(57)【要約】【課題】  レーザ駆動装置と半導体レーザとの間のインピーダンス不整合によるレーザ駆動波形の乱れが顕在化している。また再生時の高周波重畳の電力効率の向上が求められている。そのためレーザ変調回路、高周波重畳回路をもつレーザ駆動装置は半導体レーザを広帯域に亘って低波形歪かつ低電力損失で駆動する必要がある。【解決手段】  レーザ駆動装置出力インピーダンスおよびレーザ駆動装置と半導体レーザとの間の信号伝送線路の線路インピーダンスを制御して、所定の周波数帯域でのインピーダンス整合を図り、インピーダンス不整合による波形歪、電力損失を低減する。具体的にはレーザ駆動装置に出力インピーダンスを制御するための出力インピーダンス制御回路を設け、半導体レーザインピーダンス、伝送線路インピーダンスに応じてレーザ駆動装置出力端子インピーダンスを変化させる。【選択図】  図４
2007157193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、
前記半導体レーザを駆動するレーザ駆動装置と、
前記レーザ駆動装置から前記半導体レーザを駆動するための電力を供給する伝送線路と、
前記半導体レーザの入力インピーダンスと前記伝送線路のインピーダンスに応じて前記レーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御するインピーダンス制御回路を備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記インピーダンス制御回路は光ディスク装置のシステム制御装置から動作を制御するためのインタフェース回路を持ち、前記インタフェース回路に対する前記システム制御装置からの設定値により前記レーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御することを特徴とする、請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記インピーダンス制御回路は接続される電気回路素子の値によりインピーダンスを変化することが可能な構成であり、前記電気回路素子の値によりレーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御することを特徴とする、請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記インピーダンス制御回路はレーザ駆動装置に内蔵されていることを特徴とする、請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記レーザ駆動装置はレーザ駆動電流を出力するレーザ電流出力回路とインピーダンス制御回路を有し、前記レーザ電流出力回路と前記インピーダンス制御回路は従属接続され、前記レーザ駆動装置が伝送線路を駆動するインピーダンスが前記レーザ電流出力回路の出力インピーダンスと前記インピーダンス制御回路の直列インピーダンスからなるインピーダンスとなるように前記インピーダンス制御回路を備えることを特徴とする、請求項１から４に記載のいずれか一つの光ディスク装置。
【請求項６】
前記レーザ駆動装置はレーザ駆動電流を出力するレーザ電流出力回路とインピーダンス制御回路を有し、前記レーザ電流出力回路と前記インピーダンス制御回路は従属接続され、前記レーザ駆動装置が伝送線路を駆動するインピーダンスが前記レーザ電流出力回路の出力インピーダンスと前記インピーダンス制御回路の並列インピーダンスからなるインピーダンスとなるように前記インピーダンス制御回路を備えることを特徴とする、請求項１から４に記載のいずれか一つの光ディスク装置。
【請求項７】
半導体レーザのインピーダンスの０．５倍から２倍の伝送線路のインピーダンスと、
前記伝送線路のインピーダンスよりも低いレーザ電流出力回路のインピーダンスを備え、
レーザ電流出力回路のインピーダンスとインピーダンス制御回路のインピーダンスの合成インピーダンスが伝送線路のインピーダンスの０．５倍から２倍となるようにインピーダンス制御回路のインピーダンスを制御することを特徴とする、請求項５に記載の光ディスク装置。
【請求項８】
半導体レーザのインピーダンスの０．５倍から２倍の伝送線路のインピーダンスと、
伝送線路のインピーダンスよりも高いレーザ電流出力回路のインピーダンスを備え、
レーザ電流出力回路のインピーダンスとインピーダンス制御回路のインピーダンスの合成インピーダンスが伝送線路のインピーダンスの０．５倍から２倍となるようにインピーダンス制御回路のインピーダンスを制御することを特徴とする、請求項６に記載の光ディスク装置。
【請求項９】
前記伝送線路はマイクロストリップラインを形成してインピーダンス制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
前記インピーダンス制御回路は、該レーザ駆動装置から見た該半導体レーザと該伝送線路の合成インピーダンスが該レーザ駆動装置の出力インピーダンスよりも大きいときには該インピーダンス制御回路のインピーダンスを大きくし、該レーザ駆動装置から見た該半導体レーザと該伝送線路の合成インピーダンスが該レーザ駆動装置の出力インピーダンスよりも小さいときには該インピーダンス制御回路のインピーダンスを小さくすることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項１１】
半導体レーザと、
前記半導体レーザを駆動するレーザ駆動装置と、
前記レーザ駆動装置から前記半導体レーザを駆動するための電力を供給する伝送線路と、
前記半導体レーザの入力インピーダンスと前記伝送線路インピーダンスに応じて前記レーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御するインピーダンス制御回路を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記伝送線路はマイクロストリップラインを形成してインピーダンス制御を行うことを特徴とする請求項１１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１３】
半導体レーザを駆動するレーザ駆動装置であって、
前記半導体レーザの入力インピーダンスと、
前記半導体レーザと前記レーザ駆動装置を接続する伝送線路インピーダンスに応じて該レーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御するインピーダンス制御回路を備えることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項１４】
前記インピーダンス制御回路はＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)を用いたスイッチを切り替えることによりインピーダンス制御を行うことを特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はレーザ光を出射して光ディスクに記録または光ディスクから再生を行う光ピックアップ装置および上記光ピックアップに用いる半導体レーザ駆動装置およびこれらを用いて光ディスクに記録または光ディスクから再生を行う光ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップから出射するレーザ光のエネルギーにより光ディスクの記録膜の状態を変化させて情報を記録するため、レーザ駆動装置は変調されたレーザ電流を出力するレーザ電流出力回路を有する。
【０００３】
また光ディスクから情報を再生するときは、レーザへの戻り光がレーザからの出射光と干渉することで生じる光強度変化（レーザノイズ）を低減するため、レーザ駆動装置はレーザ光を高周波で変調するための高周波重畳回路を有する。
【０００４】
レーザとレーザ駆動回路の間のインピーダンス整合について特許文献１、特許文献２がある。またＬＤ変調信号生成部とＬＤ駆動部との間のインピーダンス整合について特許文献３がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２８１９７５号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９６４０号公報
【特許文献３】特開２００５−２６８６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光ディスク装置が記録するデータのビットレートは光ディスクの種類、記録速度などによって変化し、レーザ変調回路の変調周波数は１ＭＨｚ程度から２００ＭＨｚ程度までに亘る。ここでレーザを駆動する波形が乱れてレーザ電流がその影響を受けると出射光エネルギーが変動して光ディスクの記録情報に悪影響があるため、波形歪の発生は極力低減する必要がある。
【０００７】
図１は光ディスク装置における光ピックアップのレーザ発光回路部２０のブロック図である。レーザ発光回路部２０はレーザ駆動装置１および半導体レーザ３からなり、光ピックアップ表面に配置されたフレキシブルプリント回路基板により電気的に接続されている。光ディスク装置では光ディスクに情報を記録するためのデータビットレートが低く、レーザ変調信号の立ち上がり時間Ｔｒ、立ち下がり時間Ｔｆはそれぞれ数ｎｓ程度であったため、光ピックアップ上のレーザ駆動装置と半導体レーザとの間の数１０ｍｍの伝送線路長は伝送周波数の波長に比べ十分短く、そのため伝送線路の特性インピーダンスの影響はほぼ無視することができた。
【０００８】
図２は半導体レーザ２の高周波等価回路である。図２に示すように半導体レーザの高周波等価回路は数オームから十オーム程度の抵抗rdとこれと並列の数ｐＦから数十ｐＦ程度の容量Ｃｓ、これらと直列の数ｎH程度のインダクタンスＬｓから構成され、上記伝送周波数帯域では上記インダクタンスＬｓとキャパシタンスＣｓの影響は少ないため、記録時にレーザ変調する場合、半導体レーザは概ね抵抗素子ｒｄと見なすことができた。そのためレーザ駆動装置１と半導体レーザ３の回路設計においては高インピーダンスの定電流源から低インピーダンスの半導体レーザ３を駆動する構成となり、両者のインピーダンス整合を考慮することはあまり無かった。
【０００９】
しかしながら、光ディスク装置の記録速度の向上や新しい光ディスク規格の提案により、情報を記録するときのデータビットレートは次第に高くなっている。例えばＤＶＤ（Digital  Versatile  Disc）では標準速度の１６倍で記録を行う装置があり、この場合のレーザ駆動信号の周波数スペクトラムの上限は６０ＭＨｚを超える。更にＢｌｕ−ｒａｙでは研究段階であるが標準速度の１２倍で記録が行われており、この場合のレーザ駆動信号の周波数スペクトラムの上限は２００ＭＨｚ以上となる。これらのような高周波数の信号の伝送をするためレーザ変調信号のＴｒ、Ｔｆも１ｎｓ未満が必要となり、伝送周波数帯域は数１００ＭＨｚから１ＧＨｚに達する。そのため低歪でレーザ駆動信号を伝送するためには、インピーダンス不整合による反射、周波数特性の乱れ等が引き起こす波形歪を減らす必要があり、そのためにはレーザ駆動装置１、伝送線路２、半導体レーザ３相互のインピーダンス整合を行う必要がある。
【００１０】
レーザ、レーザ電流出力回路、高周波重畳回路はいずれも高周波で動作するため相互のインピーダンス整合が必要である。
【００１１】
また、高周波重畳回路の変調周波数は再生信号に影響を与えないよう高く設定され、一般的に300MHzから500MHz程度とされることが多い。高周波重畳回路は所望の変調度のレーザ出射光を得るために要する電力は低い方が望ましいため、高周波電力を効率よく半導体レーザまで伝送する必要がある。しかし半導体レーザ３の高周波等価回路においてインダクタンスLs、キャパシタンスCsを無視することはできないが、レーザ駆動装置１の設計において半導体レーザ３とのインピーダンス整合は考慮されることは少なく、半導体レーザ３に十分な高周波電力が供給できるように高周波信号レベル設計がなされる程度であった。しかしながら、高周波重畳に対する考え方も変化しており、必要な変調度をできるだけ少ない高周波電力で得るために、高周波信号を効率よくレーザ駆動装置１から半導体レーザ３に伝送するためのインピーダンス整合を行うという要求が生じている。
【００１２】
そのため、レーザ電流出力回路、高周波重畳回路をもつレーザ駆動装置は半導体レーザを1MHz程度から500MHz程度までの広帯域に亘って低波形歪かつ低電力損失で駆動する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで本発明では上記の必要性に鑑み、以下に説明する方法で課題を解決する。
レーザ駆動装置出力インピーダンスおよびレーザ駆動装置と半導体レーザとの間の信号伝送線路の線路インピーダンスを制御して、所定の周波数帯域でのインピーダンス整合を図り、インピーダンス不整合による波形歪、電力損失を低減する。具体的には、信号伝送線路をマイクロストリップライン化してインピーダンス制御する。また、レーザ駆動装置に出力インピーダンスを制御するためのインピーダンス制御回路を設け、半導体レーザインピーダンス、伝送線路インピーダンスに応じてレーザ駆動装置の出力インピーダンスを制御する。
【発明の効果】
【００１４】
レーザ駆動装置から半導体レーザまでのインピーダンス整合を改善し、レーザ駆動波形歪の減少させて記録品質の向上を図るとともに、高周波重畳電力効率を改善して消費電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図を用いて本発明の実施例を説明する。
【００１６】
図７は本発明が用いられる光ディスク装置全体のブロック図を示す。本発明の主要部分であるレーザ発光回路部は光ピックアップ４０の内部に含まれている。
【実施例１】
【００１７】
本発明の第１の実施例を図３に示す。
図３は本発明の光ディスク装置における光ピックアップのレーザ発光回路部のブロック図である。レーザ発光回路部はレーザ駆動装置１、伝送線路２および半導体レーザ３からなり、相互は光ピックアップ表面に配置されたフレキシブルプリント回路基板により電気的に接続されている。伝送線路２はレーザ駆動装置１から出力されるレーザ駆動信号を半導体レーザ３に供給するためのものである。伝送線路２はレーザ駆動装置１のレーザ駆動信号出力端子９と半導体レーザ３の半導体レーザ端子１０との間の信号配線部分である。
【００１８】
図４は本発明のレーザ駆動装置の構成ブロック図である。
レーザ駆動装置はLSI化されて１パッケージ化されており、その内部にレーザ変調回路、高周波重畳回路、加算回路、レーザ電流出力回路、インピーダンス制御回路、インタフェース回路を持つ。
【００１９】
レーザ変調回路４は所定のマークを光ディスクに記録するために記録マークの長さおよび当該記録マークの前後のスペースの長さに応じて所定のタイミングで所定のレーザ駆動電流を出力するためのもので、記録ストラテジ生成処理および記録ストラテジに応じて複数の電流スイッチをオン／オフする制御を行う。記録ストラテジの内容については、本発明に直接関係するものではないので説明は省略する。また、一部のレーザ駆動装置(ＬＳＩ)は記録ストラテジ生成機能を有しないものもあるが、記録ストラテジ生成機能の有無は本発明に関係しない。
【００２０】
高周波重畳回路５は前述した通り、情報再生時にレーザへの戻り光がレーザからの出射光と干渉することで生じる光強度変化（レーザノイズ）を低減するため、高周波信号で再生時のレーザ光量を変調して、半導体レーザの発振をマルチモード化することで戻り光と出射光が干渉しにくくするためのものである。その機能は所定の周波数の高周波信号を所定の信号レベルで所定のタイミングで出力するものである。
【００２１】
加算回路６は前記レーザ変調回路４および前記高周波重畳回路５のそれぞれの出力信号を加算するものでレーザ電流出力回路７の入力信号を生成する。
【００２２】
レーザ電流出力回路７は前記加算回路６の出力信号に対応したレーザ駆動電流を半導体レーザに供給するための電流増幅機能を少なくとも有するものである。レーザ電流出力回路７は負荷である伝送線路、半導体レーザの条件によらず所定の電流を負荷に供給することが目的のものであるため、定電流源として動作し、そのため出力インピーダンスは高くなる。
【００２３】
インピーダンス制御回路８は前記レーザ電流出力回路７の出力インピーダンスとレーザ駆動装置１（ＬＳＩ）のレーザ駆動信号出力端子９に接続されている伝送線路２の特性インピーダンスを整合させるためのもので、可変インピーダンス素子として動く。インピーダンス制御回路８については、後程詳述する。
【００２４】
インタフェース回路１５は光ディスク装置のシステムコントローラ１４からの制御信号をシステムバス１６を経由して受信し、受信したデータに応じてレーザ駆動装置１の内部の回路ブロックに各種設定値を設定するためのものである。
【００２５】
一般にフレキシブルプリント配線基板はマイクロストリップライン構造を構成してインピーダンス制御を行うことが可能である。そこで伝送線路２をマイクロストリップライン構造として伝送線路インピーダンスを制御した設計、構造にする。
【００２６】
光ディスク装置に用いられる半導体レーザは単独でメタルキャンパッケージに封入されていることが多い。半導体レーザは光学的な位置調整を行う必要から微動が可能な機構を介して光ピックアップケースに固定されることがある。また半導体レーザはその消費電力により発熱するため、放熱する必要があり、そのためメタルキャンパッケージは金属製の光ピックアップケースを放熱器としても使用する。
【００２７】
なお半導体レーザの外装のメタルキャンパッケージは半導体レーザのカソードまたはアノードのいずれか片方と接続されることが多い。そのため半導体レーザに流れる電流経路の一端がメタルキャンパッケージを介してピックアップケースと接続されると、レーザ駆動電流の伝送線路は電気的に不平衡伝送線路となる。
【００２８】
そのため、前記、伝送線路２のマイクロストリップライン設計においては、フレキシブルプリント配線基板は多くの場合２層以上とし、ピックアップケースに近い層は接地層とし、信号層はピックアップケースから遠い層とすることで、接地されているピックアップケースと信号層との間の距離が変化することによるインピーダンス変化を防止する。
【００２９】
また望ましくは信号層を２つの接地層で挟み込む構造とすることで、前記信号層と伝送線路以外の物体との干渉を低減させる。
【００３０】
次にインピーダンス制御回路８について説明する。
上述の通り、レーザ電流出力回路７の出力インピーダンスはその目的から高い出力インピーダンスとならざるを得ない。また半導体レーザ３のインピーダンスはパッケージ、レーザチッププロセス、構造などに依存するが、これらは現状からの大きな変更は困難であるため、インピーダンスも現状の範囲を変えることは難しい。
【００３１】
一方、伝送線路２のとりうるインピーダンスはマイクロストリップラインで構成することから数１０オームから１００オーム程度となり、この範囲では制御可能である。そのためここでは（１）レーザ電流出力回路７、（２）伝送線路２、（３）半導体レーザ３の３つのデバイス間のインピーダンス整合を行うためには、インピーダンス制御回路８を用いて以下に述べる方法をとる。
【００３２】
まず、伝送線路２のインピーダンスを半導体レーザ３のインピーダンスと近くなるように設計する。次に伝送線路２のインピーダンスとレーザ駆動装置１の出力インピーダンスを整合させるため、レーザ電流出力回路７と直列または並列にインピーダンス制御回路８を接続し、レーザ電流出力回路７とインピーダンス制御回路８の合成インピーダンスが伝送線路２のインピーダンスと近くなるようにインピーダンス制御回路８のインピーダンスを制御する。
【００３３】
より具体的には、インピーダンス制御回路８は、レーザ駆動装置１から見たときの半導体レーザ３と伝送線路２の合成インピーダンスがレーザ駆動装置１の出力インピーダンスよりも大きいときにはインピーダンス制御回路８のインピーダンスを大きくし、レーザ駆動装置１から見たときの半導体レーザ３と伝送線路２の合成インピーダンスがレーザ駆動装置１の出力インピーダンスよりも小さいときにはインピーダンス制御回路８のインピーダンスを小さくすることで、インピーダンス整合を図る。
【００３４】
図８はレーザ電流出力回路７とインピーダンス制御回路８が直列に接続された場合である。また、図９はレーザ電流出力回路７とインピーダンス制御回路８が並列に接続された場合である
レーザ電流出力回路７とインピーダンス制御回路８はともにレーザ駆動装置１であるLSIパッケージ内に配されているため、伝送線路２から見たとき両者は一体として見え、レーザ駆動装置１の出力インピーダンスは伝送線路２のインピーダンスと近いものとなる。その結果、レーザ駆動装置１と伝送線路２の間の反射や伝送損失を低減することができる。
【００３５】
次にインピーダンス制御回路８の回路構成について説明する。
図５は本実施例のインピーダンス制御回路８の回路構成を示すブロック図である。
インピーダンス制御回路８はインピーダンス値が可変制御可能な定インピーダンス源として機能する。インピーダンス整合が必要な周波数帯域はレーザ変調信号および高周波重畳信号の周波数であり、直流域でのインピーダンス整合は必要ない。そのため例えば図５に示すコンデンサ１１で直流域をカットした後、セレクタ１２で複数の抵抗群１３のうちから所望の抵抗を選択して接続する形態のインピーダンス源を用いることが可能である。
【００３６】
なおセレクタ１２はＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)等による機械的なスイッチを用いるのが、高周波特性、アイソレーション、挿入損失、ＬＳＩへの実装のし易さなどの観点からは望ましいが、これ以外に半導体によるアナログスイッチを用いてもよい。アナログスイッチの一例としては、ＭＯＳＦＥＴによるもの、バイポーラトランジスタによるもの、ＰＩＮダイオードによるものなどが挙げられる。また、セレクタ１２の切り替えは光ディスク装置のシステムコントローラ１４からシステムバス１６経由でレーザ駆動装置１（ＬＳＩ）の内部のインタフェース回路１５に所定の値を設定することで制御しても良い。また抵抗２１を設け、適宜インピーダンス制御回路８のインピーダンス可変範囲を変化させる、あるいはコンデンサ１１によって遮断される低周波域におけるインピーダンス制御回路８のインピーダンスを制御することも可能である。
【００３７】
上述のようにして、レーザ駆動装置１から半導体レーザ３までのインピーダンス整合を改善し、レーザ駆動波形歪の減少させて記録品質の向上を図るとともに、高周波重畳電力効率を改善して消費電力を低減することができる。
【００３８】
なお、インピーダンス整合は正確に行うのが望ましいが、実用上はインピーダンスミスマッチが２倍、もしくは０.５倍程度あった場合でも、リターンロスは高々６ｄＢであり、７５％の伝送パワーが得られる。そのため、実用上、インピーダンス整合はインピーダンスミスマッチが２倍から０．５倍程度の範囲になるように制御できれば許容できると考えられる。
【００３９】
次に本発明の第２の実施例を説明する。
本実施例は第１の実施例とインピーダンス制御回路の回路構成が異なるがそれ以外の部分は第１の実施例と同一であるため、相違部分のみ説明を行い、同一部分の説明は省略する。
【００４０】
図６は本発明の第２の実施例のインピーダンス制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【００４１】
本実施例では可変制御可能な定インピーダンス源としてＦＥＴのドレイン、ソース間のチャネルを用いる。一般にＦＥＴのチャネルはゲートバイアス電圧を固定すると定電流源として機能し、高出力インピーダンスを持つ。そこでドレイン、ソース間電圧に応じてゲートバイアスを変化させるためのゲートバイアス制御回路１８により、ドレイン、ソース間電圧にほぼ比例した電流をチャネルに流すようにゲートバイアス制御回路１８を設計する。
【００４２】
このとき、チャネルに流れる電流はドレイン、ソース間印加電圧にほぼ比例するものとなり、その結果、ドレイン電流とドレイン、ソース間電圧はほぼ比例することになり定インピーダンス（抵抗）動作を実現することができる。また抵抗２２を追加し、ＦＥＴ１７と抵抗２２からなる並列インピーダンス構成とすることで、ＦＥＴ１７のゲートバイアス対インピーダンスの感度を下げることができ、実用とするインピーダンス領域での制御をしやすくすることができる。
【００４３】
また、更にドレイン、ソース間電圧とドレイン電流との比例係数をインピーダンス制御回路８の外部に接続する電気回路素子であるインピーダンス制御素子１９により決める構成にすると以下に述べる特徴が生じる。
【００４４】
まず、インピーダンス制御回路８を構成することで、第１の実施例よりも簡易な回路構成にすることができるという本実施例に特有の効果を得ることができる。
【００４５】
また、インピーダンス制御素子１９をレーザ駆動装置１であるＬＳＩ内部に設け、インピーダンス制御素子１９の回路定数をレーザトリミングなどで選択できるように構成すれば、同一のＬＳＩのマスクを用いて複数の出力インピーダンスのうちから１つを選択できるため、ＬＳＩメーカは出力インピーダンス毎に異なるマスクを準備する必要がなくなるという特徴をもつ。
【００４６】
また、複数のインピーダンス制御素子をレーザ駆動装置１であるＬＳＩ内部に設け、この中から所望のものをインタフェース回路１５からの設定値で指定するようにすれば、ユーザがシステムコントローラ１４経由でレーザ駆動装置１の出力インピーダンスを変更することができるようになるという特徴を持つ。
【００４７】
また、インピーダンス制御素子１９をレーザ駆動装置１の外部に設ける構成とし、レーザ駆動装置１にインピーダンス制御素子１９を接続する端子を設けて、接続するインピーダンス制御素子１９の回路定数をユーザが変更できるように構成すれば、ユーザが所望の出力インピーダンスを設定できるという特徴をもつ。
【００４８】
なお、インピーダンス制御回路８の可変インピーダンス素子はＦＥＴ１７以外にも、例えばバイポーラトランジスタを用いても構成することができることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】光ディスク装置におけるレーザ駆動装置、および半導体レーザの構成ブロック図
【図２】半導体レーザの高周波等価回路
【図３】光ディスク装置におけるレーザ駆動装置、伝送線路および半導体レーザの構成ブロック図
【図４】本発明のレーザ駆動装置の構成ブロック図
【図５】本発明の第１の実施例のインピーダンス制御回路の回路構成を示すブロック図
【図６】本発明の第２の実施例のインピーダンス制御回路の回路構成を示すブロック図
【図７】本発明の光ディスク装置の構成ブロック図
【図８】本発明のレーザ駆動装置の構成ブロック図
【図９】本発明のレーザ駆動装置の構成ブロック図
【符号の説明】
【００５０】
１…レーザ駆動装置、
２…伝送線路、
３…半導体レーザ、
４…レーザ変調回路、
５…高周波重畳回路、
６…加算回路、
７…レーザ電流出力回路、
８…インピーダンス制御回路、
９…レーザ駆動電流出力端子、
１０…半導体レーザ端子
１１…コンデンサ、
１２…抵抗、
１３…抵抗群、
１４…システムコントローラ、
１５…インタフェース回路、
１６…システムバス、
１７…ＦＥＴ、
１８…ゲートバイアス制御回路、
１９…インピーダンス制御素子、
２０…レーザ発光回路部、
２１…抵抗、
２２…抵抗、
３１…光ディスク、
４１…フロントエンド回路、
４２…再生信号処理回路、
４３…サーボ制御信号、
４４…サーボ信号、
４５…ＲＦ信号、
４６…ドライバ回路、
４７…モータ、
５０…インタフェース回路、
５１…バッファメモリ、
５２…記録情報、
５３…記録信号処理回路、
５４…インタフェースバス。
【図１】
2007157193.tif 000003
【図２】
2007157193.tif 000004
【図３】
2007157193.tif 000005
【図４】
2007157193.tif 000006
【図５】
2007157193.tif 000007
【図６】
2007157193.tif 000008
【図７】
2007157193.tif 000009
【図８】
2007157193.tif 000010
【図９】
2007157193.tif 000011