(57)【要約】【課題】  電子放出ディスプレイにおいて、簡便な方法で、異常放電から回路を保護する。【解決手段】  電子源が設置されている基板（カソード基板）の上部に、避雷針となる中間電極を設ける。この中間電極は、カソード基板の電位と同程度にしておくが、カソード基板の電位の制御とは別個に制御される。中間電極は、アノード基板に対向する導電面と、カソード基板に対向しカソード基板と絶縁する非導電面を備えている。中間電極は、柔軟性のあるメッシュ（織物や編み物）で構成でき、電子源部分に対応する部分に網目が位置し、内部スペーサにより位置決めされる。【選択図】  図１
2007080719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出ディスプレイであって、
電子放出素子が配置された第１の基板と、
前記第１の基板に対向し、前記電子放出素子から放出された電子の入射により発光する発光体が配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、前記第１の基板と同等の電位を与えるための導電層を備えた避雷用電極と
を備えることを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項２】
請求項１において、
前記避雷用電極は、
非導電性の層を備え、
当該非導電性の層が前記第２の基板に対向して配置されている
ことを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項３】
請求項１において、
前記避雷用電極は、
前記第２の基板の電位の制御とは別個に電位が制御される
ことを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項４】
請求項１において、
前記避雷用電極は、
網目状の構成物であり、
網目が前記電子放出素子と重なるように設けられている
ことを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサには、前記避雷用電極を位置決めするため凸状の部位が設けられている
ことを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【請求項６】
電子放出ディスプレイであって、
ＭＩＭ型の電子放出素子が配置されたカソード基板と、
前記カソード基板に対向し、前記電子放出素子から放出された電子の入射により発光する発光体が配置されたアノード基板と、
前記アノード基板からみて前記カソード基板より近い位置に配置され、前記カソード基板の電位と同程度の電位に制御される導電面を備えた避雷用電極とを備え、
前記避雷用電極は、
前記カソード基板の電位の制御とは別個に制御され、
非導電面を備え、
当該非導電面が前記カソード基板と対向するように配置され、
柔軟性のある網目状の構成物であり、
網目が前記電子放出素子と重なるように配置され、
前記アノード基板と前記カソード基板との間に配置されたスペーサには、前記避雷用電極を位置決めするため凸状の部位が設けられている
ことを特徴とする電子放出ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
冷陰極源などの電子放出素子を有する電子放出ディスプレイでは、表示パネル内で、塵埃、突起等に起因する異常放電（いわゆる「落雷」）が生じやすく製品寿命を短くしている。この点、異常放電現象は、アノード基板とカソード基板の電極間で発生しやすいため、カソード電極を異常放電の受け入れ部分とし、カソード電極を回路的に保護する方法や、カソード電極をグループ分けすることで静電容量を軽減し放電電流を削減する手法がある。また、アノード面のメタルバックを細い配線で形成し、異常放電電流で狭隘部分が焼き切れることで被害を軽減する方法がある（特許文献１，２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１４２００３号公報
【特許文献２】特開２００５−１００７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の方式では異常放電の受け入れを、画像信号を扱う低耐圧の回路に接続された端子から行う必要がある。ここで異常放電は雪崩的に発生するため急峻な立ち上がりを示すため、異常放電を検知し回路の切断を行っても回路の保護が間に合わない。また、上記の方式では、カソード電極面とアノード面の静電容量が減るため、放電持続時間を比較的短く抑制する効果は期待できるが、放電がパルスであるため回路保護の観点からは十分な対策とは言い難い。また、上記の方式ではアノード面側を焼き切ることで回路の保護を行うため、画像生成回路の保護には十分な効果が期待できない。
【０００５】
本発明の目的は、電子放出ディスプレイにおいて、簡便な方法で、異常放電から回路を保護する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、電子源が設置されている基板（カソード基板）の上部、すなわちアノード基板からみてカソード基板より近い位置に、避雷針の役目をはたす電極（中間電極）を設ける。この中間電極は、カソード基板の電位と同程度にしておくが、カソード基板の電位の制御とは別個に制御されている。中間電極は、導電性があり、電子源部分に対応する部分が開口しているメッシュ（織物や編み物）で構成できる。
【０００７】
例えば、本発明の電子放出ディスプレイは、
電子放出素子が配置された第１の基板と、
前記第１の基板に対向し、前記電子放出素子から放出された電子の入射により発光する発光体が配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、前記第１の基板と同等の電位を与えるための導電層を備えた避雷用電極と
を備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、本発明の一実施形態が適用された電子放出ディスプレイについて、図１〜５を用いて説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態の電子放出ディスプレイの表示パネル１０００の平面図であり、駆動回路５０，６０を接続したところを示す図である。なお、図１は、表示側から見た平面図であるが、理解容易のため、一部の構成を省略して記載している。また、図１では、説明の都合上、６×６ドットの表示パネルを示しているが、ディスプレイの大きさ、アスペクト比に応じて、ドット数を変えることができる。
【００１０】
図２は、図１の表示パネル１０００の電子源が位置する部分の拡大断面図である。図２は、図１の表示パネルのＡ−Ａ’方向における断面の一部に相当する。なお、理解容易のため、アノード基板１００及びカソード基板２００の部分については、厚さ方向に拡大して描いており、一方、アノード基板１００とカソード基板２００との間の部分は、縮小して描いている。
【００１１】
図１、図２に示すように、本実施形態の表示パネル１０００は、カソード基板２００とアノード基板１００とが、枠スペーサ１１６及び内部スペーサ４０を介して、対向して配置され構成されている。
【００１２】
図１に示すように、カソード基板２００上には、ガラス等の絶縁性の基板１０上に、複数の信号線１１及び複数の走査線２７が交差して配置されている。
【００１３】
また、カソード基板２００の信号線１１と走査線２７とが交差する部分では、図２に示すように、基板１０上に、信号線（下部電極）１１、第１保護絶縁層１４、第２保護絶縁層（層間絶縁膜）１５、走査線（上部バス電極）２７、上部電極１３とが、この順に積層した構造となっている。
【００１４】
信号線１１は、ＡｌやＡｌ合金等で構成されている。ここでは、Ｎｄを２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金で構成されている。
【００１５】
第１保護絶縁層１４は、電子放出部を制限し、下部電極エッジヘの電界集中を防止する役目を果たす。ここでは、第１保護絶縁層１４は、Ａｌ酸化物で構成されている。
【００１６】
第２保護絶縁層１５は、第１保護絶縁層１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、信号線１１と走査線２７との絶縁を保つ役割を果たす。第２保護絶縁層１５としては、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が用いられる。
【００１７】
走査線２７は、電子源（エミッタ）の電極である上部電極１３に給電するための配線である。走査線２７は、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｒが、この順に積層した構造となっている。走査線２７は、大型の表示パネルの場合、低抵抗化のため、数μｍの膜厚をもたせたＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの層で構成されていてもよい。このような厚い膜を有する走査線２７は、Ａｇペースト等の金属ペーストを用いたスクリーン印刷法などで形成させることができる。
【００１８】
上部電極１３は、例えば、スパッタ法により、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層した、膜厚１〜１０ｎｍの積層膜である。
【００１９】
電子源（冷陰極電子源）は、信号線１１と走査線２７とが交差する位置に設けられている。各電子源は、画像素子となる。冷陰極電子源は、スピント型電子源、表面伝導型電子源（Surface-conduction Electron-emitter）、カーボンナノチューブ型電子源等の電界放出型電子源と、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型電子源、金属―絶縁体―半導体電極を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型電子源等のホットエレクトロン型電子源とに大別されるが、いずれの電子源を設けてもよい。ＭＩＭ型電子源については、特開平１０−１５３９７９号公報、特開２００４−１１１０５３等に開示されている。
【００２０】
本実施形態の表示パネル１０００は、電子源として、下部電極（信号線）１１と、絶縁膜（電子加速層）１２と、上部電極１３とからなるＭＩＭ型電子源を配置している。
【００２１】
ここで、ＭＩＭ型電子源の動作を簡単に説明する。上部電極１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加して、電子加速層１２内の電界を１〜１０ＭＶ／ｃｍ程度にすると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層１２へ注入されホットエレクトロンとなる。これらのホットエレクトロンは電子加速層１２中、上部電極１３中で散乱されエネルギーを損失するが、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーを有する一部のホットエレクトロンは、真空１５０中に放出される。
【００２２】
アノード基板１００は、透明性のあるガラス板等で構成されている。アノード基板１００の一方の面にはブラックマトリックス１２０、蛍光体１１１及びアノード電極１１４が形成されている。アノード基板１００は、これらの形成面がカソード基板２００の配線形成面と向かい合うように配置されている。
【００２３】
枠スペーサ１１６とカソード基板２００及びアノード基板１００との間は、ガラスフリット等の接着剤１１７により、基板内部１５０の圧力が１０−５Ｐａ程度に維持できるように封止されている。
【００２４】
また、アノード基板１００とカソード基板２００との間には、外圧により押しつぶされるのを防止するため、内部スペーサ４０が所定の間隔で配置されている。内部スペーサ４０は、各基板（アノード基板１００及びカソード基板２００）上の電極（アノード電極１１４、上部電極１３）と接着層１１５ａ及び１１５ｂを介して接着固定されている。なお、接着層の導電率を利用して、内部スペーサ４０の上下の導電率を異ならせてもよい。例えば、アノード基板１００側の接着層１１５ａの導電率を、カソード基板２００側の接着層１１５ｂの導電率に比べて、小さくする。
【００２５】
また、カソード基板２００の上（カソード基板２００とアノード基板１００との間）には、中間電極３００が設けられている。中間電極３００は、異常放電（落雷）時における避雷針の役目を果たすものである、すなわち、中間電極３００は、低耐圧のカソード基板２００の電極や表示パネル１０００の駆動装置を、異常放電から保護するためのものである。したがって、中間電極３００は、アノード基板１００からみてカソード基板２００より近い位置にある。また、導電性の層を備え、各電子源付近に配置される。また、各電子源の電子放出を妨げない構造を備える。一方で、中間電極３００は、カソード基板２００の電極と絶縁を保つ。中間電極３００は、カソード基板２００のすぐ上に配置することから、中間電極３００のカソード基板２００と対向する面は、非導電性である方がよい。また、後述する内部スペーサ４０にいる位置決めの観点から、柔軟性がある方がよい。
【００２６】
本実施形態では、図１に示すように、網目状（メッシュ状）の構成物である中間電極３００を設けている。網目状の中間電極３００は、電子源の電子放出を妨げないように、その網目が電子源の位置に重なるように配置されている。電子は、網目を通って放出されることになる。
【００２７】
また、中間電極３００は、非導電性の網目状構成物の担体に、導電性の層を設けた構造となっている。そして、中間電極３００は、非導電性の面がカソード２００に対向して配置される。いいかえれば、中間電極３００は、導電性の面と、その裏面の非導電性の面からなっており、それぞれ、アノード基板１００とカソード基板２００に対向している。
【００２８】
本実施形態では、網目状の構成物として、織物を用いているが、編み物を用いてもよい。非導電性の担体としては、ガラス繊維やセラミック繊維が例示できる。繊維の太さは、例えば、２０〜７０μｍの範囲である。導電性の層としては、金属や導電性酸化物が例示できる。具体的には、ＩＴＯ膜、アルミネオジム合金、ニッケル合金、クロム合金、チタン合金等である。これらの中でも、組み立てプロセスにおける耐熱性の観点から、ニッケル合金が好ましい。
【００２９】
なお、中間電極３００は、網目状構成物に限らず、セラミックなどの多孔板に導電性の層を設けたものであってもよい。
【００３０】
中間電極３００は、内部スペーサ４０により位置決めされている。図３（ａ）は、内部スペーサ４０の断面図であり、図３（ｂ）は、側面図である。内部スペーサ４０のカソード基板２００に結合する側の端には、複数の凸部４１が並び、櫛歯状となっている。この凸部４１により、網目状の中間電極３００を位置決めする。
【００３１】
図４は、内部スペーサ４０により網目状の中間電極３００が位置決めされている様子を示す。図示するように、中間電極３００の網目に、内部スペーサ４０のいずれかの凸部４１が入る。一方、凸部４１の間の凹部には、中間電極３００の繊維が入り込む。こうして、中間電極３００は、内部スペーサ４０により位置決めされる。中間電極３００は、その繊維が内部スペーサ４０により押しつぶされることなく位置決めされるので、大きな捩れや歪みが発生しにくい。
【００３２】
なお、内部スペーサ４０の凸部４１の形状に制限はない。角状であっても、円弧状であってもよい。また、凸部４１の幅、長さ、間隔は、網目のピッチ、網目状構成物の繊維の太さ、電子源の配置のピッチに応じて適宜選択できる。例えば、内部スペーサ４０の端部には、幅０．３ｍｍ程度、長さ１ｍｍ程度の凸部４１が、１．５ｍｍ程度の間隔で設けられている。また、凸部４１の配置は、等間隔でなくてもよい。また、均等に繊維を跨ぐようにしてもよいし、不均等に繊維を跨ぐようにしてもよい。但し、内部スペーサ４０の帯電率が位置によって不均等にならないようにするのが好ましい。
【００３３】
図１に示すように、信号線１１の末端は、表示パネル１０００の外部に引き出され、信号線駆動回路５０と接続される。走査線２７の末端は、走査線駆動回路６０と接続される。信号線１１及び走査線２７には、外部から入力される画像信号に応じて、所定の電位が付加される。一方、アノード電極（メタルバック）１１４には、３〜６ｋＶ程度の加速電圧７０を常時印加される。このとき、中間電極３００の末端は、表示パネル１０００の外部に引き出され、カソード基板２００の電位（信号線１１と走査線２７の電位）とほぼ同等の電位が与えられる。表示パネルは、例えば、線順次駆動方式により、表示装置として動作する。
【００３４】
図５を用いて、さらに詳しく説明する。図５は、表示パネル１０００と駆動装置２０００との結合例を示す図である。
【００３５】
駆動装置２０００は、外部から取得した画像信号に従って、表示パネル１０００の各電極の電位を制御し、各画素の点灯を制御し、表示パネル１０００に画像を表示させる。駆動装置２０００は、カソード基板２００上の走査線２７と信号線１１の電位を制御する画像制御回路２００１と、カソード基板２００とアノード基板１００の間に印加する電圧を発生する第１高圧発生回路２００２と、中間電極３００とアノード基板１００との間に印加する電圧を発生する第２高圧発生回路２００３と、異常放電の発生時に各電極（走査線２７、信号線１１、アノード電極１１４、中間電極３００）の後段の回路を保護するための保護回路２００４、２００５、２００６とを備えている。第２高圧発生回路２００３は、中間電極３００の電位を、カソード基板２００の電位（すなわち走査線２７と信号線１１の電位）と同程度（例えば、走査線２７の電位）になるように制御する。なお、走査線２７と信号線１１の電位は、アノード電極１１４の電位に比べれば、ほぼ同じである。
【００３６】
ここで、異常放電が発生した場合について説明する。仮に中間電極３００がない場合、異常放電は、アノード基板１００とカソード基板２００との間で発生する。そして、発生した異常電流は、画像制御回路２００１に流れて、画像制御回路２００１の破損を引き起こす。大電流は、保護回路によって、ある程度遮断可能であるが、パルスは保護回路を通過するからである。
【００３７】
一方、本実施形態の表示パネル１０００では、アノード基板２００から見てカソード基板１００より近い位置に中間電極３００があり、その電位は、カソード基板２００の電位を同程度に制御され、かつカソード基板２００と回路的に絶縁され、カソード基板２００とは別個に制御されている。そうすると、異常放電は、アノード基板２００と中間電極３００との間で発生する。そして、中間電極３００によってカソード基板２００はシールドされることになり、カソード基板２００にはスパーク電流が殆ど流れ込まない。このため、軽微な保護回路２００４でも低耐圧の画像制御回路２００１を充分保護できる。
【００３８】
電子放出素子がＭＩＭ型電子源の場合、上記のような中間電極３００は、特に有用である。ＭＩＭ型電子源を備えるカソード基板２００は、制御電極にあたる上部電極１３が極薄の平坦膜であるため、避雷針を兼ねる事が出来ない。だからといって、避雷針のために積極的な突起を設けることはプロセス的な負担が大きくなる。上記実施形態によれば、コスト負担の小さい保護方法が提供される。
【００３９】
また、中間電極３００は、高価なフォトリソグラフィーで形成する薄膜回路ではなく、安価な織物などで形成され、カソード基板２００の側の片面にのみ導電性膜を形成されている。したがって、中間電極３００のピッチ精度が不十分でうねりを生じカソード基板２００と接触してもリークをおこさない。
【００４０】
（製造工程の説明）
次に、上記のように構成される表示パネル１０００の製造工程について説明する。まず、図６を参照して、中間電極３００の製造工程について説明する。
【００４１】
まず、中間電極３００の担体となる織物（または、編み物）である網状構造物を用意する。ここでは、太さ０．０３ｍｍのガラス繊維で織られた網目状の担体３１０を用いた。網目のピッチは、電子源の配置のピッチと同じである。
【００４２】
図６（１）に示すように、この担体３１０を台座７２０に取り付ける。このとき、いくつかの網目にピン７１０を通し規定のピッチを維持するように張力を与えて固定する。
【００４３】
次に、図６（２）に示すように、真空蒸着、スパッタ成膜またはＣＶＤ成膜により、担体３１０上に、金属を薄膜形成させる。
【００４４】
次に、形成させた薄膜を種膜として、電界メッキにより厚膜化を行い、中間電極３００に十分な導電性を与える膜厚を確保する。このとき、担体の繊維が相互に固着される。このため、中間電極３００は、一定のピッチ精度が得られるとともに、多少の変形では導電膜がカソード基板２００側に回りこまない構造とすることができる。
【００４５】
導電性薄膜としては、薄膜形成プロセスの選択にもよるが、繊維との密着性を得やすく、後の組み立てプロセスの加熱に耐える必要があることから、ＩＴＯ膜、アルミネオジム合金、ニッケル、クロム、チタンを例示することができる。厚膜化に用いる金属材料は電解メッキによる厚膜メッキが容易であること、耐熱性を得やすいことからニッケルもしくはクロム、薄膜でも十分な導電性を得られる点から銀合金を例示することができる。
【００４６】
金属膜形成を電解メッキを用いず、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法などの薄膜プロセスのみで長時間成膜により厚膜を得ることも当然可能である。この場合、薄膜プロセスのランニングコストはかかるが、電解メッキの工程が不要になるため、工場建設費の低減やクリーン化の上でメリットがある。
【００４７】
以上、中間電極３００の製造方法について説明した。次に、図７を参照して、表示パネル１０００の製造方法について説明する。
【００４８】
アノード基板１００には、ブラックマトリックス１２０、蛍光体１１１、アノード電極１１１などが形成されている。カソード基板２００には、写真製版や印刷などの技術を用い、所望の電子源や電気回路が形成されている。また、内部スペーサ４０や、枠スペーサ１１６、その他の排気用部品なども組立洗浄されて準備されているとする。内部スペーサ４０および枠スペーサ１１６はガラス板で構成され、内部スペーサ４０には、図３で示したように櫛歯状の凸部４１がヤスリ加工により形成されている。
【００４９】
図７（ａ）に示すように、アノード基板１００のアノード電極１１４上の内部スペーサ４０を立てる位置に、印刷やディスペンサにより、フリットペースト１１５ａｐを塗布する。このときのフリットペースト１１５ａｐは、例えば、ガラスフリットに対し嵩体積で数％〜２５％の銀粒子が混入しており、溶剤や固着剤と混練し、ペースト化してある。その後、内部スペーサ４０を押し当て、固定した後、仮焼成を行う。
【００５０】
次に、中間電極３００を内部スペーサ４０の凸部４１に引っ掛けて、位置決めする。図４に示したように、内部スペーサ４０の端には凸部４１が設けられているので、この凸部を利用して、中間電極３００の網目を引っ掛けて位置決めする。
【００５１】
一方、カソード基板２００には、スペーサ部材４０が配置される位置に、印刷やディスペンサによりフリットペーストを塗布する。このときのフリットペーストには、例えば、ガラスフリットに対し嵩体積で２０〜１００％の金粒子が混入しており、溶剤や固着剤と混練し、ペースト化してある。そして、ペーストの塗布後、乾燥し仮焼成する。
【００５２】
その後、図７（ｃ）に示すように、内部スペーサ４０及び中間電極３００を配置したアノード基板１００と、カソード基板２００とを、ガラスフリット１１６ａｐを塗布して乾燥済みの枠ガラス１１６を挟んで、組み合わせる。そして、本焼成を行い、全体を固定する。
【００５３】
さらに、アノード基板１００に取り付けられた排気部材（図示しない）を用いて、内部を真空排気した後、排気管を封止し、ゲッタフラッシュにより真空劣化の防止を実施する。
【００５４】
こうして、メッシュ状の中間電極３００がカソード基板２００を覆ったような構造を有する表示パネル１０００が製造される。
【００５５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に制限されない。上記実施形態は、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。
【００５６】
例えば、中間電極３００を、図８に示すようにして製造してもよい。そして、製造した中間電極３００を表示パネル１０００に用いても良い。かかる中間電極３００は、その基体としてステンレス織物３１８を使用し、台座固定後、プレス加工により、平坦化を行う。この加工によりメッシュのステンレス繊維に交互に圧痕を付けまた一部は固着させ、位置ずれを防止する（図８（１）、（２）参照）。その後、ステンレス織物３１８の片面に非導電性の膜３１９を形成する。非導電性の膜３１９は、アルミナ系・アルミナチタニア系・ジルコニア系等の絶縁性セラミックの溶射加工、もしくはアルミナ・炭化チタン・窒化チタンなどのＣＶＤ成膜により形成することができる（図８（３）参照）。このようにして製造した中間電極３００は、上述したとおり、非導電性の膜の面をカソード基板２００に対向させて配置される。
【００５７】
なお、導電性の織物としてステンレス織物を用いたのは、金属製織物として入手性が良好で目の細かさが各種流通している点と、耐熱性が優れているからである。構造上はニッケルクロム合金などの耐熱性を有する金属線からなる織物であれば十分である。また、中間電極３００もしくはその坦体は必ずしも織物である必要はなく、例えばステンレス細線による編み物構造物に絶縁性コーティングを施しても良いし、微細穴あけ加工を施したセラミック薄板に金属薄膜を形成しても良い。
【００５８】
また、上記実施形態では、櫛歯状の凸部４１がある内部スペーサ４０により網目状構成物である中間電極３００を位置決めしたが、スペーサではなく、位置決め専用の部材により、位置決めしてもよい。
【００５９】
また、内部スペーサ４０の端部に凹凸がなくてもよい。例えば、接着層１１５ｂにより、中間電極３００を押しつぶすようにして、固定してもよい。
【００６０】
本発明は、電子源（電子放出素子）を備えるディスプレイに適用できる。例えば、カソードから飛び出した熱電子が、カソードとアノードの間に位置するグリッド電極で制御され加速され、アノードにある蛍光体（表示素子）にぶつかることにより発光する蛍光表示装置（ＶＦＤ）にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は表示パネルの平面図である。
【図２】図２は表示パネルの断面図である。
【図３】図３（ａ）は内部スペーサの断面図、図３（ｂ）は側面図である。
【図４】図４は中間電極が内部スペーサにより位置決めされた様子を示す図である。
【図５】図５は表示パネルと駆動装置の概略構成図である。
【図６】図６は中間電極の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は表示パネルの製造工程図である。
【図８】図８は中間電極の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…基板、１１…信号線、１２…電子加速層、１３…上部電極、１４…保護絶縁層
２７…走査線
１００…アノード基板
２００…カソード基板
１１６…枠スペーサ
４０…内部スペーサ、１１５ａ、１１５ｂ…接着層
３００…中間電極、３１０…非導電層、３１５…導電層
【図１】
2007080719.tif 000003
【図２】
2007080719.tif 000004
【図３】
2007080719.tif 000005
【図４】
2007080719.tif 000006
【図５】
2007080719.tif 000007
【図６】
2007080719.tif 000008
【図７】
2007080719.tif 000009
【図８】
2007080719.tif 000010