(57)【要約】【課題】光ディスクへのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができるようにする。【解決手段】第１情報記録層１４のうち、最内周の領域２４に対応する部分がシステム・リードイン領域２４Ａとされ、第２情報記録層１８のうち、最内周の領域２４に対応する部分がシステム・リードアウト領域２４Ｂとされている。システム・リードイン領域２４Ａに形成される第１プリピットの深さを、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下とし、第１プリピットの半値幅を、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下とする。システム・リードアウト領域２４Ｂに形成される第２プリピットの深さを、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下とし、第２プリピットの半値幅を、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された記録層とを具備し、前記記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、
前記基板は、その最内周の部分に、前記記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の光情報記録媒体において、
前記記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
請求項２記載の光情報記録媒体において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記記録及び／又は再生用のレーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を前記記録層に集光する対物レンズの開口数が０．６５、前記基板の端面から前記記録層までの距離が０．６ｍｍに対応したものであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項５】
第１基板と第２基板と、
前記第１基板上に形成された第１記録層と、
前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、
前記第１基板は、その最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項６】
請求項５記載の光情報記録媒体において、
前記第１記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項７】
請求項６記載の光情報記録媒体において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項８】
第１基板と第２基板と、
前記第１基板上に形成された第１記録層と、
前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、
前記第２基板は、その最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項９】
請求項８記載の光情報記録媒体において、
前記第２記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．４５以上、０．６５以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項９記載の光情報記録媒体において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１１】
第１基板と第２基板と、
前記第１基板上に形成された第１記録層と、
前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、
前記第１基板は、その最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された第１領域を有し、
前記第２基板は、その最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された第２領域を有し、
前記第１領域におけるピットの深さが、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下、前記ピットの半値幅が、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であり、
前記第２領域におけるピットの深さが、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下、前記ピットの半値幅が、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１２】
請求項５〜１１のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記記録及び／又は再生用のレーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を少なくとも前記第１記録層に集光する対物レンズの開口数が０．６５、前記第１基板の端面から前記第１記録層までの距離が０．６ｍｍに対応したものであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１３】
記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記記録層が形成される基板において、
最内周の部分に、前記記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする基板。
【請求項１４】
請求項１３記載の基板において、
前記記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることを特徴とする基板。
【請求項１５】
請求項１４記載の基板において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする基板。
【請求項１６】
記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て第１記録層と第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記第１記録層が形成される基板において、
最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする基板。
【請求項１７】
請求項１６記載の基板において、
前記第１記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることを特徴とする基板。
【請求項１８】
請求項１７記載の基板において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする基板。
【請求項１９】
記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て第１記録層と第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記第２記録層が形成される基板において、
最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする基板。
【請求項２０】
請求項１９記載の基板において、
前記第２記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、
前記色素は前記ピット上にも塗布され、
前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が色素の光学濃度が０．４５以上、０．６５以下であることを特徴とする基板。
【請求項２１】
請求項２０記載の基板において、
前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて情報の書き込み（記録）や読取り（再生）が可能なヒートモード型の光情報記録媒体及び光情報記録媒体用の基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ光により情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、１層の情報記録層を有するものや、２層の情報記録層を有するもの等がある。
【０００３】
１層の情報記録層を有する第１光ディスクは、表面にプリグルーブが形成された基板と、該基板の表面に沿って形成された反射層と、該反射層上に形成された情報記録層と、該情報記録層上に形成された保護層とを有する。
【０００４】
２層の情報記録層を有する第２光ディスクは、表面に第１プリグルーブが形成された基板と、該基板の表面の凹凸に沿って形成された薄い反射層と、該薄い反射層上に形成された第１情報記録層と、該第１情報記録層上に形成され、且つ、表面に凹凸が形成された中間層と、該中間層の表面の凹凸に沿って形成された第２情報記録層と、該第２情報記録層上に形成された反射層と、該反射層上に形成された保護層とを有する（例えば特許文献１〜３参照）。反射層は、中間層の凹凸に沿って形成され、これにより、該反射層の凹凸は、第２情報記録層の第２プリグルーブとして機能することになる。
【０００５】
上述した第１光ディスクのプリグルーブや、第２光ディスクの第１プリグルーブ及び第２プリグルーブには、アドレス検知のためのアドレスピットが形成されるほか、スピンドルモータのサーボ制御、ピックアップのトラッキング制御やフォーカス制御を行うためのサーボ用プリピットが形成される。
【０００６】
また、従来では、情報記録層に対するレーザ光の照射によって情報を記録する際に、レーザ光の強度を最適化を行ったり、記録再生装置に、メーカーの異なる光ディスクごとに記録ストラテジーを変えるシステムを組み込むようにした技術が提案されている（例えば特許文献４）。これは、光情報記録媒体が記録装置、記録材料、環境温度やレーザ光源の波長変動等によって同一記録条件でも同一に記録できないという事実からきている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−４８０８号公報
【特許文献２】特開平１０−２８３６８２号公報
【特許文献３】特開平８−２０３１２５号公報
【特許文献４】特開平８−２４９６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関し、ジッタ、変調度、反射率等についてそれぞれ規格値が決められており、各規格値に適合するようにアクセスを行う必要がある。
【０００９】
そこで、光情報記録媒体の最内周の部分に、少なくともレーザ光の出力を調整するための領域を配置し、該領域に形成された１以上のピットを再生することで、ジッタ、変調度、反射率等が各規格値に適合するように、レーザ光の出力や再生ゲイン等を調整することが考えられている。従って、前記領域のピットを確実に再生できることが重要である。
【００１０】
しかし、上述した２層の情報記録層を有する第２光ディスクを想定したとき、前記領域に形成されるピットの深さを変更することが困難になるという制限がある。さらに、図１３に示すように、反射層の厚みと再生信号に含まれるジッタの量との関係からわかるように、第２光ディスクに形成される薄い反射層にて反射した再生光には、高調波による信号の折り返し成分が多く含まれ、それに伴ってその再生信号には多くのジッタが含まれることになる。そのため、ジッタの量が多くなる環境下において、いかに確実にピットを再生することができるか、が課題となる。
【００１１】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、上述した領域（基板の最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる光情報記録媒体及び光情報記録媒体用の基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の本発明に係る光情報記録媒体は、基板と、該基板上に形成された記録層とを具備し、前記記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、前記基板は、その最内周の部分に、前記記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
これにより、上述した領域（基板の最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００１４】
そして、第１の本発明において、前記記録層が、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布される場合、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度は、０．２４以上、０．４０以下であることが好ましい。
【００１５】
また、第１の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【００１６】
また、第１の本発明において、前記記録及び／又は再生用のレーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を前記記録層に集光する対物レンズの開口数が０．６５、前記基板の端面から前記記録層までの距離が０．６ｍｍに対応したものであってもよい。
【００１７】
次に、第２の本発明に係る光情報記録媒体は、第１基板と第２基板と、前記第１基板上に形成された第１記録層と、前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、前記第１基板は、その最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
これにより、上述した領域（第１基板の最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００１９】
そして、第２の本発明において、前記第１記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布され、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることが好ましい。
【００２０】
また、第２の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【００２１】
次に、第３の本発明に係る光情報記録媒体は、第１基板と第２基板と、前記第１基板上に形成された第１記録層と、前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、前記第２基板は、その最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、前記ピットの深さは、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２２】
これにより、上述した領域（第２基板の最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００２３】
そして、第３の本発明において、前記第２記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布され、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．４５以上、０．６５以下であることが好ましい。
【００２４】
また、第３の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【００２５】
次に、第４の本発明に係る光情報記録媒体は、第１基板と第２基板と、前記第１基板上に形成された第１記録層と、前記第２基板上に形成された第２記録層とを具備し、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て前記第１記録層と前記第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体において、前記第１基板は、その最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された第１領域を有し、前記第２基板は、その最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された第２領域を有し、前記第１領域におけるピットの深さが、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下、前記ピットの半値幅が、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であり、前記第２領域におけるピットの深さが、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下、前記ピットの半値幅が、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２６】
これにより、上述した第１領域及び第２領域へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００２７】
そして、第４の本発明において、前記記録及び／又は再生用のレーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を少なくとも前記第１記録層に集光する対物レンズの開口数が０．６５、前記第１基板の端面から前記第１記録層までの距離が０．６ｍｍに対応したものであってもよい。
【００２８】
次に、第５の本発明に係る光情報記録媒体用の基板は、記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記記録層が形成される基板において、最内周の部分に、前記記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２９】
これにより、該基板にて光情報記録媒体を作製した場合、上述した領域（最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００３０】
そして、第５の本発明において、前記記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布され、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることが好ましい。
【００３１】
また、第５の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【００３２】
次に、第６の本発明に係る光情報記録媒体用の基板は、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て第１記録層と第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記第１記録層が形成される基板において、最内周の部分に、前記第１記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、前記ピットの深さは、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００３３】
これにより、該基板にて光情報記録媒体を作製した場合、上述した領域へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００３４】
そして、第６の本発明において、前記第１記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布され、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．２４以上、０．４０以下であることが好ましい。
【００３５】
また、第６の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【００３６】
次に、第７の本発明に係る光情報記録媒体用の基板は、記録及び／又は再生用のレーザ光が照射される方向から見て第１記録層と第２記録層がこの順番で配置され、少なくとも前記第１記録層に対してレーザ光を照射することによって情報の記録及び／又は再生を行う光情報記録媒体に使用され、且つ、前記第２記録層が形成される基板において、最内周の部分に、前記第２記録層に対する少なくとも前記レーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域を有し、
前記ピットの深さは、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下であり、前記ピットの半値幅は、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００３７】
これにより、該基板にて光情報記録媒体を作製した場合、上述した領域へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。これは、光情報記録媒体の記録特性及び再生特性の向上につながる。
【００３８】
そして、第７の本発明において、前記第２記録層は、色素を塗布することによって形成されたものであって、前記色素は前記ピット上にも塗布され、前記色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度が０．４５以上、０．６５以下であることが好ましい。
【００３９】
また、第７の本発明において、前記色素は、前記レーザ光での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明したように、本発明に係る光情報記録媒体及び光情報記録媒体用の基板によれば、上述した領域（基板の最内周の部分に配置され、少なくともレーザ光の出力を調整するための１以上のピットが形成された領域）へのレーザ光の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域のピットの再生信号を取り出すことができ、光情報記録媒体へのレーザ光によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等のパラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明に係る光情報記録媒体及び光情報記録媒体用の基板の実施の形態例を図１〜図１２を参照しながら説明する。
【００４２】
本実施の形態に係る光ディスク１０は、図１に示すように、第１基板１２と、該第１基板１２上に形成された第１情報記録層１４と、第２基板１６と、該第２基板１６上に形成された第２情報記録層１８とを具備し、第１基板１２と第２基板１６とが中間層２０を介して貼り合わされた構成を有する。
【００４３】
また、光ディスク１０は、ユーザの情報が記録される情報記録領域２２と、少なくともレーザ光の出力を調整するために使用される領域２４とを有する。特に、第１情報記録層１４のうち、領域２４に対応する部分がシステム・リードイン領域２４Ａとされ、第２情報記録層１８のうち、領域２４に対応する部分がシステム・リードアウト領域２４Ｂとされている。
【００４４】
具体的には、光ディスク１０の情報記録領域２２は、図２に示すように、第１基板１２の表面に第１プリグルーブ２６が形成され、第２基板１６の表面にも第２プリグルーブ２８が形成されている。
【００４５】
図３に示すように、第１基板１２の表面には、第１プリグルーブ２６の凹凸に沿って第１情報記録層１４が形成され、該第１情報記録層１４上に厚みの薄い第１反射層３０が形成されている。
【００４６】
図４に示すように、第２基板１６の表面には、第２プリグルーブ２８の凹凸に沿って第２反射層３２が形成され、該第２反射層３２上に第２情報記録層１８が形成され、該第２情報記録層１８上にバリア層３４が形成されている。
【００４７】
そして、第１基板１２と第２基板１６を貼り合わせる際に、図２に示すように、第１基板１２上に形成された第１情報記録層１４と第２基板１６上に形成された第２情報記録層１８とを対向させ、さらに、これら第１基板１２と第２基板１６との間に中間層２０を介在させて貼り合わせることで、光ディスク１０が構成される。
【００４８】
第１情報記録層１４に対して情報を記録する場合は、第１基板１２の端面１２ａから第１情報記録層１４に向かう方向に記録用のレーザ光３６を照射し、レーザ光３６を第１情報記録層１４に結像させて情報（ピット）を記録する。このとき、第１情報記録層１４のうち、第１プリグルーブ２６のグルーブ３８に対応した部分に情報が記録される。記録用のレーザ光３６としては、６００ｎｍ〜７００ｎｍ（好ましくは６２０〜６８０ｎｍ、さらに好ましくは、６３０〜６６０ｎｍ）の範囲の発振波長を有する半導体レーザビームが用いられる。
【００４９】
特に、レーザ光３６の波長が４０５ｎｍである場合は、レーザ光３６を第１情報記録層１４に集光する図示しない対物レンズの開口数が０．６５であって、第１基板１２の表面１２ａ（端面）から第１情報記録層１４までの距離が０．６ｍｍに対応したものが好ましい。
【００５０】
第２情報記録層１８に対して情報を記録する場合は、第１基板１２の端面１２ａから第２情報記録層１８に向かう方向に記録用のレーザ光３６を照射し、レーザ光３６を第２情報記録層１８に結像させて情報（ピット）を記録する。このとき、第２情報記録層１８のうち、第２プリグルーブ２８のランド４０に対応した部分に情報が記録される。
【００５１】
従って、第１情報記録層１４と第２情報記録層１８との間に中間層２０を介在させることによって、第１情報記録層１４に記録された情報と第２情報記録層１８に記録された情報の干渉を防ぎ、第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８で良好な記録再生信号を得ることができる。
【００５２】
一方、光ディスク１０のシステム・リードイン領域２４Ａは、図５及び図６に示すように、１以上の第１プリピット４２Ａが形成され、また、システム・リードアウト領域２４Ｂにも、図７及び図８に示すように、１以上の第２プリピット４２Ｂが形成されている。
【００５３】
システム・リードイン領域２４Ａに形成された第１プリピット４２Ａは、第１情報記録層１４に対する少なくともレーザ光３６の出力を調整するためのものであり、システム・リードアウト領域２４Ｂに形成された第２プリピット４２Ｂは、第２情報記録層１８に対する少なくともレーザ光３６の出力を調整するためのものである。
【００５４】
すなわち、レーザ光３６による第１情報記録層１４へのアクセスの開始段階においてシステム・リードイン領域２４Ａの第１プリピット４２Ａを再生し、その再生情報に基づいて、ジッタ、変調度、反射率等が各規格値に適合するように、レーザ光３６の出力や再生ゲイン等を調整する。同様に、レーザ光３６による第２情報記録層１８へのアクセスの開始段階においてシステム・リードアウト領域２４Ｂの第２プリピット４２Ｂを再生し、その再生情報に基づいて、ジッタ、変調度、反射率等が各規格値に適合するように、レーザ光３６の出力や再生ゲイン等を調整する。
【００５５】
しかし、第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８を有する光ディスク１０においては、システム・リードイン領域２４Ａ及びシステム・リードアウト領域２４Ｂに形成される第１プリピット４２Ａの深さｈ１（図６参照）及び第２プリピット４２Ｂの深さｈ２（図８参照）を変更することが困難になるという制限がある。
【００５６】
また、図１３に示すように、反射層の厚みと再生信号に含まれるジッタの量との関係からわかるように、第１情報記録層１４上に形成される厚みの薄い第１反射層３０にて反射した再生光には、高調波による信号の折り返し成分が多く含まれ、それに伴ってその再生信号には多くのジッタが含まれることになる。従って、システム・リードイン領域２４Ａの第１プリピット４２Ａにレーザ光３６を照射しても、その再生信号に含まれるジッタ成分が多いことから、第１プリピット４２Ａの再生情報に基づいて各種パラメータを設定することができないという問題が生じる。
【００５７】
そこで、第１プリピット４２Ａの形成にあたっては、システム・リードイン領域２４Ａが光ディスク１０の最内周に配置されることを考慮し、さらに、第１反射層３０の厚みによるジッタの影響を抑制するように、第１プリピット４２Ａの深さｈ１及び半値幅Ｗ１を決定することが好ましい。ここで、第１プリピット４２Ａの半値幅Ｗ１とは、第１プリピット４２Ａの深さｈ１の１／２の地点における幅を示す。この実施の形態においては、第１プリピット４２Ａの深さｈ１を、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下とし、第１プリピット４２Ａの半値幅Ｗ１を、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下としている。
【００５８】
これにより、システム・リードイン領域２４Ａへのレーザ光３６の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域の第１プリピット４２Ａの再生信号を取り出すことができ、光ディスク１０へのレーザ光３６によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等の各種パラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。
【００５９】
同様に、第２プリピット４２Ｂの形成にあたっては、システム・リードアウト領域２４Ｂが光ディスク１０の最内周に配置されることを考慮し、さらに、第２反射層３２の厚みによるジッタの影響を抑制するように、第２プリピット４２Ｂの深さｈ２及び半値幅Ｗ２を決定することが好ましい。ここで、第２プリピット４２Ｂの半値幅Ｗ２とは、第２プリピット４２Ｂの深さｈ２の１／２の地点における幅を示す。この実施の形態においては、第２プリピット４２Ｂの深さｈ２を、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下とし、第２プリピット４２Ｂの半値幅Ｗ２を、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下としている。
【００６０】
これにより、システム・リードアウト領域２４Ｂへのレーザ光３６の照射によって、高精度に、且つ、確実に該領域の第２プリピット４２Ｂの再生信号を取り出すことができ、光ディスク１０へのレーザ光３６によるアクセスに関するジッタ、変調度、反射率等の各種パラメータをそれぞれ対応する規格値に容易に適合させることができる。
【００６１】
従って、本実施の形態に係る光ディスク１０においては、記録特性及び再生特性の向上を図ることができる。
【００６２】
なお、第１プリピット４２Ａの深さｈ１及び半値幅Ｗ１並びに第２プリピット４２Ｂの深さｈ２及び半値幅Ｗ２は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定することができる。
【００６３】
ここで、本実施の形態に係る光ディスク１０の製造方法について図９を参照しながら説明する。
【００６４】
まず、図９のステップＳ１において、第１基板１２を作製するための第１スタンパを作製する。この場合、第１スタンパとなる第１原板に対して選択的にエッチングを施して、表面に凹凸を有する第１スタンパを作製する。例えば第１原板に対してＤＵＶ（波長３３０ｎｍ以下、深紫外線）レーザや、ＥＢ（電子ビーム）によるカッティングによる高精度なマスタリングを行って第１スタンパを作製する。
【００６５】
このとき、出来上がる第１スタンパにて例えば樹脂材料を射出成形あるいは押出成形等することによって第１基板１２を形成した際に、該第１基板１２の表面のうち、システム・リードイン領域２４Ａに対応する箇所に第１プリピット４２Ａが形成され、情報記録領域２２に対応する箇所に第１プリグルーブ２６が形成されるように、第１原板にマスタリングを行って第１スタンパを作製する。
【００６６】
また、図９のステップＳ２において、第２基板１６を作製するための第２スタンパを作製する。この場合、第２スタンパとなる第２原板に対して選択的にエッチングを施して、表面に凹凸を有する第２スタンパを作製する。例えば第２原板に対してＤＵＶ（波長３３０ｎｍ以下、深紫外線）レーザや、ＥＢ（電子ビーム）によるカッティングによる高精度なマスタリングを行って第２スタンパを作製する。
【００６７】
このとき、出来上がる第２スタンパにて例えば樹脂材料を射出成形あるいは押出成形等することによって第２基板１６を形成した際に、該第２基板１６の表面のうち、システム・リードアウト領域２４Ｂに対応する箇所に第２プリピット４２Ｂが形成され、情報記録領域２２に対応する箇所に第２プリグルーブ２８が形成されるように、第２原板にマスタリングを行って第２スタンパを作製する。
【００６８】
その後、図９のステップＳ３において、第１スタンパに対して例えばポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形することによって、第１基板１２を作製する。このとき、第１基板１２の表面に第１スタンパの凹凸が転写されて、第１プリピット４２Ａ及び第１プリグルーブ２６が形成される。
【００６９】
また、図９のステップＳ４において、第２スタンパに対して例えばポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形あるいは押出成形等することによって、第２基板１６を作製する。このとき、第２基板１６の表面に第２スタンパの凹凸が転写されて、第２プリピット４２Ｂ及び第２プリグルーブ２８が形成される。
【００７０】
なお、上述の例では、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形あるいは押出成形して第１基板１２及び第２基板１６を作製するようにしたが、以下のように平坦面とされた第１基板１２と第２基板１６の表面にそれぞれ層を形成して、第１プリピット４２Ａ、第１プリグルーブ２６、第２プリピット４２Ｂ及び第２プリグルーブ２８を形成するようにしてもよい。
【００７１】
前記層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのうち少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。前記層の形成は、例えば第１基板１２についてみると、第１スタンパ上に上記のアクリル酸エステル及び重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に第１基板１２を載せたのち、第１基板１２又は第１スタンパを介して紫外線を照射することにより塗布層を硬化させて第１基板１２と塗布層とを固着させる。次いで、第１基板１２を第１スタンパから剥離することにより、表面に第１プリピット４２Ａ及び第１プリグルーブ２６が形成された層が固着された第１基板１２を得ることができる。これは、第２基板１６についても同様であり、第２スタンパを使用することによって、表面に第２プリピット４２Ｂ及び第２プリグルーブ２８が形成された層が固着された第２基板１６を得ることができる。
【００７２】
その後、図９のステップＳ５において、第１基板１２の表面に第１情報記録層１４を形成し、次いで、第１情報記録層１４上に厚みの薄い第１反射層３０を形成する。
【００７３】
また、図９のステップＳ６において、第２基板１６の表面に第２反射層３２を形成し、次いで、第２反射層３２上に第２情報記録層１８を形成し、さらに、第２情報記録層１８上にバリア層３４を形成する。
【００７４】
その後、図９のステップＳ７において、第１基板１２と第２基板１６を貼り合わせる。このとき、第１基板１２上に形成された第１情報記録層１４と第２基板１６上に形成された第２情報記録層１８とを対向させ、さらに、これら第１基板１２と第２基板１６との間に中間層２０を介在させて貼り合わせる。この貼り合わせによって、本実施の形態に係る光ディスク１０が完成する。
【００７５】
次に、システム・リードイン領域２４Ａ及びシステム・リードアウト領域２４Ｂを利用した記録及び／又は再生方法について図１０〜図１２を参照しながら説明する。なお、この記録及び／又は再生方法を実現させる記録再生装置については、既知の記録再生装置を使用することができる。従って、記録再生装置の詳細についてはその説明を省略する。
【００７６】
最初に、第１の記録及び／又は再生方法について図１０及び図１１のフローチャートを参照しながら説明する。
【００７７】
まず、図１０のステップＳ１０１において、光ディスク１０へのアクセス要求があるか否かが判別される。アクセス要求があれば、次のステップＳ１０２に進み、今回のアクセス要求が初回であるかどうかが判別される。アクセス要求が初回であれば、次にステップＳ１０３に進み、システム・リードイン領域２４Ａの第１プリピット４２Ａの再生を行う。
【００７８】
その後、ステップＳ１０４において、第１プリピット４２Ａを再生することによって得た再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出する。その後、ステップＳ１０５において、前記検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整する。
【００７９】
その後、ステップＳ１０６において、調整が完了したか否かの判別が行われ、調整が完了していなければ、ステップＳ１０３以降の処理を繰り返す。そして、前記調整が完了した段階で、次のステップＳ１０７に進み、調整後のレーザ光３６の出力、再生ゲイン等に関する各種パラメータを第１情報記録層１４に関する各種パラメータとして図示しない第１メモリに格納する。この第１メモリとしては、記録再生装置内に内蔵されたＣＰＵが参照するメモリ内に論理的に割り付けられたメモリ領域を使用することができる。
【００８０】
その後、ステップＳ１０８において、システム・リードアウト領域２４Ｂの第２プリピット４２Ｂの再生を行う。
【００８１】
その後、ステップＳ１０９において、第２プリピット４２Ｂを再生することによって得た再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出する。その後、ステップＳ１１０において、前記検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整する。
【００８２】
その後、ステップＳ１１１において、調整が完了したか否かの判別が行われ、調整が完了していなければ、ステップＳ１０８以降の処理を繰り返す。そして、前記調整が完了した段階で、次のステップＳ１１２に進み、調整後のレーザ光３６の出力、再生ゲイン等に関する各種パラメータを第２情報記録層１８に関する各種パラメータとして図示しない第２メモリに格納する。この第２メモリについて、記録再生装置内に内蔵されたＣＰＵが参照するメモリ内に論理的に割り付けられたメモリ領域を使用することができる。
【００８３】
一方、上述したステップＳ１０２において、アクセス要求が初回でないと判別された場合は、図１１のステップＳ１１３に進み、今回のアクセス要求のアドレスが第１情報記録層１１４における情報記録領域２２内のアドレスであるか否かが判別される。アクセス要求のアドレスが第１情報記録層１４における情報記録領域２２内のアドレスであれば、次のステップＳ１４に進み、第１メモリから第１情報記録層１４に関する各種パラメータを読み出す。
【００８４】
その後、ステップＳ１１５において、読み出した前記第１情報記録層１４に関する各種パラメータに基づいてレーザ光３６の出力や再生ゲイン等を設定する。
【００８５】
その後、ステップＳ１１６において、設定されたレーザ光３６の出力や再生ゲイン等によって第１情報記録層１４の情報記録領域２２に対するアクセス、すなわち、記録及び／又は再生を行う。
【００８６】
他方、前記ステップＳ１１３において、今回のアクセス要求のアドレスが第２情報記録層１８における情報記録領域２２内のアドレスであると判別された場合は、ステップＳ１１７に進み、第２メモリから第２情報記録層１８に関する各種パラメータを読み出す。
【００８７】
その後、ステップＳ１１８において、読み出した前記第２情報記録層１８に関する各種パラメータに基づいてレーザ光３６の出力や再生ゲイン等を設定する。
【００８８】
その後、ステップＳ１１９において、設定されたレーザ光３６の出力や再生ゲイン等によって第２情報記録層１８の情報記録領域２２に対するアクセス、すなわち、記録及び／又は再生を行う。
【００８９】
前記ステップＳ１１６での処理又はステップＳ１１９での処理が終了した段階で、図１０のステップＳ１２０に進み、記録再生装置に対するプログラム終了要求、例えば電源断やメンテナンス要求があるか否かが判別され、終了要求がなければ、ステップＳ１０１に戻り、次のアクセス要求を待つ。そして、ステップＳ１２０において、終了要求があった段階で、この第１の記録及び／又は再生方法での処理が終了する。
【００９０】
次に、第２の記録及び／又は再生方法について図１２のフローチャートを参照しながら説明する。
【００９１】
まず、図１２のステップＳ２０１において、光ディスク１０へのアクセス要求があるか否かが判別される。アクセス要求があれば、次のステップＳ２０２に進み、今回のアクセス要求のアドレスが第１情報記録層１４における情報記録領域２２内のアドレスであるか否かが判別される。アクセス要求のアドレスが第１情報記録層１４における情報記録領域２２内のアドレスであれば、次のステップＳ２０３に進み、レーザ光３６の出力等の調整が必要であるか否かが判別される。この判別は、今回のアクセス要求が初回であるかどうか、前回のアクセスが第２情報記録層１８における情報記録領域２２内のアドレスであったかどうかで行われる。アクセス要求が初回あるいは前回のアクセスが第２情報記録層１８に関するアドレスであれば、調整が必要であるとして、次のステップＳ２０４に進み、システム・リードイン領域２４Ａの第１プリピット４２Ａの再生を行う。
【００９２】
その後、ステップＳ２０５において、第１プリピット４２Ａを再生することによって得た再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出する。その後、ステップＳ２０６において、前記検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整する。
【００９３】
その後、ステップＳ２０７において、調整が完了したか否かの判別が行われ、調整が完了していなければ、ステップＳ２０４以降の処理を繰り返す。そして、前記調整が完了した段階で、ステップＳ２０８に進み、調整されたレーザ光３６の出力や再生ゲイン等によって第１情報記録層１４の情報記録領域２２に対するアクセス、すなわち、記録及び／又は再生を行う。
【００９４】
なお、前記ステップＳ２０３において、調整が必要でないと判別された場合は、すでにレーザ光３６の出力や再生ゲイン等が第１情報記録層１４の情報記録領域２２をアクセスするのに最適な値に調整されているため、直接ステップＳ２０８に進み、第１情報記録層１４の情報記録領域２２に対するアクセスを行う。
【００９５】
一方、前記ステップＳ２０２において、今回のアクセス要求のアドレスが第２情報記録層１８における情報記録領域２２内のアドレスであると判別された場合は、次のステップＳ２０９に進み、レーザ光３６の出力等の調整が必要であるか否かが判別される。この判別は、今回のアクセス要求が初回であるかどうか、前回のアクセスが第１情報記録層１４における情報記録領域２２内のアドレスであったかどうかで行われる。アクセス要求が初回あるいは前回のアクセスが第１情報記録層１４に関するアドレスであれば、調整が必要であるとして、次にステップＳ２１０に進み、システム・リードアウト領域２４Ｂの第２プリピット４２Ｂの再生を行う。
【００９６】
その後、ステップＳ２１１において、第２プリピット４２Ｂを再生することによって得た再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出する。その後、ステップＳ２１２において、前記検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整する。
【００９７】
その後、ステップＳ２１３において、調整が完了したか否かの判別が行われ、調整が完了していなければ、ステップＳ２１０以降の処理を繰り返す。そして、前記調整が完了した段階で、ステップＳ２１４に進み、調整されたレーザ光３６の出力や再生ゲイン等によって第２情報記録層１８の情報記録領域２２に対するアクセス、すなわち、記録及び／又は再生を行う。
【００９８】
なお、前記ステップＳ２０９において、調整が必要でないと判別された場合は、すでにレーザ光３６の出力や再生ゲイン等が第２情報記録層１８の情報記録領域２２をアクセスするのに最適な値に調整されているため、直接ステップＳ２１４に進み、第２情報記録層１８の情報記録領域２２に対するアクセスを行う。
【００９９】
前記ステップＳ２０８での処理あるいはステップＳ２１４での処理が終了した段階で、次のステップＳ２１５に進み、記録再生装置に対するプログラム終了要求、例えば電源断やメンテナンス要求があるか否かが判別され、終了要求がなければ、ステップＳ２０１に戻り、次のアクセス要求を待つ。そして、ステップＳ２１５において、終了要求があった段階で、この第２の記録及び／又は再生方法での処理が終了する。
【０１００】
第１及び第２の記録及び／又は再生方法共に、第１基板１２に形成されたシステム・リードイン領域２４Ａの第１プリピット４２Ａを再生し、その再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出し、該検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整するようにしたので、第１情報記録層１４の情報記録領域２２へのレーザ光３６によるアクセスを高精度に行うことができる。また、第１及び第２の記録及び／又は再生方法共に、第２基板１６に形成されたシステム・リードアウト領域２４Ｂの第２プリピット４２Ｂを再生し、その再生信号からジッタ、反射率、変調度等を検出し、該検出したジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整するようにしたので、第２情報記録層１８の情報記録領域２２へのレーザ光３６によるアクセスを高精度に行うことができる。
【０１０１】
特に、第１の記録及び／又は再生方法は、光ディスク１０に対するアクセスの開始段階において、第１プリピット４２Ａの再生を行って、調整後のレーザ光３６の出力、再生ゲイン等に関する各種パラメータを第１情報記録層１４に関する各種パラメータとして第１メモリに格納し、続いて第２プリピット４２Ｂの再生を行って、調整後のレーザ光３６の出力、再生ゲイン等に関する各種パラメータを第２情報記録層１８に関する各種パラメータとして第２メモリに格納するようにし、その後のアクセスにおいては、第１メモリ及び第２メモリに記録された各種パラメータに基づいて記録及び／又は再生を行うようにしたので、光ディスク１０に対するアクセスを高速に行うことが可能となる。
【０１０２】
一方、第２の記録及び／又は再生方法は、第１情報記録層１４へのアクセスと第２情報記録層１８へのアクセスが切り替わる毎に、第１プリピット４２Ａ及び第２プリピット４２Ｂの再生を行って、再生信号に基づくジッタ、反射率、変調度等がそれぞれ規格値に適合するようにレーザ光３６の出力、再生ゲイン等を調整して、第１情報記録層１４へのアクセスと第２情報記録層１８へのアクセスを行うようにしたので、使用環境の変化（温度変化）等にも柔軟に対応させることができ、光ディスク１０に対するアクセスの信頼性を高めることができる。
【０１０３】
次に、本実施の形態に係る光ディスク１０を構成する各層の材質等について説明する。
【０１０４】
まず、第１基板１２及び第２基板１６としては、従来の光ディスクの基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
【０１０５】
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
【０１０６】
上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
【０１０７】
これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて第１基板１２及び第２基板１６を作製することができる。
【０１０８】
また、第１基板１２及び第２基板１６の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
【０１０９】
また、第１基板１２に形成される第１プリグルーブ２６並びに第２基板１６に形成される第２プリグルーブ２８のトラックピッチは、上限値が５００ｎｍ以下であることが好ましく、４２０ｎｍ以下であることがより好ましく、３７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３３０ｎｍ以下であることが特に好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、２００ｎｍ以上であることがさらに好ましく、２６０ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【０１１０】
第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８の幅（半値幅）は、上限値が２５０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましく、１７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２３ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、８０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１００ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【０１１１】
第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８の（溝）深さは、上限値が１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。また、下限値は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましく、２０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、２８ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【０１１２】
第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８の角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることがさらに好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。
【０１１３】
なお、第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８に関する上限値及び下限値は、それぞれが任意で組み合わせることができる。
【０１１４】
これら第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８の値は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定することができる。
【０１１５】
そして、例えば第１プリグルーブ２６の角度とは、第１プリグルーブ２６の溝深さをＤとした時、溝形成前の第１基板１２の表面を基準とし、その表面からＤ／１０の深さの傾斜部と、溝の最も深い個所からＤ／１０の高さの傾斜部とを結ぶ直線と、第１基板１２の面（溝部の底面）とのなす角度である。これは、第２プリグルーブ２８の角度も同様である。
【０１１６】
また、本実施の形態に係る光ディスク１０が、再生専用の光ディスクである場合、上記の第１プリグルーブ２６及び第２プリグルーブ２８を形成するのと同時に、所定の情報を示すピットが形成される。
【０１１７】
なお、第１基板１２及び第２基板１６の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
【０１１８】
該下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
【０１１９】
下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【０１２０】
第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８は、色素を記録物質として含有する色素型とすることが好ましい。第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８に含有される記録物質としては、色素等の有機化合物や相変化金属化合物等が挙げられる。
【０１２１】
中でも、レーザ光３６により一回限りの情報の記録が可能な、色素型の第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８であることが好ましい。色素型の第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８は、記録波長領域に吸収を有する色素を含有していることが好ましい。当該色素としては、シアニン色素、オキソノール色素、金属錯体系色素、アゾ色素、フタロシアニン色素等が挙げられ、中でも、オキソノール色素が好ましい。オキソノール色素を含有させることで長期間にわたり安定した記録再生特性の維持を実現することができる。
【０１２２】
色素の最大吸収ピークλｍａｘにおける光学濃度は、０．２４以上、０．４０以下であることが好ましい。また、色素は、レーザ光３６での記録後の反射率が、記録前の反射率よりも下がる光学特性を有することが好ましい。これにより、システム・リードイン領域２４Ａに形成された第１プリピット４２Ａ及びシステム・リードアウト領域２４Ｂに形成された第２プリピット４２Ｂを確実に再生することができる。すなわち、ジッタ、変調度、反射率等のパラメータを各規格値に適合させるために使用される第１プリピット４２Ａ及び第２プリピット４２Ｂの再生情報を高精度に得ることができる。これは、光ディスク１０のアクセスを開始してから実際に第１情報記録層１４の情報記録領域２２又は第２情報記録層１８の情報記録領域２２へのアクセスまでにかかる時間を短縮できることにつながり、アクセスの高速化において有利になる。
【０１２３】
ここで、第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８にて使用されるオキソノール色素について説明する。
【０１２４】
オキソノール色素の具体例としては、Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ著、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｊｏｈｎ＆Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、Ｌｏｎｄｏｎ、１９６４年刊に記載のもの等が挙げられる。
【０１２５】
オキソノール色素は、該当する活性メチレン化合物とメチン源（メチン染料にメチン基を導入するために用いられる化合物）との縮合反応によって合成することができる。
【０１２６】
この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号公報、同４３−３５０４号公報、同５２−３８０５６号公報、同５４−３８１２９号公報、同５５−１００５９号公報、同５８−３５５４４号公報、特開昭４９−９９６２０号公報、同５２−９２７１６号公報、同５９−１６８３４号公報、同６３−３１６８５３号公報、同６４−４０８２７号公報、並びに英国特許第１１３３９８６号明細書、米国特許第３２４７１２７号明細書、同４０４２３９７号明細書、同４１８１２２５号明細書、同５２１３９５６号明細書、同５２６０１７９号明細書を参照することができる。また、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平１０−３０９８７１号公報、特開２００２−２４９６７４号公報にも記載されている。
【０１２７】
オキソノール色素は、単独で用いてもよく、あるいは２種以上を併用してもよい。また、既述のオキソノール色素とこれ以外の色素化合物とを併用してもよい。併用する色素は、アゾ色素（金属イオンとの錯体化したものを含む）、ピロメテン色素、シアニン色素等が例として挙げられる。
【０１２８】
色素は、熱分解温度が１００℃〜３５０℃の範囲にあるものが好ましい。さらには、１５０℃〜３００℃の範囲にあるものが好ましい。さらには、２００℃から３００℃の範囲にあるものが好ましい。
【０１２９】
第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８に用いる色素（「既述のオキソノール色素」又は「既述のオキソノール色素及びこれと併用する色素」）のアモルファス膜の光学特性上、複素屈折率の係数ｎ（実部：屈性率）、ｋ（虚部：消衰係数）は、好ましくは、２．０≦ｎ≦３．０、０．００５≦ｋ≦０．３０である。さらに好ましくは、２．１≦ｎ≦２．７、０．０１≦ｋ≦０．１５である。最も好ましくは、２．１５≦ｎ≦２．５０、０．０３≦ｋ≦０．１０である。
【０１３０】
第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８には、さらに耐光性を向上させるための種々の褪色防止剤を含有することができる。褪色防止剤の代表例としては、特開平３−２２４７９３号公報に記載の一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）もしくは（Ｖ）で表される金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩や特開平２−３００２８７号公報や特開平２−３００２８８号公報に示されているニトロソ化合物、特開平１０−１５１８６１号公報に示されているＴＣＮＱ誘導体等を挙げることができる。
【０１３１】
第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８の形成は、既述のオキソノール色素、さらに所望によりクエンチャ、結合剤等を溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を第１基板１２の表面及び第２基板１６の表面に塗布して塗膜を形成したのち、乾燥することにより行うことができる。前記塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；シクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコールモノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【０１３２】
上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮して単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等の各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１３３】
結合剤の例としては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子を挙げることができる。
【０１３４】
第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、既述のオキソノール色素を始めとした色素の量に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の色素濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
【０１３５】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８はそれぞれ単層でも重層でもよい。第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。
【０１３６】
次に、第１反射層３０及び第２反射層３２について説明すると、第１反射層３０及び第２反射層３２の材料である光反射性物質は、レーザ光３６に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。
【０１３７】
これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは２種以上の組み合わせで、又は合金として用いてもよい。第１反射層３０及び第２反射層３２は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより第１情報記録層１４上、第２基板１６上に形成することができる。
【０１３８】
そして、第１反射層３０の層厚は、２〜１５０ｎｍの範囲にあることが好ましい。また、第２反射層３２の層厚は、一般には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１３９】
次に、バリア層３４は、第２情報記録層１８等を物理的及び化学的に保護する目的で設けられる。このバリア層３４は、第１基板１２や第２基板１６のうち、第１情報記録層１４及び第２情報記録層１８が設けられていない部分にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
【０１４０】
バリア層３４に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3等の無機物質；熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質；を挙げることができる。
【０１４１】
バリア層３４は、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けることができる。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を使用する場合には、これらを適当な溶剤に溶解した塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、さらに帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。バリア層３４の層厚は、一般には１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある。
【０１４２】
次に、中間層２０は、上述したように、少なくとも第１情報記録層１４と第２情報記録層１８との間に設けられる。
【０１４３】
中間層２０の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、感圧式両面テープ等や、ＳｉＯ2等の無機材料等が挙げられる。また、これらの材料を単独又は混合してもよいし、一層だけではなく多層膜にして用いてもよい。このような中間層２０は、スピンコート法やキャスト法、スパッタ法により形成することができる。中間層２０の厚みは、５〜１００μｍであることが好ましく、さらに好ましくは１０〜７０μｍである。
【０１４４】
なお、本発明に係る光情報記録媒体及び基板は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本実施の形態に係る光ディスクの情報記録領域、システム・リードイン領域及びシステム・リードアウト領域を説明するための図である。
【図２】本実施の形態に係る光ディスクにおける情報記録領域を一部省略して示す断面図である。
【図３】本実施の形態に係る光ディスクの第１基板を第１情報記録層及び第１反射層と共に示す一部省略断面図である。
【図４】本実施の形態に係る光ディスクの第２基板を第２情報記録層及び第２反射層と共に示す一部省略断面図である。
【図５】本実施の形態に係る光ディスクのシステム・リードイン領域を一部省略して示す平面図である。
【図６】図５におけるＶＩ−ＶＩ上の断面図である。
【図７】本実施の形態に係る光ディスクのシステム・リードアウト領域を一部省略して示す平面図である。
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ上の断面図である。
【図９】本実施の形態に係る光ディスクの製造方法の一例を示す工程ブロック図である。
【図１０】本実施の形態に係る光ディスクに対する第１の記録及び／又は再生方法を示すフローチャート（その１）である。
【図１１】本実施の形態に係る光ディスクに対する第１の記録及び／又は再生方法を示すフローチャート（その２）である。
【図１２】本実施の形態に係る光ディスクに対する第２の記録及び／又は再生方法を示すフローチャートである。
【図１３】反射層の厚みに対するジッタの量の変化を示す一般的な特性図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１０…光ディスク                      １２…第１基板
１４…第１情報記録層                  １６…第２基板
１８…第２情報記録層                  ２２…情報記録領域
２４Ａ…システム・リードイン領域      ２４Ｂ…システム・リードアウト領域
２６…第１プリグルーブ                ２８…第２プリグルーブ
３０…第１反射層                      ３２…第２反射層
３６…レーザ光                        ４２Ａ…第１プリピット
４２Ｂ…第２プリピット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007280573.tif 000011
【図１０】
2007280573.tif 000012
【図１１】
2007280573.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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