(57)【要約】【課題】露光工程において高い精度で位置合わせが容易にできるホログラム露光用マスク、ホログラム露光用マスクの製造方法、ホログラム露光方法、半導体装置の製造方法および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ホログラム露光用マスクとしてのホログラムマスクＨ２は、透明な基板１と、基板１上に設けられたホログラム露光領域ＨＡを有するホログラム記録層３と、ホログラム露光領域ＨＡの周辺に位置し、基板１上に設けられた４つのアライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとを備え、各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが可視光を透過しない遮光性材料からなる。Ｘ字状の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、元レチクルとしてのレチクルＲ２の十字状の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと同一な位置に設けた。【選択図】図２
2007241020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板と、
前記基板上に設けられたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、
前記ホログラム露光領域の周辺に位置し、前記基板上に設けられた少なくとも２つ以上のアライメントマークとを備え、
前記アライメントマークが可視光を透過しない遮光性材料からなることを特徴とするホログラム露光用マスク。
【請求項２】
露光対象基板に２回目以降の露光を行う場合に用いられるホログラム露光用マスクであって、
透明な基板と、
前記基板上に設けられたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、
前記ホログラム露光領域の周辺に位置し、前記基板上に設けられた少なくとも２つ以上のアライメントマークとを備え、
前記少なくとも２つ以上のアライメントマークが前記露光対象基板に１回目の露光を行うことによって形成された第１の再生アライメントマークと同一の位置に設けられ、可視光を透過しない遮光性材料からなることを特徴とするホログラム露光用マスク。
【請求項３】
前記露光対象基板には、１回目の露光を行うことによって形成された３回目以降の露光に対応した第２の再生アライメントマークを有し、
前記少なくとも２つ以上のアライメントマークが前記第２の再生アライメントマークと同一の位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のホログラム露光用マスク。
【請求項４】
前記ホログラム記録層の前記ホログラム露光領域には、露光対象基板を露光するための元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンが記録されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のホログラム露光用マスク。
【請求項５】
ホログラム露光領域を有するホログラム露光マスクの製造方法であって、
透明な基板上に遮光性材料からなるアライメントマークを前記ホログラム露光領域の周辺に位置するように少なくとも２つ以上形成するアライメントマーク形成工程と、
前記アライメントマークが形成された前記基板上にホログラム記録層を所定の厚みで成膜する記録層形成工程とを備えることを特徴とするホログラム露光用マスクの製造方法。
【請求項６】
露光対象基板に２回目以降の露光を行う場合に用いられるホログラム露光領域を有するホログラム露光マスクの製造方法であって、
透明な基板上に遮光性材料からなるアライメントマークを前記ホログラム露光領域の周辺に位置するように少なくとも２つ以上形成するアライメントマーク形成工程と、
前記アライメントマークが形成された前記基板上にホログラム記録層を所定の厚みで成膜する記録層形成工程とを備え、
前記アライメントマーク形成工程では、前記少なくとも２つ以上のアライメントマークの位置が前記露光対象基板に１回目の露光を行うことによって形成された第１の再生アライメントマークの位置と同一となるように形成することを特徴とするホログラム露光用マスクの製造方法。
【請求項７】
前記露光対象基板には、１回目の露光を行うことによって形成された３回目以降の露光に対応した第２の再生アライメントマークを有し、
前記アライメントマーク形成工程では、前記少なくとも２つ以上のアライメントマークの位置が前記露光対象基板の前記第２の再生アライメントマークの位置と同一となるように形成することを特徴とする請求項６に記載のホログラム露光用マスクの製造方法。
【請求項８】
前記ホログラム記録層が形成された前記基板と元レチクルとを所定の間隔で対向配置して、前記アライメントマークと前記元レチクルに設けられたレチクル側アライメントマークとにより前記基板と前記元レチクルとを位置合わせするアライメント工程と、
前記ホログラム記録層の前記ホログラム露光領域に前記元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンを記録する記録工程とをさらに備えたことを特徴とする請求項６または７に記載のホログラム露光用マスクの製造方法。
【請求項９】
基板上に元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンが記録されたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、前記ホログラム露光領域の周辺に位置し、前記基板上に設けられた少なくとも２つ以上の遮光性を有する第１のアライメントマークとを備えたホログラム露光用マスクを用い、
前記ホログラム露光用マスクと感光性材料膜を有する露光対象基板とを所定の間隔で対向配置して、前記第１のアライメントマークと前記露光対象基板に設けられた第２のアライメントマークとにより前記ホログラム露光用マスクと前記露光対象基板とを位置決めするアライメント工程と、
前記ホログラム記録層に向けて露光光を照射して生じた再生光により、前記露光対象基板の前記感光性材料膜を露光する露光工程とを備えたことを特徴とするホログラム露光方法。
【請求項１０】
前記第１のアライメントマークの位置が前記露光対象基板の前記第２のアライメントマークの位置と同一であることを特徴とする請求項９に記載のホログラム露光方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のホログラム露光方法を用いてパターニングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
薄膜素子を有する電気光学装置の製造方法であって、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法を用いて前記薄膜素子を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の感光性材料膜に所望のパターンを露光する際に用いられるホログラム露光用マスク、このホログラム露光用マスクの製造方法、ホログラム露光方法、半導体装置の製造方法および電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等に用いられるウェハ等の基板上に電気回路あるいは素子を形成するフォトリソグラフィ技術において、微細パターンの露光が可能なホログラム露光方法が注目されている。このホログラム露光方法は、ホログラム露光用マスクの記録層に再生用のビーム光を照射し、記録層にあらかじめホログラム記録された干渉パターンによって生じた回折光により、基板上の感光性材料膜に所望のパターンを露光する方法である（非特許文献１）。
【０００３】
また、ホログラム露光用マスクとしては、所望の干渉パターンがホログラム記録されたホログラム露光領域と、アライメント光学系で読み取り可能に形成された第１アライメントマークと、ホログラム露光領域内にホログラム記録された第２アライメントマーク形成用パターンとを備えたものが知られている（特許文献１）。
【０００４】
上記ホログラム露光用マスクを用いた露光方法は、試し露光工程において当該マスクに再生用の露光ビームを照射し、ホログラム露光領域内の第２アライメントマーク形成用パターンによって基板上に形成された第２アライメントマークのずれ量を実際に測定する。本露光工程では、上記ずれ量から算出された補正量と第１アライメントマークとに基づいて、ホログラム露光用マスクと基板とを位置決めして、再生用の露光ビームを照射する。これにより露光の位置精度を高めようとしたものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０１０５０号公報
【非特許文献１】“０．５μｍ  Enabling  Lithography  for  Low-Temperature  Polysilicon  Displays”ＳＩＤ２００３  Digest  ３５０頁〜３５３頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来のホログラム露光用マスクの製造方法では、第１アライメントマークをアライメント光学系で読み取り可能とするために、上記ホログラム露光領域を一旦遮光して、第１アライメントマークを形成する領域のみに露光ビームを照射し、干渉パターンでない第１アライメントマークを露光形成する。続いて第１アライメントマークが形成された領域を遮光し、記録層の一方から元レチクルを介して露光ビームを照射すると共に記録層の他方から露光ビームと同じ波長特性を有する参照ビームを照射する。これにより、露光ビームと参照ビームとによる干渉パターンを記録層に記録する。したがって、第１アライメントマークとホログラム露光領域に形成された干渉パターンとの位置において、僅かなずれが生ずるという課題を有している。
【０００７】
また、上記従来のホログラム露光方法では、試し露光を行ってずれ量を測定し、ずれ量に対する補正量を算出することにより、本露光工程における露光精度を確保した。すなわち、試し露光工程が必要となり工程が複雑であるという課題を有している。
【０００８】
さらに、上記ずれ量を確認するためにホログラム露光領域内に第２アライメントマーク形成用パターンを記録するため、ホログラム露光領域を本来の電気回路あるいは素子を形成するための領域として最大限に活用できないという課題を有していた。
【０００９】
本発明は、上記課題を考慮してなされたものであり、露光工程において高い精度で位置合わせが容易にできるホログラム露光用マスク、ホログラム露光用マスクの製造方法、ホログラム露光方法、半導体装置の製造方法および電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のホログラム露光用マスクは、透明な基板と、基板上に設けられたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、ホログラム露光領域の周辺に位置し、基板上に設けられた少なくとも２つ以上のアライメントマークとを備え、該アライメントマークが可視光を透過しない遮光性材料からなることを特徴とする。
【００１１】
ホログラム記録層にアライメントマークを形成しようとする場合、元レチクルの露光パターンとアライメントマークとを同一工程でホログラム記録しても、ホログラム記録層に形成されたアライメントマークは、干渉パターンとなり視認することができない。また、可視化するために、ホログラム露光領域を遮光して、アライメントマーク形成領域のみ通常露光する必要が生ずる。さらには、通常露光して形成されたアライメントマークは、ホログラム記録層が、従来およそ１０μｍ程度の膜厚を有しているため、形状が安定しにくく、位置合わせ精度に影響を及ぼしていた。このように従来は、位置合わせ用のアライメントマークをあらかじめ設けておくという技術的な発想がなかった。この構成によれば、可視光を透過しない遮光性材料からなるアライメントマークを備えている。したがって、該アライメントマークの視認性が高く、ホログラム記録層に上記露光パターンをホログラム記録させる際に、該アライメントマークを用いれば元レチクルに対してホログラム記録層を有する基板を容易に位置決めすることができる。また、ホログラム露光領域を遮光してアライメントマークを形成する必要がないので、遮光性を有する該アライメントマークに対して位置精度よく上記露光パターンをホログラム露光領域に干渉パターンとしてホログラム記録することができる。なお、ホログラム記録とは、元レチクルの露光パターンに向けて記録光を照射し回折光を生じさせ、同時にホログラム記録層に向けて所定の角度で記録光に対応した参照光を照射して上記回折光と干渉させて生じた干渉パターンをホログラム記録層に記録することである。通常露光とは、参照ビームを用いない露光を指す。
【００１２】
本発明の他のホログラム露光用マスクは、露光対象基板に２回目以降の露光を行う場合に用いられるホログラム露光用マスクであって、透明な基板と、基板上に設けられたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、ホログラム露光領域の周辺に位置し、基板上に設けられた少なくとも２つ以上のアライメントマークとを備え、少なくとも２つ以上のアライメントマークが露光対象基板に１回目の露光を行うことによって形成された第１の再生アライメントマークと同一の位置に設けられ、可視光を透過しない遮光性材料からなることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、ホログラム露光用マスクの遮光性を有するアライメントマークと、露光対象基板に１回目の露光を行うことによって形成された第１の再生アライメントマークとが同一位置に設けられている。したがって、高い視認性を有する該アライメントマークと第１の再生アライメントマークとを重ね合わせるようにして位置決めが可能となり、２回目以降の露光工程において高い精度で位置合わせが容易にできるホログラム露光用マスクを提供することができる。なお、第１の再生アライメントマークは、露光対象基板と元レチクルとを対向させて露光することにより形成されたもの、および元レチクルの露光パターンとアライメントマークとをホログラム記録したホログラム露光用マスクと露光対象基板とを対向させて露光することにより形成されたものを含む。
【００１４】
上記露光対象基板には、１回目の露光を行うことによって形成された３回目以降の露光に対応した第２の再生アライメントマークを有し、少なくとも２つ以上のアライメントマークが第２の再生アライメントマークと同一の位置に設けられていることが好ましい。
【００１５】
通常、露光対象基板には、感光性材料膜が全面に形成される。よって、１回目の露光によって形成された第１の再生アライメントマークを基準にして２回目の露光・現像を行えば、第１の再生アライメントマーク上に２回目のアライメントマークが重畳されてしまう。重畳されたアライメントマークを基準として３回目以降の露光を行うと、所謂光学系の画像処理による位置合わせ方法では、精度の低下を招く惧れがある。これによれば、露光対象基板には、１回目の露光を行うことによって形成された３回目以降の露光に対応した第２の再生アライメントマークを有しており、３回目以降の露光に用いるホログラム露光用マスクには第２の再生アライメントマークと同一の位置に少なくとも２つ以上の遮光性のアライメントマークが設けられている。よって、常に重畳されていない第２の再生アライメントマークに対して位置合わせすることが可能となり、高い位置精度を維持することができる。
【００１６】
また、これらの発明のホログラム露光用マスクにおいて、上記ホログラム記録層のホログラム露光領域には、露光対象基板を露光するための元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンが記録されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、ホログラム露光マスクが供給された側では、ホログラム記録を行う必要がなく、即座にこれを用いて露光対象基板を高い位置精度で露光することができる。
【００１８】
本発明のホログラム露光用マスクの製造方法は、ホログラム露光領域を有するホログラム露光マスクの製造方法であって、透明な基板上に遮光性材料からなるアライメントマークをホログラム露光領域の周辺に位置するように少なくとも２つ以上形成するアライメントマーク形成工程と、該アライメントマークが形成された基板上にホログラム記録層を所定の厚みで成膜する記録層形成工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、アライメントマーク形成工程では、基板上にあらかじめ遮光性を有するアライメントマークを形成するので、該アライメントマークを用いて位置精度よく容易に基板と元レチクルとを位置合わせしてホログラム記録することが可能なホログラム露光用マスクを製造することができる。
【００２０】
本発明の他のホログラム露光用マスクの製造方法は、露光対象基板に２回目以降の露光を行う場合に用いられるホログラム露光領域を有するホログラム露光マスクの製造方法であって、透明な基板上に遮光性材料からなるアライメントマークをホログラム露光領域の周辺に位置するように少なくとも２つ以上形成するアライメントマーク形成工程と、該アライメントマークが形成された基板上にホログラム記録層を所定の厚みで成膜する記録層形成工程とを備え、アライメントマーク形成工程では、少なくとも２つ以上のアライメントマークの位置が露光対象基板に１回目の露光を行うことによって形成された第１の再生アライメントマークの位置と同一となるように形成することを特徴とする。
【００２１】
この方法によれば、アライメントマーク形成工程では、基板上にあらかじめ遮光性を有するアライメントマークを露光対象基板の第１の再生アライメントマークの位置と同一となるように形成する。したがって、該アライメントマークを用いて位置精度よく容易に基板と元レチクルとを位置合わせしてホログラム記録することが可能な２回目以降の露光に用いられるホログラム露光用マスクを製造することができる。
【００２２】
これらの発明のホログラム露光用マスクの製造方法において、上記露光対象基板には、１回目の露光を行うことによって形成された３回目以降の露光に対応した第２の再生アライメントマークを有し、アライメントマーク形成工程では、少なくとも２つ以上のアライメントマークの位置が露光対象基板の第２の再生アライメントマークの位置と同一となるように形成することが好ましい。これによれば、アライメントマーク形成工程では、露光対象基板の第２の再生アライメントマークの位置と同一となるように少なくとも２つ以上の遮光性を有するアライメントマークを形成する。したがって、常に重畳されていない第２の再生アライメントマークに対して位置合わせすることが可能となり、高い位置精度を維持することが可能な３回目以降の露光に用いられるホログラム露光用マスクを製造することができる。
【００２３】
また、上記ホログラム記録層が形成された基板と元レチクルとを所定の間隔で対向配置して、アライメントマークと元レチクルに設けられたレチクル側アライメントマークとにより基板と元レチクルとを位置合わせするアライメント工程と、ホログラム記録層のホログラム露光領域に元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンを記録する記録工程とをさらに備えることが好ましい。これによれば、ホログラム露光用マスクに設けられたアライメントマークに対して高い位置精度でホログラム露光領域に干渉パターンが記録されたホログラム露光用マスクを製造することができる。
【００２４】
本発明のホログラム露光方法は、基板上に元レチクルの露光パターンに対応した干渉パターンが記録されたホログラム露光領域を有するホログラム記録層と、ホログラム露光領域の周辺に位置し、基板上に設けられた少なくとも２つ以上の遮光性を有する第１のアライメントマークとを備えたホログラム露光用マスクを用い、該ホログラム露光用マスクと感光性材料膜を有する露光対象基板とを所定の間隔で対向配置して、第１のアライメントマークと露光対象基板に設けられた第２のアライメントマークとによりホログラム露光用マスクと露光対象基板とを位置決めするアライメント工程と、ホログラム記録層に向けて露光光を照射して生じた再生光により、露光対象基板の感光性材料膜を露光する露光工程とを備えたことを特徴とする。
【００２５】
この方法によれば、アライメント工程では、高い視認性を有するホログラム露光用マスクの第１のアライメントマークと露光対象基板の第２のアライメントマークとを用いるので、ホログラム露光用マスクと露光対象基板とを高い位置精度で容易に位置合わせすることができる。よって、露光対象基板の感光性材料膜に高い位置精度で元レチクルの露光パターンを再生することができる。
【００２６】
また、上記第１のアライメントマークの位置が露光対象基板の第２のアライメントマークの位置と同一であることが好ましい。これによれば、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとを重ね合わせるようにして位置合わせが可能となり、より高い精度で位置合わせすることができる。
【００２７】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記発明のホログラム露光方法を用いてパターニングを行うことを特徴とする。これによれば、高い精度で位置合わせすることが可能なホログラム露光方法を用いているので、微細な露光パターンを位置精度よく露光して、高品質な半導体装置を製造することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、薄膜素子を有する電気光学装置の製造方法であって、上記発明の半導体装置の製造方法を用いて薄膜素子を形成することを特徴とする。これによれば、微細な露光パターンを位置精度よく露光して、高品質な半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を用いて薄膜素子を形成する。したがって、高品質な薄膜素子を有する電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（実施形態１）
本発明の一実施形態としてのホログラム露光に用いられるホログラム露光用マスクおよびその製造方法について、図１〜図５に基づいて説明する。なお、各図は、適宜縮小して表示している。
【００３０】
＜ホログラム露光用マスク＞
図１は、１回目の露光に関係する元レチクルとホログラム露光用マスクを示す概略図である。詳しくは、同図（ａ）は元レチクルの平面図を示し、同図（ｂ）はホログラム露光用マスクの平面図を示し、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線で切った断面図を示す。
【００３１】
図１（ａ）に示すように、元レチクルとしてのレチクルＲ１は、透明な石英ガラスなどからなる基板にデバイスを形成するための１層目の露光パターンが設けられた露光領域Ｄ１と、露光領域Ｄ１の周辺で基板の四隅に設けられた十字状の４つのレチクル側アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄを備えている。１層目の露光パターンおよび各レチクル側アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、基板上に金属材料としてのＣｒをおよそ１００ｎｍの厚みで成膜し、これをフォトリソグラフィによりパターニングしたものである。
【００３２】
図１（ｂ）および（ｃ）に示すように、ホログラム露光用マスクとしてのホログラムマスクＨ１は、透明な石英ガラスなどからなる基板１１と、ホログラム記録層１２とを備えている。ホログラム記録層１２には、レチクルＲ１を用いてホログラム記録されたホログラム露光領域ＨＡと、４つのアライメントマーク１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄとを備えている。ホログラム露光領域ＨＡには、レチクルＲ１の露光領域Ｄ１の露光パターンが干渉パターンとしてホログラム記録されている。各アライメントマーク１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄもホログラム記録されているので、可視光で視認することができない。この場合、ホログラムマスクＨ１を用いた１回目の露光では、露光対象基板に対してホログラムマスクＨ１を重ね露光用として用いないので、各アライメントマーク１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが可視化されていなくても問題がない。
【００３３】
図２は、２回目の露光に関係する元レチクルとホログラム露光用マスクを示す概略図である。詳しくは、同図（ａ）は元レチクルの平面図を示し、同図（ｂ）は本発明に係るホログラム露光用マスクの平面図を示し、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＢ−Ｂ線で切った断面図を示す。
【００３４】
図２（ａ）に示すように、元レチクルとしてのレチクルＲ２は、透明な石英ガラスなどの基板にデバイスを形成するための２層目の露光パターンが設けられた露光領域Ｄ２と、露光領域Ｄ２の周辺で基板の四隅に設けられた十字状の４つのレチクル側アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄを備えている。２層目の露光パターンおよび各レチクル側アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、基板上に金属材料としてのＣｒをおよそ１００ｎｍの厚みで成膜し、これをフォトリソグラフィによりパターニングしたものである。すなわち、各レチクル側アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、１層目の露光パターンを設けたレチクルＲ１と同じ位置に同じ形状で形成されている。
【００３５】
図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、本発明に係るホログラム露光用マスクとしてのホログラムマスクＨ２は、透明な石英ガラスなどからなる基板１と、ホログラム記録層３とを備えている。ホログラム記録層３には、レチクルＲ２を用いてホログラム記録されたホログラム露光領域ＨＡを備えている。また、基板１上には、ホログラム露光領域ＨＡの周辺に位置し、基板１の四隅に設けられたＸ字状の４つのアライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを備えている。ホログラム露光領域ＨＡには、レチクルＲ２の露光領域Ｄ２の露光パターンが干渉パターンとしてホログラム記録されている。
【００３６】
各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、基板１上に金属材料としてのＣｒをおよそ１００ｎｍの厚みで成膜し、これをフォトリソグラフィによりレチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと同一位置となるようにパターニングしたものである。
【００３７】
ホログラムマスクＨ２は、ホログラムマスクＨ１に比べ、遮光性を有するＣｒからなる各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを備えているため、レチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと重ね合わせて、精度よく容易に位置合わせすることが可能である。
【００３８】
＜ホログラム露光用マスクの製造方法＞
次に本発明に係るホログラム露光用マスクとしてのホログラムマスクＨ２の製造方法について、図３〜図５に基づいて説明する。図３はホログラム露光用マスクの製造方法を示すフローチャート、図４はホログラム記録装置の構成を示す概略図、図５（ａ）〜（ｆ）はホログラム露光用マスクの製造方法を示す概略断面図である。
【００３９】
図３に示すように、本実施形態のホログラムマスクＨ２の製造方法は、マスクブランクスに感光性材料膜を形成する工程（ステップＳ１）と、アライメントマークを露光する工程（ステップＳ２）と、露光された感光性材料膜を現像する工程（ステップＳ３）と、エッチング・剥離を行う工程（ステップＳ４）とを備えている。ステップＳ１〜ステップＳ４がアライメントマーク形成工程である。さらに、基板１上にホログラム記録層を形成する工程（ステップＳ５）と、ホログラム記録層が形成された基板１とレチクルＲ２とを位置合わせするアライメント工程（ステップＳ６）と、ホログラム露光領域ＨＡにレチクルＲ２の露光パターンを干渉パターンとして記録するホログラム記録工程（ステップＳ７）とを備えている。
【００４０】
図３のステップＳ１は、感光性材料膜を形成する工程である。ステップＳ１では、図５（ａ）に示すように、基板１の表面にＣｒからなる薄膜４が全面形成されたマスクブランクスにおよそ１〜１．５μｍの厚みの感光性材料膜５を形成する。形成方法としては、スピンコート、ロールコート、スリットコート等の方法を用いて感光性材料と溶媒とからなる溶液を基板１に塗布し、これを乾燥させて感光性材料膜５を形成する。そして、ステップＳ２へ進む。
【００４１】
図３のステップＳ２は、アライメントマークを露光する工程である。ステップＳ２では、図５（ｂ）に示すように、マスク６と感光性材料膜５が形成された基板１とを所定の間隔で対向配置し、露光光源から照射された光により感光性材料膜５を露光する。マスク６には、アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対応するパターン６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成されている。そして、ステップＳ３へ進む。
【００４２】
図３のステップＳ３は、現像工程である。ステップＳ３では、図５（ｃ）に示すように、露光された感光性材料膜５を現像液を用いた湿式法により現像する。これにより、不要な薄膜４の表面が露出する。そして、ステップＳ４へ進む。
【００４３】
図３のステップＳ４は、エッチング・剥離工程である。ステップＳ４では、図５（ｄ）に示すように、エッチング液を用いた湿式法により不要な薄膜４をエッチングする。そして、剥離液を用いた同じく湿式法により、残った感光性材料膜５を剥離する。これにより、基板１の表面にＣｒからなる遮光性の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを形成する。さらに、基板１の表面に剥離液の残渣や汚れが残らないように、純水等を用いた洗浄を行う。そして、ステップＳ５へ進む。
【００４４】
図３のステップＳ５は、ホログラム記録層形成工程である。ステップＳ５では、図５（ｅ）に示すように、各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが形成された基板１の表面にホログラム記録層形成材料を含む溶液をスピンコート、ロールコート、スリットコート等の方法で塗布する。ホログラム記録層３は、およそ１０μｍ程度の厚みが必要であり、塗布方法によっては、塗布と乾燥とを繰り返すことにより、所定の膜厚を確保する。ホログラム記録層形成材料としては、アクリル系のフォトポリマーなど公知の材料を用いることができる。そして、ステップＳ６へ進む。
【００４５】
ここでホログラム記録装置について説明しておく。図４に示すように、ホログラム記録装置５０は、ホログラムマスクＨ２が載置されるプリズム５１と、記録光としての記録ビームを照射可能な露光光源５２と、参照光としての参照ビームを照射可能な露光光源５３と、プリズム５１に載置されたホログラムマスクＨ２に対して所定の間隔でレチクルＲ２を対向配置させるマスク支持部５４とを備えている。また、マスク支持部５４をＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能な駆動装置５５と、レチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，ＲｄとホログラムマスクＨ２の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとが重なり合った状態を画像情報として取り込むことが可能な各２台ずつの画像取込み装置５６，５７とを備えている。さらに、画像取込み装置５６，５７が取り込んだ画像情報を検出してずれ量と該ずれ量に対する補正量を算出可能な検出装置５８を備えている。
【００４６】
これらホログラム記録装置５０を構成する各部は、図示しないパーソナルコンピュータ等の情報処理装置により制御されている。検出装置５８は、算出された補正量に応じて駆動装置５５を駆動し、マスク支持部５４をホログラムマスクＨ２に対して相対移動させることにより、レチクルＲ２とホログラムマスクＨ２とを所定の位置に位置合わせすることが可能となっている。
【００４７】
２つの露光光源５２，５３は、それぞれ例えば波長３６４ｎｍのＡｒイオンレーザを用いることができる。各露光光源５２，５３は、ビーム径がおよそ１０ｍｍの記録ビームと参照ビームとが同期するようにレーザ光を発生させる。なお、１つの露光光源からレーザ光を記録ビームと参照ビームとに分波してもよい。
【００４８】
図３のステップＳ６は、アライメント工程である。ステップＳ６では、図４にしめすように、４５度の傾斜面を有するプリズム５１にホログラム記録層３が上方に来るように基板１を載置する。レチクルＲ２を露光領域Ｄ２がホログラム記録層３と所定の間隔で対向するようにマスク支持部５４にセットする。この場合、所定の間隔は、およそ１００μｍである。画像取込み装置５６によりホログラムマスクＨ２のアライメントマーク２ａ，２ｂとレチクルＲ２のアライメントマークＲａ，Ｒｂとが重なった画像情報を取り込む。同様に、画像取込み装置５７によりホログラムマスクＨ２のアライメントマーク２ｃ，２ｄとレチクルＲ２のアライメントマークＲｃ，Ｒｄとが重なった画像情報を取り込む。検出装置５８は、取り込まれたそれぞれの画像情報からずれ量を算出する。また、算出されたずれ量から補正量を算出する。補正量に基づいて駆動装置５５を駆動し、各ホログラムマスクＨ２の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとレチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄとが所定の位置で重なり合うようにマスク支持部５４を相対移動させて位置合わせを行う。そして、ステップＳ７へ進む。
【００４９】
図３のステップＳ７は、ホログラム記録工程である。ステップＳ７では、図４に示すように、露光光源５２から露光領域Ｄ２に向かって記録ビームを照射する。これにより、露光領域Ｄ２の露光パターンで回折した回折光がホログラム記録層３に入射する。露光光源５３からプリズム５１の斜面を通過して所定の角度でホログラム記録層３に入射するように参照ビームを照射する。露光光源５２は、記録ビームが露光領域Ｄ２を走査するように図示しない移動手段により移動される。露光光源５３は、記録ビームの走査に同期して、参照ビームがホログラム記録層３に照射されるように図示しない移動手段により移動される。これにより、図５（ｆ）に示すように、上記回折光と参照ビームとが干渉して生じた干渉パターンがホログラム記録層３のホログラム露光領域ＨＡに記録される。
【００５０】
上記実施形態１の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態１のホログラムマスクＨ２およびその製造方法において、ホログラムマスクＨ２の遮光性のＣｒからなる各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、元レチクルとしてのレチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと同一位置に設けられている。したがって、高い視認性を有する各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄとを重ね合わせるようにして位置決めが可能となる。よって、ホログラム記録工程において、位置合わせが容易にでき、アライメントマーク形成領域やホログラム露光領域ＨＡを遮光することなく、高い位置精度でホログラム記録が可能なホログラムマスクＨ２およびその製造方法を提供することができる。
【００５１】
（２）上記実施形態１のホログラムマスクＨ２およびその製造方法において、ホログラムマスクＨ２には、元レチクルとしてのレチクルＲ２の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄに対応した遮光性のＣｒからなる各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが設けられている。３回目以降のホログラムマスクも同様な各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを設けることにより、高い位置精度でホログラム記録が可能なホログラムマスクおよびその製造方法を提供することが可能である。すなわち、２回目以降の露光に対して専用のアライメントマークを露光対象基板に設ける必要がないので、各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄの周辺領域を有効に利用することができる。
【００５２】
（実施形態２）
次に本発明の一実施形態であるホログラム露光方法について、図６および図７に基づいて説明する。まず、ホログラム露光装置について説明する。図６は、ホログラム露光装置の構成を示す概略図である。図６に示すように、ホログラム露光装置２００は、主にプリズム２０１、ステージ２２０を備えるステージ装置２２２、第１情報処理装置２３０、距離測定光学系２４０、膜厚測定光学系２５０、光源２６０、第２情報処理装置２７０、露光光源２８０、露光光源駆動装置２８２、アライメント光学系２９０により構成される。
【００５３】
ステージ装置２２２は、感光性材料膜２１２が形成された露光対象基板２１０を真空チャック等でステージ２２０上に保持して、上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（Ｘ，Ｙ方向）へのステージ２２０の位置調整が可能に構成されている。
【００５４】
光源２６０は、距離測定光学系２４０および膜厚測定光学系２５０の測定用光ビームを射出可能に構成されている。距離測定光学系２４０は、ビームスプリッタ、シリンドリカルレンズ、光センサ、誤差信号検出器等を備え、ホログラム記録面２０２と露光対象基板２１０上に塗布された感光性材料膜表面２１４との距離を調整して露光時のフォーカスを制御することが可能に構成されている。
【００５５】
第１情報処理装置２３０は、距離測定光学系２４０により計測されたホログラム記録面２０２と露光対象基板２１０上に形成された感光性材料膜表面２１４との距離に基づいてフォーカスが適正となるようにステージ２２０の位置を設定するように構成されている。
【００５６】
膜厚測定光学系２５０は、ビームスプリッタ、フォトデテクタ、増幅器、Ａ／Ｄ変換器等を備え、露光対象基板２１０上に形成された感光性材料膜２１２の膜厚を測定するための構成を備えている。
【００５７】
第２情報処理装置２７０は、露光光源２８０から照射される露光光としての露光ビームが適正な露光領域内を走査するように露光光源２８０を移動させるとともに、膜厚測定光学系２５０により出力された感光性材料膜２１２の膜厚の相対値に基づいて露光の光量を制御するように構成されている。
【００５８】
露光光源２８０は、ホログラムマスク（Ｈ１，Ｈ２）のホログラム記録面２０２に露光ビームをホログラム記録時に対して反対方向から照射可能に構成されている。また、ホログラムマスク（Ｈ１，Ｈ２）のホログラム露光領域ＨＡにホログラム記録を行った露光光源５２と同じ波長３６４ｎｍの露光ビームを照射可能となっている。すなわち、この場合、ホログラムマスク（Ｈ１，Ｈ２）のホログラム露光領域ＨＡを走査するようにビーム径がおよそ１０ｍｍのＡｒイオンレーザを射出する。
【００５９】
露光光源駆動装置２８２は、この露光光源２８０を移動して露光対象基板２１０上の所望の露光領域を走査して露光するように構成されている。またホログラム露光装置２００は、露光対象基板２１０に対向する面に、所定の露光パターンに対応した干渉パターンが記録されたホログラムマスク（Ｈ１，Ｈ２）が密着して装着されるプリズム２０１を備えている。
【００６０】
また、アライメント光学系２９０は、４つの顕微鏡２９２と、顕微鏡２９２から得られた画像情報に基づきホログラムマスクと露光対象基板２１０の各アライメントマークの位置ずれを検出する位置ずれ検出装置２９４とを備えている。各顕微鏡２９２は、例えば、ホログラムマスクＨ２を介して、露光対象基板２１０上に形成された各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄを観察可能な状態で配設されている。また、観察された各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄの画像を取り込むための例えばＣＣＤカメラ等の画像取込み装置を備えている。顕微鏡２９２により観察され、画像取込み装置により取り込まれた各アライメントマークの画像は、画像信号に変換され、位置ずれ検出装置２９４に送られる。位置ずれ検出装置２９４は、画像信号から各アライメントマークの特徴点を抽出し、特徴点間の距離を算出するものである。この場合、例えば、特徴点として露光対象基板２１０の十字状のアライメントマークＷａの交点とホログラムマスクＨ２のＸ字状のアライメントマーク２ａの交点とを各々抽出し、当該交点間の距離を算出する。この算出された距離情報を第１情報処理装置２３０に送信する。第１情報処理装置２３０は、当該交点間の距離すなわちアライメントマークＷａとアライメントマーク２ａのずれ量が減少するように、ステージ２２０をＸおよびＹ軸方向に移動させ露光対象基板２１０の位置を設定するように構成されている。これにより、ホログラムマスクＨ２と露光対象基板２１０との位置合わせが可能となる。
【００６１】
＜ホログラム露光方法＞
図７（ａ）および（ｂ）は、ホログラム露光方法を示す概略図である。同図（ａ）はアライメント工程を示す概略斜視図、同図（ｂ）は露光後の露光対象基板を示す概略平面図である。本実施形態のホログラム露光方法は、上記実施形態１のホログラムマスクＨ２を用い、多重露光における２回目の露光を行うものである。ホログラムマスクＨ２と感光性材料膜２１２（図６参照）を有する露光対象基板２１０とを所定の間隔で対向配置して、アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと露光対象基板２１０に１回目の露光によって形成されたアライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，ＷｄとによりホログラムマスクＨ２と露光対象基板２１０とを位置決めするアライメント工程と、ホログラム記録層３（図２参照）に向けて露光ビームを照射して生じた再生光により、露光対象基板２１０の感光性材料膜２１２を露光する露光工程とを備えている。
【００６２】
なお、１回目の露光はホログラム露光装置２００を用い、図１（ｂ）に示したホログラムマスクＨ１と露光対象基板２１０とを対向させて露光を行う。これによって、露光対象基板２１０には、図１（ａ）に示したレチクルＲ１の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄに対応する第１の再生アライメントマークとしての各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄが形成される。
【００６３】
図６に示すように、アライメント工程では、第１情報処理装置２３０は、まず、距離測定光学系２４０の測定結果に基づき、ホログラムマスクＨ２と露光対象基板２１０とが所定の間隔（およそ１００μｍ；ホログラム記録時と同じ）で対向配置されるように、ステージ装置２２２を駆動してステージ２２０をＺ軸方向に移動させる。各顕微鏡２９２により観察され画像取込み装置により取り込まれたホログラムマスクＨ２の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと露光対象基板２１０の各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄの画像は、画像信号に変換され、位置ずれ検出装置２９４に送られる。位置ずれ検出装置２９４が検出したずれ量に基づいて第１情報処理装置２３０は、ホログラムマスクＨ２に対して露光対象基板２１０が所定の位置に配置されるように、ステージ装置２２２によりステージ２２０をＸおよびＹ軸方向に移動させる。これにより、図７（ａ）に示すように、ホログラムマスクＨ２のＸ字状の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの交点と露光対象基板２１０の十字状の各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄの交点とがＺ軸に沿った直線上に位置し、ホログラムマスクＨ２に対して露光対象基板２１０が相対的に高い位置精度で位置決めされる。
【００６４】
露光工程では、第２情報処理装置２７０は、膜厚測定光学系２５０の測定結果に基づき、露光光源２８０から感光性材料膜２１２の膜厚に対応した光強度の露光ビームをホログラムマスクＨ２に向けて射出させる。また、露光ビームがホログラムマスクＨ２のホログラム露光領域ＨＡを走査するように、露光光源駆動装置２８２を駆動して露光光源２８０をプリズム２０１の斜面に沿って移動させる。ホログラムマスクＨ２に入射した露光ビームは、ホログラム露光領域ＨＡに記録された干渉パターンにより回折する。この回折光すなわち再生光によって、露光対象基板２１０の感光性材料膜２１２にレチクルＲ２の露光パターンが再生露光される。したがって、レチクルＲ２の露光領域Ｄ２にデバイスとしての半導体装置の露光パターンを形成しておけば、図７（ｂ）に示すように、露光対象基板２１０に、１回目の露光を行いプロセス処理により形成されたデバイス領域としての露光領域Ｄ１に対して、デバイス領域としての露光領域Ｄ２を所定の位置で精度よく多重露光することが可能である。
【００６５】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本発明の一実施形態である上記ホログラム露光方法を用いた半導体装置の製造方法として、薄膜素子を有する電気光学装置の製造方法を例に説明する。
【００６６】
図８は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略図である。図８に示すように、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、薄膜素子としての４つの薄膜トランジスタ１０１，１０２，１０３，１０４、キャパシタ１０５及び有機ＥＬ発光層を有する発光素子１０６を含んで構成される画素回路１０７を基板上の画素領域１０８にマトリクス状に配置してなる回路基板（アクティブマトリクス基板）と、画素回路１０７に駆動信号を供給するドライバ１０９及びドライバ１１０を含んで構成されている。ドライバ１０９は、走査線Ｖｓｅｌおよび発光制御線Ｖｇｐを介して各画素領域１０８に駆動信号を供給する。ドライバ１１０は、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄを介して各画素領域１０８に駆動信号を供給する。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、各画素領域１０８に対する電流プログラムが行われ、発光素子１０６による発光が制御可能になっている。画素回路１０７を構成する各薄膜トランジスタ１０１，１０２，１０３，１０４及びドライバ１０９，１１０を構成する薄膜素子としての各薄膜トランジスタが上記実施形態１のホログラム露光方法を用いた半導体装置の製造方法を適用して形成される。なお、電気光学装置の製造方法の一例として有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明したが、これ以外にも、液晶表示装置など各種の電気光学装置の製造方法についても同様にして適用することが可能である。
【００６７】
上記実施形態２の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態２のホログラム露光方法では、ホログラム露光装置２００に上記実施形態１のホログラムマスクＨ２をセットする。アライメント工程では、ホログラムマスクＨ２の遮光性を有する各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと露光対象基板２１０に１回目の露光によって形成された各アライメントマークＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄとにより、ホログラムマスクＨ２に対して露光対象基板２１０を位置合わせする。よって、容易に高い位置精度で位置合わせができる。また、露光工程では、高い位置精度で位置合わせされたホログラムマスクＨ２に向けて露光ビームを照射して生じた再生光により、露光対象基板２１０に形成された感光性材料膜２１２を露光する。したがって、１回目に露光された露光領域Ｄ１に対して精度よく露光領域Ｄ２を多重露光することができる。
【００６８】
（２）上記実施形態２の電気光学装置の製造方法は、上記ホログラム露光方法を用いて画素回路１０７を構成する各薄膜トランジスタ１０１，１０２，１０３，１０４及びドライバ１０９，１１０を構成する薄膜素子としての各薄膜トランジスタを形成している。したがって、位置精度よく多重露光され形成されるので、所望の薄膜素子形状が得られ高い品質を有する電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００を製造することができる。
【００６９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記各実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。例えば上記実施形態１および上記実施形態２以外の変形例は、以下の通りである。
【００７０】
（変形例１）上記実施形態１のホログラム露光用マスクとその製造方法において、３回目以降の露光に用いられるホログラムマスクの各アライメントマークの位置は、１回目の露光の元レチクルであるレチクルＲ１の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄの位置と同一でなくても良い。図９は、変形例のホログラム露光用マスクを説明する概略図である。詳しくは、同図（ａ）は１回目の露光に関係する元レチクルを示す概略平面図、同図（ｂ）は３回目の露光に用いるホログラム露光用マスクを示す概略平面図、同図（ｃ）は露光後の露光対象基板を示す概略平面図である。同図（ａ）に示すように、例えば、１回目の露光に関係するレチクルＲ１に、３回目の露光に対応する十字状の各アライメントマークＲｅ，Ｒｆ，Ｒｇ，Ｒｈを各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと異なる位置に設けておく。同図（ｂ）に示すように、同様に３回目の露光に用いるホログラムマスクＨ３は、露光領域Ｄ３に対応したホログラム露光領域ＨＡを有するホログラム記録層と、各アライメントマークＲｅ，Ｒｆ，Ｒｇ，Ｒｈと同じ位置に遮光性を有するＸ字状の各アライメントマーク３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄとを備えている。ホログラム記録工程では、元レチクルの各アライメントマークＲｅ，Ｒｆ，Ｒｇ，ＲｈとホログラムマスクＨ３の各アライメントマーク３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄとを用いて、元レチクルとホログラムマスクＨ３とを位置合わせしてホログラム記録を行う。３回目の露光工程では、同図（ｃ）に示すように、１回目の露光で露光対象基板２１０に形成された第２の再生アライメントマークとしての各アライメントマークＷｅ，Ｗｆ，Ｗｇ，ＷｈとホログラムマスクＨ３の各アライメントマーク３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄとを用いて、ホログラムマスクＨ３と露光対象基板２１０とを位置合わせして露光を行う。このようにすれば、２回目の露光工程で、ホログラムマスクＨ２の全面に渡って露光ビームを照射しても、露光対象基板２１０の各アライメントマークＷｅ，Ｗｆ，Ｗｇ，ＷｈにホログラムマスクＨ２の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが重畳されない。よって、３回目の露光工程では、重畳されていない露光対象基板２１０の各アライメントマークＷｅ，Ｗｆ，Ｗｇ，ＷｈとホログラムマスクＨ３の各アライメントマーク３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄとを用いて、精度が低下することなく位置合わせし、ホログラム露光領域ＨＡに記録された露光領域Ｄ３に対応する干渉パターンを用いて露光することができる。よって、露光領域Ｄ１，Ｄ２に対して高い位置精度で露光領域Ｄ３を多重露光することが可能な３回目の露光に用いられるホログラムマスクＨ３を提供することができる。すなわち、露光回数に応じて、３回目以降の露光に対応する遮光性を有するアライメントマークを元レチクルとホログラムマスクとに設けておくことが好ましい。
【００７１】
（変形例２）上記実施形態１のホログラム露光用マスクとその製造方法において、１回目の露光に用いるホログラムマスクＨ１に、遮光性のアライメントマークをあらかじめ設けておいてもよい。例えば、配線等を露光対象基板２１０に形成した後に、半導体装置等の薄膜素子を形成する場合、配線等を形成する際に基準としたアライメントマークに対応してホログラムマスクＨ１に遮光性のアライメントマークを形成しておく。これによれば、配線等に対して薄膜素子を位置精度よく形成することができる。
【００７２】
（変形例３）上記実施形態１のホログラムマスクＨ２とその製造方法において、遮光性を有する各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、金属材料であるＣｒを用いて形成する方法に限定されない。例えば、Ｃｒからなる薄膜４にＣｒの酸化膜や窒化膜をさらに積層してもよい。このようにすれば、遮光性材料からなる各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの表面の反射光を低減して、より高い視認性を得ることができる。さらには、金属材料に限定されず、黒色系の顔料など遮光性の材料を含む感光性樹脂膜を用いて形成してもよい。
【００７３】
（変形例４）上記実施形態２のホログラム露光方法を適用可能な製造方法は、電気光学装置の製造方法に限定されず、種々のデバイスの製造に適用することができる。例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric  RAM）、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＮＯＲ型ＲＡＭ、ＮＡＮＤ型ＲＡＭ、浮遊ゲート型不揮発性メモリ、マグネティックＲＡＭ、などの各種メモリの製造方法。また、マイクロ波を用いた非接触型の通信システムにおいて、微小な回路チップ（ＩＣチップ）を搭載した安価なタグの製造方法にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】（ａ）は１回目の露光に関係する元レチクルの平面図、（ｂ）は１回目の露光に関係するホログラム露光用マスクの平面図、（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線で切った断面図。
【図２】（ａ）は２回目の露光に関係する元レチクルの平面図、（ｂ）は本発明に係るホログラム露光用マスクの平面図、（ｃ）は同図（ｂ）のＢ−Ｂ線で切った断面図。
【図３】ホログラム露光用マスクの製造方法を示すフローチャート。
【図４】ホログラム記録装置の構成を示す概略図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）はホログラム露光用マスクの製造方法を示す概略断面図。
【図６】ホログラム露光装置の構成を示す概略図。
【図７】（ａ）および（ｂ）はホログラム露光方法を示す概略図。
【図８】電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は変形例のホログラム露光用マスクを説明する概略図。
【符号の説明】
【００７５】
１…基板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…アライメントマークおよび第１のアライメントマークとしてのアライメントマーク、３…ホログラム記録層、３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ…アライメントマーク、Ｒ１，Ｒ２…元レチクルとしてのレチクル、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ…元レチクル側のアライメントマークとしてのレチクルＲ１，Ｒ２のアライメントマーク、Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗｄ…第１の再生アライメントマークおよび第２のアライメントマークとしてのアライメントマーク、Ｗｅ，Ｗｆ，Ｗｇ，Ｗｈ…第２の再生アライメントマークとしてのアライメントマーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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