(57)【要約】  【課題】  入出力V.S.W.R.、挿入損失や動作周波数帯域幅などの電気的特性を向上させながら、非可逆回路素子の大型化を回避し得る非可逆回路素子を提供する。  【解決手段】  磁気回転子２は、軟磁性基体４と、複数の中心導体３１〜３３とを含み、ケース９の内部に設けられる。永久磁石は、ケース９の内部で磁気回転子２に重ねて配置され、磁気回転子２に直流磁界を印加する。ケース９は、磁性金属材料を含み、磁気回転子２及び永久磁石８のためのケース磁路Ｍ１を有する。ケース磁路Ｍ１には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して低インピーダンスとなり、電気絶縁性の磁性体を容量層とする静電容量要素Ｅが挿入されている。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気回転子と、永久磁石と、ケースとを含む非可逆回路素子であって、
前記磁気回転子は、軟磁性基体と、複数の中心導体とを含み、前記ケースの内部に設けられ、
前記永久磁石は、前記ケースの内部で前記磁気回転子に重ねて配置され、前記磁気回転子に直流磁界を印加し、
前記ケースは、磁性金属材料を含み、前記磁気回転子及び前記永久磁石のためのケース磁路を有し、
前記ケース磁路には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して低インピーダンスとなり、電気絶縁性の磁性体を容量層とする静電容量要素が挿入されている、
非可逆回路素子。
【請求項２】
請求項１に記載された非可逆回路素子であって、
前記静電容量要素は、電気絶縁性の磁性体シートである、
非可逆回路素子。
【請求項３】
請求項１に記載された非可逆回路素子であって、
前記静電容量要素は、電気絶縁樹脂と磁性粉との混合物から構成される電気絶縁性の磁性体シートである、
非可逆回路素子。
【請求項４】
請求項１に記載された非可逆回路素子であって、
前記静電容量要素は、ガラスと磁性粉との混合物から構成される電気絶縁性の磁性体シートである、
非可逆回路素子。
【請求項５】
請求項２乃至４の何れかに記載された非可逆回路素子であって、
前記電気絶縁性の磁性体シートの両面に、導体膜が設けられている、
非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、例えば携帯電話等のごとき移動体無線機器等に用いられている。この種の非可逆回路素子は、ケース内に、軟磁性基体と中心電極とで構成された磁気回転子、永久磁石、さらに他の磁気部品及び電気部品を収容して構成される。ケースは、磁性金属材料を含み、磁気回転子及び永久磁石のためのケース磁路を与える。
【０００３】
この種の非可逆回路素子は、その市場性から限りなく小型化が要求されており、現状の大きさは、一辺が４ｍｍ以下にまとめられるようになってきている。これに対処するため、非可逆回路素子を構成する磁気回転子や永久磁石の小型、薄型化が進展し、これらの部品が金属ケース内に高密度実装されるようになってきている。また、昨今のこの種の非可逆回路素子の動作周波数帯域は、ＧＨｚ帯に達している。このような高密度実装された非可逆回路素子を高周波信号で動作させると金属ケースに高周波電流が発生するという問題がある。
【０００４】
すなわち、上述した非可逆回路素子において、磁気回転子及び永久磁石の周囲にはケースを構成する磁性金属材料が密着して配置されている。このため、磁気回転子を構成する中心導体に高周波信号が供給されると、中心導体のもつインダクタンス成分及びケースのもつインダクタンス成分によって、ケースに高周波電流が誘起される。この高周波電流は、ジュール損として消耗される。また、ケースを周回する高周波電流は、中心導体を流れる信号を打ち消すように働くため、磁気回転子の高周波磁界を弱め、入出力V.S.W.R.、挿入損失や動作周波数帯域幅などの電気的特性を悪化させる。
【０００５】
特許文献１は、金属ケースに、フェライトと中心電極の周りを流れる周回電流（高周波電流）を遮断するためのギャップを設ける技術を開示している。しかし、この開示技術では、電気的特性の向上に限界がある。
【０００６】
また、電気的特性の向上の際には、ケース磁路の連続性を損なわないようにしたい。磁路の連続性が損なわれると、磁気抵抗が増大するから、大きな直流磁界を印加しなければならない。このため、大型の永久磁石が必要となり、非可逆回路素子の大型化を招く。
【特許文献１】特許３４１２５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、入出力V.S.W.R.、挿入損失や動作周波数帯域幅などの電気的特性を向上させながら、非可逆回路素子の大型化を回避し得る非可逆回路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、本発明に係る非可逆回路素子は、磁気回転子と、永久磁石と、ケースとを含む。
【０００９】
前記磁気回転子は、軟磁性基体と、複数の中心導体とを含み、前記ケースの内部に設けられる。前記永久磁石は、前記ケースの内部で前記磁気回転子に重ねて配置され、前記磁気回転子に直流磁界を印加する。
【００１０】
前記ケースは、磁性金属材料を含み、前記磁気回転子及び前記永久磁石のためのケース磁路を有する。前記ケース磁路には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して低インピーダンスとなり、電気絶縁性の磁性体を容量層とする静電容量要素が挿入されている。
【００１１】
上述した本発明に係る非可逆回路素子では、磁気回転子は、軟磁性基体と、複数の中心導体とを含み、ケースの内部に設けられる。永久磁石は、ケースの内部で磁気回転子に重ねて配置され、磁気回転子に直流磁界を印加する。ケースは、磁性金属材料を含み、磁気回転子及び永久磁石のためのケース磁路を有する。従って、非可逆回路素子の基本的構造が得られる。
【００１２】
一般的に、かかる構造の非可逆回路素子では、磁気回転子の中心導体に高周波信号が供給されると、中心導体のもつインダクタンス成分及びケースのもつインダクタンス成分により、ケース磁路に高周波電流が誘起される可能性がある。
【００１３】
本発明において、ケース磁路には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して相対的に低インピーダンスとなる静電容量要素が挿入される。電気回路的にみれば、ケース磁路に対して、ケースのもつインダクタンス成分と直列に静電容量要素が挿入され、共振回路が構成されることになる。この共振回路によって、ケース磁路Ｍ１の高周波電流が抑制される。従って、入出力V.S.W.R.が改善され、挿入損失が低減し、動作周波数帯域幅が拡大する。
【００１４】
更に、上記の静電容量要素は、電気絶縁性の磁性体を容量層とした構成であるから、ケース磁路の連続性を損なうことなくケース磁路に挿入することができる。従って、静電容量要素の挿入による磁気抵抗の増大を回避することができる。よって、大きな直流磁界を印加する必要はなく、大型の永久磁石は不要であるから、非可逆回路素子の大型化を回避することができる。
【００１５】
一つの具体的な実施形態において、静電容量要素は、電気絶縁性の磁性体シートである。更に具体的には、静電容量要素は、電気絶縁樹脂と磁性粉との混合物から構成される電気絶縁性の磁性体シートであってもよいし、または、ガラスと磁性粉との混合物から構成される電気絶縁性の磁性体シートであってもよい。また、電気絶縁性の磁性体シートの両面に、導体膜が設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上述べたように、本発明によれば、入出力V.S.W.R.、挿入損失や動作周波数帯域幅などの電気的特性を向上させながら、非可逆回路素子の大型化を回避し得る非可逆回路素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す斜視図、図２は図１に図示した非可逆回路素子の分解斜視図、図３は、図１、図２に図示した非可逆回路素子における下側ケースの分解斜視図、図４は、図１〜図３に図示した非可逆回路素子の模式的断面図である。
【００１８】
まず、図２を参照すると、本発明に係る非可逆回路素子は、磁気回転子２と、永久磁石８と、ケース９とを含む。図示実施形態では、更に、複数の整合コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗器Ｒ、コンデンサＣ９や押圧部材７などが備えられている。
【００１９】
ケース９は、上側ケース９１と、下側ケース９２とを含む。図２に加えて図３を参照すると、下側ケース９２は、導電性を有する磁性金属材料と、電気絶縁性樹脂材料とを含み、上部が開口した四角形の箱形に形成される。下側ケース９２は、略四角形状の磁性金属板の相対向する２辺をプレス等により折り曲げて、底板９２０から立ち上がった接続部９２１、９２２を有する断面コ字状に形成し、これを電気絶縁性樹脂材料とともに樹脂モールド成形技術等を用いて一体成形することにより構成する。また、下側ケース９２は、あらかじめ枠状に成形した電気絶縁性樹脂材料部分と磁性金属材料部分とを組み合わせて一体化することによっても構成できる。
【００２０】
下側ケース９２の底板９２０及び接続部９２１、９２２は、磁性金属材料から構成される。底板９２０はグランドＧとされ、接続部９２１、９２２は、上側ケース９１への接続部として機能する。
【００２１】
下側ケース９２の橋絡片９２５、９２６、入出力電極配置用の高段部９５及び終端抵抗器配置用の高段部９８は、電気絶縁性樹脂材料から構成される。橋絡片９２５、９２６は、電気絶縁性樹脂材料部分の相対向する２辺を連結する。一方の橋絡片９２５には、コンデンサ配置用の凹部９２７が形成されている。凹部９２７には、コンデンサＣ９が配置される。
【００２２】
入出力電極配置用の高段部９５は、磁気回転子２を構成する軟磁性基体４の厚みと略同一の高さに設定され、その上面に入出力電極９６が配置される。入出力電極９６は、下側ケース９２の外面側の電気絶縁性樹脂材料部分に引き出されて入出力外部端子９７となる。終端抵抗器配置用の高段部９８は、終端抵抗器Ｒが配置されたとき、終端抵抗器Ｒの上面が軟磁性基体４の厚みと略同一の高さとなるように設定され、その上面にグランドＧが引き出されている。
【００２３】
整合コンデンサＣ１〜Ｃ３はそれぞれ直方体状に形成され、軟磁性基体４の厚さ寸法と略同じ厚さ寸法を有し、厚さ方向の両端面にそれぞれ外部電極Ｃ１１〜Ｃ３２を有する。整合コンデンサＣ１〜Ｃ３は、それぞれその厚さ方向が軟磁性基体４の厚さ方向に沿うように下側ケース９２の側壁に沿って配置され、それぞれ一方の外部電極Ｃ１１〜Ｃ３１がグランドＧにはんだ付けＳによって接続されている。
【００２４】
終端抵抗器Ｒは、抵抗体の両側に外部電極Ｒ１、Ｒ２が形成された汎用のチップ抵抗器で構成できる。終端抵抗器Ｒは、終端抵抗器配置用の高段部９８に配置され、一方の電極Ｒ１が高段部９８の上面に引き出されたグランドＧにはんだ付けＳによって接続されている。
【００２５】
次に、図２及び図４を参照すると、磁気回転子２は、中心電極３と、軟磁性基体４と、粘着性の絶縁シート６とを含み、下側ケース９２に収容される。軟磁性基体４は、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料が好適である。軟磁性基体４は、１辺が２ｍｍ程度の四角形状で、厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の平板状に形成される。
【００２６】
中心電極３は、グランド部３０と、第１〜第３の中心導体３１〜３３とを含み、例えば、厚さ３０μｍ程度の銅板を打ち抜いた導体板で構成される。
【００２７】
グランド部３０は、軟磁性基体４の板面と同様の１辺が２ｍｍ程度の略四角形状であって、軟磁性基体４の下面と対向して配置される。
【００２８】
第１〜第３の中心導体３１〜３３は、軟磁性基体４の面上で互いに所定の角度、たとえば１２０度の角度で交差するように、グランド部３０の縁辺から引き出されている。引き出された中心導体３１〜３３は、軟磁性基体４の上面上に絶縁シート６を介して順次折り曲げられ、互いに絶縁されて所定の角度で交差する。最上部の第３の中心導体３３上にも、絶縁シート６が重ねられる。第１〜第３の中心導体３１〜３３の先端は、軟磁性基体４の上面の側端から突出して形成され、整合コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗器Ｒ及び入出力電極９６等に対する接続用端子部３１１〜３３１となる。
【００２９】
磁気回転子２は、下側ケース９２の中央部に配置され、グランド部３０がグランドＧにはんだ付けＳによって接続されている。第１、第２の中心導体３１、３２の接続用端子部３１１、３２１は、整合コンデンサＣ１、Ｃ２の他方の外部電極Ｃ１２、Ｃ２２にはんだ付けＳによって接続されるとともに、入出力電極９６にはんだ付けＳによって接続される。第３の中心導体３３の接続用端子部３３１は、整合コンデンサＣ３の他方の外部電極Ｃ３２にはんだ付けＳによって接続されるとともに、終端抵抗器Ｒの他方の外部電極R２にはんだ付けＳによって接続される。
【００３０】
押圧部材７はエンジニアリングプラスチック等の絶縁材料からなり、空洞部７０と、枠部７１と、押圧片７２とを有する。空洞部７０は枠部７１で囲まれて形成され、永久磁石８が配置される。押圧片７２は、枠部７１から突き出て形成され、永久磁石８を受けるとともに、下側ケース９２内に収容され、第１〜第３の中心導体３１〜３３の端子部３１１〜３３１を介して、整合コンデンサＣ１〜Ｃ３及び終端抵抗器Ｒを押圧し、位置決めする。
【００３１】
永久磁石８は、空洞部７０に収容できる平板状に形成され、磁気回転子２に重ねて配置されて磁気回転子２に直流磁界を印加する。
【００３２】
上側ケース９１は、略四角形の磁性金属板の相対向する２辺がプレス等により折り曲げ成形されて、天板９１０から立ち下がった接続部９１１、９１２を有する断面コ字状に構成される。上側ケース９１の天板９１０及び接続部９１１、９１２は、磁性金属材料から構成される。
【００３３】
上側ケース９１は、永久磁石８に重なり、かつ、下側ケース９２の開口を閉塞するように下側ケース９２と組み合わされる。更に、コンデンサＣ９が、上側ケース９１の接続部９１１の先端と、下側ケース９２の底板９２０との間にはんだ付けＳで接続される。
【００３４】
上側ケース９１の接続部９１１と、下側ケース９２の接続部９２１との間には、僅かな隙間９０１が在る。同様に、上側ケース９１の接続部９１２と、下側ケース９２の接続部９２２との間にも、僅かな隙間９０２が在る。隙間９０１について詳細な構造を示すため、図示では、隙間９０１が隙間９０２よりも広く表示されているが、実際には、同じ程度の隙間であり得る。
【００３５】
上側ケース９１及び下側ケース９２は、永久磁石８と磁気的に結合し、永久磁石８及び磁気回転子２のためのケース磁路Ｍ１、Ｍ２を構成する。ケース磁路Ｍ１は、磁気回転子２から下側ケース９２の底板９２０、下側ケース９２の接続部９２１、上側ケース９１の接続部９１１及び上側ケース９１の天板９１０を順次に経由し、永久磁石８に向かう磁路である。同様に、もう一つのケース磁路Ｍ２も、磁気回転子２から下側ケース９２の底板９２０、下側ケース９２の接続部９２２、上側ケース９１の接続部９１２及び上側ケースの天板９１０を順次に経由し、永久磁石８に向かう磁路である。
【００３６】
ケース磁路Ｍ１には、静電容量要素Ｅが挿入されている。静電容量要素Ｅは、電気絶縁性の磁性体を容量層として構成される。具体的には、静電容量要素Ｅは、上側ケース９１の接続部９１１を一方の電極とし、下側ケース９２の接続部９２１を他方の電極とし、これら２つの電極に挟まれる電気絶縁性の磁性体シート９０３を容量層として構成される。
【００３７】
静電容量要素Ｅは、直流電流に対しては、２つの電極が電気絶縁性の磁性体シート９０３で互いに絶縁され、高インピーダンスとなる。静電容量要素Ｅは、高周波電流に対しては、相対的に低インピーダンスとなる。
【００３８】
電気絶縁性の磁性体シート９０３は、電気絶縁樹脂と、磁性粉との混合物から構成することができる。電気絶縁樹脂としては、例えば、テフロン（登録商標）や、ポリイミドなどが挙げられる。テフロン（登録商標）及びポリイミドは、誘電正接が小さい点でも好ましい。磁性粉としては、例えば、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）などのフェライト粉が挙げられる。ＹＩＧの含有量は、樹脂シート全体の重量の３０％〜９０％を占めるように設定される。これは、ＹＩＧの含有量が３０％未満であると、磁気抵抗低減効果が十分得られないからであり、逆にＹＩＧの含有量が９０％を超えると、シートの破損が懸念されるからである。
【００３９】
別の構成として、電気絶縁性の磁性体シート９０３は、ガラスと、磁性粉との混合物から構成することもできる。ガラスとしては、例えば、ホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。磁性粉については先に述べた通りであり、例えば、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）などのフェライト粉が挙げられる。ＹＩＧの含有量は、ガラス全体の重量の３０％〜９０％を占めるように設定される。これは、ＹＩＧの含有量が３０％未満であると、磁気抵抗低減効果が十分得られないからであり、逆にＹＩＧの含有量が９０％を超えると、シートの破損が懸念されるからである。
【００４０】
電気絶縁性の磁性体シート９０３は、上側ケース９１の接続部９１１または下側ケース９２の接続部９２１の少なくとも一方に、好ましくは、上側ケース９１の接続部９１１及び下側ケース９２の接続部９２１の双方に接着される。接着手段として、電気絶縁性の磁性体シート９０３は、その片面もしくは両面に、粘着層もしくは接着層を備えていることが好ましい。
【００４１】
別の接着手段として、電気絶縁性の磁性体シート９０３を、熱処理によって溶融させ、上側ケース９１の接続部９１１または下側ケース９２の接続部９２１の少なくとも一方に、好ましくは、上側ケース９１の接続部９１１及び下側ケース９２の接続部９２１の双方に接着することもできる。熱処理による溶融性を備えたシート材料としては、例えば、熱可塑性エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００４２】
図示実施形態では、２つのケース磁路Ｍ１、Ｍ２のうち、ケース磁路Ｍ１のみに静電容量要素Ｅを挿入した構成となっているが、本発明はこのような構成に限定されることはなく、ケース磁路Ｍ１、Ｍ２の双方に静電容量要素を挿入した構成でもよい。
【００４３】
図５は、図１〜図４に図示した非可逆回路素子の等価回路図である。図において、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、それぞれ、第１〜第３の中心導体３１〜３３のインダクタンス成分を示している。Ｌ０は、ケース９のインダクタンス成分を示している。Ｃ０は、ケース９のキャパシタンス成分を示しており、ケース磁路Ｍ１に挿入された静電容量要素Ｅの容量値と、コンデンサＣ９の容量値との和で与えられる。
【００４４】
図２、図４を参照して説明したように、本発明に係る非可逆回路素子では、磁気回転子２は、軟磁性基体４と、第１〜第３の中心導体３１〜３３とを含み、ケース９の内部に設けられる。永久磁石８は、ケース９の内部で磁気回転子２に重ねて配置され、磁気回転子２に直流磁界を印加する。ケース９は、磁性金属材料を含み、磁気回転子２及び永久磁石８のためのケース磁路Ｍ１、Ｍ２を構成する。従って、非可逆回路素子の基本的構造が得られる。
【００４５】
一般的に、かかる構造の非可逆回路素子では、磁気回転子２の中心導体３１〜３３に高周波信号が供給されると、中心導体３１〜３３のインダクタンス成分Ｌ１〜Ｌ３及びケースのインダクタンス成分Ｌ０（図５参照）により、ケース磁路Ｍ１、Ｍ２に高周波電流が誘起される可能性がある。
【００４６】
本発明では、ケース磁路Ｍ１に、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して相対的に低インピーダンスとなる静電容量要素Ｅが挿入される。電気回路的にみれば、ケース磁路Ｍ１に対して、ケース９のインダクタンス成分Ｌ０と直列に静電容量要素Ｅが挿入されることになる。従って、図５に示すように、インダクタンス成分Ｌ０とキャパシタンス成分Ｃ０との共振回路が構成されることになり、この共振回路によって、ケース磁路Ｍ１の高周波電流が抑制される。従って、入出力V.S.W.R.、挿入損失や動作周波数帯域幅などの電気的特性が改善される。
【００４７】
更に、上記の静電容量要素Ｅは、電気絶縁性の磁性体シート９０３を容量層とした構成であるから、ケース磁路Ｍ１の連続性を損なうことなくケース磁路Ｍ１に挿入することができる。従って、静電容量要素Ｅの挿入による磁気抵抗の増大を回避することができる。よって、大きな直流磁界を印加する必要はなく、大型の永久磁石は不要であるから、非可逆回路素子の大型化を回避することができる。
【００４８】
静電容量要素Ｅの容量値は、電気絶縁性の磁性体シート９０３の厚みなどを適宜、選択することにより調整することができ、非可逆回路素子の形状、大きさ及び動作周波数帯域や要求特性に合わせて決定される。
【００４９】
図６は本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を示す模式的断面図、図７は図６に図示した非可逆回路素子の等価回路図である。図示において、図１〜図５に図示された構成部分と同一性ある構成部分には同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００５０】
図示の非可逆回路素子は、アイソレータを構成した例を示している。具体的に説明すると、磁気回転子２が誘電体シート２０を介して、下側ケース９２のグランドＧに配置されている。従って、その電気的等価回路は図７に図示したように表せる。図において、Ｃ２０は、誘電体シート２０による静電容量要素成分を示している。
【００５１】
本実施形態の非可逆回路素子は、磁気回転子２とグランドＧとの間に誘電体シート２０による静電容量要素成分を有しているので、動作周波数及び印加磁界を同時に下げることができる。動作周波数が下がればより小型の磁気回転子２を使用することが可能となり、印加磁界が下がればより小型の永久磁石８を使用することが可能となるので、非可逆回路素子が小型化できる。
【００５２】
図８は本発明に係る非可逆回路素子の更に別の実施形態を示す部分拡大断面図である。図示において、図１〜図５に図示された構成部分または図６、図７に図示された構成部分と同一性ある構成部分には同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。図８には、上側ケース９１の接続部９１１と、下側ケース９２の接続部９２１との間の隙間９０１が現れている。
【００５３】
図１〜図５に示した実施形態または図６、図７に示した実施形態との対比において、本実施形態では、導体膜９０４、９０５が、電気絶縁性の磁性体シート９０３の両面に設けられている。
【００５４】
詳しく説明すると、導体膜９０４は、電気絶縁性磁性体シート９０３の一面に付着されるとともに、導電性接着剤９０６を介して上側ケース９１の接続部９１１に接着されている。同様に、導体膜９０５は、電気絶縁性磁性体シート９０３の他面に付着されるとともに、導電性接着剤９０７を介して下側ケース９２の接続部９２１に接着されている。導体膜９０４、９０５は、例えば銅などの導電性金属材料で構成される。導電性接着剤９０６、９０７は、例えばはんだ等で構成される。
【００５５】
次に、本実施形態による追加的な作用効果について説明する。
【００５６】
図１〜図５に示した実施形態及び図６、図７に示した実施形態では、静電容量要素Ｅは、上側ケース９１の接続部９１１及び下側ケース９２の接続部９２１を２つの電極として構成されており（図４または図６を参照）、静電容量要素Ｅの容量値は、接続部９１１、９２１の対向面積によって与えられる。
【００５７】
一方、本実施形態では、導体膜９０４、９０５が、電気絶縁性の磁性体シート９０３の両面に設けられている。かかる構成によれば、導体膜９０４、９０５を、静電容量要素Ｅの電極として機能させることができ、静電容量要素Ｅの容量値は、導体膜９０４、９０５の対向面積によって与えられることになる。従って、上側ケース９１の接続部９１１及び下側ケース９２の接続部９２１の対向面積に制約されずに静電容量要素Ｅの容量値を確保することができる。例えば、接続部９１１、９２１の対向面積が小さい場合でも、導体膜９０４、９０５の対向面積を大きく設定することにより、静電容量要素Ｅの容量値を確保することができる。
【００５８】
以上、好ましい実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、当業者であれば、その基本的技術思想および教示に基づき、種々の変形例を想到できることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に図示した非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図３】図１、図２に図示した非可逆回路素子における下側ケースの分解斜視図である。
【図４】図１〜図３に図示した非可逆回路素子の模式的断面図である。
【図５】図１〜図４に図示した非可逆回路素子の等価回路図である。
【図６】本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を示す模式的断面図である。
【図７】図６に図示した非可逆回路素子の等価回路図である。
【図８】本発明に係る非可逆回路素子の更に別の実施形態を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
２          磁気回転子
３１〜３３  中心導体
４          軟磁性基体
８          永久磁石
９          ケース
【図１】
2007049547.tif 000003
【図２】
2007049547.tif 000004
【図３】
2007049547.tif 000005
【図４】
2007049547.tif 000006
【図５】
2007049547.tif 000007
【図６】
2007049547.tif 000008
【図７】
2007049547.tif 000009
【図８】
2007049547.tif 000010