(57)【要約】【課題】イオン注入工程の工数を削減することができると共に、スループットの向上、歩留まりの向上を実現することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板２上に半導体層４０、ゲート絶縁層４２を形成した後、銀粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物からなる電極層材料５０を絶縁層上のうち半導体層４０の一部に平面視で重なる領域に塗布し、電極層材料５０が多孔質膜に変化してゲート電極層４１が形成されるように当該電極層材料５０を焼成するので、ゲート電極層４１内にイオンを通過させることが可能な寸法の隙間が多数形成されることになり、イオン注入工程では、ゲート電極層４１内をイオンがある程度通過することになる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層を覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
金属粒子を液体に溶解又は分散させた液状組成物を有する電極層材料を前記絶縁層上のうち前記半導体層の一部に平面視で重なる領域に塗布する電極層材料塗布工程と、
前記電極層材料が多孔質膜に変化して電極層が形成されるように、前記電極層材料を焼成する焼成工程と、
前記電極層上の一部にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層の上方から前記半導体層に向けてイオンを注入するイオン注入工程と
を具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程の後、
前記電極層のうち前記マスク層が設けられた部分以外の部分を除去する電極層除去工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記電極層の厚さが、０．１μｍ〜０．５μｍである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記電極層材料形成工程が、
前記電極層が形成される領域を囲むように、前記絶縁層上に隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で囲まれた領域内に前記電極層材料を塗布する工程と
を有し、
前記焼成工程の後、前記隔壁を除去する隔壁除去工程を更に具備する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記電極層形成工程が、
前記電極層が形成される領域を親液化処理する工程と、
前記親液化処理された領域上に前記電極層材料を塗布する工程と
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像や動画などを表示する電気光学装置として、液晶装置や有機ＥＬ装置が知られており、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）が設けられたアクティブマトリクス型のものが代表的である。
【０００３】
これらの電気光学装置に設けられるＴＦＴは、薄膜状に形成された半導体層と、当該半導体層に絶縁層を介して対向して配置されたゲート電極とを主体として構成されている。半導体層のうち、ゲート電極と対向する領域はチャネル領域になっている。チャネル領域の両側の領域はソース領域とドレイン領域になっている。近年では、チャネル領域とソース領域の間、及び、チャネル領域とドレイン領域との間に、低濃度の領域（ＬＤＤ領域）がそれぞれ設けられた構成になっているものが多い（ＬＤＤ構造）。
【０００４】
このようなＬＤＤ構造のＴＦＴの一般的な製造工程を説明すると、まず、基板上に半導体層を形成し、半導体層を覆うように絶縁層（ゲート絶縁層）を形成する。次に、ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、ゲート電極の上方から半導体層にイオンを注入する。ゲート電極がマスクの役割を果たすため、半導体層のチャネル領域にはイオンは注入されず、チャネル領域の両側の領域にイオンが注入されることになる。
【０００５】
次に、ＬＤＤ領域となる部分を覆うようにマスクを形成し、再度ゲート電極の上方から半導体層にイオンを注入する。マスクで覆われた領域にはイオンが注入されず、イオンの濃度の低いＬＤＤ領域となる。マスクで覆われない領域にはイオンが注入され、イオンの濃度の高い領域（ＳＤ領域）となる。
【０００６】
上記製造工程によれば、ＬＤＤ領域を形成するために２回のイオン注入工程が必要である。これに対して、イオン注入工程を削減し、スループットを向上させるための技術が開示されている。例えば、特許文献１には、ゲート絶縁膜中に正または負の固定電荷を含ませておき、イオン注入によってＳＤ領域を形成した後にゲート絶縁膜を加熱して正孔または電子をＳＤ領域側から移動・拡散させることによってＬＤＤ領域を形成する手法が記載されている。特許文献２には、ゲート電極を２層構造に形成し、下層を等方性エッチングして上層の幅よりも下層の幅を小さくした状態でイオン注入を行うことによって、ＬＤＤ領域とＳＤ領域とを形成する技術が開示されている。いずれも１度のイオン注入工程でＬＤＤ領域を形成することができる。  
【特許文献１】特開平８−５５９９４号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８３３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の手法では、固定電荷を含んだゲート絶縁層が劣化するおそれがある。特許文献２に記載の手法では、等方性エッチングを行う際の寸法の精度が低く、ゲート電極及びＬＤＤ領域、ＳＤ領域のサイズにばらつきが大きくなってしまう。これらはいずれも動作不良の原因になるため、歩留まりが低下する可能性が高い。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、イオン注入工程の工数を削減することができると共に、スループットの向上、歩留まりの向上を実現することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層を覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属粒子を液体に溶解又は分散させた液状組成物を有する電極層材料を前記絶縁層上のうち前記半導体層の一部に平面視で重なる領域に塗布する電極層材料塗布工程と、前記電極層材料が多孔質膜に変化して電極層が形成されるように、前記電極層材料を焼成する焼成工程と、前記電極層上の一部にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層の上方から前記半導体層に向けてイオンを注入するイオン注入工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、基板上に半導体層、絶縁層を形成した後、金属粒子を液体に溶解又は分散させた液状組成物からなる電極層材料を絶縁層上のうち半導体層の一部に平面視で重なる領域に塗布し、電極層材料が多孔質膜に変化して電極層が形成されるように当該電極層材料を焼成するので、電極層内にイオンを通過させることが可能な寸法の隙間が多数形成されることになる。したがって、イオン注入工程では、電極層内をイオンがある程度通過することになる。
【００１０】
このため、半導体層のうちマスク層で覆われた領域（マスク領域）、マスク層では覆われていないが電極層で覆われた領域（電極層領域）、マスク層でも電極層でも覆われておらず絶縁層にのみ覆われている領域（絶縁層領域）にそれぞれ平面視で重なる部分において、注入されるイオン濃度に差をつけることができる。
【００１１】
具体的には、半導体層のうちマスク領域に平面視で重なる部分については、イオンがマスクによって遮られるため、この部分にイオンは注入されない。電極層領域に平面視で重なる部分については、電極層内をある程度のイオンが通過するため、少量のイオンが注入される。絶縁層領域に平面視で重なる部分については、イオンを遮る部材が存在しないため、電極層領域に平面視で重なる部分に比べて多くのイオンが注入される。
【００１２】
このように、１回のイオン注入工程によって、半導体層にイオン濃度の異なる領域を設けることができるため、イオン注入工程の工数を削減することができる。また、絶縁層内に固定電荷を設けることが無く、電極層に等方性エッチングするなどの加工を施すことも無いため、動作不良を引き起こすことも無い。これにより、スループットの向上、歩留まりの向上を実現することができる。また、これに加えて、電極層が金属粒子による多孔質膜に形成されるので、電極層内の電気抵抗を低下させることができ、消費電力の低い薄膜トランジスタを製造することができるという利点もある。
【００１３】
また、前記イオン注入工程の後、前記電極層のうち前記マスク層が設けられた部分以外の部分を除去する電極層除去工程を更に具備することが好ましい。  
電極層のうちマスク層が設けられた部分以外の部分は、イオン注入後、ある程度の量のイオンを含むことになる。この部分は、イオンを含まない部分に比べて電気抵抗が高くなってしまうなど、電極としての機能は低くなっている。本発明では、このように電極としての機能が低い部分を除去することにより、電極層の機能を向上させることができる。
【００１４】
また、前記電極層の厚さが、０．１μｍ〜０．５μｍであることが好ましい。  
電極層の厚さが薄くなると、電気抵抗が高くなり、電極層としての役割を果たすのが困難になる。電極層の厚さが厚すぎると、イオン注入工程において多孔質膜内をイオンが通過しにくくなる。本発明では、電極層の厚さが、０．１μｍ〜０．５μｍであるため、電気抵抗が高くなるのを抑えつつ、多孔質内をイオンが適度に透過する電極層とすることができる。
【００１５】
また、前記電極層材料形成工程が、前記電極層が形成される領域を囲むように、前記絶縁層上に隔壁を形成する工程と、前記隔壁で囲まれた領域内に前記電極層材料を塗布する工程とを有し、前記焼成工程の後、前記隔壁を除去する隔壁除去工程を更に具備することが好ましい。  
本発明によれば、電極層が形成される領域を囲むように絶縁層上に隔壁を形成し、隔壁で囲まれた領域内に液状組成物である電極層材料を塗布するので、電極層を所望の領域内に所望の寸法で形成することができる。これにより、電極層の寸法にばらつきが生じるのを回避することができる。
【００１６】
また、前記電極層形成工程が、前記電極層が形成される領域を親液化処理する工程と、前記親液化処理された領域上に前記電極層材料を塗布する工程とを有することが好ましい。  
本発明によれば、電極層が形成される領域を親液化処理し、この親液化処理された領域上に電極層材料を塗布するので、電極層を所望の領域内に所望の寸法で形成することができる。これにより、電極層の寸法にばらつきが生じるのを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］  
以下、図面をもとにして、本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、液晶パネルを例に挙げて説明する。液晶パネルとしては、当該液晶パネルを駆動するスイッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルを例に挙げて説明する。
【００１８】
（液晶パネル）  
図１に示すように、液晶パネル１は、例えばガラスなどの透明な材料からなるＴＦＴアレイ基板２と対向基板３とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材４により貼り合わせた構成になっている。シール材４によって囲まれた領域内には液晶層５が封入されている。
【００１９】
シール材４の内側には、遮光性材料からなる周辺見切り６が形成されている。周辺見切り６によって囲まれた領域は、外部からの光が変調される光変調領域１２になっている。光変調領域１２内には、光を透過可能な画素領域１３がマトリクス状に配列されている。画素領域１３の間の領域は、光が遮光される画素間領域１４である。
【００２０】
シール材４の外側の領域には、データ線駆動回路７および外部回路実装端子８がＴＦＴアレイ基板２の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路９が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路９の間を接続するための複数の配線１０が設けられている。また、対向基板３の角部においては、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間で電気的導通をとるための基板間導通材１１が配設されている。
【００２１】
ＴＦＴアレイ基板２には、図２に示すように、画素電極２４と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）２１と、配向膜２５とが設けられている。画素電極２４は、ＴＦＴアレイ基板２の内側表面２ａ上の画素領域１３に設けられており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料から形成されている。ＴＦＴ２１は、画素電極２４に電気信号を供給するスイッチング素子であり、ＴＦＴアレイ基板２の内側表面２ａ上の画素間領域１４に設けられている。配向膜２５は、画素電極２４、ＴＦＴ２１を覆うように積層されている。
【００２２】
対向基板３には、図２に示すように、遮光部３３と、共通電極３４と、配向膜３５とが設けられている。遮光部３３は、対向基板３の内側表面３ａのうち画素間領域１４に設けられている。共通電極３４は、対向基板３の内側表面３ａに直接形成されている。配向膜３５は、共通電極３４の表面上に形成されている。
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間には、光変調のための液晶層５が封入されている。液晶層５は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって構成されており、ＴＦＴアレイ基板２側の配向膜２５と対向基板３側の配向膜３５との双方に接するように両基板に挟持されている。液晶分子の配向は、非選択電圧を印加したときに所定の方向に向くように、配向膜２５及び配向膜３５によって規制されている。
【００２４】
次に、ＴＦＴアレイ基板２に設けられたＴＦＴ２１の構成を簡単に説明する。図３は、ＴＦＴ２１の構成を概略的に示す断面図である。  
同図に示すように、ＴＦＴ２１は、半導体層４０と、ゲート電極層４１と、ゲート絶縁層４２とを主体として構成されている。半導体層４０は、例えばシリコンからなる薄膜である。半導体層４０の中央の領域がチャネル領域４０ａになっている。チャネル領域４０ａの図中右側がソース領域、図中左側がドレイン領域である。ソース領域及びドレイン領域には、不純物として例えばホウ素イオンが注入されている。
【００２５】
ソース領域は、ホウ素イオンが低濃度で注入されている低濃度ソース領域４０ｂと、ホウ素イオンが高濃度で注入されている高濃度ソース領域４０ｃに区分されている。ドレイン領域は、ホウ素イオンが低濃度で注入されている低濃度ドレイン領域４０ｄと、ホウ素イオンが高濃度で注入されている高濃度ドレイン領域４０ｅに区分されている。このように半導体層４０は、ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造になっている。
【００２６】
ゲート電極層４１は、ゲート絶縁層４２を介して半導体層４０のチャネル領域４０ａに平面視で重なるように配置されている。ゲート電極層４１は、例えば銀などの金属によって形成される電極層である。図４は、銀粒子を焼結させたときの様子を拡大して示す電子顕微鏡写真である。焼結された銀粒子４３は、多数の孔部４４を有する多孔質膜を構成している。ゲート電極層４１もこのような多孔質膜に形成されている。ゲート電極層４１を多孔質膜に形成することにより、薄膜状に形成したときに比べてゲート電極層４１の電気抵抗が低くなっている。ゲート電極層４１の多孔質膜の孔部は、上述したホウ素イオンが通過可能な程度の寸法を有している。
【００２７】
次に、図５〜図１０をもとにして、上記のように構成された液晶パネル１のうちＴＦＴ２１の製造方法を説明する。以下の製造方法を行う際に、銀粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物からなる電極層材料を予め形成しておく。  
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２上に半導体層４０を形成する（半導体層形成工程）。具体的には、ＣＶＤ法などの手法によってＴＦＴアレイ基板２上にシリコンの薄膜を形成し、レーザを照射してポリシリコン化する。次に、同図に示すように、ポリシリコン化された半導体層４０を覆うように、ゲート絶縁層４２を形成する（絶縁層形成工程）。
【００２８】
次に、図６に示すように、予め形成しておいた電極層材料５０を、インクジェット法などの手法によってゲート絶縁層４２上に塗布する（電極層材料塗布工程）。電極層材料５０については、ゲート絶縁層４２上のうち半導体層４０のチャネル領域４０ａ、低濃度ソース領域４０ｂ及び低濃度ドレイン領域４０ｄを形成する領域に平面視で重なる領域に塗布する。
【００２９】
次に、図６に示すように電極層材料５０を焼成する（焼成工程）。電極層材料５０の形成された基板２を加熱装置内に配置し、大気雰囲気下で、３００℃〜３５０℃程度の温度で、０．５〜１．０時間程度加熱する。加熱によって、電極層材料５０に含まれる溶媒が蒸発すると共に、電極層材料５０に含まれる銀粒子が焼結する。銀粒子が焼結することによって、電極層材料５０が多孔質膜となり、ゲート電極層４１が形成される。
【００３０】
次に、図７に示すように、ゲート電極層４１上に例えばフォトレジストなどからなるマスク層４５をパターニングする（マスク層形成工程）。マスク層４５については、ゲート電極層４１上のうち、半導体層４０のチャネル領域４０ａを形成する領域に平面視で重なる領域に形成する。
【００３１】
次に、図８に示すように、マスク層４５の上方から半導体層４０にホウ素イオンを注入する（イオン注入工程）。少なくともゲート絶縁層４２を通過することが可能な程度のエネルギーでホウ素イオンを注入する。マスク層４５へ向けて照射されるホウ素イオンは、マスク層４５によってほぼ遮られる。したがって、半導体層４０のうちマスク層４５に平面視で重なる部分はホウ素イオンが注入されないチャネル領域になる。
【００３２】
ゲート電極層４１のうちマスク層４５で覆われていない露出部分４１ａへ向けて照射されるホウ素イオンは、ゲート電極層４１を構成する銀粒子によって一部は遮られるが、多孔質膜の孔部を通過するものもある。したがって、半導体層４０のうち当該露出部分４１ａに平面視で重なる部分はホウ素イオンが低濃度に注入される低濃度ソース領域４０ｂ（図中右側）及び低濃度ドレイン領域４０ｄ（図中左側）になる。
【００３３】
ゲート絶縁層４２のうちマスク層４５でもゲート電極層４１でも覆われていない露出部分４２ａへ向けて照射されるホウ素イオンは、ゲート絶縁層４２をほぼ全て通過し、半導体層４０に注入される。したがって、半導体層４０のうち当該露出部分４２ａに平面的に重なる部分は、高濃度ソース領域４０ｃ（図中右側）及び高濃度ドレイン領域４０ｅ（図中左側）になる。
【００３４】
次に、図９に示すように、ゲート電極層４１の露出部分４１ａを除去する。ゲート電極層４１上に形成したマスク層４５をエッチングマスクとして、露出部分４１ａをエッチングする。次に、図１０に示すように、マスク層４５を除去する。この後、ゲート電極層４１を覆うように層間絶縁膜（図示せず）を形成する。このように、ＴＦＴ２１が製造される。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板２上に半導体層４０、ゲート絶縁層４２を形成した後、銀粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物からなる電極層材料５０を絶縁層上のうち半導体層４０の一部に平面視で重なる領域に塗布し、電極層材料５０が多孔質膜に変化してゲート電極層４１が形成されるように当該電極層材料５０を焼成するので、ゲート電極層４１内にイオンを通過させることが可能な寸法の隙間が多数形成されることになり、イオン注入工程では、ゲート電極層４１内をイオンがある程度通過することになる。
【００３６】
したがって、１回のイオン注入工程によって、半導体層４０にイオン濃度の異なる領域を設けることができるため、イオン注入工程の工数を削減することができる。また、ゲート絶縁層内に固定電荷を設けることが無く、ゲート電極層４１に等方性エッチングするなどの加工を施すことも無いため、動作不良を引き起こすことも無い。これにより、スループットの向上、歩留まりの向上を実現することができる。また、これに加えて、ゲート電極層４１が銀粒子による多孔質膜に形成されるので、当該ゲート電極層４１内の電気抵抗を低下させることができ、消費電力の低いＴＦＴ２１を製造することができるという利点もある。
【００３７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、電極層材料塗布工程において、電極層材料５０を塗布する前に、図１１に示すように当該電極層材料５０を形成する領域を囲うように隔壁５１を形成しても構わない。この後、図１２に示すように、隔壁５１で囲まれた領域に電極層材料５０を塗布し、この状態で電極層材料５０を焼成してゲート電極層４１を形成する。ゲート電極層４１を形成したら、図１３に示すように、隔壁５１を除去するようにする。これにより、ゲート電極層４１を所望の領域内に所望の寸法で形成することができるので、当該ゲート電極層４１の寸法にばらつきが生じるのを回避することができる。
【００３８】
また、電極材料塗布工程において、電極層材料５０を塗布する前に、図１４に示すように、ゲート絶縁層４２上の当該電極層材料５０を形成する領域に親液性を付与する処理（親液化処理）を施しても構わない。親液性を付与する方法としては、基板表面に親液性の自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer））を設ける方法（自己組織膜形成法）が挙げられる。
【００３９】
自己組織化膜とは、自身が形成される下地部材の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００４０】
この自己組織膜形成法によって、例えば図１４に示すように、ゲート絶縁層４２の表面に有機分子膜などからなる自己組織化膜６０を形成する。ゲート絶縁層４２表面を処理するための有機分子膜は、当該ゲート絶縁層４２に結合可能な官能基と、その反対側に親液基を有する官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、ゲート絶縁層４２に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。その後、図１５に示すように、自己組織化膜６０上に電極層材料５０を形成する。
【００４１】
このように、ゲート電極層４１が形成される領域に親液性を有する自己組織化膜６０が形成され、この自己組織化膜６０上に電極層材料５０を塗布するので、ゲート電極層４１を所望の領域内に所望の寸法で形成することができる。したがって、ゲート電極層４１の寸法にばらつきが生じるのを回避することができる。
【００４２】
また、上記実施形態においては、ゲート電極層４１を構成する金属粒子として銀粒子を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば銅粒子を用いた場合であっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。ただし、銅粒子を用いた場合には、焼成工程を大気雰囲気下ではなく、不活性ガス雰囲気下で行う必要がある。
【００４３】
また、上記実施形態においては、液晶パネル１に設けられたＴＦＴ２１について例を挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば有機ＥＬ装置など、他の電気光学装置に設けられたＴＦＴを上記の製造方法によって製造しても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す断面図。
【図３】本実施形態に係るＴＦＴの構成を示す断面図。
【図４】銀粒子をポーラス形状に焼結させた状態を示す電子顕微鏡写真。
【図５】本実施形態に係るＴＦＴの製造工程の様子を示す工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】同、工程図。
【図１０】同、工程図。
【図１１】本実施形態に係る他のＴＦＴの製造工程の様子を示す工程図。
【図１２】同、工程図。
【図１３】同、工程図。
【図１４】本実施形態に係る他のＴＦＴの製造工程の様子を示す工程図。
【図１５】同、工程図。
【符号の説明】
【００４５】
１…液晶パネル  ２…ＴＦＴアレイ基板  ２１…ＴＦＴ  ４０…半導体層  ４０ａ…チャネル領域  ４０ｂ…低濃度ソース領域  ４０ｃ…高濃度ソース領域  ４０ｄ…低濃度ドレイン領域  ４０ｅ…高濃度ドレイン領域  ４１…ゲート電極層  ４２…ゲート絶縁層  ４５…マスク層  ５０…電極層材料  ５１…隔壁  ６０…自己組織化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007280986.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007280986.tif 000013
【図１２】
2007280986.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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