(57)【要約】【課題】  液晶層等といった電気光学物質層の層厚を一定にすることによって表示にムラが発生することを防止できる電気光学装置を提供する。【解決手段】  素子基板１１上に設けられるＴＦＤ素子２１と、ＴＦＤ素子２１上に形成されていて内部にコンタクトホール２５を有する層間絶縁膜２２と、層間絶縁膜２２上に形成されていてコンタクトホール２５を介してＴＦＤ素子２１に接続される画素電極２４ａと、素子基板１１に対向して設けられるカラーフィルタ基板１２と、カラーフィルタ基板１２のうちの素子基板１１に対向する面に設けられるオーバーコート層３３とを有する液晶表示装置である。オーバーコート層３３は、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０の厚さｔ１が、その周辺の領域の厚さｔ２に比べて薄く形成される。【選択図】図５
2007017824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられるスイッチング素子と、
該スイッチング素子上に形成された絶縁層と、
該絶縁層上に形成されるとともに前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続される反射電極と、
前記基板に対向して設けられる対向基板と、
該対向基板における前記基板に対向する面に設けられる樹脂層と
を有し、
前記スイッチング素子に平面的に重なる領域における前記樹脂層の厚さが、その周辺の領域の厚さに比べて薄く形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記反射電極は、光反射性且つ導電性の材料の単層によって形成されるか、又は光反射膜と画素電極との積層によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記基板に対向する側の前記対向基板上に着色要素をさらに有し、前記樹脂層は前記着色要素を覆うオーバーコート層であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記樹脂層の厚さが薄く形成される前記領域は、前記スイッチング素子の全体を平面的に覆う領域であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記樹脂層の厚さが薄く形成される前記領域は、少なくとも前記スイッチング素子のうちの最も高い部分を平面的に覆う領域であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記スイッチング素子は絶縁膜を一対の電極で挟持して成るＴＦＤ素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記スイッチング素子は半導体層を複数の電極で挟持して成るＴＦＴ素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。
【０００３】
上記のような液晶表示装置には絶縁層を有するものが知られている。このような絶縁層として、例えば、その液晶表示装置を構成する基板上において、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子等といったスイッチング素子や配線が設けられる層と画素電極が設けられる層とを分けるために設けられるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１１８９９号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表示の最小単位であるサブ画素領域を観察した場合、スイッチング素子が設けられた領域は、その周辺の領域に比べてスイッチング素子の厚さの分だけ絶縁層の表面の高さが高くなり、その結果、液晶層の層厚が薄くなることが考えられる。このように液晶層の層厚がサブ画素領域内において不均一になると、液晶表示装置の表示にムラが生じるおそれがあった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、スイッチング素子があるために基板上に部分的な突出領域がある場合でも、液晶層等といった電気光学物質層の層厚を一定にすることによって表示にムラが発生することを防止できる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられるスイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成されるとともに前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続される反射電極と、前記基板に対向して設けられる対向基板と、該対向基板における前記基板に対向する面に設けられる樹脂層とを有し、前記スイッチング素子に平面的に重なる領域における前記樹脂層の厚さが、その周辺の領域の厚さに比べて薄く形成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記のスイッチング素子としては、例えば、半導体層を複数の電極で挟持して成るＴＦＴ素子や、絶縁膜を一対の電極で挟持して成るＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等が考えられる。また、スイッチング素子に平面的に重なる領域とは、スイッチング素子の全体を覆うように重なる領域である場合や、スイッチング素子の一部と重なる領域である場合が考えられる。
【０００９】
上記の本発明に係る電気光学装置では、スイッチング素子に平面的に重なる領域の樹脂層の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成した。これにより、スイッチング素子が設けられた領域においてそのスイッチング素子の厚さの分だけ絶縁層の表面の高さが高くなっても、電気光学物質層の層厚が薄くなることを防止できる。従って、電気光学物質層の層厚を均一にすることができる。その結果、複数のサブ画素領域の集合によって形成された有効表示領域内で表示を行う際に、その有効表示領域内のうちスイッチング素子が設けられた領域において表示にムラが発生することを防止できる。
【００１０】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記反射電極は、光反射性且つ導電性の材料の単層によって形成するか、又は光反射膜と画素電極との積層によって形成することが望ましい。この電気光学装置は、いわゆる、反射型表示装置又は半透過反射型表示装置といわれるものである。反射型表示装置は、表示の最小単位であるサブ画素領域の全域を反射表示領域とし、その反射表示領域によって外部光等を反射させることによって表示を行う装置である。他方、半透過反射装置は、サブ画素領域内に反射表示領域と透過表示領域の両方の領域を設け、反射型表示と透過型表示とを選択的に行うことができる表示装置である。
【００１１】
上記の反射電極を基板上に設ける態様としては、（１）半透過反射型表示装置において、反射表示領域に光反射膜を設け、反射表示領域と透過表示領域の全域にわたって光透過性を備えた画素電極を設ける構成や、（２）半透過反射型表示装置において、反射表示領域に光反射性材料によって画素電極を形成し、透過表示領域に光透過性を備えた画素電極を形成する構成や、（３）反射型表示装置において、光反射性材料によってサブ画素領域の全域に画素電極を形成する構成が考えられる。これらの反射表示領域においては、光反射性材料によって形成された画素電極又は光反射膜に平面的に重なるようにスイッチング素子が設けられる。そのため、反射表示領域内であってスイッチング素子に平面的に重なる領域においてスイッチング素子の厚さの分だけ電気光学物質層が薄くなることが考えられる。
【００１２】
上記のような反射表示領域を備えた電気光学装置に本発明を適用すれば、反射表示領域において、スイッチング素子に平面的に重なる領域の樹脂層の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成するので、スイッチング素子に平面的に重なる領域においてそのスイッチング素子の厚さの分だけ絶縁層の表面の高さが高くなっても、電気光学物質層の層厚が薄くなることを防止できる。従って、電気光学物質層の層厚を均一にすることができる。その結果、複数のサブ画素領域の集合によって形成された有効表示領域内で表示を行う際に、その有効表示領域内のうちスイッチング素子が設けられた領域において表示にムラが発生することを防止できる。
【００１３】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板に対向する側の前記対向基板上に着色要素をさらに有し、前記樹脂層は前記着色要素を覆うオーバーコート層であることが望ましい。このオーバーコート層は、例えば、感光性を有した樹脂をフォトリソグラフィ処理によって所定の形状にパターニングすることによって形成される。このオーバーコート層を上記の樹脂層として用いる場合には、そのオーバーコート層をパターニングする際に同時に、アクティブ素子に平面的に重なる領域のオーバーコート層の厚さを薄く形成することができる。
【００１４】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記樹脂層の厚さが薄く形成される前記領域は、前記スイッチング素子の全体を平面的に覆う領域であることが望ましい。スイッチング素子の全体を平面的に覆う領域とは、（１）素子全体部分とそこから延びる電極の両方を含む領域（例えば、図９（ａ）、図１０（ａ））、又は（２）素子本体部分の端部から画素電極と接続される端子までを含む領域（例えば、図９（ｂ）、図１０（ｂ））等が考えられる。また、これらスイッチング素子の全体を平面的に覆う領域は、平面的に見て方形で覆われる領域でも良いし、スイッチング素子の外形におおまかに従った曲線形状でも良い。このように、スイッチング素子の全体を平面的に覆う領域に対応する樹脂層の厚さを薄く形成すれば、スイッチング素子によって絶縁層の表面の高さが高くなる領域の全域において、電気光学物質層の層厚を確実に一定に保持することができる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記樹脂層の厚さが薄く形成される前記領域は、少なくとも前記スイッチング素子のうちの最も高い部分を平面的に覆う領域であることが望ましい。スイッチング素子の最も厚い領域とは、該スイッチング素子の構成要素が積層されて厚くなっている領域であり、例えば、層の数が最も多い領域であると考えられる。この領域は電気光学物質層の層厚の変化が最も大きくなる部分であり、この領域における樹脂層を薄く形成すれば、電気光学物質層の層厚を確実に一定に保持することができる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は絶縁膜を一対の電極で挟持して成るＴＦＤ素子であることが望ましい。この場合には、ＴＦＤ素子が設けられた領域においてそのＴＦＤ素子の厚さの分だけ絶縁層の表面の高さが高くなる。このような構成の電気光学装置に本発明を適用すれば、ＴＦＤ素子に平面的に重なる領域の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、電気光学物質層の層厚が薄くなることを防止できる。従って、電気光学物質層の層厚を均一にすることができる。その結果、複数のサブ画素領域の集合によって形成された有効表示領域内で表示を行う際に、その有効表示領域内のうちＴＦＤ素子が設けられた領域において表示にムラが発生することを防止できる。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は半導体層を複数の電極で挟持して成るＴＦＴ素子であることが望ましい。この場合には、ＴＦＴ素子が設けられた領域においてそのＴＦＴ素子の厚さの分だけ絶縁層の表面の高さが高くなる。このような構成の電気光学装置に本発明を適用すれば、ＴＦＴ素子に平面的に重なる領域の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、電気光学物質層の層厚が薄くなることを防止できる。従って、電気光学物質層の層厚を均一にすることができる。その結果、複数のサブ画素領域の集合によって形成された有効表示領域内で表示を行う際に、その有効表示領域内のうちＴＦＴ素子が設けられた領域において表示にムラが発生することを防止できる。
【００１８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、スイッチング素子に平面的に重なる領域の樹脂層の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、電気光学物質層の層厚が不均一になることを防止できるので、表示にムラが発生することを防止できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、電気光学装置を用いて行われる電子機器に関する情報の表示にムラが発生することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明で用いる図面では、特徴となる部分を分かり易く示すために、実際の寸法比率と異なる寸法比率で構成要素を図示することがある。
【００２０】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図２は、図１のＢ−Ｂ線に従って示す断面図である。図３は、図２の矢印Ｃで示す画素部分を拡大して示している。図４は、図１の矢印Ａ方向から画素部分を拡大して示す平面図である。本実施形態は、２端子型のスイッチング素子又はアクティブ素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。
【００２１】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３と、液晶パネル２に接続された配線基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００２２】
液晶パネル２は、矢印Ａが描かれた観察側から見て長方形又は正方形で環状のシール材５によって互いに貼り合わされた一対の基板１１及び１２を有する。これらの基板１１及び１２はいずれも矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形に形成されている。基板１１はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板１２は、基板１１に対する対向基板であり、カラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。
【００２３】
シール材５は、図２に示すように、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。このシール材５は、図１に示すようにその一部に液晶注入口５ａを有し、この液晶注入口５ａを介して素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１０を形成する。図１の液晶注入口５ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口５ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材５によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００２４】
図２に示すセルギャップＧの間隔、すなわち液晶層１０の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板１１又はカラーフィルタ基板１２の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００２５】
図１において、照明装置３は、光源、具体的には点状光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）６と、ＬＥＤ６から出射された点状の光を面状に変換して出射する導光体７とを有する。導光体７は、例えば透光性の樹脂によって形成される。各ＬＥＤ６は複数個、本実施形態では３個設けられ、それらの発光面が導光体７の１つの側面である光入射面７ａに対向するように設けられる。各ＬＥＤ６から出た光は、光入射面７ａから導光体７の内部へ導入され、その導光体７の光出射面７ｂから面状の光として出射して液晶パネル２へ供給される。なお、導光体７の光出射面７ｂには、必要に応じて光拡散層８が設けられる。また、導光体７の光出射面７ｂと反対の面には、必要に応じて光反射層９が設けられる。また、光源は、ＬＥＤ６以外の点状光源や、冷陰極管等といった線状光源によって構成することもできる。
【００２６】
素子基板１１は、図２において、第１の透光性の基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板１１ａの外側表面には偏光板１３ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１３ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板１１ａの内側表面には、複数のデータ線１４が紙面垂直方向（すなわち、図１の行方向Ｘ）に互いに平行に形成されている。個々のデータ線１４は図２の左右方向（すなわち、図１の列方向Ｙ）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するスイッチング素子としての複数のＴＦＤ素子２１がそれらのデータ線１４に沿って且つ該データ線１４に接続して形成される。
【００２７】
それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１４の上には、図３に示すように、それらを覆うように絶縁層としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４ａが形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。本実施形態では、光反射膜２３と画素電極２４ａとの２層によって反射電極が形成されている。
【００２８】
光反射膜２３及び画素電極２４ａは、図１に示すように、素子基板１１上にドットマトリクス状に複数個形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４ａは、個々のＴＦＤ素子２１に接続されて各データ線１４に沿って設けられている。複数の画素電極２４ａは図示の通り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列（Ｘ−Ｙ）方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図３の配向膜２６ａは、素子基板１１の表面の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１１の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００２９】
図３において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２５が形成される。このコンタクトホール２５は、層間絶縁膜２２をフォトリソグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２５は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＤ素子２１とは重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。
【００３０】
ＴＦＤ素子２１は、本実施形態では、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素２１ａ及び２１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素２１ａは、第１素子電極２７、絶縁膜２８、そして第２素子電極２９ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素２１ｂは、第１素子電極２７、絶縁膜２８、そして第２素子電極２９ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極２７は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜２８は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極２９ａ，２９ｂは、例えばＣｒ（クロム）、ＭｏＷ（モリブデン・タングステン）合金によって形成される。
【００３１】
第１ＴＦＤ要素２１ａ内の第２素子電極２９ａはデータ線１４から延びている。また、第２ＴＦＤ要素２１ｂ内の第２素子電極２９ｂはコンタクトホール２５及び光反射膜２３を介して画素電極２４ａに接続されている。データ線１４から画素電極２４ａへ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素２１ａと第２ＴＦＤ要素２１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００３２】
本実施形態では、画素電極２４ａの下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４ａの層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４ａとＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板１１の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４ａの面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において表示を見易くできる。
【００３３】
図２において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板１２ａの外側表面には偏光板１３ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１３ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３４】
第２透光性基板１２ａの内側表面には、図３に示すように、着色要素３１が形成され、その周囲に遮光部材３２が形成され、着色要素３１及び遮光部材３２の上に樹脂層としてのオーバーコート層３３が形成され、その上に帯状電極２４ｂが形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極２４ｂは、図３の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３５】
着色要素３１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色要素３１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図３の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図３の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光部材３２はそれらの着色要素３１を囲む格子状に形成されている。着色要素３１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色要素３１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００３６】
なお、着色要素３１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色要素３１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光部材３２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光部材３２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ等といった遮光性の材料が考えられる。
【００３７】
着色要素３１及び遮光部材３２の上に形成されたオーバーコート層３３は、着色要素３１及び遮光部材３２の表面を平坦化するものであり、帯状電極２４ｂはこうして平坦化されたオーバーコート層３３の上に形成される。帯状電極２４ｂは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極２４ｂは、図１に示すように、カラーフィルタ基板１２上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極２４ｂは行方向Ｘに延びている。図３において、帯状電極２４ｂの上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１２の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３８】
図２において、素子基板１１上に設けられた複数の画素電極２４ａは矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板１２上に設けられた複数の帯状電極２４ｂは、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４ａと矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４ａと帯状電極２４ｂは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素領域Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素領域Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３９】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素３１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素３１に対応する３つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図４に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００４０】
図４のＥ−Ｅ線に従った断面図である図３において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素領域Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。図４に示すように、領域Ｒはサブ画素領域Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素領域Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００４１】
個々のサブ画素領域Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図３において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体７から出射した図３の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００４２】
層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には、凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００４３】
カラーフィルタ基板１２において着色要素３１の周囲に形成された遮光部材３２は、図４に鎖線で示すように、サブ画素Ｄの周囲を取り囲むように形成されている。この遮光部材３２は、サブ画素Ｄの周囲から光が漏れ出るのを防止して表示のコントラストを向上させる。
【００４４】
次に、図２において、素子基板１１を構成する第１透光性基板１１ａはカラーフィルタ基板１２の外側へ張り出す張出し部３４を有している。この張出し部３４の表面には、配線３５がフォトエチング処理等によって形成されている。配線３５は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部３４の辺端には複数の外部接続用端子３６が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子３６に導電接続する。
【００４５】
複数の配線３５の一部はデータ線１４となって第１透光性基板１１ａの表面上を延びている。また、複数の配線３５の残りの一部はシール材５の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材３７を介してカラーフィルタ基１２上に設けられた帯状電極２４ｂに導電接続されている。導通材３７は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材５の断面の幅よりも小さいものであり、シール材５の１つの断面内に複数の導通材３７が含まれるのが普通である。
【００４６】
張出し部３４の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）３８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ３９が実装されている。駆動用ＩＣ３９は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ３９は、データ線１４へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ３９，３９は、カラーフィルタ基板１２上に形成された帯状電極２４ｂへ走査信号を伝送する。
【００４７】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００４８】
上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板１２を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１０を通過して素子基板１１内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１０へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３のＬＥＤ６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１０へ供給される。
【００４９】
以上のようにして液晶層１０へ光が供給される間、素子基板１１側の画素電極２４ａとカラーフィルタ基板１２側の帯状電極２４ｂとの間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１０内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１０に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板１２側の偏光板１３ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１３ｂの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板１２の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００５０】
図５は、図３の矢印Ｆで示す部分、すなわち、ＴＦＤ素子２１が形成されている部分を拡大して示している。図５において、オーバーコート層３３は、カラーフィルタ基板１２上であって着色要素３１及び遮光部材３２の上に形成されている。そして、ＴＦＤ素子２１は、カラーフィルタ基板１２に対向する素子基板１１の内側表面に形成されている。画素電極２４ａが設けられた平面領域、すなわちサブ画素領域Ｄ内において、オーバーコート層３３は、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０における層厚ｔ１がその周辺の領域における層厚ｔ２に比べて薄く形成されている。
【００５１】
本実施形態において、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０は、図５に示す断面で見れば、ＴＦＤ素子２１の幅Ｗ０を少なくとも含む領域である。具体的には、一方の第２素子電極２９ａの端部から他方の第２素子電極２９ｂの端部までを含む領域である。一方、この領域Ｖ０は、図４の矢印Ｈに拡大して示すように平面で見れば、データ線１４に接続されたＴＦＤ素子２１の全体を、そのＴＦＤ素子２１の外形におおまかに沿って囲む曲線状の領域である。
【００５２】
また、図５において、領域Ｖ０におけるオーバーコート層３３の層厚ｔ１は、ＴＦＤ素子２１の厚さ（すなわち、第１透光性基板１１ａの表面からの高さ）ｔ０によって決められる。具体的には、領域Ｖ０の周辺の領域にあるオーバーコート層３３の層厚ｔ２に対して、ＴＦＤ素子２１の厚さｔ０の分だけ薄く形成される。なお、ＴＦＤ素子２１は、先に説明した通り第１素子電極２７、絶縁膜２８及び第２素子電極２９ａ，２９ｂを積層して形成されており、その厚さは図５を見てもわかるようにＴＦＤ素子２１の全体で一定ではない。そのため、本実施形態では、ＴＦＤ素子２１の厚さｔ０をＴＦＤ素子２１の全体における平均の厚さに設定することとする。
【００５３】
具体的には、最も薄い部分（すなわち、第２素子電極２９ａ，２９ｂのみが形成された部分）の厚さｔ３と、最も厚い部分（すなわち、第１素子電極２７、絶縁膜２８及び第２素子電極２９ａ，２９ｂが積層された部分）の厚さｔ４との平均の厚さである。例えば、第１素子電極２７をＴａによって層厚約１０００Åに形成し、絶縁膜２８をＴａＯｘによって層厚約１０００Åに形成し、さらに第２素子電極２９ａ，２９ｂをＣｒによって１６００Åに形成した場合、ＴＦＤ素子２１の厚さｔ０は、それらの平均である約１２００Åとすることができる。なお、図５では、オーバーコート層３３の層厚ｔ１を決める基準となるＴＦＤ素子２１の厚さｔ０が、最も厚い厚さｔ４である場合を図示している。
【００５４】
ところで、素子基板１１上に形成された層間絶縁膜２２は、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０での高さｈ１が、その周辺の領域での高さｈ２に比べて高くなる。それらの高さｈ１と高さｈ２との差は、上記のＴＦＤ素子２１の厚さｔ０と略等しくなる。こうなると、層間絶縁膜２２上に形成される光反射膜２３、画素電極２４ａ及び配向膜２６ａも領域Ｖ０においてＴＦＤ素子２１の厚さｔ０の分だけ高く形成されることになる。ここで、図５に示す領域Ｖ０におけるオーバーコート層３３の厚さを薄く形成しない従来の液晶表示装置を考えれば、ＴＦＤ素子上の領域で配向膜の表面が高く形成されるので、このＴＦＤ素子上の領域ではサブ画素領域内の他の領域に比べて液晶層の層厚、すなわちセルギャップが薄くなることが考えられる。このようにセルギャップがサブ画素領域内において不均一になると、液晶表示装置の表示にムラが生じるおそれがあった。
【００５５】
これに対し、領域Ｖ０におけるオーバーコート層３３の層厚を薄く形成した本実施形態の液晶表示装置１によれば、ＴＦＤ素子２１が設けられた領域Ｖ０においてそのＴＦＤ素子２１の厚さｔ０の分だけ層間絶縁膜２２の表面の高さｈ１が高く形成されても、液晶層１０の層厚、すなわちセルギャップＧが薄くなることを防止できる。すなわち、サブ画素領域Ｄ内において、領域Ｖ０におけるセルギャップＧ０と他の領域におけるセルギャップＧ１とを均一にすることができる。その結果、ＴＦＤ素子２１が設けられた領域Ｖｏにおいて表示にムラが発生することを防止できる。
【００５６】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を図６、図７及び図８を用いて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態では、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用するものとする。
【００５７】
本実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成は図１及び図２に示した先の実施形態の場合と略同じである。異なるのは、先の実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＤ素子２１（図３参照）を用いたのに対し、本実施形態ではそれに代えてＴＦＴ素子を用いたことであり、そのことに関連していくつかの点で改変が加えられている。なお、図２の素子基板１１上にＴＦＴ素子、すなわちスイッチング素子が形成され、カラーフィルタ基板１２上にカラーフィルタ、すなわち着色要素が形成されることは先の実施形態と同じである。
【００５８】
図６は、図２の矢印Ｃで示す画素部分を拡大して示す断面図である。また、図７は、図６の矢印Ａ方向から画素部分を拡大して示す平面図である。図６において、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間にセルギャップＧが形成され、このセルギャップＧ内に液晶層１０が形成されている。
【００５９】
カラーフィルタ基板１２の構成要素である第２透光性基板１２ａ上に、着色要素７１が形成され、それを囲むように遮光部材７２が形成され、それらの上に樹脂層としてのオーバーコート層７３が形成され、その上に共通電極６４ｂが形成され、その上に配向膜６６ｂが形成されている。本実施形態で用いられる共通電極６４ｂは第２透光性基板１２ａ上に一様な厚さで平面的に設けられている。
【００６０】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子はアモルファスＴＦＴ素子であり、このＴＦＴ素子は、図７のＫ−Ｋ線に従った断面図である図６に符号５１で示すように、素子基板１１の構成要素である第１透光性基板１１ａ上に形成されたゲート電極５２と、それを覆うように基板１１ａ上に形成されたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁膜５３を介してゲート電極５２の上に形成されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から成る半導体層５４と、半導体層５４の一方に接続するように形成されたソース電極５５と、半導体層５４の他方に接続するように形成されたドレイン電極５６とを有する。
【００６１】
ソース電極５５は、図６の紙面垂直方向（図７の紙面上下方向）に延びる配線としてのソース電極線５５’から延びている。また、ゲート電極５２は図６の紙面左右方向（図７の紙面左右方向）に延びる配線としてのゲート電極線５２’から延びている。ソース電極線５５’とゲート電極線５２’は図７に示すように絶縁膜を介して互いに直交するように形成されている。ソース電極線５５’は図１において３つの駆動用ＩＣ３９の中央の１つに電気的に接続されてデータ信号を供給される。また、図７のゲート電極線５２’は図１において３つの駆動用ＩＣ３９の両側の２つに電気的に接続されて走査信号を供給される。
【００６２】
なお、ＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いる本実施形態では、データ線及び走査線がいずれも素子基板１１上に形成されるので、図２のシール材５の中に分散された導通材３７を用いた上下導通構造は不要である。
【００６３】
図６において、ＴＦＴ素子５１及びゲート絶縁膜５３の上に層間絶縁膜６２が設けられ、その上に光反射膜６３が形成され、その上に画素電極６４ａが形成され、その上に配向膜６６ａが形成されている。サブ画素領域Ｄ内で光反射膜６３が存在する領域Ｒが反射表示領域であり、光反射膜６３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。本実施形態では、光反射膜６３と画素電極６４ａとの２層によって反射電極が形成されている。
【００６４】
図８は、図６の矢印Ｉで示す部分、すなわち、ＴＦＴ素子５１が形成されている部分を拡大して示している。図８において、オーバーコート層７３はカラーフィルタ基板１２上であって着色要素７１及び遮光部材７２の上に形成されている。そして、ＴＦＴ素子５１は、カラーフィルタ基板１２に対向する素子基板１１の内側表面に形成されている。画素電極６４ａが設けられた平面領域、すなわちサブ画素領域Ｄ内において、オーバーコート層７３は、ＴＦＴ素子５１に平面的に重なる領域Ｖ０における層厚ｔ１をその周辺の領域における層厚ｔ２に比べて薄く形成している。
【００６５】
本実施形態において、ＴＦＴ素子５１に平面的に重なる領域Ｖ０は、図８に示す断面で見れば、ＴＦＴ素子５１の幅Ｗ０を少なくとも含む領域である。具体的には、ソース電極５５の端部からドレイン電極５６の端部までを含む領域である。この領域Ｖ０は、図７の矢印Ｊに拡大して示すように平面的に見れば、ＴＦＴ素子５１の全体をそのＴＦＴ素子５１の外形におおまかに沿って囲む曲線状の領域である。
【００６６】
また、図８において、領域Ｖ０におけるオーバーコート層７３の層厚ｔ１は、第１透光性基板１１ａの表面からのＴＦＴ素子５１の厚さｔ０によって決められる。具体的には、厚さｔ０は、サブ画素領域Ｄ内の他のオーバーコート層７３の層厚ｔ２に対して、ＴＦＴ素子５１の厚さｔ０の分だけ薄く形成される。なお、ＴＦＴ素子５１は、先に説明した通りゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、半導体層５４、ソース電極５５及びドレイン電極５６を積層して形成されており、その厚さは図８を見てもわかるようにＴＦＴ素子５１の全体で一定ではない。そのため、本実施形態では、ＴＦＴ素子５１の厚さｔ０をそのＴＦＴ素子５１の全体における平均の厚さに設定することとする。具体的には、最も薄い部分（すなわち、ソース電極５５及びドレイン電極５６が形成された部分）の厚さｔ３と、最も厚い部分（すなわち、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、半導体層５４、ソース電極５５及びドレイン電極５６が積層された部分）の厚さｔ４との平均の厚さである。なお、図８では、オーバーコート層７３の層厚ｔ１を決める基準となるＴＦＴ素子５１の厚さｔ０が、最も厚い厚さｔ４である場合を示している。
【００６７】
本実施形態によれば、ＴＦＴ素子５１が設けられた領域Ｖ０においてそのＴＦＴ素子５１の厚さｔ０の分だけ層間絶縁膜６２の表面の高さｈ１が高くなっても、液晶層１０の層厚、すなわちセルギャップＧが薄くなることを防止できる。すなわち、サブ画素領域Ｄ内において、領域Ｖ０におけるセルギャップＧ０と他の領域におけるセルギャップＧ１とを均一にすることができる。その結果、ＴＦＴ素子５１が設けられた領域Ｖ０において表示にムラが発生することを防止できる。
【００６８】
（電気光学装置のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、第１実施形態では、図４に示すように、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０をＴＦＤ素子２１の全体を曲線で囲む領域とした。しかしながら、この領域Ｖ０は、図９（ａ）に示すようにＴＦＤ素子２１の全体を四角形に囲む領域としても良い。また、領域Ｖ０は、図９（ｂ）に示すようにデータ線１４に接続された第２素子電極２９ｂを除いた部分を囲む領域としても良い。また、領域Ｖ０は、図９（ｃ）に示すようにＴＦＤ素子２１のうちの最も厚い部分を覆う領域としても良い。具体的には、図５においてＷ１で示す部分であり、より具体的には、第１素子電極２７、絶縁膜２８及び第２素子電極２９ａ，２９ｂが積層された部分である。この場合、ＴＦＤ素子２１の厚さｔ０、すなわちオーバーコート層３３の層厚ｔ１とｔ２の差は、ＴＦＤ素子２１のうちの最も厚い部分の厚さに設定することが望ましい。
【００６９】
また、第２実施形態では、図７に示すように、ＴＦＴ素子５１に平面的に重なる領域Ｖ０をＴＦＴ素子５１の全体を曲線で囲む領域とした。しかしながら、この領域Ｖ０は、図１０（ａ）に示すようにＴＦＴ素子５１の全体を四角形に囲む領域としても良い。また、領域Ｖ０は、図１０（ｂ）に示すように、ゲート電極線５２’に接続されたゲート電極５２、及びソース電極線５５’に接続されたソース電極５５を除いた部分を囲む領域としても良い。また、領域Ｖ０は、図１０（ｃ）に示すようにＴＦＴ素子５１のうちの最も厚い部分を覆う領域としてもよい。具体的には、図８においてＷ１で示す部分であり、より具体的には、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、半導体層５４、ソース電極５５及びドレイン電極５６が積層された部分である。この場合、ＴＦＴ素子５１の厚さｔ０、すなわちオーバーコート層７３の層厚ｔ１とｔ２の差は、ＴＦＴ素子５１の最も厚い部分の厚さに設定することが望ましい。
【００７０】
また、図６に示した実施形態では、スイッチング素子としてアモルファスＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は、その他のスイッチング素子、例えば、高温ポリシリコンＴＦＴ素子、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等を用いた液晶表示装置にも適用できる。
【００７１】
また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：Field Emission Display：電界放出表示装置）にも適用できる。
【００７２】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００７３】
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。
【００７４】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。
【００７５】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００７６】
液晶表示装置１０１は、例えば、図５又は図８に示す構成の液晶表示装置を用いて構成できる。図５に示す液晶表示装置によれば、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０のオーバーコート層３３の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、液晶層１０の層厚が不均一になることを防止できるので、表示にムラが発生することを防止できる。また、図８に示す液晶表示装置によれば、ＴＦＴ素子５１に平面的に重なる領域Ｖ０のオーバーコート層７３の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、液晶層１０の層厚が不均一になることを防止できるので、表示にムラが発生することを防止できる。従って、これらの本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、液晶表示装置１０１を用いて行われる表示にムラが発生することを防止できる。
【００７７】
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【００７８】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【００７９】
表示装置１１３は、例えば、図５又は図８に示す構成の液晶表示装置を用いて構成できる。図５に示す液晶表示装置によれば、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０のオーバーコート層３３の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、液晶層１０の層厚が不均一になることを防止できるので、表示にムラが発生することを防止できる。また、図８に示す液晶表示装置によれば、ＴＦＴ素子５１に平面的に重なる領域Ｖ０のオーバーコート層７３の厚さをその周辺の領域に比べて薄く形成することにより、液晶層１０の層厚が不均一になることを防止できるので、表示にムラが発生することを防止できる。従って、これらの本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、表示装置１１３を用いて行われる表示にムラが発生することを防止できる。
【００８０】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線に従った断面図である。
【図３】図２の矢印Ｃで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図４】図３の矢印Ａ方向から画素部分を示す平面図である。
【図５】図３の矢印Ｆで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図７】図６の矢印Ａ方向から画素部分を示す平面図である。
【図８】図６の矢印Ｉで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図９】図４の矢印Ｈで拡大して示す部分の変形例を示す図である。
【図１０】図７の矢印Ｊで拡大して示す部分の変形例を示す図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８２】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、  
３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  ５．シール材、  ６．ＬＥＤ、  ７．導光体、
８．光拡散層、  ９．光反射層、  １０．液晶層（電気光学物質層）、
１１．素子基板、  １１ａ．第１透光性基板、  １２．カラーフィルタ基板、
１２ａ．第２透光性基板、  １３ａ，１３ｂ．偏光板、  １４．データ線、  
２１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、  ２１ａ．第１ＴＦＤ要素、  
２１ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ２２，６２．層間絶縁膜（絶縁膜）、  
２３，６３．光反射膜、
２４ａ，６４ａ．画素電極、  ２４ｂ．帯状電極、  ２５．コンタクトホール、  
２６ａ，２６ｂ，６６ａ，６６ｂ．配向膜、  ２７．第１素子電極、  ２８．絶縁膜、  
２９ａ，２９ｂ．第２素子電極、  ３１，７１．着色要素、  ３２，７２．遮光部材、  
３３，７３．オーバーコート層（樹脂層）、  ３４．張出し部、  ３５．配線、  
３６．外部接続用端子、  ３９．駆動用ＩＣ、  ５１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、
５２．ゲート電極、  ５２’．ゲート電極線、  ５３．ゲート絶縁膜、  
５４．半導体層、  ５５．ソース電極、  ５５’．ソース電極線、  
５６．ドレイン電極、  ６４ｂ．共通電極、  １００．制御回路、  
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、  １０２．液晶パネル（電気光学パネル）、
１０３．駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  
１１３．表示装置（電気光学装置）、  Ｄ．サブ画素領域、  Ｒ．反射表示領域、  
Ｔ．透過表示領域
【図１】
2007017824.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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