(57)【要約】【課題】ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、半導体製造装置の待機時のエネルギーロスを低減できるようにした半導体製造装置の制御方法及びその制御システムを提供する。【解決手段】製造装置５０ａによって所定の製品処理が施される予定の製品が、製造ラインを流れて当該製造装置５０ａのもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する工程と、製造装置５０ａの待機時の電力及び用力所要量を、製品処理を開始できない低エネルギーレベルまで一旦下げその後、低エネルギーレベルから製品処理を開始可能な処理可能レベルまで上げる省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する工程と、所要時間と待ち時間とを比較すると共に、当該待ち時間中に省エネ制御を実行することによって得られる省エネ効果を見積もり、当該比較の結果と該見積もりの結果とに基づいて製造装置５０ａの省エネ制御を実行するか否かを判断する工程と、を含む。【選択図】図１
2007280994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置の待機時の制御方法であって、
半導体製造装置によって所定の製品処理が施される予定の製品が、製造ラインを流れて
当該半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する工程
と、
前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を、前記製品処理を開始できな
い低エネルギーレベルまで一旦下げその後、前記低エネルギーレベルから前記製品処理を
開始可能な処理可能レベルまで上げる省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する工程
と、
前記所要時間と前記待ち時間とを比較すると共に、当該待ち時間中に前記省エネ制御を
実行することによって得られる省エネ効果を見積もり、当該比較の結果と該見積もりの結
果とに基づいて前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行するか否かを判断する工程と
、を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
【請求項２】
前記省エネ制御を実行するか否かを判断する工程では、
前記所要時間が前記待ち時間よりも短く、且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行
することによって待機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合は当該省エ
ネ制御を実行し、前記所要時間が前記待ち時間以上に長く、または、前記待ち時間中に前
記省エネ制御を実行することによって待機時の消費エネルギー量が低減されないと見積も
られる場合は前記省エネ制御を実行しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
装置の制御方法。
【請求項３】
前記省エネ制御は、
前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を前記低エネルギーレベルまで
一旦下げる立下げステップと、
前記待機時の電力及び用力所要量を前記低エネルギーレベルで所定時間だけ維持する待
機ステップと、
前記所定時間が経過した後で前記待機時の電力及び用力所要量を前記低エネルギーレベ
ルから前記処理可能レベルに戻す立上げステップと、
前記待機時の電力及び用力所要量を前記処理可能レベルに戻した後で前記半導体製造装
置の状態を確認する確認ステップと、を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の半導体製造装置の制御方法。
【請求項４】
前記所要時間と消費エネルギー量とがそれぞれ異なる複数種類の制御パターンを候補と
して有し、
前記省エネ制御を実行するか否かを判断する工程では、
前記待ち時間と前記所要時間とを前記複数種類の制御パターン毎にそれぞれ比較し、
前記複数種類の制御パターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い特定パター
ンが１つだけの場合には、当該特定パターンで前記省エネ効果を見積もり、
前記複数種類のパターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い特定パターンが
２つ以上ある場合には、当該特定パターンの中から最も省エネルギーなパターンを選択し
、選択された当該パターンで前記省エネ効果を見積もることを特徴とする請求項１から請
求項３の何れか一項に記載の半導体製造装置の制御方法。
【請求項５】
前記省エネ制御を実行している間に最新の前記待ち時間に関する情報を取得する工程と
、
最新の前記待ち時間に関する情報に基づいて、実行中の前記省エネ制御の制御パターン
を見直す工程と、を含むことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半
導体製造装置の制御方法。
【請求項６】
前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と
、
実行中の前記省エネ制御を途中で止めて前記半導体製造装置の電力及び用力所要量を前
記処理可能レベルまで直ちに回復させる場合の回復所要時間に関する情報を取得する工程
と、
最新の前記待ち時間と前記回復所要時間とを比較し、当該比較の結果に基づいて前記省
エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から請求
項４の何れか一項に記載の半導体製造装置の制御方法。
【請求項７】
前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、
前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記回復所要時間に関する情報を
取得する工程と、前記省エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を当該順にしたが
って繰り返し行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体製造装置の制御方法。
【請求項８】
前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と
、
実行中の前記省エネ制御の制御パターンを他のパターンに変更した場合の新たな所要時
間に関する情報を取得する工程と、
最新の前記待ち時間と前記新たな所要時間とを比較すると共に、実行中の前記制御パタ
ーンを前記他のパターンに変更した場合の省エネ効果の増減を見積もり、当該比較の結果
と該見積もりの結果とに基づいて、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更
するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一
項に記載の半導体製造装置の制御方法。
【請求項９】
前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、
前記待ち時間に関する最新の情報を取得する工程と、前記新たな所要時間に関する情報
を取得する工程と、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判
断する工程と、を当該順にしたがって繰り返し行うことを特徴とする請求項８に記載の半
導体製造装置の制御方法。
【請求項１０】
前記製造ラインを流れる前記製品の処理工程順と、当該製品の前記処理工程毎の処理時
間と、当該製品の前記製造ラインでの位置とから理論的に予想される時間よりも短い時間
を、前記待ち時間に設定することを特徴とする請求項１から請求項９の何れか一項に記載
の半導体製造装置の制御方法。
【請求項１１】
半導体製造装置の待機時の制御システムであって、
半導体製造装置によって所定の製品処理が施される予定の製品が、製造ラインを流れて
当該半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間に関する情報を取得する製品
情報取得手段と、
前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用力所要量を、前記製品処理を開始できな
い低エネルギーレベルまで一旦下げその後、前記低エネルギーレベルから前記製品処理を
開始可能な処理可能レベルまで上げる省エネ制御の所要時間に関する情報を取得する制御
情報取得手段と、
前記所要時間と前記待ち時間とを比較すると共に、当該待ち時間中に前記省エネ制御を
実行することによって得られる省エネ効果を見積もり、当該比較の結果と該見積もりの結
果とに基づいて前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行するか否かを判断する判断手
段と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御システム。
【請求項１２】
前記製造ラインを流れる前記製品の処理工程順に関する情報と、当該製品の前記処理工
程毎の処理時間に関する情報と、当該製品の前記製造ラインでの位置に関する情報とを管
理する生産情報管理手段を備え、
前記製品情報取得手段は、
前記処理工程順に関する情報と、前記処理時間に関する情報と、前記位置に関する情報
とを前記生産情報管理手段から取得して前記待ち時間を算出することを特徴とする請求項
１１に記載の半導体製造装置の制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置の制御方法及びその制御システムに関し、特に、ＴＡＴの短
縮化を妨げることなく、半導体製造装置の待機時のエネルギーロスを低減できるようにし
た技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造ラインは、フィルタを通した清浄な空気をダウンフローさせるクリー
ンルームと、このクリーンルーム内に配置された多数の製造装置等から構成されている。
製造装置には、半導体ウエーハ中に不純物を熱拡散させるための熱処理装置や、絶縁膜を
形成するためのＣＶＤ装置、絶縁膜や導電膜を削るためのドライエッチング装置などがあ
り、その種類は多岐に渡るが、その多くは電力だけでなく、排気、冷却水、圧空、真空、
窒素（Ｎ２）、放熱等（以下、これらを電力と区別して「用力」という。）を必要とする
ものである。
【０００３】
従来、製品処理の合間で製造装置を待機させる場合には、ＲＦ電源やマグネット電源を
落としたり、ヒータの出力を多少下げたりして、その消費電力の低減を図っていたが、Ｔ
ＡＴ（Ｔｕｒｎａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）の短縮化を妨げないように、製造装置のローダ
に処理すべき製品がセットされると直ぐに処理を開始できるよう準備した状態（即ち、処
理可能レベル）で、製造装置を待機させていた。
【０００４】
また、これ以外の低消費電力化の方法としては、例えば特許文献１に開示されたものが
ある。即ち、この特許文献１には、例えばコータデベロッパのように、半導体ウエーハに
対してそれぞれ異なる処理を行う複数のユニットを１台の中に備えた製造装置が開示され
ており、かかる製造装置にあっては、個々のユニットについてその待機時間中には電力を
供給しないようにしていた。
【特許文献１】特開２０００−２６０６７２号公報
【特許文献２】特開平５−７７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、製造ラインを流れる製品の種類は通常一種類ではなく、多品種のものが少量
ずつ生産されることが多い。品種が異なれば製造プロセスも異なってくるので、製造ライ
ンには高頻度に使用される製造装置と、そうでない製造装置とが混在する。また、個々の
製造装置の使用頻度は、製造ラインを流れる製品の種類とその量、流れてくるタイミング
とによって日々変わることが一般的である。
【０００６】
従って、製造装置を所定のメンテナンス時まで休み無く連続して稼動させることは実際
にはほとんどなく、製品処理の合間で製造装置を待機させざるを得ないケースが多々存在
する。このような製品処理の合間の待ち時間は、数分程度と短い場合もあれば、１〜２日
程度と長い場合もある。
しかしながら、従来の技術では、製造ラインを構成する各製造装置あっては、次に製品
を処理するまでの待ち時間が短い場合も長い場合も、その待ち時間中は常に製品処理を開
始可能な処理可能レベルで待機しており、特に、待機時の待ち時間が長い場合にはそのエ
ネルギーロスが大きいという問題点があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであっ
て、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、待機時のエネルギーロスを低減できるようにした
半導体製造装置の制御方法及びその制御システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の半導体製造装置の制御方法は、半導体
製造装置の待機時の制御方法であって、半導体製造装置によって所定の製品処理が施され
る予定の製品が、製造ラインを流れて当該半導体製造装置のもとに到着するまでに要する
待ち時間に関する情報を取得する工程と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用
力所要量を、前記製品処理を開始できない低エネルギーレベルまで一旦下げその後、前記
低エネルギーレベルから前記製品処理を開始可能な処理可能レベルまで上げる省エネ制御
の所要時間に関する情報を取得する工程と、前記所要時間と前記待ち時間とを比較すると
共に、当該待ち時間中に前記省エネ制御を実行することによって得られる省エネ効果を見
積もり、当該比較の結果と該見積もりの結果とに基づいて前記半導体製造装置の前記省エ
ネ制御を実行するか否かを判断する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、「半導体製造装置」としては、例えばドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置、
熱処理装置等が挙げられる。これらの装置には、消費エネルギーとして例えば電力と用力
とが供給される。また、「製品」は、例えばウエーハやガラス基板等に形成される半導体
装置である。さらに、「待機時の電力及び用力所要量」とは、例えば製品処理の合間で待
機している半導体製造装置で使われる電力及び用力のことである。「用力」とは、電力以
外のエネルギーのことであり、例えば排気、冷却水、圧空、真空、窒素（Ｎ２）、放熱等
のことである。また「処理可能レベル」とは、例えば半導体製造装置のローダに処理すべ
き製品がセットされると直ぐに処理を開始できるように準備した状態のことである。
【００１０】
発明１の半導体製造装置の制御方法によれば、半導体製造装置の待機時の待ち時間が省
エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行することによって待
機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ制御を実行するこ
とが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、半導体製造装置の待機時の
エネルギーロスを低減することが可能である。
【００１１】
〔発明２〕  発明２の半導体製造装置の制御方法は、発明１の半導体製造装置の制御方法
において、前記省エネ制御を実行するか否かを判断する工程では、前記所要時間が前記待
ち時間よりも短く、且つ前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行することによって待機時
の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ当該省エネ制御を実行し、前記
所要時間が待ち時間以上に長く、または、前記待ち時間中に前記省エネ制御を実行するこ
とによって待機時の消費エネルギーが低減されないと見積もられる場合は前記省エネ制御
を実行しないことを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、例えば熱処理装置の省エネ制御では、炉（反応室）内の温度を一旦下げ、一定
時間が経過した後で炉内を加熱して元の温度に戻すことが考えられるが、一旦下げた炉内
の温度を再び元の温度まで上昇させるためにはエネルギーを必要とする。そのため、省エ
ネ制御の炉内を低温に維持するステップが短時間で終わる場合には、省エネ制御を実行す
ることによって逆に消費エネルギー量が増えてしまうことも考えられる。
発明２の半導体製造装置の制御方法によれば、半導体製造装置の待機時のエネルギーロ
スをより確実に低減することが可能である。
【００１３】
〔発明３〕  発明３の半導体製造装置の制御方法は、発明１又は発明２の半導体製造装置
の制御方法において、前記省エネ制御は、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及び用
力所要量を前記低エネルギーレベルまで一旦下げる立下げステップと、前記待機時の電力
及び用力所要量を前記低エネルギーレベルで所定時間だけ維持する待機ステップと、前記
所定時間が経過した後で前記待機時の電力及び用力所要量を前記低エネルギーレベルから
前記処理可能レベルに戻す立上げステップと、前記待機時の電力及び用力所要量を前記処
理可能レベルに戻した後で前記半導体製造装置の状態を確認する確認ステップと、を含む
ことを特徴とするものである。
【００１４】
ここで、半導体製造装置は、通常、処理可能レベルを維持し続けることを前提に作られ
ているので、待機時の電力及び用力所要量を低エネルギーレベルまで立ち下げると、その
後これらが処理可能レベルまでうまく立ち上がらないおそれがある。つまり、半導体製造
装置の状態を変化させることによる装置状態復元リスクが存在する。
発明３の半導体製造装置の制御方法によれば、例えば、省エネ制御を実行することによ
って半導体製造装置に（予期せず）異常が生じてしまった場合でも、異常を検知すること
ができる。
【００１５】
〔発明４〕  発明４の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明３の何れか一の半導
体製造装置の制御方法において、前記所要時間と消費エネルギー量とがそれぞれ異なる複
数種類の制御パターンを候補として有し、前記省エネ制御を実行するか否かを判断する工
程では、前記待ち時間と前記所要時間とを前記複数種類の制御パターン毎にそれぞれ比較
し、前記複数種類の制御パターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い特定パタ
ーンが１つだけの場合には、当該特定パターンで前記省エネ効果を見積もり、前記複数種
類のパターンの中で前記所要時間が前記待ち時間よりも短い特定パターンが２つ以上ある
場合には、当該特定パターンの中から最も省エネルギーなパターンを選択し、選択された
当該パターンで前記省エネ効果を見積もることを特徴とするものである。
このような構成であれば、待ち時間の長短に応じてエネルギーロスを効率良く低減する
ことが可能である。
【００１６】
〔発明５〕  発明５の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明４の何れか一の半導
体製造装置の制御方法において、前記省エネ制御を実行している間に最新の前記待ち時間
に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時間に関する情報に基づいて、実行中の
前記省エネ制御の制御パターンを見直す工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、待ち時間の変動に柔軟に対応することが可能である。例えば
、省エネ制御の実行中に待ち時間が短くなった場合には、省エネ制御を途中で止めて、半
導体製造装置の電力及び用力所要量（即ち、エネルギーレベル）を処理可能レベルまで直
ちに回復させることが可能である。また、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場
合には、エネルギーレベルを低エネルギーレベルで維持する待機ステップを延長したり、
実行中の制御パターンをより低消費エネルギーなパターンに変更したりすることができる
。
【００１７】
〔発明６、７〕  発明６の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明４の何れか一の
半導体製造装置の制御方法において、前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に
関する最新の情報を取得する工程と、実行中の前記省エネ制御を途中で止めて前記半導体
製造装置の電力及び用力所要量を前記処理可能レベルまで直ちに回復させる場合の回復所
要時間に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時間と前記回復所要時間とを比較
し、当該比較の結果に基づいて前記省エネ制御を継続するか否かを判断する工程と、を含
むことを特徴とするものである。
【００１８】
発明７の半導体製造装置の制御方法は、発明６の半導体製造装置の制御方法において、
前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、前記待ち時間に関する最新の
情報を取得する工程と、前記回復所要時間に関する情報を取得する工程と、前記省エネ制
御を継続するか否かを判断する工程と、を当該順にしたがって繰り返し行うことを特徴と
するものである。
発明６，７の半導体製造装置の制御方法によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が短
くなった場合には当該省エネ制御を途中で止めて、半導体製造装置の電力及び用力所要量
を処理可能レベルまで直ちに回復させることができる。
【００１９】
〔発明８，９〕  発明８の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明４の何れか一の
半導体製造装置の制御方法において、前記省エネ制御を実行している間に前記待ち時間に
関する最新の情報を取得する工程と、実行中の前記省エネ制御の制御パターンを他のパタ
ーンに変更した場合の新たな所要時間に関する情報を取得する工程と、最新の前記待ち時
間と前記新たな所要時間とを比較すると共に、実行中の前記制御パターンを前記他のパタ
ーンに変更した場合の省エネ効果の増減を見積もり、当該比較の結果と該見積もりの結果
とに基づいて、実行中の前記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判断す
る工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００２０】
発明９の半導体製造装置の制御方法は、発明８の半導体製造装置の制御方法において、
前記半導体製造装置の前記省エネ制御を実行している間に、前記待ち時間に関する最新の
情報を取得する工程と、前記新たな所要時間に関する情報を取得する工程と、実行中の前
記制御パターンを前記他のパターンに変更するか否かを判断する工程と、を当該順にした
がって繰り返し行うことを特徴とするものである。
発明８、９の半導体製造装置の制御方法によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が長
くなった場合には、当該省エネ制御の制御パターンをより省エネ効果の高いパターンに変
更することができる。
【００２１】
〔発明１０〕  発明１０の半導体製造装置の制御方法は、発明１から発明９の何れか一の
半導体製造装置の制御方法において、前記製造ラインを流れる前記製品の処理工程順と、
当該製品の前記処理工程毎の処理時間と、当該製品の前記製造ラインでの位置とから理論
的に予想される時間よりも短い時間を、前記待ち時間に設定することを特徴とするもので
ある。
このような構成であれば、省エネ制御を終える前に半導体製造装置のもとに製品が到着
してしまうといった事態を絶対に起こさないようにすることができるので、省エネ制御を
安心して実行することができる。
【００２２】
〔発明１１、１２〕  発明１１の半導体製造装置の制御システムは、半導体製造装置の待
機時の制御システムであって、半導体製造装置によって所定の製品処理が施される予定の
製品が、製造ラインを流れて当該半導体製造装置のもとに到着するまでに要する待ち時間
に関する情報を取得する製品情報取得手段と、前記半導体製造装置の前記待機時の電力及
び用力所要量を、前記製品処理を開始できない低エネルギーレベルまで一旦下げその後、
前記低エネルギーレベルから前記製品処理を開始可能な処理可能レベルまで上げる省エネ
制御の所要時間に関する情報を取得する制御情報取得手段と、前記所要時間と前記待ち時
間とを比較すると共に、当該待ち時間中に前記省エネ制御を実行することによって得られ
る省エネ効果を見積もり、当該比較の結果と該見積もりの結果とに基づいて前記半導体製
造装置の前記省エネ制御を実行するか否かを判断する判断手段と、を含むことを特徴とす
るものである。
【００２３】
発明１２の半導体製造装置の制御システムは、発明１１の半導体製造装置の制御システ
ムにおいて、前記製造ラインを流れる前記製品の処理工程順に関する情報と、当該製品の
前記処理工程毎の処理時間に関する情報と、当該製品の前記製造ラインでの位置に関する
情報とを管理する生産情報管理手段を備え、前記製品情報取得手段は、前記処理工程順に
関する情報と、前記処理時間に関する情報と、前記位置に関する情報とを前記生産情報管
理手段から取得して前記待ち時間を算出することを特徴とするものである。
【００２４】
ここで、「生産情報管理手段」は例えばコンピュータで構成されており、処理工程順、
処理工程毎の処理時間、各製品（例えばロット）の製造ラインでの位置など、製造ライン
を流れる複数種類の製品の生産情報を管理する機能を有するものである。
発明１１、１２の半導体製造装置の制御システムによれば、半導体製造装置の待機時の
待ち時間が省エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行するこ
とによって待機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ制御
を実行することが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、半導体製造装
置の待機時のエネルギーロスを低減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体製造装置の制御方法及びその制御シス
テムについて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システム１００の構成例を示
す概念図である。
【００２６】
図１に示すように、この制御システム１００は、半導体装置の製造ラインに配置された
複数台の半導体製造装置（以下、単に「製造装置」という。）５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…
と、これらの製造装置５０に例えば１台ずつ対応して配置されたパーソナルコンピュータ
（以下、「ＰＣ」という。）６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…と、製造ラインを流れる製品の生
産情報を管理する生産情報管理コンピュータ７０と、ＰＣ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…同士
及び、ＰＣ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ…と生産情報管理コンピュー７０タとを双方向にデー
タを送受信可能に接続する信号線８０と、を含んだ構成となっている。
【００２７】
製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…は、例えばドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置、
熱処理装置等である。これらの製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…には、消費エネルギー
として例えば電力と用力とが供給される。また、製品は、例えばウエーハやガラス基板等
に形成される半導体装置である。さらに、生産情報管理コンピュータ７０は、ＲＯＭ、Ｒ
ＡＭ、ハードディスク等で構成される記憶装置と、ＣＰＵとを備えた構成となっている。
この生産情報管理コンピュータ７０によって、例えば下記ａ〜ｄなどの生産情報が管理さ
れている。
ａ．生産機種情報
ｂ．生産機種の工程表情報
ｃ．生産機種・工程別の適応装置情報
ｄ．生産機種・工程別の処理時間情報
ここで、「生産機種情報」とは、製造ラインを流れる製品の種類のことである。また、
「生産機種の工程表情報」とは、製造ラインを流れるある製品の処理工程順に関する情報
のことである。処理工程順とは、例えば、洗浄工程→ゲート酸化工程→ポリシリコン膜の
成膜工程→酸化工程→フォトリソグラフィ工程、というような順番のことである。処理工
程順は、生産機種（即ち、製品の種類）によって異なることが普通である。
【００２８】
さらに、「生産機種・工程別の適応装置情報」とは、例えばエッチング装置について、
Ａ製品はエッチング装置α、βのどちらで処理しても構わないが、Ｂ製品はエッチング装
置αでのみ処理可能である、というような情報のことである。製造装置５０ａ、５０ｂ、
５０ｃ…は、仮に同じ型番の装置であったとしてもその性能にはばらつきがあるので、製
品の種類毎に適応装置が限定されている場合がある。
【００２９】
「生産機種・工程別の処理時間情報」とは、製造ラインを流れるある製品の処理工程毎
の処理時間に関する情報のことである。例えば、洗浄工程は４０分、ゲート酸化工程は３
時間、といったような処理時間に関する情報のことである。なお、同じ工程であっても製
品の種類によってその処理時間が異なる場合がある。例えば製品の種類によってゲート酸
化膜の厚さが異なる場合には、同じゲート酸化工程であってもその酸化処理時間は異なる
。一般に、ゲート酸化膜を厚く形成しようとする場合ほどその酸化処理時間は長くなる傾
向がある。
【００３０】
図２は、製造装置５０ａ及びＰＣ６０ａの一例を示す概念図である。ここでは、製造装
置５０ａの一例としてドライエッチング装置を説明する。図２に示すように、このドライ
エッチング装置５０ａは、平行平板型のＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）装置であり、カセット・チャンバー１０と、ロードロック・チャンバー２０と、プ
ロセス・チャンバー３０と、ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）２５，３５及びドライポンプ１
３，２３，３３と、熱交換器３１と、循環ポンプ３２と、ＲＦ電源３６と、マッチングＢ
ＯＸ３７と、マグネット電源３８と、を含んだ構成となっている。
【００３１】
図２に示すように、ドライポンプ１３はカセット・チャンバー１０内を排気するための
ものであり、ドライポンプ２３及びＴＭＰ２５はロードロック・チャンバー２０内を排気
するためのものである。また、ドライポンプ３３及びＴＭＰ３５はプロセス・チャンバー
３０内を排気するためのものである。これらのポンプが排気動作することによって、各チ
ャンバー内は所定の真空度を維持することができるようになっている。
【００３２】
また、熱交換器３１及び循環ポンプ３２は、プロセス・チャンバー３０内に配置された
ステージを冷却するためものである。循環ポンプ３２によって、熱交換器３１とステージ
との間で冷却水が循環するようになっている。さらに、ＲＦ電源３６及びマッチングＢＯ
Ｘ３７は、高周波放電によってプロセス・チャンバー３０内にプラズマを生成するための
ものである。マグネット電源３８は、ウエーハ上でのプラズマ密度を高めるためのもので
ある。
【００３３】
一方、ＰＣ６０ａは、例えば数値計算、論理演算、比較・判断などの各種処理を実行す
る機能を備えたロジックＩＣ６１と、メモリＩＣ６２等で構成されている。メモリＩＣ６
２は例えばＲＯＭやＲＡＭ等で構成されており、シーケンス制御のプログラムが格納され
ている。また、ＰＣ６０ａは、ドライポンプ１３，２３，３３及びＴＭＰ２５，３５と、
熱交換器３１及び循環ポンプ３２と、ＲＦ電源３６及びマッチングＢＯＸ３７と、マグネ
ット電源３８とに、それぞれ信号線を介して接続している。これにより、ＰＣ６０ａはド
ライエッチング装置５０ａの製品処理（即ち、エッチング処理）に関する動作を制御でき
るようになっている。
【００３４】
図３は、ドライエッチング装置５０ａで使われる電力（電源）及び用力の一例を示す表
図である。ここで、用力とは、電力以外のエネルギーのことであり、例えば排気、冷却水
、圧空、真空、窒素（Ｎ２）、放熱等である。図３に示すように、ドライエッチング装置
５０ａには、電力だけでなく、用力を消費する構成要素（機器）が多数ある。
図３中の○は、各機器が運転しており、製品処理（即ち、エッチング処理）時と同程度
の量のエネルギーを消費している状態を示している。また、図３中の△は、各機器が間欠
運転しており、○と比べてエネルギーの消費量が少ない状態を示している。さらに、図３
中で記号が無い部分（無印）では、各機器が停止している状態を示している。
【００３５】
図３に示すように、ドライエッチング装置５０ａの場合、スタンバイ（待機）状態は、
例えばスタンバイ−０、スタンバイ−１、スタンバイ−２に区分することができる。スタ
ンバイ−０は、製品処理を直ぐに開始できる状態である。スタンバイ−０では、ＲＦ電源
３６及びマグネット電源３８が停止となるものの、それ以外の機器（要素）は稼働状態を
維持し続ける。
【００３６】
また、スタンバイ−１、２では、ドライエッチング装置５０ａを構成する各機器の一部
が、低消費エネルギーで待機している状態あるいは、停止状態となっており、製品処理を
直ぐには開始できない状態となっている。
即ち、スタンバイ−１では、ＲＦ電源３６及びマグネット電源３８と、マッチングＢＯ
Ｘ３７の冷却水とがそれぞれ止められる。また、ＴＭＰの電源及び冷却水と、ドライポン
プの電源、冷却水、Ｎ２がそれぞれ間欠運転（間欠供給）となる。つまり、スタンバイ−
１では、スタンバイ−０よりも低いスタンバイエネルギー状態で装置が待機することとな
る。また、スタンバイ−２では、スタンバイ−１に対してさらに、ＴＭＰの電源及び冷却
水がそれぞれ止められる。つまり、スタンバイ−２では、スタンバイ−１よりもさらに低
いスタンバイエネルギー状態で装置が待機することとなる。
【００３７】
このように、製品処理を直ぐに開始可能なスタンバイ−０の状態と比べて、より低いエ
ネルギー状態を段階的に用意しておくことで、スタンバイ状態での消費エネルギーを段階
的に削減することができる。
図４（Ａ）は、省エネ制御の制御パターンの一例を示すグラフである。ここでは、省エ
ネ制御の制御パターンとして、スタンバイ−１とスタンバイ−２とを図示している。図４
（Ａ）において、横軸は時間を示し、縦軸はエネルギー量の大きさを示している。
【００３８】
図４（Ａ）に示すように、スタンバイ−１とスタンバイ−２の両制御パターンとも、立
下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状態確認（ＳＣＴ）の４つのステ
ップで構成されている。
立下げ（ＣＤＴ）は、製造装置５０ａを構成する各機器の少なくとも一部を、低消費エ
ネルギー状態（即ち、図３の△の状態）あるいは、停止状態（即ち、図３の無印の状態）
まで立ち下げるステップである。また、待機（ＳＴＴ）は、製造装置５０ａを構成する各
機器の少なくとも一部を低消費エネルギーあるいは、停止状態で待機させるステップであ
る。さらに、立上げ（ＷＵＴ）は、低消費エネルギー状態あるいは、停止状態で待機して
いた機器を、製品処理を直ぐに開始できる状態（即ち、図３の○の状態）まで立ち上げる
ステップである。状態確認（ＳＣＴ）は、立ち上げ直後の製造装置５０ａをスタンバイ−
０で一定時間待機させて省エネ制御の実施による装置状態（例えば、チャンバー内の真空
度等）のふらつきを自然に収束させると共に、装置状態に問題があるか無いかを確認する
ステップである。
【００３９】
図４（Ａ）に示すように、スタンバイ時間−１（ＳＴ−１）は、スタンバイ−１を実行
する際の総所要時間であり、立下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状
態確認（ＳＣＴ）の各ステップの所要時間の和である。また、スタンバイ時間−２（ＳＴ
−２）は、スタンバイ−２を実行する際の総所要時間であり、立下げ（ＣＤＴ）、待機（
ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）、状態確認（ＳＣＴ）の各ステップの所要時間の和である。
図４（Ａ）に示すように、製造装置５０ａのスタンバイ時の消費エネルギー量を低くする
ほど、その立下げ（ＣＤＴ）、待機（ＳＴＴ）、立上げ（ＷＵＴ）の各ステップの所要時
間は長くなる傾向がある。本実施の形態では、スタンバイ時間−１（ＳＴ−１）＜スタン
バイ時間−２（ＳＴ−２）である。
【００４０】
図４（Ｂ）はスタンバイ−２で製造装置５０ａを待機させた場合の消費エネルギー量（
ＳＴＥ−２）を示す概念図である。また、図４（Ｃ）はスタンバイ−０で製造装置５０ａ
を待機させた場合の消費エネルギー量（ＳＴＥ−０）を示す概念図である。図４（Ｂ）及
び図４（Ｃ）において、横軸は時間を示し、縦軸はエネルギー量の大きさを示している。
図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示すように、製造装置５０ａの待機時の消費エネルギー量
は、縦軸のエネルギー量と、横軸のスタンバイ時間とで囲まれる面積（即ち、消費エネル
ギーの積分値）で表される。スタンバイ−０と比べて、スタンバイ−２では立下げ（ＣＤ
Ｔ）及び待機（ＳＴＴ）ステップでの消費エネルギーは小さいものの、立上げ（ＷＵＴ）
ステップでの消費エネルギーは大きい。従って、スタンバイ−２では、待機（ＳＴＴ）ス
テップの時間が極端に短いと、スタンバイ−０よりも消費エネルギー量が増えてしまう可
能性がある。同様に、スタンバイ−１でも、待機（ＳＴＴ）ステップの時間が極端に短い
と、スタンバイ−０よりも消費エネルギー量が増えてしまう可能性がある。
【００４１】
このような可能性を考慮して、本実施の形態では、スタンバイ−０を維持しているより
もスタンバイ−１、スタンバイ−２を実行した方が省エネとなるように、スタンバイ−１
、スタンバイ−２の待機（ＳＴＴ）時間をそれぞれ一定時間以上に設定しておく。スタン
バイ−１、スタンバイ−２において、待機（ＳＴＴ）の所要時間が長いほど、その消費エ
ネルギー量はスタンバイ−０と比べて小さくなる。
【００４２】
図５は、省エネ制御の制御パターンの選択方法を示すフローチャートである。まず始め
に、製造装置５０ａでの製品処理が終了した後で、この製造装置５０ａを用いて次に処理
する製品の最短製品到着時間ＡＴを計算する（ステップＳ１）。このステップＳ１でのＡ
Ｔの計算方法については、図６を参照しながら説明する。
図６は、最短製品到着時間ＡＴの計算方法を示すフローチャートである。
【００４３】
まず始めに、ステップＡ１では、ＰＣ６０ａが、上述した生産情報ａ〜ｄを生産情報管
理コンピュータ７０から入手する。次に、ステップＡ２では、製造ラインを現在流れてい
る製品または、近い将来に製造ラインに生産投入される製品の中から、製造装置５０ａで
処理される予定の製品を抽出する。例えば、製造ラインを流れる製品の種類として製品Ａ
〜Ｚまでがあり、これらの中でドライエッチング装置５０ａを用いて処理する種類の製品
がＡとＢだけの場合を想定する。この場合には、例えば生産情報ａ〜ｃに基づいて、ＰＣ
６０ａが製品Ａと製品Ｂとを抽出する。
【００４４】
次に、ステップＡ３では、製品Ａを製造ラインに投入してから当該製造装置５０ａで処
理するまでの途中工程と、製品Ｂを製造ラインに投入してから当該製造装置５０ａで処理
するまでの途中工程とをそれぞれ抽出する。このステップＡ３での抽出作業は、例えば生
産情報ｂ、ｃに基づいてＰＣ６０ａが行う。
そして、ステップＡ４では、途中工程の処理標準時間−ｉを製品の種類（即ち、生産機
種）別にそれぞれ抽出する。例えば、図７に示すように、製品Ａは、Ａ−１工程、Ａ−２
工程、Ａ−３工程、Ａ−４工程を経て、Ａ−ｎ工程（ｎ：ここでは５以上の整数）で当該
製造装置５０ａによって製品処理される場合を想定する。この場合、ステップＡ４では、
Ａ−１工程での標準処理時間は（Ａ−１）分、Ａ−２工程での標準処理時間は（Ａ−２）
分というように、製品Ａを処理する各工程での標準処理時間をそれぞれ抽出する。また、
当該製造装置５０ａは製品Ｂの処理も行うので、ステップＡ４では製品Ｂについても途中
工程の処理標準時間をそれぞれ抽出する。このステップＡ４での抽出作業は、例えば生産
情報ｂ、ｃ、ｄに基づいてＰＣ６０ａが行う。
【００４５】
次に、ステップＡ５では、工程間搬送及び処理待ちの標準時間を設定する。ここでは、
図７に示すように、工程間搬送及び処理待ちの標準時間が例えば一律にｔと設定されてい
るものとする。なお、実際の製造ラインでは装置の配置位置によって、工程間搬送の処理
時間がそれぞれ異なることが普通である。そのため、工程間毎に搬送及び処理待ちの標準
時間を設定しても良い。つまり、装置のレイアウトを考慮し、工程間の搬送時間を考慮す
るなどして、工程流動経路に応じた工程間時間を設定しても良い。
【００４６】
例えば、Ａ−２工程とＡ−３工程との間の搬送及び処理待ちの標準時間をｔ２３分とし
、Ａ−３工程とＡ−４工程との間の搬送及び処理待ちの標準時間をｔ３４分とする。Ａ−
２工程で使用する装置とＡ−３工程で使用する装置は遠く離れており、Ａ−３工程とＡ−
４工程で使用する装置は近接している場合には、普通はｔ３４＜ｔ２３となる。ｔ２３や
ｔ３４の値は、それぞれの工程間での搬送及び処理待ちの時間を実際に記録してその平均
値とすれば良い。
【００４７】
次に、ステップＡ６では、途中工程の総処理標準時間と、総工程間標準時間の合計を製
品の種類別にそれぞれ計算する。総処理標準時間は（１）式で、総工程間時間は（２）式
でそれぞれ算出することが可能である。この計算は例えばＰＣ６０ａが行う。
【００４８】
【数１】
2007280994.tif 000003
【００４９】
（１）式、（２）式において、Ｎは製品Ａ又は、製品Ｂの現在位置から製造装置５０ａに
到着するまでの途中工程の数を示す。
次に、ステップＡ７では、当該製造装置５０ａを用いて処理される予定の全ての製品Ａ
、Ｂについて、その製品到着時間をそれぞれ計算する。製品到着時間は（３）式で算出す
ることが可能である。この計算は例えばＰＣが行う。
【００５０】
【数２】
2007280994.tif 000004
【００５１】
そして、ステップＡ８では、ステップＡ７での計算結果に基づいて、製品到着時間の最
も短い製品を特定する。この特定された製品の製品到着時間が、上述の最短製品到着時間
ＡＴである。
図５に戻って、ステップＳ２では、製造装置５０ａのスタンバイ時間であるＳＴ−１と
ＳＴ−２とをＰＣ６０ａが読み込む。図４（Ａ）に示したように、本実施の形態では、Ｓ
Ｔ−１＜ＳＴ−２である。そして、ステップＳ３では、製造装置５０ａをスタンバイ−０
で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０と、スタンバイ−１で装置を待機させた
場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−１と、スタンバイ−２で装置を待機させた場合の消費エ
ネルギー量ＳＴＥ−２とをそれぞれＰＣ６０ａが読み込む。
【００５２】
次に、ステップＳ４では、製造装置５０ａにおける最短製品到着時間ＡＴと、スタンバ
イ−２の総所要時間ＳＴ−２とを比較する。ＳＴ−２よりもＡＴの方が長い場合（即ち、
ＳＴ−２＜ＡＴの場合）には、ステップＳ５へ進む。また、ＳＴ−２≧ＡＴの場合にはス
テップＳ７へ進む。このＳＴ−２とＡＴとの比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う。
ステップＳ５では、製造装置５０ａをスタンバイ−２で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−２と、スタンバイ−１で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−１とを
比較する。ＳＴＥ−２よりもＳＴＥ−１が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−２＜ＳＴＥ−１の
場合）には、ステップＳ６へ進む。また、ＳＴＥ−２≧ＳＴＥ−１の場合にはステップＳ
８へ進む。このＳＴＥ−２とＳＴＥ−１との比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う。
【００５３】
ステップＳ６では、製造装置５０ａをスタンバイ−２で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−２と、スタンバイ−０で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０とを
ＰＣ６０ａが比較する。ＳＴＥ−２よりもＳＴＥ−０が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−２＜
ＳＴＥ−０の場合）にはステップＳ９へ進み、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ
−２の実行を指示する。また、ＳＴＥ−２≧ＳＴＥ−０の場合にはステップＳ１１へ進み
、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ−０の実行を指示する。
【００５４】
一方、ステップＳ７では、製造装置５０ａにおける最短製品到着時間ＡＴと、スタンバ
イ−１の総所要時間ＳＴ−１とを比較する。ＳＴ−１よりもＡＴの方が長い場合（即ち、
ＳＴ−１＜ＡＴの場合）には、ステップＳ８へ進む。また、ＳＴ−１≧ＡＴの場合にはス
テップＳ１１へ進む。このＳＴ−１とＡＴとの比較及び、大小の判断はＰＣ６０ａが行う
。
【００５５】
ステップＳ８では、製造装置５０ａをスタンバイ−１で待機させた場合の消費エネルギ
ー量ＳＴＥ−１と、スタンバイ−０で待機させた場合の消費エネルギー量ＳＴＥ−０とを
ＰＣが比較する。ＳＴＥ−１よりもＳＴＥ−０が大きい場合（即ち、ＳＴＥ−１＜ＳＴＥ
−０の場合）にはステップＳ１０へ進み、ＰＣ６０ａは製造装置５０ａにスタンバイ−１
の実行を指示する。また、ＳＴＥ−１≧ＳＴＥ−０の場合にはステップＳ１１へ進む。
【００５６】
このように、本発明の実施の形態によれば、製造装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…の待機
時の待ち時間が省エネ制御の所要時間よりも長く、且つ待ち時間中に省エネ制御を実行す
ることによって待機時の消費エネルギー量が低減されると見積もられる場合のみ、省エネ
制御を実行することが可能である。従って、ＴＡＴの短縮化を妨げることなく、製造装置
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ…の待機時のエネルギーロスを低減することが可能である。
【００５７】
なお、本発明では、図５のフローチャートにしたがってスタンバイ−１または、スタン
バイ−２を指示した後も、最短製品処理待ち時間ＡＴを再取得し（即ち、最新のＡＴを取
得し）、ＡＴが立上げ（ＷＵＴ）時間に状態確認（ＳＣＴ）時間を加えた時間と等しくな
るまで、待機（ＳＴＴ）ステップを維持するようにしても良い。即ち、省エネ制御を実行
している間も最短製品処理待ち時間ＡＴの再計算を繰り返し行い、図８に示すようにＡＴ
≧ＷＵＴ＋ＳＣＴを満たしている間は待機（ＳＴＴ）時間を延長し続けても良い。
【００５８】
図９は、省エネ制御の延長方法を示すフローチャートである。まず始めに、ステップＢ
１で、次に処理する製品の最短製品到着時間ＡＴを計算する。このステップＢ１でのＡＴ
の計算方法は、図５のステップＳ１での計算方法と同じである。次に、ステップＢ２では
、実行中のスタンバイ状態で、装置立上げ時間ＷＵＴ（ｉ）と、確認時間ＳＣＴ（ｉ）と
をＰＣ６０ａが読み込む。ここで、ｉは制御パターンの種類を示す整数である。例えば、
スタンバイ−２を実行している場合は、製造装置５０ａの立上げに要する時間ＷＵＴ（２
）と、装置の確認時間ＳＣＴ（２）とをＰＣ６０ａが読み込む。
【００５９】
そして、ステップＢ３では、立上げ時間ＷＵＴ（ｉ）に確認時間ＳＣＴ（ｉ）を加えた
時間と、最短製品到着時間ＡＴとをＰＣ６０ａが比較する。ＡＴ≦ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣＴ
（ｉ）の場合にはステップＢ４へ進み、立上げ（ＷＵＴ）ステップを開始する。また、Ａ
Ｔ＞ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣＴ（ｉ）の場合は、ステップＢ１に戻り、待機（ＳＴＴ）ステッ
プを維持しつつ、最短到着時間ＡＴの再計算を行う。つまり、ＡＴ≦ＷＵＴ（ｉ）＋ＳＣ
Ｔ（ｉ）を満足するまで、待機（ＳＴＴ）ステップを維持しつつ、ステップＢ１〜Ｂ３を
繰り返し行う。
【００６０】
このように本発明によれば、待ち時間の変動に柔軟に対応することが可能である。即ち
、省エネ制御の実行中に待ち時間が短くなった場合には、省エネ制御を途中で止めて、製
造装置５０ａの電力及び用力所要量（即ち、エネルギーレベル）を処理可能レベルまで直
ちに回復させることが可能である。また、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場
合には、エネルギーレベルを低エネルギーレベルで維持する待機（ＳＴＴ）ステップを延
長することができる。
【００６１】
また、本発明では、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場合には、その制御パ
ターンをより省エネ効果の高いパターンに変更しても良い。例えば、図１０に示すように
、スタンバイ−１を実行中に最短製品到着時間ＡＴをＰＣ６０ａが再取得する（即ち、最
新のＡＴを取得する）と共に、このＡＴ再取得時点でスタンバイ−１からスタンバイ−２
に変更した場合の省エネ制御の所要時間ＳＴ−２´をＰＣ６０ａが計算する。また、ＡＴ
再取得時点でスタンバイ−１をスタンバイ−２に変更した場合に予想される省エネ効果（
即ち、消費エネルギー量の増減）をＰＣ６０ａが算出する。
【００６２】
そして、ＡＴ≧ＳＴ−２´で、且つスタンバイ−１からスタンバイ−２に変更した方が
消費エネルギー量が低減するとＰＣ６０ａが判断した場合には、図１０に示すようにスタ
ンバイレベルをスタンバイ−１からスタンバイ−２に変更する。一方、ＡＴ＜ＳＴ−２の
場合や、スタンバイレベルの変更によって省エネ効果が悪化するような場合にはスタンバ
イレベルの変更は行わない。
【００６３】
このように本発明によれば、省エネ制御の実行中に待ち時間が長くなった場合には、当
該省エネ制御の制御パターンをより省エネ効果の高いパターンに変更することができるの
で、待ち時間の変動に柔軟に対応しつつ省エネ効果を高めていくことが可能である。最短
製品到着時間ＡＴは製造ラインのトラブルや、生産計画の見直し等によって変動すること
が多いので、このようなスタンバイレベルの見直しは省エネ制御の実行中にＰＣ６０ａが
繰り返し行うことが好ましい。
【００６４】
また、本発明では、必ずしも最短製品到着時間ＡＴを正確に確定しなくても良い。装置
毎に消費エネルギーを削減するに必要な時間以上に製品処理待ちが続く事がわかった場合
（例えば、あと６時間は最低製品が流れてこない、といったような場合）には、この予測
時間に基づいて例えば図５や、図９のフローチャートを実行しても良い。
さらに、本発明では最短製品到着時間ＡＴを、製造ラインを流れる製品の処理工程順と
、当該製品の処理工程毎の処理時間と、当該製品の製造ラインでの位置とから理論的に予
想される時間よりも短い時間（即ち、製品が製造装置のもとに絶対に到着することのない
時間）に設定してもよい。例えば、（３）式において、総工程間時間を０と見なして、製
品処理待ち時間＝総処理標準時間としても良い。
【００６５】
このような構成であれば、省エネ制御を終える前に製造装置５０ａのもとに製品が到着
してしまうといった事態を絶対に起こさないようにすることができるので、省エネ制御を
安心して実行することができる。
この実施の形態では、ＰＣ６０ａ（又はＰＣ６０ｂ、ＰＣ６０ｃ）が本発明の「製品情
報取得手段」と「制御情報取得手段」と「判断手段」とに対応している。また、生産情報
管理コンピュータ７０が本発明の「生産情報管理手段」に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施の形態に係る半導体製造装置の制御システム１００の構成例を示す概念図。
【図２】製造装置５０ａ及びＰＣ６０ａの一例を示す概念図。
【図３】ドライエッチング装置５０ａで使われる電力及び用力の一例を示す表図。
【図４】省エネ制御の制御パターンの一例と、消費エネルギー量とを示すグラフ。
【図５】省エネ制御の制御パターンの選択方法を示すフローチャート。
【図６】最短製品到着時間ＡＴの計算方法を示すフローチャート。
【図７】標準処理時間と標準工程間時間とを示す図。
【図８】立上げ時の制御パターンの一例を示す図。
【図９】省エネ制御の延長方法を示すフローチャート。
【図１０】制御パターンの途中変更の一例を示す図。
【符号の説明】
【００６７】
１０  カセット・チャンバー、１３，２３，３３  ドライポンプ  ２０  ロードロック
・チャンバー、２５，３５  ＴＭＰ  ３０  プロセス・チャンバー、３１  熱交換器、３
２  循環ポンプ、３６  ＲＦ電源、３７  マッチングＢＯＸ、５０ａ  製造装置（一例と
して、ドライエッチング装置）、５０ｂ、５０ｃ  製造装置、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ  
ＰＣ、６１  ロジックＩＣ、６２  メモリＩＣ、７０  生産情報管理コンピュータ、１０
０  制御システム
【図１】
2007280994.tif 000005
【図２】
2007280994.tif 000006
【図３】
2007280994.tif 000007
【図４】
2007280994.tif 000008
【図５】
2007280994.tif 000009
【図６】
2007280994.tif 000010
【図７】
2007280994.tif 000011
【図８】
2007280994.tif 000012
【図９】
2007280994.tif 000013
【図１０】
2007280994.tif 000014