(57)【要約】【課題】  常圧、低温プロセスが可能で、低コストで樹脂基板への有機半導体層の成膜が可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】  平均粒径が５０ｎｍ〜５００μｍの液滴状の有機半導体材料を基板上に噴射することにより、有機半導体膜を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が５０ｎｍ〜５００μｍの液滴状の有機半導体材料を基板上に噴射することにより、有機半導体膜を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
有機半導体膜を形成する基板の材料が樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
有機半導体材料の重量平均分子量が５０００以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
有機半導体材料がπ共役複素環の連結により構成される化合物であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
有機半導体材料の基板への供給前に、該基板表面の水素結合性を低下させる処理を施すことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
基板表面の接触角が８０度以上１２０度以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
有機半導体材料の基板への供給が１ｋＰａ以上の圧力雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
有機半導体材料の基板への供給がノズルからの射出により実施されることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
有機半導体材料を基板へ供給するノズルの温度が４００℃以下であり、かつ基板温度が３００℃以下であることを特徴とする請求項８に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
有機半導体材料をノズルから基板に供給する際のキャリアガスが不活性ガスまたは窒素であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機薄膜トランジスタの製造方法に関し、特にトライプロセスによる有機薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタの製造方法としては、大きく分けてドライプロセスとウェットプロセスによる方法が知られている。
【０００３】
ドライプロセスとしては、マスク材料を介して、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などにより製造する方法が知られており、ウエットプロセスとしては、マスク材料を介して、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法や、マスク材料を用いず特定の位置に目的の層を形成する方法として印刷法やインクジェット法と言った種々の方法が用いられてきている。
【０００４】
最近、気相法による基板への成長方法として、有機半導体材料としてペンタセンを用いた樹脂基板への成長の報告がされている（非特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、この方法では、有機半導体材料が高融点であるため樹脂基板上への成膜の際に熱による基板の収縮が起こりパターニングの位置精度が悪いという問題があった。
【０００６】
一方、溶液プロセスによる有機半導体層や電極材料の形成方法として、絶縁膜表面を撥水等のパターニング処理を行った後、その上に溶剤に溶解した有機半導体材料を塗布する溶液プロセスによる有機半導体層の形成方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかしながらこの方法では、表面の濡れ性の関係から塗布に用いられる溶媒の種類が限定されること、さらにその中から有機半導体材料を溶解する溶媒を選択するとなると更に限定されることになり、溶媒の選択が難しいという問題があった。
【特許文献１】米国特許第６，０８７，１９６号明細書
【非特許文献１】Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ，２００４，１６，Ｎｏ，８，Ａｐｒｉｌ  １９（Ｋｙｕｎｇ  Ｈｅｅ  Ｕｎｉｖ．）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は目的は、大きな真空装置や大きなエネルギーを用いることなく、又、溶剤等のの依存性がなく、常圧、低温プロセスが可能で、低コストで樹脂基板への有機半導体層の成膜が可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の構成により解決することができた。
【００１０】
（請求項１）
平均粒径が５０ｎｍ〜５００μｍの液滴状の有機半導体材料を基板上に噴射することにより、有機半導体膜を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１１】
（請求項２）
有機半導体膜を形成する基板の材料が樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１２】
（請求項３）
有機半導体材料の重量平均分子量が５０００以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１３】
（請求項４）
有機半導体材料がπ共役複素環の連結により構成される化合物であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１４】
（請求項５）
有機半導体材料の基板への供給前に、該基板表面の水素結合性を低下させる処理を施すことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１５】
（請求項６）
基板表面の接触角が８０度以上１２０度以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１６】
（請求項７）
有機半導体材料の基板への供給が１ｋＰａ以上の圧力雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１７】
（請求項８）
有機半導体材料の基板への供給がノズルからの射出により実施されることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１８】
（請求項９）
有機半導体材料を基板へ供給するノズルの温度が４００℃以下であり、かつ基板温度が３００℃以下であることを特徴とする請求項８に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１９】
（請求項１０）
有機半導体材料をノズルから基板に供給する際のキャリアガスが不活性ガスまたは窒素であることを特徴とする請求項８又は９に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の方法により、低コストで、容易に樹脂基板への有機半導体層の成膜が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法について、図を持って説明する。
【００２３】
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法における製造装置の主要構成部分を示す図である。
【００２４】
図中、基板１はバックアップロール２で支持され矢印方向に連続搬送される。基板１の表面には既にゲート電極及びゲート絶縁層が形成されている。
【００２５】
噴射部１０には、導入管３とるつぼ４を有し、るつぼ４内には導入管３とを結合する連通管５を有し、るつぼ４内には有機半導体材料が充填されており、るつぼ４を加熱するヒータ６を備えている。不図示のキャリアガスボンベよりキャリアガスが導入管３をへてノズル７より噴射され、加熱され液状化した有機半導体材料の液滴が同伴され、バックアップロール２に支持された基板１の表面に形成されたゲート絶縁層の上に、有機半導体材料が沈着し有機半導体層９が成膜される。
【００２６】
噴射される有機半導体材料の液滴の平均粒径としては、５０ｎｍ〜５００μｍの範囲であることが必要である。粒径の測定としては、例えば、日本レーザー（株）社製Ｖｉｓｉ  Ｓｉｚｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍにより液滴の平均粒径を測定することが出来る。
【００２７】
続いて、後処理部８において、温度、圧力、蒸気圧等の環境条件をコントロースすることにより、成膜された有機半導体層９の膜物性を強化、安定化させることができる。
【００２８】
その後、ロールに巻き取って一度この工程を終了しても良く、また、更に次の工程、例えばソース電極、ドレイン電極の形成、保護層の形成等の工程を続けて行ってもよい。
【００２９】
ノズル７の先端部の形状は特に限定されないが、丸形、三角形、四角形、多角形、スリット状のものであっても良く、又それらがライン状に並べられたものであっても良い。
【００３０】
有機半導体材料を基板へ供給するノズルの温度が４００℃以下であることが好ましく、更には３００℃以下であることが好ましく、用いられる有機半導体材料の融点以上であることが好ましい。また、基板温度は３００℃以下であることが好ましく、用いられる基板のガラス転移温度以下であることが好ましい。
【００３１】
以下に、本発明の有機薄膜トランジスタを形成する材料について記す。
【００３２】
〈基板〉
本発明において基板は特に制限なはないが、樹脂材料、例えばプラスチックフィルムシートを好ましく用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。有機半導体材料の基板への供給前に、該基板表面の水素結合性を低下させる下記のような処理を施すことが好ましい。また基板表面の接触角は８０度以上１２０度以下であることが好ましい。
【００３３】
〈下引き層〉
本発明の有機薄膜トランジスタの基板の上には下引き層を有することが好ましく、無機酸化物および無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層およびポリマーを含む下引き層を有することが好ましい。
【００３４】
下引き層に含有される無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム，チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられる。また無機窒化物としては窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。
【００３５】
それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素である。
【００３６】
本発明において、無機酸化物および無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層は大気圧プラズマ法で形成されるのが好ましい。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。
【００３７】
ポリマーを含む下引き層に用いるポリマーとしては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニルとビニルアルコールの共重合体、部分加水分解した塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、塩素化ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のビニル系重合体、ポリアミド樹脂、エチレン−ブタジエン樹脂、ブタジエン−アクリロニトリル樹脂等のゴム系樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等を挙げることができる。
【００３８】
〈有機半導体材料〉
本発明に用いられる３００°以下の融点を有する有機半導体材料であればどのような構造を有するものであってもよいが、好ましくは重量平均分子量が５０００以下である次の様なものが挙げられる。
【００３９】
本発明の有機薄膜トランジスタに用いる有機半導体層の材料としては、π−共役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−置換アニリン）などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−置換カルバゾール）などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）などのポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノンなど）、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平１１−１９５７９０号に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【００４０】
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有する例えばチオフェン６量体であるα−セクシチオフェン、α，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
【００４１】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの２種以上を繰返し単位とし、且つ該繰返し単位の数ｎが４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎが２０以下が好ましい。
【００４２】
〈キャリアガス〉
上記３００°以下の融点を有する有機半導体材料を加熱し、同伴して基板表面に噴射するキャリアガスとしては、窒素や稀ガスと呼ばれる不活性ガスが好ましい。コストの面から窒素ガスが最も好ましい。
【００４３】
〈ゲート電極〉
本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。また、前述の電極材料を用いることもできる。形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００４４】
〈ゲート絶縁層〉
本発明の有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００４５】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００４６】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法である。
【００４７】
ゲート絶縁層が陽極酸化膜または該陽極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。
【００４８】
陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウムまたはタンタルなどを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限は無く、公知の方法を用いることができる。陽極酸化処理を行なうことにより、酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用いられる電解液としては、多孔質酸化皮膜を形成することができるものならばいかなるものでも使用でき、一般には、硫酸、リン酸、蓚酸、クロム酸、ホウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸等あるいはこれらを２種類以上組み合わせた混酸あるいそれらの塩が用いられる。陽極酸化の処理条件は使用する電解液により種々変化するので一概に特定し得ないが、一般的には、電解液の濃度が１〜８０質量％、電解液の温度５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜１００ボルト、電解時間１０秒〜５分の範囲が適当である。好ましい陽極酸化処理は、電解液として硫酸、リン酸またはホウ酸の水溶液を用い、直流電流で処理する方法であるが、交流電流を用いることもできる。これらの酸の濃度は５〜４５質量％であることが好ましく、電解液の温度２０〜５０℃、電流密度０．５〜２０Ａ／ｄｍ2で２０〜２５０秒間電解処理するのが好ましい。
【００４９】
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。
【００５０】
有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。
【００５１】
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜１μｍである。
【００５２】
ゲート絶縁層上に有機半導体を形成する場合、ゲート絶縁層表面に、任意の表面処理を施してもよい。シランカップリング剤、例えばオクタデシルトリクロロシラン、トリクロロメチルシラザン、ヘキサメチルジシラザンや、アルカンリン酸、アルカンスルホン酸、アルカンカルボン酸などの自己組織化配向膜が好適に用いられる。
【００５３】
また本発明の有機薄膜トランジスタ素子上には素子保護層を設けることも可能である。保護層としては前述した無機酸化物または無機窒化物等が挙げられ、上述した大気圧プラズマ法で形成するのが好ましい。これにより、有機薄膜トランジスタ素子の耐久性が向上する。
【実施例】
【００５４】
ＳｉＯ2基板にストライプ状の金属Ａｌのゲート電極を形成し、金属陽極酸化によりＡｌ2Ｏ3の膜厚２００ｎｍの絶縁膜を形成した。表面をオクタデシルトリクロロシラン溶液の浸積処理を行い、ゲート絶縁膜を形成した。この表面の水の接触角は約１００度であった。
【００５５】
次に、下記有機半導体材料〈１〉を用いて、各々クロロホルム、ジクロロベンゼン、トルエン、テトラヒドロフランの各１％溶液を調製し、前記ゲート絶縁膜上への有機半導体層の形成を行ったが、成膜は不可能であった。
【００５６】
【化１】
2007027534.tif 000003
【００５７】
実施例１
有機半導体材料として前記有機半導体材料〈１〉を用い、図１に示す噴射装置１０を用い、連続可撓性基板としてポリカーボネート基板を用い、キャリアガスとして窒素ガスを用い、液滴化して噴射し、前記ゲート絶縁膜上への有機半導体層の成膜を行った。液滴の平均粒径は１μｍであった。なお、この液滴の粒径測定は、日本レーザー（株）製Ｖｉｓｉ  Ｓｉｚｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍにより平均粒径を測定した。
【００５８】
成膜時のゲート絶縁膜の表面付近の温度は１８０℃であり、雰囲気圧力も６６．５ｋＰａであった。
【００５９】
有機半導体層の両端に金箔を押圧してソース及びドレイン電極を形成た。
【００６０】
得られた有機薄膜トランジスタのＦＥＴ特性を評価した。このときのチャネル長Ｌ＝３０μｍ、チャネル幅Ｗ＝１ｍｍであった。このトランジスタは、ｐ−チャネルエンハンスメント型ＦＥＴとして良好に動作し、飽和領域の移動度は、０．０５ｃｍ2／Ｖｓであった。
【００６１】
熱や折り曲げによる目立った性能劣化やサイズやパターニング位置の相違は認められなかった。
【００６２】
実施例２
基板として、ＳｉＯ2基板に変更した以外は実施例１と同様にして、有機半導体層の成膜を行った。成膜時のゲート絶縁膜の表面付近の温度は２００℃であり、雰囲気圧力も１００ｋＰａであった。更に、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを形成し、ＦＥＴ特性を評価した。このトランジスタは、ｐ−チャネルエンハンスメント型ＦＥＴとして良好に動作し、飽和領域の移動度は、０．０５ｃｍ2／Ｖｓであった。
【００６３】
比較例
真空蒸着装置を用いて、有機半導体材料〈１〉を１Ｐａ中２５０℃で加熱し、気化させてＳｉＯ2基板上に成膜した。その後、ソースドレイン電極を形成してトランジスタ性能を測定したところ、移動度０．０１ｃｍ2／Ｖ・ｓであった。この条件下で半導体分子は単分子状態で噴射されていることを確認されている。
【００６４】
本発明の方法により、溶液塗布では成膜出来ない有機半導体材料を、大がかりな真空装置を用いること無く、常圧近傍で、低温の簡便な方法により有機半導体層を形成することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法における製造装置の主要構成部分を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  基板
２  バックアップロール
３  導入管
４  るつぼ
５  連通管
６  ヒータ
７  ノズル
８  後処理部
１０  噴射部
【図１】
2007027534.tif 000004