(57)【要約】【課題】  素子用下電極の側面に形成した薄い絶縁膜のみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子およびその製造方法において、素子用下電極の寸法や側面形状にばらつきが発生しない構成を提供し、さらに、このような非線形素子を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】  非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１を覆う第１の絶縁膜４６ａが素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを覆う第２の絶縁膜４６ｂより厚いラテラル構造を備えている。素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている一方、切り欠き４９に面する側面は、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。【選択図】  図１
2007027596.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子用下電極と、該素子用下電極の表面側を覆う素子用絶縁層と、該素子用絶縁層を介して前記素子用下電極に対向する素子用上電極とを備えた非線形素子において、
前記素子用下電極の上面には、前記素子用絶縁層として第１の絶縁膜が形成され、
前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なっている側面のうち、第１の側面には前記第１の絶縁層が形成され、当該第１の側面に対して当該素子用下電極を挟んで対向する第２の側面には、前記素子用絶縁層として、前記第１の絶縁層よりも膜厚の薄い第２の絶縁層が形成されていることを特徴とする非線形素子。
【請求項２】
前記第２の側面は、前記第１の側面よりも、前記素子用下電極の下面に対してなす角度が小さいテーパ角になっていることを特徴とする請求項１に記載の非線形素子。
【請求項３】
前記素子用下電極には、切り欠きが形成され、
前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なっている側面のうち、前記切り欠きに面する側面が前記第２の側面であることを特徴とする請求項１または２に記載の非線形素子。
【請求項４】
前記切り欠きは、前記素子用下電極の外周縁から内側に延びていることを特徴とする請求項３に記載の非線形素子。
【請求項５】
前記素子用下電極は、略長方形の平面形状を有するとともに、
前記切り欠きは、前記素子用下電極の長辺に略平行に延びていることを特徴とする請求項３または４に記載の非線形素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置であって、
液晶層を挟持する素子基板と対向基板とを有し、
前記素子基板には、第１の配線と、該第１の配線に前記非線形素子を介して電気的に接続された画素電極とが形成され、
前記素子基板および前記対向基板のうちの一方の基板には、前記画素電極に対して前記液晶層を介して対向する共通電極が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板には、前記非線形素子に直列接続され、かつ、前記画素電極、前記液晶層および前記共通電極によって構成される液晶容量に並列接続された保持容量が形成され、
当該保持容量は、保持容量用下電極の表面側を覆う誘電体層が前記第１の絶縁膜と材料および膜厚が同一であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記共通電極は、前記素子基板の側に形成され、
当該素子基板には、前記第１の配線と交差する方向に延びた第２の配線が形成され、
当該第２の配線には、前記共通電極が直接あるいは他の導電層を介して接続していることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れか一項に規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
素子用下電極と、該素子用下電極の表面側を覆う素子用絶縁層と、該素子用絶縁層を介して前記素子用下電極に対向する素子用上電極とを備えた非線形素子の製造方法において、
前記素子用下電極を形成するための導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜を所定形状にパターニングする第１のパターニング形成工程と、
前記導電膜パターンの表面に前記素子用絶縁層として第１の絶縁膜を形成する第１の酸化工程と、
前記導電膜パターンの表面側をマスクで部分的に覆った状態で前記導電膜パターンをエッチングして前記素子用下電極を形成する第２のパターニング工程と、
前記第２のパターニング工程で露出した前記素子用下電極の側面に前記素子用絶縁層として前記第１の絶縁膜よりも膜厚の薄い第２の絶縁膜を形成する第２の酸化工程とを有し、
前記第２のパターニング工程では、前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なる側面のうち、第１の側面を覆うとともに、当該第１の側面に対して当該導電膜を挟んで対向する第２の側面が露出するように前記マスクを形成することを特徴とする非線形素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第２のパターニング工程では、前記マスクに対するエッチング性を備えたエッチングガスを用いることを特徴とする請求項１０に記載の非線形素子の製造方法。
【請求項１２】
前記マスクは、前記素子用下電極に切り欠きを形成するための開口を備え、
前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なる側面のうち、前記素子用下電極において前記切り欠きに面する側面が前記第２の側面であり、他の側面が前記第１の側面であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の非線形素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、電子機器、および非線形素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の電気光学装置では、互いに交差する方向に形成された走査線とデータ線の交差部分に対応して複数の画素が形成されている。これらの複数の画素を等価回路的にみたとき、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）からなる画素スイッチング素子と液晶容量とが直列接続されているとともに、液晶容量に対して保持容量が並列接続された構成になっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、特許文献１に開示の電気光学装置では、素子基板の方に画素電極と共通電極とを形成し、画素電極と共通電極との間に発生する横電界を利用して液晶層を駆動する、いわゆるＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが採用されている。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示の構成のように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合には、露光、現像、エッチング処理などを含むフォトリソグラフィ工程や成膜工程を多数回、繰り返し行う必要があるため、製造プロセスが長く、製造コストが増大するという問題点がある。
【０００５】
このような問題点を解消可能なものとして、タンタル膜からなる素子用下電極と、この素子用下電極の表面側を陽極酸化してなる陽極酸化膜と、クロム膜などからなる素子用上電極とを備えたＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）素子（非線形素子）を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、上記特許文献２に記載の非線形素子では、素子用下電極の表面側に厚い第１の絶縁膜を形成する一方、素子用下電極の側面に薄い第２の絶縁膜を形成して、いわゆるラテラル構造のＴＦＤ素子を構成することにより、非線形素子に寄生する容量を低減している。
【０００７】
このようなラテラル構造の非線形素子を形成する場合には、例えば、図１１（ａ）に示すように、表面に厚い第１の絶縁膜４６ａを形成した素子用下電極４４の表面側にレジストマスク１６を形成し、このレジストマスク１６の開口から素子用下電極４４をエッチングして、図１１（ｂ）に示すように、素子用下電極４４の幅を細くするとともに、素子用下電極４４の両側の側面４４ｃを露出させ、しかる後に、露出した側面４４ｃに対して薄い第２の絶縁膜を形成する。
【０００８】
また、素子用下電極を形成するためのタンタル膜の表面に厚い第１の酸化膜を形成した後、第１の絶縁膜の表面側にレジストマスクを形成し、このレジストマスクの開口部からタンタル膜をエッチングして、幅の狭い素子用下電極を形成した後、素子用下電極の側面に対して薄い第２の絶縁膜を形成することがある。
【０００９】
これらのいずれの場合も、素子用下電極の側面を露出させる際は、素子用下電極４４の側面４４ｃが急峻に立ち上がっていると、素子用上電極の断線やラビング不良が発生するため、レジストマスク１６に対してエッチング性を備えたエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、素子用下電極４４において第２の絶縁膜を形成すべき側面４４ｃをテーパ面とすることが多い。
【特許文献１】特開２０００−１６２６０２号公報
【特許文献２】特開昭６２−２４５２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の方法で非線形素子を製造すると、同一基板上に形成した非線形素子の間で、素子用下電極の幅寸法や素子用下電極の側面のテーパ角がばらつく結果、素子用下電極の上面や側面の面積がばらつき、寄生容量や電流−電圧特性がばらつくという問題点がある。このような問題は、図１１（ｃ）に示すように、ドライエッチングを行う際、素子基板１１の中央部分と外周部分で温度やガス密度などが相違するために、図１１（ａ）、（ｂ）に示すレジストマスク１６の後退速度がばらつくために起こるものと考えられ、素子基板１１の中央部分では素子用下電極４４の側面４４ｃが下面に対してなすのテーパ角が大きく、基板の外周部分ではテーパ角が小さい。このような不具合は、レジストマスク１６の幅寸法Ｗが細いほど発生しやすい傾向にある。
【００１１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子用下電極の側面に形成した薄い絶縁膜のみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子およびその製造方法において、素子用下電極の寸法や側面形状にばらつきが発生しない構成を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の課題は、このような非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明では、素子用下電極と、該素子用下電極の表面側を覆う素子用絶縁層と、該素子用絶縁層を介して前記素子用下電極に対向する素子用上電極とを備えた非線形素子において、前記素子用下電極の上面には、前記素子用絶縁層として第１の絶縁膜が形成され、前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なっている側面のうち、第１の側面には前記第１の絶縁層が形成され、当該第１の側面に対して当該素子用下電極を挟んで対向する第２の側面には、前記素子用絶縁層として、前記第１の絶縁層よりも膜厚の薄い第２の絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明では、素子用下電極と、該素子用下電極の表面側を覆う素子用絶縁層と、該素子用絶縁層を介して前記素子用下電極に対向する素子用上電極とを備えた非線形素子の製造方法において、前記素子用下電極を形成するための導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記素子用下電極よりも大きな導電膜パターンに前記導電膜をパターニングする第１のパターニング形成工程と、前記導電膜パターンの表面に前記素子用絶縁層として第１の絶縁膜を形成する第１の酸化工程と、前記導電膜パターンの表面側をマスクで部分的に覆った状態で前記導電膜パターンをエッチングして前記素子用下電極を形成する第２のパターニング工程と、前記第２のパターニング工程で露出した前記素子用下電極の側面に前記素子用絶縁層として前記第１の絶縁膜よりも膜厚の薄い第２の絶縁膜を形成する第２の酸化工程とを有し、前記第２のパターニング工程では、前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なるべき側面のうち、第１の側面を覆うとともに、当該第１の側面に対して当該導電膜を挟んで対向する第２の側面が露出するように前記マスクを形成することを特徴とする。
【００１５】
本願明細書において、素子用下電極の「表面側」とは、素子用下電極の上面および側面部の双方を含む意味である。
【００１６】
本発明において、画素スイッチング素子として用いた非線形素子は、素子用下電極の上面を覆う第１の絶縁膜が素子用下電極の第２の側面を覆う第２の絶縁膜より厚いラテラル構造を備えているため、素子用下電極の上面に寄生する容量を低減することができ、非線形素子の寄生容量が小さい。従って、コントラストや耐クロストーク性の向上を図ることができる。また、素子用下電極において前記素子用上電極と重なっている側面のうち、素子用下電極を挟んで互いに対向する第１の側面および第２の側面のうち、第１の側面には第１の絶縁層が形成され、第２の側面には、第２の絶縁層が形成されている。すなわち、第２のパターニング工程において、導電膜パターンを部分的にエッチングして素子用下電極の第２の側面を露出させる際、導電膜パターンを挟んで対向する側面についてはエッチングが行われないので、マスクには幅の狭い部分がない。このため、第２のパターニング工程を行う際、マスクの幅が狭いことに起因して素子用下電極のサイズや第２の側面のテーパ角がばらつくことがない。それ故、素子用下電極の第２の側面に形成した薄い第２の絶縁膜ｂのみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子およびその製造方法において、素子用下電極のサイズや側面形状のばらつきに起因する電気的特性のばらつきが発生しない。しかも、このような改良は、保持容量付きの場合にはマスクパターンの変更だけで実現でき、製造工程数が増えることもない。
【００１７】
本発明において、前記第２の側面は、前記第１の側面よりも、前記素子用下電極の下面に対してなす角度が小さいテーパ角になっていることが好ましい。このような構成を実現するには、前記第２のパターニング工程において、前記マスクに対するエッチング性を備えたエッチングガスを用いればよい。
【００１８】
本発明において、前記素子用下電極には、切り欠きが形成されている場合があり、この場合、前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なっている側面のうち、前記切り欠きに面する側面が前記第２の側面である。このような構成を実現するには、前記マスクに対して前記素子用下電極に切り欠きを形成するための開口を形成する。ここで、前記素子用下電極において前記素子用上電極と重なるべき側面のうち、前記素子用下電極において前記切り欠きに面する側面が前記第２の側面となる。
【００１９】
本発明において、前記切り欠きは、例えば、前記素子用下電極の外周縁から内側に延びている。
【００２０】
本発明において、前記素子用下電極は、例えば、略長方形の平面形状を有しており、この場合、前記切り欠きは、前記素子用下電極の長辺に略平行に延びていることが好ましい。このように構成すると、バック・トゥー・バック（Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ）構造の非線形素子を形成する際、２つの素子用上電極を容易に形成することができる。
【００２１】
本発明に係る非線形素子は、例えば、アクティブマトリクス型の電気光学装置において画素スイッチング素子として用いられる。このような電気光学装置は、液晶層を挟持する素子基板と対向基板とを有し、前記素子基板には、第１の配線と、該第１の配線に前記非線形素子を介して電気的に接続された画素電極とが形成され、前記素子基板および前記対向基板のうちの一方の基板には、前記画素電極に対して前記液晶層を介して対向する共通電極が形成されている。
【００２２】
本発明において、前記素子基板には、前記非線形素子に直列接続され、かつ、前記画素電極、前記液晶層および前記共通電極によって構成される液晶容量に並列接続された保持容量が形成されていることが好ましく、この場合、当該保持容量は、保持容量用下電極の表面側を覆う誘電体層が前記第１の絶縁膜と材料および膜厚が同一であることが好ましい。このように構成すると、コントラストや耐クロストーク性の向上を図ることができる。
【００２３】
本発明は、前記対向基板側に、前記画素電極と対向して前記液晶層を駆動する共通電極（対向電極）が形成されているＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードなどの電気光学装置に適用できる。また、本発明は、前記素子基板側に、前記画素電極と対向して前記液晶層を駆動する共通電極が形成されて、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する横電界を利用するＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの電気光学装置にも適用することができる。
【００２４】
これらの電気光学装置のうち、ＩＰＳモードの電気光学装置では、前記共通電極は、前記素子基板の側に形成され、当該素子基板には、前記第１の配線と交差する方向に延びた第２の配線が形成され、当該第２の配線には、前記共通電極が直接あるいは他の導電層を介して接続している。本願明細書において「直列接続」「並列接続」とは等価回路的に直列あるいは並列に電気的に接続していればよく、電極同士が直接接続している構成の他、他の電極、配線、回路などを介して電気的に接続している構成も含む意味である。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置は、例えば、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２７】
［非線形素子およびその製造方法］
（非線形素子の構造）
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、本発明が適用された非線形素子の平面図、そのＡ−Ａ′線断面図、およびＢ−Ｂ′線断面図である。
【００２８】
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、本形態の非線形素子４３は、素子基板１１上にタンタル膜などからなる素子用下電極４４と、この素子用下電極４４の表面側を覆うタンタル酸化膜などからなる素子用絶縁層４６と、この素子用絶縁層４６を介して素子用下電極４４に対向するクロム膜などからなる第１の素子用上電極４５ａおよび第２の素子用上電極４５ｂとを備えている。このような非線形素子４３は、２つのＴＦＤ素子が極性を逆向きに直列接続されたバック・トゥー・バック（Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ）構造を有している。
【００２９】
本形態において、非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１に、素子用絶縁層４６として、厚い第１の絶縁膜４６ａが形成されたラテラル構造を有しているが、従来のラテラル構造と違って、素子用下電極４４の側面の一部には、上面４４１と同様の第１の絶縁膜４６ａが形成され、他の部分には、素子用絶縁層４６として、第１の絶縁膜４６ａよりも薄いタンタル酸化膜からなる第２の絶縁膜４６ｂが形成されている。
【００３０】
すなわち、素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている。ここで、素子用下電極４４には、平面形状が略直方体の素子用下電極４４の外周縁から内側に向かって長辺部分と略平行に延びた切り欠き４９が形成されており、素子用下電極４４において切り欠き４９に面する側面は、第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。
【００３１】
このように構成した非線形素子４３において、第１の側面４４ａは、素子用下電極４４の下面となす角度が９０°に近いのに対して、第２の側面４４ｂは、第１の側面４４ａに比較して素子用下電極４４の下面となす角度が小さいテーパ角になっている。
【００３２】
（非線形素子の製造方法）
以上の構造は、以下に説明する製造工程において、エッチング中のレジストマスクの後退速度のばらつきに起因して、素子用下電極４４の寸法や第２の側面４４ｂのテーパ角がばらつくのを防止することを目的に採用されたものであり、以下、本形態の非線形素子の製造工程の主要な工程を説明する。
【００３３】
図２（ａ）〜（ｃ）、および図３（ａ）、（ｂ）は、本形態の非線形素子の製造方法を示す工程断面図である。なお、図２および図３には、左側領域には非線形素子１つ分の平面図を示し、右側領域に所定位置（Ａ−Ａ′線で示す位置）での断面図を示してある。
【００３４】
まず、図２（ａ）に示すように、第１のパターニング形成工程によって、素子用下電極４４を形成するためのタンタル膜をパターニングして、所定形状の導電膜パターン６１ｂを形成する。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示す第１の酸化工程において、導電膜パターン６１ｂの表面側に素子用絶縁層６０として膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａを形成する。
【００３６】
次に、図２（ｃ）に示す第２のパターニング工程において、導電膜パターン６１ｂの表面側をレジストマスク１４で部分的に覆った状態で導電膜パターン６１ｂをエッチングし、図３（ａ）に示すように、素子用下電極４４を形成する。ここで、レジストマスク１４は、素子用下電極４４に対して、外周縁から内側に向けて長方形の長辺に略平行に延びた切り欠き４９を形成するための細長い開口１４１を備えているだけであり、素子基板１１の略全面を覆っている。このようなレジストマスク１４を用いて形成した素子用下電極４４において、切り欠き４９の内側で露出した部分が第２の側面４４ｂとなる。また、素子用下電極４４の側面が急峻に立ち上がっていると、素子用上電極４５ａ、４５ｂの断線などが発生するため、第２のパターニング工程では、レジストマスク１４に対してエッチング性を備えたエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、素子用下電極４において第２の絶縁膜４６ｂを形成すべき第２の側面４４ｂをテーパ面とすることが多い。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示す第２の酸化工程では、第２のパターニング工程により露出した素子用下電極４４の第２の側面４４ｂに、素子用絶縁層４０として、第１の絶縁膜４６ａよりも膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂを形成する。
【００３８】
しかる後には、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、クロム膜の成膜工程およびパターニング工程を行って第１の素子用上電極４５ａおよび第２の素子用上電極４５ｂを形成すれば、非線形素子４３が完成する。
【００３９】
なお、第１の酸化工程および第２の酸化工程では、その酸化法として、陽極酸化法、水蒸気酸化法、オゾン酸化法など、いずれの酸化方法を利用してもよい。ここで、陽極酸化法を採用する場合には給電線が必要であるが、その構成は、後述する電気光学装置の製造方法で採用しているので、ここでは図示および説明を省略する。
【００４０】
（非線形素子における効果）
このように、本形態の非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１を覆う第１の絶縁膜４６ａが素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを覆う第２の絶縁膜４６ｂより厚いラテラル構造を備えているため、素子用下電極４４の上面４４１に寄生する容量を無視することができ、非線形素子４３の寄生容量が小さい。
【００４１】
また、本形態の非線形素子４３では、素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている。これに対して、素子用下電極４４において切り欠き４９に面する側面は、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。従って、第２のパターニング工程において、導電膜パターン６１ｂを部分的にエッチングして素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを露出させる際、図２（ｃ）からわかるように、レジストマスク１４には幅の狭い部分が一切ない。このため、第２のパターニング工程では、レジストマスク１４の幅が狭いことに起因して、素子用下電極４４のサイズや第２の側面４４ｂのテーパ角がばらつくことがない。それ故、素子用下電極４４の第２の側面４４ｂに形成した薄い第２の絶縁膜４６ｂのみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子４３およびその製造方法において、素子用下電極４４のサイズや側面形状のばらつきに起因する電気的特性のばらつきが発生しない。
【００４２】
しかも、このような改良は、保持容量付きの場合にはレジストマスク１３のパターンの変更だけで実現でき、製造工程数が増えることもない。
【００４３】
また、切り欠き４９は、素子用下電極４４の長辺に略平行に延びているため、Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造の非線形素子４３を形成する際、２つの素子用上電極４５ａ、４５ｂを容易に形成することができる。
【００４４】
［非線形素子の変形例］
上記のように、第２のパターニング工程に用いるレジストマスク１４に幅の狭い部分がないように構成するにあたっては、図４（ａ）に示すように、素子用下電極４４の内側に、閉じた形状の切り欠き４６を形成してもよい。この場合も、素子用下電極４４において、切り欠き４９の内側で露出した部分が、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂとなる。これに対して、素子用下電極４４において、その外周縁に位置する部分が、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａとなる。
【００４５】
さらに、第２のパターニング工程に用いるレジストマスク１４に幅の狭い部分がないように構成するにあたっては、図４（ｂ）に示すように、第２のパターニング工程において、素子用下電極４４の一方の辺のみを露出させ、この部分を、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂとしてもよい。この場合、素子用下電極４４において、素子用下電極４４を挟んで第２の側面４４ｂに対向する辺部分が、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第２の側面４４ｂとなる。
【００４６】
すなわち、図１（ａ）、図４（ａ）、図４（ｂ）からわかるように、素子用下電極４４において素子用上電極４５ａ、４５ｂと重なっている側面のうち、素子用下電極４４を挟んで対向する２つの側面のうち、一方の側面を膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂとし、他方の側面を膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａとすれば、第２のパターニング工程で用いるレジストマスク１４に幅の狭い部分が発生しない。
【００４７】
［電気光学装置への適用］
（全体構成）
図５は、本発明が適用される電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図６は、図５に示す電気光学装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、本形態の電気光学装置では、図１〜図４を参照して説明した非線形素子を画素スイッチング素子として用いるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００４８】
図５に示す電気光学装置１は、ＩＰＳモードを採用したアクティブマトリクス型の液晶層装置であり、この電気光学装置１では、Ｘ方向に延びた走査線４７（第１の配線）と、Ｙ方向に延びたデータ線４１（第２の配線）との交差部分に対応して複数の画素２がマトリクス状に構成されている。データ線４１はデータ線駆動回路４１０に接続され、走査線４７は走査線駆動回路４７０に接続されている。本形態では、走査線４７に非線形素子４３が接続され、この非線形素子４３を介して走査線４７には画素電極４８ｂが接続されている。データ線４１には共通電極４２ｂが接続している。共通電極４２ｂと画素電極４８ｂとの間には液晶層が介在し、共通電極４２ｂ、液晶層および画素電極４８ｂによって液晶容量４が形成されている。液晶容量４は、等価回路的にみると、非線形素子４３に対して直列接続されている。また、本形態では、データ線４１と画素電極４８ｂとの間に保持容量９が形成されており、等価回路的にみると、保持容量９は、非線形素子４３に直列接続され、かつ、液晶容量４には並列接続されている。
【００４９】
図６に示すように、本形態の電気光学装置１は、対向配置された一対の基板を有している。一方の基板は、非線形素子４３や画素電極４８ｂが形成された素子基板１０であり、他方の基板は対向基板２０である。素子基板１０と対向基板２０とはシール材３によって貼り合わされ、その内側に液晶層３０が封入されている。本形態の電気光学装置１では、素子基板１０の表面に直接、駆動用ＩＣチップ１５が実装されている。
【００５０】
本形態において、液晶はＩＰＳモードで駆動されるため、詳しくは後述するように、素子基板１０の内側表面には、複数本の走査線４７、走査線４７に接続される複数の非線形素子４３、および非線形素子４３と１対１に接続される画素電極４８ｂが形成され、さらに、素子基板１０の内側表面には、図５に示したデータ線４１、共通電極４２ｂおよび保持容量９も形成されている。素子基板１０において、画素電極４８ｂなどの表面には、ポリイミドなどからなる配向膜１３が形成されている。対向基板２０の内側表面には、ポリイミドなどからなる配向膜２３が形成されている。但し、ＴＮモードやＶＡＮモードの電気光学装置と違って、本形態の電気光学装置１では、対向基板２０の内側表面には共通電極（対向電極）が形成されていない。なお、電気光学装置１をカラー表示用に構成する場合、対向基板２０には、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」のカラーフィルタが形成されるが、本発明とは直接、関係しないので、その図示や説明を省略する。また、対向基板２０には、ブラックマトリクスなどと称せられる遮光膜や、平坦化膜が形成される場合もあるが、これらについても説明を省略する。また、素子基板１０の外側表面や対向基板２０の外側表面には、偏光板や位相差板などの光学部材が配置されるが、これらの光学部材についても図示および説明を省略する。
【００５１】
（素子基板１０の詳細構成）
図７は、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板において、数画素分のレイアウトを示す平面図である。図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ、図７のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線で素子基板を切断したときの構造を模式的に示す断面図である。なお、図８には配向膜の図示を省略してある。
【００５２】
図７に示すように、素子基板１０上では、走査線４７（第１の配線）とデータ線４１（第２の配線）との交差部分に対応して複数の画素２がマトリクス状に配置されている。複数の画素２のいずれにおいても、データ線４１の途中からは画素２内に向けて分岐した下電極４２が形成されている。データ線４１および下電極４２は、例えばタンタル（Ｔａ）単体膜やタンタル合金膜などのバルブ金属から構成されている。ここで、下電極４２は、データ線４１から分岐してＸ方向に延びる延出部４２ａと、この延出部４２ａから分岐してＹ方向に延びる２本の共通電極４２ｂとを備えている。このような下電極４２のうち、共通電極４２ｂが主に液晶を駆動する機能を担い、延出部４２ａの一部および共通電極４２ｂの先端部はそれぞれ、後述する保持容量用下電極９１ａ、９１ｂとして機能する。
【００５３】
データ線４１と走査線４７の交差部の近傍には、非線形素子４３（ＴＦＤ素子）が形成されている。非線形素子４３は、タンタル膜などからなる素子用下電極４４と、この素子用下電極４４の表面側を覆うタンタル酸化膜などからなる素子用絶縁層４６と、この素子用絶縁層４６を介して素子用下電極４４に対向するクロム膜などからなる第１の素子用上電極４５ａおよび第２の素子用上電極４５ｂとを備えている。ここで、走査線４７の一部が第１の素子用上電極４５ａを構成している。このような非線形素子４３は、２つのＴＦＤ素子が極性を逆向きに直列接続されたＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造を有している。
【００５４】
ここで、非線形素子４３は、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明した構造を有している。すなわち、素子用下電極４４の上面４４１には、素子用絶縁層４６として、厚い第１の絶縁膜４６ａが形成されたラテラル構造を有しているが、従来のラテラル構造と違って、素子用下電極４４の側面の一部には、上面４４１と同様の第１の絶縁膜４６ａが形成され、他の部分には、素子用絶縁層４６として、第１の絶縁膜４６ａよりも薄いタンタル酸化膜からなる第２の絶縁膜４６ｂが形成されている。
【００５５】
すなわち、素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている。ここで、素子用下電極４４には、切り欠き４９が形成されており、素子用下電極４４において切り欠き４９に面する側面は、第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。
【００５６】
このように構成した非線形素子４３において、第１の側面４４ａは、素子用下電極４４の下面となす角度が９０°に近いのに対して、第２の側面４４ｂは、第１の側面４４ａに比較して素子用下電極４４の下面となす角度が小さいテーパ角になっている。
【００５７】
第２の素子用上電極４５ｂは上電極４８の一部として形成されており、上電極４８は、第２の素子用上電極４５ｂと、Ｘ方向に延びる延出部４８ａと、この延出部４８ａから分岐してＹ方向に延びる２本の画素電極４８ｂと、Ｘ方向に延びて画素電極４８ｂの先端部を連結する延出部４８ｃとを有している。このような上電極４８のうち、画素電極４８ｂが主に液晶を駆動する機能を担っている。すなわち、画素電極４８ｂと共通電極４２ｂは、図７および図８（ｃ）に示すように、Ｘ方向に沿って交互に配置され、互いに横方向で対向し、その間に介在する液晶を駆動する。本形態において、走査線４７（第１の素子用上電極４５ａ）、および上電極４８は、例えばクロム（Ｃｒ）などの金属から構成されている。
【００５８】
図７および図８（ｄ）に示すように、下電極４２の延出部４２ａの一部、および上電極４８の延出部４８ｃの一部は、それぞれが保持容量用下電極９１ａおよび保持容量用上電極９２ａとして平面的に重なるように配置され、保持容量用下電極９１ａと保持容量用上電極９２ａは、下電極４２の表面を陽極酸化してなる厚い第１の絶縁膜４６ａを介して対向し、保持容量９ａ（図５に示す保持容量９）を構成している。また、この部分に比べると面積は小さいが、共通電極４２ｂの先端部分、および上電極４８の延出部４８ａの一部も、それぞれが保持容量用下電極９１ｂおよび保持容量用上電極９２ｂとして平面的に重なるように配置され、保持容量用下電極９１ｂと保持容量用上電極９２ａとは、下電極４２の表面を陽極酸化してなる厚い第１の絶縁膜４６ａを介して対向し、保持容量９ｂ（図５に示す保持容量９）を構成している。なお、図７および図８（ｃ）に示すように、第１の絶縁膜４６ａは、データ線４１および下電極４２の表面全体に形成されている。
【００５９】
（電気光学装置１の製造方法）
図９（ａ）〜（ｄ）、および図１０（ａ）〜（ｃ）は、本形態の電気光学装置の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程を示す説明図である。なお、図９および図１０において、左側領域には１つの画素の平面図を示し、右側領域には、所定位置（Ａ−Ａ′線で示す位置）での断面図を示してある。
【００６０】
本形態の電気光学装置１に用いた素子基板１０を製造するには、まず、図９（ａ）に示すように、ガラス基板等の透明基板１１を用意し、この透明基板１１上にタンタル酸化膜等からなる下地絶縁膜５１をスパッタ法などにより形成する。ここで、下地絶縁膜５１の膜厚は、例えば１００ｎｍとなるように形成する。
【００６１】
次に、タンタル膜の成膜工程において、タンタル単体膜やタンタル合金膜などのタンタル膜６０をスパッタ法などにより順次成膜する。ここで、タンタル膜６０は、陽極酸化処理後の膜厚減少を考慮して、陽極酸化処理後に所定の膜厚となるように形成する。
【００６２】
次に、第１のパターニング工程において、フォトリソグラフィ技術によりタンタル膜６０の上層に、所定のパターンを備えたレンジストマスク１３を形成した状態でエッチングを行い、図９（ｂ）に示す導電膜パターン６１を形成する。この導電膜パターン６１は、陽極酸化時に給電線として利用されるデータ線４１や下電極４２（延出部４２ａ、共通電極４２ｂ、保持容量用下電極９１ａ、９１ｂ）となる第１の導電膜パターン６１ａと、素子用下電極４４となる第２の導電膜パターン６１ｂと、後に除去される第３の導電膜パターン６１ｃ（ブリッジ部分）とを備えており、これらの導電膜パターンは、この時点では一体のパターンになっている。
【００６３】
次に、第１の酸化工程において、データ線４１を給電線として導電膜パターン６１の表面に対して陽極酸化を施し、図９（ｃ）に示すように、導電膜パターン６１の表面全体を覆うように厚いタンタル酸化膜からなる第１の絶縁膜４６ａを形成する。このときの陽極酸化は、印加電圧を１００〜２５０Ｖに設定して行われる。これにより、１８０〜４５０ｎｍの膜厚からなる第１の絶縁膜４６ａが導電膜パターン６１の表面全体に形成される。このような第１の陽極酸化工程を行った後、残った金属部分がデータ線４１、および下電極４２（延出部４２ａ、共通電極４２ｂ、保持容量用下電極９１ａ、９１ｂ）となる。
【００６４】
本形態において、第１の酸化工程では、クエン酸などの水溶液（水系電解液）に素子基板１０を浸漬させ、電解液中において陰極板と対向させた状態で、データ線４１を給電線として用いて導電膜パターン６１と陰極板との間に電圧を印加する。また、有機溶剤−水との混合溶媒に芳香族カルボン酸塩などを溶解させた溶液（有機系電解液）に素子基板１０を浸漬させ、電解液中において陰極板と対向させた状態で、データ線４１を給電線として用いて導電膜パターン６１と陰極板との間に電圧を印加してもよい。なお、芳香族カルボン酸塩としては、サリチル酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、γ−レゾルシン酸アンモニウム、フタル酸水素アンモニウム、フタル酸ジアンモニウムなどを用いることができる。有機溶剤としては各種のアルコールを用いることができ、沸点や安定性の面からすれば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどの多価アルコールが好ましく、多価アルコールの中でも、溶質に対する溶解性などの面から化成液の溶媒の主成分がエチレングリコールであることが好ましい。
【００６５】
次に、図９（ｄ）に示すように、第２のパターニング工程において、導電膜パターン６１の上層側にレジストマスク１４を形成し、導電膜パターン６１をエッチングする。ここで、レジストマスク１４には、素子用下電極４４に対して切り欠き４９を形成するための開口１４１が形成されているだけである。従って、レジストマスク１４は、素子基板１１の略全面に形成され、幅の細い部分が一切ない。
【００６６】
ここで、素子用下電極４４の側面を露出させる際、素子用下電極４４の側面が急峻に立ち上がっていると、素子用上電極４５ａ、４５ｂの断線やラビング不良が発生するため、レジストマスク１４に対してエッチング性を備えたエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、素子用下電極４４において第２の絶縁膜４６ｂを形成すべき第２の側面４４ｂをテーパ面とすることが多い。具体的には、エッチングガスとしてＳＦ6とＯ2の混合ガスを用い、ＲＦパワー：１２００〜１５００Ｗ、ガス流量：５００〜９００ｓｃｃｍ、圧力：７０〜１２０ｍＴｏｒｒのエッチング条件を設定する。
【００６７】
このような第２のパターニング工程を行うと、レジストマスク１４の開口１４１から素子用下電極４４および第１の絶縁膜４６ａがエッチングされる。その結果、図１０（ａ）に示すように、素子用下電極４４には、外周縁から内側に向けて長方形の長辺に略平行に延びた切り欠き４９が形成され、切り欠き４９の内側では、素子用下電極４４を構成するタンタル膜の側面（素子用下電極４４の側面）が露出した状態となる。
【００６８】
このようにして、切り欠き４９の内側で露出した部分が第２の側面４４ｂであり、第２の側面４４ｂには、テーパが付される。これに対して、素子用下電極４４の外周縁に位置する側面は、第２のパターニング工程でエッチングされなかった第１の側面４４ａであり、第１の側面４４ａには膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成されている。このようなエッチングを行った後も、第２の導電膜パターン６１ｂは、第３の導電膜パターン６１ｃを介して第１の導電膜パターン６１ａに繋がっている。
【００６９】
次に、第２の酸化工程において、データ線４１を給電線として導電膜パターン６１に対して陽極酸化を行い、図１０（ｂ）に示すように、第２の導電膜パターン６１ｂの側面（素子用下電極４４の第２の側面４４ｂ）に薄いタンタル酸化膜からなる第２の絶縁膜４６ｂを形成する。この第２の酸化工程でも、第１の酸化工程と同様な条件を適用できるが、陽極酸化の電圧は１０〜１２Ｖであり、２０〜４０ｎｍの膜厚からなる第２の絶縁膜４６ｂが形成される。このような陽極酸化工程を行った後、残った金属部分が素子用下電極４４となる。
【００７０】
次に、図１０（ｃ）に示すように、導電膜パターン６１のパターニングを行い、導電膜パターン６１から第３の導電膜パターン６１ｃを除去し、素子用下電極４４となる部分を切り離す。その際、データ線４１の端部では、第１の絶縁膜４６ａおよびデータ線４１をスリット状に除去すれば、後で形成したクロム膜とデータ線４１とを電気的に接続することができ、端子として利用することができる。
【００７１】
次に、２００ｎｍの膜厚のクロム膜をスパッタ法により成膜した後、図７および図８に示すようにクロム膜のパターニングを行い、走査線４７および上電極４８（第２の素子用上電極４５ｂ、延出部４８ａ、４８ｃ、画素電極４８ｂ）などを形成する。その結果、非線形素子４３および保持容量９ａ、９ｂが形成される。
【００７２】
しかる後には、素子基板１０上にポリイミド膜を形成し、その表面をラビング処理することによって配向膜１３を形成する。以上の工程によって、素子基板１０が完成する。
【００７３】
一方、対向基板２０については、詳細な製造方法の説明を省略するが、ガラス基板などの透明基板２１上に配向膜２３などを形成することによって製造することができる。そして、完成した素子基板１０と対向基板２０とをシール材３を介して貼り合わせ、液晶層を封入することによって電気光学装置１が完成する。
【００７４】
（電気光学装置における主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１において、画素スイッチング素子として用いた非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１を覆う第１の絶縁膜４６ａが素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを覆う第２の絶縁膜４６ｂより厚いラテラル構造を備えているため、素子用下電極４４の上面４４１に寄生する容量を低減することができ、非線形素子４３の寄生容量が小さい。また、本形態では、素子基板１０に対して、等価回路的にみて、非線形素子４３に直列接続され、かつ、液晶容量４に並列接続された保持容量９を形成することにより、コントラストや耐クロストーク性を向上させているが、非線形素子４３の寄生容量が小さいので、以下の式
容量比＝（液晶容量４の容量値＋保持容量９の容量値）／非線形素子４３の寄生容量値
で表される容量比を所定レベルに設定する場合でも、保持容量９に求められる容量値が小さい。それ故、保持容量９の占有面積が狭く済むので、画素開口率を高くできるという利点がある。
【００７５】
また、本形態の非線形素子４３では、素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている。これに対して、素子用下電極４４において切り欠き４９に面する側面は、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。従って、非線形素子４３を製造する際、第２のパターニング工程において、導電膜パターン６１ｂを部分的にエッチングして素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを露出させる際、レジストマスク１４には幅の狭い部分がない。このため、第２のパターニング工程では、レジストマスク１４の幅が狭いことに起因して、第２の絶縁膜４６ｂを形成すべき第２の側面４４ｂのテーパ角がばらつくことがない。それ故、素子用下電極４４の第２の側面４４ｂに形成した薄い第２の絶縁膜４６ｂのみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子４３およびその製造方法において、素子用下電極４４のサイズや側面形状にばらつきが発生するのを確実に防止することができる。
【００７６】
しかも、このような改良は、保持容量付きの場合にはレジストマスク１３のパターンの変更だけで実現でき、製造工程数が増えることもない。
【００７７】
また、切り欠き４９は、素子用下電極４４の長辺に略平行に延びているため、Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造の非線形素子４３を形成する際、２つの素子用上電極４５ａ、４５ｂを容易に形成することができる。
【００７８】
また、本形態では、素子基板１０に対して保持容量９を形成するにあたって、保持容量９は、保持容量用下電極９１ａ、９１ｂの表面を覆う誘電体層が、非線形素子４３において素子用下電極４４の上面４４１を覆う絶縁膜と同様、第１の絶縁膜４６ａによって構成されている。このため、素子用下電極４４の上面４４１を覆う絶縁膜（第１の絶縁膜４６ａ）、および保持容量用下電極９１ａ、９１ｂの表面を覆う誘電体膜（第１の絶縁膜４６ａ）を同時形成することができ、保持容量９の形成により電荷の保持特性を高めてコントラスト特性の向上を図った場合でも、少ない工程数で素子基板１０を製造することができる。
【００７９】
［その他の実施の形態］
上記形態では、第２のパターニング工程において、導電膜パターン６１ｂを部分的にエッチングして素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを露出させる際、レジストマスク１４に幅の狭い部分がないように構成するにあたって、素子用下電極４４の外周縁から内側に延びた切り欠き４６を形成したが、図４（ａ）に示すように、素子用下電極４４に対して、閉じた形状の切り欠き４６を形成してもよい。また、図４（ｂ）に示すように、第２のパターニング工程において、素子用下電極４４の一方の辺のみを露出させ、この部分を、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂとしてもよい。すなわち、図１（ａ）、図４（ａ）、図４（ｂ）からわかるように、素子用下電極４４において素子用上電極４５ａ、４５ｂと重なっている側面のうち、素子用下電極４４を挟んで対向する２つの側面のうち、一方の側面を膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂとし、他方の側面を膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａとすれば、第２のパターニング工程で用いるレジストマスク１４に幅の狭い部分が発生しない。
【００８０】
また、上記形態では、Ｘ方向に延びた走査線４７（第１の配線）をクロム膜とし、Ｙ方向に延びたデータ線４１（第２の配線）をタンタル膜としたが、Ｘ方向に延びた走査線４７をタンタル膜からなる第２の配線とし、Ｙ方向に延びたデータ線４１をクロム膜としてもよい。
【００８１】
上記形態では、給電線をデータ線４１（第２の配線）として残した構成であったが、陽極酸化後に給電線を除去した電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８２】
上記形態では、極性を逆向きにして２つのＴＦＤ素子を直列接続した非線形素子４３を用いたが、極性を逆向きにして２つのＴＦＤ素子を並列接続した非線形素子４３を画素スイッチング素子として用いてもよい。このような非線形素子を用いた場合も、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称であるため、反転駆動方式を採用した場合でも、品位の高い画像を安定して表示できる。
【００８３】
上記形態では、共通電極４２ｂがタンタル膜から構成され、画素電極４８ｂがクロムから構成されているが、例えば、タンタル膜とクロム膜とを電気的に接続することにより、共通電極４２ｂおよび画素電極４８ｂの双方をタンタル膜とした構成、あるいは共通電極４２ｂおよび画素電極４８ｂの双方をクロム膜とした構成を採用してもよい。なお、このようなタンタル膜とクロム膜とを電気的に接続するには、素子基板１０の製造工程において、第３の導電膜パターン６１ｃ（ブリッジ部）をエッチング除去する際、タンタル膜およびその表面に形成された酸化膜を部分的に除去してタンタル膜の端面を露出させ、この端面とクロム膜とを接続すればよいので、接続を図るための工程を別途、行う必要がない。また、共通電極４２ｂおよび画素電極４８ｂについては、タンタル膜やクロムに電気的に接続されたＩＴＯ膜によって構成してもよく、このように構成すると、画素開口率を向上させることができる。
【００８４】
上記形態では、ＩＰＳモードの電気光学装置に本発明を適用したが、ＦＦＳモードの電気光学装置に本発明を適用してもよい。さらに、対向基板２０側に、画素電極と対向して液晶層を駆動する共通電極（対向電極）を形成したＴＮモードやＶＡモードなどの電気光学装置に本発明を適用してもよい。さらに、保持容量を形成しない電気光学装置に本発明を適用することができ、この場合、図９（ａ）に示す状態で第１の陽極酸化工程を行った後、パターニングし、しかる後に第２の陽極酸化工程を行えばよい。
【００８５】
［電子機器への搭載例］
本発明を適用した電気光学装置１は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、３０インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、本発明が適用された非線形素子の平面図、そのＡ−Ａ′線断面図、およびＢ−Ｂ′線断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す非線形素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、図１に示す非線形素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明が適用された別の非線形素子の平面図である。
【図５】本発明が適用される電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】図５に示す電気光学装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板において、数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ、図７のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線で素子基板を切断したときの構造を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、素子基板の製造工程を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、素子基板の製造工程を示す説明図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、従来の非線形素子の製造方法およびその問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８７】
１・・電気光学装置、２・・画素、４・・液晶容量、９、９ａ、９ｂ・・保持容量、１０・・素子基板、１３、２３・・配向膜、２０・・対向基板、３０・・液晶層、４１・・データ線（第２の配線）、４２ｂ・・共通電極、４３・・非線形素子、４４・・素子用下電極、４４ａ・・素子用下電極の第１の側面、４４ｂ・・素子用下電極の第２の側面、４５ａ・・第１の素子用上電極、４５ｂ・・第２の素子用上電極、４６ａ・・第１の絶縁膜、４６ｂ・・第２の絶縁膜、４７・・走査線（第１の配線）、４８ｂ・・画素電極、４９・・切り欠き、６１・・導電膜パターン、９２ａ、９２ｂ・・保持容量用上電極
【図１】
2007027596.tif 000003
【図２】
2007027596.tif 000004
【図３】
2007027596.tif 000005
【図４】
2007027596.tif 000006
【図５】
2007027596.tif 000007
【図６】
2007027596.tif 000008
【図７】
2007027596.tif 000009
【図８】
2007027596.tif 000010
【図９】
2007027596.tif 000011
【図１０】
2007027596.tif 000012
【図１１】
2007027596.tif 000013