(57)【要約】【課題】製造コストが安く、且つ、位置精度に優れる多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】本形態の多層基板の製造方法では、内層の第１絶縁膜１２Ａの両主面に第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成し、更に、内層の配線層を被う外層の第３配線層１８Ｃおよび第４配線層１８Ｄを形成している。また、これらの配線層のパターニングや、各配線層同士を接続する接続部を形成する際に、内層に設けた確認孔１４を基準にして、位置精度を向上させている。更に本形態では、外層の配線層のパターニング等を行う際に、レーザー加工により、外層の導電膜および絶縁材料を部分的に除去して確認孔１４を外部に露出させている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層配線層に確認部を設ける工程と、絶縁膜を介して前記内層配線層に導電膜を積層させる工程と、前記確認部の位置を認識する工程と、前記確認部の位置を基準にして前記導電膜をパターニングして外層配線層を形成する工程とを具備する多層基板の製造方法であり、
前記確認部の位置を認識する工程では、前記確認部を被覆する前記絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去し、露出した前記確認部の位置を認識することを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去する前に、前記導電膜の表面を粗化させることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、
前記確認部よりも広い領域の前記絶縁膜および前記導電膜が除去されて除去領域が形成されることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記除去領域の周縁部の前記絶縁膜および前記導電膜を除去した後に、前記除去領域の内部の前記絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする請求項３記載の多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、
前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を部分的に除去することにより形成される除去部を、連続して設けることにより前記除去領域が形成され、
前記除去領域の周縁部には、前記除去領域の内部よりも密に前記除去部が設けられることを特徴とする請求項３記載の多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記確認部は、前記内層配線層が形成される絶縁膜に穿設された確認孔であり、
前記絶縁膜を構成する絶縁材料は前記確認孔に充填され、
前記確認孔に充填された絶縁材料は、前記レーザーにより除去されることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
【請求項７】
シート状の内層絶縁膜を貫通する確認孔を設ける工程と、
前記確認孔を基準として前記内層絶縁膜の両主面に内層配線層を設ける工程と、
前記内層絶縁膜の両主面に外層絶縁膜を介して導電膜を積層させる工程と、
前記確認孔を基準として、前記導電膜をパターニングすることにより外層配線層を形成する工程とを具備し、
前記外層配線層を形成する工程では、前記確認孔を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去して前記確認孔を露出した後に、前記確認孔の位置を認識することを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電膜および前記導電膜をレーザーにより除去する前に、前記導電膜の表面を粗化させることを特徴とする請求項７記載の多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、
前記確認孔よりも広い領域の前記外層絶縁膜および前記導電膜が除去されて除去領域が形成されることを特徴とする請求項７記載の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記除去領域の周縁部の前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去した後に、前記除去領域の内部の前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする請求項９記載の多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜を構成する絶縁材料は前記確認孔に充填され、
前記確認孔に充填された絶縁材料は、前記レーザーにより除去されることを特徴とする請求項７記載の多層基板の製造方法。
【請求項１２】
一主面から前記レーザーを照射することにより、
前記内層絶縁膜の一主面を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去し、
更に、前記確認孔に充填された絶縁材料および、前記内層絶縁膜の他主面を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする請求項７記載の多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、
前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を部分的に除去することにより形成される除去部を、連続して設けることにより前記除去領域が形成され、
前記除去領域の周縁部には、前記除去領域の内部よりも密に前記除去部が設けられることを特徴とする請求項７記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板の製造方法に関し、特に、確認部を用いることで各配線層同士の位置の精度を向上させることができる多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化および高機能化に伴い、その内部に収納される実装基板においては、多層配線構造が主流になっている。図１０を参照して、多層配線基板の製造方法の一例を説明する（下記特許文献１を参照）。
【０００３】
先ず、図１０（Ａ）を参照して、樹脂等の絶縁性の材料から成る基材１００の表面および裏面に第１導電膜１０１Ａおよび第２導電膜１０１Ｂを密着させる。
【０００４】
次に、図１０（Ｂ）を参照して、第１導電膜１０１Ａおよび第２導電膜１０１Ｂの選択的なエッチングを行うことにより、第１配線層１０２Ａおよび第２配線層１０２Ｂを形成する。更に、絶縁膜１０３Ａを介して、第３配線層１０２Ｃおよび第４配線層１０２Ｄを積層させ、図１０（Ｃ）に示すような、多層の配線構造を実現する。ここで、接続部１０４は、各配線層同士を電機的に接続するための部位である。
【特許文献１】特開２００３−３２４２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した方法では、配線層同士の位置に誤差が生じてしまう問題があった。更に、配線層どうしを接続する接続部１０４を精度良く形成するのが困難である問題があった。今日では、小型および高機能化に対する要望が非常に高くなってきているため、パターンは益々微細になり、それに伴い、配線層間を接続する接続部や、各配線層同士の位置精度には厳しい精度が要求されている。
【０００６】
上記した問題を解決するために、内層の配線層に確認部を設け、この確認部の位置を基準にして、各配線層をパターニングする方法も提案されている。しかしながら、この方法では、内層に設けた確認部を外部に露出させるために、外層の樹脂層および導電膜を部分的に除去する必要がある。従来では、内層に設けた確認部を露出させるために、外層の導電膜はウェットエッチングにより除去され、更に外層の樹脂層はレーザーにより除去されていた。従って、内層に設けた確認部を外部に露出させるために多数の工程が必要になり、このことが多層基板の製造コストを高くしていた。
【０００７】
本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、製造コストが安く、且つ、位置精度に優れる多層基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、内層配線層に確認部を設ける工程と、絶縁膜を介して前記内層配線層に導電膜を積層させる工程と、前記確認部の位置を認識する工程と、前記確認部の位置を基準にして前記導電膜をパターニングして外層配線層を形成する工程とを具備する多層基板の製造方法であり、前記確認部の位置を認識する工程では、前記確認部を被覆する前記絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去し、露出した前記確認部の位置を認識することを特徴とする。
【０００９】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去する前に、前記導電膜の表面を粗化させることを特徴とする。
【００１０】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、前記確認部よりも広い領域の前記絶縁膜および前記導電膜が除去されて除去領域が形成されることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記除去領域の周縁部の前記絶縁膜および前記導電膜を除去した後に、前記除去領域の内部の前記絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする。
【００１２】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、前記レーザーにより前記絶縁膜および前記導電膜を部分的に除去することにより形成される除去部を、連続して設けることにより前記除去領域が形成され、前記除去領域の周縁部には、前記除去領域の内部よりも密に前記除去部が設けられることを特徴とする。
【００１３】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記確認部は、前記内層配線層が形成される絶縁膜に穿設された確認孔であり、前記絶縁膜を構成する絶縁材料は前記確認孔に充填され、前記確認孔に充填された絶縁材料は、前記レーザーにより除去されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の多層基板の製造方法は、シート状の内層絶縁膜を貫通する確認孔を設ける工程と、前記確認孔を基準として前記内層絶縁膜の両主面に内層配線層を設ける工程と、前記内層絶縁膜の両主面に外層絶縁膜を介して導電膜を積層させる工程と、前記確認孔を基準として、前記導電膜をパターニングすることにより外層配線層を形成する工程とを具備し、前記外層配線層を形成する工程では、前記確認孔を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜をレーザーにより除去して前記確認孔を露出した後に、前記確認孔の位置を認識することを特徴とする。
【００１５】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記導電膜および前記導電膜をレーザーにより除去する前に、前記導電膜の表面を粗化させることを特徴とする。
【００１６】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、前記確認孔よりも広い領域の前記外層絶縁膜および前記導電膜が除去されて除去領域が形成されることを特徴とする。
【００１７】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記除去領域の周縁部の前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去した後に、前記除去領域の内部の前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする。
【００１８】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記絶縁膜を構成する絶縁材料は前記確認孔に充填され、前記確認孔に充填された絶縁材料は、前記レーザーにより除去されることを特徴とする。
【００１９】
更に本発明の多層基板の製造方法では、一主面から前記レーザーを照射することにより、前記内層絶縁膜の一主面を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去し、更に、前記確認孔に充填された絶縁材料および、前記内層絶縁膜の他主面を被覆する前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去することを特徴とする。
【００２０】
更に本発明の多層基板の製造方法では、前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を除去する工程では、前記レーザーにより前記外層絶縁膜および前記導電膜を部分的に除去することにより形成される除去部を、連続して設けることにより前記除去領域が形成され、前記除去領域の周縁部には、前記除去領域の内部よりも密に前記除去部が設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の多層基板の製造方法によると、外層の導電膜および絶縁膜を、レーザー加工により一括して除去して、内層に設けた確認部を外部に露出させることができる。従って、確認部を外部に露出させる為に必要とされる工程の数が削減されるので、製造コストを安くすることができる。
【００２２】
具体的には、従来のエッチングにより確認部を露出させる方法では、エッチングレジストを被着する工程、エッチングレジストを露光する工程、エッチングレジストを現像する工程、ウェットエッチングを行う工程、エッチングレジストを剥離する工程等が必要とされた。本発明では、ウェットエッチングに伴うこれらの工程が省略される。このことがコストダウンに寄与する。
【００２３】
更に、確認部を外部に露出させるためのエッチングを行わないため、エッチングによる確認部の変形が防止され、確認部を基準にした位置合わせを正確に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の多層基板の製造方法を、図を参照しつつ説明する。本形態の多層基板の製造方法では、図８（Ｄ）等を参照して、内層絶縁膜である第１絶縁膜１２Ａの両主面に、内層配線層である第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成している。更に、外層絶縁膜である第２絶縁膜１２Ｂおよび第３絶縁膜１２Ｃを介して、外層配線層である第３配線層１８Ｃおよび第４配線層１８Ｄを形成している。また、これらの配線層のパターニングや、各配線層同士を接続する接続部を形成する際に、図１（Ｃ）等に示す確認孔１４を基準にして、位置精度を向上させている。更に本形態では、レーザー加工により、導電膜および絶縁膜を部分的に除去して確認孔１４を外部に露出させている。この詳細を下記にて説明する。
【００２５】
図１を参照して、積層シート１０に確認孔１４を形成する工程を説明する。図１（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図１（Ｂ）から図１（Ｆ）は各工程での積層シート１０の断面図である。
【００２６】
図１（Ａ）と図１（Ｂ）を参照して、本形態に用いる積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０は、コアとなる第１絶縁膜１２Ａの両面に第１導電膜１３Ａおよび第２導電膜１３Ｂを密着させたものである。第１絶縁膜１２Ａの材料としては熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の何れかが選択される。そして、熱伝導性等が考慮されて、無機のフィラーが樹脂に混入されている。また、全体の強度を向上させるために、第１絶縁膜１２Ａはガラスクロスを含むものでも良いし、ガラスクロスに無機フィラーが混入されているものでも良い。第１絶縁膜１２Ａの膜厚は５０μｍ程度にすることができる。
【００２７】
第１導電膜１３Ａおよび第２導電膜１３Ｂの材料としては、銅を主材料とした金属を全般的に採用することができる。本形態では、圧延された銅箔を第１導電膜１３Ａおよび第２導電膜１３Ｂの材料として採用している。両導電膜の厚さは、１０μｍ程度でよい。また、両導電膜は、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で直接第１絶縁膜１２Ａに被覆されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。
【００２８】
更に、図１（Ａ）を参照して、積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０には１つの多層基板を構成する領域であるユニット１１が複数個形成されている。ここでは、マトリックス状に配置された４つのユニット１１が積層シート１０に形成されている。図ではユニット１１は、矩形の平面的形状を呈するが、５角形以上の多角形や湾曲形状のユニット１１が形成されても良い。
【００２９】
図１（Ｃ）を参照して、第１絶縁膜１２Ａ、第１導電膜１３Ａおよび第２導電膜１３Ｂを貫通するように確認孔１４を設ける。この確認孔１４は、後の工程で形成される各配線層のパターニングを行う際に、位置合わせを行うために用いられる。更に、この確認孔１４は、配線層同士の電気的接続を行う接続部を形成する際にも用いられる。
【００３０】
この確認孔１４の形成は、ドリルによる削孔により行うことができる。更に、第１導電膜１３Ａ、第２導電膜１３Ｂをエッチングにより部分的に除去した後に、露出した第１絶縁膜１２Ａをレーザーにより除去して、確認孔１４を形成しても良い。また、レーザー加工により、第１導電膜１３Ａ、第２導電膜１３Ｂおよび第１絶縁膜１２Ａを貫通して確認孔１４を形成しても良い。本工程で形成される確認孔１４の直径は、例えば０．１５ｍｍ程度である。
【００３１】
本形態では、図１（Ａ）を参照して、ユニット１１毎の周辺部に確認孔１４が設けられている。ここで、マトリックス状に配置された複数のユニット１１毎に、確認孔１４が設けられても良い。例えば、後の工程にて、２０個のユニット１１が同時に露光される場合は、２０個のユニット１１を一単位として、その周辺部に確認孔１４が設けられる。また、確認孔１４は、ユニット１１の外側に位置している。
【００３２】
図１（Ｄ）を参照して、ウェットエッチングにより第１導電膜１３Ａを部分的に除去することで、第１絶縁膜１２Ａが露出する露出部１５Ａを形成する。ここでは各ユニット１１の内部に露出部１５Ａは形成される。本工程は、ユニット１１毎に設けた確認孔１４の中心点の位置を基準として、ウェットエッチングの為の露光を行っている。
【００３３】
図１（Ｅ）を参照して、露出部１５Ａから露出する第１絶縁膜１２Ａを除去することにより、貫通孔１５を形成する。第１絶縁膜１２Ａの除去はレーザーを用いて行うことが出来る。このレーザーによる除去は、貫通孔１５の底部に第２導電膜１３Ｂの表面が露出されるまで行う。ここで用いるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーが好ましい。また、貫通孔１５の底部に残査が有る場合は、過マンガン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウエットエッチングを行い、この残査を除去する。
【００３４】
上述の説明では、貫通孔１５の形成は、ウェットエッチングとレーザー加工との組み合わせで行ったが、レーザー加工のみにより第１導電膜１３Ａおよび第１絶縁膜１２Ａを貫通して貫通孔１５を形成することも可能である。レーザー加工により貫通孔１５を形成することにより、貫通孔１５を形成する工程を簡略化して製造コストを低減できる利点がある。ウェットエッチングとレーザー加工とを組み合わせて貫通孔１５を形成した場合は、貫通孔１５の位置精度を向上させることができる利点がある。その理由は、ウェットエッチングに用いる露光器の精度は、レーザー加工よりも精度が良いからである。
【００３５】
図１（Ｆ）を参照して、メッキ処理を施すことにより、第１導電膜１３Ａと第２導電膜１３Ｂとを電気的に接続する第１接続部１６Ａを形成する。具体的には、貫通孔１５を含む第１導電膜１３Ａの全面に、メッキ膜を形成することで、第１接続部１６Ａを形成する。このメッキ膜は無電解メッキと電解メッキの両方で形成される。ここでは、先ず、無電解メッキにより、厚みが約２μｍのＣｕから成る金属膜を、少なくとも貫通孔１５を含む第１導電膜１３Ａの全面に形成する。これにより第１導電膜１３Ａと第２導電膜１３Ｂとが電気的に導通するため、再度この両導電膜を電極にして電解メッキを行い、厚みが約２０μｍ程度のＣｕをメッキする。これにより貫通孔１５はＣｕで埋め込まれ、第１接続部１６Ａが形成される。なお、いわゆるフィリングメッキを行うと、貫通孔１５のみを容易に埋め込むことも可能である。またメッキ膜は、ここではＣｕを採用したが、メッキ膜の材料としてＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を採用しても良い。更に、マスクを使用して部分メッキを行うことで、貫通孔１５の部分のみにメッキ膜を形成しても良い。
【００３６】
また、本工程により、確認孔１４の内壁にもメッキ膜から成る金属膜１７が形成される。この金属膜１７は、確認孔１４の内壁に均一な膜厚で形成される。従って、金属膜１７の付着により、確認孔１４の断面積は小さくなるものの、円形の平面的形状が維持される。本形態では、確認孔１４の外周端部の数カ所を観測して、確認孔１４の中心点を割り出し、この中心点を基準にして、位置合わせを行っている。このことから、確認孔１４の内壁に形成された金属膜１７は、確認孔１４を用いた位置合わせに悪影響を与えない。
【００３７】
次に、図２を参照して、積層シート１０に更に導電膜１３を積層させる工程を説明する。図２（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図２（Ｂ）から図２（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。
【００３８】
図２（Ｂ）を参照して、第１導電膜１３Ａおよび第２導電膜１３Ｂのエッチングを行うことにより、第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成する。これは、不図示のエッチングレジスト（エッチングマスク）を用いて各導電膜を選択的にウェットエッチングすることにより行う。本工程では、エッチングレジストの露光を行う際に、確認孔１４の位置を認識して、積層シート１０と露光マスク（不図示）との相対的な位置合わせを行っている。金属膜１７が形成されることにより、確認孔１４の平面的なサイズか小さくなっても、確認孔１４の平面的な形状は円形であるので、その中心点は前回の位置合わせと一致する。従って、精度良く位置合わせを行うことが出来る。
【００３９】
更に、本工程では、後の工程にて、Ｘ線を用いて位置認識される認識部２０もエッチングにより形成される。この認識部２０は、Ｘ線認識装置が認識できる形状なら四角、丸、十字等でも良い。また、認識部２０の位置は、何処にあっても良いが、一般にはユニット１１の周囲が好適である。
【００４０】
図２（Ｃ）を参照して、次に、積層シート１０の両主面に、外層の絶縁膜を介して導電膜を密着させる。具体的には、積層シート１０の表面に第２絶縁膜１２Ｂを介して第３導電膜１３Ｃが積層される。そして、積層シート１０の裏面には、第３絶縁膜１２Ｃを介して第４導電膜１３Ｄが積層される。第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄの積層は、真空プレスにより行うことが可能である。本工程では、確認孔１４にも、第２絶縁膜１２Ｂおよび第３絶縁膜１２Ｃを構成する樹脂材料が充填される。本工程では、第２絶縁膜１２Ｂおよび第３絶縁膜１２Ｃとしては、プリプレグを採用することができる。プリプレグとは、ガラス繊維等から成る織物に、エポキシ樹脂などを含浸させたものである。
【００４１】
図２（Ｄ）を参照して、次に、積層シート１０を貫通するようにガイド孔１９を削孔する。具体的には、図２（Ａ）を参照して、積層シート１０の４角付近の４カ所にガイド孔１９を削孔する。ガイド孔１９の形成は、エッチングとレーザーとの組み合わせ、ドリルによる削孔、レーザーのみによる削孔等により行うことができる。ここで、ガイド孔１９の位置を特定する為の位置合わせは、図２（Ｃ）に示す確認部２０の位置を認識して行う。ガイド孔１９の径は、数十μｍ程度から２ｍｍ程度の範囲でよい。
【００４２】
本工程では、認識部２０は、上層の第３導電膜１３Ｃにより覆われているため、可視光線にてその位置を認識することは出来ない。このことから、認識部２０の位置認識はＸ線等を照射して行う。第１配線層１８Ａの一部である認識部２０の位置を基準にして、ガイド孔１９を設けることにより、第１配線層１８Ａとガイド孔１９との相対的な位置精度を向上させることができる。ガイド孔１９は、後の工程で、除去領域２１（図３（Ｃ）参照）を形成するために用いられる。ガイド孔１９の位置精度を高めることにより、この除去領域２１の位置も正確になり、確認孔１４の露出を確実に行うことができる。また、本工程での位置合わせは、積層シート１０の外形寸法が所定の精度を満たしていたら、外形を基準にして行うことも可能である。
【００４３】
本工程が終了したら、酸性の液体を用いて第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄの表面を洗浄する。更に、ＣＺ処理を行い、第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄの表面を粗化する。この粗化処理を行うことにより、後の工程にて、レーザーによる第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの部分的な除去が容易になる。また、後の工程でレーザー加工が行われる第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄの表面を、部分的に酸化させて酸化銅を生成し、黒化処理しても良い。
【００４４】
図３および図４を参照して、次に、位置合わせを行うための確認孔１４を露出させる。図３（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図３（Ｂ）から図３（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。図４は、本工程のレーザー加工を説明するための図である。
【００４５】
本工程では、円形のガイド孔１９の位置を認識してから、レーザー加工により第３導電膜１３Ｃおよびその下方の第２絶縁膜１２Ｂを除去して、除去領域２１を形成する。そして、除去領域２１から確認孔１４を外部に露出させる。本工程は、ウェットエッチングに依らずに、レーザー加工により第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去して確認孔１４を露出させている。
【００４６】
図３（Ｂ）を参照して、具体的には、ガイド孔１９の位置を基準として、レーザー機を用いて、形成予定の除去領域２１の周縁部に位置する第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去する。このように、先ず、除去領域２１の周縁部をレーザー加工により除去することで、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃを、外側の領域と熱的に分離させることができ、除去領域２１内部のレーザー加工が容易になる。尚、本工程では、レーザー２３が第３導電膜１３Ｃ等を除去することにより発生する粉塵は、不図示の吸引機により直ちに吸引される。
【００４７】
本工程では、瞬間的にレーザー２３を照射する事項を１ショットとすると、１ショットまたは２ショットにより、第３導電膜１３Ｃおよびその下方の第２絶縁膜１２Ｂを、厚み方向に除去している。本形態は、例えば２回のレーザー２３のショットを行うことで、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの除去を確実に行っている。更に、このことにより、レーザー２３のエネルギーが調節され、内層の第１配線層１８Ａがレーザー２３により蒸発してしまい、貫通されてしまうことを防止している。
【００４８】
例えば、１回目のショットのエネルギーを大きくして（照射時間を１６μｓｅｃ程度に長くして）第３導電膜１３Ｃを除去して、２回目のショットのエネルギーを小さくして（照射時間を１０μｓｅｃ程度に短くして）第２絶縁膜１２Ｂを確実に除去している。ここで、レーザーが照射される時間は、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの厚みによって若干異なる。また、第１配線層１８Ａが貫通されずに、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの除去が確実に行えるのであれば、１回のショットのエネルギーを増大させて（照射時間を長くして）、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの除去を行っても良い。
【００４９】
図３（Ｃ）を参照して、次に、レーザー２３を照射することにより、除去領域２１内部の第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去して、確認孔１４を露出させる。上記工程にて、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃは、除去領域２１の外側に位置する第３導電膜１３Ｃと熱的に分離されている。従って、レーザー２３の照射に用いられるエネルギーを小さくして（照射時間を短くして）、除去領域２１内部の第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去することができる。ここでも、レーザー２３のショットの回数は、１ショットでも良いし２ショットでも良い。本工程により、確認孔１４は、除去領域から外部に露出する。
【００５０】
本形態では、除去領域２１の下方に対応する領域の第１配線層１８Ａには、ベタの保護部２４が設けられている。即ち、除去領域２１の下方からは、第１配線層１８Ａから成る保護部２４が露出している。また、この保護部２４は除去領域２１よりも広く形成されている。このように、第１配線層１８Ａから成る保護部２４を設けることにより、レーザー２３による浸食が保護部２４の上部にてストップし、第１絶縁膜１２Ａがレーザー２３により蒸発されてしまうことを防止することができる。更に、保護部２４の面積を２ｍｍ×２ｍｍ以上に大きくすることにより、レーザー２３が保護部２４に照射されても、レーザー２３のエネルギーは分散される。従って、保護部２４をレーザー２３が貫通することが抑制されている。
【００５１】
更に、本工程では、確認孔１４の側壁は、メッキ膜から成る金属膜１７より保護されている。従って、レーザー２３が確認孔１４の側壁に照射された場合でも、金属膜１７によりレーザー２３は反射されるので、確認孔１４の側壁が浸食されて変形することを防止すすることができる。
【００５２】
図３（Ｄ）を参照して、上記工程が終了した後は、上記と同じ要領にてレーザーを用いて第４導電膜１３Ｄおよび第３絶縁膜１２Ｃを部分的に除去して、除去領域３７を形成して、下方からも確認孔１４を露出させる。本工程により、確認孔１４の内部に位置する樹脂材料の殆どは除去される。従って、確認孔１４は上方からも下方からも視覚的にその位置を正確に認識することができる。
【００５３】
また、一方の主面からレーザー２３を照射することにより、積層シート１０の表面および裏面の両方に対して、貫通孔１４を露出させることもできる。この場合は、レーザー２３の出力を大きくするか、または、貫通孔１４付近に集中してレーザー２３を照射する。このことにより、例えば、図３（Ｃ）を参照して、確認孔１４の下方に位置する第３絶縁膜１２Ｃおよび第４導電膜１３Ｄを除去して、貫通孔１４を裏面に対しても露出させることができる。このようにすることで、確認孔１４を露出させるために必要とされる工数が削減され、多層基板の製造コストを更に低減できる効果がある。
【００５４】
図４を参照して、レーザーによる除去領域２１の形成を更に詳述する。図４（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）および図４（Ｄ）は１つの除去領域２１を拡大した平面図である。
【００５５】
図４（Ｂ）を参照して、本形態では、直径Ｄが１００μｍ〜１２０μｍ程度の円形の領域に対してレーザーを照射して、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去することにより除去部２９を形成している。レーザー加工により、連続的に除去部２９を形成することで、除去領域２１内部の第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去している。このような加工方法は、一般的にトレパニング加工と呼ばれている。本工程では、先ず除去領域２１の外周縁部に沿ってレーザーを照射して除去部２９を設け、ライン状に第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去する。このようにすることにより、除去領域２１の内部に位置する第３絶縁膜１２Ｃを、外部と熱的に分離して、レーザーによる加工を容易にすることができる。ここでは、除去部２９のピッチＰ１（隣接する除去部２９同士の中心が離間する距離）は、例えば５０μｍ程度である。本工程では、レーザーにより与えられる熱エネルギーは、積層シート１０を構成する導電膜に分散されてしまう。従って、図３（Ｂ）に示す、レーザー２３による第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂの除去を確実に行うためには、除去部２９のピッチＰ１を狭くする必要がある。本工程により、除去領域２１の周縁部に沿って、ライン状に連続して除去部２９が形成され、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃは、周囲と熱的に分離される。
【００５６】
図４（Ｃ）を参照して、次に、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去し、貫通孔１４を外部に露出させる。ここでも、上記と同様に、レーザーを照射して多数個の除去部２９を形成することにより、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去している。除去部２９のピッチＰ２は、例えば７０μｍ程度であり、上記したピッチＰ１よりも長い。除去領域２１の内部では、このようにピッチを長くしても、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを除去することができる。即ち、除去領域２１の内部では、レーザーの使用量が低減されている。この理由は、上記した工程により、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃは、除去領域２１の外側に位置する第３導電膜１３Ｃと熱的に分離されているからである。即ち、除去領域２１の内部では、レーザーにより第３導電膜１３Ｃに与えられた熱エネルギーが周囲に分散されない。
【００５７】
更に本工程では、連続して形成される除去部２９から成る列Ｌ１、Ｌ２を複数個形成することにより、除去領域２１の内部に位置する第３導電膜１３Ｃ等を除去している。列Ｌ１と列Ｌ２とのピッチＰ３は例えば５０μｍ程度であり、各列に於ける除去部２９同士のピッチＰ２よりも狭い。列同士のピッチＰ３をこのように狭くすることにより、各列の間に、第２絶縁膜１２Ｂを構成する樹脂が除去されずに残存することを防止することができる。
【００５８】
更に、本形態では、列Ｌ１を構成する除去部２９と、列Ｌ２を構成する除去部２９とは、千鳥に配置されている。即ち、ずれて配置されている。このことによっても、列Ｌ１と列Ｌ２との間に、樹脂が残存することを防止することができる。
【００５９】
図４（Ｄ）を参照して、上記工程により、除去領域２１の内部の第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂが除去され、除去領域２１の内部には確認孔１４および第１配線層１８Ａの一部分が露出する。また、除去領域２１から露出する第１配線層１８Ａの表面に、樹脂等の残渣が付着している場合は、その残渣を洗浄して取り除く。
【００６０】
図４（Ｄ）等からも明らかなように、除去領域２１は、貫通孔１４よりも平面的に大きく形成される。例えば、確認孔１４の平面的大きさが０．１５ｍｍ径の円形であるのに対し、除去領域２１の平面的な大きさは２．０ｍｍ四方程度の矩形である。このように除去領域２１を確認孔１４よりも大きくすることで、ガイド孔１９（図３（Ｂ）参照）による位置認識がラフにされても、確認孔１４を除去領域２１の内部に位置させることが出来る。
【００６１】
更に、図４（Ｄ）を参照して、除去領域２１を確認孔１４よりも大きくすることにより、確認孔１４の位置認識（アライメントサーチ）を容易に行うことができる。具体的には、確認孔１４の位置を認識する際には、ＣＣＤ等の撮像手段を用いて、確認孔１４よりも広い領域３８を撮影する。そして、領域３８内部に於ける確認孔１４と第１配線層１８Ａとの反射率の差を用いて、確認孔１４の位置を認識している。従って、仮に、除去領域２１の大きさが確認孔１４よりも若干大きい程度であると、領域３８の内部に除去領域２１の終端部が写り込んでしまい、確認孔１４の位置認識が困難になる恐れがある。従って、本形態のように、除去領域２１を確認孔１４に対して充分に大きく形成することは、位置認識の為にも非常に有意義である。
【００６２】
更にまた、除去領域２１の平面的な大きさを２ｍｍ角程度に大きくすることにより、第３導電膜１３Ｃ等のウェットエッチングを行う際に用いるエッチングレジスト（不図示）が破損することを防止することができる。具体的には、導電配線層を形成するエッチングの工程では、除去領域２１の領域も含めた積層シート１０全体が、ドライフィルムから成るエッチングレジストにより被覆される。本形態では、除去領域２１が平面的に大きいので、エッチングレジストを積層シート１０に密着させる工程に於いて、除去領域２１の凹凸に追従してエッチングレジストが変形して密着される。即ち、エッチングレジストと除去領域２１との間に間隙が形成されない。従って、エッチャントを用いてウェットエッチングを行う工程でも、エッチングレジストは破損しないので、積層シート１０の内部へのエッチャントの浸入が防止されている。仮に、除去領域２１の平面的な大きさが０．５ｍｍ角程度に小さく形成されると、エッチングレジストが除去領域２１の凹凸に追従できない場合がある。この場合は、エッチングレジストと除去領域２１との間に間隙が形成されるので、ウェットエッチングの工程に於いて、エッチャントの圧力によりエッチングレジストが破損することが考えられる。エッチングレジストが破損すると、エッチャントが積層シート１０の内部に侵入し、内層の配線層が浸食される恐れがある。
【００６３】
次に、図５および図６を参照して、第２絶縁膜１２Ｂを貫通して、第１配線層１８Ａと第３導電膜１３Ｃとを接続する第２接続部１６Ｂを形成する。具体的には、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを部分的に除去し、その除去した領域にメッキ膜を形成することで、第２接続部１６Ｂを形成する。また、同様の方法で、第３絶縁膜１２Ｃを貫通する第２接続部１６Ｂも形成する。
【００６４】
具体的には、図５（Ａ）を参照して、先ず、第３導電膜１３Ｃを被覆するようにエッチングレジスト２５を塗布する。そして、分割露光機の露光マスク３１を用いてレジスト２５を露光する。露光マスク３１は、ガラス等の透明性を有する基材の表面に遮光パターン３２を有する。遮光パターン３２の形状は、形成予定の第２接続部１６Ｂと逆転したパターン形状を有する。ここでは、光線３０が照射されなかった箇所が残存するポジ型のレジストが、レジスト２５として採用されている。ここで、ネガ型のものをレジスト２５として採用することも可能である。
【００６５】
本工程では、不図示の分割露光機に備えたＣＣＤカメラ等を用いて、確認孔１４の位置を認識して、露光マスク３１の平面的な位置を調節している。本工程の露光作業は、図４（Ａ）等に示す個々のユニット１１に対して行っても良いし、マトリックス状に配置された複数のユニット１１に対して一括して行っても良い。
【００６６】
上記した露光の作業は、下層の第４導電膜１３Ｄを被覆して設けたレジスト２５についても行う。この時も、確認孔１４の位置を分割露光機にて認識してから、レジスト２５を露光する。
【００６７】
図５（Ｂ）を参照して、上記露光の工程等によりパターニングされたレジスト２５を介してエッチングを行うことで、形成予定の第２接続部１６Ｂの領域に対応する第３導電膜１３Ｃが除去される。また、形成予定の第２接続部１６Ｂの領域に対応する第４導電膜１３Ｄも除去される。
【００６８】
図５（Ｃ）を参照して、確認孔１４を用いた位置合わせの詳細を説明する。本形態では、露光マスク３１の位置合わせは、確認孔１４の中心部を基準として行う。具体的には、先ず、ＣＣＤカメラ等の撮像手段を用いて、確認孔１４の形状を画像化する。この図では、画像化した状態の確認孔１４の断面を示している。そして、確認孔１４の周縁部にて任意の３点の観測を行い、それらの位置を特定する。ここでは、第１観測点Ｋ１、第２観測点Ｋ２、第３観測点Ｋ３の観測を行い、それらの平面的な座標を特定する。更に、これらの点の座標値から、幾何学の定理により、確認孔１４の中心点Ｃの座標を算出する。確認孔１４の平面的形状は円形であるので、中心点Ｃの座標の算出は容易に行える。また、確認孔１４の中心点Ｃを基準として、露光マスク３１の位置合わせを行うことから、極めて位置精度が高い露光を行うことが出来る。
【００６９】
更に、第４導電膜１３Ｄの部分的除去を行うための露光も、確認孔１４の中心位置を基準として行っている。従って、同一の確認孔１４を用いて、積層シート１０の表面および裏面に塗布されたレジスト２５の露光を行うので、露光される箇所の位置精度は極めて高い。
【００７０】
次に、図６を参照して、第３導電膜１３Ｃから露出された第２絶縁膜１２Ｂの除去を行う。更に、第４導電膜１３Ｄから露出された第３絶縁膜１２Ｃの部分的除去も行う。図６（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）は積層シート１０の断面図である。
【００７１】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、先ず、確認孔１４の位置を基準として、レーザー照射器（不図示）とユニット１１との相対的な位置合わせを行う。次に、レーザー２３を照射して、第２絶縁膜１２Ｂを部分的に蒸発させて貫通孔１５を形成する。貫通孔１５の底部には、第１配線層１８Ａの上面が露出している。
【００７２】
更に、上記と同様の手法により、第４導電膜１３Ｄから露出する第３絶縁膜１２Ｃを、レーザー照射を行うことにより除去する。第３絶縁膜１２Ｃの除去も、確認孔１４の位置を基準にして行う。
【００７３】
また、上記の説明では、ウェットエッチングとレーザー照射とを組み合わせた手法により貫通孔１５を形成したが、レーザー照射のみにより、貫通孔１５を形成することも可能である。この場合は、レーザー照射機により、確認孔１４の位置を認識した後に、第３導電膜１３Ｃおよび第２絶縁膜１２Ｂを、一括して除去する。この手法によると、貫通孔１５の形成に係る工数を低減させることができる。
【００７４】
一方、貫通孔１５の位置精度の向上の為には、上記したように、エッチングとレーザー照射とを組み合わせた手法が好適である。その理由は、一般的には、レジスト２５の露光機の位置精度は、レーザー照射器の位置精度よりも高いからである。具体的には、レジストの露光機の位置精度が±６μｍであるのに対し、レーザー照射器の位置精度は±１０μｍ程度である。
【００７５】
図６（Ｃ）を参照して、次に、無電界メッキ処理および電解メッキ処理を行うことで、貫通孔１５にメッキ膜から成る第２接続部１６Ｂを形成する。本工程のメッキ処理の詳細は、図１（Ｆ）を参照して説明した方法と同様である。本工程のメッキ処理では、確認孔１４の内壁にもメッキ膜が形成される。確認孔１４は円筒状を呈しているので、その内壁にメッキ膜が形成されることで断面は小さくなるが、円形状の断面形状は保持される。同様に、ガイド孔１９の内壁にもメッキ膜が形成される。
【００７６】
図７（Ａ）を参照して、次に、第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄのエッチングを行い、新たな電極や配線のパターンを形成する。具体的には、第３導電膜１３Ｃの表面にエッチングレジスト２５を塗布した後に、露光マスク３１を用いて露光を行ってレジスト２５のパターニングを行う。更に、パターニングされたレジスト２５を介して、第３導電膜１３Ｃおよび第４導電膜１３Ｄをエッチングする。ここでも、露光マスク３１と積層シート１０との位置合わせは、確認孔１４の中心点を認識することで行う。
【００７７】
図７（Ｂ）を参照して、本工程での確認孔１４の認識方法は、図５（Ｃ）を参照して説明した認識方法と基本的には同一である。ここでは、確認孔１４の内壁にメッキ膜が形成されることで、その断面が小さくなっている。この図では、メッキ膜が内壁に形成される前の確認孔１４の周縁部をＶ１で示した点線で示している。そして、内壁にメッキ膜が形成された後の確認孔１４の周縁部を実線で示している。確認孔１４の内壁に均一な膜厚のメッキ膜が形成されることで、確認孔１４の断面積は小さくなっても、円形は保持されている。従って、本工程でも、確認孔１４の周辺部にて、３つの観測点（第１観測点、第２観測点、第３観測点）を観測することで、中心点Ｃの位置を正確に計測することが可能となる。
【００７８】
図８を参照して次に、積層シート１０の表面および裏面に露出する配線層をソルダーレジストで被覆する。図８（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、図８（Ｂ）から図８（Ｄ）は積層シート１０の断面図である。
【００７９】
図８（Ｂ）を参照して、上記したエッチングの工程により、積層シート１０の表面には、第３配線層１８Ｃが形成され、積層シート１０の裏面には第４配線層１８Ｄが形成されている。
【００８０】
図８（Ｃ）を参照して、積層シート１０の表面および裏面に形成された第３配線層１３Ｃおよび第４配線層１８Ｄが被覆されるようにレジスト２６を形成する。レジスト２６を形成する樹脂が、確認孔１４およびガイド孔１９に充填されても良い。
【００８１】
図８（Ｄ）を参照して、レーザーを用いた蒸発あるいはリソグラフィ工程により、レジスト２６に開口部２７を設ける。この開口部２７は、積層シート１０の両面にも設けても良いし、片面のみに設けても良い。開口部２７の底部には、第３配線層１８Ｃまたは、第４配線層１８Ｄが露出している。この開口部２７の形成は、第３配線層１８Ｃから成る確認部２８の位置を認識することで行うことが出来る。
【００８２】
更に、本工程でも、確認孔１４の位置を基準として、開口部２７を形成しても良い。この場合は、確認部１４を被覆するレジスト２６を、レーザーを用いて除去した後に、外部に露出した確認孔１４の位置を基準にする。
【００８３】
上記工程が終了した後に、一点鎖線で示す分割線Ｌ１で積層シート１０の分割を行うことで、各ユニット１１が分離される。この分離は、レーザーを用いて、各配線層が形成されていない領域の積層シート１０を切断することでおこなされる。このことにより、切断を行う際の振動の発生を極力抑えて、各ユニット１１の分離を行うことが出来る。以上の工程により、多層の配線構造を有する多層基板が完成する。また、各ユニットの分割は、開口部２７を介して回路素子を積層シート１０に固着した後に行っても良い。また、上記分離は、ルーターを用いた加工、プレス加工でも行うことが出来る。
【００８４】
次に、図９（Ａ）を参照して、上記工程により製造された多層基板３６を用いた実装構造（モジュール）を説明する。多層基板３６の表面には、半導体素子である回路素子３３Ｂがロウ材３４を介して実装されている。ここでは、回路素子３３Ｂはフェイスダウンで実装されているが、金属細線を用いた固着構造を採用することも出来る。回路素子３３Ａはチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子であり、ロウ材３４を介して多層基板３６に固着されている。また必要により外部との接続手段であるリードまたはコネクタが実装されても良い。
【００８５】
図９（Ｂ）を参照して、多層基板を使った半導体パッケージを説明する。ここでは、多層基板３６の表面に上述した回路素子３３Ａ、３３Ｂが実装され、各回路素子が封止されるように多層基板３６の表面に封止樹脂３５が形成されている。本発明の多層基板３６は極めて薄型になっているので、このような多層基板を回路装置に適用させることで、薄型の回路装置を提供することが出来る。また近年では、ＩＣ自体が５００ピン、１０００ピンと多ピン化傾向で、且つ外部電極のサイズも微細で狭ピッチに成る傾向にある。従って、本形態の多層基板３６を採用すればＩＣ、ディスクリート素子、チップコンデンサ、チップ抵抗等を使った回路モジュールを製造することが可能になる。
【００８６】
上記した本形態では、４層の配線層を具備する多層基板の製造方法を説明したが、５層以上の更に多層の多層基板の製造方法にも、本形態を適用させることができる。この場合も、内層の絶縁膜に設けた確認孔１４の位置を基準にして、各配線層のパターニング等が行われる。
【００８７】
更に上述の説明では、内層の第１絶縁膜１２Ａの両面に、外層の配線層を積層させたが、第１絶縁膜１２Ａの片方の主面のみに、絶縁膜を介して配線層を積層させることも可能である。このような場合に於いても、２層目以降の配線層や接続部を形成する際に、第１絶縁膜１２Ａに設けた確認孔１４の位置が基準とされる。また、確認孔１４の位置を認識する際には、確認孔１４を被覆する絶縁膜や導電膜はレーザー照射器により除去される。このことにより、上記した本形態と同様に、コストを低減させて精度の高い位置合わせを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）―（Ｆ）は断面図である。
【図２】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）―（Ｄ）は断面図である。
【図３】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）―（Ｄ）は断面図である。
【図４】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）―（Ｄ）は拡大された平面図である。
【図５】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は確認孔の詳細を示す概念図である。
【図６】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。
【図７】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は概念図である。
【図８】本発明の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）―（Ｄ）は断面図である。
【図９】本発明の多層基板の製造方法により製造された多層基板が採用された構造を説明する図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図１０】従来の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０            積層シート
１１            ユニット
１２Ａ          第１絶縁膜
１２Ｂ          第２絶縁膜
１２Ｃ          第３絶縁膜
１３Ａ          第１導電膜
１３Ｂ          第２導電膜
１３Ｃ          第３導電膜
１３Ｄ          第４導電膜
１４            確認孔
１５            貫通孔
１５Ａ          露出部
１６Ａ          第１接続部
１６Ｂ          第２接続部
１７            金属膜
１８Ａ          第１配線層
１８Ｂ          第２配線層
１８Ｃ          第３配線層
１８Ｄ          第４配線層
１９            ガイド孔
２０            認識部
２１            除去領域
２３            レーザー
２４            保護部
２５            レジスト
２６            レジスト
２７            開口部
２８            確認部
２９            除去部
３０            光線
３１            露光マスク
３２            遮光パターン
３３Ａ、３３Ｂ  回路素子
３４            ロウ材
３５            封止樹脂
３６            多層基板
３７            除去領域
３８            領域
【図１】
2007157774.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007157774.tif 000009
【図８】
2007157774.tif 000010
【図９】
2007157774.tif 000011
【図１０】
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