(57)【要約】【課題】  筐体に回路素子が内蔵される回路装置に於いて、筐体内部の気圧の上昇および結露の発生を防止する。【解決手段】  本発明の回路装置１０は、底部１２Ａおよび側部１２Ｂから成る筐体１２と側部１２Ｂの上面を被覆する蓋部１５とを有し、筐体１２の内部空間には半導体素子１３Ａ等の回路素子が内蔵されている。筐体１２の底部１２Ａには、ランド１６およびリード１１が埋め込まれており、筐体１２の内部空間２７と外部とを連通させる連通部１８はランド１６に設けられている。連通部１６を設けることにより、温度変化に伴う内部空間２７の気圧上昇や結露の発生が抑制されている。更に、金属から成るランド１６には、エッチング等により容易に連通部１６を形成することができる。【選択図】  図１
2007012895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有する筐体と、前記内部空間に収納された回路素子と、前記筐体に埋め込まれて前記回路素子と電気的に接続され且つ少なくとも一部が前記筐体の外部に露出する導電部材とを具備し、
前記内部空間と外部とを連通させる連通部を前記導電部材に設けることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
内部空間を有する筐体と、
前記内部空間に収納された回路素子と、
前記筐体の底部に埋め込まれて前記回路素子が載置されたランドと、
前記筐体の底部に埋め込まれて前記回路素子と電気的に接続されたリードと、
前記ランドに設けられて前記内部空間と外部とを連通させる連通部とを具備することを特徴とする回路装置。
【請求項３】
前記連通部は、前記内部空間に面する前記ランドの表面に溝状に設けられて、前記回路素子の配置領域の端部まで連続して延在する溝部と、
前記溝部の領域に設けられて前記ランドを貫通して設けた連通孔とから成ることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項４】
前記ランドの周辺部に外側に突出する突出部を設け、
前記溝部は、前記回路装置の下方から前記突出部まで延在することを特徴とする請求項３記載の回路装置。
【請求項５】
前記連通部は、前記ランドをエッチングして設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項６】
前記回路素子は半導体素子であり、
前記半導体素子は、フェイスアップにて前記ランドに載置され、
前記半導体素子と前記リードとは金属細線を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項７】
前記ランドの下部はハーフエッチングにより部分的に除去され、
ハーフエッチング処理された領域の前記ランドの下面を、前記筐体を構成する絶縁性樹脂により被覆することを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項８】
前記回路素子として、互いに電気的に接続された半導体素子およびチップコンデンサが採用されることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項９】
前記回路素子は光の受光または発光を行う半導体素子であり、
前記筐体は、一体成形により形成された底部および側部と、前記側部の上面に載置されて前記光を透過させる蓋部とから成ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の回路装置。
【請求項１０】
絶縁性樹脂を射出成形することにより、内部空間を有し導電部材が埋め込まれた筐体を形成し、前記内部空間に回路素子を収納して前記導電部材と電気的に接続する回路装置の製造方法に於いて、
前記内部空間と外部とを連通させる連通部を前記導電部材を貫通して設けることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１１】
ランドおよび前記ランドに一方が接近するリードを具備し、前記ランドを貫通する連通部が設けられたリードリードフレームを用意する工程と、
絶縁性樹脂を射出成形することにより、前記リードおよび前記ランドが埋め込まれた底部と側部とから成る筐体を形成し、前記底部の上面および下面から前記ランドおよび前記リードの少なくとも一部分を露出させる工程と、
前記ランドの上面に回路素子を固着して、前記リードと前記回路素子とを電気的に接続する工程と、
前記側部の上面に蓋部を接着する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記連通部は、エッチング加工またはパンチング加工により形成されることを特徴とする請求項１０または請求項１１記載の回路装置の製造方法。
【請求項１３】
一枚の金属板を加工することにより、前記連通部、前記ランドおよび、前記リードを同時に形成することを特徴とする請求項１１記載の回路装置の製造方法。
【請求項１４】
前記連通部は、前記内部空間に面する前記ランドの表面に溝状に設けられた溝部と、前記溝部の領域に設けられて前記ランドを貫通して設けた連通孔とから成り、
前記回路素子は、前記連通部が形成された領域を含む前記ランドの上面に固着されることを特徴とする請求項１１記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、筐体の内部に回路素子が収納された回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８を参照して、従来型の回路装置１００の構成について説明する。図８（Ａ）は回路装置１００の平面図であり、図８（Ｂ）はその断面図である（特許文献１）。
【０００３】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、回路装置１００の中央部には導電材料から成るランド１０２が形成され、ランド１０２の周囲には多数個のリード１０１の一端が接近している。リード１０１の一端は金属細線１０５を介して半導体素子１０４と電気的に接続され、他端は封止樹脂１０３から露出している。封止樹脂１０３は、半導体素子１０４、ランド１０２およびリード１０１を封止して一体に支持する働きを有する。また、半導体素子１０４として光学素子が採用された場合は、光に対して透明性を有する樹脂が封止樹脂１０３として採用される。
【０００４】
また、半導体素子等の回路素子を封止する方法として、樹脂封止以外の方法もある。例えば、内部空間を有する筐体を金属や樹脂材にて形成し、この内部空間に回路素子を内蔵させて回路装置を構成する封止方法もある（特許文献２）。
【特許文献１】特開平１１−３４０２５７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した半導体素子１０４として、波長の短い光の発光または受光を行う素子を採用した場合、その光により封止樹脂１０３が変色等を起こしてしまう問題があった。更には、離形剤等が混入されている封止樹脂１０３の透明さが不十分であることから、半導体素子が受発光する光が封止樹脂１０３により減衰してしまう問題もあった。
【０００６】
また、筐体の内部に半導体素子を収納させるタイプの回路装置では、筐体内部の空間が密閉されるために、外部の温度変化に伴い筐体内部の気圧が変化して、内蔵された回路素子に悪影響が及ぶ恐れがあった。更に、筐体の内部空間が密閉されていることから、外部雰囲気の温度が変化すると、筐体内部で水分が結露してしまい、この結露した水分により筐体内部にて電気回路がショートしてしまう問題があった。
【０００７】
本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、外部雰囲気の温度が変化した場合でも、筐体に内蔵される回路素子の特性劣化を抑制可能な回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の回路装置は、内部空間を有する筐体と、前記内部空間に収納された回路素子と、前記筐体に埋め込まれて前記回路素子と電気的に接続され且つ少なくとも一部が前記筐体の外部に露出する導電部材とを具備し、前記内部空間と外部とを連通させる連通部を前記導電部材に設けることを特徴とする。
【０００９】
本発明の回路装置の製造方法は、内部空間を有する筐体と、前記内部空間に収納された回路素子と、前記筐体の底部に埋め込まれて前記回路素子が載置されたランドと、前記筐体の底部に埋め込まれて前記回路素子と電気的に接続されたリードと、前記ランドに設けられて前記内部空間と外部とを連通させる連通部とを具備することを特徴とする。
【００１０】
更にまた、本発明は、絶縁性樹脂を射出成形することにより、内部空間を有し導電部材が埋め込まれた筐体を形成し、前記内部空間に回路素子を収納して前記導電部材と電気的に接続する回路装置の製造方法に於いて、前記内部空間と外部とを連通させる連通部を前記導電部材を貫通して設けることを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明の回路装置の製造方法は、ランドおよび前記ランドに一方が接近するリードを具備し、前記ランドを貫通する連通部が設けられたリードリードフレームを用意する工程と、絶縁性樹脂を射出成形することにより、前記リードおよび前記ランドが埋め込まれた底部と側部とから成る筐体を形成し、前記底部の上面および下面から前記ランドおよび前記リードの少なくとも一部分を露出させる工程と、前記ランドの上面に回路素子を固着して、前記リードと前記回路素子とを電気的に接続する工程と、前記側部の上面に蓋部を接着する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の回路装置によれば、筐体内部と外部とを連通させる連通部を、筐体に埋め込まれたランド等の導電部材に形成したので、筐体内部に於ける気圧の変化および結露が抑止され、筐体に内蔵される回路素子の特性の劣化を防止できる。
【００１３】
更に、上記連通部を、ランドの表面に溝状に設けた溝部および、ランドを貫通する連通孔から構成することで、連通部の経路を長くすることができる。このことから、連通部を介して外部から粉塵が筐体内部に浸入することを防止することができる。
【００１４】
更に、ランド等の導電部材に連通部を形成することから、エッチング処理等により連通部の内壁を容易に粗化させることができるので、粗化された連通部の内壁に粉塵がトラップされ、筐体内部への粉塵の進入を抑制することができる。
【００１５】
本発明の回路装置の製造方法によれば、エッチング加工やパンチング加工により容易に加工可能なランド等の導電部材に連通部を設けるので、連通部の形成に係るコストを低減させることができる。更に、ランド等の導電部材に於いて、任意の箇所に連通部を形成することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１を参照して、本発明の回路装置１０の具体的な構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ’での断面図である。
【００１７】
本形態の回路装置１０は、底部１２Ａおよび側部１２Ｂとから成る筐体１２の上面が蓋部１５により被覆されることで、半導体素子１３Ａ等の回路素子が内蔵される内部空間２７が形成されている。底部１２Ａには、ランド１６およびリード１１が埋め込まれており、両者の上面および裏面は部分的に底部１２Ａから露出している。本形態では、内部空間２７と外部とを連通させる連通部１８をランド１６に設けている。本形態の回路装置１０の詳細を以下にて説明する。
【００１８】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、筐体１２は、板状の底部１２Ａと額縁状の側部１２Ｂとを絶縁性樹脂２６にて一体に成型したものである。底部１２Ａの中央部にはランド１６が埋め込まれ、このランド１６に一端が接近する様に多数個のリード１１が埋め込まれている。側部１２Ｂの内壁は、モールドに於けるモールド金型の抜けが考慮されて、底部１２Ａに対して傾斜面と成っている。
【００１９】
リード１１は、底部１２Ａに埋め込まれ、一端がランド１６の近傍に位置し、他端は回路装置１０の周辺部まで延在している。図１（Ｃ）を参照して、リード１１の上面は、筐体１２の内部空間２７に露出して、金属細線１４を介して半導体素子１３Ａと電気的に接続されている。また、リード１１の裏面は、底部１２Ａから露出して、露出部２４Ａおよび露出部２４Ｂを形成している。露出部２４Ａは、回路装置１０全体の外部接続電極として機能する。また、露出部２４Ｂは、筐体１２を成形するモールドの工程に於いて、モールド金型に当接されて樹脂バリの発生を抑止している。更に、露出部２４Ｂは、金属細線１４を形成する工程に於いて作業台に当接され、リード１１に与えられる超音波エネルギーが減衰することを防止している。リード１１のこのような断面形状は、ハーフエッチング加工により形成することができる。
【００２０】
また、図１（Ａ）を参照して、リード１１の幅を部分的に広げることにより、パッド１７が形成されている。そして、パッド１７には２つのチップ素子１３Ｂが固着されている。
【００２１】
ランド１６は、回路装置１０の中央部付近に配置され、その上部には半導体素子１３Ａが固着される。ランド１６の平面的な大きさは、半導体素子１３Ａと同等以上に形成される。図１（Ｃ）を参照して、ランド１６は、リード１１と同じようにハーフエッチング加工が施され、ランド１６の裏面は部分的に底部１２Ａから外部に露出している。即ち、ランド１６の裏面は、部分的に底部１２Ａを構成する絶縁性樹脂２６により被覆されている。このことにより、底部１２Ａを構成する絶縁性樹脂２６とランド１６との密着強度が向上され、ランド１６の底部１２Ａからの脱落が防止されている。また、ランド１６には、内部空間２７を外部と連通させる連通部１８が形成されている。連通部１８の詳細は後述する。
【００２２】
上記したランド１６およびリード１１の露出面には、Ｎｉ／Ａｕから成るメッキ膜が形成され、ボンディング性が向上されている。更に、ランド１６およびリード１１の材料としては、銅（Ｃｕ）を主材料とする金属、アルミニウム（Ａｌ）主材料とする金属または、４２アロイが採用される。ここで、４２アロイとは、ニッケルを４２％含み、鉄を５８％含む合金である。
【００２３】
本形態では半導体素子１３Ａとチップ素子１３Ｂとからなる回路素子が筐体１２に内蔵されている。半導体素子１３Ａは、接着剤１９を介してランド１６の上面に固着されている。更に、半導体素子１３Ａは、金属細線１４を介して、リード１１と電気的に接続されている。チップ素子１３Ｂは、チップコンデンサまたはチップ抵抗等のチップ型の回路素子であり、半田または導電性ペーストを介して、パッド１７に固着されている。
【００２４】
半導体素子１３Ａとしては、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子、発光ダイオード、半導体レーザー等が採用される。また、波長が４０５ｎｍ程度の高周波ブルーレーザーの受発光を行う素子を、半導体素子１３Ａとして採用することができる。
【００２５】
チップ素子１３Ｂと半導体素子１３Ａとは、回路装置１０内部に於いて、リード１１を介して電気的に接続されている。従って、チップ素子１３Ｂと半導体素子１３Ａとの距離を短くすることが可能となり、チップ素子１３Ｂがノイズ低減の為のコンデンサである場合は、このノイズ低減の効果を大きくすることができる。
【００２６】
半導体素子１３Ａの固着に用いられる接着剤１９としては、ダイアタッチシートが好ましい。これは、ダイボンディングを行う工程にて粘性が低くなる接着剤を用いると、溝部１８Ａが接着剤により埋まってしまう恐れがあるからである。ダイアタッチシートであれば、ダイボンディングを行う工程においても液状化しないので、上記した恐れを排除することが出来る。
【００２７】
蓋部１５は、側部１２Ｂの開口部を上部から塞ぐ役割を有し、その材料としては半導体素子１３が受発光する光に対して透明性を有する材料が採用される。例えば、半導体素子１３が波長４０５ｎｍ程度の高周波ブルーレーザーの受発光を行う素子である場合は、このブルーレーザーに対して透明性を有する材料が、蓋部１５として採用される。一例として、ガラスは蓋部１５として好適な材料である。また、蓋部１５は、絶縁性の接着剤を介して、筐体１２に接着されている。ここで、この蓋部１５を省いて全体を構成することも出来る。蓋部の材料であるガラスは非常に高価な材料であるので、これを省いた構成にすることで全体の製造コストを低減させることが出来る。
【００２８】
本実施の形態のポイントは、回路装置１０の内部空間２７と外部とを連通させる連通部１８を設けた点にある。連通部１８を設けて内部空間２７を外部と連通させることで、内部空間２７に於ける気圧の上昇および結露の発生を抑制することができる。
【００２９】
本形態では、導電部材であるランド１６に連通部１８を形成している。４２アロイ等の金属から成るランド１６は、エッチング加工やパンチング加工が可能であるので、比較的容易に連通部１８を形成することができる。特に、エッチング加工によりランド１６に連通部１８を設けると、エッチングマスクの形状を変更するのみで、所望の形状の連通部１８を任意の箇所に形成可能となる。また、エッチング加工等により連通部１８の内壁を粗化させて、外部から進入する粉塵を連通部１８の内壁に積極的にトラップさせ、粉塵の内部への進入を抑制することができる。
【００３０】
一方、筐体１２を構成する絶縁性樹脂２６に連通部１８を設けることも可能であるが、この場合、形成される連通部１８Ａの形状に即したモールド金型を用意する必要がありコストが非常に高くなってしまう。従って、連通部１８は金属から成るランド１６またはリード１１に形成するのが好適である。
【００３１】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、連通部１８は、ランド１６の表面に溝状に設けた溝部１８Ａと、この溝部１８Ａが設けられた部分のランド１６を貫通して設けた連通孔１８Ｂとから成る。溝部１８Ａの上面が半導体素子１３Ａにより被覆されることで、連通部１８の経路が形成されている。また、溝部１８Ａの一部が、半導体素子１３Ａの載置領域からはみ出るように延在することで、連通部１８は内部空間２７と連通可能な状態と成っている。図１（Ａ）では、直線状に延在する１本の溝部１８Ａの上下端が、半導体素子１３Ａの載置領域からはみ出るように延在している。このようにすることで、連通部１８の経路を長くすることができるので、外部から連通部１８に粉塵が進入した場合でも、連通部１８の内壁にて粉塵がトラップされ、粉塵の内部空間２７への進入が抑制されている。
【００３２】
また、連通部１８を、半導体素子１３Ａが載置される領域のランド１６に設けることにより、連通部１８を形成するための領域を別途に確保する必要がないので、回路装置１０の大型化を伴わずに連通部１８を形成することができる。
【００３３】
更に本発明では、矩形状のランド１６に周囲に突出する突出部２８を設け、溝部１８Ａを、半導体素子１３Ａの下方から突出部２８まで延在させている。このことにより、ランド１６の大型化を伴わずに、溝部１８Ａを半導体素子１３Ａの下方からはみ出して延在させることができる。具体的には、溝部１８Ａを内部空間２７と連通状態にするためには、ランド１６の表面に形成される溝部１８Ａは、半導体素子１８Ａの載置領域をはみ出して形成する必要がある。しかしながら、このような溝部１８Ａを形成するためにランド１６全体を大きくすると、回路装置の大型化を招く。そこで、本形態では、ランド１６の周辺部に突出部２８を設け、この突出部２８の表面に溝部１８Ａを延在させている。このことにより、溝部１８Ａが設けられる突出部２８のみが外部に突出するので、ランド１６全体の面積の増加を抑制することができる。
【００３４】
図２は、回路装置１０を裏面から見た平面図である。この図では、外部に露出する部分のリード１１を斜線のハッチングにて示し、外部に露出しない部分のリード１１を点線にて示している。
【００３５】
リード１１の表面が部分的に底部１２Ａから露出することで、露出部２４Ａおよび露出部２４Ｂが形成されている。
【００３６】
露出部２４Ａは回路装置１０の周辺部に於いて露出するリード１１から成る。露出部２４Ａは、複数個が周辺部に整列して設けられ、その平面的な大きさは例えば０．５ｍｍ×０．３ｍｍ程度であり、半田や導電性ペーストが付着可能な大きさとなっている。また、露出部２４Ａの裏面に溶着された半田等が互いにショートしないように、露出部２４Ａ同士は離間されている。露出部２４Ａ同士が離間する具体的な距離は、例えば０．２ｍｍ程度である。
【００３７】
露出部２４Ｂは、ランド１６の近傍に於いて裏面に露出するリード１１から成る。露出部２４Ｂが位置する部分のリード１１の上面は筐体内部に露出し、図１（Ｃ）に示すように金属細線１４を介して半導体素子１３Ａと接続されている。露出部２４Ｂは、ワイヤボンディングを行う際の超音波エネルギーの減衰等を防止するために設けられているが、露出部２４Ｂの裏面に半田等を付着させて外部接続電極として用いても良い。
【００３８】
ランド１６の裏面は、溝部１８Ａおよび連通孔１８Ｂが設けられる部分が外部に露出され、他の領域は絶縁性樹脂により覆われている。部分的に露出するランド１６の裏面を、外部接続電極として用いることも可能である。
【００３９】
図３の断面図を参照して、上述した構成の回路装置１０の実装構造を説明する。同図を参照して、回路装置１０の裏面に露出する露出部２４Ａに、半田または導電性ペーストから成る接続電極２２を溶着させることにより、回路装置１０は実装基板２０上の導電路２１に固着されている。ここでは、露出部２４Ａの濡れ性を用いて、接続電極２２の形状と位置を規制し、半田ブリッジによるショートの危険性を排除している。また、接続電極２２により、回路装置１０の裏面と実装基板２０の表面とは離間されている。従って、連通孔１８Ｂは実装基板２０により閉塞されることはなく、回路装置１０の内部空間と外部とは連通した状態に成っている。
【００４０】
図４から図７を参照して、上記した回路装置１０の製造方法を説明する。
【００４１】
先ず、図４を参照して、リード１１およびランド１６から成るユニット３２を具備するリードリードフレーム３１を形成する。図４（Ａ）はリードフレーム３１の平面図であり、図４（Ｂ）はユニット３２の平面図であり、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００４２】
図４（Ａ）を参照して、一枚の板状の金属板を加工することによりリードフレーム３１を形成する。短冊状のリードフレーム３１には、離間された数個のブロック３３が配置される。各ブロック３３には、マトリックス状に多数個のユニット３２が形成される。ここで「ユニット」とは、一つの回路装置を構成する要素単位のことである。
【００４３】
リードフレーム３１の材料としては、銅（Ｃｕ）を主材料とする金属、アルミニウム（Ａｌ）を主材料とする金属または、４２アロイが採用される。リードフレーム３１の加工方法としては、エッチング加工またはパンチング加工を採用することができる。特にエッチング加工を行うと、加工に係るコストが安くなり、ハーフエッチング加工によりリードフレーム３１を厚み方向に部分的に除去することができる。
【００４４】
各ユニット３２は、ブロック３３内部に於いて横方向に延在する第１の連結部３４Ａと、縦方向に延在する第２の連結部３４Ｂにより連結されている。
【００４５】
図４（Ｂ）を参照して、ユニット３２の具体的構成を説明する。ユニット３２は、中央部に配置されるランド１６と、このランド１６に一方が接近するリード１１とから構成されている。ランド１６は、紙面上にて上下端部に位置している第１の連結部３４Ａに、吊りリード２５を介して連結されている。また、リード１１の一端は、紙面上にて左右端部に位置している第２の連結部３４Ｂに連結されている。リード１１の他端は、ランド１６の近傍まで延在している。後の分離工程に於いてバリの発生を抑制するために、リード１１と第２の連結部３４Ｂとの接続部は、他の領域のリード１１よりも幅が狭く形成されている。更に、リード１１の幅を部分的に広くすることにより、チップ素子が実装されるパッド１７が形成される。
【００４６】
本工程では、ランド１６に溝部１８Ａおよび連通孔１８Ｂが形成される。溝部１８Ａは、ハーフエッチング加工によりランド１６の表面に設けられた溝状の領域である。連通孔１８Ｂは、溝部１８Ｂが形成された部分のランド１６を貫通して設けられた部位である。本形態では、溝部１８Ａおよび連通孔１８Ｂを、ランド１６およびリード１１を形成するエッチング加工により同時に形成することができる。従って、工数を増加させずに、溝部１８Ａおよび連通孔１８Ｂは形成される。
【００４７】
図４（Ｃ）を参照して、リード１１には、ユニット３２の周辺部にて下方に凸状に突出する露出部２４Ａが形成されている。更に、リード１１の先端部付近にも、下方に突出する露出部２４Ｂが形成される。露出部２４Ａの裏面は、回路装置全体の外部接続端子として機能する。露出部２４Ｂは、製造工程に於いてリード１１の先端部を厚み方向に固定する機能を有する。露出部２４Ｂの具体的な機能は後述する。
【００４８】
次に、図５を参照して、絶縁性樹脂２６を射出成形することにより、一体化された底部１２Ａおよび側部１２Ｂから成る筐体１２を形成する。図５（Ａ）はユニット３２を拡大した平面図であり、図５（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００４９】
本工程では、金型を用いた射出成形により絶縁性樹脂２６を形成している。具体的には、先ず、リード１１の下面を下金型（不図示）に当接させ、筐体１２の内部空間２７に対応した形状を有する上金型（不図示）をリード１１の上面に当接させる。この状態で金型（不図示）の内部に絶縁性樹脂２６を注入し、底部１２Ａおよび側部１２Ｂから成る筐体１２が形成される。本工程により、底部１２Ａを構成する絶縁性樹脂２６にリード１１およびランド１６は埋め込まれる。リード１１の上面および裏面は、部分的に底部１２Ａから露出している。リード１１の上面は、底部１２Ａから内部空間２７に露出して、載置予定の半導体素子等と電気的に接続される。また、リード１１の下部に設けた露出部２４Ａおよび２４Ｂは、底部１２Ａから外部に露出する。ランド１６については、表面のほぼ全域が底部１２Ａから露出し、裏面は部分的に底部１２Ａから外部に露出している。
【００５０】
本工程に於いては、リード１１の先端部付近に露出部２４Ｂを設けることで、リード１１の表面に絶縁性樹脂２６が付着することを抑止している。具体的には、本工程に於いては、リードの上面は上金型に当接される。更に、リード１１の先端部付近に設けた露出部２４Ｂは、下金型に当接される。従って、リード１１の先端部は、下金型および上金型により厚み方向に押圧されているので、リード１１と上金型との間に絶縁性樹脂２６が進入することにより発生する樹脂バリが抑制されている。また、樹脂バリが発生した場合でも、その量は微量であるので、高圧洗浄により容易に樹脂バリを除去することができる。本工程では、熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドまたは、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドが行われる。
【００５１】
本工程が終了した後に、ランド１６およびリード１１の露出面をメッキ膜により被覆する。本工程に於いては、リードフレームに形成された各ユニットのリード１１およびランド１６は、全てが電気的に接続されている。従って、各ランド１６およびリード１１に対して容易に電解メッキ処理を行うことができる。具体的には、リード１１およびランド１６の露出面は、ニッケル（Ｎｉ）膜およびその上面に形成された金（Ａｕ）膜により被覆され、ボンディング性が向上されている。
【００５２】
次に、図６を参照して、各ユニット３２に半導体素子１３Ａ等の回路素子を実装する。図６（Ａ）はユニット３２を拡大した図である。図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００５３】
図６（Ａ）を参照して、半導体素子１３Ａはランド１６上に固着される。半導体素子１３Ａの表面に形成された電極とリード１１とは、金属細線１４を介して電気的に接続されている。更にチップ素子１３Ｂは、ロウ材を介してパッド１７に固着されている。
【００５４】
図６（Ｂ）および図６（Ｃ）を参照して、半導体素子１３Ａは、ランド１６の上面に接着剤１９を介して固着されている。ここで、接着剤１９としては、ダイボンディングを行う工程において液化しないものが好ましい。仮にダイボンディングに液化してしまう接着剤を使用した場合を考えると、液化した接着剤が連通孔１８Ｂを塞いでしまう恐れがある。接着剤１９としては、ダイボンディング時に加熱された際にも液化しないフィルム状のダイアタッチシートが好適である。また、ダイボンディング時の温度状況下において液化しない接着剤であれば、ダイアタッチシート以外の接着剤を用いることも可能である。ここで半導体素子１３としては、光の発光また受光を行う光半導体素子を採用することが出来る。
【００５５】
金属細線１４を形成する際に、リード１１の先端部付近に設けられた露出部２４Ｂは、作業台に当接する。従って、作業台に露出部２４Ｂが当接することにより、リード１１の先端部の位置は固定されるので、金属細線１４をリード１１の上面に接続する際の超音波エネルギーは分散されない。このことから、リード１１と金属細線１４との接続信頼性を向上させることができる。
【００５６】
次に、図７を参照して、各ユニット３２に蓋部１５を接着することにより、筐体１２の開口部を塞ぐ。図７（Ａ）はユニット３２を拡大した図である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００５７】
蓋部１５としては、半導体素子１３が受発光する光に対して透明性を有する材料（例えばガラス）を採用することができる。また、半導体素子１３が光半導体素子でなければ、遮光性の材料から成る蓋部１５が採用されても良い。蓋部１５は、接着剤を介して筐体１２の上部に接着される。
【００５８】
蓋部１５の接着が終了した後は、一点鎖線で示す分割線Ｌ１にて各ユニット３２を分割することにより、各回路装置を得る。この分離は、ダイシングまたはレーザーを用いた分離方法により行うことが出来る。また、ダイシング等により分割される部分のリード１１は、ハーフエッチング加工により厚みが薄くなっているので、分割時に於けるバリの発生が抑制されている。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の回路装置を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置を説明する平面図である。
【図３】本発明の回路装置を説明する断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】従来の回路装置を説明する図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０                  回路装置
１１                  リード
１２                  筐体
１３                  半導体素子
１４                  金属細線
１５                  蓋部
１６                  ランド
１７                  パッド
１８Ａ                溝部
１８Ｂ                連通孔
１９                  接着剤
２０                  実装基板
２１                  導電路
２２                  接続電極
２３Ａ                第1のパッド
２３Ｂ                第２のパッド
２４Ａ                第1の端子部
２４Ｂ                第２の端子部
２５                  吊りリード
２６                  絶縁性樹脂
２７                  内部空間
２８                  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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