(57)【要約】【課題】  半導体素子をフリップチップ接続によって基板に実装する際に、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを抑制し、半導体素子の電極パッドが腐蝕したりすることを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】  基板１０にアンダーフィル樹脂１８を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子２０Ａをフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、ボンディングツール３０に、チップ本体に設けられた電極パッド２１と該電極パッドに接合されたバンプ２２との接合部に露出する前記電極パッド２１の露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材１８ａによって被覆された半導体素子２０Ａを支持し、前記ボンディングツール３０により前記半導体素子２０Ａを加熱した状態で前記基板１０に前記半導体素子２０Ａを加圧し、前記接続電極１２とバンプ２２とを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂１８を熱硬化させて前記半導体素子２０Ａを前記基板１０に実装する。【選択図】          図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ本体に設けられた電極パッドにバンプを接合して形成され、基板にアンダーフィル樹脂を供給した後、フリップチップ接続により実装される半導体素子であって、
前記電極パッドと前記バンプとの接合部において露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記コーティング材が、前記バンプの外面にメニスカス状に付着していることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記コーティング材が、前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体素子。
【請求項５】
基板にアンダーフィル樹脂を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子をフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、
ボンディングツールに、チップ本体に設けられた電極パッドと該電極パッドに接合されたバンプとの接合部に露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆された半導体素子を支持し、
前記ボンディングツールにより前記半導体素子を加熱した状態で前記基板に前記半導体素子を加圧し、前記接続電極とバンプとを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂を熱硬化させて前記半導体素子を前記基板に実装することを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項６】
前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂からなるとともに、該コーティング材が前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられた半導体素子を実装することを特徴とする請求項５記載の半導体素子の実装方法。
【請求項７】
基板に形成された接続電極と半導体素子の電極パッドに接合されたバンプとが電気的に接続され、半導体素子と基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて基板に半導体素子がフリップチップ接続された半導体装置であって、
前記電極パッドと前記バンプとの接合部において露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記コーティング材が、前記バンプの外面にメニスカス状に付着していることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記コーティング材が、前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフリップチップ接続によって実装する半導体素子、およびその半導体素子を用いた実装方法およびその半導体素子を実装した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ接続によって半導体素子を基板に実装する場合に、従来は基板に半導体素子を接合した後、半導体素子と基板との間にアンダーフィル樹脂を注入して半導体素子を実装していた。しかしながら、半導体素子のピン数が増え、接続に用いるバンプが小さくなると、アンダーフィル樹脂を注入する空間が狭くなるため、半導体素子を基板にフリップチップ接続した後に、アンダーフィルすることが困難になる。このため、基板の半導体素子搭載部にアンダーフィル樹脂を供給した後に、アンダーフィル樹脂の上から半導体素子をフリップチップ接続して、半導体素子と基板との間をアンダーフィルするとともに半導体素子をフリップチップ接続する方法が行われるようになってきた（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−５８５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図６は、基板１０にアンダーフィル樹脂１８を供給してから半導体素子２０をフリップチップ接続する方法を示す。基板１０の半導体素子２０の搭載面には、半導体素子２０に形成されているバンプ２２の配置に合わせて接続電極１２が形成されている。基板１０の半導体素子搭載面は、接続電極１２が形成された部位を除いてソルダーレジスト１６によって被覆されている。図６(a)は、基板１０に形成された接続電極１２にはんだ１４を塗布した状態を示す。図６(b)は、基板１０の半導体素子２０の搭載部にアンダーフィル樹脂１８を供給した状態を示す。図６(c)は、ボンディングツール３０に半導体素子２０を吸着支持し、半導体素子２０のバンプ２２と基板１０の接続電極１２とを位置合わせして半導体素子２０を基板１０に押接している状態を示す。
【０００４】
ボンディングツール３０は、はんだ１４を溶融してアンダーフィル樹脂１８を熱硬化させる温度に加熱されており、ボンディングツール３０により半導体素子２０を加熱しつつ基板１０に加圧することによって、はんだ１４が溶融して接続電極１２とバンプ２２とが接合し、アンダーフィル樹脂１８が硬化して半導体素子２０が実装される。
ところで、アンダーフィル樹脂１８を供給した基板１０に半導体素子２０をボンディングツール３０によって支持してフリップチップ接続する際には、基板１０を支持するテーブル側からも加温はするが、主に、半導体素子２０側からアンダーフィル樹脂１８が加熱されて熱硬化する。
【０００５】
このアンダーフィル樹脂１８が熱硬化する際には、半導体素子２０の素子本体から突出するバンプ２２から効率的に熱伝導し、バンプ２２と接続電極１２との接合部の周囲により多くガスが発生し、アンダーフィル樹脂１８から発生したガスがボイドとして残る現象が生じる。図６(d)は、バンプ２２と接続電極１２との接合部の周辺にボイドＶが生じる様子を説明的に示している。これらのボイドＶは、マイグレーション作用によって隣接するバンプ２２あるいは接続電極１２間を電気的に短絡させるように作用するから、たとえば半導体装置を使用している際に電気的短絡が生じて不良発生するといった問題の原因になる。また、ボイドは半導体素子２０の電極パッドに近接して発生したりすると、電極パッドを腐蝕させるといった問題を生じさせる。
【０００６】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、アンダーフィル樹脂が供給された基板に半導体素子をフリップチップ接続により実装する際に、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを抑制し、また半導体素子の電極パッドが腐蝕することを防止し、信頼性の高い半導体装置として提供することを可能にする半導体素子およびこの半導体素子を用いた実装方法並びに半導体素子を用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、チップ本体に設けられた電極パッドにバンプを接合して形成され、基板にアンダーフィル樹脂を供給した後、フリップチップ接続により実装される半導体素子であって、前記電極パッドと前記バンプとの接合部において露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆されていることを特徴とする。
【０００８】
また、前記コーティング材が、前記バンプの外面にメニスカス状に付着していることにより、半導体素子の実装時に、バンプからアンダーフィル樹脂への熱伝導が抑制され、アンダーフィル樹脂中でボイドが発生することを抑えることができる。
また、前記コーティング材が、前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられていることにより、実装時にアンダーフィル樹脂中でボイドが発生することをさらに好適に抑えることができる。
また、前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂であることにより、実装時にアンダーフィル部での熱応力が発生することを防止することができる。
【０００９】
また、基板にアンダーフィル樹脂を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子をフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、ボンディングツールに、チップ本体に設けられた電極パッドと該電極パッドに接合されたバンプとの接合部に露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆された半導体素子を支持し、前記ボンディングツールにより前記半導体素子を加熱した状態で前記基板に前記半導体素子を加圧し、前記接続電極とバンプとを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂を熱硬化させて前記半導体素子を前記基板に実装することを特徴とする。
また、前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂からなるとともに、該コーティング材が前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられた半導体素子を実装することを特徴とする。
【００１０】
また、基板に形成された接続電極と半導体素子の電極パッドに接合されたバンプとが電気的に接続され、半導体素子と基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて基板に半導体素子がフリップチップ接続された半導体装置であって、前記電極パッドと前記バンプとの接合部において露出する前記電極パッドの露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材によって被覆されていることを特徴とする。
また、前記コーティング材が、前記バンプの外面にメニスカス状に付着している半導体装置、また、前記コーティング材が、前記チップ本体のバンプ形成面の全面に設けられている半導体装置、また、前記コーティング材が、前記アンダーフィル樹脂と同一の樹脂である半導体装置が有効に用いられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体素子およびその実装方法並びに半導体装置によれば、フリップチップ接続によって半導体素子を基板に実装した際に、半導体素子の電極パッドがはんだ等によって腐蝕されることを防止し、信頼性の高い半導体装置として提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（半導体素子の構成）
図１は本発明に係る半導体素子２０Ａの構成と、この半導体素子２０Ａを形成する方法を示す。図１(a)は従来のフリップチップ接続に用いる半導体素子２０の構成を示す。この半導体素子２０はチップ本体２００の電極パッド２１にバンプ２２を接合したものである。本実施形態では、電極パッド２１に金ワイヤをボールボンディングし、スタッドバンプとしてバンプ２２を形成した。バンプ２２の高さは５０μｍ程度である。なお、バンプ２２をはんだバンプによって形成することもできる。
【００１３】
図１(b)は、半導体素子２０のバンプ形成面（電極端子形成面）に、ディスペンサーノズル２５から、アンダーフィル樹脂１８と同一の樹脂１８ａを供給し、バンプ形成面を樹脂１８ａによって被覆する工程を示す。
一定の流動性を有する樹脂１８ａを使用することにより、半導体素子２０のバンプ形成面に樹脂１８ａが濡れ広がり、バンプ形成面が樹脂１８ａによって被覆される。図１(c)は、半導体素子２０のバンプ形成面に樹脂１８ａが被覆された状態を示す。バンプ形成面を樹脂１８ａによって被覆した後、樹脂１８ａを加熱キュアし、本発明に係るフリップチップ接続用の半導体素子２０Ａが得られる。
【００１４】
図２は、フリップチップ接続用の半導体素子２０Ａのバンプ２２が形成された近傍部分を拡大して示す。樹脂１８ａは半導体素子２０Ａのバンプ形成面を略一定の厚さに被覆するとともに、バンプ２２の基部近傍で、バンプ２２の外面に沿ってメニスカス状に付着する。
半導体素子２０Ａのバンプ形成面を樹脂１８ａによって被覆する目的の一つは、バンプ２２の基部を樹脂１８ａによって被覆することにより、バンプ２２からアンダーフィル樹脂への熱伝導を抑制することにある。本実施形態では、メニスカス部１８ｂのはい上がり高さ（Ｈ）をバンプ２２の高さの１／２程度としてバンプ２２の露出領域を制限し、フリップチップ接続時におけるバンプ２２からアンダーフィル樹脂への熱伝導を抑制している。また、半導体素子２０Ａのバンプ２２の基部近傍を樹脂１８ａによって被覆し、バンプ２２と電極パッド２１の接合部分で電極パッド２１が外部に露出しないようにすることも目的としている。
【００１５】
なお、樹脂１８ａはバンプ２２の基部近傍を被覆するコーティング材として使用するものであり、電気的絶縁性を有する樹脂等の適宜材料が用いられる。場合によっては、アンダーフィル樹脂１８とは異種の材料を使用することも可能である。
【００１６】
図１に示す半導体素子２０Ａの形成方法では、半導体素子２０Ａのバンプ形成面にディスペンサーノズル２５を使用してコーティング材として樹脂１８ａを供給したが、図３は、ジェットプリンタを使用して、プリンタノズル２６からバンプ２２に向けてコーティング材としてのソルダーレジスト１９を吐出させ、バンプ２２の基部をソルダーレジスト１９によって被覆してフリップチップ接続に用いる半導体素子２０Ｂを形成する方法を示す。
【００１７】
図３(a)は、半導体素子２０のバンプ２２に向けてソルダーレジスト１９を吐出している状態、図３(b)は、バンプ２２の基部がソルダーレジスト１９によって被覆された状態を示す。図３(c)は、バンプ２２部分を拡大して示すもので、バンプ２２の基部にメニスカス状にソルダーレジスト１９が付着し、電極パッド２１とバンプ２２の接合部分がソルダーレジスト１９によって被覆されている状態を示す。
本実施形態においては、コーティング材としてソルダーレジスト１９をプリンタノズル２６から吐出させたが、適宜樹脂材料を使用することができる。
【００１８】
なお、プリンタノズル２６からコーティング材をバンプ２２に向けて吐出し、バンプ２２の基部をコーティング材によって被覆して半導体素子２０Ｂを形成する方法の場合は、コーティング材の粘性を調節することにより、バンプ２２と基板１０に形成された接続電極１２との電気的接続性を損なわずに、バンプ２２の基部近傍のみをコーティング材によって被覆することができる。本実施形態では、１０〜１４ｃｐ（センチ・ポイズ）の粘性のソルダーレジスト１９を使用して、バンプ２２の基部を被覆した。コーティング材としては、バンプ２２の大きさや形状に応じて、５〜５０ｃｐ（センチ・ポイズ）程度の粘性を有する材料を適宜選択して使用することができる。
【００１９】
樹脂１８ａをバンプ形成面にコーティングして半導体素子２０Ａを形成する場合、バンプ２２にソルダーレジスト１９等のコーティング材を吐出させて半導体素子２０Ｂを形成する場合も、ともに個片の半導体素子２０に対して処理を施して半導体素子２０Ａ、２０Ｂを形成することもできるし、半導体素子２０を個片に切り出す前の半導体ウエハに対して処理を施して半導体素子２０Ａ、２０Ｂを形成することもできる。
【００２０】
個片の半導体素子２０に対して処理する場合は、個片の半導体素子２０にバンプ２２を形成し、バンプ２２が形成された半導体素子２０に樹脂１８ａを供給し、あるいはバンプ２２に向けてソルダーレジスト１９を吐出させることによってフリップチップ接続に用いる半導体素子２０Ａ、２０Ｂを形成する。
半導体ウエハの段階で処理する場合は、半導体ウエハにバンプ２２を形成した後、ウエハに樹脂１８ａを供給して半導体ウエハの全面を樹脂１８ａによって被覆し、あるいは半導体ウエハに形成されたバンプ２２にソルダーレジスト１９を吐出した後、半導体ウエハを個片に切断して半導体素子２０Ａ、２０Ｂを得ることができる。
樹脂１８ａあるいはソルダーレジスト１９をコーティングした後の加熱キュアも、個片の半導体素子あるいは半導体ウエハに対して行えばよい。
【００２１】
（半導体素子の実装方法）
図４は、フリップチップ接続に用いる半導体素子２０Ａを基板１０にフリップチップ接続によって実装する工程を示す。半導体素子２０Ａを基板１０にフリップチップ接続によって実装する方法は、半導体素子２０に代えて半導体素子２０Ａを使用する他は、図６に示す従来のフリップチップ接続による実装方法と基本的に変わらない。
【００２２】
図４(a)は、基板１０の半導体素子搭載面に所要量のアンダーフィル樹脂１８を供給し、ボンディングツール３０により半導体素子２０Ａをその裏面側で吸着支持した状態である。
図４(b)は、ボンディングツール３０により半導体素子２０Ａを支持し、半導体素子２０Ａを基板１０に位置合わせして加圧および加熱し、半導体素子２０Ａを基板１０に接合している状態を示す。ボンディングツール３０の加熱温度は、はんだ１４が溶融され、アンダーフィル樹脂１８が熱硬化される温度に設定される。本実施形態においては、はんだ１４の溶融温度が２２０℃程度のものを使用しており、したがってボンディングツール３０は２５０℃以上に加熱した状態で使用した。
【００２３】
ボンディングツール３０により半導体素子２０Ａを支持し、バンプ２２と接続電極１２とを位置合わせして加圧することにより、はんだ１４が溶融し、バンプ２２の外面にメニスカス状に付着してバンプ２２と接続電極１２とがはんだ接合される。
アンダーフィル樹脂１８は、ボンディングツール３０により半導体素子２０Ａが基板１０に加圧されることにより、半導体素子２０Ａと基板１０との間を充填した余剰分が半導体素子２０Ａの外側面側に押し出され、半導体素子２０Ａの外側面と基板１０との間を充填した状態で熱硬化し、半導体素子２０Ａが基板１０に一体的に接合される。
【００２４】
図５は、基板１０に半導体素子２０Ａを加圧・加熱している状態を拡大して示す。
半導体素子２０Ａのバンプ２２の基部が樹脂１８ａによって被覆されていることは、溶融したはんだ１４がバンプ２２の外面をはい上がった際に、電極パッド２１に接することを阻止する作用を有する点で有効である。電極パッド２１はアルミニウムからなるから、バンプ２２の外面をはい上がったはんだ１４が電極パッド２１に接触すると、電極パッド２１のアルミニウムがはんだ中に拡散し、導通不良が生じることがあるからである。バンプ２２へのはんだ１４のはい上がりは制御が困難であるから、事前に半導体素子２０Ａの電極パッド２１を樹脂１８ａあるいはソルダーレジスト１９等のコーティング材によって被覆しておくことは、はんだ１４のはい上がりによる電極パッド２１の部分での導通不良を解消する方法として有効である。
【００２５】
また、半導体素子２０Ａからアンダーフィル樹脂１８への熱伝導についてみると、ボンディングツール３０によって半導体素子２０Ａが加熱されることにより、半導体素子２０Ａからアンダーフィル樹脂１８に徐々に熱伝導される。バンプ２２は金属からなることと、基板１０に向けて突出しているから、半導体素子２０Ａの基板１０に対向する面からアンダーフィル樹脂１８への熱伝導にくらべて、より効率的に、より直接的にアンダーフィル樹脂１８へ熱伝導される。
これに対して、本実施形態の半導体素子２０Ａでは、バンプ２２の基部が樹脂１８ａによって被覆されているから、バンプ２２から樹脂１８ａへの熱伝導が抑えられ、バンプ２２の周辺でのガスの発生が抑制されることによって、バンプ２２の周辺にボイドが発生することを抑えることが可能になる。樹脂１８ａのかわりに、図３に示すようにソルダーレジスト１９によってバンプ２２の基部を被覆した場合も同様である。
【００２６】
表１は、実際のフリップチップ接続に用いる半導体素子について、バンプの基部をアンダーフィル樹脂によって被覆して形成した半導体素子（実施形態）と、バンプの基部をアンダーフィル樹脂によって被覆しない半導体素子（従来例）とを、実際に基板にフリップチップ接続し、アンダーフィル部に充填されたアンダーフィル樹脂中にボイドがどの程度発生したかを測定した結果を示す。半導体素子の実装方法は、基板にあらかじめアンダーフィル樹脂を供給して半導体素子をフリップチップ接続する方法によるものである。
【表１】
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【００２７】
表１は、バンプの近傍に存在するボイドの数と、半導体素子と基板との間にどの程度ボイドが存在しているかを測定した結果を示す。表におけるボイド発生比率とは、半導体素子の搭載領域内においてボイドが占める面積に相当する。表１に示すように、本実施形態の半導体素子をフリップチップ接続した場合は、従来の半導体素子をフリップチップ接続した場合にくらべて、はっきりとボイド発生を抑制する効果が生じていることがわかる。すなわち、バンプの基部を樹脂により被覆してフリップチップ接続する方法は、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを効果的に防止する作用効果を有するということができる。
【００２８】
また、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを防止することにより、ボイドがバンプ２２あるいは接続電極１２の近傍に残留する可能性を低下させ、ボイドがバンプ２２等の近傍に存在していることによってバンプ２２や接続電極１２間が電気的に短絡することを防止し、半導体装置の信頼性を高めることができる。
また、ボイドが電極パッド２１の近傍に存在していると、アルミニウムからなる電極パッド２１が腐蝕しやすくなるという問題が生じるが、本実施形態の半導体素子２０Ａによればボイド発生を抑制することができるとともに、電極パッド２１が外部に露出しないように樹脂１８ａによって被覆されていることによって、電極パッド２１が腐蝕することを確実に防止することが可能になる。
これらのバンプ２２の基部を樹脂１８ａによって被覆することによる作用効果は、バンプ２２の基部をソルダーレジスト１９等の樹脂材によって被覆した半導体素子２０Ｂについて同様に得られる。
【００２９】
図４(c)は、基板１０に半導体素子２０Ａを実装した半導体装置を示す。半導体素子２０Ａと基板１０との間にアンダーフィル樹脂１８が充填され、半導体素子２０Ａと基板１０との接合部が保護される。また、アンダーフィル樹脂１８により半導体素子２０Ａと基板１０との間で生じる熱応力が緩和され、半導体素子２０Ａが確実に基板１０に搭載される。なお、半導体素子２０Ａではバンプ形成面にアンダーフィル樹脂１８と同一の樹脂１８ａをコーティングしているから、アンダーフィル部内で熱応力が生じることはない。
【００３０】
また、半導体素子２０Ａのバンプ形成面を樹脂１８ａにより被覆した場合は、半導体素子２０Ａをフリップチップ接続する際に、アンダーフィル部において硬化するアンダーフィル樹脂１８の樹脂量を樹脂１８ａの分だけ減らすことができ、アンダーフィル樹脂１８を熱硬化させる際に生じるガスの量を減少させてボイドの発生を抑制することができるという利点がある。
【００３１】
また、半導体素子２０Ａを基板１０にフリップチップ接続することにより、接続電極１２と半導体素子２０Ａのバンプ２２とが確実にはんだ接合され、半導体素子２０Ａの電極パッド２１が樹脂１８ａによって被覆されていることにより、基板１０と半導体素子２０Ａとが確実に電気的に接続された信頼性の高い半導体装置として提供される。
なお、図３に示す半導体素子２０Ｂを基板１０に実装する場合も前述した半導体素子２０Ａの実装方法と同様に実装することができ、半導体素子２０Ｂを実装した半導体装置についても信頼性の高い半導体装置として提供される。
【００３２】
上述した実施形態においては、半導体素子２０Ａ、２０Ｂの電極パッド２１に接合するバンプ２２として金スタッドバンプを使用した例について主に説明したが、電極パッド２１にはんだバンプを接合した半導体素子の場合も同様の作用効果を得ることができる。すなわち、半導体素子２０Ａ、２０Ｂと同様に、はんだバンプの基部近傍をコーティング材によって被覆する、あるいは半導体素子のバンプ形成面を全面にわたってコーティング材によって被覆することによって、半導体素子をフリップチップ接続した際に、アンダーフィル樹脂１８中にボイドが発生することを抑えることができ、これによって信頼性の高い半導体装置として提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る半導体素子の構成および半導体素子の形成方法を示す説明図である。
【図２】半導体素子のバンプの近傍の構成を拡大して示す説明図である。
【図３】半導体素子の他の構成を示す説明図である。
【図４】半導体素子を実装する方法および半導体装置の構成を示す説明図である。
【図５】半導体素子を実装する際における、バンプの近傍の構成を拡大して示す説明図である。
【図６】従来のフリップチップ接続による実装方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  基板
１２  接続電極
１４  はんだ
１６  ソルダーレジスト
１８  アンダーフィル樹脂
１８ａ  樹脂
１８ｂ  メニスカス部
１９  ソルダーレジスト
２０、２０Ａ、２０Ｂ  半導体素子
２１  電極パッド
２２  バンプ
３０  ボンディングツール
【図１】
2007012890.tif 000004
【図２】
2007012890.tif 000005
【図３】
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【図４】
2007012890.tif 000007
【図５】
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【図６】
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