(57)【要約】【課題】  特に、スライダと支持部材間の導通性を良好にでき、前記スライダに設けられた記録用及び／または再生用の薄膜素子の静電破壊を抑制することが可能な磁気ヘッド装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  装置４２により、スライダのスライダ接合面上に導電性樹脂を塗布した後、さらに前記装置４２により前記導電性樹脂膜４０下の絶縁層４１に電圧を印加する。これにより前記絶縁層４１が絶縁破壊する。このため前記導電性樹脂膜４０と前記舌片２４ａ間の導通性は良好になり、よって支持部材とスライダ間の導通性は向上し、従来に比べて薄膜素子の静電破壊（ＥＳＤ）を効果的に抑制できる磁気ヘッド装置を提供することができる。【選択図】図６
2007080510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録用、あるいは、再生用、又は、記録用び再生用の薄膜素子を有するスライダと、前記スライダを支持する支持部材とを有して成り、前記支持部材はフレキシャとロードビームからなり、前記フレキシャのスライダ接合面の少なくとも一部に導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する磁気ヘッド装置の製造方法において、
前記スライダ接合面上に形成された絶縁層上の少なくとも一部に前記導電性樹脂膜を塗布する工程、
電圧印加が可能な装置の先端部を、前記スライダ接合面から上方に離した状態で、前記導電性樹脂膜上に当接させ、前記導電性樹脂膜を通して前記導電性樹脂膜下の絶縁層に電圧を印加して前記絶縁層を絶縁破壊する工程、
前記スライダ接合面上に前記導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する工程と
を、有することを特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電性樹脂膜は樹脂内に導電フィラーが混入されたものであり、前記電圧印加によって前記導電フィラー間を絶縁破壊する請求項１記載の磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項３】
前記電圧印加を行う前に、前記導電性樹脂膜を乾燥工程に付する請求項１または２に記載の磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項４】
記録用、あるいは、再生用、又は、記録用び再生用の薄膜素子を有するスライダと、前記スライダを支持する支持部材とを有して成り、前記支持部材はフレキシャとロードビームからなり、前記フレキシャのスライダ接合面の少なくとも一部に導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する磁気ヘッド装置の製造方法において、
前記導電性樹脂膜の塗布と電圧印加の両方が可能な装置を用い、前記装置のノズル部を前記スライダ接合面上に形成された絶縁層の表面に当接させて、前記絶縁層の一部の領域を絶縁破壊する工程、
前記装置のノズル部を前記スライダ接合面上から上方に離し、前記絶縁破壊された領域上に前記ノズル部により前記導電性樹脂膜を塗布する工程、
前記スライダ接合面上に前記導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する工程。
を、有することを特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項５】
前記スライダを接合するよりも前の段階で、前記導電性樹脂膜とは別の接着剤を前記絶縁層上に塗布し、その後、前記スライダを前記スライダ接合面上に、前記導電性樹脂膜及び別の接着剤を介して接合する請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッド装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置に係り、特に、スライダと支持部材間の導通性を良好にでき、前記スライダに設けられた記録用及び／又は再生用の薄膜素子の静電破壊を抑制することが可能な磁気ヘッド装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置等に搭載される磁気ヘッド装置は、例えば図２１に示す構成で形成される。
【０００３】
前記磁気ヘッド装置は、スライダ１とこれを支持する支持部材２とを有して構成される。
【０００４】
前記スライダ１はセラミック材などで形成されている。また図２１に示すように前記スライダ１のトレーリング側には記録及び／または再生用の薄膜素子３が設けられている。
【０００５】
前記支持部材２はロードビーム４とフレキシャ５とから構成されている。前記ロードビーム４はステンレスなどの板ばね材からなり、その先端付近には両側に折曲部４ａが形成され、この部分が剛性を有する構造となっている。また図示しない前記ロードビーム４の基部では所定の弾性押圧力を発揮できるものとなっている。
【０００６】
図２１に示すように、前記ロードビーム４の先端付近には、前記フレキシャ５方向に向けて突出するピボット６が形成され、このピボット６に前記フレキシャ５を介して前記スライダ１が当接される。
【０００７】
前記フレキシャ５は例えば固定部５ａと舌片５ｂとで構成される。前記固定部５ａと舌片５ｂとはトレーリング側で連結されるが、前記舌片５ｂは、前記固定部５ａとの連結部を除いて前記固定部５ａから分離しており、そのリーディング側が自由端となっている。前記固定部５ａは前記ロードビーム４の裏面に接着剤等で接合され、一方、舌片５ｂは前記ピボット６下に自由状態で配置され、前記舌片５ｂ下に前記スライダ１が接着層８を介して接合されている。
【０００８】
前記舌片５ｂと前記スライダ１間に介在する接着層８は、例えば熱硬化性接着剤や導電性樹脂などで構成される。
【０００９】
ここで前記導電性樹脂を前記舌片５ｂと前記スライダ１間に介在させる理由は、前記スライダ１に摩擦等により帯電した静電気を前記導電性樹脂を介して支持部材２側に逃がすためである。
【００１０】
図２２は、前記スライダ１を前記舌片５ｂ上に接合する前の段階を示す部分拡大断面図である。
【００１１】
図２２に示すように、前記舌片５ｂ上に部分的に導電性樹脂膜９を塗布し、図示しない熱硬化性樹脂等も前記舌片５ｂ上に塗布した後、前記舌片５ｂ上に前記スライダ１を載置し、その後、加熱処理等を行って、前記スライダ１を前記舌片５ｂ上に接合する。
【００１２】
図２２に示すように、前記舌片５ｂ上には自然酸化などによる絶縁層１０が設けられている。従って前記導電性樹脂膜９は前記絶縁層１０上に塗布されることになる。
ここで前記導電性樹脂について記載がある文献を以下に挙げる。
【特許文献１】特開平９−２２５１８号公報
【特許文献２】特開２００２−３４３０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで後述する実験によれば、前記スライダ１と支持部材２間に例えば０．５Ｖ以下の低い電圧を印加してもそのときの抵抗値は数ＭΩという非常に高い値を示し、すなわち前記スライダ１と支持部材２間の導通性が非常に悪いことがわかった。
【００１４】
それは図２２に示すように前記舌片５ｂ上に絶縁層１０が設けられているからである。このため前記舌片５ｂとスライダ１間に導電性樹脂膜９を介在させても前記スライダ１と舌片５ｂ間が良好に通電せず、スライダ１に帯電した静電気を効果的に前記支持部材２側に逃すことができない。
【００１５】
その結果、図２１のように前記スライダ１が記録媒体Ｄ上を短いスペーシングで浮上しているときに、前記スライダ１と記録媒体Ｄ間に電位差が生じると、前記スライダ１から前記記録媒体Ｄに放電、すなわちスライダ１と記録媒体Ｄ間が短絡してしまい、前記薄膜素子３に過電流が流れて前記薄膜素子３が静電破壊（ＥＳＤ）を起こすといった不具合があった。
【００１６】
上記した特許文献１及び特許文献２には、導電性樹脂に関する記載があるものの両方の文献はいずれも、前記導電性樹脂膜９下に形成された絶縁層１０について論じられておらず、如何にして前記導電性樹脂膜９と絶縁層１０とを介した前記スライダ１と舌片５ｂ間の導通性を確保するかについて開示されていない。
【００１７】
そこで本発明は上記問題点を解決するためのものであり、特に、スライダと支持部材間の導通性を良好にでき、前記スライダに設けられた記録用及び／または再生用の薄膜素子の静電破壊を抑制することが可能な磁気ヘッド装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、記録用、あるいは、再生用、又は、記録用び再生用の薄膜素子を有するスライダと、前記スライダを支持する支持部材とを有して成り、前記支持部材はフレキシャとロードビームからなり、前記フレキシャのスライダ接合面の少なくとも一部に導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する磁気ヘッド装置の製造方法において、
前記スライダ接合面上に形成された絶縁層上の少なくとも一部に前記導電性樹脂膜を塗布する工程、
電圧印加が可能な装置の先端部を、前記スライダ接合面から上方に離した状態で、前記導電性樹脂膜上に当接させ、前記導電性樹脂膜を通して前記導電性樹脂膜下の絶縁層に電圧を印加して前記絶縁層を絶縁破壊する工程、
前記スライダ接合面上に前記導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する工程と
を、有することを特徴とするものである。
【００１９】
本発明では、前記導電性樹脂膜の下にある前記絶縁層を絶縁破壊させることで、前記導電性樹脂膜と前記支持部材間の導通性を良好にでき、スライダと支持部材間の導通性を従来に比べて向上させることが可能である。
【００２０】
また本発明では特に、スライダと支持部材との接合工程の前に、前記絶縁層を絶縁破壊させるため、絶縁破壊工程の影響が前記スライダに設けられた薄膜素子に及ぶことはなく、前記薄膜素子の記録及び／又は再生特性を良好に保ち得る。
【００２１】
また本発明では、前記導電性樹脂膜を塗布した後、前記導電性樹脂膜下にある絶縁層に電圧を印加して前記絶縁層を絶縁破壊するから、簡単な方法にて前記絶縁層を絶縁破壊させることができる。特に上記の製造方法によれば、前記スライダを前記支持部材に接合する前に、電圧印加によって前記導電性樹脂膜下にある絶縁層を絶縁破壊させているから、仮にスライダを支持部材に接合した後、電圧印加した場合に生ずると予測される薄膜素子の不具合（特性劣化）をそもそも生じさせることがない。
【００２２】
本発明では、前記導電性樹脂膜は樹脂内に導電フィラーが混入されたものである場合、前記電圧印加によって前記導電フィラー間をより確実に絶縁破壊させることもできる。
【００２３】
また上記のように前記導電性樹脂膜を通して絶縁層に電圧を印加する方法では、前記電圧印加を行う前に、前記導電性樹脂膜を乾燥工程に付することが好ましい。
【００２４】
また本発明は、記録用、あるいは、再生用、又は、記録用び再生用の薄膜素子を有するスライダと、前記スライダを支持する支持部材とを有して成り、前記支持部材はフレキシャとロードビームからなり、前記フレキシャのスライダ接合面の少なくとも一部に導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する磁気ヘッド装置の製造方法において、
前記導電性樹脂膜の塗布と電圧印加の両方が可能な装置を用い、前記装置のノズル部を前記スライダ接合面上に形成された絶縁層の表面に当接させて、前記絶縁層の一部の領域を絶縁破壊する工程、
前記装置のノズル部を前記スライダ接合面上から上方に離し、前記絶縁破壊された領域上に前記ノズル部により前記導電性樹脂膜を塗布する工程、
前記スライダ接合面上に前記導電性樹脂膜を介して前記スライダを接合する工程。
を、有することを特徴とするものである。
【００２５】
本発明では、前記スライダを接合するよりも前の段階で、前記導電性樹脂膜とは別の接着剤を前記絶縁層上に塗布し、その後、前記スライダを前記スライダ接合面上に、前記導電性樹脂膜及び別の接着剤を介して接合することが、前記スライダと支持部材間の接合強度を高めることができる上で好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、導電性樹脂膜下にある絶縁層を絶縁破壊させる結果、導電性樹脂膜と支持部材間の導通性を良好にでき、よって前記支持部材とスライダ間の導通性を向上させることができ、従来に比べて薄膜素子の静電破壊（ＥＳＤ）を効果的に抑制できる磁気ヘッド装置を提供することができる。
【００２７】
また本発明によれば、非常に簡単な方法にて前記絶縁層を絶縁破壊させることができるとともに、前記スライダを前記支持部材に接合する前に、前記導電性樹脂膜下にある絶縁層を絶縁破壊させているから、仮にスライダを支持部材に接合した後、絶縁破壊させた場合に生ずると予測される薄膜素子の不具合（特性劣化）がそもそも生じ得ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、磁気ヘッド装置の全体構造を示す部分斜視図、図２は前記磁気ヘッド装置の先端付近のみを拡大した前記磁気ヘッド装置の部分拡大側面図である。
【００２９】
図１に示すように前記磁気ヘッド装置２０は、スライダ２１と前記スライダ２１を支持する支持部材２２とを有して構成される。
【００３０】
前記支持部材２２は、ステンレス等の板ばね材からなるロードビーム２３と、その先部に設けられた薄いステンレス等の板ばね材からなるフレキシャ２４とを有して構成される。
【００３１】
図１に示すように前記ロードビーム２３の両側には、折曲部２３ａ，２３ａが形成され、この部分が剛性を有する構造となっており、折曲部２３ａが形成されていないロードビーム２３の基端部２３ｂにて所定の弾性押圧力を発揮できるものとなっている。また前記ロードビーム２３の基端部２３ｂからはマウント部２３ｃが設けられており、前記マウント部２３ｃが所定のディスク装置側の取付面に取り付けられることによって、前記磁気ヘッド装置２０が前記ディスク装置内に搭載される。
【００３２】
前記スライダ２１は例えばアルミナチタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）などのセラミック材料で形成されている。
【００３３】
図２に示すように前記スライダ２１のトレーリング側には、例えば再生磁気機能部である磁気抵抗効果を利用した薄膜再生素子、及び記録磁気機能部であるインダクティブ型の薄膜記録素子を有する薄膜素子２５が設けられている。なお前記薄膜素子２５は、薄膜再生素子のみ、あるいは薄膜記録素子のみで構成されていてもよい。
【００３４】
前記フレキシャ２４は、舌片２４ａと固定部２４ｂとで構成される。図３（フレキシャのスライダ接合面側を上にして示した部分平面図）に示すように前記舌片２４ａはトレーリング側で前記固定部２４ｂに連結されているが、前記舌片２４ａの側部側及びリーディング側には切り欠き部２４ｃが形成され、前記固定部２４ｂから分離しており、前記舌片２４ａのリーディング側は自由端となっている。
【００３５】
図２に示すように前記固定部２４ｂは前記ロードビーム２３の下面に接着固定されるものの、前記舌片２４ａは、前記ロードビーム２３から下方に突き出すピボット２６下に当接し自由状態にされている。そして前記スライダ２１は前記舌片２４ａの下面（スライダ接合面）に接合されて、前記ピボット２６を支点としてピッチ及びロール方向に揺動できるようになっている。
【００３６】
前記スライダ２１のトレーリング側端面には前記薄膜素子２５から引き出された電極端子部（図示しない）が設けられ、前記舌片２４ａの下面にはロードビーム２３から延びる導電パターン（図示しない）が前記電極端子部と対向する位置まで延出形成されており、前記電極端子部と前記導電パターンとが例えば金（Ａｕ）のボールボンディングなどによる接合部材２７によって接合されている。
【００３７】
図１及び図２に示す磁気ヘッド装置２０は、例えばＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式のハードディスク装置に使用される。ＣＳＳ方式では、最初、前記スライダ２１は、前記支持部材２２により記録媒体Ｄの記録面に対して弱い弾性力で付勢されている。すなわちスタート時にスライダ２１が記録媒体Ｄ上に接触しており、前記記録媒体Ｄの始動と同時に記録媒体Ｄ表面に生じる空気流によりスライダ２１に浮上力が作用し、前記スライダ２１はリーディング側がトレーリング側より記録媒体Ｄ表面から持ち上げられるとともに、前記トレーリング側が記録媒体Ｄからわずかに浮上した傾斜姿勢となり記録媒体Ｄ表面を走査する（図２）。
【００３８】
図２に示すように、前記スライダ２１は、前記フレキシャ２４の舌片２４ａの下面（スライダ接合面）に接着層３０を介して接合されている。
【００３９】
図２に示す実施形態では、前記接着層３０には、少なくとも導電性樹脂が含有されている。
【００４０】
図３ないし図７及び図１３を用いて、前記スライダ２１とフレキシャ２４の舌片２４ａ間の第１の接合方法を説明する。
【００４１】
まず図１及び図２に示すロードビーム２３とフレキシャ２４とを位置合わせして接合した後、図３に示すように、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に導電性樹脂膜４０を部分的に塗布する。前記導電性樹脂膜４０の塗布の場所は任意であるが、前記スライダ接合面２４ａ１は平坦化面であるため、前記スライダ接合面２４ａ１の広い範囲を前記導電性樹脂膜４０の塗布領域として使用できる。
【００４２】
図３では、前記導電性樹脂膜４０を前記スライダ接合面２４ａ１のちょうど中心付近にのみ塗布している。
【００４３】
前記導電性樹脂膜４０には、例えばエポキシ系、フェノール系、ウレタン系などの熱硬化性のバインダー樹脂に、銀、銅あるいは金などの導電性フィラーが混入されたもの、あるいはアクリル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ナイロン系等の熱可塑性のバインダー樹脂に、上記の導電性フィラーが混入されたものを使用できる。
【００４４】
前記導電性樹脂膜４０の塗布は、前記導電性樹脂膜４０の塗布と後述する電圧印加の双方が可能な装置を用いて行う。
【００４５】
図４は、図３に示すちょうど前記導電性樹脂膜４０が塗布された付近の舌片２４ａをＡ−Ａ線から切断し、その切断面を矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００４６】
図４に示すように、装置４２のノズル部４３の先端から前記舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に導電性樹脂膜４０を塗布する。
【００４７】
図４に示すように、前記舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上には自然酸化などによって得られた絶縁層４１が形成されている。これは、前記フレキシャ２４を、ロードビーム２３にように製造工程中に固定部材によって掴んだりあるいは何等かの方法で酸化等から保護する手段をとりにくいからである。前記フレキシャ２４は非常に薄い板ばねでちょっとしたことで損傷を受けたり曲がってしまったり不具合を生じやすい。前記フレキシャ２４は後にスライダ２１が接合される部分であるから上記のような不具合が生じてはならず、従って前記フレキシャ２４には自然酸化などによる絶縁層４１が形成されやすい状態となっている。前記絶縁層４１の膜厚は概ね１００Å程度である。なお前記絶縁層４１は意図的に形成されたものであってもよい。
図４に示すように前記導電性樹脂膜４０は前記絶縁層４１上に部分的に塗布される。
【００４８】
次に、図５のように、前記ノズル部４３を前記導電性樹脂膜４０下にある絶縁層４１の表面にまで押付ける。これにより前記導電性樹脂膜４０は、潰されて前記ノズル部４３の側面周囲に広がった状態になる。
【００４９】
そして次工程で、前記ノズル部４３下にある絶縁層４１を絶縁破壊する。具体的には図５及び図６（図５の縮小図）のように、前記ノズル部（例えば出力端子として機能する）４３を前記絶縁層４１の表面に押付けるとともに、前記装置４２のもう一方の端子４４（例えば入力端子）側を前記支持部材２２の一部位（例えばロードビーム２３のマウント部２３ｃ）上に当接させる。
【００５０】
上記したように前記装置４２は、電圧印加も行える装置であり、よって前記ノズル部４３は導電性樹脂膜４０の塗布口とともに電圧印加のための端子部としても機能している。
【００５１】
なお前記端子４４の先端部が当接するマウント部２３ｃ上には絶縁層は無く（あるいは前記絶縁層があっても薄すぎてスルーホールなどにより絶縁機能がほとんど発揮されず）、前記端子４４とマウント部２３ｃ間の導通性は十分に確保されている。なお図６に示す回路では支持部材２２がグランドとなる。
【００５２】
ここで前記ノズル部４３と端子４４との間に例えば４Ｖ程度の電圧（電流値は１００ｍＡ程度）を生じさせる。この程度の電圧が前記絶縁層４１に印加される少なくとも前記ノズル部４３下にある前記絶縁層４１の領域４１ａが絶縁破壊する（図５）。
【００５３】
前記絶縁破壊した領域４１ａでは、クラック、溶解あるいは導電性樹脂膜４０内に含まれている導電性フィラーの流入などが生じているものと考えられる。
【００５４】
そして前記ノズル部４３を前記絶縁層４１の表面から上方に引き離す。前記導電性樹脂膜４０はまだこの時点では硬化させられていないため、前記ノズル部４３が上方に向けて導電性樹脂膜４０から離れると、図５の時点で前記ノズル部４３の側面周囲に広がっていた導電性樹脂膜４０は一つにまとまり、図７に示すように前記絶縁破壊した領域４１ａ上を前記導電性樹脂膜４０が覆う状態となる。
【００５５】
次に図１３に示す工程で、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に、熱硬化性接着剤やＵＶ硬化接着剤などの前記導電性樹脂膜４０とは異なる接着剤６０を塗布する。塗布する場所は前記スライダ接合面２４ａ１上であれば自由である。
【００５６】
そして前記スライダ接合面２４ａ１上にスライダ２１を位置合わせして載せ、加熱や紫外線照射により前記スライダ２１を前記スライダ接合面２４ａ１上に接合する。
【００５７】
次に、図８ないし図１０及び図１３を用いて、前記スライダ２１とフレキシャ２４の舌片２４ａ間の第２の接合方法を説明する。第２の接合方法では、前記導電性樹脂膜４０の塗布と、電圧印加とが別々の装置を用いて行われる。
【００５８】
まず図８工程では、図示しない塗布装置を用い、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に導電性樹脂膜４０を部分的に塗布する。図８に示すように前記スライダ接合面２４ａ１上には自然酸化などによる絶縁層４１が形成されているから、前記導電性樹脂膜４０は前記絶縁層４１上に部分的に塗布されることになる。
【００５９】
次に前記導電性樹脂膜４０の表面を乾燥させて、若干、前記導電性樹脂膜４０の表面を硬化させる。この乾燥工程は、空気の吹き付けや低温での加熱で行われる。加熱は高温で且つ時間が長いと前記導電性樹脂膜４０全体が硬化してしまうから、低温で加熱時間も短くして、前記導電性樹脂膜４０の表面のみが若干硬化する程度にする。
【００６０】
次工程では、前記導電性樹脂膜４０の下にある絶縁層４１を絶縁破壊する。
具体的には図８及び図９（図５の部分拡大断面図）のように、前記導電性樹脂膜４０上に電圧印加装置（耐電圧測定機）５０の第１の端子（例えば出力端子）５１側を当接させ、第２の端子（例えば入力端子）５２側を前記支持部材２２の一部位（例えばロードビーム２３のマウント部２３ｃ）上に当接させる。
【００６１】
ここで前記第１の端子５１の先端部５１ａを図６のように前記導電性樹脂膜４０上に当接させるが、上記したように前記導電性樹脂膜４０の表面は若干硬化させられているため、前記第１の端子５１の先端部５１ａに前記導電性樹脂膜４０が付着することはない。このため製造ライン上に舌片２４ａ上に導電性樹脂膜４０が塗布された支持部材２２が多数配置されており、各導電性樹脂膜４０に対し次々に電圧印加を行う場合に、前記第１の端子５１の先端部５１ａに付着した導電性樹脂膜４０をわざわざふき取るといった工程が必要なくなり、多数並べられた前記支持部材２２上の導電性樹脂膜４０上に短い時間間隔で効率良く電圧印加を行うことができる。
【００６２】
そして前記端子５１、５２間に例えば４Ｖ程度の電圧（電流値は１００ｍＡ程度）を生じさせる。この程度の電圧が前記導電性樹脂膜４０と支持部材２２間に印加されると、前記導電性樹脂膜４０と、ちょうどその真下にある舌片２４ａ間が前記絶縁層４１を介して短絡し、前記導電性樹脂膜４０と舌片２４ａ間に挟まれた絶縁層４１の領域４１ａが絶縁破壊する（図１０）。
【００６３】
前記絶縁破壊した領域４１ａでは、クラック、溶解あるいは導電性樹脂膜４０内に含まれている導電性フィラーの流入などが生じているものと考えられる。
【００６４】
また前記導電性樹脂膜４０は例えば樹脂内に導電性フィラーが混入されたものであるが、前記導電性樹脂膜４０の種類によっては、前記導電性樹脂膜４０も塗布した段階では導通性がさほどよくない場合がある。
【００６５】
そこで図９及び図１０に示すように前記導電性樹脂膜４０と支持部材２２間に電圧を印加すれば、前記絶縁層４１が絶縁破壊を起こすとともに、前記導電性樹脂膜４０内の導電性フィラー間でも適度に絶縁破壊が生じ、前記導電性樹脂膜４０の導通性をより優れたものに出来ると考えられる。ただし、前記導電性樹脂膜４０がそもそも導電性に優れた材質であれば、前記導電性樹脂膜４０に電圧を印加する必然性は無くなり、よってかかる場合、第１の接合方法を用いてスライダ２１と支持部材２２間の接合を行う方がより簡単な方法で前記接合を行うことが可能にある。
【００６６】
そして図１３に示す工程で、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に、熱硬化性接着剤やＵＶ硬化接着剤などの前記導電性樹脂膜４０とは異なる接着剤６０を塗布する。塗布する場所は前記スライダ接合面２４ａ１上であれば自由である。そして前記スライダ接合面２４ａ１上にスライダ２１を位置合わせして載せ、加熱や紫外線照射により前記スライダ２１を前記スライダ接合面２４ａ１上に接合する。
【００６７】
次に、図１１ないし図１３を用いて、前記スライダ２１とフレキシャ２４の舌片２４ａ間の第３の接合方法を説明する。
【００６８】
図１１に示す工程では、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に形成された絶縁層４１の一部の領域４１ａを絶縁破壊する。前記絶縁破壊には例えば図９と同じ装置５０を用い、前記装置５０の第１の端子５１を前記絶縁層４１の表面に当接させて前記絶縁層４１に例えば４Ｖ程度の電圧を印加する。これにより電圧が印加された領域４１ａの絶縁層４１は絶縁破壊を起こす。
【００６９】
次に図１２に示す工程では、前記絶縁破壊を生じた領域４１ａ上に導電性樹脂膜４０を塗布する。
【００７０】
そして図１３に示す工程で、前記フレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に、熱硬化性接着剤やＵＶ硬化接着剤などの前記導電性樹脂膜４０とは異なる接着剤６０を塗布する。塗布する場所は前記スライダ接合面２４ａ１上であれば自由である。そして前記スライダ接合面２４ａ１上にスライダ２１を位置合わせして載せ、加熱や紫外線照射により前記スライダ２１を前記スライダ接合面２４ａ１上に接合する。
【００７１】
なお図１１工程では、図９に示す電圧印加専用の装置５０を用いて、前記絶縁層４１を絶縁破壊すると説明したが、導電性樹脂膜４０の塗布と電圧印加の双方が可能な図６に示す装置４２を用い、まず図１１工程で前記装置４２により電圧印加を行った後、前記装置４２のノズル部４３を上方に若干離して前記導電性樹脂膜４０を絶縁破壊された絶縁層４１上に塗布してもよい。図６に示す装置４２を用いた方が、電圧印加と導電性樹脂膜４０の双方が同じ装置で行うことができるから、電圧印加によって絶縁破壊された絶縁層４１上に確実に前記導電性樹脂膜４０を塗布できて好ましい。
【００７２】
以上３つの製造方法を説明したが、３つの製造方法の全てにおける特徴点は、、スライダ２１を支持部材２２に接合する前に、前記支持部材２２を構成するフレキシャ２４の舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１上に塗布された導電性樹脂膜４０と前記舌片２４ａ間に電圧を印加し、導電性樹脂膜４０と前記舌片２４ａ間にある絶縁層４１を絶縁破壊する点にある。すなわちスライダ２１を支持部材２２に接合した後に上記した電圧印加を行っていないから、スライダ２１に設けられた薄膜素子２５に電圧印加による素子破壊等の不具合が生じ得ない。
【００７３】
上記した本発明の製造方法の特徴点の二つ目は、前記導電性樹脂膜４０下にある前記絶縁層４１を部分的に絶縁破壊できる点にある。本発明では、前記スライダ接合面２４ａ１上に形成された絶縁層４１を全体的に絶縁破壊してもかまわないが、前記導電性樹脂膜４０下にある前記絶縁層４１を部分的に絶縁破壊することも可能である。その結果、前記導電性樹脂膜４０下に位置しない前記絶縁層４１は、そのまま絶縁性の高い層として機能し、前記導電性樹脂膜４０下以外の領域では、前記スライダ２１とフレキシャ２４間が絶縁状態を確保でき、予期しない場所での前記スライダ２１とフレキシャ２４間の短絡を抑制できる。
【００７４】
上記した本発明の製造方法の特徴点の三つ目は、非常に簡単な方法で、前記導電性樹脂膜４０下にある前記絶縁層４１を絶縁破壊できる点にある。上記で説明した製造方法では、前記絶縁層４１に電圧を印加して前記絶縁層４１を絶縁破壊させているだけであるから絶縁破壊方法が非常に簡単である。
【００７５】
また主に図４ないし図７を用いて説明した第１の製造方法では、前記導電性樹脂膜４０の塗布と電圧印加とを同じ装置４２を用いて行うことが可能であり、製造工程の簡略化及び製造時間の短縮化を図ることが出来る。
【００７６】
また前記導電性樹脂膜４０の塗布と電圧印加とを同じ装置４２を用いて行えば、前記導電性樹脂膜４０の塗布と電圧印加とを別々の装置で行った第２の接合方法（主に図８ないし図１０）のように、前記導電性樹脂膜４０の表面を仮硬化させる必要も無く、製造工程を非常に簡略化できる。
【００７７】
一方、主に図８ないし図１０を用いて説明した第２の接合方法では、特に前記導電性樹脂膜４０が塗布時点でさほど導電性に優れた材質でない場合、前記導電性樹脂膜４０の内部も効果的に絶縁破壊せしめるため、前記導電性樹脂膜４０そのものの導電性をより良好なものにできる。特に前記導電性樹脂膜４０に樹脂内に導電性フィラーを混入させたものを使用した場合、前記電圧印加により前記導電性フィラー間に効果的に絶縁破壊を生ぜしめ、前記導電性樹脂膜４０そのものの導電性を高めることができる。
【００７８】
上記製造方法によって形成された磁気ヘッド装置２０では、前記舌片２４ａのスライダ接合面２４ａ１の表面には絶縁層４１が形成され、前記絶縁層４１は少なくとも一部の領域４１ａで絶縁破壊を起こしており、前記絶縁破壊を起こした領域４１ａ上に前記導電性樹脂膜４０が形成された構成となる（図１４）。
【００７９】
このように前記導電性樹脂膜４０は絶縁破壊された領域４１ａの上に形成されているため、前記導電性樹脂膜４０と前記舌片２４ａ間の導通性は良好であり、よって前記舌片２４ａとスライダ２１間の導通性は向上し、前記スライダ２１に帯電した静電気を前記導電性樹脂膜４０及び絶縁破壊された領域４１ａを介して前記支持部材２２側に逃がしやすくなり、従来に比べて薄膜素子２５の静電破壊（ＥＳＤ）が抑制された磁気ヘッド装置２０を提供することができる。
【００８０】
また本発明では、前記導電性樹脂膜４０は導電性を発揮するものであればその材質や内部構造等に特に限定はないが、特に前記導電性樹脂膜４０が樹脂内に導電性フィラーが混入されたもので導電性樹脂膜４０の塗布段階での導電性がさほど良好でない場合には、上記した第２の接合方法によれば、前記導電性フィラー間にも絶縁破壊を生ぜしめ、前記導電性樹脂膜４０そのものの導電性をより効果的に向上させることができる。
【００８１】
そして後述する実験結果によれば、前記スライダ２１と支持部材２２との間に０．５Ｖ以下の電圧を印加したときの抵抗値を１００Ω以下にできる。この１００Ω以下という抵抗値は、導電性樹脂膜４０下にある絶縁層４１を絶縁破壊していない従来例（比較例）に比べて、飛躍的に低い数値であり、０．５Ｖ以下の低い電圧値でも前記スライダ２１と支持部材２２間が適切に導通していることを意味する。よって実使用時において、本発明の磁気ヘッド装置２０であれば、スライダ２１と、記録媒体Ｄとの間に電位差が生じてもスライダ２１から導電性樹脂膜４０を経て支持部材２２側に電荷を効率良く逃がすことができ、薄膜素子２５に静電破壊が起こることを効果的に抑制することが可能になる。
【実施例】
【００８２】
図１５は、上記第１の接合方法を用いてスライダ２１と支持部材２２とを接合した２つの磁気ヘッド装置２０を用い、前記磁気ヘッド装置を構成するスライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（実施例１）、図１６は、上記第３の接合方法を用いてスライダ２１と支持部材２２とを接合した２つの磁気ヘッド装置２０を用い、前記磁気ヘッド装置を構成するスライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（実施例２）、図１７は、上記第２の接合方法を用いてスライダ２１と支持部材２２とを接合した５つの磁気ヘッド装置２０を用い、前記磁気ヘッド装置を構成するスライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（実施例３）、図１８は、従来技術（図９、図１０）と同様に、フレキシャの舌片とスライダ間に導電性樹脂膜を介在させるとともに、前記導電性樹脂膜下にある絶縁層を絶縁破壊していない５つの磁気ヘッド装置を用い、前記磁気ヘッド装置を構成するスライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（比較例１）である。
【００８３】
図１８の比較例１に示すように５つの磁気ヘッド装置はいずれも電圧値が０．５Ｖ以下では、約１０６Ω以上の高い抵抗値を有している。電圧値を徐々に上げていくと各磁気ヘッド装置はいずれもある電圧値で前記抵抗値が急激に低下し、抵抗値が１００Ω以下の低い数値になる。
【００８４】
各磁気ヘッド装置の導電性樹脂膜と舌片間は、０．５Ｖ以下の低い電圧値では、導電性樹脂膜と舌片間にある絶縁層のために短絡状態せず、非常に高い抵抗値を持ってしまうことがわかった。しかし徐々に電圧値を上げていくと、ある時点で導電性樹脂膜と舌片間が短絡し、１００Ω以下という低い抵抗値となった。
【００８５】
一方、図１５、図１６及び図１７の各実施例では、前記磁気ヘッド装置はいずれも電圧値が０．５Ｖ以下でも、１００Ω以下の低い抵抗値となることがわかった。これは、導電性樹脂膜と舌片間にある絶縁層が絶縁破壊されているために短絡状態にあるからであり、このため０．５Ｖ以下の低い電圧値であっても１００Ω以下という低い抵抗値を得ることができた。
【００８６】
図１９は、図１７の実験で用いた各磁気ヘッド装置を、さらに洗浄工程に付した後の各磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（実施例４）、図２０は、図１８で説明した各磁気ヘッド装置を、さらに洗浄工程に付した後の各磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧値と、そのときの抵抗値との関係を示すグラフ（比較例２）である。
【００８７】
図２０の比較例２では各磁気ヘッド装置に対し洗浄工程を施すと、電圧値を１．５Ｖ程度まで上げないと、抵抗値が１００Ω程度にまで低下しないことがわかった。一方、図１９の実施例４では、各磁気ヘッド装置に対し洗浄工程を施すと図１７に比べて若干抵抗値が高くなるサンプルが見られたが、ほぼ全ての磁気ヘッド装置において１００Ω以下の低い抵抗値となることがわかった。
【００８８】
この実験結果から、導電性樹脂膜の下にある絶縁層に絶縁破壊を生じさせれば、低い電圧値（具体的には０．５Ｖ以下）であっても非常に低い抵抗値（具体的には１００Ω以下）を得ることができ、よって実使用時において、実施例の磁気ヘッド装置であれば、スライダと、記録媒体との間に電位差が生じてもスライダから導電性樹脂膜を経て支持部材側に電荷を効率良く逃がすことができ、薄膜素子に静電破壊が起こることを効果的に抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】磁気ヘッド装置の部分斜視図、
【図２】図１に示す磁気ヘッド装置の先端付近を拡大した部分拡大側面図、
【図３】スライダとフレキシャ間の接合方法を説明するためのスライダ接合面を上向きにしたフレキシャの部分平面図、
【図４】第１の接合方法を説明するためのものであり、ノズル部と舌片との部分拡大断面図、
【図５】図４の次の工程を説明するための部分拡大断面図、
【図６】図５と同じ工程図を縮小した図であり、電圧印加のための装置と支持部材との部分側面図、及び回路図、
【図７】図５及び図６の次に行われる工程を説明するための部分拡大断面図、
【図８】第２の接合方法を説明するためのものであり、舌片の部分拡大断面図、
【図９】図８の次に行われる工程を説明するための電圧印加のための装置と支持部材との部分側面図、及び回路図、
【図１０】図９の部分拡大断面図、
【図１１】第３の接合方法を説明するためのものであり、舌片と電圧印加装置の端子の部分拡大断面図、
【図１２】図１１の次に行われる工程を説明するための舌片の部分拡大断面図、
【図１３】図７、図１０、及び図１２の次工程を説明するためのものであり、スライダ接合面を上向きにしたフレキシャの部分平面図、
【図１４】磁気ヘッド装置の、特にフレキシャの舌片とスライダ付近を拡大した部分拡大断面図、
【図１５】第１の接合方法で接合された磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図１６】第２の接合方法で接合された磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図１７】第３の接合方法で接合された磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図１８】絶縁破壊工程を施さない磁気ヘッド装置を用い、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図１９】第２の接合方法で接合された磁気ヘッド装置をさらに洗浄工程に付した後における、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図２０】図１８の実験に使用された磁気ヘッド装置をさらに洗浄工程に付した後における、スライダと支持部材間に印加した電圧の大きさと抵抗値との関係を示すグラフ、
【図２１】従来における磁気ヘッド装置の部分側面図、
【図２２】従来における、スライダとフレキシャの舌片間の接合方法を説明するための部分拡大断面図、
【符号の説明】
【００９０】
２０  磁気ヘッド装置
２１  スライダ
２２  支持部材
２３  ロードビーム
２４  フレキシャ
２４ａ  舌片
２４ｂ  固定部
２５  薄膜素子
４０  導電性樹脂膜
４１  絶縁層
４１ａ  絶縁破壊された領域
４２  装置
４３  ノズル部
４４  端子
５０  電圧印加装置
５１  第１の端子
５２  第２の端子
【図１】
2007080510.tif 000003
【図２】
2007080510.tif 000004
【図３】
2007080510.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007080510.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007080510.tif 000009
【図８】
2007080510.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2007080510.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2007080510.tif 000021
【図２０】
2007080510.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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