(57)【要約】【課題】  本発明の主な目的は、基板を貫通して設けられる貫通孔のレイアウトを容易に変更できる光起電力装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】  本発明の光起電力装置は、貫通孔１２Ａおよび貫通孔１２Ｂが設けられた基板１０と、基板１０の上面に形成された太陽電池セル５０と、太陽電池セル５０と電気的に接続されて貫通孔１２Ａを介して基板１０の裏面まで延在する接続電極１８Ａと、太陽電池セル５０と電気的に接続されて貫通孔１２Ｂを介して基板１０の裏面まで延在する接続電極１８Ｂとを具備する。貫通孔１２Ａは打ち抜き加工により形成され、貫通孔１２Ｂはレーザー加工により形成される。【選択図】  図２
2007012730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が設けられた金属基板と、前記金属基板の上面に形成された太陽電池層と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する接続電極とを具備し、
前記接続電極を、前記貫通孔の側壁に接触させて前記金属基板と電気的に接続することを特徴とする光起電力装置。
【請求項２】
第１貫通孔および第２貫通孔が設けられた金属基板と、前記金属基板の上面に形成された太陽電池層と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記第１貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する第１接続電極と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記第２貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する第２接続電極とを具備し、
前記第１貫通孔の側壁を絶縁材料により被覆して、前記金属基板と前記第１貫通孔とを絶縁させ、
前記第２貫通孔の側壁に前記第２接続電極を接触させて、前記第２接続電極と前記金属基板とを同電位にすることを特徴とする光起電力装置。
【請求項３】
前記第１貫通孔は打ち抜き加工により形成され、前記第２貫通孔はレーザー加工により形成されることを特徴とする請求項２記載の光起電力装置。
【請求項４】
前記第１接続電極および前記第２接続電極は、導電性ペーストから成ることを特徴とする請求項２記載の光起電力装置。
【請求項５】
前記第２電極層の平面的な大きさは、前記第１電極層よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の光起電力装置。
【請求項６】
金属基板の上面に太陽電池層を形成する工程と、
前記金属基板を打ち抜くことにより第１貫通孔を形成する工程と、
レーザー加工により前記金属基板を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔の少なくとも側壁を絶縁材料により被覆する工程と、
前記太陽電池層と電気的に接続されて、前記第１貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在し、前記金属基板とは絶縁された第１接続電極を形成する工程と、
前記太陽電池層と電気的に接続されて、前記第２貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在し、前記第２貫通孔の側壁に接触することで前記金属基板と導通する第２接続電極を形成する工程とを具備することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２貫通孔の平面的な大きさは、前記第１貫通孔よりも小さいことを特徴とする請求項６記載の光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力装置およびその製造方法に関し、特に金属から成る基板の表面に太陽電池が形成された光起電力装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、表示部に設けられた表示面の全体、もしくは一部に太陽電池を配置し、得られた電力により、表示部の表示機能の少なくとも一部が稼動するように構成された装置がある。
【０００３】
これらの中で最も典型的な光起電力装置として、文字板の全体もしくは一部の代わりに太陽電池の受光面を配置した腕時計がある。この種の腕時計は、文字板の表面となるべき所に太陽電池の受光面を設けているので、表示面以外に受光面を設ける必要がなく、受光面を設けるためのスペ−スを節約することができる。特に小さな腕時計において、消費電力を充分にまかなう発電能力を備えた太陽電池を容易に内蔵することができる。
【０００４】
図９を参照して、従来の光起電力装置１００は、基板１０２の表面に太陽電池層１０１が形成されている。第１電極１０３および第２電極１０４は、太陽電池層１０１と接続さて、太陽電池層１０１により発電された電力を外部に供給する機能を有する。第１電極１０３および第２電極１０４は、基板１０２を貫通する貫通孔１０６の内部を介して、基板１０２の上面から裏面まで延在している。貫通孔１０６は、金属製の基板１０２を打ち抜き加工することにより形成される。また、貫通孔１０６の内壁は絶縁材１０５により被覆され、第１電極１０３および第２電極１０４と基板１０２とは絶縁されている。
【０００５】
また、ノイズの低減等を目的として、第１電極１０３または第２電極１０４と基板１０２とを導通させる場合がある（特許文献１を参照）。この場合は、基板１０２の上面に形成された樹脂膜（不図示）を貫通して、第１電極１０３または第２電極１０４と基板１０２とを電気的に接続していた。
【特許文献１】特開２００２−１８５０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した光起電力装置１００では貫通孔１０６の位置を変更することが容易でない問題があった。具体的には、光起電力装置のデザイン変更に伴い、貫通孔１０６の位置も変更される場合がある。このような場合、背景技術では、高価な打ち抜き用の金型を新たに製造する必要があったので、光起電力装置のデザインの変更は、多大なコストが係り困難であった。
【０００７】
更に、内壁が絶縁材１０５により被覆される貫通孔１０６の径は例えば７００μｍ程度となり非常に大きい。従って、第１電極１０３および第２電極１０４を形成するために、２つの貫通孔１０６を基板１０２に設けると、貫通孔１０６が占める面積が大きくなり、光起電力装置１００の小型化を阻害してしまう問題があった。
【０００８】
本発明は、このような問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、基板を貫通して設けられる貫通孔のレイアウトを容易に変更できる光起電力装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光起電力装置は、貫通孔が設けられた金属基板と、前記金属基板の上面に形成された太陽電池層と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する接続電極とを具備し、前記接続電極を、前記貫通孔の側壁に接触させて前記金属基板と電気的に接続することを特徴とする。
【００１０】
更に、本発明の光起電力装置は、第１貫通孔および第２貫通孔が設けられた金属基板と、前記金属基板の上面に形成された太陽電池層と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記第１貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する第１接続電極と、前記太陽電池層と電気的に接続されて前記第２貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在する第２接続電極とを具備し、前記第１貫通孔の側壁を絶縁材料により被覆して、前記金属基板と前記第１貫通孔とを絶縁させ、前記第２貫通孔の側壁に前記第２接続電極を接触させて、前記第２接続電極と前記金属基板とを同電位にすることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光起電力装置の製造方法は、金属基板の上面に太陽電池層を形成する工程と、前記金属基板を打ち抜くことにより第１貫通孔を形成する工程と、レーザー加工により前記金属基板を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔の少なくとも側壁を絶縁材料により被覆する工程と、前記太陽電池層と電気的に接続されて、前記第１貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在し、前記金属基板とは絶縁された第１接続電極を形成する工程と、前記太陽電池層と電気的に接続されて、前記第２貫通孔を介して前記金属基板の裏面まで延在し、前記第２貫通孔の側壁に接触することで前記金属基板と導通する第２接続電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光起電力装置によれば、太陽電池層と接続されて外部に延在する接続電極を、基板を貫通して設けた貫通孔の側壁に接触させることにより、基板と接続電極とを電気的に接続している。従って、貫通孔の内壁を絶縁材にて被覆する必要が無いので、貫通孔の開口径を小さくすることが可能となり、装置全体の小型化に寄与することができる。
【００１３】
更に、本発明の光起電力装置の製造方法によれば、基板を貫通して設ける第１貫通孔を打ち抜きにより形成し、更に、第２貫通孔をレーザー加工により形成している。従って、光起電力装置のデザイン変更に伴い貫通孔の位置が変わっても、第１貫通孔の位置を固定し、レーザ加工される第２貫通孔の位置を変更することで、対応することができる。従って、光起電力装置のデザイン変更に対処するためのコストを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１および図２を参照して、本形態の光起電力装置１の構成を説明する。
【００１５】
図１（Ａ）は、本形態の光起電力装置１の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。本形態では、腕時計用の光起電力装置を例に挙げて説明するが、採用製品は多種多様である。例えば、電卓、電話、携帯機器等に本形態の光起電力装置を適用させることができる。
【００１６】
本形態の光起電力装置１は、基板１０の表面に、電極層２０、半導体光活性層３０、透明電極４０の順序で積層された太陽電池セル５０（太陽電池層）が形成された構造である。
【００１７】
基板１０は、樹脂膜等の絶縁膜により上面が被覆された金属基板から成る。本形態では、ステンレス基板の表面にポリイミドコートを施した基板を、基板１０として採用した。更に、本形態に於いては、基板１０は、正極端子である接続電極１８Ａ（第１接続電極）または、負極端子である接続電極１８Ｂ（第２接続電極）と電気的に接続されている。この事項は、図２を参照して後述する。
【００１８】
太陽電池セル５０は複数個形成されており、それぞれが発電領域Ａ〜Ｄを形成している。発電領域Ａ〜Ｄは分割配置されており、各々中心角が略９０°の扇形の形状であり、これらは相互間に所定の間隔を隔てて全体として円形になるように配置されている。そして、各太陽電池セル５０は電気的に接続されている。しかし、太陽電池セル５０の形状は長方形、多角形などのように、目的に応じた形状に形成することができる。
【００１９】
接続端子１８Ａ、１８Ｂは、基板１０に設けられた貫通孔（不図示）を介して、基板１０の裏面に形成された外部接続電極（不図示）と電気的に接続されている。接続端子１８Ａは透明電極層４０と電気的に接続されており、接続端子１８Ｂは電極層２０と電気的に接続されている。そして、発電領域Ａ→発電領域Ｂ→発電領域Ｃ→発電領域Ｄの順番に直列に接続されている。接続端子１８Ａ、１８Ｂは、発電領域Ａ〜Ｄから得た電気エネルギーを外部接続電極に伝える役割を担っている。接続端子１８Ａ、１８Ｂの詳細は、図２を参照して詳述する。
【００２０】
図１（Ｂ）を参照して、太陽電池セル５０の詳細を説明する。基板１０の表面に形成される電極層２０は、厚さ約０．１〜１．０μｍ程度の金属膜である。電極層２０の材料としては、タングステン、アルミニウム、チタン、ニッケル、または銅等が挙げられる。電極層２０の材料は、ＩＴＯ、ＩＴＺ等の透明電極でも良い。半導体光活性層３０は、電極層２０を被覆し、基板１０の上面全域に積層されており、その厚みは約０．３〜１．０μｍである。半導体光活性層３０としては、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウムなどをｐ／ｎまたはｐ／ｉ／ｎに積層されたものである。半導体光活性層３０の上面に透明電極層４０が形成されている。この透明電極層４０は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明電極層である。本形態では、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を採用し、その膜厚は３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００２１】
図２を参照して、光起電力装置１に設けられる接続電極１８Ａ、１８Ｂの構造を説明する。図２（Ａ）は光起電力装置１の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００２２】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、接続電極１８Ａは、発電領域Ａの透明電極層４０と接続され、基板１０の裏面まで延在している。接続電極１８Ａは、基板１０等を貫通して設けた貫通孔１２Ａに充填された導電材料から成る。貫通孔１２Ａに充填される導電材料としては、Ａｇペースト等の導電性ペーストを採用することができる。
【００２３】
貫通孔１２Ａは、基板１０を貫通して形成され、その開口径は例えば７００μｍ程度である。貫通孔１２Ａの側壁に形成された絶縁材料１６により、接続電極１８Ａと基板１０とは絶縁されている。貫通孔１２Ａは、その内壁に絶縁材料１６を形成する必要があるので、開口径が７００μｍ程度に大きく形成される。本形態では、打ち抜き加工により貫通孔１２Ａを形成している。この理由は、バリの発生量や製造コストを考慮すると、開口径が７００μｍ程度の大きな貫通孔１２Ａを形成する場合は、レーザー加工等よりも打ち抜き加工の方が好適であるからである。この事項の詳細は、製造方法と共に後述する。
【００２４】
図２（Ａ）および図２（Ｃ）を参照して、接続電極１８Ｂは貫通孔１２Ｂに充填された導電材料から成り、発電領域Ｄに位置する電極層２０と接続されて、基板１０の裏面まで延在している。具体的には、透明電極層４０の一部から成るダミー透明電極１３を介して、接続電極１８Ｂは電極層２０に接続されている。本形態では、貫通孔１２Ｂの側壁に接続電極１８Ｂが直に接触しているので、接続電極１８Ｂと基板１０とは電気的に接続されている。従って、基板１０は負極端子である接続電極１８Ｂと同電位に成る。
【００２５】
貫通孔１２Ｂは、レーザー加工により形成され、その開口径は例えば１００μｍ程度である。貫通孔１２Ｂの内部には、接続電極１８Ｂを構成する導電材料のみが充填され、図２（Ｂ）に示すような絶縁材料１６は貫通孔１２Ｂ内部に形成されない。従って、貫通孔１２Ｂの開口径は、貫通孔１２Ａよりも小さく形成することが可能となる。開口径の小さい貫通孔１２Ｂは、レーザー加工により容易に形成可能であるので、基板１０の任意の箇所に貫通孔１２Ｂを設けることができる。
【００２６】
上記の説明では、負極端子である接続電極１８Ｂを基板１０に接続したが、正極端子である接続電極１８Ａを基板１０に接続しても良い。
【００２７】
図３から図８を参照して、本形態の光起電力装置の製造方法を説明する。
【００２８】
図３（Ａ）を参照して、先ず、ステンレス基板の表面にポリイミドコートを施された基板１０を用意する。点線で囲まれた領域１１は、各々、１つの光起電力装置が形成される基板領域である。
【００２９】
図３（Ｂ）は、基板１０の左下に位置する領域１１Ａの拡大図を示しており、後の工程に於いて、領域１１Ａには貫通孔１２Ａ、１２Ｂが形成される。貫通孔１２Ａ、１２Ｂは、後述する接続電極を裏面に延在させるために形成するものである。
【００３０】
図４から図８に示す工程においては、基板１０の領域１１Ａの光起電力装置の製造方法を開示し、他の領域１１に形成される光起電力装置の製造方法は同一であるため説明を省略する。
【００３１】
図４を参照して、基板１０の上面に、発電領域となる領域Ａ〜Ｄに対応した電極層２０Ａ〜２０Ｄを分割配置する。これらの電極層２０Ａ〜２０Ｄは、各々中心角が略９０°の扇形の形状であり、これらは相互間に所定の間隔を隔てて全体として円形になるように配置されている。更に、電極層２０Ａ〜２０Ｃの各々は、これらに隣接する発電領域Ｂ〜Ｄの外方に延在する接続部２０Ａｅ、２０Ｂｅ、２０Ｃｅを有している。ここで、電極層２０Ａ〜２０Ｄは、厚さ約０．１〜１．０μｍで、タングステン、アルミニウム、チタン、ニッケルまたは銅等の金属から形成される金属膜である。しかしＩＴＯまたはＩＴＺ等の透明電極により、これらの電極層２０Ａ〜２０Ｃを形成しても良い。
【００３２】
図５（Ａ）および、図５（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である図５（Ｂ）を参照して、電極層２０の上部に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウムなどをｐ／ｎまたはｐ／ｉ／ｎに積層した半導体光活性層３０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を形成する。この半導体光活性層３０は、基板１０上の全面に形成される。その後、半導体光活性層３０上の上面に、ハードマスクを用いて透明電極層４０を形成する。このとき、貫通孔１２Ｂの近傍に透明電極層４０と同じ材料から成るダミー透明電極１３が形成される。このダミー透明電極１３は、後述する外部接続電極と電極層２０Ｄとを電気的に接続するために形成される。透明電極層４０は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ２）等から成る。
【００３３】
そして、電極層２０の接続部２０Ａｅ、２０Ｂｅ、２０Ｃｅ上に位置する透明電極層４０上に、ＹＡＧレーザ光（波長１．０６μｍ）を、直線的に走査して、電極層２０の接続部２０Ａｅ、２０Ｂｅ、２０Ｃｅと透明電極層４０とを、各々、溶着して電気接続する。溶着された部分は、直径約５０〜８０μｍのスポット形状である。また、ＹＡＧレーザ光に代わって、電極層２０の接続部２０Ａｅ、２０Ｂｅ、２０Ｃｅ上にのみ、スポット照射が可能なレーザ装置を用いて、溶着して電気接続することもできる。接続領域１４Ａ〜１４Ｃは、透明電極層４０と電極層２０の接続部２０Ａｅ、２０Ｂｅ、２０Ｃｅが電気的に接続された領域を示している。また、ダミー透明電極１３と電極層２０Ｄとも同様にレーザを用いて電気的に接続される。
【００３４】
図６を参照して、次に、基板１０を貫通する貫通孔１２Ａ、１２Ｂを形成する。図６（Ａ）から図６（Ｄ）は本工程を示す断面図である。
【００３５】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、打ち抜き加工を行うことにより、径が大きい貫通孔１２Ａを形成する。ここでは、透明電極層４０が形成された側から（紙面上にて上方から下方に）、プレス機の打ち抜き部２１を用いて、打ち抜き加工を行っている。この打ち抜き加工により、基板１０およびその上面に積層された各層が部分的に除去されて、貫通孔１２Ａが形成される。本工程では、打ち抜き加工される領域に於いては、透明電極層４０および電極層２０Ａが除去されている。従って、打ち抜き加工により透明電極層４０および電極層２０Ａからはバリは発生しないので、透明電極層４０と電極層２０Ａとのショートは防止されている。
【００３６】
ここで、貫通孔１２Ａの形成方法としては、レーザー加工よりも打ち抜き加工の方が好適である。その理由は、開口径が７００μｍ程度に大きい貫通孔１２Ａをレーザー加工により形成すると、大きなバリ２２が基板１０の裏面に形成されてしまう。このことから、バリ２２を被覆するために、後の工程で基板１０の裏面に形成される絶縁材料１６を厚く形成する必要がある。更に、径が大きい貫通孔１２Ａをレーザー加工により形成するためには、出力の大きい装置を用意する必要があり、設備にかかる費用が高くなる。一方、打ち抜き加工により貫通孔１２Ａを形成する場合は、バリは発生するものの、レーザー加工の場合と比較してバリの大きさは小さい。従って、絶縁材料１６により容易にバリを被覆することができる。また、打ち抜き加工に用いられる金型は、出力の大きいレーザー処理装置と比較すると安価である。
【００３７】
図６（Ｃ）を参照して、次に、貫通孔１２Ａの内部に、樹脂から成る絶縁材料１６を充填する。ここでは、基板１０の裏面に形成されるバリ２２も、絶縁材料１６により被覆される。従って、バリ２２が外部に露出することによる外部とのショートが防止されている。
【００３８】
図６（Ｄ）を参照して、次に、レーザー加工により、貫通孔１２Ｂおよび貫通孔２３を形成する。ここでは、ＹＡＧレーザーを用いたレーザー加工を行っている。
【００３９】
貫通孔１２Ｂは、基板１０およびその上部に形成された各層にレーザー２４を照射して形成される。貫通孔１２Ｂの開口径は、例えば１００μｍ程度と小さいために、レーザー加工により形成しても、基板１０の裏面に発生するバリは小さい。更に、開口径の小さい貫通孔１２Ｂは、出力の小さい安価なレーザー照射装置を用いて形成することができる。貫通孔１２Ｂの開口径が小さくても良い理由は、貫通孔１２Ｂの内部には上述した絶縁材料１６は形成されず、接続電極１８Ｂを構成する導電材料１７（図８（Ｃ）参照）のみが充填されれば良いからである。
【００４０】
貫通孔２３は、貫通孔１２Ａの内部に充填された絶縁材料１６に、レーザー２４を照射することにより形成される。貫通孔２３の開口径は、例えば５０μｍ程度である。
【００４１】
図７を参照して、光起電力装置の貫通孔１２Ａ、１２Ｂの位置が変更された場合の対処方法を説明する。図７（Ａ）は光起電力装置１の平面図であり、図７（Ｂ）および図７（Ｃ）はレイアウトが変更された光起電力装置１Ａの平面図である。
【００４２】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、光起電力装置のデザイン変更に伴い、接続電極が形成される貫通孔１２Ａ、１２Ｂの位置が変更される場合がある。図７（Ａ）に示す光起電力装置１では、貫通孔１２Ａ、１２Ｂは、紙面上にて光起電力装置１の下端付近に位置している。一方、図７（Ｂ）に示すデザインが変更された光起電力装置１Ａでは、貫通孔１２Ａ、１２Ｂは、紙面上にて光起電力装置１Ａの中央部付近に位置している。また、光起電力装置１Ａでは、貫通孔１２Ａと貫通孔１２Ｂとが離間する距離も長くなっている。
【００４３】
本形態では、上述のような光起電力装置１のデザイン変更があった場合でも、打ち抜き加工を行う金型を変更することなく、貫通孔１２Ａ、１２Ｂを形成することができる。この理由は、一方の貫通孔１２Ａを金型を用いた打ち抜き加工により形成し、他方の貫通孔１２Ｂをレーザー加工により形成するからである。
【００４４】
具体的には、上述したようにデザインが変更された場合は、先ず、図７（Ｃ）に示すように、光起電力装置１Ａの電極層のパターンを変更する。ここでは、矢印で示すように、光起電力装置１Ａのパターンを時計回りに回転させて移動させている。このことにより、デザイン変更により移動された貫通孔１２Ａの位置を、擬似的に図７（Ａ）に示す場所に戻すことができる。次に、図１に示す光起電力装置１の形成に用いたものと同様の打ち抜き金型を用いて、貫通孔１２Ａを形成する。更に、レーザー加工を行うことにより、貫通孔１２Ｂを形成する。レーザー加工は、光起電力装置１Ａの任意の箇所に対して行うことができる。
【００４５】
従って、図７（Ａ）に示す光起電力装置１を形成する際に用いる打ち抜き用の金型を、デザインが変更された光起電力装置１Ａに対しても使用することができる。このことから、デザイン変更に伴う製造コストの上昇を抑えることができる。
【００４６】
更に、本形態では、一方の貫通孔１２Ｂをレーザー加工により形成することで、貫通孔１２Ａのみを打ち抜き金型により打ち抜き加工すればよい。即ち、打ち抜き金型に設けられる打ち抜き部２１（図６（Ａ）参照）の個数を減らして、打ち抜き金型の製造にかかる費用を安くすることができる。一つの光起電力装置１に対しては、従来は２箇所必要であった打ち抜き部２１が１箇所に成るのみである。しかしながら、実際の製造工程では、図３（Ａ）に示すように１枚の基板１０から多数個の光起電力装置１が形成される。従って、一枚の基板１０から１６個の光起電力装置１を製造する場合では、打ち抜き金型の打ち抜き部２１の個数を３２個から１６個に削減可能であり、コスト低下の効果は大きい。
【００４７】
図８を参照して、次に、接続電極１８Ａ、１８Ｂを形成する。図８（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００４８】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、貫通孔２３に導電材料１７を充填して、接続電極１８Ａを形成する。接続電極１８Ａは、透明電極層４０に接触するように形成される。また、基板１０の裏面には、接続電極１８Ａから成る外部接続電極（不図示）が形成される。貫通孔１２Ａの側壁を被覆する絶縁材料１６により、接続電極１８Ａと基板１０とは絶縁されている。ここで、導電材料１７としては、Ａｇペースト等の導電性ペーストが用いられる。
【００４９】
図８（Ｃ）を参照して、貫通孔１２Ｂに導電材料１７を充填して、接続電極１８Ｂを形成する。接続電極１８Ｂは、ダミー透明電極１３を介して、下層の電極層２０と接続されている。更に、基板１０の裏面には、接続電極１８Ｂから成る外部接続電極（不図示）が形成される。ここで、接続電極１８Ｂは、貫通孔１２Ｂの側壁に直に接触しているので、接続電極１８Ｂと基板１０とは導通している。
【００５０】
最後に、図８（Ａ）に示す点線の領域で、基板１０等を打ち抜き、図１に示すような光起電力装置１を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の光起電力装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の光起電力装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図３】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）から（Ｄ）は断面図である。
【図７】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）から（Ｃ）は平面図である。
【図８】本発明の光起電力装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図９】従来の光起電力装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１                光起電力装置
１０              基板
１１              領域
１２Ａ、１２Ｂ    貫通孔
１３              ダミー透明電極
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ  接続領域
１６              絶縁材料
１７              導電材料
２０Ａ−Ｄ        電極層
２０Ａｅ−Ｃｅ    接続部
２１              打ち抜き部
２２              バリ
２３              貫通孔
２４              レーザー
３０              半導体光活性層
４０              透明電極層
５０              太陽電池セル
【図１】
2007012730.tif 000003
【図２】
2007012730.tif 000004
【図３】
2007012730.tif 000005
【図４】
2007012730.tif 000006
【図５】
2007012730.tif 000007
【図６】
2007012730.tif 000008
【図７】
2007012730.tif 000009
【図８】
2007012730.tif 000010
【図９】
2007012730.tif 000011