(57)【要約】【課題】  発振トランジスタのベース及びエミッタ用ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを低減して、発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な数ギガヘルツ帯の発振回路を提供する。【解決手段】  発振トランジスタのベースとベース端子１２とを接続する第１のボンディングワイヤ１５と、エミッタとエミッタ端子１３とを接続する第２のボンディングワイヤ１６とを備え、ベース端子とエミッタ端子の配線方向が直角であり、且つ第１及び第２のボンディングワイヤの配線方向が直角であるようにする。ボンディングワイヤ間もしくはベース端子とエミッタ端子との間に磁気シールド材を挿入しても良い。ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスが低減され発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な発振回路が得られる。【選択図】  図１
2007088217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振トランジスタと、
ベース端子と、
エミッタ端子と、
前記発振トランジスタのベースと前記ベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、
前記発振トランジスタのエミッタと前記エミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤと、
前記発振トランジスタ、前記ベース端子の一部、前記エミッタ端子の一部、前記第１及び第２のボンディングワイヤを封止するパッケージとを備え、
前記ベース端子と前記エミッタ端子の配線方向が直角であり、且つ前記第１及び第２のボンディングワイヤの配線方向が直角であることを特徴とする発振トランジスタ。
【請求項２】
発振トランジスタと、
ベース端子と、
エミッタ端子と、
前記発振トランジスタのベースと前記ベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、
前記発振トランジスタのエミッタと前記エミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤと、
前記発振トランジスタ、前記ベース端子の一部、前記エミッタ端子の一部、前記第１及び第２のボンディングワイヤを封止するパッケージとを備え、
前記パッケージ内において、前記ベース端子と前記エミッタ端子との間又は前記第１及び第２のボンディングワイヤの間もしくは前記ベース端子と前記エミッタ端子との間及び前記第１及び第２のボンディングワイヤの間に磁気シールド材を挿入したことを特徴とする発振トランジスタ。
【請求項３】
前記発振トランジスタは、発振周波数を設定する共振回路部と、入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部と、前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とから構成される発振回路に用いられ、前記発振トランジスタは、前記負性抵抗回路部に組み込まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発振トランジスタ。
【請求項４】
発振周波数を設定する共振回路部と、
発振トランジスタである第１のトランジスタを含み入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部と、
第２のトランジスタを含み前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とを備え、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは同一パッケージ内に組み込まれ、前記パッケージ内において、前記第１のトランジスタのベースとベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤの配置方向と、前記第１のトランジスタのエミッタとエミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤの配置方向とが直角であることを特徴とする発振回路。
【請求項５】
発振周波数を設定する共振回路部と、
発振トランジスタである第１のトランジスタを含み入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部と、
第２のトランジスタを含み前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とを備え、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは同一パッケージ内に組み込まれ、前記パッケージ内において、前記第１のトランジスタのベースとベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、前記第１のトランジスタのエミッタとエミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤの中間及び前記ベース端子と前記エミッタ端子との中間に磁気シールド材を挿入することを特徴とする発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
数ギガヘルツ帯の発振回路において使用され、発振周波数近傍における位相雑音特性を改善する発振回路用トランジスタ及び発振回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波用発振回路の構成例の１例は、共振回路部、負性抵抗回路部及びバッファ回路部から構成されている。負性抵抗回路部のバイポーラトランジスタは、発振トランジスタであり、入力インピーダンスが負性を示すように、ベース・エミッタ間及びエミッタ・接地間にコンデンサ等が付加されている。共振回路部と負性抵抗回路部とで発振回路部を構成する。
この共振回路部は、インダクタ及び可変容量ダイオードから構成され、可変容量ダイオードへの印加電圧で共振周波数が可変となっており、電圧制御発振回路を構成する。発振トランジスタのコレクタは、コンデンサを介して交流的に接地されており、発振トランジスタのベースから見た入力インピーダンスが負性となり、この入力インピーダンスの実数部が発振トランジスタのベースから見た共振回路のインピーダンスの実数部より大きい場合発振が起こる。
バッファ回路部は、発振トランジスタとカスコード接続されたベース接地トランジスタ（バッファトランジスタ）で構成されている。バッファ回路部は、発振回路の負荷インピーダンスに対する安定性を改善する目的で設けられている。すなわち、発振回路の負荷インピーダンス変動が発振周波数変動や位相雑音特性の劣化を引き起こす。バッファ回路部により発振回路部が負荷から隔離され、発振周波数変動や位相雑音特性の劣化が改善される。
【０００３】
発振トランジスタのパッケージ構造は、バッファトランジスタとは独立のパッケージのトランジスタを用いた場合と、実装スペース削減のために１つのパッケージに２つのトランジスタを搭載する場合がある。
発振トランジスタのベースとエミッタのボンディングワイヤは隣接しており、しかもほぼ平行に配置されている。このため両ボンディングワイヤ間の相互インダクタンス又は誘導結合は無視できない値となっており、このような誘導結合あるいは相互インダクタンスを低減したトランジスタあるいはパッケージ構造が必要となっている。
従来技術として特許文献１には半導体基板に発振用トランジスタ素子とバッファアンプ用トランジスタ素子とを形成して１チップ化することによりダイパッドを１つとし、ダイパッド面積と外部端子数が削減されて小型化された表面実装型モールドパッケージ半導体装置及びこの半導体装置を適用した発振器が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−１６３２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ベース部のボンディングワイヤとエミッタ部のボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを低減することにより、数ギガヘルツ帯の発振回路において使用される発振トランジスタ及び発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な発振回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の発振トランジスタの一態様は、発振トランジスタと、ベース端子と、エミッタ端子と、前記発振トランジスタのベースと前記ベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、前記発振トランジスタのエミッタと前記エミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤと、前記発振トランジスタ、前記ベース端子の一部、前記エミッタ端子の一部、前記第１及び第２のボンディングワイヤを封止するパッケージとを備え、前記ベース端子と前記エミッタ端子の配線方向が直角であり、且つ前記第１及び第２のボンディングワイヤの配線方向が直角であることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の発振トランジスタの一態様は、発振トランジスタと、ベース端子と、エミッタ端子と、前記発振トランジスタのベースと前記ベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、前記発振トランジスタのエミッタと前記エミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤと、前記発振トランジスタ、前記ベース端子の一部、前記エミッタ端子の一部、前記第１及び第２のボンディングワイヤを封止するパッケージとを備え、前記パッケージ内において、前記ベース端子と前記エミッタ端子との間又は前記第１及び第２のボンディングワイヤの間もしくは前記ベース端子と前記エミッタ端子との間及び前記第１及び第２のボンディングワイヤの間に磁気シールド材を挿入したことを特徴としている。
本発明の発振回路の一態様は、発振周波数を設定する共振回路部と、発振トランジスタである第１のトランジスタを含み入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部と、第２のトランジスタを含み前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とを備え、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは同一パッケージ内に組み込まれ、前記パッケージ内において、前記第１のトランジスタのベースとベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤの配置方向と、前記第１のトランジスタのエミッタとエミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤの配置方向とが直角であることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の発振回路の一態様は、発振周波数を設定する共振回路部と、発振トランジスタである第１のトランジスタを含み入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部と、第２のトランジスタを含み前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とを備え、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは同一パッケージ内に組み込まれ、前記パッケージ内において、前記第１のトランジスタのベースとベース端子とを接続する第１のボンディングワイヤと、前記第１のトランジスタのエミッタとエミッタ端子とを接続する第２のボンディングワイヤの中間及び前記ベース端子と前記エミッタ端子との中間に磁気シールド材を挿入することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
ベース部のボンディングワイヤとエミッタ部のボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを低減することにより数ギガヘルツ帯の発振回路において使用される発振トランジスタが得られ、発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な発振回路が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１乃至図８を参照して実施例１を説明する。図１は、この実施例の発振トランジスタの樹脂封止体（パッケージ）内部を透過した概略平面図及びこのトランジスタの回路図、図２は、図１のパッケージに組み込まれるチップの概略断面図、図３は、図１のトランジスタが組み込まれた発振回路の回路図、図４は、２つの回路Ｃ１・Ｃ２間の相互インダクタンスを求める式（ノイマンの公式）の説明図、図５は、平行導体間の相互インダクタンスを求める式の説明図、図６は、２つの回路Ｃ１・Ｃ２間の相互インダクタンスを求めるノイマンの公式を示す図、図７は、ボンディングワイヤ間の誘導結合による発振回路の位相雑音特性に及ぼす影響を説明する発振トランジスタ（比較例）の平面図及び回路図、図８は、発振トランジスタのパッケージ内部のベース側ボンディングワイヤとエミッタ側ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを変化させた場合の発振出力信号の位相雑音特性（Ｃ／Ｎ（信号対位相雑音）比）の計算値を示す特性図である。
【００１１】
まず、図４乃至図８を参照して、トランジスタのベースとエミッタのボンディングワイヤ間の誘導結合による発振回路の位相雑音特性に及ぼす影響について考察する。
図４に示す回路Ｃ１・Ｃ２間の相互インダクタンスＭ12［ヘンリー］は、図６のノイマンの公式（１）から計算される。この公式（１）において、ｒは、回路Ｃ１・Ｃ２の線要素ｄs1・ｄs2間の距離、θは、両要素の方向の間の角度である。例えば、図５に示す平行導体間（ｃｏｓθ＝１）の相互インダクタンスＭは、（１）式の積分を実行して、図６の（２）式で表される。ここで、μは、透磁率であり、ｌは、線の長さであり、ｄは、２本の導体間距離である。
【００１２】
（２）式をトランジスタパッケージ内のボンディングワイヤにあてはめて相互インダクタンスを計算すると、ボンディングワイヤの長さｌ＝０．８ｍｍ、２本のボンディングワイヤ間の距離ｄ＝０．２ｍｍの時、Ｍ＝０．２１ｎＨ（ナノヘンリー）となる。但し（２）式は、２本のワイヤが直線、且つ平行に配置された場合に当てはまるが、実際にはボンディングワイヤは円弧状に曲がっているため、実際の相互インダクタンス値は一般的に（２）式から算出される値より大きくなる。ボンディングワイヤの長さや２本のボンディングワイヤ間の距離の変動も考慮すると、トランジスタパッケージ内の隣り合ったボンディングワイヤ同士の相互インダクタンス値は、０．１〜０．３ｎＨ程度になると考えられる。
また、２本のボンディングワイヤを直交させて配置した場合、（１）式においてｃｏｓθ＝０となるため、相互インダクタンスＭは零となる。
【００１３】
次に、この誘導結合が発振回路特性に与える影響を図７及び図８を参照しながら考察する。図７は、ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスの影響を考慮しない発振トランジスタ（比較例）のパッケージ構造の概略平面図及び発振トランジスタの回路図である。図において、発振トランジスタを封止するエポキシ樹脂封止体などのパッケージ５０は、コレクタ、ベース、エミッタなどの外部端子５１、５２、５３を一端を除いて封止している。コレクタ端子５１には発振トランジスタを構成するトランジスタチップ５４が接合され、トランジスタチップ５４からベース端子５２及びエミッタ端子５３へはそれぞれボンディングワイヤ５５、５６が接続されている。トランジスタチップ５４及びボンディングワイヤ５５、５６は、共にパッケージ５０に封止されている。
発振周波数ｆosc ＝２ＧＨｚ、ボンディングワイヤ５５、５６の自己インダクタンスを各々０．５ｎＨとした場合、相互インダクタンスを変化させた時の位相雑音特性（Ｃ／Ｎ）を図８に示す。
【００１４】
上の例では相互インダクタンスが０の場合の信号対位相雑音電力比（Ｃ／Ｎ）は１１７．２５ｄＢｃであるが、相互インダクタンスＭが大きくなるに従いＣ／Ｎは、劣化し、Ｍ＝０．３ｎＨとすると１１５ｄＢｃとなり、無視できない劣化量となる。
このように、発振トランジスタのベースとエミッタのボンディングワイヤ間の誘導結合により発振回路の位相雑音特性が大きく劣化するため、誘導結合あるいは相互インダクタンスを低減したトランジスタあるいはパッケージ構造が必要となる。
【００１５】
次に、図１乃至図３を参照してこの実施例の発振トランジスタを説明する。この発振トランジスタは、図３に示す発振回路の共振回路部を構成する負性抵抗回路部内のトランジスタＱ２に用いられる。発振回路は、発振周波数を設定する共振回路部及び入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部から構成された発振回路部と、前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とからなる。負性抵抗回路部は、発振トランジスタＱ２を備え、一端が発振トランジスタＱ２のベースＢに接続され、他端が共振回路部につながるコンデンサ素子Ｃ３と、一端が発振トランジスタＱ２のエミッタＥに接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ５と、一端が発振トランジスタＱ２のベースＢ／コンデンサ素子Ｃ３間に接続され、他端が発振トランジスタＱ２のエミッタＥ／コンデンサ素子Ｃ５間に接続れたコンデンサ素子Ｃ４と、一端が発振トランジスタＱ２のエミッタＥ／コンデンサ素子Ｃ５間に接続れたコイルＬ３と、一端がコイルＬ３に接続され、他端が接地された抵抗素子Ｒ４と、一端が発振トランジスタＱ２のベースＢ／コンデンサ素子Ｃ３間に接続され、他端が接地された抵抗素子Ｒ１とを備えている。
【００１６】
共振回路部は、入力Ｖtuneと、入力Ｖtuneと前記負性抵抗回路部のコンデンサ素子Ｃ３との間に接続されたコイルＬ１と、一端が入力Ｖtune／コイルＬ１間に接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ１と、一端がコイルＬ１／コンデンサ素子Ｃ３間に接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ２と、一端がコイルＬ１／コンデンサ素子Ｃ３間に接続されたダイオードＤ１と、一端がダイオードＤ１の他端に接続され、他端が接地されたコイルＬ２とを備えている。
【００１７】
バッファ回路部は、負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するトランジスタＱ１を備え、一端がバッファトランジスタＱ１のベースＢに接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ９と、一端がバッファトランジスタＱ１のエミッタＥと発振トランジスタＱ２のコレクタＣとの間に接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ６と、一端がコンデンサ素子Ｃ３と発振トランジスタＱ２のベースＢとの間に接続され、他端がバッファトランジスタＱ１のベースＢとコンデンサ素子Ｃ９との間に接続された抵抗素子Ｒ２と、一端が電源Ｖccに接続され、他端が接地されたコンデンサ素子Ｃ８と、一端が電源Ｖdd／コンデンサ素子Ｃ８間に接続され、他端がバッファトランジスタＱ１のベースＢとコンデンサ素子Ｃ９との間に接続された抵抗素子Ｒ３と、一端が電源Ｖdd／コンデンサ素子Ｃ８間に接続され、他端がバッファトランジスタＱ１のコレクタＣに接続されたコイルＬ４と、出力Ｖout と、一端が出力に接続され、他端がバッファトランジスタＱ１のコレクタＣに接続されたコンデンサ素子７とを備えている。
【００１８】
図１及び図２に示すバッファトランジスタは、図３に示す発振回路の発振トランジスタＱ２に適用されている。図２のトランジスタは、図１のトランジスタの一例である。図２に示すように、発振トランジスタが形成されたチップ１４にはコレクタ１、ベース２、エミッタ３が形成されている。例えば、エポキシ樹脂などの樹脂封止体からなるパッケージ１０内には、一端がパッケージ１０から一部露出したコレクタ端子１１、ベース端子１２及びエミッタ端子１３などの外部端子が設けられている。コレクタ端子１１には裏面がコレクタ１であるチップ１４が接合されており、ベース端子（Ｂ）１２及びエミッタ端子（Ｅ）１３とチップ１４内のベース２及びエミッタ３とは、それぞれボンディングワイヤ１５、１６により接合されている。ベース端子１２及びエミッタ端子１３の配置方向は互いに直交するように配置されており、同様にボンディングワイヤ１５、１６も互いに配線方向が直交するように配置されている。
【００１９】
パッケージ内の外部端子及びボンディングワイヤがこのように配置されているので前述の理由から相互インダクンスが０もしくはそれに近い値となり、信号対位相雑音電力比（Ｃ／Ｎ）の劣化量が著しく減少する。
【実施例２】
【００２０】
次に、図９を参照して実施例２を説明する。
図９は、この実施例の発振トランジスタ及び他のバッファトランジスタを１つのパッケージ内部に収納した半導体装置の概略平面図及びパッケージ内のトランジスタの回路図である。この発振トランジスタは、図３に示す発振回路の共振回路部を構成する負性抵抗回路部内のトランジスタＱ２に用いられる。発振回路は、発振周波数を設定する共振回路部及び入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部から構成された発振回路部と、前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とからなる。この実施例のパッケージは、発振トランジスタＱ２と共にバッファ回路部のバッファトランジスタＱ１もパッケージングされている。
【００２１】
例えば、エポキシ樹脂などの樹脂封止体からなるパッケージ２０内には発振トランジスタ（Ｑ２）及びバッファトランジスタ（Ｑ１）が形成されたチップ２４、２４′が収納されている。パッケージ２０内には、一端がパッケージから一部露出したコレクタ端子２１、ベース端子２２及びエミッタ端子２３などの外部端子が設けられている。コレクタ端子２１（Ｃ２）には裏面がコレクタであるチップ２４が接合されており、ベース端子（Ｂ２）２２及びエミッタ端子（Ｅ２）２３とチップ２４内のベース及びエミッタとは、それぞれボンディングワイヤ２５、２６により接合されている。ベース端子２２及びエミッタ端子２３の配置方向は互いに平行するように配置されているが、ボンディングワイヤ２５、２６は互いに配線方向が直交するように配置されている。以上が発振トランジスタＱ２のパッケージ２０内の配置である。
【００２２】
一方、パッケージ２０内には、バッファトランジスタＱ１も収納されている。一端がパッケージから一部露出したコレクタ端子２１′、ベース端子２２′及びエミッタ端子２３′などの外部端子が設けられている。コレクタ端子（Ｃ１）２１′には裏面がコレクタであるチップ２４′が接合されており、ベース端子（Ｂ１）２２′及びエミッタ端子（Ｅ１）２３′とチップ２４′内のベース及びエミッタとは、それぞれボンディングワイヤ２５′、２６′により接合されている。ベース端子２２′及びエミッタ端子２３′の配置方向は特に規定されていない。ボンディングワイヤ２５′、２６′の配線方向も特に限定されていない。
パッケージ内の発振トランジスタのボンディングワイヤが以上のように配置されているので前述の理由からその部分の相互インダクンスが０もしくはそれに近い値となり、信号対位相雑音電力比（Ｃ／Ｎ）の劣化量が著しく減少する。
【実施例３】
【００２３】
次に、図１０及び図１１を参照して実施例３を説明する。
図１０は、この実施例の発振トランジスタをパッケージ内部に収納した半導体装置の概略平面図及びパッケージ内のトランジスタ（図３のＱ２に相当する）の回路図、図１１は、図１０に示す半導体装置の斜視図である。
この発振トランジスタは、図３に示す発振回路の共振回路部を構成する負性抵抗回路部内のトランジスタＱ２に用いられる。発振回路は、発振周波数を設定する共振回路部及び入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部から構成された発振回路部と、前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とからなる。例えば、エポキシ樹脂などの樹脂封止体からなるパッケージ２０内には発振トランジスタ（Ｑ２）が形成されたチップ３４が収納されている。
【００２４】
発振トランジスタは、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂封止体からなるパッケージ３０内に形成され、パッケージ３０内には一端がパッケージ３０から一部露出したコレクタ端子３１、ベース端子３２及びエミッタ端子３３などの外部端子が設けられている。コレクタ端子３１には裏面がコレクタであるチップ３４が接合されており、ベース端子（Ｂ）３２及びエミッタ端子（Ｅ）３３とチップ３４内のベース及びエミッタとは、それぞれボンディングワイヤ３５、３６により接合されている。パッケージ３０内のベースのボンディングワイヤ３５とエミッタのボンディングワイヤ３６の中間に磁気シールド材３７を挿入する。これを挿入することにより、ボンディングワイヤ間の誘導結合を阻止し相互インダクタンスが低減される。磁気シールド材３７としては鉄などの金属磁性体や樹脂状の電波吸収体などを用いることができる。
このように、ボンディングワイヤ間の誘導結合を阻止し相互インダクタンスの低減を図っているので相互インダクンスが０もしくはそれに近い値となり、信号対位相雑音電力比（Ｃ／Ｎ）の劣化量が著しく減少する。
【実施例４】
【００２５】
次に、図１２を参照して実施例４を説明する。
図１２は、この実施例の発振トランジスタ及び他のバッファトランジスタを１つのパッケージ内部に収納した半導体装置の概略平面図である。この発振トランジスタは、図３に示す発振回路の共振回路部を構成する負性抵抗回路部内のトランジスタＱ２に用いられる。発振回路は、発振周波数を設定する共振回路部及び入力抵抗が負性を示す負性抵抗回路部から構成された発振回路部と、前記負性抵抗回路部の出力信号を増幅して出力するバッファ回路部とからなる。この実施例のパッケージは、発振トランジスタＱ２と共にバッファ回路部のバッファトランジスタＱ１もパッケージングされている。
パッケージ４０は、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂封止体からなり、パッケージ４０内には発振トランジスタ（Ｑ２）及びバッファトランジスタ（Ｑ１）が形成されたチップ４４、４４′が収納されている。パッケージ４０内には、一端がパッケージから一部露出したコレクタ端子４１、ベース端子４２及びエミッタ端子４３などの外部端子が設けられている。コレクタ端子４１（Ｃ２）には裏面がコレクタであるチップ４４が接合されており、ベース端子（Ｂ２）４２及びエミッタ端子（Ｅ２）４３とチップ４４内のベース及びエミッタとは、それぞれボンディングワイヤ４５、４６により接合されている。
【００２６】
パッケージ４０内のベースのボンディングワイヤ４５とエミッタのボンディングワイヤ４６の中間に磁気シールド材４７を挿入する。これを挿入することにより、ボンディングワイヤ間の誘導結合を阻止し相互インダクタンスが低減される。磁気シールド材４７としては鉄などの金属磁性体や樹脂状の電波吸収体などを用いることができる。
以上が発振トランジスタＱ２のパッケージ４０内の配置である。
一方、パッケージ４０内には、バッファトランジスタＱ１も収納されている。一端がパッケージから一部露出したコレクタ端子４１′、ベース端子４２′及びエミッタ端子４３′などの外部端子が設けられている。コレクタ端子（Ｃ１）４１′には裏面がコレクタであるチップ４４′が接合されており、ベース端子（Ｂ１）４２′及びエミッタ端子（Ｅ１）４３′とチップ４４′内のベース及びエミッタとは、それぞれボンディングワイヤ４５′、４６′により接合されている。ベース端子４２′及びエミッタ端子４３′の配置方向は特に規定されていない。ボンディングワイヤ４５′、４６′の配線方向も特に限定されていない。
【００２７】
パッケージ内の発振トランジスタのボンディングワイヤが以上のように配置されているので前述の理由からその部分の相互インダクンスが０もしくはそれに近い値となり、信号対位相雑音電力比（Ｃ／Ｎ）の劣化量が著しく減少する。
以上のように、発振トランジスタＱ２のパッケージ内においてトランジスタチップとパッケージの外部端子とを接続するボンディングワイヤの内、ベースのボンディングワイヤとエミッタのボンディングワイヤ間の相互インダクタンスに着目し、この相互インダクタンスの値が大きいと、発振回路出力信号の位相雑音特性の悪化を招くことが明らかになった。即ち、本発明に依れば有害な相互インダクタンスを低減することができ、良好な位相雑音特性を有する発振出力信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施例である実施例１のパッケージを透過した発振トランジスタの概略平面図及び回路図。
【図２】図１のパッケージに組み込まれるチップ内部の概略断面図。
【図３】図１のトランジスタが組み込まれた発振回路の回路図。
【図４】２つの回路Ｃ１・Ｃ２間の相互インダクタンスを求める式（ノイマンの公式）の説明図。
【図５】平行導体間の相互インダクタンスを求める式の説明図。
【図６】２つの回路Ｃ１・Ｃ２間の相互インダクタンスを求めるノイマンの公式を示す図。
【図７】ボンディングワイヤ間の誘導結合による発振回路の位相雑音特性に及ぼす影響を説明する発振トランジスタ（比較例）の平面図及び回路図。
【図８】発振トランジスタのパッケージ内部のベース側ボンディングワイヤとエミッタ側ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを変化させた場合の発振出力信号の位相雑音特性（Ｃ／Ｎ（信号対位相雑音）比）の計算値を示す特性図。
【図９】本発明の一実施例である実施例２に係る発振トランジスタのパッケージを透過した概略平面図及び回路図。
【図１０】本発明の一実施例である実施例３に係る発振トランジスタのパッケージを透過した概略平面図。
【図１１】図１０の発振トランジスタの概略斜視図。
【図１２】本発明の一実施例である実施例４に係る発振トランジスタのパッケージを透過した概略平面図。
【符号の説明】
【００２９】
１・・・コレクタ      ２・・・ベース      ３・・・エミッタ
１０、２０、３０、４０、５０・・・パッケージ（樹脂封止体）
１１、２１、２１′、３１、４１、４１′、５１・・・コレクタ端子（Ｃ）
１２、２２、２２′、３２、４２、４２′、５２・・・ベース端子（Ｂ）
１３、２３、２３′、３３、４３、４３′、５３・・・エミッタ端子（Ｅ）
１４、２４、２４′、３４、４４、４４′、５４・・・チップ
１５、２５、２５′、３５、４５、４５′、５５・・・ベース用ボンディングワイヤ
１６、２６、２６′、３６、４６、４６′、５６・・・エミッタ用ボンディングワイヤ
３７、４７・・・磁気シールド材
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４・・・抵抗素子
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９・・・コンデンサ素子
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４・・・インダクタ素子（固定インダクタ又は伝送線路）
Ｄ１・・・可変容量ダイオード又はコンデンサ素子
Ｑ１・・・バッファトランジスタ
Ｑ２・・・発振トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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