(57)【要約】【課題】本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品のＱ値向上を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体３と、この支持体３の中部３Ｂ表面に設けたコイル４Ａと、前記支持体３の両端部３Ａ表面の一部に設けると共に前記コイル４Ａと電気的に接続した電極６とを有し、前記支持体３の中部３Ｂと両端部３Ａとの境に溝３Ｃを設けたものであり、両端部に金属膜を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないという効果を有する。【選択図】図８
2007012956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の支持体と、この支持体の中部表面に設けたコイルと、前記支持体の両端部表面の一部に設けると共に前記コイルと電気的に接続した電極とを有し、前記コイルと電極間に対応する支持体の外周部分に溝を設けたコイル部品。
【請求項２】
電極の抵抗率がコイルよりも高い請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
コイルを覆う絶縁層を設けた請求項１に記載のコイル部品。
【請求項４】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記支持体にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記絶縁層を除去し、その後前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極を形成し、次に前記支持体の中部に形成した金属膜を前記電極との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項５】
金属膜を形成する金属と電極を形成する金属とが同元素である請求項４に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項６】
電極はペーストにより形成する請求項４に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項７】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記支持体にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記絶縁層を除去し、その後前記金属膜を電気めっきにより厚くし、次に前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極を形成し、その後前記支持体の中部に形成した金属膜を前記電極との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項８】
金属膜を形成する金属と電極を形成する金属とが同元素である請求項７に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項９】
電極はペーストにより形成する請求項７に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１０】
支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記支持体にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように第１の絶縁層を形成し、その後この第１の絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記第１の絶縁層を除去し、その後前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極を形成し、次に前記支持体の中部に形成した金属膜を前記電極との接合部を残しつつ、らせん形状に成型し、その後前記金属膜を覆う第２の絶縁層を形成するコイル部品の製造方法。
【請求項１１】
金属膜を形成する金属と電極を形成する金属とが同元素である請求項１０に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１２】
電極はペーストにより形成する請求項１０に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１３】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記金属膜内部にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極を形成し、その後前記支持体の中部に形成した金属膜及びその表面に形成した絶縁層を前記電極と前記金属膜との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項１４】
金属膜を形成する金属と電極を形成する金属とが同元素である請求項１３に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１５】
電極はペーストにより形成する請求項１３に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１６】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記金属膜内部にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極をペーストにより形成すると共に焼成し、その後前記支持体の中部に形成した金属膜を前記電極と前記金属膜との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項１７】
金属膜を形成する金属と電極を形成する金属とが同元素である請求項１６に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１８】
電極はペーストにより形成する請求項１６に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１９】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記金属膜内部にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記絶縁層を除去し、その後前記金属膜を電気めっきにより厚くし、次に前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極を形成し、その後前記支持体の中部に形成した金属膜及びその表面に形成した絶縁層を前記電極と前記金属膜との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項２０】
金属膜と電極とが同元素の金属材料である請求項１９に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項２１】
電極はペーストにより形成する請求項１９に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項２２】
柱状の支持体を形成し、次にこの支持体の表面に金属膜を形成し、その後前記支持体の中部と両端部との境に前記金属膜表面から前記金属膜内部にまで達する溝を形成し、次に一方の溝から他方の溝までを覆うように絶縁層を形成し、その後この絶縁層を形成していない部分の金属膜を除去し、次に前記絶縁層を除去し、その後前記金属膜を電気めっきにより厚くし、次に前記支持体の両端部の一部に前記金属膜と接合するように電極をペーストにより形成すると共に焼成し、その後前記支持体の中部に形成した金属膜を前記電極と前記金属膜との接合部を残しつつ、らせん形状に成型するコイル部品の製造方法。
【請求項２３】
金属膜と電極とが同元素の金属材料である請求項２２に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項２４】
電極はペーストにより形成する請求項２２に記載のコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のコイル部品は、図２８（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるようなセラミックなどからなる支持体１に、図２９（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるように金属膜２を全体に形成し、その後図３０（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示されるように、図２８における中部１Ｂに形成した金属膜２をらせん形状にカットしてコイル２Ａが形成されていた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２７０２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のコイル部品はＱ値が低いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成のコイル部品に電流を流すと、支持体１の両端部１Ａに形成された金属膜２において渦電流が発生し、コイル２Ａで発生させる磁界が遮断されてしまい、Ｑ値が悪くなっていた。
【０００６】
また、これを避けるため、支持体１に金属膜２を形成した後、図３１に示すように中部１Ｂをレジストなどで保護して両端部１Ａ表面の金属膜２のみをエッチング液で除去して渦電流を抑えようとしても、横からのエッチングによる中部１Ｂ表面の金属膜２（後にコイル２Ａとなる）の侵食を避けるために、レジストを多めに、あるいはエッチングする時間を少なめにする必要があり、結果として両端部１Ａ表面の金属膜２を中部１Ｂとの境目で綺麗に取り除くことができず、渦電流を発生させ、Ｑ値を下げてしまう。
【０００７】
さらに、支持体１の中部１Ｂのみにペーストにより金属膜２を形成しようとしても、中部１Ｂと両端部１Ａとの境に塗りムラなくペーストするのはきわめて難しく、中部１Ｂの表面の金属膜２が足りなければ、コイル２Ａの断線を生み、逆に両端部１Ａに金属膜２Ａがついてしまえば、渦電流を発生させ、Ｑ値を下げてしまう。その上、ペーストにより形成された金属膜は高抵抗となるためＱ値も低くなってしまう。
【０００８】
そこで本発明は、このようなコイル部品において、Ｑ値を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明は、支持体と、この支持体の中部表面に設けたコイルと、前記支持体の両端部表面の一部に設けると共に前記コイルと電気的に接続した電極とを有し、前記支持体の中部と両端部との境に溝を設けたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のコイル部品は、支持体の両端部と中部との境に、溝を設けておくことにより、金属膜の形成部と非形成部との見切りを、その溝に沿って綺麗に形成することができるため、両端部に金属膜を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるコイル部品について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
まず、図１（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、両端部３Ａと、両端部３Ａよりも細い中部３Ｂを有する柱状の支持体３を形成する。両端部３Ａと中部３Ｂとは同じ太さでも構わないが、中部３Ｂを細くしておいた方が、Ｐ板等への実装時において有利である。
【００１３】
支持体３の形成方法としては、例えばセラミック粉末を造粒して２０〜３０μｍ程度の粒子にし、それを金型に入れて焼成する等して形成することができる。
【００１４】
この支持体３は、非磁性体であっても磁性体であってもいずれでもよいが、高い周波数帯域(ＧＨｚ帯域)で高いＱが必要な場合は、周波数に追従できない磁性体は損失となるため、周波数とは関係のない非磁性体を用いることが望ましく、それほど高くない周波数帯域（ＭＨｚ帯域）で高いＱ特性やＬ特性などを必要とする場合は、支持体３の磁性分も利用すべく磁性体を用いることが望ましい。
【００１５】
非磁性体としては、エポキシ、ポリイミドなどの有機系の絶縁材料、各種のガラス材料、さらにはガラスとセラミックを混合したガラスセラミックス、ＣｕＺｎ系フェライトあるいはアルミナに代表されるようなセラミックなどの無機系の絶縁材料などがあるが、有機系の絶縁材料を用いると軽量化が可能といったメリットがあり、セラミック系を用いると、熱プロセスに強いといった効果がある。
【００１６】
磁性体としては、ＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系、ＭｎＺｎ系などのスピネル系や六方晶系などのフェライト材料や、Ｆｅ系、Ｃｏ基やセンダストやパーマロイなどの金属系材料を用いることができ、その中でもＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系を用いると絶縁性が高いというメリットがあり望ましい。
【００１７】
ここで、この支持体３には誘電率の低いものを用いることにより、コイル間の浮遊容量を低減することができ、コイルの自己共振周波数を高めることやコイルの高周波特性を改善することが可能になる。逆に、誘電率の高い材料を用いた場合は、浮遊容量とコイルの共振周波数を適宜調整することにより、様々な電気特性のコイル部品を得ることが可能となる。即ち、インピーダンスが大きくなる周波数帯域を、Ｌ値や支持体３の誘電率の変更により調整が可能となる。また、浮遊容量を調整することにより、等価回路的に複合部品的な電気特性を確保することができる。
【００１８】
次に、図２（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１における支持体３の全面に金属膜４を形成する。
【００１９】
この金属膜４の材料としては、銅、銅合金、銀、銀とパラジウムの合金や銀と白金の合金あるいは白金のような電気伝導率が高いものが望ましく、その中でも、純銀、純銅などは特に導電率が高いため望ましい。
【００２０】
金属膜４は、めっき法を用いて形成する場合、支持体３に無電解めっき法でまず下地電極層（図示せず）を薄く形成し、この下地電極層（図示せず）をめっき用の電極として金属膜４を電気めっき法で形成すると、厚みを持った金属膜４を容易に形成することができる。この場合に、下地電極層（図示せず）としてニッケルまたは銅あるいはこれらの複層などを用いることができる。また、下地電極層（図示せず）の形成を乾式方法で行った場合は、溶液処理が不要で工程も短いというメリットがある。
【００２１】
その後、図３（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１における両端部３Ａと中部３Ｂの境目に金属膜４表面から支持体３にまで達する溝３Ｃを形成する。形成方法としてはＹＡＧレーザーを用いると細い溝３Ｃを形成することができ好ましい。
【００２２】
次に、図４（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１における中部３Ｂと図３における２本の溝３Ｃとを覆うようにマスク５を形成する。マスク５にはレジスト剤などを用いる。
【００２３】
その後、図５（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、マスク５を形成しなかった両端部３Ａ上の金属膜４をエッチングにより除去して支持体３の表面を露出させる。この時、図１０に示すように、マスク５が中部３Ｂ上の金属膜４を覆うように形成されているため、エッチング液などによる横からの侵食がないという効果を有する。横から侵食があると、後に中部３Ｂ上に形成した金属膜４をコイル（後の工程で示す）にした場合に、その侵食部分がコイル（後の工程で示す）の断線部となってしまう可能性があるが、溝３Ｃを設け、図１０に示すごとく中部３Ｂ上の金属膜４を覆うようにマスク５で保護することにより横からの侵食がなく、そのような断線の心配もない。
【００２４】
また、断線を恐れてマスク５を多めに塗る、あるいはエッチング液に浸す時間を短くすることも考えられるが、そうすると、両端部３Ａに形成した金属膜４を余分に残すことになるため渦電流の原因となり、コイル（後の工程で示す）が発生する磁束を妨げてしまい、Ｑ値を下げる原因となってしまう。しかし、溝３Ｃを設けておくことにより、金属膜４の形成部と非形成部との境目を、その溝３Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがない。
【００２５】
次に、図６（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図５におけるマスク５を除去する。マスク５としてレジスト剤を用いていた場合は、アルカリ溶液に浸すなどして除去する。さらに、マスク５を除去した後、中部３Ｂ上の金属膜４の厚みを電気めっきなどによりさらに厚くすると、低抵抗のコイル（後の工程で示す）を形成することができ望ましい。
【００２６】
その後、図７（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、支持体３の両端部３Ａに電極６を形成する。この時、電極６の材料には金属膜４の材料と同じものを用いても構わないが、金属膜４の材料よりも高抵抗のものを用いておくことにより、両端部３Ａ上における渦電流の発生量を減らすことができ、コイル（後の工程で示す）で発生した磁束を妨げることがなくＱ値を下げないため望ましい。
【００２７】
また、この電極６を両端部３Ａの全体ではなく、引出電極（後の工程で示す）との接続部分であり且つＰ板（図示せず）への実装部分のみに形成することにより、渦電流の発生をさらに減らすことができる。
【００２８】
また、この電極６はペーストにより形成することが望ましい。一般にペーストを用いた場合は、空隙やガラスフリットのかけらが残存するため、同種の材料を用いてめっきした場合に比べて高抵抗となり、渦電流を発生しにくくするため、Ｑ値の向上を可能にしている。さらに、ペーストを用いた場合、めっき工法に比べて支持体３と電極６との密着性を向上させることができるという効果を有する。そして、金属膜４あるいは電極６のいずれかに銅などの酸化しやすい金属を用いた場合には、窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。銀などの酸化しにくい金属を用いた場合は大気雰囲気中でも構わない。
【００２９】
さらに、電極６を形成した後、金属膜４および電極６の厚みを電気めっきなどによりさらに厚くすると、金属膜４と電極６とを一体化することができ、これらの接続信頼性を高めることができ望ましい。
【００３０】
次に、図８（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、中部３Ｂ上の金属膜４から、らせん状のコイル４Ａと、その両端の引出電極４Ｂとを形成する。形成方法としては、全面にレジストを塗り、らせん状に紫外線を照射した後、アルカリ溶液などに浸してエッチングする方法や、レーザー照射によりカットする方法があるが、ＹＡＧレーザーを用いて形成する方法が細い加工を可能にするためコイル４Ａの巻き数を多くすることができ、大きなＱ値を取ることができて好ましい。
【００３１】
また、図１０のごとく中部３Ｂ上の金属膜４を横からの侵食から保護していたため、引出電極４Ｂと電極６との接合度の向上を可能にしている。
【００３２】
さらに、金属膜４をらせん状のコイル４Ａにパターン化した後に、コイル４Ａなどをエッチングすることによりバリ等を取り除き、電極表面を滑らかにすることで、絶縁層（後の工程で示す）でバリ等を覆う必要が無い分、その絶縁層（後の工程で示す）を薄く形成することを可能にしている。特に、レーザー照射によりコイル４Ａを形成した場合、バリが多くなるため、この効果は顕著となる。
【００３３】
また、支持体３の表面に付着した金属などを除去しておくことで渦電流の発生を防ぎ、コイル４Ａの磁束を妨げることがなく、Ｑ値を向上させることができる。特に、レーザー照射によりコイル４Ａを形成した場合、飛散物が多いため、この効果は顕著となる。
【００３４】
その後、図９（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図８における中部３Ｂに形成したコイル４Ａ、引出電極４Ｂの表面を絶縁層７で覆うことにより、コイル４Ａや引出電極４Ｂを被覆絶縁化することができる。そうすることにより実装時に他の部品に影響を与えないため高密度実装を可能にしており、その他、特性の安定化、コイル４Ａの保護などを可能にしている。さらに、電極６にニッケル層（図示せず）と錫層（図示せず）を形成する場合などにおいても、そのニッケル層（図示せず）や錫層（図示せず）をコイル４Ａに付着させる心配がないという効果がある。
【００３５】
このような構成により、金属膜４の形成部と非形成部との見切りを、溝３Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないコイル部品を実現することができる。
【００３６】
また、溝３Ｃを設け、中部３Ｂ上の金属膜４を覆うようにマスク５で保護することにより、エッチング液による横からの侵食を防ぎ、コイル４Ａの断線を防ぐことができる。
【００３７】
その上、コイル４Ａを太くするなどして低抵抗にすることでＱ値を大きくし、逆に電極６をペーストにより形成して高抵抗にすることで渦電流を減少させ、さらにＱ値を向上させることを可能にしている。
【００３８】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるコイル部品について図面を参照しながら説明する。
【００３９】
まず、図１１（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、両端部３Ａと、両端部３Ａよりも細い中部３Ｂを有する柱状の支持体３を形成する。両端部３Ａと中部３Ｂとは同じ太さでも構わないが、中部３Ｂを細くしておいた方が、Ｐ板等への実装時において有利である。
【００４０】
支持体３の形成方法としては、例えばセラミック粉末を造粒して２０〜３０μｍ程度の粒子にし、それを金型に入れて焼成する等して形成することができる。
【００４１】
この支持体３は、非磁性体であっても磁性体であってもいずれでもよいが、高い周波数帯域(ＧＨｚ帯域)で高いＱが必要な場合は、周波数に追従できない磁性体は損失となるため、周波数とは関係のない非磁性体を用いることが望ましく、それほど高くない周波数帯域（ＭＨｚ帯域）で高いＱ特性やＬ特性などを必要とする場合は、支持体３の磁性分も利用すべく磁性体を用いることが望ましい。
【００４２】
非磁性体としては、エポキシ、ポリイミドなどの有機系の絶縁材料、各種のガラス材料、さらにはガラスとセラミックを混合したガラスセラミックス、ＣｕＺｎ系フェライトあるいはアルミナに代表されるようなセラミックなどの無機系の絶縁材料などがあるが、有機系の絶縁材料を用いると軽量化が可能といったメリットがあり、セラミック系を用いると、熱プロセスに強いといった効果があり望ましい。
【００４３】
磁性体としては、ＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系、ＭｎＺｎ系などのスピネル系や六方晶系などのフェライト材料や、Ｆｅ系、Ｃｏ基やセンダストやパーマロイなどの金属系材料を用いることができ、その中でもＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系を用いると絶縁性が高いというメリットがあり望ましい。
【００４４】
ここで、この支持体３には誘電率の低いものを用いることにより、コイル間の浮遊容量を低減することができ、コイルの自己共振周波数を高めることやコイルの高周波特性を改善することが可能になる。逆に、誘電率の高い材料を用いた場合は、浮遊容量とコイルの共振周波数を適宜調整することにより、様々な電気特性のコイル部品を得ることが可能となる。即ち、大きなインピーダンスとなる周波数帯域を、Ｌ値や支持体３の誘電率の変更により調整が可能となる。また、浮遊容量を調整することにより、等価回路的に複合部品的な電気特性を確保することができる。
【００４５】
次に、図１２（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１１における支持体３の全面に金属膜４を形成する。
【００４６】
この金属膜４の材料としては、銅、銅合金、銀、銀とパラジウムの合金や銀と白金の合金あるいは白金のような電気伝導率が高いものが望ましく、その中でも、純銀、純銅などは特に導電率が高いため望ましい。
【００４７】
金属膜４は、めっき法を用いて形成する場合、支持体３に無電解めっき法でまず下地電極層（図示せず）を薄く形成し、この下地電極層（図示せず）をめっき用の電極として金属膜４を電気めっき法で形成すると、厚みを持った金属膜４を容易に形成することができる。この場合に、下地電極層（図示せず）としてニッケルまたは銅あるいはこれらの複層などを用いることができる。また、下地電極層（図示せず）の形成を乾式方法で行った場合は、溶液処理が不要で工程も短いというメリットがある。
【００４８】
その後、図１３（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１１における両端部３Ａと中部３Ｂの境目に金属膜４表面から金属膜４の中にまで達する溝４Ｃを形成する。形成方法としてはＹＡＧレーザーを用いると細い溝４Ｃを形成することができ好ましい。
【００４９】
次に、図１４（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１３における中部３Ｂと２本の溝４Ｃとを覆うようにマスク５を形成する。マスク５にはレジスト剤などを用いる。
【００５０】
その後、図１５（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、マスク５を形成しなかった両端部３Ａ上の金属膜４をエッチングにより除去して支持体３の表面を露出させる。この時、図１９に示すように、マスク５が中部３Ｂ上の金属膜４を保護するように形成されているため、図１０に示すように、中部３Ｂ上の金属膜４を全て覆うわけではないため横からの侵食はゼロではないが、図３１に示すような従来の構成と比べて、エッチング液などによる横からの侵食が少ないという効果を有する。横から大きな侵食があると、後に中部３Ｂ上に形成した金属膜４をコイル（後の工程で示す）にした場合に、その侵食部分がコイル（後の工程で示す）の断線部となってしまう可能性があるが、溝４Ｃを設け、図１９に示すごとく中部３Ｂ上の金属膜４を保護するようにマスク５で保護することにより横からの侵食を減らし、そのような断線の可能性を低減することができる。
【００５１】
また、断線を恐れてマスク５を多めに塗る、あるいはエッチング液に浸す時間を短くすることも考えられるが、そうすると、両端部３Ａに形成した金属膜４を余分に残すことになるため渦電流の原因となり、コイル（後の工程で示す）が発生する磁束を妨げてしまい、Ｑ値を下げる原因となってしまう。しかし、溝４Ｃを設けておくことにより、金属膜４の形成部と非形成部との境目を、その溝４Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがない。
【００５２】
次に、図１６（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、マスク５をつけたまま支持体３の両端部３Ａに電極６を形成する。マスク５をつけたままでも可能である理由は、溝４Ｃが支持体３まで達していないために、図１９に示すごとく電極６と金属膜４とを電気的に接合できるためである。この時、電極６は金属膜４と同元素の金属を用いたとしても空隙やガラスフリットを有する分高抵抗となっており、渦電流を減らしＱ値を向上させることを可能としている。電極６と金属膜４を同元素で構成した場合は、コイル（後の工程で示す）において合金を形成しないというメリットがある。合金を形成してしまうと、導電率が下がるという問題と、融点が下がることで耐熱性が悪く、正確なコイル形状を保てないという問題を有する。よって、同元素で構成した場合、これらの問題点を回避することができる。一方、金属膜４よりも高抵抗のものを用いた場合、両端部３Ａ上における渦電流の発生量をより減らすことができ、コイル（後の工程で示す）で発生した磁束を妨げることがなくＱ値を下げないという効果を有する。
【００５３】
また、この電極６を両端部３Ａの全体ではなく、引出電極（後の工程で示す）との接続部分であり且つＰ板（図示せず）への実装部分のみに形成することにより、渦電流の発生をさらに減らすことができる。
【００５４】
また、この電極６は乾燥型のペーストにより形成する。一般にペーストを用いた場合は、空隙やガラスフリットのかけらが残存するため、同種の材料を用いてめっきした場合に比べて高抵抗となり、渦電流を発生しにくくするため、Ｑ値の向上を可能にしている。さらに、ペーストを用いた場合、めっき工法に比べて支持体３と電極６との密着性を向上させることができるという効果を有する。
【００５５】
その後、図１７（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、マスク５をつけたまま、中部３Ｂ上の金属膜４を、らせん状のコイル５Ａと、その両端の引出電極５Ｂとに形成する。形成方法としては、レーザー照射によりカットする方法や、マスク５がレジストの場合、らせん状に紫外線を照射した後、アルカリ溶液などに浸してエッチングする方法があるが、ＹＡＧレーザーを用いて形成する方法が細い加工を可能にするためコイル５Ａの巻き数を多くすることができ、大きなＬ値を取ることができて好ましい。コイル５Ａを形成した後、マスク５を除去することでレーザー加工によるパターン化時の飛散物除去が容易になる。これはマスク５が残したい金属膜４の表面を覆っているためで、飛散物はマスク５に付着し、マスク５を除去したときに飛散物も同時に除去することができる。
【００５６】
また、図１９のごとく中部３Ｂ上の金属膜４を横からの侵食から保護していたため、引出電極５Ｂと電極６との接合度の向上を可能にしている。
【００５７】
また、支持体３の表面に付着した金属などを除去しておくことで渦電流の発生を防ぎ、コイル５Ａの磁束を妨げることがなく、Ｑ値を向上させることができる。特に、レーザー照射によりコイル５Ａを形成した場合、飛散物が多いため、この効果は顕著となる。
【００５８】
その後、図１８（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図１７における中部３Ｂに形成したコイル５Ａ、引出電極５Ｂの表面を絶縁層７で覆うことにより、コイル５Ａや引出電極５Ｂを被覆絶縁化することができる。そうすることにより実装時に他の部品に影響を与えないため高密度実装を可能にしており、その他、特性の安定化、コイル５Ａの保護などを可能にしている。さらに、電極６にニッケル層（図示せず）と錫層（図示せず）を形成する場合などにおいても、そのニッケル層（図示せず）や錫層（図示せず）をコイル５Ａに付着させる心配がないという効果がある。
【００５９】
このような構成により、金属膜４の形成部と非形成部との見切りを、溝４Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないコイル部品を実現することができる。
【００６０】
また、溝４Ｃを設け、中部３Ｂ上の金属膜４を覆うようにマスク５で保護することにより、エッチング液による横からの侵食を防ぎ、コイル４Ａの断線を防ぐことができる。
【００６１】
その上、コイル４Ａを太くするなどして低抵抗にすることでＱ値を大きくし、逆に電極６をペーストにより形成して高抵抗にすることで渦電流を減少させ、さらにＱ値を向上させることを可能にしている。
【００６２】
また、溝４Ｃは支持体３まで形成せず、金属膜４までで留めているため、マスク５を除去する工程を省いて、Ｑ値の高いコイル部品を提供することができる。
【００６３】
なお、図１２において金属膜４を薄く形成しておき、図１５のエッチング工程を経た後マスク５を剥がして電気めっきなどにより太らせる工程にすると、図１２における金属膜４が薄い分、図１５のエッチング工程において金属膜４の横からのエッチングを少なくすることができコイル４Ａの断線を防ぐことができる。
【００６４】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるコイル部品について図面を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、図２０（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、両端部３Ａと、両端部３Ａよりも細い中部３Ｂを有する柱状の支持体３を形成する。両端部３Ａと中部３Ｂとは同じ太さでも構わないが、中部３Ｂを細くしておいた方が、Ｐ板等への実装時において有利である。
【００６６】
支持体３の形成方法としては、例えばセラミック粉末を造粒して２０〜３０μｍ程度の粒子にし、それを金型に入れて焼成する等して形成することができる。
【００６７】
この支持体３は、非磁性体であっても磁性体であってもいずれでもよいが、高い周波数帯域(ＧＨｚ帯域)で高いＱが必要な場合は、周波数に追従できない磁性体は損失となるため、周波数とは関係のない非磁性体を用いることが望ましく、それほど高くない周波数帯域（ＭＨｚ帯域）で高いＱ特性やＬ特性などを必要とする場合は、支持体３の磁性分も利用すべく磁性体を用いることが望ましい。
【００６８】
非磁性体としては、エポキシ、ポリイミドなどの有機系の絶縁材料、各種のガラス材料、さらにはガラスとセラミックを混合したガラスセラミックス、ＣｕＺｎ系フェライトあるいはアルミナに代表されるようなセラミックなどの無機系の絶縁材料などがあるが、有機系の絶縁材料を用いると軽量化が可能といったメリットがあり、セラミック系を用いると、熱プロセスに強いといった効果があり望ましい。
【００６９】
磁性体としては、ＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系、ＭｎＺｎ系などのスピネル系や六方晶系などのフェライト材料や、Ｆｅ系、Ｃｏ基やセンダストやパーマロイなどの金属系材料を用いることができ、その中でもＮｉＺｎ系やＮｉＺｎＣｕ系を用いると絶縁性が高いというメリットがあり望ましい。
【００７０】
ここで、この支持体３には誘電率の低いものを用いることにより、コイル間の浮遊容量を低減することができ、コイルの自己共振周波数を高めることやコイルの高周波特性を改善することが可能になる。逆に、誘電率の高い材料を用いた場合は、浮遊容量とコイルの共振周波数を適宜調整することにより、様々な電気特性のコイル部品を得ることが可能となる。即ち、大きなインピーダンスとなる周波数帯域を、Ｌ値や支持体３の誘電率の変更により調整が可能となる。また、浮遊容量を調整することにより、等価回路的に複合部品的な電気特性を確保することができる。
【００７１】
次に、図２１（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図２０における支持体３の全面に金属膜４を形成する。
【００７２】
この金属膜４の材料としては、銅、銅合金、銀、銀とパラジウムの合金や銀と白金の合金あるいは白金のような焼成しても酸化しないものを用いる。
【００７３】
金属膜４は、めっき法を用いて形成する場合、支持体３に無電解めっき法でまず下地電極層（図示せず）を薄く形成し、この下地電極層（図示せず）をめっき用の電極として金属膜４を電気めっき法で形成すると、厚みを持った金属膜４を容易に形成することができる。この場合に、下地電極層（図示せず）としてニッケルなどを用いることができる。また、下地電極層（図示せず）の形成を乾式方法で行った場合は、溶液処理が不要で工程も短いというメリットがある。
【００７４】
その後、図２２（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図２０における両端部３Ａと中部３Ｂの境目に金属膜４表面から金属膜４の中にまで達する溝４Ｃを形成する。形成方法としてはＹＡＧレーザーを用いると細い溝４Ｃを形成することができ好ましい。
【００７５】
次に、図２３（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図２２における中部３Ｂと２本の溝４Ｃとを覆うようにマスク５を形成する。マスク５にはレジスト剤などを用いる。
【００７６】
その後、図２４（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、マスク５を形成しなかった両端部３Ａ上の金属膜４をエッチングにより除去して支持体３の表面を露出させる。この時、図１９に示すように、マスク５が中部３Ｂ上の金属膜４を保護するように形成されているため、図１０に示すように、中部３Ｂ上の金属膜４を全て覆うわけではないため横からの侵食はゼロではないが、図３１に示すような、エッチング液などによる横からの大きな侵食がないという効果を有する。横から大きな侵食があると、後に中部３Ｂ上に形成した金属膜４をコイル（後の工程で示す）にした場合に、その侵食部分がコイル（後の工程で示す）の断線部となってしまう可能性があるが、溝４Ｃを設け、図１９に示すごとく中部３Ｂ上の金属膜４を保護するようにマスク５で保護することにより横からの侵食を減らし、そのような断線の可能性を低減することができる。
【００７７】
また、断線を恐れてマスク５を多めに塗る、あるいはエッチング液に浸す時間を短くすることも考えられるが、そうすると、両端部３Ａに形成した金属膜４を余分に残すことになるため渦電流の原因となり、コイル（後の工程で示す）が発生する磁束を妨げてしまい、Ｑ値を下げる原因となってしまう。しかし、溝４Ｃを設けておくことにより、金属膜４の形成部と非形成部との境目を、その溝４Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがない。
【００７８】
次に、図２５（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、支持体３の両端部３Ａに電極６をペーストにより形成する。そして、金属膜４あるいは電極６のいずれかに銅などの酸化しやすい金属を用いた場合には、窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。銀などの酸化しにくい金属を用いた場合は大気雰囲気中でも構わない。この焼成により図２５に示すようにマスク５を熱分解焼失させて除去することができる。
【００７９】
この時、電極６は金属膜４と同元素の金属を用いたとしても空隙やガラスフリットを有する分高抵抗となっており、渦電流を減らしＱ値を向上させることを可能としている。電極６と金属膜４を同元素で構成した場合は、コイル（後の工程で示す）において合金を形成しないというメリットがある。合金を形成してしまうと、導電率が下がるという問題と、融点が下がることで耐熱性が悪く、正確なコイル形状を保てないという問題を有する。よって、同元素で構成した場合、これらの問題点を回避することができる。一方、金属膜４よりも高抵抗のものを用いた場合、両端部３Ａ上における渦電流の発生量をより減らすことができ、コイル（後の工程で示す）で発生した磁束を妨げることがなくＱ値を下げないという効果を有する。
【００８０】
また、この電極６を両端部３Ａの全体ではなく、引出電極（後の工程で示す）との接続部分であり且つＰ板（図示せず）への実装部分のみに形成することにより、渦電流の発生をさらに減らすことができる。
【００８１】
その後、図２６（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、中部３Ｂ上の金属膜４を、らせん状のコイル４Ａと、その両端の引出電極４Ｂとに形成する。形成方法としては、レーザー照射によりカットする方法や、マスク５がレジストの場合、らせん状に紫外線を照射した後、アルカリ溶液などに浸してエッチングする方法があるが、ＹＡＧレーザーを用いて形成する方法が細い加工を可能にするためコイル４Ａの巻き数を多くすることができ、大きなＱ値を取ることができて好ましい。
【００８２】
また、図１９のごとく中部３Ｂ上の金属膜４を横からの侵食から保護していたため、引出電極４Ｂと電極６との接合度の向上を可能にしている。
【００８３】
また、支持体３の表面に付着した金属などを除去しておくことで渦電流の発生を防ぎ、コイル４Ａの磁束を妨げることがなく、Ｑ値を向上させることができる。特に、レーザー照射によりコイル４Ａを形成した場合、飛散物が多いため、この効果は顕著となる。
【００８４】
その後、図２７（（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図）に示すように、図２６における中部３Ｂに形成したコイル４Ａ、引出電極４Ｂの表面を絶縁層７で覆うことにより、コイル４Ａや引出電極４Ｂを被覆絶縁化することができる。そうすることにより実装時に他の部品に影響を与えないため高密度実装を可能にしており、その他、特性の安定化、コイル４Ａの保護などを可能にしている。さらに、電極６にニッケル層（図示せず）と錫層（図示せず）を形成する場合などにおいても、そのニッケル層（図示せず）や錫層（図示せず）をコイル４Ａに付着させる心配がないという効果がある。
【００８５】
このような構成により、金属膜４の形成部と非形成部との見切りを、溝４Ｃに沿って綺麗に形成することができるため、両端部３Ａに金属膜４を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないコイル部品を実現することができる。
【００８６】
また、溝４Ｃを設け、中部３Ｂ上の金属膜４を覆うようにマスク５で保護することにより、エッチング液による横からの侵食を防ぎ、コイル４Ａの断線を防ぐことができる。
【００８７】
その上、コイル４Ａを太くするなどして低抵抗にすることでＱ値を大きくし、逆に電極６をペーストにより形成して高抵抗にすることで渦電流を減少させ、さらにＱ値を向上させることを可能にしている。
【００８８】
また、溝４Ｃは支持体３まで形成せず、金属膜４までで留めているため、マスク５を除去する工程を省いて、Ｑ値の高いコイル部品を提供することができる。
【００８９】
なお、図２１において金属膜４を薄く形成しておき、図２４のエッチング工程を経た後マスク５を剥がして電気めっきなどにより太らせる工程にすると、図２１における金属膜４が薄い分、図２４のエッチング工程において金属膜４の横からのエッチングを少なくすることができコイル４Ａの断線を防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明のコイル部品は、柱状の支持体の両端部と中部との境に、溝を設けておくことにより、金属膜の形成部と非形成部との見切りを、その溝に沿って綺麗に形成することができるため、両端部に金属膜を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないという効果を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図７】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図８】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図９】（ａ）本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１０】本発明の実施の形態１における一製造工程のコイル部品の断面図
【図１１】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１２】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１４】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１５】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１６】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１７】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１８】（ａ）本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図１９】本発明の実施の形態２における一製造工程のコイル部品の断面図
【図２０】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２１】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２２】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２３】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２４】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２５】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２６】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２７】（ａ）本発明の実施の形態３における一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２８】（ａ）従来の一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図２９】（ａ）従来の一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図３０】（ａ）従来の一製造工程のコイル部品の上面図、（ｂ）同側面図、（ｃ）同下面図
【図３１】従来の一製造工程のコイル部品の断面図
【符号の説明】
【００９２】
３  支持体
３Ａ  両端部
３Ｂ  中部
３Ｃ  溝
４Ａ  コイル
４Ｂ  引出電極
６  電極
【図１】
2007012956.tif 000003
【図２】
2007012956.tif 000004
【図３】
2007012956.tif 000005
【図４】
2007012956.tif 000006
【図５】
2007012956.tif 000007
【図６】
2007012956.tif 000008
【図７】
2007012956.tif 000009
【図８】
2007012956.tif 000010
【図９】
2007012956.tif 000011
【図１０】
2007012956.tif 000012
【図１１】
2007012956.tif 000013
【図１２】
2007012956.tif 000014
【図１３】
2007012956.tif 000015
【図１４】
2007012956.tif 000016
【図１５】
2007012956.tif 000017
【図１６】
2007012956.tif 000018
【図１７】
2007012956.tif 000019
【図１８】
2007012956.tif 000020
【図１９】
2007012956.tif 000021
【図２０】
2007012956.tif 000022
【図２１】
2007012956.tif 000023
【図２２】
2007012956.tif 000024
【図２３】
2007012956.tif 000025
【図２４】
2007012956.tif 000026
【図２５】
2007012956.tif 000027
【図２６】
2007012956.tif 000028
【図２７】
2007012956.tif 000029
【図２８】
2007012956.tif 000030
【図２９】
2007012956.tif 000031
【図３０】
2007012956.tif 000032
【図３１】
2007012956.tif 000033