(57)【要約】【課題】  プリント基板等に対して面実装できるようにしたフォトインタラプタにおいて，その小型・軽量化を図る。【解決手段】  発光素子１０及び受光素子１５を搭載した絶縁基板２に，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体３０と，前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体３１とを固着し，更に，前記絶縁基板に，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体３２を固着し，この二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過するギャップ溝３４が設けられ，前記発光素子からの光が前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成する。【選択図】                  図５
2007027621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面に，発光素子及び受光素子が搭載されているとともに，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体と，前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体とが固着されている一方，前記絶縁基板の側面及び下面のうちいずれか一方又は両方に，前記発光素子に対する端子電極と，前記受光素子に対する端子電極とが形成され，更に，前記絶縁基板の上面に，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体が固着され，この二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過するギャップ溝が設けられ，前記発光素子からの光が前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成されていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記二次モールド体には，そのギャップ溝の両内壁面に，光の通過孔が設けられ，発光素子の一次モールド体には，発光素子からの光を前記通過孔の方向に屈折する傾斜反射面が，受光素子の一次モールド体には，前記通過孔からの光を受光素子の方向に屈折する傾斜反射面が各々設けられていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項３】
前記請求項１又は２の記載において，前記二次モールド体には，前記発光素子の一次モールド体と，受光素子の一次モールド体との間の部分に，遮光部を備えていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれかの記載において，絶縁基板が，二枚以上を重ねた積層体であることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項５】
絶縁基板の上面に，発光素子と受光素子とを並べて搭載する一方，前記絶縁基板の側面及び下面のうちいずれか一方又は両方に，前記発光素子に対する端子電極及び前記受光素子に対する端子電極を形成する工程と，
前記絶縁基板の上面に，これに一次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体及び前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体を成形する工程と，
前記絶縁基板の上面に，これに二次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体を，当該二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過し且つ前記発光素子から受光素子に向かう光が横切るようにしたギャップ溝及び光通過孔を，前記二次成形用金型に設けた中子型にて設けて成形する工程と，
を備えていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【請求項６】
絶縁基板の複数個を並べて一体化して成る素材基板を製造する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に発光素子と受光素子とを並べて搭載する一方，前記素材基板における前記各絶縁基板の各々に前記発光素子及び受光素子に対する端子電極を形成する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に，これに一次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体及び前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体を成形する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に，これに二次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体を，当該二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過し且つ前記発光素子から受光素子に向かう光が横切るようにしたギャップ溝及び光通過孔を，前記二次成形用金型に設けた中子型にて設けて成形する工程と，
前記素材基板を，前記各絶縁基板ごとに切断する工程と，
を備えていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【請求項７】
前記請求項５又は６の記載において，前記二次成形用金型を絶縁基板に対して押圧したとき，前記発光素子の一次モールド体及び前記受光素子の一次モールド体の両方を，当該二次成形用金型における前記中子型に対して押圧することを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，発光素子と受光素子とを備え，その間における被検出物の有無を検出するようにした面実装型フォトインタラプタのうち，発光素子及び受光素子の両方を，透明合成樹脂製の一次モールド体にて別々にパッケージし，この二つの一次モールド体を，不透明合成樹脂製の二次モールド体にて一緒にパッケージするように構成して成る面実装型フォトインタラプタと，その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来，この種のフォトインタラプタは，例えば，特許文献１等に記載されているように，金属板製の発光側リード端子に搭載した発光素子の部分を透明合成樹脂製の一次モールド体にてパッケージする一方，同じく金属板製の受光側リード端子に搭載した受光素子の部分を透明合成樹脂製の一次モールド体にてパッケージし，両一次モールド体を，その両者を，発光素子からの光が受光素子に向かうように互いに向かい合わせにした状態で，不透明合成樹脂製の二次モールド体にて，当該二次モールド体のうち発光素子と受光素子との間の部分に被検出物が通過するギャップ溝を設けて，一体的にパッケージするという構成にしている。
【特許文献１】特開平６−３５０１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし，前記した従来構成のフォトインタラプタにおいては，金属板製のリード端子を使用していることにより，重量及び製造コストが大幅にアップするという問題がある。
【０００４】
しかも，これを面実装型に構成する場合には，各リード端子を，二次モールド体から突出して，これをプリント基板等に対して半田付けする形態にしているから，前記各リード端子を二次モールド体から突出するだけ大型化することになり，換言すると，大幅な大型化を招来するという問題もあった。
【０００５】
本発明は，これらの問題を解消した面実装型フォトインタラプタと，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この技術的課題を達成するため本発明における面実装型フォトインタラプタは，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の上面に，発光素子及び受光素子が搭載されているとともに，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体と，前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体とが固着されている一方，前記絶縁基板の側面及び下面のうちいずれか一方又は両方に，前記発光素子に対する端子電極と，前記受光素子に対する端子電極とが形成され，更に，前記絶縁基板の上面に，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体が固着され，この二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過するギャップ溝が設けられ，前記発光素子からの光が前記ギャップ溝を横切ったのち前記受光素子に到達するように構成されている。」
ことを特徴としている。
【０００７】
また，本発明の面実装型フォトインタラプタは，請求項２に記載したように，
「前記請求項１の記載において，前記二次モールド体には，そのギャップ溝の両内壁面に，光の通過孔が設けられ，発光素子の一次モールド体には，発光素子からの光を前記通過孔の方向に屈折する傾斜反射面が，受光素子の一次モールド体には，前記通過孔からの光を受光素子の方向に屈折する傾斜反射面が各々設けられている。」
ことを特徴としている。
【０００８】
更にまた，本発明の面実装型フォトインタラプタは，請求項３に記載したように，
「前記請求項１又は２の記載において，前記二次モールド体には，前記発光素子の一次モールド体と，受光素子の一次モールド体との間の部分に，遮光部を備えている。」
ことを特徴としている。
【０００９】
加えて，本発明の面実装型フォトインタラプタは，請求項４に記載したように，
「前記請求項１〜３のいずれかの記載において，絶縁基板が，二枚以上を重ねた積層体である。」
ことを特徴としている。
【００１０】
次に，本発明における製造方法は，請求項５に記載したように，
「絶縁基板の上面に，発光素子と受光素子とを並べて搭載する一方，前記絶縁基板の側面及び下面のうちいずれか一方又は両方に，前記発光素子に対する端子電極及び前記受光素子に対する端子電極を形成する工程と，
前記絶縁基板の上面に，これに一次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体及び前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体を成形する工程と，
前記絶縁基板の上面に，これに二次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体を，当該二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過し且つ前記発光素子から受光素子に向かう光が横切るようにしたギャップ溝及び光通過孔とを，前記二次成形用金型に設けた中子型にて設けて成形する工程と，
を備えている。」
ことを特徴としている。
【００１１】
また，本発明における製造方法は，請求項６に記載したように，
「絶縁基板の複数個を並べて一体化して成る素材基板を製造する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に発光素子と受光素子とを並べて搭載する一方，前記素材基板における前記各絶縁基板の各々に前記発光素子及び受光素子に対する端子電極を形成する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に，これに一次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体及び前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂製の一次モールド体を成形する工程と，
前記素材基板における上面のうち前記各絶縁基板の箇所に，これに二次成形用金型を押し付けた状態で，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体を，当該二次モールド体のうち前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との間の部位に，被検出物が通過し且つ前記発光素子から受光素子に向かう光が横切るようにしたギャップ溝及び光通過孔を，前記二次成形用金型に設けた中子型にて設けて成形する工程と，
前記素材基板を，前記各絶縁基板ごとに切断する工程と，
を備えている。」
ことを特徴としている。
【００１２】
更にまた，本発明における製造方法は，請求項７に記載したように，
「前記請求項５又は６の記載において，前記二次成形用金型を絶縁基板に対して押圧したとき，前記発光素子の一次モールド体及び前記受光素子の一次モールド体の両方を，当該二次成形用金型における前記中子型に対して押圧する。」
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
前記請求項１に記載したように，絶縁基板の上面に，発光素子及び受光素子を搭載するとともに，前記発光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体と，前記受光素子をパッケージする透明合成樹脂による一次モールド体とを固着し，更に，前記発光素子の一次モールド体と前記受光素子の一次モールド体との両方を一緒にパッケージする不透明合成樹脂による二次モールド体を固着することにより，従来のフォトインタラプタにおいて使用されていた金属板製リード端子を廃止することができるから，大幅な軽量化と，低価格化とを図ることができる。
【００１４】
これに加えて，前記絶縁基板の側面及び下面のうちいずれか一方又は両方に，前記発光素子及び受光素子に対する端子電極を形成したことにより，この各端子電極をプリント基板等に対して半田付けできるから，従来のように二次モールド体からリード端子を突出すくことなく，換言すると，大型化を招来することなく面実装型に構成することでができる。
【００１５】
この場合において，請求項２に記載した構成にすることにより，発光素子と受光素子とを絶縁基板の上面に搭載した形態において，前記発光素子から受光素子に至る光を，二つの傾斜反射面を利用して確実にギャップ溝を横切らせることができるから，前記ギャップ溝内に被検出物が存在するか否かの検出精度を向上できる利点がある。
【００１６】
また，請求項３に記載した構成にすることにより，前記ギャップ溝を横切ることなく発光素子から受光素子側に直接に漏れる光を遮光部にて少なくできるから，検出精度をより向上できる。
【００１７】
更にまた，請求項４に記載した構成にすることにより，前記絶縁基板が，外力又は熱負荷等にてひずみ変形することを，当該絶縁基板の複数枚の積層構造することで確実に低減できるから，前記絶縁基板のひずみ変形に起因する検出精度の低下を回避できる。
【００１８】
そして，請求項５に記載した製造方法によると，前記請求項１に記載した構成のフォトインタラプタを，前記絶縁基板に対して押圧するという簡単構成（従来は，一次モールド体の成形に際しては，リード端子を左右両側から挟むようにした二つの成形用金型を使用しなければならず，また，二次モールド体の成形に際しては，四つの成形用金型を形成しなければならないから，成形用金型が複雑構造である）の一次成形用金型及び二次成形用金型を使用して，容易に低コストで製造することができる。
【００１９】
また，請求項６に記載した製造方法によると，前記請求項１に記載した構成のフォトインタラプタの複数個を，一枚の素材基板から同時に製造できるから，製造コストをより低減できる。
【００２０】
特に，本発明の製造方法においては，請求項７に記載したように，二次成形用金型を絶縁基板に対して押圧したとき前記発光素子の一次モールド体及び前記受光素子の一次モールド体における傾斜反射面に接当して，前記発光素子の一次モールド体及び前記受光素子の一次モールド体の両方を，当該二次成形用金型における前記中子型に対して押圧することにより，不透明合成樹脂による二次モールド体を成形するときに，前記両一次モールド体のうち光通過孔内の部分に，前記不透明合成樹脂が薄い膜状のバリとして発生することを確実に回避することができるから，光の透過性に優れた，換言すると，検出精度の高いフォトインタラプタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２２】
図１〜図８は，本発明の実施の形態による面実装型フォトインタラプタ１を示す。
【００２３】
この面実装型フォトインタラプタ１は，例えば，ガラスエポキシ等の不透明の絶縁材料によるメイン絶縁基板３と，前記メイン絶縁基板３と同じ不透明の絶縁材料，つまり，ガラスエポキシ等によるサブ絶縁基板４とを積層固着することによってチップ型に構成して成る絶縁基板２を備えている。
【００２４】
前記絶縁基板２のうちサブ絶縁基板３には，平面視において左右一対の貫通孔５ａ，５ｂが穿設されている。
【００２５】
前記絶縁基板２におけるメイン絶縁基板３の上面のうち前記一方の貫通孔５ａ内の個所には，一対の電極パターン６，７と，この両電極パターン６，７のうち一方の電極パターン６にダイボンディングした発光ダイオードチップ８と，この発光ダイオードチップ８と他方の電極パターン７との間をワイヤボンディングした金属線９とによって構成して成る発光素子１０が設けられている。
【００２６】
前記絶縁基板２におけるメイン絶縁基板２の上面のうち前記他方の貫通孔５ｂ内の個所には，一対の電極パターン１１，１２と，この両電極パターン１１，１２のうち一方の電極パターン１１にダイボンディングした受光チップ１３と，この受光チップ１３と他方の電極パターン１２との間をワイヤボンディングした金属線１４とによって構成して成る受光素子１５が設けられている。
【００２７】
前記絶縁基板２におけるメイン絶縁基板３の下面のうち前記発光素子１０の側の部分には，前記発光素子９における一方の電極パターン６にスルーホール１８内の端子電極１９を介して電気的に導通する端子電極２０と，前記発光素子１０における他方の電極パターン７にスルーホール２１内の導体２２を介して電気的に導通する端子電極２３とが各々形成されている。
【００２８】
更に，前記絶縁基板２におけるメイン絶縁基板３の下面のうち前記受光素子１５の側の部分には，前記受光素子１５における一方の電極パターン１１にスルーホール２４内の端子電極２５を介して電気的に導通する端子電極２６と，前記受光素子１５における他方の電極パターン１２にスルーホール２７内の端子電極２８を介して電気的に導通する端子電極２９が各々形成されている。
【００２９】
一方，前記絶縁基板２におけるサブ絶縁基板４の上面には，前記一方の貫通孔５ａの部分に，前記発光素子１０をパッケージする一次モールド体３０が，前記他方の貫通孔５ｂの部分に，前記受光素子１５をパッケージする一次モールド体３１が，エポシキ樹脂等の透明合成樹脂にて，各々固着成形されている。
【００３０】
更に，前記絶縁基板２におけるサブ絶縁基板４の上面には，前記発光素子１０の一次モールド体３０と，前記受光素子１５の一次モールド体３１との両方を同時（一緒）にパッケージする不透明合成樹脂製の二次モールド体３２が固着されており，この二次モールド体３２には，前記発光素子１０の一次モールド体３０と，前記受光素子１５の一次モールド体３１との間の部分に，被検出物３３が通過するようにしたギャップ溝３４が設けられている。
【００３１】
また，前記二次モールド体３２には，前記発光素子１０の一次モールド体３０と，前記受光素子１５の一次モールド体３１との間の部位に，前記サブ絶縁基板４における上面のうち両貫通孔５ａ，５ｂの間の部分に接当するように遮光部３５が設けられているとともに，前記ギャップ溝３４における左右両内壁面に，光の通過孔３６ａ，３６ｂが設けられている。
【００３２】
そして，前記発光素子１０の一次モールド体３１には，発光素子１０からの光を前記両通過孔３６ａ，３６ｂの方向に屈折する傾斜反射面３７が，前記受光素子１５の一次モールド体３２には，前記両通過孔３６ａ，３６ｂからの光を受光素子１５の方向に屈折する傾斜反射面３８が各々設けられている。
【００３３】
この構成のフォトインタラプタ１は，各種電気機器におけるプリント基板等に対して，そのメイン絶縁基板２の下面における各端子電極２０，２３，２６，２９及び側面における各端子電極１９，２２，２５，２８のうちいずれか一方又は両方を半田付けすることによって実装される。
【００３４】
前記ギャップ溝３４内に，被検出物３３が存在しないときには，前記発光素子１０における光は，前記ギャップ溝３４を，両通過孔３６ａ，３６ｂを通過するように横切って前記受光素子１５に到達することになるが，前記ギャップ溝３４内に被検出物３３が存在するときには，前記受光素子１５への光の到達が前記被検出物３３にて遮られることになるから，これによって，前記ギャップ溝３４内における被検出物３０の有無を検出することができる。
【００３５】
この場合において，絶縁基板２が，メイン絶縁基板３とサブ絶縁基板４とを積層固着して二枚重ねの積層体に構成したことにより，この絶縁基板２に，外力及び熱膨張差等による歪み変形が発生することを，絶縁基板を一枚のみで構成する場合よりも，確実に低減できる。この場合，メイン絶縁基板３とサブ絶縁基板４とが同じ材料であることにより，その間における熱膨張差による歪み変形が発生することを回避できる。
【００３６】
また，前記二次モールド体３２には，前記発光素子１０の一次モールド体３０と，受光素子１５の一次モールド体３１との間の部分に，前記サブ絶縁基板４における上面のうち両貫通孔５ａ，５ｂの間の部分に接当するように遮光部３５を設けられていることにより，発光素子１０における光が，二次モールド体３２におけるギャップ溝３４を横切るように通過することなく直接に受光素子１５に到達することを，前記遮光部３５によって確実に阻止できる。
【００３７】
次に，前記した構成による面実装型フォトインタラプタ１の製造方法について説明する。
【００３８】
先ず，図５，図１０及び図１１に示すように，前記メイン絶縁基板３の複数枚を縦及び横に並べて一体化して成るメイン素材基板Ａと，同じく，前記サブ絶縁基板４の複数枚を縦及び横に並べて一体化して成るサブ素材基板Ｂとを，ガラスエポキシ板より製作する。      
【００３９】
なお，これらメイン素材基板Ａ及びサブ素材基板Ｂは，詳しくは後述するように，縦方向の切断線Ｃ１及び横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工によって，各メイン絶縁基板２及びサブ絶縁基板３ごとに分割される。
【００４０】
前記メイン素材基板Ａのうち前記各メイン絶縁基板２の個所ごとに，上面における電極パターン６，７，１１，１２の形成，及び，下面における端子電極２０，２３，２６，２９の形成，並びに，スルーホールの穿設とその内部における端子電極の形成を行う。
【００４１】
一方，前記サブ素材基板Ｂには，その各サブ絶縁基板２の個所ごとに貫通孔５ａ，５ｂを穿設する。
【００４２】
次いで，図１２及び図１３に示すように，前記メイン素材基板Ａの上面に，前記サブ素材基板Ｂを重ねて，積層固着したのち，前記サブ素材基板Ｂにおける各貫通孔５ａ，５ｂ内の各々に，発光ダイオードチップ８及び受光チップ１３のダイボンディングと，金属線９，１４によるワイヤボンディングとを行う。
【００４３】
なお，この発光ダイオードチップ８及び受光チップ１３のダイボンディングと，金属線９，１４によるワイヤボンディングとは，前記サブ素材基板Ｂを積層固着する前の段階において行うようにしても良いが，前記したように，前記サブ素材基板Ｂを積層固着した後の段階において行うようにした場合には，これらのダイボンディング及びワイヤボンディングを，素材基板Ａ，Ｂにおける剛性が高くてその歪み変形が小さい状態で的確に行うことができる利点がある。
【００４４】
次いで，図１４に示すように，前記サブ素材基板Ｂの上面に対して一次成形用金型Ｄを押し付けてトランスファ成形することにより，図１５及び図１６に示すように，前記発光素子１０の一次モールド体３０と，前記受光素子１５の一次モールド体３１とを，これら両一次モールド体３０，３１の各々に，光の傾斜反射面３７，３８を設けて成形するとともに，サブ素材基板Ｂに固着する。
【００４５】
次いで，図１７及び図１８に示すように，前記サブ素材基板Ｂの上面に対して二次成形用金型Ｅを押し付けてトランスファ成形することにより，図１９及び図２０に示すように，前記発光素子１０の一次モールド体３０と前記受光素子１５の一次モールド体３１とを同時（一緒）にパッケージする二次モールド体３２を成形するとともに，サブ素材基板Ｂに固着する。
【００４６】
この二次モールド体３２の成形に際しては，その二次成形用金型Ｅに中子型Ｅ１を設けて，前記ギャップ溝３４を成形するとともに，前記光の通過孔３６ａ，３６ｂを設ける。これに加えて，前記した遮光部３５を同時に設ける。
【００４７】
更に，前記二次モールド体３２の成形に際しては，その二次成形用金型Ｅに，前記発光素子１０の一次モールド体３０及び前記受光素子１５の一次モールド体３１における傾斜反射面３７，３８に対する接当部Ｅ２，Ｅ３を設けて，この接当部Ｅ２，Ｅ３にて前記両傾斜反射面３７，３８をサブ素材基板Ｂの方向に押圧することにより，前記両一次モールド体３０，３１を，前記中子型Ｅ１に対して押し付けるようにして，不透明合成樹脂による二次モールド体３２を成形するときに，前記両一次モールド体３０，３１のうち光通過孔３６ａ，３６ｂ内の部分に，前記不透明合成樹脂によるバリが発生しないようにしている。
【００４８】
本実施の形態の場合，各絶縁基板２における二次モールド体３２を，複数個の絶縁基板について一体化している。
【００４９】
次いで，複数個の絶縁基板について一体化した二次モールド体３２を，図２１に示すように，縦方向の切断線Ｃ１及び横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工によって，各絶縁基板２ごとに二次モールド体３２に分断する。
【００５０】
そして，メイン素材基板Ａ及びサブ素材基板Ｂから成る積層体を，図２２及び図２３に示すように，前記縦方向の切断線Ｃ１に沿ってのタイシング加工にて切断するとともに，前記横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工にて切断することにより，前記図１〜図８に示す構成通りの面実装型フォトインタラプタ１を得ることができる。
【００５１】
また，別の製造方法においては，図２４及び図２５に示すように，前記二次モールド体３２を，前記二次成形用金型Ｅを使用する成形するとき，この二次モールド体３２を，各絶縁基板２ごとに分断した形態にして成形することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態による面実装型フォトインタラプタを示す正面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の左側面図である。
【図４】図１の底面図である。
【図５】本発明の実施の形態による面実装型フォトインタラプタを示す縦断正面図である。
【図６】図５のVI−VI視平断面図である。
【図７】図５のVII −VII 視断面図である。
【図８】図５のVIII−VIII視断面図である。
【図９】前記フォトインタラプタの製造に使用するメイン素材基板及びサブ素材基板の斜視図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視拡大断面図である。
【図１１】図９のXI−VI視拡大断面図である。
【図１２】第１の工程を示す斜視図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII視拡大断面図である。
【図１４】第２の工程を示す断面図である。
【図１５】第３の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５のXVI −XVI 視断面図である。
【図１７】第４の工程を示す断面図である。
【図１８】図１７のXVIII −XVIII 視断面図である。
【図１９】第４の工程を示す断面図である。
【図２０】図１９のXX−XX視断面図である。
【図２１】第５の工程を示す断面図である。
【図２２】第６の工程を示す断面図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視断面図である。
【図２４】別の製造方法において第１の工程を示す断面図である。
【図２５】別の製造方法において第２の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１                              フォトインタラプタ
２                              絶縁基板
３                              メイン絶縁基板
４                              サブ絶縁基板
５ａ，５ｂ                      貫通孔
１０                            発光素子
１５                            受光素子
２０，２３，２６，２９          端子電極
１９，２２，２５，２８          端子電極
３０，３１                      一次モールド体
３２                            二次モールド体
３４                            ギャップ溝
３５                            遮光部
３６ａ，３６ｂ                  光の通過孔
３７，３８                      光の傾斜反射面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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