(57)【要約】【課題】  発光駆動時において、リーク電流のない安定した有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法の提供。【解決手段】  基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部の角度は、前記第１電極の表面水平面を基準とし、対向する前記第２電極の面と反する方向に０〜８０°であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】        図１
2007012358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部の角度は、前記第１電極の表面水平面を基準とし、対向する前記第２電極の面と反する方向に０〜８０°であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部は、前記第１電極の厚さをｔとした時、ｔ／２０〜２ｔのＲの湾曲面を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第１電極の第２電極と対向する面のエッジ部は、該第１電極がパターニングされた後、研磨加工により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記第１電極は、第２電極とでパッシブマトリクス型構造を構成していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、
第１電極形成工程と、有機化合物層形成工程と、第２電極形成工程と、前記第１電極と、前記有機化合物層と、前記第２電極とを封止する封止工程とを有する製造装置により製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第１電極形成工程で、前記第１電極をパターニングした後、研磨加工で、前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部を、前記第１電極の表面水平面を基準とし、対向する前記第２電極の面と反する方向に０〜８０°とした後に次工程に送り加工を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、
第１電極形成工程と、有機化合物層形成工程と、第２電極形成工程と、前記第１電極と、前記有機化合物層と、前記第２電極とを封止する封止工程とを有する製造装置により製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第１電極形成工程で、前記第１電極をパターニングした後、前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部を、研磨加工で、前記第１電極の厚さをｔとした時、ｔ／２０〜２ｔのＲ形状とした後に次工程に送り加工を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１電極は、第２電極とでパッシブマトリクス型構造を構成していることを特徴とする請求項５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面光源やディスプレイパネル等として利用される有機エレクトロ・ルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）及び有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
この様に、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成した有機ＥＬパネルをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることが出来る。又、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬパネルをディスプレイパネルとして用いて表示装置を構成した場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
【０００４】
又、有機ＥＬ素子の陽極は、ほとんどの場合、Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）と呼ばれる透明電極が用いられる。ＩＴＯの製法は、透明なガラス基板上にスパッタリング蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ）などさまざまな手法を用いて所定の厚さに形成されるが、何れの手法を用いても形成されるＩＴＯの表面は粗く、その値は、日本工業規格（ＪＩＳ）で定められた表面粗さの定義と表示（ＢＯ６Ｏ１）において定義される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が数十〜数百オングストロームのオーダーである。ところが有機ＥＬ素子の場合、陽極上に積層される有機化合物層の厚さはせいぜい１０００〜２０００オングストロームであり、ＩＴＯの表面の粗さは決して無視出来ないものである。
【０００５】
ＩＴＯの表面に突起が存在すると、そこだけ陽極と陰極間の距離が短くなり、素子に電圧を印加した場合にその部分に集中的に電流が流れる現象が起こる。これがリーク電流である。素子に正方向（素子を発光させる方向）に電圧を印加し、素子の発光中にリーク電流が発生すると、流れた電流に対する輝度（電流−輝度特性）が低下するばかりでなく、その部分の陽極と陰極がショートして、そこだけにしか電流が流れなくなって素子が発光しなくなる場合がある。
【０００６】
又、本来有機ＥＬ素子の場合、逆方向の電圧の印加（逆バイアス）では、電流値が有機ＥＬ素子の膜厚にもよるが、１×１０-7Ａ／ｃｍ2以下の低いレベルで安定するのに対し、リーク電流が発生すると、その部分では逆方向にも電流が流れやすくなるので、素子の逆バイアス電流が増加し、又その電流値も安定しない現象が見られるようになる。
【０００７】
このリーク電流発生時に起こる逆バイアス特性の悪化は、素子の実駆動を行う回路或いは駆動上の都合で素子に逆バイアスをかける場合にも問題となる。このため、発光駆動時において、リーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の検討がこれまで何なされてきた。例えば、ＩＴＯの表面をポリシング、ラッピング、テープラッピング等の研磨加工により、ＩＴＯの表面の凹凸を研磨して、ＩＴＯの表面が日本工業規格（ＪＩＳ）で定められた表面粗さの定義と表示（ＢＯ６Ｏ１）において定義される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が５０オングストローム以下となるように研磨したＩＴＯを使用した有機ＥＬ素子が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。又、ＩＴＯの表面を化学機械研磨法で１０オングストローム以下となるように研磨したＩＴＯを使用した有機ＥＬ素子が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【０００８】
しかしながら、特許文献１、特許文献２に記載の技術は、リーク電流発生防止には、かなりの効果が認められるが、最近の有機ＥＬ素子の要求されている、高発光効率、高輝度、低消費電力、長寿命化に対しては、未だ不十分な状況になっている。この様な状況から、発光駆動時において、リーク電流のない安定した有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特開平９−２４５９６５号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、発光駆動時において、リーク電流のない安定した有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【００１１】
（請求項１）
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部の角度は、前記第１電極の表面水平面を基準とし、対向する前記第２電極の面と反する方向に０〜８０°であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１２】
（請求項２）
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部は、前記第１電極の厚さをｔとした時、ｔ／２０〜２ｔのＲの湾曲面を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】
（請求項３）
前記第１電極の第２電極と対向する面のエッジ部は、該第１電極がパターニングされた後、研磨加工により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１４】
（請求項４）
前記第１電極は、第２電極とでパッシブマトリクス型構造を構成していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１５】
（請求項５）
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、
第１電極形成工程と、有機化合物層形成工程と、第２電極形成工程と、前記第１電極と、前記有機化合物層と、前記第２電極とを封止する封止工程とを有する製造装置により製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第１電極形成工程で、前記第１電極をパターニングした後、研磨加工で、前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部を、前記第１電極の表面水平面を基準とし、対向する前記第２電極の面と反する方向に０〜８０°とした後に次工程に送り加工を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１６】
（請求項６）
基板上に、少なくとも第１電極と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極と、封止部材とをこの順番で有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、
第１電極形成工程と、有機化合物層形成工程と、第２電極形成工程と、前記第１電極と、前記有機化合物層と、前記第２電極とを封止する封止工程とを有する製造装置により製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第１電極形成工程で、前記第１電極をパターニングした後、前記第１電極の前記第２電極と対向する面のエッジ部を、研磨加工で、前記第１電極の厚さをｔとした時、ｔ／２０〜２ｔのＲ形状とした後に次工程に送り加工を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
（請求項７）
前記第１電極は、第２電極とでパッシブマトリクス型構造を構成していることを特徴とする請求項５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を加えた結果、パッシブ型有機ＥＬ素子で、第１電極（陽極）の第２電極（陰極）と対向する面の凹凸を研磨しても発光駆動時において、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間で発生するリーク電流の発生防止には十分な対策でないことが判明した。
【００１９】
バリ、凹凸等が発生した箇所では発光駆動時に電界集中による過電流が発生しリーク電流の増大に繋がること知られていることから、何故、リーク電流の発生が生じるのか、発明者らは更に鋭意検討を加えた結果、第１電極を基板上に形成する時に次の現象が発生していると推定した。１）第１電極をスパッタリングで形成する場合、ＩＴＯを成膜した後、エッチングで必要とするパターンニングを行う方法が取られている。エッチングでパターンニングした場合、エッジ部の形状が不安定になりバリ、凹凸等が発生することが推定される。２）マスクを使用した蒸着方式であっても、マスクのエッジ部と第１電極のエッジ部の間でＩＴＯが堆積し、終了後にマスクを外す時にエッジ部にバリ、凹凸等が発生することが推定される。３）エッジ部の形状が発光駆動時に電界集中がし易い形状となっていると推定される。この様に、リーク電流の発生は第１電極（陽極）の第２電極（陰極）と対向する面のエッジ部に発生する原因があると推定した。
【００２０】
これらに対して、発明者らは鋭意検討を加えた結果、第１電極（陽極）の第２電極（陰極）と対向する面のエッジ部を電界集中が起き難い形状にすることがことが有効であることが判明し本発明に至った次第である。
【発明の効果】
【００２１】
発光駆動時において、リーク電流のない安定した有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法を提供することが出来、市場の要求（高発光効率、高輝度、低消費電力、長寿命化）に対応することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態を図１〜図５を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
図１はパッシブ型有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。図１の（ａ）は封止膜が形成されたパッシブ型有機ＥＬ素子の概略平面図である。図１の（ｂ）は図１の（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。図１の（ｃ）は接着剤を介して封止フィルムを貼着することで形成されたパッシブ型有機ＥＬ素子の構成層を示す概略断面図である。尚、図１の（ａ）では封止部材として封止膜を、図１の（ｂ）では封止部材として封止フィルムを使用した場合を示している。
【００２４】
図１の（ａ）、（ｂ）に示されるパッシブ型有機ＥＬ素子（以下、単に有機ＥＬ素子とも言う）の層構成に付き説明する。図中、１ａは有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１ａは、基板１０１上に、第１電極（陽極）１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第２電極（陰極）１０６と、封止層１０７とをこの順番に有している。第１電極（陽極）１０２は基板１０１上に、パターン化されて形成されており、第２電極（陰極）１０６は第１電極（陽極）１０２と直交する方向でパターン化されて形成されている。第１電極（陽極）１０２と第２電極（陰極）１０６とが交叉する箇所（斜線で示した箇所）が発光領域となる。又、本発明では第１電極（陽極）１０２と第２電極（陰極）１０６とが交叉する箇所（斜線で示した箇所）をドットと言い、本図の場合は、縦３ドット×横３ドットの合計９ドットで発光領域を形成していることを示している。
封止層１０７は第１電極（陽極）１０２と第２電極（陰極）１０６の片方の端部を除いて形成されている。１０２ａは第１電極（陽極）１０２の第２電極（陰極）１０６と対向する面を示し、１０２ｂは面１０２ａのエッジ部を示す。
【００２５】
図１の（ｃ）に示される有機ＥＬ素子の層構成に付き説明する。図中、１ｂは有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１ｂは、基板１０１上に、第１電極（陽極）１０２と、正孔輸送層（正孔注入層）１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第２電極（陰極）１０６と、接着剤層１０８と、封止フィルム１０９とをこの順番に有している。
本図では、発光層を含む有機化合物層とは正孔輸送層（正孔注入層）１０３とを含めて言い、第２電極を含む陰極層とは、電子注入層１０５と、第２電極（陰極）１０６とを含めて言う。
【００２６】
本図に示される有機ＥＬ素子において、第１電極（陽極）１０２と発光層１０４又は正孔輸送層１０３の間に正孔注入層（不図示）を設けてもよい。又、第２電極（陰極）１０６と発光層１０４又は電子注入層１０５との間に電子輸送層（不図示）を設けてもよい。本図に示される有機ＥＬ素子１ａ及び有機ＥＬ素子１ｂでは、陽極（第１電極）１０２と基板１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けることが好ましい。
【００２７】
本発明は、より高精緻化が要望される有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）１０２の形状に関するものである。更に詳しくは、発光駆動時において、電界集中が起き難い形状にし、この様な形状の電極を使用したリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【００２８】
本図に示す有機ＥＬ素子の層構成は一例を示したものであるが、他の代表的な有機ＥＬ素子の層構成としては次の構成が挙げられる。
【００２９】
（１）基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／封止部材
（２）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極／封止部材
（３）基板／陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止部材
（４）基板／陽極／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止部材
封止部材としては、本図に示す封止膜、封止フィルムの他にガラス、及びアルミニュウム、ステンレス等の金属を使用した封止缶が挙げられる。尚、有機ＥＬ素子を構成している各層については後に説明する。
【００３０】
図２は有機ＥＬ素子を製造する概略フロー図である。
【００３１】
本図に示す様に、有機ＥＬ素子は概略、第１電極形成工程、有機化合物層形成工程、第２電極形成工程、封止部材形成工程を経ることで製造されている。本図において有機化合物層形成工程では、正孔輸送層形成と、発光層形成とが行われる。以下にフロー図に従って説明する。
【００３２】
Ｓ１では、基板供給部に枚葉の基板が準備される。
【００３３】
Ｓ２では、第１電極がパターン化されて形成される。基板供給部から供給された基板に対して、第１電極の接着をよくするために基板洗浄処理装置（不図示）による表面洗浄が行われる。基板洗浄処理装置としては、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等を使用することが好ましい。低圧水銀ランプによる基板洗浄処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ2で、距離５〜１５ｍｍで照射し基板洗浄を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による基板洗浄処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ＫＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ＫＶ、照射距離５〜２０ｍｍで基板洗浄処理を行う条件が挙げられる。
【００３４】
表面洗浄が終了した後、基板上の第１電極（陽極）形成領域に第１電極（陽極）を形成するＩＴＯが製膜される。製膜後、必要とするパターンにするためのパターニングが行われ、この後、第１電極（陽極）の表面、エッジ部の研磨が行われ、必要とする表面性とエッジ部の形状が形成される。研磨が終了した後、第１電極（陽極）の洗浄処理がなされた後、次工程に送られる。第１電極（陽極）の形成は、基板上にスパッタリング蒸着、電子ビーム蒸着（ＥＢ）などさまざまな手法を用いて所定の厚さに形成することが可能であり、適宜選択することが可能である。
【００３５】
本図では、スパッタリング蒸着で基板上の第１電極（陽極）形成領域に膜として製膜する場合を示している。尚、第１電極（陽極）の製膜・パターニング・研磨に関しては図３で詳細に説明する。
【００３６】
Ｓ３では、形成された第１電極（陽極）上に正孔輸送層用材料が蒸着法により成膜され正孔輸送層が形成され、次の工程に送られる。尚、正孔輸送層用材料の成膜方法は特に限定はなく、例えば、スパッタ法等が挙げられる。
【００３７】
Ｓ４では、形成された正孔輸送層の上に発光層用材料が蒸着法により成膜され発光層が形成され、次の工程に送られる。尚、発光層用材料の成膜方法は特に限定はなく、例えば、スパッタ法等が挙げられる。
【００３８】
Ｓ５では、基板上に形成された発光層の上に電子注入層用材料が蒸着法により成膜され電子注入層が形成され、次の工程に送られる。尚、電子注入層用材料の成膜方法は特に限定はなく、例えば、スパッタ法等が挙げられる。
【００３９】
Ｓ６では、電子注入層上に第２電極がパターニングされて形成されている第１電極と直交する状態で形成される。第２電極の形成方法については、特に限定はなく、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来る。
【００４０】
Ｓ７では、第２電極上に封止部材が形成され、有機ＥＬ素子が製造される。封止部材は蒸着方式で形成する封止膜でもよいし、封止フィルムを接着剤で貼着しても構わないし、封止缶で覆っても構わない。
【００４１】
本図は、枚葉の基板を使用した場合に付き説明したが、基板が帯状可撓性支持体の場合であっても構わない。
【００４２】
図３は第１電極の製膜からパターニングまでの各段階での第１電極の概略平面図である。図３の（ａ）は基板の第１電極形成領域にスパッタリング蒸着法で製膜されたＩＴＯ塗膜の状態を示す概略平面図である。図３の（ｂ）は研磨処理前のパターニングされた状態の第１電極の概略平面図である。図３の（ｂ′）は図３の（ｂ）に示されるＡ−Ａ′に沿った拡大概略断面図である。図３の（ｃ）は研磨処理後のパターニングされた状態の第１電極の概略平面図である。図３の（ｃ′）は図３の（ｃ）に示されるＣ−Ｃ′に沿った拡大概略断面図である。以下、図３の（ａ）〜図３の（ｃ′）を参照しながらＩＴＯ成膜−パターニング−研磨工程について説明する。
【００４３】
図３の（ａ）に示すように、準備された基板３上の第１電極２０１の形成領域の全面にスパッタリング蒸着法でＩＴＯを製膜する。２は製膜されたＩＴＯ膜を示す。このＩＴＯ膜２の膜厚は特に限定はないが、透過性、シート抵抗等を考慮し１０〜２００ｎｍが好ましい。製膜は、予め２００℃以上の基板温度でスパッタ成膜し、低抵抗化した多結晶ＩＴＯ膜からなるＩＴＯ膜２を成膜した。続いて、ＩＴＯ膜２を成膜した後、レジスト塗布（不図示）を行い、プリベーク後、所定のパターンに露光現象を行う。そして、現象後、ポストベークを行った後、塩化第２鉄溶液に浸漬して、エッチングを行ってＩＴＯ膜２をパターニング（図３の（ｂ）を参照）し、基板３上に縦縞状のＩＴＯからなる第１電極２０１が形成される。エッチング終了後、レジスト剥離を行う。
【００４４】
エッチング終了後の第１電極２０１のエッジ部２０１ｂは、バリが出たり、凹凸状になっていたり、鋭角になっていたりする。平面２０１ａも同じ状態になっている。この様な状態の第１電極２０１を使用し、有機ＥＬ素子１ｂを作製した場合、発光駆動時において、バリ、凹凸部、鋭角部で電界集中が起き、リーク電流が増加し故障の原因となってしまう。このために、研磨処理によりエッジ部２０１ｂのバリ発生部、凹凸状部、鋭角部を除去する必要がある（図３の（ｃ）を参照）。エッジ部２０１ｂの研磨処理方法に関しては図５で詳細に説明する。
【００４５】
図４は図３の（ｃ′）のＰで示される部分の拡大概略図である。図４の（ａ）はエッジ部が傾斜した面形状の場合の拡大概略図である。図４の（ｂ）はエッジ部がＲ形状の場合の拡大概略図である。
【００４６】
図４の（ａ）に示されるエッジ部の形状に付き説明する。図中、２０１ｃは研磨処理によりエッジ部が削り取られて出来た傾斜面を示す。θは第１電極２０１の平面２０１ａ（有機ＥＬ素子とした場合、第２電極と対向する面）を基準とした時の、傾斜面２０１ｃの角度を示す。角度θは０〜８０°である。角度θが、−になった場合、エッジ部が電極表面水平面より飛び出し、第１電極と第２電極間の距離が短くなるため電界集中が発生しやすくなり、リーク電流の発生が生じ易くなるため好ましくない。角度θが８０°を越えた場合、有機化合物層成膜時のシャドーイング現象により、薄膜部が発生するため電解集中が発生しやすくなり、リーク電流の発生が生じ易くなるため好ましくない。
【００４７】
図４の（ｂ）に示されるエッジ部の形状に付き説明する。図中、２０１ｄは研磨処理によりエッジ部が加工されて出来た湾曲面を示す。湾曲面のＲは、第１電極２０１の厚さをｔとした時、ｔ／２０〜２ｔである。Ｒがｔ／２０未満の場合は、有機化合物層成膜時のシャドーイング現象により、薄膜部が発生するため電解集中が発生しやすくなり、リーク電流の発生が生じ易くなるため好ましくない。Ｒが２ｔを越えた場合は、第１電極エッジ部厚みが薄くなる領域が大きくなり、発光ムラが生じるため好ましくない。
【００４８】
図５は研磨装置の概略図である。
【００４９】
図中、４は研磨装置を示す。研磨装置４は本体４０１と、図３に示す様にパターン化された第１電極が形成された基板５を載置固定する固定台４０２とを有している。４０３は吸引管を示し吸引ポンプ（不図示）へ繋がっている。基板５の固定台４０２への固定方法は特に限定はなく、例えば真空吸着、静電吸着、保持部材方式等が挙げられる。本図は吸引方式の場合を示している。固定台４０２の載置面４０２ａには複数の吸引用の孔（不図示）が開けられている。孔の数は載置面４０２ａに載せる図３に示す様にパターン化された第１電極が形成された基板５の大きさにより適宜交換が可能となっている。又、孔（不図示）の大きさも、吸引した時、基板５の平面性が変化しないことが重要であることから、固定に必要とする吸引圧とから選択することが可能となっている。
【００５０】
４０１ａは研磨テープを示す。研磨テープ４０１ａは、基板（例えば、ＰＥＴ）に研磨材（例えば、粒度０．１〜９μｍの酸化セリウム）を均一に塗布したものが挙げられる。４０１ｂは、研磨テープ４０１ａの供給部を示し、４０１ｂ１は巻き芯４０１ｂ２に巻き取られた元巻きロールを示す。４０１ｃは研磨テープ４０１ａの巻き取り部を示し、４０１ｃ１は使用後に巻き芯４０１ｃ２に巻き取られた使用済みロールを示す。巻き芯４０１ｂ２、巻き芯４０１ｃ２は回転可能に本体４０１のフレームに配設されており、本図の場合は巻き芯４０１ｃ２が駆動用回転軸（不図示）に取り付けられている。駆動用回転軸（不図示）は、駆動用モータ（不図示）に繋がっている。元巻きロール４０１ｂ１の巻き芯４０１ｂ２はブレーキ付きの回転軸（不図示）に取り付けられている。ブレーキにより研磨テープ４０１ａの張力を調整することが可能となっている。
【００５１】
研磨時の研磨テープ４０１ａの搬送速度は、第１電極の表面の凹凸性、第１電極の両端の形状等を考慮し、１〜５０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。研磨テープ４０１ａの幅は基板に形成された第１電極の領域の幅に対して、第１電極の表面研磨性、第１電極の両端エッジ部の形状安定性等を考慮し、５〜１５％であることが好ましい。
【００５２】
４０４は研磨テープ４０１ａを図３に示す様にパターン化された第１電極が形成された基板５の表面に接触させるためのコンタクトロールを示し、上下方向（図中の矢印方向）への動きが可能になるように本体のフレームに配設されている。研磨テープ４０１ａは、市販されている中から条件の合ったものを選択して使用することが可能となっている。例えば日本ミクロコーティング株式会社製  ミポックス超精密研磨テープが挙げられる。
【００５３】
研磨時の押付加重は、第１電極の表面の凹凸性、第１電極の両端の形状等を考慮し、０．５〜１０Ｎが好ましい。
【００５４】
コンタクトロール４０４のゴム硬度は、第１電極の表面の凹凸性、第１電極の両端の形状等を考慮し、３０〜９０°が好ましい。尚、ゴム硬度は、ＪＩＳ  Ｋ６２５３に準じて測定した値である。コンタクトロール４０４の幅は研磨テープ４０１ａの幅に対して、研磨テープの搬送性、第１電極の表面、両端のエッジの研磨性等を考慮し、＋５〜＋２０％であることが好ましい。
【００５５】
本体４０１は基板５の上に形成されている図３に示す様にパターン化された第１電極の長手方向に沿って、第１電極の表面の凹凸性、第１電極の両端の形状等を考慮し、５〜５０ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動可能となっている。載置面４０２ａ上に固定された第１電極が形成された基板５は、コンタクトロール４０４により第１電極上に接触した研磨テープ４０１ａで研磨が行われる様になっている。
【００５６】
本図に示される研磨装置４を使用し、基板５上に形成された図３に示す様にパターン化された第１電極の研磨の段階を次に説明する。
Ｓ１では、第１電極の材質により使用する研磨テープ４０１ａの番手、コンタクトロール４０４のゴム硬度、押付加重が決められる。
Ｓ２では、研磨テープ４０１ａの巻き取り速度、本体の移動速度が決められる。
Ｓ３では、固定台４０２の載置面４０２ａに付けられた位置会わせに従って、パターン化された第１電極が形成された基板５が載置され、吸引固定される。
Ｓ４では、コンタクトロール４０４が下がり、研磨テープ４０１ａとパターン化された第１電極の表面とが当接する状態にする。
Ｓ５では、研磨テープ４０１ａの巻き取りと、本体の移動が開始され研磨が行われる。
【００５７】
図３、図４に示される様な第１電極のエッジ部の形状した第１電極を作製し、有機ＥＬ素子に使用することで次の効果が得られた。
１）第１電極と第２電極との距離が安定になり、電界集中が発生する箇所がなくなり、第１電極エッジ部からのリーク電流が抑制され、消費電力の低下及び発光効率の向上が可能となった。
２）有機ＥＬ素子の品質向上に伴い生産効率の向上及び産業上の利用価値を高めることがが可能となった。
【００５８】
以下、本発明に係わる有機ＥＬ素子を構成しているガスバリア層、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第２電極、封止層等に付き説明する。
【００５９】
本発明に係わる基板としては、枚葉基板、帯状可撓性基板が挙げられる。枚葉基板としては、透明ガラス板、シート状透明樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。帯状可撓性基板としては、透明樹脂フィルムが挙げられ、枚葉基板と同じ樹脂フィルムが使用可能である。
【００６０】
基板として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００６１】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００６２】
第１電極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。又、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００６３】
第１電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層（陽極バッファー層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファー層（正孔注入層）に使用する材料の一例としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている材料が挙げられる。
【００６４】
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【００６５】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００６６】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【００６７】
又、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【００６８】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することが出来るため好ましい。
【００６９】
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
【００７０】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【００７１】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【００７２】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。
【００７３】
又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【００７４】
更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ  ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４’−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【００７５】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４’−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。
【００７６】
ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【００７７】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【００７８】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【００７９】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【００８０】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【００８１】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【００８２】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上出来ャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００８３】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００８４】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【００８５】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【００８６】
本発明で言うところの白色素子とは、２℃視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１  表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【００８７】
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファー層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００８８】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【００８９】
又、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００９０】
又、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
【００９１】
第２電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【００９２】
又、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【００９３】
封止部材は有機ＥＬ素子への水分や酸素の浸入による性能劣化を防止するために設けられており、封止部材として封止膜を形成するのに使用する材料の具体例としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、吸収率１％以上の吸水性物質及び吸水率０．１％以下の防湿性物質、Ｉｎ、Ｓｎ、，Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル等の液状フッ素化炭素及び当該液状フッ素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させたもの等が挙げられる。
【００９４】
封止部材として封止フィルムに使用する材料の具体例としては、ガスバリア膜と同じ材質のバリアフィルム及び金属膜を使用することが可能である。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）等の接着剤、又、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリオレフィン系のホットメルト型接着剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることが出来る。
【００９５】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【００９６】
又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【００９７】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【００９８】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５）。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）。素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【００９９】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。
【０１００】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。又、更に１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１０１】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１０２】
更に、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１０３】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることが出来る。
【実施例】
【０１０４】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１０５】
実施例１
図１に示されるように、一つのドットの大きさが２．０ｍｍ×２．０ｍｍで、３ドット×３ドットの合計９ドット（発光領域）で構成される有機ＥＬ素子を以下に示す方法で製造した。
〈基板の準備〉
基板として、厚さ１．１ｍｍ、３０ｍｍ×３０ｍｍのソーダガラス板を準備した。尚、ソーダガラス板の全面には酸やアルカリから保護するためのシリカコートしたものを使用した。
【０１０６】
（第１電極の形成）
準備したソーダガラス板を波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度５１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１０ｍｍで照射し洗浄した。この後、ＩＴＯをスパッタリング蒸着法で、ソーダガラス板の周囲２ｍｍを除き全面に厚さ１５０ｎｍで製膜した後、パターニングを行い図３の（ｂ）に示す様に縦縞状のＩＴＯからなる第１電極を形成した。この後、パターニングされた第１電極のエッジ部を研磨し、図４の（ａ）に示される形状の角度を変えた形状と、図４の（ｂ）に示されるＲを変えた形状の第１電極を作製しＮｏ．１−１〜１−１７とした。尚、第１電極の表面も研磨処理し、表面粗さをＲａ０．５ｎｍｎｍとした。表面粗さは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製  ＡＦＭ（ＳＰＡ３００）により測定した。
【０１０７】
バターニング処理
ＩＴＯ膜の上にレジストを全面に塗り、プリベーク後、所定のパターンに露光現象を行い、現象後、ポストベークを行った後、塩化第２鉄溶液に浸漬して、エッチングを行ってＩＴＯ膜をパターニングし、ガラス板上に縦縞状のＩＴＯからなる第１電極を形成した。エッチング終了後、レジスト剥離を行う。形成した第１電極は、幅２．０ｍｍ、間隔１．０ｍｍ、３本とした。
【０１０８】
表面及びエッジの研磨
図５に示す研磨装置を使用し、表１に示す様にコンタクトロールの押付加重とコンタクトロールのゴム硬度を調整することで、エッジ部の形状（図４の（ａ）に示される傾斜面の角度θ、図４の（ｂ）に示される湾曲面のＲ）を変えた第１電極を準備し、１−１〜１−１７とした。尚、研磨テープは、日本ミクロコーティング株式会社製  ミポックス超精密研磨テープ幅９ｍｍ、番手＃１００００を使用した。研磨テープの搬送速度は１０ｍｍ／ｓｅｃ、研磨装置の本体の移動速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。コンタクトロールの幅は１０ｍｍとした。尚、第１電極形成ガラス板Ｎｏ．１−１は研磨テープによる研磨は行わなかった。湾曲面のＲは第１電極の厚さをｔとして表示してある。
【０１０９】
【表１】
2007012358.tif 000003
【０１１０】
（有機ＥＬ素子の作製）
準備した各第１電極形成ガラス板Ｎｏ．１−１〜１−１７上に、以下に示す方法で正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極、封止膜を順次形成し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．１０１〜１１７とした。
【０１１１】
（正孔輸送層の形成）
第１電極形成ガラス板を真空蒸着機にセットし、真空槽内を１×１０-4Ｐａまで排気後、正孔輸送層用材料としてＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ｍ−トリル４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を使用し、第１電極が形成された領域に蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃで厚さ５０ｎｍに真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。
【０１１２】
（発光層の形成）
正孔輸送層を形成したガラス板を真空蒸着機にセットし、真空槽内を１×１０-4Ｐａまで排気後、発光層用材料としてＡｌｑ3を使用し、順次蒸着速度０．３ｎｍ／ｓでそれぞれ５０ｎｍの厚さに真空蒸着した。
【０１１３】
（電子注入層の形成）
発光層を形成したガラス板を真空蒸着機にセットし、真空槽内を１×１０-4Ｐａまで排気後、電子注入層用材料としてＬｉＦを使用し、発光層が形成された領域に順次蒸着速度０．３ｎｍ／ｓでそれぞれ５０ｎｍの厚さに真空蒸着した。
【０１１４】
（第２電極の形成）
電子注入層を形成したガラス板を真空蒸着機にセットし、真空槽内を１×１０-4Ｐａまで排気後、第２電極用材料としてＡｌを使用し、電子注入層の上に第１電極と直交する方向に、第１電極が形成された領域に、蒸着速度０．３ｎｍ／ｓで、幅２．０ｍｍ、間隔１．０ｍｍ、３本の第２電極を１００ｎｍの厚さに真空蒸着し第２電極を形成した。
【０１１５】
（封止膜の形成）
第２電極を形成したガラス板を真空蒸着機にセットし、真空槽内を１×１０-4Ｐａまで排気後、封止膜用材料としてＳｉＯｘを使用し、第１電極、第２電極の接続端子となる領域以外にパッタリング法により、順次蒸着速度０．３ｎｍ／ｓで３００ｎｍの厚さに成膜し封止膜を形成した。
【０１１６】
（評価）
作製した各試料Ｎｏ．１０１〜１１７に付き、リーク電流特性を以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。
【０１１７】
リーク電流特性の試験方法
定電圧電源を用いて、逆方向の電圧（逆バイアス）を５Ｖを５秒間印加し、その時素子に流れる電流を測定した。９ドット（発光領域）全てにおいて測定を行い、最大電流値をリーク電流とした。
【０１１８】
リーク電流の評価ランク
◎：最大電流値が１×１０-8Ａ未満
○：最大電流値が１×１０-8Ａ以上、１×１０-6Ａ未満
△：最大電流値が１×１０-6Ａ以上、１×１０-4Ａ未満
×：最大電流値が１×１０-4Ａ以上
【０１１９】
【表２】
2007012358.tif 000004
【０１２０】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】パッシブ型有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子を製造する概略フロー図である。
【図３】第１電極の製膜からパターニングまでの各段階での第１電極の概略平面図である。
【図４】図３の（ｃ′）のＰで示される部分の拡大概略図である。
【図５】研磨装置の概略図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１ａ、１ｂ  有機ＥＬ素子
１０１、５、３  基板
１０２、２０１  第１電極（陽極）
１０３  正孔輸送層
１０４  発光層
１０５  電子注入層
１０６  第２電極（陰極）
１０７  封止層
１０９  封止フィルム
２  ＩＴＯ膜
２０１ａ  平面
２０１ｂ  エッジ部
２０１ｃ  傾斜面
２０１ｄ  湾曲面
４  研磨装置
４０１  本体
４０１ａ  研磨テープ
４０１ｂ  供給部
４０１ｃ  巻き取り部
４０４  コンタクトロール
４０２  固定台
４０２ａ  載置面
θ  角度
【図１】
2007012358.tif 000005
【図２】
2007012358.tif 000006
【図３】
2007012358.tif 000007
【図４】
2007012358.tif 000008
【図５】
2007012358.tif 000009