(57)【要約】【課題】発光素子などの電子部品を複数個実装しても、それらの熱を効果的に外部に放散できると共に、発光素子を実装する場合には、かかる発光素子同士の光の干渉を生じにくくした配線基板を提供する。【解決手段】セラミック（絶縁材）からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、基板本体２の表面３に開口し、底面６および側面８からなるキャビティ５と、キャビティ５の底面６に形成され、複数の電子部品Ｃ１〜Ｃ３を実装するための第１のパッド１０と、キャビティ５の底面６で且つ第１のパッド１０の周囲に形成される複数の第２パッド１３，１５，１７と、を備え、複数の第２のパッド１３，１５，１７に対向する第１のパッド１０の位置に形成される複数の実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）までの距離Ｘの方が長い、配線基板１。【選択図】  図１
2007012975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、
上記キャビティの底面に形成され、複数の電子部品を実装するための第１のパッドと、
上記キャビティの底面で且つ上記第１のパッドの周囲に形成される複数の第２パッドと、を備え、
上記複数の第２のパッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、上記キャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長い、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に形成され、複数の電子部品を実装するための第１のパッドと、
上記基板本体の表面で且つ上記第１のパッドの周囲に形成される複数の第２パッドと、を備え、
上記複数の第２パッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、上記基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長い、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記複数の第２のパッドは、前記電子部品とワイヤーボンディングされるか、あるいは、上記電子部品の底面のほぼ半分を実装するものである、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子などの電子部品を複数個実装するための配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色の発光ダイオード（発光素子：電子部品）が開発されたことに伴って、赤色、緑色、青色の３原色を発光する３個以上の発光素子を併せて実装することにより、フルカラー発光を可能とする配線基板が求められている。
例えば、絶縁材からなる基体の上面に設けた凹部の底面に、発光素子の電極をフリップチップ接続させるための複数の電極パッドを形成し、かかる複数の電極パッドを介して、複数の発光素子を上記凹部に収容するようにした発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１１４５６号公報（第１〜９頁、図１，２）
【０００４】
しかしながら、前記特許文献１における図１，２に示すように、凹部の底面に合計６個の発光素子を互いに隣接するように接近させて収容した場合、個々の発光素子から発せられる熱が凹部内で集中するため、かかる凹部内に熱が滞留し易くなる。このため、個々の発光素子の動作が不安定になるおそれがあった。
更に、複数個の発光素子を互いに接近させて凹部の底面に収容すると、これらの発光素子が発光する光が互いに干渉し合うため、例えば、フルカラー発光ができなくなる、という問題点もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子などの電子部品を複数個実装しても、それらの熱を効果的に外部に放散できると共に、発光素子を実装する場合には、かかる発光素子同士の光の干渉を生じにくくした配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、複数個の電子部品を実装するキャビティの底面や基板本体の表面において、電子部品を実装するための複数の実装エリアを、互いに離間し且つ上記底面や表面の周辺寄りに形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明における第１の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、かかるキャビティの底面に形成され、複数の電子部品を実装するための第１のパッドと、上記キャビティの底面で且つ上記第１のパッドの周囲に形成される複数の第２パッドと、を備え、前記複数の第２のパッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、上記キャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長い、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、複数の第２のパッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、前記キャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長くなる位置に形成される。このため、かかる複数の実装エリアごとに実装される電子部品から発せられる熱は、キャビティ内で滞留することなく、それぞれ外部に放出されるので、各電子部品の動作を安定させることが可能となる。更に、実装される複数の電子部品が発光ダイオードのような発光素子である場合、例えば、３原色の光を発光させることで、フルカラー発光を安定して行わしめることが可能となる。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材には、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの一種である例えばガラス−セラミック、あるいは、例えばエポキシ系樹脂などの樹脂が含まれる。
また、前記キャビティには、底面が円形で且つ側面が円筒形、底面が長円形で且つ側面が長円筒形、底面が楕円形で且つ側面が長楕円筒形、底面が矩形で且つ側面が角筒形、あるいは、底面がほぼ矩形で且つ側面がほぼ角筒形などの形態が含まれる。
更に、前記電子部品には、ＩＣチップやトランジスタなどの他、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などの発光素子も含まれる。
また、前記「実装エリア」とは、キャビティの底面または基板本体の表面において、これらに実装すべき電子部品の底面が占めるスペースを指す。
更に、前記「最接近する別の実装エリア」とは、例えば３つの実装エリアを併有する場合、何れか１つの実装エリアにとって、前記キャビティの底面または前記基板本体の表面を平面視した際に、最も短い距離を隔てて位置する別の実装エリアの一方または双方を指している。
【０００９】
また、本発明における第２の配線基板（請求項２）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に形成され、複数の電子部品を実装するための第１のパッドと、上記基板本体の表面で且つ上記第１のパッドの周囲に形成される複数の第２パッドと、を備え、前記複数の第２パッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、上記基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長い、ことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、複数の第２パッドに対向する第１のパッドの位置に形成される複数の実装エリアは、前記基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別の実装エリアまでの距離の方が長くなる位置に形成される。このため、かかる複数の実装エリアごとに個別に実装される電子部品から発せられる熱は、基板本体の表面付近で滞留することなく、それぞれ外部に放出されるので、各電子部品の動作を安定させることが可能となる。更に、実装される複数の電子部品が発光ダイオードのような発光素子である場合、例えば、３原色の光を発光させることで、フルカラー発光を安定して行わしめることが可能となる。
【００１１】
更に、本発明には、前記複数の第２のパッドは、前記電子部品とワイヤーボンディングされるか、あるいは、上記電子部品の底面のほぼ半分を実装するものである、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、電子部品の底面全体を実装する実装エリアおよびこれと対となり且つかかる電子部品とワイヤーボンディングされる複数の第２のパッドからなる複数組が、前記キャビティの底面または基板本体の表面に形成される。あるいは、電子部品の底面のほぼ半分ずつを実装する第１のパッドと複数の第２のパッドとからなる複数組が、前記キャビティの底面または基板本体の表面に形成される。このため、実装する電子部品をワイヤーボンディングにより導通し、あるいはフリップチップ実装と同時に導通が取れるので、実装した複数の電子部品の放熱性を保証しつつ、それらの動作を安定させることが可能となる。
【００１２】
付言すれば、本発明には、前記複数の電子部品は、少なくも３種類の発光素子を、前記キャビティの底面または基板本体の表面に形成する少なくとも前記第１のパッドに実装するものである、配線基板も含み得る。
これによる場合、実装される３種類以上の発光素子を発光ダイオードのような発光素子とし、３原色の光を発光させることで、フルカラー発光を安定して行わしめるが可能となる。尚、３原色ごとの光を発光させる発光素子の他、これらの輝度を電圧や電流などにより調整するための単数または各色ごとに専用である複数の発光素子（電子部品）を併せて実装しても良い。
【００１３】
また、本発明には、前記実装エリアと別の実装エリアとの間の距離（Ｘ）は、前記キャビティの底面の周辺までの距離Ｙまたは前記基板本体の表面の周辺までの距離Ｙの１．２〜５倍である、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、キャビティの底面または基板本体の表面に形成される複数の実装エリアごとに実装する複数の電子部品から発せられる熱は、上記キャビティ内または表面付近で滞留することなく、外部に放出することが可能となる。
尚、上記距離Ｘが上記距離Ｙの１．２倍未満になると、最接近する実装エリアに実装される電子部品同士が接近し過ぎて発生する熱が放出されにくくなり、一方、上記距離Ｘが上記距離Ｙの５倍を越えると、キャビティの底面や基板本体の表面において、電子部品の実装エリアに不要なスペースが過大となるため、これらを除いた範囲が推奨される。することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１の配線基板の一形態である配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ３個（複数）の発光ダイオード（発光素子：電子部品）Ｃ１〜Ｃ３が実装される底面６および側面８からなるキャビティ５と、を含んでいる。
基板本体２は、図１，図２に示すように、平面視がほぼ正方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したもので、内部に複数の配線層（図示せず）とこれらの間を接続するビア導体ｖとが形成されている。
【００１５】
因みに、基板本体２のサイズは、約５ｍｍ×５ｍｍ×０．９ｍｍであり、内部にはＷまたはＭｏを主成分とする図示しない所定パターンの配線層やビア導体ｖが形成され、且つ裏面４には複数のパッド（図示せず）が形成されている。尚、基板本体２の絶縁材には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
図１，図２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面６と、かかる底面６の周辺７から基板本体２の表面３に向かって傾斜して広がるほぼ円錐形の側面８とからなり、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ５の側面８には、厚みが約１０〜３０μｍでＷまたはＭｏを主成分とする金属層（図示せず）が全面に形成され、その上に、Ｎｉからなる下地メッキ層と、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、またはＲｈからなる表層メッキ層と、からなる光反射層９が形成されている。
【００１６】
上記キャビティ５は、グリーンシートを所要のクリアランスを介するポンチとダイとによる打ち抜き加工により、前記ほぼ円錐形に成形される貫通孔を有するグリーンシートを含んで形成される。因みに、キャビティ５のサイズは、内径約３．６ｍｍ×深さ約０．４５ｍｍである。
図１，図２に示すように、キャビティ５の底面６には、前記同様の厚みでＷまたはＭｏを主成分する第１のパッド１０が形成されている。かかる第１のパッド１０は、平面視がほぼ三角形で且つ底面６の周辺７に向かって突出する辺１２，１４，１６と、角形の接続片１１とを備えている。接続片１１は、ビア導体ｖと接続している。第１のパッド１０の周囲で且つ上記辺１２，１４，１６に対向した位置には、ＷまたはＭｏなどからなる第２のパッド１３，１５，１７が形成され、これらもビア導体ｖと個別に接続している。
【００１７】
第１のパッド１０における上記辺１２，１４，１６の付近には、発光ダイオード（電子部品）Ｃ１〜Ｃ３を実装するための実装エリアａ１〜ａ３が形成され、これらの上に図示しないハンダを介して、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面全体を実装される。かかる発光ダイオードＣ１〜Ｃ３は、図２に示すように、第２のパッド１３，１５，１７ともワイヤーボンディングｗを介して導通される。かかる状態で、キャビティ５内には、基板本体２の表面３とほぼ同じレベルまで、図示しない封止用樹脂が充填され且つ固化される。
図１に示すように、実装エリアａ１〜ａ３は、互いに距離Ｘを有すると共に、かかる距離Ｘは、実装エリアａ１〜ａ３とキャビティ５の底面６の周辺７との距離Ｙよりも長く（約２〜３倍）なるようにされている。例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパットａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。尚、図１では、実装エリアａ１〜ａ３は、その一辺が第１のパッド１０の前記辺１２，１４，１６と平行としたが、ある程度傾斜する配置にしても良い。
【００１８】
以上のような配線基板１によれば、第１のパッド１０において発光ダイオードＣ１（Ｃ２，Ｃ３）の底面全体が実装される実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発する熱は、キャビティ５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光された例えば３原色の光は、光反射層９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行うことができる。
【００１９】
図３は、前記配線基板１と異なる形態の配線基板１ａを示す平面図である。
配線基板１ａは、図３に示すように、前記同様の基板本体２と、その表面３に開口する前記同様のキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面６に形成された第１のパッド２０と、キャビティ５の側面８に形成された光反射層９と、を備えている。第１のパッド２０は、ＷまたはＭｏなどからなり、平面視がほぼ六角形を呈し且つ１つ置きの辺２２，２４，２６と、底面６の周辺７に向かって突出する接続片２１とを備えている。角形の接続片２１は、図示しないビア導体と接続されている。かかる第１のパッド２０の周囲で且つ上記辺２２，２４，２６に対向した位置には、ＷまたはＭｏなどからなる第２のパッド２３，２５，２７が形成され、これらもビア導体（図示せず）と個別に接続している。
【００２０】
図３に示すように、第２のパッド２３，２５，２７と、第１のパッド２０の前記辺２２，２４，２６付近とにまたがって、実装エリアａ１〜ａ３が形成され、これらの上に、図示しないハンダを介して、底面のほぼ半分ずつが実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３が個別にフリップチップ実装される。
実装エリアａ１〜ａ３は、互いに距離Ｘを有すると共に、かかる距離Ｘは、実装エリアａ１〜ａ３とキャビティ５の底面６の周辺７との距離Ｙよりも長くされている。例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパットａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。
【００２１】
以上のような配線基板１ａによれば、第１のパッド２０と第２のパッド２３，２５，２７とにまたがる実装エリアａ１〜ａ３は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ１〜ａ３との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発する熱は、キャビティ５内に滞留することなく、前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光される３原色の光は、光反射層９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行える。
尚、前記キャビティ５は、円形の底面６の周辺７から基板本体２の表面に向かって垂直に立設する円筒形の側面を有する全体が円柱形の形態としても良い。
【００２２】
図４は、更に異なる形態の第１の配線基板３０を示す平面図である。
配線基板３０は、図４に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面３３および図示しない裏面を有する基板本体３２と、かかる基板本体３２の表面３３に開口し且つ３個（複数）の発光ダイオード（発光素子）Ｃ１〜Ｃ３が実装される底面３６および側面３８からなるキャビティ３５と、を含んでいる。
基板本体３２は、図４に示すように、平面視がほぼ長方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したものである。尚、基板本体３２の絶縁材には、前述したガラス−セラミックを適用しても良い。
図４に示すように、キャビティ３５は、平面視が長円形の底面３６と、かかる底面３６の周辺３７から基板本体３２の表面３３に向かって傾斜して広がるほぼ長円錐形の側面３８とからなり、全体がほぼ長円錐形を呈する。かかるキャビティ３５の側面３８の全面には、前記同様の金属層（図示せず）と前記同様の光反射層３９とが形成されている。
【００２３】
図４に示すように、キャビティ３５の底面３６には、平面視がほぼ長方形を呈し且つＷまたはＭｏなどからなる第１のパッド４０が形成され、その周囲で且つ一方の長辺４２の中央付近と一対の短辺４４，４６の中央付近とに対向して、第２のパッド４３，４５，４７が形成されている。これらは、それぞれビア導体（図示せず）と個別に接続されている。
第１のパッド４０における上記長辺４２の中央付近と短辺４４，４６の付近には、発光ダイオード（電子部品）Ｃ１〜Ｃ３を実装するための実装エリアａ１〜ａ３が形成され、これらの上に図示しないハンダを介して、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面全体が実装される。かかる発光ダイオードＣ１〜Ｃ３は、第２のパッド４３，４５，４７とボンディングワイヤー（図示せず）を介して導通される。かかる状態で、キャビティ３５内には、基板本体３２の表面３３とほぼ同じレベルまで、図示しない封止用樹脂が充填され且つ固化される。
【００２４】
図４に示すように、実装エリアａ１〜ａ３は、互いに距離Ｘを有すると共に、かかる距離Ｘは、実装エリアａ１〜ａ３とキャビティ５の底面６の周辺７との距離Ｙよりも長くされている。例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。尚、実装エリアａ１〜ａ３は、第１のパッド４０上にほぼへ字形状に配置したが、キャビティ３５の底面３６の長軸方向に沿ってほぼ直線状に配置しても良い。
【００２５】
以上のような配線基板３０によれば、発光ダイオードＣ１（Ｃ２，Ｃ３）の底面全体を実装する実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発せられる熱は、キャビティ３５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光された例えば３原色の光は、キャビティ３５の側面３８に形成された光反射層３９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行うことができる。
【００２６】
図５は、前記配線基板３０と異なる形態の配線基板３１を示す平面図である。
かかる配線基板３１は、図５に示すように、前記同様の基板本体３２と、その表面３３に開口する前記同様のキャビティ３５と、かかるキャビティ３５の底面３６に形成された第１のパッド５０および第２のパッド５３，５５，５７と、キャビティ３５の側面３８に形成された光反射層３９と、を備えている。
図５に示すように、平面視がほぼ長方形である第１のパッド５０における一方の長辺５２の中央付近と一対の短辺５４，５６とに対向するようにして、第２のパッド５３，５５，５７が第１のパッド５０の周囲に形成されている。かかる第１のパッド５０と第２のパッド５３，５５，５７とにまたがって、実装エリアａ１〜ａ３が形成される。
【００２７】
図５に示すように、例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。かかる実装エリアａ１〜ａ３では、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面のほぼ半分ずつが図示しないハンダを介して、第１のパッド５０と第２のパッド５３，５５，５７とにまたがってフリップチップ実装される。かかる状態で、キャビティ３５内に前記封止用樹脂（図示せず）が充填され且つ固化される。尚、実装エリアａ１〜ａ３は、キャビティ３５の底面３６に対しほぼへ字形状に配置したが、かかる底面３６の長軸方向に沿ってほぼ直線状に配置しても良い。
【００２８】
以上のような配線基板３１によれば、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面のほぼ全体を実装する実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発する熱は、キャビティ３５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光される３原色の光は、光反射層３９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行われる。尚、前記キャビティ３５は、長円形の底面３６の周辺３７から基板本体３２の表面３３に向かって垂直に立設する長円筒形の側面を有する全体が長円柱形の形態としても良い。
【００２９】
図６は、別異な形態の第１の配線基板６０を示す平面図である。
配線基板６０は、図６に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面６３および図示しない裏面を有する基板本体６２と、かかる基板本体６２の表面６３に開口し且つ複数の発光ダイオード（発光素子）Ｃ１〜Ｃ３が実装される底面６６および側面６８からなるキャビティ６５と、を含む。基板本体６２は、図６に示すように、平面視がほぼ長方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、前記同様の複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したものである。尚、基板本体６２の絶縁材には、前記ガラス−セラミックを適用しても良い。
図６に示すように、キャビティ６５は、平面視が楕円形の底面６６と、かかる底面６６の周辺６７から基板本体６２の表面６３に向かって傾斜して広がるほぼ楕円錐形の側面６８とからなり、全体がほぼ楕円錐形を呈する。かかるキャビティ６５の側面６８の全面には、前記同様の金属層（図示せず）と光反射層６９とが形成されている。
【００３０】
図６に示すように、キャビティ６５の底面６６には、平面視がほぼ長方形で且つＷなどからなる第１のパッド７０が形成され、その周囲で且つ一方の長辺７２の中央付近と、左右一対の短辺７４，７６に対向した底面６６に第２のパッド７３．７５．７７が形成されている。これらは、それぞれビア導体（図示せず）と個別に接続されている。第１のパッド７０における上辺７２の中央付近と、左右一対の短辺７４，７６の付近には、実装エリアａ１〜ａ３が形成される。
例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
【００３１】
前記実装エリアａ１〜ａ３には、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面全体が、図示ないハンダを介して実装される。実装された発光ダイオードＣ１〜Ｃ３と第２のパッド７３．７５．７７とは、図示しないボンディングワイヤーにより導通される。かかる状態で、キャビティ６５内には、図示しない封止用樹脂が基板本体６２の表面６３とほぼ同じレベルまで充填され且つ固化される。
以上のような配線基板６０によれば、発光ダイオードＣ１（Ｃ２，Ｃ２）の底面全体を実装する実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発する熱は、キャビティ６５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光された例えば３原色の光は、側面３８に形成された光反射層６９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行わしめることができる。
【００３２】
図７は、前記配線基板６０と異なる形態の配線基板６１を示す平面図である。
かかる配線基板６１は、図７に示すように、前記同様の基板本体６２と、その表面６３に開口する前記同様のキャビティ６５と、かかるキャビティ６５の底面６６に形成された第１のパッド７０ａおよび第２のパッド７３ａ，７５ａ，７７ａと、キャビティ６５の側面６８に形成された光反射層６９と、を備えている。
図７に示すように、平面視がほぼ長方形である第１のパッド７０における一方の長辺７２の中央付近と左右一対の短辺７４，７６とに対向するようにして、第２のパッド７３ａ，７５ａ，７７ａが、第１のパッド７０の周囲に形成されている。かかる第１のパッド７０と第２のパッド７３ａ，７５ａ，７７ａとにまたがって、実装エリアａ１〜ａ３が形成される。
【００３３】
図７に示すように、例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。かかる実装エリアａ１〜ａ３では、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３の底面のほぼ全体が図示しないハンダを介して、第１のパッド７０と第２のパッド７３ａ，７５ａ，７７ａとにまたがってフリップチップ実装される。かかる状態で、キャビティ６５内に前記封止用樹脂（図示せず）が充填され且つ固化される。
尚、実装エリアａ１〜ａ３は、キャビティ６５の底面６６に対し、ほぼへ字形に配置したが、かかる底面６６の長軸方向に沿って直線状に配置しても良い。
【００３４】
以上のような配線基板６１によれば、発光ダイオードＣ１（Ｃ２，Ｃ３）の底面のほぼ全体を実装する実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装される発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発する熱は、キャビティ６５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオードＣ１〜Ｃ３から発光される３原色の光は、光反射層６９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行える。尚、前記キャビティ６５は、楕円形の底面６６の周辺６７から基板本体６２の表面６３に向かって垂直に立設する楕円筒形の側面を有し且つ全体が楕円柱形を呈する形態としても良い。
以上において説明した配線基板１，１ａ，３０，３１，６０，６１が、本発明における第１の配線基板である。
【００３５】
図８は、本発明における第２の配線基板の一形態である配線基板８０を示す平面図、図９は、図８中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板８０は、図８，図９に示すように、セラミック（絶縁材）からなり、表面８３および裏面８４を有する基板本体８２と、かかる基板本体８２の表面８３に形成され、ＩＣチップ（電子部品）Ｃ１〜Ｃ３の底面全体を実装する第１のパッド９０およびその周囲に形成された第２のパッド９３，９５，９７と、を備えている。
基板本体８２は、図８，図９に示すように、平面視がほぼ正方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したもので、内部に複数の配線層とこれらの間を接続するビア導体（何れも図示せず）とが形成されている。
尚、基板本体８２の絶縁材には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
【００３６】
図８，図９に示すように、基板本体８２の四隅には、断面円弧形の窪み８５が垂直に形成され、各窪み８５には、ＷまたはＭｏからなる断面円弧形の凹部導体８６が形成されている。各凹部導体８６は、基板本体８２の裏面８４に形成した裏面電極８７と個別に導通されると共に、基板本体８２の表面８３に形成され且つＷなどからなる第１のパッド９０または第２のパッド９３，９５，９７と個別に接続されている。このうち、第１のパッド９０は、接続片９２を介して１つの凹部導体８６と接続される。第１のパッド９０と第２のパッド９３，９５，９７とは、前記ビア導体を介して基板本体８２に内蔵された配線層と導通されている。
【００３７】
図８に示すように、第１のパッド９０は、平面視がほぼ角形を呈し、基板本体８２の表面８３における各コーナ寄りの位置の出隅部９４，９６，９８の付近に、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の底面全体をハンダ（図示せず）を介して実装するための実装エリアａ１〜ａ３が形成される。例えば、実装エリアａ２（ａ１，ａ３）は、基板本体８２の表面８３の周辺までの距離Ｙよりも、互いに最接近する別の実装エリアａ１，ａ３（ａ２）と距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。かかる距離Ｘは、上記距離Ｙよりも約２〜３倍長い。
上記実装エリアａ１〜ａ３の上に底面全体が個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ３は、図９に示すように、ボンディングワイヤーｗを介して、第２のパッド９３，９５，９７と個別に導通される。
【００３８】
以上のような配線基板８０によれば、ＩＣチップＣ１（Ｃ２，Ｃ３）の底面全体を実装する実装エリアａ２（ａ１，ａ３）は、基板本体８２の表面８３の周辺までの距離Ｙよりも、最接近する別の実装エリアａ１，ａ３（ａ２）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、実装エリアａ１〜ａ３上に個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ３から発する熱は、基板本体８２の表面８３付近に滞留することなく、それぞれ外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の動作を安定させることが可能となる。
尚、実装エリアａ１〜ａ３上に、例えば３原色を発光する発光ダイオードなどを個別に実装した場合には、フルカラー発光を発することが可能となる。
【００３９】
図１０は、前記配線基板８０とは異なる形態の配線基板８１を示す平面図である。配線基板８１は、図１０に示すように、前記同様の基板本体８２と、四隅の窪み８６ごとに形成した凹部導体８６と、かかる凹部導体８６の１つと接続片９２を介して基板本体７２の表面７３に形成した第１のパッド９０ａと、その周囲の表面８３に形成された第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａと、を備えている。第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａは、平面視がほぼＴ字形を呈し、各凹部導体８６と個別に接続されている。
第１のパッド９０ａは、平面視がほぼ変形多角形を呈し、１つ置きの斜辺９４ａ，９６ａ，９８ａに対向する表面８３に第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａが形成されている。第１のパッド９０ａにおける斜辺９４ａ，９６ａ，９８ａ付近と、第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａとにまたがって、実装エリアａ１〜ａ３が形成される。例えば、実装エリアａ２（ａ１，ａ３）は、基板本体８２の表面８３の周辺までの距離Ｙよりも、互いに最接近する別の実装エリアａ１，ａ３（ａ２）と距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
【００４０】
前記実装エリアａ１〜ａ３には、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の底面のほぼ全体が、第１のパッド９０ａと第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａとにまたがって、図示しないハンダを介して、フリップチップ実装される。
以上のような配線基板９１ａによれば、第１のパッド９０ａと第２のパッド９３ａ，９５ａ，９７ａとにまたがる実装エリアａ１〜ａ３に個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ３から発する熱は、基板本体８２の表面８３付近に滞留することなく、それぞれ外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の動作を安定させることが可能となる。尚、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３に替えて発光ダイオードなどを実装しても良い。
【００４１】
図１１は、第２の配線基板の更に異なる配線基板１００を示す平面図である。
配線基板１００は、図１１に示すように、前記同様のセラミック（絶縁材）からなり、表面１０３および図示しない裏面を有する基板本体１０２と、かかる基板本体１０２の表面１０３における図示で上辺の中央付近および左右の側辺の下方に、垂直に設けた断面ほぼ円弧形の窪み１０５と、各窪み１０５ごとに形成したＷなどからなる凹部導体１０６と、を備えている。尚、基板本体１０２の絶縁材には、前記ガラス−セラミックを適用しても良い。
図１１に示すように、基板本体１０２の表面１０３には、凹部導体１０６の一つと接続片１１２とを介して接続され、Ｗなどからなる平面視がほぼ変形多角形を呈する第１のパッド１１０が形成されている。第１のパッド１１０の周囲における表面１０３上で且つその上辺１１４および左右一対の側辺１１６，１１８に対向する位置には、第２のパッド１１５，１１７，１１９が形成されている。これらも、凹部導体１０６と個別に接続されている。
【００４２】
第１のパッド１１０と第２のパッド１１５，１１７，１１９とにまたがって、実装エリアａ１〜ａ３が形成される。例えば、実装エリアａ１（ａ２，ａ３）は、基板本体１０２の表面１０３の周辺までの距離Ｙよりも、互いに最接近する別の実装エリアａ２，ａ３（ａ１）と距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。かかる実装エリアａ１〜ａ３では、第１のパッド１１０と第２のパッド１１５，１１７，１１９とにまたがって、ＩＣチップ（電子部品）Ｃ１〜Ｃ３の底面のほぼ全体が、図示しないハンダを介して個別にフリップチップ実装される。
【００４３】
以上のような配線基板１００によれば、第１のパッド１１０と第２のパッド１１５，１１７，１１９とにまたがる実装エリアａ１〜ａ３に個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ３から発する熱は、基板本体１０２の表面１０３付近に滞留することなく、外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の動作を安定させることが可能となる。
尚、第１のパッド１１０上における上辺１１４と左右一対の側辺１１６，１１８との付近に、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の底面全体を実装する実装エリアａ１〜ａ３を形成し、これらと間隔を置いて形成する第２のパッド１１５，１１７，１１９との間で、前記同様のワイヤーボンディングを行っても良い。また、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３に替えて、発光ダイオードなどを実装しても良い。
以上の配線基板８０，８１，１００が本発明における第２の配線基板である。
【００４４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記基板本体２，３２などを形成する絶縁材であるセラミックは、例えばムライトや窒化アルミニウムなどを主成分とするものとしても良い。あるいは、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしても良く、この場合、前記第１のパッド１０などや第２のパッド１３，１５，１７などは、ＣｕやＡｇなどが用いられる。
また、前記基板本体２，３２などを形成する絶縁材をエポキシ系樹脂などとしても良く、かかる樹脂の薄板または金属の薄板の表面上に、例えばエポキシ系樹脂からなる複数層の樹脂絶縁層を順次積層し、公知のフォトリソグラフィ技術によって、比較的上層側の各樹脂絶縁層にキャビティを形成しても良い。かかるキャビティの側面に無電解メッキおよび電解メッキにより前記光反射層９などを形成しても良い。
【００４５】
更に、前記実装エリアは、一つのキャビティの底面または一つの基板本体の表面において、２ケ所または４ケ所以上を形成するようにしても良い。
また、キャビティの形状は、前記各形態に限らず、平面視で正方形または長方形とし、これらの四隅の内隅部にロウ材を形成し且つこれをリフローした後、得られるアール面と側面とに光反射層を形成するようにしても良い。
更に、本発明の配線基板は、一個の配線基板の表面に開口するキャビティを複数としたり、単一のキャビティの底面に複数の実装エリアを配置し、これらの実装エリアに複数の電部品を個別に実装する形態とすることも可能である。
また、電子部品は、平面視がほぼ正方形に限らず、長方形を呈するものでも良い。この場合、実装時における各電子部品の長手方向は、前記距離Ｘおよび距離Ｙの関係を考慮して定められる。
加えて、本発明の配線基板には、複数個の配線基板を縦横方向に沿って併有する多数個取り用の大判タイプの形態としたものも含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明における第１の配線基板の一形態を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線の矢視に沿った断面図。
【図３】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図４】更に異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図５】別異な形態の配線基板を示す平面図。
【図６】更に別形態の配線基板の概略を示す平面図。
【図７】更に別異な形態の配線基板の概略を示す平面図。
【図８】本発明における第２の配線基板の一形態を示す平面図。
【図９】図８中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った断面図。
【図１０】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図１１】更に異なる形態の配線基板を示す平面図。
【符号の説明】
【００４７】
１，１ａ，３０，３１，６０，６１，８０，８１，１００……配線基板
２，３２，６２，８２，１０２……………………………………基板本体
３，３３，６３，８３，１０３……………………………………表面
４，８４………………………………………………………………裏面
５，３５，６５………………………………………………………キャビティ
６，３６，６６………………………………………………………底面
７，３７，６７………………………………………………………周辺
８，３８，６８………………………………………………………側面
１０,２０,４０,５０,７０,７０ａ,９０,９０ａ,１１０………第１のパッド
１３,１５,１７,２３,２５,２７,４３,４５,４７,５３,５５,５７,７３,７５,７７,９３,９５,９７,１１５,１１７,１１９……第２のパッド
ａ１〜ａ３……………………………………………………………実装エリア
Ｘ，Ｙ…………………………………………………………………距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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