(57)【要約】【課題】任意の厚さを有し、表面の平滑なシリコン含有多孔質板であって、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されており、伝送損失の小さな多孔質基板を提供すること。【解決手段】１対の平板によって構成される間隙内で、ゾル−ゲル反応により３次元網目状の骨格相（固体相）と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶液を乾燥除去する工程、および前記１対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を含み、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されている多孔質基板を得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の平板によって構成される間隙内で、ゾル−ゲル反応により３次元網目状の骨格相と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶媒を乾燥除去する工程、および前記１対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を含むことを特徴とする多孔質基板の製法。
【請求項２】
前記１対の平板で構成される間隙内において、前記湿潤ゲルは、前記１対の平板の相対向する各面に接触する様に前記１対の平板により塞がれている請求項１に記載の製法。
【請求項３】
上記除去される平板の少なくとも１部が、当該平板の表面に形成される骨格相の皮膜から容易に剥離可能な板で構成されている請求項１または２に記載の製法。
【請求項４】
上記１対の平板の少なくとも一方は、上記湿潤ゲルに接触する面の少なくとも一部が金属板もしくは表面の一部に金属の層を有する板である請求項１〜３のいずれかに記載の製法。
【請求項５】
上記金属板もしくは表面の一部に金属の層を有する板の表面に、シリコンを主とする材料で構成される薄膜が形成されている請求項４に記載の製法。
【請求項６】
上記３次元網目状の骨格相が、少なくとも金属アルコシキドと水を含み、且つ触媒と溶媒のいずれか又は両方を含む混合液からゾル−ゲル反応によって形成されたものである、請求項１〜５のいずれかに記載の製法。
【請求項７】
前記金属アルコキシドとして、メチル基を有するシリコンアルコキシドを使用する請求項６に記載の製法。
【請求項８】
上記骨格相が、シリカを主成分とするものである請求項６または７に記載の製法。
【請求項９】
上記容易に剥離可能な板の表面が、炭素、炭化水素系樹脂またはフッ素樹脂を主成分とする疎水性表面である請求項２〜８のいずれかに記載の製法。
【請求項１０】
上記容易に剥離可能な板の表面が、Ａｌ，Ｃｕおよび貴金属から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属である請求項２〜８のいずれかに記載の製法。
【請求項１１】
ゾル−ゲル反応によって製造された多孔質基板であって、内部に３次元網目状の骨格相を有し、少なくとも片側の表面には、前記骨格相と同質の平滑な皮膜が形成されていることを特徴とする多孔質基板。
【請求項１２】
１対の平板によって構成される隙間内で、前記ゾル−ゲル反応により湿潤ゲルが形成され、該湿潤ゲルの少なくとも一部を前記１対の平板の相対向する各面に接触させ、前記湿潤ゲルの乾燥前または乾燥後に、前記１対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去することにより、除去した該平板と接触していた前記湿潤ゲルの表面を前記皮膜としたものである前記請求項１１に記載の多孔質基板。
【請求項１３】
上記骨格層と上記皮膜の合計厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である請求項１１または１２に記載の多孔質基板。
【請求項１４】
前記皮膜は、厚さが１０ｎｍ以上１μｍ以下である請求項１１〜１３のいずれかに記載の多孔質基板。
【請求項１５】
前記骨格相はシリカを主成分とするものであり、周波数１０ＧＨｚ以上の高周波領域で使用される配線用基板材料として用いられるものである請求項１１〜１４のいずれかに記載の多孔質基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機質の多孔質材料からなる基板とその製法に関するものであり、この基板は、高周波領域においても誘電損失の小さな絶縁性基板などとして有効に活用できる。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の層間絶縁膜などでは、比誘電率が２以下である低誘電率の層間絶縁膜が求められており、膜素材として材料そのものの密度を下げた多孔質材料を用いることが提案されている。同様に、素子を実装するための電気回路やアンテナなどを構成する誘電体基板や積層基板についても、より高い周波数での動作が求められており、この様な場合は、誘電率だけでなく誘電損失の低減という観点からも、多孔質の絶縁膜や誘電体膜が求められる。
【０００３】
その他、センサーや化学反応を伴う反応セルなどの電気・電子部品の分野でも、比表面積が大きく、比重が小さく、熱伝導度が小さい、などの特性が求められており、絶縁膜や誘電体膜としてこれらの特性を満足する多孔質膜が注目されている。
【０００４】
これら多様な用途に適用される電気・電子部品の基板として使用される多孔質膜は、化学的、物理的、熱的に安定なシリカ系材料などの無機材料で形成されることが多い。また、これらの多孔質膜は、必要とされる特性や機能に応じて膜厚を任意に調整できることが望ましい。たとえば、２５ＧＨｚを超えるミリ波領域で有効な低損失基板として用いられる誘電体膜では、１００μｍ程度の厚さが必要とされる。
【０００５】
これらの多孔質膜を形成するための方法として例えばスピンコート法を採用した場合、得られる多孔質膜の厚さは原料溶液の粘度とスピンコートの回転数によりほぼ決まってくるので、特に厚肉のものを得たい場合には、希望通りの膜厚を得ることが難しい。
【０００６】
また上記原料溶液としては、金属アルコキシド等をゾル−ゲル反応で加水分解させるため、水、酸触媒、界面活性剤などを含む混合溶液が使用されるが、それらの混合比率は、例えば特許文献１などに記載されている様に、多孔質膜の構造決定に主眼を置いて調合しなければならないため、塗布工程で希望する膜厚を得るための最適粘度に調整できるとは限らず、原料溶液の粘度が希望する厚さに対して低くなり過ぎることも多い。この様な場合、スピンコートの様な塗布法では多孔質膜の乾燥厚さが１μｍ程度に制限され、特に厚膜の多孔質膜を得ることが難しい。
【０００７】
また、特許文献２に開示されている様な方法では、塗布後直ちに固体成分と溶媒が分離して乾燥・固化するので、比較的薄肉の膜を形成するのには有効であるが、厚肉の多孔質膜を得ようとすると、乾燥時の収縮などによって膜が割れたり亀裂が生じたりするといった問題を生じる。しかも、開放された空間内でゾル−ゲル法により形成した多孔質体や、バルク体として作製した多孔質体から切り出した板材では、多孔質体の表面に無数の穴や凹凸ができるため、表面に薄膜状の回路や配線を形成する際に障害となる。
【０００８】
特許文献３には、多孔質材を用いたマイク口ストリップ基板が記載されている。しかし、その製法には回路を形成する側の表面状態は記載されておらず、基本的には開放系の容器を用いたバルク材の製法と同じであり、また薄膜状誘電体として厚さの均−性に関する配慮もなされていない。
【０００９】
更に特許文献４には、ポリイミドからなるフィルム状の多孔質材が開示されているが、耐熱性や機械的特性において満足し得るものとはいえない。
【特許文献１】特開平１１−２９２５２８号公報
【特許文献２】特開２００５−７８０号公報
【特許文献３】特開平８−２２８１０５号公報
【特許文献４】特開２００３−２０１３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記の様な事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、誘電体などとして用いられる多孔質基板として、表面が平滑で亀裂（クラック）や剥離を生じることがなく、所望に応じた厚さの均質な多孔質板（膜）を提供すると共に、その様な多孔質基板を容易に得ることのできる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決することのできた本発明の多孔質基板は、ゾル−ゲル反応によって製造された多孔質基板であって、内部に３次元網目状の骨格相を有し、少なくとも片側の表面には、多孔質基板内部の前記骨格相と同質である平滑な皮膜が形成されているところに特徴を有している。
【００１２】
該多孔質基板の好ましい厚さは、上記骨格層と上記皮膜の合計厚みで１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、また前記皮膜は、前記表面の全面に渡って連続して形成されており、該皮膜の厚さは１０ｎｍ以上１μｍ以下であるものが特に好ましい。そして、上記骨格相をシリカ主体の材料で構成したものは、特に周波数１０ＧＨｚ以上の高周波領域で使用される配線用基板材料として極めて有用である。
【００１３】
また本発明の製法は、上記構成の多孔質誘電体基板を製造する有用な方法として位置付けられる発明であり、１対の平板によって構成される間隙内で、ゾル−ゲル反応により３次元網目状の骨格相と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶媒を揮発除去する工程、および前記１対の平板の少なくとも一方は、上記湿潤ゲルに接する面のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を実施するところに特徴がある。
【００１４】
この製法を実施するに当り、上記湿潤ゲルは、前記１対の平板で構成される隙間内において、該１対の平板の相対向する各面に接触する様にして塞がれているのがよく、また、除去される上記平板の面のうち少なくとも一部は、当該平板の表面に形成される骨格相の皮膜から容易に剥離可能な板で構成しておくのがよい。上記平板の少なくとも一方は、上記湿潤ゲルに接触する面の少なくとも一部が金属板もしくは表面の一部に金属の層を有する板を使用することができ、また、上記金属板もしくは表面の一部に金属の層を有する板の表面に、シリコン主体の材料で構成される薄膜を形成しておけば、一方の平板に多孔質層が強固に接合一体化された基板を得ることができる。
【００１５】
上記３次元網目状の骨格相を構成する原料素材は、少なくとも金属アルコシキドと水を含み、且つ触媒と溶媒のいずれか一方もしくは両方を含むゾル−ゲル反応性の混合液であり、中でも前記金属アルコキシドがメチル基を有するシリコンアルコキシドであり、また骨格相がシリカを主成分とするものは、より小さな伝送損失を有する多孔質誘電体基板となるので好ましい。
【００１６】
また１対の平板は、平行に配置された２枚１対で構成するのがよく、そのうち、少なくとも１方側の前記「容易に剥離可能な板」の表面は、炭素、炭化水素系樹脂またはフッ素樹脂を主成分とする疎水性表面で構成し、或いはＡｌ，Ｃｕおよび貴金属から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属で構成するのがよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、表面が平滑で均一性に優れた多孔質基板を得ることができる。特に１対の平板の配置間隙をスペーサーなどで調整することにより、任意の厚さの基板を容易に得ることができる。またこの基板が形成される平板の表面では、ゾル−ゲル反応で表面に連続した均質な皮膜が形成されるので、その表面に薄膜状の電気・電子回路を容易に形成することができ、伝送損失の少ない高品質の多孔質基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明では、例えば誘電特性を有する多孔質体を形成するための部材として、好ましくは２枚１対の平板を任意の間隙をあけて好ましくは平行に配置し、その内部でゾル−ゲル反応を行うことによって、３次元網目状に形成された無機材料を主成分とする骨格相（固体相）と溶媒に富む溶液相とに分離した湿潤ゲルを形成する。この際、前記湿潤ゲルは、１対の平板で構成される上記間隙内において、１対の平板の相対向する各面に接触する様に当該１対の平板で塞がれているのがよい。
【００１９】
その後、前記溶液相を乾燥させる工程（乾燥工程）と、前記１対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程（平板除去工程）を任意の順序で実施することにより、多孔質基板を得る。
【００２０】
ここで除去される平板は、エッチング等の方法で溶解除去してもよいが、形成される多孔質基板と接する側の面の少なくとも一部を容易に剥離可能な素材で構成しておけば、平板を剥離除去するだけで多孔質基板の表面を簡単に露出させることができるので好ましい。
【００２１】
具体的には、平板の表面をフッ素樹脂や炭化水素系樹脂などの疎水性面で構成しておけば、硬化した湿潤ゲルもしくはその乾燥膜から平板を容易に剥離除去できる。また平板の素材として、Ａｌ，Ｃｕや貴金属（具体的にはＡｕ，Ｐｔなど）などの板材、或いは表面の一部に金属層を形成もしくはクラッドした平板を使用した場合でも、平板間の間隙内部でゾル−ゲル反応により形成される３次元網目状硬化物（ゲル）の骨格相が金属表面に密着し難いので、含水ゲルまたはその乾燥物から平板を容易に剥離除去できる。
【００２２】
骨格相の構成素材としては、珪素、Ｔｉ、Ａｌ、ホウ素などのアルコキシドが好適であり、特にシリカを主成分とするもの、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラノルマルブトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン等のシリコンアルコキシドは、化学的に安定で誘電率の低い多孔質膜を形成するので、好ましい素材として推奨される。なお、Ｓｉに結合するアルキル基は２個以下がよく、より好ましくは１個である。
【００２３】
中でもメチル基を有するシリコンアルコキシドを使用すると、疎水性やクラック耐性などに優れた多孔質基板を得ることができるので好ましい。アルキル基を持ったシロキサンポリマーは種々存在するが、炭化水素鎖が長いと誘電損失が増加する傾向にあるため、誘電損失の低い多孔質基板を得るには、メチル基を有するシリコンアルコキシドが最適である。
【００２４】
本発明では、多孔質基板の誘電率を比誘電率で１．２〜２．０程度に制御、調整することができる。
【００２５】
また、多孔質誘電体の空孔率を高め、均一な空孔を形成するため、原料溶液に多孔質原料として界面活性剤を混合し、後にこの界面活性剤を除去する方法によって多孔質を得る手法（例えば、Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.788(2004) Materials Research Society L7.5.1〜7.5.10など）があるが、本発明ではこの様な手法で形成した多孔質ゲルに対しても適用可能である。ここで用いられる好ましい界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテルなどの非イオン性界面活性剤、テトラデカニルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリドなどのカチオン性界面活性剤などが挙げられる。また溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールなどが好ましく使用される。
【００２６】
ところで、多孔質基板の厚さの均一性は、対向して配置される２枚の平板の間隙の均一性に依存することになるが、平板の間に適当な間隔でスペーサーを配置する方法を採用すれば、大きな面積のものでも均一な厚さのものを容易に得ることができる。
【００２７】
平板を除去する面、すなわち例えば誘電体基板としてその上にプリント配線回路を形成する等で利用される面は、誘電体基板の片面であっても両面であってもよい。誘電体基板に対し接地電極として機能する金属面を形成する場合は、はじめから金属板上に誘電体を形成すればよい。即ち、１対の平板の片方のみを除去してもよいし、両方を除去してもよい。
【００２８】
この場合は、間隙内部でゾル−ゲル反応によって生成するゲルの骨格相と反応して密着し易い素材、例えばシリコンを主体とする材料で構成される薄膜や、チタン、ク口ム等の密着層として機能する金属薄膜を形成しておけば、これらの金属板上に多孔質誘電体膜が強固に接合一体化した基板を得ることができる。シリコンを主体とする材料としてはシリコン酸化物が好ましく、この他、シリコン窒化物などを使用することもできる。
【００２９】
相対的に密着力の強い方の平板の構成材料は、電極層として機能させることと、誘電体層との密着力担保の観点と、電気的特性（低抵抗）と、製造プロセス上の条件などから適宜選択すればよい。
【００３０】
ここで基板となる金属の表面、もしくはその密着層として機能する薄膜は、溶液中の触媒（酸またはアルカリ）や有機溶媒に溶解せず、かつ骨格相となるシリカ含有化合物などに対して親和性のよい材質が好ましい。ＳｉＯ２等の金属酸化物や、チタン、ク口ムなどの表面に金属酸化物を形成し易い遷移金属などがその代表例である。
【００３１】
高周波回路を形成する場合などでは、接地電極にも低抵抗が求められるので、上記金属としてはＣｕ，Ａｇなどが使用される。Ａｌも、低抵抗で安価な金属素材として推奨される。但し前記密着層と同様に、金属板も溶液中の触媒（酸もしくはアルカリ）や有機溶媒に溶解しないことが必要であるので、触媒として硝酸を用いる場合はＡｌが、また塩酸や他の弱酸あるいはアルカリを触媒として使用する場合はＣｕが、それぞれ好ましい。
【００３２】
また、この誘電体基板をセンサーや他の電子素子に使用する場合は、上記金属板の代わりに、強度や平坦度が良好で接地電極の機能をもたせた基板材料として、単結晶シリコンやガラス、樹脂などを用いることもできる。単結晶シリコンやガラスを用いた場合、これらはゲルを構成するシリカと結合し易く、触媒にも溶解し難いため、特に密着層を形成せずとも多孔質膜との間で十分な付着力を確保できる。
【００３３】
基板となる多孔質体の形成には、金属アルコシキドと水を必須の出発原料として使用し、反応条件（超音波照射など）によっては無触媒反応を採用し、或いは無溶媒反応を採用することもできる。触媒反応を行う場合は、触媒反応で加水分解した後にゾル−ゲル反応で多孔質の湿潤ゲルとし、これを乾燥して多孔質基板とする。乾燥は、大気中での自然乾燥や加熱乾燥の他、微細な多孔質構造が乾燥時の毛管力などで破壊されるのを防ぐため、超臨界乾燥や、毛管力の小さい溶媒に置換してから乾燥するなどの方法が例示される。
【００３４】
乾燥させる際には、外部空間に対し多孔質の空孔が外気に開放されている必要がある。このため誘電体基板を形成するための鋳型となる前記２枚１対の平板やスペーサーは、乾燥を考慮した構造とすることが望ましい。具体的にはスペーサーに開放部分を設け、外部空間と連通する様に形成しておけば、間隙内への原料溶液の充填や乾燥を効率よく行うことができる。
【００３５】
上記の様な方法によって形成された多孔質膜は、ゾルーゲル反応の際に内部で３次元網目状の骨格相を形成するが、同時に平板との界面で該骨格相と同質の皮膜を形成するので、湿潤ゲルまたはその乾燥物から平板を剥離除去すると、その表面に回路形成などに適した平滑な連続皮膜が形成される。この様に表面を平滑な連続皮膜とすることで、その表面に例えば回路などを形成する際の配線材などの口スを最小限に抑えることができる。特にミリ波などの高周波領域では、配線表面の抵抗が導体損失を決定付けるが、多孔質膜の表面に平滑な皮膜が存在すると導体損失が低減し、伝送損失の小さな誘電体基板を得ることが可能となる。
【００３６】
本発明に係る上記基板の厚さは特に制限されないが、例えば誘電体基板などとして使用する際の好ましい厚さは、製造上および性能上の観点から、１０μｍ以上１０００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下である。また、該基板の表面に形成される皮膜の好ましい厚さは、強度や誘電体基板としての適用性などの観点から１０ｎｍ以上１μｍ以下である。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前、後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３８】
まず第１の実施例を、図１を参照しつつ説明する。
【００３９】
図１は、誘電体として有用な多孔質基板の製造例を示す断面概念説明図であり、まず、基板を形成するための部材となる一方の平板として純Ａｌ板Ａを用意する。このＡｌ板Ａの表面には、プラズマＣＶＤなどによって例えばＳｉＯ２膜Ｂを厚さ０．５μｍで形成し、もう一方の平板としては、平坦なガラス板Ｃ上にＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のテープＤを貼り付けたものを用意する。これら２枚１対の平板を対向し、この間で平板の端部に、厚さ０．１ｍｍ（１００μｍ）の２本のＰＴＦＥ製スペーサーＥを配置することによって平行な間隙Ｆを形成すると共に、側面には乾燥用の開口部を設けた。
【００４０】
多孔質基板を得るための原料溶液は、次の様にして製造した。即ち、１モル濃度の硝酸水溶液とメタノールをそれぞれ２．６ｍｌ、２．８ｍｌ秤量してサンプル瓶に入れ、氷冷下で撹伴しながらＭＴＭＳ（メチルトリメトキシシラン）１０ｍｌを加える。その後、５分間撹拌を続けて加水分解反応を進めた。
【００４１】
次に、鋳型となる前記２枚の平板を平行に配置し、スペーサーＥで所定の間隙Ｆを保つように固定してから容器へ装入する。２枚１対の平板が装入された容器内に、前記平板が上記原料溶液に完全に浸漬する様に上記原料溶液を注ぎ込んで、鋳型（すなわち、平板間の間隙）内にゾルを浸透させた後、容器を密封し、４０℃の恒温槽へ移してゲル化させた。ゲル化後、約２４時間エージングしてゾル−ゲル反応を完結させた。この処理で、前記間隙Ｆ内にＭＴＭＳ由来のメチル基を持ったシラノール基が３次元網目状に硬化した湿潤ゲルが、２枚の平板の相対向する各面に接触した状態で形成される。
【００４２】
次いで容器を開放し溶媒を揮発除去した後、上記２枚１対の平板からガラス板Ｃを剥離した。この時、ガラス板Ｃに貼り付けた前記ＰＴＦＥ製テープＤの作用で、該ガラス板Ｃは、特別の処理をせずとも容易に剥離除去することができた。
【００４３】
これらの工程で、メチル基を有するシリカ多孔質膜Ｇが、密着層として表面にＳｉＯ２膜を設けた純Ａｌ板Ａ上に形成された基板を得ることができた。多孔質膜Ｇの厚さは約９０μｍであり、溶媒を揮発除去する際に約１割程度の体積収縮は認められたが、膜の亀裂（クラック）や剥離は生じず、表面に均一な連続皮膜を有する厚めの多孔質誘電体基板が得られた。
【００４４】
得られた多孔質誘電体基板の表層側断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した画像を図２（倍率３，０００倍：図中、右側下方に表れる１１個の白丸の左端白丸から右端白丸までの長さが１０μｍであり、即ち２つの白丸間の間隔が１μｍである）に示す。この図からも明らかな様に、内部側は３次元網状構造の多孔質相で構成されており、また最表面には多孔質構造とは異なる厚さ約数百ｎｍの連続皮膜が形成されていることが分かる。
【００４５】
多孔質誘電体基板として実用化する際には、該基板の表面にスパッタリングなどによって薄膜状の電子回路配線などを形成するが、その際に、多孔質構造体の表面に連続した平滑な皮膜が形成されていることは極めて重要である。即ち、該連続した平滑な表面皮膜の存在によって、その上に形成される配線材は連続で滑らかな薄膜状の配線となり、配線の低抵抗化に好影響をもたらす。特に、導体（金属配線）の表面近傍のみを流れるので、表面が滑らかであることは特に重要である。
【００４６】
図３は、本発明の他の実施例を示す多孔質基板の製造工程を示す断面概念説明図であり、多孔質基板を形成するための枠材となる２枚１対の平板として、表面にフッ素処理剤を塗布した２枚のガラス板を用いた例を示している。フッ素化処理剤としては、ダイキン工業社製の商品名「オプツールＤＳＸ」を用いた。前記と同様に、ＰＴＦＥ製のスペーサーＥを介して２枚のガラス板を対向配置することにより平行な間隙Ｆを形成し、この中で、上記と同じ原料溶液をゾル−ゲル反応させることによって湿潤ゲルを形成し、次いで溶剤を乾燥除去して多孔質ゲルを得た。
【００４７】
フッ素化処理剤で表面処理されたガラス板は多孔質骨格との結合を作らないため、硬化した多孔質ゲルから容易に剥離除去できる。従って、２枚のＡｌ板Ａ，Ａを両面側から剥離除去すると、誘電体基板を構成する単層のシリカ多孔質膜Ｇが得られる。
【００４８】
この多孔質膜Ｇには表裏両面とも平滑な表面皮膜が形成されているので、表裏面に例えば蒸着などの方法で回路や連続した金属膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例を示す断面概念説明図である。
【図２】実施例で得た多孔質誘電体基板の表層側を示すＳＥＭ写真である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面概念説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
Ａ  Ａｌ板
Ｂ  ＳｉＯ２膜
Ｃ  ガラス板
Ｄ  ＰＴＦＥテープ
Ｅ  スペーサー
Ｆ  間隙
Ｇ  多孔質ゲル（誘電体基板）
【図１】
2007099540.tif 000003
【図３】
2007099540.tif 000004
【図２】
2007099540.tif 000005