(57)【要約】【課題】記録感度特性、反射率特性、耐環境特性に優れており、次世代型の光ディスクに適用可能な光情報記録媒体用光記録層と光情報記録媒体、並びに該記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供すること。【解決手段】レーザ光の照射によって記録マークが形成される光情報記録媒体用の光記録層であって、該記録層は、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を２〜３０原子％の範囲で含有するＳｎ基合金からなる光情報記録媒体用記録層と該記録層を備えた記録媒体、並びに該記録層の形成に用いる同合金組成のスパッタリング・ターゲットを開示する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を２〜３０％（原子％の意味、以下同じ）の範囲で含有するＳｎ基合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
【請求項２】
前記記録層は、更に、Ｎｄおよび／またはＹを１０％以下（０％を含まない）の範囲で含むＳｎ基合金である請求項１に記載の記録層。
【請求項３】
波長が３５０〜７００ｎｍのいずれかのレーザ光の照射によって記録マークが形成されるものである請求項１または２に記載の記録層。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれかに記載の記録層を備えてなる光情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録層の上部および／または下部に、光学調整層および／または誘電体層が設けられている請求項４に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層は、厚さが１〜５０ｎｍである請求項４または５に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を２〜３０％の範囲で含有するＳｎ基合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット。
【請求項８】
前記Ｓｎ基合金が、更に他の元素として、Ｎｄおよび／またはＹを１０％以下（０％を含まない）の範囲で含むものである請求項７に記載のスパッタリング・ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体用の記録層（光記録層）と光情報記録媒体、並びに光記録層形成用のスパッタリング・ターゲットに関するものである。本発明の光情報記録媒体用記録層は、現行のＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、次世代型の光情報記録媒体（ＨＤ−ＤＶＤやBlu-ray Disc）に用いられ、特に、青紫色のレーザを用いる追記型の光情報高密度記録媒体として好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
光情報記録媒体（光ディスク）は、記録再生方式により、再生専用型、書換え型および追記型の３種類に大別される。
【０００３】
このうち追記型の光ディスクでは、主に、レーザ光が照射された記録層材料の物性の変化を利用してデータを記録する。追記型の光ディスクは、情報の記録はできるが消去や書換えを行なうことはできない。この様な特性を利用し、追記型の光ディスクは、例えば、文書ファイルや画像ファイルなど、データの改ざん防止が求められるＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ等に用いられている。
【０００４】
追記型の光ディスクに用いられる記録層材料としては、例えば、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素などの有機色素材料が知られている。この有機色素材料にレーザ光を照射すると、色素の熱吸収によって色素や基板が分解、溶融、蒸発されるなどして記録マークが形成される。ところが有機色素材料を用いる場合、色素を有機溶媒に溶解してから基板上に塗布しなければならず、生産性が低いという問題がある。また、記録信号の長期安定保存性などの点でも問題がある。
【０００５】
こうした有機色素材料の弱点を改善するため、光記録層として無機材料薄膜を使用し、この薄膜にレーザ光を照射して、局所的に記録マーク（穴、ピットなど）を形成することにより記録を行なう方法が提案されている（非特許文献１、特許文献１〜７など）。
【０００６】
非特許文献１には、融点および熱伝導率の低いＴｅ薄膜を使用し、低いレーザ・パワーで穴をあける技術が開示されている。
【０００７】
特許文献１，２には、基板上にＡｌを含むＣｕ基合金からなる反応層と、Ｓｉなどを含む反応層とが積層された光記録層が開示されている。これらの文献に示された光記録層では、レーザ光の照射によって、基板上に、各反応層に含まれる元素が混合された領域が部分的に形成され、それにより反射率が大きく変化することから、青色レーザなどの短波長レーザを用いて高感度で記録できると記載されている。
【０００８】
特許文献３，４および７は、記録マークによるＣ／Ｎ（carrier-to-noise ratio：キャリアとノイズの出力レベルの比）の低下を防止し、高いＣ／Ｎと反射率を備えた光記録媒体を開示するもので、光記録層としてＩｎを含むＣｕ基合金（特許文献３）、Ｂｉなどを含むＡｇ基合金（特許文献４）、Ｂｉなどを含むＳｎ基合金（特許文献７）が記載されている。
【０００９】
特許文献５，６はＳｎ基合金を用いた光記録層に関するもので、特許文献５には、合金層中に、熱処理時に少なくとも一部が凝集し得る元素を２種以上含有させた光情報記録媒体が開示されている。具体的には、ＢｉやＩｎを含む厚さ１〜８ｎｍ程度のＳｎ−Ｃｕ基合金層からなり、高融点で熱伝導率の高い光情報記録媒体である。
【００１０】
特許文献６には、記録特性に優れたＳｎ−Ｂｉ合金に、ＳｎやＢｉよりも酸化され易い被酸化性物質を添加した光情報記録層が開示されており、高温多湿環境下においても優れた耐久性を示すことが強調されている。
【特許文献１】特開２００４−５９２２号公報
【特許文献２】特開２００４−２３４７１７号公報
【特許文献３】特開２００２−１７２８６１号公報
【特許文献４】特開２００２−１４４７３０号公報
【特許文献５】特開平２−１１７８８７号公報
【特許文献６】特開２００１−１８０１１４号公報
【特許文献７】特開２００２−２２５４３３号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．３４（１９７９年）ｐ．８３５。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した様に金属系の光情報記録層は、有機系の光記録層に比べて記録情報の長期安定保存性に優れているが、更なる長期的観点からすると、樹脂ディスクを透過する大気中の酸素や水分（湿分）などによって金属系記録層が酸化され、書き込み・読み取り特性が徐々に劣化するという問題がある。
【００１２】
近年、記録情報の高密度化に対応するため、青紫色レーザなどの短波長レーザを用いた光情報の記録と再生技術が開発されており、これに適合する記録層の特性として、（１）高Ｃ／Ｎ（読み取り時の信号が強くバックグラウンドのノイズが小さい）、低ジッター（再生信号の時間軸上のゆらぎが少ない）など高品質の信号書込み・読み取り特性、（２）高記録感度（低パワーのレーザ光で書込みができる）、（３）安定したトラッキングを得るために必要となる記録層からの高反射率、（４）高耐食性、などが要求されている。
【００１３】
しかし発明者らの調査によると、従来の金属系記録層では、上記要求特性の全てを十分に満たすことができず、実用化には難がある。しかし、金属系光記録層は有機系記録層に較べて材料が格段に安定であるという特長があり、金属系材料で上記の要求特性を満足する実用的な光記録層を開発することは、信頼性の高いＢＤ−ＲやＨＤ  ＤＶＤ−Ｒをユーザに提供する上で極めて重要となる。
【００１４】
また光記録層の成膜には、生産効率の高いスパッタリング法を採用することが望ましく、高品質な光記録層を形成するためのスパッタリング・ターゲット、並びに当該記録層を備えた光情報記録媒体の提供が望まれる。
【００１５】
本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、上記（１）〜（４）として示した様な要求特性を満たすばかりか、記録感度の信頼性が高く、コスト的にも廉価な金属系材料からなる光情報記録用の記録層を提供すると共に、該記録層を備えた光情報記録媒体を提供し、更には、こうした光情報記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決することのできた本発明に係る光情報記録用記録層とは、レーザ光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を２〜３０％（原子％の意味、以下同じ）の範囲で含有するＳｎ基合金からなるところに特徴を有している。
【００１７】
本発明に係る上記記録層には、更に他の元素として、Ｎｄおよび／またはＹを１０％以下（０％を含まない）の範囲で含有させると、記録層の耐食性が高められ、且つ、光記録層の表面平滑性を高めると共に記録マークの形状特性も改善され、ジッターも一段と低減できるので、本発明のより好ましい実施態様として推奨される。
【００１８】
本発明の上記記録層は、特に波長が３５０〜７００ｎｍの範囲のレーザ光に対して高い記録感度を示し、優れた光情報の書き込み及び読み取り精度を発揮する。
【００１９】
また本発明の光情報記録媒体は、上記構成の光記録層を備えたところに特徴を有しており、前記記録層の上部および／または下部に、光学調整層および／または誘電体層を設けた構成とすることも好ましい実施形態である。該光情報記録媒体における光記録層の好ましい厚さは、光記録層の上部および／または下部に光学記録層や誘電体層を設ける場合は１〜５０ｎｍの範囲、光学記録層や誘電体層を設けない場合は８〜５０ｎｍの範囲である。
【００２０】
更に本発明のスパッタリング・ターゲットは、上記光記録層をスパッタリング法によって形成する際に用いるターゲットであって、第１のターゲットは、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を２〜３０％の範囲で含有するＳｎ基合金からなり、第２のターゲットは、更にＮｄおよび／またはＹを１０％以下（０％を含まない）で含むＳｎ基合金からなるところに特徴を有している。
【００２１】
本発明で用いる上記Ｓｎ基合金においては、基本的にＳｎがその主な特性を担っており、該Ｓｎ基合金中に占めるＳｎの含有量は４０％以上であることが望ましく、より好ましいＳｎ含量は５０％以上、更に好ましくは６０％以上である。また、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素の含有量は２〜３０％であるが、より好ましくは５％以上、２５％以下、更に好ましくは１０％以上、２０％以下である。
【００２２】
またもう１つのＳｎ基合金では、他の元素としてＮｄおよび／またはＹが１０％以下（０％を含まない）の範囲で含まれているが、これらの元素の他に、Ｓｎよりも酸化され易い金属元素が含まれていても構わない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る上記Ｓｎ基合金において、基材となるＳｎは低融点であり、低いレーザ・パワーで記録マークの形成を可能とし、また、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＤｙ，Ｓｍ，Ｃｅから選ばれる元素はＳｎよりも酸化され易いので、Ｓｎ基合金からなる記録層の表面でそれらの添加元素が酸化されて緻密な酸化皮膜を形成し、記録層の酸化を抑制する。これにより耐食性が向上し、Ｓｎ基合金が本来有している高反射率が長期的に持続される。しかも、これらの元素はＳｎに比べて融点が高いので、Ｓｎ基合金記録膜全体としての表面を平滑に保つ効果も発揮する。
【００２４】
なお、上記元素のうちＰｔはＳｎよりも酸化され難く、樹脂製の基板やカバー層を透過してきた酸素や湿分はまずＳｎを酸化する。しかしＰｔは、スパッタによる成膜時にＳｎ基合金記録層中へ分散し、Ｓｎ原子の表面方向への拡散を阻止するので、それ以上のＳｎ酸化膜の成長を抑制し、耐食性の向上に寄与する。主成分となるＳｎに対する添加量を同一にして比較すると、上述したＰｔ以外の酸化され易い元素に比べてＰｔを添加した記録層の耐食性は若干劣るが、無添加のＳｎ単独記録層に比べると、耐食性は大幅に改善される。更に加えてＰｔを添加した場合は、酸化され易い元素を添加したものに比べて光記録層の表面平滑性が向上することを確認している。
【００２５】
また、上記元素に加えて更に適量のＮｄやＹを添加すると、記録層の耐食性が一段と向上すると共に、記録層の表面平滑性向上や記録マークの形状最適化効果とも相まって、ジッターの低減にも有効に作用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明において、まず基金属としてＳｎを選択した理由は次の通りである。光記録層の反射率の観点からすると、ＳｎよりもＡｌ，Ａｇ，Ｃｕなどの方が優れているが、レーザ光照射による記録マークの形成性はＳｎの方が格段に優れている。これは、Ｓｎの融点が約２３２℃であり、Ａｌ（融点は約６６０℃）、Ａｇ（融点は約９６２℃）、Ｃｕ（融点は約１０８５℃）に比べて格段に低いため、Ｓｎ基合金の薄膜はレーザ光の照射により低温でも容易に溶融もしくは変形し、低いレーザ・パワーでも優れた記録特性を発揮するためと考えられる。特に本発明では、青紫色レーザを用いる次世代型光ディスクに適用することを１つの目的として掲げており、この場合、Ａｌ基合金などでは記録マークの形成が困難になる恐れがあることから、Ｓｎ基合金を採用することとした。
【００２７】
次に、上記第１のＳｎ基合金において、４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、およびＰｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅは、耐食性を高めて高い反射率を長期的に持続する作用があり、更には、光記録層の表面平滑性を高める作用を有する点で同効元素であり、それらの効果を有効に発揮させるには、上記元素の少なくとも１種を２％以上含有させねばならない。しかし、それらの元素の総和が３０％を超えると、Ｓｎの量が相対的に不足気味となってＳｎに求められる本来の特性、殊に高反射率特性が有効に発揮されなくなる。こうした利害得失を考慮すると、上記元素のより好ましい含有量は、５％以上、２５％以下、更に好ましくは１０％以上、２０％以下である。
【００２８】
４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素の好ましい具体例としては、４ａ族；Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、５ａ族；Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、６ａ族；Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、７ａ族；Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅが挙げられる。
【００２９】
また第２のＳｎ基合金において付加的に含有させるＮｄやＹは、光記録層の耐食性や表面平滑性の向上に寄与する他、記録マークの形状適正化に寄与して低ジッター化を増進する作用を有しており、これらの効果は極少量でも発揮されるが、その効果が実用面で明確に現れてくるのは、総和で０．１％以上、より確実には０．５％以上添加したときである。しかしその添加量が多過ぎると、Ｓｎ含量が相対的に少なくなってＳｎ本来の特性が損なわれるので、多くともトータルで１０％以下、好ましくは５％以下に抑えるのがよい。
【００３０】
上記Ｓｎ基合金によって形成される光記録層は、安定した精度で確実な記録層を形成する上で、光情報記録媒体の構造にもよるが、厚さを１〜５０ｎｍの範囲にするのがよい。１ｎｍ未満では光記録層が薄過ぎるため、仮に光記録層の上部や下部に光学調整層や誘電体層を設けたとしても、光記録層の膜面にポアなどの欠陥が生じ易くなって、満足のいく記録感度が得られ難くなる。逆に５０ｎｍを超えて厚くなり過ぎると、レーザ光照射によって与えられる熱が記録層内で急速に拡散し易くなり、記録マークの形成が困難になる。ディスクとしての反射率の観点からすると、記録層のより好ましい厚さは、誘電体層や光学調整層を設けない場合、８ｎｍ以上、３０ｎｍ以下、更に好ましくは１２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であり、誘電体層や光学調整層を設ける場合は、３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である。
【００３１】
記録のために照射するレーザ光の好ましい波長は３５０〜７００ｎｍの範囲であり、３５０ｎｍ未満では、カバー層（光透過層）などによる光吸収が顕著となり、光記録層への書込み・読み出しが困難になる。逆に波長が７００ｎｍを超えて過大になると、レーザ光のエネルギーが低下するため、光記録層への記録マークの形成が困難になる。こうした観点から、情報の記録に用いるレーザ光線のより好ましい波長は３５０ｎｍ以上、６６０ｎｍ以下、更に好ましくは３８０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下である。
【００３２】
本発明に係る上記光記録層を形成するために用いるスパッタリング・ターゲットの組成は、上述した光記録層の合金組成と基本的に同一であり、上記第１、第２のＳｎ基合金として記載した合金組成に調整することで、スパッタリングによって成膜される光記録層についても、同様の成分組成を容易に実現できる。
【００３３】
以下、本発明で特徴付けられるＳｎ基合金の特性を、先に挙げた特許文献１〜７および非特許文献１に開示の従来技術と対比しつつ説明する。
【００３４】
光記録層の反射率の点では、既に述べた様に、本発明で用いる上記Ｓｎ基合金よりも、特許文献１〜４に開示されたＡｌ，Ａｇ，Ｃｕの方がやや優れている。しかし、レーザ光照射による記録マークの形成性は、Ｓｎ基合金の方が格段に優れている。これは、前述した様にＳｎの融点がＡｌ，Ａｇ，Ｃｕに比べて格段に低く、Ｓｎ基合金の薄膜はレーザ光の照射によって容易に溶融もしくは変形し、優れた記録特性を発揮するためと思われる。
【００３５】
特に、本発明の如く照射光として青紫色レーザを用いる次世代型の光ディスクへ適用する場合、Ａｌ薄膜などを記録層として用いた場合は、低レーザ・パワーでは記録マークを形成できない可能性があるが、本発明ではこうした懸念も払拭できる。
【００３６】
他方、本発明者らの研究によると、特許文献５〜７に記載の合金は、次に示す様な問題を有することが判明した。
【００３７】
まず特許文献５には、４０質量％Ｓｎ−５５質量％Ｉｎ−５質量％Ｃｕ合金（原子％に換算すると、３７．７原子％Ｓｎ−５３．５原子％Ｉｎ−８．８原子％Ｃｕ合金）からなる膜厚２〜４ｎｍの光記録層が開示されているが、実用可能なレベルのＣ／Ｎ値は得られ難い。また、この特許文献に開示されている合金層の厚さは２〜４ｎｍであるが、上記合金組成にとっては膜厚が薄過ぎるため、実用化できるレベルの反射率は得られなかった。
【００３８】
また特許文献６には、Ｓｎ−Ｂｉ合金に、ＳｎやＢｉよりも酸化され易い被酸化性物質を加えた光記録層が開示されている。ところが、これらの合金では、本発明のＳｎ基合金を超えるレベルのＣ／Ｎ値や記録感度は得られなかった。
【００３９】
更に特許文献７には、合金組成が８４原子％Ｓｎ−１０原子％Ｚｎ−６原子％ＳｂであるＳｎ基合金製の光記録層が開示されている。しかしこのＳｎ基合金でも、本発明のＳｎ基合金を超えるレベルのＣ／Ｎ値や記録感度、反射率は得られなかった。
【００４０】
これらのことからも、本発明の光記録層が従来技術に較べて有益な技術であることは明白である。
【００４１】
図１〜４は、本発明に係る光情報記録媒体（光ディスク）の実施形態を例示する断面模式図であり、波長が約３５０〜７００ｎｍのレーザ光を記録層に照射し、データの記録と再生を行うことのできる追記型の光ディスク示している。尚、レーザ光入射方向から見て、各図の（Ａ）［および（Ｃ）］は記録場所が凸部に形成されたもの、（Ｂ）［および（Ｄ）］は記録場所が凹部に形成されたものを例示している。
【００４２】
図１の光ディスク１０は、支持基板１と、光学調整層２と、誘電体層３，５と、該誘電体層３と５の間に挟まれた記録層４と、光透過層６とを備えている。誘電体層３，５は、記録層４を保護するために設けられたもので、これにより記録情報を長時間保存することができる。
【００４３】
図２の光ディスク１０は、支持基板１と、第０記録層群（光学調整層、誘電体層、記録層を備えた一群の層）７Ａと、中間層８と、第１記録層群（光学調整層、誘電体層、記録層を備えた一群の層）７Ｂと、光透過層６とを備えている。図３は、１層ＤＶＤ−Ｒ、１層ＤＶＤ＋Ｒ、１層ＨＤ ＤＶＤ−Ｒタイプの光ディスクを例示し、図４は、２層ＤＶＤ−Ｒ、２層ＤＶＤ＋Ｒ、２層ＨＤ ＤＶＤ−Ｒタイプの光ディスクを例示するもので、符号８は中間層、符号９は接着剤層を示している。
【００４４】
上記図２，４における第０および第１の記録層群７Ａ，７Ｂを構成する一群の層は、３層構造（図の上側から、誘電体層／記録層／誘電体層、誘電体層／記録層／光学調整層、記録層／誘電体層／光学調整層など）や２層構造（図の上側から、記録層／誘電体層、誘電体層／記録層、記録層／光学調整層、光学調整層／記録層など）の他、記録層１層のみからなるものであっても構わない。
【００４５】
なお本発明では、耐久性の評価基準を、「支持基板１に記録層４のみが形成されたサンプルを、温度８０℃×相対湿度８５％の環境下で９６時間保持した前・後に、波長４０５ｎｍの青色レーザ光を用いて測定した反射率の変化率が１５％未満（好ましくは１０％未満）を満足すること」としている。ちなみに、一般に青色レーザは波長が短く、膜劣化に対する反射率の変化が顕著であるため、青色レーザを用いて情報の記録や再生を行った光ディスクの耐久性は、赤色レーザを使用した場合よりも劣ることが予想される。そのため青色レーザ用の光記録層には、従来よりも高レベルの耐久性が求められるからである。
【００４６】
こうした観点からすると、前掲の特許文献１，６でも光ディスクの耐久性を調べているが、その条件は、本発明よりも緩やかな環境条件である。ちなみに特許文献６では、本発明よりも耐久性試験温度が低く（温度６０℃×相対湿度９０％で１２０時間保持）、また特許文献１では、本発明よりも耐久性試験時間が短い（温度８０℃×相対湿度８５％で５０時間保持）。即ちいずれの場合も、本発明の如く高温・高湿で長時間の耐久性試験は行っていない。
【００４７】
本発明の代表的な実施形態となる光ディスクは、例えば前記図１〜４に示した様な記録層４の素材として前掲の規定要件を満たすＳｎ基合金を使用する点に特徴があり、記録層４以外の支持基板１や光学調整層２、誘電体層３，５などの素材は特に限定されず、通常使用されているものを適宜選択して使用できる。
【００４８】
具体的には、支持基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなど；光学調整層の素材としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ等やそれらの合金など；誘電体層の素材としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｒなどの酸化物、Ｇｅ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｎなどの窒化物、Ｇｅ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａなどの炭化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａなどのフッ化物、或いはそれらの混合物などが例示される。
【００４９】
なお、先にも述べた様に、光学調整層や誘電体層を形成すればディスクとしての反射率を高めることができるため、記録層の膜厚は１〜５０ｎｍ、より好ましくは３〜３０ｎｍ、更に好ましくは５〜２０ｎｍとするのがよい。
【００５０】
また、本発明で規定する前記構成の光記録層を使用すれば、光学調整層２や誘電体層３，５の一部もしくは全部を省略することも可能である。光記録層単層の場合の好ましい膜厚は８〜３０ｎｍ、より好ましくは１２〜２０ｎｍである。
【００５１】
上記Ｓｎ基合金からなる光記録層は、スパッタリング法によって形成することが望ましい。即ち本発明で用いるＳｎ以外の合金元素（４ａ族、５ａ族、６ａ族、７ａ族の元素、Ｐｔ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ）は、熱平衡状態ではＳｎに対し固有の固溶限を有しているが、スパッタリング法によって薄膜を形成すると、上記合金元素がＳｎマトリックス中に均一に分散するので、膜質が均質化し、安定した光学特性や耐環境性などが得られ易いからである。
【００５２】
尚スパッタリングを行う際には、スパッタリング・ターゲット材として、溶解・鋳造法によって作製したＳｎ基合金（以下、「溶製Ｓｎ基合金ターゲット材」という）を用いることが望ましい。溶製Ｓｎ基合金ターゲット材の組織は均一であり、スパッタ率が安定しているばかりでなく、ターゲットからの原子の出射角度も均一であるため、成分組成の均一な光記録層が得られ易く、均質で高性能の光ディスクを製造できるからである。
【００５３】
なお、ターゲット材は真空溶解法などによって製造されるが、その際に、雰囲気中に微量存在するガス成分（窒素、酸素など）や溶解炉成分が微量ながら不純物としてターゲットに混入することがあるが、本発明の光記録層やターゲット材の成分組成は、それら不可避的に混入してくる微量成分までも規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量の混入は許容される。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例はもとより本発明を制限する性質のものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。
【００５５】
実施例１
１）ディスクの作製法
ディスク基板として、ポリカーボネート基板（厚さ：０．６ｍｍ、直径：１２０ｍｍ）を用い、ＤＣスパッタリング法によって光記録膜を成膜した。スパッタリング・ターゲットとしては、４インチのＳｎターゲット上に添加元素のチップを置いた複合ターゲットを用いた。
【００５６】
光記録膜形成のためのスパッタリング条件は、到達真空度：１０−５Ｔｏｒｒ以下（１Ｔｏｒｒ＝１３３．３Ｐａ）、Ａｒ流量：３０ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧：２ｍＴｏｒｒ、ＤＣスパッタ成膜パワー：５０Ｗとした。なお記録膜の厚さは、スパッタリング時間を５〜４５秒の間で変えることによって制御した。成膜したＳｎ基合金層の組成は、ＩＣＰ発光分光法と質量分析法によって求めた。
【００５７】
２）光ディスクの評価法
光ディスク評価装置（日立コンピュータ機器製の商品名「ＰＯＰ１２０−８Ｒ」）を使用し、線速度１０ｍ／ｓにおいて、記録層に良好な記録マークが形成されるレーザ・パワーを評価した。光源には波長４０５ｎｍの半導体レーザを使用し、レーザ・スポットサイズは直径０．８μｍとし、レーザは記録層側から照射した。記録後のマーク形状を光学顕微鏡によって観察し、レーザ照射面積に対するマーク形成面積の比を面積率として画像処理解析により算出し、面積率８５％以上を合格とした。
【００５８】
反射率の測定には可視・紫外分光光度計（日本分光社製の商品名「Ｖ−５７０」）を使用し、ポリカーボネート樹脂基板上に成膜した記録層の絶対反射率を測定した。
【００５９】
耐食性については、温度８０℃、相対湿度８５％の大気雰囲気中に９６時間保持してから反射率を測定し、処理前の反射率と比較して反射率の低下量（ΔＲ：単位％）を算出した。
【００６０】
表面粗さ（Ｒａ：単位ｎｍ）は、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製の商品名「ＳＰ１４０００」プローブ・ステーションのＡＦＭ；Atomic Force Microscopyモード）で測定した。測定範囲は２．５μｍ×２．５μｍとした。
【００６１】
結果を表１に纏めて示す。但し、表中の記号の意味は下記の通りである。
【００６２】
（１）初期反射率
○：３０％以上、×：３０％未満。
（２）記録マークの形成に要するレーザ・パワー
◎：１０ｍＷ以上１５ｍＷ以下、○：１５ｍＷ超２５ｍＷ以下、×：２５ｍＷ超。
（３）耐食性（反射率の変化ΔＲ）
●：１０％未満、◎：１０％以上１５％未満、○：１５％以上２０％未満、×：２０％以上。
（４）表面粗さ（Ｒａ）
◎：２．０ｎｍ未満、○：２．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下、×：４．０ｎｍ超。
【００６３】
【表１】
2007196571.tif 000003
【００６４】
表１からも明らかな様に、本発明の規定要件を全て満たす実施例（試料Ｎｏ．１〜２２）は、いずれも初期反射率が良好で、記録マークの形成に過度のレーザ・パワーを必要とせず、耐食性や表面粗さも良好である。これらに対し、純Ｓｎでは耐食性が劣悪で表面粗さも大きくて実用性を欠く。また、本発明で規定する合金元素を含むものであっても、その含有量が規定範囲超えるもの（試料Ｎｏ．２４）では初期反射率が低下している。また、選択された合金元素を適量含むものであっても、記録膜厚さが厚過ぎる場合（試料Ｎｏ．２３）は、記録マークの形成に過度のレーザ・パワーが必要となり、実用性にやや難がある。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る光情報記録媒体の一実施態様を示す断面模式図である。
【図２】本発明に係る他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。
【図３】本発明に係る更に他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。
【図４】本発明に係る更に他の光情報記録媒体を例示する断面模式図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  支持基板
２  光学調整層
３，５  誘電体層
４  記録層
６  光透過層
７Ａ，７Ｂ  記録層群
８  中間層
９  接着剤層
１０  光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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