(57)【要約】【課題】吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避して、液滴からなるパターンの均一性を向上させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び液晶表示装置を提供することである。【解決手段】第一ヒータＨ１と第二ヒータＨ２が、それぞれ吐出ヘッド４０の主走査方向（反Ｘ矢印方向）と主走査方向の反対方向（Ｘ矢印方向）に配設される。そして、第一ヒータＨ１が相対向する第一加熱領域ＨＡ１を第一加熱温度（吐出温度の近傍）に昇温する。また、第二ヒータＨ２が、相対向する第二加熱領域ＨＡ２を第一加熱温度よりも低い第二加熱温度に昇温する。【選択図】図８
2007275808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱した液状体を液滴にして基板に吐出する吐出ヘッドを主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査し、前記基板に対する前記吐出ヘッドの走査領域に前記液状体からなるパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、
前記主走査するときに、前記吐出ヘッドの主走査方向に位置する吐出前の走査領域を前記加熱した液状体の温度近傍に局所的に加熱するとともに、前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に位置する吐出後の走査領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記吐出ヘッドを前記主走査方向と直交する副走査方向に沿って前記基板に対して相対的に副走査して複数の前記パターンを前記副走査方向に沿って隣接し、
前記主走査するときに、前記吐出後の走査領域と、前記吐出後の走査領域に隣接する先行して形成したパターンと、の境界領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパターン形成方法において、
前記主走査するときに、前記吐出ヘッドの主走査方向側に隣接する前記吐出前の走査領域を局所的に加熱するとともに、前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に隣接する前記吐出後の走査領域を局所的に加熱するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成方法において、
前記主走査するときに、前記加熱する領域を前記主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
加熱した液状体を液滴にして基板に吐出する吐出ヘッドと、
前記吐出ヘッドを主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査し、前記基板に対する前記吐出ヘッドの走査領域に前記液状体からなるパターンを形成する主走査手段と、を備えた液滴吐出装置において、
前記基板と対向するように前記吐出ヘッドの前記主走査方向に配設され、前記吐出ヘッドとともに前記基板に対して相対的に主走査されて、対向する吐出前の走査領域を前記加熱した液状体の温度近傍に局所的に加熱する第一加熱手段と、
前記基板と対向するように前記吐出ヘッドの前記主走査方向の反対側に配設され、前記吐出ヘッドとともに前記基板に対して相対的に主走査されて、対向する吐出後の走査領域を前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱する第二加熱手段と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液滴吐出装置において、
前記吐出ヘッドと、前記第一加熱手段と、前記第二加熱手段と、を前記主走査方向と直交する副走査方向に沿って前記基板に対して相対的に副走査し、複数の前記パターンを前記副走査方向に沿って隣接する副走査手段を備え、
前記第二加熱手段は、前記主走査方向から見て前記吐出ヘッドの領域から前記副走査方向の反対側に延びるように形成されて、前記吐出後の走査領域と、前記吐出後の走査領域に隣接する先行して形成したパターンと、の境界領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液滴吐出装置において、
前記第一加熱手段は、前記副走査方向から見て前記吐出ヘッドの前記主走査方向側に隣接し、
前記第二加熱手段は、前記副走査方向から見て前記吐出ヘッドの前記主走査方向の反対側に隣接することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記基板は、赤外領域の光を吸収する基板であって、
前記液状体は、赤外領域の光を吸収する液状体であって、
前記第一加熱手段及び前記第二加熱手段は、それぞれ赤外領域の光を照射するヒータを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記液状体は、液晶材料であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の液滴吐出装置によって吐出された液晶材料を備えた液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、液滴吐出装置及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置の製造工程には、基板に設けられた吐出領域に液晶材料を吐出し、その吐出領域を対向基板で封止する封止工程がある。この封止工程では、液晶材料の吐出容量を安定させるために、液晶材料を複数の液滴にして吐出するインクジェット法が利用されている。
【０００３】
インクジェット法は、吐出ヘッドに形成する液状体の界面（メニスカス）を強制的に振動させて液滴を形成する。そのため、高粘度の液状体（例えば、液晶材料）を吐出する場合には、予め液状体の流路を加熱し、液状体の粘度を低下させる（例えば、特許文献１）。これによって、液滴の吐出動作を安定して、液滴の吐出容量が均一になる。
【特許文献１】特開２００４−３４７６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、加熱した液状体を液滴として吐出すると、液状体あるいは液滴の温度変動に起因して以下の問題を招いていた。
すなわち、上記インクジェット法では、液滴の着弾精度を確保するために、吐出ヘッドと基板との間の距離（プラテンギャップ）を１ｍｍ程度まで狭くする。そのため、吐出ヘッドが基板に対して走査されるときに、加熱された液状体が、その熱量を基板側に放出し、その温度を変動させる。この結果、吐出する液状体の粘度が増減し、吐出容量の均一性を損なう問題があった。
【０００５】
また、加熱された液状体が液滴として基板に着弾すると、液滴の熱量が直ちに基板に奪われ、その粘度を増加させる。そのため、液滴からなる液状膜のパターンを形成する場合、吐出した各液滴が着弾直後に増粘し、液滴間の接合を困難にする、すなわち、パターンの膜厚均一性を損なう問題があった。
【０００６】
これらの問題は、液滴を吐出する工程で、常に基板の全体を加熱し、吐出する液状体あるいは着弾した液滴の放熱を抑制させることによって回避可能と考えられる。しかし、基板の全体を加熱すると、基板が熱膨張して液滴の着弾精度を低下させる虞があった。また、基板の加熱時間が長くなり、基板に形成された各種部材（例えば、液晶材料を封入するためのシール部材など）を熱的に損傷させる虞があった。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避するとともに、液滴からなるパターンの均一性を向上させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のパターン形成方法は、加熱した液状体を液滴にして基板に吐出する吐出ヘッドを主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査し、前記基板に対する前記吐出ヘッドの走査領域に前記液状体からなるパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、前記主走査するときに、前記吐出ヘッドの主走査方向に位置する吐出前の走査領域を前記加熱した液状体の温度近傍に局所的に加熱するとともに、前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に位置する吐出後の走査領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い
温度に局所的に加熱するようにした。
【０００９】
本発明のパターン形成方法によれば、吐出ヘッドに対向するときの走査領域（吐出前の走査領域）と、走査領域に着弾した液滴の領域（吐出後の走査領域）とが、それぞれ局所的に昇温する。よって、吐出ヘッドと対向するときの走査領域が、吐出ヘッド内の液状体の放熱を抑制し、吐出する液状体の容量を安定させる。また、走査領域に着弾した液滴が、その流動性を保持して接合し、液状体からなるパターンの膜厚を均一にする。そして、吐出後の走査領域が、吐出前の走査領域よりも低温に設定される分だけ、基板全体にわたる昇温を抑制させることができる。この結果、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避させるとともに、液滴からなるパターンの容量や形状の均一性を向上させることができる。
【００１０】
また、このパターン形成方法において、前記吐出ヘッドを前記主走査方向と直交する副走査方向に沿って前記基板に対して相対的に副走査して複数の前記パターンを副走査方向に沿って隣接させ、前記主走査するときに、前記吐出後の走査領域と、前記吐出後の走査領域に隣接する先行して形成したパターンと、の境界領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱するようにしてもよい。
【００１１】
このパターン形成方法によれば、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避させるとともに、副走査方向に接合した液状体の膜厚や形状の均一性を向上させることができる。
【００１２】
また、このパターン形成方法において、前記主走査するときに、前記吐出ヘッドの主走査方向側に隣接する前記吐出前の走査領域を局所的に加熱するとともに、前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に隣接する前記吐出後の走査領域を局所的に加熱するようにしてもよい。
【００１３】
このパターン形成方法によれば、吐出ヘッドと対向する直前の走査領域に対して、局所的な加熱を施すことができる。この結果、走査領域からの熱量によって、より確実に、吐出ヘッドの液状体の放熱を抑制させることができる。また、着弾直後の液滴の領域に対して、局所的な加熱を施すことができる。この結果、より低い加熱量によって、効率的に液滴を接合させることができる。
【００１４】
また、このパターン形成方法において、前記主走査するときに、前記加熱する領域を主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、吐出ヘッドと対向する走査領域と、走査領域に着弾した液滴の領域とに対して、単位時間あたりに加熱する領域を小さくすることができる。よって、吐出ヘッドと対向する走査領域及び走査領域に着弾した液滴の領域の昇温速度と降温速度を速くすることができる。そのため、各領域に対する加熱を、より高い精度で制御させることができる。この結果、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を、より確実に回避させることができ、かつ液滴からなるパターンの均一性を、より確実に向上させることができる。
【００１５】
本発明の液滴吐出装置は、加熱した液状体を液滴にして基板に吐出する吐出ヘッドと、前記吐出ヘッドを主走査方向に沿って前記基板に対して相対的に主走査し、前記基板に対する前記吐出ヘッドの走査領域に前記液状体からなるパターンを形成する主走査手段と、を備えた液滴吐出装置において、前記基板と対向するように前記吐出ヘッドの主走査方向に配設され、前記吐出ヘッドとともに前記基板に対して相対的に主走査されて、対向する吐出前の走査領域を前記加熱した液状体の温度近傍に局所的に加熱する第一加熱手段と、前記基板と対向するように前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に配設され、前記吐出ヘ
ッドとともに前記基板に対して相対的に主走査されて、対向する吐出後の走査領域を前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱する第二加熱手段と、を備えた。
【００１６】
本発明の液滴吐出装置によれば、吐出ヘッドと対向するときの走査領域（吐出前の走査領域）と、走査領域に着弾した液滴の領域（吐出後の走査領域）と、がそれぞれ局所的に加熱される。よって、対向する走査領域が、吐出ヘッド内の液状体の放熱を抑制し、吐出する液状体の容量を安定させる。また、走査領域に着弾した液滴が、その流動性を保持して接合し、液状体からなるパターンの膜厚を均一にする。そして、吐出後の走査領域が、吐出前の走査領域よりも低温に設定される分だけ、基板全体にわたる昇温を抑制させることができる。この結果、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避させるとともに、液滴からなるパターンの容量や形状の均一性を向上させることができる。
【００１７】
また、この液滴吐出装置において、前記吐出ヘッドと、前記第一加熱手段と、前記第二加熱手段と、を主走査方向と直交する副走査方向に沿って前記基板に対して相対的に副走査し、複数の前記パターンを副走査方向に沿って隣接する副走査手段を備え、前記第二加熱手段は、主走査方向から見て前記吐出ヘッドの領域から副走査方向の反対側に延びるように形成されて、前記吐出後の走査領域と、前記吐出後の走査領域に隣接する先行して形成したパターンと、の境界領域を、前記吐出前の走査領域の温度よりも低い温度に局所的に加熱するようにしてもよい。
【００１８】
この液滴吐出装置によれば、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避させるとともに、副走査方向に接合したパターンの膜厚や形状の均一性を向上させることができる。
【００１９】
また、この液滴吐出装置において、前記第一加熱手段は、副走査方向から見て前記吐出ヘッドの主走査方向側に隣接し、前記第二加熱手段は、副走査方向から見て前記吐出ヘッドの主走査方向の反対側に隣接してもよい。
【００２０】
この液滴吐出装置によれば、吐出ヘッドと対向する直前の走査領域に対して、局所的な加熱を施すことができる。この結果、走査領域からの熱量によって、より確実に、吐出ヘッドの液状体の放熱を抑制させることができる。また、着弾直後の液滴の領域に対して、局所的な加熱を施すことができる。この結果、より低い加熱量によって、着弾した液滴の流動性を保持させることができる。
【００２１】
また、この液滴吐出装置において、前記基板は、赤外領域の光を吸収する基板であって、前記液状体は、赤外領域の光を吸収する液状体であって、前記第一加熱手段及び前記第二加熱手段は、それぞれ赤外領域の光を照射するヒータを備えてもよい。
【００２２】
この液滴吐出装置によれば、赤外線ヒータから照射する赤外領域の光によって、基板とパターンを非接触で加熱させることができる。よって、基板とパターンに対する加熱を、より高い精度で制御させることができる。
【００２３】
また、この液滴吐出装置において、前記液状体は、液晶材料であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、吐出した液滴の位置ズレや基板の熱的損傷を回避させるとともに、液晶材料からなるパターンの均一性を向上させることができる。
【００２４】
本発明の液晶表示装置は、上記液滴吐出装置によって吐出された液晶材料を備えた。
本発明の液晶表示装置によれば、容量や形状の均一性を向上させた液晶材料を備えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図９に従って説明する。まず、本発明の液晶表示装置１０について説明する。図１は、液晶表示装置１０の斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００２６】
図１において、液晶表示装置１０は、その下側に、ＬＥＤ１１を有した四角板状のバックライト１２を備えている。そのバックライト１２の上方には、バックライト１２と略同じ四角板状に形成され、バックライト１２からの光が照射される液晶パネル１３が備えられている。
【００２７】
図２において、液晶パネル１３は、互いに対向する素子基板１４と対向基板１５を備えている。素子基板１４と対向基板１５は、無色透明のガラス基板であって、紫外線光硬化性樹脂からなる四角枠状のシール材１６によって貼り合わされている。素子基板１４と対向基板１５との間の間隙には、液状体としての液晶材料Ｆからなる液晶層１７が形成されている。液晶層１７は、本発明の液滴吐出装置によって形成され、その内部に気泡を混在させたり、その表面を凹凸形状にさせたりすることなく、均一に充填されている。この液晶材料Ｆは、常温における粘度が５０ｃＰ〜１００ｃＰであって、赤外領域の光を吸収して、その粘度を２０ｃＰ未満に低下させるものである。
【００２８】
素子基板１４の下面（バックライト１２側の側面）には、偏光板や位相差板などからなる光学基板１８が貼り合わされている。光学基板１８は、バックライト１２からの光を直線偏光にして液晶層１７に出射する。
【００２９】
素子基板１４の上面（対向基板１５側の側面：素子形成面１４ａ）には、図１に示すように、その一方向（Ｘ矢印方向）略全幅にわったって延びる複数の走査線Ｌｘが配列されている。各走査線Ｌｘは、それぞれ素子基板１４の一側に形成された走査線駆動回路１９に電気的に接続され、走査線駆動回路１９の生成する走査信号が所定のタイミングで入力される。また、素子形成面１４ａには、Ｘ矢印方向と直交する他方向（Ｙ矢印方向）略全幅にわたって延びる複数のデータ線Ｌｙが配列されている。各データ線Ｌｙは、それぞれ素子基板１４の他側に形成されたデータ線駆動回路２１に電気的に接続され、データ線駆動回路２１の生成するデータ信号が所定のタイミングで入力される。
【００３０】
素子形成面１４ａであって、走査線Ｌｘとデータ線Ｌｙの交差する位置には、対応する走査線Ｌｘ及びデータ線Ｌｙに接続されてマトリックス状に配列される複数の画素２２が形成されている。各画素２２には、それぞれＴＦＴなどの制御素子や、透明導電膜などからなる光透過性の画素電極２３が備えられている。各画素２２の制御素子は、対応する走査線Ｌｘの線順次走査に基づいて、１本ずつ所定のタイミングで選択されてオン状態になる。各画素電極２３には、対応する画素２２の制御素子がオン状態になるときに、それぞれ表示データに基づくデータ信号が入力される。
【００３１】
各画素２２（各画素電極２３）の上側全体には、図２に示すように、配向処理の施された配向膜２４が積層されている。配向膜２４は、配向性ポリイミドなどの配向性高分子によって形成され、対応する画素電極２３の近傍で液晶分子の配向を所定の方向に設定する。
【００３２】
対向基板１５の上面には、光学基板１８からの光と直交する直線偏光の光を外方（図２における上方）に出射する偏光板２５が貼り合わされている。その対向基板１５の下面（電極形成面１５ａ）全体には、各画素電極２３と相対向するように形成された光透過性の導電膜からなる対向電極２６が積層されている。対向電極２６は、データ線駆動回路２１に電気的に接続され、データ線駆動回路２１の生成する所定の共通電位が入力される。対
向電極２６の下面全体には、配向処理の施された配向膜２７が積層され、対向電極２６の近傍で液晶分子の配向を所定の方向に設定する。
【００３３】
液晶層１７を通過する光の偏光状態は、データ信号が各画素電極２３に入力されるときに、各画素電極２３と対向電極２６との間の電位差に基づいて、画素２２ごとに変調される。偏光状態の変調された光は、偏光板２５を通過するか否かによって、表示データに基づく画像を液晶パネル１３の上側に表示する。
【００３４】
表示される画像は、液晶層１７が均一に形成されるため、すなわち各画素電極２３と対向電極２６の間の距離（セルギャップ）が均一に形成されるため、セルギャップのバラツキに起因した輝度ムラや色ムラなどを来たすことなく、その表示画質を保持する。
【００３５】
次に、液晶パネル１３の製造方法について図３に従って説明する。図３は、液晶パネル１３の製造方法を説明する説明図である。
図３に示すように、まず、４枚の対向基板１５を切り出し可能にしたマザー基板ＭＡの一側面（配向膜２７側の側面：吐出面ＭＡａ）に、ディスペンサ装置などを利用してシール材１６を形成する。すなわち、吐出面ＭＡａに形成された各対向基板１５に対応する領域の外縁に、それぞれ紫外線光硬化性樹脂からなる四角枠状のシール材１６を吐出形成する。各シール材１６を形成すると、液滴吐出装置としてのインクジェット装置３０を利用して、各シール材１６で囲まれた領域（各吐出領域Ｓ）に、それぞれ複数の液滴Ｆｂを吐出する。そして、吐出領域Ｓに着弾した各液滴Ｆｂを接合し、所定容量の液晶材料Ｆからなる液状膜のパターンを各吐出領域Ｓ内に形成する。
【００３６】
各吐出領域Ｓに液晶材料Ｆのパターンを形成すると、マザー基板ＭＡを減圧雰囲気内に搬送し、マザー基板ＭＡの吐出面ＭＡａ側に、４枚の素子基板１４を切出し可能にしたマザー基板ＭＢを貼り合わせる。マザー基板ＭＡにマザー基板ＭＢを貼り合わせると、マザー基板ＭＡ及びマザー基板ＭＢを大気開放するとともに、各シール材１６に紫外線を照射して硬化し、各吐出領域Ｓ内に液晶材料Ｆを封入する。液晶材料Ｆを封入すると、マザー基板ＭＡ及びマザー基板ＭＢをダイシングして、各液晶パネル１３を形成する。本実施形態では、この吐出領域ＳのＹ矢印方向の幅が吐出幅ＷＳとして定義される。
【００３７】
次に、液晶材料Ｆを吐出するためのインクジェット装置３０について図４〜図９に従って説明する。図４は、インクジェット装置３０を示す斜視図である。
図４において、インクジェット装置３０は、直方体形状に形成された基台３１を備えている。基台３１の上面には、その長手方向（Ｘ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝３２が形成されている。案内溝３２の上方には、案内溝３２に沿ってＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に往動及び復動する主走査手段としての搬送台３３が備えられている。本実施形態では、図４において反Ｘ矢印方向が主走査方向として定義される。
【００３８】
搬送台３３の上面には、各吐出領域Ｓを上側にしたマザー基板ＭＡを載置する載置部３４が形成されている。載置部３４は、載置された状態のマザー基板ＭＡを搬送台３３に対して位置決め固定し、マザー基板ＭＡをＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に搬送する。
【００３９】
基台３１のＹ矢印方向両側には、門型に形成されたガイド部材３５が基台３１を跨ぐように架設されている。ガイド部材３５の上側には、Ｙ矢印方向に延びる貯留タンク３６が配設されている。貯留タンク３６は、液晶材料Ｆを貯留し、下方に配設される吐出ヘッド４０に対して、液晶材料Ｆを所定の圧力で導出する。
【００４０】
ガイド部材３５の下側には、そのＹ矢印方向略全幅にわたって、Ｙ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール３７が形成されている。一対のガイドレール３７には、ガイドレー
ル３７に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に往動及び復動する副走査手段としてのキャリッジ３８が取り付けられている。本実施形態では、図４においてＹ矢印方向が副走査方向として定義される。
【００４１】
キャリッジ３８の下側には、その反Ｘ矢印方向側から順に、第一加熱手段としての第一ヒータＨ１と、吐出ヘッド４０と、第二加熱手段としての第二ヒータＨ２とが搭載されている。図５は、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を下側（マザー基板ＭＡ側）から見た斜視図である。図６は、図５のＡ−Ａ線断面図である。図７及び図８は、マザー基板ＭＡに対する吐出ヘッド４０の走査領域を説明するための説明図である。
【００４２】
図５に示すように、吐出ヘッド４０は、Ｙ矢印方向に延びる直方体形状に形成されている。吐出ヘッド４０の下側（マザー基板ＭＡ側：図５の上側）には、マザー基板ＭＡと対向するようにノズルプレート４１が備えられている。ノズルプレート４１は、Ｙ矢印方向に延びる板状に形成されるとともに、そのＹ矢印方向の幅が、前記吐出幅ＷＳの略半分のサイズで形成されている。本実施形態では、このノズルプレート４１のＹ矢印方向の幅が走査幅ＷＨとして定義される。
【００４３】
図５及び図６に示すように、ノズルプレート４１の下面（図５の上面）には、マザー基板ＭＡ側に露出するノズル形成面４１ａが形成されている。ノズル形成面４１ａは、マザー基板ＭＡが吐出ヘッド４０の直下に位置するときに、ノズル形成面４１ａと吐出面ＭＡａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（本実施形態では、１ｍｍ）にする。そのノズル形成面４１ａには、Ｙ矢印方向略全幅にわたって、複数のノズルＮが等間隔に配列形成されている。各ノズルＮは、ノズル形成面４１ａの法線方向に貫通形成されている。本実施形態では、図６において、搬送されるマザー基板ＭＡの吐出面ＭＡａ上の位置であって、各ノズルＮの直下に相対向する位置が、それぞれ着弾位置Ｐとして定義される。
【００４４】
この吐出ヘッド４０の外周には、ヘッドヒータ４２が配設されている。ヘッドヒータ４２は、貯留タンク３６からの液晶材料Ｆを所定温度（吐出温度：本実施形態では７０℃）まで加熱し、低粘度化した（本実施形態では、２０ｃＰに低下した）液晶材料Ｆを吐出ヘッド４０に供給する。
【００４５】
図６に示すように、各ノズルＮの上側には、それぞれ貯留タンク３６に連通するキャビティ４３が形成されている。キャビティ４３は、貯留タンク３６からの液晶材料Ｆを対応するノズルＮに供給する。各キャビティ４３の上側には、上下方向に振動してキャビティ４３内の容積を拡大・縮小可能にする振動板４４が貼り付けられている。振動板４４の上側には、ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、それぞれ上下方向に収縮・伸張して対応する振動板４４の領域を上下方向に振動し、対応するノズルＮから液晶材料Ｆの液滴Ｆｂを吐出させる。吐出される液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に沿って飛行して対応する着弾位置Ｐに着弾する。この際、吐出ヘッド４０は、ヘッドヒータ４２が液晶材料Ｆを吐出温度にする分だけ、その吐出動作を安定化し、吐出する各液滴Ｆｂの容量を均一化する。また、吐出ヘッド４０は、プラテンギャップを所定の距離に維持する分だけ、ノズル形成面４１ａから吐出する各液滴Ｆｂの着弾精度を維持する。
【００４６】
図７において、吐出ヘッド４０は、まず、マザー基板ＭＡがＸ矢印方向に搬送されるときに、各吐出領域Ｓの反Ｙ矢印方向側に対向しながら、主走査方向（反Ｘ矢印方向）に沿って相対的に走査（主走査）される。すなわち、吐出ヘッド４０は、各吐出領域Ｓの反Ｙ矢印方向側に対して、Ｙ矢印方向の幅が走査幅ＷＨからなる軌跡（走査領域を構成する第一走査領域ＳＡ１）を形成する。
【００４７】
また、吐出ヘッド４０は、各着弾位置Ｐが吐出領域Ｓ（第一走査領域ＳＡ１）内に規定された各格子点に位置するときに、各圧電素子ＰＺを収縮・伸張し、対応するノズルＮから液晶材料Ｆの液滴Ｆｂを吐出する。すなわち、吐出ヘッド４０は、第一走査領域ＳＡ１と吐出領域Ｓの重畳する領域に、複数の液滴Ｆｂからなる液晶材料Ｆのパターン（第一液状膜ＬＦ１）を形成する。
【００４８】
図８において、吐出ヘッド４０は、マザー基板ＭＡがＸ矢印方向に搬送された（第一液状膜ＬＦ１を形成した）後に、副走査方向に走査幅ＷＨだけ相対的に走査（副走査）され、その後、再び主走査される。すなわち、吐出ヘッド４０は、各吐出領域ＳのＹ矢印方向側で、第一走査領域ＳＡ１に隣接する第一走査領域ＳＡ１と同じサイズの軌跡（走査領域を構成する第二走査領域ＳＡ２）を形成する。
【００４９】
また、吐出ヘッド４０は、各着弾位置Ｐが吐出領域Ｓ（第二走査領域ＳＡ２）内に規定された各格子点に位置するときに、各圧電素子ＰＺを収縮・伸張し、対応するノズルＮから液晶材料Ｆの液滴Ｆｂを吐出する。すなわち、吐出ヘッド４０は、第二走査領域ＳＡ２と吐出領域Ｓの重畳する領域に、複数の液滴Ｆｂの接合した液晶材料Ｆのパターン（第二液状膜ＬＦ２）を形成する。
【００５０】
図５に示すように、第一ヒータＨ１は、吐出ヘッド４０と略同じサイズの直方体形状に形成されている。第一ヒータＨ１は、主走査方向から見て吐出ヘッド４０と重なるように、吐出ヘッド４０の反Ｘ矢印方向（主走査方向）に配設されている。
【００５１】
図６に示すように、第一ヒータＨ１は、マザー基板ＭＡと相対向する第一照射面Ｈ１ａを有している。第一照射面Ｈ１ａは、ノズル形成面４１ａと同じ高さ位置に配置されている。第一照射面Ｈ１ａは、相対向するマザー基板ＭＡの領域（第一加熱領域ＨＡ１）に向けて、マザー基板ＭＡに対して高い吸収率を有した赤外領域の光Ｌ１を局所的に照射し、同第一加熱領域ＨＡ１を所定の温度（第一加熱温度：本実施形態では７０℃）に昇温する。
【００５２】
この第一加熱温度は、前記吐出温度の近傍に設定され、吐出ヘッド４０の液晶材料Ｆからのマザー基板ＭＡへの放熱を抑制させる。
図７及び図８に示すように、第一ヒータＨ１は、吐出ヘッド４０が第一走査領域ＳＡ１及び第二走査領域ＳＡ２を形成するときに、吐出ヘッド４０の主走査方向に先行し、マザー基板ＭＡに対して相対的に走査される。すなわち、第一ヒータＨ１は、着弾位置Ｐに到達する直前の第一走査領域ＳＡ１あるいは第二走査領域ＳＡ２（吐出前の走査領域）を局所的に昇温する（第一加熱温度にする）。
【００５３】
そのため、吐出ヘッド４０の液晶材料Ｆは、液滴Ｆｂが吐出されるときに、相対向するマザー基板ＭＡが第一加熱温度（吐出温度の近傍）に局所的に昇温されるので、そのマザー基板ＭＡへの放熱が抑制される。すなわち、吐出ヘッド４０の液晶材料Ｆは、その粘度を保持し、吐出容量を均一にする。さらに、マザー基板ＭＡに着弾する各液滴Ｆｂは、吐出温度近傍の吐出面ＭＡａに着弾するので、着弾後の増粘が抑制され、吐出面ＭＡａの面方向に沿って濡れ広がる。この結果、第一走査領域ＳＡ１と第二走査領域ＳＡ２には、それぞれ複数の液滴Ｆｂの接合した所定容量の第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２が異なるタイミングで均一に形成される。
【００５４】
図５に示すように、第二ヒータＨ２は、そのＹ矢印方向の幅が第一ヒータＨ１のＹ矢印方向の幅よりも長い直方体形状に形成されている。第二ヒータＨ２は、主走査方向から見て吐出ヘッド４０の全体に重なるとともに、吐出ヘッド４０の反Ｙ矢印方向（副走査方向
の反対方向）に延びるように、吐出ヘッド４０のＸ矢印方向（主走査方向の反対側）に配設されている。
【００５５】
図６に示すように、第二ヒータＨ２は、マザー基板ＭＡと相対向する第二照射面Ｈ２ａを有している。第二照射面Ｈ２ａは、ノズル形成面４１ａと同じ高さ位置に配置されている。第二照射面Ｈ２ａは、対向するマザー基板ＭＡの領域（第二加熱領域ＨＡ２）に向けて、液晶材料Ｆに対して高い吸収率を有した赤外領域の光Ｌ２を局所的に照射し、同第二加熱領域ＨＡ２を所定温度（第二加熱温度：本実施形態では４０℃）に昇温する。
【００５６】
この第二加熱温度は、予め試験等に基づいて設定される温度であって、第二加熱温度は、先行形成された第一液状膜ＬＦ１と、形成直後の第二液状膜ＬＦ２との境界周辺（境界領域ＪＡ）を均一に接合させる。すなわち、第二加熱温度は、先行形成した第一液状膜ＬＦ１に再び流動性を付与し、形成直後の第二液状膜ＬＦ２との接合を可能にさせる温度である。そのため、第二加熱温度は、前記吐出温度（第一加熱温度）よりも低い温度であって、第二液状膜ＬＦ２が第一加熱温度に先行加熱される分だけ、より低い温度に設定される。
【００５７】
図７に示すように、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０が第一走査領域ＳＡ１を形成するときに、第一液状膜ＬＦ１に対して主走査方向に沿って相対的に走査される。すなわち、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０に追従し、形成直後の第一液状膜ＬＦ１（吐出後の走査領域）を局所的に昇温する（第二加熱温度にする）。そのため、形成直後の第一液状膜ＬＦ１は、第二ヒータＨ２の加熱分だけ着弾直後の流動性を保持し、吐出面ＭＡａの面方向に沿って、さらに濡れ広がる。
【００５８】
図８に示すように、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０が第二走査領域ＳＡ２を形成するときに、第二液状膜ＬＦ２に対して主走査方向に沿って相対的に走査される。すなわち、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０に追従し、形成直後の第二液状膜ＬＦ２（吐出後の走査領域）を局所的に昇温する（第二加熱温度にする）。そのため、形成直後の第二液状膜ＬＦ２は、第二ヒータＨ２の加熱分だけ、その着弾直後の流動性を保持し、吐出面ＭＡａの面方向に沿って、さらに濡れ広がる。しかも、第二ヒータＨ２は、第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２との境界領域ＪＡに対して主走査方向に沿って相対的に走査される。すなわち、第二ヒータＨ２は、形成直後の第二液状膜ＬＦ２に隣接する第一液状膜ＬＦ１を局所的に加熱し（第二加熱温度に昇温し）、同第一液状膜ＬＦ１に対して、第二液状膜ＬＦ２と接合するための流動性を付与する。
【００５９】
この結果、第一加熱温度よりも低い第二加熱温度によって、第一液状膜ＬＦ１と、形成直後の第二液状膜ＬＦ２と、を均一に接合することができ、第二加熱温度を低くする分だけ、マザー基板ＭＡの全体にわたる温度上昇を抑制する。
【００６０】
次に、上記のように構成したインクジェット装置３０の電気的構成を図９に従って説明する。
図９において、制御装置５０は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭなどを有して、格納された各種データと各種制御プログラムに従って、搬送台３３及びキャリッジ３８を往復動させるとともに、各圧電素子ＰＺの駆動制御や第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２の加熱制御を行う。
【００６１】
制御装置５０には、起動スイッチ、停止スイッチなどの操作スイッチを有した入力装置５１が接続されて、各吐出領域Ｓの位置座標や各吐出領域Ｓに対する吐出容量が既定形式の吐出データＩａとして入力される。制御装置５０は、入力装置５１からの吐出データＩａを受けて、ビットマップデータＢＭＤを生成する。
【００６２】
ビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するものであって、二次元描画平面（吐出面ＭＡａ）上の各位置に液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ビットマップデータＢＭＤは、各吐出領域Ｓに規定される各格子点に液滴Ｆｂを吐出させるためのものである。
【００６３】
制御装置５０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路５２に対応する駆動制御信号を出力する。Ｘ軸モータ駆動回路５２は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、搬送台３３を往復動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。制御装置５０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介して、マザー基板ＭＡをＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に搬送する。
【００６４】
制御装置５０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路５３に対応する駆動制御信号を出力する。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制御装置５０からの駆動制御信号に応答して、キャリッジ３８を往復動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。制御装置５０は、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介して、キャリッジ３８を副走査する。
【００６５】
制御装置５０には、マザー基板ＭＡの端縁を検出可能な基板検出装置５４が接続されて、基板検出装置５４からの検出信号に基づいて、各着弾位置Ｐに対するマザー基板ＭＡの位置を演算するために利用される。
【００６６】
制御装置５０には、Ｘ軸モータ回転検出器５５が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器５５からの検出信号が入力される。制御装置５０は、Ｘ軸モータ回転検出器５５からの検出信号に基づいて、搬送台３３（マザー基板ＭＡ）の移動方向及び移動量を演算する。制御装置５０は、各着弾位置Ｐが吐出領域Ｓの各格子点に位置するたびに、吐出ヘッド駆動回路５７に吐出タイミング信号ＬＰを出力する。
【００６７】
制御装置５０には、Ｙ軸モータ回転検出器５６が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号が入力される。制御装置５０は、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に基づいて、キャリッジ３８（各ノズルＮ）のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。制御装置５０は、吐出領域Ｓの各格子点の主走査経路上に各着弾位置Ｐを配置する。
【００６８】
制御装置５０には、吐出ヘッド駆動回路５７が接続されて、吐出タイミング信号ＬＰを出力する。制御装置５０は、圧電素子ＰＺを駆動するための信号（圧電素子駆動電圧ＣＯＭ）を吐出タイミング信号ＬＰに同期させて吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。また、制御装置５０は、吐出ヘッド４０の一回の主走査に対応するビットマップデータＢＭＤに基づいて所定のクロック信号に同期させた吐出制御信号ＳＩを生成し、その吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５７にシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路５７は、制御装置５０からの吐出制御信号ＳＩを、それぞれ各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。吐出ヘッド駆動回路５７は、制御装置５０からの吐出タイミング信号ＬＰを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した吐出制御信号ＳＩに基づいて選択される圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭを供給する。
【００６９】
制御装置５０には、ヒータ駆動回路５８が接続されて、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を駆動させるためのヒータ駆動信号ＳＬを出力する。ヒータ駆動回路５８は、吐出ヘッド４０が主走査される前に、制御装置５０からのヒータ駆動信号ＳＬを受けて第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２による加熱を開始させる。
【００７０】
次に、インクジェット装置３０を使用して液晶材料Ｆを吐出させる方法について説明する。
まず、図４に示すように、吐出面ＭＡａが上側になるようにマザー基板ＭＡを搬送台３３に載置する。このとき、マザー基板ＭＡは、キャリッジ３８よりも反Ｘ矢印方向側に配置される。
【００７１】
この状態から、吐出データＩａが入力装置５１から制御装置５０に入力され、制御装置５０が吐出データＩａに基づいたビットマップデータＢＭＤを生成して格納する。次いで、マザー基板ＭＡをＸ矢印方向に搬送するときに、吐出ヘッド４０が第一走査領域ＳＡ１を形成するように、制御装置５０が、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介してキャリッジ３８を移動し、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を配置する。さらに、制御装置５０が、ヒータ駆動回路５８にヒータ駆動信号ＳＬを出力し、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２の加熱を開始する。
【００７２】
第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２の加熱状態が安定すると、制御装置５０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介して吐出ヘッド４０の主走査を開始し、同主走査に対応した吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。さらに、制御装置５０は、基板検出装置５４及びＸ軸モータ回転検出器５５からの検出信号に基づいて、吐出領域Ｓの各格子点が対応する着弾位置Ｐに位置するか否かを判断する。すなわち、制御装置５０は、吐出領域Ｓの各格子点が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに、吐出ヘッド駆動回路５７に吐出タイミング信号ＬＰを出力する。吐出タイミング信号ＬＰが出力されると、吐出ヘッド駆動回路５７が、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択される各圧電素子ＰＺに圧電素子駆動電圧ＣＯＭを供給し、選択されたノズルＮから一斉に液滴Ｆｂを吐出させる。
【００７３】
各液滴Ｆｂが吐出される間、第一ヒータＨ１は、吐出ヘッド４０の主走査方向に先行し、吐出ヘッド４０と相対向するマザー基板ＭＡの領域を、吐出動作の直前に、局所的に加熱する（第一加熱温度に昇温する）。この結果、吐出ヘッド４０の液晶材料Ｆは、マザー基板ＭＡへの放熱が抑制され、吐出する各液滴Ｆｂの吐出容量を均一にする。また、均一な容量で吐出される各液滴Ｆｂは、吐出時の温度と略同じ温度のマザー基板ＭＡに着弾して濡れ広がる。
【００７４】
また、各液滴Ｆｂが吐出される間、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０の主走査方向の反対側で追従し、形成直後の第一液状膜ＬＦ１を局所的に加熱する（第二加熱温度に昇温する）。この結果、第一走査領域ＳＡ１には、各液滴Ｆｂの接合した均一な第一液状膜ＬＦ１が形成される。
【００７５】
次に、第一液状膜ＬＦ１が形成されると、制御装置５０は、吐出ヘッド４０の主走査を終了してマザー基板ＭＡを反Ｘ矢印方向に搬送し、再び、マザー基板ＭＡをキャリッジ３８の反Ｘ矢印方向側に配置する。また、制御装置５０は、Ｙ軸モータ駆動回路５３を介してキャリッジ３８を移動し、マザー基板ＭＡをＸ矢印方向に搬送するときに、吐出ヘッド４０が第二走査領域ＳＡ２を形成するように、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を副走査する。
【００７６】
次いで、制御装置５０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介して吐出ヘッド４０の主走査を再び開始し、同主走査に対応する吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。さらに、制御装置５０は、吐出領域Ｓの各格子点が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択したノズルＮから一斉に液滴Ｆｂを吐出させる。この結果、主走査方向に沿う各吐出領域Ｓの副走査方向側には、第一液状膜ＬＦ１と同じくして、各液滴Ｆｂの接合した均一な第二液状膜ＬＦ２が形成される。
【００７７】
第二液状膜ＬＦ２が形成される間、第二ヒータＨ２は、吐出ヘッド４０の反主走査方向に追従し、形成直後の第二液状膜ＬＦ２と、境界領域ＪＡに対応する先行形成された第一液状膜ＬＦ１と、を局所的に加熱する（第二加熱温度に昇温する）。この結果、吐出領域Ｓには、第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２が均一に接合したパターンが形成される。
【００７８】
しかも、この際、第二加熱領域ＨＡ２を第一加熱領域ＨＡ１の温度よりも低い温度に昇温する分だけ、マザー基板ＭＡの全体にわたる温度上昇が抑制される。
以後、同様に、制御装置５０は、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２のマザー基板ＭＡに対する相対的な主走査と副走査を繰り返す。この際、制御装置５０は、吐出ヘッド４０を主走査するときに、第一加熱領域ＨＡ１と第二加熱領域ＨＡ２の双方を主走査方向に沿って走査する。この結果、互いに隣接する第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２とが均一に接合し、膜厚の均一な液晶材料Ｆのパターンが、各吐出領域Ｓの全体に形成される。
【００７９】
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、第一ヒータＨ１と第二ヒータＨ２が、それぞれ吐出ヘッド４０の主走査方向と主走査方向の反対方向に配設される。そして、第一ヒータＨ１が、相対向する第一加熱領域ＨＡ１を第一加熱温度（吐出温度の近傍）に昇温する。また、第二ヒータＨ２が、相対向する第二加熱領域ＨＡ２を第一加熱温度よりも低い第二加熱温度に昇温する。
【００８０】
そのため、第一走査領域ＳＡ１（第二走査領域ＳＡ２）に液滴Ｆｂを吐出する前に、対応する第一走査領域ＳＡ１（第二走査領域ＳＡ２）を、予め局所的に第一加熱温度に昇温させることができる。よって、液晶材料Ｆの粘度を安定させることができ、第一液状膜ＬＦ１（第二液状膜ＬＦ２）の容量均一性を向上させることができる。
【００８１】
また、第一走査領域ＳＡ１（第二走査領域ＳＡ２）に液滴Ｆｂを吐出した後に、対応する第一走査領域ＳＡ１（第二走査領域ＳＡ２）を、局所的に第二加熱温度に昇温させることができる。よって、着弾した液滴Ｆｂを第一走査領域ＳＡ１（第二走査領域ＳＡ２）に濡れ広がらせることができ、第一液状膜ＬＦ１（第二液状膜ＬＦ２）の膜厚均一性を向上させることができる。
【００８２】
そして、第一加熱温度を第二加熱温度よりも低く設定する分だけ、マザー基板ＭＡの全体にわたる昇温を抑制させることができる。この結果、吐出した液滴Ｆｂの位置ズレやマザー基板ＭＡの熱的損傷を回避させるとともに、吐出領域Ｓの全体にわたって、均一な液晶層１７を形成させることができる。
【００８３】
（２）さらに、第二ヒータＨ２が、吐出ヘッド４０の反Ｙ矢印方向（副走査方向の反対方向）に延びるように形成され、第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２との境界領域ＪＡを局所的に加熱し、第二加熱温度に昇温する。そのため、先行形成した第一液状膜ＬＦ１と後続する第二液状膜ＬＦ２とを、第一加熱温度よりも低い第二加熱温度によって、均一に接合させることができる。
【００８４】
この結果、吐出した液滴Ｆｂの位置ズレやマザー基板ＭＡの熱的損傷を回避させるとともに、吐出領域Ｓの全体にわたって、さらに均一な液晶層１７を形成させることができる。
【００８５】
（３）上記実施形態によれば、第一ヒータＨ１が、吐出ヘッド４０の主走査方向側に隣接し、第二ヒータＨ２が、吐出ヘッド４０の主走査方向の反対側に隣接する。そのため、
第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２を形成する直前に、対応する第一走査領域ＳＡ１及び第二走査領域ＳＡ２を第一加熱温度に昇温することができる。また、第二液状膜ＬＦ２を形成した直後に、第二液状膜ＬＦ２と接合する第一液状膜ＬＦ１の領域を第二加熱温度に昇温させることができる。
【００８６】
この結果、互いに接合する第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２とを、より効率的に均一にさせることができる。
（４）上記実施形態によれば、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２が、吐出ヘッド４０と同じキャリッジ３８に搭載される。そのため、吐出ヘッド４０がマザー基板ＭＡに対して相対的に主走査されるときに、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２が、第一加熱領域ＨＡ１及び第二加熱領域ＨＡ２を、それぞれ吐出領域Ｓに対して相対的に主走査する。よって、局所的な加熱領域を主走査する分だけ、マザー基板ＭＡ、第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２に対する昇温速度や降温速度を速くさせることができる。
【００８７】
この結果、マザー基板ＭＡ、第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２の温度を、より高い精度で制御させることができ、吐出した液滴の位置ズレやマザー基板ＭＡの熱的損傷を、より確実に回避させることができる。
【００８８】
（５）上記実施形態によれば、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２が、それぞれ対向する第一加熱領域ＨＡ１及び第二加熱領域ＨＡ２に赤外領域の光Ｌ１及び光Ｌ２を照射する。そのため、マザー基板ＭＡ、第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２を非接触で加熱させることができる。よって、マザー基板ＭＡ、第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２の温度を、より高い精度で制御させることができる。
【００８９】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、第二ヒータＨ２のＹ矢印方向の幅を、第一ヒータＨ１のＹ矢印方向の幅よりも小さくするようにした。これに限らず、第二ヒータＨ２のＹ矢印方向の幅を、第一ヒータＨ１（吐出ヘッド４０）のＹ矢印方向の幅よりも小さくし、境界領域ＪＡのみを第二加熱温度に昇温する構成にしてもよい。
【００９０】
これによれば、より小さい加熱領域によって、第一液状膜ＬＦ１と第二液状膜ＬＦ２との接合を均一化させることができる。
・上記実施形態では、２回の主走査によって、各吐出領域Ｓ内に液晶材料Ｆのパターン（第一液状膜ＬＦ１及び第二液状膜ＬＦ２）を形成する場合について説明した。これに限らず、例えば、３回以上の主走査によって液晶材料Ｆのパターンを形成する構成にしてもよい。つまり、先行形成した液状体のパターンを局所的に加熱し、同パターンと、隣接する他のパターンとを接合させる構成であればよい。
・上記実施形態では、マザー基板ＭＡにシール材１６を形成し、同マザー基板ＭＡに液晶材料Ｆの液滴Ｆｂを吐出させる構成にした。これに限らず、例えば、マザー基板ＭＢにシール材１６を形成してもよく、さらにはマザー基板ＭＢに液滴Ｆｂを吐出させる構成にしてもよい。
・上記実施形態では、吐出データＩａに基づいてビットマップデータＢＭＤを生成する構成にした。これに限らず、予め外部装置で生成したビットマップデータＢＭＤを入力装置５１から制御装置５０に入力する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を配置固定し、マザー基板ＭＡを移動させる構成にした。これに限らず、例えば、マザー基板ＭＡを配置固定し、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を移動させるようにしてもよい。つまり、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を主走査方向に沿って基板に対して相対的に主走査する構成であればよい。また、吐出ヘッド４０、第一ヒータＨ１及び第二ヒータＨ２を副走査方向に沿って基板に対して相対的に副走査する構成
であればよい。
・上記実施形態では、第一加熱手段及び第二加熱手段を、それぞれ赤外線ヒータに具体化した。これに限らず、例えば、第一加熱手段及び第二加熱手段を抵抗加熱ヒータに具体化してもよく、局所的な加熱によって、対応する液状体を低粘度化できるものであればよい。
・上記実施形態では、５０ｃＰ〜１００ｃＰの液晶材料Ｆを吐出する場合について説明した。これに限らず、５０ｃＰ未満の液晶材料Ｆや１００ｃＰよりも高い液晶材料Ｆを吐出する構成であってもよい。さらには、金属微粒子を含有した金属インクを吐出する構成であってもよい。つまり、本発明の液状体は、局所的な加熱による低粘度化によって接合できる液状体であればよい。
・上記実施形態では、液晶表示装置１０をアクティブマトリックス方式の透過型液晶表示装置に具体化した。これに限らず、例えば、液晶表示装置１０を、反射透過型液晶表示装置、あるいはパッシブ方式の液晶表示装置に具体化してもよい。すなわち、液晶表示装置は、素子基板１４と対向基板１５との間に液晶層１７を封入するものであればよい。
・上記実施形態では、液晶材料Ｆを吐出して液晶層１７（液晶表示装置１０）を製造する構成した。これに限らず、例えば液状体を金属インクに具体化し、液晶表示装置１０の各種金属配線などを形成する構成にしてもよい。また、平面状の電子放出素子を備えて、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）の各種金属配線などを形成する構成にしてもよい。すなわち、液状体の液滴によってパターンを形成する構成であればよい。
・上記実施形態では、液滴吐出装置を、インクジェット装置３０に具体化した。これに限らず、ディスペンサ装置に具体化してもよく、液状体の液滴を吐出して基板にパターンを形成する装置であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本実施形態の液晶表示装置の斜視図。
【図２】同じく、液晶表示装置の断面図。
【図３】同じく、液晶表示装置の製造方法を説明する説明図。
【図４】同じく、液滴吐出装置の斜視図。
【図５】同じく、吐出ヘッドの斜視図。
【図６】同じく、吐出ヘッドの側断面図。
【図７】同じく、吐出ヘッドの走査領域を説明するための説明図。
【図８】同じく、吐出ヘッドの走査領域を説明するための説明図。
【図９】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【００９２】
Ｈ１…第一加熱手段としての第一ヒータ、Ｈ２…第二加熱手段としての第二ヒータ、ＪＡ…境界領域、Ｌ１，Ｌ２…光、ＭＡ…基板としてのマザー基板、Ｆ…液状体としての液晶材料、Ｆｂ…液滴、ＳＡ１…走査領域を構成する第一走査領域、ＳＡ２…走査領域を構成する第二走査領域、１０…液晶表示装置、１７…パターンとしての液晶層、３０…液滴吐出装置としてのインクジェット装置、４０…吐出ヘッド。
【図１】
2007275808.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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