(57)【要約】【課題】  試験時間の短縮を図ることが可能な半導体検査装置を提供する。【解決手段】  半導体検査装置１００は、下部側に接触子１０が設けられ、上部側にこの接触子１０と電気的に導通するパッド部１１が設けられた両可動型コンタクトプローブ１２を有する複数のプローブカード２と、積層された半導体ウェーハ１をそれぞれ保持するためのウェーハ保持部３と、最上部のプローブカード２の上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置４と、最下部のプローブカード２の下方に配置された最下部用プローブカード基板５と、最上部のプローブカード２のパッド部１１から最下部のプローブカード２の接触子１０までの導通状態を試験するためのコンタクト試験装置と、を備える。コンタクト試験により導通していないと判断された場合は、最上部のプローブカード２上面側から圧力を印加する。【選択図】  図１
2007012709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部側に半導体ウェーハを貫通する検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が設けられ、上部側にこの接触子と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子を受け止めるためのパッド部が設けられたコンタクトプローブを有する複数のプローブカードと、
前記半導体ウェーハ上に、この半導体ウェーハの前記検査用貫通孔部を前記接触子が貫通するように前記プローブカードを配置し、このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持するためのウェーハ保持部と、を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
積層された最上部の前記プローブカードの上方に配置され、このプローブカードの上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置と、
積層された最下部の前記プローブカードの下方に配置され、このプローブカードの接触子を受け止めるための最下部用プローブカード基板と、
最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験するためのコンタクト試験装置と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項３】
前記ウェーハ単位で前記パッド部と前記接触子とのコンタクト試験をするためのウェーハ単位試験装置を、
さらに備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体検査装置。
【請求項４】
下部側に接触子が設けられ、上部側に前記接触子と電気的に導通するパッド部が設けられたコンタクトプローブを有するプローブカードを、半導体ウェーハに形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部に前記接触子電気的に導通するとともに貫通するように半導体ウェーハ上に配置し、
このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、
この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持し、
積層された最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験し、
前記コンタクト試験により、前記最上部のプローブカードの前記パッド部と前記最下部のプローブカードの接触子との間が導通していない場合は、このプローブカードの上方から圧力を印加することを特徴とすることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項５】
前記最上部のプローブカードの上面側から圧力を印加した後、前記コンタクト試験を再度実施し、
最上部のプローブカードのパッド部と最下部のプローブカードの接触子との間が導通していないと判定された場合には、それぞれの前記接触子と前記パッド部の導通状態を試験し、
導通していないと判定された接触子を有するコンタクトプローブと、この接触子と導通すべきパッド部を有するコンタクトプローブとを配線することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ上に形成された半導体装置の電気的試験を行う半導体検査装置および半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路を製造する際、製造工程中に集積回路の電気的特性試験を行うことが必須とされている。この試験においては、集積回路が製造されたウェーハと外部の半導体試験装置との間に、試験信号を伝送させる伝送路を設ける必要がある。伝送路は先端に接触子を有し、この接触子を集積回路上の接続端子に接触させることによって、外部の半導体試験装置で生成された試験信号を集積回路に供給する。近年、回路の微細化および高集積化により、より効率よく試験を行うことが要求されている。
【０００３】
ここで、従来技術の半導体試験装置には、試験信号を送受信するための信号送信部と、この信号送信部の信号を評価ウェーハに供給するためのプローブカードと、信号送信部とプローブカードとの間に設けられコプラナリティを向上するためのインターフェースと、評価ウェーハを固定するためのチャックと、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記従来技術は、一枚のウェーハの或る部分に対して、レティクルと表現される1チップのパッド座標を数十チップ分繰り返して配した単位で測定を実施する。したがって、1つの評価ウェーハの測定を実施するのに、数回コンタクトを繰り返して評価ウェーハ全面を測定する必要がある。さらに、例えば、同一ロット内の同様の集積回路を形成した複数のウェーハについても同様の試験を繰り返す必要がある。このように、試験にかかる時間が単純にその測定回数分増え、試験の効率化を図ることができないという問題があった。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／０１６３３４９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するものであり、複数の半導体ウェーハに対して半導体装置の機能試験の実施のための信号のより確実な出入力を可能にし、試験時間の短縮を図ることが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体検査装置は、下部側に半導体ウェーハを貫通する検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が設けられ、上部側にこの接触子と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子を受け止めるためのパッド部が設けられたコンタクトプローブを有する複数のプローブカードと、
前記半導体ウェーハ上に、この半導体ウェーハの前記検査用貫通孔部を前記接触子が貫通するように前記プローブカードを配置し、このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持するためのウェーハ保持部と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体装置の検査方法は、下部側に接触子が設けられ、上部側に前記接触子と電気的に導通するパッド部が設けられたコンタクトプローブを有するプローブカードを、半導体ウェーハに形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部に前記接触子電気的に導通するとともに貫通するように半導体ウェーハ上に配置し、
このプローブカードと半導体ウェーハとの組を、前記プローブカードのパッド部がその上方に配置されるべき他のプローブカードの接触子を受け止めるように積層し、
この積層された前記半導体ウェーハをそれぞれ保持し、
積層された最上部の前記プローブカードの前記パッド部から最下部の前記プローブカードの前記接触子までの導通状態を試験し、
前記コンタクト試験により、前記最上部のプローブカードの前記パッド部と前記最下部のプローブカードの接触子との間が導通していない場合は、このプローブカードの上方から圧力を印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体検査装置によれば、半導体ウェーハとプローブカードとを交互に積層し、この積層された各半導体ウェーハの半導体装置について一括した信号入出力を可能とするので、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の全体構成を示す断面図であり、図２は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。また、図３は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置のプローブカードの要部構成を示す断面図および平面図である。また、図４は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブ（ポゴピン）の要部構成を示す断面図である。
【００１１】
図１に示すように、半導体検査装置１００は、半導体ウェーハ１に設けられた半導体装置（図示せず）の電気的特性の検査のための信号を印加するためのプローブカード２と、積層された半導体ウェーハ１を保持するためのウェーハ保持部３と、積層された最上部のプローブカード２の上方に配置され、このプローブカード２の上方から圧力を印加するためのコンタクト圧印加装置４と、積層された最下部のプローブカード２の下方に配置された最下部用プローブカード基板５と、コンタクト試験のための信号を生成し最上部のプローブカード２に入力するためのコンタクト試験用ドライバ６と、最下部用プローブカード基板５に接続され、積層されたプローブカード２を通過した信号が入力されるコンタクト試験用コンパレータ７と、プローブカード２に接続され、ウェーハ単位でコンタクト試験をするためのウェーハ単位試験用コンパレータ８と、を備えている。
【００１２】
半導体ウェーハ１は、例えば、約７０μｍ〜８０μｍの厚さを有し、半導体装置の検査のために信号を出入力するための検査用貫通孔部９が貫通するように形成されている。この検査用貫通孔部９は、例えば、１００μｍ程度の直径を有する。また、検査用貫通孔部９の内面および上部には、例えば、Ａｌ等の導電性膜が成膜されており、半導体装置と電気的に接続されている。この検査用貫通孔部９は、一般的な半導体ウェーハをエッチングしてホール構造を形成し、例えば、Ａｌ等の導電性膜を当該ホール内面および上部に形成し、当該半導体ウェーハを裏面から削って当該ホールを貫通させることにより形成することが可能である。
【００１３】
なお、検査用貫通孔部９は当該半導体装置のエリア内に形成されていてもよく、また、ダイシングにより当該半導体装置から分離されるようにエリア外に形成されていてもよい。
【００１４】
図１および図２に示すように、プローブカード２は、検査用貫通孔部９にコンタクトするとともに貫通するための接触子１０が下部側に設けられ、この接触子１０と電気的に導通するとともに上部に配置された他の接触子１０を受け止めるためのパッド部１１が上部側に設けられた両可動型コンタクトプローブ１２を有する。
【００１５】
接触子１０は、針状部１０ａと、ふた状部１０ｂとからなる鋲状プローブ針である。この針状部１０ａがパッド部１１に電気信号を伝送する。ふた状部１０ｂは、検査用貫通孔部９の上部で接触し支持されるとともに電気的に導通するようになっている。また、接触子１０は、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部９と接触して電気的に接続できるようになっている。また、パッド部１１は、例えば、金等の導電性の材質からなり、上部に配置される接触子１０と電気的に接続できるようになっている。各パッド部１１には、接触子１０から所定の力が加わるようになっている。
【００１６】
また、プローブカード２には、ウェーハ単位試験用コンパレータ８と接続するための外周コンタクタ１３が設けられている。この外周コンタクタ１３は、図３に示すように、配線２ａにより両可動型コンタクトプローブ１２に接続され電気的に接続されている。なお、両可動型コンタクトプローブ１２のパッド部１１は、検査対象の半導体装置のパターン２ｂに合わせて配置されている。
【００１７】
また、この外周コンタクタ１３には、図１に概略的に示すように、リレー１８が接続されている。さらに、このリレー１８は、当該リレー１８が接続されたプローブカード２の上下に隣接するプローブカード２の外周コンタクタ１３と他のリレー１８を介して配線されるようになっている。このリレー１８を切り換えることにより、コンタクト不良がある半導体ウェーハ１を迂回して配線される。すなわち、コンタクト不良がある半導体ウェーハ１上に配置されたプローブカード２の両可動型コンタクトプローブ１２の接触子１０を信号の伝送路としないで、当該半導体ウェーハ１の上下に配置されるプローブカード２の信号を伝送すべき両可動型コンタクトプローブ１２同士が導通するように配線（経路迂回処置）できるようになっている。
【００１８】
そして、プローブカード２は、コンタクト試験用ドライバ６が出力した信号を全ての半導体ウェーハ１に伝送させるために、半導体ウェーハ１上に、この半導体ウェーハ１の検査用貫通孔部９を接触子１０が貫通するように配置される。このプローブカード２と半導体ウェーハ１との組が、プローブカード２のパッド部１１がその上方に配置されるべき他のプローブカード２の接触子１０を受け止めるように積層されるようになっている。この積層された半導体ウェーハ１とプローブカード２との間の距離は、例えば、約３００μｍ程度に調整される。
【００１９】
ここで、図４に示すように、両可動型コンタクトプローブ１２は、プローブカード２の本体に固定され、弾性体であるバネ部１４を支持する外筒１５と、接触子１０が下面側に接続されるとともにバネ部１４が上面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な下部内筒１６と、パッド部１１が上面側に接続されるとともにバネ部１４が下面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な上部内筒１７と、を有する。この下部内筒１６、上部内筒１７が上下に摺動可能であることにより、プローブカード２のコプラナリティを吸収できるようになっている。また、バネ部１４、外筒１５、下部内筒１６、および上部内筒１７は、導電性の材質で形成されており、所定の電気信号が伝達できるようになっている。なお、コンタクトプローブ１２は、少なくとも接触子１０またはパット部１１の片側のみ可動するようになっていてもよい。
【００２０】
ウェーハ保持部３は、既述のように、積層された半導体ウェーハ１をそれぞれ保持する。
【００２１】
最下部用プローブカード基板５は、最下部のプローブカード２の接触子１０を受け止め、この接触子１０を伝達してきた信号をコンタクト試験用コンパレータ７に出力するようになっている。
【００２２】
コンタクト試験用コンパレータ７は、コンタクト試験用ドライバ６が出力し積層されたプローブカード２を伝送してきた信号、すなわち、最下部用プローブカード基板５の出力信号に基づいて、最上部のプローブカード２のパッド部から最下部のプローブカードの接触子までの導通状態を試験する。このコンタクト試験用ドライバ６とコンタクト試験用コンパレータ７とによりコンタクト試験装置が構成される。
【００２３】
上記コンタクト試験により、最上部のプローブカード２のパッド部１１と最下部のプローブカード２の接触子１０との間が導通していないと判定された場合は、コンタクト圧印加装置４は、最上部のプローブカード２の上面側から圧力を印加する。
【００２４】
ウェーハ単位試験用コンパレータ８は、上部に積層されたプローブカード２を介して、コンタクト試験用ドライバ６が出力しパッド部１１に伝達される信号の入力に基づいて、ウェーハ単位でパッド部１１と接触子１０とのコンタクト試験をする。このウェーハ単位試験用コンパレータ８とコンタクト試験用ドライバ６とにより、ウェーハ単位コンタクト試験装置が構成される。なお、ウェーハ単位試験用コンパレータ８は、最上層のプローブカード２に接続された場合、コンタクト試験用ドライバ６とパッド部１１とが電気的に導通しているか否かを検出することができるようになっている。
【００２５】
次に、上記構成を有する半導体検査装置１００により半導体装置を検査するための方法について説明する。ここで、本検査方法は、積層された各半導体ウェーハの半導体装置を並行して機能試験するために、前段階として、各半導体装置に接続された検査用貫通孔部に各プローブカード２が信号を印加できる状態かを検査するとともに、コンタクト不良がある場合には、当該コンタクト不良の改善策を実施するものである。さらに、当該改善策によってもコンタクト不良が改善されない場合には、コンタクト不良のあった半導体ウェーハを迂回して配線し積層された他の半導体ウェーハの半導体装置の機能検査の実施を可能にするものである。
【００２６】
以下、図面を参照しつつ本検査方法について説明する、図５は、本発明の一態様である実施例１に係る半導体装置の検査方法を示すフロー図である。
【００２７】
ます、プローブカード２を、半導体ウェーハ１に形成された半導体検査装置の検査用貫通孔部９に接触子１０がコンタクトするとともに貫通するように半導体ウェーハ１上に配置する（ステップＳ１）。
【００２８】
次に、プローブカード２と半導体ウェーハ１との組を、プローブカード２のパッド部１１がその上方に配置されるべき他のプローブカード２の接触子１０を受け止めるように積層する（ステップＳ２）。
【００２９】
このステップＳ２の後、ウェーハ保持部３により、積層された半導体ウェーハ１をそれぞれ保持する（ステップＳ３）。これらの半導体ウェーハ１は、プローブカード２の接触子１０に負荷を与えないように位置決めされた位置に固定される。
【００３０】
積層された最上部のプローブカード２のパッド部１１から最下部のプローブカード２の接触子１０までの導通状態をコンタクト試験する（ステップＳ４）。このコンタクト試験は、例えば、コンタクト試験用ドライバ６の出力信号が積層された全てのプローブカード２の接触子１０とパッド部１１とを伝送して、コンタクト試験用コンパレータ７により正常に検出されるか否かを判定することにより実施される。なお、コンタクト不良の原因としては、例えば、検査用貫通孔部９が正常に開口しておらず、また、半導体装置の製造工程中のアルミの成膜不良で生じた検査用貫通孔部９のアルミのつまりにより接触子１０が正常に貫通できない場合等が考えられる。
【００３１】
このステップＳ４のコンタクト試験により、コンタクト不良が検出されなかった場合には、積層された各半導体ウェーハ１の半導体装置について機能試験が並行して実施されることとなる。なお、各半導体装置に対する機能試験は、例えば、最上部のプローブカード２のパッド部１１、最下部用プローブカード基板５、および各プローブカードの外周コンタクタ１３から機能試験のための信号を出入力することにより実施される。
【００３２】
一方、ステップＳ４のコンタクト試験により、最上部のプローブカード２のパッド部１１と最下部のプローブカード２の接触子１０との間が導通していないと判定された場合は、コンタクト圧力印加装置４により、最上部のプローブカード２の上方から圧力を印加する（ステップＳ５）。このコンタクト圧力印加装置４による圧力の印加は、半導体ウェーハ１およびプローブカード２を破損しない程度の値まで徐々に増加するように実施される。これにより、最上部のプローブカード２の接触子１０から下方に積層された両可動型コンタクトプローブ１２の弾性的に上下に摺動するパッド部１１および接触子１０により圧力が伝達される。そして、例えば、接触子１０が正常に検査用貫通孔部９を貫通した場合には、コンタクト不良のあったパッド部１１とのコンタクト不良が改善されることとなる。
【００３３】
ステップＳ５で最上部のプローブカード２の上面側から圧力を印加した後、コンタクト試験装置によりコンタクト試験を再度実施する（ステップＳ６）。
【００３４】
このステップＳ６のコンタクト試験により、コンタクト不良が検出されなかった場合には、積層された各半導体ウェーハ１の半導体装置について機能試験が並行して実施されることとなる。
【００３５】
一方、最上部のプローブカード２のパッド部１１と最下部のプローブカードの接触子１０との間が導通していないと判定された場合には、ウェーハ単位試験装置によりそれぞれの接触子１０とパッド部１１の導通状態を試験する（ステップＳ７）。
【００３６】
上記試験により、導通していないと判定された接触子１０を有する両可動型コンタクトプローブ１２と、この接触子１０と導通すべきパッド部１１を有する両可動型コンタクトプローブ１２とをリレー１８を切り換えることにより経路迂回処置する（ステップＳ８）。これにより、コンタクト不良のあった半導体ウェーハ１を迂回して配線し積層された他の半導体ウェーハ１の半導体装置の機能検査の実施ができるようになる。
【００３７】
ここで、図６は、図１に示す半導体検査装置の要部の構成を示す断面図および配線図である。図６に示すように、例えば、半導体ウェーハ１ａ、半導体ウェーハ１ｂで検査用貫通孔部９が正常に開口していないために、接触子１９ａとパッド部２０ａとが導通せずコンタクト不良２１が発生した場合は、リレー１８ａをそのままにし、リレー１８ｂを切り換えて、半導体ウェーハ１ａを挟む上下２つのプローブカード２の外周コンタクタ１３を配線する。これにより、既述のように、積層された他の半導体ウェーハ１の半導体装置の機能検査の実施ができるようになっている。
【００３８】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、半導体ウェーハとプローブカードとを交互に積層し、この積層された各半導体ウェーハの半導体装置について一括した信号入出力を可能とするとともに、例えば、半導体ウェーハに形成された検査用貫通孔部の開口に異常があり、積層されたプローブカードの電気的な導通が為されていない場合であっても、最上部のプローブカード２の上面側から圧力を印加しコンタクト不良を改善し、半導体装置について一括した信号入出力を可能とするので、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【００３９】
また、上記コンタクト不良が改善されない場合であっても、コンタクト不良のある半導体ウェーハを迂回するようにプローブカードを配線することにより、少なくとも残りの半導体ウェーハに形成された各半導体装置については、機能試験のための信号の出入力を可能にすることができる。
【実施例２】
【００４０】
上記実施例１では、半導体ウェーハを貫通する半導体装置の検査用貫通孔部にコンタクトするとともに貫通するための接触子が、鋲状プローブ針である場合について述べたが、本実施例では、接触子の他の構成について述べる。
【００４１】
図７は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。また、また、図８は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示しており、図示しない他の構成は実施例１の構成と同様である。
【００４２】
図７に示すように、接触子２２は、円錐形プローブ針である。この円錐形プローブ針の頂部２２ａがパッド部１１に接触し電気信号を伝送するようになっている。また、円錐形プローブ針の円錐面２２ｂは、検査用貫通孔部９の上部で接触し支持されるとともに電気的に導通するようになっている。また、接触子２２は、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部９と接触して電気的に接続できるようになっている。
【００４３】
ここで、図８に示すように、両可動型コンタクトプローブ２３は、プローブカード２の本体に固定され、弾性体であるバネ部１４を支持する外筒１５と、接触子２２が下面側に接続されるとともにバネ部１４が上面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な下部内筒１６と、パッド部１１が上面側に接続されるとともにバネ部１４が下面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な上部内筒１７と、を有する。この下部内筒１６、上部内筒１７が上下に摺動可能であることにより、プローブカード２の垂直方向のコプラナリティを吸収できるようになっている。
【００４４】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、実施例１と同様に、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【実施例３】
【００４５】
上記実施例２では、半導体ウェーハを貫通する半導体装置の検査用貫通孔部に電気的に導通するとともに貫通するための接触子が、円錐形プローブ針である場合について述べたが、本実施例では、特に、この接触子である円錐形プローブ針に溝部を形成した構成について述べる。
【００４６】
図９は、本発明の実施例３に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。図１０は、図９の両可動型コンタクトプローブの接触子の断面図である。なお、図中、実施例と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示しており、図示しない他の構成は実施例１の構成と同様である。
【００４７】
図９に示すように、両可動型コンタクトプローブ２５は、プローブカード２の本体に固定され、弾性体であるバネ部１４を支持する外筒１５と、接触子２４が下面側に接続されるとともにバネ部１４が上面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な下部内筒１６と、パッド部１１が上面側に接続されるとともにバネ部１４が下面側に接続され、外筒１５内を上下に摺動可能な上部内筒１７と、を有する。
【００４８】
接触子２４は、円錐形プローブ針である。この円錐形プローブ針の頂部２４ａがパッド部１１に接触し電気信号を伝送するようになっている。また、円錐形プローブ針の円錐面２４ｂには、頂部２４ａから放射状に延びた溝２５が形成されている。この溝２５により、スクラブして接触抵抗を下げて、検査用貫通孔部９との接触性を向上させるようになっている。また、この接触子２４は、既述の実施例と同様に、例えば、タングステン等の導電性の材質からなり、検査用貫通孔部９と接触して電気的に接続できるようになっている。
【００４９】
以上のように、本実施例に係る半導体検査装置によれば、実施例１と同様に、積層された各半導体ウェーハの半導体装置について機能試験を並行して実施することができ、試験時間の短縮を図ることができる。さらに、接触子である円錐形プローブ針の円錐面に溝を形成して、検査用貫通孔部との接触性を向上しているので、より確実に機能試験を実施できる。
【００５０】
なお、以上の実施例においては、プローブカードと半導体ウェーハとを積層した段階で、最上部のプローブカードの上面からコンタクト圧印加装置により圧力を印加については言及していないが、積層し半導体ウェーハを保持した後、当該圧力を印加し、その後のコンタクト試験でコンタクト不良が検出された場合に、さらに高い圧力を印加するようにしてもよいのは勿論である。
【００５１】
また、以上の実施例においては、両可動型コンタクトプローブの弾性体としてバネ部を用いて説明したが、他の弾性を有する機構であれば、同様の作用効果を奏することができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る半導体検査装置の全体構成を示す断面図である。
【図２】図１の半導体検査装置の半導体検査装置の要部構成を示す断面図である。
【図３】図１の半導体検査装置のプローブカードの要部構成を示す断面図および平面図である。
【図４】図１の半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一態様である実施例１に係る半導体装置の検査方法を示すフロー図である。
【図６】である。
【図７】本発明の一態様である実施例２に係る半導体検査装置の要部の構成を示す断面図である。
【図８】図７の両可動型コンタクトプローブの要部の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の一態様である実施例３に係る半導体検査装置の両可動型コンタクトプローブの要部の構成を示す断面図である。
【図１０】図９の両可動型コンタクトプローブの接触子の要部構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体ウェーハ
２  プローブカード
３  ウェーハ保持部
４  コンタクト圧印加装置
５  最下部用プローブカード基板
６  コンタクト試験用ドライバ
７  コンタクト試験用コンパレータ
８  ウェーハ単位試験用コンパレータ
９  検査用貫通孔部
１０  接触子
１０ａ  針状部
１０ｂ  ふた状部
１１  パッド部
１２  両可動型コンタクトプローブ（ポゴピン）
１３  外周コンタクタ
１４  バネ部
１５  外筒
１６  下部内筒
１７  上部内筒
１８、１８ａ、１８ｂ  リレー
１９  接触子
２０  パッド部
２１  コンタクト不良
２２  接触子
２２ａ  頂部
２２ｂ  円錐面
２３  両可動型コンタクトプローブ（ポゴピン）
２４  接触子
２４ａ  頂部
２４ｂ  円錐面
２５  溝
１００  半導体検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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