(57)【要約】【課題】スペーサとして要求される機械強度と帯電が発生しにくい導電性を有するとともに、平面パネルディスプレイ駆動時の温度変化の影響を受けにくいスペーサ及び該スペーサを用いた平面パネルディスプレイを提供する。【解決手段】セラミック基材１０ａと、セラミック基材１０ａ表面に設けられた金属酸化物膜１０ｂとからなり、平面パネルディスプレイの電圧が印加される２枚の基板間に配置され耐気圧構造体として用いられるスペーサ１０において、セラミック基材１０ａは、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3（0≦x≦0.02、0.1≦y≦0.4）で表される材料からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基材と、該セラミック基材表面に設けられた金属酸化物膜とからなり、平面パネルディスプレイの電圧が印加される２枚の基板間に配置され耐気圧構造体として用いられるスペーサにおいて、
前記セラミック基材は、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3（0≦x≦0.02、0.1≦y≦0.4）で表される材料からなることを特徴とするスペーサ。
【請求項２】
前記セラミック基材の体積抵抗率が、１．７×１０5〜１×１０11Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。
【請求項３】
前記セラミック基材の２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）が５％以下であることを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。
【請求項４】
前記金属酸化物膜は、Ｃｒ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｏ酸化物から選ばれる少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。
【請求項５】
前記金属酸化物膜の厚さは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。
【請求項６】
電子放出素子を有するカソード基板と、透明基板上に前記電子放出素子に対向する蛍光体層とアノード電極を有するアノード基板とが、請求項１〜５のいずれか一に記載のスペーサを介して対向配置されてなることを特徴とする平面パネルディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子を放出する素子を用いて画像を表示する平面パネルディスプレイに用いられるスペーサ及び該スペーサを用いた平面パネルディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出(Field Emission)と呼ばれ、これによって電子を放出する素子は電界放出型素子(Field Emission Device)と呼ばれている。近年では、電界放出型の電子放出素子をエミッタとして用いたＦＥＤ(Field Emission Display)が注目されている。ＦＥＤは、多数の電子放出素子がカソード基板上に半導体加工技術等を駆使して形成された表示パネルを備えるフラットディスプレイ装置（平面パネルディスプレイ、平面型の表示装置）である。このＦＥＤでは、電気的に選択（アドレッシング）された電子放出素子から電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示している。
【０００３】
ＦＥＤの平面パネルディスプレイは、その構造上、カソード基板とアノード基板とを微小なギャップを介して対向状態に配置し、その間のギャップ空間部を真空状態に封止している。そのため、カソード基板やアノード基板が大気圧に耐えられるよう、それらの基板の間にスペーサを介装し、このスペーサで両基板を支持している。ＦＥＤに用いられるスペーサとしては、長尺の薄板状に形成されたものが知られている。スペーサはアノード基板に組み付けられる。スペーサの寸法は、例えば、高さ寸法が１〜２ｍｍで、厚み寸法が０．０５〜０．１ｍｍといった具合に非常にアスペクト比が高いものとなっている。
【０００４】
ここで、平面パネルディスプレイは内部を低圧状態にして作動する装置であり、内部の低圧状態（例えば大気圧より低い圧力）と外部の大気圧との間の圧力差によって生じる応力によって装置が破壊されるのをスペーサが装置内部から支持することにより防いでいる。また、外部からの衝撃によって生ずる応力にも対応する必要がある。そのため、スペーサにはある一定以上の機械強度が要求されている。
【０００５】
また一般に、ＦＥＤは、アノード電極に印加されるアノード電圧の違いによって高圧型と低圧型に大別される。高圧型ＦＥＤでは、実動作時に高圧のアノード電圧（数ｋＶ程度）が加えられるため、アノード電極とカソード電極との間の電位差が大きくなる。その際、アノード電極とカソード電極との間に介在するスペーサの電気的な抵抗値が低いと、その電極間でスペーサに流れる電流量が多くなり、ＦＥＤの消費電力が増える。そのため、スペーサ材料には、ある一定以上の高い抵抗率（比抵抗）が要求されている。
【０００６】
ところで、ＦＥＤでは蛍光体に衝突した電子の一部は該蛍光体から跳ね返るものがある。この跳ね返った電子がスペーサの表面（側面）に衝突すると、そこから二次電子が発生する。このとき、スペーサに衝突した電子の数とそこから発生した二次電子の数がアンバランスになると、スペーサの表面が正又は負に帯電し、周辺の電場が歪むため表示画像を乱す原因となっていた。またこれが原因でスペーサ近傍で放電が発生することがあり、ＦＥＤの表示パネルにダメージを与えることがあった。
【０００７】
その問題に対して、特許文献１では、スペーサ表面を酸化クロム、酸化銅、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される材料で被覆して、二次電子放出を低下させてスペーサ表面が帯電することを防止する技術が提案されている。
【０００８】
また、特許文献２では、遷移金属酸化物（例えば酸化鉄、チタニア、クロミア、酸化バナジウム、または酸化ニッケル）を電気絶縁性のセラミック（アルミナ等）に加えることによって、１０5乃至１０10Ωｃｍという所望の範囲の電気抵抗率を有するセラミックからなるスペーサとし、スペーサ表面が帯電することを防止する技術が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】特表平８−５０８８４６号公報
【特許文献２】特表平１１−５００８５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、これらの技術を採用したとしても、平面パネルディスプレイ駆動時にはパネルが発熱するためにその環境温度が変化し、その影響を受けてスペーサの抵抗値も変化して、種々の問題が発生した。具体的にはスペーサ表面の抵抗が低くなることで該スペーサに過剰に電流が流れ熱暴走を起こした。あるいはスペーサの抵抗値が高くなることで該スペーサが帯電し電子線の軌道を曲げて画像の歪みを発生させた。
【００１１】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、スペーサとして要求される機械強度と帯電が発生しにくい導電性を有するとともに、平面パネルディスプレイ駆動時の温度変化の影響を受けにくいスペーサ及び該スペーサを用いた平面パネルディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するために提供する本発明は、セラミック基材と、該セラミック基材表面に設けられた金属酸化物膜とからなり、平面パネルディスプレイの電圧が印加される２枚の基板間に配置され耐気圧構造体として用いられるスペーサにおいて、前記セラミック基材は、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3（0≦x≦0.02、0.1≦y≦0.4）で表される材料からなることを特徴とするスペーサである（請求項１）。
【００１３】
ここで、前記セラミック基材の体積抵抗率が、１．７×１０5〜１×１０11Ω・ｃｍであることが好ましい。
また、前記セラミック基材の２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）が５％以下であることが好適である。
【００１４】
また、前記金属酸化物膜は、Ｃｒ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｏ酸化物から選ばれる少なくとも１つの材料を含むことが好ましい。
さらに、前記金属酸化物膜の厚さは、１０ｎｍ以下であることが好適である。
【００１５】
また、前記課題を解決するために提供する本発明は、電子放出素子を有するカソード基板と、透明基板上に前記電子放出素子に対向する蛍光体層とアノード電極を有するアノード基板とが、請求項１〜５のいずれか一に記載のスペーサを介して対向配置されてなることを特徴とする平面パネルディスプレイである（請求項６）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のスペーサによれば、平面パネルディスプレイ用スペーサとして要求される機械強度と帯電が発生しにくい導電性を有するとともに、温度変化によっても抵抗値の変化が小さく平面パネルディスプレイ用途として好適なスペーサを提供することができる。
本発明の平面パネルディスプレイによれば、連続的に駆動しても安定して歪みのない画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明に係るスペーサの構成について説明する。
図１は、本発明に係るスペーサの構成を示す断面図である。
図１に示すように、スペーサ１０は、セラミック基材１０ａと、セラミック基材１０ａ表面に設けられた金属酸化物膜１０ｂとからなり、後述の平面パネルディスプレイの電圧が印加される２枚の基板（カソード基板１、アノード基板２）間に配置され耐気圧構造体として用いられるものであり、セラミック基材１０ａは、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3（0≦x≦0.02、0.1≦y≦0.4）で表される材料からなることを特徴とする。
【００１８】
また、スペーサ１０は、例えば厚み寸法が０．０５〜０．１ｍｍの薄板状をなすもので、側面から見ると横長の長方形に形成されていることが好適である。
【００１９】
ここで、セラミック基材１０ａの体積抵抗率が、１．７×１０5〜１×１０11Ω・ｃｍであることが好ましい。
【００２０】
また、セラミック基材１０ａの２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）が５％以下であることが好ましい。なお、抵抗温度依存性（ＴＣＲ）とは、体積抵抗率をＲ（Ω・ｍ）、対象物の絶対温度をＴ（Ｋ）としたときに、次式で表されるものである。
ＴＣＲ  ＝  （１／Ｒ）＊（ｄＲ／ｄＴ)  ・・・  （１）
【００２１】
ここで、抵抗温度依存性（ＴＣＲ）の算出は具体的には次のように行う。
まず、セラミックの体積抵抗率Ｒの温度依存性は、(２)式のようなアレニウスの式で近似できる。
Ｒ＝Ａ＊ｅｘｐ(Ｂ／Ｔ)  ・・・(２)
（Ｒ：体積固有抵抗、Ｔ：絶対温度（Ｋ）、Ａ,Ｂ：定数（なお、セラミックの抵抗は温度上昇に対して減少するので一般にＢは負の値である。））
そこで、（１）式は（２）式に基づいて、つぎのようになる。
ＴＣＲ＝(１／Ｒ)＊(ｄＲ／ｄＴ)＝Ｂ／Ｔ2  ・・・  （３）
【００２２】
一方、１／Ｔに対してＲ(測定値)をプロットしたグラフを（２）式に適応させれば、定数Ｂの値を求めることができる。あるいは、（２）式は、ｌｎ(Ｒ)＝Ｂ＊(１／Ｔ)＋ｌｎ（Ａ）となることから、１／Ｔに対してｌｎ(Ｒ)をプロットしたグラフの傾きをとって定数Ｂの値を求めてもよい。
【００２３】
最後に、（３）式より、得られた定数Ｂの値をＴ2で割ることでＴＣＲが算出される。なお、本発明では、定数Ｂを２９８2で割って、その算出値に１００を乗じ、２５℃(２９８Ｋ)におけるＴＣＲを％として表示している。
【００２４】
金属酸化物膜１０ｂは、スペーサ１０に入射してくる電子の衝突により発生する二次電子を抑制するものであり、二次電子係数が小さい（例えば２より小）材料からなることが好ましい。具体的には、Ｃｒ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｍｏ酸化物から選ばれる少なくとも１つの材料を含むこととよい。
【００２５】
また、スペーサ１０の帯電防止性能を発現させるために、金属酸化物膜１０ｂがセラミック基材１０ａの表面を完全には被覆せずセラミック基材１０ａがある程度露出しているほうがよく、その厚さは２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さ３０ｎｍ以上では不適である。
【００２６】
このスペーサ１０によれば、平面パネルディスプレイ用スペーサとして要求される機械強度と帯電が発生しにくい導電性を有するとともに、温度変化によっても抵抗値の変化が小さく平面パネルディスプレイ用途として好適なものとすることができる。
【００２７】
以上のようなスペーサ１０は、従来公知の技術により作製することが可能である。例えば、まずＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｌａ2Ｏ3各粉末を目標の組成比に対応させた量で混合した後、その混合粉末を加圧成形したものを加熱焼成して平板形状のセラミック基材１０とし、ついで該セラミック基材１０の両主面上にスパッタ法により金属酸化物膜１０ｂを成膜してスペーサ１０を完成すればよい。
【００２８】
次に、本発明に係る平面パネルディスプレイの構成ついて説明する。
図２は、本発明が適用される平面パネルディスプレイの一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図であり、図３はその表示パネルの構成を示す斜視図である。図２及び図３においては、平板状のカソード基板１と、同じく平板状のアノード基板２とを、所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら２つの基板１，２の間に長方形の枠体３を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００２９】
カソード基板１上には複数の電子放出部が形成されている。これら複数の電子放出部は、カソード基板１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出部は、カソード基板１のベースとなる絶縁性の支持基板（例えば、ガラス基板）４と、この支持基板４上に積層状態で順に形成されたカソード電極５、絶縁層６及びゲート電極７と、ゲート電極７及び絶縁層６に形成されたゲートホール８と、このゲートホール８の底部に形成された電子放出素子９とによって構成されている。
【００３０】
カソード電極５は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極７は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール８は、ゲート電極７に形成された第１の開口部８Ａと、この第１の開口部８Ａに連通する状態で絶縁層６に形成された第２の開口部８Ｂとから構成されている。電子放出素子９は、電子の放出源（エミッタ）となるもので、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を円錐状に形成した、いわゆるスピント型のエミッタ構造を有する。この電子放出素子９は、先ず、絶縁層６及びゲート電極７にそれぞれ開口部８Ａ，８Ｂを形成した状態でゲート電極７上に例えばアルミニウムの斜め蒸着によって剥離層（不図示）を形成し、次いで、エミッタ材料となる高融点金属（Ｍｏ等）を垂直に蒸着することでホール開口径を徐々に縮めてゲートホール８の底部にエミッタ材料を円錐状に堆積させ、その後、不要なエミッタ材料を剥離層と一緒に取り除くことにより得られるものである。
【００３１】
一方、アノード基板２は、ベースとなる透明基板（例えば、ガラス基板）１２と、この透明基板１２上に形成された蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４と、これら蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４を覆う状態で透明基板１２上に形成されたアノード電極１５とを備えて構成されている。蛍光体層１３は、赤色発光用の蛍光体層１３Ｒと、緑色発光用の蛍光体層１３Ｇと、青色発光用の蛍光体層１３Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス１４は、各色発光用の蛍光体層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの間に形成されている。アノード電極１５は、例えばアルミニウムによって構成されるもので、これは、カソード基板１の電子放出素子と対向するように、アノード基板２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００３２】
これらのカソード基板１とアノード基板２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソード基板１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図２は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図２及び図３においては、各々の基板１，２間のギャップ部分に介装される前述の真空耐圧用のスペーサ１０の表示を省略している。
【００３３】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極５に相対的な負電圧が走査回路１８から印加され、ゲート電極７には相対的な正電圧が制御回路１９から印加され、アノード電極１５にはゲート電極７よりも更に高い正電圧が加速電源２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、カソード電極５に走査回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極７に制御回路１９からビデオ信号を入力する。
【００３４】
これにより、カソード電極５とゲート電極７との間に電圧が印加され、これによって電子放出素子９の先鋭部に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出素子９から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極１５に引き付けられてアノード基板２側に移動し、透明基板１２上の蛍光体層１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層１３が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【００３５】
図４は、本発明のスペーサ１０の取付状態を示す一部破断部分を含む斜視図である。この図においては、カソード基板１とアノード基板２との対向部分（ギャップ空間部）に複数のスペーサ１０が介装されている。スペーサ１０は、真空容器を構成する表示パネルが大気圧の影響で変形したり破壊したりしないように支える真空耐圧用の支持部材となるもので、長尺の薄板状に形成されている。このスペーサ１０は、ＦＥＤの一連の製造プロセスのなかで、アノード基板２上に予め所定数のスペーサ１０を金属酸化物膜１０ｂの面が装置内部の空間領域に曝されるように組み付けて、カソード基板１とアノード基板２とをスペーサ１０を介して貼り合わせることにより、それらの基板１，２間に介装されるものである。
【００３６】
本発明の平面パネルディスプレイでは、このスペーサ１０が適正な機械強度を有することによりカソード基板１とアノード基板２とが安定して保持される。また、当該装置駆動時における温度上昇によってもこのスペーサ１０の抵抗値の変化が小さいことから、適度な絶縁性が維持されることにより該スペーサ１０に過剰電流が流れることがないとともに、帯電が防止され安定して歪みのない画像を表示することができる。
【実施例】
【００３７】
以下に、本発明のスペーサに関する実施例を説明する。
（実施例１）
以下の条件でスペーサ１０を構成するセラミック基材を作製した。
（Ｓ１１）ＢａＣＯ3粉末（昭和化学株式会社製、純度９９．９％）、ＴｉＯ2粉末（東邦チタニウム株式会社製、型番ＨＴ１３１１、純度９９．９％）について混合比を変化させて混合し、乾燥させた。
（Ｓ１２）ついで、この粉末混合物をライカイ機で粉砕した後、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）のバインダを加えて１ｔ／ｃｍ2で加圧成型した。
（Ｓ１３）ステップＳ１２の成型品について１３００℃、Ｏ2雰囲気下で加熱焼成して平板形状のセラミック基材サンプルとした。
【００３８】
図５に、得られたセラミック基材サンプルの気孔率を調べた結果を示す。この図は、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3において、ｙ＝０としたときのセラミック基材気孔率のｘ依存性を示している。
その結果、１＞１＋ｘ、１＋ｘ＞１．０２のときのセラミック基材は、気孔率が４％以上であるために、平面パネルディスプレイ用スペーサとしての強度を確保できないことがわかった。また、同時にカソード基板、アノード基板への電圧印加時に表示パネル内で放電を起こす危険もあることがわかった。一方、１．００≦１＋ｘ≦１．０２のときのセラミック基材は、気孔率が４％未満となり平面パネルディスプレイ用スペーサとしての強度を確保できることがわかった。なお、１＋ｘ＝１．００のときのセラミック基材と、１＋ｘ＝１．０２のときのセラミック基材の体積抵抗率は同じ程度であった。
【００３９】
（実施例２）
実施例１のステップＳ１１において、ＢａＣＯ3粉末（昭和化学株式会社製、純度９９．９％）、ＴｉＯ2粉末（東邦チタニウム株式会社製、型番ＨＴ１３１１、純度９９．９％）、Ｌａ2Ｏ3粉末（株式会社  高純度化学研究所製、純度９９．９％）について混合比を変化させて混合し、乾燥させ、それ以外は実施例１と同じ条件としてセラミック基材サンプルを作製した。
【００４０】
図６に、得られたセラミック基材サンプルの体積抵抗率を調べた結果を示す。この図は、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3において、ｘ＝０．０２としたときのセラミック基材体積抵抗率のｙ依存性を示している。
その結果、０．１≦ｙ≦０．４のときに、セラミック基材の体積抵抗率が１．７×１０5〜１×１０11Ω・ｃｍの範囲内にあることがわかった。
【００４１】
図７に、得られたセラミック基材サンプルの２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）を調べた結果を示す。この図は、化学式（Ｂａ1-yＬａy)1-xＴｉ1+xＯ3において、ｘ＝０．０２としたときのＴＣＲのｙ依存性を示している。
その結果、体積抵抗率が１．７×１０5〜１×１０11Ω・ｃｍとなる０．１≦ｙ≦０．４の範囲でＴＣＲが５％以下となっており、抵抗の温度依存性が小さいことがわかった。
【００４２】
（実施例３）
実施例１のステップＳ１１において、ＢａＣＯ3粉末（昭和化学株式会社製、純度９９．９％）、ＴｉＯ2粉末（東邦チタニウム株式会社製、型番ＨＴ１３１１、純度９９．９％）、Ｌａ2Ｏ3粉末（株式会社  高純度化学研究所製、純度９９．９％）について、ｘ＝０．０１、ｙ＝０〜０．４となるように混合比を変化させて混合し、乾燥させ、それ以外は実施例１と同じ条件としてセラミック基材サンプルを作製した。
【００４３】
表１に、得られたセラミック基材サンプルの２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）及び体積抵抗率を調べた結果を示す。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
（比較例１）
以下の条件で比較例１のセラミック基材を作製した。
（Ｓ２１）Ａｌ2Ｏ3粉末（ａｌｃｏａ製、型番ＳＧ−１６Ａ、純度９９．０％）、ＴｉＯ2粉末（東邦チタニウム株式会社製、型番ＨＴ１３１１、純度９９．９％）を用いて、Ａｌ2Ｏ3−１．０ｖｏｌ％ＴｉＯ2となるように混合し、乾燥させた。
（Ｓ２２）ついで、この粉末混合物をライカイ機で粉砕した後、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）のバインダを加えて１ｔ／ｃｍ2で加圧成型した。
（Ｓ２３）ステップＳ２２の成型品について１６５０℃、Ｈ2ガスとＮ2ガスの混合ガス雰囲気下で加熱焼成して平板形状のセラミック基材サンプルとした。なお、体積抵抗率を変化させるために、Ｎ2＋Ｈ2混合比をＮ2：Ｈ2＝３：１，１：３，１：９と変化させて焼成した。その結果、Ｎ2：Ｈ2＝３：１，１：３，１：９の順番で体積抵抗率が低下する傾向が認められた。
【００４６】
（比較例２）
以下の条件で比較例２のセラミック基材を作製した。
（Ｓ３１）Ａｌ2Ｏ3粉末（ａｌｃｏａ製、型番ＳＧ−１６Ａ、純度９９．０％）、ＴｉＯ2粉末（東邦チタニウム株式会社製、型番ＨＴ１３１１、純度９９．９％）、Ｍｏ粉末（Ｃｌｉｍａｘ製、型番ＡＯＭ−Ａ２）を用いて、Ａｌ2Ｏ3−１．５ｖｏｌ％ＴｉＯ2−８．０ｖｏｌ％Ｍｏとなるように混合し、乾燥させた。
（Ｓ３２）ついで、この粉末混合物をライカイ機で粉砕した後、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）のバインダを加えて１ｔ／ｃｍ2で加圧成型した。
（Ｓ３３）ステップＳ３２の成型品について１６５０℃、Ｈ2ガスとＮ2ガスの混合ガス雰囲気下で加熱焼成して平板形状のセラミック基材サンプルとした。なお、体積抵抗率を変化させるために、Ｎ2＋Ｈ2混合比をＮ2：Ｈ2＝３：１，１：３，１：９と変化させて焼成した。その結果、Ｎ2：Ｈ2＝３：１，１：３，１：９の順番で体積抵抗率が低下する傾向が認められた。
【００４７】
図８に、実施例３、比較例１，２で得られたセラミック基材サンプルの２５℃における抵抗温度依存性（ＴＣＲ）及び体積抵抗率を調べた結果を示す。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係るスペーサの構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る平面パネルディスプレイの一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図である。
【図３】本発明に係る平面パネルディスプレイの一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す斜視図である。
【図４】スペーサの取付状態を示す斜視図である。
【図５】実施例１のセラミック基材気孔率の調査結果である。
【図６】実施例２のセラミック基材の体積抵抗率の調査結果である。
【図７】実施例２のセラミック基材の抵抗温度依存性の調査結果である。
【図８】実施例３、比較例１，２のセラミック基材の体積抵抗率と抵抗温度依存性との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、４・・・支持基板、５・・・カソード電極、６・・・絶縁層、７・・・ゲート電極、８・・・ゲートホール、９・・・電子放出素子、１０・・・スペーサ、１０ａ・・・セラミック基材、１０ｂ・・・金属酸化物膜、１２・・・透明基板、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ・・・蛍光体層、１４・・・ブラックマトリクス、１５・・・アノード電極、１６・・・貫通孔、１７・・・チップ管、１８・・・走査回路、１９・・・制御回路、２０・・・加速電流
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007157379.tif 000006
【図４】
2007157379.tif 000007
【図５】
2007157379.tif 000008
【図６】
2007157379.tif 000009
【図７】
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【図８】
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