(57)【要約】【課題】電力効率および色純度の改善された電界放出型表示装置を提供する。【解決手段】カソード電極（２）表面に形成された電子放射物質層（４）を、全面ではなく、制御電極（６）下部の絶縁体層（７）近傍の領域を除く領域が活性領域となるように局所的に活性化する。局所的な活性化領域（３）からの放出電子が制御電極（６）に射突して吸収される、または反射してその電子の飛行方向が変化して隣接蛍光体に射突するのを抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極が形成されたカソード基板、
前記カソード電極上に予め定められた形状に形成され、前記予め定められた形状の領域が局所的に活性化された電子放射物質層、
前記電子放射物質層の電子放出方向についての前方に配置され、前記電子放射物質層と対向する部分に対応する位置に開口部が形成された制御電極層、および
前記制御電極層の前記電子放出方向についての前方に前記開口部に対向する位置に形成される蛍光体を備える、電界放出型表示装置。
【請求項２】
前記制御電極層の電子放出方向についての前方に配置され、前記開口部に対向する位置に形成される電子通過孔を有する遮蔽電極をさらに備える、請求項１記載の電界放出型表示装置。
【請求項３】
前記電子放射物質層は、前記予め定められた形状の少なくとも第１の方向についての周辺部を除く内部領域が活性化される、請求項１または２記載の電界放出型表示装置。
【請求項４】
カソード電極が形成されたカソード基板と、前記カソード電極上に予め定められた形状に形成された電子放射物質層と、前記電子放射物質層の電子放出方向についての前方に配置され、前記電子放射物質層と対向する部分に対応する位置に開口部が形成された制御電極層を含む電界放出型表示装置の製造方法であって、
前記電子放射物質層に、前記電子放射物質層の前記予め定められた形状の領域が局所的に活性化されるように電磁波を照射するステップを備える、電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記活性化ステップは、前記制御電極をマスクとして前記電子放射物質層に前記電磁波を局所的に照射するステップを備える、請求項４記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記電界放出型表示装置は、さらに、前記制御電極層の電子放出方向についての前方に配置され、前記開口部に対向する位置に形成される電子通過孔を有する遮蔽電極をさらに備え、
前記活性化ステップは、前記遮蔽電極をマスクとして前記電子放射物質層に前記電磁波を局所的に照射するステップを含む、請求項４記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記電界放出型表示装置は、さらに、前記制御電極層の電子放出方向についての前方に配置され、前記開口部に対向する位置に形成される電子通過孔を有する遮蔽電極をさらに備え、
前記活性化ステップは、前記制御電極および前記遮蔽層の少なくとも一方をマスクとして前記電子放射物質層に前記電磁波を局所的に照射するステップを備える、請求項４記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記電磁波を照射するステップは、収束角を有する非平行レーザ光を照射するステップを含む、請求項４から７のいずれかに記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記電磁波を照射するステップは、前記電子放射物質層表面に対し斜め方向に傾斜した傾斜レーザ光を照射するステップを備える、請求項４から８のいずれかに記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記傾斜レーザ光を照射するステップは、少なくとも第１の方向についての正の方向および負の方向に沿って各々レーザ光を走査するステップを備える、請求項９記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電子放射物質層はカーボンナノチューブを含み、
前記活性化ステップは、前記カーボンナノチューブを前記電磁波の照射により局所的に露出または起立させるステップを備える、請求項４から１０のいずれかに記載の電界放出型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は電子を蛍光体に照射して蛍光体を発光させる表示装置およびその製造方法に関し、特に、効率的にかつ高精度に蛍光体を発光させることのできる電界放出型表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高電界の印加により自由電子を励起して放出し、この放出電子を蛍光体に照射させて情報（画像、文字等）を表示する電界放出型表示装置が知られている。
【０００３】
このような電界放出型表示装置は、たとえば、特許文献１（米国特許第３５００１０２号明細書（特に図１−図４参照））に示されるように、カソード電極が形成されたカソード基板と、これらのカソード基板およびカソード電極上に形成された絶縁体層と、この絶縁体層上に形成された制御電極と、これらの制御電極および絶縁体層を貫通して形成される開口部内に収容されるように、この開口部底部に露出したカソード電極上に形成された電子放射物質層と、制御電極の前方に配置され、アノード電極および蛍光体が形成されるアノード基板とを主要構成要素として構成される。
【０００４】
この種の従来の電界放出型表示装置においては、制御電極の開口部は、ほぼ円形に形成されている。
【０００５】
また、特許文献２（特開２００５−１９３７９号公報）に示されるように、制御電極とアノード電極との間に遮蔽電極が配置された電界放出型表示装置が知られている。この遮蔽電極は、電子放射物質層から蛍光体へ流れる電子ビームが通過する電子通過孔が形成される。このような電子通過孔を有する遮蔽電極を設けることにより、電子放射物質層より放出された電子を正確に、この電界放出型表示装置の蛍光面（表示面）に形成された対応の蛍光体に射突させ、これにより発光均一性を保持する。
【０００６】
この電子放射物質層に、たとえばカーボンナノチューブ（以下、「ＣＮＴ」と称す）を利用することが知られている。カーボンナノチューブを電子放出源として利用する場合、たとえば特許文献３（特開２００４−２８８５６１号公報）および非特許文献１（IVNC2004, 17th International Vaccum Nanoelectronics Conference, 11-16 July 2004, Digest of Technical Papers, “Emission characteristics of Printed CNT Cathodes After Laser Treatment,” by A. Hosono, PP.248-249.）に示されるように、カーボンナノチューブを含む電子放射物質層を形成した後に、所定の条件でレーザ照射を行なうことにより、電子放射物質層が活性化され、レーザ照射前と比較して、非常に高い電子放出特性が得られることが知られている。このレーザ処理により、カーボンナノチューブを含む導電性ペーストのカーボン不純物を除去してＣＮＴを露出させまた、その熱エネルギによりＣＮＴを起立させ、横臥状態のカーボンナノチューブの数を低減し、電子放射効率を改善する。
【特許文献１】米国特許第３５００１０２号明細書
【特許文献２】特開２００５−１９３７９号公報
【特許文献３】特開２００４−２８８５６１号公報
【非特許文献１】IVNC2004, 17th International Vaccum Nanoelectronics Conference, 11-16 July 2004, Digest of Technical Papers, “Emission characteristics of Printed CNT Cathodes After Laser Treatment”, by A. Hosono, PP.248-249.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の電界放出型表示装置においては、電子放射物質層のほぼ全面から放出された電子、すなわち電子ビームは、制御電極の対応する開口部および遮蔽電極の対応する電子通過孔を通過し、アノード電極の高電圧により加速されて対応する蛍光体に射突し、該蛍光体を発光させる。しかしながら、電子が、電子放射物質層のほぼ全面から放出されるため、この電子放射物質層の制御電極に近い電子放出点から放出された電子は、制御電極に吸収され、アノード電極に到達せず、無効電力となるという課題があった。
【０００８】
また、たとえばＣＮＴを利用し、上述の特許文献３または非特許文献１に示されるレーザ照射により電子放射物質層のほぼ全面にわたり放射特性（エミッション特性）を向上させた場合、制御電極および／または遮蔽電極の電位配置によっては、電子放射物質層の制御電極の開口部直下以外の部分からも電子放射がなされる。この制御電極の開口部直下以外の部分から放出される電子は、遮蔽電極、制御電極、電子放射物質層およびアノード電極により形成される電子レンズを通過する過程または制御電極に射突し反射する過程において、電子放射物質層を有する面に対して狭角度で出射し、該電子が到達する位置が所定の位置から逸脱し,蛍光体の発光効率が低下する、または、射突すべきでない隣接する蛍光体に射突して、望ましくない発光を引起し、カラー表示の場合、色純度を低下させるという課題があった。
【０００９】
それゆえ、この発明の目的は、電力効率および色純度を向上させることのできる電界放出型表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る電界放出型表示装置は、カソード電極が形成されたカソード基板と、このカソード電極上に予め定められた形状に形成され、この予め定められた形状の領域が局所的に活性化された電子放射物質層と、この電子放射物質層の電子放出方向についての前方に配置され、この電子放射物質層と対向する部分に対応する位置に開口部が形成された制御電極層と、この制御電極層の電子放出方向についての前方に開口部に対向する位置に形成される蛍光体を備える。
【００１１】
この発明に係る電子放出型表示装置の製造方法は、カソード電極上に所定形状に形成された電子放射物質層に、この所定形状の領域を局所的に活性化させる用に電磁波を照射するステップを備える。
【発明の効果】
【００１２】
この発明に従えば、電子放射物質層が局所的に活性化される。したがって、この電子放射物質層の電子放出領域を適切な範囲に制限することができ、制御電極などに吸収され無効電力となる電子を減少させることができ、電力効率が向上する。
【００１３】
また、制御電極に射突し反射して、電子放射物質層を有する面に対して狭角度で出射する電子を減少させることが可能となり、該電子が到達する位置が所定の位置から逸脱するのを防止することができ、無駄なく所定の蛍光体に電子を射突させることができ、電子放出型表示装置の発光効率および色純度をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の１つの表示素子に対応する部分の側面断面構造を概略的に示す図である。図１において、表示素子部は、カソード基板１と、カソード基板１上に形成されたカソード電極２と、カソード電極２上に所定形状に形成された電子放射物質層４を含む。
【００１５】
この電子放射物質層４は、少なくとも一部の周辺領域を除く内部領域が活性化された局所的な活性化領域３を有する。電子放射物質層４が、カーボンナノチューブを含む場合、この局所的な活性化領域３においては、カーボン不純物が除去され、カーボンナノチューブが、その先端部分が露出した状態にされ、電子を印加電界に応じて放出可能な状態にされる。また、横臥状態のカーボンナノチューブは起立状態とされ、電子を電子放射物質層４表面から放射可能とされる。この電子を印加電界に応じて電子放射物質層４の表面から放出することのできる状態を活性化状態と称す。
【００１６】
表示素子部は、さらに、電子の放出方向について電子放射物質層４の前方に配置され、電子放射物質層４とほぼ対向する部分に開口部５が形成された制御電極６と、カソード基板１および制御電極６にほぼ挟まれた部分に形成された絶縁体層７と、制御電極６の電子放出方向についての前方（以下、単に前方または前側と称す）に配置された透明性のアノード基板８と、アノード基板８の後面（電子放射方向について）に形成されたたとえば透明性のアノード電極９と、アノード電極９に隣接して形成された蛍光体１０と、制御電極６とアノード電極９との間に配置される遮蔽電極１２とを含む。
【００１７】
蛍光体１０は、電子放射物質層４と対向するようにアノード基板８の後面に形成される。遮蔽電極１２には、電子放射物質層４から制御電極６の開口部５を通過して蛍光体１０へ流れる電子ビームが通過する電子通過孔１１が形成される。
【００１８】
この単位表示素子部においては、制御電極６および絶縁体層７を貫通するように開口部５が形成される。電子放射物質層４は、この開口部５内に収容されるように、かつ開口部５の底部に露出するようにカソード電極２上に所定形状に形成される。
【００１９】
遮蔽電極１２は、アノード電極９に印加される高電圧から電子放射物質層４を保護する機能を有する。制御電極６は、電子放射物質層４の主として局所的な活性化領域３から電子を放出する（引出す）ための引出電極（ゲート電極）として機能する。
【００２０】
電子放射物質層４および蛍光体１０は、Ｘ方向およびＹ方向に整列してかつ互いに対向するように配置されるる。蛍光体１０は、それぞれ、対応の電子放射物質層４からの放出電子のエネルギを受けて発光する。
【００２１】
図２は、この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の概略構成を示す概略斜視図である。図２において、カソード電極２は、各々が、Ｙ方向に沿って連続的に延在する、所定の幅を有する帯状に形成され、かつ、Ｘ方向に沿っては、カソード電極２は互いに離間して配置される。カソード基板１上には、複数（図２においては３つを代表的に示す）のカソード電極２が形成される。
【００２２】
制御電極６は、図１に示す絶縁層７表面上に複数個（図２においては１つを代表的に示す）形成される。制御電極６は、各々がＸ方向に沿って連続的に延在する所定幅の帯形状に形成され、かつＹ方向においては互いに離間して配置される。カソード電極２は、各制御電極６と直交するように配置され、これらの電極上の走査電圧および表示電圧に従って電子放出に必要な電界が交差部に対応して配置される電子放射物質層に印加され、該電子放射物質層４が印加電界に応じて電子放出を行ない、対応の蛍光体１０が発光する。
【００２３】
カソード電極２と制御電極６の交差部に対応して、開口部５がほぼＹ方向を長手方向とする長方形の形状に形成される。蛍光体１０も、同様、ほぼ長方形の形状に形成され、この制御電極６の開口部５の長手方向が蛍光体１０の長手方向（Ｙ方向）と一致するように蛍光体１０が配置される。この開口部５は、図２においては、蛍光体１０に対応して１つ設けられている。しかしながら、この開口部５は、複数個、その長手方向（Ｙ方向）が蛍光体１０の長手方向に一致するように平行に離間して配置されてもよい。
【００２４】
また、この開口部５は、前述の特許文献１において示されるようにほぼ円形形状にまたは楕円形状に形成されてもよい。
【００２５】
蛍光体１０は、カソード電極と制御電極６の各交差部と制御電極１２を挟んで対向する部分に、それぞれたとえば１つずつ形成される。蛍光体１０の各々は、たとえば同一寸法の線状（細長い長方形）に形成され、互いに同一方向（Ｙ方向）が長手方向となるように形成される。
【００２６】
遮蔽電極１２は、たとえばカソード基板１と同程度の広さの板状に形成される。この遮蔽電極１２において各蛍光体１０と対向する部分には、前述の電子通過孔１１が、蛍光体１０とほぼ同一寸法の形状（ほぼ長方形）に形成される。この電子通過孔１１の長手方向が、対応する蛍光体１０の長手方向（Ｙ方向）に沿うようにして１つの蛍光体１０あたり１つの電子通過孔１１が設けられる。
【００２７】
遮蔽電極１２は、電子通過孔１１が、各々アノード基板８上の対応する蛍光体１０の正面に位置するように、かつ制御電極６上の対応する開口部５とほぼ一致するように、制御電極６と蛍光体１０との間に配置される。
【００２８】
アノード基板８は、カソード基板１と同様、板状に形成される。アノード電極９は、蛍光体１０の両側にＹ方向に延在する帯状にかつ隣接アノード電極９と離間して配置されるようにアノード基板８の後面に形成される。
【００２９】
なお、この電界放出型表示装置は、その図示が省略されているものの、各基板、すなわちカソード基板１およびアノード基板８の各々と遮蔽電極１２との間隔を保持する間隔保持体と、カソード基板１とアノード基板８の間の空間を密閉して真空に保つ外囲器と、各電極、すなわちカソード電極２、制御電極６、アノード電極９、および遮蔽電極１２への電圧印加を行なう駆動回路も備えている。
【００３０】
この電界放出型表示装置においては、アノード電極９には、電子加速用の高電圧（たとえば１４ｋＶ）が常時印加される。遮蔽電極１２には、アノード電極９からの高電圧電界を遮蔽するために、アノード電極９への印加電圧よりも低い電圧（たとえば制御電極６への印加電圧と同程度の電圧）が常時印加される。
【００３１】
カソード電極２および制御電極６には、一方に走査的に走査電圧が印加され、他方に選択的に表示電圧が印加される。これらの走査電圧および表示電圧が印加されたカソード電極および制御電極６の交差部に対応して配置される電子放射物質層４には、この走査電圧と表示電圧の差による電子放出に必要な電圧（たとえば１２０Ｖ）が印加され、この印加電圧により電子放射物質層４から電子−ｅ（すなわち電子ビーム）が放出される。放出された電子ビームは、制御電極６の対応する開口部５および遮蔽電極１２の対応する電子通過孔１１を通過し、アノード電極９の高電圧により加速されて対応する蛍光体１０に射突して、該蛍光体１０を発光させる。
【００３２】
この場合、電子−ｅを発生する活性化領域は、電子放射物質層４において局所的に形成されており、制御電極６の開口部５および遮蔽電極１２の電子通過領域１１の端部との間には距離Ｌ１およびＬ２が存在する。したがって、電子放射物質層４から放出される電子−ｅが制御電極６に射突または吸収されるのを抑制することができ、蛍光体１０に射突する電子量が低減されるのを防止することができる。また、制御電極６直下の領域は不活性領域であり、この領域からの電子の放出は抑制され、開口部５および電子通過領域１１において制御電極６または遮蔽電極１２に狭角度で電子が射突して、その放出方向が変化するのが抑制され、隣接蛍光体１０に対応の電子放射物質層４からの放出電子が射突するのを回避することができる。
【００３３】
図３（Ａ）から図３（Ｉ）は、この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の製造方法のうち、電子放射物質層４を局所的に活性化し、遮蔽電極１２を形成する工程までを示す図である。この遮蔽電極１２を形成した後の製造工程については、公知の電界放出型表示装置の製造方法と同様な工程であり、ここでは省略する。
【００３４】
以下、図３（Ａ）−３（Ｉ）を参照して、この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の製造方法について説明する。
【００３５】
第１工程：
図３（Ａ）に示す第１工程は、カソード基板１上にカソード電極２を形成する工程である。すなわち、カソード基板１として、たとえば高歪点ガラスを使用し、このカソード基板１上にスパッタ法などによりにＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）を成膜するかまたは蒸着法によりクロム・アルミニウム（Ｃｒ・Ａｌ）を成膜して、導電成膜を形成する。この後、露光・エッチング法により、成膜した導電性膜を配線形状にパターニングして、カソード電極２を形成する。
【００３６】
第２工程：
図３（Ｂ）に示す第２工程は、カソード基板１およびカソード電極２上に第１絶縁体層１３を形成する工程である。すなわち、カソード基板１およびカソード電極２を覆うように全面に、印刷法により紫外線感光性のあるガラス材料を主成分とする絶縁膜材料を塗布して、第１絶縁体層１３を形成する。
【００３７】
第３工程：
図３（Ｃ）に示す第３工程は、カソード電極２上の所定の部分の第１絶縁体層１３を除去する工程である。すなわち、第１絶縁体層１３上に図示しない感光性材料層を形成し、露光原版を通して部分的に紫外線を照射する。この感光性材料層のうち開口部５を形成する部分を未露光のまま残し、その他の部分を露光して硬化させる。このとき、感光性材料層の未露光部分（開口部５になる部分）は、ほぼ長方形に形成される。
【００３８】
次いで、感光性材料層上に薬液（ここでは現像液）を噴霧し、噴霧した薬液を感光性材料層の未露光部分の長手方向（図２のＹ方向）に沿って感光性材料層の上面を流れさせる。この薬液により、感光性材料層の未露光部分および第１絶縁体層１３のうち未露光部分と重なる部分を侵食させて除去する。この後、露光して硬化した感光性材料層を除去する。これにより、カソード電極２表面が露出し、また、カソード電極２の間に第１絶縁体層１３が形成される。
【００３９】
第４工程：
図３（Ｄ）に示す第４工程は、カソード電極２上に電子放射物質層４を形成する工程である。すなわち、露出したカソード電極２上に、たとえばＣＮＴを電子放射物質として含む低融点ペーストをパターン印刷する。このパターン印刷後に熱処理工程を施すことによりにより、カソード電極２上の第１絶縁体層１３で囲まれる領域に、電子放射物質層４が所定形状（ほぼ長方形形状）に形成される。
【００４０】
第５工程：
図３（Ｅ）に示す第５工程は、電子放射物質層４を形成した後に、さらに第２絶縁体層１４を形成する工程である。すなわち、電子放射物質層４を覆うように、全面にわたって印刷法により紫外線感光性のあるガラス材料を主要成分とする絶縁材料を塗布し、第２絶縁体層１４を形成する。
【００４１】
第６工程：
図３（Ｆ）に示す、第６工程は、第２絶縁体層１４上に感光性制御電極層１５を形成する工程である。すなわち、第２絶縁体層１４上に感光性制御電極材料層１５を形成し、露光原版を通して部分的に紫外線を照射する。この紫外線照射により感光性制御電極材料層１５のうち開口部５となる部分を未露光のまま残し、制御電極６として利用する部分だけを露光して硬化させ、制御電極６に変化させる。このとき、感光性制御電極材料層１５の未露光部分（開口部５となる部分）は、ほぼ長方形に形成される。
【００４２】
第７工程：
図３（Ｇ）に示す第７工程は、電子放出物質層４上にほぼ相当する部分に、開口部５を形成する工程である。すなわち、感光性制御電極材料層１５上に薬液（ここでは現像液）を噴霧し、この噴霧した薬液を感光性制御電極材料層１５の未露光部分の長手方向（Ｙ方向）に沿って感光性制御電極材料層１５の上面を流れさせる。この薬液により、感光性制御電極材料層１５の未露光部分および第２絶縁体層１４のうちの未露光部分と重なる部分を侵食させて除去する。これにより、制御電極６および第２絶縁体層１４を貫通して底部に電子放射物質層４が露出したほぼ長方形の開口部５が形成される。このとき、薬液を、感光性制御電極材料層１５の未露光部分の長手方向（Ｙ方向）に沿って感光性制御電極材料層１５の表面に流すため、薬液の流れを制御電極６および第２絶縁体層１４に形成される開口部５の底まで有効に行き渡らせることができる（各カソード電極２は、Ｙ方向に連続的に延在している）。
【００４３】
第８ａ工程：
図３（Ｈ）に示す第８ａ工程は、電子放射物質層４を局在的に活性化させる工程である。すなわち、上述の第７工程での制御電極６および第２絶縁体層１４を貫通する開口部の形成によりこの開口部底部に露出した電子放射物質層４に、収束角を有する非平行光２１に加工した状態で、たとえば前述の特許文献３に記載されているように照射密度を０．７から８．６ＭＷ／ｃｍ2のレーザ光を、制御電極６をマスクとして利用して走査しながら照射する。この走査時においては、特許文献３において規定されるパルス幅１７ｎｓｅｃの上述の照射密度のレーザ光の照射と同様のエネルギが局所的に蓄積されるように走査条件および照射密度を適切に設定する。
【００４４】
このレーザ光照射により、マスクされていない部分の電子放射物質層４のカーボン不純物に埋もれているＣＮＴをカーボン不純物から露出または起立させることにより、電子放射物質層４の実質的構造を変化させて電界集中係数を増大させる。これにより、制御電極６によりマスクされていない部分の電子放射物質層４が局所的に活性化される。
【００４５】
なお、レーザ光として、前述の特許文献３で規定されるレーザ光を非平行光に加工してワンショット照射しても同様の効果を得ることができる。
【００４６】
第９ａ工程：
図３（Ｉ）に示す第９ａ工程は、電子通過孔１１が形成された遮蔽電極１２を制御電極６の前方に固定する工程である。すなわち、開口部５各々に対応するように電子通過孔１１が形成された遮蔽電極１２を、制御電極６の前方の所定の位置に固定する。この遮蔽電極１２は、その周辺部が封止用外囲器に固定される形で保持される。
【００４７】
この遮蔽電極１２を制御電極６の前方に固定する工程以後の蛍光面の形成工程、外囲器の形成工程および真空工程、さらに、駆動回路等の電気回路の組込工程等は、公知の電界放出型表示装置の製造方法と同様の工程であり、その説明は省略する。
【００４８】
図４は、非平行光２１による電子放射物質層４の照射工程を模式的に示す図である。非平行光２１は、レーザ光出力装置２２の出射部に設けられる凸レンズ構造２３により生成される。この凸レンズ構造２３により、平行光であるレーザ光出力装置２２からのレーザ光が収束角を有する非平行光に加工される。
【００４９】
この非平行レーザ光２１は、走査方向２４（負のＸ方向）に沿って走査する。制御電極６および絶縁体７を貫通するように開口部５が設けられており、この制御電極５をマスクとして、非平行光２１が、電子放射物質層４に照射されて、活性領域３が形成される。走査方向２４に沿ってレーザ光を走査する場合、図５（Ａ）に示すように、制御電極６の図の左側端部において、この非平行光２１の一部が遮蔽され、非平行光２１の残りが、電子放射物質層４表面に照射される。また、同様、図５（Ｂ）に示すように、この開口部５に対してレーザ光を走査方向２４に沿って走査した後、再び、制御電極６の図の右側端部で、この非平行光２１の一部が遮蔽され、非平行光２１の電子放射物質層４に対する照射量が低減される。この走査方向２４に沿っての非平行光２１の走査速度は一定である。
【００５０】
図６（Ａ）から（Ｃ）は、この非平行光２１で電子放射物質層４を走査した場合の、照射領域を模式的に示す図である。図６（Ａ）から（Ｃ）においては、非平行光２１が、断面が円形のレーザビームとして照射される場合を一例として示す。この場合、図６（Ａ）に示すように、制御電極６の一方端部に近い領域においては、この非平行光２１の領域２１ａが照射され、この領域のレーザ光の照射量は小さくなる。
【００５１】
一方、この非平行光２１が負のＸ方向に沿って走査され、制御電極６によるマスクの影響がない場合、図６（Ｂ）に示すように、非平行光２１の全光量が、電子放射物質層４に照射され、レーザ光出力装置２２からのレーザ光の全エネルギが電子放射物質層４表面に照射される。
【００５２】
このレーザ光の走査がさらに進むと、再び、非平行光２１の一部が、制御電極６により遮蔽され、図６（Ｃ）に示すように、この非平行光２１の一部の領域２１ｃのみが電子放射物質層４表面に照射される。
【００５３】
上述のように、レーザ光走査方向（２４）に沿って電子放射物質層４の端部近傍領域においては、入射レーザ光量が少なく、その中央部においては、ほぼ入射レーザ光２１の全エネルギが入射される。
【００５４】
図７は、非平行レーザ光照射時のレーザ光走査方向に沿ったエネルギ累積密度分布を示す図である。図７において、横軸に走査方向に沿った開口部内の位置を示し、縦軸にエネルギ累積密度を示す。
【００５５】
この図７に示すように、レーザ光走査方向に沿った電子放射物質層４上の非平行光照射によるエネルギ累積密度分布におけるエネルギ累積密度関数は、台形となる。レーザ光照射により、電子放射物質層４を活性化するためには、一定以上のエネルギ累積密度が必要である。たとえば、前述の特許文献３（特開２００４−２８８５６１号公報）に開示される条件に従えば、少なくとも波長３０８ｎｍのエキシマレーザ光を０．７ＭＷ／ｃｍ２の照射密度、パルス幅１７ｎｓｅｃでワンショット照射した際の累積エネルギに対応するエネルギが必要である。なお、図７に示す起毛状態はＣＮＴが、先端が露出しかつ起立している状態を示す。
【００５６】
この図７に示すようなエネルギ累積密度分布の場合、開口部５に相当する範囲である開口範囲２５に対して、エネルギ累積密度分布が一定のしきい値以上の範囲である活性化範囲２６のみが活性化される。したがって、図６（Ａ）から（Ｃ）に示すような非平行光の断面円形状のレーザビームを照射して、この開口領域（５）を、Ｙ方向に沿って走査位置をずらせて複数回順次掃引する場合、図８に示すように、電子放射物質層４の内部の領域２６ａが活性化領域となり、その周辺部は、不活性領域となる（開口部の４辺に対して制御電極がマスクとして作用する）。
【００５７】
図９は、従来の方法に従ってレーザ光を用いて電子放射物質層４を活性化する場合のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。この図９においては、レーザ光出力装置２４からは、平行なレーザ光２９が、開口部５を介して電子放射物質層４表面に照射される。このレーザ光出力装置２４を、図４に示す走査と同様、Ｘ方向に沿って掃引する。この場合、制御電極６をマスクとして平行レーザ光２９を掃引（走査）した場合、この制御電極端部においてレーザ光２９は遮蔽されるものの、開口部５内の電子放射物質層４の端部（制御電極６に近い端部）において、平行にレーザ光２９が同じ速度で照射されるため、この電子放射物質層４全面にわたって（走査方向２４に沿って）同じエネルギ照射密度で、レーザ光の走査が行なわれる。
【００５８】
したがって、この場合、図１０に示すように、エネルギ累積密度分布関数は、走査方向に沿って一定となる。すなわち、開口部に相当する開口範囲２５ほぼ全面にわたって、エネルギ累積密度が一定のエネルギ累積密度分布が得られ、したがって、電子放射物質層４のほぼ全面にわたって、一様に活性化される（図１０においてはこの開口範囲２５および活性化範囲２６を同一領域として示す）。
【００５９】
この一定のエネルギ累積密度は、起毛（カーボンナノチューブを露出、起立させる状態）に必要なエネルギ累積密度、すなわちしきい値を超えており、したがって、上述のような平行なレーザ光を掃引（走査）する場合、開口部５に相当する範囲の開口範囲２５とエネルギ累積密度分布が一定のしきい値以上の範囲である活性化範囲２６は、ほぼ同じ範囲となる。
【００６０】
したがって、この図９および図１０に示す従来の方法と比較して、レーザ光を、ほぼ平行光から一定の収束角を有する非平行光２１に加工することにより、制御電極６をマスクとして開口部５よりも狭い範囲でかつ軸中心を開口部５と同一とする局所的な活性化領域３が形成される。
【００６１】
上述のように構成された電界放出型表示装置に従えば、制御電極６に射突吸収される電子数を減少させることが可能となり、制御電極６に射突することにより発生していた無効な電力を減少させることが可能となる。
【００６２】
また、電子放射物質４を局所的に活性化することにより、電子放射物質層４に沿った面に対して狭角度で出射する電子数を減少させることが可能となり、この出射電子が到達する位置が所定の位置から逸脱して隣接する蛍光体１０を誤って発光させるのを防止することができ、色純度を向上させることが可能となる。
【００６３】
また、制御電極６をマスクとして使用することにより、開口部５に適した形状の局所的な活性化領域３を形成することができ、また、このような活性化領域を特定するために新たにマスクを用いる必要がなく、効率的かつ低コストな電界放出型表示装置を得ることができる。
【００６４】
また、電磁波としてレーザ光を利用することにより、一般的に広く利用され、入手が容易であり、電子放射物質層の局所活性化のために特別な装置構成を利用する必要がなく、また、非平行光への加工も容易である。
【００６５】
また、非平行光の走査方向に沿ったビーム径（サイズ）は、開口部の走査方向に沿った径よりも小さければ、制御電極のマスクの効果が大きい。しかしながら、この非平行光のビーム径は、開口部の走査方向に沿った径よりも大きくても、電子放射物質層表面上でのビーム径が開口部の径よりも小さくなるような収束角を有していれば、制御電極のマスク効果により制御電極表面に対して斜め方向に入射されるレーザ光は遮断され、また、レーザ光は一定の速度で走査されるため、電子放出物質層周辺部の累積エネルギをしきい値より小さくすることができ、局所的な活性化が可能である。この非平行光の収束角は、レーザ光の走査方向に沿って電子放出物質層に局所的活性化が可能なエネルギ累積密度分布が生じるように、ビーム径、照射密度および走査速度などの条件を考慮して適切に定められる。
【００６６】
なお、実施の形態１においては、制御電極６の開口部５が長方形の形状に形成されている。しかしながら、この開口部５の形状は、レーストラック状のほぼ長方形、または四隅が円弧のほぼ長方形、また対辺がテーパ状のほぼ長方形の形状であってもよい。また、この制御電極６の開口部５は、ほぼ円形であっても、また、ほぼ楕円形であってもよく、この制御電極６の開口部５の形状は、得られる効果に対して影響は及ぼさない。
【００６７】
また、この実施の形態１における電界放出型表示装置の製造方法において、露光に紫外線を用いているものの、この露光に用いる光は、紫外線に限定されず、他の露光エネルギ線が用いられてもよい。
【００６８】
また、電子放射物質層４を局所的に活性化するためにレーザ光が用いられているものの、この活性化のためには、所定のエネルギ照射条件を満たす電磁波であればよく、特にレーザ光に限定されず、例えば白色光等の広帯域な波長の光が用いられてもよい。
【００６９】
また、レーザ光のビーム断面は円形に限定されず、ビーム断面がほぼ長方形の線状ビームを非平行光に加工して用いてもよい。
【００７０】
［実施の形態２］
図１１（Ａ）から図１１（Ｉ）は、この発明の実施の形態２に従う電界放出型表示装置の製造工程の主要工程を示す図である。具体的に、図１１（Ａ）から図１１（Ｉ）においては、カソード基板１およびカソード電極２を形成する工程から、遮蔽電極１２を形成した後に、電子放射物質層４を局所的に活性化する工程までを示す。この電子放射物質層４の局所的活性化の後の製造工程は、公知の電界放出型表示装置の製造方法における工程と同様であり、ここでは省略する。
【００７１】
また、図１１（Ａ）から図１１（Ｇ）に示す第１工程から第７工程の処理内容は、先の図３（Ａ）から（Ｇ）において示した実施の形態１における工程と同一の工程であり、ここでは、対応する部分には同一参照番号を付し、その説明は省略する。
【００７２】
以下、実施の形態２の特徴的工程である図１１（Ｈ）および図１１（Ｉ）にそれぞれ示される第８ｂ工程および第９ｂ工程について説明する。
【００７３】
第８ｂ工程：
図１１（Ｈ）に示す第８ｂ工程は、制御電極６の形成後、遮蔽電極１２を制御電極６の前方に固定する工程である。遮蔽電極１２には、制御電極６の各開口部５に対応するように電子通過孔１１が形成される。遮蔽電極１２は、その周辺部が、例えばカソード基板１に組み付けられた外囲器に固定される形で保持されかつ固定される。
【００７４】
第９ｂ工程：
図１１（Ｉ）に示す第９ｂ工程は、電子放射物質層４を、遮蔽電極１２をマスクとして用いて局所的に活性化する工程である。すなわち、制御電極６および第２絶縁体層１４を貫通して形成された開口部の底部に露出した電子放射物質層４に、収束角を有する非平行光２１として加工した状態で、所定の照射密度のレーザ光を遮蔽電極をマスクとして用いて走査しながら照射する。このレーザ光の照射条件は、たとえば前述の特許文献３に示されるような、パルス幅１７ｎｓｅｃ、０．７から８．６ＭＷ／ｃｍ2の照射密度で照射したときのエネルギ累積密度が実現されるような照射密度および走査速度である。
【００７５】
この非平行光２１に加工されたレーザ光の照射により、マスクされていない部分のカーボン不純物に埋もれているＣＮＴを、カーボン不純物から露出させまた横臥状態のＣＮＴを起立させることにより、電子放射物質層４の微視的構造を変化させ、電界集中係数を増大させる。これにより、遮蔽電極１２によってマスクされていない部分の電子放射物質層４が局所的に活性化される。非平行光２１のビーム径等のレーザ処理条件は、実施の形態１の場合と同様である（マスクとして制御電極に代えて遮蔽電極が用いられる点が異なる）。
【００７６】
なお、このレーザ光の照射条件として、特許文献３において規定される所定のレーザ光をワンショットパルスの形態で照射しても、レーザ光を非平行光に加工することにより同様の効果を得ることができる。
【００７７】
この電子放射物質層４の局所的な活性化以後の工程としては、蛍光面の形成工程、外囲器の形成工程および真空工程、さらに駆動回路等の電気回路の組込工程等がある。しかしながら、これらの工程は、公知の電界放出型表示装置の製造方法と同様の工程であり、その説明は省略する。
【００７８】
図１２は、図１１（Ｉ）における非平行光２１の照射工程における１つの電子放射物質層４に対する照射工程を模式的に示す図である。図１２に示す非平行光２１の照射工程においては、制御電極６の開口部５に対応して電子通過孔１１が形成された制御電極１２をマスクとして、非平行光２１を走査方向２４（負のＸ方向）に沿って走査しながら電子放射物質層４に照射する。この非平行光２１については、先の実施の形態１と同様、レーザ光出力装置２２からのほぼ平行なレーザ光を、レーザ光出射部に設けられた凸レンズ構造２３を用いて収束角を有する非平行光２１に加工する。非平行光２１は、電子通過孔１１および開口部５を介して、開口部５の底部に露出するように形成された電子放射物質層４に照射される。
【００７９】
図１２に示すレーザ光照射工程において、先の実施の形態１における図４に示す照射工程と対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。制御電極の開口部および遮蔽電極の電子通過孔の形状は、図２に示す開口部および電子通過孔と同様の形状とする。
【００８０】
図１３は、この図１２に示すレーザ光照射工程における電子放射物質層４上の走査方向に沿ったエネルギ累積密度分布を示す図である。図１３においては、横軸に掃引方向（負のＸ方向；走査方向２４）に沿った位置を示し、縦軸にエネルギ累積密度を示す。
【００８１】
図１３に示すように、遮蔽電極１２をマスクとして非平行光を照射する場合、先の実施の形態１の場合と同様、電子放射物質層上のレーザ光走査方向に沿ったエネルギ累積密度分布関数は、台形形状であり、電子通過孔１１に対応する開口範囲２５において周辺領域のエネルギ累積密度は小さく、その中央領域において、累積エネルギ密度が起毛に必要なエネルギ累積密度（しきい値）以上である活性化領域２６が形成される。したがって、先の実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８２】
また、遮蔽電極１２を非平行光照射時のマスクとして利用することにより、電子通過孔１１が、開口部５に対応して設けられており、開口部５および電子通過孔１１の形状に適した局所的な活性化領域３を形成することができる。また、この電子放射物質層４における活性化領域を特定するために、新たにマスクを設ける必要がなく、効率的かつ低コストの電界放出型表示装置を得ることができる。
【００８３】
［実施の形態３］
図１４は、この発明の実施の形態３に従う電界放出型表示装置の要部の構成を示す概略斜視図である。図１４においては、カソード基板１上に各カソード電極２がＹ方向に延在してかつＸ方向に沿って互いに分離して平行に配置される。このカソード電極２上には、１蛍光体当り複数個（図１４においては３個）の電子放射物質層４ａ、４ｂおよび４ｃがＹ方向に離間してかつ平行に配置される。電子放射物質層４ａ−４ｃの各々は、Ｘ方向を長手方向とするほぼ長方形の形状に形成される。
【００８４】
このカソード電極２上に図示しない絶縁体を介して、Ｘ方向に帯状に連続的に延在して制御電極６が形成される。この制御電極６には、電子放射物質層４ａ−４ｃそれぞれに対応する開口部５ａ、５ｂおよび５ｃが設けられる。これらの開口部５ａ−５ｃは、Ｘ方向を長手方向とするほぼ長方形の形状に形成され、また、Ｙ方向に互いに分離してかつ平行に配置される。
【００８５】
制御電極６上に（前方に）遮蔽電極１２が形成され、この遮蔽電極１２には、その上層（前方）に形成される蛍光体１０に対応する電子通過孔１１が設けられる。アノード基板８裏面に形成される蛍光体１０および遮蔽電極１２の電子通過孔１１は、各々、Ｙ方向を長手方向とするほぼ長方形の形状に形成される。
【００８６】
この図１４に示す電界放出型表示装置においては、制御電極６に設けられる開口部５ａ−５ｃが、ほぼ電子放射物質層４ａ−４ｃと同様の形状を有し、一方、遮蔽電極１２に形成される電子通過孔１１および蛍光体１０は、その長手方向が、電子放射物質層４ａ−４ｃおよび開口部５ａ−５ｃと直交する方向に配置される。したがって、遮蔽電極１２および蛍光体１０の位置ずれが生じても、この位置ずれがＸ方向に生じていれば、その位置ずれの影響を受けることなく電子放射物質層４ａ−４ｃからの放出電子（電子ビームＢ）を、対応の蛍光体１０に照射することができる。この図１４に示す電界放出型表示装置は、構成自体は、前述の特許文献２（特開２００５−１９３７９号公報）において示される構成と同様である。この特許文献２においては、電子放射物質層４ａ−４ｃへのレーザ照射によりカーボン不純物を除去してＣＮＴを露出させ、また、その照射エネルギによりＣＮＴに熱変形を生じさせて起立させることにより、各電子放射物質層全面を活性化する。
【００８７】
図１５は、この発明の実施の形態３に従って行なわれる、図１４に示す電界放出型表示装置の開口部５ａおよび電子放射物質層４ａに対するレーザ光照射工程を模式的に示す図である。遮蔽電極１２に形成される電子通過孔１１のＸ方向に沿った幅は、制御電極６に形成される開口部５ａのＸ方向に沿った長さよりも小さい。この場合、Ｘ方向に沿ってレーザ光を走査して、遮蔽電極１２および制御電極６をマスクとして電子放射物質層に対してレーザ光照射を行なう。照射レーザ光としては、先の実施の形態１および２と同様、凸レンズ構造２３により、レーザ光出力装置２２からのほぼ平行なレーザ光を、収束角を有する非平行光２１に加工して、カソード電極２表面に形成された電子放射物質４ａに照射する。したがって、活性化領域３は、Ｘ方向において遮蔽電極１２の開口部１１により規定され、Ｙ方向については、制御電極６の開口部５ａにより規定される形状となる。
【００８８】
したがって、図１６に局所的活性化領域の概略図を示すように、活性化領域３ａ−３ｃは、開口部５ａ−５ｃと電子通過孔１１とによりその領域が規定され、これらの電子通過孔１１と開口部５ａ−５ｃの交差領域の周辺部が不活性状態となる。したがって、このような制御電極６および遮蔽層１２両者をマスクとして非平行の集束レーザ光を照射することにより、遮蔽電極１２の位置合わせずれが生じても、その位置に応じて正確に、局所的な活性化領域３ａ−３ｃを形成することができる。また、実施の形態１および２と同様、電子の通過領域の形状に応じて最適な形状に活性化領域（３）を形成することができ、制御電極または遮蔽電極に射突する電子数を低減することができ、電力効率を改善することができ、また、電子の蛍光体に対する照射方向が変化するのを防止することができ、色純度が改善される。
【００８９】
なお、上述の説明においては、非平行光の走査方向をＸ方向としているが、走査方向はＹ方向であってもよい。非平行光の走査方向と直交する方向に順次位置をずらせるようにレーザ光を掃引して、照射することにより、非平行光の断面径が、どのような場合であっても、開口部および電子通過孔により規定される領域において局所的に活性化領域を形成することができる。
【００９０】
［変更例］
制御電極６および遮蔽電極１２をマスクとして非平行なレーザ光照射を行なって電子放射不純物層４のレーザ処理を行なう場合、まず、制御電極６の形成後、制御電極をマスクとして用いて、低いエネルギ密度でレーザ照射を行ない、次いで、遮蔽電極１２の形成後、遮蔽電極をマスクとして用いてレーザ光照射処理を行なう。この場合、各レーザ光照射工程により、電子放射物質層４においてカーボン不純物が除去され、ＣＮＴの先端が露出し、また累積エネルギにより、起立するＣＮＴの数が増大する。
【００９１】
この場合、各レーザ照射工程において、低いエネルギ照射密度のレーザ光を用いて非平行なレーザ光を照射することができ、また、制御電極６および／または遮蔽電極１２形成／取り付け後、収束角を有する非平行光を電子放射物質層に照射することにより、これらの制御電極の開口部５および遮蔽電極１２の電子通過孔１１の形状にかかわらず、正確にこれらの開口部５および電子通過孔１１の形状に応じた領域を、局所的に活性化して活性化領域を形成することができる。
【００９２】
また、制御電極に形成される開口部および遮蔽電極に形成される電子通過孔の形状が同じ場合であっても、制御電極形成後および遮蔽電極取り付け後に、それぞれ、低エネルギ照射密度で、非平行光を照射しても、活性化領域は、各レーザ光照射工程の照射エネルギの累積エネルギがしきい値を超えた領域に形成され、局所的な活性化領域を低エネルギ照射密度のレーザ光を用いて形成することができる。
【００９３】
［実施の形態４］
図１７および図１８は、この発明の実施の形態４に従うレーザ光照射工程を模式的に示す図である。この発明の実施の形態４においては、レーザ光出力装置２２から、走査方向に対して斜め方向に一定の角度を有する傾斜光２７を照射する。
【００９４】
すなわち、図１７に示すように、走査方向２４が負の−Ｘ方向のときには、傾斜角θで、図の右肩下がりの傾斜光２７を照射する。この場合、制御電極６の開口部５の左側端部においては傾斜光２７の入射が遮断され、電子放射物質層４の制御電極６の開口部左側端部に隣接する端部領域においては、傾斜光２７の照射が遮断される。
【００９５】
走査方向２４を負の−Ｘ方向として走査した後、次いで図１８に示すように、同じレーザ照射条件、すなわち同じ照射密度および走査方向に対する同じ傾斜角（走査方向２８の正のＸ方向に対して一定の角度θ）の傾斜レーザ光、を傾斜光２９として走査する。この場合、負のＸ方向の走査２４の場合と逆に、制御電極６の開口部５の右側端部における傾斜光２９の電子放射物質層４への照射が遮断される。したがって、このＸ方向について正および負の少なくとも２方向に沿って照射することにより、走査方向について開口部端部において照射エネルギがしきい値以下となり、局所的に活性化された電子放射物質層４が得られる。
【００９６】
この発明の実施の形態４における電界放出型表示装置の他の製造工程は、先の実施の形態１における製造工程と同じであり、その説明は省略する。
なお、傾斜光２９は、レーザ光出力装置において、レーザ光出射端面を傾斜させることにより生成しても良く、また、反射ミラーを用いて、傾斜光２９を生成してもよい。
【００９７】
図１９は、図１７および図１８に示す傾斜光照射工程を行なったときの、走査（掃引）方向に沿った電子放射物質層４のエネルギ累積密度分布を示す図である。
【００９８】
この図１９に示すように、走査方向２４に沿って１回目の走査を行なったときには、制御電極の開口部５に相当する開口範囲２５に対してエネルギ累積密度分布は、起毛に必要なエネルギ累積密度であるしきい値以下である。この１回目の走査においては、この開口範囲２５の左側領域が、レーザ光照射の影の部分となり、エネルギ累積密度はほぼ無視することのできる値となる。
【００９９】
一方、図１８に示すように走査方向２８として正のＸ方向に沿って傾斜光照射を行なった場合、逆に、開口範囲２５の右側領域が、レーザ光照射の影の部分となり、エネルギ累積はほぼ抑制される。したがって、この図１７および図１８に示す２回のレーザ光照射工程により、開口範囲２５の内部の活性化範囲２６が、エネルギ累積密度がしきい値以上となり、局所的に活性化された電子放射物質層４が得られる。
【０１００】
図２０は、電子放射物質層４がほぼ長方形形状の場合の局所的活性化領域３の形状を概略的に示す上面図である。図２０に示すように、電子放射物質層４は、開口部５が規定する領域内に収納される。Ｘ方向に沿ったレーザ光走査のため、電子放射物質層４のＸ方向に沿った両側の領域は、エネルギ累積密度がしきい値以下の非活性領域となり、内部の領域が活性化領域３となる。Ｙ方向においては、局所的活性化領域３は、制御電極下部の絶縁体（７）に近接する位置まで形成され、開口部５の端部近傍にまで延在する。しかしながら、Ｘ方向について、活性化領域３が、電子放射物質層４に対して局所的に形成されており、電子放射物質層４の全面を活性化する場合に比べて、制御電極に射突する電子数を低減することができ、電力効率を改善でき、また制御電極に射突して、その放射方向が変化する電子数を低減でき、色純度を改善することができる。
【０１０１】
［変更例１］
図２１は、この発明の実施の形態４の変更例１における局所活性化領域３の形状を概略的に示す図である。この図２１に示すように、レーザ光照射工程として、図１７および図１８に示すように傾斜光を利用して、電子放射物質層４に対し、制御電極（６）をマスクとして照射する。この場合、走査方向（掃引方向）として、Ｘ方向における負の走査方向２４および正の走査方向２８に加えて、Ｙ方向に沿って負の走査方向３０および正の走査方向３１を付け加える。Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ同一のレーザ照射条件で傾斜光を照射する。
【０１０２】
この照射工程の場合、電子放射物質層４において、Ｘ方向に沿って両側の領域は、Ｘ方向のレーザ光照射により１回、Ｙ方向に沿っての走査により２回レーザ光照射が実行される。また、電子放射物質層４のＹ方向に沿っての両側の領域は、Ｘ方向に沿っての走査により２回、およびＹ方向に沿って１回レーザ光照射が行なわれる。内部の活性化領域３においては、Ｘ方向に沿っての走査が２回、およびＹ方向に沿ってのレーザ光走査が２回、合計４回のレーザ光照射が行なわれる。したがって、４回のレーザ光照射により、エネルギ累積密度がしきい値を超えるように、レーザ光の照射条件を設定することにより、低エネルギ密度のレーザ光を用いて、電子放射物質層４の内部領域を局所的に活性化して、実施の形態１と同様の活性化領域３を形成することができる。
【０１０３】
なお、レーザ光走査方向は、Ｘ方向およびＹ方向に限定されず、電子放射物質層の形状に応じて適切に定められればよく、また、一方向についての走査回数も２回に限定されず、偶数回であればよい。
【０１０４】
［変更例２］
図２２は、この実施の形態４の変更例２のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。この図２２に示すレーザ光照射工程においては、レーザ光出力装置４０は、収束角を有する非平行光を形成する凸レンズ構造４１を含み、走査方向４４および４５に対して一定の角度を有する非平行傾斜光４２を生成する。非平行傾斜光４２は、制御電極６をマスクとして電子放射物質層４に照射される。この非平行傾斜光４２の走査方向４４および４５はＸ方向に沿っての負の方向および正の方向である。この非平行傾斜光４２を用いて電子放射物質層４にレーザ光を照射することにより、同様、電子放射物質層４において、局所的に活性化領域３を形成することができる。
【０１０５】
凸レンズ構造４１は、傾斜光光軸が凸レンズの中心軸に一致するように凸レンズ構造に入射される。しかしながら、平行なレーザ光を凸レンズ構造により収束角を有する非平行光に加工した後に、反射ミラーなどを用いて傾斜角を有する傾斜非平行光に変換されてもよい。
【０１０６】
この図２２に示すレーザ光照射工程においても、Ｙ方向に沿って同様、非平行傾斜光の走査が行なわれてもよい。なお、この走査方向は、制御電極６の開口部５の形状に応じて適切な方向に定められればよく、Ｘ方向およびＹ方向に限定されない。
【０１０７】
また、上述の説明においては、制御電極６をマスクとして用いて電子放射物質層４に対するレーザ光照射を行なっている。しかしながら、制御電極の上層（前方）に遮蔽電極（１２）が形成される場合、遮蔽電極１２をマスクとして用いてレーザ光照射が行なわれてもよい。また、先の実施の形態３に示す場合と同様、制御電極および遮蔽電極をそれぞれマスクとして用いて傾斜レーザ光照射が実行されてもよい。
【０１０８】
以上のように、この発明の実施の形態４に従えば、走査方向に対して一定の角度を有する傾斜光を用いて電子放射物質層を照射しており、電子放射物質層４において局所的に活性化領域（３）を形成することができ、実施の形態１から３と同様、電力効率および色純度を向上させることができる。
【０１０９】
なお、開口部および電子通過孔の形状は、実施の形態１において説明したように長方形に限定されず、実施の形態２から４においても種々の形状を利用することができる。また、開口部および電子通過孔の数は、同一である必要はなく、１開口部に対して複数の電子通過孔が設けられていてもよく、またその逆であってもよく、また、1蛍光体当たり複数の開口部または電子通過孔が設けられていてもよい。
【０１１０】
また、電界放出型表示装置の製造工程は、レーザ光照射工程を除いて、実施の形態１から４において同様である。
【０１１１】
また、上述の実施の形態１から４に示す電界放出型表示装置においては、制御電極前方に遮蔽電極が配置されているものの、遮蔽電極が設けられない電界放出型表示装置においても、制御電極をマスクとしてレーザ照射を行うことにより、局所的に活性化された電子放射物質層を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
この発明は冷陰極電子放出源を有する表示装置に適用することにより、電力効率および色純度の優れた電界放出型表示装置を実現することができる。特に、カーボンナノチューブを電子放出源として利用する表示装置に利用することにより、低消費電力で画質の優れた表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の側面断面構造を概略的に示す図である。
【図２】この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の概略斜視図である。
【図３】（Ａ）から（Ｉ）は、この発明の実施の形態１に従う電界放出型表示装置の製造工程を示す図である。
【図４】図３（Ｈ）に示す製造工程におけるレーザ光照射工程をより具体的に示す図である。
【図５】（Ａ）および（Ｂ）は、レーザ光照射時における走査状態を模式的に示す図である。
【図６】（Ａ）−（Ｃ）は、図５（Ａ）および（Ｂ）に示すレーザ光照射工程における電子放射物質層への照射光を概略的に示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１におけるレーザ光照射工程における電子放射物質層上のレーザ光のエネルギ累積密度分布を示す図である。
【図８】図７に示すエネルギ累積密度分布における局所活性化領域の形状の一例を概略的に示す図である。
【図９】この発明の実施の形態２に従う電界放出型表示装置のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態２におけるレーザ光照射工程後の電子放射物質層上のエネルギ累積密度分布を示す図である。
【図１１】（Ａ）から（Ｉ）は、この発明の実施の形態３に従って電界放出型表示装置の製造工程を概略的に示す図である。
【図１２】図１１（Ｉ）に示すレーザ光照射工程をより具体的に示す図である。
【図１３】図１２に示すレーザ光照射工程後の電子放射物質層上のエネルギ累積密度分布を示す図である。
【図１４】この発明の実施の形態３に従う電界放出型表示装置の概略斜視図である。
【図１５】この発明の実施の形態３に従う電界放出型表示装置のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。
【図１６】図１５に示すレーザ光照射工程後の電子放射物質層上の局所活性化領域の形状の一例を示す図である。
【図１７】この発明の実施の形態４に従う電界放出型表示装置のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。
【図１８】この発明の実施の形態４に従う電界放出型表示装置のレーザ光照射工程の第２の走査過程を示す図である。
【図１９】図１７および図１８に示すレーザ光照射工程後の電子放射物質層上のエネルギ累積密度分布を示す図である。
【図２０】この発明の実施の形態４における局所活性化領域の形状の一例を概略的に示す図である。
【図２１】この発明の実施の形態４の変更例１における局所活性化領域の形状およびレーザ光走査方向を示す図である。
【図２２】この発明の実施の形態４の変更例２のレーザ光照射工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  カソード基板、２  カソード電極、３  局所的活性化領域、４  電子放射物質層、５  開口部、６  制御電極、７  絶縁体層、８  アノード基板、９  アノード電極、１０  蛍光体、１１  電子通過孔、１２  遮蔽電極、１３  第１絶縁体層、１４  第２絶縁体層、１５  感光性制御電極材料層、２１  非平行光、２２  レーザ光出力装置、２３  凸レンズ構造、２４  走査（掃引）方向、２５  開口範囲、２６  活性化範囲、２８  走査方向、２９  傾斜光、４０  レーザ光出力装置、４１  凸レンズ構造、４２  非平行傾斜光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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