(57)【要約】【課題】エッチング後のシリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑にすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。【解決手段】アルカリ性溶液に、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を添加したエッチング液とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板をウェットエッチングする際に用いるエッチング液であって、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなることを特徴とするエッチング液。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が２００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液。
【請求項３】
請求項２に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が、５００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液。
【請求項４】
請求項３に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が、１０００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載のエッチング液において、前記アルカリ性溶液が、ＫＯＨ水溶液であることを特徴とするエッチング液。
【請求項６】
１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を用いて、シリコン基板をウェットエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項７】
請求項６に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、２００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、５００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項９】
請求項８に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、１０００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１０】
請求項６〜９の何れかに記載のエッチング方法において、前記アルカリ性溶液が、ＫＯＨ水溶液であることを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるエッチング液及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、シリコン基板のエッチング加工技術として、シリコン基板のアルカリ性溶液に対するエッチングレートの違いを利用して行われる異方性エッチング加工技術が知られている。この異方性エッチング加工では、シリコン基板の表面に酸化膜等からなる所定形状のマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して露出したシリコン基板にエッチング液を接触させることで行われる。
【０００３】
エッチング加工は、機械的加工を行うのに比べて高精度で加工を行うことができるとされており、エッチング加工されたシリコン基板は、表面が非常に平滑であることが求められるインクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッド、圧力センサ用ダイアフラム等の機器に用いられる。このような機器に用いられるシリコン基板表面は、より平滑であることが求められており、従来、シリコン基板のエッチング加工面をより平滑化する方法が検討されている。
【０００４】
表面を平滑化できるエッチング液として、例えば、シリコン基板のエッチング加工面とエッチング成分との間のエッチング反応を抑制する金属成分の濃度を所定の範囲に調整したものが提案されている（特許文献１参照）。このエッチング液は、アルカリ水溶液に、Ｃｕ、Ｍｇ、及びＰｂの金属成分を添加したものであり、金属濃度を調整することでエッチング加工面を平滑化又は粗化させるものである。
【０００５】
シリコン基板をさらに平滑にすることができるエッチング液が求められている。
【０００６】
【特許文献１】特許第３０８１１７１号公報（特許請求の範囲等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、エッチング後のシリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑にすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様はシリコン基板をウェットエッチングする際に用いるエッチング液であって、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなることを特徴とするエッチング液にある。
かかる第１の態様では、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面を平滑化させることができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が２００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液にある。
かかる第２の態様では、金（Ａｕ）の濃度が２００ｐｐｂ以上のエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。さらにエッチング時間が短縮され、エッチング精度も向上する。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第２の態様に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が、５００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液にある。
かかる第３の態様では、金（Ａｕ）の濃度が５００ｐｐｂ以上のエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第３の態様に記載のエッチング液において、前記金（Ａｕ）の濃度が、１０００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング液にある。
かかる第４の態様では、金（Ａｕ）の濃度が１０００ｐｐｂ以上のエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様に記載のエッチング液において、前記アルカリ性溶液が、ＫＯＨ水溶液であることを特徴とするエッチング液にある。
かかる第５の態様では、アルカリ性溶液がＫＯＨ水溶液であるエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板を効率的にエッチングすることができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を用いて、シリコン基板をウェットエッチングすることを特徴とするエッチング方法にある。
かかる第６の態様では、１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、エッチング加工面を平滑化させることができる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、第６の態様に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、２００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法にある。
かかる第７の態様では、金（Ａｕ）の濃度が２００ｐｐｂ以上のエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。さらにエッチング時間が短縮され、エッチング精度も向上する。
【００１５】
本発明の第８の態様は、第７の態様に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、５００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法にある。
かかる第８の態様では、金（Ａｕ）の濃度が５００ｐｐｂ以上のエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。
【００１６】
本発明の第９の態様は、第８の態様に記載のエッチング方法において、前記エッチング液の金（Ａｕ）の濃度が、１０００ｐｐｂ以上であることを特徴とするエッチング方法にある。
かかる第９の態様では、金（Ａｕ）の濃度が１０００ｐｐｂ以上のエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、エッチング加工面をより効果的に平滑化させることができる。
【００１７】
本発明の第１０の態様は、第６〜９の何れかの態様に記載のエッチング方法において、前記アルカリ性溶液が、ＫＯＨ水溶液であることを特徴とするエッチング方法にある。
かかる第１０の態様では、アルカリ性溶液がＫＯＨ水溶液であるエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、シリコン基板を効率的にエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明のエッチング液は、シリコン基板（シリコン単結晶基板）をウェットエッチングする際に用いられるエッチング液であって、１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有するアルカリ性溶液からなるものである。すなわちＡｕの濃度が１００ｐｐｂより高くなるようにＡｕを添加されたものである。１００ｐｐｂより高濃度の金（Ａｕ）を含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液とすることにより、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面は極めて平滑化できる。例えば、本発明のエッチング液を用いて、面方位（１１０）のシリコン基板に凹部を形成するエッチングを行った場合、側面が面方位（１１１）で、底面が面方位（１１０）の凹部がシリコン基板に形成され、面方位（１１０）であるエッチング加工面、すなわち底面が極めて平滑化される。なお、本発明のエッチング液は、表面が面方位（１１０）であるシリコン基板をウェットエッチング加工する際に極めて好適に用いられるものであるが、例えば、面方位（１００）のシリコン基板などに用いてもよく、特に限定されない。
【００１９】
本発明のエッチング液は、Ａｕの濃度が１００ｐｐｂより高くなるように、好ましくは５００ｐｐｂ以上になるようにＡｕが添加されていればエッチング加工面の平滑性を上げることができ、エッチング液中のＡｕの濃度が高くなるにつれて、エッチング後のシリコン基板表面はより効果的に平滑化される。なお、エッチング液中のＡｕの濃度が一定量以上になると、エッチング液中のＡｕの濃度に対するシリコン基板表面の平滑性の上昇はほとんどみられなくなる。
【００２０】
本発明のエッチング液において、特に平滑化に著しい効果がみられるＡｕの含有量は、エッチング液中のＡｕの濃度が、例えば５００ｐｐｂ以上、さらに好ましくは１０００ｐｐｂ以上になるようにしたものである。Ａｕの含有量が上述した量であれば、エッチング加工面を極めて平滑にすることができる。
【００２１】
Ａｕを含有しないエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングすると、アルカリ性溶液の濃度によって若干異なるが、エッチング加工面の表面粗さＲａは５００ｎｍ程度となる。これに対し、Ａｕの濃度が１００ｐｐｂより高濃度となるように、特に５００ｐｐｂ以上の濃度になるようにＡｕを添加したエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングすると、エッチング加工面は極めて平滑化され、表面粗さＲａは２００ｎｍ以下となる。さらにＡｕの濃度を１０００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加したエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングすると、エッチング加工面の表面粗さＲａは１００ｎｍ以下となり、Ａｕの濃度が５００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加したエッチング液よりも、さらに効果的にシリコン基板の表面は平滑化される。なお、エッチング液中のＡｕの濃度が２０００ｐｐｂ程度以上となると、エッチング加工面の表面粗さＲａは２０ｎｍ程度まで平滑化され、これ以上Ａｕを添加しても、エッチング液中のＡｕの濃度に対する平滑性の上昇はほとんどみられなくなる。
【００２２】
すなわち、極めて平滑なシリコン基板表面を得たい場合は、エッチング液中のＡｕの濃度が、好ましくは５００ｐｐｂ以上、さらに好ましくは１０００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加したエッチング液で、シリコン基板をエッチングすればよい。ここで、エッチング液中のＡｕの濃度が２０００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加してあれば、十分な平滑性が得られる。
【００２３】
また、本発明のエッチング液は、エッチングレートの面においては、Ａｕの濃度が２００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加するのが好ましい。Ａｕを添加したエッチング液を用いてシリコン基板のエッチングを行うと、シリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、Ａｕを添加しないエッチング液に比べて向上する。そして、エッチング液中のＡｕの濃度が２００ｐｐｂ以上になると、シリコン（Ｓｉ）のエッチングレートはそれ以上ほとんど変化しなくなり、エッチングレートが高い状態で安定化する。つまり、Ａｕの濃度が２００ｐｐｂ以上のエッチング液を用いると、エッチング時間が短縮され、さらに濃度誤差によってエッチングレートが変わることがないため、エッチング精度が向上する。
【００２４】
なお、このときの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）のエッチングレートは、Ａｕを添加しないエッチング液と同じである。つまり、エッチング液にＡｕを添加することで、シリコン（Ｓｉ）のエッチングレートのみが選択的に向上する。
【００２５】
Ａｕの濃度が２００ｐｐｂ以上になるようにＡｕを添加したエッチング液を用いてシリコン基板のエッチングを行うと、シリコン基板をウェットエッチングする際に、エッチング加工面は極めて平滑化できるだけでなく、エッチング時間が短縮され、エッチング精度も向上する。
【００２６】
また、本発明にかかるアルカリ性溶液は、特に限定されないが、例えば、ＫＯＨ、ヒドラジン、エチレンジアミンピロカテコール（ＥＤＰ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等が挙げられ、この中でも特にＫＯＨ水溶液を用いるのが好ましい。本発明のエッチング液は、アルカリ性溶液の濃度は、特に限定されない。アルカリ性溶液の濃度が高くなるほど、シリコン基板のエッチングを行ったときのエッチング加工面の平滑性があがるが、本発明のエッチング液の場合、アルカリ性溶液の濃度を低くしても極めて平滑なエッチング加工面が得られるという利点がある。すなわち、低濃度のアルカリ性溶液に、１００ｐｐｂより高濃度になるようにＡｕを添加することで、シリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑にできるエッチング液を得られる。このため、本発明のエッチング液は、従来のように、高濃度のアルカリ性溶液を用いる必要はなく、低濃度のアルカリ性溶液でよい。
【００２７】
さらに、本発明のエッチング液は、１００ｐｐｂより高濃度になるようにＡｕを添加すればよいため、アルカリ性溶液にＡｕを含む標準液を添加する際に特別な装置などを用いて調整を厳格に行う必要がなく、例えばマイクロピペット等で添加すればよい。このため、安価で容易にエッチング液を作ることができるという効果もある。
【００２８】
なお、本発明のエッチング液は、１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有させた効果を阻害しない限り、他の金属が含有されていてもよい。
【００２９】
以上のような本発明のエッチング液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることで、シリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑にすることができる。
【００３０】
本発明のエッチング液を用いると、エッチングされたシリコン基板面に非常に平滑な溝を形成することができるため、シリコン構造体を使用した微細加工において、構造自由度が高まる。
【００３１】
本発明のエッチング方法は、１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を用いて、シリコン基板（シリコン単結晶基板）をウェットエッチングするものである。ここで、ウェットエッチングは、異方性ウェットエッチングであり、シリコン単結晶基板のエッチングレートの違いを利用して行われる。例えば、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板をエッチング液に浸漬すると、シリコン単結晶基板が徐々に侵食されて表面の（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と約７０度の角度をなし且つ表面の（１１０）面と約３５度程度の角度をなす第２の（１１１）面とが出現する。そして、（１１０）面のエッチングレートと比較して（１１１）面のエッチングレートが約１／１８０であるため、この（１１１）面が出現することで実質的にエッチングが終了する。このとき、本発明のエッチング液を用いてエッチングを行うと、表面と平行な面である底面の（１１０）面が極めて平滑化される。
【００３２】
以下、本発明のエッチング方法を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
図１には、本発明の一実施形態にかかるエッチングの工程を示す図である。まず、図１（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコン基板１の一方面に酸化膜２を形成した後に、図１（ｂ）に示すように、この酸化膜２をパターニングして所定形状のマスクパターン３を形成する。ここで、マスクパターンは、シリコン基板１を熱酸化処理して酸化シリコン膜からなる酸化膜２を形成し、この酸化膜２をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで形成する。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１の一方面側に、１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を接触させて、所定形状のマスクパターン３の開口部３ａを介して露出したシリコン基板１を、異方性エッチング加工し、シリコン基板１に、面方位（１１０）の底面４ａ（以下エッチング加工面４ａ）を有する凹部４を形成する。以上によりシリコン基板のエッチングは終了する。
【００３５】
なお、本実施形態では、シリコン基板に凹部を形成するエッチング方法について説明したが、シリコン基板全体を薄化する場合は、マスクパターンを形成せずに、シリコン基板全体にエッチング加工を行う。本発明のエッチング方法を用いてシリコン基板全体を薄化すると、シリコン基板全体が極めて平滑化できる。
【００３６】
以上のような本発明のエッチング方法により、シリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑にすることができる。また、本発明のエッチング方法は、シリコン基板を極めて平滑にすることができるため、シリコン基板全体を薄化するのに好適に用いることができる。１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有するアルカリ性溶液からなるエッチング液を用いたエッチングによりシリコン基板を薄化することで、極めて表面が平滑なシリコン基板が得られ、シリコン基板表面の研削及び機械的加工が必要なくなり、所望のシリコン基板の製造工程が軽減される。
【００３７】
なお、本発明のエッチング方法により、異方性エッチング加工したシリコン基板は、例えば、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッド、圧力センサ用ダイアフラム等の機器を構成する部材だけではなく、加速度センサ、車載エアバッグ、航空機でのナビゲーションシステム、テレコミュニィケーション分野での小型スィッチングデバイスを構成する部材としても用いることができる。
【００３８】
（試験例１）
本試験例では、シリコン基板に所定形状のマスクパターンを形成した後、下記に示す実施例１〜４並びに比較例１及び２のエッチング液を用いて、面方位（１１０）のシリコン基板のエッチングを行うことで面方位（１１０）の底面を有する凹部を形成し、凹部の底面の表面状態を観察した。
【００３９】
図１を参照して、本試験例を説明する。まず、図１（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコン基板１の一方面に酸化膜２を形成した後に、図１（ｂ）に示すように、この酸化膜２をパターニングして所定形状のマスクパターン３を形成した。ここで、マスクパターンは、シリコン基板１を熱酸化処理して酸化シリコン膜からなる酸化膜２を形成し、この酸化膜２をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで形成した。
【００４０】
次に、図１（ｃ）に示すように、シリコン基板１の一方面側に、下記に示す実施例１〜４並びに比較例１及び２のエッチング液を接触させて、所定形状のマスクパターン３の開口部３ａを介して露出したシリコン基板１を、異方性エッチング加工し、シリコン基板１に、面方位（１１０）の底面４ａ（以下エッチング加工面４ａ）を有する凹部４を形成した。このとき、シリコン基板の表面の温度は８０℃であった。
【００４１】
以上の過程より形成したエッチング加工面を電子顕微鏡で観察し、それぞれの表面粗さＲａを求めた。この結果を図２〜図７に示す。
【００４２】
（実施例１）
濃度が３７．５％のＫＯＨ水溶液に、Ａｕの濃度が５００ｐｐｂになるようにＡｕを添加したエッチング液を実施例１のエッチング液とした。
【００４３】
（実施例２）
Ａｕの濃度が１０００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例１と同様のエッチング液を実施例２のエッチング液とした。
【００４４】
（実施例３）
Ａｕの濃度が２０００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例１と同様のエッチング液を実施例３のエッチング液とした。
【００４５】
（実施例４）
Ａｕの濃度が３０００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例１と同様のエッチング液を実施例４のエッチング液とした。
【００４６】
（比較例１）
Ａｕを添加しなかった以外は、実施例１と同様のエッチング液を比較例１のエッチング液とした。
【００４７】
（比較例２）
Ａｕの濃度が１００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例１と同様のエッチング液を比較例２のエッチング液とした。
【００４８】
（結果のまとめ）
Ａｕの濃度が５００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した実施例１を用いたエッチング加工面（図２参照）と、Ａｕを添加していない比較例１を用いたエッチング加工面（図６参照）とを比較すると、実施例１を用いたエッチング加工面は表面粗さＲａが１７４ｎｍであり、比較例１を用いたエッチング加工面の４４９ｎｍに比べ、表面粗さＲａが小さくなっており、写真からもシリコン基板が平滑化されていることがわかる。また、実施例１〜３を用いたエッチング加工面（図２〜４参照）を比較すると、エッチング液中におけるＡｕの濃度が高くなるにつれて、表面粗さＲａが小さくなっているのがわかる。一方、エッチング液中におけるＡｕの濃度が２０００ｐｐｂ以上の実施例３と実施例４を用いたエッチング加工面は、図４及び図５に示されているように、表面粗さＲａがそれぞれ２４ｎｍ、２３ｎｍであり、大きな差はみられなかった。また、Ａｕを添加しなかった比較例１を用いたエッチング加工面（図６参照）と、Ａｕの濃度が１００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した比較例２を用いたエッチング加工面（図７参照）とを比べると、平滑化に著しい効果はみられなかった。
【００４９】
つまり、アルカリ性溶液にＡｕの濃度が１００ｐｐｂより高くなるようにＡｕを添加することで、エッチング加工面４ａの平滑性は向上する。また、エッチング液中のＡｕの濃度が一定量以上になれば、エッチング加工面４ａの平滑性はそれ以上ほとんど変化しないのは、平滑化に十分な量が添加されているということである。
【００５０】
本発明のエッチング液は、１００ｐｐｂより高濃度のＡｕを含有させることで、シリコン基板のエッチング加工面を極めて平滑化する。エッチング液中のＡｕの濃度が高くなるにつれて、エッチングされたシリコン基板の底表面の平滑性はあがり、エッチング液中のＡｕの濃度がある一定量以上となると、シリコン基板の底表面の平滑性の上昇はほとんどみられなくなる。好ましくは濃度５００ｐｐｂ以上、特に好ましくは濃度１０００ｐｐｂ以上のＡｕを含有させることで、平滑化に著しい効果がみられる。また、エッチング液中のＡｕの濃度が一定量以上、具体的には、濃度２０００ｐｐｂ以上のＡｕが含有されていれば、平滑化に十分な量である。
【００５１】
（試験例２）
本試験例では、下記に示す実施例５〜７並びに比較例３及び４のエッチング液を用いて、面方位（１００）のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板、及び面方位（１１０）の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）基板、それぞれにおけるエッチングレートの測定を行った。この結果を図８に示す。
【００５２】
（実施例５）  
濃度が２８．５％のＫＯＨ水溶液に、Ａｕの濃度が２００ｐｐｂになるようにＡｕを添加したエッチング液を実施例５のエッチング液とした。
【００５３】
（実施例６）
Ａｕの濃度が５００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例５と同様のエッチング液を実施例６のエッチング液とした。
【００５４】
（実施例７）
Ａｕの濃度が１０００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例５と同様のエッチング液を実施例７のエッチング液とした。
【００５５】
（比較例３）
Ａｕを添加しなかった以外は、実施例５と同様のエッチング液を比較例３のエッチング液とした。
【００５６】
（比較例４）
Ａｕの濃度が１００ｐｐｂになるようにＡｕを添加した以外は、実施例５と同様のエッチング液を比較例４のエッチング液とした。
【００５７】
（結果のまとめ）
図８に示すように、比較例４のエッチング液では、シリコンのエッチングレートは１．９μｍ／ｍｉｎ程度であったが、実施例５のエッチング液では、シリコンのエッチングレートは２．０μｍ／ｍｉｎ程度まで向上した。また、実施例６及び実施例７のエッチング液は、シリコンのエッチングレートは２．０μｍ／ｍｉｎ前後となり実施例５とほとんど変わらなかった。つまり、Ａｕの濃度が２００ｐｐｂ以上になると、シリコンのエッチングレートは高い状態で安定化する。このため、エッチング時間は短縮され、エッチング精度も向上する。
【００５８】
なお、各実施例及び各比較例において、面方位（１１０）の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）基板のエッチングレートはいずれも３７．５Å／ｍｉｎ前後であり、変化がみられなかった。これに対し、面方位（１００）のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板のエッチングレートは変化がみられた。つまり、エッチング液にＡｕを添加することで、シリコン（Ｓｉ）のエッチングレートのみが選択的に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態にかかるエッチングの工程を示す図である。
【図２】実施例１のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図３】実施例２のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図４】実施例３のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図５】実施例４のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図６】比較例１のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図７】比較例２のシリコン基板の表面状態を示す図である。
【図８】エッチング液中のＡｕの濃度とエッチングレートとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  シリコン基板、２  酸化膜、３  マスクパターン、３ａ  開口部、４  凹部
【図１】
2007088402.tif 000002
【図２】
2007088402.tif 000003
【図３】
2007088402.tif 000004
【図４】
2007088402.tif 000005
【図５】
2007088402.tif 000006
【図６】
2007088402.tif 000007
【図７】
2007088402.tif 000008
【図８】
2007088402.tif 000009