(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトレジスト組成物を用いたパターンの形成方法、薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関し、チャンネル領域に残っているフォトレジストの量を均一にして、半導体層の末端の突出を減少させる。【解決手段】基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する段階、前記半導体層上にデータ層を形成する段階、前記データ層上にアルカリ可溶性樹脂及びｐ−クレゾールの４核体からなる感光性化合物を含むレジスト膜を形成する段階、前記レジスト膜をパターニングし、このレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、このデータ層をエッチングマスクとして半導体層をエッチングする段階、前記レジストパターンをリフローする段階、このレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂、及び
化学式（Ｉ）の感光性化合物、
を含む、フォトレジスト組成物
【化１】
2007017987.tif 000013
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である）。
【請求項２】
前記感光性化合物は、ジアジド化合物である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］を含む、請求項１または２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物
【化２】
2007017987.tif 000014
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化３】
2007017987.tif 000015
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【請求項５】
前記耐熱性調整添加剤は、重量平均分子量が２００〜４００である、請求項４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
５〜３０質量％の前記アルカリ可溶性樹脂、
２〜１０質量％の前記感光性化合物、
０．５〜３質量％の前記耐熱性調整添加剤、及び
溶媒を含む、請求項４に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記アルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量が２，０００〜５，０００のノボラック樹脂である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
アルカリ可溶性樹脂と、
感光性化合物と、
化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤と、
を含むフォトレジスト組成物
【化４】
2007017987.tif 000016
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化５】
2007017987.tif 000017
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【請求項９】
前記耐熱性調整添加剤は、重量平均分子量が２００〜４００である、請求項８に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
前記感光性化合物は、化学式（Ｉ）で示される、請求項８に記載のフォトレジスト組成物
【化６】
2007017987.tif 000018
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である）。
【請求項１１】
前記フォトレジスト組成物は、
５〜３０質量％のアルカリ可溶性樹脂、
２〜１０質量％の感光性化合物、
０．５〜３質量％の耐熱性調整添加剤、及び
溶媒を含む、請求項８に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
基板上に導電性層または非導電性層を形成する段階、
前記導電性層または非導電性層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【化７】
2007017987.tif 000019
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）、
前記フォトレジスト膜をパターニングする段階、
パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして利用して前記導電性層または前記非導電性層をエッチングする段階を含む、パターンの形成方法。
【請求項１３】
前記感光性化合物は、ジアジド化合物である、請求項１２に記載のパターンの形成方法。
【請求項１４】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］を含む、請求項１２または１３に記載のパターンの形成方法。
【請求項１５】
前記フォトレジスト膜は、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項１２に記載のパターンの形成方法
【化８】
2007017987.tif 000020
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化９】
2007017987.tif 000021
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【請求項１６】
前記アルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量が２，０００〜５，０００のノボラック樹脂を含む、請求項１２に記載のパターンの形成方法。
【請求項１７】
基板上にゲート線を形成する段階、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びデータ層を順次に形成する段階、
前記データ層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【化１０】
2007017987.tif 000022
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）、
前記フォトレジスト膜をパターニングして、第１フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、
前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、
前記第１フォトレジストパターンをリフローして、第２フォトレジストパターンを形成する段階、及び
前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１８】
前記感光性化合物は、ジアジド化合物である、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１９】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］を含む、請求項１７または１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
前記フォトレジスト膜は、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化１１】
2007017987.tif 000023
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化１２】
2007017987.tif 000024
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【請求項２１】
前記第１フォトレジストパターンをリフローする段階は、１００〜１５０℃で行う、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２フォトレジストパターンは、前記データ層を末端まで覆う、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２３】
前記半導体層をエッチングする段階の後に、前記第１フォトレジストパターンをエッチバックする段階をさらに含む、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２４】
前記第１フォトレジストパターンは、第１部分、及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２５】
前記フォトレジストパターンを形成する段階は、前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び前記露光されたフォトレジスト膜を現像する段階を含み、
露光された前記フォトレジスト膜を現像する段階と、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階との間に、熱処理を行わない、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２６】
基板上にゲート線を形成する段階、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成する段階、
前記半導体層上にデータ層を形成する段階、
前記データ層上にフォトレジスト膜を形成する段階、
前記フォトレジスト膜を露光する段階、
前記フォトレジスト膜を現像して、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む第１フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、
前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、
前記第１フォトレジストパターンをリフローして、第２フォトレジストパターンを形成する段階、そして
前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含み、
前記露光されたフォトレジスト膜を現像する段階と、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階との間に、熱処理を行わない、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２７】
前記フォトレジスト膜は、化学式（Ｉ）の感光性化合物を含む、請求項２６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化１３】
2007017987.tif 000025
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）。
【請求項２８】
前記フォトレジスト膜は、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項２６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化１４】
2007017987.tif 000026
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化１５】
2007017987.tif 000027
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物を利用したパターンの形成方法、及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（液晶ディスプレイ）は、現在最も広く使用されている平板表示装置（フフラットパネルディスプレイ）の一種である。ＬＣＤは、画素電極及び共通電極が形成されている二枚の表示板、及びこれらの間に形成されている液晶層を含む。一方の表示板には、複数の画素電極が配置されており、他方の表示板には、一つの共通電極が形成されて表示板の全面を覆っている。画素電極及び共通電極に各々画素電圧及び共通電圧が印加されて、液晶層に電場が形成される。電場が液晶分子の配向方向を変化させて、入射光の透過率を変化させることによって、ディスプレイに画像を表示することができる。
【０００３】
各画素電極に別々の電圧を印加するために、三端子素子である薄膜トランジスタのようなスイッチング素子が各画素電極に連結される。画素電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されているパネル（以下、薄膜トランジスタ表示板と記載する）は、薄膜トランジスタ制御信号を伝達する複数のゲート線及び画素電圧を伝達する複数のデータ線を含む。薄膜トランジスタは、ゲート線を通じて伝達される走査信号によって、データ線を通じて伝達される画像信号を画素電極に伝達または遮断するという、スイッチング素子としての役割を果たす。このような薄膜トランジスタは、自発光素子である能動型有機発光表示素子（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）でも、各発光素子を個別に制御するスイッチング素子としての役割を果たす。
【０００４】
薄膜トランジスタ表示板は、ゲート層、データ層、及び半導体層を含む複数の薄膜からなる。これらの薄膜は、別々のマスクを使用してフォトリソグラフィによって別箇にパターニングされる。しかし、マスクの数が増加するたびに、露光、現像、エッチングなどの工程が追加されて、製造費用及び時間が顕著に増加する。
【０００５】
このため、スリットパターンを含む一つのフォトマスクを利用して半導体層パターン及びデータ層パターンを形成する方法が提案された。ＴＦＴのチャンネル領域は、フォトマスクのスリットパターンを利用してソース電極及びドレイン電極の間に形成される。
【０００６】
しかし、この場合、チャンネル領域に残っているフォトレジストの量が不均一で短絡が発生したり、エッチング特性の限界によって、ソース電極及びドレイン電極下に形成されている半導体層の末端が大きく突出して、開口率を低下させたりする。
【特許文献１】特願２００４−１７７６８３号公報
【特許文献２】特願２００５−０４９６６７号公報
【特許文献３】特願２００３−１６７２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の技術的課題は、このような問題点を解決することであって、チャンネル領域に残っているフォトレジストの量を均一にして、半導体層の末端の突出を減少させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例によるフォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂、化学式（Ｉ）の感光性化合物を含む。
【０００９】
【化１】
2007017987.tif 000002
【００１０】
化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。
【００１１】
また、本発明の一実施例によるフォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂と、感光性化合物と、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物とを含む耐熱性調整添加剤を含む。
【００１２】
【化２】
2007017987.tif 000003
【００１３】
化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である。
【００１４】
【化３】
2007017987.tif 000004
【００１５】
化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である。
【００１６】
また、本発明の一実施例によるパターンの形成方法は、基板上に導電性層または非導電性層を形成する段階、前記導電性層または非導電性層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【００１７】
【化４】
2007017987.tif 000005
【００１８】
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）、前記フォトレジスト膜をパターニングする段階、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして利用して前記導電性層または前記非導電性層をエッチングする段階を含む。
【００１９】
また、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、データ層を順次に形成する段階、前記データ層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【００２０】
【化５】
2007017987.tif 000006
【００２１】
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である）、前記フォトレジスト膜をパターニングして、第１フォトレジストパターンを形成する段階、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、前記第１フォトレジストパターンをリフローして第２フォトレジストパターンを形成する段階、および前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含む。
【００２２】
また、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成する段階、前記半導体層上にデータ層を形成する段階、前記データ層上にフォトレジスト膜を形成する段階、前記フォトレジスト膜を露光する段階、前記露光されたフォトレジスト膜を現像して、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む第１フォトレジストパターンを形成する段階、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、前記第１フォトレジストパターンをリフローして、第２フォトレジストパターンを形成する段階、前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含み、前記露光されたフォトレジスト膜を現像する段階と、前記データ層を１次エッチングする段階との間に熱処理を行わない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、チャンネル領域を含む全てのパターンの均一性を向上させることができ、半導体層の突出部を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明によるフォトレジスト組成物について詳細に説明する。
【００２５】
本発明によるフォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂及び感光性化合物を含む。
【００２６】
（アルカリ可溶性樹脂）
アルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂が好ましい。
【００２７】
ノボラック樹脂は、一般に、酸触媒の存在下でフェノールモノマー及びアルデヒド化合物を反応させて合成した高分子重合体であるが、この様にして合成する場合、フェノールモノマーとしては、化学式（ＩＶ）のｍ−クレゾール及び化学式（Ｖ）のｐ−クレゾールを使用することができる。
【００２８】
【化６】
2007017987.tif 000007
【００２９】
アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、ｐ−ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、またはアセトアルデヒドなどを使用することができる。また、前記フェノール化合物及びアルデヒド化合物の反応時に添加される酸触媒は、例えば塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、またはシュウ酸などを使用することができる。
【００３０】
本発明では、ノボラック樹脂の重量平均分子量は、好ましくは２，０００〜５，０００である。前記範囲にあると、フォトレジストのリフロー特性及び他の膜との接着性が向上するだけでなく、微細パターンを形成することができる。
【００３１】
アルカリ可溶性樹脂は、フォトレジスト組成物の総含量に対して５〜３０質量％含まれることが好ましい。
【００３２】
（感光性化合物）
感光性化合物は、露光時に光に反応して光化学反応を起こす化合物である。
【００３３】
本発明では、感光性化合物として、化学式（Ｉ）の化合物を使用することが好ましい。
【００３４】
【化７】
2007017987.tif 000008
【００３５】
化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。前記アルキレン基としては炭素数１〜２０のものが好ましい。前記アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ましい。
【００３６】
化学式（Ｉ）の化合物は、いわゆるバラスト構造を有しており、前記構造式のように、複数のベンゼン環の間にアルキレン基が連結されているため、化合物にフレキシビリティーを与え、フォトレジスト組成物の流動性を増加させることができる。
【００３７】
また、化学式（Ｉ）のヒドロキシ基に、例えばキノンジアジドなどのジアジド化合物を結合させて、感光性を示すことができる。
【００３８】
バラスト構造にジアジド化合物が結合されている化合物としては、例えば２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］がある。
【００３９】
感光性化合物は、フォトレジスト組成物の総含量に対して２〜１０質量％含まれることが好ましい。２質量％未満である場合には、露光時の感応速度が低下する虞があり、１０質量％を超える場合には、感応速度が急激に増加して、良好なプロファイルに形成されない虞がある。
【００４０】
（耐熱性調整添加剤）
また、本発明のフォトレジスト組成物は耐熱性調整添加剤を含むことが好ましい。耐熱性調整添加剤とは、フォトレジストの耐熱性を減少させて、フォトレジストが元来のリフロー温度よりも低い温度でリフローされるようにするものである。
【００４１】
耐熱性調整添加剤としては、化学式（ＩＩ）で示される第１ビスフェノール系化合物または化学式（ＩＩＩ）で示される第２ビスフェノール系化合物が好ましい。
【００４２】
【化８】
2007017987.tif 000009
【００４３】
化合物（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である。化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である。
【００４４】
耐熱性調整添加剤は、フォトレジスト組成物の総含量に対して０．５〜３質量％含まれることが好ましい。
【００４５】
フォトレジスト組成物は、前記成分の他に、必要に応じて可塑剤、安定剤、または界面活性剤のような添加剤をさらに含むこともできる。
【００４６】
耐熱性調整添加剤は、重量平均分子量が２００〜４００であることが好ましい。
【００４７】
（溶媒）
アルカリ可溶性樹脂、感光性化合物、及び各種添加剤は、溶媒に溶解された溶液の形態で使用されることが好ましい。溶媒としては有機溶媒が好ましく、有機溶媒としては、例えば酢酸エチル、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、メチルメトキシプロピオン酸、エチルエトキシプロピオン酸、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコールエチルアセテート、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、またはオクタンなどから選択されることができる。
【００４８】
溶媒は、フォトレジスト組成物の総含量に対する、アルカリ可溶性樹脂、感光性化合物、及び各種添加剤の含量に合わせて、その含量を決めてよいが、好ましくは６０〜９０質量％である。
【００４９】
本発明のフォトレジスト組成物は、接着性が優れていて、流動性が高いが、感度が低下し難いフォトレジスト組成物である。
【００５０】
（パターンの形成方法）
本発明のパターンの形成方法は、例えば、基板上に導電性層または非導電性層を形成する段階、導電性層または非導電性層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【００５１】
【化９】
2007017987.tif 000010
【００５２】
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。前記アルキレン基としては炭素数１〜２０のものが好ましい。前記アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ましい。）、フォトレジスト膜をパターニングする段階、パターニングされたフォトレジスト膜をエッチングマスクとして利用して導電性層または非導電性層をエッチングする段階を含む。
【００５３】
アルカリ可溶性樹脂、および感光性化合物については上述したとおりである。また、フォトレジスト膜には、上述の耐熱性調整添加剤が含まれていてもよい。
【００５４】
次に、添付した図面を参照しながら、前記したフォトレジスト組成物を利用して製造された薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法について説明する。しかし、本発明は以下の形態に限定されない。
【００５５】
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さなどが強調されて記載されている部分もある。同一の機能を有する部分については、同一の符号がふられている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“真上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の“真上”にあるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
【００５６】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
【００５７】
図１は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２及び図３は各々図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩ−ＩＩ´線またはＩＩＩ−ＩＩＩ´線の断面図である。図２の符号１００は薄膜トランジスタ表示板を示す。
【００５８】
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
【００５９】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、下に突出した複数のゲート電極１２４、及び他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０上に集積されたりする。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１がのびて、これと直接連結される。
【００６０】
維持電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行にのびた幹線、及びこれから分かれた複数対の維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む。維持電極線１３１の各々は、隣接する二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうちの下側に近く形成されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂの各々は、幹線と連結された固定端、及びその反対側の自由端を含む。ここで、維持電極１３３ａの固定端は面積が広く、自由端は直線部分及び曲線部分の二股に分かれる。しかし、維持電極線１３１の形態及び配置は、多様に変更することができる。
【００６１】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀や銀合金などの銀系金属、銅や銅合金などの銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウムなどからなることができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように、比抵抗が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなることが好ましい。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接続特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウムなどからなることが好ましい。これらの組み合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウムの上部膜という組み合わせや、アルミニウムの下部膜及びモリブデンの上部膜という組み合わせがある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他の多様な金属または導電体からなることができる。
【００６２】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０゜〜８０゜が好ましい。
【００６３】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００６４】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、ゲート電極１２４に向かってのびた複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で面積が広くなって、これらを幅広く覆っている。
【００６５】
半導体１５１上には、複数の線状抵抗性接触部材１６１及び複数の島型抵抗性接触部材１６５が形成されている。抵抗性接触部材（オーミックコンタクト）は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコン、またはシリサイドからなることができる。線状抵抗性接触部材１６１は、複数の突出部１６３を含み、この突出部１６３及び島型抵抗性接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００６６】
半導体１５１線状抵抗性接触部材１６１、及び島型抵抗性接触部材１６５の側面も、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０゜〜８０゜が好ましい。
【００６７】
線状抵抗性接触部材１６１、及び島型抵抗性接触部材１６５上には、複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００６８】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、また、維持電極線１３１とも交差して、隣接する維持電極１３３ａ、１３３ｂの間に形成される。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０上に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１がのびて、これと直接連結される。
【００６９】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向している。各ドレイン電極１７５は、面積が広い一側端部及び棒形態の他側端部を含む。面積が広い端部は維持電極線１３１と重畳し、棒形態の端部は曲がったソース電極１７３で一部が囲まれている。
【００７０】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つのＴＦＴを構成し、薄膜トランジスタのチャンネル領域は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
【００７１】
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金からなるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）及び低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。多重膜構造の好ましい組み合わせとしては、クロム、モリブデン、またはモリブデン合金の下部膜、及び、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上部膜の二重膜という組み合わせや、モリブデンまたはモリブデン合金の下部膜、アルミニウムまたはアルミニウム合金の中間膜、及びモリブデンまたはモリブデン合金の上部膜の三重膜という組み合わせがある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。
【００７２】
データ線１７１及びドレイン電極１７５の側面も、基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０゜〜８０゜が好ましい。
【００７３】
線状抵抗性接触部材１６１、島型抵抗性接触部材１６５は、半導体１５１と、データ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ形成されて、これらの間の接触抵抗を低くする。
【００７４】
半導体１５１は、薄膜トランジスタが位置する突出部１５４を除いては、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及びその下部の線状抵抗性接触層１６１、島型抵抗性接触層１６５と実質的に同一な平面形態からなる。つまり、線状半導体層１５１は、データ線１７１及びドレイン電極１７５、そしてその下部の線状抵抗性接触層１６１、突出部１６３、島型抵抗性接触部材１６５下に全て形成されていて、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間は露出されている。
【００７５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５４部分上には、保護膜１８０が形成されている。
【００７６】
保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などから形成されることが好ましい。有機絶縁物及び低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、低誘電率絶縁物の例としては、プラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがある（前記ａ−Ｓｉは非晶質シリコンを指す）。有機絶縁物のうちの感光性を有するもので保護膜１８０を形成することもでき、保護膜１８０の表面は平坦でありうる。しかし、保護膜１８０は、有機絶縁物の優れた絶縁特性を生かしつつ、露出された半導体１５１部分に害を及ぼさないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることができる。
【００７７】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔（コンタクトホール）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、維持電極１３３ａ、１３３ｂの固定端付近または自由端の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、１８３ｂが形成されている。
【００７８】
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の連結橋８３、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体や、アルミニウム、銀、またはその合金などの反射性金属から成ることが好ましい。
【００７９】
画素電極１９１は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されていて、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧の印加を受けた画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の配向方向を決定する。画素電極１９１及び共通電極は、キャパシタ［以下、液晶キャパシタとする］を構成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【００８０】
画素電極１９１は、維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７１が維持電極線１３１と重畳して構成するキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化することができる。
【００８１】
接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。接触補助部材８１、８２は、データ線１７１及びゲート線１２１の端部１７９、１２９と外部装置との接続性を補い、これらを保護する。
【００８２】
連結橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間において反対側に位置する一対の接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じて維持電極線１３１の露出された部分及び維持電極１３３ｂの自由端の露出された端部と連結されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする維持電極線１３１は、連結橋８３と共に、ゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用される。
【００８３】
以下、図１〜図３に示した薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図４〜図２２を参照して詳細に説明する。
【００８４】
図４、図１７、及び図２０は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図であり、図５及び図６は図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ´線及びＶＩ−ＶＩ´線による断面図であり、図７〜図１６は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図であり、図１８及び図１９は図１７の薄膜トランジスタ表示板のＸＶＩＩＩ−ＸＩＩＩＩ´線またはＸＩＸ−ＸＩＸ´線による断面図であり、図２１及び図２２は図２０の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩ−ＸＸＩ´線またはＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ´線による断面図である。
【００８５】
まず、図４〜図６に示したように、透明ガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、モリブデンからなる金属層を形成した後で湿式エッチングして、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１、及び維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の維持電極線１３１を形成する。
【００８６】
次に、図７及び図８に示したように、ゲート線１２１及び維持電極線１３１上に、窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜１４０、不純物がドーピングされていない真性非晶質シリコン層（ａ−Ｓｉ）１５０、及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層（ｎ＋ａ−Ｓｉ）１６０をプラズマ強化化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）で形成する。真性非晶質シリコン層１５０は、水素化非晶質シリコンなどで形成し、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０は、リンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンまたはシリサイドで形成する。
【００８７】
連続的に、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０上に、モリブデンからなるデータ層１７０をスパッタリングで形成する。
【００８８】
その次に、データ層１７０上に、スピンコーティング方法でフォトレジスト膜を形成する。
【００８９】
次に、図９及び図１０に示したように、フォトレジスト膜を露光及び現像して、第１フォトレジストパターン５２及び第１フォトレジストパターン５２より厚さが薄い第２フォトレジストパターン５４を形成する。
【００９０】
この時、フォトレジスト膜を現像した後に、別途の熱処理（ポストベーク）は行わないことが好ましい。この段階で行う熱処理は、現像液によってパターニングされたフォトレジスト膜を基板上に確実に固定するために行う。しかし、このような熱処理は、フォトレジストのリフローを誘発して、初期に形成されたフォトレジストパターンのプロファイル及び傾斜角を変化させ、後続のエッチング工程によって形成されるデータ層パターンが、特にＴＦＴのチャンネル領域で好ましくない形態になることがある。そして、これが短絡などを引き起こし、薄膜トランジスタの特性に影響を与えることがある。
【００９１】
しかし、本発明の一実施例によるフォトレジスト組成物は、接着性が優れているため、本発明の実施例では、フォトレジスト膜を現像した後の熱処理を省略することができ、直ちにエッチング工程を行うことができる。
【００９２】
ここで、説明の便宜上、配線が形成される部分のデータ層１７０、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０を配線部分（Ａ）とし、ゲート電極１２４上にチャンネルが形成される部分をチャンネル部分（Ｂ）とし、配線部分（Ａ）及びチャンネル部分（Ｂ）を除く部分を残りの部分（Ｃ）とする。
【００９３】
フォトレジストパターン５２、５４のうちで配線部分（Ａ）に位置した第１フォトレジストパターン５２は、チャンネル部分（Ｂ）に位置した第３フォトレジストパターン５４より厚さを厚く形成し、残りの部分（Ｃ）のフォトレジスト膜は全て除去する。この時、第１フォトレジストパターン５２の厚さ及び第３フォトレジストパターン５４の厚さの比は、下記のエッチング工程での工程条件によって異なるが、第３フォトレジストパターン５４の厚さを第１フォトレジストパターン５２の厚さの１／２以下とするのが好ましい。
【００９４】
このように、位置によってフォトレジスト膜の厚さを異なるように形成する方法としては多様な方法があるが、露光マスクに透明領域及び遮光領域だけでなく半透明領域を形成することも方法の一つである。半透明領域には、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であったり厚さが中間であったりする薄膜が形成される。スリットパターンを形成する時には、スリットの幅やスリット間の間隔が写真蝕刻工程に使用される露光器の分解能より小さいものが好ましい。
【００９５】
次に、図１１及び図１２に示したように、第１フォトレジストパターン５２をエッチングマスクとして利用して残りの部分（Ｃ）で露出されているデータ層１７０を湿式エッチングで除去して、複数のデータ導電体１７４を形成する。その次に、データ導電体１７４をエッチングマスクとして利用して、残りの部分（Ｃ）に残っている不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０を乾式エッチングする。
【００９６】
次に、図１３及び図１４に示したように、エッチングバック工程を行って、チャンネル部分（Ｂ）の第３フォトレジストパターン５４を除去する。この時、第１フォトレジストパターン５２も、第３フォトレジストパターン５４の厚さの分だけ除去されるために薄くなる。また、第１フォトレジストパターン５２の側面もある程度は除去されるため、下部に形成されている導電体１７４の両端を露出させる。
【００９７】
その次に、図１５及び図１６に示したように、第１フォトレジストパターン５２をリフローする。リフローの温度は１００〜１５０℃が好ましい。
【００９８】
本発明によるフォトレジストは、前記温度範囲で容易にリフローされて、下部膜との接着性が優れている。したがって、第１フォトレジストパターン５２は、下部のデータ導電体１７４の両端までリフローされて、第２フォトレジストパターン５２ａを形成することができる。
【００９９】
その次に、図１７〜図１９に示したように、リフローされたフォトレジストパターン５２ａをエッチングマスクとして利用してエッチングし、データ導電体１７４をソース電極１７３及びドレイン電極１７５に分離して、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間のチャンネル領域の不純物がドーピングされた非晶質シリコンパターン１６４を露出させる。
【０１００】
この時、エッチングは、乾式エッチングまたは湿式エッチングで行うことができる。
乾式エッチングで行う場合、データ導電体１７４の両端及びリフローされたフォトレジストパターン５２ａの端部が一致するため、フォトレジストパターン５２ａの内側にオーバーエッチングされる長さが短い。したがって、下部に露出される半導体層の突出部を減少させることができる。
【０１０１】
同様に、湿式エッチングで行う場合、フォトレジストパターン５２ａ及びデータ導電体１７４の接着性が優れているため、フォトレジストパターン５２ａの内側にデータ導電体１７４がオーバーエッチングされる長さが短い。したがって、下部に露出される半導体層の突出部を減少させることができる。
【０１０２】
次に、不純物がドーピングされた非晶質シリコンパターン１６４の露出された部分を乾式エッチングして除去する。
【０１０３】
その次に、図２０〜図２２に示したように、露出されたゲート絶縁膜１４０、データ線１７１、及びドレイン電極１７５、そして露出された半導体の突出部１５４を覆うように保護膜１８０を形成する。
【０１０４】
次に、保護膜１８０を写真蝕刻工程でエッチングして、複数の接触孔１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、および１８５を形成する。
【０１０５】
最後に、図１〜図３に示したように、保護膜１８０上にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体をスパッタリングで蒸着した後にパターニングして、画素電極１９１、接触補助部材８１、８２、及び連結橋８３を形成する。
【０１０６】
本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【実施例】
【０１０７】
以下、本発明の一実施例によってフォトレジスト組成物を製造した後に、感度、接着性、及び耐熱性を実験した例について、説明する。しかし、本発明は下記以外にも多様な相異した形態を含み、ここで説明する実施例に限定されない。
【０１０８】
（実施例１）
フォトレジスト組成物の製造
アルカリ可溶性樹脂として、ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを質量比で６０：４０の割合で用い合成された、重量平均分子量が４，０００のノボラック樹脂を用意した。分子量の測定にはＧＰＣを用いた。ＧＰＣの条件を下記表１に示す。
【０１０９】
【表１】
2007017987.tif 000011
【０１１０】
感光性化合物として２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］を用意し、アルカリ可溶性樹脂と感光性化合物との割合が質量比で８０：２０となるようにこれらを混合して混合物を得た。
【０１１１】
この混合物を固形分濃度が３０質量％になるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した。次に、０．２μｍのミリポアフィルターでろ過して、フォトレジスト組成物を製造した。
【０１１２】
写真蝕刻工程
製造されたフォトレジスト組成物を利用してフォトレジストパターンを形成した。
【０１１３】
ガラス基板を用意して、基板上にモリブデン膜を形成した。その次に、モリブデン膜上に前記方法により製造されたフォトレジスト組成物をスピンコーティング法で塗布した。その次に、別途の熱処理を行わずに、パターン形成用マスクを利用して複合波長（３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍ）、強度が各々１２ｍＷ／ｃｍ２、４５１２ｍＷ／ｃｍ２、２８１２ｍＷ／ｃｍ２である紫外線を５秒間照射した。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を２．３８質量％含む水溶液で２５℃、１分間現像した後、超純水で１分間洗浄して、パターンを完成した。
【０１１４】
（実施例２）
アルカリ可溶性樹脂および感光性化合物として、分子量が３，０００のノボラック樹脂に、２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］２３質量部を混合したこと以外は実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を製造した。
【０１１５】
前記フォトレジスト組成物を利用して実施例１と同様にして写真蝕刻工程を行って、パターンを形成した。
【０１１６】
（実施例３）
実施例２と同一な組成でノボラック樹脂及び感光性化合物を混合し、混合物を作製した。次に、耐熱性調整添加剤としてメチレンビスフェノールを、前記混合物に対して２質量部添加して、フォトレジスト組成物を製造した。
【０１１７】
前記フォトレジスト組成物を利用して実施例１と同様にして写真蝕刻工程を行って、パターンを形成した。
【０１１８】
（実施例４）
実施例２と同一な組成でノボラック樹脂及び感光性化合物を混合し、混合物を作製した。次に、耐熱性調整添加剤として４，４´−（１−メチル−ヘプチリデン）ビスフェノールを前記混合物に対して２質量部添加して、フォトレジスト組成物を製造した。
【０１１９】
前記フォトレジスト組成物を利用して実施例１と同様にして写真蝕刻工程を行って、パターンを形成した。
【０１２０】
（比較例）
ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを質量比で６０：４０の割合で用い、重量平均分子量が６，０００のノボラック樹脂を合成した。前記ノボラック樹脂１００質量部に、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を質量比で５０：５０で混合した感光性化合物１８質量部を混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【０１２１】
前記フォトレジスト組成物を利用して実施例１と同一な方式で写真蝕刻工程を行って、パターンを形成した。
【０１２２】
（評価）
各項目に対する評価は、下記の方法で行った。
【０１２３】
まず、感度は、感度マスクを利用して露光及び現像した後でガンマ値を算出して、この値を利用して感度を測定した。
【０１２４】
次に、接着性を比較するために、フォトレジストパターン（微細線幅）で覆われていないモリブデンを湿式エッチングで除去してモリブデンパターンを形成し、フォトレジストパターンで覆われているモリブデンパターンのうちのエッチング液によって除去された部分の長さを測定した。
【０１２５】
次に、耐熱性を比較するために、感光膜パターンを１４０℃で熱処理した後に、基板に対して傾いたフォトレジストパターンのｔａｎθ値を測定した。
実験結果を表２に示した。
【０１２６】
【表２】
2007017987.tif 000012
【０１２７】
表２から分かるように、実施例１〜４によるフォトレジストの感度は、比較例とほぼ同一である。
【０１２８】
接着性の側面では、実施例１〜４が比較例より優れていて、特に、ノボラック樹脂の分子量が低いほど、相対的に接着性が優れていた。具体的に、実施例によるフォトレジストは、比較例より少量のノボラック樹脂を含み、フォトレジストパターンで覆われているモリブデンパターンのうちのエッチング液によって除去された部分が、より少なかった。したがって、ノボラック樹脂を含むフォトレジストの接着性は、ノボラック樹脂の量が減少するほど、減少することが分かった。熱処理後に、実施例によるフォトレジストパターンは、比較例に比べて基板に対する傾きの大きさが、小さかった。これは、同一な条件で熱処理した場合に、実施例によるフォトレジストパターンがより流動的であるということ、つまり耐熱性が低いということを意味する。特に、ノボラック樹脂の分子量が低いほど、相対的に低い耐熱性（高い流動性）を示し、耐熱性調整添加剤が含まれた実施例３及び４の場合が、より優れた効果を示したことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩ−ＩＩ´線による断面図である。
【図３】図１の薄膜トランジスタ表示板のＩＩＩ−ＩＩＩ´線による断面図である。
【図４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図５】図４の薄膜トランジスタ表示板のＶ−Ｖ´線による断面図である。
【図６】図４の薄膜トランジスタ表示板のＶＩ−ＶＩ´線による断面図である。
【図７】〜本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図９】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図１８】図１７の薄膜トランジスタ表示板のＸＶＩＩＩ−ＸＩＩＩＩ´線による断面図である。
【図１９】図１７の薄膜トランジスタ表示板のＸＩＸ−ＸＩＸ´線による断面図である。
【図２０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。
【図２１】図２０の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩ−ＸＸＩ´線による断面図である。
【図２２】図２０の薄膜トランジスタ表示板のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ´線による断面図である。
【符号の説明】
【０１３０】
５２ａ    フォトレジストパターン、
５２    フォトレジストパターン、
５４    フォトレジストパターン、
８１    接触補助部材、
８２    接触補助部材、
８３    連結橋、
１００    薄膜トランジスタ表示板、
１１０    絶縁基板、
１２０    ゲート層、
１２１    ゲート線、
１２４    ゲート電極、
１２９    面積が広い端部
１３１    維持電極線、
１３３ａ    維持電極、
１３３ｂ    維持電極、
１４０    ゲート絶縁膜、
１５０    真性非晶質シリコン層、
１５１    線状半導体、
１５４    半導体層、
１６０    不純物非晶質シリコン層、
１６１    線状抵抗性接触部材、
１６３    突出部、
１６４    不純物がドーピングされた非晶質シリコンパターン、
１６５    島型抵抗性接触部材、
１７０    データ層、
１７１    データ線、
１７３    ソース電極、
１７４    データ導電体、
１７５    ドレイン電極、
１７９    端部、
１８０    保護膜、
１８１    接触孔、
１８２    接触孔、
１８３ａ    接触孔、
１８３ｂ    接触孔、
１８５    接触孔、
１９１    画素電極。
【図１】
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【図２】
2007017987.tif 000029
【図３】
2007017987.tif 000030
【図４】
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【図５】
2007017987.tif 000032
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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