(57)【要約】【課題】導電体層と樹脂層との接合信頼性、密着性を向上させるとともに、配線パターンの高密度化を実現し、有害物質を用いることなく製造できる配線基板の製造方法および配線基板を提供する。【解決手段】光触媒粒子１６を含有した樹脂層１２にマスク２６を通して紫外光ＵＶを照射し、光触媒粒子１６を樹脂層１２表面に露出させる。光触媒を用いて配線パターンを形成するので、配線パターンの高密度化が可能となる。液３０に浸漬させつつ紫外光ＵＶを照射することにより析出した銅皮膜２０を給電層として、樹脂層１２上に電気めっきを施し導電体層１４を形成する。樹脂層１２から露出した光触媒粒子１６によって凹凸が生じ、導電体層１４が変形してこの凹凸を吸収するように密着できる。【選択図】  図２
2007027312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光触媒粒子を含有させた樹脂層を所望の配線パターンにパターン露光し、該光触媒粒子を前記樹脂層表面に露出させる光触媒粒子露出工程と、
光触媒粒子が露出された前記樹脂層を金属塩水溶液中に浸漬しつつ輻射線を照射することにより、前記光触媒粒子の露出部に金属皮膜を光還元析出させる光還元析出工程と、
前記金属皮膜上に導電体層を形成させる電解めっき工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記光触媒粒子露出工程は、
前記樹脂層に前記配線パターンと略同一パターンに対応するパターン溝を形成し、該パターン溝の内壁面の表面に前記光触媒粒子を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載された配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記光触媒粒子露出工程は、
前記配線パターンと略同一パターンに対応する凸部を備えた型材を、前記樹脂層の配線パターン形成面に押圧させて、前記凸部に応じたパターン溝を前記樹脂層に形成させるパターン溝形成工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記光触媒粒子露出工程は、
該凸部の非形成部に輻射線非透過処理を施した前記型材を前記樹脂層に押圧させつつ、該型材に輻射線を透過させて前記パターン溝に輻射線を照射させるパターン溝露光工程を含むことを特徴とする請求項３に記載された配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記輻射線非透過処理は、該凸部の非形成部に施されたマスキングであることを特徴とする請求項４に記載された配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記光触媒粒子露出工程は、
レーザーを所望の配線パターンに照射して前記樹脂層を除去することにより、前記光触媒粒子を前記樹脂層表面に露出させる工程を含むことを特徴とする請求項１乃至は請求項３のいずれか１項に記載された配線基板の製造方法。
【請求項７】
光触媒粒子を含有させた樹脂層を基材とし、前記樹脂層表面から所望の配線パターンに露出された前記光触媒粒子と、前記光触媒粒子の露出部に析出された金属皮膜と、前記金属皮膜上に形成された導電体層と、を備えたことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法および配線基板に係り、特に有害物質を用いることなく、支持基板である樹脂層と配線導体である導電体層との密着性を向上するとともに、微細配線の高密度配置を実現できる配線基板の製造方法および配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化や軽量化に伴い電子機器に用いられる各種電子部品は高密度に集約化される傾向にある。これに対応して、各種電子部品が実装される配線基板の配線パターンも高密度化され、配線パターンの幅や各パターンの間隔にはたとえば１０μｍ程度といった微細サイズが要求される。このように極めて微細化された配線導体（導電体層）とその配線導体の支持基板（樹脂層）との接合面積は必然的に小さくなる傾向にあり、導電体層と樹脂層との接合力すなわち密着性が低下するといった問題が生じている。
【０００３】
たとえば特許文献１では、半導体光触媒粉末含有結合剤を非導電性物体表面（特許文献１では樹脂基板）にパターン状に固着させ、ついで還元剤を含む金属イオンの水溶液に浸しつつ紫外線を照射することによってこのパターン上に固着した光触媒の表面で金属めっきを形成させて導電体層を形成する技術が知られている。
【特許文献１】特開平２−２０５３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたプリント回路基板の製造方法では、半導体光触媒粉末含有結合剤のパターン化の方法として、パッド印刷、スクリーン印刷およびディスペンサー付属Ｘ−Ｙプロッターによる描画が挙げられているが、微細領域（微細配線）の高密度化を実現することは精度上困難であった。
【０００５】
また、導電体層としての銅被覆の形成工程で用いられるホルムアルデヒドは、生物環境に悪影響を及ぼすことが明らかな有害物質であるため、これを用いることは好ましくない。
【０００６】
さらに、配線パターンの微細化に伴い配線パターンの幅を小さくすると、配線パターンの厚みも小さくなるために、配線抵抗（配線インピーダンス）が増加してしまう。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、配線導体（導電体層）と支持基板（樹脂層）との接合信頼性、密着性を向上させるとともに、配線パターンの高密度化を実現し、ホルムアルデヒドなどの有害物質を用いることなく製造できる配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、光触媒粒子を含有させた樹脂層を所望の配線パターンにパターン露光し、該光触媒粒子を前記樹脂層表面に露出させる光触媒粒子露出工程と、光触媒粒子が露出された前記樹脂層を金属塩水溶液中に浸漬しつつ輻射線を照射することにより、前記光触媒粒子の露出部に金属皮膜を光還元析出させる光還元析出工程と、前記金属皮膜上に導電体層を形成させる電解めっき工程と、を含むことを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、光触媒粒子を含有させた樹脂層を所望の配線パターンにパターン露光し、光触媒粒子を樹脂層表面に露出させる。これにより、光触媒反応を用いて配線パターンとなる光触媒粒子の露出部を形成するので、配線パターンの高密度化が可能となるほか、露出部形成時の寸法精度が向上する。また、樹脂層表面への光触媒を固着（塗布）させる工程に比べて製造工程を簡略化できる。
【００１０】
さらに、光触媒粒子が露出された樹脂層を金属塩水溶液中に浸漬しつつ輻射線を照射することにより、光触媒粒子の露出部に金属皮膜を光還元析出させる光還元析出工程と、この金属皮膜上に導電体層を形成させる電解めっき工程とを含む。
【００１１】
一般に、樹脂の力学的性質（たとえば強度）あるいは熱的性質（たとえば膨張率）の改善を目的として、樹脂にフィラーを添加することが知られている。これはエレクトロニクス分野においても同様で、熱伝導性の向上や低熱膨張係数化、樹脂強度の向上を目的として、樹脂層にフィラーを重量％で約７０％含有させることも行われている。
【００１２】
本発明では、この基材樹脂強度向上のためのフィラーと光触媒反応のための光触媒とを兼用させる。すなわち、光触媒粒子の光触媒反応を利用して樹脂層をパターン状に分解させて光触媒粒子を露出させた後、光触媒粒子による光触媒反応でこの光触媒粒子に水溶液中の金属イオンを還元析出させる。これにより、樹脂物性改善のためのフィラーがいわゆるめっき開始物質を兼ねるので、別途フィラー材を添加させる場合と比して製造コストを削減できる。
【００１３】
ここで、露出した光触媒粒子によって樹脂層表面には表面粗さやうねりによる凹凸が生じ、導電体層（または析出された金属皮膜）が変形してこの凹凸を吸収するように密着できるので、樹脂層と導電体層との接触面積が増え、結果として樹脂層と導電体層との密着性すなわち接合強度の向上が見込める。したがって、樹脂層表面に光触媒粒子をパターニングする従来の技術と比して、樹脂層と金属皮膜との密着性を向上できる。
【００１４】
また、導電体層と樹脂層とを接合させる接合工程に一般的に用いられる「加熱による接合」、「加圧による接合」、「加熱および加圧を併用する接合」、「接着材などの接合部材を用いた接合」などを用いないので、工程も簡素化できる。さらに、ホルムアルデヒドなどの有害物質を用いずに金属皮膜を形成できる。
【００１５】
なお、樹脂層と導電体層との密着性を向上させるために従来行ってきた樹脂層と導電体層との密着面を粗面化させる処理も不要にできる。
【００１６】
ここで、光触媒粒子には樹脂層の樹脂材料となじむ加工を施すことが好ましい。これにより樹脂層の成型時に樹脂が光触媒粒子周囲にまんべんなく回り込むので、樹脂層の表面に光触媒粒子が予め露出することを防止できる。このような光触媒粒子の加工としては、光触媒粒子自体の材料の特性として備えさせたものでも良いし、光触媒粒子表面のみにこの加工を別途施したものでもよい。
【００１７】
導電体層に用いられる材料は光還元析出工程によって析出される金属皮膜と同様の金属材料を用いることが好ましいが、これと異なる金属材料を用いてもよい。
【００１８】
金属塩水溶液は、一般にめっき配線で使用される銅イオンなどが含まれた溶液を用いれば、水溶液中の銅イオンを還元析出して金属皮膜として銅が析出される。また、輻射線としては４００ｎｍ以下の波長光として紫外光などが挙げられる。
【００１９】
請求項２に係る発明は、光触媒粒子露出工程は、樹脂層に配線パターンと略同一パターンに対応するパターン溝を形成し、このパターン溝の内壁面の表面に光触媒粒子を露出させる工程を含む構成としている。
【００２０】
請求項２に係る発明によれば、パターン溝による溝構造を樹脂層に備えさせる。これにより、当該溝に導電体層（または析出された金属皮膜）を形成させれば、導電体層の形成寸法の精度が向上するほか、平坦な樹脂層表面に直接導電体層を形成する場合と比して、樹脂層と導電体層との密着性が向上する。
【００２１】
ここで、幅に対する深さの割合が１以上のパターン溝を形成すれば、配線パターンの幅に対する厚みの割合を１以上にすることができ、配線の低インピーダンス化を図ることができる。
【００２２】
請求項３に係る発明は、光触媒粒子露出工程は、配線パターンと略同一パターンに対応する凸部を備えた型材を、樹脂層の配線パターン形成面に押圧させて、凸部に応じたパターン溝を樹脂層に形成させるパターン溝形成工程を含む構成としている。
【００２３】
請求項３に係る発明によれば、樹脂層に形成されるパターン溝は、型材に形成された凸部の形状によって定められるので、樹脂層の全面で均一な深さのパターン溝を形成できる。なお、この凸部の樹脂層からの突出高さは、樹脂層にパターン溝が形成される程度で足りる。また、凸部の形状、すなわちパターン溝の形成方向と直行する凸部の断面形状は、角形などの矩形形状や半円形形状など、多種多様な形状が想定できる。
【００２４】
請求項４に係る発明は、光触媒粒子露出工程は、凸部の非形成部に輻射線非透過処理を施した型材を樹脂層に押圧させつつ、この型材に輻射線を透過させてパターン溝に輻射線を照射させるパターン溝露光工程を含むことを特徴としている。
【００２５】
ここで、型材の凸部の非形成部とは、樹脂層にパターン溝を形成するために樹脂層に圧入される部位以外の部分、すなわち型材の凸部以外の部分（凹部部分を含む）を意味する。この凸部の非形成部は、樹脂層に型材を押圧させたときに樹脂層表面のパターン溝形成部以外の部位に対向して位置され、型材に輻射線を透過させた際にパターン溝形成部以外の部位への輻射線照射を防止する。したがって、パターン溝形成部以外の部位では光触媒粒子の露出がなされず、これにより所望の配線パターン通りの精度良いパターン溝を形成できる。
【００２６】
さらに、請求項３に係るパターン溝形成工程と、請求項４に係るパターン溝露光工程とはほぼ同時に実施できるので、製造工程を簡略化できる。
【００２７】
ここで、輻射線非透過処理は、樹脂層側の表面のパターン溝形成部以外の部位に施すことも可能であるが、樹脂層のパターン溝を避けて当該処理を施さねばならず、処理作業が煩雑となる。したがって、本発明のように型材の凸部の非形成部に輻射線非透過処理を施すことが望ましい。
【００２８】
請求項５に係る発明によれば、輻射線非透過処理は、凸部の非形成部に施されたマスキングであるので、輻射線を透過させないマスクと同様の材質の部材を凸部の非形成部に貼付または塗布などすればよく、たとえばマスキングの効果を持つ層を備えた構造の特殊な型を用いる必要がない
請求項６に係る発明によれば、光触媒粒子露出工程は、レーザーを所望の配線パターンに照射して樹脂層を除去することにより、光触媒粒子を樹脂層表面に露出させる工程を含むので、エッジがシャープな配線パターンを得ることが可能となり、配線パターンの高密度化に有利となる。
【００２９】
請求項７に係る発明は、光触媒粒子を含有させた樹脂層を基材とし、前記樹脂層表面から所望の配線パターンに露出された前記光触媒粒子と、前記光触媒粒子の露出部に析出された金属皮膜と、前記金属皮膜上に形成された導電体層と、を備えたことを特徴とする配線基板を提供するものである。
【００３０】
請求項７に係る発明によれば、光触媒粒子を含有させた樹脂層を用い、この樹脂層表面から露出された光触媒粒子に導電体層形成用の金属皮膜を析出させる。したがって、露出した光触媒粒子によって樹脂層表面に生じた凹凸に、導電体層（または析出された金属皮膜）が吸収するように密着できるので、樹脂層と導電体層との接触面積が増え、樹脂層と導電体層との密着性すなわち接合強度の向上が見込める。
【００３１】
なお、導電体層に用いられる材料よりも熱伝導率が低い材料を金属皮膜または光触媒粒子に含めれば、樹脂層への遮熱効果が期待できる。これにより、導電体層上ではんだ付けなどの高温作業が行われる場合にも、この高温作業によって発生する熱による影響が導電体層よりも耐熱性に劣る樹脂層に及ぶことを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、有害物質を用いることなく、樹脂層と導電体層とを確実に密着でき、配線パターンの高密度化による微細配線の高密度配置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の配線基板の製造方法および配線基板に係る配線基板１０の概略構造（立体構造）を示す断面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）の破線１０ａに示す部分の拡大図である。
【００３４】
本例の配線基板１０は、樹脂層１２に配線としての導電体層１４が形成された構造からなる。
【００３５】
樹脂層１２は強度の向上と低熱膨張率化を目的としたフィラーとして、光触媒能を備えた光触媒粒子１６を樹脂材料中に含有した組成を持つ。光触媒粒子１６の詳細は後述するが、光触媒粒子１６は樹脂層１２に対して約３０〜７０％（重量％とする）程度含まれているものとする。
【００３６】
図１（ｂ）にその詳細を示すように、樹脂層１２には露出部となるパターン１８が形成され、このパターン１８を塞ぐように導電体層１４が形成される。樹脂層１２に形成される導電体層１４の態様としては、導電体層１４がパターン１８の深さと略同等となるが、パターンの深さと同一にすることに制限されない。つまり、同図に示したように導電体層１４の一部（表面）が樹脂層１２の表面から突出していてもよいし、導電体層１４の表面が樹脂層１２の表面と同一面に位置していても構わない。もちろん導電体層１４の表面が樹脂層１２の表面より凹んでいてもよい。ただし、配線インピーダンスによる配線抵抗増加の不具合を考慮することが望ましいので、導電体層の厚みは適宜調整される。なお、後述するが、符号２０は導電体層１４の形成時に用いられる銅皮膜である。
【００３７】
このような構成の配線基板１０の製造工程の概略を図２（ａ）〜（ｆ）に示す。
【００３８】
図２（ａ）に示すように、まず樹脂層形成工程では、はじめに光触媒粒子１６を含有した樹脂層１２を型２２などによって形成する。この樹脂層１２の厚みは２００μｍ以下程度であり、その材料としてはエポキシ樹脂やフェノール樹脂、ポリイミドなどの有機物が用いられる。本実施の形態では一般的なエポキシ系であるエポキシ樹脂を用いることとする。
【００３９】
樹脂層１２に含まれる光触媒粒子１６としては、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、硫化カドミウム、タンタル酸カリウム、セレン化カドミウムなど、一般的に樹脂層１２に用いられる樹脂材料より硬い材料が用いられる。
【００４０】
光触媒粒子１６は、その粒径が小さくなるほど比表面積（単位質量あたりの表面積）が増大し、相互作用が大きくなるため、比表面積が大きいほど補強効果が期待できるので、その粒径は１μｍ以下が望ましい。また、光触媒粒子１６の形状は略球形状、円筒形、角形などが挙げられるが、本案では球体の形状を備えたものを用いることとする。なお、光触媒粒子１６の表面積が大きくなるようにその表面に突起などを設ければ、後述する光還元析出工程（図２（ｅ））において銅皮膜を均一に析出でき、銅皮膜の形成密度が向上するので好ましい態様といえる。
【００４１】
ここで、光触媒粒子１６には樹脂層１２の樹脂材料となじむ加工を施す。これにより樹脂層１２の成型時に樹脂が光触媒粒子１６周囲にまんべんなく回り込むので、樹脂層１２の表面に光触媒粒子１６が露出することを防止できる。
【００４２】
図２（ｂ）〜（ｄ）に示す光触媒粒子露出工程では、樹脂層に含有されている光触媒粒子１６をパターン状に露出させる。はじめに図２（ｂ）に示すように所望のパターン２４が形成されたマスク２６を通して紫外光ＵＶを照射し、図２（ｃ）に示すように照射部のみに光触媒反応を起こして樹脂層１２を分解させ、光触媒粒子１６をパターン通りに樹脂層１２表面に露出させ、パターン１８を形成する。
【００４３】
図２（ｄ）は図２（ｃ）の破線１０ｂに示す部分の拡大図であり、光触媒粒子１６がパターン通りにパターン１８として露出された態様を示す。符号１６ａは、樹脂層１２のパターン１８表面からその一部が露出した光触媒粒子を示している。
【００４４】
次いで、図２（ｅ）に示す光還元析出工程では、光触媒粒子１６が露出された樹脂層１２を銅イオンおよび犠牲剤として作用するメタノールなどを含んだ液３０に浸漬させつつ、紫外光ＵＶを照射する。これにより樹脂層１２表面から露出した光触媒粒子１６ａの表面では、光触媒反応によって電子と正孔が発生する。液中の銅イオンは電子を受け取り光触媒粒子１６ａ表面に金属皮膜である銅皮膜２０を析出する。なお、電子と正孔との再結合は犠牲剤が反応することで防止される。光触媒粒子が銅皮膜に覆われると紫外光が到達しなくなり光触媒反応は停止する。なお、これにより形成された銅皮膜２０の厚さは、光触媒粒子１６の粒径から数十ｎｍ程度となる。
【００４５】
ここで、銅を光触媒粒子１６ａ表面に析出させる構成としたが、後述する導電体層１４のめっきとの密着性が高い材料を析出させればよいので、銅に限定されない。たとえば銅に代えて金、プラチナなどを析出させる液３０を用いてもよい。
【００４６】
図２（ｆ）における導電体層形成工程（電解めっき工程）では、樹脂層１２上に電気めっきによって導電体層１４を形成し、所望の回路を形成する配線パターン（パターンニングされた導電体層１４）を形成する。この工程では、光還元析出工程（図２（ｅ））で形成された銅皮膜２０を給電層として電気めっきで増膜させて、導電体層１４を形成する。なお、本例の導電体層形成工程では、樹脂層１２のパターン１８に導電体層１４の材料となる銅を用いためっきを施すが、銅に代えて金、プラチナなどの導電性を有する導電金属材料を導電体層１４としてめっきしてもよい。
【００４７】
このようにして樹脂層１２のパターン１８に導電体層１４が形成され、図１に示した配線基板１０が形成される。
【００４８】
上記の如く構成された配線基板１０によれば、パターン状に露出させた樹脂層１２の光触媒粒子１６に導電体層１４を形成させるので、樹脂層１２と導電体層との密着性を向上させることができる。すなわち、樹脂層１２から露出された光触媒粒子１６によって凹凸（表面粗さやうねり）が生じ、導電体層１４（銅皮膜２０）がこの凹凸を吸収するように密着できるので、樹脂層１２と導電体層１４との接触面積が増え、結果として樹脂層１２と導電体層１４との密着性の向上が見込めることとなる。
【００４９】
本例では、樹脂層１２上に導電体層１４が形成された単層の配線基板１０を示したが、樹脂層１２の両面に導電体層１４が形成された両面基板や、単層の配線基板１０を複数積層したフレキシブル積層基板などにも適用可能である。
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では本発明に係る配線基板の製造工程のうち、光触媒粒子露出工程が前述の第１の実施形態と異なる。なお、第２の実施形態中、上述した第１の実施形態と同一又は類似する部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。図３（ａ）〜（ｅ）は、この第２の実施形態に係る光触媒粒子露出工程の概略を示したものである。
【００５０】
図３（ａ）〜（ｅ）に示す光触媒粒子露出工程において、図３（ａ），（ｂ）に示すパターン溝形成工程では、樹脂層１２に型（スタンパ）４０を用いてパターン溝を形成する。
【００５１】
この型４０は、石英などの紫外光を透過する材質にて形成したもので、予め所望の配線パターンに対応した（すなわち配線パターンと同一パターン形状を有する）凸部４４が形成されている。型４０の凸部４４の非形成部（符号４６で示す型４０の凹部部分）にはマスキング処理が形成されている。このマスキング処理としては、型４０の凸部の非形成部に紫外光を透過させない処理が施されていればよく、たとえばマスクと同様の材質からなる部材を凸部の非形成部に貼付または塗布などした態様が挙げられる。
【００５２】
このような構成の型４０を樹脂層１２に押圧させて、図３（ｂ）に示すように配線パターンと同一パターン形状を有するパターン溝４２を樹脂層１２に形成させる。
【００５３】
ついで、図３（ｃ）に示すパターン溝露光工程では、樹脂層１２に型４０を押圧させた状態のまま、樹脂層１２表面に型４０越しに紫外光を照射する。紫外光はマスキング処理部４６が施されていない凸部部分を介して樹脂層１２のパターン溝４２の内部に照射され、この照射部に光触媒反応が起き、樹脂層１２が分解される。樹脂層１２のパターン溝４２が形成されない部分１２ａはマスキング処理部４６によってマスキングされ、パターン溝４２形成部分のみ光触媒粒子１６が露出される。
【００５４】
これにより図３（ｄ）に示すように、樹脂層１２の紫外光が照射された部分の光触媒粒子１６が樹脂層１２表面に露出され、型４０を樹脂層１２から取り外して光触媒粒子露出工程が終了する。なお、図３（ｅ）は図３（ｄ）の破線１０ｃに示す部分の拡大図である。
【００５５】
この後、前述した光還元析出工程（図２（ｅ））が施された後に、導電体層形成工程（図２（ｆ））を経て配線基板１０が形成される。これら光還元析出工程および導電体層形成工程は第１の実施形態における構成と同様であるので、その説明を省略する。
【００５６】
ここで、前述した図３（ｂ）における型４０による樹脂層１２の押圧は、パターン溝４２を精度良く形成させるために樹脂層１２が半硬化の状態で行うことが望ましい。この場合は光触媒粒子露出工程の後、樹脂層１２を本硬化させる。
【００５７】
なお、本例に示す配線基板１０に形成される配線パターンは、その形状が型４０の凸部４４の形状（サイズ、寸法精度など）や、凸部の非形成部分の平坦度などによって規定されるために形状の自由度が高く、エッジがシャープな配線パターンを得ることが可能になる。これにより、配線パターンの高密度化に有利となる。
【００５８】
とくに、このように型４０を用いてパターニングされた導電体層１４（図１参照）によれば、導電体層１４の形状、寸法（例えばアスペクト比）の自由度や、樹脂層１２に用いられる樹脂材料の選択範囲の自由度を上げることができるとともに、製造工程の削減が可能になる。したがって、たとえば導電体層１４のアスペクト比（導電体層１４の厚さ／導電体層１４の幅）を１以上とすれば、配線パターンの低抵抗化（低インピーダンス化）を考慮した配線基板１０が実現でき、配線パターンのさらなる高密度化も可能となる。
【００５９】
本例では断面形状が略正方形のパターン溝４２を形成する態様を示したが、パターン溝の形状は略半円形状でもよいし、他の形状でもよい。
〔第３の実施形態〕
次いで、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、第３の実施形態中、上述した第１、第２の実施形態と同一又は類似する部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００６０】
図４（ａ）〜（ｃ）に示す光触媒粒子露出工程では、レーザー照射による光触媒反応によって光触媒粒子１６を露出させる。すなわち、図４（ｂ）において樹脂層１２にパターン状にレーザーを照射させ、図４（ｃ）に示すようにレーザー照射による光触媒反応にて樹脂層１２を除去してパターン５０を形成すると同時に、レーザーが照射された樹脂層１２部分の光触媒粒子１６を、樹脂層１２表面に露出させる。レーザーによってパターン５０を形成するので、エッジがシャープな配線パターンを得ることが可能となり、配線パターンの高密度化に有利となる。
【００６１】
これに付随した別態様として、図５（ａ）〜（ｃ）に示す光触媒粒子露出工程では、図５（ａ）に示すように型などを用いて予め樹脂層１２にパターン溝６０を形成しておき、このパターン溝６０内部にレーザーを照射させる（図５（ｂ））。これにより図５（ｃ）に示すように、樹脂層１２のパターン溝６０内部に光触媒粒子１６を精度良く露出できる。
【００６２】
なお、本実施形態で用いるレーザーの波長としては、樹脂層を除去できる程度のもので良いので、エキシマレーザー（波長０．１５μｍ）やＣＯ２レーザー（波長１０．６μｍ）などが好ましく用いられる。
【００６３】
このようなレーザー照射による光触媒反応を利用した光触媒粒子露出工程は、前述した第１、第２の実施形態における光触媒粒子露出工程に用いることも可能である。
〔応用例〕
上述した第１から第３の実施形態に示す配線基板は、たとえばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッド（印字ヘッド）に用いられる、エネルギー発生素子（圧電素子）への駆動信号伝送用配線部材として用いられる。
【００６４】
一般的なインクジェット記録装置は、インクジェットヘッドのノズルと、このノズルに連通されたインク供給口を有する圧力室と、圧力室の壁面を形成する加圧板を介して取り付けられた圧電素子と、が備えられている。この圧電素子は、導電体層がパターニングされた樹脂層を持つ多層の配線部材（フレキシブル多層基板）と接続され、圧電素子に与える駆動信号が生成される制御系（例えば、ヘッドドライバなどの駆動信号生成部）から、これら配線部材を介して圧電素子に駆動信号が供給される。
【００６５】
本発明に係る配線基板をこのような構成のインクジェット記録装置の制御系配線などに適用すれば、配線パターンの高密度化にも対応でき、小型のインクジェット記録装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る配線基板の構造を示す断面図
【図２】図１に示す配線基板の製造工程を説明する図
【図３】本発明の第２の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する図
【図４】本発明の第３の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する図
【図５】本発明の第３の実施形態に係る配線基板の別の製造工程を説明する図
【符号の説明】
【００６７】
１０…配線基板、１２…樹脂層、１４…導電体層、１６，１６ａ…光触媒粒子、１８，５０…パターン（露出部）、２０…銅皮膜（金属皮膜）、２６…マスク、３０…液（金属塩水溶液）、４０…型、４２，６０…パターン溝、４４…凸部、４６…マスキング処理部、ＵＶ…紫外光（輻射線）
【図１】
2007027312.tif 000003
【図２】
2007027312.tif 000004
【図３】
2007027312.tif 000005
【図４】
2007027312.tif 000006
【図５】
2007027312.tif 000007