(57)【要約】【課題】ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等の離型剤を塗布することなく、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープを提供する。【解決手段】離型剤が塗布されていない、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
離型剤が塗布されていない、少なくとも粘着剤層側表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープ。
【請求項２】
エンボス加工した前記セパレータの凹凸が少なくとも2μｍである、請求項１記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
前記プラスチックフィルムがポリエチレンである、請求項１又は２記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は主に半導体ウェハーの裏面研削又は加工時にウェハー表面の保護用またはウェハーをダイシングする際に用いられる半導体加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体加工用テープ（ダイシング用粘着テープ、バックグラインド用粘着テープ等）のセパレータとしては、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等の離型剤を塗布したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系セパレータを用いるのが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、ＰＤＭＳ等の離型剤がウェハーチップに転写される恐れがあり、そのチップがモールドされた後の信頼性に問題を及ぼすことが懸念されていた。
一方、ＰＤＭＳ等の離型剤を塗布しないセパレータを用いた場合、半導体加工用テープの粘着剤との剥離性が悪く、特に粘着力の強いものではブロッキングを起こし、半導体加工用テープとしての機能を果たさないという問題が生じていた。
【特許文献１】特開２０００−１０４０２６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、上記のような問題点を解消するため、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等の離型剤を塗布することなく、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、フィルムにエンボス処理を施したセパレータを用いることにより、離型剤がウェハーチップに転写される恐れや剥離時のブロッキングも防止できることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、
（１）離型剤が塗布されていない、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープ、
（２）エンボス加工した前記セパレータの凹凸が少なくとも2μｍである、（１）に記載の半導体加工用テープ、及び
（３）前記プラスチックフィルムがポリエチレンである、（１）又は（２）に記載の半導体加工用テープ
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の半導体加工用テープは、ＰＤＭＳ等の離型剤を塗布していないにもかかわらず、剥離性よくテープ粘着層から剥離できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体加工用テープは、離型剤が塗布されていない、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとして有する。
まず、本発明の半導体ウェハ加工用テープを図１に従って説明する。
図１は、本発明の半導体加工用テープの１つの実施態様の拡大断面図である。基材フィルム１上に粘着剤層２、エンボスセパレータ３が順次積層されている。
本発明の半導体ウェハ加工用テープは、前記セパレータと基材フィルムとの間に、任意の粘着剤層及び／又は接着剤層（粘接着剤層）を積層することができる。
【０００７】
セパレータは、剥離性等を考慮し、ポリエチレン系、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、その他剥離処理フィルム等周知のセパレータを設けることができるが、好ましくはポリエチレン系セパレータである。
本明細書及び特許請求の範囲において、エンボス加工とは、表面に凹凸模様をつけることをいう。
セパレータの粘着剤層貼付面にエンボス処理を施す方法としては、例えば、フィルムをエンボスロールに添わせる方法、サンドマット処理による方法、エッチング等化学的に処理する方法などが挙げられる。
【０００８】
エンボス後のセパレータの凹凸が少なくとも2μｍであることが好ましい。前記凹凸は、十点平均高さ（Ｒｚ）によって定める。これは、表面粗さ計[例えば、サートロニックデュオ（商品名）、テイラー・ホブソン・リミテッド社製]で測定することができる。
【０００９】
上記エンボス加工により形成される凹凸模様の凸部の間隔は、適宜選択することができる。
このような凹凸模様としては、例えば、セパレータの少なくとも粘着剤層貼付面の全面にわたって形成されており、形成される凸部のほぼ全体が１００μｍ以下の間隔で連続しているランダムな凹凸模様や規則的な凹凸模様等が挙げられる。なかでも、規則正しい凹凸模様であって、凸部の高さが揃っており、かつ、凹部の深さが揃っている凹凸模様が好ましい。このような凹凸模様としては、例えば、点、直線、円弧等が全面にわたって数百μｍ以下の間隔で連続的に並んだ凹凸模様等が挙げられる。
【００１０】
本発明の半導体ウェハ加工用テープに用いられる粘着剤は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンド用テープに一般的に使用される接着剤であれば良く、アクリル系粘着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系接着剤等が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
粘接着剤を使用する場合にも、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンド用テープに一般的に使用される粘接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。粘接着剤は放射線（特に、ＵＶ）硬化性であればダイシング時のチッピングが小さく有利である。
粘着剤層あるいは粘接着剤層は基材フィルムの両面に設けてもよく、その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００１１】
また、本発明のウェハ加工用テープに用いられる基材フィルムとしては、任意の基材フィルムを使用することができる。例えばその材料には、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。
また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、２〜２００μｍが好ましい。
【実施例】
【００１２】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
元の厚さ40μｍ、エンボス後の厚みが60μｍにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なポリオレフィン（PO）基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図１に示すようなウェハ加工用テープを製造した。
なお、セパレータフィルムのエンボス後の厚みについては、表面粗さ計(商品名サートロニックデュオ、テイラー・ホブソン・リミテッド社製)を用いて測定した（以下同様である。）。
実施例2
元の厚さ70μｍ、エンボス後の厚みを45μｍにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なPO基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図１に示すウェハ加工用テープを製造した。
比較例1
表面処理されていない厚さ38μｍPETフィルムをセパレータとして作成した。
前記PETフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図１に示すようなウェハ加工用テープを製造した。
比較例2
元の厚さ40μｍ、エンボス後の厚みを42μｍにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なPO基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図１に示すようなウェハ加工用テープを製造した。
【００１３】
［ブロッキング試験］
ブロッキング試験は、ロール状のテープを常温で１週間放置後、粘着剤が離型フィルムに移行するか否かにより評価した。
エンボス高さは前記表面粗さ計により測定されたＲｚ値を意味する。
結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
2007099858.tif 000003
【００１５】
比較例１、２のテープについてはいずれもブロッキングが生じたが、本発明である実施例１、２のテープはいずれも、離型剤を用いなくてもブロッキングが生ずることがなかった。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の半導体加工用テープの１つの実施態様の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００１７】
１  基材フィルム
２  粘着剤層
３  エンボスセパレータ
【図１】
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