(57)【要約】【課題】  最上層を検査する装置条件（検査条件）を容易に設定可能な表面検査装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る表面検査装置１は、ウェハ１００に照明光を照射する照明機構部１０と、照明光が照射されたウェハ１００の像を撮像する撮像機構部１９と、ウェハ１００の表面の一部を変化させる溶剤供給手段３０と、ウェハ１００において溶剤供給手段３０により変化した部分を撮像可能な条件で撮像したウェハ１００の画像からウェハ１００を検査する画像処理検査装置２５とを有している。【選択図】  図１
2007017395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物体に照明光を照射する照明光学系と、
前記照明光が照射された前記被検物体の像を撮像する撮像手段と、
前記被検物体の表面の一部を変化させるマーキング手段と、
前記被検物体において前記マーキング手段により変化した部分を撮像可能な条件で撮像した前記被検物体の画像から前記被検物体を検査する検査手段とを有することを特徴とする表面検査装置。
【請求項２】
前記表面検査装置において前記被検物体の像を撮像する条件を設定する条件設定手段と、
前記条件設定手段により前記条件を変化させて、前記撮像手段で前記被検物体の像を撮像し、前記被検物体において前記マーキング手段により変化した部分を撮像可能な前記条件を求める処理手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の表面検査装置。
【請求項３】
前記検査手段は、前記被検物体の欠陥を検出することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の表面検査装置。
【請求項４】
前記マーキング手段が、物理的処理により前記被検物体の表面の一部を変化させることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の表面検査装置。
【請求項５】
前記マーキング手段が、化学的処理により前記被検物体の表面の一部を変化させることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の表面検査装置。
【請求項６】
前記被検物体において前記マーキング手段により変化した部分が、前記被検物体における所定の検査領域の外側に位置していることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の表面検査装置。
【請求項７】
被検物体に照明光を照射し、
前記照明光が照射された前記被検物体の像を撮像し、
前記被検物体の表面の一部をマーキング手段で変化させ、
前記被検物体において前記マーキング手段により変化した部分を撮像可能な条件で前記被検物体を撮像し、
前記撮像した前記被検物体の画像から前記被検物体を検査することを特徴とする表面検査方法。
【請求項８】
前記マーキング手段により前記表面の一部を予め変化させた前記被検物体に対し、前記検査が行われることを特徴とする請求項７に記載の表面検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面検査装置および表面検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップや液晶表示パネルは、ウェハ表面に種々の異なる回路パターンを何層にも積み重ねて構成されている。このような回路パターンは、フォトリソグラフィー行程等を用いてウェハ上に一層ずつ積み重ねるようにして形成される。
【０００３】
ウェハ上に回路パターンを多層に重ねるときに、各層毎に形成された回路パターンに欠陥、異常等が発生していないか否かについての表面検査が行われる。この検査は、例えば、レジスト層による回路パターンが形成された時点で行われる。この検査において欠陥、異常等が発見されたときには、レジストが剥離されて、再びレジスト層の塗布および露光が行われ、この回路パターン層の再生処理が行われる。
【０００４】
なお、レジストの現像処理段階で見つかった欠陥については、レジストを除去して再度レジスト塗布工程からやり直して再生処理をすることが可能である。しかしながら、エッチング処理が行われて酸化層等に回路パターンが形成された段階では、欠陥、異常等が発見されてもこの部分は再生処理不可能である。このように、レジストの現像処理段階での表面検査で見つかった表面欠陥についてのみ、レジストパターン層を除去してパターンの再生処理が可能であり、レジストパターン形成段階での表面検査が特に重要である。
【０００５】
この表面検査においては、回路パターンの形状不良、レジスト層の膜厚ムラ、傷等といった表面欠陥もしくは異常等が検査される。従来の表面検査として、種々の検査用照明光を様々な角度から被検物（ウェハ）表面に照射し、被検物を回転もしくは揺動させながら被検物からの光を検査員が直接的に目視により観察して行うものがある。
【０００６】
このような検査方法は一般的にマクロ検査と称される。このマクロ検査を検査員の目視により行う場合には、検査員の判断の相違、技量の相違等により検査結果にばらつきが出るおそれがある。また、検査員の負担も大きい。そこで、マクロ検査を自動化することが検討されていおり、種々の自動マクロ検査装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。例えば、被検物の表面に検査用照明光を照射して、被検物の表面に形成された繰り返しパターンからの回折光、若しくは反射光を撮像装置により受光して画像を取り込み、画像処理を行って表面検査を自動で行うようにした装置がある。
【特許文献１】特開２００３−１３９７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の表面検査装置では、被検物の画像をモニタに表示し、検査員がモニタ上の画像を見ながら装置条件を最適条件に設定することが行われているが、最適な装置条件を検査員が判断することは難しく、検査員の能力や熟練を要するという問題があった。
【０００８】
特に、検査対象が多層構造である場合、検査対象外である下層からの情報の混入によって検査対象となる上層の情報を得るのが困難な場合がある。一般にレジスト層では光学的に透明であるために下層からの情報の影響を受けやすい。そのため、検査する装置条件を上層に合わせることが困難になる場合があった。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、最上層を検査する装置条件（検査条件）を容易に設定可能な表面検査装置および表面検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、被検物体に照明光を照射する照明光学系と、照明光が照射された被検物体の像を撮像する撮像手段と、被検物体の表面の一部を変化させるマーキング手段と、被検物体においてマーキング手段により変化した部分を撮像可能な条件で撮像した被検物体の画像から被検物体を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る表面検査装置において、表面検査装置において被検物体の像を撮像する条件を設定する条件設定手段と、条件設定手段により条件を変化させて、撮像手段で被検物体の像を撮像し、被検物体においてマーキング手段により変化した部分を撮像可能な条件を求める処理手段とを有することが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明に係る表面検査装置において、検査手段は、被検物体の欠陥を検出することが好ましい。
【００１３】
また、本発明に係る表面検査装置において、マーキング手段が、物理的処理により被検物体の表面の一部を変化させることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明に係る表面検査装置において、マーキング手段が、化学的処理により被検物体の表面の一部を変化させるようにしてもよい。
【００１５】
また、本発明に係る表面検査装置において、被検物体においてマーキング手段により変化した部分が、被検物体における所定の検査領域の外側に位置していることが好ましい。
【００１６】
さらに、本発明に係る表面検査方法は、被検物体に照明光を照射し、照明光が照射された被検物体の像を撮像し、被検物体の表面の一部をマーキング手段で変化させ、被検物体においてマーキング手段により変化した部分を撮像可能な条件で被検物体を撮像し、撮像した被検物体の画像から被検物体を検査することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る表面検査方法において、マーキング手段により表面の一部を予め変化させた被検物体に対し、検査が行われるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、最上層を検査する装置条件（検査条件）を容易に設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る第１実施形態の表面検査装置１を図１に示しており、この装置により半導体ウェハ１００の表面欠陥を検査する。第１実施形態の表面検査装置１は、ウェハ（被検物体）１００を載置保持するウェハホルダ部５を有して構成され、不図示の搬送装置によって搬送されてくるウェハ１００を、ウェハホルダ部５の上に載置させるとともに真空吸着等によって固定保持するようになっている。ウェハホルダ部５には回転機構部６およびチルト機構部７が設けられており、この回転機構部６およびチルト機構部７により、ウェハホルダ部５が、ウェハホルダ部５に固定保持されるウェハ１００の表面に垂直な軸Ax1を中心として回転（ウェハの表面内での回転）可能で、且つ、ウェハ１００の表面を通る軸Ax2を中心としてチルト（傾動）可能に構成されている。
【００２０】
この表面検査装置１はさらに、ウェハホルダ部５に固定保持されたウェハ１００の表面に照射可能な検査用照明光を出射する照明機構部（照明光学系）１０と、照明機構部１０から出射された検査用照明光をウェハ１００に収束する照明光収束機構部１５と、検査用照明光の照射を受けたときのウェハ１００からの反射光、回折光等を集光する戻り光収束機構部１７と、戻り光収束機構部１７により集光された光を受けてウェハ１００の表面の像を撮像する撮像機構部（撮像手段）１９とを有して構成される。
【００２１】
照明機構部１０の内部には、照明光を発生させる光源１１と、光源１１からの光の波長を選択するフィルタ１２と、出射光量を調節する調光機構１３とが備えられており、さらに照明機構部１０には、光源１１からフィルタ１２および調光機構１３を透過した照明光を先端部１４ａから出射する光ファイバ１４が備えられている。照明光収束機構部１５は、照明機構部１０の光ファイバ１４の先端部１４ａから出射された発散光束（照明光）を受ける第１凹面鏡１６を有して構成され、この第１凹面鏡１６からほぼその焦点距離だけ離れた位置に光ファイバ１４の先端部１４ａが配設される。
【００２２】
このため、光ファイバ１４の先端部１４ａから第１凹面鏡１６に発散照射された照明光は、第１凹面鏡１６によって平行光束となってウェハホルダ部５に保持されたウェハ１００の表面に照射される。このときウェハ１００の表面に照射される照明光束は、ウェハ１００の表面と垂直な軸Ax1（鉛直軸）に対して角度θiを有して照射され、ウェハ１００からの光が角度θrを有して出射される。これら入射角θiと出射角θrとの関係は、軸Ax2を中心としてウェハホルダ部５をチルト（傾動）させることにより調整可能である。すなわち、ウェハホルダ部５のチルトによりウェハ１００の載置角度を変化させて、入射角θiと出射角θrとの関係を調整可能である。
【００２３】
なお、反射光を用いる場合には入射角θiと出射角θrとを等しくし、回折光を用いる場合にはチルトにより出射角θrを調節することによって、ウェハ１００の表面からの出射光を戻り光収束機構部１７に入射させることが可能になる。
【００２４】
そして、ウェハ１００の表面からの出射光は戻り光収束機構部１７により集光される。この戻り光収束機構部１７は、鉛直軸Ax1に対して角度θrを有した方向に対向して配設された第２凹面鏡１８を有して構成され、この第２凹面鏡１８によってウェハ１００の像が結像される位置に撮像機構部１９が配設される。撮像機構部１９は、ウェハ１００の表面の像を撮像可能なＣＣＤカメラ２０を有して構成されており、第２凹面鏡１８により集光された光はＣＣＤカメラ２０のＣＣＤ撮像素子（図示せず）で結像され、この結果、ウェハ１００の表面の像がＣＣＤ撮像素子の受像面に形成されるようになっている。
【００２５】
ＣＣＤカメラ２０は、ＣＣＤ撮像素子の受像面に形成されたウェハ１００の表面の像を光電変換して画像信号を生成し、画像処理検査装置（検査手段）２５に送る。画像処理検査装置２５の内部には、制御部２６と、メモリ（記憶装置）２７と、ウェハ１００の表面の像を撮像する際の装置条件を設定する条件制御部（条件設定手段）２８と、ウェハ１００の欠陥を検出する欠陥検出部２９を有した画像処理部（処理手段）３５とが設けられている。
【００２６】
制御部２６は、回転機構部６によるウェハホルダ部５の回転制御や、チルト機構部７によるウェハホルダ部５のチルト制御等を行う。さらに、制御部２６は、ＣＣＤカメラ２０から得られるウェハ１００の画像を所定ビット（例えば８ビット）のディジタル画像に変換する。メモリ２７には、制御部２６からのディジタル画像とそのときの装置条件が記憶される。メモリ２７に記憶されたディジタル画像は、画像処理部３５に出力される。
【００２７】
条件制御部２８には、外部操作等によりウェハ１００の表面の像を撮像する際の装置条件が設定入力されるようになっており、条件制御部２８に入力された装置条件に基づいて、制御部２６が回転機構部６やチルト機構部７等の作動を制御するようになっている。ここで、設定される装置条件は、照明光学系（照明機構部１０）の光量、波長、ウェハ１００の表面への照明光の入射角度、ウェハ１００の載置角度（チルト角度）、ウェハ１００の設置方位角、照明光の波長、撮像機構部１９（ＣＣＤカメラ２０）の露出時間、および撮像機構部１９の電気的な感度等である。
【００２８】
画像処理部３５に構成される欠陥検出部２９は、ウェハ１００の欠陥検出に当たって、メモリ２７に記憶されたウェハ１００のディジタル画像を取り込み、画像処理を行うとともに、画像の光量をモニタし、画像の明暗に基づいてウェハ１００の膜厚むら、パターン形状の異常、傷等の欠陥箇所を特定する。具体的には、例えば、撮像機構部１９（ＣＣＤカメラ２０）からの画像信号により得られるウェハ１００の表面の画像と、予め記憶されている良品ウェハの表面の画像（検査基準画像）とのパターンマッチング等を行い、予め学習させておいた検査基準画像の特徴との相違点の有無検査を行う。
【００２９】
検査対象となるウェハ１００にデフォーカスによる膜厚むら、パターン形状の異常、傷等の欠陥が存在する場合には、その部分には例えば検査基準画像との明暗差や特徴の相違が検出されるため、欠陥が存在することが検出される。このようにして、撮像機構部１９により撮像されたウェハ１００の表面の画像から表面欠陥の有無の検査（すなわち、ウェハ１００の表面検査）を行う。これにより、表面検査を自動で行うことができる。なお、検査基準画像に限らず、ウェハ１００の表面において検査対象となる画像の部分と隣接する部分の画像を用いて、パターンマッチング等を行うようにしてもよい。
【００３０】
ところで、被検物体であるウェハ１００の表面には周期的に繰り返される線配列形状の回路パターンが形成されており、ウェハ１００の表面に種々の異なる回路パターンが何層にも積み重ねて構成されている。一般に、撮像されたウェハ１００の表面の画像には、ウェハ１００の表面が光学的に透明な多層膜の場合、検査対象外である下層部分の（回路パターンの）情報も含まれている。そこで、第１実施形態の表面検査装置１には、ウェハ１００表面の検査対象となる上層の一部を物理的に変化（形状変化）させる溶剤供給手段（マーキング手段）３０が設けられている。
【００３１】
溶剤供給手段３０は、例えば、スポイト状に形成されて装置内に配設されたアーム部３１に変位可能に保持されており、ウェハ１００の表面に有機溶剤であるシンナーを滴下可能に構成されている。滴下するのは、トルエンやキシレン、アセトンでもよく、ウェハ１００の表面において滴下された部分のレジストパターンに変化を生じさせるものであればよい。ただし、有機溶剤の種類は、図２に示すように、ウェハ１００の表面部分の上層部１０１のみを変化させ、下層部１０２の状態を変化させないものが好ましい。また、シンナーが滴下される部分の面積は、検査装置の識別分解能より大きければよいが、ウェハ１００上に形成される製品（ＩＣ等）の１チップ分の面積を超えないことが好ましい。これにより、歩留まりの低下を最小限に抑えることができる。
【００３２】
このような構成の表面検査装置１を用いたウェハ１００の表面検査方法について、以下に説明する。まず、表面検査を行うウェハ１００をウェハホルダ部５の上に載置させる。次に、アーム部３１を用いて溶剤供給手段３０を所定の退避位置からウェハ１００上方の所定箇所に変位させ、溶剤供給手段３０によりウェハ１００の表面に所定量のシンナーを滴下させる。
【００３３】
このとき、図２に示すように、ウェハ１００の表面においてシンナーが滴下された部分の上層部１０１のレジストがシンナーの溶解反応により形状変化（物理的に変化）し、溶解した部分に欠陥部１０３が形成される。なお、シンナーの滴下後、溶剤供給手段３０はアーム部３１により検査の邪魔にならない退避位置に変位させる。
【００３４】
続いて、条件制御部２８を用いて装置条件を変化させて、撮像機構部１９（ＣＣＤカメラ２０）によりウェハ１００の表面の像を撮像する。このとき、検査対象となるウェハ１００の表面部分の上層部１０１を撮像するのに適した装置条件では、図２に示すように、通常は照明光が上層部１０１で反射もしくは回折するが、シンナーが滴下された部分では形状変化した欠陥部１０３で照明光が反射もしくは回折するため、上層部１０１で反射もしくは回折して撮像機構部１９に入射するはずの光が入射せず、ウェハ１００の画像において欠陥部１０３が形成される部分の明るさが変化する。一方、検査対象でない下層部１０２を撮像するのに適した装置条件では、照明光が下層部１０２で反射もしくは回折するため、シンナーが滴下された欠陥部１０３における形状（回路パターン）の変化は画像に現れない。
【００３５】
またこのとき、画像処理部３５で形状変化（物理的変化）を生じさせた部分（欠陥部１０３）に着目して画像の変化を捉えることにより、検査対象であるウェハ１００の上層部１０１に最も適した装置条件を選択することができる。そして、欠陥部１０３の像、すなわち、ウェハ１００の表面において溶剤供給手段３０のシンナー滴下により変化した部分の像を撮像機構部１９により撮像可能な装置条件を求め、このときの装置条件を、表面検査を行う際の装置条件と決定する。
【００３６】
このようにして決定した装置条件により、照明機構部１０を用いてウェハ１００の表面に照明光を照射し、照明光が照射されたウェハ１００の表面の像を撮像機構部１９により撮像する。そして、画像処理検査装置２５を用いて、撮像機構部１９により撮像されたウェハ１００の表面の画像から表面欠陥の有無の検査（すなわち、ウェハ１００の表面検査）を行う。
【００３７】
この結果、第１実施形態の表面検査装置１および表面検査方法によれば、溶剤供給手段３０によりウェハ１００の表面の一部を変化させることによって、上層部１０１（すなわち、ウェハ１００の最上層）を検査する装置条件（検査条件）を容易に設定することができるため、常に良好な画像処理（すなわち表面検査）を行うことができる。これにより、欠陥検出をより正確に行うことができるため、欠陥検出率の向上と疑似欠陥の低減が可能になる。そのため、半導体プロセスでの歩留まりの向上が図られるとともに、無駄な戻り作業を低減させ、半導体の製造コストを削減することが可能になる。なお、溶剤供給手段３０によりウェハ１００の表面の一部を変化させることで、ウェハ１００の表面の一部に欠陥を形成することになるため、ウェハ１００の表面欠陥を検出する表面検査装置１では、本実施形態を用いてより最適な装置条件を選択することが可能になる。
【００３８】
また、有機溶剤の溶解反応を利用した化学的処理により、ウェハ１００の表面の一部を変化させることで、大がかりな装置を用いる必要がなく、ウェハ１００の表面の一部を変化させるマーキング手段としての装置構成をシンプルにすることができる。
【００３９】
なお、上述の第１実施形態において、有機溶剤の溶解反応を利用した化学的処理により、ウェハ１００の表面の一部を変化させているが、これに限られるものではなく、例えば、酸やアルカリ等を用いた化学的処理でもよい。
【００４０】
次に、表面検査装置の第２実施形態について図３を参照しながら説明する。第２実施形態の表面検査装置５１は、上述した第１実施形態の表面検査装置１に対してマーキング手段である溶剤供給手段３０の装置構成のみ異なり、他の装置構成は同様の構成となっている。そこで、同じ構成の部位に同一番号を付して重複説明を省略する。
【００４１】
第２実施形態におけるマーキング手段であるレーザー照射手段６０は、例えば、装置内に配設されたアーム部６１に変位可能に保持されており、ウェハ１００の表面にレーザーを照射可能に構成されている。レーザーの波長および強度は、ウェハ１００の表面部分の上層部１０１のみを変化させ（図２を参照）、下層部１０２の状態を変化させないものが好ましい。また、レーザーが照射される部分の面積は、検査装置の識別分解能より大きければよいが、ウェハ１００上に形成される製品（ＩＣ等）の１チップ分の面積を超えないことが好ましい。これにより、歩留まりの低下を最小限に抑えることができる。
【００４２】
このような第２実施形態の表面検査装置５１を用いても、第１実施形態の表面検査装置１と同様にしてウェハ１００の表面検査を行うことができる。具体的には、まず、表面検査を行うウェハ１００をウェハホルダ部５の上に載置させる。次に、アーム部６１を用いてレーザー照射手段６０をウェハ１００上方の所定箇所に変位させ、レーザー照射手段６０によりウェハ１００の表面にレーザーを照射する。
【００４３】
このとき、ウェハ１００の表面においてレーザーが照射された部分の上層部１０１が加熱燃焼により形状変化（物理的に変化）し、第１実施形態の場合と同様に、レーザー照射により燃焼した部分に欠陥部１０３が形成される（図２を参照）。なお、レーザーの照射後、レーザー照射手段６０はアーム部６１により検査の邪魔にならない退避位置に変位させる。
【００４４】
続いて、条件制御部２８を用いて装置条件を変化させて、撮像機構部１９（ＣＣＤカメラ２０）によりウェハ１００の表面の像を撮像する。そして、第１実施形態の場合と同様に、欠陥部１０３の像、すなわち、ウェハ１００の表面においてレーザー照射手段６０のレーザー照射により変化した部分の像を撮像機構部１９により撮像可能な装置条件を求め、このときの装置条件を、表面検査を行う際の装置条件と決定する。このように装置条件を決定することで、第１実施形態の表面検査装置１と同様にしてウェハ１００の表面検査を行うことができる。
【００４５】
この結果、第２実施形態の表面検査装置５１によれば、第１実施形態の表面検査装置１と同様の効果を得ることができる。また、レーザーを用いた（加熱による）物理的処理により、ウェハ１００の表面の一部を変化させることで、所望の形状にウェハ１００の表面の一部を変化させることが可能である。
【００４６】
なお、上述の第２実施形態において、レーザーを用いた加熱による物理的処理により、ウェハ１００の表面の一部を変化させているが、これに限られるものではなく、例えば、針や刃物、ヤスリ等（除去加工等）を用いた物理的処理でもよい。
【００４７】
また、上述の各実施形態において、表面検査装置内に、本発明に係るマーキング手段である溶剤供給手段３０やレーザー照射手段６０が設けられているが、これに限られるものではなく、表面検査装置と別個に設けたマーキング手段（レーザー照射手段等）により表面の一部を予め変化させたウェハを、表面検査装置で表面検査するようにしてもよい。このようにすれば、表面検査装置自体を小型化することができる。
【００４８】
さらに、上述の各実施形態において、ウェハ１００においてマーキング手段（溶剤供給手段３０やレーザー照射手段６０）により変化する部分が、例えば、欠陥部１０３ａ（図２を参照）のようにウェハ１００の外縁部近傍等、ウェハ１００の表面における所定の検査領域Ｓ（図２を参照）の外側に位置していてもよい。このようにすれば、ウェハ１００の表面検査が行われる部分、すなわち製品となる部分を変化させることがないため、歩留まりが減少するのを防止することができる。
【００４９】
また、上述の各実施形態において、表面検査装置内に配設されたアーム部に、本発明に係るマーキング手段である溶剤供給手段３０やレーザー照射手段６０が変位可能に保持されているが、これに限られるものではなく、表面検査装置内で固定されていてもよい。なおこのとき、マーキング手段は、表面検査の邪魔にならない位置（例えば、ウェハのアライメントを行う位置の上方等）に固定される。
【００５０】
さらに、上述の各実施形態において、ウェハ１００の表面の像を撮像する際の装置条件を設定する条件制御部２８が画像処理検査装置２５の内部に設けられているが、これに限られるものではなく、画像処理検査装置２５と別体に設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係る表面検査装置の第１実施形態を示す正面図である。
【図２】ウェハの表面部分の側断面図である。
【図３】第２実施形態の表面検査装置を示す正面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  表面検査装置（第１実施形態）
１０  照明機構部（照明光学系）            １９  撮像機構部（撮像手段）
２５  画像処理検査装置（検査手段）        ２６  制御部
２８  条件制御部（条件設定手段）          ２９  欠陥検出部
３０  溶剤供給手段（マーキング手段）      ３５  画像処理部（処理手段）
５１  表面検査装置（第２実施形態）
６０  レーザー照射手段（マーキング手段）
１００  ウェハ（被検物体）
【図１】
2007017395.tif 000003
【図２】
2007017395.tif 000004
【図３】
2007017395.tif 000005