(57)【要約】【課題】高密度の熱磁気記録媒体の良好な再生が可能な磁気再生装置を得る。【解決手段】主要部に、強磁性層１ａ、非磁性層１ｂ、強磁性層１ｃの順に積層されてなる磁気抵抗効果素子１と、積層方向に磁気抵抗効果素子１を挟み込む電極層２、３と、磁性導電体４ａ、抵抗体４ｂ、磁性導電体４ｃの順に積層されてなる磁気ヨーク４と、磁性導電体４ａ、４ｃに接続され、電圧を印加するための電源５ａを有する電圧印加回路５とを備えている。そして、磁性導電体４ａ、４ｃは、磁気抵抗効果素子１とは電気的に絶縁されるよう接触しない箇所に配置されており、磁性導電体４ａ、４ｃの両先端部は、強磁性層１ｃに磁気的に結合され、磁気回路を形成するよう強磁性層１ｃの上部に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱磁気記録媒体に記録された記録情報を再生する磁気再生装置であって、
第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層の順に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、
第１の磁性導電体、第１の抵抗体、第２の磁性導電体の順に積層されてなる磁気ヨークと、
前記第１の抵抗体を介して電流が流れるように、前記第１の磁性導電体と前記第２の磁性導電体との間に電圧を印加する手段とを備えており、
前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体が、前記磁気抵抗効果素子とは電気的に絶縁されていると共に、前記第１の強磁性層又は前記第２の強磁性層と磁気的に結合されており、
前記第１の抵抗体が、前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体よりも抵抗値が高い材料からなるものであることを特徴とする磁気再生装置。
【請求項２】
前記第１の抵抗体が、非線形の抵抗変化を示すバリスタからなることを特徴とする請求項１に記載の磁気再生装置。
【請求項３】
前記第１の抵抗体が、抵抗値の異なる材料からなる部材の結合体であって、各部材が前記磁気ヨークの媒体対向面に露出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気再生装置。
【請求項４】
前記第１の抵抗体が、１×１０５Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気再生装置。
【請求項５】
前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体が、１Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気再生装置。
【請求項６】
前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体のうちどちらか一方に隣接した第２の抵抗体が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気再生装置。
【請求項７】
前記第１の磁性導電体又は前記第２の磁性導電体に、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する放熱層が熱的に結合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気再生装置。
【請求項８】
前記第１の磁性導電体又は前記第２の磁性導電体に、０．５Ｊ／（ｇ・Ｋ）以上の比熱を有する熱吸収層が熱的に結合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱磁気記録媒体に記録された記録情報を再生する磁気再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク（以下ＨＤＤと略する）に代表される磁気ディスクメモリの高密度化は著しく、製品レベルでは約１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の記録密度が報告されている。それに対して、動画等のストレージされる情報も徐々に大型化し始めており、現行のＨＤＤ技術で実現できる記録密度では、将来許容できなくなる可能性もある。よって、ＨＤＤとしては、更なる高密度化、大容量化が要求されており、高密度化に対する研究開発が精力的に推進されている。しかし、上述のような約１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上のＨＤＤ高密度化を実現するためには、これまで以上に、線密度、及びトラック密度を増加させることが必要であり、それに加え、熱安定性、すなわち高密度に記録された非常に小さい磁気ビットが熱擾乱に耐えて安定に保存されることも必要とされている。
【０００３】
こうした状況の中で、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２以上の超高密度を実現する技術の一つとして、熱磁気記録再生技術が注目を浴びている。この熱磁気記録再生技術の特徴は、微小な磁気ビットの熱安定性を確保するために、磁気異方性の大きい媒体を使用している点にある。しかし、磁気異方性が大きいということは、保磁力が大きいことを意味し、常温における記録には、非常に大きな磁界を必要とするため、記録が困難である。よって、熱磁気記録再生技術においては、この問題を解決するために、記録の際に媒体を昇温して、保磁力を一時的に減少させて情報の記録を行っている（熱磁気記録）。また、再生においては、媒体を昇温せずに、磁気再生素子により媒体からの情報をそのまま読み取ることもできる。しかし、媒体の狭トラック化が進むと、素子サイズの問題によりクロストークが発生し、再生が難しくなってくる。この問題を解決するための、すなわち微小ビットを再現性よく再生する方法として、媒体を昇温しながら再生する方法も提案されている（熱磁気再生）。
【０００４】
例えば、下記特許文献１に開示されているように、補償温度が略室温であるフェリ磁性体からなる記録層が形成されている磁気記録媒体を用いて、記録時には、上記記録層に光ビームを照射して記録部位を昇温して保磁力を小さくし、磁気ヘッドを介して信号磁界を印加して情報を記録し、再生時には、記録層の再生部位に光ビームを照射して昇温して、再生部位の磁化を大きくして、そこから漏れる磁束を、磁気ヘッドを介して検知することによって情報を再生する磁気記録媒体の記録再生方法（熱磁気記録再生技術）が提案されている。この特許文献１に開示されている熱磁気記録再生技術においては、記録媒体の保磁力と磁化の温度依存性を巧妙に利用して、媒体への情報の記録及び再生を行っている。
【０００５】
下記特許文献１に開示されている熱磁気記録再生技術に使用される磁気ヘッドとしては、従来の磁気ヘッドの機能に加え、媒体を昇温させるための手段を備えている必要がある。このような媒体を昇温させるための手段である熱源（光源）を備えた磁気ヘッドが、これまでにいくつか提案されている。例えば、下記のような特許文献２、３に開示されている磁気再生装置に含まれるものがある。
【０００６】
特許文献２の磁気再生装置における磁気ヘッドにおいては、一つの浮上スライダ上に、記録時に、記録温度に昇温された熱磁気記録媒体の記録部位に、記録すべき情報に応じた信号磁界を印加する記録用磁気ヘッドと、再生時に、再生温度に昇温された熱磁気記録媒体の記録層の記録部位から、記録されている情報に応じて発生した磁束を検知する再生ヘッドと、熱磁気記録媒体の記録部位を、記録時には記録温度に、再生時には再生温度に昇温する加熱用磁気ヘッドとが一体的に設けられているものである。
【０００７】
特許文献３の磁気再生装置における磁気ヘッド（磁気光学ピックアップ）においては、スライダの側面に磁気記録媒体に対して空隙を有する磁気コアからなる磁気回路が形成され、前記磁気回路に励磁巻線が巻装され、前記磁気コアに囲まれた内部に、半導体レーザと半導体レーザからの記録光又は再生光を前記磁気記録媒体にガイドしかつ光スポットの大きさを規定する第一の光導波路を備えているのものである。
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１７６０３４号公報
【特許文献２】特開平１１−９６６０８号公報
【特許文献３】特許第２７０７５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献２、３の磁気再生装置における各磁気ヘッドには以下に示す問題がある。特許文献２に記載の磁気ヘッドの場合は、加熱用ヘッド、記録用ヘッド、及び再生用ヘッドが順に並列して形成されている。いわゆるインライン構造で各ヘッドが配置されているため、加熱ヘッドによる媒体昇温領域の中心と、再生領域である再生ヘッドの検出位置中心とが数μｍ程度離れてしまい一致せず、高密度の熱磁気記録媒体の良好な再生を行うことができない。
【００１０】
一方、特許文献３に記載の磁気ヘッドの場合は、磁気コアに囲まれた内部に光照射手段を備えているため、上記特許文献２の問題は解決できる。しかし、光照射手段である半導体レーザおよび第一の導波路が形成する媒体昇温領域（すなわち光スポットの大きさ）は、半導体レーザの波長で決まるため、その昇温領域は直径で数１００ｎｍにもなってしまう。そのため、例えば３００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の面密度で記録されている高密度記録媒体において利用される場合、その達成される磁気ビットサイズ（約５０ｎｍ）に比べ非常に昇温領域が大きいため、高密度の熱磁気記録媒体の良好な再生ができない。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、高密度の熱磁気記録媒体の良好な再生が可能な磁気再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び効果】
【００１２】
（１）  本発明は、熱磁気記録媒体に記録された記録情報を再生する磁気再生装置であって、第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層の順に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、第１の磁性導電体、第１の抵抗体、第２の磁性導電体の順に積層されてなる磁気ヨークと、前記第１の抵抗体を介して電流が流れるように、前記第１の磁性導電体と前記第２の磁性導電体との間に電圧を印加する手段とを備えており、前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体が、前記磁気抵抗効果素子とは電気的に絶縁されていると共に、前記第１の強磁性層又は前記第２の強磁性層と磁気的に結合されており、前記第１の抵抗体が、前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体よりも抵抗値が高い材料からなるものである。
【００１３】
上記構成によると、磁気ヨークと、この磁気ヨークと磁気的に結合されている磁気抵抗効果素子とを利用して漏洩磁束を検出する際、第１の抵抗体に電圧（電流）を印加することで発熱（ジュール熱を発生）することができるので、熱磁気記録媒体を昇温することができる。特に、第１の磁性導電体及び第２の磁性導電体よりも抵抗値が高い材料からなる抵抗体を用いているので、第１の磁性導電体及び第２の磁性導電体よりも高い温度に抵抗体を発熱させて、局所的に熱磁気記録媒体を昇温することができる。また、抵抗体が第１の磁性導電体と第２の磁性導電体との間に設けられているので、熱磁気記録媒体を再生する際に、媒体の昇温領域の中心と、媒体からの漏洩磁束の検出領域の中心とを容易に一致させることができる。したがって、熱磁気記録媒体を再生する際、昇温により発生（増加）する漏洩磁束をほぼ極大で検出することができ、再現性の良い再生を実現できる。また、磁気抵抗効果素子と磁気ヨークとが絶縁されているので、抵抗体を発熱させるための電流が磁気抵抗効果素子に流れ込むことがなく、磁束の検出精度を高くできる。
【００１４】
また、上記構成の磁気再生装置においては、熱磁気記録媒体に記録されている磁気ビットサイズに合わせて、抵抗体のサイズを狭小化することが可能であり、媒体の昇温領域および磁束検出領域を容易に縮小することができる。したがって、高密度の熱磁気記録媒体の再生を良好に行うこともできる。
【００１５】
（２）  上記（１）の磁気再生装置においては、前記第１の抵抗体が、非線形の抵抗変化を示すバリスタからなることが好ましい。
【００１６】
バリスタはある閾値電圧を越えると抵抗値が急激に低下するという特徴を持つものであり、このバリスタを抵抗体として利用するので、抵抗体が発熱によって抵抗変化を起こし、一時的に印加電圧が変化（上昇）したとしても、閾値電圧を超えれば抵抗値が下がり、バリスタ自体は発熱しなくなる。つまり、バリスタによって、ある設定された温度以上に発熱しないようにすることができる。また、抵抗体（バリスタ）の温度が下がり、抵抗値が元に戻れば、再発熱させることができる。したがって、上記構成の磁気再生装置によると、例えば、所望の昇温温度になる設定電圧を閾値電圧にもつバリスタを用いることで、抵抗体（バリスタ）の温度が過剰に上昇するのを防ぎ、媒体昇温温度を厳密に制御することができるので、常に最適な昇温温度に維持することが可能になる。したがって、より良好な熱磁気記録媒体の再生を実現できる。
【００１７】
（３）  上記（１）又は（２）の磁気再生装置においては、前記第１の抵抗体が、抵抗値の異なる材料からなる部材の結合体であって、各部材が前記磁気ヨークの媒体対向面に露出していることが好ましい。
【００１８】
上記構成によれば、第１の抵抗体が、二つ以上の抵抗値の異なる材料からなる部材の結合体であるので、電圧を印加するとそれぞれの層が異なる温度で発熱する。すなわち、抵抗体が発生する温度分布は、全体でみれば、それら抵抗値が異なる部材からの異なる温度分布の重ね合わせで示すことができる。電圧を印加した際、抵抗値の異なる部材がそれぞれ異なる発熱温度になるため、各部材の配置を変化させることにより、抵抗体の温度分布を変化させることができる。すなわち、抵抗体による媒体の昇温領域の制御が可能となる。
【００１９】
（４）  上記（１）〜（３）の磁気再生装置においては、前記第１の抵抗体が、１×１０５Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するものであることが好ましい。
【００２０】
上記構成によると、十分に第１の抵抗体を発熱させることができ、効率よく熱磁気記録媒体を昇温できる。
【００２１】
（５）  上記（１）〜（４）の磁気再生装置においては、前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体が、１Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有するものであることが好ましい。
【００２２】
上記構成によると、外部からの電流を効率よく第１の抵抗体に流すことができる。
【００２３】
（６）  上記（１）〜（５）の磁気再生装置においては、前記第１の磁性導電体及び前記第２の磁性導電体のうちどちらか一方に隣接した第２の抵抗体が形成されていることが好ましい。
【００２４】
上記構成によると、第２の抵抗体に電流を流すことによって発熱させ、第１の抵抗体で熱磁気記録媒体を昇温する前に予備昇温することができる。具体的には、急激に最適温度まで昇温するのが困難な熱磁気記録媒体を再生する場合、第１の抵抗体で昇温するのに先立ち、第２の抵抗体である程度の温度まで昇温することにより、熱磁気記録媒体において熱磁気再生を行う際の最適温度まで容易に昇温することができる。
【００２５】
（７）  上記（１）〜（６）の磁気再生装置においては、前記第１の磁性導電体又は前記第２の磁性導電体に、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する放熱層が熱的に結合されていることが好ましい。或いは、前記第１の磁性導電体又は前記第２の磁性導電体に、０．５Ｊ／（ｇ・Ｋ）以上の比熱を有する熱吸収層が熱的に結合されていることが好ましい。
【００２６】
上記構成によると、第１の磁性導電体又は第２の磁性導電体に放熱層を備えていれば、第１の磁性導電体又は第２の磁性導電体に伝熱した抵抗体で発生した熱を放熱することができる。或いは、第１の磁性導電体又は第２の磁性導電体に熱吸収層を備えていれば、第１の磁性導電体又は第２の磁性導電体に伝熱した抵抗体で発生した熱を溜め込む（吸収する）ことができる。したがって、上述の放熱層又は熱吸収層があれば、第１の磁性導電体又は第２の磁性導電体から磁気抵抗効果素子への伝熱を抑制し、磁気抵抗効果素子の感度が低下することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る磁気再生装置について説明する。図１が本発明の実施形態に係る磁気再生装置の主要部を示す斜視摸式図である。図２は、図１の磁気再生装置の主要部と基板との関係を示す図であって、（ａ）が上視図、（ｂ）が（ａ）のｂ−ｂ矢視断面図、（ｃ）が（ａ）のｃ−ｃ矢視断面図、（ｄ）が（ａ）の磁気ヨークをＸ方向から見たときの媒体対向面を示す平面図である。なお、以下の文中において、図２（ａ）の紙面上下方向の長さを「幅」、紙面左右方向の長さを「長さ」と称して表現に用いる。また、図２（ｂ）の紙面上下方向の長さを「厚み」と称して表現に用いる。
【００２８】
本実施形態に係る磁気再生装置においては、図１に示すように、その主要部に、強磁性層１ａ、非磁性層１ｂ、強磁性層１ｃの順に積層されてなる磁気抵抗効果素子１と、積層方向に磁気抵抗効果素子１を挟み込む電極層２、３と、磁性導電体４ａ、抵抗体４ｂ、磁性導電体４ｃの順に積層されてなる磁気ヨーク４と、磁性導電体４ａ、４ｃに接続され、電圧を印加するための電源５ａを有する電圧印加回路５とを備えている。そして、磁性導電体４ａ、４ｃは、磁気抵抗効果素子１とは電気的に絶縁されるよう磁気抵抗効果素子１に接触しない箇所に配置されているが、磁性導電体４ａ、４ｃの両先端部は、強磁性層１ｃに磁気的に結合され、磁気回路を形成するよう強磁性層１ｃの上部に配置されている。ここで、磁気抵抗効果素子１及び磁気ヨーク４からなる部位は、磁気ヘッドの主要部でもある。すなわち、磁気再生装置の主要部は、磁気ヘッドの主要部及び電圧印加回路５とを備えている。
【００２９】
磁気抵抗効果素子１は、磁気ヨーク４に誘導される熱磁気記録媒体からの信号（漏洩磁束）を、素子の抵抗変化（電圧変化）として検出できるものである。強磁性層１ａ、１ｃには、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる元素を含んだ単体、或いはそれらの合金（ＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ合金などの積層膜）を用いる。ただし、強磁性層１ａ、１ｃは、それぞれの保磁力が異なる強磁性体が選ばれる。具体的には、例えば互いの保磁力が異なるように、磁性体材料を選択する。あるいは、強磁性層１ａ、１ｃのそれぞれを異なる膜厚で形成し、その膜厚差により強磁性層１ａ、１ｃ間に保磁力差をつけてもよい。あるいは、強磁性層１ａと電極層２との間、あるいは強磁性層１ｃと電極層３との間のいずれかにおいて、ＭｎＩｒやＭｎＰｔに代表される反強磁性層をそれぞれの磁性層に隣接して形成することで保磁力差を付けてもよい。尚、ＭｎＩｒ等の反強磁性層を形成する場合には、その面内配向性を高めるために、ＭｎＩｒの形成に先立ってＮｉＦｅ／Ｃｕを順次積層させたシード層を形成してもよい。
【００３０】
磁気抵抗効果素子１の非磁性層１ｂには、Ｃｕ等の金属又は酸化アルミニウム等の絶縁膜を用いる。非磁性層１ｂに金属が用いられた場合には、磁気抵抗効果素子１は、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子として動作し、非磁性層１ｂに絶縁膜が用いられた場合には、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子として動作する。この磁気抵抗効果素子１の変形例としては、電圧をＧＭＲ素子の積層膜に対して平行に印加するＣＩＰ（Current In Plane）−ＧＭＲ素子や、電圧をＧＭＲ素子の積層膜に対して垂直に印加するＣＰＰ（Current Perpendicur Plane）−ＧＭＲ素子、或いはＮＯＬ（Nano Oxide Layer）層などの電流狭窄層を設けたＣＰＰ−ＧＭＲ素子などがある。
【００３１】
電極層２は、図２（ｂ）に示すように、基板６の上面に形成され、強磁性層１ａ下部から基板６の端部まで延設されている。電極層３は、図２（ａ）に示すように、強磁性層１ｃ上部から電極層２と同方向に延設されている。電極層２、３は、導電性の高い金属材料から形成される。例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｔａやこれらを含む材料を用いることができる。
【００３２】
磁気ヨーク４は、磁性導電体４ａ、抵抗体４ｂ、磁性導電体４ｃの順に積層された部分の側面（図２（ｄ）参照）が、熱磁気記録媒体に対向する対向面となるように形成されている積層体であり、ある一方向から見ると略Ｕ字状（図２（ａ）参照）である。磁性導電体４ａ、４ｃは、磁気抵抗効果素子１に熱磁気記録媒体からの磁束を誘導するための磁性体であるとともに、外部からの電流を効率よく抵抗体４ｂに流すために１Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する導電体でもあり、透磁率の高い材料が利用される。例えば、ＮｉＦｅ合金（１×１０−４Ω・ｃｍ）などを用いる。
【００３３】
抵抗体４ｂには、十分に抵抗体４ｂを発熱させることができ、効率よく熱磁気記録媒体を昇温できるようにするため、１×１０５Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する、酸化物、窒化物、炭化物などの絶縁体を用いる。これらの絶縁体材料は、比較的高い抵抗率を有するため、高温に発熱をする。例えば、２００〜３００℃程度の高温が必要な熱磁気記録媒体に対し使用する場合には、好適である。上記酸化物、窒化物、炭化物などの絶縁体材料であれば、高い抵抗率を有するため、その厚みが薄くても、高温に発熱させることが可能である。したがって、抵抗体４ｂの厚みは、熱磁気記録媒体の再生分解能を決定する要素の一つであるので、上記材料を使い抵抗体４ｂの厚みを薄くすれば、再生分解能を向上させることが可能である。ただし、抵抗体４ｂの厚さとしては、電子が抵抗体４ｂの厚み方向にトンネルしない程度以上の厚さが最低必要とされる。材料によって異なるが、この厚さは１０ｎｍ以上である。また、抵抗体４ｂの厚さ及び幅は、熱磁気記録媒体の分解能を決めることになるので、熱磁気記録媒体の線密度（磁気ビット長）や昇温領域にあわせて設計する。加えて、抵抗体４ｂの発熱温度は、媒体が有する磁束が増大される温度範囲や磁性導電体４ａ、４ｂの磁化状態を考慮して、設定する必要がある。
【００３４】
なお、上記酸化物、窒化物、炭化物などの絶縁体材料の中には、電気エネルギーから赤外線エネルギーへの変換効率が高いものがあり、例えば、窒化ホウ素などがそれにあたる。このような絶縁体材料を抵抗体４ｂとして用いると、抵抗体４ｂが発熱するときに生じる磁気ヨーク４の温度上昇を抑制することができ、さらには、磁気ヨーク４を介して発生する磁気抵抗効果素子１への熱伝導が軽減され、抵抗体４ｂの発熱による磁気抵抗効果素子１の劣化を回避することができる。さらに、前記変換効率が高く、電気エネルギーが瞬時に赤外線エネルギーに変換するため、発熱が早く、例えば熱源を変調させて再生を行う場合には好適である。抵抗体４ｂの材料としては他に、例えば、酸化ケイ素や酸化アルミニウム、窒化珪素や窒化アルミ、窒化ボロン、炭化珪素なども利用できる。
【００３５】
抵抗体４ｂに使用できる材料としては、上述のものの他に、バリスタがある。バリスタはある閾値電圧を越えると抵抗値が急激に低下するという特徴を持っており、このバリスタを抵抗体４ｂに利用するので、抵抗体４ｂが発熱によって抵抗変化を起こし、一時的に印加電圧が変化（上昇）したとしても、閾値電圧を超えれば抵抗値が下がり、抵抗体４ｂは発熱しなくなる。つまり、バリスタによって、ある設定された温度以上に抵抗体４ｂが発熱しないようにすることができる。また、抵抗体４ｂの温度が下がり、抵抗値が元に戻れば、再発熱させることができる。したがって、抵抗体４ｂに、例えば、所望の昇温温度になる設定電圧を閾値電圧にもつバリスタを用いることで、抵抗体４ｂの温度が過剰に上昇するのを防ぎ、熱磁気記録媒体の昇温温度を厳密に制御することができるので、常に最適な昇温温度に維持することが可能になる。したがって、より良好な熱磁気記録媒体の再生を実現できる。
【００３６】
次に、本実施形態に係る磁気再生装置の製造方法について、一例を用いて説明する。図３（ａ）〜図３（ｋ）は、本実施形態に係る磁気再生装置の製造工程を順に描いた図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図の矢視断面図（例えば、図３（ａ）における左側の上視図のａ−ａ矢視断面図。図３（ｂ）〜図３（ｋ）においても同様。）である。尚、熱磁気記録媒体からの漏洩磁束を検知する磁気抵抗効果素子１の非磁性層１ｂには絶縁膜を利用した、いわゆるトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を採用した。
【００３７】
まず、熱酸化によってＳｉＯ２が表面に形成された基板６上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、電極層２、続いて強磁性層１ａを成膜した。具体的には、電極層２は、Ｔａ（５ｎｍ）／Ｃｕ（３０ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）を順次積層したものであり、強磁性層１ａは、ＮｉＦｅ（２ｎｍ）／Ｃｕ（５ｎｍ）をシード層（図示せず）として順次積層した後、ＭｎＩｒ（１５ｎｍ）／ＣｏＦｅ（４ｎｍ）を順次積層したものである。各膜は、Ａｒガス雰囲気下において、ＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜されている（図３（ａ）参照）。
【００３８】
次に、強磁性層１ａ上に酸化Ａｌからなるトンネル絶縁層（非磁性層１ｂ）を形成した。具体的には、まず、強磁性層１ａ上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、予めＡｌ膜を２ｎｍの厚みで成膜した後、１Ｐａの酸素ガス雰囲気下においてＡｌ膜をプラズマ酸化した。投入電力は１００Ｗ、酸化時間３０ｓとした。これにより、酸化Ａｌからなるトンネル絶縁層（非磁性層１ｂ）が形成された。
【００３９】
続いて、強磁性層１ａに一軸異方性を付与するために、２８０℃、５ｋＯｅの磁界を印加し、２時間アニール処理を行った。
【００４０】
次に、トンネル絶縁層（非磁性層１ｂ）上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて強磁性層１ｃを成膜した。具体的には、強磁性層１ｃは、ＣｏＦｅ（４ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１０ｎｍ）を順次積層したものである。各膜は、Ａｒガス雰囲気下において、ＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜された（図３（ｂ）参照）。
【００４１】
次に、強磁性層１ｃ上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィで幅１μｍ、長さ０．５μｍにパターンニングし、イオンミリングを用いて素子の成形を行った（図３（ｃ）参照）。以上、上記各工程を経ることによって、ＴＭＲ素子となる磁気抵抗効果素子１が形成することができる。
【００４２】
続けて、マグネトロンスパッタ装置を用いて、強磁性層１ａ、１ｃ、非磁性層１ｂ、電極層２、及び基板６表面を覆う層間絶縁膜７を成膜した。層間絶縁膜７はＳｉＯ２である。Ａｒガス雰囲気下において、ＲＦマグネトロンスパッタ法によって形成された。次に、強磁性層１ｃ上のレジストをリフトオフし、さらに表面エッチングにより層間絶縁膜７の高さと強磁性層１ｃの表面がほぼ一様にそろうように処理を行った（図３（ｄ）参照）。
【００４３】
続けて、保護膜８としてＳｉＯ２膜を１０ｎｍ成膜した（図３（ｅ）参照）。この保護膜８は、強磁性層１ｃと、この後に形成される磁性導電体４ａ、４ｃとを電気的に絶縁させる役割をするものである。
【００４４】
次に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、保護膜８上に磁性導電体４ａを形成した。具体的には、ＮｉＦｅを３０ｎｍの膜厚で成膜した後、フォトリソグラフィにより、磁性導電体４ａの幅が１μｍ、長さが１．５μｍ、さらに磁気ヨーク４の媒体対向面となる部位の幅が０．３μｍになるように、図１、図２（ａ）に示すような形状でパターンニングを施した。続けて、イオンミリングを用いて保護膜８が現れるまで処理を行った後、レジストを除去した。前記ＮｉＦｅは、Ａｒガス雰囲気下において、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって形成された（図３（ｆ）参照）。
【００４５】
次に、磁性導電体４ａ上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、抵抗体４ｂを形成した。具体的には、抵抗体４ｂは、ＡｌＮを膜厚１５ｎｍで成膜したものである。このとき、抵抗体４ｂと同様の抵抗体４ｂ１が保護膜８上にも形成される。ＡｌＮは、Ａｒ／Ｎ２混合ガス雰囲気下において、ＡｌをＤＣマグネトロンスパッタすることで形成された（図３（ｇ）参照）。
【００４６】
次に、抵抗体４ｂ、４ｂ１上に、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術にて、パターンニングを施し、続けてイオンミリングを行い、保護膜８が露出するように、すなわち抵抗体４ｂ１の一部を除去するための処理を行った。パターンニングの位置は、磁気抵抗効果素子１の中心線に対して磁性導電体４ａと対称となる位置である（図３（ｈ）参照）。
【００４７】
次に、マグントロンスパッタ装置を用いて、抵抗体４ｂ、４ｂ１上に磁性導電体４ｃを形成した。具体的には、ＮｉＦｅを３０ｎｍの膜厚で成膜した後、フォトリソグラフィにより、磁性導電体４ｃの幅が１μｍ、長さが１．５μｍ、さらに磁気ヨーク４の媒体対向面となる部分の幅が０．３μｍになるように、図１、図２（ａ）に示すような形状でレジストを残すような形でパターンニングした後、イオンミリングを用いて処理を施し、レジストを除去した。ＮｉＦｅは、Ａｒガス雰囲気下において、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって形成された。このとき、磁性導電体４ｃは、磁気抵抗効果素子１の中心線に対して磁性導電体４ａと対称となる位置に形成されている（図３（ｉ）参照）。
【００４８】
次に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁性導電体４ｃ及び抵抗体４ｂ、４ｂ１を覆う保護膜９を成膜した。具体的には、ＳｉＯ２を４０ｎｍの厚みで成膜したものである。ＳｉＯ２はＡｒガス雰囲気下において、ＲＦマグネトロンスパッタ法によって形成された（図３（ｊ）参照）。
【００４９】
最後に、電極層３を形成した。具体的には、保護膜９上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によってパターンニングした後、イオンミリングを用いて処理を行い、強磁性層１ｃを露出させた。続いて、マグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒガス雰囲気下において、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって、Ｔａ（５ｎｍ）／Ｃｕ（３０ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）を順次積層し、電極層３を成膜した。その後、保護膜９上のレジストを除去した（図３（ｋ）参照）。
【００５０】
さらに、図には示さないが、磁性導電体４ａ、磁性導電体４ｃに電圧を印加するための電極を取るために、フォトリソグラフィ技術、およびイオンミリング処理により、磁性導電体４ａ及び磁性導電体４ｃ上の積層膜を貫通させる形で穴あけ加工を行い、両ヨーク部表面を露出させ、そこにＡｕ等の電極を埋め込んで電極を形成する。これらの工程によって、図１に示すような磁気ヘッドの主要部を含む磁気再生装置が作製される。
【００５１】
次に、本実施形態に係る磁気再生装置の動作について説明する。図４は、本実施形態に係る磁気再生装置の動作を説明するための図であって、（ａ）が本実施形態に係る磁気再生装置の主要部と熱磁気記録媒体とを示す側面図、（ｂ）が（ａ）の熱磁気記録媒体の表面の一部を示す平面図である。図５は、熱磁気記録媒体から図４の磁気再生装置の主要部への漏洩磁界の磁路を説明するための図であって、（ａ）が熱磁気記録媒体の回転方向と同方向から見たときの図、（ｂ）が（ａ）の側面から見たときの図である。なお、図５（ａ）については、説明の便宜のため、電極層３を省略して表現している。
【００５２】
まず、磁気ビット１０ａ及び磁気トラック１０ｂを有する熱磁気記録媒体１０（ここでは、上記特許文献１に記載のものを使用）が回転しているときに、図１に示す電圧印加回路５によって磁性導電体４ａ、４ｃ間に電圧（電流）を印加して、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、抵抗体４ｂを発熱させる。すると、熱磁気記録媒体１０上に磁束が増大される温度範囲の昇温領域１１と、磁束が増大しない又はほとんど増大しない温度範囲の昇温領域１２とが形成される。このように、抵抗体４ｂで発生した熱は、熱磁気記録媒体１０の再生部位（昇温領域１１の中心）を昇温させ、再生部位の磁化を増大させることができる。ここで、再生部位以外の部分、すなわち昇温されない部位では磁束は漏洩しない（または小さい）。よって再生部位以外のところから磁束を検出することはない。再生部位から漏洩する磁束は、磁気ヨーク４の媒体対向面側から磁気抵抗効果素子１に導入される。すなわち、磁路としては、図５（ａ）、（ｂ）に示す矢印のように、熱磁気記録媒体１０、磁性導電体４ｃ、強磁性層１ｃ、磁性導電体４ａをこの順に経由するループとなる。
【００５３】
ここで、磁気抵抗効果素子１に接続された電極層２、３間に外部電源（図示せず）で電圧を印加して、強磁性層１ａ、非磁性層１ｂ、強磁性層１ｃの厚み方向に電流を流す。磁気ヨーク４を介して磁気抵抗効果素子１に導入された磁束は、磁気抵抗効果素子１における強磁性層１ｃの磁化方向を変化させ、これにより、強磁性層１ａ、１ｃが持つ磁化の相対角度を変化させることができる。この両磁性層の磁化相対角の変化に伴って、磁気抵抗効果素子１の抵抗が変化する、すなわち磁気抵抗効果が生じる。この素子抵抗の変化は、例えば外部電源（図示せず）から電流を供給するときの電圧変化として検出する。
【００５４】
本実施形態の磁気再生装置によれば、磁気ヨーク４と、この磁気ヨーク４と磁気的に結合されている磁気抵抗効果素子１とを利用して漏洩磁束の検出する際、抵抗体４ｂに電圧（電流）を印加することで発熱（ジュール熱を発生）することができるので、熱磁気記録媒体１０を昇温することができる。特に、磁性導電体４ａ、４ｂよりも抵抗値が高い材料からなる抵抗体４ｂを用いているので、磁性導電体４ａ、４ｂよりも高く抵抗体４ｂを発熱させて、局所的に熱磁気記録媒体１０を昇温することができる。また、抵抗体４ｂが磁性導電体４ａ、４ｂ間に設けられているので、熱磁気記録媒体１０を再生する際に、熱磁気記録媒体１０の昇温領域の中心と、熱磁気記録媒体１０からの漏洩磁束の検出領域の中心とを容易に一致させることができる。したがって、熱磁気記録媒体１０を再生する際、昇温により発生（増加）する漏洩磁束をほぼ極大で検出することができ、再現性の良い再生を実現できる。
【００５５】
また、磁気抵抗効果素子１と磁気ヨーク４とが絶縁されているので、抵抗体４ｂを発熱させるための電流が磁気抵抗効果素子１に流れ込むことがなく、磁束の検出精度が高い磁気再生装置となる。
【実施例】
【００５６】
次に、実施例を用いて、本発明を説明する。本実施例では、上述の実施形態において示した製造方法を用いて製造した磁気再生装置を試料とした。
【００５７】
磁気再生装置に関して、磁性導電体４ａ、４ｃ間に電圧印加回路５によって電圧を印加し、抵抗体４ｂを発熱させた状態で、電極層２、３間に電圧を印加して電流を流し、磁気抵抗効果素子１のＭＲ特性評価を行った。
【００５８】
磁気ヨーク４の媒体対向面付近が約２００℃の温度になるように磁性導電体４ａ、４ｃ間に電圧を印加し、ＭＲ特性を調べた結果、１１％のＭＲ比が得られた。ちなみに、電圧を印加せずにＭＲ特性を調べた結果、ＭＲ比は２０％であった。以上の結果から、電圧印加して抵抗体４ｂが加熱されたとしても、磁気抵抗効果素子１が本来持つＭＲ比の約５０％程度は得ることができた。
【００５９】
Ｆｅ／ＭｇＯ／Ｆｅ単結晶膜により構成されるトンネル磁気抵抗効果素子を利用した場合、ＭＲ比が２００％以上の値が得られることがわかっている。これを、本発明の磁気ヘッドに構成される磁気抵抗効果素子１とした場合には、ＭＲ比１００％以上を得ることができ、十分に信号を検出することができた。すなわち、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２の面密度で得られる微小な磁気ビットからであっても十分に出力が得られ、非常に好適であることがわかった。
【００６０】
なお、本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で設計変更できるものであり、上記実施形態や実施例に限定されるものではなく、以下のように変形することもできる。例えば、図２（ｃ）では、磁気抵抗効果素子１の位置が、磁気ヨーク４の下部に配置するようにしているが、図６（ａ）に示すように、強磁性層２１ａ、非磁性層２１ｂ、強磁性層２１ｃの順に積層されてなる磁気抵抗効果素子２１を、磁気ヨーク２４の上部に配置してもかまわない。なお、本変形例において第１実施形態と同様の部分（符号２１〜２３、２４ａ、２４ｂ、２６）については、第１実施形態の符号（符号１〜３、４ａ、４ｂ、６）の部分にそれぞれ順に合致させて示しており、かかる同様の部分の説明は省略している。ただし、磁気抵抗効果素子２１の各層の積層順が磁気抵抗効果素子１とは逆になっている。その他の部位に関しては上記実施形態とほぼ同様であるので、符合の一の位（１〜６に限る）を同じとして、その説明を省略することがある。以下の変形例でも同様に省略することがある。
【００６１】
また、図６（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子３１（磁気抵抗効果素子１と同様の素子であり、符合３１ａ〜３１ｃと符合１ａ〜１ｃとは対応している）の強磁性層３１ｃが、磁気ヨーク３４の先端部と同じ高さ位置になるように並列配置されていてもかまわない。
【００６２】
また、磁気ヨーク４の代わりに、図７（ａ）に示すように、磁気ヨーク４４の磁性導電体４４ａ、４４ｃの先端部付近に２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する放熱層４７ａ、４７ｂがそれぞれ形成されたものを用いてもよい。これにより、磁性導電体４４ａ、４４ｃに伝熱した抵抗体（図示していないが、磁性導電体４４ａ、４４ｃに挟まれて存在している）で発生した熱を放熱することができる。或いは、図７（ｂ）に示すように、放熱層４７ａ、４７ｂの代わりに同位置に０．５Ｊ／（ｇ・Ｋ）以上の比熱を有する熱吸収層５７ａ、５７ｂを形成してもよい。これにより、磁性導電体５４ａ、５４ｃに伝熱した抵抗体で発生した熱を溜め込む（吸収する）ことができる。したがって、上述の放熱層又は熱吸収層があれば、磁性導電体から磁気抵抗効果素子（図示せず）への伝熱を抑制し、磁気抵抗効果素子の感度が低下することを抑制することができる。
【００６３】
また、磁気ヨーク４の代わりに、図８に示すような磁気ヨーク６４を用いてもよい。この磁気ヨーク６４は、磁気ヨーク４と同様の磁性導電体６４ａ、抵抗体（図示せず）、磁性導電体６４ｃの順に積層された部位と、この積層部位と磁気的に結合されているが、電気的に絶縁されている磁性体６４ｄとを備えている。磁性体６４ｄは、磁気抵抗効果素子の強磁性層（図示せず）と磁気的に結合されていればよく、磁気抵抗効果素子の強磁性層と隣接していてもよいし、この強磁性層と一体となっていてもよい。このとき、磁気ヨーク６４に電圧を印加する電圧印加回路は、磁性導電体６４ａ、６４ｃに接続する必要がある。このような構成であっても、上記実施形態と同様の磁気ループを形成できる。
【００６４】
また、磁気ヨーク４の代わりに、図９（ａ）〜（ｃ）に示すような媒体対向面を有する磁気ヨーク７４、８４、９４を用いることもできる。これらの磁気ヨーク７４、８４、９４は、抵抗値の異なる材料からなる複数の部材の結合体であって、各部材が磁気ヨークの媒体対向面に露出している抵抗体を有している。具体的に説明すると、図９（ａ）の磁気ヨーク７４は、磁性導電体７４ａ、抵抗体７４ｂ、磁性導電体７４ｃの順に積層されたものである。抵抗体７４ｂは、磁性導電体７４ａ、抵抗体７４ｂ、磁性導電体７４ｃの積層方向と垂直な方向に形成された層７４ｂ１、７４ｂ２、７４ｂ３の３層（各層で材料が異なる）からなる結合体となっている。
【００６５】
図９（ｂ）の磁気ヨーク８４は、磁性導電体８４ａ、抵抗体８４ｂ、磁性導電体８４ｃの順に積層されたものであるが、抵抗体８４ｂが、磁性導電体８４ａ、抵抗体８４ｂ、磁性導電体８４ｃの積層方向と同方向に形成された層８４ｂ１、８４ｂ２、８４ｂ３の３層（各層で材料が異なる）からなる結合体となっている点で図９（ａ）の磁気ヨーク６４と異なっている。
【００６６】
図９（ｃ）の磁気ヨーク９４は、磁性導電体９４ａ、抵抗体９４ｂ、磁性導電体９４ｃの順に積層されたものであるが、抵抗体９４ｂが、３行×５列の層であり、２種類の異なる材料が交互に組み込まれた層となっている。
【００６７】
図９（ａ）〜（ｃ）に示すような磁気ヨーク７４、８４、９４を用いれば、抵抗体が、二つ以上の抵抗値の異なる材料からなる部材の結合体であるので、電圧を印加するとそれぞれの層が異なる温度で発熱する。すなわち、抵抗体が発生する温度分布は、全体でみれば、それら抵抗値が異なる部材からの異なる温度分布の重ね合わせで示すことができる。電圧を印加した際、抵抗値の異なる部材がそれぞれ異なる発熱温度になるため、各部材の配置を変化させることにより、抵抗体の温度分布を変化させることができる。すなわち、抵抗体による媒体の昇温領域の制御が可能となる。
【００６８】
また、磁気ヨーク４の代わりに、図１０に示すような媒体対向面を有する磁気ヨーク１０４を用いることもできる。具体的に説明すると、磁気ヨーク１０４は、磁性導電体１０４ａ、抵抗体１０４ｂ（本昇温用）、磁性導電体１０４ｃ、抵抗体１０７（予備昇温用）の順に積層されたものである。そして、抵抗体１０７の両端には電圧印加用の電極層１０８ａ、１０８ｂが形成されている。これにより、抵抗体１０７に電流を流すことによって発熱させ、抵抗体１０４ｂで熱磁気記録媒体を本昇温する前に予備昇温することができる。具体的には、急激に最適温度まで昇温するのが困難な熱磁気記録媒体を再生する場合、抵抗体１０４ｂで昇温するのに先立ち、抵抗体１０７によりある程度の温度まで昇温することによって、熱磁気記録媒体において熱磁気再生を行う際の最適温度まで容易に昇温することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１が本発明の実施形態に係る磁気再生装置の主要部を示す斜視摸式図である。
【図２（ａ）】図１の磁気再生装置の主要部と基板との関係を示す上視図である。
【図２（ｂ）】図２のｂ−ｂ矢視断面図である。
【図２（ｃ）】図２（ａ）のｃ−ｃ矢視断面図である。
【図２（ｄ）】図２（ａ）の磁気ヨークをＸ方向から見たときの媒体対向面を示す平面図である。
【図３（ａ）】本発明の実施形態に係る磁気再生装置の製造工程の第１工程を描いた図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のａ−ａ矢視断面図である。
【図３（ｂ）】図３（ａ）の強磁性層上に非磁性層及び強磁性層を順に形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｂ−ｂ矢視断面図である。
【図３（ｃ）】図３（ｂ）の積層体の成形工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｃ−ｃ矢視断面図である。
【図３（ｄ）】図３（ｃ）の積層体の強磁性層、非磁性層、電極層、及び基板６表面を覆う層間絶縁膜を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｄ−ｄ矢視断面図である。
【図３（ｅ）】図３（ｄ）の層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｅ−ｅ矢視断面図である。
【図３（ｆ）】図３（ｅ）の保護膜上に磁性導電体を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｆ−ｆ矢視断面図である。
【図３（ｇ）】図３（ｆ）の磁性導電体及び保護膜８上にそれぞれ抵抗体を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｇ−ｇ矢視断面図である。
【図３（ｈ）】保護膜が露出するように図３（ｇ）の抵抗体の一部を除去する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｈ−ｈ矢視断面図である。
【図３（ｉ）】図３（ｈ）の抵抗体上に磁性導電体を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｉ−ｉ矢視断面図である。
【図３（ｊ）】図３（ｉ）の磁性導電体及び抵抗体を覆う保護膜を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｊ−ｊ矢視断面図である。
【図３（ｋ）】図３（ｊ）の最上段の保護膜を成形し、電極層を形成する工程を示す図であって、左側が上視図、右側が左側の上視図のｋ−ｋ矢視断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る磁気再生装置の動作を説明するための図であって、（ａ）が本実施形態に係る磁気再生装置の主要部と熱磁気記録媒体とを示す側面図、（ｂ）が（ａ）の熱磁気記録媒体の表面の一部を示す平面図である。
【図５】熱磁気記録媒体から図４の磁気再生装置の主要部への漏洩磁界の磁路を説明するための図であって、（ａ）が熱磁気記録媒体の回転方向と同方向から見たときの図、（ｂ）が（ａ）の側面から見たときの図である。
【図６】本発明の実施形態に係る磁気再生装置において、磁気抵抗効果素子と磁気ヨークとの位置関係の変形例を示す図であって、（ａ）が磁気抵抗効果素子を磁気ヨーク１４の上部に配置した場合を示す図、（ｂ）が磁気抵抗効果素子の強磁性層が、磁気ヨークの先端部と同じ高さ位置になるように並列配置した場合を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る磁気再生装置における磁気ヨークの変形例の媒体対向面を示す図であって、（ａ）が磁気ヨークの磁性導電体の各先端部付近に放熱層がそれぞれ形成されている状態を示す図、（ｂ）が磁気ヨークの磁性導電体の各先端部付近に熱吸収層がそれぞれ形成されている状態を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る磁気再生装置における磁気ヨークの変形例の媒体対向面を示す図であって、磁気ヨークを途中で分断して、磁気抵抗効果素子と磁気的な結合をさせつつ電気的絶縁がなされたものである。
【図９】本発明の実施形態に係る磁気再生装置における磁気ヨークの変形例の媒体対向面を示す図であって、（ａ）が積層方向と垂直な方向に３層が形成された構造の抵抗体を用いたもの、（ｂ）が積層方向と同方向に３層が形成された構造の抵抗体を用いたもの、（ｃ）が３行×５列の層であり、２種類の材料が交互に組み込まれた層からなる抵抗体を用いたものである。
【図１０】本発明の実施形態に係る磁気再生装置における磁気ヨークの変形例の媒体対向面を示す図であって、予備昇温用の抵抗体を有する磁気ヨークを示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１、２１、３１    磁気抵抗効果素子
１ａ、１ｃ、１１ａ、１１ｃ、２１ａ、２１ｃ、３１ａ、３１ｃ    強磁性層
１ｂ、２１ｂ、３１ｂ    非磁性層
２、３、９８ａ、９８ｂ    電極層
４、１４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１０４    磁気ヨーク
４ａ、４ｃ、２４ａ、２４ｃ、３４ａ、３４ｃ、４４ａ、４４ｃ、５４ａ、５４ｃ、６４ａ、６４ｃ、７４ａ、７４ｃ、８４ａ、８４ｃ、９４ａ、９４ｃ、１０４ａ、１０４ｃ    磁性導電体
４ｂ、 ２４ｂ、３４ｂ、４４ｂ、５４ｂ、６４ｂ、７４ｂ、８４ｂ、９４ｂ、１０４ｂ    抵抗体
５        電圧印加回路
５ａ      電源
６、１６  基板
７        層間絶縁膜
８、９    保護膜
１０      熱磁気記録媒体
１０ａ    磁気ビット
１０ｂ    磁気トラック
１１、１２  昇温領域
４４ｄ  磁性体
４５ａ、４５ｂ  放熱層
【図１】
2007280479.tif 000003
【図２（ａ）】
2007280479.tif 000004
【図２（ｂ）】
2007280479.tif 000005
【図２（ｃ）】
2007280479.tif 000006
【図２（ｄ）】
2007280479.tif 000007
【図３（ａ）】
2007280479.tif 000008
【図３（ｂ）】
2007280479.tif 000009
【図３（ｃ）】
2007280479.tif 000010
【図３（ｄ）】
2007280479.tif 000011
【図３（ｅ）】
2007280479.tif 000012
【図３（ｆ）】
2007280479.tif 000013
【図３（ｇ）】
2007280479.tif 000014
【図３（ｈ）】
2007280479.tif 000015
【図３（ｉ）】
2007280479.tif 000016
【図３（ｊ）】
2007280479.tif 000017
【図３（ｋ）】
2007280479.tif 000018
【図４】
2007280479.tif 000019
【図５】
2007280479.tif 000020
【図６】
2007280479.tif 000021
【図７】
2007280479.tif 000022
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007280479.tif 000025