(57)【要約】【課題】照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部に、潜像電荷を同電位化せしめる導電部材を潜像の画素毎に各別に複数設けた放射線固体検出器において、導電部材の電荷収集効率を向上させる。【解決手段】第１導電層２１、記録用光導電層２２、読取用光導電層２３、第２導電層２４、絶縁層３０、支持体１８をこの順に配し、記録用光導電層２２と読取用光導電層２３との界面に潜像電荷を同電位化せしめるマイクロプレート２８を潜像の画素毎に各別に２次元状に複数配設し、この界面において潜像電荷を蓄積する蓄電部２７を形成させ、放射線固体検出器２０を構成する。このとき、マイクロプレート２８の端部の断面形状を円弧状とし、この円弧の半径Ｒを、互いに隣接するマイクロプレート２８同士の間隔Ｉの１／２よりも大きくなるように構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、
前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、
前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、
読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、
前記読取光に対して透過性を有する多数の電荷検出用線状電極を備えた第２の導電層とをこの順に積層してなり、
前記蓄電部に潜像電荷を同電位化せしめる導電部材が潜像の画素毎に各別に複数設けられた放射線固体検出器において、
前記導電部材の最厚部の厚さが、互いに隣接する前記導電部材同士の間隔の１／２よりも厚く、
互いに隣接する前記導電部材の側面上端部同士の間隔が、互いに隣接する前記導電部材の側面最端部同士の間隔よりも広くなるように構成されていることを特徴とする放射線固体検出器。
【請求項２】
前記導電部材の端部の断面形状が円弧状であり、該円弧の半径が、互いに隣接する前記導電部材同士の間隔の１／２よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の放射線固体検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部に、潜像電荷を同電位化せしめる導電部材を潜像の画素毎に各別に複数設けた放射線固体検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器（以下単に検出器ともいう）を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。
【０００３】
本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献１、特許文献２、特許文献３において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光（以下記録光という）に対して透過性を有する第１導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２導電層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を蓄積する検出器を提案している。
【０００４】
そして、上記特許文献２および特許文献３においては、特に、読取光に対して透過性を有する第２導電層の電極を多数の読取光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極からなるストライプ電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の補助線状電極を、前記電荷検出用線状電極と交互にかつ互いに平行となるように、第２導電層内に設けた検出器を提案している。
【０００５】
このように、多数の補助線状電極からなるサブストライプ電極を第２導電層内に設けることにより、蓄電部とサブストライプ電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
【０００６】
さらに、特許文献２および特許文献３において、蓄電部に潜像電荷を同電位化せしめる導電部材（マイクロプレート）を潜像の画素毎に各別に複数設けた検出器を提案している。
【０００７】
このように、蓄電部に導電部材を設けることにより、導電部材の範囲内では潜像電荷の電位が一定に保たれるため、一般に読み出しにくい画素周辺部の潜像電荷を、導電部材内である限り読出しの進行に応じて、導電部材中央部、すなわち画素中央部に移動せしめることができ、その結果、潜像電荷をより十分に放電させることができるようになるため、読出効率を改善することができる。また、画素を導電部材が配設された固定位置に形成することが可能となり、ストラクチャーノイズの補正を行うことも容易となる。
【０００８】
なお、このような導電部材を蓄電部に設けた場合、電荷輸送層を設けなくても導電部材に電荷を蓄積できるため、電荷輸送層は必ずしも設ける必要は無くなる。
【特許文献１】特開２０００−１０５２９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４０５６号公報
【特許文献３】特開２０００−２８４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
蓄電部に導電部材を潜像の画素毎に各別に複数設けた場合、記録用光導電層で発生した電荷のうち、導電部材に収集された電荷は良好な画像の読出しに寄与するが、導電部材と導電部材との間では電荷が導電部材に収集されずに通過してしまい、この部分の電荷は導電部材の影響を受けないため、画像形成の際に利用効率の低い電荷が生じることになる。
【００１０】
この様な蓄電部を通過する電荷を少なくするために、導電部材同士の間隔を狭めることが考えられるが、その場合であっても、導電部材の加工精度上の問題、さらには導電部材は画素毎に各別に設ける必要があるため、間隔を完全に無くすことは不可能である。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部に、潜像電荷を同電位化せしめる導電部材を潜像の画素毎に各別に複数設けた放射線固体検出器において、導電部材の電荷収集効率を向上させた放射線固体検出器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による放射線固体検出器は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、読取光に対して透過性を有する多数の電荷検出用線状電極を備えた第２の導電層とをこの順に積層してなり、蓄電部に潜像電荷を同電位化せしめる導電部材が潜像の画素毎に各別に複数設けられた放射線固体検出器において、導電部材の最厚部の厚さが、互いに隣接する導電部材同士の間隔の１／２よりも厚く、互いに隣接する導電部材の側面上端部同士の間隔が、互いに隣接する導電部材の側面最端部同士の間隔よりも広くなるように構成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、「画素毎に設けられている」とは、潜像電荷を同電位化させ、読出時に画素周辺部の電荷を画素中央部に集中させることができるように、各画素に、好ましくは１つの導電部材が設けられることを意味し、１画素に対して多数の導電部材がランダムに配設され、読出時に画素周辺部の電荷を画素中央部に集中させることができない態様のものは含まない。
【００１４】
また、「各別に」とは、各導電部材が、他の画素との間では、離散した状態、つまり、接続されないフローティング状態で配設されることを意味する。なお、１画素に対して複数の導電部材を設ける場合には、１画素分の部材間を電気的に接続しておくのが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては放射線固体検出器の各層の積層方向において記録光入射面側（第１の導電層側）を上側、読取光入射面側（第２の導電層側）を下側としている。そのため、「導電部材の側面上端部」とは、導電部材の側面における記録光入射面側の端部を意味する。
【００１６】
また、「記録光」としては、画像情報を担持する電磁波であって、固体検出器に照射することにより該固体検出器に画像情報を潜像電荷（静電潜像）として記録させ得るものであればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１７】
また、「読取光」としては、画像検出器に照射することにより該画像検出器に記録されている潜像電荷（静電潜像）に応じた電流を発生させ得る電磁波であればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１８】
また、「電荷検出用線状電極」とは、読取用光導電層内で発生した電荷対を検出するための電極であり、読取用光導電層内へ読取光を入射させるべく、読取光に対して透過性を有することが望ましいが、線状電極間から入射する読取光により読取用光導電層内に十分な電荷対が発生可能な場合は、電荷検出用線状電極は必ずしも透過性を有する必要はない。
【００１９】
また、第２の導電層は、電荷検出用線状電極と交互に配置された補助線状電極を備えたものとしてもよい。
【００２０】
ここで、「補助線状電極」とは、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための電極であり、読取光に対して遮光性を有することが望ましいが、補助線状電極と読取光照射手段との間に遮光性を有する遮光膜等を設ける場合は、補助線状電極は必ずしも遮光性を有する必要はない。ここで、「遮光性」とは、読取光を完全に遮断して全く電荷対を発生させないものに限らず、その読取光に対する多少の透過性は有していてもそれにより発生する電荷対が実質的に問題とならない程度のものも含むものとする。従って、読取用光導電層に発生する電荷対は全て電荷検出用線状電極を透過した読取光や、線状電極間から入射した読取光によるものとは限らず、補助線状電極を僅かに透過した読取光によっても読取用光導電層において電荷対が発生しうるものとする。
【００２１】
また、導電部材の端部の断面形状を円弧状とし、この円弧の半径を、互いに隣接する導電部材同士の間隔の１／２よりも大きくなるように構成することが好ましい。
【００２２】
なお、本発明による固体検出器を使用して放射線画像の記録や読取りを行うに際しては、例えば、上記特許文献２に記載されたような、本発明を適用しない従来の固体検出器を用いた記録方法および読取方法並びにその装置を変更することなく、そのまま利用することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による放射線固体検出器によれば、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部に、潜像電荷を同電位化せしめる導電部材を潜像の画素毎に各別に複数設けた放射線固体検出器において、導電部材の最厚部の厚さを、互いに隣接する導電部材同士の間隔の１／２よりも厚く、互いに隣接する導電部材の側面上端部同士の間隔を、互いに隣接する導電部材の側面最端部同士の間隔よりも広くなるように構成したことにより、記録光照射時（静電潜像記録時）の蓄電部における導電部材と導電部材との間の電界方向が、放射線固体検出器の各層の積層方向から導電部材へ向けて傾く、いわゆる電界レンズ効果が生じ、従来、導電部材と導電部材との間で導電部材に収集されずに通過していた電荷が導電部材へ向けて移動するようになるので、導電部材の電荷収集効率を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の放射線固体検出器の一実施の形態の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は放射線固体検出器２０の斜視図、図１（Ｂ）は放射線固体検出器２０のＱ矢指部のＸＺ断面図、図１（Ｃ）は放射線固体検出器２０のＰ矢指部のＸＹ断面図である。また、図２は導電部材（マイクロプレート）の配置を説明するための上面図、図３は導電部材周囲の拡大断面図（図１（Ｂ）と同方向から見た断面図）である。
【００２５】
この放射線固体検出器２０は、被写体を透過したＸ線等の放射線の画像情報を担持する記録光（放射線もしくは放射線の励起により発生した光）に対して透過性を有する第１導電層２１、この第１導電層２１を透過した記録光の照射を受けることにより電荷対を発生し導電性を呈する記録用光導電層２２、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層２３、ストライプ電極２５およびサブストライプ電極２６を備えた第２導電層２４、読取光に対して透過性を有する絶縁層３０、読取光に対して透過性を有する支持体１８をこの順に配してなるものである。記録用光導電層２２と読取用光導電層２３との界面には、潜像電荷を同電位化せしめるマイクロプレート（導電部材）２８が潜像の画素毎に各別に２次元状に複数配設され、この界面において潜像電荷を蓄積する蓄電部２７が形成されている。
【００２６】
支持体１８としては、読取光に対して透明なガラス基板等を用いることができる。また、読取光に対して透明であることに加えて、その熱膨張率が読取用光導電層２３の物質の熱膨張率と比較的近い物質を使用するとより望ましい。例えば、読取用光導電層２３としてａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を使用する場合であれば、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０−５／Ｋ＠４０℃  であることを考慮して、熱膨張率が１．０〜１０．０×１０−５／Ｋ＠４０℃、より好ましくは、４．０〜８．０×１０−５／Ｋ＠４０℃である物質を使用する。熱膨張率がこの範囲の物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機ポリマー材料を使用することができる。これによって、基板としての支持体１８と読取用光導電層２３（Ｓｅ膜）との熱膨張のマッチングがとれ、特別な環境下、例えば寒冷気候条件下での船舶輸送中等において、大きな温度サイクルを受けても、支持体１８と読取用光導電層２３との界面で熱ストレスが生じ、両者が物理的に剥離する、読取用光導電層２３が破れる、あるいは支持体１８が割れる等、熱膨張差による破壊の問題が生じることがない。さらに、ガラス基板に比べて有機ポリマー材料は衝撃に強いというメリットがある。
【００２７】
記録用光導電層２２の物質としては、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＰｂＯ、ＰｂＩ２  等の酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０、Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジット等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。
【００２８】
読取用光導電層２３の物質としては、ａ−Ｓｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine），ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。
【００２９】
記録用光導電層２２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３０】
また読取用光導電層２３の厚さは記録用光導電層２２の厚さの１／２以下であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の応答性が向上するので、例えば１／１０以下、さらには１／１００以下等にするのが好ましい。
【００３１】
マイクロプレート２８は、例えば、真空蒸着または化学的堆積を用いて読取用光導電層２３上に堆積され、金、銀、アルミニウム、銅、クロム、チタン、白金等の単一金属や酸化インジウム等の合金で、極めて薄い膜から作ることができる。該マイクロプレート２８は、連続層として堆積させることができ、連続層は次にエッチングされて、解像可能な最小の画素と同一の範囲内の寸法を持つ複数の個々の離散マイクロプレートとして形成される。この離散マイクロプレートはレーザーアプレーションまたはホトエッチング等光微細加工技術を利用して作ることもできる（”Imaging Procesing &amp;Materials”Chapter 18の”Imaging for Microfabrication”（J.M.Shaw，IBM Watson Research Center）参照）。
【００３２】
マイクロプレート２８は、図２に示すように、上面（下面）から見た際に円形形状で、等間隔で画素毎に各別に配列されている。また、図３に示すように、マイクロプレート２８の端部の断面形状は円弧状であり、この円弧の半径Ｒは、互いに隣接するマイクロプレート２８同士の間隔Ｉの１／２よりも大きくなるように構成されている。具体的には、互いに隣接するマイクロプレート２８同士の間隔Ｉを２０μｍとした場合には、マイクロプレート２８の端部の円弧の半径Ｒを１０μｍ以上とすればよい。
【００３３】
なお、マイクロプレート２８の上面（下面）から見た形状は円形に限定されるものではなく、矩形もしくは多角形とする等、どのような形状としてもよい。
【００３４】
第１導電層２１としては、記録光に対して透過性を有するものであればよく、例えば可視光に対して透過性を持たせる場合には、光透過性金属薄膜として周知のネサ皮膜（ＳｎＯ２  ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、あるいはエッチングのし易いアモルファス状光透過性酸化金属であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））等の酸化金属を５０〜２００ｎｍ厚程度、好ましくは１００ｎｍ以上にして用いることができる。また、アルミニウムＡｌ、金Ａｕ、モリブデンＭｏ、クロムＣｒ等の純金属を、例えば２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ程度）の厚さにすることによって可視光に対して透過性を持たせることもできる。なお、記録光としてＸ線を使用し、第１導電層２１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する場合には、第１導電層２１としては可視光に対する透過性が不要であるから、該第１導電層２１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕ等の純金属を用いることもできる。
【００３５】
第２導電層２４は、多数の読取光透過性のエレメント（電荷検出用線状電極）２５ａをストライプ状に配列して成るストライプ電極２５と多数の読取光遮光性のエレメント（補助線状電極）２６ａをストライプ状に配列してなるサブストライプ電極２６とを備えている。各エレメント２５ａ，２６ａは、エレメント２５ａとエレメント２６ａとが交互にかつ互いに平行に配置されるように配列されている。なお、ストライプ電極２５とサブストライプ電極２６とは電気的に絶縁されている。サブストライプ電極２６は、記録用光導電層２２と読取用光導電層２３との界面に形成される蓄電部２７に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための導電部材である。
【００３６】
ここで、ストライプ電極２５の各エレメント２５ａを形成する電極材の材質としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））、アルミニウムまたはモリブデン等を用いることができる。また、サブストライプ電極２６の各エレメント２６ａを形成する電極材の材質としては、アルミニウム、モリブデンまたはクロム等を用いることができる。
【００３７】
なお、本実施の形態においては、エレメント２５ａおよびエレメント２６ａの幅を３０μｍ、隣り合うエレメント間の幅を２０μｍ、すなわち周期を１００μｍとしている。また画素ピッチは１００μｍとし、１画素分の電極を１ペアのエレメントにより構成している。
【００３８】
さらに支持体１８上の各エレメント２６ａおよびエレメント２５ａとエレメント２６ａとの間に対応する部分に、読取光のエレメント２６ａへの照射強度が読取光のエレメント２５ａへの照射強度よりも小さくなるように光透過性の劣る部材からなる遮光膜３１が設けられている。
【００３９】
この遮光膜３１の部材としては、必ずしも絶縁性を有しているものでなくてもよく、遮光膜３１の比抵抗が２×１０−６以上（さらに好ましくは１×１０１５Ω・ｃｍ以下）のものを使用することができる。例えば金属材料であればＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等を用いることができ、有機材料であればＭＯＳ２、ＷＳｉ２、ＴｉＮ等を用いることができる。なお、遮光膜３１の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上のものを使用するとより好ましい。
【００４０】
また、少なくとも遮光膜３１の部材として金属材料等導電性の部材を使用したときには、遮光膜３１とエレメント２６ａとの直接接触を避けるため両者の間に絶縁物を配する。本実施形態の検出器２０は、この絶縁物として、第２導電層２４と支持体１８との間にＳｉＯ２等からなる絶縁層３０を設けている。この絶縁層３０の厚さは、０．０１〜１０μｍ程度、より好ましくは０．１μ〜１μｍ程度、最も好ましくは０．５μｍ程度がよい。
【００４１】
この検出器２０においては、記録用光導電層２２を挟んで第１導電層２１と蓄電部２７との間にコンデンサＣ＊ａが形成され、読取用光導電層２３を挟んで蓄電部２７とストライプ電極２５（エレメント２５ａ）との間にコンデンサＣ＊ｂが形成され、読取用光導電層２３を挟んで蓄電部２７とサブストライプ電極２６（エレメント２６ａ）との間にコンデンサＣ＊ｃが形成される。読取時における電荷再配列の際に、各コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｂ、Ｃ＊ｃに配分される正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｂ、Ｑ＋ｃは、総計Ｑ＋が潜像極性電荷の量Ｑ−と同じで、各コンデンサの容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃに比例した量となる。これを式で示すと下記のように表すことができる。
【００４２】
Ｑ−  ＝Ｑ＋  ＝Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｂ＋Ｑ＋ｃ
Ｑ＋ａ＝Ｑ＋  ×Ｃａ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｂ＝Ｑ＋  ×Ｃｂ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｃ＝Ｑ＋  ×Ｃｃ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
そして、検出器２０から取り出し得る信号電荷量はコンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｃに配分された正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｃの合計（Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｃ）と同じくなり、コンデンサＣ＊ｂに配分された正電荷は信号電荷として取り出せない（詳細は特許文献２参照）。
【００４３】
ここで、ストライプ電極２５およびサブストライプ電極２６によるコンデンサＣ＊ｂ、Ｃ＊ｃの容量について考えてみると、容量比Ｃｂ：Ｃｃは、各エレメント２５ａ、２６ａの幅の比Ｗｂ：Ｗｃとなる。一方、コンデンサＣ＊ａの容量ＣａとコンデンサＣ＊ｂの容量Ｃｂは、サブストライプ電極２６を設けても実質的に大きな影響は現れない。
【００４４】
この結果、読取時における電荷再配列の際に、コンデンサＣ＊ｂに配分される正電荷の量Ｑ＋ｂをサブストライプ電極２６を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、その分だけ、サブストライプ電極２６を介して検出器２０から取り出し得る信号電荷量をサブストライプ電極２６を設けない場合よりも相対的に大きくすることができる。
【００４５】
本実施の形態による放射線固体検出器２０においては、マイクロプレート２８の端部の断面形状を円弧状とし、この円弧の半径Ｒを、互いに隣接するマイクロプレート２８同士の間隔Ｉの１／２よりも大きくなるように構成したことにより、記録光照射時（静電潜像記録時）の蓄電部２７におけるマイクロプレート２８同士の間の電界方向が、放射線固体検出器２０の各層の積層方向からマイクロプレート２８へ向けて傾く、いわゆる電界レンズ効果が生じ、従来、マイクロプレート２８同士の間でマイクロプレート２８に収集されずに通過していた電荷がマイクロプレート２８へ向けて移動するようになるので、マイクロプレート２８の電荷収集効率を向上させることが可能となる。
【００４６】
以上、本発明による放射線固体検出器の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限りにおいて、種々変更することが可能である。
【００４７】
例えば、マイクロプレート２８の形状については、マイクロプレート２８の最厚部の厚さが互いに隣接するマイクロプレート２８同士の間隔の１／２よりも厚く、互いに隣接するマイクロプレート２８の側面上端部同士の間隔がマイクロプレート２８の側面最端部同士の間隔よりも広くなるように構成されていればどのような形状でもよく、例えば、図４（Ａ）に示すように、マイクロプレート２８の側面上側の角のみ丸面取りした形状や、図４（Ｂ）に示すように、マイクロプレート２８の側面上側の角のみ角面取りした形状としてもよい。
【００４８】
また、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈するものであるが、本発明による検出器の記録用光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用光導電層は、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい（特許文献１参照）。この場合、第１導電層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるＸ線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとするとよい。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等を用いるのが好適である。また、第１導電層は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられた光に対して透過性を有するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸＺ断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ）
【図２】上記放射線固体検出器の導電部材の配置を説明する上面図
【図３】上記放射線固体検出器の導電部材周囲の拡大断面図
【図４】本発明のその他の態様の放射線固体検出器の導電部材周囲の拡大断面図
【符号の説明】
【００５０】
２０    放射線固体検出器
２１    第１導電層
２２    記録用光導電層
２３    読取用光導電層
２４    第２導電層
２５    ストライプ電極
２５ａ  エレメント（電荷検出用線状電極）
２６    サブストライプ電極
２６ａ  エレメント（補助線状電極）
２７    蓄電部
２８    マイクロプレート
３０    絶縁層
３１    遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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