(57)【要約】【課題】透明導電性酸化膜用エッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の種類によって適用の制限が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜のエッチング性能を向上するエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の下部に位置した膜に対する損傷が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜用エッチング液を用いた液晶表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明によると、透明導電性酸化膜のパターニングに用いられるエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供される。透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％及び超純水を含む。【選択図】図１
2007027708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸２ないし１５重量％と、
アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％と、
超純水とを含むことを特徴とする透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項２】
前記アルカリ金属硫酸水素塩はＫＨＳＯ４を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項３】
補助酸化剤０．０２ないし１０重量％をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項４】
前記補助酸化剤は、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２及びオキソン（登録商標）で構成された群から少なくとも一つ選択されることを特徴とする請求項３に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項５】
補助抑制剤０．０１ないし５重量％をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項６】
前記補助抑制剤は、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４及び（ＮＨ４）２ＳＯ４で構成された群から少なくとも一つ選択されることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項７】
前記透明導電性酸化膜は、インジウムスズオキサイドまたはインジウムジンクオキサイドであることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項８】
前記インジウムスズオキサイドは非晶質インジウムスズオキサイドであることを特徴とする請求項７に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項９】
硫酸２ないし１５重量％と、
アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％と、
補助酸化剤０．０２ないし１０重量％と、
補助抑制剤０．０１ないし５重量％と、
超純水を含むことを特徴とする透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１０】
前記アルカリ金属硫酸水素塩はＫＨＳＯ４を含むことを特徴とする請求項９に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１１】
前記補助酸化剤は、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２及びオキソン（登録商標）で構成された群から少なくとも一つ選択されることを特徴とする請求項９に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１２】
前記抑制剤は、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４及び（ＮＨ４）２ＳＯ４で構成された群から少なくとも一つ選択されることを特徴とする請求項９に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１３】
前記透明導電性酸化膜は、インジウムスズオキサイドまたはインジウムジンクオキサイドであることを特徴とする請求項９に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１４】
前記インジウムスズオキサイドは非晶質インジウムスズオキサイドであることを特徴とする請求項１３に記載の透明導電性酸化膜用エッチング液。
【請求項１５】
透明導電性酸化膜が形成された絶縁基板を提供し、
前記透明導電性酸化膜を請求項１ないし請求項１４のうちいずれか一つに記載の透明導電性酸化膜用エッチング液でエッチングしてパターニングすることを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記エッチングは３０ないし５０℃で行われることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記エッチングは２０ないし１００秒間行われることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記透明導電性酸化膜は、インジウムスズオキサイドまたはインジウムジンクオキサイドであることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記インジウムスズオキサイドは非晶質インジウムスズオキサイドであることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法に関し、さらに詳細には、透明導電性酸化膜のパターニングに用いられるエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）は現在最も広く使用されている平板表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの一つであって、電極が形成されている２枚の基板とその間に充填されている液晶層とで構成され、電極に電圧を印加し液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光量を調節する表示装置である。
【０００３】
液晶表示装置のうちでも現在主に使用されている形態は、電界生成電極が２個の基板にそれぞれ具備されている形態である。この形態においては、薄膜トランジスタが形成されている基板には電界形成電極として画素電極が形成されており、また、カラーフィルターが形成されている基板には電界形成電極として共通電極が形成されている。
【０００４】
このような電界形成電極は、透明な導電性物質、例えばインジウムスズオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；以下「ＩＴＯ」と称する。）またはインジウムジンクオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；以下「ＩＺＯ」と称する。）等のインジウム酸化物で構成された透明導電性酸化膜をパターニングして形成することができる。
【０００５】
ＩＴＯで構成された透明導電酸化膜をアニーリングしＩＴＯを結晶質にした後パターニングする場合には、塩化第二鉄、王水等の強酸を含むエッチング液を用いる。このような王水系エッチング液は下部膜を損傷させる場合がある。また、このような王水系エッチング液を用いたエッチング工程は高温で行われるので、エッチング液の蒸発量が多く、エッチング液の組成変動が甚だしいだけでなく、蒸発した有害物質が作業環境を汚染することになる。したがって、ＩＴＯを用いた透明導電性酸化膜をアニーリングしない状態で、すなわち、非晶質ＩＴＯ状態でシュウ酸を含むエッチング液でパターニングし、その後アニーリングして電界形成電極を形成する。このようなシュウ酸系エッチング液は、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等からなる下部膜を損傷しないだけでなく、低い温度で速いエッチング速度を有している。しかし、シュウ酸系エッチング液は、固体状態のシュウ酸を水に溶解して製造する。このとき、シュウ酸は水に対する溶解度が低いため容易に析出する。したがって、シュウ酸が配管、ノズル、バルブ、ポンプなどに固着し、設備の寿命を短縮し、設備の誤作動を誘発してしまう。
【０００６】
また、ＩＺＯで構成された透明導電性酸化膜をパターニングし画素電極を形成する場合には、従来、王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液またはシュウ酸系エッチング液を用いていた。しかし、王水系エッチング液の場合、上述したように下部膜を損傷してしまうことになり、また、エッチング液の組成変動が甚だしく、作業環境を汚染させてしまう。また、塩化鉄系エッチング液の場合においても、塩酸が主体であるエッチング液であることから成分の変動が王水系と同様に現われる。また、シュウ酸で構成されたエッチング液は、エッチングが容易であっても低温で溶解度が低く析出物が生じてしまう。
【特許文献１】米国公開特許６、６３２、１１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は透明導電性酸化膜用エッチング液を提供することにある。
【０００８】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は透明導電性酸化膜の種類によって適用の制限が少ないエッチング液を提供することにある。
【０００９】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は透明導電性酸化膜のエッチング性能を向上するエッチング液を提供することにある。
【００１０】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は透明導電性酸化膜下部に位置した膜に対する損傷が少ないエッチング液を提供することにある。
【００１１】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は透明導電性酸化膜用エッチング液を用いた液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％及び超純水を含む。
【００１３】
前記他の技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％、補助酸化剤０．０２ないし１０重量％、補助抑制剤０．０１ないし５重量％及び超純水を含む。
【００１４】
前記また他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、透明導電性酸化膜が形成された絶縁基板を提供すること及び前記透明導電性酸化膜を前記したような透明導電性酸化膜用エッチング液でエッチングしてパターニングすることを含む。
【００１５】
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１６】
上述したように、本発明の一実施形態によるエッチング液を用いてインジウム酸化物で形成した透明導電性酸化膜をパターニングして液晶表示装置を製造する場合、インジウム酸化物が結晶質または非晶質ＩＴＯであるのか、結晶質または非晶質ＩＺＯであるのかに関係なく、一つのエッチング液でパターニングすることができる。また、本発明の一実施形態によると、透明導電性酸化膜に対する優れたエッチング率を有しながらも下部膜に対する損傷が少なく、液晶表示装置の生産効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
明細書全体に亘って同一参照符号は同一構成要素を指称する。
【００１８】
以下、本発明の一実施形態による透明導電性酸化膜用エッチング液について説明する。
【００１９】
本発明の一実施形態による透明導電性酸化膜用エッチング液（以下「エッチング液」と称する。）は、硫酸、アルカリ金属硫酸水素塩及び水を含む。
【００２０】
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）は水溶液のうちで強酸性を示す物質であって、透明導電性酸化膜をエッチングする主酸化剤としての役割をする。この時、透明導電性酸化膜はインジウム酸化物で構成された膜であって、例えばＩＴＯまたはＩＺＯで構成される。ＩＴＯ膜はアニーリング処理されて結晶質構造を有する場合もあり、アニーリング処理を経ない場合は非晶質構造を有する場合もある。硫酸は通常公知である方法によって製造可能であって、例えば半導体工程用純度を有するものを用いるようにすればよい。このような硫酸は、エッチング液全体の中で約２ないし１５重量％含まれるようにすればよい。硫酸は水溶液のうちで強酸性を示すので、被エッチング膜の種類、すなわちＩＴＯであるのかＩＺＯであるのか、ＩＴＯが結晶質構造であるのか非晶質構造であるのか等に対して影響を大きく受けることなく、被エッチング膜に対して優れたエッチング率を有する。
【００２１】
アルカリ金属硫酸水素塩は、エッチング液が透明導電性酸化膜に対して優れたエッチング率を有しながら同時に透明導電性酸化膜下部に位置した膜（以下「下部膜」と称する。）、例えば金属膜に対する損傷を抑制する役割をする。このようなアルカリ金属硫酸水素塩として、例えば硫酸水素カリウム（ＫＨＳＯ４）を用いることができ、このようなアルカリ金属硫酸水素塩はエッチング液中に約０．０２ないし１０重量％含まれるようにすればよい。
【００２２】
また、本発明の一実施形態によるエッチング液には、硫酸の役割を補助するための酸化剤（以下「補助酸化剤」と称する。）を含むようにしてもよい。このような補助酸化剤としては、例えば燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、過塩素酸（ＨＣｌＯ４）と酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及びオキソン（ｏｘｏｎｅ）（登録商標）で構成された群から少なくとも一つ選択された化合物を用いることができる。補助酸化剤は、エッチング液全体の中に０．０２ないし１０重量％含まれるようにすればよく、このような補助酸化剤はエッチング液中に必ず含まれなければならないものではない。
【００２３】
また、本発明の一実施形態によるエッチング液には、アルカリ金属硫酸水素塩の役割、すなわち透明導電性酸化膜に対する優れたエッチング率を有しながらも下部膜に対する損傷を抑制する役割を補助するための抑制剤（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ、以下「補助抑制剤」と称する。）を含むようにしてもよい。このような補助抑制剤としては、例えばアンモニウム塩、すなわちＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４及び（ＮＨ４）２ＳＯ４で構成された群から少なくとも一つ選択された化合物を用いることができる。補助抑制剤は、エッチング液全体の中に０．０１ないし５重量％含まれるようにすればよく、このような補助抑制剤はエッチング液中に必ず含まれなければならないものではない。
【００２４】
一方、本発明の一実施形態によるエッチング液は、エッチング性能を向上させるために本発明の技術分野で通常用いられる添加剤を含むようにしてもよい。このような添加剤としては、例えば界面活性剤、金属イオン封鎖剤及び腐蝕防止剤などがあるが、これらに限定されるわけではない。界面活性剤は、表面張力を低下させエッチングの均一性を増加させるために用いられる。界面活性剤としては、陰イオン性、陽イオン性、両側イオン性または非イオン性界面活性剤などを用いることができ、例えばふっ素系界面活性剤を用いることができる。金属イオン封鎖剤は、エッチング液中の金属イオンの沈殿を防止するたに用いられ、例えばポリカルボン酸（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｘｙｌｉｃａｃｉｄ）の誘導体、アミノ酢酸（ａｍｉｎｏａｃｅｔｉｃａｃｉｄ）の誘導体、ニトリロ三酢酸（ｎｉｔｒｉｌｏｔｒｉａｃｅｔｉｃａｃｉｄ）の誘導体等を用いることができる。また、腐蝕防止剤は、金属等で構成された下部膜の腐蝕を防止するために用いられ、例えばクロム酸塩、燐酸塩、珪酸塩等を用いることができる。このとき、添加剤は、エッチング液総重量に対して例えば０．０００１重量％ないし０．０１重量％添加するようにしてもよい。以上説明した添加物以外にも、本発明の一実施形態によるエッチング液のエッチング性能を向上させるために本発明の技術分野において自明で公知である種々の添加剤を選択して用いることができる。
【００２５】
本発明の一実施形態によるエッチング液においては、エッチング液に含まれる前記物質、すなわち硫酸、アルカリ金属硫酸水素塩、補助酸化剤、補助抑制剤及び／または添加剤を水に混合して総重量が１００重量％のエッチング液を形成する。この時、用いられる水は、特に限定されるわけではないが、例えば超純水を用いることができる。このような超純水として、特に限定されるわけではないが、抵抗率値、すなわち、水中からイオンが除去された程度が１８ＭΩ／ｃｍ以上である超純水を用いるようにしてもよい。
【００２６】
このようなエッチング液は、例えば超純水等の水に硫酸、アルカリ金属硫酸水素塩、補助酸化剤、補助抑制剤及び／または添加剤等を混合する方法で製造することができ、また、このような物質の水溶液をそれぞれあらかじめ製造し次にこれらを混合して製造することもでき、その製造方法は特に限定されない。また、混合順序に対しても特に限定されない。
【００２７】
以下、上述したような本発明の一実施形態によるエッチング液を用いて液晶表示装置を製造する方法に対して説明する。
【００２８】
まず図１及び２を参照して、本発明の一実施形態によって製造された液晶表示装置について説明する。図１は本発明の一実施形態によって製造された液晶表示装置のレイアウト図であって、図２は図１のＩＩａ―ＩＩａ’線及びＩＩｂ―ＩＩｂ’線に沿った断面図である。
【００２９】
液晶表示装置は、第１基板１１０、第１基板１１０と対向する第２基板２１０、及び第１基板１１０と第２基板２１０との間に注入され基板１１０、２１０に対して垂直に配向されている液晶分子を含む液晶層３で構成される。
【００３０】
ガラス等の透明な絶縁物質からなる第１基板１１０上には、結晶質または非晶質のＩＴＯ、または結晶質または非晶質のＩＺＯ等の透明導電性酸化物で形成され切開部１９１、１９２、１９３を有している電界形成電極である画素電極１９０が形成されている。各画素電極１９０は、薄膜トランジスタに接続されて画像信号電圧の印加を受ける。このとき、薄膜トランジスタは、走査信号を伝達するゲート線１２１と画像信号を伝達するデータ線１７１とにそれぞれ接続され走査信号によって画素電極１９０をオン（ｏｎ）またはオフ（ｏｆｆ）する。また、第１基板１１０の下面には下部偏光板（図示せず）が貼り付けられている。ここで、反射型液晶表示装置である場合は、画素電極１９０が透明な物質から構成されないこともあり、この場合には下部偏光板は不要となる。
【００３１】
また、ガラス等の透明な絶縁物質からなる第２基板２１０の下面には、光漏れを防止するためのブラックマトリックス２２０、赤、緑、青のカラーフィルター２３０及び結晶質または非晶質のＩＴＯまたは結晶質または非晶質のＩＺＯ等の透明導電性酸化物で形成されている電界形成電極である共通電極２７０が形成されている。ここで、共通電極２７０には切開部２７１、２７２、２７３が形成されている。ブラックマトリックス２２０は、画素領域の周りだけでなく共通電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３と重なる部分にも形成するようにしてもよい。これは切開部２７１、２７２、２７３によって発生する光漏れを防止するためである。
【００３２】
本発明の一実施形態によって製造された液晶表示装置についてさらに詳細に説明する。第１基板１１０上に形成されたゲート配線は、横方向に延びているゲート線１２１、ゲート線１２１終端に接続され外部からのゲート信号の印加を受けてゲート線１２１に伝達するゲートパッド１２５、ゲート線１２１に接続され突起状に形成された薄膜トランジスタのゲート電極１２３を含む。また、ゲート線１２１と平行に形成されている蓄積電極線１３１及び蓄積電極線１３１と接続されており、横方向の蓄積電極１３３ｃにより相互に接続されている２個の蓄積電極１３３ａ、１３３ｂを含む。このような蓄積電極線１３１及び蓄積電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃの形状及び配置等は多様な形態に変形することができ、画素電極１９０とゲート線１２１との重なりにより発生する蓄積容量が十分な場合は形成されないこともある。
【００３３】
このようなゲート配線は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等アルミニウム系列金属等で構成された導電膜の単一膜構造または前記した導電膜上に他の物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯとの物理的、化学的、電気的コンタクト特性が良いクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等で構成された他の導電膜を含む多層膜構造（図示せず）を有することができる。
【００３４】
基板１１０、ゲート配線の上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等で構成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００３５】
ゲート絶縁膜１４０の上にはデータ配線が形成されている。データ配線は、縦方向に形成されゲート線１２１と交差して画素を定義するデータ線１７１、データ線１７１の分枝であるソース電極１７３、ソース電極１７３に隣接して形成されたドレイン電極１７５、及びデータ線１７１の一端のデータパッド１７９を含む。また、ゲート絶縁膜１４０上にはゲート線１２１と重なるブリッジ部金属要素１７２が形成されている。データ線１７１、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及びデータパッド１７９もゲート配線と同様にアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等アルミニウム系列金属等で構成された導電膜の単一膜構造または前記した導電膜上に他の物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯとの物理的、化学的、電気的コンタクト特性が良いクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等で構成された他の導電膜を含む多層膜構造（図示せず）を有することができる。
【００３６】
ソース電極１７３とドレイン電極１７５との下部には薄膜トランジスタのチャネル部として機能する半導体層１５１が形成されており、データ線１７１の下には、チャネル部半導体層１５１を縦に長く接続しているデータ線部半導体層１５３が形成されている。また、半導体層１５１、１５３上には、ソース及びドレイン電極１７３、１７５とチャネル部半導体層１５１との間のコンタクト抵抗を減少させるためのシリサイドまたはｎ型不純物が高農度でドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコン等の物質からなるオーミックコンタクト層１６１が形成されている。符号１６２はデータパッド部オーミックコンタクト層である。
【００３７】
データ線１７１などの上には窒化シリコン等の無機絶縁物や樹脂などの有機絶縁物で構成された保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０にはドレイン電極１７５を露出させるコンタクトホール１８１が形成されている。
【００３８】
保護膜１８０上には切開部１９１、１９２、１９３を有する電界形成電極である画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、結晶質または非晶質のＩＴＯまたは結晶質または非晶質のＩＺＯ等と同じ透明導電性酸化物を用いて形成する。画素電極１９０に形成されている切開部１９１、１９２、１９３は、画素電極１９０を上下に半分にする位置に横方向に形成されている横切開部１９２と、半分にされた画素電極１９０の上下部分にそれぞれ斜線方向に形成されている斜線開口部１９１、１９３とを含む。上下の斜線開口部１９１、１９３は相互に垂直となっている。これは、フリンジフィールドの方向を４方向に均等に分散させるためである。
【００３９】
また、保護膜１８０の上にはゲート線１２１を渡り蓄積電極１３３ａと蓄積電極線１３１とを接続する蓄積配線接続ブリッジ９１が形成されている。蓄積配線接続ブリッジ９１は、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０とにかけて形成されているコンタクトホール１８３、１８４を介して蓄積電極１３３ａ及び蓄積電極線１３１に接続している。蓄積配線接続ブリッジ９１は、ブリッジ部金属要素１７２と重なっている。蓄積配線接続ブリッジ９１は第１基板１１０上の蓄積配線全体を電気的に接続する役割をしている。このような蓄積配線は、必要な場合、ゲート線１２１やデータ線１７１の欠陥を修復することに用いることができる。ブリッジ部金属要素１７２は、このような修復のためにレーザーを照射する時、ゲート線１２１と蓄積配線接続ブリッジ９１との電気的接続を補助するために形成される。
【００４０】
保護膜１８０上には補助ゲートパッド９５と補助データパッド９７とが形成されている。補助ゲートパッド９５は、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０とにかけて形成されているコンタクトホール１８２を介してゲートパッド１２５に接続されている。補助データパッド９７は、保護膜１８０に形成されているコンタクトホール１８３を介してデータパッド１７９に接続されている。
【００４１】
第２基板２１０には光が漏れるのを防止するためのブラックマトリックス２２０が形成されている。ブラックマトリックス２２０の上には赤、緑、青色のカラーフィルター２３０が形成されている。カラーフィルター２３０の上にはカラーフィルター２３０により形成された段差を平坦化するためのオーバーコート層２５０が形成されている。このようなオーバーコート層２５０上には切開部２７１、２７２、２７３を有する電界形成電極である共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、結晶質または非晶質のＩＴＯまたは結晶質または非晶質のＩＺＯ等の透明な導電物質で形成する。
【００４２】
共通電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３は、画素電極１９０の斜線開口部１９１、１９３を真ん中に挟み、これと並んでいる斜線部と画素電極１９０の辺と重なっている屈折部とを含んでいる。屈折部は縦方向屈折部と横方向屈折部とに分類される。
【００４３】
以上のような構造の薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板とが貼り合わされた間に垂直配向した液晶分子を含む液晶層３が形成され液晶表示装置が完成する。薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板とが貼り合わされた時、画素電極１９０の切開部１９１、１９２、１９３と共通電極２７０の切開部２７１、２７２、２７３とは画素領域を複数の小ドメインに分割する。
【００４４】
続いて、本発明の一実施形態によるエッチング液を用いて液晶表示装置を製造する方法について説明する。
【００４５】
まず、図３ないし図７を参照して薄膜トランジスタ基板の製造方法について説明する。図３は、本発明の一実施形態によって製造される液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板のレイアウト図である。図４及び図５は、図３のＩＶａ―ＩＶａ’線及びＩＶｂ―ＩＶｂ’線に沿った断面図である。図６は、図５の次の段階での薄膜トランジスタ基板のレイアウト図である。図７は、図６のＶＩＩａ―ＶＩＩａ’線及びＶＩＩｂ―ＶＩＩｂ’線に沿った断面図である。
【００４６】
図３及び図４に示したように、第１基板１１０上にアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等アルミニウム系列金属等で構成された導電膜の単一膜構造または前記した導電膜上に他の物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯとの物理的、化学的、電気的コンタクト特性が良いクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等で構成された他の導電膜を含む多層膜構造（図示せず）を有するゲート配線層を形成する。続いて、パターニングして横方向に延びているゲート線１２１、ゲート電極１２３、ゲートパッド１２５及びゲート線１２１と平行に形成されている蓄積電極線１３１、蓄積電極線１３１と接続しており、横方向蓄積電極１３３ｃによって相互に接続されている２個の蓄積電極１３３ａ、及び１３３ｂで構成されるゲート配線を形成する。
【００４７】
次に、窒化シリコンで構成されたゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及びドーピングされた非晶質シリコン層を例えば化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）を用いて連続的に積層する。続いて、真性非晶質シリコン層とドーピングされた非晶質シリコン層とを共にフォトエッチングしゲート電極１２３上のゲート絶縁膜１４０上にチャネル部半導体層１５１を形成して、このようなチャネル部半導体層１５１を縦に長く接続しているデータ線部半導体層１５３を形成し、半導体層１５１、１５３上にはソース及びドレイン電極１７３、１７５とチャネル部半導体層１５１との間のコンタクト抵抗を減少させるためのオーミックコンタクト層１６１を形成する。この時、データパッド部オーミックコンタクト層１６２も同時に形成される。
【００４８】
続いて、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等アルミニウム系列金属等で構成された導電膜の単一膜構造または前記した導電膜上に他の物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯとの物理的、化学的、電気的コンタクト特性が良いクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等で構成された他の導電膜を含む多層膜構造（図示せず）を有するデータ配線層を形成する。次に、データ配線層をフォトエッチングしてゲート線１２１と交差するデータ線１７１、データ線１７１と接続されてゲート電極１２３上部まで延長されているソース電極１７３、データ線１７１が一端側に接続されているデータパッド１７９、及びソース電極１７３と分離されていてゲート電極１２３を中心にしてソース電極１７３と向き合うドレイン電極１７５を含むデータ配線とゲート線１２１と重なるブリッジ部金属要素１７２を形成する。
【００４９】
次に、データ配線１７１、１７３、１７５、１７９で遮らないオーミックコンタクト層をエッチングしてゲート電極１２３を中心にして両側に分離させる一方、両側のオーミックコンタクト層１６３、１６５間の半導体層１５１を露出させる。続いて、露出した半導体層１５１の表面を安定化させるために酸素プラズマを施すようにしてもよい。
【００５０】
続いて、窒化シリコン等の無機絶縁膜を蒸着したり、アクリル系物質等の有機絶縁膜を塗布したりして保護膜１８０を形成する。次に、フォトエッチング工程によってゲート絶縁膜１４０と共に保護膜１８０をパターニングして、ゲートパッド１２５、ドレイン電極１７５及びデータパッド１７９を露出するコンタクトホール１８１、１８２、１８３を形成する。ここで、コンタクトホール１８１、１８２、１８３は角を有する形状または円形の形状で形成することができ、ゲートパッド及びデータパッド１２５、１７９を露出するコンタクトホールの面積は２ｍｍ×６０μｍを越えず、例えば０．５ｍｍ×１５μｍ以上であるようにすればよい。一方、蓄積配線接続ブリッジ９１が蓄積電極線１３１と蓄積電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃとを接続するためのコンタクトホール１８４、１８５もこの段階で形成する。
【００５１】
続いて、図５に示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯ等のインジウム酸化物で構成された透明導電性酸化膜１８５を形成する。例えばスパッタリング方法でＩＴＯで構成された透明導電性酸化膜１８５を形成する場合、このようなスパッタリングは約１５０℃以下、例えば室温で行うことができる。このような温度は、ＩＴＯを含む導電性酸化物が結晶化しない温度、すなわち非晶質状で形成され得る温度である。前記のような条件で透明導電性酸化膜１８５を形成する場合、非晶質ＩＴＯが形成される。透明導電性酸化膜１８５を形成する前に窒素雰囲気下で予熱（ｐｒｅ―ｈｅａｔｉｎｇ）処理を行ってもよい。これはコンタクトホール１８１、１８２、１８３を介して露出している金属膜の上部に金属酸化膜が形成されることを防止するためである。次に、透明導電性酸化膜１８５上に感光膜を積層し、これを目的する形状にパターニングして感光膜パターン２００を形成する。
【００５２】
続いて、図６及び図７に示したように透明導電性酸化膜１８５上の感光膜パターン２００をエッチングマスクとして、第１コンタクトホール１８１を介してドレイン電極１７５と接続される切開部１９１、１９２、１９３を有する画素電極１９０と、第２及び第３コンタクトホール１８２、１８３を介してゲートパッド１２５及びデータパッド１７９とそれぞれ接続する補助ゲートパッド９５及び補助データパッド９７とを形成する。一方、蓄積配線接続ブリッジ９１もこの段階で共に形成する。
【００５３】
前記したような透明導電性酸化膜１８５のパターニングには、主酸化剤として硫酸２ないし１５重量％、透明導電性酸化膜に対するエッチング率を良く維持しながらも下部膜、すなわち蓄積配線、ドレイン電極、ゲートパッド及びデータパッド等の損傷を抑制するアルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％、硫酸の役割を補助する補助酸化剤０．０２ないし１０重量％、アルカリ金属硫酸水素塩の役割を補助する補助抑制剤０．０１ないし５重量％、及び超純水を含むエッチング液を用いることができる。このとき、アルカリ金属硫酸水素塩として、例えば硫酸水素カリウムを用いることができる。補助酸化剤としては、例えば燐酸、硝酸、酢酸、過塩素酸、過酸化水素及びオキソン（登録商標）で構成された群から少なくとも一つ選択された化合物を用いることができる。補助抑制剤としては、例えばアンモニウム塩、すなわちＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４及び（ＮＨ４）２ＳＯ４で構成された群から少なくとも一つ選択された化合物を用いることができる。また、超純水としては、抵抗率値が１８ＭΩ／ｃｍ以上であるものを用いることができる。このようなエッチング液においては、補助酸化剤及び補助抑制剤を省略してもよく、エッチング性能を向上させるためのその他添加剤をさらに含むようにしてもよい。
【００５４】
前記したようなエッチング液を用いて透明導電性酸化膜１８５をパターニングするためのエッチング工程は、感光膜パターン２００が形成されている透明導電性酸化膜１８５表面に、例えばエッチング液を噴射する噴射方式で行うようにしてもよい。この時の温度は約３０ないし５０℃に維持するようにすればよい。エッチング時間は、例えば透明導電性酸化膜１８５がエッチング液に露出する時間をエンドポイントディテクター（Ｅｎｄ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ；ＥＰＤ）により検出した後に、その時間の約半分の時間がさらに経過する時までとすればよい。このようなエッチング時間は、例えば約２０ないし１００秒、好ましくは約６０秒ないし１００秒である。
【００５５】
以下、図８ないし図１２を参照してカラーフィルター基板の製造方法について説明する。図８は、本発明の一実施形態によって製造される液晶表示装置のカラーフィルター基板のレイアウト図である。図９及び図１０は、図８のＩＸ―ＩＸ’に沿った断面図である。図１１は、図８の次の段階でのカラーフィルター基板のレイアウト図である。図１２は、図１１のＸＩＩ―ＸＩＩ’に沿った断面図である。
【００５６】
図８及び図９に示したように、絶縁基板２１０に映像が表示される前記光透過領域及び光を遮断する遮光領域を定義した後、例えばスリットコーティング（ｓｌｉｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）工程またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）工程を適用してブラック感光物質からなるブラック感光層を塗布する。ここで、ブラック感光層は、露光された部分が現像により除去されるポジティブ感光物質（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）または露光された部分が残留するネガティブ感光物質（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を含む。続いてマスクを用いて前記塗布されたブラック感光層を紫外線（ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；ＵＶ）に露光する。この時、紫外線が照射された部分のブラック感光物質の分子結合が切れ、光透過領域内のブラック感光物質の分子量が減少する。紫外線が透過されない部分である遮光領域内のブラック感光物質は分子状態を維持する。続いてブラック感光層を現像する。現像により分子量が減少したブラック感光層は除去され遮光領域内にだけ存在するブラックマトリックス２２０が形成される。
【００５７】
続いてブラックマトリックス２２０が形成された絶縁基板２１０上にカラーフィルター２３０を形成する。前記カラーフィルター２３０は特定波長の光のみを選択的に透過させる。例えば顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）を含む感光物質を塗布した後に露光・現像してカラーフィルター２３０を形成する。なお、カラーフィルター２３０を先に形成した後にブラックマトリックス２２０を形成するようにしてもよい。
【００５８】
次に、カラーフィルター２３０が形成された絶縁基板２１０上に透明な有機物を塗布してオーバーコート層２５０を形成する。オーバーコート層２５０はブラックマトリックス２２０及びカラーフィルター２３０による段差を除去するのに用いられる。
【００５９】
続いて、図１０に示したようにオーバーコート層２５０の全面に透明な導電性物質、すなわちＩＴＯまたはＩＺＯ等のインジウム酸化物で構成された透明導電性酸化膜２６５を形成する。透明導電酸化膜２６５形成工程は、薄膜トランジスタ基板の製造方法におけるその形成工程と同じであるので、重複する部分についてはその説明を省略する。ＩＴＯで透明導電酸化膜２６５を形成する場合には、非晶質または結晶質ＩＴＯを用いることができ、例えば非晶質ＩＴＯを用いることができる。続いて、透明導電性酸化膜１８５上に感光膜を積層し、これを目的する形状にパターニングして感光膜パターン３００を形成する。
【００６０】
続いて、図１１及び図１２に示したように透明導電性酸化膜２６５上の感光膜パターン３００をエッチングマスクし、切開部２７１、２７２、２７３を有する共通電極２７０を形成する。前記したような透明導電性酸化膜２６５のパターニングに用いられるエッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％、補助酸化剤０．０２ないし１０重量％、補助抑制剤０．０１ないし５重量％及び超純水を含むものを用いればよく、薄膜トランジスタ基板の画素電極形成時に用いたエッチング液と同じであるので重複する説明については省略する。前記したようなエッチング液を用いて透明導電性酸化膜２６５をパターニングするためのエッチング工程は、感光膜パターン３００が形成されている透明導電性酸化膜２６５表面に、例えばエッチング液を噴射する噴射方式で行われることができる。この時の温度は約３０ないし５０℃に維持すればよい。エッチング時間は、例えば約２０ないし１００秒、好ましくは６０秒ないし１００秒である。
【００６１】
続いて、図１及び図２に示したように薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板とを貼り合わせた後、それらの間に液晶３を注入したり、薄膜トランジスタ基板またはカラーフィルター基板中いずれか一つの基板に液晶３を滴下した後、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板とを貼り合わせたりすることによって液晶表示装置が完成する。
【００６２】
以上では電界形成電極に切開部を含む垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；ＶＡ）モードの液晶表示装置を例示してその製造方法を説明したが、これに限定されるわけではなく、透明導電性酸化物、すなわちインジウム酸化物で構成された透明導電性酸化膜をパターニングして形成される多様なモードの液晶表示装置の製造方法に適用することができる。
【００６３】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、以下の実施例は本発明を例示するために用いられるに過ぎず、本発明が以下の実施例に限定されるわけではないことが理解されなければならない。
【００６４】
まず、本発明の一実施形態によるエッチング液のインジウム酸化物に対するエッチング率を測定するために次のような実験を行った。
【００６５】
実施例１
半導体製造用グレードの硫酸（Ｈ２ＳＯ４）８重量％、硫酸水素カリウム（ＫＨＳＯ４）５重量％、過塩素酸（ＨＣｌＯ４）５重量％を混合して、添加剤（ＦＴ―２４８、バイエル社製）を２５ｐｐｍ添加した後、全体重量が１００重量％になるように超純水を添加してエッチング液を製造する。ＩＺＯが１１０ｎｍ厚さで形成されており、その上に所定の感光膜パターンが形成された絶縁基板上にこのエッチング液を噴射方式で噴射してＩＺＯ膜をパターニングする。この時、エッチング工程は４０℃で２０秒間行う。その結果は以下の表１に記載したとおりである。
【００６６】
実施例２
非晶質ＩＴＯが５５ｎｍ厚さで形成されており、その上に所定の感光膜パターンが形成された絶縁基板上にエッチング液を噴射すること以外は実施例１と同様である条件でパターニングを行う。その結果は以下の表１に記載したとおりである。
【００６７】
比較例１
シュウ酸５重量％及び超純水９５重量％を混合してエッチング液を製造する。ＩＺＯが１１０ｎｍ厚さで形成されており、その上に所定の感光膜パターンが形成された絶縁基板上にこのエッチング液を噴射方式で噴射してＩＺＯ膜をパターニングする。この時、エッチング工程は４０℃で２０秒間行う。その結果は以下の下記表１に記載したとおりである。
比較例２
【００６８】
非晶質ＩＴＯが５５ｎｍ厚さで形成されて、その上に所定の感光膜パターンが形成された絶縁基板上にエッチング液を噴射すること以外は比較例１と同様である条件でパターニングを行う。その結果は以下の表１に記載したとおりである。
比較例３
【００６９】
半導体製造用グレードである硫酸（Ｈ２ＳＯ４）８重量％、硝酸（ＨＮＯ３）７重量％、酢酸アンモニウム（ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４）１重量％を混合して、添加剤（ＦＴ―２４８、バイエル社製）を２５ｐｐｍ添加した後、全体重量が１００重量％になるように超純水を添加してエッチング液を製造する。非晶質ＩＴＯが５５ｎｍ形成されており、その上に所定の感光膜パターンが形成された絶縁基板上にこのエッチング液を噴射方式で噴射してＩＴＯ膜をパターニングする。この時、エッチング工程は４０℃で２０秒間行う。その結果は以下の表１に記載したとおりである。
【表１】
2007027708.tif 000003
【００７０】
表１に記載されているように、本発明の一実施形態によるエッチング液を用いてＩＺＯ膜をパターニングする実施例１のエッチング比率と、シュウ酸を含むエッチング液を用いてＩＺＯ膜をパターニングする比較例１のエッチング率とを比較してみれば、実施例１が比較例１に比べてエッチング率が約７１％向上していることが分かる。また、本発明の一実施形態によるエッチング液を用いて非晶質ＩＴＯ膜をパターニングする実施例２と、シュウ酸を含むエッチング液を用いて非晶質ＩＴＯ膜をパターニングする比較例２とを比較してみれば、実施例２が比較例２に比べてエッチング率が約５５％向上していることが分かる。また、アルカリ金属硫酸水素塩を含まないエッチング液を用いて非晶質ＩＴＯをパターニングする比較例３を実施例２と比較して見ると、実施例２のエッチング率が比較例３に比べて約７２％向上していることが分かる。
【００７１】
続けて、本発明の一実施形態によるエッチング液の金属膜に対する損傷の程度を確認するために次のような実験を行った。
【００７２】
実施例３
アルミニウム（Ａｌ）が０．２μｍ厚さで形成されている絶縁基板を実施例１と同じエッチング液にディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）してアルミニウム膜の損傷程度を観察する。この時、エッチング液の温度は約４０℃である。その結果は図１３に図示したとおりである。
【００７３】
比較例４
アルミニウムが０．２μｍ厚さで形成されている絶縁基板を比較例１と同じエッチング液にディッピングしてアルミニウム膜の損傷程度を観察する。この時、エッチング液の温度は約４０℃である。その結果は図１３に図示したとおりである。
【００７４】
比較例５
アルミニウムが０．２μｍ厚さで形成されている絶縁基板を比較例３と同じエッチング液にディッピングしてアルミニウム膜の損傷程度を観察する。この時、エッチング液の温度は約４０℃である。その結果は図１３に図示したとおりである。
【００７５】
図１３に図示されているように、実施例３、比較例４及び５のいずれの場合においても、最初の１０分まではアルミニウム膜がほとんどエッチングされなかったが、１０分経過後は時間が経過すればするほどアルミニウム膜のエッチング程度が大きくなっている。そのエッチング程度は、比較例５の場合が最も大きく、実施例３の場合が最も小さいことが分かる。
【００７６】
したがって、この結果から本発明の一実施形態によるエッチング液は金属膜に対する損傷が少ないことが分かる。
【００７７】
前記したような実施例を介して、本発明の一実施形態によるエッチング液はインジウム酸化物で構成された透明導電酸化膜に対して優れたエッチング率を有しながらも、透明導電性酸化膜の下部に位置する金属膜に対する損傷程度が少なく、透明導電性酸化膜を目的形状にパターニングするのにおいて非常に効果的なことがわかる。
【００７８】
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須な特徴を変更せずに本発明を他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。それゆえ、上述した実施形態はすべての面で例示的であり限定的でないことを理解しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明はエッチング液、これを用いた液晶表示装置の製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態によって製造された液晶表示装置のレイアウト図である。
【図２】図１のＩＩａ―ＩＩａ’線及びＩＩｂ―ＩＩｂ’線に沿った断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によって製造される液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板のレイアウト図である。
【図４】図３のＩＶａ―ＩＶａ’線及びＩＶｂ―ＩＶｂ’線に沿った断面図である。
【図５】図３のＩＶａ―ＩＶａ’線及びＩＶｂ―ＩＶｂ’線に沿った断面図である。
【図６】図５の次の段階での薄膜トランジスタ基板のレイアウト図である。
【図７】図６のＶＩＩａ―ＶＩＩａ’線及びＶＩＩｂ―ＶＩＩｂ’線に沿った断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によって製造される液晶表示装置のカラーフィルター基板のレイアウト図である。
【図９】図８のＩＸ―ＩＸ’に沿った断面図である。
【図１０】図８のＩＸ―ＩＸ’に沿った断面図である。
【図１１】図８の次の段階でのカラーフィルター基板のレイアウト図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ―ＸＩＩ’に沿った断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態によるエッチング液の金属膜に対する損傷の程度を実験した結果を示したグラフである。
【符号の説明】
【００８１】
３：液晶層
１１０、２１０：第１及び第２基板
１９０：画素電極
２７０：共通電極
【図１】
2007027708.tif 000004
【図２】
2007027708.tif 000005
【図３】
2007027708.tif 000006
【図４】
2007027708.tif 000007
【図５】
2007027708.tif 000008
【図６】
2007027708.tif 000009
【図７】
2007027708.tif 000010
【図８】
2007027708.tif 000011
【図９】
2007027708.tif 000012
【図１０】
2007027708.tif 000013
【図１１】
2007027708.tif 000014
【図１２】
2007027708.tif 000015
【図１３】
2007027708.tif 000016