(57)【要約】【課題】  上記窒化物半導体レーザ装置において、リッジストライプの損傷を防止し、且つ放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】  窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型電極と、金属膜とを含み、ｐ型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、ｐ型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつｐ型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はｐ型電極上に形成され、かつ金属膜とｐ型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、
前記窒化物半導体レーザ素子は、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型電極と、金属膜とを含み、
前記ｐ型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、該リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、
前記ｐ型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつ前記ｐ型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、
前記金属膜はｐ型電極上に形成され、かつ該金属膜とｐ型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記溝部の幅が１０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記金属膜の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記ｐ型電極の最表面が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｏのいずれかで形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｌの少なくとも１つ材料が含まれるメッキであるか、あるいはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｏのいずれかよりなる金属膜であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記ｐ型電極の最表面と前記金属膜とが同一材料であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体レーザ装置に関し、より詳細には、リッジストライプの両脇に形成された溝部が金属膜により埋め込まれた窒化物半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置の放熱性を向上させるための方法として、ジャンクションダウン接合が知られている。ジャンクションダウン接合とは、リッジストライプが形成された面をサブマウントに接合する方法である。
【０００３】
第１の例として、従来の窒化物半導体レーザ装置の概略断面図を図３に示す。図３において、従来の窒化物半導体レーザ装置は、基板１００上に、ｎ型窒化物半導体層１１０、窒化物半導体活性層１２０、ｐ型窒化物半導体層１３０がこの順で形成されている。さらにｐ型窒化物半導体層１３０に凸形状のリッジストライプ１４０が形成され、前記リッジストライプ１４０直上部分を除いて、ｐ型窒化物半導体層１３０は絶縁膜１７０で被覆されている。
【０００４】
さらに、リッジストライプ直上部分およびその周囲の絶縁膜１７０を被覆するようにｐ型電極１８０が形成され、基板１００の底面にｎ型電極２００が形成されている。ｐ型電極１８０とサブマウント２１０とはジャンクションダウンで接合されている。また、ｐ型電極１８０とサブマウント２１０との接合にあたっては、ハンダ２２０を用いている。
【０００５】
上記第１の例では、窒化物半導体レーザ素子が、基板の熱膨張係数より大きい材質のサブマウント２１０に接合をすることにより、窒化物半導体レーザ素子に圧縮応力を与え、閾値電流Ｉｔｈが低減される。
【０００６】
第２の例として、特許文献２には、ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系半導体レーザ装置のジャンクションダウン接合の際に、ハンダが半導体レーザ素子の側面への回り込むことによって生じる電流のリークを防止する方法が記載されている。
【０００７】
特許文献２記載されているＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系半導体レーザ装置の一例を図４に示す。図４において、基板５００上に、ｎ型半導体層５１０、活性層５２０、ｐ型半導体層５３０が順次積層されている。さらに、ｐ型半導体層にリッジ型導波路５４０と前記リッジ型導波路５４０の両側に溝部５５０が形成され、ダブルチャネル構造が形成されている。
【０００８】
さらに、前記リッジ型導波路５４０の直上部分を除いて、ＳｉＯ２よりなる絶縁膜５６０が形成され、溝部５５０を除いた領域の上面にｐ電極５７０が形成されている。また、半導体レーザの基板側にｎ電極５８０が形成されている。引き続き、リッジ型導波路５４０を有する面に、溝部５５０を埋め込まないように空洞６２０が形成されたエアブリッジ型のｐ型メッキ電極５９０が形成され、前記ｐ型メッキ電極５９０とサブマウント６００がジャンクションダウン接合されている。また、ｐ型メッキ電極５９０とサブマウント６００の接合にあたっては、ハンダ６１０を用いている。
【０００９】
上記第２の例の半導体レーザ装置では、エアブリッジ型のｐ型メッキ電極５９０を介してサブマウント６００と接合することで、ハンダの盛り上がりによる電流リークの防止と、溝部５５０をハンダ６１０が埋め込みを防止している。また、半導体層とハンダ６１０の熱膨張係数差によるリッジ型導波路５４０が受けるストレスを抑制している。
【００１０】
このようにジャンクションダウン接合された半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の窒化物半導体層を積層した面から放熱することができるため、放熱性に優れている。
【００１１】
しかしながら、リッジストライプは電流を狭窄注入するために幅が細く損傷を受け易いため、損傷を受けてしまった場合、発光特性の低下など、窒化物半導体レーザ素子の信頼性を低下させる原因となる。また、窒化物半導体レーザ素子の高出力化に伴って、リッジストライプの直下の発光領域付近では温度上昇が特に顕著となり、窒化物半導体レーザ素子の劣化を促進させるなどの信頼性低下の原因となる。
【００１２】
例えば、第１の例の窒化物半導体レーザ装置では、窒化物半導体レーザ素子を製造するプロセスにおいて、突出したリッジストライプを形成した後、ウェーハから個々の窒化物半導体レーザ素子（チップ）に分割する際に、ウェーハをスクライブや分割する工程において、リッジストライプの形成された面をステージ等に接触させたり、圧力を加えたりすることによってリッジストライプを損傷させてしまうことがあった。
【００１３】
また、ジャンクションダウン接合を行う際に、窒化物半導体レーザ素子のｎ電極側から一定の圧力を加えて、サブマウントに接合させるため、凸形状になっているリッジストライプに不要な応力を与え損傷させてしまうことがある。さらに、サブマウントに窒化物半導体レーザ素子が傾いて接合され、素子特性を低下させる原因となっている。さらに、この傾きの方向と傾き具合は窒化物半導体レーザ装置毎に異なり、この傾きの不整合により放熱性に違いが生じ、発光特性のばらつきを生じさせる原因ともなる。
【００１４】
第２の例の半導体レーザ装置では、リッジ型導波路５４０とその両脇に溝部５５０を形成されたダブルチャネル構造を有し、その上方に溝部５５０に空洞を有するエアブリッジ型のｐ型メッキ電極５９０が形成されている。第２の例の様に溝部５５０を埋め込まないエアブリッジ形状や、溝部５５０の底面にメッキ電極が接して形成されておらず空洞となっている場合においては、発光領域で生じた熱の殆どはリッジ型導波路の半導体層を介してｐ型メッキ電極へ伝導するしかなく、放熱性が良好でないため、温度上昇が顕著となり半導体層の劣化が促進され素子寿命の低下させる原因となる。
【特許文献１】特開２００４−１４０１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、上記窒化物半導体レーザ装置において、リッジストライプの損傷を防止し、且つ放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の１つの局面によれば、窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型電極と、金属膜とを含み、ｐ型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、ｐ型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつｐ型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はｐ型電極上に形成され、かつ金属膜とｐ型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置が提供される。
【００１７】
好ましくは、溝部の幅が１０μｍ以上である。
好ましくは、金属膜の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００１８】
好ましくは、ｐ型電極の最表面が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｏのいずれかで形成されている。
【００１９】
好ましくは、金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｌの少なくとも１つ材料が含まれるメッキであるか、あるいはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌまたはＭｏのいずれかよりなる金属膜である。
【００２０】
好ましくは、ｐ型電極の最表面と前記金属膜とが同一材料である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の窒化物半導体レーザ装置によれば、リッジストライプの損傷を防止し、放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の窒化物半導体レーザ装置によれば、窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合され、窒化物半導体レーザ素子は、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型電極と、金属膜とを含み、ｐ型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、ｐ型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつｐ型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はｐ型電極上に形成され、かつ金属膜とｐ型電極との間に空洞がないことを特徴とする。
【００２３】
これにより、狭窄化されたリッジストライプが損傷を受けることを防止し、発光領域より放出される熱を効率よく逃がし、放熱特性が改善されることによって、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２４】
以下、本発明の窒化物半導体レーザ素子について、図を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図である。
【００２５】
図１において、基板１００上に、ｎ型窒化物半導体層１１０、窒化物半導体活性層１２０およびｐ型窒化物半導体層１３０がこの順で形成されている。ここで、ｐ型窒化物半導体層１３０には、リッジストライプ１４０と、前記リッジストライプ１４０に沿ってその両脇に形成された丘部１６０と、前記リッジストライプ１４０と前記丘部１６０との間の溝部１５０とが形成されている。
【００２６】
また、ｐ型窒化物半導体層１３０の上面には、リッジストライプ１４０の頂上部を除いて絶縁膜１７０で被覆し、続いてリッジストライプ１４０上およびに絶縁膜１７０上にｐ型電極１８０、金属膜１９０をこの順で被覆しており、基板１００の底面にｎ型電極２００が形成されている。さらに、金属膜１９０はサブマウント２１０とをジャンクションダウン接合されている。また、接合にはハンダ２２０を用いている。
【００２７】
絶縁膜１７０はリッジストライプ１４０のみに電流が狭窄注入されるために設けられた絶縁膜である。
【００２８】
図１において、ダブルチャネル構造とは、ｐ型窒化物半導体層１３０の上面に形成され、リッジストライプ１４０に沿って両脇に溝部１５０が設けられた構造のことをいう。また、ｐ型電極１８０は、前記リッジストライプ１４０の頂上部に接し、かつｐ型窒化物半導体層１３０上面の形状に適合するように形成されている。ここで、当該形状に適合するように形成されているとは、ｐ型窒化物半導体層１３０の上面の形状と実質的に同様の形状にという意味である。具体的には、ｐ型窒化物半導体層１３０の上面の形状は、図１の左側から順に、丘部１６０、溝部１５０、リッジストライプ１４０、溝部１５０、丘部１６０という形状を有するが、ｐ型電極１８０の形状も同様な凹凸形状を有するという意味である。なお、図１にからわかるように、金属膜１９０はｐ型電極１８０上に形成され、かつ金属膜１９０とｐ型電極１８０との間に空洞がないことを特徴とする。
【００２９】
次に、図１に示す本発明の窒化物半導体レーザ装置を作製するための手順について図２を用いて説明する。
【００３０】
図２（ａ）は、リッジストライプ１４０が設けられた窒化物半導体レーザ素子の上に絶縁膜が形成される前の一実施形態を模式的に表した断面図である。図２（ａ）の窒化物半導体レーザ素子において、基板１００上に、当該分野で公知の手順により、ｎ型窒化物半導体層１１０、窒化物半導体活性層１２０、ｐ型窒化物半導体層１３０がこの順で形成されている。
【００３１】
また、ｐ型窒化物半導体層１３０にリッジストライプ１４０と、前記リッジストライプ１４０に沿ってその両脇に形成された丘部１６０と、前記リッジストライプ部１４０と前記丘部１６０との間の溝部１５０が形成されている。当該溝部１５０はダブルチャネル構造を有している。これらの形成方法としては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）などを挙げることができる。
【００３２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、リッジストライプ１４０の頂上部を除いてｐ型窒化物半導体層１３０の上面を絶縁膜１７０で当該半導体層１３０の形状に適合するように被覆し、続いて、窒化物半導体レーザ素子上の全面をｐ型電極１８０を上記半導体層１３０の上面の形状と適合するように被覆し、さらに金属膜１９０を被覆する。ここで、適合するとは上記で説明したとおりであり、実質的に半導体層１３０の上面と同一の形状を有する。
【００３３】
また、図２（ｂ）において、発光領域３００は、リッジストライプ１４０の下付近に位置する窒化物半導体活性層１２０中で、実質的に発光に寄与する領域のことである。
【００３４】
このようにして形成された本発明に係る窒化物半導体レーザ装置の１つの特徴は、溝部１５０に空洞が出来ないように金属膜１９０で埋め込まれていることである。当該金属膜１９０が形成されることにより、窒化物半導体レーザ素子の製造工程において、リッジストライプ１４０が形成された面に傷などの損傷を受けたとしても、金属膜１９０に傷が生じるだけで、リッジストライプに損傷を受けることを防止することができる。
【００３５】
本発明において、図２（ａ）に示される溝部１５０の幅Ｗｂは、１０μｍ以上好ましい。例えば、溝部１５０底面の幅Ｗｂが１０μｍ未満である場合、溝部１５０が埋め込まれずに空洞が生じることによって、熱が遮断され、放熱効率が悪くなり、窒化物半導体レーザ素子の温度上昇が顕著となるためである。また、溝部１５０が埋め込まれ空洞が生じてない場合においても、活性層付近の金属膜の熱容量が乏しく放熱効率が良好ではないため好ましいとは言えない。
【００３６】
溝部１５０の幅Ｗｂは十分な幅を有していることによって、放熱効率は優位になるが、たとえば、溝幅１５０の幅が５０μｍを超えても、放熱効率の顕著な向上はない。
【００３７】
さらに、本発明において、図２（ａ）に示すように、溝部１５０底面の幅Ｗｂと、リッジストライプ１４０底面の幅Ｒｂとの関係がＲｂ／Ｗｂ≦０．１を満たしていることが好ましい。これにより、良好な放熱性が得られるためである。良好な放熱性が得られる理由は、熱が生じる発光領域３００の付近より、広範囲にわたって金属膜を有する領域を形成させることによって、熱伝導性の良い金属膜の熱容量が増加するため、発光領域３００で生じる熱の殆どを金属膜１９０へ逃がすことが出来るためである。
【００３８】
なお、リッジストライプ１４０の幅Ｒｂとは、リッジストライプ底部の幅、つまり、リッジストライプを挟んだ一方の溝底部の端からもう一方の溝底部の端までの間隔のことを示す。
【００３９】
また溝部１５０の幅Ｗｐの上限は特に指定は無いが、サブマウント２１０と窒化物半導体レーザ素子を均等に接合するという点から、丘部１６０の幅が少なくとも５０μｍ以上であることが好ましい。窒化物半導体レーザ素子チップの幅と丘部の幅を考慮した溝部１５０の幅Ｗｐであればよい。
【００４０】
リッジストライプ１４０の幅Ｒｂは、少なくとも１．８μｍ以下にすることが好ましい。これは窒化物半導体レーザ素子の高出力化に伴って、キンクレベルを向上させる必要が有あるためである。また、溝部１５０側面の形状は、矩形形状、順メサ形状、逆メサ構造いずれであってもよい。
【００４１】
なお、図２（ｂ）において、リッジストライプ１４０の頂上部を除いて絶縁膜１７０で被覆され、続いて、窒化物半導体レーザ素子上の全面をｐ型電極１８０、金属膜１９０の順で被覆されている。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置の１つの特徴は、溝部１５０に空洞が出来ないように金属膜１９０で埋め込まれていることである。
【００４２】
絶縁膜１７０には、酸化シリコン（ＳｉＯ２など）や窒化シリコン（ＳｉＮｘなど）の他、珪素、チタン、ジルコニア、タンタル、アルミニウム等の酸化物または窒化物でも構わない。
【００４３】
また、金属膜１９０の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。金属膜１９０が１μｍ以上の膜厚であることで、金属膜１９０がリッジストライプに与える応力を緩衝することが出来る。例えば、製造プロセス時に金属膜１９０表面が損傷を受けたとしても、絶縁膜１７０やｐ型電極１８０およびリッジストライプ１４０が損傷を受けにくいため、電流の狭窄注入を正常に行うことが出来る。また、一般的な窒化物半導体レーザ素子であれば、リッジストライプの高さが０．４〜０．６μｍ程度であるため溝部１５０を完全に埋め込むことができ、良好な放熱性を得うることが出来る。また、金属膜１９０の膜厚が厚すぎると、窒化物半導体レーザ素子ウェーハの劈開が困難になってしまうため、１０μｍ以下が好ましい。
【００４４】
絶縁膜１７０は例えば以下の方法で形成することが出来る。まず、ｐ型窒化物半導体層１３０にリッジストライプ１４０を形成する。次にリッジストライプ１４０の上面にのみレジストによるマスクを形成した後、スパッタ法などを用いて窒化シリコンを形成する。最後に前記レジストを除去して絶縁膜１７０を完成させる。
【００４５】
ｐ型電極１８０はリッジストライプ部１４０および絶縁膜１７０の上面に接して形成された後、金属膜１９０を形成する。ｐ型電極１８０は、リッジストライプ１４０が形成された面の全面に渡って形成されていることが好ましい。これは、ｐ型電極１８０はリッジストライプ１４０に電流を注入させるための電極としての作用のほかに、金属膜の成長を促進させる作用も兼ね備えているためである。この作用を好ましく用いるためには、ｐ型電極１８０の最表面は金属膜１９０と同様の金属であることが好適である。
【００４６】
例えば、ｐ型電極１８０の最表面がＡｕで被覆された、Ｐｄ／Ｍｏ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ等などを用いる場合に好ましい金属膜は、Ａｕである。また、ｐ型電極１８０の最表面をＡｇ，Ｃｕ、Ａｌ，Ｍｏなどのいずれかとした場合においても、金属膜１９０はｐ電極１８０と同じ、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）の少なくとも１つ材料が含まれるメッキか、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏなどの何れかの金属膜で形成することが好ましい。
【００４７】
このようなｐ型電極１８０および金属膜１９０は例えば以下のようにして形成することが出来る。絶縁膜１７０を形成した後、ＥＢ蒸着によりｐ型電極１８０を形成する。続いて電気メッキにより膜厚５μｍの金属膜（メッキ）１９０を完成させる。
【００４８】
金属膜１９０を形成する方法は、電気メッキ、浸せきメッキ、合金メッキ、ＥＢ蒸着、スパッタ−法、ＥＣＲ法などを用いることができる。
【００４９】
リッジストライプ１４０上の金属膜１９０上面が丘部１６０上の金属膜１９０上面よりも低くすることによって、製造プロセスにおけるリッジストライプ１４０の損傷や、サブマウント２１０にジャンクションダウンで接合するときに、リッジストライプ１４０の損傷が防止することができるため、より好ましい。また、サブマウント２１０にジャンクションダウンで接合する際にリッジストライプ１４０上に金属膜１９０が形成されているため放熱効率も良好である。
【００５０】
次いで、基板１００を裏面より研磨もしくはエッチングを行うことにより、基板１００の一部を除去しウェーハの厚さを８０〜２００μｍ程度まで薄くする。その後、ｎ型電極２００を例えばＥＢ蒸着により、Ｈｆ／Ａｌが形成される。
【００５１】
なお、ｎ電極２００に用いる材料は、これに限定されるものではなく、Ｈｆ／Ａｌ／Ｍｏ／Ａｕ、Ｈｆ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｈｆ／Ａｌ／Ｗ／Ａｕ、Ｈｆ／Ａｕ、Ｈｆ／Ｍｏ／Ａｕ、などを用いても構わない。または、これらの材料で、ＨｆをＴｉ、またはＺｒに置き換えた電極材料を用いても構わない。
【００５２】
続いて、このように形成された窒化物半導体レーザ素子をサブマウント２１０（またはステム）と接合する。このとき、サブマウント２１０と金属膜１９０が向かい合うようにハンダ２２０を用いて、ジャンクションダウンで接合される。
【００５３】
本発明において、サブマウントは主にＳｉＣまたはＡｌＮが好ましく用いられ、これらは金属との密着性が悪いために光沢金属膜が効果的である。また、本発明において、サブマウントと金属膜とをハンダを介して接合することができる。この際に用いるハンダは、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｕの少なくとも１種類を含むものを用いることが出でき、好ましくはＡｕ−Ｓｎである。またその比率は約、Ａｕ：Ｓｎ＝７０：３０であることが好ましい。
【００５４】
上述の接合では、窒化物半導体レーザ素子をサブマウントに接合した場合を説明されたが直接ステムに接合してもかまわない。
【００５５】
また本発明において、基板としては、ＧａＮ基板またはＡｌＮ基板を用いることができる。また、窒化物半導体とは具体的には、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮなどである。また、金属膜（メッキ）は、シアン系金メッキあるいは亜硫酸系金メッキを用いることができる。亜硫酸系金メッキは硬度が高いため、変形を引き起こしにくいため特に好ましい。また、光沢金メッキを施すと表面の粒子がより細かくなるため、サブマウントとの密着性が良好になるため好適である。
【００５６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図である。
【図２】本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造プロセスを示す概略断面図である。
【図３】従来の窒化物半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００、５００  基板、１１０  ｎ型窒化物半導体層、１２０  窒化物半導体活性層、１２０  ｐ型窒化物半導体層、１４０  リッジストライプ部、１５０，５５０  溝部、１６０  丘部、１７０，５６０  絶縁膜、１８０，５７０  ｐ電極、１９０  金属膜、２００，５８０  ｎ電極、２１０，６００  サブマウント、２２０，６１０  ハンダ、３００  発光領域、５１０  ｎ型半導体層、５２０  活性層、５３０  ｐ型半導体層、５４０  リッジ型導波路、５９０  ｐ型メッキ電極、６２０  空洞。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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