(57)【要約】      （修正有）【課題】コーヒーステイン現象により陥没部が発生した有機半導体による薄膜トランジスタを用いても電気的特性が均一な表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板１上に形成されている有機薄膜トランジスタを用いた表示装置１において、ソース電極３１およびドレイン電極３２により相互離隔配置されて定義されたチャンネル領域Ｂを、有機半導体層５１の陥没部５２を避けるように、有機半導体層５１が形成された領域の一側に偏って位置するように形成する。【選択図】図４
2007088471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されている有機半導体層と、
前記絶縁基板と前記有機半導体層の間に介されており、相互離隔配置されて定義されたチャンネル領域が前記有機半導体層が形成された領域の一側に偏って位置するように形成されているソース電極およびドレイン電極と
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成されており、前記チャンネル領域を露出させる開口を有する隔壁をさらに含み、
前記チャンネル領域は前記開口の一側に偏って位置するように形成されており、前記開口内には前記有機半導体層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記有機半導体層が形成された領域内で前記ソース電極および前記ドレイン電極の延長方向に垂直な垂直方向に対して、非対称的に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して形成された縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含み、
前記チャンネル領域は前記縁部に対応して前記縁部の少なくとも一領域内に形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記縁部の表面は実質的に平坦であることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ソース電極およびドレイン電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機半導体層はインクジェット方式および蒸発法のうちのいずれか一つによって形成されることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に位置し、前記有機半導体層に対応する光遮断膜と；
前記光遮断膜を覆っている層間絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
【請求項９】
前記有機半導体層を覆っている有機絶縁膜と；
前記有機絶縁膜上に形成されているゲート電極とをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極と；
前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
絶縁基板と；
前記絶縁基板上に形成されている有機半導体層と；
前記絶縁基板と前記有機半導体層との間に介されているドレイン電極およびソース電極とを含み、
前記ドレイン電極は一方向から延長されて前記有機半導体層が形成された領域内で幅が拡張されており、前記ソース電極は他方向から延長されて前記有機半導体層が形成された領域内で前記ドレイン電極の周縁に沿って形成されており前記ドレイン電極から所定の間隔に離隔して形成されており、
前記ドレイン電極と前記ソース電極との間の離隔空間で定義されるチャンネル領域は前記有機半導体層が形成された領域の縁に偏って位置するように形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成されており、前記チャンネル領域を露出させる開口を有する隔壁をさらに含み、
前記チャンネル領域は前記開口の一側に偏って位置するように形成されており、前記開口内には前記有機半導体層が形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記チャンネル領域は前記隔壁と前記ドレイン電極との間の空間の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して形成された縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含み、
前記チャンネル領域は前記縁部に対応して前記縁部の少なくとも一領域内に形成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記縁部の表面は実質的に平坦であることを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記ソース電極およびドレイン電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に位置し、前記有機半導体層に対応する光遮断膜と；
前記光遮断膜を覆っている層間絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記有機半導体層を覆っている有機絶縁膜と；
前記有機絶縁膜上に形成されているゲート電極とをさらに含むことを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に相互離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部分を露出させ、前記チャンネル領域を囲んでいる隔壁と、
前記隔壁内に形成されており、チャンネル領域に対応する表面が実質的に平坦な有機半導体層とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して形成された縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含み、
前記チャンネル領域は前記縁部に対応して前記縁部の少なくとも一領域内に形成されていることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して形成された縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含み、
前記チャンネル領域は前記陥没部に対応して前記陥没部の少なくとも一領域内に形成されていることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記ドレイン電極は前記陥没部に対応する領域に形成されており、前記ソース電極は前記ドレイン電極の周縁に沿って前記縁部に対応して形成されていることを特徴とする、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２３】
絶縁基板を設ける段階と；
絶縁基板上に相互離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極およびドレイン電極を形成する段階と；
前記ソース電極および前記ドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部分を露出させ、前記チャンネル領域を囲んでいる隔壁を形成する段階と；
前記隔壁内に、前記チャンネル領域に対応する表面が実質的に平坦な有機半導体層を形成する段階と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して位置する縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含むことを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記チャンネル領域が前記縁部の少なくとも一領域内に位置するように形成されることを特徴とする、請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記チャンネル領域が前記陥没部の少なくとも一領域内に位置するように形成されることを特徴とする、請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記ドレイン電極は前記陥没部に対応して形成され、前記ソース電極は前記ドレイン電極の周縁に沿って前記縁部に対応して形成されることを特徴とする請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記有機半導体層はインクジェット方式および蒸発法のうちのいずれか一つによって形成されることを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記有機半導体層の上部にインクジェット方式を利用して有機絶縁膜を形成する段階と；
前記有機絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に前記有機半導体層に対応する光遮断膜を形成する段階と、
前記光遮断膜を覆っている層間絶縁膜を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記データ電極との間にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記有機半導体層上にインクジェット方式を利用して保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項３１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置と表示装置の製造方法に係わり、より詳しくは、有機半導体層（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｙｅｒ）を含む表示装置と表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置のうちで小型、軽量化の長所を有する平板表示装置（ｆｌａｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が脚光を浴びている。このような平板表示装置は液晶表示装置（ＬＣＤ）と有機電気発光装置（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を含む。表示装置は共通的に薄膜トランジスタが設けられた基板を含み、例えば、液晶表示装置は薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター層が形成されているカラーフィルター基板、そしてこれらの間に液晶層が位置している液晶表示パネルを含む。液晶表示パネルは非発光素子であるため薄膜トランジスタ基板の後面には光を供給するためのバックライトユニットが位置することができる。バックライトユニットから供給された光は液晶層の配列状態によって透過量が調節される。
【０００３】
ここで、薄膜トランジスタ基板は各ピクセルの動作を制御および駆動するスイッチングおよび駆動素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を含む。このような薄膜トランジスタは半導体層を含み、半導体層は非晶質シリコンまたはポリシリコンが使用されるが、最近有機半導体の適用が進められている。
有機半導体（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＯＳＣ）は常温常圧で形成できるため工程単価を低くすることができ、また熱に弱いプラスチック基板に適用できるという長所がある。それで、有機半導体が適用された薄膜トランジスタは大面積に適用可能であり、かつ大量生産可能な次世代表示装置の駆動素子として評価されている。
【０００４】
このような有機半導体はスピンコーティング、露光、現像などの工程を経ずに簡単なインクジェット方式で形成されることができる。有機半導体をインクジェット方式で形成する場合、有機半導体が位置する部分を囲む隔壁が必要であり、隔壁内に有機半導体溶液がジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）される。
しかし、隔壁内にジェッティングされた有機半導体溶液は硬化時に有機半導体溶液表面の縁領域が中間領域より蒸発速度が速いため、中間領域が陥没して縁領域の高さが高い形態に形成されてしまう。このような厚さに偏りが生じることによって有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＴＦＴ）の電気的特性が不均一に示されるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は電気的特性が均一な薄膜トランジスタを含む表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は電気的特性が均一な薄膜トランジスタを含む表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、本発明１によって、絶縁基板と；絶縁基板上に形成されている有機半導体層と；絶縁基板と有機半導体層の間に介されており、相互離隔配置されて定義されたチャンネル領域が有機半導体層が形成された領域の一側に偏って位置するように形成されているソース電極およびドレイン電極とを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【０００７】
チャンネル領域は、有機半導体層が形成された領域の一側に偏って形成されている。つまり、チャンネル領域が、有機半導体層の縁部又は陥没部に位置するように形成される。この有機半導体層の縁部又は陥没部のそれぞれの表面は、比較的に平坦な面をなしているため、チャンネル領域は比較的に平坦な面で形成される。よって、チャンネル領域を含む薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
【０００８】
発明２は、発明１において、ソース電極およびドレイン電極の上に形成されており、チャンネル領域を露出させる開口を有する隔壁をさらに含み、チャンネル領域は開口の一側に偏って位置するように形成されており、開口内には有機半導体層が形成されていることができる。
隔壁は、有機半導体がドロッピングされるときに有機半導体の滴下の大きさ（ｄｒｏｐ  ｓｉｚｅ）が大きかったり正確な位置に落ちない場合、そして滴下の大きさが互いに異なる場合などにおいて有機半導体が周囲に拡散する程度が異なって有機半導体層が均一に形成されないことを防止するために形成する。つまり、隔壁は、インクジェット方式でインクを落とす位置を予め決めて、インクジェット工程が正確に行われるようにするのである。
【０００９】
発明３は、発明１において、ソース電極およびドレイン電極は有機半導体層が形成された領域内でソース電極およびドレイン電極の延長方向に垂直な垂直方向に対して非対称的に形成されていることができる。
つまり、ソース電極及びドレイン電極に挟まれたチャンネル領域は、有機半導体層が形成された領域の一側に偏って形成されている。そのため、チャンネル領域が、有機半導体層の縁部に位置するように形成される。ここで、有機半導体層の縁部の表面は、比較的に平坦な面をなしているため、チャンネル領域を含む薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
【００１０】
発明４は、発明２において、有機半導体層は隔壁に隣接して形成された縁部と、縁部に囲まれており縁部より高さが低い陥没部とを含み、チャンネル領域は縁部に対応して縁部の少なくとも一領域内に形成されていることができる。
発明５は、発明４において、縁部の表面は実質的に平坦であることができる。
有機半導体層の縁部の表面は、比較的に平坦な面をなしているため、この縁部にチャンネル領域が形成されることで、薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
【００１１】
発明６は、発明４において前記ソース電極およびドレイン電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする。
発明７は、発明４において前記有機半導体層はインクジェット方式および蒸発法のうちのいずれか一つによって形成されることを特徴とする。
【００１２】
発明８は、発明４において、前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に位置し、前記有機半導体層に対応する光遮断膜と、前記光遮断膜を覆っている層間絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする。
有機半導体層は光を受けると特性が変化して薄膜トランジスタの性能を不均一にするが、光遮断膜はこれを防止する。
【００１３】
発明９は、発明８において、前記有機半導体層を覆っている有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成されているゲート電極とをさらに含むことを特徴とする。
発明１０は、発明１において、前記絶縁基板と前記ソース電極との間および前記絶縁基板と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極と、前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明１１の目的は、絶縁基板と；絶縁基板上に形成されている有機半導体層と；絶縁基板と有機半導体層との間に介されているドレイン電極およびソース電極とを含み、ドレイン電極は一方向から延長されて有機半導体層が形成された領域内で幅が拡張されており、ソース電極は他方向から延長されて有機半導体層が形成された領域内でドレイン電極の周縁に沿って形成されておりドレイン電極から所定の間隔に離隔して形成されており、ドレイン電極とソース電極との間の離隔空間で定義されるチャンネル領域は有機半導体層が形成された領域の縁に偏って位置するように形成されていることを特徴とする表示装置によって達成される。
【００１５】
チャンネル領域は、有機半導体層が形成された領域の縁に偏って形成されている。この有機半導体層の縁部の表面は、比較的に平坦な面をなしているため、チャンネル領域は比較的に平坦な面で形成される。よって、チャンネル領域を含む薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
発明１２は、発明１１において、ソース電極およびドレイン電極の上に形成されており、チャンネル領域を露出させる開口を有する隔壁をさらに含み、チャンネル領域は開口の一側に偏って位置するように形成されており、開口内には有機半導体層が形成されていることができる。
【００１６】
隔壁は、有機半導体がドロッピングされるときに有機半導体の滴下の大きさ（ｄｒｏｐ  ｓｉｚｅ）が大きかったり正確な位置に落ちない場合、そして滴下の大きさが互いに異なる場合などにおいて有機半導体が周囲に拡散する程度が異なって有機半導体層が均一に形成されないことを防止するために形成する。つまり、隔壁は、インクジェット方式でインクを落とす位置を予め決めて、インクジェット工程が正確に行われるようにするのである。
【００１７】
発明１３は、発明１２において、チャンネル領域は隔壁とドレイン電極との間の空間の少なくとも一部に設けられていることができる。
発明１４は、発明１２において、有機半導体層は隔壁に隣接して形成された縁部と、縁部に囲まれており縁部より高さが低い陥没部とを含み、チャンネル領域は縁部に対応して縁部の少なくとも一領域内に形成されていることができる。
【００１８】
発明１５は、発明１４において、縁部の表面は実質的に平坦であることができる。有機半導体層の縁部の表面は、比較的に平坦な面をなしているため、この縁部にチャンネル領域が形成されることで、薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
発明１６は、発明１４において、ソース電極およびドレイン電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）からなることができる。
【００１９】
発明１７は、発明１４において、絶縁基板とソース電極との間および絶縁基板とドレイン電極との間に位置し、有機半導体層に対応する光遮断膜と；光遮断膜を覆っている層間絶縁膜とをさらに含むことができる。
有機半導体層は光を受けると特性が変化して薄膜トランジスタの性能を不均一にするが、光遮断膜はこれを防止する。
【００２０】
発明１８は、発明１７において、有機半導体層を覆っている有機絶縁膜と；有機絶縁膜上に形成されているゲート電極とをさらに含むことができる。
また、有機絶縁膜は隔壁より低いことができる。
ここで、絶縁基板とソース電極との間および絶縁基板とドレイン電極との間に位置するゲート電極と；ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜をさらに含むことができる。
【００２１】
そして、有機半導体層を覆っている保護膜をさらに含むことができる。
また、保護膜は２層で形成されていることができる。
発明１９は、絶縁基板と；絶縁基板上に相互離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極およびドレイン電極と；ソース電極およびドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部分を露出させ、チャンネル領域を囲んでいる隔壁と；隔壁内に形成されており、チャンネル領域に対応する表面が実質的に平坦な有機半導体層とを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【００２２】
有機半導体層は、チャンネル領域に対応する表面が実質的に平坦である。よって、チャンネル領域は比較的に平坦な面で形成され、チャンネル領域を含む薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
発明２０は、発明１９において、有機半導体層は隔壁に隣接して形成された縁部と、縁部に囲まれており縁部より高さが低い陥没部とを含み、チャンネル領域は縁部に対応して縁部の少なくとも一領域内に形成されていることができる。
【００２３】
発明２１は、発明１９において、前記有機半導体層は、前記隔壁に隣接して形成された縁部と、前記縁部に囲まれており前記縁部より高さが低い陥没部とを含み、前記チャンネル領域は前記陥没部に対応して前記陥没部の少なくとも一領域内に形成されていることを特徴とする。
有機半導体層の陥没部の表面は、比較的に平坦な面をなしているため、チャンネル領域は比較的に平坦な面で形成される。よって、チャンネル領域を含む薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
【００２４】
発明２２は、発明２０において、ドレイン電極は陥没部に対応する領域に形成されており、ソース電極はドレイン電極の周縁に沿って縁部に対応して形成されていることができる。
本発明の他の目的は、本発明２３によって、絶縁基板を設ける段階と；絶縁基板上に相互離隔配置されてチャンネル領域を定義するソース電極およびドレイン電極を形成する段階と；ソース電極およびドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部分を露出させ、チャンネル領域を囲んでいる隔壁を形成する段階と；隔壁内に、チャンネル領域に対応する表面が実質的に平坦な有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００２５】
この製造方法により形成される表示装置において、有機半導体層の縁部の表面は、比較的に平坦な面をなしており、この縁部にチャンネル領域が形成されることで、薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
発明２４は、発明２３において、有機半導体層は隔壁に隣接して位置する縁部と、縁部に囲まれており縁部より高さが低い陥没部とを含むことができる。
【００２６】
発明２５は、発明２４において、ソース電極およびドレイン電極はチャンネル領域が縁部の少なくとも一領域内に位置するように形成されることができる。
発明２６は、発明２４において、ソース電極およびドレイン電極はチャンネル領域が陥没部の少なくとも一領域内に位置するように形成されることができる。
発明２７は、発明２４において、ドレイン電極は陥没部に対応して形成され、ソース電極はドレイン電極の周縁に沿って縁部に対応して形成されることができる。
【００２７】
発明２８は、発明２３において、有機半導体層はインクジェット方式および蒸発法のうちのいずれか一つによって形成されることができる。
発明２９は、発明２３において、有機半導体層の上部にインクジェット方式を利用して有機絶縁膜を形成する段階と；有機絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２８】
発明３０は、発明２３において、絶縁基板とソース電極との間および絶縁基板とドレイン電極との間に有機半導体層に対応する光遮断膜を形成する段階と；光遮断膜を覆っている層間絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことができる。有機半導体層は光を受けると特性が変化して薄膜トランジスタの性能を不均一にするが、光遮断膜はこれを防止する。
発明３１は、発明２３において、絶縁基板とソース電極との間および絶縁基板とデータ電極との間にゲート電極を形成する段階と；ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２９】
発明３２は、発明３１において、有機半導体層上にインクジェット方式を利用して保護膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、電気的特性が均一な薄膜トランジスタを含む表示装置が提供される。また、電気的特性が均一な薄膜トランジスタを含む表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。以下で、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上に’形成されて（位置して）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
いろいろな実施形態において同一な構成要素に対しては同一な参照番号を付与し、同一な構成要素については第１実施形態で代表的に説明し他の実施形態では省略されることができる。
【００３２】
まず、図１ａと図１ｂを参照して高分子溶液乾燥時の問題点を説明する。
表示装置の製造において、有機高分子層は高分子物質を溶媒に溶かして高分子溶液を製造した後、インクジェット方式で形成される。有機高分子層は、例えば、薄膜トランジスタの有機半導体層、ＯＬＥＤの正孔注入層または発光層であり、厚さは数十ｎｍ〜数百ｎｍであることができる。
【００３３】
図１ａは絶縁基板１００上に高分子溶液２００をドロッピング（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）した状態を示したものであり、図１ｂは高分子溶液２００の溶媒を除去して有機高分子層２０１を形成した状態を示す。
高分子溶液２００は表面張力によって中心部が厚く周辺部が薄い形態を有し、溶媒の蒸気密度（ｖａｐｏｒ  ｄｅｎｓｉｔｙ）は中心部が周辺部に比べて高くなる。溶媒の乾燥速度は高分子溶液２００を囲んでいる蒸気密度に反比例するため、中心部よりは周辺部で溶媒の乾燥が活発に起こる。高分子溶液２００中の高分子物質は溶媒の乾燥が活発に起こる周辺部に移動するようになり、これによって形成される有機高分子層２０１は周りＡが中心より高い形態を有するようになる。このような現象をコーヒーステイン（ｃｏｆｆｅｅ  ｓｔａｉｎ）現象という。
【００３４】
表示装置の有機高分子層２０１が図１ｂのような形態を有するようになると、薄膜トランジスタを構成する有機半導体層の場合には薄膜トランジスタの電気的特性が均一に示されないという問題が発生する。
本発明は有機半導体層が適用された場合に、前記の問題を解決するためにソース電極およびドレイン電極の構造または形状を改善したものである。
【００３５】
図２は本発明の第１実施形態による表示装置の要部断面図であり、図３は図２の‘Ｃ’領域の簡略平面度であり、図４はコーヒーステイン現象が発生した場合の第１実施形態による表示装置の要部断面図である。
本発明による表示装置１は、絶縁基板１０、絶縁基板１０上に形成されており互いに離隔されているソース電極３１およびドレイン電極３２、ソース電極３１およびドレイン電極３２のそれぞれの一部を露出させる開口が形成されている隔壁４１、そして隔壁４１内に位置する有機半導体層５１、５２、５３を含む。
【００３６】
絶縁基板１０はガラスまたはプラスチックで作られることができる。絶縁基板１０がプラスチックで作られる場合、表示装置１に柔軟性を付与することができるという長所があるが、熱に弱いという短所がある。有機半導体層５１、５２、５３は常温、常圧で形成できるため、プラスチック素材の絶縁基板１０を使用し易い。プラスチックの種類としては、ポリカーボン（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が可能である。
【００３７】
絶縁基板１０上には光遮断膜２１が形成されており、光遮断膜２１上には層間絶縁膜２２が形成されている。第１実施形態の薄膜トランジスタはゲート電極６２が有機半導体層５１、５２の上部に位置するトップ−ゲート（ｔｏｐ−ｇａｔｅ）方式である。したがって、ゲート電極６２は絶縁基板１０の下部から入射される光が有機半導体層５１、５２、５３に入射されることを防止できない。有機半導体層５１、５２、５３は光を受けると特性が変化して薄膜トランジスタの性能を不均一にするが、光遮断膜２１はこれを防止する。光遮断膜２１はＣｒまたはＭｏＷのような不透明材質からなることができる。表示装置が液晶表示装置である場合、絶縁基板１０の下部から入射される光はバックライトユニットからの光であることができる。実施形態で光遮断膜２１は全ての有機半導体層５１、５２、５３を覆っているが、実施形態とは異なり、薄膜トランジスタの特性に大きく影響を与えるチャンネル領域Ｂを中心に有機半導体層５１、５２、５３の一部のみを覆っていることもできる。
【００３８】
光遮断膜２１上に位置する層間絶縁膜２２は光遮断膜２１がフローティング電極として作用することを防止し、光遮断膜２１を平坦化させる。層間絶縁膜２２は光透過率が良くなければならず、以後の工程で安定的でなければならない。層間絶縁膜２２はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）のような有機膜、アクリル系の感光膜または有機膜と無機膜の二重層であることができる。有機膜と無機膜の二重層である場合、無機膜としては数百Å厚さの窒化ケイ素層を使用でき、層間絶縁膜２２から有機半導体層５１、５２への不純物流入を防止する。このような層間絶縁膜２２は半導体工程で安定的でなければならず、光透過率が良い材料であるのが好ましい。
【００３９】
層間絶縁膜２２上にはソース電極３１とドレイン電極３２が形成されている。ソース電極３１とドレイン電極３２は所定間隔で離隔されており、離隔された部分はチャンネル領域Ｂを形成する。ソース電極３１およびドレイン電極３２は、図４に示すように有機半導体層５１、５２、５３が形成された領域内でソース電極３１およびドレイン電極３２の延長方向に垂直な方向に対して非対称的に形成されている。ソース電極３１とドレイン電極３２は蒸着と写真エッチング工程を通じて形成されることができる。ソース電極３１およびドレイン電極３２は絶縁基板１０と隔壁４１との間に介されており、チャンネル領域Ｂが後述の隔壁４１に形成された開口の一側に偏って位置するように形成されている。つまり、チャンネル領域Ｂは有機半導体層５１、５２、５３が形成された領域の一側に偏って位置するように形成されていることができる。
【００４０】
ここで、チャンネル領域Ｂは後述の有機半導体層５１、５２、５３の表面が実質的に平坦な領域に対応して位置するように形成されているのが好ましい。これはチャンネル領域Ｂに沿って有機半導体層５１、５２、５３の厚さ偏差が発生すると、このような厚さ偏差によって有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＴＦＴ）の電気的特性が不均一になることがあるためである。ソース電極３１とドレイン電極３２はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）で形成されることができ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｌまたはＡｌ合金などのような金属で形成されることもできる。
【００４１】
ソース電極３１、ドレイン電極３２、そしてこれらが覆っていない層間絶縁膜２２上には隔壁４１が形成されている。隔壁４１はチャンネル領域Ｂを露出させる開口を有し、前記開口はソース電極３１およびドレイン電極３２のそれぞれの少なくとも一部分を露出させている。隔壁４１は有機半導体層５１、５２、５３を形成するための枠の役割を果たす。隔壁４１は、有機半導体がドロッピングされるときに有機半導体の滴下の大きさ（ｄｒｏｐ  ｓｉｚｅ）が大きかったり正確な位置に落ちない場合、そして滴下の大きさが互いに異なる場合などにおいて有機半導体が周囲に拡散する程度が異なって有機半導体層５１、５２、５３が均一に形成されないことを防止するために形成する。つまり、隔壁４１は、インクジェット方式でインクを落とす位置を予め決めて、インクジェット工程が正確に行われるようにするのである。
【００４２】
隔壁４１はフッ素系高分子からなることができる。隔壁４１にドロッピングされるインクが親水性である場合には隔壁４１は疏水性であり、そしてドロッピングされるインクが疏水性である場合には隔壁４１は親水性であるのがインクを所望の位置に形成させることに有利である。フッ素系高分子は撥水性（ｗａｔｅｒ  ｒｅｐｅｌｌｅｎｃｙ）および撥油性（ｏｉｌ  ｒｅｐｅｌｌｅｎｃｙ）を同時に有する特性がある。フッ素系高分子としては、これに限定されないが、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ  Ｔｅｔｒａ  Ｆｌｕｏｒｏ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｏｌｙ  Ｆｌｕｏｒｏ  Ａｌｋｏｘｙ）、ＥＴＦＥ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｔｒａ  Ｆｌｕｏｒｏ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＶＤＦ（ＰｏｌｙＶｉｎｙｌｉＤｅｎｅ  Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）などが可能である。
【００４３】
チャンネル領域Ｂを囲んでいる隔壁４１は上部に行くほど狭くなる形態であり、高さは約２．７μｍ程度であることができる。隔壁４１の一部にはドレイン電極３２を露出させるドレイン接触孔９１が形成されている。このような隔壁４１は感光性である場合にはコーティング、露光、そして現像を経て形成されることができ、感光性でない場合にはコーティング後に別途の感光膜を利用した写真エッチングを通じて形成されることができる。
【００４４】
隔壁４１内には有機半導体層（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｙｅｒ）５１、５２、５３が位置している。有機半導体層５１、５２、５３はチャンネル領域Ｂを覆っており、露出されているソース電極３１とドレイン電極３２を覆っている。有機半導体層５１、５２、５３はインクジェット方法で形成されており、水溶液や有機溶媒に溶解される高分子物質または低分子物質が利用される。高分子有機半導体は一般的に溶媒によく溶解されるのでインクジェット工程に適合する。しかし、低分子有機半導体のうちでも有機溶媒によく溶解される物質があるのでこれを利用することができる。
【００４５】
図４に示されているように、インクジェット方法によって形成された有機半導体層５１、５２は、隔壁４１に隣接して形成された縁部５１と、縁部５１に囲まれており縁部５１より高さが低い陥没部５２とを含むことができる。縁部５１及び陥没部５２のそれぞれの表面は比較的に平坦であるが、縁部５１と陥没部５２との境界領域は段差をなしている。このような形状は隔壁４１内にジェッティングされた有機半導体溶液の硬化時に有機半導体溶液表面の蒸発速度が互いに異なるため発生する現象であって、コーヒーステイン（ｃｏｆｆｅｅ  ｓｔａｉｎ）現象という。一般に、従来のチャンネル領域Ｂは隔壁４１の内部または有機半導体層５１、５２の全面中央に配置されるように形成され、この場合、チャンネル領域Ｂは有機半導体層５１、５２の厚さ偏差が発生した領域にわたって位置するようになる。このような構造または形状の薄膜トランジスタは電気的特性が均一に示されないという問題点がある。
【００４６】
このような問題点を解決するために、本発明では上述のチャンネル領域Ｂを厚さ偏差が発生しない領域に位置するようにソース電極３１及びドレイン電極３２をパターニングする。つまり、図４に示されているように、縁部５１に対応して縁部５１の少なくとも一領域内にチャンネル領域Ｂが位置するようにソース電極３１とドレイン電極３２を形成する。つまり、チャンネル領域Ｂが開口の一側に偏って位置するようにソース電極３１とドレイン電極３２を形成する。また、図示されていないが他の実施形態として、陥没部５２に対応して陥没部５２の少なくとも一領域内にチャンネル領域Ｂが位置するようにソース電極３１とドレイン電極３２を形成する。ここで、縁部５１及び陥没部５２それぞれの表面は比較的に平坦な面をなしているため、このそれぞれの領域のいずれかにチャンネル領域Ｂが位置するようにソース電極３１及びドレイン電極３２をパターニングする。
【００４７】
これによって、チャンネル領域Ｂが比較的に平坦な面をなしている有機半導体層５１、５２の下部に配置されるようになることによって薄膜トランジスタの電気的特性が比較的に均一に示される。
一方、有機半導体層５１、５２、５３はテトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）またはペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）の置換基を含む誘導体であるか、またはチオフェン環（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）の２、５位置を通じて４〜８個が連結されたオリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）であることができる。
【００４８】
そして、有機半導体層５１、５２、５３はペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｉｄｒｉｄｅ、ＰＴＣＤＡ）またはそのイミド（ｉｍｉｄｅ）誘導体であるか、またはナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＮＴＣＤＡ）またはそのイミド（ｉｍｉｄｅ）誘導体であることができる。
【００４９】
また、有機半導体層５１、５２、５３は金属化フタロシアニン（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）またはそのハロゲン化誘導体であるかペリレンまたはコロネンとその置換基を含む誘導体であることができる。ここで、金属化フタロシアニン（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）に添加される金属としては銅、コバルト、亜鉛などが好ましい。
【００５０】
そして、有機半導体層５１、５２、５３はチエニレン（ｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅ）およびビニレン（ｖｉｎｙｌｅｎｅ）のコ−オリゴマー（ｃｏ−ｏｌｉｇｏｍｅｒ）またはコ−ポリマー（ｃｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）であることができる。
有機半導体層５１、５２、５３はチエニレン（ｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅ）またはコロネン（coronene）とこれらの置換基を含む誘導体であることができ、このような誘導体のアロマティック（ａｒｏｍａｔｉｃ）またはヘテロアロマティック環（ｈｅｔｅｒｏａｒｏｍａｔｉｃ  ｒｉｎｇ）に炭素数１〜３０個のハイドロカーボンチェイン（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ  ｃｈａｉｎ）を１つ以上含む誘導体であることができる。
【００５１】
有機半導体層５１、５２、５３の上部には有機絶縁膜６１が形成されている。有機半導体層５１、５２、５３とゲート電極６２が直接接触するか、または無機絶縁膜を介して位置すると、有機半導体層５１、５２、５３の特性が劣化することがある。有機絶縁膜６１は有機半導体層５１、５２、５３とゲート電極６２との直接接触を防止しながら有機半導体層５１、５２、５３の特性が維持されるようにする。有機半導体層５１、５２、５３もインクジェット方式で形成され隔壁４１より多少低く形成されている。
【００５２】
チャンネル領域Ｂ上の有機絶縁膜６１上にはゲート電極６２が位置している。ゲート電極６２はＣｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｌまたはＡｌ合金などのような金属単一層または金属多重層であることができる。
ゲート電極６２の上部には第１保護膜７１が形成されている。第１保護膜７１はアクリル系の感光性有機膜またはシリコン窒化物膜で形成されることができ、ドレイン電極３２を露出させるドレイン接触孔９１では除去されている。図示されていないが、第１保護膜７１上に第２保護膜が形成されることができる。
【００５３】
第１保護膜７１上には画素電極８１が形成されている。画素電極８１はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなっており、ドレイン接触孔９１を通じてドレイン電極３２と接している。
以下、図５ａ乃至図５ｇを参照して本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明する。図５ａ乃至図５ｇはコーヒーステイン現象が発生した場合の実施形態を例に上げて説明するが、これに限られない。
【００５４】
まず、図５ａのように絶縁基板１０上に光遮断膜２１、層間絶縁膜２２、ソース電極３１、そしてドレイン電極３２を形成する。絶縁基板１０としてはガラス、シリコンまたはプラスチックが可能である。
光遮断膜２１はＣｒ、ＭｏＷのような金属膜をスパッタリングなどの方法で絶縁基板１０上に蒸着した後、写真エッチング工程を通じて形成されることができる。
【００５５】
層間絶縁膜２２は有機膜の場合にはスピンコーティングまたはスリットコーティング方法で形成されることができ、無機膜の場合には化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法で形成されることができる。
ソース電極３１とドレイン電極３２は金属膜をスパッタリングなどの方法で絶縁基板１０上に蒸着した後、写真エッチング工程を通じて形成されることができる。形成されるソース電極３１とドレイン電極３２は離隔分離されてチャンネル領域Ｂを定義する。図示されていないが、実施形態とは異なり、ソース電極３１およびドレイン電極３２がＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明伝導物質からなっていることができ、ドレイン電極３２は画素電極８１と一体をなしていることができる。
【００５６】
その後、図５ｂのように隔壁４１の形成のための隔壁コーティング層４０を形成し、その上部に感光膜パターン９５を形成する。隔壁コーティング層４０は有機高分子を溶剤に溶解した後、スリットコーティング、スピンコーティング法を利用してコーティングした後、溶剤を除去する過程を通じて形成されることができる。隔壁コーティング層４０上に位置する感光膜パターン９５は隔壁４１が形成される隔壁コーティング層４０上部にのみ位置している。この状態で感光膜パターン９５で覆われていない隔壁コーティング層４０をエッチング除去して隔壁４１を形成する。
【００５７】
隔壁４１をなす有機高分子が感光性特性を有する場合、隔壁４１は別途の感光膜パターン９５を利用せずに形成されることができる。つまり、隔壁４１はマスクを利用して隔壁コーティング層４０を露光、現像することのみで形成されることができる。そして、隔壁４１にドレイン電極３２を露出させる接触孔９１も形成する。
その後、図５ｃのように完成された隔壁４１で囲まれたチャンネル領域Ｂに有機半導体溶液５０をインクジェット方式でドロッピング（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）する。有機半導体溶液５０は溶剤によって親水性または親油性であることができ、一部は隔壁４１の側面にドロッピングされることもある。本発明の隔壁４１は撥水性と撥油性を全て備えた有機高分子からなっているため、隔壁４１の側面にドロッピングされた有機半導体溶液５０は隔壁４１の側面に沿って流れてチャンネル領域Ｂに流れる。反面、撥水性と撥油性は隔壁４１にのみ限定され、有機半導体溶液５０が接する有機絶縁膜２２、ソース電極３１、そしてドレイン電極３２は表面処理されていなくて撥水性と撥油性を有していない。したがって、有機半導体溶液５０はチャンネル領域Ｂおよびその周辺に比較的に平坦に形成されることができる。一方、有機半導体層５１、５２は蒸発法によって形成されることもでき、この場合、隔壁４１は不必要である。蒸発法では、マスクを用いられ、マスクには有機半導体層が形成される領域に対応する開口が形成されている。有機物蒸気は、この開口によって所定の領域に形成されるため、隔壁は不要である。
【００５８】
その次に、図５ｄに示されているように、有機半導体溶液５０は溶剤除去過程を経て有機半導体層５１、５２が形成され、溶剤除去過程を経た有機半導体層５１、５２は、図５ｅに示されているように、隔壁４１に隣接して形成された縁部５１と、縁部５１に囲まれており縁部５１より高さが低い陥没部５２とからなる形状をなすようになる。このような形状は、図５ｄに示されているように、隔壁４１内にジェッティングされた有機半導体溶液の硬化時、有機半導体溶液５０の表面中の縁領域の蒸発速度が速くて、有機半導体溶液５０が外郭または縁に移動しながら縁側にさらに多くの有機半導体溶液５０が積もるようになって発生する現象であって、コーヒーステイン（ｃｏｆｆｅｅ  ｓｔａｉｎ）現象という。つまり、コーヒーステイン現象によって有機半導体層５１、５２の厚さ偏差が発生するようになり、チャンネル領域Ｂが厚さ偏差が発生した領域にわたって位置するようになった場合、薄膜トランジスタは電気的特性が均一に示されないという問題点がある。
【００５９】
これにより、本発明では前述のように、このようなコーヒーステイン形状を考慮して、予めチャンネル領域Ｂを縁部５１または陥没部５２の少なくとも一領域内に位置するようにソース電極３１とドレイン電極３２を形成する。ここで、縁部５１と陥没部５２の表面は比較的に平坦な面をなしていて、薄膜トランジスタの電気的特性が均一に示されるようになる。
【００６０】
その後、図５ｆのように完成された有機半導体層５１、５２上に有機絶縁膜溶液（図示せず）を有機半導体層５１、５２の形成方法と同様にインクジェット法を通じて形成する。有機絶縁膜溶液（図示せず）は溶剤除去過程を経て有機絶縁膜６１を形成し、有機絶縁膜６１も平坦に形成される。溶剤除去過程を経ると、有機絶縁膜６１は隔壁４１より低く形成されることができる。これとは異なり、有機絶縁膜６１はスリットまたはスピンコーティングおよび感光膜によるパターニング工程を通じて形成されることもできる。
【００６１】
その後、完成された有機絶縁膜６１上にゲート電極６２を形成する。ゲート電極６２は、金属膜をスパッタリングなどの方法で絶縁基板１０上に蒸着した後、写真エッチング工程を通じて形成されることができる。ゲート電極６２は金属単一層または金属多重層であることができる。
その次に、図５ｇのようにゲート電極６２および隔壁４１上に保護膜７１を形成する。第１保護膜７１はドレイン接触孔９１領域では除去されている。第１保護膜７１が感光性有機膜からなる場合、保護膜７１はコーティング、露光および現像を通じて形成されることができ、シリコン窒化物のような無機膜からなる場合、蒸着と写真エッチング工程を通じて形成されることができる。そして、第１保護膜７１にドレイン電極３２を露出させる接触孔９１を形成する。
【００６２】
その後、最後に、ドレイン接触孔９１を通じてドレイン電極３１と接する画素電極８１を形成する。ここで、画素電極８１はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明伝導物質からなっている。
以下、図６を参照して、本発明の第２実施形態による表示装置について説明する。第２実施形態では第１実施形態と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明されない部分は前述の第１実施形態による。
【００６３】
図６は図２の‘Ｃ’部分の平面図であって、ドレイン電極３２とソース電極３１は絶縁基板１０と有機半導体層５３との間に介されている。そして、ドレイン電極３２は一方向から延長されて有機半導体層５３が形成された領域内で幅が拡張されており、ソース電極３１は他方向から延長されて有機半導体層５３が形成された領域内でドレイン電極３２の周縁に沿って形成されており、ドレイン電極３２と所定の間隔に離隔して形成されている。ソース電極３１とドレイン電極３２との離隔空間で定義されるチャンネル領域Ｂは、有機半導体層５３が形成された領域の中央部ではなく、縁領域に偏って位置するように形成されている。チャンネル領域Ｂは隔壁４１とドレイン電極３２との間の空間の少なくとも一部に設けられている。コーヒーステイン現象が発生した構造で、図示されていないが、チャンネル領域Ｂは前述の縁部の領域内に位置するように形成されることができ、このような構造によって薄膜トランジスタの電気的特性は均一に示される。図示されていないが、実施形態とは異なり、ドレイン電極３２とソース電極３１が陥没部の内部に位置するように形成されることもできる。
【００６４】
以下、図７を参照して、本発明の第３実施形態による表示装置について説明する。第３実施形態では第１実施形態と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明されない部分は前述の第１実施形態による。第３実施形態ではコーヒーステイン現象が発生した場合を仮定して説明するが、これに限られない。
図７に図示した第３実施形態による表示装置１は、第１実施形態とは異なり、ゲート電極６２が有機半導体層５１の下部に位置するボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）方式である。ゲート電極６２が絶縁基板１０の下部から入射される光を遮断するので、別途の光遮断膜は形成されていない。ゲート電極６２と有機半導体層５１、５２との間にはゲート絶縁膜６３が位置する。ゲート絶縁膜６３は有機膜、無機膜、または有機膜と無機膜の２重層であることができる。
【００６５】
第３実施形態によれば、有機半導体層５１、５２の形成後に第１保護膜７１形成過程のみがあるため、化学物質またはプラズマなどによる有機半導体層５１、５２の品質が低下する可能性が少なくなる。第１保護膜７１は隔壁４１内にインクジェット方法によって形成されることができ、第１保護膜７１上に第２保護膜７２も形成されることができる。第２保護膜７２は有機膜であることができ、この場合、コーティング法によって形成されることができる。そして、第２保護膜７２は無機膜であることもでき、蒸着法によって形成されることができる。
【００６６】
本発明による薄膜トランジスタは液晶表示装置または有機電気発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）等の表示装置に使用されることができる。
有機電気発光装置は電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子である。有機電気発光装置には陰極層（画素電極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陽極層（対向電極）が積層されている。本発明による薄膜トランジスタ基板のドレイン電極は陰極層と電気的に連結されてデータ信号を印加することができる。
【００６７】
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、液晶表示装置または有機電気発光装置等の表示装置に使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１ａ】高分子溶液乾燥時の問題を説明するための図面（１）である。
【図１ｂ】高分子溶液乾燥時の問題を説明するための図面（２）である。
【図２】本発明の第１実施形態による表示装置の凹部断面図である。
【図３】図２の‘Ｃ’領域の簡略平面度である。
【図４】コーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の要部断面図である。
【図５ａ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｂ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｃ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｄ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｅ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｆ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５ｇ】はコーヒーステイン現象が発生した場合の本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による図２の‘Ｃ’領域の簡略平面度である。
【図７】本発明の第３実施形態による表示装置の要部断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０      絶縁基板
２１      光遮断膜
３１      ソース電極
３２      ドレイン電極
４１      隔壁
５１      有機半導体層
６１      有機絶縁層
６２      ゲート電極
７１      第１保護膜
８１      画素電極
９１      ドレイン接触孔
【図１ａ】
2007088471.tif 000003
【図１ｂ】
2007088471.tif 000004
【図２】
2007088471.tif 000005
【図３】
2007088471.tif 000006
【図４】
2007088471.tif 000007
【図５ａ】
2007088471.tif 000008
【図５ｂ】
2007088471.tif 000009
【図５ｃ】
2007088471.tif 000010
【図５ｄ】
2007088471.tif 000011
【図５ｅ】
2007088471.tif 000012
【図５ｆ】
2007088471.tif 000013
【図５ｇ】
2007088471.tif 000014
【図６】
2007088471.tif 000015
【図７】
2007088471.tif 000016