(57)【要約】【課題】  ＣＣＤイメージセンサの垂直転送電荷電極同士の重なりによる段差を小さくし、光電変換素子とマイクロレンズとの距離を小さくすることにより、ＣＣＤイメージセンサの感度を向上させる。【解決手段】  半導体基板に溝状の窪みを形成し、その溝状の窪み内に第１の垂直電荷転送電極を形成することにより、半導体基板とマイクロレンズとの距離を小さくする。【選択図】  図１
2007049018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子がマトリックス状に配列された受光部と、前記受光部の光電変換素子列に沿って信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部を半導体基板内に形成するとともに、前記垂直電荷転送部上に絶縁膜を介して転送方向に沿って設けられた２層以上の垂直転送電極用配線を有する固体撮像素子に於いて、前記半導体基板の表面に溝状の窪みを形成し、第１の垂直転送電極用配線は前記溝状の窪み内に配置し、前記半導体基板の表面と前記第１の垂直転送電極用配線の上側の表面が同一面に配置されることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
光電変換素子がマトリックス状に配列された受光部と、前記受光部の光電変換素子列に沿って信号電荷を垂直方向に転送するために転送方向に沿って設けられた２層以上の垂直転送電極用配線を有する固体撮像素子に於いて、第１の垂直転送電極用配線は、前記光電変換素子及び前記第1の垂直転送電極用配線以外の配線と対向する垂直電荷転送部と、前記半導体基板表面から同じ深さに位置する領域を含むことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】
光電変換素子がマトリックス状に配列された受光部と、前記受光部の光電変換素子列に沿って信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部とを有するとともに、前記垂直電荷転送部上に絶縁膜を介して転送方向に沿って設けられた２層以上の垂直転送電極用配線とを有する固体撮像素子の製造方法であって、半導体基板に溝状の窪みを形成する工程と、第１の垂直転送電極用配線は前記溝状の窪み内に形成する工程を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法において、化学機械研磨を用いて、前記半導体基板の表面と前記第１の垂直転送電極用配線の上側の表面を同一面にする工程を備えていることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子に関し、特に、感度が向上するように構成された固体撮像素子とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどに使われている固体撮像素子は、小型化、高密度画素化の一途をたどっている。固体撮像素子の一つであるＣＣＤイメージセンサにおいても小型化、高密度画素化に伴い、画素の面積が縮小され、受光部の遮光膜に対する開口が狭くなり、感度が低下してきている。
【０００３】
感度向上の手段の一つとして、半導体基板とマイクロレンズとの距離を縮める方法がある。しかし、ＣＣＤイメージセンサは電極、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズが積層する構造になっており、単純な方法でマイクロレンズと半導体基板との距離を縮める事は難しい。
【０００４】
従来のＣＣＤイメージセンサの構造について図８を用いて説明する。ＣＣＤイメージセンサは大きく分けると、受光部１０１、水平ＣＣＤ１０２、出力部１０３で構成されている。受光部１０１には、光電変換を行い、発生した信号電荷を蓄積する素子（光電変換素子１０４）がマトリックス状に配列されている。さらに、各光電変換素子１０４の列に沿って信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と電荷の転送を制御する垂直転送電極からなる垂直ＣＣＤ１０５が設けられている。
【０００５】
次に、ＣＣＤイメージセンサの動作について説明する。ＣＣＤイメージセンサに入力された光は、光電変換素子１０４で光電変換が行なわれ、信号電荷に変換される。各光電変換素子１０４で光電変換された信号電荷は、光電変換素子１０４に蓄積される。光電変換素子１０４に蓄積された信号電荷は垂直ＣＣＤ１０５に読み出される。垂直ＣＣＤ１０５に読み出された信号電荷は光電変換素子の水平方向の一列の信号電荷毎、つまり１水平ラインずつ水平ＣＣＤ１０２に転送される。水平ＣＣＤ１０２に転送された信号電荷は、出力部１０３に転送され、ＣＤＳ（相関二重サンプリング）回路に出力される。
【０００６】
次に図９〜図１１を用いて、ＣＣＤイメージセンサの垂直転送電極用配線の構造について説明する。図９は配線構造を示すための部分平面概略図である。第1の垂直転送電極用配線１０６は垂直方向に隣り合う光電変換素子１０４の間を水平方向に、イメージセンサ領域に亘って配線されている。第1の垂直転送電極用配線１０６と垂直電荷転送部１１２が交差する箇所が第1の転送電極１１０（図中２点鎖線内）となる。第２の転送電極用配線１０７も垂直方向に隣り合う光電変換素子１０４の間を水平方向に配線され、また、光電変換素子１０４の水平方向の両側は前記転送電極用配線１０６、１０７の端に一致させて配置されている。第２の転送電極用配線１０７と垂直電荷転送部１１２との交差する箇所から第1の転送電極用配線１０６と交差する箇所を除いた箇所が、第２の転送電極１１１（図中２点鎖線内）となる。第２の垂直転送電極用配線１０７は光電変換素子１０４から垂直電荷転送部１１２に信号電荷を読み出す為のトランスファーゲート電極を兼ねている。
【０００７】
図１０は図９中の垂直ＣＣＤの存在する箇所を垂直方向（Ａ−Ａ’断面）に切断した際の断面概略図である。半導体基板にイオン注入或いは熱処理して形成された垂直電荷転送部１１２の上面には絶縁膜を介して、第１の垂直転送電極用配線１０６、第２の垂直転送電極用配線１０７が設けられている。第２の垂直転送電極用配線１０７は第１の垂直転送電極用配線１０６上に一部が乗り上げるように設けられている。それはパターニング時のアライメントずれなどの製造におけるバラツキにより第１の垂直転送電極用配線１０６と第２の垂直転送電極用配線１０７とのギャップ１１０が大きくならないようにする為である。このギャップが大きくなった場合、電荷の転送効率が悪くなり、画質を落とす結果となる。
【０００８】
次に図１１に図９中の光電変換素子の中央付近を垂直方向に切断した面（Ｂ−Ｂ'断面）の断面概略図を示す。隣接する光電変換素子１０４を分離している領域上に絶縁膜を介して、第１の垂直転送電極用配線１０６が形成され、その上面に絶縁膜を介して、第２の垂直転送電極用配線１０７が形成されている。図９と図１０からも分かるように、第２の垂直転送電極用配線１０７は第１の垂直転送電極用配線１０６の上面に乗り上げている部分と乗り上げていない部分とがあり、第２の垂直転送電極用配線１０７には段差ができてしまう。その為、第２の垂直転送電極用配線であるポリシリコン膜のエッチングが難しくなってきている。垂直転送電極用配線１０６、１０７を覆うように遮光膜１０８が設けられ、その上方には平坦化膜１０９が設けられている。このように従来のＣＣＤイメージセンサは電極どうしが一部で重なり、さらに遮光膜や平坦化膜など、多くの膜が積層構造になっている為、半導体基板からマイクロレンズまでの距離が長くなってしまう。
【０００９】
次に従来のＣＣＤイメージセンサの製造方法について説明する。
【００１０】
図１２に図９中の垂直ＣＣＤを垂直方向に切断した面（Ａ−Ａ’断面）の工程断面概略図を示す。
【００１１】
半導体基板１０１に垂直電荷転送部１１２をイオン注入や熱処理を用いて形成する（図１２（ａ））。その後、半導体基板上に絶縁膜となるゲート酸化膜を形成し、第１の垂直転送電極用配線１０６であるポリシリコン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により堆積させ、ドーピング、パターニング、エッチング等を用いて形成する（図１２（ｂ））。次に、再度絶縁膜となるゲート酸化膜を形成して、第２の垂直転送電極用配線１０７となるポリシリコン膜をＣＶＤにより堆積させ、ドーピング、パターニング、エッチング等を用いて形成する（図１２（ｃ））。その後、遮光膜１０８をスパッタやＣＶＤを用いて、ＴｉＮ（チタンナイトライド）やＷ（タングステン）等を堆積させ、光電変換素子１０４となる部分を覆うことのないようにパターニングし、エッチングを行って形成している。その後、イオン注入、熱処理を行なうことにより光電変換素子１０４を形成する。その後、平坦化膜１０９を形成している（図１２（ｄ））。さらに、カラーのＣＣＤイメージセンサの場合はアクリル材を塗布し、その後、光電変換素子に対応するカラーフィルタ（図示せず）を形成し、さらに保護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜（図示せず）を形成している。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び熱処理によりマイクロレンズ（図示せず）を形成している。
【００１２】
ところで、半導体基板とマイクロレンズとの距離を縮める方法として、特許文献１が提示されている。特許文献１では、図１３に示すように、第１の垂直転送電極用配線１０６をリソグラフィ工程を利用して形成し、その後第２の垂直転送電極用配線１０７を堆積させて生成するといった方法で２層の電極層を同じ層に配置し、電極の重なりを無くす固体撮像素子を提示している。
【特許文献１】特開平９−２３７８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来のＣＣＤイメージセンサにおいて、半導体基板からマイクロレンズまでの距離が長くなる理由は、第１の垂直転送電極用配線１０６の上面に第２の垂直転送電極用配線１０７の一部が重なって形成される事と、遮光膜１０８、平坦化膜１０９、カラーフィルタ等の多くの膜を使用した積層構造になっている事である。しかし、従来のＣＣＤイメージセンサに使用されている、遮光膜、平坦化膜、カラーフィルタ等の膜は必要不可欠なものであり、今までにも薄膜化の対策が行なわれており、今以上に薄膜化することは非常に困難になってきている。従って、転送電極の重なり部分の改善が求められている。
【００１４】
しかし特許文献１では、図１３の平面図に示すように、２層の電極は同じ階層にのみ配置され、基板に対して上下に重ねて配置していない。従って２層を並行に配置しなくてはならない箇所、特に垂直方向に隣り合った光電変換素子の間Ｎを水平方向に配線する箇所では２層の電極が共に細い配線とならざるを得ない。その結果、電極の配線抵抗が大きくなり、電荷転送の効率を悪化させることになる。また、どちらの電極も酸化膜のみを介して基板と隣り合っているため、電極用配線の読み出し電圧の変化が隣接する素子に影響を与え、画質が悪化する可能性が生じる。
【００１５】
そこで、本発明は、上記の画質の悪化を導くことなく、受光部の光電変換素子とマイクロレンズとの距離を縮小できる固体撮像素子を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は上記目的を達成する為に、半導体基板の表面に溝状の窪みを配置し、第１の垂直転送電極用配線が前記溝状の窪み内に存在し、前記溝状の窪み内には前記第１の垂直転送電極用配線が形成されているようにする。第１の垂直転送電極用配線が溝状の窪み内に形成されるので、半導体基板とマイクロレンズとの距離が縮小される。
【００１７】
また、第１の垂直転送電極用配線を、半導体基板表面に作られた溝状の窪み内に形成し、第１の垂直転送電極用配線と半導体基板の表面を同一面に配置する事により、第１の垂直転送電極用配線と第２の垂直転送電極用配線との間に出来ている段差を無くす事ができ、半導体基板とマイクロレンズとの距離を縮小できる。
【００１８】
あるいは、光電変換素子がマトリックス状に配列された受光部と、前記受光部の光電変換素子列に沿って信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部上に絶縁膜を介して転送方向に沿って設けられた２層以上の垂直転送電極用配線を有する固体撮像素子であって、第１の垂直転送電極用配線は、前記光電変換素子及び前記第1の垂直転送電極用配線以外の配線と対向する垂直電荷転送部と、前記半導体基板表面から同じ深さに位置する領域を含むように形成する。この場合も、第１の垂直転送電極用配線と第２の垂直転送電極用配線との間に出来ている段差を軽減でき、半導体基板とマイクロレンズとの距離を縮小できる。
【００１９】
また、光電変換素子がマトリックス状に配列された受光部と、前記受光部の光電変換素子列に沿って信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部とを有するとともに、前記垂直電荷転送部上に絶縁膜を介して転送方向に沿って設けられた２層以上の垂直転送電極用配線とを有する固体撮像素子の製造方法であって、半導体基板に溝状の窪みを形成する工程と、第１の垂直転送電極用配線は前記溝状の窪み内に形成する工程を有する固体撮像素子の製造方法とする。当該製造方法を用いれば、容易に第１の垂直転送電極用配線は、前記光電変換素子及び前記第1の垂直転送電極用配線以外の配線と対向する垂直電荷転送部と、前記半導体基板表面から同じ深さに位置する領域を含む構成の固体撮像装置を製造できる。
【００２０】
また、このとき、第１の垂直転送電極用配線と半導体基板の表面を、化学機械研磨を用いて同一面にする事により、第１の垂直転送電極用配線と第２の垂直転送電極用配線との間に出来ていた段差を無くす事が出来るので、第２の垂直転送電極用配線の形成が容易な固体撮像素子の製造方法を提供する事が出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１の垂直転送電極用配線と第２の垂直転送電極用配線との間に出来ている段差を小さくする事ができるため、光電変換素子４とマイクロレンズとの距離を縮めることができ、より感度が良好な固体撮像素子を提供する事が出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（実施形態１）
以下、本発明の第1の実施の形態（実施形態１）についてについて説明する。実施形態１は、受光部１０１、水平ＣＣＤ部１０２、出力部１０３を有するＣＣＤイメージセンサであり、全体の構成の要素は概ね図8の従来構造と同様であり、動作も従来構造と同様であるので、図８と同様の点に関しては説明を省略する場合がある。
【００２３】
図１は実施形態１のＣＣＤイメージセンサの受光部の配線構造を示すための平面概略図である。本実施形態においては、半導体基板の受光部１０１に、光電変換を行い発生した信号電荷を蓄積する素子（光電変換素子４）がマトリックス状に複数個配置されている。そして、受光部１０１の各光電変換素子４の列に沿って、近接させて垂直電荷転送部５が形成されている。
【００２４】
第1の垂直転送電極用配線６は垂直方向に隣り合う光電変換素子４の間を水平方向に、イメージセンサの受光部１０１全体に亘って配線されている。この配線６のうち、垂直電荷転送部５に対向する部分は上流側に延設されており、この延設部の端部は、一つ上流側の第２の垂直転送電極用配線７の下流側端部と絶縁膜を介して重なって配置されている。そして、垂直電荷転送部５に対向する部分の下流側は、第２の垂直転送電極用配線７と絶縁膜を介して対向している。そして、第1の垂直転送電極用配線６と垂直電荷転送部５が交差する箇所が第1の転送電極１８（図中２点鎖線内）となる。
【００２５】
第２の垂直転送電極用配線７も垂直方向に隣り合う光電変換素子４の間を水平方向に、イメージセンサの受光部１０１全体に亘って配線されている。この配線のうち、垂直電荷転送部５に対向する部分は、その上流側が下流側に向かって窪んだ形状をしており、この箇所が第１の垂直転送電極用配線６の下流側端と絶縁膜を介して対向している。また、その下流側がさらに下流側に延設され端部が光電変換素子４の下流側端近傍にまで達している。そして、この箇所が一つ下流側の第１の垂直転送電極用配線６の上流側端と絶縁膜を介して重なっている。
【００２６】
そして、第２の転送電極用配線７と垂直電荷転送部５との交差する箇所から第1の転送電極用配線６と交差する箇所を除いた箇所が第２の転送電極１９（図中２点鎖線内）となる。第２の垂直転送電極用配線７は光電変換素子４から垂直電荷転送部５に信号電荷を読み出す為のトランスファーゲート電極を兼ねている。
【００２７】
図２は図1中の垂直ＣＣＤの存在する箇所で垂直方向（Ｃ−Ｃ‘断面）に切断した際の断面概略図である。本実施形態のＣＣＤイメージセンサは図２に示すように、半導体基板上に第1の垂直転送電極用配線６の形状に沿った形状の溝状の窪み１１を有している。窪み１１が形成された半導体基板には、窪み１１が延びる方向と交差する方向に垂直電荷転送部５が設けられている。第１の垂直転送電極用配線６は前記半導体基板の溝状の窪み１１内に、列状に配置された各垂直電荷転送部５を跨いで設けられている。第１の垂直転送電極用配線６が窪み１１内に設けられるため、従来のものに比べて第1の垂直転送電極６と半導体基板との間にできる段差を低減できる。その結果、光電変換素子４とマイクロレンズとの距離を縮小することができるので、ＣＣＤイメージセンサの感度の向上を実現することができる。この効果を生ずる構成は、第１の垂直転送電極用配線６が、前記光電変換素子４及び前記垂直電荷転送部５と同一層に配置されている構成と換言することもできる。
【００２８】
また、感度の向上を実現するためには、半導体基板の表面と第１の垂直転送電極用配線６の表面が同じ面になるように、平坦化することが望ましく本実施形態ではこの例を示している。これにより、半導体基板上での第１の垂直転送電極用配線６と第２の垂直転送電極用配線７との段差が無くなり、より光電変換素子４とマイクロレンズとの距離を縮小する事が可能である。
【００２９】
次に、本実施形態の図１中の受光部中央を垂直方向に切断した面（Ｄ−Ｄ’断面）の断面概略図を図３に示す。上下に隣接する光電変換素子４を分離している領域に溝状の窪み１１が形成されている。溝状の窪み１１内には第１の垂直転送電極用配線６が設けられ、半導体基板の表面と第１の垂直転送電極用配線６の表面が同一面になるように形成されている。その上に絶縁膜を介して、第２の垂直転送電極用配線７が形成されている。第１の垂直転送電極６と第２の垂直転送電極用配線７を覆うように遮光膜８が形成され、その上に平坦化膜９が形成されている。
【００３０】
次に実施例の製造方法について図４を用いて説明する。後に第１の垂直転送電極用配線が設けられる部分の半導体基板にエッチングを用いて深さ３０００オングストローム程度の溝状の窪み１１を形成する。次に、垂直ＣＣＤとするための、垂直電荷転送部５をイオン注入や熱処理を用いて形成する。次に、窪み表面を含めて、半導体基板表面に第１の垂直転送電極用配線６のゲート酸化膜を形成し、ゲート酸化膜上にポリシリコン膜４０００オングストローム程度を半導体基板全面にＣＶＤにより堆積させる。その後、化学機械研磨により半導体基板の表面と第１の垂直転送電極用配線６の表面が平坦化されて同一面になるまで削る。次に第２の垂直転送電極用配線７のゲート酸化膜を形成し、ポリシリコン膜４０００オングストローム程度をＣＶＤにより堆積させ、パターニング、エッチング等を用いて半導体基板上に第２の垂直転送電極用配線７を形成する。この時、第１の垂直転送電極用配線６の表面と半導体基板の表面が同じ高さになっているので、第２の垂直転送電極用配線７に段差が無く、パターニング、エッチング等を容易に行う事が可能である。その後、遮光膜８としてＣＶＤを用いてＴｉＮを１０００オングストローム程度堆積させ、Ｗを３０００オングストローム程度堆積させる。第１の垂直転送電極用配線６と第２の垂直転送電極用配線７を覆うようにパターニング、エッチング等を行い形成する。その後、遮光膜８上にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）をＣＶＤにより５０００オングストローム程度堆積させる。その後、ＢＰＳＧを８５０〜９５０℃で熱処理を行ない、ＢＰＳＧの表面を平坦にして、平坦化膜９を形成する。その後、図示は省略するが次にアクリル材を塗布し、その後、カラーフィルタを形成し、さらに保護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜を形成する。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び熱処理によりマイクロレンズを形成する。以上には、カラーのＣＣＤイメージセンサについて記載したが、モノクロのＣＣＤイメージセンサの場合は、カラーフィルタ形成に関する工程は省略することができる。
【００３１】
（実施の形態２）
実施形態１では垂直転送電極が２層の場合で説明したが、垂直転送電極が３層またはそれ以上の構造のＣＣＤイメージセンサでも実現することができる。図５に垂直転送電極用配線が3層の場合のイメージセンサの受光部の配線構造を示すための平面概略図を示す。また、図６に実施形態２のＥ−Ｅ’断面図を、図７に実施形態２のＦ−Ｆ’断面図を示す。なお、実施形態２においては実施形態１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００３２】
実施形態２では、第1の垂直転送電極用配線１６は光電変換素子の垂直方向の間に水平方向に配置されており、水平方向の各列に２本ずつ設けられている。第1の垂直転送電極用配線１６と垂直電荷転送部５とが交差する箇所が電極となる。従ってこの部分が各光電変換素子４に対して２個の電極を形成する。そして第２の垂直転送電極用配線１７は前記２本の第1の垂直転送電極用配線１６の間であってその上方に形成され、第２の垂直転送電極用配線１７の上流側端が上流側の第１の垂直転送電極用配線１６の下流側端に、第２の垂直転送電極用配線１７の下流側端が下流側の第１の垂直転送電極用配線の上流側端に重なるように配置されている。
【００３３】
第３の垂直転送電極用配線１２は、実施形態1の第２の垂直転送電極用配線７と類似した形状で形成されている。すなわち、ある光電変換素子４に注目したときに、その光電変換素子４に対応する第２の垂直転送電極用配線１７の中間部上方から下流側端にかけて絶縁膜を介して対向するよう延設されるとともに、それに続いて、一つ下流側の光電変換素子４に対応する第１の垂直転送電極用配線１６の上流側端部に絶縁膜を介して対向するところまで、その下流側の端部が延設された形状をしている。
【００３４】
そして、それぞれの垂直転送電極用配線と垂直電荷転送部の交差する箇所が電極となるので、本実施形態では各光電変換素子４に対して４個の電極が設けられていることになる。第１の垂直転送電極用配線６が窪み１１内に設けられるため、従来のものに比べて第1の垂直転送電極６と半導体基板との間にできる段差を低減できる。その結果、光電変換素子４とマイクロレンズとの距離を縮小することができるので、ＣＣＤイメージセンサの感度の向上を実現することができる。この効果を生ずる構成は、第１の垂直転送電極用配線６が、前記光電変換素子４及び前記垂直電荷転送部５と同一層に配置されている構成と換言することもできる。
【００３５】
また、感度の向上を実現するためには、半導体基板の表面と第１の垂直転送電極用配線６の表面が同じ面になるように、平坦化することが望ましく本実施形態ではこの例を示している。これにより、第１の垂直転送電極用配線１６と第２の垂直転送電極用配線１７との段差が無くなり、より光電変換素子４とマイクロレンズとの距離を縮小する事が可能である。
【００３６】
実施形態２にかかるＣＣＤイメージセンサの製造方法を以下に説明する。第２の垂直転送電極用配線１７を形成する工程までは実施例１と同様の方法で製造する。次に、ゲート酸化膜を形成し、第３の垂直転送電極用配線１２であるポリシリコン膜をＣＶＤにより堆積させ、パターニング、エッチング、ドーピング等を用いて形成する。その後、遮光膜の形成からマイクロレンズの形成までを、実施例１と同様の方法で行なう。
【００３７】
３層の電極を形成する場合においても、従来の方法で製造したＣＣＤイメージセンサよりもマイクロレンズと半導体基板との距離を小さくすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明実施形態1の受光部の配線構造を示すための平面概略図である。
【図２】本発明実施形態1の図１のＣ−Ｃ’断面に関する概略図である。
【図３】本発明実施形態1の図１のＤ−Ｄ’断面に関する概略図である。
【図４】本発明実施形態1の製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図５】本発明実施形態２の受光部の配線構造を示すための平面概略図である。
【図６】本発明実施形態２の図５のＦ−Ｆ’断面に関する概略図である。
【図７】本発明実施形態２の図５のＥ−Ｅ’断面に関する概略図である。
【図８】従来の固体撮像素子の概略構造を示す概略図である。
【図９】従来の受光部の配線構造を示すための部分平面概略図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’断面に関する概略図である。
【図１１】図９のＢ−Ｂ’断面に関する概略図である。
【図１２】従来の製造プロセスを説明するための断面概略図である。
【図１３】特許文献１の受光部に関する平面概略図である。
【符号の説明】
【００３９】
４  光電変換素子
５  垂直電荷転送部
６  第１の垂直転送電極用配線
７  第２の垂直転送電極用配線
８  遮光膜
９  平坦化膜
１１  溝状の窪み
１２  第３の垂直転送用電極用配線
６  第１の垂直転送電極用配線
１７  第２の垂直転送電極用配線
１０１  受光部
１０２  水平ＣＣＤ
１０３  出力部
１０４  光電変換素子
１０５  垂直ＣＣＤ
１０６  第１の垂直転送電極用配線
１０７  第２の垂直転送電極用配線
１０８  遮光膜
１０９  平坦化膜
１１０  第１の垂直転送電極
１１１  第２の垂直転送電極
【図１】
2007049018.tif 000003
【図２】
2007049018.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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