(57)【要約】【課題】加速度センサの小型化、薄型化を維持して、加速度の検出感度を高めることを可能とする。【解決手段】支持部２１に一端が支持された複数の弾性支持部２２と、前記各弾性支持部２２の他端側に支持された質量部２３と、前記質量部２３の変位検出手段２５とを備えた加速度センサ１であって、前記各弾性支持部２２に支持される側の前記質量部２３に凹部２４が形成され、前記弾性支持部２２は前記凹部２４内で前記質量部２３から離間させた状態で延長形成されて前記質量部２３を支持しているものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部に一端が支持された複数の弾性支持部と、
前記各弾性支持部の他端側に支持された質量部と、
前記質量部の変位検出手段と
を備えた加速度センサであって、
前記各弾性支持部に支持される側の前記質量部に凹部が形成され、
前記弾性支持部は前記凹部内で前記質量部から離間させた状態で延長形成されて前記質量部を支持している
ことを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
前記変位検出手段が前記弾性支持部に形成された応力電気変換素子である、
ことを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記応力電気変換素子がピエゾ抵抗素子である、
ことを特徴とする請求項２記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記応力電気変換素子が圧電素子である、
ことを特徴とする請求項２記載の加速度センサ。
【請求項５】
前記弾性支持部の変位検出手段が形成される領域に隣接して孔が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項６】
支持部に一端が支持された複数の弾性支持部と、
前記各弾性支持部の他端側に支持された質量部と、
前記質量部の変位検出手段と
を備えた加速度センサの製造方法であって、
前記弾性支持部は、
基板上に絶縁層と半導体層とが積層された状態で、該基板を加工して、前記支持部と、この支持部に一端が支持される複数の弾性支持部と、各弾性支持部の他端側に支持される質量部とを形成する工程と、
前記各弾性支持部に支持される側の前記質量部に弾性支持部が延長形成される領域の両側に凹部を形成する工程と、
弾性支持部が延長形成される領域下の前記絶縁層を除去して、前記凹部内で前記質量部から離間させた状態で前記質量部に支持される弾性支持部を延長形成する工程と
を備えたことを特徴とする加速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多軸方向の加速度を検出できる加速度センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、多軸方向の加速度を同時に検出可能な圧電型やピエゾ抵抗型や静電容量型の半導体加速度センサが考案されてきた。最近、半導体加速度センサは、モバイル機器（例えば、携帯電話、ハードディスク搭載型の音楽プレーヤー、ノート型パーソナルコンピュータ等）の姿勢検知や落下検出を目的として搭載されてきており、搭載機器の小型・軽量化に伴い、半導体加速度センサも小型・薄型かつ高感度化で多軸方向の加速度を同時に検出できるものが要求されている。
【０００３】
従来から、３軸方向からの加速度を検出できる半導体加速度センサ（例えば、特許文献１、２参照。）が知られている。その一例を図１１および図１２に示す。図１１（１）は斜視図を示し、図１１（２）は裏面側から見た斜視図を示す。また図１２（１）は平面図を示し、図１２（２）は（１）図中のＢ−Ｂ’線断面拡大図を示す。
【０００４】
図１１および図１２に示すように、半導体加速度センサ１０１は、半導体基板の周縁部に形成された枠部１１１と、半導体基板の中央部に形成された質量部１１２と、質量部１１２と枠部１１１の上方に設けられたもので質量部１１２および枠部１１１とを接続する複数の弾性支持部１１３と、弾性支持部１１３の上面側に形成された複数対の応力電気変換素子（この例はピエゾ抵抗素子）１１４を備え、弾性支持部１１３の下部に位置する質量部１１２はエッチングにより除去されているものである。
【０００５】
この半導体加速度センサ１０１による加速度の検出原理を以下に説明する。
【０００６】
半導体加速度センサ１０１に加速度が作用すると、質量部１１２が加速度に比例した力を受けて変位したときの弾性支持部１１２のたわみ量を弾性支持部１１３の上面側に形成された複数対の応力電気変換素子（この例はピエゾ抵抗素子）１１４で検出する。この検出結果に基づいて３軸方向の加速度を求める。
【０００７】
一般的に、半導体加速度センサ１０１を高感度化するには、質量部１１２の体積を大きくする、もしくは弾性支持部１１３の長さを長くすることが効果的であり、感度はほぼ両者に比例することが知られている。
【０００８】
つまり、質量部１１２の体積を大きくする、もしくは弾性支持部１１３の長さを長くすることにより、弾性支持部１１３はより変形し易くなり、応力電気変換素子（この例はピエゾ抵抗素子）１１４へ応力を効果的に伝えることができるので感度が向上する。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１７２７４５号公報
【特許文献２】特開２００５−１７０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
解決しようとする問題点は、弾性支持部の下部に位置する質量部がエッチングにより除去されていることから、質量部の体積が減じられている。このため、質量部が減じられた分だけ、加速度の検出感度の低下が生じていた点である。すなわち、加速度の検出感度を高い状態に維持することと、小型・薄型化を行うこととは、相反することで両立させることが困難な点である。
【００１１】
本発明は、加速度センサの小型化、薄型化を維持して、加速度の検出感度を高めることを可能にすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の加速度センサは、支持部に一端が支持された複数の弾性支持部と、前記各弾性支持部の他端側に支持された質量部と、前記質量部の変位検出手段とを備えた加速度センサであって、前記各弾性支持部に支持される側の前記質量部に凹部が形成され、前記弾性支持部は前記凹部内で前記質量部から離間させた状態で延長形成されて前記質量部を支持していることを特徴とする。
【００１３】
本発明の加速度センサでは、弾性支持部が、質量部の各弾性支持部に支持される側に形成された凹部内で、質量部から離間させた状態で延長形成されて質量部を支持していることから、弾性支持部直下にも質量部が形成されている。このため、チップサイズを変更することなく、質量部の質量（体積）を大きくすることが可能となる。つまり、質量部−弾性支持部の系の固有振動数を一定とした場合、従来技術では除去していた質量部を有効に使用できるので、質量部の外形を小さくしても質量部の質量（体積）は変わらないので、チップサイズのさらなる小型・薄型化が可能となる。
【００１４】
本発明の加速度センサの製造方法は、支持部に一端が支持された複数の弾性支持部と、前記各弾性支持部の他端側に支持された質量部と、前記質量部の変位検出手段とを備えた加速度センサの製造方法であって、前記弾性支持部は、基板上に絶縁層と半導体層とが積層された状態で、該基板を加工して、前記支持部と、この支持部に一端が支持される複数の弾性支持部と、各弾性支持部の他端側に支持される質量部とを形成する工程と、前記各弾性支持部に支持される側の前記質量部に弾性支持部が延長形成される領域の両側に凹部を形成する工程と、弾性支持部が延長形成される領域下の前記絶縁層を除去して、前記凹部内で前記質量部から離間させた状態で前記質量部に支持される弾性支持部を延長形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の加速度センサの製造方法では、各弾性支持部に支持される側の質量部に弾性支持部が延長形成される領域の両側に凹部を形成した後、弾性支持部が延長形成される領域下の絶縁層を除去して、凹部内で質量部から離間させた状態で質量部に支持される弾性支持部を延長形成することから、弾性支持部直下にも質量部が形成される。このため、チップサイズを変更することなく、質量部の質量（体積）を大きくすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の加速度センサによれば、チップサイズを変更することなく、質量部の質量（体積）を大きくなるので、検出感度を高めることができる。よって、高感度な加速度センサを提供できるという利点がある。また、従来技術と比較して、質量部の外形を小さくしても質量部の質量（体積）は変わらなくすることができるので、チップサイズのさらなる小型・薄型化が可能となる。
【００１７】
本発明の加速度センサの製造方法によれば、チップサイズを変更することなく、質量部の質量（体積）を大きく形成することができるため、検出感度を高めることができるので、高感度な加速度センサを製造できる。また、従来技術と比較して、質量部の外形を小さくしても質量部の質量（体積）は変わらなく形成することができるので、チップサイズのさらなる小型・薄型化が可能となるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第１実施例）を、図１〜図２によって説明する。図１（１）は斜視図を示し、図１（２）は裏面側から見た斜視図を示す。また図２（１）は平面図を示し、図２（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面拡大図を示す。
【００１９】
図１〜図２に示すように、加速度センサ１は、シリコン基板１１上に絶縁層１２、シリコン層１３が形成されたＳＯＩ（Silicon on insulator）基板１０に形成されている。すなわち、ＳＯＩ基板１０からなる枠体に形成された支持部２１を備え、この支持部２１の４辺上部のそれぞれにシリコン層１３からなる弾性支持部２２（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４）の一端が支持され、各弾性支持部２２の他端側には、ＳＯＩ基板１０からなる質量部２３が、上記支持部２１の中央部に支持されている。
【００２０】
上記質量部２３の各弾性支持部２２に支持される側には凹部２４が形成され、各弾性支持部２２は凹部２４内で質量部２３から離間させた状態で延長形成されて、質量部２３を支持している。よって、各弾性支持部２２の下部側にも質量部２３が形成されていて、かつ質量部２３は各弾性支持部２２によって支持部２１に浮動状態に支持されている。この各弾性支持部２２とその直下の質量部２３との間隔は、加速度により質量部２３と弾性支持部２２が変形するのに必要な距離を有していることが必要である。
【００２１】
また、各弾性支持部２２には質量部２３の変位を検出するための変位検出手段２５が備えられている。この変位検出手段２５は、例えば応力電気変換素子からなる。例えば、Ｘ軸方向に形成された弾性支持部２２（２２−１、２２−３）上には、支持部２１側に２箇所並列に形成され、質量部２３の支持側に２箇所並列に形成されている。また、Ｙ軸方向に形成された弾性支持部２２（２２−２、２２−４）上には、支持部２１側の１箇所と、質量部２３側の１箇所に形成されている。したがって、変位検出手段２５は、各弾性支持部２２上の合計１２箇所に設置されている。この変位検出手段２５は、例えば、ピエゾ抵抗素子からなる。このように、加速度センサ１は構成されている。
【００２２】
上記加速度センサ１では、弾性支持部２２が、質量部２３の各弾性支持部２２に支持される側に形成された凹部２４内で、質量部２３から離間させた状態で延長形成されて質量部２３を支持していることから、弾性支持部２２直下にも質量部２３が形成されている。このため、チップサイズを変更することなく、質量部２３の質量（体積）を大きくすることが可能となる。よって、検出感度を高めることができるので、高感度な加速度センサを提供できるという利点がある。
【００２３】
また、質量部−弾性支持部の系の固有振動数を一定とした場合、従来技術では除去していた質量部２３を有効に使用できるので、質量部２３の外形を小さくしても質量部２３の質量（体積）は変わらない。このため、チップサイズのさらなる小型・薄型化が可能となる。尚、チップ全体を立方縮小して小型・薄型化を図る方法もあるが、弾性支持部への配線形成や製造ばらつき等があるので、立方縮小する方法では限界がある。したがって、本発明の構成が有用である。
【００２４】
したがって、加速度センサ１の質量部２３が大きく減じられることがないため、小型・薄型かつ高感度化された加速度センサ１を提供することが可能となる。
【００２５】
次に、上記加速度センサ１の動作原理を説明する。上記加速度センサ１に加速度が作用すると、枠体に形成された支持部２１中央部に、弾性支持部２２に浮動状態に支持された質量部２３が加速度に比例した力を受けて変位することで、弾性支持部２２にたわみを生じ、弾性支持部２２の上面側に形成された１２ヶ所の変位検出手段（ピエゾ抵抗素子）２５が、弾性支持部２２上にある２つの直行する検出軸（Ｘ軸とＹ軸）および弾性支持部２２に垂直な１つの検出軸（Ｚ軸）に対応して、各軸それぞれ４ヶ所の変位検出手段（ピエゾ抵抗素子）２５で構成されたホイートストンブリッジ回路を用いて３軸方向の加速度を検出する。
【００２６】
次に、本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１実施例）を、図３〜図５の製造工程断面図によって説明する。図３〜図５では、代表して、前記図２のＡ部を示した。
【００２７】
加速度センサ１を形成するために、弾性支持部の厚さと弾性支持部とその直下の質量部との間隔を高精度に制御できるように酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層を介してシリコン層(ＳＯＩ層)が形成されたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いた。本実施例では、図３（１）に示すように、ＳＯＩ基板１０にシリコン基板１１の厚さが３００μｍ〜５００μｍ、絶縁層１２の厚さが４μｍ、シリコン層１３の厚さが２０μｍのものを用いた。
【００２８】
次に、図３（２）に示すように、シリコン層１３を所望の膜厚となるようにエッチングを行う。このエッチング方法は、例えばウエットエッチングにより行い、このエッチング液には、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＭＡＨ：tetramethylammonium hydroxide）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いる。このエッチングには、例えば化学的ドライエッチング、物理的ドライエッチングを用いることもできる。また、予め、所望の膜厚がわかっているならば、そのような厚さを有するＳＯＩ基板を用意しても良い。
【００２９】
次に、図３（３）に示すように、シリコン層１３の表面に、フォトレジストもしくは酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜、例えば熱酸化膜などで所定形状のマスクパターン（図示せず）を形成した後、イオン打ち込みなどの不純物導入工程により、シリコン層１３に例えばｐ型不純物（例えばボロン）を導入して、変位検出手段（ピエゾ抵抗素子）２５を形成する。
【００３０】
次に、図４（４）に示すように、ピエゾ抵抗素子２５の保護を目的として、シリコン層１３上に保護膜３１を形成する。この保護膜３１には、例えば可動イオンのゲッタリング効果を持たせたものとして、酸化シリコン（ＳｉＯ2）とＰＳＧ（Phosphorous silicated glass）との多層膜を用いる。または、酸化シリコン（ＳｉＯ2）と窒化シリコン（ＳｉＮ）の２層膜を用いることもできる。
【００３１】
次に、図４（５）に示すように、ピエゾ抵抗素子２５の両端部上の保護膜３１に、電極接続用のスルーホール３２を形成する。この加工には、例えばフッ酸蒸気を主体としたウエットエッチングを用いる。
【００３２】
次に、図４（６）に示すように、上記スルーホール３２を通じてピエゾ抵抗素子２５に接続するように、電極配線形成膜を成膜する。この電極配線形成膜は、例えばスパッタリングによって、アルミニウム合金（アルミニウム、銅、Ｓｉなど主組成）膜で形成される。次いで、通常のリソグラフィー技術によるマスク形成、そのマスクを用いたエッチングにより、上記電極配線形成膜を加工して、電極配線３３を形成する。
【００３３】
次に、例えば両面アライナー装置（図示せず）を用いて、ＳＯＩ基板１０の裏面側からシリコン基板１１に表面に形成されたピエゾ抵抗素子２５との位置合わせを行い、質量部や枠体からなる支持部の形状にフォトレジスト膜（図示せず）を露光する。その後、現像工程を経てフォトレジスト膜からなるエッチングマスク（図示せず）を形成し、ドライエッチングを行う。すなわち、通常のリソグラフィー工程とエッチング工程とを行う。このエッチング工程により、シリコン基板１１を除去加工して、図５（７）および図６に示すように、シリコン基板１１で形成される部分の枠体からなる支持部２１と質量部２３を形成する。
【００３４】
次に、図５（８）および図７に示すように、シリコン層１３の加工を行う。通常のリソグラフィー工程とエッチング工程とによって、シリコン層１３を除去加工して、弾性支持部２２を形成するとともに、質量部２３のシリコン層１３の部分を形成する。ここでは、支持部２１の４辺上部中央に接続するように弾性支持部２２（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４）が支持部２１と連続した状態に形成される。その際、弾性支持部２２の両側の質量部２３のシリコン層１３および絶縁層１２に凹部２４を形成する。次に、凹部２４内から絶縁層１２をエッチングして、弾性支持部２２の下部の絶縁層１２を除去する。この除去加工は、例えばウエットエッチングにより行い、弾性支持部２２とその直下のシリコン基板１１からなる質量部２３との間に空間を形成する。この弾性支持部２２とその直下の質量部２３との間隔は、絶縁層１２の膜厚によって決定されるため、正確に間隔を形成することができる。
【００３５】
なお、弾性支持部２２を形成する際の絶縁層１２のエッチングでは、弾性支持部２２の幅方向に絶縁層１２のエッチングを進行させるために、図８および図９に示すように、弾性支持部２２の幅をｗとすると、支持部２１の絶縁層１２、質量部２３の絶縁層１２にｗ／２程度のサイドエッチングが生じるが、加速度センサ１の機能には問題は生じない。
【００３６】
次に、本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第２実施例）を、前記図１〜図２によって説明する。この加速度センサ１は、変位検出手段２５に圧電素子をもちいたもので、その他の構成は、第１実施例と同様である。
【００３７】
前記図１〜図２に示すように、加速度センサ１は、シリコン基板１１上に絶縁層１２、シリコン層１３が形成されたＳＯＩ（Silicon on insulator）基板１０に形成されている。すなわち、ＳＯＩ基板１０からなる枠体に形成された支持部２１を備え、この支持部２１の４辺上部のそれぞれにシリコン層１３からなる弾性支持部２２（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４）の一端が支持され、各弾性支持部２２の他端側には、ＳＯＩ基板１０からなる質量部２３が、上記支持部２１の中央部に支持されている。
【００３８】
上記質量部２３の各弾性支持部２２に支持される側には凹部２４が形成され、各弾性支持部２２は凹部２４内で質量部２３から離間させた状態で延長形成されて、質量部２３を支持している。よって、各弾性支持部２２の下部側にも質量部２３が形成されていて、かつ質量部２３は各弾性支持部２２によって支持部２１に浮動状態に支持されている。この各弾性支持部２２とその直下の質量部２３との間隔は、加速度により質量部２３と弾性支持部２２が変形するのに必要な距離を有していることが必要である。
【００３９】
また、各弾性支持部２２には変位検出手段２５が備えられている。例えば、Ｘ軸方向に形成された弾性支持部２２（２２−１、２２−３）上には、支持部２１側に２箇所並列に形成され、質量部２３の支持側に２箇所並列に形成されている。また、Ｙ軸方向に形成された弾性支持部２２（２２−２、２２−４）上には、支持部２１側の１箇所と、質量部２３側の１箇所に形成されている。したがって、変位検出手段２５は、各弾性支持部２２上の合計１２箇所に設置されている。この変位検出手段２５は、例えば、圧電素子からなる。このように、加速度センサ１は構成されている。
【００４０】
上記加速度センサ１では、弾性支持部２２が、質量部２３の各弾性支持部２２に支持される側に形成された凹部２４内で、質量部２３から離間させた状態で延長形成されて質量部２３を支持していることから、弾性支持部２２直下にも質量部２３が形成されている。このため、チップサイズを変更することなく、質量部２３の質量（体積）を大きくすることが可能となる。よって、検出感度を高めることができるので、高感度な加速度センサを提供できるという利点がある。
【００４１】
また、質量部−弾性支持部の系の固有振動数を一定とした場合、従来技術では除去していた質量部２３を有効に使用できるので、質量部２３の外形を小さくしても質量部２３の質量（体積）は変わらない。このため、チップサイズのさらなる小型・薄型化が可能となる。尚、チップ全体を立方縮小して小型・薄型化を図る方法もあるが、弾性支持部への配線形成や製造ばらつき等があるので、立方縮小する方法では限界がある。したがって、本発明の構成が有用である。
【００４２】
したがって、加速度センサ１の質量部２３が大きく減じられることがないため、小型・薄型かつ高感度化された加速度センサ１を提供することが可能となる。
【００４３】
次に、上記加速度センサ１の動作原理を説明する。上記加速度センサ１に加速度が作用すると、枠体に形成された支持部２１中央部に、弾性支持部２２に浮動状態に支持された質量部２３が加速度に比例した力を受けて変位することで、弾性支持部２２にたわみを生じ、弾性支持部２２の上面側に形成された１２ヶ所の変位検出手段（圧電素子）２５が、弾性支持部２２上にある２つの直行する検出軸（Ｘ軸とＹ軸）および弾性支持部２２に垂直な１つの検出軸（Ｚ軸）に対応して、各軸それぞれ４ヶ所の変位検出手段（圧電素子）２５で構成されたホイートストンブリッジ回路を用いて３軸方向の加速度を検出する。
【００４４】
次に、本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第２実施例）を、前記図３〜図５の製造工程断面図によって説明する。図３〜図５では、代表して、前記図２のＡ部を示した。
【００４５】
加速度センサ１を形成するために、弾性支持部の厚さと弾性支持部とその直下の質量部との間隔を高精度に制御できるように酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層を介してシリコン層(ＳＯＩ層)が形成されたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いた。本実施例では、図３（１）に示すように、ＳＯＩ基板１０にシリコン基板１１の厚さが３００μｍ〜５００μｍ、絶縁層１２の厚さが４μｍ、シリコン層１３の厚さが２０μｍのものを用いた。
【００４６】
次に、図３（２）に示すように、シリコン層１３を所望の膜厚となるようにエッチングを行う。このエッチング方法は、例えばウエットエッチングにより行い、このエッチング液には、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＭＡＨ：tetramethylammonium hydroxide）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いる。このエッチングには、例えば化学的ドライエッチング、物理的ドライエッチングを用いることもできる。また、予め、所望の膜厚がわかっているならば、そのような厚さを有するＳＯＩ基板を用意しても良い。
【００４７】
次に、図３（３）に示すように、シリコン層１３の表面に、フォトレジストもしくは酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜、例えば熱酸化膜などで所定形状のマスクパターン（図示せず）を形成した後、ＣＶＤやＰＶＤにて変位検出手段（圧電素子）２５を形成する。
【００４８】
次に、図４（４）に示すように、圧電素子２５の保護を目的として、シリコン層１３上に保護膜３１を形成する。この保護膜３１には、例えば可動イオンのゲッタリング効果を持たせたものとして、酸化シリコン（ＳｉＯ2）とＰＳＧ（Phosphorous silicated glass）との多層膜を用いる。または、酸化シリコン（ＳｉＯ2）と窒化シリコン（ＳｉＮ）の２層膜を用いることもできる。
【００４９】
次に、図４（５）に示すように、圧電素子２５の両端部上の保護膜３１に、電極接続用のスルーホール３２を形成する。この加工には、例えばフッ酸蒸気を主体としたウエットエッチングを用いる。
【００５０】
次に、図４（６）に示すように、上記スルーホール３２を通じて圧電素子２５に接続するように、電極配線形成膜３３を成膜する。この電極配線形成膜３３は、例えばスパッタリングによって、アルミニウム合金（アルミニウム、銅、Ｓｉなど主組成）膜で形成される。
【００５１】
次に、例えば両面アライナー装置（図示せず）を用いて、ＳＯＩ基板１０の裏面側からシリコン基板１１に表面に形成された圧電素子２５との位置合わせを行い、質量部や枠体からなる支持部の形状にフォトレジスト膜（図示せず）を露光する。その後、現像工程を経てフォトレジスト膜からなるエッチングマスク（図示せず）を形成し、ドライエッチングを行う。すなわち、通常のリソグラフィー工程とエッチング工程とを行う。このエッチング工程により、シリコン基板１１を除去加工して、図５（７）および図６に示すように、シリコン基板１１で形成される部分の枠体からなる支持部２１と質量部２３を形成する。
【００５２】
次に、図５（８）および図７に示すように、シリコン層１３の加工を行なう。通常のリソグラフィー工程とエッチング工程とによって、シリコン層１３を除去加工して、弾性支持部２２を形成するとともに、質量部２３のシリコン層１３の部分を形成する。ここでは、支持部２１の４辺上部中央に接続するように弾性支持部２２（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４）が支持部２１と連続した状態に形成される。その際、弾性支持部２２の両側の質量部２３に凹部２４を形成する。次に、凹部２４内から絶縁層１２をエッチングして、弾性支持部２２の下部の絶縁層１２を除去する。この除去加工は、例えばウエットエッチングにより行い、弾性支持部２２とその直下のシリコン基板１１からなる質量部２３との間に空間を形成する。この弾性支持部２２とその直下の質量部２３との間隔は、絶縁層１２の膜厚によって決定されるため、正確に間隔を形成することができる。
【００５３】
なお、弾性支持部２２を形成する際の絶縁層１２のエッチングでは、弾性支持部２２の幅方向に絶縁層１２のエッチングを進行させるために、図８および図９に示すように、弾性支持部２２の幅をｗとすると、支持部２１の絶縁層１２、質量部２３の絶縁層１２にｗ／２程度のサイドエッチングが生じるが、加速度センサ１の機能には問題は生じない。
【００５４】
次に、本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第３実施例）を、図１０によって説明する。この加速度センサ１は、弾性支持部２２の構成を除き前記第１、第２実施例の構成と同様である。したがって、図１０では弾性支持部２２のみを示した。
【００５５】
図１０（１）に示すように、弾性支持部２２の上面に形成された変位検出手段（ピエゾ抵抗素子、圧電素子）２５に隣接した領域に、少なくとも１つ以上の孔２６が形成されているものである。図面では、変位検出手段２５の両側に１個ずつの孔２６が形成されている構成を示した。孔２６の配置は、図示した配置に限定されることはなく、例えば、変位検出手段２５の片側に１個もしくは複数個を配置してもよく、また変位検出手段２５の両側に１個もしくは複数個を配置してもよく、また変位検出手段２５の一方側において複数列に孔２６を配置してもよい。
【００５６】
このように、弾性支持部２２に孔２６が形成されていることで、変位検出手段２５を形成した際の応力、電極配線（図示せず）を形成した際の残留応力、周囲温度が変化することで構成部材の熱膨張係数の違いが原因で生じる熱応力等が緩和される。この応力緩和によって、変位検出手段２５の特性が良好になる。また、加速度センサ１に加速度が加わった際、弾性支持部２２に生じる応力を変位検出手段２５に集中させる効果がある。これによっても、変位検出手段２５の特性が良好になる。よって、高感度化された加速度センサ１を提供することが可能となる。
【００５７】
一方、図１０（２）に示すように、弾性支持部２２に前記孔を形成しない場合には、弾性支持部２２の上面に形成された変位検出手段２５には、変位検出手段２５を形成した際の応力、電極配線（図示せず）を形成した際の応力等が残留応力として残っていること、また周囲温度が変化することで構成部材の熱膨張係数の違いで熱応力が生じること等の理由により、変位検出手段２５の特性、特に感度特性に悪影響が生じることがある。したがって、弾性支持部２２に孔２６を形成することは好ましく、この孔２６を形成することによって、変位検出手段２５の感度特性の向上が図れるという利点がある。
【００５８】
本発明の加速度センサに用いられる上記質量部２３の変位検出手段２５は、上記説明したように、弾性支持部に形成された応力を電気信号に変換する応力電気変換素子からなり、その一例としては、ピエゾ型、圧電素子型がある。また、質量部２３に形成された電極（図示せず）と質量部２３と弾性支持部２２で成す面に平行な位置に形成された電極（図示せず）との静電容量型がある。本発明では、いずれの型の変位検出手段を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した斜視図である。
【図２】本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した平面図およびＡ−Ａ’線断面拡大図である。
【図３】本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した製造工程断面図である。
【図４】本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した製造工程断面図である。
【図５】本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した製造工程断面図である。
【図６】本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した斜視図である。
【図７】本発明の加速度センサの製造方法に係わる一実施の形態（第１、第２実施例）を示した斜視図である。
【図８】製造工程で生じるサイドエッチングを説明した概略構成断面図である。
【図９】製造工程で生じるサイドエッチングを説明した斜視図およびその拡大斜視図である。
【図１０】本発明の加速度センサに係わる一実施の形態（第３実施例）および比較例を示した平面図である。
【図１１】従来の加速度センサの一例を示した斜視図である。
【図１２】従来の加速度センサの一例を示した平面図およびＢ−Ｂ’線断面拡大図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…加速度センサ、２１…支持部、２２…弾性支持部、２３…質量部、２４…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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