(57)【要約】【課題】磁気抵抗センサの小型化に起因して生じる問題としては、固定層モーメントが不安定になることである。従来のＡＦＭ固定化やＡＰ接続のような固定化機構のみでは、固定層の磁気モーメントの固定化を維持するには不十分である。【解決手段】固定層構造３０８は、表面を異方的に粗くしたシード層３２６上に形成される。この異方的な粗さにより、固定層３１６，３１８において磁気異方性が生じる。処理されたシード層３２６により、厚いＡＦＭ層を必要とせずに、固定層の頑丈な固定を維持することができ、空隙の大きさも減少する。異方的な粗さは、シード層４０２の表面の法線に対して傾斜角度で施される低電圧イオンミル４０４により、シード層の表面に形成可能である。イオンミルは、９領域イオン抽出グリッドを用いて、２０から１００ボルトで施すことができる。イオンミルの角度は、シード層の表面の法線に対して２０〜８０°である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成され、表面を異方的に粗くしたシード層と、該シード層の表面に形成された磁気固定層構造と、磁気自由層と、該自由層と磁気固定層構造の間に挟まれたスペーサ層とを有することを特徴とする磁気抵抗センサ。
【請求項２】
異方的な粗さにより、前記固定層構造において磁気異方性が生じることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項３】
磁気抵抗センサは空気軸受面（ＡＢＳ）を有し、前記シード層の表面の異方的な粗さにより、ＡＢＳに略直交して方向付けられる前記固定層構造において磁気異方性が生じることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項４】
前記シード層の表面の異方的な粗さは起伏により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項５】
磁気抵抗センサは空気軸受面（ＡＢＳ）を有し、前記シード層の表面の異方的な粗さは、ＡＢＳに略平行な方向に沿って延びる起伏により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項６】
前記シード層は結晶体材料であることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項７】
前記シード層は、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＴａおよびＲｕからなる群から選択される材料により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項８】
前記基板は、非磁性電気絶縁ギャップ層により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項９】
前記基板は、磁性導電シールド層により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項１０】
前記異方的な粗さは、１〜２００ｎｍの平均間隔を有する起伏により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項１１】
前記異方的な粗さは、０．２〜５ｎｍの平均深さを有する起伏により構成されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項１２】
前記シード層は、２０〜１２０オングストロームの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項１３】
基板を用意するステップと、表面を有するシード層を積層するステップと、該シード層の表面の法線に対して傾斜角度でシード層に低電圧イオンミルを施すステップと、イオンミルを施した前記シード層に磁気固定層を積層するステップとを含むことを特徴とする、磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１４】
前記イオンミルは、前記シード層の表面の法線に対して３５〜６５°の角度で施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１５】
前記イオンミルは、前記シード層の表面の法線に対して２０〜８０°の角度で施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１６】
前記イオンミルは、９領域イオン抽出グリッドを用いて施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１７】
前記イオンミルは、２０〜１００ボルトで施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１８】
前記シード層は、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＴａおよびＲｕからなる群から選択される材料により構成されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項１９】
前記基板、シード層、固定層はウエハー上に形成され、イオンミルはウエハーを回転させずに施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項２０】
前記イオンミルは、１００〜１６００秒間、２０〜１００ボルトで施されることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気抵抗センサの製造方法。
【請求項２１】
磁気自由層と、磁気固定層構造と、前記自由層と固定層構造の間に挟まれた非磁性導電スペーサ層と、前記固定層構造に接触し、異方的に粗くした表面を有するシード層とを有することを特徴とする、磁気抵抗センサ。
【請求項２２】
前記シード層は結晶体材料により構成され、異方的な粗さにより、前記固定層構造において磁気異方性が生じることを特徴とする、請求項２１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項２３】
磁気自由層と、磁気固定層構造と、前記自由層と固定層構造の間に挟まれた非磁性電気絶縁バリア層と、前記固定層構造に接触し、異方的に粗くした表面を有するシード層とを有することを特徴とする、磁気抵抗センサ。
【請求項２４】
前記シード層は結晶体材料により構成され、異方的な粗さにより、前記固定層構造において磁気異方性が生じることを特徴とする、請求項２３に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項２５】
前記シード層は、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＴａおよびＲｕからなる群から選択される材料により構成されることを特徴とする、請求項２１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項２６】
前記シード層は、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、ＴａおよびＲｕからなる群から選択される材料により構成されることを特徴とする、請求項２３に記載の磁気抵抗センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気抵抗センサの固定層の固定化、特に、表面を異方的に粗くしたシード層に磁気異方性固定層を形成することに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの長期メモリの中心は、磁気ディスクドライブと称される集合体である。磁気ディスクドライブは、回転磁気ディスクと、回転磁気ディスクの表面に隣接するサスペンションアームによって懸架される読み取り／書き込みヘッドと、サスペンションアームを揺動して回転ディスク上で選択された円形トラックに書き込み／読み取りヘッドを位置決めするアクチュエータを具備する。書き込み／読み取りヘッドは、空気軸受面（ＡＢＳ）を有するスライダ上にじかに設けられる。サスペンションアームは、スライダをディスク面に向かって付勢し、ディスクが回転すると、ディスク面近傍の空気がディスクに沿って移動する。スライダは、移動する空気の上を、ディスク面上で非常に低い高度（浮上高度）で浮上しながら移動する。この浮上移動はオングストロームに従う。スライダが空気軸受上に乗ると、書き込み／読み取りヘッドを使用して、回転ディスクへ書き込みを行うための磁気転移、および、回転ディスクから読み取りを行うための磁気転移が行われる。書き込み／読み取りヘッドは、書き込み／読み取り機能を実行するためのコンピュータプログラムに従って動作する処理回路に接続される。
【０００３】
書き込みヘッドは、第１、第２、および、第３の絶縁層（絶縁積層）に埋め込まれるコイル層を含み、絶縁積層は第１、および、第２の磁極層の間に挟まれる。書き込みヘッドの空気軸受面（ＡＢＳ）のギャップ層により、第１磁極層と第２磁極層の間において空隙が形成され、磁極層は後方の空隙に接続される。コイル層に伝導される電流が磁極片に磁束を引き起こすことにより、上述した回転ディスクの円形トラックのような動くメディアのトラックに上述の磁気情報を書き込む目的で、磁界がＡＢＳの書き込みギャップで縁取られる。
【０００４】
近年の読み取りヘッド設計においては、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサとも称されるスピンバルブセンサが採用され、回転磁気ディスクからの磁界を感知する。このセンサは、第１、および、第２の強磁性層（以下、固定層および自由層とよぶ）に挟まれる非磁性導電層（以下、スペーサ層とよぶ）を具備する。第１、および、第２のリードは、スピンバルブセンサに接続され、このセンサを通じて電流検出を行う。固定層の磁化は空気軸受面（ＡＢＳ）に直交して固定され、自由層の磁気モーメントはＡＢＳに平行して偏向されるが、外部磁界に応じて自由に回転する。固定層の磁化は、典型的には、反強磁性層に交換結合することで固定化される。
【０００５】
スペーサ層の厚さは、センサを通じて伝導電子の平均自由行路より小さくなるように選択される。これにより、伝導電子の一部が、固定層とスペーサ層の界面、および、自由層とスペーサ層の界面により散乱される。固定層および自由層の磁化が互いに平行であると、散乱が最小限に抑えられる。固定層および自由層の磁化が互いに平行でないと、散乱が最大となる。散乱の変化により、ｃｏｓθ（θは、固定層および自由層の磁化方向間で形成される角度）に比例してスピンバルブセンサの抵抗値が変わる。読み取りモードにおいて、スピンバルブセンサの抵抗値は、回転ディスクからの磁界の大きさに比例して変化する。電流検出がスピンバルブセンサを通じて行われると、抵抗値の変化は再生信号として検出および処理される電位変化をもたらす。
【０００６】
単一固定層を用いるスピンバルブセンサは、シンプルスピンバルブとよばれる。逆平行（ＡＰ）固定層を用いるスピンバルブは、ＡＰピンスピンバルブとよばれる。ＡＰスピンバルブは、ルテニウムなどからなる薄い非磁性接続層により隔てられる第１、および、第２の磁気層を具備する。スペーサ層の厚さは、固定層である強磁性層の磁気モーメントを逆平行に接続するように選択される。スピンバルブはまた、上部スピンバルブまたは下部スピンバルブとして知られているが、それは固定層が上部（自由層形成後に形成される）または下部（自由層形成前に形成される）に位置するかによって決まる。
【０００７】
固定層の磁化は、通常、強磁性層（ＡＰ１）の１つとＰｔＭｎなどの反強磁性材の層を交換結合することで固定される。ＰｔＭｎなどの反強磁性（ＡＦＭ）材は、それ自体の内に、および、それ自体の磁気モーメントを有さないが、磁性材と交換結合されると、強磁性層の磁化を強度に固定することができる。
【０００８】
スピンバルブセンサは、第１、および、第２の非磁性電気絶縁読み取りギャップ層の間に位置し、第１、および、第２の非磁性読み取りギャップ層は強磁性の第１、および、第２のシールド層の間に位置する。組み合わされた磁気ヘッドにおいて、単一の強磁性層は読み取りヘッドの第２のシールド層、および、書き込みヘッドの第１の磁極層として機能する。ピギーバック磁気ヘッドにおいて、第２のシールド層と第１の磁極層は異なる層である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
データ速度およびデータ容量の増大に対する需要の高まりを背景にして、磁気抵抗センサの小型化が推し進められている。センサのトラック幅を小さくするように、各種の寸法基準とともにストライプハイトもまた低くしなければならない。このようなセンサの小型化に起因して生じる問題としては、固定層モーメントが不安定になることである。従来のＡＦＭ固定化やＡＰ接続のような固定化機構のみでは、固定層の磁気モーメントの固定化を維持するには不十分である。
【００１０】
当業者には明らかなように、シールド間の距離（空隙の厚さ）により読み取りセンサのビット長が決定される。データ容量およびデータ速度増大に対する高まる圧力を背景に、技術者は読み取りセンサのビット長（つまり、空隙の厚さ）縮小への圧力下に常に置かれている。センサの空隙の厚さを著しく縮小させる方法としては、ＡＦＭ層を取り除くことである。反強磁性材層として機能するために、また、固定層に適切に交換結合するために、ＡＦＭ層は非常に薄く（７５〜２００オングストローム）形成されなければならないが、センサ積層における他のいずれの層よりも厚くしなければならない。しかしながら、上述したように、たとえＡＦＭ層を使用しても、小型化されたセンサ内の固定層の固定化を維持するには問題がある。
【００１１】
したがって、超小型磁気抵抗センサにおいて固定層モーメントの活力を維持できる新規の固定化機構が必要になる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、異方性固定層を有する磁気抵抗センサを提供する。固定層は、表面を異方的に粗くしたシード層上に形成される。シード層表面の異方的な粗さにより、固定層において磁気異方性が誘発され、それにより、反強磁性（ＡＦＭ）層に交換結合することなく、頑丈な固定化を確実にする。
【００１３】
異方的な粗さは、シード層の表面の法線に対して傾斜角度で施される低電圧イオンミルにより、シード層の表面に形成可能である。イオンミルは、９領域イオン抽出グリッドを用いて、２０から１００ボルト、または、約５０ボルトで施すことができる。イオンミルの角度は、シード層の表面の法線に対して、好ましくは２０〜８０°、さらに好ましくは３５〜６５°である。
【００１４】
シード層は、例えば、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎまたは、他の、好ましくは結晶体材料とすることができ、厚さが２０〜１２０オングストロームとすることができる。シード層は、基板上に積層され、その基板は、例えば、非磁性電気絶縁ギャップ層（ＣＩＰセンサの場合）、または、非磁性導電シールド（ＣＰＰセンサの場合）であってよい。
【００１５】
本発明のこれらの、および、他の利点や特徴は、図面とともに後述する詳細な説明を理解することで明らかになる。
使用される好ましい態様、並びに、本発明の性質および利点を完全に理解するために、添付の非縮尺図面と併せて理解される詳細な説明を後述する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、固定化機構は固定層の頑丈な固定化を十分に維持するので、センサの空隙の厚さを減少させるために、比較的厚いＡＦＭ層は取り除くことができ、または、少なくとも厚さを著しく減少させたＡＦＭ層とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明を実施するために考案された最良の形態を以下に述べる。以下の記述は、本発明の全体的な原則を説明することを目的としており、本明細書において主張する新規の概念に限定されるわけではない。
【００１８】
図１には、本発明を例示したディスクドライブ１００が示される。図１に示されるように、少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク１１２は支軸１１４に支持され、ディスク駆動モータ１１８によって回転する。各ディスクの磁気記録は、磁気ディスク１１２上の同心データトラック（図示せず）の環状パターン形式で行われる。
【００１９】
少なくとも１つのスライダ１１３は、磁気ディスク１１２近傍に位置し、各スライダ１１３は１つ以上の磁気ヘッドアッセンブリ１２１を支持する。磁気ディスクが回転すると、スライダ１１３がディスク面１２２上を径方向内側および外側に移動する。これにより、磁気ヘッドアッセンブリ１２１は、磁気ディスクの異なるトラックにアクセスし所望のデータを書き込む。各スライダ１１３は、サスペンション１１５によりアクチュエータアーム１１９に取り付けられる。サスペンション１１５の僅かなバネ力により、スライダ１１３はディスク面１２２に対して付勢される。各アクチュエータアーム１１９は、アクチュエータ手段１２７に取り付けられる。図１に示されるアクチュエータ手段１２７は、ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）であってよい。ＶＣＭは、固定化された磁界内を移動可能なコイルを具備し、コイルの移動方向および移動速度は、制御ユニット１２９により供給されるモータ電流信号により制御される。
【００２０】
ディスク記憶システムの動作中に磁気ディスク１１２が回転することにより、スライダ１１３とディスク面１２２の間に空気軸受が発生し、スライダに対して上方向の力が働きスライダを持ち上げる。よって、空気軸受はサスペンション１１５の僅かなバネ力を平衡させ、通常の動作中、スライダ１１３をディスク面から略一定の小間隔分、僅か上方に離間して支持する。
【００２１】
ディスク記憶システムの各種の構成要素は、制御ユニット１２９により生成される、アクセス制御信号や内部クロック信号などのような制御信号により動作中に制御される。一般的には、制御ユニット１２９は、論理制御回路、記憶手段、および、マイクロプロセッサにより構成される。制御ユニット１２９は、ライン１２３へ送られる駆動モータ制御信号やライン１２８へ送られるヘッド位置／シーク制御信号などの制御信号を生成し、各種のシステム動作を制御する。ライン１２８の制御信号により所望の電流プロファイルが提供され、ディスク１１２上の所望のデータトラックへスライダ１１３を最適に移動させて位置決めする。書き込み／読み取り信号は、記録チャネル１２５により、書き込み／読み取りヘッド１２１へ、および、書き込み／読み取りヘッド１２１から伝達される。
【００２２】
図２を参照すると、スライダ１１３の磁気ヘッド１２１の配置がより詳しく理解できる。図３は、スライダ１１３のＡＢＳの図であり、同図から明らかなように、誘導書き込みヘッドおよび読み取りセンサを具備する磁気ヘッドは、スライダの後縁端に位置する。上述した典型的な磁気ディスク記憶システム、および、添付の図１は、説明の目的でのみ例示しているに過ぎない。ディスク記憶システムは複数のディスクおよびアクチュエータを含んでよく、各アクチュエータは複数のスライダを支持してもよいことは明らかである。
【００２３】
図３を参照すると、本発明の実施形態に係る磁気抵抗センサ３００は、第１ギャップ層３０４と第２ギャップ層３０６の間に挟まれるセンサ積層３０２を備える。センサ積層３０２は、磁気固定層構造３０８および磁気自由層３１０を備える。銅などからなる非磁性導電スペーサ層３１２は、自由層３１０と固定層構造３０８の間に挟まれる。尚、本発明はトンネルバルブセンサにおいて具現化でき、その場合、スペーサ層３１２は、非磁性電気絶縁バリア層であることを述べておく。タンタルなどからなるキャップ層３１４はセンサ積層３０２の最上部に設けられてよく、製造中に、その後のアニール処理中の腐食などによるセンサの損傷を防ぐ。
【００２４】
固定層構造３０８は、簡素なピン構造、または、逆平行（ＡＰ）ピン構造とすることができ、Ｒｕなどからなる薄いＡＰ接続層３２０に渡って逆平行に結合される、例えばＣｏＦｅからなる第１磁気層（ＡＰ１）３１６や第２磁気層（ＡＰ２）３１８を含むＡＰピン構造であることが好ましい。自由層３１０は、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅなどの各種の磁性材料により構成することができ、ＣｏＦｅおよびＮｉＦｅからなる層、好ましくは、センサ性能を最適化するために、ＮｉＦｅまたはＣｏからなる層をスペーサ３１２に隣接させてもよい。図３から明らかなように、センサ積層３０２は横方向で対向する第１側壁３２２と第２側壁３２４を有し、これらによってトラック幅またはセンサの有効領域が画定される。
【００２５】
引き続き図３を参照すると、センサ３００は、第１硬質磁性バイアス層（ＨＢ層）３３８と第２硬質磁性バイアス層（ＨＢ層）３４０を備える。さらに、第１リード３３７と第２リード３３９がＨＢ層３３８、３４０上に形成される。第１リード３３７と第２リード３３９は、例えば、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｈ、または他の導電材により構成されてもよい。ＨＢ層３３８、３４０は、好ましくは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ含有の合金、より詳しくはＣｏ８０Ｐｔ１２Ｃｒ８の合金により構成される。硬質バイアス層３３８、３４０は高飽和保持力を有し、静磁的に自由層３１０に結合され、自由層３１０の磁気モーメントを、矢印３４１で示される、ＡＢＳに平行な方向に偏向する。
【００２６】
シード層３４２、３４４はＨＢ層３３８、３４０の下に設けられる。シード層３４２、３４４は、好ましくは、横方向に延在するギャップ層３０４、ならびに、センサ積層３０２の側壁３２２、３２４上を延びる。
【００２７】
固定層構造３０８は、表面３２７を異方的に粗くしたシード層３２６の上に構成される。この異方的な粗さは、以下に述べる方法で形成され、固定層である磁気層３１６、３１８に対して、矢印３２８、３３０で示される、ＡＢＳに直交する方向に強度の磁気異方性を有利に与える。
【００２８】
シード層３２６は、例えば、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、Ｔａ、Ｒｕまたは、他の適切な、好ましくは結晶体材料により構成することができる。尚、シード層３２６は、十分に厚く積層した場合に反強磁性（ＡＦＭ）材料のように作用する材料により構成することができるが、ＡＦＭ層ではなく、むしろシード層のように作用するようにさらに薄いのが好ましいことを述べておく。よって、シード層３２６の厚さは、２０〜９０オングストロームが好ましい。しかしながら、シード層の厚さは、１２０オングストロームであってよい。
【００２９】
図４乃至図６を参照すると、シード層３２６の表面３２７の異方的な粗さを形成するために用いられる表面処理方法が、より詳細に示される。特に図４を参照すると、シード層３２６は、材料４０２を積層することにより構成される。材料４０２は、例えば、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、Ｔａ、Ｒｕまたは、他の適切な、好ましくは結晶体材料により構成することができる。その後、低電圧イオンミル４０４をシード層４０２の表面の法線に対してΘの角度で施す。イオンミル４０４は、９領域イオン抽出グリッドを用いて施されることが好ましく、２０〜１００ボルト、または、約５０ボルトで施される。イオンビームエッチングの前に、シード層材４０２の厚さは、例えば、２０〜１２０オングストロームとすることができる。低電圧イオンミル４０４は、約１００〜１６００秒間継続して施すことができる。
【００３０】
角度をつけてイオンミルを施すことで、図５および図６から明らかなように、例えば、位置付けられた起伏、つまり、刻面４０６形状の異方的な粗さが形成される。起伏４０６の典型的な、または、平均的な間隔Ｐは、１〜２００ｎｍ、平均的な深さＤは０．２〜５ｎｍ、または、約０．５ｎｍである。起伏、つまり、刻面４０６は均一に示されているが、これは、単に説明の目的のためであることを述べておく。実際の表面は、異なる深さ、間隔を有する、不揃い且つ不均一な起伏４０６を含み、起伏４０６は、上述したように異方的に形成される。
【００３１】
角度をつけてイオンエッチング処理４０４を十分に施し、所望の起伏、つまり、刻面４０６を形成した後、固定層構造３０８のＡＰ１層３１６を積層し、続いて他のセンサ層３１２、３１０、３１４が積層することができる。尚、これらのセンサ層は、この時点で完全な膜層として積層され、図３に示される実際のセンサ形状は、概ね、マスキングおよびイオンミル（図示せず）によって形成される。
【００３２】
イオンミル４０４を施す角度Θは、シード層４０２の表面の法線に対して、好ましくは２０〜８０°、さらに好ましくは３５〜６５°である。厳密な電圧、電流、角度条件は、使用されるイオン源の種別および特性に左右される。イオンミル４０４はまた、ウエハーを回転させずに、シード層４０２の平面上でイオンミル４０４と角度を形成する射出４０７が、センサのＡＢＳに略平行の方向となるように施すのが好ましい。ある状況下においては、シード層４０２の表面上におけるイオンミルの射出４０７はＡＢＳに垂直であるが、重要な点は、結果的に生成される異方的な粗さにより、磁気異方性固定層３０８が生成され、その方向はＡＢＳに対して略直交して位置付けされることにある。
【００３３】
図７を参照し、センサ３００の構成方法を要約する。まず、ステップ７０２において、基板を用意する。基板は、例えば、非磁性電気絶縁ギャップ層３０４（図３）とすることができ、または、ＣＰＰセンサの場合、導電性リード材とすることができる。次にステップ７０４において、シード層を積層する。このシード層は、例えば、ＮｉＦｅＣｒ、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ、Ｔａ、Ｒｕまたは、他の材料（好ましくは結晶体）とすることができる。ステップ７０６において、シード層には、低電圧イオンミルを用いて、同層に対して角度をつけてイオンミルが施される。イオンミルの角度は、シード層の表面に対して、好ましくは２０〜８０°、さらに好ましくは３５〜６５°である。イオンミルは、９領域イオン抽出グリッドを用いて、２０〜１００ボルトの電圧で施されることが好ましく、チャックを回転させずに施される。イオンミルは、シード層において異方的な粗さを形成する方向で行われるので、後に適用される固定層構造において磁気異方性をもたらす。異方的な粗さの方向は、空気軸受面（ＡＢＳ）に直交する。その後のステップ７０８において、固定層構造が積層される。ステップ７１０において、非磁性導電性スペーサ層（トンネルバルブの場合には、電気絶縁性バリア層）が積層される。その後のステップ７１２において、自由層が積層される。
【００３４】
各種の実施形態を上述したが、これらは単に例示的に述べられており、これらに限定されないことは理解できる。本発明の範囲内の他の実施形態も当業者には明らかである。よって、本発明の全体は上述の例示的な実施形態によって限定されず、請求項およびそれらの等価物によってのみ規定される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明を例示するディスクドライブシステムの概略図である。
【図２】図１の線２−２を切り取ったスライダのＡＢＳの図であり、その上に設けられる磁気ヘッドの位置を示す。
【図３】図２の丸印３から切り取った、本発明の実施形態に係る磁気センサのＡＢＳの図である。
【図４】表面を異方的に粗くする処理方法を説明する図である。
【図５】表面を異方的に粗くする処理方法を説明する図である。
【図６】表面を異方的に粗くする処理方法を説明する図である。
【図７】本発明の実施形態に係る磁気抵抗センサの製造方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００３６】
１００…ディスクドライブ、
１１２…磁気ディスク、
１１３…スライダ、
１１４…支軸、
１１５…サスペンション、
１１８…ディスク駆動モータ、
１１９…アクチュエータアーム、
１２１…磁気ヘッドアッセンブリ、
１２１…書き込み／読み取りヘッド、
１２２…ディスク面、
１２３、１２８…ライン、
１２７…アクチュエータ手段、
１２９…制御ユニット、
３００…磁気抵抗センサ、
３０２…センサ積層、
３０４、３０６…ギャップ層、
３０８…固定層構造、
３１０…自由層、
３１２…スペーサ層、
３１４…キャップ層、
３１６、３１８…磁気層、
３２０…接続層、
３２２、３２４…側壁、
３２６、４０２…シード層、
３２７…表面、
３３７、３３９…リード、
３３８、３４０…硬質磁性バイアス層、
３４２、３４４…シード層、
４０４…イオンミル、
４０６…起伏。
【図１】
2007049135.tif 000003
【図２】
2007049135.tif 000004
【図３】
2007049135.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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