(57)【要約】【課題】結晶化シリコン膜に絶縁膜を積層した後、結晶化シリコン膜と絶縁膜との間の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を、局所的かつ精度良く測定することができるとともに、基板の歩留まりを向上する電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】ラマン散乱分光法を用いて、基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法であって、基板上に積層した半導体層１ａの被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を測定し、第１の応力Ｆ１を求める手順と、被測定面１１０上に、絶縁膜４１を積層する手順と、被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を再度測定し、第２の応力Ｆ２を求める手順と、第１の応力Ｆ１と第２の応力Ｆ２とに基づいて、被測定面１１０における直上の絶縁膜４１から付与される応力を求める手順と、を具備することを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラマン散乱分光法を用いて、基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に積層した結晶化シリコン膜の被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を測定し、第１の応力を求める手順と、
前記被測定面上に、光透過絶縁膜を積層する手順と、
前記被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を再度測定し、第２の応力を求める手順と、
前記第１の応力と前記第２の応力とに基づき、前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力を求める手順と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の応力は、露呈された前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の応力を求めるに先立って、前記被測定面直上に、前記光透過絶縁膜を積層する手順をさらに具備し、
前記第１の応力は、前記被測定面直上に積層された前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の応力は、前記被測定面上に積層された前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記被測定面上に、複数の前記光透過絶縁膜が積層され、該複数の前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を測定し、第３の応力を求める手順と、
をさらに具備していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の応力と前記第３の応力とに基づき、前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力を求める手順をさらに具備していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力が、許容範囲から外れている場合は、前記光透過絶縁膜と前記結晶化シリコン膜との少なくとも一方に、クラックと膜剥がれとの少なくとも一方が発生したと判定する手順をさらに具備していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板と前記結晶化シリコン膜との間に、該結晶化シリコン膜とは別の結晶化シリコン膜が少なくとも積層されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に積層された結晶化シリコン膜と、
前記結晶化シリコン膜上に積層された光透過絶縁膜と、
を有するテストパターンを具備することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記テストパターンは、前記結晶化シリコン膜に、該結晶化シリコン膜の一部を露呈して積層された複数の前記光透過絶縁膜を具備し、
複数の前記光透過絶縁膜は、下層の前記光透過絶縁膜の一部を露呈するよう、それぞれ積層されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記テストパターンは、前記結晶化シリコン膜に、同一層において、複数種類の前記光透過絶縁膜がそれぞれ平面的に別々の位置に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、
前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記テストパターンは、前記第１の基板の前記表示領域、ドライバ形成領域、配線パターン領域及び端子部を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、
前記基板は、前記第１の基板が複数構成されたマザー基板であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記テストパターンは、前記マザー基板の前記第１の基板が構成された領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記テストパターンは、前記第１の基板に対する膜の積層工程と同時に形成されることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記基板と前記結晶化シリコン膜との間に、前記結晶化シリコン膜とは別の結晶化シリコン膜が少なくとも積層されていることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラマン散乱分光法を用いて、電気光学装置に用いる基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴは、走査線を介してゲート電極に走査信号を供給することによりオン状態となる。その後、ＴＦＴの半導体層のソース領域にデータ線を介して画像信号が供給されることにより、オン状態となったＴＦＴを介して画像信号は画素電極に供給され、画像表示が行われるようになっている。
【０００５】
ＴＦＴが配置された素子基板は、走査線、データ線、半導体層を含むＴＦＴ、容量線、画素電極等や、これらの間を絶縁する多くの層間絶縁膜からなる複数の層から構成されている。これらの各種膜は、減圧ＣＶＤやスパッタリング等を用いた成膜と、該成膜した膜の不純物を除去する熱処理を繰り返しながら、素子基板に積層されている。
【０００６】
ところで、素子基板に各種膜を成膜し熱処理を行うと、成膜された各種膜の熱収縮率の違いにより、具体的には、走査線、データ線、半導体層を含むＴＦＴ、容量線、画素電極等の各種膜と該各種膜間を絶縁する層間絶縁膜（以下、単に絶縁膜と称す）とで熱収縮率が違うことから、上述した各種膜と絶縁膜とにおいて、大きさの異なる熱収縮がそれぞれ発生する。このことにより、上述した各種膜と絶縁膜との界面に引っ張りまたは圧縮応力（以下、単に応力と称す）が発生する。
【０００７】
ここで、一例を挙げると、半導体層を構成するポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜と、絶縁膜とでは、熱収縮率が異なるため、結晶化シリコン膜と該結晶化シリコン膜に積層された絶縁膜との間の界面に応力が発生する。言い換えれば、直上の絶縁膜から結晶化シリコン膜の界面に応力が付与される。
【０００８】
界面に、過度に大きな応力が付与されると、結晶化シリコン膜と絶縁膜との少なくとも一方にクラックが発生したり、絶縁膜が結晶化シリコン膜から剥がれたりしてしまう場合がある。
【０００９】
このことに気付かずに、その後、各種膜の積層を続けると、該積層された各種膜間の界面に付与される応力により、さらに結晶化シリコン膜と絶縁膜との少なくとも一方にクラックが発生したり、絶縁膜が結晶化シリコン膜から剥がれたりしてしまう場合があり、製造された素子基板の歩留まりが低下する。
【００１０】
このことから、結晶化シリコン膜に絶縁膜を成膜した後、界面において、直上の絶縁膜から結晶化シリコン膜に付与される応力を非接触で測定しながら、該測定応力に応じて、その後の各種膜の成膜プロセスを、既知の低ストレスプロセスで行う等して各種膜を素子基板に積層したり、界面の応力が過度に大きい場合は、その後の積層を中止したりする手法が一般に行われている。尚、以下、界面を被測定面と称す。
【００１１】
被測定面に付与される応力を非接触で測定する手法としては、成膜された膜の反り量から測定する方法や、例えば特許文献１または２に示すように、Ｘ線を用いたＸ線回折法（ＸＲＤ）により測定する方法が周知である。
【特許文献１】特開２００１−０５６３０３号公報
【特許文献２】特開平８−２７８２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、成膜された膜の反り量から、結晶化シリコン膜の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を測定する手法においては、成膜された絶縁膜の反り量から被測定面の応力を近似して求めるため、正確に被測定面に付与される応力を測定することができないといった問題があった。
【００１３】
また、特許文献１及び２に開示された手法を用いて、結晶化シリコン膜の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を測定すると、ＸＲＤにおいては、広範囲（数ミリ）に亘る被測定面から測定した応力を平均して求めるため、局所的に被測定面の応力を測定することができないといった問題があった。
【００１４】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、結晶化シリコン膜に絶縁膜を積層した後、結晶化シリコン膜と絶縁膜との間の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を、局所的かつ精度良く測定することができるとともに、基板の歩留まりを向上する電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、ラマン散乱分光法を用いて、基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に積層した結晶化シリコン膜の被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を測定し、第１の応力を求める手順と、前記被測定面上に、光透過絶縁膜を積層する手順と、前記被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を再度測定し、第２の応力を求める手順と、前記第１の応力と前記第２の応力とに基づき、前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力を求める手順と、を具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００１７】
また、前記第１の応力は、露呈された前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、結晶化シリコン膜の直上に積層された光透過絶縁膜の影響により、被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００１９】
さらに、前記第１の応力を求めるに先立って、前記被測定面直上に、前記光透過絶縁膜を積層する手順をさらに具備し、前記第１の応力は、前記被測定面直上に積層された前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、結晶化シリコン膜の直上に積層された光透過絶縁膜にさらに積層された光透過絶縁膜の影響により、被測定面において直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００２１】
また、前記第２の応力は、前記被測定面上に積層された前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせることにより求めることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００２３】
さらに、前記被測定面上に、複数の前記光透過絶縁膜が積層され、該複数の前記光透過絶縁膜を透過させて前記被測定面に光の焦点を合わせて、前記被測定面の前記応力を測定し、第３の応力を求める手順と、をさらに具備していることを特徴とする。
【００２４】
また、前記第１の応力と前記第３の応力とに基づき、前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力を求める手順をさらに具備していることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、結晶化シリコン膜の直上に積層された光透過絶縁膜にさらに複数積層された光透過絶縁膜の影響により、被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。また、複数の膜により製造された電気光学装置に用いる基板における、複数の膜の応力に起因する基板間の応力のバラツキを測定することができる。
【００２６】
さらに、前記被測定面における直上の前記光透過性絶縁膜から付与される前記応力が、許容範囲から外れている場合は、前記光透過絶縁膜と前記結晶化シリコン膜との少なくとも一方に、クラックと膜剥がれとの少なくとも一方が発生したと判定する手順をさらに具備していることを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、基板製造中に、電気光学装置に用いる基板に積層された結晶化シリコン膜の被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を測定できる、即ち、光透過絶縁膜と結晶化シリコン膜との少なくとも一方に、クラックと膜剥がれとの少なくとも一方が発生しているかを、測定された応力が特定値以上または以下であるかを判定することにより確認することができるため、基板製造の際の歩留まりが向上するといった効果を有する。
【００２８】
また、前記基板と前記結晶化シリコン膜との間に、該結晶化シリコン膜とは別の結晶化シリコン膜が少なくとも積層されていることを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、結晶化シリコン膜の下層であって、基板上に積層された結晶化シリコン膜とは異なる結晶化シリコン膜、例えばタングステンシリサイド膜が、結晶化シリコン膜の下層に積層されているか否かを、ラマン散乱分光法を用いて、結晶化シリコン膜を透過させて、タングステンシリサイド膜に光の焦点を合わせることにより、容易に測定することができるといった効果を有する。
【００３０】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００３１】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、基板上に積層された結晶化シリコン膜と、前記結晶化シリコン膜上に積層された光透過絶縁膜と、を有するテストパターンを具備することを特徴とする。
【００３２】
また、前記テストパターンは、前記結晶化シリコン膜に、該結晶化シリコン膜の一部を露呈して積層された複数の前記光透過絶縁膜を具備し、複数の前記光透過絶縁膜は、下層の前記光透過絶縁膜の一部を露呈するよう、それぞれ積層されていることを特徴とする。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、基板に積層された結晶化シリコン膜の被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、同一工程において測定することができるとともに、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００３４】
さらに、前記テストパターンは、前記結晶化シリコン膜に、同一層において、複数種類の前記光透過絶縁膜がそれぞれ平面的に別々の位置に設けられていることを特徴とする。
【００３５】
本発明の電気光学装置によれば、基板に積層された結晶化シリコン膜の被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、同一工程において測定することができるとともに、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００３６】
また、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする。
【００３７】
さらに、前記テストパターンは、前記第１の基板の前記表示領域、ドライバ形成領域、配線パターン領域及び端子部を除く領域に形成されていることを特徴とする。
【００３８】
本発明によれば、第１の基板の駆動に影響することなく、第１の基板に形成されたテストパターンを用いて、第１の基板に積層された結晶化シリコン膜の被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、第１の基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００３９】
また、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、前記基板は、前記第１の基板が複数構成されたマザー基板であることを特徴とする。
【００４０】
さらに、前記テストパターンは、前記マザー基板の前記第１の基板が構成された領域を除く領域に形成されていることを特徴とする。
【００４１】
本発明によれば、第１の基板の駆動に影響することなく、マザー基板のテストパターンを用いて、第１の基板に積層された結晶化シリコン膜の被測定面における直上の光透過性絶縁膜から付与される応力を、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。このことから、第１の基板の歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【００４２】
また、前記テストパターンは、前記第１の基板に対する膜の積層工程と同時に形成されることを特徴とする。
【００４３】
本発明によれば、テストパターンは、第１の基板に対する膜の積層工程と同時に形成されることにより、テストパターンを別の工程において形成する必要がない。よって、容易に第１の基板に対しテストパターンを形成することができるといった効果を有する。
【００４４】
また、前記基板と前記結晶化シリコン膜との間に、前記結晶化シリコン膜とは別の結晶化シリコン膜が少なくとも積層されていることを特徴とする。
【００４５】
本発明によれば、結晶化シリコン膜の下層であって、基板上に積層された結晶化シリコン膜とは異なる結晶化シリコン膜、例えばタングステンシリサイド膜が、結晶化シリコン膜の下層に積層されているか否かを、ラマン散乱分光法を用いて、結晶化シリコン膜を透過させて、タングステンシリサイド膜に光の焦点を合わせることにより、容易に測定することができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００４７】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、画素を構成する図１のＴＦＴ基板上の素子の等価回路、図４は一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００４８】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４９】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００５０】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００５１】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された第１の配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された第２の配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００５２】
また、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０の画素領域においては、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが接続される。
【００５３】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００５４】
また、画素電極９ａと並列に、蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００５５】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００５６】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００５７】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１a及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００５８】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５９】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００６０】
また、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９aの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００６１】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。
【００６２】
また、第１層及び第２層間に、下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間に、第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間に、第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間に、第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間に、第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００６３】
尚、本実施においては、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２の層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３、第４層間絶縁膜４４は、光透過性を有する部材から構成されているとする。
【００６４】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが成膜されている。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。
【００６５】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２と、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００６６】
下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００６７】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６８】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる本発明の光透過絶縁膜を構成する第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６９】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、本発明の光透過絶縁膜を構成する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００７０】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７１】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６ａ１と容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００７２】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００７３】
本発明の光透過絶縁膜を構成する第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００７４】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、本発明の光透過絶縁膜を構成する第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００７５】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００７６】
次に、このように構成されたＴＦＴ基板１０の製造方法の内、半導体層１ａに層間絶縁膜４１を積層した際、半導体層１ａと層間絶縁膜４１との間の界面である被測定面に対する層間絶縁膜４１から付与される応力を求める工程について、上述した図４と、図５〜図７を用いて例に挙げて説明する。尚、その他のＴＦＴ基板１０に対する各膜の積層工程は周知であるため、その説明は省略する。
【００７７】
先ず、半導体層の被測定面に対する応力の測定方法を説明するに先立って、ラマン散乱分光測定装置の構成及びラマン散乱分光法を用いた一般的な応力測定方法について、図５，図６を用いて概略的に説明する。尚、ラマン散乱分光法は、一般に、ポリシリコン等の結晶性を有する物質の成分同定、応力測定に使用するものであり、結晶性を有さない物質の応力等を測定することはできない。
【００７８】
図５は、ラマン散乱分光測定装置の構成の概略を示すブロック図、図６は、図５のラマン散乱分光測定装置を用いて結晶性を有するシリコン膜の応力を測定した際のラマン散乱スペクトル例を示す図表である。
【００７９】
図５に示すように、ラマン散乱分光測定装置１７０は、レーザ光源１７１と、２枚のミラー１７２，１７４と、ハーフミラー１７３と、分光器１７６と、ＣＣＤ１７７とにより主要部が構成されている。
【００８０】
結晶性を有するシリコン膜である測定対象物１７５の成分同定、応力測定を行う際は、先ず、励起光Ｒを、レーザ光源１７１を用いて、２枚のミラー１７２，１７４、ハーフミラー１７３を介して、測定対象物１７５に照射させる。尚、測定対象物１７５に励起光Ｒを照射する際は、光の焦点を、測定対象物１７５の測定箇所に焦合して行う。
【００８１】
その後、ＣＣＤ１７７により、ミラー１７４、ハーフミラー１７３、分光器１７６を介して、励起光Ｒと同一の波長成分を持った散乱光（レイリー散乱光）Ｓ１と、測定対象物１７５の物質特有の波長成分だけずれた散乱光（ラマン散乱光）Ｓ２とが検出される。尚、ラマン散乱光Ｓ２は、分光器１７６を通過させることにより、図６に示すように、スペクトルとして検出することができる。
【００８２】
ラマン散乱光Ｓ２は、測定対象物１７５の原子間に振動を反映しているため、測定対象物１７５に応力が潜在している場合、原子間距離の変動を検知して、ラマンスペクトルのシフトにより、応力を算出することが可能である。
【００８３】
具体的には、図６において、実線で示すスペクトル＊１は、無歪状態の単結晶のスペクトル例を示したものであり、スペクトル＊１よりも低周波数側に位置する点線で示すスペクトルは、引っ張り応力が付与されたスペクトル＊２であり、スペクトル＊１よりも高周波数側に位置する１点鎖線で示すスペクトルは、圧縮応力が付与されたスペクトル＊３を示している。
【００８４】
即ち、測定対象物１７５が無歪状態の単結晶の場合、無歪状態の単結晶に引っ張り応力が付与されると、低周波数側にシフトし、無歪状態の単結晶に圧縮応力が付与されると、高周波数側にシフトした状態でラマンスペクトルが検出される。
【００８５】
よって、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗから応力を求めるには、一般に、τ（応力）=2.49xΔw Dyn/cm2（Δw=無歪状態からのシフト量）の数式に、波数シフト量を代入することにより、容易に換算することができる。
【００８６】
次に、半導体層１ａの被測定面に対する、図５のラマン散乱分光測定装置及びラマン散乱分光法を用いた応力の測定方法を、図７を用いて説明する。図７は、図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図である。尚、図７においては、図面を簡略にするため、ゲート絶縁膜２等の記載を省略してある。
【００８７】
ＴＦＴ基板１０を製造するに際し、先ず、石英等から構成されたＴＦＴ基板１０に、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが積層され、該走査線１１ａが固体成長法（ＳＰＣ；Solid Phase Crystallization）より結晶化される。即ち、走査線１１aは、半導体層１ａとは別の結晶化シリコン膜である。
【００８８】
さらに該走査線１１ａ上に下地絶縁膜１２が積層された後、下地絶縁膜１２上に、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１ａが積層される。尚、半導体層１ａは、ＴＦＴ基板１０の直上に積層されても構わない。その後、半導体層１ａの不純物を除去するため、半導体層１ａは高温で熱処理される。
【００８９】
次いで、図７（ａ）に示すように、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、露呈された被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓに、励起光Ｒの焦点を合わせた後、半導体層１ａ上の表面である本実施における被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓの応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ１を求める。
【００９０】
尚、この第１の応力Ｆ１の測定は、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）で行われる。また、第１の応力Ｆ１は、走査線１１ａの歪みを考慮して無歪状態と仮定してもよい。
【００９１】
次いで、図７（ｂ）に示すように、半導体層１ａ上に、第１の層間絶縁膜４１を積層した後、第１の層間絶縁膜４１の不純物を除去するため、高温で熱処理する。尚、この熱処理により、半導体層１ａと第１の層間絶縁膜４１との熱収縮率の違いにより、半導体層１ａの被測定面１１０に対し、直上の第１の層間絶縁膜４１から引っ張りまたは圧縮応力ΔＦが付与される。
【００９２】
その後、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の図７（ａ）に示した同一の被測定箇所１１０ｓに、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓの応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ２を求める。
【００９３】
尚、この第２の応力Ｆ２の測定は、第１の応力Ｆ１同様、被測定面１１０において、図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）、具体的には、第１の応力Ｆ１を測定した数カ所と同一の被測定箇所で行われる。また、第２の応力Ｆ２は、第１の層間絶縁膜４１が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【００９４】
その後、第１の応力Ｆ１と、第２の応力Ｆ２とに基づき、具体的には、第１の応力Ｆ１と、第２の応力Ｆ２との差を求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗを測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる（ΔＦ＝｜Ｆ１−Ｆ２｜）。
【００９５】
最後に、応力ΔＦが、許容範囲から外れている場合は、半導体層１ａと第１の層間絶縁膜４１との少なくとも一方に、クラックが発生していると判定すること、第１の層間絶縁膜４１が、半導体層１ａから膜剥がれしていると判定することとの少なくとも一方と判定し、その後の各膜の積層を中止する。
【００９６】
尚、応力ΔＦが、許容範囲外とはならないが、ある程度検出された場合には、その後積層する各種膜の成膜プロセスを、既知の低ストレスプロセスで行う等して各種膜をＴＦＴ基板１０に積層する。
【００９７】
このように、本実施においては、半導体層１ａに第１の層間絶縁膜４１を積層する際、露呈された半導体層１ａの被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓに、励起光Ｒの焦点を合わせ、被測定箇所１１０ｓの応力を、ラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ１を求めると示した。
【００９８】
また、半導体層１ａに第１の層間絶縁膜４１を積層した後、被測定面１１０の図７（ａ）に示した同一の被測定箇所１１０ｓに、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓの応力を、ラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ２を求めると示した。
【００９９】
さらに、第１の応力Ｆ１と第２の応力Ｆ２との差を求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗを測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められると示した。
【０１００】
このことによれば、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓにおける直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを、ラマン散乱分光法を用いて、局所的かつ精度良く求めることができる。
【０１０１】
このことから、半導体層１ａ、第１の層間絶縁膜４１のクラック、第１の層間絶縁膜４１の半導体層１ａからの膜剥がれに気づかずに、各膜を積層してしまうことを防ぐことができるため、製造の際のＴＦＴ基板１０の歩留まりを向上することができる。
【０１０２】
尚、以下、変形例を示す。図８は、図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める図７とは別の工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図である。尚、図８においても、図面を簡略にするため、ゲート絶縁膜２、容量電極３００等の記載を省略してある。
【０１０３】
図８（ａ）に示すように、半導体層１ａに、第１の層間絶縁膜４１を積層して、熱処理した後、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓに、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓの応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ３を求める。
【０１０４】
尚、この第１の応力Ｆ３の測定は、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）で行われる。また、第１の応力Ｆ３は、第１の層間絶縁膜４１の歪みを考慮して無歪状態と仮定してもよい。
【０１０５】
次いで、第１の層間絶縁膜４１に、第２の層間絶縁膜４２を積層し、熱処理した後、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の図８（ａ）に示した同一の被測定箇所１１０ｓに、第１の層間絶縁膜４１及び第２の層間絶縁膜４２を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、半導体層１ａの被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓの応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ４を求める。
【０１０６】
尚、この第２の応力Ｆ４の測定は、第１の応力Ｆ３同様、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所、具体的には、第１の応力Ｆ３を測定した数カ所（図１１では５点）と同一の被測定箇所で行われる。また、第２の応力Ｆ４は、第２の層間絶縁膜４２が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１０７】
その後、第１の応力Ｆ３と、第２の応力Ｆ４との差を求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗを測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における、第２の層間絶縁膜４２を積層したことによる直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる（ΔＦ＝｜Ｆ３−Ｆ４｜）。即ち、第２の層間絶縁膜４２の応力ΔＦに対する影響が求められる。尚、このことは、第３、第４の層間絶縁膜に対しても同様である。また、第２の層間絶縁膜４２のクラックの発生、膜剥がれも容易に判定することができる。
【０１０８】
また、尚、以下、別の変形例を示す。図９は、半導体層に、複数の層間絶縁膜を積層した後、半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図である。尚、図９においては、半導体層１ａ、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４以外の記載は省略してある。
【０１０９】
図９に示すように、先ず、半導体層１ａに、第１の層間絶縁膜４１を積層して熱処理し、該第１の層間絶縁膜４１に、第２の層間絶縁膜４２を積層して熱処理し、該第２の層間絶縁膜４２に第３の層間絶縁膜４３を積層して熱処理し、該第３の層間絶縁膜４３に第４の層間絶縁膜４４を積層して熱処理する。
【０１１０】
即ち、半導体層１ａに複数の層間絶縁膜４１〜４４を積層した後、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の図７（ａ）に示した同一の被測定箇所１１０ｓに、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、半導体層１ａの被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓの応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第３の応力Ｆ５を求める。
【０１１１】
尚、この第３の応力Ｆ５の測定は、第１の応力Ｆ１同様、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）、具体的には、第１の応力Ｆ１を測定した数カ所と同一の被測定箇所で行われる。また、第３の応力Ｆ５は、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１１２】
その後、図７（ａ）で測定した第１の応力Ｆ１と、第３の応力Ｆ５との差を求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗを測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４を積層したことによる直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる（ΔＦ＝｜Ｆ１−Ｆ５｜）。即ち、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４の応力ΔＦに対する影響が求められる。尚、このことは、第２、第３の層間絶縁膜４２，４３を積層した場合も同様である。また、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４にクラック、膜剥がれが発生したことを容易に判定することができる。
【０１１３】
さらに、複数の膜により複数製造されたＴＦＴ基板１０における、各複数の膜の応力に起因するＴＦＴ基板１０間の全体に付与される応力のバラツキを、各層間絶縁膜４１〜４４の応力を事前に求めておくことにより、測定することができる。
【０１１４】
さらに、尚、以下、別の変形例を示す。図１０は、図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める図７〜図９とはさらに別の工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図である。
【０１１５】
本実施の形態においては、第１の応力Ｆ１と第２の応力Ｆ２とを求めるに際し、半導体層１ａの被測定面１１０の同一被測定箇所１１０ｓを測定すると示した。これに限らず、精度を必要としなければ、被測定面１１０における別々の箇所を測定しても構わない。
【０１１６】
具体的には、図１０に示すように、半導体層１ａに、第１の層間絶縁膜４１を積層して熱処理した後、例えば、第１の層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８３により、半導体層１ａを露呈させる。
【０１１７】
その後、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓに、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、半導体層１ａの被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ１の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ６を求める。
【０１１８】
尚、この第２の応力Ｆ６の測定は、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）で行われる。また、第２の応力Ｆ６は、第１の層間絶縁膜４１が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１１９】
次いで、ラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、露呈された被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ２に、励起光Ｒの焦点を合わせた後、半導体層１ａ上の被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ２の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ７を求める。
【０１２０】
尚、この第１の応力Ｆ７の測定は、被測定面１１０において、後述する図１１に示すように、数カ所（図１１では５点）で行われる。また、第１の応力Ｆ７は、走査線１１ａの歪みを考慮して無歪状態と仮定した被測定面１１０の応力であっても構わない。
【０１２１】
その後、第２の応力Ｆ６と、第１の応力Ｆ７との差を求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗを測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における被測定箇所１１０ｓ１，１１０ｓ２近傍の直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる（ΔＦ＝｜Ｆ６−Ｆ７｜）。このような手法によれば、積層工程において、同一工程において、応力ΔＦを測定することができることから、本実施よりも容易に、応力ΔＦを測定することができる。
【０１２２】
（第２実施の形態）
図１１は、本発明の第２実施の形態を示す液晶装置に用いるＴＦＴ基板が複数構成されたマザー基板を示す図、図１２は、図１１のＴＦＴ基板またはマザー基板上に形成されたテストパターンを概略的に示す断面図である。
【０１２３】
尚、本実施の構成は、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを、ＴＦＴ基板上に形成された実際の半導体層１ａ及び第１の層間絶縁膜４１からではなく、マザー基板またはＴＦＴ基板の他の領域に形成したテストパターンより求める点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１２４】
図１１に示すように、マザー基板２００の複数のＴＦＴ基板１０が構成された領域を除く領域１５０、またはマザー基板２００に複数構成された各ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ、ドライバであるデータ線駆動回路１０１，走査線駆動回路１０３，１０４の形成領域、配線１０５を形成する領域、外部接続端子１０２を除く領域１５１に、テストパターン１２０が複数形成されている。尚、テストパターン１２０を領域１５０，１５１に形成するのは、液晶装置１００の表示駆動に影響を及ぼさないようにするためである。
【０１２５】
テストパターン１２０は、図１２に示すように、半導体層１ａに、該半導体層１ａの一部が露呈されるよう第１の層間絶縁膜４１が積層され、第１の層間絶縁膜４１に、該第１の層間絶縁膜４１の一部が露呈されるよう第２の層間絶縁膜４２が積層され、第２の層間絶縁膜４２に、該第２の層間絶縁膜４２の一部が露呈されるよう第３の層間絶縁膜４３が積層され、第３の層間絶縁膜４３に、該第３の層間絶縁膜４３の一部が露呈されるよう第４の層間絶縁膜４４が積層されることにより構成されている。
【０１２６】
尚、テストパターン１２０は、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに形成される半導体層１ａと各層間絶縁膜４１〜４４の成膜工程と同時に、領域１５０，１５１に成膜される。よって、テストパターン１２０は、領域１５０，１５１に容易に形成される。
【０１２７】
このように構成されたテストパターン１２０を用いて、半導体層１ａの被測定面１１００に対する直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを求める。尚、以下の測定は、複数形成されたテストパターン１２０において各々行われる。
【０１２８】
先ず、図１２に示すように、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、露呈された被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ５に、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ５の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ１０を求める。尚、第１の応力Ｆ１０は、走査線１１ａの歪みを考慮して無歪状態と仮定した被測定面１１０の応力であってもよい。
【０１２９】
次いで、ラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ６に、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ６の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１１を求める。尚、第２の応力Ｆ１１は、第１の層間絶縁膜４１が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１３０】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ７に、第１，第２の層間絶縁膜４１，４２を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ７の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１２を求める。尚、第２の応力Ｆ１２は、第１，第２の層間絶縁膜４１，４２が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１３１】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ８に、第１〜第３の層間絶縁膜４１〜４３を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ８の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１３を求める。尚、第２の応力Ｆ１３は、第１〜第３の層間絶縁膜４１〜４３が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１３２】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ９に、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ９の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１４を求める。尚、第２の応力Ｆ１４は、第１〜第４の層間絶縁膜４１〜４４が積層されたことにより歪んだ状態における被測定面１１０の応力である。
【０１３３】
その後、第１の応力Ｆ１０と、第２の応力Ｆ１１〜Ｆ１４との差をそれぞれ求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗをそれぞれ測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる。尚、第２の応力Ｆ１１〜Ｆ１４を全て求め、第２の応力同士の差を求めることにより、層間絶縁膜４１〜４４の各膜の応力ΔＦに対する影響を求めることができる。
【０１３４】
このようにテストパターン１２０を用いて、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを測定しても、上述した第１実施と同様の効果を得ることができる。
【０１３５】
尚、以下、変形例を示す。図１３は、図１１のＴＦＴ基板またはマザー基板上に形成された別のテストパターンを概略的に示す断面図である。
【０１３６】
本実施においては、テストパターン１２０は、各層間絶縁膜４１〜４４の各下層の一部を露呈するよう積層されたものが、半導体層１ａに、該半導体層１ａの一部を露呈するよう積層されて構成されていると示した。
【０１３７】
これに限らず図１３に示すように、テストパターン１２０は、半導体層１ａ上の同一層において、各層間絶縁膜４１〜４４が、パターンニング等により、それぞれ平面的に別々の位置に設けられていても構わない。
【０１３８】
このように構成されたテストパターン１２０を用いて、半導体層１ａの被測定面１１００に対する第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを求める。尚、以下の測定は、複数形成されたテストパターン１２０において各々行われる。
【０１３９】
先ず、図１２に示すように、図６に示すラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、露呈された被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ５に、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ５の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第１の応力Ｆ１０を求める。
【０１４０】
次いで、ラマン散乱分光測定装置１７０を用いて、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ６に、第１の層間絶縁膜４１を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ６の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１１を求める。
【０１４１】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ７に、第２の層間絶縁膜４２を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ７の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１２を求める。
【０１４２】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ８に、第３の層間絶縁膜４３を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ８の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１３を求める。
【０１４３】
次いで、被測定面１１０の被測定箇所１１０ｓ９に、第４の層間絶縁膜４４を透過させて、励起光Ｒの焦点を合わせた後、被測定箇所１１０ｓ９の応力を、上述したラマン散乱分光法を用いて測定し、その結果、第２の応力Ｆ１４を求める。
【０１４４】
その後、第１の応力Ｆ１０と、第２の応力Ｆ１１〜Ｆ１４との差をそれぞれ求め、ラマンスペクトルの波数シフト量Δｗをそれぞれ測定することにより、半導体層１ａの被測定面１１０における直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦが求められる。
【０１４５】
このようにテストパターン１２０を構成しても、上述した本実施と同様の効果を得ることができる。
【０１４６】
また、図１２、図１３に示すように構成されたテストパターン１２０を用いて応力ΔＦの測定を行えば、ＴＦＴ基板１０を製造後、１回の工程にて、各層間絶縁膜の影響を考慮した応力ΔＦの測定を行うことができる。
【０１４７】
尚、本実施においては、テストパターン１２０は、半導体層１ａに各層間絶縁膜４１〜４４を積層したものを示したが、これに限らず、上述した第１実施同様、各層を積層する毎に、被測定面１１０の同一被測定箇所１１０ｓを測定するようにしてもよい。
【０１４８】
尚、以下、別の変形例を示す。上述した第１、第２実施においては、半導体層１ａの被測定面１１０に対する直上の第１の層間絶縁膜４１から付与される応力ΔＦを、ラマン散乱分光法を用いて求めると示した。
【０１４９】
これに限らず、熱収縮率の異なる層同士の積層であって、下層が結晶化シリコン膜より構成され、直上の上層がラマン励起光Ｒに対する光透過性を有する膜より構成されておれば、結晶化シリコン膜の被測定面における光透過性膜より付与される応力ΔＦを、ラマン散乱分光法を用いて求めることができる。
【０１５０】
一例を挙げると、上述した図４に示すように、ＴＦＴ基板１０と半導体層１ａとの間に、結晶化シリコン膜である走査線１１ａと下地絶縁膜１２が積層されていると示した。この場合、半導体層１ａ，下地絶縁膜１２を透過して走査線１１ａに励起光Ｒの焦点を合わせて、ラマン散乱分光法により測定を行えば、半導体層１ａの下層に走査線１１ａが積層されているか否かを、容易に測定することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１５２】
さらに、第１及び第２実施においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１５３】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１５４】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明の第１実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】画素を構成する図１のＴＦＴ基板上の素子の等価回路。
【図４】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図５】ラマン散乱分光測定装置の構成の概略を示すブロック図。
【図６】図５のラマン散乱分光測定装置を用いて結晶性を有するシリコン膜の応力を測定した際のラマン散乱スペクトル例を示す図表。
【図７】図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図８】図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める図７とは別の工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図９】図４の半導体層に複数の層間絶縁膜を積層した後、半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１０】図４の半導体層の被測定面に対する応力を、ラマン散乱分光法を用いて求める図７〜図９とはさらに別の工程を概略的に示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１１】本発明の第２実施の形態を示す液晶装置に用いるＴＦＴ基板が複数構成されたマザー基板を示す図。
【図１２】図１２は、図１１のＴＦＴ基板またはマザー基板上に形成されたテストパターンを概略的に示す断面図。
【図１３】図１１のＴＦＴ基板またはマザー基板上に形成された別のテストパターンを概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【０１５６】
１ａ…半導体層、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…ＴＦＴ基板の表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４１…第１の層間絶縁、４２…第２の層間絶縁、４３…第３の層間絶縁膜、４４…第４の層間絶縁膜、５０…液晶、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続端子、１０３，１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１１０…被測定面、１２０…テストパターン、１５０…マザー基板のテストパターン形成領域、１５１…ＴＦＴ基板のテストパターン形成領域、２００…マザー基板、Ｆ１，Ｆ３，Ｆ７，Ｆ１０…第１の応力、Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６，Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３，Ｆ１４…第２の応力、Ｆ５…第３の応力、ΔＦ…被測定面に付与される応力、Ｒ…励起光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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