(57)【要約】【課題】隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止できるとともに、発光輝度等の特性に優れた有機発光素子を備える表示装置および信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】表示装置１０は、一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える複数の有機発光素子（有機ＥＬ素子）１と、これらの有機発光素子１を区画するように設けられたバンク３１とを有している。  このような表示装置１０において、バンク３１の内面を、有機発光素子１からの光を反射する機能を有する光反射面で構成したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子と、
各前記有機発光素子を区画するように設けられたバンクとを有し
該バンクの内面を、前記有機発光素子からの光を反射する機能を有する光反射面で構成したことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記バンクは、その幅が前記有機発光素子に向かって小さくなる部分を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記バンクの前記有機発光素子と反対側の面と、前記バンクの内面とのなす角度は、６０°以上、９０°未満である請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記バンクは、その内面の反射率が６０〜９９．８％である請求項１ないし３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記バンクは、その内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下である請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機発光素子の前記バンクと反対側の電極は、光反射性を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機発光素子が備える一対の電極のうち、少なくとも前記バンク側の電極を共通電極で構成し、前記バンクの少なくとも内面付近を導電性材料で構成し、
該バンクを前記共通電極に接触させることにより、該共通電極の電気伝導度を向上させるよう構成した請求項１ないし６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記バンクと前記共通電極とは、電気接続部を介して接続される請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記接続部の電気伝導度は、前記バンクの電気伝導度よりも高い請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項７ないし９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光素子の前記バンクと反対側に、前記有機発光素子への通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチング素子を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
各前記有機発光素子は、いずれも白色光を発光するものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
各前記有機発光素子に対応する開口部を備え、前記有機発光素子からの光の透過を阻止するブラックマトリクスが、前記バンクの各前記有機発光素子と反対側に設けられている請求項１ないし１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
各前記開口部内には、それぞれ色素層が設けられ、各前記有機発光素子からの光は、前記色素層を透過する際に色調が変換される請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記有機発光素子と前記ブラックマトリクスとの間の空間が封止されており、該空間に不活性ガスが充填されている請求項１３または１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記バンクは、前記ブラックマトリクスのパターンとほぼ等しいパターンで設けられている請求項１３ないし１５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１７】
前記開口部の開口面積は、前記有機発光素子が備える一対の電極のうち、少なくとも平面積が小さい方の電極の平面積より大きい請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記平面積が小さい方の電極の平面積をＡ［μｍ２］とし、前記開口部の開口面積をＢ［μｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足する請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記開口部は、平面視で四角形状をなし、
前記バンクの平均高さをＣ［μｍ］とし、前記開口部の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足する請求項１６ないし１８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれかに記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層（有機半導体層）を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
例えば、特許文献２には、図１０に示すように、基板９００上に画素電極９０１、発光層９０２および透明な対向電極９０３がこの順で設けられ、基板９００と反対側（対向電極９０３側）から、発光層９０２の発光光ｌ１〜ｌ８を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子（有機発光素子）９１０が提案されている。
このトップエミッション構造の有機ＥＬ素子９１０は、電極間の通電のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子や配線を基板９００側に設けることができることから、発光層９０２の開口率を高めて、消費電力の低電力化等を図ることができることから、着目され、実用化に向けて種々の研究がなされている。
【０００４】
ここで、このような有機ＥＬ素子９１０を複数備える表示装置９２０では、カラーフィルター９１２を備えるカラーフィルター基板９１１を対向基板９０３側に設け、発光光ｌ１〜ｌ８をカラーフィルター９１２に透過することにより、色調を変化（色変調）して、フルカラー画像表示を実現している。
ここで、このような表示装置９２０では、各有機ＥＬ素子９１０からの発光光ｌ１〜ｌ８が四方八方に向かって発せられ、発光光ｌ２、ｌ４のように、隣接する有機ＥＬ素子９１０からの発光光が混ざり合う現象（すなわち、クロストーク現象）により、色ムラやコントラストの低下が生じるという問題がある。
【０００５】
この問題を解決する方法としては、例えば、有機ＥＬ素子９１０とカラーフィルター基板９１１との離間距離をできるだけ小さく、かつ、カラーフィルター９１２同士を区画するブラックマトリクス９１３の大きくする方法がある。
ところが、かかる方法では、ブラックマトリクス９１３のサイズを大きくするのに依存して、各カラーフィルター９１２のサイズ、すなわち、各カラーフィルター（画素）９１２の開口率が小さくなる。その結果、表示装置９２０の特性（表示特性）が低下してしまう。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】特開２００５−６２４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止できるとともに、発光輝度等の特性に優れた有機発光素子を備える表示装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の表示装置は、一対の電極と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子と、
各前記有機発光素子を区画するように設けられたバンクとを有し
該バンクの内面を、前記有機発光素子からの光を反射する機能を有する光反射面で構成したことを特徴とする。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止できるとともに、発光輝度等の特性に優れた有機発光素子を備える表示装置とすることができる。
【０００９】
本発明の表示装置では、前記バンクは、その幅が前記有機発光素子に向かって小さくなる部分を有することが好ましい。
これにより、表示装置を製造する際に、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、バンクを、有機発光素子と接触させることなく、有機発光素子を区画することができる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記バンクの前記有機発光素子と反対側の面と、前記バンクの内面とのなす角度は、６０°以上、９０°未満であることが好ましい。
これにより、表示装置を製造する際に、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、バンクを、有機発光素子と接触させることなく、有機発光素子を確実に区画することができる。
【００１１】
本発明の表示装置では、前記バンクは、その内面の反射率が６０〜９９．８％であることが好ましい。
これにより、バンクに入射した光がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。
本発明の表示装置では、前記バンクは、その内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、バンクの内面は、特に高い反射率を有するものとなる。
【００１２】
本発明の表示装置では、前記有機発光素子の前記バンクと反対側の電極は、光反射性を有することが好ましい。
これにより、有機半導体層で発光した光がバンクと反対側の電極側で吸収（吸光）されることなく、バンク側に反射させることができる。
本発明の表示装置では、前記有機発光素子が備える一対の電極のうち、少なくとも前記バンク側の電極を共通電極で構成し、前記バンクの少なくとも内面付近を導電性材料で構成し、
該バンクを前記共通電極に接触させることにより、該共通電極の電気伝導度を向上させるよう構成したことが好ましい。
これにより、発光装置をより低電圧で駆動することが可能となる。
【００１３】
本発明の表示装置では、前記バンクと前記共通電極とは、電気接続部を介して接続されることが好ましい。
本発明の表示装置では、前記接続部の電気伝導度は、前記バンクの電気伝導度よりも高いことが好ましい。
これにより、このバンクおよび接続部を介して一対の電極間に電圧を印加する際に、共通電極全体としての電気伝導度をより向上させることができる。
【００１４】
本発明の表示装置では、前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
バンクをかかる材料を主材料として構成することにより、バンクに優れた導電性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。
本発明の表示装置では、前記発光素子の前記バンクと反対側に、前記有機発光素子への通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチング素子を有することが好ましい。
これにより、表示装置が備える有機発光素子がトップエミッション型の構造を有するものとなる。
【００１５】
本発明の表示装置では、各前記有機発光素子は、いずれも白色光を発光するものであることが好ましい。
本発明の表示装置では、各前記有機発光素子に対応する開口部を備え、前記有機発光素子からの光の透過を阻止するブラックマトリクスが、前記バンクの各前記有機発光素子と反対側に設けられていることが好ましい。
これにより、ブラックマトリクスが設けられている領域から、有機発光素子からの光を、ブラックマトリクスの有機発光素子と反対側に取り出されるのを確実に防止することができる。これにより、表示装置により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００１６】
本発明の表示装置では、各前記開口部内には、それぞれ色素層が設けられ、各前記有機発光素子からの光は、前記色素層を透過する際に色調が変換されることが好ましい。
これにより、各有機発光素子がいずれも白色光を発光するように構成されている際に、表示装置のフルカラー表示が可能となる。
本発明の表示装置では、前記有機発光素子と前記ブラックマトリクスとの間の空間が封止されており、該空間に不活性ガスが充填されていることが好ましい。
これにより、有機発光素子が備える有機半導体層等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
【００１７】
本発明の表示装置では、前記バンクは、前記ブラックマトリクスのパターンとほぼ等しいパターンで設けられていることが好ましい。
これにより、隣接する有機発光素子からの光同士が混ざり合うクロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを確実に防止することができる。
本発明の表示装置では、前記開口部の開口面積は、前記有機発光素子が備える一対の電極のうち、少なくとも平面積が小さい方の電極の平面積より大きいことが好ましい。
これにより、有機ＥＬ素子からの光を、開口部内を通過させて、バンクと反対側に取り出すことができる。
【００１８】
本発明の表示装置では、前記平面積が小さい方の電極の平面積をＡ［μｍ２］とし、前記開口部の開口面積をＢ［μｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足することが好ましい。
これにより、有機ＥＬ素子からの光を、確実に開口部内を通過させて、バンクと反対側に取り出すことができる。
【００１９】
本発明の表示装置では、前記開口部は、平面視で四角形状をなし、
前記バンクの平均高さをＣ［μｍ］とし、前記開口部の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足することが好ましい。
これにより、表示装置の大型化を防止しつつ、バンクと反対側に出射される光の方向を、有機発光素子の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜表示装置＞
まず、本発明の表示装置の好適な実施形態について説明する。
【００２１】
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の表示装置の第１実施形態について説明する。
図１および図２は、本発明の表示装置の第１実施形態を示す図であり、図１は縦断面図、図２は斜視図である。図３は、図１に示す表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１および図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２２】
図１に示す本発明の表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基板２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向して設けられたカラーフィルター基板９と、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との間に設けられたバンク３１とを有している。
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
【００２３】
以下、このＴＦＴ回路基板２０について説明する。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が用いられ、これらの中でも比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００２４】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、各有機ＥＬ素子１が備える陽極３と陰極５における通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有するものであり、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
【００２５】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える有機ＥＬ素子（発光素子）１が、それぞれ、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して複数設けられている。
【００２６】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線（導電部）２７により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の有機半導体層４は、一体的に形成されており、陰極５は、共通電極とされている。
【００２７】
以下、この有機ＥＬ素子１について説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、個別の陽極３と、共通の陰極５と、陽極３と陰極５との間に共通の有機半導体層４とを有している。
陽極３は、有機半導体層（後述する発光層）４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００２８】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を有機半導体層４において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
【００２９】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する有機半導体層４で発光した光が陽極３（有機ＥＬ素子１の後述するブラックマトリクス７と反対側の電極）側で吸収（吸光）されることなく、陰極５（バンク３１）側に反射されて、カラーフィルター６を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
【００３０】
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、少なくとも陽極３の表面を構成することにより形成することができる。
一方、陰極５は、有機半導体層４に電子を注入する電極である。
この陰極５の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極５側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する導電性材料が選択される。
【００３１】
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３２】
陰極５の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
【００３３】
このような陰極５は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極５側から取り出すことができる。
陽極３と陰極５との間には、有機半導体層４が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層４は、発光層で構成される単層体となっている。
【００３４】
ここで、個別の陽極３と共通の陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、陽極３から発光層（有機半導体層４）に正孔が注入され、また、陰極５から電子が発光層に注入され、この発光層の個別に設けられた陽極３に対応する領域において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層の前記領域ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、各有機ＥＬ素子１（陽極３）の形状に対応して、有機半導体層（発光層）４が光を発光する。
【００３５】
発光層の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、複層体であってもよい。
【００３６】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１がいずれも白色光を発光するように構成され、この白色光を後述するカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂにそれぞれ透過させて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に色調を変換させ、表示装置１０のフルカラー表示が可能となっている。
ここで、白色光を発光する有機半導体層４としては、例えば、青色発光する１、１、４、４−テトラフェニル−１、３−ブタジエン（ＴＰＢ）と、赤色発光する（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびナイルレッドと、緑色発光するクマリン６とを組み合わせて構成したもの等が挙げられる。
【００３７】
発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層４は、本実施形態で示したような単層体の他、発光層を含む複数の層が積層された積層体であってもよい。
有機半導体層４をかかる構成とする場合、陽極３と発光層との間には、例えば、陽極３から注入された正孔を発光層まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この正孔輸送層と陽極３との間に、陽極３から正孔輸送層への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
また、陰極５と発光層との間には、例えば、陰極５から注入された電子を発光層まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この電子輸送層と陰極５との間に、陰極５から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
【００３８】
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４０】
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４２】
さて、カラーフィルター基板９は、上基板８と、この上基板８上に設けられたカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ同士を区画するブラックマトリクス７とで構成されている。
上基板８は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護層等として機能するものである。
このような上基板８を設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
【００４３】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、カラーフィルター基板９すなわち上基板８側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板８は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような上基板８には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００４４】
上基板８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この上基板８の下には、各有機ＥＬ素子１に対応するように、それぞれ、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。
複数のカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、赤色のカラーフィルター６Ｒと、緑色のカラーフィルター６Ｇと、青色のカラーフィルター６Ｂとで構成され、図２に示すように、マトリクス状に配設された３つのカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（三原色）が１組となって１画素（ピクセル）を構成する。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子１から発光された光（白色光）は、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを透過して、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出されるが、この際、各白色光は、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応した色に色調が変換されることとなる。
なお、以下では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称してカラーフィルター６ということもある。
このようなカラーフィルター６には、例えば、前述したような透明な樹脂材料やレジスト材料を主材料として構成され、この主材料を着色する着色剤を含む（添加した）ものを用いることができる。
【００４６】
レジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等のネガ型フォトレジストや、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等のポジ型フォトレジストが挙げられる。
また、着色剤としては、例えば、染料または顔料を用いることができるが、耐光性および耐候性の観点から、微粒子状の顔料を用いることが好ましい。
【００４７】
カラーフィルター６Ｒに用いられる赤色の顔料としては、例えば、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料およびイソインドリン系顔料等が、カラーフィルター６Ｇに用いられる緑色の顔料としては、例えば、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料およびイソインドリノン系の顔料等が、カラーフィルター６Ｂに用いられる青色の顔料としては、例えば、銅フタロシアニン系顔料、インダンスレン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料およびジオキサジン系顔料等がそれぞれ挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
カラーフィルター６の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３μｍ程度であるのがより好ましい。
また、隣接するカラーフィルター６同士の間には、ブラックマトリクス７が設けられている。すなわち、隣接するカラーフィルター６同士は、ブラックマトリクス７により区画されている。
【００４９】
ブラックマトリクス７は、光の透過を阻止する（遮光）機能を有している。そのため、カラーフィルター基板９を、ブラックマトリクス７を備える構成とすることより、ブラックマトリクス７が設けられている領域から、有機ＥＬ素子１からの光を、上基板８（ブラックマトリクス７）の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出される（出射する）のを確実に防止することができる。これにより、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００５０】
このようなブラックマトリクス７は、例えば、カーボンやチタン等を分散させた透明な樹脂またはレジスト層の他、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎおよびＴｉ等で構成されている。
ブラックマトリクス７は、カラーフィルター６と連続した平滑面で構成されているのが好ましく、その平均厚さは、カラーフィルター６と同様に、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
さて、本発明では、このカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）とＴＦＴ回路基板２０（有機ＥＬ素子１）との間に、バンク３１を設けたことに特徴を有する。
【００５１】
以下、この点（特徴）について説明する。
図１に示すように、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなし、ブラックマトリクス７と陰極５との双方に接触するように設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１とカラーフィルター６との間には、バンク３１により区画される空間３６が形成されている。
【００５２】
ここで、仮にバンク３１を設けない場合、隣接する有機ＥＬ素子からの光が混ざり合うクロストーク現象が生じ、これに起因して、表示装置により表示される画像に色ムラが生じてしまう。
これに対して、本発明の表示装置１０では、バンク３１を設けたので、このバンク３１が各有機ＥＬ素子１を区画する遮光板として機能して、特定の空間３６から隣接する空間３６への光の漏れ出しを確実に防止することができる。その結果、本発明の表示装置１０では、クロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを防止することができる。
【００５３】
また、バンク３１を設けることにより、カラーフィルター６を有機ＥＬ素子１に対して近づけることや、ブラックマトリクス７の形成領域を大きくする必要がなくなるので、カラーフィルター６の開口率を大きく設定することが可能となる。
さらに、本発明の表示装置１０では、バンク３１の内側の面を、有機ＥＬ素子１からの光を反射し得る反射面で構成した。そのため、図１に示すように、有機ＥＬ素子１からの光のうち、対応するカラーフィルター（開口部）６から外れた方向に向かう光Ｌ１を、バンク３１の内面（反射面）で反射して、カラーフィルター６内に誘導する（導く）ことができる。その結果、光Ｌ２とともにカラーフィルター６を透過させて、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出すことができるようになる。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度、光の取り出し効率の向上を図ることとができるとともに、表示装置１０の低消費電力化および長寿命化を実現することができる。
【００５４】
本実施形態では、バンク３１は、図２に示すように、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなしており、隣り合うバンク３１同士と一体的に設けられている。
なお、バンク３１は、有機ＥＬ素子１を取り囲むように設けられていればよく、その枠の形状は、本実施形態のような四角形の環状の他、例えば、円形、楕円形、五角形、六角形等の多角形等の環状ように、いかなるものであってもよい。
【００５５】
また、本実施形態では、バンク３１は、有機ＥＬ素子１側に向かって、その幅が小さくなる部分を有している。すなわち、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が小さくなる部分を有している。これにより、後述する表示装置１０の製造方法において、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１と接触することなく、有機ＥＬ素子１を取り囲むようにバンク３１により区画することができる。
【００５６】
具体的には、バンク３１の有機ＥＬ素子１と反対側の面と、バンク３１の内面とのなす角度（図１に示す角度θ）は、６０°以上、９０°未満であるのが好ましく、７０°以上、９０°未満であるのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前述したような効果を確実に発揮させることができる。
また、バンク３１は、その内面の反射率が、好ましくは６０〜９９．８％程度、より好ましくは９０〜９９．８％程度となっている。これにより、バンク３１に入射した光Ｌ１がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。その結果、光Ｌ１がバンク３１の内面で反射して、カラーフィルター６を確実に透過することとなる。
【００５７】
かかる関係を満足するバンク３１とするには、その内面の表面粗さＲａをできるだけ小さく設定するのが好ましい。
具体的には、バンク３１は、その構成材料の種類によっても若干異なるが、内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であるのが好ましく、８０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１の内面は、特に高い反射率を有するものとなる。
【００５８】
また、本実施形態では、カラーフィルター（開口部）６の面積（開口面積）は、陽極３および陰極５（有機ＥＬ素子１が備える一対の電極）のうち、その面積が小さい陽極３よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ素子１からの光を、空間３６内で反射させることなく確実に上基板８の上側（バンク３１と反対側）に取り出すことができる。
具体的には、陽極３の平面積（平面積が小さい方の平面積）をＡ［μｍ２］とし、カラーフィルター６の面積（開口面積）をＢ［μｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足するのが好ましく、１．０〜１．２なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
バンク３１の平均高さは、特に限定されないが、１〜３５μｍ程度とするのが好ましく、５〜１５μｍ程度とするのがより好ましい。これにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、有機ＥＬ素子１からの光を、確実に上基板８の上側に取り出すことができる。
【００５９】
また、本実施形態のように、カラーフィルター６が平面視で四角形状をなす場合には、このバンク３１の平均高さをＣ［μｍ］とし、カラーフィルター（開口部）６の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足するのが好ましく、０．３３〜３なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、上基板８の上側に出射される光の方向を、有機ＥＬ素子１の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。
【００６０】
さらに、有機ＥＬ素子１とブラックマトリクス７との間の空間３６が封止されており、この空間３６には、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスが充填されているのが好ましい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１が備える有機半導体層４等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
ここで、バンク３１は、導電性材料、半導体材料および絶縁材料のうちのいずれで構成してもよいが、特に、導電性材料で構成されるのが好ましい。
【００６１】
前述したように、本実施形態では、一対の電極のうちカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）側の陰極５を共通電極で構成し、この陰極（共通電極）５にバンク３１を接触するように設けている。これにより、陰極５全体として抵抗値の低減（電気伝導度の向上）を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することが可能となる。
かかる構成は、陰極５が前述したＩＴＯのような比較的抵抗値の大きい導電性材料で構成される場合に、特に有効である。
【００６２】
このような導電性材料としては、各種の金属材料や導電性樹脂材料等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。バンク３１をかかる材料を主材料として構成することにより、バンク３１に優れた導電性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。
なお、バンク３１の内面付近を選択的に導電性材料、特に、前記金属材料で構成するようにしてもよい。かかる構成によっても、前記と同様の効果が得られる。
【００６３】
以上のように、バンク３１に陰極５全体としての抵抗値を低減させる機能を付与することにより、このような機能を有する補助陰極を、陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６上に形成する必要がないことから、後述する表示装置１０の製造方法（工程［２−Ｂ］）で示すように、マスクを用いることなく１回の工程で、有機半導体層４を一体的に形成することができる。その結果、有機半導体層４を形成するための工程数の削減を図ることができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに有機ＥＬ素子１からの光を透過させることにより得られる画像をフルカラー表示する場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの形成を省略して、有機ＥＬ素子１に対応する開口部から光の色調を変換することなく光を取り出す場合、すなわち、表示装置により表示される画像または映像を単色（モノカラー）表示する場合にも適用することができる。
また、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなす場合について説明したが、このような場合に限定されず、隣接するカラーフィルター６のうち同一のカラーフィルター同士（例えば、カラーフィルター６Ｂ同士）の間に対応する位置において、バンクの形成を省略するようにしてもよい。
【００６５】
このような本実施形態の表示装置１０は、例えば、次のような製造方法により製造することができる。
［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【００６６】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００６７】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００６８】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【００６９】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００７０】
［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に有機ＥＬ素子１を形成する。
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【００７１】
［２−Ｂ］次に、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６を覆うように、有機半導体層（発光層）４を一体的に形成する。
この有機半導体層４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。これらの中でも、有機半導体層４の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して、有機半導体層４は、液相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００７２】
具体的には、有機半導体層形成用の液状材料を、液相プロセスを用いて、有機半導体層４を形成する領域、すなわち、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
用いる液状材料は、前述したような発光材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【００７３】
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００７４】
なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１が白色光を発光し、カラーフィルター６により、その光の色調を変換する構成となっていることから、各陽極３および各陽極３の間で露出する第２相関絶縁層２６の全面に、有機半導体層４を一体的に形成することができる。
そのため、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スピンコート法（パイロゾル法）、スプレーコート法等を用いた液相プロセス等が好適に用いられる。
また、このように本実施形態では、マスクを用いる必要がないことから、例えば、マスクの形成工程および除去工程等を省略できるため、表示装置１０の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。
【００７５】
［２−Ｃ］次に、有機半導体層（発光層）４上に、すなわち、有機半導体層４の陽極３と反対側に、各陽極３に共通の陰極５を形成する。
この陰極５は、例えば、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により形成することができる。
なお、これらの方法は、陰極５の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
なお、本実施形態では、有機半導体層４の全面に、陰極５を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スパッタ法、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
【００７６】
［３］次に、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９を用意する。
［３−Ａ］まず、上基板８を用意し、図３（ａ）に示すように、上基板８上に、カラーフィルター６を形成する。
［３−Ａａ］まず、上基板８上に、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、カラーフィルター６を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成する。
【００７７】
このレジスト層は、上基板８上に、レジスト材料を液相プロセスにより供給した後に、このレジスト材料を形成するカラーフィルター６の形状に対応するフォトマスクを介してｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよく、カラーフィルター６の構成材料で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００７８】
［３−Ａｂ］次に、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部にカラーフィルター形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給して乾燥した後、レジスト層を除去することによりカラーフィルター６を形成することができる。
また、カラーフィルター形成用の液状材料は、前述したようなカラーフィルター６の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００７９】
前記液状材料を開口部に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応する各色毎の液状材料を容易に塗り分けすることができる。
なお、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【００８０】
［３−Ｂ］次に、図３（ｂ）に示すように、各カラーフィルター６同士の間、すなわち、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス７を形成する。
このブラックマトリクス７は、例えば、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給した後、乾燥することにより得ることができる。
また、ブラックマトリクス形成用の液状材料は、前述したようなブラックマトリクス７の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００８１】
前記液状材料を上基板８が露出する領域に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、上基板８が露出する領域の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、液状材料のムダを省くことができるとともに、カラーフィルター６の上面にブラックマトリクス７の構成材料が付着するのを確実に防止することができる。
【００８２】
［３−Ｃ］次に、ブラックマトリクス７上に、このブラックマトリクス７とほぼ同じパターンとなるように、すなわち、カラーフィルター６が露出するように、バンク３１を形成する。
［３−Ｃａ］まず、図３（ｃ）に示すように、カラーフィルター６およびブラックマトリクス７を覆うように、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により、バンク３１の構成材料により主として構成されるバンク形成膜３１’を形成する。
なお、これらの方法は、バンク３１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。例えば、バンク３１を前述したような導電性材料を主材料として構成する場合、バンク形成膜３１’を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等を用いた気相プロセスが好適に選択される。
【００８３】
［３−Ｃｂ］次に、図３（ｄ）に示すように、バンク３１を形成する領域、すなわち、ブラックマトリクス７が設けられた領域に対応するレジスト層３８をバンク形成膜上に形成する。
このレジスト層３８は、バンク３１の形状に対応するフォトマスクを用いて、前記工程［３−Ａａ］で説明したのと同様にして得ることができる。
【００８４】
［３−Ｃｃ］次に、図３（ｅ）に示すように、レジスト層３８をマスクとして用いて、ウェットエッチング法によりバンク形成膜の不要部分を除去して、カラーフィルター６を露出させる。その後、図３（ｆ）に示すように、レジスト層３８を除去することによりバンク３１を形成する。
ここで、ウェットエッチング法によれば、バンク形成膜の不要部分を除去する際に、サイドエッチング現象が生じることから、バンク形成膜をその厚さ方向に向かって除去することができるとともに、上基板８の面方向に対しても除去することができる。そのため、形成されるバンク３１を、上基板８側に向かって、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が大きくなる形状、すなわち、テーパー形状のものとすることができる。
【００８５】
なお、ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、特に限定されないが、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【００８６】
［４］次に、ＴＦＴ回路基板２０と、バンク３１が設けられたカラーフィルター基板９とを接合させて表示装置１０を得る。
［４−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０の有機ＥＬ素子１が設けられている側の面と、カラーフィルター基板９のバンク３１が設けられている側の面とを対向させる。
［４−Ｂ］次に、各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応するようにした状態で、バンク３１と陰極５とが接触するまで、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９とを接近させる。これにより、各有機ＥＬ素子１がバンク３１により取り囲まれるような形態となり、空間３６が形成される。
【００８７】
なお、この工程は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、空間３６内に不活性ガスを確実に充填することができる。
各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応した状態で、バンク３１と陰極５とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。
なお、本実施形態では、バンク３１が前述したようなテーパー形状をなしていることから、アライメントの精度が低い場合においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１を取り囲むようして、バンク３１を陰極５に接触させることができる。
【００８８】
［４−Ｃ］次に、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９とを、これらの縁部において形成される間隙を封止する封止部（図示せず）を形成することにより接合する。
封止部は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、インクジェット法のような液相プロセス等により封止部を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。
【００８９】
ここで、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との接合は、前記工程［４−Ｂ］で説明したようにバンク３１と陰極５とを接触させた状態、すなわちスペーサとしてのバンク３１を介した状態で行われる。そのため、前記工程［４−Ｂ］で形成された空間３６の上基板８の厚さ方向に対する幅（高さ）をほぼ一定なものとした状態で、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９とを接合することができる。
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。
【００９０】
なお、本実施形態では、光Ｌ１および光Ｌ２を陰極５側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に本発明の表示装置を適用した場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、光Ｌ１および光Ｌ２を陽極３側から取り出すボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を備える表示装置に本発明の表示装置を適用することもできる。なお、この場合には、陽極３の下側、すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の下側に、カラーフィルター基板９とバンク３１とを設けるようにすればよい。
【００９１】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の表示装置の第２実施形態について説明する。
図２は、本発明の表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００９２】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図２に示す表示装置１０は、バンク３１に代えて、第１導電部３２および第２導電部３３で構成されるバンク３５を備えていること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。
【００９３】
本実施形態では、バンク３５は、有機ＥＬ素子１側に向かって、バンク３５の厚さ方向に垂直な方向の断面積が一定になっている。すなわち、ブラックマトリクス７の有機ＥＬ素子１側の面と、バンク３５の内面とのなす角度が９０°となっている。これにより、バンク３５により反射された光Ｌ１を、上基板８の面方向に対して比較的垂直に近い角度をなして、カラーフィルター６から出射させることができる。その結果、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストが増大することとなる。
また、第１導電部３２と第２導電部３３とは、ともに、導電性を示し、第１導電部３２は、光反射性を要求されるが、第２導電部３３は、光反射性を特に要求されない。
【００９４】
第１導電部３２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
第２導電部３３の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜１０μｍ程度であるのがより好ましい。
このような第１導電部３２の構成材料としては、導電性を有するものであればよく、各種の導電性材料を用いることができるが、特に、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。これにより、形成される第１導電部３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。
【００９５】
また、第２導電部３３の構成材料としては、導電性および光反射性を有するものであればよく、各種の導電性材料を用いることができるが、特に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。これにより、形成される第２導電部３３が銀色に近い色になることから、光Ｌ１を、第２導電部３３の内面において、その色調を変化させることなく反射することができる。
このようなバンク３５は、前記第１実施形態で説明した前記工程［３−Ｃ］に代えて、以下のようにすることにより形成することができる。
【００９６】
［３−Ｃ’］バンク３５形成工程
［３−Ｃ’ａ］まず、図５（ａ）に示すように、カラーフィルター６およびブラックマトリクス７を覆うように、前述したような気相プロセスにより、第１導電部３２の構成材料により主として構成される導電膜３２’を形成する。
［３−Ｃ’ｂ］次に、図５（ｂ）に示すように、バンク３５（第２導電部３３）を形成する領域に開口部を有し、かつ、その開口部の厚さが形成する第２導電部３３の高さとほぼ等しくなっているレジスト層３９を導電膜３２’上に形成する。
レジスト層３９は、バンク３５の形状に対応するフォトマスクを用いて、前記工程［３−Ａａ］で説明したのと同様にして得ることができる。
【００９７】
［３−Ｃ’ｃ］次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト層３９をマスクとして用いて、電界メッキ法により、レジスト層３９の開口部内に第２導電部３３の構成材料を析出させる。その後、図５（ｄ）に示すように、レジスト層３９を除去することにより第２導電部３３を形成する。
ここで、電界メッキ法によれば、第２導電部３３の構成材料の金属塩を含有するメッキ液を第１導電部３２に接触させつつ、第１導電部３２を陰極として電圧を印加することにより、レジスト層の開口部内に第２導電部３３の構成材料を析出させることができる。
また、前記金属塩としては、例えば、硫酸塩、スルファミン酸塩、塩酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【００９８】
［３−Ｃ’ｄ］次に、図５（ｅ）に示すように、第２導電部３３の開口部、すなわちカラーフィルター６に対応する領域に存在する導電膜３２’を除去することにより、第１導電部３２を形成して、バンク３５を得る。
この導電膜の除去は、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより行うことができる。
【００９９】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の表示装置の第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１００】
図６に示す表示装置１０は、バンク３１が導電性材料により構成され、このバンク３１と陰極５とが、導電性を有する接続部３４を介して接続していること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。
バンク３１を構成する導電性材料としては、前記第１実施形態で説明したのと同様に、主としてＡｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。
【０１０１】
また、接続部３４は、導電性を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、その電気導電度がバンク３１の電気導電度よりも高いのが好ましい。これにより、このバンク３１および接続部３４を介して陽極３と陰極５との間に電圧を印加する際に、陰極５全体としての電気伝導度をより向上させることができる。
このような接続部３４の構成材料としては、バンク３１の構成材料に応じて選択すればよく、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕおよびこれらを含む合金のうちバンク３１の構成材料よりも抵抗値の低いものが選択される。
【０１０２】
接続部３４の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１μｍ程度であるのがより好ましい。
このような接続部３４は、前記第１実施形態で説明した前記工程［２］の後に、バンク３１を形成する際に説明した前記工程［３−Ｃ］と同様の工程を行うことにより形成することができる。
【０１０３】
＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１０４】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１０５】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１０７】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１０９】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
なお、本発明の表示装置は、基板上に陰極、有機半導体層、陰極がこの順で積層されている構成の有機ＥＬ素子を備える表示装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の表示装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】図１に示す表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図５】図４に示す表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】本発明の表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１０】従来の表示装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１……有機ＥＬ素子  ３……陽極  ３１、３５……バンク  ３１’……バンク形成膜  ３２……第１導電部  ３２’……導電膜  ３３……第２導電部  ３４……接続部  ３６……空間  ３８、３９……レジスト層  ４……有機半導体層  ５……陰極  ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……カラーフィルター  ７……ブラックマトリクス  ８……上基板  ９……カラーフィルター基板  １０……表示装置  ２０……ＴＦＴ回路基板  ２１……基板  ２２……回路部  ２３……下地保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６…………シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  ９００……基板  ９０１……画素電極  ９０２……発光層  ９０３……対向電極  ９１０……有機ＥＬ素子  ９１１……カラーフィルター基板  ９１２……カラーフィルター  ９１３……ブラックマトリクス  ９１５……空間  ９２０……表示装置  Ｌ１、Ｌ２、ｌ１〜ｌ８……光
【図１】
2007157404.tif 000003
【図２】
2007157404.tif 000004
【図３】
2007157404.tif 000005
【図４】
2007157404.tif 000006
【図５】
2007157404.tif 000007
【図６】
2007157404.tif 000008
【図７】
2007157404.tif 000009
【図８】
2007157404.tif 000010
【図９】
2007157404.tif 000011
【図１０】
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