(57)【要約】【課題】  レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置され、当該防着板７によってエネルギー光８の光路を開閉させる開閉機構２０を備えることを特徴とする。【選択図】  図１
2007017662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧状態に維持された光照射室内の被処理基板にエネルギー光を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置であって、
前記光照射室に設けられた光導入用の窓部と、前記被処理基板との間には、当該被処理基板から放出する放出物質を付着させる防着板が配置され、
当該防着板によって前記エネルギー光の光路を開閉させる開閉機構を備えること、
を特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記開閉機構は、前記防着板を回転させることによって、前記エネルギー光の光路を開閉すること、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記防着板を回転させる回転軸方向は、前記窓部及び前記被処理基板の対向方向に対して平行であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記防着板を回転させる回転軸方向は、前記窓部及び前記被処理基板の対向方向に対して交差していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記開閉機構は、前記防着板を往復させることによって、前記エネルギー光の光路を開閉させること、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
前記エネルギー光は、パルス発振によって前記被処理基板を照射し、
前記開閉機構は、前記パルス発振に同期させて前記防着板を開閉させること、
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の製造装置を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置や有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置等の電気光学装置が知られている。当該電気光学装置においては、その駆動回路、アクティブマトリクス基板として、ガラス基板を用いることができるよう、プロセス最高温度が６００℃程度の低温プロセスで、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）を製造できることが必要となっている。ここで、ＴＦＴのチャネル領域等を形成するのに必要なシリコン膜のうち、非晶質のシリコン（以下、アモルファスシリコンと称する。）膜については、低温プロセスで成膜が可能であるものの、得られるＴＦＴの電気移動度が低いという欠点がある。
【０００３】
そこで、ガラス基板上に形成したアモルファスシリコン膜に対してレーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜を溶融結晶化して結晶性のシリコン（以下、ポリシリコンと称する。）膜とすることにより、電気移動度の高いＴＦＴを形成する方法が提案されている。更に、この溶融時間を制御し、より大きな結晶粒径を有するポリシリコン膜を得ることができる技術として、レーザアニール法が一般的に知られている。
レーザアニール装置としては、減圧状態の維持を可能とするチャンバと、チャンバ壁に設けられたレーザ照射窓と、チャンバの外部に設けられ、レーザ照射窓を通じてチャンバの内部にレーザ光を照射するレーザ発振器と、を備えた構成が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。そして、チャンバ内にアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス基板を配置し、レーザ発振器からレーザ照射窓を通じて被処理基板にレーザ光を照射し、更に、これをガラス基板上で走査させることで、ガラス基板の全面にレーザ光を照射することが可能となっている。
【特許文献１】特開平１１−８２０５号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レーザアニール装置において、アモルファスシリコン膜が形成された基板にレーザ光を照射した際に、アモルファスシリコン膜のアブレーションの影響によりレーザ照射窓が汚染されてしまう。これによって、レーザ照射窓におけるレーザ光の透過率が低下し、高い照射効率が得られないという問題や、ガラス基板上のレーザ照射面における照射密度にバラツキが生じるという問題がある。このような問題に起因して、均一なポリシリコン膜を得ることができないという問題もある。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記の問題点を解決すべく、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明の電気光学装置の製造装置は、減圧状態に維持された光照射室内の被処理基板にエネルギー光を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置であって、前記光照射室に設けられた光導入用の窓部と、前記被処理基板との間には、当該被処理基板から放出する放出物質を付着させる防着板が配置され、当該防着板によって前記エネルギー光の光路を開閉させる開閉機構を備えること、を特徴としている。
【０００７】
ここで、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。例えば、電気光学物質としては、対向する電極間に挟持された液晶素子や、有機或いは無機のＥＬ素子が挙げられる。
また、放出物質とは、被処理基板のエネルギー光照射面に露出された膜を主に構成する物質や、当該膜中に含まれる気体や、或いは、膜形成時に混入された反応性ガス等であって、エネルギー光の照射によって被処理基板から放出或いは飛散する物質である。
【０００８】
本発明によれば、開閉機構は、防着板によってエネルギー光の光路を開閉させるので、開閉機構が防着板を開口させている状態において、エネルギー光は被処理基板を照射し、照射面及び照射面近傍が部分的に高エネルギ−状態となり、放出物質が放出／飛散する。また、開閉機構が防着板を閉口している状態において、エネルギー光は被処理基板に到達することがない。また、被処理基板から放出／飛散する放出物質が防着板に付着するので、窓部に放出物質が付着することがない。これによって、放出物質が窓部に付着することを抑制できるので、エネルギー光の照射密度の均一化を実現でき、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる。
そして、アモルファスシリコン膜が形成されている被処理基板に対し、本発明の製造装置を利用してエネルギー光を照射してアニール処理を施すことにより、アブレーションの影響により窓部が汚染されるのを抑制できる。従って、窓部におけるレーザ光の照射効率の低下や、照射密度にバラツキが生じるという問題を解決できる。そして、均一なポリシリコン膜を得ることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置の製造装置においては、前記開閉機構は、前記防着板を回転させることによって、前記エネルギー光の光路を開閉すること、を特徴としている。
ここで、回転とは、回転軸を中心に防着板を回転させることを意味し、その回転数／回転角としては、自然数の回転（回転角３６０°の整数倍）で防着板を回転させたり、防着板を所定の回転角だけ回転させたり、或いは、防着板を時計回りに回転させた後に反時計回りに回転させたり、回転角を増加或いは減少させたり、等を含んでいる。このようにすれば、防着板の回転運動によってエネルギー光の開閉を行うことができる。
また、防着板としては、例えば円形の防着板にスリット部が形成され、スリット部からエネルギー光を通過（開口）させる形態が採用可能である。また、単数或いは複数の羽部を有する防着板が羽部によってエネルギー光を遮蔽（閉口）させる形態が採用可能である。本発明によれば、上記の製造装置と同様の効果が得られる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置の製造装置においては、前記防着板を回転させる回転軸方向は、前記窓部及び前記被処理基板の対向方向に対して平行であること、又は前記窓部及び前記被処理基板の対向方向に対して交差していること、を特徴としている。
このようにすれば、上記の製造装置と同様の効果が得られる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造装置においては、前記開閉機構は、前記防着板を往復させることによって、前記エネルギー光の光路を開閉させること、を特徴としている。
ここで、往復とは、一方から他方に向けて、或いは、他方から一方に向けて、防着板を移動させることを意味する。このようにすれば、防着板の往復運動によってエネルギー光の開閉を行うことができる。
本発明によれば、上記の製造装置と同様の効果が得られる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造装置においては、前記エネルギー光は、パルス発振によって前記被処理基板を照射し、前記開閉機構は前記パルス発振に同期させて前記防着板を開閉させること、を特徴としている。
ここで、パルス発振に同期させて防着板を開閉させるとは、エネルギー光のパルス発振が行われている所定時間だけ防着板を開口させ、かつ、エネルギー光のパルス発振が行われていない所定時間だけ防着板を閉口させることを意味する。或いは、防着板の開口周波数（開口と閉口の繰り返しの中で開口状態となるタイミング）と、パルス発振の照射周波数（パルス周波数）とが同期していること意味する。このように同期させる場合においては、１回の開口状態で１パルスのエネルギー光の照射を行う形態や、１回の開口状態で複数パルスのエネルギー光の照射を行う形態が採用可能である。
また、このようにエネルギー光のパルス周波数に対して、防着板の開口周波数を同期させるには、防着板の回転速度を規定することで実現でき、或いは、防着板の往復運動の速度を規定することで実現できる。
本発明によれば、上記の製造装置と同様の効果が得られる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の製造装置を用いることを特徴としている。
ここで、製造装置を用いて処理される被処理基板は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を備えるアクティブマトリクス基板等の電気光学基板である。
本発明によれば、上記の製造装置が防着板を備えているので、被処理基板から放出される放出物質が窓部に付着することを抑制でき、エネルギー光の照射密度の均一化を実現できる。これによって電気光学基板上に均一な膜を形成できる。
そして、アモルファスシリコン膜が形成されている電気光学基板に対し、本発明の製造装置を利用してエネルギー光を照射してアニール処理を施すことにより、アブレーションの影響により窓部が汚染されるのを抑制できる。従って、窓部におけるレーザ光の照射効率の低下や、照射密度にバラツキが生じるという問題を解決できる。そして、均一なポリシリコン膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法の実施形態について、図面を参照して詳しく説明する。
なお、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１５】
（レーザアニール装置の第１実施形態）
まず、電気光学装置の製造装置に係るレーザアニール装置の第１実施形態について説明する。図１は、レーザアニール装置の構成を示す断面図である。図２は、レーザアニール装置の要部構成を示す斜視図である。図３は、レーザアニール装置の要部構成を示す断面図である。図４は、レーザアニール方法を説明するための説明図である。図５は、レーザアニール方法を行うためのタイミングチャート図である。
【００１６】
図１に示すように、レーザアニール装置（電気光学装置の製造装置）１は、減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にレーザ光（エネルギー光）８を照射することにより熱処理（アニール処理）を施し、被処理基板５の表面の半導体膜を結晶化させる装置である。
レーザアニール装置１は、光照射室２と、当該光照射室２の壁部２ａに設けられた光導入用のウインドウ（窓部）３と、光照射室２の外部に設けられたレーザ発振器４と、被処理基板５を保持する基板ホルダ６と、ウインドウ３と被処理基板５との間に設けられた防着板７と、防着板７と回転させる回転機構（開閉機構）２０と、レーザアニール装置１を制御する制御装置ＣＯＭと、を備えて構成されている。
次に、各構成要素について詳述する。
【００１７】
光照射室２は、例えばＡｌ（アルミニウム）等の金属によって構成された真空チャンバであり、光照射室２の内部空間を気密に維持することが可能となっている。また、光照射室２には、排気管２ｂが接続されており、光照射室２内の真空度が１０−４Ｔｏｒｒないし１０−９Ｔｏｒｒ程度となるように排気される。
また、ウインドウ３は、光照射室２の壁部２ａの一部に形成された開口部に、Ｏリング等のシール部材を介在させて設けられたものである。ウインドウ３は、例えば石英ガラス板からなり、光照射室２の減圧状態を維持したまま、レーザ光８を光照射室２の内部に透過させることが可能となっている。
【００１８】
レーザ発振器４は、所定波長のレーザ光８を発生させるようになっている。また、ウインドウ３の直上には、反射鏡４ａが設けられており、レーザ発振器４は、レーザ光８を反射鏡４ａに照射かつ反射させ、ウインドウ３を通じて光照射室２の内部に導入するようになっている。本実施形態のレーザアニール装置１において用いられるレーザ光８は、被処理基板５における半導体膜５ａの表面で強く吸収されて熱エネルギーに変換され、その直下の絶縁膜５ｂにはほとんど吸収されない波長を有するものであることが望まれる。好ましいレーザ光源としては、紫外域またはその近傍の波長を持つエキシマレーザ、アルゴンイオンレーザ、ＹＡＧレーザ高調波等が好ましい。また、半導体膜５ａを高温に加熱すると同時に被処理基板５へのダメージを防ぐためには大出力でしかも極短時間のパルス発振であることが必要となる。従って、レーザ光８の中でも特にキセノン・クロライド（ＸｅＣｌ）レーザ（波長３０８ｎｍ）やクリプトンフロライド（ＫｒＦ）レーザ（波長２４８ｎｍ）等のエキシマレーザが最も適している。
【００１９】
また、基板ホルダ６は、光照射室２内において、半導体膜５ａが形成された被処理基板５を固定するものである。当該基板ホルダ６はＸ−Ｙステージ９に搭載されていて、Ｘ−Ｙステージ９は光照射室外のボールネジ９ａの回転によって移動し、このボールネジはパルスモータ９ｂによって駆動されるようになっている。
【００２０】
また、防着板７は、ウインドウ３と被処理基板５との間に設けられ、被処理基板５からウインドウ３に向けて放出する放出物質を付着させる機能を有している。防着板７の材料としては、Ａｌ（アルミニウム）等の金属板が採用される。また、防着板７は、一枚の板体からなり、その長軸方向に回転軸を有している。また、防着板７は、回転機構２０によってレーザ光８の光路を閉口させている状態で、ウインドウ３よりも大きい面積を有している。
【００２１】
また、回転機構２０は、防着板７の回転軸を中心に回転駆動させるものであり、ステッピングモータやＤＣモータ等の各種モータと、当該モータの回転力を防着板７の回転軸に伝達させるシャフト等を有している。本実施形態では、ウインドウ３及び被処理基板５の対向方向（垂直方向）に対して防着板７の回転軸が交差する構成となっている。
なお、回転機構２０は、防着板７の回転数や回転角を検出するエンコーダや、モータの回転速度を減速させる減速機、各種の動力伝達機構等を含む構成であってもよい。
また、本実施形態においては、回転機構２０は、光照射室２内に配置されているが、光照射室２の外部に配置された構成であってもよい。
【００２２】
このような構成においては、回転機構２０によって防着板７が回転した際に、当該防着板７はレーザ光８の光路を開閉するようになっている。詳述すると、図１又は図２に示すように、防着板７が符号２１に示す位置にあるときは、レーザ光８の光路は開いた状態となる。また、防着板７が符号２２に示す位置にあるときは、レーザ光８の光路は閉じた状態となり、被処理基板５とウインドウ３との間に防着板が介在された状態となる。従って、回転機構２０の回転に伴わせて、レーザ光８の光路を開いたり閉じたりすることが可能となっている。
【００２３】
図２及び図３は、レーザアニール装置１の構成のうち、レーザ光８、被処理基板５、及び防着板７の位置関係を詳述する図である。
図２に示すように、防着板７が符号２１に示す位置にあるときは、レーザ光８は、被処理基板５のＹ軸方向に延在する線状で、被処理基板５を照射するようになっている。レーザ光８は、被処理基板５に向かうに連れて（図中Ｚ方向）において、徐々に小さくなっており、ビーム長８ｙ及びビーム幅８ｘで被処理基板５を照射するようになっている。また、図３に示すように、レーザ光８の光軸８ａは、被処理基板５の表面の鉛直方向Ｈに対して、約３°程度傾いている（θ＝３°）。これよって、被処理基板５の表面においてレーザ光８が反射した際に、反射光がレーザ発振器４に戻ることがなく、当該レーザ発振器４の故障が防止されている。
【００２４】
また、Ｘ−Ｙステージ９（図１参照）は、基板ホルダ６の位置をＸ方向やＹ方向に変位させることが可能となっており、線状のレーザ光８を被処理基板５に対してＸ方向に走査させることで、レーザ光８をビーム長８ｙで被処理基板５のＸ方向に照射するようになっている。ここで、被処理基板５を走査させながらレーザ光８をパルス照射する場合においては、各パルスの照射領域に境目が発生すると、結晶性ばらつきの原因となるため、通常パルス毎の照射領域を９０％程度互いにオーバーラップさせながら走査することによってレーザ照射を行う。このため、レーザアニール装置１では、被処理基板５上の半導体膜５ａと、線状に集光したレーザ光８の位置とを、レーザ照射パルス毎に相対的に数μｍから数十μｍという高い精度でずらしながら被処理基板５に対して結晶化を行うようになっている。
また、Ｘ−Ｙステージ９は、基板ホルダ６の位置をＹ方向に変位させることによって、上記の被処理基板５において結晶化される領域を改行することが可能となっている。従って、レーザアニール装置１は、被処理基板５がレーザ光８のビーム長８ｙよりも長い辺を有する大型基板であっても、半導体膜５ａの全面にレーザ光８を照射することが可能となり、液晶表示装置等の大面積基板上にポリシリコン膜を短時間で形成するようになっている。
【００２５】
また、制御装置ＣＯＭは、レーザ発振器４のレーザ発光やＸ−Ｙステージ９の動作、及び回転機構２０を制御する。当該制御装置ＣＯＭは、ＣＰＵ等の演算回路からなる演算部や、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）やＲＯＭ（リードオンリーメモリー）等の記憶部を備えたコンピュータである。また、制御装置ＣＯＭは、記憶部に予め記憶されているプログラムや、アニール処理条件等に基づいて、レーザアニール装置１を駆動させるようになっている。また、レーザ発振器４が照射するレーザ発光のパルス周波数と、回転機構２０の回転速度とを同期させて、レーザ発振器４及び回転機構２０を駆動させるようになっている。
【００２６】
次に、図４及び図５を参照し、レーザアニール装置１を用いて半導体膜５ａにアニール処理（熱処理）を施す方法について詳しく説明する。
ここで、図５のタイミングチャート図においては、上図にレーザ発振器４の照射（ＯＮ）／非照射（ＯＦＦ）の動作を示し、下図に防着板７によるレーザ光８の光路の開閉動作を示している。
【００２７】
本実施形態において熱処理を施す被処理基板５は、被処理基板５の上に絶縁膜５ｂと半導体膜５ａとを形成した積層体である。具体的には、被処理基板５として汎用無アルカリガラス基板を用い、この上に絶縁膜５ｂとして、成膜温度４００℃でＰＥ−ＣＶＤ法により５００ｎｍ程度の膜厚を有するＳｉＯ２膜を堆積し、次に高真空型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いて、原料ガスであるジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を２００ＳＣＣＭ流し、４２５℃の堆積温度にて厚さ５０ｎｍのアモルファスシリコンからなる半導体膜５ａを形成する。
一般にＬＰ−ＣＶＤ法、ＰＥ−ＣＶＤ法等のＣＶＤ法で堆積させたシリコン膜表面は自然酸化膜が成長している。従って、レーザ光８を照射する前に、この自然酸化膜を除去する必要がある。この方法としては弗酸溶液に浸してウエットエッチングする方法や、弗素ガスを含んだプラズマ中におけるドライエッチング等がある。このようなエッチング液を使用すると短時間にエッチングが行われる。
【００２８】
次に、図４に示すように、半導体膜５ａが積層された被処理基板５を光照射室２内の基板ホルダ６にセットし、排気管２ｂから光照射室２内を真空度が１０−４Ｔｏｒｒないし１０−９Ｔｏｒｒ程度となるように排気する。
そして、図５のタイミングチャート図に示すように、レーザ照射前の期間Ａ〜Ｂにおいては、レーザ光８の照射を行わず（ＯＦＦ）、防着板７は符号２２の位置（図２参照）で閉口している。これによって、防着板７は、被処理基板５とウインドウ３の間に介在することとなる。
【００２９】
次に、図５において、時間が経過してＢ時点となった際には、レーザ発振器４からレーザ光８が被処理基板５に向けて照射される。これと同時に、回転機構２０は、防着板を１／４回転（９０°回転）させ、符号２１の位置でレーザ光８の光路を開口させる。これによって、レーザ光８は、防着板７を照射することなく、被処理基板５に向けて照射する。
【００３０】
ここで、レーザ発振器４においては、レーザパルスの強度半値幅は１０ナノ秒程度から５００ナノ秒程度の極短時間に設定されている。また、光照射室４内の温度は、室温２５℃程度から４００℃程度に設定されている。
そして、Ｘ−Ｙステージ９を調整して半導体膜５ａをレーザ光８の照射位置に合わせ、パルスモータ９ｂの制御によってボールネジ９ａを介してＸ−Ｙステージ９を所定の速度で所定の方向に移動しながら、ウインドウ３を通してレーザ光８を被処理基板５に照射する。レーザ光８が照射されている半導体膜５ａの部分ではアモルファスシリコンが加熱溶融し、照射位置が移動すると冷却されて結晶化する。このとき半導体膜５ａは、後に詳しく説明する多結晶シリコンに転化する。
このようなレーザ照射は、期間Ｂ〜Ｃにおいて行われる。
【００３１】
次に、図５において、時間が経過してＣ時点となった際には、レーザ発振器４によるレーザ照射を停止（ＯＦＦ）する。そして、これと同時に、回転機構２０は、防着板を１／４回転（９０°回転）させて、レーザ光８の光路を閉口させる。これによって、防着板７は、被処理基板５とウインドウ３の間に介在することとなる。そして、レーザ光８が照射されていない期間Ｃ〜Ｄにおいては、Ｘ−Ｙステージ９は、基板ホルダ６の位置をＹ方向に変位させて、被処理基板５の結晶化する領域を改行する。
【００３２】
次に、図５において、時間が経過してＤ時点となった際には、レーザ発振器４からレーザ光８が被処理基板５に向けて照射される。これと同時に、回転機構２０は、防着板を１／４回転（９０°回転）させて、レーザ光８の光路を開口させる。これによって、レーザ光８は、防着板７を照射することなく、被処理基板５に向けて照射する。これによって、レーザ光８が照射されている半導体膜５ａの部分ではアモルファスシリコンが加熱溶融し、照射位置が移動すると冷却されて結晶化する。このとき半導体膜５ａは、後に詳しく説明する多結晶シリコンに転化する。
このようなレーザ照射は、期間Ｄ〜Ｅにおいて行われる。
【００３３】
次に、図５において、時間が経過してＥ時点となった際には、レーザ発振器４によるレーザ照射を停止（ＯＦＦ）する。そして、これと同時に、回転機構２０は、防着板を１／４回転（９０°回転）させて、レーザ光８の光路を閉口させる。これによって、防着板７は、被処理基板５とウインドウ３の間に介在することとなる。
【００３４】
以上のように、被処理基板５に対してレーザ光８を照射して、半導体膜５ａの全面が結晶化されると、被処理基板５は直ちに隣接する搬送室に搬出され、次の未処理の被処理基板５が光照射室２に導入されてレーザ光照射が繰り返される。
【００３５】
上記の期間Ｂ〜Ｃ及び期間Ｄ〜Ｅにおけるレーザ光８の照射領域形状は、ビーム幅８ｘを１００μｍ程度以上とし、ビーム長８ｙを数１００ｍｍ以上の線状としている。従って、このような線状のレーザ光８を走査して結晶化を進めることができる。この場合、照射毎におけるビーム幅８ｘ方向の重なり（例えば照射領域１０と照射領域１１との重なり）はビーム幅８ｘの５％程度から９８％程度とする。ビーム幅８ｘが３００μｍでビーム毎の重なりが９５％であれば、一回の照射毎にビームは１５μｍ進むので、同一点は１０回のレーザ照射を受けることになる。通常半導体膜を基板全体で均一に結晶化させるには少なくとも５回程度以上のレーザ照射が望まれるので、照射毎のビームの重なり量は８０％程度以上が求められる。高い結晶性の多結晶膜を確実に得るには同一点が１０回程度から５０回程度の照射が行われる様に重なり量を９０％程度から９８％程度へと調整するのが好ましい。
【００３６】
ここで、レーザ光８の照射中には、半導体膜５ａを形成しているシリコンの一部はアブレーションにより揮発し、シリコン蒸気（放出物質）として被処理基板５から放出／飛散される。なお、シリコン蒸気とは、半導体膜５ａのシリコン（Ｓｉ）が気化したものや、半導体膜５ａを成膜する際に混入した水素（Ｈ２）や、シラン（ＳｉＨ４）等が含まれるものである。
上記のように、高い重ね率でレーザ照射を繰り返す場合は、１回のレーザパルスで基板から離脱する半導体の量は僅かであっても、照射領域の進行長当たりの飛散量は相当大きくなる。
例えば、ウインドウ３と被処理基板５との間に防着板７が設けられていない場合では、ウインドウ３が頻繁にくもり、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍの基板を１０枚程度処理するとレーザ光８の透過率は１０％程度低下してしまう。
これに対して、本実施形態のレーザアニール装置１は、防着板７を回転機構２０によって回転させ、レーザ光８の光路を開口又は閉口させているので、被処理基板５から放出／飛散したシリコン蒸気は、防着板７に接触し、当該シリコン蒸気は固化して防着板７に堆積する。これにより、シリコン蒸気がウインドウ３に殆ど接触することがなく、ウインドウ３にシリコンの堆積物（放出物質）が付着することが抑制される。
【００３７】
なお、半導体膜５ａとしては、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等の四族単体からなる半導体膜の他に、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉｘＧｅ1-ｘ：０＜ｘ＜１）やシリコン・カーバイド（ＳｉｘＣ1-ｘ：０＜ｘ＜１）、ゲルマニウム・カーバイド（ＧｅｘＣ1-ｘ：０＜ｘ＜１）等の四族元素複合体の半導体、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）等の三族元素と五族元素との複合体化合物半導体膜、またはカドミウム・セレン（ＣｄＳｅ）等の二族元素と六族元素との複合体化合物半導体膜がある。或いは、シリコン・ゲルマニウム・ガリウム・ヒ素（ＳｉｘＧｅｙＧａｚＡｓｚ：ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）といった更なる複合化合物半導体膜やこれらの半導体にリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのドナー元素を添加したＮ型半導体膜、あるいはホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等のアクセプター元素を添加したＰ型半導体膜に対しても本発明は適応可能である。
【００３８】
これら半導体膜はＡＰ(Atmosphere Pressure)−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法やＬＰ(Low Pressure)−ＣＶＤ法、ＰＥ(Plasma Enhanced)−ＣＶＤ法等のＣＶＤ法、或いはスパッタ法や蒸着法等のＰＶＤ法で形成する。半導体膜としてシリコン膜を用いる場合、ＬＰ−ＣＶＤ法では基板温度を４００℃程度から７００℃程度としてジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などを原料として堆積する。ＰＥ−ＣＶＤ法ではモノシラン（ＳｉＨ４）などを原料として基板温度が１００℃程度から５００℃程度で堆積可能である。スパッタ法を用いれば基板温度は室温から４００℃程度で可能である。この様に堆積された半導体膜の初期状態（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態）は非晶質や混晶質、微結晶質、あるいは多結晶質等様々な状態があるが、本願発明においては初期状態がいずれの状態であっても構わない。
なお、本願明細書中では非晶質の結晶化のみならず、多結晶質や微結晶質の再結晶化をも含めて総じて結晶化と呼ぶ。半導体膜の膜厚はそれを薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）に用いる時には２０ｎｍ程度から１００ｎｍ程度が適している。
【００３９】
上述したように、本実施形態のレーザアニール装置１は、防着板７を回転させる回転機構２０を備えるので、シリコン蒸気を防着板７に付着させ、ウインドウ３への付着を抑制できるので、レーザ光８の照射密度の均一化を実現でき、これによって被処理基板５上に均一なポリシリコン膜を形成できる。
【００４０】
なお、上記の実施形態においては、レーザ光８のパルス発振が行われている期間Ｂ〜Ｃ及び期間Ｄ〜Ｅにおいて防着板７を開口させ、レーザ光８のパルス発振が行われていない期間Ａ〜Ｂ及び期間Ｃ〜Ｄにおいて防着板７を閉口させているが、これを限定するものではない。例えば、防着板７の開口周波数（開口と閉口の繰り返しの中で開口状態となるタイミング）と、パルス発振の照射周波数（パルス周波数）とを同期させてもよい。このようにパルス発振と同期させる場合においては、１回の開口状態で１パルスのレーザ光８の照射を行ってもよく、１回の開口状態で複数パルスのレーザ光８の照射を行ってもよい。
また、このようにレーザ光８のパルス周波数に対して、防着板７の開口周波数を同期させるには、防着板７の回転速度を規定することで実現できる。
【００４１】
（レーザアニール装置の他の実施形態）
次に、レーザアニール装置の他の実施形態について説明する。
図６〜図１０の各々は、レーザアニール装置の防着板の斜視図である。以下に説明する各実施形態においては、先の第１実施形態と異なる構成について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を省略している。
【００４２】
（レーザアニール装置の第２実施形態）
図６に示すように、本実施形態の防着板１７は、２つの板体が十字状に交差して構成され、その交差部における長軸方向に回転軸を有している。このような構成を有する防着板１７によってレーザ光８の光路を開閉する際には、回転機構２０は４５°を単位とする回転角によって防着板１７を回転させる。従って、先の第１実施形態とは少ない回転数で開閉を行うことができる。
【００４３】
（レーザアニール装置の第３実施形態）
図７に示すように、本実施形態の防着板２７は、一枚の板体からなり、一つの長辺に回転軸を有している。また、防着板２７は、ウインドウ３よりも大きい面積を有している。このような構成を有する防着板２７によってレーザ光８の光路を開閉する際には、回転機構２０は、時計回りに９０°回転させたり、反時計回りに９０°回転させたりするようになっている。従って、第１又は第２の実施形態と比較して、防着板７を３６０°回転させる必要がないので、光照射室２内において小さい空間で防着板７による光路の開閉を行うことができる。
【００４４】
（レーザアニール装置の第４実施形態）
図８に示すように、本実施形態の防着板３７は、一枚の円板からなり、その中心に回転軸を有している。また、防着板３７には、中心点から９０°ピッチでスリット３７ａが形成されている。当該スリット３７ａは、防着板３７を通過するレーザ光８の寸法よりも大きい矩形で形成されている。また、回転軸は、ウインドウ３及び被処理基板５の対向方向に対して平行に位置している。
このような構成を有する防着板３７によってレーザ光８の光路を開閉する際には、回転機構２０は、時計回り又は反時計回りに４５°ずつ防着板３７を回転させる。具体的には、光路を開口させる場合には、レーザ光８の光路に対して防着板３７のスリット３７ａを合わせる。一方、光路を閉口させる場合には、レーザ光８の光路に対して防着板３７のスリット３７ａの非形成部分を合わせる。このように、レーザ光８の光路に対して交差する方向に防着板３７を回転させることで、レーザ光８の光路の開閉を行うことができる。
【００４５】
（レーザアニール装置の第５実施形態）
図９に示すように、本実施形態の防着板４７は、一枚の十字状の板体からなり、その中心に回転軸を有している。このような十字状の防着板４７は、中心点から９０°ピッチで４枚の羽部４７ｂを有している。当該羽部４７ｂの各々は、ウインドウ３よりも大きい面積を有している。また、回転軸は、ウインドウ３及び被処理基板５の対向方向に対して平行に位置している。
このような構成を有する防着板４７によってレーザ光８の光路を開閉する際には、回転機構２０は、時計回り又は反時計回りに４５°ずつ防着板４７を回転させる。具体的には、光路を閉口させる場合には、レーザ光８の光路に対して防着板４７の羽部４７ｂを合わせる。一方、光路を開口させる場合には、レーザ光８の光路に対して羽部４７ｂの非形成部分を合わせる。このように、レーザ光８の光路に対して交差する方向に防着板４７を回転させることで、レーザ光８の光路の開閉を行うことができる。
【００４６】
（レーザアニール装置の第６実施形態）
図１０に示すように、本実施形態においては、一枚の板体からなる防着板５７と、当該防着板５７を往復移動させる往復機構（開閉機構）３０とを備えている。防着板５７は、ウインドウ３よりも大きい面積を有している。また、往復機構３０は、リニアガイド等を有するものであり直線的に防着板５７の往復移動を実現するものである。そして、往復機構３０が防着板５７を直線的に移動させることで、防着板５７によるレーザ光８の光路の開閉を行うようになっている。
このように、レーザ光８の光路に対して交差する方向に防着板５７を往復移動させることで、レーザ光８の光路の開閉を行うことができる。
【００４７】
上述したように、レーザアニール装置１が、第２〜第６の実施形態に示した防着板１７，２７，３７，４７，５７を備えた構成であっても、シリコン蒸気を防着板に付着させ、ウインドウ３への付着を抑制できるので、レーザ光８の照射密度の均一化を実現でき、これによって被処理基板５上に均一なポリシリコン膜を形成できる。
【００４８】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上記の実施形態における電気光学装置の製造装置を用いて電気光学装置を製造する方法について説明する。
本実施形態においては、電気光学装置に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
最初に、本実施形態のアクティブマトリクス基板の基本的な構成、およびＴＦＴを形成する基本的な工程について説明する。
【００４９】
図１１（Ａ）は、液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の構成を模式的に示す説明図である。
このアクティブマトリクス基板１０２は、例えば図１５および図１６に示すような液晶表示装置１００に用いられる一方の基板に相当するものである。基板１０２上にはデータ線１０３および走査線１０４が形成されている。データ線１０３および走査線１０４には、画素用のＴＦＴ１１０を介して画素電極が接続されてなり、画素領域１０５がマトリクス状に形成されている。各画素領域１０５には、画素用のＴＦＴ１１０を介して画像信号が入力され、液晶セルの液晶容量１０６を構成するようになっている。
【００５０】
データ線１０３に対しては、シフトレジスタ１７１，レベルシフタ１７２，ビデオライン１７３，アナログスイッチ１７４を備えるデータドライバ部１０７が構成されている。また、走査線１０４に対しては、シフトレジスタ１８１およびレベルシフタ１８２を備える走査ドライバ部１０８が構成されている。なお、画素領域１０５には、前段の走査線１０４との間に保持容量１２５が形成されることもある。
【００５１】
データドライブ部７や走査ドライブ部８では、図１１（Ｂ）に２段のインバータを例示するように、Ｎ型のＴＦＴｎ１，ｎ２と、Ｐ型のＴＦＴｐ１，ｐ２とによって構成されたＣＭＯＳ回路などが高密度に形成されている。ここで、アクティブマトリクス部１０９のＴＦＴ１１０と、データドライバ部１０７のＴＦＴｎ１，ｎ２やＰ型のＴＦＴｐ１，ｐ２とは、基本的な構造が同じであり、基本的には同じ工程中で製造される。
【００５２】
アクティブマトリクス基板１０２としては、アクティブマトリクス部１０９だけが基板上に構成されたもの、アクティブマトリクス部１０９と同じ基板上にデータドライバ部１０７が構成されたもの、アクティブマトリクス部１０９と同じ基板上に走査ドライバ部１０８が構成されたものがある。また、ドライバ内蔵型のアクティブマトリクス基板１０２としては、アクティブマトリクス部１０９と同じ基板上にデータドライバ部１０７が構成されたもの、アクティブマトリクス部１０９と同じ基板上に走査ドライバ部１０８が構成されたもの、アクティブマトリクス部１０９と同じ基板上にデータドライバ部１０７と走査ドライバ部１０８の双方が構成されたものがある。また、ドライバ内蔵型のアクティブマトリクス基板１０２であっても、データドライバ部１０７に含まれるシフトレジスタ１７１，レベルシフタ１７２，ビデオライン１７３，アナログスイッチ１７４等の全てがアクティブマトリクス基板１０２上に構成された完全ドライバ内蔵タイプと、それらの一部がアクティブマトリクス基板１０２上に構成された部分ドライバ内蔵タイプとがあるが、本発明はいずれに対しても適用することができる。
【００５３】
図１２は、本実施形態のアクティブマトリクス基板１０２において画素領域１０５が形成されているアクティブマトリクス部の一部を拡大して示す平面図であり、図１３（Ａ）は図１２のＡ−Ａ’線における断面図、図１３（Ｂ）は図１２のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、データドライバ部１０７などにおけるＴＦＴは基本的には同一の構造を有するので、その図示を省略する。
【００５４】
これらの図において、いずれの画素領域１０５も、ＴＦＴ１１０はデータ線１０３に対して層間絶縁膜１１６に形成されたコンタクトホール１１７を介して電気的に接続するソース領域１１１，画素電極１１９に対して層間絶縁膜１１６に形成されたコンタクトホール１８を介して電気的に接続するドレイン領域１１２，ドレイン領域１１２とソース領域１１１との間に位置するチャンネル領域１１３、およびチャンネル領域１１３に対してゲート絶縁膜１１４を介して対向するゲート電極１１５から構成されている。このゲート電極１１５は走査線１０４の一部として構成されている。なお、基板（被処理基板）１２０の表面側には、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１２１が形成されている。
【００５５】
次に、図１４（Ａ）ないし図１４（Ｅ）を参照して、前記アクティプマトリクス基板１０２におけるＴＦＴの製造方法の基本的な工程を説明する。図１４（Ａ）ないし図１４（Ｅ）は、図１２のＡ−Ａ’線に沿って切ったＴＦＴの工程断面図である。
本実施形態では、ガラス基板として３００ｍｍ角の無アルカリガラス板を用いて以下の各工程を実施する。
【００５６】
（下地保護膜形成工程）
図１４（Ａ）において、まず、ＰＥ−ＣＶＤ法により２５０℃〜４００℃の温度条件下で、ガラス基板１２０ｎｏ面に下地保護膜１２１となる膜厚が３００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。このシリコン酸化膜は、ＡＰ−ＣＶＤ法でも形成することができ、この場合には基板１２０の温度を２５０℃から４５０℃までの範囲に設定した状態で、モノシランおよび酸素を原料ガスとしてシリコン酸化膜を形成する。
【００５７】
（半導体膜堆積工程）
次に、下地保護膜１２１の表面に真性のシリコン膜１３０（半導体膜５ａ）を５０ｎｍ程度堆積する。本例では、高真空型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いて、原料ガスであるジシランを２００ＳＣＣＭ流しながら、４２５℃の堆積温度でアモルファスシリコン膜を堆積する。なお、シリコン膜１３０の形成にあたっては、ＰＥ−ＣＶＤ法やスパッタ法を用いてもよく、これらの方法によれば、その成膜温度を室温から３５０℃までの範囲に設定することができる。
【００５８】
（レーザアニール工程）
次に、図１４（Ｂ）に示すように、アモルファスシリコン膜１３０にレーザ光を照射してアモルファスシリコン膜１３０をポリシリコン（多結晶シリコン）に改質する。当該工程は、レーザ光の照射によってアモルファスシリコン膜１３０を溶融結晶化させることから、レーザ溶融結晶化法とも呼ばれている。
本実施形態では、上記のレーザアニール装置１を用い、例えば、ゼノン・クロライド（ＸｅＣｌ）のエキシマレーザ（波長が３０８ｎｍ）を照射する。出力が２００Ｗであるこのレーザビームを、光学系を介することによって、長尺方向が１５０ｍｍ、断面のビーム形状は上底が０．３５ｍｍ、下底が０．４５ｍｍである台形のラインビーム（線状のレーザ光）を形成している。そして、このラインビームを、基板に対して上底のビーム幅以下のピッチで重なりを持ちながら、照射をしていくことによって、アモルファスシリコン膜は溶融結晶化によりポリシリコン膜となる。この工程において、レーザ照射は、基板１２０を室温（２５℃）とし、真空雰囲気中で行う。
本実施形態では、このアニール工程を行う際に、照射エネルギー密度を決定するにあたって、光学的な手法によって微結晶化を発現するエネルギー密度を判断した後、それを越えないエネルギー密度によって照射を行っている。
【００５９】
上記のレーザアニール工程においては、レーザアニール装置１が上記の防着板７を有しているので、ウインドウ３のくもりを抑制し、堆積物がウインドウ３に付着することが抑制されるので、ラインビームの照射密度の均一化を実現でき、これによって基板１２０上に均一なポリシリコン膜を形成できる。
【００６０】
（シリコン膜のパターニング工程）
次に、図１４（Ｃ）に示すように、アニール工程で多結晶化したシリコン膜１３０を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行い、島状のシリコン膜１３１とする。
【００６１】
（ゲート絶縁膜の形成工程）
次に、図１４（Ｄ）に示すように、ＰＥ−ＣＶＤ法により２５０℃〜４００℃の温度条件下で、シリコン膜１３１に対してシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜１１４を形成する。
【００６２】
（ゲート電極形成工程）
次に、ゲート酸化膜１１４の表面側に膜厚が６００ｎｍのタンタル薄膜をスパッタ法により形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、ゲート電極１１５を形成する。本実施形態では、タンタル薄膜を形成する際に、基板温度を１８０℃に設定し、スパッタガスとして窒素ガスを６．７％含むアルゴンガスを用いる。このように形成したタンタル薄膜は、結晶構造がαであり、その比抵抗は小さい。
【００６３】
（不純物導入工程）
次に、バケット型質量非分離型のイオン注入装置（イオンドーピング装置）を用いて、ゲート電極１１５をマスクとしてシリコン膜１３１に不純物イオンを打ち込む。Ｎチャンネル型のＴＦＴを形成する場合には、原料ガスとして、水素ガスで濃度が５％となるように希釈したホスフィンなどを用いる。その結果、ゲート電極に対してセルファライン的にソース領域１１１およびドレイン領域１１２が形成される。このとき、シリコン膜１３１のうち、不純物イオンが打ち込まれなかった部分がチャンネル領域１１３となる。またこのとき、Ｐチャンネル型のＴＦＴを形成する領域はレジストマスクで覆っておく。
逆に、Ｐチャンネル型のＴＦＴを形成する場合には、原料ガスとして、水素ガス濃度が５％となるように希釈したジボランなどを用いるが、その際にはＮチャンネル型のＴＦＴを形成する領域をレジストマスクで覆っておく。
【００６４】
（層間絶縁の形成工程）
次に、図１４（Ｅ）に示すように、ＰＥ−ＣＶＤ法により２５０℃〜４００℃の温度条件下で、層間絶縁膜１１６としての膜厚が５００ｎｍのシリコン膜を形成する。このときの原料ガスは、ＴＥＯＳと酸素である。
【００６５】
（活性化工程）
次に、水素を３％含んだアルゴンガス雰囲気下で４００℃、１時間の熱処理を行い、注入したリンイオンの活性化と、層間絶縁膜１１６の改質とを行う。
【００６６】
（配線工程）
次に、層間絶縁膜１１６にコンタクトホール１１７，１１８を形成する。この後に、図１３（Ａ）に示すように、コンタクトホール１１７，１１８を介して、ソース電極（データ線１０３）をソース領域１１１に電気的に接続し、ドレイン電極（画素電極１１９）をドレイン領域１１２に電気的に接続し、ＴＦＴ１１０を形成する。
本実施形態のアクティブマトリクス基板は、レーザ溶融結晶化法によるアニール工程において、上記の実施形態で示したレーザアニール装置１を用い、防着板７によってアモルファスシリコンのアブレーションによって生じたシリコン蒸気を付着させるので、ウインドウ３に堆積物が付着することが抑制される。これによって、常に安定した光エネルギーで溶融結晶化を続けることができ、安定した品質のポリシリコン膜が得られる。
【００６７】
なお、上記の製造方法は、ＴＦＴ１１０をセルフアライン構造として製造する例であったが、ＴＦＴ１１０をＬＤＤ構造あるいはオフセットゲート構造で製造する場合でも本発明を適用できる。この場合の構造や製造方法についての説明を省略するが、レジストマスクやサイドウォールを利用して、ソースドレイン領域のうち、ゲート電極１１５の端部に対向する部分には低濃度ソースドレイン領域（ＬＤＤ領域）、あるいはオフセット領域を形成する。
【００６８】
図１５および図１６に、本実施形態のアクティブマトリクス基板を用いて製造した液晶表示装置の一例を示す。図１５は液晶表示装置の主要部を示す表示面側から見た平面図であり、図１６は、図１５のＨ−Ｈ’線で切ったアクティブマトリクス部の主要部の断面図である。
図１５に示すようにこの液晶表示装置１は、表示面中央部の広い領域をマトリクス状に配列された多数の画素領域１０５（図１１参照）からなるアクティブマトリクス部１０９が占め、その周辺を額縁状に取り囲んでデータドライバ部１０７や走査ドライバ部１０８などが装着されている。
【００６９】
アクティブマトリクス部１０９は図１６に示すように、概略液晶層１９０を挟んで対向する２枚の基板からなり、その一方の基板は、画素電極１１９…を液晶層側に向けたアクティブマトリクス基板１０２であり、他方の基板はコモン電極２８１を液晶層側に向けた透明基板２８０である。液晶層１９０は、この液晶層を取り囲み前記２枚の基板により挟持されたシール部材１９１により封止されている。液晶層１９０内には液晶層の厚みを保持するスペーサ１９２…が散布されている。図示しないがそれぞれの電極、画素電極１１９およびコモン電極２８１と液晶層１９０との境界面には、それぞれ特定の方向に配向された配向膜が形成されている。また液晶表示装置１００がカラー画像表示装置である場合は、好ましくは透明基板２８０側に、それぞれの画素がブラックマトリクスで縁取りされたカラーフィルタが装着されている。
アクティブマトリクス基板１０２は、周囲が表示面より外側に額縁状に拡張され、この拡張部に、前記のデータドライバ７や走査ドライバ部１０８などが装着されている。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレーザアニール装置の構成を示す断面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図３】本発明の第１実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す断面図。
【図４】レーザアニール方法を説明するための説明図。
【図５】レーザアニール方法を説明するための説明図。
【図６】本発明の第２実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図７】本発明の第３実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図８】本発明の第４実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図９】本発明の第５実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図１０】本発明の第６実施形態に係るレーザアニール装置の要部構成を示す斜視図。
【図１１】本発明の製造方法によって製造される電気光学装置の要部の回路図。
【図１２】本発明の製造方法によって製造される電気光学装置の要部の拡大平面図。
【図１３】本発明の製造方法によって製造される電気光学装置の要部の拡大側面図。
【図１４】本発明の製造方法の工程を示す工程図。
【図１５】本発明の製造方法によって製造される電気光学装置の一例を示す平面図。
【図１６】本発明の製造方法によって製造される電気光学装置の一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００７１】
１  レーザアニール装置（電気光学装置の製造装置）、  ２  光照射室、  ３  ウインドウ（窓部）、  ５  被処理基板、  ７，１７，２７，３７，４７，５７  防着板、  ８  レーザ光（エネルギー光）、  ２０  回転機構（開閉機構）、  ３０  往復機構（開閉機構）、  １００  液晶表示装置（電気光学装置）、  １２０  基板（被処理基板）。
【図１】
2007017662.tif 000003
【図２】
2007017662.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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