(57)【要約】【課題】  基板の裏面を洗浄するための溶剤をリサイクルできるようにしたレジスト塗布装置及び基板の裏面洗浄方法を提供する。【解決手段】  ウエーハＷの表面上にレジストを滴下すると共に、このウエーハＷを回転させレジストを遠心力で拡散させることによって、ウエーハＷの表面上にレジストを塗布する際に、ウエーハＷの表面から裏面に回り込んだレジストを除去する方法であって、酢酸と炭酸エチレンとを混合した溶剤をウエーハＷの裏面に供給する工程と、供給された溶剤をウエーハＷの裏面から回収する工程と、回収された溶剤にオゾンを溶解させる工程とを含む。このような構成であれば、溶剤中のレジストはオゾンによって分解されるので、溶剤のリサイクルが可能である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上にレジストを滴下すると共に、当該基板を回転させ該レジストを遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該レジストを塗布する装置であって、
前記基板の前記表面上に前記レジストを塗布する際に、低分子量カルボン酸、又は炭酸アルキレンの少なくとも一方を含む溶剤を前記基板の裏面に供給する溶剤供給手段と、
前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に供給された前記溶剤を当該裏面から回収する溶剤回収手段と、
前記溶剤回収手段によって前記裏面から回収された前記溶剤にオゾンを溶解させるオゾン溶解手段と、を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
【請求項２】
前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に再び供給することを特徴とする請求項１に記載のレジスト塗布装置。
【請求項３】
前記オゾンを溶解した後の前記溶剤の成分濃度を分析する分析手段、を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレジスト塗布装置。
【請求項４】
前記分析手段による前記成分濃度の分析結果に基づいて、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤のリサイクルの可否を判断する判断手段を備え、
前記判断手段が前記溶剤のリサイクルが可能と判断した場合には、
前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に再び供給し、一方、
前記判断手段が前記溶剤のリサイクルが不可能と判断した場合には、
前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を廃棄することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項５】
前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を所定方向に向けて輸送する配管を備え、
前記配管の少なくとも前記溶剤と接する部分はフッ素樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項６】
前記溶剤に溶け込まずに余った前記オゾン、又は前記溶剤から溶け出た前記オゾンを分解して外界に放出するオゾン分解処理手段、を備えたことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項７】
前記低分子量カルボン酸は酢酸であり、前記炭酸アルキレンは炭酸エチレンであり、
前記酢酸と前記炭酸エチレンの両方が前記溶剤に含まれ、当該溶剤中での前記酢酸と前記炭酸エチレンとの混合の割合は重量比で６：４である、ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項８】
基板の表面上にレジストを滴下すると共に、当該基板を回転させ該レジストを遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該レジストを塗布する際に、前記基板の表面から裏面に回り込んだ前記レジストを除去する方法であって、
低分子量カルボン酸、又は炭酸アルキレンの少なくとも一方を含む溶剤を前記基板の裏面に供給する工程と、
前記基板の裏面に供給された前記溶剤を当該裏面から回収する工程と、
前記裏面から回収された前記溶剤にオゾンを溶解させる工程と、を含むことを特徴とする基板の裏面洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布装置及び基板の裏面洗浄方法に関し、特に、基板の裏面を洗浄するための溶剤をリサイクルできるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。即ち、この特許文献１には、スピンコータ内でウエーハの表面上にレジストを成膜させる際に、ウエーハの裏面に溶剤を吐出して、裏面に付着したレジストを除去することが開示されている。
ウエーハの裏面に供給する溶剤には、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）とＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）とを混合した溶剤を使用することが一般的である。
【０００３】
また、上記ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥの混合液以外では、溶剤として、プロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネートを使用すること（例えば、特許文献２参照。）や、ジアセトンアルコールを使用すること（例えば、特許文献３参照。）、１−メトシキ−２−プロパノールと３−メトシキ−１−プロパノ−ルとを使用すること（例えば、特許文献４参照。）が知られている。
【０００４】
なお、特許文献５、６には、ドライエッチングやイオン注入によって基板表面で硬化したレジスト（パターン）を剥離、除去するために、基板を溶液中で処理する装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−７９３０２号公報
【特許文献２】特開平８−１９５３３７号公報
【特許文献３】特開平８−１０４８９５号公報
【特許文献４】特開２００２−１４１２６５号公報
【特許文献５】特開２００３−２８２５１８号公報
【特許文献６】特開２００３−２２４０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、スピンコータ内でウエーハの裏面に供給された溶剤は、その供給された面で跳ね返ったり遠心力が働いたりして、レジストと混じり合いながらその周囲に飛散する。そして、周囲に飛散した溶剤は、カップの内壁に付着し、やがてその底部に流れ落ちる。カップの底部には廃液口が設けられているので、レジストと混じり合った溶剤は、この廃液口からスピンコータの外へ排出される。
【０００６】
ここで、特許文献１〜４に開示された従来の技術では、ウエーハの裏面洗浄に使用した溶剤をリサイクル（再生利用）するという考えがなかったために、レジスト塗布処理にかかるコストが高い、という問題があった。
本発明は、このような解決すべき課題に着目してなされたものであって、基板の裏面を洗浄するための溶剤をリサイクルできるようにしたレジスト塗布装置及び基板の裏面洗浄方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１のレジスト塗布装置は、基板の表面上にレジストを滴下すると共に、当該基板を回転させ該レジストを遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該レジストを塗布する装置であって、前記基板の前記表面上に前記レジストを塗布する際に、低分子量カルボン酸、又は炭酸アルキレンの少なくとも一方を含む溶剤を前記基板の裏面に供給する溶剤供給手段と、前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に供給された前記溶剤を当該裏面から回収する溶剤回収手段と、前記溶剤回収手段によって前記裏面から回収された前記溶剤にオゾン（Ｏ３）を溶解させるオゾン溶解手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
ここで、基板とは、例えば「ウエーハ」のことである。また、「低分子量カルボン酸」としては、例えば酢酸、プロピオン酸、酪酸等の何れか一、若しくはそれらを混合した液体が挙げられる。「炭酸アルキレン」としては、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の何れか一、若しくはそれらを混合した液体が挙げられる。酢酸や炭酸エチレン等を含む溶剤はオゾンを溶解し、かつオゾンとの反応性が少ない性質がある。また、このような溶剤はノボラック樹脂や環化ポリイソプレン等のレジストを溶解する性質がある。
【０００９】
発明１のレジスト塗布装置によれば、基板の表面上にレジストを塗布する際に、基板の表面から裏面に回り込んだレジストを溶剤で除去することができる。また、溶剤中のレジストはオゾンによって分解されるので、使用後の溶剤を再生することが可能である。従って、例えば、使用後の溶剤を基板の裏面に再び供給してレジストを除去する（即ち、溶剤をリサイクルする）ことが可能である。
〔発明２〕  発明２のレジスト塗布装置は、発明１のレジスト塗布装置において、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に再び供給することを特徴とするものである。
このような構成であれば、溶剤がリサイクルされるので、レジスト塗布処理にかかるコストを低減することが可能である。
【００１０】
〔発明３〕  発明３のレジスト塗布装置は、発明１又は発明２のレジスト塗布装置において、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤の成分濃度を分析する分析手段、を備えたことを特徴とするものである。
このような構成であれば、溶剤の成分濃度の分析結果に基づいて、そのリサイクルの可否を正確に判断することができる。
【００１１】
〔発明４〕  発明４のレジスト塗布装置は、発明１から発明３の何れか一のレジスト塗布装置において、前記分析手段による前記成分濃度の分析結果に基づいて、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤のリサイクルの可否を判断する判断手段を備え、前記判断手段が前記溶剤のリサイクルが可能と判断した場合には、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を前記溶剤供給手段によって前記基板の裏面に再び供給し、一方、前記判断手段が前記溶剤のリサイクルが不可能と判断した場合には、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を廃棄することを特徴とするものである。
このような構成であれば、基板裏面に対する洗浄能力を常に高く維持することが可能である。
【００１２】
〔発明５〕  発明５のレジスト塗布装置は、発明１から発明４の何れか一のレジスト塗布装置において、前記オゾンを溶解した後の前記溶剤を所定方向に向けて輸送する配管を備え、前記配管の少なくとも前記溶剤と接する部分はフッ素樹脂で構成されていることを特徴とするものである。ここで、フッ素樹脂とは、テトラフルオロエチレン（ＣＦ２＝ＣＦ２）の重合により作られる樹脂（例えば、テフロン（登録商標））のことである。
このような構成であれば、配管の腐食を防ぐことができる。
【００１３】
〔発明６〕  発明６のレジスト塗布装置は、発明１から発明５の何れか一のレジスト塗布装置において、前記溶剤に溶け込まずに余った前記オゾン、又は前記溶剤から溶け出た前記オゾンを分解して外界に放出するオゾン分解処理手段、を備えたことを特徴とするものである。
このような構成であれば、高濃度オゾンの外界への放出が防がれるので、周囲の環境に悪影響を与えないようにすることができる。
【００１４】
〔発明７〕  発明７のレジスト塗布装置は、発明１から発明６の何れか一のレジスト塗布装置において、前記低分子量カルボン酸は酢酸であり、前記炭酸アルキレンは炭酸エチレンであり、前記酢酸と前記炭酸エチレンの両方が前記溶剤に含まれ、当該溶剤中での前記酢酸と前記炭酸エチレンとの混合の割合は重量比で６：４である、ことを特徴とするものである。
このような構成であれば、特に優れた裏面洗浄効果を得ることができる。
【００１５】
〔発明８〕  発明８の基板の裏面洗浄方法は、基板の表面上にレジストを滴下すると共に、当該基板を回転させ該レジストを遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該レジストを塗布する際に、前記基板の表面から裏面に回り込んだ前記レジストを除去する方法であって、低分子量カルボン酸、又は炭酸アルキレンの少なくとも一方を含む溶剤を前記基板の裏面に供給する工程と、前記基板の裏面に供給された前記溶剤を当該裏面から回収する工程と、前記裏面から回収された前記溶剤にオゾンを溶解させる工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
このような構成であれば、基板の表面上にレジストを塗布する際に、基板の表面から裏面に回り込んだレジストを溶剤で除去することができる。また、溶剤中のレジストはオゾンによって分解されるので、使用後の溶剤を再生することが可能である。従って、例えば、使用後の溶剤を基板の裏面に再び供給してレジストを除去する（即ち、溶剤をリサイクルする）ことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示すように、このレジスト塗布装置１００は、例えば塗布装置本体（以下、単にスピンコータという。）１０と、溶剤再生システム５０と、制御部９０とを含んだ構成となっている。
【００１８】
図２は、本発明の実施の形態に係るスピンコータ１０の内部構成例を示す概念図である。このスピンコータ１０は、ウエーハＷの表面上にレジストを滴下すると共に、このウエーハＷを回転させ、ウエーハＷの表面上に付着したレジストを遠心力で拡散させることによって、ウエーハＷの表面上にレジストを均一な厚さに塗布する装置である。
図２に示すように、このスピンコータ１０は、ウエーハチャック１と、カップ３と、滴下ノズル５と、溶剤吐出ノズル７と、廃液回収部９等、を含んだ構成となっている。
【００１９】
ウエーハチャック１は、ウエーハＷの裏面を回転可能に支持するものである。このウエーハチャック１のウエーハＷの裏面と接触する面（以下で、接触面という）には多数の孔が設けられおり、これらの孔は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。ウエーハＷをウエーハチャック１上に載置した状態で、これらの孔から空気を吸引すると、ウエーハＷの裏面はウエーハチャック１の接触面に吸着されて固定される。また、このウエーハチャック１は、その接触面の中心を通る鉛直線回りに回転可能になっている。
【００２０】
カップ３は、上面に開口部を、下面に底部を有した容器状のものである。このカップ３は、ウエーハチャック１に支持されたウエーハＷの側方及び下方をやや離れた位置から取り囲むようにして配置されている。このカップ３によって、ウエーハＷの回転によるレジストの周囲への飛散が防止される。
滴下ノズル５は、その先端に開口を有し、その後端はレジストを開口側に供給するレジスト供給部（図示せず）に接続している。この滴下ノズル５は、その開口がウエーハチャック１の接触面の中心部上方にくるように位置調整されており、ウエーハチャック１上に固定されたウエーハＷの表面上にレジストを滴下するようになっている。
【００２１】
図２に示すように、溶剤吐出ノズル７は、ウエーハチャック１に保持されるウエーハＷの裏面側にくるように位置調整されており、ウエーハチャック１に保持されたウエーハＷの裏面に向けて溶剤を吐出するようになっている。溶剤吐出ノズル７から吐出される溶剤（即ち、バックリンス液）は、例えば酢酸と炭酸エチレンとからなる混合液であり、その混合の割合は重量比で例えば６：４である。また、カップ３の底部に設けられた廃液回収部９は、図１に示すポンプＰ１や配管Ｔ１，２を介して分解槽２０に接続している。
【００２２】
図１に示すように、溶剤再生システム５０は、分解槽２０と、バブリング装置２１と、オゾン発生器２３と、酸素ガス供給部２５と、溶剤供給部２７と、オゾン処理塔３０と、濃度センサ４０と、溶剤再生システム５０とスピンコータ１０との間で溶剤を循環させる配管Ｔ１〜Ｔ５、オゾンを供給又は廃棄するための配管Ｔ６〜Ｔ８、その他の配管Ｔ９，Ｔ１０及びポンプＰ１，Ｐ２等を含んだ構成となっている。
【００２３】
分解槽２０は、フッ素樹脂（例えば、テフロン（登録商標））で構成されており、密閉可能な構造となっている。図１に示すように、この分解槽２０の底部にはバブリング装置２１が配置されている。
バブリング装置２１は、分解槽２０に貯められた溶剤にオゾンを溶かすために、溶剤中でオゾンをバブリングさせる装置である。このバブリング装置２１は、例えば多孔質の石英で構成されている。図１に示すように、このバブリング装置２１は、分解槽２０を貫通する配管Ｔ６を介して、分解槽２０の外側に配置されたオゾン発生器２３と接続している。
【００２４】
オゾン発生器２３は、酸素ガス供給部２５から配管Ｔ９を介して供給される酸素（Ｏ２）を原料として、オゾンを発生させる装置である。このオゾン発生器２３は、例えば、その装置内で酸素ガスに高電圧を印加することによって、高濃度のオゾンを発生させるようになっている。発生した高濃度のオゾンは配管Ｔ６を通ってバブリング装置２１に供給される。
【００２５】
また、図１に示すように、分解槽２０の天井部分には、オゾン処理塔３０へ至る配管Ｔ７が設けられている。オゾン処理塔３０には、例えば高濃度のオゾンを効率良く酸素に分解するための触媒が設けられており、オゾンを酸素に分解してその後外界に放出するようになっている。このような構成により、高濃度のオゾンがそのまま外界に放出されることはないので、周囲の環境に悪影響を与ることはなく、環境にやさしい。
【００２６】
溶剤供給部２７は、配管Ｔ１０を介して分解槽２０に新しい（フレッシュな）溶剤を供給するものである。この溶剤供給部２７は、例えば酢酸と炭酸エチレンとを個別に保存するタンク（図示せず）を有し、制御部９０の制御信号を受けて酢酸と炭酸エチレンとを同時に、又は別々のタイミングで分解槽２０内に供給する。
また、この溶剤再生システム５０では、配管Ｔ３の一端は分解槽２０の中にあり、その他端はポンプＰ２に繋がっている。さらに、このポンプＰ２と濃度センサ４０との間には配管Ｔ４が設けられている。この溶剤再生システム５０では、ポンプＰ２が動作することによって、分解槽２０内の溶剤が配管Ｔ３，Ｔ４を通って濃度センサ４０側に送られるようになっている。
【００２７】
濃度センサ４０は、溶剤の成分濃度を測定する装置である。濃度センサ４０が、例えば溶剤中の酢酸の分解成分（蟻酸等）の濃度を測定する。また、図１に示すように、この濃度センサ４０の後段には、廃液ラインに繋がる配管Ｔ８と、スピンコータ１０に戻る配管Ｔ５とが設けられており、これらは図示しない三方弁によって切り替えられるようになっている。
【００２８】
制御部９０は、例えば、ＣＰＵと、溶剤再生システム５０全体を制御するためのプログラム等を格納したハードディスクと、ＲＡＭ等で構成されている。この制御部９０は、上述したオゾン発生器２３と、酸素ガス供給部２５と、溶剤供給部２７と、オゾン処理塔３０と、濃度センサ４０と、ポンプＰ１，Ｐ２及び三方弁とにそれぞれ有線又は無線を介して接続しており、これらとの間で制御信号やデータの送受信が可能となっている。
【００２９】
なお、このレジスト塗布装置１００では、図１に示す配管Ｔ１〜Ｔ５，Ｔ８，Ｔ１０や、分解槽２０、その他溶剤と接する部分（例えば、スピンコータ１０のカップ３、ウエーハチャック１等）に図示しない保温部材が取り付けられており、それらの温度が４０℃以上で維持されている。このような保温部材の存在により、溶剤の温度は例えば４０±２℃に保持され、溶剤を構成する炭酸エチレンの固化が防がれている。
【００３０】
また、このレジスト塗布装置１００では、図１に示す配管Ｔ１〜Ｔ８の少なくとも溶剤と接する部分（即ち、内壁）や、分解槽２０、その他溶剤と接する部分（例えば、スピンコータ１０のカップ３、ウエーハチャック１等）が、フッ素樹脂（例えば、テフロン（登録商標））で構成されており、溶剤中に溶け込んだオゾン、又は気体として存在するオゾン等による腐食が防止されている。
【００３１】
次に、上述したレジスト塗布装置１００の動作例について説明する。このレジスト塗布装置１００で使用するレジストは、例えば、ノボラック樹脂系ポジ型レジスト、化学増幅型ポリビニルフェノール誘導体系ポジ型レジスト、環化ポリイソプレン系ネガ型レジスト等である。また、上述したように、裏面洗浄にしようする溶剤は、例えば酢酸と炭酸エチレンとからなる混合液であり、その混合の割合は重量比で例えば６：４であり、その温度は例えば４０±２℃に保持されたものである。
【００３２】
図２において、ウエーハチャック１に保持されたウエーハＷが回転し、滴下ノズル５からレジストが滴下されると、ウエーハＷの表面上に付着したレジストは遠心力によって外側に広がり、レジストの一部はウエーハＷの表面側からその裏面側に回り込もうとする。このとき、溶剤吐出ノズル７から溶剤が吐出される。溶液吐出ノズルから吐出された溶剤は、その供給された面で跳ね返ったり遠心力が働いたりして、レジストと混じり合いながらその周囲に飛散する。飛散した溶剤はカップ３の内壁に付着して、やがてその底部に流れ落ちる。そして、カップ３底部の廃液回収部９からカップ３の外へ排出される。
【００３３】
カップ３の外に排出された使用後の溶剤は、図１に示す配管Ｔ１に入り、ポンプＰ１によって配管Ｔ２から分解槽２０内に送り込まれる。分解槽２０内ではバブリング装置２１がオゾンをバブリングする。この実施例では、酢酸と炭酸エチレンとからなる溶剤にオゾンが１００〜５００ｐｐｍ溶存するように、溶剤１リットル当たり、オゾン１リットル／分をバブリングする。これにより、使用後の溶剤にオゾンが溶け込み、オゾンによって溶剤中のレジスト成分が例えばＣＯ２とＨ２Ｏとに分解される（即ち、再生処理される）。
【００３４】
なお、分解槽２０の内部はバブリングによってその圧力が高まっているので、バブリング後の余った（即ち、溶剤に溶け込まなかった）オゾンや、溶剤から溶け出たオゾン、レジストの分解によって発生したＣＯ２やＨ２Ｏは、分解槽２０内の圧力に押されて配管Ｔ７内に入り、オゾン処理塔３０へ運ばれる。
次に、分解槽２０内で再生処理された溶剤はポンプＰ２によって配管Ｔ３，Ｔ４内に引き込まれ、濃度センサ４０まで運ばれる。濃度センサ４０は、制御部９０の制御下で、例えば溶剤中の酢酸の分解成分（蟻酸等）を常時モニタし、その値をリアルタイムで制御部９０に送信する。また、制御部９０は、濃度センサ４０から送られてくる分析データを直ぐにチェックし、蟻酸等の成分濃度が規定値を超えていないかどうかを確認する。
【００３５】
蟻酸等の成分濃度が規定値以下の場合には、制御部９０が溶剤のリサイクルは可能であると判断する。そして、制御部９０の制御下で、三方弁（図示せず）をＴ８側に対して閉じ、Ｔ５側に対して開いて、再生処理後の溶剤をスピンコータ１０に供給する。つまり、スピンコータ１０とバブリング装置２１との間で溶剤を循環させる。
一方、蟻酸等の成分濃度が規定値を超えた場合には、制御部９０が溶剤のリサイクルは不可能であると判断する。そして、制御部９０の制御下で、三方弁（図示せず）をＴ５側に対して閉じ、Ｔ８側に対して開いて、再生処理後の溶剤を廃液ライン側に流して廃棄する。そして、分解槽２０内の溶剤を所定量だけ、または全て廃棄した後で、制御部９０は溶剤供給部２７に溶剤の供給開始を指示する制御信号を送信する。この制御信号を受けて、溶剤供給部２７は酢酸や炭酸エチレン等を分解槽２０内に供給して、溶剤を補給する。
【００３６】
このように、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置１００によれば、基板の表面上にレジストを塗布する際に、ウエーハＷの表面から裏面に回り込んだレジストを溶剤で除去することができる。また、溶剤中のレジストはオゾンによって分解されるので、使用後の溶剤を再生することが可能である。従って、使用後の溶剤をウエーハＷの裏面に再び供給してレジストを除去する（即ち、溶剤をリサイクルする）ことが可能である。これにより、裏面洗浄用の溶剤の消費量を少なくすることができるので、裏面洗浄にかかるコストを低減することが可能である。
【００３７】
また、オゾンを用いて溶剤を再生処理するだけでは、再生回数の上昇に伴って蟻酸等の濃度が上昇し（即ち、酢酸の濃度が下降し）、溶剤の洗浄能力は低下してしまう。しかしながら、本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置１００によれば、濃度センサ４０によって蟻酸等の濃度を測定し、この測定値が基準値を超えた場合には溶剤を新しいものと入れ換えるので、溶剤中の酢酸濃度を所定の値以上に維持することができる。従って、ウエーハＷ裏面に対する洗浄能力を常に高く維持することが可能である。
【００３８】
この実施の形態では、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応し、酢酸が本発明の「低分子量カルボン酸」に対応し、炭酸エチレンが本発明の「炭酸アルキレン」に対応している。また、溶剤吐出ノズル７が本発明の「溶剤供給手段」に対応し、カップ３、廃液回収部９、配管Ｔ１，Ｔ２、ポンプＰ１が本発明の「溶剤回収手段」に対応している。さらに、分解槽２０、バブリング装置２１、オゾン発生器２３、酸素ガス供給部２５、配管Ｔ６，Ｔ９が本発明の「オゾン溶解手段」に対応し、濃度センサ４０が本発明の「分析手段」に対応している。また、制御部９０が本発明の「判断手段」に対応し、オゾン処理塔３０が本発明の「オゾン分解処理手段」に対応している。
【００３９】
なお、この実施の形態では、本発明の「溶剤」の一例として、酢酸と炭酸エチレンとからなる混合液を使用する場合について説明したが、本発明の溶剤はこれに限られることはない。本発明の溶剤は、酢酸単体、又は炭酸エチレン単体でも良い。或いは、酢酸の代替としてプロピオン酸、酪酸を使用したり、炭酸エチレンの代替として炭酸プロピレンを使用したりしても良い。このような構成であっても、溶剤中のレジストはオゾンによって分解されるので、溶剤のリサイクルが可能である。
【００４０】
また、この実施の形態では、図１に示したように、１台のスピンコータ１０に１つの溶剤再生システム５０を接続する場合について説明した。しかしながら、図３に示すように、複数のスピンコータ１０を例えば並列に配置し、これらのスピンコータ１０に１つの溶剤再生システム５０を接続するようにしても良い。このような構成であっても、溶剤のリサイクルが可能であり、裏面洗浄にかかるコストを低減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置１００の構成例を示す図。
【図２】本発明の実施の形態に係るスピンコータ１０の内部構成例を示す図。
【図３】複数台のスピンコータ１０に対する溶剤再生システム５０の接続例を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１  ウエーハチャック、３  カップ、５  滴下ノズル、７  溶剤吐出ノズル、９  廃液回収部、１０  スピンコータ、２０  分解槽、２１  バブリング装置、２３  オゾン発生器、２５  酸素ガス供給部、２７  溶剤供給部、３０  オゾン処理塔、４０  濃度センサ、５０  溶剤再生システム、９０  制御部、１００  レジスト塗布装置、Ｐ１，Ｐ２  ポンプ、Ｔ１〜Ｔ１０  配管、Ｗ  ウエーハ
【図１】
2007027543.tif 000003
【図２】
2007027543.tif 000004
【図３】
2007027543.tif 000005