(57)【要約】      （修正有）【課題】ポジ型レジストを用いて形成工程が容易となるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】レジスト層２６の上面側２６ａよりもレジスト層２６の下面側２６ｂの方が開口部が広くなるように、レジスト層２６の下面側２６ｂをエッチング液（現像液と同じ）３３によってウェットエッチングするので、レジスト層２６の逆テーパ形状を容易に形成することができる。これにより、レジスト層がポジ型レジストからなる場合であっても、微細なパターンを容易に形成することが可能になる。【選択図】図９
2007280985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の部材上にレジストのパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記所定の部材上に、開口部を有するようにレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記開口部の側面に接すると共に前記レジスト層の上面側よりも前記レジスト層の下面側の方がエッチング液の量が多くなるように前記エッチング液を配置させることによって前記開口部の側面をウェットエッチングするウェットエッチング工程と
を具備することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記ウェットエッチング工程の前に、
前記所定の部材上のうち前記開口部の中央部を除いた領域を、前記エッチング液に対して親液化処理する工程をさらに具備する
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジスト層がポジ型レジストからなる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジスト層を形成する工程では、前記開口部が、溝状に設けられ前記エッチング液によってウェットエッチングされる液流通部と、前記液流通部の少なくとも一方の端部に設けられた液溜部とを有するように前記レジスト層を形成し、
前記ウェットエッチング工程では、前記液溜部に前記エッチング液を供給し、前記液溜部から前記液流通部に前記エッチング液を流通させることによって前記基板の開口部の側面に接するように前記エッチング液を配置する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記レジスト層形成工程では、前記開口部が溝状に設けられ、
前記ウェットエッチング工程では、前記開口部の溝の両側面をウェットエッチングする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチング工程では、前記レジスト層の上面側から前記レジスト層の下面側にかけて前記レジスト層の寸法が徐々に小さくなるようにウェットエッチングする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機ＥＬ装置などの電気光学装置に形成される配線や、半導体集積回路に形成される配線などの微細なパターンは、フォトリソグラフィ法によって形成されることが多い。フォトリソグラフィ法によるパターン形成工程には、基板などの部材上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンを露光して現像する工程が含まれている。
【０００３】
フォトリソグラフィ法によるパターン形成は、有機ＥＬ素子の陰極を形成する場合（例えば、特許文献１参照）や、液晶装置に用いられる遮光層を形成する場合（例えば、特許文献２参照）、電界効果トランジスタのゲート線を形成する場合（例えば、特許文献３参照）などに行われる。これらの場合、フォトリソグラフィ法によって形成したレジストパターンの断面を逆テーパ状、すなわち、レジストパターンの上面から下面にかけて徐々に開口幅が大きくなっていくように形成することが要求される場合がある。
【０００４】
レジストパターンの断面を逆テーパ形状に形成する場合、ネガ型レジスト及びポジ型レジストの両種類レジストを用いることができる。一般に、ポジ型レジストを用いた場合の方がネガ型レジストを用いた場合よりも解像度が高いと言われているが、実際には逆テーパ状に形成する工程がより容易なネガ型のレジストの方が多く用いられている。  
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開２００４−２４５９７２号公報
【特許文献３】特開平８−１１５９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ポジ型レジストを用いる場合、異なる２種類のレジスト材料を用いたり、リフトオフ加工を行ったりする必要があるため、解像度は高いがネガ型レジストに比べて工程が複雑になる。一方で、ネガ型レジストを用いる場合には、工程は容易であるが、解像度が低くなる。これらのことから、ポジ型レジストを用いた場合であっても形成工程が容易となるようなレジストパターンの形成方法が求められている。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、形成工程が容易となるパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係るパターン形成方法は、所定の部材上にレジストのパターンを形成するパターン形成方法であって、前記所定の部材上に、開口部を有するようにレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記開口部の側面に接すると共に前記レジスト層の上面側よりも前記レジスト層の下面側の方がエッチング液の量が多くなるように前記エッチング液を配置させることによって前記開口部の側面をウェットエッチングするウェットエッチング工程とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、レジスト層の開口部の側面に接すると共に当該レジスト層の上面側よりもレジスト層の下面側の方がエッチング液の量が多くなるようにエッチング液を配置させることによって開口部の側面をウェットエッチングするので、開口部の上面側よりも下面側の方がエッチングによって削られる幅が大きくなる。このため、レジスト層の上面側よりもレジスト層の下面側の方が寸法が小さくなる。このように、ネガ型レジスト、ポジ型レジストを問わず、いずれの種類レジストを用いた場合であっても、レジスト層の上面側よりもレジスト層の下面側の方が寸法が小さくなる形状を容易に形成することができる。
【０００８】
また、前記ウェットエッチング工程の前に、前記所定の部材上のうち前記開口部の中央部を除いた領域を、前記エッチング液に対して親液化処理する工程をさらに具備することが好ましい。  
本発明によれば、ウェットエッチング工程の前に、所定の部材上のうち開口部の中央部を除いた領域を、エッチング液に対して親液化処理するので、エッチング液は、親液化処理された領域に選択的に配置されることになる。このため、基板の中央部にエッチング液が配置されるのを回避することができる。このように、エッチングの精度を高めることができるので、エッチング液が開口部の全域に行き渡ることは無く、開口部の側面全体がウェットエッチングされてしまうのを防ぐことができる。
【０００９】
また、前記レジスト層がポジ型レジストからなることが好ましい。  
本発明では、解像度がネガ型レジストよりも高いレジスト層がポジ型レジストを用いることにより、パターンの微細化が容易になるとともに、レジスト層の上面側よりもレジスト層の下面側の方が開口部が広くなっている形状を特に容易に形成することができる。
【００１０】
また、前記レジスト層を形成する工程では、前記開口部が、溝状に設けられ前記エッチング液によってウェットエッチングされる液流通部と、前記液流通部の少なくとも一方の端部に設けられた液溜部とを有するように前記レジスト層を形成し、前記ウェットエッチング工程では、前記液溜部に前記エッチング液を供給し、前記液溜部から前記液流通部に前記エッチング液を流通させることによって前記基板の開口部の側面に接するように前記エッチング液を配置することが好ましい。  
本発明のように、液溜部と液流通部とを形成しておき、液溜部に機能性液体を供給し、当該液溜部から液流通部へ機能性液体を流通させることで、液流通部に機能性液体を配置する手法がある。本発明では、この手法によってウェットエッチングを行うので、エッチング液が開口部の側面の底部に高精度で行き渡ることになる。これにより、エッチングの精度を高めることができる。本発明の構成に加えて、所定の部材上のうち開口部の中央部を除いた領域を親液化処理しておいた場合、エッチング液の行き渡る領域を一層高精度に選択することができることになり、エッチングの精度をさらに高めることができる。
【００１１】
また、前記レジスト層形成工程では、前記開口部が溝状に設けられ、前記ウェットエッチング工程では、前記開口部の溝の両側面をウェットエッチングすることが好ましい。  
本発明によれば、レジスト層形成工程では、開口部が溝状に設けられることとし、ウェットエッチング工程では、開口部の溝の両側面をウェットエッチングすることとしたので、例えば有機ＥＬ装置の陰極や電界効果トランジスタのゲート線など、一定の幅で延在するパターンを、微細にかつ容易に形成することができる。
【００１２】
また、前記ウェットエッチング工程では、前記レジスト層の上面側から前記レジスト層の下面側にかけて前記レジスト層の寸法が徐々に小さくなるようにウェットエッチングすることが好ましい。  
本発明によれば、レジスト層の上面側からレジスト層の下面側にかけてレジスト層の寸法が徐々に小さくようにウェットエッチングされるので、開口部の断面が逆テーパ状になり、開口端が鋭角になる。これにより、レジスト層の上方から膜を形成した場合、当該膜とレジスト層とが接するのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１実施形態］  
以下、図面をもとにして、本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に挙げて説明する。  
（有機ＥＬ装置）  
図１は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。  
同図に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２上の中央部に画像や動画などを表示する表示領域３が設けられている。表示領域（図中二点鎖線で囲まれた領域）３内には、画素領域４がマトリクス状に配列されている。１つの画素領域４は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれか一色を発光する領域である。図１では、図中左側から順に赤色、緑色、青色の光を発光する画素領域が配列されている。
【００１４】
表示領域３の周りの領域（図中、一点鎖線と二点鎖線とで挟まれた領域）５には、画素領域４の発光を駆動する駆動回路６や検査回路７が形成されている。領域５の周りの領域、すなわち、基板２の周縁領域８には、駆動回路６や検査回路７に信号を供給する駆動ドライバ９や、各部に電源を供給する電源回路１０などが形成されている。また、基板２の図中下辺側には、外部回路基板１１に接続される接続部１２が設けられている。
【００１５】
図２は、図１のＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。  
同図に示すように、基板２の表面には隔壁２１が設けられている。隔壁２１は、例えばポリイミドなどの樹脂によって形成されており、画素領域４を囲むように設けられている。隔壁２１で囲まれた画素領域４には、陽極２２、正孔注入・輸送層２３、発光層２４、陰極２５が順に積層されている。これら各部材は、透明な材料からなる封止部２８によって覆われている。
【００１６】
陽極２２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。正孔注入・輸送層２３は、陽極２２からの正孔を発光層２４へと注入・輸送する層であり、無機または有機の誘電体材料など、公知の材料によって形成されている。発光層２４は、蛍光または燐光を発光することが可能な公知の材料によって形成されており、正孔注入・輸送層２３からの正孔と陰極２５からの電子とが結合することで発光するようになっている。
【００１７】
陰極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料によって形成されている。本実施形態では、上述した駆動回路６、検査回路７、駆動ドライバ９などの回路の構成上、陰極２５が図２中の紙面を貫通する方向に延在する構成になっており、平面視ではストライプ状になっている。
【００１８】
隔壁２１の上面２１ａには、当該隔壁２１の材料とは異なる材料、例えばポジ型レジストによって形成されたレジスト層２６が設けられている。レジスト層２６は、上面２６ａから下面２６ｂにかけて徐々に幅が狭くなるように形成されている。レジスト層２６の上面２６ａには、陰極２５と同一の材料からなる透明部材２７が形成されている。
【００１９】
（有機ＥＬ装置の製造方法）  
次に、図３〜図１２をもとにして、上記のように構成された有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。  
図３に示すように、画素領域４を囲うように基板２上に隔壁２１を形成し、当該隔壁２１で囲まれた部分に陽極２２、正孔注入・輸送層２３、発光層２４を順に積層する。  
次に、図４に示すように、隔壁２１及び発光層２４によって形成される面のうち、発光層２４の中央部を除いた領域に親液化領域２９を形成する。この工程では、例えば、親液化領域２９を形成する領域に紫外線を照射する、又は、親液化領域２９を形成する領域に酸素プラズマ処理を行うことによって、当該隔壁２１及び発光層２４の一部を親液化する。
【００２０】
次に、図５に示すように、例えばフォトリソグラフィ法によって隔壁２１上にポジ型レジストからなるレジスト層２６をパターニング形成する。図６は、隔壁２１上にレジスト層２６を形成した状態を示す平面図である。このレジスト層２６は、図６に示すように、画素領域４を含んだ領域に開口部３０を有するように隔壁２１上に形成する。
【００２１】
開口部３０は、マトリクス状に設けられた画素領域４を１列ずつ囲むように設けられている。各列の両端部にはそれぞれ液溜部３１が設けられている。液溜部３１の間が液流通部３２になっており、各画素領域４の配列に沿って設けられている。この液流通部３２の側面３２ａ側に沿った領域には、上述の親液化領域２９が一部露出している。結果として、液流通部３２の底辺を含み当該底辺に沿った領域に親液化領域２９が形成されることになる。
【００２２】
次に、液溜部３１にエッチング液を供給することによって、レジスト層２６の液流通部３２の側面３２ａをエッチングする。具体的には、図７に示すように、液溜部３１内に例えばインクジェット法によってレジスト層２６のエッチング液３３を吐出する。エッチング液３３は、例えば上記の隔壁２１をフォトリソグラフィ法によって形成した際に用いた現像液を用いることができる。このエッチング液３３の大部分は、図８に示すように、親液化領域２９上を流通するため、液流通部３２の側面３２ａに接触するように流通することになる。
【００２３】
図９は、このときの様子を示す断面図である。エッチング液３３は、レジスト層２６の上面２６ａから下面２６ｂにかけて徐々に量が多くなるように液流通部３２の側面３２ａに接して流通するため、液流通部３２の側面３２ａは、下面２６ｂ側から徐々にエッチングされていく。この結果、図１０に示すように、レジスト層２６の断面形状は、上面２６ａから下面２６ｂにかけて徐々に幅（短手方向の長さであり、図中では左右方向の長さ）が狭くなっていく形状、すなわち、逆テーパ状になる。
【００２４】
次に、図１１に示すように、開口部３０を含むレジスト層２６の上方から、例えばスパッタリング法によって、ＩＴＯからなる導電膜３５を形成する。導電膜３５は、レジスト層２６の上面２６ａに形成されると共に開口部３０内にも形成され、図１２に示すように、発光層２４上に積層される。この部分が陰極２５となる。隔壁２１上にはレジスト層２６と導電膜３５とが残ることになる。レジスト層２６上に残った導電膜３５は上述の透明部材２７に相当する。その後、基板２上を封止部２８で封止することによって、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００２５】
このように、本実施形態によれば、レジスト層２６の上面２６ａ側よりもレジスト層２６の下面２６ｂの方が開口部３０が広くなるように、レジスト層２６の下面２６ｂ側をエッチング液３３によってウェットエッチングするので、レジスト層２６を容易に逆テーパ形状に形成することができる。これにより、微細なパターンを容易に形成することが可能となる。
【００２６】
また、本実施形態のように、レジスト層２６がポジ型レジストからなる場合であっても、リフトオフ加工などの複雑な工程を経ることなく、レジスト層２６の断面を逆テーパに形成することが容易になる。ポジ型レジストは、ネガ型レジストに比べて解像度が高いため、微細なパターンを形成することが可能である。一方で、ポジ型レジストはネガ型レジストに比べて加工が難しいという問題があった。これに対して、本実施形態では、ポジ型レジストであっても容易に上記逆テーパ形状を形成できるので、微細なパターンを容易に形成することが可能になる。
【００２７】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態として、液晶パネルを例に挙げて説明する。液晶パネルとしては、当該液晶パネルを駆動するスイッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルを例に挙げて説明する。
【００２８】
（液晶パネル）  
図１３に示すように、液晶パネル１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０４とカラーフィルタ基板１０５とがシール材１０７によって貼り合わされ、このシール材１０７によって区画された領域内に液晶層１０６が封入された構成になっている。シール材１０７で囲まれた領域は、画像や動画等を表示する表示領域１０８になっている。表示領域１０８内には、画素領域１０９がマトリクス状に設けられている。
【００２９】
図１４は、図１３のＢ−Ｂ断面に沿った構成を示す図である。  
同図に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０４は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材１０４ａを主体として構成されており、この基材１０４ａの液晶側には、画素電極１１８と、この画素電極１１８を駆動するＴＦＴ素子１１７と、当該ＴＦＴ素子１１７に電気信号を伝達するデータ線及び走査線（図示せず）と、これら画素電極１１８、ＴＦＴ素子１１７、データ線及び走査線を覆うように形成された配向膜１１６とが設けられている。画素電極１１８は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料によって形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０４の外側（液晶層１０６とは反対側）の面には、偏光板１１９が貼り付けられている。
【００３０】
カラーフィルタ基板１０５は、ＴＦＴアレイ基板１０４と同様にガラスや石英等の透光性の高い材料からなる基材１０５ａを主体として構成されている。基材１０５ａの液晶１０６側には、画素領域１０９を囲うように遮光膜１２１が形成されている。遮光膜１２１は、例えばポジ型レジストからなり、上面１２１ａから下面１２１ｂにかけて徐々に幅が小さくなっていく形状、すなわち、逆テーパ形状に形成されている。遮光膜１２１の表面を金属などの遮光部材で覆うようにしても良い。
【００３１】
また、遮光膜１２１及び基材１０５ａの表面を覆うように、親液性変化膜１３６が形成されている。親液性変化膜１３６は、例えば紫外線などの光を照射されると親液性が高くなる性質を有する膜である。遮光膜１２１で囲まれた領域には、上述した親液性変化膜１３６を介して、例えば赤色層、緑色層、青色層の３色の色層からなるカラーフィルタ層１２０が形成されている。
【００３２】
また、カラーフィルタ層１２０及び遮光膜１２１を覆うように共通電極１２８が形成されており、当該共通電極１２８上を配向膜１２６が覆っている。共通電極１２８は、画素電極１１８と同様、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。カラーフィルタ基板１０５の外側の面には、偏光板１２９が貼付されている。
【００３３】
（液晶パネルの製造方法）  
次に、図１５〜図２０をもとにして、上記のように構成された液晶パネル１０２の製造方法を説明する。本実施形態では、カラーフィルタ基板１０５の製造方法を中心に説明する。
【００３４】
図１５に示すように、基材１０５ａ上の一部に親液化領域１３０を形成する。この工程では、例えば、親液化領域１３０を形成する部分に紫外線を照射する、又は、親液化領域１３０を形成する部分に酸素プラズマ処理を行うことによって、基材１０５ａ上の一部を親液化する。親液化領域１３０は、基材１０５ａ上の画素領域１０９に一部が平面視で重なると共に当該画素領域１０９を囲うように形成される。
【００３５】
次に、図１６に示すように、基材１０５ａ上の画素領域１０９に開口部１３２を有するように例えばフォトリソグラフィ法によってポジ型レジストからなるレジスト層１３１を形成する。レジスト層１３１は、一部が親液化領域１３０に重なるように形成され、開口部１３２に親液化領域１３０の一部が露出するように形成される。
【００３６】
次に、図１７に示すように、レジスト層１３１の開口部１３２の側面１３２ａをエッチングする。具体的には、開口部１３２内に例えばインクジェット法によってレジスト層１３１のエッチング液１３５を吐出する。エッチング液１３５は、例えば上記のレジスト層１３１をフォトリソグラフィ法によって形成した際に用いた現像液を用いることができる。このエッチング液１３５の大部分は、親液化領域１３０上に配置され、開口部１３２の側面１３２ａに接触するように配置されることになる。
【００３７】
開口部１３２の側面１３２ａは、レジスト層１３１の下面１３１ｂ側から徐々にエッチングされていき、図１８に示すように、レジスト層１３１の断面形状は、上面１３１ａから下面１３１ｂにかけて徐々に幅（図中左右方向の長さ）が狭くなっていく形状、すなわち、逆テーパ状になる。このように形成されたレジスト層１３１は、上記の遮光膜１２１に相当する。本工程の後、遮光膜１２１の表面を金属などで覆う工程を設けても良い。
【００３８】
次に、図１９に示すようにレジスト層１３１の表面及び基材１０５ａ表面を覆うように親液性変化膜１３６を形成し、その後、図２０に示すように基材１０５ａの裏面側から親液性変化膜１３６に紫外線を照射する。この工程により、親液性変化膜１３６のうち基材１０５ａの表面上及びレジスト層１３１の開口部１３２の側面１３２ａ上に設けられた部分（図２０中斜線で示した部分）が親液性になる。
【００３９】
次に、図２１に示すように、開口部１３２内に、例えばインクジェット法などの手法によって、カラーフィルタ層１２０を構成する材料を溶媒に溶解させた液状組成物１４０を吐出する。この液状組成物１４０は、親液性変化膜１３６で覆われた領域内に配置されるため、開口部１３２内に濡れ広がることになる。開口部１３２に配置された液状組成物１４０の溶媒を蒸発すると、開口部１３２内にカラーフィルタ１２０が形成される。その後、当該遮光膜１２１の表面及びカラーフィルタ１２０の表面を覆うように共通電極１２８を形成し、配向膜１２６を形成して、カラーフィルタ基板１０５が完成する。
【００４０】
このように、本実施形態によれば、ポジ型レジストからなる遮光膜１２１の断面形状を容易に逆テーパ状にすることができる。これにより、カラーフィルタ基板１０５の製造が容易になる。本実施形態によって製造されたカラーフィルタ基板１０５は、開口部１３２内にカラーフィルタ１２０が均一な厚さで形成されることになる。このため、カラーフィルタ１２０の厚さの分布による、いわゆる白抜きを防止することができる。
【００４１】
［第３実施形態］  
次に、本発明の第３実施形態として、電界効果トランジスタの製造方法を例に挙げて説明する。本実施形態では、電界効果トランジスタのゲート電極の形成方法を中心に説明する。近年の電界効果トランジスタのゲート電極は、エレクトロマイグレーションを防止するため、異なる金属によって２層に形成されているのが一般的である。本実施形態でも、このような２層構造のゲート電極を例に挙げて説明する。
【００４２】
（電界効果トランジスタのゲート電極の製造方法）  
図２２に示すように、半導体基板２０１上に第１レジスト層２０２を形成する。第１レジスト層２０２には、ゲート電極を形成する領域に重なるように、例えば溝状に開口部２０３が形成されるようにする。
【００４３】
次に、図２３に示すように、第１レジスト層２０２上のほぼ全面及び開口部２０３の内部に第１導電膜２０４を形成する。第１導電膜２０４を構成する材料としては、例えば窒化タングステンなどの導電材料が挙げられる。第１導電膜２０４の表面２０４ａは平坦に形成される。
【００４４】
次に、図２４に示すように、第１導電膜２０４の表面２０４ａの一部に親液化領域２０５を形成する。親液化領域２０５は、例えば第１導電膜２０４の表面に紫外線を照射する、又は、当該第１導電膜２０４の表面に酸素プラズマを照射することよって形成される。親液化領域２０５は、開口部２０３に沿うように、当該開口部２０３の両側に形成される。
【００４５】
次に、図２５に示すように、第１導電膜２０４の表面上に、フォトリソグラフィ法によってポジ型レジストからなる第２レジスト層２０６を形成する。第２レジスト層２０６には、開口部２０３に平面視で重なる領域を含むように、当該開口部２０３よりも幅（開口部の延在方向に直交する方向の長さであり、図中では左右方向の長さ）の大きい開口部２０７が溝状に形成されるようにする。親液化領域２０５の一部が開口部２０７に露出するように第２レジスト層２０６が形成される。結果として、開口部２０３の底辺を含み当該底辺に沿った領域に親液化領域２０５が形成されることになる。
【００４６】
次に、図２６に示すように、第２レジスト層２０６の開口部２０７の側面２０７ａをエッチングする。具体的には、開口部２０７内に例えばインクジェット法によってレジスト層２０６に対するエッチング液２０８を吐出する。エッチング液２０８は、例えば上記の第２レジスト層２０６をフォトリソグラフィ法によって形成した際に用いた現像液を用いることができる。このエッチング液２０８の大部分は、図２６に示すように、親液化領域２０５上に配置され、開口部２０７の側面２０７ａに接触するように配置されることになる。
【００４７】
開口部２０７の側面２０７ａは、第２レジスト層２０６の下面２０６ｂ側から徐々にエッチングされていき、図２７に示すように、第２レジスト層２０６の断面形状が、上面２０６ａから下面２０６ｂにかけて徐々に寸法が小さくなっていく形状、すなわち、逆テーパ状になる。
【００４８】
次に、図２８に示すように、開口部２０７を含む第２レジスト層２０６の上面２０６ａに、例えば金などの金属からなる第２導電膜２０９を形成する。第２導電膜２０９のうち、開口部２０７に重なる部分は、レジスト層２０６の開口部２０７内に形成され、第１導電膜２０４上に積層される。この第１導電膜２０４に積層された部分は、ゲート電極の電極上層２０９ａとなる。
【００４９】
次に、図２９に示すように、例えばＯ２／ＣＦ４混合プラズマによって第１導電膜２０４のうち電極上層２０９ａの両側部分２１０を除去する。この工程では、電極上層２０９ａの両側部分２１０を第１レジスト層２０２まで貫通するように除去する。この両側部分２１０には、第１導電膜２０４の表面２０４ａのうち親液化領域２０５が形成された部分も含まれる。この工程により、電極上層２０９ａの下層側に第１導電膜２０４の一部が分離される。この分離された部分は、ゲート電極の電極下層２０４ｂとなる。
【００５０】
次に、第２導電膜２０９、第２レジスト層２０６、第１導電膜２０４、第１レジスト層２０２を除去する。この工程により、図３０に示すように、電極下層２０４ｂと電極上層２０９ａとが積層されてなるゲート電極２１１が半導体基板２０１上に形成されることになる。
【００５１】
このように、本実施形態によれば、ポジ型レジストからなる第２レジスト層２０６の断面形状を容易に逆テーパ状にすることができる。これにより、半導体基板２０１上にゲート電極２１１を容易に形成することができる。また、本実施形態では、第２レジスト層２０６の断面形状を逆テーパ状にすることによって、電極上層２０９ａ形成時に、当該電極上層２０９ａと第２レジスト層２０６の開口部２０７の側面２０７ａとの間に隙間を設けることができる。これにより、電極上層２０９ａに第２レジスト層２０６が付着するのを防ぐことができので、ゲート電極２１１のゲート容量が減少するのを防ぐことができる。
【００５２】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記第２実施形態及び第３実施形態において、レジスト層の断面形状を逆テーパ状にするウェットエッチングの際、第１実施形態のように液溜部にエッチング液を供給することによってウェットエッチングを行っても構わない。
【００５３】
また、上記各実施形態では、レジスト層の断面形状を逆テーパ状に形成するように説明したが、これに限られることは無く、レジスト層の上面側よりもレジスト層の下面側の方が寸法が小さくなる形状であれば他の形状であっても構わない。例えば、図３１（ａ）に示すように、レジスト層３０１が、当該レジスト層３０１の上面３０１ａから下面３０１ｂにかけて階段状に寸法が小さくなる形状であっても構わない。レジスト層３０１をエッチングするエッチング液の液量を、上記実施形態よりも少なくすることで、このような形状を形成することができる。
【００５４】
また、図３１（ｂ）に示すように、レジスト層３０１の開口部３０２において、片側の側面３０２ａのみが逆テーパ状になっている構成であっても構わない。側面３０２ａの形状が逆テーパ状でなく階段状であっても、勿論構わない。例えば、基材３０３の表面上のうち、ウェットエッチングする側（図中では左側）のみに親液性領域３０４を形成しておくことによって、片側の側面３０２ａのみをウェットエッチングすることが可能となる。
【００５５】
また、上記各実施形態では、レジスト層の材料としてポジ型レジストを用いた例を説明したが、ネガ型レジストからなるレジスト層であっても、本発明の適用は可能である。この場合、逆テーパの角度を調節する、例えば、より鋭角にすることが可能となる。このため、レジスト層３０１上に膜を形成した場合、この膜とレジスト層３０１との間に十分な隙間を設けることができるため、膜とレジスト層３０１とが接触するのを回避することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図。
【図３】有機ＥＬ装置過程を示す工程図。
【図４】同、工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】同、工程図。
【図１０】同、工程図。
【図１１】同、工程図。
【図１２】同、工程図。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図。
【図１４】本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す断面図。
【図１５】液晶パネルの製造過程を示す図。
【図１６】同、工程図。
【図１７】同、工程図。
【図１８】同、工程図。
【図１９】同、工程図。
【図２０】同、工程図。
【図２１】同、工程図。
【図２２】本発明の第３実施形態に係る電界効果トランジスタの製造過程を示す図。
【図２３】同、工程図。
【図２４】同、工程図。
【図２５】同、工程図。
【図２６】同、工程図。
【図２７】同、工程図。
【図２８】同、工程図。
【図２９】同、工程図。
【図３０】同、工程図。
【図３１】本発明に係る他のパターン形成過程を示す図。
【符号の説明】
【００５７】
１…有機ＥＬ装置  ２…基板  ２１…隔壁  ２１ａ…上面  ２２…陽極  ２３…正孔注入・輸送層  ２４…発光層  ２５…陰極  ２６…レジスト層  ２６ａ…上面  ２６ｂ…下面２９…親液化領域  ３０…開口部  ３１…液溜部  ３２…液流通部  ３２ａ…側面  ３２ｂ…開口端  ３３…エッチング液  ３５…導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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