(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハ面内の膜厚の均一性を向上することができ、且つ基板保持手段における支柱とリング形状のプレートとの溶接の強度を保持することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理保持するボート２１１は、複数本の支柱２１４と、支柱２１４の長手方向に複数設けられる基板支持ピン２１３と、支柱２１４の長手方向において、基板支持ピン２１３と交互に配置される複数のリング状プレート２１２であって、外周側に支柱２１４の本数と対応する切り欠き部２１７を有したリング状プレート２１２とを含み、リング状プレート２１２を支柱２１４に固定する際は、支柱２１４を切り欠き部２１７に係合させて、リング状プレート２１２の外周側にてリング状プレート２１２と支柱２１４とを溶接固定する。【選択図】図４
2007027159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
前記処理室内で複数の基板を保持する基板保持手段と、
前記処理室内へ所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排出手段と、
を備えた基板処理装置であって、
前記基板保持手段は、
複数本の支柱と、
前記支柱の長手方向に複数設けられる基板支持部と、
前記支柱の長手方向において、前記基板支持部と交互に配置される複数のリング形状のプレートであって、外周側に前記支柱の本数と対応する切り欠き部を有した前記プレートと、
を含み、
前記プレートを前記支柱に固定する際は、前記支柱を前記切り欠き部に係合させて、前記プレートの外周側にて前記プレートと前記支柱とを溶接固定することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して成膜処理などを行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、縦型ＣＶＤ装置等において、複数のウエハを保持する基板保持具として、ホルダプレートを有するボートが用いられている（例えば特許文献１）。このボートは、垂直に設けられた４本の支柱を持つ。支柱はウエハの出し入れが可能なように、略半円周の範囲で配設されている。前記支柱にはリング状の石英製ホルダプレートが支柱に設けた溝部に水平姿勢で多段に溶接され、ホルダプレートの上面にはウエハを載置する基板載置部としての支持つめ部が複数設けられている。
このようなボートを使用してウエハ処理、例えばウエハ上に成膜を行えば、石英製ホルダプレートがウエハ面上の処理ガスの流れを均一化することにより、ウエハ端の膜厚だけが厚くなるのを抑制することができる。また、略半円周に配設された４本の支柱よりも内側のホルダプレート上に設けた支持つめ部の上に、ウエハを保持するので、支柱とウエハとの距離が遠ざかることから支柱の影響が少なくなり、膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−４０５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したボートを使用しても、なお支柱やウエハ支持部が処理ガスの流れの不均一な部分を構成することとなるため、これらの支柱やウエハ支持部に対応するウエハ部分における処理量が少なくなる傾向にあった。
【０００５】
そこで、ウエハに対して所定の間隔でリング状プレートを設け、リング状プレートの支柱に対向する内周面を支柱の周辺で切り欠き、この切り欠きに支柱を挿入することにより、支柱及びウエハ支持部の有る部分において、ガス流の支柱及びウエハ支持部の影響が抑制され、ウエハ支持部及び支柱の無い部分と同様な膜厚をウエハ上に得ることができるものが本願出願人により出願されている（例えばＰＣＴ／ＪＰ／２００４／０１７７２３）。
【０００６】
しかしながら、上記リング状プレートと支柱とを溶接する際には、該支柱の内側から溶接する必要があり、強度を保持する溶接が困難であった。
【０００７】
本発明の第１の目的は、上記従来の問題点を解消し、ウエハ面内の膜厚の均一性を向上することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は、基板保持手段における支柱とリング形状のプレートとの溶接の強度を保持することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴とするところは、処理室と、前記処理室内で複数の基板を保持する基板保持手段と、前記処理室内へ所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する排出手段とを備えた基板処理装置であって、前記基板保持手段は、複数本の支柱と、前記支柱の長手方向に複数設けられる基板支持部と、前記支柱の長手方向において、前記基板支持部と交互に配置される複数のリング形状のプレートであって、外周側に前記支柱の本数と対応する切り欠き部を有した前記プレートとを含み、前記プレートを前記支柱に固定する際は、前記支柱を前記切り欠き部に係合させて、前記プレートの外周側にて前記プレートと前記支柱とを溶接固定する基板処理装置にある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板保持手段に基板支持部と交互に配置され外周側に支柱の本数と対応する切り欠き部を有したリング形状のプレートを設けることより、ウエハ面内の膜厚の均一性を向上することができる。また、本発明によれば、リング状のプレートの外周側にてリング状のプレートと支柱とを溶接固定することにより、支柱とリング形状のプレートとの溶接の強度を保持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２において本発明が適用される基板処理装置１の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【００１１】
筐体１０１の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、該カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、該カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取り付けられている。また、前記カセットエレベータ１１５の後側には、前記カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共に、前記カセットステージ１０５の上方にも、予備カセット棚１１０が設けられている。前記予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを前記筐体１０１の内部に流通させるように構成されている。
【００１２】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、該処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１１を該処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、該ボートエレベータ１２１に取り付けられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられ、該ボート２１１を垂直に支持している。前記ボートエレベータ１２１と前記カセット棚１０９との間には、昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、該移載エレベータ１１３には基板搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取り付けられている。また、前記ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち前記処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００１３】
前記ウエハ２００が装填された前記カセット１００は、図示しない外部搬送装置から前記カセットステージ１０５に該ウエハ２００が上向きの姿勢で搬入され、該ウエハ２００が水平の姿勢になるよう該カセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、前記カセット１００は、前記カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及び前記カセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働により前記カセットステージ１０５から前記カセット棚１０９又は前記予備カセット棚１１０に搬送される。
【００１４】
前記カセット棚１０９には前記ウエハ移載機１１２の搬送対象となる前記カセット１００が収納される移載棚１２３があり、前記ウエハ２００が移載に供される該カセット１００は前記カセットエレベータ１１５、前記カセット移載機１１４により該移載棚１２３に移載される。
【００１５】
前記カセット１００が前記移載棚１２３に移載されると、前記ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び前記移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により該移載棚１２３から降下状態の前記ボート２１１に前記ウエハ２００を移載する。
【００１６】
前記ボート２１１に所定枚数の前記ウエハ２００が移載されると、前記ボートエレベータ１２１により該ボート２１１が前記処理炉２０２に挿入され、前記シールキャップ２１９により前記処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された前記処理炉２０２内では前記ウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが該処理炉２０２に供給され、前記ウエハ２００に処理がなされる。
【００１７】
前記ウエハ２００への処理が完了すると、該ウエハ２００は上述した動作と逆の手順により、前記ボートから前記移載棚１２３の前記カセット１００に移載され、該カセット１００は前記カセット移載機１１４により該移載棚１２３から前記カセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により前記筐体１０１の外部に搬出される。なお、前記炉口シャッタ１１６は、前記ボート２１１が降下状態の際に前記処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が該処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
【００１８】
前記カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００１９】
次に、上述した処理炉２０２について図３に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
図３（ａ）は、本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面で示し、図３（ｂ）は本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図で示す。加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する処理室２０４を有する反応容器としての反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１１が立設され、前記石英キャップ２１８はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート２１１は処理室２０４に挿入される。ボート２１１にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００２１】
処理室２０４へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給するガス供給手段としての２本のガス供給管２３２（第１のガス供給管２３２ａ，第２のガス供給管２３２ｂ）が設けられている。第１のガス供給管２３２ａには上流方向から順に流量制御をするための液体マスフローコントローラ２４０、気化器２４２、及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、キャリアガスを供給する第１のキャリアガス供給管２３４ａが合流されている。この第１のキャリアガス供給管２３４ａには上流方向から順に流量制御をするための第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、及び開閉弁である第３のバルブ２４３ｃが設けられている。また、第１のガス供給管２３２ａの下流方向先端部には、処理炉２０２を構成している反応炉２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、第１のノズル２３３ａが設けられ、第１のノズル２３３ａの側面にはガスを供給する供給孔である第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００２２】
第２のガス供給管２３２ｂには上流方向から順に流量制御をするための第１のマスフローコントローラ２４１ａ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂを介し、キャリアガスを供給する第２のキャリアガス供給管２３４ｂが合流されている。この第２のキャリアガス供給管２３４ｂには上流方向から順に流量制御をするための第３のマスフローコントローラ２４１ｃ、及び開閉弁である第４のバルブ２４３ｄが設けられている。また、第２のガス供給管２３２ｂの下流方向先端部には、処理炉２０２を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、第２のノズル２３３ｂが設けられ、この第２のノズル２３３ｂの側面にはガスを供給する供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２のガス供給孔２４８ｂは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００２３】
例えば第１のガス供給管２３２ａから供給される原料が液体の場合、第１のガス供給管２３２ａからは、液体マスフローコントローラ２４０、気化器２４２、及び第１のバルブ２４３ａを介し、第１のキャリアガス供給管２３４ａと合流し、ノズル２３３ａを介して処理室２０４に反応ガスが供給されている。このとき、例えば第１のガス供給管２３２ａから供給される原料が気体の場合には、液体マスフローコントローラ２４０を気体用のマスフローコントローラに交換し、気化器２４２は不要となる。また、第２のガス供給管２３２ｂからは第１のマスフローコントローラ２４１ａ、第２のバルブ２４３ｂを介し、第２のキャリアガス供給管２３４ｂと合流し、第２のノズル２３３ｂを介して処理室２０４に反応ガスが供給されている。  
【００２４】
また、処理室２０４は、排出手段としての処理室２０４内の雰囲気（ガス）を排出（排気）する排気管であるガス排気管２３１により第５のバルブ２４３ｅを介して真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。なお、この第５のバルブ２４３ｅは弁を開閉して処理炉２０４の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
【００２５】
反応管２０３内の中央部には、複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１１が設けられており、このボート２１１は、ボートエレベータ１２１（図１に示す）により反応管２０３に出入りできるようになっている。また、処理の均一性を向上するためにボート２１１を回転するためのボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を駆動することにより、石英キャップ２１８に支持されたボート２１１を回転するようになっている。
【００２６】
制御手段であるコントローラ２５０は、液体マスフローコントローラ２４０、第１〜第３のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、第１〜第５のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１２１（図１に示す）に接続されており、液体マスフローコントローラ２４０、及び第１〜第３のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃの流量調整、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄの開閉動作、第５のバルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１２１の昇降動作制御が行われる。
【００２７】
次に、ボート２１１について図４及び図５に基づいて詳細に説明する。
図４（ａ）はボート２１１の平面図、図４（ｂ）はボート２１１の縦断面図である。また、図５（ｃ）は、図４（ａ）の支柱とリング状部材との係合部を示す拡大図であり、図５（ｄ）は図４（ｂ）の支柱とリング状部材との係合部を示す拡大図である。
【００２８】
ボート２１１は、円板状の天板（図示せず）と円板状の底板２１５とを接続する例えば３本の円柱状の支柱２１４、２１４、２１４と、該支柱２１４、２１４、２１４によって支持される複数のリング形状のプレート（リング状プレート２１２）とを有する。図４（ａ）に示すように、支柱２１４、２１４、２１４は上面からみて基板挿入方向（図４の矢印方向）を除く３つの方向、より具体的には、基板挿入側とは反対側に互いに略９０度ずつ隔てて配置されている。リング状プレート２１２は、支柱２１４、２１４、２１４によって略水平状態となるよう垂直方向に積層した状態で多数支持される。
【００２９】
支柱２１４の長手方向（垂直方向）には基板支持部としての基板支持ピン２１３が複数設けられている。この基板支持ピン２１３は、支柱２１４、２１４、２１４の垂直方向に所定の間隔で多段に、ボート２１１の中心、すなわちリング状プレート２１２の中心に向けて突設（固定）されている。基板支持ピン２１３は、円筒形状をしており、先端部には面取り（Ｃ）が施されている。支柱２１４、２１４、２１４の１つの段にはそれぞれ１つずつ基板支持ピン２１３が突設されている。すなわち、ボート２１１の１段に３つの基板支持ピン２１３が設けられており、この３つの基板支持ピン２１３上にウエハ２００の外周が支持されている。したがって、支柱２１４に設けられた複数の基板支持ピン２１３により複数のウエハ２００が垂直方向に所定の間隔で略水平に載置されるようになっている。
【００３０】
図４（ｂ）に示すように、支柱２１４の長手方向（垂直方向）には複数の溝部２１６が設けられている。具体的には、溝部２１６は、支柱２１４の垂直方向に所定の間隔で多段に形成され、この溝部２１６に後述する複数のリング状プレート２１２が垂直方向に所定の間隔で略水平に固定されている。この溝部２１６は、該溝部２１６の水平断面が略半円となるようにボート２１１の中心方向側、すなわちリング状部材２１６の中心方向側に形成されている。この溝部２１６は、上述した基板支持ピン２１３と基板支持ピン２１３との中間に形成されている。換言すると、基板支持ピン２１３は、溝部２１６と溝部２１６との中間に形成されている。すなわち支柱２１４の垂直方向には基板支持ピン２１３と溝部２１６すなわちリング状プレート２１２とが交互に配置されている。
【００３１】
また、図５（ｄ）に示すように、溝部２１６は上面部２１６ａ、下面部２１６ｂおよび側面部２１２ｃを有する。溝部２１６の垂直方向の大きさ（厚み）、すなわち上面部２１６ａと下面部２１６ｂとの間の距離は、リング状プレート２１２の厚みよりやや大きく形成されている。
【００３２】
リング状プレート２１２は、外周側に支柱２１４の本数と対応する切り欠き部２１７を有している。具体的には、リング状プレート２１２には、該リング状プレート２１２の外周側に３つの切り欠き部２１７が形成されている。この切り欠き部２１７は、３本の支柱２１４対応する部分に形成され、支柱２１４の溝部２１６とこの切り欠き部２１７とが係合し、支柱２１４がリング状プレート２１２の幅内に収まっている。この切り欠き部２１７には嵌め込み部２１７ａと開口部２１７ｂが形成されており、嵌め込み部２１７ａの両端には面取り（Ｒ）が、開口部２１７ｂには面取り（Ｃ）が施されている。
【００３３】
図５（ｃ）に示すように、支柱２１４とリング状プレート２１２との係合部にはリング状プレート２１２の外周側にて該リング状プレート２１２と支柱２１４とを溶接固定する溶接部材２１８が設けられている。この溶接部材２１８は、リング状プレート２１２と支柱２１４とを連結して固定している。具体的には、支柱２１４の溝部２１６とリング状プレート２１２の切り欠き部２１７とが接触しないように配置され、溶接部材２１８と支柱２１４の外周側および溶接部材２１８と切り欠き部２１７の開口部２１７ｂとが固定（溶接）されている。したがって、図５（ｄ）に示すように、溝部２１６の上面部２１６ａ、下面部２１６ｂ及び側面部２１６ｃと、リング状プレート２１２の上面、下面および切り欠き部２１７の嵌め込み部２１７ａとが接触しないようになっている。
【００３４】
ここで、図５（ｃ）に示すように、リング状プレート２１２の幅をａ、支柱２１４の外径をｂ、リング状プレート２１２の幅方向における切り欠き部２１７の大きさ、すなわち切り欠き深さをｃ、切り欠き部２１７が形成された部分におけるリング状プレート２１２の幅ｄとすると、切り欠き部２１７の切り欠き深さｃは、支柱２１４の外径ｂがリング状プレート２１２の幅ａ内に収まる大きさに形成されている。すなわち、支柱２１４の溝部２１６を除いた部分の大きさと切り欠き深さｃとが略同一となっている。これにより、リング状プレート２１２の幅内に支柱２１４が収まり、かつ切り欠き部２１７が形成された部分のリング状プレート２１２の幅ｄは、従来のものより広く（大きく）なっている。なお、支柱２１４の外径ｂは従来のものよりやや大きく形成されている。
【００３５】
従来の基板保持具におけるリング状プレートの切り欠きは、支柱がリング状プレートの幅内に納まるように内側から切り欠かれているため、リング状のプレートの切り欠きが形成された部分の幅が小さくなり、リング状のプレートの部分的な強度が低下する問題があった。これに対し、本発明においては、支柱２１４に溝部２１６を設け、リング状プレート２１２の外周側に支柱２１４の溝部２１６と係合する切り欠き部２１７を形成することにより、切り欠き部２１７が形成された部分のリング状プレート２１２の幅を大きくすることができる。したがって、リング状プレート２１２の部分的な強度の低下を防止し、リング状プレート２１２の強度を向上させることができる。
【００３６】
また、従来の基板保持具においては、支柱とリング状のプレートとを直接固定しており、支柱とリング状のプレートとの接触部が擦れてパーティクル（異物）が発生したり、接触部の溶接歪によりリング状のプレートが破損することがあった。これに対し、本発明においては、支柱２１４の溝部２１６とリング状プレート２１２の切り欠き部２１７とが接触しないように配置されていることにより、支柱２１４及びリング状プレート２１２が熱膨張した場合などにおいても、溶接歪によるリング状プレート２１２の破損を抑制し、溝部２１６と切り欠き部２１７とが擦れることによるパーティクル（異物）の発生を防止することができる。
【００３７】
また、支柱２１４の外径を大きくすることにより、該支柱２１４に溝部２１６が形成されることによる該支柱２１４の強度低下を抑制することができる。
【００３８】
また、基板支持ピン２１３は支柱２１４に設けられており、リング状プレート２１２には基板支持ピン２１３等が設けられていないので、リング状プレート２１２をシンプルな形状とすることができる。
【００３９】
従来のボートを用いて成膜処理を行った場合、処理ガスの種類によってはウエハの周辺部のみ膜厚が厚くなり、膜厚の均一性が悪化する場合があった。この原因は、付着率の高い中間体が生成し、その中間体がウエハ中心部に入り込む前にウエハ上の周辺部でウエハに付着することであった。これに対し、本発明においては、支柱２１４の長手方向において基板支持ピン２１３と交互に配置される複数のリング状プレート２１２を設けたので、膜厚の均一性を悪化させる中間体を、リング状プレート２１２に成膜・消費させ、ウエハ面内の膜厚の均一性を向上させることができる。
【００４０】
また、従来のボートにおいては、支柱やウエハ支持部が処理ガスの流れの不均一な部分を構成することとなるため、これらの支柱やウエハ支持部に対応するウエハ部分における処理量が少なくなり膜厚の均一性が悪化する傾向があった。これに対し、本発明においては、支柱２１４に基板支持ピン２１３を固定することによって、ウエハ面内の膜厚の均一性が悪化する２つの要因である支柱２１４とウエハ支持部（基板支持ピン２１３）とを１つにまとめたので、ウエハに処理される膜厚の均一性の悪化を低減することができる。
【００４１】
次に、上述したリング状プレート２１２を支柱２１４に固定する方法を説明する。
【００４２】
図示しない治具を用いてリング状プレート２１２を水平に多段に仮固定し、仮固定した多段のリング状プレート２１２の外側から３本の支柱２１４を切り欠き部２１７に嵌め込み溶接固定するという方法をとる。
【００４３】
具体的には、切り欠き部２１７を形成した複数のリング状プレート２１２を各切り欠き部２１７が互いに上下で合致するように揃えて積層させた状態で、治具により仮固定する。次に、底板２１５に３本の支柱２１４を互いに略９０度ずつ隔てて配置して固定する。このとき、支柱２１４に設けられた基板支持ピン２１３はボート２１１の中心方向を向くようにする。次に、支柱２１４を仮固定した複数のリング状プレート２１２の切り欠き部２１７に嵌め込む。このとき、支柱２１４の溝部２１６とリング状プレート２１２の切り欠きに部２１１とを係合させる。溝部２１６と切り欠き部２１７とが係合することにより、リング状プレート２１２は複数の基板支持ピン２１３間のちょうど中間に位置するようになっている。次に、支柱２１４とリング状プレート２１２とを固定する。このとき、リング状プレート２１２の外周側にてリング状プレート２１２の切り欠き部２１７と支柱２１４の外周側とを溶接部材２１８により溶接固定する。
【００４４】
このように、リング状プレート２１２を支柱２１４に固定する際は、支柱２１４を切り欠き部２１７に係合させて、リング状プレート２１２の外周側にてリング状プレート２１２と支柱２１４とを溶接部材２１８により溶接固定することにより、溶接作業を容易に且つ確実におこなうことができ、支柱２１４とリング状プレート２１２との溶接の強度を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置全体を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置全体を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る反応炉を示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板保持手段（ボート）を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板保持手段（ボート）の一部を示す図で、（ｃ）は図４（ａ）の支柱とリング状プレートとの係合部の拡大図、（ｄ）は図４（ｂ）の支柱とリング状プレートとの係合部の拡大図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  基板処理装置
２０４  処理室
２１１  ボート
２１２  リング状プレート
２１３  基板支持ピン
２１４  支柱
２１７  切り欠き部
２３１  ガス排気管
２３２  ガス供給管
【図１】
2007027159.tif 000003
【図２】
2007027159.tif 000004
【図３】
2007027159.tif 000005
【図４】
2007027159.tif 000006
【図５】
2007027159.tif 000007