(57)【要約】【課題】被転写ディスクの全面において均一な出力を得ることができる磁気転写方法及び装置を提供する。【解決手段】初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体４０と磁気パターンを有するマスター媒体４８とを密着させ、磁界生成手段３０に対し密着状態にある被転写用磁気記録媒体とマスター媒体とを相対移動させながら円周方向に磁界を印加し、印加する磁界強度が被転写用磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるようにしてマスター媒体の磁気パターンを被転写用磁気記録媒体に転写させる。【選択図】  図１
2007012142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着工程と、
磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、媒体各部に対して印加する磁界強度の最大値が前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、
を備えることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項２】
保磁力が印加する磁界の印加時間に依存する被転写用磁気記録媒体であって、初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着工程と、
磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、前記保磁力が、前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大保磁力×０．７〜最大保磁力の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、
を備えることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項３】
前記磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させる相対移動速度の速度変動を±１５％以内に制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気転写方法。
【請求項４】
前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径と略同一長さとし、前記磁界生成手段の印加磁界強度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気転写方法。
【請求項５】
前記磁界生成手段を前記磁気記録媒体の半径より短い長さとし、前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径方向に移動させながら、前記磁界生成手段の印加磁界強度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気転写方法。
【請求項６】
前記磁界生成手段を前記磁気記録媒体の半径より短い長さとし、前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径方向に移動させるとともに、前記磁界生成手段と前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対回転速度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って減少させることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気転写方法。
【請求項７】
前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数を、該被転写用磁気記録媒体の面内の各部分において同一回数とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気転写方法。
【請求項８】
前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数を、該被転写用磁気記録媒体の面内の各部分において一回とすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気転写方法。
【請求項９】
前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数の、該被転写用磁気記録媒体の面内において同一回数とならない部分を円周方向の角度で１度未満とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気転写方法。
【請求項１０】
前記磁界強度を前記磁気転写に必要な強度まで上昇させる磁気転写準備段階の際の、又は、前記磁界強度を前記磁気転写に必要な強度より下降させる磁気転写終了段階の際の前記磁界生成手段と密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対移動速度を、前記磁気転写の際の前記磁界生成手段と密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対移動速度より大きくすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気転写方法。
【請求項１１】
初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着手段と、
磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、媒体各部に対して印加する磁界強度の最大値が前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写手段と、
を備えることを特徴とする磁気転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写方法及び装置に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、マスターディスクからフォーマット情報等の磁気情報パターンを転写するのに好適な磁気転写方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この磁気転写技術は、マスターディスクと被転写ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片側又は両側に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加し、マスターディスクの有する情報（たとえばサーボ信号）に対応する磁化パターンの転写を行うものである。
【０００４】
従来、この種の磁気転写技術として各種の提案がなされている（たとえば、特許文献１等。）。この特許文献１の提案は、転写用磁界の印加強度をスレーブディスクの保磁力に対して０．６〜１．３倍とするものである。そしてこれにより、高品位のパターンを正確に転写できる効果が得られるとされている。
【０００５】
特許文献２の提案は、磁石装置と被転写ディスクとを相対的に回転させながら、印加する磁界強度を上げていくものである。そしてこれにより、信号劣化が発生せず、信頼性の高い転写が行えるとされている。
【特許文献１】特開２００１−２８１２７号公報
【特許文献２】特開２００２−２３７０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２のような従来技術において、磁気転写の際に印加する磁界のディスク表面における媒体保磁力に対する相対的な磁界強度が変化するために、被転写ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比を低下させるという問題がある。
【０００７】
ところが、特許文献１において、磁界強度の変化（ばらつき）が実用上許容されうる範囲の指針はなく、上記問題点の解決にはなり得なかった。
【０００８】
また、特許文献２においては、磁気粘性や磁界印加回数の影響が考慮されておらず、被転写ディスクの全面において均一な出力を得ることが困難である。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、被転写ディスクの全面において均一な出力を得ることができる磁気転写方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明は、初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着工程と、磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、媒体各部に対して印加する磁界強度の最大値が前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法を提供する。
【００１１】
また、このために、本発明は、初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着手段と、磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、媒体各部に対して印加する磁界強度の最大値が前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写手段と、を備えることを特徴とする磁気転写装置を提供する。
【００１２】
本発明によれば、媒体各部に対して印加する磁界強度の最大値が、磁気記録媒体の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるように制御するので、磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００１３】
また、本発明は、保磁力が印加する磁界の印加時間に依存する被転写用磁気記録媒体であって、初期直流磁化された被転写用磁気記録媒体と磁気パターンを有するマスター媒体とを密着させる密着工程と、磁界生成手段を設けるとともに、該磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させながら、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加し、前記保磁力が、前記被転写用磁気記録媒体の略全面において最大保磁力×０．７〜最大保磁力の範囲になるようにして前記マスター媒体の磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法を提供する。
【００１４】
本発明によれば、保磁力が、磁気記録媒体の略全面において最大保磁力×０．７〜最大保磁力の範囲になるように磁界を印加するので、磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００１５】
本発明において、前記磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体と前記マスター媒体とを相対移動させる相対移動速度の速度変動を±１５％以内に制御することが好ましい。
【００１６】
このように、相対移動速度の速度変動を±１５％以内に制御すれば、磁気記録媒体の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００１７】
また、本発明において、前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径と略同一長さとし、前記磁界生成手段の印加磁界強度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させることが好ましい。
【００１８】
このように、磁界生成手段の印加磁界強度を磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させれば、磁気記録媒体の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００１９】
また、本発明において、前記磁界生成手段を前記磁気記録媒体の半径より短い長さとし、前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径方向に移動させながら、前記磁界生成手段の印加磁界強度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させることが好ましい。
【００２０】
このように、磁界生成手段を磁気記録媒体の半径方向に移動させながら、印加磁界強度を磁気記録媒体の内周側から外周側に向って増加させれば、磁気記録媒体の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００２１】
また、本発明において、前記磁界生成手段を前記磁気記録媒体の半径より短い長さとし、前記磁界生成手段を前記被転写用磁気記録媒体の半径方向に移動させるとともに、前記磁界生成手段と前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対回転速度を前記被転写用磁気記録媒体の内周側から外周側に向って減少させることが好ましい。
【００２２】
このように、磁界生成手段を磁気記録媒体の半径方向に移動させるとともに、磁界生成手段と磁気記録媒体との相対回転速度（相対回転数）を内周側から外周側に向って減少させれば、磁気記録媒体の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００２３】
また、本発明において、前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数を、該被転写用磁気記録媒体の面内の各部分において同一回数とすることが好ましい。
【００２４】
このように、磁気記録媒体の円周方向に磁界を印加する回数を面内の各部分において同一回数とすれば、磁気記録媒体の略全面において媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００２５】
また、本発明において、前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数を、該被転写用磁気記録媒体の面内の各部分において一回とすることが好ましい。
【００２６】
このように、磁気記録媒体の円周方向に磁界を印加する回数を面内の各部分において一回とすれば、磁気記録媒体の略全面において媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００２７】
また、本発明において、前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体の円周方向に磁界を印加する回数の、該被転写用磁気記録媒体の面内において同一回数とならない部分を円周方向の角度で１度未満とすることが好ましい。
【００２８】
このように、磁気記録媒体の円周方向に磁界を印加する回数の面内において同一回数とならない部分を円周方向の角度で１度未満とすれば、磁気記録媒体の略全面において媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００２９】
また、本発明において、前記磁界強度を前記磁気転写に必要な強度まで上昇させる磁気転写準備段階の際の、又は、前記磁界強度を前記磁気転写に必要な強度より下降させる磁気転写終了段階の際の前記磁界生成手段と密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対移動速度を、前記磁気転写の際の前記磁界生成手段と密着状態にある前記被転写用磁気記録媒体及び前記マスター媒体との相対移動速度より大きくすることが好ましい。
【００３０】
磁界を印加する際、永久磁石であった場合は磁石を近づける（その後遠ざける）、電磁石である場合は電流値を上げていく（その後下げていく）という過程がどうしても必要になる。そのときに媒体に印加される磁界は非定常なものであり、影響を小さくするのが望ましい。これを実現する方法として、このように、印加磁界強度を上げる（永久磁石であれば距離を近づける、電磁石であれば、電流値を上げる）際の回転速度を速くすると、磁気粘性の影響で、媒体の保磁力が増大するので、相対的に印加磁界の強度が下がることになり、非定常状態の磁界の影響を低減できる効果が得られる。
【発明の効果】
【００３１】
以上説明したように、本発明によれば、磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度や媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写方法及び装置の好ましい実施の形態について詳説する。図１は、本発明に係る磁気転写装置１０の要部斜視図である。図２は、転写用磁界の印加方法を示す平面図である。
【００３３】
図３は、磁気転写方法の基本工程を示す図である。図３のうち（ａ）は、磁場を一方向に印加して被転写用磁気記録媒体であるスレーブディスク４０を初期直流磁化する工程を、（ｂ）は、マスター媒体であるマスターディスク４６とスレーブディスク４０とを密着して反対方向に磁界を印加する工程を、（ｃ）は、は磁気転写後の状態をそれぞれ示す。なお、各図は模式図であり各部の寸法は実際とは異なる比率で示している。
【００３４】
図１の磁気転写装置１０において、磁気転写時には、図３（ａ）に示される後述する初期直流磁化を行った後の、スレーブディスク（被転写用磁気記録媒体）４０のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク（マスター媒体）４６の情報担持面に接触させ、所定の押圧力で密着させることができるようになっている。そして、このスレーブディスク４０とマスターディスク４６との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加してサーボ信号等の磁化パターンを転写記録することができるようになっている。
【００３５】
スレーブディスク４０は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体であり、マスターディスク４６に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。また、スレーブディスク４０には予め初期磁化が施される。この詳細は後述する。
【００３６】
スレーブディスク４０としては、ハードディスク、高密度フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体が使用できる。スレーブディスク４０の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層が採用できる。
【００３７】
金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ）を用いることができる。これらは、磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁気異方性を有していることより、明瞭な転写が行えるため好ましい。
【００３８】
そして磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するために、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層には、結晶構造と格子定数を磁性層に合わすことが必要である。そのためには、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いることが好ましい。
【００３９】
マスターディスク４６は円盤状に形成され、基板４７の片面に磁性層４８（図３（ｂ）参照）による微細凹凸パターンが形成された転写情報担持面が形成されており、基板４７の反対側の面が不図示の密着手段に保持されている。このマスターディスク４６の片面（転写情報担持面）は、スレーブディスク４０と密着される。
【００４０】
基板４７がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、この基板４７のみで磁気転写が可能であり、磁性層４８は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層４８を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。基板４７が非磁性体の場合には、磁性層４８を設けることが必要である。マスターディスク４６の磁性層４８は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性層であることが好ましい。
【００４１】
マスターディスク４６の基板４７としては、ニッケル、シリコン、石英ガラス等各種組成のガラス、アルミニウム、合金、各種組成のセラミックス、合成樹脂等が使用できる。この基板４７表面の凹凸パターンの形成は、フォトファブリケーション法や、フォトファブリケーション法等で形成した原盤によるスタンパー法、等によって行える。
【００４２】
スタンパー法における原盤の形成は、たとえば、以下のように行える。表面が平滑なガラス板（又は石英ガラス板）の上にスピンコート法等によりフォトレジストの層を形成し、プレベーク後に、このガラス板を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
【００４３】
その後、フォトレジストの層を現像処理し、露光部分が除去されたフォトレジストの層により形成された凹凸形状を有するガラス原盤を得る。次いで、ガラス原盤の表面の凹凸パターンを基に、この表面にメッキ（電鋳）を施し所定厚さまで形成することにより、表面にポジ状の凹凸パターンを有するＮｉ基板を作成する。そして、この基板をガラス原盤から剥離する。
【００４４】
この基板をそのままプレス原盤とするか、凹凸パターン上に必要に応じて軟磁性層、保護膜等を被覆してプレス原盤とする。
【００４５】
また、ガラス原盤にメッキを施して、電鋳により第２の原盤を作成し、この第２の原盤に更にメッキを施して、電鋳によりネガ状凹凸パターンを有する反転原盤を作成してもよい。更に、第２の原盤にメッキを施して電鋳を行うか、低粘度の樹脂を押し付けて硬化させるかした、第３の原盤を作成し、第３の原盤にメッキを施して電鋳を行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作成してもよい。
【００４６】
基板の材料としては、金属ではＮｉ又はＮｉ合金を使用することができる。この基板を作成するメッキ法としては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。
【００４７】
基板表面の凹凸パターンの深さ（突起の高さ）は、８０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。この凹凸パターンはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば、半径方向の長さが０．０５〜２０μｍ、円周方向の長さが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００４８】
磁性層４８（軟磁性層）の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などにより成膜する。磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。特に、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが好ましく用いることができる。磁性層の厚さは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００４９】
なお、磁性層４８の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚さが５〜３０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層４８と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けてもよい。潤滑剤は、スレーブディスク４０との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００５０】
マスターディスク４６として、前記のプレス原盤を用いて樹脂基板を作製し、その表面に磁性層を設けて形成してもよい。樹脂基板の樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが使用できる。
【００５１】
このうち、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートが好ましい。成形品にバリがある場合は、これをバーニシュ又は研磨加工により除去する。また、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂などを使用して、プレス原盤にスピンコート、バーコート等の塗布によりマスターディスク４６を形成してもよい。樹脂基板のパターン突起の高さは、５０〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００５２】
この樹脂基板の表面の微細パターンの上に磁性層４８を被覆しマスターディスク４６を得る。磁性層４８の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法などによる成膜方法で行える。
【００５３】
一方、マスターディスク４６の形成方法の１種であるフォトファブリケーション法は、以下の手順で行う。先ず、たとえば、平板状の基板の平滑な表面にフォトレジストを塗布し、サーボ信号のパターンに応じたフォトマスクを用いた露光、現像処理により、情報に応じたパターンを形成させる。
【００５４】
次いで、エッチング工程により、パターンに応じて基板のエッチングを行い、磁性層４８の厚さに相当する深さの穴を形成する。次いで、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法等により、形成した穴に対応した厚さで基板の表面まで磁性材料を成膜する。
【００５５】
次いで、フォトレジストをリフトオフ法で除去し、表面を研磨して、ばりがある場合には、これを取り除くとともに、表面を平滑化する。
【００５６】
マスターディスク４６による磁気転写は、図１に示されるように、スレーブディスク４０の片面にマスターディスク４６を密着させて片面に逐次転写を行う場合と、スレーブディスク４０の両面にそれぞれマスターディスク４６、４６を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。なお、マスターディスク４６には、スレーブディスク４０と密着させる前に、付着した塵埃を除去するクリーニング処理が必要に応じて施される。
【００５７】
転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着手段に保持されたスレーブディスク４０及びマスターディスク４６の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されてなり、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図２、図３参照）を有する転写用磁界を印加できるようになっている。
【００５８】
磁界印加時には、スレーブディスク４０及びマスターディスク４６を一体に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加し、マスターディスク４６の転写情報をスレーブディスク４０のスレーブ面に磁気的に転写記録できるように回転手段が設けられている。なお、この構成以外に、磁界生成手段３０を回転移動させるように設ける構成も採用できる。
【００５９】
転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を越える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度がいずれのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。
【００６０】
磁界生成手段３０は、図１の構成と異なり、スレーブディスク４０の片側にのみ配設するように構成してもよい。また、磁界生成手段３０の他の構成として、以下に各種の構成（１〜３）が列挙できる。
【００６１】
１）磁界生成手段３０（ギャップ３１の長さ）をスレーブディスク４０の半径と略同一長さとし、磁界生成手段３０の印加磁界強度をスレーブディスク４０の内周側から外周側に向って増加させる構成。
【００６２】
このように、磁界生成手段３０の印加磁界強度をスレーブディスク４０の内周側から外周側に向って増加させれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００６３】
２）磁界生成手段３０（ギャップ３１の長さ）をスレーブディスク４０の半径より短い長さとし、磁界生成手段３０をスレーブディスク４０の半径方向に移動させながら、磁界生成手段３０の印加磁界強度をスレーブディスク４０の内周側から外周側に向って増加させる構成。
【００６４】
このように、磁界生成手段３０をスレーブディスク４０の半径方向に移動させながら、印加磁界強度をスレーブディスク４０の内周側から外周側に向って増加させれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００６５】
３）磁界生成手段３０（ギャップ３１の長さ）をスレーブディスク４０の半径より短い長さとし、磁界生成手段３０をスレーブディスク４０の半径方向に移動させるとともに、磁界生成手段３０とスレーブディスク４０との相対回転速度をスレーブディスク４０の内周側から外周側に向って減少させる構成。
【００６６】
このように、磁界生成手段３０をスレーブディスク４０の半径方向に移動させるとともに、磁界生成手段３０とスレーブディスク４０との相対回転速度（相対回転数）を内周側から外周側に向って減少させれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００６７】
更に他の構成として、図４（ａ）〜（ｃ）に示されるような転写用磁界を生成する電磁石装置又は永久磁石装置を、スレーブディスク４０の両側又は片側に配設してもよい。
【００６８】
図４（ａ）の磁界生成手段２２は、スレーブディスク４０の半径方向に延びる１つの電磁石９０（又は永久磁石）のスレーブ面と平行な両側部が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００６９】
図４（ｂ）の磁界生成手段２４は、所定間隔でスレーブディスク４０の半径方向に延びる２つの平行電磁石９２、９３（又は永久磁石）のスレーブ面に向かう端面が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００７０】
図４（ｃ）の磁界生成手段２６は、断面Ｕ字状で半径方向に延びる永久磁石９４（又は電磁石）のスレーブ面に向かう２つの平行端面が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００７１】
次に、上記のように構成された磁気転写装置１０による磁気転写方法について説明する。
【００７２】
先ず、磁気転写の基本態様を示す既述の図３において、（ａ）に示されるように、スレーブディスク４０に初期磁界Ｈｉをトラック方向の一方向に印加して予め初期磁化（直流消磁）を行う。この初期磁化は、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の磁界強度部分をトラック方向位置で少なくとも１カ所以上有する磁界、好ましくは、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の磁界強度部分をトラック方向位置で一方向のみで有しており、逆方向の磁界強度はいずれのトラック方向位置でのスレーブディスク４０の保磁力未満である磁界強度分布の磁界を使用する。この磁界を、トラック方向の一部分で発生させ、スレーブディスク４０又は磁界をトラック方向に回転させることにより、全トラックの初期磁化（直流消磁）を行う。
【００７３】
図３（ａ）の初期磁化に次いで、図３（ｂ）に示されるように、このスレーブディスク４０のスレーブ面（磁気記録面）とマスターディスク４６の基板４７の微細凹凸パターンに磁性層４８が被覆されてなる情報担持面とを密着させ、スレーブディスク４０のトラック方向に初期磁界Ｈｉとは逆方向に転写用磁界Ｈｄを印加して磁気転写を行う。
【００７４】
その結果、図３（ｃ）に示されるように、スレーブディスク４０のスレーブ面（トラック）にはマスターディスク４６の情報担持面の磁性層４８の密着凸部と凹部空間との形成パターンに応じた磁化パターンが転写記録される。
【００７５】
なお、マスターディスク４６の基板４７の凹凸パターンが、図３のポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、初期磁界Ｈｉの方向及び転写用磁界Ｈｄの方向をこれと逆方向にすることによって、同様の磁化パターンが転写記録できる。
【００７６】
この磁気転写を行う際に重要なことは、印加する磁界強度が、スレーブディスク４０の略全面において最大磁界強度×０．７〜最大磁界強度の範囲になるように制御することである。このようにすれば磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００７７】
また、重要なことは、保磁力が印加する磁界の印加時間に依存するスレーブディスク４０の場合に、保磁力が、スレーブディスク４０の略全面において最大保磁力×０．７〜最大保磁力の範囲になるように磁界を印加することである。このようにすれば、磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００７８】
また、磁気転写を行う際に、スレーブディスク４０と磁界生成手段３０との相対移動速度の速度変動を±１５％以内に制御することが好ましい。このように制御すれば、磁気転写の際に印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００７９】
また、スレーブディスク４０の円周方向に磁界を印加する回数を、スレーブディスク４０の面内の各部分において同一回数とすることが好ましい。このようにすれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体保磁力に対する相対的な磁界強度の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００８０】
また、スレーブディスク４０の円周方向に磁界を印加する回数を、スレーブディスク４０の面内の各部分において一回とすることが好ましい。このようにすれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００８１】
また、スレーブディスク４０の円周方向に磁界を印加する回数の、スレーブディスク４０の面内において同一回数とならない部分を円周方向の角度で１度未満とすることが好ましい。このようにすれば、スレーブディスク４０の略全面において媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写が行える。
【００８２】
このような磁気転写によれば、印加する媒体保磁力に対する相対的な磁界強度や媒体磁化の変化が少なく、略全面において均一な磁気転写を行うので、転写されたスレーブディスク４０の再生信号のＣ／Ｎ比は良好になる。
【００８３】
このスレーブディスク４０は、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで好適に使用できる。これに使用されるハードディスクドライブとしては、各ドライブメーカーより販売されている公知の各種装置を使用すればよい。
以上、本発明に係る磁気転写方法及び装置の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００８４】
たとえば、上記実施形態においては、スレーブディスク４０（密着したマスターディスク４６も）を連続回転させながら、磁界生成手段３０によりスレーブディスク４０に磁気転写を行っているが、スレーブディスク４０及びマスターディスク４６への磁界印加を円周方向に１周以上行った後に、磁界強度を所定値まで減少させ、その後にスレーブディスク４０及びマスターディスク４６の回転を停止させる構成も採用できる。
【００８５】
このように、円周方向に１周分の転写後に、磁界強度を所定値まで漸減させ、しかる後に回転を停止させるのであれば、転写精度が受ける影響は非常に少なくなり、再生信号のＣ／Ｎ比は良好になる。
【実施例】
【００８６】
［磁気転写用マスターディスクの作成］
真空成膜装置を使用して、室温下で１．３３×１０−５Ｐａ（１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後に、アルゴンガスを導入して０．４Ｐａ（３×１０−３Ｔｏｒｒ）とした条件下で、シリコン基板上に厚さ２００ｎｍのＦｅＣｏ膜を形成し、外径９５ｍｍ（３．５型）の円盤状の磁気転写用マスターディスク４６とした。また、このマスターディスク４６には、半径３５ｍｍから７０ｍｍまでの範囲で、放射状ラインパターンを等間隔に１５０本（２．４°間隔）設けた。このマスターディスク４６の保磁力Ｈｃは８ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）、磁束密度Ｍｓは２８．９Ｔ（２３０００Ｇａｕｓｓ）であった。
［スレーブディスクの作製］
スレーブディスク４０は、薄膜のガラスハードディスクとした。真空成膜装置を使用して、室温下で１．３３×１０−５Ｐａ（１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後に、アルゴンガスを導入して０．４Ｐａ（３×１０−３Ｔｏｒｒ）とした条件下で、ガラス板を２００°Ｃに加熱し、ＣｏＣｒＰｔの膜厚が２５ｎｍ、磁束密度Ｍｓが５．７Ｔ（４５００Ｇａｕｓｓ）の磁性層を有する外径９５ｍｍ（３．５型）のハードディスクを作製した。
［初期磁化（直流消磁）方法］
スレーブディスク４０に対し、図５に示されるような電磁石５０を片側に配置した装置を使用して、磁界を印加した。ピーク磁界強度がスレーブディスク４０の表面において３９７ｋＡ／ｍ（５０００Ｏｅ）となるように、スレーブディスク４０の初期直流磁化を行った。
［実施例１及び比較例１］
（磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図６に示されるような永久磁石６０を両面に配置した装置を使用して、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。このとき、図６中の永久磁石６０、６０を回転させながらマスターディスク４６及びスレーブディスク４０に近づけて行き、永久磁石６０が最もスレーブディスク４０に近づいたときの磁界ピーク強度が２３８ｋＡ／ｍ（３０００Ｏｅ）となるように印加した。その他の条件は、図７の表に示す。
【００８７】
図７の表に示されるように、スレーブディスク４０（マスターディスク４６）の回転数は８０ｒｐｍ（一部では１６０ｒｐｍ）とし、回転速度ムラが５〜４０％になるように変化させた。すなわち、実施例１において回転速度ムラが５％（実施例１−１）〜３０％（実施例１−３）になるように変化させ、比較例１において回転速度ムラが１５％（比較例１−３）〜４０％（比較例１−１）になるように変化させた。
【００８８】
また、ピーク磁界強度が印加されている際のスレーブディスク４０の回転は、３６０°を基準とし、一部において変化させた（実施例１−４では３６００°、比較例１−３では３６５°）。
（電磁特性評価）
電磁変換特性測定装置（協同電子製、型番：ＳＳ・６０）によりスレーブディスク４０の転写信号の評価を行った。ヘッドには、ヘッドギャップ０．３２μｍ、トラック幅３．０μｍであるインダクティブヘッドを使用した。スレーブディスク４０の半径５０ｍｍの位置を１周側定し、そのときの最大出力電圧Ｖ１ＭＡＸと最小出力電圧Ｖ１ＭＩＮとを求めた。各条件におけるＶ１ＭＡＸ／Ｖ１ＭＩＮの値を図７の表に示す。
【００８９】
図７の表によれば、各実施例のＶ１ＭＡＸ／Ｖ１ＭＩＮの値は良好で、最大でも１．３２である。これに対し、比較例のＶ１ＭＡＸ／Ｖ１ＭＩＮの値は大きく、各実施例の結果より劣っている。
［実施例２及び比較例２］
（実施例２の磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図８のグラフに示されるような磁界強度分布を持つ永久磁石６０を両面に配置した図６の装置を使用して、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。すなわち、永久磁石６０により、磁界強度はスレーブディスク４０の半径方向位置３５ｍｍより半径方向位置７０ｍｍまで直線的に増加している。このときの磁界印加条件は、実施例１−２と同一にした。
（比較例２の磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図９のグラフに示されるような磁界強度分布を持つ永久磁石７０を両面に配置した図６の装置を使用して、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。すなわち、永久磁石７０により、磁界強度はスレーブディスク４０の半径方向位置３５ｍｍより半径方向位置７０ｍｍまで略均一強度になっている。このときの磁界印加条件は、実施例１−２と同一にした。
（電磁特性評価方法）
電磁変換特性測定装置（協同電子製、型番：ＳＳ・６０）によりスレーブディスク４０の転写信号の評価を行った。ヘッドには、ヘッドギャップ０．３２μｍ、トラック幅乱３．０μｍであるインダクティブヘッドを使用した。スレーブディスク４０の半径３５ｍｍから７０ｍｍまでを１ｍｍピッチで測定し、各周の平均値を算出した。これらの最大値をＶ２ＭＡＸとし、最小値をＶ２ＭＩＮとし、Ｖ２ＭＡＸ／Ｖ２ＭＩＮを求めた。
【００９０】
この値Ｖ２ＭＡＸ／Ｖ２ＭＩＮは、実施例２では、１．１３であり、比較例２では、１．５０であった。
［実施例３（３−１、３−２）及び比較例３］
（実施例３−１の磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図１０に示されるような電磁石８０を用いて、電磁石８０をスレーブディスク４０の内側から外側へ移動させながら、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。そのときの磁界印加条件は、スレーブディスク４０（マスターディスク４６）の回転速度を６０ｒｐｍの一定回転とし、印加磁界強度を、電磁石８０が半径３５ｍｍの位置にあるときは２７９ｋＡ／ｍ（３５００Ｏｅ）とし、電磁石８０が半径７０ｍｍに向かうにつれて漸増させ、電磁石８０が半径７０ｍｍの位置にあるときには３９７ｋＡ／ｍ（５０００Ｏｅ）とした。
（実施例３−２の磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図１０に示されるような電磁石８０を用いて、電磁石８０をスレーブディスク４０の内側から外側へ移動させながら、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。そのとき印加磁界強度は２９７ｋＡ／ｍ（３５００Ｏｅ）の一定強度とし、電磁石を半径３５ｍｍから半径７０ｍｍに向かって移動させた。このとき、スレーブディスク４０の回転速度を、電磁石８０が半径３５ｍｍの位置にあるときは７０ｒｐｍとし、そこから電磁石８０がスレーブディスク４０の外側へ向かうにつれスレーブディスク４０の回転速度を漸減させ、電磁石８０が半径７０ｍｍの位置に来たときにスレーブディスク４０の回転速度を３５ｒｐｍとなるようにした。
（比較例３の磁気転写方法）
初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させ、図１０に示されるような電磁石８０を用いて、電磁石８０をスレーブディスク４０の内側から外側へ移動させながら、スレーブディスク４０の磁化とは逆の方向に磁界を印加した。
【００９１】
そのときの磁界印加条件としては、スレーブディスク４０（マスターディスク４６）の回転速度を６０ｒｐｍの一定回転とし、印加磁界強度を２３８ｋＡ／ｍ（３０００Ｏｅ）の一定強度とした。
（電磁特性評価方法）
電磁変換特性測定装置（協同電子製、型番：ＳＳ・６０）によりスレーブディスク４０の転写信号の評価を行った。ヘッドには、ヘッドギャップ０．３２μｍ、トラック幅乱３．０μｍであるインダクティブヘッドを使用した。スレーブディスク４０半径３５ｍｍから７０ｍｍまでを１ｍｍピッチで測定し、各周の平均値を算出した。これらの最大値をＶ２ＭＡＸとし、最小値をＶ２ＭＩＮとし、Ｖ２ＭＡＸ／Ｖ２ＭＩＮを求めた。
【００９２】
この値Ｖ２ＭＡＸ／Ｖ２ＭＩＮは、実施例３−１では、１．０５であり、実施例３−２では、１．０６であり、比較例３では、１．７０であった。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明に係る磁気転写方法を実施するための磁気転写装置の要部斜視図
【図２】転写用磁界の印加方法を示す平面図
【図３】磁気転写方法の基本工程を示す図
【図４】磁界生成手段の他の構成を示す図
【図５】直流消磁方法の例を示す斜視図
【図６】磁気転写方法の例を示す斜視図
【図７】実施例１及び比較例１の結果を示す表
【図８】印加する磁界強度分布を示すグラフ
【図９】印加する磁界強度分布を示すグラフ
【図１０】磁気転写方法の更に他の例を示す斜視図
【符号の説明】
【００９４】
１０…磁気転写装置、２２、２４、２６…磁界生成手段、３０…磁界生成手段、３１…ギャップ、３２…コア、３３…コイル、３４…電磁石装置、４０…スレーブディスク（被転写用ディスク）、４６…マスターディスク
【図１】
2007012142.tif 000003
【図２】
2007012142.tif 000004
【図３】
2007012142.tif 000005
【図４】
2007012142.tif 000006
【図５】
2007012142.tif 000007
【図６】
2007012142.tif 000008
【図７】
2007012142.tif 000009
【図８】
2007012142.tif 000010
【図９】
2007012142.tif 000011
【図１０】
2007012142.tif 000012