(57)【要約】【課題】本発明は、化学機械的研磨装置に使われる研磨パッドを提供する。【解決手段】研磨パッド１００の上面及び内部に、工程進行のとき、研磨液が蓄積されるポア１０４が形成される。研磨パッド１００は、中央に位置し、上面及び内部にポア１０４が提供された内側パッド１２０と、これを囲むように配置され、上面及び内部にポア１０４が提供された複数の外側パッド１４０とを含む。内側パッド１２０及び／または外側パッド１４０のうち隣接するパッドに形成されたポア１０４の密度は互いに異なるように提供される。内側パッドは円形に提供され、外側パッドのそれぞれは環形に提供されることができる。【選択図】図７
2007049146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能なプラテンと、
研磨剤を供給する供給装置と、
前記プラテンの上部面に装着され、前記供給装置から供給された研磨剤を蓄える研磨パッドと、
研磨しようとする基板を固定し、かつ移動可能であり、前記研磨パッドに対して前記基板の一面を加圧するチャックを有する研磨ヘッドと、を含み、
前記研磨パッドは、複数のポアを有し、前記ポアの一部は前記研磨パッドの内部に形成され、前記ポアの残りは前記研磨パッドの上部面に露出して前記研磨剤を前記研磨パッド内に蓄え、
前記ポアの性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わり、前記領域を区切ることを特徴とする化学機械的研磨装置。
【請求項２】
前記ポアの前記性質は、前記研磨パッド内の前記ポアの平均の大きさと前記ポアの密度のうちのいずれか一つであり、前記ポア密度は、前記研磨パッドの特定領域全体の体積に対する前記領域内のポア全体の体積の比に該当することを特徴とする請求項１に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項３】
前記ポアの前記性質は、前記研磨パッド内の前記ポアの平均の大きさであり、それぞれの前記領域内の前記ポアの平均の大きさは、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わることを特徴とする請求項１に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項４】
前記ポアの前記性質は、ポア密度であり、前記ポア密度は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わることを特徴とする請求項１に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項５】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの中央領域に位置する内側部と、前記内側部の半径方向の外側に位置する外側部を有し、前記研磨パッドの前記外側部の性質は前記研磨パッドの前記内側部の性質と異なることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項６】
前記研磨パッドの前記内側部は、円形であり、前記研磨パッドの前記外側部は、環形であることを特徴とする請求項５に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項７】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの中央領域に位置する内側部と、前記内側部の半径方向の外側に位置する複数の外側部とを含む、互いに接する複数の領域を有し、前記研磨パッドのそれぞれの領域の性質は、隣接する領域と異なることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項８】
前記研磨パッドの前記内側部は、円形であり、前記研磨パッドの前記外側部は環形であることを特徴とする請求項７に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項９】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの前記ポアが露出する上部面を含む上側部と、前記上側部と前記プラテンとの間に介在される下側部とを含み、
前記性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの前記上側部の領域に応じて変わり、前記研磨パッドの前記上側部の領域を区切ることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１０】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの前記ポアが露出する上部面を含む上側部と、前記上側部と前記プラテンとの間に介在される下側部とを含み、
前記性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの前記下側部の領域に応じて変わり、前記研磨パッドの前記下側部の領域を区切ることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１１】
前記研磨ヘッドは、前記チャックによって固定された基板表面の中心が、前記研磨パッドの中心からあらかじめ設定された距離だけ離隔され、前記研磨パッド上に位置する研磨位置に移動可能であり、
前記研磨パッドは、研磨工程の間、前記研磨位置で前記研磨ヘッドによって固定された基板の端部と接触するように提供された第１及び第２領域と、
研磨工程の間、前記研磨位置で前記研磨ヘッドによって固定された基板の中央部と接触するように提供された中央領域とを有し、
前記研磨パッドの前記第１領域の性質と前記研磨パッドの前記第２領域の性質は、前記研磨パッドの前記中央領域の性質と異なることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１２】
前記研磨ヘッドは、前記チャックによって固定された基板表面の中心が前記研磨パッドの中心及び前記研磨パッド上に位置する研磨位置に移動可能であり、
前記研磨パッドは、研磨工程の間、前記研磨位置で前記研磨ヘッドによって固定された基板の端部と接触するように提供された端領域と、
研磨工程の間、前記研磨位置で、前記研磨ヘッドによって固定された基板の中央部と接触するように提供された中央領域とを有し、
前記研磨パッドの前記端領域の性質は、前記研磨パッドの前記中央領域の性質と異なることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１３】
前記性質は、前記ポアの間隔であり、前記ポアの前記間隔は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら領域に応じて変わることを特徴とする請求項１に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１４】
前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より小さいことを特徴とする請求項４に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１５】
前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より大きいことを特徴とする請求項４に記載の化学機械的研磨装置。
【請求項１６】
化学的機械的研磨装置の研磨パッドにおいて、
前記研磨パッドは複数のポアを有し、前記ポアの一部は、前記研磨パッドの内部に形成され、前記研磨パッドの残りは前記研磨パッドの上部面に露出して研磨剤を前記研磨パッド内に蓄え、
前記ポアの性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わり、前記領域を区切ることを特徴とする研磨パッド。
【請求項１７】
前記ポアの前記性質は、前記研磨パッド内の前記ポアの平均の大きさと前記ポアの密度のうちのいずれか一つであり、前記ポア密度は、前記研磨パッドの特定領域全体の体積に対する前記領域内のポア全体の体積の比に該当することを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項１８】
前記ポアの前記性質は、前記研磨パッド内の前記ポアの平均の大きさであり、それぞれの前記領域内の前記ポアの平均の大きさは、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項１９】
前記ポアの前記性質は、ポア密度であり、前記ポア密度は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの領域に応じて変わることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項２０】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの中央領域に内側部を有し、前記内側部の半径方向の外側に外側部を有し、前記研磨パッドの前記外側部の性質は、前記研磨パッドの前記内側部の性質と異なることを特徴とする請求項１７に記載の研磨パッド。
【請求項２１】
前記研磨パッドの前記内側部は、円形であり、前記研磨パッドの前記外側部は、環形であることを特徴とする請求項２０に記載の研磨パッド。
【請求項２２】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの中央領域に位置する内側部と、前記内側部の半径方向の外側に位置する複数の外側部とを含む互いに接する複数の領域を有し、前記研磨パッドのそれぞれの領域の性質は、隣接する領域と異なることを特徴とする請求項１７に記載の研磨パッド。
【請求項２３】
前記研磨パッドの前記内側部は、円形であり、前記研磨パッドの前記外側部は環形であることを特徴とする請求項２２に記載の研磨パッド。
【請求項２４】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの前記ポアが露出する上部面を含む上側部と、前記上側部と前記プラテンとの間に介在される下側部とを含み、
前記性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの前記上側部の領域に応じて変わり、前記研磨パッドの前記上側部の領域を区切ることを特徴とする請求項１７に記載の研磨パッド。
【請求項２５】
前記研磨パッドは、前記研磨パッドの前記ポアが露出する上部面を含む上側部と、前記上側部と前記プラテンとの間に介在される下側部とを含み、
前記性質は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら前記研磨パッドの前記下側部の領域に応じて変わり、前記研磨パッドの前記下側部の領域を区切ることを特徴とする請求項１７に記載の研磨パッド。
【請求項２６】
前記性質は、前記ポアの間隔であり、前記ポアの前記間隔は、前記研磨パッドの直径方向に前記研磨パッドを横切りながら領域に応じて変わることを特徴とする請求項１６に記載の研磨パッド。
【請求項２７】
前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より小さいことを特徴とする請求項１９に記載の研磨パッド。
【請求項２８】
前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より大きいことを特徴とする請求項１９に記載の研磨パッド。
【請求項２９】
化学機械的研磨装置の研磨パッドを製造する方法において、
化学機械的研磨工程で膜が研磨される割合に影響を与える性質をそれぞれ有するサンプルパッドを提供し、
前記サンプルパッドを利用して、それぞれ膜を有する複数の基板に対する化学機械的研磨テスト工程を実行して前記膜を研磨し、前記サンプルパッドによって前記膜が研磨された割合を測定し、前記膜が研磨された割合の測定値を前記割合に影響を与える前記パッドの前記性質に連関させてデータベースを構築し、
実際に化学機械的研磨工程を利用して半導体ウェーハの複数の領域のそれぞれを研磨しようとする割合を、あらかじめ設定し、
実際に化学機械的研磨工程で使われるとき、前記ウェーハの前記複数の領域をそれぞれ研磨する研磨パッドの領域に、データベースを利用して、前記データベース内の前記性質を割り当てて研磨パッドを設計し、
前記複数の研磨パッドの領域が、割り当てられた性質を有するように、研磨パッドを製造することを特徴とする研磨パッドを製造する方法。
【請求項３０】
前記性質が割り当てられた前記研磨パッドのそれぞれの領域は、円形または環形であることを特徴とする請求項２９に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３１】
それぞれの前記サンプルパッドによって膜が研磨される割合は、前記膜が位置する前記基板を横切る多数の位置で測定され、前記データベース内のそれぞれの前記測定値は、前記基板を横切る前記割合のプロファイルのデータであることを特徴とする請求項２９に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３２】
それぞれの前記サンプルパッドによって膜が研磨される割合は、前記膜が位置する前記基板を横切る多数の位置で測定され、前記データベース内のそれぞれの前記測定値は、前記基板を横切る前記位置で測定された前記割合の平均データであることを特徴とする請求項２９に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３３】
前記性質は、前記サンプルパッド内の前記ポアの平均の大きさまたはポア密度であり、
前記ポア密度は、前記サンプルパッドの特定領域の全体の体積に対する前記領域内のポア全体の体積の比に該当することを特徴とする請求項２９に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３４】
前記研磨パッドを製造することは、複数のサンプルパッドから領域を切り取り、前記サンプルパッドから切り取られた前記領域を互いに取付けることを特徴とする請求項２９に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３５】
化学機械的研磨装置の研磨パッドを製造する方法において、
複数のポアと前記ポアと係わる性質をそれぞれ有する複数のサンプルパッドを提供し、
前記サンプルパッドから領域をそれぞれ切り取り、
前記性質が変わる研磨パッドを製造するために前記領域を互いに取付け、
前記ポアの一部は、前記研磨パッドの内部に形成され、前記ポアの残りは、前記研磨パッドの上部面に露出して前記研磨剤を前記研磨パッド内に蓄積し、前記ポアの性質は、ウェーハを研磨する化学機械的研磨工程で前記サンプルパッドが研磨する割合に影響を及ぼし、
前記サンプルパッドの前記性質は、互いに異なり、類似のウェーハに対して化学機械的研磨工程がそれぞれ行われれば、他の割合で前記類似のウェーハを研磨することを特徴とする研磨パッドを製造する方法。
【請求項３６】
前記ポアの前記性質は、前記サンプルパッド内の前記ポアの平均の大きさとポアの密度のうちのいずれか一つであり、前記ポア密度は前記サンプルパッドの特定領域全体の体積に対する前記領域内のポア全体の体積の比に該当することを特徴とする請求項３５に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３７】
前記領域を切り取る段階は、前記サンプルパッドのうちの一つから円形領域を切り取り、前記サンプルパッドのうちの他の一つから環形領域を切り取ることを特徴とする請求項３５に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３８】
前記研磨パッドによって研磨される膜がオキサイド膜であり、前記研磨剤がシリカスラリの場合、前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より大きいことを特徴とする請求項３６に記載の研磨パッドを製造する方法。
【請求項３９】
前記研磨パッドによって研磨される膜がタングステン膜であり、前記研磨剤がシリカスラリの場合、前記研磨パッドの端領域の前記ポア密度は、前記研磨パッドの中央領域の前記ポア密度より小さなことを特徴とする請求項３６に記載の研磨パッドを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を製造する装置及び方法に係り、より詳細には半導体基板を化学機械的に研磨する装置、及びここに使われる研磨パッドとこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子製造工程は、ウェーハ上に薄膜層を形成する蒸着工程と、その薄膜層上に微細な回路パターンを形成するためのエッチング工程とを含む。ウェーハ上に要求される回路パターンが形成されるまでこれら工程は繰り返され、ウェーハの表面には非常に多くの凹凸が生ずる。これらの凹凸は、後続工程で導電層の均一な塗布を難しくし、フォトリソグラフィ工程でデフォーカスなどの問題を発生させる。
【０００３】
これを解決するためにウェーハの表面を平坦化する工程が要求される。最近ではウェーハが大口径化されることに従って、狭い領域だけでなく、広い領域においても優れた平坦度を得ることができる化学機械的研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）方法が主に使われている。
【０００４】
上述した化学機械的研磨方法によれば、研磨パッドにウェーハを加圧し、研磨パッドを回転させることによって、研磨パッドとウェーハ表面との間の摩擦によってウェーハ表面を機械的に研磨し、これと同時に研磨パッドとウェーハとの間にスラリを供給して化学反応によってウェーハを研磨する。一般的に化学機械的研磨装置には研磨パッドが装着されたプラテンが提供され、研磨ヘッドは、ウェーハの研磨面が研磨パッドと対向するようにウェーハを吸着し、調節可能な圧力をウェーハの後面に提供して、ウェーハを研磨パッド上に加圧する。研磨パッドには研磨パッド上でスラリの移動を案内するグルーブとスラリを研磨パッド上に長期間蓄積する微細ホール形状のポアが形成される。
【０００５】
研磨工程実行のとき、ウェーハ全体領域を均一に研磨するのが重要である。研磨パッドでウェーハの研磨率に影響を及ぼす因子（ｆａｃｔｏｒ）では、ウェーハと接触される研磨パッドの表面積（ｓｕｒｆａｃｅ）、研磨パッドの粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、研磨パッドの硬度（ｈａｒｄｎｅｓｓ）、研磨パッドの圧縮性（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｂｉｌｉｔｙ）などがある。上述した因子と係わって研磨均一度を向上させるため、研磨パッドの全体領域で上述した因子を均一に提供するための方法が研究されている。これと共に、領域に応じてばらついたウェーハの除去率を改善するために研磨ヘッドの構造及び研磨剤の成分比などの改善のための方法が研究されている。
【０００６】
しかし、上述したような多様な研究にもかかわらず、ウェーハ全体領域での研磨均一度改善は、十分には行われていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ウェーハの全体領域で研磨均一度を向上させることができる化学機械的研磨装置、及びここに使われる研磨パッド及びこれを製造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、ウェーハの領域に応じて選択された除去率でウェーハを研磨することができる化学機械的研磨装置、及びここに使われる研磨パッド及びこれを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ウェーハのような半導体基板を化学機械的に研磨する装置を提供する。本発明の装置は、プラテンと、前記プラテンの上部に装着され、上面及び内部にスラリが蓄積される複数のポア（ｐｏｒｅ）が形成される研磨パッドと、半導体基板を吸着固定し、前記研磨パッド上に前記半導体基板を加圧する研磨ヘッドとを有する。本発明の一つの特徴によれば、前記研磨パッドの上面及び内部に形成されたポアの密度は前記研磨パッドの領域に応じて異なるように提供される。
【００１０】
一例によれば、前記研磨パッドは、中央に位置して、上面及び内部にポアが提供された内側パッドと、前記内側パッドを囲むように配置され、上面及び内部にポアが提供された外側パッドとを含む。前記内側パッドに形成されたポアの密度は、前記外側パッドに提供されたポアの密度と異なるように提供される。前記内側パッドは円形であり、前記外側パッドは環形でありうる。
【００１１】
他の例によれば、前記研磨パッドは、中央に位置し、上面及び内部にポアが提供された内側パッドと、前記内側パッドを囲むように配置され、上面及び内部にポアが提供された複数の外側パッドとを含む。前記内側パッド及び／または前記外側パッドのうち隣接するパッドに形成されたポアの密度は、互いに異なるように提供される。前記内側パッドは、円形の形状に提供され、前記外側パッドのそれぞれは環形の形状を有することができる。
【００１２】
例えば、ウェーハで研磨される膜が、ポアの密度が高く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が高い場合、ウェーハ全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が高く提供される。
【００１３】
また、ウェーハで研磨される膜が、ポアの密度が低く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が高い場合、ウェーハ全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が低く提供される。
【００１４】
また、ウェーハで研磨される膜が、ポアの密度が高く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が低い場合、ウェーハ全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が低く提供される。
【００１５】
さらに他の例によれば、前記研磨パッドは、上部に配置され、半導体基板と接触される上部パッドと、前記上部パッドの下に位置し、内部にポアが形成された下部パッドとを含む。前記上部パッドの上面及び内部にはポアが形成され、前記下部パッドの内部にはポアが形成される。前記上部パッドの上面及び内部に形成されたポアの密度は、領域に応じて異なるように提供されることができる。選択的に前記下部パッドの内部に形成されたポアの密度は、領域に応じて異なるように提供されることができる。選択的に、前記上部パッドと前記下部パッドに形成されたポアの密度は、領域に応じて異なるように提供されることができる。
【００１６】
一実施形態によれば、前記研磨パッドの直径は、半導体基板の直径の２倍以上の長さを有し、工程進行のとき、前記半導体基板は、前記研磨パッドの中心から一方に外れた位置で前記研磨パッドと接触するように位置する。前記研磨パッドは、研磨工程進行のとき、半導体基板の端領域と接触する端研磨パッドと、研磨工程進行のとき、前記半導体基板の端領域に比べて前記半導体基板の中央領域と多く接触される中央研磨パッドとを有する。前記端研磨パッドと前記中央研磨パッドに形成された前記ポアの密度は互いに異なるように提供される。
【００１７】
他の実施形態によれば、工程進行のとき、前記半導体基板の中心は、前記研磨パッドの中心と向き合うように位置する。前記研磨パッドは、研磨工程進行のとき、半導体基板の端領域と接触される端研磨パッドと研磨工程進行のとき、前記半導体基板の中央領域と接触される中央研磨パッドとを含む。前記端研磨パッドと前記中央研磨パッドに形成された前記ポアの密度は、互いに異なるように提供される。
【００１８】
また、本発明は、化学機械的研磨装置に使われる研磨パッドを提供する。本発明の一つの特徴によれば、前記研磨パッドの上面及び内部に、工程進行のとき、研磨液が蓄積されるポアが形成され、前記ポアは、前記研磨パッドの領域に応じて異なる密度に提供される。
【００１９】
また、前記研磨パッドは、上述した化学機械的研磨装置に使われた多様な構造の研磨パッドと同一に提供されることができる。
【００２０】
また、本発明は、半導体基板を化学機械的に研磨する装置に使われる研磨パッドを製造する方法を提供する。前記方法によれば、前記研磨パッドを複数の領域に区画し、それぞれの領域の上面及び内部には、工程進行中に前記研磨パッドに供給される研磨液が蓄積されるポアを形成し、前記領域のうち隣接する領域には前記ポアを互いに異なる密度に提供することによって、研磨パッドを製造する。
【００２１】
一例によれば、前記研磨パッドは、互いに異なる密度でポアが形成された複数のパッドを製造した後、これらを取付けて製造されることができる。前記複数のパッドのそれぞれは、円形または環形の形状に提供されることができる。
【００２２】
前記半導体基板で研磨される膜がポアの密度が高く提供されたパッドを使うほどその研磨率が減少し、前記半導体基板の端領域での研磨率が中央領域での研磨率に比べて低い場合、前記研磨パッドは、中央領域に比べて端領域でポアの密度が低く提供される。
【００２３】
また、前記半導体基板で研磨される膜がポアの密度が高く提供されたパッドを使うほどその研磨率が増加し、前記半導体基板の端領域での研磨率が中央領域での研磨率に比べて高い場合、前記研磨パッドは、中央領域に比べて端領域でポアの密度が低く提供される。
【００２４】
また、前記半導体基板で研磨される膜がオキサイド膜であり、使われる研磨剤がシリカスラリの場合、前記研磨パッドは、中央領域に比べて端領域でポアの密度が高く提供される。
【００２５】
また、前記半導体基板で研磨される膜がタングステン膜であり、使われる研磨剤がシリカスラリの場合、前記研磨パッドは中央領域に比べて端領域でポアの密度が低く提供される。
【００２６】
他の例によれば、本発明の研磨パッドを製造する方法は、互いに異なる密度でポアが形成されたサンプルパッドを提供する段階と、前記サンプルパッドのそれぞれを使って半導体基板で研磨される膜の種類別に除去率を測定し、測定結果をデータベースに蓄える段階と、工程が実行される半導体基板の工程除去率を領域別にそれぞれ設定する段階と、前記工程除去率のそれぞれに対応する除去率を有するサンプルパッドと同一の密度でポアが提供されたパッドを提供する段階と、前記パッドを組み合わせる段階とを含む。
【００２７】
一例によれば、前記データベースに蓄積されるデータは、半導体基板の領域別除去率を示すプロファイルでありうる。選択的に前記データベースに蓄積されるデータは、ウェーハの全体領域での平均除去率でありうる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、研磨パッドの領域に従ってポアの密度を異なるように形成することによって、ウェーハの研磨均一度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付の図１〜図１３を参照して本発明をより詳細に説明する。本発明の実施形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が下で説明する実施形態に限定されない。本実施形態は、当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面の要素の形状はより明確な説明のために誇張されたものである。
【００３０】
図１は、本発明の化学機械的研磨装置１の一例を示す。図１を参照すれば、化学機械的研磨装置１は、研磨ヘッドアセンブリ（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｈｅａｄ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）１０、プラテン（ｐｌａｔｅｎ）２０、スラリ供給アーム（ｓｌｕｒｒｙ  ｓｕｐｐｌｙ  ａｒｍ）４０、及び研磨パッド１００を含む。プラテン２０は円筒状の板状を有し、底面に結合した回転体（図示しない）によって支持される。工程進行の間、プラテン２０を回転させるために回転体にはモータ（図示しない）が結合する。回転体とモータはベース５０内に位置することができる。プラテン２０の上部面には研磨パッド１００が装着され、プラテン２０の一方には研磨工程進行の間、研磨パッド１００の研磨条件を維持するためのパッドコンディショナ（図示しない）と研磨パッド１００の表面にスラリのような研磨液を供給するスラリ供給アーム４０が配置される。
【００３１】
研磨ヘッドアセンブリ１０は、研磨工程進行のとき、プラテン２０の上部に位置する。研磨ヘッドアセンブリ１０は、ウェーハ（図８ＢのＷ）の研磨面が研磨パッド１００に向けるようにウェーハＷを吸着固定し、工程進行の間、研磨パッド１００に対してウェーハＷを加圧するチャックを備える研磨ヘッド１２を有する。研磨ヘッド１２は、ウェーハＷを吸着して加圧するメンブレイン（図示しない）及び工程進行のとき、ウェーハＷが研磨ヘッド１２から離脱されることを防止するための維持リング（図示しない）などを有する。研磨ヘッド１２には、当業界に知られた多様な構造を使うことができる。研磨ヘッド１２の上部面は、研磨ヘッド１２を支持する駆動軸１４を有する。駆動軸１４は、工程進行のとき、モータ１６によって回転される。工程進行の間、研磨ヘッド１２は、駆動軸１４を中心にプラテン２０の回転方向と同一方向に回転される。
【００３２】
研磨パッド１００は円形の形状であり、接着剤によってプラテン２０上に接着される。研磨パッド１００の研磨面である上面は粗い表面を有してウェーハＷと直接接触されてウェーハＷを機械的に研磨する。研磨パッド１００は、研磨ヘッド１２の維持リングに比べて少なくとも２倍の直径を有する。例えばウェーハＷの直径が３００ｍｍの場合、研磨パッド１００は約７００ｍｍ〜８００ｍｍの直径を有することができる。研磨ヘッド１２は、研磨ヘッド１２に吸着されたウェーハＷの中心が、研磨パッド１００の中心からあらかじめ設定された距離だけ離隔され、研磨パッド１００上に位置する研磨位置に移動可能である。工程進行の間、研磨ヘッド１２は、研磨パッド１００の中心から一方に配置されて駆動軸１４を中心に回転し、研磨パッド１００は、プラテン２０とともに回転される。工程進行の間、研磨ヘッド１２を、研磨パッド１００の半径方向に振動させることができる。
【００３３】
図２は、図１の研磨パッド１００の斜視図である。図２を参照すれば、研磨パッド１００の上面には複数のグルーブ（ｇｒｏｏｖｅｓ）１０２が形成される。工程進行のとき、研磨パッド１００上に供給されたスラリは、グルーブ１０２を通じて研磨パッド１００とウェーハＷとの間に移動される。一例によれば、グルーブ１０２は、円形のリング状を有し、同心円をなすように配置されることができる。
【００３４】
研磨パッド１００上に供給されたスラリは、研磨パッド１００の回転によって遠心力によって研磨パッド１００の外に排出される。研磨率の向上のために、研磨パッド１００の上面には、多数のスラリ粒子が存在して、研磨に使用されるのが望ましい。このために、研磨パッド１００の上面及び内部には微細ホールとして形成された複数のポア（ｐｏｒｅｓ）１０４が提供される。研磨パッド１００の上面に露出したポア１０４は、研磨パッド１００上に供給されたスラリ粒子を蓄積する。以後ウェーハＷが研磨パッド１００を加圧すれば、スラリ粒子は、ポア１０４から噴出されて研磨に使用される。研磨パッド１００内部に形成されたポア１０４は工程進行のとき、スラリ粒子を蓄積しない。しかし、長期間の使用によって研磨パッド１００が磨耗されるか、パッドコンディショニングが実行されれば、研磨パッド１００の内部に形成されたポア１０４は外部に露出する。
【００３５】
研磨パッド１００に形成されたポア１０４の密度は、ウェーハＷの研磨率に大きな影響を及ぼす。すなわち、研磨パッド１００に形成されたポア１０４の密度は、ウェーハＷと接触される研磨パッド１００の表面積、ウェーハＷと反応されるスラリの量、研磨パッド１００の圧縮性、及び研磨パッド１００の硬度などに影響を及ぼす。ここで研磨パッド１００の表面積、研磨パッド１００の圧縮性、及び研磨パッド１００の硬度は、機械的研磨に影響を及ぼし、ウェーハＷと反応されるスラリの量は化学的研磨に影響を及ぼす。
【００３６】
研磨パッド１００の上面に露出したポア１０４の密度が高いほど、ウェーハＷと接触される研磨パッド１００の表面積は、小さくなる。また、研磨パッド１００の上面及び内部に形成されたポア１０４の密度が高いほど、研磨パッド１００の圧縮性は高くなり、研磨パッド１００の硬度は低くなる。また、研磨パッド１００の上面に露出したポア１０４の密度が高いほどポア１０４に蓄積されたスラリの量が多くなる。したがって、研磨パッド１００に形成されたポア１０４の密度が低いほど機械的研磨が円滑に行われ、ポア１０４の密度が高いほど化学的研磨が円滑に行われる。
【００３７】
以下、研磨パッド１００にポア１０４の密度を異なるように提供するというのは、もし他の記載がなければ、研磨パッド１００の上面と研磨パッド１００の内部でポア１０４の密度を異なるように提供するということを含む。また、下でウェーハＷの除去率とはウェーハＷに形成された膜が除去される割合を意味する。
【００３８】
図３Ａ〜図４Ｂは他の研磨条件は同一に維持し、研磨パッド１００に形成されたポア１０４の密度を変化させながら工程を進行するとき、ウェーハＷの除去率を示す図である。図３Ａ〜図４Ｂではポア１０４の大きさを概して均一に形成して、ポア１０４の間の間隔を変化させて、研磨パッド１００に異なる密度のポア１０４を提供した。図３Ａ及び３Ｂで使われたスラリは、シリカスラリ（ｓｉｌｉｃａ  ｓｌｕｒｒｙ）であり、研磨される膜は層間絶縁膜（ｉｎｔｅｒ  ｌａｙｅｒ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）である。図４Ａ及び図４Ｂで使われたスラリはセリアスラリ（ｃｅｒｉａ  ｓｌｕｒｒｙ）であり、研磨される膜はトレンチ素子分離（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈｉ  ｓｏｌａｔｉｏｎ）膜である。図３Ａ及び図４ＡはウェーハＷの領域別除去率を示し、図３Ｂ及び図４Ｂは、ウェーハＷの平均除去率を示す。図３Ａ〜図４Ｂを参照すれば、研磨パッド１００に提供されたポア１０４の間隔を減らすことによって（すなわち、ポア１０４の密度を増加することによって）、ウェーハＷの除去率が減少したことが分かる。
【００３９】
図３Ａ〜図４Ｂでは、ポア１０４の密度が高く形成された研磨パッド１００を使用した場合、除去率が減少した例を示した。これは上述した膜が化学的反応による研磨よりは機械的摩擦などのような方法で研磨するとき、研磨がより円滑に行われるためである。したがって、研磨される膜の種類によって、上と反対の結果を得ることができる。例えば、研磨される膜がタングステンの場合、図示しないが、図３Ａとは逆に、ポアの密度が高く形成されるほど研磨率が増加する。
【００４０】
また、図３Ａに示したようにシリカスラリを使って膜を研磨する場合、膜の種類にかかわらず一般的にウェーハ端領域Ｗｅが中央領域Ｗｃに比べて研磨が円滑に行われる。しかし、セリアスラリを使って研磨する場合、端領域が中央領域に比べて研磨が円滑に行われるか、中央領域が端領域に比べて研磨が円滑に行われるかは、膜の種類に従う。
【００４１】
図５に、ポア１０４の密度は概して均一に提供し、ポア１０４の大きさ（直径）を異なるように提供した場合を示す。図５で使われたスラリはシリカスラリであり、研磨される膜はタングステンである。図５を参照すれば、研磨パッド１００に提供されたポア１０４の大きさが増加することによってウェーハＷの研磨率が減少したことが分かる。したがって、膜の種類によってポア１０４の大きさも研磨率に影響を及ぼすことが分かる。
【００４２】
一般的に研磨工程進行のとき、除去率は、多様な原因によってウェーハＷの領域に従って異なる。したがって、ウェーハＷの全体領域で均一な研磨が行われるように領域に従って研磨条件を異なるようにする必要がある。図３Ａ〜図５で説明したように研磨パッド１００に形成されたポア１０４の密度または大きさはウェーハＷの除去率に影響を及ぼす。したがって、本発明は、領域に従ってポア１０４の密度または大きさが異なるように提供された研磨パッド１００を使ってウェーハＷの領域別除去率を調節する。下の実施形態ではポア１０４の密度が異なるように提供された場合のみを例としてあげて説明する。しかし、ポア１０４の密度は、ウェーハの全体領域に同一に提供されるが、ポアの大きさは、ウェーハの領域に従って異なるように提供される場合も下の実施形態に適用することができる。
【００４３】
図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれの領域に従ってポア１０４の密度を異なるように提供するための方法を示す。一例によれば、図６Ａに示したように、ポア１０４の大きさを研磨パッド１００の全体領域で概して同一に形成し、ポア１０４間の間隔を研磨パッド１００の領域に従って異なるように形成することによって、研磨パッド１００の領域に従ってポア１０４の密度を異なるように提供することができる。
【００４４】
他の例によれば、図６Ｂに示したように、ポア１０４間の間隔を研磨パッド１００の全体領域で概して同一に形成し、ポア１０４の大きさを研磨パッド１００の領域に従って異なるように形成することによって、研磨パッド１００の領域に従ってポア１０４の密度を異なるように提供することができる。これとは異なり、ポア１０４の水平方向の幅を研磨パッド１００の全体領域で概して同一に形成し、ポア１０４の垂直方向の幅を研磨パッド１００の領域に従って異なるように形成することによって、研磨パッド１００の領域に従ってポア１０４の密度を異なるように提供することができる。
【００４５】
また、ポア１０４の大きさを異なるようにするために、図６Ｃに示したようにポア１０４の体積は、全体領域で概して同一に提供し、ポア１０４の大きさを研磨パッド１００の領域に従って異なるように形成することができる。上述した実施形態では、ポア１０４の密度を研磨パッドの領域に従って異なるように提供するため、それぞれのポアの大きさは同一であるが、ポア間の間隔は異なるように形成された場合と、ポアの間隔は同一であるが、それぞれのポアの大きさは異なるように提供された場合とを例としてあげて説明した。しかし、本実施形態において、ポアの密度を研磨パッドの領域に従って異なるように提供するというのは、実質的に領域間のポアの全体密度は同一でも、領域間のそれぞれのポアの体積または大きさは異なるように提供された場合を含む。
【００４６】
上述した実施形態で、ポア１０４の大きさは、約５マイクロメーター（μｍ）であり、５マイクロメーター（μｍ）から５００マイクロメーター（μｍ）の間で選択された一つまたは複数の大きさに提供されることができる。研磨パッド１００内で、ポア１０４は、領域に従って研磨パッド１００の単位体積当たり０〜８０％の体積を占有するように提供され、研磨パッド１００の上面でポア１０４は領域に従って単位面積当たり０〜８０％の面積を占有するように提供されることができる。ここで０％の体積または面積とは研磨パッド１００の特定領域にポア１０４を形成しないことを意味する。
【００４７】
図７は、領域に従って異なる密度のポア１０４が提供された研磨パッド１００の構造の一実施形態を示す図である。研磨パッド１００は、複数のパッドを有する。隣接して位置するパッドの間には互いに異なる密度でポア１０４が提供される。パッドは互いに組合されるように形づくられる。それぞれのパッドは、円形または環形のリング状に提供されることができる。例えば、研磨パッド１００が３個の領域に区分けされる場合、図７に示したように、研磨パッド１００は、一つの内側パッド１２０と二つの外側パッド１４０とを有する。内側パッド１２０は中央に位置し、円形の形状を有する。外側パッド１４０では環形の形状を有する第１外側パッド１４２と第２外側パッド１４４が提供される。第１外側パッド１４２は、内側パッド１２０の直径と同一の長さの内径を有し、内側パッド１２０を囲むように位置する。第２外側パッド１４４は、第１外側パッド１４２の外径と同一の長さの内径を有し、第１外側パッド１４２を囲むように配置される。内側パッド１２０及び外側パッド１４２、１４４は、接着剤または機械的締結手段などの多様な方法で取付ることができる。上述した例では、外側パッド１４０が二つ提供される場合を例としてあげて説明したが、これと異なり、外側パッド１４０が一つまたは三つ以上が提供されることができる。
【００４８】
上述した例において、内側パッドと外側パッドがそれぞれ別に提供される場合を説明した。しかし、これは一例に過ぎず、研磨パッドが内側パッドと外側パッドを有するということは内側パッドと外側パッドを別に提供すること以外に、一つのパッドが、ポアの密度が互いに異なるように提供された二つまたはそれ以上の領域を有する場合を含む。この場合、中央領域が内側パッドとなり、前記中央領域を囲む領域が一つまたは複数の外側パッドとなる。
【００４９】
次に、本発明の研磨パッド２００が、ウェーハＷの中央領域と端領域とを異なる研磨条件で研磨するための構造を有する場合に対して説明する。
【００５０】
図８Ａは、研磨パッド２００の一例を示した平面図であり、図８Ｂは、図８Ａの線Ａ−Ａ’に沿って切断した研磨パッド２００の断面図である。図８Ａと図８Ｂを参照すれば、研磨パッド２００の直径は、ウェーハＷ直径の２倍以上の長さを有し、工程進行のとき、ウェーハＷは、研磨パッド２００の中心からはずれた位置の一方で研磨パッド２００と接触される。研磨パッド２００は、一つの中央研磨パッド２２０と二つの端研磨パッド２４０とを有する。端研磨パッド２４０は、円形の形状を有する第１パッド２４２と環形の形状を有する第２パッド２４４とを有する。第１パッド２４２と第２パッド２４４にはポア１０４が同一の密度で提供され、端研磨パッド２４０と中央研磨パッド２２０にはポア１０４が異なる密度で提供される。端研磨パッド２４０のうち第１パッド２４２は中央に位置する。中央研磨パッド２２０は、第１パッド２４２の外径とほぼ同一長さの内径を有し、第１パッド２４２を囲むように配置される。端研磨パッド２４０のうち第２パッド２４４は、中央研磨パッド２２０の外径とほぼ同一長さの内径を有し、中央研磨パッド２２０を囲むように配置される。上述した構造によって端研磨パッド２４０は、ウェーハＷの端領域と接触され、中央研磨パッド２２０は、ウェーハＷの端領域に比べてウェーハＷの中央領域と主に接触される。
【００５１】
図９Ａは、研磨パッド３００の他の例を示した平面図であり、図９Ｂは、図９Ａの線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した研磨パッド３００の断面図である。図９Ａと図９Ｂを参照すれば、研磨パッド３００の直径は、ウェーハＷの直径とほぼ同じ長さを有し、工程進行のとき、ウェーハＷはその中心が研磨パッド３００の中心と対向するように位置する。研磨パッド３００は、ウェーハＷの中央領域と接触される中央研磨パッド３２０とウェーハＷの端領域と接触される端研磨パッド３４０とを有する。中央研磨パッド３２０は円形の形状を有し、端研磨パッド３４０は環形の形状を有する。端研磨パッド３４０は、中央研磨パッド３２０の直径と同一の長さの内径を有し、中央研磨パッド３２０を囲むように配置される。
【００５２】
上述した例において、研磨パッドに中央研磨パッドと端研磨パッドがそれぞれ別に提供される場合を説明した。しかし、これは一例に過ぎず、研磨パッドが中央研磨パッドと端研磨パッドを有するというのは、中央研磨パッドと端研磨パッドを別に提供すること以外に、一つのパッドが、ポアが互いに異なる密度に提供された中央領域と端領域を有する場合を含む。この場合、中央領域が中央研磨パッドとなり、前記中央領域を囲む領域が端研磨パッドとなる。
【００５３】
例えば、図３Ａのようにシリカスラリを使って層間絶縁膜を研磨する場合のように、ウェーハで研磨される膜（例えば、オキサイド膜）が、ポアの密度が高く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が高い場合、ウェーハ全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が高く提供される。
【００５４】
これと異なり、ウェーハで研磨される膜が、タングステンの場合のように、ポアの密度が低く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が高い場合、ウェーハ全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が低く提供される。
【００５５】
また、図４Ａのように、セリアスラリを使ってトレンチ素子分離膜を研磨する場合のように、ウェーハで研磨される膜が、ポアの密度が高く提供された研磨パッドを使うほどウェーハの研磨率が低く、ウェーハの中央領域に比べてウェーハの端領域で研磨率が低い場合、ウェーハの全体領域で研磨均一度が高くなるように研磨パッドの端領域には中央領域に比べてポアの密度が低く提供される。
【００５６】
さらに他の例によれば、研磨パッド４００は、上下に積層された上部パッド４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃと下部パッド４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃとを有する。下部パッド４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃは、上部パッド４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃに比べて比較的軟質で製造されることができる。下部パッド４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃはプラテン２０上に接着剤によって接続し、上部パッド４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃは、下部パッド４４０ａ、４４０ｂ、４４０ｃ上に接着剤によって接続する。図１０Ａに示したように、上部パッド４２０ａには領域に従ってポア１０４を均一の密度で提供し、下部パッド４４０ａには領域の全体にポア１０４を異なる密度で提供することができる。選択的に、図１０Ｂに示したように、上部パッド４２０ｂには領域の全体にポア１０４を異なる密度で提供し、下部パッド４４０ｂには領域に従ってポア１０４を同一の密度で提供することができる。選択的に、図１０Ｃに示したように、上部パッド４２０ｃと下部パッド４４０ｃの全部に領域に従ってポア１０４を異なる密度で提供することができる。上部パッド４２０ｂ、４２０ｃの領域によるポア１０４の密度差は研磨パッド４００の圧縮性と硬度、ウェーハＷと接触される表面積、及びウェーハＷに提供されるスラリの量に影響を及ぼし、下部パッド４４０ａ、４４０ｃの領域によるポア１０４の密度差は研磨パッド４００の圧縮性に影響を及ぼす。
【００５７】
上述した例では互いに異なる密度のポア１０４が形成された複数のパッドを組み合わせて研磨パッドを形成する場合を説明した。しかし、これと異なり、研磨パッドは、単一パッドからなり、単一パッド内で領域に従ってポア１０４が異なる密度で提供されることができる。
【００５８】
次に、図１１〜図１３を参照して上述した研磨パッド３００を製造する方法の一実施形態を説明する。図１１は、研磨パッドを製造する過程を順に示すフローチャートである。まず、上面及び内部にポアが形成されたサンプルパッドを製作する。それぞれのサンプルパッドには全体領域でほぼ均一な密度でポア１０４を形成し、それぞれのサンプルパッドには互いに異なる密度でポア１０４を形成する（Ｓ１２）。それぞれのサンプルパッドを使ってウェーハＷを研磨して、ウェーハＷの除去率を測定する。除去率の測定は多様な膜に対してそれぞれ行われる。測定された除去率をデータベース（図示しない）に蓄積する（Ｓ１４）。蓄積されるデータは、図３Ａまたは図４ＡのようにウェーハＷの領域別除去率を示すプロファイルでありうる。選択的に蓄積されるデータは、図３Ｂまたは図４ＢのようにウェーハＷ全体の領域の平均除去率でありうる。
【００５９】
以後、工程が実行されるウェーハＷを複数の領域に区切り、領域別に工程除去率を設定する（Ｓ１６）。これは、ウェーハＷの全体領域で均一な研磨が行われるように設定するのが望ましい。ウェーハＷの領域別に除去率が設定されれば、ここに該当する除去率と同一の除去率を提供するパッドを選択する（Ｓ１８）。以後パッドを組み合わせて取付けて実際工程に使われる研磨パッド３００を完成する（Ｓ２０）。パッドは、研磨パッド３００に提供される位置に適する形状を有する。例えば、パッドは、円形または環形の形状を有することができる。
【００６０】
図１２は、図１１の方法に従って研磨パッド６００を製造する過程の一例を示す図であり、図１３は、図１２の第１サンプルパッド７２０と第２サンプルパッド７４０、および製造された研磨パッド６００使用時のウェーハＷの領域別除去率を示す図である。図１３において、線‘ａ’と線‘ｂ’はそれぞれ第１サンプルパッド７２０と第２サンプルパッド７４０使用時のウェーハＷの領域別除去率であり、線‘ｃ’は製造された研磨パッド３００使用時のウェーハＷの領域別除去率を示す図である。
【００６１】
図１３に示したように、第１サンプルパッド７２０を使う場合と、第２サンプルパッド７４０を使って研磨する場合のウェーハＷ除去率は異なる。この場合、研磨パッド６００の全体で均一に研磨が行われるように上述した中央研磨パッドでは第１サンプルパッド７２０と同一の密度でポア１０４が形成されたパッド６２０を選択し、端研磨パッドでは第２サンプルパッド７４０と同一の密度でポア１０４が形成されたパッド６４２、６４４を選択する。次に、使われる研磨パッド６００の形状または大きさによってパッド６２０、６４２、６４４を円形または環形で切断し、これらパッド６２０、６４２、６４４を接着剤や他の締結手段を使って組み合わせる。上記のような方法を使って製造された研磨パッド６００を使ってウェーハＷを研磨すると、図１３に示したようにウェーハ中央部領域と端領域間の除去率の差が減った。
【００６２】
上述した実施形態では二つのサンプルパッドを組み合わせて研磨パッドを製作する場合を例としてあげて説明した。しかし、これと異なり、３個以上のサンプルパッドを組み合わせて研磨パッド３００を製造することができ、研磨パッド３００に使われるパッドの数が増加するほどウェーハＷの領域別研磨均一度を向上させることができる。
【００６３】
また、上述した例ではウェーハＷの全体領域で研磨均一度を向上させるように研磨パッドを構成する場合を説明した。しかし、これと異なり、ウェーハの特定領域で除去率が他の領域での除去率と異なるように研磨パッドを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の化学機械的研磨装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の研磨パッドの斜視図である。
【図３Ａ】研磨パッドに提供されたポアの密度変化によるウェーハの領域別除去率の一例を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ａで研磨パッドに提供されたポアの密度変化によるウェーハの平均除去率を示す図である。
【図４Ａ】研磨パッドに提供されたポアの密度変化によるウェーハの領域別除去率の他の例を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａで研磨パッドに提供されたポアの密度変化によるウェーハの平均除去率を示す図である。
【図５】研磨パッドに提供されたポアの大きさ変化によるウェーハの平均除去率の他の例を示す図である。
【図６Ａ】領域に応じてポアが異なる密度に提供された研磨パッドの例を示す図である。
【図６Ｂ】領域に応じてポアが異なる密度に提供された研磨パッドの例を示す図である。
【図６Ｃ】領域に応じてポアが異なる大きさに提供された研磨パッドの例を示す図である。
【図７】図２の研磨パッドの構造の一例を示す図である。
【図８Ａ】本発明の研磨パッドの一例を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの線Ａ−Ａ’に沿って切断した断面図である。
【図９Ａ】本発明の研磨パッドの他の例を示す平面図である。
【図９Ｂ】図９Ａの線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面図である。
【図１０Ａ】本発明の研磨パッドの他の例を示す断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の研磨パッドの他の例を示す断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の研磨パッドの他の例を示す断面図である。
【図１１】本発明の研磨パッドを製作する過程を順に示すフローチャートである。
【図１２】本発明の研磨パッドを製作する過程を示す図である。
【図１３】図１２のサンプルパッドのそれぞれ及びこれらを組み合わせて製作された研磨パッドを使用した時のウェーハの領域別除去率を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００，２００，３００，４００，６００ｃ    研磨パッド、
１０２    グルーブ、
１０４    ポア、
７００    サンプルパッド。
【図１】
2007049146.tif 000003
【図２】
2007049146.tif 000004
【図３Ａ】
2007049146.tif 000005
【図３Ｂ】
2007049146.tif 000006
【図４Ａ】
2007049146.tif 000007
【図４Ｂ】
2007049146.tif 000008
【図５】
2007049146.tif 000009
【図６Ａ】
2007049146.tif 000010
【図６Ｂ】
2007049146.tif 000011
【図６Ｃ】
2007049146.tif 000012
【図７】
2007049146.tif 000013
【図８Ａ】
2007049146.tif 000014
【図８Ｂ】
2007049146.tif 000015
【図９Ａ】
2007049146.tif 000016
【図９Ｂ】
2007049146.tif 000017
【図１０Ａ】
2007049146.tif 000018
【図１０Ｂ】
2007049146.tif 000019
【図１０Ｃ】
2007049146.tif 000020
【図１１】
2007049146.tif 000021
【図１２】
2007049146.tif 000022
【図１３】
2007049146.tif 000023