(57)【要約】【課題】ダイアフラムを備えたセンサ装置として、絶対圧の検出をも可能とするセンサ装置を提供する。【解決手段】センサ装置は、振動可能に設けられた振動膜４と、振動膜４に形成された静電用電極５ａおよび歪抵抗素子６ａ，６ｂと、静電用電極５ａと対峙するように配置された電極９ａとを備える。静電用電極５ａと電極９ａとの間に発生する静電気力により振動膜４を電極９ａ側に移動させ、振動膜４を凸状に湾曲した状態とするとともに、この移動させた状態で歪抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗変動に基づき圧力を電気的な信号に変換する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部が支持されて振動可能に設けられた振動膜と、
前記振動膜に形成された第１制御電極および歪抵抗素子と、
前記第１制御電極と対峙するように配置された第２制御電極と、
を備え、
前記第１制御電極と前記第２制御電極に電圧を印加することにより前記振動膜を湾曲させるとともに、この湾曲させた状態で前記歪抵抗素子の抵抗変化に基づき圧力を電気的な信号に変換するようにしたセンサ装置。
【請求項２】
前記電圧の印加により前記第１制御電極と前記第２制御電極との間に引力もしくは斥力を発生させ、前記振動膜を第２制御電極側もしくは第２制御電極から離れる方向に湾曲させるようにした請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第１制御電極に対し、前記第２制御電極とは反対側に配置された第３制御電極をさらに備え、
前記第３制御電極には、この第３制御電極と前記第１制御電極との間に前記振動膜の湾曲を増強させる電圧を印加するようにした請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記振動膜は、電気的に絶縁されて対向する２つの領域を有する筐体の内部に、それら対向する２つの領域に挟まれるように設けられ、
前記第２制御電極は前記筐体の前記対向する一方の領域に形成され、
前記第３制御電極は同筐体の前記対向する他方の領域に形成されている請求項３に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ装置に関し、特にダイアフラムを有するセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧力によって振動するダイアフラムに設けられたピエゾ抵抗素子（歪抵抗素子）の抵抗変動によって、圧力を電気信号に変換する圧力センサなどのセンサ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に開示された圧力センサは、可撓性膜（振動可能なダイアフラム）と歪みゲージ抵抗器（ピエゾ抵抗素子）とを備えている。この圧力センサでは、外圧が加えられると可撓性膜が平面状態から反れて、可撓性膜に設けられた歪みゲージ抵抗器を伸長させる。これにより、歪みゲージ抵抗器の抵抗値が変化するので、この変化を電気的な信号として出力することによって圧力が電気信号に変換される。
【特許文献１】特表２００１−５２４２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常、ダイアフラムは外圧が正圧の場合（外圧が大気圧より高い圧力の場合）には凹状に窪み、負圧の場合（外圧が大気圧より低い圧力の場合）には凸状に膨らむ。しかしながら、ピエゾ抵抗素子は窪んだ場合も膨らんだ場合もダイアフラムの引張応力を受けて伸長する。このため、正圧が加えられた場合と負圧が加えられた場合とは同じ抵抗値を示し、出力信号としては外圧との差圧が検出される。したがって、従来の圧力センサでは、外圧の正圧と負圧の区別がつかず、外圧の絶対圧を検出できないという問題点があった。
【０００５】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、その目的は、ダイアフラムを備えたセンサ装置として、絶対圧の検出をも可能とするセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明に係るセンサ装置は、端部が支持されて振動可能に設けられた振動膜と、振動膜に形成された第１制御電極および歪抵抗素子と、第１制御電極と対峙するように配置された第２制御電極と、を備え、第１制御電極と第２制御電極に電圧を印加することにより振動膜を湾曲させるとともに、この湾曲させた状態で歪抵抗素子の抵抗変化に基づき圧力を電気的な信号に変換するようにしたことを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、振動膜は湾曲した状態で外圧（検出圧力）が加わり変形するので、検出圧力が正圧の場合や負圧の場合を含めて歪抵抗素子の抵抗が連続的に変動（増加あるいは減少）するようになる。この結果、電気信号として連続的な出力が得られ、外圧の絶対圧を検出することができる。
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明に係る別のセンサ装置は、電圧の印加により第１制御電極と第２制御電極との間に引力もしくは斥力を発生させ、振動膜を第２制御電極側もしくは第２制御電極から離れる方向に湾曲させるようにしたことを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、振動膜は引力もしくは斥力により第２制御電極側もしくは第２制御電極から離れる方向に移動し、凸状もしくは凹状に湾曲した状態となる。この状態で外圧（検出圧力）が加わり振動膜が変形するので、検出圧力が正圧の場合や負圧の場合を含めて歪抵抗素子の抵抗が連続的に変動（増加あるいは減少）するようになる。この結果、電
気信号として連続的な出力が得られ、外圧の絶対圧を検出することができる。
【００１０】
上記構成において、第１制御電極に対し、第２制御電極とは反対側に配置された第３制御電極をさらに備え、第３制御電極には、この第３制御電極と第１制御電極との間に湾曲を増強させる電圧を印加するようにしてもよい。この場合、振動膜は、第２制御電極との間に発生する引力もしくは斥力と、第３制御電極との間に発生する、振動膜の湾曲を増強させる力（斥力もしくは引力）とによって第２制御電極側もしくは第２制御電極から離れる方向（第２制御電極の反対側）に湾曲するようになるので、各制御電極に印加する電圧の低電圧化が可能となる。
【００１１】
上記構成において、振動膜は、電気的に絶縁されて対向する２つの領域を有する筐体の内部に、それら対向する２つの領域に挟まれるように設けられ、第２制御電極は筐体の対向する一方の領域に形成され、第３制御電極は同筐体の対向する他方の領域に形成されていることが好ましい。このようにすることで、第２制御電極（および第３制御電極）と筐体との間に生じる空間（隙間）をなくすことができるため、振動膜（第１制御電極）と筐体との間隔を狭めることが可能となる。この結果、センサ装置の薄型化を実現することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ダイアフラムを備えたセンサ装置として、絶対圧の検出をも可能とするセンサ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
図１は本発明の実施形態に係るセンサ装置の構成を示す概略上面図であり、図２は図１のセンサ装置のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。
【００１５】
本実施形態のセンサ装置は、シリコン基板１、エッチストッパ２ａ、振動膜（ダイアフラム）４、静電用電極５ａ、配線５ｂ、歪抵抗素子６ａ〜６ｄ、保護膜７、基板開口部８、筐体９（電極９ａ，９ｂおよび絶縁体１１）、筐体ホール１０、固定台１２、及び電極パッド１３ａ〜１３ｅを備える。
【００１６】
シリコン基板１はセンサ部２０の基板となる。シリコン基板１には、図１および図２に示すように、シリコン基板１の上側から下側に基板開口部８が穿設されている。また、図１に示すように、シリコン基板１の上側の表面における基板開口部８は四角形の形状を有している。また、シリコン基板１の上側の表面はエッチストッパ２ａを備える。
【００１７】
振動膜４は、図１および図２に示すように、シリコン基板１の断面における基板開口部８を覆うように形成されている。圧力によって振動膜４は振動できるように構成されている。具体的には、振動膜４は、基板開口部８を覆う領域は浮動状態に形成し、基板開口部８の外周領域においてシリコン基板１（エッチストッパ２ａ）上に固定されている。また、振動膜４の上の基板開口部８を覆う領域には後述する静電用電極５ａおよび歪抵抗素子６ａ，６ｂがそれぞれ設けられている。振動膜４の材料は、特に限定されないが、たとえばシリコン窒化膜などが好適である。
【００１８】
静電用電極５ａは、振動膜４の上の中央付近に設けられ、さらに後述する筐体９の電極９ａと対峙するように配置されている。静電用電極５ａは配線５ｂにより電極パッド１３ｅに接続されている。この電極パッド１３ｅに電圧を印加することにより静電用電極５ａに所定の電圧が印加される。静電用電極５ａの材料は、特に限定されないが、たとえばポリシリコン膜などの導電性膜が好適である。
【００１９】
配線５ｂは、シリコン基板１（エッチストッパ２ａ）および振動膜４の上に形成され、静電用電極５ａや後述する歪抵抗素子６ａ〜６ｄのそれぞれを所定の電極パッド１３ａ〜１３ｅと電気的に接続するように設けられている。配線５ｂの材料は、特に限定されないが、たとえばポリシリコン膜などの導電性膜が好適である。
【００２０】
歪抵抗素子６ａ，６ｂは、振動膜４の上の基板開口部８を覆う領域内に設けられ、圧力によって振動膜４が振動すればそれに応じて伸縮し抵抗値が変化する特性を有する。ここでは、金ナノ粒子（粒径：約２〜３ｎｍ）からなる歪抵抗材料を採用している。歪抵抗素子６ｃ，６ｄは、シリコン基板１（エッチストッパ２ａ）上に設けられ、標準抵抗として用いられる。ここでは、歪抵抗素子６ａ，６ｂと同じ材料を採用している。これら歪抵抗素子６ａ〜６ｄはそれぞれ配線５ｂによってホイートストンブリッジを形成するように接続されている。したがって、振動膜４の上に設けられた歪抵抗素子６ａ，６ｂが歪んだ場合には、このブリッジの抵抗バランスがくずれてセンサ出力が変化するので、この出力変化を増幅することにより、所望の出力電圧を得ることができる。
【００２１】
保護膜７は、基板開口部８を含む振動膜４部分と電極パッド１３ａ〜１３ｅ部分に開口を有し、配線５ｂおよび歪抵抗素子６ｃ，６ｄなどを覆うように、シリコン基板１（エッチストッパ２ａ）上に設けられている。この保護膜７は配線５ｂおよび歪抵抗素子６ｃ，６ｄなどの保護膜として機能する。保護膜７の材料は、特に限定されないが、たとえばポリイミド膜などの絶縁性樹脂膜が好適である。
【００２２】
筐体９は絶縁体１１によって上部側と下部側の筐体に電気的に絶縁分離されている。上部側の筐体には外部からの圧力を伝えるための筐体ホール１０が設けられている。上部側の筐体は電極９ａとして機能するように所定の電圧が印加できるように構成されている。下部側の筐体は電極９ｂとして機能するように所定の電圧が印加できるように構成されている。筐体９の材料は、特に限定されないが、たとえば銅（Ｃｕ）膜などの導電性膜が好適である。なお、筐体９の外側の表面には筐体９全体を覆うように絶縁保護膜（図示せず）が形成されている。
【００２３】
筐体９の内部には、シリコン基板１、振動膜４、及び歪抵抗素子６ａ，６ｂなどによって構成されるセンサ部２０が収容されている。このセンサ部２０は固定台１２によって筐体９の所定の位置に固定されている。これにより、静電用電極５ａは、電極９ａ（上部側の筐体）と電極９ｂ（下部側の筐体）との間に挟まれるように位置し、それぞれと対峙するように配置される。なお、固定台１２の高さ（厚さ）を調整することによりセンサ部２０（特に静電用電極５ａ）と上部側の筐体（特に電極９ａ）との間の間隔が制御される。ここでは、静電用電極５ａと電極９ａとの間隔が約１５０μｍとなるように調整している。静電用電極５ａと電極９ａとにそれぞれ所定の電圧を印加することにより、両者の間に静電気力（引力）を発生させ、これにより振動膜４を電極９ａ側に移動させることができる。また、電極９ａに加え電極９ｂにも所定の電圧を印加することにより、静電用電極５ａと電極９ｂとの間に斥力を発生させ、これにより振動膜４を電極９ａ側に移動させることができる。ここでは、静電用電極５ａに約１２Ｖの電圧を印加し、電極９ａにグランド接地もしくは約−１２Ｖの電圧を印加している。さらに、電極９ｂに静電用電極５ａと同じ約１２Ｖの電圧を印加している。なお、静電用電極５ａは本発明の「第１制御電極」、筐体９の電極９ａは本発明の「第２制御電極」、及び筐体９の電極９ｂは本発明の「第３制御電極」の一例である。また、静電気力は本発明の「引力」の一例である。
【００２４】
図３は本実施形態によるセンサ装置の動作を説明するための断面図である。図２および図３を参照して、本実施形態によるセンサ装置の動作を説明する。
【００２５】
従来のセンサ装置のように振動膜４と電極９ａ（および電極９ｂ）とに電圧が印加され
ていない状態では、図２に示すように振動膜４は平面状態を維持している。これに対して振動膜４と電極９ａ（および電極９ｂ）とにそれぞれ所定の電圧が印加された状態では、図３に示すように、振動膜４と電極９ａとの間に発生する静電気力（および振動膜４と電極９ｂとの間に発生する斥力）によって振動膜４は電極９ａ側（上部側の筐体）に移動し、凸状に湾曲した状態となる。ここでは、振動膜４の中央付近での移動量Ｈが約５０μｍとなるように調整している。
【００２６】
図４（Ａ）は圧力（空気の粗密波）を空気圧が一定のサイクルで変化する正弦波と仮定した場合の空気圧と時間の関係、図４（Ｂ）は従来のセンサ装置において圧力を電気信号に変換した際の出力信号と時間との関係、及び図４（Ｃ）は本実施形態のセンサ装置において圧力を電気信号に変換した際の出力信号と時間との関係を示す。
【００２７】
従来のセンサ装置では、圧力が加えられると、可撓性膜（振動膜４）は外圧が正圧の場合には凹状に窪み、負圧の場合には凸状に膨らむ。これに対応して歪みゲージ抵抗器（歪抵抗素子６ａ，６ｂ）は窪んだ場合も膨らんだ場合も可撓性膜の引張応力を受けて伸長する。このため、正圧が加えられた場合と負圧が加えられた場合とは同じ抵抗値を示す。したがって、図４（Ａ）に示すような正圧と負圧とを変動する圧力が加えられた場合には、圧力を電気信号に変換した際の出力信号は、図４（Ｂ）に示すように、負圧に相当する部分が正に折り返されたようになる。このため、入力した圧力（空気の粗密波）を再現することはできない。
【００２８】
これに対して本実施形態のセンサ装置では、振動膜４と電極９ａ（および電極９ｂ）とにそれぞれ所定の電圧を印加することによって、振動膜４は電極９ａ側に凸状に湾曲した状態となる。この状態で外圧（正圧もしくは負圧）が加わり振動膜４が変形するので、外圧が正圧の場合や負圧の場合を含めて歪抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗が連続的に変動（増加あいるは減少）するようになる。この結果、図４（Ａ）に示すような正圧と負圧とを変動する圧力が加えられた場合には、圧力を電気信号に変換した際の出力信号は、図４（Ｃ）に示すように、圧力をそのまま反映した電気信号として出力される。このように、本実施形態では入力した圧力（空気の粗密波）をそのまま再現することができる。
（製造方法）
図５および図６は図２に示した本実施形態によるセンサ装置の製造プロセスを説明するための断面図である。なお、図５および図６は、図２と同様に、図１のセンサ装置でのＸ−Ｘ’断面に対応する。
【００２９】
まず、図５（Ａ）に示すように、両面研磨されたシリコン基板１上に、減圧ＣＶＤ法を用いてエッチストッパ２ａ，２ｂを約２００ｎｍ成膜する。エッチストッパ２ｂはシリコン基板１を裏面からエッチングする際のマスクとなり、エッチストッパ２ａは後にシリコン基板１を裏面からエッチングする際のストッパとなる。エッチストッパ２ａ，２ｂにはシリコン窒化膜を用いることが一般的である。シリコン窒化膜を形成する際に用いるガスはモノシランとアンモニア（あるいはジクロロシランとアンモニア）などであり、成膜温度は約３００〜６００℃である。
【００３０】
図５（Ｂ）に示すように、エッチストッパ２ａの全面上に、プラズマＣＶＤ法または常圧ＣＶＤ法を用いて約５００ｎｍの厚みを有する犠牲層３を形成する。犠牲層３にはリン（Ｐ）を含むシリコン酸化膜を用いることが一般的であるが、フッ酸（ＨＦ）に可溶であればどの膜を用いてもよい。この犠牲層３は後にＨＦによるエッチングで除去するため、最終的な構造体（センサ部２０）には残らない膜である。その後、犠牲層３に対して通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３１】
図５（Ｃ）に示すように、エッチストッパ２ａおよび犠牲層３の全面上に、振動膜４を
約５００ｎｍ成膜する。振動膜４にはシリコン窒化膜を用いることが一般的であるが、その他の材料を用いてもよい。シリコン窒化膜の形成は先のエッチストッパ２ａ，２ｂと同様の条件である。そして、振動膜４に対して通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３２】
図５（Ｄ）に示すように、シリコン基板１（エッチストッパ２ａ）および振動膜４の全面上に、減圧ＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜を約５００ｎｍ成膜する。その後、ポリシリコン膜に対して通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。この結果、静電用電極５ａ、配線５ｂ、及び電極パッド部分が所定のパターンを有して形成される。
【００３３】
図５（Ｅ）に示すように、耐金レジストマスクをパターニング形成した後、スパッタ法を用いてその開口部に金ナノ粒子（粒径：約２〜３ｎｍ）を約２０ｎｍの厚みで形成する。その後、耐金レジストマスクを除去することにより、振動膜４とシリコン基板１（エッチストッパ２ａ）の上にそれぞれ歪抵抗素子６ａ〜６ｄが形成される。
【００３４】
次に、図６（Ａ）に示すように、塗布法によって配線５ｂおよび歪抵抗素子６ｃ，６ｄなどを覆うように保護膜７を形成する。そして、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。ここでの不要な部分とは、振動膜４の開口部だけでなく電極パッド部分を含む。引き続き、電極パッド部分に歪抵抗素子６ａ〜６ｄとの接続用電極パッド１３ａ〜１３ｄや静電用電極５ａとの接続用電極パッド１３ｅを形成する。電極パッド部分には、アルミニウム、銅、金などの低抵抗金属膜が特に適している。形成方法としては、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いる方法もあるが、いわゆるめっきレジスト法やレジストエッチオフ方などの技術を適用してもよい。
【００３５】
図６（Ｂ）に示すように、シリコン基板１の裏面側のエッチストッパプ２ｂに対して通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３６】
図６（Ｃ）に示すように、パターニングされたエッチストッパ２ａをマスクとして用いて水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）などのアルカリエッチング液で等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、図５（Ａ）の工程において成膜したエッチストッパ２ａで自動的にエッチングストップされる。これにより、シリコン基板１に基板開口部８が形成される。
【００３７】
図６（Ｄ）に示すように、シリコン基板１の裏面側からこの開口した部分のエッチストッパ２ａをエッチング液（例えば、リン酸）やドライエッチにより除去する。その後に、シリコン基板１の裏面側からＨＦを用いて犠牲層３を除去する。このようにしてセンサ部２０が形成される。
【００３８】
最後に、図２に示すように、絶縁体１１によって上部側と下部側の筐体に電気的に絶縁分離された筐体９を用意し、その筐体９の内部に設けた固定台１２の上にセンサ部２０を搭載する。これにより、センサ部２０の静電用電極５ａは、電極９ａ（上部側の筐体）と電極９ｂ（下部側の筐体）との間に挟まれるように位置し、それぞれと対峙するように配置され、本発明のセンサ装置が形成される。
【００３９】
以上説明した実施形態のセンサ装置によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）振動膜４は初期状態（検出圧力が加わっていない状態）において、静電気力により電極９ａ側に移動し、凸状に湾曲した状態となる。この状態で外圧（検出圧力）が加わり振動膜４が変形（振動）するので、検出圧力が正圧の場合や負圧の場合を含めて歪抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗が連続的に変動（増加あるいは減少）するようになる。このため、電
気信号として連続的な出力が得られ、外圧の絶対圧を検出することができる。
（２）振動膜４は、上部側の筐体の電極９ａとの間に発生する静電気力と、下部側の筐体の電極９ｂとの間に発生する斥力とによって湾曲するようになるので、各制御電極（静電用電極５ａおよび電極９ａ，９ｂ）に印加する電圧の低電圧化が可能となる。
（３）筐体９自体に電極としての機能を持たせたことによって、静電用電極５ａと対峙する各電極と筐体９との間に生じる空間（隙間）をなくすことができるので、振動膜４（静電用電極５ａ）と筐体９との間隔を狭めることが可能となる。このため、センサ装置の薄型化を実現することができる。
（４）静電気力によって振動膜４の移動量Ｈを調整することができるので、圧力検出のための歪抵抗素子６ａ，６ｂを歪−抵抗の線型性がある領域において振動膜４を変動させるようにすることができる。このため、高精度に外圧を検出することが可能となり、センサ装置の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
なお、上記実施形態では、電極９ａおよび電極９ｂの両方に所定の電圧を印加し、静電気力と斥力によって振動膜４を電極９ａ側に移動させる例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、電極９ａのみに電圧を印加し、静電気力のみによって振動膜４を電極９ａ側に湾曲させてもよい。
【００４１】
上記実施形態では、静電気力（および斥力）により振動膜４を電極９ａ側に移動させ、振動膜４を電極９ａ側に対して凸状に湾曲した状態にした例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、電極９ａと電極９ｂに印加する電圧を互いに入れ替わるように設定し、斥力（および静電気力）により振動膜４を電極９ｂ側に移動させ、振動膜４を電極９ａ側に対して凹状に湾曲した状態してもよい。この場合も同様に、電気信号として連続的な出力が得られ、外圧の絶対圧を検出することができる。また、電極９ａのみに電圧を印加し、斥力のみによって振動膜４を電極９ｂ側に湾曲させてもよい。
【００４２】
上記実施形態では、静電気力（および斥力）を発生させていない状態（無印加状態）において振動膜４が平面状態である例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、振動膜４の内部応力により無印加状態において振動膜４が凸状もしくは凹状となっていてもよい。このような場合でも、振動膜４を静電気力により所望の湾曲状態に調整できるので、センサ装置の安定性が増加し信頼性が向上する。
【００４３】
上記実施形態において、筐体９自体に電極としての機能を持たせた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、静電用電極５ａに対峙する電極９ａ，９ｂを筐体９とは別に設けてもよい。この場合、先の実施形態に示し上記（３）のセンサ装置の薄型化の効果を享受することはできなくなるものの、それ以外の上記（１）、（２）、及び（４）の効果を享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係るセンサ装置の構成を示す概略上面図。
【図２】図１のセンサ装置のＸ−Ｘ’線に沿った断面図。
【図３】本実施形態によるセンサ装置の動作を説明するための断面図。
【図４】（Ａ）圧力（空気の粗密波）を空気圧が一定のサイクルで変化する正弦波と仮定した場合の空気圧と時間の関係、（Ｂ）従来のセンサ装置において圧力を電気信号に変換した際の出力信号と時間との関係、（Ｃ）本実施形態のセンサ装置において圧力を電気信号に変換した際の出力信号と時間との関係。
【図５】（Ａ）〜（Ｅ）本発明の実施形態に係るセンサ装置の製造プロセスを示す断面図。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）本発明の実施形態に係るセンサ装置の製造プロセスを示す断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・シリコン基板、２ａ・・・エッチストッパ、４・・・振動膜、５ａ・・・静電用電極、５ｂ・・・配線、６ａ〜６ｄ・・・歪抵抗素子、７・・・保護膜、８・・・基板開口部、９・・・筐体、９ａ・・・電極（上部側の筐体）、９ｂ・・・電極（下部側の筐体）、１０・・・筐体ホール、１１・・・絶縁体、１２・・・固定台、１３ａ〜１３ｅ・・・電極パッド、２０・・・センサ部
【図１】
2007309807.tif 000003
【図２】
2007309807.tif 000004
【図３】
2007309807.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007309807.tif 000007
【図６】
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