(57)【要約】【課題】  ＴＦＴのリペアの際に開口を設けずに、光電変換素子の感度を低下させないようにすることを目的とする。【解決手段】  絶縁性基板上に、ＴＦＴと、ＴＦＴ上に配置された光電変換素子と、を備える電磁波検出装置において、光電変換素子上に、ＴＦＴの位置を示すための部材が配置されることを特徴とする。【選択図】  図１
2007027691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に、スイッチング素子と、
該スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、を備えた光電変換装置において、前記光電変換素子上に、前記スイッチング素子の位置を示すための部材が配置されることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有し、
前記部材の位置は、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ゲート電極に対応する上方に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項３】
前記部材は、絶縁性部材であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項４】
前記部材は、光透過性部材であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項５】
前記部材は、金属材料であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項６】
前記部材は、絶縁性の有機膜であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項７】
前記光透過性部材は、導電性部材であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波検出装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子はＴＦＴであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電磁波検出装置。
【請求項９】
絶縁性基板上に、スイッチング素子と、
該スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、を備え、
該光電変換素子上に、放射線を光に変換する波長変換体が設けられる放射線検出装置において、
前記光電変換素子と前記波長変換体との間に配置された前記スイッチング素子の位置を示すための部材が配置されることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１０】
前記光電変換素子は、ＭＩＳ型の光電変換素子であることを特徴とする請求項９に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記光電変換素子は、ＰＩＮ型の光電変換素子であることを特徴とする請求項９に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記波長変換体は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ３及びＣｓＩのうちのいずれか１つを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項９に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１４】
絶縁性基板上に配置されたＴＦＴと、
該ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、が形成される電磁波検出装置のレーザ加工方法において、
前記変換素子上に、前記ＴＦＴの位置を示すための部材を配置して、該部材をガイドとして利用することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項１５】
絶縁性基板上に配置されたＴＦＴと、
該ＴＦＴ上に配置された光を電気信号に変換するための光電変換素子と、
該光電変換素子上に放射線を光に変換する波長変換体が設けられる放射線検出装置のレーザ加工方法において、
前記光電変換素子上に、前記ＴＦＴの位置を示すための部材を配置して、該部材をガイドとして利用することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項１６】
絶縁基板上に配置されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法において、
前記変換素子上に前記スイッチング素子の位置を示すための部材を設ける工程と、
欠陥を有するスイッチング素子の前記部材を認識する工程と、
認識した前記部材にレーザを照射する工程とを有する電磁波検出装置のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法に関し、特に、欠陥を除去するセンサーアレイのリペアを容易にする電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法に関する。なお、本発明においては、可視光、赤外光、紫外光等の光及びＸ線、α線、β線、γ線等の放射線を電磁波に含めるものとする。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラス基板上に水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）などの非単結晶半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素子アレイを含む液晶表示装置や光センサーが多く作られている。
【０００３】
非単結晶半導体によって形成されたＴＦＴは、単結晶半導体のＭＯＳトランジスタと共通の駆動原理が適用でき、かつ、大面積に形成した場合でも特性が均一である。
また、非単結晶半導体を用いたスイッチング素子アレイは、光センサーにも応用されている。
【０００４】
非単結晶半導体である水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）は、可視光の５００ｎｍ〜６００ｎｍ程度に感度があり光電効果によって電荷を生成することができる。
【０００５】
このため、結晶シリコンと同じように非単結晶半導体からなるフォトダイオードなどの光センサーを作ることが可能である。
【０００６】
さらに、非単結晶半導体を用いた光センサーは、液晶ディスプレイのＴＦＴアレイ製造プロセスとほぼ同じあるため、ＴＦＴと光センサーを組み合わせた２次元センサーが容易に製造できる。
【０００７】
よって、非単結晶半導体を用いた光センサーアレイを用いれば、非常に大きな光センサーが作成できる。
【０００８】
このような大面積センサーをコピー機やドキュメントスキャナーといった紙媒体の電子化を行うためのセンサーに用いれば、縮小光学系やラインセンサーの走査が不要となり、原稿読み取り時間の短縮や画質の向上が可能である。
【０００９】
さらに、放射線を可視光に変換する蛍光体と組み合わせることで放射線撮像装置用の光（電磁波）センサーとして利用することができる。
【００１０】
アモルファスシリコンなどの非単結晶半導体は、結晶半導体よりもＸ線耐性が高く、また、大面積に均一に形成できるため、人体の撮影に必要な大きさのセンサーを容易に実現できる。
【００１１】
現在、ガラス基板などの絶縁性基板上にアモルファスシリコンなどの非単結晶半導体によって形成された光電変換素子とＴＦＴなどのスイッチング素子を組み合わせた画素を行と列に２次元配置した光電変換装置と、放射線を可視光に変換する蛍光体などの波長変換体を組み合わせた、デジタルＸ線撮像装置（放射線撮像装置）が実用化している。
【００１２】
図４は、デジタルＸ線撮像装置における撮像部を示す回路図である。
【００１３】
撮像部は、スイッチング素子としてＴＦＴ、光電変換素子としてＭＩＳ型光電変換素子を用いた画素を複数有し、２次元状に配置した光電変換装置３０７、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦを制御する駆動回路３０１、ＴＦＴから出力される電気信号を増幅するアンプ３０５を内蔵している信号増幅回路３０４、信号増幅回路からの信号をＡ／Ｄコンバータ３０６へ転送するまでの期間保持するサンプルホールド回路３０２、サンプルホールド回路３０２に保持された電気信号を、時系列的に読み出すマルチプレクサ回路３０３、マルチプレクサ回路から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ３０６、光電変換素子に、光電変換に必要な電圧を供給するセンサー電源３０８、ＴＦＴをＯＮするための電源（Ｖｃｏｍ）３０９、ＴＦＴをＯＦＦするための電源（Ｖｓｓ）３１０から構成されている。
【００１４】
また、光電変換に必要な電圧を供給するセンサー電源３０８は特許文献１に記載のように、ＭＩＳ型光電変換素子はリフレッシュを必要とするため、リフレッシュ用の電圧と、光電変換用の電圧の、複数の電圧源を備えている。
【００１５】
図４に図示した撮像部は、信号線を列方向の複数の画素と共有し、ゲート線を行方向の複数の画素と共有している。さらに、光電変換素子にバイアスを与えるためのバイアス線は全画素共通化されている。
また、実質二つの撮像部が設けられた形態となっており、各々独立して駆動することが可能となる。
さらに、駆動回路はゲート線の両端にある必要は無く、ゲート線の配線抵抗が十分小さいのであれば片側のみで構わない。
【００１６】
図５は、光電変換装置における１画素の断面構造を示す断面図である。
１画素は、スイッチング素子としてＴＦＴ、光電変換素子としてＭＩＳ型光電変換素子を用いたものであって、ＴＦＴは少なくともガラスなどの絶縁性の基板４０１上にアルミやアルミの合金で形成されるゲート電極３１５、ゲート電極上にあって、絶縁性の非単結晶半導体薄膜であるアモルファスシリコン窒化膜で形成される絶縁層４０２、非単結晶半導体である水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）で形成される半導体層４０３、半導体層とドレイン電極間ならびに半導体層とソース電極間とをオーミックコンタクトする目的で形成される負の伝導性をもつＮ＋型アモルファスシリコンで形成される不純物半導体層４０４、アルミやアルミの合金で形成されるソース電極４０５、ドレイン電極４０６から構成されている。
【００１７】
ＭＩＳ型光電変換素子４１７はＴＦＴが形成されたガラス基板等の絶縁性の基板４０１上に、アルミやアルミの合金で形成される下部電極層４０７、センサー下部電極層上にあって、絶縁性の非単結晶半導体薄膜であるアモルファスシリコン窒化膜で形成される絶縁層４０８、可視光を吸収し電荷を発生する非単結晶半導体であるａ−Ｓｉ：Ｈで形成される光電変換層４０９、バイアス線３１３から、光電変換層４０９への正孔の注入を阻止する目的で形成される負の伝導性をもつＮ＋型アモルファスシリコンで形成される不純物半導体層４１０、光電変換素子に必要な電圧を印加するための電極として機能する、ＩＴＯ等の透明電極で形成される上部電極層４１１、センサー電源３０８から、光電変換素子に電圧を供給しバイアスを与えるためのアルミやアルミの合金で形成されるバイアス線３１３から構成されている。
【００１８】
ここで、ＴＦＴとＭＩＳ型光電変換素子の層構成はほぼ同じであるから、同時に形成することで、プロセスを簡略化し歩留まりの向上、センサー製造コストの低減が可能となる。
【００１９】
また、ＴＦＴと、センサーを別々に形成しても構わない。
この場合、同時に形成するよりも製造プロセスは複雑化するが、各々の膜厚を目的に合った形で最適化することができるため、同時に形成するよりも性能が向上する。
【００２０】
近年、デジタルＸ線撮像装置は、画質や患者の被爆線量低減の観点からデジタルＸ線撮像装置の感度が重要視される。また、透視やＣＴといった長時間患者にＸ線を照射するアプリケーションへの応用するためには、１画素に占める光センサーの面積、つまり開口率をなるべく大きくし、センサー感度を向上することが必要となってくる。
【００２１】
開口率を大きくするためには、スイッチング素子を小さくすることや、光電変換素子とスイッチング素子及び各配線間のスペースを狭めるなど工夫がなされるが、この方法であると限界がある。
【００２２】
もっとも、有効な方法はスイッチング素子上に層間絶縁層を介して光電変換素子をオーバーラップするように形成する方法である。
こうすることで、開口率を飛躍的に大きくすることができる。
【００２３】
しかしながら、スイッチング素子の上に上記の層間絶縁層や光電変換素子等を形成すると、形成後にスイッチング素子の欠陥が発見された場合、スイッチング素子のリペアが不可能になるという問題がある。
【００２４】
ここで、リペアとは、欠陥を有するスイッチング素子の一部又は全部をレーザによって焼き切るなどの処理を行うことで、無害な状態にすることである。
【００２５】
例えば、スイッチング素子であるＴＦＴのソース−ドレイン電極間でショートが起きた場合、ＴＦＴのソース、ドレイン電極の両方をレーザでカットしＴＦＴそのものの機能を停止させる、などの処理を行うことである。
【００２６】
デジタルＸ線撮像装置において、上記リペアを行うことにより周囲の正常画素への影響を抑え画質の安定化が可能となる。現実には、Ｘ線撮像装置において、ＴＦＴにおける欠陥を零にすることは物理上困難であり、品質に問題ない数のリペアが行われるのが実状である。そこで欠陥を有するスイッチング素子にリペアを行わないと製品の歩留まりが低下しコストに大きな影響を及ぼす。
【００２７】
しかしながら、ＴＦＴなどのスイッチング素子上に層間絶縁層、光電変換素子などが形成された状態であると、デジタルＸ線撮像装置の光電変換装置では、光電変換素子の光電変換層の厚みが厚いうえ、金属材料からなる上部電極があるため、光電変換装置の上面からではスイッチング素子の正確な位置を確認することが困難となる。
【００２８】
このため欠陥を有するスイッチング素子のリペアを行う場合、比較的弱いレーザ照射などによって先に光電変換素子あるいは層間絶縁層などのスイッチング素子上方の構成要素を除去し、スイッチング素子を確認できる状態にした後、レーザでＴＦＴを焼き切る方法が考えられる。
【００２９】
この方法であるとスイッチング素子の正確な位置がわからない状態で上方の構成要素にレーザ照射を行うため、周囲の画素へダメージを与えること、作業工程が複雑になることなど、製造工程におけるタクトや歩留まりが必ずしも良いとは言えない。
【００３０】
このように、スイッチング素子上に光電変換素子を有する光電変換装置及びそれを用いた放射線撮像装置は、製造面での問題をクリアしなくては実用化が困難である。
【００３１】
現在用いられているレーザリペア装置は、図６に示すように約１０００ｎｍ〜約２００ｎｍのレーザ光を、特殊な顕微鏡によって集光し、レーザの集光面にある材料を蒸発又は昇華させるものである。
【００３２】
図６において、レーザリペア装置は、レーザ光源５０１と、反射光学系５０２と、縮小光学系／顕微鏡５０３と、スリット５０４と、ＣＣＤカメラ５０５と、試料５０６と、レーザ光５０７と、画像５０８とを備えている。
【００３３】
加工作業では、レーザを照射する顕微鏡の画像を観察しながら、加工面に焦点を合わせ、レーザを照射するのであるが、上記のように加工対象であるスイッチング素子が光電変換素子あるいは層間絶縁層の下にある場合では適切な位置に焦点を合わせることができない。
【００３４】
また、特許文献２には、スイッチング素子をリペアするための位置検出用部材として、スイッチング素子に応じた領域に開口を設ける技術が開示されている。
【００３５】
しかしながら、光電変換素子に開口を設けると、画素の開口率が低下し光電変換装置の感度が低下するという問題があった。
【特許文献１】特開平０９−２８８１８４号公報
【特許文献２】特開２００４−１７９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３６】
そこで、本発明は、ＴＦＴなどスイッチング素子のリペアの際に開口を設けずに、光電変換装置の感度を低下させないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、絶縁性基板と、絶縁基板上に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子上に配置された前記スイッチング素子の位置を示すための部材を含む電磁波検出装置である。
【００３８】
また、絶縁性基板と、絶縁基板上に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子上に配置された放射線を光に変換する波長変換体と、前記光電変換素子と前記波長変換体との間に配置された前記スイッチング素子の位置を示すための部材を含む放射線検出装置である。
【００３９】
また、絶縁性基板と、絶縁基板上に配置されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法は、前記変換素子上に前記スイッチング素子の位置を示すための部材を設ける工程と、欠陥を有するスイッチング素子の前記部材を認識する工程と、認識した前記部材にレーザを照射する工程とを含む。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、光電電磁波検出装置や、Ｘ線撮像装置などの放射線検出装置の２次元センサーにおいて、高感度化のためにＴＦＴ上に光電変換素子を形成した場合でも、センサーの感度を低下させずに、ＴＦＴのリペアが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。なお、本明細書において、光電変換素子は可視光、赤外光、紫外光等の光を電荷に変換するものに限定されるものではなく、外来する電磁波を電荷に変換するものも含むものとする。つまり、素子に入射されるものは光に限定されるものではなく、Ｘ線、α線、β線、γ線などの放射線を含む電磁波であればよい。さらに、光電変換は、可視光、赤外光、紫外光等の光を電荷に変換する現象に限定されるものではなく、外来するＸ線、α線、β線、γ線などの放射線を含む電磁波を電荷に変換する現象であるとする。
【００４２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態を示す図である。
【００４３】
図１は、本発明の第１の実施の形態のＸ線撮像装置における画素の正面図（図１（ａ））と断面図（図１（ｂ））を示したものである。図１では発明を説明する便宜上、Ｘ線を可視光等の光に変換する波長変換体としての蛍光体や、光電変換素子上の保護層や接着層は省いている。また、従来技術と同様の構成要素はその番号を同じにしており、詳細な説明は割愛する。
【００４４】
図１に示すように、本実施の形態は、絶縁性基板としてのガラス基板４０１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ４１６と、ＴＦＴ４１６上に光電変換素子４１７とが設けられている。
【００４５】
ＴＦＴ４１６は、ゲート電極３１５、ゲート絶縁層４０２、チャネル層４０３、Ｎ＋型アモルファスシリコン層４０４、ソース電極又はドレイン電極を構成する第１の主電極４０５、第２の主電極４０６などで形成されている。
【００４６】
また、光電変換素子４１７は、センサー下部電極層４０７、絶縁層４０８、光電変換層４０９、Ｎ＋型アモルファスシリコン層４１０、透明電極４１１、などで形成されている。
【００４７】
本実施の形態では図１（ｂ）の断面図に示すように、画素の開口率を向上させる目的でＴＦＴ４１６上に光電変換素子４１７を形成する際に、ＴＦＴ４１６と光電変換素子４１７との絶縁性確保、および表面平坦化のために有機材料からなる層間絶縁層７０１を用いている。
【００４８】
これは、ＴＦＴ４１６上にシリコン窒化膜などの無機の薄い絶縁層を介して光電変換素子４１７を形成した場合、光電変換素子４１７に印加する電圧によってＴＦＴ４１６が誤動作するのを回避するためである。また、光電変換素子４１７と信号線３１４間の容量が増大しノイズが増大するのを回避するためである。
【００４９】
有機絶縁膜の厚みは、誘電率によるが十分な絶縁性確保のためには数μｍ程度必要である。よって、非常に誘電率の低い絶縁材料があれば１μｍ以下であってもよい。
【００５０】
本実施の形態における光電変換素子４１７はＭＩＳ型光電変換素子である。
【００５１】
ＭＩＳ型光電変換素子は、蛍光体から照射される可視光を光電変換層４０９で受け、電荷に変換するものである。
【００５２】
このＭＩＳ型光電変換素子では、発生した電荷は光電変換層４０９と絶縁層４０８間に蓄積する。
【００５３】
電荷の読み出しは、ＴＦＴ４１６がＯＮした時、光電変換層４０９と絶縁層４０８間に蓄積した電荷と等量の電荷が信号線から流入することで行われる。
【００５４】
本実施の形態においてレーザリペアを行う際のガイドとなる、部材としてのマーカー９０１、９０２及び９０３は光電変換素子４１７の最上部に形成される。
【００５５】
マーカー９０１、９０２及び９０３の位置は、図１（ａ）で示すように、リペア時に加工する部分となるＴＦＴ４１６の第１の主電極４０５及び第２の主電極４０６及びゲート電極３１５に設けている。
【００５６】
この三つの電極のリペアによって、ＴＦＴ４１６をほかの配線から電気的に切断でき、ＴＦＴ４１６の不良による不具合を修正できる。
【００５７】
このマーカー９０１、９０２及び９０３に焦点を合わせレーザを照射することによって、正確にＴＦＴ４１６の各電極を加工することが可能である。
【００５８】
マーカー９０１、９０２及び９０３のパターンは、図１（ａ）に示す直線の他に、点又は点線でも良い。また、マーカー９０１、９０２及び９０３の長さ、幅、向きから三つの電極に対応する各マーカーの２つ以上を合わせたパターンでも良い。
【００５９】
さらに、９０１、９０２及び９０３をそれぞれつないだコの字型や、ＴＦＴの部分を囲むような、閉形状であっても構わない。
【００６０】
この場合、光電変換素子４１７上からマーカー９０１、９０２及び９０３を検知する場合に、マーカー９０１、９０２及び９０３のパターンが、光センサーアレイ上の少なくとも光電変換素子４１７上のマーカー９０１、９０２及び９０３が形成されていない部分とは異なるパターンであれば検知できる。
【００６１】
また、マーカー９０１、９０２及び９０３の色を検知しても良い。この場合、光電変換素子４１７上からのマーカー９０１、９０２及び９０３の検知は、検知可能な範囲内で、マーカー９０１、９０２及び９０３の色と光センサーアレイ上の少なくとも光電変換素子４１７上のマーカー９０１、９０２及び９０３が形成されていない部分とは、色相、色彩及び明度のうち少なくとも一つ以上が異なる特性であれば検知できる。
【００６２】
そして、マーカー９０１、９０２及び９０３のパターン、色の色相、色彩、明度及び高さのうち２以上を組み合わせて検知することが、マーカー９０１、９０２及び９０３を正確に検知するためには、より望ましい。
【００６３】
また、カメラ及び画像処理を行う回路やソフトウエアなどの手段を有して、パターン、（周辺と、色及び明度並びに高さの異なる部分）の形を自動認識し位置決めするレーザリペア装置であれば、このマーカー９０１、９０２及び９０３を認識させることで、位置決めの自動化が計れる。
【００６４】
本実施の形態におけるマーカー９０１、９０２及び９０３を形成するのに好適な材料は、不透明又は半透明の材料であって、導電性又は絶縁性の薄膜であれば良く、例えば、アルミニウムなどの金属のほかに、フォトレジスト、又は、アモルファスシリコン薄膜であってもよい。
【００６５】
また、光電変換素子４１７に到達する光をできるだけさえぎらないようにするため、マーカー９０１、９０２及び９０３は検知可能な範囲内でできるだけ細く薄いものが望ましい。さらには、半透明の材料であることが望ましい。
【００６６】
また、波長変換体としての蛍光体の材料は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ３及びＣｓＩのうちのいずれか１つを主成分とする材料からなることが好ましい。
【００６７】
なお、本実施形態において、ＴＦＴの各電極にあわせて３箇所にマーカーを設けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、少なくともひとつの電極に対応したマーカーが設けられていればよい。特に信号線３１４に接続される第２の主電極４０６に応じて設けられていることが望ましい。
【００６８】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施形態を示す図である。
図２は、本発明の第２の実施の形態のＸ線撮像装置における画素の正面図（図２（ａ））と断面図（図２（ｂ））を示したものである。図２では発明を説明する便宜上、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体や、光電変換素子上の保護層や接着層は省いている。
【００６９】
本実施の形態では、第１の実施の形態の場合と同一の機能を果たす箇所には、同一の符号を付してある。
本実施の形態では同様な構成で、開口率向上を図っている。
本実施の形態における光電変換素子はＰＩＮ型光電変換素子である。
【００７０】
ＰＩＮ型光電変換素子では、蛍光体から照射される可視光を光電変換層で受け、電荷に変換し、さらに発生した電荷は負のキャリアのみ導電できるＮ＋型アモルファスシリコン層を通ってＴＦＴのソース電極に形成される寄生容量に蓄積される。
【００７１】
電荷の読み出しは、ＴＦＴがＯＮした時、ソース電極に蓄積した電荷が信号線へ流入することで行われる。
【００７２】
本実施の形態においてもレーザリペアを行う際のガイドとなる、マーカー８０２は第２の実施の形態と同様、光電変換素子の最上部に形成される。
【００７３】
マーカーの位置は、図２（ａ）で示すように、リペア時に加工する部分となるＴＦＴの第１の主電極ならびに第２の主電極ならびにゲート電極に設けている。
【００７４】
この３つの電極のリペアによって、ＴＦＴをほかの配線から電気的に切断でき、ＴＦＴの不良による不具合を修正できる。
【００７５】
このマーカーに焦点を合わせレーザ照射を行うことで、正確にＴＦＴの各電極を加工することが可能である。
【００７６】
また、パターンを自動認識し位置決めするレーザリペア装置であれば、このマーカーを認識させることで、位置決めの自動化が計れる。
【００７７】
本実施の形態におけるマーカーを形成するのに好適な材料は、不透明又は半透明の材料であって、導電性又は絶縁性の薄膜であれば良く、例えば、アルミニウムなどの金属のほかに、フォトレジスト、又はアモルファスシリコン薄膜であってもよい。
【００７８】
また、光電変換素子に到達する光をできるだけさえぎらないようにするため、マーカーは細く薄いものが望ましい。さらには、半透明の材料であることが望ましい。
以上から、本発明は光電変換素子の形式に依らず適用可能である。
【００７９】
（第３の実施の形態）
図３は、本発明による放射線検出装置の一例としてのＸ線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００８０】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレーターを上部に実装したＸ線検出装置６０４０に入射する。
【００８１】
この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。
【００８２】
Ｘ線の入射に対応してシンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。
【００８３】
この情報はデジタル信号に変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００８４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。
【００８５】
また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００８６】
なお、本実施の形態では、放射線検出装置の検出対象をＸ線に限定しているが、これに限定されず、α線、β線、γ線等としてもよい。
【００８７】
なお、本発明は、放射線を直接電気信号に変換する直接変換型の放射線検出装置にも適用可能である。この場合、変換を行う半導体材料としては、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）又はＰｂＩ２、ＨｇＩ２及びＣｄＴｅが利用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明を用いることで、ＴＦＴの上部に、薄膜やセンサーを形成した場合でもＴＦＴのレーザリペアを正確に行うことができる。
【００８９】
よって、高精細、高輝度ディスプレイや高感度化のためにＴＦＴ上に光電変換素子を形成した２次元センサーの製造においての歩留まり向上や品質向上さらにはコストダウンの観点で利用可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す図である。
【図３】本発明による放射線検出装置の一例としてのＸ線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【図４】デジタルＸ線撮像装置における撮像部を示す回路図である。
【図５】２次元センサーにおける１画素の断面構造を示す断面図である。
【図６】レーザリペア装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９１】
１０１  ゲートドライバ
１０２  ソースドライバ
１０３  ゲート線
１０４  ソース線
１０５  ＴＦＴ
１０６  液晶
１０７  ガラス基板
２０１  ソース電極
２０２  ドレイン電極
２０３  画素電極
２０４  対向電極
２０５  チャネル層
２０６  絶縁層
２０７  Ｎ＋型アモルファスシリコン層
２０８  保護層
２０９  ガラス基板
２１０  対向基板
３０１  垂直駆動回路
３０２  サンプルホールド回路
３０３  マルチプレクサ回路
３０４  信号増幅回路
３０５  アンプ
３０６  Ａ／Ｄコンバータ
３０７  ２次元センサー
３０８  センサー電源
３０９  Ｖｃｏｍ
３１０  Ｖｓｓ
３１１  ＴＦＴ
３１２  光電変換素子
３１３  センサーバイアス
３１４  信号線
３１５  ゲート線
４０１  ガラス基板
４０２  ゲート絶縁層
４０３  チャネル層
４０４  Ｎ＋型アモルファスシリコン層
４０５  ソース電極
４０６  ドレイン電極
４０７  センサー下部電極層
４０８  絶縁層
４０９  光電変換層
４１０  Ｎ＋型アモルファスシリコン層
４１１  透明電極
４１２  保護層
４１３  接着層
４１４  蛍光体
４１５  蛍光体保護層
４１６  ＴＦＴ
４１７  ＭＩＳ型光電変換素子
５０１  レーザ光源
５０２  反射光学系
５０３  縮小光学系／顕微鏡
５０４  スリット
５０５  ＣＣＤカメラ
５０６  試料
５０７  レーザ光
５０８  画像
６０１  有機平坦化膜
６０２  マーカー
７０１  有機平坦化膜
７０２  マーカー
８０１  Ｎ＋型アモルファスシリコン層
８０２  Ｐ＋型アモルファスシリコン層
９０１  マーカー
１００１  チャネル保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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