(57)【要約】【課題】  何ら不具合が発生することなく、仮基板上の配線層を精度よく半導体基板上に転写・形成し、かつ半導体基板から仮基板を安定して除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  仮基板１０の上に紫外線照射剥離型接着層１２を形成し、紫外線照射剥離型接着層１２の上に、最上に接続部２６を備えた配線層３を形成した後に、仮基板１０上の配線層３の接続部２６と半導体回路が形成された半導体基板３０の接続部３８とを接合する。さらに、仮基板１０側から紫外線照射剥離型接着層１２に紫外線を照射することにより、紫外線照射剥離型接着層１２及び仮基板１０を剥離して除去する。【選択図】  図３
2007027377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基板の上に紫外線照射剥離型接着層を形成する工程と、
前記紫外線照射剥離型接着層の上に、最上に接続部を備えた配線層を形成する工程と、
前記仮基板上の前記配線層の前記接続部と半導体回路が形成された半導体基板の接続部とを接合する工程と、
前記仮基板側から前記紫外線照射剥離型接着層に紫外線を照射することにより、前記紫外線照射剥離型接着層及び前記仮基板を剥離して除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線層は、最下に外部接続端子用パッドを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線層を形成する工程は、
前記紫外線照射剥離型接着層の上に設けられた第１樹脂層の開口部に前記外部接続端子用パッドを形成する工程と、
前記第１樹脂層上に前記外部接続端子用パッドに電気接続される配線部を形成する工程と、
前記配線部の一部を被覆すると共に、前記配線部の上に開口部が設けられた第２樹脂層の該開口部に前記接続部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記外部接続端子用パッドを形成する工程は、
前記紫外線照射剥離型接着層の上にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に前記開口部が設けられた前記第１樹脂層を形成する工程と、
前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより前記第１樹脂層の前記開口部に金属層を形成して前記外部接続端子用パッドを得る工程とを含み、
前記紫外線照射剥離型接着層及び前記仮基板を剥離して除去する工程の後に、前記シード層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記紫外線照射剥離型接着層及び前記仮基板を剥離して除去する工程の後に、
露出する前記外部接続端子用パッドに外部接続端子を設ける工程をさらに有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線層を形成する工程は、
前記紫外線照射剥離型接着層の上に第１樹脂層を形成する工程と、
金型で前記第１樹脂層を押圧することにより、前記第１樹脂層に開口部とそれに連通す凹部を形成する工程と、
前記開口部及び凹部を埋め込む金属層を前記第１樹脂層の上に形成する工程と、
前記金属層を前記第１樹脂層の上面が露出するまで研磨して、前記金属層を前記樹脂層の開口部及び凹部に埋め込むことにより、前記開口部の下部に前記外部接続端子用パッドを得ると共に、前記凹部に前記外部接続端子用パッドに繋がる配線部を得る工程と、
前記配線部上に開口部が設けられた第２樹脂層の該開口部に前記接続部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線層を形成する工程において、前記配線層の所定部に電気的に接続される電子部品を形成又は実装することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線層を形成する工程の前に、
前記紫外線照射剥離型接着層の上に第１金属からなる金属箔を形成する工程と、
前記金属箔の上に開口部が設けられた樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の開口部内の前記金属箔の部分に凹部を形成する工程と、
前記金属箔と異なる第２金属からなる金属層を電解めっきによって前記金属箔の凹部に形成する工程とをさらに有し、
前記外部接続端子用パッドは前記金属層上の前記樹脂層の開口部に形成され、
前記紫外線照射剥離型接着層及び前記仮基板を剥離して除去する工程の後に、
前記金属箔を前記金属層に対して選択的に除去することにより、外部接続端子となる前記金属層を露出させる工程をさらに有することを特徴する請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記仮基板の接続部は接続パッドであり、前記半導体基板の接続部は金属バンプであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記仮基板は、ホウ珪酸ガラス、シリカガラス、アクリル樹脂及びポリテトラフルオロエチレンの群から選択されるいずれかよりなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体基板は、シリコンウェハであることを特徴とする請求項1乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記紫外線照射剥離型接着層は、紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関わり、さらに詳しくは、ＣＳＰ（チップサイズパッケ−ジ）プロセスをウエハ上で行うようにしたウェハレベルパッケージの製造に適用できる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア機器を実現するためのキーテクノロジーであるＬＳＩ技術はデータ伝送の高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。これに伴って、ＬＳＩと電子機器とのインターフェイスとなる実装技術の高密度化が進められている。
【０００３】
そのような要求に応じるＩＣパッケ−ジとして、チップサイズと略同等の大きさにパッケージされたＣＳＰが知られている。さらには、ウエハ段階でＣＳＰ構造に係る成膜や加工などを行い、その後にダイシングして個別のＣＳＰを得るようにしたウエハレベルＣＳＰが知られている。
【０００４】
ウェハレベルＣＳＰでは、半導体回路が形成されたシリコンウェハの接続パッドに所要の再配線層と接続端子が形成された後に、シリコンウェハがダイシングされて個々のＣＳＰが得られる。
【０００５】
しかしながら、上記したウェハレベルＣＳＰの製造方法では、半導体回路が形成されたシリコンウェハに直接再配線層や接続端子を形成するので、半導体回路にダメージを与えるような処理は行うことができず、製造方法が制約されるおそれがある。また、パッケージの薄型化のためにシリコンウェハが薄型化されて強度が低下している場合は、再配線工程での取り扱いが困難になる。
【０００６】
そこで、シリコンウェハとは別の仮基板上に配線層を形成しておき、仮基板上の配線層をシリコンウェハの接続パッドに接合した後に、仮基板を選択的に除去することにより、シリコンウェハ上に配線層を転写・形成する方法が提案されている。そのような方法に類似した技術は、特許文献１〜３に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−７６５７６号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１８５５号公報
【特許文献３】特開２００４−６３８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、仮基板上に形成された配線層を精度よくシリコンウェハの接続部に接合し、かつシリコンウェハから仮基板を安定して除去する技術に関しては、十分に確立しているとはいえず、そのような技術について切望されている状況下にある。
【０００８】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、何ら不具合が発生することなく、仮基板上の配線層を精度よく半導体基板上に転写・形成し、かつ半導体基板から仮基板を安定して除去することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は半導体装置の製造方法に係り、仮基板の上に紫外線照射剥離型接着層を形成する工程と、前記紫外線照射剥離型接着層の上に、最上に接続部を備えた所要の配線層を形成する工程と、前記仮基板上の前記配線層の前記接続部と半導体回路が形成された半導体基板の接続部とを接合する工程と、前記仮基板側から前記紫外線照射剥離型接着層に紫外線を照射することにより、前記紫外線照射剥離型接着層及び前記仮基板を剥離して除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、まず、紫外線が透過する仮基板（ガラスや樹脂）の上に紫外線照射剥離型接着層を介して最上に接続部を備えた所要の配線層が形成される。その後に、半導体回路が形成された半導体基板（シリコンウェハなど）の接続部に仮基板の接続部が接合される。
さらに、仮基板側から紫外線照射剥離型接着層に紫外線が照射され、紫外線照射剥離型接着層の粘着強度が低下することによって、紫外線照射剥離型接着層及び仮基板が剥離されて除去される。
【００１１】
本発明では、仮基板上の配線層を半導体基板に転写・形成する際に、不要な仮基板を除去するための剥離層として紫外線照射によって粘着強度が低下する特性を有する紫外線照射剥離型接着層が使用される。このため、任意の工程で、紫外線照射剥離型接着層に紫外線を照射することによって容易に仮基板を除去することができるので、転写技術によって半導体基板上に再配線層を容易に形成することができるようになる。
【００１２】
また、紫外線が透過する仮基板（例えばガラスや樹脂）は半導体基板（例えばシリコン）の熱膨張係数に近似したものを選択できるので、仮基板の接続部を半導体基板の接続部に接合する際の熱応力の発生を抑制することができる。従って、仮基板の接続部と半導体基板の接続部とを位置ずれが発生することなく信頼性よく接合することができる。
【００１３】
また、仮基板に形成された配線層を半導体基板に転写する方法を採用するので、配線層を形成する工程において半導体基板の半導体回路に悪影響を及ぼす手法（例えばレーザ）であっても使用することができ、製造方法が制限されることもない。
【００１４】
本発明の好適な態様では、前記配線層を形成する工程は、前記紫外線照射剥離型接着層の上に設けられた第１樹脂層の開口部に前記外部接続端子用パッドを形成する工程と、前記第１樹脂層上に前記外部接続端子用パッドに電気接続される配線部を形成する工程と、前記配線部の一部を被覆すると共に、前記配線部の上に開口部が設けられた第２樹脂層の該開口部に前記接続部を形成する工程とを含む。
【００１５】
この態様では、仮基板上に形成される配線層は最下に外部接続端子用パッドを備えており、仮基板及び紫外線照射剥離型接着層が除去された後に、露出した外部接続端子用パッドに外部接続端子が設けられる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明では、何ら不具合が発生することなく、仮基板上に形成された配線層を半導体基板上に転写・形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１〜図５は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図、図６及び図７はシリコンウェハにバンプを形成する方法を示す断面図である。第１実施形態の半導体装置の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、紫外線（ＵＶ）が透過する特性を有する仮基板１０を用意する。そのような仮基板１０の好適な一例としては、波長が２００〜４５０ｎｍの紫外線が透過するホウ珪酸ガラス、シリカガラス、アクリル樹脂、又はポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））樹脂などがあり、その厚みは０．５〜１ｍｍである。
【００１９】
その後に、図１（ｂ）に示すように、仮基板１０の上に紫外線照射剥離型接着層１２を形成する。紫外線照射剥離型接着層１２は、紫外線（ＵＶ）を照射することによって粘着力が低下して剥離が可能になる特性を有するものである。紫外線照射剥離型接着層１２の好適な一例としては、エポキシポリマー又はアクリルポリマーに光官能基を導入することによって紫外線照射により粘着力が低下する特性の紫外線硬化型樹脂があり、その膜厚は２０〜１００μｍで形成される。
【００２０】
次いで、同じく図１（ｂ）に示すように、紫外線照射剥離型接着層１２の上に銅（Ｃｕ）などからなる第１シード層１４をスパッタ法又は無電解めっきによって形成する。続いて、図１（ｃ）に示すように、第１シード層１４上に開口部１６ａが設けられた第１樹脂層１６を形成する。第１樹脂層１６の形成方法としては、感光性樹脂層を形成した後にフォトリソグラフィによって開口部１６ａを形成する方法を使用してもよいし、あるいは熱硬化性樹脂層を形成した後にレーザによって開口部１６ａを形成してもよい。
【００２１】
その後に、同じく図１（ｃ）に示すように、第１樹脂層１６の開口部１６ａ内に第１シード層１４をめっき給電層に利用する電解めっきにより銅（Ｃｕ）などからなる外部接続端子用パッド１８を形成する。外部接続端子用パッド１８には、後に外部接続端子が設けられる。
【００２２】
次いで、図２（ａ）に示すように、外部接続端子用パッド１８上に第２シード層２０ａを形成した後に、第２シード層２０ａ上に開口部２２ａが設けられたレジスト膜２２をフォトリソグラフィによって形成する。続いて、第２シード層２０ａをめっき給電層に利用する電解めっきにより、その開口部２２ａ内に金属層２０ｂを形成する。
【００２３】
さらに、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜２２を除去した後に、金属層２０ｂをマスクにして第２シード層２０ａをエッチングすることにより、シード層２０ａと金属層２０ｂとにより構成されて、外部接続端子用パッド１８に電気的に接続される配線部２０を得る。
【００２４】
次いで、図２（ｃ）に示すように、第１樹脂層１６の形成方法と同様な方法により、配線部２０上に開口部２４ａが設けられた第２樹脂層２４を形成する。その後に、第１シード層１４、外部接続端子用パッド１８及び配線部２０を給電経路に利用する電解めっきにより、第２樹脂層２４の開口部２４ａ内にＮｉ／Ａｕ層を形成して接続パッド２６（接続部）とする。なお、接続パッド２６が第２樹脂層２４の上面から突出して形成される場合は、接続パッド２６の上部を研磨して平坦化してもよい。
【００２５】
以上により、仮基板１０上に、紫外線照射剥離型接着層１２及び第１シード層１４を介して、外部接続端子用パッド１８、配線部２０及び接続パッド２６から構成される再配線層３が形成される。なお、再配線層３は、配線部２０をｎ層（ｎは２以上の整数）に積層して形成してもよい。
【００２６】
仮基板１０上に形成された再配線層３は、半導体回路が複数の素子形成領域に形成された正規のシリコンウェハ（半導体基板）の再配線層になるように、複数の領域に区画されて形成される。そして、後に説明するように、仮基板１０上に形成された再配線層３は、半導体回路が形成された正規のシリコンウェハに転写・形成されて、その半導体回路に接続される再配線層となる。
【００２７】
次に、そのような正規のシリコンウェハにバンプを形成する方法を説明する。図６（ａ）〜（ｄ）には、シリコンウェハに金バンプを形成方法が示されている。図６（ａ）に示すように、まず、所要のトランジスタなどが作り込まれて半導体回路（不図示）が形成され、半導体回路に接続された接続パッド３２が上面側に露出した状態で形成されたシリコンウェハ３０を用意する。その後に、図６（ｂ）に示すように、シリコンウェハ３０の上に接続パッド３２を被覆するシード層３４を形成する。さらに、図６（ｃ）に示すように、接続パッド３２上のシード層３４ａの部分上に開口部３６ａが設けられたレジスト膜３６を形成した後に、その開口部３６ａ内にシード層３４をめっき給電層に利用する電解めっきにより金（Ａｕ）層３８ａを形成する。
【００２８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、レジスト膜３６を除去した後に、金層３８ａをマスクにしてシード層３４をエッチングする。これによって、シード層３４を介して接続パッド３２に電気的に接続される金バンプ３８（接続部）が得られる。
【００２９】
あるいは、シリコンウェハ３０に金バンプ３４の代わりにはんだバンプを設けてもよい。この形態の場合は、図７（ａ）に示すように、上記した図６（ｃ）と同様に、接続パッド３２上のシード層３４の部分上に開口部３６ａが設けられたレジスト膜３６を形成した後に、その開口部３６ａ内に電解めっきによって銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層３５ａとはんだ層３５ｂを順次形成する。
【００３０】
続いて、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜３６を除去し、次いではんだ層３５ｂをマスクにしてシード層３４をエッチングした後に、はんだ層３５ｂをリフロー加熱することによりはんだバンプ３５（接続部）を得る。
【００３１】
なお、シリコンウェハ３０として、金バンプ３８やはんだバンプ３５を備えたものを例示したが、各種の金属バンプを使用できることはいうまでもない。
【００３２】
次に、半導体回路が形成されたシリコンウェハ３０に上述した仮基板１０上の再配線層３を転写・形成する方法について説明する。本実施形態では、図６（ｄ）の金バンプ３８を備えたシリコンウェハ３０を使用する例について説明する。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、図２（ｃ）の仮基板１０の接続パッド２６（Ｎｉ／Ａｕ層）に図６（ｄ）のシリコンウェハ３０の金バンプ３８が対応するように、仮基板１０の上にシリコンウェハ３０を配置し、仮基板１０の接続パッド２６（Ｎｉ／Ａｕ層）とシリコンウェハ３０の金バンプ３８とを熱圧着によって接合する。このとき、仮基板１０の熱膨張係数がシリコンウェハ３０の熱膨張係数（３．４ｐｐｍ／℃）と大幅に異なる場合、熱応力の発生によって仮基板１０の接続パッド２６とシリコンウェハ３０の金バンプ３８とが位置ずれして信頼性の高い接合が得られない場合が想定される。しかしながら、本実施形態では、仮基板１０（ガラス又は樹脂）の熱膨張係数は３．４±２ｐｐｍ／℃に設定できるので、仮基板１０の接続パッド２６とシリコンウェハ３０の金バンプ３８とを位置ずれが発生することなく信頼性よく接合することができる。
【００３４】
なお、仮基板１０の接続パッド２６とシリコンウェハ３０の金バンプ３８とを接合した後に、仮基板１０とシリコンウェハ３０との間にアンダーフィル樹脂を充填してもよい。
【００３５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、波長が２００〜４５０ｎｍの紫外線を仮基板１０の外側から仮基板１０を透過させて紫外線照射剥離型接着層１２に照射する。このとき、紫外線の照射強度は１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲に設定される。上述したように、紫外線照射剥離型接着層１２は紫外線を照射することで剥離できる機能を有するので、第１シード層１４と紫外線照射剥離型接着層１２との界面で剥離することができる。
【００３６】
これにより、図４（ａ）に示すように、図３（ｂ）の構造体から仮基板１０及び紫外線照射剥離型接着層１２が除去されて、下側に第１シード層１４が露出した状態となる。このように、本実施形態では、紫外線照射剥離型接着層１２を剥離層として使用するので、剥離時の応力発生などの不具合が発生することなく、仮基板１０を所定の工程で安定して除去することができる。
【００３７】
続いて、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）の構造体からシード層１４をエッチングによって選択的に除去することにより、下側に外部接続端子用パッド１８と第１樹脂層１６とを露出させる。このようにして、シリコンウェハ３０の上（図４（ｂ）では下）に、接続パッド２６、配線部２０及び外部接続端子用パッド１８から構成される再配線層３がシリコンウェハ３０の金バンプ３８に電気接続された状態で転写・形成される。
【００３８】
なお、上記した形態では、シリコンウェハ３０の接続部として金属バンプ（金バンプ３８又ははんだバンプ３５）を例示し、仮基板１０の接続部としてＮｉ／Ａｕ層からなる接続パッド２６を例示したが、シリコンウェハ３０の接続部を接続パッドとし、仮基板１０の接続部を金属バンプとしてもよい。また、シリコンウェハ３０及び仮基板１０の各接続部の材料は各種金属の組み合わせを採用できる。また、仮基板１０の接続部とシリコンウェハ３０の接続部とを導電性樹脂ペーストで接合するようにしてもよい。
【００３９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、外部接続端子用パッド１８上にはんだ層を印刷で形成した後にリフロー加熱することにより、外部接続端子３９を形成する。あるいは、外部接続端子用パッド１８上にはんだボールを搭載した後にリフロー加熱することにより、外部接続端子３９を形成してもよい。なお、外部接続端子３９を設けずに、外部接続端子用パッド１８を外部接続端子として利用してもよい。
【００４０】
その後に、図５に示すように、図４（ｃ）の構造体をシリコンウェハ３０の個々の素子形成領域が得られるように切断することにより、第１実施形態のＣＳＰ構造を有する個々の半導体装置１が得られる。
【００４１】
以上説明したように、第１実施形態の半導体装置の製造方法では、まず、仮基板１０の上に、紫外線照射剥離型接着層１２及び第１シード層１４を介して、外部接続端子用パッド１８、配線部２０及び接続パッド２６から構成される再配線層３が形成される。その後に、半導体回路が形成されたシリコンウェハ３０の金バンプ３８に仮基板１０の接続パッド２６が接合される。さらに、仮基板１０側から紫外線照射剥離型接着層１２に紫外線を照射することにより、紫外線照射剥離型接着層１２を第１シード層１４との界面から剥離し、紫外線照射剥離型接着層１２及び仮基板１０を除去する。その後に、第１シード層１４が除去される。
【００４２】
これにより、シリコンウェハ３０の金バンプ３８に再配線層３の接続パッド２６が電気接続された状態で、シリコンウェハ３０上に再配線層３が転写・形成される。その後に、露出した外部接続用パッド１８に外部接続端子３９が設けられた後に、分割されて個々の半導体装置１が得られる。
【００４３】
本実施形態では、剥離層として紫外線照射剥離型接着層１２を使用し、紫外線照射によって紫外線照射剥離型接着層１２を剥離する手法を採用するので、仮基板１０を上手く除去できないといった不具合は発生せず、安定して仮基板１０を除去することができる。また、紫外線が透過する仮基板１０（ガラスや樹脂）はシリコンウェハ３０の熱膨張係数に近似したものを選択できるので、仮基板１０の接続パッド２６をシリコンウェハ３０の金バンプ３８に接合する際に、熱応力の発生が抑制されて位置ずれすることなく接合することができる。
【００４４】
また、仮基板１０上に再配線層３を形成し、その再配線層３をシリコンウェハ３０上に転写する方法を採用するので、シリコンウェハ３０の半導体回路に悪影響を及ぼす手法（例えばレーザ）であっても使用することができ、製造方法が制限されることもない。
【００４５】
また、同様な理由によりシリコンウェハ３０上では再配線層３を形成するための成膜工程やめっき工程などを行う必要がないので、それらの工程においてクリーン度をシリコンウェハ３０の仕様に合わせたり、シリコンウェハ３０の静電気対策を考慮する必要がなく、プロセス管理が容易になる。
【００４６】
さらには、シリコンウェハ３０が薄型化されて強度が弱い場合であっても、シリコンウェハ３０上では再配線層３を形成するための成膜工程やめっき工程などを行う必要がないので、それらの工程で取り扱いが難しくなるといった課題も解決される。
【００４７】
（第２の実施の形態）
図８〜図１０は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、仮基板１０上にインプリント法によって配線層を形成することにある。第２実施形態では、第１実施形態と同一工程においてはその詳しい説明を省略する。
【００４８】
図８（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様な方法により、仮基板１０の上に紫外線照射剥離型接着層１２を形成した後に、第１シード層１４を形成する。その後に、図８（ｂ）に示すように、半硬化状態の第１樹脂層１６をシード層１４上に形成する。次いで、図８（ｃ）に示すように、所要形状の金型（不図示）で半硬化状態の第１樹脂層１６をプレス（押圧）することにより、第１樹脂層１６に開口部１６ｘ及びそれに連通する凹部１６ｙを形成する。この開口部１６ｘ及び凹部１６ｙは、金属層が埋め込まれて配線層を形成するものであり、第１実施形態の外部接続端子用パッド１８と配線部２０が同時に形成されるように成型される。すなわち、外部接続端子用パッド１８が形成される部分ではシード層１４が露出するように第１樹脂層１６に開口部１６ｘが形成され、配線部２０が形成される部分では第１樹脂層１６がシード層１４上に残るように凹部１６ｙが形成される。その後に、第１樹脂層１６を熱処理して完全に硬化させる。
【００４９】
次いで、図９（ａ）に示すように、開口部１６ｘ及び凹部１６ｙが形成された第１樹脂層１６上にＣｕ層をスパッタ法又は無電解めっきで形成して第２シード層２０ａとする。さらに、図９（ｂ）に示すように、第１、第２シード層１４，２０ａをめっき給電層として利用する電解めっきにより第１樹脂層１６の開口部１６ｘ及び凹部１６ｙを埋め込む金属層２０ｂを第２シード層２０ａ上に形成する。その後に、図９（ｃ）に示すように、金属層２０ｂ及び第２シード層２０ａを第１樹脂層１６の上面が露出するまで研磨することにより、第１樹脂層１６の開口部１６ｘ及び凹部１６ｙに第２シード層２０ａと金属層２０ｂを埋め込む。
【００５０】
これにより、第１樹脂層１６の開口部１６ｘの下部に外部接続端子用パッド１８が形成され、凹部１６ｙに外部接続端子用パッドに繋がる配線部２０が形成される。
【００５１】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、配線部２０上に開口部２４ａが設けられた第２樹脂層２４を形成した後に、電解めっきにより第２樹脂層２４の開口部２４ａにＮｉ／Ａｕ層を形成して接続パッド２６とする。これにより、第１実施形態と同様に、仮基板１０の上に、紫外線照射剥離型接着層１２及び第１シード層１４を介して、外部接続端子用パッド１８、配線部２０及び接続パッド２６により構成される再配線層３が形成される。
【００５２】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、半導体回路が形成されたシリコンウェハ３０の金バンプ３８を仮基板１０の接続パッド２６に接合した後に、仮基板１０側から紫外線を紫外線照射剥離型接着層１２に照射する。これにより、図１１（ａ）に示すように、仮基板１０及び紫外線照射剥離型接着層１２が剥離されて、下面に第１シード層１４が露出する。
【００５３】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１シード層１４を除去した後に、露出した外部接続用パッド１８に外部接続端子３９を設ける。その後に、図１１（ｃ）に示すように、図１１（ｂ）の構造体を切断することにより、第２実施形態のＣＳＰ構造を有する個々の半導体装置１ａが得られる。
【００５４】
第２実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図１２及び図１３は本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。第３実施形態では、仮基板上に電子部品を形成又は実装し、再配線層と同時にシリコンウェハに転写・形成することにある。第３実施形態では、第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００５６】
図１２（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様な方法により、図２（ｂ）と同様な構造体を作成した後に、配線部２０に接続される電子部品２５を形成又は実装する。電子部品としては、キャパシタ（Ｃ）、リアクタンス（Ｌ）、抵抗（Ｒ）、又は半導体チップなどが使用され、本実施形態の一連の製造工程で薄膜を加工して作り込んで形成してもよいし、電子部品をはんだなどで実装してもよい。図１２（ａ）の例では、キャパシタ（Ｃ）、リアクタンス（Ｌ）又は抵抗（Ｒ）などの電子部品２５を作り込んだ形態が示されている。
【００５７】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、電子部品２５を被覆すると共に、配線部２０上に開口部２４ａが設けられた第２絶縁層２４を形成した後に、その開口部２４ａ内にＮｉ／Ａｕ層を電解めっきで形成して接続パッド２６を得る。これにより、仮基板１０の上に電子部品２５が内蔵された再配線層３が形成される。
【００５８】
続いて、第１実施形態の仮基板１０の接続パッド２６にシリコンウェハ３０の金バンプ３８を接合する工程（図３（ａ））から外部接続端子３９を設ける工程（図４（ｃ））までの工程を遂行する。これにより、図１３（ａ）に示すように、シリコンウェハ３０の金バンプ３８に再配線層３の接続パッド２６が電気接続された状態で、シリコンウェハ３０上に、電子部品２５が接続された再配線層３が転写・形成される。その後に、図１３（ｂ）に示すように、図１３（ａ）の構造体を切断することにより、第３実施形態のＣＳＰ構造を有する個々の半導体装置１ｂが得られる。
【００５９】
第３実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏すると共に、シリコンウェハ３０に何ら悪影響を及ぼすことなく、シリコンウェハ３０上に形成される再配線層３に電子部品２５を内蔵させることができる。
【００６０】
（第４の実施の形態）
図１４〜図１６は本発明の第４実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。第４実施形態の特徴は、仮基板上に配線層を形成する前にそれに接続される外部接続端子を仮基板上に作り込んでおき、配線層と同時にシリコンウェハ上に転写・形成することにある。第４実施形態では、第１実施形態と同様な工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００６１】
図１４（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様に仮基板１０の上に紫外線照射剥離型接着層１２を形成した後に、その上に銅箔４０（第１金属からなる金属箔）を貼着する。続いて、図１４（ｂ）に示すように、銅箔４０上に開口部１６ａが設けられた第１樹脂層１６を形成した後に、その開口部１６ａを通して銅箔４０をウェットエッチングすることにより凹部４０ａを形成する。次いで、図１４（ｃ）に示すように、銅箔４０をめっき給電層に利用する電解めっきにより銅箔４０の凹部４０ａ内にはんだ層４２ａ（第２金属からなる金属層）を形成した後に、第１樹脂層１６の開口部１６ａに銅層を形成して第１実施形態と同様な外部接続端子用パッド１８とする。
【００６２】
次いで、図１５（ａ）に示すように、第１実施形態の第２シード層２０ａを形成する工程（図２（ａ））から接続パッド２６を形成する工程（図２（ｃ））を遂行する。これにより、仮基板１０の上方に、はんだ層４２ａに接続された外部接続端子用パッド１８、配線部２０及び接続パッド２６より構成される再配線層３が形成される。
【００６３】
さらに、図１５（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、仮基板１０の接続パッド２６にシリコンウェハ３０の金バンプ３８を接合した後に、紫外線照射剥離型接着層１2に紫外線を照射することにより仮基板１０及び紫外線照射剥離型接着層１2を除去する。これにより、第４実施形態では、図１６（ａ）に示すように、下側に銅箔４０が露出した状態となる。
【００６４】
続いて、図１６（ｂ）に示すように、銅箔４０をはんだ層４２ａ及び第１樹脂層１６に対して選択的に除去する。例えば、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより、はんだ層４２ａ及び第１樹脂層１６に対して銅箔４０を選択的にエッチングして除去することができる。
【００６５】
これにより、はんだ層４２ａが第１樹脂層１６の下面から突出した状態で露出する。
【００６６】
次いで、図１６（ｃ）に示すように、はんだ層４２ａをリフロー加熱することによって外部接続端子４２とした後に、この構造体を切断する。これにより、第４実施形態のＣＳＰ構造を有する個々の半導体装置１ｃが得られる。
【００６７】
以上のように、第４実施形態では、仮基板１０上に第１シード層１４の代わりに銅箔４０を使用し、それに設けた凹部４０ａに外部接続端子４２となるはんだ層４２ａを作り込んだ後に、再配線層３と同時にはんだ層４２ａをシリコンウェハ３０上に転写するようにしている。従って、第１実施形態と違って、再配線層３をシリコンウェハ３０に転写した後に、外部接続端子３９を特別に形成する必要がない。
【００６８】
第４実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）はシリコンウェハに金バンプを形成する方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）はシリコンウェハにはんだバンプを形成する方法を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第４実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１５】図１５（ａ）及び（ｂ）は本発明の本発明の第４実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｃ）は本発明の本発明の第４実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００７０】
１，１ａ、１ｂ、１ｃ…半導体装置、３…再配線層、１０…仮基板、１２…紫外線照射剥離型接着層、１４…第１シード層、１６…第１樹脂層、１６ａ，１６ｘ，２２ａ，２４ａ，３６ａ…開口部、１６ｙ，４０ａ…凹部、１８…外部接続端子用パッド、２０ａ…第２シード層、２０ｂ…金属層、２０…配線部、２２，３６…レジスト膜、２４…第２樹脂層、２６，３２…接続パッド、３０…シリコンウェハ（半導体基板）、３４…シード層、３５ａ…銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層、３５ｂ，４２ａ…はんだ層、３５…はんだバンプ、３８ａ…金層、３８…金バンプ、３９、４２…外部接続端子、４０…銅箔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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