(57)【要約】【課題】  その製造工程において金属箔上に形成された、当該金属箔に石英ガラス中に存在するアルカリイオンが拡散することを抑制する障壁機能を有する被覆膜に気密シール部を形成する工程において飛散が生じることがなく、気密シール部における気密の耐久性が高くて長い使用寿命が得られる放電ランプを提供すること。【解決手段】  放電ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が配置された発光管部と、当該発光管部の端部に設けられた封止部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の封止部に電気導入体を形成するモリブデンからなる金属箔が埋設されてなる放電ランプにおいて、前記金属箔の少なくとも一面に、特定の希土類金属モリブデン酸化物よりなる被覆膜が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2007012508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が配置された発光管部と、当該発光管部の端部に設けられた封止部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の封止部に電気導入体を形成するモリブデンからなる金属箔が埋設されてなる放電ランプにおいて、
前記金属箔の少なくとも一面に、下記一般式（１）で表される酸化物または下記一般式（２）で表される酸化物よりなる被覆膜が形成されていることを特徴とする放電ランプ。
【化１】
2007012508.tif 000007
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【化２】
2007012508.tif 000008
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【請求項２】
金属箔に形成された被覆膜における放電容器を構成する石英ガラスに密着した界面を含む表層部分に、下記一般式（３）で表されるシリケートよりなる層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放電ランプ。
【化３】
2007012508.tif 000009
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電容器の封止部にモリブデンからなる金属箔が埋設されてなる構成の放電ランプに関し、例えばプロジェクタの光源などとして用いられる、極めて高い水銀蒸気圧で動作する超高圧水銀ランプなどの放電ランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
投射型の液晶プロジェクタなどの光源ランプとして、例えば石英ガラスよりなる楕円球形の発光管部と、この発光管部の両端部に連設された封止部とを有する放電容器を備え、当該発光管部内に一対の電極が対向配置され、これらの電極に係る電極棒が、封止部内に埋設された電気導入体を形成するモリブデンよりなる金属箔（以下、単に「モリブデン箔」ともいう。）の一端に接続され、このモリブデン箔の他端には外部リード棒が接続されており、当該モリブデン箔の表面に封止部を形成する石英ガラスが溶融密着していることにより気密シール部が形成されてなる放電ランプが用いられている。
【０００３】
近年、液晶プロジェクタなどの光源ランプとして用いられる放電ランプとしては、その立体角当たりの光出力を大きくするために、例えば発光管部内に０．１６ｍｇ／ｍｍ3 以上の水銀が封入され、動作時における内部圧力が１×１０7 Ｐａ以上の高圧となる超高圧水銀ランプが使用されている。このような超高圧水銀ランプには、通常、電極の損耗を低減するために２×１０-4〜７×１０-3μｍｏｌ／ｍｍ3 の量の臭素などのハロゲンが発光管部内に封入されている。
【０００４】
しかしながら、このような超高圧水銀ランプにおいては、その動作中において放電容器の発光管部の外表面温度が１０００℃にも達するため、それに伴って封止部が過熱状態となり、モリブデン箔が封止部を形成する石英ガラスから剥離した状態となる、いわゆる「箔浮き」が生じ、更に、当該封止部を形成する石英ガラスに、モリブデン箔との界面の箇所からクラックが生じて気密シール性が失われる、という問題があった。
【０００５】
このような放電容器の封止部にモリブデン箔が埋設されてなる構成の放電ランプにおいては、モリブデン箔が過熱されることによって酸化することを抑制すると共に、モリブデン箔と封止部を形成する石英ガラスとの密着性を向上するために、モリブデン箔の表面に被覆膜を形成してその耐酸化性と気密シール性とを大きくすることが提案されている。
具体的には、例えば被覆膜として、厚さ３〜２０μｍのシリカからなる膜を形成すること（特許文献１参照。）、シリカ６０〜７０質量％と、アルミナ３〜２０質量％と、酸化カリウム１２〜１８質量％とを含有する高珪酸ガラスよりなる膜を形成すること（特許文献２参照。）などが提案されているが、このような被覆膜の形成されたモリブデン箔を、発光管部内にハロゲンが封入され、動作時における内部圧力が極めて高圧となる放電ランプに用いた場合には、当該モリブデン箔に必要とされる封止部を形成するガラスに対する十分な密着性が得られず、更にモリブデン箔が酸化すること以外の要因によっても封止部のガラスにクラックが発生することなどからその使用寿命が極めて短いものとなるという問題があることが判明した。而して、被覆膜として、厚さ８０〜２５００μｍのシリカからなる膜を形成すること（特許文献３参照。）、ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）などの特定の金属からなる膜と、この膜上に当該特定の金属の酸化物からなる膜とが積層されてなる多層膜を形成すること（特許文献４参照。）、酸化チタンおよび酸化ランタンなどの単体酸化物または酸化ジルコニウムと酸化イットリウムとの複合酸化物からなる膜を形成すること（特許文献５参照。）などが提案されている。
【０００６】
ここに、特許文献３に係る放電ランプによれば、モリブデン箔に高い耐酸化性が得られると共に、クラックの発生の一因とされるランプ動作下においてモリブデン箔と封止部を形成するガラスとの界面がハロゲンによってアタックされることを防止することができることから、封止部におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、特許文献４および特許文献５にも示されているような放電ランプは、モリブデン箔に高い耐酸化性が得られると共に、封止部を形成するガラス中またはガラス表面よりアルカリイオンが移動してモリブデン箔の近傍に集積することに起因して生じるモリブデン箔のガラスからの剥離を防止することができる。
【０００７】
このような被覆膜の形成されたモリブデン箔を用いることにより、発光管部が小さく、かつ動作時における内部圧力が１．２×１０7 Ｐａ以上の高圧となる超高圧水銀ランプにおいても長い使用寿命を得ることができるが、これらの被覆膜がスパッタリング法、電子サイクロトン共鳴法（ＥＣＲ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相蒸着法あるいは物理的堆積法によって形成されるものであることから、この被覆膜の形成に係る製造コストが高くなる、また被覆膜に気密シール部を形成する工程において飛散が生じてしまう、という問題がある。
【０００８】
ここに、気密シール部を形成する工程において生じる被覆膜の飛散は、当該被覆膜自体の物性である沸点や蒸気圧に起因するものではなく、被覆膜のモリブデン箔に対する密着性が小さいことに起因するものであると推察される。すなわち、物理的堆積法によって形成された被覆膜はモリブデン箔と化学的に結合したものではなく、物理学的には分散力とも称されるファン・デア・ワールス力程度の小さな結合エネルギーによって結合されたものであってモリブデン箔に対する密着性は小さいものであると推察され、このファン・デア・ワールス力は一般的に薄膜と基板との間にも存在するものであってそのエネルギーは一般的に数ｋＪ／ｍｏｌ程度で物質の凝集エネルギーに比して１／１００程度と小さいものである（小谷正雄他著「化学物理Ｉ」、共立出版、昭和３３年、ｐ２０）。このことは、スパッタリング法によってスチール製の基板表面に耐摩耗性を向上させる目的で炭化チタン（ＴｉＣ）層を形成した場合には、酸素を積極的に導入して式：ＴｉＣX Ｏ1-X （式中、ｘは２以上の整数である。）で表される化合物よりなる層を形成した場合に比して基板との密着性が１／５に減少するという例によっても示唆されている（Ａ．Ｐａｎ  ａｎｄ  Ｊ．Ｅ．Ｇｒｅｅｎｅ；Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，９７（１９８２）７３−８９．）。
実際に、発明者らは、酸化マグネシウムのような沸点が３６００℃以上であるとされる化合物よりなる被覆膜をモリブデン箔上にスパッタリング法によって形成した場合であっても、気密シール部を形成する工程において被覆膜に飛散が生じることを経験している。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１１１２４０号公報
【特許文献２】特開昭６２−１４７６５０号公報
【特許文献３】特開２００２−３５８９３１号公報
【特許文献４】特開２００３−３１７６５９号公報
【特許文献５】特開２００３−８６１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、その製造工程において金属箔上に形成された、当該金属箔に石英ガラス中に存在するアルカリイオンが拡散することを抑制する障壁機能を有する被覆膜に気密シール部を形成する工程において飛散が生じることがなく、気密シール部における気密の耐久性が高くて長い使用寿命が得られる放電ランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の放電ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が配置された発光管部と、当該発光管部の端部に設けられた封止部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の封止部に電気導入体を形成するモリブデンからなる金属箔が埋設されてなる放電ランプにおいて、
前記金属箔の少なくとも一面に、下記一般式（１）で表される酸化物または下記一般式（２）で表される酸化物よりなる被覆膜が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
【化１】
2007012508.tif 000003
【００１３】
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【００１４】
【化２】
2007012508.tif 000004
【００１５】
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【００１６】
本発明の放電ランプにおいては、金属箔に形成された被覆膜における放電容器を構成する石英ガラスに密着した界面を含む表層部分に、下記一般式（３）で表されるシリケートよりなる層が形成されていることが好ましい。
【００１７】
【化３】
2007012508.tif 000005
【００１８】
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【発明の効果】
【００１９】
本発明の放電ランプによれば、気密シール部における電気導入体を形成するモリブデンよりなる金属箔の少なくとも一面が被覆膜により覆われていることから、金属箔が過熱によって酸化することを抑制することができると共に、被覆膜が、金属箔を構成するモリブデンと化学的に反応することによって生成された化合物である希土類金属モリブデン酸化物により形成されており、金属箔と化学的に結合されていることから、金属箔に対して高い密着性が得られるため、気密シール部を形成する工程において飛散が生じることがなく、また、この被覆膜が、封止部を形成する石英ガラスと化学的に結合することによって気密シール部を形成するものであることから、石英ガラスに対しても高い密着性が得られるため、気密シール部において高い気密性および気密状態の安定性が得られ、しかも、放電容器を構成する石英ガラス中の不純物として存在するアルカリ金属イオンなどのアルカリイオンが移動して金属箔近傍に集積した場合であっても、被覆膜の障壁機能の作用によってそのアルカリイオンが金属箔側の界面に拡散することが防止されるため、アルカリイオンの影響により金属箔が石英ガラスから剥離することがない。
従って、本発明の放電ランプによれば、その製造工程において金属箔上に形成された被覆膜に飛散が生じることがなく、また、発光管部の内部圧力が高い状態においても気密シール部に高い気密耐久性が得られ、長い使用寿命が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明に係る放電ランプの構成の一例を管軸に沿った断面で示す説明用断面図であり、図２は、図１における気密シール部を拡大して示す説明用断面図である。
【００２１】
この放電ランプ１０は、直流点灯型の放電ランプであって、楕円球形の発光管部１２と、この発光管部１２の両端部からそれぞれ外方に伸びるよう連設された封止部１３とを有する、石英ガラスよりなる放電容器１１を備えており、当該封止部１３内には、電気導入体を形成するモリブデンからなる金属箔（モリブデン箔）１４が気密に埋設されて気密シール部１５が形成されている。この放電容器１１においては、一方（図１において左方）のモリブデン箔１４の内端部にその基端が溶接によって電気的に接続されて管軸方向内方に突出して伸びる、例えばタングステンよりなる電極棒１６の先端に形成された陽極１８と、他方（図１において右方）のモリブデン箔１４の内端部にその基端が溶接によって電気的に接続されて管軸方向内方に突出して伸びる、例えばタングステンよりなる電極棒１６の先端に形成された陰極１７とが、発光管部１２に囲繞された内部空間内において互いに対向し、近接した状態とされている。
この図において、１９は、モリブデン箔１４の外端部に溶接によって電気的に接続され、その一部分が封止部１３内に延在する外部リード棒であり、この外部リード棒１９、モリブデン箔１４および陽極１８の形成された電極棒１６により陽極マウントが形成されており、また、外部リード棒１９、モリブデン箔１４および陰極１７の形成された電極棒１６により陰極マウントが形成されている。
【００２２】
以上における放電ランプ１０の寸法例を挙げると、発光管部１２の最大外径が９〜１３ｍｍ、発光管部１２の最大内径が４．０〜５．０ｍｍ、電極間距離が０．９〜１．３ｍｍ、放電容器１１の内部空間の全長（管軸方向の長さ）が９．０〜１１．０ｍｍ、封止部１３の長さが１６〜５０ｍｍ、封止部１３の外径が５．０〜７．４ｍｍ、内部空間の容積が５０〜１００ｍｍ3 である。
【００２３】
また、電極棒１６は、例えばその最大外径は０．４〜１．０ｍｍ、好ましくは０．５〜０．８ｍｍとされる。
また、モリブデン箔１４は、薄い短冊状のものであり、例えばその厚さが２０〜３０μｍ、好ましくは２５μｍであり、その管軸方向の長さが７．０〜１５．０ｍｍ、好ましくは１１ｍｍであり、その幅が１．０〜３．０ｍｍ、好ましくは１．５ｍｍである。
【００２４】
そして、モリブデン箔１４の両面には、図３に示すように、その全面の電極棒１６および外部リード棒１９の各々の接続部分以外の領域において、モリブデン箔１４と封止部１３を形成する石英ガラスとの間に介在し、上記一般式（１）で表される酸化物（以下、「第１の特定モリブデン酸化物」ともいう。）または上記一般式（２）で表される酸化物（以下、「第２の特定モリブデン酸化物」ともいう。）よりなる被覆膜（以下、「特定被覆膜」ともいう。）２０が形成されている。
【００２５】
一般式（１）および一般式（２）において、Ｌｎは、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）から選ばれた希土類金属元素（以下、「特定希土類金属元素」ともいう。）を示す。
なお、一般的に希土類金属元素とは、原子番号５７番のランタンから原子番号７１番のルテチウムまでの１５個の元素に、スカンジウムとイットリウムとを加えた合計１７個の元素群（以下、「希土類金属元素群」ともいう。）を示し、これらのうちの１０個の元素が本明細書中における「特定希土類金属元素」である。
【００２６】
第１の特定モリブデン酸化物は、結晶質であって、その融点が、気密シール部１５を形成する工程においてモリブデン箔１４が曝される温度以上であることが必要とされ、具体的には単位胞体積とイオン半径と融点との関係から２０００℃以上と推定されるものであり、これによって、気密シール部１５を形成する工程の温度が１９００℃以上となる高温条件下においても、特定被覆膜２０を構成する第１の特定モリブデン酸化物が溶融状態となることがないと共に、気密シール部１５にクラックが生じることもなく、しかも、その結晶構造中に存在する空孔が放電ランプ１０においてモリブデン箔１４の近傍に集積するアルカリイオンよりも小さいものである。
また、第１の特定モリブデン酸化物は、封止部１３を形成する石英ガラスと化合物を生成することにより化学的に結合するものである。
【００２７】
一方、第２の特定モリブデン酸化物は、結晶質であって、その融点が、気密シール部１５を形成する工程においてモリブデン箔１４が曝される温度以上であることが必要とされ、具体的には単位胞体積とイオン半径と融点との関係から第１の特定モリブデン酸化物の融点よりも高い２２００℃以上と推定されるものであり、これによって、気密シール部１５を形成する工程の温度が１９００℃以上となる高温条件下においても、特定被覆膜２０を構成する第２の特定モリブデン酸化物が溶融状態となることがないと共に、気密シール部１５にクラックが生じることもなく、しかも、その結晶構造中に存在する空孔が放電ランプ１０においてモリブデン箔１４の近傍に集積するアルカリイオンよりも小さいものである。
また、第２の特定モリブデン酸化物は、封止部１３を形成する石英ガラスと化合物を生成することにより化学的に結合するものである。
【００２８】
ここに、モリブデン箔１４上に形成する特定被覆膜２０を構成する酸化物として、第１の特定モリブデン酸化物または第２の特定モリブデン酸化物を選択した理由について説明する。
一般に、金属モリブデン酸化物としては、粉末焼結法によって生成されるものとして、式：Ｒm Ｏn （式中、Ｒは陽イオンとなりうる金属元素を示し、ｍおよびｎはそれぞれ整数である。）で表される金属酸化物と、式：ＭｏＯ3 で表されるモリブデン酸化物とを反応させることにより生成される、これらの比の異なるいくつかの結晶構造の安定性を有する化合物が知られているが、これらの融点は式：Ｒm Ｏn で表される金属酸化物に対する式：ＭｏＯ3 で表されるモリブデン酸化物の比が大きくなるに従って、すなわち当該金属酸化物の割合が大きくなるほど高くなる傾向にある。このことに基づいて、放電ランプの製造工程における気密シール部を形成する工程の温度が２０００℃にもなる高温条件に耐えられるほどの高融点を有する金属モリブデン酸化物を調査した結果、式：Ｒm Ｏn で表される金属酸化物のＲが３価の希土類金属元素であるランタノイドであるもののみが該当することが判明した。そして、希土類金属モリブデン酸化物としては、式：Ｌｎ’2 （ＭｏＯ4 ）3 で表される化合物、式：Ｌｎ’2 Ｍｏ2 Ｏ9 で表される化合物、式：Ｌｎ’2 Ｍｏ2 Ｏ7 で表される化合物、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物（以上の式中において、Ｌｎ’は、希土類金属元素群から選ばれた元素を示す。）が知られているが、これらのうちの式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物の２種が２０００℃以上の融点を有する可能性がある。従って、これらの式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物から選ばれる希土類金属モリブデン酸化物を、モリブデン箔上に形成する被覆膜の材料とすることにより、放電容器の封止部にモリブデン箔が埋設されてなる構成の放電ランプにおける気密シール部の密着強化を図ることができると推察した。
【００２９】
そして、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物（以下、これらをまとめて「特定希土類金属モリブデン酸化物」ともいう。）の各々の融点を、単位胞体積とイオン半径と融点との関係に基づいて推定し、これらの特定希土類金属モリブデン酸化物のうちの適宜のものを特定被覆膜２０を構成するための化合物とした。すなわち、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物の各々の単位胞体積については多くの結晶学的研究によって多くのデータが得られているが、融点については明らかとなっていないものがある。しかしながら、Ｍｏ6+（モリブデンイオン）は、そのイオン半径が０．６２ÅとＷ6+（タングステンイオン）と同様のイオン半径を有するものであることが知られており、しかもタングステンには、モリブデンと同様の単位胞体積と希土類金属元素との相関があることが知られていることから、希土類金属タングステン酸化物が、特定希土類金属モリブデン酸化物と同程度の化学結合力を有し、その融点が特定希土類金属モリブデン酸化物の融点に近い値を示すと推察し、このような考えに基づいて、明らかとなってる希土類金属タングステン酸化物の融点を基にして、明らかとされていない特定希土類金属モリブデン酸化物の融点を推定することを考えた。
具体的に、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物および式：Ｌｎ’2 ＷＯ6 で表される化合物の各々について、図４に横軸に希土類金属元素を原子番号の小さい順に並べ、縦軸にＳｃｈｌｕｓｓｅｌｅｌｅｍｅｎｔｅ：ｄ（９）−，ｄ（１０）−，ｄ（１）．．．ｄ（３）−，ｆ−ｅｌｅｍｅｎｔｅ，Ｗ．Ｐ．Ａ  Ｗｅｉｓｓ（Ｌａｎｄｏｌｔ−Ｂｏｒｎｓｔｅｉｎ  Ｚａｈｌｅｎｗｅｒｔｅ  ｕｎｄ  Ｆｕｎｋｔｉｏｎｎｅｎ  ａｕｓ  Ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅｎｓｈａｆｔｅｎ  ｕｎｄ  Ｔｅｃｈｎｉｋ，Ｎｅｕｅ  Ｓｅｒｉｅ／Ｇｅｓａｍｔｈｅｒａｕｓｇａｂｅ，Ｋ．−Ｈ．Ｈｅｌｌｗｅｇｅ：Ｇｒｕｐｐｅ３  Ｂｄ７．）（以下、「参考文献１」ともいう。）に記載の格子定数から算出した単位胞体積をプロットしたものを示し、また、図５に横軸に希土類金属元素を原子番号の小さい順に並べ、縦軸に融点（但し、文献等により明らかになっているもの）をプロットしたものを示すと、これらの図から、単位胞体積が減少するに従って融点が大きくなるという傾向があることが示唆されており、またイオン半径と単位胞体積の１／３乗の値とが比例関係を示すことから、融点の大きさによって端的に表されるイオン間の結合力がイオン半径が小さくなるに従って大きくなることが示唆、すなわち、いわゆるランタナイド収縮が示されている。このような図４および図５に示されているような関係は、放射性元素であるプロメチウム（Ｐｍ）を除くすべての希土類金属元素の酸化物（Ｌｎ’2 Ｏ3 ）においては広く知られた関係であり、当該酸化物（Ｌｎ’2 Ｏ3 ）には原子番号が大きくなるに従って融点が大きくなるという関係があることから、この関係が式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物に関しても成り立つと推察した。その結果、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物のうち単位胞体積が１１９Å3 以下となる、Ｌｎ’がスカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはルテチウム（Ｌｕ）であるものがその融点が２０００℃以上となるであろうと推定した。
また、式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物および式：Ｌｎ’6 ＷＯ12で表される化合物の各々について、図６に横軸に希土類金属元素を原子番号の小さい順に並べ、縦軸に参考文献１に記載の格子定数から算出した単位胞体積をプロットしたものを示し、また、図７に横軸に希土類金属元素を原子番号の小さい順に並べ、縦軸に融点（但し、文献等により明らかになっているもの）をプロットしたものを示し、上記と同様に推測した結果、式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物のうち単位胞体積が３０９Å3 以下となる、Ｌｎ’がスカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはルテチウム（Ｌｕ）であるものがその融点が２２００℃以上となるであろうと推定した。
【００３０】
前述の特定被覆膜２０を構成する、第１のモリブデン酸化物または第２のモリブデン酸化物の各々において、その結晶構造中に存在する空孔が放電ランプ１０においてモリブデン箔１４の近傍に集積するアルカリイオンよりも小さいものであるとした根拠について説明する。
式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物は、全体として蛍石（ＣａＦ2 ）構造を変形した化学構造を有しており、具体的には、Ｌｎ’がイオン半径の大きなランタン（Ｌａ）である場合には正方晶の空間群Ｉ−４２ｍに属し、Ｌｎ’がセリウム（Ｃｅ）である場合のみが立方晶の空間群Ｆｍ３ｍの蛍石構造となり、またＬｎ’がイオン半径が中間的な値となるプラセオジウム（Ｐｒ）およびネオジム（Ｎｄ）である場合には低温下で立方晶、高温下でシーライト型構造（正方晶、空間群Ｉ４１／ａ）となる中間的な状態となり、Ｌｎ’がイオン半径の小さいイットリウム（Ｙ）およびサマリウム（Ｓｍ）〜ルテチウム（Ｌｕ）である場合には単斜晶の空間群Ｃ２／ｃとなる蛍石変形構造となる。この蛍石（ＣａＦ2 ）変形構造において、Ｃａの位置は２個のＬｎ’と１個のＭｏとによって占められ、四面体サイトのＦの位置は６個のＯによって占められることとなるため、サイトの占有率は完全である。また、Ｊ．Ａ．Ａｌｏｎｓｏ，Ｆ．Ｒｉｖｉｌｌａｓ，Ｍ．Ｊ．Ｍａｒｔｉｎｅｚ−Ｌｏｐｅ，ａｎｄ  Ｖ．Ｐｏｍｊａｋｕｓｈｉｎ；Ｊ．Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１７７（２００４）２４７０−２４７６．（以下、「参考文献２」ともいう。）によれば、配位Ｌｎ’Ｏ8 はほぼｃｕｂｉｃ対称性を有しているのに対して、配位ＭｏＯ8 はｃｕｂｉｃから歪んだ対称性を有しており、これらの配位Ｌｎ’Ｏ8 と、配位ＭｏＯ8 とは隅に位置する共通の酸素を介して接続されている。従って、超高圧水銀ランプなどの放電ランプの材料およびその製造工程中に、不純物としてナトリウムイオンなどのアルカリイオンが入り込む可能性のあるのは八面体サイトのみである。この６個のＬｎ’によって囲まれている八面体サイトに、ナトリウムイオンが入り込める空孔が存在するか否かを、八面体サイトに係る空孔の大きさを算出して確認したところ、Ｌｎ’がジスプロシウム（Ｄｙ）〜ルテチウム（Ｌｕ）およびイットリウム（Ｙ）である場合の空孔の大きさは最大半径０．７６１〜０．７４８Åであり、これはナトリウム（Ｎａ）のイオン半径０．９７に比して小さい。従って、これらの大きさを有する空孔には、ナトリウムイオンは入り得ない。
また、式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物の化学構造は、Ｌｎ’がイットリウム（Ｙ）およびランタン（Ｌａ）〜ホルミウム（Ｈｏ）である場合には蛍石（ＣａＦ2 ）構造と同様の立方晶対称性を有する空間群Ｆｍ３ｍであり、Ｌｎ’がエルビウム（Ｅｒ）である場合には低温下で正方晶の空間群Ｒ３、高温下で立方晶対称性を有する空間群Ｆｍ３ｍと変態することが知られており、Ｌｎ’がイオン半径の小さいツリウム（Ｔｍ）〜ルテチウム（Ｌｕ）である場合には正方晶の空間群Ｒ３を有するイルメナイト結晶構造となる。これらのいずれもがＯの入る四面体サイトのうちの１／８に欠陥を有するものであることが予測されており、この欠陥よりなる空孔の大きさを算出すると、ナトリウム（Ｎａ）のイオン半径０．９７Åよりも大きくなるため、この空孔にはナトリウムイオンが入り得ることとなる。しかしながら、式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物をＸ線回析法によって観察すると多くの弱い秩序状態に係る回析線が存在するため、空孔を消滅させるような原子位置の変化があることが予測されてはいるが、これ以上の詳しい結晶構造が現在のところは確定されていないことから、前述した四面体サイトの欠陥が実際に存在するものであるかは明らかとなってはおらず、むしろ式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物と同様に、四面体サイトの欠陥は、多面体としての配位Ｌｎ’Ｏ8 と大きく歪んだ配位ＭｏＯ8 とが結合することによって消失している可能性もある。そうとすると、超高圧水銀ランプなどの放電ランプの材料およびその製造工程中に、不純物としてナトリウムイオンなどのアルカリイオンが入り込む可能性のあるサイトは、八面体サイトのみである。従って、式：Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 で表される化合物と同様に、式：Ｌｎ’6 ＭｏＯ12で表される化合物にはその構造中にナトリウムイオンは入り得ない。
【００３１】
特定被覆膜２０は、その膜厚が５０〜５００ｎｍであることが好ましい。
【００３２】
また、特定被覆膜２０の放電容器１１を構成する石英ガラスと溶融密着した状態の界面を含む表層部分には、上記一般式（３）で表される希土類金属モリブデンシリケートよりなる層（以下、「シリケート層」ともいう。）２１が形成されていることが好ましい。
このシリケート層２１を構成する一般式（３）で表される希土類金属モリブデンシリケートは、結晶質であり、その結晶構造中に存在する空孔が放電ランプ１０においてモリブデン箔１４の近傍に集積するアルカリイオンよりも小さいものである。
【００３３】
ここに、シリケート層２１が、その結晶構造中に存在する空孔が放電ランプ１０においてモリブデン箔１４の近傍に集積するアルカリイオンよりも小さいものであるとした根拠について説明する。
式：Ｌｎ’2 ＳｉＭｏＯ8 （式中、Ｌｎ’は、希土類金属元素群から選ばれた元素を示す。）で表される希土類金属モリブデンシリケートの結晶構造は、参考文献２によれば、Ｌｎ’がイットリウム（Ｙ）である場合にはジルコン型構造（正方晶、空間群Ｉ４１／ａｍｄ）であり、Ｌｎ’がイットリウム（Ｙ）以外である場合には低温下でβフェルグソナイト型構造（単斜晶、空間群Ｉ２２２類似）、高温下でシーライト型構造（正方晶、空間群Ｉ４１／ａ）と変態するとされており、しかも、これらの３種の構造の短距離構造は互いに非常に類似している。すなわち、Ｃ軸方向におけるＳｉＯ4 四面体、ＭｏＯ4 四面体および配位Ｌｎ’（Ｓｉ，Ｍｏ）8 の積層状態はシーライト型構造のものと同様である。そこで、Ｌｎ’がイットリウム（Ｙ）である場合にはジルコン型構造、Ｌｎ’がランタン（Ｌａ）〜ルテチウム（Ｌｕ）である場合には実際に用いる温度を考慮してシーライト型構造であるとして、ナトリウムイオンが入り込める空孔が存在するか否かを、八面体サイトに係る空孔の大きさを算出して確認したところ、Ｌｎ’がジスプロ（Ｄｙ）〜ルテチウム（Ｌｕ）およびイットリウム（Ｙ）である場合の空孔の大きさは最大半径０．８９〜０．９１Ａであり、これはナトリウム（Ｎａ）のイオン半径０．９７に比して小さい。従って、これらの大きさを有する空孔には、ナトリウムイオンは入り得ない。
【００３４】
特定被覆膜２０におけるシリケート層２１の厚さは、通常、５０ｎｍ程度であることが好ましい。
【００３５】
特定被覆膜２０は、モリブデン箔１４の表面に、水に対する溶解度が大きく、その構成中に特定希土類金属元素を含有する塩（以下、「特定塩」ともいう。）の水溶液よりなる塗布液（以下、「被覆膜形成用水溶液」ともいう。）を塗布することによって塗膜を形成し、この塗膜を乾燥処理した後に焼成処理する塗膜焼成工程を、第１の特定モリブデン酸化物よりなる被覆膜（以下、「第１の特定被覆膜」ともいう。）は２回、第２の特定モリブデン酸化物よりなる被覆膜（以下、「第２の特定被覆膜」ともいう。）は３回繰り返す手法によって好適に形成することができる。
【００３６】
ここに、上記の手法が特定被覆膜２０を形成するための方法として好適である理由について説明する。
第１の特定モリブデン酸化物または第２の特定モリブデン酸化物よりなる特定被覆膜２０をモリブデン箔１４上に最も安価なコストで形成しようとする場合には、モリブデン箔１４を化学的に反応させる手法が推奨されるが、このような手法は知られておらず、従来においては、粉末焼結法によって希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）と酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）とよりなる原料からモリブデン酸化物を得ることが多くの文献等において知られているだけであった。而して、発明者らは、希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）と酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）とよりなる、それらの比が最も小さい希土類金属モリブデン酸化物Ｌｎ2 （ＭｏＯ4 ）3 が最も低い温度条件下において直接モリブデン箔との反応により生成されること、また、それと共に、希土類金属モリブデン酸化物Ｌｎ2 （ＭｏＯ4 ）3 と希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）とが反応することに着目して検討した結果、２段階の反応により、希土類金属を含有する水溶液を原料として用い、これとモリブデン箔とを直接反応させ、当該モリブデン箔上に一般式（１）で表される酸化物（第１の特定モリブデン酸化物）を生成することができることを見出した。更に、状態図上において第１の特定モリブデン酸化物と希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）とが反応することに着目し、この第１の特定モリブデン酸化物と希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）とを第１の特定モリブデン酸化物を得るための反応に係る温度よりも高い温度で反応させることにより、モリブデン箔上に一般式（２）で表される酸化物（第２の特定モリブデン酸化物）を生成することができることを見出した。以上のような手法は、材料として用いる水溶液として、例えば希土類金属硝酸塩のような水に対して高い溶解度を有し、濃度５５〜７０質量％と高濃度の水溶液を選択することができ、しかも水溶液の種類および熱処理法を選択することができるため、製造コストの観点から好適な手法である。
【００３７】
具体的に、第１の特定被覆膜は、例えば下記の方法によって形成することができる。
先ず、モリブデン箔１４の表面に被覆膜形成用水溶液を塗布することによって塗膜を形成し、この塗膜を乾燥処理した後、例えば大気中などの酸素ガスを含有する雰囲気中において、５００〜５５０℃の温度条件で焼成処理する第１回目の塗膜焼成工程により、モリブデン箔１４上に、当該モリブデン箔１４を構成するモリブデンと特定塩とが反応することによって生成される、下記一般式（４）で表される酸化物（以下、「中間モリブデン酸化物」ともいう。）よりなる膜（以下、「中間体膜」ともいう。）を形成する。
次いで、モリブデン箔１４上に形成された中間体膜上に被覆膜形成用水溶液を塗布して塗膜を形成して乾燥処理した後、例えばアルゴンガス雰囲気中において、当該中間体膜を構成する中間モリブデン酸化物の融点（具体的には、１１５０〜１４９０℃の温度範囲）よりも少し低い、例えば１４００℃程度の温度条件で焼成処理する第２回目の塗膜焼成工程により、乾燥処理された塗膜を構成する特定塩（特定希土類金属元素を含む塩）が分解することによって生成される希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）と、中間体膜を構成する中間モリブデン酸化物とを反応させ、これにより、当該中間体膜を変化させて第１の特定モリブデン酸化物よりなる膜を形成させ、更に、この第１の特定モリブデン酸化物よりなる膜が形成されたモリブデン箔１４に対して水素気流中において１０００℃の温度条件で加熱する還元処理を施すことによって副生した酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）を除去することにより、モリブデン箔１４の表面に第１の特定被覆膜を形成する。
この第１の特定被覆膜の形成方法においては、第２回目の塗膜焼成工程中にモリブデン箔１４上に形成された中間体膜上に塗膜を形成して乾燥処理した積層体に対して水素雰囲気中で焼成処理を行うことにより、この焼成処理と共に還元処理を同時に行うことができる。
【００３８】
【化４】
2007012508.tif 000006
【００３９】
〔式中、Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれた希土類金属元素を示す。〕
【００４０】
また、第２の特定被覆膜は、例えば下記の方法によって形成することができる。
先ず、上記の第１の特定被覆膜の形成方法に従って第１回目の塗膜焼成工程および第２回目の塗膜焼成工程を経ることにより、モリブデン箔１４上に第１の特定被覆膜を形成し、次いで、このモリブデン箔１４上に形成された第１の特定被覆膜上に被覆膜形成用水溶液を塗布して塗膜を形成して乾燥処理した後、例えばアルゴンガス雰囲気中において、１５００℃以上の温度条件で焼成処理する第３回目の塗膜焼成工程により、乾燥処理された塗膜を構成する特定塩（特定希土類金属元素を含む塩）が分解することによって生成された希土類金属酸化物（Ｌｎ2 Ｏ3 ）と、第１の特定被覆膜を構成する第１の特定モリブデン酸化物とを反応させ、これにより、当該第１の特定被覆膜を変化させて第２の特定モリブデン酸化物よりなる膜を形成させることにより、モリブデン箔１４の表面に第２の特定被覆膜を形成する。
【００４１】
被覆膜形成用水溶液を構成する特定塩（特定希土類金属元素を含む塩）としては、例えば硝酸塩、フッ化物、塩化物、臭化物、炭酸塩、酢酸塩などを用いることができる。
【００４２】
また、特定被覆膜２０におけるシリケート層２１は、放電ランプ１０を製造する工程において形成されるものである。
具体的には、放電容器１１とされる石英ガラス管の内部を減圧された状態とすると共に、当該石英ガラス管内の内部に、マウントを、その表面に特定被覆膜２０が形成されたモリブデン箔１４（以下、「特定モリブデン箔」ともいう。）が封止部１３とされる部分（以下、「封止部部分」ともいう。）に位置し、かつ電極が発光管部１２とされる部分（以下、「発光管部部分」ともいう。）に位置する状態に挿入し、この状態の石英ガラス管における封止部部分の特定モリブデン箔上に位置する部分の外周をバーナーなどで加熱し、当該石英ガラス管の管壁を形成する石英ガラスを軟化させて縮径させるシュリンクシール方式によって気密シール部１５を形成する工程において、温度が１９００℃以上となる高温条件下で特定モリブデン箔と石英ガラスとが溶融密着することによって当該石英ガラスを構成する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）が特定モリブデン箔における特定被覆膜２０の表層部分に拡散され、当該表層部分を構成する化合物と二酸化ケイ素とが反応し、一般式（３）で表される化合物が生成されることにより、特定被覆膜２０の石英ガラスとの界面を含む表層部分にシリケート層２１が形成される。
なお、Ｇ．Ｂｌａｓｓｅ，Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．３０（１９６８）２０９１．には、粉末治金・熱処理法によって作製工程のような、平衡状態とされる条件下においては一般式（３）で表されるようなモリブデンシリケートが形成されることが示されている。
【００４３】
ここに、陽極マウントおよび陰極マウントは、各々、例えばモリブデン箔１４の表面全面に特定被覆膜２０を形成し、この特定被覆膜２０における電極棒１６および外部リード棒１９を接続すべき部分に対応する領域を研磨処理することによってモリブデン箔１４の表面を露出させ、その先端に陰極１７または陽極１８が形成された電極棒１６と外部リード棒１９とを各々接続することにより、または、予めモリブデン箔１４に、その先端に陰極１７または陽極１８が形成された電極棒１６と外部リード棒１９とを各々接続し、このモリブデン箔１４の表面に対して電極棒１６および必要に応じて外部リード棒１９をマスキングした状態で特定被覆膜２０を形成することにより、製造することができる。外部リード棒１９をマスキングせずに特定被覆膜２０の形成処理を行った場合には、特定被覆膜２０を形成した後に研磨処理を行う必要がないと共に、外部リード棒１９上に特定被覆膜２０が形成されることとなるため、外部リード棒１９に高い耐酸化性および耐熱性が得られる。
【００４４】
放電ランプ１０の放電容器１１の内部空間には、例えば０．１６ｍｇ／ｍｍ3 以上となる量の水銀、２×１０-3μｍｏｌ／ｍｍ3 となる量の、例えば臭素などのハロゲン、および、例えばアルゴンなどの希ガスよりなる封入ガスが封入されており、これにより、動作時における内部圧力が１．５×１０7 Ｐａ以上となり、例えば波長３８０〜７８０ｎｍの可視光の連続スペクトルを放射することができ、例えば液晶プロジェクタやＤＬＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）プロジェクタなどの光源として好適に用いることができる。
【００４５】
以上の放電ランプ１０によれば、気密シール部１５における電気導入体を形成するモリブデン箔１４の両面が特定被覆膜２０により覆われていることから、モリブデン箔１４が過熱によって酸化することを抑制することができると共に、特定被覆膜２０が、モリブデン箔１４を構成するモリブデンと化学的に反応することによって生成される第１の特定モリブデン酸化物または第２の特定モリブデン酸化物により形成されており、モリブデン箔１４と化学的に結合されていることから、モリブデン箔１４に対して高い密着性が得られるため、気密シール部１５を形成する工程において、温度が１９００℃以上となる高温条件下に曝されても特定被覆膜２０を構成するモリブデン酸化物が蒸発して飛散することがなく、また、この特定被覆膜２０が、封止部１３を構成する石英ガラスとの界面を含む表層部分においてシリケート層２１を生成することによって化学的に結合し、気密シール部１５を形成するものであることから、石英ガラスに対しても高い密着性が得られるものであるため、例えば動作時における内部圧力が１．５×１０7 Ｐａ以上と高圧になる場合であっても、気密シール部１５において極めて高い気密性および気密状態の安定性が得られる。
【００４６】
しかも、放電ランプ１０によれば、特開２００３−３１７６５９号公報にも示されているように、放電ランプ１０を製造する工程中において構成部材に接触する大気雰囲気中から取り込まれたり、あるいは放電容器１１を構成する石英ガラス中の不純物として存在する、またはその表面から流入するアルカリ金属イオンなどのアルカリイオンが移動して、特に陰極１７に係る封止部１３を構成するモリブデン箔１４の近傍に集積することとなるが、特定被覆膜２０を構成する第１の特定モリブデン酸化物または第２の特定モリブデン酸化物、および当該特定被覆膜２０の表層部分を形成するシリケート層２１を構成する希土類金属モリブデンシリケートの結晶構造中において、空孔がアルカリイオンが入り込むことのできない大きさのものであることから、アルカリイオンが特定被覆膜２０を透過することがなく、この特定被覆膜２０の障壁機能の作用によってアルカリイオンがモリブデン箔１４およびその界面に拡散することを防止することができるため、アルカリイオンの影響によりモリブデン箔１４が石英ガラスから剥離することがない。
従って、放電ランプ１０によれば、その製造工程中においてモリブデン箔１４上に形成された特定被覆膜２０に飛散が生じることがなく、また、発光管部１２の内部圧力が高い状態においても、気密シール部１５に非常に高い気密耐久性が得られ、長い使用寿命が得られる。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の放電ランプは上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えば、放電ランプは、気密シール部に非常に高い気密耐久性が得られることから、モリブデン箔には、その両面に特定被覆膜が形成されていることが好ましいが、特定被覆膜がモリブデン箔の一面に形成されている構成のものであってもよい。
また、放電ランプは、直流点灯型のものに限定されず、リア型の液晶プロジェクタなどの光源ランプとして長い使用寿命が得られるという点で好適に用いられている交流点灯型の超高圧水銀ランプであってもよい。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の放電ランプの実施例について具体的に説明するが、本発明がこれによって制限されるものではない。
【００４９】
〔実施例１〕
図１の構成を有する、楕円球形の発光管部と、この発光管部の両端部からそれぞれ外方に伸びるよう連設された封止部とを有する、石英ガラスよりなる放電容器を備え、この放電容器における封止部に、その両面に一般式（１）で表される酸化物（第１の特定モリブデン酸化物）よりなる特定被覆膜が形成されてなるモリブデン箔が埋設されてなる構成の直流点灯型の放電ランプ（以下、「放電ランプ（１）」ともいう。）を、シュリンクシール方式によって気密シール部を形成することにより作製した。
この放電ランプ（１）を観察したところ、封止部におけるモリブデン箔近傍の石英ガラス同士の溶着面に付着物が付着していなかったことから、当該放電ランプ（１）を製造する工程、具体的には、気密シール部を形成する工程において、特定被覆膜を構成する第１の特定モリブデン酸化物の蒸発が生じず、当該特定被覆膜に飛散の生じなかったことを確認した。
【００５０】
放電ランプ（１）は、放電容器の内部空間に、水銀０．１６ｍｇ／ｍｍ3 と、臭素２×１０-3μｍｏｌ／ｍｍ3 と、アルゴンガスとが封入ガスとして封入されており、動作時における内部圧力が１．５×１０7 Ｐａ以上となるものである。
また、放電ランプ（１）の寸法は、発光管部の最大外径が１０．５ｍｍ、発光管部の最大内径が４．５ｍｍ、電極間距離が１．３ｍｍ、放電容器の内部空間の全長（管軸方向の長さ）が９ｍｍ、封止部の長さが２０ｍｍ、封止部の外径が５．０ｍｍ、内部空間の容積が７５ｍｍ3 である。
【００５１】
この放電ランプ（１）を構成する陽極マウントおよび陰極マウントは、以下のようにして作製した。
先ず、長さ１１ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２５μｍのモリブデン箔を２枚用意し、これらのモリブデン箔の表面全面に対して、硝酸イッテルビウム四水和物（Ｙｂ（ＮＯ3 ）3 ・４Ｈ2 Ｏ）の濃度４モル／Ｌの水溶液（以下、「被覆膜形成用水溶液（１）」ともいう。）を塗布することにより塗膜を形成し、この塗膜を１００℃の温度条件で乾燥処理した後、電気炉を用いて酸素ガスを１％の濃度で含有するアルゴンガス雰囲気中において、５００℃の温度条件で５分間焼成処理することにより、モリブデン箔上に、一般式（４）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）である酸化物よりなる膜が形成されてなる積層体を得た。
【００５２】
次いで、得られた積層体の形成された膜の表面全面に対して、被覆膜形成用水溶液（１）を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１５０℃の温度条件で乾燥処理した後、電気炉を用いて高純度のアルゴンガス雰囲気中において、１４００℃の温度条件で１０分間焼成処理し、更に、電気炉を用いて水素気流中において、１０００℃の温度条件で加熱する還元処理を施すことによって副生した酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）を除去することにより、その表面全面に被覆膜が形成されてなるモリブデン箔（以下、「被覆膜形成モリブデン箔（１）」ともいう。）を得た。
モリブデン箔上に形成された被覆膜は、Ｘ線回析法により、一般式（１）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）である酸化物、具体的には式：Ｙｂ2 ＭｏＯ6 からなる酸化物よりなるものであることが確認された。
【００５３】
そして、被覆膜形成モリブデン箔（１）の両端における電極棒および外部リード棒を接続すべき部分に対応する領域を研磨処理することによってモリブデン箔の表面を露出させた後、その一方に、先端に陽極または陰極が形成された外径０．８ｍｍのタングステンよりなる電極棒を溶接すると共に、他方に、外径０．５ｍｍのタングステンよりなる外部リード棒を溶接することにより、陽極マウントおよび陰極マウントを得た。
【００５４】
この放電ランプ（１）を構成する被覆膜形成モリブデン箔（１）の放電容器を構成する石英ガラスと溶融密着した状態の界面をＸ線回析法によって観察したところ、一般式（３）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）であるシリケート、具体的には式：Ｙｂ2 ＳｉＭｏＯ8 からなる希土類金属モリブデンシリケートよりなる層が形成されていることが確認された。
【００５５】
放電ランプ（１）を連続して長時間点灯させる点灯試験を行い、気密シール部における石英ガラスからのモリブデン箔の剥離の有無を目視にて確認したところ、モリブデン箔の剥離は発生しなかった。
【００５６】
〔実施例２〕
実施例１において、第１の特定モリブデン酸化物よりなる特定被覆膜が形成されてなるモリブデン箔に代えて、一般式（２）で表される酸化物（第２の特定モリブデン酸化物）よりなる特定被覆膜が形成されてなるモリブデン箔を備えてなること以外は実施例１と同様の構成を有する放電ランプ（以下、「放電ランプ（２）」ともいう。）を作製した。
この放電ランプ（２）を観察したところ、封止部におけるモリブデン箔近傍の石英ガラス同士の溶着面に付着物が付着していなかったことから、当該放電ランプ（２）を製造する工程、具体的には、気密シール部を形成する工程において、特定被覆膜を構成する第２の特定モリブデン酸化物の蒸発が生じず、当該特定被覆膜に飛散の生じなかったことを確認した。
【００５７】
放電ランプ（２）を構成する陽極マウントおよび陰極マウントは、実施例１に係る陽極マウントおよび陰極マウントを作製する方法において得られた、その表面全面に一般式（１）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）である酸化物よりなる被覆膜が形成されてなるモリブデン箔（被覆膜形成モリブデン箔（１））に対して、その表面に被覆膜形成用水溶液（１）を塗布して塗膜を形成し、この塗膜を１５０℃の温度条件で乾燥処理した後、電気炉を用いて高純度のアルゴンガス雰囲気中において、１５００℃の温度条件で５分間焼成処理することにより、その表面全面に被覆膜が形成されてなるモリブデン箔（以下、「被覆膜形成モリブデン箔（２）」ともいう。）を得、この被覆膜形成モリブデン箔（２）に、実施例１と同様の手法によって電極棒および外部リード棒を溶接することによって作製した。
ここに、被覆膜形成モリブデン箔（２）を構成する、モリブデン箔上に形成された被覆膜は、Ｘ線回析法により、一般式（２）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）である酸化物、具体的には式：Ｙｂ6 ＭｏＯ12からなる酸化物よりなるものであることが確認された。
【００５８】
この放電ランプ（２）を構成する被覆膜形成モリブデン箔（２）の放電容器を構成する石英ガラスと溶融密着した状態の界面をＸ線回析法によって観察したところ、一般式（３）においてＬｎがＹｂ（イッテルビウム）であるシリケート、具体的には式：Ｙｂ2 ＳｉＭｏＯ8 からなる希土類金属モリブデンシリケートよりなる層が形成されていることが確認された。
【００５９】
放電ランプ（２）を連続して長時間点灯させる点灯試験を行い、気密シール部における石英ガラスからのモリブデン箔の剥離の有無を目視にて確認したところ、モリブデン箔の剥離は発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明における、放電ランプの構成の一例を管軸に沿った断面で示す説明用断面図である。
【図２】図１における、気密シール部を拡大して示す説明用断面図である。
【図３】図２における、領域Ａを拡大して示す説明用断面図である。
【図４】希土類金属モリブデン酸化物（Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 ）および希土類金属タングステン酸化物（Ｌｎ’2 ＷＯ6 ）の各々におけるＬｎ’を示す希土類金属元素と単位胞体積との関係を示すグラフである。
【図５】希土類金属モリブデン酸化物（Ｌｎ’2 ＭｏＯ6 ）および希土類金属タングステン酸化物（Ｌｎ’2 ＷＯ6 ）の各々におけるＬｎ’を示す希土類金属元素と融点との関係を示すグラフである。
【図６】希土類金属モリブデン酸化物（Ｌｎ’6 ＭｏＯ12）および希土類金属タングステン酸化物（Ｌｎ’6 ＷＯ12）の各々におけるＬｎ’を示す希土類金属元素と単位胞体積との関係を示すグラフである。
【図７】希土類金属モリブデン酸化物（Ｌｎ’6 ＭｏＯ12）および希土類金属タングステン酸化物（Ｌｎ’6 ＷＯ12）の各々におけるＬｎ’を示す希土類金属元素と融点との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１０    放電ランプ
１１    放電容器
１２    発光管部
１３    封止部
１４    金属箔
１５    気密シール部
１６    電極棒
１７    陰極
１８    陽極
１９    外部リード棒
２０    被覆膜
２１    シリケート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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