(57)【要約】【課題】  生産性が高く、かつ、優れた信号特性を発揮し得る光情報記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】  基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体であって、前記保護層が、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成されていることを特徴とする光情報記録媒体である。また、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体の製造方法であって、前記保護層を、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体であって、
前記保護層が、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記保護層が２層以上形成され、２層以上ある前記記録層の層間に前記保護層が形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
前記保護層が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％であることを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記無機酸化物が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層が、色素を含有する色素記録層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
前記色素が、オキソノール色素、シアニン色素、フタロシアニン色素およびアゾ色素よりなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項７に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体の製造方法であって、
前記保護層を、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記記録層を２層以上形成し、２層以上ある前記記録層の層間に保護層を形成することを特徴とする請求項９に記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記無機酸化物が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物であることを特徴とする請求項９または１０に記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％であることを特徴とする請求項１１に記載の光情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光情報記録媒体およびその製造方法に関し、特に、追記型のデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ−Ｒ）のようなヒートモード型の光情報記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザ光により一回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。このような光情報記録媒体の一つとして、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）が挙げられる。このＣＤ−Ｒは、従来のＣＤの作製に比べて少量のＣＤを手頃な価格でしかも迅速に提供できる利点を有している。そのため、最近のパーソナルコンピュータの普及に伴ってその需要も増大している。ＣＤ−Ｒ型の光情報記録媒体の代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金などの金属からなる反射層、更に樹脂製の保護層をこの順に積層したものである。
【０００３】
そして、光ディスクへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光（通常７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）を照射して記録層を局所的に発熱変形させることにより行われる。一方、情報の読み取り（再生）は、通常、記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射して、記録層が発熱変形された部位（記録部分）と変形されない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより行われている。
【０００４】
近年、記録密度のより高い光情報記録媒体が求められている。記録密度を高めるには、照射されるレーザの光径を小さく絞ることが有効であり、また波長が短いレーザ光ほど小さく絞ることができるため、高密度化に有利であることが理論的に知られている。従って、従来から用いられている７８０ｎｍより短波長のレーザ光を用いて記録再生を行うための光ディスクの開発が進められており、例えば、追記型デジタル・バーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが上市されている。この光ディスクは、トラックピッチがＣＤ−Ｒの１．６μｍより狭い０．７４μｍのプレグルーブが形成された直径１２０ｍｍあるいは直径が８０ｍｍの透明な円盤状基板上に、色素からなる記録層、そして通常は記録層の上に更に反射層および保護層を設けてなるディスクを二枚、あるいはディスクと略同一寸法の円盤状保護基板とを記録層を内層にして接着剤で貼り合わせた構造となるように製造されている。そして、ＤＶＤ−Ｒは、可視レーザ光（通常６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の波長のレーザ光）を照射することにより、記録及び再生が行われ、ＣＤ−Ｒ型の光ディスクより高密度の記録が可能であるとされる。
【０００５】
また、記録層に色素を用い、光学分離のための中間層を介して、２層以上の記録層からなる、所謂、多層方式の追記型光ディスクが開発されている。このディスクにおいては、中間層を形成する粘着剤や接着剤と、記録層を構成する色素とが接触するような構成となっているため、各成分が混和して保存性が悪く、例えば、８０℃８５％で５０時間保存後においては、記録した情報が消失するという問題があった。このような問題を解消するため、記録層と接着層との間にバリア層を設け、２つの記録層を有する光情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
ここで、バリア層の成膜には一般的にスパッタ法が用いられており、直流電源を用いるＤＣスパッタ法もしくは、直流電源を５〜５０ｋＨｚ程度のパルス状に駆動させた電源を用いるＤＣパルススパッタ法、高周波電源を用いるＲＦスパッタ法などが知られている。上記特許文献１においては、保護層ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（３０ｗｔ％：７０ｗｔ％）が用いられている。このターゲットは導電性が低く、成膜にはＲＦスパッタ法しか使用できない。一方で、ＲＦスパッタでは成膜速度が遅いため、ディスク生産上問題である。また、ＲＦスパッタでは、マッチングボックスが必要であり、ＤＣスパッタやＤＣパルススパッタ法に比べて、設備コストが高いという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−３３１４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上から、本発明は上記従来の課題を解決することを目的とする。すなわち、本発明は、生産性が高く、かつ、優れた信号特性を発揮し得る光情報記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者らは、下記本発明に想到し当該課題を解決できることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体であって、前記保護層が、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成されていることを特徴とする光情報記録媒体である。
【００１０】
本発明の光情報記録媒体には、下記第１〜第７の態様のうち少なくとも１の態様が適用されることが好ましい。
【００１１】
（１）第１の態様は、前記記録層が２層以上形成され、２層以上ある前記記録層の層間に保護層が形成されている態様である。
（２）第２の態様は、前記保護層が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物である態様である。
（３）第３の態様は、前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％である態様である。
（４）第４の態様は、前記無機酸化物が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物である態様である。
（５）第５の態様は、前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％である態様である。
【００１２】
（６）第６の態様は、前記記録層が、色素を含有する色素記録層である態様である。
（７）第７の態様は、前記色素が、オキソノール色素、シアニン色素、フタロシアニン色素およびアゾ色素よりなる群から選択される少なくとも１種である態様である。
【００１３】
また、本発明は、基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている光情報記録媒体の製造方法であって、前記保護層を、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。
【００１４】
本発明の光情報記録媒体の製造方法には、下記第１〜第３の態様のうち少なくとも１の態様が適用されることが好ましい。
（１）第１の態様は、前記記録層を２層以上形成し、２層以上ある前記記録層の層間に保護層を形成する態様である。
（２）第２の態様は、前記無機酸化物が、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物である態様である。
（３）第３の態様は、前記混合物中の前記酸化ガリウムの含有量が、０．１〜４９質量％である態様である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、生産性が高く、かつ、優れた信号特性を発揮し得る光情報記録媒体およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の光情報記録媒体は、基板上に、少なくとも、記録層と保護層とが形成されている。そして、前記保護層が、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成されている。
【００１７】
本発明の光情報記録媒体の構成としては、上記記録層および上記保護層とを有するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、基板上に、記録層、光反射層、保護層が順次形成された構成（いわゆるＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等の構成）、または、基板上に、少なくとも、記録層、光反射層、接着層、保護基板（ダミー基板）が順次形成された構成（いわゆるＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ等の構成）が挙げられる。
【００１８】
また、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチや、記録層を構成する材料等を適宜設定することで、従来のＤＶＤ等よりトラックピッチが狭く、使用されるレーザ光より小さい波長のレーザ光で情報の記録再生を行うことが可能な光記録媒体（いわゆるブルーレイディスク、ＨＤ  ＤＶＤ等の構成）にも適用することができる。
【００１９】
上記構成の中でも、本発明の光情報記録媒体は、基板上に２層以上の記録層が形成され、２層以上ある前記記録層の層間に保護層が形成されている構成が好ましい。記録層が２層ある場合の具体的な構成としては、レーザー光が入射する側から第１の記録層、保護層および第２の記録層を有し、前記保護層と第２の記録層とが隣接した構成を挙げることができる。保護層（この場合のように、記録層を保護するために隣接もしくは近接して設けられる保護層を特に「色素保護層」という）が形成されていることで、記録層中の色素と粘着剤や接着剤との混和を防ぐことができる。ここで、「レーザー光が入射する側」とは、光情報記録媒体（光ディスク）における情報の記録再生の際にレーザー光が照射される側を意味する。
【００２０】
また、保護層は、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下の無機酸化物をターゲットに用いたＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により形成されている。保護層に用いられる無機酸化物のターゲットは、導電性が低いため、ＲＦスパッタリングにより形成されていた。しかし、ＲＦスパッタリングでは、ＤＣスパッタリング法に比べ、成膜速度が小さく生産性が低かった。これに対し、本発明では、無機酸化物のターゲットとして、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下のものを使用している。そのため、ＤＣスパッタリング法、または、ＤＣパルススパッタリング法により保護層を形成することができる。その結果、生産性の高い光情報記録媒体とすることができる。上記比抵抗としては、２×１０-2〜１×１０-5Ω・ｃｍであることが好ましく、１×１０-3〜１×１０-5Ω・ｃｍであることが好ましい。ターゲットの導電性の観点からは、比抵抗は小さいほうが好ましいが、比抵抗が小さすぎるとターゲットがもろくなるため、上記範囲が適当である。
【００２１】
保護層に用いられる材料、すなわち、無機酸化物のターゲットとしては、「酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物（複合酸化物（ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3）ともいう」、「酸化タンタル」、および「酸化ニオブ」等が挙げられる。なかでも、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物が好ましい。上記列挙した金属酸化物は、色素や粘着剤、接着剤との混和、拡散が少なく、色素と粘着剤や接着剤との混和をより確実に、かつ、長期にわたって防ぐことができる。
【００２２】
なお、本発明に係る無機酸化物のターゲットの抵抗値は、０．１Ω・ｃｍ以下である。このようなターゲットとして、例えば、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物の場合、当該混合物中の酸化ガリウムの含有量を、０．１〜４９質量％とすることが好ましく、０．５〜１２．０質量％とすることがより好ましく、１〜１０質量％とすることがさらに好ましい。
【００２３】
保護層をＤＣスパッタリングまたはＤＣパルススパッタリングで形成する際のスパッタガスとしては、不活性ガスを用いることが可能であり、例えばＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを用いることができる。スパッタ効率の観点から分子量の重い元素が好ましい。また、コスト面を考慮した場合、Ａｒを用いるのが好ましい。
【００２４】
ＤＣスパッタリングまたはＤＣパルススパッタリングを行う際の投入パワーは、当該スパッタリングの対象物とターゲットの間隔、ターゲットサイズ、製造タクト等により決定されるが、０．１ｋＷ〜８ｋＷとすることが好ましく、０．５ｋＷ〜４ｋＷとすることがより好ましい。また、当該スパッタリングを行う際のＡｒ分圧は、１．０×１０-3ｍｂａｒ〜１．０×１０-1ｍｂａｒとすることが好ましく、５．０×１０-3ｍｂａｒ〜５．０×１０-2ｍｂａｒとすることがより好ましい。
【００２５】
本発明の光情報記録媒体が、記録層に色素を含有する場合、当該記録層のうち、少なくとも１つの記録層に含有される色素としては、オキソノール色素、シアニン色素、フタロシアニン色素およびアゾ色素よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、オキソノール色素を使用することがより好ましい。特に、オキソノール色素を使用することで、高い耐光性と耐久性を示し、より良好な記録特性を発揮することができる。
【００２６】
オキソノール色素の具体例としては、Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ著、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｊｏｈｎ＆Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、Ｌｏｎｄｏｎ、１９６４年刊に記載のもの等が挙げられる。このようなオキソノール色素の中でも、下記一般式（１）で表される構造ものが好ましい。
【００２７】
【化１】
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【００２８】
一般式（１）中、Ｚａ1及びＺａ2は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｚａ1、Ｚａ2の具体例は、「Ｊａｍｅｓ編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁」により定義される。
【００２９】
具体的には、ピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、５，６員の炭素環（例えばインダン−１，３−ジオン）、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、３−ジシアノメチリデニル−３−フェニルプロピオニトリル、メルドラム酸などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
【００３０】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3を置換する置換基は、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のスルホニルアミノ基、置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基を表す。
【００３１】
上記置換基として好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子である。
【００３２】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は、より好ましくは、無置換のメチン基、または無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子で置換されたメチン基である。
【００３３】
ｋａは０から３までの整数を表わし、より好ましくは１または２の整数を表す。ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ1、Ｍａ2は同じでも異なってもよい。
【００３４】
一般式（１）中のＱは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要なＱの数を表わす。
【００３５】
ある化合物が陽イオン、陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するか否かは、その化合物の置換基に依存する。一般式（１）においてＱで表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて、陽イオンを表す場合と、陰イオンを表す場合があり、また、色素分子が無電荷の場合には、Ｑは存在しない。Ｑとして表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑとして表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。
【００３６】
Ｑで表される陽イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンが挙げられる。
【００３７】
一方、Ｑで表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオンなどのヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。
【００３８】
Ｑで表される陽イオンとして好ましくは、オニウムイオンであり、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。
【００３９】
一般式（１）で表される色素の中でも、Ｑで表されるイオンは下記一般式（２）で表される構造であるものが好ましい。
【００４０】
【化２】
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【００４１】
一般式（２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ13、Ｒ18は、各々独立に、１価の置換基を表す。
【００４２】
１価の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。
【００４３】
さらに詳しくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。これらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、
【００４４】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。これらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、
【００４５】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、
【００４６】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００４７】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、
【００４８】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００４９】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
【００５０】
スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、
【００５１】
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
【００５２】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００５３】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００５４】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、好ましくは、全て水素原子である。Ｒ13、Ｒ18はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基がより好ましい。更には、置換アリール基が好ましい。Ｒ13、Ｒ18が置換アリール基である場合の置換基は、ヒドロキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基、ハロゲン原子が好ましい。
【００５５】
オキソノール色素の最も好ましい構造は、下記一般式（３）で表される構造である。
【００５６】
【化３】
2007012181.tif 000005
【００５７】
一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、各々独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００５８】
また、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子または、置換基をあらわす。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30のうち、隣接する２つの置換基が、互いに結合し、環構造を形成してもよい。
【００５９】
置換基の例は、前述の一般式（２）のＲ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20で述べたものを挙げることができる。
【００６０】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基が好ましい。
【００６１】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30の好ましい例は、Ｒ23、Ｒ28がヒドロキシル基で、かつ、Ｒ22、Ｒ27が置換または無置換のフェニル基であり、より好ましい例は更にその他が水素原子であるものである。
【００６２】
以下に、上記一般式（１）（上記一般式（３）に相当する構造も含む）で表される化合物の好ましい具体例（色素１〜３４）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、色素１〜６は下記一般式（４）の具体例であり、色素７〜１２は下記一般式（５）の具体例であり、色素１３〜１６は下記一般式（６）の具体例であり、色素１７〜２１は下記一般式（７）の具体例である。
【００６３】
【化４】
2007012181.tif 000006
【００６４】
【化５】
2007012181.tif 000007
【００６５】
【化６】
2007012181.tif 000008
【００６６】
【化７】
2007012181.tif 000009
【００６７】
【化８】
2007012181.tif 000010
【００６８】
【化９】
2007012181.tif 000011
【００６９】
【化１０】
2007012181.tif 000012
【００７０】
【化１１】
2007012181.tif 000013
【００７１】
【化１２】
2007012181.tif 000014
【００７２】
なお、オキソノール色素として、他に、以下に説明するオキソノール系色素ＡおよびＢを使用してもよい。オキソノール色素Ａとしては、下記一般式（８）で表される化合物が好ましい。
【００７３】
【化１３】
2007012181.tif 000015
【００７４】
［一般式（８）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスホニル基、置換または無置換のアルキルスルフィニル基、置換または無置換のアリールスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表し、ｍが２以上の場合は複数のＲ3は同じでも異なってもよい。Ｚx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。］
【００７５】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換または無置換のアルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、プチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−アミル、シクロプロピル、シクロへキシル、ベンジル、フェネチル）が挙げられる。また、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14が各々アルキル基を表す場合には、それらが互いに連結して炭素環（例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル、２−メチルシクロへキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなど）または複素環（例えばピペリジル、クロマニル、モルホリルなど）を形成していてもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表されるアルキル基として好ましくは、炭素数１〜８の、鎖状アルキル基または環状アルキル基であり、最も好ましくは炭素数１〜５の鎖状（直鎖状または分岐鎖状）アルキル基、Ｒ11とＲ12およびＲ13とＲ14がそれぞれ結合して環をなした炭素数１〜８の環状アルキル基（好ましくはシクロへキシル環）、炭素数１〜２０の置換アルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）である。
【００７６】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換または無置換のアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）が挙げられる。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表されるアリール基として好ましくは、炭素数６〜１０のアリール基である。
【００７７】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換または無置換のヘテロ環基は炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和又は不飽和のヘテロ環基であり、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピペリジル基、トリアジル基、ピロリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基などが挙げられる。またこれらがベンゾ縮環したもの（例えばキノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾキサゾリル基など）でもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換または無置換のヘテロ環基として好ましくは、炭素数６〜１０の置換または無置換のヘテロ環基である。
【００７８】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14で表される置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基の置換基としては後述の置換基群Ｓが挙げられる。
【００７９】
Ｓで示される置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル）、炭素数７〜２０のアラルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ）、炭業数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、ナフトキシ）、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル、スクシンイミド、フタルイミド、マレイミド）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、沃素）、カルボキシル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、シアノ基、炭素教２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ピバロイル）、炭素数１〜１０のカルバモイル（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル）、アミノ基、炭素数１〜２０の置換アミノ基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ビス（メチルスルホニルエチル）アミノ、Ｎ−エチル−Ｎ’−スルホエチルアミノ）、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、炭業数１〜１０のアルキルスルホニルアミノ基（例えば、メチルスルホニルアミノ）、炭素数１〜１０のカルバモイルアミノ基（例えば、カルバモイルアミノ、メチルカルバモイルアミノ）、炭素数１〜１０のスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、エタンスルホニル）、炭素数１〜１０のスルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル）、および炭素数０〜１０のスルファモイル基（例えば、スルファモイル、メタンスルファモイル）が含まれる。カルボキシル基およびスルホ基の場合にはそれらは塩の状態であってもよい。
【００８０】
一般式（８）のＲ21、Ｒ22、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3として好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは水素原子、無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子のいずれかである。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は更に置換基を有しても良く、置換基としては前述の置換基群Ｓが挙げられる。
ｍが０であり、Ｒ21、Ｒ22が両方とも水素原子であることが好ましい。また、ｍが１であり、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3がいずれも水素原子であることが好ましい。
【００８１】
一般式（８）のｍは０以上の整数を表し、好ましくは０〜５（０以上５以下）の整数であり、更に好ましくは０〜３の整数であり、特に好ましくは０〜２の整数である。
【００８２】
一般式（８）において、上記ｍが２以上の場合、複数のＲ3は同じでも異なってもよく、それぞれ独立に水素原子又は前記の置換基を表す。
【００８３】
一般式（８）においてＺx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。
Ｚx+で表される陽イオンとして好ましくは、第４級アンモニウムイオンであり、更に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。一般式（８）においてｘは１または２が好ましい。
【００８４】
以下に、前記一般式（８）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８５】
【化１４】
2007012181.tif 000016
【００８６】
【化１５】
2007012181.tif 000017
【００８７】
【化１６】
2007012181.tif 000018
【００８８】
【化１７】
2007012181.tif 000019
【００８９】
【化１８】
2007012181.tif 000020
【００９０】
【化１９】
2007012181.tif 000021
【００９１】
【化２０】
2007012181.tif 000022
【００９２】
【化２１】
2007012181.tif 000023
【００９３】
【化２２】
2007012181.tif 000024
【００９４】
【化２３】
2007012181.tif 000025
【００９５】
【化２４】
2007012181.tif 000026
【００９６】
【化２５】
2007012181.tif 000027
【００９７】
【化２６】
2007012181.tif 000028
【００９８】
【化２７】
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【００９９】
【化２８】
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【０１００】
【化２９】
2007012181.tif 000031
【０１０１】
【化３０】
2007012181.tif 000032
【０１０２】
次に、前記オキソノール色素Ｂとして好適な例を挙げて説明する。当該オキソノール色素Ｂは、下記一般式（９）で表される化合物が好ましい。
【０１０３】
【化３１】
2007012181.tif 000033
【０１０４】
一般式（９）中、Ｚａ25、Ｚａ26は、各々独立に、酸性核を形成する原子群であり、その例としては、Ｊａｍｅｓ編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁に記載されている。具体的には、各々、置換されてもいてもよいピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸など）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、５または６員の炭素環（例えば、ヘキサン−１，３−ジオン、ペンタン−１，３−ジオン、インダン−１，３−ジオン）などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
Ｚａ25、Ｚａ26は、各々、置換されていてもよい１，３−ジオキサン−４，６−ジオンが最も好ましい。
【０１０５】
酸性核を置換する置換基は、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、またはシリル基が例として挙げられる。その中でも、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
酸性核は、無置換または、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたもの、炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたものが好ましい。
【０１０６】
Ｚａ25、Ｚａ26が形成する酸性核は、好ましくは、インダンジオン、ピラゾロン、ピラゾリンジオン、ベンゾチオフェンオンジオキシドである。その中でも、ピラゾロンが最も好ましい。
【０１０７】
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換または無置換のメチン基であり、置換基として好ましくは、炭素数１から２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル）、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素）、炭素数１から２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピル）、炭素数６から２６のアリール基（例えば、フェニル、２−ナフチル）、炭素数０から２０のヘテロ環基（例えば、２−ピリジル、３−ピリジル）、炭素数６から２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、２−ナフトキシ）、炭素数１から２０のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、炭素数１から２０のカルバモイル基（例えばＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１から２０のアルキルチオ基（例えばメチルチオ）、シアノ基などが挙げられる。また、他のメチン基と結合して環構造を形成してもよく、Ｚａ21からＺａ26で表される原子団と結合して環構造を形成してもよい。
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、好ましくは無置換、エチル基、メチル基、フェニル基で置換されたメチン基のいずれかである。最も好ましくは、無置換のメチン基である。
【０１０８】
Ｋａ23は、０から３までの整数を表す。Ｋａ23が２または３であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、同じでも異なっていてもよい。Ｋａ23は、共に２であるものが好ましい。Ｑは、電荷を中和する陽イオンを表す。
【０１０９】
一般式（９）で表される構造の色素のうち、特に、下記一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）で表されるものが好ましい。
【０１１０】
【化３２】
2007012181.tif 000034
【０１１１】
一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ32、Ｒ33（以上を「Ｒ」と表示することあり）は、各々独立に、水素原子または、置換基を表す。置換基は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、置換もしくは無置換のアルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリルオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、置換もしくは無置換のアシルオキシ基、置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ、置換もしくは無置換のアミノ基（アニリノ基を含む）、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニルアミノ基、置換もしくは無置換のメルカプト基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換または無置換のヘテロ環チオ基、置換または無置換のスルファモイル基、スルホ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルフィニル基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のカルバモイル基、置換または無置換のアリール及びヘテロ環アゾ基、置換もしくは無置換のイミド基、置換もしくは無置換のホスフィノ基、置換もしくは無置換のホスフィニル基、置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、または置換もしくは無置換のシリル基が例として挙げられる。
【０１１２】
更に詳しくは、Ｒは、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、
【０１１３】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、
【０１１４】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、
【０１１５】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【０１１６】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【０１１７】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
【０１１８】
スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
【０１１９】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【０１２０】
一般式（１０）、及び一般式（１１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28は、水素原子が最も好ましい。
Ｒ31、Ｒ34、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44は、置換基としては前記Ｒと同じものが挙げられるが、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基が更に好ましい。
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換または無置換のメチン基である。一般式（２）のＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29と同義であり、その具体例及び好ましいものも同様である。Ｋａ23は、各々独立に、０から３までの整数を表す。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。Ｋａ23が２または３であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28は、同じでも異なっていてもよい。
【０１２１】
以下に、一般式（９）で表される化合物の好ましい具体例（化合物（９）−１〜（９）−２５）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２２】
【化３３】
2007012181.tif 000035
【０１２３】
【化３４】
2007012181.tif 000036
【０１２４】
【化３５】
2007012181.tif 000037
【０１２５】
【化３６】
2007012181.tif 000038
【０１２６】
【化３７】
2007012181.tif 000039
【０１２７】
オキソノール色素は、該当する活性メチレン化合物とメチン源（メチン染料にメチン基を導入するために用いられる化合物）との縮合反応によって合成することができる。この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号、同４３−３５０４号、同５２−３８０５６号、同５４−３８１２９号、同５５−１００５９号、同５８−３５５４４号、特開昭４９−９９６２０号、同５２−９２７１６号、同５９−１６８３４号、同６３−３１６８５３号、同６４−４０８２７号各公報、ならびに英国特許第１１３３９８６号、米国特許第３２４７１２７号、同４０４２３９７号、同４１８１２２５号、同５２１３９５６号、同５２６０１７９号各明細書を参照することができる。また、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平１０−３０９８７１号公報、特開２００２−２４９６７４号公報にも記載されている。
【０１２８】
上記一般式（１）及び（３）等で示されるオキソノール色素は、単独で用いてもよく、あるいは二種以上を併用してもよい。また、既述のオキソノール色素とこれ以外の色素化合物とを併用してもよい。併用する色素は、アゾ色素（金属イオンとの錯体化したものを含む）、ピロメテン色素、シアニン色素等が例として挙げられる。
【０１２９】
本発明に用いる色素は、熱分解温度が１００℃〜３５０℃の範囲にあるものが好ましい。更には、１５０℃〜３００℃の範囲にあるものが好ましい。更には、２００℃から３００℃の範囲にあるものが好ましい。
【０１３０】
記録層に用いる色素（「既述のオキソノール色素」または「既述のオキソノール色素およびこれと併用する色素」）のアモルファス膜の光学特性上、複素屈折率の係数ｎ（実部：屈性率）、ｋ（虚部：消衰係数）は、好ましくは、２．０≦ｎ≦３．０、０．００５≦ｋ≦０．３０である。更に好ましくは、２．１≦ｎ≦２．７、０．０１≦ｋ≦０．１５である。最も好ましくは、２．１５≦ｎ≦２．５０、０．０３≦ｋ≦０．１０である。
【０１３１】
本発明の光情報記録媒体の層構成は、少なくとも２層の記録層を有し、既述の保護層が形成されている構成であれば、特に限定されるものではない。２層の記録層を有する場合、その層構成例としては、既述のように、基板上に、第１の記録層、保護層、他の記録層である第２の記録層等がこの順に形成されてなる構成である。なお、当該構成では、保護層と第２の記録層とが隣接している。
【０１３２】
図１に、本発明の光情報記録媒体の層構成例を示す。まず、図１に示す光情報記録媒体は、いわゆる貼り合わせ型の光情報記録媒体である。すなわち、基板１上に、第１の記録層Ｌ０と反射層３とが形成された積層体と、基板８上に反射層７と第２の記録層Ｌ１と保護層５とが形成された積層体とが、接着剤からなる中間層４を介しそれぞれの記録層が内層となるようにして貼り合わされた構成となっている。なお、図１の構成の場合、基板１側からレーザを照射するため、反射層３は半透明となっている。
【０１３３】
また、光情報記録媒体の構成として、いわゆる積層型の光情報記録媒体としてもよい。この場合の層構成としては、第１の基板上に、第１の記録層、第１の反射層、第２の記録層、第２の反射層、接着層等および第２の基板（保護基板）がこの順に積層した構成となっており、第１の記録層と第２の記録層との間に保護層が設けられている。そして、当該光情報記録媒体も、第１の基板側からレーザを照射するため、第１の反射層は半透明となっている。
【０１３４】
以下、本発明の光情報記録媒体の基板や各層の材料および形成方法を説明する。
【０１３５】
（基板）
基板（保護基板も含む）は、従来の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。
【０１３６】
基板には、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プレグルーブ）が形成されている。プリグルーブのトラックピッチは、３００〜９００ｎｍの範囲とすること好ましく、４００〜８００ｎｍとすることがさらに好ましい。また、プリグルーブの深さ（溝深さ）の範囲は、積層型と貼り合わせ型とで異なる。積層型では、１００〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、１１０〜１５０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。
【０１３７】
一方、貼り合わせ型においては、光入射面に近い基板のプリグルーブの深さは、１００〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、１１０〜１５０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。また、光入射面に遠い基板のプリグルーブの深さは、１００ｎｍ以下が好ましく、６０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１５〜４０ｎｍとすることがさらに好ましい。
【０１３８】
さらに、プリグルーブの半値幅の好ましい範囲は、積層型と貼り合わせ型とで異なる。積層型では、２００〜４００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２３０〜３８０ｎｍとすることがより好ましい。
【０１３９】
一方、貼り合わせ型においては、光入射面に近い基板のプリグルーブの半値幅は、２００〜４００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２３０〜３８０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。また、光入射面に遠い基板のプリグルーブの凸部における半値幅は、３００〜５５０ｎｍの範囲とすることが好ましく、４００〜５２０ｎｍとすることがより好ましい。
【０１４０】
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
【０１４１】
下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
【０１４２】
既述のように、基板（または下塗層）にはトラッキング用溝またはアドレス信号等の情報を表す凹凸（プレグルーブ）が形成されている。このプレグルーブは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線を照射することにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。
【０１４３】
本発明の光情報記録媒体がブルーレイディスクの場合は、厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、記録層と、保護層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層と、をこの順に有する構成であることが好ましい。そして、前記基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチは５０〜５００ｎｍ、溝幅は２５〜２５０ｎｍ、溝深さは５〜１５０ｎｍであることが好ましい。
【０１４４】
また、本発明の光情報記録媒体がＨＤ  ＤＶＤの場合は、厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、記録層と、保護層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板と、をこの順に有する構成であることが好ましい。そして、前記基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチは２００〜６００ｎｍ、溝幅は５０〜３００ｎｍ、溝深さは３０〜２００ｎｍであり、ウォブル振幅は１０〜５０ｎｍであることが好ましい。
【０１４５】
（記録層）
基板上（又は下塗層）のプレグルーブが形成されている面側には、記録層が形成される。当該記録層としては、既述のような色素を含有させる色素型（色素記録層）としてもよく、相変化金属を含有させる相変化型としてもよい。本発明では、色素型とすることが好ましい。
【０１４６】
色素型の場合で記録層が２層ある場合、既述のように少なくとも１つの記録層（記録層が１層の場合は、当該記録層）に含有される色素は、オキソノール色素、シアニン色素、フタロシアニン色素およびアゾ色素よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、オキソノール色素を使用することがより好ましい。なお、オキソノール色素については、既述の通りである。
【０１４７】
また、その他の色素に関しては、特開平４−７４６９０号公報、特開平８−１２７１７４号公報、同１１−５３７５８号公報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−３３４２０５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、同２０００−１０８５１３号公報、および同２０００−１５８８１８号公報等に記載されている色素も好適に用いられる。
【０１４８】
記録層には、更に耐光性を向上させるための種々の褪色防止剤を含有することができる。褪色防止剤の代表例としては、特開平３−２２４７９３号公報に記載の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）もしくは（Ｖ）で表される金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩や特開平２−３００２８７号公報や特開平２−３００２８８号公報に示されているニトロソ化合物、特開平１０−１５１８６１号公報に示されているＴＣＮＱ誘導体などを挙げることができる。
【０１４９】
記録層の形成は、色素（例えば、既述のオキソノール色素等）、更に所望によりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことができる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコールモノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
【０１５０】
上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮して単独または二種以上組み合わせて用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１５１】
結合剤の例としては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
【０１５２】
記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、色素の量に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の色素濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
【０１５３】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。
【０１５４】
記録層が相変化型の場合、当該記録層は、結晶状態と非晶状態の少なくとも２つの状態をとり得る少なくともＡｇ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｓｂからなる相変化型の光記録材料からなることが好ましい。かかる記録層は、公知の方法で形成することができる。なお、当該記録層上には、必要に応じて、公知の誘電体層が形成される。
【０１５５】
（反射層）
記録層上には、情報の再生時における反射率の向上の目的で、反射層が設けられることが好ましい。反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組み合わせで、または合金として用いてもよい。反射層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより記録層の上に形成することができる。
【０１５６】
反射層の層厚は一般には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。なお、反射層が半透明の場合（図１における反射層３に相当する場合）、その層厚は、２〜１５０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【０１５７】
（保護層）
保護層の材料および形成方法（ＤＣスパッタリング、ＤＣパルススパッタリング）については、既述の通りである。保護層は、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物であることが好ましい。そして、混合物中の前記酸化ガリウムの含有量は、０．１〜４９質量％であることが好ましく、０．５〜１２．０質量％とすることがより好ましく、１〜１０質量％とすることがさらに好ましい。また、保護層の層厚は、１ｎｍ〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【０１５８】
なお、ＤＣスパッタリングやＤＣパルススパッタリングは、ＲＦスパッタリングに比べて、基板に対する熱ダメージが小さいため、良好な信号記録特性が示される。
【０１５９】
（中間層）
中間層は、本発明の光情報記録媒体が貼り合わせ型の場合に、２つ積層体を接着するために設けられる層（接着層ということもある）である。従って、中間層を構成する材料は、公知の接着剤や粘着剤となる。中間層の厚みは、５〜１００μｍであることが好ましく、１０〜７０μｍであることより好ましい。
【０１６０】
（その他）
本発明の光情報記録媒体がブルーレイディスクの場合に形成されるカバー層としては、透明シートを使用することが好ましい。透明シートは、光情報記録媒体内部を汚染や傷、衝撃などから防ぐため、あるいは水分の浸入などを防ぐなどのために設けられる。材料としては、透明な材質であれば特に限定されないが、好ましくはポリカーボネート、三酢酸セルロース等であり、より好ましくは、２３℃５０％ＲＨでの吸湿率が５％以下の材料である。なお、「透明」とは、記録光および再生光の光に対して、該光を透過する（透過率：９０％以上）ほどに透明であることを意味する。
【０１６１】
透明シートは、例えば以下のようにして設けることができる。光硬化性樹脂を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を所定温度で記録層上（バリア層等が形成されている場合はその上）に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜上に、例えば、プラスチックの押出加工で得られた三酢酸セルロースフィルム（ＴＡＣフィルム）をラミネートし、ラミネートしたＴＡＣフィルムの上から光を照射して塗布膜を硬化させて形成される。前記ＴＡＣフィルムとしては、紫外線吸収剤を含むものが好ましい。透明シートの厚さは、０．０１〜０．２ｍｍの範囲であり、好ましくは０．０３〜０．１ｍｍの範囲、より好ましくは０．０５〜０．０９５ｍｍの範囲である。なお、透明シートとして、ポリカーボネートシート等を使用することもできる。また、透明シートの代わりに、紫外線硬化樹脂等からなる光透過層を形成してもよい。
【０１６２】
本発明の光情報記録媒体の情報記録方法は、例えば、次のように行われる。まず、情報記録媒体を定線速度または定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レーザー光などの記録用のレーザー光を照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）するか、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報が記録されると考えられる。記録光としては、６００ｎｍ〜７００ｎｍ（好ましくは６２０〜６８０ｎｍ、更に好ましくは、６３０〜６６０ｎｍ）の範囲の発振波長を有する半導体レーザービームが用いられる。
【０１６３】
上記のように記録された情報の再生は、情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら記録時と同じ波長を持つ半導体レーザー光を基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０１６４】
なお、ブルーレイディスクやＨＤ  ＤＶＤの場合は、３５０〜５００ｎｍの発振波長を有するレーザ光源、例えば、３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ、中心発振波長約４３０ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ等を使用することが好ましい。また、記録密度を高めるために、ブルーレイディスクの場合、ピックアップに使用される対物レンズの開口率（ＮＡ）は０．７以上が好ましく、０．８０以上がより好ましい。
【実施例】
【０１６５】
以下、本発明を実験例および実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６６】
［実験例：スパッタリングによる保護層の成膜性の評価］
下記表１に示すように、複数種のＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3混合ターゲット（実験例１〜６および比較実験例１〜５）を用意し、ターゲットの抵抗率とＤＣスパッタリングの可否との関係を調べた。表１に示すように、ターゲットの抵抗率が０．１Ω・ｃｍより低い実験例１〜６においては、ＤＣスパッタリングもしくはＤＣパルススパッタリングでの成膜が可能であることがわかった。
【０１６７】
なお、ＤＣスパッタリングの条件としては、到達真空度６．３×１０-6ｍｂａｒ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ（Ａｒガス分圧：１．６×１０-2ｍｂａｒ）、投入電力１ｋＷとした。ＤＣパルススパッタリングの条件としては、到達真空度６．３×１０-6ｍｂａｒ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ（Ａｒガス分圧：１．６×１０-2ｍｂａｒ）、投入電力１ｋＷ（周波数１７ｋＨｚ）とした。
【０１６８】
【表１】
2007012181.tif 000040
【０１６９】
次に、実験例４と比較実験例１〜５について、ＤＣスパッタリングもしくはＲＦスパッタリングで成膜した時の成膜レートを調べた。ここで成膜時のＡｒ流量は５０ｓｃｃｍ（スパッタ時のＡｒガス圧は１．６×１０-2ｍｂａｒ）と固定とした。表２に投入電力１ｋＷあたりのスパッタレートを示す。ＤＣスパッタリングで作製した実施例４では、ＲＦスパッタリングにより作製した比較例１〜５に比べて、成膜レートが２倍以上大きいことがわかった。
【０１７０】
【表２】
2007012181.tif 000041
【０１７１】
［光情報記録媒体の作製および評価］
（実施例１）
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂を、スパイラル状のグループ（深さ１２０ｎｍ、溝幅３６５ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．５７５ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第１の記録層を形成するための基板とした。下記化学式で表される色素Ａ：１．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解した塗布液を調製し、この塗布液をスピンコート法により上記基板のグループが形成されている面上に塗布して、第１の記録層（Ｌ０層）を形成した。
【０１７２】
【化３８】
2007012181.tif 000042
【０１７３】
次に、記録層上にＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ９８．４ａｔ％：Ｎｄ０．７ａｔ％：Ｃｕ０．９ａｔ％）をスパッタリングして、膜厚１３ｎｍの半透過反射層を形成した。これにより第１の記録層を有するディスクを作製した。
【０１７４】
一方、射出成形にて、ボリカーボネート樹脂をスパイラル状のグループ（深さ３５ｎｍ、基板ランド幅４６０ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．６００ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第２の記録層を形成するための基板とした。
【０１７５】
次に基板のグループが形成されている面上にＡｇＢｉＮｄ合金（ターゲット組成Ａｇ９９．４５ａｔ％：Ｂｉ０．３５ａｔ％：Ｎｄ０．２０ａｔ％）をスパッタリングして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した。さらに、下記化学式で表される色素Ｂ：２．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解した塗布液を調製し、この塗布液をスピンコート法により上記基板のグループが形成されている面上に塗布して、第２の記録層（Ｌ１層）を形成した。さらにこの記録層上に保護層（色素保護層）として、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ターゲット組成  ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝９５ｗｔ％：５ｗｔ％）をＤＣスパッタリングにより、膜厚５ｎｍの薄膜を形成した。これにより第２の記録層を有するディスクを作製した。なお、ＤＣスパッタリングの以下のようにして行った。
【０１７６】
【化３９】
2007012181.tif 000043
【０１７７】
まず、装置のチャンバー内を６．３×１０-6ｍｂａｒになるまで真空排気した後、Ａｒガスを導入し、Ａｒガスの圧力を１．６×１０-2ｍｂａｒとした。その後、既述のターゲットに１ｋＷの電力を一定供給し、スパッタリングを行った。
【０１７８】
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリア  ＳＤ６４０  大日本インキ化学工業製）を接着剤として用いて、第１の記録層を有するディスクと第２の記録層を有するディスクとを貼り合せて光情報記録媒体を作製した。なお、接着剤の層の厚さは５０μｍであった。
【０１７９】
（比較例１）
保護層として、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ターゲット組成  ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝３０ｗｔ％：７０ｗｔ％（比較実験例３に相当））をＲＦスパッタリングにより、膜厚５ｎｍの保護層を形成した以外は、実施例１と全く同様な方法で光情報記録媒体を作製した。
（実施例２）
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂をスパイラル状のグループ（深さ１２０ｎｍ、溝幅３６５ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．５７５ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第１の記録層を形成するための基板とした。
【０１８０】
上記色素Ａと下記化学式で表される色素Ｃとを９０：１０の比率（質量比）で混合し、この混合色素１．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解して、塗布液を調製した。この塗布液を、スピンコート法により上記基板のグループが形成されている面上に塗布して、第１の記録層（Ｌ０層）を形成した。次に、記録層上にＡｇＢｉＮｄ合金（ターゲット組成Ａｇ９９．４５ａｔ％：Ｂｉ０．３５ａｔ％：Ｎｄ０．２０ａｔ％）をスパッタして膜厚１２．４ｎｍの半透過反射層を形成した。これにより第１の記録層を有するディスクを作製した。
【０１８１】
【化４０】
2007012181.tif 000044
【０１８２】
一方、射出成形にて、ポリカーボネート樹脂を、スパイラル状のグループ（深さ３５ｎｍ、基板ランド幅４６０ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．６００ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを第２の記録層を形成するための基板とした。
【０１８３】
次に、基板のグループが形成されている面上にＡｇＢｉＮｄ合金（ターゲット組成Ａｇ９９．４５ａｔ％：Ｂｉ０．３５ａｔ％、Ｎｄ０．２０ａｔ％）をスパッタして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した。さらに、上記色素Ａ：２．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解して、塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法により上記基板のグループが形成されている面上に塗布して、第２の記録層（Ｌ１層）を形成した。
【０１８４】
さらに、この第２の記録層上に保護層（色素保護層）として、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ターゲット組成ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝９５ｗｔ％：５ｗｔ％）をＤＣスパッタリングにより、膜厚５ｎｍの薄膜を形成した。これにより第２の記録層を有するディスクを作製した。なお、ＤＣスパッタリングの以下のようにして行った。
【０１８５】
まず、装置のチャンバー内を６．３×１０-6ｍｂａｒになるまで真空排気した後、Ａｒガスを導入し、Ａｒガスの圧力を１．６×１０-2ｍｂａｒとした。その後、既述のターゲットに１ｋＷの電力を一定供給し、スパッタリングを行った。
【０１８６】
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリア  ＳＤ６４０  大日本インキ化学工業製）を接着剤として用いて、第１の記録層を有するディスクと第２の記録層を有するディスクとを貼り合せて、光情報記録媒体を作製した。この接着剤の層の厚さは５０μｍであった。
【０１８７】
［光記録媒体の評価］
ＤＤＵ−１０００およびマルチシグナルジェネレータ（パルステック社製。レーザー波長６５５．９ｎｍ、対物レンズ開口数０．６５）を用いて、線速度を３０．７２ｍ／ｓとして、８−１６変調信号を記録した。使用した記録レーザー発光パターン（記録ストラテジ）は、各ディスクに対して最適化した。また、記録した信号は、ＤＤＵ−１０００（パルステック社製。レーザー波長６５１．０ｎｍ、対物レンズ開口数０．６０）を用いて、線速度を３．８４ｍ／ｓとして、再生を行い、ジッターを評価した。
【０１８８】
下記表３に、実施例１および比較例１の光情報記録媒体の第２の記録層（Ｌ１層）のジッター評価結果を示す。実施例１、比較例２とも目標値である９％以下のジッターであり、良好な特性を示している。
【０１８９】
【表３】
2007012181.tif 000045
【０１９０】
また、下記表４に実施例２の光情報記録媒体の第１の記録層（Ｌ０層）および第２の記録層（Ｌ１層）の記録信号評価結果を示す。第１の記録層（Ｌ０層）および第２の記録層（Ｌ１層）とも目標値を満足する結果であり、良好な信号特性を示した。
【０１９１】
【表４】
2007012181.tif 000046
【０１９２】
以上の結果から、実施例の光情報記録媒体は、生産性が高く、設備コストが安いプロセスで保護層を形成することが可能で、かつ、十分低いジッターを達成でき、良好な信号特性を有することが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】本発明の光情報記録媒体の層構成例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１９４】
１，８・・・基板
Ｌ０・・・第１の記録層
３・・・反射層
４・・・中間層
５・・・保護層
Ｌ１・・・第２の記録層
７・・・反射層
【図１】
2007012181.tif 000047