(57)【要約】【課題】  低コストな印刷法を利用して可溶体を形成したチップ型ヒューズ素子において、可溶体の高抵抗化を図るとともに、可溶体の抵抗値制御を容易なものとする。【解決手段】  基板上に印刷法により形成された可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子であって、可溶体は金属領域と金属酸化物領域とを含み、金属領域と金属酸化物領域とが同種金属により構成される。金属層の表面部分が酸化され、表面に金属酸化物層が形成される。金属層に引き出し電極が接続される。可溶体に含まれる金属は、引き出し電極に含まれる金属より酸化し易いことが好ましい。可溶体に含まれる金属は、例えばＣｕ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種である。引き出し電極に含まれる金属は、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種である。金属酸化物を焼結することにより金属酸化物領域として金属酸化物層を形成した後、その一部が還元されて金属領域が形成されてもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に印刷法により形成された可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子であって、
前記可溶体は金属領域と金属酸化物領域とを含み、前記金属領域と前記金属酸化物領域とが同種金属により構成されることを特徴とするチップ型ヒューズ素子。
【請求項２】
前記金属領域として金属層を形成した後、その一部が酸化されることにより前記金属酸化物領域が形成されること特徴とする請求項１記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項３】
前記金属層の表面部分が酸化され、表面に金属酸化物層が形成されることを特徴とする請求項２記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項４】
前記金属層に引き出し電極が接続されることを特徴とする請求項２又は３記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項５】
前記可溶体に含まれる金属は、前記引き出し電極に含まれる金属より酸化し易いことを特徴とする請求項４記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項６】
前記可溶体に含まれる金属は、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項５記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項７】
前記引き出し電極に含まれる金属は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項８】
前記引き出し電極に端子電極が接続されることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項９】
前記可溶体上に保護層を備えることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１０】
金属酸化物を焼結することにより前記金属酸化物領域として金属酸化物層を形成した後、その一部が還元されて前記金属領域が形成されることを特徴とする請求項１記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１１】
前記金属酸化物層の表面部分が還元され、表面に金属層を有することを特徴とする請求項１０記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１２】
前記金属酸化物がＣｕの酸化物であり、前記金属がＣｕであることを特徴とする請求項１０又は１１記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１３】
前記可溶体において前記金属領域と前記金属酸化物領域とが混在していることを特徴とする請求項１記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１４】
金属層中に前記金属酸化物領域が分散していることを特徴とする請求項１３記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１５】
金属酸化物層中に前記金属領域が分散していることを特徴とする請求項１３記載のチップ型ヒューズ素子。
【請求項１６】
基板上に可溶体ペーストを印刷し、焼成して金属層を形成した後、その一部を酸化して金属酸化物とすることを特徴とするチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記金属酸化物を含有する領域として金属酸化物層を前記金属層表面に形成することを特徴とする特徴とする請求項１６記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記金属層を形成する前に、前記基板上に導電ペーストを印刷し、焼成して引き出し電極を形成することを特徴とする請求項１６又は１７記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項１９】
前記可溶体ペーストに含まれる金属として、前記導電ペーストに含まれる金属より酸化し易い金属を用いることを特徴とする請求項１８記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２０】
前記可溶体ペーストに含まれる金属が、Ｃｕ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１９記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２１】
前記導電ペーストに含まれる金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２２】
前記金属酸化物を形成した後、可溶体表面に保護層を形成することを有することを特徴とする請求項１６〜２１のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２３】
前記保護層は樹脂であることを特徴とする請求項２２記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２４】
前記金属層を形成した後、前記金属層表面に保護層形成用ペーストを印刷し、酸化性雰囲気で熱処理して保護層を形成する工程を有し
前記保護層を形成する工程が前記金属酸化物を形成する工程を兼ねることを特徴とする請求項１６〜２１のいずれか１項記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２５】
前記保護層はガラスであることを特徴とする請求項２４記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２６】
基板上に金属酸化物を含む可溶体ペーストを印刷し、前記金属酸化物を焼結させた後、還元して金属酸化物の一部を金属化することを特徴とするチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２７】
前記金属酸化物としてＣｕの酸化物を用いることを特徴とする請求項２６記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２８】
基板上に金属を含む可溶体ペーストを印刷し、脱バインダ処理を行い前記金属を金属酸化物とし、前記金属酸化物を焼結させた後、還元して前記金属酸化物の一部を金属化することを特徴とするチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項２９】
前記金属としてＣｕを用いることを特徴とする請求項２８記載のチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【請求項３０】
金属粉末とその金属の酸化物粉末とを含む可溶体ペーストを印刷し、これを焼成することにより、金属領域と金属酸化物領域とが混在した状態の可溶体を形成することを特徴とするチップ型ヒューズ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷法により形成された可溶体を有するチップ型ヒューズ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型ヒューズ素子としては、絶縁基板上に金属被膜等からなる幅狭の可溶体を形成し、可溶体の両端に端子電極を接続した構造のものが知られている。このような可溶体を形成する方法としては、蒸着やスパッタ等の薄膜法を利用した方法（例えば特許文献１、特許文献２等参照）がある。この方法では、薄膜法で薄い可溶体を形成した後、リソグラフィー技術で細線化を図ることができ、可溶体の高抵抗化が容易であるという利点がある。しかしながら、蒸着やスパッタ等の薄膜法には真空技術が必要となり、大規模な製造設備等を要するため、チップ型ヒューズ素子のコストの大幅な上昇を招くという問題がある。
【０００３】
そこで近年、印刷法が大きな注目を集めている。例えば特許文献３等においては、Ａｇ系のペーストのスクリーン印刷による厚膜技術を用いて可溶体を形成することが記載されている。印刷法は蒸着やスパッタで必要とされるような大規模な製造設備が不要であることから、チップ型ヒューズ素子の製造コストを大幅に低減可能な方法として期待されている。
【特許文献１】特開平６−１７６６８０号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３７２８号公報
【特許文献３】特開２００２−１４０９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、印刷法で可溶体を形成したチップ型ヒューズ素子においては、可溶体の細線化及び薄膜化に限界があるため、前記薄膜法（蒸着、スパッタ）で形成される可溶体と比較して可溶体の断面積が大きくなる傾向にある。そのため、印刷法で形成される可溶体の抵抗値は低いものとなり、結果として可溶体の溶断に必要なジュール熱を確保できず、良好な溶断特性が得られないという問題がある。
【０００５】
また、チップ型ヒューズ素子の製造者は、ユーザーの用途に合わせて溶断される電流値（定格電流）の異なるチップ型ヒューズ素子を揃えておく必要がある。一般に定格電流は可溶体の抵抗値で決まることから、様々な抵抗値を示すチップ型ヒューズ素子を作製するに際しては可溶体の抵抗値を容易に制御する方法が重要となる。
【０００６】
そこで本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、低コストな印刷法を利用して可溶体を形成したチップ型ヒューズ素子において、可溶体の高抵抗化を図るとともに、可溶体の抵抗値制御を容易なものとすることが可能なチップ型ヒューズ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の目的を達成するために、本発明に係るチップ型ヒューズ素子は、基板上に印刷法により形成された可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子であって、前記可溶体は金属領域と金属酸化物領域とを含み、前記金属領域と前記金属酸化物領域とが同種金属により構成されることを特徴とする。
【０００８】
以上のようなチップ型ヒューズ素子においては、金属領域とその金属の酸化物を含有する金属酸化物領域とを可溶体中に存在させることにより、可溶体が金属のみからなる場合に比べて、可溶体として機能する領域（金属領域）の断面積を実際の可溶体断面積より小さくしている。このため、可溶体の薄膜化や細線化が困難な印刷法を利用した場合であっても、高い抵抗値を示す可溶体が得られることとなる。また、以上のようなチップ型ヒューズ素子においては、可溶体における金属領域と金属酸化物領域との割合を制御することで、可溶体の抵抗値を任意に制御できるため、様々な規格（定格電流）のチップ型ヒューズ素子が実現される。
【０００９】
また、本発明に係るチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基板上に可溶体ペーストを印刷し、焼成して金属層を形成した後、その一部を酸化して金属酸化物とすることを特徴とする。
【００１０】
以上のようなチップ型ヒューズ素子の製造方法は、可溶体の基板側に金属層を有するようなチップ型ヒューズ素子に適用される。印刷法により金属層を形成した後にその一部を酸化し酸化物に変化させることで、可溶体として機能する金属領域の存在割合（厚み）を減らしている。その結果、通常の印刷法により形成される可溶体に比較して、可溶体として機能する部分の断面積が減少することとなり、可溶体の抵抗値増加につながる。また、前記チップ型ヒューズ素子においては、金属酸化物を形成する際の酸化条件を制御し、可溶体における金属領域と金属酸化物領域との割合を制御することにより、所望の抵抗値を有する可溶体が得られる。
【００１１】
さらに、可溶体の基板側に金属酸化物層を有するようなチップ型ヒューズ素子に適用される製造方法を規定したのが、請求項２６及び請求項２８に記載される発明である。すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基板上に金属酸化物を含む可溶体ペーストを印刷し、前記金属酸化物を焼結させた後、還元して金属酸化物の一部を金属化することを特徴とする。また、本発明に係るチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基板上に金属を含む可溶体ペーストを印刷し、脱バインダ処理を行い前記金属を金属酸化物とし、前記金属酸化物を焼結させた後、還元して前記金属酸化物の一部を金属化することを特徴とする。
【００１２】
印刷法により金属酸化物の焼結体を形成した後、その一部を還元し金属に変化させることで、通常の印刷法により形成される可溶体に比較して、可溶体として機能する金属の存在割合（厚み）を減らしている。すなわち、通常の印刷法により形成される可溶体に比較して、可溶体として機能する部分の断面積の小さい可溶体が得られ、可溶体の抵抗値増加につながる。また、前記チップ型ヒューズ素子においては、金属領域を形成する際の還元条件を制御し、可溶体における金属領域と金属酸化物領域との割合を制御することにより、所望の抵抗値を有する可溶体が得られる。
【００１３】
本発明に係るチップ型ヒューズ素子の製造方法は、金属粉末とその金属の酸化物粉末とを含む可溶体ペーストを印刷し、これを焼成することにより、金属領域と金属酸化物領域とが混在した状態の可溶体を形成することを特徴とする。
以上の方法により、金属領域と金属酸化物領域とが混合したような状態の可溶体の形成が実現され、可溶体の抵抗値増加につながる。また、前記チップ型ヒューズ素子においては、金属領域を形成する際の還元条件を制御し、可溶体における金属領域と金属酸化物領域との割合を制御することにより、所望の抵抗値を有する可溶体が得られる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、細線化及び薄膜化が困難な印刷法を利用しながらも可溶体の高抵抗化を実現し、低電流溶断が可能であり、溶断特性に優れたチップ型ヒューズ素子を提供することが可能である。また、本発明によれば、可溶体の抵抗値の設計が容易なものとなり、多様な定格電流を有するチップ型ヒューズ素子を提供することができる。さらに、本発明によれば、印刷法を利用するため、真空装置等の大規模な装置が不要であり、安価なチップ型ヒューズ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用したチップ型ヒューズ素子及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明を適用したチップ型ヒューズ素子は、基本的には可溶体において、金属を含有する金属領域と、前記金属と同種の元素を構成元素として含む金属酸化物領域とを含むものである。そして、本発明を適用したチップ型ヒューズ素子は、可溶体の具体的な構造、すなわち金属領域と金属酸化物領域のそれぞれの存在形態に応じて、以下に説明するように第１の実施形態〜第３の実施形態に大きく分類することができる。
【００１６】
（第１の実施形態）
本実施形態に係るチップ型ヒューズ素子は、図１に示すように、例えば角形チップ状の基板１と、基板１上に厚膜に形成された可溶体２と、可溶体２上に形成された保護層３とを備えている。前記可溶体２は２層からなり、具体的には基板１上に形成された金属層４と金属層４上に形成された金属酸化物層５とから構成されている。また、本実施形態のチップ型ヒューズ素子の基板１上には一対の引き出し電極６が設けられている。引き出し電極６の一端は金属層４に接続され、他端は基板１の端面に形成された端子電極７に接続される。なお、図１（ａ）においては保護層３を省略した状態で示している。
【００１７】
基板１の端面には、引き出し電極６と接続するように一対の端子電極７が形成される。端子電極７を構成する材料としては特に限定されないが、例えばＡｇ等を含む樹脂により形成される。
【００１８】
本実施形態における可溶体２は、先ず金属層４を形成し、その後金属層４の一部（表面）を酸化し、金属酸化物層５とすることにより形成されるものである。金属酸化物層５は通常絶縁性を示すため、可溶体２においては、基板１側に形成される金属層４のみが実質的な可溶体として機能することとなる。
【００１９】
なお、本発明において、「金属酸化物層」とは、金属酸化物領域が明確な層構造の形成に至らず、例えば金属層表面に金属酸化物領域が部分的に存在しているような場合も含んでいる。
【００２０】
可溶体２は金属により構成され、例えば定格電流の２倍を超えるような過大な電流が流れたときに溶断することにより、チップ型ヒューズ素子が組み込まれた電気回路等の保護を図るものである。このような観点から、可溶体２（金属層４）を構成する金属は、チップ型ヒューズ素子の可溶体として適当な融点及び比抵抗を有する金属であることが必要である。それとともに、本実施形態においては金属層４の表面を酸化して金属酸化物層５を形成させることから、可溶体２に含まれる金属として比較的酸化し易い金属であることが好ましい。このような金属としては例えばＣｕ、Ｎｉ等が挙げられ、特にＣｕを用いることが好ましい。一方、金属酸化物層５は金属層４を構成する金属の酸化物によって構成されることになる。
【００２１】
保護層３を構成する材料としては、例えばＺｎＯ系ガラス、ＣａＯ系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３系ガラス、ＳｒＯ系ガラス等のガラス、シリコーン樹脂等を用いることができる。
【００２２】
帯状に形成された可溶体２の両端には一対の引き出し電極６がそれぞれ接続される。引き出し電極６に含まれる金属は、可溶体２に含まれる金属より酸化し難い金属であることが好ましい。後述するように、金属酸化物層５を形成する工程において、金属層４の表面を酸化させる必要がある一方、引き出し電極６は酸化させないことが好ましいためである。このような相対的な酸化のし易さは例えば図２に示すようなエリンガム図に基づいて判別することができ、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等から選ばれる少なくとも１種が適当である。
【００２３】
基板１は、可溶体２の支持体となるものであり、例えば角形状に形成されている。基板１を構成する材料としては限定されるものではなく、この種のチップ型ヒューズ素子に用いられる材料をいずれも使用可能である。例えば、低い熱伝導性を示す絶縁材料を用いることができ、より具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ガラスセラミック等の絶縁材料を用いることができる。
【００２４】
なお、チップ型ヒューズ素子においては、必要に応じて基板１と可溶体２との間に蓄熱層を配置してもよい。蓄熱層を構成する材料としては特に限定されないが、低い熱伝導性を示す材料を用いることが好ましく、例えば樹脂やガラス等を挙げることができる。蓄熱層は、多孔質構造とすることもできる。
【００２５】
印刷法を利用して可溶体を形成する場合には可溶体の抵抗値の低下が問題となるが、以上のように金属層４の一部を酸化して金属酸化物層５とすることにより、金属を含有する金属領域（金属層４）の厚みを実際の可溶体２の厚みより減らし、可溶体２の抵抗値を高めることができる。したがって、溶断に必要なジュール熱が十分に確保され、例えば低電流での溶断が可能となり、優れた溶断特性を示すチップ型ヒューズ素子を実現することができる。また、印刷法を利用するため、チップ型ヒューズ素子の低コスト化の点において非常に有利である。
【００２６】
また、例えば可溶体２の長さや幅の変更等の煩雑さを伴うことなく、金属層４と金属酸化物層５との膜厚比等を制御することによって可溶体２の抵抗値を比較的容易に制御することができ、所望の規格（定格電流）のチップ型ヒューズ素子を実現することができる。
【００２７】
以下、図１に示す構成のチップ型ヒューズ素子の製造方法について説明する。本実施形態のチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基本的には、引き出し電極形成工程、金属層形成工程、金属酸化物形成工程、保護層形成工程、端子電極形成工程とを含んでいる。
【００２８】
先ず、引き出し電極形成工程では、図３（ａ）に示すように、基板１上に導電ペーストを印刷し、焼成することにより引き出し電極６を形成する。導電ペーストは、金属粉末、ガラス組成物、有機ビヒクル等を混合して調製されるものである。導電ペーストに含まれる金属粉末としては、可溶体２に含有される金属に比較して酸化し難い金属を用いることができ、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００２９】
導電ペースト用のガラス組成物としては、例えばＺｎＯ系ガラス、ＣａＯ系ガラス、Ｂｉ２Ｏ３系ガラス、ＳｒＯ系ガラス等を用いることができる。
【００３０】
導電ペースト用の有機ビヒクルは、バインダ等を有機溶剤中に溶解することによって調製されるものである。バインダとしては、特に限定されず、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等、各種バインダから適宜選択すればよい。有機溶剤も限定されず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等、各種有機溶剤から適宜選択すればよい。さらに、ペーストの物性を調節するために、分散剤等の各種添加剤を加えてもよい。
【００３１】
次に、金属層形成工程に移る。金属層形成工程では、まず、基板１上に金属粉末を含む可溶体ペーストをスクリーン印刷等により可溶体形状に印刷する。このとき、基板１上に塗布された導電ペースト（引き出し電極６）に一部重なるように可溶体ペーストを印刷する。その後、例えば大気等の酸化性雰囲気中で可溶体ペーストを焼成する。これにより、図３（ｂ）に示すような金属層４を形成する。
【００３２】
可溶体ペーストは、可溶体２を形成する金属粉末及び有機ビヒクルを混合して調製される。可溶体ペーストに含まれる金属粉末としては、酸化物層形成工程における熱処理温度において、引き出し電極６に含有される金属に比べ酸化し易い金属を用いることができる。例えばＣｕ、Ｎｉ等から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。可溶体ペースト用の有機ビヒクルとしては、前記導電ペーストと同様のものを用いることができる。
【００３３】
ところで、可溶体ペースト用金属粉末は比較的酸化し易い金属からなるため、可溶体ペースト中のバインダを除去する目的で可溶体ペーストを酸化性雰囲気中で単純に焼成しただけでは、可溶体ペースト用金属粉末全体が酸化するおそれがある。このような場合、例えば大気中、４００℃で焼成することによりバインダを除去した後、可溶体ペースト用金属粉末を還元する還元処理を実施することが好ましい。これにより、脱バインダ処理により生じた酸化物を還元して金属に戻すことができる。還元処理は、Ｎ２、Ｈ２等を含む還元雰囲気中、例えば３８０℃で熱処理すればよい。還元処理の後、Ｎ２等の非酸化性雰囲気中、例えば７５０℃でさらに焼成を行うことが好ましい。還元処理後、非酸化性雰囲気中で焼成を行うことにより、金属酸化物層５を形成する前の段階の可溶体（金属層４）を形成することができる。
【００３４】
次に、酸化物層形成工程を実施する。酸化物層形成工程では、金属層４を酸化性雰囲気中で熱処理することにより金属層４の表面を酸化し、図３（ｃ）に示すように金属酸化物層５を形成する。前記金属層形成工程と酸化物層形成工程により、金属層４と金属酸化物層５とからなる可溶体２が形成される。
【００３５】
酸化物層形成工程においては、金属層４の表面を酸化させる必要がある一方で、引き出し電極６については導電性を確保する観点から極力酸化させないように、熱処理の条件を制御する必要がある。酸化物層形成工程の熱処理条件は、可溶体２（金属層４）及び引き出し電極６に用いる金属の種類や、必要な抵抗値等に応じて適宜調整する必要があるが、例えば３００℃〜９００℃の温度で行えばよい。
【００３６】
また、酸化物層形成工程における酸化性雰囲気中の酸素分圧は、可溶体２に含まれる金属の平衡酸素分圧と、引き出し電極６に含まれる平衡酸素分圧とを考慮して決めることが好ましい。具体的には、酸化性雰囲気中の酸素分圧を、可溶体２を構成する金属の平衡酸素分圧より高く、かつ、引き出し電極６を構成する金属の平衡酸素分圧より低く設定することが好ましい。酸化性雰囲気中の酸素分圧を前記範囲内とすることによって、引き出し電極６の導電性を損なうことなく、金属層４の表面を確実に金属酸化物層５へ変化させることができる。
【００３７】
このような酸素分圧の範囲は、図２に示すようなエリンガム図に基づいて算出することができる。例えば、焼成温度を９００℃とし、Ｎｉを金属として残存させ、Ａｌを酸化させて酸化物（Ａｌ２Ｏ３）とするような酸素分圧を求める場合を考える。Ａｌの平衡酸素分圧は、左上に位置する点Ｏと、Ａｌ酸化物に対応する線の温度９００℃における点ａとを結ぶ直線をＰＯ２スケールまで外挿した点ＰＯ２（Ａｌ）で示される。一方、Ｎｉの平衡酸素分圧は、左上に位置する点Ｏと、Ｎｉ酸化物に対応する線Ｂの温度９００℃における点ｂとを結ぶ直線をＰＯ２スケールまで外挿した点ＰＯ２（Ｎｉ）で示される。つまり、９００℃において、Ｘで示されるように、Ｎｉの線（ΔＧｏ）の下側であり、かつＡｌの線（ΔＧｏ）の下側に対応する酸素分圧であれば、Ａｌは酸化され、かつＮｉは金属のまま残存する。したがって、９００℃において、Ｎｉを金属として残存させ、かつＡｌを酸化させるという条件を満たす雰囲気の酸素分圧ＰＯ２は、図３中矢印Ｙで示される範囲であり、ＰＯ２（Ａｌ）＜ＰＯ２＜ＰＯ２（Ｎｉ）である。
【００３８】
次に、保護層形成工程を実施し、図３（ｄ）に示すように保護層３を形成する。保護層３を形成する方法は特に限定されるものではないが、シリコーン樹脂等の樹脂を含むペーストを塗布し、熱で硬化することにより保護層３を形成することが好ましい。
【００３９】
保護層３を形成した後、端子電極形成工程を実施する。例えばＡｇを含むペーストを塗布し、硬化させることにより、図３（ｅ）に示すような端子電極７を形成する。以上の工程を経ることにより、図１に示すチップ型ヒューズ素子が得られる。
【００４０】
以上のようなチップ型ヒューズ素子の製造方法では、印刷法により金属層４を形成した後にその一部を金属酸化物層５に変化させることで、可溶体２として実際に機能する領域（金属層４）の厚みを減らしている。したがって、本発明では印刷法を利用した場合であっても金属層４の断面積を非常に小さくして可溶体２を高抵抗化することが可能となり、印刷法の利点である低コスト化と優れた溶断特性との両立を図ることができる。
【００４１】
また、金属酸化物層５の膜厚は、酸化物層形成工程における熱処理条件等を制御することにより比較的容易に制御することができる。したがって、例えばチップ型ヒューズ素子の外形寸法・可溶体の形状・可溶体ペーストの材料のいずれをも変化させることなく、可溶体２の抵抗値を容易に所望の値に設計することができ、多様なチップ型ヒューズ素子を製造することができる。
【００４２】
なお、前述の説明においては、図１に示すチップ型ヒューズ素子を製造するに際して酸化物層形成工程と保護層形成工程とをこの順に実施する方法を例に挙げたが、図１に示す構造のチップ型ヒューズ素子の製造方法はこれに限るものではない。例えば以下に説明するように、保護層形成工程と酸化物層形成工程とを共通化することができる。このような製造方法について図４を参照しながら説明する。
【００４３】
先ず、引き出し電極形成工程を実施し、図４（ａ）に示すように基板１上に引き出し電極６を形成する。次に、金属層形成工程を実施し、図４（ｂ）に示すように金属層４を形成する。ここまでの工程は図２を参照して説明した製造方法と同じであるため、詳細な説明を省略する。
【００４４】
金属層形成工程後、保護層形成工程を実施する。先ず、図４（ｃ）に示すように、保護層３を形成するための保護層形成用ペースト３ａを金属層４を被覆するように印刷し、塗布する。保護層形成用ペースト３ａは、保護層３を形成するための材料、有機ビヒクル等を混合して調製される。ここで、保護層３を形成する材料としては、後述する酸化性雰囲気中の熱処理に対し耐熱性を有する材料であることが好ましく、特にガラスを用いることが好ましい。
【００４５】
保護層形成用ペースト３ａを塗布した後、酸化性雰囲気中で熱処理を行う。この熱処理によって、図４（ｄ）に示すように保護層３が形成される。それと同時に、保護層形成用３ａペーストを介して雰囲気中の酸素が金属層４表面と接触し、金属層４の表面を酸化させるため、結果として図４（ｄ）に示すように金属酸化物層５が形成される。
【００４６】
その後、端子電極形成工程を実施し、図４（ｅ）に示すように端子電極７を形成する。以上のような工程を経ることにより、図１に示すチップ型ヒューズ素子が得られる。
【００４７】
以上のような製造方法においては、保護層形成工程における熱処理が酸化物層形成工程における熱処理を兼ねている。チップ型ヒューズ素子においては、耐環境性を高める目的等のために保護層３を形成することが一般的であるため、保護層形成工程が酸化物層形成工程を兼ねることで、酸化物層形成のみを目的とする熱処理工程は不要となる。したがって、前述の製造方法によれば、製造工程を簡略化でき、チップ型ヒューズ素子のさらなる低価格化が実現される。
【００４８】
（第２の実施形態）
本実施形態のチップ型ヒューズ素子は、可溶体２において金属領域（金属層４）とその金属の酸化物領域（金属酸化物層５）とを有する点において前記第１実施形態のチップ型ヒューズ素子と共通するが、可溶体２における金属層４と金属酸化物層５の積層順序が逆になっている。以下、本実施形態のチップ型ヒューズ素子について、図５を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、第１の実施形態と重複する箇所についての詳細な説明は省略する。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態に係るチップ型ヒューズ素子は、例えば角形チップ状の基板１と、基板１上に厚膜に形成された可溶体２と、可溶体２上に形成された保護層３とを備えている。図５（ａ）においては保護層３を省略した状態で示している。
【００５０】
本実施形態の可溶体２における金属層４と金属酸化物層５の積層順序は、前記第１の実施形態とは逆である。すなわち、本実施形態の可溶体２は、基板１上に形成された金属酸化物層５と金属酸化物層５上に形成された金属層４とから構成されている。基板１の対向する一対の端面にはそれぞれ端子電極７が形成されている。前記第１の実施形態では金属層４と端子電極７との間に引き出し電極６が介在していたが、本実施形態においては金属層４と各端子電極７とは直接接続されている。
【００５１】
本実施形態における可溶体２は、先ず金属酸化物層５を形成し、その後金属酸化物層５の一部（表面）を還元して金属化し、金属層４とすることにより形成されるものである。金属酸化物層５は通常絶縁性を示すため、可溶体２においては、表面に形成される金属層４のみが実質的な可溶体として機能することとなる。
【００５２】
なお、本発明において、「金属層」とは、金属領域が明確な層構造の形成に至らず、例えば金属酸化物層表面に金属領域が部分的に存在しているような場合も含んでいる。ただしこの場合、可溶体２として機能するために、金属領域同士が接触してネットワークを形成している必要がある。
【００５３】
本実施形態の可溶体２（金属層４）に使用可能な材料としては、チップ型ヒューズ素子の可溶体として適当な融点及び比抵抗を有する金属であることが必要である。それとともに、本実施形態の金属層４は、酸化物から金属を還元析出させることが容易な金属を用いることが好ましい。このような見地から、金属層４はＣｕから構成されることが好ましい。
【００５４】
以上のように金属酸化物層５の一部を還元して金属層４とすることにより、金属領域（金属層４）の厚みを実際の可溶体２の厚みより減らし、可溶体２の抵抗値を高めることができる。したがって、溶断に必要なジュール熱が十分に確保され、例えば低電流での溶断が可能な優れた溶断特性を示すチップ型ヒューズ素子を実現することができる。また、印刷法を利用するため、チップ型ヒューズ素子の低コスト化の点において非常に有利である。
【００５５】
また、金属酸化物層５と金属層４との膜厚比等を制御することによって可溶体２の抵抗値を比較的容易に制御することができ、所望の規格（定格電流）のチップ型ヒューズ素子を実現することができる。この際、例えば可溶体２の長さや幅を変更を伴う等の煩雑さはない。
【００５６】
以下、図５に示すチップ型ヒューズ素子の製造方法の一例について、図６を参照しながら説明する。本実施形態のチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基本的には、金属酸化物層形成工程、金属層形成工程、端子電極形成工程及び保護層形成工程を含んでいる。
【００５７】
先ず、金属酸化物層形成工程に先立ち、可溶体ペーストを用意する。ここで用いる可溶体ペーストは、可溶体材料として金属酸化物粉末を有機ビヒクル等と混合して調製される。例えば可溶体２の金属層４がＣｕからなる場合、可溶体ペーストにＣｕＯ粉末を含有させることとする。
【００５８】
前記可溶体ペーストを基板１上にスクリーン印刷等により可溶体形状に印刷し、その後、例えば大気中、９００℃で所定時間保持して焼成する。これにより、可溶体ペースト中のバインダを除去するとともに金属酸化物粉末を焼結し、図６（ａ）に示すような金属酸化物層５を形成する。
【００５９】
次に、金属層形成工程では、金属酸化物の焼結体からなる金属酸化物層の表面（一部）を還元して金属酸化物の一部を金属化し、図６（ｂ）に示すような金属層４を形成する。これにより、金属酸化物層５と金属層４とからなる可溶体２が形成される。金属酸化物層５の一部を金属層４とするには、金属酸化物層５を例えばＮ２，Ｈ２等の還元雰囲気中で熱処理すればよい。
【００６０】
次に、端子電極形成工程を実施する。例えばＡｇ等を含む熱硬化性樹脂をディッピングした後、硬化させることにより、図６（ｃ）に示すような端子電極７を形成する。
【００６１】
最後に、保護層形成工程を実施し、図６（ｄ）に示すように保護層３を形成する。以上の工程を経ることにより、図５に示すチップ型ヒューズ素子が得られる。
【００６２】
以上のようなチップ型ヒューズ素子の製造方法では、金属酸化物の焼結体（金属酸化物層５）を形成した後にその一部を還元し金属層４に変化させることで、可溶体２として実際に機能する領域（金属層４）を薄く形成している。このため、本発明では印刷法を利用した場合であっても可溶体２の金属層４の断面積を非常に小さくして可溶体２を高抵抗化することが可能となり、印刷法の利点である低コスト化と優れた溶断特性との両立を図ることができる。
【００６３】
また、金属層４の膜厚は、金属層形成工程における還元条件等を制御することにより比較的容易に制御することができる。したがって、例えばチップ型ヒューズ素子の外形寸法・可溶体の形状・可溶体ペーストの材料のいずれをも変化させることなく可溶体２の抵抗値を容易に所望の値に設計することができ、多様なチップ型ヒューズ素子を製造することができる。
【００６４】
なお、前述の説明では、図５に示すチップ型ヒューズ素子を作製するに際して金属酸化物粉末を含む可溶体ペーストを用いた場合を例に挙げたが、金属酸化物粉末に代えて金属粉末を含む可溶体ペーストを用いてもよい。
【００６５】
金属粉末を含む可溶体ペーストを用いる場合も、基本的には金属酸化物層形成工程、金属層形成工程、端子電極形成工程及び保護層形成工程を経てチップ型ヒューズ素子を製造する。ただし、金属酸化物層形成工程において、基板１上に可溶体ペーストを印刷した後、可溶体ペースト中のバインダを除去するための脱バインダ処理が必須となる。脱バインダ処理は、例えば大気中、所定の温度で加熱保持すればよい。焼結に先立って脱バインダ処理を行うことで、可溶体ペースト中の金属粉末が酸化されて金属酸化物粉末となる。これを焼結することで、金属酸化物の焼結体からなる金属酸化物層５を形成することが可能となる。
【００６６】
（第３の実施形態）
ところで前述の第１の実施形態及び第２の実施形態では、可溶体２において金属と金属酸化物とがそれぞれ層を形成するような構造を取る場合を例に挙げたが、これに限定されるものではない。例えば可溶体２において、金属領域とその金属の酸化物領域とが混合したような状態で存在していても構わない。
【００６７】
本実施形態のチップ型ヒューズ素子は、例えば図７に示すように、基板１と基板１上に厚膜に形成された可溶体２と可溶体２上に形成された保護層３と可溶体２の両端に接続された端子電極７とを備えるものである。
【００６８】
可溶体２は印刷法により形成されたものであり、金属領域と金属酸化物領域とが混合したような状態で存在している。金属領域と金属酸化物領域との存在比は任意であり、例えば金属層中に金属酸化物領域が分散したような状態、逆に、金属酸化物層中に金属領域が分散したような状態のいずれでも構わない。なお、可溶体２において金属酸化物層中に金属領域が分散したような状態とされている場合、例えば可溶体２に占める金属領域の比率を３０体積％以上とし、金属領域同士を互いに接触させてネットワークを形成することにより、可溶体２として確実に機能することができる。
【００６９】
可溶体２が以上のような構造とされることで金属からなる従来型の可溶体に比べて可溶体２の実効的な断面積が小さくなるため、可溶体２の高抵抗化が実現される。したがって、溶断に必要なジュール熱が十分に確保され、例えば低電流での溶断が可能な優れた溶断特性を示すチップ型ヒューズ素子を実現することができる。また、印刷法を利用するため、チップ型ヒューズ素子の低コスト化の点において非常に有利である。
【００７０】
また、可溶体２における金属と金属酸化物との存在比を制御することによって、可溶体２の長さや幅を変更する等の煩雑さを伴うことなく、可溶体２の抵抗値を比較的容易に制御することができ、所望の規格（定格電流）のチップ型ヒューズ素子を実現することができる。
【００７１】
以下、本実施形態のチップ型ヒューズ素子の製造方法の一例について説明する。本実施形態のチップ型ヒューズ素子の製造方法は、基本的には、可溶体形成工程、端子電極形成工程及び保護層形成工程を含んでいる。
【００７２】
先ず、金属酸化物層形成工程に先立ち、可溶体ペーストを用意する。ここで用いる可溶体ペーストは、金属粉末とその金属の酸化物粉末を含み、これらが有機ビヒクルと混合されて調製される。金属粉末としては特にＣｕ粉末を用いることが好ましい。可溶体ペーストにＣｕ粉末を含ませる場合、金属酸化物粉末としてＣｕ酸化物粉末を用いることとする。
【００７３】
次に、前記可溶体ペーストを基板１上に印刷し、脱バインダ処理を行った後、Ｃｕ及びＣｕ酸化物がそれぞれ残存するような酸素分圧の雰囲気中、例えば９００℃で所定時間保持する。これにより、ＣｕとＣｕ酸化物とが共存した可溶体２を形成する。Ｃｕ及びＣｕ酸化物がそれぞれ残存するような酸素分圧は、前述したようにエリンガム図から算出すればよい。
【００７４】
次に、端子電極形成工程を実施する。例えばＡｇ等を含む熱硬化性樹脂をディッピングした後、硬化させることにより、端子電極７を形成する。
【００７５】
最後に、保護層形成工程を実施し、保護層３を形成する。以上の工程を経ることにより、図７に示すような、金属領域と金属酸化物領域とが混合したような可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子が得られる。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。なお、本発明が以下の実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。
【００７７】
（実験１）
実験１では、金属層と金属酸化物層とがこの順に積層されてなる可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子を作製するに際し、可溶体表面の酸化物層と保護層を別工程で形成する例について検討した。
【００７８】
＜実施例１＞
先ず、導電ペーストを用意した。導電ペーストは、Ａｇ粉末及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、３本ロールミルで混練することにより調製した。有機ビヒクルは、バインダとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてブチルカルビトールとを含むものである。
【００７９】
アルミナ基板上に前記導電ペーストを一対の引き出し電極の形状に印刷し、乾燥させた。次に、大気中、８５０℃で焼成することにより引き出し電極を形成した。
【００８０】
一方、可溶体ペーストを用意した。可溶体ペーストは、Ｃｕ粉末及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、３本ロールミルで混練し、調製したものである。有機ビヒクルは、バインダとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてブチルカルビトールとを含むものである。なお、Ｃｕ粉末と有機ビヒクルとの配合比は、得られた可溶体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように設定した。
【００８１】
前記可溶体ペーストを一対の引き出し電極間に接触するような可溶体形状にスクリーン印刷し、乾燥させた。次に、大気中、４００℃で熱処理することにより、可溶体ペースト中のバインダを除去した。バインダを除去した後、Ｃｕの還元処理を行った。還元処理は、Ｎ２及びＨ２混合ガス雰囲気中、３８０℃、３０分間の条件で行った。次に、Ｎ２雰囲気中、７５０℃、１０分間の条件で焼成した。これにより、Ｃｕからなる金属層を形成した。ここで得られたＣｕからなる金属層の膜厚は５μｍであった。また、金属層の幅は２００μｍ、長さは１．５ｍｍであった。
【００８２】
次に、金属層の表面を酸化することにより、金属層の表面の一部を酸化物層とした。酸化物層の形成は、空気中、４００℃、１０分間の条件で熱処理することにより行った。これによりＣｕ層とＣｕ酸化物層との２層からなる可溶体が形成される。酸化していないＣｕ層が実質的な可溶体となる。その後、可溶体を被覆するようにシリコーン樹脂からなる膜をスクリーン印刷により形成し、これを保護層とした。
【００８３】
次に、基板側面にＡｇ等を含む樹脂をディッピング後、熱硬化させることにより端子電極を形成した。その後、めっき処理を行うことにより、実施例１の小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【００８４】
＜実施例２〜実施例４＞
酸化物層を形成する際の熱処理温度を表１に示すように変化させたこと以外は、実施例１と同様にして小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【００８５】
＜比較例１＞
金属層を形成した後、表面酸化を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【００８６】
以上のように作製した実施例１〜実施例４のチップ型ヒューズ素子の可溶体について、Ｃｕからなる金属層の膜厚を測定した。また、実施例１〜実施例４及び比較例１のチップ型ヒューズ素子の溶断時間を測定した。溶断時間は、可溶体に４Ａの電流を流し始めてから可溶体が切断されるまでの時間とした。結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
2007027077.tif 000003
【００８８】
以上、表１の結果から、酸化物層を形成することによって、可溶体として実質的に機能する金属層（Ｃｕ）の膜厚を減少させることができ、溶断時間の短縮が可能となることが確認された。特にＣｕの膜厚を４．３μｍより小さくすることにより、溶断時間が１秒未満となり、さらに良好な溶断特性が得られている。また、Ｃｕの膜厚減少に伴って溶断時間が短くなることから、酸化物層と金属層の膜厚を制御することによって、溶断時間の制御が可能となることがわかる。
【００８９】
（実験２）
実験２では、保護層としてガラスを用いるとともに、保護層形成工程が酸化物層形成工程を兼ねる例について検討した。
【００９０】
＜実施例５＞
先ず、実施例１と同様にしてアルミナ基板上に引き出し電極及びＣｕからなる金属層を形成した。
一方、保護層形成用のガラスペーストを用意した。ガラスペーストは、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２を、軟化点が４２０℃となるように配合し、混練することにより調製した。
【００９１】
次に、金属層を被覆するように前記ガラスペーストを塗布し、空気中、５００℃、１０分間の条件で焼成した。これにより、保護層が形成されるとともに、金属層表面が酸化されることにより金属酸化物層となり、可溶体が形成された。
【００９２】
その後、実施例１と同様にして端子電極を形成し、めっき処理を行うことにより、実施例５の小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【００９３】
＜実施例６，実施例７＞
保護層及び酸化物層を形成する際の熱処理温度を表２に示すように変化させるとともに、各熱処理温度に応じた軟化点を有するガラスを用いた。それ以外は、実施例５と同様にして小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【００９４】
以上のように作製した実施例５〜実施例７のチップ型ヒューズ素子の可溶体について、実験１と同様にしてＣｕの膜厚を測定した。また、実験１と同様にして実施例５〜実施例７のチップ型ヒューズ素子の溶断時間を測定した。結果を表２に示す。
【００９５】
【表２】
2007027077.tif 000004
【００９６】
以上、表２の結果から、ガラス保護層の形成と同時に酸化物層を形成した場合も、酸化物層を形成することによって可溶体として機能するＣｕの膜厚を減少させることができ、溶断時間の短縮が可能となることが確認された。
【００９７】
（実験３）
実験３では、金属酸化物層と金属層とがこの順に積層されてなる可溶体を備えるチップ型ヒューズ素子について検討した。
【００９８】
＜実施例８＞
先ず、可溶体ペーストを用意した。可溶体ペーストは、酸化第二銅ＣｕＯ粉末（平均粒径１μｍ）及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、３本ロールミルで混練し、調製したものである。有機ビヒクルは、バインダとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてブチルカルビトールとを含むものである。なお、ＣｕＯ粉末と有機ビヒクルとの配合比は、得られた可溶体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように設定した。
【００９９】
前記可溶体ペーストをアルミナ基板上にスクリーン印刷した。印刷した可溶体ペーストの狭隘部の幅は１００μｍ、膜厚は２０μｍ、長さは２．５ｍｍとした。
【０１００】
次に、大気中、９００℃で５分間保持し、焼成した。これにより、Ｃｕ酸化物からなる焼結体を得た。その後、還元熱処理を行い、Ｃｕ酸化物層の表面にＣｕを析出させて可溶体とした。還元熱処理の条件は、Ｎ２−４％Ｈ２雰囲気中、４００℃、１分間とした。
【０１０１】
次に、基板側面にＡｇ等を含む樹脂をディッピング後、熱硬化させることにより端子電極を形成し、実施例８の小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【０１０２】
＜比較例２＞
先ず、可溶体ペーストを用意した。可溶体ペーストは、金属Ｃｕ粉末（平均粒径１μｍ）及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、３本ロールミルで混練し、調製したものである。有機ビヒクルは、バインダとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてブチルカルビトールとを含むものである。なお、Ｃｕ粉末と有機ビヒクルとの配合比は、得られた可溶体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように設定した。
【０１０３】
次に、前記可溶体ペーストをアルミナ基板上にスクリーン印刷した。印刷形状は先の実施例８と同様である。
【０１０４】
次に、脱バインダ処理を行い、可溶体ペースト中のバインダを除去した。脱バインダ処理は、大気中、４００℃、３０分間の条件で行った。
【０１０５】
可溶体ペースト中のＣｕ粉末は、前記脱バインダ処理により酸化されているため、これを還元してＣｕに戻した。ここでの還元条件は、Ｎ２−４％Ｈ２雰囲気中、４００℃、３０分間とした。次に、還元したＣｕの焼結を行った。Ｃｕの焼結は、Ｎ２雰囲気中、９００℃、５分間の条件で行った。これにより、Ｃｕからなる可溶体が形成された。
【０１０６】
次に、基板側面にＡｇ等を含む樹脂をディッピング後、熱硬化させることにより端子電極を形成した。これにより、比較例２の小型チップ型ヒューズ素子を得た。
【０１０７】
以上のように作製した実施例８及び比較例２について、可溶体の抵抗値と溶断時間を測定した。結果を表３に示す。
【０１０８】
【表３】
2007027077.tif 000005
【０１０９】
以上、表３の結果から、Ｃｕ酸化物からなる焼結体の表面に金属Ｃｕを析出させることで、高い抵抗値を示す可溶体を得ることができ、溶断時間の短縮が可能となることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】（ａ）は第１の実施形態のチップ型ヒューズ素子の一例を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）の概略断面図である。
【図２】エリンガム図の概略図である。
【図３】図１に示すチップ型ヒューズ素子の製造方法の一例を説明するための概略断面図であり、（ａ）は引き出し電極形成工程、（ｂ）は金属層形成工程、（ｃ）は酸化物層形成工程、（ｄ）は保護層形成工程、（ｅ）は端子電極形成工程を示す。
【図４】図１に示すチップ型ヒューズ素子の製造方法の他の例を説明するための概略断面図であり、（ａ）は引き出し電極形成工程、（ｂ）は金属層形成工程、（ｃ）は保護層形成用ペースト塗布工程、（ｄ）は保護層及び酸化物層形成工程、（ｅ）は端子電極形成工程を示す。
【図５】（ａ）は第２の実施形態のチップ型ヒューズ素子の一例を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）の概略断面図である。
【図６】図５に示すチップ型ヒューズ素子の製造方法の一例を説明するための概略断面図であり、（ａ）は金属酸化物層形成工程、（ｂ）は金属層形成工程、（ｃ）は端子電極形成工程、（ｄ）は保護層形成工程を示す。
【図７】第３の実施形態のチップ型ヒューズ素子の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  基板、２  可溶体、３  保護層、４  金属層、５  金属酸化物層、６  引き出し電極、７  端子電極
【図１】
2007027077.tif 000006
【図２】
2007027077.tif 000007
【図３】
2007027077.tif 000008
【図４】
2007027077.tif 000009
【図５】
2007027077.tif 000010
【図６】
2007027077.tif 000011
【図７】
2007027077.tif 000012