(57)【要約】【課題】  半田バンプを正確な位置に形成することが可能であるとともに、プリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても全体として薄くすることが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体チップと、半導体チップが搭載されるチップ搭載面の反対側の面に形成された回路パターン上にランドが形成された基板と、ランドに形成された半田バンプとを備えた半導体装置であって、ランドには、半田バンプを形成する半田ボールを固定することが可能な装着孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】    図１
2007012715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面の反対側の面に形成された導体パターン上にランドが形成された基板と、
前記ランドに形成された半田バンプと
を備えた半導体装置であって、
前記ランドには、前記半田バンプを形成する半田ボールを固定することが可能な装着孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記装着孔は、前記ランドの略中央に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記装着孔の平面視形状は、円形であり、直径が前記半田ボールの直径より小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導体パターンは、Ｃｕ層から形成されており、
前記ランドは、前記Ｃｕ層上に形成されたＮｉ層と、前記Ｎｉ層上に形成されたＡｕ層とからなり、
前記装着孔は、前記Ｎｉ層及び前記Ａｕ層を連通する孔であり、
前記装着孔の底面は、Ｃｕ層の表面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項５】
導体パターンと、
前記導体パターン上に形成された、半田バンプが形成されるランドと
を備えた基板であって、
前記ランドには、前記半田バンプを形成する半田ボールを固定することが可能な装着孔が形成されていることを特徴とする基板。
【請求項６】
前記装着孔は、前記ランドの略中央に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記装着孔の平面視形状は、円形であり、直径が前記半田ボールの直径より小さいことを特徴とする請求項５又は６に記載の基板。
【請求項８】
前記導体パターンは、Ｃｕ層から形成されており、
前記ランドは、前記Ｃｕ層上に形成されたＮｉ層と、前記Ｎｉ層上に形成されたＡｕ層とからなり、
前記装着孔は、前記Ｎｉ層及び前記Ａｕ層を連通する孔であり、
前記装着孔の底面は、Ｃｕ層の表面であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及び基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高集積化に伴い、入出力信号を取り出す多くの外部端子が要求されている。このような要求に対して、裏面に外部端子となる半田バンプをマトリックス状に配置したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と呼ばれる半導体装置がある（例えば、特許文献１）。
【０００３】
従来の半導体装置について図４及び図５を用いて以下に説明する。
図４は従来の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置１００が備える絶縁性基板１２１の両面には、Ｃｕ層からなる導体パターン１２３が形成されていて、両面に形成された導体パターン１２３の一部が、絶縁性基板１２１に形成されたビアホール１２６によって接続されている。絶縁性基板１２１の表面（上面）には、導体パターン１２３の一部を露出させて残りの導体パターン１２３及び絶縁性基板１２１を覆うように、ソルダーレジスト層１２５が形成されていて、その露出した導体パターン１２３の表面には、複数のワイヤボンディングパッド１２４が形成されている。
【０００４】
さらに、絶縁性基板１２１の表面略中央には、ソルダーレジスト層１２５及び接着層１１８を介して半導体チップ１１１がダイボンディングされている。半導体チップ１１１の上面には、複数の電極１１６が設けられていて、各電極１１６とボンディングパッド１２４とがワイヤ１１７によって電気的に接続されている。半導体装置１００には、絶縁性基板１２１の表面（上面）全体を覆うように半導体チップ１１１を封止する樹脂パッケージ部１１９が形成されている。
【０００５】
一方、絶縁性基板２１の裏面（下面）には、導体パターン１２３の一部を露出させて残りの導体パターン１２３及び絶縁性基板１２１を覆うように、ソルダーレジスト層１２９が形成されていて、その露出した導体パターン１２３の表面には、複数のランド１２７が形成されている。
【０００６】
図５は従来の半導体装置に半田ボールを配置させた構造を説明するための模式図である。
ランド１２７に半田ボール１２８ａを配置させ（図５（ａ）参照）、リフローを行うと、半田バンプ１２８が形成される（図５（ｂ）参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２８１９２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、絶縁性基板１２１の裏面に配置されている半田バンプ１２８は、ランド１２７上に半田ボール１２８ａが上置きされ、リフローされることにより形成される際、ランド１２７の表面が偏平であるため、リフローするまでの間に転がる等して、正確な位置合わせを行うことが困難であった。
【０００９】
また、このような半導体装置をプリント配線基板に実装したり、多層に積層したりする際に全体として薄くなるようにして、当該半導体装置が搭載される電子機器等をより薄型化させたいという要望もあった。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半田バンプを正確な位置に形成することが可能であるとともに、プリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても全体として薄くすることが可能な半導体装置及び基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するために、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１）  半導体チップと、
上記半導体チップが搭載されるチップ搭載面の反対側の面に形成された導体パターン上にランドが形成された基板と、
上記ランドに形成された半田バンプと
を備えた半導体装置であって、
上記ランドには、上記半田バンプを形成する半田ボールを固定することが可能な装着孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００１２】
（１）の発明によれば、導体パターン上に形成されたランドには、半田ボールが固定可能な装着孔が形成されているため、半田バンプが正確な位置に形成されている。
また、半田ボールを装着孔に装着する際に、半田ボールが固定されるため、装着孔に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。また、ランドには、装着孔が形成されていて、この装着孔に半田が入り込んだ状態で半田バンプが形成されているので、半田が装着孔に入り込んだ量に応じて半田バンプ（突出部分）の高さが低くなっている。従って、プリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても装着孔がない場合に比べて全体として薄くすることが可能となる。
【００１３】
また、ランドに形成される装着孔の体積を適宜設定することにより所望の高さの半田バンプを形成することが可能となる。さらに、半田ボールの装着孔が形成されているため、リフロー後に形成される半田バンプが装着孔に噛み込む形状となるため、アンカー効果により接続強度を増加させることができる。
【００１４】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（２）  上記（１）の半導体装置であって、
上記装着孔は、上記ランドの略中央に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）の発明によれば、ランドの略中央に装着孔が形成されているため、半田ボールを装着孔に装着する際に、より正確な位置に固定することができる。従って、半田バンプをより正確な位置に形成することが可能である。また、ランドの略中央に装着孔があるため、ランドの周囲に形成されているソルダーレジスト層に半田ボールが引っ掛かり、装着孔に固定できなくなることを少なくすることができる。
【００１６】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（３）  上記（１）又は（２）の半導体装置であって、
上記装着孔の平面視形状は、円形であり、直径が上記半田ボールの直径より小さいことを特徴とする。
【００１７】
（３）の発明によれば、装着孔の平面視形状が円形であり、その直径が半田ボールの直径より小さい。従って、半田ボールを装着孔に装着する際に、装着孔の穴の縁に沿うように嵌まり込み、半田ボールが固定されるため、装着孔に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。
【００１８】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（４）  上記（１）〜（３）のいずれか１の半導体装置であって、
上記導体パターンは、Ｃｕ層から形成されており、
上記ランドは、上記Ｃｕ層上に形成されたＮｉ層と、上記Ｎｉ層上に形成されたＡｕ層とからなり、
上記装着孔は、上記Ｎｉ層及び上記Ａｕ層を連通する孔であり、
上記装着孔の底面は、Ｃｕ層の表面であることを特徴とする。
【００１９】
（４）の発明によれば、導体パターン上にＮｉ層、Ａｕ層が積層されたランドを有する従来の基板に、レーザ処理等により装着孔を形成すれば当該基板を製造することができるため、従来の基板の製造工程に大きな変更を加えることなく、当該基板を製造することができる。
【００２０】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（５）  導体パターンと、
上記導体パターン上に形成された、半田バンプが形成されるランドと
を備えた基板であって、
上記ランドには、上記半田バンプを形成する半田ボールを固定することが可能な装着孔が形成されていることを特徴とする基板。
【００２１】
（５）の発明によれば、導体パターン上に形成されたランドには、半田バンプを形成する半田ボールが固定可能な装着孔が形成されている。従って、リフローするまでの間に半田ボールが転がる等して位置がずれることを防止して、半田バンプを正確な位置に形成することができる。
また、半田ボールを装着孔に装着する際に、半田ボールが固定されるため、装着孔に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。また、ランドに半田ボールの装着孔が形成されているため、当該基板を用いて半導体装置を製造する場合、半田バンプを形成する工程において、半田ボールを装着孔（ランド）に上置きして固定した後、リフローすると、装着孔に半田の一部が入り込んだ状態で半田バンプが形成され、半田が装着孔３２に入り込む量に応じて半田バンプ（突出部分）の高さが低くなる。従って、この基板を用いて半導体装置を製造すれば、半田バンプの高さが低い半導体装置を製造することができる。従って、当該基板を用いて製造した半導体装置をプリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても全体として薄くすることが可能となる。
【００２２】
また、ランドに形成される装着孔の体積を適宜設定することにより所望の高さの半田バンプを形成することが可能になる。さらに、半田ボールの装着孔が形成されており、リフロー後に形成される半田バンプは、装着孔に噛み込む形状となるため、アンカー効果により接続強度を増加させることができる。
【００２３】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（６）  上記（５）の基板であって、
前記装着孔は、前記ランドの略中央に形成されていることを特徴とする。
【００２４】
（６）の発明によれば、ランドの略中央に装着孔があるため、半田ボールを装着孔に装着する際に、より正確な位置に固定することができる。また、ランドの略中央に装着孔があるため、ランドの周囲に形成されているソルダーレジスト層に半田ボールが引っ掛かり、装着孔に固定できなくなることを少なくすることができる。
【００２５】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（７）  上記（５）又は（６）の基板であって、
上記装着孔の平面視形状は、円形であり、直径が上記半田ボールの直径より小さいことを特徴とする。
【００２６】
（７）の発明によれば、装着孔の平面視形状が円形であり、その直径が半田ボールの直径より小さい。従って、半田ボールを装着孔に装着する際に、装着孔の穴の縁に沿うように嵌まり込み、半田ボールが固定されるため、装着孔に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。
【００２７】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（８）  上記（５）〜（７）のいずれか１の基板であって、
上記導体パターンは、Ｃｕ層から形成されており、
上記ランドは、上記Ｃｕ層上に形成されたＮｉ層と、上記Ｎｉ層上に形成されたＡｕ層とからなり、
上記装着孔は、上記Ｎｉ層及び上記Ａｕ層を連通する孔であり、
上記装着孔の底面は、Ｃｕ層の表面であることを特徴とする。
【００２８】
（８）の発明によれば、導体パターン上にＮｉ層、Ａｕ層が積層されたランドを有する従来の基板に、レーザ処理等により装着孔を形成すれば当該基板を製造することができるため、従来の基板の製造工程に大きな変更を加えることなく、当該基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
まず、本発明に係る半導体装置の一例について図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
半導体装置１０は、基板２０、基板２０に接着層１８を介してダイボンディングされた半導体チップ１１、半導体チップ１１の上面に設けられた電極１６と基板２０に設けられたボンディングパッド２４とを電気的に接続するワイヤ１７、これらを封止する樹脂パッケージ部１９、基板２０が備えるランド２７上に形成された半田バンプ２８とから構成されている。樹脂パッケージ部１９は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。
【００３０】
基板２０が備える絶縁性基板２１は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなるものである。なお、絶縁性基板２１としては、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、セラミック等からなる基板を挙げることができる。
【００３１】
絶縁性基板２１の両面には、Ｃｕ層からなる導体パターン２３が形成されている。具体的に、導体パターン２３は、絶縁性基板２１の半導体チップが搭載されるチップ搭載面（上面）の外周部分と、その反対面（下面）の外周部分とに形成されている。絶縁性基板２１のチップ搭載面の外周部分に形成された導体パターン２３と、絶縁性基板２１の反対面の外周部分に形成された導体パターン２３とは、ビアホール２６によって接続されている。ビアホール２６は、絶縁性基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものである。
上記充填材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂充填材等の絶縁性充填材であってもよく、金属充填材等の導電性充填材であってもよい。
【００３２】
絶縁性基板２１のチップ搭載面には、絶縁性基板２１の外周部分に形成された導体パターン２３の一部を露出させて、残りの導体パターン２３及び絶縁性基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２５が形成されていて、その露出した導体パターン２３の表面には、複数のワイヤボンディングパッド２４が形成されている。
【００３３】
一方、絶縁性基板２１の反対面には、導体パターン２３の一部を露出させて残りの導体パターン２３及び絶縁性基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２９が形成されていて、その露出した導体パターン２３の表面には、複数のランド２７が形成されている。
【００３４】
ランド２７は、導体パターン２３の上に形成されたＮｉ層２７ａと、Ｎｉ層２７ａの上に形成されたＡｕ層２７ｂとから構成されている（図２（ｂ）参照）。ランド２７の略中央には、Ｎｉ層２７ａ及びＡｕ層２７ｂが連通され、導体パターン２３まで達する装着孔３２が形成されている。装着孔３２は、平面視形状が円形であり、直径が、装着される半田ボールの直径より小さくなるように形成されている。
【００３５】
各ランド２７上には、半田バンプ２８の一部が装着孔３２に入り込むようにして、半田バンプ２８が形成されている。
【００３６】
図２は本発明に係る半導体装置に半田ボールを配置させた構造を説明するための模式図である。
装着孔３２に半田ボール２８ａを固定させ（図２（ａ）参照）、リフローを行うと、半田ボール２８ａが溶融して装着孔３２に流れ込み、半田バンプ２８が形成される（図２（ｂ）参照）。
【００３７】
半導体装置１０によれば、導体パターン２３上に形成されたランド２７には、半田ボールが固定可能な装着孔３２が形成されているため、半田バンプ２８が正確な位置に形成されている。
また、半田ボール２８ａを装着孔３２に装着する際に、半田ボール２８ａが固定されるため、装着孔３２に半田ボール２８ａをより安定に固定することが可能となる。また、ランド２７には、装着孔３２が形成されていて、この装着孔３２に半田が入り込んだ状態で半田バンプ２８が形成されているので、半田が装着孔３２に入り込んだ量に応じて半田バンプ２８（突出部分）の高さが低くなっている。従って、プリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても装着孔がない場合に比べて全体として薄くすることが可能となる。
【００３８】
また、半導体装置１０によれば、後述するレーザ処理等によりランド２７に形成される装着孔３２の体積を適宜設定し、所望の高さの半田バンプ２８を形成することが可能でなる。
【００３９】
さらに、装着孔３２が形成されているため、リフロー後に形成される半田バンプ２８が装着孔３２に噛み込む形状となるため、アンカー効果により接続強度を増加させることができる。
【００４０】
また、半導体装置１０によれば、ランドの略中央に装着孔３２が形成されているため、半田ボールを装着孔３２に装着する際に、より正確な位置に固定することができる。従って、半田バンプ２８をより正確な位置に形成することが可能である。
【００４１】
また、半導体装置１０によれば、装着孔３２の平面視形状が円形であり、その直径が、半田ボールの直径より小さい。従って、半田ボールを装着孔３２に装着する際に、装着孔３２の穴の縁に沿うように嵌まり込み、半田ボールが固定されるため、装着孔３２に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。従って、半田バンプをさらに正確な位置に形成することが可能である。また、ランド２７の略中央に装着孔３２があるため、ランド２７の周囲に形成されているソルダーレジスト層２９に半田ボールが引っ掛かり、装着孔に固定できなくなることを少なくすることができる。
【００４２】
また、半導体装置１０によれば、導体パターン３２上にＮｉ層２７ａ、Ａｕ層２７ｂが積層されたランド２７を有する従来の基板に、レーザ処理等により装着孔３２を形成すれば基板２０を製造することができるため、従来の基板の製造工程に大きな変更を加えることなく、基板２０を製造することができる。
【００４３】
本発明は、特に、半導体装置又は当該半導体装置が搭載される電子機器等を薄型化することを主眼としている。従って、当該半導体装置の基板厚を可能な限り薄くすることが要請される。このため、例えば、基板を多層構造とし、半田ボールを固定するために、基板に溝等を形成して半田ボールを固定するといった手法を採ることは好ましくない。一方で、ソルダーレジスト層の膜厚は、半田ボールの直径に比して薄いため、従来、ソルダーレジスト層のエッジ部分に半田ボールを固定することはできない。そのため、本発明では、ランドに装着孔を形成することにより半田ボールを固定することを可能とし、さらに、該装着孔により半田バンプの高さを低くすることにより、全体としての薄型化に寄与することを可能としたものである。
【００４４】
次に、本発明に係る基板の一例について図面を用いて説明する。
図３は、本発明に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。
基板２０が備える絶縁性基板２１は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなるものである。なお、絶縁性基板２１としては、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、セラミック等からなる基板を挙げることができる。
【００４５】
絶縁性基板２１の両面には、Ｃｕ層からなる導体パターン２３が形成されている。具体的に、導体パターン２３は、絶縁性基板２１の半導体チップが搭載されるチップ搭載面（上面）の外周部分と、その反対面（下面）の外周部分とから形成されている。絶縁性基板２１のチップ搭載面の外周部分に形成された導体パターン２３と、絶縁性基板２１の反対面の外周部分に形成された導体パターン２３とは、ビアホール２６によって接続されている。ビアホール２６は、絶縁性基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものである。
上記充填材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂充填材等の絶縁性充填材であってもよく、金属充填材等の導電性充填材であってもよい。
【００４６】
絶縁性基板２１のチップ搭載面には、絶縁性基板２１の外周部分に形成された導体パターン２３の一部を露出させて、残りの導体パターン２３及び絶縁性基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２５が形成されていて、その露出した導体パターン２３の表面には、複数のワイヤボンディングパッド２４が形成されている。
【００４７】
一方、絶縁性基板２１の反対面には、導体パターン２３の一部を露出させて残りの導体パターン２３及び絶縁性基板２１を覆うように、ソルダーレジスト層２９が形成されていて、その露出した導体パターン２３の表面には、複数のランド２７が形成されている。
【００４８】
ランド２７は、導体パターン２３の上に形成されたＮｉ層２７ａと、Ｎｉ層２７ａの上に形成されたＡｕ層２７ｂとから構成されている。ランド２７の略中央には、Ｎｉ層２７ａ及びＡｕ層２７ｂが連通され、導体パターン２３まで達する装着孔３２が形成されている。装着孔３２は、平面視形状が円形であり、直径が、装着される半田ボールの直径より小さくなるように形成されている。
【００４９】
基板２０によれば、導体パターン２３上に形成されたランド２７には、半田バンプを形成する半田ボールが固定可能な装着孔３２が形成されている。従って、リフローするまでの間に半田ボールが転がる等して位置がずれることを防止して、半田バンプを正確な位置に形成することができる。また、半田ボールを装着孔３２に装着する際に、半田ボールが固定されるため、装着３２に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。
【００５０】
また、基板２０によれば、ランド２７に半田ボールの装着孔３２が形成されているため、基板２０を用いて半導体装置を製造する場合、半田バンプを形成する工程において、半田ボールを装着孔３２（ランド２７）に載置して固定した後、リフローすると、装着孔３２に半田の一部が入り込んだ状態で半田バンプが形成され、半田が装着孔３２に入り込む量に応じて半田バンプ（突出部分）の高さが低くなる。従って、基板２０を用いて半導体装置を製造すれば、半田バンプの高さが低い半導体装置を製造することができる。従って、当該基板を用いて製造した半導体装置をプリント配線基板に実装したり、多層に積層したりしても全体として薄くすることが可能となる。
【００５１】
また、基板２０によれば、後述するレーザ処理等によりランド２７に形成される装着孔３２の体積を適宜設定し、所望の高さの半田バンプを形成することが可能になる。
さらに、半田ボールの装着孔３２が形成されており、リフロー後に形成される半田バンプは、装着孔３２に噛み込む形状となるため、アンカー効果により接続強度を増加させることができる。
【００５２】
また、基板２０によれば、ランド２７の略中央に装着孔３２があるため、半田ボールをより正確な位置に装着孔に固定させることができる。また、ランド２７の略中央に装着孔３２があるため、ランド２７を覆うように形成されているソルダーレジスト層２９に半田ボールが引っ掛かり、装着孔３２に固定できなくなることを少なくすることができる。
【００５３】
また、基板２０によれば、装着孔３２の平面視形状は円形であり、その直径が、装着される半田ボールの直径より小さい。従って、半田ボールを装着孔３２に装着する際に、装着孔３２の穴の縁に沿うように嵌まり込み、半田ボールが固定されるため、装着孔３２に半田ボールをより安定に固定することが可能となる。
【００５４】
また、基板２０によれば、導体パターン２３上にＮｉ層２７ａ、Ａｕ層２７ｂが積層されたランドを有する従来の基板に、レーザ処理等により装着３２を形成すれば基板２０を製造することができるため、従来の基板の製造工程に大きな変更を加えることなく、装着孔３２を形成して基板２０を製造することができる。
【００５５】
上述した実施形態では、装着孔は、ランドの略中央に形成されている場合について説明したが、本発明において装着孔は、ランドに形成されていれば、特にその位置が限定されるものではない。また、上述した実施形態では、装着孔の平面視形状は、円形である場合について説明したが、例えば、楕円であってもよく、多角形であってもよい。また、本発明において装着孔の深さは、特に限定されるものではなく、適宜設定可能である。
【００５６】
また、上述した実施形態では、ランドがＮｉ層とＡｕ層とから構成されている場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、例えば、Ｎｉ層のみ、Ａｕ層のみから構成されていてもよく、また、他の金属層（例えば、Ｎｉ層やＳｎ層）から構成されていてもよい。
【００５７】
次に、本発明の基板の製造方法と、上記基板を用いた本発明の半導体装置の製造方法とについて説明する。
【００５８】
（ａ）絶縁性基板２１を出発材料とし、まず、絶縁性基板２１の両面に、導体パターン２３を形成する。導体パターン２３は、絶縁性基板２１の両面に無電解メッキ等によりベタの金属層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【００５９】
（ｂ）次に、絶縁性基板２１に、ドリルやレーザ等によりマトリックス状に貫通孔を穿設する。貫通孔は、ビアホール２６となるものであり、貫通孔の直径は、例えば１２０〜１５０μｍ程度である。
【００６０】
（ｃ）次に、無電解メッキを施し、さらに電解メッキを施すことにより、貫通孔の壁面に金属薄膜を形成し、さらに貫通孔に充填材を充填することにより、ビアホール２６を形成する。上記充填材としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂充填材、金属充填材を挙げることができる。また、貫通孔をメッキにより充填することにより、ビアホール２６を形成してもよい。また、ビアホール２６には、蓋メッキを施してもよい。
【００６１】
（ｄ）次に、絶縁性基板２１の表面に、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、硬化処理を施すことにより、ソルダーレジスト層２５を形成する。絶縁性基板２１の裏面にも、同様にしてソルダーレジスト層２９を形成する。
【００６２】
（ｅ）次に、ソルダーレジスト層２５の所定箇所に露光現像処理により開口を形成し、露出した箇所にＮｉメッキやＡｕメッキを行うことにより、導体パターン２３上の所定位置にボンディングパッド２４を形成する。
また、ソルダーレジスト層２９に対しても同様の処理を行い、ランド２７を形成する。
【００６３】
（ｆ）次に、ランド２７の中央に、平面視形状が円形であり、直径が、装着される半田ボールの直径以下となるようにレーザ処理により装着孔３２を形成する。このレーザ処理においては、使用するレーザの種類、ビーム径、ショット数等を適宜選択することにより装着孔の形状（例えば、直径、深さ）を設定することができる。
【００６４】
本実施形態では、ランド２７を形成した後に、レーザ処理により装着孔３２を形成することとしたが、本発明においてはこれに限定されるものではなく、例えば、ランド２７の形成と同時に装着孔３２を形成してもよい。ランド２７の形成と同時に装着孔３２を形成する方法としては、ソルダーレジスト層２９にレーザ処理や露光現像処理によりランド２７が形成される箇所に開口を形成する際、開口の中央に、平面視形状が円形であり、直径が、装着される半田ボールの直径より小さくなるように、ソルダーレジスト層２９を残して開口を形成し、露出した箇所にＮｉメッキやＡｕメッキを行い、その後、開口の中央にあるソルダーレジスト層２９をレーザ処理等により取り除いて、装着孔３２が形成されたランド２７を形成する方法が挙げられる。
また、本実施形態では、レーザ処理により装着孔３２を形成することとしたが、この例に限定されるものではない。本発明において、装着孔を形成する方法としては、まず、ランド２７を形成した後、ドライフィルム等からなるエッチング保護層でランド２７として残す部分を被覆し、その後、過硫酸ナトリウム溶液や過酸化水素と硫酸の混合溶液等のエッチング液を用いて、化学エッチングによりＮｉ及び／又はＡｕを除去して形成する方法が挙げられる。
【００６５】
。
上記（ａ）〜（ｆ）の工程を経ることにより、基板２０を製造することができる。
次に基板２０を用いた本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
【００６６】
（ｇ）まず、基板２０の表面略中央にソルダーレジスト層２９の上から半田ペーストやＡｇペーストを塗布して接着層１８を形成し、接着層１８上に半導体チップ１１を搭載してリフローすることにより、ソルダーレジスト層２９を介して半導体チップ１１をダイボンディングする。
【００６７】
（ｈ）続いて、半導体チップ１１の上面に設けられた電極１６と、ボンディングパッド２４とをワイヤを用いてワイヤボンディングする。そして、基板２０の上面全体を覆うように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部１９を形成する
【００６８】
（ｉ）次に、ランド２７上に形成された装着孔３２に半田ボールを上置きして固定し、リフローして半田バンプ２８を形成する。このとき、溶融した半田が装着孔３２に流れ込むため、リフロー後に形成される半田バンプは、装着孔３２に噛み込む形状となる。
上記（ｇ）〜（ｉ）の工程を経ることにより、半導体装置１０を製造することができる。
【００６９】
以上、本発明に係る半導体装置及び基板の実施形態について説明したが、本発明の半導体装置及び基板は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置に半田ボールを配置させた構造を説明するための模式図である。
【図３】本発明に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に示した半導体装置に半田ボールを配置させた構造を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  半導体装置
１１  半導体チップ
１６  電極
１７  ワイヤ
１８  接着層
１９  樹脂パッケージ部
２０  基板
２１  絶縁性基板
２３  導体パターン
２４  ワイヤボンディングパッド
２５、２９  ソルダーレジスト層
２７  ランド
２７ａ  Ｎｉ層
２７ｂ  Ａｕ層
２８  半田バンプ
２８ａ  半田ボール
３２  装着孔
【図１】
2007012715.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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