(57)【要約】【課題】波長３５０ｎｍ〜１２００ｎｍの青〜赤外光を出射するレーザ出射部に対して、高反射率かつ高精度な反射膜を同一の半導体基板に実装する。【解決手段】青系の半導体レーザ素子１ａと赤系の半導体レーザ素子１ｂを有するレーザ出射部１と、レーザ出射部１からのレーザ光を反射するミラー部２とが同一基板５に形成され、さらに、青系の半導体レーザ素子１ａと赤系の半導体レーザ素子１ｂのそれぞれに対して青の波長に対して反射率の高い第１の反射膜Ｍ１と赤ないし赤外の波長に対して反射率の高い第２の反射膜Ｍ２がミラー部２を区画した複数領域に形成されている。第１の反射膜Ｍ１はＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成され、第２の反射膜Ｍ２はＡｕまたはＰｔからなる金属膜で構成されている。これにより、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光を効率良く反射することができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光波長を異にする複数の半導体レーザ素子を有するレーザ出射部と、前記レーザ出射部からのレーザ光を反射する光学反射膜を有するミラー部とが同一基板に形成され、さらに、複数の前記半導体レーザ素子の各出射レーザ光の波長のそれぞれに対して反射率の高い複数種類の光学反射膜が前記ミラー部を区画した複数領域に形成されている半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記光学反射膜は、青の波長に対して反射率の高い第１の反射膜と、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高い第２の反射膜とからなる請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の反射膜は、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成され、前記第２の反射膜は、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕまたはＰｔの金属膜で構成されている請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１の反射膜は、その反射波長領域が３５０ｎｍ〜６００ｎｍであり、前記第２の反射膜は、その反射波長領域が６００ｎｍ〜１２００ｎｍである請求項２または請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記多層膜における前記Ａｌ層と前記金属膜との間にバリアメタル層が介在されている請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記バリアメタル層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮから選択される少なくとも１つの材料からなる請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜とは、前記レーザ出射部からのレーザ光出射方向に対して傾斜する前記ミラー部の反射領域が前記基板の面に平行な方向で２分割された領域にそれぞれ配置されている請求項２から請求項６までのいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第１の反射膜と前記第２の反射膜とは、前記レーザ出射部からのレーザ光出射方向に対して傾斜する前記ミラー部の反射領域がその傾斜の方向で２分割された領域にそれぞれ配置されている請求項２から請求項６までのいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
半導体基板に形成された斜面上にＡｕまたはＰｔからなる金属層を形成するステップと、
前記ＡｕまたはＰｔからなる金属層の上にバリアメタル層を形成するステップと、
前記バリアメタル層の上にＡｌ層と誘電体層との多層膜を形成するステップと、
前記誘電体層をパターニングするステップと、
前記誘電体層をハードマスクとして前記Ａｌ層と前記バリアメタル層とをパターニングするステップとを含み、
前記金属層と前記多層膜とをそれぞれ波長を異にする複数のレーザ光に対する光学反射膜に形成するレーザ反射膜の製造方法。
【請求項１０】
前記誘電体層をパターニングするステップにおいて、レジストを用いたエッチングで前記誘電体層をパターニングする請求項９に記載のレーザ反射膜の製造方法。
【請求項１１】
前記バリアメタル層を、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮから選択される少なくとも１つの材料で形成する請求項９または請求項１０に記載のレーザ反射膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ヘッド装置などに用いられる半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、光ヘッド装置は、対象とする光ディスクに対してレーザ光を出射するための半導体レーザ装置と、光ディスクで反射されて戻ってきたレーザ光を受光するための受光素子部と、受光したレーザ光に基づいて受光素子で生成された電気信号を処理するための信号処理回路などから構成されている。半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が近傍のミラー部で反射され装置外へと出射される。
【０００３】
近年では、装置の小型化および各光学素子のアライメント調整の簡略化などを図るために、半導体レーザ装置、受光素子部、信号処理回路が１つの半導体基板に搭載されたものが開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このように半導体レーザ装置と受光素子部を同一基板に形成しようとする際には、半導体レーザ装置の形成時に高い位置精度が必要となる。つまり、半導体レーザ装置とレーザ光の照射対象である光ディスクとの相対位置が高い精度で調整されていないと、装置としての機能に問題を生じてしまう。
【０００５】
半導体レーザ装置の取り付け精度を確保するために、予め基板に溝を形成しておき、この溝内にレーザ光の出射源としての半導体レーザ素子のバンプ電極をはめ込むという技術も開発されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開昭６４−２７２８８号公報（第２−３頁、第１図）
【特許文献２】特開平９−３２６５３５号公報（第６頁、第１図）
【特許文献３】特開２０００−２９４８３１号公報（第９頁、第１５図）
【特許文献４】特開２００１−１４１９１６号公報（第４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１、２に開示の技術では、半導体レーザ光として波長６００ｎｍ〜１２００ｎｍの赤〜赤外光を想定し、光学反射膜にはＡｕ膜が用いられているため、青色光に対しては反射率が低くなり、光の利用効率が低下する。また、青色光を出射する半導体レーザを用いた場合、Ａｕ膜ではその材料物性から赤〜赤外光と比較して反射率が低下し、レーザ光の出射強度が減衰する。十分な特性を確保するために、Ａｌ層と誘電体層の多層膜を採用する対策がある。しかし、赤〜赤外光に対してはＡｕ膜と比べて反射率が低くなり、光の利用効率が低下する。このように、青〜赤外光のレーザ光を同時に出射した場合、どちらかの光に対する反射効率が低下する。いままでのところ、青〜赤外光の波長範囲に対応した反射膜構造と、それを実現するためのプロセスについての提案はなされていない。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するために創作されたものであって、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率が優れた半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体レーザ装置は、レーザ光波長を異にする複数の半導体レーザ素子を有するレーザ出射部と、前記レーザ出射部からのレーザ光を反射する光学反射膜を有するミラー部とが同一基板に形成され、さらに、複数の前記半導体レーザ素子の各出射レーザ光の波長のそれぞれに対して反射率の高い複数種類の光学反射膜が前記ミラー部を区画した複数領域に形成されているものである。
【０００９】
これによれば、レーザ出射部が波長領域を互いに異にする複数の半導体レーザ素子を有し、それぞれに対応してミラー部には波長領域を互いに異にする複数種類の光学反射膜が形成されているので、レーザ光を広い波長領域にわたって高効率で出射させることができる。レーザ出射部とミラー部とが同一基板に構成されているので、小型化の機能と、他の光学系に対する高い位置精度の確保は達成される。
【００１０】
上記において、前記光学反射膜は、青の波長に対して反射率の高い第１の反射膜と、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高い第２の反射膜とからなるという態様が好ましい。
【００１１】
また、上記において、前記第１の反射膜は、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成され、前記第２の反射膜は、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕまたはＰｔの金属膜で構成されているという態様がある。
【００１２】
また、上記において、前記第１の反射膜は、その反射波長領域が３５０ｎｍ〜６００ｎｍであり、前記第２の反射膜は、その反射波長領域が６００ｎｍ〜１２００ｎｍであるという態様がある。
【００１３】
上記によれば、レーザ出射部が波長領域を互いに異にする青系の半導体レーザ素子と赤系の半導体レーザ素子を有し、それぞれに対応してミラー部には、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜と、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕまたはＰｔの金属膜からなる第２の反射膜とが形成されているので、青ないし赤外光にわたる広い波長領域でレーザ光を高効率に出射させることができる。
【００１４】
また、上記において、前記多層膜における前記Ａｌ層と前記金属膜との間にバリアメタル層が介在されているという態様がある。
【００１５】
また、上記において、前記バリアメタル層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮから選択される少なくとも１つの材料からなるという態様がある。
【００１６】
これによれば、バリアメタル層の介在によりＡｌとＡｕ／Ｐｔの化学反応を抑止し、安定な状態で第１の反射膜と第２の反射膜とを良好に分離することが可能となり、表面精度を高く保って反射効率を高くし、青〜赤外のレーザ光を効率良く反射することができる。
【００１７】
また、上記において、前記第１の反射膜と前記第２の反射膜とは、前記レーザ出射部からのレーザ光出射方向に対して傾斜する前記ミラー部の反射領域が前記基板の面に平行な方向で２分割された領域にそれぞれ配置されているという態様がある。これは、複数の半導体レーザ素子が横方向に並べられたレーザ出射部の場合に対応している。
【００１８】
また、上記において、前記第１の反射膜と前記第２の反射膜とは、前記レーザ出射部からのレーザ光出射方向に対して傾斜する前記ミラー部の反射領域がその傾斜の方向で２分割された領域にそれぞれ配置されているという態様もある。これは、複数の半導体レーザ素子が縦方向に並べられたレーザ出射部の場合に対応している。
【００１９】
また、本発明によるレーザ反射膜の製造方法は、
半導体基板に形成された斜面上にＡｕまたはＰｔからなる金属層を形成するステップと、
前記ＡｕまたはＰｔからなる金属層の上にバリアメタル層を形成するステップと、
前記バリアメタル層の上にＡｌ層と誘電体層との多層膜を形成するステップと、
前記誘電体層をパターニングするステップと、
前記誘電体層をハードマスクとして前記Ａｌ層と前記バリアメタル層とをパターニングするステップとを含み、
前記金属層と前記多層膜とをそれぞれ波長を異にする複数のレーザ光に対する光学反射膜に形成するものである。
【００２０】
これによれば、誘電体層をハードマスクとすることにより、レジストをマスクとした場合にＡｌのエッチングでレジスト剥離してＡｌパターン形成困難という従来技術での問題を回避することが可能となる。したがって、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜と、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕまたはＰｔの金属膜からなる第２の反射膜とを、高精度に形成することが可能であり、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率に優れたレーザ反射膜を提供することができる。
【００２１】
上記において、前記誘電体層をパターニングするステップにおいて、レジストを用いたエッチングで前記誘電体層をパターニングすることが好ましい。
【００２２】
また、上記において、前記バリアメタル層を、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮから選択される少なくとも１つの材料で形成することが好ましい。
【００２３】
上記のレーザ反射膜の製造方法によれば、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率に優れたレーザ反射膜を精度良く製造することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ装置の小型化を図りつつ、他の光学系に対する相対的な位置精度を高いものにしながら、広い波長領域にわたってレーザ光を高効率に出射させることができる。
【００２５】
また、本発明のレーザ反射膜の製造方法によれば、青の波長に対して高反射率の第１の反射膜と赤ないし赤外の波長に対して高反射率の第２の反射膜とを有し、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率に優れたレーザ反射膜を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明にかかわる半導体レーザ装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置を搭載した光ヘッド装置を示す斜視図である。光ヘッド装置Ｈに搭載された本実施の形態の半導体レーザ装置Ｌは、光ディスク（不図示）に対してレーザ光を出射するレーザ出射部１と、レーザ出射部１からのレーザ光を反射する光学反射膜を有するミラー部２とを備えている。光ヘッド装置Ｈは、さらに、光ディスクで反射されて戻ってきたレーザ光を受光するための受光素子部３、外部回路と接続するための主表面の周縁領域に配置された複数のボンディングパッド部４などを有している。図示はしていないが、装置の内部には、遮光部、信号処理回路部も形成されている。レーザ出射部１、ミラー部２、受光素子部３およびボンディングパッド部４は同一の半導体基板（Ｓｉ基板）５に形成されている。
【００２８】
光ヘッド装置Ｈは全体がほぼ直方体状をしており、一方の主表面に複数の凹部が設けられている。その中で中央部分に設けられた最も大きな凹部の底面にはレーザ出射部１が装着されている。そして、レーザ出射部１が装着された凹部は、その深さ方向の下側部分における側壁面が凹部の平らな底面（装置表面と平行）に対して４５°の傾斜角を有するミラー部２となっている。レーザ出射部１とミラー部２とで半導体レーザ装置Ｌが構成されている。
【００２９】
ミラー部２には第１の反射膜Ｍ１と第２の反射膜Ｍ２が左右に形成されている。第１の反射膜Ｍ１と第２の反射膜Ｍ２とは、レーザ出射部１からのレーザ光出射方向に対して傾斜するミラー部２の反射領域が基板５の面（凹部底面）に平行な方向すなわち水平方向で左右に２分割された領域にそれぞれ配置されている。これに合わせて、レーザ出射部１においては、２つの半導体レーザ素子である青系の半導体レーザ素子１ａと赤系の半導体レーザ素子１ｂが左右方向に分かれて配置されている。
【００３０】
ミラー部２における第１の反射膜Ｍ１は、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成されている。第２の反射膜Ｍ２は、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕまたはＰｔの金属膜から構成されている。
【００３１】
レーザ出射部１から基板５表面と平行方向に出射されたレーザ光は傾斜角４５°のミラー部２で反射され、上方に向けて出射される。詳しくは、青系の半導体レーザ素子１ａからの出射レーザ光は第１の反射膜Ｍ１で反射され、赤系の半導体レーザ素子１ｂからの出射レーザ光は第２の反射膜Ｍ２で反射される。これらのレーザ光は同時に出射することが可能である。
【００３２】
また、光ヘッド装置Ｈの両側周辺領域には、少し間隙をあけて合計６箇所に受光素子部３が配置されている。レーザ出射部１を中心に左右両側３箇所ずつの受光素子部３は戻ってきたレーザ光を受光し、内部の信号処理回路部は受光したレーザ光の光量差等からフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号などの種々の信号を生成出力する。
【００３３】
なお、光ヘッド装置Ｈの表面は、ボンディングパッド部４を除いて、第２の反射膜Ｍ２を構成するＡｕ層その下のＴｉ層で覆われており、装置の内部にレーザ光の影響が及ばないようになっている。これは、装置を腐食から保護する機能も果たす。
【００３４】
この光ヘッド装置Ｈは、レーザ出射部１、ミラー部２および受光素子部３を同一基板５に実装しているので、装置のコンパクト化を図ることができる。これによって、レーザ出射部１と受光素子部３との間の寸法を小さくすることができるので、レーザ光の光路を効率的に設計することができる。また、半導体レーザ装置Ｌと光ディスクとの間に配する各光学素子のアライメント調整も簡略化できる。
【００３５】
本実施の形態における最も特徴的な部分はミラー部２であり、以下に詳しく説明する。
【００３６】
Ａｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜Ｍ１の反射率は、青色光に対して９０％、赤〜赤外光でも９０％である。また、Ａｕ膜で構成された第２の反射膜Ｍ２の反射率は、青色光に対して４０％、赤〜赤外光では９５〜９８％である。第１の反射膜Ｍ１と第２の反射膜Ｍ２とを有する本実施の形態の半導体レーザ装置Ｌは、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光を効率良く反射することが可能となる（高反射率の実現）。
【００３７】
次に、上記構成の半導体レーザ装置Ｌにおけるレーザ反射膜の製造方法について、図２〜図４の工程断面図を用いて説明する。
【００３８】
先ず、図２（ａ）に示すように、半導体基板５を用意する。この半導体基板５は、シリコンのｐ型層１０上にｎ型エピタキシャル層１１、ＳｉＯ2 膜１２、ＳｉＮ膜１３およびＢＰＳＧ膜１４が順に積層された構成となっている。ＢＰＳＧは、シリコン酸化膜にボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）を添加したガラスである。この半導体基板５に対して、ＫＯＨ（水酸化カリウム）のエッチングによってＳｉＯ2 膜１２を露出させ、次いでＳｉＯ2 膜１２の一部を開口する。これにより、凹部５ａが形成される。そして、ＳｉＯ2 膜１２をマスクとして、Ｓｉ異方性エッチングによって、側壁面の一部に凹部５ａの平らな底面（これは装置表面と平行）に対して傾斜角θ＝４５°の斜面５ｂを形成する。この斜面５ｂにミラー部２が形成される。
【００３９】
なお、ｐ型層１０には、９．７°のオフアングルを有する（１００）面方位基体を用いている。この場合における（１１１）面が基体表面と４５°の傾斜角を有する側壁として加工される。また、Ｓｉ異方性エッチングには、２０ｗｔ％のＫＯＨ水溶液を用い、ｐ型層１０に対するエッチング深さを約４０μｍで規定した。
【００４０】
次に、図２（ｂ）に示すように、凹部５ａの内壁面を含めた基板５の表面全体に、蒸着法によりＳｉＮ膜１５を形成する。
【００４１】
次に、図３（ａ）に示すように、ＳｉＮ膜１５の上に、スパッタ法を用いてＴｉ層１６および第２の反射膜Ｍ２を形成するＡｕ層１７を順に積層する。Ｔｉ層１６およびＡｕ層１７は、光ヘッド装置Ｈのほぼ全面を被覆する状態で形成され、遮光部となる。なお、Ｔｉ層１６の厚みは０．２μｍであり、Ａｕ層１７の厚みは０．４μｍである。
【００４２】
次に、図３（ｂ）に示すように、第２の反射膜Ｍ２を形成するＡｕ層１７の上にバリアメタル層ＢとしてのＴｉ層１８を形成し、さらにその上に第１の反射膜Ｍ１を形成するＡｌ層１９および誘電体層２０の多層膜をスパッタ法により形成する。誘電体層２０には屈折率ｎ＝１．３〜１．５程度の値を有する材料が好ましく、ＳｉＯx （ｘ≦２）、もしくはＭｇＦ2 などが挙げられる。加工性、安定性の観点からＳｉＯx を用いることが好ましい。
【００４３】
次に、図４（ａ）に示すように、フォトリソ法を用いてレジスト２１をマスクとして誘電体層２０のパターニングを行い、パターニングされた誘電体層２０をハードマスクとするウェットエッチングによりＡｌ層１９およびＴｉ層１８のパターニングを行う。
【００４４】
以上の結果として、ミラー部２には、Ａｕ層１７からなる第２の反射膜Ｍ２と、Ａｌ層１９および誘電体層２０の多層膜である第１の反射膜Ｍ１とが同時的に形成されることになる。第２の反射膜Ｍ２を形成するＡｕ層１７と第１の反射膜Ｍ１におけるＡｌ層１９との間にＴｉ層１８によるバリアメタル層Ｂを介在させてある。これにより、ＡｕとＡｌの反応によるＡｌのパターニング阻害は防止することができる。なお、バリアメタル層Ｂとしては、Ｔｉに限定されるものではなく、ＡｕとＡｌの反応を防止できるものであればよく、ＴｉＷやＴｉＮを用いてもよい。
【００４５】
また、Ａｌ層１９のエッチングにおいて誘電体層２０をハードマスクとすることは、次のメリットがある。従来ではレジストをマスクとしていた。しかし、レジスト剥離が生じ、Ａｌ層のパターン形成が困難であった。本実施の形態のように誘電体層２０をハードマスクとしてＡｌ層１９をエッチングすると、そのようなレジスト剥離の問題が解消される。
【００４６】
したがって、本発明に係る製造方法では、フォトリソグラフィの技術を用いて青の波長に対する光学反射膜となるＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜Ｍ１と、赤あるいは赤外の波長に対する光学反射膜となるＡｕからなる金属膜で構成された第２の反射膜Ｍ２をパターニングすることから、第１の反射膜Ｍ１と第２の反射膜Ｍ２とを任意の形状で高精度に同一斜面内に形成することが可能であり、青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率に優れ、小型かつ高い位置精度をもって強度の強いレーザ光を出射することが可能な半導体レーザ装置を提供することができる。
【００４７】
また、光ヘッド装置Ｈのほぼ全面を被覆するＴｉ層１６およびＡｕ層１７を同一工程により形成できるので、製造コストの面で有利である。
【００４８】
なお、第２の反射膜Ｍ２については、Ａｕ層１７に限定されるものではなく、Ｐｔ層等で形成してもよい。また、Ｔｉ層１６およびＡｕ層１７の形成には、スパッタ法以外の真空蒸着法を用いるなどしてもよい。
【００４９】
図５（ａ）はレーザ出射部１とミラー部２の様子を示す平面図、図５（ｂ）はミラー部２の斜視図である。
【００５０】
上記のようにして斜面５ｂにミラー部２を構成するに当たり、図５に示すように、斜面５ｂにおいて水平方向で領域を２分割し、一方の領域に青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜Ｍ１が露出し、他方の領域に赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕの金属膜からなる第２の反射膜Ｍ２が露出するように調整する。この領域分割の調整に際しては、レジスト２１のパターンを工夫する。なお、第１の反射膜Ｍ１の表面と第２の反射膜Ｍ２の表面との段差は充分に微小なものである。
【００５１】
レーザ出射部１は、青系のレーザダイオード１ａと赤系のレーザダイオード１ｂが左右に配置されている。
【００５２】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２における半導体レーザ装置について、図６を用いて説明する。図６（ａ）はレーザ出射部１とミラー部２の様子を示す側面図、図６（ｂ）はその斜視図である。
【００５３】
ミラー部２における斜面５ｂにおいて、その傾斜方向で領域を２分割し、一方の上側の領域に青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜Ｍ１が露出し、他方の下側の領域に赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕの金属膜からなる第２の反射膜Ｍ２が露出するように調整する。なお、第１の反射膜Ｍ１の表面と第２の反射膜Ｍ２の表面との段差は充分に微小なものである。
【００５４】
レーザ出射部１は、青系のレーザダイオード１ａと赤系のレーザダイオード１ｂが上下に配置されている。
【００５５】
本発明の上記の各実施の形態によれば、そのミラー部２に関して、青の波長に対して反射率の高いＡｌ層と誘電体層の多層膜で構成された第１の反射膜Ｍ１と、赤ないし赤外の波長に対して反射率の高いＡｕの金属膜からなる第２の反射膜Ｍ２とを、共通の斜面５ｂに高精度に形成することが可能である。このミラー部２は青〜赤外光の広い波長領域のレーザ出射光に対する反射効率が優れたものであり、強度の強いレーザ光を出射することが可能である。
【００５６】
また、ミラー部２において共通の斜面５ｂに第１の反射膜Ｍ１と第２の反射膜Ｍ２とを一体的に形成し、さらに、レーザ出射部１とミラー部２を同一基板５に構成しているので、半導体レーザ装置Ｌを小型化でき、かつ他の光学系に対する相対的な位置精度を高いものにすることができる。
【００５７】
（その他の事項）
上記では、半導体レーザ装置を光ヘッド装置に搭載した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザ出射部とミラー部の組み合わせであればどのような形態のものであってもよい。
【００５８】
また、青の波長に対して反射率の高い第１の反射膜Ｍ１について、Ａｌ層の代わりにＡｇ層を用い、Ａｇ層と誘電体層の多層膜で構成することも可能である。ただし、形成工程上の安定性の観点からＡｌ層の方が好ましい。
【００５９】
また、Ａｕ層１７とＴｉ層１６について、１層構造に限定されるものではなく、２層以上の構造にしてもよい。
【００６０】
さらに、レーザ出射部１とその直下のＡｕ層１７との間に、ヒートシンク層やはんだ層を介挿させることも可能である。この場合、ヒートシンク層とはんだ層の間に、Ａｕ層１７とＴｉ層１６を２層以上介挿させることが望ましい。膜厚が大きいことから表面平坦性が良くなり、レーザ出射部１の寸法精度が高くなる。なお、Ｔｉ層だけ、またはＡｕ層だけを介挿させるのでもよい。また、３層以上でもよい。
【００６１】
さらに、受光素子部３の形態、個数は、任意である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の技術は、光ヘッド装置に用いられる半導体レーザ装置にのみならず、レーザ出射部とミラー部との組み合わせからなる半導体レーザ装置一般に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置を搭載した光ヘッド装置を示す斜視図
【図２】本発明の実施の形態１におけるレーザ反射膜の製造方法の工程断面図（その１）
【図３】本発明の実施の形態１におけるレーザ反射膜の製造方法の工程断面図（その２）
【図４】本発明の実施の形態１におけるレーザ反射膜の製造方法の工程断面図（その３）
【図５】本発明の実施の形態１におけるレーザ出射部とミラー部の様子を示す平面図とミラー部の斜視図
【図６】本発明の実施の形態２におけるレーザ出射部とミラー部の様子を示す側面図とミラー部の斜視図
【符号の説明】
【００６４】
Ｈ  光ヘッド装置
Ｌ  半導体レーザ装置
Ｍ１  第１の反射膜
Ｍ２  第２の反射膜
１ａ  青系の半導体レーザ素子
１ｂ  赤系の半導体レーザ素子
２  ミラー部
３  受光素子部
４  ボンディングパッド部
５  半導体基板
５ａ  凹部
５ｂ  斜面
１０  ｐ型層
１１  ｎ型エピタキシャル層
１２  シリコン熱酸化膜
１３，１５  ＳｉＮ膜
１４  ＢＰＳＧ膜
１６  Ｔｉ層（バリアメタル層Ｂ）
１７  Ａｕ層（第２の反射膜Ｍ２）
１９  Ａｌ層（第１の反射膜Ｍ１）
２０  誘電体層（第１の反射膜Ｍ１）
２１  レジスト
【図１】
2007080988.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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