(57)【要約】【課題】バンプが所定の高さを確保できるバンプ形成方法を提供すること。【解決手段】本発明のバンプ形成方法は、ランド部２上に形成された電極７が形状形成手段８によって所定の形状に形成されて、バンプ１３が形成されるため、バンプ１３は、所定の高さ（厚み）に形成できて、所定の高さ（厚み）のバンプ１３が得られると共に、高さが均一で、微細ピッチのバンプが得られる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に金属ペーストによってランド部を形成するランド形成工程と、前記ランド部上に金属ペーストによって電極を形成する電極形成工程と、前記金属ペーストによって形成された前記電極を乾燥する乾燥工程と、乾燥された前記電極が形状形成手段によって所定形状に形成する形状形成工程とを有し、前記所定形状の前記電極によってバンプが構成されたことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
前記形状形成工程の後、前記電極を焼成する焼成工程を有することを特徴とする請求項１記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記電極形成工程において、前記電極の外周には、前記ランド部に余裕部を持たせた状態で、前記電極が前記ランド部上に形成されたことを特徴とする請求項１、又は２記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記形状形成工程における前記形状形成手段は、静水圧法であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記静水圧法は、内部が真空状態となった柔軟性のある覆い部材と、この覆い部材内に収納された前記絶縁基板、及び板状の治具を有し、前記治具に設けられた孔内には、周囲に隙間を持たせた状態で、乾燥された前記電極が配置され、前記覆い部材が水圧によって前記隙間内に圧入されることによって前記電極を変形して、前記形状成形工程を行うようにしたことを特徴とする請求項４記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記電極によって形成された前記バンプは、半球状、円柱状、角柱状、円錐台状、或いは角錐台状の何れかで構成されたことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電気機器や電子回路ユニット等に使用して好適なバンプ形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のバンプ形成方法に係る図面を説明すると、図８は従来のバンプ形成方法に係る第１工程を示す説明図、図９は従来のバンプ形成方法に係る第２工程を示す説明図、図１０は従来のバンプ形成方法によって形成されたバンプの断面図である。
【０００３】
次に、従来のバンプ形成方法を図８〜図１０に基づいて説明すると、先ず、図８に示す第１工程として、絶縁基板５１の表面には、導電材からなる複数のランド部５２を形成し、この絶縁基板５１が固定治具５３によって保持される。
【０００４】
次に、図９に示す第２工程として、メタルマスク５４の孔５４ａをランド部５２の全体に対向し、一致させた状態で、メタルマスク５４を絶縁基板５１上に載置し、スキージ５５によって金属ペースト５６をスクリーン印刷して、孔５４ａ内に電極５７を形成する。
【０００５】
次に、この電極５７を乾燥すると、図１０に示すように、ランド部５２の全表面には、バンプ５８が形成されて、従来のバンプ形成が完了する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−２０４２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来のバンプ形成方法は、印刷された電極５７を乾燥して、バンプ５８が形成されるため、乾燥された電極５７は薄くなって、バンプ５８は所定の高さ（厚み）が得られないばかりか、電極５７がランド部５２の全面に印刷によって形成されるため、電極５７がランド部５２外にダレてはみ出し、これによって、電極５７が一層薄くなって、バンプ５８の高さが一層低くなると共に、高さが不均一になるという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、バンプが所定の高さを確保できるバンプ形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、絶縁基板の表面に金属ペーストによってランド部を形成するランド形成工程と、ランド部上に金属ペーストによって電極を形成する電極形成工程と、金属ペーストによって形成された電極を乾燥する乾燥工程と、乾燥された電極が形状形成手段によって所定形状に形成する形状形成工程とを有し、所定形状の電極によってバンプが構成されたことを特徴としている。
【０００９】
このような構成によって、乾燥された電極は、形状形成手段によって所定の高さ（厚み）に形成できて、所定の高さ（厚み）のバンプが得られると共に、高さが均一で、微細ピッチのバンプが得られる。更に、半導体部品の接続の確実なものが得られる。
【００１０】
また、本発明は、上記発明において、形状形成工程の後、電極を焼成する焼成工程を有することを特徴としている。
【００１１】
このような構成によって、電極は、剥がれの無いものが得られると共に、セラミック材を使用した絶縁基板も同時に焼成ができる。
【００１２】
また、本発明は、上記発明において、電極形成工程において、電極の外周には、ランド部に余裕部を持たせた状態で、電極がランド部上に形成されたことを特徴としている。
【００１３】
このような構成によって、電極がランド部外にはみ出すことが無く、所定の高さ（厚み）のバンプが得られると共に、微細ピッチのバンプが得られる。
【００１４】
また、本発明は、上記発明において、形状形成工程における形状形成手段は、静水圧法であることを特徴としている。
【００１５】
このような構成によって、バンプは、均一な高さのものが得られる。
【００１６】
また、本発明は、上記発明において、静水圧法は、内部が真空状態となった柔軟性のある覆い部材と、この覆い部材内に収納された絶縁基板、及び板状の治具を有し、治具に設けられた孔内には、周囲に隙間を持たせた状態で、乾燥された電極が配置され、覆い部材が水圧によって隙間内に圧入されることによって電極を変形して、形状成形工程を行うようにしたことを特徴としている。
【００１７】
このような構成によって、バンプは、治具の孔の形状を変えることによって、種々の形状のものが得られる。
【００１８】
また、本発明は、上記発明において、電極によって形成されたバンプは、半球状、円柱状、角柱状、円錐台状、或いは角錐台状の何れかで構成されたことを特徴としている。
【００１９】
このような構成によって、目的に合致した形状のバンプが提供できる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、乾燥された電極は、形状形成手段によって所定の高さ（厚み）に形成できて、所定の高さ（厚み）のバンプが得られると共に、高さが均一で、微細ピッチのバンプが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明のバンプ形成方法に係り、ランド形成工程を説明するための平面図、図２は本発明のバンプ形成方法に係り、ランド形成工程を説明するための断面図、図３は本発明のバンプ形成方法に係り、電極形成工程を説明するための説明図、図４は本発明のバンプ形成方法に係り、電極形成工程後の状態を示す断面図、図５は本発明のバンプ形成方法に係り、形状形成手段を説明するための説明図、図６は本発明のバンプ形成方法に係り、形状形成手段を説明するための要部拡大図、図７は本発明のバンプ形成方法によって製造されたバンプを示す断面図である。
【００２２】
次に、本発明のバンプ形成方法を図１〜図７に基づいて説明すると、先ず、ランド形成工程として図１，図２に示すように、低温焼成（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる絶縁基板１の表面には、銀ペースト等の金属ペーストがスクリーン印刷されて、ランド部２と、このランド部２に繋がって引き回し配線用となるパターン３が形成され、しかる後、金属ペーストからなるランド部２とパターン３が乾燥される。
【００２３】
次に、電極形成工程として図３に示すように、ランド部２より小さい複数の孔４ａを設けたメタルマスク４を用意し、孔４ａをランド部２の中央部に位置させた状態で、メタルマスク４が絶縁基板１上に載置され、スキージ５によって銀ペーストからなる金属ペースト６をスクリーン印刷して、孔４ａ内に電極７を形成する。
【００２４】
すると、図４に示すように、電極７の周囲には、ランド部２に余裕部２ａを持たせた状態で、電極７が形成され、しかる後、この金属ペーストの電極７は乾燥される。
【００２５】
次に、形状形成工程として図５，図６に示すように、静水圧法である形状形成手段８を用意し、この形状形成手段８は、水圧９によって押圧され、ポリエチレンフィル等の柔軟性のある覆い部材１０と、覆い部材１０内に配置された基台１１と、覆い部材１０内に配置され、電極７に対応して設けられた孔１２ａを有する治具１２とで構成されている。
【００２６】
そして、図５に示すように、覆い部材１０内には、電極７を設けた絶縁基板１と、この絶縁基板１の下面に重ね合わされ、パターン３が設けられた絶縁基板１ａの複数枚が基台１１上に載置されると共に、治具１２の孔１２ａ内には、電極７との間に隙間Ｓを持たせて、電極７を位置させる。
【００２７】
次に、覆い部材１０内を真空状態にして、約８０度の温度の加熱状態で、水圧９をかけると、図６に示すように、覆い部材１０は、隙間Ｓ内に侵入しながら、電極７の外周面に圧力がかかって電極７を変形して、電極７の形状形成工程が行われ、半球状のバンプ１３が形成される。
【００２８】
このバンプ１３の形状は、治具１２の孔１２ａの形状を変更することによって、半球状、円柱状、角柱状、円錐台状、或いは角錐台状等の種々の形状が得られるようになっている。
【００２９】
この形状形成工程が行われると、図７に示すように、複数枚の絶縁基板１，１ａが圧縮されて、ランド部２は絶縁基板１内に、また、パターン３は絶縁基板１ａ内に埋設された状態となり、そして、しかる後、バンプ７は、絶縁基板１，１ａやランド部２，パターン３と共に焼成されると、図７に示すようなバンプ７が形成されて、本発明のバンプの形成が完了する。
【００３０】
このようにして形成された絶縁基板１上のバンプ７には、ここでは図示しないが、ベアチップ等からなる半導体部品の下面に設けられた複数の電極が所定の高さを維持した状態で接続されると共に、絶縁基板１と半導体部品との間には、アンダーフィルが設けられて、半導体部品の取付強度を確保するようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明のバンプ形成方法に係り、ランド形成工程を説明するための平面図である。
【図２】本発明のバンプ形成方法に係り、ランド形成工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明のバンプ形成方法に係り、電極形成工程を説明するための説明図である。
【図４】本発明のバンプ形成方法に係り、電極形成工程後の状態を示す断面図である。
【図５】本発明のバンプ形成方法に係り、形状形成手段を説明するための説明図である。
【図６】本発明のバンプ形成方法に係り、形状形成手段を説明するための要部拡大図である。
【図７】本発明のバンプ形成方法によって製造されたバンプを示す断面図である。
【図８】従来のバンプ形成方法に係る第１工程を示す説明図である。
【図９】従来のバンプ形成方法に係る第２工程を示す説明図である。
【図１０】従来のバンプ形成方法によって形成されたバンプの断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  絶縁基板
１ａ  絶縁基板
２  ランド部
２ａ  余裕部
３  パターン
４  メタルマスク
４ａ  孔
５  スキージ
６  金属ペースト
７  電極
８  形状形成手段
９  水圧
１０  覆い部材
１１  基台
１２  治具
１２ａ  孔
１３  バンプ
Ｓ  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007157988.tif 000008
【図７】
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【図８】
2007157988.tif 000010
【図９】
2007157988.tif 000011
【図１０】
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