(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、処理室内のどの部位にある基板に対しても処理ガスの流速分布の均一性を向上させる。    【解決手段】  積層載置された所要数の基板を収納する処理室２０１と、処理ガスを前記処理室に供給し、前記基板の積層方向に延在するガスノズル１７と、前記処理室を排気する排気手段２４０とを具備し、前記ガスノズルは積層方向に沿って複数のガス供給孔２４８ｃを有し、更に該ガス供給孔は前記積層方向と交差する方向に１以上設けられ、隣接するガス供給孔同士の内角が０°〜所定角度で設定され、前記内角は積層方向で２以上の角度で設定される。    【選択図】          図３
2007027425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層載置された所要数の基板を収納する処理室と、処理ガスを前記処理室に供給し、前記基板の積層方向に延在するガスノズルと、前記処理室を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルは積層方向に沿って複数のガス供給孔を有し、更に該ガス供給孔は前記積層方向と交差する方向に１以上設けられ、隣接するガス供給孔同士の内角が０°〜所定角度で設定され、前記内角は積層方向で２以上の角度で設定されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の基板に、薄膜生成処理、拡散処理、アニール処理等の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置には、一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置がある。基板処理装置は、基板処理を行う処理室を画成する処理管、即ち石英製の反応管を具備し、処理室に基板を収納し、基板を処理温度に加熱維持した状態で、処理ガスを導入しつつ排気し、処理圧力に維持した状態で、薄膜の生成等の処理を行う。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置に使用される反応管は、上端が閉塞された円筒形状をしており、反応管内部に基板保持具（ボート）により水平姿勢で多段に保持された基板を収納する。前記反応管内部には、石英製の各種細管が設けられ、図６に示す様に細管の１つに処理ガスを導入する為の処理ガス供給ノズル１が設けられ、前記反応管の下部には排気口が設けられている。
【０００４】
該処理ガス供給ノズル１は、前記反応管の内壁面に沿って立設され、前記処理ガス供給ノズル１のボートに対向する部分に所要数の処理ガス供給口２が穿設されている。図６に示される様に、該処理ガス供給口２は、同一の口径を有し、前記処理ガス供給ノズル１の軸心に沿って一列等間隔に設けられている。
【０００５】
基板処理が行われる場合は、基板がボートに積層載置され、基板を保持したボートが処理室内に装入され、処理室内が気密に密閉されると共に基板が加熱される。処理室内が排気され処理圧に減圧され、前記処理ガス供給ノズル１より処理ガスが供給されつつ、排気口から排気され、基板に薄膜の生成等所要の処理がなされる。
【０００６】
バッチ処理する複数枚の基板を均一に処理するには、基板表面を流れる処理ガスの流速分布がボートのどの部位にある基板、即ち処理室内のどの部位にある基板に対しても均一であることが必要となる。
【０００７】
従来の基板処理装置に於ける前記処理ガス供給ノズル１は、ノズル全長に亘って均等に処理ガスが吐出される様に、又処理ガスの吐出状態が一様になる前記処理ガス供給口２が設けられている。
【０００８】
一方、基板処理状態では処理ガスが供給されつつ排気されるが、排気口は反応管の下部に設けられた排気口、１箇所のみである。この為、前記処理ガス供給ノズル１から吐出されたガスは、下部の排気口に向って流れる傾向を有し、反応室の上部の圧力が低くなり、又下部になる程圧力が高くなる傾向を有する。
【０００９】
この為、従来の基板処理装置では反応室の上部に位置する基板では、基板の中央部のガス供給量が周辺部に比べ多くなり、中央部の膜厚が厚くなる傾向を有し、基板内での膜厚均一性が悪くなっていた。更に、反応室上部ではガスが流れ易く、基板の中央部を多く流れ、下部では流れにくく幅広く均等に流れ易くなるという傾向を有す為、基板間に於ける膜厚均一性も悪くなっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は斯かる実情に鑑み、処理室内のどの部位にある基板に対しても処理ガスの流速分布の均一性を向上させるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、積層載置された所要数の基板を収納する処理室と、処理ガスを前記処理室に供給し、前記基板の積層方向に延在するガスノズルと、前記処理室を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルは積層方向に沿って複数のガス供給孔を有し、更に該ガス供給孔は前記積層方向と交差する方向に１以上設けられ、隣接するガス供給孔同士の内角が０°〜所定角度で設定され、前記内角は積層方向で２以上の角度で設定される基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、積層載置された所要数の基板を収納する処理室と、処理ガスを前記処理室に供給し、前記基板の積層方向に延在するガスノズルと、前記処理室を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルは積層方向に沿って複数のガス供給孔を有し、更に該ガス供給孔は前記積層方向と交差する方向に１以上設けられ、隣接するガス供給孔同士の内角が０°〜所定角度で設定され、前記内角は積層方向で２以上の角度で設定されるので、吐出される処理ガスは炉心に対して離反する方向の分力が与えられ、分散が促進され、基板全面に亘る流速の均一化が図れるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１４】
先ず、本発明が実施される基板処理装置について、図１により概略を説明する。
【００１５】
図１中、３は基板処理装置の筐体を示しており、該筐体３の内部前側には、外部搬送装置に対してカセット４の授受を行うカセット授受ステージ５が設けられ、該カセット授受ステージ５の後側にカセット棚６が設けられている。該カセット棚６と前記カセット授受ステージ５との間には、前記カセット棚６と前記カセット授受ステージ５との間でカセット４を搬送を行うカセット搬送装置７が設けられている。又、前記カセット授受ステージ５の上方には予備カセット棚１０が設けられている。
【００１６】
前記筐体３の後側上方には処理炉８が設けられ、該処理炉８は処理室を画成する石英製の反応管９及び該反応管９を収納する様に設けられるヒータ１１を具備している。前記処理炉８の下方にボートエレベータ１４が設けられ、該ボートエレベータ１４はシールキャップ２０を介してボート１３を載置し、該ボート１３を昇降させることで、前記処理炉８に前記ボート１３を装脱させる様になっている。該ボート１３は石英製であり、該ボート１３には基板（以下ウェーハ）１２が水平姿勢で多段に装填（積層載置）され、該ウェーハ１２は前記ボート１３に保持された状態で処理される。前記ボートエレベータ１４と前記カセット棚６との間には該カセット棚６の所定位置の前記カセット４と降下状態の前記ボート１３との間で前記ウェーハ１２を移載する基板移載装置１５が設けられている。
【００１７】
又、前記ボートエレベータ１４上部側方には、前記処理炉８の炉口部を閉塞する遮蔽部材としての炉口シャッタ１６が設けられ、前記ボート１３が降下状態で前記炉口部を閉塞する様になっている。
【００１８】
前記反応管９の内部には処理ガス供給ノズル１７が前記反応管９壁面に沿って設けられ、又該反応管９には排気管１８を介して排気ポンプ１９が接続され、該排気ポンプ１９には配管２１を介して排ガス除害装置２２が接続されている。
【００１９】
所定数（例えば２５枚）の前記ウェーハ１２が装填された前記カセット４は、図示しない外部搬送装置から前記カセット授受ステージ５に前記ウェーハ１２が上向き姿勢で搬入され、該ウェーハ１２が水平姿勢となる様、前記カセット授受ステージ５で９０°回転させられる。更に、前記カセット４は、前記カセット搬送装置７の昇降動作、横行動作、進退動作、回転動作の協働により前記カセット授受ステージ５から前記カセット棚６又は前記予備カセット棚１０に搬送される。
【００２０】
前記カセット棚６には前記基板移載装置１５の搬送対象となる前記カセット４が収納される移載棚があり、前記ウェーハ１２が移載に供される前記カセット４は前記カセット搬送装置７により前記移載棚に移載される。
【００２１】
前記カセット４が前記移載棚に移載されると、前記基板移載装置１５の進退動作、回転動作、昇降動作の協働により、前記移載棚から降下状態の前記ボート１３に前記ウェーハ１２を移載する。
【００２２】
前記ボート１３に所定枚数（例えば１００枚）の前記ウェーハ１２が移載されると前記ボートエレベータ１４により前記ボート１３が前記処理炉８に装入され、前記シールキャップ２０により前記処理炉８が気密に閉塞される。気密に閉塞された該処理炉８内では、前記ウェーハ１２が加熱されると共に処理ガスが前記処理炉８内に供給され、前記ウェーハ１２に処理がなされる。
【００２３】
該ウェーハ１２への処理が完了すると、処理済の前記ウェーハ１２は上記した作動の逆の手順により、前記ボート１３から前記移載棚の前記カセット４に移載され、該カセット４は前記カセット搬送装置７により前記移載棚から前記カセット授受ステージ５に移載され、図示しない外部搬送装置により前記筐体３の外部に搬出される。尚、前記炉口シャッタ１６は、前記ボート１３が降下状態の際に前記処理炉８の下面を塞ぎ、外気が該処理炉８内に巻込まれるのを防止している。
【００２４】
前記カセット搬送装置７の搬送動作、前記ボートエレベータ１４の昇降動作、前記基板移載装置１５の移載動作、前記処理炉８の加熱制御等は、制御部２３により制御される。
【００２５】
次に、本発明の実施の形態に於ける、ウェーハ等の基板へのプロセス処理例としてＣＶＤ法の中の１つであるＡＬＤ法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。
【００２６】
ＡＬＤ法は、所要の成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（又はそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００２７】
例えば、ＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合、ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ジクロルシラン）とＮＨ3 （アンモニア）を用いて３００℃〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。又、ガス供給は、複数種類の反応ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応ガス供給のサイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）
【００２８】
以下、前記処理炉８について図２、図３を参照して具体的に説明する。
【００２９】
加熱手段である前記ヒータ１１の内側に、前記反応管９が設けられ、該反応管９の下端開口（炉口）は蓋体である前記シールキャップ２０により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、前記ヒータ１１、前記反応管９、及び前記シールキャップ２０により前記処理炉８を構成している。
【００３０】
前記シールキャップ２０には石英キャップ２１８を介して基板保持手段である前記ボート１３が立設され、前記石英キャップ２１８は前記ボート１３を保持する保持具となっている。該ボート１３は前記ボートエレベータ１４により処理室２０１に装入される。前記ボート１３にはバッチ処理される複数の前記ウェーハ１２が水平姿勢で管軸方向に多段に装填される。前記ヒータ１１は前記処理室２０１に装入された前記ウェーハ１２を所定の温度に加熱する。
【００３１】
前記処理室２０１へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂが設けられ、第１のガス供給管２３２ａからは流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する前記処理室２０１内に形成されたバッファ室２３７を介して前記処理室２０１に第１の反応ガス（第１の処理ガス）が供給される。
【００３２】
第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂを介し、更に後述する前記処理ガス供給ノズル１７を介して前記処理室２０１に第２の反応ガス（第２の処理ガス）が供給されている。前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ等は処理ガス供給系２３０を構成する。
【００３３】
前記反応管９の下部には排気口２３１が開口され、該排気口２３１にガスを排気する前記排気管１８が接続され、該排気管１８により第３のバルブ２４３ｃを介して排気手段である前記排気ポンプ１９に接続され、真空排気される様になっている。前記第３のバルブ２４３ｃは弁を開閉して前記処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。前記排気管１８、前記排気ポンプ１９等により排気系２４０が構成される。
【００３４】
前記反応管９の内壁と前記ウェーハ１２との間に形成される円弧状の空間には、前記反応管９の下部より上部の内壁に管軸方向に沿って、ガス分散空間である前記バッファ室２３７が設けられており、該バッファ室２３７の前記ウェーハ１２に対峙する壁面にはガスを供給する第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。該第１のガス供給孔２４８ａは前記反応管９の中心へ向けて開口している。前記第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部に亘ってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００３５】
前記バッファ室２３７の前記第１のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が前記反応管９の下部より上部に亘り管軸に沿って配設されている。前記ノズル２３３には反応ガスを供給する複数の供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。該第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積は、前記バッファ室２３７と前記処理室２０１の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
【００３６】
前記第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流側にかけて調節することで、該各第２のガス供給孔２４８ｂよりガスの流速の差はあるが、流量は略同量である反応ガスを噴出させる。そして該各第２のガス供給孔２４８ｂから噴出するガスを前記バッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、前記反応ガスの流速差の均一化を行うこととした。
【００３７】
前記バッファ室２３７に於いて、前記各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出した反応ガスは前記バッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、前記第１のガス供給孔２４８ａより前記処理室２０１に噴出する。前記各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出した反応ガスが、前記各第１のガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
【００３８】
前記バッファ室２３７に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が上部より下部に亘って電極を保護する保護管である電極保護管２７５に保護されて配設され、前記第１の棒状電極２６９又は前記第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。前記第１の棒状電極２６９と前記第２の棒状電極２７０間に高周波電力が印加され、高周波電力の印加状態が制御部１２４で制御されることで、前記第１の棒状電極２６９及び前記第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。
【００３９】
前記電極保護管２７５は、前記第１の棒状電極２６９及び前記第２の棒状電極２７０のそれぞれを前記バッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態で該バッファ室２３７に挿入できる構造となっている。前記電極保護管２７５の内部が外気（大気）と同一雰囲気であると、該電極保護管２７５にそれぞれ挿入された前記第１の棒状電極２６９及び前記第２の棒状電極２７０は前記ヒータ１１の加熱で酸化されてしまう。従って、前記電極保護管２７５の内部は窒素等の不活性ガスを充填或はパージし、酸素濃度を充分低く抑えて前記第１の棒状電極２６９又は前記第２の棒状電極２７０の酸化を防止する為の不活性ガスパージ機構が設けられる。
【００４０】
前記第１のガス供給孔２４８ａの位置より、前記反応管９の内周を１２０°程度回った内壁に、前記処理ガス供給ノズル１７が設けられている。該処理ガス供給ノズル１７は、ＡＬＤ法による成膜に於いて前記ウェーハ１２へ複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、前記バッファ室２３７とガス供給孔を分担する処理ガス供給部である。
【００４１】
前記処理ガス供給ノズル１７は内部にガス溜め２４９を画成し、又前記処理ガス供給ノズル１７の中心に向いた面には処理ガスを噴出する第３のガス供給孔２４８ｃが設けられている。前記ガス溜め２４９の下部には前記第２のガス供給管２３２ｂが接続されている。
【００４２】
前記処理ガス供給ノズル１７について、図４、図５に於いて説明する。
【００４３】
該処理ガス供給ノズル１７には軸心に沿って上下方向に所定ピッチで前記第３のガス供給孔２４８ｃが穿設されており、図４に見られる如く、下部２５１では一列、下中間部２５２、上中間部２５３、上部２５４では２列となっており、又前記下中間部２５２、前記上中間部２５３、前記上部２５４と上方に行く程、列間（水平方向に隣接する第３のガス供給孔２４８ｃ間の間隔）の内角θが大きくなっており、全体的にはＶ字状となっている。
【００４４】
尚、前記内角θは前記下中間部２５２、前記上中間部２５３、前記上部２５４では２列となっており、又下中間部２５２、上中間部２５３、上部２５４と段階的に大きく設定したが、前記内角θは連続的に変化させてもよい。又、変化させるθの値は、０°〜所定の角度の範囲で設定される。前記内角θの設定に於いては、実験、或は処理実績等が考慮される。又、前記内角θの変化は上方から下方に向って増大してもよく、更に前記第３のガス供給孔２４８ｃのピッチを上下で異ならせてもよい。
【００４５】
前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記電極保護管２７５等、前記反応管９に用いられる細管は、洗浄等が考慮され、内径が８ｍｍ以上の管が使用される。又、前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記電極保護管２７５、前記排気管１８が設けられる範囲は、前記反応管９の下部、円周略１８０°の範囲に設けられる。
【００４６】
前記反応管９内の中央部には前記ボート１３が収納され、該ボート１３は前記ボートエレベータ１４により前記反応管９に装脱される様になっている。又、処理の均一性を向上する為に前記ボート１３を回転する為の回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、該ボート回転機構２６７を駆動することにより、前記ボート１３を回転する様になっている。
【００４７】
制御手段である前記制御部２３は、前記第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ、前記第１〜第３のバルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ、前記ヒータ１１、前記排気ポンプ１９、前記ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構、前記高周波電源２７３、前記整合器２７２に接続されており、前記第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂの流量調整、前記第１、第２のバルブ２４３ａ，２４３ｂの開閉動作、前記第３のバルブ２４３ｃの開閉及び圧力調整動作、前記ヒータ１１の温度調節、前記排気ポンプ１９の起動・停止、前記ボート回転機構２６７の回転速度調節、前記ボート昇降機構の昇降動作制御、前記高周波電源２７３の電力供給制御、前記整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。
【００４８】
次にＡＬＤ法による成膜例について、ＤＣＳ及びＮＨ3 ガスを用いてＳｉＮ膜を成膜する例で説明する。
【００４９】
先ず成膜しようとする前記ウェーハ１２を前記ボート１３に装填し、前記処理炉８に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００５０】
［ステップ１］
ステップ１では、プラズマ励起の必要なＮＨ3 ガスと、プラズマ励起の必要のないＤＣＳガスとを並行して流す。
【００５１】
先ず前記第１のガス供給管２３２ａに設けた前記第１のバルブ２４３ａ、及び前記排気管１８に設けた前記第３のバルブ２４３ｃを共に開けて、前記第１のガス供給管２３２ａから前記第１のマスフローコントローラ２４１ａにより流量調整されたＮＨ3 ガスを前記ノズル２３３の前記第２のガス供給孔２４８ｂから前記バッファ室２３７へ噴出し、前記第１の棒状電極２６９及び前記第２の棒状電極２７０間に前記高周波電源２７３から前記整合器２７２を介して高周波電力を印加してＮＨ3 をプラズマ励起し、活性種として前記処理室２０１に供給しつつ前記排気管１８から排気する。
【００５２】
ＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として流す時は、前記第３のバルブ２４３ｃを適正に調整して前記処理室２０１内圧力を１０〜１００Ｐａとする。前記第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御するＮＨ3 の供給流量は１０００〜１００００ｓｃｃｍである。ＮＨ3 をプラズマ励起することにより得られた活性種に前記ウェーハ１２を晒す時間は２〜１２０秒間である。この時の前記ヒータ１１の温度は前記ウェーハ１２が３００℃〜６００℃になる様設定してある。ＮＨ3 は反応温度が高い為、上記ウェーハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流す様にしており、ウェーハ温度は設定した低い温度範囲のままで処理を行える。
【００５３】
ＮＨ3 をプラズマ励起することにより活性種として供給している時、前記第２のガス供給管２３２ｂの前記第２のバルブ２４３ｂを閉める。この時、前記処理室２０１内に流しているガスはＮＨ3 をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、ＤＣＳは存在しない。従って、ＮＨ3 は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったＮＨ3 は前記ウェーハ１２上の下地膜と表面反応する。
【００５４】
［ステップ２］
ステップ２では、前記第１のガス供給管２３２ａの前記第１のバルブ２４３ａを閉めて、ＮＨ3 の供給を止め、前記排気管１８の前記第３のバルブ２４３ｃは開いたままにして前記排気ポンプ１９により、前記処理室２０１を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ3 を該処理室２０１から排除する。この時、Ｎ2 等の不活性ガスを該処理室２０１に供給すると、更に残留ＮＨ3 を排除する効果が高まる。
【００５５】
［ステップ３］
ステップ３では、前記処理室２０１の排気が終わったら前記排気管１８の前記第３のバルブ２４３ｃを閉じて排気を止める。前記第２のガス供給管２３２ｂの前記第２のバルブ２４３ｂを開く。これによりＤＣＳが前記処理室２０１に供給される。この時前記排気管１８の前記第３のバルブ２４３ｃが閉じられているので、前記処理室２０１内の圧力は急激に上昇して約９３１Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）迄昇圧される。ＤＣＳを供給する為の時間は２〜４秒に設定し、その後前記ウェーハ１２を上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を２〜４秒に設定し、合計６秒とした。この時のウェーハ温度はＮＨ3 の供給時と同じく、３００℃〜６００℃である。ＤＣＳの供給により、下地膜上のＮＨ3 とＤＣＳとが表面反応して、前記ウェーハ１２上にＳｉＮ膜が成膜される。成膜後、前記第２のバルブ２４３ｂを閉じ、前記第３のバルブ２４３ｃを開けて前記処理室２０１を真空排気し、残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。又、この時にはＮ2 等の不活性ガスを前記処理室２０１に供給すると、更に残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを前記処理室２０１から排除する効果が高まる。
【００５６】
前記処理ガス供給ノズル１７からの処理ガスの供給について、該処理ガス供給ノズル１７の下部２５１では一列の前記第３のガス供給孔２４８ｃから、前記下中間部２５２、前記上中間部２５３、前記上部２５４では２列の前記第３のガス供給孔２４８ｃから、而も上方に向って内角θが大きくなっているので、噴出する処理ガスは炉心方向と離反する方向の分力を与えられ、分力は上方に位置するガス供給孔２４８ｃになる程大きくなる様に設定されるので、処理ガスのウェーハ表面に対する流速分布が前記処理室２０１下部、上部に拘らず、均一化される。
【００５７】
而して、上記ステップ１〜３を１サイクルとし、該サイクルを複数回繰返すことによりウェーハ１２上に所定膜厚のＳｉＮ膜を成膜する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る縦型の基板処理炉の概略構成図である。
【図３】同前本実施の形態に係る縦型の基板処理炉の概略平断面図である。
【図４】同前本実施の形態に使用される処理ガス供給ノズルの概略正面図である。
【図５】該処理ガス供給ノズルの平断面図である。
【図６】従来の処理ガス供給ノズルの概略正面図である。
【符号の説明】
【００５９】
８              処理炉
９              反応管
１１            ヒータ
１２            ウェーハ
１３            ボート
１４            ボートエレベータ
１５            基板移載装置
２３            制御部
２０１          処理室
２３０          処理ガス供給系
２４０          排気系
２４８ｃ        第３のガス供給孔
２４９          ガス溜め
【図１】
2007027425.tif 000003
【図２】
2007027425.tif 000004
【図３】
2007027425.tif 000005
【図４】
2007027425.tif 000006
【図５】
2007027425.tif 000007
【図６】
2007027425.tif 000008