(57)【要約】【課題】  信頼性の高い回路装置を提供する。【解決手段】  ３層構造のクラッド材から構成される基材１４０の上に、絶縁樹脂膜１２２中に埋め込まれた複数の回路素子１４２ａ（所定の低温領域下で安定動作しない素子）、回路素子１４２ｂ（発熱源となる抵抗発熱体１４２ｂ１を備えた素子）、及び受動素子１４４等の回路素子を設け、回路素子１４２ｂに含まれる発熱源からの熱が基材１４０を伝導して回路素子１４２ａが加熱されるようにする。【選択図】図６
2007012829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属または半導体から構成される基材と、
前記基材の上に設けられた第１の回路素子および第２の回路素子と、
を備え、
前記第１の回路素子は、発熱源を含み、
前記第２の回路素子は、所定の低温領域下で安定動作しない素子であり、
前記第１の回路素子に含まれる発熱源からの熱が前記基材を伝導して前記第２の回路素子が加熱されることで、前記第２の回路素子が安定動作するよう、前記基材における前記第１の回路素子と前記第２の回路素子との距離および前記基材の材質の少なくとも一方を設定したことを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記基材の上に設けられ、前記第１の回路素子および第２の回路素子を埋め込む絶縁樹脂層をさらに備え、
前記基材の表面粗度Ｒａが０．３〜１０μｍであることを特徴とした請求項１に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置、特に金属または半導体から構成される基材上に複数の回路素子を搭載した回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。
【０００３】
こうしたパッケージの例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａy）が知られている。ＢＧＡは、パッケージ用基板の上に半導体チップを実装し、それを樹脂モールディングした後、反対側の面に外部端子としてハンダボールをエリア状に形成したものである。ＢＧＡでは、実装エリアが面で達成されるので、パッケージを比較的容易に小型化することができる。また、回路基板側でも狭ピッチ対応とする必要がなく、高精度な実装技術も不要となるので、ＢＧＡを用いると、パッケージコストが多少高い場合でもトータルな実装コストとしては低減することが可能となる。
【０００４】
このようなパッケージにおいて、半導体チップの封止には、たとえばトランスファーモールド、インジェクションモールド、ポッティングまたはディッピング等が用いられている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、システムＬＳＩの放熱性を高める試みとして、基板に金属あるいは半導体を用いる技術が開示されている（たとえば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平８−１６２４８６号公報
【特許文献２】特開平１０−２２３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されるような、これら従来のＣＳＰでは、ポータブルエレクトロニクス機器等において現在望まれている水準の小型化、薄型化、軽量化を実現することは難しかった。また、放熱性の改善など熱的な制御を行うにも一定の限界があった。
【０００７】
また、特許文献２に開示されるような、基板に金属あるいは半導体を用いる場合には、金属あるいは半導体から熱の放熱によってＩＣチップ等の電子部品の高温動作領域（例えば、室温から１２０℃の温度範囲）においてＩＣチップ等の電子部品を安定動作させることができるものの、極低温領域（例えば、約−４０℃から−２０℃の温度範囲）においてはＩＣチップ等の電子部品を安定動作させることができなかった。
【０００８】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、その目的とするところは、信頼性の高い回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路装置は、金属または半導体から構成される基材と、基材の上に設けられた第１の回路素子および第２の回路素子と、を備え、第１の回路素子は、発熱源を含み、第２の回路素子は、所定の低温領域下で安定動作しない素子であり、第１の回路素子に含まれる発熱源からの熱が基材を伝導して第２の回路素子が加熱されることで、第２の回路素子が安定動作するよう、基材における第１の回路素子と第２の回路素子との距離および基材の材質の少なくとも一方を設定したことを特徴とする。この態様によると、所定の低温領域下（例えば、約−４０℃から−２０℃の温度範囲）において安定動作しない第２の回路素子は、基材における第１の回路素子と第２の回路素子との距離および基材の材質の少なくとも一方を設定することによって、第１の回路素子からの熱が基材を伝導して所定の低温領域以上の温度に加熱されるために、所定の低温領域下の環境であっても第２の回路素子を安定動作させることができる。この結果、回路装置の信頼性を向上させることができる。
【００１０】
上記回路装置においては、基材の上に設けられ、第１の回路素子および第２の回路素子を埋め込む絶縁樹脂層をさらに備え、基材の表面粗度Ｒａが０．３〜１０μｍであることが好ましい。これによれば、基材と絶縁樹脂膜との間にアンカー効果（絶縁樹脂膜が基材の表面にある凹部に侵入硬化し、釘又はくさびのような働きをする現象）が生じるため、第１の回路素子に含まれる発熱源からの熱が基材を伝導して第２の回路素子が加熱される際において、基材と絶縁樹脂膜との密着性を向上させることができる。このため、さらに回路装置の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
以上、本発明の構成について説明したが、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信頼性の高い回路装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。なお、本明細書において、「上」方向とは、膜の積層の順番により決まる概念であり、先に積層される膜の側から見て後から積層される膜の存在する方向が上であると規定している。
【００１４】
図１は、本実施の形態における回路装置に用いられる基材の製造工程を示す断面図である。基材１４０としては、熱膨張係数が０．５〜５．０×１０−６／Ｋの金属と熱伝導率が２００〜５００Ｗ／ｍＫの金属とを組み合わせたクラッド材を用いることができる。熱膨張係数が０．５〜５．０×１０−６／Ｋの金属としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの合金が好適であるが、熱膨張係数が上記範囲内であれば、他の金属を含んでもよい。熱伝導率が２００〜５００Ｗ／ｍＫの金属としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕおよびその合金が好適であるが、熱伝導率が上記範囲内であれば、他の金属を含んでもよい。尚、基材１４０は、本発明の「金属または半導体から構成される基材」の一例である。
【００１５】
実施の形態では、図１（ａ）に示すように、基材１４０としてインバー合金からなる第２の金属層１５２を両側から銅あるいはアルミニウムで構成された第１の金属層１５０および銅で構成された第３の金属層１５４で挟み込んで圧延することにより得られる３層構造のクラッド材が例示される。クラッド材の各層の膜厚は任意に設定可能であるが、クラッド材を厚板とする場合には、第１の金属層１５０の膜厚を２００±１００μｍ、第２の金属層１５２の膜厚を６００±１５０μｍ、第３の金属層１５４を２００±１００μｍとすることができる。また、クラッド材を薄板とする場合には、第１の金属層１５０の膜厚を７０±３０μｍ、第２の金属層１５２の膜厚を１００±５０μｍ、第３の金属層１５４を３０±２０μｍとすることができる。このように設定することで、熱伝導性と低熱膨張性のバランスがとれたクラッド材が得られ、後述する所定の低温領域下での回路装置の動作安定性を向上させるとともに、基材１４０の熱による反りを抑制し、後述する絶縁樹脂膜との密着性を向上させることができる。
【００１６】
続いて、回路素子を搭載する領域が開口になるように、第１の金属層１５０の表面にパターニング用レジスト膜（図示せず）を形成する。その後、図１（ａ）に示すように、パターニング用レジスト膜をマスクとして、第１の金属層１５０の表面をエッチングし、回路素子を搭載する領域に溝１５５を形成する。このように、回路素子を搭載する領域に合わせて第１の金属層１５０の表面に溝１５５を形成することにより、基材１４０に回路素子を搭載する際に、溝１５５に回路素子をはめ込むだけで、基材１４０に回路素子を容易かつ正確に載置することができる。回路素子の位置合わせが容易となることで、製造工程の簡略化や、歩留まりの向上が期待される。また、溝１５５に回路素子をはめ込むことにより、溝１５５の側壁と回路素子とが接触する領域が生じるため、回路素子から基材１４０への熱伝導経路および基材１４０から回路素子への熱伝導経路が増加し、基材を介した回路素子間の熱伝導効率をより高めることができる。なお、第１の金属層１５０の表面に形成される溝１５５の深さは、回路素子の位置決めの確実性および熱伝導効率の向上の観点から、２０〜２００μｍが好ましく、５０〜１００μｍがより好ましい。
【００１７】
次に、第１の金属層１５０の表面を、ウェットエッチングなどにより粗化する。たとえば、銅をウェットエッチングすると、銅の結晶粒に応じて銅の表面に凹凸を生じさせることができる。このように、第１の金属層１５０の表面に凹凸をつけることにより、第１の金属層１５０と基材１４０に搭載される回路素子および絶縁樹脂膜との間でアンカー効果がより発揮されやすくなるので、基材１４０と回路素子および絶縁樹脂膜との密着性、接着性を高めることができる。第１の金属層１５０の表面に付与される凹凸のＲａは、密着性、接着性を確保する観点から、０．３〜１０μｍが好ましく、１〜３μｍがより好ましい。第１の金属層１５０の表面のＲａは、触針式表面形状測定器で計測することができる。
【００１８】
なお、本実施の形態では、第１の金属層１５０の表面は全面にわたり粗化されるが、レーザーなどのエネルギ照射によって、接着性を高めたい部分に凹凸を局所的に形成してもよい。
【００１９】
図２は、粗化処理前の第１の金属層１５０の表面の電子顕微鏡像である。図２（ａ）および図２（ｂ）の電子顕微鏡像の倍率は、それぞれ１０，０００倍、５０，０００倍である。また、図３は、粗化処理後の第１の金属層１５０の表面の電子顕微鏡像である。図３（ａ）および図３（ｂ）の電子顕微鏡像の倍率は、それぞれ１０，０００倍、５０，０００倍である。図２と図３とを比較すると、粗化処理後の第１の金属層１５０の表面は、銅の結晶粒が顕わになり、輪郭に沿って凹凸が生じていることがわかる。銅の結晶粒が一定方向に長軸を有するため、粗化処理後の第１の金属層１５０の表面の凹凸に異方性が生じている。このように、第１の金属層１５０の表面に形成される凹凸に異方性を持たせることにより、アンカー効果が働きやすくなるので、後述する絶縁樹脂膜との密着性を向上させることができる。第１の金属層１５０の表面の凹凸が異方性を有することによるアンカー効果の向上については以下のように理解される。
【００２０】
図４（ａ）は、第１の金属層１５０の表面の凹凸が異方性を有しない場合の結晶粒３１０を模式的に表す平面図であり、図４（ｂ）は、第１の金属層１５０の表面の凹凸が異方性を有する場合の結晶粒３１２を模式的に表す平面図である。図４（ａ）のように結晶粒３１０が異方性を有しない場合には、単位長あたりの結晶粒界数は方向（矢印３１０ａ）に依存して増減せず、異方性を持たない。一方、図４（ｂ）のように結晶粒３１２が異方性を有する場合には、単位長あたりの結晶粒界数は、結晶粒の長手方向（矢印３１２ａ）と短手方向（矢印３１２ｂ）とで異なり、異方性を持つ。ここで、各結晶粒が立体構造を有することを考慮すると、結晶粒界は段差を持つ（図３参照）ことから、異方性の結晶構造では、平面状は同一長さであっても、立体的には界面の全体長に差が生じる。したがって、第１の金属層１５０の表面の凹凸が異方性を有する場合に、第１の金属層１５０とその上に形成される絶縁樹脂膜とが剥離する際に、界面剥離の進行に異方性が生じる。このような界面剥離の進行の異方性を利用し、界面剥離の生じやすい方向（チップが長方形の場合など）に結晶粒界が多くなるように、第１の金属層１５０の素材を配置し、第１の金属層１５０の表面の粗化処理後に、回路素子を実装することにより、密着性の向上を図ることができ、より信頼性の高い半導体モジュールが製造可能となる。
【００２１】
ここで、基材１４０の加工方法の説明に戻り、基材１４０を酸素中に暴露することにより、第１の金属層１５０の表面に金属酸化膜を形成する。第１の金属層１５０の表面に金属酸化膜を形成することにより、基材１４０の絶縁耐圧を向上させることができる。たとえば、第１の金属層１５０に銅が用いられた場合には、第１の金属層１５０の表面に酸化銅（ＣｕＯ）または亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）が形成される。また、第１の金属層１５０にアルミニウムが用いられた場合には、第１の金属層１５０の表面にアルマイト（Ａｌ２Ｏ３）が形成される。
【００２２】
なお、第１の金属層１５０の表面に金属酸化膜を形成することに代えて、プラズマＣＶＤ法などにより第１の金属層１５０の上にシリコン酸化膜を形成してもよく、プラズマ窒化プロセスにより第１の金属層１５０の表層を窒化しても、基材１４０の絶縁耐圧を向上させることができる。なお、第１の金属層１５０の上に絶縁ペースト、銀ペーストなどの接着層を塗布してもよい。これによれば、基材１４０と回路素子との密着性をさらに向上させることができる。
【００２３】
第１の金属層１５０の表面に設けられる金属酸化膜、シリコン酸化膜、窒化膜などの絶縁膜の層厚としては、０．５〜１０μｍが好ましい。絶縁膜の層厚が０．５μｍより薄いと絶縁耐圧が不十分となり、絶縁膜の層厚が１０μｍより厚いと絶縁樹脂膜との密着性が不十分となる。
【００２４】
図５は、回路素子１４２ａの熱伝導効率を高めるための加工方法を示す断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、基材１４０に面する回路素子１４２ａの裏面（基材１４０側の面）に複数の開口を有するフォトレジスト３００を形成する。続いて、図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト３００をマスクとして、エッチングにより回路素子１４２ａに複数の凹部３０２を選択的に形成する。さらに、フォトレジスト３００を除去した後、図５（ｃ）に示すように、凹部３０２に、金属下地膜としてのシード膜を形成した後、電解めっきにより凹部３０２に銅などの熱伝導性に優れる金属を埋め込む。なお、回路素子１４２ａは、本発明の「第２の回路素子」の一例である。
【００２５】
このように、回路素子１４２ａの裏面に、金属が埋め込まれた凹部３０２を形成することにより、回路素子１４２ａの外部の熱を凹部３０２内の金属によって内部に容易に伝導できるとともに、回路素子１４２ａに蓄積された熱が凹部３０２内の金属によって外部に容易に伝導できるので、回路素子１４２ａの熱伝導効率が向上する。
【００２６】
なお、回路素子１４２ａに複数の貫通穴を形成した後、複数の貫通穴に熱伝導性に優れる金属を埋め込んでもよい。これによっても、回路素子１４２ａの熱伝導効率を向上させることができる。また、凹部３０２が形成される面は、回路素子１４２ａの裏面に限られず、表面でもよく、裏面および表面の両方であってもよい。このうち、熱伝導効率の向上の観点から、回路素子１４２ａの裏面に凹部３０２を設けることがより望ましい。
【００２７】
図６および図７は、基材１４０に回路素子を実装する手順を示す断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂ、受動素子１４４等の回路素子を固定するダイ・チップボンド工程を行う。なお、回路素子１４２ｂは、本発明の「第１の回路素子」の一例である。
【００２８】
回路素子１４２ａは、たとえば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等であって、特に極低温領域（例えば、約−４０℃から−２０℃の温度範囲）などの所定の低温領域下において安定動作しない素子である。なお、回路素子１４２ａには、上述のように、裏面に金属が埋め込まれた複数の凹部３０４が形成されている。
【００２９】
回路素子１４２ｂは、発熱源となる抵抗発熱体１４２ｂ１を備えたチップである。抵抗発熱体１４２ｂ１は外部からの電流によって発熱する。本実施の形態では、回路素子１４２ｂは、抵抗発熱体１４２ｂ１の上に、極低温領域（例えば、約−４０℃から−２０℃の温度範囲）などの所定の低温領域下において安定動作しないＩＣチップ１４２ｂ２を積層した構成となっている。尚、回路素子１４２ｂは、ＩＣチップ１４２ｂ２をはずした抵抗発熱体１４２ｂ１のみで構成してもよい。
【００３０】
本実施の形態においては、抵抗発熱体１４２ｂ１からの熱がＩＣチップ１４２ｂ２に直接伝導して所定の低温領域以上の温度に加熱することができるために、所定の低温領域下の環境であってもＩＣチップ１４２ｂ１を安定動作させることができる。
【００３１】
また、受動素子１４４は、たとえば、チップコンデンサ、チップ抵抗等である。なお、ここで述べた受動素子１４４も、これらの受動素子１４４の一部または全部の材料となる埋込材料を、素子間絶縁膜を含有する膜の凹部内部に埋め込んで埋込部材を形成させる技術により形成することができる。
【００３２】
本実施の形態では、回路素子を搭載する領域に合わせて第１の金属層１５０の表面に溝１５５が形成されているので、基材１４０に回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４をそれぞれに対応する溝１５５にはめ込むことにより、容易かつ正確に載置することができる。
【００３３】
さらに、本実施の形態では、回路素子１４２ａと回路素子１４２ｂとの間に受動素子１４４を配置するように設けているが、回路素子１４２ａを回路素子１４２ｂの隣に配置するように設計してもよい。こうすることで、回路素子１４２ｂから回路素子１４２ａへの熱の熱伝達経路をより短くすることができるため、回路素子１４２ａに熱を効率的に伝導することができる。
【００３４】
続いて、図６（ｂ）に示すように、銅箔付き樹脂膜などの導電性膜付き絶縁樹脂膜を基材１４０上に貼付し、真空プレスにより、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込む。なお、絶縁樹脂膜１２２は、本発明の「絶縁樹脂膜」の一例である。
【００３５】
これにより、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に圧着されて接着するとともに、絶縁樹脂膜１２２と基材１４０とが接合する。なお、各回路素子と基材１４０との間には絶縁樹脂膜１２２が存在するが、図６（ｂ）〜図６（ｅ）および図７（ｆ）〜図７（ｉ）では図示を省略する。なお、絶縁樹脂膜１２２内への回路素子の埋め込みをより確実にするために、図６（ａ）において、第１の金属層１５０の表面に絶縁樹脂膜を予め成膜した後、基材１４０に回路素子を載置してもよい。これによれば、基材１４０に載置された回路素子間の絶縁性をさらに高めることができる。
【００３６】
また、複数の回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４に段差が生じている場合でも、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４間へ絶縁樹脂膜が入り込むため、基材１４０から導電性膜１２３までの厚さを均一に保つこともできる。これにより、回路装置の寸法精度を高めることができる。
【００３７】
導電性膜１２３は、たとえば圧延銅箔等の圧延金属である。絶縁樹脂膜１２２としては、加熱することにより軟化する材料であればどのようなものを用いることもできるが、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。このような材料を用いることにより、回路装置の剛性を高めることができ、回路装置の安定性を向上することができる。
【００３８】
また、絶縁樹脂膜１２２には、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。フィラーとしては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ２やＳｉＮを用いることができる。絶縁樹脂膜１２２にフィラーや繊維を含めることにより、絶縁樹脂膜１２２を加熱して回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４を熱圧着した後、絶縁樹脂膜１２２をたとえば室温に冷却する際に、絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができ、また熱伝導性も向上する。これにより、回路素子１４２および受動素子１４４と絶縁樹脂膜１２２との密着性を高めることができる。また、絶縁樹脂膜１２２に繊維を含めた場合、絶縁樹脂膜１２２の剛性を高めることができるため、ハンドリングが容易になる。このような観点からは、絶縁樹脂膜１２２を構成する材料としてアラミド不織布を用いると、繊維よりも樹脂の流動性が高くなるため、加工性を良好にすることができる。
【００３９】
導電性膜付き絶縁樹脂膜としては、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２上に導電性膜１２３が付着したものを用いることができる。また、導電性膜付き絶縁樹脂膜は、導電性膜１２３上に絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂組成物を塗布・乾燥することにより形成することもできる。本実施の形態において、樹脂組成物は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化剤、硬化促進剤、その他の成分を含むことができる。導電性膜付き絶縁樹脂膜は、絶縁樹脂膜１２２がＢステージ化（一次硬化、半硬化あるいは仮硬化した状態を意味する）した状態で基材１４０上に配置される。
【００４０】
このようにすれば、絶縁樹脂膜１２２と回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４との密着性を高めることができる。この後、絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂の種類に応じて絶縁樹脂膜１２２を加熱し、真空下または減圧下で導電性膜付き絶縁樹脂膜１２２と回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４を圧着する。また、他の例において、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２をＢステージ化した状態で基材１４０上に配置し、さらにその上に導電性膜１２０を配置して絶縁樹脂膜１２２を回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂ、受動素子１４４と熱圧着する際に、導電性膜１２３を絶縁樹脂膜１２２に熱圧着することによっても導電性膜付き絶縁樹脂膜１２２を形成することができる。
【００４１】
そして、導電性膜１２３を、レーザー直描法（トレパニングアライメント）またはウェット銅エッチングにより配線形成する配線パターニング工程を行う。
【００４２】
また、この後、図６（ｃ）に示すように、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、ドライエッチングを組み合わせて絶縁樹脂膜１２２にビアホール（スルーホール）を形成するビアホール形成工程を行う。
【００４３】
続いて、図６（ｄ）に示すように、高アスペクト比対応の無電解銅めっき、電解銅めっきにより、導電性膜１２０を形成するとともに、スルーホール内を導電性材料で埋め込み、ビア１２１を形成するめっき工程を行う。次いで、導電性膜１２０をセミアディティブめっきによりパターニングして高密度配線を形成し、複数の回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４間を電気的に接続する配線形成工程を行う。
【００４４】
次いで、図６（ｅ）に示すように、導電性膜付き絶縁樹脂膜の絶縁樹脂膜１２２が第一の絶縁樹脂膜および第二の絶縁樹脂膜により構成されるように、さらに導電性膜１２３付きの第二の絶縁樹脂膜を形成する第二の絶縁樹脂膜形成工程を行う。導電性膜付き絶縁樹脂膜において、第一の絶縁樹脂膜上に第二の絶縁樹脂膜が形成され、第二の絶縁樹脂膜上に導電性膜１２３が形成される。
【００４５】
本実施の形態において、第二の絶縁樹脂膜は、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み熱圧着する際に、第一の絶縁樹脂膜を構成する材料よりも、剛性の高い材料により構成されてもよい。これにより、熱圧着時に、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４を第一の絶縁樹脂膜内に埋め込むとともに、絶縁樹脂膜１２２の形状を剛直に保つことができる。
【００４６】
第二の絶縁樹脂膜を構成する材料は、第一の絶縁樹脂膜において説明した、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の中から適宜選択して用いることができる。
【００４７】
第二の絶縁樹脂膜の上部にさらに設けられる導電性膜１２３は、たとえば圧延銅箔等の圧延金属であってもよい。
【００４８】
ここで、たとえば、第一の絶縁樹脂膜は、第二の絶縁樹脂膜を構成する材料よりも軟化しやすい材料により構成することができる。これにより、熱圧着時に第一の絶縁樹脂膜の方が第二の絶縁樹脂膜よりも変形しやすくなるので、第一の絶縁樹脂膜内に回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４がスムーズに押し込まれるとともに、第二の絶縁樹脂膜が剛直性を保ち、絶縁樹脂膜１２２全体が変形するのを防ぐことができる。
【００４９】
また、たとえば、第一の絶縁樹脂膜は、第二の絶縁樹脂膜を構成する材料よりもガラス転移温度の低い材料により構成することもできる。また、他の例において、第一の絶縁樹脂膜は、第二の絶縁樹脂膜を構成する材料よりも、回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂや受動素子１４４との密着性が高い材料により構成することもできる。このようにしても、上述したのと同様の効果を得ることができる。
【００５０】
さらに、第一の絶縁樹脂膜および第二の絶縁樹脂膜には、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。この場合、第一の絶縁樹脂膜における充填材の含有量が、第二の絶縁樹脂膜における充填材の含有量よりも少なくなるように構成してもよい。また、第二の絶縁樹脂膜にのみ充填材を含め、第一の絶縁樹脂膜には充填材を含めない構成とすることもできる。このようにすれば、第一の絶縁樹脂膜の柔軟性を高めて回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４の埋め込みを行いやすくするとともに、第二の絶縁樹脂膜により絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができる。
【００５１】
以上のように、第一の絶縁樹脂膜および第二の絶縁樹脂膜をそれぞれ目的に応じて好ましい材料により構成することにより、絶縁樹脂膜１２２への回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂおよび受動素子１４４の埋め込みを良好に行うことができるとともに、回路装置の剛性を高め、成型性を向上することができる。
【００５２】
次に、図７（ｆ）に示すように、第二の絶縁樹脂膜およびその上部の導電性膜についても、上記と同様に、配線パターニング工程、ビアホール形成工程、めっき工程、配線形成工程を繰り返して、２層配線形成工程を行う。
【００５３】
なお、後述するように、第二の絶縁樹脂膜の上にさらに積層される積層膜１６０に、配線１２５や導電性膜１２４があらかじめ設けられている場合には、第二の絶縁樹脂膜の表面に別途配線を形成する必要はない。
【００５４】
続いて、図７（ｇ）に示すように、第二の絶縁樹脂膜の上部に、凹部１９０を構成する積層膜１６０を積層する機能層形成第一工程を行う。この積層膜１６０は、あらかじめレーザー加工またはプレス加工などで窪ませた凹部あるいは打ち抜いた貫通部を備えているため、第二の絶縁樹脂膜の上部に圧着などにより接着されると、凹部１９０を構成することになる。この凹部１９０は、底面を有し、積層膜１６０の上方にのみ開口する窪状の凹部であってもよく、積層膜１６０の両面に開口するトンネル状の貫通部と第二の絶縁樹脂膜の上面とで構成される凹部であってもよい。いずれにしても、後述のペースト状の埋込材料を埋め込むことができる点では変わりないからである。
【００５５】
このように圧着などにより接着することにより、第一の膜の上部に、凹部や貫通部を備える第二の膜を貼付して凹部を構成すれば、膜を積層した後にパターニングやエッチングなどにより凹部を形成する場合に比べて、製造安定性よく凹部を構成することができる。
【００５６】
すなわち、本実施形態において、凹部１９０を構成するには、絶縁樹脂膜１２２上に積層膜１６０を積層した後にパターニングやエッチングなどにより、凹部１９０を形成してもよい。または、絶縁樹脂膜１２２上に、あらかじめ凹部または貫通部を形成した積層膜１６０を圧着してもよい。
【００５７】
なお、絶縁樹脂膜１２２上に、あらかじめ凹部または貫通部を形成した積層膜１６０を圧着する方が、製造工程が簡便になるため望ましい。
【００５８】
また、この積層膜１６０は、絶縁樹脂膜であってもよい。積層膜１６０に用いられる絶縁樹脂膜としては、上記の絶縁樹脂膜１２２において説明した、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の中から適宜選択して用いることができる。このような材料を用いることにより、後述する配線１２５や導電性膜１２４が他の導電性部材と好適に絶縁されるからである。また、このような材料は凹部の加工または真空貼付法による積層が容易だからでもある。
【００５９】
また、この積層膜１６０は、特に限定されないが、膜強度の観点からは、膜厚が５０ｎｍ以上であってもよく、特に１００ｎｍ以上であってもよい。膜厚がこの範囲にあれば、積層膜１６０の構成する凹部１９０に掻取手段２００により埋込材料を埋め込んだ場合にも、積層膜１６０の破損が生じ難いからである。この積層膜の膜厚には特に上限はないが、埋込部材が回路素子の構成部材としての機能を発揮しうる膜厚であるように構成することができる。
【００６０】
また、この積層膜１６０には、配線１２５や導電性膜１２４があらかじめ設けられていてもよい。これらの配線１２５や導電性膜１２４としては、たとえば圧延銅箔等の圧延金属を加工して用いることができる。このように配線１２５や導電性膜１２４をあらかじめ設けておくことにより、別途の配線形成工程や導電性膜形成工程が不要となるため、回路装置の製造工程が簡便となり、製造コストおよび製造安定性を向上させることができるからである。
【００６１】
そして、この凹部１９０を構成する積層膜１６０を積層する工程は、この積層膜を真空貼付法または減圧貼付法により積層する工程を含んでもよい。ここで、真空貼付法または減圧雰囲気法とは、真空雰囲気下または減圧雰囲気下において、この積層膜１６０を熱圧着などにより貼り付ける方法を意味する。このように、真空雰囲気法または減圧雰囲気法を用いると、第二の絶縁樹脂膜と積層膜１６０または埋込部材との間に気泡などが混入しにくくなるため、抵抗器１８０やキャパシタ１７５などの埋込部材と他の導電性部材との電気的接触が改善されて高速信号伝送が可能となるか、あるいは回路装置の製造コストおよび製造安定性が改善される。
【００６２】
次いで、図７（ｈ）に示すように、ペースト状の埋込材料をこの積層膜１６０の構成する凹部１９０内部に埋め込む工程と、この埋込材料に乾燥などの処理を施して抵抗器１８０や後述するキャパシタ１７５を構成する高誘電率部材１７０などの回路素子の一部または全部を構成する埋込部材を形成する工程と、からなる機能層形成第二工程とを行う。
【００６３】
このように、ペースト状の埋込材料を積層膜１６０の構成する凹部１９０内部に埋め込んで処理することにより回路素子の一部または全部を構成する埋込部材を形成すると、埋込部材を形成する工程が簡便となる。このため、抵抗器１８０や後述するキャパシタ１７５を構成する高誘電率部材１７０などを含む回路素子の一部または全部を構成する埋込部材の表面を平坦（バンプレス）にすることができるので、小型化または薄型化された回路装置を製造安定性よく提供することができる。
【００６４】
ここで、この回路素子の一部または全部を構成する埋込部材は、受動素子などを構成する部材とすることができる。例えば、この埋込部材は、抵抗器１８０や後述するキャパシタ１７５などの受動素子の一部または全部を構成する部材であってもよい。この埋込部材が抵抗器１８０の一部または全部を構成する部材である場合には、この埋込部材の材料である埋込材料は、高抵抗を有する材料であれば特に限定はないが、例えば、カーボンや、Ｎｉ−Ｃｒ（ニクロム）をはじめとする金属材料を含む材料などを用いることができる。
【００６５】
また、この埋込部材が後述するキャパシタ１７５を構成する高誘電率部材１７０である場合には、この埋込部材の材料は、高誘電率を有する材料であれば特に限定はないが、例えば、大きな比表面積を持つ活性炭などの炭素系材料や、五酸化タンタルなどを含む材料を用いることができる。
【００６６】
なお、キャパシタの下部電極または上部電極は、導電性を有する金属により形成することができる。例えば、銅、アルミニウムなどからなる薄膜電極などを用いることができる。
【００６７】
ここで、回路装置内に、ＣＶＤや、パターニングや、エッチングなどの手法を用いる通常の工程でキャパシタを設ける場合には、キャパシタは、一般に高誘電率部材と、電極部材という異種材料からなる部材を含むため、キャパシタの上面を平坦にすることが難しく、バリなども発生しやすく、また精度よくエッチングをすることが困難であるため製造安定性の面でも改善の余地があった。
【００６８】
一方、本実施の形態のように、凹部内部に高誘電率材料を埋め込むことによりキャパシタを形成する場合には、リソグラフィ技術も必要なく、あるいはエッチングを行う必要もないため、製造安定性が向上し、精度よく加工することも容易になり、あるいはバリなどの発生が低減して不純物などによる汚染なども少なくなる。
【００６９】
また、本実施の形態のように、凹部内部に高誘電率材料を埋め込むことによりキャパシタを形成する場合には、キャパシタの下部電極または上部電極と、高誘電率部材との平面形状が完全に一致している必要がないため、目合わせが容易であり、製造の際の設計マージンが大きく、この点でも製造安定性が向上する。
【００７０】
また、これらの埋込材料は、粉末状の固形物を溶媒中に懸濁したペースト状の材料であってもよい。このようなペースト状の材料であれば、後述する掻取手段２００により、容易に凹部１９０内部に埋め込むことができる。
【００７１】
また、この埋め込む工程は、この埋込材料をスキージなどの掻取手段２００により埋め込む工程を含んでもよい。このようにスキージなどの掻取手段２００を用いることにより、凹部１９０内部に隙間なく埋込材料を埋め込むことができ、余った埋込材料は掻取手段２００により排除されるため、埋込部材の製造工程が簡便になり、回路素子の一部または全部を構成する埋込部材の表面が平坦になるので、薄型化または小型化された回路装置を製造安定性よく製造することができる。
【００７２】
また、かかる掻取手段により埋込材料を埋め込んだ場合には、出来合の抵抗器やキャパシタなどの受動素子を搭載する場合に発生しがちな、受動素子と、受動素子搭載面との間の隙間が発生する可能性が少ない。掻取手段により埋込材料が搭載面に圧着されるためである。そのため、本実施の形態においては、かかる空隙による回路装置の特性の低下を防ぐことができる。
【００７３】
あるいは、この埋め込む工程は、この埋込材料をスクリーン法により埋め込む工程を含んでもよい。ここで、スクリーン法とは、孔版印刷法の一種で版に絹や、テトロン、ナイロン等の化学繊維、あるいは金属繊維などのスクリーンを利用する印刷法を意味する。
【００７４】
スクリーン法を実施することにより、スクリーン面に接して埋込材料の上面が形成されるため、積層膜の上部の一面とこの構成部材の上部の一面とで容易に平坦な面を形成させることができ、その結果、さらに上部に積層される膜の上面も平坦となるため、小型化または薄型化された回路装置を製造安定性よく提供することができるからである。また、この場合、凹部内にあらかじめ別の部材などが設けられていなければ、この積層膜の下部の一面とこの構成部材の下部の一面とで平坦な面を形成する。
【００７５】
本実施の形態において、スクリーン法を実施する手順としては、まず、スクリーンを枠に張り、四方を引っ張り緊張させて固定し、その上に機械的または光工学的（写真的）方法で版膜（レジスト）を作って必要な画線以外の目を塞いで版を作る。次に、枠内に埋込材料を入れ、スキージと呼ぶヘラ状のゴム板などからなる掻取手段２００でスクリーンの内面を加圧・移動する。すると、埋込材料は、版膜のない部分のスクリーンを透過して版の下に置かれた被印刷物面である積層膜１６０の凹部１９０内部に押し出されて、凹部内部を隙間ない状態で埋め尽くすこととなる。
【００７６】
また、本実施の形態における回路装置の製造方法は、この積層膜１６０の凹部１９０外に残存するこの埋込材料をスキージ等の掻取手段２００などにより除去する工程をさらに備えてもよい。このように、埋込材料を除去する工程を備えることにより、この凹部１９０内部を埋め尽くした状態で余ってしまう埋込材料を積層膜の上から除去することができるため、積層膜の上面を平坦にすることができ、残存した埋込材料の存在による回路装置の特性の低下を防ぐことができる。
【００７７】
このような埋込材料を除去する工程としては、例えば、スキージなどの掻取手段２００により積層膜１６０の上面を掻き取る工程などを設けてもよい。この場合、積層膜１６０の凹部１９０に埋込材料を埋め込む工程と、この埋込材料を除去する工程とが、同一の工程となってもかまわない。同一の工程で行うことにより、回路装置の製造コストおよび製造安定性を改善できる。
【００７８】
また、この埋込材料を乾燥させて抵抗器１８０や後述するキャパシタ１７５を構成する高誘電率部材１７０などの埋込部材を形成する工程は、この埋込材料、この埋込材料を凹部１９０内部に含む積層膜１６０または製造途中の回路装置全体を加熱することによって、この埋込材料を乾燥させる工程を含んでもよい。また、この埋込材料を乾燥させて埋込部材を形成する工程は、絶縁性樹脂膜からなる積層膜１６０を他の部材と熱圧着させる工程と同一の工程であってもよい。同一の工程で行うことにより、回路装置の製造コストおよび製造安定性を改善できる。
【００７９】
このような製造方法によれば、積層膜と、この積層膜に埋め込まれた埋込部材とを備え、この積層膜の上部の一面とこの埋込部材の上部の一面とで平坦な面を形成するように構成されている回路装置が提供される。また、この場合、凹部内にあらかじめ別の部材などが設けられていなければ、この積層膜の下部の一面とこの埋込部材の下部の一面とで平坦な面を形成する。ここで、上記の積層膜の上部または下部の一面と埋込部材の上部または下部の一面とで形成される平坦な面は、完全に平坦な面である必要はなく、多少の凹凸があっても実質的に平坦な面であればよい。
【００８０】
このような構成を備える回路装置は、この積層膜の上部の一面とこの埋込部材の上部の一面とで平坦な面を形成するように構成されているため、さらに上部に積層される薄膜の上部表面も平坦な面を形成するので、薄型化または小型化された回路装置を製造安定性よく提供することができる。また、この積層膜の下部の一面とこの埋込部材の下部の一面とで平坦な面を形成するように構成されているため、下層膜との層間密着性も良好となる。
【００８１】
次いで、図７（ｉ）に示すように、積層膜および回路装置の構成部材のさらに上部に、さらなる絶縁樹脂膜およびその上部の導電性膜を形成し、上記と同様に、配線パターニング工程、ビアホール形成工程、めっき工程、配線形成工程を繰り返して、３層配線形成工程を行う。そして、最上層の上部に形成された導電性膜１２６上に、半田印刷法などにより裏面電極として半田電極（ハンダボール）２１０を形成する半田電極形成工程を行う。
【００８２】
本実施の形態によると、所定の低温領域下（例えば、約−４０℃から−２０℃の温度範囲）において安定動作しない回路素子１４２ａは、回路素子１４２ｂからの熱が基材１４０を伝導して所定の低温領域以上の温度に加熱されるために、所定の低温領域下の環境であっても回路素子１４２ａを安定動作させることができる。この結果、回路装置の信頼性を向上させることができる。
【００８３】
後述するように、このようにして形成した回路装置は、導電性膜付き絶縁樹脂膜の導電性膜上に別の導電性膜付き絶縁樹脂膜を積み重ねて配線層を形成し、複数の回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂや受動素子１４４間を電気的に接続し、他のデバイスと電気的に接続することができる。
【００８４】
本実施の形態における回路装置の製造工程によれば、簡易な方法で複数の回路素子１４２ａ、回路素子１４２ｂや受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み封止することができる。また、基材１４０における回路素子１４２ａと回路素子１４２ｂとの距離および基材１４０の材質の少なくとも一方を容易に設定することができる。また、回路装置を小型化することもできる。また、回路装置の基材１４０と絶縁樹脂膜１２２との密着性を向上させることができる。
【００８５】
本実施の形態によれば、ウエハ工程と、ＩＳＢ（Integrated System in Board；登録商標）の技術、装置を活用した、マルチチップＳｉＰを実現することができる。また、真空貼付法により、複数のＬＳＩ上に絶縁フィルム、銅配線を一括で形成することもできる。そして、バンプレス構造が実現でき、高速信号伝送、薄型パッケージが実現できる。その結果、回路装置内に受動素子を内蔵させることが可能になり、薄型の高機能ＳｉＰを提供することができる。
【００８６】
以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００８７】
例えば、表面に凹部を備える膜の凹部の内部に埋込材料を埋め込む方法としては、スクリーン法により埋め込む方法に限られず、この膜の上面全面に埋込材料を塗布して、凹部の外部に存在する埋込材料を掻取手段などにより除去する方法を用いてもよい。例えば、ＣＶＤ法などにより埋込材料をこの膜の上面全面に積層させて、この埋込材料のうち凹部からはみ出したものをスキージなどで掻き取って除去してもよい。
【００８８】
あるいは、この膜の上面の一部に埋込材料を載置して、この埋込材料を掻取手段で横方向に移動させながら凹部の上を通過させることによって、凹部の内部に埋込材料を埋め込む方法を用いてもよい。例えば、凹部の近くの膜上に炭素材料を含むペーストを塗布して、このペーストをスキージにより引っ掻きながら膜上を移動させて、凹部の上面を移動させることによって、凹部の内部にペーストを埋め込んでもよい。
【００８９】
あるいは、配線層において、層間の電気的接続は、スルーホールを導電性材料で埋め込む方法に限られず、たとえば、ワイヤを介して行うこともできる。この場合ワイヤを封止材により覆ってよい。
【００９０】
また、積層膜１６０の材料は、絶縁樹脂膜に限られず、抵抗器の材料となるカーボン材料やキャパシタの構成部材となる高誘電率材料であってもよい。この場合、積層膜１６０の凹部１９０に埋め込まれる埋込材料は、絶縁性樹脂材料であることができる。積層膜中において、かかる抵抗器やキャパシタの構成部材となる領域が大部分を占め、絶縁性樹脂膜が占める領域が少ない場合には、このような構成が特に有効である。
【００９１】
そして、上記の埋込材料としては、ペースト状の埋込材料に限定されず、掻取手段により上記の積層膜の凹部内部に埋め込むことができるテクスチャーを有する材料であればよく、例えば、乾燥した粉末状の材料であってもよく、あるいは軟化した樹脂材料などであってもよい。
【００９２】
さらに、キャパシタや抵抗器をはじめとする回路素子の一部または全部を構成する埋込部材を形成するための上記の埋込材料の処理方法としては、乾燥処理に限定されず、例えば、焼成、圧着、圧縮、固化、凝固、成型、架橋、硬化、変性などの様々な処理を、目的とする埋込部材の特性に応じて用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施の形態における回路装置に用いられる基材の製造工程を示す断面図である。
【図２】粗化処理前の第１の金属層の表面の電子顕微鏡像である。
【図３】粗化処理後の第１の金属層の表面の電子顕微鏡像である。
【図４】第１の金属層の表面の凹凸が異方性を有しない場合の結晶粒および第１の金属層の表面の凹凸が異方性を有する場合の結晶粒をそれぞれ模式的に表す平面図である。
【図５】回路素子の熱伝導効率を高めるための加工方法を示す断面図である。
【図６】基材に回路素子を実装する手順を示す断面図である。
【図７】基材に回路素子を実装する手順を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１００  ＢＧＡ、１０２  ＬＳＩチップ、１０４  金属線、１０６  ガラスエポキシ基板、１０８  接着層、１１０  封止樹脂、１１２  半田ボール、１２０  配線、１２１  ビア、１２２  絶縁樹脂膜、１２３  導電性膜、１２４  導電性膜、１２５  配線、１２６  導電性膜、１４０  基材、１４２ａ  所定の低温領域下で安定動作しない回路素子、１４２ｂ  発熱源を含む回路素子、１４２ｂ１  抵抗発熱体、１４２ｂ２  ＩＣチップ、１４４  受動素子、１４６  引張方向、１４８  応力緩和方向、１６０  積層膜、１７０  高誘電率部材、１７５  キャパシタ、１８０  抵抗器、１９０  凹部、２００  掻取手段、２１０  半田ボール。
【図１】
2007012829.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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