(57)【要約】【課題】  クラック剥離の発生を防止しつつ、ピン数の減少を最小限に抑える。【解決手段】  ＢＧＡ１０のボール面に、半田ボールが接合されるボールランド２０を格子状に形成する。ボールランド２０を、最も外側の第１格子３５を構成する第１ボールランド２０ａと、第１格子３５に囲まれる第２格子３６を構成する第２ボールランド２０ｂとに分ける。第１ボールランド２０ａを、第１格子３５の四隅を除く位置に第２ボールランドと同じピッチで形成する。第１格子３５の四隅の両隣の第１ボールランド２０ａを、それぞれ第１格子３５の四隅と逆方向にある第１ボールランド２０ａに向かう方向に対して半ピッチ分だけずれた位置に形成する。第１ボールランド２０ａが応力の集中する四隅部３８外に形成されるので、温度サイクル試験時等に半田ボールとの半田接合部にクラック剥離が発生するのが防止され、ピン数の減少も最小限に抑えられる。【選択図】        図３
2007012690.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に格子状に複数形成されたボールランドにそれぞれ半田ボールが半田接合されたボールグリッドアレイパッケージを、その前記半田接合された前記半田ボールを実装基板上の対応する略円形状の接合用ランドに半田接合して、前記実装基板に実装するボールグリッドアレイパッケージの実装構造において、
前記ボールランドのランド径の大きさをｄ１とし、前記接合用ランドのランド径の大きさをｄ２としたときに、ｄ１≧ｄ２を満たすことを特徴とするボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【請求項２】
０．９×ｄ１≦ｄ２を満たすことを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【請求項３】
前記格子状に複数形成された前記ボールランドは、最も外側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（ｍ＋２）行×（ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成され、
前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドは、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチＰで形成されているとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドが、それぞれ隣接する前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【請求項４】
前記第１ボールランドのランド径の大きさと、前記第２ボールランドのランド径の大きさとが同じであることを特徴とする請求項３記載のボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【請求項５】
前記格子状に複数形成された前記ボールランドは、最も第１側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（２ｍ＋２）行×（２ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成され、
前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドは、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチ２Ｐで形成されているとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドが、それぞれ隣接する前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【請求項６】
前記第１ボールランドのランド径の大きさが、前記第２ボールランドのランド径の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項５記載のボールグリッドアレイパッケージの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、格子状に形成されたボールランドを備えたボールグリッドアレイパッケージの実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載する半導体パッケージとして、ボールグリッドアレイパッケージ（以下、ＢＧＡという）がよく知られている。ＢＧＡは、表面に半導体素子が搭載される素子搭載エリア、及び半導体素子と電気的に接続される配線パターンが形成され、裏面に半田ボールが半田接合されるボールランドが格子状に形成されているものが一般的である。
【０００３】
一方、ＢＧＡが実装されるマザーボード等の実装基板には、ＢＧＡのボールランドのパターンに対応した接合ランドが格子状に形成されている。そして、ＢＧＡを実装基板上の接合ランド形成エリア（実装エリア）に載置した後、ＢＧＡの外部接続端子となる半田ボールを接合ランドに半田接合させることで、ＢＧＡが実装基板に実装される。ＢＧＡは、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）のように側面に外部接続端子を設ける必要がないので、実装基板に実装する際に実装エリアを小さくすることができる。つまり、ＢＧＡを用いることで高密度実装が可能になるので、実装基板の小型化が図れる。
【０００４】
近年、半導体素子の高機能化に伴いＢＧＡの外部接続端子数（ピン数）が増加している。その結果、ボールランドの形成数が増加してランド間のピッチが狭くなり、ランドの面積も縮小されている。また、高密度実装化に伴い、動作時と非動作時の冷熱幅（温度差）が大きくなっている。その結果、ＢＧＡを実装基板に実装した状態で、温度サイクル試験、曲げ試験、落下試験などの信頼性評価試験を行う際に、半田ボールとボールランドや接合ランドとの半田接合部にクラック剥離が発生し易くなるので、各試験ごとの品質基準を満たすことが難しくなっている。
【０００５】
特に、冷温、高温、冷温・・・を繰り返す温度サイクル試験時には、ＢＧＡと実装基板との熱膨張性の差、及びＢＧＡを構成する各部材間の熱膨張性の差などにより生じる応力が半田接合部に伝達されてクラック剥離などの疲労破壊が発生し易い。この応力はＢＧＡの中心から遠い四隅部に最も集中するため、クラック剥離はＢＧＡの四隅で特に発生し易い。
【０００６】
そこで、特許文献１に記載されているように、特に応力が集中する四隅のボールランドのランド径を他のボールランドよりも大きくすることで、四隅のボールランドと半田ボールとの半田接合部の接合強度を上げる方法がよく知られている。また、特許文献２に記載されているように、ＢＧＡの中心から同心円状にボールランドを形成する。そして、ＢＧＡの中心から遠ざかるのに従いボールランドのランド径を大きくしていくことで、特定の半田接合部に応力が集中するのを防止する方法も知られている。
【特許文献１】特開平１１−２６６３７号公報（第４〜５頁、図１参照）
【特許文献２】特開平１１−３５４６７５号公報（第３〜４頁、図３参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前記特許文献１に記載されている方法では、四隅のボールランドと半田ボールとの半田接合部のみの接合強度を上げているが、実際のクラック剥離はＢＧＡの四隅に限定されるものではなく四隅の近傍でも発生しているため、その発生を完全に無くすことはできない。また、各ボールランドのピッチを変えずに、四隅のボールランドの径を大きくしているので、四隅のボールランドに半田接合された半田ボールと、これらに隣接するボールランドに半田接合された半田ボールとの間でブリッジ（ショート）が発生するおそれがある。
【０００８】
また、前記特許文献１の方法では、実装基板の接合ランドの径の大きさについては全く触れられていない。そのため、接合ランドの径がボールランドの径よりもかなり小さい場合には、接合ランド側の半田接合部でクラック剥離が発生するおそれがある。逆に接合ランドの径がボールランドの径よりも大きいと、ＢＧＡ側の半田接合部に応力が集中してクラック剥離が発生するおそれがある。
【０００９】
そこで、例えば図７に示したＢＧＡ５０のように、応力の集中する四隅部５１にボールランド５２を形成しない方法がよく知られている。この場合には、図中●で示した四隅と四隅の両隣との計１２箇所にボールランド５２が形成できなくなる。その結果、四隅部を含む形成可能な最大ピン数を１００ピンとしたときに、ＢＧＡ５０のピン数が８８ピンに減少してしまう。
【００１０】
また、前記特許文献２記載の方法では、ＢＧＡの中心から遠ざかるのに従いボールランドのランド径を大きくしているので、ボールランドを形成可能な数が限られてしまう。その結果、必要なピン数を確保できないおそれがある。
【００１１】
本発明は上記問題を解決するためのものであり、温度サイクル試験等での応力集中によるクラック剥離の発生を防止しつつ、ピン数（ボールランド数）の減少を最小限に抑えられるようにしたボールグリッドアレイパッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、一面に格子状に複数形成されたボールランドにそれぞれ半田ボールが半田接合されたボールグリッドアレイパッケージを、その前記半田接合された前記半田ボールを実装基板上の対応する略円形状の接合用ランドに半田接合して、前記実装基板に実装するボールグリッドアレイパッケージの実装構造において、前記ボールランドのランド径の大きさをｄ１とし、前記接合用ランドのランド径の大きさをｄ２としたときに、ｄ１≧ｄ２を満たすことを特徴とする。
【００１３】
さらに、０．９×ｄ１≦ｄ２を満たすことが好ましい。また、前記格子状に複数形成された前記ボールランドは、最も外側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（ｍ＋２）行×（ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成され、前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドは、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチＰで形成されているとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドが、それぞれ隣接する前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成されていることが好ましい。さらに、前記第１ボールランドのランド径の大きさと、前記第２ボールランドのランド径の大きさとが同じであることが好ましい。
【００１４】
また、前記格子状に複数形成された前記ボールランドは、最も第１側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（２ｍ＋２）行×（２ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成され、前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドは、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチ２Ｐで形成されているとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドが、それぞれ隣接する前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成されていることが好ましい。さらに、前記第１ボールランドのランド径の大きさが、前記第２ボールランドのランド径の大きさよりも大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のボールグリッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）の実装構造は、一面に格子状に複数形成されたボールランドにそれぞれ半田ボールが半田接合されたＢＧＡを、その前記半田接合された前記半田ボールを実装基板上の対応する略円形状の接合用ランドに半田接合して、前記実装基板に実装する際に、前記ボールランドのランド径の大きさｄ１が、前記接合用ランドのランド径の大きさｄ２以上になるようにしたので（ｄ１≧ｄ２）、ＢＧＡ側の半田接合部に応力が集中して、クラック剥離が発生するのが防止される。
【００１６】
さらに、０．９×ｄ１≦ｄ２を満たすようにしたので、実装基板側の半田接合部に応力が集中して、クラック剥離が発生するのが防止される。
【００１７】
また、前記ボールランドを、最も外側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（ｍ＋２）行×（ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成し、前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドを、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチＰで形成するとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドを、それぞれ前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成するようにしたので、前記ボールランドが応力の集中する前記ＢＧＡの四隅部外に形成される。その結果、クラック剥離が発生するのが防止される。また、ボールランド形成数（ピン数）の減少を最小限に抑えることができる。
【００１８】
さらに、前記第１ボールランドのランド径の大きさと、前記第２ボールランドのランド径の大きさとを同じ大きさにしたので、同様にしてピン数の減少を最小限に抑えることができる。
【００１９】
また、前記ボールランドを、最も第１側の第１格子を構成する第１ボールランドと、前記第１格子により囲まれる（２ｍ＋２）行×（２ｎ＋２）列（ｍ、ｎは任意の自然数）の第２格子を構成する第２ボールランドとから構成し、前記第２ボールランドのピッチをＰとしたときに、前記第１ボールランドを、前記第１格子の四隅を除く位置にピッチ２Ｐで形成されているとともに、前記第１格子の四隅の両隣の前記第１ボールランドを、それぞれ前記四隅と逆方向にある前記第１ボールランドに向かう方向に対してＰ／２だけずれた位置に形成するようにしたので、同様にクラック剥離が発生するのが防止される。
【００２０】
さらに、前記第１ボールランドのランド径の大きさが、前記第２ボールランドのランド径の大きさよりも大きくなるようにしたので、前記ＢＧＡの外周部全体の接合強度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、ボールグリッドアレイパッケージ（以下、単にＢＧＡという）１０が実装基板１１に実装された状態を示した側面図である。ＢＧＡ１０は、パッケージ基板１３と、半導体素子１４と、モールド樹脂１５と、半田ボール１６とから構成される。
【００２２】
パッケージ基板１３は、本実施形態ではリジットタイプのプリント配線板が用いられる。このパッケージ基板１３は、ガラスクロスや樹脂等からなるコア基材１７と、コア基材１７の両面を覆うソルダーレジスト１８とから構成されている。このコア基材１７の一面（図中上面）には、図示は省略するが半導体素子１４が搭載される素子搭載エリアを囲うように配線パターンが形成されている。素子搭載エリア、及び配線パターンに形成されたボンディングパッドは、ソルダーレジスト１８に形成された開口（図示せず）から露呈している。
【００２３】
また、コア基材１７の他面（図中下面）には、半田ボール１６が半田接合される略円形状のボールランド２０（図２参照）が形成され、このボールランド２０も同様にソルダーレジスト１８に形成された略円形状の開口１８ａ（図２参照）から露呈している。なお、ボールランド２０や、上述の配線パターン（図示せず）は、例えばコア基材１７の両面に予め設けられた銅箔をエッチング処理して形成される。以下、半導体素子１４が搭載される面を「半導体素子面」、ボールランド２０が形成される面を「ボール面」と定義して説明を行う。
【００２４】
半導体素子１４は、パッケージ基板１３の半導体素子面の素子搭載エリア（図示せず）に、銀ペースト等で接着される。そして、半導体素子１４が接着されたら、半導体素子１４と、図示しない配線パターンのボンディングパッドとがボンディングワイヤ２１を介して接続される。これにより、半導体素子１４と配線パターン（図示せず）とが電気的に接続される。半導体素子面は、ボンディングワイヤ２１が接続されたらモールド樹脂１５で覆われて、ボンディングワイヤ２１の接続部、及び半導体素子１４が保護される。
【００２５】
ボールランド２０は、パッケージ基板１３のボール面に所定ピッチで格子状に複数形成されている（図３参照）。各ボールランド２０は、コア基材１７を貫通するように形成されたビアホール（図示せず）、半導体素子面側の配線パターン（図示せず）、ボンディングワイヤ２１を介して半導体素子１４と電気的に接続されている。各ボールランド２０には、ＢＧＡ１０を実装基板１１に実装する前に、図示しないボール搭載装置により半田ボール１６が搭載される。搭載された半田ボール１６は、ＩＲリフロー処理等によってボールランド２０に半田接合されて外部接続端子となる。
【００２６】
実装基板１１は、パッケージ基板１３と同様のリジットプリント配線板であり、コア基材２５と、コア基材２５の両面を覆うソルダーレジスト２６とから構成されている。コア基材２５のＢＧＡ搭載面（図中上面）には、ＢＧＡ１０が実装される実装エリア（図示せず）が形成されている。この実装エリア（図示せず）には、ＢＧＡ１０の各ボールランド２０に半田接合された半田ボール１６にそれぞれ対応する略円形状の接合ランド２８が格子状に形成されている。そして、ソルダーレジスト２６には、各接合ランド２８を露呈させる開口２６ａ（図２参照）が形成されている。
【００２７】
接合ランド２８は、例えばボールランド２０と同様に、コア基材２５のＢＧＡ搭載面に設けられた銅箔をエッチング処理して形成される。そして、各接合ランド２８は、ＢＧＡ搭載面に形成された図示しない配線パターンを介して、他に実装された電子部品や電源と電気的に接続されている。
【００２８】
ＢＧＡ１０を実装基板１１に実装する際には、ＢＧＡ１０を実装基板１１のＢＧＡ搭載面に載置して、ボールランド２０に半田接合された各半田ボール１６をそれぞれ対応する接合ランド２８に当接させる。次いで、ＢＧＡ１０及び実装基板１１を例えばＩＲリフロー処理することで、半田ボール１６が接合ランド２８にも半田接合されて、ＢＧＡ１０の実装基板１１への実装が完了する。
【００２９】
次に、温度サイクル試験等での応力集中による両ランド２０，２８と半田ボール１６とのクラック剥離を防止しつつ、可能な限り外部接続端子であるボールランド２０の数（以下、ピン数という）を確保可能な方法について説明する。上述したように温度サイクル試験時に応力は、ＢＧＡ１０の四隅部に集中する他に、両ランド２０，２８のランド径の差によりＢＧＡ１０側の半田接合部３０ａまたは実装基板１１側の半田接合部３０ｂに集中する（図２参照）。
【００３０】
そこで、本発明では、半田接合部３０ａ，３０ｂのいずれか一方に応力が集中しないように両ランド２０，２８のランド径の差を調整する。また、応力の集中するＢＧＡ１０の四隅部にボールランド２０を形成することなく、可能な限りピン数を確保できるようにボールランド２０の形成位置を調整する。
【００３１】
図２は、半田接合部３０ａ，３０ｂの断面の一つを拡大して表示した拡大図である。本実施形態のボールランド２０は、その周縁部がソルダーレジスト１８で覆われたＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造である。従って、ボールランド２０のランド径ｄ１は、ボールランド２０の直径よりも小さいソルダーレジスト１８の開口１８ａの直径になる。なお、図示は省略するが、ボールランド２０の直径が開口１８ａの直径よりも小さいＮｏｎ−ＳＭＤ構造の場合には、ランド径ｄ１はボールランド２０の直径になる。また、接合ランド２８も同様にその周縁部がソルダーレジスト２６で覆われており、そのランド径ｄ２は、ソルダーレジスト２６の開口２６ａの直径になる。
【００３２】
ランド径ｄ１が大きいほどＢＧＡ１０側の半田接合部３０ａの面積が増え、ランド径ｄ２が大きいほど実装基板１１側の半田接合部３０ｂの面積が増える。従って、ｄ１＜＜ｄ２になると、ＢＧＡ１０側の半田接合部３０ａに応力が集中してクラック剥離が発生してしまう。また、逆にｄ１＞＞ｄ２となると、上述したように実装基板１１側の半田接合部３０ｂに応力が集中してクラック剥離が発生してしまう。そのため、本発明では、下記式（１）に示すようにランド径ｄ１がランド径ｄ２とほぼ同じか、またはｄ２よりも＋１０％以内の範囲で大きくなるようにすることで、いずれか一方の半田接合部３０ａ，３０ｂへの応力の集中を緩和している。
（１）０．９×ｄ１≦ｄ２≦ｄ１
【００３３】
上記式（１）を満たすように、ボールランド２０のランド径ｄ１と、接合ランド２８のランド径ｄ２とを調整することで、ＢＧＡ１０側の半田接合部３０ａ及び実装基板１１側の半田接合部３０ｂのいずれか一方に応力が集中するのが防止される。
【００３４】
次に、応力の集中するＢＧＡ１０の四隅部にボールランド２０を形成することなく、ピン数の減少が最小限に抑えられるように、各ボールランド２０の形成位置を調整する方法について図３及び図４を用いて説明する。ここで、図３はＢＧＡ１０をボール面側から見た平面図であり、図４は図３の一部を拡大した拡大図である。なお、本実施形態のＢＧＡ１０は、上述の図７で説明したＢＧＡ５０と同様に四隅部を含む形成可能な最大ピン数が１００ピンであるものとする。
【００３５】
図３及び図４に示すように、格子状に形成されたボールランド２０を、最も外側の第１格子３５を構成する第１ボールランド２０ａと、第１格子３５に囲まれる８行×８列の第２格子３６を構成する第２ボールランド２０ｂとに分ける。この際に、第１ボールランド２０ａのランド径ｄ１a と、第２ボールランド２０ｂのランド径ｄ１b とは共に同じ大きさ、例えば０．２７５ｍｍである。また、使用される半田ボール１６の径は、０．３００ｍｍである。
【００３６】
本実施形態では、両ボールランド２０ａ，２０ｂのうち第１ボールランド２０ａの形成位置を調整する。具体的には、第２ボールランド２０ｂのピッチをＰとしたときに、第１ボールランド２０ａを図中●で記した第１格子３５の四隅を除く位置にピッチＰで形成する。また、この時に本実施形態では、第１格子３５の四隅の両隣の第１ボールランド２０ａを、それぞれ隣接する第１格子３５の四隅と逆方向にある第１ボールランド２０ａに向かう方向に対してＰ’＝Ｐ／２だけずれた位置に形成する。これにより、第１格子３５の四隅の両隣の第１ボールランド２０ａが、応力の集中する四隅部３８外に形成される。なお、本実施形態ではピッチＰは、例えば１．０ｍｍである。
【００３７】
第１ボールランド２０ａが全て四隅部３８外に形成されているので、ＢＧＡ１０の四隅部３８でクラック剥離が発生するのが防止される。また、上述の図７で説明したように、従来では最大ピン数１００から８８ピンに減少するのに対して、本実施時形態のＢＧＡ１０では９２ピンを確保することができる。つまり、ピン数の減少を最小限に抑えることができる。
【００３８】
以上のように本実施形態では、ボールランド２０のランド径ｄ１の大きさと、接合ランド２８のランド径ｄ２の大きさとを調整することで、ＢＧＡ側の半田接合部３０ａ及びＢＧＡ１０側の半田接合部３０ａのいずれか一方への応力の集中を緩和することができる。また、第１ボールランド２０の形成位置を調整することで、応力の集中するＢＧＡ１０の四隅部３８にボールランド２０を形成することなく、ピン数の減少を最小限に抑えることができる。これにより、温度サイクル試験等での応力集中による両ランド２０，２８と半田ボール１６とのクラック剥離を防止して、ＢＧＡ１０の半田接合信頼性を向上させることができる。また、従来よりもＢＧＡ１０のピン数を多く確保することができる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、第１格子３５を構成する第１ボールランド２０ａのランド径ｄ１a の大きさと、第２格子３６を構成する第２ボールランド２０ｂのランド径ｄ１b の大きさとを同じにしているが、本発明はこれに限定されるものではない。応力の集中によるクラック剥離は、ＢＧＡ１０の四隅部３８だけなく、最も外側の半田接合部３０ａ，３０ｂ全てで発生する可能性がある。以下、図５及び図６を用いて、ＢＧＡ１０の外周部全体の接合強度を高めるようにした本発明の第２の実施形態のＢＧＡ４０について説明を行う。
【００４０】
ＢＧＡ４０のボール面には、ボールランド４２が格子状に形成されている。そして、上述のＢＧＡ１０と同様に、ボールランド４２を、最も外側の第１格子４３を構成する第１ボールランド４２ａと、第１格子４３に囲まれる８行×８列の第２格子４４を構成する第２ボールランド４２ｂとに分ける。
【００４１】
ＢＧＡ４０では、その外周部全体の接合強度を高くするために、第１ボールランド４２ａのランド径ｄ３a の大きさが、第２ボールランド４２ｂのランド径ｄ３b の大きさよりも大きくなるようにしている。第１ボールランド４２ａのランド径ｄ３a は例えば０．４００ｍｍであり、このランド４２ａに半田接合される半田ボール１６の径はφ０．４５０ｍｍである。また、第２ボールランド４２ｂのランド径ｄ３b は例えば０．２７５ｍｍであり、このランド４２ｂに半田接合される半田ボール１６の径はφ０．３００ｍｍである。
【００４２】
ここで、図示は省略するが、第１ボールランド４２ａに対応する実装基板１１の接合ランドのランド径は、ランド径ｄ３a と同じかその−１０％以内の範囲の大きさで形成されている。また、第２ボールランド４２ｂに対応する実装基板１１の接合ランドのランド径も、ランド径ｄ３b と同じかその−１０％以内の範囲の大きさで形成されている（図２参照）。
【００４３】
このＢＧＡ４０でも、ＢＧＡ１０と同様に、第１ボールランド４２ａを図中●で記した第１格子４３の四隅を除く位置に形成している。この際に、第１ボールランド４２ａのランド径ｄ３a の大きさが、第２ボールランド４２ｂのランド径ｄ３b の大きさよりも大きく形成されている。そのため、ＢＧＡ４０では、各ボールランド４２ａ，４２ｂに半田接合された半田ボール１６同士がブリッジ（ショート）しないように、第１ボールランド４２ａのピッチを第２ボールランド４２ｂのピッチよりも大きくしている。
【００４４】
具体的には、第２ボールランド４２ｂのピッチをＰとしたときに、第１ボールランド２０ａを図中●で記した第１格子４３の四隅を除く位置にピッチＰ’’＝２Ｐで形成する。この時に、上述のＢＧＡ１０と同様に第１格子４３の四隅の両隣の第１ボールランド４２ａを、それぞれ隣接する第１格子４３の四隅と逆方向にある第１ボールランド４２ａに向かう方向に対してＰ’＝Ｐ／２だけずれた位置に形成する。これにより、第１格子４３の四隅の両隣の第１ボールランド４２ａが、特に応力の集中する四隅部４５外に形成される。なお、本実施形態では、ピッチＰ＝１．０ｍｍ、Ｐ’＝０．５ｍｍ、Ｐ’’＝２．０ｍｍである。
【００４５】
このように、ＢＧＡ４０では、第１ボールランド４２ａのランド径の大きさを大きくするとともに、第１ボールランド４２ａを特に応力の集中する四隅部４５外に形成したので、ＢＧＡ１０と比較してピン数は減少するが、ＢＧＡ４０の外周部全体の接合強度を高めて、半田接合信頼性をＢＧＡ１０よりも向上させることができる。
【００４６】
なお、上記実施形態では、ＢＧＡ１０として一つのコア基材１７からなる２層構造のリジットタイプのプリント配線板を例に説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、４層以上の多層のリジットタイプのプリント配線板を用いてもよい。また、実装基板１１も同様に、４層以上の多層のリジットタイプのプリント配線板を用いてもよい。
【００４７】
また、上記実施形態では、ＢＧＡ１０や実装基板１１としてリジットタイプのプリント配線板を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、フレキシブルタイプのＢＧＡや実装基板が使用される場合でも本発明を適用することができる。
【００４８】
なお、上記実施形態では、ＢＧＡ１０の第２格子３５が８行×８列の第２ボールランド２０ｂから構成されているが、（ｍ＋２）行×（ｎ＋２）列（ｍ，ｎは任意の自然数）を満たせばその行数及び列数は特に限定はされない。また、同様にＢＧＡ４０の第２格子４４が８行×８列の第２ボールランド４２ｂから構成されているが、（２ｍ＋２）行×（２ｎ＋２）列（ｍ，ｎは任意の自然数）を満たせばその行数及び列数は特に限定はされない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】ボールグリッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）が実装基板に実装された状態を示した側面図である。
【図２】半田接合部の断面の一つを拡大して表示した拡大図である。
【図３】ＢＧＡをボール面側から見た平面図である。
【図４】図３の一部を拡大して表示した拡大図である。
【図５】第１ボールランドのランド径の大きさを第２ボールランドのランド径の大きさよりも大きくした第２の実施形態のＢＧＡをボール面側から見た平面図である。
【図６】図４の一部を拡大して表示した拡大図である。
【図７】従来のＢＧＡをボール面側から見た平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  ボールグリッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）
１１  実装基板
２０  ボールランド
２０ａ  第１ボールランド
２０ｂ  第２ボールランド
２８  接合ランド
３５  第１格子
３６  第２格子
３８  四隅部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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