(57)【要約】【課題】  内部量子効率の測定精度を向上させることを課題とする。【解決手段】  第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子１００の内部量子効率を測定する方法であって、光源制御部６０１は、前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光１０８を放出する励起光源６０２を設定する。励起光源６０２は、光源制御部６０１により設定された各励起パワー密度で励起光１０８を半導体発光素子１００に照射する。検出部６０７は、励起光源６０２から照射された光１０８により半導体発光素子１００から放出される光を検出する。制御部６１０は、検出部６０７で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子１００の内部量子効率を演算する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する方法であって、
前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を選択する選択工程と、
前記選択工程で選択された励起光の励起パワー密度を設定する設定工程と、
前記設定された各励起パワー密度で前記励起光を前記半導体発光素子に照射する照射工程と、
前記照射工程で照射された励起光により前記半導体発光素子から放出される光を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて前記半導体発光素子の内部量子効率を演算する演算工程と、
を含むことを特徴とする測定方法。
【請求項２】
前記演算工程では、
第１温度において、前記照射工程、前記検出工程及び前記演算工程を実施し、この演算工程で得られた値のうち最大の値を第１の最大値とし、
前記第１の温度よりも高い第２温度において、前記照射工程、前記検出工程及び前記演算工程を実施し、この演算工程で得られた値のうち最大の値を第２の最大値とし、
前記第１の最大値に対する前記第２の最大値の百分率を前記内部量子効率として演算することを特徴とする請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記選択工程では、
前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を放出する光源を複数の光源から選択することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記半導体発光素子として、電極が形成された半導体発光素子の内部量子効率を演算することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の測定方法。
【請求項５】
前記照射工程では、
前記半導体発光素子のうち前記電極が形成された部分以外に光を照射することを特徴とする請求項４に記載の測定方法。
【請求項６】
第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する測定装置であって、
複数の光源と、
前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を放出する光源を前記複数の光源から選択する選択部と、
前記選択部で選択された光源から放出される励起光の励起パワー密度を設定する光源制御部と、
前記設定された各励起パワー密度で前記選択された光源から照射された励起光により前記半導体発光素子から放出される光を検出する検出部と、
前記検出部で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて前記半導体発光素子の内部量子効率の演算を実行する制御部と、
を備えることを特徴とする測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法に関し、特に、第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物系半導体発光デバイスの高効率化と高出力化が急速に進み、ＩｎＧａＮ系青色、紫色、近紫外ＬＥＤの外部量子効率は４０％を超える。外部量子効率を更に向上させるためには、内部量子効率と光の取り出し効率の双方を向上させなければならないが、そのためには各々の効率をより正確に測定する必要がある。
【０００３】
ＬＥＤ等の半導体発光素子の外部量子効率は、
外部量子効率＝内部量子効率×光の取り出し効率  …  式（１）
式（１）で表される（例えば、特許文献１、２及び非特許文献１参照）。外部量子効率は、注入した電子・正孔対の数と外部に放出された光子の数の比で与えられる。そのため、実験により測定が可能である。外部量子効率は、式（１）に示すように内部量子効率と光の取り出し効率との積で表される。従って、内部量子効率を及び光の取り出し効率のいずれか一方を測定すれば、他方が求められる。しかしながら、従来、内部量子効率及び光の取り出し効率のいずれをも直接的に測定することは困難であった。
【０００４】
内部量子効率を求めるためには、一般的に、フォトルミネッセンス法（以下「ＰＬ法」という。）が使用される。ＰＬ法では、半導体の禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光を半導体発光素子に照射して過剰の電子・正孔対を半導体発光素子内に生成し、これらの再結合過程で放出されたフォトルミネッセンス光を分光して発光スペクトルを得る。従来の方法では、ある任意の励起パワー密度の低温での内部量子効率が１００％であると仮定し、室温とのＰＬ発光強度比が内部量子効率に相当するとして内部量子効率を算出していた。
【０００５】
しかしながら、内部量子効率は励起パワー密度依存性を有するという問題がある。図８は、フォトルミネッセンス光の発光強度の励起パワー密度依存性を示す図である。測定温度は５Ｋであり、励起パワー密度を０．０９７、０．０３１、１．７、３．９、１９、３９、１００（ｋＷ／ｃｍ２）としたときのＰＬ発光強度をそれぞれプロットしている。図８に示すように、励起パワー密度が増大するにつれて、発光スペクトルの半値全幅が次第に広がり、発光ピーク位置が短波長側にシフトしていることが分かる。このように、発光スペクトルは励起パワー密度に強く依存する。しかしながら、従来の方法では、ＰＬ発光強度の励起パワー密度依存性が考慮されていなかった。そのため、内部量子効率が正確に算出されず、特に、別の半導体発光素子の内部量子効率と定量的な比較を正確に行うことが困難であった。
【０００６】
これに対し、ＰＬ法で求めた内部量子効率をエレクトロルミネッセンス法（以下「ＥＬ」法という。）で求めた注入電流と比較することにより、ＰＬ法で求めた内部量子効率の励起パワー密度を推定する方法がある。この方法では、ＰＬ法を用いて内部量子効率を求めたサンプルを室温でＰＬ法の場合と同様に配置して、ＥＬ発光強度の注入電流依存性の測定を行う。ＰＬ法における室温でのＰＬ発光強度と同じＥＬ発光強度を与える電流値から、ＰＬ法における励起パワー密度を推定することができる。また、ＰＬ法による発光スペクトルの励起パワー密度依存性を利用して、同じＥＬ発光波長を与える電流値からＰＬ法における内部量子効率の励起パワー密度を推測することもできる。
【特許文献１】特開２００４−２５３７４７号公報
【特許文献２】特開２００５−０７１９８６号公報
【非特許文献１】奥野保男著、「発光ダイオード」、産業図書株式会社、ｐ１２３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のようにＥＬ法を用いてＰＬ法で求めた内部量子効率の励起パワー密度を推測したとしても、ＥＬ法により電流が注入される領域とＰＬ励起光が励起される領域とは厳密には等しくないため、測定の精度に問題がある。
【０００８】
また、従来の方法では、ＰＬ法で測定した内部量子効率の励起パワー密度を推測できたとしても、励起パワー密度が異なる別の半導体発光素子との比較は困難である。更に、従来の方法では、測定系に強く影響されるため、異なる測定系で測定した半導体発光素子の内部量子効率との比較も困難である。
【０００９】
また、従来の方法で求められた半導体発光素子の内部量子効率は、クラッド層の転位等の欠陥や不純物により低下するため、発光層のみを選択的に評価することができないという問題もある。
【００１０】
このように、内部量子効率を簡便に測定可能であり、注入電流（ＰＬ法の場合には励起パワー密度）や測定系によらず一般的に別の半導体発光素子との比較が可能であり、かつ、発光層のみを選択的に評価して他の影響を排除した測定技術が求められている。
【００１１】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、内部量子効率の測定精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の側面は、第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する方法に係り、前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を選択する選択工程と、前記選択工程で選択された励起光の励起パワー密度を設定する設定工程と、前記設定された各励起パワー密度で前記励起光を前記半導体発光素子に照射する照射工程と、前記照射工程で照射された励起光により前記半導体発光素子から放出される光を検出する検出工程と、前記検出工程で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて前記半導体発光素子の内部量子効率を演算する演算工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の側面は、第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する測定装置であって、複数の光源と、前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を放出する光源を前記複数の光源から選択する選択部と、前記選択部で選択された光源から放出される励起光の励起パワー密度を設定する光源制御部と、前記設定された各励起パワー密度で前記選択された光源から照射された励起光により前記半導体発光素子から放出される光を検出する検出部と、前記検出部で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて前記半導体発光素子の内部量子効率の演算を実行する制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、内部量子効率の測定精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は以下に示す実施の形態に限定されない。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の好適な実施の形態に係る半導体発光素子の断面図である。半導体発光素子１００は、表面に凹凸部を有する基板１０１の上に形成されたバッファ層１０２、ｎ型半導体層１０３、ｎ型クラッド層１０４、発光層１０５、ｐ型クラッド層１０６及びｐ型半導体層１０７を順に積層して形成される。半導体発光素子１００の表面には励起光１０８が照射され、発光層１０５でこの光が吸収される。発光層１０５で吸収された光は、光励起により半導体発光素子１００の表面からフォトルミネッセンス光として放出される。励起パワー密度を変化させて、放出されたフォトルミネッセンス光をそれぞれ測定することによって、図８に示すような発光強度の励起パワー密度依存性を得ることができる。
【００１６】
図６は、本発明の好適な実施の形態に係る半導体発光素子の内部量子効率の測定装置の構造を概略的に示す図である。光源制御部６０１は、励起光源６０２から放射される励起光１０８の励起パワー密度等の出力を制御する。励起光源６０２としては、半導体発光素子１００の発光層１０５の禁制帯幅と、半導体発光素子１００のクラッド層１０４及び１０６の禁制帯幅との間のエネルギーを持つ励起光１０８を放出する光源を用いる。クラッド層１０４及び１０６の禁制帯幅はいずれも、発光層１０５の禁制帯幅よりも広いため、クラッド層１０４及び１０６の禁制帯幅が互いに異なる場合には、両者の禁制帯幅のうち小さい方の禁制帯幅と、発光層１０５の禁制帯幅との間のエネルギーを持つ励起光１０８を放出する光源を用いればよい。このように光源を選択することによって、発光層１０５を選択的に励起し、後述の手法により発光層１０５のみの内部量子効率を得ることができる。このような光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、ガスレーザ及びダイ・レーザ等の波長可変レーザなどを用いることができる。
【００１７】
励起光源６０２から放射された励起光１０８は、ミラー６０３で反射され、保持部６０４に保持された半導体発光素子１００に照射される。次いで、半導体発光素子１００から光励起により放出されたフォトルミネッセンス光は、レンズ６０５で集束され、フォトルミネッセンス光以外の光を除去する光学フィルタ６０６を通して、検出器６０７に入射される。検出器６０７は、シングルモノクロメータ等の分光器及び光検出器を備える。検出器６０７に入射した光は、上記の光検出器から出力され、増幅器６０８で増幅されて、表示部６０９にその発光強度が表示される。制御部６１０は、記憶部６１２に格納されたプログラム等に従って、検出器６０７、増幅器６０８及び表示部６０９等の構成要素を制御するとともに各種演算を実行する。制御部６１０はまた、入力部６１１に接続され、入力部６１１から入力された情報に基づいて、各構成要素を制御することができる。保持部６０４は、ヘリウムクライオスタット等を用いて、試料としての半導体発光素子１００の温度が可変であるように構成されることが望ましい。この場合、制御部６１０により保持部６０４の温度制御がなされうる。
【００１８】
本実施形態では、図８に示すような発光強度の励起パワー密度依存性を第１温度（低温）及び第２温度（室温）で測定し、制御部６１０により各励起パワー密度における積分発光強度を各励起パワー密度で除算する演算を実行することによって、式（２）で定義される発光効率が求められる。
【００１９】
発光効率＝積分発光強度／励起パワー強度  …  式（２）
図４は、制御部６１０により式（２）に従って演算された発光効率を各励起パワー密度に対してプロットした図である。なお、図４では、８Ｋ及び室温における発光効率を測定しているが、本実施形態はこれらの測定温度に限定されない。しかしながら、測定精度を高めるためには、基準温度としての第１温度（低温）は、５０Ｋ以下であることが望ましく、２０Ｋ以下であることがより望ましく、１０Ｋ以下であることが更に望ましい。第２温度は、半導体発光素子１００が実際に使用される環境下の温度であることが望ましく、典型的には室温であるが、本実施形態はこれに限定されず、第１の温度よりも高い所望の温度に適宜設定されうる。
【００２０】
本実施形態では、制御部６１０により第１温度及び第２温度において式（２）に従って演算された発光効率に基づいて、半導体発光素子の内部量子効率を求める。具体的には、図４に示すように、制御部６１０は、第１温度（低温）における発光効率の最大値に対する第２温度（室温）における発光効率の最大値の百分率を「内部量子効率」として演算する（式（３）を参照）。発光効率の最大値を用いるのは、最も良く光っている場合には外乱が入りにくいことによる。従って、許容される精度の範囲内では最大値近傍の値を用いてもよい。
【００２１】
内部量子効率＝（第２温度（室温）における発光効率の最大値／第１温度（低温）における発光効率の最大値）×１００（％）  …  式（３）
これにより、制御部６１０は、フォトルミネッセンス光の励起パワー密度に影響されることなく、半導体発光素子の内部量子効率を演算することができる。
【００２２】
以上のように、本実施形態によれば、簡便かつ一般的に別の半導体発光素子と比較可能な内部量子効率を求めることができる。また、発光層のみの内部量子効率を求めることが可能であり、本実施形態により演算された内部量子効率を用いることによって半導体発光素子の内部量子効率を正確に演算することができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、被測定対象である半導体発光素子１００を図１に示すような電極形成前の状態で測定したが、半導体発光素子１００を電極形成後の状態で測定してもよい。図２は、半導体発光素子１００の表面に電極２０１を形成し、ダイシングによりチップ状にされた半導体発光素子（チップ）１００を不図示の他の電極とワイヤーボンディング２０２で接続した状態を示す図である。図１と同様の構成要素には、同じ符号を付している。ワイヤーボンディング２０２が施された電極付きのチップ１００を測定する場合には、発光面の電極以外の部分（図２の斜線部分）に励起光１０８を照射することによって測定を行うことができる。測定装置及びその方法については、第１の実施形態と同様にして実施することができる。
【００２４】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、第２の実施形態と同様にして、半導体発光素子１００を電極形成後の状態で測定するものである。第３の実施形態では、フリップチップ型の半導体発光素子を用いて測定を行う。図３は、このフリップチップ型の半導体発光素子１００’を概略的に示す図である。図１、図２と同様の構成要素には、同じ符号を付している。１０１及び１０２は、図１と同様である。１０３’〜１０７’は、図１の１０３〜１０７をそれぞれパターニングして、ｎ電極用の領域が形成されたものである。ｐ型電極２０１ａはｐ型半導体層１０７’の上に形成されバンプ３０１ａを介して他の基板３０３の電極３０２に接続される。一方、ｎ型電極２０１ｂはｎ型半導体層１０３’の上に形成され、バンプ３０１ｂを介して他の基板３０３の電極３０２に接続される。フリップチップ型の電極付きチップ１００’を測定する場合には、電極が付いていない基板１０１側から励起光１０８を照射することによって測定を行うことができる。
【００２５】
（第４の実施形態）
本実施形態の好適な第１の実施の形態では、図６に示すように、半導体発光素子の内部量子効率の測定装置が１つの励起光源を備える場合を示したが、第４の実施形態では、図７に示すように半導体発光素子の内部量子効率の測定装置が複数の励起光源７０２ａ、７０２ｂ…を含む光源６０２’を備える。図６と同様の構成要素には、同じ符号を付している。本実施形態に係る測定装置は、図７に示すように、光源６０２’に含まれる複数の励起光源７０２ａ、７０２ｂ…のうち、所定条件を満たす励起光源を選択する選択部７０１を備える。光源制御部６０１は、複数の励起光源７０２ａ、７０２ｂ…が所定条件を満たすか否かを判断し、条件を満たす励起光源を選択するように選択部７０１を制御する。光源制御部６０１はまた、選択部６０２で選択された光源の励起パワー密度等の出力を設定する。上記所定条件とは、発光層１０５の禁制帯幅と、クラッド層１０４及び１０６の禁制帯幅との間のエネルギーを持つ励起光１０８を放出する光源であることをいう。選択部７０１は、ユーザにより入力部６１１から入力された測定条件（例えば、半導体発光素子１００に用いられる材料名、特に、発光層１０５及びクラッド層１０４、１０６の材料名、或いは、これらの禁制帯幅の値など）に基づいて、上記の所定条件を満たす光源を自動的に選択することができる。選択部７０１が所定条件を満たす光源を見つけられない場合には、制御部６０１は、適切な光源が見つからないことを示す警告等を表示部６０９に表示させてもよい。
【００２６】
次に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【実施例１】
【００２７】
図１は、実施例１に係るＩｎＧａＮ系紫色ＬＥＤ（発光ピーク波長４０５ｎｍ）の断面図である。本実施例では、幅３μｍ、深さ１．５μｍの凹凸部（ＬＥＰＳ）を表面に有するサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）１０１の上に、ＧａＮバッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮ層１０４、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの多重量子井戸１０５、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０６及びｐ型ＧａＮ層１０７を順に積層して、ＩｎＧａＮ系紫色ＬＥＤ１００を形成した。励起パワー密度は、光源制御部６０１により１００〜１０５（ｋＷ／ｃｍ２）に設定した。ｎ型ＡｌＧａＮ層１０４及びｐ型ＡｌＧａＮ層１０６の禁制帯幅は、３００Ｋで３．３９＋１．８１ｘ＋ｂｘ２（ｂは約１．０、ｘはアルミニウム組成（比））と表される。本実施例では、ｘ＝０．１のＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を用いた。この場合、禁制帯幅は約３．５８（ｅＶ）であり、約３４６ｎｍの波長の光に相当する。一方、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ／ＧａＮ（ｙはインジウム組成（比））の多重量子井戸の実効的な禁制帯幅は、ｙ≒０．１のとき３００Ｋで約３．０６（ｅＶ）であり、約４０５ｎｍの波長の光に相当する。従って、本実施例では、選択部７０１は、約３．０６（ｅＶ）と約３．５８（ｅＶ）の間のエネルギーを持つ、すなわち約３４６ｎｍ〜約４０５ｎｍの間の波長を持つダイ・レーザを励起光源６０２として選択した。なお、低温８Ｋにおいては、上記禁制帯幅は変化するため、低温８Ｋの測定の際には室温３００Ｋの場合と異なる波長を持つダイ・レーザを選択すればよい。この場合、低温８Ｋと室温３００Ｋの両方で使用可能な波長を持つダイ・レーザを選択するのがより望ましい。
【００２８】
本実施例では、図６の測定装置を用いて、低温８Ｋと室温３００ＫにおけるＰＬ法での発光スペクトルの励起パワー依存性を測定した。制御部６１０は、測定した各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除することにより発光効率を演算した。図４は、低温（○印）と室温（●印）における発光効率の励起パワー依存性を示す図である。低温、高温ともに、発光効率は励起パワー密度の上昇とともに増大し、ある励起パワー密度で最大となり、それ以上では逆に減少する傾向を示した。このとき、制御部６１０は、低温における発光効率の最大値を１００％と仮定し、室温における発光効率の最大値を算出し６４％という値を得た。このようにして、実施例１では、制御部６１０によりＩｎＧａＮ系紫色ＬＥＤ１００の内部量子効率６４％を求めることができた。
【実施例２】
【００２９】
本実施例では、図７の測定装置を用いて、制御部６１０によりＩｎＧａＮ系紫外ＬＥＤ（波長ピーク３８０ｎｍ）１００の内部量子効率を演算した。図５は、室温における発光効率の励起パワー依存性を示す図である。図５において、○印は励起光源６０２としてダイ・レーザ（発振波長３６５ｎｍ）を用いた場合を示し、●印は励起光源６０２としてＸｅ−Ｃｌエキシマレーザ（発振波長３０８ｎｍ）を用いた場合を示す。内部量子効率はそれぞれ５４％と３５％であった。ダイ・レーザの発振波長は、ＩｎＧａＮ系紫外ＬＥＤ１００のクラッド層であるｎ型ＡｌＧａＮ層１０４及びｐ型ＡｌＧａＮ層１０６では吸収されず、発光層１０５のみを選択的に励起するため、クラッド層１０４、１０６の影響を受けなかった。そのため、ダイ・レーザを励起光源６０２として制御部６１０により演算した内部量子効率は、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザを励起光源６０２として制御部６１０により演算した内部量子効率の１．５倍となった。このように、ＰＬ法における励起光源６０２の発振波長を適切に選択することにより、発光層１０５の光学的品質を正しく評価することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】ＬＥＤ電極形成前の構造に関して、励起光源にダイ・レーザを用いて、発光層のみを選択励起する方法を説明する図である。
【図２】ワイヤーボンディングを施した電極付きのＬＥＤに関して、ダイ・レーザを電極以外の部分に照射し、発光層を励起する方法を説明する図である。
【図３】フリップチップ型の電極付きＬＥＤに関して、ダイ・レーザを電極が付いていない基板側から照射し、発光層を励起する方法を説明する図である。
【図４】低温と室温におけるＬＥＤの発光効率の励起パワー密度依存性を示す図である。
【図５】励起光源をダイ・レーザとＸｅ−Ｃｌレーザとした場合の室温におけるＬＥＤの発光効率の励起パワー密度依存性を示す図である。
【図６】半導体発光素子の内部量子効率の測定装置の構造を概略的に示す図である。
【図７】半導体発光素子の内部量子効率の測定装置の他の構造を概略的に示す図である。
【図８】フォトルミネッセンス光の発光強度の励起パワー密度依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１００  半導体発光素子
１０８  励起光
６０１  光源制御部
６０２  励起光源
６０３  ミラー
６０４  保持部
６０５  レンズ
６０６  光学フィルタ
６０７  検出部
６０８  増幅器
６０９  表示部
６１０  制御部
６１１  入力部
６１２  記憶部
【図１】
2007088389.tif 000003
【図２】
2007088389.tif 000004
【図３】
2007088389.tif 000005
【図４】
2007088389.tif 000006
【図５】
2007088389.tif 000007
【図６】
2007088389.tif 000008
【図７】
2007088389.tif 000009
【図８】
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