(57)【要約】      （修正有）【課題】耐光性の高い短波長記録光用の光学記録媒体を提供すること。【解決手段】基体上に、下記一般式（I）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成された光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体。2007245397.tif 000029【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、下記一般式（I）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体。
【化１】
2007245397.tif 000022
（式中、Ｚ1は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＲ5Ｒ6−、−ＮＨ−又は−ＮＲ―を表し、Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基又は下記一般式（II）で表される置換基を表し、Ｒ5とＲ6は連結して環を形成していてもよく、Ｒは、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は連結して多重結合を含まない複素環を形成する基を表す。Ｙ1は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6又はＲで表される上記炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数６〜２０のアリール基及びＲ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基は、いずれも、置換基を有していてもよく、上記炭素原子数１〜８のアルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよい。Ａｎq-はｑ価のアニオンを表し、ｑは１又は２の数を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表し、ｎは１から４の数を表す。）
【化２】
2007245397.tif 000023
（式中、Ｒ7〜Ｒ10は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｒ7とＲ8は連結して環を形成していてもよい。）
【請求項２】
基体上に、下記一般式（III）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体。
【化３】
2007245397.tif 000024
（式中、Ｚ1、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ａｎq-、ｑ及びｐは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ11は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はアミノ基を表し、隣接するＲ3とＲ4は、互いに連結して環を形成していてもよく、Ｙ2は下記一般式（IV）で表される置換基を表し、ｍは１から４の数である。）
【化４】
2007245397.tif 000025
（式中、Ｒa〜Ｒiは、各々独立に、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｚ2は、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは金属原子を表す。）
【請求項３】
基体上に、下記一般式（Ｖ）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体。
【化５】
2007245397.tif 000026
（式中、Ｚ1、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ｙ1、ｑ、ｐ及びｎは上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ11は上記一般式（III）と同じであり、Ｘはｑ価のクエンチャーアニオンを表す。）
【請求項４】
上記光学記録材料中、上記複素環化合物の含有量が０．１〜１０質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の光学記録媒体。
【請求項５】
上記光学記録材料に、さらにクエンチャー化合物を含有させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学記録媒体。
【請求項６】
上記クエンチャー化合物が下記一般式（IX）で表されるジイモニウム化合物である請求項５記載の光学記録媒体。
【化６】
2007245397.tif 000027
（式中、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28及びＲ29は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基又は置換基を有してもよいアミノ基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、ｒは１〜４の数を表し、Ａｎq-、ｐ及びｑは上記一般式（Ｉ）と同じである。）
【請求項７】
上記クエンチャー化合物が下記一般式（Ｘ）で表される金属錯体である請求項５記載の光学記録媒体。
【化７】
2007245397.tif 000028
（式中、Ｍは、ニッケル原子、コバルト原子又は銅原子を表し、Ｒ30及びＲ31は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ2−Ｇ基を表し、Ｇは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルフォリノ基を表し、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜４の数を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報をレーザ等による情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に関し、詳しくは、紫外及び可視領域の波長を有し且つ低エネルギーのレーザ等による高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学記録媒体は、一般に、記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行なわれること等の優れた特徴を有することから、広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ±Ｒ等の追記型の光ディスクでは、記録層の微小面積にレーザを集光させ、光学記録層の性状を変えて記録し、記録部分と未記録部分との反射光量の違いによって再生を行なっている。
【０００３】
現在、上記の光ディスクにおいては、記録及び再生に用いる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒは７５０〜８３０ｎｍであり、ＤＶＤ−Ｒは６２０ｎｍ〜６９０ｎｍであるが、更なる容量の増加を実現すべく、短波長レーザを使用する光ディスクが検討されており、例えば、記録光として３８０〜４２０ｎｍの光を用いるものが検討されている。
【０００４】
短波長記録光用の光学記録媒体として、例えば、特許文献１には特定の構造を有するシアニン化合物を含有する光情報記録媒体が報告されており、特許文献２にはヘミシアニン染料を用いた光記録媒体が報告されており、特許文献３にはトリメチンシアニン系色素を用いた光記録媒体が報告されている。しかし、これらの化合物は、短波長記録光用の光学記録媒体としては、その吸収波長特性が必ずしも適合するものではないか、あるいは満足のいく溶解性や耐光性が得られていなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３０１３３３号公報
【特許文献２】特開２００１−３４２３６５号公報
【特許文献３】特開２００４−９８５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は、耐光性の高い短波長記録光用の光学記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、検討を重ねた結果、短波長記録光用の光学記録媒体に適した吸収波長特性を持つ特定の分子構造を有する複素環化合物を見出し、これを使用することにより、上記課題を解決しうることを知見した。
【０００８】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、基体上に、下記一般式（I）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体を提供することで、上記目的を達成したものである。
【０００９】
【化１】
2007245397.tif 000002
（式中、Ｚ1は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−ＣＲ5Ｒ6−、−ＮＨ−又は−ＮＲ―を表し、Ｒ5及びＲ6は、各々独立に、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基又は下記一般式（II）で表される置換基を表し、Ｒ5とＲ6は連結して環を形成していてもよく、Ｒは、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は連結して多重結合を含まない複素環を形成する基を表す。Ｙ1は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基又は炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6又はＲで表される上記炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数６〜２０のアリール基及びＲ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基は、いずれも、置換基を有していてもよく、上記炭素原子数１〜８のアルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよい。Ａｎq-はｑ価のアニオンを表し、ｑは１又は２の数を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表し、ｎは１から４の数を表す。）
【００１０】
【化２】
2007245397.tif 000003
（式中、Ｒ7〜Ｒ10は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｒ7とＲ8は連結して環を形成していてもよい。）
【００１１】
また本発明は、基体上に、下記一般式（III）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体を提供することで、上記目的を達成したものである。
【００１２】
【化３】
2007245397.tif 000004
（式中、Ｚ1、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ａｎq-、ｑ及びｐは上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ11は、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はアミノ基を表し、隣接するＲ3は互いに連結して環を形成していてもよく、Ｙ2は下記一般式（IV）で表される置換基を表し、ｍは１から４の数である。）
【００１３】
【化４】
2007245397.tif 000005
（式中、Ｒa〜Ｒiは、各々独立に、水素原子、水酸基又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｚ2は、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは金属原子を表す。）
【００１４】
また本発明は、基体上に、下記一般式（Ｖ）で表される複素環化合物の少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有することを特徴とする光学記録媒体を提供することで、上記目的を達成したものである。
【００１５】
【化５】
2007245397.tif 000006
（式中、Ｚ1、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ｙ1、ｑ、ｐ及びｎは上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ11は上記一般式（III）と同じであり、Ｘはｑ価のクエンチャーアニオンを表す。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、耐光性の高い短波長記録光用の光学記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の光学記録媒体について、好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。
【００１８】
本発明に係る複素環化合物において、上記一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4、並びにＺ1中の基であるＲ5、Ｒ6及びＲで表される炭素原子数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げらる。Ｒ3、Ｒ4及びＹ1並びにＺ1中の基であるＲ5、Ｒ6及びＲ表される炭素原子数６〜２０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセン−１−イル、フェナントレン−１−イル等が挙げられ、Ｒ1、Ｒ2及びＹ1、並びにＺ1中の基であるＲ4、Ｒ5及びＲで表される炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基としては、ベンジル、フェネチル、２−フェニルプロパン、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等が挙げられる。
上記一般式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2、並びに上記一般式（III）及び（Ｖ）におけるＲ11で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００１９】
上記一般式（Ｉ）におけるＺ1中の基であるＲ5とＲ6が連結して形成する環構造としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロピラン環、ピペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、チアゾリジン環、イソチアゾリジン環、オキサゾリジン環、イソオキサゾリジン環等が挙げられ、これらの環は他の環と縮合されていたり、置換されていたりしてもよい。
【００２０】
上記一般式（Ｉ）におけるＲ3及びＲ4が連結して形成する多重結合を含まない複素環としては、ピロリジン環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、チアゾリジン環、イソチアゾリジン環、オキサゾリジン環、イソオキサゾリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルフォリン環等が挙げられる。
【００２１】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6又はＲで表される上記炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数６〜２０のアリール基及びＲ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ又はＹ1で表される炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基は、いずれも、置換基を有していてもよく、上記炭素原子数１〜８のアルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよい。該置換基としては、以下のものが挙げられる。尚、Ｒ1〜Ｒ5及びＲが、上記の炭素原子数１〜８のアルキル基等の炭素原子を含有する基であり、且つ、それらの基が、以下の置換基の中でも、炭素原子を含有する置換基を有する場合は、該置換基を含めたＲ1〜Ｒ4及びＲ全体の炭素原子数が、規定された範囲を満たすものとする。
上記置換基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、シクロペンチル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル等のアルキル基；メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアルコキシ基；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソアミルチオ、第三アミルチオ、ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘプチルチオ、第三ヘプチルチオ、ｎ−オクチルチオ、イソオクチルチオ、第三オクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ等のアルキルチオ基；ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、２−プロペニル、１−メチル−３−プロペニル、３−ブテニル、１−メチル−３−ブテニル、イソブテニル、３−ペンテニル、４−ヘキセニル、シクロヘキセニル、ビシクロヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセニル、エイコセニル、トリコセニル等のアルケニル基；ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアリールアルキル基；フェニル、ナフチル等のアリール基；フェノキシ、ナフチルオキシ等のアリールオキシ基；フェニルチオ、ナフチルチオ等のアリールチオ基；ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル等の複素環基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；アセチル、２−クロロアセチル、プロピオニル、オクタノイル、アクリロイル、メタクリロイル、フェニルカルボニル（ベンゾイル）、フタロイル、４−トリフルオロメチルベンゾイル、ピバロイル、サリチロイル、オキザロイル、ステアロイル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル、カルバモイル等のアシル基；アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基；アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ，ナフチルアミノ、２−ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ等の置換アミノ基；スルホンアミド基、スルホニル基、カルボキシル基、シアノ基、スルホ基、水酸基、ニトロ基、メルカプト基、イミド基、カルバモイル基、スルホンアミド基等が挙げられ、これらの基は更に置換されていてもよい。また、カルボキシル基及びスルホ基は塩を形成していてもよい。
【００２２】
上記一般式（I）において、Ａｎq-で表されるアニオンとしては、例えば、一価のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ジフェニルアミン−４−スルホン酸アニオン、２−アミノ−４−メチル−５−クロロベンゼンスルホン酸アニオン、２−アミノ−５−ニトロベンゼンスルホン酸アニオン、特開２００４−５３７９９号公報に記載されたスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；オクチルリン酸アニオン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸アニオン、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系アニオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミドアニオン、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミド、パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネートアニオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸アニオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸アニオン等が挙げられる。また、励起状態にある活性分子を脱励起させる（クエンチングさせる）機能を有するクエンチャーアニオンやシクロペンタジエニル環にカルボキシル基やホスホン酸基、スルホン酸基等のアニオン性基を有するフェロセン、ルテオセン等のメタロセン化合物アニオン等も、必要に応じて用いることができる。
【００２３】
上記のクエンチャーアニオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）又は下記式（Ｃ）で表されるもの、特開昭６０−２３４８９２号公報、特開平５−４３８１４号公報、特開平５−３０５７７０号公報、特開平６−２３９０２８号公報、特開平９−３０９８８６号公報、特開平９−３２３４７８号公報、特開平１０−４５７６７号公報、特開平１１−２０８１１８号公報、特開２０００−１６８２３７号公報、特開２００２−２０１３７３号公報、特開２００２−２０６０６１号公報、特開２００５−２９７４０７号公報、特公平７−９６３３４号公報、国際公開９８／２９２５７号公報等に記載されたようなアニオンが挙げられる。
【００２４】
【化６】
2007245397.tif 000007
（式中、Ｍは、ニッケル原子、コバルト原子又は銅原子を表し、Ｒ12及びＲ13は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ2−Ｇ基を表し、Ｇは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルフォリノ基を表し、ａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜４の数を表す。また、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16及びＲ17は、それぞれ独立にアルキル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す。）
【００２５】
【化７】
2007245397.tif 000008
【００２６】
上記一般式（II）におけるＲ7〜Ｒ10及び上記一般式（IV）におけるＲa〜Ｒiで表される炭素原子数１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−Ｏ−で置換された基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、２−メトキシエチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−ＣＯ−で置換された基としては、アセチル、１−カルボニルエチル、アセチルメチル、１−カルボニルプロピル、２−オキソブチル、２−アセチルエチル、１−カルボニルイソプロピル等が挙げられ、上記一般式（III）におけるＲ11で表される炭素原子数１〜８のアルキル基としては、上記一般式（Ｉ）において例示したものが挙げられる。
【００２７】
上記一般式（II）において、Ｒ7〜Ｒ10で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、Ｒ7とＲ8が連結して形成する環構造としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロピラン環、ピペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、イソオキサゾリジン環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、これらの環は他の環と縮合されていたり、置換されていたりしてもよい。
【００２８】
上記一般式(IV)において、Ｚ2で表される置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン、１−メチルプロピレン、２−メチルプロピレン、１，２−ジメチルプロピレン、１，３−ジメチルプロピレン、１−メチルブチレン、２−メチルブチレン、３−メチルブチレン、４−メチルブチレン、２，４−ジメチルブチレン、１，３−ジメチルブチレン、ペンチレン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレン、エタン−１，１−ジイル、プロパン−２，２−ジイル等が挙げられる。該アルキレン基中のメチレン基が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換された基としては、メチレンオキシ、エチレンオキシ、オキシメチレン、チオメチレン、カルボニルメチレン、カルボニルオキシメチレン、メチレンカルボニルオキシ、スルホニルメチレン、アミノメチレン、アセチルアミノ、エチレンカルボキシアミド、エタンイミドイル、エテニレン、プロペニレン等が挙げられ、Ｍで表される金属原子としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ等が挙げられる。
【００２９】
上記一般式（Ｉ）で表される複素環化合物の中でも、下記一般式(VI)で表されるものが、製造コストが小さく、且つ吸収波長特性が３８０〜４２０ｎｍの短波長用レーザ用の光学記録媒体に特に適しているので、好ましい。
【００３０】
【化８】
2007245397.tif 000009
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｙ1、Ａｎq-、ｐ、ｑ及びｎは上記一般式（I）と同じである。）
【００３１】
上記一般式（III）で表される複素環化合物の中でも、下記一般式(VII)で表されるものが、製造コストが小さく、且つ吸収波長特性が３８０〜４２０ｎｍの短波長用レーザ用の光学記録媒体に特に適しているので、好ましい。
【００３２】
【化９】
2007245397.tif 000010
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａｎq-、ｐ及びｑは上記一般式（I）と同じであり、Ｒ11及びＹ2は上記一般式（III）と同じである。）
【００３３】
上記一般式（Ｖ）で表される複素環化合物の中でも、下記一般式(VIII)で表されるものが、製造コストが小さく、且つ吸収波長特性が３８０〜４２０ｎｍの短波長用レーザ用の光学記録媒体に特に適しているので、好ましい。
【００３４】
【化１０】
2007245397.tif 000011
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｙ1、ｐ及びｑは上記一般式（I）と同じであり、Ｒ11は上記一般式（III）と同じであり、Ｘは上記一般式（Ｖ）と同じである。）
【００３５】
本発明に係る上記一般式（I）、（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物の具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜１８が挙げられる。
【００３６】
【化１１】
2007245397.tif 000012
【００３７】
【化１２】
2007245397.tif 000013
【００３８】
【化１３】
2007245397.tif 000014
【００３９】
本発明に係る上記一般式（Ｉ）、（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物は、その製造方法によって特に限定されず、周知一般の反応を利用した方法で得ることができる。例えば、上記一般式（Ｉ）で表される複素環化合物のうち、Ｒ2が水素原子であるものは、下記[化１４]に示す反応式の如く、２−メチル複素環誘導体とホルムアミド誘導体とをオキシ塩化リン等の反応剤を用いて反応させ、必要に応じてアニオン交換をする方法により合成することができる。また、上記一般式（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物も、同様にして合成することができる。尚、２−メチル複素環誘導体及びホルムアミド誘導体は、常法に従って合成することができる。
【００４０】
【化１４】
2007245397.tif 000015
（式中、Ｚ1、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ、Ｙ1、ｑ、ｐ及びｎは上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｄはアニオンを表す。）
【００４１】
尚、上記[化１４]において、Ｙ1で表される置換基は、インドール環のＮ−Ｈ基と反応するＹ1−Ｄ（Ｄは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン基；フェニルスルホニルオキシ、４−メチルスルホニルオキシ、４−クロロフェニルスルホニルオキシ等のスルホニルオキシ基等）で表される化合物により導入することができる。
【００４２】
本発明の光学記録媒体の代表的な構成としては、基体上に、上記一般式（Ｉ）、（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物のいずれかの少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成した光学記録層を有し、必要に応じて金属反射膜、保護層、下地層、バリア層等の各層を設けたものが挙げられる。
【００４３】
本発明の光学記録媒体に用いられる基体の材質は、書き込み（記録）光および読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリ（メタ）アクリレート、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、トリアセチルセルロース、ポリビニルクロリド、エポキシ樹脂等の樹脂、ガラス、セラミック、金属等、若しくはこれらの樹脂又はガラス等にスパッタ膜を形成したものが用いられる。また、それらの形状は、用途に応じ、フィルム、テープ、ドラム、ベルト、カード、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。該基板の厚さは、０．１〜２．０ｍｍ、好ましくは０．８〜１．３ｍｍの範囲である。
【００４４】
上記一般式（Ｉ）、（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物のいずれかの少なくとも一種を含有する光学記録材料から形成された光学記録層は、情報信号をレーザ等による情報パターンとして記録することにより情報の記録又は書き換えができる機能を有する層であり、薄膜として形成される。該光学記録層の厚さは、０．００１〜１０μｍ、好ましくは０．０１〜５μｍの範囲である。
【００４５】
また、上記光学記録材料中における上記複素環化合物の含有量は、好ましくは０．１〜１０質量％であり、より好ましくは１．０〜５．０質量％である。
【００４６】
上記光学記録層を有する光学記録媒体を製造する方法は、特に制限を受けず、公知の方法を用いることができる。例えば、後述する有機溶媒に、上記一般式（Ｉ）、（III）及び（Ｖ）で表される複素環化合物のいずれかの少なくとも一種及び必要に応じて一重項酸素等をクエンチするクエンチャー化合物等の各種化合物を溶解させた溶液状の光学記録材料を作製し、該光学記録材料を基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法を用いることができる。また、蒸着法、スパッタリング法等を用いることもできる。
【００４７】
上記有機溶媒としては、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等が挙げられる。上記有機溶媒を使用する場合、その使用量は、上記光学記録材料中における上記複素環化合物の含有量が０．１〜１０質量％となる量にするのが好ましい。
【００４８】
上記の必要に応じて添加できるクエンチャー化合物としては、ジイモニウム化合物、金属錯体、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イモニウム化合物等が挙げられる。
【００４９】
上記ジイモニウム化合物としては、下記一般式（ＩＸ）で表される化合物が挙げられる。
【００５０】
【化１５】
2007245397.tif 000016
（式中、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28及びＲ29は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基又は置換基を有してもよいアミノ基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、ｒは１〜４の数を表し、Ａｎq-、ｐ及びｑは、上記一般式（Ｉ）と同じである。）
【００５１】
上記一般式(IX)において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28及びＲ29で表される置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキル基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ1〜Ｒ6等で示したものが挙げられ、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25で表されるハロゲン原子としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2等で示したものが挙げられ、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25で表される置換基を有してもよいアミノ基としては、アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ，ナフチルアミノ、２−ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ等が挙げられる。
【００５２】
上記金属錯体としては、下記一般式（X）で表される化合物が挙げられる。
【００５３】
【化１６】
2007245397.tif 000017
（式中、Ｍは、ニッケル原子、コバルト原子又は銅原子を表し、Ｒ30及びＲ31は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ2−Ｇ基を表し、Ｇは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルフォリノ基を表し、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜４の数を表す。）
【００５４】
上記クエンチャー化合物を含有させる場合の含有量は、上記光学記録材料に含まれる固形分中、０〜９９質量％の範囲となる量が好ましく、より好ましくは、５０〜９５質量％である。
【００５５】
その他の必要に応じて添加できる各種化合物としては、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、オキソノール系化合物、スクアリリウム系化合物、インドール化合物、スチリル系化合物、ポルフィン系化合物、アズレニウム系化合物、クロコニックメチン系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、トリアリールメタン系化合物、ジフェニルメタン系化合物、テトラヒドロコリン系化合物、インドフェノール系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、キサンテン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、スピロピラン系化合物、フルオレン系化合物、ローダミン系化合物等の、通常光学記録層に用いられる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；結合剤；耐光性付与剤；紫外線吸収剤；可塑剤等が挙げられる。上記光学記録材料において、これらの各種化合物は、上記光学記録材料に含まれる固形分中、０〜５０質量％の範囲となる量で使用される。
【００５６】
本発明の光学記録媒体に用いられる金属反射膜は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、銅、又はそれら金属の合金、銀化合物等を用いて、蒸着法もしくはスパッタリング法によりを形成することができる。必要に応じて熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂あるいは光硬化性樹脂等により保護層を形成することもできる。該金属反射膜層の厚さは、０．００１〜１０μｍ、好ましくは０．０１〜５μｍの範囲であり、該保護層の厚さは、２〜４００μｍ、好ましくは１．０〜２００μｍの範囲である。
【００５７】
また、上記の光学記録層、金属反射膜、保護層等は、一般的な塗布方法により形成することができる。塗布方法としては、スピンコート法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、フローコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、ミヤバーコート法、ナイフコート法、スクリーン印刷法、コンマコート法、シルクスクリーン法、Ｔ−ダイコート法、リップダイコート法、スライドコート法、スリットリバース法、グラビアコート法、ホッパーを使用するエクストルージョンコート法（米国特許第２６８１２９４号明細書記載）等が挙げられる。二以上の層を同時塗布により形成してもよい。同時塗布法については、米国特許第２７６１７９１号、米国特許第２９４１８９８号、米国特許第３５０８９４７号、米国特許第３５２６５２８号の各明細書及び原崎勇次著「コーティング工学」２５３頁（１９７３年朝倉書店発行）に記載がある。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例及び比較例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
下記実施例１〜６は、本発明に係る複素環化合物を用いた本発明の光学記録媒体の製造例を示し、比較例１は、本発明に係る複素環化合物とは異なる構造の複素環化合物を用いた比較光学記録媒体の製造例を示す。
【００５９】
また、下記評価例１−１〜１−６では、実施例１〜６で得られた光学記録媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６について、短波長レーザによる記録及び再生の適否をＵＶ吸収スペクトルの測定により評価を行った。それらの結果を[表１]に示す。
【００６０】
さらに下記評価例２−１〜２−６及び比較評価例２−１では、実施例１〜６で得られた光学記録媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６及び比較例１で得られた比較光学記録媒体Ｎｏ．７についての耐光性を、ＵＶ吸収スペクトルの最大吸収波長（λｍａｘ）における吸光度残存率の測定により評価を行った。それらの結果を[表２]に示す。
【００６１】
［実施例１〜６］
複素環化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３それぞれを、複素環化合物濃度が濃度１．０質量％となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液に溶解し、必要に応じてクエンチャー化合物を加え、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液として光学記録材料をそれぞれ得た。チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、上記の光学記録材料をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成させて、光学記録媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６をそれぞれ得た。
【００６２】
[比較例１]
複素環化合物として下記比較化合物Ｎｏ．１を用いた以外は上記実施例１〜６と同様にして比較例１の光学記録材料をそれぞれ調製し、該光学記録材料を用いて比較光学記録媒体Ｎｏ．７を得た。
【００６３】
【化１７】
2007245397.tif 000018
【００６４】
[評価例１−１〜１−６]
実施例１〜６で得られた光学記録媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６について、ＵＶスペクトル吸収を測定した。それらの評価結果を[表１]に示す。尚、クエンチャー化合物としては、下記[化１８]に示す化合物α又は化合物βを用いた。
【００６５】
【表１】
2007245397.tif 000019
【００６６】
【化１８】
2007245397.tif 000020
【００６７】
[表１]の結果から明らかなように、本発明に係る光学記録材料により形成された光学記録層を有する光学記録材媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６は、ＵＶスペクトル吸収において３４０〜４５０ｎｍ近くにλｍａｘを示し、いずれの光学記録媒体も、３８０〜４２０ｎｍのレーザ光により記録が可能であることが確認できた。
【００６８】
[評価例２−１〜２−６及び比較評価例２−１]
実施例１〜６で得られた光学記録媒体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６及び比較例１で得られた比較光学記録媒体Ｎｏ．７について、耐光性評価を行なった。評価は、該光学記録媒体及び該比較光学記録媒体に５５０００ルクスの光を照射し、それぞれ２４時間、４８時間照射した後、照射前のＵＶ吸収スペクトルのλｍａｘでの吸光度残率を測定した。結果を[表２]に示す。
【００６９】
【表２】
2007245397.tif 000021
【００７０】
[表２]から明らかなように、本発明の光学記録媒体は、照射２４時間後及び照射４８時間後ともに吸光度残存率が高く耐光性は良好であった。一方、比較化合物を含有する光学記録材料により形成された光学記録層を有する比較光学記録媒体は、照射２４時間後において吸光度残存率の低下が見られ、さらに照射４８時間後において著しい吸光度残存率の低下が見られ、耐光性は良好でなかった。