(57)【要約】      （修正有）【課題】色フィルタの配列の違いによって発生する画素間クロストークの不均一により固定パターン雑音を、異なる行の同一色素子間の電荷積分時間を調整することにより無くす。【解決手段】固体撮像装置は、２次元平面上に互いに所定の配列間隔で形成され、受光面で電荷を発生して蓄積する複数の光電変換素子と、受光面上に配置される複数色の色フィルタと、色フィルタの同一色フィルタをこれに近接する色フイルタの色に応じて複数のグループとし、異なるグループ間の光電変換素子の電荷の蓄積時間を独立して個別に設定し、該各電荷蓄積時間経過後に各グループの光電変換素子毎に読み出す制御信号生成手段と、前記各グループの光電変換素子から電荷を読みだす読み出し手段と、前記読み出し手段により読みだされる電荷を転送信号に応じて転送する転送手段と、前記転送手段により転送される電荷を電気信号として外部に出力する出力手段とを有する。【選択図】図５
2007151147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元平面上に互いに所定の配列間隔で形成され、受光面で受光した光量に対応して電荷を発生して蓄積する複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子の受光面上に配置される複数色の色フィルタと、
前記複数色の色フィルタの同一色フィルタをこれに近接する色フイルタの色に応じて複数のグループとし、異なるグループ間の光電変換素子の電荷の蓄積時間を独立して個別に設定し、該各電荷蓄積時間経過後に各グループの光電変換素子毎に読み出し制御信号を生成する制御信号生成手段と、
前記各グループに対応する読み出し制御信号に応じて前記各グループの光電変換素子から電荷を読みだす読み出し手段と、
前記読み出し手段により読みだされる電荷を転送信号に応じて転送する転送手段と、
前記転送手段により転送される電荷を電気信号として外部に出力する出力手段と
を有する固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、前記２次元平面上に複数の光電変換素子の行と列からなる格子状に配列され、
前記複数の色フィルタは赤と緑と青の３色の色フィルタからなり、前記緑の色フィルタが前記格子の上で市松模様状に配置され、前記赤と青の色フィルタが隣接する行でそれぞれ交互に、かつ前記緑の色フィルタに挟まれるように配置され、その行に隣接する二つの行の赤の色フィルタに挟まれた緑の色フィルタが配置された光電変換素子群を第１グループとし、その行に隣接する二つの行の青の色フィルタに挟まれた緑の色フィルタが配置された光電変換素子群を第２グループとし、
前記制御信号生成手段は、前記第１グループと第２グループの前記電荷蓄積時間を互いに独立して設定し、該各電荷蓄積時間経過後に該第１グループと第２グループの読み出し制御信号を生成する請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記制御信号生成手段は、前記第１グループと第２グループの光電変換素子への近接光電変換素子からのクロストーク信号の量に応じて前記第１と第２のグループの前記電荷蓄積時間を個別に設定し、該各電荷蓄積時間経過後に該第１と第２のグループの読み出し制御信号を生成する請求項２記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関し、特に２次元画像を撮像するイメージセンサ等に使用する２次元固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電荷転送型固体撮像装置いわゆるＣＣＤ固体撮像装置は、複数の光電変換素子が２次元面に所定間隔で配列され、光電変換素子で発生して蓄積された電荷を読み出してその電荷に応じた画素信号を出力する。カラーイメージセンサの場合には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の色フィルタを受光面上に形成した光電変換素子が複数配列される。
【０００３】
図８に従来技術によるカラー方式の２次元固体撮像装置の部分拡大平面図を示す。図８において、参照番号１、２、３で示すものはフォトダイオードのような光電変換素子（以下、受光素子とも称する。）である。その内、記号Ｇで示すもの１は緑色フィルタを形成した緑色用光電変換素子（以下、Ｇ素子）で、記号Ｂで示すもの２は青色フィルタを形成した青色用光電変換素子（以下、Ｂ素子）で、記号Ｒで示すもの３は赤色フィルタを形成した赤色用光電変換素子（以下、Ｒ素子）である。
【０００４】
各受光素子列間に挟まれて図の上下方向に配列される参照番号４で示すものは、各受光素子で得られた信号電荷を図の上から下へ向かう方向（列方向）に転送するための垂直転送素子である。１個の受光素子には４個の転送電極が接続されて１転送段を形成しており、各列の受光素子の転送段が繋がって１列分の垂直転送素子４を形成する。各受光素子の４個の転送電極には、それぞれ駆動パルス源φＶ1 ，φＶ2 ，φＶ3 ，φＶ4 から４相の転送パルスがそれぞれの信号線８、９、１０、１１を介して印加される。
【０００５】
参照番号５で示す（ハッチで示す）ものは、各Ｇ素子１から信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＧ信号読み出しゲートである。参照番号６で示す（ハッチで示す）ものは、各Ｒ素子３から信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＲ信号読み出しゲートである。参照番号７で示すものは、各Ｂ素子２からの信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＢ信号読み出しゲートである。Ｇ，Ｒ，Ｂ読み出しゲート５、６、７のいずれも信号線１０を介して信号φＶ3 により読み出しタイミングが制御される。
【０００６】
参照番号１２で示すものは、各列の垂直転送素子４から１ライン（行）単位で並列に転送されてきた信号電荷を、図面の右から左に向かう方向に転送する水平転送装置である。なお、図中の矢印は信号電荷の転送方向を示す。
【０００７】
水平転送装置１２で転送された信号電荷は、出力回路１３で電圧信号に変換されて外部に出力される。Ｇ，Ｂ，Ｒのすべての受光素子１，２，３と、垂直転送素子４、読み出しゲート５，６，７、水平転送素子１２ならびに出力回路１３は、いずれも共通の半導体基板ＳＵＢの上に形成される。
【０００８】
図９は、図８の２次元固体撮像装置の動作タイミング図である。参照番号１６で示すパルスφＩＣは、各Ｒ，Ｇ，Ｂ素子１、２、３の全電荷を瞬時にドレインに排出する（リセット）ためのインテグレーションクリアパルスで、半導体基板がドレインを形成し、オーバーフロードレイン構造を有している。オーバーフロードレイン構造は、例えば、特開平５−２３６３５４号公報の図２に示される構成である。
【０００９】
図８及び図９において、φＶ3 パルス源からのパルス１９は読み出しゲート５、６、７を開放して、受光素子の信号電荷を垂直転送素子４に読みだす。受光素子での信号電荷蓄積時間（積分時間）ｔRGBは、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス１９の立ち下がりまでのパルス間隔で決定される。
【００１０】
φＶ1 ，φＶ2 ，φＶ3 ，φＶ4 の各パルス源からは２０、２１、２３、２４で示す４相の垂直転送パルスが印加される。垂直転送パルスの各１パルスで、垂直転送素子４の１転送段だけ信号電荷が転送される。この動作で、１水平ライン（１行分）の信号電荷群が並列に水平転送装置１２に転送される。
【００１１】
φＨ１／２は、水平転送装置１２の転送動作を制御するための２相水平転送パルスφＨ１、φＨ２を印加するタイミングを示し、対角線を有する四角形で示した期間２５に１水平ラインを構成する信号数以上の数のパルスが印加される。
【００１２】
参照番号２６で示す対角線を有する四角形で描いた信号は出力回路１３の出力信号を示し、当該四角形の各ブロックが１水平ラインの信号列を含む。第１ラインはＢ，Ｇ，Ｂ，Ｇ，・・・、第２ラインはＧ，Ｒ，Ｇ，Ｒ，・・・の順番で出力される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記の従来技術においては、Ｇ，Ｂ，Ｒ素子１、２、３の各々の信号蓄積時間が一律にクリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス１９の立ち下がりまでの期間ｔRGBで決定されてしまうために、色信号成分比を変化させることはできない。つまりどの色に対しても感度が同じになる。
【００１４】
例えば、３２００°Ｋ（白熱電球等）の照明光を基準にしてホワイトバランスを設定する場合と、５１００°Ｋ（蛍光灯照明等）の場合とでは、表示画像として適切なＲとＧの信号成分比は異なる。
【００１５】
しかし、従来技術では、上記したように、所与の照明条件に対してＲとＧの信号成分比を調整できない。即ち、光電変換素子上に形成した色フィルタの分光特性で色信号成分比が決定してしまい、照明光の色温度に対応した適切な色信号成分比を得ることができない。
【００１６】
本発明の目的は、ある受光素子から他の受光素子へのクロストークの違いによる出力レベル差をなくす固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一観点によれば、固体撮像装置は、２次元平面上に互いに所定の配列間隔で形成され、受光面で受光した光量に対応して電荷を発生して蓄積する複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子の受光面上に配置される複数色の色フィルタと、前記複数色の色フィルタの同一色フィルタをこれに近接する色フイルタの色に応じて複数のグループとし、異なるグループ間の光電変換素子の電荷の蓄積時間を独立して個別に設定し、該各電荷蓄積時間経過後に各グループの光電変換素子毎に読み出し制御信号を生成する制御信号生成手段と、前記各グループに対応する読み出し制御信号に応じて前記各グループの光電変換素子から電荷を読みだす読み出し手段と、前記読み出し手段により読みだされる電荷を転送信号に応じて転送する転送手段と、前記転送手段により転送される電荷を電気信号として外部に出力する出力手段とを有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、色フィルタの配列の違いによって発生する画素間クロストークの不均一により固定パターン雑音を、異なる行の同一色素子間の電荷積分時間を調整することにより無くすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施例１）
図１に本発明の第１の実施例による２次元固体撮像装置の部分拡大平面図を示し、図２にその動作タイミング波形図を示す。なお、図１及び図２において、図８及び図９の参照番号と同じものは基本的に同一の機能の要素を示す。
【００２０】
図１の固体撮像装置は、図８と同じカラーフィルタの配列（いわゆるベイヤ配列）を有し、半導体基板ＳＵＢをドレインとして用いるオーバーフロードレイン構造を有する。第１行目（第１ライン）は左から右方向に向かってＧ，Ｒ，Ｇ，Ｒ，Ｇ，Ｒ，Ｇ素子の順番に配列し、以下これを繰り返す。第２行目（第２ライン）は左から右方向に向かってＢ，Ｇ，Ｂ，Ｇ，Ｂ，Ｇ，Ｂ素子の順番に配列して、以下これを繰り返す。
【００２１】
図８と異なる構成について説明する。各受光素子の４個の転送電極には、それぞれ電極φＶ1 ，φＶ2B，φＶ2R，φＶ3 ，φＶ4 から４相の転送パルスがそれぞれの信号線８、３４、３５、１０、１１を介して印加される。
【００２２】
参照番号３１で示す（ハッチで示す）ものは、各Ｇ素子１から信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＧ信号読み出しゲートである。参照番号３２で示す（ハッチで示す）ものは、各Ｂ素子２から信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＢ信号読み出しゲートである。参照番号３３で示す（ハッチで示す）ものは、各Ｒ素子３から信号電荷を読みだして垂直転送素子４に移送するＲ信号読み出しゲートである。
【００２３】
Ｇ信号読み出しゲート３１は、Ｇ素子１の図中下部に設けられる。Ｂ信号及びＲ信号読み出しゲート３２，３３は、それぞれＢ素子２及びＲ素子３の図中上部に設けられる。色により読み出しゲートの位置を変えることにより、読み出しゲートに接続される配線パターンがシンプルになる。
【００２４】
この実施例で注目すべきは、Ｇ素子１の読み出しゲート３１を制御する信号は電極φＶ3 から与えられ、Ｂ素子２の読み出しゲート３２を制御する信号は電極φＶ2Bから与えられ、Ｒ素子３の読み出しゲート３３を制御する信号は電極φＶ2Rから与えられることにより、各色の読み出しゲートを互いに独立の制御信号により制御できる構造を持っていることである。これは、図８の従来技術の電極φＶ3 ですべての受光素子の読み出しゲート５、６、７を色に係わらず一括して制御する構造とは大きく異なる。
【００２５】
すなわち、図２の動作タイミング図で明らかなように、Ｇ素子１の読み出しゲート３１は、電極φＶ3 から与えられる正電位のパルス３９により制御され、Ｂ素子２の読み出しゲート３２は、電極φＶ2Bから与えられる正電位のパルス４１により制御され、Ｒ素子３の読み出しゲート３３を制御する信号は電極φＶ2Rから与えられる正電位のパルス４０により制御され、それぞれのＧ，Ｂ，Ｒ素子の信号電荷読み出しタイミングを独立して制御できる。
【００２６】
つまり、Ｒ素子３での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス４０の立ち下がりまでのパルス間隔ｔRHで決定される。Ｂ素子２での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス４１の立ち下がりまでのパルス間隔ｔBHで決定される。Ｇ素子１での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス３９の立ち下がりまでのパルス間隔ｔG で決定される。
【００２７】
読み出し制御パルス４０、４１、３９の場合には、ｔRH＞ｔBHであり、読み出し電荷量は積分時間に比例するので、実効的にＲに対する感度が高く、Ｂ感度は低くなる。従って、色温度が高い照明下における撮像に適する。
【００２８】
これに対して、Ｒ素子３の読み出し制御の電極φＶ2Rの読み出しパルス４０を破線で描くパルス４９に変更し、同時にＢ素子２の読み出し制御の電極φＶ2Bの読み出しパルス４１を破線で描くパルス５０に変更すると、Ｒ素子３の積分時間がｔRLでＢ素子２の積分時間がｔBLとなる。ｔRL＜ｔBLであるので、実効的にＢ感度が高く、Ｒ感度は低くなる。これは色温度が低い照明下での撮像に適する。
【００２９】
このように、本実施例では、正電位の読み出しパルスを印加するタイミングを各色で個別に調整することにより、各色の信号積分時間（蓄積時間）を任意に制御でき、最適な色信号成分比を得ることが可能となる。
【００３０】
なお、図２のパルス４２、４３、４４、４５、４６は、電極φＶ1 ，φＶ2R，φＶ2B，φＶ3 ，φＶ4 に印加される４相の負電位の垂直転送パルスであり、パルス４３と４４は同一位相をなす。信号４７は水平転送装置１２を動作させる２相水平転送パルスを概念的に示し、信号４８は出力回路１３から出力される電圧信号を示す。この転送の基本的な動作は図８の従来技術と同じである。
【００３１】
電極φＶ３は、Ｇ素子１から信号電荷を読み出すための正電位の読み出しパルス３９と、垂直転送素子４上の信号電荷を垂直方向に転送するための負電位の転送パルス４５を含む。すなわち、読み出しパルス３９と転送パルス４５は、同一の電極φＶ３から供給される。電極φＶ２ＲとφＶ２Ｂも同様である。
【００３２】
（実施例２）
次に、図３に本発明の第２の実施例による２次元固体撮像装置の部分拡大平面図を示し、図４にその動作タイミング波形図を示す。なお、図３及び図４において、図８及び図９の参照番号と同じものは基本的に同一の機能の要素を示す。
【００３３】
図３の固体撮像装置は、第１の実施例のベイヤ配列とは異なり、Ｇ，Ｒ／Ｂの受光素子行が上下で隣接するライン間でほぼ１素子分の間隔で左右方向にずれて配列されている。第１行目（第１ライン）にはすべてＧ素子５１が配列され、第２行目（第２ライン）には左から右方向に向かってＲ素子５２とＢ素子５３とが交互に配列され、第３行目（第３ライン）にはすべてＧ素子５１が配列され、第４行目（第４ライン）には左から右方向に向かってＢ素子５３とＲ素子５２とが交互に配列され、以下の行はこれらを繰り返す。
【００３４】
各受光素子列間をぬうように蛇行しつつ上下方向に配列される参照番号５４で示すものは、Ｇ素子５１で得られた信号電荷を図の下方向（列方向）に転送するための第１の垂直転送素子である。１個の受光素子には４個の転送電極が接続されて１転送段を形成しており、各列の受光素子の転送段が繋がって１列分の垂直転送素子を形成する。各受光素子の４個の転送電極には、それぞれ電極φＶ1 ，φＶ2 ，φＶ3 ，φＶ4 から４相の転送パルスが印加される。
【００３５】
同じく各受光素子列間をぬうように蛇行しつつ上下方向に配列される参照番号５５で示すものは、Ｒ素子５２とＢ素子５３で得られた信号電荷を図の下方向（列方向）に転送するための第２の垂直転送素子である。１個の受光素子には４個の転送電極が接続されて１転送段を形成しており、各列の受光素子の転送段が繋がって１列分の垂直転送素子を形成する。各受光素子の４個の転送電極には、それぞれ電極φＶ1 ，φＶ2 ，φＶ3 ，φＶ4 から４相の転送パルスが印加される。第１と第２の垂直転送素子の同一の移送電極は電気的に一体に形成されている。
【００３６】
参照番号５６は図面の左右方向にわたり一体に形成された電極φＶ1 で、図４に示す垂直転送パルス７３が印加され、垂直転送素子５４、５５の一部をなす。参照番号５７は図面の左右方向にわたり一体に形成された電極φＶ2 で、図４に示す垂直転送パルス７４が印加され、垂直転送素子５４、５５の一部をなす。参照番号５８は図面の左右方向にわたり一体に形成された電極φＶ3 で、図４に示す垂直転送パルス７５が印加され、垂直転送素子５４、５５の一部をなす。参照番号５９は図面の左右方向にわたり一体に形成された電極φＶ4 で、図４に示す垂直転送パルス７６が印加され、垂直転送素子５４、５５の一部をなす。
【００３７】
垂直転送素子５４、５５で蛇行しながら列の下方向に転送される信号電荷は、転送電極６０で左右方向に等間隔の直線上の位置に導かれる。この場合、転送電極６０にはφＶ1 とφＶ2 が印加される。
【００３８】
参照番号６１、６２、６３で示すのは、転送電極６０の下に円筒状に蓄積されたＲ，Ｇ，Ｂの電荷束を概念的に示すものである。参照番号８１で示す（ハッチで示す）太い線は、共通の半導体基板ＳＵＢ上に形成されている各光電変換素子と垂直転送素子５４、５５の間、及び垂直転送素子５４と５５との間を電気的に分離する素子分離層を示す。
【００３９】
光電変換素子と垂直転送素子５４、５５との間で素子分離層８１が形成されていない部分１０１、１０２、１０３は、信号読み出しゲートである。これらは、隣接する垂直転送素子５４、５５の一部をなす転送電極と電気的に一体に形成され、転送電極５６、５７、５８、５９に印加する信号で電荷の読み出しが制御される。
【００４０】
即ち、Ｂ信号は読み出しゲート１０２に接続される電極φＶ1 に正電位の読み出しパルス７０（図４）を印加することで読みだされる。Ｒ信号は読み出しゲート１０３に接続される電極φＶ2 に正電位の読み出しパルス７１（図４）を印加することで読みだされる。Ｇ信号は読み出しゲート１０１に接続される電極φＶ3 に正電位の読み出しパルス７２（図４）を印加することで読みだされる。つまり、それぞれのＧ，Ｂ，Ｒ素子の信号電荷読み出しタイミングを独立に制御できる。
【００４１】
よって、Ｂ素子５３での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス７０の立ち下がりまでのパルス間隔ｔBHで決定される。Ｒ素子５２での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス７１の立ち下がりまでのパルス間隔ｔRHで決定される。Ｇ素子５１での信号電荷蓄積時間（積分時間）は、クリアパルス１６の立ち下がりから、読み出しパルス７２の立ち下がりまでのパルス間隔ｔGで決定される。
【００４２】
読み出し制御パルス７０、７１、７２の場合には、ｔRH＞ｔBHであり、実効的にＲに対する感度が高く、Ｂ感度は低くなる。従って、色温度が高い照明下における撮像に適する。これに対して、Ｒ素子５２の読み出し制御の電極φＶ2 の読み出しパルス７１を破線で描くパルス８０に変更し、同時にＢ素子５３の読み出し制御の電極φＶ1 の読み出しパルス７０を破線で描くパルス７９に変更すると、Ｒ素子５２の積分時間がｔRL、Ｂ素子５３の積分時間がｔBLとなる。ｔRL＜ｔBLであるので、実効的にＢ感度が高く、Ｒ感度は低くなる。これは色温度が低い照明下での撮像に適する。
【００４３】
この第２の実施例が第１の実施例（図１）と異なる点は、特別なパルス給電線を追加することを必要とせず、４相の垂直転送パルスの給電線だけで目的を達成できることである。
【００４４】
なお、図４の信号７７は水平転送装置１２を動作させる２相水平転送パルスを概念的に示し、信号７８は出力回路１３から出力される電圧信号を示す。
【００４５】
（実施例３）
図５に本発明の第３の実施例による２次元固体撮像装置の部分拡大平面図を示し、図６にその動作タイミング波形図を示す。なお、図５及び図６において、図８及び図９の参照番号と同じものは基本的に同一の機能の要素を示す。
【００４６】
図５の固体撮像装置は、第１の実施例（図１）と同じカラーフィルタの配列（いわゆるベイヤ配列）を有し、半導体基板ＳＵＢをドレインとして用いるオーバーフロードレイン構造を有する。色フィルタの配列順序も第１の実施例と同一である。
【００４７】
図１及び図８と異なる構成について説明する。ハッチで示す参照番号９１は偶数行目のＧ素子１の信号読み出しゲートであり、ハッチで示す参照番号９２は奇数行目のＧ素子１の信号読み出しゲートである。読み出しゲート９１は電極φＶ2 に印加される読み出しパルス９３（図６）で読み出し制御され、読み出しゲート９２は電極φＶ3 に印加される読み出しパルス９４（図６）で読み出し制御される。この場合、読み出しパルス９４はＲ素子３の読み出しゲート６と、Ｂ素子２の読み出しゲート７も同時に制御する。
【００４８】
この第３の実施例における特徴は、上下をＢ素子で挟まれた奇数行目のＧ素子と、上下をＲ素子で挟まれた偶数行目のＧ素子のそれぞれの信号積分時間を互いに独立して制御できることである。すなわち、奇数行目のＧ素子と偶数行目のＧ素子との相対的な実効感度を個別に任意に調整できる。これは次のような効果を奏する。
【００４９】
一般に図５のような格子状（あるいはマトリックス状）の光電変換素子配列では、垂直方向に各受光素子が近接していて、素子間のクロストークを発生する。クロストークの影響は、素子の高集積化、微細化が進むといっそう顕著となる。最も問題となるのは、Ｂ素子からＧ素子へのクロストーク量と、Ｒ素子からＧ素子へのクロストーク量とが互いに異なる事である。すなわち、同じＧ信号にも係わらず、偶数行と奇数行とで出力レベルが異なり、再生画像に横縞状の固定パターンが雑音として表れる。
【００５０】
これに対して、第３の実施例の固体撮像装置では、偶数行目と奇数行目のＧ素子の感度をそれぞれの信号積分時間を調整して異ならせることによりＲ素子とＢ素子からのクロストーク量の違いによる悪影響を補償することができる。
【００５１】
具体的には、電極φＶ2 に印加される読み出しパルス９３により決まる偶数行目のＧ素子の積分時間ｔG’と電極φＶ3 に印加される読み出しパルス９４により決まる奇数行目のＧ素子の積分時間ｔRGBとの差ΔｔGが丁度クロストーク量の違いに相当するように積分時間ｔG’を調整する。これによりクロストークの違いがあっても、見かけ上奇数行目のＧ信号と偶数行目のＧ信号の出力レベルを同等にすることができ、再生画像から横縞状の固定パターン雑音を無くすことができる。
【００５２】
図７に、ＲＧＢ信号に基づき、Ｒ素子とＢ素子とからのＧ素子へのクロストーク量の差を検出して積分時間ｔG’を決定するシステム構成の１例を示す。
【００５３】
２次元固体撮像装置１０１は、図５に示す固体撮像装置であり、色信号処理回路１０２に信号電荷を出力する。色信号処理回路１０２は、色温度調整（ホワイトバランス）等の色信号処理を行い、表示装置（図示せず）に映像信号を出力し、積分時間決定回路１０３にＲＧＢ信号を出力する。
【００５４】
積分時間決定回路１０３は、奇数行目のＧ素子と偶数行目のＧ素子との信号レベルを比較する。奇数行目のＧ素子は、垂直方向に隣接するＢ素子からのクロストークを受ける。偶数行目のＧ素子は、垂直方向に隣接するＲ素子からのクロストークを受ける。偶数行目のＧ素子の信号レベルが奇数行目のＧ素子のものより大きいときには、積分時間ｔG’を小さくし、偶数行目のＧ素子の感度を低くする。逆に、偶数行目のＧ素子の信号レベルが奇数行目のＧ素子のものより小さいときには、積分時間ｔG’を大きくし、偶数行目のＧ素子の感度を高くする。積分時間ｔG’を調整することにより、奇数行目と偶数行目のＧ素子が受けるクロストーク量が異なっていても、両者の出力レベルを同等にすることができる。
【００５５】
駆動回路１０４は、上記で調整された積分時間ｔG’に対応する信号φＶ２を生成し、その他図６に示す信号φＩＣ，φＶ１，φＶ３，φＶ４，φＨ１／２を生成する。
【００５６】
固体撮像素子１０１は、駆動回路１０４により生成された信号に基づき、作動する。偶数行目のＧ素子は、積分時間ｔG’だけ電荷を蓄積する。奇数行目のＧ素子は、積分時間ｔRGB だけ電荷を蓄積する。新たな積分時間ｔG’がフィードバックされるので、奇数行目のＧ素子と偶数行目のＧ素子とは、信号レベルが同等になる。
【００５７】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の固体撮像装置の第１の実施例の部分拡大平面図である。
【図２】図１の固体撮像素子の動作タイミングを説明する波形図である。
【図３】本発明の固体撮像装置の第２の実施例の部分拡大平面図である。
【図４】図３の固体撮像素子の動作タイミングを説明する波形図である。
【図５】本発明の固体撮像装置の第３の実施例の部分拡大平面図である。
【図６】図５の固体撮像素子の動作タイミングを説明する波形図である。
【図７】第３の実施例におけるクロストーク差検出と積分時間決定のための回路ブロック図である。
【図８】従来の技術による固体撮像装置の部分拡大平面図である。
【図９】図８の固体撮像素子の動作タイミングを説明する波形図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ Ｇ素子
２ Ｂ素子
３ Ｒ素子
４ 垂直転送素子
５ Ｇ信号読み出しゲート
６ Ｒ信号読み出しゲート
７ Ｂ信号読み出しゲート
８、９、１０、１１ 信号線
１２ 水平転送装置
１３ 出力回路
３１ Ｇ信号読み出しゲート
３２ Ｂ信号読み出しゲート
３３ Ｒ信号読み出しゲート
３４，３５ 信号線
３９ Ｇ信号読み出しパルス
４０ Ｒ信号読み出しパルス
４１ Ｂ信号読み出しパルス
１０１ 固体撮像装置
１０２ 色信号処理回路
１０３ 積分時間決定回路
１０４ 駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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