(57)【要約】【課題】  電気特性のばらつきの発生を抑制することができる多層回路基板の製造方法、多層回路基板、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。【解決手段】多層回路基板３０の製造方法は、フィルム状の基板３１の上に、液滴吐出法を用いて配線材料を塗布させて、配線材料を乾燥させて配線層３２、３４、３６を形成する工程と、基板３１の上に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布させて、絶縁材料を乾燥させて絶縁層５１、５２、５４、５６、５８を形成する工程と、これら配線層３２、３４、３６と、絶縁層５１、５２、５４、５６、５８とを一括焼成する工程と、を有する。【選択図】      図３
2007088004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、配線層と、絶縁層とを交互に積層させて多層回路基板を製造する方法であって、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて配線材料を塗布し、前記配線材料を乾燥させて前記配線層を形成する工程と、
前記基板上に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料を乾燥させて前記絶縁層を形成する工程と、
前記配線層と、前記絶縁層とを一括焼成する工程と、
を有することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線層を形成する工程では、前記配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の多層回路基板の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載の多層回路基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板の製造方法、多層回路基板、及び電気光学装置、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路または集積回路などに使われる配線を有する多層回路基板の製造には、例えば、液滴吐出法などが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１に開示されているように、液滴吐出ヘッドから液体材料である機能液を液滴状に吐出する液滴吐出法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている。この方法は、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液を基板に配置して、その後、熱処理などを行って薄膜の導電性を有する配線層を形成する。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３０９３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記従来の方法では、配線層を形成する都度、熱処理を行うものであったから、基板の上層と下層とに形成された配線層のうち基板に近い層では複数回の熱処理をすることになる。そして、基板の上層と下層とに形成された配線層は、熱履歴に差が生じることになる。その結果、配線層の強度や、電気特性にばらつきを生じてしまうことがあった。そして、配線層の電気特性にばらつきが生じると、電気光学装置や、この電気光学装置を搭載している電子機器の動作も不安定になる恐れがあった。
【０００６】
本発明の目的は、電気特性のばらつきの発生を抑制することができる多層回路基板の製造方法、多層回路基板、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の多層回路基板の製造方法は、基板上に、配線層と、絶縁層とを交互に積層させて多層回路基板を製造する方法であって、前記基板上に、液滴吐出法を用いて配線材料を塗布し、前記配線材料を乾燥させて前記配線層を形成する工程と、前記基板上に、液滴吐出法を用いて絶縁材料を塗布し、前記絶縁材料を乾燥させて前記絶縁層を形成する工程と、前記配線層と、前記絶縁層とを一括焼成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、基板の上層と下層とに形成された配線層と、配線層間に形成された絶縁層とを一括で焼成するので、基板の上層と下層に形成された配線層の熱履歴が同じになるから、膜質をほぼ均一にできるので、電気特性の安定した配線層を形成できる。同様に、絶縁層の膜質もほぼ均一にできるから、絶縁特性の良好な絶縁層を形成できる。その結果、電気特性のばらつきを抑制することが可能な多層回路基板を形成できる。しかも、焼成工程が一回になり、従来方法より焼成回数を少なくできるから、処理時間を短縮できるので、効率的である。
【０００９】
本発明の多層回路基板の製造方法は、前記配線層を形成する工程では、前記配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることで、配線材料中の溶媒を加熱することなく除去できるから、配線材料に熱応力を与えることなく乾燥させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の配線層を形成できる。
【００１１】
本発明の多層回路基板の製造方法は、前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることで、絶縁材料を加熱することなく光反応によって乾燥できるから、絶縁材料に熱応力を与えることなく硬化させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の絶縁層を形成できる。
【００１３】
本発明の多層回路基板は、前述の多層回路基板の製造方法を用いて形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、電気特性の安定した配線層や、絶縁特性の良好な絶縁層を形成できるから、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板を提供できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置は、前述の多層回路基板を備えていることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板を有しているので、電気特性の安定した電気光学装置を提供できる。
【００１７】
本発明の電子機器は、前述の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、電気特性の安定した電気光学装置を有しているので、信頼性の高い電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の多層回路基板の形成方法、多層回路基板、及び電気光学装置並びに電子機器について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
【００２０】
（実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む機能液を液滴状に吐出し、基板上に複数の導電膜からなる配線を形成する場合の例を用いて説明する。ここで、本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出法で用いられる配線材料、絶縁材料、基板、液滴吐出法、液滴吐出装置について順次説明する。
＜配線材料について＞
【００２１】
配線材料としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２２】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２３】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２４】
上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
＜絶縁材料について＞
【００２５】
絶縁材料としては、形成時には液滴として吐出可能な液状であり、その後固形化可能なものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を除去するようにしたもの、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、樹脂溶液、微粒子分散液等種々の樹脂や微粒子を挙げることができる。
【００２６】
絶縁材料としては、一般的にポリイミド、アクリル樹脂、ノボラック系樹脂等の有機材料が使用される。上記の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、メチルメタクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を採用することができる。
【００２７】
絶縁材料は、接触させる樹脂や溶液に溶解あるいは反応してはいけないため、吐出後に光または熱により硬化する硬化性樹脂であることが好ましい。
【００２８】
このような光硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、光重合開始剤に光を照射することにより発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、光重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００２９】
また、熱硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、熱重合開始剤に熱を加えることにより発生するイオンまたはラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、熱重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００３０】
また、ワニスのように樹脂の溶液では、ポリイミドのようにあらかじめ耐熱性の優れたポリマーを溶解させておき、乾燥により析出させることで、光や熱で硬化させることなく、採用することができる。
【００３１】
また、耐熱性と優れた光透過性を獲得できるという点で、微粒子分散液を採用することもできる。微粒子としては、シリカ、アルミナ、チタニア、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、アクリル樹脂、有機シリコーン樹脂、ポリスチレン、尿素樹脂、ホルムアルデヒド縮合物などの微粒子が挙げられ、これらのうちの一種が用いられ、あるいは複数種が混合されて用いられる。微粒子を採用した場合は、乾燥により堆積することで凝集させ、絶縁層として使用することができる。また、粒子間および基板粒子間で密着性を向上させるため、粒子表面に感光性あるいは感熱性の表面処理を施してもよい。
【００３２】
上記絶縁材料の液滴は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。これらの表面張力調節材は、塗布対象物への濡れ性の制御を可能とし、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
【００３３】
このようにして調製した絶縁材料の液滴の粘度は、１〜５０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染され易く、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。より好ましくは５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
【００３４】
さらに、このようにして調製した絶縁材料の液滴の表面張力は、０．０２〜０．０７Ｎ／ｍの範囲に入ることが望ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲がりが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため液滴の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
＜基板について＞
【００３５】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板、ガラスエポキシ基板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
＜液滴吐出法について＞
【００３６】
ここで、液滴吐出法の吐出技術は様々あるが、オンデマンドで微細な配線パターンが形成可能であるので、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３８】
次に、本発明に係る多層回路基板を製造する際に用いられる製造装置について説明する。この製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することにより多層回路基板を製造する液滴吐出装置が用いられる。
＜液滴吐出装置について＞
【００３９】
図１は、液滴吐出装置１０の斜視図である。図１において、Ｘ方向はベース１２の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド２０と、基板３１を載置するテーブル４６とを主として構成されている。なお、液滴吐出装置１０の動作は、制御装置２３により制御されるように構成されている。
【００４０】
基板３１を載置するテーブル４６は、第１移動手段１４によりＹ方向に移動および位置決め可能とされ、モータ４４によりθｚ方向に揺動および位置決め可能とされている。一方、液滴吐出ヘッド２０は、第２移動手段によりＸ方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ６２によりＺ方向に移動および位置決め可能とされている。また液滴吐出ヘッド２０は、モータ６４，６６，６８により、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決め可能とされている。これにより、液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド２０のインク吐出面２０Ｐと、テーブル４６上の基板３１との相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるように構成されている。
【００４１】
図２は、液滴吐出ヘッド２０の断面図である。液滴吐出ヘッド２０は、液滴吐出方式により液体２１をノズル９１から吐出するものである。液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いて液体材料を吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。そこで、図２に示す液滴吐出ヘッド２０には、上述したピエゾ方式が採用されている。
【００４２】
液滴吐出ヘッド２０のヘッド本体９０には、リザーバ９５およびリザーバ９５から分岐された複数の液体室９３が形成されている。リザーバ９５は、各液体室９３に液体２１を供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の下端面には、吐出面を構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、液体２１を吐出する複数のノズル９１が、各液体室９３に対応して開口されている。そして、各液体室９３から対応するノズル９１に向かって、流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の上端面には、振動板９４が装着されている。この振動板９４は、各液体室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各液体室９３に対応して、ピエゾ素子９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路９９に接続されている。
【００４３】
そして、駆動回路９９からピエゾ素子９２に電圧を印加すると、ピエゾ素子９２が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子９２が収縮変形すると、液体室９３の圧力が低下して、リザーバ９５から液体室９３に液体２１が流入する。またピエゾ素子９２が膨張変形すると、液体室９３の圧力が増加して、ノズル９１から液体２１が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子９２への印加電圧を制御することにより、液体２１の吐出条件を制御できるように構成されている。
【００４４】
なお、図１に示すキャッピングユニット２２は、液滴吐出ヘッド２０における吐出面２０Ｐの乾燥を防止するため、液滴吐出装置１０の待機時に吐出面２０Ｐをキャッピングするものである。またクリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド２０におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するものである。なおクリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド２０における吐出面２０Ｐの汚れを取り除くため、吐出面２０Ｐのワイピングを行うことも可能である。
【００４５】
次に、本実施形態の多層回路基板の形成方法を用いて製造される多層回路基板の一例について説明する。
【００４６】
図３は、多層回路基板３０の説明図である。図３に示すように、多層回路基板３０は、下層の配線層３２と上層の配線層３６とが、絶縁層５４を介して構成されている。多層回路基板３０は、ポリイミド等で構成された可撓性を有するフィルム基板３１を備えている。フィルム基板３１の表面に、絶縁層５１が形成されている。絶縁層５１は、アクリル系紫外線硬化性樹脂などの電気絶縁性材料によって構成されている。
【００４７】
絶縁層５１の表面に、配線層３２が形成されている。配線層３２は、Ａｇ等の導電性材料である。なお、絶縁層５１の表面における配線層３２の非形成領域には、絶縁層５２が形成されている。そして、液滴吐出方式を採用することにより、配線層３２のライン×スペースは、例えば３０μｍ×３０μｍ程度に微細化されている。
【００４８】
また、配線層３２を覆うように、絶縁層５４が形成されている。絶縁層５４も、絶縁層５１と同様の樹脂材料である。そして、配線層３２の一部から、絶縁層５４を貫通するように、配線層３４（導通ポスト）が円柱状に形成されている。配線層３４（導通ポスト）は、配線層３２と同じＡｇ等の導電性材料である。
【００４９】
絶縁層５４の表面には、上層の配線層３６が形成されている。上層の配線層３６も、下層の配線層３２と同様に、Ａｇ等の導電性材料である。そして、上層の配線層３６は、導通ポスト３４の上端部に接続されており、下層の配線層３２との導通が確保されている。
【００５０】
また、絶縁層５４の表面における配線層３６の非形成領域には、絶縁層５６が形成されている。さらに、配線層３６を覆うように、保護膜としての絶縁層５８が形成されている。これらの絶縁層５６および絶縁層５８も、絶縁層５１と同様の樹脂材料である。
【００５１】
なお、本実施形態では、２層の配線層３２、３６を備えた多層回路基板３０の例を説明したが、これに限定されることはなく、３層以上の配線層を備えた構成にすることも可能である。
【００５２】
次に、本実施形態の多層回路基板の形成方法について説明する。図４（ａ）〜（ｄ）及び、図５（ｅ）〜（ｈ）は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図である。図６は、本実施形態に係る多層回路基板の形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る多層回路基板の形成方法は、基板洗浄工程、絶縁層形成工程１、配線層形成工程１、配線層形成工程２、絶縁層形成工程２、絶縁層形成工程３、配線層形成工程３、絶縁層形成工程４、絶縁層形成工程５、一括焼成工程の各工程に概略構成される。以下、各工程について詳細に説明する。
【００５３】
図６のステップＳ１の基板洗浄工程では、フィルム状の基板３１を洗浄する。基板３１の洗浄方法は、ＵＶを利用した乾式洗浄方法である。具体的には、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶ光をフィルム状の基板３１の表面に約３００秒照射する。なお、フィルム状の基板３１の表面に常圧でプラズマを照射することで洗浄してもよい。また、ＵＶ光を利用した乾式洗浄方法を採用したが、これにこだわることはなく、水などの溶媒でフィルム状の基板３１を洗浄してもかまわない。水などの溶媒を利用するときには、超音波を用いると、より洗浄効果を向上させることができる。
【００５４】
次に、図６のステップＳ２の絶縁層形成工程１では、図４（ａ）に示すように、絶縁層５１を形成する。絶縁層５１の形成方法は、液滴吐出装置１０を用い、絶縁材料を液滴として液滴吐出ヘッド２０から基板３１の上に吐出して、配置させる。この配置させた絶縁材料をＵＶ硬化法で硬化させることによって、絶縁層５１を基板３１の上に形成する。具体的なＵＶ硬化条件は、波長３６５ｎｍのエキシマＵＶ光を約４秒間照射した。つまり、加熱することなく絶縁材料を硬化させて、絶縁層５１を約４μｍの厚さに形成した。
【００５５】
次に、図６のステップＳ３の配線層形成工程１では、図４（ｂ）に示すように、配線層３２を形成する。配線層３２の形成方法は、液滴吐出装置１０を用い、配線材料を液滴として液滴吐出ヘッド２０から絶縁層５１上に吐出して、配置させる。この配置させた配線材料を減圧乾燥法で乾燥させることによって、配線材料の中の溶媒を除去して、配線層３２を絶縁層５１の上に形成する。具体的な減圧乾燥条件は、減圧時の圧力を１０〜１００Ｐａの範囲に設定して約３００秒間減圧した。つまり、加熱することなく配線材料を乾燥させて、配線層３２を約２μｍの厚さに形成した。
【００５６】
次に、図６のステップＳ４の配線層形成工程２では、図４（ｃ）に示すように、配線層３２の上に配線層３４（導通ポスト）を形成する。なお、導通ポスト３４の形成方法は、配線層３２の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、配線層３４（導通ポスト）を約８μｍの高さに形成した。
【００５７】
次に、図６のステップＳ５の絶縁層形成工程２では、図４（ｄ）に示すように、配線３２と略同じ高さになるように絶縁層５１の上に絶縁層５２を形成する。絶縁層５２を配線３２と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。なお、絶縁層５２の形成方法は、絶縁層５１の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層５２を約２μｍの厚さに形成した。
【００５８】
次に、図６のステップＳ６の絶縁層形成工程３では、図５（ｅ）に示すように、配線層３４（導通ポスト）と略同じ高さになるように絶縁層５２の上に絶縁層５４を形成する。絶縁層５４を配線層３４（導通ポスト）と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。この時、上層と下層との導通を得るために、導通ポスト３４の上端部は絶縁層５４によって被覆されない状態とする。なお、絶縁層５４の形成方法は、絶縁層５１の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層５４を約８μｍの厚さに形成した。
【００５９】
次に、図６のステップＳ７の配線層形成工程３では、図５（ｆ）に示すように、導通ポスト３４と導通が得られるように絶縁層５４の上に配線層３６を形成する。配線層３６の形成方法は、配線層３２の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、配線層３６は配線層３４（導通ポスト）と電気的に接続される。そして、配線層３６を約２μｍの厚さに形成した。
【００６０】
次に、図６のステップＳ８の絶縁層形成工程４では、図５（ｇ）に示すように、配線３６と略同じ高さになるように絶縁層５４の上に絶縁層５６を形成する。絶縁層５６を配線層３６と略同じ高さになるように形成するのは、平坦性を保持するためである。なお、絶縁層５６の形成方法は、絶縁層５１の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層５６を約２μｍの厚さに形成した。
【００６１】
次に、図６のステップＳ９の絶縁層形成工程５では、図５（ｈ）に示すように、配線層３６と絶縁層５６とを覆うように、保護膜としての絶縁層５８を形成する。なお、絶縁層５８の形成方法は、絶縁層５１の形成方法と同じであるので、説明を省略する。そして、絶縁層５８を約８μｍの厚さに形成した。
【００６２】
最後に、図６のステップＳ１０の一括焼成工程では、フィルム状の基板３１上に積層された配線層３２、３４、３６と、絶縁層５１、５２、５４、５６、５８とを一括焼成する。なお、焼成処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行うこともできる。焼成処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、配線材料、絶縁材料に対して、大気中クリーンオーブンにて２００℃で約６０分間の焼成処理を行った。以上により配線層３２、３４、３６は、微粒子間の電気的接触が確保される。
【００６３】
このような焼成処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上、５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、図３に示すような多層回路基板３０を得た。
＜電気光学装置＞
【００６４】
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
【００６５】
図７は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
【００６６】
図７に示すように、液晶表示装置５００は、本実施形態で説明した多層回路基板３０を備えている。そして、液晶表示装置５００は、カラー表示用の液晶パネル２と、液晶パネル２に接続される多層回路基板３０と、多層回路基板３０に実装される液晶駆動用ＩＣ１００などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル２に付設される。なお、液晶表示装置５００は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）構造である。
【００６７】
液晶パネル２は、シール材４によって接着された一対の基板５ａ及び基板５ｂを有し、これらの基板５ａと基板５ｂとの間に形成される間隙（セルギャップ）に液晶が封入され、封入された液晶は、基板５ａと基板５ｂとによって挟持される。これらの基板５ａ及び基板５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成される。基板５ａ及び基板５ｂの外側表面には偏光板６ａが貼り付けられている。
【００６８】
また、基板５ａの内側表面には電極７ａが形成され、基板５ｂの内側表面には電極７ｂが形成される。これらの電極７ａ、７ｂは、例えばＩＴＯ（（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される。基板５ａは基板５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子８が形成されている。これらの端子８は、基板５ａ上に電極７ａを形成するときに電極７ａと同時に形成される。従って、これらの端子８は、例えばＩＴＯによって形成される。これらの端子８には、電極７ａから一体に延びるもの、及び導電材（図示省略）を介して電極７ｂに接続されるものが含まれる。
【００６９】
一方、多層回路基板３０の表面には、本実施形態に係る配線パターンの形成方法により、配線パターン３９ａ、３９ｂが形成されている。すなわち、多層回路基板３０の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン３９ａが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン３９ｂが形成されている。これらの入力用配線パターン３９ａおよび出力用配線パターン３９ｂの中央側の端部には、電極パッド（図示省略）が形成されている。
【００７０】
多層回路基板３０の表面には、液晶駆動用ＩＣ１００が実装されている。具体的には、多層回路基板３０の表面に形成された複数の電極パッドに対して、液晶駆動用ＩＣ１００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ・Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ・Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）１６０を介して接続されている。このＡＣＦ１６０は、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板３０の表面に液晶駆動用ＩＣ１００を実装することにより、いわゆるＣＯＦ構造が実現されている。
【００７１】
そして、液晶駆動用ＩＣ１００を備えた多層回路基板３０が、液晶パネル２の基板５ａに接続されている。具体的には、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂが、ＡＣＦ１４０を介して、基板５ａの端子８と電気的に接続されている。なお、多層回路基板３０は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。
【００７２】
上記のように構成された液晶表示装置５００では、多層回路基板３０の入力用配線パターン３９ａを介して、液晶駆動用ＩＣ１００に信号が入力される。すると、液晶駆動用ＩＣ１００から、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂを介して、液晶パネル２に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル２において画像表示が行われるようになっている。
＜電子機器＞
【００７３】
次に、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。
【００７４】
図８は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。
【００７５】
図８に示すように、携帯電話１０００は、表示部１００１を備えている。携帯電話１０００の表示部１００１には、本実施形態の多層回路基板３０を備えた電気光学装置としての液晶表示装置５００を搭載している。したがって、電気的な信頼性に優れた携帯電話１０００を提供することができる。
【００７６】
以上のような実施形態では、次のような効果が得られる。
【００７７】
（１）配線層３２、３４、３６と、絶縁層５１、５２、５４、５６、５８とを一括で焼成するので、熱履歴が同じになるから、膜質をほぼ均一にできるので、電気特性の安定した配線層３２、３４、３６を形成できる。同様に、絶縁層５１、５２、５４、５６、５８の膜質もほぼ均一にできるから、絶縁特性の良好な絶縁層５１、５２、５４、５６、５８を形成できる。その結果、電気特性のばらつきを抑制することが可能な多層回路基板３０を形成できる。しかも、焼成工程が一回になることで、従来方法より焼成回数を少なくできるから、処理時間を短縮できるので、効率的である。
（２）配線材料の乾燥手段が、減圧乾燥法であることで、配線材料中の溶媒を加熱することなく除去できるから、配線材料に熱応力を与えることなく乾燥させることができるので、加熱乾燥法に比べて均一な膜質の配線層３２、３４、３６を形成できる。
（３）絶縁材料の乾燥手段が、光照射法であることで、絶縁材料を加熱することなく光反応によって乾燥できるから、絶縁材料に熱応力を与えることなく硬化させることができるので、加熱乾燥に比べて均一な膜質の絶縁層５１、５２、５４、５６、５８を形成できる。
（４）電気特性の安定した配線層３２、３４、３６や、絶縁特性の良好な絶縁層５１、５２、５４、５６、５８を形成できるから、電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板３０を提供できる。
（５）電気特性のばらつきを低減することが可能な多層回路基板３０を有しているので、電気特性の安定した電気光学装置としての液晶表示装置５００を提供できる。
（６）電気特性の安定した電気光学装置としての液晶表示装置５００を有しているので、信頼性の高い電子機器としての携帯電話１０００を提供できる。
【００７８】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造及び形状に設定できる。
【００７９】
（変形例１）前述の第実施形態で、多層回路基板３０を電気光学装置としての液晶表示装置５００に用いたが、これに限定されない。例えば、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有する装置の他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換する装置等も含まれている。すなわち、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ-Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）装置や無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた表示装置（Ｆｉｅｌｄ・Ｅｍｉｓｓｉｏｎ・ＤｉｓｐｌａｙおよびＳｕｒｆａｃｅ-Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ・Ｅｌｅｃｔｒｏｎ-Ｅｍｉｔｔｅｒ・Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの発光装置等に対しても、広く用いることが可能である。
【００８０】
（変形例２）前述の実施形態で、電気光学装置としての液晶表示装置５００を携帯電話１０００に用いたが、これに限定されない。例えば、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、電気的な信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】実施形態の液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】液滴吐出ヘッドの断面図。
【図３】多層回路基板の説明図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図。
【図５】（ｅ）〜（ｈ）は、多層回路基板を形成する手順の製造工程を示す工程断面図。
【図６】多層回路基板の形成方法を示すフローチャート。
【図７】液晶表示装置の分解斜視図。
【図８】携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【００８２】
１０…液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、３０…多層回路基板、３１…フィルム状の基板、３２…配線層、３４…配線層（導通ポスト）、３６…配線層、５１…絶縁層、５２…絶縁層、５４…絶縁層、５６…絶縁層、５８…絶縁層、５００…電気光学装置としての液晶表示装置、１０００…電子機器としての携帯電話。
【図１】
2007088004.tif 000003
【図２】
2007088004.tif 000004
【図３】
2007088004.tif 000005
【図４】
2007088004.tif 000006
【図５】
2007088004.tif 000007
【図６】
2007088004.tif 000008
【図７】
2007088004.tif 000009
【図８】
2007088004.tif 000010