(57)【要約】【課題】封止性を向上することができる電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１０は、（１）基板１２と、（２）基板１２の主面１２ａに形成された、機能部２４と、（３）基板１２の主面１２ａにおいて、機能部２４の周囲に全周に渡って配置され、基板１２の主面１２ａの法線方向から見たとき基板１２の外周１２ｂより内側に延在する、支持層３０と、（４）基板１２の主面１２ａに間隔を設けて対向するように支持層３０上に配置され、基板１２の主面１２ａの法線方向から見たとき基板１２の外周１２ｂより内側に延在する、カバー層５２と、（５）基板１２と支持層３０との間と、支持層３０とカバー層５２との間を跨ぐように延在し、基板１２と支持層３０との間と、支持層３０とカバー層５２との間とを覆う金属膜６０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に形成された、機能部と、
前記基板の前記主面において、前記機能部の周囲に全周に渡って配置され、前記基板の前記主面の法線方向から見たとき前記基板の前記外周より内側に延在する、支持層と、
前記基板の前記主面に間隔を設けて対向するように前記支持層に配置され、前記基板の前記主面の法線方向から見たとき前記基板の前記外周より内側に延在する、カバー層と、
前記基板と前記支持層との間と、前記支持層とカバー層との間を跨ぐように延在し、前記基板と前記支持層との間と、前記支持層とカバー層との間とを覆う金属膜（以下、「外周封止金属膜」という。）と、
を備えたことを特徴とする、電子部品。
【請求項２】
前記カバー層が前記支持層に対向する主面の少なくとも一部に、ポリイミド系材料からなり、前記カバー層と前記支持層とを接合する接着層が設けられたことを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記外周封止金属膜は、前記基板と前記支持層との間に配置された第１の金属膜と、前記支持層とカバー層との間に配置された第２の金属膜との少なくとも一方に連結されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記外周封止金属膜は多層膜であり、最も内側の膜が真空プロセスにより形成されたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記外周封止金属膜の最も外側の膜がメッキ膜であることを特徴とする、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記外周封止金属膜は、Ｃｕを主成分とする膜を含むことを特徴とする、請求項４又は５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記カバー層の前記基板とは反対側の主面に配置され、前記外周封止金属膜に接合されたカバー層配線金属と、
前記カバー層配線金属に接続され、前記カバー層に関して前記基板とは反対側において外部に露出し、アースに接続される外部アース端子と、
を備えたことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記機能部と前記外周封止金属膜とが、前記基板の前記主面に設けられた導電パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記基板の前記機能部が形成された前記主面側に、前記基板の前記外周に隣接して配置され、前記支持層及び前記カバー層の外側を全体的に覆うように延在するコーティング樹脂層をさらに備えたことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記カバー層の材質が、ガラス又は水晶であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記基板は圧電基板であり、前記機能部として弾性表面波素子が形成されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１２】
複数の電子部品を同時に製造する、電子部品の製造方法であって、
前記複数の電子部品のそれぞれに対応して、主面に、機能部と、前記機能部の周囲に全周に渡って延在する支持層とが形成された一つの基板について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記支持層の上に、一つのカバー部材を配置する、第１の工程と、
前記複数の電子部品の境界線に隣接する部分について、前記カバー部材から前記基板に達するまで、もしくは前記基板に形成された導電パターン外枠部に達するまで、サンドブラストにより除去する、第２の工程と、
前記第２の工程により露出した前記基板と前記支持層との間と前記支持層とカバー層との間とを覆うように金属膜（以下、「外周封止金属膜」という。）を形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記支持層の内部に、前記支持層と異なる材料で形成されたスペーサー層が設けられていることを特徴とする、請求項１３に記載の電子部品。
【請求項１４】
前記スペーサー層は、前記支持層と前記カバー層との界面に対向して形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の電子部品。
【請求項１５】
前記スペーサー層に関して前記カバー側にのみ、前記支持層が形成されていることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記スペーサー層は、前記基板の前記外周側の一部が前記支持層から露出していることを特徴とする、請求項１３、１４又は１５に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記支持層は、前記スペーサー層と前記カバー層との間に樹脂を用いて形成された厚さ４μｍ以下の樹脂層を含むことを特徴とする、請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１８】
前記スペーサー層が金属膜で構成されることを特徴とする、請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１９】
前記第１の工程において用いる前記基板は、前記支持層の内部に、前記支持層と異なる材料からなるスペーサー層が設けられていることを特徴とする、請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の工程において用いる前記基板は、前記スペーサー層が前記機能部及び前記機能部に接続される配線の少なくとも一部分と同時に同一材料を用いて形成されることを特徴とする、請求項１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記スペーサー層は、前記機能部側の周縁部が前記支持層で覆われていることを特徴とする、請求項１３乃至１８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２２】
前記支持層は、前記機能部側の周縁部にテーパ形状の部分を有することを特徴とする、請求項１３乃至１８、２１のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２３】
前記カバー層が前記支持層に対向する主面の少なくとも一部に、ポリイミド系接着フィルムからなる接着層が設けられたことを特徴とする、請求項１３乃至１８、２１、２２のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２４】
前記カバー層の材質がガラスであることを特徴とする、請求項１３乃至１８、２１、２２、２３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２５】
前記支持層として、感光性ポリイミド樹脂を用いることを特徴とする、請求項１３乃至１８、２１乃至２４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２６】
前記支持層上に、複数の前記機能部にそれぞれ接続された複数の素子配線と、該素子配線に接続された引き回し配線とが形成されたことを特徴とする、請求項１３乃至１８、２１乃至２５のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品及びその製造方法に関し、詳しくは、内部に空間を有する電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタなどの電子部品について、素子チップサイズまでパッケージを小型化したウェハーレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の開発が進められている。
【０００３】
ＳＡＷフィルタのウェハーレベル・チップサイズパッケージの構造に関しては、例えば図２２に示す弾性表面波装置が開示されている。この弾性表面波装置は、圧電基板１となるウェハー上に、弾性表面波素子の電極（ＳＡＷ電極）、すなわち櫛形電極２及び反射器電極３や、パッド電極４を含む導電パターンを形成し、ＳＡＷ電極２，３の周囲に配置した樹脂６ａ，６ｂの支持層により、圧電基板１との間に間隔を設けてカバー層７を接着封止して内部に振動空間５を形成し、カバー層７及び支持層６ａ，６ｂを貫通しパッド電極４に接続される導体パターンを形成してＳＡＷ電極２，３とカバー層７上の外部端子８とを電気的に接続した後、ダイシングにより１パッケージ単位の個片に切断することにより作製する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３７４７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図２２のように構成すると、カバー層７と支持層６ｂとの間の境界線、あるいは支持層６ａと圧電基板１との間の境界線が、弾性表面波装置の外周面に露出している。そのため、カバー層７と支持層６ｂとの間の界面、あるいは支持層６ａと圧電基板１との界面の密着が熱サイクル等によって劣化すると、弾性表面波装置の外周面に露出する境界線から振動空間５内に湿気が入り込みＳＡＷ電極２，３が腐食するなどの不具合が発生しやすい。特に、支持層６ａ，６ｂが樹脂で形成されている場合、樹脂自体から振動空間５内に湿気が入り込むためＳＡＷ電極２，３の腐食がより一層発生しやすかった。
【０００５】
本発明は、かかる実情に鑑み、封止性を向上することができる、電子部品を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品を提供する。
【０００７】
電子部品は、（１）基板と、（２）前記基板の主面に形成された、機能部と、（３）前記基板の前記主面において、前記機能部の周囲に全周に渡って配置され、前記基板の前記主面の法線方向から見たとき前記基板の前記外周より内側に延在する、支持層と、（４）前記基板の前記主面に間隔を設けて対向するように前記支持層に配置され、前記基板の前記主面の法線方向から見たとき前記基板の前記外周より内側に延在する、カバー層と、（５）前記基板と前記支持層との間と、前記支持層とカバー層との間を跨ぐように延在し、前記基板と前記支持層との間と、前記支持層とカバー層との間とを覆う金属膜（以下、「外周封止金属膜」という。）とを備える。
【０００８】
上記構成において、基板とカバー層との間が支持層を介して結合され、機能部の周囲が封止される。外周封止金属膜は、基板と支持層との間と、支持層とカバー層との間とを覆うので、基板と支持層との間や、支持層とカバー層との間の封止を強化することができる。
【０００９】
外周封止金属膜は、基板、支持層、カバー層に接し、間に空間などがないため、コンパクトに構成することができる。このような構成は、電子部品の小型化に有利である。
【００１０】
なお、外周封止金属膜は、カバー層上まで延在していなくてもよいが、カバー層上まで延在する場合には、カバー層上に配線を形成することができる。
【００１１】
好ましくは、前記カバー層が前記支持層に対向する主面の少なくとも一部に、ポリイミド系材料からなり、前記カバー層と前記支持層とを接合する接着層が設けられている。
【００１２】
ポリイミドは耐熱性が高いため、カバー層を接着した後の工程における温度条件を高温にすることができる。そのため、例えば、外周封止金属を真空蒸着等で形成する場合に前処理温度を高くし、外周封止金属の付着強度を高めて、より封止性を向上することができる。
【００１３】
なお、支持層は、カバー層に設けられた接着層に対向する部分に、金属膜や絶縁膜等が設けられてもよい。この場合、カバー層に設けられた接着層は、支持層に設けられた金属膜や絶縁膜等に接着することにより、カバー層と支持層とを接合する。
【００１４】
好ましくは、前記外周封止金属膜は、前記基板と前記支持層との間に配置された第１の金属膜と、前記支持層とカバー層との間に配置された第２の金属膜との少なくとも一方に連結されている。
【００１５】
この場合、気密性とパッケージ強度がより向上する。
【００１６】
好ましくは、前記外周封止金属膜は多層膜であり、最も内側の膜が真空プロセスにより形成される。
【００１７】
真空プロセスにより形成された膜は密着性が高いので、基板と支持層との間の界面や支持層とカバー層との間の界面の気密性を高めることができる。
【００１８】
好ましくは、前記外周封止金属膜の最も外側の膜がメッキ膜である。
【００１９】
メッキ膜は、真空プロセスに比べて厚く形成することができるので、外周封止金属膜を厚く形成して強度を高めることができる。
【００２０】
好ましくは、前記外周封止金属膜は、Ｃｕを主成分とする膜を含む。
【００２１】
この場合、Ｃｕを主成分とする膜は電気抵抗が低いため、良好な電気特性の電子部品が得られる。Ｃｕを主成分とする膜は緻密性が高いため、良好な封止性が得られる。Ｃｕを主成分とする膜は膜質がやわらかいので応力が残留し難い。
【００２２】
好ましくは、電子部品は、（ａ）前記カバー層の前記基板とは反対側の主面に配置され、前記外周封止金属膜に接合されたカバー層配線金属と、（ｂ）前記カバー層配線金属に接続され、前記カバー層に関して前記基板とは反対側において外部に露出し、アースに接続される外部アース端子とを備える。
【００２３】
この場合、電子部品のアースが強化される。また、外周封止金属膜とカバー層配線金属とが接合されるため、パッケージの強度が向上する。
【００２４】
好ましくは、前記機能部と前記外周封止金属膜とが、前記基板の前記主面に設けられた導電パターンにより電気的に接続されている。
【００２５】
この場合、機能部のアースを外周封止金属膜から取ることによって、配線経路が短くなり、アースがより強化される。
【００２６】
好ましくは、前記基板の前記機能部が形成された前記主面側に、前記基板の前記外周に隣接して配置され、前記支持層及び前記カバー層の外側を全体的に覆うように延在するコーティング樹脂層をさらに備える。
【００２７】
この場合、パッケージの強度を向上させることができる。また、パッケージの耐湿性を高めることができる。
【００２８】
好ましくは、前記カバー層の材質が、ガラス又は水晶である。
【００２９】
ガラス又は水晶は、電気抵抗値が高く、強度に優れ、薄肉化することが容易であり、気密性が高く、しかも安価であるため、高信頼性と低コスト化に有利である。
【００３０】
好ましくは、前記基板は圧電基板であり、前記機能部として弾性表面波素子が形成される。
【００３１】
圧電基板は線膨張係数が大きく、熱応力による電気特性に対する影響が大きいが、封止性が向上するので、封止性を犠牲にすることなく圧電基板の熱応力を緩和し、電子部品の特性を向上することができる。
【００３２】
弾性表面波素子を含む電子部品は、携帯機器で使用され、小型化、低背化、高気密性が要求される場合などに、特に好適である。
【００３３】
なお、基板に形成する機能部としては、バルク波圧電共振子素子を形成してもよい。バルク波圧電共振子素子を含む電子部品は、携帯機器で使用され、小型化、低背化、高気密性が要求される場合などに、特に好適である。
【００３４】
また、基板に形成する機能部としては、センサー素子を形成してもよい。センサー素子を含む電子部品は、高気密性、高信頼性が要求される自動車用途などに、特に好適である。
【００３５】
好ましくは、前記支持層の内部に、前記支持層と異なる材料で形成されたスペーサー層が設けられている。
【００３６】
この場合、立体配線のために必要な支持層の厚みを確保しつつ、支持層でのクラウンの発生を防止して、支持層とカバー層との密着の信頼性を高めることができるので、封止性に優れた電子部品を得ることができる。
【００３７】
好ましくは、前記スペーサー層は、前記支持層と前記カバー層との界面に対向して形成されている。
【００３８】
この場合、前記支持層と前記カバー層との界面とスペーサー層との間の部分の支持層の厚みを小さくしてクラウンの発生を抑制し、封止性を向上することができる。
【００３９】
好ましくは、前記スペーサー層に関して前記カバー側にのみ、前記支持層が形成されている。
【００４０】
この場合、支持層は、スペーサー層とカバー層の間に形成され、スペーサー層と基板との間には支持層が形成されないので、より効果的にクラウンの発生を防止することができる。
【００４１】
好ましくは、前記スペーサー層は、前記基板の前記外周側の一部が前記支持層から露出している。
【００４２】
複数の電子部品を集合状態で作製し、電子部品の境界線に沿ってカバー層側からサンドブラスト等の加工を行う際に、基板のウェハーに与えるダメージをスペーサー層で軽減し、基板のウェハーの割れを低減することができる。
【００４３】
好ましくは、前記支持層は、前記スペーサー層と前記カバー層との間に樹脂を用いて形成された厚さ４μｍ以下の樹脂層を含む。
【００４４】
樹脂層の厚みが４μｍを越えると、スペーサー層を設けてもクラウンが発生する可能性があるため、スペーサー層上の形成される樹脂層の厚みは４μｍ以下とすることが好ましい。
【００４５】
好ましくは、前記スペーサー層が金属膜で構成される。
【００４６】
この場合、スペーサー層を、例えば配線電極と同じ金属膜で構成することにより、製造工程を増やすことなく、スペーサー層を形成することができる。
【００４７】
好ましくは、前記スペーサー層は、前記機能部側の周縁部が前記支持層で覆われている。
【００４８】
この場合、機能部に接続される配線を支持層の上に形成することができる。
【００４９】
好ましくは、前記支持層は、前記機能部側の周縁部にテーパ形状の部分を有する。
【００５０】
この場合、支持層のテーパ形状の部分は基板の主面に対して非直角に延在し、かつカバー層に対向するので、カバー層側からテーパ形状の部分に、機能部に接続される配線を容易に形成することができる。
【００５１】
好ましくは、前記カバー層が前記支持層に対向する主面の少なくとも一部に、ポリイミド系接着フィルムからなる接着層が設けられている。
【００５２】
この場合、支持層に、接着層と同系の樹脂を用い、接着強度を高めることができる。
【００５３】
好ましくは、前記カバー層の材質がガラスである。
【００５４】
この場合、電子部品の境界線は透明なカバー層を通して認識可能であるため、カバー層上に、カバー層形成以降のプロセスで使用するアライメントマークを形成する工程を簡略化することができる。
【００５５】
好ましくは、前記支持層として、感光性ポリイミド樹脂を用いる。
【００５６】
この場合、フォトリソグラフィー法により、支持層を精度よく形成することができる。
【００５７】
好ましくは、前記支持層上に、複数の前記機能部にそれぞれ接続された複数の素子配線と、該素子配線に接続された引き回し配線とが形成されている。
【００５８】
この場合、カバー層の両面に引き回し配線を形成して引き回し配線を立体的に交差させることができるので、電子部品を小型化することが容易である。
【００５９】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。
【００６０】
電子部品の製造方法は、複数の電子部品を同時に製造するタイプの方法である。電子部品の製造方法は、（１）前記複数の電子部品のそれぞれに対応して、主面に、機能部と、前記機能部の周囲に全周に渡って延在する支持層とが形成された一つの基板について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記支持層の上に、一つのカバー部材を配置する、第１の工程と、（２）前記複数の電子部品の境界線に隣接する部分について、前記カバー部材から前記基板に達するまで、もしくは前記基板に形成された導電パターン外枠部に達するまで、サンドブラストにより除去する、第２の工程と、（３）前記第２の工程により露出した前記基板と前記支持層との間と前記支持層とカバー層との間とを覆うように金属膜（以下、「外周封止金属膜」という。）を形成する第３の工程とを含む。
【００６１】
電子部品は、基板とカバー層との間が支持層を介して結合され、機能部の周囲が封止される。外周封止金属膜は、基板と支持層との間と、支持層とカバー層との間とを覆うので、基板と支持層との間や、支持層とカバー層との間の封止が強化される。
【００６２】
上記方法によれば、第２の工程において、サンドブラストにより、カバー部材から基板に達するまで効率よく除去することができる。また、サンドブラストにより除去された部分は、断面がすり鉢状（略Ｖ字状）になるため、第３の工程において、外周封止金属膜の形成が容易である。
【００６３】
好ましくは、前記第１の工程において用いる前記基板は、前記支持層の内部に、前記支持層と異なる材料からなるスペーサー層が設けられている。
【００６４】
この場合、立体配線のために必要な支持層の厚みを確保しつつ、支持層でのクラウンの発生を防止して、支持層とカバー層との密着の信頼性を高めることができるので、封止性に優れた電子部品を得ることができる。
【００６５】
好ましくは、前記第１の工程において用いる前記基板は、前記スペーサー層が前記機能部及び前記機能部に接続される配線の少なくとも一部分と同時に同一材料を用いて形成される。
【００６６】
この場合、基板の製造工程を増やすことなく、基板にスペーサー層を形成することができる。
【発明の効果】
【００６７】
本発明の電子部品は、封止性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
以下、本発明の実施の形態について実施例を、図１〜図２１を参照しながら説明する。
【００６９】
＜実施例１＞  実施例１のＳＡＷデバイス１０について、図１〜図１３を参照しながら説明する。
【００７０】
図１の断面図に示すように、ＳＡＷデバイス１０は、圧電基板１２の一方の主面である上面１２ａに、弾性表面波素子を構成するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）２４、パッド部２６、引き回し配線などを含む導電パターン２０が形成されている。導電パターン２０は、配線抵抗を下げたい部分にのみ、第１層２１の上に第２層２２が形成されている。圧電基板１２の上面１２ａには、ＩＤＴ２４の周囲を囲むように支持層３０が設けられ、支持層３０の上にはカバー５０が配置されている。カバー５０は、カバー基板５２の一方の主面に設けた接着層５４によって、支持層３０に接着される。
【００７１】
このようにして、ＩＤＴ２４の周囲に密閉された振動空間１３が形成され、圧電基板１２の上面１２ａの振動空間１３に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。
【００７２】
カバー基板５２には、ガラス又は水晶を用いることが好ましい。ガラス又は水晶は、電気抵抗値が高く、強度に優れ、薄肉化することが容易であり、気密性が高く、しかも安価であるため、高信頼性と低コスト化に有利である。
【００７３】
接着層５４の耐熱性が高いと、後述する金属膜６０の内側膜６１をスパッタリングや蒸着で形成する際の前処理温度を高くし、金属膜６０の付着強度を高めて封止性を向上することができる。そのため、接着層５４には、耐熱性が高い材料、例えばポリイミド系材料を用いることが好ましい。
【００７４】
支持層３０及びカバー５０は、圧電基板１２の上面１２ａの法線方向（図において上下方向）から見たとき、圧電基板１２の外周１２ｂよりも内側に、圧電基板１２の外周１２ｂとの間に間隔を設けて、配置されている。
【００７５】
カバー５０と支持層３０は、コーティング樹脂層７０によって、全体的に覆われている。すなわち、圧電基板１２の上面１２ａの法線方向（図において上下方向）から見たとき、コーティング樹脂層７０は、カバー５０や支持層３０よりも外側まで延在している。コーティング樹脂層７０は、圧電基板１２の周部まで延在している。圧電基板１２の上面１２ａは、外縁付近の支持層は除去されており、コーティング樹脂層７０は、この除去され部分にも配置され、圧電基板１２の外周１２ｂに隣接している。コーティング樹脂層７０によりパッケージの強度を向上し、耐湿性を高めることができる。
【００７６】
コーティング樹脂層７０からは、はんだボール８４が外部に露出しており、ＳＡＷデバイス１０を電気機器等の回路基板に実装することができるようになっている。
【００７７】
コーティング樹脂層７０の内側、すなわち、コーティング樹脂層７０と、圧電基板１２、支持層３０及びカバー５０等との間には、金属膜６０が形成されている。金属膜６０は、圧電基板１２と支持層３０との間を横断し、支持層３０とカバー５０との間を横断している。
【００７８】
詳しくは、圧電基板１２と支持層３０との間には、導電パターン２０の一部として圧電基板１２の上面１２ａの周縁部に枠状に形成された外枠部２８が配置されており、この外枠部２８が金属膜６０と結合している。また、支持層３０とカバー５０との間には、支持層３０上に形成された支持層上配線４０の一部４１が、金属膜６０と結合している。
【００７９】
金属膜６０によって、圧電基板１２、支持層３０、カバー５０が互いに離れにくくなるので、すなわち、圧電基板１２、支持層３０、カバー５０の間の接合が強化されるので、ＳＡＷデバイス１０のパッケージ強度が向上している。
【００８０】
また、ＳＡＷデバイス１０の内部の振動空間１３がＳＡＷデバイス１０の外部と連通し、封止が損なわれるためには、圧電基板１２と支持層３０との間、支持層３０とカバー５０との間に加え、金属膜６０と圧電基板１２、支持層３０、カバー５０との間にも、隙間ができる必要がある。さらに、金属膜６０によって、圧電基板１２、支持層３０、カバー５０の間の接合が強化されているため、圧電基板１２と支持層３０との間や、支持層３０とカバー５０との間には、隙間が発生しにくい。そのため、ＳＡＷデバイス１０の内部の振動空間１３は、ＳＡＷデバイス１０の外部と連通しにくくなり、振動空間１３の封止性が向上する。
【００８１】
金属膜６０は多層膜であり、内側膜６１の上に外側膜６２が配置されている。内側膜６１は、真空プロセスにより形成されたスパッタリング膜であり、密着性が高いので、圧電基板１２と支持層３０との間や、支持層３０とカバー５０との間の気密性を高めることができる。外側膜６２は、真空プロセスに比べて厚く形成することができるめっき膜であり、金属膜６０を厚く形成して強度を高めることができる。内側膜６１も多層膜であり、Ｃｕを主成分とする主膜を含む。また、外側膜６２も多層膜であり、Ｃｕを主成分とする主膜を含む。Ｃｕを主成分とする主膜は電気抵抗が低いため、良好な電気特性の電子部品が得られる。Ｃｕを主成分とする主膜は緻密性が高いため、良好な封止性が得られる。
【００８２】
金属膜６０は、カバー５０の上にも形成されており、引き回し配線や、回路（例えば、Ｌ成分）を形成する。
【００８３】
カバー５０の上の金属膜６０にアンダーバンプメタル膜８０，８２が形成されている。外側のアンダーバンプメタル膜８２にはんだボール８４が形成されている。
【００８４】
カバー５０及び支持層３０には、部分的に除去されたビア部１４が形成され、金属膜６０は、ビア部１４に沿って形成されている。支持層３０上に形成された支持層上配線４０は、ビア部１４において、ビア部１４に沿って形成された金属膜６０に接合されている。
【００８５】
支持層３０上に形成された支持層上配線４０は、導電パターン２０のパッド部２６上まで延在してパッド部２６に接合され、導電パターン２０のＩＤＴ２４と電気的に接続されている。
【００８６】
つまり、導電パターン２０、支持層上配線４０、金属膜６０、アンダーバンプメタル膜８０，８２を介して、ＩＤＴ２４とはんだボール８４とが電気的に接続されている。
【００８７】
ＳＡＷデバイス１０は、圧電基板１２のウェハーを用いて複数個を同時に製造することができ、図２の平面図では、２つＳＡＷデバイス１０を作製するときの境界線１１とともに図示している。
【００８８】
図２において破線で示したように、金属膜６０は、コーティング樹脂層７０に設けた開口７４に露出する部分が除去され、内側部分６４と外側部分６６とに分離されている。外側部分６６は、ＳＡＷデバイス１０の外周１８に沿って、すなわち境界線１１に沿って配置されている。
【００８９】
金属膜６０の外側部分６６は、導電パターン２０や支持層上配線４０の一部を介して、金属膜６０の内側部分６４の一部に接続され、外部端子であるはんだボール８４のうち、アースに接続される外部アース端子に電気的に接続されている。これによって、ＳＡＷデバイス１０のアースが強化される。
【００９０】
また、金属膜６０の外側部分６６は、導電パターン２０の外枠部２８を介して、導電パターン２０のＩＤＴ２４の一部に接続されているので、アースがより強化される。
【００９１】
次に、ＳＡＷデバイス１０の作製方法について、図３〜図１３を参照しながら説明する。
【００９２】
ＳＡＷデバイス１０は、ウェハー状態の圧電基板１２から複数個分が同時に作製された後、境界線１１に沿ってダイシングによりチップ（個片）に分割される。
【００９３】
（１）  まず、図３の断面図に示すように、圧電基板１２に、導電パターン２０の第１層２１と第２層２２を形成する。
【００９４】
すなわち、圧電基板１２には、得たい特性により、ＬｉＴａＯ３、水晶、あるいはＺｎＯ等の圧電薄膜が形成された基板などを用いる。圧電基板１２の一方の主面１２ａ上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、ＩＤＴ２４やリフレクタ、引き回し配線、パッド部２６など、導電パターン２０を形成したい部分を開口したリフトオフ用レジストパターンを形成する。
【００９５】
次いで、Ａｌを主成分とした金属を蒸着成膜した後、剥離液に浸漬・揺動させてレジストパターンを剥離（リフトオフ）することで、導電パターン２０の第１層２１を形成する。
【００９６】
次いで、パッド部２６や引き回し配線部など、配線抵抗を下げるために金属膜を形成したい部分を開口したレジストパターンを形成した後、金属膜を蒸着し、続いてリフトオフすることで、導電パターン２０の第２層２２を形成する。第２層２２の金属膜としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＮｉＣｒの単層もしくは、これらを組み合わせた多層である。
【００９７】
導電パターン２０の第１層２１及び第２層２２の形成の際に、チップ外周部（境界線１１の近傍部分）には、外枠部２８を形成する。このとき、必要であれば、導電パターン２０により形成する弾性表面波素子のアースラインと外枠部２８とが連続し、ショートさせておくとよい。これにより、アース信号線の配線をカバー５０上に引き回す必要がなくなる。
【００９８】
次いで、導電パターン２０のＩＤＴ２４の上に、ＳｉＯ２やＳｉＮの保護膜（図示せず）を形成する。
【００９９】
（２）  次に、図４の断面図に示すように、支持層３０を形成する。
【０１００】
すなわち、圧電基板１２の一方の主面１２ａに、感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像を行うことにより、導電パターン２０のＩＤＴ２４及びその周囲と、導電パターン２０のパッド部２６の一部が露出するように開口したポリイミドパターンを形成する。パターン形成後、加熱することでポリイミドを硬化させることにより、ポリイミドの支持層３０を形成する。続いて酸素プラズマにより、導電パターン２０のＩＤＴ２４（厳密には不図示の保護膜）及びパッド部２６に付着する有機物を除去する。
【０１０１】
このとき、支持層３０は、導電パターン２０のパッド部２６の露出部分に連続する斜面３２の断面形状が順テーパ形状となるようなフォトリソグラフィー条件を選択する。そのために、フォトマスクにグレーティング部を配したようなものを用いてもよい。
【０１０２】
支持層３０は、ポリイミドに限らず、アウトガスの発生やハロゲンイオンが十分に少なく、かつ、耐熱性や強度があるものであれば、他の材料を用いてもよい。例えば、ベンゾシクロブテン、シリコーンなどを用いてもよい。
【０１０３】
また、このとき、支持層３０の高さは、３μｍ〜３０μｍとすることが望ましい。
【０１０４】
（３）  次に、図５の断面図に示すように、支持層３０上及び導電パターン２０のパッド部２６の露出部分に、支持層上配線４０を形成する。
【０１０５】
すなわち、圧電基板１２の一方の主面１２ａに、逆テーパ形状の形成が容易なフォトレジストを塗布し、プリベイク、露光、現像、オゾンによるアッシングを行った後、支持層上配線４０を蒸着成膜する。蒸着材料として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、ＮｉＣｒ、Ｐｔやそれらを含んだ多層膜などがよい。例えば、Ｔｉ（厚さ０．１μｍ）の下地膜とＣｕ（厚さ５μｍ）の主膜とを蒸着成膜する。
【０１０６】
（４）次に、図６の断面図に示すように、支持層３０上にカバー５０を配置する。
【０１０７】
すなわち、カバー層となる厚み５０μｍの硼珪酸ガラスのカバー基板５２の一方の主面に、接着層５４となるポリイミド系の接着層フィルムをロールラミネート法により貼り付けたカバー５０を準備する。このときのラミネート温度は、９０℃とする。
【０１０８】
カバー層には、ガラス基板の代わりに、Ｓｉ、アルミナ等の基板でもよい。接着層５４は、アウトガスの出ない材料が好ましく、ポリイミド系材料の他に、環オレフィン系材料、ベンゾシクロブテン系材料、シリコーン系材料、ポリイミドアミドなどを用いてもよい。
【０１０９】
カバー５０は、接着層５４が圧電基板１２の一方の主面に対向するようにして、圧電基板１２（厳密には、支持層３０）に貼り合せる。貼り合せ方法として、ロールラミネート法を用いる。また、このときの温度は、１２０℃である。
【０１１０】
また、貼り合せ方法は、ロールラミネート法の代わりに、プレス方式でもよい。このとき、プレスするときの基板雰囲気を減圧雰囲気下で行うと、ボイドなどの接着不良になることがないため、低温で貼ることができ、反りの低減に有効である。
【０１１１】
（５）  次に、図７の断面図に示すように、チップ間ライン部の溝５８とビア部の穴５６とを加工する。
【０１１２】
まず、圧電基板１２に貼り合せたカバー基板５２上に、サンドブラスト用レジストをロールラミネート法で形成し、露光、現像することで、加工するビア部、チップ間ライン部（境界線１１に隣接する部分）が開口したレジストパターンを形成する。例えば、ゴム系レジストを用い、厚み５０μｍのレジストパターンを形成する。
【０１１３】
続いて、サンドブラスト法により、レジストパターンの開口から、カバー５０、支持層３０、圧電基板１２の一部分を除去する。このとき、レジストパターンのチップ間ライン部の開口とビア部の開口とから同時に加工を行い、レジストパターンのチップ間ライン部の開口からは圧電基板１２に達する溝５８を加工し、レジストパターンのビア部の開口からは支持層３０達する穴５６を加工する。深さが異なる溝５８と穴５６とを同時に加工することができるので、効率よく除去することができる。
【０１１４】
サンドブラストにより加工する場合、レジストパターンの開口形状や開口の大ききによって、加工速度が異なり、開口面積が小さいと加工速度が遅くなり、開口面積が大きいと加工速度が速くなる。また、サンドブラストの砥粒によって、被加工物のみならず、レジストパターンの開口付近も除去されるため、被加工物は、レジストパターンの初期の開口よりも広い範囲が除去される。これらを考慮して、レジストパターンの開口の寸法や形状などの加工条件を選択することにより、所望の形状に加工することができる。
【０１１５】
例えば、ビア部の開口の直径を８０μｍ、チップ間ライン部の開口の幅を７０μｍとなるように形成したレジストパターンを用いてサンドブラスト加工を行うと、所望の深さの穴５６と溝５８を加工することができ、ビア部の穴５６の最大径が１００μｍ、チップ間ライン部の溝５８の幅が１２０μｍになる。
【０１１６】
なお、サンドブラスト法により、断面がテーパ状に加工されるが、このときのテーパ角は、垂線（例えば、境界線１１）に対して７０°〜８０°程度である。図面は模式的に図示されており、テーパ角が実際のテーパ角よりも小さくなるように誇張されている。
【０１１７】
サンドブラスト法による加工が終了したら、サンドブラスト用レジストを剥離する。
【０１１８】
次に、カバー５０の接着層５４を完全に硬化させるため、Ｎ２雰囲気中のオーブンで、２００℃で３時間、加熱する。Ｎ２雰囲気にするのは、導電パターン２０や支持層上配線４０の酸化防止のためである。
【０１１９】
次に、サンドブラストで加工された面を洗浄するための洗浄工程として、ＨＦ等のウエット処理及び酸素プラズマ処理を行う。
【０１２０】
（６）  次に、図８の断面図に示すように、金属膜６０の内側膜６１と外側膜６２とを形成する。
【０１２１】
すなわち、カバー基板５２上と、サンドブランスト加工部の全面に、内側膜６１として、スパッタリング膜、あるいは蒸着膜を形成する。スパッタリングもしくは蒸着により、金属膜が、カバー基板５２や支持層３０等の側面に直接形成される。例えば、内側膜６１として、スパッタリングにより、Ｔｉ（厚さ１００ｎｍ）の下地膜に、Ｃｕ（厚さ１０００ｎｍ）主膜を形成する。サンドブラストにより除去された部分は、断面がすり鉢状（略Ｖ字状）になるため、サンドブランスト加工部の全面に、スパッタリング膜、あるいは蒸着膜を容易に形成することができる。
【０１２２】
次いで、内側膜６１上に、外側膜６２を形成する。外側膜６２は、電解めっきにより形成する。例えば、厚さ１０μｍのＣｕめっき膜を形成した後、Ｃｕめっき膜の表面に、酸化防止のため、０．０３μｍ程度のＮｉもしくはＡｕのめっき膜を形成する。
【０１２３】
金属膜６０は、カバー基板５２や支持層３０等の側面に直接形成されるため、この時点で、圧電基板１２、圧電基板１２上の導電パターン２０の外枠部２８、金属膜６０、カバー５０により、振動空間１３が気密封止される。
【０１２４】
（７）  次に、図９の断面図に示すように、前の工程で形成した金属膜６０の一部６５を除去する。
【０１２５】
すなわち、前の工程で形成した金属膜６０上に、フォトリソグラフィー法を用いて、チップ間ライン部の溝５８に沿う部分やカバー５０上に配線として残す部分を覆うエッチング用レジストを形成する。このとき、後の工程で電解めっきを行うため、給電ライン用に金属膜を残すようなパターンにしておく。
【０１２６】
次に、エッチング液中に浸漬することにより、金属膜６０がレジストの開口から露出する部分を除去する。
【０１２７】
（８）  次に、図１０の断面図に示すように、コーティング樹脂層７０を形成する。
【０１２８】
すなわち、金属膜６０及びカバー基板５２の上に、表面コーティング層として、ソルダーレジストを塗布し、露光、現像することで、アンダーバンプメタル形成部の開口７２と、給電ラインの開口７４とが開口したコーティング樹脂層７０を形成する。表面コーティング層には、耐熱性のよいポリイミド系材料や環オレフィン系材料、ベンゾシクロブテン系材料、シリコーン材料、ポリイミドアミドなどを用いるとよい。
【０１２９】
（９）  次に、図１１の断面図に示すように、アンダーバンプメタル膜８０，８２を形成する。
【０１３０】
すなわち、コーティング樹脂層７０の給電ライン開口７４を埋めるレジストパターンを形成した後、アンダーバンプメタル形成部の開口７２に露出している金属膜６０上に、アンダーバンプメタル膜８０，８２として、Ｎｉ膜８０の上に、Ａｕ膜８２を電解めっきにより形成する。このとき、それぞれのＳＡＷデバイス１０の金属膜６０は互いに連続しており、金属膜６０の内側膜６１（スパッタリング膜）を電源の陰極に接続して給電膜として用いる。
【０１３１】
次いで、アルカリ系の剥離液に浸漬し、レジスト剥離を行う。
【０１３２】
（１０）  次に、図１２の断面図に示すように、金属膜６０の給電ラインの開口７４に露出している部分を、過硫酸アンモニウム水溶液と１％のＨＦ溶液を用いてエッチングにより除去する。これによって、カバー基板５２の上に配線として形成されている金属膜６０の内側部分６４を、各ＳＡＷデバイス１０の周部となる部分に形成されている金属膜６０の外側部分６６とを分離する。
【０１３３】
（１１）  次に、図１３の断面図に示すように、はんだボール８４を形成した後、ダイシングする。
【０１３４】
すなわち、メタルマスクを用いて、アンダーバンプメタル膜８２及びその近傍にはんだペーストを印刷し、続いて、リフロー、フラックス洗浄を行うことで、はんだボール８４を形成する。
【０１３５】
次いで、境界線１１に沿ってダイシングすることにより、ＳＡＷデバイス１０の気密封止されたチップ（個片）が完成する。
【０１３６】
以上のようにして作製されたＳＡＷデバイス１０は、支持層３０の側面に金属膜６０の内側膜６１が接しており、間に空間などがないためコンパクトに構成することができ、小型化に有利な構成である。
【０１３７】
また、金属膜６０が圧電基板１２上や支持層３０の側面に直接付着しており、かつ、弾性表面波素子を取り囲むように配置されている。この金属膜６０を接地し、弾性表面波素子のアースを圧電基板１２上の導電パターン２０により金属膜６０から取るようにすると、配線経路が短くなり、アース効果が強い。
【０１３８】
なお、ＳＡＷデバイス１０のように圧電基板を用いたデバイスでは、圧電基板の線膨張係数が大きいため、外周部分において封止が損なわれる傾向が強いので、外周部分に付着させた金属膜により封止性を高める効果が特に大きい。
【０１３９】
＜実施例２＞  実施例２のＢＡＷ（バルク波）デバイス１００について、図１４の断面図を参照しながら説明する。
【０１４０】
ＢＡＷデバイス１００は、Ｓｉ基板１０６の一方主面に熱酸化等によってＳｉＯ２膜のストップ層１０２が形成されており、Ｓｉ基板１０６の他方主面から部分的にエッチングすることによって、ストップ層１０２が露出する空洞１０５が形成されている。Ｓｉ基板１０６の他方主面には封止基板１０８が接合され、空洞１０５が封止されている。
【０１４１】
ストップ層１０２上には、Ａｌ２Ｏ３膜の支持層１０４が形成され、その上に、上下の電極部１１２，１１６に挟まれたＺｎＯの圧電薄膜１１０によって、ＢＡＷ振動部１１１が形成されている。上下の電極部１１２，１１６は、それぞれ、上下の電極配線部１１４，１１８に接続されている。圧電薄膜１１０上には、振動部１１１の周囲に支持層１２０が形成され、支持層１２０の上にガラスのカバー層１３０が配置されている。
【０１４２】
実施例１と同様に、Ｓｉ基板１０６、支持層１２０、カバー層１３０などの外周部が部分的に除去され、除去された部分に沿って金属膜１３６が形成されている。金属膜１３６は、Ｓｉ基板１０６と支持層１２０との間や、支持層１２０とカバー層１３０との間を横断し、Ｓｉ基板１０６と支持層１２０の間に配置された下部電極部１１４と、支持層１２０とカバー層１３０の間に配置された支持層上配線１２２とに結合されている。これによって、振動部１１１の空洞１１５とは反対側の空間１１７が気密封止されている。
【０１４３】
金属膜１３６及びカバー層１３０は、コーティング樹脂層１４０で覆われている。コーティング樹脂層１４０からは、アンダーバンプメタル１４４に配置されたはんだボール１５０が露出している。はんだボール１５０は、カバー層１３０やコーティング樹脂層１４０に形成されたビアホール導体１３２，１４２等を介して、振動部１１１の上下の電極部１１２，１１４に電気的に接続されている。
【０１４４】
＜実施例３＞  実施例３のセンサーデバイス２００について、図１５の断面図を参照しながら説明する。
【０１４５】
センサーデバイス２００は、センサー素子２１２を含む導電パターン２１０が形成されたガラス基板２０２と、ガラスのカバー層２３０とが、支持層２２０を介して間隔を設けて接合され、センサー素子２１２がカバー層２３０に対向している。支持層２２０は、センサー素子２１２の全周を取り囲むように形成されている。
【０１４６】
実施例１と同様に、ガラス基板２０２、支持層２２０、カバー層２３０などの外周部分が部分的に除去され、除去された部分に沿って金属膜２３６が形成されている。金属膜２３６は、ガラス基板２０２と支持層２２０との間や、支持層２２０とカバー層２３０との間を横断し、ガラス基板２０２と支持層２２０との間に配置された導電パターン２１０と、支持層２２０とカバー層２３０との間に配置された支持層上配線２２２とに結合している。これによって、センサー素子２１２の周囲の空間２１４が気密封止されている。
【０１４７】
金属膜２３６及びカバー層２３０は、コーティング樹脂層２４０で覆われており、コーティング樹脂層２４０に設けられたアンダーバンプメタル２４４に、外部に露出するはんだボール２５０が配置されている。はんだボール２５０は、カバー層２３０やコーティング樹脂層２４０に形成されたビアホール導体２３２，２４２等を介して、センサー素子２１２に電気的に接続されている。
【０１４８】
センサーデバイス２００は、２５０℃程度の低温負荷プロセスでセンサー素子２１２を気密封止することができ、センサー素子２１２の耐熱性が低い場合に特に有効である。
【０１４９】
＜実施例４＞  実施例４のＳＡＷデバイス３００について、図１６、図１９〜図２１を参照しながら説明する。
【０１５０】
実施例４のＳＡＷデバイス３００は、実施例１のＳＡＷデバイス１０と略同様に構成されている。
【０１５１】
すなわち、図１６の断面図に示すように、ＳＡＷデバイス３００は、圧電基板３１０の一方の主面である上面３１２に、弾性表面波素子を構成するＩＤＴ３２２、パッド部３２４、引き回し配線などを含む導電パターン３２０が形成されている。導電パターン３２０は、図示していないが、配線抵抗を下げたい部分にのみ、第１層の上に第２層を形成してもよい。圧電基板３１０の上面３１２には、ＩＤＴ３１２の周囲を囲むように支持層３３０が設けられ、支持層３３０の上にはカバー３５０が配置されている。カバー３５０は、カバー基板３５２の一方の主面に設けた接着層３５４によって、支持層３３０に接着される。これによって、ＩＤＴ３２２の周囲に密閉された振動空間３１３が形成され、圧電基板３１０の上面３１２の振動空間３１３に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。
【０１５２】
カバー基板３５２には、ガラス又は水晶を用いることが好ましい。ガラス又は水晶は、電気抵抗値が高く、強度に優れ、薄肉化することが容易であり、気密性が高く、しかも安価であるため、高信頼性と低コスト化に有利である。特にガラスのカバー基板３５２の場合、電子部品の境界線は、透明なカバー基板３５２を通して認識可能であるため、カバー基板３５２上に、以降のプロセスで使用するアライメントマークを形成する工程を簡略化することができる。
【０１５３】
接着層３５４の耐熱性が高いと、後述する金属膜３６０をスパッタリングや蒸着で形成する際の前処理温度を高くし、金属膜３６０の付着強度を高めて封止性を向上することができる。そのため、接着層３５４には、耐熱性が高い材料、例えばポリイミド系材料を用いることが好ましい。
【０１５４】
圧電基板３１０の上面３１２の法線方向（図において上下方向）から見たとき、圧電基板３１０の外周３１１よりも内側に、圧電基板３１０の外周３１１との間に間隔を設けて、支持層３３０及びカバー３５０が配置されている。支持層３３０及びカバー３５０は、部分的に除去されてビアホール３１４，３１５が形成され、ビアホール３１４，３１５の内面及びその近傍部分に金属膜３６０が形成されている。金属膜３６０は、圧電基板３１０と支持層３３０との間を横断し、支持層３３０とカバー３５０との間を横断している。
【０１５５】
実施例１のＳＡＷデバイス１０とは異なり、支持層３３０の内部に、支持層３３０と異なる材料を用いてスペーサー層３２６，３２８が形成されている。スペーサー層３２６，３２８は、導電パターン３２０と同じ材料を用いて形成する。この場合、スペーサー層３２６，３２８のみを形成するための特別な工程が増えないため、好ましい。もっとも、スペーサー層３２６，３２８を、導電パターン３２０と異なる材料で形成してもよい。
【０１５６】
金属膜３６０上にメッキを形成することにより、ビアホール３１４，３１５内には、引き出し電極３６２、封止金属３６６が形成され、カバー３５０上には引き回し配線３６４が形成されている。
【０１５７】
実施例１のＳＡＷデバイス１０と略同様に、引き回し配線３６４上には金属膜３８０、ＵＢＭ層（アンダー・バンプ・メタル層）３８２が形成されている。ＵＢＭ層３８２に、はんだバンプ３８４が形成されている。カバー３５０、引き出し電極３６２、封止金属３６６、引き回し配線３６４は、表面保護樹脂３７０によって、全体的に覆われている。表面保護樹脂３７０からは、はんだバンプ３８４が外部に露出しており、ＳＡＷデバイス３００を電気機器等の回路基板に実装することができるようになっている。
【０１５８】
次に、実施例４のＳＡＷデバイス３００の作製例について説明する。実施例４のＳＡＷデバイス３００は、実施例１のＳＡＷデバイス１０と同様の方法で、複数個を同時に作製することができる。
【０１５９】
厚さ２５０μｍのウェハー状の圧電基板３１０上に、少なくとも一つの振動部（ＩＤＴ３２２）及び振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子を形成する。樹脂層（支持層３３０）を形成する直下にスペーサー層３２６，３２８を形成する。スペーサー層３２６，３２８は、例えば、蒸着金属膜のような高さ精度、平面平坦性がある材料（Ｃｕ、Ａｌ等）で形成し、５μｍ程度の厚みを有する。スペーサー層３２６，３２８は、引き回し配線を形成する箇所以外は、樹脂層３３０よりも５μｍ以上幅を広げる。これにより、クラウンを低減する。気密封止空間（振動空間３１３）を形成するために、振動部（ＩＤＴ３２２）にかからないように樹脂層３３０を形成する。このとき、樹脂層３３０はスペーサー層３２６，３２８の上にも形成する。樹脂層３３０は、スペーサー層３２６，３２８の上での厚さが３．５μｍである。樹脂層３３０は、スペーサー層３２６，３２８の周囲をテーパ形状に形成する。樹脂層３３０には、感光性ポリイミド系樹脂を用いるが、感光性エポキシ系樹脂、感光性シリコーン系樹脂でもよい。樹脂層３３０の表面には、配線素子と接続するように、引き回し配線３４０を形成する。引き回し配線３４０は、Ｃｕ、Ａｌ等により形成され、５μｍ程度の厚みを有する。
【０１６０】
厚さ１００μｍのガラス基板３５２に、ラミネート等により、厚さ１０μｍの接着フィルムを貼り付けることにより、接着層３５４を形成し、接着層３５４が、圧電基板３１０上に形成した樹脂層３３０上の立体配線３４０と接するように貼り合わせる。樹脂層３３０表面に形成した立体配線３４０が底部に露出するよう、ガラス基板３５２にサンドブラストにより、上径１００μｍ、下径６０μｍのビアホール３１４を形成すると同時に、ＳＡＷデバイス３００の境界線に沿ってビアホール３１５を形成し、ガラス基板３５２をチップサイズに個片化する。
【０１６１】
サンドブラスト用レジストを物理的に剥離後、水洗を行い、接着層３５４を１８０℃〜２１０℃で３時間以上かけて加熱し、ガラス基板３５２と樹脂層３３０とを接着する。なお、接着温度まで５時間以上かけて昇温する。
【０１６２】
サンドブラストにより露出した支持金属膜の表面をエッチングし、支持金属膜表面についた有機物等の汚れを除去する。
【０１６３】
ガラス基板３５２と樹脂層３３０により気密封止空間（振動空間３１３）が形成されたウェハー表面に、引き出し電極３６２、封止金属３６６、引き回し配線３６４を形成するための給電膜に利用する金属膜３６０として、厚さ０．２μｍのＴｉ膜上に厚さ１．５μｍのＣｕ膜をスパッタリングにより形成する。金属膜３６０は、蒸着法を用いて形成してもよい。金属膜３６０の上に、Ｃｕ、Ｎｉ等の電解メッキにて、引き出し電極３６２、封止金属３６６、引き回し配線３６４を形成し、引き出し電極３６２と封止金属３６６をつなぐ給電ライン部のみ残すように給電膜６０をウェットエッチング等で除去する。
【０１６４】
引き出し電極３６２、封止金属３６６、引き回し配線３６４を覆うように、厚さ３０μｍ〜５０μｍの表面保護樹脂３７０を形成する。表面保護樹脂３７０には感光性エポキシ樹脂を用いるが、感光性ポリイミド系樹脂、感光性シリコーン系樹脂でもよい。表面保護樹脂３７０には、外部端子位置と給電ライン部にビアホール３７２，３７４を形成する。
【０１６５】
給電ライン部上のビアホール３７４をレジストで覆い、外部端子位置のビアホール３７２内に蒸着リフトオフにより金属膜３８０を形成する。再びレジストを形成し、電解メッキにてＵＢＭ層（アンダー・バンプ・メタル層）３８２を形成する。ＵＢＭ層３８２は、Ｃｕ、Ｎｉ等で形成し、表面に酸化防止のためのＡｕ（厚さ０．５μｍ程度）を形成する。給電ライン上のビアホール３７４に形成されたレジストを剥離して、表面保護樹脂３７０をマスクにし、給電ラインと同時にダイシングライン上の金属膜６０をウェットエッチング等にて切断する。
【０１６６】
表面保護樹脂３７０に形成されたＵＢＭ層３８２直上に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のはんだペーストを、メタルマスクを介して印刷し、はんだペーストが溶解する温度、例えば２６０℃くらいで加熱することで、はんだをＵＢＭ層３８２と固着させ、フラックス洗浄剤によりフラックスを除去し、球状のはんだバンプ３８４を形成する。
【０１６７】
ダイシング等の方法でチップを切り出し、ＳＡＷデバイス３００が完成する。
【０１６８】
ところで、図１に示した実施例１における支持層３０の高さは、前述したように、３μｍ〜３０μｍとすることが好ましいが、立体配線のために支持層３０を例えば４μｍ以上の高さとなるように厚く形成していくと、支持層３０は、熱硬化時の収縮の際に、支持層３０の上面（圧電基板１２とは反対側の面）の端部が突出し、支持層３０の上面中央がくぼみ、いわゆるクラウンが生じる可能性がある。
【０１６９】
クラウンの発生は、接着層５４と支持層３０との間に空隙を生じさせ、接着層５４と支持層３０との間の接着面積を小さくするため、封止性が低下するという問題を引き起こす可能性がある。
【０１７０】
金属膜６０で封止された状態では影響は極めて少ないと考えられるが、金属膜６０で封止する前のプロセスにおいて、振動空間１３内に悪影響（例えば、酸、アルカリ等の洗浄液の流入）を及ぼすと考えられる。
【０１７１】
支持層３０が厚いほど収縮も大きくなるため、クラウンがより発生しやすくなり、また、クラウンが大きくなる。逆に、支持層３０が薄いほど収縮も小さくなるため、クラウンがより発生しにくく、また、クラウンが小さくなる。
【０１７２】
支持層３０の高さは、クラウンの発生を防止するためにはできるだけ小さくすることが好ましいが、立体配線のためには一定以上の高さを確保する必要がある。
【０１７３】
すなわち、クラウンは、支持層３０の樹脂の熱硬化時の収縮によって生じるが、膜厚が薄ければ収縮も小さくなりクラウンも小さくなる。よって、支持層３０の樹脂を薄くすればクラウンを低減できる。しかし、支持層３０の樹脂の膜厚が小さくなると、圧電基板１２とカバー５０との間隔が小さくなり、振動空間１３の確保が困難になる。
【０１７４】
そこで、実施例４のＳＡＷデバイス３００では、図１６に示したように、支持層３３０の樹脂の下に金属膜でスペーサー層３２６，３２８を形成し、支持層３３０の樹脂をスペーサー層３２６，３２８で底上げすることにより、支持層３３０の樹脂の膜厚を薄くすると同時に、支持層３３０自体の膜厚を確保している。
【０１７５】
支持層を金属のみで形成すればクラウンが発生しないが、その場合、支持層上に立体配線を形成することができなくなることに加え、横からの応力（せん断）に対して弱くなり、配線の接続部が断線してしまう。樹脂の支持層３３０で応力を緩和することにより、配線の断線を低減することができる。
【０１７６】
図１６及び図１９の要部拡大図に示すように、支持層３３０は、スペーサー層３２６，３２８の振動空間３１３側の部分がテーパ形状に形成され、導電パターン３２０のパッド部３２４に接続された配線３４０が支持層３３０上に形成されている。
【０１７７】
支持層３３０のスペーサー層の上に形成される部分の膜厚Ｔ（図１９参照）は、４μｍを越えると支持層３３０にクラウンが発生する可能性があるので、４μｍ以下とすることが好ましい。
【０１７８】
図２０は、内部にスペーサー層（支持金属膜）を設けた支持層の形状測定結果である。横軸は圧電基板の上面に平行な方向、縦軸は圧電基板の上面に垂直な方向である。樹脂を用いて支持層を形成する場合、支持層の上面を平らに形成しようとても、樹脂の硬化収縮後には、図２０に示すように、支持層の上面端部にクラウンが発生する。支持層の内部には、図２０において左側のみにスペーサー層が設けられ、スペーサー層上の部分（図２０において左側の部分）の支持層の厚さは、スペーサー層がない部分（図２０において右側の部分）の支持層の厚さよりも小さい。そのため、スペーサー層でかさ上げされている左側の部分の支持層に形成されるクラウンは、スペーサー層でかさ上げされていない右側の部分の支持層に形成されるクラウンよりも小さくなる。
【０１７９】
図２１は、支持層である樹脂層にカバーを貼り付けた状態で、カバー側から撮影した写真である。樹脂層の膜厚が１０μｍの場合にはボイドの発生が見られるが、樹脂層の膜厚が５．５μｍの場合、ボイドの発生は見られない。樹脂層は、薄くするほどクラウンが小さくなり、ボイドの発生を抑えることができる。
【０１８０】
＜実施例５＞  実施例５のＳＡＷデバイス３０２について、図１７を参照しながら説明する。
【０１８１】
図１７の断面図に示すように、実施例５のＳＡＷデバイス３０２は、実施例４のＳＡＷデバイス３００と略同様に構成されている。図１７において、図１６の実施例５と同様の構成部分には同じ符号を用い、以下では相違点を中心に説明する。
【０１８２】
実施例５のＳＡＷデバイス３０２は、実施例４のＳＡＷデバイスのはんだバンプ３８４の代わりに、ＬＧＡ（ｌａｎｄ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）外部端子３８６が形成されている。
【０１８３】
実施例５のＳＡＷデバイス３０２は、実施例４のＳＡＷデバイスの略同様に作製することができる。
【０１８４】
すなわち、表面保護樹脂に外部端子位置と給電ライン部にビアホールを形成するまでは、実施例４のＳＡＷデバイスの同様に作製する。次いで、実施例４のＳＡＷデバイスと異なり、給電ライン部上のビアホールをレジストで覆い、外部端子位置のビアホール部に蒸着リフトオフにより金属膜（厚さ１００ｎｍのＴｉ膜の上に厚さ２００ｎｍのＣｕ膜）を形成する。再びレジストを形成し、電界メッキにてＬＧＡ外部端子を形成する。ＬＧＡ外部端子は、厚さ２０μｍのＮｉ膜の表面に、酸化防止のため厚さ０．１μｍ〜０．３μｍのＡｕ膜を形成する。
【０１８５】
次いで、実施例４のＳＡＷデバイスと同様に、給電ライン上のビアホールに形成されたレジストを剥離して、表面保護樹脂をマスクにし、給電ラインと同時にダイシングライン上の金属膜をウェットエッチング等にて切断する。ダイシング等の方法でチップを切り出し、ＳＡＷデバイス３０２が完成する。
【０１８６】
実施例５のＳＡＷデバイス３０２は、実施例４のＳＡＷデバイス３００と同じく、支持層３３０内に設けたスペーサー層３２６，３２８により、クラウンを低減し、封止性を向上させることができる。
【０１８７】
＜実施例６＞  実施例６のＳＡＷデバイス３０４について、図１８を参照しながら説明する。
【０１８８】
図１７の断面図に示すように、実施例６のＳＡＷデバイス３０４は、実施例４のＳＡＷデバイス３００と略同様に構成されている。図１８において、図１６の実施例４と同様の構成部分には同じ符号を用い、以下では相違点を中心に説明する。
【０１８９】
実施例６のＳＡＷデバイス３０４は、実施例４のＳＡＷデバイス３００と異なり、支持層３３０内に、圧電基板３１０の外周３１１側が支持層３３０から露出するスペーサー層３２７，３２９を設けられている。
【０１９０】
これらのスペーサー層３２７，３２９は、もとはＳＡＷデバイス３０４の境界線付近にまで形成されているが、ＳＡＷデバイス３０４の境界線に沿って、カバー３５０側から圧電基板３１０に達するまで、ビアホール３１５が形成される際に一部分が除去され、圧電基板３１０の外周３１１側が支持層３３０から露出するようになる。スペーサー層３２７，３２９は、サンドブラスト等によりビアホール３１５を形成する際の圧電基板３１０へのダメージを低減する。
【０１９１】
＜まとめ＞  以上に説明したように、デバイス１０，１００，２００の外周付近に金属膜６０，１３６，２３６を設けることにより、デバイス内部の空間１３，１１７，２１４の封止性を向上することができる。
【０１９２】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更を加え得ることは勿論である。
【０１９３】
例えば、ＳＡＷデバイスが、ＳＡＷＤＰＸ（ＳＡＷデュープレクサ）の場合には、整合用のインダクタをカバー層に形成する。このとき、インダクタは、積み重ねられる複数の絶縁層と、絶縁層の上に積層されている導体パターンとを含んでいる。
【０１９４】
また、チップ間ライン部の溝やビア部の穴は、サンドブラスト以外の方法で加工してもよい。例えば、チップ間ライン部の溝をダイシング加工したり、ビア部の穴をレーザー加工したりすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１９５】
【図１】ＳＡＷデバイスの断面図である。（実施例１）
【図２】ＳＡＷデバイスの平面図である。（実施例１）
【図３】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図４】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図５】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図６】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図７】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図８】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図９】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１０】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１１】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１２】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１３】ＳＡＷデバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１４】ＢＡＷデバイスの断面図である。（実施例２）
【図１５】センサーデバイスの断面図である。（実施例３）
【図１６】ＳＡＷデバイスの断面図である。（実施例４）
【図１７】ＳＡＷデバイスの断面図である。（実施例５）
【図１８】ＳＡＷデバイスの断面図である。（実施例６）
【図１９】ＳＡＷデバイスの要部拡大断面図である。（実施例４）
【図２０】クラウンの説明図である。
【図２１】クラウンによるボイド発生の写真である。
【図２２】ＳＡＷデバイスの断面図である。（従来例）
【符号の説明】
【０１９６】
１０  ＳＡＷデバイス
１２  圧電基板
２０  導電パターン
２４  ＩＤＴ
２６  パッド部
２８  外枠部
３０  支持層
５０  カバー
５２  カバー基板（カバー層）
５４  接着層
６０  金属膜（外周封止金属膜）
６１  スパッタリング膜
６２  メッキ膜
７０  コーティング樹脂層
８４  はんだボール（外部端子）
１００  ＢＡＷデバイス
１０６  Ｓｉ基板
１２０  支持層
１３０  カバー層
１４０  コーティング樹脂層
１３６  金属膜（外周封止金属膜）
２００  センサーデバイス
２０２  ガラス基板
２２０  支持層
２３０  カバー層
２４０  コーティング樹脂層
２３６  金属膜（外周封止金属膜）
３００，３０２，３０４  ＳＡＷデバイス（電子部品）
３１０  圧電基板
３２０  導電パターン
３２２  ＩＤＴ
３２４  パッド部
３３０支持層
３５０  カバー
３５２  カバー基板（カバー層）
３５４  接着層
３６０  金属膜（外周封止金属膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２２】
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【図２０】
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【図２１】
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