(57)【要約】【課題】小型で高輝度のフルＨＤプラズマディスプレイ装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイ装置は、第１及び第２の基板と、前記第１の基板上でサステイン放電を行うために前記第１の基板上に形成される第１及び第２の電極と、前記第２の電極との間でアドレス放電を行うために前記第２の基板上に形成される第３の電極とを有し、前記第１〜第３の電極はＲＧＢのセルからなる１画素を構成し、１９２０×１０８０画素の表示が可能であり、表示画面の対角の長さが１３２ｃｍよりも短く、インターレース駆動を行い、第３の電極の略半数をパネルの上辺から駆動回路に接続し、残りの第３電極をパネルの下辺から駆動回路に接続する。【選択図】図１
2007157517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の基板と、
前記第１の基板上でサステイン放電を行うために前記第１の基板上に形成される第１及び第２の電極と、
前記第２の電極との間でアドレス放電を行うために前記第２の基板上に形成される第３の電極を有し、
前記第１〜第３の電極はＲＧＢのセルからなる１画素を構成し、インターレース駆動により１９２０×１０８０画素の表示が可能であり、
前記第３の電極の略半数はパネル上辺から駆動回路に接続され、残りの略半数の電極はパネルの下辺から駆動回路に接続され、
表示エリアの対角の長さが１３２ｃｍ未満であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の電極はパネルの端部を除いて２つの表示ラインで共用されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第３の電極を並び順に交互にパネルの上辺及びパネルの下辺より取り出し、駆動回路に接続することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第２の基板上に放電空間を区画するリブを有し、当該リブのトップ幅が５０μｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第２の基板上に放電空間を区画するリブを有し、当該リブが鉛酸化物を含まない材料から形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記リブのトップ幅が４０μｍ未満であることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１の基板上で前記第１及び第２の電極を覆うように誘電体層が形成され、当該誘電体層が鉛酸化物を含まない材料からなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記誘電体層の材料がシリコン酸化物であることを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記誘電体層の厚みが３２μｍ未満であることを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ装置は大型の平面型ディスプレイであり、家庭用の平面テレビとして市場が拡大しているが、近年、高精細化の要求が高まり、１９２０×１０８０画素を持つ、いわゆるフルＨＤディスプレイの開発が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、フルＨＤのプラズマディスプレイ装置では画素が小さくなり、輝度が低下することと、電極ピッチが狭くなり、製造歩留まりが低下するという課題がある。そのため、開発されているものは大型であり、現状では開発発表レベルで、５０型が最小のサイズである。
【０００４】
本発明の目的は、小型のサイズでフルＨＤのプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、第１及び第２の基板と、前記第１の基板上でサステイン放電を行うために前記第１の基板上に形成される第１及び第２の電極と、前記第２の電極との間でアドレス放電を行うために前記第２の基板上に形成される第３の電極とを有し、前記第１〜第３の電極はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のセルからなる１画素を構成し、１９２０×１０８０画素の表示が可能であり、表示画面の対角の長さが１３２ｃｍよりも短く、インターレース駆動を行い、第３の電極の略半数をパネルの上辺から駆動回路に接続し、残りの第３電極をパネルの下辺から駆動回路に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
インターレース駆動を用いることにより、スキャン時間を短くすることができ、表示放電の時間を長く取ることができる。これにより、高輝度を実現することができる。さらに、シングルスキャンが実現できるので、前記第３の電極をパネルの上下の辺を使用して交互に取り出すことが可能となり、取り出した電極ピッチが倍になるので製造歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図で
ある。信号処理回路２１は、入力端子ＩＮから入力された信号を処理し、駆動制御回路２２に出力する。駆動制御回路２２は、Ｘ電極駆動回路６、Ｙ電極駆動回路７、スキャン回路８及びアドレス電極駆動回路４，５を制御する。Ｘ電極駆動回路６は、複数のＸ電極（Ｘ１，Ｘ２，・・・）に所定の電圧を供給する。以下、Ｘ電極（Ｘ１，Ｘ２，・・・）の各々を又はそれらの総称を、Ｘ電極Ｘｉといい、ｉは添え字を意味する。Ｙ電極駆動回路７は、スキャン回路８を介して、複数のＹ電極（Ｙ１，Ｙ２，・・・）に所定の電圧を供給する。以下、Ｙ電極（Ｙ１，Ｙ２，・・・）の各々を又はそれらの総称を、Ｙ電極Ｙｉといい、ｉは添え字を意味する。アドレス電極駆動回路４，５は、複数のアドレス電極（Ａ１，Ａ２，・・・）に所定の電圧を供給する。以下、アドレス電極（Ａ１，Ａ２，・・・）の各々を又はそれらの総称を、アドレス電極Ａｊといい、ｊは添え字を意味する。
【０００８】
さらにプラズマディスプレイパネル３では、Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉが水平方向に並列に延びる行を形成し、アドレス電極Ａｊが垂直方向に延びる列を形成する。Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉは、垂直方向に交互に配置される。表示セルＣｉｊは、サステイン放電を行うＸ電極とＹ電極の組とアドレス電極Ａｊの交点により形成される。この表示セルＣｉｊのＲＧＢの組が画素に対応し、プラズマディスプレイパネル３は２次元画像を表示することができる。フルスペックＨＤＴＶでは、１９２０（水平方向）×１０８０（垂直方向）画素を有する。なお、本実施例では、パネル端のＸ電極を除いて、Ｘ電極、Ｙ電極は２つの画素に対して共通に用いるため、Ｘ電極は５４１本、Ｙ電極は５４０本から構成されている。セルピッチは０．１６ｍｍ×０．４８ｍｍである。リブはストレートリブである。
【０００９】
図２は、本実施形態によるプラズマディスプレイパネル３の構造例を示す分解斜視図である。バス電極１１は、透明電極１２上に形成される。電極１１及び１２の組は、図１のＸ電極Ｘｉ又はＹ電極Ｙｉに対応する。Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉは、前面ガラス基板１上に交互に形成されている。その上には、放電空間に対し絶縁するための誘電体層１３が覆うように被着されている。さらにその上には、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）保護層１４が被着されている。一方、アドレス電極１５は、図１のアドレス電極Ａｊに対応し、前面ガラス基板１と対向して配置された背面ガラス基板２上に形成される。その上には、誘電体層１６が被着される。更にその上には、赤色蛍光体層１８、緑色蛍光体層１９及び青色蛍光体層２０が被着されている。隔壁（リブ）９の内面には、赤、青、緑色の蛍光体層１８〜２０がストライプ状に各色毎に配列、塗付されている。Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉの間の放電によって蛍光体層１８〜２０を励起して各色が発光する。前面ガラス基板１及び背面ガラス基板２との間の放電空間には、Ｎｅ＋Ｈｅ＋Ｘｅペニングガス等の放電ガスが封入されている。放電ガスは、Ｘｅ濃度が５％、Ｈｅ濃度が３０％であり、全圧は４５０Ｔｏｒｒである。
【００１０】
図３は、本実施形態による画像の１フレームｆｋの構成例を示す図である。画像は、複数のフレームｆｋ−１，ｆｋ，ｆｋ＋１等で構成される。１フレームｆｋは、例えば、第１のサブフレームｓｆ１、第２のサブフレームｓｆ２、・・・、第８のサブフレームｓｆ８により形成される。サブフレームｓｆ１，ｓｆ２等の各々を又はそれらの総称を、以下、サブフレームｓｆという。各サブフレームｓｆは、階調ビット数に相当する重みを有する。
【００１１】
各サブフレームｓｆは、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ１，ＴＡ２、及びサステイン（維持）放電期間ＴＳにより構成される。リセット期間ＴＲでは、表示セルＣｉｊの初期化を行う。Ｙ電極Ｙｉには、正の鈍波（正の傾斜を持つ波形）Ｐｒ１及び負の鈍波（負の傾斜を持つ波形）Ｐｒ２が印加される。
【００１２】
アドレス期間は、ＴＡ１，ＴＡ２に分かれ、アドレス電極Ａｊ及びＹ電極Ｙｉ間のアドレス放電により各表示セルＣｉｊの発光又は非発光を選択することができる。具体的には、アドレス期間ＴＡ１においては、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，Ｙ８，・・・等に順次スキャンパルスＰｙを印加し、アドレス期間ＴＡ２においては、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，Ｙ７，・・・等に順次スキャンパルスＰｙを印加し、そのスキャンパルスＰｙに対応してアドレス電極ＡｊにアドレスパルスＰａを印加することにより、所望の表示セルＣｉｊの発光又は非発光を選択することができる。
【００１３】
サステイン期間ＴＳでは、選択された表示セルＣｉｊに対応するＸ電極及びＹ電極間でサステイン放電を行い、発光を行う。但し、偶数フレームにおいては、偶数番目のＸ電極と偶数番目のＹ電極の間、及び奇数番目のＸ電極と奇数番目のＹ電極の間でサステイン放電を行い、奇数フレームにおいては、偶数番目のＸ電極と奇数番目のＹ電極の間、及び奇数番目のＸ電極と偶数番目のＹ電極の間でサステイン放電を行う。すなわちインターレース駆動を行う。
【００１４】
各サブフレームｓｆでは、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間のサステイン放電パルスＰｓによる発光回数（サステイン期間ＴＳの長さ）が異なる。これにより、階調値を決めることができる。サステイン放電パルスＰｓは、電圧Ｖｓ及び電圧−Ｖｓのパルスである。
【００１５】
フルスペックＨＤＴＶ対応のプラズマディスプレイ装置では、スキャン電極数（本実施例では、Ｙ電極）が１０８０本あり、通常のプログレッシブ駆動において１０８０ラインのスキャンを行うとアドレス期間が長くなり、サステイン期間の時間が十分にとれず輝度が低下する、という問題がある。従って、画面を上下２分割にして、上下の画面のスキャンを同時に行うデュアルスキャンという方式を使用する。このデュアルスキャン方式であれば５４０ライン分のスキャン時間で済むのでアドレス期間が短くて済む。
【００１６】
しかしながら、デュアルスキャン方式の場合、上側の画面のアドレス電極はパネルの上辺から取り出し、下側の画面のアドレス電極はパネルの下辺から取り出すことになるので、ＲＧＢのセルが横方向に並ぶ通常のパネル構造の場合、取り出し部分のアドレス電極の本数は１９２０の３倍の５７６０本になる。現状の技術では、取り出し部のピッチが０．２ｍｍを下回ると製造歩留まりが低下する懸念があり、０．２ｍｍ以上のピッチが望ましい。この場合、画面の対角長さは１３２ｃｍ以上である。つまり、従来のプログレッシブ駆動のフルスペックＨＤＴＶの場合、画面の対角長さが１３２ｃｍ未満では、生産性が悪いという課題がある。さらに、アドレスドライバとの接続電極本数が５７３０の２倍の１１４６０本と多くなる点も製造歩留まりには不利に働く。
【００１７】
これに対し、本実施例では、インターレース駆動を用いているため、シングルスキャン方式を用いても、５４０ラインのスキャン時間で済むためにサステイン期間が十分に長く確保でき、高輝度を実現できる。従って、本実施例のように、アドレス電極をパネルの上辺、下辺から交互に取り出すことにより、プログレッシブ駆動のデュアルスキャン方式に比べて取り出し部のアドレス電極ピッチを２倍にできる。本実施例では、横方向のセルピッチは０．１６ｍｍであるが、アドレス電極取り出し部のピッチは０．３２ｍｍとなる。さらに、アドレスドライバとの接続電極本数も５７３０本であり、プログレッシブ駆動のデュアルスキャン方式に比べて半分である。すなわち、本実施例の構成を用いることにより、画面の対角長さが１３２ｃｍ未満のパネルであっても、生産性を落とさずにフルスペックＨＤＴＶ対応のプラズマディスプレイ装置を製造することが出来る。
【００１８】
（第２の実施形態）
フルスペックＨＤＴＶ対応のプラズマディスプレイ装置では、画素数が多いため、１画素当たりの開口率が小さく、輝度が低下する。そのため、少しでも開口率を高くする必要がある。通常、横画素数が１０２４画素のプラズマディスプレイ装置では、トップ幅が最小でも５０μｍのリブを用いているが、本実施例では、トップ幅４０μｍの薄いリブを用いている。これにより開口率を高めることが出来る。なおこの場合のリブ材料には鉛酸化物を含有するリブ材料を用いている。
【００１９】
（第３の実施形態）
第２の実施形態では、鉛酸化物を含有するリブ材料を用いており、現状ではリブトップ幅４０μｍが限界であったが、鉛酸化物を含有していないリブ材料を用いると、リブをパターンニングする感光性材料のうち、より高精細のパターンニングが可能な材料の選択が可能となり、より薄いリブの形成が可能となる。本実施例では、鉛酸化物を含有しないリブ材料を用いて、リブトップ幅３３μｍのリブを形成している。つまり、鉛酸化物を含有しないリブ材料を用いることにより、トップ幅４０μｍ未満のリブを形成することが出来る。また、鉛酸化物を含有しないリブ材料は誘電率を下げることが出来、本実施例においてはリブの比誘電率は８．８である。フルスペックＨＤＴＶのパネルではリブの数が多くなるため、無効電力低減のために、リブの低誘電率化は有効である。因みに第２の実施形態のリブの比誘電率は１３である。
【００２０】
（第４の実施形態）
フルスペックＨＤＴＶ対応のプラズマディスプレイ装置では、放電空間の横方向が狭くなるために、駆動電圧が高くなる。そのため、前面基板の誘電体層の誘電率を低くして、膜厚を薄くした方がよい。誘電率が高い材料で薄い誘電体層を形成すると放電電流が流れすぎて好ましくない。通常の誘電体層には誘電率の高い鉛酸化物が含まれ、比誘電率が１３と高く、膜厚も３２μｍと厚い。これに対し、本実施例では、鉛酸化物を除いてシリコン酸化物からなる誘電体層を用い、比誘電率が４と低く、３２μｍ未満の膜厚でも誘電体層の構成が可能である。本実施例では膜厚は１０μｍである。このため、通常はＸｅ濃度を高めると駆動電圧が上昇するのだが、Ｘｅ１０％、Ｎｅ９０％全圧４５０Ｔｏｒｒの放電ガスを用いても従来と略同等の電圧で駆動できる。
【００２１】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図である。
【図２】第１の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの構造例を示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施形態による画像の１フレームの構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１…前面ガラス基板、２…背面ガラス基板、３…プラズマディスプレイパネル、４…アドレス電極駆動回路１、５…アドレス電極駆動回路２、６…Ｘ電極駆動回路、７…Ｙ電極駆動回路、８…スキャン回路、９…隔壁（リブ）、１１…バス電極、１２…透明電極、１３，１６…誘電体層、１４…保護層、１５…アドレス電極、１８〜２０…蛍光体層、２１…信号処理回路、２２…駆動制御回路。
【図１】
2007157517.tif 000003
【図２】
2007157517.tif 000004
【図３】
2007157517.tif 000005