(57)【要約】【課題】デュアルゲートで構成された有機トランジスタを用いてドライバとして使われるトランジスタを増加型トランジスタで具現できるインバータを提供すること。【解決手段】負荷トランジスタと、この負荷トランジスタに連結され、かつデュアルゲート構造及び有機チャンネルを有するドライバトランジスタとを備えている。Ｄ−インバータの場合、負荷トランジスタのゲートとソースが互いに連結され、Ｅ−インバータの場合、負荷トランジスタのゲートとドレインが互いに連結されるように構成されている。【選択図】図２ａ
2007318061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷トランジスタと、
該負荷トランジスタに連結され、かつデュアルゲート構造及び有機チャンネルを有するドライバトランジスタと
を備えたことを特徴とするインバータ。
【請求項２】
前記ドライバトランジスタは、第１誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する下部ゲート電極と、第２誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する上部ゲート電極と、前記有機チャンネルに連結されるソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする請求項１に記載のインバータ。
【請求項３】
前記上部ゲート電極にポジティブバイアスが印加されることを特徴とする請求項２に記載のインバータ。
【請求項４】
前記負荷トランジスタは、前記第１誘電体層又は前記第２誘電体層をゲート絶縁層として利用することを特徴とする請求項２に記載のインバータ。
【請求項５】
デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有する負荷トランジスタと、
該負荷トランジスタに連結されるドライバトランジスタと
を備えたことを特徴とするインバータ。
【請求項６】
前記負荷トランジスタは、第１誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する下部ゲート電極と、第２誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する上部ゲート電極と、前記有機チャンネルに連結されるソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする請求項５に記載のインバータ。
【請求項７】
前記上部ゲート電極にネガティブバイアスが印加されることを特徴とする請求項６に記載のインバータ。
【請求項８】
前記ドライバトランジスタは、前記第１誘電体層又は前記第２誘電体層をゲート絶縁層として利用することを特徴とする請求項６に記載のインバータ。
【請求項９】
デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有する負荷トランジスタと、
デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有し、かつ前記負荷トランジスタに連結されるドライバトランジスタと
を備えたことを特徴とするインバータ。
【請求項１０】
前記負荷トランジスタ及び前記ドライバトランジスタは、それぞれ、第１誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する下部ゲート電極と、第２誘電体層を挟んで前記有機チャンネルと対向する上部ゲート電極と、前記有機チャンネルに連結されるソース電極及びドレイン電極とを各々備え、前記ドライバトランジスタの前記上部ゲート電極には、ポジティブバイアスが印加され、前記負荷トランジスタの前記上部ゲート電極には、ネガティブバイアスが印加されることを特徴とする請求項９に記載のインバータ。
【請求項１１】
前記ドライバトランジスタのＷ／Ｌ（ｗｉｄｔｈ／ｌｅｎｇｔｈ）と前記負荷トランジスタのＷ／Ｌとは、同一であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のインバータ。
【請求項１２】
前記負荷トランジスタは、ゲートとソースが接続され、Ｄ−インバータであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のインバータ。
【請求項１３】
前記負荷トランジスタは、ゲートとドレインが接続され、Ｅ−インバータであることを特徴とする請求項１，２，４乃至６，８乃至１０のいずれかに記載のインバータ。
【請求項１４】
前記負荷トランジスタ及び前記ドライバトランジスタの上部ゲート電極には、ポジティブバイアスが印加されることを特徴とする請求項１３に記載のインバータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体を用いたインバータに関し、より詳細には、プラスチック基板上にデュアルゲート有機トランジスタを用いて具現されるインバータに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、既存のシリコントランジスタに比べて工程が簡単であり、工程温度が低くて、曲げが可能なプラスチック基板上に製作できるという長所を有していて、次世代の有望素子として注目されている。主要な応用分野には、フレキシブルディスプレイ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）のスイッチング素子として使われたり、ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のような回路に使われる。ディスプレイのピクセル（ｐｉｘｅｌ）駆動スイッチとして使われる場合、単一極性のトランジスタ、例えば、ｐ型トランジスタだけでも充分に具現されるが、回路として使われる場合、ｐ型トランジスタとｎ−ｔｙｐｅトランジスタとの組み合わせであるＣＭＯＳトランジスタが消費電力や速度の観点から最も好ましい。
【０００３】
しかしながら、有機半導体の場合、現在までｎ−ｔｙｐｅ素子に対しては安定した特性を確保することができず、信頼性がないため、通常、ｐ型トランジスタの単一特性でインバータを構成する。
【０００４】
図１ａ及び図１ｂは、ｐ型トランジスタだけで製作できる既存の２つのインバータ回路を示す図である。図１ａは、空乏型（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ  ｔｙｐｅ）トランジスタを用いてロード（ｌｏａｄ）部分を形成し、増加型（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｔｙｐｅ）トランジスタを用いてドライバ（ｄｒｉｖｅｒ）部分を形成したインバータを示し、図１ｂは、増加型トランジスタを用いてロード部分及びドライバ部分を形成したインバータを示している。前者は、通常、Ｄ−インバータ又はゼロドライバロードロジックインバータとして知られており、後者は、Ｅ−インバータ又はダイオード連結したロードロジックインバータとして知られている。
【０００５】
図１ａ及び図１ｂを参照すれば、Ｄ−インバータは、Ｅ−インバータに比べて消費電力や利得（ｇａｉｎ）の観点から有利である。しかしながら、有機半導体では、既存のシリコン半導体とは異なって、ドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）により閾値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）を制御することが不可能である。言い換えれば、既存の半導体製造工程では、同一の基板に位置別に閾値電圧特性が異なるトランジスタを共に具現できないため、Ｄ−インバータを製作することは難しい。通常、Ｄ−インバータを具現するためには、例えば、位置別に異なる表面処理を行う煩雑な作業を行った後、異なる閾値電圧特性のトランジスタを形成しなければならないし、特に有機半導体の場合、未だ、同一基板においての均一性の側面において不足した点が多いため、安定したインバータの製作が困難である。
【０００６】
したがって、現在の技術では、Ｄ−インバータを具現するために、負荷のための空乏型トランジスタのＷ／Ｌ（ｗｉｄｔｈ／ｌｅｎｇｔｈ）を大きくし、ドライバのための増加型トランジスタのＷ／Ｌを小さくすることで、サイズ効果により電流を調節して使用していることが現況である。
【０００７】
【特許文献１】米国特許公開６，８５２，９９５Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、既存のＤ−インバータ製造方法は、Ｗ／Ｌが大きいトランジスタがゲート電圧ＶG＝０Ｖで電流が多く流れることを用いて空乏型負荷として使用し、Ｗ／Ｌが小さなトランジスタを増加型ドライバとして使用したので、最適で条件を確保するために、Ｗ／Ｌ別にトランジスタの特性を全て確保した後、設計及び製作しなければならないという短所がある。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、空乏型負荷と増加型ドライバとで構成されたインバータを製作する時、既存に使用したトランジスタのＷ／Ｌを用いた方法を画期的に改善し、デュアルゲートで構成された有機トランジスタを用いてドライバとして使われるトランジスタを増加型トランジスタで具現できるインバータを提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、前述した構成を拡張させて、ドライバトランジスタの代りに、負荷トランジスタに、デュアルゲートで構成されたｐ型有機トランジスタ構造を適用したり、ひいては、ドライバトランジスタ及び負荷トランジスタの両方共に、デュアルゲートで構成されたｐ型有機トランジスタ構造を適用して具現されるインバータを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、本発明の一実施態様に係るインバータは、負荷トランジスタと、該負荷トランジスタに連結され、デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有するドライバトランジスタとを備えたことを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、負荷トランジスタは、ドライバトランジスタの第１誘電体層又は第２誘電体層をゲート絶縁層として利用する。
【００１３】
また、本発明の他の実施態様に係るインバータは、デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有する負荷トランジスタと、該負荷トランジスタに連結されるドライバトランジスタとを備えたことを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、ドライバトランジスタは、負荷トランジスタの第１誘電体層又は第２誘電体層をゲート絶縁層として利用する。
【００１５】
また、本発明のさらに他の実施態様に係るインバータは、デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有する負荷トランジスタと、デュアルゲート構造及び有機チャンネルを有し、かつ負荷トランジスタに連結されるドライバトランジスタとを備えたことを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、負荷トランジスタ及びドライバトランジスタは、それぞれ、第１誘電体層を挟んで有機チャンネルと対向する下部ゲート電極と、第２誘電体層を挟んで有機チャンネルと対向する上部ゲート電極と、有機チャンネルに連結されるソース電極及びドレイン電極とを各々備え、ドライバトランジスタの上部ゲート電極には、ポジティブバイアスが印加され、負荷トランジスタの上部ゲート電極には、ネガティブバイアスが印加される。
【００１７】
好ましくは、ドライバトランジスタのＷ／Ｌ（ｗｉｄｔｈ／ｌｅｎｇｔｈ）と負荷トランジスタのＷ／Ｌとは、同一である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、寿命と素子信頼性を向上させることができ、有機電子素子を製作した後にも設計された回路に合わせて素子特性を容易に調節できる有機インバータを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。  
以下に説明する実施形態は、本技術分野における通常の知識を有する者が本発明を十分に理解するようにするものである。
【００２０】
図２ａ及び図２ｂは、本発明の一実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を用いたインバータの構造を示す断面図である。  
図２ａ及び図２ｂを参照すれば、本実施形態に係るインバータは、有機トランジスタ構造を有する負荷トランジスタと、この負荷トランジスタに連結され、かつデュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有するドライバトランジスタとから成っている。
【００２１】
ここで、Ｄ−インバータの場合、負荷トランジスタのゲートとソースが互いに連結され、Ｅ−インバータの場合、負荷トランジスタのゲートとドレインが互いに連結されるように構成されている。
【００２２】
ドライバトランジスタは、基板１０上に位置する下部ゲート電極１１と、この下部ゲート電極１１が設けられた基板１０を覆う第１誘電体層１２と、下部ゲート電極１１と対向するように設けられ、有機チャンネルを構成する有機半導体層１５と、この有機半導体層１５の両端に連結されるソース／ドレイン電極１３、１４と、構造を覆う第２誘電体層１６と、第２誘電体層１６を挟んで有機半導体層１５と対向するように設けられる上部ゲート電極１７とから成っている。
【００２３】
ここで、ドライバトランジスタの下部ゲート電極１１は、有機トランジスタ構造の下部に位置し、上部ゲート電極１７は、有機トランジスタ構造の上部に位置する。図２ａに示されたインバータの負荷トランジスタは、ドライバトランジスタの第１誘電体層１２をゲート絶縁膜として使用した構造を有し、図２ｂに示されたインバータの負荷トランジスタは、ドライバトランジスタの第２誘電体層１６をゲート絶縁膜として使用した構造を有する。
【００２４】
前述したようなデュアルゲート構造を有する有機トランジスタの製作過程を簡略に説明すれば、次の通りである。  
まず、基板１０としてＣｏｒｎｉｎｇ１７３７有機基板上にｅ−ｂｅａｍ蒸着法を用いてＴｉを５０ｎｍ厚さで蒸着し、下部ゲート電極１１を形成する。そして、トリメチルアルミニウム（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ；ＴＭＡ）前駆体とＮ2ガスが混合されたＯ2ガスを用いてプラズマ強化原子層蒸着（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＡＬＤ）Ａｌ2Ｏ3を１５０ｎｍ厚さで塗布し、第１誘電体層１２を形成する。前述したＰＥＡＬＤ  Ａｌ2Ｏ3を利用する場合、９ＭＶ／ｃｍの降伏電界（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｆｉｅｌｄ）と４１ｎＦ／ｃｍ2の誘電容量Ｃoxを得ることができる。
【００２５】
次に、第１誘電体層１２の上部に３ｎｍ厚さのＴｉ層と８０ｎｍ厚さのＡｕ層を蒸着し、ソース／ドレイン電極１３、１４を形成する。次に、前述した構造を有する基板を、有機／誘電体の界面の品質を向上するために、まず、自己構造化（ｓｅｌｆ−ｏｒｇａｎｉｚｉｎｇ）材料であるＨＭＤＳで処理し、次いで、６０ｎｍ厚さの有機材料を蒸着し、有機半導体層１５を形成する。
【００２６】
その後、下部ゲート有機トランジスタ構造を有する基板上に、第２誘電体層１６として３００ｎｍ厚さのパリレン層を形成する。前述したパリレン層を利用する場合、７．１５ｎＦ／ｃｍ2の誘電容量Ｃparを得ることができる。最終的に、５０ｎｍ厚さのＴｉ層を蒸着し、上部ゲート電極１７を形成する。集積のためのパターニングは、シャドウマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）やフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）により各層を蒸着することによって具現することができる。
【００２７】
前述したインバータの動作を簡略に説明すれば、次の通りである。  
Ｄ−インバータの場合、下部ゲート電極１１にインバータの入力電圧が印加され、上部ゲート電極１７にポジティブ電圧が印加される場合に、ドライバトランジスタの閾値電圧は、ポジティブ領域からネガティブ領域へ移動する。一方、Ｅ−インバータの場合、負荷トランジスタ及びドライバトランジスタが共に強化型トランジスタとして動作することが求められるため、負荷トランジスタ及びドライバトランジスタの上部ゲート電極１７にポジティブバイアスを印加する。このように、本発明によれば、同じＷ／Ｌを有する有機トランジスタを用いてインバータを容易に具現することが可能となる。
【００２８】
図３ａ及び図３ｂは、本発明の他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図である。  
図３ａ及び図３ｂを参照すれば、本実施形態に係るインバータは、デュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有する負荷トランジスタと、この負荷トランジスタに連結されるドライバトランジスタとから成っている。
【００２９】
本実施形態のインバータは、ドライバトランジスタの代りに、負荷トランジスタが、デュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有することを除いて、前述した実施形態のインバータとほぼ同様である。
【００３０】
本実施形態のインバータでは、負荷トランジスタの上部ゲート電極１７にネガティブバイアスを印加することによって、下部トランジスタ及び上部トランジスタを同時にスイッチ−オンさせて、閾値電圧をさらにポジティブに送ることができ、この場合、更なる空乏型トランジスタとなるので、インバータの特性が向上することができる。このように、本発明によれば、同じＷ／Ｌを有する有機トランジスタを用いてＤ−インバータを容易に具現することができる。
【００３１】
図４ａ及び図４ｂは、本発明のさらに他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図である。  
図４ａ及び図４ｂを参照すれば、本実施形態に係るインバータは、デュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有する負荷トランジスタと、この負荷トランジスタに連結され、かつデュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有するドライバトランジスタとから成っている。
【００３２】
本実施形態のインバータは、ドライバトランジスタだけでなく、負荷トランジスタも、デュアルゲートで構成された有機トランジスタ構造を有するようにし、インバータの駆動時、ドライバトランジスタの上部ゲート電極１７にポジティブ電圧を印加し、負荷トランジスタの上部ゲート電極１７にネガティブ電圧を印加することによって、同じＷ／Ｌを有する有機トランジスタを用いてＤ−インバータを容易に具現することができる。
【００３３】
図５ａ及び図５ｂは、本発明の上部ゲートバイアスの変化に対する閾値電圧依存性を有するデュアルゲート有機薄膜トランジスタの伝達曲線を説明するためのグラフを示す図である。  
図５ａを参照すれば、本実施形態に係るインバータは、下部ゲートバイアスＶG1が０Ｖであり、上部ゲートバイアスＶG2が−１０Ｖから２０Ｖまで５Ｖずつ変化する時、閾値電圧Ｖthは、１４．５Ｖから−１．５Ｖへ規則的に移動した。一方、上部ゲートバイアスがネガティブバイアスの時、図５ａに円で表示したように、こぶ／坂形態が観察された。このこぶ／坂は、高いポジティブ閾値電圧を有する上部有機トランジスタのターンオンに起因したものと思われる。
【００３４】
前述した伝達曲線の移動は、シリコントランジスタでのボディー効果（ｂｏｄｙ  ｅｆｆｅｃｔ）として説明されることができる。バルク素子において、ボディー効果は、基板バイアスに対する閾値電圧の依存性として定義される。同様に、本実施形態に係るデュアルゲート有機トランジスタ構造では、上部ゲートバイアスに対する下部ゲート有機トランジスタの閾値電圧の依存性として定義することができる。上部ゲートバイアスの作用による閾値電圧は、下記の数式１で表現されることができる。
【００３５】
【数１】
2007318061.tif 000003
【００３６】
ここで、Ｃox、Ｃpen及びＣparは、各々下部ゲート誘電体（Ａｌ2Ｏ3）、有機半導体（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）、及び上部ゲート誘電体（ｐａｒｙｌｅｎｅ）のキャパシタンスである。
【００３７】
既存技術では、反転電圧Ｖinversionの位置を制御するために、追加的にレベルシフターを付着したが、本発明では、デュアルゲートドライバトランジスタを利用することによって、この問題点を解決している。
【００３８】
図５ｂに示されるように、３００ｎｍ厚さのパリレンを有するデュアルゲート有機トランジスタで測定された上部ゲートバイアスの変化ｄＶG2に対する閾値電圧の変化ｄＶthから得られる直線の傾きが略−０．５３である。これは、理論的なＣpar／Ｃoxの値である−０．１７とは差異を示す。３００ｎｍ厚さのパリレンを有するデュアルゲート有機トランジスタで誘導された値と理論的な値との差異は、伝達曲線での変形、例えば、図５ａのこぶ／坂形態のような変形と、ネガティブバイアスストレス影響から起因する。しかし、１０００ｎｍ厚さのパリレンを適用した場合、得られる直線の傾きは、略−０．０４８であった。これは、理論的なＣpar／Ｃoxの値である−０．０５２とほぼ一致した。
【００３９】
図６は、本発明の実施形態に係るデュアルゲート有機トランジスタを適用して製造したＤ−インバータの回路及びその電圧伝達特性を示す図である。  
本実施形態では、Ｗ／Ｌ＝２０００μｍ／５０μｍを有する２つの有機トランジスタで構成されたＤ−インバータを製造した。既存のＤ−インバータでは、通常、空乏型負荷トランジスタを構成するために、負荷トランジスタのＷ／ＬがドライバトランジスタのＷ／Ｌより大きい。しかし、本発明では、同じＷ／Ｌを有する有機トランジスタを使用し、デュアルゲート構造を有するトランジスタのモードを変化させて、Ｄ−インバータを具現した。
【００４０】
図６に示されるように、デュアルゲート構造を有する有機トランジスタで製作されたＤ−インバータの電圧伝達特性ＶＴＣｓを示す。Ｄ−インバータの電圧伝達特性ＶＴＣｓは、ドライバトランジスタの上部ゲートバイアスＶG2が−１０Ｖの時、ドライバトランジスタの閾値電圧Ｖthがポジティブ領域へ移動し、オン電流が増加するにつれて、大きいポジティブ反転電圧Ｖinversionと大きいスイング範囲を示した。そして、ＶG2＝１０Ｖにおいて電圧伝達特性は、閾値電圧Ｖthがネガティブ領域へ移動し、オン電流が減少し、これにより、反転電圧Ｖinversionがネガティブシフトし、オン電流の減少に起因してスイング範囲も減少した。
【００４１】
このように、ロウ（ｌｏｗ）レベルの出力電圧Ｖoutは、供給電圧である電源電圧Ｖddによって決定され、ハイ（ｈｉｇｈ）レベルの出力電圧Ｖoutは、ドライバトランジスタの閾値電圧Ｖthあるいはオン電流に依存する。また、反転電圧Ｖinversionの位置は、ドライバトランジスタの閾値電圧Ｖthに依存する。
【００４２】
Ｄ−インバータは、回路のビルディングユニット（ｂｕｌｄｉｎｇ  ｕｎｉｔ）として適切に動作するように、ドライバトランジスタには、ネガティブ閾値電圧が要求され、負荷トランジスタには、ポジティブ閾値電圧が要求されるが、本発明では、ドライバとして使われるトランジスタを、デュアルゲート構造を有するように構成し、その上部ゲート電極１７にポジティブバイアスを印加し、有機半導体にボディー効果を形成することによって、ドライバトランジスタが上部ゲート電極１７の正電位を用いて閾値電圧をネガティブ領域へ移動させて、増加型トランジスタとして動作するように具現する。このように、本発明は、デュアルゲートで構成された有機トランジスタを用いて容易にインバータを具現することができる。
【００４３】
また、本発明は、有機インバータにデュアルゲート有機トランジスタ構造を利用することによって、レベルシフター（ｌｅｖｅｌ  ｓｈｉｆｔｅｒ）の機能を行うことができ、閾値電圧及びオン電流を制御することができる。さらに、本発明は、デュアルゲート有機トランジスタの有機チャンネルアクティブ層の上部に上部ゲート誘電体パリレンと上部ゲート電極を使用することによって、パッシベーション性能が向上するという利点がある。
【００４４】
このように、本発明は、デュアルゲート有機トランジスタのストレージ（ｓｈｅｌｆ−ｓｔｏｒａｇｅ）寿命を増加させ、インバータの安定性とパッシベーション性能を向上させることができるという長所がある。
【００４５】
一方、前述した実施形態において、有機トランジスタの製作と大量生産及びインバータの集積を考慮すれば、下部コンタクト構造の有機トランジスタを用いて具現することが好ましく、有機トランジスタの属性、特に移動度を考慮する場合には、下部コンタクト構造より優れた特性を有する上部コンタクト構造の有機トランジスタを用いて具現することが好ましい。
【００４６】
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施形態及び添付された図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１ａ】既存のｐ型トランジスタだけで製作できるインバータ構造の一例を説明するための回路図である。
【図１ｂ】既存のｐ型トランジスタだけで製作できるインバータ構造の他の例を説明するための回路図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を用いたインバータの構造を示す断面図（その１）である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を用いたインバータの構造を示す断面図（その２）である。
【図３ａ】本発明の他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図（その１）である。
【図３ｂ】本発明の他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図（その２）である。
【図４ａ】本発明のさらに他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図（その１）である。
【図４ｂ】本発明のさらに他の実施形態に係るｐ型有機薄膜トランジスタを用いたインバータの構造を示す断面図（その２）である。
【図５ａ】本発明の上部ゲートバイアスの変化及びこの変化に対する閾値電圧依存性を有するデュアルゲート有機薄膜トランジスタの伝達曲線をグラフに示す図（その１）である。
【図５ｂ】本発明の上部ゲートバイアスの変化及びこの変化に対する閾値電圧依存性を有するデュアルゲート有機薄膜トランジスタの伝達曲線をグラフに示す図（その２）である。
【図６】本発明の実施形態に係るデュアルゲート有機トランジスタを適用して製造したＤ−インバータの回路及びその電圧伝達特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  基板
１１  下部ゲート電極
１２  第１誘電体層
１３、１４  ソース／ドレイン電極
１５  有機半導体層
１６  第２誘電体層
１７  上部ゲート電極
【図１ａ】
2007318061.tif 000004
【図１ｂ】
2007318061.tif 000005
【図２ａ】
2007318061.tif 000006
【図２ｂ】
2007318061.tif 000007
【図３ａ】
2007318061.tif 000008
【図３ｂ】
2007318061.tif 000009
【図４ａ】
2007318061.tif 000010
【図４ｂ】
2007318061.tif 000011
【図５ａ】
2007318061.tif 000012
【図５ｂ】
2007318061.tif 000013
【図６】
2007318061.tif 000014