(57)【要約】【課題】処理室内へ液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、液体原料を収容する液体原料タンクとを備えた基板処理装置であって、液体原料が人体・環境に与える悪影響を抑え、処理される基板の性能を安定させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内へ液体原料を気化させたガスを供給する供給ライン２３２ｂと、液体原料を収容する液体原料タンク２６０とを備えた基板処理装置であって、供給ライン２３２ｂは、少なくともフレキシブル配管２７４と第１と第２の短配管とを含み、フレキシブル配管２７４と第１の短配管２７２との間には閉塞手段２７３と第１の配管接続手段２７７、２７８が、第１の短配管２７２と第２の短配管２７９との間には第２の配管接続手段２７５、２７６が、それぞれ設けられ、第２の短配管２７９は液体原料タンク２６０に接続されている。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する空間を提供する処理室と、
前記処理室内へ所望の液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、
前記液体原料を収容する液体原料タンクと、を備えた基板処理装置であって、
前記供給ラインは、少なくともフレキシブル配管と第１と第２の短配管とを含み、
前記フレキシブル配管と前記第１の短配管との間には閉塞手段と第１の配管接続手段が、前記第１の短配管と前記第２の短配管との間には第２の配管接続手段が、それぞれ設けられ、
前記第２の短配管は前記液体原料タンクに接続されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、Ｓｉ半導体デバイスを製造する際に用いられる、ＡＬＤ（Atomic layer Deposition）法による成膜を行う成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
まず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法の中の１つであるＡＬＤ法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【０００３】
即ち、例えばＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）膜を形成する場合には、ＡＬＤ法を用いて、ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ３）３、トリメチルアルミニウム）とＯ３（オゾン）とを交互に供給することにより２５０〜４５０℃の低温で高品質の成膜が可能である。このように、ＡＬＤ法では、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給することによって成膜を行う。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、成膜処理を２０サイクル行う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようにＴＭＡ等の液体原料を使用する場合に、液体材料を液体原料タンクに保留し、適宜、液体材料を気化させ、処理室内に導入し、所望の薄膜を生成する成膜装置においては、液体材料の消費による残量不足時や液体原料タンク性能が劣化した時には、液体原料タンク交換が必要となる。
【０００５】
液体原料タンク交換時は、装置側配管と液体原料タンク側配管を切り離すが、切り離した配管の端部が大気開放される。
大気開放された配管内に液体材料が残っていると、液体材料やその気化ガスが放出されたり、配管内に液体材料と大気成分との反応物が発生する可能性がある。
液体材料やその気化ガス及びその反応物は、人体や周辺環境に悪影響を与えることがある。
又、反応物は除去し難い場合があり、完全に除去できない状態で再び液体原料タンクを取付し、装置を運用すると、残った反応物が、装置で処理される半導体デバイスの性能に悪影響を与える。
【０００６】
これらの悪影響を避けるため、液体原料タンク交換の前に、大気開放される配管内を洗浄し、液体材料の除去を行っている。
洗浄方法としては、溶剤で洗い流したり、不活性ガスなどで置換と減圧排気を繰り返す手段が一般的である。
【０００７】
ところで、液体原料タンク側の配管と装置側の配管が供にハード配管であると、液体原料タンクの設置位置に再現性が必要になり、液体原料タンク脱着を繰返して行うことが困難である。
【０００８】
そこで、図７に示すように、一方の配管をフレキシブル配管２７４にすることで、液体原料タンクの脱着を容易に繰返して行えるようになる。すなわち、液体原料タンク２６０に接続されているハード配管２７９の直上にバルブ２７１を取り付け、バルブ２７１の直上にフレキシブル配管２７４を継ぎ手２７６を介して取り付け、フレキシブル配管２７４の直上にバルブ２７３を継ぎ手２７７を介して取り付けている。なお、液体原料タンクを取り外す場合には、バルブ２７１、２７３を閉じた状態で、継ぎ手２７６を取り外す。
【０００９】
しかし、フレキシブル配管は、ハード配管と比較すると、内表面積が大きく、配管内の流れ分布として、よどみ点が形成され易く、洗浄し難いといった欠点がある。
【００１０】
現状、タンク側配管と装置側配管の接続箇所にフレキシブル配管２７４を用いることで、液体原料タンク２６０の脱着の容易性を得ている一方で、念入りな配管洗浄が必要なため、維持コストが高くなるだけでなく、洗浄不足にもなり易く、洗浄不足な状態で、図８に示すように、配管が大気開放されると、フレキシブル配管２７４も大気解放されることになり、残留物放出や反応物発生が起き易く、人体・環境及び当該装置で処理される半導体デバイスの性能に悪影響を与えている。
【００１１】
従って、本発明の主な目的は、処理室内へ液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、液体原料を収容する液体原料タンクとを備えた基板処理装置であって、液体原料が人体・環境に与える悪影響を抑え、処理される基板の性能を安定させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、
基板を処理する空間を提供する処理室と、
前記処理室内へ所望の液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、
前記液体原料を収容する液体原料タンクと、を備えた基板処理装置であって、
前記供給ラインは、少なくともフレキシブル配管と第１と第２の短配管とを含み、
前記フレキシブル配管と前記第１の短配管との間には閉塞手段と第１の配管接続手段が、前記第１の短配管と前記第２の短配管との間には第２の配管接続手段が、それぞれ設けられ、
前記第２の短配管は前記液体原料タンクに接続されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、処理室内へ液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、液体原料を収容する液体原料タンクとを備えた基板処理装置であって、液体原料が人体・環境に与える悪影響を抑え、処理される基板の性能を安定させることができる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
【００１５】
図１は、本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図２は本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。図３は、本実施例の基板処理装置における縦型基板処理炉のノズル２３３を説明するための図であり、図３Ａは概略図であり、図３Ｂは図３ＡのＡ部の部分拡大図である。
【００１６】
加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、さらにその下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、マニホールド２０９、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成している。また、反応管２０３、マニホールド２０９及びシールキャップ２１９により処理室２０１を形成している。マニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。
【００１７】
反応管２０３の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間は気密にシールされている。
【００１８】
シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、石英キャップ２１８はボート２１７を保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００１９】
処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ、２３２ｂは、マニホールド２０９の下部を貫通して設けられており、ガス供給管２３２ｂは、処理炉２０２内でガス供給管２３２ａと合流して、２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが一本の多孔ノズル２３３に連通している。ノズル２３３は、処理炉２０２内に設けられており、ガス供給管２３２ｂから供給されるＴＭＡの分解温度以上の領域にその上部が延在している。しかし、ガス供給管２３２ｂが、処理炉２０２内でガス供給管２３２ａと合流している箇所は、ＴＭＡの分解温度未満の領域であり、ウエハ２００およびウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域である。ここでは、第１のガス供給管２３２ａからは、流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する処理炉２０２内に設置された多孔ノズル２３３を通して、処理炉２０２に反応ガス（Ｏ３）が供給され、第２のガス供給管２３２ｂからは、流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２５２、ＴＭＡ容器２６０、及び開閉弁である第３のバルブ２５０を介し、先に述べた多孔ノズル２３３を介して処理炉２０２に反応ガス（ＴＭＡ）が供給される。ＴＭＡ容器２６０からマニホールド２０９までのガス供給管２３２ｂには、ヒータ３００が設けられ、ガス供給管２３２ｂを５０〜６０℃に保っている。
【００２０】
ガス供給管２３２ｂには、不活性ガスのライン２３２ｃが開閉バルブ２５３を介して第３のバルブ２５０の下流側に接続されている。また、ガス供給管２３２ａには、不活性ガスのライン２３２ｄが開閉バルブ２５４を介して第１のバルブ２４３ａの下流側に接続されている。
【００２１】
処理炉２０２はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により第４のバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。尚、この第４のバルブ２４３ｄは弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【００２２】
ノズル２３３が、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル２３３には複数のガスを供給する供給孔であるガス供給孔２４８ｂが設けられている。
【００２３】
反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００２４】
制御手段であるコントローラ１２１は、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２５２、２５０、２４３ｄ、バルブ２５３、２５４、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構に接続されており、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂの流量調整、第１〜第３のバルブ２４３ａ、２５２、２５０、バルブ２５３、２５４の開閉動作、第４のバルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御が行われる。
【００２５】
次に、図４、図５を参照して、本実施例の基板処理装置の液体原料タンク周辺の配管接続状態を説明する。図４は、本実施例の基板処理装置の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す図であり、図５は、本実施例の基板処理装置の液体原料タンクを切り離した場合の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す概略縦断面図図である。
【００２６】
液体原料タンク２６０に接続されているハードな短配管２７９の直上に継ぎ手２７５を介してバルブ２７１を取り付け、バルブ２７１の直上に継ぎ手２７６を介してハードな短配管２７２を取り付け、短配管２７２の直上に継ぎ手２７７を介してバルブ２７３を取り付け、バルブ２７３の直上に継ぎ手２７８を介してフレキシブル配管２７４を取り付けている。
【００２７】
液体原料タンク２６０には液体原料（本実施例ではＴＭＡ）が収容され、液体原料タンク２６０からは処理室２０１内へ液体原料を気化させたガスが供給される。
【００２８】
液体原料タンクを取り外す場合には、バルブ２７１、２７３を閉じた状態で、継ぎ手２７６を取り外す（図５参照）。
【００２９】
本実施例では、液体原料タンク２６０のタンク側配管と基板処理装置側配管の接続箇所には、ストレートのハードの短配管２７２を用い、よどみ点が形成され難い構造としている。さらに、その長さをタンク交換時の作業を阻害しない最短長さとすることで、洗浄範囲（大気解放範囲２８０）であるハード短配管２７２内の表面積・体積も抑えている。
【００３０】
これにより、洗浄時、ハード短配管２７２の内部に残留物が残り難くでき、タンク交換時に、ハード配管２７２の内部が大気開放されても、残留物放出や反応物発生の可能性を低減できる。また、洗浄範囲を抑えているので、溶剤使用量や洗浄所要時間を抑制でき、洗浄コストを低減できる。
【００３１】
なお、バルブ２７３の直上にフレキシブル配管２７４を取り付けているので、フレキシブル配管２７４の取り付け位置は、取液体原料タンク２６０側配管と基板処理装置側配管の接続箇所を避けており、液体原料タンクを取り外す場合でも大気解放されないので、洗浄する必要がない。その一方で、フレキシブル配管２７４を使用することにより、従来の構造で得られていたタンク交換作業の容易性も確保している。
【００３２】
このように、本実施例によれば、人体・環境に与える悪影響を抑え、処理される半導体ウエハ等の基板の性能が安定した基板処理装置が提供され、この基板を使用した半導体デバイスの特性も優れたものが得られる。
【００３３】
次にＡＬＤ法による成膜例として、ＴＭＡ及びＯ３ガスを用いてＡｌ２Ｏ３膜を成膜する場合を説明する。
まず成膜しようとする半導体シリコンウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００３４】
［ステップ１］
ステップ１では、Ｏ３ガスを流す。まず第１のガス供給管２３２ａに設けた第１のバルブ２４３ａ、及びガス排気管２３１に設けた第４のバルブ２４３ｄを共に開けて、第１のガス供給管２３２ａから第１のマスフローコントローラ２４３ａにより流量調整されたＯ３ガスをノズル２３３のガス供給孔２４８ｂから処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１から排気する。Ｏ３ガスを流すときは、第４のバルブ２４３ｄを適正に調節して処理炉２０２内圧力を１０〜１００Ｐａとする。第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御するＯ３の供給流量は１０００〜１００００ｓｃｃｍである。Ｏ３にウエハ２００を晒す時間は２〜１２０秒間である。このときのヒータ２０７温度はウエハの温度が２５０〜４５０℃になるよう設定してある。
【００３５】
同時にガス供給管２３２ｂの途中につながっている不活性ガスのライン２３２ｃから開閉バルブ２５３を開けて不活性ガスを流すとＴＭＡ側にＯ３ガスが回り込むことを防ぐことができる。
【００３６】
このとき、処理炉２０２に内に流しているガスは、Ｏ３とＮ２、Ａｒ等の不活性ガスのみであり、ＴＭＡは存在しない。したがって、Ｏ３は気相反応を起こすことはなく、ウエハ２００上の下地膜と表面反応する。
【００３７】
［ステップ２］
ステップ２では、第１のガス供給管２３２ａの第１のバルブ２４３ａを閉めて、Ｏ３の供給を止める。また、ガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄは開いたままにし真空ポンプ２４６により、処理炉２０２を２０Ｐａ以下に排気し、残留Ｏ３を処理炉２０２から排除する。また、この時には、Ｎ２等の不活性ガスを、Ｏ３供給ラインである第１のガス供給管２３２ａおよびＴＭＡ供給ラインである第２のガス供給管２３２ｂからそれぞれ処理炉２０２に供給すると、残留Ｏ３を排除する効果が更に高まる。
【００３８】
［ステップ３］
ステップ３では、ＴＭＡガスを流す。ＴＭＡは常温で液体であり、処理炉２０２に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法、キャリアガスと呼ばれる窒素や希ガスなどの不活性ガスをＴＭＡ容器２６０の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理炉へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。まずキャリアガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２５２、ＴＭＡ容器２６０と処理炉２０２の間に設けられたバルブ２５０、及びガス排気管２３１に設けた第４のバルブ２４３ｄを共に開けて、キャリアガス供給管２３２ｂから第２のマスフローコントローラ２４１ｂにより流量調節されたキャリアガスがＴＭＡ容器２６０の中を通り、ＴＭＡとキャリアガスの混合ガスとして、ノズル２３３のガス供給孔２４８ｂから処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１から排気する。ＴＭＡガスを流すときは、第４のバルブ２４３ｄを適正に調整して処理炉２０２内圧力を１０〜９００Ｐａとする。第２のマスフローコントローラ２４１ａで制御するキャリアガスの供給流量は１００００ｓｃｃｍ以下である。ＴＭＡを供給するための時間は１〜４秒設定する。その後さらに吸着させるため上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を０〜４秒に設定しても良い。このときのウエハ温度はＯ３の供給時と同じく、２５０〜４５０℃である。ＴＭＡの供給により、下地膜上のＯ３とＴＭＡとが表面反応して、ウエハ２００上にＡｌ２Ｏ３膜が成膜される。
【００３９】
同時にガス供給管２３２ａの途中につながっている不活性ガスのライン２３２ｄから開閉バルブ２５４を開けて不活性ガスを流すとＯ３側にＴＭＡガスが回り込むことを防ぐことができる。
【００４０】
成膜後、バルブ２５０を閉じ、第４のバルブ２４３ｄを開けて処理炉２０２を真空排気し、残留するＴＭＡの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはＮ２等の不活性ガスを、Ｏ３供給ラインである第１のガス供給管２３２ａおよびＴＭＡ供給ラインである第２のガス供給管２３２ｂからそれぞれ処理炉２０２に供給すると、さらに残留するＴＭＡの成膜に寄与した後のガスを処理炉２０２から排除する効果が高まる。
【００４１】
上記ステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ２００上に所定膜厚のＡｌ２Ｏ３膜を成膜する。
【００４２】
処理炉２０２内を排気してＯ３ガスを除去しているからＴＭＡを流すので、両者はウエハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＴＭＡは、ウエハ２００に吸着しているＯ３とのみ有効に反応させることができる。
【００４３】
また、Ｏ３供給ラインである第１のガス供給管２３２ａおよびＴＭＡ供給ラインである第２のガス供給管２３２ｂを処理炉２０２内で合流させることにより、ＴＭＡとＯ３をノズル２３３内でも交互に吸着、反応させて堆積膜をＡｌ２Ｏ３とすることができ、ＴＭＡとＯ３を別々のノズルで供給する場合にＴＭＡノズル内で異物発生源になる可能性があるＡｌ膜が生成するという問題をなくすることができる。Ａｌ２Ｏ３膜は、Ａｌ膜よりも密着性が良く、剥がれにくいので、異物発生源になりにくい。
【００４４】
次に、図６を参照して、本発明が好適に適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【００４５】
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取り付けられている。また、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００４６】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００４７】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウエハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０℃回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。
【００４８】
カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。
【００４９】
カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。
【００５０】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。
【００５１】
ウエハ２００への処理が完了すると、ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
前記カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例の基板処理装置における縦型基板処理炉の概略縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例の基板処理装置における縦型基板処理炉の概略横断面図である。
【図３】本発明の一実施例の基板処理装置における縦型基板処理炉のノズル２３３を説明するための図であり、図３Ａは概略図であり、図３Ｂは図３ＡのＡ部の部分拡大図である。
【図４】本発明の一実施例の基板処理装置の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施例の基板処理装置の液体原料タンクを切り離した場合の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す概略縦断面図図である。
【図６】本発明の一実施の形態の基板処理装置を説明するための概略斜示図である。
【図７】従来の基板処理装置の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す図である。
【図８】従来の基板処理装置の液体原料タンクを切り離した場合の液体原料タンク周辺の配管接続状態を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１２１…コントローラ
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２０９…マニホールド
２１７…ボート
２１８…石英キャップ
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２３１…ガス排気管
２３２ａ…第１のガス供給管
２３２ｂ…第２のガス供給管
２３２ｃ…不活性ガスライン
２３２ｄ…不活性ガスライン
２３３…ノズル
２４１ａ…第１のマスフローコントローラ
２４１ｂ…第２のマスフローコントローラ
２４３ａ…第１のバルブ
２４３ｄ…第４のバルブ
２４６…真空ポンプ
２４８ｂ…ガス供給孔
２５０…第３のバルブ
２５１…ヒータベース
２５２…第２のバルブ
２５３…バルブ
２５４…バルブ
２６０…液体原料保留タンク（ＴＭＡ容器）
２６７…ボート回転機構
３００…ヒータ
２７１…バルブ（タンク側）
２７２、２７９…ハード配管
２７３…バルブ（装置側）
２７４…フレキシブル配管
２７５、２７６、２７７、２７８…継ぎ手
２８０、２８１…大気開放範囲（斜線部）
【図１】
2007088166.tif 000003
【図２】
2007088166.tif 000004
【図３】
2007088166.tif 000005
【図４】
2007088166.tif 000006
【図５】
2007088166.tif 000007
【図６】
2007088166.tif 000008
【図７】
2007088166.tif 000009
【図８】
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