(57)【要約】【課題】発光素子などの電子部品を複数個実装しても、それらの熱を効果的に外部に放散できると共に、電子部品として発光素子を実装する場合には、かかる発光素子同士光の干渉を生じにくくした配線基板を提供する。【解決手段】セラミック（絶縁材）からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し、底面６および側面８からなるキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面６に形成され、発光ダイオード（電子部品）１６〜１８を実装するパッド１０，１２，１４と、を備え、かかるパッド１０は、上記キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパッド１２，１４との距離Ｘの方が長い、配線基板１。【選択図】  図１
2007012966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、
上記キャビティの底面に形成され、電子部品を実装するパッドと、を備え、
上記パッドは、上記キャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長い、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に形成され、電子部品を実装するパッドと、を備え、
上記パッドは、上記基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長い、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記電子部品を実装する前記パッドは、個々の電子部品の底面全体を実装する単数のパッドか、あるいは、電子部品の底面のほぼ半分ずつを実装する一対で１組のパッドからなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子などの電子部品を複数個実装するための配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色の発光ダイオード（発光素子：電子部品）が開発されたことに伴って、赤色、緑色、青色の３原色を発光する３個以上の発光素子を併せて実装することにより、フルカラー発光が可能な配線基板が求められている。
例えば、絶縁材からなる基体の上面に設けた凹部の底面に、発光素子の電極をフリップチップ接続させるための複数の電極パッドを形成し、かかる複数の電極パッドを介して、複数の発光素子を上記凹部に収容するようにした発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１１４５６号公報（第１〜９頁、図１，２）
【０００４】
しかしながら、前記特許文献１における図１，２に示すように、凹部の底面に合計６個の発光素子を互いに隣接するように接近させて収容した場合、個々の発光素子から発せられる熱が凹部内で集中するため、かかる凹部内に熱が滞留し易くなる。このため、個々の発光素子の動作が不安定になるおそれがあった。
更に、複数個の発光素子を互いに接近させて凹部の底面に収容すると、これらの発光素子が発光する光が互いに干渉し合うため、例えば、フルカラー発光ができなくなる、という問題点もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子などの電子部品を複数個実装しても、それらの熱を効果的に外部に放散できると共に、発光素子を実装する場合には、かかる発光素子同士光の干渉を生じにくくした配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、複数個の電子部品を実装するキャビティの底面や基板本体の表面における周辺寄りに、各電子部品の電極と接続するための複数のパッドを、互いに離して形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明における第１の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し、底面および側面からなるキャビティと、かかるキャビティの底面に形成され、電子部品を実装するパッドと、を備え、かかるパッドは、上記キャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長い、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、キャビティの底面に形成されるパッドは、かかるキャビティの底面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長くなるような位置に形成されている。このため、キャビティの底面に形成される複数のパッド上に個別に実装する複数個の電子部品から発せられる熱は、キャビティ内で滞留することなく、それぞれ外部に放出されるので、各電子部品の動作を安定させることが可能となる。更に、実装される複数の電子部品が発光ダイオードのような発光素子である場合、例えば、３原色の光を発光させることで、フルカラー発光を安定して行わしめることが可能となる。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材には、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの一種である例えばガラス−セラミック、あるいは、例えばエポキシ系樹脂などの樹脂が含まれる。
また、前記キャビティには、底面が円形で且つ側面が円筒形、底面が長円形で且つ側面が長円筒形、底面が楕円形で且つ側面が長楕円筒形、底面が矩形で且つ側面が角筒形、あるいは、底面がほぼ矩形で且つ側面がほぼ角筒形などの形態が含まれる。
更に、前記電子部品には、ＩＣチップやトランジスタなどの他、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などの発光素子も含まれる。
また、前記「最接近する別のパッド」とは、例えば３個のパッドを実装する場合、何れか１つのパッドにとって、前記キャビティの底面または前記基板本体の表面を平面視した際に、最も短い距離を隔てて位置する別のパッドの一方または双方を指している。
【０００９】
一方、本発明における第２の配線基板（請求項２）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に形成され、電子部品を実装するパッドと、を備え、かかるパッドは、上記基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長い、ことを特徴とする。
これによれば、基板本体の表面に形成されるパッドは、かかる基板本体の表面の周辺までの距離よりも、最接近する別のパッドとの距離の方が長くなるような位置に形成されている。このため、基板本体の表面に形成される複数のパッド上に個別に実装する複数の電子部品から発せられる熱は、基板本体の表面付近に滞留することなく、それぞれ外部に放出されるので、各電子部品の動作を安定させることが可能となる。
【００１０】
更に、本発明には、前記電子部品を実装する前記パッドは、個々の電子部品の底面全体を実装する単数のパッドか、あるいは、電子部品の底面のほぼ半分ずつを実装する一対で１組のパッドからなる、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、電子部品の底面全体を実装するパッドおよびこれと対となり且つかかる電子部品とワイヤーボンディングされる比較的小さなパッドからなる複数組のパッドが、前記キャビティの底面や基板本体の表面に形成される。あるいは、電子部品の底面のほぼ半分ずつを実装する一対ずつのパッドからなる複数組のパッドが、前記キャビティの底面や基板本体の表面に形成される。このため、実装する電子部品をワイヤーボンディングにより導通し、あるいはフリップチップ実装と同時に一対のパッドとの導通が得られるので、実装した複数個の電子部品の放熱性を保証しつつ、その動作を安定させることが可能となる。
【００１１】
付言すれば、本発明には、前記複数の電子部品は、少なくも３種類の発光素子を、前記キャビティの底面または基板本体の表面に個別に実装するものである、配線基板も含まれ得る。これによる場合、実装される３個以上の発光素子を発光ダイオードのような発光素子とし、３原色の光を発光させることで、フルカラー発光を安定して行わしめるが可能となる。尚、３原色ごとの光を発光させる発光素子の他、これらの輝度を電圧や電流などにより調整するための単数または各色ごとに専用の複数の発光素子（電子部品）を併せて実装しても良い。
【００１２】
また、本発明には、前記パッドと別のパッドとの間の距離Ｘは、前記キャビティの底面の周辺までの距離Ｙまたは前記基板本体の表面の周辺までの距離Ｙの１．２  〜５倍である、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、キャビティの底面または基板本体の表面に形成される複数の上に個別に実装する複数の電子部品から発せられる熱を、上記キャビティ内または表面付近で滞留することなく、それぞれ外部に放出させることが可能となる。
尚、上記距離Ｘが上記距離Ｙの１．２倍未満になると、最接近するパッド同士が接近し過ぎて発生する熱が放出されにくくなり、一方、上記距離Ｘが上記距離Ｙの５倍を越えると、キャビティの底面や基板本体の表面において、電子部品の実装に不必要なスペースが過大となるため、これらを除いた範囲が推奨される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１の配線基板の一形態の配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ複数個の発光ダイオード（発光素子）１６〜１８が実装される底面６および側面８からなるキャビティ５と、を含んでいる。
基板本体２は、図１，図２に示すように、平面視がほぼ正方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したもので、内部に複数の配線層とこれらの間を接続するビア導体（何れも図とせず）が形成されている。
【００１４】
因みに、基板本体２のサイズは、約５ｍｍ×５ｍｍ×０．９ｍｍであり、内部にはＷまたはＭｏを主成分とする図示しない所定パターンの配線層やビア導体が形成され、且つ裏面４には複数のパッド（何れも図示せず）が形成されている。尚、基板本体２には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
図１，図２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面６と、かかる底面６の周辺から基板本体２の表面３に向かって傾斜して広がるほぼ円錐形の側面８とからなり、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ５の側面８には、厚みが約１０〜３０μｍでＷまたはＭｏを主成分とする金属層（図示せず）が全面に形成され、その上に、Ｎｉからなる下地メッキ層と、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、またはＲｈからなる表層メッキ層と、からなる光反射層９が形成されている。
【００１５】
上記キャビティ５は、グリーンシートを所要のクリアランスを介するポンチとダイとによる打ち抜き加工により、前記ほぼ円錐形に成形される貫通孔を有するグリーンシートを含んで形成される。因みに、キャビティ５のサイズは、内径約３．６ｍｍ×深さ約０．４５ｍｍである。
図１，図２に示すように、キャビティ５の底面６には、前記同様の厚みでＷまたはＭｏを主成分とする３個（複数）の平面視が角形であるパッド１０，１２，１４が互いに距離Ｘを置いて対称な位置に形成されると共に、かかる距離Ｘは、パッド１０，１２，１４とキャビティ５の底面６の周辺７との距離Ｙよりも長く（約２〜３倍）なるようにされている。即ち、パッド１０（１２，１４）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパット１２，１４（１０）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。
【００１６】
上記パッド１０，１２，１４は、ビア導体（図示せず）と個別に接続され、これらの中央部には、図示しないハンダを介して発光ダイオード（電子部品）１６〜１８の底面全体が個別に実装される。
キャビティ５の底面６におけるパッド１０，１２，１４の中央側には、比較的小さなパッド１１，１３，１５がそれぞれ離れて対で形成され、これらもビア導体（図示せず）と個別に接続されている。パッド１０，１２，１４の上に実装される発光ダイオード１６〜１８は、図２に示すように、ボンディングワイヤーｗを介して、比較的小さなパッド１１，１３，１５と個別に接続される。尚、かかる状態で、キャビティ５内には、図示しない封止用樹脂が基板本体２の表面３とほぼ同じレベルまで充填され且つ固化される。
【００１７】
以上のような配線基板１によれば、発光ダイオード１６（１７，１８）の底面全体を実装するパッド１０（１２，１４）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパッド１２，１４（１０）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、パッド１０，１２，１４上に個別に実装される発光ダイオード１６〜１８から発する熱は、キャビティ５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード１６〜１８から発光された例えば３原色の光は、光反射層９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行うことができる。
【００１８】
図３は、前記配線基板１と異なる形態の配線基板１ａを示す平面図である。
配線基板１ａは、図３に示すように、前記同様の基板本体２と、その表面３に開口する前記同様のキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面６に形成された一対で１組のパッドとなる３組で合計６個（複数）のパッド２０〜２５と、キャビティ５の側面８に形成された光反射層９と、を備えている。
図３に示すように、対であるパッド２０，２１（２２，２３、２４，２５）は、発光ダイオード１６（１７，１８）の底面のほぼ半分ずつを図示しないハンダを介してフリップチップ実装する。かかるパッド２０，２１（２２，２３、２４，２５）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別の対であるパッド２２，２３、２４，２５（２０，２１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
尚、上記距離Ｙは、キャビティ５の底面６における周辺７側のパッド２０，２２，２４により決められ、上記距離Ｘは、底面６における中央側のパッド２１，２３，２５により決められる。
【００１９】
以上のような配線基板１ａによれば、発光ダイオード１６（１７，１８）の底面のほぼ半分ずつを実装する対のパッド２０，２１（２２，２３、２４，２５）は、キャビティ５の底面６の周辺７までの距離Ｙよりも、最接近する別の組のパッド２２，２３、２４，２５（２０，２１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、各対のパッド２０，２１、２２，２３、２４，２５上に個別に実装される発光ダイオード１６〜１８から発する熱は、キャビティ５内に滞留することなく、前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード１６〜１８から発光される３原色の光は、光反射層９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行える。
尚、前記キャビティ５は、円形の底面６の周辺７から基板本体２の表面に向かって垂直に立設する円筒形の側面を有する全体が円柱形の形態としても良い。
【００２０】
図４は、更に異なる形態の第１の配線基板３０を示す平面図である。
配線基板３０は、図４に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面３３および図示しない裏面を有する基板本体３２と、かかる基板本体３２の表面３３に開口し且つ複数個の発光ダイオード（発光素子）４６〜４８が実装される底面３６および側面３８からなるキャビティ３５と、を含んでいる。
基板本体３２は、図４に示すように、平面視がほぼ長方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したものである。尚、基板本体３２の絶縁材には、前述したガラス−セラミックを適用しても良い。
図４に示すように、キャビティ３５は、平面視が長円形の底面３６と、かかる底面３６の周辺３７から基板本体３２の表面３３に向かって傾斜して広がるほぼ長円錐形の側面３８とからなり、全体がほぼ長円錐形を呈する。かかるキャビティ３５の側面３８の全面には、前記同様の金属層（図示せず）と前記同様の光反射層３９とが形成されている。
【００２１】
図４に示すように、キャビティ３５の底面３６には、前記同様の３個（複数）のパッド４０，４２，４４が互いに距離Ｘを置いて、底面３６のほぼ長軸方向に沿った位置に形成され、それぞれビア導体（図示せず）と個別に接続されている。上記距離Ｘは、パッド４０，４２，４４とキャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも長く（約２〜３倍）されている。例えば、パッド４２（４０，４４）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパット４０，４４（４２）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成される。尚、パッド４０，４２，４４は、キャビティ３５の底面３６に対しほぼへ字形状に配置したが、かかる底面３６の長軸方向に沿って直線状に配置しても良い。
【００２２】
また、パッド４０，４２，４４の付近の底面３６には、比較的小さなパッド４１，４３，４５がそれぞれ離れて対で形成され、これらもビア導体（図示せず）と個別に接続されている。パッド４０，４２，４４の上に底面全体が実装される発光ダイオード４６〜４８は、前記同様のボンディングワイヤー（図示せず）を介して、比較的小さなパッド４１，４３，４５と個別に接続される。尚、かかる状態で、キャビティ３５内には、図示しない封止用樹脂が基板本体３２の表面３３とほぼ同じレベルまで充填され且つ固化される。
【００２３】
以上のような配線基板３０によれば、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面全体を実装するパッド４２（４０，４４）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパッド４０，４４（４２）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、パッド４０，４２，４４上に個別に実装される発光ダイオード４６〜４８から発する熱は、キャビティ３５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード４６〜４８から発光された例えば３原色の光は、キャビティ３５の側面３８に形成された光反射層３９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行うことができる。
【００２４】
図５は、前記配線基板３０と異なる形態の配線基板３０ａを示す平面図である。
かかる配線基板３０ａは、図５に示すように、前記同様の基板本体３２と、その表面３３に開口する前記同様のキャビティ３５と、かかるキャビティ３５の底面３６に形成された一対で１組のパッドとなる３組で合計６個のパッド５０〜５５と、キャビティ３５の側面３８に形成された光反射層３９と、を備えている。
図５に示すように、対であるパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面のほぼ半分ずつを図示しないハンダを介してフリップチップ実装する。かかる対のパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の組である対のパッド５０，５１、５４，５５（５２，５３）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
【００２５】
尚、前記距離Ｙは、底面３６の周辺３７側のパッド５０，５５により決められ、前記距離Ｘは、底面３６の中央側のパッド５１，５４により決められる。但し、底面３６の中央に位置するパッド５２，５３は、底面３６の周辺３７までの距離Ｙが同じで、且つ底面３６における左右両端のパッド５０，５１、５４，５５の中間にあるため、それぞれが距離Ｘ，Ｙの決定に係わる。また、各対のパッド５０，５１、５２，５３、５４，５５は、キャビティ３５の底面３６にほぼへ字形状に配置したが、かかる底面３６の長軸方向に沿って直線状に配置しても良い。
【００２６】
以上のような配線基板３０ａによれば、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面のほぼ半分ずつを実装する対のパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、キャビティ３５の底面３６の周辺３７までの距離Ｙよりも、最接近する別の対のパッド５０，５１、５４，５５（５０，５１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、各対のパッド５０，５１、５２，５３、５４，５５上に個別に実装される発光ダイオード４６〜４８から発する熱は、キャビティ３５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード４６〜４８から発光される３原色の光は、光反射層３９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行われる。尚、前記キャビティ３５は、長円形の底面３６の周辺３７から基板本体３２の表面３３に向かって垂直に立設する長円筒形の側面を有する全体が長円柱形の形態としても良い。
【００２７】
図６は、別異な形態の第１の配線基板６０を示す平面図である。
配線基板６０は、図６に示すように、セラミック（絶縁材）からなり且つ表面６３および図示しない裏面を有する基板本体６２と、かかる基板本体６２の表面６３に開口し且つ複数個の発光ダイオード（発光素子）４６〜４８が実装される底面６６および側面６８からなるキャビティ６５と、を含む。基板本体６２は、図６に示すように、平面視がほぼ長方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、前記同様の複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したものである。尚、基板本体６２の絶縁材には、前記ガラス−セラミックを適用しても良い。
図６に示すように、キャビティ６５は、平面視が楕円形の底面６６と、かかる底面６６の周辺から基板本体６２の表面６３に向かって傾斜して広がるほぼ楕円錐形の側面６８とからなり、全体がほぼ楕円錐形を呈する。かかるキャビティ６５の側面６８の全面には、前記同様の金属層（図示せず）と前記同様の光反射層６９とが形成されている。
【００２８】
図６に示すように、キャビティ６５の底面６６には、前記同様の３個（複数）のパッド４０，４２，４４が互いに距離Ｘを置いて、底面３６のほぼ長軸方向に対しほぼへ字形の中央と両端とに形成され、それぞれビア導体（図示せず）と個別に接続されている。上記距離Ｘは、パッド４０，４２，４４とキャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも長く（約２〜３倍）されている。例えば、パッド４２（４０，４４）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパット４０，４４（４２）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
【００２９】
尚、パッド４０，４２，４４は、キャビティ６５の底面６６に対しほぼへ字形に配置したが、かかる底面６６の長軸方向に沿って直線状に配置しても良い。
また、パッド４０，４２，４４の付近の底面６６には、比較的小さなパッド４１，４３，４５がそれぞれ離れて対で形成され、これらもビア導体（図示せず）と個別に接続されている。パッド４０，４２，４４の上に底面全体が実装される発光ダイオード４６〜４８は、前記同様のボンディングワイヤー（図示せず）を介して、比較的小さなパッド４１，４３，４５と個別に接続される。尚、かかる状態で、キャビティ６５内には、図示しない封止用樹脂が基板本体６２の表面６３とほぼ同じレベルまで充填され且つ固化される。
【００３０】
以上のような配線基板６０によれば、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面全体を実装するパッド４２（４０，４４）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別のパッド４０，４４（４２）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、パッド４０，４２，４４上に個別に実装される発光ダイオード４６〜４８から発する熱は、キャビティ６５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード４６〜４８から発光された例えば３原色の光は、側面６８に形成された光反射層６９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行わしめることができる。
【００３１】
図７は、前記配線基板６０と異なる形態の配線基板６０ａを示す平面図である。
かかる配線基板６０ａは、図７に示すように、前記同様の基板本体６２と、その表面６３に開口する前記同様のキャビティ６５と、かかるキャビティ６５の底面６６に形成された一対で１組のパッドとなる３組で合計６個のパッド５０〜５５と、キャビティ６５の側面６８に形成された光反射層６９と、を備えている。
図７に示すように、対であるパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面のほぼ半分ずつを図示しないハンダを介してフリップチップ実装する。かかるパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の対のパッドであるパッド５０，５１、５４，５５（５２，５３）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。
【００３２】
尚、前記距離Ｙは、底面６６における周辺６７側のパッド５０，５５により決められ、前記距離Ｘは、底面６６における中央側のパッド５１，５４により決められる。但し、底面６６中央のパッド５２，５３は、底面６６の周辺６７までの距離Ｙが同じで、且つ底面６６における左右両端のパッド５０，５１、５４，５５の中間であるため、それぞれが距離Ｘ，Ｙの決定に係わる。また、各対のパッド５０，５１、５２，５３、５４，５５は、キャビティ６５の底面６６にほぼへ字形に配置したが、かかる底面６６の長軸方向に沿って直線状に配置しても良い。
【００３３】
以上のような配線基板６０ａによれば、発光ダイオード４７（４６，４８）の底面のほぼ半分ずつを実装する対のパッド５２，５３（５０，５１、５４，５５）は、キャビティ６５の底面６６の周辺６７までの距離Ｙよりも、最接近する別の対のパッド５０，５１、５４，５５（５０，５１）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、各対のパッド５０，５１、５２，５３、５４，５５上に個別に実装される発光ダイオード４６〜４８から発する熱は、キャビティ６５内に滞留することなく、それぞれ前記封止用樹脂を介して外部に放出される。この結果、発光ダイオード４６〜４８から発光される３原色の光は、光反射層６９で反射した後、外部に放射され、この際にフルカラー発光となり、かかる発光を安定して行える。尚、前記キャビティ６５は、楕円形の底面６６の周辺６７から基板本体６２の表面６３に向かって垂直に立設する楕円筒形の側面を有する全体が楕円柱形の形態としても良い。
以上において説明した配線基板１，１ａ，３０，３０ａ，６０，６０ａが、本発明における第１の配線基板である。
【００３４】
図８は、本発明における第２の配線基板の一形態である配線基板７０を示す平面図、図９は、図８中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板７０は、図８，図９に示すように、セラミック（絶縁材）からなり、表面７３および裏面７４を有する基板本体７２と、かかる基板本体７２の表面７３に形成され、ＩＣチップ（電子部品）Ｃ１〜Ｃ４の底面全体を個別に実装する４個（複数）のＷまたはＭｏからなる平面視が角形であるパッド８０，８２，８４，８６と、を備えている。
基板本体７２は、図８，図９に示すように、平面視がほぼ正方形で所要の厚みを有するほぼ直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層してセラミックに焼成したもので、内部に複数の配線層（図せず）とこれらの間を接続するビア導体ｖが形成されている。
尚、基板本体７２の絶縁材には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
【００３５】
図８，図９に示すように、基板本体７２の四隅には、断面円弧形の窪み７５が垂直に形成され、各窪み７５には、ＷまたはＭｏからなる断面円弧形の凹部導体７６が形成されている。各凹部導体７６は、基板本体７２の裏面７４に形成した裏面電極７７と個別に導通されると共に、基板本体７２の表面７３に形成したＷなどからなる接続片７８を介して、パッド８０，８２，８４，８６と個別に接続されている。
パッド８０，８２，８４，８６は、基板本体７２の表面７３における各コーナ寄りの位置において、かかる表面７３の周辺までの距離Ｙを隔てていると共に、互いに最接近するパッド８０，８２，８４，８６と距離Ｘを置いた位置に形成されている。かかる距離Ｘは、上記距離Ｙよりも約２〜３倍長い。
【００３６】
また、基板本体７２の表面７３におけるパッド８０，８２，８４，８６の各中央寄りの位置には、比較的小さなパッド８１，８３，８５，８７が間隔を置き対で形成されている。パッド８１，８３，８５，８７は、図９に示すように、ビア導体ｖを介して基板本体７２に内蔵された配線層（図示せず）と導通されている。
パッド８０，８２，８４，８６の上に底面全体が個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ４は、図９に示すように、ボンディングワイヤーｗを介して、比較的小さなパッド８１，８３，８５，８７と個別に接続される。
【００３７】
以上のような配線基板７０によれば、ＩＣチップＣ１（Ｃ２〜Ｃ４）の底面全体を実装するパッド８０（８２，８４，８６）は、基板本体７２の表面７３の周辺までの距離Ｙよりも、最接近する別のパッド８２，８４，８６（８０）との距離Ｘの方が長くなる位置に形成されている。このため、パッド８０，８２，８４，８６上に個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ４から発する熱は、上記表面７３付近に滞留することなく、それぞれ外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ４の動作を安定させることが可能となる。
尚、パッド８０，８２，８４，８６上に、例えば３原色を発光する発光ダイオードなどを個別に実装した場合には、フルカラー発光を発することが可能となる。
【００３８】
図１０は、前記配線基板７０とは異なる形態の配線基板７０ａを示す平面図である。
配線基板７０ａは、図１０に示すように、前記同様の基板本体７２と、その窪み７６ごとに形成した凹部導体７６と、かかる凹部導体７６と接続片７８を介して基板本体７２の表面７３における各コーナ寄りの位置に形成した一対が１組のパッドとなる４組のパッド８０ａ，８０ｂ、８２ａ，８２ｂ、８４ａ，８４ｂ、８６ａ，８６ｂと、を備えている。対のパッド８０ａ，８０ｂ、８２ａ，８２ｂ、８４ａ，８４ｂ、８６ａ，８６ｂは、ＩＣチップＣ１〜Ｃ４の底面のほぼ半分ずつを、図示しないハンダを介して、フリップチップ実装する。
【００３９】
図１０に示すように、各組のうち、基板本体７２の表面７３における中央側に位置するパッド８０ｂ，８２ｂ，８４ｂ，８６ｂ間の最接近する距離Ｘは、基板本体７２の表面７３における周辺側に位置するパッド８０ａ，８２ａ，８４ａ，８６ａと基板本体７２の表面７３の周辺との距離Ｙよりも長くなるように設定されている。
以上のような配線基板７０ａによれば、各対のパッド８０ａ，８０ｂ、８２ａ，８２ｂ、８４ａ，８４ｂ、８６ａ，８６ｂ上にまたがって個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ４から発する熱は、基板本体７２の表面７３付近に滞留することなく、それぞれ外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ４の動作を安定させることが可能となる。尚、ＩＣチップＣ１〜Ｃ４に替えて発光ダイオードなどを実装しても良い。
【００４０】
図１１は、第２の配線基板の更に異なる配線基板９０を示す平面図である。
配線基板９０は、図１１に示すように、前記同様のセラミック（絶縁材）からなり、表面９３および図示しない裏面を有する基板本体９２と、かかる基板本体９２の表面９３における図示で上辺および左右の側辺の下方に垂直に設けた断面ほぼ半円形の窪み９５と、各窪み９５ごとに形成したＷなどからなる凹部導体９６と、を備えている。尚、基板本体９２には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
図１１に示すように、基板本体９２の表面９３には、凹部導体９６とＷなどからなる接続片９８とを介して、Ｗなどからなり、一対で１組のパッドとなる対のパッド１００，１０１、１０２，１０３、１０４，１０５が３組形成されている。これらの各対の上には、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の底面のほぼ半分ずつが、図示しないハンダを介してフリップチップ実装される。
【００４１】
基板本体９２の表面９３における中央寄りに位置する各対のパッド１０１、１０３、１０４同士は、互いに最接近するものとの間に距離Ｘを有し、基板本体９２の表面９３の周辺寄りに位置する各対のパッド１００、１０２、１０５は、かかる表面９３の周辺までの間に距離Ｙを有する。距離Ｘは、距離Ｙよりも長い。
以上のような配線基板９０によれば、各対のパッド１００，１０１、１０２，１０３、１０４，１０５上にまたがって、個別に実装されるＩＣチップＣ１〜Ｃ３から発する熱は、基板本体９２の表面９３付近に滞留することなく、外部に放出される。この結果、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の動作を安定させることが可能となる。
尚、各対のパッド１００、１０２、１０４上に、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３の底面全体を実装し、各対ごとに間隔を置いて形成する比較的小さなパッド１０１、１０３、１０５との間で、前記同様のワイヤーボンディングを行っても良い。また、ＩＣチップＣ１〜Ｃ３に替えて、発光ダイオードなどを実装しても良い。
以上の配線基板７０，７０ａ，９０が本発明における第２の配線基板である。
【００４２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記基板本体２，３２などを形成する絶縁材であるセラミックは、例えばムライトや窒化アルミニウムなどを主成分とするものとしても良い。あるいは、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしても良く、この場合、前記パッド１０，１２，１４などは、ＣｕやＡｇなどが用いられる。
また、前記基板本体２，３２などを形成する絶縁材をエポキシ系樹脂などとしても良く、かかる樹脂の薄板または金属の薄板の表面上に、例えばエポキシ系樹脂からなる複数層の樹脂絶縁層を順次積層し、公知のフォトリソグラフィ技術によって、比較的上層側の各樹脂絶縁層にキャビティを形成しても良い。かかるキャビティの側面に無電解メッキおよび電解メッキにより前記光反射層９などを形成しても良い。
【００４３】
更に、キャビティの形状は、前記各形態に限らず、平面視で正方形または長方形とし、これらの四隅の内隅部にロウ材を形成し且つこれをリフローした後、得られるアール面と側面とに光反射層を形成するようにしても良い。
更に、本発明の配線基板は、１個の配線基板の表面に開口するキャビティを複数としたり、単一のキャビティの底面に複数の実装エリアを配置し、これらの実装エリアに複数の電部品を個別に実装する形態とすることも可能である。
また、電子部品は、平面視がほぼ正方形に限らず、長方形を呈するものでも良い。この場合、実装時における各電子部品の長手方向は、前記距離Ｘおよび距離Ｙの関係を考慮して定められる。
加えて、本発明の配線基板には、複数個の配線基板を縦横方向に沿って併有する多数個取り用の大判タイプの形態としたものも含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明における第１の配線基板の一形態を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線の矢視に沿った断面図。
【図３】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図４】更に異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図５】別異な形態の配線基板を示す平面図。
【図６】更に別形態の配線基板の概略を示す平面図。
【図７】更に別異な形態の配線基板の概略を示す平面図。
【図８】本発明における第２の配線基板の一形態を示す平面図。
【図９】図８中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った断面図。
【図１０】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図１１】更に異なる形態の配線基板を示す平面図。
【符号の説明】
【００４５】
１，１ａ，３０，３０ａ，６０，６０ａ，７０，７０ａ，９０……配線基板
２，３２，６２，７２，９２……………………………………………基板本体
３，３３，６３，７３，９３……………………………………………表面
４，７４……………………………………………………………………裏面
５，３５，６５……………………………………………………………キャビティ
６，３６，６６……………………………………………………………底面
７，３７，６７……………………………………………………………周辺
８，３８，６８……………………………………………………………側面
１０，１２，１４，２０〜２４，４０，４２，４４，５１〜５５…パッド
８０，８２，８４，８６，１００〜１０５……………………………パッド
Ｘ，Ｙ………………………………………………………………………距離
【図１】
2007012966.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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