(57)【要約】【課題】イメージセンサの形成方法及びそれによって形成されたイメージセンサを提供する。【解決手段】本方法によれば、第１カラーフィルタと第２カラーフィルタが形成された半導体基板上に第３カラーフィルタ用カラーフォトレジストをコーティングしてベーキングした後に、前記カラーフォトレジストを平坦化して第３カラーフィルタを形成する。前記平坦化工程によって前記カラーフィルタの上部が平坦化されて従来の上部平坦化層なしにマイクロレンズを直接形成することができるため、工程を単純化させ、かつ上部平坦化膜に対する材料費を節減することができる。また従来の上部平坦化層をなくして、マイクロレンズとフォトダイオード領域との間の距離が短くなる。これによって、光感度が向上することができる。【選択図】図８
2007088459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域を具備する半導体基板を準備する段階と、
前記第１画素領域及び第２画素領域の前記半導体基板上にそれぞれ第１色の第１カラーフィルタと第２色の第２カラーフィルタとを形成する段階と、
前記半導体基板の全面上に第３色のカラーフォトレジストをコーティングする段階と、
前記カラーフォトレジストをベーキングする段階と、
平坦化工程を進行して前記第１及び第２カラーフィルタ上の前記カラーフォトレジストを除去し、前記第３画素領域に第３カラーフィルタを形成する段階とを具備することを特徴とするイメージセンサの形成方法。
【請求項２】
前記平坦化工程はエッチバック工程であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項３】
前記エッチバック工程は窒素、酸素及び四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むグループより選択される少なくとも一つのガスを利用して進行されることを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項４】
前記カラーフォトレジストはネガティブタイプであり、
前記平坦化工程を進行する前に、前記カラーフォトレジストを全面露光させる段階をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項５】
前記カラーフォトレジストを全面露光させた後に、前記カラーフォトレジストをハードベーキングさせる段階をさらに具備することを特徴とする請求項４に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３カラーフィルタ上にそれぞれのマイクロレンズを形成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項７】
前記第１及び第２カラーフィルタを形成する前に、
前記半導体基板の全面上に平坦化膜を形成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項８】
前記半導体基板はパッド領域をさらに具備し、
前記平坦化膜を形成する前に、前記パッド領域において前記半導体基板と電気的に接する導電パッドを形成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項９】
前記平坦化工程を進行する段階は前記パッド領域上に残余カラーフォトレジストを残す段階を含み、
前記方法は、前記パッド領域において前記残余カラーフォトレジストと前記平坦化膜を除去して前記導電パッドを露出させる段階をさらに具備することを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１０】
第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域及びパッド領域を具備する半導体基板を準備する段階と、
前記パッド領域において前記半導体基板と電気的に接する導電パッドを形成する段階と、
前記半導体基板の全面上に平坦化膜を形成する段階と、
前記第１画素領域及び前記第２画素領域でそれぞれ第１カラーフィルタと第２カラーフィルタを形成する段階と、
前記半導体基板の全面上にカラーフォトレジストをコーティングする段階と、
前記カラーフォトレジストをベーキングする段階と、
平坦化工程を進行して前記第１及び第２カラーフィルタ上の前記カラーフォトレジストを除去し、前記第３画素領域に第３カラーフィルタを形成し、前記パッド領域に残余カラーフォトレジストを形成する段階とを具備することを特徴とするイメージセンサの形成方法。
【請求項１１】
前記平坦化工程はエッチバック工程であることを特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１２】
前記エチバック工程は窒素、酸素及び四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むグループより選択される少なくとも一つのガスを利用して進行されることを特徴とする請求項１１に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１３】
前記カラーフォトレジストはネガティブタイプであり、
前記平坦化工程を進行する前に、前記カラーフォトレジストを全面露光させる段階をさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１４】
前記カラーフォトレジストを全面露光させた後に、前記カラーフォトレジストをハードベーキングさせる段階をさらに具備することを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１５】
前記第１、第２及び第３カラーフィルタ上にそれぞれのマイクロレンズを形成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１６】
前記パッド領域で前記残余カラーフォトレジストと前記平坦化膜を除去して前記導電パッドを露出させる段階をさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサの形成方法。
【請求項１７】
第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域を具備する半導体基板と、
前記第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域においてそれぞれ前記半導体基板上に位置する第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ及び第３カラーフィルタと、
前記第１、第２及び第３カラーフィルタ上にそれぞれ位置し、前記カラーフィルタと接するマイクロレンズとを具備し、
前記第１、第２及び第３カラーフィルタは互いに同一の高さの平坦な上部面を有することを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１８】
前記半導体基板はパッド領域をさらに具備し、
前記パッド領域上の前記半導体基板上に位置する導電パッドをさらに具備することを特徴とする請求項１７に記載のイメージセンサ。
【請求項１９】
前記カラーフィルタと前記半導体基板との間に介在された平坦化膜をさらに具備することを特徴とする請求項１７に記載のイメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサの形成方法及びそれによって形成されたイメージセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサは光学的イメージを電気的信号に変形させる素子である。前記イメージセンサは大きくＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）イメージセンサとＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅイメージセンサに区別される。イメージセンサの画素は光を受け入れるフォトダイオードと前記フォトダイオードから入力された映像信号を制御するトランジスタとを具備する。前記フォトダイオードでは赤色、青色及び緑を有するカラーフィルタを通じてそれぞれ入射される赤色光、緑色光及び青色光の波長と強さに応じて電子正孔対が発生され、前記発生された電子の量に応じて出力信号が変化する。これによってイメージを感知することができる。
【０００３】
前記カラーフィルタは下部平坦化膜上に３回のフォトリソグラフィ工程を進行して形成される。フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｐｒｏｃｅｓｓ）はウェーハ上にフォトレジストをコーティングするコーティング工程、フォトレジストをコーティングした後、フォトレジストに含有された溶剤を除去するためのソフトベーク（ＳＯＦＴＢＡＫＥ）工程、フォトレジストがコーティングされたウェーハと決められたレティクルを互いに整列させた後、光を前記レティクルに通過させてウェーハ上のフォトレジストに照射されるようにする露光工程と、露光した後に硬化させるポストべーク（ＰＯＳＴＢＡＫＥ）工程、及び露光工程が完了したウェーハのフォトレジストを現像してパターンを形成する現像工程などの非常に複雑な過程を具備する。したがって、イメージセンサにおいてカラーフィルタアレイを形成する過程は複雑になるしかない。
【０００４】
また、３色のカラーフィルタアレイはそれぞれのフォトリソグラフィ工程によって形成されるので、他の色を有するカラーフィルタの厚さを均一に調節しにくい。これによって、カラーフィルタの厚さの差が発生し、上部面の高低が異なる可能性がある。このように高低が異なるカラーフィルタ上にすぐマイクロレンズを形成すれば、マイクロレンズが同一の形態を有し難くなる。これによって、マイクロレンズの焦点距離が互いに異なるようになって、画素間の光透過均一度が低下する。これを防止するために前記マイクロレンズを形成する前に前記カラーフィルタ上に平坦な上部面を有する上部平坦化膜を形成する。しかし、前記上部平坦化膜の厚さだけマイクロレンズとフォトダイオードとの間の距離は遠くなり、フォトダイオードに到達する光の量が減少する。これによって、光感度が低下するようになっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の第１の課題は工程を単純化させることができるイメージセンサの形成方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の第２の課題は光感度を向上させることができるイメージセンサの形成方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の第３の課題は向上した光感度を有するイメージセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために本発明に係るイメージセンサの形成方法は、第１カラーフィルタと第２カラーフィルタが形成された半導体基板上に第３カラーフィルタ用カラーフォトレジストをコーティングしてベーキングした後に、フォトマスクを利用した選択的な露光工程及び現像工程なく、前記カラーフォトレジストを平坦化して第３カラーフィルタを形成することを特徴とする。これによって、工程を単純化することができる。また前記平坦化工程によって前記カラーフィルタの上部が平坦化されて従来の上部平坦化層なしにマイクロレンズを直接形成することができるため、光感度を改善することができる。
【０００９】
より詳細には、前記方法は、第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域を具備する半導体基板を準備する段階と、前記第１画素領域及び第２画素領域の前記半導体基板上にそれぞれ第１色の第１カラーフィルタと第２色の第２カラーフィルタを形成する段階と、前記半導体基板の全面上に第３色のカラーフォトレジストをコーティングする段階と、前記カラーフォトレジストをベーキング（ｂａｋｉｎｇ）する段階と、平坦化工程を進行して前記第１及び第２カラーフィルタ上に前記カラーフォトレジストを除去して、前記第３画素領域に第３カラーフィルタを形成する段階とを具備する。
【００１０】
前記平坦化工程は望ましくはエッチバック（ｅｔｃｈ  ｂａｃｋ）工程である。前記エッチバック工程は窒素、酸素及び四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むグループより選択される少なくとも一つのガスを利用して進行されることができる。
【００１１】
前記カラーフォトレジストはネガティブタイプ（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）でありうる。この時、前記平坦化工程を進行する前に、前記カラーフォトレジストを全面露光させる段階をさらに具備することができる。前記カラーフォトレジストを全面露光させた後に、前記カラーフォトレジストをハードベーキング（ｈａｒｄ  ｂａｋｉｎｇ）させる段階をさらに具備することができる。
【００１２】
前記第１、第２及び第３カラーフィルタ上にマイクロレンズを形成する段階をさらに具備することができる。
【００１３】
前記第１及び第２カラーフィルタを形成する前に、前記半導体基板の全面上に平坦化膜を形成する段階をさらに具備することができる。前記半導体基板はパッド領域をさらに具備し、前記平坦化膜を形成する前に、前記パッド領域において前記半導体基板と電気的に接する導電パッドを形成する段階をさらに具備することができる。
【００１４】
前記平坦化工程を進行する段階は、前記パッド領域上に残余カラーフォトレジストを残す段階を含み、前記方法は、前記パッド領域において前記残余カラーフォトレジストと前記平坦化膜とを除去して前記導電パッドを露出させる段階をさらに具備することができる。
【００１５】
前記課題を解決するために本発明に係るイメージセンサは、互いに同一の高さの平坦な上部面を有するカラーフィルタ上に前記カラーフィルタと接するマイクロレンズを具備し、従来の上部平坦化膜をなくして光感度が改善することを特徴とする。
【００１６】
より詳細には、前記イメージセンサは第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域を具備する半導体基板と、前記第１画素領域、第２画素領域及び第３画素領域においてそれぞれ前記半導体基板上に位置する第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ及び第３カラーフィルタと、前記第１乃至第３カラーフィルタ上に位置し、前記カラーフィルタと接するマイクロレンズを具備し、前記第１、第２及び第３カラーフィルタは互いに同一の高さの平坦な上部面を有する。
【００１７】
前記半導体基板はパッド領域をさらに具備し、前記パッド領域上の前記半導体基板上に位置する導電パッドをさらに具備することができる。前記カラーフィルタと前記半導体基板との間に介在された平坦化膜をさらに具備することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るイメージセンサの形成方法によれば、第１カラーフィルタと第２カラーフィルタが形成された半導体基板上に第３カラーフィルタ用カラーフォトレジストをコーティングしてベーキングした後に、フォトマスクを利用した選択的な露光工程及び現像工程なく、前記カラーフォトレジストを平坦化して第３カラーフィルタを形成するため、工程を単純化することができる。また、前記平坦化工程によって前記カラーフィルタの上部が平坦化されて従来の上部平坦化層なしにマイクロレンズを直接形成することができる。したがって、工程を単純化させ、上部平坦化膜について材料費を節減することができる。またマイクロレンズとカラーフィルタとの間の従来の上部平坦化層をなくして、マイクロレンズとフォトダイオード領域との間の距離が短くなるので、光感度が向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底し、かつ完全になれるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達するために提供されるものである。図において、層及び領域の厚さは明確性のために誇張されたものである。また、層が他の層または基板“上”にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されることができるもの、またはそれらの間に第３の層が介在されることがきるものである。明細書の全体にわたって同一の参照番号は同一の構成要素を示す。本実施形態において、フォトダイオードは入射される光によって電荷が形成される光電変換部を意味する。本発明の実施形態は全部、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサなどの多様なイメージセンサに適用することができる。
【００２０】
図１乃至図８は本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す工程断面図である。
【００２１】
図１を参照すれば、第１画素領域、第２画素領域、第３画素領域及びパッド領域を具備する半導体基板１に素子分離膜３を形成して活性領域を限定する。前記パッド領域は周辺回路領域において外部から電圧が印加される導電パッドが形成される領域を意味する。前記素子分離膜３は一般的なシャロートレンチ分離（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）方法によって形成されることができる。そしてイオン注入工程を進行して前記半導体基板１の画素領域内に第１不純物注入領域５と第２不純物注入領域７とを具備するフォトダイオード領域９を形成する。前記第１不純物注入領域５と前記第２不純物注入領域７は互いに異なるタイプの不純物でドーピングされ、例えば、前記第１不純物注入領域５はＮタイプの不純物でドーピングされ、前記第２不純物注入領域７はＰタイプの不純物でドーピングされる。図示しないが、前記半導体基板１内にウェル領域が形成され、前記半導体基板１上に複数個のトランジスタが形成される。
【００２２】
続いて、図１を参照すれば、前記半導体基板１上にエッチング阻止膜１１と層間絶縁膜１３が順に積層される。前記エッチング阻止膜１１は前記フォトダイオード領域９と前記トランジスタ（図示しない）をエッチング工程から保護する役割を果たす。図示しないが、複数層のエッチング阻止膜と層間絶縁膜が順に交互に形成され、各層に多様な形態の配線が形成されることができる。前記パッド領域において、前記層間絶縁膜１３及び前記エッチング阻止膜１１をパターニングして前記半導体基板１を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを導電物質膜で満たしてコンタクトプラグ１５を形成する。そして前記パッド領域で外部から電圧が印加され、前記コンタクトプラグ１５と重畳される導電パッド１９を形成する。そして前記半導体基板１の全面上にバッファ酸化膜１７とパッシベーション膜２１を形成する。前記パッシベーション膜２１は下部に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ及び配線などを外部の湿気や汚染等から保護する役割を果たす。前記パッシベーション膜２１は例えばシリコン窒化膜で形成される。前記バッファ酸化膜１７は前記パッシベーション膜２１と下部の膜の間のストレスを緩和させる役割を果たし、プラズマ強化された酸化膜（Ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＳｉＯ２）で形成されることができる。そして前記パッシベーション膜２１と前記バッファ酸化膜１７とをパターニングして前記導電パッド１９の上部面を露出させる。
【００２３】
図２を参照すれば、前記パッシベーション膜２１が形成された前記半導体基板１上に平坦化膜２３を形成する。前記平坦化膜２３は、例えばアクリル系列のフォトレジストをコーティング及びベーキングすることで形成されることができ、平坦な上部面を有する。前記平坦化膜２３によって前記導電パッド１９の上部面が覆われ、前記導電パッド１９の上部面は前記平坦化膜２３によって保護される。
【００２４】
図３を参照すれば、前記第１画素領域の前記平坦化膜２３上に第１色を有する第１カラーフィルタ２５を形成する。前記第１カラーフィルタ２５は染料を含有するフォトレジストをコーティング、ソフトベーキング、選択的露光及び現像工程を含むフォトリソグラフィ工程を利用して形成されることができる。前記第１色は例えば赤色でありうる。
【００２５】
図４を参照すれば、前記第２画素領域の前記平坦化膜２３上に第２色を有する第２カラーフィルタ２７を形成する。前記第２カラーフィルタ２７は染料を含有するフォトレジストをコーティング、ソフトベーキング、選択的露光及び現像工程を含むフォトリソグラフィ工程を利用して形成されることができる。前記第２色は例えば青色でありうる。
【００２６】
図５を参照すれば、前記第１カラーフィルタ２５及び第２カラーフィルタ２７が形成された前記半導体基板１の全面上に第３色を有するカラーフォトレジスト２９をコーティングする。前記カラーフォトレジスト２９は顔料、高分子樹脂、光感剤、及び溶剤の混合物である懸濁液であり、工程温度として例えば常温で流動的である。したがって、コーティング工程によって前記カラーフォトレジスト２９は平坦であるか、緩やかに平坦な上部面を有するように形成される。前記カラーフォトレジスト２９は前記平坦化膜２３上では厚く、そして前記第１及び第２カラーフィルタ２５、２７上では薄く形成される。前記カラーフォトレジスト２９に対してベーキング（ｂａｋｉｎｇ）工程を進行して前記カラーフォトレジスト２９内の溶剤を除去する。前記ベーキング工程はソフトベーキング（ｓｏｆｔ  ｂａｋｉｎｇ）でありうる。前記カラーフォトレジスト２９がネガティブタイプ（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）の場合、カラーフォトレジスト２９の全面を露光する。前記カラーフォトレジスト２９の全面が露光されるため、フォトマスクを要しない。したがって、フォトマスクを整列させる作業が実行されず、工程時間を短縮させることができる。また露光されない領域を具備しないため、現象作業を要しない。したがって、工程を単純化させることができる。前記カラーフォトレジスト２９がネガティブタイプの場合、前記露光工程によって化学的反応が発生され、これによって、カラーフィルタに適する透明で堅い材質に変わる。前記全面露光工程の後にハードベーキング（ｈａｒｄ  ｂａｋｉｎｇ）工程を進行することができる。前記カラーフォトレジスト２９がポジティブタイプ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）の場合、前記全面露光工程を要しないようにもできる。
【００２７】
図６を参照すれば、前記カラーフォトレジスト２９に対して平坦化工程、例えばエッチバック（ｅｔｃｈ  ｂａｃｋ）工程を進行して前記第１カラーフィルタ２５及び前記第２カラーフィルタ２７上の前記カラーフォトレジスト２９を除去し、前記第３画素領域に第３カラーフィルタ２９ａ及び前記パッド領域に残余カラーフォトレジスト２９ｂを形成する。前記エッチバック工程は酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）及び四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むグループより選択される少なくとも一つのガスを利用して進行されることができる。前記第１及び第２カラーフィルタ２５、２７は互いに異なるフォト工程によって形成されるため、互いに異なる厚さを有するように形成されることができる。しかし前記平坦化工程によって前記第１カラーフィルタ２５及び前記第２カラーフィルタ２７の上部も一部除去されることができ、前記第１カラーフィルタ２５、前記第２カラーフィルタ２７及び前記第３カラーフィルタ２９ａが互いに同一の高さの平坦な上部面を有するように形成される。
【００２８】
図７を参照すれば、前記カラーフィルタ２５、２７、２９ａ上にマイクロレンズ３１を形成する。前記マイクロレンズ３１は透明なアクリル樹脂を含むフォトレジストパターン(図示しない)をフォトリソグラフィ工程で形成した後、熱を加えて前記フォトレジストパターンをリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）させて形成する。この時、前記カラーフィルタ２５、２７、２９ａが互いに同一の高さの平坦な上部面を有するため、従来の上部平坦化膜を要せず、前記マイクロレンズ３１が全部同一の形態で形成されることができる。したがって、上部平坦化膜を要しないため、工程を単純化させることができ、かつ上部平坦化膜の材料費用を節減することができる。
【００２９】
図８を参照すれば、前記画素領域を覆い、前記パッド領域を露出させるマスクパターン(図示しない)を形成する。そして前記マスクパターン(図示しない)をエッチングマスクとして利用して前記パッド領域上の前記残余カラーフォトレジスト２９ｂと前記平坦化膜２３を除去して前記導電パッド１９の上部面を露出させる。続いて、前記導電パッド１９にワイヤをボンディングさせることができる。
【００３０】
図８を参照すれば、上述した方法で形成されたイメージセンサは、第１、第２及び第３画素領域及びパッド領域を具備する半導体基板１上に素子分離膜３が位置して活性領域を定義する。前記画素領域の前記半導体基板１内にフォトダイオード領域９が位置する。前記半導体基板１上にエッチング阻止膜１１と層間絶縁膜１３が順に積層される。前記パッド領域には前記層間絶縁膜１３と前記エッチング阻止膜１１を貫通して前記半導体基板１と電気的に接するコンタクトプラグ１５が配置され、前記コンタクトプラグ１５上に外部から電圧を印加するための導電パッド１９が配置される。前記層間絶縁膜１３上に前記導電パッド１９の上部面を露出させるバッファ酸化膜１７及びパッシベーション膜２１が順に積層される。前記画素領域の前記平坦化膜２３上にそれぞれカラーフィルタ２５、２７、２９ａが配置され、前記カラーフィルタ２５、２７、２９ａ上にそれぞれマイクロレンズ３１が配置される。前記カラーフィルタ２５、２７、２９ａは互いに同一の厚さを有し、平坦な上部面を有する。
【００３１】
図８のイメージセンサにおいては、従来の上部平坦化膜なしに、前記カラーフィルタ２５、２７、２９ａ上に前記マイクロレンズ３１が直接接するように配置されるため、前記マイクロレンズ３１と前記フォトダイオード領域９との間の距離が短くなっており、光損失を減らすことができるため、光感度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係るイメージセンサの形成方法を順次に示す程断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  半導体基板
３  素子分離膜
５  第１不純物注入領域
７  第２不純物注入領域
９  フォトダイオード領域
１１  エッチング阻止膜
１３  層間絶縁膜
１５  コンタクトプラグ
１７  バッファ酸化膜
２１  パッシベーション膜
２３  平坦化膜
２５，２７，２９ａ  カラーフィルタ
３１  マイクロレンズ
【図１】
2007088459.tif 000003
【図２】
2007088459.tif 000004
【図３】
2007088459.tif 000005
【図４】
2007088459.tif 000006
【図５】
2007088459.tif 000007
【図６】
2007088459.tif 000008
【図７】
2007088459.tif 000009
【図８】
2007088459.tif 000010