(57)【要約】【課題】アドレス放電が安定であり、低電圧駆動が可能な高画質のプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】前面ガラス基板３上に少なくとも表示電極６と誘電体層７と保護層８とが形成された前面板１と、背面ガラス基板９上に少なくともアドレス電極１０と隔壁１２と蛍光体層１３とが形成された背面板２とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間１４を形成したＰＤＰの製造方法であって、放電空間１４に少なくとも水素ガスを含むガスを封入してＰＤＰ内を水素化処理する水素化処理工程と、ガスを排気するガス排気工程と、ガスが排気された放電空間１４に少なくとも０．１％以上の濃度の水素ガスと５％以上の濃度のキセノンガスとを含む放電ガスを封入する放電ガス封入工程と、放電ガスが封入されたＰＤＰをエージングするエージング工程とを含んでいる。【選択図】図１
2007080608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に少なくとも電極と誘電体ガラス層と保護層とが形成された前面板と、基板上に少なくとも電極と隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電空間に少なくとも水素ガスを含むガスを封入して水素化処理する水素化処理工程と、前記ガスを排気するガス排気工程と、前記ガスが排気された前記放電空間に少なくとも水素ガスとキセノンガスとを含む放電ガスを封入する放電ガス封入工程と、前記放電ガスが封入された前記プラズマディスプレイパネルをエージングするエージング工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記水素化処理工程が前記プラズマディスプレイパネルを２００℃以上５００℃以下に加熱する工程であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記水素化処理工程で封入された前記ガスを前記放電空間内で放電させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記放電ガス封入工程において、前記プラズマディスプレイパネルを２００℃以上５００℃以下に加熱することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記水素化処理工程において封入する水素ガスの濃度が１％以上１５％以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記放電ガスが０．１％以上の濃度の水素ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記放電ガスが５％以上の濃度のキセノンガスを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、この表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、この誘電体層上に形成されたＭｇＯからなる保護層とで構成されている。
【０００３】
ガラス基板としては大面積化が容易で平坦性に優れたフロート法により製造されたガラス基板を用いている。表示電極は、薄膜プロセスにより形成した透明電極上に導電性を確保するためにＡｇ材料を含むペーストを所定のパターンで形成し、その後、焼成することによりバス電極を形成している。そして透明電極とバス電極とにより構成された表示電極を覆うように誘電体ペーストを塗布し焼成することにより誘電体層を形成している。最後に誘電体層上にＭｇＯからなる保護層を薄膜プロセスを用いて形成している。
【０００４】
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う誘電体層と、誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００５】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。また、このようなＰＤＰを表示させるには、１フレームの画像を複数のサブフィールド（ＳＦ）に分割することによって階調表現をする方式が用いられている。この方式では、放電を制御するため１ＳＦを初期化期間、アドレス期間、維持期間、消去期間に分割している。
【０００６】
このようなＰＤＰにおいては、放電を安定的に発生させること、放電電圧を低電圧化することが要望され、そのために、保護層であるＭｇＯを還元雰囲気下で活性化する方法や、還元雰囲気下で蛍光体層を活性化する方法などが開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４参照）。
【特許文献１】特開２００３−２５７３１６号公報
【特許文献２】特開２００４−２２０９６８号公報
【特許文献３】特開２００３−８６１０１号公報
【特許文献４】特開２００４−１４６２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、近年は、ハイビジョンをはじめとする高精細、高階調でしかも低消費電力の画像表示装置に対する期待が高まっている。特に、近年期待されているフルスペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍと小さくなっている。このような高精細のＰＤＰにおいては、輝度と効率の低下が特に顕在化するという課題が発生する。
【０００８】
そこで、ＰＤＰ内の放電ガス中のＸｅ濃度を、従来に比べて高い５％以上に設定したり、井桁状の隔壁を使用したりすることで輝度と効率の向上を図る施策が取られている。しかし、高輝度化のためにＰＤＰ内の放電ガス中のＸｅ濃度を５％以上にする場合や、井桁状の隔壁を使用する場合には、駆動電圧が大幅に上昇しアドレス放電がより不安定になり、高品質の画像が得られないという課題が発生する。また、Ｘｅ濃度が増加すると、Ｘｅイオンの量も増大し、ＭｇＯがスパッタされやすくなり保護層の寿命が短くなるという課題も発生する。
【０００９】
駆動電圧が上昇し、放電が不安定になる課題に対して、保護層であるＭｇＯを還元雰囲気下で活性化する方法や、還元雰囲気下で蛍光体層を活性化する方法などによって、ＭｇＯや蛍光体層上に付着している不純物を分解あるいはエッチングすることによって除去する方法がある。
【００１０】
しかしながら、実際のＰＤＰでは、これらの方法によって駆動電圧は若干低下するが、アドレス期間の長い高精細ＰＤＰでは、低い放電電圧の維持やアドレス放電の安定を図ることができないという課題がある。特に、Ｘｅ濃度を５％以上に高めた高精細ＰＤＰにおいては、アドレス期間のアドレス放電を初期化期間の初期化放電で誘電体層上に帯電した電荷（壁電荷）を利用して点灯させようとすると、アドレス放電のミスの発生がより顕著になるという課題が発生し、アドレス放電の安定化と動作電圧の低減とを同時に解決することが困難であった。
【００１１】
本発明はこのような高精細、高輝度のＰＤＰにおいても、動作電圧が低く長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、ガラス基板上に少なくとも電極と誘電体ガラス層と保護層とが形成された前面板と、基板上に少なくとも電極と隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とを対向配置するとともに周囲を封着して放電空間を形成したＰＤＰの製造方法であって、放電空間に少なくとも水素ガスを含むガスを封入して水素化処理する水素化処理工程と、ガスを排気するガス排気工程と、ガスが排気された放電空間に少なくとも水素ガスとキセノンガスとを含む放電ガスを封入する放電ガス封入工程と、放電ガスが封入されたＰＤＰをエージングするエージング工程とを含んでいる。
【００１３】
このような製造方法によれば、アドレス放電のミスの発生がなく、動作電圧が低く長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを提供することができる。
【００１４】
さらに、水素化処理工程がＰＤＰを２００℃以上５００℃以下に加熱する工程であることが望ましく、水素化処理においてＰＤＰを加熱することによって水素ガスを保護層、蛍光体層あるいは隔壁などに十分吸蔵させ、特にＭｇＯの保護層に吸蔵された水素がバッファとなって保護層のスパッタを抑制して長期間の安定した駆動を実現できる。
【００１５】
さらに、水素化処理工程で封入されたガスを放電空間内で放電させることが望ましく、放電によって活性な水素ラジカルを生成させて、水素ガスの保護層、蛍光体層あるいは隔壁などへの吸蔵を促進することができる。
【００１６】
さらに、放電ガス封入工程において、ＰＤＰを２００℃以上５００℃以下に加熱することが望ましく、放電ガス中の水素ガスをＭｇＯの保護層などに吸蔵させるのを助長することができる。
【００１７】
さらに、水素化処理工程において封入する水素ガスの濃度が１％以上１５％以下であることが望ましく、水素ガスを保護層、蛍光体層あるいは隔壁などに十分吸蔵させ、特にＭｇＯの保護層に吸蔵された水素がバッファとなって保護層のスパッタを抑制して長期間の安定した駆動を実現できる。
【００１８】
さらに、放電ガスが０．１％以上の濃度の水素ガスを含むことが望ましく、保護層のスパッタをさらに抑制して長期間の安定した駆動を実現できる。
【００１９】
さらに、放電ガスが５％以上の濃度のキセノンガスを含むことが望ましく、より高輝度でも長期間の安定した駆動を実現できる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、本発明によれば、アドレス放電のミスの発生がなくて、高輝度表示で動作電圧が低く、しかも長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によって製造されたＰＤＰの主要構成を示す断面斜視図である。また、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。図１〜図３を用い、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
【００２３】
図１に示すように、ＰＤＰは放電空間１４が形成されるように互いに対向配置した前面板１と背面板２とにより構成される。
【００２４】
図３のステップ１における前面板製造工程で製造される前面板１について説明する。前面ガラス基板３の背面板２側の面上に、ストライプ状の走査電極４と維持電極５とを面放電ギャップを挟んで配列し表示電極６を形成している。走査電極４および維持電極５は、酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電性材料によって形成された透明電極４ａ、５ａと、その上に形成された、透明電極４ａ、５ａよりも幅が狭く導電性に優れたバス電極４ｂ、５ｂとで構成されている。バス電極４ｂ、５ｂは、例えば銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）などをスクリーン印刷法やフォトリソ法などによりパターンニングして形成している。
【００２５】
表示電極６を形成した前面ガラス基板３上に、表示電極６を覆うように、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を有する誘電体ガラス材料からなる誘電体層７が形成され、さらに誘電体層７上の全域にわたって保護層８が積層形成されている。保護層８としては、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが真空蒸着法やイオンプレーティングによって形成されている。
【００２６】
次に図３のステップ１における背面板製造工程で製造される背面板２について説明する。背面ガラス基板９の前面板１側の面上に、複数のアドレス電極１０がストライプ状に形成されている。さらにアドレス電極１０を覆うように誘電体層１１が形成されている。誘電体層１１上には、例えばストライプ状の隔壁１２がアドレス電極１０の間に位置するように配設されている。隔壁１２と誘電体層１１とで形成されるストライプ状の凹部には、正帯電性の（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕや、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕからなる赤色蛍光体層１３Ｒ、負帯電性のＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎや正帯電性の（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂからなる緑色蛍光体層１３Ｇおよび正帯電性のＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕからなる青色蛍光体層１３Ｂがセルピッチ０．１６ｍｍ（４２インチのＨＤ−ＴＶの場合）で規則的に配置、形成されている。また、井桁状隔壁を形成する場合には、ストライプ状隔壁に垂直に横隔壁を表示電極間の非放電部に設ける。
【００２７】
このような構成の前面板１と背面板２とを、図３のステップ２の封着工程において、図１に示すように、アドレス電極１０と表示電極６とが直交するように対向させて配置し、隔壁１２および各色蛍光体層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂで構成されたストライプ状凹部と、保護層８とで囲まれた放電空間１４を形成し、前面板１および背面板２の外周縁部に形成した封着ガラスを４００℃〜５００℃で加熱溶融させて封止する。
【００２８】
次に、図３のステップ３の第１排気工程において、ＰＤＰに設けた排気管（図示せず）からＰＤＰ内のガスを排気する。なお、封着工程と排気工程とは、同一装置内で封着時の温度のまま一貫して行ってもよいし、別々の装置で独立して行ってもよい。
【００２９】
次に、図３のステップ４の水素化処理工程において、封止されたＰＤＰ内部の放電空間１４に少なくとも１％以上の水素（Ｈ２）を含むガス（例えば、水素−窒素（Ｎ２）系ガス）を１０Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入する。このガスを封入するに当たっては、付加的にＰＤＰを２００℃〜５００℃で加熱しながら封入したり、波長が３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を前面ガラス基板３側から照射したり、さらには、表示電極６を用いてガス放電を発生させたりしてもよい。いずれにしても、この水素化処理工程では、水素ガスをＰＤＰの構成要素である保護層８、蛍光体層１３、隔壁１２に十分に吸蔵させるようにしている。また、この水素化処理工程を複数回繰り返し、ＰＤＰ構成要素への水素吸蔵を確実に行うようにしてもよい。また、水素の濃度は、１％以上１５％以下の範囲が有効であり、１％以下では水素を添加する効果が発現せず、１５％以上では逆にＰＤＰの輝度が低下してしまう。
【００３０】
次に、図３のステップ５のガス排気工程となる第２排気工程において、水素化処理工程で封入されたガスを排気管（図示せず）を経由して排気する。
【００３１】
次に、図３のステップ６の放電ガス封入工程において、少なくとも０．１％以上の濃度の水素ガスと、５％以上の濃度のキセノン（Ｘｅ）ガスとを含む放電ガスを、封入するキセノンの濃度に応じて放電電圧を調整するために２００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ程度の圧力で充填封入し排気管を封止する。また、放電ガスを充填するに当たって、ＰＤＰの性能をより効果的にするためにＰＤＰを２００℃〜５００℃で加熱しながら充填したり、波長が３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を照射しながら充填したりすることも可能である。
【００３２】
次に、図３のステップ７のエージング工程において、表示電極６に電圧１９５Ｖ、周波数４５ｋＨｚの交番電界を印加して放電させて２時間程度エージングする。これらの工程によってＰＤＰが完成する。
【００３３】
エージングが終了したＰＤＰは、表示電極６に映像信号電圧（維持電極に１７５Ｖのパルス電圧）を選択的に印加することによって、各放電セルにおいて短波長の紫外線（波長約１４７ｎｍの共鳴線や１７２ｎｍの分子線）が発生し、この紫外線によって各色蛍光体層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが励起発光することにより画像表示を行うことができる。
【００３４】
ここで、放電空間１４に封入する放電ガスについてさらに詳細に説明する。放電空間１４に充填するガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）の中から選ばれる少なくとも一つと、キセノンと水素とを含むものがよい。特にキセノンの濃度は、５％以上とすることによってＰＤＰの輝度向上の効果がある。
【００３５】
放電ガス中のキセノンの濃度を高くすることで高輝度化を実現することができるが、キキセノンの濃度を高めると放電電圧が上昇して、回路部品やＰＤＰの構造に対して高耐電圧対策が必要となり、消費電力の上昇、コストの上昇の要因となる。
【００３６】
上述のように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、放電ガスを封入する前の工程として、ＰＤＰ内の構成要素に水素を吸蔵させる水素化処理工程を付加し、さらに放電ガスとして封入するガスにも水素を添加している。また、水素化処理工程では、ＰＤＰの加熱、紫外線照射、放電などによって水素の構成要素への吸蔵を促進させている。その結果、水素ガスがＭｇＯの保護層、蛍光体層、隔壁に十分安定に吸蔵され放電ガス中の水素が十分に吸蔵された状態を形成することができる。特に、ＭｇＯの保護層に水素が吸蔵されると保護層を長期にわたって電子放出性能を高めるとともに、耐スパッタ性を高めて電子放出性能の劣化を抑制することができる。その結果、放電ガスとして高濃度のキセノンを用いてＰＤＰの高輝度化を実現し、維持電圧の低電圧化やアドレス放電の安定化を図ることができる。
【００３７】
従来の保護層であるＭｇＯを還元雰囲気下で活性化する方法や、還元雰囲気下で蛍光体層を活性化する方法などでは、放電中の水素によって保護層表面の不純物がスパッタされ、スパッタされた時に保護層表面の有機物や炭酸塩が分解して純粋なＭｇＯ表面層になるため、電子放出性能を高めることができると考えられている。しかしながら、これらの方法では、ＭｇＯや蛍光体表面の不純物を一時的に取り除くだけである。すなわち、一旦還元性のガスを排気した後に、新たに水素を含まない放電ガス（Ｎｅ−Ｘｅ）をＰＤＰ内に充填している。そのため、還元性のガスを排気した時にＰＤＰ内に吸蔵されている水素ガスが取り除かれて、放電を繰り返しているうちにＰＤＰ内の絶対水素量が不足し、隔壁、蛍光体、ＭｇＯの内部からの不純ガスが徐々に放出される。その結果、水素ラジカルによるクリーニング効果が薄れて、ＭｇＯや蛍光体の性能を悪化させると考えられる。一方、本発明の実施の形態では、放電ガスとしてさらに水素ガスを封入しているため、絶対水素量が不足することはない。
【００３８】
水素（Ｈ）は、原子半径がマグネシウム（Ｍｇ）、酸素（Ｏ）のそれよりも小さく軽い、さらに放電空間中は特に活性な水素ラジカルも発生するため、ＭｇＯ結晶格子中を比較的すばやく移動することができる。そのため、ＭｇＯ結晶中に取り込まれた水素がバッファとなってＭｇＯのスパッタを抑制することができると考えられる。特に本発明の実施の形態のように、放電ガス中のキセノン濃度が５％以上と高くなると、放電中のキセノンイオンの濃度も上昇し保護層のスパッタ率が大きくなるが、そのスパッタを添加した水素によって抑制することが可能となり、放電ガスとしての高濃度キセノンガスの場合に水素ガスを添加することがより有効となる。
【００３９】
本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によってＰＤＰサンプルを製造し、その性能を評価した結果を表１に示す。表１には、作製した試料（サンプル）の各作製条件と評価結果を試料番号１〜１５として示している。なお、試料番号１２〜１５は本発明との比較例である。また、表１において、放電ガスとして充填封入した水素ガスの濃度は０．１％〜５％、キセノンガスの濃度は１０％〜９０％、ネオンガスをバランスとしている。
【００４０】
また、各ＰＤＰサンプルの工程条件を表２に示す。表２に示すように、試料番号１〜４のＰＤＰサンプルでは、水素化処理工程と放電ガス封入工程の両方の工程をＰＤＰを２００℃〜５００℃に加熱して行い、試料番号２〜４では水素化処理工程でさらに放電を発生させ、放電ガス封入工程で紫外線を照射しながら放電ガスを封入充填している。試料番号５〜７のＰＤＰサンプルでは水素化処理工程と放電ガス封入工程の両方の工程においてＰＤＰに紫外線を照射しながら行い、さらに、試料番号６、７は水素化処理工程で放電を発生させている。試料番号８〜１１では水素化処理工程で放電を発生させ、放電ガス封入工程でＰＤＰを２００℃〜５００℃に加熱している。なお、ＰＤＰを加熱する際には、２００℃以上に加熱することによって水素ガスが吸蔵するための活性化を促し、構成要素が熱的にダメージを受けないようにするために５００℃以下としている。また、紫外線を照射する際の紫外線の波長としては３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線を用いることによって、水素ガスの活性化を促し、ＰＤＰ構成要素への水素ガスの吸蔵を促進することができる。
【００４１】
また、比較例としての試料番号１２〜１５は、水素化処理工程や封入する放電ガスの水素濃度を検出限界以下の範囲とした場合や、本発明の範囲を超えて封入した例である。
【００４２】
【表１】
2007080608.tif 000003
【００４３】
【表２】
2007080608.tif 000004
【００４４】
また、これらのＰＤＰの評価項目として、アドレス放電での安定性を評価した。アドレス放電での放電ミスが発生すると本来点灯すべき画素が放電しなくなるため、画質劣化を引き起こす原因となる。アドレス放電の安定性については次のように評価している。◎印はアドレス放電が非常に安定で放電ミスがなくて、ＰＤＰの表示画面にちらつきがまったくない状態、○印はアドレス放電が安定で放電ミスがほとんど生じることがなく、ＰＤＰの表示画面のちらつきが通常の視聴では問題にならない状態、△印はアドレス放電が若干不安定で放電ミスが時々発生して表示画面のちらつきが問題となる状態である。
【００４５】
また、評価項目として維持放電に必要な放電電圧Ｖｆと、長時間点灯後の放電電圧の変化を評価した。長時間点灯は、放電電圧１８０Ｖ、周波数２００ｋＨｚの放電維持パルスを１０００時間連続して印加して印加前後の放電電圧（Ｖｆ）を測定し、その変化率をもとめた。また、ＰＤＰの輝度は、維持放電させて全面白色点灯させた時の輝度を輝度計で測定し、試料番号１の輝度を１００として相対値で示している。
【００４６】
表１に示すように、本発明のＰＤＰの製造方法により製造された試料番号１〜１１に示す、放電ガスとしてキセノン濃度を５％以上、水素濃度を１％〜１５％の封入充填した後にエージングを行ったＰＤＰは、アドレス放電時の放電ミスが少なく、１０００時間連続点灯後の放電電圧の変化も０．３％〜１．０％と少ない。一方、従来のＰＤＰの製造方法により製造された試料番号１２〜１５に示す、放電ガスとしてキセノン濃度を５％以上、水素濃度を０．５％以下と少ない濃度で封入充填したＰＤＰは、ＰＤＰ内からの水素の供給がなくなるためにアドレス放電時の放電ミスが発生しやすいとともに、放電電圧Ｖｆが１７９Ｖ〜１９８Ｖと高く、連続点灯後の放電電圧の上昇率が１．４％〜９．８％と大きくなるのが判る。
【００４７】
また、一方、比較例である試料番号１４の水素化処理時の水素濃度が２５％と特に多いＰＤＰでは、アドレス放電時の放電ミスが発生は少ないが、維持放電に必要な放電電圧Ｖｆが１９２Ｖと高くて、連続点灯後の放電電圧の上昇率が１．５％とやや大きく、しかも輝度が８５と低下しているのが判る。
【００４８】
この結果より、水素化処理時に封入する水素濃度と、放電ガスとして封入する水素濃度とに最適値のあることが判る。
【００４９】
なお、本発明の実施の形態では、水素化処理工程を前面板と背面板とを封着した後に行っているが、それぞれが封着接合される前に、雰囲気炉内などで個別に水素化処理を行い、水素化処理を行った前面板と背面板とを封着接合するようにしてもよい。
【００５０】
以上のように、本発明のＰＤＰの製造方法によれば、輝度が高くてアドレス放電のミスの発生がなく、動作電圧が低く長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを提供することができる。
【００５１】
なお、以上の説明では、平面反射型といわれる構造のＰＤＰを用いて説明したが、対向型構造のＰＤＰやチューブアレイ型のＰＤＰ（Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ  ｅｔ  ａｌ，“Ｎｅｗ  ａｐｐｒｏａｃｈ  ｆｏｒ  ｗａｌｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｗｉｔｈ  ｆｉｎｅ  ｔｕｂｅ  ａｒｒａｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”、ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ２００２）に対しても同様に適用でき、６０インチを超える大型ＰＤＰなどの低電力化と高画質化向けて一層有効な手段となる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上述べたように本発明のＰＤＰの製造方法は、アドレス放電を安定化して、かつ安定な駆動を可能とし、高輝度、高画質なプラズマディスプレイ装置などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されたＰＤＰの主要構成を示す断面斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャート
【符号の説明】
【００５４】
１    前面板
２    背面板
３    前面ガラス基板
４    走査電極
４ａ，５ａ    透明電極
４ｂ，５ｂ    バス電極
５    維持電極
６    表示電極
７，１１    誘電体層
８    保護層
９    背面ガラス基板
１０    アドレス電極
１２    隔壁
１３    蛍光体層
１３Ｒ    （赤色）蛍光体層
１３Ｇ    （緑色）蛍光体層
１３Ｂ    （青色）蛍光体層
１４    放電空間
【図１】
2007080608.tif 000005
【図２】
2007080608.tif 000006
【図３】
2007080608.tif 000007