(57)【要約】【課題】  表示装置の製造工程中に発生する異物などによる点欠陥を確実に修復することが困難であった。【解決手段】  画素電極８と、ドレイン電極５と、ドレイン電極と対向して配置されたソース電極４と、映像信号線３と、映像信号線方向の隣接画素の画素電極と絶縁膜を介して重なり合う突起部１１を有する走査配線１と、走査配線１の突起部１１と画素電極８との重なり部において、ソース電極４と同一層の導電膜で形成され、且つ画素電極８と接続された島状パターン１３とを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差し、前記映像信号線方向の隣接画素の画素電極と前記絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線と、
前記走査配線の突起部と前記隣接画素の画素電極との重なり部において、前記ソース電極と同一層の導電膜で形成され、且つ前記画素電極と接続された島状パターンと、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記島状パターンと前記走査配線の突起部とが、前記絶縁膜に形成された穴によって接続されており、前記ドレイン電極において前記画素電極へと接続される部分が切断されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査配線と、
前記ドレイン電極と接続され、前記走査配線と前記絶縁膜を介して重なる位置まで延在して形成された半導体膜と、
前記走査配線上の半導体膜に接続され、前記ソース電極と同一層の導電膜から形成された島状パターンと、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記島状パターンと前記走査配線とが、前記絶縁膜に形成された穴によって接続されており、前記ドレイン電極において前記画素電極へと接続される部分が切断されていることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差し、前記映像信号線方向の隣接画素の画素電極と前記絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線と、
前記走査配線の突起部と前記隣接画素の画素電極との重なり部において、前記ソース電極と同一層の導電膜で形成され、且つ前記画素電極と接続された島状パターンと、
を備える液晶表示装置の修復方法であって、
前記島状パターンと前記走査配線の突起部とを、レーザー照射により接続する工程と、
前記ドレイン電極における前記画素電極へと接続される部分をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の修復方法。
【請求項６】
透明導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して配置されたソース電極と、
前記ソース電極と接続された映像信号線と、
前記映像信号線と絶縁膜を介して交差する走査配線と、
前記ドレイン電極と接続され、前記走査配線と前記絶縁膜を介して重なる位置まで延在して形成された半導体膜と、
前記走査配線上の半導体膜に接続され、前記ソース電極と同一層の導電膜から形成された島状パターンと、
を備える液晶表示装置の修復方法であって、
前記島状パターンと前記走査配線とを、レーザー照射により接続する工程と、
前記ドレイン電極における前記画素電極へと接続される部分をレーザー照射により切断する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥画素の修復を確実に行う表示装置および表示装置の修復方法に関するものであり、特に液晶表示装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、貼り合わされる一対の絶縁性基板において一方の絶縁性基板上にマトリクス状に配設される画素電極に、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)などのスイッチング素子が接続され、このスイッチング素子のスイッチング動作により各画素電極の選択、非選択が行われ、表示動作を行うよう構成されている。上記のスイッチング素子は、一般に絶縁性基板上に半導体層、絶縁層、液晶駆動用の各種電極を積層した多層構造となっているので、スイッチング素子を製造する為には、絶縁性基板上へ各層のパターンニングが繰り返し行われる。このため、スイッチング素子の製造時に、断線あるいは短絡等により正常な動作を行わない欠陥スイッチング素子が生じることがある。この場合、該欠陥スイッチング素子に接続された画素電極からなる画素は、電圧が印可されない欠陥素子となる。この欠陥素子を有する画素は、特に、電源オフの状態で表示画面を白色に設定する表示動作モードであるノーマリーホワイトモードでの液晶表示装置では、常に光が透過された状態となる輝点欠陥として確認される。
【０００３】
液晶表示装置における輝点欠陥を修復する従来技術としては、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極との重なり部にレーザー照射し、ゲート絶縁膜が破壊されてゲート電極とドレイン電極が溶融し電気的に接続され、ドレイン電極に接続された画素電極を介して液晶には走査パルスが直流電圧として印加され、この結果ノーマリーホワイトモードでは暗表示となり、輝点欠陥を目立たなくしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、その他の点欠陥を修復する従来技術として、ゲート配線と画素電極とを接続すべくゲート配線と画素電極の重なり部を別途設け、画素電極とゲート配線をレーザー照射によって接続し、ゲート電圧を印加して白点の欠陥画素を黒点に転換して目立たなくしていた（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１０１１１号公報
【特許文献２】特許平９−１１３９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の従来の表示装置の輝点欠陥の修復方法では、ＴＦＴが形成された絶縁性基板と対向基板とを貼り合わせた後の状態で、輝点欠陥が検出されて修復を行う場合、ＴＦＴが形成された絶縁性基板の裏面側より、ドレイン電極とゲート配線との重なり部にレーザー照射を行うこととなるが、この場合重なり部の位置を明確に確認することが出来ず、レーザー照射を確実に行うことが困難であり、ゲート配線とドレイン電極とが確実に接続されず、欠陥を修復できないという問題点があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載の従来の表示装置の輝点欠陥の修復方法では、ゲート配線と画素電極に重なり部を設ける表示装置の場合は、レーザー照射位置は特定することができるが、ゲート配線と画素電極をレーザー照射により接続する方法は、画素電極は主に透明導電膜が用いられるため、レーザー照射時に画素電極が飛び散り、確実に接続できないという問題点があった。
【０００８】
また、ゲート配線と画素電極に重なり部を設ける特許文献２に記載の液晶表示装置の場合は、レーザー照射位置は特定することができるが、ゲート電極に画素電極との重なり部を設けているため、ゲート電極とドレイン電極と間の寄生容量（Ｃｇｄ）が増加してしまい、表示品質を低下させてしまうという問題点もあった。
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、点欠陥を有する表示装置において、画素の寄生容量の増加を抑制し、ＴＦＴが形成された絶縁性基板裏面側からでも正確に輝点欠陥を修正できるような画素構造を有する表示装置および表示装置の修復方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、欠陥画素を修復可能な表示装置に関し、映像信号線方向の隣接画素の画素電極と絶縁膜を介して重なり合う突起部を有する走査配線を備え、該走査配線の突起部と前記画素電極との重なり部において、ＴＦＴを形成するソース電極と同一層の導電膜で形成され且つ上記画素電極と接続された島状パターンとを備えるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、点欠陥を確実に修復可能な表示装置および表示装置の製造方法を得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１を図１〜図４により説明する。図１は本発明の実施の形態１における表示装置の略１画素の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ断面図、図３は本発明の実施の形態１における表示装置の修復方法を説明する略１画素の平面図、図４は図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【００１３】
図１、図２において、走査信号を入力する走査配線（ゲート配線）１と絶縁膜（ゲート絶縁膜）２を介し、且つ交差して映像信号線３が形成されている。映像信号線３は、一体して形成されたソース電極４を備えている。さらに、ソース電極４と対向して形成されたドレイン電極５は、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介してＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極８に接続されている。上記のソース電極、ドレイン電極および走査配線から形成されるゲート電極と図示せぬ半導体膜などによって、スイッチング素子であるＴＦＴ９が形成される。また、ドレイン電極５は、走査配線１に並行に、且つ画素電極８の一辺の端部を覆う延在部１０を備えている。さらに、走査配線１には、映像信号線方向に隣接する画素の画素電極８と、絶縁膜２を介して重なるように突起部１１が形成されている。該突起部１１は、上記隣接画素の画素電極８との重なり部において、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール１２によって透明導電膜８と接続された島状パターン１３を備えている。該島状パターン１３は、上述のように隣接画素の走査配線と一体形成された突起部と画素電極との間に形成されているため、開口率の低下を極力抑制することが可能となっている。なお、該突起部１１は、上述のように隣接する画素の画素電極と重なるように形成されているため、当該画素のゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量（Ｃｇｄ）を増加させることもない。
【００１４】
上記のように構成される画素における点欠陥画素の修復方法について、以下に図３、図４を用いて説明する。図３、図４において、図１、図２と同じ構成部分については同一の符号を付している。例えば製造工程中に発生した異物などによりＴＦＴ９が正常に動作しないなどのことにより、画素が所望の表示を行わない所謂欠陥画素が発生した場合、まず当該画素の画素電極８と隣接する画素の走査配線の突起部１１との重なり部に形成された島状パターン１３にレーザー照射を行う。この場合、レーザー照射は、ＴＦＴが形成された絶縁性基板（以下、アレイ基板という）と対向して配置される対向基板とを貼り合わせた後の状態においては、アレイ基板のＴＦＴが形成されていない裏面側からレーザー照射することが好ましいが、対向基板をまだ貼り合わせていないアレイ基板のみの状態においては、アレイ基板のＴＦＴが形成された面または形成されていない裏面側のどちらからレーザー照射してもよい。このようにレーザー照射することで、島状パターン１３と走査配線の突起部１１との間の絶縁膜２が破壊され、島状パターン１３と走査配線の突起部１１とが接続される（図３、図４における接続部１４参照）。
【００１５】
次に、ドレイン電極５において、画素電極８と接続される部分（図３におけるＸ−Ｘ部分）をレーザー照射にて切断する。このようにすることで、映像信号と走査信号とが短絡されることによる不具合を解消することができる。
【００１６】
上記のような構成とすることにより、製造工程中に発生した異物などにより発生した欠陥画素に、画素の開口率の低下を抑制しつつ、走査信号を常時印加することが可能となり、欠陥を確実に黒点化（暗表示化）することで目立たなくすることが可能となる。
【００１７】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２を図５〜図８により説明する。図５は本発明の実施の形態２における表示装置の略１画素の平面図、図６は図５におけるＣ−Ｃ断面図、図７は本発明の実施の形態２における表示装置の修復方法を説明する略１画素の平面図、図８は図７におけるＤ−Ｄ断面図である。図５〜図８において、図１〜図４と同じ構成部分については同一の符号を付しており、その差異について説明を行う。
【００１８】
図５、図６において、ドレイン電極の延在部１０に接続された半導体膜１５が、走査配線１と絶縁膜２を介して形成されている。該半導体膜１５は、走査配線１上まで延在して形成され、ソース電極４と同一層の導電膜から形成される島状パターン１６に接続されている。該島状パターン１６は、上述のように同一画素のドレイン電極の延在部から半導体膜を介して走査配線上に形成されているため、開口率の低下をさらに抑制することが可能となっている。
【００１９】
上記のように構成される画素における点欠陥画素の修復方法について、以下に図７、図８を用いて説明する。図７、図８において、図５、図６と同じ構成部分については同一の符号を付している。例えば製造工程中に発生した異物などによりＴＦＴ９が正常に動作しないなどのことにより、画素が所望の表示を行わない欠陥画素が発生した場合、まず当該画素の走査配線１と島状パターン１６との重なり部にレーザー照射を行う。この場合、実施の形態１と同様に、レーザー照射は、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせた後の状態においては、アレイ基板のＴＦＴが形成されていない裏面側からレーザー照射することが好ましいが、対向基板をまだ貼り合わせていない状態においては、アレイ基板のＴＦＴが形成された面または形成されていない裏面側のどちらからレーザー照射してもよい。このようにレーザー照射することで、島状パターン１６と走査配線１との間の絶縁膜２が破壊され、島状パターン１６と走査配線１とが接続される（図７、図８における接続部１７参照）。このことのより、走査配線１の電位が、島状パターン１６、半導体膜１５を介してドレイン電極の延在部１０に接続され、さらに図７におけるコンタクトホール７を経由して画素電極８に印加されることとなる。
【００２０】
次に、実施の形態１と同様に、ドレイン電極５において、画素電極８と接続される部分（図７におけるＸ−Ｘ部分）をレーザー照射にて切断する。このようにすることで、映像信号と走査信号とが短絡されることによる不具合を解消することができる。
【００２１】
上記のような構成とすることで、実施の形態１と同様に、製造工程中に発生した異物などにより発生した欠陥画素に、画素の開口率の低下をさらに抑制しつつ、走査信号を常時印加することが可能となり、欠陥を確実に黒点化（暗表示化）することで目立たなくすることが可能となる。
【００２２】
以上、本発明を上記実施の形態１、２により説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるのはいうまでもない。上記実施の形態１、２を、液晶を用いた表示装置に限らず、画素電極と各種信号線を有するあらゆる表示装置の修復に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１における表示装置の略１画素の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における表示装置の修復方法を説明する略１画素の平面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２における表示装置の略１画素の平面図である。
【図６】図５におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２における表示装置の修復方法を説明する略１画素の平面図である。
【図８】図７におけるＤ−Ｄ断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  走査配線、２  絶縁膜、３  映像信号線、４  ソース電極、５  ドレイン電極、６  層間絶縁膜、７  コンタクトホール、８  画素電極、９  ＴＦＴ、１０  ドレイン電極の延在部、１１  突起部、１２  コンタクトホール、１３  島状パターン、１４  接続部、１５  半導体膜、１６  島状パターン、１７  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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