(57)【要約】【課題】本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品のＱ値向上を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体３と、この支持体３の中央部表面に設けたコイル６Ａと、支持体３の両端部表面に設けた電極４Ａとを備え、コイル６Ａが上層６ＡＡと下層（図示せず）とを有し、この下層（図示せず）の導電率と電極４Ａの導電率とが等しく、電極４Ａの導電率が上層６ＡＡの導電率よりも低いコイル部品。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の支持体と、この支持体の中央部表面に設けたコイルと、前記支持体の両端部表面に設けた電極とを備え、前記コイルが上層と下層とを有し、この下層の導電率と前記電極の導電率とが等しく、前記電極の導電率が前記上層の導電率よりも低いコイル部品。
【請求項２】
電極及びコイルの下層が空隙を有する請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
コイルの上層を構成する主な金属と、下層を構成する主な金属と、電極を構成する主な金属とが同元素である請求項１に記載のコイル部品。
【請求項４】
コイルの上層の厚みが下層の厚みよりも厚い請求項１に記載のコイル部品。
【請求項５】
コイルの上層の厚みが電極の厚みよりも厚い請求項１に記載のコイル部品。
【請求項６】
柱状の支持体の中央部表面及び前記支持体の両端部の一部にペースト状の第１の金属膜を塗布して焼成し、その後前記支持体の両端部の一部に形成した第１の金属膜の表面に第１の絶縁層を形成し、次に前記支持体の中央部表面に形成した第１の金属膜の表面に電気めっきにより第２の金属膜を形成し、その後前記第１の金属膜及び第２の金属膜を螺旋形状に成形するコイル部品の製造方法。
【請求項７】
第１の金属膜と第２の金属膜とが同元素である請求項６に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項８】
第１の金属膜の導電率が第２の金属膜の導電率よりも低い請求項６に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項９】
第１の金属膜の厚みを第２の金属膜の厚みよりも薄く形成する請求項６に記載のコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のコイル部品は、図８（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるようなセラミックなどからなる支持体１に、図９（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるように金属膜２を全体に形成し、その後図１０（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるように中央部１Ａに形成した金属膜２をらせん形状にカットしてコイル２Ａが形成されていた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２７０２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のコイル部品はＱ値が低いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成のコイル部品に電流を流すと、支持体１の両端部１Ｂに形成された金属膜２において大きな渦電流が発生し、コイル２Ａで発生させる磁束が減少してしまい、Ｑ値が悪くなっていた。
【０００６】
そこで本発明は、このようなコイル部品において、Ｑ値を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体と、この支持体の中央部表面に設けたコイルと、前記支持体の両端部表面に設けた電極とを備え、前記コイルが上層と下層とを有し、この下層の導電率と前記電極の導電率とが等しく、前記電極の導電率が前記上層の導電率よりも低くしたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のコイル部品は、渦電流の大きさに影響を与える電極の導電率をコイルの上層よりも低くしているため、渦電流を抑制し、Ｑ値を向上させることができるという効果を有する。
【０００９】
さらに、コイルの上層の導電率が高いためＱ値を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるコイル部品について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
まず、図１（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、両端部３Ａと、両端部３Ａよりも細い中央部３Ｂを有する柱状の支持体３を形成する。両端部３Ａと中央部３Ｂとは同じ太さでも構わないが、中央部３Ｂを細くしておいた方が、Ｐ板等への実装時において有利である。
【００１２】
支持体３の形成方法としては、例えばセラミック粉末を造粒して２０〜３０μｍ程度の粒子にし、それを金型に入れて焼成する等して形成することができる。
【００１３】
この支持体３は、非磁性体であっても磁性体であってもいずれでもよいが、高い周波数帯域(ＧＨｚ帯域)で高いＱが必要な場合は、周波数に追従できない磁性体は損失となるため、周波数とは関係のない非磁性体を用いることが望ましく、それほど高くない周波数帯域（ＭＨｚ帯域）で高いＱ特性やＬ特性などを必要とする場合は、支持体３の磁性分も利用すべく磁性体を用いることが望ましい。
【００１４】
非磁性体としては、エポキシ、ポリイミドなどの有機系の絶縁材料、各種のガラス材料、さらにはガラスとセラミックを混合したガラスセラミックス、ＣｕＺｎ系フェライトあるいはアルミナに代表されるようなセラミックなどの無機系の絶縁材料などがあるが、有機系の絶縁材料を用いると軽量化が可能といったメリットがあり、セラミック系を用いると、熱プロセスに強いといった効果がある。
【００１５】
磁性体としては、ＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系、ＭｎＺｎ系などのスピネル系や六方晶系などのフェライト材料や、Ｆｅ系、Ｃｏ基やセンダストやパーマロイなどの金属系材料を用いることができ、その中でもＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系を用いると絶縁性が高いというメリットがあり望ましい。
【００１６】
ここで、この支持体３には誘電率の低いものを用いることにより、コイル間の浮遊容量を低減することができ、コイルの自己共振周波数を高めることやコイルの高周波特性を改善することが可能になる。逆に、誘電率の高い材料を用いた場合は、浮遊容量とコイルの共振周波数を適宜調整することにより、様々な電気特性のコイル部品を得ることが可能となる。即ち、インピーダンスが大きくなる周波数帯域を、Ｌ値や支持体３の誘電率の変更により調整が可能となる。また、浮遊容量を調整することにより、等価回路的に複合部品的な電気特性を確保することができる。
【００１７】
次に、図２（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１における支持体３の中央部（図示せず）の表面及び、両端部３Ａの表面に金属膜４を形成する。支持体３の中央部（図示せず）の表面に形成した金属膜４は後に電極（後の工程で示す）となり、両端部３Ａの表面に形成した金属膜４は後にコイル（後の工程で示す）の下層（後の工程で示す）となる。電極（後の工程で示す）を形成する金属膜４は両端部３Ａの全体ではなく、引出電極（後の工程で示す）との接続部分であり且つＰ板（図示せず）への実装部分のみに形成することにより、渦電流の発生を減らすことができ、Ｑ値の向上を図ることができる。
【００１８】
この金属膜４の形成方法としては、銅、銅合金、銀、銀とパラジウムの合金や銀と白金の合金あるいは白金のような金属のペーストを塗布し、焼成して形成する。特に、銅と銀は導電率が高く望ましい。なお、銅などの酸化が起こりやすい金属を用いる場合、焼成は窒素雰囲気中で行い、金属膜４を酸化させないことが望ましい。
【００１９】
ここで、この金属膜４はペーストを塗布し焼成して形成するため、必然的に空隙やガラスフリットを含む。このようにして、あえてこの金属膜４の導電率を低くしておく。
【００２０】
その後、図３（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図２における両端部３Ａの表面に形成した金属膜４の上面にマスク５を形成する。このマスク５にはレジストを用いておくと、後の工程で除去しやすく望ましい。
【００２１】
次に、図４（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図３における金属膜４をめっき用の電極として、電気めっきにより金属膜６を形成する。この金属膜６は金属膜４が有する空隙やガラスフリットのかけらなどを有さないため、金属膜４と同元素の金属を用いて形成したとしても導電率が高い。ここで、金属膜６と金属膜４を同元素で構成した場合は、コイル（後の工程で示す）において合金を形成しないというメリットがある。合金を形成してしまうと、導電率が下がるという問題と、融点が下がることで耐熱性が悪く、正確なコイル形状を保てないという問題を有する。よって、同元素で構成した場合、これらの問題点を回避することができる。一方、金属膜４よりも高抵抗のものを用いた場合、両端部３Ａ上における渦電流の発生量をより減らすことができ、コイル（後の工程で示す）で発生した磁束を妨げることがなくＱ値を下げないという効果を有する。
【００２２】
さらに、この金属膜６を金属膜４に比べて十分厚くしておくと、コイル（後の工程で示す）の導電率を高くすることができ、Ｑ値を高くすることができる。
【００２３】
ここで、両端部３Ａ表面に形成した金属膜４の上面にはマスク５を形成しておくため、金属膜６は形成されない。即ち、空隙やガラスフリットを含まない高導電率の金属膜６を両端部３Ａ表面の金属膜４に形成しないことにより、渦電流の発生を防ぐことができ、コイル（後の工程で示す）で発生した磁束を妨げることがなくＱ値を向上させることができる。
【００２４】
また、一般にめっき形成工程においては、めっき液により金属膜４に含まれ支持体３との付着力を保っていたガラスフリット及び金属膜４自体が融解するため、支持体３と金属膜４との密着強度が落ちる。しかし、両端部３Ａ表面に形成した金属膜４の上面にはマスク５を形成しておくため、密着強度を下げることがないという効果を有する。
【００２５】
その後、図５（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図４における金属膜６から、らせん状のコイル６Ａと、その両端の引出電極６Ｂとを形成する。そして、図３における金属膜４が図５におけるコイル６Ａの下層（図示せず）を形成し、図４における金属膜６が図５におけるコイル６Ａの上層６ＡＡを形成している。形成方法としては、全面にレジストを塗り、らせん状に紫外線を照射した後、アルカリ溶液などに浸してエッチングする方法や、レーザー照射によりカットする方法があるが、ＹＡＧレーザーを用いて形成する方法が細い加工を可能にするためコイル６Ａの巻き数を多くすることができ、大きなＬ値を取ることができて好ましい。
【００２６】
さらに、らせん状のコイル６Ａ及び引出電極６Ｂにパターン化した後に、コイル６Ａ、引出電極６Ｂをエッチングすることによりバリ等を取り除き、電極表面を滑らかにすることで、絶縁層（後の工程で示す）でバリ等を覆う必要が無い分、その絶縁層（後の工程で示す）を薄く形成することを可能にしている。
【００２７】
また、支持体３の表面に付着した金属などを除去しておくことで渦電流の発生を防ぎ、コイル６Ａの磁束を妨げることがなく、Ｑ値を向上させることができる。特に、レーザー照射によりコイル６Ａを形成した場合、飛散物が多いため、この効果は顕著となる。
【００２８】
次に、図６（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図５におけるマスク５を除去する。除去方法としては、アルカリ液あるいは有機溶剤に浸漬して行う。マスク５を除去することにより、空隙やガラスフリットを含み膜厚を薄くすることにより高抵抗としている金属膜４が、両端部３Ａ上に露出し、電極４Ａとなる。
【００２９】
その後、図７（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図６において中央部３Ｂに形成したコイル６Ａ、引出電極６Ｂの表面を絶縁層７で覆うことにより、コイル６Ａや引出電極６Ｂを被覆絶縁化することができる。そうすることにより実装時に他の部品に影響を与えないため高密度実装を可能にしており、その他、特性の安定化、コイル６Ａの保護などを可能にしている。さらに、電極４Ａにニッケル層（図示せず）と錫層（図示せず）を形成する場合などにおいても、そのニッケル層（図示せず）や錫層（図示せず）をコイル６Ａに付着させる心配がないという効果がある。
【００３０】
この様な構成により、基板に実装される両端部３Ａ表面上の電極４Ａはペーストを塗布して焼成して形成し、空隙やガラスフリットを含ませることにより、抵抗を高くすることで渦電流を減らし、Ｑ値を向上させることができる。
【００３１】
さらに、この両端部３Ａ表面上の電極４Ａにはマスク５を用いて導電率の高い金属膜６を形成させないため、Ｑ値を向上させることができる。
【００３２】
その上、電極４Ａの形成箇所を両端部３Ａの全体ではなく、引出電極６Ｂとの接続部のみにすることで、さらにＱ値を向上させることができる。
【００３３】
さらに、金属膜４（電極４Ａ）の厚みを薄く形成することにより、さらに渦電流を減らしＱ値を向上させることができる。
【００３４】
また、マスク５の存在により、支持体３と電極４Ａとの密着強度の低下を防ぐことができる。
【００３５】
一方、コイル６Ａを構成する金属膜６は電気めっきで形成することにより、空隙やガラスフリットを含ませず、高い導電率を得ることで、Ｑ値の向上を図ることができる。
【００３６】
さらに、金属膜６の厚みを金属膜４の厚みよりも厚くしておくことにより、導電率の高いコイル６Ａの上層６ＡＡの厚みが導電率の低い下層（図示せず）の厚みよりも厚くなるため、コイル６Ａ全体の抵抗を下げ、よりＱ値を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明のコイル部品は、電極の導電率を前記コイルの導電率よりも低くしておくことにより、渦電流を抑制し、Ｑ値を向上させることができるという効果を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図７】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図８】（ａ）従来のコイル部品における一製造工程の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図９】（ａ）従来のコイル部品における一製造工程の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１０】（ａ）従来のコイル部品における一製造工程の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【符号の説明】
【００３９】
３  支持体
３Ａ  両端部
３Ｂ  中央部
４  金属膜
４Ａ  電極
６Ａ  コイル
６ＡＡ  上層
６Ｂ  引出電極
【図１】
2007012958.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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