(57)【要約】【課題】  電極膜としてのクロム膜を形成する際の引っ張り応力の発生を減少させ、ＣＩ値、温度特性などの特性劣化を防止することが可能な圧電振動片の製造方法を提供する。【解決手段】  ジャイロ振動片１０の駆動アーム１５Ｂの表裏面にクロム膜１９Ｂを２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成する。クロム膜１９Ｂは、スパッタリング装置５０を用い、スパッタリング法によって形成する。このときの、スパッタリング装置５０の容器５１内の圧力は、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の表面に、少なくともクロム（Ｃｒ）膜を有する電極膜を形成する圧電振動片の製造方法において、
前記クロム（Ｃｒ）膜を、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下の圧力の容器中でスパッタリング法によって形成することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記電極膜は、
前記圧電基板の表面に形成されたクロム（Ｃｒ）膜と、
前記クロム（Ｃｒ）膜上に形成された金（Ａｕ）膜と、を含むことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記クロム（Ｃｒ）膜、及び前記金（Ａｕ）膜を、それぞれ、前記圧力の前記容器中で前記スパッタリング法により形成することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記圧力の同一容器中で、
前記クロム（Ｃｒ）膜を形成する工程に続き、前記金（Ａｕ）膜を形成する工程を設けることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶のような圧電基板を用いた圧電振動片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動片の一例としての水晶振動片は、圧電基板としての水晶基板の表面に、水晶振動片を励振させるための励振電極などの電極膜が形成されている。この電極膜は、一般的に、金（Ａｕ）膜（以下、「金膜」という。）が用いられることが多いが、水晶基板と金との接合強度が弱いため、水晶基板及び金との接合強度を向上するための下地金属としてクロム（Ｃｒ）膜（以下、「クロム膜という。」が用いられる。即ち、水晶基板の表面に形成されたクロム膜と、そのクロム膜の表面に形成された金膜との二層構造となっている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
このクロム膜及び金膜は、それぞれの金属のターゲットを用い、真空中もしくは不活性ガス中におけるスパッタリング法によって成膜される。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２８４４６６号公報
【特許文献２】特開２００３−４６３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の背景技術に示したスパッタリング法によって形成された電極膜は、特に、クロム膜に大きな引っ張り応力が発生する。この引っ張り応力が、水晶振動片の特性に影響を与え、ＣＩ値（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）が高くなる、或いは、温度変化によるＣＩ値、共振周波数のばらつきが大きくなる（以下、「温度特性」という。）などの特性劣化を発生させることがあった。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、クロム膜を形成する際の引っ張り応力の発生を減少させ、ＣＩ値、温度特性などの特性劣化を防止することが可能な圧電振動片の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる問題を解決するために、本発明の圧電振動片の製造方法は、圧電基板の表面に、少なくともクロム（Ｃｒ）膜を有する電極膜を形成する圧電振動片の製造方法において、前記クロム（Ｃｒ）膜を、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下の圧力の容器中でスパッタリング法により形成することを特徴とする。
【０００７】
本発明の圧電振動片の製造方法によれば、０．２８Ｐａ以上０．３２Ｐａ以下の圧力（低圧力）で、スパッタリングによりクロム膜の形成を行うことで、スパッタリングの際の高速粒子がクロム膜の結晶格子内に入り込み易くなる。この粒子の入り込みによってクロム膜の体積が膨張し、この体積膨張が起こることによってクロム膜に圧縮応力を生じる。
この圧縮応力によって引っ張り応力が相殺され、引っ張り応力の少ない状態が形成されることになる。即ち、前述の圧力下でスパッタリング法によりクロム膜を形成することにより、引っ張り応力が小さく抑えられ、引っ張り応力によるＣＩ値、温度特性などの特性劣化の防止が可能な圧電振動片を提供することが可能となる。
【０００８】
また、前記電極膜は、前記圧電基板の表面に形成されたクロム（Ｃｒ）膜と、前記クロム（Ｃｒ）膜上に形成された金（Ａｕ）膜と、を含むこととしてもよい。
【０００９】
また、前記クロム（Ｃｒ）膜、及び前記金（Ａｕ）膜を、それぞれ、前記圧力の前記容器中で前記スパッタリング法により形成することが望ましい。
【００１０】
このようにすれば、クロム（Ｃｒ）膜に加えて、金（Ａｕ）膜の引っ張り応力も小さく抑えることが可能となり、電極膜としての引っ張り応力をさらに小さくすることが可能となる。
【００１１】
また、前記圧力の同一容器中で、前記クロム（Ｃｒ）膜を形成する工程に続き、前記金（Ａｕ）膜を形成する工程を設けることが望ましい。
【００１２】
このようにすれば、同一容器中で続けてクロム膜と金膜を形成することから、一定圧力でのスパッタリングを行うことができる。これにより、ばらつきが少ない二つの膜の形成、即ち、引っ張り応力のばらつきの少ない膜の形成を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る圧電振動片の製造方法の最良の形態について、圧電振動片の一例としてのジャイロ振動片を用い、以下に図面を用いて説明する。
【００１４】
（実施形態）
本発明に係る実施形態として、ジャイロ振動片の一例として、いわゆるダブルＴ（ダブル・ティー）型ジャイロ振動片を用いて説明する。先ず、ジャイロ振動片の構成について説明する。図１は、ジャイロ振動片の概略構造を模式的に示し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）に示すＡ−Ａ断面の拡大図である。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、ジャイロ振動片１０は、圧電基板の一例としての、１００μｍ（マイクロメートル）程度の厚さを有した水晶基板から形成されている。この水晶基板を形成する水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸、及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。ジャイロ振動片１０は、この水晶のＸ軸とＹ軸の平面方向に切り出されたＺカットの水晶基板のＸＹ平面内に形成されている。ジャイロ振動片１０は、所定の厚みの水晶基板で形成されている。ジャイロ振動片１０の平面形状は、水晶の結晶軸に合わせてＸＹ平面に展開され、中心点Ｇに対して１８０°点対称の形状をしている。中心点Ｇはジャイロ振動片１０の重心位置である。
【００１６】
ジャイロ振動片１０は、その略中央部に基部１２が形成されている。基部１２は、Ｘ軸方向とＹ軸方向にそれぞれ平行な端面をもつ矩形状で形成されている。基部１２には、基部１２のＹ軸に平行な２端面の中央からＸ軸に平行な方向に延出される連結アーム１３，１４が接続されている。さらに、基部１２には、基部１２のＸ軸に平行な２端面の中央からＹ軸に平行な方向に延出される検出部として、Ｙ軸プラス方向に検出アーム１６ＡとＹ軸マイナス方向に検出アーム１６Ｂとが接続されている。連結アーム１３，１４のそれぞれの先端には、連結アーム１３，１４に直交する方向に延出する１対の駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄが接続されている。連結アーム１３の先端には、Ｙ軸プラス方向に駆動アーム１５ＡとＹ軸マイナス方向に駆動アーム１５Ｂが接続されている。さらに、連結アーム１４の先端には、Ｙ軸プラス方向に駆動アーム１５ＣとＹ軸マイナス方向に駆動アーム１５Ｄが接続されている。
【００１７】
駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄは、所定の共振周波数の駆動振動が発生するように幅や長さなどの寸法が設定されている。駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄの表裏面には、駆動振動を発生させるための電極膜としての励振電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄが形成されている。
また、検出アーム１６Ａ，１６Ｂ、及び連結アーム１３，１４は、所定の共振周波数の検出振動が発生するように幅や長さなどの寸法が設定されている。検出アーム１６Ａ，１６Ｂの表裏面には、検出振動を発生させるための電極膜としての検出電極１８Ａ，１８Ｂが形成されている。
【００１８】
励振電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ、および検出電極１８Ａ，１８Ｂの構成について、図１（ｂ）に示す励振電極１７Ｂを一例として説明する。なお、他の励振電極１７Ａ，１７Ｃ，１７Ｄ、及び検出電極１８Ａ，１８Ｂも同様な構成である。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、励振電極１７Ｂは、駆動アーム１５Ｂの表裏面上に形成されたクロム（Ｃｒ）膜（以下、「クロム膜」という）１９Ｂと、クロム膜１９Ｂの表面上に形成された金（Ａｕ）膜（以下、「金膜」という）２０Ｂとから構成されている。クロム膜１９Ｂおよび金膜２０Ｂは、それぞれ、５０ｎｍ（ナノメートル）程度の厚さで形成されている。ここで、クロム膜１９Ｂは、金膜２０Ｂと水晶との接合をより強固にするため、金膜２０Ｂの下地金属として用いられている。クロム（Ｃｒ）は、金、及び水晶の双方に対して拡散が起こり易く、その拡散によって接合強度を得ることができる。従って、クロム膜１９Ｂは、金膜２０Ｂ、及び水晶の双方に対して十分な接合強度を得ることができる。これにより、水晶と金膜２０Ｂとは、クロム膜１９Ｂを介して十分な接合強度を得ることができる。
【００２０】
前述の電極膜の説明では、励振電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄおよび検出電極１８Ａ，１８Ｂを例として説明したが、図示しない水晶基板上に形成される他の電極、例えば、接続電極、導通電極なども同様な構成となっている。
【００２１】
続いて、ジャイロ振動片１０の振動動作について説明する。図２、及び図３は、本実施形態のジャイロ振動片１０の動作を模式的に説明するための平面図である。図２、及び図３においては、振動形態をわかりやすく表現するために、各振動腕は簡略化して線で表している。図１と同じ構成部分を同じ符号で示し、説明を省略する。
【００２２】
図２は、駆動振動を説明する図である。図２において、駆動振動は、駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄが矢印Ａ方向に振動する屈曲振動であって、実線で示す振動姿態と、二点鎖線で示す振動姿態を所定の周波数で繰り返している。このとき、駆動アーム１５Ａ，１５Ｂと駆動アーム１５Ｃ，１５Ｄとが、重心位置Ｇを通るＹ軸で線対称の振動を行っているので、基部１２、連結アーム１３，１４及び検出アーム１６Ａ，１６Ｂは、殆んど振動しない。
【００２３】
図３は、検出振動を説明する図である。図３において、検出振動は、実線で示す振動姿態と、二点鎖線で示す振動姿態を、前記駆動振動の周波数で繰り返している。検出振動は、ジャイロ振動片１０が図２に示した駆動振動を行っている状態で、ジャイロ振動片１０にＺ軸周りの回転角速度ωが加わった時、駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ及び１５Ｃ，１５Ｄに矢印Ｂで示す方向のコリオリ力が働くことによって発生する。
【００２４】
このことより、駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄが、矢印Ｂで示す振動を行う。矢印Ｂで示した振動は、重心位置Ｇに対して周方向の振動である。また同時に、検出アーム１６Ａ，１６Ｂは、矢印Ｃに示すように、矢印Ｂの振動に呼応して矢印Ｂとは周方向反対向きの振動を行う。
【００２５】
このとき、基部１２の周縁部は、駆動アーム１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄと検出アーム１６Ａ，１６Ｂとが図２で示したような振動をしたとき振動系としては釣り合いが取れた状態であるため振動しない。従って、この基部１２にジャイロ振動片１０を支持する支持部材を接続してもジャイロ振動片１０の振動に影響を与えることはない。
【００２６】
次に、ジャイロ振動片の製造方法を図面を用いて説明する。図４は、ジャイロ振動片の製造工程のうち、電極膜としての励振電極を形成する工程を示す工程フロー図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ断面の部位を示している。図５は、電極膜の形成に用いるスパッタリング装置の概略を示す断面図である。
【００２７】
先ず、この電極膜を一例とする薄膜の形成に用いるスパッタリング装置、およびスパッタリング法について図５を用い説明する。図５に示すように、スパッタリング装置５０は、容器（チャンバーともいう）５１内に設けられた電極板５３に固定されたターゲット５４、載置板５６に載置された水晶板（ジャイロ振動片）５７、及びシャッター５８などから構成されている。電極板５３は、絶縁体５２により容器５１と絶縁された状態で高周波電源５５と接続されている。ターゲット５４は、形成される薄膜と同じ成分の材料（クロム膜を形成したい場合は、クロム）からなり、水晶板５７とほぼ平行となるように電極板５３に固定されている。シャッター５８は、ターゲット５４と水晶板５７との間に出し入れすることで薄膜の形成を制御する。さらに、容器５１には、バルブ６３を介したアルゴンガス供給装置６０及びバルブ６２を介した排気装置５９が接続されている。
【００２８】
次にスパッタリング法による薄膜の形成について説明する。容器５１内の空気を排気装置５９によって排気し、所定の圧力となった後、アルゴンガス供給装置６０から希薄なアルゴンガスを導入し、グロー放電などによりアルゴンのプラズマ６１を発生させる。プラズマ化したアルゴンのイオンは、プラズマ６１の中で加速され、ターゲット５４に高速で衝突する。この衝突により、叩き出されたターゲット５４の原子或いは分子が、対向している水晶板５７の表面に達してその上に付着、堆積することによって、ターゲット５４と同じ成分の薄膜が形成される。
【００２９】
次に、ジャイロ振動片１０の励振電極１７Ｂを形成する工程を図４に沿って説明する。
ジャイロ振動片１０の製造は、励振電極１７Ｂの形成に先立って、ジャイロ振動片１０の外形形状を形成するが、本説明では省略し励振電極１７Ｂを形成する工程について説明する。なお、本説明では、駆動アーム１５Ｂに形成する励振電極１７Ｂを用いて説明しているが、他の電極膜も同時に同様に形成する。
【００３０】
先ず、図４（ａ）に示すように、外形形状が形成されたジャイロ振動片１０の駆動アーム１５Ｂの表裏面にクロム膜１９Ｂを２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成する。クロム膜１９Ｂは、図５に示すスパッタリング装置５０を用い、スパッタリング法によって形成する。このときの、スパッタリング装置５０の容器５１内の圧力は、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とする。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示すように、クロム膜１９Ｂの表面上に金膜２０Ｂを５０ｎｍ程度の厚さに形成する。金膜２０Ｂは、前述のクロム膜１９Ｂの形成と同様に、図５に示すスパッタリング装置５０を用い、スパッタリング法によって形成する。このときの、スパッタリング装置５０の容器５１内の圧力は、前述のクロム膜１９Ｂの形成と同様な、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とする。クロム膜１９Ｂの形成から金膜２０Ｂの形成への変更は、ターゲット５４をクロムから金に変更することで行うことができる。
【００３２】
次に、図示しないフォトレジストをマスクとして金膜２０Ｂ及びクロム膜１９Ｂをエッチング加工する。このエッチング加工により、フォトレジストの窓開き部に対応する金膜２０Ｂ、及びクロム膜１９Ｂを除去し、図４（ｃ）に示すように、所定の形状のクロム膜１９Ｂ、及び金膜２０Ｂから構成される励振電極１７Ｂを形成する。
【００３３】
ここで、前述のスパッタリング法におけるスパッタリング装置５０の容器５１内の圧力について説明する。この圧力範囲の適用は、駆動アーム１５Ｂの表面に形成するクロム膜１９Ｂに発生する引っ張り応力を小さく抑え、この引っ張り応力によってジャイロ振動片を構成する水晶基板に発生する反りを小さくするためである。この反りは、ジャイロ振動片１０の特性のうち、温度変化によりＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値が変動する、いわゆるＣＩ値―温度特性に影響を与えることが知られている。
【００３４】
図６に示すグラフは、水晶基板の反り量（ｍｍ）とジャイロ振動片１０のＣＩ値―温度特性の変化率（％）との相関を示す図である。また、図７に示すグラフは、スパッタリングによりクロム膜１９Ｂを形成するときの容器５１内の圧力（Ｐａ）とジャイロ振動片１０を構成する水晶基板の反り量（ｍｍ）との相関を示す図である。ジャイロ振動片１０を使用する電子機器では、このＣＩ値―温度特性を１０％以下に抑えることが求められている。
【００３５】
図６のグラフに示すように、ＣＩ値―温度特性を１０％以下に抑えるためには、水晶基板の反り量を０．０２３ｍｍ以下とすることが必要となる。図７のグラフに示すように、スパッタリングによりクロム膜１９Ｂを形成するときの容器５１内の圧力（Ｐａ）を０．２８Ｐａ以上０．３２Ｐａ以下の範囲とすることで、水晶基板の反り量を０．０２３ｍｍ以下に抑えることが可能となる。
【００３６】
前述の圧電振動片の一例としてのジャイロ振動片１０の製造方法によれば、クロム膜１９Ｂの形成の際の圧力を、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とすることにより、クロム膜１９Ｂの引っ張り応力を減少させることが可能となる。このクロム膜１９Ｂの引っ張り応力の減少により、水晶基板の反りの発生を抑え、ジャイロ振動片１０のＣＩ値―温度特性を１０％以下とすることが可能となる。
【００３７】
詳述すると、スパッタリングの際の容器５１内の圧力を低圧とすることで、スパッタリングの際の高速粒子がクロム膜１９Ｂの結晶格子内に入り込み易くなる。この粒子の入り込み（釘打ち効果とも言われる）によってクロム膜１９Ｂの体積が膨張し、この体積膨張が起こることによって圧縮応力を生じる。この圧縮応力によって引っ張り応力が相殺され、引っ張り応力の少ない状態が形成されることになる。これにより、前述の圧力下でスパッタリング法によりクロム膜１９Ｂを形成することにより、引っ張り応力が小さく抑えられ、この引っ張り応力によるＣＩ値、温度特性などの特性劣化を防止することが可能なジャイロ振動片１０を提供することが可能となる。
【００３８】
なお、さらに容器５１内の圧力を低圧（０．２８Ｐａ未満）とすると、圧縮応力が大きくなり、引っ張り応力の際とは逆方向のそりが発生することになる。このため、圧縮応力と引っ張り応力が相殺され、水晶基板に反りの発生しない容器５１内の圧力は、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下の範囲内であることが必要となる。
【００３９】
さらに、クロム膜１９Ｂに加えて、金膜２０Ｂの形成の際の圧力を、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とすることにより、クロム膜１９Ｂの引っ張り応力の減少に加えて、金膜２０Ｂの引っ張り応力をも減少させることができる。これにより、電極膜としての励振電極１７Ｂとしての引っ張り応力をさらに小さくすることが可能となる。
【００４０】
また、前述では、ジャイロ振動片を一例として説明したが、他の圧電振動片、例えば、音叉型水晶振動片などにおいても同様な効果を得ることができる。
（実施例）
【００４１】
前述の実施形態に示したスパッタリング装置の容器内の圧力により形成した電極膜による水晶基板の反りの発生を確認するため、測定サンプルを作成し確認した。この測定サンプルは、３６ｍｍ×３２ｍｍ×０．１ｍｍ（厚さ）の矩形状の水晶基板の一面に膜厚２０ｎｍのクロム膜をスパッタリング法により形成した。測定サンプルは、前述の実施形態に示す容器内の圧力である０．３Ｐａでクロム膜を形成した実施例サンプルと、比較例として、従来から用いられている容器内の圧力である０．６５Ｐａでクロム膜を形成した比較サンプルと、を用意した。また、容器内の圧力を除く他のスパッタリング条件は、実施例サンプル、比較サンプルともに同じ条件でクロム膜を形成した。
【００４２】
実施例サンプル、及び比較サンプルの水晶基板の変形量（反り量）を、非接触３次元測定装置を用い測定した結果を表すグラフを図８、図９に示す。図８は、実施例サンプルの水晶基板の反りの状態を表すグラフであり、図９は、比較サンプルの水晶基板の反りの状態を表すグラフである。
【００４３】
図８によれば、実施例サンプルの反りは殆ど発生しておらず、具体的には、水晶基板の反りによる面内Ｒを０．０１５ｍｍ以下にすることができた。換言すれば、クロム膜をスパッタリングにより形成することによる引っ張り応力が殆んど発生していないことになる。同様に比較サンプルの反り量を示す図９によれば、水晶基板は、クロム膜の引っ張り応力により、水晶基板の面内Ｒが０．１６ｍｍ程度の図示下方向に凹となるような反りが発生している。実施サンプルと比較例サンプルとの水晶基板の反りの発生状況から、０．３Ｐａの容器内圧力でスパッタリングによるクロム膜を形成すれば、殆んど引っ張り応力は発生せず、比較サンプルと比べても著しい改善効果が見られることを確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施形態としてのジャイロ振動片の概略構造を模式的に示し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）に示すＡ−Ａ断面の拡大図。
【図２】ジャイロ振動片の駆動振動を模式的に説明するための平面図。
【図３】ジャイロ振動片の検出振動を模式的に説明するための平面図。
【図４】ジャイロ振動片の製造工程のうち、電極膜としての励振電極を形成する工程を示す工程フロー図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ断面の部位を示す。
【図５】スパッタリング装置の概略を示す断面図。
【図６】水晶基板の反り量（ｍｍ）とジャイロ振動片のＣＩ値―温度特性の変化率（％）との相関を示すグラフ。
【図７】スパッタリングによりクロム膜を形成するときの容器内の圧力（Ｐａ）とジャイロ振動片を構成する水晶基板の反り量（ｍｍ）との相関を示すグラフ。
【図８】実施例サンプルの水晶基板の反りの状態を表すグラフ。
【図９】比較サンプルの水晶基板の反りの状態を表すグラフ。
【符号の説明】
【００４５】
１０…圧電振動片としてのジャイロ振動片、１２…基部、１３，１４…支持梁としての支持アーム、１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ…駆動部としての駆動アーム、１６Ａ，１６Ｂ…検出部としての検出アーム、１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ…励振電極、１８Ａ，１８Ｂ…検出電極、１９Ｂ…クロム（Ｃｒ）膜、２０Ｂ…金（Ａｕ）膜、５０…スパッタリング装置、５１…容器、５２…絶縁体、５３…電極板、５４…ターゲット、５５…高周波電源、５６…載置板、５７…水晶板、５８…シャッター、５９…排気装置、６０…アルゴンガス供給装置、６１…プラズマ、６２，６３…バルブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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