(57)【要約】【課題】  吸湿や水分の浸入を良好に防止することができ、しかも液晶の劣化や電極・配線等への悪影響も抑えた、液晶装置とその製造方法、さらにはこれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】  一対の基板１０、２０が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置である。シール部は、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、基板材料からなる枠状部８０が、一対の基板１０、２０間にてセルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、枠状部８０と、枠状部８０に対向する側の基板の接合面との間の接合部が溶融固化されたことにより、一対の基板１０、２０を固着してなる。【選択図】      図６
2007017590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置であって、
前記シール部は、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、該基板材料からなる枠状部が、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、
前記枠状部と、該枠状部に対向する側の基板の接合面との間の接合部が溶融固化されたことにより、前記一対の基板を固着してなる
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記枠状部及び／又はこれに対向する側の基板の接合面には、レーザ吸収材料が設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記枠状部の内周縁部及び／又は外周縁部と、これに対応する位置の前記接合面とは、固着していることを特徴とする請求項２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、前記枠状部は、前記第２基板側に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記レーザ吸収材料の溶融温度が、前記一対の基板の溶融温度よりも高いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記レーザ吸収材料がクロムであることを特徴とする請求項５記載の液晶装置。
【請求項７】
一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置であって、
前記シール部は、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、金属材料からなる枠状部が、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、
前記枠状部が溶融固化されたことにより、前記一対の基板を固着してなる
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記金属材料の溶融温度が、前記一対の基板の溶融温度よりも低いことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記金属材料が金であることを特徴とする請求項８記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、
前記一対の基板には、前記シール部が形成されていない注入口部が形成され、
前記第１基板には、外部入力端子が前記シール部の外側に設けられ、
前記外部入力端子と前記駆動素子とを接続する配線が、前記注入口部を通って配設されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、該基板材料からなる枠状部を、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成する工程と、
前記一対の基板を接合し、その状態で前記枠状部とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部にレーザ光を照射し、該接合部を選択的に加熱し溶融固化することにより、前記一対の基板を固着する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、金属材料からなる枠状部を、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成する工程と、
前記一対の基板を接合し、その状態で前記枠状部にレーザ光を照射し、該枠状部を選択的に加熱し溶融固化することにより、前記一対の基板を固着する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記枠状部を形成する工程では、前記一対の基板のうちの一方の基板に金属材料からなる第１枠状膜を形成するとともに、他方の基板に金属材料からなり、かつ前記第１枠状膜より膜厚が薄い第２枠状膜を形成することで、これら第１枠状膜と第２枠状膜とからなる枠状部の高さを前記セルギャップに対応する高さとなるようにし、
前記枠状部にレーザ光を照射する工程では、前記第２枠状膜を形成した基板側からレーザ光を入射し、前記枠状部を選択的に加熱し溶融固化することを特徴とする請求項１２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、
前記第１枠状膜を前記第１基板に形成し、前記第２枠状膜を前記第２基板に形成することを特徴とする請求項１３記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
前記レーザー光の照射スポットが前記枠状部の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１６】
前記レーザ光としてＹＡＧレーザを用いることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。液晶装置を構成する一対の基板の各内面には、導電膜（画素電極、対向電極等）や、液晶分子の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されている。そして、これら配向膜間が、紫外線硬化型、または熱硬化型の樹脂などからなるシール材によって接合されることにより、基板どうしが貼り合わされ、さらにこのシール材に囲まれた領域内に液晶が封入されるようになっている。
【０００３】
ところで、このような液晶装置では、近年、特に小型化が進められており、これに伴ってシール材の幅も狭くなってきているため、このシール材からの吸湿が問題になっている。すなわち、特にシール材が比較的透湿性の高い樹脂からなっているため、このシール材の透湿性に起因して基板間への吸湿が起こり、水分が浸入することで品質の劣化が生じていた。また、シール材を構成する樹脂中の成分が液晶中に溶出し、これが液晶の劣化に影響を及ぼしている可能性も指摘されている。
そこで、シール材を樹脂等の有機材料で構成するのに代えて、無機材料で構成することが考えられる。
【０００４】
従来、無機材料で基板間の封止を行う構造として、液晶装置の素子基板と対向基板とを、無機材料であるガラスの溶融によって接合する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この技術では、アレイ基板あるいはカラーフィルタ基板の少なくとも一方の基板端部を溶融することで、この基板の材料であるガラスを溶融固化し、アレイ基板（素子基板）とカラーフィルタ基板（対向基板）との間の隙間を埋めるようにしている。そして、このような構造をとることにより、基板間において露出する配線パターン断面を保護している。
【特許文献１】特開平１０−１８７０５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の技術では、液晶を封止するため従来と同様にシール材を使用しており、したがって、液晶中にシール材成分（樹脂成分）が溶出し、これによって液晶が劣化してしまうことについては何等考慮がなされていないままである。
また、基板端部を溶融して基板間のセルギャップを埋めるためには、比較的大きな熱量が必要であるが、このような大きな熱量を付与すると、基板上の電極や配線に悪影響を及ぼしてしまう可能性がある。
【０００６】
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、吸湿や水分の浸入を良好に防止することができ、しかも液晶の劣化や電極・配線等への悪影響も抑えた、液晶装置とその製造方法、さらにはこれを用いた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため本発明の液晶装置は、一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置であって、
前記シール部は、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、該基板材料からなる枠状部が、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、
前記枠状部と、該枠状部に対向する側の基板の接合面との間の接合部が溶融固化されたことにより、前記一対の基板を固着してなることを特徴としている。
【０００８】
この液晶装置によれば、枠状部を石英やガラスなどの基板材料で形成しているので、樹脂等の有機材料からなるシール材に比べてその透湿性が格段に低くなり、したがって、シール材での吸湿に起因して基板間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうといった不都合が防止される。また、このシール部の構成成分が液晶層に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止される。さらに、枠状部がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、基板間を貼り合わせる際には、枠状部とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部のみを溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼすことも防止される。
【０００９】
また、前記液晶装置においては、前記枠状部及び／又はこれに対向する側の基板の接合面には、レーザ吸収材料が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、基板間を貼り合わせる際、枠状部とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部にレーザ光を照射し、前記レーザ吸収材料を加熱し発熱させることにより、前記接合部を選択的にしかも効率良く加熱し、溶融固化させることが可能になる。
【００１０】
また、前記液晶装置においては、前記枠状部の内周縁部及び／又は外周縁部と、これに対応する位置の前記接合面とは、固着しているのが好ましい。
このようにすれば、レーザ吸収材料が直接液晶層に接しないため、このレーザ吸収材料の成分が液晶層中に溶出し、液晶を劣化させるおそれがなくなる。
【００１１】
また、前記液晶装置においては、前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、前記枠状部は、前記第２基板側に形成されているのが好ましい。
このようにすれば、枠状部を第２基板に一体に形成する際、第２基板に駆動素子が形成されていないことから、その加工が駆動素子に制限されないため容易になる。
【００１２】
また、前記液晶装置においては、前記レーザ吸収材料の溶融温度が、前記一対の基板の溶融温度よりも高いことが好ましい。その場合に、このレーザ吸収材料はクロム（Ｃｒ）であるのが好ましい。
レーザ吸収材料としてクロムを用いれば、クロムの融点が１８００℃以上であり、例えば基板材料となる石英の融点である約１７００℃より十分に高いため、レーザ光の照射による加熱（発熱）によって例えば１７００℃〜１８００℃程度の温度に前記接合部を加熱することにより、レーザ吸収材料を溶融させることなく、基板材料のみを選択的に溶融させることが可能になる。
【００１３】
また、本発明の別の液晶装置は、一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置であって、
前記シール部は、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、金属材料からなる枠状部が、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、
前記枠状部が溶融固化されたことにより、前記一対の基板を固着してなることを特徴としている。
【００１４】
この液晶装置によれば、シール部を金属材料で形成しているので、樹脂等の有機材料からなるシール材に比べてその透湿性が格段に低くなり、したがって、シール材での吸湿に起因して基板間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうといった不都合が防止される。また、従来のごとくシール部を構成する樹脂の成分が液晶層に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止される。さらに、枠状部がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、基板間を貼り合わせる際には、該枠状部の基板間における接合部のみを溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼすことも防止される。
【００１５】
また、前記液晶装置においては、前記金属材料の溶融温度が、前記一対の基板の溶融温度よりも低いことが好ましい。その場合に、前記金属材料が金であるのが好ましい。
このようにすれば、基板材料を溶融させることなく、金属材料のみを選択的に溶融させることが可能になる。また、金属材料として金を用いれば、金は化学的に安定であって触媒作用も低いので、これが液晶と直接接していても、液晶と反応してその劣化を引き起こすといったおそれが少ない。
【００１６】
また、前記液晶装置においては、前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、前記一対の基板には、前記シール部が形成されていない注入口部が形成され、前記第１基板には、外部入力端子が前記シール部の外側に設けられ、前記外部入力端子と前記駆動素子とを接続する配線が、前記注入口部を通って配設されているのが好ましい。
このようにすれば、外部入力端子と駆動素子とを接続する配線が注入口部を通って配設されているので、シール部を横切ることでシール部または配線の加工が難しくなってしまうことが回避される。
【００１７】
本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、該基板材料からなる枠状部を、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成する工程と、
前記一対の基板を接合し、その状態で前記枠状部とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部にレーザ光を照射し、該接合部を選択的に加熱し溶融固化することにより、前記一対の基板を固着する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００１８】
この液晶装置の製造方法によれば、枠状部を石英やガラスなどの基板材料で形成しているので、樹脂等の有機材料からなるシール材に比べてその透湿性を格段に低くし、これによりシール材での吸湿に起因して基板間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうのを防止することができる。また、この枠状部の構成成分が液晶層に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止することができる。さらに、枠状部がセルギャップに対応する高さとなるように形成するので、基板間を貼り合わせる際には、枠状部とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部のみを溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼしてしまうことも防止することができる。また、レーザ光を照射することにより、接合部の選択的な加熱を容易に行うことができる。
【００１９】
本発明の別の液晶装置の製造方法は、一対の基板が所定のセルギャップでシール部により貼り合わされてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側に、金属材料からなる枠状部を、前記一対の基板間にて前記セルギャップに対応する高さとなるようにして形成する工程と、
前記一対の基板を接合し、その状態で前記枠状部にレーザ光を照射し、該枠状部を選択的に加熱し溶融固化することにより、前記一対の基板を固着する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００２０】
この液晶装置の製造方法によれば、枠状部を金属材料で形成しているので、樹脂等の有機材料からなるシール材に比べてその透湿性を格段に低くし、これによりシール材での吸湿に起因して基板間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうのを防止することができる。また、従来のごとくシール部を構成する樹脂の成分が液晶層に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止することができる。さらに、枠状部がセルギャップに対応する高さとなるように形成するので、基板間を貼り合わせる際には、該枠状部の基板間における接合部のみを溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼしてしまうことも防止することができる。また、レーザ光を照射することにより、シール部の選択的な加熱を容易に行うことができる。
【００２１】
また、前記液晶装置の製造方法においては、前記枠状部を形成する工程では、前記一対の基板のうちの一方の基板に金属材料からなる第１枠状膜を形成するとともに、他方の基板に金属材料からなり、かつ前記第１枠状膜より膜厚が薄い第２枠状膜を形成することで、これら第１枠状膜と第２枠状膜とからなる枠状部の高さを前記セルギャップに対応する高さとなるようにし、前記枠状部にレーザ光を照射する工程では、前記第２枠状膜を形成した基板側からレーザ光を入射し、前記枠状部を選択的に加熱し溶融固化するのが好ましい。
このようにすれば、第２枠状膜を形成した基板側からレーザ光を入射するので、シール部における接合部となる第２枠状膜と第１枠状膜との接合面を加熱した際、第２枠状膜が先に溶融するものの、この第２枠状膜の膜厚が薄いことから、枠状部全体の形状を大きく損なうことなく、枠状部の溶融固化を行うことができる。
【００２２】
また、前記液晶装置の製造方法においては、前記一対の基板が、駆動素子を形成してなる第１基板と、第２基板とからなり、前記第１枠状膜を前記第１基板に形成し、前記第２枠状膜を前記第２基板に形成するのが好ましい。
このようにすれば、駆動素子を形成していない第２基板側からレーザ光を入射するので、レーザ光の照射によって駆動素子の特性を損なうといった不都合が回避される。
【００２３】
また、前記液晶装置の製造方法においては、前記レーザー光の照射スポットが前記枠状部の幅よりも小さいことが好ましい。
このようにすれば、レーザー光で枠状部を照射した際、枠状部以外の箇所を照射してしまうことにより、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼしてしまうことが防止される。
【００２４】
また、前記液晶装置の製造方法においては、前記レーザ光としてＹＡＧレーザを用いるのが好ましい。
このようにすれば、照射スポットを絞り込むことができるため、狭小化したシール部のシール幅に対応させてレーザ光を照射することができる。
【００２５】
本発明の電子機器は、前記の液晶装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、品質の劣化が防止され、さらに電極や配線等への悪影響も防止された液晶装置を備えているので、この電子機器自体の品質が良好なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
（第１実施形態）
まず、本発明の液晶装置の第１実施形態について説明する。なお、この第１実施形態では、本発明の液晶装置を、駆動素子（スイッチング素子）として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いた、アクティブマトリクス方式の透過型液晶装置に適用している。
【００２７】
図１（ａ）は、本実施形態の液晶装置における素子基板（第１基板）の概略構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、前記液晶装置における対向基板の（第２基板）の概略構成を示す平面図である。図１（ａ）、（ｂ）において符号６０は液晶装置であり、液晶装置６０は、図１（ａ）に示した素子基板（第１基板）１０と、図１（ｂ）に示した対向基板（第２基板）２０とを、図２に示すように枠状部８０を含むシール部で貼り合わせ、該シール部によって液晶層５０を封止したものである。すなわち、このシール部は、後述するように基板材料からなる枠状部８０と、該枠状部８０に対向する側の基板の接合面との間の接合部が溶融固化されたことにより、一対の基板を固着してなるものである。枠状部８０は、後述するように対向基板２０に一体に形成されたもの、すなわち、この対向基板２０における基板本体２０Ａの材料である石英によって形成されたものである。
【００２８】
図１（ａ）に示したように素子基板１０の中央には、後述する画素電極（第１電極）等を有した画像作製領域１０１が形成されている。この画像作製領域１０１の外側には前記シール部の前記枠状部８０に対向する接合面（図１（ａ）では符号８０で示す）が配設されており、この接合面８０の内側、すなわち前記画像作製領域１０１には、液晶層５０（図２参照）が封止されている。シール部は、矩形の素子基板１０の三辺において、その外周縁に沿って該外周縁部に配設され、残りの一辺において、外周縁より所定距離内側に配設されている。この所定距離内側に配設された部分の中央部には、液晶注入用の注入口部８１が形成されており、この注入口部８１から液晶が注入されている。なお、この注入口部８１は、図示しないものの、液晶注入後従来の樹脂からなる封口材や、ゾルゲルガラスからなる無機封口材によって封止されている。
【００２９】
シール部の内側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子１１０と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子１２０とが実装されている。また、前記注入口部８１の外側に位置する素子基板１０の外周縁部には、多数の外部入力端子７０が配設されている。これら外部入力端子７０には配線７１が接続されており、これら配線７１は、前記シール部を横切ることなく、前記注入口部８１を通って前記データ線駆動素子１２０に接続され、または図示しないものの、走査線駆動素子１１０に接続されている。また、この注入口部８１を形成した側には、基板１０、２０間を導通させるための第１導通端子７２が複数（例えば二つ）形成されている。これら第１導通端子７２は、接続配線７３を介して前記データ線駆動素子１２０に導通し、このデータ線駆動素子１２０を介して前記外部入力端子７０と電気的に接続したものとなっている。ここで、これら接続配線７３も、前記シール部を横切ることなく、前記注入口部８１を通って前記データ線駆動素子１２０に接続されている。
【００３０】
一方、図１（ｂ）に示したように対向基板２０には、前記画像作製領域１０１と対応する領域に共通電極（第２電極）２１が形成され、さらにブラックマトリクス（図示せず）が形成されている。そして、この共通電極２１の外側には前記枠状部８０が配設されている。ここで、この枠状部８０は、前述したように対向基板２０に一体に形成されたものである。なお、図１（ａ）に示した符号８０は、前述したように枠状部８０と素子基板１０との間のシール面（接合面）を示している。図１（ｂ）に示すようにシール部の注入口部８１を形成した側には、基板１０、２０間を導通させるための第２導通端子７４が複数（例えば二つ）形成されている。これら第２導通端子７４は、素子基板１０側の前記第１導通端子７２にそれぞれ接合（接続）し、これによって基板１０、２０間を導通させるためのもので、接続配線７５によって前記共通電極２１に接続したものである。ここで、これら接続配線７５も、前記シール部を横切ることなく、前記注入口部８１を通って前記データ線駆動素子１２０に接続されている。
【００３１】
（等価回路）
図３は、液晶装置６０の等価回路図である。透過型液晶装置の画像作製領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数のドットには、それぞれ画素電極（第１電極）９が形成されている。また、その画素電極９の側方には、該画素電極９への通電制御を行うための駆動素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。このＴＦＴ素子３０のソースにはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、前述したデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３２】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、前述した走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ素子３０のドレインには画素電極９が接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンにすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極９を介して各ドットの液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００３３】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と前記共通電極２１との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。
【００３４】
（平面構造）
図４は、液晶装置の平面構造の説明図である。本実施形態の液晶装置では、素子基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（破線９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極９の形成された矩形領域がドットであり、マトリクス状に配置されたドットごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００３５】
ＴＦＴ素子３０は、本実施形態では高温ポリシリコン膜からなる半導体層１ａを中心として形成されている。半導体層１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール５を介して、データ線６ａが接続されている。また、半導体層１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール８を介して、画素電極９が接続されている。一方、半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分には、チャネル領域１ａ’が形成されている。
【００３６】
（断面構造）
図５は、液晶装置の断面構造を説明するための要部側断面図であり、図４のＡ−Ａ’線における矢視側断面図である。図５に示すように、本実施形態の液晶装置６０は、素子基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。素子基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料（本実施形態では石英）からなる基板本体１０Ａ、およびその内側に形成されたＴＦＴ素子３０や画素電極９、配向膜１６などを主体として構成されている。一方の対向基板２０は、ガラスや石英等（本実施形態では石英）の透光性材料からなる基板本体２０Ａ、およびその内側に形成された共通電極２１や配向膜２２などを主体として構成されている。
【００３７】
素子基板１０の表面には、後述する第１遮光膜１１ａおよび第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に高温ポリシリコン膜からなる半導体層１ａが形成され、この半導体層１ａを中心としてＴＦＴ素子３０が形成されている。半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分にはチャネル領域１ａ’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しているため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１ｂと高濃度ソース領域１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅとが形成されている。
【００３８】
半導体層１ａの表面には、ゲート絶縁膜２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２の表面に走査線３ａが形成されて、チャネル領域１ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２および走査線３ａの表面には、第２層間絶縁膜４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４の表面にデータ線６ａが形成され、第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、そのデータ線６ａが高濃度ソース領域１ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４およびデータ線６ａの表面には、第３層間絶縁膜７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７の表面に画素電極９が形成され、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、その画素電極９が高濃度ドレイン領域１ｅに接続されている。さらに、画素電極９を覆うように配向膜１６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００３９】
なお、本実施形態では、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線３ｂが配置されて第２蓄積容量電極が形成されている。これらにより、前述した蓄積容量１７が構成されている。
また、ＴＦＴ素子３０の形成領域に対応する基板本体１０Ａの表面に、第１遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、液晶装置に入射した光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するものである。
【００４０】
一方、対向基板２０における基板本体２０Ａの表面には、第２遮光膜２３が形成されている。第２遮光膜２３は、液晶装置に入射した光が半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ等に侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層１ａと重なる領域に設けられている。また対向基板２０の表面には、ほぼ全面にわたってＩＴＯ等の導電体からなる共通電極２１が形成されている。さらに、共通電極２１の表面には配向膜２２が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００４１】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層５０が挟持されている。このネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。なお、素子基板１０の配向膜１６による配向規制方向と、対向基板２０の配向膜２２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。これにより、本実施形態の液晶装置６０は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。
【００４２】
また両基板１０、２０の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板１８、２８が配置されている。なお各偏光板１８、２８は、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置６０から離間配置することが望ましい。各偏光板１８、２８は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。素子基板１０側の偏光板１８は、その透過軸が配向膜１６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板２０側の偏光板２８は、その透過軸が配向膜２２の配向規制方向と略一致するように配置されている。
【００４３】
液晶装置６０は、対向基板２０を光源側に向けて配置される。その光源光のうち偏光板２８の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板２８を透過して液晶装置６０に入射する。
非選択電圧印加時の液晶装置６０では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層５０の厚さ方向に約９０°ねじれたらせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と一致するため、偏光板１８を透過する。したがって、非選択電圧印加時の液晶装置６０では白表示がなされるようになっている（ノーマリーホワイトモード）。
【００４４】
また、選択電圧印加時の液晶装置６０では、液晶分子が基板に対して垂直配向している。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と直交するため、偏光板１８を透過しない。したがって、選択電圧印加時の液晶装置６０では黒表示がなされるようになっている。
【００４５】
両基板１０、２０の内側には配向膜１６、２２が形成されている。これら配向膜１６、２２は、特に限定されないものの、本実施形態では無機材料からなる配向膜（無機配向膜）となっている。すなわち、本実施形態において配向膜１６、２２は、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物、またはＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯやＩＴＯ等の金属酸化物等により、厚さ０．０２〜０．３μｍ（好ましくは、０．０２〜０．０８μｍ）程度に形成されている。無機配向膜１６、２２の製造には、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、蒸着法、ゾルゲル法、自己組織化法などが採用可能であり、中でもイオンビームスパッタ法が好適に採用される。
【００４６】
ここで、このような無機配向膜を形成するに際しては、例えばイオンビームスパッタ法を採用する場合、予めその下地膜表面に複数の傾斜面を形成しておき、その表面に前記スパッタ法で無機配向膜を形成することにより、前記複数の傾斜面の形状を無機配向膜の表面に反映させるようにしてもよい。また、前記スパッタ法で無機配向膜を形成した後に、所定角度でイオンビームを入射させるイオンミリングを行って、無機配向膜の表面に所定の方向性を有する凹部を形成してもよい。また、予め無機配向膜の下地膜表面にイオンミリングを行っておき、次に前記スパッタ法で無機配向膜を形成し、さらにその表面に再度イオンミリングを行って、無機配向膜の表面に凹部を形成してもよい。いずれの場合にも、液晶分子に対して所望のプレティルト角を確実に付与することが可能な無機配向膜を提供することができる。
【００４７】
（シール構造）
図６は、本実施形態に係るシール構造の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）のＢ−Ｂ線における矢視側断面図である。図６に示すようにシール部は、対向基板２０の内面側にて該対向基板２０における基板本体２０Ａと一体に形成された枠状部８０と、該枠状部８０に対向する側の基板の接合面との間の接合部が溶融固化されたことにより、一対の基板を固着してなるものである。枠状部８０は、その高さが、素子基板１０と対向基板２０との間のセルギャップにほぼ一致するように形成されたものである。この枠状部８０は、その端面８０ａが素子基板１０の基板本体１０Ａに突き合わされ、これらの間の接合部が溶融固化されたことにより、素子基板１０と対向基板２０とを固着したものである。すなわち、素子基板１０と対向基板２０とは、これらの内面間が接合され、枠状部８０の端面８０ａと素子基板１０の基板本体１０Ａの接合面との間の接合部８２が溶融固化されたことにより、一体に貼り合わされたものとなっている。
【００４８】
前記接合部８２には、レーザ吸収材料８３が設けられている。このレーザ吸収材料８３は、後述するように枠状部８０の端面８０ａと基板本体１０Ａの接合面とにそれぞれ形成されたもので、レーザ光の照射を受けてこれを吸収し、発熱するものである。このレーザ吸収材料８３としては、レーザ光を吸収する有色の金属膜やセラミックス膜など、レーザ光を効率良く吸収できる材料が用いられる。具体的には、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などの金属スパッタ膜が好適に用いられ、特にクロムのスパッタ膜がより好適とされる。したがって、本実施形態では、レーザ吸収材料８３としてクロムのスパッタ膜が用いられている。
【００４９】
枠状部８０は、石英からなる基板本体２０Ａの一方の面がエッチングによってパターニングされたことにより、基板面より突出し、かつ、図１（ｂ）に示したように注入口部８１以外において枠状に連続して形成されたもので、その幅（シール幅）が５００μｍ程度に形成されたものである。
【００５０】
（シール構造の形成）
ここで、このような構成からなるシール部の構造を、その製造方法に基づいて説明する。
まず、図７（ａ）に示すように石英からなる基板本体１０Ａ及び基板本体２０Ａを用意し、これら基板本体１０Ａ、２０Ａのそれぞれのシール部形成領域８５に、クロム膜からなるレーザ吸収材料８３を厚さ１００ｎｍ程度に形成する。このレーザ吸収材料８３の形成方法としては、例えば、スパッタ法によってクロムを前記の厚さに成膜し、その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によってウエットエッチングし、パターニングするか、あるいは、マスクを用いて成膜し、所望パターンのレーザ吸収材料８３を形成するといった手法が採用される。
【００５１】
ここで、このレーザ吸収材料８３の形成幅については、枠状部８０の幅より狭くなるようにして形成する。すなわち、対向基板２０側の基板本体２０Ａの、シール部形成領域８５に対し、これの幅より狭くなるようにしてレーザ吸収材料８３を形成する。同様に、素子基板１０側の基板本体１０Ａに対しても、前記シール部形成領域８５の幅より狭くなるようにして、レーザ吸収材料８３を形成する。また、前記基板本体２０Ａにおいては、前記レーザ吸収材料８３が、前記シール部形成領域８５の内周縁部上に配置されないように形成する。同様に、前記基板本体１０Ａにおいても、前記シール部形成領域８５の内周縁部上に形成されないように、レーザ吸収材料８３を形成する。
【００５２】
このようにして基板本体１０Ａ、２０Ａのそれぞれにレーザ吸収材料８３を形成配置したら、特に対向基板２０を形成するための基板本体２０Ａに対し、枠状部８０についてのパターニングを行う。具体的には、前記レーザ吸収材料８３を覆った状態で前記シール部形成領域８５上にレジストマスクを形成し、続いて基板本体２０Ａを反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等でパターニングし、その後、レジストマスクを除去することにより、図７（ｂ）に示すように枠状部８０を形成する。ここで、レジストマスクの形成については、一般的な露光・現像法を用いてもよいが、特にインクジェット法等の液滴吐出法を用いて行うのが、材料などの無駄を少なくしてより効率的に行えるため、好ましい。なお、このパターニングでは、枠状部８０の高さを、素子基板１０と対向基板２０との間のセルギャップにほぼ一致させるようにして行う。具体的には、枠状部８０の高さが３μｍ程度となるように形成する。
【００５３】
このようにして基板本体２０Ａに枠状部８０を形成したら、この枠状部８０の内部に共通電極２１やブラックマトリクス（図示せず）を形成し、さらに第２の導電端子７４とこれに接続する接続配線７５とを形成する。このとき、接続配線７５を、注入口部８１を通るように配設するので、枠状部８０を横切ることで枠状部８０または接続配線７５の加工が難しくなってしまうことがなく、接続配線７５を容易に形成することができる。また、基板本体１０Ａに対しても、前記画像作製領域１０１を構成する各構成要素を従来と同様にして形成し、さらに外部入力端子７０と駆動素子とを接続する配線７１、および第１の導電端子７２とこれに接続する接続配線７３をそれぞれ形成する。このとき、配線７１、接続配線７３を、それぞれ注入口部８１を通るように配設するので、枠状部８０を横切ることで枠状部８０または配線７１、接続配線７３の加工が難しくなってしまうことがなく、配線７１、接続配線７３を容易に形成することができる。
【００５４】
次いで、図７（ｂ）に示したように基板本体１０Ａと基板本体２０Ａとを対向させ、かつそれぞれのレーザ吸収材料８３どうしを対向させる。そして、基板本体２０Ａの枠状部８０と基板本体１０Ａとを接合し、レーザ吸収材料８３どうしを突き合わせる。
その後、図７（ｃ）に示すように、枠状部８０の端面８０ａと基板本体２０Ａの接合面との間の接合部８２における前記レーザ吸収材料８３に、対向基板２０側からレーザ光Ｌをスポット照射し、該接合部８２を選択的に加熱し溶融する。そして、レーザ光Ｌのスポット照射位置を、枠状部８０の長さ方向に沿ってオーバラップさせつつずらしていく。これにより、溶融箇所へのレーザ光照射が順次停止され、溶融した接合部８２が再度固化する。そして、このようにして枠状部８０全体（全周）を溶融固化することにより、基板本体１０Ａ、２０Ａ間、すなわち素子基板１０と対向基板２０との間を固着し、両基板を一体化する。
【００５５】
照射するレーザ光Ｌについては、特にＹＡＧレーザを用いるのが好ましい。このようにＹＡＧレーザを用いれば、その照射スポットを絞り込むことができるため、狭小化したシール部のシール幅に対応させて、レーザ光Ｌを良好にスポット照射することができる。
このようなレーザ光Ｌをレーザ吸収材料８３にスポット照射すると、レーザ吸収材料８３がレーザ光Ｌを吸収して加熱され、発熱することにより、レーザ吸収材料８３を配置した接合部８２が選択的にしかも効率良く加熱され、これにより接合部８２を構成する基板本体１０Ａと枠状部８０とが部分的に溶融固化される。したがって、特に素子基板１０側に形成された各種駆動素子や配線、電極、さらには対向基板２０側の電極などに悪影響を及ぼすことなく、素子基板１０と対向基板２０との間を固着することができる。
【００５６】
ここで、レーザ吸収材料８３としてクロムを用いているので、レーザ光Ｌをスポット照射した際、このレーザ吸収材料８３を溶融させることなく、基板本体１０Ａ及び枠状部８０のみを選択的に溶融させることができる。すなわち、基板材料である石英の融点は約１７００℃であるのに対し、クロムの融点は１８００℃以上である。したがって、レーザ光Ｌの照射による加熱（発熱）により、レーザ吸収材料８３を例えば１７００℃〜１８００℃程度（上限はクロムの融点未満とする）の温度にし、これによってこのレーザ吸収材料８３の周辺の前記接合部８２を１７００℃〜１８００℃程度に加熱することにより、レーザ吸収材料８３を溶融させることなく、基板材料のみを選択的に溶融させることができる。これにより、このレーザ吸収材料８３の構成元素が基板本体１０Ａ、２０Ａ中などに拡散するのを抑えることができる。
【００５７】
また、レーザ吸収材料８３を、前述したようにシール部形成領域８５の内周縁部上に配置されないように形成しているので、枠状部８０の内周縁部とこれに対応する位置の基板本体１０Ａの接合面とが、レーザ吸収材料８３を介在することなく直接接合して固着するようになる。よって、レーザ吸収材料８３が直接液晶層５０に接しないため、このレーザ吸収材料８３の成分が液晶層中に溶出し、液晶を劣化させるおそれがなくなる。
【００５８】
なお、このようにして前記接合部８２を溶融固化し、素子基板１０と対向基板２０とを一体化したら、対向基板２０側から前記の第１導通端子７２と第２導通端子７４との間にレーザ光（ＹＡＧレーザ光）をスポット照射し、これら端子７２、７４間を溶融・固化させ、これによって端子７２、７４間を導通させる。
【００５９】
このようにして形成されるシール構造を備えた本実施形態の液晶装置６０にあっては、枠状部８０を基板材料で基板本体２０Ａと一体に形成しているので、樹脂等の有機材料からなる従来のシール材に比べてその透湿性が格段に低くなり、したがって、シール材での吸湿に起因して基板１０、２０間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうといった不都合を防止することができる。また、このシール部の構成成分が液晶層５０に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止することができる。さらに、枠状部８０がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、基板１０、２０間を貼り合わせる際には、枠状部８０とこれに対向する側の基板の接合面との間の接合部８２のみを、レーザ吸収材料８３を用いて溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼしてしまうことも防止することができる。
【００６０】
また、枠状部８０がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、この枠状部８０によってセルギャップが規定されるようになり、したがってギャップ材を不要にすることができる。
また、特にシール部における接合部８２の溶融・固化に際しては、レーザ光Ｌを照射することにより、接合部８２の選択的な加熱を容易に行うことができる。
【００６１】
（第２実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２実施形態について説明する。この第２実施形態が前記の第１実施形態と異なるところは、シール部の構成、およびシール構造の形成方法である。この第２実施形態では、図８に示すシール部が、前述したレーザ吸収材料としても機能するよう、金属材料によって形成されている。
【００６２】
すなわち、本実施形態のシール部は、図９（ａ）に示すように金属材料からなる枠状部９０が、一対の基板間にてセルギャップに対応する高さとなるようにして形成され、枠状部９０が溶融固化されたことにより、一対の基板を固着してなるものである。枠状部９０は、素子基板１０の基板本体１０Ａに形成された枠状の第１枠状膜９０ａと、対向基板２０の基板本体２０Ａに形成された枠状の第２枠状膜９０ｂとによって構成されたもので、これらの間が溶融・固化されたことにより、前記のシール部が形成されている。枠状膜９０ａ、９０ｂからなる枠状部９０は、前述したように金属材料によって形成されており、特に本実施形態では金（Ａｕ）によって形成されている。金は、極めて安定であって反応性が低く、触媒作用もほとんど示さないことから、液晶層５０に直接接していても、液晶の劣化を促すような作用を示さないからである。また、金はその融点が基板材料である石英等に比べて低く、したがって後述するようにこれを溶融させた際、溶融時の温度を低く抑えることで、素子基板１０、対向基板２０への影響を少なくし、接合部９１のマージンを小さくすることができるからである。なお、枠状部９０を形成する金属材料としては、金以外にも例えば銀などが使用可能である。
【００６３】
（シール構造の形成）
このような枠状部９０を有してなるシール構造を形成するには、まず、図９（ａ）に示したように素子基板１０（基板本体１０Ａ）及び対向基板２０（基板本体２０Ａ）を用意し、その基板本体１０Ａ、２０Ａのそれぞれのシール部形成領域８５に、枠状膜９０ａ、９０ｂを形成する。ここで、素子基板１０については、前記画像作製領域１０１を構成する各構成要素を従来と同様にして予め基板本体１０Ａに形成しておき、さらに外部入力端子７０と駆動素子とを接続する配線７１、および第１の導電端子７２とこれに接続する接続配線７３についてもそれぞれ形成しておく。また、対向基板２０についても、共通電極２１やブラックマトリクス（図示せず）を予め基板本体２０Ａに形成しておき、さらに第２の導電端子７４とこれに接続する接続配線７５についてもそれぞれ形成しておく。
【００６４】
前記枠状膜９０ａ、９０ｂについては、共に同じ膜厚に形成してもよいが、本実施形態では、素子基板１０側の第１枠状膜９０ａを厚く、対向基板２０側の第２枠状膜９０ｂを薄く形成する。具体的には、（素子基板１０側の第１枠状膜９０ａの膜厚：対向基板２０側の第２枠状膜９０ｂの膜厚）＝１０：１程度となるように形成する。すなわち、素子基板１０と対向基板２０との間のセルギャップを３μｍ程度とすると、第１枠状膜９０ａが約２．７３μｍ、第２枠状膜９０ｂが約０．２７μｍとなるように形成する。
【００６５】
このような枠状膜９０ａ、９０ｂの形成方法としては、特に膜厚が厚い第１枠状膜９０ａについては、インクジェット法等の液滴吐出法による形成法が好適に用いられる。本実施形態では、金のナノ微粒子を分散媒に分散させてなる金ナノメタルインクを用いた、インクジェット法を採用する。このインクジェット法（液滴吐出法）によれば、パターニングが容易であり、形成する膜の厚さを厚くしたい場合に、重ね打ちを行うことで容易に厚膜化することができるからである。また、膜厚が薄い第２枠状膜９０ｂについては、例えばマスクを用いて蒸着法やスパッタ法により成膜することで、パターニングを行う公知の手法が採用されるが、もちろんこの第２枠状膜９０ｂについても、液滴吐出法で形成するようにしてもよい。
【００６６】
なお、このような枠状膜９０ａ、９０ｂの形成にあたっては、図１（ａ）、（ｂ）に示した注入口部８１に対応する箇所については成膜することなく、基板面を露出させておく。このようにして枠状膜９０ａ、９０ｂを形成することにより、素子基板１０側における配線７１や接続配線７３、また、対向基板２０側における接続配線７５が、枠状部９０を横切ることなく、注入口部８１を通るようにすることができる。
【００６７】
次いで、図９（ａ）に示したように素子基板１０（基板本体１０Ａ）と対向基板２０（基板本体２０Ａ）とを対向させ、かつ第１枠状膜９０ａと第２枠状膜９０ｂとを対向させる。そして、これら第１枠状膜９０ａと第２枠状膜９０ｂとを互いに突き合わせた状態で接合する。
【００６８】
その後、図９（ｂ）に示すように、第１枠状膜９０ａと第２枠状膜９０ｂとの間の接合部９１に、対向基板２０側からレーザ光Ｌ（ＹＡＧレーザ光）をスポット照射する。すると、第１枠状膜９０ａ、第２枠状膜９０ｂは金属（金）からなっていることにより、これら膜自体が前記のレーザ吸収材料として機能し、レーザ光Ｌを吸収することで加熱され、発熱する。したがって、該接合部９１を選択的に加熱し溶融することができる。そして、レーザ光Ｌのスポット照射位置を、枠状膜９０ａ（９０ｂ）の長さ方向に沿ってオーバラップさせつつずらしていく。これにより、溶融箇所へのレーザ光照射が順次停止され、溶融した接合部９１が再度固化する。このようにして枠状膜９０ａ、９０ｂ間をこれら枠状膜９０ａ、９０ｂの全体（全周）に亘って溶融固化することにより、枠状膜９０ａ、９０ｂが一体化して枠状部９０となり、シール部が形成される。これにより、基板本体１０Ａ、２０Ａ間、すなわち素子基板１０と対向基板２０との間が固着し、両基板が一体化する。
【００６９】
このようなシール構造の形成方法にあっては、特に膜厚が薄い第２枠状膜９０ｂを形成した対向基板２０側からレーザ光Ｌを入射するので、枠状部９０全体の形状を大きく損なうことなく、枠状部９０の溶融固化を良好に行うことができる。すなわち、枠状膜９０ａ、９０ｂ間の接合部９１（接合面）を加熱した際、先にレーザ光Ｌを受ける第２枠状膜９０ｂが先に溶融するものの、この第２枠状膜９０ｂの膜厚が薄いことから、得られる枠状部９０の全体の形状を大きく損なうことがない。
また、駆動素子を形成していない対向基板２０側からレーザ光Ｌを入射するようにしているので、レーザ光Ｌの照射によって駆動素子の特性を損なうといった不都合を回避することができる。
【００７０】
また、このようにしてシール部を形成した液晶装置にあっては、液晶層を封止する枠状部９０を金で形成しているので、樹脂等の有機材料からなるシール材に比べてその透湿性が格段に低くなり、したがって、シール材での吸湿に起因して基板１０、２０間に水分が浸入し、品質が劣化してしまうといった不都合が防止することができる。また、この枠状部９０の構成成分が液晶層５０に溶出し、その劣化を促進するなどといったことも防止することができる。さらに、枠状部９０がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、基板１０、２０間を貼り合わせる際には、枠状膜９０ａ、９０ｂ間の接合部９１のみを溶融固化すればよく、したがって、過大な熱量を付与する必要がないため、基板上に形成されている電極や配線等に悪影響を及ぼしてしまうことも防止することができる。
【００７１】
また、枠状部９０がセルギャップに対応する高さとなるように形成されているので、この枠状部９０によってセルギャップが規定されるようになり、したがってギャップ材を不要にすることができる。
また、特に枠状部９０における接合部９１の溶融・固化に際しては、レーザ光Ｌを照射することにより、接合部９１の選択的な加熱を容易に行うことができる。
【００７２】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記第１実施形態では、枠状部８０を対向基板２０（基板本体２０Ａ）側のみに形成したが、素子基板１０側にも枠状部を形成し、対向基板２０側の枠状部と素子基板１０側の枠状部とを合わせて本発明における枠状部とし、これによってシール部を構成してもよい。同様に、第２実施形態では、両基板にそれぞれ枠状膜を形成してこれらから枠状部を形成したが、一方の基板にのみ枠状膜を形成してこれを本発明における枠状部とし、これによってシール部を構成してもよい。
【００７３】
また、前記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することもできる。さらに、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することもできる。また、前記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することもできる。
【００７４】
（プロジェクタ）
次に、本発明の電子機器の一実施形態であるプロジェクタについて、図１０を用いて説明する。図９は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した各実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００７５】
図１０において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００７６】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００７７】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００７８】
前述したプロジェクタは、前記各実施形態の液晶装置を光変調手段として備えている。
各実施形態の液晶装置は、耐光性および耐熱性に優れた無機配向膜を備えているので、光源から照射される強い光や熱により配向膜が劣化することはない。また、シール部が、透湿性の極めて低い材質で形成されているので、従来に比べ吸湿や水の浸入が格段に防止されたものとなる。したがって、液晶装置における液晶分子の配向制御機能を維持することが可能になり、信頼性に優れたプロジェクタを提供することができる。
なお、本実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００７９】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】（ａ）は素子基板の平面図、（ｂ）は対向基板の平面図である。
【図２】液晶装置の概略構成を示す側断面図である。
【図３】液晶装置の等価回路図である。
【図４】液晶装置の平面構造の説明図である。
【図５】液晶装置の断面構造の説明図である。
【図６】第１実施形態に係るシール構造の説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は図６のシール構造の製造工程図である。
【図８】第２実施形態に係るシール構造の説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は図８のシール構造の製造工程図である。
【図１０】プロジェクタの要部を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０…素子基板（第１基板）、１０Ａ…基板本体、２０…対向基板（第２基板）、２０Ａ…基板本体、５０…液晶層、６０…液晶装置、７０…外部入力端子、７１…配線、７２…第１導通端子、７３…配線、７４…第２導通端子、７５…接続配線、８０…枠状部、８１…注入口部、８２…接合部、８３…レーザ吸収材料、９０…枠状部、９０ａ…第１枠状膜、９０ｂ…第２枠状膜、９１…接合部
【図１】
2007017590.tif 000003
【図２】
2007017590.tif 000004
【図３】
2007017590.tif 000005
【図４】
2007017590.tif 000006
【図５】
2007017590.tif 000007
【図６】
2007017590.tif 000008
【図７】
2007017590.tif 000009
【図８】
2007017590.tif 000010
【図９】
2007017590.tif 000011
【図１０】
2007017590.tif 000012