(57)【要約】【課題】プラズマリアクターによるプラズマガス処理装置において、処理対象物質の処理能力を保ちながら消費電力の低減を図ることができる様にする。【解決手段】プラズマガス処理装置は、装置内に被処理ガスを吸い込み、排出するための送風手段１０５と、被処理ガス中の対象物質を分解処理するためのプラズマリアクター１０１と、プラズマリアクターに電力を供給するための電力供給手段と、プラズマリアクターにより処理された後のガス中の物質の濃度を検出するためのガス濃度検出手段を有する。ガス濃度検出手段は、ガス中の異なる複数種類の物質のガス濃度を検出するガス濃度センサー１０２、１０３を有する。電力供給手段は、異なるガス濃度センサーの夫々の出力を用いて、プラズマリアクター１０１に供給する電力を制御する。【選択図】図１
2007275789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置内に被処理ガスを吸い込み、排出するための送風手段と、
被処理ガス中の対象物質を分解処理するためのプラズマリアクターと、
前記プラズマリアクターに電力を供給するための電力供給手段と、
前記プラズマリアクターにより処理された後のガス中の物質の濃度を検出するためのガス濃度検出手段と、
を有し、
前記ガス濃度検出手段が、ガス中の異なる複数種類の物質のガス濃度を検出するガス濃度センサーを有し、異なるガス濃度センサーの夫々の出力を用いて、前記プラズマリアクターに供給する電力を前記電力供給手段により制御することを特徴とするプラズマガス処理装置。
【請求項２】
前記ガス濃度検出手段は、前記プラズマリアクターにより処理された後の分解対象物質のガス濃度を検出する第１のガス濃度センサーと、
前記プラズマリアクターの分解処理により２次的に生成される２次生成物質のガス濃度を検出する第２のガス濃度センサーと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマガス処理装置。
【請求項３】
前記プラズマリアクターの分解処理により２次的に生成される２次生成物質を処理するために分解、吸着するフィルターを有することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマガス処理装置。
【請求項４】
前記フィルターによる処理後の２次生成物質のガス濃度を検出する第３のガス濃度センサーを有し、前記ガス濃度検出手段の出力と前記第３のガス濃度センサーの出力とを用いて、前記プラズマリアクターに供給する電力を前記電力供給手段により制御することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記電力供給手段は、前記プラズマリアクターに供給する電圧のみを制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマガス処理装置。
【請求項６】
前記ガス濃度検出手段の出力を用いて、前記送風手段である送風ファンの回転数を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性有機化合物（以下、ＶＯＣ「Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」と言う。）を含むガスなどを、大気圧プラズマ分解方式などで無害化するための分解処理装置であるプラズマガス処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＶＯＣは、有機溶剤から発生するトルエン、キシレン、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の有害化学物質である。近年、環境、人体への負荷物質であるＶＯＣの低減が社会的にも求められ、ＶＯＣの無害化技術が広く検討されている。そして、無害化技術の一つとして放電利用型のＶＯＣ無害化技術がある。
【０００３】
放電利用型は、大気圧下で放電を発生させ、その放電によりＶＯＣを処理するもので、放電方式によって、無声放電方式、沿面放電方式、パルスコロナ放電方式、誘電体充填方式等に分類される。代表的な放電利用型の処理装置として、対向する電極間に誘電体を配置し、電極間（高圧電極、接地電極間）に高電圧を印加して放電を発生させ、放電のプラズマエネルギーにより分解処理を実現する装置がある。この分解処理装置の電極と誘電体などからなる分解処理部（以下「プラズマリアクター」と言う。）は、供給する電力量が多いほど、高い分解処理率を実現できる。
【０００４】
一方、プラズマリアクターに供給する電力が大きいため、処理能力を保ちながら効率の良い電力制御を行うことが求められている。従来、プラズマリアクターへの供給電力の制御方法としては、以下の方法が提案されている。
【０００５】
（１）処理能力と供給電力の関係を基に、処理対象となるガス濃度から供給電力を制御する方式が提案されている。例えば、内燃機関の排気浄化装置において、内燃機関の運転状況を検知して、発生する有害ガス濃度を類推し、プラズマ発生装置への供給電力を制御するものがある（特許文献１参照）。
【０００６】
（２）プラズマリアクターの排気下流にセンサーを配置して、浄化能力を判断して供給電力制御を行うものがある（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−１２９９４９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４６９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来例（１）では、温度、湿度、プラズマリアクターの劣化などにより放電状態が変わるため、処理後のガス濃度を精度良く保つには、電力制御のために放電状態の検出部が必要であり、かつ精度の良いものが必要である。
【０００８】
また、上記従来例（２）では、分解処理能力を精度良く保つ事が可能であるが、２次生成物質の発生については考慮されていないため、条件により、分解処理を優先することで２次生成物質のガス濃度が上がってしまう事がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題に鑑み、本発明のプラズマガス処理装置は、装置内に被処理ガス（空気など）を吸い込み、排出するための送風ファンなどの送風手段と、被処理ガス中の対象物質を分解処理するためのプラズマリアクターと、プラズマリアクターに電力を供給するための電力供給手段と、プラズマリアクターにより処理された後のガス中の物質の濃度を検出するためのガス濃度検出手段を有する。そして、ガス濃度検出手段は、ガス中の異なる複数種類の物質（典型的には、少なくとも一種の対象物質と少なくとも一種の２次生成物質を含む）のガス濃度を検出するガス濃度センサーを有する。更に、異なるガス濃度センサーの夫々の出力を用いて、プラズマリアクターに供給する電力を電力供給手段（後述の実施例における高圧電源部、マイコンなど）により制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置によれば、プラズマリアクターによる分解処理後のガス中の物質の濃度を検出してプラズマリアクターに供給する電力を最適ないし好適に制御することにより、処理能力を保ちながら消費電力の低減を図ることができる。
【００１１】
また、プラズマリアクターの分解処理により２次的に生成される２次生成物質を処理するために分解、吸着するフィルター、及びフィルターによる処理後の２次生成物質のガス濃度を検出するガス濃度センサーを含む構成も可能である。この場合には、これの出力を用いて、プラズマリアクターに供給する電力を最小限ないし好適に抑えることで、２次生成物質の発生量を低減し、フィルターの長寿命化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を説明する。一実施形態のプラズマガス処理装置は、装置内に被処理ガスを吸い込み、排出するための送風ファンと、被処理ガス中の対象物質を分解処理するためのプラズマリアクターと、プラズマリアクターに電力を供給するための電力供給手段と、プラズマリアクターにより処理された後のガス中の物質の濃度を検出するためのガス濃度検出手段を有する。ガス濃度検出手段は、ガス中の少なくとも一種の対象物質と少なくとも一種の２次生成物質のガス濃度を検出するガス濃度センサーを有する。勿論、ガス濃度検出手段が、ガス中の複数種の処理対象物質のガス濃度を検出するガス濃度センサーを有する形態も可能である。
【００１３】
電力供給手段は、異なるガス濃度センサーの夫々の出力を用いて、プラズマリアクターに供給する電力を制御する。
【００１４】
本実施形態のガス濃度検出手段は、上記動作を実現するために、プラズマリアクターにより処理された後の分解対象物質のガス濃度を検出するガス濃度センサー１と、プラズマリアクターの分解処理により２次的に生成される２次生成物質のガス濃度を検出するガス濃度センサー２とを含む。プラズマリアクターの分解処理により２次的に生成される２次生成物質を処理するために分解、吸着するフィルターを備えてもよい。
【００１５】
前記電力供給手段は、例えば、プラズマリアクターに供給する電圧のみを制御する。また、前記フィルターによる処理後の２次生成物質のガス濃度を検出するガス濃度センサー３を備えてもよく、このガス濃度センサー３の出力と前記ガス濃度検出手段の出力とを用いて、プラズマリアクターに供給する電力を電力供給手段により制御する様にしてもよい。更に、前記ガス濃度検出手段の出力を用いて、前記送風ファンの回転数を制御する様にしてもよい。
【実施例】
【００１６】
以下に、図面を用いて具体的な実施例を説明する。
【００１７】
（第１実施例）
図１は、本発明の第１実施例のプラズマ処理装置の概略構成を示すブロック図（断面図）である。図１に示すプラズマ処理装置では、矢印１０６の方向から処理対象物質を含むガス（空気など）をプラズマ処理装置に吸い込み、装置内で処理対象物質を分解処理した空気を矢印１０７の方向に排出する。
【００１８】
図１において、１０１のプラズマリアクターは、第１実施例のプラズマ処理装置では誘電体充填方式のプラズマリアクターであり、印加電極、接地電極が対向して配置され、対向した電極間に誘電体が配置される様に構成される。対向した電極間に高電圧を印加することでプラズマを発生させ、プラズマ放電によりホルムアルデヒドやＶＯＣなどを分解処理する。
【００１９】
１０２のセンサー１は、プラズマリアクター１０１の後（ガス流の下流側）に配置され、プラズマリアクター１０１を通過することにより分解処理された後のガス中の処理対象物質のガス濃度を測定するためのガス濃度センサーである。センサー１（１０２）の濃度出力電圧は物質のガス濃度が高い程、比例して高い電圧値を出力する。
【００２０】
センサー１（１０２）は、プラズマ処理装置の処理対象とする物質のガス濃度を測定するセンサーであり、例えば、ホルムアルデヒド、トルエン、キシレンなどの濃度を測定する。また、Ｔ（total）−ＶＯＣ測定センサーなど、複数物質をトルエンなどに換算した濃度を検出するガス濃度センサーでもよい。
【００２１】
１０３のセンサー２は、プラズマリアクター１０１でガス中の処理対象物質の分解処理を行った時に発生する２次生成物質のガス濃度を測定するガス濃度センサーである。第１実施例のプラズマ処理装置では、ＮＯ２の濃度を測定するガス濃度センサーであるが、２次生成物質としては複数の物質が発生するので、必要な対象物質のガス濃度センサーを適宜備えてよい。センサー２（１０３）の濃度出力電圧も、ガス濃度が高い程、比例して高い電圧値を出力する。
【００２２】
１０４のフィルター部は、マンガン触媒、活性炭フィルターで構成され、マンガン触媒によりオゾン（プラズマリアクター１０１部で発生する）を分解し、活性炭フィルターでＮＯ２を吸着することで、プラズマ処理装置外部に２次生成物質を排出することを抑制する。
【００２３】
１０５の送風手段である送風ファンは、シロッコファンをモーターにより回転させてプラズマ処理装置前部（矢印１０６方向）から空気（処理対象物質を含むガス）を内部に吸い込み、矢印１０７方向へ排出する。送風ファン１０５は、モーターの回転数制御により風量を調整する。第１実施例では、シロッコファンを使用しているが、プラズマ処理装置の形状に合わせたファンを使用することができ、クロスフローファンや軸流ファンを用いても同様な動作を行うことができる。
【００２４】
図２は、プラズマリアクター１０１の詳細説明図である。図２において、２０１は接地側電極であり、例えば、誘電体２０２が被覆された構成であり、接地側電極２０１は複数電極で構成される。金属電極２０１は、外径１ｍｍ〜２ｍｍ程度が良く、材質としてはステンレス、銅、真鍮、アルミニウム、鉄、タングステン等を用いる。
【００２５】
また、金属電極２０１を覆う誘電体２０２は、比誘電率の高いセラミックスが良く、例えば、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、チタン酸バリウム等の誘電物質を用いる。誘電体２０２の膜厚は、印加する電圧により絶縁破壊を起こさない膜厚を適宜選択すればよいが、放電開始電圧を抑制するために１００μｍ〜５００μｍ程度で選択する。金属電極の被覆方法としては、チューブ状のセラミックス内に金属電極２０１を挿入する方法や、金属電極２０１にセラミックスコーティングを施す方法等を用いることができる。
【００２６】
同様に、金属電極２０６も接地側電極であり、誘電体に被覆された構成をとり、複数電極で構成される。更に、金属電極２０４は、高圧印加側電極であり、接地側電極２０１、２０６と同様な構成をとる。
【００２７】
２０３、２０５は誘電体であり、基本構造は多孔質形状の誘電体基材からなる。具体的には、ハニカム形状セラミックス、セラミックス粒子焼結体等の誘電体基材が使われる。誘電体基材は、当該誘電体基材よりも比誘電率の高い強誘電膜で覆うことで、より低い印加電圧でプラズマの発生が可能となり、誘電体の発熱も抑えることができる。誘電体基材の材料としては、比誘電率が５０以下であるアルミナや酸化ジルコニウムを使用し、強誘電体材料としては、比誘電率が１０００以上であるチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムなどを使用する。
【００２８】
更に、処理効率を向上させるために強誘電膜の表面に処理対象物質を吸着、保持可能な吸着剤（ゼオライトやγ−アルミナ）、更には処理反応を促進する触媒（例えば、白金、パラジウム、ロジウム、銀などの貴金属、ニッケル、二酸化マンガン）を被覆することもできる。
【００２９】
２０７は、高圧印加端子を模式的に表したものであり、同様に２０８は、接地端子を模式的に表したものである。高圧印加端子２０７に電圧が印加されると、高圧側電極２０４と接地側電極２０１、２０６間の電位差により誘電体２０３、２０５の表面上及び孔内に放電が発生し、大気圧下（例えば常圧下）でプラズマが生起される。この時、被処理ガスが矢印２０９の方向からプラズマリアクターに流れ込むことで、分解処理が行われ処理後のガスは矢印２１０へ流れる。
【００３０】
図３は、第１実施例のプラズマ処理装置における制御部の概略ブロック図である。図３において、３０１は、ワンチップマイコンであり、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力ポート、タイマーなどを内蔵し、ＲＯＭ内に格納されているプログラムに基づいてＣＰＵにより各種制御を行う。
【００３１】
ワンチップマイコン３０１には、Ａ／Ｄ変換器３０２、Ｄ／Ａ変換器３０４、モーター部３０３、ＫＥＹ３０５、ＬＥＤ３０６が接続されている。Ａ／Ｄ変換器３０２には、センサー１（１０２）、センサー２（１０３）が接続されている。そして、Ａ／Ｄ変換器３０２は、各センサーが検出する対象物質のガス濃度に対応した出力電圧をＡ／Ｄ変換し、デジタルデータに変換された値はワンチップマイコン３０１によって読み出されて制御に使用される。
【００３２】
Ｄ／Ａ変換器３０４は、ワンチップマイコン３０１から出力されるデジタル信号をアナログ電圧に変換し出力する。Ｄ／Ａ変換器３０４には、モーター部３０３、高圧電源部３０７が接続されており、モーター部３０３は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力された電圧値に対応した速度でモーターを駆動する。同様に、高圧電源部３０７は、Ｄ／Ａ変換器３０４によって出力された電圧値に対応した電圧をプラズマリアクター部１０１の高圧電極に印加する。
【００３３】
ＫＥＹ３０５は、複数のＫＥＹスイッチから構成され、ワンチップマイコン３０１は、操作（押下）されたＫＥＹの種類を判別し、対応した処理（風量変更、電源ＯＦＦなど）を行う。ＬＥＤ３０６は、複数のＬＥＤで構成され、プラズマ処理装置の動作状態（風量など）を、対応したＬＥＤを点灯させることで、操作者に報知する。
【００３４】
本実施例のモーター部３０３はＤＣモーターであり、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧値に基づいて回転数が制御される。第１実施例のプラズマ処理装置では、モーターにシロッコファンが接続されており、回転数に比例した風量が装置内を通過する。また、モーター部３０３は、モーターの回転数に対応したパルス信号をワンチップマイコン３０１へ出力し、ワンチップマイコン３０１は、このパルス信号からモーター異常や回転数を判断する。
【００３５】
高圧電源部３０７は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧値に基づきプラズマリアクター１０１に指定された値（ピーク値）の交流電圧を印加し、電圧フィードバック動作により安定した電圧印加を行う。第１実施例では、一定周期の交流電圧をプラズマリアクター１０１に印加することでプラズマリアクター１０１に供給する電力を制御する。また、高圧電源部は、プラズマリアクターの構成、制御方法に合わせて、交流電圧だけでなく直流電圧、直流パルス電圧などを印加する電源装置でもよい。
【００３６】
次に、第１実施例のプラズマ処理装置の制御動作について、ワンチップマイコン３０１の処理の流れを示す図４、図５のフローチャートを用いて説明する。
【００３７】
ワンチップマイコン３０１は、ステップＳ４０１から処理を開始し、ステップＳ４０２で、各ポートの設定、Ａ／Ｄ変換器３０２、Ｄ／Ａ変換器３０４等の初期設定を行う。また、内蔵ＲＡＭに、高圧電源部３０７が出力する高電圧の出力値を指示する変数ＨＶや、モーター部３０３のモーターの回転速度を指示する変数Ｖｍなどの初期値を格納する。
【００３８】
次に、ステップＳ４０３では、ＫＥＹ３０５の入力があったかを判断し、ＫＥＹの入力が検出された場合は、図５のステップＳ５０１に処理を移行する。ステップＳ４０３でＫＥＹの入力が検出されなかった場合には、ステップＳ４０４に移行する。
【００３９】
ステップＳ４０４では、本処理装置が運転中か否かを判断し、動作していない場合にはステップＳ４０３に処理を戻しＫＥＹ入力を検出する。ステップＳ４０４で運転中であると判断された場合には、ステップＳ４０５に処理を移し、ステップＳ４０５では、センサー２の出力を検出する。
【００４０】
ここで、ステップＳ４０５からの処理の概要を説明する。第１実施例のプラズマリアクター１０１では、供給される電力に比例してＶＯＣの分解処理率は高くなるが、他方、供給される電力に比例して２次生成物質（ＮＯ２）の発生量が増加する。そこで、プラズマ処理装置外部に排出される２次生成物質（ＮＯ２）を抑制するために、フィルター部１０４により吸着処理を行うが、吸着処理では一定量以上の吸着が行えず且つ一定期間使用後にフィルター部１０４の交換が必要となる。そのため、２次生成物質の発生量を抑えることでフィルターの長寿命化を実現する。
【００４１】
以下の制御では説明していないが、具体的には第１実施例では、装置の使用時間からフィルター部１０４の寿命を類推し、それに基づいてＬＥＤ３０６などでフィルター交換を報知し、装置の分解処理動作をフィルター部１０４が交換されるまで停止する。また、プラズマリアクター１０１の電極間に印加する交流電圧値が高いほどプラズマリアクター１０１に供給される電力は多くなるが、印加電圧制御では、温湿度や風量の違い、誘電体２０３、２０５の劣化などにより実際に供給される電力が異なってしまう。そこで、センサー１の出力により対象物質のガス濃度を測定してフィードバック制御を行う事で、分解処理後のガス濃度を一定範囲に保つ制御を行う。
【００４２】
ステップＳ４０５の説明に戻って、ステップＳ４０５では、センサー２の出力電圧を検出する。検出においては、測定誤差を減らすために数回サンプリングした後に、平均値を検出値Ｖｓ２としてワンチップマイコン３０１のＲＡＭに格納する。
【００４３】
次のステップＳ４０６では、ステップＳ４０５で格納したＶｓ２の値が、一定値Ｖｔｈ２より小さいか否かの判断を行う。Ｖｓ２の値がＶｔｈ２より大きい場合には、２次生成物質のガス濃度が高いため、プラズマリアクター１０１に供給する電力を抑える処理を行う様にステップＳ４１３へ移行する。
【００４４】
ステップＳ４１３では、高圧電源部３０７への印加電圧指示信号ＨＶを下げるために、ワンチップマイコン３０１内に格納されているＨＶの値から予め定めた一定値ａを減算し、処理をステップＳ４１０に移行する。ステップＳ４１０では、ワンチップマイコン３０１のＲＡＭに格納されたＨＶの値を出力する様にＤ／Ａ変換器３０４に信号を出力する。Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧が変化すると、高圧電源部３０７は、出力電圧値に対応した交流電圧をプラズマリアクター１０１に印加する。
【００４５】
一方、ステップＳ４０６でＶｓの値がＶｔｈ２以下である場合には、２次生成物質の濃度が低くフィルター部１０４で吸着処理が可能であるので印加電圧を制御する必要がないため、何もせずに処理をステップＳ４０７に移行する。
【００４６】
ステップＳ４０７では、センサー１の出力電圧を検出する。ステップＳ４０５の処理と同様に数回サンプリングした後に、平均値を検出値Ｖｓ１としてワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納する。ここで、センサー１の出力電圧は、処理対象物質（例えば、ホルムアルデヒド、トルエン、キシレンなど）の濃度に比例して濃度が高いほど高い電圧を出力する。
【００４７】
次のステップＳ４０８では、ステップＳ４０７で格納したＶｓ１の値が、予め設定した値Ｖｔｈ１ｍｉｎより小さいか否かの判断を行う。Ｖｓ１の値がＶｔｈ１ｍｉｎより小さい場合には、プラズマ処理装置に流れ込むガスにおける処理対象物質の濃度が低いか、プラズマリアクター１０１に供給している電力が過剰であるので、ステップＳ４０９に移行する。
【００４８】
ステップＳ４０９では、ワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納されているＨＶの値から予め定めた値ｂを減算してＲＡＭに格納し、処理をステップＳ４１０に移行する。ステップＳ４０８でＶｓ１の値がＶｔｈ１ｍｉｎ以上である場合には、処理をステップＳ４１１に移行する。ステップＳ４１１では、ステップＳ４０７で格納したＶｓ１の値が予め設定した値Ｖｔｈ１ｍａｘより大きいかの判断を行う。
【００４９】
Ｖｓ１の値がＶｔｈ１ｍａｘより大きい場合には、プラズマリアクター１０１での対象物質の分解処理率が低いので、プラズマリアクター１０１に供給する電力を増加させるためにステップＳ４１２に移行する。ステップＳ４１２では、ワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納されているＨＶの値から予め定めた値ｂを加算してＲＡＭに格納し、処理をステップＳ４１０へ移行する。
【００５０】
ステップＳ４１１でＶｓ１の値がＶｔｈ１ｍａｘ以下である場合には、処理対象物質の濃度が十分に低いので、プラズマリアクター１０１に供給する電力が最適であると判断し、何もせずに処理をステップＳ４１０へ移行する。
【００５１】
この時、比較値Ｖｔｈ１ｍａｘとＶｔｈ１ｍｉｎの値は次式の関係にある。
Ｖｔｈ１ｍａｘ  ＞  Ｖｔｈ１ｍｉｎ
【００５２】
ステップＳ４１０では、前述した処理により、ワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納された値ＨＶに従ってプラズマリアクター１０１に印加する電圧を制御し、処理をステップＳ４０３に戻す。以降、ステップＳ４０３からの処理を繰り返すことにより、プラズマリアクター１０１に供給する電力を電圧制御により最適に制御することが可能となる。
【００５３】
特に、ステップＳ４０５〜Ｓ４１３の処理によって、プラズマリアクター１０１に過剰な電力を供給しない事で、２次生成物質（ＮＯ２など）の発生量を抑制し、かつ、処理対象物質の処理後のガス濃度を一定範囲に保つことができる。
【００５４】
次に、ステップＳ４０３においてＫＥＹの入力が検出された場合には、図５のステップＳ５０１に移行し、運転開始を指示するＫＥＹの入力があったかを判断する。運転開始を指示するＫＥＹの入力があった場合には、ステップＳ５０２で、ワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納されたＶｍの値を出力する様にＤ／Ａ変換器３０４に信号を出力する。モーター部３０３は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧値に従って、モーターを駆動し、プラズマリアクター１０１に空気を送り込む。
【００５５】
次のステップＳ５０３では、高圧電源部３０７にＲＡＭに格納されたＨＶの値を出力する様にＤ／Ａ変換器３０４に信号を出力する。高圧電源部３０７は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧に従い、対応した高電圧をプラズマリアクター１０１に印加し、処理をステップＳ４０３に移行する。
【００５６】
前述したステップＳ５０２、Ｓ５０３の動作によりガス中の処理対象物質の分解処理を開始する。
【００５７】
また、ステップＳ５０１で、運転開始を指示するＫＥＹの入力が無かった場合には、ステップＳ５０４に移行し、運転停止を指示するＫＥＹの入力があったかを判断する。運転停止を指示するＫＥＹの入力があった場合には、処理をステップＳ５０５に移行し、Ｄ／Ａ変換器３０４からモーター部３０３への出力電圧を０にすることでモーターの動作を停止する。次のステップＳ５０６では、同様にＤ／Ａ変換器３０４から高圧電源部３０７への出力電圧を０にすることで高圧電源の出力を停止する。
【００５８】
ステップＳ５０５、Ｓ５０６の処理で本プラズマ処理装置の処理を停止し、処理をステップＳ４０３に戻す。
【００５９】
ステップＳ５０４で、運転停止を指示するＫＥＹの入力が無かった場合には、ステップＳ５０７に移行する。ステップＳ５０７では風量変更を指示するＫＥＹか否かを判断し、風量変更を指示するＫＥＹの入力があった場合には、処理をステップＳ５０８に移行し、指示された風量を実現するために、Ｖｍの値を変更する。次のステップＳ５０９では、ワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納されたＶｍの値を出力する様にＤ／Ａ変換器３０４に信号を出力する。モーター部３０３は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧値に従って、モーターの回転速度を制御し、本実施例のプラズマ処理装置の処理風量が変更される。
【００６０】
ステップＳ５０７で風量変更を指示するＫＥＹの入力が無かった場合には、処理をステップＳ５１０に移行する。ステップＳ５１０では、押下されたＫＥＹの種類に対応した処理（例えば、切タイマー設定や静音動作など）を実行し、処理をステップＳ４０３に戻す。
【００６１】
以上述べた処理により、第１実施例のプラズマ処理装置では、センサー１、２の出力を用いて、プラズマリアクター１０１へ供給する電力を最適に制御することで、安定した分解処理と低消費電力化、フィルターの長寿命化を実現する。
【００６２】
（第２実施例）
第１実施例では、プラズマリアクター１０１による分解処理後の処理対象物質と２次生成物質のガス濃度を検出し、それに基づいてプラズマリアクターに印加する電圧を制御する様に構成している。
【００６３】
これに対して、第２実施例では、フィルター部１０４通過後の２次生成物質のガス濃度も検出し、プラズマリアクター１０１に印加する電圧を制御する様に構成する。
【００６４】
第２実施例では、第１実施例のプラズマ処理装置の概略構成を示すブロック図である図１を図６に置き換え、プラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである図４を図７に置き換えることで、上記制御を実現する。
【００６５】
図６の概略構成を示すブロック図について説明する。図６において、１０１〜１０５は、図１の構成と同様であり、フィルター部１０４の後（ガス流の下流側）に６０１のセンサー３を追加して配置している。
【００６６】
センサー３（６０１）は、センサー２（１０３）と同種類のガス濃度センサーであり、フィルター部１０４で吸着処理後の２次生成物質のガス濃度を検出する。センサー３の濃度出力電圧は、ガス濃度が高い程、比例して高い電圧値を出力する。第２実施例のプラズマ処理装置では、センサー３（６０１）は、センサー２（１０３）と同様にＮＯ２の濃度を測定するガス濃度センサーである。
【００６７】
次に、ワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである図７について説明する。図７において、ステップＳ７０１〜７０６では、図４のステップＳ４０１〜Ｓ４０６の処理と同じ処理を行う。
【００６８】
次のステップＳ７０７の処理では、センサー３の出力電圧を検出する。検出においては、測定誤差を減らすために数回サンプリングした後に、平均値を検出値Ｖｓ３としてワンチップマイコン３０１内のＲＡＭに格納する。次のステップＳ７０８では、ステップＳ７０７で格納したＶｓ３の値が、一定値Ｖｔｈ３ｍａｘ以上であるかの判断を行う。Ｖｓ３の値がＶｔｈ３ｍａｘ以上である場合には、プラズマリアクター１０１で発生する２次生成物質のガス濃度が高くフィルター部１０４で吸着処理しきれていないか、フィルター部の吸着能力低下のために２次生成物質のガス濃度が上がっている事が考えられる。
【００６９】
そのため、Ｖｓ３の値がＶｔｈ３ｍａｘ以上である場合には、次のステップＳ７０９において、センサー２の比較値であるＶｔｈ２の値を一定値ｃで減算する。Ｖｔｈ２の値を下げることで、ステップＳ７０６、Ｓ７１８、Ｓ７１５の処理によりプラズマリアクター１０１へ印加する電圧を下げて、生成される２次生成物質の発生量を抑制する。
【００７０】
ステップＳ７０８において、Ｖｓ３の値がＶｔｈ３ｍａｘより小さい場合には、ステップＳ７１０に移行し、Ｖｓ３の値が比較値Ｖｔｈ３ｍｉｎ以下であるかを判断する。Ｖｓ３の値が比較値Ｖｔｈ３ｍｉｎ以下である場合には、プラズマリアクター１０１で発生する２次生成物質のガス濃度が十分に低いので、ステップＳ７０９により変更したＶｔｈ２の値を初期値に戻し、処理をステップＳ７１２に移す。
【００７１】
ステップＳ７１０でＶｓ３の値がＶｔｈ３ｍｉｎより大きい場合には、２次生成物質のガス濃度に対して最適な制御が行われている状態なので、何もせずに処理をステップＳ７１２に移す。この時、比較値Ｖｔｈ３ｍａｘとＶｔｈ３ｍｉｎの値は次式の関係にある。
Ｖｔｈ３ｍａｘ  ＞  Ｖｔｈ３ｍｉｎ
【００７２】
次のステップＳ７１２〜Ｓ７１８の処理は、図４のステップＳ４０７〜Ｓ４１３と同じ処理を行う。
【００７３】
第２実施例では、以上述べた処理により、プラズマ処理装置外部へ排気される２次生成物質のガス濃度を低く抑え、またフィルターの長寿命化を図ることができる。
【００７４】
（第３実施例）
第１実施例では、プラズマリアクター１０１による分解処理後の処理対象物質と２次生成物質のガス濃度を検出し、プラズマリアクターに印加する電圧を制御する様に構成していた。これに対して、第３実施例では、処理対象物質の処理後の２次生成物質のガス濃度が十分低い場合に、送風ファンの風量を下げることにより分解処理効率を上げる様に構成している。
【００７５】
第３実施例では、第１実施例のプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである図４を図８に置き換えることで、上記制御を実現する。構成は、第１実施例の図１と同じ構成である。
【００７６】
以下にワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである図８について説明する。図８において、ステップＳ８０１〜Ｓ８０６では、図４のステップＳ４０１〜Ｓ４０６の処理と同じ処理を行う。
【００７７】
次のステップＳ８０７では、ステップＳ８０５で格納したＶｓ２の値が、一定値Ｖｔｈ２ｍｉｎ以下であるかの判断を行う。Ｖｓ２の値がＶｔｈ２ｍｉｎ以下である場合には、処理後の２次生成物質のガス濃度が十分低い場合であるので風量を下げるためステップＳ８０８に移行する。ステップＳ８０８では、現在のＶｍ値から予め決められた値ｄを減算し、その結果をＲＡＭに格納する。次のステップＳ８０９では、ＲＡＭに格納されたＶｍの値を出力する様にＤ／Ａ変換器３０４に信号を出力する。モーター部３０３は、Ｄ／Ａ変換器３０４から出力される電圧値に従って、モーターの回転速度を制御し風量を変更する。ステップＳ８０８、Ｓ８０９の処理によりＶｍの値を下げることで風量を低下させる。
【００７８】
ここで、風量が低い方がプラズマリアクター１０１の分解処理効率が上がるので、ステップＳ８１２、Ｓ８１３の処理により印加電圧を下げる制御が働き、結果として消費電力の低減が図られる。
【００７９】
次のステップＳ８１０では、風量変更によってガス濃度が変化するので、ガス濃度が安定するまで一定時間処理を止めて、その後処理をステップＳ８１１に移す。
【００８０】
ステップＳ８０７においてＶｓ２の値がＶｔｈ２ｍｉｎ以上である場合には、分解処理効率を上げるのは適当ではないので、何もしないでステップＳ８１１に移る。これは、風量を下げることで処理効率は上がるが、２次生成物質の発生量が増加してしまうので、風量を下げることが出来ないためである。
【００８１】
次のステップＳ８１１〜Ｓ８１７では、第１実施例の図４のステップＳ４０７〜Ｓ４１３の処理と同じ処理を行う。
【００８２】
第３実施例では、以上述べた処理により、風量を最適に制御して処理対象物質の分解処理効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】第１実施例のプラズマガス処理装置の概略構成を示すブロック図（断面図）である。
【図２】第１実施例のプラズマリアクター１０１の詳細を説明する斜視図である。
【図３】第１実施例のプラズマ処理装置における制御部の概略を示すブロック図である。
【図４】第１実施例のワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである。
【図５】第１実施例のワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置のＫＥＹ操作に対する処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】第２実施例のプラズマガス処理装置の概略構成を示すブロック図（断面図）である。
【図７】第２実施例のワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである。
【図８】第３実施例のワンチップマイコン３０１によるプラズマ処理装置の制御の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８４】
１０１  プラズマリアクター
１０２  ガス濃度センサー（ガス濃度検出手段、センサー１）
１０３  ガス濃度センサー（ガス濃度検出手段、センサー２）
１０４  フィルター（フィルター部）
１０５  送風手段（送風ファン）
３０１  ワンチップマイコン（電力供給手段などを含む）
３０３  モーター部
３０７  電力供給手段（高圧電源部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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