(57)【要約】【課題】精度良く露光特性劣化量を算出することができる投影露光マスク合否判定システムを提供する。【解決手段】投影露光マスクの品質保証対象を測定する保証対象測定部１１と、品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出する第１露光特性劣化量算出部１０２と、品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出する第２露光特性劣化量算出部１０３と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和を算出する和算出部１０４と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出する２乗和平方根算出部１０５と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出する全露光特性劣化量算出部１０６と、全露光特性劣化量が許容された値であるか判断する判断部１０７とを備える。【選択図】図１
2007187998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影露光マスクの品質保証対象を測定する保証対象測定部と、
前記品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出する第１露光特性劣化量算出部と、
前記品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出する第２露光特性劣化量算出部と、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の単純和を算出する和算出部と、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出する２乗和平方根算出部と、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出する全露光特性劣化量算出部と、
前記全露光特性劣化量が許容された値であるか判断する判断部
とを備えることを特徴とする投影露光マスク合否判定システム。
【請求項２】
前記品質保証対象の測定結果から確率密度分布を推定する確率密度分布推定部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の投影露光マスク合否判定システム。
【請求項３】
投影露光マスクの品質保証対象を測定するステップと、
前記品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出するステップと、
前記品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出するステップと、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の単純和を算出するステップと、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出するステップと、
前記第１露光特性劣化量と前記第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出するステップと、
前記全露光特性劣化量が許容された値であるか判断するステップ
とを含むことを特徴とする投影露光マスク合否判定方法。
【請求項４】
前記品質保証対象の測定結果から母集団の確率密度分布を推定するステップと、
前記投影露光マスクの合否を判断する危険率を設定して、推定した前記確率密度分布における信頼区間を決定するステップ
とを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の投影露光マスク合否判定方法。
【請求項５】
前記確率密度分布を推定するステップは、
前記投影露光マスクを製造する投影露光マスク製造装置の特性を考慮して確率密度分布の分布形状を予測するステップと、
前記品質保証対象の測定結果を用いて、前記確率密度分布の分布形状を推定するパラメータを求めるステップ
とを含むことを特徴とする請求項４に記載の投影露光マスク合否判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造過程で使用する投影露光マスクの投影露光マスク合否判定方法システム及び投影露光マスク合否判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、各種パターンを半導体ウェハに形成するパターン形成工程（リソグラフィ工程）がある。リソグラフィ工程では、投影露光マスク等が用いられている。リソグラフィ工程により形成されたパターンは寸法を測定して、パターン寸法の平均値及び面内均一性が求められる。求められた平均値及び面内均一性から使用した投影露光マスクの露光マージン劣化量等の露光特性劣化量を計算する。そして、投影露光マスクは、リソグラフィ工程に求められる露光特性劣化量を満たしているかどうかで良品か不良品か判断する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
線幅（ＣＤ）、位相差、透過率等の投影露光マスクの品質保証対象の各々の平均値からのずれに起因して生じる第１露光特性劣化量Ｓμは、品質保証対象のそれぞれの露光特性劣化量の単純和として算出する。また、品質保証対象各々のばらつきに起因する第２露光特性劣化量Ｓσは、品質保証対象のそれぞれの露光特性劣化量の２乗和の平方根をとることで求められる。そして、投影露光マスクの全露光特性劣化量ΔＥＬaは、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの和により求められる。
【０００４】
しかしながら、統計論の見地に立つと、全露光特性劣化量ΔＥＬaは、
(Ｓμ2+Ｓσ2)1/2 ≦ΔＥＬa≦ Ｓμ+Ｓσ・・・・・（１）
と考えられ、合否判定基準は十分な精度をもっているとは言い難い。
【０００５】
また、品質保証対象のばらつきは、一律正規分布に従うと仮定しているが、実際には正規分布とは異なる確率密度分布に従っている対象も存在している。そして、露光特性劣化量は、実際には正規分布とは異なる確率密度分布であるにもかかわらず、所望の危険率を設定して決定された正規分布における信頼区間の上限値又は下限値における露光特性劣化量を算出しているので、露光特性劣化量の計算が精度良く行われているとはいえない。
【特許文献１】特開２００２−７２４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、精度良く露光特性劣化量を算出することができる投影露光マスク合否判定方法システム及び投影露光マスク合否判定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、投影露光マスクの品質保証対象を測定する保証対象測定部と、品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出する第１露光特性劣化量算出部と、品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出する第２露光特性劣化量算出部と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和を算出する和算出部と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出する２乗和平方根算出部と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出する全露光特性劣化量算出部と、全露光特性劣化量が許容された値であるか判断する判断部とを備える投影露光マスク合否判定システムであることを要旨とする。
【０００８】
本願発明の他の態様によれば、投影露光マスクの品質保証対象を測定するステップと、品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出するステップと、品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出するステップと、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和を算出するステップと、
第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出するステップと、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出するステップと、全露光特性劣化量が許容された値であるか判断するステップとを含む投影露光マスク合否判定方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、精度良く露光特性劣化量を算出することができる投影露光マスク合否判定方法システム及び投影露光マスク合否判定方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。
【００１１】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムは、図１に示すように、中央処理装置（ＣＰＵ）１０、主記憶装置２１、保証対象記憶装置２２、露光特性劣化量記憶装置２３、入力装置３０、及び出力装置３１を備える。ＣＰＵ１０は、投影露光マスクの品質保証対象を測定する保証対象測定部１１と、品質保証対象の平均値ずれに起因する第１露光特性劣化量を算出する第１露光特性劣化量算出部１０２と、品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量を算出する第２露光特性劣化量算出部１０３と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和を算出する和算出部１０４と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の２乗和平方根を算出する２乗和平方根算出部１０５と、第１露光特性劣化量と第２露光特性劣化量の単純和及び２乗和平方根の内分値として全露光特性劣化量を算出する全露光特性劣化量算出部１０６と、全露光特性劣化量が許容された値であるか判断する判断部１０７とを備える。また、ＣＰＵ１０は、図示を省略した記憶装置管理手段を備える。「品質保証対象」とは、ＣＤ、位相差、透過率等の投影露光マスクの露光マージンを保証するために用いられる要素である。
【００１２】
保証対象測定部１１は、フォトマスク、位相シフトマスク、及び電子線（ＥＢ）マスク等の投影露光マスクの品質保証対象を測定する。保証対象測定部１１は、品質保証対象の測定結果を保証対象記憶装置２２に格納する。品質保証対象を測定した結果の一例として図２に示す。
【００１３】
第１露光特性劣化量算出部１０２は、保証対象記憶装置２２に格納されている品質保証対象の測定結果を参照して、まず目的値と測定結果の平均値ずれに起因して生じる露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnを算出する。例えば、パターン寸法（ＣＤ）の平均値変化に起因する露光特性劣化量μは、パターンが設計マスク値どおりに仕上がったときの露光マージンから、パターン寸法が一律にΔμだけ変化して仕上がったときの露光マージンを差し引くことにより算出する。露光マージンは、露光量マージンでもよいし、ＤＯＦマージンでもよい。また、寸法以外についても同様である。
【００１４】
算出された露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnの例を図３に示す。露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnの単純和として、第１露光特性劣化量Ｓμは算出される。第１露光特性劣化量算出部１０２は、算出された第１露光特性劣化量Ｓμを露光特性劣化量記憶装置２３に格納する。図２に示した品質保証対象の測定結果を基に算出される露光特性劣化量μ1，μ2，μ3は、図４に示すようにＣＤの平均値ずれに起因する露光特性劣化量μ1が０．２４％、位相差の平均値ずれに起因する露光特性劣化量μ2が０．０３％、透過率の平均値ずれに起因する露光特性劣化量μ3が０．０２％となるので、第１露光特性劣化量Ｓμは０．２９％と算出される。
【００１５】
第２露光特性劣化量算出部１０３は、保証対象記憶装置２２に格納されている品質保証対象の測定結果を参照して、測定した結果のばらつきから標準偏差を算出し、ばらつきに起因して生じる露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnを算出する。例えば、パターン寸法のばらつきに起因する露光特性劣化量σは、パターンが設計マスク値どおりに仕上がったときの露光マージンから、パターンがばらついている場合の露光マージンを差し引くことにより算出する。露光マージンは、露光量マージンでもよいし、ＤＯＦマージンでもよい。また、寸法以外についても同様である。
【００１６】
算出された露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnの例を図３に示す。品質保証対象のそれぞれのばらつきに起因する露光特性劣化量の２乗和の平方根として、第２露光特性劣化量Ｓσは算出される。第２露光特性劣化量算出部１０３は、算出された第２露光特性劣化量Ｓσを露光特性劣化量記憶装置２３に格納する。図２に示した品質保証対象の測定結果を基にして算出された露光特性劣化量σ1，σ2，σ3は、図４に示すようにＣＤのばらつきに起因する露光特性劣化量σ1が６．７％、位相差のばらつきに起因する露光特性劣化量σ2が０．０２％、透過率のばらつきに起因する露光特性劣化量σ3が１．３％となるので、第２露光特性劣化量Ｓσ６．８％と算出される。
【００１７】
和算出部１０４は、露光特性劣化量記憶装置２３に格納されている第１露光特性劣化量Ｓμ及び第２露光特性劣化量Ｓσを読み出し、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの単純和Ａを算出する。つまり、単純和Ａは、
Ａ＝Ｓμ+Ｓσ・・・・・（２）
で示される。図２に示した品質保証対象の測定結果を基にした単純和Ａは、式（２）より７．１％と算出される。
【００１８】
２乗和平方根算出部１０５は、露光特性劣化量記憶装置２３に格納されている第１露光特性劣化量Ｓμ及び第２露光特性劣化量Ｓσを読み出し、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの２乗和平方根Ｂを算出する。つまり、２乗和平方根Ｂは、
Ｂ＝(Ｓμ2+Ｓσ2)1/2・・・・・（３）
で示される。図２に示した品質保証対象の測定結果を基にした２乗和平方根Ｂは、式（３）より６．８％と算出される。
【００１９】
全露光特性劣化量算出部１０６は、単純和Ａ及び２乗和平方根Ｂをｍ：ｎに内分して全露光特性劣化量ΔＥＬpを算出する。つまり全露光特性劣化量ΔＥＬpは、
ΔＥＬp=(mＡ+nＢ)/(m+n)・・・・・（４）
で示される。現状の生産ラインでは、ｍ＝ｎ＝１で十分な投影露光マスクの合否判定の精度があることが製品の歩留まりまで含めた検証から分かっている。したがって、ｍ＝ｎ＝１としたとき、図２に示した品質保証対象の測定結果を基にした全露光特性劣化量ΔＥＬpは、式（４）より６．９％と算出される。
【００２０】
判断部１０７は、算出された全露光特性劣化量ΔＥＬpを合否判定基準として、全露光特性劣化量ΔＥＬpが投影露光マスクの設計において許容された値であるか判断する。
【００２１】
投影露光マスク合否判定システムは、入力装置３０、出力装置３１等をＣＰＵ１０につなぐ図示を省略した入出力制御装置（インターフェース）を備える。また、主記憶装置２１は、ＲＯＭ及びＲＡＭが組み込まれている。ＲＡＭはＣＰＵ１０におけるプログラム実行中に利用される情報等を逐次記憶し、作業領域として利用される情報メモリ等として機能する。保証対象記憶装置２２及び露光特性劣化量記憶装置２３は、周知の磁気テープ、磁気ドラム、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、あるいはＲＯＭ、ＲＡＭなどの半導体メモリ等を用いた記録装置である。入力装置３０は、キーボード、マウス、ボイスデバイス又はライトペン等で構成される。出力装置３１としては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、ＣＲＴディスプレイやプリンタ等を用いることができる。
【００２２】
以下に、第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムを用いた投影露光マスク合否判定方法を図５のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２３】
（イ）ステップＳ１０１において、図１で示した保証対象測定部１１によって、フォトマスク、位相シフトマスク、及びＥＢマスク等の投影露光マスクの品質保証対象を測定する。そして、品質保証対象の測定結果を保証対象記憶装置２２に格納する。
【００２４】
（ロ）ステップＳ１０２において、第１露光特性劣化量算出部１０２によって、保証対象記憶装置２２に格納されている品質保証対象の測定結果を参照し、目的値と測定した結果の平均値のずれに起因する露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnを算出する。品質保証対象のそれぞれの平均値のずれに起因する露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnの単純和として、第１露光特性劣化量Ｓμを算出する。算出された第１露光特性劣化量Ｓμを露光特性劣化量記憶装置２３に格納する。
【００２５】
（ハ）ステップＳ１０３において、第２露光特性劣化量算出部１０３によって、保証対象記憶装置２２に格納されている品質保証対象の測定結果を参照して測定した結果のばらつきから標準偏差を算出し、ばらつきに起因する露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnを算出する。品質保証対象のそれぞれのばらつきに起因する露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnの２乗和の平方根として、第２露光特性劣化量Ｓσを算出する。算出された第２露光特性劣化量Ｓσを露光特性劣化量記憶装置２３に格納する。
【００２６】
（ニ）ステップＳ１０４において、和算出部１０４によって、露光特性劣化量記憶装置２３に格納されている第１露光特性劣化量Ｓμ及び第２露光特性劣化量Ｓσを読み出し、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの単純和Ａを算出する。
【００２７】
（ホ）ステップＳ１０５において、２乗和平方根算出部１０５によって、露光特性劣化量記憶装置２３に格納されている第１露光特性劣化量Ｓμ及び第２露光特性劣化量Ｓσを読み出し、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの２乗和平方根Ｂを算出する。
【００２８】
（ヘ）ステップＳ１０６において、全露光特性劣化量算出部１０６によって、単純和Ａ及び２乗和平方根Ｂをｍ：ｎに内分し、全露光特性劣化量ΔＥＬpを算出する。
【００２９】
（ト）ステップＳ１０７において、判断部１０７によって、算出された全露光特性劣化量ΔＥＬpを合否判定基準として、全露光特性劣化量ΔＥＬpが投影露光マスクの設計において許容された値であるか判断する。
【００３０】
本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定方法として図５に示した一連の命令、即ち：（ａ）投影露光マスクの品質保証対象を測定させる命令;（ｂ）目的値と測定した結果の平均値のずれに起因する露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnを算出し、露光特性劣化量μ1，μ2，μ3，・・・，μnの単純和として、第１露光特性劣化量Ｓμを算出させる命令; （ｃ）測定した結果のばらつきから標準偏差を算出し、ばらつきに起因する露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnを算出し、露光特性劣化量σ1，σ2，σ3，・・・，σnの２乗和の平方根として、第２露光特性劣化量Ｓσを算出させる命令;（ｄ）第１露光特性劣化量Ｓμ及び第２露光特性劣化量Ｓσを読み出し、第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの単純和Ａを算出させる命令;（ｅ）第１露光特性劣化量Ｓμと第２露光特性劣化量Ｓσの２乗和平方根Ｂを算出させる命令;（ｆ）単純和Ａ及び２乗和平方根Ｂをｍ：ｎに内分し、全露光特性劣化量ΔＥＬpを算出させる命令;（ｇ）算出された全露光特性劣化量ΔＥＬpを合否判定基準として、全露光特性劣化量ΔＥＬpが投影露光マスクの設計において許容された値であるか判断させる命令;等は、図１と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図１に示したＣＰＵ１０を制御して実行できる。プログラムは、図１に示したデータ処理システムを構成するコンピュータシステムの主記憶装置２１等に記憶させれば良い。また、プログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、保存した記録媒体を主記憶装置２１に読み込ませることにより、本発明の実施の形態に係る一連の命令を実行することができる。
【００３１】
ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク等が「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。例えば、投影露光マスク合否判定システムの本体は、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）及び光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、また光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭを挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムを主記憶装置２１にインストールすることができる。また、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばゲームパック等に利用されているメモリ装置としてのＲＯＭや、磁気テープ装置としてのカセットテープを用いることもできる。更に、インターネット等の情報処理ネットワークを介して、プログラムを他のプログラム記憶装置に格納することが可能である。
【００３２】
第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムを用いた投影露光マスク合否判定方法によれば、適切な合否判定基準を設けることが可能となり、正確に露光特性劣化量を算出することが可能となる。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムは、図６に示すように、図１に示した投影露光マスク合否判定システムと比して、ＣＰＵ１０に確率密度分布推定部１０８を更に備える点が異なる。他は図１に示した投影露光マスク合否判定システムと実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００３４】
確率密度分布推定部１０８は、テストパターン等を有する投影露光マスクの品質保証対象の測定結果から母集団の確率密度分布を推定する。具体的には、まず投影露光マスク製造装置の特性を考慮して分布形状を予測する。そして、確率密度分布の分布形状を予測した後に、品質保証対象の測定結果をフィッティングして分布形状を決定するパラメータを求め、確率密度分布を推定する。
【００３５】
例えば、テストパターン等の仕上がり寸法値から設計値を引いた値をΔＣＤとすると、投影露光マスク描画装置の特性に起因するΔＣＤdrawの分布は、
【数１】
2007187998.tif 000003
で示される。ポストエクスポジャーベイク（ＰＥＢ）ヒータの特性に起因するΔＣＤPEBの分布は、
【数２】
2007187998.tif 000004
現像装置の特性に起因するΔＣＤdevの分布は、
【数３】
2007187998.tif 000005
エッチング装置に起因するΔＣＤetchの分布は、
【数４】
2007187998.tif 000006
で表現されることがわかっているとすると、上記種々の装置を用いて製造される投影露光マスクの機械特性によるΔＣＤ分布は、最高次数を取ればよく、
【数５】
2007187998.tif 000007
と予測される。
【００３６】
確率密度分布推定部１０８は、式（９）によって予測された確率密度分布に品質保証対象の測定結果を代入してパラメータεmnを求める。パラメータεmnが求まることで、確率密度分布が推定される。そして、確率密度分布推定部１０８は、投影露光マスクの合否を判断する所望の危険率を設定して推定した確率密度分布における信頼区間を決定する。
【００３７】
第２露光特性劣化量算出部１０３は、信頼区間の上限値及び下限値における露光特性劣化量σn1及びσn2をそれぞれ算出し、露光特性劣化量σn1及びσn2の大きい方を品質保証対象のばらつきに起因する露光特性劣化量Ｓσとして採択する。
【００３８】
製造された投影露光マスクのＣＤ測定結果を用いた場合の露光特性劣化量σn1及びσn2の採択を例示する。製造された投影露光マスクのＣＤ測定結果を式（９）にフィッティングを行ったところ、パラメータεmn（ｍ，ｎ＝０，１，２，３，４）は図７のような結果が得られた。このとき、確率密度分布は図８に示すようになり、９５％信頼区間は６．７ｎｍである。信頼区間の上下限値における露光特性劣化量σn1及びσn2をシミュレーションで求め、露光特性劣化量σn1及びσn2のうち大きい方の値７．５％をＣＤばらつきに起因する露光特性劣化量Ｓσとして採択する。ΔＣＤの９５％信頼区間は、図８に示すように、−６．５〜０．２であるので、露光特性劣化量Ｓσは露光特性劣化量σn1及びσn2のうち大きい方の値であるΔＣＤ＝−６．５のときの７．５％と算出される。
【００３９】
第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムを用いた投影露光マスク合否判定方法は、図９のフローチャートに示すようにステップＳ２０１及びステップＳ２０２が更に加わる点が、図５に示したフローチャートと異なる。
【００４０】
ステップＳ２０１は、確率密度分布推定部１０８によって、テストパターン等の品質保証対象の測定結果から母集団の確率密度分布を推定する。ステップＳ２０２は、推定した確率密度分布から所望の危険率を設定して信頼区間を決定する。
【００４１】
ステップＳ１０３においては、第２露光特性劣化量算出部１０３によって、信頼区間の上限値及び下限値における露光特性劣化量σn1及びσn2をそれぞれ算出し、露光特性劣化量σn1及びσn2のうち大きい方を品質保証対象のばらつきに起因する露光特性劣化量Ｓσとして採択する。採択された露光特性劣化量Ｓσを露光特性劣化量記憶装置２３に格納する。
【００４２】
第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムを用いた投影露光マスク合否判定方法によれば、適切な合否判定基準を設けることが可能となり、正確に露光特性劣化量を算出することが可能となる。また、第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムは、ばらつき成分が従う確率密度分布を事前もしくはその都度検証することにより高精度な合否判定基準を設けることができる。
【００４３】
（変形例）
本発明の第２の実施の形態の変形例に係る投影露光マスク合否判定システムは、一度品質保証対象のばらつきに起因する第２露光特性劣化量Ｓσを算出した投影露光マスクの再販品もしくは同様のデザインルールを有する派生品を同一生産ラインで製造する場合、既知の確率密度分布を再利用できる。また、信頼区間と標準偏差の比を算出しておけば、製造した投影露光マスクの測定結果から得た標準偏差の値のみから信頼区間を求めることができる。
【００４４】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００４５】
例えば、第１及び第２の実施の形態において露光特性劣化量は、露光マージンを対象としていたが、フォーカス（ＤＯＦ）マージンを対象としても良い。
【００４６】
また、第２の実施の形態において、投影露光マスク製造に用いる製造機器の機械特性を反映させる確率密度分布を求める式に指数関数・対数関数を含めることで更に確率密度分布の精度を上げることができる。
【００４７】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムの概略図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムを用いて品質保証対象を測定した結果の一例を示す表である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムで算出する品質保証対象に対する露光特性劣化量を示す表である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムで算出する品質保証対象に対する露光特性劣化量の一例を示す表である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムの概略図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムで確率密度分布を示すために用いる指数の一例を示す表である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定システムで得られる確率密度分布の一例を示すグラフである。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る投影露光マスク合否判定方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１０…ＣＰＵ
１１…保証対象測定部
２１…主記憶装置
２２…保証対象記憶装置
２３…露光特性劣化量記憶装置
３０…入力装置
３１…出力装置
１０２…第１露光特性劣化量算出部
１０３…第２露光特性劣化量算出部
１０４…和算出部
１０５…２乗和平方根算出部
１０６…全露光特性劣化量算出部
１０７…判断部
１０８…確率密度分布推定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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