(57)【要約】【課題】ダイシングブレードにウエハを固定したダイシングテープの粘着剤が付着し、ダイシングブレードの切削性能や寿命に悪影響が発生するのを抑えることができるとともに、極薄のウエハであっても破損することなくダイシングを行うことができるダイシング方法を提供する。【解決手段】ダイシングテープに固定されたウエハをダイシングする方法であって、前記ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度の水で冷却しながら前記ウエハをダイシングするダイシング方法。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープに固定されたウエハをダイシングする方法であって、前記ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度の水で冷却しながら前記ウエハをダイシングすることを特徴とするダイシング方法。
【請求項２】
ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）が５〜２５℃であることを特徴とする請求項１記載のダイシング方法。
【請求項３】
ウエハの厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極薄のウエハであっても破損することなくダイシングを行うことができるダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたのち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
通常のダイシング工程においては、研削されたウエハにダイシングテープと呼ばれる粘着テープを貼り付け、固定した状態で、ダイシングブレードにより切削して、個々のＩＣチップに成形される。
【０００４】
特許文献１には、ダイシングテープに固定されたウエハを５℃以下のダイシング切削水を用いて冷却しながらダイシングする方法が開示されている。このような冷却を行うことにより、ダイシングブレードに粘着剤が付着し、ダイシングブレードの切削性能や寿命に悪影響が発生するのを抑えることができ、また、切削中のウエハの位置精度を向上させることができるとされている。
【０００５】
しかし、このようなダイシングテープを用いたダイシング方法においては、得られるＩＣチップの周辺部に大きな欠けが生じることがあるという問題があった。とりわけ、近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりすることができる、厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハも要求されるようになってきている。このような極薄のウエハをダイシングしたとき、従来のダイシング方法では２０μｍ以上に及ぶ大きな欠けが発生し、製品の歩留りが悪化するという問題があった。
【特許文献１】特開平５−２２６４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑み、極薄のウエハであっても破損することなくダイシングを行うことができるダイシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ダイシングテープに固定されたウエハをダイシングする方法であって、上記ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度の水で冷却しながら上記ウエハをダイシングすることを特徴とするダイシング方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、従来のダイシング方法で発生していた２０μｍ以上に及ぶ大きな欠けの原因が、ダイシング工程の際の摩擦熱によりダイシングテープの粘着剤層が軟らかくなり、ダイシングブレードで切削する際に粘着剤層上のウエハがぶれることにあることにたどりついた。
特許文献１では、切削時に冷却することは開示されているが、このような微妙なウエハのぶれによる欠けの発生までは解決できていなかった。
そこで、本発明者らは、更に鋭意検討の結果、ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）に着目し、粘着剤層のＴｇ以下に冷却しながら切削することにより、ウエハのぶれの発生を防止することができ、これにより著しく欠けの発生を抑制することができるということを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
本発明のダイシング方法は、ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度の水で冷却しながら上記ウエハをダイシングするものである。
【００１０】
上記ダイシングテープは、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有する。
上記基材としては特に限定されず、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等が挙げられる。
【００１１】
上記粘着剤層を構成する粘着剤としては特に限定されないが、ガラス転移温度（Ｔｇ）の好ましい下限は５℃、好ましい上限は２５℃である。５℃未満であると、冷却水の温度とほとんど差がないため、粘着剤層の軟化を充分に抑えることができずウエハがぶれてしまうことがあり、２５℃を超えると、粘着剤層がウエハにべとつくことがある。より好ましい下限は１０℃、より好ましい上限は２０℃である。
このようなガラス転移温度を満足する粘着剤層としては特に限定されず、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合体、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂；ＳＥＢＳ、ＳＩＳ、ＳＢＲ等のゴム等を主成分として構成されるもの等が挙げられる。なかでも、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを主成分とするポリマーが好適に用いられる。
【００１２】
上記ウエハとしては特に限定されず、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなるもの等が挙げられる。
上記ウエハの厚さとしては特に限定されないが、本発明においては５０μｍ以下の場合に特に有効である。
【００１３】
本発明においては、上記ダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度の水をふきかけることにより、ダイシングによる摩擦熱によりダイシングテープの粘着剤層が軟らかくなるのを防ぎ、ウエハをダイシングテープ上にしっかりと固定したままダイシング工程を行うことができるため、ウエハが破損することがない。
【００１４】
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、切削部分にＴｇ以下の温度の冷却水をふきかけながら、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等が挙げられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のダイシング方法は、ダイシングテープに固定されたウエハのダイシングをダイシングテープの粘着剤層のガラス転移温度以下の温度の水で冷却しながら行うため、ダイシング工程の摩擦熱によりダイシングテープの粘着剤層が軟化することがない。その結果、ダイシングブレードで切削する際に粘着剤層上のウエハがぶれることがなく、極薄のウエハであっても破損することなくダイシングを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００１７】
（実施例１）
（１）ダイシングテープの調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）２０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部を混合し粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
エチルアクリレート                  ５４重量部
メチルメタクリレート                ４０重量部
アクリル酸                            １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート      ５重量部
光重合開始剤                      ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン            ０．０１重量部
【００１８】
粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤層の表面に、離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシング用粘着テープを得た。
得られたダイシングテープの粘着剤層を動的粘弾性（周波数１０Ｈｚ、設定歪み０．５％、昇温速度３℃／ｍｉｎの条件で剪断法により測定）のｔａｎδの値よりガラス転移温度を測定したところ、約２０℃であった。
【００１９】
（２）ダイシング
常圧環境下で、厚さ５０μｍのウエハを得られたダイシングテープで補強し、ダイシング装置に取り付け、５℃の水を噴射しながらウエハ側からカッター刃を切り入れ、ウエハをＩＣチップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープからニードルピックアップ法によりＩＣチップをピックアップしてＩＣチップを得た。
【００２０】
（実施例２）
ダイシング工程の際の水の温度を１５℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップを作製した。
【００２１】
（比較例１）
ダイシング工程の際の水の温度を２５℃としたこと以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップを作製した。
【００２２】
（比較例２）
常圧環境下で、厚さ５０μｍのウエハをダイシングテープ（古河電工社製ＵＣ−３５３ＥＰ−１１０、粘着剤層のＴｇ−３０℃）に貼り付け、ダイシング装置に取り付け、５℃の水を噴射しながらウエハ側からカッター刃を切り入れ、ウエハをＩＣチップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープを剥がし、ＩＣチップを得た。
【００２３】
（参考例１）
厚さが２００μｍのウエハを用いたこと以外は、比較例２と同様にしてダイシング工程を行い、ＩＣチップを得た。
【００２４】
＜評価＞
実施例１〜２、比較例１〜２及び参考例１で得られたＩＣチップについて以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００２５】
（欠けの個数）
ダイシング工程を行うことにより得られたＩＣチップのうちそれぞれ１０枚をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、ＶＨＸ−２００）で観察し、ダイシングされた辺の２０μｍ以上の欠けの個数を測定し、１０枚の平均値を求めた。
【００２６】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明によれば、極薄のウエハであっても破損することなくダイシングを行うことができるダイシング方法を提供することができる。