(57)【要約】      （修正有）【課題】  高度の微細化に際しても高感度で信頼性の高い固体撮像素子の提供。【解決手段】  光電変換部に対応するように層内レンズを形成した固体撮像素子の製造方法において、前記層内レンズの形成工程が、前記光電変換部および電荷転送部の形成された基板表面に高屈折率材料からなる透光性の絶縁膜を形成する工程と、前記透光性の絶縁膜上に、前記光電変換部上に相対するように第１のレジスト材料からなるレジストパターンを形成し、メルトすることにより上凸形状のレジストパターンを形成する工程と、前記上凸形状のレジストパターン上を第２のレジスト材料を膜厚が均一となるように塗布し、硬化して、第１および第２のレジスト材料で構成されたレジストパターンを形成する工程と、前記第１および第２のレジスト材料と、前記高屈折率材料とのエッチング選択比が１対１となるようにエッチングし、前記高屈折率材料に前記レジストパターンを転写する工程とを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、さらにこの上層に前記光電変換部に対応するように層内レンズを形成した固体撮像素子の製造方法において、
前記層内レンズの形成工程が、
前記光電変換部および電荷転送部の形成された前記基板表面に高屈折率材料からなる透光性の絶縁膜を形成する工程と、
前記透光性の絶縁膜上に、前記光電変換部上に相対するように第１のレジスト材料からなるレジストパターンを形成し、メルトすることにより上凸形状のレジストパターンを形成する工程と、
前記上凸形状のレジストパターン上に第２のレジスト材料を膜厚が均一となるように塗布し、硬化して、第１および第２のレジスト材料で構成されたレジストパターンを形成する工程と、
前記第１および第２のレジスト材料と、前記高屈折率材料とのエッチング選択比が１対１となるようにエッチングし、前記高屈折率材料に前記レジストパターンを転写する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記透光性の絶縁膜を形成する工程は、前記光電変換部の形成された基板表面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記透光性の絶縁膜を形成する工程に先立ち、反射防止膜としての窒化シリコン膜を形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記層内レンズ上にカラーフィルタ層を形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記カラーフィルタ層を形成する工程に先立ち、
水素終端処理を行うための開口を形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、さらにこの上層に前記光電変換部に対応するように層内レンズを形成した固体撮像素子であって、
光電変換部上に、前記光電変換部と相対するように、高屈折率材料からなる上凸形状の透光性の絶縁膜からなる層内レンズを形成した固体撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の固体撮像素子であって、
前記透光性の絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜である固体撮像素子。
【請求項８】
請求項７に記載の固体撮像素子であって、
前記窒化シリコンは、前記光電変換部に直接配設されている固体撮像素子。
【請求項９】
請求項６に記載の固体撮像素子であって、
前記透光性の絶縁膜は、前記光電変換部上を覆う反射防止膜上に配設されている固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換部に対向するようにカラーフィルタ層を形成してなる固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子にかかり、特に、層内レンズの薄型化および集光性を高め、微細化に耐えうる構造の固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
近年、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。このような状況の中で、チップサイズを大型化することなく高解像度を得るためには、単位画素あたりの面積を縮小し、高集積化を図る必要がある。このように微細化が進むにつれて、感度とスミアを維持することが困難になってきており、十分な集光性を得ることができるレンズ形状への要求が高まっている。
【０００４】
従来の固体撮像素子の製造工程における層内レンズの形成方法では、平坦化膜の形成された表面に層内レンズを構成するレンズ材の膜を形成し、このレンズ材の膜上に所定のレンズ形状のレジストを形成する工程と、このレジストのレンズ形状をレンズ材の膜に転写する工程と、レンズ形状が転写されたレンズ材の膜上にさらに同一のレンズ材の膜を成膜して層内レンズを形成する工程とを用いて製造を行うという方法がとられている（特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記層内レンズでは、十分になだらかな形状を得ることが難しく、集光性が十分ではなく、さらなる集光率の向上が求められている。
【０００７】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、高度の微細化に際しても高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで本発明の固体撮像素子の製造方法は、基板上に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、さらにこの上層に前記光電変換部に対応するように層内レンズを形成した固体撮像素子の製造方法において、前記層内レンズの形成工程が、前記光電変換部および電荷転送部の形成された前記基板表面に高屈折率材料からなる透光性の絶縁膜を形成する工程と、前記透光性の絶縁膜上に、前記光電変換部上に相対するように第１のレジスト材料からなるレジストパターンを形成し、メルトすることにより上凸形状のレジストパターンを形成する工程と、前記上凸形状のレジストパターン上に第２のレジスト材料を膜厚が均一となるように塗布し、硬化して、第１および第２のレジスト材料で構成されたレジストパターンを形成する工程と、前記第１および第２のレジスト材料と、前記高屈折率材料とのエッチング選択比が１対１となるようにエッチングし、前記高屈折率材料に前記レジストパターンを転写する工程とを含む。
【０００９】
第１のレジスト材料からなるレジストパターンをメルトしただけでは、パターン間にギャップが形成されてしまい、また十分に望ましい形状を得る事は困難であるが、この構成によれば、メルト後、この上層に第２のレジスト材料からなるレジストを塗布することにより、所望の形状を得ることができ、この形状をエッチバックにより、高屈折率材料に転写することにより、効率よく所望の形状の層内レンズを得ることができる。また、電荷転送電極の形成された基板表面に直接高屈折率材料を形成し、これを形状加工することによって層内レンズを形成することができるため、固体撮像素子全体としての薄型化も可能となる。
【００１０】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記透光性の絶縁膜を形成する工程が、前記光電変換部の形成された基板表面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する工程とであるものを含む。
【００１１】
この構成によれば、高屈折率であり、パッシベーション性も高く、かつ平坦性のよい膜を形成することができる層内凸レンズを形成することができる。
【００１２】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記透光性の絶縁膜を形成する工程に先立ち、反射防止膜としての窒化シリコン膜を形成する工程を含む。
【００１３】
この構成によれば、反射防止膜上に直接高屈折率膜が形成され得、より薄型化をはかることができる。
【００１４】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記層内レンズ上にカラーフィルタ層を形成する工程を含む。
【００１５】
この構成によれば、平坦化された表面にカラーフィルタ層が形成されるため、より薄型化を図ることができる。
【００１６】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記カラーフィルタ層を形成する工程に先立ち、水素終端処理を行うための開口を形成する工程を含む。
【００１７】
この構成によれば、効率よく水素終端処理を行うことができる。
【００１８】
また、本発明の固体撮像素子は、基板上に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、さらにこの上層に前記光電変換部に対応するように層内レンズを形成した固体撮像素子であって、光電変換部上に、前記光電変換部と相対するように、高屈折率材料からなる上凸形状の透光性の絶縁膜を形成している。
【００１９】
この構成によれば、所望の形状の層内レンズを得ることができるため、集光性が高く、高感度で低スミアの固体撮像素子を得ることができる。また、固体撮像素子全体としての薄型化も可能となる。
【００２０】
また、本発明の固体撮像素子は、前記透光性の絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜であるものを含む。
【００２１】
この構成によれば、緻密で平坦性が高くかつ高屈折率の絶縁膜を得ることができる。
【００２２】
また、本発明の固体撮像素子は、前記窒化シリコンが、前記光電変換部に直接配設されているものを含む。
【００２３】
この構成によれば、より薄型化をはかることができる。
【００２４】
また、本発明の固体撮像素子は、前記透光性の絶縁膜は、前記光電変換部上を覆う反射防止膜上に配設されているものを含む。
【００２５】
また、本発明の固体撮像素子は前記光電変換部に対向するようにカラーフィルタ層を形成してなるものを含む。
この構成によれば、より薄型化が可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成によれば、非球面状の層内レンズを形成することにより、画素端部の入射光を効率よく光電変換部上に集光でき、集光効率の改善を図り、高感度のセンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（実施の形態１）
【００２８】
本実施の形態の固体撮像素子は、図１および図２（図１は図２のＡ−Ａ断面を示す図）に示すように、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、層内レンズが非球面状の上凸レンズで構成されたことを特徴とするものである。この非球面状の上凸レンズは、マスクパターンとなるレジストパターンをメルトして硬化した後再度この上層にレジストを塗布し、この後エッチバックすることにより非球面状の凸レンズを形成することができる。すなわちこの非球面上の上凸レンズは、光電変換部および電荷転送部の形成された基板表面に高屈折率材料からなる透光性の絶縁膜を形成する工程と、この透光性の絶縁膜上に、前記光電変換部上に相対するように第１のレジスト材料からなるレジストパターンを形成し、メルトすることにより上凸形状のレジストパターンを形成する工程と、上凸形状のレジストパターン上を第２のレジスト材料をギャップフィル膜厚が均一となるように塗布し、硬化して、第１および第２のレジスト材料で構成されたレジストパターンを形成する工程と、第１および第２のレジスト材料と、高屈折率材料とのエッチング選択比が１対１となるようにエッチングし、高屈折率材料にレジストパターンを転写する工程とによって形成される。
【００２９】
なお、図１および２に示すように、シリコン基板１には、光電変換部を構成する複数のフォトダイオード領域３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード領域３０の間に形成される。
電荷転送部以外の部分については、通例の固体撮像素子と同様に形成されている。
【００３０】
ここで有効撮像領域は、光電変換部と垂直転送路（電荷転送部の一部）を含む受光領域と水平転送路（電荷転送部の一部）とで構成されており、その外側に周辺回路としての出力回路が形成されている。
【００３１】
ここでは、ゲート酸化膜２は、ラジカル酸化膜とＣＶＤ膜との合計膜厚５０ｎｍ程度となるように形成される。また、図示しないがシリコン基板１の非撮像領域および電荷転送部の素子分離領域上には、信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタや信号処理回路および配線が形成されている。
【００３２】
すなわち、図１および図２に固体撮像素子チップの断面概要図および平面図（図１は図２のＡ−Ａ断面図）を示すように、シリコン基板１内には、有効撮像領域（受光領域）内にフォトダイオードを備えた光電変換部および電荷転送部が形成され、その上層は絶縁膜で被覆されている。
【００３３】
電荷転送部４０は、複数のフォトダイオード列の各々に対応してシリコン基板１表面部の列方向に形成された複数本の垂直電荷転送チャネル３３と、垂直電荷転送チャネル３３の上層に形成された電荷転送電極３と、フォトダイオード３０で発生した電荷を垂直電荷転送チャネル３３に読み出すための電荷読み出し領域３４とを含む。電荷転送電極３は、行方向に配設された複数のフォトダイオード３０からなる複数のフォトダイオード行の間を全体として行方向に延在する蛇行形状となっている。また、電荷転送電極によって転送される信号電荷が移動する垂直電荷転送チャネル３３が、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、形成されている。
【００３４】
図１に示すように、シリコン基板１の表面にはｐウェル層１Ｐが形成され、ｐウェル層１Ｐ内に、ｐｎ接合を形成するｎ領域３０ｂが形成されると共に表面にｐ領域３０ａが形成され、フォトダイオード３０を構成しており、このフォトダイオード３０で発生した信号電荷は、ｎ領域３０ｂに蓄積される。
【００３５】
そしてこのフォトダイオード３０の右方には、少し離間してｎ領域からなる垂直電荷転送チャネル３３が形成される。ｎ領域３０ｂと垂直電荷転送チャネル３３の間のｐウェル層１Ｐに電荷読み出し領域３４が形成される。
【００３６】
電荷読み出し領域３４と垂直電荷転送チャネル３３の上には、ゲート酸化膜２を介して、電荷転送電極３が形成される。そして電極間には電極間絶縁膜５が形成されている。垂直転送チャネル３３の右側にはｐ＋領域からなるチャネルストップ３２が設けられ、隣接するフォトダイオード３０との分離がなされている。
【００３７】
そして電荷転送電極３の上層には、酸化シリコン膜７、（パッシベーション膜）、ＢＰＳＧ（borophospho  silicate  glass）からなる絶縁膜８、Ｐ−ＳｉＮからなる層内レンズ７３、透明樹脂等からなるフィルタ下平坦化膜７４が形成される。さらにこれらの上方には、カラーフィルタ５０（赤色フィルタ５０Ｒ、緑色フィルタ５０Ｇ、青色フィルタ：図示せず）とマイクロレンズ６０が設けられる。
【００３８】
なお、図２では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、正方格子型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００３９】
次に本実施の形態の固体撮像素子の製造工程について図３乃至図８を参照しつつ説明する。図３乃至図８は図２のＢ−Ｂ断面での説明図である。
まず、ｎ型のシリコン基板１を用意し、図１に記載の電荷転送チャネル３３、チャネルストップ領域３２、電荷読み出し領域３４が形成された、不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、低温プラズマによるラジカル酸化による酸化膜厚１５〜３５ｎｍの酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法による酸化シリコン膜とからなる、２層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００４０】
続いて、このゲート酸化膜２上に、減圧ＣＶＤ法により、ドープトアモルファスシリコン膜Ｄ１を形成するとともに、減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜５との２層膜Ｄ４を形成し、レジストパターンＲ１を形成する（図３（ａ））。このレジストパターンは１個おきの電荷転送電極のパターンに相当するように形成する。
【００４１】
続いて、反応性イオンエッチングにより、この２層膜Ｄ４をエッチングし、ドープトアモルファスシリコン膜Ｄ１のパターニング用のマスクパターンを形成する（図３（ｂ））。
【００４２】
そしてアッシングによりレジストパターンを剥離除去する（図３（ｃ））。
【００４３】
続いて、電極パターンの表面に低温プラズマによるラジカル酸化を行うとともにＣＶＤ法による成膜を行い２層構造のゲート酸化膜と同じ厚さの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜５（正確にはここでは電極間絶縁膜５の芯となる部分５ａであるが電極間絶縁膜５とする）を形成する（図４（ａ））。
【００４４】
続いて、再度、減圧ＣＶＤ法により、ドープトアモルファスシリコン膜Ｄ２を形成するとともに、ＣＭＰにより平坦化する（図４（ｂ））。この後、電荷転送電極の形状をなすようにフォトリソグラフィによりこれらドープトアモルファスシリコン膜Ｄ２をパターニング後エッチング加工する（図４（ｃ））。
【００４５】
そして、ラジカル酸化を行って酸化シリコン膜４Ｓを形成し（図５（ａ））、さらに反射防止膜６としての窒化シリコン膜を形成した後、フォトダイオード部を形成するためのイオン注入を行う。この後、注入したイオンを活性化するためのフラッシュランプアニールを行う。そしてＣＶＤ法により表面に酸化シリコン膜７を形成する（図５（ｂ））。
【００４６】
そしてこの上層に、膜厚７００ｎｍのＢＰＳＧ膜８を形成し、８５０℃でリフローし平坦化する（図５（ｃ））。
【００４７】
次に、反射防止膜としての窒化シリコン膜６を研磨防止層としてＣＭＰを行う。この後窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを異方性エッチングによりエッチング除去し（図６（ａ））、露呈したドープトアモルファスシリコン層Ｄ１，Ｄ２をエッチング除去し（図６（ｂ））、電極間絶縁膜５ａを隔てて電荷転送電極形成領域が露呈した形状を得る。
【００４８】
続いて低温プラズマによるラジカル酸化後、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜５ｂを形成し、さらにこの窒化シリコン膜５ｂ表面をラジカル酸化し、酸化シリコン膜５ｃを形成することにより、電極間絶縁膜５を形成する（図６（ｃ））。
【００４９】
次に、ＣＶＤ法によりＴｉＮ層とＷ層との２層膜を形成し、ＣＭＰ法により平坦化し、金属電極３を形成する。このときＣＭＰ工程における研磨防止層としての窒化シリコン膜５ｂを除去した後プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜７を形成する（図７）。
【００５０】
そしてパッシベーション膜としての酸化シリコン膜（図示せず）の形成工程を経て、プラズマＣＶＤ法によりレンズ材料としての窒化シリコン膜７３を形成する。そしてレジストを塗布しフォトリソグラフィによりパターンを形成し、加熱してメルトした後、イオン注入により、レンズ状の第１のレジストパターンＲ１を硬化させる（図８（ａ））。
【００５１】
この後、第２のレジストパターンＲ２を形成し、非球面状の外表面とする（図８（ｂ））。そして、第１および第２のレジストパターンからなる表面部材とエッチング速度が同一である窒化シリコン膜７３をエッチバックし、層内レンズを形成する（図８（ｃ））。そしてパッド部の窒化シリコンを除去し水素終端処理をした後、平坦化膜７４、カラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０などを形成して、図１および図２に示すような固体撮像素子を得る。なお図２では主要部のみを示した。
【００５２】
この構成によれば、層内レンズを、所望の曲率を有する非球面形状の凸レンズで構成しているため、集光性を高め、高感度、低スミアを有する固体撮像素子を得ることができる。また本実施の形態では、電荷転送電極を金属材料で構成しているため、遮光膜が不要となり、薄型化が可能であり、極めて集光性の高いものとなっている。また、金属材料で構成された低抵抗の電荷転送電極によって確実な遮光を実現しつつ、電荷転送電極の端縁と自己整合的に受光領域が規定されることになり、最大限に光電変換領域を広げることが可能となることから光量の増大をはかることができる。
【００５３】
この方法によれば、層内レンズの形成にあたり、第１のレジスト材料からなるレジストパターンＲ１をメルトした後、この上層に第２のレジスト材料からなるレジストＲ２を塗布することにより、所望の形状を得ることができ、この形状をエッチバックにより、高屈折率材料に転写することにより、ギャップレスなど効率よく所望の形状の層内レンズを得ることができる。また、電荷転送電極の形成された基板表面に直接高屈折率材料を形成し、これを形状加工することによって層内レンズを形成することができるため、固体撮像素子全体としての薄型化も可能となる。
【００５４】
また、本実施の形態では、電荷転送電極の形成に以下のような効果を奏功する。ドープトアモルファスシリコンなどのシリコン系導電性膜の酸化によって形成した絶縁膜を基体とする電極間絶縁膜によって電極間ギャップが決まるため、解像限界を超えて微細な電極間ギャップを形成することができる。また、ラジカル酸化を用いることにより低温形成が可能でありながら、緻密で高耐圧の絶縁膜を得ることができるため、拡散長の伸びを防ぎ、高精度で信頼性の高い固体撮像素子を形成することができる。特に、ゲート酸化膜をはじめ電極間絶縁膜を低温プラズマによるラジカル酸化による酸化シリコン膜とＣＶＤ膜の２層膜によって形成しているため低温形成が可能で、下地の拡散長の伸びを招くことなく、高品質の絶縁膜を形成することができ、高精度で高耐圧の電極間絶縁膜を形成することができ、信頼性の高い固体撮像素子を形成することが可能となる。また、ラジカル酸化は、低温プロセスであるため、何度も繰り返しても拡散長の伸びはほとんどなく、確実に高耐圧化をはかることができる。
【００５５】
前記実施の形態では、層内レンズを構成するのに窒化シリコン膜を用いたが、窒化シリコン膜に限定されることなく、レジストなど他の高屈折率材料をレンズ基体として用いてもよいことはいうまでもない。
【００５６】
（実施の形態２）
前記実施の形態では、電荷転送電極が金属材料で構成された固体撮像素子について説明したが、図９に示すように本実施の形態では電荷転送電極をドープトアモルファスシリコン膜３ａ、３ｂで構成した例について説明する。この場合はフォトダイオードの受光領域を規定するための遮光膜７１Ｍが形成されている。他部については実施の形態１と同様であり、説明は省略する。
【００５７】
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、集光効率を高め微細で高感度の固体撮像素子を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
この構成によれば、層内レンズを非球面レンズとすることができ、集光性の高い固体撮像素子を形成できることから、次世代の携帯電話やディジタルカメラなどの電子機器における固体撮像素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の形態実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の形態実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の形態実施の形態２の固体撮像素子を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  シリコン基板
２  ゲート酸化膜
３  垂直電荷転送電極
３ａ、３ｂ  ドープトアモルファスシリコン層
５ａ  酸化シリコン膜
５ｂ  窒化シリコン膜
５ｃ  酸化シリコン膜
５  電極間絶縁膜
７  酸化シリコン膜
８  ＢＰＳＧ膜
３０  光電変換部
４０  電荷転送部
５０  カラーフィルタ
６０  レンズ
７１Ｍ  遮光膜
７３  層内レンズ
７４  平坦化膜
【図１】
2007012676.tif 000002
【図２】
2007012676.tif 000003
【図３】
2007012676.tif 000004
【図４】
2007012676.tif 000005
【図５】
2007012676.tif 000006
【図６】
2007012676.tif 000007
【図７】
2007012676.tif 000008
【図８】
2007012676.tif 000009
【図９】
2007012676.tif 000010