(57)【要約】【課題】本発明は、熱抵抗のみならずコストの点でも優れる樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】ペレット２５が搭載されるリードフレーム２１と、３個以上のリード端子２７と、前記ペレット２５とリード端子２７を電気的に接続するコネクター２６と、前記ペレット２５を少なくとも樹脂封止する外囲器２８とを具備する樹脂封止型半導体装置において、前記リードフレーム２１とペレット２５間に金属製のディスク２４を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペレットが搭載されるリードフレームと、３個以上のリード端子と、前記ペレットとリード端子を電気的に接続するコネクターと、前記ペレットを少なくとも樹脂封止する外囲器とを具備する樹脂封止型半導体装置において、  
前記リードフレームとペレット間に金属製のディスクを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームは２×２以上のマトリクスフレームであることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記ディスクの材質は、Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗ合金のいずれかであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載、家電、携帯機器等に適用可能な樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の如く、複数のリード端子を有する樹脂封止型半導体装置においては、リードフレームのベッドにペレット（半導体素子）が搭載される。ところで、この半導体素子の重要な特性として熱抵抗がある。熱抵抗は低いほど放熱に対して有利になるため、低い熱抵抗の半導体素子は特性的には優れていることになる。現在はこの熱抵抗を下げるため、フレームとして前記ベッドの厚みを厚くした異形状フレームを使用することが一般的である。
【０００３】
図３は、横一列のリードフレーム１の平面図を示す。図３において、符番２はリード端子になるべき箇所であり、符番３はベッドになるべき箇所である。こうしたリードフレーム１では、領域４で厚く、領域５で薄い形状になっている。従来、こうしたリードフレームを用いた図４（Ａ），（Ｂ）に示すような構成の樹脂封止型半導体装置が知られている。ここで、図４（Ａ）は同半導体装置の概略的な断面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の要部の平面図を示す。
【０００４】
図中の符番６は、リードフレーム１のベッドである。このベッド６は他の箇所と比べて厚く、そこには半田層７を介してペレット８が搭載されている。このペレット８には、ボンディングワイヤ９を介して複数のリード端子１０が電気的に接続されている。前記ペレット８、ベッド６、ボンディングワイヤ９及びリード端子１０の一部等は樹脂製の外囲器１１により樹脂封止されている。
【０００５】
上述した従来の半導体装置によれば、厚いベッド６上にペレット８が搭載されているため、熱抵抗の点で優れた特性を有するが、合理化ラインで使用される２×２以上のマトリクスフレーム（図５）に比べてコスト的には不利にならざるを得ない。図６（Ａ），（Ｂ）はこのマトリクスフレームを用いた樹脂封止型半導体装置であり、図６（Ａ）は同半導体装置の概略的な断面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の要部の拡大平面図を示す。但し、図３，４と同部材は同符番を付して説明を省略する。図中の符番１２はペレット８が搭載されるベッド１３を備えたマトリクスフレームを示す。また、符番１４はペレット８とリード端子１０を電気的に接続するコネクターを示す。
【０００６】
従来、ボンディングワイヤを用いて電子部品と配線層とを接続する技術としては、例えば特許文献１が知られている。また、コネクターを用いて電子部品とリード端子を接続する技術としては、例えば特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開２００５−１０１３３１号公報
【特許文献２】特開２００４−３９８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、マトリクスフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の場合、ベッド部のみを厚くする構造が製造プロセス的に困難なことから、通常、均一な厚さの平板状のフレームを使用している。従って、この構造の半導体装置は、異形条フレームを用いた半導体装置に対して熱的に不利になるという課題があった。
【０００８】
本発明は従来の課題を解決するためになされたもので、リードフレームとペレット間に金属製のディスクを設けることにより、熱抵抗のみならずコストの点でも優れた樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、ペレットが搭載されるリードフレームと、３個以上のリード端子と、前記ペレットとリード端子を電気的に接続するコネクターと、前記ペレットを少なくとも樹脂封止する外囲器とを具備する樹脂封止型半導体装置において、
前記リードフレームとペレット間に金属製のディスクを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、リードフレームとペレット間に金属製のディスクを設けることにより、熱抵抗のみならずコストの点でも優れる。即ち、ディスクの存在により、半導体素子により生じた発熱を外部へ放熱できるので熱抵抗の点で優れ、また２×２以上のマトリクスフレームを使用できるのでコストの点でも優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の具体的な実施の形態について説明する。  
本発明において、リードフレームとしては、２×２以上のマトリクスフレームが挙げられる。また、リードフレームとペレット間のディスクの材質としては、例えばＣｕ，Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗ合金のいずれかが挙げられる。これらの材質は、半田濡れ性や温度サイクル特性、放熱性等の観点から選択することができる。更に、前記ディスクの形状としては、両面が平坦な平板状のものに限らず、後述する図２（Ｂ）〜（Ｅ）のような種々な断面形状のものを用いることができる。
【００１２】
次に、本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について図１及び図２（Ａ）を参照して説明する。  
図中の符番２１は、ベッド２２を有したリードフレーム（マトリクスフレーム）である。前記ベッド２２には、半田層２３ａ，金属製（Ｃｕ製）のディスク２４，半田層２３ｂを介してペレット２５が搭載されている。ここで、ディスク２４としては、図２（Ａ）のように両面が平坦な平板状のものが使用される。このペレット２５には半田層２３ｃを介してコネクター２６の一端が電気的に接続され、該コネクター２６の他端は半田層２３ｄを介してリード端子２７に接続されている。前記ペレット２５、ディスク２４、ベッド２２、コネクター２６及びリード端子２７の一部等は樹脂製の外囲器２８により樹脂封止されている。
【００１３】
こうした構成の半導体装置は、次のようにして製造される。まず、所定の位置にリードフレーム２１を供給した後、リードフレーム２１のベッド２２に半田を供給し、ベッド２２上に半田層２３ａを介してディスク２４をマウントする。次に、再度ディスク２４上に半田を供給し、半田層２３ｂを介してペレット２５をマウントする。つづいて、ペレット２５上に半田層２３ｃを、リード端子２７上に半田層２３ｄを介してコネクター２６によりペレット２５とリード端子２７を電気的に接続する。更に、前記ペレット２５等を外囲器２８により樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を製造する。
【００１４】
上記実施例によれば、リードフレーム２１のベッド２２とペレット２５間にＣｕ製のディスク２４を設けた構成になっているので、マトリクスフレームを使用していても、異形条のフレームを使用した場合と同様な放熱性を確保できる。また、マトリクスフレームであるリードフレーム２１を使用しているので、フレーム効率が上がるとともに樹脂モールド等の工程のバッチ数が上がるので、合理化ラインで製造でき、異形条フレームと比べてコストの点で優れる。
【００１５】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。具体的には、上記実施形態では、ディスクとして図２（Ａ）に示すような平板状のものを用いたが、これに限らず、半田濡れ性や温度サイクル特性、放熱性等の観点から、図２（Ｂ）〜（Ｅ）に示す断面形状のディスクを用いてもよい。また、ディスクの材質としてＣｕ（銅）を用いたが、これに限らず、Ｍｏ（モリブデン），Ｃｕ−Ｗ（タングステン）合金等でもよい。更に、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更には、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略的な断面図。
【図２】図１の樹脂封止型半導体装置の一構成要素であるディスクの種々の形状を示す説明図。
【図３】横一列のリードフレームの平面図。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の説明図。
【図５】マトリクスフレームの平面図。
【図６】マトリクスフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の概略的な説明図。
【符号の説明】
【００１７】
２１…リードフレーム（マトリクスフレーム）、２２…ベッド、２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ…半田層、２４…ディスク、２５…ペレット、２６…コネクター、２７…リード端子、２８…外囲器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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