(57)【要約】【課題】電極および誘電体層の形成工程における焼成工程を簡略化でき、かつ、電極の検査および修正を好適に実施できるＰＤＰの製造方法を提供する。【解決手段】ＰＤＰの製造方法は、電極パターン形成工程と、電極仮焼成工程と、電極本焼成工程とを含む。電極パターン形成工程では、前面基板上にバス電極に対応した電極パターンを形成する。電極仮焼成工程では電極パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す。電極本焼成工程では電極パターンに含まれるガラスフリットの軟化点近傍の温度にて電極パターンを焼成する。電極仮焼成工程における焼成を３００℃〜３５０℃の温度範囲内で実施するため、消費するエネルギー量を低減でき、電極仮焼成工程における焼成装置自体を小型化できる。電極仮焼成工程後の電極パターンに対してオープンショート検査およびリペア処理を問題なく実施できる。【選択図】図３
2007157591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極と、これら電極上を被覆する誘電体層とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記一方の基板上に、導電体、ガラスフリットおよび樹脂を含む導電性ペーストを用いて、前記電極に対応した電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
この電極パターン形成工程後に実施され、前記電極パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す電極仮焼成工程と、
この電極仮焼成工程後に実施され、前記電極パターンに含まれる前記ガラスフリットの軟化点近傍の温度にて前記電極パターンを焼成する電極本焼成工程とを含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記電極仮焼成工程後に実施され、前記一方の基板上に前記誘電体層の材料となる誘電体層材を被覆する誘電体層材被覆工程と、
この誘電体層材被覆工程後に実施され、前記誘電体層材を焼成する誘電体焼成工程とを含み、
前記電極本焼成工程および前記誘電体焼成工程を同処理で実施する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記電極本焼成工程において、前記電極パターンに対する焼成を前記ガラスフリットの軟化点の±５０℃の温度範囲内で実施する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記電極仮焼成工程後に実施され、前記電極パターンが所望の状態で形成されたか否かを検査する検査工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記検査工程後に実施され、前記電極パターンが前記所望の状態で形成されていなかった場合に前記電極パターンを前記所望の状態に修正するリペア工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、該一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極と、該電極上を被覆する誘電体層とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）は、放電空間を介して互いに対向配置された一対のガラス基板である前面基板および背面基板を備えている。前面基板の内面側には、複数の透明電極、これら透明電極の一端部に積層する複数の直線状のバス電極、複数のブラックストライプ、誘電体層および保護膜などがそれぞれ設けられている。背面基板の内面側には、前記バス電極と略直交する複数のアドレス電極、アドレス電極保護層（誘電体層）、放電空間を複数個の放電セルに区画する隔壁、放電セル内部のそれぞれに充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層などがそれぞれ設けられている。そして、これら複数個の放電セル内には希ガスなどの放電ガスが注入されており、それぞれの放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示が可能とされている。
【０００３】
従来、このようなＰＤＰの前面基板の内面側にバス電極および誘電体層を形成する場合、バス電極の材料をパターニング・焼成してバス電極を形成する工程と、このバス電極上から誘電体層の材料を被覆・焼成して誘電体層を形成する工程とを順次実施する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載の方法では、バス電極の形成工程および誘電体層の形成工程のそれぞれに、５００℃前後での個別の焼成工程が含まれている。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の構成では、バス電極の形成工程および誘電体層の形成工程を通じて、５００℃前後での焼成工程を２度実施するので、焼成装置の消費エネルギーが多く必要となってしまう。また、高温条件で当該焼成工程を実施するために、大掛かりな焼成装置が少なくとも２台以上必要となってしまい、工場スペースが大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決するために、従来、バス電極の材料をパターニング後、誘電体層の材料を被覆し、次いでバス電極材と誘電体層材を同時に焼成することにより、バス電極と誘電体層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２に記載の方法では、バス電極の形成工程および誘電体層の形成工程において、５００℃前後での焼成工程を１度に集約している。このため、５００℃前後で焼成を行う工程が１回で済むため、上記特許文献１に記載の構成に比べて消費エネルギーや装置のスペース効率の問題を解消できる。
【０００６】
なお、ＰＤＰの背面基板の内面側にアドレス電極およびアドレス電極保護層を形成する場合も同様にして、アドレス電極の形成工程およびアドレス電極保護層の形成工程における各焼成工程を分けて実施、あるいは、同時に実施することが可能である。
【０００７】
ここで、ガラス基板上にバス電極やアドレス電極を形成した後、これら電極が所望の状態で形成されたか否かを検査する検査工程が実施される。この検査工程では、例えば、電極が途中で分断した状態（オープン状態）、あるいは、隣接する電極同士の一部が重なった状態（ショート状態）となっているかどうかを検査する（以下、オープンショート検査と称す）必要がある。通常、このようなオープンショート検査は、各電極の両端に検査機のプローブを接触させ、各電極の抵抗値を計測することにより実施される。そして、当該検査により所定の電極がオープン状態あるいはショート状態であることが検知された場合、電極の欠陥部を修正（リペア処理）するリペア工程が実施される。
【０００８】
例えば、上記特許文献１に記載の構成のように、バス電極の形成工程における焼成工程と、誘電体層の形成工程における焼成工程とを別々に実施する構成の場合、バス電極の形成工程における焼成工程後に、オープンショート検査およびリペア処理を実施することが可能である。ここで、図１（Ａ）に、バス電極の形成工程における焼成工程後の第１のガラス基板１００を示す。
図１（Ａ）において、第１のガラス基板１００上には、複数の直線状のバス電極１０１が互いに並列する状態で形成されている。この状態において、各バス電極１０１の両端は露出しているため、各バス電極１０１の両端に検査機のプローブ（図示しない）を接触させてオープンショート検査を実施することが可能である。また、所定のバス電極１０１がオープン状態（１０２）あるいはショート状態（１０３）である場合、各バス電極１０１は露出した状態となっているため、リペア処理を実施できる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１７８６７１号公報（第４頁参照）
【特許文献２】特開２００１−３４５０５５号公報（第６〜８頁参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一方、上記特許文献２に記載の構成のように、バス電極の形成工程における焼成工程と、誘電体層の形成工程における焼成工程とを同時に実施する構成の場合、図１（Ｂ）および（Ｃ）におけるバス電極に対して、少なくともリペア処理を実施できない問題が生じる。なお、図１（Ｂ）には焼成工程後の第２のガラス基板２００を示し、図１（Ｃ）には焼成工程後の第３のガラス基板３００を示す。
【００１１】
すなわち、図１（Ｂ）に示す焼成工程後の第２のガラス基板２００では、基板上には複数の直線状のバス電極２０１が互いに並列する状態で形成されており、さらにこれらバス電極２０１上を被覆する状態に誘電体層２０２が形成されている。バス電極２０１は、それぞれ、一端が誘電体層２０２の外側に引き出され、かつ、他端側が誘電体層２０２にて被覆された状態となっている。このため、各バス電極２０１の両端に検査機のプローブ（図示しない）を接触させることができず、オープンショート検査を実施することができない。また、仮に所定のバス電極２０１がオープン状態（２０３）あるいはショート状態（２０４）であったとしても、各バス電極２０１の大部分は誘電体層２０２にて被覆されているので、リペア処理を実施できない。なお、焼成工程前のバス電極２０１においては、バス電極２０１はペースト状であり導通が取れておらず、オープンショート検査自体を実施できない。
【００１２】
また、図１（Ｃ）に示す焼成工程後の第３のガラス基板３００では、基板上には複数の直線状のバス電極３０１が互いに並列する状態で形成されており、さらにこれらバス電極３０１上を被覆する状態に誘電体層３０２が形成されている。バス電極３０１は、それぞれの両端が誘電体層３０２の外側に引き出され、当該両端間の中間部が誘電体層３０２にて被覆された状態となっている。このため、各バス電極３０１の両端に検査機のプローブ（図示しない）を接触させてオープンショート検査を実施することは可能である。しかしながら、所定のバス電極３０１がオープン状態（３０３）あるいはショート状態（３０４）であることを検知できたとしても、各バス電極３０１の中間部分は誘電体層３０２にて被覆されているので、リペア処理を実施できない。
【００１３】
このように、上記特許文献１のような構成の場合、図１（Ａ）に示すバス電極１０１に対してリペア処理を実施でき、ＮＧ品の発生を回避できるのに対して、上記特許文献２のような構成の場合、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示すバス電極２０１，３０１に対してリペア処理を実施できず、ＮＧ品として扱われるＰＤＰが多くなってしまうおそれがある。このため、上記特許文献２のような構成の場合、消費エネルギーや装置のスペース効率の問題を解消できるものの、ＰＤＰの歩留が低下してしまうおそれがある。
【００１４】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、電極および誘電体層の形成工程における焼成工程を簡略化でき、かつ、電極の検査および修正を好適に実施できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極と、これら電極上を被覆する誘電体層とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記一方の基板上に、導電体、ガラスフリットおよび樹脂を含む導電性ペーストを用いて、前記電極に対応した電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、この電極パターン形成工程後に実施され、前記電極パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す電極仮焼成工程と、この電極仮焼成工程後に実施され、前記電極パターンに含まれる前記ガラスフリットの軟化点近傍の温度にて前記電極パターンを焼成する電極本焼成工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図２は、本発明の一実施形態におけるプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の内部構造を示した分解斜視図である。
なお、本実施形態では、本発明のＰＤＰの製造方法を、前面基板のバス電極および誘電体層を形成する際に適用する場合を例示するが、これに限らない。すなわち、本発明のＰＤＰの製造方法は、背面基板のアドレス電極およびアドレス電極保護層を形成する場合にも適用できる。
【００１７】
（１）ＰＤＰの構成
本実施形態において、図２に示すように、１はＰＤＰであり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。ＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間２を介して、互いに対向配置された背面基板３および前面基板４を備えている。
これら背面基板３および前面基板４は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１８】
背面基板３は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板３は、図２に示すように、複数のアドレス電極３０（電極パターン）と、アドレス電極保護層３１（誘電体層）と、隔壁３２と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（３３Ｒ,３３Ｇ,３３Ｂ）とを備えている。
【００１９】
アドレス電極３０は、例えばＡｌ（アルミニウム）などの導電体を含んだ材料にて直線状に形成されており、背面基板３の長手方向に略直交する方向に沿って一定の間隔で配設されている。アドレス電極３０の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極３０に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００２０】
アドレス電極保護層３１は、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板３の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層３１は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極３０の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層３１の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００２１】
隔壁３２は、アドレス電極保護層３１上において、例えばアドレス電極保護層３１と同一成分のガラスペーストで井桁状に形成され、アドレス電極保護層３１の周縁部よりも内側に形成されている。この隔壁３２は、この隔壁３２により放電空間２が複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル３２Ａが形成されている。そして、隔壁３２は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板３と前面基板４との間隙寸法を規定する。なお、隔壁３２は井桁状に限らず、ストライプ状や梯子状としてもよい。
【００２２】
蛍光体層（３３Ｒ,３３Ｇ,３３Ｂ）は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを放電セル３２Ａ内部に順に充填し、これを焼成することにより形成される。これら蛍光体層（３３Ｒ,３３Ｇ,３３Ｂ）は、それぞれの放電セル３２Ａで発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００２３】
前面基板４は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板３と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板４は、図２に示すように、複数の透明電極４０と、複数のバス電極４１と、複数のブラックストライプ４２と、誘電体層４３と、保護層４４とを備えている。
【００２４】
透明電極４０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜にて略Ｔ字形状に形成されている。透明電極４０は、前面基板４内面上において、対向する背面基板３の所定の放電セル３２Ａに２つの透明電極４０が対応する状態で一対ずつ配設されている。
【００２５】
バス電極４１は、例えばＡｇ（銀）などの導電体を含んだ材料にて直線状に形成されており、アドレス電極３０と略直交する方向に沿って一定の間隔で配設されている。また、このバス電極４１は、一対の透明電極４０のそれぞれの一端部に積層して設けられている。バス電極４１の一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極４０に図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。この行電極駆動部および列電極駆動部からの電圧パルスの印加により、所定の透明電極４０に対応する放電セル３２Ａにて、選択的に放電発光させることが可能となる。
【００２６】
ブラックストライプ４２は、例えば黒色無機顔料などを含む可視光吸収性材料にて直線状に形成されて、隣接するバス電極４１同士で挟まれたスペースに設けられている。このブラックストライプ４２にて、前面基板４の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２７】
誘電体層４３は、例えばガラスペーストからなり、前面基板４の内面側に設けられた透明電極４０、バス電極４１およびブラックストライプ４２を覆うように、背面基板３のアドレス電極保護層３１と対向して設けられている。この誘電体層４３は、パネル駆動時において、放電による透明電極４０およびバス電極４１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２８】
保護層４４は、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）などにて構成され、誘電体層４３の内周面の全面を被覆する。このような保護層４４は、誘電体層４３がパネル駆動時の放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
【００２９】
（２）ＰＤＰの製造方法
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について説明する。まず、背面基板３の製造方法について説明する。
背面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面にＡｌなどの導電体を含んた導電性薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極３０のパターンを形成する。このアドレス電極３０上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層３１および隔壁３２を形成する。そして、放電セル３２Ａ内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（３３Ｒ,３３Ｇ,３３Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板３が完成する。
【００３０】
次に、前面基板４の製造方法について図面に基づいて説明する。図３は、本実施形態における電極および誘電体層の形成工程を示すフローチャートである。
前面基板４の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。当該ガラス基板の内面側の全面にＩＴＯなどの透明電極材料膜を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極４０を形成する。この後、図３に示す電極および誘電体層の形成工程が実施される。
【００３１】
図３に示す電極および誘電体層の形成工程では、まず、前面基板４上に、導電体、ガラスフリットおよび樹脂を含む導電性ペーストを用いて、バス電極４１に対応する電極パターン（以下、バス電極対応パターンと称す）を形成する電極パターン形成工程を実施する（ステップＳ１０１）。
具体的には、この電極パターン形成工程では、例えば、透明電極４０が形成された前面基板４上に導電性ペーストを含んだ感光性フィルムを転写し、露光・現像工程を含むフォトリソグラフィ法により、バス電極対応パターンを形成する。この時点では、バス電極対応パターンはペースト状となっており、外力により容易に変形あるいは剥離してしまう状態となっている。また、バス電極対応パターンは導通性を有していない状態となっている。
なお、電極パターン形成工程では、黒色無機顔料を含むペーストを、ディスペンサー法やスクリーン印刷法等によりバス電極対応パターン間に塗布して、複数のブラックストライプ４２に対応するブラックパターンを形成する処理も実施する。
【００３２】
ここで、導電性ペースト中の導電体としては、例えば、Ａｇなどの金属粒子を使用できる。導電性ペーストにおける金属粒子の含有率は、例えば５０〜８０ｗｔ％とする。
導電性ペースト中のガラスフリットとしては、軟化点が例えば５１０〜５９０℃のガラス粒体を使用でき、例えば、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）や、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが例示できる。
導電性ペースト中の感光性樹脂としては、例えば、従来から一般的に用いられているアクリル系樹脂やセルロース系樹脂を使用できる。また、感光性樹脂を用いずに、例えば、ポリメチルメタクリレートやエチルセルロース、ニトロセルロース樹脂など、空気中での分解開始温度が例えば３００〜３５０℃の樹脂を用いることも可能である。この場合、前面基板４上に導電性ペースト層を設け、さらにこの導電性ペースト層にフォトレジスト層を形成してフォトリソグラフィ方にてパターニングする必要がある。
【００３３】
ステップＳ１０１の電極パターン形成工程後、バス電極対応パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す電極仮焼成工程を実施する（ステップＳ１０２）。
この電極仮焼成工程における３００℃〜３５０℃の温度での仮焼成により、バス電極対応パターン中の樹脂が軟化し、さらに樹脂の一部が気化して減少するため、導電体同士が密着する。なお、この仮焼成では導電体およびガラスフリットは軟化しない。また、電極仮焼成工程において仮焼成を終えた後、バス電極対応パターンが形成された前面基板４を室温まで冷却する。これにより、導電体およびガラスフリットは前面基板４上に直接固着しないものの、バス電極対応パターン中に残存した樹脂が固化して、バス電極対応パターンが前面基板４上に固着する。
【００３４】
この電極仮焼成工程直後のバス電極対応パターンは、前面基板４に対して密着しており、適度な剛性および導通性を有している。また、３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施すため、焼成装置の消費エネルギーが少なくて済み、かつ、焼成装置自体が３００℃〜３５０℃に耐え得る程度の小規模なもので済む。
なお、仮焼成の温度が３００℃よりも低い場合は、樹脂が軟化しないため基板に固着せず、電極仮焼成工程のバス電極対応パターンは導通性を有さないものとなる。また、仮焼成の温度が３５０℃よりも高い場合は、電極仮焼成工程のバス電極対応パターンに含まれる殆どの樹脂が気化してしまい、バス電極対応パターンと前面基板４との密着性が得られない。
【００３５】
ステップＳ１０２の電極仮焼成工程後、バス電極対応パターンが所望の状態で形成されたか否かを検査する検査工程を実施する（ステップＳ１０３）。
具体的には、検査工程では、それぞれのバス電極対応パターンの両端に検査機のプローブを接触させ、各バス電極対応パターンの抵抗値を測定するオープンショート検査を実施する。そして、抵抗値が所定の範囲内に収まっていれば所望の形状（状態）で電極パターンが形成されていると判断し、抵抗値が所定の範囲から外れていればオープン状態やショート状態であるとしてＮＧ品と判断する。なお、本実施形態では、ステップＳ１０２の電極仮焼成工程において、３００℃〜３５０℃の温度範囲で仮焼成しているため、各バス電極対応パターンは導通性を有しており、問題なくオープンショート検査を実施することが可能となっている。また、検査工程時における前面基板４では、各バス電極対応パターンの両端は露出しているため、問題なく各バス電極対応パターンの両端に検査機のプローブを接触させてオープンショート検査を実施することが可能となっている。
【００３６】
ステップＳ１０３の検査工程後、バス電極対応パターンが所望の状態で形成されていなかった場合、バス電極対応パターンを所望の状態に修正するリペア工程を実施する（ステップＳ１０４）。
具体的に、リペア工程では、バス電極対応パターンのオープン状態となった箇所については、同電極材を足してオープン状態となった箇所を接続するリペア処理を実施する。また、バス電極対応パターンのショート状態となった箇所については、ショート状態となった部分の電極材を除去するリペア処理を実施する。なお、リペア工程時における前面基板４では、各バス電極対応パターンは露出した状態となっているため、問題なく上記リペア処理を実施することが可能となっている。
【００３７】
ステップＳ１０４のリペア工程後、前面基板４上に誘電体層４３の材料となる誘電体層材を被覆する誘電体層材被覆工程を実施する（ステップＳ１０５）。
具体的には、この誘電体層材被覆工程では、前面基板４の内面上に、例えばダイコータなどにより誘電体層材としてのガラスペーストを塗布し、基板上に形成された透明電極４０と、バス電極４１に対応するバス電極対応パターンと、ブラックストライプ４２に対応するブラックパターンとを誘電体層材にて被覆する。この誘電体層材被覆工程直後では、バス電極対応パターン、ブラックパターンおよび誘電体層材中には、それぞれ樹脂が含まれた状態となっている。
【００３８】
ステップＳ１０５の誘電体層材被覆工程後、バス電極対応パターンに含まれるガラスフリットの軟化点近傍の温度にて、バス電極対応パターンを焼成する電極本焼成工程と、誘電体層材を焼成する誘電体焼成工程とを同時に実施する（ステップＳ１０６）。
このような電極本焼成工程および誘電体焼成工程は、同一の焼成装置にて同一の焼成条件で実施される。特に、焼成温度はガラスフリットの軟化点の±５０℃の温度範囲内、例えば該ガラスフリットの軟化点が５５０℃の場合は焼成温度は５００〜６００℃の範囲内に制御される。これにより、バス電極対応パターン、ブラックパターンおよび誘電体層材中におけるそれぞれの樹脂が完全に気化し、ガラスフリットが軟化して、バス電極４１、ブラックストライプ４２および誘電体層４３が同時に形成される。
【００３９】
このように、バス電極対応パターン、ブラックパターンおよび誘電体層材の焼成工程を１つの焼成工程に集約することにより、エネルギー消費の削減およびスペース効率の向上効果を得ることが可能となる。また、バス電極対応パターンおよび誘電体層材を同時に焼成することで、抵抗値の優れたバス電極４１を得ることが可能となる。
なお、電極仮焼成工程（ステップＳ１０２）直後のバス電極対応パターンは、基板に対する密着性、十分な剛性および導通性を有しているものの、パターン内には残留樹脂があるため、ＰＤＰの特性や寿命等の信頼性という観点から、この状態でパネル化を実施することはできない。そこで、ステップＳ１０６の本工程にて、電極パターンに含まれるガラスフリット近傍の温度まで焼成を行うことにより、パターン内から残留樹脂を除去し、ガラスフリットを介して電極と基板とを密着させる必要がある。
以上にて、本実施形態における電極パターンおよび誘電体層の形成工程が終了する。
【００４０】
この後、誘電体層４３の上に蒸着法やスパッタリング法などにより保護層４４を成膜形成する。これにより、ＰＤＰ１の前面基板４が完成する。そして、完成した背面基板３および前面基板４のそれぞれの外周縁部にシールフリットを設けて封着し、さらに封着した空間内部を減圧して不活性ガスを充填する。これによりＰＤＰ１が完成する。
【００４１】
（３）ＰＤＰ１の製造方法の効果
上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法によれば、以下の効果を奏することができる。
【００４２】
(3-1)上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、電極パターン形成工程（図３のステップＳ１０１）と、電極仮焼成工程（図３のステップＳ１０２）と、電極本焼成工程（図３のステップＳ１０６）とを含む。電極パターン形成工程では、前面基板４上に、導電体、ガラスフリットおよび樹脂を含む導電性ペーストを用いて、バス電極４１に対応したバス電極対応パターンを形成する。電極仮焼成工程は電極パターン形成工程後に実施され、この電極仮焼成工程ではバス電極対応パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す。電極本焼成工程は電極仮焼成工程後に実施され、この電極本焼成工程ではバス電極対応パターンに含まれるガラスフリットの軟化点近傍の温度にてバス電極対応パターンを焼成する。
【００４３】
このように、電極仮焼成工程における焼成を３００℃〜３５０℃の温度範囲内で実施するため、焼成工程で消費するエネルギー量を低減できる。また、電極仮焼成工程における焼成装置自体を小型化でき、バス電極４１および誘電体層４３の形成工程を通じて５００℃前後での焼成工程が１度で済むので、従来よりも工場スペースを縮小できる。
そして、電極仮焼成工程にてバス電極対応パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施すことにより、バス電極対応パターンを前面基板４に密着させることができ、バス電極対応パターンに適度な剛性および導通性を付与することができる。この状態において、各バス電極対応パターンは露出しているため、各バス電極対応パターンに対してオープンショート検査およびリペア処理を問題なく実施できる。このように、パネル化前にバス電極４１の検査・修正を実施できるので、歩留の低下を防ぎ、生産性の向上を図ることができる。
また、電極本焼成工程においてバス電極対応パターンを焼成することにより、電極仮焼成工程後のバス電極対応パターン内に残留した樹脂を完全に除去でき、ＰＤＰ１の特性や寿命等の向上を図ることができる。
【００４４】
(3-2)上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、誘電体層材被覆工程（図３のステップＳ１０５）と、誘電体焼成工程（図３のステップＳ１０６）とを含む。誘電体層材被覆工程は電極仮焼成工程後に実施され、この誘電体層材被覆工程では前面基板４上に誘電体層４３の材料となる誘電体層材を被覆する。誘電体焼成工程は誘電体層材被覆工程後に実施され、この誘電体焼成工程では誘電体層材を焼成する。そして、電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同処理で実施する。
このように、電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同処理で実施することにより、エネルギー消費を削減でき、スペース効率を向上できる。
また、バス電極対応パターンおよび誘電体層材を同時に焼成することで、抵抗値が低く、かつ、それぞれの電極間での抵抗値のバラツキが少ないバス電極４１を得ることができる。このため、ＰＤＰ１の駆動に要する電力量を減らすことができ、ＰＤＰ１の駆動回路に掛かる負荷を軽減できる。
【００４５】
(3-3)電極本焼成工程において、バス電極対応パターンに対する焼成をガラスフリットの軟化点の±５０℃の温度範囲内で実施する。
このような温度範囲内でバス電極対応パターンを焼成することにより、抵抗値が小さく、かつ、電極間での抵抗値のバラツキが少ないバス電極４１が得られる。また、バス電極対応パターンに残存する樹脂を完全に除去でき、バス電極４１の前面基板４に対する密着性を向上できる。したがって、低消費電力で安定した駆動性を有したＰＤＰを得ることができる。
【００４６】
(3-4)上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、電極仮焼成工程後に実施され、電極パターンが所望の状態で形成されたか否かを検査する検査工程（図３のステップＳ１０３）を含む。
このように、電極仮焼成工程にて焼成されたバス電極対応パターンは、前面基板４に対して良好に密着し、かつ、適度な剛性および導通性を有しており、この状態において各バス電極対応パターンの両端は露出しているため、問題なく各バス電極対応パターンの両端に検査機のプローブを接触させてオープンショート検査を実施できる。そして、このようなオープンショート検査は、図１（Ｂ）に示す第２のガラス基板２００のようにバス電極２０１の一端のみが誘電体層２０２の外側に引き出される構成、図１（Ｃ）に示す第３のガラス基板３００のようにバス電極３０１の両端が誘電体層３０２の外側に引き出される構成のいずれに対しても適用できる。このように、パネル化前の早い段階でバス電極４１の欠陥の有無を検知できるので、欠陥の検知後に当該欠陥を修正すれば、問題なく次工程へ進ませることができる。したがって、ＰＤＰ１の歩留の低下を防ぐことができ、生産性の向上を図ることができる。
【００４７】
(3-5)上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、検査工程後に実施され、電極パターンが所望の状態で形成されていなかった場合に電極パターンを所望の状態に修正するリペア工程（図３のステップＳ１０４）を含む。
このように、電極仮焼成工程にて焼成されたバス電極対応パターンは、前面基板４に対して良好に密着し、かつ、適度な剛性および導通性を有しており、この状態において各バス電極対応パターンが全長に亘り露出しているため、問題なくリペア処理を実施できる。そして、このようなリペア処理は、図１（Ｂ）に示す第２のガラス基板２００のようにバス電極２０１の一端のみが誘電体層２０２の外側に引き出される構成、図１（Ｃ）に示す第３のガラス基板３００のようにバス電極３０１の両端が誘電体層３０２の外側に引き出される構成のいずれに対しても適用できる。このように、パネル化前の早い段階でバス電極４１の欠陥を修正できるので、ＰＤＰ１の歩留の低下を防ぎ、生産性の向上を図ることができる。
【００４８】
(3-6)電極パターン形成工程では、バス電極４１に対応するバス電極対応パターンを形成すると共に、複数のブラックストライプ４２に対応するブラックパターンを形成する。そして、誘電体層材被覆工程では、前面基板４上に形成された透明電極４０と、バス電極対応パターンと、ブラックパターンとを誘電体層材にて被覆する。さらに、電極本焼成工程および誘電体焼成工程において、バス電極対応パターン、ブラックパターンおよび誘電体層材を同時に焼成して、バス電極４１、ブラックストライプ４２および誘電体層４３を同時に形成する。
このように、バス電極対応パターン、ブラックパターンおよび誘電体層材の焼成工程を１つの焼成工程に集約することにより、エネルギー消費を削減でき、かつ、スペース効率を向上できる。
【００４９】
（４）実施例
以下、上記実施形態の効果を確認するための一実施例について説明する。
【００５０】
(4-1)電極パターンの焼成実験
図３におけるステップＳ１０１の電極パターン形成工程を実施し、バス電極対応パターンを形成した。具体的には、導電性ペーストを含んだ感光性フィルムを、透明電極が所望のパターンに形成された前面基板上に転写し、露光／現像のフォトリソ工程を経て、バス電極対応パターンを形成した。導電性ペーストには、感光性樹脂としてのアクリル系樹脂と、軟化点５５０℃のガラスフリットと、導電体としてのＡｇ粒子（含有率７０ｗｔ％）とを含んだものを使用した。
次にバス電極対応パターンに対して、表１に示す各熱処理温度にて焼成を実施した。焼成時間は全て５分に統一した。そして、各温度条件におけるバス電極対応パターンの基板に対する密着性を評価するため、「市販のセロハンテープによる剥離試験」、「ＨＢ硬度による硬度試験」、「オープンショート検査用検査機のプローブによる接触試験」を実施した。さらに、導通性の確認実験も行った。
【００５１】
【表１】
2007157591.tif 000003
【００５２】
表１の実験結果より、焼成温度が３００℃よりも低い場合（比較例１−１，１−２）は、バス電極対応パターンは基板に対して十分に密着せず、さらに、バス電極対応パターンの導通性も得られないことが分かった。
焼成温度を３００℃〜３５０℃の温度範囲内に制御した場合（実施例１−１〜１−３）は、バス電極対応パターンと基板との密着性が良好で、かつ、バス電極対応パターンの導通性が確保されることが分かった。
焼成温度を３７０℃〜４５０℃の温度範囲内に制御した場合（比較例１−３〜１−５）は、バス電極対応パターンの導通性は確保されるものの、バス電極対応パターンは基板に対して十分に密着しないことが分かった。
焼成温度を４７０℃〜５８０℃の温度範囲内に制御した場合（実施例１−４〜１−６）は、バス電極対応パターンと基板との密着性が良好で、かつ、バス電極対応パターンの導通性が確保されることが分かった。
【００５３】
なお、表１には記載しないが、６００℃を超える焼成温度、すなわちガラスフリットの軟化点である５５０℃に５０℃を加えた温度よりも高い焼成温度にても、バス電極対応パターンの焼成実験を行った。この場合、バス電極対応パターンに気泡が生じ、所望の形状の電極が得られないことが分かった。
【００５４】
上記した表１の結果について図４に基づいて考察する。ここで、図４は、前面基板上に形成されたバス電極対応パターンを示す側断面図であり、（Ａ）は焼成温度が３００℃〜３５０℃の場合を示し、（Ｂ）は焼成温度が３５０℃〜４５０℃の場合を示し、（Ｃ）は焼成温度が４５０℃以上の場合を示す。なお、図４において、４１Ａ，４１Ｂはバス電極対応パターンを示し、４１０は導電体を示し、４１１はガラスフリットを示し、４１２は樹脂を示す。
【００５５】
一般的に、アクリル系樹脂やセルロース系樹脂からなる感光性樹脂は、完全に気化するための燃焼温度は３５０℃〜４５０℃であるが、実際には３５０℃までの間で２〜４割程度の樹脂が燃焼する。また、樹脂の軟化は３００℃以上において促進する。
ここにおいて、焼成温度が３００℃よりも低い場合（比較例１−１，１−２）は、樹脂が軟化しないため、バス電極対応パターンは基板に十分に固着しない。また、バス電極対応パターン中の導電体同士も離散した状態となっているので、バス電極対応パターンは導通性を有さないものとなる。
【００５６】
そして、３００℃〜３５０℃の焼成温度にて焼成後、冷却した場合の前面基板上のバス電極対応パターン（実施例１−１〜１−３）は、図４（Ａ）の状態であるものと考えられる。すなわち、焼成温度が３００℃〜３５０℃の温度範囲内では、２〜４割の樹脂４１２が燃焼して全体としてバス電極対応パターン４１Ａが収縮し、導電体４１０同士が密着した状態となる。これにより、バス電極対応パターン４１Ａの導通性が得られたものと思われる。また、バス電極対応パターン４１Ａに残留した樹脂４１２が軟化状態となり、軟化した樹脂４１２が冷却されることにより、バス電極対応パターン４１Ａと前面基板４とが樹脂４１２を介して密着したものと思われる。このようにして、焼成温度が３００℃〜３５０℃の場合、バス電極対応パターン４１Ａと前面基板４との密着性が良好となり、かつ、バス電極対応パターン４１Ａの導通性が確保されたものと考えられる。
【００５７】
また、３５０℃〜４５０℃の焼成温度にて焼成後、冷却した場合の前面基板上のバス電極対応パターン（比較例１−３〜１−５）は、図４（Ｂ）の状態であるものと考えられる。すなわち、焼成温度が３５０℃〜４５０℃の温度範囲内では、樹脂が完全に気化して無くなり、導電体４１０およびガラスフリット４１１のみが互いに密着した状態で残留する。これにより、バス電極対応パターン４１Ｂの導通性が得られたものと思われる。そして、焼成温度がガラスフリット４１１の軟化温度に達していないため、ガラスフリット４１１は前面基板４に対して十分に固着していない状態となっているものと考えられる。このようにして、焼成温度が３５０℃〜４５０℃の場合、バス電極対応パターンの導通性は確保されたものの、バス電極対応パターンは基板に対して十分に密着しなかったものと考えられる。
【００５８】
そして、４５０℃以上の焼成温度にて焼成後、冷却した場合の前面基板上のバス電極対応パターン（実施例１−４〜１−６）は、図４（Ｃ）の状態であるものと考えられる。すなわち、焼成温度が４５０℃以上となると、ガラスフリット４１１が軟化を開始し、バス電極対応パターンが全体として凝縮する。このため、焼成により得られたバス電極４１では、導電体同士がより凝集したために良好な導通性が得られ、また、ガラスフリット４１１が基板に軟化・固着したために、バス電極４１と前面基板４とがガラスフリット４１１を介して密着したものと思われる。このようにして、焼成温度が４５０℃以上の場合、電極と基板との密着性が良好となり、かつ、電極の導通性が確保されたものと考えられる。
【００５９】
以上、表１の結果より、３００℃〜３５０℃の温度範囲でバス電極対応パターンを焼成した場合、得られたバス電極対応パターンは良好な基板密着性および導通性を有しており、このバス電極対応パターンに対してオープンショート検査（ステップＳ１０３）およびリペア処理（ステップＳ１０４）を十分に実施できることが分かった。確認として、実施例１−２（焼成温度３１０℃）に対してオープンショート検査を実施したが、問題なく行うことができ、その後のリペア作業も問題なく実施可能であった。
また、４５０℃以上の温度範囲でバス電極対応パターンを焼成した場合、得られたバス電極は良好な基板密着性および導通性を有し、パネル化しても問題のないバス電極となることが分かった。
【００６０】
(4-2)バス電極とするために最適な焼成温度について
次に、バス電極とするために最適な焼成温度について検証した。
上記(4-1)と同様にして、図３におけるステップＳ１０１の電極パターン形成工程を実施し、バス電極対応パターンを形成した。バス電極対応パターンの長さは９８５ｍｍとし、本数は４３とした。そして、形成したバス電極対応パターンを、３００℃、３５０℃、４３０℃、４８０℃、５００℃、５２０℃、５５０℃、５８０℃の各温度にて焼成した。焼成時間は全て５分に統一した。さらに、各温度で焼成したバス電極対応パターンについてそれぞれ抵抗値を測定した。測定は、長さ９８５ｍｍの電極４３本について全て実施した。実験結果を図５に示す。
なお、上述したように、焼成温度が３００℃よりも低い場合はバス電極対応パターンは導通性を有さないため、抵抗値の測定を実施しなかった。また、上述したように、焼成温度が６００℃（ガラスフリットの軟化点＋５０℃）を超える場合は、バス電極対応パターンに気泡が生じ、所望の形状の電極が得られないため、抵抗値の測定を実施しなかった。
【００６１】
図５の結果より、５００℃（ガラスフリットの軟化点である５５０℃から５０℃を引いた温度）よりも低い焼成温度の場合は、抵抗値の最大値から最小値までのバラツキが１０Ωより大きくなっていた。これより、図３のステップＳ１０６における電極本焼成工程では、焼成温度がガラスフリットの軟化点から５０℃引いた温度よりも低い場合、バス電極４１の抵抗値の安定性に欠け、ＰＤＰとしての特性に影響を及ぼすと考えられる。すなわち、抵抗値のバラツキが大きくなることにより、放電セル毎に放電状態のバラツキが大きくなってしまい、結果として駆動電圧マージンの減少に繋がる。
一方、５００℃〜６００℃の場合は、抵抗値の最大値から最小値までのバラツキが１０Ω以下と小さかった。また、当該温度範囲内では、焼成温度の増加に伴い抵抗値が僅かに低下するものの、大きな差が生じなかった。そして、５００℃よりも低い焼成温度条件と比較して、抵抗値が著しく減少していた。このため、低抵抗のバス電極４１をバラツキの少ない状態で得られるので、ＰＤＰの特性を良好なものにできることが分かった。
【００６２】
以上より、図３のステップＳ１０６における電極本焼成工程では、導電性ペーストに含まれるガラスフリットの軟化点±５０℃の温度範囲内で焼成を実施することにより、抵抗値が小さく、かつ、電極間での抵抗値のバラツキが少ないバス電極４１が得られることが分かった。なお、上記(4-1)にも記載したように、４５０℃以上の温度範囲でバス電極対応パターンを焼成した場合、得られたバス電極は良好な基板密着性を有するため、導電性ペーストに含まれるガラスフリットの軟化点±５０℃の温度範囲内では、密着性という観点からも問題がないことが分かる。
【００６３】
(4-3)電極本焼成工程と誘電体焼成工程とを同時に実施した場合の電極の抵抗値について
次に、電極本焼成工程と誘電体焼成工程とを同時に実施した場合の電極の抵抗値について検証した。
実施例２として、上記(4-1)と同様にして、図３におけるステップＳ１０１の電極パターン形成工程を実施し、バス電極対応パターンを形成した。バス電極対応パターンの長さは９８５ｍｍとし、本数は４３とした。そして、このバス電極対応パターンに対して、図３におけるステップＳ１０２の電極仮焼成工程を実施した。焼成温度は３１０℃とし、焼成時間は５分とした。さらに、図３におけるステップＳ１０５の誘電体層材被覆工程を実施した。すなわち、仮焼成後のバス電極対応パターン上にフィルム状の誘電体層材を被覆した。この誘電体層材（ペースト）に含有されるガラスフリットは、軟化点５７０℃のものを使用した。そして、図３におけるステップＳ１０６の電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同時に実施した。すなわち、上記誘電体層材を被覆した基板に対して、焼成温度５７０℃、焼成時間２０分の条件で焼成した。
【００６４】
一方、比較例２として、上記特許文献１に倣って「電極パターン形成工程→電極本焼成工程→誘電体層被覆工程→誘電体層焼成工程」を順に実施し、バス電極の本焼成と誘電体の焼成とを個別に実施したものを作成した。この際、電極材および誘電体層材は上記実施例２と同一のものを使用し、バス電極対応パターンの長さは９８５ｍｍとし、本数は４３とした。また、電極本焼成工程における焼成は、焼成温度５７０℃、焼成時間５分の条件で実施し、誘電体層焼成工程における焼成は、焼成温度５７０℃、焼成時間２０分の条件で実施した。
そして、実施例２および比較例２のそれぞれについて、バス電極（４３本）の抵抗値を測定した。この測定結果を図６に示す。また、図６より、実施例２および比較例２のそれぞれについて、バス電極（４３本）の抵抗値の平均値を求めた。この結果を表２に示す。
【００６５】
【表２】
2007157591.tif 000004
【００６６】
図６および表２の結果より、実施例２および比較例２を比較すると、実施例２の方が比較例２よりも抵抗値が約１０％低い値となっていることが分かる。これより、バス電極本焼成工程および誘電体層焼成工程における焼成を同時に実施することで、抵抗値の小さなバス電極を形成できることが分かった。このようにバス電極の抵抗値を低くすることにより、ＰＤＰの駆動回路に掛かる負荷を軽減できる。
また、図６の結果より、実施例２および比較例２を比較すると、実施例２の方が比較例２よりも抵抗値のバラツキが小さいことが分かる。これより、バス電極本焼成工程および誘電体層焼成工程における焼成を同時に実施することで、バス電極を均質に形成でき、各放電セルの放電状態を同等なものにできることが分かった。したがって、電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同時に実施することにより、形成されたバス電極の特性を向上させることができることが分かった。
【００６７】
以下、この結果について考察する。
一般的に、電極の本焼成時には、ガラスフリットが軟化して、バス電極パターンが幅方向に広がる現象が生じる。この場合、導電体の密着量が低くなり、結果としてバス電極の抵抗値が高くなる。
ここにおいて、比較例２では、電極の本焼成時にはバス電極対応パターンが誘電体層材にて被覆されていないので、バス電極パターンが幅方向に広がり、結果としてバス電極の抵抗値が高くなったものと考えられる。
一方、実施例２では、電極の本焼成時にはバス電極対応パターンが誘電体層材にて被覆されているので、誘電体層材がバス電極パターンが幅方向に広がることを抑制し、導電体同士の密着量を高く維持されたものと考えられる。結果として、比較例２と比較して低い抵抗値のバス電極が得られたものと考えられる。
【００６８】
(4-4)電極本焼成工程と誘電体焼成工程とを同時に実施した場合の製造効率について
次に、電極本焼成工程と誘電体焼成工程とを同時に実施した場合の製造効率について検証した。
上記(4-3)における実施例２の製造条件と同様にして、実施例３を製造した。また、上記(4-3)における比較例２の製造条件と同様にして、比較例３を製造した。実施例３および比較例３に対する焼成処理は、いずれもタクトタイム６０ｓ、４３インチ３面取り２段式のローラハース式焼成炉にて実施した。つまり、ローラハース式焼成炉にて、４３インチの３倍の大きさの基板を２段重ねにして搬送し、焼成処理を実施した。そして、実施例３と比較例３とについて、スペース効率、消費電力およびリードタイムの比較を行った。この比較結果を表３に示す。表３中のリードタイムとは、基板が焼成炉に搬入されてから搬出されるまでの時間である。
なお、実施例３における「電極パターン形成工程」、「誘電体層材被覆工程」、「電極本焼成工程および誘電体焼成工程」と、比較例３における「電極パターン形成工程」、「誘電体層材被覆工程」、「誘電体焼成工程」とはそれぞれ条件が同一である。そして、実施例３における「電極仮焼成工程」と、比較例３における「電極本焼成工程」とが互いに異なる条件となる。したがって、実施例３と比較例３との比較結果は、実施例３における「電極仮焼成工程」と、比較例３における「電極本焼成工程」との比較結果に相当する。
【００６９】
【表３】
2007157591.tif 000005
【００７０】
表３の結果より、実施例３と比較例３とを比較すると、実施例３は比較例３に対して工場スペースが７２％削減され、消費電力が５８％削減され、かつ、リードタイムが７３％短縮されたことが分かる。これは、実施例３における「電極仮焼成工程」での焼成温度が３１０℃であるのに対して、比較例３における「電極本焼成工程」の焼成温度５７０℃であることに起因するものと考えられる。すなわち、焼成温度が大きく低下したことにより、焼成炉が小規模なもので済み、焼成に要する熱エネルギーも少なくて済み、かつ、所定の状態の焼成品を得るのに要する時間も短くて済むようになったものと考えられる。なお、上記(4-3)の実験結果から、電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同時に実施することにより、形成されたバス電極の特性を向上させることができることも分かっている。
したがって、実施例３のように、「電極パターン形成工程」、「電極仮焼成工程」、「誘電体層材被覆工程」、「電極本焼成工程および誘電体焼成工程」と順次実施することにより、特性に優れたバス電極を高効率で製造できることが分かった。
【００７１】
(4-5)電極本焼成工程および誘電体焼成工程におけるブラックストライプの同時焼成について
上記(4-1)と同様にして、図３におけるステップＳ１０１の電極パターン形成工程を実施し、バス電極対応パターンを形成した。そして、このバス電極対応パターンに対して、図３におけるステップＳ１０２の電極仮焼成工程を実施した。この後、隣接するバス電極対応パターン間に、ディスペンサー法やスクリーン印刷法等にてブラックペーストを塗布し、ブラックストライプに対応するブラックパターンを形成した。このブラックペーストには、軟化点５９５℃のガラスフリット（含有率７０％）および黒色顔料（含有率３０％）を含有するものを使用した。さらに、図３におけるステップＳ１０５の誘電体層材被覆工程を実施した。すなわち、仮焼成後のバス電極対応パターンおよびブラックパターン上にフィルム状の誘電体層材を被覆した。この誘電体層材（ペースト）に含有されるガラスフリットは、軟化点５７０℃のものを使用した。そして、図３におけるステップＳ１０６の電極本焼成工程および誘電体焼成工程を同時に実施した。すなわち、上記誘電体層材を被覆した基板に対して、焼成温度５７０℃、焼成時間２０分の条件で焼成した。
結果として、外観および特性に優れたバス電極、ブラックストライプおよび誘電体層を、同時に形成することができた。
したがって、電極本焼成工程および誘電体焼成工程において、バス電極対応パターンおよび誘電体層材の焼成と共に、ブラックストライプの焼成を同時に問題なく実施できることが分かった。
【００７２】
（５）実施形態の変形
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００７３】
前記実施形態では、ＰＤＰとして、前面基板側に透明電極、バス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設け、かつ、背面基板側に蛍光体層およびアドレス電極を設けた反射型交流ＰＤＰを例示したが、これに限らない。すなわち、本発明は、前面基板側に透明電極、バス電極、アドレス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設け、背面基板側に蛍光体層を設けた反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を設け背面基板側に透明電極、バス電極、アドレス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設けた透過型交流ＰＤＰ、放電空間のバス電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間のバス電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなど、種々の形式のＰＤＰに対して適用できる。
【００７４】
前記実施形態では、本発明のＰＤＰの製造方法を、前面基板４のバス電極４１および誘電体層４３を形成する場合に適用したが、背面基板３のアドレス電極３０およびアドレス電極保護層３１を形成する場合にも適用できる。すなわち、電極パターン形成工程では、アドレス電極３０となる導電体を含む導電性ペーストを用い、誘電体層材被覆工程では、アドレス電極保護層３１となる誘電体層材を用いれば、上記（２）に示した前面基板４におけるバス電極４１および誘電体層４３の形成方法と略同様にして、アドレス電極３０およびアドレス電極保護層３１を形成することができる。この場合も、上記実施形態と同様に、電極および誘電体層の形成工程における焼成工程を簡略化でき、かつ、電極の検査および修正を好適に実施でき、本構成を前期実施形態の構成に加えることでさらなる製造効率の向上が図れる。
【００７５】
前記実施形態では、誘電体層４３を平面状に形成する構成を例示したが、誘電体層４３の厚さ方向に所定の寸法だけ膨出した嵩上げ誘電体層をさらに設ける構成としてもよい。この嵩上げ誘電体層は、所定の放電セル３２Ａで生じた放電が隣接する放電セル３２Ａに飛び移り誤放電が生じるのを防止するものである。
このような嵩上げ誘電体層は、電極本焼成工程および誘電体焼成工程（図３のステップＳ１０６）の同時実施時に、バス電極４１、ブラックストライプ４２および誘電体層４３と同時に形成することが可能である。すなわち、誘電体層材被覆工程（図３のステップＳ１０５）の後に、さらに、嵩上げ誘電体層となる誘電体層材を積層してフォトリソ法やスクリーン印刷法によりパターニングする。そして、電極本焼成工程および誘電体焼成工程（図３のステップＳ１０６）において、バス電極対応パターン、ブラックパターン、誘電体層材および嵩上げ誘電体層となる誘電体層材を同時に焼成することにより、嵩上げ誘電体層を併せて形成できる。これにより、バス電極４１、ブラックストライプ４２、誘電体層４３および嵩上げ誘電体層のそれぞれの焼成工程を１つに集約できるので、製造効率を向上できる。
【００７６】
（６）実施形態の作用効果
上述したように、上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、電極パターン形成工程（図３のステップＳ１０１）と、電極仮焼成工程（図３のステップＳ１０２）と、電極本焼成工程（図３のステップＳ１０６）とを含む。電極パターン形成工程では、前面基板４上に、導電体、ガラスフリットおよび樹脂を含む導電性ペーストを用いて、バス電極４１に対応したバス電極対応パターンを形成する。電極仮焼成工程ではバス電極対応パターンに対して３００℃〜３５０℃の温度で仮焼成を施す。電極本焼成工程ではバス電極対応パターンに含まれるガラスフリットの軟化点近傍の温度にてバス電極対応パターンを焼成する。
このように、電極仮焼成工程における焼成を３００℃〜３５０℃の温度範囲内で実施するため、焼成工程で消費するエネルギー量を低減できる。また、電極仮焼成工程における焼成装置自体を小型化でき、バス電極４１および誘電体層４３の形成工程を通じて５００℃前後での焼成工程が１度で済むので、従来よりも工場スペースを縮小できる。そして、電極仮焼成工程にて焼成されたバス電極対応パターンは、前面基板４に密着して適度な剛性および導通性を有している。この状態において、各バス電極対応パターンは露出しているため、各バス電極対応パターンに対してオープンショート検査およびリペア処理を問題なく実施できる。このように、パネル化前にバス電極４１の検査・修正を実施できるので、歩留の低下を防ぎ、生産性の向上を図ることができる。また、電極本焼成工程においてバス電極対応パターンを焼成することにより、電極仮焼成工程後のバス電極対応パターン内に残留した樹脂を完全に除去でき、ＰＤＰ１の特性や寿命等の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】（Ａ）従来のバス電極形成工程および誘電体層形成工程の各焼成工程を別々に実施する方法における、バス電極形成工程の焼成工程後の第１のガラス基板を模式的に示す平面図、（Ｂ）従来のバス電極形成工程および誘電体層形成工程の各焼成工程を同時に実施する方法における、焼成工程後の第２のガラス基板を模式的に示す平面図、（Ｃ）従来のバス電極形成工程および誘電体層形成工程の各焼成工程を同時に実施する方法における、焼成工程後の第３のガラス基板を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図３】前記実施形態における電極および誘電体層の形成工程を示すフローチャートである。
【図４】前記実施形態における前面基板上に形成されたバス電極対応パターンを模式的に示す側断面図であり、（Ａ）は焼成温度が３００℃〜３５０℃の場合を示し、（Ｂ）は焼成温度が３５０℃〜４５０℃の場合を示し、（Ｃ）は焼成温度が４５０℃以上の場合を示す。
【図５】本発明の一実施例におけるバス電極の焼成温度と抵抗値との関係を示す図である。
【図６】本発明のＰＤＰの製造方法にて形成したバス電極の抵抗値と、従来のＰＤＰの製造方法にて形成したバス電極の抵抗値とを示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１…プラズマディスプレイパネル
２…放電空間
３…背面基板
３０…アドレス電極
３１…アドレス電極保護層（誘電体層）
４…前面基板
４１…バス電極
４１Ａ…バス電極対応パターン（電極パターン）
４１Ｂ…バス電極対応パターン（電極パターン）
４３…誘電体層
４１０…導電体
４１１…ガラスフリット
４１２…樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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