(57)【要約】【課題】高解像度化と高品位表示を両立する。【解決手段】走査線を１〜１６０行目の上領域と１６１〜３２０行目の下領域とにわける。第１および第２フィールドにおいて走査線を１、２、１６１、１６２、３、４、１６３、１６４、…、１５９、１６０、３１９、３２０行目という順番で選択する。第１フィールドにおいて、上領域の走査線を選択したときには当該選択走査線に位置する画素に対し階調に応じた正極性電圧を書き込み、下領域の走査線を選択したときには当該選択走査線に位置する画素に対し階調に応じた負極性電圧を書き込む。第２フィールドにおいて、上領域の走査線を選択したときには当該選択走査線に位置する画素に対し階調に応じた正極性電圧を書き込み、下領域の走査線を選択したときには当該選択走査線に位置する画素に対し階調に応じた負極性電圧を書き込む。【選択図】図８
2007187965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択された
ときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素を複数有し
、
前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走査線に沿って少なくとも第１領域および
第２領域に分割された電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１領域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択し、この後、前記第２領
域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択し、
前記第１領域の走査線を選択したときに、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方
とした電圧のデータ信号を、前記複数のデータ線に印加し、
前記第２領域の走査線を選択したときに、前記基準電圧よりも高位または低位の他方と
した電圧のデータ信号を、前記複数のデータ線にそれぞれ印加する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
１フレームが第１および第２フィールドに分割され、
前記第１および第２フィールドにおいてそれぞれ前記複数の走査線を１回ずつ選択し、
前記第１フィールドで前記第１領域の走査線を選択したときに、画素に対し前記基準電
圧よりも階調に応じた電圧だけ高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、当該画
素に対応するデータ線に印加し、
前記第２フィールドで前記第１領域の走査線を選択したときに、画素に対し前記基準電
圧よりも階調に応じた電圧だけ高位または低位の他方とした電圧のデータ信号を、当該画
素に対応するデータ線に印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
前記第１および第２領域において隣接する２行以上の走査線のうち、最初の走査線を選
択する期間を、次の走査線を選択する期間よりも長くする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
前記第１および第２領域において隣接する２行以上の走査線のうち、最初に選択する走
査線を、フレーム毎に変更する
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
１フレームが第１および第２フィールドに分割され、
前記第１および第２フィールドにおいてそれぞれ前記複数の走査線を１回ずつ選択し、
前記第１または第２フィールドの一方において、
奇数または偶数行の一方の走査線を選択したときに画素に対し黒色とさせるデータ信号
を、奇数または偶数行の他方の走査線を選択したときに画素に対し前記基準電圧よりも階
調に応じた電圧だけ高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、当該画素に対応す
るデータ線に印加し、
前記第１または第２フィールドの他方において、
奇数または偶数行の一方の走査線を選択したときに画素に対し前記基準電圧よりも階調
に応じた電圧だけ高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、当該画素に対応する
データ線に印加し、奇数または偶数行の他方の走査線を選択したときに画素に対し黒色と
させるデータ信号を、当該画素に対応するデータ線に印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線が選択された
ときに、前記データ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる複数の画素と、
前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走査線に沿って少なくとも第１領域および
第２領域に分割された電気光学装置であって、
前記第１領域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択し、この後、前記第２領
域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択する走査線駆動回路と、
前記第１領域の走査線を選択したときに、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方
とした電圧のデータ信号を、前記複数のデータ線に印加し、
前記第２領域の走査線を選択したときに、前記基準電圧よりも高位または低位の他方と
した電圧のデータ信号を、前記複数のデータ線にそれぞれ印加するデータ線駆動回路と、
を具備すること特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置のような電気光学装置において、表示品位の向上を図る技術に
関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、液晶などの電気光学特性を用いて縮小画像を形成するとともに、この縮小画
像を光学系によって拡大投射するプロジェクタが普及しつつある。このような縮小画像を
形成する電気光学装置では、画素間が非常に狭いので、いわゆるディスクリネーション（
配向不良）が問題となる。このディスクリネーションについては、隣接画素同士を同一極
性とする面反転（フレーム反転ともいう）方式を採用することで回避できるが、面反転方
式では、表示画面の例えば上部と下部とで表示の均一性が失われる、という問題がある。
この表示の均一性を図るために、フレームの期間を例えば第１および第２フィールドに
分割するとともに、表示領域を上領域（第１領域）と下領域（第２領域）とに分割する一
方、上領域と下領域とを交互に選択し、かつ、選択した各領域において走査線を上から下
方向に向かって選択し、第１フィールドにおいては、上領域を正極性とし、下領域を負極
性とする一方、第２フィールドにおいては、上領域を負極性とし、下領域を正極性とする
、いわゆる領域走査駆動が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１７７９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、電気光学装置では、表示画像の高解像度化が進行している。高解像度化は、
走査線の行数およびデータ線の列数を増加させることによって達成することができるが、
フレーム周波数は固定であるので、走査線行数の増加やデータ線列数の増加によって、画
素に対し、階調に応じた電圧を印加する期間が短縮し、これにより、いわゆる書き込み不
足が生じてしまう。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、このよう
な書き込み不足を防止することが可能な電気光学装置、その駆動方法および電子機器を提
供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明は、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応
して設けられ、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号の
電圧に応じた階調となる画素を複数有し、前記複数の画素が配列する表示領域が、前記走
査線に沿って少なくとも第１領域および第２領域に分割された電気光学装置の駆動方法で
あって、前記第１領域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択し、この後、前記
第２領域において隣接する２行以上の走査線を順番に選択し、前記第１領域の走査線を選
択したときに、所定の基準電圧よりも高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、
前記複数のデータ線に印加し、前記第２領域の走査線を選択したときに、前記基準電圧よ
りも高位または低位の他方とした電圧のデータ信号を、前記複数のデータ線にそれぞれ印
加することを特徴とする。本発明によれば、第１および第２領域において最初に選択され
る走査線を除いた走査線に位置する画素に対する電圧の書き込みに際し、データ線に印加
される電圧の極性が直前の書き込みにおける極性と同一であるので、画素に対しデータ信
号の電圧を充分に書き込むことができる。
【０００５】
本発明において、１フレームが第１および第２フィールドに分割され、前記第１および
第２フィールドにおいてそれぞれ前記複数の走査線を１回ずつ選択し、前記第１フィール
ドで前記第１領域の走査線を選択したときに、画素に対し前記基準電圧よりも階調に応じ
た電圧だけ高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、当該画素に対応するデータ
線に印加し、前記第２フィールドで前記第１領域の走査線を選択したときに、画素に対し
前記基準電圧よりも階調に応じた電圧だけ高位または低位の他方とした電圧のデータ信号
を、当該画素に対応するデータ線に印加しても良い。
また、本発明において、前記第１および第２領域において隣接する２行以上の走査線の
うち、最初の走査線を選択する期間を、次の走査線を選択する期間よりも長くしても良い
。このとき、前記第１および第２領域において隣接する２行以上の走査線のうち、最初に
選択する走査線を、フレーム毎に変更するのが好ましい。
さらに、本発明において、１フレームが第１および第２フィールドに分割され、前記第
１および第２フィールドにおいてそれぞれ前記複数の走査線を１回ずつ選択し、前記第１
または第２フィールドの一方において、奇数または偶数行の一方の走査線を選択したとき
に画素に対し黒色とさせるデータ信号を、奇数または偶数行の他方の走査線を選択したと
きに画素に対し前記基準電圧よりも階調に応じた電圧だけ高位または低位の一方とした電
圧のデータ信号を、当該画素に対応するデータ線に印加し、前記第１または第２フィール
ドの他方において、奇数または偶数行の一方の走査線を選択したときに画素に対し前記基
準電圧よりも階調に応じた電圧だけ高位または低位の一方とした電圧のデータ信号を、当
該画素に対応するデータ線に印加し、奇数または偶数行の他方の走査線を選択したときに
画素に対し黒色とさせるデータ信号を、当該画素に対応するデータ線に印加しても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動方法のみならず、電気光学装置としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に走査線駆動回
路１３０およびデータ線駆動回路１４０を配設するとともに、タイミング制御回路２０お
よびデータ信号供給回路３０を有する構成となっている。このうち、表示領域１００では
、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、４８０列の
データ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、かつ、各走査線１１２と互いに電気的
な絶縁を保つように、設けられている。
【０００７】
ここで、画素１１０は、３２０行の走査線１１２と４８０列のデータ線１１４との交差
に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が縦３２
０行×横４８０列で、マトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定す
る趣旨ではない。
また、本実施形態において、表示領域１００を便宜的に、１行目から１６０行目までの
走査線１１２に対応する上領域（第１領域）と、１６１行目から３２０行目までの走査線
１１２に対応する下領域（第２領域）とに分けている。
【０００８】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）
列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。なお、ここでいうｉ、
（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示すときの記号であって、１以上３２
０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示すときの
記号であって、１以上４８０以下の整数である。
【０００９】
さて、図２に示されるように、画素１１０の電気的な構成は互いに同一であり、それぞ
れ、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略
称する）１１６と、液晶容量１２０と、を有する。このうち、ＴＦＴ１１６のゲートは対
応するｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソースは対応するデータ線１１４に
接続され、そのドレインは液晶容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、液晶容量１２０の他端は対向電極１０８である。この対向電極１０８は、全ての画
素１１０にわたって共通であって、時間的に一定の電圧ＬＣcomが印加されている。
【００１０】
表示領域１００は、特に図示しないが、素子基板と対向基板との一対の基板が一定の間
隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶１０５が挟持された構成である。
このうち、素子基板には、走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６および画素電
極１１８が形成される一方、対向基板には、対向電極１０８が形成されて、これらの電極
形成面が互いに対向するように貼り合わせられている。このため、本実施形態において液
晶容量１２０は、画素電極１１８と対向電極１０８とで液晶１０５を挟持した構成である
。
また、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば約９０度連続的
に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両基板の各背面側
には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と対向電極１０８との間を通過する光は、液晶容量１２０に保持される
電圧実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実
効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。こ
のため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、偏光子を偏光軸が配向方向に一致
するようにそれぞれ配置させると、当該電圧実効値が小さくなるにつれて、光の透過率が
増加して明るくなる表示となる（ノーマリーホワイトモード）。
【００１１】
この構成において、走査線１１２をＨレベルとし（選択電圧を印加して）、ＴＦＴ１１
６をオン（導通）させるとともに、画素電極１１８に対し、データ線１１４およびオン状
態のＴＦＴ１１６を経由して、電圧ＬＣcomと比較して目標とする階調（明るさ）に応じ
た電圧だけ高位（正極性）または低位（負極性）の電圧を印加することにより、当該液晶
容量１２０に、階調に応じた電圧実効値を保持させることが可能となる。
【００１２】
説明を図１に戻すと、タイミング制御回路２０は、走査線駆動回路１３０とデータ線駆
動回路１４０とをそれぞれ制御するものである。
詳述すると、タイミング制御回路２０は、図示省略した外部上位回路から供給される画
像データＤsに同期して、表示領域１００を垂直走査するための複数の制御信号（総称し
てＣtrYと表記）を生成して走査線駆動回路１３０に供給するとともに、表示領域１００
を水平走査するための転送開始パルスＤＸやクロック信号ＣＬＸを生成してデータ線駆動
回路１４０に供給する。
ここで、画像データＤsは、画素１１０の明るさ（階調）を画素毎に指定するディジタ
ルデータである。データ信号供給回路３０は、外部上位回路から供給される画像データＤ
sを一旦記憶するとともに、走査線駆動回路１３０によって選択された走査線１１２に位
置する画素１行分を読み出して、１列から４８０列までの順番で、極性指示信号Ｐolで指
定された極性のアナログ電圧に変換してデータ信号Ｖidとして出力するものである。
【００１３】
走査線駆動回路１３０は、１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に、走査信号Ｇ
1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ320を供給するものであり、詳細な構成については図３に示される通
りである。
図３において、シフトレジスタ１３２は、走査線数「３２０」の半分である「１６０」
の段数を有し、クロック信号ＣＬＹが立ち上がる毎に当該クロック信号ＣＬＹのおおよそ
１周期分のパルス幅を持つ転送開始パルスＤＹを、順次シフトし、そのシフト信号をＹ1
、Ｙ2、Ｙ3、…、Ｙ160として出力する。
各シフト信号は、それぞれ２経路に分配されて、各行において一対一に設けられたＡＮ
Ｄ回路１３４における一方の入力端に供給される。このため、シフト信号Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3
、…、Ｙ80が、上領域の走査線１１２に対応する走査信号の基礎となり、シフト信号Ｙ81
、Ｙ82、Ｙ83、…、Ｙ160が、下領域の走査線１１２に対応する走査信号の基礎となる。
【００１４】
一方、上領域に属するＡＮＤ回路１３４のうち、奇数（１、３、５、…、１５９）行目
に対応するＡＮＤ回路１３４における他方の入力端にはイネーブル信号Ｅnb1が供給され
、偶数（２、４、６、…、１６０）行目に対応するＡＮＤ回路１３４における他方の入力
端にはイネーブル信号Ｅnb2が供給される。一方、下領域に属するＡＮＤ回路１３４のう
ち、奇数（１６１、１６３、１６５、…、３１９）行目に対応するＡＮＤ回路１３４にお
ける他方の入力端にはイネーブル信号Ｅnb3が供給され、偶数（１６２、１６４、１６６
、…、３２０）行目に対応するＡＮＤ回路１３４における他方の入力端にはイネーブル信
号Ｅnb4が供給される。
【００１５】
ＡＮＤ回路１３４は、一方の入力端に供給されたシフト信号と他方の入力端に供給され
たイネーブル信号との論理積信号を求め、当該論理積信号を走査信号として出力する。換
言すれば、シフト信号は、他方の入力端に供給されたイネーブル信号のパルス幅に狭めら
れて、走査信号として出力される。
なお、実際には、ＡＮＤ回路１３４による論理積信号は、低振幅の論理信号であるので
、これを高振幅の論理信号にレベルシフタ（図示省略）によって振幅変換されるが、論理
レベルで見る限り、ＡＮＤ回路１３４による論理積信号を走査信号と同視して構わない。
また、クロック信号ＣＬＹ、転送開始パルスＤＹ、イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2、Ｅnb3
、Ｅnb4が、タイミング制御回路２０から供給され、これらを総称したものが制御信号Ｃt
rYとなる。
【００１６】
データ線駆動回路１４０は、サンプリング信号供給回路１４２と、各データ線１１４の
一端に設けられたスイッチ１４４とを含む。ここで、サンプリング信号供給回路１４２は
、データ線数に相当する「４８０」の段数を有し、クロック信号ＣＬＸが立ち上がる毎に
、当該クロック信号ＣＬＸのおおよそ１周期分のパルス幅を持つ転送開始パルスＤＸを、
順次シフトして、そのシフト信号を、データ線１１４の各々に対応するようにサンプリン
グ信号Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ480として出力するシフトレジスタである。
なお、タイミング制御回路２０が転送開始パルスＤＸを出力するタイミングは、イネー
ブル信号Ｅnb1〜Ｅnb4のいずれかをＨレベルとするときである。
【００１７】
また、各列のデータ線１１４には、ＴＦＴからなるサンプリングスイッチ１４４の一端
（ドレイン）がそれぞれ接続されている。サンプリングスイッチ１４４の他端（ソース）
は、データ信号供給回路３０の出力端に共通接続されている。サンプリングスイッチ１４
４の制御端（ゲート）には、対応するサンプリング信号が供給されて、このサンプリング
信号がＨレベルとなったときにソース・ドレイン間が導通（オン）状態となる。このため
、あるｊ列目のサンプリング信号がＨレベルとなったとき、データ信号Ｖidがｊ列目のデ
ータ線１１４にサンプリングされる構成となっている。
【００１８】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。図４は、走査線駆
動回路１３０におけるシフトレジスタ１３２の動作を示すタイミングチャートであり、図
５は、走査信号の波形を示す図である。
図４に示されるように、本実施形態では、フレームが、第１フィールドと第２フィール
ドとに分割されるとともに、各フィールドの開始時に転送開始パルスＤＹが供給される。
ここで、フレームとは、全画素１１０に対しデータ信号Ｖidの電圧を書き込むのに要する
期間であり、約１６．７ミリ秒（６０Ｈｚの逆数）である。また、クロック信号ＣＬＹは
、フレームにおいて１６０周期分（フィールドでみれば８０周期分）供給される。したが
って、転送開始パルスＤＹをクロック信号ＣＬＹが立ち上がる毎に順次シフトしたシフト
信号Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、…、Ｙ160は、図４に示される通りとなる。
すなわち、図４に示されるように、フレーム（または第１フィールド）の開始時に供給
された転送開始パルスＤＹがシフトレジスタ１３２によって転送されるので、シフト信号
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、…、Ｙ160は、１フレームの期間をかけてクロック信号ＣＬＹの１
周期の期間Ａ毎に順次排他的にＨレベルとなる。
また、転送開始パルスＤＹは、第２フィールドの開始時にも供給されて、シフトレジス
タ１３２によって転送される。このため、上領域の走査信号の基礎となるシフト信号Ｙ1
、Ｙ2、Ｙ3、…、Ｙ80がそれぞれＨレベルとなるとき、下領域の走査信号の基礎となるシ
フト信号Ｙ81、Ｙ82、Ｙ83、…、Ｙ160もそれぞれ同時にＨレベルとなる。
ここで、上領域のシフト信号を一般化して説明するために、整数ｐを用いると、図５に
示されるように、上領域のシフト信号ＹpがＨレベルとなるとき、下領域のシフト信号Ｙ(
p+80)も同時にＨレベルとなり、続くシフト信号Ｙ(p+1)がＨレベルとなるとき、シフト信
号Ｙ(p+81)も同時にＨレベルとなる。
【００１９】
一方、イネーブル信号Ｅnb1、Ｅnb2、Ｅnb3、Ｅnb4は、図５に示されるように、クロッ
ク信号ＣＬＹの立ち上がりから次の立ち上がりまでの１周期の期間Ａにおいて、すなわち
、２つのシフト信号がＨレベルとなる期間において、Ｅnb1〜Ｅnb4の順番で排他的にＨレ
ベルとなるように、タイミング制御回路２０によって生成される。詳細には、イネーブル
信号Ｅnb1、Ｅnb2、Ｅnb3、Ｅnb4は、期間Ａのうち、期間Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3、Ｂ4にて順番に
Ｈレベルとなる。
【００２０】
本実施形態において、期間Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3、Ｂ4の時間長は同一である。また、極性指示
信号Ｐolは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定
する信号であり、図４に示されるように第１フィールドではクロック信号ＣＬＹと同一波
形となる一方、第２フィールドではクロック信号ＣＬＹを論理反転した波形となる。この
ため、極性指示信号Ｐolは、図５で実線にて示されるように期間Ｂ1、Ｂ2を含んでＨレベ
ルとなり、期間Ｂ3、Ｂ4を含んでＬレベルとなる一方、第２フィールドでは、破線にて示
されるように期間Ｂ1、Ｂ2を含んでＬレベルとなり、期間Ｂ3、Ｂ4を含んでＨレベルとな
る。
【００２１】
ここで、上領域に対応するシフト信号Ｙ1は、２経路に分岐され、このうち一方に分岐
したものが、イネーブル信号Ｅnb1との論理積によってパルス幅が狭められて走査信号Ｇ1
となり、他方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb2との論理積によってパルス幅が狭
められて走査信号Ｇ2となる。また、シフト信号Ｙ1と同時にＨレベルとなり、下領域に対
応するシフト信号Ｙ81のうち一方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb3との論理積に
よってパルス幅が狭められて走査信号Ｇ161となり、他方に分岐したものが、イネーブル
信号Ｅnb4との論理積によってパルス幅が狭められて走査信号Ｇ162となる。
シフト信号Ｙ1およびＹ81の次には、シフト信号Ｙ2およびＹ82がＨレベルとなるが、シ
フト信号Ｙ2のうち一方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb1との論理演算によって走
査信号Ｇ3となり、他方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb2との論理演算によって走
査信号Ｇ4となる。また、シフト信号Ｙ82のうち一方に分岐したものが、イネーブル信号
Ｅnb3との論理演算によって走査信号Ｇ163となり、他方に分岐したものが、イネーブル信
号Ｅnb4との論理演算によって走査信号Ｇ164となる。
【００２２】
これを一般的に表すと、上領域に対応するシフト信号Ｙpのうち一方に分岐したものが
、イネーブル信号Ｅnb1との論理演算によって走査信号Ｇ(2p-1)となり、他方に分岐した
ものが、イネーブル信号Ｅnb2との論理演算によって走査信号Ｇ(2p)となる。また、シフ
ト信号Ｙ(p+80)のうち一方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb3との論理演算によっ
て走査信号Ｇ(2p+159)となり、他方に分岐したものが、イネーブル信号Ｅnb4との論理演
算によって走査信号Ｇ(2p+160)となる。ここで、ｐは、上領域においてｐ番目にＨレベル
となるシフト信号Ｙpを一般的に表記したものであり、本実施形態においては初期値１か
ら最終値８０まで１ずつ増加する。
【００２３】
したがって、本実施形態において、走査信号がＨレベルとなる走査線１１２の順番は、
第１および第２フィールドのそれぞれにおいて、１、２、１６１、１６２、３、４、１６
３、１６４、……、１５９、１６０、３１９、３２０行目となって、上領域の走査線を上
から順番に２行ずつ選択した後、下領域の走査線を上から順番に２行ずつ選択し、再び上
領域の走査線を２行選択するという動作の繰り返しとなる。
【００２４】
図６は、イネーブル信号Ｅnb1〜Ｅnb4とサンプリング信号Ｓ1〜Ｓ480との関係を示す図
であり、図７は、走査信号とサンプリング信号Ｓ1〜Ｓ480とデータ信号Ｖidとの関係を示
す図である。
第１フィールドにおいて、最初に走査信号Ｇ1がＨレベルとなる期間（図５および図７
でｐ＝１とした場合）、すなわち、イネーブル信号Ｅnb1をＨレベルとする期間、の最初
においてタイミング制御回路２０は転送開始パルスＤＸを出力する。これにより、走査信
号Ｇ1がＨレベルとなる期間において、サンプリング信号Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ480が順
次排他的にＨレベルとなる。
ここで、走査信号Ｇ1がＨレベルとなる期間のうち、サンプリング信号Ｓ1がＨレベルと
なるタイミングにあわせて、データ信号供給回路３０は、１行１列の画像データＤsを、
極性指示信号Ｐolで指定された極性のデータ信号Ｖidに変換して出力する。詳細には、極
性指示信号ＰolがＨレベルであって正極性書込が指定されていれば、データ信号供給回路
３０は、１行１列の画像データＤsで指定された階調値に応じた電圧だけ、電圧ＬＣcomよ
りも高位の電圧を出力する。
サンプリング信号Ｓ1だけがＨレベルであるので、１列目のサンプリングスイッチ１４
４がオンする結果、データ信号Ｖidは、１列目のデータ線１１４にサンプリングされる。
さらに、走査信号Ｇ1がＨレベルである状態では、１行目の画素１１０におけるＴＦＴ１
１６がオン状態にある。このため、１列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ
信号Ｖidは、１行１列の画素電極１１８に印加される。
これにより、１行１列の液晶容量１２０には、対向電極１０８の電圧ＬＣcomとデータ
信号Ｖidの電圧との差、すなわち、１行１列の画像データＤsで指定された階調値に応じ
た電圧が書き込まれることになる。
【００２５】
次に、サンプリング信号Ｓ2がＨレベルとなるが、このタイミングにあわせて、データ
信号供給回路３０は、１行２列の画像データＤsを、極性指示信号Ｐolで指定された極性
のデータ信号Ｖidに変換して出力する。サンプリング信号Ｓ2がＨレベルになると、２列
目のサンプリングスイッチ１４４がオンするので、当該データ信号Ｖidは、２列目のデー
タ線１１４にサンプリングされて、１行２列の画素電極１１８に印加される。これにより
、１行２列の液晶容量１２０には、１行２列の画像データＤsで指定された階調値に応じ
た電圧が書き込まれることになる。
以下同様にして、サンプリング信号Ｓ3、Ｓ4、Ｓ5、…、Ｓ480が順番にＨレベルとなっ
て、これにより、１行目における１列目から４８０列までの液晶容量１２０には、それぞ
れ画像データＤsで指定された階調値に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００２６】
なお、図７においてデータ信号Ｖidは、正極性書込であれば、白色（最高階調）に相当
する電圧Ｖwpから黒色（最低階調）に相当する電圧Ｖbpまでの範囲で電圧ＬＣcomから画
素の階調に応じた分だけ高位の電圧となり、負極性書込であれば、白色に相当する電圧Ｖ
wmから黒色に相当する電圧Ｖbmまでの範囲でＬＣcomから画素の階調に応じた分だけ低位
の電圧となる。
例えば、１行１列の画素に対応するデータ信号Ｖidの電圧は、図において↑または↓で
示されるように、画像データＤsで指定された階調値に応じた電圧だけ、電圧ＬＣcomより
も高位または低位側の電圧となる。正極性の電圧Ｖwp、Ｖbp、負極性の電圧Ｖwm、Ｖbmは
、それぞれ電圧ＬＣcomを中心に互いに対称の関係にある。
また、走査信号やサンプリング信号の論理レベルのうち、Ｈレベルは電圧Ｖddであり、
Ｌレベルは本実施形態における電圧の基準であって接地電位Ｇndである。ただし、本実施
形態における書込極性は、液晶容量１２０に対する書込極性をいうので、その正負の基準
は接地電位Ｇndではなく、電圧ＬＣcomである。なお、図７におけるデータ線の電圧の縦
スケールは、他の電圧波形と比較して拡大してある。
【００２７】
ところで、本実施形態では、書込極性の基準を対向電極１０８に印加される電圧ＬＣco
mとしているが、これは、画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機
能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して
、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象
（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣
化を防止するため、液晶容量１２０に対しては交流駆動が原則であるが、対向電極１０８
に印加される電圧ＬＣcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのた
めに、負極性書込による液晶容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも
若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書
込極性の基準電圧と対向電極１０８の電圧ＬＣcomとを別々とし、詳細には、書込極性の
基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧ＬＣcomよりも高位側にオ
フセットして設定される。
【００２８】
走査信号Ｇ1の次には、走査信号Ｇ2がＨレベルとなる。すなわち、シフト信号Ｙ1がＨ
レベルとなる期間において、イネーブル信号Ｅnb1がＬレベルとなった後にイネーブル信
号Ｅnb2がＨレベルとなって、走査信号Ｇ2がＨレベルとなる。これにより、１行目と同様
にして２行目の画素に対し、階調に応じた正極性電圧が書き込まれる。
走査信号Ｇ2の次には、走査信号Ｇ161がＨレベルとなって、１６１行目の画素に対し、
階調に応じた電圧が書き込まれる。ただし、第１フィールドにおいては、１６１行目の画
素に対する電圧の書き込み時に極性指示信号ＰolがＬレベルになるので、負極性電圧の書
き込みとなる。このため、１６１行目の画素に対し、階調に応じた負極性電圧が書き込ま
れることになる。
走査信号Ｇ161の次には、走査信号Ｇ162がＨレベルとなって、これにより、１６１行目
と同様にして１６２行目の画素に対し、階調に応じた負極性電圧が書き込まれることにな
る。
【００２９】
以上が第１フィールドにおいて、最初のシフト信号Ｙ1がＨレベルとなる期間Ａ（ｐ＝
１）の動作である。次にシフト信号Ｙ2がＨレベルとなる期間（ｐ＝２）では、走査信号
Ｇ3、Ｇ4、Ｇ163、Ｇ164が順番にＨレベルとなって、３、４行目の画素に対しては階調に
応じた正極性電圧の書き込み動作が実行され、１６３、１６４行目の画素に対して、階調
に応じた負極性電圧の書き込み動作が実行される。
一般化して説明すると、第１フィールドでは、シフト信号ＹpがＨレベルとなる期間Ａ
において、走査信号Ｇ(2p-1)、Ｇ(2p)、Ｇ(2p+159)、Ｇ(2p+160)が順番かつ排他的にＨレ
ベルとなって、（２ｐ−１）および（２ｐ）行目の画素に対し階調に応じた正極性電圧の
書き込みが実行される一方、（２ｐ＋１５９）および（２ｐ＋１６０）行目の画素に対し
階調に応じた負極性電圧の書き込みが実行される。
第１フィールドにおいて、このような動作は、シフト信号Ｙ80がＨレベルとなって（ｐ
＝８０）、走査信号Ｇ159、Ｇ160、Ｇ319、Ｇ320がＨレベルとなるまで、繰り返される。
これにより、第１フィールドでは、上領域の画素について階調に応じた正極性電圧が書
き込まれる一方、下領域の画素について階調に応じた負極性電圧が書き込まれることにな
る。
第２フィールドにおいても、同様な動作な繰り返されるが、極性指示信号Ｐolが反転す
るので、（２ｐ−１）および（２ｐ）行目の画素に対し階調に応じた負極性電圧の書き込
みが実行される一方、（２ｐ＋１５９）および（２ｐ＋１６０）行目の画素に対し階調に
応じた正極性電圧の書き込みが実行される。
【００３０】
このような書き込み動作について図８を参照して説明する。図８は、本実施形態におけ
る書き込みの状態を連続するフレームにわたった時間経過とともに示す図であり、正極性
電圧の書き込みが実行される画素行を□で示し、負極性電圧の書き込みが実行される画素
行を■で示している。なお、図８は、１〜３２０行のすべてについての書き込みを示して
いるのではなく、行を減数して簡易的に示している（後述する図１１、図１２についても
同様）。
図８に示されるように、本実施形態では、第１フィールドにおいて上領域の画素では２
行毎に正極性書き込みがなされ、下領域の画素では２行毎に負極性書き込みがなされて、
次の書き込みまで保持される一方、第２フィールドにおいて上領域の画素では２行毎に負
極性書き込みがなされ、下領域の画素では２行毎に正極性書き込みがなされて、同様に次
の書き込みまで保持されるので、いずれのタイミングにおいても、正極性電圧を保持する
画素と負極性電圧を保持する画素との割合が５０％ずつとなる。このため、保持期間にお
けるデータ線１１４の極性は一方に偏ることがなくなり、これにより、画素電極１１８に
書き込まれた電荷がオフ状態のＴＦＴ１１６を介してリークする程度が、各行にわたって
均等になるので、表示の不均一性が防止される。
【００３１】
また、本実施形態では、シフト信号ＹpがＨレベルとなったとき、第１フィールドでは
、上領域の（２ｐ−１）および（２ｐ）行目の画素に対し階調に応じた正極性電圧の書き
込みがなされ、下領域の（２ｐ＋１５９）および（２ｐ＋１６０）行目の画素に対し階調
に応じた負極性電圧の書き込みがなされる一方、第２フィールドでは、上領域の（２ｐ−
１）および（２ｐ）行目の画素に対し階調に応じた負極性電圧の書き込みがなされ、下領
域の（２ｐ＋１５９）および（２ｐ＋１６０）行目の画素に対し階調に応じた正極性電圧
の書き込みがなされる。このため、本実施形態では、上領域の（２ｐ）行目および下領域
の（２ｐ＋１６０）行目の画素については、直前行から書き込み電圧が同極性であるので
、データ信号をデータ信号にサンプリングする際に、データ信号の充放電量が少なくて済
む。このため、上領域の（２ｐ）行目および下領域の（２ｐ＋１６０）行目の画素につい
ては、階調に応じたデータ信号の電圧を充分に書き込むことが可能となる。
詳述すると、データ線１１４は、寄生容量によって直前に印加されたデータ信号の電圧
を保持するが、第１フィールドにおいて上領域の（２ｐ）行目および下領域の（２ｐ＋１
６０）行目についてデータ信号の電圧書き込みを行う場合、直前の（２ｐ−１）および（
２ｐ＋１５９）行目の画素に対する書込極性と同一であるので、データ線１１４を保持電
圧から画素の階調に応じた電圧に変化させるのに充放電量が少なくて済み、その分、階調
に応じたデータ信号の電圧を充分に書き込むことが可能となるのである。
【００３２】
一方、データ線１１４における電圧保持性による影響を緩和するために、詳細には、あ
る行とある列との交差に対応する画素のデータ信号Ｖidをデータ線１１４にサンプリング
する前において、当該データ線１１４には、同列であって直前行に対応する画素のデータ
信号Ｖidの電圧が保持されているので、データ線１１４に対して画素に対応するデータ信
号Ｖidをサンプリングする直前の電圧初期状態が、表示内容に応じて互いに相違すること
になる。この相違を均等化するために、データ信号の電圧をサンプリングする前にすべて
のデータ線１１４を予め定められた電圧でプリチャージする技術も提案されている（例え
ば、特開平１０−１７１４２１号公報参照）。
本実施形態では、上領域の（２ｐ）行目および下領域の（２ｐ＋１６０）行目について
は、直前行から書き込み電圧が同極性であるので、データ信号をデータ信号にサンプリン
グする直前のプリチャージを省略することができる。ただし、（２ｐ）行の直前である（
２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１６０）行の直前である（２ｐ＋１５９）行目については
、直前行から書き込み電圧が反転するので、上記プリチャージすることが望ましい。
【００３３】
ところで、上領域の（２ｐ）行目および下領域の（２ｐ＋１６０）行目について直前行
から書き込み電圧が同極性である、ということは、当該行の書き込みに要する時間を、直
前行から書き込み電圧が反転する（２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１５９）行目の書き込
みに要する時間よりも短縮しても良い。
ここで、各行における書込時間は、対応する行の走査信号がＨレベルとなる期間であり
、当該期間は、イネーブル信号Ｅnb1〜Ｅnb4のパルス幅で規定される。したがって、図９
に示されるように、イネーブル信号Ｅnb2においてＨレベルとなるパルス幅の期間Ｂ2とイ
ネーブル信号Ｅnb4におけるパルス幅の期間Ｂ4とを、イネーブル信号Ｅnb1におけるパル
ス幅の期間Ｂ1およびイネーブル信号Ｅnb3におけるパルス幅の期間Ｂ3よりも短くすれば
、（２ｐ）行目および（２ｐ＋１６０）行目についての書き込みに要する時間を、（２ｐ
−１）行目および（２ｐ＋１５９）行目の書き込みに要する時間よりも短縮することがで
きる。これにより相対的に、直前行から書き込み電圧が反転する（２ｐ−１）行目および
（２ｐ＋１５９）行目の書き込みに要する時間を長くし、クロック信号ＣＬＸの周期を低
下させると、その分、階調に応じたデータ信号の電圧を書き込む時間を充分に確保するこ
とが可能となる。
【００３４】
このように、直前行から書き込み電圧が同一極性であるか反転極性であるかに応じて、
当該行の書き込みに要する時間を異ならせた場合に、各行における書込時間の関係が固定
的であると、条件等によっては、書き込み時間を異ならせたことによる表示の差が視認さ
れる可能性がある。
そこで、図９および図１０に示されるように、各行における書込時間の関係を一定の周
期で変更して、書き込み時間を異ならせたことによる表示の差を平均化して視認されるに
くするようにしても良い。
なお、この例は、図９に示されるように、ある奇数ｎフレームにおいて、（２ｐ）行目
および（２ｐ＋１６０）行目についての書き込みに要する時間を（２ｐ−１）行目および
（２ｐ＋１５９）行目の書き込みに要する時間よりも短縮した場合、図１０に示されるよ
うに、次の偶数（ｎ＋１）フレームにおいて、イネーブル信号Ｅnb2、Ｅnb1、Ｅnb4、Ｅn
b3の順番でパルスを出力するとともに、そのパルス幅の期間を、Ｂ2（＝Ｂ4）＞Ｂ1（＝
Ｂ3）として、（２ｐ）行目および（２ｐ＋１６０）行目についての書き込みに要する時
間を（２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１５９）行目の書き込みに要する時間よりも拡大し
た例である。この例では、２フレームを１周期としてみた場合、各行において、書き込み
時間が短い１フレームと書き込み時間が長い１フレームとが交互に現れるので、書き込み
時間が相違することによる表示の差が平均化される。なお、選択される行の順番が変更さ
れるが、変更された順番において選択された行のデータ信号Ｖidが供給されるのは、いう
までもない。
【００３５】
なお、以上の例では、第１および第２フィールドにわたって、上領域の走査線１１２を
上から順番に２行ずつ選択した後、下領域の走査線１１２を上から順番に２行ずつ選択す
るという動作の繰り返したが、上領域または下領域において連続して走査線を選択する行
数は２行に限られず、３行以上であっても良い。
上領域または下領域において連続して走査線を選択する行数が４行とした場合、各フィ
ールドにおいて、選択される走査線行の順番は、１、２、３、４、１６１、１６２、１６
３、１６４、５、６、７、８、１６５、１６６、１６７、１６８、…、１５７、１５８、
１５９、１６０、３１７、３１８、３１９、３２０行目となるが、このうち、１、１６１
、５、１６５、…、１５７、３１７行（上または下領域に切り替わって最初に選択される
走査線行）についての書込電圧は、直前行から書込極性が反転する一方、他の行について
の書込電圧は、直前行から書込極性が同一となる。
【００３６】
また、以上の例においては、第１および第２フィールドのそれぞれにおいて、選択され
る行の画像データＤsに応じたデータ信号Ｖidに変換し、当該データ信号Ｖidの電圧、す
なわち階調に応じた電圧を、画素電極１１８に書き込む構成としたが、このような構成で
は、液晶容量１２０における電圧保持性（いわゆるホールド型表示特性）のために動画表
示したとき残像感が発生する、という問題が指摘されている。
そこで例えば、図１１に示されるように、階調に応じた電圧を書き込む走査線行を第１
フィールドにおいては（２ｐ）行目および（２ｐ＋１５９）行目に、第２フィールドにお
いては（２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１６０）行目にそれぞれ限定し、第１フィールド
における（２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１６０）行目と、第２フィールドにおける（２
ｐ）行目および（２ｐ＋１５９）行目については、画像データＤsとは無関係に画素を黒
色（最低階調）とする電圧を書き込む構成としても良い。
この構成によれば、階調に応じた透過率になる期間が１フレーム期間の半分になるので
、インパルス型表示特性に近づく結果、残像感が減少し、動画表示特性を改善することが
可能となる。
【００３７】
さらに、ある奇数ｎフレームの第１フィールドにおいて（２ｐ−１）行目および（２ｐ
＋１５９）行目について画素を強制的に黒色化する場合、次の第２フィールドにおいて（
２ｐ−１）および（２ｐ＋１５９）行目よりも先に（２ｐ）および（２ｐ＋１６０）行目
を選択して、画素を強制的に黒色化させるとともに、次の偶数（ｎ＋１）フレームの第１
フィールドにおいて（２ｐ）および（２ｐ＋１６０）行目を選択して画素を強制的に黒色
化させ、次の第２フィールドにおいて（２ｐ−１）行目および（２ｐ＋１５９）行目につ
いて画素を強制的に黒色化させる構成としても良い（図１２参照）。
このような構成によれば、直前行から書き込み電圧が反転する走査行が常に黒色化させ
られて、プリチャージと同等の効果が得られるとともに、次の走査行が同一極性となるの
で、階調に応じたデータ信号の電圧を充分に書き込むことが可能となる。これにより、動
画表示特性の改善と、書込時間の短縮と、領域走査駆動による表示品位の改善とを、同時
に達成することが可能となる。また、黒色化させる画素が正極性または負極性の一方に固
定化される不都合も回避される。
【００３８】
上述した実施形態では、ある１行の走査線１１２に対応する走査信号がＨレベルとなっ
たときに、当該走査線に位置する１列〜４８０列の画素に対応するデータ信号Ｖidを順番
に供給する、いわゆる点順次の構成としたが、データ信号を時間軸にｎ倍に伸長するとと
もに、ｎ本の画像信号線に供給する、いわゆる相展開（シリアル−パラレル変換ともいう
）駆動を併用した構成としても良いし（特開平２０００−１１２４３７号公報参照）、す
べてのデータ線１１４に対しデータ信号を一括して供給する、いわゆる線順次の構成とし
ても良い。
また、実施形態では、同一波形となる２つのシフト信号のパルスを４つのイネーブル信
号で４つの走査信号Ｇ(2p-1)、Ｇ(2p)、Ｇ(2p+159)、Ｇ(2p+160)を抜き出すので、２つの
イネーブル信号で抜き出す構成と比較して、イネーブル信号の周波数を低減することが可
能である。
実施形態では、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモードとし
たが、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモードとしても良い。
また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行う
としても良い。表示領域１００は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半
反射型であっても良い。
【００３９】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の例について説明する。
図１３は、上述した電気光学装置１０における表示領域１００をライトバルブとして用い
た３板式プロジェクタの構成を示す平面図である。
このプロジェクタ２１００において、ライトバルブに入射させるための光は、内部に配
置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（
赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と
比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレン
ズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる
。
【００４０】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態
における電気光学装置１０の表示領域１００と同様であり、外部上位回路（図示省略）か
ら供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データでそれぞれ駆動されるものである。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、レンズユニット１８２０によって正転拡大投影
されるので、スクリーン２１２０には、カラー画像が表示されることとなる。
【００４１】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２
により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射
されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１０
０Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右反転像を表示させる構成となっている。
【００４２】
また、電子機器としては、図１３を参照して説明した他にも、直視型、例えば携帯電話
や、パーソナルコンピュータ、テレビジョン、ビデオカメラのモニタ、カーナビゲーショ
ン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電
話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能な
のは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における走査線駆動回路の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置におけるシフト信号等を示す図である。
【図５】同電気光学装置における走査信号等を示す図である。
【図６】同電気光学装置におけるサンプリング信号等を示す図である。
【図７】同電気光学装置におけるデータ信号の書き込み等を示す図である。
【図８】同電気光学装置の各行に対する書き込み等を示す図である。
【図９】同電気光学装置の応用例に係る走査信号等を示す図である。
【図１０】同応用例に係る走査信号等を示す図である。
【図１１】同応用例に係る各行に対する書き込み等を示す図である。
【図１２】同応用例に係る各行に対する書き込み等を示す図である。
【図１３】実施形態に係る電気光学装置を用いたプロジェクタの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…電気光学装置、２０…タイミング制御回路、３０…データ信号供給回路、１００
…表示領域、１０５…液晶、１０８…対向電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４
…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１３０…走査線駆
動回路、１４０…データ線駆動回路、１４２…サンプリング信号供給回路、２１００…プ
ロジェクタ
【図１】
2007187965.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007187965.tif 000013
【図１２】
2007187965.tif 000014
【図１３】
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