(57)【要約】【課題】  薄型かつ軽量であり、高精度で信頼性が高く、かつローコストで生産が可能な回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  版基板１上に剥離層２及び拡散防止層３を順次積層する積層工程と、拡散防止層３上に耐熱性高分子膜４を積層するとともに、耐熱性高分子膜４上に薄膜半導体素子１４を形成して積層版基板１５とする素子形成工程と、積層版基板１５に支持樹脂層１６を重ね合わせて、積層版基板１５上の薄膜半導体素子１４と耐熱性高分子膜４とを支持樹脂層１６に固定する移転工程と、版基板１と剥離層２を除去する除去工程と、を具備してなることを特徴とする回路基板の製造方法を採用する。【選択図】        図１２
2007012781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
版基板上に剥離層及び拡散防止層を順次積層する積層工程と、
前記拡散防止層上に耐熱性高分子膜を積層するとともに、前記耐熱性高分子膜上に薄膜半導体素子を形成して積層版基板とする素子形成工程と、
前記積層版基板に支持樹脂層を重ね合わせて、前記積層版基板上の前記薄膜半導体素子と前記耐熱性高分子膜とを前記支持樹脂層に固定する移転工程と、
前記版基板と前記剥離層を除去する除去工程と、を具備してなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記素子形成工程において、前記剥離層の熱膨張係数より大きく、且つ前記版基板の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を有する耐熱性高分子膜を用いることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記耐熱性高分子膜の熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜半導体素子が薄膜トランジスタ素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記素子形成工程において前記薄膜半導体素子を形成する際に、１５０℃以上３５０℃以下の範囲の加熱工程を伴うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
耐熱性高分子膜と、前記耐熱性高分子膜上に形成された薄膜半導体素子と、前記耐熱性高分子膜上に重ね合わされるとともに内部に前記薄膜半導体素子を埋め込ませた支持樹脂層とを具備してなることを特徴とする回路基板。
【請求項７】
前記薄膜半導体素子が薄膜トランジスタ素子であることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の回路基板を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法及び回路基板及び表示装置に関し、特に、支持樹脂層の内部に薄膜半導体素子が埋め込まれてなる回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話やＰＤＡなどの携帯電子機器では、小型軽量化およびローコスト化のために、回路基板と各種部品とを一体化した薄板状の回路部品モジュールが採用されつつある。こうした回路部品モジュールは、例えば、特許文献１に示すように、樹脂などの基板内に各種部品が埋め込まれ、表面に導電性の回路パターンが形成されたものであり、凹凸の少ない平板状に形成され、薄型軽量でかつ量産性に優れているので、小型軽量化が要求される携帯電子機器の部品基板として好適である。
【特許文献１】特開平１１−２２０２６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、特許文献１に記載された回路部品モジュールにおいては、ＩＣチップ等の回路部品が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁基板に埋め込まれている。エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂は、それ自体優れた特性を有する樹脂材料ではあるが、これら熱硬化性樹脂に代えて、熱可塑性に優れるとともにコスト的にも有利な、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等といった所謂エンジニアリングプラスチックを使用したい要請がある。また、電子機器の更なる小型薄型化の要請に伴い、ＩＣチップ等の回路部品に代えて、薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）等を絶縁基板に埋め込んだ回路部品モジュールの実現も要請されている。
【０００４】
しかし、こうした回路部品モジュールは、特許文献１に記載された従来の技術をそのまま適用しただけでは、その実現が困難であった。即ち、ＴＦＴ等の薄膜半導体素子は、その形成工程において、ＳｉＮｘからなる絶縁膜を形成するために３００℃程度の温度に加熱する必要がある。このような加熱工程を要する薄膜半導体素子形成工程を、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と比べて耐熱性に劣るエンジニアリングプラスチックの上で行うのはほとんど不可能であった。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、薄型かつ軽量であり、高精度で信頼性が高く、かつローコストで生産が可能な回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、薄型かつ軽量な回路基板を備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の回路基板の製造方法は、版基板上に剥離層及び拡散防止層を順次積層する積層工程と、前記拡散防止層上に耐熱性高分子膜を積層するとともに、前記耐熱性高分子膜上に薄膜半導体素子を形成して積層版基板とする素子形成工程と、前記積層版基板に支持樹脂層を重ね合わせて、前記積層版基板上の前記薄膜半導体素子と前記耐熱性高分子膜とを前記支持樹脂層に固定する移転工程と、前記版基板と前記剥離層を除去する除去工程と、を具備してなることを特徴とする。
【０００７】
なお、「固定」とは、薄膜半導体素子を支持樹脂層に埋め込むとともに耐熱性高分子膜を支持層に積層することを含む意である。より具体的には、軟化させた支持樹脂層に薄膜半導体素子を埋め込むとともに耐熱性高分子膜を支持層に積層することを含む意である。
【０００８】
また、本発明の回路基板の製造方法では、前記素子形成工程において、前記剥離層の熱膨張係数より大きく、且つ前記版基板の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を有する耐熱性高分子膜を用いることが好ましい。より具体的には、前記耐熱性高分子膜の熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上１７．５ｐｐｍ／℃以下の範囲であることが好ましく、８ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下の範囲であることがより好ましい。
更にまた、本発明の回路基板の製造方法では、前記薄膜半導体素子が薄膜トランジスタ素子であることが好ましい。
また、本発明の回路基板の製造方法では、前記素子形成工程において前記薄膜半導体素子を形成する際に、１５０℃以上３５０℃以下の範囲の加熱工程を伴うことが好ましい。
【０００９】
上記の構成によれば、版基板上に耐熱性高分子膜を形成するとともに更にその上に薄膜半導体素子を予め形成し、薄膜半導体素子を支持樹脂層に埋め込んで固定するので、最終的に薄膜半導体素子を支持樹脂層上に形成することができる。
また、耐熱性に優れた耐熱性高分子膜上に薄膜半導体素子を予め形成するので、薄膜半導体素子の形成に３００℃程度の加熱工程を要する場合であっても、薄膜半導体素子を何らの問題なく形成することができ、こうして形成した薄膜半導体素子は、支持樹脂層に容易に埋め込ませることができる。
更に、拡散防止層が形成されているので、耐熱性高分子膜に対する剥離層を構成材の熱拡散を防止することができる。
また、上記の構成によれば、耐熱性高分子膜の熱膨張係数が、剥離層の熱膨張係数より大きく、版基板の熱膨張係数より小さいものであるため、薄膜半導体素子を形成する際に版基板等が３００℃程度に加熱された場合であっても、耐熱性高分子膜または剥離層が剥離するおそれがない。
【００１０】
次に、本発明の回路基板は、耐熱性高分子膜と、前記耐熱性高分子膜上に形成された薄膜半導体素子と、前記耐熱性高分子膜上に重ね合わされるとともに内部に前記薄膜半導体素子を埋め込ませた支持樹脂層とを具備してなることを特徴とする。
また、本発明の回路基板では、前記薄膜半導体素子が薄膜トランジスタ素子であることが好ましい。
【００１１】
上記の構成によれば、薄膜半導体素子が支持樹脂層に埋め込まれているので、支持樹脂層によって薄膜半導体素子を保護できると共に、この支持樹脂層が回路基板の主要な構成部材となり、回路基板の薄型化及び軽量化を図ることができる。
【００１２】
次に、本発明の表示装置は、先のいずれかに記載の回路基板を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、薄型かつ軽量であり、高精度で信頼性が高く、かつローコストで生産が可能な回路基板およびその製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、薄型かつ軽量な回路基板を備えた表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
本実施形態の回路基板の製造方法は、版基板上に剥離層及び拡散防止層を積層する積層工程と、拡散防止層上に耐熱性高分子膜及び薄膜半導体素子を形成して積層版基板とする素子形成工程と、積層版基板上の薄膜半導体素子と耐熱性高分子膜とを支持樹脂層に固定する移転工程と、版基板と剥離層とを除去する除去工程とから概略構成されている。以下、各工程について、図面を参照して説明する。図１ないし図１７には、本実施形態の回路基板の製造方法の工程図を示す。なお、これらの図は本実施形態の回路基板およびその製造方法を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の回路基板の寸法関係とは必ずしも一致するものではない。
【００１５】
「積層工程」
以下、積層工程について図１〜図３を参照して説明する。この積層工程では、まず図１に示す版基板１を用意し、次に図２に示すように版基板１の少なくとも一面上１ａに剥離層２を形成する。版基板１は３００℃程度の耐熱性を有する基板が好ましく、具体的には厚さ７００μｍ程度のステンレス板が好ましい。また、剥離層２は例えば、膜厚３μｍ程度の金属銅層（以下、Ｃｕ層と表記する）が好ましい。剥離層２は版基板１の一面１ａのみならず、図２に示すように版基板１の表面全部に形成してもよい。版基板１の表面全部に剥離層２を形成することで、剥離層２における剥離性を向上できる。この剥離層２（Ｃｕ層）は無電解メッキ法で形成できる。
【００１６】
次に図３に示すように、剥離層２上に拡散防止層３を積層する。拡散防止層３には例えば、厚みが０．２μｍ〜０．７μｍ程度、より具体的には０．５μｍ程度のＣｒ層、Ｔａ層、Ｍｏ層のいずれかを用いることができる。このような拡散防止層３は、蒸着法またはスパッタリング法で形成することができる。拡散防止層３を剥離層２の上に積層することによって、剥離層２を構成するＣｕが他の層に熱拡散するのを防止できる。
【００１７】
「素子形成工程」
次に、素子形成工程について図４〜１０を参照して説明する。この素子形成工程では、まず図４に示すように、拡散防止層３上に耐熱性高分子膜４を形成する。耐熱性高分子膜４の膜厚は２μｍ〜１０μｍ程度が良く、より具体的には５μｍ程度が良い。この耐熱性高分子膜４の上には、後述するように薄膜半導体素子を形成するので、耐熱性高分子膜４は、版基板１と同様に３００℃程度の耐熱性を有するものが好ましい。具体的にはポリイミド膜、芳香族ポリアミド膜、ポリベンゾイミダゾール膜等が好ましい。ポリイミド膜の場合は、印刷法で形成すると良い。
【００１８】
また、耐熱性高分子膜４または剥離層２の剥がれを防止するために、耐熱性高分子膜４の熱膨張係数を、剥離層２の熱膨張係数より大きく、版基板１の熱膨張係数より小さくすることが好ましい。より具体的には、耐熱性高分子膜４の熱膨張係数を６ｐｐｍ／℃以上１７．５ｐｐｍ／℃以下の範囲とすることが好ましく、８ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下の範囲とすることがより好ましい。熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃未満では、版基板１と剥離層２との間で剥がれが生じたり、剥離層２が部分的に剥がれてドーム状に浮いてしまうおそれがあるので好ましくない。また、熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃を超えると、拡散防止層３と耐熱性高分子膜４との間で剥がれが起きたり、耐熱性高分子膜４が部分的に剥がれてドーム状に浮いてしまうおそれがあるので好ましくない。
熱膨張係数が８〜１４ｐｐｍ／℃の間では、剥がれやドーム状の浮きといった不具合がほとんど起こらない。
なお、耐熱性高分子膜４の熱膨張係数が４ｐｐｍ／℃未満になると、剥離層２の剥がれ及びドーム状の浮きが多発するので好ましくない。また、熱膨張係数が１９ｐｐｍ／℃を超えると、耐熱性高分子膜４の剥がれ及びドーム状の浮きが多発するので好ましくない。
【００１９】
例えば、剥離層２がＣｕ層（熱膨張係数：８ｐｐｍ／℃）であり、版基板１がステンレス板（熱膨張係数：１４〜１７．５ｐｐｍ／℃）であるときは、耐熱性高分子膜４としてポリイミド膜（熱膨張係数：８〜１７．５ｐｐｍ／℃程度）を用いることが好ましい。
【００２０】
次に、耐熱性高分子膜４上に、薄膜半導体素子である薄膜トランジスタ素子（以下、ＴＦＴと記載する）を形成する。その工程を図５〜図１０に示す。
まず図５に示すように、耐熱性高分子膜４上にゲート電極となるＣｒ膜５を形成する。Ｃｒ膜５は、スパッタリング法によって０．１μｍの厚さに形成することが好ましい。
次に、図６に示すように、Ｃｒ膜５をフォトリソグラフィー技術によりエッチングしてパターニングし、ゲート電極６とする。
【００２１】
次に、ゲート電極６及び耐熱性高分子膜４上に、厚み０．３μｍ程度のＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜７と、厚み０．２μｍ程度のアモルファスシリコンからなる半導体膜８と、厚み０．０５μｍ程度のｎ＋型のアモルファスシリコンからなる接合膜９を順次積層する。ゲート絶縁膜７、半導体膜８及び接合膜９はそれぞれ、ＣＶＤ法により形成する。この際に、版基板１等が１５０℃〜３５０℃程度に加熱される。
特に、ゲート絶縁膜７を形成する際には、ＣＶＤ法でＳｉＮｘ膜を成膜してから１５０℃〜３５０℃の範囲で加熱する工程が伴われる。このとき、加熱温度が１５０℃未満であると、ゲート絶縁膜７の電気耐圧不良が発生し、また、ＴＦＴを支持層に埋め込む際の加熱でゲート絶縁膜７の特性が変化してしまうので好ましくない。また、加熱温度が３５０℃を超えると、版基板１と剥離層２との間で剥がれが起きたり、剥離層２が部分的に剥がれてドーム状に浮いてしまうおそれがあるので好ましくない。
ゲート絶縁膜７を形成する際の加熱温度としてより好ましくは、２５０℃〜３００℃の範囲が良い。この範囲であれば、電気耐性の不良や剥離層２の剥がれといった問題はほとんど起きない。
【００２２】
また、ＣＶＤ法により各膜７〜９を成膜する際には、図７に示すように、耐熱性高分子膜４の上方に、複数の矩形状の開口部１０ａを有する金属マスク１０を配置し、開口部１０ａを通して耐熱性高分子膜４上に各膜７〜９を成膜すると良い。開口部１０ａは、ゲート電極６の形成領域に重なり、かつゲート電極６の形成領域よりも広い領域に重なるように配置するのが好ましい。こうすることで、開口部１０ａに対応する形で各膜７〜９が矩形の島状に分断されると共に、ゲート電極６が各膜７〜９で完全に覆われる。また、各膜７〜９を島状に形成することに伴い、耐熱性高分子膜４には各膜７〜９の非形成領域が形成される。
このように各膜７〜９を島状に分断して形成することで、各膜７〜９における熱応力が小さくなり、版基板１から耐熱性高分子膜４の間での膜の剥離が防止されると共に、版基板１自体の反りが防止される。
【００２３】
次に、図８に示すように、半導体膜８及び接合膜９を、フォトリソグラフィー技術によりエッチングしてパターニングし、ゲート絶縁膜７の周辺部７ａを露出させる。
次に、図９に示すように、厚み０．３μｍ程度のＣｒ等からなる電極膜１１を成膜する。電極膜１１は、フォトリソグラフィー技術によりパターニングして、ゲート絶縁膜７の一部、半導体膜８の一部及び接合膜９の一部を覆うように形成する。
次に、図１０に示すように、電極膜１１を２つに分断する。分断は、接合膜９上にある電極膜１１の一部をフォトリソグラフィー技術によりエッチングすることによって行う。これにより、分断された一方の電極膜がソース電極１２となり、他方の電極膜がドレイン電極１３となる。このようにして、ゲート電極６、ソース電極１２、ドレイン電極１３、ゲート絶縁膜７、半導体膜８及び接合膜９からなるＴＦＴ１４（薄膜トランジスタ素子）が、耐熱性高分子膜４上に形成される。以下、版基板１からＴＦＴ１４までを含めた積層体全体を積層版基板１５とする。
【００２４】
「移転工程」
次に、移転工程について図１１〜１４を参照して説明する。この移転工程では、まず図１１に示すように、積層版基板１５の上に支持樹脂層１６を配置する。支持樹脂層１６は、樹脂の融点若しくは軟化点近傍、具体的には１２０〜１３０℃程度まで加熱して、ある程度軟化させた状態にしておくことが望ましい。また、支持樹脂層１６に溶剤を含ませて支持樹脂層１６自体を膨潤させることにより、支持樹脂層１６を軟化させても良い。支持樹脂層１６は、厚み３〜９μｍ程度、具体的には５μｍ程度の樹脂フィルムからなるものであり、具体的には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、ナイロン等のポリアミド、変成ポリフェニレンオキシド／ポリフェニレンエーテル等のいわゆるエンジニアリングプラスチックからなるものが好ましい。
【００２５】
次に図１２に示すように、軟化させた状態の支持樹脂層１６を積層版基板１５に押し当てて積層する。軟化状態の支持樹脂層１６を積層版基板１５に押し当てることによって、図１２に示すように、ＴＦＴ１４が支持樹脂層１６に埋め込まれるとともに耐熱性高分子膜４上に支持樹脂層１６が重ね合わされる。
【００２６】
次に図１３に示すように、支持樹脂層１６にスルーホール用の穴１７を設ける。この穴１７は、ソース電極１２及びドレイン電極１３に突き当たるまで支持樹脂層１６をエッチングして形成する。
次に図１４に示すように、スルーホール用の穴１７に、Ｃｒ等からなる電極層１８を形成する。電極層１８は、その一端１８ａがソース電極１２及びドレイン電極１３に接続され、他端１８ｂが支持樹脂層１６上に露出される。これにより、ソース電極１２及びドレイン電極１３が支持樹脂層１６上に引き出される。このようにしてスルーホール１９が形成される。
【００２７】
「除去工程」
次に、除去工程について図１５〜１７を参照して説明する。この除去工程では、まず図１５に示すように版基板１を剥離層２ごと剥がし、次に図１６に示すように拡散防止層３をエッチングで取り除く。拡散防止層３を取り除く際には、あらかじめ支持樹脂層１６にレジストを塗布して保護しておくことが望ましい。
以上のようにして図１６に示すように、耐熱性高分子膜４に形成されたＴＦＴ１４と、耐熱性高分子膜４上に重ね合わされるとともに内部にＴＦＴ１４が埋め込まれた支持樹脂層１６とを具備してなる回路基板２０が得られる。
尚、図１７に示すように、必要に応じて、ＴＦＴ１４ごとに支持樹脂層１６を切り分けても良い。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態の回路基板の製造方法によれば、版基板１上に耐熱性高分子膜４を形成するとともに更にその上にＴＦＴ１４を予め形成し、その後、ＴＦＴ１４を支持樹脂層１６に埋め込んで固定するので、最終的にＴＦＴ１４を支持樹脂層１６内部に形成することができる。これにより、ＴＦＴ１４の製造時に、支持樹脂層１６の耐熱温度を超える温度で加熱する工程が含まれたとしても、ＴＦＴ１４の製造後に支持樹脂層１６にＴＦＴ１４を埋め込むので、支持樹脂層１６が高温で加熱されることはなく、支持樹脂層１６の劣化を防止できる。
支持樹脂層１６を構成するエンジニアリングプラスチックの耐熱温度は一般的に１５０℃程度であるから、３００℃程度の加熱工程を伴うＴＦＴ１４の製造を支持樹脂層１６上で行うことは不可能であり、このようなことから本実施形態の回路基板の製造方法は、エンジニアリングプラスチックにＴＦＴ１４を埋め込ませることができる点において優れた方法といえる。
【００２９】
また、耐熱性高分子膜４上にＴＦＴ１４を予め形成するので、ＴＦＴ１４の形成に３００℃程度の加熱工程を要したとしても、ＴＦＴ１４を何らの問題なく形成することができ、こうして形成したＴＦＴ１４は、支持樹脂層１６に容易に埋め込ませることができる。
また、上記の構成によれば、耐熱性高分子膜４の熱膨張係数が、剥離層２の熱膨張係数より大きく、版基板１の熱膨張係数より小さいものであるため、ＴＦＴを形成する際に版基板１等が３００℃程度に加熱された場合であっても、耐熱性高分子膜４または剥離層２が剥離するおそれがない。
更に、ＴＦＴ１４を構成するゲート絶縁膜７，半導体膜８及び接合膜９を島状に形成することにより、これらの膜７〜９を耐熱性高分子膜４の全面に形成した場合と比べて、これらの膜７〜９に加わる熱応力を緩和させることができ、ＴＦＴ１４の破損を防止することができる。
更にまた、剥離層２と耐熱性高分子膜４との間にＣｒ等からなる拡散防止層３を設けたので、ＴＦＴ１４の形成時に剥離層２が加熱された場合であっても、剥離層を構成するＣｕの拡散が拡散防止層によって遮られ、これにより耐熱性高分子膜がＣｕによって劣化するおそれがない。
【００３０】
また、本実施形態の回路基板によれば、エンジニアリングプラスチックからなる支持樹脂層１６を回路基板２０の主要な構成部材とするので、回路基板２０自体を高強度で軽量なものとすることができる。更に、ガラスエポキシ樹脂を使用しないので、回路基板自体のコストを低下させることができる。
また、本実施形態の回路基板によれば、ＴＦＴ１４を支持樹脂層１６に埋め込むので、ＴＦＴ１４を保護することができる。
【００３１】
次に、図１８には、本実施形態の回路基板を備えた液晶表示装置２１（表示装置）の断面模式図を示す。この液晶表示装置２１は、所謂アクティブマトリックス型液晶表示装置と呼ばれるもので、本実施形態に係る回路基板２２と、この回路基板２２に対向配置された対向基板２３と、回路基板２２と対向基板２３との間に配置された液晶層２４とから概略構成されている。
【００３２】
回路基板２２は、ポリイミド等からなる耐熱性高分子膜４と、耐熱性高分子膜４上に形成されたＴＦＴ１４と、耐熱性高分子膜４上に積層されると共に内部にＴＦＴ１４が埋め込まれたポリエステル等からなる支持樹脂層１６とから概略構成されている。また、ＴＦＴ１４は、Ｃｒ等からなるゲート電極６と、このゲート電極６を覆うＳｉＮｘ等からなるゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に積層された半導体膜８及び接合膜９と、接合膜９及びゲート絶縁膜７を覆うソース電極１２とドレイン電極１３とから構成されている。また、ソース電極１２及びドレイン電極１３にはスルーホール１９が接続されており、このスルーホール１９によってソース電極１２及びドレイン電極１３が支持樹脂層１６上に引き出されている。また、支持樹脂層１６上にはＡｌからなる反射型画素電極２５が積層されている。この反射型画素電極２５は、スルーホール１９を介してドレイン電極１３に接続されている。また、支持樹脂層１６及び反射型画素電極２５上には、ポリイミドからなる配向膜２６が積層されている。
【００３３】
次に、対向基板２３は、ポリエステル等からなる樹脂層２７と、樹脂層２７の液晶層２４側の面に積層されたＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極膜２８と、対向電極膜２８に積層されたポリイミドからなる配向膜２９とから構成されている。
【００３４】
図１８に示す液晶表示装置２１においては、ＴＦＴ１４が作動して反射型画素電極２５に電圧がかかると、反射型画素電極２５と対向電極膜２８との間にある液晶層２４の液晶分子が配向し、さらに反射型画素電極２５の電圧を制御することによって液晶分子の配向の程度が変化し、これにより階層表示を行うことができる。
また、回路基板２２が、耐熱性高分子膜４とＴＦＴ１４とポリエステル等からなる支持樹脂層１６とから概略構成されることから、回路基板２２自体が柔軟性に富むことになる。また対向基板２３についても、ポリエステル等からなる樹脂層２７と対向電極膜２８と配向膜２９とから構成されるために、回路基板と同様に対向基板２３自体が柔軟性に富むことになる。従って、図１８に示す液晶表示装置２１は、本実施形態に係る回路基板を２２を採用することによって、柔軟性に富んだ変形自在な表示装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、積層工程を説明する図である。
【図２】図２は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、積層工程を説明する図である。
【図３】図３は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、積層工程を説明する図である。
【図４】図４は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図５】図５は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図６】図６は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図７】図７は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図８】図８は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図９】図９は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図１０】図１０は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、素子形成工程を説明する図である。
【図１１】図１１は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、移転工程を説明する図である。
【図１２】図１２は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、移転工程を説明する図である。
【図１３】図１３は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、移転工程を説明する図である。
【図１４】図１４は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、移転工程を説明する図である。
【図１５】図１５は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、除去工程を説明する図である。
【図１６】図１６は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、除去工程を説明する図である。
【図１７】図１７は本発明の実施形態である回路基板の製造方法を示す工程図であって、除去工程を説明する図である。
【図１８】図１８は本発明の実施形態である液晶表示装置の要部を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…版基板、２…剥離層、３…拡散防止層、４…耐熱性高分子膜、１４…薄膜トランジスタ素子（薄膜半導体素子）、１５…積層版基板、１６…支持樹脂層、２０、２２…回路基板、２１…液晶表示装置（表示装置）
【図１】
2007012781.tif 000003
【図２】
2007012781.tif 000004
【図３】
2007012781.tif 000005
【図４】
2007012781.tif 000006
【図５】
2007012781.tif 000007
【図６】
2007012781.tif 000008
【図７】
2007012781.tif 000009
【図８】
2007012781.tif 000010
【図９】
2007012781.tif 000011
【図１０】
2007012781.tif 000012
【図１１】
2007012781.tif 000013
【図１２】
2007012781.tif 000014
【図１３】
2007012781.tif 000015
【図１４】
2007012781.tif 000016
【図１５】
2007012781.tif 000017
【図１６】
2007012781.tif 000018
【図１７】
2007012781.tif 000019
【図１８】
2007012781.tif 000020