(57)【要約】【課題】本発明は、誤動作を防止し、信頼性を向上することが可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード１００は、外部装置と接続して信号を入出力するための入出力端子１、内部端子２、および、基板配線３が表面に設けられるとともに、この基板配線３を絶縁保護するための樹脂であるソルダレジスト４が設けられた回路基板５と、回路基板５上に載置されるとともに内部端子２と電気的に接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリ６と、少なくとも内部端子２を被覆するように回路基板５上に設けられ、内部端子２を外部から絶縁するための絶縁性シール７と、を備えている。ソルダレジスト４の表面の高さよりも低い位置に絶縁性シール７の外周部が接着されている。【選択図】図３
2007241727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置と接続して使用する半導体メモリカードにおいて、
前記外部装置と接続して信号を入出力するための入出力端子、内部端子、および、基板配線が上面に設けられるとともに、前記基板配線を絶縁保護するための樹脂が設けられた回路基板と、
前記回路基板の下面に載置されるとともに前記内部端子と電気的に接続され、所望のデータを記憶する半導体メモリと、
少なくとも前記内部端子を被覆するように前記回路基板上に設けられ、前記内部端子を外部から絶縁するための絶縁性シールと、を備え、
前記樹脂の上面の高さよりも低い位置に前記絶縁性シールの外周部が接着されていることを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記絶縁性シールの少なくとも外周部が前記回路基板の上面に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
前記絶縁性シールの少なくとも外周部が前記内部端子の上面に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記絶縁性シールの外周部の上面の高さが前記樹脂の上面の高さ以下であることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
前記回路基板の前記絶縁性シールで被覆された範囲内に前記半導体メモリと電気的に接続されたスルーホール配線が設けられ、
前記内部端子は、前記スルーホール配線と接続されていることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の半導体メモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリを搭載した半導体メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリチップを内蔵した半導体メモリカードが広く使用されている。この半導体メモリカードは、外部装置であるデジタル機器のソケットに挿入することによって、当該デジタル機器の内部回路とのアクセスが行われ、データの書き込みや読み出しが実行されるものである。
【０００３】
従来の半導体メモリカードには、例えば、上部に開口部が形成されたベースカードと、所望のデータを記憶する半導体メモリ含み、上面にこの半導体メモリと電気的に接続されるとともに外部装置に接続して信号を入出力するための入出力端子が形成され、この入出力端子が開口部を介して露出するようにベースカード内に載置された半導体パッケージと、ベースカードの上部に接着され、入出力端子の少なくとも一部が露出するように半導体パッケージを被覆するシール状のラベルとを備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このような構成により、半導体パッケージのベースカードからの離脱を防止するとともに、半導体パッケージ内への汚染源や水分の侵入を抑制する。
【０００５】
そして、例えば、半導体メモリカードの組立工程で搭載した半導体メモリにプログラム等を書き込み、または、搭載した半導体メモリに不具合がないかテストを行うための内部端子についても同様に、組立工程のテストが終了した後に絶縁性のシール（ラベル）が貼り付けられる。このように、ユーザ使用時に不要な内部端子を外部から絶縁することにより、半導体メモリカードの誤動作等を防止している。
【０００６】
しかし、上記従来技術では、例えば、外部装置等と半導体メモリカードの絶縁性シール端部が接触すると引っかかりが起こる場合がある。この引っかかりが起こるとシール端部の貼り付け部に応力が集中し、シール剥がれが生じ得る。これにより、このシールが剥がれた部分で該内部端子が露出し得る。
【０００７】
そして、例えば、このシールが剥がれた部分に外部回路の端子等が接触すると、該内部端子に不要な信号が入力され、半導体メモリカードが誤動作する等して信頼性が低下し得るという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−３４６１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、誤動作を防止し、信頼性を向上することが可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体メモリカードは、
外部装置と接続して使用する半導体メモリカードにおいて、
前記外部装置と接続して信号を入出力するための入出力端子、内部端子、および、基板配線が上面に設けられるとともに、前記基板配線を絶縁保護するための樹脂が設けられた回路基板と、
前記回路基板の下面に載置されるとともに前記内部端子と電気的に接続され、所望のデータを記憶する半導体メモリと、
少なくとも前記内部端子を被覆するように前記回路基板上に設けられ、前記内部端子を外部から絶縁するための絶縁性シールと、を備え、
前記樹脂の上面の高さよりも低い位置に前記絶縁性シールの外周部が接着されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードによれば、誤動作を防止し、信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。以下の実施例では、特に、外部装置の外部端子と接続して使用する半導体メモリカードとしてＳＤカードＴＭに適用した場合について説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。また、図２は、本発明の一態様である実施例１に係る絶縁性シールを接着した半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ面に沿った半導体メモリカードの断面を示す断面図である。
【００１３】
図１ないし図３に示すように、半導体メモリカード１００は、外部装置（図示せず）と接続して信号を入出力するための入出力端子１、内部端子２、および、基板配線３ａ、３ｂが表面に設けられるとともに、この基板配線３ａ、３ｂを絶縁保護するための樹脂であるソルダレジスト４が設けられた回路基板５と、この回路基板５上に載置されるとともに内部端子２と電気的に接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリ６と、少なくとも内部端子２を被覆するように回路基板５上に設けられ、内部端子２を外部から絶縁するための絶縁性シール７と、を備えている。
【００１４】
入出力端子１は、外部装置の端子との接触性を向上させるために、例えば、金メッキが施されている。この入出力端子１と外部装置の外部端子（図示せず）と接続することにより、半導体メモリ６と当該外部装置との間の所定のデータの送受信ができるようになっている。
【００１５】
内部端子２は、ここでは半導体メモリカード１００の製造者により使用される。例えば、製造者は、半導体メモリカード１００の組立工程で搭載した半導体メモリ６にプログラム等をこの内部端子２から書き込みし、また、搭載した半導体メモリ６に不具合がないかテストするための信号をこの内部端子２から入出力する。そして、製造者によるこれらの作業の終了後、既述のように、内部端子２は絶縁性シール７により外部から絶縁される。このようにして、ユーザ使用時に不要な内部端子を外部から絶縁し、半導体メモリカード１００の誤動作等を防止している。
【００１６】
基板配線３ａは、入出力端子１や、回路基板５の上面側に設けられた他の素子、スルーホール配線（図示せず）等と接続されている。
【００１７】
また、基板配線３ｂは、例えばワイヤボンディングにより半導体メモリ６と接続され、また、回路基板５の下面側に設けられた他の素子、スルーホール配線（図示せず）等と接続されている。
【００１８】
回路基板５の絶縁性シール７で被覆された範囲内には、基板配線３ｂを介して半導体メモリ６と電気的に接続されたスルーホール配線８が設けられている。このスルーホール配線８は、ソルダレジスト４で被覆されていない基板配線９を介して内部端子２に接続されている。これにより、内部端子２から半導体メモリ６への所望の信号の入出力を行うことができる。なお、このスルーホール配線８は、例えば、回路基板５の上面側に形成された基板配線３ａに接続されてもよい。
【００１９】
半導体メモリ６は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性の半導体メモリが選択される。この半導体メモリ６は、接着層１０により回路基板５の下面側でソルダレジスト４に接着されている。この半導体メモリ６は、コントローラチップ（図示せず）により制御され、入出力端子１または内部端子２から入力されたデータを記憶し、また、記憶したデータを入出力端子１または内部端子２から出力する。
【００２０】
そして、この半導体メモリ６は、回路基板５に接着された状態で、封止樹脂１１により封止され、外部から絶縁されている。
【００２１】
絶縁性シール７は、例えば、厚さ２０μｍ〜１５０μｍの厚さを有する樹脂シートに接着剤をコートしたものが選択され、この絶縁性シール７を回路基板５に貼り付けることにより内部端子２を外部から絶縁する。
【００２２】
この絶縁性シール７の外周部７ｂとソルダレジスト４との間の距離は、例えば、絶縁性シール７の寸法精度、および、絶縁性シール７の貼り付け精度を考慮し、１００μｍ〜２００μｍが選択される。既述のように、基板配線９はスルーホール配線８と接続されているため、回路基板５の上面５ａのうち、これらの絶縁性シール７およびソルダレジスト４により被覆されていない部分には、基板配線９は配線されていない。これにより、基板配線９が外部に露出しないので、不要な信号が基板配線９から入力されるのを防止することができる。
【００２３】
そして、絶縁性シール７の外周部７ｂは、ソルダレジスト４の上面４ａの高さよりも低い位置に接着されている。ここでは、絶縁性シール７の少なくとも外周部７ｂは、回路基板５の上面５ａに接着されている。すなわち、ソルダレジスト４に絶縁性シール７を貼り付ける場合と比較して、絶縁性シール７の外周部７ｂの高さが低くなる。これにより、外部装置等と絶縁性シール７の外周部７ｂが接触しても引っかかりが小さくなり、貼り付け部分への応力の集中が抑制され、結果として、絶縁性シール７の剥がれを抑制することができる。
【００２４】
さらに、絶縁性シール７の外周部の上面７ａの高さをソルダレジスト４の上面４ａの高さ以下に調整することにより、外部装置等と絶縁性シール７の外周部７ｂと引っかかりをより小さくすることができる。ここでは、例えば、絶縁性シール７の膜厚に１００μｍを選択した場合には、ソルダレジスト４は１００μｍ以上の膜厚を有するように回路基板５上に形成される。
【００２５】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、絶縁性シールの外周部を回路基板の上面に接着し、絶縁性シールの高さを低くして絶縁性シールの剥がれを抑制するので、外部装置の端子等と内部端子との接触を防止し、内部端子への不要な信号の入力が防止されることにより、誤動作を防止し信頼性の向上を図ることができる。
【実施例２】
【００２６】
実施例１では、絶縁性シールの外周部を回路基板の上面に接着し、絶縁性シールの高さを低くする構成について述べたが、本実施例では、絶縁性シールの外周部を内部端子の上面に接着し、絶縁性シールの高さを低くする構成について述べる。
【００２７】
図４は、本発明の一態様である実施例２に係る半導体メモリカード２００の要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００２８】
図４に示すように、内部端子２２が被覆されるべき領域の外周に配置されている。そして、絶縁性シール２７がこの内部端子２２を被覆するように回路基板５上に設けられている。この絶縁性シール２７の少なくとも外周部２７ｂが内部端子２２の上面２２ａに接着されている。ここで、ソルダレジスト４の上面４ａの高さは、内部端子２２の上面２２ａの高さよりも高くなるように設定されている。すなわち、ソルダレジスト４に絶縁性シール２７を貼り付ける場合と比較して、絶縁性シール２７の外周部２７ｂの高さが低くなる。これにより、外部装置等と絶縁性シール２７の外周部２７ｂが接触しても引っかかりが小さくなり、貼り付け部分への応力の集中が抑制され、結果として、絶縁性シール２７の剥がれを抑制することができる。
【００２９】
さらに、絶縁性シール２７の外周部２７ｂの上面２７ａの高さをソルダレジスト４の上面４ａの高さ以下に調整することにより、外部装置等と絶縁性シール２７の外周部２７ｂと引っかかりをより小さくすることができる。
【００３０】
なお、内部端子２２が離間して配置されている場合は、この離間した領域で絶縁性シール２７の外周部２７ｂと回路基板５の上面５ａとが接着されてもよい。
【００３１】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、絶縁性シールの外周部を内部端子２の上面に接着し、絶縁性シールの高さを低くして絶縁性シールの剥がれを抑制するので、外部装置の端子等と内部端子との接触を防止し、内部端子への不要な信号の入力が防止されることにより、誤動作を防止し信頼性の向上を図ることができる。
【実施例３】
【００３２】
実施例１および２では、内部端子とスルーホール配線を接続する基板配線を有する構成について述べたが、回路基板の絶縁性シールで被覆されていない部分に基板配線が露出しないように、内部端子とスルーホール配線とを直接接続するようにしてもよい。本実施例では、直接内部端子とスルーホール配線が接続された構成について述べる。
【００３３】
図５は、本発明の一態様である実施例３に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。また、図６は、図５のＢ−Ｂ面に沿った半導体メモリカードの絶縁性シールを接着した状態の断面を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００３４】
図５に示すように、内部端子３２がスルーホール配線８を介して回路基板５の下側の基板配線３ｂに接続されている。なお、内部端子３２はスルーホール配線を介して回路基板５の上面側の基板配線３ａに接続されていてもよい。
【００３５】
そして、絶縁性シール３７の少なくとも外周部３７ｂは、回路基板５の上面５ａに接着されている。すなわち、ソルダレジストに絶縁性シールを貼り付ける場合と比較して、絶縁性シール３７の外周部３７ｂの高さが低くなる。これにより、実施例１と同様に、絶縁性シール７の剥がれを抑制することができる。
【００３６】
さらに、絶縁性シール３７の外周部の上面３７ａの高さをソルダレジスト４の上面４ａの高さ以下に調整することにより、外部装置等と絶縁性シール３７の外周部３７ｂと引っかかりをより小さくすることができる。
【００３７】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、絶縁性シールの外周部を回路基板の上面に接着し、絶縁性シールの高さを低くして絶縁性シールの剥がれを抑制するので、外部装置の端子等と内部端子との接触を防止し、内部端子への不要な信号の入力が防止されることにより、誤動作を防止し信頼性の向上を図ることができる。
【実施例４】
【００３８】
実施例１ないし３では、半導体メモリを載置する回路基板が半導体メモリカードの外形  となる構成について述べたが、実施例１ないし３の構成をカバーケースに収納してもよい。本実施例では、回路基板をカバーケースに収納する構成について述べる。
【００３９】
図７は、本発明の一態様である実施例４に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００４０】
図７に示すように、半導体メモリカード４００は、樹脂で形成され、上部が開口したカバーケース１２と、このカバーケース１２内に載置され、入出力端子１が表面に設けられるとともに、基板配線を絶縁保護するための樹脂であるソルダレジスト４が設けられた回路基板５と、この回路基板５上に載置された半導体メモリを封止する封止樹脂と、少なくとも内部端子を被覆するように回路基板５上に設けられ、内部端子を外部から絶縁するための絶縁性シール４７と、を備えている。
【００４１】
カバーケース１２と封止樹脂１１とは接着剤により接着されている。このように、回路基板５をカバーケース１２に収納することにより、半導体メモリカード４００の絶縁性や衝撃等に対する耐性を向上することができる。
【００４２】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、実施例１ないし３の作用・効果を奏するとともに、より信頼性の向上を図ることができる。
【００４３】
なお、以上の各実施例においては、半導体メモリが回路基板の下面側に設けられている場合について説明したが、上面側または両面側に設けられている場合についても適用できる。
【００４４】
また、以上の各実施例においては、ソルダレジストと絶縁性シールとの間には、貼り付け精度等を考慮し、所望の間隔を有する場合について説明したが、この間隔を狭くし、または、ソルダレジストの端部と絶縁性シールの端部とを接触させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の一態様である実施例１に係る絶縁性シールを接着した半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ面に沿った半導体メモリカードの断面を示す断面図である。
【図４】本発明の一態様である実施例２に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一態様である実施例３に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す上面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ面に沿った半導体メモリカードの絶縁性シールを接着した状態の断面を示す断面図である。
【図７】本発明の一態様である実施例４に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  入出力端子
２  内部端子
３ａ、３ｂ  基板配線
４  ソルダレジスト
５  回路基板
６  半導体メモリ
７  絶縁性シール
８  スルーホール配線
９  基板配線
１０  接着層
１１  封止樹脂
１２  カバーケース
２２、３２  内部端子
２７、３７、４７  絶縁性シール
１００、２００、３００、４００  半導体メモリカード
【図１】
2007241727.tif 000003
【図２】
2007241727.tif 000004
【図３】
2007241727.tif 000005
【図４】
2007241727.tif 000006
【図５】
2007241727.tif 000007
【図６】
2007241727.tif 000008
【図７】
2007241727.tif 000009