(57)【要約】【課題】本発明は、基板本体に固定された電子部品の位置精度を向上でき、薄型化を図ることのできる基板及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  基板本体１１と、基板本体１１に形成され、キャパシタ部品１３の外形と略一致する凹部２１と、凹部２１に配置されるキャパシタ部品１３と、凹部２１の側面を形成する基板本体１１に切欠き部２２とを設ける。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、該基板本体に形成された凹部と、該凹部に配置された電子部品とを備えた基板であって、
前記凹部の形状を前記電子部品の外形と略一致させると共に、凹部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けたことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記凹部の底面を形成する基板本体に、前記電子部品の端子を露出する開口部を設けたことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
基板本体と、該基板本体に形成された貫通部と、該貫通部に配置された電子部品とを備えた基板であって、
前記貫通部の形状を前記電子部品の外形と略一致させると共に、貫通部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けたことを特徴とする基板。
【請求項４】
前記基板本体の厚さは、前記電子部品の厚さと略等しいことを特徴とする請求項３記載の基板。
【請求項５】
前記電子部品が略四角形状の場合、前記切欠き部を該電子部品の角部に対応する基板本体に設けたことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか１項記載の基板。
【請求項６】
前記電子部品の四つの角部は、前記切欠き部を形成する基板本体と接触することを特徴とする請求項５記載の基板。
【請求項７】
前記基板本体は、複数の貫通孔を有しており、
前記複数の貫通孔に導電性を有した接続ピンを設けたことを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の基板。
【請求項８】
基板本体と、該基板本体に形成された凹部と、該凹部に配置された電子部品とを備えた基板の製造方法であって、
前記基板本体に前記電子部品の外形と略一致する凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部の側面を形成する基板本体に、切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、
前記凹部に電子部品を配置する電子部品配置工程と、
前記切欠き部に接着剤を設けて電子部品を基板本体に固定する電子部品固定工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
前記凹部形成工程及び切欠き部形成工程は、金型を用いた射出成型法により同時に行なわれることを特徴とする請求項８記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
基板本体と、該基板本体に形成された貫通部と、該貫通部に配置された電子部品とを備えた基板の製造方法であって、
前記基板本体に前記電子部品の外形と略一致する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記貫通部の側面を形成する基板本体に、切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、
前記貫通部に電子部品を配置する電子部品配置工程と、
前記切欠き部に接着剤を設けて該電子部品を基板本体に固定する電子部品固定工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及びその製造方法に係り、基板本体に形成された貫通部または凹部に電子部品を固定する基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板本体に凹部を形成し、この凹部にキャパシタ部品等の電子部品を内蔵した基板がある。
【０００３】
図１は、電子部品を内蔵した従来の基板の断面図であり、図２は、図１に示した基板の平面図である。
【０００４】
図１及び図２を参照して、電子部品としてキャパシタ部品１１７を用いた場合を例に挙げて、従来の基板１００について説明する。
【０００５】
基板１００は、基板本体１０１と、貫通ビア１０６，１０７と、上部配線１０９と、保護膜１１０，１１４と、下部配線１１２，１１３と、外部接続端子１１５と、配線１１６と、キャパシタ部品１１７と、樹脂１２３とを有する。
【０００６】
基板本体１０１には、凹部１０２と、貫通孔１０３，１０４とが形成されている。凹部１０２は、キャパシタ部品１１７を配置するためのものであり、キャパシタ部品１１７の外形よりも大きく形成されている。凹部１０２の側面１０２Ａとキャパシタ部品１１７の側面１１７Ｃとの間には、樹脂１２３を充填するための隙間Ａが設けられている。樹脂１２３は、キャパシタ部品１１７を基板本体１０１に固定するための接着剤の機能を奏する。また、樹脂１２３を充填するための隙間Ａの大きさは、１００μｍ以上必要である。
【０００７】
貫通孔１０３は、凹部１０２の底面１０２Ｂを形成する基板本体１０１を貫通するように形成されている。貫通孔１０４は、基板本体１０１の上面１０１Ａから下面１０１Ｂまでを貫通するように形成されている。
【０００８】
貫通ビア１０６は、貫通孔１０４に設けられており、上部配線１０９と下部配線１１２との間を電気的に接続する。貫通ビア１０７は、貫通孔１０３に設けられており、配線１１６と下部配線１１４との間を電気的に接続する。貫通ビア１０６，１０７は、例えば、電解めっき法により導電金属を析出させることで形成する。
【０００９】
上部配線１０９は、基板本体１０１の上面１０１Ａに設けられている。上部配線１０９は、半導体チップ１２５の信号用の端子が接続されるパッド１０９Ａを有する。保護膜１１０は、パッド１０９Ａを露出した状態で、パッド１０９Ａ以外の上部配線１０９と基板本体１０１の上面１０１Ａとを覆うように設けられている。
【００１０】
下部配線１１２，１１３は、基板本体１０１の下面１０１Ｂに設けられている。下部配線１１２は、はんだボール１１５と接続されるパッド１１２Ａを有しており、貫通ビア１０６と電気的に接続されている。下部配線１１３は、はんだボール１１５が配設されるパッド１１３Ａを有しており、貫通ビア１０７と電気的に接続されている。
【００１１】
保護膜１１４は、パッド１１２Ａ，１１３Ａを露出した状態で、パッド１１２Ａ，１１３Ａ以外の下部配線１１２，１１３と基板本体１０１の下面１０１Ｂとを覆うように設けられている。
【００１２】
外部接続端子１１５は、パッド１１２Ａ，１１３Ａにそれぞれ設けられている。外部接続端子１１５は、回路基板１２７と電気的に接続される端子である。配線１１６は、凹部１０２の底面１０２Ｂに対応する基板本体１０１上に設けられている。配線１１６は、貫通ビア１０７を介して、下部配線１１３と電気的に接続されている。
【００１３】
キャパシタ部品１１７は、貫通電極１１８と、貫通電極１１８の両端に設けられた端子１１９，１２０とを有する。端子１１９は、はんだ１２２を介して配線１１６と電気的に接続されている。各端子１２０は、半導体チップ１２５の電源用端子及びグラウンド用端子（図示せず）のいずれか一方と電気的に接続されている。キャパシタ部品１１７は端子１１９と配線１１６とが電気的に接続された状態で、樹脂１２３により基板本体１０１に固定されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３４９２２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、基板１００では、キャパシタ部品１１７を配置する凹部１０２をキャパシタ部品１１７の外形よりも大きく形成して、凹部１０２の側面１０２Ａとキャパシタ部品１１７の側面１１７Ｃとの間に樹脂１２３を充填するための隙間Ａを設けていたため、キャパシタ部品１１７の位置精度を向上させることが困難であるという問題があった。キャパシタ部品１１７の位置精度が悪い場合には、半導体チップ１２５をキャパシタ部品１１７に接続することが困難となる。
【００１５】
また、凹部１０２の底面１０２Ｂと下部配線１１３との間の基板本体１０１に、配線１１６、貫通ビア１０７、及び下部配線１１３からなる配線パターンを設けて、キャパシタ部品１１７の端子１１９とパッド１１３Ａとの間を電気的に接続していたため、基板１００を薄型化できないという問題があった。
【００１６】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、基板本体に固定された電子部品の位置精度を向上でき、薄型化を図ることのできる基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一観点によれば、基板本体と、該基板本体に形成された凹部と、該凹部に配置された電子部品とを備えた基板であって、前記凹部の形状を前記電子部品の外形と略一致させると共に、凹部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けたことを特徴とする基板が提供される。
【００１８】
本発明によれば、基板本体に形成された凹部を電子部品の外形と略一致させることで、凹部を形成する基板本体により電子部品の位置を規制して、電子部品の位置精度を向上させることができる。また、凹部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けることにより、例えば、切欠き部に接着剤を充填して位置精度が向上した電子部品を基板本体に固定することができる。
【００１９】
本発明の他の観点によれば、基板本体と、該基板本体に形成された貫通部と、該貫通部に配置された電子部品とを備えた基板であって、前記貫通部の形状を前記電子部品の外形と略一致させると共に、貫通部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けたことを特徴とする基板が提供される。
【００２０】
本発明によれば、基板本体に形成された貫通部を電子部品の外形と略一致させることで、貫通部の側面を形成する基板本体により電子部品の位置を規制して、電子部品の位置精度を向上させることができる。また、貫通部の側面を形成する基板本体に切欠き部を設けることにより、例えば、切欠き部に接着剤を充填して位置精度が向上した電子部品を基板本体に固定することができる。
【００２１】
また、基板本体の厚さは、電子部品の厚さと略等しくてもよい。基板本体の厚さを電子部品の厚さと略等しくすることで、基板の薄型化を図ることができる。
【００２２】
本発明のその他の観点によれば、基板本体と、該基板本体に形成された凹部と、該凹部に配置された電子部品とを備えた基板の製造方法であって、前記基板本体に前記電子部品の外形と略一致する凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の側面を形成する基板本体に、切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、前記凹部に電子部品を配置する電子部品配置工程と、前記切欠き部に接着剤を設けて電子部品を基板本体に固定する電子部品固定工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【００２３】
本発明によれば、電子部品の外形と略一致する凹部を形成し、凹部に電子部品を配置することで、凹部を形成する基板本体により電子部品の位置を規制して、電子部品の位置精度を向上させることができる。また、凹部の側面を形成する基板本体に切欠き部を形成し、切欠き部に接着剤を設けることで、位置精度が向上した電子部品を基板本体に固定することができる。
【００２４】
本発明のその他の観点によれば、基板本体と、該基板本体に形成された貫通部と、該貫通部に配置された電子部品とを備えた基板の製造方法であって、前記基板本体に前記電子部品の外形と略一致する貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部の側面を形成する基板本体に、切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、前記貫通部に電子部品を配置する電子部品配置工程と、前記切欠き部に接着剤を設けて該電子部品を基板本体に固定する電子部品固定工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【００２５】
本発明によれば、電子部品の外形と略一致する貫通部を形成し、貫通部に電子部品を配置することで、貫通部を形成する基板本体により電子部品の位置を規制して、電子部品の位置精度を向上させることができる。また、貫通部の側面を形成する基板本体に切欠き部を形成し、切欠き部に接着剤を設けることで、位置精度が向上した電子部品を基板本体に固定することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板本体に固定された電子部品の位置精度を向上でき、薄型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る基板の断面図であり、図４は、図３に示した基板の平面図である。なお、本実施の形態では、電子部品としてキャパシタ部品１３を用いた場合を例に挙げて以下の説明をする。
【００２９】
図３及び図４を参照するに、基板１０は、基板本体１１と、接続ピン１２と、電子部品であるキャパシタ部品１３と、外部接続端子１７を有する。基板１０は、半導体チップ１５と回路基板１８（例えば、マザーボード）との間を電気的に接続するための基板であり、例えば、インターポーザとして使用される。基板１０と接続される半導体チップ１５は、電源用端子１６Ａと、グラウンド用端子１６Ｂと、信号用端子１６Ｃとを有する。半導体チップ１５としては、例えば、高周波用の半導体チップを用いることができる。
【００３０】
図５は、基板本体の断面図であり、図６は、図５に示した基板本体の平面図である。
【００３１】
図５及び図６を参照するに、基板本体１１には、凹部２１と、切欠き部２２と、開口部２３，２６と、貫通孔２５とが形成されている。
【００３２】
凹部２１は、半導体チップ１５の実装領域に対応する基板本体１１に形成されている。凹部２１は、キャパシタ部品１３を配置するための空間である。凹部２１の形状は、キャパシタ部品１３の外形と略一致しており、凹部２１の深さＤ１は、キャパシタ部品１３の厚さＭ１と略等しくなるように形成されている（Ｄ１＝Ｍ１）。
【００３３】
凹部２１の側面２１Ａとキャパシタ部品１３との間の隙間は、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。また、凹部２１の下方に位置する基板本体１１の厚さＭ２は、例えば、２００μｍ〜３００μｍとすることができる。
【００３４】
このように、基板本体１１にキャパシタ部品１３の外形と略一致する形状とされた凹部２１を設けることで、凹部２１を形成する基板本体１１によりキャパシタ部品１３の位置を規制して、キャパシタ部品１３の位置精度を向上させることができる。
【００３５】
切欠き部２２は、凹部２１の側面２１Ａを形成する基板本体１１のうち、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと対向する基板本体１１にそれぞれ形成されている（図４参照）。切欠き部２２は、凹部２１と一体的に構成されている。
【００３６】
平面視した切欠き部２２は、円の一部が欠けた扇形をしている。切欠き部２２の直径Ｒ１は、例えば、０．５ｍｍとすることができる。
【００３７】
このように、凹部２１の側面２１Ａを形成する基板本体１１に切欠き部２２を設けることで、切欠き部２２に接着剤となる樹脂１９を設けることが可能となり、樹脂１９により位置精度が向上したキャパシタ部品１３を基板本体１１に固定することができる。
【００３８】
開口部２３は、凹部２１の底面２１Ｂを形成する基板本体１１に設けられている。開口部２３は、キャパシタ部品１３の端子３２と対向する基板本体１１を貫通するように形成されている。また、開口部２３は、凹部２１と一体的に構成されている。開口部２３は、キャパシタ部品１３の端子３２を露出するためのものである。開口部２３の直径Ｒ２は、キャパシタ部品１３の端子３２及び外部接続端子１７の直径よりも大きく設定されている。また、開口部２３を形成する基板本体１１は、端子３２に接続された外部接続端子１７が他の外部接続端子１７と接触することを防止する。
【００３９】
このように、凹部２１の底面２１Ｂを形成する基板本体１１にキャパシタ部品１３の端子３２を露出する開口部２３を形成することにより、基板本体１１に配線パターンを設けることなく、キャパシタ部品１３の端子３２と回路基板１８との間を電気的に接続することが可能となる。これにより、基板１０を薄型化することができる。
【００４０】
また、配線１１６、貫通ビア１０７、及び下部配線１１３からなる配線パターンによりキャパシタ部品１１７の端子１１９とパッド１１３Ａとの間を電気的に接続する従来の基板１００と比較して、キャパシタ部品１３の端子３２と回路基板１８との間のインダクタンスを小さくすることができる。
【００４１】
貫通孔２５は、凹部２１の近傍に位置する基板本体１１に複数形成されている。貫通孔２５は、接続ピン１２を配設するためのものである（図３参照）。また、貫通孔２５の深さＤ２は、凹部２１の深さＤ１と略等しくなるように形成されている（Ｄ１＝Ｄ２）。
【００４２】
開口部２６は、貫通孔２５の形成位置に対応する基板本体１１の下面１１Ｂ側に形成されている。開口部２６は、接続ピン１２に外部接続端子１７を電気的に接続することが可能なように接続ピン１２の一方の端部を露出するためのものである。開口部２６は、貫通孔２５と一体的に構成されている。開口部２６の直径Ｒ３は、接続ピン１２及び外部接続端子１７の直径よりも大きく形成されている。また、開口部２６を形成する基板本体１１は、接続ピン１２に接続された外部接続端子１７が他の外部接続端子１７と接触することを防止する。
【００４３】
基板本体１１の材料としては、例えば、液晶ポリマー樹脂やガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。基板本体１１の材料として液晶ポリマー樹脂を用いた場合、基板本体１１は、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５の形状に対応した凸部を有する金型を用いた射出成型により形成することができる。また、基板本体１１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合、基板本体１１は、板状とされたガラスエポキシ樹脂にドリルやレーザ等を用いて凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５を加工することで形成する。
【００４４】
図３を参照するに、接続ピン１２は、貫通孔２５に設けられている。接続ピン１２は、貫通孔２５の両端から突出している。接続ピン１２は、銅や銅合金等の金属からなる導電性を有したピンである。基板本体１１の上面１１Ａ側の貫通孔２５の端部は、半導体チップ１５の信号用端子１６Ｃと電気的に接続され、基板本体１１の下面１１Ｂ側の貫通孔２５の端部は、外部接続端子１７を介して回路基板１８と電気的に接続される。
【００４５】
キャパシタ部品１３は、キャパシタ本体３０と、貫通電極３３と、端子３１Ａ，３１Ｂ，３２とを有する。キャパシタ本体３０は、略四角形状とされている。貫通電極３３は、キャパシタ本体３０を貫通するように設けられている。貫通電極３３の上端部には、端子３１Ａまたは端子３１Ｂが設けられており、貫通電極３３の下端部には、端子３２が設けられている。キャパシタ部品１３としては、例えば、積層セラミックキャパシタを用いることができる。この場合、キャパシタ本体３０は、薄いセラミック基材シートと電極層とが交互に積層された構成とされる。
【００４６】
上記構成とされたキャパシタ部品１３は、開口部２３から端子３２が露出された状態で、凹部２１に配置されている。凹部２１に配置されたキャパシタ部品１３は、切欠き部２２に設けられた樹脂１９により基板本体１１に固定されている。樹脂１９は、キャパシタ部品１３を基板本体１１に接着するための接着剤の機能を奏するものである。樹脂１９としては、例えば、エポキシ等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００４７】
また、キャパシタ部品１３の端子３１Ａは、例えば、半導体チップ１５の電源用端子１６Ａと電気的に接続され、端子３１Ｂは、例えば、半導体チップ１５のグラウンド用端子１６Ｂと電気的に接続される。
【００４８】
このように、キャパシタ部品１３を半導体チップ１５の電源用端子１６Ａ及びグラウンド用端子１６Ｂと電気的に接続することで、例えば、半導体チップ１５が高周波用チップの場合、キャパシタ部品１３により半導体チップ１５のノイズを吸収することができる。
【００４９】
外部接続端子１７は、基板本体１１の下面１１Ｂ側の接続ピン１２の端部及び端子３２にそれぞれ設けられている。外部接続端子１７は、基板１０と回路基板１８との間を電気的に接続するための端子である。外部接続端子１７としては、例えば、はんだボールを用いることができる。
【００５０】
本実施の形態の基板によれば、基板本体１１にキャパシタ部品１３の外形と略一致する凹部２１を設けることで、凹部２１を形成する基板本体１１によりキャパシタ部品１３の位置を規制して、キャパシタ部品１３の位置精度を向上させることができる。また、凹部２１の側面２１Ａを形成する基板本体１１に切欠き部２２を設けることにより、切欠き部２２に樹脂１９を充填して位置精度が向上したキャパシタ部品１３を基板本体１１に固定することができる。
【００５１】
なお、本実施の形態では、電子部品としてキャパシタ部品１３を設けた場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態は、キャパシタ部品１３以外の受動部品や能動部品等の電子部品を備えた基板に対しても適用可能である。
【００５２】
また、基板本体１１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合には、接続ピン１２の代わりに、プリント配線板の技術（めっき法等）を用いて貫通ビアを形成してもよい。また、切欠き部２２の深さは、樹脂１９がキャパシタ部品１３を基板本体１１に固定できる程度の深さであればよい。さらに、切欠き部２２の形状は、図４及び図６に示した形状に限定されない。また、本実施の形態は、外部接続端子１７を備えていない基板に対しても適用可能である。
【００５３】
図７は、第１の実施の形態の変形例に係る基板の平面図である。
【００５４】
図７を参照するに、基板４０は、基板本体１１に切欠き部２２の代わりに切欠き部４１を設けると共に、樹脂１９を構成から除いた以外は、第１の実施の形態の基板１０と同様に構成される。
【００５５】
切欠き部４１は、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと対向する基板本体１１にそれぞれ形成されている。切欠き部４１の側面４１Ａを形成する基板本体１１は、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと接触するように形成されている。
【００５６】
第１の実施の形態の変形例の基板４０によれば、基板本体１１に切欠き部４１を設けることで、切欠き部４１の側面４１Ａを形成する基板本体１１によりキャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄを挟持して、樹脂１９を用いることなく、キャパシタ部品１３を基板本体１１に固定することができる。なお、基板４０は、第１の実施の形態の基板１０と同様な効果を得ることができる。また、切欠き部４１に樹脂１９を充填してもよい。
【００５７】
図８〜図１３は、第１の実施の形態に係る基板の製造工程を示す図である。図８〜図１３において、先に説明した基板１０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００５８】
図８〜図１３を参照して、第１の実施の形態に係る基板１０の製造方法について説明する。始めに、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５を備えた基板本体１１（図５及び図６参照）を形成する（凹部形成工程及び切欠き部形成工程）。具体的には、基板本体１１の材料として液晶ポリマー樹脂を用いた場合、基板本体１１は、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５の形状に対応した凸部を有する金型を用いた射出成型により形成する。
【００５９】
このように、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５を同時に形成することにより、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５を別々に形成した場合と比較して、生産性が向上し、基板１０の製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、基板本体１１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合、板状とされたガラスエポキシ樹脂にドリルやレーザ等を用いて凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５をそれぞれ加工することで基板本体１１を形成する。なお、凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５の形状及び寸法については、先に説明した凹部２１、切欠き部２２、開口部２３，２６、及び貫通孔２５の形状及び寸法を用いる。
【００６１】
次いで、図８及び図９に示すように、凹部２１にキャパシタ部品１３を配置する（電子部品配置工程）。これにより、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄが凹部２１から露出する。続いて、図１０に示すように、切欠き部２２に接着剤となる樹脂１９を設け、キャパシタ部品１３を基板本体１１に固定する（電子部品固定工程）。
【００６２】
次いで、図１１に示すように、貫通孔２５に接続ピン１２を挿入する。このように、接続ピン１２を貫通ビアの代わりに用いることにより、製造工程を簡略化することができる。なお、基板本体１１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合には、接続ピン１２の代わりに、プリント配線板の技術（めっき法等）を用いて貫通ビアを形成する。
【００６３】
その後、図１２に示すように、端子３２側に位置する接続ピン１２の端部及び端子３２にそれぞれ外部接続端子１７を形成することにより、基板１０が製造される。
【００６４】
本実施の形態の基板の製造方法によれば、基板本体１１にキャパシタ部品１３の外形と略一致する凹部２１を形成し、凹部２１にキャパシタ部品１３を配置することで、キャパシタ部品１３の位置精度を向上させることができる。また、凹部２１の側面２１Ａを形成する基板本体１１に切欠き部２２を形成し、切欠き部２２に樹脂１９を設けることで、位置精度が向上したキャパシタ部品１３を基板本体１１に固定することができる。
【００６５】
なお、本実施の形態の基板の製造方法では、凹部２１にキャパシタ部品１３を配置後、切欠き部２２に樹脂１９を設けた場合を例に挙げて説明したが、切欠き部２２に樹脂１９を設けた後でキャパシタ部品１３を凹部２１に配置して、キャパシタ部品１３を基板本体１１に固定してもよい。また、接続ピン１２を貫通孔２５に挿入した後でキャパシタ部品１３を基板本体１１の凹部２１に固定してもよい。
【００６６】
また、本実施の形態の変形例の基板４０は、第１の実施の形態の基板１０の製造工程から樹脂１９を設ける工程を除いた製造方法により製造することができる。
【００６７】
（第２の実施の形態）
図１３は、本発明の第２の実施の形態の基板の断面図であり、図１４は、図１３に示した基板の平面図である。本実施の形態においても、電子部品としてキャパシタ部品１３を用いた場合を例に挙げて説明する。
【００６８】
図１３及び図１４を参照するに、基板５０は、基板本体１１の代わりに基板本体５１を設けた以外は、第１の実施の形態の基板１０と同様に構成される。
【００６９】
図１５は、基板本体の断面図であり、図１６は、図１５に示した基板本体の平面図である。
【００７０】
図１５及び図１６を参照するに、基板本体５１には、貫通部５２、貫通孔５３、及び切欠き部５４が形成されている。
【００７１】
貫通部５２は、半導体チップ１５の実装領域に対応する基板本体５１に形成されている。貫通部５２は、キャパシタ部品１３を配置するための空間である。貫通部５２の形状は、キャパシタ部品１３の外形と略一致しており、貫通部５２の厚さＭ３は、キャパシタ部品１３の厚さＭ１と略等しくなるように設定されている（Ｍ３＝Ｍ１）。
【００７２】
このように、基板本体５１の厚さＭ３をキャパシタ部品１３の厚さＭ１と略等しくすることにより、基板５０をさらに薄型化することができる。
【００７３】
貫通部５２の側面５２Ａとキャパシタ部品１３との間の隙間は、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００７４】
このように、キャパシタ部品１３の外形と略一致する貫通部５２を基板本体１１に設けることで、貫通部５２の側面５２Ａを形成する基板本体５１によりキャパシタ部品１３の位置を規制して、キャパシタ部品１３の位置精度を向上させることができる。
【００７５】
貫通孔５３は、貫通部５２の近傍に位置する基板本体５１に複数形成されている。貫通孔５３は、基板本体５１を貫通している。貫通孔５３は、接続ピン１２を配設するためのものである（図１３参照）。
【００７６】
切欠き部５４は、貫通部５２の側面５２Ａを形成する基板本体５１のうち、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと対向する基板本体５１にそれぞれ形成されている（図１４参照）。切欠き部５４は、基板本体５１を貫通しており、凹部２１と一体的に構成されている。平面視した切欠き部５４は、円の一部が欠けた扇形をしている。切欠き部５４の直径Ｒ４は、例えば、０．５ｍｍとすることができる。
【００７７】
このように、貫通部５２の側面５２Ａを形成する基板本体５１に切欠き部５４を設けることにより、切欠き部５４に樹脂１９を設けて、位置精度が向上したキャパシタ部品１３を基板本体５１に固定することができる。上記構成とされた基板本体５１の材料としては、第１の実施の形態で説明した基板本体１１と同様な材料を用いることができる。
【００７８】
本実施の形態の基板によれば、基板本体５１の厚さＭ３をキャパシタ部品１３の厚さＭ１と略等しくすることにより、基板５０をさらに薄型化することができる。また、基板本体５１にキャパシタ部品１３の外形と略一致する貫通部５２を設けることで、貫通部５２の側面５２Ａによりキャパシタ部品１３の位置を規制して、キャパシタ部品１３の位置精度を向上させることができる。さらに、貫通部５２の側面５２Ａを形成する基板本体５１に切欠き部５４を設けると共に、切欠き部５４に樹脂１９を設けることで、位置精度が向上したキャパシタ部品１３を基板本体５１に固定することができる。
【００７９】
なお、基板５０では、電子部品としてキャパシタ部品１３を設けた場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態は、キャパシタ部品１３以外の受動部品や能動部品等の電子部品を備えた基板に対しても適用可能である。また、基板本体５１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合には、接続ピン１２の代わりに、プリント配線板の技術（めっき法等）を用いて貫通ビアを形成してもよい。
【００８０】
また、本実施の形態では、基板本体５１を貫通する切欠き部５４を例に挙げて説明したが、切欠き部５４の深さは、切欠き部５４に充填された樹脂１９がキャパシタ部品１３を基板本体５１に固定できる程度の深さであればよく、これに限定されない。さらに、切欠き部５４の形状は、図１４及び図１６に示した形状に限定されない。また、本実施の形態は、外部接続端子１７を備えていない基板に対しても適用可能である。
【００８１】
図１７は、第２の実施の形態の変形例に係る基板の平面図である。
【００８２】
図１７を参照するに、基板６０は、基板本体５１に切欠き部５５の代わりに切欠き部６１を設けると共に、樹脂１９を構成から除いた以外は、第２の実施の形態の基板５０と同様に構成される。
【００８３】
切欠き部６１は、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと対向する基板本体５１にそれぞれ形成されている。切欠き部６１の側面６１Ａを形成する基板本体５１は、キャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄと接触するように形成されている。
【００８４】
第２の実施の形態の変形例の基板６０によれば、基板本体５１に切欠き部６１を設けることで、切欠き部６１の側面６１Ａを形成する基板本体５１によりキャパシタ部品１３の角部１３Ａ〜１３Ｄを挟持して、樹脂１９を用いることなく、キャパシタ部品１３を基板本体５１に固定することができる。なお、基板６０は、第２の実施の形態の基板５０と同様な効果を得ることができる。また、切欠き部６１に樹脂１９を設けてもよい。
【００８５】
本実施の形態の基板５０は、第１の実施の形態の基板１０と同様な手法により製造することができ、第１の実施の形態の基板１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。また、本実施の形態の変形例の基板６０は、第１の実施の形態の基板１０の製造工程から樹脂１９を設ける工程を除いた製造方法により製造することができる。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、基板本体に固定された電子部品の位置精度を向上でき、薄型化を図ることのできる基板及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】電子部品を内蔵した従来の基板の断面図である。
【図２】図１に示した基板の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る基板の断面図である。
【図４】図３に示した基板の平面図である。
【図５】基板本体の断面図である。
【図６】図５に示した基板本体の平面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例に係る基板の平面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図９】図８に示す工程における構造体の平面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態の基板の断面図である。
【図１４】図１３に示した基板の平面図である。
【図１５】基板本体の断面図である。
【図１６】図１５に示した基板本体の平面図である。
【図１７】第２の実施の形態の変形例に係る基板の平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０，４０，５０，６０  基板
１１，５１  基板本体
１１Ａ  上面
１１Ｂ  下面
１２  接続ピン
１３  キャパシタ部品
１３Ａ〜１３Ｄ  角部
１５  半導体チップ
１６Ａ  電源用端子
１６Ｂ  グラウンド用端子
１６Ｃ  信号用端子
１７  外部接続端子
１８  回路基板
１９  樹脂
２１  凹部
２１Ａ，４１Ａ，５２Ａ，６１Ａ  側面
２１Ｂ  底面
２２，４１，５４，６１  切欠き部
２３，２６  開口部
２５，５３  貫通孔
３０  キャパシタ本体
３１Ａ，３１Ｂ，３２  端子
３３  貫通電極
５２  貫通部
Ｄ１，Ｄ２  深さ
Ｍ１〜Ｍ３  厚さ
Ｒ１〜Ｒ４  直径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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