(57)【要約】【課題】  カバーフィルムの除去ミスを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】  カバーフィルムを有する多層フィルムを基板上に貼り付ける工程と、除去用テープの粘着面をカバーフィルムに押し付ける工程と、カバーフィルムが除去用テープに粘着している領域の両サイドに設けられたローラガイドにより粘着面側から除去用テープを押上げてカバーフィルムを除去する除去工程とを有し、除去工程において、ローラガイドの外側に設けられ、かつローラガイドよりも除去用テープとの摩擦が大きな治具を除去用テープの粘着面の反対面に接触させておく。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバーフィルムを有する多層フィルムを基板上に貼り付ける工程と、
除去用テープの粘着面を前記カバーフィルムに押し付ける工程と、
前記カバーフィルムが前記除去用テープに粘着している領域の両サイドに設けられたローラガイドにより前記粘着面側から前記除去用テープを押上げて前記カバーフィルムを除去する除去工程とを有し、
前記除去工程において、前記両サイドのローラガイドそれぞれの外側に設けられ、かつ前記ローラガイドよりも前記除去用テープとの摩擦が大きな治具を前記除去用テープの前記粘着面の反対面に接触させておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記除去工程において、前記治具の先端より上まで前記ローラガイドを上昇させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記除去工程において、前記ローラガイドを上昇させる前に、前記治具の先端を前記ローラガイドより下まで移動させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記除去用テープを送る時には、前記治具は前記除去用テープには接触させないことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記治具は、前記除去用テープとの接触面にローラが設けられていないことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバーフィルムを有する多層フィルムを基板上に貼り付け、除去用テープの粘着面をカバーフィルムに押し付けた後、除去用テープを押上げることでカバーフィルムを除去する半導体装置の製造方法に関し、特にカバーフィルムの除去ミスを低減することができる半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ダイボンディング又はフリップチップボンディングにより基板とチップとを接合する際に、接合材として２層又は３層の多層フィルムが用いられる。この多層フィルムはカットされて基板上に貼り付けられ、多層フィルムの最上層のカバーフィルムが除去される。
【０００３】
特許文献１や、特許文献２には、粘着テープを用いてカバーフィルムを剥離する工程が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１３５６５３号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のカバーフィルム除去工程について説明する。まず、図１５に示すように、樹脂フィルム４とカバーフィルム５からなる多層フィルムが貼り付けられた配線基板２上に、除去用テープ８をローラガイド１１で導く。そして、コレット１２で押し付けて除去用テープ８をカバーフィルム５に貼り付ける。次に、図１６に示すように、除去用テープ８を片側から引っ張り、カバーフィルム５を順に剥離していく。その際、除去用テープ８とカバーフィルム５のなす角度は徐々に小さくなっていく（θ１＞θ２＞θ３＞θ４）。
【０００６】
除去用テープとカバーフィルムのなす角度が小さくなるほどカバーフィルムに対する剥離力が小さくなり、カバーフィルムの除去ミスが増加する。このため、従来は、カバーフィルムの除去ミスによって半導体装置の動作が停止し、人による作業工数が増加していた。また、除去ミスしたカバーフィルムを人手により除去していたため、作業ミスなどにより製品の歩留まりが下がっていた。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、カバーフィルムの除去ミスを低減することができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、カバーフィルムを有する多層フィルムを基板上に貼り付ける工程と、除去用テープの粘着面をカバーフィルムに押し付ける工程と、カバーフィルムが除去用テープに粘着している領域の両サイドに設けられたローラガイドにより粘着面側から除去用テープを押上げてカバーフィルムを除去する除去工程とを有し、除去工程において、ローラガイドの外側に設けられ、かつローラガイドよりも除去用テープとの摩擦が大きな治具を除去用テープの粘着面の反対面に接触させておく。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、除去用テープを両側から引っ張ることができ、除去用テープとカバーフィルムのなす角度を大きくすることができるため、カバーフィルムに対する剥離力が大きくなり、カバーフィルムの除去ミスを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１１】
まず、図１に示すように、金メッキにより電極１が形成された配線基板２（基板）を用意する。ただし、配線基板２の代わりにリードフレームを用いることもできる。そして、配線基板２の電極１上に、多層フィルム３を貼り付ける。この多層フィルム３は、２層又は３層からなり、ここでは、配線基板２と半導体チップ（後述）の接合材となる樹脂フィルム４と、樹脂フィルム４上に貼り付けられたカバーフィルム５とからなる。
【００１２】
次に、図２に示すように、配線基板２をブロック６上に真空吸着で保持し、配線基板２の上方にカバーフィルム除去装置７を配置する。このカバーフィルム除去装置７は、カバーフィルム５を除去するための除去用テープ８と、除去用テープ８を供給するテープ供給部９と、除去用テープ８を巻き取るテープ巻取り部１０と、除去用テープ８を所定位置に導くローラガイド１１と、除去用テープ８をカバーフィルム５に押し付けるコレット１２と、除去用テープ８を上から押える押え棒１３（治具）と、ローラガイド１１及びコレット１２を上下に駆動する第１のシリンダ１４と、押え棒１３を上下に駆動する第２のシリンダ１５とを有する。
【００１３】
ここで、除去用テープ８は、カバーフィルムと接触する側の面は粘着面となっている。また、ローラガイド１１はコレット１２の両サイドに設けられ、押え棒１３はローラガイド１１の外側に設けられている。そして、ローラガイド１１は、回転可能なローラが設けられており、除去用テープ８の粘着面に接触しても容易に剥離可能に形成されている。一方、押え棒１３は、除去用テープ８との接触面にローラは設けられておらず、ローラガイド１１よりも除去用テープ８との摩擦が大きい。
【００１４】
図３は、カバーフィルム除去装置の内部を示す断面図である。第１のシリンダ１４は、コレット１２とは直接接続されているが、ローラガイド１１とは連結部１６及びバネ１７を介して接続されている。そして、連結部１６の突起部１６ａがストッパ１８に当たることで、ローラガイド１１は下死点が決められている。一方、第２のシリンダ１５は、押え棒１３と直接接続されている。
【００１５】
次に、図４に示すように、ローラガイド１１及びコレット１２をローラガイド１１の下死点まで下げる。この時点では、除去用テープ８はカバーフィルム５に接触していない。
【００１６】
次に、図５に示すように、コレット１２だけを更に下げて、コレット１２により除去用テープ８の粘着面をカバーフィルム５に押し付け、除去用テープ８をカバーフィルム５に粘着させる。
【００１７】
次に、図６に示すように、押え棒１３の先端をローラガイド１１より下まで移動させ、押え棒１３を除去用テープ８の粘着面の反対面に接触させる。
【００１８】
次に、図７に示すように、押え棒１３の先端より上までローラガイド１１を上昇させ、ローラガイド１１により粘着面側から除去用テープ８を押上げてカバーフィルム５を配線基板２から除去する。この際、押え棒１３が除去用テープ８に接触していることにより、摩擦力によって除去用テープ８の供給を制限し、除去用テープ８の両側に所望の張力を与えることができる。なお、配線基板２をブロック６上に真空吸着で保持した状態で、ブロック６を下げてカバーフィルム５を除去してもよい。
【００１９】
そして、ローラガイド１１は、カバーフィルム５が除去用テープ８に粘着している領域の両サイドに設けられているため、除去用テープ８を両側から引っ張ることができる。従って、除去用テープ８とカバーフィルム５のなす角度を大きくすることができるため、カバーフィルム５に対する剥離力が大きくなり、カバーフィルム５の除去ミスを低減することができる。
【００２０】
次に、使用済みの除去用テープ８をテープ巻取り部１０で巻取り、テープ供給部９から新たな除去用テープ８を供給する。ただし、このように除去用テープ８を送る時には、図２に示すように、押え棒１３をローラガイド１１よりも上に上昇させて、押え棒１３を除去用テープ８に接触させないようにする。そして、上記と同様の工程を繰り返して、他の領域のカバーフィルム５を除去する。
【００２１】
次に、図８に示すように、配線基板２をステージ２０上に載置する。また、金からなる突起電極２１ａが形成された面を下に向けて半導体チップ２１をボンディングツール２２により真空吸着する。そして、ボンディングツール２２により、半導体チップ２１の突起電極２１ａと配線基板２の電極１を当接させ、超音波振動を加えながら０．５秒間加圧して、突起電極２１ａと電極１を接合させる。この際、ステージ２０は１００℃、ボンディングツール２２は１５０℃に設定する。また、ボンディングツール２２により半導体チップ２１に加えられる圧力は、１つの突起電極２１ａ当たり１００ｇ程度とする。その後、２００℃、１時間でベークを行うことで、樹脂フィルム４を硬化させる。
【００２２】
次に、図９に示すように、半導体チップ２１上にダイボンド剤２３を介して他の半導体チップ２４を接続する。そして、半導体チップ２４と配線基板２を金線などの導体細線であるワイヤ２５で電気的に接続する。
【００２３】
次に、図１０に示すように、半導体チップ２１，２４及びワイヤ２５からなる半導体素子を複数個まとめて樹脂２６で封止する。そして、配線基板２の下面に、外部端子である複数のはんだボール２７を格子状に設ける。その後、半導体素子ごとに個片化することで図１１に示すような半導体装置が形成される。
【００２４】
実施の形態２．
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法は、カバーフィルムを除去する際に用いるカバーフィルム除去装置が実施の形態１とは異なる。その他の点については実施の形態と同様である。以下、実施の形態２におけるカバーフィルム除去工程について図１２〜１４を参照しながら説明する。ただし、図１〜１１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２５】
まず、図１２に示すように、ローラガイド１１とガイド２８（治具）により、除去用テープ８を配線基板２上に導く。そして、コレット１２により除去用テープ８の粘着面をカバーフィルム５に押し付け、除去用テープ８をカバーフィルム５に粘着させる。
【００２６】
ここで、ローラガイド１１は、除去用テープ８の粘着面に接触され、ガイド２８は除去用テープ８の粘着面の反対面に接触されている。また、ガイド２８は、除去用テープ８との接触面にローラが設けられておらず、ローラガイド１１よりも除去用テープ８との摩擦が大きくなっている。
【００２７】
次に、図１３に示すように、回転機構により、ガイド２８をローラガイド１１の外側で、かつガイド２８の先端がローラガイド１１より下になるように移動させる。その後、図１４に示すように、ローラガイド１１を引き上げる。この際、ガイド２８が除去用テープ８に接触していることにより、摩擦力によって除去用テープ８の両側に所望の張力を与えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図３】カバーフィルム除去装置の内部を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その４）である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その５）である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その６）である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その７）である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その８）である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その９）である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その１０）である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図１５】従来のカバーフィルム除去工程を示す断面図（その１）である。
【図１６】従来のカバーフィルム除去工程を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００２９】
２  配線基板（基板）
５  カバーフィルム
８  除去用テープ
１１  ローラガイド
１２  コレット
１３  押え棒（治具）
２８  ガイド（治具）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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