(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の外光照射による劣化を十分に抑制する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、その前面側に配置されると共に可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で３％以下であり且つ４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの各波長で４０％以上である紫外線遮断層ＭＬＦとを具備したことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で３％以下であり且つ４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの各波長で４０％以上である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記紫外線遮断層は可視光線についての透過率が４２０ｎｍ以上の各波長で１０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に波長が４１８ｎｍの光についての透過率Ｔ418と波長が４５０ｎｍの光についての透過率Ｔ450との比Ｔ418／Ｔ450が０．１以下である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に波長が４１８ｎｍ以下の可視光線についての透過率の最大値Ｔmaxと波長が４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの範囲内にある光についての透過率の最小値Ｔminとの比Ｔmax／Ｔminが０．１以下である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記紫外線遮断層は偏光板を含んでいることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置を搭載した電子機器では、表示パネルの前面側に偏光板を配置することがある。これら偏光板の多くは紫外線遮断機能を有しており、したがって、有機ＥＬ素子の紫外線照射による劣化を抑制する役割を担っている。しかしながら、そのような偏光板を有機ＥＬ表示パネルの前面側に配置したとしても、外光照射による有機ＥＬ素子の劣化を十分に抑制できる訳ではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の外光照射による劣化を十分に抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１側面によると、有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で３％以下であり且つ４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの各波長で４０％以上である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００５】
本発明の第２側面によると、有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に波長が４１８ｎｍの光についての透過率Ｔ418と波長が４５０ｎｍの光についての透過率Ｔ450との比Ｔ418／Ｔ450が０．１以下である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００６】
本発明の第３側面によると、有機ＥＬ素子と、その前面側に配置されると共に波長が４１８ｎｍ以下の可視光線についての透過率の最大値Ｔmaxと波長が４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの範囲内にある光についての透過率の最小値Ｔminとの比Ｔmax／Ｔminが０．１以下である紫外線遮断層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、有機ＥＬ素子の外光照射による劣化を十分に抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。
【００１０】
図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲと、多層フィルムＭＬＦとを含んでいる。
【００１１】
表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳと、封止基板ＣＳと、それらの間に介在したシール層ＳＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは向き合っている。シール層ＳＳは、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に密閉空間を形成している。この密閉空間は、不活性ガスで満たされている。
【００１２】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。  
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲートＧが順次積層されており、それらは電界効果トランジスタであるトップゲート型の薄膜トランジスタを構成している。この例では、これら薄膜トランジスタは、ｐチャネル薄膜トランジスタであり、図１の駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１４】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と、図示しない下部電極とがさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに下部電極は、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。
【００１５】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１６】
下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートに接続されている。下部電極は、後述するキャパシタＣの一方の電極として利用する。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００１８】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、図１に示す映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、並びに図示しない上部電極が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００１９】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２０】
映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬの各々の一端は、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２１】
電源線ＰＳＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、この例では、電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。
【００２２】
上部電極は、電源線ＰＳＬに接続されている。上部電極は、キャパシタＣの他方の電極として利用する。
【００２３】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２４】
パッシベーション膜ＰＳ上には、前面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが形成されている。画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２５】
画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００２７】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２８】
画素電極ＰＥ上には、活性層として発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が青、緑又は赤色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００２９】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、図２に示すように、背面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、この例では例えばアルミニウムからなる光反射性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３０】
画素ＰＸの各々が含む画素回路は、この例では、駆動制御素子（駆動トランジスタ）ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３１】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３２】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのゲートとドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３３】
キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば第１電源端子ＮＤ１に接続する。
【００３４】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、アレイ基板ＡＳ上に配置されている。すなわち、この例では、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００３５】
多層フィルムＭＬＦは、表示パネルＤＰの前面に貼り付けられている。多層フィルムＭＬＦは、偏光フィルタとしての機能を有する紫外線遮断層である。
【００３６】
図３は、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置で使用可能な多層フィルムの一例を概略的に示す断面図である。この多層フィルムＭＬＦは、位相差板ＲＴＤと、接着剤層ＡＤ１と、偏光板ＰＬＺと、硬質樹脂層ＨＲと、紫外線吸収層ＵＶＡと、反射防止層ＡＲとを含んでいる。多層フィルムＭＬＦは、位相差板ＲＴＤが基板ＳＵＢと向き合うように配置されてると共に、接着剤層ＡＤ２を介してアレイ基板ＡＳに貼り付けられている。偏光板ＰＬＺと紫外線吸収層ＵＶＡとは、図３に示したのとは逆の順番で積層してもよい。
【００３７】
多層フィルムＭＬＦは、紫外線を遮断するのに加え、可視光線のうち波長の短い光線を遮断する。典型的には、この光学特性は、主として、紫外線吸収層ＵＶＡによりもたらされる。
【００３８】
紫外線吸収層ＵＶＡとしては、例えば、有機高分子フィルムに金属酸化物からなる超微粒子を支持させたものを使用することができる。例えば、紫外線吸収層ＵＶＡとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム上にＡＴＯ（antimony tin oxide）やＩＴＯ（indium tin oxide）などからなる超微粒子を分散させたものを使用することができる。また、この紫外線吸収層ＵＶＡの代わりに、誘電体多層膜からなる干渉フィルタを使用することもできる。
【００３９】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る行の画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号としてそれぞれ出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。
【００４０】
スイッチＳＷａを閉じ（ＯＮ）ている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００４１】
さて、この有機ＥＬ表示装置で使用している多層フィルムＭＬＦは、紫外線を遮断するのに加え、可視光線のうち波長の短い光線を遮断する。そのため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの太陽光等の外光照射による劣化を十分に抑制することが可能となる。これについて、以下に詳細に説明する。
【００４２】
図４は、有機ＥＬ素子が含む有機物層の光学特性の一例を示すグラフである。図中、横軸は波長を示し、縦軸は屈折率及び消衰係数を示している。また、曲線Ｃnは有機物層ＯＲＧの屈折率を示し、曲線Ｃkは有機物層ＯＲＧの消衰係数を示している。
【００４３】
図４に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機物層ＯＲＧは、波長が４００ｎｍ以下の紫外域に吸収のピークがある。但し、有機物層ＯＲＧは、紫外線のみを吸収する訳ではなく、波長が４００ｎｍよりも長い可視光線のうち波長が短い光線も吸収する。そのため、紫外線のみを遮断しても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外光照射による劣化を十分に抑制することはできない。
【００４４】
これに対し、上記の通り、多層フィルムＭＬＦは、紫外線を遮断するのに加え、可視光線のうち波長の短い光線を遮断する。そのため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外光照射による劣化を十分に抑制することができる。
【００４５】
なお、波長が４５０ｎｍ以上の可視光線を遮断すると、波長が約５００ｎｍ以下の光線を遮断すれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外光照射による劣化をほぼ完全に防止できる。しかしながら、この場合、色再現性が不十分となる。したがって、多層フィルムＭＬＦは、波長が４５０ｎｍ以上の可視光線を透過するように設計し、より高い色再現性が要求される場合には波長が４３０ｎｍ以上の可視光線を透過するように設計する。
【００４６】
図５は、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置で使用可能な多層フィルムの光学特性の一例を示すグラフである。図６は、図５の一部を拡大して示すグラフである。図５及び図６において、横軸は波長を示し、縦軸は透過率を示している。
【００４７】
図５及び図６において、曲線Ｃ1は、図３の構造を有する多層フィルムＭＬＦの透過率を示している。ここでは、硬質樹脂層ＨＲとしてポリカーボネート層層を使用し、紫外線吸収層ＵＶＡとしてポリエチレンテレフタレートフィルム上にＡＴＯからなる超微粒子を分散させたものを使用し、反射防止層ＡＲとしてＳｉＯ2層とＴｉＯ2層との積層体を使用している。曲線Ｃ2は、先の多層フィルムＭＬＦから紫外線吸収層ＵＶＡを省略したものの透過率を示している。また、曲線Ｃ3は、先の多層フィルムＭＬＦから紫外線吸収層ＵＶＡと反射防止層ＡＲとを省略したものの透過率を示している。
【００４８】
この多層フィルムＭＬＦは、曲線Ｃ1で示すように、紫外線についての透過率が０％であるのに加え、可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で０％である。測定誤差が最大で２乃至３％であることを考慮すると、この多層フィルムＭＬＦは、紫外線についての透過率が３％以下であるのに加え、可視光線についての透過率が４１８ｎｍ以下の各波長で３％以下である。また、この多層フィルムＭＬＦは、可視光線についての透過率が４２０ｎｍ以上の各波長で１０％以上であり、４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの各波長で４０％以上である。
【００４９】
すなわち、この多層フィルムＭＬＦは、波長が紫外線に近い可視光線についての透過率とそれ以外の波長の可視光線についての透過率との比が小さい。例えば、この多層フィルムＭＬＦは、波長が４１８ｎｍの光についての透過率Ｔ418と波長が４５０ｎｍの光についての透過率Ｔ450との比Ｔ418／Ｔ450は０．１以下である。また、この多層フィルムＭＬＦは、波長が４１８ｎｍ以下の可視光線についての透過率の最大値Ｔmaxと波長が４５０ｎｍ乃至７７０ｎｍの範囲内にある光についての透過率の最小値Ｔminとの比Ｔmax／Ｔminが０．１以下である。
【００５０】
これに対し、先の多層フィルムＭＬＦから紫外線吸収層ＵＶＡなどを省略すると、曲線Ｃ2及びＣ3から明らかなように、可視光線についての透過率は４１０ｎｍ以上の各波長で１０％を超えてしまう。このように、先の多層フィルムＭＬＦから紫外線吸収層ＵＶＡを省略すると、曲線Ｃ1で示すような透過率を実現できない。
【００５１】
この光学特性の相違が有機ＥＬ表示装置の耐光特性に与える影響を調べるべく、以下の耐光試験を行った。すなわち、表示面に光を照射しながら有機ＥＬ表示装置を連続点灯し、一定時間毎に輝度を測定した。ここでは、光源としてサンシャインカーボンアークを使用し、温度は約６３℃に、相対湿度は約３０乃至約７０％に管理した。また、波長３００乃至７００ｎｍの光線についての照射照度は２５５Ｗ／ｍ2とした。なお、この条件のもとでは、試験を３６０時間継続することは、表示装置を自動車の車内に設置してから１５年間経過したことに相当する。
【００５２】
図７乃至図１０は、有機ＥＬ表示装置の耐光特性を示すグラフである。図７には、有機ＥＬ表示装置に白色画像を表示させた場合に得られたデータを示している。図８には、有機ＥＬ表示装置に青色画像を表示させた場合に得られたデータを示している。図９には、有機ＥＬ表示装置に緑色画像を表示させた場合に得られたデータを示している。図１０には、有機ＥＬ表示装置に赤色画像を表示させた場合に得られたデータを示している。
【００５３】
図７乃至図１０において、横軸は耐光試験開始からの経過時間を示し、縦軸は初期輝度を基準とした相対輝度を示している。また、曲線ＣAは、図５及び図６において曲線Ｃ1で表す光学特性を有する多層フィルムＭＬＦを用いた場合のデータを示している。他方、曲線ＣBは、この多層フィルムＭＬＦの代わりに、図５及び図６において曲線Ｃ2で表す光学特性を有するフィルムを用いた場合のデータを示している。
【００５４】
曲線ＣAと曲線ＣBとの比較から明らかなように、紫外線吸収層ＵＶＡを含む多層フィルムＭＬＦを用いた場合には、相対輝度の低下を十分に抑制することができた。すなわち、紫外線吸収層ＵＶＡを含む多層フィルムＭＬＦを用いた場合、優れた耐光特性を実現することができた。
【００５５】
また、紫外線遮蔽層ＵＶＡをパネル外側に配置することにより、紫外線遮蔽層ＵＶＡ内で吸収する熱が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへ及ぼす影響を抑制することが可能となる。したがって、パネル内部に紫外線遮蔽層ＵＶＡを設けた場合と比べ、より長寿命な表示装置を実現することが可能となる。
【００５６】
本態様では、本発明を下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。また、本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図１及び図２の有機ＥＬ表示装置で使用可能な多層フィルムの一例を概略的に示す断面図。
【図４】有機ＥＬ素子が含む有機物層の光学特性の一例を示すグラフ。
【図５】図１及び図２の有機ＥＬ表示装置で使用可能な多層フィルムの光学特性の一例を示すグラフ。
【図６】図５の一部を拡大して示すグラフ。
【図７】有機ＥＬ表示装置の耐光特性を示すグラフ。
【図８】有機ＥＬ表示装置の耐光特性を示すグラフ。
【図９】有機ＥＬ表示装置の耐光特性を示すグラフ。
【図１０】有機ＥＬ表示装置の耐光特性を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５８】
ＡＤ１…接着剤層、ＡＤ２…接着剤層、ＡＲ…反射防止層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、Ｃ1…透過率、Ｃ2…透過率、Ｃ3…透過率、ＣA…相対輝度、ＣB…相対輝度、Ｃk…消衰係数、Ｃn…屈折率、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動制御素子、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＲ…硬質樹脂層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＭＬＦ…多層フィルム、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＬＺ…偏光板、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＴＤ…位相差板、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…出力制御スイッチ、ＳＷｂ…映像信号供給制御スイッチ、ＳＷｃ…ダイオード接続スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＵＶＡ…紫外線吸収層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2007027043.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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