(57)【要約】【課題】  表面の欠けの発生を抑制する半導体装置の製造方法及びこの方法により形成された半導体装置を提供する。【解決手段】  複数の半導体素子（半導体チップ）を金型内に格子状に間隔を置いて配置し、樹脂封止を行って、前記複数の半導体チップが封止された一括樹脂封止体１０′を形成する工程と、前記複数の半導体チップが封止された一括樹脂封止体１０′の表示マーク１３が設けられた主面に半導体チップが個別に分離されるように縦方向及び横方向のハーフカット１６を行う工程と、ハーフカットの溝状のライン１６に沿って外部電極１１、１２が設けられている裏面から一括樹脂封止体１０′をダイシングブレード１５によりフルカットして、半導体チップの単体が封止された樹脂封止体を個別に複数個分割形成する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を金型内に格子状に間隔を置いて配置し、樹脂封止を行って、前記格子状に間隔をおいて配置された複数の半導体素子が封止された一括樹脂封止体を形成する工程と、
前記複数の半導体素子が封止された一括樹脂封止体の主面に前記半導体素子が個別又は複数個毎に分離されるように縦方向及び横方向のハーフカットを行う工程と、
前記ハーフカットのラインに沿って前記一括樹脂封止体を裏面からフルカットして、前記複数の半導体素子が樹脂封止された樹脂封止体を個別に複数個分割形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ハーフカットのライン径は、前記フルカットのライン径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ハーフカットされる主面には表示マークが形成され、裏面には電極が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ハーフカットにはブレードもしくはレーザを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体素子と、
前記半導体素子が封止され、上面には表示マークが形成され、下面には露出して電極が形成された樹脂封止体とを備え、
前記上面の四周は面取りされており、且つ前記上面の面積は、前記下面の面積より小さいことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面に外部電極などの電極が形成された樹脂封止体を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小信号の半導体装置は、小型化が進んでおり、例えば、各辺のサイズが１ｍｍ以下の半導体装置まで製造されている。このサイズでは個別には封止せず、複数の半導体素子（半導体チップ）を金型内で行列に配列して一括して樹脂封止し、この一括樹脂封止体を半導体チップ毎にダイシングして樹脂封止体に包まれた１つの半導体チップに分割することにより製造されている。このような半導体チップを包み込む樹脂封止体（パッケージ）は、形状が直方形であるためハンドリング時の衝撃などにより角部の欠けが発生し易いという問題があった。これは、樹脂の効率や封止の際の金型のずれによる寸法精度の悪化を抑えるためにこのような形成方法を採用しているためである。この様にして得られた半導体装置の外囲器は角部がすべて直角になっており、ハンドリング時に欠けを発生する可能性が高い。
従来、樹脂封止体（パッケージ）の欠け対策としてはその角部の面取りを行うことが多いが、チップサイズのパッケージ単体での面取りの実施は困難を伴うものであった。
【０００３】
特許文献１には外囲器の１つの面に電極を形成し、その周囲をブレードでダイシングする半導体装置において、２回のダイシング工程により樹脂封止体をダイシングして樹脂封止体に封止された半導体チップを形成することが開示されている。また、特許文献２には、電極面からダイシングしてから、その反対面からレーザダイシングすることが開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１３６２２６号公報
【特許文献２】特開２００４−２４１６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、表面の欠けの発生を抑制する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、複数の半導体素子を金型内に格子状に間隔を置いて配置し、樹脂封止を行って、前記格子状に間隔をおいて配置された複数の半導体素子が封止された一括樹脂封止体を形成する工程と、前記複数の半導体素子が封止された一括樹脂封止体の主面に前記半導体素子が個別又は複数個毎に分離されるように縦方向及び横方向のハーフカットを行う工程と、前記ハーフカットのラインに沿って前記一括樹脂封止体を裏面からフルカットして、前記複数の半導体素子が樹脂封止された樹脂封止体を複数個分割形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、表面の欠けの発生を抑制する半導体装置の製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【０００８】
図１乃至図６を参照して実施例１を説明する。図１は、半導体装置の斜視図、図２乃至図４は、半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図、図５は、パッケージ保持テープに収容された樹脂封止体が収容されたパッケージ保持テープの断面図、図６は、樹脂封止体で封止された半導体装置の断面図である。この実施例では半導体装置として、例えば、ダイオードを用いて説明する。
【０００９】
図１は、半導体チップが封止されているパッケージ（樹脂封止体）の電極が形成されている面（裏面）を上にした斜視図（図１（ａ））及び極性などのマークが表示された面（主面）を上にした斜視図（図１（ｂ））から構成されている。半導体チップを封止した樹脂封止体１０の裏面には外部接続端子となるアノード、カソードなどの電極１１、１２が形成されている。樹脂封止体１０主面には極性を示すマーク１３が形成されている。極性マーク１３が形成されている主面の四周には、所定のＲを持った面取り部１４が施されている。極性マーク１３は、印刷もしくはレーザなどによる焼付けにより樹脂封止体１０に形成される。また、この実施例では、面取り部１４は、ダイシング時のハーフカットにより形成される。半導体装置のパッケージサイズ（樹脂封止体のサイズ）は、各辺が１ｍｍ以下である。
【００１０】
次に、図２乃至図５を参照してこの半導体装置の製造方法を説明する。複数の半導体チップが金型（図示しない）内において行列状に配置される。そして、複数の半導体チップは、エポキシ樹脂などからなる一括樹脂封止体１０′に封止される。一括樹脂封止体１０′の主面には極性マーク１３が一括樹脂封止体１０′内の半導体チップに対応して行列状に配列形成されている（図２（ａ））。一括樹脂封止体１０′の裏面には各半導体チップの電極１１、１２が露出している（図では電極１１が表示されている）（図２（ｂ））。
【００１１】
次に、この一括樹脂封止体１０′をダイシングして、図１に示すように、１つの半導体チップが封止された樹脂封止体１０に分割形成され、これがこの実施例の半導体装置を構成する。一括樹脂封止体１０′から複数の樹脂封止体１０に分割するには、まず、一括樹脂封止体１０′の極性マーク１３が形成された主面に各半導体チップ毎に区画されるようにブレードによりハーフカットする。これにより主面にはハーフカット溝あるいはハーフカットライン１６が形成される。この実施例では、ハーフカットライン幅２ｄは、次のフルカットに用いられるブレード（ダイシングブレード）１５（図４参照）の幅より大きくすることが必要である（図３）。なぜなら、ハーフカットライン１６は、樹脂封止体１０の面取り部１４となるからである。図６に示すように、ｄは、面取り幅に相当し、例えば、この実施例では０．１ｍｍである。このハーフカットにより一括樹脂封止体１０′から切り出される樹脂封止体１０は、主面の極性マーク面は、面取り部１４を有するようになり、電極１１、１２が形成された裏面より面積が狭い。
【００１２】
次に、一括樹脂封止体１０′を裏面側からダイシング（フルカット）する。ハーフカットを行ったブレードのブレード幅２ｄより幅の狭いダイシングブレード１５を用い、ハーフカットライン１６の溝中心にダイシングブレード１５がくるようにして一括樹脂封止体１０′をダイシングする。この様にして、ハーフカットによって極性マーク面（主面）が面取りされ、半導体チップが封止された樹脂封止体１０（図１参照）が複数個切り出される。この樹脂封止体１０は、ハーフカット用ダイシングブレード先端のＲに沿った面取りを容易に行うことができた。一括樹脂封止体１０′から切り出された樹脂封止体１０は、約１０００ｐ作製され、各個片毎にパッケージ保持テープ１７の凹部１７′に収納されて保護テープ１８により密閉される（図５）。
【００１３】
図６は、図１に示す半導体チップが樹脂封止体（パッケージ）に封止された構成の半導体装置の内部を説明する断面図である。半導体チップを封止した樹脂封止体１０の裏面に電極１１、１２、主面に極性を示すマーク１３、主面の四周に所定のＲを持った面取り部１４が形成されていることは図１の説明時に説明したとおりである。ダイオードが形成された半導体チップ１は、裏面に形成されたアノードもしくはカソードと主面に形成されたカソードもしくはアノードを有している。半導体チップ１は、外部電極１１の上に接合されており、外部電極１２は間隔をおいて外部電極１１に対向して配置されている。外部電極１２は、ボンディングワイヤ２により半導体チップ１主面のカソードもしくはアノードに電気的に接続されている。レーザなどにより焼付け形成された極性マーク１３は、外部電極１１の上方に対向するように配置されている。ハーフカットにより形成された面取り部１４は、例えば、幅ｄが０．１μｍ程度である。半導体チップ１、外部電極１１、１２、ボンディングワイヤ２は、エポキシ樹脂などを材料とする樹脂封止体１０に封止され、外部電極１１、１２の下面は、樹脂封止体１０から露出している。
【００１４】
このように樹脂封止体のテープ詰めを行なった後に樹脂封止体の角部の欠けを確認したが目立つ欠けは発見できなかった。また外形認識による実装装置で認識精度を確認したが特に問題はなかった。即ち、外形認識を行なった場合の認識の精度を落すことなく欠けを低減させることができた。パッケージ（樹脂封止体）の実装を行なう際の認識方法として電極で認識を行なう場合と外形で認識を行なう場合があり、後者の場合面取りにより認識される寸法が異なると実装不良を起こす可能性があるが、面取りを極性マーク面のみとすることにより電極面から外形を見た場合の形状を変えないようにできる。
面取りを極性マーク面のみとしない従来の方法で作製したパッケージを有する半導体装置を約１０００ｐ作製し、樹脂封止体（パッケージ）の角部の欠けを確認したところ欠けが７ｐ発見された。またこの従来例では外形認識による実装装置の認識精度を確認したが特に問題はなかった。
【実施例２】
【００１５】
次に、図７乃至図９を参照して実施例２を説明する。図７は、樹脂封止体により被覆された半導体装置の断面図、図８及び図９は、半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。この実施例ではハーフカットの方法に特徴がある。
図７は、半導体装置の樹脂封止体２０の断面を示しており、主面に極性マーク２３が形成され、裏面に外部接続端子となる電極２２が形成されている。極性マーク２３が形成されている主面は、所定のＲを持って面取り２４されている。極性マーク２３は、印刷もしくはレーザによる焼付けにより樹脂封止体２０に形成される。また、面取り２４は、ダイシング時のハーフカットにより形成される。半導体装置のパッケージサイズ（樹脂封止体のサイズ）は、各辺が１ｍｍ以下である。
【００１６】
次に、図８及び図９を参照してこの半導体装置の製造方法を説明する。複数の半導体チップが金型（図示しない）内において行列状に配置される。そして、複数の半導体チップは、エポキシ樹脂などからなる一括樹脂封止体２０′に封止される。一括樹脂封止体２０′の主面には極性マーク２３が一括樹脂封止体２０′内の半導体チップに対応して行列状に配列形成されている（図８（ａ））。一括樹脂封止体２０′の裏面には各半導体チップの電極２２が露出している（図２（ｂ））。
【００１７】
次に、この一括樹脂封止体２０′をダイシングして、図７に示す、１つの半導体チップが封止された樹脂封止体２０に分割形成され、これがこの実施例の半導体装置を構成する。まず、一括樹脂封止体２０′の極性マーク２３が形成された主面に各半導体チップ毎に区画されるようにレーザ装置２７によりハーフカットする。主面には溝状のハーフカットライン２６が形成される。この実施例においてもハーフカットライン幅２Ｄは、次のフルカットに用いられるブレード（ダイシングブレード）２５の幅より大きくなっている（図９）。図７に示すように、Ｄは、例えば、８０μｍ程度である。このハーフカットにより一括樹脂封止体２０′から切り出される樹脂封止体２０は、主面の極性マーク面には、面取り部２４が形成され、電極２２が形成された裏面より面積が狭い。
【００１８】
次に、一括樹脂封止体２０′をダイシング（フルカット）する。ハーフカットを行ったレーザ装置２７のハーフカットライン幅２Ｄより幅の狭いブレード２５を用い、ハーフカットライン２６に沿って一括樹脂封止体２０′をダイシングする。この様にして、ハーフカットによって極性マーク面（主面）が面取りされ、半導体チップが封止された樹脂封止体２０が複数個切り出される。この樹脂封止体は、ハーフカット用レーザビームのＲに沿った面取りを容易に行うことができた。一括樹脂封止体２０′から切り出された樹脂封止体２０は、約１０００ｐ作製され、各個片毎に保持テープの凹部に収納されて保護テープにより密閉される（図５参照）。
【００１９】
図７は、半導体チップが樹脂封止体（パッケージ）に封止された構成の半導体装置の内部を説明する断面図である。半導体チップを封止した樹脂封止体２０の裏面に電極２１、２２、主面に極性を示すマーク２３、主面の四周に所定のＲを持った面取り部１４が形成されていることは上述の通りである。ダイオードが形成された半導体チップ２８は、裏面に形成されたアノードもしくはカソードと主面に形成されたカソードもしくはアノードを有している。半導体チップ２８は、外部電極２１の上に接合されており、外部電極２２は間隔をおいて外部電極２１に対向して配置されている。外部電極２２は、ボンディングワイヤ２９により半導体チップ２８主面のカソードもしくはアノードに電気的に接続されている。レーザなどにより焼付け形成された極性マーク２３は、外部電極２１の上方に対向するように配置されている。半導体チップ２８、外部電極２１、２２、ボンディングワイヤ２９は、エポキシ樹脂などを材料とする樹脂封止体２０に封止され、外部電極２１、２２の下面は、樹脂封止体２０から露出している。
【００２０】
樹脂封止体のテープ詰めを行なった後に樹脂封止体の角部の欠けを確認したが目立つ欠けは発見できなかった。また外形認識による実装装置で認識精度を確認したが特に問題はなかった。即ち、外形認識を行なった場合の認識の精度を落すことなく欠けを低減させることができた。面取りを極性マーク面のみとすることにより電極面から外形を見た場合の形状を変えないようにできる。また、ハーフカットをレーザビームにより行うことにより、面取り幅を小さくすることができる。
以上、実施例ではダイオードなどの電極が２つの半導体装置について説明したが、本発明においては、トランジスタなどの電極が３つの場合にも適用することができる。また実施例では１つの半導体装置中に１つの半導体チップが入る構造について説明したが、本発明は、１つの半導体装置の中に２つの半導体チップが入る構造や３つ以上の半導体チップが入る構造にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施例である実施例１の主面（マーク面）を下に配した状態と裏面（電極面）を下に配した半導体装置の斜視図。
【図２】図１の半導体装置の製造工程を説明する斜視図。
【図３】図１の半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【図４】図１の半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【図５】図１の半導体チップを含む樹脂封止体が収容されたパッケージ保持テープの断面図。
【図６】図１の樹脂封止体により半導体チップが封止された半導体装置の断面図。
【図７】本発明の一実施例である実施例２の樹脂封止体により被覆された半導体装置の断面図。
【図８】図７の半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【図９】図７の半導体装置の製造工程を説明する斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【符号の説明】
【００２２】
１、２８・・・半導体チップ
２、２９・・・ボンディングワイヤ
１０、２０・・・樹脂封止体（パッケージ）
１０′、２０′・・・一括樹脂封止体
１１、１２、２１、２２・・・電極
１３、２３・・・マーク
１４、２４・・・面取り部
１５、２５・・・ダイシングブレード
１６、２６・・・ハーフカットライン（溝）
１７・・・パッケージ保持テープ
１７′・・・パッケージ保持テープの凹部
１８・・・保護テープ
２７・・・レーザ照射装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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