(57)【要約】【課題】  樹脂層の形成方法を改善することにより、液晶層の下層にＴＦＤ素子が部分領域的に形成される場合であっても、液晶層の厚さを平面内で均一に形成できる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板７ａ上に形成される素子２１と、表面に凹凸パターンを有し素子２１を覆うように形成される樹脂膜２２’とを有する電気光学装置の製造方法である。この製造方法は、基板７ａ上に素子２１を形成する工程（ａ）と、素子２１を覆うように基板７ａ上に樹脂膜２２’を形成する工程（ｂ，ｃ）とを有する。樹脂膜２２’を形成する工程では、素子２１を設けた領域Ｋでは素子２１を設けない領域に比べて、樹脂膜２２’を多く除去するように、素子２１を設けた領域Ｋとそれを設けない領域との間で樹脂膜２２’に対する露光量を異ならせる。【選択図】        図７
2007017823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成される導電要素と、表面に凹凸パターンを有し前記導電要素を覆って形成された樹脂膜とを有する電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に前記導電要素を選択的に形成する工程と、
前記基板上の前記導電要素を設けた領域と前記導電要素を設けない領域とを跨いで前記基板上に前記樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程と、を有し、
前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程では、前記樹脂膜に対する露光量を前記導電要素を設けた領域と前記導電要素を設けない領域とで異ならせて、前記導電要素を設けた領域では前記樹脂膜を前記導電要素を設けない領域よりも前記樹脂膜を多く除去する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程では、前記導電要素を設けた領域内の前記樹脂膜の前記基板表面からの高さが、前記導電要素を設けない領域内の前記樹脂膜の前記基板表面からの高さと同じになるように、前記樹脂膜が露光されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置の製造方法において、前記導電要素は、ＴＦＴ素子、ＴＦＤ素子、前記素子から導出されて画素電極と前記素子とを電気的に接続するコンタクト部、及び信号を伝送する信号線の少なくとも１つであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、
前記樹脂膜の材料はポジ型の感光性材料であり、
前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程は、
当該樹脂膜の材料を前記基板上に一様な厚さで形成する工程後に、
当該樹脂膜の材料を露光する工程と、
露光された樹脂膜の材料を現像する工程と、
現像された樹脂膜を焼成する工程と、を有し、
前記樹脂膜の材料を露光する工程ではハーフトーンマスクを通して露光が行われ、該ハーフトーンマスクにおける領域ごとの光透過率を、前記導電要素と重なる樹脂膜凸部に対応する領域でＴ（ａ＋）とし、前記導電要素と重なる樹脂膜凹部に対応する領域でＴ（ａ−）とし、前記導電要素と重ならない樹脂膜凸部に対応する領域でＴ（ｎ＋）とし、前記導電要素と重ならない樹脂膜凹部でＴ（ｎ−）とするとき、
Ｔ（ｎ＋）＜Ｔ（ａ＋）＜Ｔ（ｎ−）＜Ｔ（ａ−）
であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置の製造方法において、Ｔ（ｎ＋）＝０％、Ｔ（ａ＋）＝１０％、Ｔ（ｎ−）＝９０％、Ｔ（ａ−）＝１００％であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置の製造方法において、
前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程は、
当該樹脂膜の材料を前記基板上に一様な厚さで形成する工程後に、
当該樹脂膜の材料を露光する工程と、
露光された樹脂膜の材料を現像する工程と、
現像された樹脂膜を焼成する工程と、を有し、
前記樹脂膜の材料を露光する工程は第１露光工程及び第２露光工程を有し、
前記第１露光工程では第１露光マスクを通した露光量Ｅ１の露光により前記導電要素を設けた領域内の前記樹脂膜部分を露光し、同時に前記樹脂膜の周辺部分を１次的に露光し、
前記第２露光工程では第２露光マスクを通した露光量Ｅ２の露光により前記導電要素を設けない領域内の前記樹脂膜部分を露光し、同時に前記樹脂膜の周辺部分を２次的に露光し、
前記露光量Ｅ１と前記露光量Ｅ２の和は前記樹脂膜の周辺部分を除去するのに十分な露光量である
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置を製造するための製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置、ＥＬ装置、プラズマディスプレイ等といった電気光学装置が産業界及び民生分野で広く用いられている。この種の電気光学装置において、従来、透光性のガラス基板上にアクティブ素子、導電パターン等を形成し、その上に樹脂膜を形成し、その上に光反射膜を形成し、さらにその上に画素電極を形成するという構造が知られている。電気光学装置として液晶表示装置を考えれば、上記の画素電極の上に例えば、電気光学物質としての液晶の層や、配向膜が形成される。なお、光反射膜を画素電極と同一の部材によって形成することもある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の樹脂膜は、例えば、アクティブ素子と画素電極とを絶縁状態に設定するために用いられる。また、その樹脂膜は、例えば、上記の光反射膜に散乱特性や指向性を持たせるための凹凸パターンを形成するために用いられる。具体的には、その樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成することにより、その樹脂膜の上に設けられる光反射膜に凹凸パターンを付与し、その凹凸パターンで光を反射することにより反射光を散乱させたり、反射光に指向性を持たせたりする。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１１８９９号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された電気光学装置では、基板上に設けられた絶縁層、すなわち樹脂層が、アクティブ素子や導電パターンのところでそれらの厚みに応じて盛り上がることがあった。そしてその結果、液晶層すなわち電気光学物質の層の層厚が、アクティブ素子や導電パターンのところでは薄くなり、その他のところではそれよりも厚くなるという現象が生じていた。つまり、電気光学装置内の基板を平面的に見た場合に、アクティブ素子等が存在する部分と存在しない部分との間で、電気光学物質の層の層厚が不均一に成る傾向にあった。このように電気光学物質の層厚が不均一になれば、電気光学装置を用いて行われる表示にムラが発生するおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、絶縁層といった樹脂層の形成方法を改善することにより、電気光学物質の層の下層にアクティブ素子等といった何等かの要素が部分的に形成される場合であっても、電気光学物質の層厚を平面内で均一に形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板と、該基板上に形成される導電要素と、表面に凹凸パターンを有し前記導電要素を覆って形成された樹脂膜とを有する電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記導電要素を選択的に形成する工程と、前記基板上の前記導電要素を設けた領域と前記導電要素を設けない領域とを跨いで前記基板上に前記樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程とを有し、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程では、前記樹脂膜に対する露光量を前記導電要素を設けた領域と前記導電要素を設けない領域とで異ならせて、前記導電要素を設けた領域では前記樹脂膜を前記導電要素を設けない領域よりも前記樹脂膜を多く除去することを特徴とする。
【０００８】
この構成において、前記導電要素は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子、２つの要素を電気的に接続させるコンタクト部、及び信号を伝送する信号線の少なくとも１つである。ＴＦＴ素子は、例えば、半導体領域を複数の電極で挟むことによって形成されたスイッチング素子であり、構造の違いに応じてアモルファスＴＦＴ素子、高温ポリシリコンＴＦＴ素子、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等といった種々のＴＦＴ素子がある。また、ＴＦＤ素子は、例えば、Ｔａ等から成る第１電極上に絶縁膜を形成しその絶縁膜上にＣｒ等によって第２電極を形成することによって形成された非線形抵抗素子である。
【０００９】
また、２つの要素を電気的に接続させる上記のコンタクト部は、例えば、液晶表示装置のサブ画素領域においてアクティブ素子と画素電極とを電気的に接続するための電気接続要素として用いられる。このコンタクト部は、例えば、Ｔａ、Ｃｒ等によって形成される。また、上記の信号線としては、例えば、ＴＦＤ素子へデータ信号や走査信号を伝送する信号線や、ＴＦＴ素子へデータ信号や走査信号を伝送する信号線等がある。
【００１０】
上記構成の電気光学装置の製造方法にいては、アクティブ素子等といった導電要素を設けた領域における樹脂膜の膜厚が、導電要素を設けない領域における樹脂膜の膜厚に比べて多く除去されるように、樹脂膜を露光する際の露光量を導電要素を設けた領域とそれを設けない領域との間で異ならせた。これにより、樹脂膜を形成した平面領域のうちアクティブ素子等といった導電要素を設けた領域と導電要素を設けない領域との間で樹脂膜の高さを均一にすることができるようになり、その結果、樹脂膜の上に形成される液晶層等といった電気光学物質の層の層厚を平面的に均一にできるようになった。電気光学物質の層の層厚を均一にできれば、電気光学装置によって表示ムラのない鮮明な表示を行うことができる。
【００１１】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程では、アクティブ素子等といった導電要素を設けた領域内の前記樹脂膜の前記基板表面からの高さが、前記導電要素を設けない領域内の前記樹脂膜の前記基板表面からの高さと同じになるように、前記樹脂膜が露光されることが望ましい。こうすれば、樹脂膜の上に形成された電気光学物質の層の層厚を非常に正確に均一にすることができるので、より一層鮮明な表示を得ることができる。
【００１２】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記樹脂膜の材料はポジ型の感光性材料とすることができ、さらに、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程は、（１）当該樹脂膜の材料を前記基板上に一様な厚さで形成する工程後に、（２）当該樹脂膜の材料を露光する工程と、（３）露光された樹脂膜の材料を現像する工程と、（４）現像された樹脂膜を焼成する工程とを有するものとすることができる。そしてこの場合、前記樹脂膜の材料を露光する工程ではハーフトーンマスクを通して露光が行われ、該ハーフトーンマスクにおける領域ごとの光透過率を、前記導電要素と重なる樹脂膜凸部に対応する領域でＴ（ａ＋）とし、前記導電要素と重なる樹脂膜凹部に対応する領域でＴ（ａ−）とし、前記導電要素と重ならない樹脂膜凸部に対応する領域でＴ（ｎ＋）とし、前記導電要素と重ならない樹脂膜凹部でＴ（ｎ−）とするとき、
Ｔ（ｎ＋） ＜ Ｔ（ａ＋） ＜ Ｔ（ｎ−） ＜ Ｔ（ａ−）
であることが望ましい。
【００１３】
この製造方法は、ハーフトーンマスクを用いた１回の露光及びそれに続く１回の現像によって表面に凹凸パターンを有する樹脂膜を形成する方法である。上記のポジ型の感光性材料は、光が当たった部分が可溶化して現像時に除去される性質を有する材料である。上記のハーフトーンマスクは、１つの透光性基板上に光透過率の異なる複数の領域を有する露光マスクである。このハーフトーンマスクは、例えば、光透過率の異なる複数の材料を透光性基板上の適所に所定のパターンで載せることによって形成できる。上記の電気光学装置の製造方法では、光透過率の種類がＴ（ｎ＋）、Ｔ（ｎ−）、Ｔ（ａ＋）、Ｔ（ａ−）の４種類である４階調のマスクパターンが用いられることになる。
【００１４】
ハーフトーンマスクにおける光透過率を樹脂膜の凹部及び凸部との関係で上記の条件に設定した本発明の構成によれば、導電要素と重なる部分の樹脂膜凸部及び導電要素と重なる部分の樹脂膜凹部の厚さを、導電要素と重ならない部分の樹脂膜凸部及び導電要素と重ならない部分の樹脂膜凹部の厚さに比べて、より多く除去することができ、導電要素と重なる部分と導電要素と重ならない部分との間での樹脂膜の厚さを等しく又はそれに近づけることができ、樹脂膜の表面の基板平面内で均一にでき、その結果、表示ムラの無い鮮明な表示を得ることができる。
【００１５】
ハーフトーンマスク上の４種類の光透過率Ｔ（ｎ＋）、Ｔ（ａ＋）、Ｔ（ｎ−）、Ｔ（ａ−）を上記のように条件付けした本発明の１つの態様においては、それらの値を具体的にＴ（ｎ＋） ＝０％、Ｔ（ａ＋） ＝１０％、Ｔ（ｎ−） ＝９０％、Ｔ（ａ−）＝１００％とすることが望ましい。こうすれば、導電要素と重なる部分と導電要素と重ならない部分との間での樹脂膜の厚さを正確に等しくすることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成する工程は、（１）当該樹脂膜の材料を前記基板上に一様な厚さで形成する工程後に、（２）当該樹脂膜の材料を露光する工程と、（３）露光された樹脂膜の材料を現像する工程と、（４）現像された樹脂膜を焼成する工程とを有し、（５）前記樹脂膜の材料を露光する工程は第１露光工程及び第２露光工程を有し、（６）前記第１露光工程では第１露光マスクを通した露光量Ｅ１の露光により前記導電要素を設けた領域内の前記樹脂膜部分を露光し、同時に前記樹脂膜の周辺部分を1次的に露光し、（７）前記第２露光工程では第２露光マスクを通した露光量Ｅ２の露光により前記導電要素を設けない領域内の前記樹脂膜部分を露光し、同時に前記樹脂膜の周辺部分を２次的に露光し、（８）前記露光量Ｅ１と前記露光量Ｅ２の和は前記樹脂膜の周辺部分を除去するのに十分な露光量であることが望ましい。
【００１７】
この製造方法は、異なるマスクパターンの露光マスクを用いた２回の露光及びそれに続く１回の現像によって表面に凹凸パターンを有する樹脂膜を形成する方法である。この構成によれば、導電要素と重なる部分の樹脂膜凸部及び導電要素と重なる部分の樹脂膜凹部の厚さを、導電要素と重ならない部分の樹脂膜凸部及び導電要素と重ならない部分の樹脂膜凹部の厚さに比べて、より多く除去することができ、導電要素に重なる部分と導電要素に重ならない部分との間での樹脂膜の厚さを等しく又はそれに近づけることができ、樹脂膜の表面の基板平面内で均一にでき、その結果、表示ムラの無い鮮明な表示を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。
【００１９】
電気光学装置の製造方法を説明するのに先立って、まず、その製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。本実施形態では、電気光学装置の１つである液晶表示装置を製造するものとする。また、本実施形態の製造方法では、２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をアクティブ素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造するものとする。
【００２０】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＺ１−Ｚ１線に従った側面断面図である。図３は、図１の液晶表示装置における１つの画素部分を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従ってサブ画素の短手側の断面構造を示している。図４は、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。
【００２１】
図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００２２】
液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はアクティブ素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００２３】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００２４】
図１において、照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００２５】
素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｂで示す部分の拡大図である図４にも示すように、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、アクティブ素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は図１に示すように複数本が互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子２１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００２６】
それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９の上に、図４に示すように、それらを覆うように樹脂膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００２７】
光反射膜２３及び画素電極２４は、図１に示すように、素子基板７上にドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＤ素子２１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。複数の画素電極２３は図示の通り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図４の配向膜２６ａは図１において素子基板７の表面の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００２８】
図４において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２７が形成される。このコンタクトホール２７は、層間絶縁膜２２の周辺縁をフォトリソグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２７は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＤ素子２１に重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。
【００２９】
ＴＦＤ素子２１は、本実施形態では、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素２５ａ及び２５ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素２５ａは、第１素子電極２８、絶縁膜２９、そして第２素子電極３１ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素２５ｂは、第１素子電極２８、絶縁膜２９、そして第２素子電極３１ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極２８は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜２９は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３１ａ，３１ｂは、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）合金によって形成される。
【００３０】
第１ＴＦＤ要素２５ａ内の第２素子電極３１ａはデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素２５ｂ内の第２素子電極３１ｂはコンタクトホール２７及び光反射膜２３を介して画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素２５ａと第２ＴＦＤ要素２５ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００３１】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において表示を見易くできる。
【００３２】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３３】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色要素３６が形成され、その周囲に遮光部材３７が形成され、着色要素３６及び遮光部材３７の上にオーバーコート層３８が形成され、その上に帯状電極３９が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極３９は、図４の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３４】
着色要素３６は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色要素３６は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図４の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図４の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光部材３７はそれらの着色要素３６を囲む格子状に形成されている。着色要素３６の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色要素３６が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００３５】
なお、着色要素３６の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色要素３６の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光部材３７は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光部材３７は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ等といった遮光性の材料が考えられる。
【００３６】
着色要素３６及び遮光部材３７の上に形成されたオーバーコート層３８は、着色要素３６及び遮光部材３７の表面を平坦化するものであり、帯状電極３９はこうして平坦化されたオーバーコート層３８の上に形成される。帯状電極３９は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極３９は、図１に示すように、カラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極３９は行方向Ｘに延びている。図４において帯状電極３９の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３７】
図２において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極３９は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４と帯状電極３９は矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素領域Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素領域Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３８】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素３６を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素３６に対応する３つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図３（ａ）に示すように、サブ画素領域Ｄは長方形状に形成されている。
【００３９】
図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素領域Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図３（ａ）に示すようにサブ画素領域Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素領域Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００４０】
個々のサブ画素領域Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００４１】
層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００４２】
カラーフィルタ基板８において着色要素３６の周囲に形成された遮光部材３７は、図３（ａ）に鎖線で示すように、サブ画素Ｄの周囲を取り囲むように形成されている。この遮光部材３７は、サブ画素Ｄの周囲から光が漏れ出るのを防止して表示のコントラストを向上させる。
【００４３】
次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子４８に導電接続する。
【００４４】
複数の配線４７の一部はデータ線１９となって第１透光性基板７ａの表面上を延びている。また、複数の配線４７の残りの一部はシール材６の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材４９を介してカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極３９に導電接続されている。導通材４９は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材６の断面の幅よりも小さいものであり、シール材６の１つの断面内に複数の導通材４９が含まれるのが普通である。
【００４５】
張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、カラーフィルタ基板８上に形成された帯状電極３９へ走査信号を伝送する。
【００４６】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００４７】
上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００４８】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極３９との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００４９】
（液晶表示装置の製造方法）
以下、上記構成より成る図１に示した液晶表示装置を製造するための製造方法について説明する。図５は製造方法の一実施形態を示している。図５の工程Ｐ１〜工程Ｐ６に至る工程は図１の素子基板７を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１６に至る工程は図１のカラーフィルタ基板８を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２７に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００５０】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板及びカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００５１】
まず、図５の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にアクティブ素子である図３（ａ）、図３（ｂ）及び図４のＴＦＤ素子２１及び配線１９を基板７ａ上に同時に形成する。具体的には、図４の第１素子電極２８を例えばＴａＷを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、絶縁膜２９を陽極酸化処理によって形成する。また、配線１９及び第２素子電極３１ｂを例えばＣｒを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。第１素子電極２８の厚さは０．３〜０．５μｍであり、絶縁膜２９の厚さは１．２〜２．５μｍであり、第２素子電極３１ａ，３１ｂの厚さは０．３〜０．５μｍである。なお、データ線１９の厚さは第２素子電極３１ａと同じである。
【００５２】
次に、工程Ｐ２において、樹脂膜である図４の層間絶縁膜２２を基板７ａ上に形成する。このとき、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが形成され、さらにその内部にコンタクトホール２７が形成される。この工程についての詳細は後述する。次に、工程Ｐ３において、図４の光反射膜２３をＡｌ又はＡｌ合金を材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。このとき、コンタクトホール２７において光反射膜２３とＴＦＤ素子１９の第２電極３１ｂの端子部との導通がとられる。光反射膜２３はサブ画素領域Ｄの一部に形成され、残りの一部には光反射膜２３は形成されない。光反射膜２３が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、光反射膜２３が形成されない領域が透過表示領域Ｔとなる。
【００５３】
次に、工程Ｐ４において、図４の画素電極２４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。このとき、画素電極２４は光反射膜２３の直上に該光反射膜２３を覆うように形成される。画素電極２４が形成された領域に基づいてサブ画素領域Ｄが規定される。なお、画素電極２４と光反射膜２３は、導電性及び光反射性の両方を有する金属材料、例えばＡｌ、Ａｌ合金の単層によって形成することもできる。
【００５４】
次に、工程Ｐ５において、図４の配向膜２６ａが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２６ａにラビング処理が施される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。
【００５５】
次に図５の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に、図４の着色要素３６を形成し、同時に各色の着色要素３６を重ねることによって遮光部材、すなわちブラックマスク（ＢＭ）３７を形成する。遮光部３７は、例えば、個々の表示ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターンに形成される。着色要素３６については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１２において、図４のオーバーコート層３８を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００５６】
次に、工程Ｐ１３において、図４の帯状電極３９をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１４において図４の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１５において、配向処理としてのラビング処理を行う。さらにその後、工程Ｐ１６において、図１のシール材６が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって長方形又は正方形の環状に形成される。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００５７】
その後、図５の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶パネルの領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００５８】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６を、工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６には予めその適所に開口６ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、その開口６ａが外部に露出する。
【００５９】
次に、図５の工程Ｐ２４において、上記のシール材６の開口６ａを通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口６ａを樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００６０】
次に、図５の工程Ｐ２６において、図１の基板張出し部４６の表面に駆動用ＩＣ５２を実装し、さらに、図１の偏光板１８ａ及び１８ｂを液晶パネル２に接着する。そしてさらに、工程Ｐ２７において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００６１】
（樹脂膜形成工程）
以下、図５の工程Ｐ２の樹脂膜形成工程について、図６、図７、図８を参照して詳細に説明する。なお、図７（ａ）は図５の素子形成工程Ｐ１において基板７ａ上にＴＦＤ素子１２及びデータ線１９が形成された状態を示している。
【００６２】
樹脂膜形成工程が始まると、まず、図６の工程Ｐ３１において図７（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図６の工程Ｐ３２において、図７（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＤ素子２１及びデータ線１９を覆うように、層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。感光性樹脂２２’としては、例えば、ＪＳＲ社製のＰＣ４０５Ｇを用いることができる。また、スピンコートの条件は、例えば、７００〜１０００ｒｐｍ、８．５秒である。また、感光性樹脂２２’の厚さは、１．２〜２．５μｍとする。
【００６３】
以上のように感光性樹脂２２’を基板７ａ上に塗布したとき、導電要素としてのＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋでは、そのＴＦＤ素子２１の厚さに対応して感光性樹脂２２’の表面が盛り上がる傾向にある。
【００６４】
次に、工程Ｐ３３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。次に、工程Ｐ３４において露光処理を実行する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーンマスク、すなわちハーフトーン型の多階調露光マスク５６Ａを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーンマスク５６Ａは、光透過性がそれぞれ異なる４つの領域を有するハーフトーンマスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０、第１部分光透過領域Ａ１、第２部分光透過領域Ａ２、及び完全遮光領域Ａ３を有するハーフトーンマスクである。
【００６５】
本実施形態では、完全光透過領域Ａ０の光透過率は１００％であり、第１部分光透過領域Ａ１の光透過率は９０％であり、第２部分光透過領域Ａ２の光透過率は１０％であり、完全遮光領域Ａ３の光透過率は０％である。このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ごとに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１及びＡ２は、光を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）をマスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マスク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ３は、光を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【００６６】
本実施形態では、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋと、ＴＦＤ素子２１を設けない領域（すなわち、基板７ａの表面自体がある領域及びデータ線１９を設けた領域）との間で、露光量を異ならせている。具体的には、
（１）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凸部を形成すべき部分に透過率１０％の第２部分光透過領域Ａ２を合わせ、
（２）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凹部を形成すべき部分に透過率１００％の完全光透過領域Ａ０を合わせ、
（３）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凸部を形成すべき部分に透過率０％の完全遮光領域Ａ３を合わせ、さらに、
（４）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凹部を形成すべき部分に透過率９０％の第１部分光透過領域Ａ１を合わせる。
【００６７】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５６Ａを通して感光性樹脂２２’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率０％（Ａ３）及び光透過率１０％（Ａ２）で露光された部分は露光量が少ないので凸部の露光像が形成される。また、光透過率９０％（Ａ１）及び光透過率１００％（Ａ０）で露光された部分は露光量が多いので凹部の露光像が形成される。これにより、感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像が形成され、それよりも上の部分が可溶化する。
【００６８】
次に、図８（ｄ）において、コンタクトホール２７に対応する部分に１００％の光透過領域を有し、さらに図１の有効表示領域Ｖの周辺部分に１００％の光透過領域を有する図８（ｄ）の露光マスク５６Ｂを基板７ａの前に置いて、一定光量の露光光Ｌ３を照射して露光を行う。すると、感光性樹脂２２’のうちコンタクトホール２７に対応する部分及び図２における層間絶縁膜２２の周辺領域に対応する部分が可溶化する。
【００６９】
次に、図６の工程Ｐ３５において現像処理を行う。具体的には、図８（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図７（ｃ）及び図８（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図８（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、内部の必要な領域にコンタクトホール２７を有し、さらに図２に示すように周辺部分が除去された形状の層間絶縁膜２２が形成される。
【００７０】
層間絶縁膜２２の材料である感光性樹脂２２’はその性質上、未反応の感光性基に由来する黄色の光を多く通過させる傾向にある。図６の工程Ｐ３６では、図８（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射し反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより、層間絶縁膜２２の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図６の工程Ｐ３７において、図８（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図５の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【００７１】
本実施例の製造方法で特徴的なことは、図７（ｂ）に示すように、感光性樹脂２２’のうちＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋの表面がそれ以外の領域の表面に比べて盛り上がっているにもかかわらず、現像後に得られた層間絶縁膜２２の表面を見ると、図８（ｅ）に示すように、その盛り上がり状態が解消されていることである。つまり、本実施形態では、層間絶縁膜２２に関して、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ内に形成された凹凸パターンの基板７ａの表面からの高さが、それ以外の領域に形成された凹凸パターンの高さと同じになっている。以下、この点について説明する。
【００７２】
繰り返しになるが、本実施形態では、図７（ｃ）において、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋと、ＴＦＤ素子２１を設けない領域との間で、ハーフトーンマスク５６Ａによって露光量を異ならせている。具体的には、
（１）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凸部を形成すべき部分に透過率１０％の第２部分光透過領域Ａ２を合わせ、
（２）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凹部を形成すべき部分に透過率１００％の完全光透過領域Ａ０を合わせ、
（３）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凸部を形成すべき部分に透過率０％の完全遮光領域Ａ３を合わせ、さらに、
（４）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凹部を形成すべき部分に透過率９０％の第１部分光透過領域Ａ１を合わせる。
【００７３】
ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋとそれ以外の領域とを見たとき、同様に凸部が形成される部分であっても、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋは光透過率１０％で露光されるので感光性樹脂２２’は少し掘り下げられる。一方、ＴＦＤ素子２１と重ならない領域内の凸部は光透過率０％で完全に遮光されるので感光性樹脂２２’は掘り下げられない。つまり、領域Ｋ内の凸部はそれ以外の領域内の凸部よりも、少し深く掘り下げられる。このため、領域Ｋとそれ以外の領域との間で凸部の高さが均一になるように修正が加えられることになる。
【００７４】
他方、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋとそれ以外の領域とを見たとき、同様に凹部が形成される部分であっても、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋは光透過率１００％で露光されるので感光性樹脂２２’の掘り下げ量は多い。一方、ＴＦＤ素子２１と重ならない領域内の凹部は光透過率９０％で露光されるので光透過率１００％の領域に比べれば感光性樹脂２２’の掘り下げ量は少ない。このため、領域Ｋとそれ以外の領域との間で凹部の高さが均一になるように修正が加えられることになる。
【００７５】
以上のように、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ内では凸部及び凹部が、それ以外の領域内の凸部及び凹部に比べて、より深く掘り下げられる。それ故、図７（ｂ）に示すように、感光性樹脂２２’のうちＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋの表面がそれ以外の領域の表面に比べて盛り上がっている場合でも、その感光性樹脂２２’を露光及び現像して得られた図８（ｅ）の層間絶縁膜２２の表面は、ＴＦＤ素子２１と重なる領域でも重ならない領域でも均一な高さに設定される。
【００７６】
以上のように本実施形態では、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋにおける層間絶縁膜２２が、ＴＦＤ素子２１を設けない領域における層間絶縁膜２２に比べて、より多く除去されるように、感光性樹脂２２’（すなわち、層間絶縁膜２２の材料）を露光する際の露光量を領域Ｋとそれ以外の領域との間で異ならせた。これにより、層間絶縁膜２２を形成した平面領域のうち領域Ｋとそれ以外の領域との間で層間絶縁膜２２の高さを均一にすることができるようになり、その結果、層間絶縁膜２２の上に形成される液晶層の層厚を平面的に均一にできるようになった。液晶層１２の層厚を均一にできれば、液晶表示装置によって表示ムラのない鮮明な表示を行うことができる。
【００７７】
（変形例）
以上の実施形態では、図７（ｃ）において、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋと、ＴＦＤ素子２１を設けない領域との間で、ハーフトーンマスク５６Ａによって露光量を次のように異ならせた。すなわち、
（１）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凸部を形成すべき部分の光透過率Ｔ（ａ＋）＝１０％、
（２）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋであって凹部を形成すべき部分の光透過率Ｔ（ａ−）＝１００％、
（３）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凸部を形成すべき部分の光透過率Ｔ（ｎ＋）＝０％、さらに、
（４）ＴＦＤ素子２１に重ならない領域であって凹部を形成すべき部分の光透過率Ｔ（ｎ−）＝９０％。
【００７８】
しかしながら、それらの光透過率の具体的な値は望ましいと考えられる一例であり、より一般的には、図７（ｃ）のハーフトーンマスク５６Ａの光透過特性を
Ｔ（ｎ＋） ＜ Ｔ（ａ＋） ＜ Ｔ（ｎ−） ＜ Ｔ（ａ−）
の条件を満足するように設定すれば良い。こうすれば、程度の大小の差はあっても、層間絶縁膜２２の表面を、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋとそれ以外の領域との間で、均一な高さに調整できるという効果を得ることができる。
【００７９】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態が上記の第１実施形態と異なる点は、（１）製造する液晶表示装置の構成が異なること、及び（２）それに対応して図６の露光工程Ｐ３４において用いるハーフトーンマスクのマスクパターンに改変を加えたことである。以下、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。
【００８０】
まず、本実施形態の製造方法を用いて製造する液晶表示装置を説明する。この液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１及び図２と同じである。図９は本実施形態に係る液晶表示装置の１画素部分の構造を示しており、（ａ）は平面構造を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面構造を示している。図１０は、図９（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。図１及び図２に示す構成と図９及び図１０に示す構成との間で異なる構成がある場合は、図９及び図１０に示す構成が本実施形態であるものとする。
【００８１】
図１０において、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間にセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成されている。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、この第１透光性基板７ａの内側表面には、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、ＴＦＤ素子２１がデータ線１９に接続して形成されている。
【００８２】
それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９の上には、それらを覆うように樹脂膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。
【００８３】
光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８４】
素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、この第２透光性基板８ａの内側表面には、着色要素３６が形成され、その周囲に遮光部材３７が形成され、着色要素３６及び遮光部材３７の上にオーバーコート層３８が形成され、その上に帯状電極３９が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極３９は、図１０の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８５】
素子基板７上の画素電極２４とカラーフィルタ基板８上の帯状電極３９とが平面視で重なり合う領域がサブ画素領域Ｄである。また、光反射膜２３が設けられた領域が反射表示領域Ｒである。また、光反射膜２３が設けられていない領域が透過表示領域Ｔである。層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００８６】
本実施形態の層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００８７】
図１０において、ＴＦＤ素子２１は互いに直列に接続された第１ＴＦＤ要素２５ａ及び第２ＴＦＤ要素２５ｂを有する。データ線１９側にある第１ＴＦＤ要素２５ａは、第１素子電極２８の上に絶縁膜２９を形成し、その絶縁膜２９の上に第２素子電極３１ａを形成することによって形成されている。一方、画素電極２４側にある第２ＴＦＤ要素２５ｂは、第１素子電極２８の上に絶縁膜２９を形成し、その絶縁膜２９の上に第２素子電極３１ａを形成することによって形成されている。第１素子電極２８は、例えば、Ｔａ又はＴａ合金によって形成される。絶縁膜２９は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３１ａ，３１ｂは、例えばＣｒ、ＭＯ・Ｗ合金によって形成される。
【００８８】
第２ＴＦＤ要素２５ｂは画素電極２４に導電接続される要素であるが、この第２ＴＦＤ要素２５ｂの第２素子電極３１ｂはその先端に図９（ａ）に示すように面積の大きい端子部、すなわちコンタクト部５３を有する。このコンタクト部５３は図１０に示すようにその一部が層間絶縁膜２２に埋まり、他の一部が層間絶縁膜２２の外部に露出している。そして、層間絶縁膜２２がある部分から層間絶縁膜２２が無い部分にわたってサブ画素領域Ｄの中に形成された画素電極２４がコンタクト部５３のその露出部分に接触し、これにより、ＴＦＤ素子２１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われている。このため、本実施形態では、いわゆるコンタクトホールによるＴＦＤ素子２１と画素電極２４との導通は行われていない。
【００８９】
このように本実施形態では、比較的面積の大きいコンタクト部５３を層間絶縁膜２２の下方位置に設けるので、そのコンタクト部５３の上に形成される層間絶縁膜２２が上方へ盛り上がることが考えられる。この状態を放置すると、コンタクト部５３を設けた領域とそれ以外の領域との間で、液晶層１２の層厚が不均一になって表示ムラが発生するおそれがある。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、層間絶縁膜２２の一部の領域の下にコンタクト部５３を設けるような場合であっても、層間絶縁膜２２の表面の高さが不均一になることを防いでいる。以下、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００９０】
（液晶表示装置の製造方法）
本実施形態の製造方法の全体的な工程は図５に示した第１の実施形態に係る製造方法と同じである。本実施形態が第１実施形態と異なるのは、樹脂膜形成工程Ｐ２内の工程であるので、以下、その点を中心に説明する。樹脂膜形成工程が始まると、まず、図６の工程Ｐ３１において図１１（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。
【００９１】
次に、図６の工程Ｐ３２において、図１１（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＤ素子２１、データ線１９、及びコンタクト部５３を覆うように、層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【００９２】
以上のように感光性樹脂２２’を基板７ａ上に塗布したとき、導電要素としてのＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋ０及びコンタクト部５３を設けた領域Ｋ１では、そのＴＦＤ素子２１の厚さ及びコンタクト部５３の厚さに対応して感光性樹脂２２’の表面が盛り上がる傾向にある。特にコンタクト部５３は面積が大きいので、影響が大きいと考えられる。
【００９３】
次に、工程Ｐ３３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。次に、工程Ｐ３４において露光処理を実行する。具体的には、図１１（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーンマスク５６Ｃを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーンマスク５６Ｃは、光透過性がそれぞれ異なる４つの領域を有するハーフトーンマスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０（光透過率１００％）、第１部分光透過領域Ａ１（光透過率９０％）、第２部分光透過領域Ａ２（光透過率１０％）、及び完全遮光領域Ａ３（光透過率０％）を有するハーフトーンマスクである。
【００９４】
本実施形態では、具体的には、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋ０とコンタクト部５３を設けた領域Ｋ１とを同じ露光条件で露光し、それらの領域とＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３を設けない領域（すなわち、基板７ａの表面自体がある領域及びデータ線１９を設けた領域）との間で、露光量を異ならせている。
（１）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋ０及びコンタクト部５３に重なる領域Ｋ１であって凸部を形成すべき部分に透過率１０％の第２部分光透過領域Ａ２を合わせ、
（２）ＴＦＤ素子２１に重なる領域Ｋ０及びコンタクト部５３に重なる領域Ｋ１であって凹部を形成すべき部分に透過率１００％の完全光透過領域Ａ０を合わせ、
（３）ＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３に重ならない領域であって凸部を形成すべき部分に透過率０％の完全遮光領域Ａ３を合わせ、さらに、
（４）ＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３に重ならない領域であって凹部を形成すべき部分に透過率９０％の第１部分光透過領域Ａ１を合わせる。
【００９５】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５６Ｃを通して感光性樹脂２２’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率０％及び光透過率１０％で露光された部分は露光量が少ないので凸部の露光像が形成される。また、光透過率９０％及び光透過率１００％で露光された部分は露光量が多いので凹部の露光像が形成される。これにより、感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像が形成され、それよりも上の部分が可溶化する。
【００９６】
次に、図１２（ｄ）において、セルギャップの調整のために層間絶縁膜２２を除去すべき部分Ｑに１００％の光透過領域を有し、さらに図１の有効表示領域Ｖの周辺部分に１００％の光透過領域を有する図１２（ｄ）の露光マスク５６Ｄを基板７ａの前に置いて、一定光量の露光光Ｌ３を照射して露光を行う。すると、感光性樹脂２２’のうち層間絶縁膜２２を設けない部分及び図２における層間絶縁膜２２の周辺領域に対応する部分が可溶化する。
【００９７】
次に、図６の工程Ｐ３５において現像処理を行う。具体的には、図１２（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図１１（ｃ）及び図１２（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図１２（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、不要な部分が除去され、さらに図２に示すように周辺領域が除去された形状の層間絶縁膜２２が形成される。次に、図６のブリーチ露光工程Ｐ３６において、図１２（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射して黄色光の通過量を抑制する。次に、図６の工程Ｐ３７において、図１２（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図５の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【００９８】
本実施例の製造方法で特徴的なことは、図１１（ｂ）に示すように、感光性樹脂２２’のうちＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ０及びコンタクト部５３と重なる領域Ｋ１の表面がそれ以外の領域の表面に比べて盛り上がっているにもかかわらず、現像後に得られた層間絶縁膜２２の表面を見ると、図１２（ｅ）に示すように、その盛り上がり状態が解消されていることである。つまり、本実施形態では、層間絶縁膜２２に関して、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ０内及びコンタクト部５３と重なる領域Ｋ１内に形成された凹凸パターンの基板７ａの表面からの高さが、それ以外の領域に形成された凹凸パターンの高さと同じになっている。以下、この点について説明する。
【００９９】
繰り返しになるが、本実施形態では、図１１（ｃ）において、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋ０とコンタクト部５３を設けた領域Ｋ１とを同じ露光条件で露光し、それらの領域とＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３を設けない領域（すなわち、基板７ａの表面自体がある領域及びデータ線１９を設けた領域）との間で、露光量を異ならせている。
【０１００】
ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ０と、コンタクト部５３と重なる領域Ｋ１と、それ等以外の領域とを見たとき、同様に凸部が形成される部分であっても、領域Ｋ０及び領域Ｋ１では光透過率１０％で露光されるので感光性樹脂２２’は少し深く掘り下げられるが、Ｋ０及びＫ１以外の領域内の凸部は光透過率０％で完全に遮光されるので感光性樹脂２２’は掘り下げられない。つまり、領域Ｋ０及び領域Ｋ１内の凸部はそれ以外の領域内の凸部よりも、少し深く掘り下げられる。このため、領域Ｋ０及び領域Ｋ１とそれ以外の領域との間で凸部の高さが均一になるように修正が加えられることになる。
【０１０１】
他方、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋ０と、コンタクト部５３と重なる領域Ｋ１と、それ等以外の領域とを見たとき、同様に凹部が形成される部分であっても、領域Ｋ０及び領域Ｋ１では光透過率１００％で露光されるので感光性樹脂２２’の掘り下げ量は多い。一方、ＴＦＤ素子２１と重ならない領域内の凹部は光透過率９０％で露光されるので光透過率１００％の領域に比べれば感光性樹脂２２’の掘り下げ量は少ない。このため、領域Ｋ０及び領域Ｋ１とそれ以外の領域との間で凹部の高さが均一になるように修正が加えられることになる。
【０１０２】
以上のように、領域Ｋ０及び領域Ｋ１内では凸部及び凹部が、それ等以外の領域内の凸部及び凹部に比べて、より深く掘り下げられる。それ故、図１１（ｂ）に示すように、感光性樹脂２２’のうち領域Ｋ０及び領域Ｋ１の表面がそれ等以外の領域の表面に比べて盛り上がっている場合でも、その感光性樹脂２２’を露光及び現像して得られた図１２（ｅ）の層間絶縁膜２２の表面は、ＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３と重なる領域であるか、あるいはそれらと重ならない領域であるかに関らず、均一な高さに設定される。
【０１０３】
以上のように本実施形態では、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋ０及びコンタクト部５３を設けた領域Ｋ１における層間絶縁膜２２が、それらを設けない領域における層間絶縁膜２２に比べて、より多く除去されるように、感光性樹脂２２’（すなわち、層間絶縁膜２２の材料）を露光する際の露光量を領域Ｋ０とそれ以外の領域との間で、及び領域Ｋ１とそれ以外の領域との間で異ならせた。これにより、層間絶縁膜２２を形成した平面領域のうち領域Ｋ０及び領域Ｋ１とそれ等以外の領域との間で層間絶縁膜２２の高さを均一にすることができるようになり、その結果、層間絶縁膜２２の上に形成される液晶層の層厚を平面的に均一にできるようになった。液晶層１２の層厚を均一にできれば、液晶表示装置によって表示ムラのない鮮明な表示を行うことができる。
【０１０４】
（電気光学装置の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。図１３はその製造方法を工程図によって示している。図６に示した先の実施形態では、露光工程Ｐ３４において、図７（ｂ）のＴＦＤ素子２１や図１１（ｂ）のコンタクト部５３等といった導電要素の存在によって部分的に盛り上がった部分を有する感光性樹脂２２’を、４階調のハーフトーンマスクを用いて露光することにより、現像後に得られる層間絶縁膜２２の表面に盛り上がりが残ることを防止した。これに対し、図１３に示す本実施形態では、ハーフトーンマスクを用いることなく、２回の露光処理及びその後の１回の現像処理によって層間絶縁膜を形成するものである。以下、図４に示す層間絶縁膜２２を形成する場合を例に挙げて、その２回露光を利用した手法を説明する。
【０１０５】
樹脂膜形成工程が始まると、まず、図１３の工程Ｐ４１において図１４（ａ）の基板７ａ、すなわちＴＦＤ素子２１及びデータ線１９が形成されている基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図１３の工程Ｐ４２において、図１４（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＤ素子２１及びデータ線１９を覆うように、層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。以上のように感光性樹脂２２’を基板７ａ上に塗布したとき、導電要素としてのＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋでは、そのＴＦＤ素子２１の厚さに対応して感光性樹脂２２’の表面が盛り上がる傾向にある。次に、工程Ｐ４３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。
【０１０６】
次に、工程Ｐ４４において１次露光処理を実行する。この１次露光処理は、ＴＦＤ素子２１の存在に起因して盛り上がった部分の感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像を形成するための工程である。具体的には、図１４（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えばステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク５６Ｅを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｅは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【０１０７】
１次露光工程Ｐ４４では、露光マスク５６Ｅを通して露光量Ｅ１の露光光Ｌ４で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す凹凸パターンの露光像よりも上方の樹脂部分が可溶化する。また、この１次露光の際にコンタクトホール２７を１次的に露光する。また、この１次露光の際に層間絶縁膜２２（図２参照）の周辺部分を１次的に露光する。１次露光の条件は、例えば、露光量Ｅ１＝６５〜７０ｍＪ、露光時間２〜３秒とする。
【０１０８】
次に、図１３の工程Ｐ４５において２次露光処理を実行する。この２次露光処理は、ＴＦＤ素子２１と重ならない領域にある感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像を形成するための工程である。具体的には、図１５（ｄ）に示すように、素子基板７ａを露光装置、例えば一括露光機の所定位置に設置し、さらに露光マスク５６Ｆを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｆは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【０１０９】
２次露光工程Ｐ４５では、露光マスク５６Ｆを通して露光量Ｅ２の露光光Ｌ５で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す凹凸パターンの露光像よりも上方の樹脂部分が可溶化する。また、この２次露光の際にコンタクトホール２７に対応する露光像が完全に形成され、また、層間絶縁膜２２（図２参照）の周辺部分の全部に対応する露光像が完全に形成される。つまり、１次露光の際の露光量Ｅ１と、２次露光の際の露光量Ｅ２との合計の露光量（Ｅ１＋Ｅ２）により、コンタクトホール２７及び層間絶縁膜２２の周辺部分が可溶化される。２次露光の条件は、例えば、露光量Ｅ２＝６０〜６５ｍＪ、露光時間２〜３秒とする。
【０１１０】
次に、図１３の工程Ｐ４６において現像処理を行う。具体的には、図１５（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図１４（ｃ）及び図１５（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図１５（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、内部の必要な領域にコンタクトホール２７を有し、さらに図２に示すように周辺領域が除去された形状の層間絶縁膜２２が形成される。
【０１１１】
次に、図１３の工程Ｐ４７において、図１５（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射することによって、いわゆるブリーチ露光を行って、層間絶縁膜２２の黄ばみを除去する。そして次に、図１３の工程Ｐ４８において、図１５（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図５の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【０１１２】
本実施形態の製造方法では、１次露光Ｐ４４の露光量Ｅ１が２次露光Ｐ４５の露光量Ｅ２よりも大きくなるように設定されている。そのため、図１４（ｃ）に示すＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋは露光量Ｅ１の露光によって比較的深く露光される。一方、図１５（ｄ）に示す領域Ｋ以外の領域は露光量Ｅ２の露光によって比較的浅く露光される。この結果、図１４（ｂ）に示すように、ＴＦＤ素子２１と重なる領域Ｋにおいて感光性樹脂２２’が盛り上がった状態に形成されていても、現像後には図１５ｅに示すように領域Ｋとそれ以外の領域との間で層間絶縁膜２２の膜厚、すなわち層間絶縁膜２２の表面の高さが均一になる。
【０１１３】
（電気光学装置の製造方法のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１１４】
例えば、以上に説明した１つの実施形態では、ＴＦＤ素子２１を設けた領域ＫとＴＦＤ素子２１を設けない領域との間で露光量を異ならせた。また、他の実施形態では、ＴＦＤ素子２１を設けた領域Ｋ０とコンタクト部５３を設けた領域Ｋ１とを同じ露光条件で露光し、それらの領域とＴＦＤ素子２１及びコンタクト部５３を設けない領域との間で、露光量を異ならせた。しかしながら、本発明はこのような条件に限定されるものでなく、例えば、ＴＦＤ素子等といった素子の形成領域（Ｋ０）とコンタクト部の形成領域（Ｋ１）との熱容量に大きな相違が生じる場合（すなわち、散乱膜表面の凹凸パターンの形成に差が生じる場合）には、この両者の間でも露光量を異ならせることが望ましい。
【０１１５】
また、以上の実施形態では、図１〜図４に示す液晶表示装置並びに図１、図２，図９及び図１０に示す液晶表示装置の２種類の液晶表示装置を製造するものとし、且つ、樹脂層を盛り上がらせる要因である導電要素としてＴＦＤ素子２１又はコンタクト部５３を考えた。しかしながら、導電要素としては、それら以外に、ＴＦＤ素子以外の２端子型スイッチング素子、あるいは３端子型スイッチング素子、あるいは信号を伝送する信号線等を考えることができる。
【０１１６】
また、以上に説明した実施形態では、樹脂膜としてポジ型の感光性樹脂を用いたが、これに代えて、ネガ型の（すなわち、光を受けた部分が固化する性質を有する）感光性樹脂を用いることができる。また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置を製造する場合にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明に係る電気光学装置の製造方法によって製造できる電気光学装置の一例である液晶表示装置の斜視図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。
【図３】図２の液晶表示装置の１つの画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った行部分の断面図である。
【図４】図２の矢印Ｂを拡大して示す図、従って図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った列部分の断面図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程フロー図である。
【図６】図５の工程フロー図の主要工程を詳しく示す工程フロー図である。
【図７】図６の工程フロー図に対応する層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図８】図７に引き続く層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態によって製造される液晶表示装置の１画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った行部分の断面図である。
【図１０】図９（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った列部分の断面図である。
【図１１】図１０に示す層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図１２】図１１に引き続く層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程フロー図である。
【図１４】図１３の工程フロー図に対応する層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図１５】図１４に引き続く層間絶縁膜の構造変遷図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、
８．カラーフィルタ基板、  ８ａ．第２透光性基板、
１２．液晶層（電気光学物質の層）、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１６．光反射層、  １７．光拡散層、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．データ線、
２１．ＴＦＤ素子（アクティブ素子）、  ２２．層間絶縁膜（樹脂膜）、
２２’．感光性樹脂、  ２３．光反射膜、  ２４．画素電極、
２５ａ，２５ｂ．ＴＦＤ要素、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．コンタクトホール、
２８．第１素子電極、  ２９．絶縁膜、  ３１ａ，３１ｂ．第２素子電極、
３６．着色要素、  ３７．遮光部材、  ３８．オーバーコート層、  ３９．帯状電極、
５３．コンタクト部、
５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄ，５６Ｅ，５６Ｆ．露光マスク、  Ｄ．サブ画素領域、
Ｇ．セルギャップ、  Ｋ，Ｋ０．ＴＦＤ素子を設けた領域、
Ｋ１．コンタクト部を設けた領域、  Ｌ０，Ｌ１．光、
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５．露光光、  Ｒ．反射表示領域、  Ｔ．透過表示領域、
Ｖ．表示領域
【図１】
2007017823.tif 000003
【図２】
2007017823.tif 000004
【図３】
2007017823.tif 000005
【図４】
2007017823.tif 000006
【図５】
2007017823.tif 000007
【図６】
2007017823.tif 000008
【図７】
2007017823.tif 000009
【図８】
2007017823.tif 000010
【図９】
2007017823.tif 000011
【図１０】
2007017823.tif 000012
【図１１】
2007017823.tif 000013
【図１２】
2007017823.tif 000014
【図１３】
2007017823.tif 000015
【図１４】
2007017823.tif 000016
【図１５】
2007017823.tif 000017