンバ２０１の他の内部空間より分離するように覆って設けられている。ただし、金属シェル２２１は、メッシュ状に複数の開口部を備え、これら開口部を介し、真空チャンバ２０１の他の内部空間と金属シェル２２１の内部とは連通している。なお、金属シェル２２１の開口部は、高周波発生源２１４より発生される高周波の波長の１／２を超えない寸法、より好ましくは、上記波長の１／４以下の寸法とされている。これらは、熱電対シース２０７の先端部に固定されている金属シェル２２１についても同様である。
【００２４】
従って、ヒータシース２０５及び熱電対シース２０７は、金属シェル２２１を介して容器下部２０１ａ（真空チャンバ２０１）に電気的に接続されている。また、ヒータシース２０５の先端部から電流導入端子２１０までの間のヒータ２０３の配線は、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル２２１に覆われている。同様に、熱電対シース２０７の先端部から電流導入端子２１２までの間の熱電対２０６の配線は、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル２２１に覆われている。加えて、電流導入端子２１０が固定される絶縁部２１１及び電流導入端子２１２が固定される絶縁部２１３も、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル２２１に覆われている。
【００２５】
この結果、図２に示すプラズマ処理装置によれば、例えば、ヒータシース２０５を伝播する電磁波は、金属シェル２２１に反射され、電流導入端子２１０が固定される絶縁部２１１及び電流導入端子２１２が固定される絶縁部２１３から、真空チャンバ２０１の外部に漏洩することがない。
【００２６】
次に、本発明の実施の形態に係る他のプラズマ処理装置について説明する。図３は、本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。図３では、断面を模式的に示している。図３に示すプラズマ処理装置は、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成された容器下部１０１ａと、誘電体からなる容器上部１０１ｂとから構成された真空チャンバ（真空容器）１０１より構成され、真空チャンバ１０１の内部に、基板Ｗが載置される基板台１０２が配置されている。基板台１０２は、例えば、容器下部１０１ａの側部に、図示しない支持体により支持固定され、また、例えば、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成されている。また、容器上部１０１ｂの上に高周波発生源１１４が設けられている。例えば、図示しない排気機構により真空チャンバ１０１内を排気した状態で、図示しないガス供給部より所定のガスを真空チャンバ１０１内に導入し、この状態で高周波発生源１１４より高周波（１３．５ＭＨｚ〜３ＧＨｚ）を、例えば図示しないアンテナを用いて供給することで、真空チャンバ１０１内に上記ガスのプラズマが生成されるようになる。以上のことは、図１に示すプラズマ処理装置と同様である。
【００２７】
図３に示すプラズマ処理装置では、基板台１０２に、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなるヒータシース３０５に覆われて保護されたヒータ３０３が内蔵されている。ヒータ３０３は、電熱線である。図１に示すプラズマ処理装置とは、ヒータ３０３及びヒータシース３０５の構成が異なっている。また、基板台１０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなる熱電対シース１０８に覆われて保護された熱電対１０６及び熱電対配線１０７が内蔵されている。ヒータシース３０５及び熱電対シース１０８は、例えば酸化マグネシウムの粉体からなる絶縁部材が充填され、これにより内蔵されている配線などが絶縁分離されている。なお、ヒータシース３０５及び熱電対シース１０８は、例えば筒状に形成されている。
【００２８】
このように構成されたヒータシース３０５及び熱電対シース１０８は、基板台１０２からフランジ３１１にかけて架け渡され、加えて、フランジ３１１を貫通して真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。フランジ３１１は、例えばステンレス鋼から構成され、容器下部１０１ａの所定箇所に設けられた開口部を気密に塞ぐように固定されている。例えば、フランジ３１１は、オーリング１１２により気密が保持された状態で、固定ピン１１３により容器下部１０１ａに固定されている。また、ヒータシース３０５及び熱電対シース１０８は、溶接部１１０においてフランジ３１１の貫通部に溶接され、機密封止された状態でフランジ３１１に固定されている。なお、フランジ３１１は、図１に示すプラズマ処理装置のフランジ１１１と同様であるが、ヒータシース３０５が２カ所貫通している点で異なっている。
【００２９】
従って、ヒータシース３０５及び熱電対シース１０８は、フランジ３１１を介して容器下部１０１ａ（真空チャンバ１０１）に電気的に接続されている。また、ヒータシース３０５の内部に配設されているヒータ３０３の配線は、真空チャンバ１０１の内部で露出することなく真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。同様に、熱電対シース１０８の内部に配設されている熱電対配線１０７は、真空チャンバ１０１の内部で露出することなく真空チャンバ１０１の外部に取り出されている。
【００３０】
この結果、図３に示すプラズマ処理装置によれば、例えば、ヒータシース３０５を伝播する電磁波は、ヒータシース３０５と電気的に接続されているフランジ３１１により、真空チャンバ１０１内に反射され、真空チャンバ１０１の外部に漏洩することがない。このことは、図１に示すプラズマ処理装置と同様である。
【００３１】
次に、本発明の実施の形態に係る他のプラズマ処理装置について説明する。図４は、本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。図４では、断面を模式的に示している。図４に示すプラズマ処理装置は、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成された容器下部２０１ａと、誘電体からなる容器上部２０１ｂとから構成された真空チャンバ（真空容器）２０１より構成され、真空チャンバ２０１の内部に、基板Ｗが載置される基板台２０２が配置されている。基板台２０２は、例えば、容器下部１０１ａの側部に、図示しない支持体により支持固定され、また例えば、ステンレス鋼やアルミ合金などから構成されている。また、容器上部２０１ｂの上に高周波発生源２１４が設けられている。例えば、図示しない排気機構により真空チャンバ２０１内を排気した状態で、図示しないガス供給部より所定のガスを真空チャンバ２０１内に導入し、この状態で高周波発生源２１４より高周波を供給することで、真空チャンバ２０１内に上記ガスのプラズマが生成されるようになる。以上のことは、図２に示すプラズマ処理装置と同様である。
【００３２】
図４に示すプラズマ処理装置では、基板台２０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなるヒータシース４０５に覆われて保護されたヒータ４０３が内蔵されている。ヒータ４０３は、電熱線である。図２に示すプラズマ処理装置とは、ヒータ４０３及びヒータ４０５の構成が異なっている。また、基板台２０２には、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）からなる熱電対シース２０７に覆われて保護された熱電対２０６及びこの配線が内蔵されている。ヒータシース４０５及び熱電対シース２０７は、絶縁部材が充填され、これにより内蔵されている配線などが絶縁分離されている。なお、ヒータシース４０５及び熱電対シース２０７は、例えば筒状に形成されている。
【００３３】
このように構成されたヒータ４０３の配線は、電流導入端子２１０に接続され、熱電対２０６の配線は、電流導入端子２１２に接続されている。電流導入端子２１０，電流導入端子２１２は、真空チャンバ２０１（容器下部２０１ａ）の一部に設けられた絶縁部２１１，絶縁部２１３に固定され、金属材料から構成されている真空チャンバ２０１の部分から絶縁分離されている。また、ヒータ４０３を保護するヒータシース４０５は、配線が接続される側の一部が基板台２０２より露出している。同様に、熱電対２０６を保護する熱電対シース２０７は、配線が接続される側の一部が、基板台２０２より露出している。
【００３４】
加えて、図４に示すプラズマ処理装置は、露出している部分の熱電対シース２０７の先端部から電流導入端子２１２までの領域（空間）を覆う、例えば円筒形状の金属シェル２２１を備える。また、図４に示すプラズマ処理装置は、露出している部分のヒータシース４０５の先端部から電流導入端子２１０までの領域（空間）を覆う、金属シェル４２１を備える。金属シェル２２１の一方は、熱電対シース２０７の先端部に、金属よりなる固定部材２２２により固定されている。金属シェル２２１の他方は、容器下部２０１ａに、金属よりなる固定部材２２３により固定されている。同様に、金属シェル４２１の一方は、２つのヒータシース４０５の先端部に、金属よりなる固定部材４２２により固定され、金属シェル４２１の他方は、容器下部２０１ａに、金属よりなる固定部材２２３により固定されている。固定部材４２２は、例えばリング状に形成されている。
【００３５】
金属シェル４２１は、２つのヒータシース４０５の先端部から絶縁部２１１を含む容器下部２０１ａの所定領域にかけての空間を、真空チャンバ２０１の他の内部空間より分離するように覆って設けられている。ただし、金属シェル４２１は、メッシュ状に複数の開口部を備え、これら開口部を介し、真空チャンバ２０１の他の内部空間と金属シェル４２１の内部とは連通している。なお、金属シェル４２１の開口部は、高周波発生源２１４より発生される高周波の波長の１／２を超えない寸法、より好ましくは、上記波長の１／４以下の寸法とされている。これらは、熱電対シース２０７の先端部に固定されている金属シェル２２１についても同様である。
【００３６】
従って、ヒータシース４０５及び熱電対シース２０７は、金属シェル４２１及び金属シェル２２１を介して容器下部２０１ａ（真空チャンバ２０１）に電気的に接続されている。また、ヒータシース４０５の先端部から電流導入端子２１０までの間のヒータ４０３の配線は、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル４２１に覆われている。同様に、熱電対シース２０７の先端部から電流導入端子２１２までの間の熱電対２０６の配線は、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル２２１に覆われている。加えて、電流導入端子２１０が固定される絶縁部２１１及び電流導入端子２１２が固定される絶縁部２１３も、真空チャンバ２０１の内部で金属シェル４２１及び金属シェル２２１に覆われている。
【００３７】
この結果、図４に示すプラズマ処理装置によれば、例えば、ヒータシース４０５を伝播する電磁波は、金属シェル４２１に反射され、電流導入端子２１０が固定される絶縁部２１１及び電流導入端子２１２が固定される絶縁部２１３から、真空チャンバ２０１の外部に漏洩することがない。なお、本発明は、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ処理装置など、高周波によりプラズマを生成するすべてのプラズマ処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。
【図３】本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。
【図４】本発明の実施の形態における他のプラズマ処理装置の構成例を示す構成図である。
【図５】従来よりあるプラズマ処理装置の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１…真空チャンバ、１０１ａ…容器下部、１０１ｂ…容器上部、１０２…基板台、１０３…ヒータ、１０４…絶縁部材、１０５…ヒータシース、１０６…熱電対、１０７…熱電対配線、１０８…熱電対シース、１０９…絶縁部材、１１０…溶接部、１１１…フランジ、１１２…オーリング、１１３…高周波発生源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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