(57)【要約】【課題】被転写の基板表面上に塗布されたレジスト層に凹凸形状のパターンを形成するためのインプリント用モールドにおいて、インプリント用モールドのパターン破壊を防ぎ、インプリント用モールドの長寿命化が可能となり、さらにパターンを正確に転写することが可能なインプリント用モールドと、インプリント用モールドの製造方法を提供することである。【解決手段】モールドに形成した凹凸形状のパターンを基板表面上に塗布されたレジスト層に転写するインプリント用モールドのパターン破壊およびそれによるパターン欠陥や異物の発生を防止するために、モールドのパターンエリアの周辺部に緩衝部を配置するインプリント用モールドであって、該緩衝部は、パターンエリアを直線で囲んだ場合のコーナー部に少なくとも配置されているインプリント用モールド。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドに形成した凹凸パターンを基板表面上のレジスト層に転写するインプリント用モールドであって、モールドの凹凸パターンエリアの周辺部に緩衝部を配置することを特徴とするインプリント用モールド。
【請求項２】
前記緩衝部は、凹凸パターンエリアを直線で囲んだ場合のコーナー部に少なくとも配置されていることを特徴とする請求項１記載のインプリント用モールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント法を用いたパターン形成に用いられるモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、半導体デバイスの製造プロセスなど微細加工が要求されるパターンの形成には、光学的にパターンを転写する方法が用いられていた。その例として、ガラスなどの透明基板上の一部にクロム等の不透明材料からなるパターンを形成したフォトマスクを作成し、これを、レジストを塗布した半導体基板（以後、感応基板と呼ぶ）上に直接的に或いは間接的に載置させ、フォトマスクの背面から光を照射して光の透過部分のレジストを選択的に感光させることにより、フォトマスクのパターンを感応基板に転写することが行われていた。この技術を一般にフォトリソグラフィ法と呼んでいる。また、現在の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、光学的にマスクパターンを縮小して半導体基板上にパターンを転写する方法が主流となっている。
【０００３】
しかしながら、これらのパターン形成方法では、形成するパターンのサイズや形状は露光する光の波長に大きく依存する。例えば、昨今の先端半導体デバイスの製造においては、フォトリソグラフィに用いる露光波長は１５０ｎｍ以上であるのに対し、最小線幅は９０ｎｍ以下であり、光の回折現象による解像限界に達している。レジストの解像度を増すために、近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）や位相シフトマスク等の超解像技術を用いてはいるものの、マスクパターンを半導体基板上に忠実に転写することが困難となっている。
【０００４】
更に縮小投影露光の場合には、基板の水平方向のみならず垂直方向にも位置合わせ精度が要求されるため、フォトマスク及び半導体基板の精密ステージ制御（Ｘ，Ｙ，Ｚ，θ）などが必要となり、装置のコストが高くなるという欠点があった。
【０００５】
これらの光の回折現象によるパターンボケや複雑な機構を必要とする装置コストの問題は、半導体デバイスの製造のみならず、ディスプレイや記録メディア、バイオチップ、光デバイス、ホットエンボスなど様々なパターン形成においてもフォトリソグラフィ法を用いているため同様であり、マスクパターンを忠実に転写することは出来ない。
【０００６】
このような背景から、Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等は、インプリント法（もしくはナノインプリント法）と呼ばれる非常に簡易であるが大量生産に向き、従来の方法よりも格段に微細なパターンを忠実に転写可能な技術を提案している。（非特許文献１参照）。
【０００７】
ちなみに、インプリント法とナノインプリント法に厳密な区別はないが、半導体デバイスの製造に用いられるようなナノメーターオーダーのものをナノインプリント法と呼び、その他のマイクロメーターオーダーのものをインプリント法と呼ぶことが多い。以後、全てインプリント法と呼ぶことにする。
【０００８】
Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等が提案している従来のインプリント法について、図８を用いて説明する。図８（ａ）〜（ｅ）は、従来の熱インプリント法によるパターン形成方法を示す工程の側断面図である。まず、表面上にシリコン酸化膜１０２を形成したシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１上のシリコン酸化膜１０２を、最終的に半導体基板等に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応するパターンを形成する。シリコン酸化膜１０２のパターニングには、例えば、通常の電子ビームリソグラフィー技術を用いることができる。こうして、半導体基板等の表面に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応す
る凹凸を有するインプリント用モールド１００を形成する（図８（ａ）参照）。
【０００９】
次いで、パターンを形成しようとするシリコン基板１１１上に、ＰＭＭＡなどのレジスト材料を塗布し、レジスト層１１２を形成する（図８（ｂ）参照）。次いで、レジスト層１１２を形成したシリコン基板１１１を約１２０〜２００℃程度に加熱し、レジスト層１１２を軟化させる。次いで、シリコン基板１１１のレジスト層の塗布面側にインプリント用モールドの凹凸面側が対向するようにインプリント用モールド１００とシリコン基板１１１とを重ね合わせ、およそ３〜２０ＭＰａ程度の圧力で圧着する（図８（ｃ）参照）。次いで、インプリント用モールド１００をシリコン基板１１１に圧着した状態で温度を約１００℃以下まで降温してレジスト層１１２を硬化させ、インプリント用モールドを脱着する。これにより、シリコン基板１１１上のレジスト層１１２には、インプリント用モールド１００の凹凸パターンに対応するパターンが形成される（図８（ｄ）参照）。次いで、シリコン基板１１１上には、インプリント用モールド１００の凸部に相当する部分が薄い残膜として残るため、Ｏ2ＲＩＥ法（酸素ガスによる反応性イオンエッチング）により、これを除去する（図８（ｅ）参照）。
【００１０】
このようにして、インプリント法を用いたレジストパターンの形成が行われていた。この方法は昇温、冷却過程の熱サイクルを伴なうため、熱インプリント法と呼ばれる。
【００１１】
前記熱インプリントについて説明する。しかしながら、上記従来の熱インプリント法を用いたパターン形成方法では、重ね合わせ位置精度やインプリント用モールドの強度・耐久性に解決すべき課題があった。つまり、上述のように、インプリント法を用いたパターン形成方法ではインプリント用モールドと基板との圧着の際に約３〜２０ＭＰａという極めて高い圧力を必要とするが、このような高い圧力を加えながら、インプリント用モールドと基板との間の水平方向の位置精度を維持することは極めて困難である。また、このような高い圧力では転写回数を増すとインプリント用モールドの破損という問題が発生する。さらには熱サイクルを伴なうため、転写される側の基板とインプリント用モールド材料の熱膨張係数の違いからも位置精度は悪化し、昇温・冷却のために処理時間が長いという問題が発生する。つまり、熱インプリントの原理的課題は、高いプレス圧力と高い温度の２点と言える。
【００１２】
このような問題を解決するため、特許文献１は、以下に説明するような光インプリント法によるパターンの形成方法を提案している。前記光インプリントについて説明する。図９（ａ）〜（ｅ）は、従来の光インプリント法によるパターン形成方法を示す工程の側断面図である。具体的には、図９（ａ）に示すように、石英などの透光性を有する材料からなる基板を電子ビームリソグラフィ法などとエッチングにより表面に凹凸の形状を有するインプリント用モールド１２０を作製する。次に、図９（ｂ）に示すように、シリコン基板上に粘度の低い液体状の光硬化性樹脂組成物（レジスト１１２）を塗布し、図９（ｃ）に示すように、インプリント用モールド１２０を光硬化性樹脂組成物（レジスト１１２）に圧着させる。このときのプレス圧力は０．０１〜５ＭＰａ程度と小さくて良い。この状態で、インプリント用モールド１２０の裏面から光を照射し、光硬化性樹脂組成物（レジスト１１２）を硬化させる。図９（ｄ）  に示すように、インプリント用モールド１２０のパターンが転写された光硬化性樹脂（レジスト１１２）の薄い残膜をＯ2ＲＩＥ法などにより除去する。これにより、図９（ｅ）に示すように、樹脂パターンが得られる。
【００１３】
この方法によれば、樹脂の硬化を光反応によって行うため熱サイクルがなく（室温で良く）、処理時間を大幅に短縮することができ、熱サイクルによる位置精度の低下もない。また、光硬化性樹脂組成物は、粘度が低い液体であるため、熱インプリントのようにインプリント用モールドを高い圧力で光硬化性樹脂組成物に圧着させなくてもパターンの転写を行うことができる。よって、プレス圧力による位置精度の低下やインプリント用モール
ドの破損も劇的に少なくなる。つまり、光インプリントは、熱インプリントの原理的課題である高いプレス圧力と高い温度を解決した技術と言える。
【００１４】
また、前記熱インプリントにおけるインプリント用モールドの強度・耐久性の課題を解決する方法として、別の方法のＳｉＣモールド等も提案されている。前記ＳｉＣモールドについて説明する。例えば、リコンモールドの表面をプラズマ浸炭処理あるいはプラズマ窒化処理することで、インプリント用モールド表面をＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ等の硬く丈夫な材料に表面改質する方法や（特許文献２）、インプリント用モールド自体をＳｉＣで作製するなどの方法（特許文献３参照）がある。
【００１５】
しかしながら、インプリント用モールドをシリコン基板上に塗布されたレジストなどの感応基板へ圧着する際に、インプリント用モールドと感応基板は平面で圧着されるが、インプリント用モールド全面（全部分）が同時に感応基板に接触することは不可能である。なぜなら、インプリント用モールドや感応基板には装置起因もしくはインプリント用モールドの装着時もしくは感応基板の装着時による傾斜を、少なからず持っているためである。このため、必ずインプリント用モールドパターンのどこか１箇所が必ず最初に感応基板に接触するため、最初に接触したインプリント用モールドのパターン部はインプリントの荷重が集中するため破壊してしまう場合がある。通常はパターンエリアの一番端の部分のパターンが最初に接触し、パターン破壊となる。背景技術３の光インプリントのように比較的低圧条件でのインプリント法や背景技術４の硬く丈夫なインプリント用モールドであっても、インプリント装置の荷重が一点に集中するため、インプリント用モールドパターンの破壊は免れることは出来ない。
【００１６】
この様子について図１０を用いて説明する。図１０（ａ）〜（ｅ）は、従来のインプリント用モールドが感応基板にインプリントされる様子を説明する断面図である。インプリント用モールドが感応基板にインプリントする様子をに示す。図１０（ａ、ｂ）は理想的にインプリントされる場合で、図１０（ｃ〜ｅ）は実際にインプリントされる場合である。理想的には、インプリント用モールドは感応基板に対して寸分の狂いもなく平行に向かい合っていれば（図１０（ａ）参照）、インプリント用モールドパターンが破壊されることなくインプリントされる（図１０（ｂ）参照）。しかし、上記の理由から実際には完全に平行に向かい合っていない（図１０（ｃ）参照）ため、インプリントにより最初に感応基板に接触したパターン部に荷重が集中し、パターン破壊が発生する（図１０（ｄ）参照）。その後、インプリント装置の設定した値まで荷重が加えられるため、インプリント用モールドと感応基板との傾斜は補正され平行になるため、パターンの大部分は予定通りにインプリントされる（図１０（ｅ）参照）。また、インプリント前後のインプリント用モールドの状態を観察すると、インプリント前は正常にパターンが形成されていたが（図１１参照）、インプリント後にはパターンの一部が破壊されている（図１２）。このため、インプリント用モールドの破壊されたパターン部分は、感応基板に正確にパターン転写することは出来ないだけでなく、インプリント用モールドの破片によって異物や欠陥となってしまう。さらに、このインプリント用モールドにもパターン欠陥となるため引き続きインプリントに用いることは出来なくなってしまう。
【００１７】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【特許文献２】特開２００４−１４８４９４号公報
【特許文献３】特開２００４−１６０６４７号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６７，ｐ．３３１４  （１９９５）
【非特許文献２】ナノインプリント技術徹底解説  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００４年１１月２２日発行  Ｐ２０−３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、インプリント法において、インプリント用モールドのパターン破壊を防ぎ、インプリント用モールドの長寿命化が可能となり、さらにパターンを正確に転写することが可能なインプリント用モールドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の請求項１に係る発明は、モールドに形成した凹凸パターンを基板表面上のレジスト層に転写するインプリント用モールドであって、モールドの凹凸パターンエリアの周辺部に緩衝部を配置することを特徴とするインプリント用モールドである。
【００２０】
本発明の請求項２に係る発明は、前記緩衝部は、凹凸パターンエリアを直線で囲んだ場合のコーナー部に少なくとも配置されていることを特徴とする請求項１記載のインプリント用モールドである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、インプリント法において、これまで弱点であったインプリント用モールドのパターン破壊およびそれによるパターン欠陥や異物の発生を防止することが出来る。また、これによってインプリント用モールドの長寿命化が可能となるため、大幅なコストダウンすることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明のインプリント用モールドの最良の形態を説明し、並びにモールドの製造方法、インプリント方法についても説明する。
【００２３】
図１は、本発明のパターンエリアのコーナー部に緩衝部を設けたインプリント用モールドを説明する斜視図である。また、図２は、本発明のパターンエリアの外周部全体に緩衝部を設けたインプリント用モールドを説明する斜視図である。図１及び図２は、本発明のインプリント用モールド１６０、１７０であって、モールドのパターン破壊およびそれによるパターン欠陥や異物の発生を防止するために、モールドのパターンエリア１６２、１７２の外周部に緩衝部１６３、１７３を配置する。
【００２４】
図１は、支持基板上１７１に、凹凸形状のパターンを形成し、該パターンエリア１７２の周辺部に緩衝部１７３を配置したインプリント用モールド１７０である。前記緩衝部１７３は、パターンエリア及びその周辺部を含む四角形の転写エリア内の、その周辺部の、コーナー部の四隅に配置されている。前記緩衝部１７３は、被転写基板の基板表面上に塗布されたレジスト層に転写する際、インプリント用モールドの凹凸形状のパターン破壊、又はそれによるパターン欠陥や異物の発生を防止する役割である。
【００２５】
図２は、支持基板上１６１に、凹凸形状のパターンを形成し、該パターンエリア１６２の周辺部に緩衝部１６３を配置したインプリント用モールド１６０である。前記緩衝部１６３は、パターンエリア及びその周辺部を含む四角形の転写エリア内の、その周辺部の、全面に配置されている。前記緩衝部１６３は、被転写基板の基板表面上に塗布されたレジスト層に転写する際、インプリント用モールドの凹凸形状のパターン破壊、又はそれによるパターン欠陥や異物の発生を防止する役割である。
【００２６】
リソグラフィ技術とエッチング技術によってインプリント用モールドの凹凸形状のパターンを形成する際に、緩衝部１６３も同時に形成するため、工程数を増やすことがなく、また、緩衝部１６３の高さがパターンエリア１６２のメインパターンと同じになるため、メインパターンのインプリントを阻害することもない。この緩衝部の配置の例として、前記のパターンエリア外周部に凹凸形状のパターンを取り囲むように配置する方法（図２参照）と、パターンエリアのコーナー部のみに配置する方法（図１参照）などがある。
【００２７】
緩衝部の総面積が大き過ぎると、インプリント装置の最大荷重を与えても、パターンエリアに与えられるプレス圧力が期待する圧力に達しない場合があるため、必要に応じて緩衝部の面積や配置方法（図１、図２参照）を選択すると良い。実際、緩衝部は、パターンエリアを直線で囲んだ場合、例えばパターンエリアよりも大きい四角形の転写エリアを想定したときに、少なくとも転写エリアのコーナー部に配置されていれば良いので、それ意外の部分は自由に緩衝部を配置しても良く、図３に示すように配置することも可能である。
【００２８】
図１〜図３のように緩衝部を設けた本発明のインプリント用モールドを用いてインプリントする場合の工程断面図を図４に示す。図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の緩衝部を有するインプリント用モールドを用いてインプリントする場合の工程を説明する側断面図である。向かい合う面が傾斜しているインプリント用モールド１９０と、感応基板（のシリコン基板１９１、レジスト１９２）とは、インプリントが実施されると、まず緩衝部１９４が最初に接触する（図４（ｂ）参照）。さらに、インプリント装置の設定荷重まで押圧される過程で、インプリント用モールド１９０と感応基板（１９１、１９２）との向かい合う面は平行になってからパターンエリア１９３がインプリントされる（図４（ｃ）参照）。
【００２９】
この方法によれば、インプリント用モールドの凹凸形状のパターン破壊はみられず、また、それによる転写パターン欠陥や異物の発生も見られない。また、インプリント用モールドは繰り返しインプリントに用いることが可能で、モールドの長寿命化が可能となる。
【００３０】
本発明のインプリント用モールドの材料は、シリコン、石英、ニッケル、ダイヤモンド、ＳｉＣなど一般にインプリントに用いられる材料だけでなく、シリコン化合物や、クロム、鉄、アルミなどの金属およびその化合物、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）等の有機金属化合物など、が使用可能である。
【００３１】
本発明のインプリント方法は、熱硬化性樹脂を用いた熱インプリント法、又は光硬化性樹脂を用いた光インプリント法、又は熱硬化を必要としないＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｓｉｌｓｅｓ  Ｑｕｉｏｘａｎｅ）を転写材料として用いた室温インプリント法、又は無機材料に比べ柔らかい材料であるＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）モールドを用いたソフトリソグラフィインプリント法など、あらゆるインプリント法に適用出来る。
【００３２】
以下に本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００３３】
本発明においては、インプリント法の種類は限定されないが、本実施例１では、図２に示すパターンエリアの外周部に緩衝部が配置する熱インプリント用のＳｉモールドを製造した。まず、前記Ｓｉモールドの製造方法を図５に示す。図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１における緩衝部を有する熱インプリント用Ｓｉモールドの作製工程を示す側断面図である。モールドの元となる支持基板として、４インチシリコンウェハ２０１を用意した。このシリコン基板２０１に電子線レジスト２０２（商品名、ＺＥＰ５２０／日本ゼ
オン（株）製造）を５００ｎｍ厚コートし（図５（ａ）参照）、電子線描画装置にて描画および現像により、パターンエリア２０３に直径２００ｎｍドットの凹凸形状のパターンと、緩衝部２０６となるパターン２０４を形成した（図５（ｂ）参照）。このときの条件は、描画時のドーズを１００μＣ／ｃｍ2、現像時間を２分とした。
【００３４】
次いで、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたＳｉドライエッチングによって、Ｓｉパターンを形成した（図５（ｃ）参照）。Ｓｉエッチングの条件は、ＣＦ4ガスの流量３０ｓｃｃｍ、Ａｒの流量５０ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー２００Ｗの範囲で行なった。最後に、Ｏ2プラズマアッシング（条件：Ｏ2流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によってレジストを剥離した（図５（ｄ）参照）。パターンエリア２０５の凹凸形状のＳｉパターンは、直径２００ｎｍ、高さ２００ｎｍのピラー（円柱）で、４００ｎｍピッチで格子状に配置した。
【００３５】
ここまでのモールドの製造技術は、従来の電子線リソグラフィ技術とドライエッチング技術によるもので、特別な技術ではないが、モールドが完成した時点で緩衝部となる部分を、メインパターンと同時に作り込む点が本発明の部分である。メインパターンと同時に作りこむ事で工程数を増やすことなく、また、緩衝部の高さがメインパターンと同じになるため、メインパターンのインプリントを阻害することもない。
【００３６】
図６に本実施例にて作製したモールドを示す。図６の実施例１のインプリント用モールド２１０では、パターンエリア２１２は２５ｍｍ角、緩衝部のパターン２１３を含めた転写エリア２１４は５０ｍｍ角である。また、緩衝パターン２１３の幅は１０ｍｍとした。なお、図６（ａ）は、上面図であり、図６（ｂ）は、側断面図である。
【実施例２】
【００３７】
次に、実施例１と同様の製造方法で、図１に示すパターンエリアのコーナー部に緩衝部を配置する熱インプリント用のＳｉモールドを製造した。製造方法は実施例１と同様であるため省略する。また、Ｓｉパターンも実施例１と同様に、直径２００ｎｍ、高さ２００ｎｍのピラー（円柱）を、４００ｎｍピッチで格子状に配置した。
【００３８】
図７に実施例２にて作製したモールドを示す。図７の実施例２のインプリント用モールド２２０では、パターンエリア２２２は２５ｍｍ角、緩衝部のパターン２２３を含めたパターンエリア２２４は５０ｍｍ角である。また、緩衝部のパターン２２３は１０ｍｍ角とした。なお、図７（ａ）は、上面図であり、図７（ｂ）は、側断面図である。
【実施例３】
【００３９】
次に、実施例３では、実施例１および実施例２にて作製したインプリント用のＳｉモールドを用いて、熱インプリント装置にて熱インプリントを実施した例を示す。インプリントの対象となる基板には、４インチシリコン基板上に熱硬化性レジストＯＥＢＲ−１０００（商品名、東京応化工業（株）製造）を３５０ｎｍ厚でコートしたものを用い、Ｓｉモールドのパターン面には、離型剤として、フッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（商品名、住友３Ｍ（株）製造）をあらかじめコートした。熱インプリント条件は、上記のＳｉモールド全てにおいて同じ条件（プリベーク１１０℃／１分、プレス圧力１０ＭＰａ）とした。
【００４０】
実施例３の評価をした。インプリント後のモールドパターンおよび転写のレジストパターンを走査電子顕微鏡にて観察したところ、モールドパターンの破壊やレジストパターンの破壊は見られず、良好な転写のパターン形状が得られた。実施例１及び２のインプリント用のＳｉモールドは、緩衝部を配置したことにより、モールドパターンの破壊やレジストパターンの破壊が発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のパターンエリアのコーナー部に緩衝部を設けたインプリント用モールドを説明する斜視図である。
【図２】本発明のパターンエリアの外周部全体に緩衝部を設けたインプリント用モールドを説明する斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のパターンエリアの周辺部に緩衝部を設けたインプリント用モールドを説明する斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の緩衝部を有するインプリント用モールドを用いてインプリントする場合の工程を説明する側断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１における緩衝部を有する熱インプリント用Ｓｉモールドの作製工程を示す側断面図である。
【図６】本発明の実施例１のインプリント用モールドを説明する図面で、（ａ）は、上面図と（ｂ）は側断面図である。
【図７】本発明の実施例２のインプリント用モールドを説明する図面で、（ａ）は、上面図と（ｂ）は側断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、従来の熱インプリント法によるパターン形成方法を示す工程の側断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、従来の光インプリント法によるパターン形成方法を示す工程の側断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、従来のインプリント用モールドが感応基板にインプリントされる様子を説明する断面図である。
【図１１】従来のインプリント前のインプリント用モールドを説明する斜視図である。
【図１２】従来のインプリント後にモールドパターンの一部に破壊が生じたインプリント用モールドを説明する斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００…インプリント用モールド
１０１…シリコン基板
１０２…シリコン酸化膜
１１１…シリコン基板
１１２…レジスト
１２０…石英モールド
１３０…インプリント用モールド
１３１…シリコン基板
１３２…レジスト
１３３…パターン破壊
１４０…インプリント用モールド
１４１…支持基板
１４２…パターンエリア
１５０…インプリント用モールド
１５１…支持基板
１５２…パターンエリア
１５３…パターン破壊エリア
１６０…インプリント用モールド
１６１…支持基板
１６２…パターンエリア
１６３…緩衝部
１７０…インプリント用モールド
１７１…支持基板
１７２…パターンエリア
１７３…緩衝部
１８０…インプリント用モールド
１８１…支持基板
１８２…パターンエリア
１８３…緩衝部
１９０…インプリント用モールド
１９１…シリコン基板
１９２…レジスト
１９３…パターンエリア
１９４…緩衝部
２０１…シリコン基板
２０２…レジスト
２０３…パターンエリア（レジスト）
２０４…緩衝部エリア（レジスト）
２０５…パターンエリア（シリコン）
２０６…緩衝部エリア（シリコン）
２１０…インプリント用モールド
２１１…支持基板
２１２…パターンエリア
２１３…緩衝部
２１４…転写エリア
２２０…インプリント用モールド
２２１…支持基板
２２２…パターンエリア
２２３…緩衝部
２２４…転写エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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