(57)【要約】【課題】  所望の画素領域からの電流のリークを好適に抑制することができるエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】  四角柱状の陽極軸１２の外側面１２ａに正孔輸送層１３を形成し、正孔輸送層１３の外側面１３ａに発光層１４を形成し、発光層１４の外側面１４ａに陰極層１５を形成して有機ＥＬ棒１０を形成した。その有機ＥＬ棒１０を、Ｙ方向に向かって延設されるように列設してＥＬ棒列１０Ｌ（データ電極１８）を形成した。そして、ＥＬ棒列１０Ｌを、絶縁層２０を挟んでＸ方向に並設して、走査電極３の上面に配設した。このとき、各有機ＥＬ棒１０の軸心方向が透明基板２の走査電極形成面２ａの法線方向になるように、各陽極軸１２を走査電極３に電気的に接続した。【選択図】      図２
2007080962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側面に第１方向に延設された複数の第１電極が第２方向に並設された基板と、
前記各第１電極上であって、軸心方向を前記一側面の法線方向にして配列され電気的に接続された電極軸の外側面に、発光層を含む機能層を積層した複数の発光棒と、
前記配列された各発光棒の内、前記第２方向に列設した発光棒同士毎に電気的に接続するために前記各第２方向に列設した各発光棒列の外側面にそれぞれ形成された第２電極とを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第２電極は、前記各発光棒の機能層の外側面に積層されて、前記第２方向に列設した各発光棒に形成した第２電極同士を接触したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光棒列の間に絶縁層を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記電極軸を前記第１電極に押圧して、前記電極軸と前記第１電極との間の電気的接続を保持する保持部材をさらに備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第２電極は、反射性を有する電極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記基板は、透明基板であり、
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記機能層は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
基板の一側面に第１方向に延設された複数の第１電極を第２方向に並設し、電極軸の外側面に機能層が積層された発光棒を、軸心方向を前記一側面の法線方向にして前記第２方向に列設して発光棒列を形成し、前記発光棒列の外側面に第２電極を形成し、前記発光棒列を前記第１電極上に前記第１方向に並設して、前記電極軸を前記第１電極に電気的に接続したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記各発光棒の機能層の外側面に前記第２電極を積層して、前記第２方向に列設した各発光棒に形成した第２電極同士を接触して、前記発光棒列の外側面に前記第２電極を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
電極軸の外側面に機能層が積層され、さらに機能層の外側面に第２電極が積層された発光棒を第２方向に列設して発光棒列を形成する発光棒列設工程と、
前記発光棒列の一側面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記発光棒列設工程と前記絶縁層形成工程を繰り返し行って、前記発光棒列が前記絶縁層を挟んで複数段積層された発光棒層を形成する発光棒層形成工程と、
前記各発光棒の前記電極軸に、第１方向に延設された複数の第１電極を電気的に接続する接続工程と、
前記発光棒層を、前記発光棒の軸心方向を基板の法線方向にして前記基板に取付ける発光棒層取付け工程と
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記接続工程の前に前記発光棒層を切断する切断工程を、さらに備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記複数の第１電極は、予め前記基板の前記第２方向に並設されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、有機物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下単に、「有機ＥＬディスプレイ」という。）の開発が盛んに行われている。有機ＥＬディスプレイは、各画素内に形成された一対の電極の間に発光層、正孔輸送層、電子輸送層等からなる機能層を備え、機能層に供給する駆動電流やその駆動時間の制御によって、表示データに即した画像を表示するようにしている。
【０００３】
この有機ＥＬディスプレイの駆動方法としては、パッシブマトリックス方式とアクティブマトリックス方式とが通常良く用いられる。その中でもパッシブマトリックス方式は、画素領域内にＴＦＴ等の制御素子を配置する必要がなく、さらに構造が比較的簡単であるため低コストで製造ができるという利点があり、有機ＥＬディスプレイ以外の表示ディスプレイにも広く用いられている。
【０００４】
このパッシブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイでは、前記機能層を挟んで複数の走査電極を行方向に延出形成するとともに、複数のデータ電極を列方向に延出形成し、各走査電極と各データ電極がそれぞれ交差する部分を画素領域としている。そして、走査電極駆動回路の線順次走査に基づいて各走査電極を１本ずつ順次選択し、データ電極駆動回路から対応するデータ電極にデータ電流を印加して所望の画素領域を発光している。さらに、選択する走査電極を一つずらして、次に対応するデータ電極にデータ電極駆動回路からデータ電流を印加する。この一連の動作を高速で繰返すことによって、有機ＥＬディスプレイ上に所望の画像を表示する（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−２８４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、この種の有機ＥＬディスプレイでは、走査電極の上側に走査電極からの正孔を発光層に輸送する正孔輸送層がべた状に形成されている。また、この正孔輸送層は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等の導電性の高分子材料で構成されている。そのため、所望の画素領域以外の正孔輸送層に電流がリークしやすく、発光に関与する電流効率が低下していた。さらに、このリーク電流によって画素領域以外でも正孔と電子の再結合によって光が発光されて所望の発光パターンが得られなくなる虞があった。
【０００６】
本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、所望の画素領域からの電流のリークを好適に抑制することができるエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置（以下単に、「ＥＬ装置」という。）は、一側面に第１方向に延設された複数の第１電極が第２方向に並設された基板と、前記各第１電極上であって、軸心方向を前記一側面の法線方向にして配列され電気的に接続された電極軸の外側面に、発光層を含む機能層を積層した複数の発光棒と、前記配列された各発光棒の内、前記第２方向に列設した発光棒同士毎に電気的に接続するために前記各第２方向に列設した各発光棒列の外側面にそれぞれ形成された第２電極とを備えた。
【０００８】
本発明のＥＬ装置によれば、第２方向に列設された各発光棒列の外側面に第２電極を形成したため、発光棒列毎に機能層を分離することができる。そのため、所望の機能層から隣接する発光棒列の発光層への電流のリークを抑制することができる。さらに、発光棒列を、発光棒の軸心方向を一側面の法線方向にして形成したため、各発光棒における発光輝度を発光棒の長さ分だけ向上することができる。
【０００９】
このＥＬ装置において、前記第２電極は、前記各発光棒の機能層の外側面に積層されて、前記第２方向に列設した各発光棒に形成した第２電極同士を接触するようにしてもよい。
【００１０】
このＥＬ装置によれば、機能層の外側面に第２電極を積層した発光棒を列設させて発光棒列を形成したため、列方向に隣接する各発光棒の機能層同士を、第２電極によって分離することができる。従って、各発光棒及び各発光棒列の機能層同士を分離することができ、所望の機能層からの電流のリークを好適に抑制することができる。
【００１１】
このＥＬ装置において、前記発光棒列の間に絶縁層を形成するようにしてもよい。
このＥＬ装置によれば、各発光棒列の間に絶縁層を形成することによって、各発光棒列をより確実に電気的に分離することができる。また、絶縁層の厚さを薄くすることによって、各発光棒列の間隔を狭くすることができる。その結果、ＥＬ装置の解像度を向上させることができる。
【００１２】
このＥＬ装置において、前記電極軸を前記第１電極に押圧して、前記電極軸と前記第１電極との間の電気的接続を保持する保持部材をさらに備えるようにしてもよい。
このＥＬ装置によれば、保持部材によって、ＥＬ装置の電気的特性を安定化させることができる。
【００１３】
このＥＬ装置において、前記第２電極は、反射性を有する電極であってもよい。
このＥＬ装置によれば、発光層からの光が第２電極によって反射されるため、隣接する発光棒への光の出射を好適に抑制することができる。従って、隣接する発光棒間の光のクロストークを好適に抑制することできる。
【００１４】
このＥＬ装置において、前記基板は、透明基板であり、前記第１電極は、透明電極であってもよい。
このＥＬ装置によれば、第１電極の形成された透明基板側に、効率的に光を出射することができる。
【００１５】
このＥＬ装置において、前記機能層は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを含むようにしてもよい。
このＥＬ装置によれば、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを有する分だけ、ＥＬ装置の発光特性を向上させることができる。
【００１６】
本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板の一側面に第１方向に延設された複数の第１電極を第２方向に並設し、電極軸の外側面に機能層が積層された発光棒を、軸心方向を前記一側面の法線方向にして前記第２方向に列設して発光棒列を形成し、前記発光棒列の外側面に第２電極を形成し、前記発光棒列を前記第１電極上に前記第１方向に並設して、前記電極軸を前記第１電極に電気的に接続した。
【００１７】
本発明のＥＬ装置の製造方法によれば、複数の発光棒列を、第１電極上に第２方向に並設することができるため、発光棒列毎に機能層を分離することができる。そのため、所望
の機能層から隣接する発光棒列の機能層への電流のリークを抑制することができる。さらに、発光棒列を、発光棒の軸心方向を一側面の法線方向にして形成することができるため、各発光棒における発光輝度を発光棒の長さ分だけ向上することができる。
【００１８】
このＥＬ装置の製造方法において、前記各発光棒の機能層の外側面に前記第２電極を積層して、前記第２方向に列設した各発光棒に形成した第２電極同士を接触して前記発光棒列の外側面に前記第２電極を形成するようにしてもよい。
【００１９】
このＥＬ装置の製造方法によれば、機能層の外側面に第２電極を積層した発光棒を列設して発光棒列を形成することができるため、第２電極によって隣接する各発光棒の機能層同士を分離することができる。従って、各発光棒及び各発光棒列の機能層同士を分離することができ、所望の機能層からの電流のリークを好適に抑制することができる。
【００２０】
本発明のＥＬ装置の製造方法は、電極軸の外側面に機能層が積層され、さらに機能層の外側面に第２電極が積層された発光棒を第２方向に列設して発光棒列を形成する発光棒列設工程と、前記発光棒列の一側面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記発光棒列設工程と前記絶縁層形成工程を繰り返し行って、前記発光棒列が前記絶縁層を挟んで複数段積層された発光棒層を形成する発光棒層形成工程と、前記各発光棒の前記電極軸に、第１方向に延設された複数の第１電極を電気的に接続する接続工程と、前記発光棒層を、前記発光棒の軸心方向を基板の法線方向にして前記基板に取付ける発光棒層取付け工程とを備えた。
【００２１】
本発明のＥＬ装置の製造方法によれば、機能層の外側面に第２電極を積層した発光棒を列設して発光棒列を形成することができるため、第２電極によって隣接する各発光棒の機能層同士を分離することができる。また、絶縁層形成工程によって、発光棒列の間に絶縁層を形成することができるため、発光棒列間を電気的に分離することができる。従って、各発光棒の機能層同士を分離することができ、所望の機能層からの電流のリークを好適に抑制することができる。さらに、発光棒の軸心方向を基板の法線方向になるように、発光棒層を基板上に形成することができるため、各発光棒における発光輝度を発光棒の長さ分だけ向上することができる。
【００２２】
このＥＬ装置において、前記接続工程の前に前記発光棒層を切断する切断工程を、さらに備えるようにしてもよい。
このＥＬ装置によれば、発光棒層形成工程によって形成された発光棒層を、所定の長さに切断することができるため、各発光棒における発光輝度を容易に変更することができる。
【００２３】
このＥＬ装置において、前記複数の第１電極は、予め前記基板の前記第２方向に並設されるようにしてもよい。
このＥＬ装置によれば、第１方向に延設された第１電極を、予め基板の第２方向に並設することができ、その第１電極に発光棒層を配置することによって、電極軸と第１電極を電気的に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図９に従って説明する。
図１に示すように、エレクトロルミネッセンス装置（以下単に、「ＥＬ装置」という。）１は、四角板状に形成された透明基板２を有している。透明基板２は、無アルカリガラス等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂材料からなる。
【００２５】
透明基板２の一側面（走査電極形成面２ａ）には、四角柱状に形成された第１電極としての複数（ｍ本）の走査電極３が、第１方向としてのＸ方向に向かって延設され、第２方向としてのＹ方向に等間隔に並設されている。走査電極３は、仕事関数の高い光透過性の導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等）で形成された陽極であって、それぞれ透明基板２の一側端に接続されたＦＰＣ（フレキシブル基板）５上の走査電極駆動回路６に電気的に接続されている。走査電極駆動回路６は、図示しない制御回路からの各種制御信号やクロック信号に基づいて、複数の走査電極３の中から所定の走査電極３を所定のタイミングで順次選択し、選択した走査電極３に走査信号を出力するようになっている。
【００２６】
また、透明基板２の走査電極形成面２ａには、各走査電極３を覆うように発光棒層としてのＥＬ棒層ＰＬが形成されている。詳しくは、図２に示すように、各走査電極３の上側には、四角柱状に形成された発光棒を構成する複数（ｍ個）の有機エレクトロルミネッセンス棒（以下単に、「有機ＥＬ棒」という。）１０が、軸心方向を法線方向（図２におけるＺ方向）にしてＹ方向に延びるように列設されている。すなわち、Ｙ方向に隣接する有機ＥＬ棒１０の側面がそれぞれ密接するように配列され、発光棒列としてのＥＬ棒列１０Ｌが形成されている。また、そのＥＬ棒列１０Ｌが、絶縁層２０を挟んでＸ方向に複数本（ｎ本）並設されている。なお、本実施形態では、走査電極３の上面にｍ×ｎ個の有機ＥＬ棒１０が配設されており、各有機ＥＬ棒１０の各々が画素領域Ｓになっているため、ｍ×ｎ個の画素領域Ｓを有している。
【００２７】
各有機ＥＬ棒１０には、その中央に四角柱状に形成された電極軸を構成する陽極軸１２が備えられ、陽極軸１２の外側面１２ａには、陽極軸１２の軸心側から順に、正孔輸送層１３、発光層１４と陰極層１５が積層されている。
【００２８】
陽極軸１２は、走査電極３と同様に、仕事関数の大きい導電性材料（陽極軸形成材料：例えば、ＩＴＯ等の無機酸化物、あるいはポリチオフェンやポリピロール等の透明導電樹脂等）によって形成される透明電極である。また、陽極軸１２は、その基端１２ｂの基端面が前記走査電極３に接触され、走査電極３と電気的に接続されている。そして、走査電極駆動回路６（図１参照）から走査電極３に出力された走査信号は、走査電極３を介して対応する陽極軸１２に印加される。
【００２９】
機能層を構成する正孔輸送層１３は、陽極軸１２の外側面１２ａであって基端１２ｂを除く略全体にわたって均一な膜厚で形成される有機層であって、正孔輸送層材料としてのポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（以下単に、「ＰＥＤＯＴ」という。）で形成されている。正孔輸送層１３の正孔輸送層材料は、各走査電極３を介して陽極軸１２から注入される正孔を、隣接する発光層１４まで輸送する機能を有する。
【００３０】
なお、正孔輸送層材料は、「ＰＥＤＯＴ」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の正孔輸送層材料、あるいは高分子系の正孔輸送層材料を利用することができる。
低分子系の正孔輸送層材料としては、例えば、ベンジジン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ピラゾリン誘導体、カルバゾール誘導体、ポリフィリン化合物等を利用することができる。
【００３１】
高分子系の正孔輸送層材料としては、上記した低分子構造を一部に含む（主鎖あるいは側鎖にする）高分子化合物、あるいはポリアニリン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン、α−ナフチルフェニルジアミン、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【００３２】
機能層を構成する発光層１４は、正孔輸送層１３の外側面１３ａの全体にわたって均一
な膜厚で積層された有機層であって、発光層材料としてのフルオレン−ジオチフェンコポリマー（以下単に、「Ｆ８Ｔ２」という。）で形成されている。また、発光層１４には、正孔輸送層１３から正孔が輸送される。
【００３３】
なお、発光層材料は、「Ｆ８Ｔ２」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。
低分子系の発光層材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体物、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体等を利用することができる。
【００３４】
高分子系の発光層材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリビニレンスチレン誘導体、及びそれらの共重合体、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【００３５】
第２電極を構成する陰極層１５は、発光層１４の外側面１４ａの全体にわたって均一な膜厚で形成される有機層であって、仕事関数の低い導電性材料（陰極層材料：例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂの金属元素単体等）によって形成される光反射性を有する陰極である。
【００３６】
各陰極層１５は、Ｙ方向に隣接する有機ＥＬ棒１０の陰極層１５とそれぞれ密接して列設されており、Ｙ方向に向かって梯子状に延設されている。本実施形態では、このＹ方向に向かって梯子状に延設されている陰極層１５をデータ電極１８という。
【００３７】
一方、Ｘ方向に隣接する有機ＥＬ棒１０の陰極層１５の間には、四角形状の絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０は、絶縁性樹脂で形成されており、Ｘ方向に隣接する各有機ＥＬ棒１０の陰極層１５同士、すなわちデータ電極１８同士を絶縁している。つまり、複数（ｎ本）のデータ電極１８が、Ｙ方向に向かって延設され、Ｘ方向に並設されている。
【００３８】
従って、本実施形態のＥＬ装置では、発光層１４の外側面１４ａに形成された陰極層１５によって、Ｙ方向に隣接する有機ＥＬ棒１０の発光層１４同士を分離することができる。さらに、絶縁層２０によって、ＥＬ棒列１０Ｌ（データ電極１８）同士を電気的に分離することができるため、所望の（発光すべき）有機ＥＬ棒１０、すなわち画素領域Ｓから他の画素領域Ｓの正孔輸送層１３及び発光層１４への電流のリークを好適に抑制することができる。
【００３９】
図１に示すように、データ電極１８は、透明基板２の一側端に配設された前記ＦＰＣ５上のデータ電極駆動回路１９にそれぞれ電気的に接続されている。データ電極駆動回路１９は、図示しない制御回路からの各種制御信号や表示データに基づいて、各データ電極１８に、対応するデータ信号を所定のタイミングで出力するようになっている。そして、各データ電極１８は、データ電極駆動回路１９から入力されたデータ信号に応じた電子を発光層１４に注入するようになっている。
【００４０】
各有機ＥＬ棒１０の上側には、図１及び図２に２点鎖線で示すように、保持部材としての封止基板２５が配設されている。封止基板２５は、ガスバリヤ性を有する基板であって
、光反射性の絶縁部材で形成されている。
【００４１】
封止基板２５と透明基板２との間であって、これら封止基板２５及び透明基板２の外縁には、図１に示すように、四角枠状に形成された封止層２６が形成されている。封止層２６は、ガスバリヤ性を有した光透過性の無機あるいは有機高分子膜であって、封止基板２５を透明基板２に密着させて、封止基板２５と透明基板２との間の空間（各有機ＥＬ棒１０、各絶縁層２０、各走査電極３）を封止して、水分や酸素等の侵入を遮断するようになっている。
【００４２】
そして、走査電極駆動回路６の線順次走査に基づいて各走査電極３が１本ずつ順次選択されて、データ電極駆動回路１９からのデータ信号が対応するデータ電極１８に順次印加される。すると、選択された走査電極３上の各画素領域Ｓ（各有機ＥＬ棒１０）で、それぞれデータ電極１８からのデータ信号に対応して、正孔が陽極軸１２を介して発光層１４に注入され、データ電極１８（陰極層１５）から電子が発光層１４に注入される。そして、各画素領域Ｓに対応する発光層１４内で正孔と電子の再結合によるエキシトン（励起子）が生成されて、このエキシトンが基底状態に戻るときのエネルギー放出によって、蛍光あるいは燐光の光Ｌ（図２参照）が発光される。
【００４３】
そして、発光層１４から出射された光Ｌの殆どは、光反射性を有する陰極層１５及び封止基板２５の反射によって内部反射して、陽極軸１２の軸心方向（図２においてＺ方向）に沿って走査電極３側に出射される。走査電極３側に出射された光Ｌは、光透過性の走査電極３及び透明基板２を通過して、走査電極形成面２ａと相対向する透明基板２の一側面（表示面２ｂ）から出射される。これによって、表示面２ｂ側から出射される光Ｌの発光輝度が有機ＥＬ棒１０の長さ分だけ向上されて、表示データに基づく表示画像が、ＥＬ装置１の表示面２ｂに表示される。
【００４４】
従って、本実施形態のＥＬ装置１では、表示面２ｂに表示する表示画像の発光輝度を、取付ける有機ＥＬ棒１０の長さ分だけ、向上することができる。また、従来のＥＬ装置では電極（陽極軸１２及び陰極層１５）に対して面状に機能層が形成されていたが、本実施形態のＥＬ装置１では、陽極軸１２及び陰極層１５に対して等方状に機能層（正孔輸送層１３及び発光層１４）が形成されており、従来よりも発光する領域が広くなるため、表示画像の発光輝度が向上される。しかも、Ｘ方向及びＹ方向に形成する有機ＥＬ棒１０の数を増やすだけで、ＥＬ装置１を大型化することができる。
【００４５】
次に、上記ＥＬ装置１を製造する製造方法について、以下に説明する。
まず、有機ＥＬ棒１０の元になる発光棒を構成する発光棒材４０（図４参照）を形成する発光棒材形成工程を行う。はじめに、陽極軸１２の元（母材）になる電極軸を構成する軸体３２の外側面３２ａに正孔輸送層１３を形成する正孔輸送層形成工程を行う。すなわち、図３（ａ）に示すように、四角柱状の軸体３２を、前記「ＰＥＤＯＴ」を含む液状体（正孔輸送層形成液１３Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、軸体３２の外側面３２ａに堆積した正孔輸送層形成液１３Ｌの液状膜１３Ｆを乾燥することによって正孔輸送層１３が形成される。
【００４６】
正孔輸送層１３を形成すると、正孔輸送層１３の外側面１３ａに発光層１４を形成する発光層形成工程を行う。すなわち、図３（ｂ）に示すように、正孔輸送層１３を形成した軸体３２を、前記「Ｆ８Ｔ２」を含む液状体（発光層形成液１４Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、正孔輸送層１３の外側面１３ａに堆積した発光層形成液１４Ｌの液状膜１４Ｆを乾燥することによって発光層１４が形成される。
【００４７】
発光層１４を形成すると、発光層１４の外側面１４ａに陰極層１５を形成する陰極層形
成工程を行う。すなわち、図３（ｃ）に示すように、発光層１４を形成した軸体３２を、銀のナノ微粒子を有機系分散媒に分散させた液状体（陰極層形成液１５Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、発光層１４の外側面１４ａに堆積した陰極層形成液１５Ｌの液状膜１５Ｆを乾燥することによって陰極層１５が形成される。
【００４８】
陰極層１５を形成して有機ＥＬ棒１０の元になる発光棒材４０を形成すると、発光棒層形成工程としてのＥＬ棒層形成工程を行う。詳しくは、まず、図４に示すように、Ｘ方向に延設された発光棒材４０を、発光棒材４０の側面の陰極層１５がそれぞれ密接するようにＹ方向に列設する（発光棒列設工程）。ｍ本の発光棒材４０を列設することによって、１列の発光棒材列４０Ｌ（データ電極１８）が形成される。
【００４９】
次に、図５に示すように、発光棒材列４０Ｌ（各発光棒材４０）の一側面としての上面に、絶縁性樹脂を塗布する。そして、発光棒材列４０Ｌの上面に塗布された絶縁性樹脂を乾燥することによって絶縁層２０が形成される（絶縁層形成工程）。さらに、図６に示すように、絶縁層２０の上面に発光棒材列４０Ｌを積層する。このように、発光棒列設工程と絶縁層形成工程を繰り返し行うことによって、図７に示すように、発光棒材列４０Ｌが複数段（ｎ段）積層される。
【００５０】
ｎ段の発光棒材列４０Ｌを積層すると、切断工程を行う。すなわち、図７に示すように、ｎ段積層した発光棒材列４０Ｌを切断線Ｂで垂直方向（図７におけるＺ方向）に切断することによって、ｍ×ｎ個の有機ＥＬ棒１０からなるＥＬ棒層ＰＬが形成される。なお、切断線Ｂの位置は、任意の位置であり自由に変更可能な位置である。従って、切断線Ｂの位置を変更することによって、ＥＬ棒層ＰＬ（各有機ＥＬ棒１０）の長さを変更することができるため、有機ＥＬ棒１０からの光Ｌの発光輝度を容易に変更することができる。
【００５１】
また、ＥＬ棒層形成工程とは別工程として、透明基板２の走査電極形成面２ａに走査電極３を形成する走査電極形成工程を行う。すなわち、図８に示すように、透明基板２の走査電極形成面２ａに対し、光透過性の導電性材料を利用したスクリーン印刷法やインクジェット法等の液相プロセス、あるいは蒸着法やスパッタ法等の気相プロセスを施すことによって、Ｘ方向に延びる複数の走査電極３を形成する。
【００５２】
ＥＬ棒層ＰＬを形成し、走査電極３を形成すると、走査電極３の上面にＥＬ棒層ＰＬを取付ける発光棒層取付け工程及び接続工程を構成するＥＬ棒層取付け工程を行う。すなわち、図９に示すように、任意の大きさに切断したＥＬ棒層ＰＬを、各有機ＥＬ棒１０の陽極軸１２が走査電極３に接触されるように矢印Ｃの方向に９０度回転させて、有機ＥＬ棒１０の軸心方向が透明基板２の走査電極形成面２ａの法線方向になるように走査電極３の上面に配設し、陽極軸１２と走査電極３とを電気的に接続させる（発光棒層取付け工程）。
【００５３】
続いて、透明基板２の外縁に沿って紫外線硬化性樹脂を塗布する。そして、封止基板２５及び透明基板２を、不活性ガスの減圧雰囲気下に搬送して、封止基板２５をＥＬ棒層ＰＬを挟むように透明基板２上に載置して貼り合わせる。そして、貼り合わせた状態の透明基板２及び封止基板２５を大気に解放し、紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射して硬化する（接続工程）。
【００５４】
これによって、ＥＬ棒層ＰＬを挟むようにして、透明基板２と封止基板２５を密着させることができ、大気圧によって、各陽極軸１２を対応する走査電極３に均一に押圧することができ、陽極軸１２と走査電極３との間の電気的な接触を確保することができる。また、透明基板２と封止基板２５との間に封入した不活性ガスによって、各有機ＥＬ棒１０の電気的安定性を確保することができる。
【００５５】
次に、本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、発光層１４の外側面１４ａに形成された陰極層１５によって、列方向に隣接する有機ＥＬ棒１０の発光層１４同士を分離でき、絶縁層２０によって、ＥＬ棒列１０Ｌ（データ電極１８）同士を電気的に分離することができる。従って、所望の（発光すべき）有機ＥＬ棒１０、すなわち画素領域Ｓから他の画素領域Ｓの正孔輸送層１３及び発光層１４への電流のリークを好適に抑制することができる。
【００５６】
（２）本実施形態によれば、有機ＥＬ棒１０を、その軸心方向を法線方向（図２におけるＺ方向）になるように配置し、その有機ＥＬ棒１０の外表面に光反射性の陰極層１５を形成して、さらに光反射性を有する封止基板２５を有機ＥＬ棒１０の上面に配設した。そして、陽極軸１２及び走査電極３を透明電極にした。従って、発光層１４から出射された光Ｌの殆どが、光反射性を有する陰極層１５及び封止基板２５の反射によって内部反射して、陽極軸１２の軸心方向に沿って走査電極３側に出射されるため、出射される光Ｌの発光輝度を有機ＥＬ棒１０の長さ分だけ向上させることができる。さらに、陰極層１５による反射によって、隣接する画素領域Ｓ（有機ＥＬ棒１０）への光Ｌの出射を好適に抑制することができる。
【００５７】
（３）本実施形態によれば、データ電極１８を有機ＥＬ棒１０の外表面に形成された陰極層１５として構成したため、有機ＥＬ棒１０の本数を変更することによって、ＥＬ装置１のサイズを容易に変更することができる。また、有機ＥＬ棒の本数を変更するだけであるため、各有機ＥＬ棒１０の膜厚均一性を維持して、ＥＬ装置１の全体にわたる正孔輸送層１３や発光層１４等の機能層の膜厚均一性を確保することができる。
【００５８】
（４）本実施形態によれば、各有機ＥＬ棒１０の各々が各画素領域Ｓになるように、ＥＬ棒層ＰＬを走査電極３の上面に配置した。従って、各有機ＥＬ棒１０のサイズを変更することによって、各画素領域Ｓのサイズを容易に変更することができる。また、陽極軸１２の外側面１２ａに形成された正孔輸送層１３、発光層１４及び陰極層１５の膜厚を薄くすることによって、表示画像の解像度を向上させることができる。さらに、ＥＬ棒列１０Ｌを分離している絶縁層２０を薄く形成することによって、表示画像の解像度を向上させることができる。
【００５９】
（５）本実施形態によれば、発光棒列設形成工程と絶縁層形成工程を繰り返し行うことによって発光棒材列４０Ｌを複数段（ｎ段）積層し、そのｎ段の発光棒材列４０Ｌを任意の位置（本実施形態では、切断線Ｂ）で垂直方向に切断することによって、ＥＬ棒層ＰＬを形成するようにした。従って、切断線Ｂの位置を変更することによって、ＥＬ棒層ＰＬ（各有機ＥＬ棒１０）の長さを変更することができるため、有機ＥＬ棒１０からの光Ｌの発光輝度を容易に変更することができる。
【００６０】
（６）本実施形態によれば、封止基板２５と透明基板２の外縁に、封止基板２５と透明基板２とを密着させて、封止基板２５と透明基板２との間の空間を封止する、すなわち各有機ＥＬ棒１０及び走査電極３を封止する封止層２６を形成した。従って、各有機ＥＬ棒１０に対する水分や酸素等の侵入を抑制することができ、各有機ＥＬ棒１０の電気的安定性の向上とその長寿命化を図ることができる。
【００６１】
なお、上記各実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態では、絶縁層２０を塗布により形成したが、これに限らず、例えば蒸着等によって形成する構成にしてもよい。
【００６２】
・上記実施形態では、発光棒材列４０Ｌの間に絶縁層２０を形成するようにしたが、こ
の絶縁層２０を省略する構成にしてもよい。この場合、各発光棒材列４０Ｌを走査電極３の上面に、隣接する発光棒材列４０Ｌ（データ電極１８）と接触しないように間隔をあけて配置するようにすればよい。すなわち、各発光棒材列４０Ｌを１列ずつ走査電極３の上面に配設するようにしてもよい。
【００６３】
・上記実施形態では、ｎ段に積層された発光棒材列４０Ｌを切断工程によって切断することによって、ＥＬ棒層ＰＬを形成するようにしていたが、切断工程を省略するように変更してもよい。
【００６４】
・上記実施形態では、ＥＬ棒層ＰＬを、透明基板２に形成された走査電極３に接続するようにした。これに限らず、例えば図７に示すＥＬ棒層ＰＬに対してＺ方向に延設された複数の棒状の電極をＹ方向に並設して、各有機ＥＬ棒１０の陽極軸１２と接触するように取付け、その棒状の電極を取付けたＥＬ棒層ＰＬを透明基板２に配設するようにしてもよい。
【００６５】
・上記実施形態における発光棒列設工程で発光棒材列４０Ｌを形成した後に、さらに、その発光棒材列４０Ｌの外側面に陰極層１５を形成するように変更してもよい。これによって、発光棒材列４０Ｌが列設されることによって形成されるデータ電極１８をより確実に発光棒材列４０Ｌの外表面に形成することができる。
【００６６】
・上記実施形態では、有機ＥＬ棒１０の軸体を陽極軸１２によって構成したが、これに限らず、例えばガラスや樹脂等からなる棒部材を別途軸体として利用し、同軸体の外側面に陽極層を形成して陽極軸とする構成にしてもよい。
【００６７】
・上記実施形態では、有機ＥＬ棒１０を四角柱状に具体化したが、これに限らず、例えば断面が三角形や五角形以上の多角形であってもよく、さらには断面が楕円形状や円形状であってもよい。
【００６８】
・上記実施形態では、正孔輸送層１３、発光層１４及び陰極層１５を液相プロセスによって形成する構成にしたが、これに限らず、蒸着等の気相プロセスによって形成する構成にしてもよい。
【００６９】
・上記実施形態では、機能層を、正孔輸送層１３及び発光層１４によって構成した。これに限らず、例えば正孔輸送層１３を省略する構成にしてもよく、あるいは正孔輸送層１３と陽極軸１２との間に、対応する発光層１４への正孔の注入効率を高めるための正孔注入層を形成する構成にしてもよい。さらには、正孔輸送層１３と発光層１４との間に、電子の移動を抑制する電子障壁層を形成する構成にしてもよい。
【００７０】
あるいは、発光層１４と陰極層１５との間に陰極層１５から注入された電子を発光層１４まで輸送する電子輸送層を形成する構成にしてもよい。さらには、発光層１４と対応する電子輸送層との間に、正孔の移動を抑制する正孔障壁層を形成する構成であってもよい。
【００７１】
・上記実施形態では、有機ＥＬ棒１０に発光層１４を一層のみ形成する構成した。これに限らず、例えば有機ＥＬ棒１０は、対応する発光層１４と電荷発生層からなるユニットを複数積層した、いわゆるマルチフォトン構造であってもよい。
【００７２】
・上記実施形態では、ＥＬ装置１を、透明基板２側に光Ｌを出射するボトムエミッション方式に具体化した。これに限らず、各有機ＥＬ棒１０の上面に形成した封止基板２５を透明部材で構成し、走査電極３を光反射性の電極として、有機ＥＬ棒１０からの光Ｌを封
止基板２５側に出射するトップエミッション方式に具体化してもよい。
【００７３】
・上記実施形態におけるＥＬ装置１は、有機ＥＬ棒１０の発光層１４がそれぞれ赤色に対応した波長領域の光を発光する赤色発光層、緑色に対応した波長領域の光を発光する緑色発光層、青色に対応した波長領域の光を発光する青色発光層で構成されるカラー表示用のＥＬ装置にも適用することができる。また、光Ｌが出射される方向の側面にカラーフィルタを配設したカラー表示用のＥＬ装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施形態におけるＥＬ装置を説明するための概略斜視図。
【図２】同じく、ＥＬ装置を説明するための要部拡大斜視図。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図。
【図４】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図５】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図６】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図７】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図８】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図９】同じく、ＥＬ装置の製造方法を説明するための斜視図。
【符号の説明】
【００７５】
ＰＬ…発光棒層としてのＥＬ棒層、１…エレクトロルミネッセンス装置、２…基板としての透明基板、３…第１電極としての走査電極、１０…発光棒を構成する有機ＥＬ棒、１０Ｌ…発光棒列としてのＥＬ棒列、１２…電極軸を構成する陽極軸、１３…機能層を構成する正孔輸送層、１４…機能層を構成する発光層、１５…第２電極を構成する陰極層、１８…第２電極を構成するデータ電極、２０…絶縁層、２５…保持部材としての封止基板、３２…電極軸を構成する軸体、４０…発光棒を構成する発光棒材、４０Ｌ…発光棒列を構成する発光棒材列。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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