(57)【要約】【課題】  相展開駆動方式を採用する場合において表示品位の低下を抑える。【解決手段】  サンプリングスイッチたるＴＦＴ１８２０は、データ線１１４の各々に設けられ、オンによって画像信号線１７０のいずれかに供給されたデータ信号をデータ線にサンプリングする。データ線１１４は、４本毎にグループ化されている。ここで、１つのサンプリング信号を隣接する２つのグループに供給し、当該サンプリング信号が出力された場合に、当該２つのグループに属する８個のサンプリングスイッチのうち、連続する４個のサンプリングスイッチを同時にオンさせる。  選択線１８２に供給される信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８によって、同時にオンさせる４個のサンプリングスイッチの組み合わせを、１フレームで１列ずつ右方向にシフトさせる。【選択図】      図４
2007017564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線とｍ（ｍは２以上の整数）本毎にグループ化された複数のデータ線とに対
応して設けられ、各々は、走査線が選択されたときの、データ線にサンプリングされたデ
ータ信号に応じた階調となる画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
前記グループに対応して複数のサンプリング信号を順次出力するサンプリング信号出力
回路と、
前記データ信号を供給するｍ本の画像信号線と、
前記データ線の各々に設けられ、オン状態で前記画像信号線のいずれかに供給されたデ
ータ信号をデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、
１つのサンプリング信号を隣接する２つの前記グループに供給し、当該サンプリング信
号が出力された場合に、当該２つのグループに属する２ｍ個のサンプリングスイッチのう
ち、連続するｍ個のサンプリングスイッチを同時にオン状態にさせるサンプリング制御回
路と、
前記サンプリング制御回路によって同時にオン状態にさせるｍ個のサンプリングスイッ
チの組み合わせを、一定の周期毎に所定の順番で変更するブロック変更回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
１つのサンプリング信号が供給される２つのグループのうち、一方のグループに属する
（２ｍ−１）個のサンプリングスイッチは、
当該サンプリング信号の次に出力されるサンプリング信号が供給される２つのグループ
のうち、他方のグループに属する（２ｍ−１）個のサンプリングスイッチである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ブロック変更回路は、ｍ個のサンプリングスイッチを１フレーム毎に１個ずつシフ
トさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ブロック変更回路は、
２ｍ本の選択線を２つに分割し、２つに分割したｍ本ずつの選択線に対して交互に排他
的的レベルとなるように、制御信号を出力するとともに、
分割する選択線のｍ本の組み合わせを、一定の周期毎に所定の順番で変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記サンプリング制御回路は、
前記サンプリングスイッチ毎に、
２つのサンプリング信号同士の論理和信号を求める論理和回路と、
前記論理和信号と前記２ｍ個の制御信号のいずれかとの論理積信号を求めて、オン又は
オフ状態を指示する論理積回路と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
選択された走査線と、サンプリングスイッチのオン状態が指定されるデータ線との交差
に対応する画素のデータ信号を前記ｍ本の画像信号線に供給する処理回路を、
さらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
複数の走査線とｍ（ｍは２以上の整数）本毎にグループ化された複数のデータ線とに対
応して設けられ、各々は、走査線が選択されたときの、データ線にサンプリングされたデ
ータ信号に応じた階調となる画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
前記グループに対応して複数のサンプリング信号を順次出力するサンプリング信号出力
回路と、
前記データ信号を供給するｍ本の画像信号線と、
前記データ線の各々に設けられ、オン状態で前記画像信号線のいずれかに供給されたデ
ータ信号をデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
１つのサンプリング信号を隣接する２つのグループに供給し、当該サンプリング信号が
出力された場合に、当該２つのグループに属する２ｍ個のサンプリングスイッチのうち、
連続するｍ個のサンプリングスイッチを同時にオン状態にさせるとともに、
同時にオン状態にさせるｍ個のサンプリングスイッチの組み合わせを、一定の周期毎に
所定の順番で変更する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆる相展開したデータ信号をサンプリングしたときの表示品位の低下を
抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、液晶などの表示パネルを用いて小型縮小画像を形成するとともに、この小型
縮小画像を光学系によって拡大投射するプロジェクタが普及しつつある。プロジェクタは
、それ自体で画像を作成する機能はなく、パソコンやテレビチューナなどの上位装置から
画像データ（または画像信号）の供給を受ける。この画像データは、画素の階調（明るさ
）を指定するものであって、マトリクス状に配列する画素を垂直および水平走査した形式
で供給されるので、プロジェクタに用いられる表示パネルについても、この形式に準じて
駆動するのが適切である。このため、プロジェクタに用いられる表示パネルでは、走査線
を１行ずつ所定の順番に選択するとともに、１行の走査線が選択される期間において１列
ずつデータ線を順番に選択して、画像データを液晶の駆動に適するように変換したデータ
信号を、選択したデータ線に供給する、という点順次方式で駆動するのが一般的であった
。
【０００３】
一方、最近では、ハイビジョンなどのように表示画像の高精細化が進行している。高精
細化は、走査線の行数およびデータ線の列数を増加させることによって達成することがで
きるが、フレーム周波数は固定であるので、走査線行数の増加によって１水平走査期間が
短縮し、さらに、点順次方式では、データ線列数の増加によって、データ線の選択期間も
短縮する。このため、点順次方式では、高精細化が進行するにつれてデータ線にデータ信
号を供給する時間を充分に確保できなくなって、画素への書き込みが不十分となり始めた
。
そこで、書き込み不足を解消する目的で、相展開駆動という方式が考え出された（特許
文献１参照）。この相展開駆動は、データ線を予め定められた列毎に、例えば４列毎（特
許文献１では６列毎）にまとめ、１水平走査期間において４列ずつ所定の順番で選択する
とともに、選択した４列のデータ線に、時間軸に対し４倍に伸長したデータ信号をそれぞ
れに供給する、という方式である。この相展開駆動方式では、データ線にデータ信号を供
給する時間を、点順次方式と比較して、この例では４倍確保することができるので、高精
細化に適している、と考えられた。
【特許文献１】特開２０００−１１２４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような相展開駆動方式では、同時選択の４列毎に画素の階調が微妙に異
なってしまう、という縦スジ状のムラが発生して、表示品位の低下が目立つようになった
。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、相展開駆
動方式を採用する場合において、表示品位の低下を抑えることが可能な電気光学装置、駆
動方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明にあっては、複数の走査線とｍ（ｍは２以上の整数）
本毎にグループ化された複数のデータ線とに対応して設けられ、各々は、走査線が選択さ
れたときの、データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる画素と、前記
複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、前記グループに対応して複数の
サンプリング信号を順次出力するサンプリング信号出力回路と、前記データ信号を供給す
るｍ本の画像信号線と、前記データ線の各々に設けられ、オン状態で前記画像信号線のい
ずれかに供給されたデータ信号をデータ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、
１つのサンプリング信号を隣接する２つの前記グループに供給し、当該サンプリング信号
が出力された場合に、当該２つのグループに属する２ｍ個のサンプリングスイッチのうち
、連続するｍ個のサンプリングスイッチを同時にオン状態にさせるサンプリング制御回路
と、前記サンプリング制御回路によって同時にオン状態にさせるｍ個のサンプリングスイ
ッチの組み合わせを、一定の周期毎に所定の順番で変更するブロック変更回路と、を具備
することを特徴とする。本発明によれば、同時にサンプリングするｍ個のブロックが固定
的となってしまうことが回避される。
【０００６】
本発明において、１つのサンプリング信号が供給される２つのグループのうち、一方の
グループに属する（２ｍ−１）個のサンプリングスイッチは、当該サンプリング信号の次
に出力されるサンプリング信号が供給される２つのグループのうち、他方のグループに属
する（２ｍ−１）個のサンプリングスイッチである構成が好ましい。
また、本発明において、前記ブロック変更回路は、ｍ個のサンプリングスイッチを１フ
レーム毎に１個ずつシフトさせる構成も好ましい。
一方、前記ブロック変更回路は、２ｍ本の選択線を２つに分割し、２つに分割したｍ本
ずつの選択線に対して交互に排他的的レベルとなるように、制御信号を出力するとともに
、分割する選択線のｍ本の組み合わせを、一定の周期毎に所定の順番で変更する構成とし
ても良い。この構成においては、さらに、前記サンプリング制御回路は、前記サンプリン
グスイッチ毎に、２つのサンプリング信号同士の論理和信号を求める論理和回路と、前記
論理和信号と前記２ｍ個の制御信号のいずれかとの論理積信号を求めて、オン又はオフ状
態を指示する論理積回路と、を有する構成としても良い。
くわえて、選択された走査線と、サンプリングスイッチのオン状態が指定されるデータ
線との交差に対応する画素のデータ信号を前記ｍ本の画像信号線に供給する処理回路を、
さらに有する構成としても良い。
本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法としても、さらには、電気光
学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
上述した相展開駆動方式において、同時に選択する列数の周期で縦スジ状のムラが発生
する原因は、データ線を介して、データ信号を同時に書き込むデータ線のブロックが固定
的であるため、と本件発明者は考えた。
そこで、以下に説明する実施形態は、データ線を介し、データ信号を同時に書き込むデ
ータ線のブロックを複数フレーム（垂直走査期間）にわたって変化させ、これにより、縦
スジ状のムラが視認されにくくしようと企図したものである。
【０００８】
本発明の実施形態に係る電気光学装置について説明する。図１は、この電気光学装置の
全体構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、処理回路５０と表示パネル１００とに
大別される。このうち、処理回路５０は、表示パネル１００の動作等を制御する回路であ
って、プリント基板に実装された回路モジュールであり、表示パネル１００とは、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板等によって接続されている。
【０００９】
処理回路５０は、さらに、走査制御回路５２、ラインメモリ３１０、Ｓ／Ｐ変換回路３
２０、Ｄ／Ａ変換回路群３３０及び極性反転回路３４０に分けられる。
ラインメモリ３１０は、垂直走査信号Ｖｓ、水平走査信号Ｈｓ及びドットクロック信号
Ｄｃｌｋに同期して上位装置（図示省略）から供給される画像データＶｉｎの１行分を格
納した後、走査制御回路５２による指示にしたがって読み出し、画像データＶｏｕｔとし
て出力するものである。ここで、画像データＶｉｎ（Ｖｏｕｔ）は、画素の階調（明るさ
）を指定するディジタルデータである。
Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、ラインメモリ３１０から読み出された画像データＶｏｕｔを
、走査制御回路５２による指示にしたがって、時間軸に４倍に伸長（シリアル−パラレル
変換、相展開ともいう）するとともに、同指示にしたがってチャネルｃｈ１〜ｃｈ４に分
配して画像データＶｄ１〜Ｖｄ４として出力するものである。なお、帰線期間において画
像データＶｉｎが供給されないので、Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、帰線期間においては、画
素を黒色表示させるデータに置き換えて画像データＶｄ１〜Ｖｄ４として出力する。
【００１０】
Ｄ／Ａ変換回路群３３０は、チャネル毎に設けられたＤ／Ａ変換器の集合体であって、
画像データＶｄ１〜Ｖｄ４を、階調値に応じたアナログ電圧に変換するものである。
なお、本実施形態では、画像データＶｉｎをシリアル−パラレル変換した後にアナログ
変換する構成とするが、シリアル−パラレル変換前にアナログ変換しても良いのはもちろ
んである。
【００１１】
極性反転回路３４０は、Ｄ／Ａ変換された４チャネルのアナログ信号を、走査制御回路
５２により正極性が指示された場合には、当該アナログ信号の電圧だけ、電圧Ｖcよりも
高位側に変換する一方、負極性が指示された場合には、電圧Ｖcよりも低位側に変換して
、それぞれデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力するものである。なお、このデータ
信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４は、表示パネル１００における４本の画像信号線１７０に供給さ
れる。
ここで、電圧Ｖcは、特に図示しないがデータ信号の振幅中心電位であり、画素への書
込極性の基準であって、電源電圧（Ｖｄｄ−Ｇｎｄ）のほぼ中間電圧である。換言すれば
、本実施形態では、データ信号について、電圧Ｖcよりも高位側を正極性と、低位側を負
極性と、それぞれ称している。また、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地
電位Ｇｎｄを基準とする。
【００１２】
極性反転回路３４０によりデータ信号の極性を反転する理由は、画素の交流駆動のため
である。ここで、１フレームにおいて画素をどのように反転させるかについては、（ａ）
走査線毎、（ｂ）データ線毎、（ｃ）画素毎、（ｄ）面（フレーム）毎など様々な態様が
あるが、本実施形態にあっては（ａ）走査線毎の極性反転であるとする。ただし、本発明
をこれに限定する趣旨ではない。
【００１３】
走査制御回路５２は、表示パネル１００の走査を制御する第１の機能と、上述したＳ／
Ｐ変換回路３２０に対し、表示パネル１００の水平走査に同期するように相展開を制御す
るとともに、４チャネルへの分配についてフレーム番号にしたがって規定する第２の機能
と、この相展開とフレーム番号とによって定まる順番で、ラインメモリ３１０に記憶され
た１行分の画像データＶｉｎの読み出しを制御する第３の機能と、選択信号Ａ１、Ａ０を
フレーム番号にしたがった論理レベルで、１垂直走査期間にわたって固定化する第４の機
能と、を主に有する。
【００１４】
ここで、第１の機能について詳述すると、走査制御回路５２は、上位装置から供給され
るドットクロック信号Ｄｃｌｋ、垂直走査信号Ｖｓ及び水平走査信号Ｈｓから、転送開始
パルスＤＸ及びクロック信号ＣＬＸを生成して表示パネル１００の水平走査を制御すると
ともに、転送開始パルスＤＹ及びクロック信号ＣＬＹを生成して、表示パネル１００の垂
直走査を制御する。
また、第２の機能については、Ｓ／Ｐ変換回路３２０による相展開に同期するように、
制御信号Ｅｎｂ１、Ｅｎｂ２とを出力する。なお、制御信号Ｅｎｂ１、Ｅｎｂ２は、その
論理レベルが互いに反転の関係にある。
一方、Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、時間軸に伸長した画像データを４チャネルに分配する
が、この分配の仕方がフレーム毎に異なる。走査制御回路５２は、この分配の仕方をＳ／
Ｐ変換回路５２に指示する。
ここで、フレーム番号とは、垂直走査期間（フレーム）を区別するためのものであり、
本実施形態においては「１」から「４」までの４つである。第４の機能について、走査制
御回路５２は、選択信号Ａ１、Ａ０の論理レベルを、図６に示されるように、フレーム番
号「１」の第１フレームにあってはそれぞれＬ、Ｌレベルとし、
フレーム番号「２」の第２フレームにあってはそれぞれＬ、Ｈレベルとし、フレーム番号
「３」の第３フレームにあってはそれぞれＨ、Ｌレベルとし、フレーム番号「４」の第４
フレームにあってはそれぞれＨ、Ｈレベルとする。
【００１５】
一方、表示パネル１００は、素子基板と共通電極が形成された対向基板とを一定の間隙
をもってシール材によって貼り合わせるとともに、この間隙に例えばＴＮ型の液晶を封止
した構成となっており、当該液晶の電気光学変化によって所定の画像を形成するものであ
る。
表示パネル１００の詳細については、図２に示されるように、８６４行の走査線１１２
が図においてＸ（水平）方向に延在する一方、１１５２列のデータ線１１４が図において
Ｙ（垂直）方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交
差部分に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態
において、画素１１０は、表示領域１００ａにおいて縦８６４行×横１１５２列のマトリ
クス状に配列することになる。ただし、本実施形態では、後述する理由のために、１〜４
列目及び１１４９〜１１５２列目についてはダミー画素として用いるので、これらのダミ
ー画素はブラックマトリクス等により遮光される。したがって、本実施形態において表示
に有効な画素の配列は、左右の４列ずつを除いた縦８６４行×横１１４４列となる。
なお、本実施形態において、１１５２列のデータ線１１４は、４列毎にグループ化され
ている。そこで、説明の便宜上、左から数えて１、２、３、…、２８８番目のブグループ
を、それぞれＢ１、Ｂ２、Ｂ３、…、Ｂ２８８と表記する。
【００１６】
図３は、表示パネル１００における画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行及び
これに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応す
る２×２の計４画素分の構成を示している。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配
列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上８６４以下の整数であり、ｊ、（ｊ
＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上１１５２
以下の整数である。
図３に示されるように、画素１１０においては、ｎチャネル型のＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）１１６のソースがデータ線１１４に接続されるとともに、そのドレインが画素電極
１１８に接続される一方、ゲートが走査線１１２に接続されている。
また、素子基板に形成された画素電極１１８に対向するように共通電極１０８が全画素
に対して共通に設けられる。そして、これらの画素電極１１８と共通電極１０８との間に
液晶１０５が挟持されている。このため、画素毎に、画素電極１１８、共通電極１０８及
び液晶１０５からなる液晶容量１２０が構成されることになる。
なお、共通電極１０８には、時間的に一定の電圧ＬＣcomが印加されるが、この電圧（
電位）は、本実施形態では、基準電圧Ｖcと同一である。ただし、後述する理由により、
基準電圧Ｖcよりも若干低位側に設定される場合がある。
【００１７】
特に図示はしないが、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば
約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両
基板の各背面側には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と共通電極１０８との間を通過する光は、液晶容量１２０に印加される
電圧実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実
効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。こ
のため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、偏光子を偏光軸が配向方向に一致
するようにそれぞれ配置させると、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大
となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して
、ついには透過率が最小である黒色表示になる（ノーマリーホワイトモード）。
【００１８】
また、オフ時におけるＴＦＴ１１６を介した液晶容量１２０からの電荷リークの影響を
少なくするために、蓄積容量１０９が画素毎に形成されている。この蓄積容量１０９の一
端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）に接続される一方、その他端は、全画
素にわたって容量線１０７に共通接続されている。この容量線１０７は、図２では図示省
略されているが、本実施形態では、図３に示されるように共通電極１０８と同じ電圧ＬＣ
comに保たれている。詳細には、容量線１０７は素子基板に形成され、共通電極１０８は
対向基板に形成されているが、図示しない導通材により、容量線１０７と共通電極１０８
とは、電気的な接続が図られている。このため、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイ
ン）と共通電極１０８とは、画素１１０毎に液晶容量１２０と蓄積容量１０９とが並列的
に付加された構成となっている。
なお、画素１１０におけるＴＦＴ１１６は、次に説明する走査線駆動回路１３０や、サ
ンプリング信号出力回路１４０、サンプリング回路１８０などと共通の製造プロセスで形
成されて、装置全体の小型化や低コスト化に寄与している。
【００１９】
図２において、画素１１０が配列する表示領域１００ａの周辺には、走査線駆動回路１
３０や、サンプリング信号出力回路１４０、サンプリング回路１８０などの周辺回路が設
けられている。
このうち、走査線駆動回路１３０は、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４を、そ
れぞれ１行目、２行目、３行目、…、８６４行目の走査線１１２に供給するものである。
走査線駆動回路１３０の詳細については、本発明と直接関連しないので省略するが、例え
ば図６に示されるように、各垂直有効表示期間の最初に供給されるとともに、クロック信
号ＣＬＹの半周期に相当するパルス幅（Ｈレベル）の転送開始パルスＤＹを、当該クロッ
ク信号ＣＬＹのレベルが遷移するタイミングで取り込んで、これを走査信号Ｇ１とすると
ともに、この走査信号Ｇ１を、クロック信号ＣＬＹの半周期ずつ順次遅延させて、走査信
号Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４として出力する構成となっている。
本実施形態において、垂直走査期間は、垂直有効表示期間と、この期間に続く垂直帰線
期間とに分かれる。ここで、垂直有効表示期間は、図６に示されるように、走査信号Ｇ１
がＨレベルとなるタイミングから、走査信号Ｇ８６４がＬレベルに戻るタイミングまでの
期間とし、垂直走査期間のうち垂直有効表示期間を除いた期間を垂直帰線期間とする。
【００２０】
次に、サンプリング信号出力回路１４０は、図６または図７に示されるように、各水平
有効表示期間の最初に供給されるとともに、クロック信号ＣＬＸの半周期に相当するパル
ス幅（Ｈレベル）の転送開始パルスＤＸを、当該クロック信号ＣＬＸのレベルが遷移する
タイミングで取り込んで、これをサンプリング信号Ｓ１とするとともに、このサンプリン
グ信号Ｓ１を、クロック信号ＣＬＸの半周期ずつ順次遅延させて、サンプリング信号Ｓ２
、Ｓ３、…、Ｓ２８８として出力する構成となっている。
本実施形態において、水平走査期間は、水平有効表示期間と、この期間に続く水平帰線
期間とに分かれる。ここで、水平有効表示期間は、図７に示されるように、サンプリング
信号Ｓ１がＨレベルとなるタイミングから、サンプリング信号Ｓ２８８がＬレベルとなる
タイミングまでの期間とし、水平走査期間のうち水平有効表示期間を除いた期間を水平帰
線期間とする。
【００２１】
一方、図２において、ブロック変更回路１６０は、１垂直走査期間においては、８本あ
る選択線１８２を４本ずつの２つに分割するとともに、相展開の周期においては、分割し
たいずれかの４本ずつの選択線１８２をＨレベルとするものである。
【００２２】
ブロック変更回路１６０の詳細について図４を参照して説明する。
この図に示されるように、ブロック変更回路１６０は、ＮＯＴ回路１６１、１６２と、
ＮＡＮＤ回路１６３、１６４、１６５、１６６と、トランジスタ群Ｅ１〜Ｅ８とを有する
。
このうち、ＮＯＴ回路１６１、１６２は、それぞれ選択信号Ａ１、Ａ０の否定信号をそ
れぞれ出力し、ＮＡＮＤ回路１６３は、選択信号Ａ１の否定信号と選択信号Ａ０の否定信
号との否定論理積信号／Ｄ１を出力し、ＮＡＮＤ回路１６４は、選択信号Ａ１の否定信号
と選択信号Ａ０との否定論理積信号／Ｄ２を出力し、ＮＡＮＤ回路１６５は、選択信号Ａ
１と選択信号Ａ０の否定信号との否定論理積信号／Ｄ３を出力し、ＮＡＮＤ回路１６６は
、選択信号Ａ１と選択信号Ａ０との否定論理積信号／Ｄ４を出力する。
【００２３】
また、トランジスタ群Ｅ１〜Ｅ８は、それぞれ４つのｐチャネル型トランジスタを有す
る。
ここで、トランジスタ群Ｅ１、Ｅ２を構成するトランジスタのゲートには、信号／Ｄ１
が共通に供給される。トランジスタ群Ｅ１を構成する４つのトランジスタのソースは、そ
れぞれ制御信号Ｅｎｂ１が共通に供給される一方、それぞれのドレインは、順番に１〜４
本目の選択線１８２に接続されている。また、トランジスタ群Ｅ２を構成する４つのトラ
ンジスタのソースは、それぞれ制御信号Ｅｎｂ２が共通に供給される一方、それぞれのド
レインは、順番に５〜８本目の選択線１８２に接続されている。
トランジスタ群Ｅ３、Ｅ４を構成するトランジスタのゲートには、信号／Ｄ２が共通に
供給される。トランジスタ群Ｅ３を構成する４つのトランジスタのソースは、それぞれ制
御信号Ｅｎｂ１が共通に供給される一方、それぞれのドレインは、順番に２〜５本目の選
択線１８２に接続されている。また、トランジスタ群Ｅ４を構成する４つのトランジスタ
のソースは、それぞれ制御信号Ｅｎｂ２が共通に供給される一方、それぞれのドレインは
、順番に６〜８本目および１本目の選択線１８２に接続されている。
トランジスタ群Ｅ５、Ｅ６を構成するトランジスタのゲートには、信号／Ｄ３が共通に
供給される。トランジスタ群Ｅ５を構成する４つのトランジスタのソースは、それぞれ制
御信号Ｅｎｂ１が共通に供給される一方、それぞれのドレインは、順番に３〜６本目の選
択線１８２に接続されている。また、トランジスタ群Ｅ６を構成する４つのトランジスタ
のソースは、それぞれ制御信号Ｅｎｂ２が共通に供給される一方、それぞれのドレインは
、順番に７〜８本目および１〜２本目の選択線１８２に接続されている。
トランジスタ群Ｅ７、Ｅ８を構成するトランジスタのゲートには、信号／Ｄ４が共通に
供給される。トランジスタ群Ｅ７を構成する４つのトランジスタのソースは、それぞれ制
御信号Ｅｎｂ１が共通に供給される一方、それぞれのドレインは、順番に４〜７本目の選
択線１８２に接続されている。また、トランジスタ群Ｅ８を構成する４つのトランジスタ
のソースは、それぞれ制御信号Ｅｎｂ２が共通に供給される一方、それぞれのドレインは
、順番に８本目および１〜３本目の選択線１８２に接続されている。
なお、便宜的に１〜８本目の選択線１８２に供給される信号をそれぞれＳｅｌ１〜Ｓｅ
ｌ８と表記する。
【００２４】
ここで、例えば第１フレームでは、選択信号Ａ１、Ａ０がいずれもＬレベルとなるので
、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、／Ｄ１だけがＬレベルとなり、トランジスタ群Ｅ１、Ｅ２
を構成するトランジスタがそれぞれオンする。このため、８本の選択線１８２は、１〜４
本目と、５〜８本目とに２分割される。一方、制御信号Ｅｎｂ１、Ｅｎｂ２は互いに論理
レベルが反転の関係にある。したがって、１〜４本目の選択線１８２の信号Ｓｅｌ１〜Ｓ
ｅｌ４は、制御信号Ｅｎｂ１と同一の論理レベルとなる一方、５〜８本目の選択線１８２
の信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８は、制御信号Ｅｎｂ１を反転した論理レベルとなる。
また例えば第２フレームでは、選択信号Ａ１、Ａ０はそれぞれＬ、Ｈレベルであるので
、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、／Ｄ２だけがＬレベルとなるので、トランジスタ群Ｅ３、
Ｅ４を構成するトランジスタがそれぞれオンする。このため、８本の選択線１８２は、２
〜５本目と、６〜８本目および１本目とに２分割されて、信号Ｓｅｌ２〜Ｓｅｌ５は、制
御信号Ｅｎｂ１と同一の論理レベルとなる一方、信号Ｓｅｌ６〜Ｓｅｌ８およびＳｅｌ１
は、制御信号Ｅｎｂ１を反転した論理レベルとなる。
【００２５】
続いて、サンプリング回路１８０は、４本の画像信号線１７０を介して供給されるデー
タ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４を、サンプリング信号Ｓ１〜Ｓ２８８及び信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅ
ｌ８にしたがって規定されるデータ線１１４にそれぞれサンプリングするものである。
【００２６】
サンプリング回路１８０の詳細について図５を参照して説明する。
この図に示されるように、原則として、各グループには、グループ番号と同じ番号のサ
ンプリング信号と、「１」だけ若い番号のサンプリング信号とが対応して供給されている
。ただし、グループＢ１には、「１」よりも若い番号が存在しないので、例外的にサンプ
リング信号Ｓ１のみに対応している。
逆に言えば、１つのサンプリング信号Ｓｋは、当該サンプリング信号と番号ｋが同じグ
ループＢｋと、ｋよりも「１」だけ番号の大きいグループＢ（ｋ＋１）とに供給されてい
る。しかし、サンプリング信号Ｓｋは、「１」だけ番号の大きいグループに属する４本の
データ線１１４のうち、最右端に対応するデータ線１１４には供給されない。例えば、サ
ンプリング信号Ｓ３は、「３」と同じ番号のグループＢ３と、これよりも「１」だけ大き
い番号のグループＢ４とに対応して供給されるが、グループＢ４において最右端に位置す
る１６列目のデータ線１１４には供給されない。なお、ｋは、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ
２、Ｓ３、…、Ｓ２８８を特定しないで表記する場合の便宜的な符号であって、１以上２
８８以下の整数である。
【００２７】
一方、データ線１１４の各々には、ｎチャネル型のＴＦＴ１８２０がトランスミッショ
ンゲート（サンプリングスイッチ）として、それぞれ設けられている。ここで、ＴＦＴ１
８２０のドレインは、対応するデータ線１１４に接続されている。また、ＴＦＴ１８２０
ソースは、次のような関係でデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が供給される４本の画像信号
線１７０のいずれかに接続されている。
すなわち、図５において左から数えてｊ列目のデータ線１１４の一端にドレインが接続
されたＴＦＴ１８２０は、ｊを４で割った余りが「１」であるならば、そのソースが、デ
ータ信号Ｖｉｄ１が供給される画像信号線１７０に接続され、同様に、ｊを４で割った余
りが「２」、「３」、「０」であるデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ１８２
０は、そのソースが、データ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４が供給される画像信号線
１７０にそれぞれ接続される。
例えば、図５において１１列目のデータ線１１４にドレインが接続されたＴＦＴ１８２
０のソースは、「１１」を４で割った余りが「３」であるから、データ信号Ｖｉｄ３が供
給される３本目の画像信号線１７０に接続される。
【００２８】
ＴＦＴ１８２０に供給されるゲート信号は、偶数グループと奇数グループとで分かれて
、次のような関係となっている。
すなわち、偶数グループ（Ｂ２、Ｂ４、Ｂ６、…、Ｂ２８８）では、当該グループを構
成するデータ線１１４毎に、対応する２つのサンプリング信号同士の否定論理和信号を出
力するＮＯＲ回路１８１２と、当該否定論理和信号の否定信号を出力するＮＯＴ回路１８
１４と、当該否定信号と信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８のいずれか１つとの否定論理積信号を出
力するＮＡＮＤ回路１８１６と、当該否定論理積信号の否定信号を出力するＮＯＴ回路１
８１８との組を有する。なお、ＮＯＲ回路１８１２とＮＯＴ回路１８１４とを併せると、
正論理のＯＲ回路となり、ＮＡＮＤ回路１８１６とＮＯＴ回路１８１８とを併せると、正
論理のＡＮＤ回路となる。
ここで、偶数グループにおいて、左から数えてｊ列目のデータ線１１４に対応するＮＡ
ＮＤ回路１８１６は、ｊを４で割った余りが「１」であるならば、ＮＯＴ回路１８１４に
よる否定信号と信号Ｓｅｌ５との否定論理積信号を出力し、同様に、ｊを４で割った余り
が「２」、「３」、「０」であるデータ線１１４に対応するＮＡＮＤ回路１８１６は、Ｎ
ＯＴ回路１８１４による否定信号と信号Ｓｅｌ６、Ｓｅｌ７、Ｓｅｌ８との否定論理積信
号を出力する。
【００２９】
一方、グループＢ１を除く奇数グループ（Ｂ３、Ｂ５、Ｂ７、…、Ｂ２８８）では、当
該グループを構成するデータ線１１４毎に、ＮＯＲ回路１８１２と、ＮＯＴ回路１８１４
と、ＮＡＮＤ回路１８１６と、ＮＯＴ回路１８１８との組を有する点で偶数グループと共
通であるが、ＮＡＮＤ回路１８１６が、ＮＯＴ回路１８１４による否定信号と信号Ｓｅｌ
１〜Ｓｅｌ４のいずれかとの否定論理積信号を出力する点で偶数グループと相違する。
すなわち、奇数グループにおいて、左から数えてｊ列目のデータ線１１４に対応するＮ
ＡＮＤ回路１８１６は、ｊを４で割った余りが「１」、「２」、「３」、「０」であるな
らば、ＮＯＴ回路１８１４による否定信号と信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３、Ｓｅｌ
４との否定論理積信号を出力する点で偶数グループと相違している。
【００３０】
ところで、最初のグループＢ１にあっては、他の奇数グループ（Ｂ３、Ｂ５、Ｂ７、…
、Ｂ２８７）とは異なり、１つのサンプリング信号Ｓ１のみが対応するので、ＮＯＲ回路
１８１２とＮＯＴ回路１８１４とが存在しない。
また、４、８、１２、１６、…、１１５２列には、グループの番号よりも「１」だけ若
い番号のサンプリング信号が供給されないので、該当する列のＮＯＲ回路１８１２は、Ｎ
ＯＴ回路として機能する。
なお、これらの一連のＮＯＲ回路１８１２、ＮＯＴ回路１８１４、ＮＡＮＤ回路１８１
６およびＮＯＴ回路１８１８が、ＴＦＴ１８２０のオンまたはオフを規定するサンプリン
グ制御回路として機能する。
【００３１】
このようなサンプリング回路１８０においては、対応する２つのサンプリング信号のい
ずれか（グループＢ１ではサンプリング信号Ｓ１のみ）がＨレベルとなったときであって
、信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ８のうち、Ｈレベルとなっているものに対応するＴＦＴ１８２０
が同時にオンし、画像信号線１７０に供給されたデータ信号をサンプリングして、データ
線１１４にサンプリングする構成となっている。
【００３２】
なお、８本の選択線１８２の末端には、それぞれプルダウン回路１８３０が設けられて
いる。このため、トランジスタ群Ｅ１〜Ｅ８を構成するトランジスタ（図４参照）がすべ
てオフであったとしても、選択線１８２はハイ・インピーダンス（フローティング）状態
になることなく、接地電位ＧｎｄであるＬレベルに確定することになる。
【００３３】
次に、実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
本実施形態において、走査線駆動回路１３０には、１垂直走査有効表示期間の最初に、
転送開始パルスＤＹが供給される。この供給によって、図６に示されるように、走査信号
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４が順次排他的に１水平走査期間毎にＨレベルになる。こ
の走査線駆動回路１３０の動作は、第１〜第４フレームにわたって共通である。
まず、第１フレームであって、走査信号Ｇ１がＨレベルになる水平有効表示期間につい
て説明する。なお、この水平有効表示期間については正極性の書き込みが行われるものと
する。
一方、サンプリング信号出力回路１４０は、走査信号Ｇ１がＨレベルとなる期間にわた
って、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ２８８を、順次排他的にＨレベルとな
るように順番に出力する。
【００３４】
走査制御回路５２は、第１フレームにおいては、図８に示されるように、選択信号Ａ１
、Ａ０をそれぞれＬレベルとする一方、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にわ
たって制御信号Ｅｎｂ１、Ｅｎｂ２をそれぞれＨ、レベルとし、以降、サンプリング信号
Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、…、Ｓ２８８が順次Ｈレベルとなる期間毎に、制御信号Ｅｎｂ１、Ｅ
ｎｂ２の論理レベルを反転する。
【００３５】
ここで、選択信号Ａ１、Ａ０がいずれもＬレベルであると、ブロック変更回路１６０で
は、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、信号／Ｄ１だけがＬレベルとなるので、トランジスタ群
Ｅ１、Ｅ２を構成するトランジスタだけがオンする。このため、制御信号Ｅｎｂ１がＨレ
ベルとなる期間（制御信号Ｅｎｂ２がＬレベルとなる期間）においては、信号Ｓｅｌ１〜
Ｓｅｌ４がＨレベルとなり、信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８がＬレベルとなる一方、制御信号Ｅ
ｎｂ１がＬレベルとなる期間（制御信号Ｅｎｂ２がＨレベルとなる期間）においては、信
号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ４がＬレベルとなり、信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８がＨレベルとなる。
このため、第１フレームにおいては、信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ４に対応する４列のデータ
線１１４へのデータ信号のサンプリングと、信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８に対応する４列のデ
ータ線１１４へのデータ信号のサンプリングとが、交互に実行されることになる。
【００３６】
一方、走査信号Ｇ１がＨレベルとなる前に、画像データＶｉｎとして、１行目であって
１、２、３、４、…、１１５２列目の画素１１０に対応するものが順番に供給されて、ラ
インメモリ３１０に格納される。
ここで、走査信号Ｇ１がＨレベルとなり、かつ、図８に示されるようにサンプリング信
号Ｓ１がＨレベルとなる直前において、走査制御回路５２は、ラインメモリ３１０から、
１行１列の画素１１０に対応する画像データの読み出しを開始するとともに、以降、２、
３、４、…、１１５２列の画素１１０に対応する画像データを順番に読み出す。
読み出された画像データＶｏｕｔは、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にあ
わせて、Ｓ／Ｐ変換回路３２０によって時間軸に４倍に伸長されるとともに、１、２、３
、４列目に対応する画像データが、それぞれ画像データＶｄ１、Ｖｄ２、Ｖｄ３、Ｖｄ４
の順に分配される。
なお、分配された画像データＶｄ１〜Ｖｄ４は、それぞれＤ／Ａ変換回路群３３０によ
ってアナログ信号に変換され、さらに、それぞれ極性反転回路３４０によって正極性の信
号とされ、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力される。
これによって、データ信号Ｖｉｄ１は、１行１列の画素１１０の階調に応じた正極性電
圧となる。同様に、データ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４は、それぞれ１行２列、
１行３列及び１行４列の画素１１０の階調に応じた正極性電圧となる。
【００３７】
図８に示されるように、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にあわせて、制御
信号Ｅｎｂ１がＨレベル（制御信号Ｅｎｂ２がＬレベル）となるので、信号Ｓｅｌ１〜Ｓ
ｅｌ４がＨレベルとなる。したがって、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルになると、当該
サンプリング信号Ｓ１に対応するグループＢ１、Ｂ２のデータ線１１４のうち、１〜４列
目のデータ線１１４のＴＦＴ１８２０だけがオンとなる。
これら４つのＴＦＴ１８２０がオンする結果、１列目のデータ線１１４には、１行１列
の画素１１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ１がサンプリングされ、同様
に、２、３及び４列目のデータ線１１４には、１行２列、１行３列及び１行４列の画素１
１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４がサンプリ
ングされる。
走査信号Ｇ１がＨレベルであるので、１行目の走査線１１２にゲートが接続されたすべ
てのＴＦＴ１１６がオンである。このため、１列目のデータ線１１４にサンプリングされ
たデータ信号Ｖｉｄ１は、図２において上から数えて１行目の走査線１１２と左から数え
て１列目のデータ線１１４との交差に対応する１行１列の画素の画素電極１１８に印加さ
れることになる。２、３及び４列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖ
ｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４についても、それぞれ同様にして１行２列、１行３列及び
１行４列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。
【００３８】
続いて、１行目であって５〜８列目の画素１１０に対応する画像データＶｏｕｔは、サ
ンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなる期間にあわせて、時間軸に４倍に伸長されるととも
に、５、６、７、８列目に対応する画像データが、それぞれ画像データＶｄ１、Ｖｄ２、
Ｖｄ３、Ｖｄ４の順に分配されて、アナログ信号に変換されるとともに、正極性の信号と
されて、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力される。
これによって、データ信号Ｖｉｄ１は、１行５列の画素１１０の階調に応じた正極性電
圧となる。同様に、データ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４は、それぞれ１行６列、
１行７列及び１行８列の画素１１０の階調に応じた正極性電圧となる。
【００３９】
サンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなる期間にあわせて、制御信号Ｅｎｂ１がＬレベル
（制御信号Ｅｎｂ２がＨレベル）となるので、今度は、信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８がＨレベ
ルとなる。したがって、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルになると、当該サンプリング信
号Ｓ２に対応するグループＢ２、Ｂ３のデータ線１１４のうち、５〜８列目のデータ線１
１４のＴＦＴ１８２０だけがオンとなる。
これら４つのＴＦＴ１８２０がオンする結果、５列目のデータ線１１４には、１行５列
の画素１１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ１がサンプリングされ、同様
に、２、３及び４列目のデータ線１１４には、１行６列、１行７列及び１行８列の画素１
１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４がサンプリ
ングされる。
したがって、５列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ１は、１
行５列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。６、７及び８列目のデータ線１
１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４についても、それ
ぞれ同様にして１行６列、１行７列及び１行８列の画素の画素電極１１８に印加されるこ
とになる。
【００４０】
以下同様に、奇数番号のサンプリング信号がＨレベルになると、制御信号Ｅｎｂ１がＨ
レベルになり、信号Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ４がＨレベルとなる。したがって、奇数番号のサン
プリング信号がＨレベルになると、当該サンプリング信号に対応する２つのグループ、す
なわち、番号が同じグループと次の番号のグループとのうち、前者に係る番号が同じグル
ープに属する４本のデータ線１１４に、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４がそれぞれサンプ
リングされて、画素電極への書き込みが行われる。
一方、偶数番号のサンプリング信号がＨレベルになると、制御信号Ｅｎｂ２がＨレベル
になり、信号Ｓｅｌ５〜Ｓｅｌ８がＨレベルとなる。したがって、偶数番号のサンプリン
グ信号がＨレベルになると、当該サンプリング信号に対応する２つのグループ、すなわち
、番号が同じグループと次の番号のグループとのうち、後者に係る次の番号のグループに
属する４本のデータ線１１４に、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４がそれぞれサンプリング
されて、画素電極への書き込みが行われる。
すなわち、第１フレームでは、サンプリング信号ＳｋがＨレベルとなる場合に、選択さ
れるｉ行目であって、（４ｋ−３）列目、（４ｋ−２）列目、（４ｋ−１）列目および（
４ｋ）列目の画素に対応するデータ信号が、それぞれチャネルｃｈ１〜ｃｈ４の順に分配
され、データ信号Ｖｉｄ１、Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４として画像信号線１７０に供
給される一方、（４ｋ−３）列目、（４ｋ−２）列目、（４ｋ−１）列目および（４ｋ）
列目のＴＦＴ１８２０が同時にオンして、（４ｋ−３）列目、（４ｋ−２）列目、（４ｋ
−１）列目および（４ｋ）列目のデータ線１１４にデータ信号Ｖｉｄ１、Ｖｉｄ２、Ｖｉ
ｄ３およびＶｉｄ４がサンプリングされる。
このような動作は、サンプリング信号Ｓ２８８がＨレベルとなるまで繰り返し実行され
る。
【００４１】
サンプリング信号Ｓ２８８がＨレベルになると、１行目の画素１１０に対する書き込み
が終了し、引き続き同様な動作が２行目、３行目、４行目、…、８６４行目まで繰り返さ
れる。
なお、本実施形態では、上述したように、走査線単位の極性反転が行われるので、偶数
行目の走査信号がＨレベルとなる水平有効表示期間においては、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖ
ｉｄ４は、負極性となる。このようにして、奇数行目の画素については正極性の書き込み
が行われる一方、偶数行目の画素については負極性の書き込みが行われて、この第１フレ
ームにおいては、１〜８６４行目の画素のすべてにわたって書き込みが完了することにな
る。
【００４２】
ここで、第１フレームにおいて、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリング
されるデータ線１１４のブロックについて、図１２（ａ）を参照して説明する。
この図に示されるように、または、上述したように、第１フレームでは、サンプリング
信号Ｓ１がＨレベルとなったときに１、２、３、４列目の書き込みが同時に行われ、サン
プリング信号Ｓ２がＨレベルとなったときに５、６、７、８列目の書き込みが同時に行わ
れる（サンプリング信号Ｓ３以降については説明省略）ので、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉ
ｄ４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロックは、グループと一致する。す
なわち、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなったときにグループＢ１に属するデータ線
１１４に対してサンプリングが同時に実行され、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなっ
たときにグループＢ２に属する４本のデータ線１１４に対してサンプリングが同時に実行
される。
【００４３】
次に、第２フレーム以降における動作について説明する。
第２フレーム以降の動作が、第１フレームと相違する部分は、選択信号Ａ１、Ａ０の論
理レベルと、ラインメモリ３１０から読み出される画像データＶｏｕｔの開始点と、Ｓ／
Ｐ変換回路３２０における分配とである。
そこで、第２フレーム以降においては、この相違点を中心に説明することにする。
【００４４】
まず、第２フレームにおいては、選択信号Ａ１、Ａ０がそれぞれＬ、Ｈレベルとなる。
このため、ブロック変更回路１６０では、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、信号／Ｄ２だけが
Ｌレベルとなるので、トランジスタ群Ｅ３、Ｅ４を構成するトランジスタだけがオンする
結果、制御信号Ｅｎｂ１がＨレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ２〜Ｓｅｌ５がＨ
レベルとなり、制御信号Ｅｎｂ１がＬレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ６〜Ｓｅ
ｌ８およびＳｅｌ１がＨレベルとなる。
一方、第２フレームにおいては、走査信号Ｇ１がＨレベルとなり、かつ、図９に示され
るようにサンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる直前において、走査制御回路５２は、ラ
インメモリ３１０から、１行２列の画素１１０に対応する画像データの読み出しを開始す
るとともに、以降、３、４、５、…、１１５２列の画素１１０に対応する画像データを順
番に読み出す。すなわち、画素の読み出し開始点は２列目となる。
読み出された画像データＶｏｕｔは、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にあ
わせて、Ｓ／Ｐ変換回路３２０によって時間軸に４倍に伸長されるとともに、２、３、４
、５列目に対応する画像データが、それぞれ画像データＶｄ２、Ｖｄ３、Ｖｄ４、Ｖｄ１
の順に分配される。分配された画像データＶｄ１〜Ｖｄ４は、それぞれアナログ信号に変
換された後、今度は負極性の信号とされ、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力され
る。これによって、データ信号Ｖｉｄ１は、１行５列の画素１１０の階調に応じた負極性
電圧となる。同様に、データ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４は、それぞれ１行２列
、１行３列及び１行４列の画素１１０の階調に応じた負極性電圧となる。
【００４５】
図９に示されるように、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間にあわせて、制御
信号Ｅｎｂ１がＨレベルとなるので、信号Ｓｅｌ２〜Ｓｅｌ５がＨレベルとなる。したが
って、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルになると、当該サンプリング信号Ｓ１に対応する
グループＢ１、Ｂ２のデータ線１１４のうち、２〜５列目のデータ線１１４のＴＦＴ１８
２０だけがオンとなる。
これら４つのＴＦＴ１８２０がオンする結果、２列目のデータ線１１４には、１行２列
の画素１１０の階調に応じた負極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ２がサンプリングされ、同様
に、３、４及び５列目のデータ線１１４には、１行３列、１行４列及び１行５列の画素１
１０の階調に応じた負極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４及びＶｉｄ１がサンプリ
ングされる。
走査信号Ｇ１がＨレベルであるので、２列目のデータ線１１４にサンプリングされたデ
ータ信号Ｖｉｄ２は、１行２列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。３、４
及び５列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４及びＶ
ｉｄ１についても、それぞれ同様にして１行３列、１行４列及び１行５列の画素の画素電
極１１８に印加されることになる。
【００４６】
続いて、１行目であって６〜９列目の画素１１０に対応する画像データＶｏｕｔは、サ
ンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなる期間にあわせて、時間軸に４倍に伸長されるととも
に、６、７、８、９列目に対応する画像データが、それぞれ画像データＶｄ２、Ｖｄ３、
Ｖｄ４、Ｖｄ１の順に分配されて、アナログ信号に変換された後、負極性の信号とされて
、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力される。
これによって、データ信号Ｖｉｄ１は、１行９列の画素１１０の階調に応じた負極性電
圧となる。同様に、データ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３及びＶｉｄ４は、それぞれ１行６列、
１行７列及び１行８列の画素１１０の階調に応じた負極性電圧となる。
【００４７】
サンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなる期間にあわせて、制御信号Ｅｎｂ１がＬレベル
（制御信号Ｅｎｂ２がＨレベル）となるので、今度は、信号Ｓｅｌ６〜Ｓｅｌ８およびＳ
ｅｌ１がＨレベルとなる。したがって、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルになると、当該
サンプリング信号Ｓ２に対応するブロックＢ２、Ｂ３のデータ線１１４のうち、６〜９列
目のデータ線１１４のＴＦＴ１８２０だけがオンとなる。
これら４つのＴＦＴ１８２０がオンする結果、６列目のデータ線１１４には、１行６列
の画素１１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ２がサンプリングされ、同様
に、７、８及び９列目のデータ線１１４には、１行７列、１行８列及び１行９列の画素１
１０の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４及びＶｉｄ１がサンプリ
ングされる。
したがって、６列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ２は１行
６列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。６、７及び８列目のデータ線１１
４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４及びＶｉｄ１についても、それぞ
れ同様にして１行７列、１行８列及び１行９列の画素の画素電極１１８に印加されること
になる。
【００４８】
以下同様に、奇数番号のサンプリング信号と、偶数番号のサンプリング信号とが交互に
Ｈレベルとなって、サンプリング信号Ｓ２８８がＨレベルとなるまで繰り返し実行される
。
サンプリング信号Ｓ２８８がＨレベルになると、１行目の画素１１０に対する書き込み
が終了し、引き続き同様な動作が２行目、３行目、４行目、…、８６４行目まで繰り返さ
れる。
第２フレームでは、奇数行目において負極性書込となり、偶数行目では正極性書込とな
る。
【００４９】
このように、第２フレームでは、サンプリング信号ＳｋがＨレベルとなる場合に、選択
されるｉ行目であって、（４ｋ＋１）列目、（４ｋ−２）列目、（４ｋ−１）列目および
（４ｋ）列目の画素に対応するデータ信号が、それぞれチャネルｃｈ１〜ｃｈ４の順に分
配され、データ信号Ｖｉｄ１、Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４として画像信号線１７０に
供給される一方、（４ｋ−２）列目、（４ｋ−１）列目、（４ｋ）列目および（４ｋ＋１
）列目のＴＦＴ１８２０が同時にオンして、（４ｋ−２）列目、（４ｋ−１）列目、（４
ｋ）列目および（４ｋ＋１）列目のデータ線１１４にデータ信号Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖ
ｉｄ４およびＶｉｄ１がサンプリングされる。
【００５０】
ここで、第２フレームにおいて、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリング
されるデータ線１１４のブロックについて、図１２（ｂ）を参照して説明する。
この図に示されるように、第２フレームでは、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなっ
たときに２、３、４、５列目の書き込みが行われ、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルとな
ったときに６、７、８、９列目の書き込みが行われるので、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ
４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロックは、グループに対して１列だけ
右方向にシフトした関係となる。
【００５１】
次に、第３フレームにおいては、選択信号Ａ１、Ａ０がそれぞれＨ、Ｌレベルとなる。
このため、ブロック変更回路１６０では、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、信号／Ｄ３だけが
Ｌレベルとなるので、トランジスタ群Ｅ５、Ｅ６を構成するトランジスタだけがオンする
結果、制御信号Ｅｎｂ１がＨレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ３〜Ｓｅｌ６がＨ
レベルとなり、制御信号Ｅｎｂ１がＬレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ７、Ｓｅ
ｌ８、Ｓｅｌ１およびＳｅｌ２がＨレベルとなる。
一方、第３フレームにおいては、選択される行の走査信号がＨレベルとなり、かつ、図
１０に示されるようにサンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる直前において、走査制御回
路５２は、ラインメモリ３１０から、当該行であって３列の画素１１０に対応する画像デ
ータの読み出しを開始するとともに、以降、４、５、６、…、１１５２列の画素１１０に
対応する画像データを順番に読み出す。すなわち、画素の読み出し開始点は３列目となる
。
【００５２】
このため、第３フレームでは、サンプリング信号ＳｋがＨレベルとなる場合に、選択さ
れるｉ行目であって、（４ｋ＋１）列目、（４ｋ＋２）列目、（４ｋ−１）列目および（
４ｋ）列目の画素に対応するデータ信号が、それぞれチャネルｃｈ１〜ｃｈ４の順に分配
され、データ信号Ｖｉｄ１、Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４として画像信号線１７０に供
給される一方、（４ｋ−１）列目、（４ｋ）列目、（４ｋ＋１）列目および（４ｋ＋２）
列目のＴＦＴ１８２０が同時にオンして、（４ｋ−１）列目、（４ｋ）列目、（４ｋ＋１
）列目および（４ｋ＋２）列目のデータ線１１４にデータ信号Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４、Ｖｉ
ｄ１およびＶｉｄ２がサンプリングされる。
なお、第３フレームでは、第１フレームと同様に奇数行目において正極性書込となり、
偶数行目では負極性書込となる。
【００５３】
データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロック
について、図１２（ｃ）を参照して説明すると、第３フレームでは、サンプリング信号Ｓ
１がＨレベルとなったときに３、４、５、６列目の書き込みが行われ、サンプリング信号
Ｓ２がＨレベルとなったときに７、８、９、１０列目の書き込みが行われるので、データ
信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロックは、グル
ープに対して２列だけ右方向にシフトした関係となる。
【００５４】
そして、第４フレームにおいては、選択信号Ａ１、Ａ０がともにＨ、Ｈレベルとなる。
このため、ブロック変更回路１６０では、信号／Ｄ１〜／Ｄ４のうち、信号／Ｄ４だけが
Ｌレベルとなるので、トランジスタ群Ｅ７、Ｅ８を構成するトランジスタだけがオンする
結果、制御信号Ｅｎｂ１がＨレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ４〜Ｓｅｌ７がＨ
レベルとなり、制御信号Ｅｎｂ１がＬレベルとなる期間においては、信号Ｓｅｌ８および
Ｓｅｌ１〜Ｓｅｌ３がＨレベルとなる。
一方、第４フレームにおいては、選択される行の走査信号がＨレベルとなり、かつ、図
１１に示されるようにサンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる直前において、走査制御回
路５２は、ラインメモリ３１０から、当該行であって４列の画素１１０に対応する画像デ
ータの読み出しを開始するとともに、以降、５、６、７、…、１１５２列の画素１１０に
対応する画像データを順番に読み出す。すなわち、画素の読み出し開始点は４列目となる
。
【００５５】
このため、第４フレームでは、サンプリング信号ＳｋがＨレベルとなる場合に、選択さ
れるｉ行目であって、（４ｋ＋１）列目、（４ｋ＋２）列目、（４ｋ＋３）列目および（
４ｋ）列目の画素に対応するデータ信号が、それぞれチャネルｃｈ１〜ｃｈ４の順に分配
され、データ信号Ｖｉｄ１、Ｖｉｄ２、Ｖｉｄ３、Ｖｉｄ４として画像信号線１７０に供
給される一方、（４ｋ）列目、（４ｋ＋１）列目、（４ｋ＋２）列目および（４ｋ＋３）
列目のＴＦＴ１８２０が同時にオンして、（４ｋ）列目、（４ｋ＋１）列目、（４ｋ＋２
）列目および（４ｋ＋３）列目のデータ線１１４にデータ信号Ｖｉｄ４、Ｖｉｄ１、Ｖｉ
ｄ２およびＶｉｄ３がサンプリングされる。
なお、第４フレームでは、第２フレームと同様に奇数行目において負極性書込となり、
偶数行目では正極性書込となる。また、第４フレームの後には、第１フレームに戻る。
【００５６】
データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロック
について、図１２（ｄ）を参照して説明すると、第４フレームでは、サンプリング信号Ｓ
１がＨレベルとなったときに４、５、６、７列目の書き込みが行われ、サンプリング信号
Ｓ２がＨレベルとなったときに８、９、１０、１１列目の書き込みが行われるので、デー
タ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が同時にサンプリングされるデータ線１１４のブロックは、グ
ループに対して３列だけ右方向にシフトした関係となる。
【００５７】
ところで、水平有効表示期間では、いずれかの走査線に供給される走査信号がＨレベル
であるので、当該走査線に対応する画素１１０のＴＦＴ１１６がオン状態となっている。
このため、当該水平有効表示期間である限り、データ線１１４にデータ信号をサンプリン
グする時点のみならず、サンプリング後であっても、データ線１１４における電位変動は
、画素１１０の階調を変化させてしまう直接の原因となる。
一方、表示パネル１００におけるデータ線１１４は、いずれも容量が寄生するだけでな
く、データ線１１４同士互いに近接しているので容量的に結合し合っている。このため、
あるデータ線にデータ信号がサンプリングされた時点（書き込み時）では、当該データ信
号の電圧が正しく保持されるが、当該データ線へのサンプリング後に、当該データ線に隣
接するデータ線に別のデータ信号がサンプリングされると、そのサンプリングにおける電
圧変化が、当該データ線に影響を及ぼして、当初サンプリングしたデータ信号の電圧を変
化させてしまう。
このため、水平有効表示期間において、ある着目データ線にデータ信号をサンプリング
した後に、当該着目データ線に隣接するデータ線にデータ信号をサンプリングすると、当
該着目データ線の電圧が変化して、当該着目データ線と選択されている走査線との交差に
対応する画素の階調が当初目標値よりも変動してしまうことになる。
【００５８】
本実施形態では、例えば第１フレームでは、ある水平有効表示期間において、５、６、
７列目の各データ線には、同時にデータ信号がサンプリングされるので、当該サンプリン
グ後に右または左方向に隣接するデータ線にデータ信号がサンプリングされることはない
。これに対し、８列目のデータ線は、５、６、７列目のデータ線とともにデータ信号が同
時サンプリングされるものの、当該サンプリング後に、右方向に隣接する９列目のデータ
線にデータ信号がサンプリングされる。このため、第１フレームにおいて、８列目の画素
は、隣接する９列目のデータ線のサンプリングにより電圧変動が生じて表示ムラが発生す
ることになる。第１フレームでは、同時に選択されるブロックの右端に位置する１２、１
６、２０、…、列目でも同様に表示ムラが発生することになる。
ただし、本実施形態では、第１フレームから第４フレームまで順次巡回することによっ
て、有効表示領域にかかる各データ線は、サンプリング後に、隣接するデータ線にサンプ
リングされる回数が１回ずつとなり、均等化される。したがって、本実施形態では、有効
表示領域にかかる各データ線（各画素）は、４フレームを１周期としてみると、各データ
線（各画素）のサンプリング後の条件（書き込み後の条件）が揃うことになるので、表示
ムラを視認されにくくすることが可能となるのである。
【００５９】
なお、１〜４列及び１１４９〜１１５２列（図１２で図示省略）のデータ線については
、４フレームを１周期としてみたときに、他のデータ線と条件が揃わない。このため、本
実施形態では、１〜４列及び１１４９〜１１５２列の画素については、ダミー画素として
遮光する構成とした。
【００６０】
上述した実施形態では、第１フレーム→第２フレーム→第３フレーム→第４フレーム（
→第１フレーム）という順番で巡回したが、この順番は問わない。
また、実施形態では、画像データＶｉｎを４相展開する構成したが、展開するチャネル
数ｍ（画像信号線の本数、グループを構成するデータ線数）は、「４」に限られるもので
はなく、「２」以上であれば良い。
一方、データ信号をサンプリングする前の水平帰線期間にて、すべてのデータ線１１４
を所定の電圧（例えばＶc）にプリチャージする構成としても良い。
上述した実施形態において、処理回路５０は、ディジタルの画像データＶｉｎを処理す
るものとしたが、アナログの画像信号を入力して相展開する構成としても良い。
【００６１】
また、実施形態では、共通電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを、極性反転の基準で
ある電位ＶＣと一致させていたが、ＴＦＴのゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、
オンからオフ時にドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、
突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、
画素容量では交流駆動が原則であるので、共通電極１０８に対して高位側（正極性）と低
位側（負極性）とで交互書き込みをするが、電圧ＬＣcomを電圧ＶＣに一致させた状態で
、交互書き込みをすると、プッシュダウンのために、画素容量の電圧実効値は、負極性書
込の方が正極性書込よりも大きくなってしまう。このため、同一階調で正極性・負極性書
込をしても画素容量の電圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極１０８の電圧ＬＣ
comは、データ信号の振幅基準である電圧ＶＣよりも若干低めに設定する場合がある。
【００６２】
また、実施形態では、垂直走査方向がＧ１→Ｇ８６４の下方向であり、水平走査方向が
Ｓ１→Ｓ７２の右方向であったが、後述するプロジェクタや回転可能な表示装置とする場
合に対処するために、走査方向を切替可能な構成としても良い。
さらに画素容量の電圧実効値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモード
ではなく、黒色表示を行うノーマリーブラックモードとしても良い。
【００６３】
上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Ne
matic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分
子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子
配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲスト
ホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピッ
ク配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に
配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平
行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。
さらに、本発明では、電気光学物質として、液晶に限られず、このように、本発明では
、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
以上については、液晶装置について説明したが、本発明では、画像データ（映像信号）
を相展開して、複数本のデータ線に同時サンプリングさせる構成であれば、例えばＥＬ（
Electronic Luminescence）素子、電子放出素子、電気泳動素子、デジタルミラー素子な
どを用いた装置や、プラズマディスプレイなどにも適用可能である。
【００６４】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した
表示パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
図１３は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プ
ロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１
０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配
置された３枚のミラー２１０６及び２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤
）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ
、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較
すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２
１２３及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６５】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの構成は、上述した実施形態に
おける表示パネル１００と同様であり、処理回路（図１３では省略）から供給されるＲ、
Ｇ、Ｂの各色に対応する画像信号でそれぞれ駆動されるものである。すなわち、このプロ
ジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対
応して３組設けられた構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色及びＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。し
たがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４に
よってカラー画像が投射されることとなる。
【００６６】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１
０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設け
る必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックミラ
ー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそ
のまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライト
バルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成
となっている。
【００６７】
電子機器としては、図１３を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディ
ジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そし
て、これらの各種の電子機器に対して上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでも
ない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。
【図３】同表示パネルにおける画素の構成を示す図である。
【図４】同表示パネルにおけるブロック変更回路の構成を示す図である。
【図５】同表示パネルにおけるサンプリング回路の構成を示す図である。
【図６】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図７】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図８】同電気光学装置の第１フレームの動作を説明するための図である。
【図９】同電気光学装置の第２フレームの動作を説明するための図である。
【図１０】同電気光学装置の第３フレームの動作を説明するための図である。
【図１１】同電気光学装置の第４フレームの動作を説明するための図である。
【図１２】同電気光学装置においてデータ線のブロックを示す図である。
【図１３】同電気光学装置を適用したプロジェクタの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…電気光学装置、５０…処理回路、１００…表示パネル、１０５…液晶、１１０…
画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０
…液晶容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…サンプリング信号出力回路、１６０…ブ
ロック変更回路、１７０…画像信号線、１８０…サンプリング回路、１８２…選択線、１
８１２…ＮＯＲ回路、１８１４…ＮＯＴ回路、１８１６…ＮＡＮＤ回路、１８１８…ＮＯ
Ｔ回路、１８２０…ＴＦＴ、２１００…プロジェクタ
【図１】
2007017564.tif 000003
【図２】
2007017564.tif 000004
【図３】
2007017564.tif 000005
【図４】
2007017564.tif 000006
【図５】
2007017564.tif 000007
【図６】
2007017564.tif 000008
【図７】
2007017564.tif 000009
【図８】
2007017564.tif 000010
【図９】
2007017564.tif 000011
【図１０】
2007017564.tif 000012
【図１１】
2007017564.tif 000013
【図１２】
2007017564.tif 000014
【図１３】
2007017564.tif 000015