(57)【要約】【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。【選択図】図１２Ｃ
2007049120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸、硝酸、酢酸、水、及び添加剤を含み、
前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物、及び酸化調整剤を含むことを特徴とするエッチング液組成物。
【請求項２】
前記塩素系化合物は、ＫＣｌ、ＨＣｌ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＢａＣｌ２、ＢｅＣｌ２、ＢｉＣｌ３、ＣｄＣｌ２、ＣｅＣｌ２、ＣｓＣｌ２、ＣｒＣｌ３、及びＨ２ＰｔＣｌ３からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項３】
前記硝酸塩系化合物は、ＮＨ４ＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｃａ（ＮＯ３）２、ＮａＮＯ３、Ｚｎ（ＮＯ３）２、ＣＯ（ＮＯ３）２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｃｕ（ＮＯ３）２、及びＢａ（ＮＯ３）２からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項４】
前記硫酸塩系化合物は、Ｈ２ＳＯ４、Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２ＳＯ４、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、ＣａＳＯ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４、及び（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項５】
前記酸化調整剤は、ＫＭｎＯ４、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、ＮａＣｌＯ、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＨＣｌＯ４、及びＨｌＯ４からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項６】
前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項７】
前記エッチング液組成物は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びＩＴＯからなる群より選択された断層膜又はこれらの積層膜をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項８】
基板を提供するステップと、
前記基板上に導電膜を形成するステップと、
前記導電膜上に感光性膜を形成するステップと、
前記感光性膜を露光してパターニングするステップと、
前記パターニングされた感光性膜に対して、エッチング液組成物を用いて前記導電膜をエッチングするステップと
を含み、
前記導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びＩＴＯからなる群より選択された少なくとも一種を含む単一膜又は積層膜であり、
前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物、酸化調整剤、及び水を含むことを特徴とする導電膜のパターニング方法。
【請求項９】
前記塩素系化合物は、ＫＣｌ、ＨＣｌ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＢａＣｌ２、ＢｅＣｌ２、ＢｉＣｌ３、ＣｄＣｌ２、ＣｅＣｌ２、ＣｓＣｌ２、ＣｒＣｌ３、及びＨ２ＰｔＣｌ３からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電膜のパターニング方法。
【請求項１０】
前記硝酸塩系化合物は、ＮＨ４ＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｃａ（ＮＯ３）２、ＮａＮＯ３、Ｚｎ（ＮＯ３）２、Ｃｏ（ＮＯ３）２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｃｕ（ＮＯ３）２、及びＢａ（ＮＯ３）２からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電膜のパターニング方法。
【請求項１１】
前記硫酸塩系化合物は、Ｈ２ＳＯ４、Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２ＳＯ４、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、ＣａＳＯ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４、及び（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電膜のパターニング方法。
【請求項１２】
前記酸化調整剤は、ＫＭｎＯ４、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、ＮａＣｌＯ、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＨＣｌＯ４、及びＨｌＯ４からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電膜のパターニング方法。
【請求項１３】
前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電膜のパターニング方法。
【請求項１４】
基板を提供するステップと、
前記基板上に第１導電膜を形成した後にパターニングして、ゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート電極と対応する前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成するステップと、
前記半導体層上に第２導電膜を形成した後にパターニングして、ソース／ドレイン電極を形成するステップと、
前記ソース／ドレイン電極を備える基板の全面にかけて位置し、前記ドレイン電極の一部分を露出するコンタクトホールを備える保護層を形成するステップと、
前記保護層上に位置し、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続するように、、第３導電膜を形成した後にパターニングして、画素電極を形成するステップと
を含み、
前記ゲート電極、ソース／ドレイン電極、及び画素電極は、同じエッチング液組成物からなるエッチング液でパターニングして形成することを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１５】
前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことを特徴とする請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１６】
前記塩素系化合物は、ＫＣｌ、ＨＣｌ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＢａＣｌ２、ＢｅＣｌ２、ＢｉＣｌ３、ＣｄＣｌ２、ＣｅＣｌ２、ＣｓＣｌ２、ＣｒＣｌ３、及びＨ２ＰｔＣｌ３からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１５に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１７】
前記硝酸塩系化合物は、ＮＨ４ＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｃａ（ＮＯ３）２、ＮａＮＯ３、Ｚｎ（ＮＯ３）２、ＣＯ（ＮＯ３）２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｃｕ（ＮＯ３）２、及びＢａ（ＮＯ３）２からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１５に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１８】
前記硫酸塩系化合物は、Ｈ２ＳＯ４、Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２ＳＯ４、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、ＣａＳＯ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４、及び（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１５に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１９】
前記酸化調整剤は、ＫＭｎＯ４、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、ＮａＣｌＯ、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＨＣｌＯ４、及びＨｌＯ４からなる群より選択された少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１５に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２０】
前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウムの合金（ＡｌＮｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜であることを特徴とする請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２１】
前記第２導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウムの合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜であることを特徴とする請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２２】
前記第３導電膜は、ＩＴＯからなることを特徴とする請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２３】
前記フラットパネルディスプレイは、液晶ディスプレイ又は有機電界発光ディスプレイであることを特徴とする請求項１４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、さらに詳細には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）及びＩＴＯを同時にエッチング可能なエッチング液組成物を提供し、前記エッチング液組成物を利用した導電膜のパターニング方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法を提供するためのものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フラットパネルディスプレイは、駆動方法に応じてパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に分けられ、この内、アクティブマトリクス方式は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用する回路を有する。このような回路は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及び有機電界発光ディスプレイ（ＯＥＬＤ）などのフラットパネルディスプレイにおいて代表的に用いられる。前記アクティブマトリクス方式のフラットパネルディスプレイは、解像度及び動画実現能力に優れているだけでなく、ディスプレイの大面積化により有利である。
【０００３】
かかるアクティブマトリクス方式のフラットパネルディスプレイは、互いに異なる導電物質からなるそれぞれの導電膜をパターニングして、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ、複数の配線、及び画素電極を形成しなければならない。例えば、前記ゲート電極は、低抵抗体の導電物質であって、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ及びこれらの合金からなる。また、前記ソース／ドレイン電極は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ及びこれらの合金からなり、前記画素電極は、ＩＴＯ又はＩＺＯの透明電極からなる。また、前記導電膜は、単一膜で形成されることもできるが、より良い特性を得るために、互いに異なる物質からなる多重膜で形成されることもできる。
【０００４】
この時、互いに異なる物質からなる導電膜は、エッチング速度の差のような特性が互いに異なるため、同じ組成を有するエッチング液でエッチング工程を行うのに難しさがあった。また、互いに異なる組成を有するエッチング液を利用しなければならないので、エッチング工程のための装備も異なる。これによって、前記薄膜トランジスタ及び複数の配線を形成するためのエッチング工程は、工程が複雑になり、製造費用及び時間が増大して、製品の生産性が低下することになる。
【０００５】
これを解決するために、互いに異なる物質からなる導電膜を同時にエッチングできるエッチング液に対する開発が盛んになってきている。
【０００６】
例えば、アルミニウムとＩＴＯを同時にエッチングできるエッチング液組成物が提示された。これによって、ゲート電極と画素電極とを同じエッチング液を利用してエッチング工程を行うことによって、生産性の向上を図ることができた。また、Ｍｏ／ＡｌＮｄからなる二重層とＭｏの単一層とを同時にエッチングできるエッチング液組成物に関して提示された。これによって、互いに異なる導電膜を同じエッチング液を利用してエッチングすることによって、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を形成することが可能であった。
【０００７】
しかしながら、現在までＡｌ、Ｍｏ及びＩＴＯを同時にエッチングできるエッチング液組成物は知られておらず、薄膜トランジスタ及び画素電極を、同じ組成を有するエッチング液を利用して形成することは不可能であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、上記の従来の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、エッチング工程を単純化し、製造費用を最小化できるエッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法を提供することにある。
【０００９】
上記の技術的課題を達成するために、本発明の一側面は、エッチング液組成物を提供する。前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水、及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物、及び酸化調整剤を含む。
【００１０】
ここで、前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことが好ましい。
【００１１】
また、前記エッチング液組成物は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）及びＩＴＯからなる群より選択された断層膜又はこれらの積層膜をエッチングすることに利用することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の技術的課題を達成するために、本発明の他の局面においては、導電膜のパターニング方法を提供する。前記パターニング方法は、基板を提供するステップと、前記基板上に導電膜を形成するステップと、前記導電膜上に感光性膜を形成するステップと、前記感光性膜を露光してパターニングするステップと、前記パターニングされた感光性膜に対して、前記導電膜をエッチングするステップとを含み、前記導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びＩＴＯからなる群より選択された少なくとも一種からなる単一膜又は積層膜であり、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物、酸化調整剤、及び水を含むことができる。
【００１３】
上記の技術的課題を達成するため、本発明のさらに他の局面においては、フラットパネルディスプレイの製造方法を提供する。前記製造方法は、基板を提供するステップと、前記基板上に第１導電膜を形成した後にパターニングして、ゲート電極を形成するステップと、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート電極と対応する前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層上に第２導電膜を形成した後にパターニングして、ソース／ドレイン電極を形成するステップと、前記ソース／ドレイン電極を備える基板の全面にかけて位置し、前記ドレイン電極の一部分を露出するコンタクトホールを備える保護層を形成するステップと、前記保護層上に位置し、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続するように、、第３導電膜を形成した後にパターニングして、画素電極を形成するステップとを含み、前記ゲート電極、ソース／ドレイン電極、及び画素電極は、同じエッチング液組成物からなるエッチング液でパターニングして形成することができる。
【００１４】
前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことが好ましい。
【００１５】
前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜であり得る。
【００１６】
前記第２導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜であり得る。
【００１７】
前記第３導電膜は、ＩＴＯからなることができる。
【００１８】
前記フラットパネルディスプレイは、液晶ディスプレイ又は有機電界発光ディスプレイであり得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）及びＩＴＯを同時にエッチングできるエッチング液組成物が提供されることによって、ゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極を同じ組成を有するエッチング液を利用して形成可能であるため、工程管理が容易になる。
また、エッチング工程を単純化させることができるため、製品の生産性向上及び生産費用を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の第１の実施形態に係るエッチング液組成物をさらに詳細に説明する。
本発明のエッチング組成物は、硝酸、リン酸、酢酸、水及び添加剤を含む。この時、前記エッチング組成物は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）及びＩＴＯからなる群より選択された少なくとも１種の断層膜又はこれらの積層膜からなる導電膜をエッチングするのに利用されることができる。
【００２１】
前記エッチング組成物について詳説すれば、前記硝酸は、アルミニウムと反応してアルミニウムオキサイド（Ａｌ２Ｏ３）を形成する役割を果たす。この時、前記エッチング組成物の中で前記硝酸の含有量は、前記導電膜がＭｏ／ＡｌＮｄからなる二重膜をエッチングするにおいて、エッチング選択比を效果的に調節できることを考慮して、３〜１５重量％であることが好ましい。ここで、前記硝酸の含有量が３重量％未満のエッチング液組成物に、前記Ｍｏ／ＡｌＮｄからなる二重膜をウェットエッチングする場合に、アンダーカット現象が生じる。
【００２２】
前記リン酸は、上述したように、硝酸とアルミニウムとが反応して発生したアルミニウムオキサイド（Ａｌ２Ｏ３）を適切に分解して、導電膜のエッチング速度を増加させることによって、生産性を向上させる役割を果たす。この時、前記エッチング組成物の中で前記リン酸の含有量は、４０〜７０重量％であることが好ましい。ここで、前記リン酸の含有量が７０重量％を超過すれば、生産性向上が期待されるが、エッチング液の粘度が増加して、すすぎの際に、前記エッチング液の除去時間が長くなるので、過度なエッチングをもたらす。これとは異なり、前記リン酸の含有量が４０重量％未満の場合に、導電膜のエッチング速度が減少して生産性が低下される。
【００２３】
前記酢酸は、反応速度を調節する緩衝剤の役割を果たす。ここで、前記エッチング組成物の中前記酢酸の含有量は、適切なエッチング速度の調節を考慮して、５〜３５重量％であることが好ましい。この時、前記酢酸の含有量が５重量％未満の場合、エッチングしようとする導電膜がＭｏ／ＡｌＮｄの場合に、アンダーカット現象が生じる。
【００２４】
前記エッチング液組成物は、残量の水を含む。前記水は、硝酸とアルミニウムとが反応して生成されたアルミニウムオキサイド（Ａｌ２Ｏ３）を分解するだけでなく、前記エッチング組成物を希釈する役割を果たす。ここで、前記水は、イオン交換樹脂を利用してろ過した純水を使用することが好ましい。さらに好ましくは、前記水は、１８ＭΩ以上の比抵抗を有する超純水であることが好ましい。
【００２５】
前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤であり得る。
【００２６】
詳説すれば、前記塩素系化合物は、Ｃｌ−で解離できる化合物である。例えば、前記塩素系化合物は、ＫＣｌ、ＨＣｌ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＢａＣｌ２、ＢｅＣｌ２、ＢｉＣｌ３、ＣｄＣｌ２、ＣｅＣｌ２、ＣｓＣｌ２、ＣｒＣｌ３、及びＨ２ＰｔＣｌ３からなる群より選択された少なくとも１種である。
ここで、前記塩素系化合物は、非晶質のＩＴＯ、Ｍｏ単一膜及びＭｏ／ＡｌＮｄの二重膜のエッチング速度を調節する役割を果たす。
【００２７】
この時、前記エッチング液組成物の中で前記塩素系化合物の含有量は、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜からなる導電膜において、前記ＡｌＮｄ層のアンダーカット現象を防止することができ、非晶質ＩＴＯとＭｏ単一膜の優れたプロファイルを形成するために、０．０２〜５重量％であることが好ましい。ここで、前記塩素系化合物が０．０２重量％未満である場合に、非晶質ＩＴＯのエッチング速度が遅くなるため、生産性が低下する恐れがある。これに対し、５重量％を超過する場合には、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜においてアンダーカット現象が発生する。
【００２８】
前記硝酸塩系化合物は、ＮＨ４ＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｃａ（ＮＯ３）２、ＮａＮＯ３、Ｚｎ（ＮＯ３）２、ＣＯ（ＮＯ３）２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｃｕ（ＮＯ３）２、及びＢａ（ＮＯ３）２からなる群より選択された少なくとも１種であり得る。前記硝酸塩系化合物は、Ｍｏ単一膜からなる導電膜のエッチング速度及び優れたプロファイルを有するようにすることができる。
【００２９】
ここで、前記エッチング液組成物の中で、前記硝酸塩系化合物の含有量は、０．０５〜５重量％であることが好ましい。この時、前記硝酸塩系化合物の含有量が０．０５重量％未満であれば、Ｍｏ単一膜において逆テーパー及びショルダー（shoulder）現象が発生する。これに対し、５重量％超過の場合、Ｍｏ単一膜のエッチング速度が遅くなり、生産性が低下する。
【００３０】
前記硫酸塩系化合物は、Ｈ２ＳＯ４、Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２ＳＯ４、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、ＣａＳＯ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４、及び（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８からなる群より選択された少なくとも１種であり得る。前記硫酸塩系化合物は、Ｍｏ単一膜のエッチング速度及びプロファイルを向上させる役割を果たす。この時、前記エッチング液組成物の中で、前記硫酸塩系化合物は、０．０５〜５重量％であることが好ましい。ここで、前記硫酸塩系化合物が０．０５重量％未満の場合に、Ｍｏ単一膜からなる導電膜をエッチングする場合に、両側の偏差（ＣＤ−Ｂｉａｓ）が大きく現れることができる。これに対し、前記硫酸塩系化合物が５重量％を超過すれば、Ｍｏ単一膜のエッチング速度が遅くなり生産性が低下する。
【００３１】
前記酸化調整剤は、ＫＭｎＯ４、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、ＮａＣｌＯ、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＨＣｌＯ４、及びＨｌＯ４からなる群より選択された少なくとも１種であり得る。前記酸化調整剤は、Ｍｏ／ＡｌＮｄの均一な傾斜角を有するように誘導でき、アルミニウム金属膜の表面に部分的にパッシベーション酸化膜を形成して、エッチング速度を減少させる役割を果たす。これは、前記アルミニウムが、前記Ｍｏ単一膜よりエッチング速度が速いため、優れたプロファイルを有するためには、アルミニウムのエッチング速度を低減することが好ましいためである。
【００３２】
ここで、前記エッチング液組成物の中で、前記酸化調整剤の含有量は、１〜１０重量％であることが好ましい。この時、前記酸化調整剤の含有量が１重量％未満である場合に、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜においてアンダーカット現象が発生し、これに対し、１０重量％超過である場合には、Ｍｏ単一膜において逆テーパー形状が現れる。
【００３３】
これによって、前記エッチング液組成物を有するエッチング液を利用すれば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウムの合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれかの物質からなる導電膜であっても、前記エッチング液組成物を利用してエッチングできる。
【００３４】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の第２の実施形態に係るエッチング液組成物を利用した導電膜のパターニング方法を説明するための断面図である。
【００３５】
図１Ａに示すように、まず基板１０が提供され、前記基板１０上に導電膜２０を形成する。前記導電膜２０は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びＩＴＯからなる群より選択された少なくとも1種の断層膜又はこれらの積層膜である。
【００３６】
前記導電膜２０上に感光性膜３０を形成する。次に、前記感光性膜３０上に前記導電膜２０をパターニングしようとする形態を有する露光マスク（図示せず）を整列した後、前記露光マスクに紫外線光を照射する。これによって、前記感光性膜３０に露光マスクの形状に応じて紫外線が照射される。この時、前記感光性膜３０は、紫外線が照射されない領域が除去される陰性又は紫外線が照射された領域が除去される陽性の感光膜であるが、本発明の実施形態では、これに限定されるものではない。
【００３７】
図１Ｂに示すように、前記感光性膜３０に現像液を適用すれば、前記導電膜の一部分を露出する感光性パターン３０を形成することができる。
【００３８】
以後に、図１Ｃのように露出された導電膜をエッチング液を利用してエッチングして、導電膜パターン２０´を形成することができる。前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含む。
【００３９】
詳説すれば、前記塩素系化合物は、Ｃｌ−で解離できる化合物である。例えば、前記塩素系化合物は、ＫＣｌ、ＨＣｌ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ、ＣｕＣｌ２、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＢａＣｌ２、ＢｅＣｌ２、ＢｉＣｌ３、ＣｄＣｌ２、ＣｅＣｌ２、ＣｓＣｌ２、ＣｒＣｌ３、及びＨ２ＰｔＣｌ３からなる群より選択された少なくとも１種である。
【００４０】
例えば、前記硝酸塩系化合物は、ＮＨ４ＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＮＯ３、Ｃａ（ＮＯ３）２、ＮａＮＯ３、Ｚｎ（ＮＯ３）２、ＣＯ（ＮＯ３）２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｃｕ（ＮＯ３）２、及びＢａ（ＮＯ３）２からなる群より選択された少なくとも１種である。
【００４１】
例えば、前記硫酸塩系化合物は、Ｈ２ＳＯ４、Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２ＳＯ４、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、ＣａＳＯ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４、及び（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８からなる群より選択された少なくとも１種である。
【００４２】
例えば、前記酸化調整剤は、ＫＭｎＯ４、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、ＮａＣｌＯ、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ２、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ４、ＨＣｌＯ４、及びＨｌＯ４からなる群より選択された少なくとも１種である。
【００４３】
以後、図１Ｃのように、前記感光性パターン３０を除去することによって、導電膜パターン２０´を形成することができる。
【００４４】
以下、実験例及び比較例を通じて、本発明の実施形態をさらに詳細に説明するが、下記の実験例は、本発明を説明するための例示に過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。
【００４５】
＜実験例１＞
基板上にＩＴＯを蒸着した。次に、前記ＩＴＯ膜上に感光性膜を形成した後に露光及び現像工程を行って、前記ＩＴＯ膜の一部分を露出する感光性膜パターンを形成した。以後に、下記［表１］に表すエッチング液組成物を有するエッチング液を使用して、露出された前記ＩＴＯ膜をエッチングした後、感光性膜パターンを除去することによって、ＩＴＯ膜パターンを形成した。ここで、前記ＩＴＯ膜をエッチングして、感光性膜パターンを除去する前後の断面をＳＥＭを測定して観察した。
【００４６】
＜実験例２＞
基板上にＭｏを蒸着してＭｏ単一膜を形成する場合を除いて、＜実験例１＞と同じ工程を行ってＭｏ単一膜パターンを形成した。
【００４７】
＜実験例３＞
基板上にＡｌＮｄ合金とＭｏとを順次蒸着して、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜を形成することを除いて、＜実験例１＞と同じ工程を行って、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンを形成した。
【００４８】
＜比較例１〜比較例５＞
エッチング液組成物の含有量が、下記［表１］のように異なるエッチング液を利用してＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜をエッチングする場合を除いて、＜実験例３＞と同じ工程を行って、Ｍｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンを形成した。
【００４９】
＜比較例６及び比較例７＞
エッチング液組成物の含有量が、下記［表１］のように異なるエッチング液を利用してＭＯ単一膜をエッチングする場合を除いて、＜実験例２＞と同じ工程を行ってＭＯ単一膜パターンを形成した。
【００５０】
下記［表１］は、前記実験例と比較例で用いられたエッチング液組成物を表したものである。
【表１】
2007049120.tif 000003
【００５１】
図２Ａ及び図２Ｂは、＜実験例１＞で形成されたＩＴＯ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。ここで、図２Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＩＴＯ膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図２Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００５２】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、前記［表１］に提示したエッチング液を利用してＩＴＯ膜をエッチングする場合に、３０〜６０゜のテーパー角を有する優れたプロファイルを有するＩＴＯ膜パターンを形成することを確認することができた。
【００５３】
図３Ａ及び図３Ｂは、＜実験例２＞で形成されたＭｏ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。ここで、図３Ａは、［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ単一膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図３Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００５４】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、前記［表１］に提示したエッチング液を利用してＭＯ単一膜をエッチングする場合に、４５〜７０゜のテーパー角を有する優れたプロファイルを有するＭｏ単一膜パターンを形成することを確認することができた。
【００５５】
図４Ａ及び図４Ｂは、＜実験例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。  
【００５６】
ここで、図４Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図４Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、前記［表１］で提示したエッチング液を利用してＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜をエッチングする場合において、ＡｌＮｄのアンダーカット現象がない優れたプロファイルを有するＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンを形成することを確認することができた。
【００５８】
これによって、同じエッチング液組成物を有するすなわち、６０重量％のリン酸、６重量％の硝酸、１２重量％の酢酸、４重量％の酸化安定剤、０．１重量％の塩素系化合物、０．０５重量％の硝酸塩系化合物及び２重量％の硫酸塩系化合物からなるエッチング液により、互いに異なる物質からなる導電膜が優れたプロファイルを有しながらエッチングされることを確認することができた。
【００５９】
図５Ａ及び図５Ｂは、＜比較例１＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【００６０】
ここで、図５Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図５Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００６１】
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、リン酸の含有量が４０重量％未満であるエッチング液を利用する場合に、ＡｌＮｄ二重膜パターンにおいてアンダーカット現象が発生し、また、Ｍｏ単一膜のプロファイルが不良に形成されることを確認することができた。
【００６２】
図６Ａ及び図６Ｂは、＜比較例２＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【００６３】
ここで、図６Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図６Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００６４】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、硝酸の含有量が３重量％未満であるエッチング液を利用する場合に、ＡｌＮｄ二重膜パターンにおいてアンダーカット現象が発生し、また、Ｍｏ単一膜パターンのプロファイルが不良に形成されることを確認することができた。
【００６５】
図７Ａ及び図７Ｂは、＜比較例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
ここで、図７Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図７Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００６６】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、酢酸の含有量が５重量％未満であるエッチング液を利用する場合に、ＡｌＮｄ二重膜パターンにおいてアンダーカット現象が発生することを確認することができた。
【００６７】
図８Ａ及び図８Ｂは、＜比較例４＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【００６８】
ここで、図８Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図８Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００６９】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、酸化調整剤の含有量が１重量％未満であるエッチング液を利用する場合に、ＡｌＮｄ二重膜パターンにおいてアンダーカット現象が発生することを確認することができた。
【００７０】
図９Ａ及び図９Ｂは、＜比較例５＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
ここで、図９Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図９Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００７１】
塩素系化合物の含有量が５重量％超過したエッチング液を利用する場合に、図９Ａに示すように、感光性パターンが分解されて、前記ＡｌＮｄ二重膜を完全に保護することができないことを確認した。また、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、前記ＡｌＮｄ二重膜パターンにおいてアンダーカット現象が発生した。
【００７２】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、＜比較例６＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
ここで、図１０Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ単一膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図１０Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００７３】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、硝酸塩系化合物の含有量が０．０５重量％未満であるエッチング液を使用する場合に、Ｍｏ単一膜パターンにおいてで逆テーパー現象及びショルダー現象が発生することを確認することができた。
【００７４】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、＜比較例７＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
ここで、図１１Ａは、前記［表１］に表したエッチング液組成物を有するエッチング液を利用してエッチングされたＭｏ単一膜パターンの断面であって、感光性パターンＰＲを除去する前の写真であり、図１１Ｂは、前記感光性パターンＰＲを除去した後の写真である。
【００７５】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、硫酸塩系化合物の含有量が０．０５重量％未満であるエッチング液を使用する場合に、Ｍｏ単一膜パターンの両側偏差（ＣＤ-Ｂｉａｓ）があまりにも大きく現れることを確認することができた。
【００７６】
これによって、互いに異なる物質からなる導電膜すなわち、Ｍｏ単一膜、ＩＴＯ膜及びＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜を同じエッチング液組成物を利用して優れたプロファイルを有するようにエッチングするためには、前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことが好ましい。
【００７７】
図１２Ａ〜図１２Ｃは、本発明の第３実施形態に係るフラットパネルディスプレイの製造方法を説明するために示した断面図である。
【００７８】
図１２Ａを参照して説明すれば、基板１００が提供される。前記基板１００は、プラスチック、ガラス又は金属基板であり得るが、本発明の実施形態では、これに限定するものではない。前記基板１００上に第１導電膜を形成した後にパターニングして、ゲート配線（図示せず）及びゲート電極１１０を形成する。前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜からなることができる。この時、前記ゲート配線及びゲート電極１１０は、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム-ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）が順次積層された二重膜に形成することがさらに好ましい。
【００７９】
図１２Ｂに示すように、前記ゲート配線及びゲート電極１１０上に酸化シリコン膜、硝酸シリコン膜又はこれらの積層膜からなるゲート絶縁膜１２０を形成する。前記ゲート絶縁膜１２０は、化学気相蒸着法ＣＶＤ又はスパッタリング法を利用して形成でき、例えば、前記化学気相蒸着法ＣＶＤは、低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、常圧化学気相蒸着法（ＡＰＣＶＤ）及びプラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）からなる群より選択された少なくとも１つ以上の方法を使用することができる。
【００８０】
以後に、前記ゲート電極１１０と対応される前記ゲート絶縁膜１２０上にアクティブ層１３１とオームコンタクト層１３２を積層して、半導体層１３０を形成する。ここで、前記アクティブ層１３１は、非晶質シリコンからなることができ、前記オームコンタクト層１３２は、Ｎ型又はＰ型不純物がドーピングされている非晶質シリコンでからなることができる。
【００８１】
以後に、前記半導体層１３０上に第２導電膜を形成した後にパターニングして、データ配線（図示せず）及びソース／ドレイン電極１４０ａ、１４０ｂを形成する。ここで、前記第２導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム-ネオジウムの合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された少なくとも一種の物質からなる単一膜又は積層膜からなることができる。この時、前記データ配線（図示せず）及びソース／ドレイン電極１４０ａ、１４０ｂは、モリブデン（Ｍｏ）単一膜からなることがさらに好ましい。
【００８２】
これによって、前記ゲート電極１１０、前記ソース／ドレイン電極１４０ａ、１４０ｂ及び前記半導体層１３０からなる薄膜トランジスタを製造することができる。
【００８３】
図１２Ｃに示すように、前記データ配線及びソース／ドレイン電極１４０ａ、１４０ｂ上に保護層１５０を形成し、前記ドレイン電極１４０ｂの一部分を露出するコンタクトホールを形成する。ここで、前記保護層１５０は、硝酸シリコン、酸化シリコン、アクリル系化合物、ＢＣＢ又はＰＦＣＢからなることができる。
【００８４】
以後に、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極１４０ｂと電気的に接続するように、前記保護層１５０上に第３導電膜を形成した後にパターニングして、画素電極１６０を形成する。前記画素電極は、透明電極であって、ＩＴＯからなることができる。
【００８５】
この時、前記ゲート電極１１０、前記ソース／ドレイン電極１４０ａ、１４０ｂ及び前記画素電極１６０をなす各導電膜は、同じエッチング液組成物からなるエッチング液でパターニングできる。ここで、前記エッチング液組成物は、４０〜７０重量％のリン酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０２〜５重量％の塩素系化合物、０．０５〜５重量％の硝酸塩系化合物、０．０５〜５重量％の硫酸塩系化合物、１〜１０重量％の酸化調整剤、及び残量の水を含むことが好ましい。
【００８６】
本発明の実施形態では、ボドムゲート型薄膜トランジスタを製造する方法に限定して説明したが、これに限定されず、トップゲート型薄膜トランジスタのような他の形態の薄膜トランジスタを製造するにおいて、上述したエッチング液組成物を利用して製造できる。
【００８７】
以後に、図示していないが、通常の方法によりフラットパネルディスプレイを製造する。
例えば、前記フラットパネルディスプレイが液晶ディスプレイである場合には、カラーフィルターと透明電極を備える対向基板を、前記薄膜トランジスタが形成された基板と付着させた後に液晶を注入するステップを行うことによって、液晶ディスプレイを製造することができる。
【００８８】
また、前記フラットパネルディスプレイが有機電界発光ディスプレイである場合には、前記画素電極上に発光層を含む有機層を形成した後、前記有機層上に対向電極を形成することによって、有機電界発光ディスプレイを製造することができる。ここで、前記有機層は、電荷輸送層又は電荷注入層をさらに備えることができる。
【００８９】
これによって、ゲート配線及びゲート電極、データ配線及びソース／ドレイン電極、画素電極が異なる導電物質からなる場合に、同じ組成を有するエッチング液を利用してパターニングして形成できるので、工程をさらに単純化してフラットパネルディスプレイを製造することができる。
【００９０】
上記したように、本発明によれば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）及びＩＴＯを同時にエッチングできるエッチング液組成物が提供されることによって、ゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極を同じ組成を有するエッチング液を利用して形成できることから、工程管理が容易になる。
また、エッチング工程を単純化させることができるので、製品の生産性向上及び生産費用を低減することができる。
【００９１】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１Ａ】本発明のエッチング液組成物を利用した導電膜のパターニング方法を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】本発明のエッチング液組成物を利用した導電膜のパターニング方法を説明するための断面図である。
【図１Ｃ】本発明のエッチング液組成物を利用した導電膜のパターニング方法を説明するための断面図である。
【図２Ａ】＜実験例１＞で形成されたＩＴＯ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図２Ｂ】＜実験例１＞で形成されたＩＴＯ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図３Ａ】＜実験例２＞で形成されたＭｏ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図３Ｂ】＜実験例２＞で形成されたＭｏ膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図４Ａ】＜実験例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図４Ｂ】＜実験例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図５Ａ】＜比較例１＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図５Ｂ】＜比較例１＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図６Ａ】＜比較例２＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図６Ｂ】＜比較例２＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図７Ａ】＜比較例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図７Ｂ】＜比較例３＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図８Ａ】＜比較例４＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図８Ｂ】＜比較例４＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図９Ａ】＜比較例５＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図９Ｂ】＜比較例５＞で形成されたＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１０Ａ】＜比較例６＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１０Ｂ】＜比較例６＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１１Ａ】＜比較例７＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１１Ｂ】＜比較例７＞で形成されたＭｏ単一膜パターンの断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１２Ａ】本発明の第３実施形態に係るフラットパネルディスプレイの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第３実施形態に係るフラットパネルディスプレイの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第３実施形態に係るフラットパネルディスプレイの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１００      基板
１１０      ゲート電極
１２０      ゲート絶縁膜
１３０      半導体層
１４０ａ、１４０ｂ      ソース／ドレイン電極
１５０      保護層
１６０      画素電極
【図１Ａ】
2007049120.tif 000004
【図１Ｂ】
2007049120.tif 000005
【図１Ｃ】
2007049120.tif 000006
【図２Ａ】
2007049120.tif 000007
【図２Ｂ】
2007049120.tif 000008
【図３Ａ】
2007049120.tif 000009
【図３Ｂ】
2007049120.tif 000010
【図４Ａ】
2007049120.tif 000011
【図４Ｂ】
2007049120.tif 000012
【図５Ａ】
2007049120.tif 000013
【図５Ｂ】
2007049120.tif 000014
【図６Ａ】
2007049120.tif 000015
【図６Ｂ】
2007049120.tif 000016
【図７Ａ】
2007049120.tif 000017
【図７Ｂ】
2007049120.tif 000018
【図８Ａ】
2007049120.tif 000019
【図８Ｂ】
2007049120.tif 000020
【図９Ａ】
2007049120.tif 000021
【図９Ｂ】
2007049120.tif 000022
【図１０Ａ】
2007049120.tif 000023
【図１０Ｂ】
2007049120.tif 000024
【図１１Ａ】
2007049120.tif 000025
【図１１Ｂ】
2007049120.tif 000026
【図１２Ａ】
2007049120.tif 000027
【図１２Ｂ】
2007049120.tif 000028
【図１２Ｃ】
2007049120.tif 000029