(57)【要約】【課題】  結晶欠陥がないサブコレクタ層とすることにより、これより上層のベース層やエミッタ層への結晶欠陥の伝播を防止し、信頼性試験における電流利得βの低下を少なくした構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタとすること。【解決手段】  ＧａＡｓ基板１上に、気相成長法により、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなる少なくともサブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４及びエミッタ層５が順に積層形成され、そのサブコレクタ層、ベース層、エミッタ層の上にそれぞれ電極１１〜１３が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記サブコレクタ層２を、ＧａＡｓ基板１の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない低結晶欠陥のエピタキシャル層とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ基板上に、気相成長法により、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなる少なくともサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が順に積層形成され、そのサブコレクタ層、ベース層、エミッタ層の上にそれぞれ電極が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
上記サブコレクタ層を、ＧａＡｓ基板の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない低結晶欠陥のエピタキシャル層としたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
請求項１記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
上記ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓからなるサブコレクタ層、ＧａＡｓからなるコレクタ層、ＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓからなるエミッタ層を積層形成したことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
上記ＧａＡｓ基板とサブコレクタ層との間に、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなるバッファ層を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項４】
請求項３記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
上記バッファ層が、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの複数層、ＧａＡｓとＩｎＧａＰの複数層のいずれかから成ることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）、特にＧａＡｓ基板上にＧａＡｓサブコレクタ層を有するＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系ＨＢＴ及びＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系ＨＢＴにおいて、長期通電した場合の電流利得βの低下を防止する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓなどの化合物半導体は、Ｓｉ（シリコン）半導体に比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長を生かして、ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓは高速動作や高効率動作を要求されるデバイスに多く用いられている。これらのデバイスの代表例としてＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）が挙げられる。ＨＢＴは電源が正電源だけで良く、携帯用電話送信用等マイクロ波通信の増幅器として広く用いられている。
【０００３】
ＨＢＴのおおまかな構造を図４に示す。ＨＢＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に結晶成長したサブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６及びノンアロイコンタクト層７を有する。
【０００４】
半絶縁性ＧａＡｓ基板１は単結晶成長するための下地である。サブコレクタ層２は金属電極とのオーミックコンタクトを形成するキャリア濃度の大きなｎ型のＧａＡｓ層である。コレクタ層３はベース層から電子を引き抜く働きを持つキャリア濃度の小さなｎ型のＧａＡｓ層である。ベース層４は電流を制御する働きを持つｐ型のＧａＡｓ層からなる。エミッタ層５は電子をベース層に注入し、かつベース層４からの正孔の注入を抑止する働きを持つｎ型のＩｎＧａＰ層からなる。エミッタコンタクト層６は金属電極とのオーミックコンタクトを形成するキャリア濃度の大きなｎ型のＧａＡｓ層である。ノンアロイコンタクト層７は金属電極とのオーミックコンタクトを形成するキャリア濃度の大きなｎ型のＩｎＧａＡｓ層である。
【０００５】
ＨＢＴおいては、サブコレクタ層２の上にコレクタ電極１１が、ベース層４の上にベース電極１２が、そしてノンアロイコンタクト層７の上にエミッタ電極１３が形成される。エミッタ接地の場合は、コレクタ電極１１に正の電圧を印加し、ベース電極１２よりベース電流Ｉｂを信号入力として流し、出力となるコレクタ電流Ｉｃを制御する。
【０００６】
測定回路は、このＨＢＴのエミッタ電極１３とベース電極１２との間にエミッタ電極１３がアース側になるように可変電源Ｖｂを接続し、可変電源Ｖｂの陽極とコレクタ電極１１との間に電流計２１を挿入し、可変電源Ｖｂの陽極とベース電極との間に電流計２２を挿入したものである。可変電源Ｖｂによりエミッタ−ベース間の電圧を増加させれば、コレクタ電流Ｉｃはベース電流Ｉｂで増幅される。この電流増幅率がＨＢＴの基本的特性である電流利得βであり、コレクタ電流とベース電流の比（Ｉｃ／Ｉｂ）で表される。
【０００７】
このようなＨＢＴにおいて、今まではエミッタ層やベース層に着目して、結晶性やそれらの界面の改善を図ることで、素子の信頼性を向上させようと試みられてきた。従って、基板とその上に最初に成長するエピタキシャル層との界面については殆ど研究がなされておらず、多くの場合、上記の如く基板上に特に何もせずに直ちにサブコレクタ層を成長していた。
【０００８】
しかし、半導体基板上に特に何もせずに、直ちにサブコレクタ層を成長した場合、基板に潜在する欠陥がそのままエピタキシャル層にまで伝搬してしまう。このため、ＨＢＴの特性において重要なベース層やエミッタ層やその界面にまで、基板に起因した欠陥が伝搬してしまい、電流利得βを低下させ、これに伴って素子の信頼性も低下してしまう。
【０００９】
この問題を解決する方法として、従来、サブコレクタ層と基板との間に、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層もしくは組成の異なるＡｌＧａＡｓとＡｌＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層を設け、これにより、基板に起因した欠陥をエピタキシャル層中に伝搬しないようにしたＨＢＴ構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１５６９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１は、サブコレクタ層と基板との間にバッファ層を設けることにより、基板に起因した欠陥をエピタキシャル層中に伝搬しないようにするものである。すなわち、特許文献１は、バッファ層の存在を必須とする。
【００１１】
図４のような構造のＨＢＴを作製した場合、長期通電したときに電流利得βが低下するという信頼性低下の原因の一つとして、サブコレクタ層の結晶欠陥がある。サブコレクタ層に結晶欠陥があるとベース層やエミッタ層にも結晶欠陥が伝播する。結晶欠陥があると電子正孔が再結合することにより、長期通電した場合に電流利得βが低下する傾向があった。しかし、サブコレクタ層と基板との間にバッファ層を設けるのでは、そのための付加的な工程を必要とする。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、特にバッファ層が存在しなくとも、結晶欠陥がないサブコレクタ層とすることにより、これより上層のベース層やエミッタ層への結晶欠陥の伝播を防止し、信頼性試験における電流利得βの低下を少なくした構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１４】
請求項１の発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ基板上に、気相成長法により、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなる少なくともサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が順に積層形成され、そのサブコレクタ層、ベース層、エミッタ層の上にそれぞれ電極が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記サブコレクタ層を、ＧａＡｓ基板の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない低結晶欠陥のエピタキシャル層としたことを特徴とする。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓからなるサブコレクタ層、ＧａＡｓからなるコレクタ層、ＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓからなるエミッタ層を積層形成したことを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記ＧａＡｓ基板とサブコレクタ層との間に、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなるバッファ層を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項３記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記バッファ層が、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの複数層、ＧａＡｓとＩｎＧａＰの複数層のいずれかから成ることを特徴とする。
【００１８】
＜発明の要点＞
本発明は、特にバッファ層が介在させなくとも、基板に起因した欠陥がサブコレクタ層の表面欠陥として存在しなければよい、との考え方の下に、サブコレクタ層の欠陥をなくし、結晶欠陥の伝播により長期通電試験（以下信頼性試験と称する）で電流利得βが低下してしまう不都合を防止するものである。
【００１９】
その具体的手段は、ＧａＡｓ基板の転位（結晶欠陥）が伝播したサブコレクタ層の表面欠陥がエピタキシャルウエハ表面の１０００倍の光学顕微鏡観察において見えないような、結晶欠陥の少ないサブコレクタ層とするものである。１０００倍の光学顕微鏡観察において結晶欠陥が存在しないサブコレクタ層であれば、その上層のベース層やエミッタ層への結晶欠陥の伝播も阻止されている。従って、本発明においては、サブコレクタ層の下層にバッファ層が存在するか否かに関わらず、信頼性試験における電流利得βの低下を少なくした構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタが提供される。ただし、付加的にＧａＡｓ基板とサブコレクタ層との間にバッファ層を設けた構造とすることもできる。
【００２０】
上記のエピタキシャルウエハ表面の１０００倍の光学顕微鏡観察において表面欠陥が見えないという低結晶欠陥のサブコレクタ層を得るための製造上の条件は、例えばサブコレクタ層又はバッファ層の成長温度を調整し、又はＶ族原料とIII族原料との供給量比、いわゆるＶ／III比（ＡｓＨ3流量）を調整することで見出すことができる。従って、この製造条件が判明した以後にあっては、当該製造条件の下でサブコレクタ層を成長すればよく、特には光学顕微鏡観察を必要としないで、所望のＨＢＴ構造のエピタキシャル層を連続的に成長し、高信頼性のヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＧａＡｓ基板の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えないことを指標として、サブコレクタ層の欠陥を最小限にしたので、これによりヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性試験における電流利得βの低下を防止し、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００２３】
図１に実施形態に係るＨＢＴ用エピタキシャルウェハの層構造を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）によりエピタキシャル結晶成長したｎ型のＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ型のＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ型のＧａＡｓからなるベース層４、ｎ型のＩｎＧａＰ（又はＡｌＧａＡｓ）からなるエミッタ層５、エミッタコンタクト層６及びノンアロイコンタクト層７を有する。
【００２４】
このＨＢＴ用エピタキシャルウェハを表面観察した場合に、上記サブコレクタ層２は、ＧａＡｓ基板の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない、つまり結晶欠陥のないエピタキシャル層として形成されている。
【００２５】
サブコレクタ層２はコレクタ電極を形成するための層であるが結晶欠陥が存在する場合がある。その結晶欠陥は、ＧａＡｓ基板の転位欠陥が基板直上にあるサブコレクタ層を伝播して表面に析出したものである。点状に見える場合もあるし、集合体となってセル状に見える場合もある。表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない程度までサブコレクタ層２の結晶欠陥をなくせば、これより上層への伝播が防止されることから、信頼性試験において長期通電した場合に、信頼性試験における電流利得βの低下を防止することができる。
【００２６】
次に、このＨＢＴ用エピタキシャルウェハの成長方法を述べる。
【００２７】
図２に、このＨＢＴ用エピタキシャルウェハの具体的な縦断面構造を示す。結晶成長のことをエピタキシャルと言う。厚さの単位はｎｍ（１０-9ｍ）である。キャリア濃度の単位はｃｍ-3である。
【００２８】
エピタキシャル層を成長させる半絶縁性ＧａＡｓ基板１を、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長）装置のサセプタと呼ばれる基板保持具にセットし、成長炉内で加熱する。サセプタに基板をセットする際、均熱板と呼ばれる治具を基板上に載せる。均熱板は基板面内の温度分布を均一にする働きがある。
【００２９】
成長炉内の加熱された半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給すると、原料ガスが熱により分解し、基板上にエピタキシャル層が成長する。
【００３０】
サブコレクタ層２、コレクタ層３のｎ型ＧａＡｓを成長する場合には、Ｇａ原料のＧａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム）とＡｓ原料のＡｓＨ3（アルシン）及びｎ型ドーパントを半絶縁性ＧａＡｓ基板１に供給する。なお、Ｇａ原料として他にＧａ（ＣＨ3ＣＨ2）3（トリエチルガリウム）がある。Ａｓ原料としては他にＡｓ（ＣＨ3）3（トリメチル砒素）、ＴＢＡ（ターシャリーブチルアルシン）がある。ｎ型ドーパントの元素としてはＳｉ（珪素）やＳｅ（セレン）がある。Ｓｉ原料としてＳｉＨ4（モノシラン）、Ｓｉ2Ｈ6（ジシラン）がある。Ｓｅ原料としてはＨ2Ｓｅ（セレン化水素）がある。
【００３１】
ベース層４のｐ型ＧａＡｓを成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3及びｐ型ドーパントを半絶縁性ＧａＡｓ基板１に供給する。ｐ型ドーパントの元素としてはＣ（炭素）がある。Ｃ原料としては、ＣＢｒ4（テトラブロモメタン）、ＣＣｌ3Ｂｒ（ブロモトリクロロメタン）がある。
【００３２】
エミッタ層５のｎ型ＩｎＧａＰを成長する場合には、Ｉｎ原料のＩｎ（ＣＨ3）3（トリメチルインジウム）、Ｇａ（ＣＨ3）3とＰ原料のＰＨ3（ホスフィン）及びｎ型ドーパントを基板に供給する。なお、Ｐ原料として他にＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）、Ｉｎ原料として他にＩｎ（ＣＨ3ＣＨ2）3（トリエチルインジウム）がある。
【００３３】
希釈用ガスとしては、Ｈ2（水素）、Ｎ2（窒素）またはＡｒ（アルゴン）を用いる。
【００３４】
図２において、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、厚さ５００ｎｍ、キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層２が成長される。ここで、サブコレクタ層２は、ＧａＡｓ基板の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない、つまり結晶欠陥のないエピタキシャル層として形成される。
【００３５】
次いで、このサブコレクタ層２上に、Ｓｉドープによるキャリア濃度が２×１０16ｃｍ-3、厚さ８００ｎｍのｎ型ＧａＡｓコレクタ層３が成長され、その上に、Ｃドープによるキャリア濃度が４×１０19ｃｍ-3、厚さ１００ｎｍのｐ型ＧａＡｓベース層４が成長される。
【００３６】
さらに上記ｐ型ＧａＡｓベース層４の上には、Ｓｉドープによるキャリア濃度５×１０17ｃｍ-3、厚さ４０ｎｍのｎ型Ｉｎ0.56Ｇａ0.44Ｐエミッタ層５が成長される。そして、このエミッタ層５の上には、厚さ１００ｎｍ、Ｓｉドープによるキャリア濃度３×１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓエミッタコンタクト層６が成長され、このエミッタコンタクト層６の上に、厚さ１００ｎｍ、Ｓｅドープによるキャリア濃度１×１０19ｃｍ-3のｎ型ＩｎＧａＡｓノンアロイコンタクト層７が成長される。
【００３７】
このＨＢＴ用エピタキシャルウェハを用いてＨＢＴを構成する場合には、サブコレクタ層２、ベース層４、ノンアロイコンタクト層７に、それぞれ電極１１〜１３（図４参照）が設けられる。
【００３８】
図３は上記ＨＢＴ用エピタキシャルウェハから作製されたＨＢＴの信頼性を試験した結果を示すもので、サブコレクタ層２の表面欠陥が有る場合と無い場合を比較して示してある。欠陥の有無の判断基準としては、図２のＨＢＴ用エピタキシャルウェハの構造で、（１）５０ｍｍ×５０ｍｍの試験片、（２）エピタキシャル層表面を光学顕微鏡１０００倍で観察する事により欠陥が見える状態を“欠陥あり”とし、全く見えない状態を“欠陥なし”としている。
【００３９】
図３から分かるように、β２（欠陥あり）のＨＢＴについては５００時間を越えたところで電流利得βの顕著な低下が確認された。これに対し、１０００倍の光学顕微鏡観察で結晶欠陥がないβ１（欠陥なし）のＨＢＴについては、５００時間を越えて更に１０００時間に至っても電流利得βの顕著な低下は見られない。
【００４０】
要するに、従来技術を用いてＨＢＴを製作した場合、本発明よりも信頼性試験における電流利得βの低下が顕著である。本発明ではサブコレクタ層の欠陥を最小限にすることにより、信頼性試験における電流利得βの低下を防止し、歩留りの向上や製品自体の高寿命化などの効果が期待できる。
【実施例１】
【００４１】
本発明を図１のＨＢＴ用エピタキシャルウェハに適用した。成長時の基板温度は７００℃、成長炉内圧力は約９３３２．４Ｐａ（７０Ｔｏｒｒ）、希釈用ガスは水素である。基板には、ＧａＡｓ基板を用いた。
【００４２】
サブコレクタ層２、エミッタコンタクト層６のｎ+型ＧａＡｓ層の成長には、Ｇａ（ＣＨ3）3、及びＡｓＨ3、Ｓｉ2Ｈ6を用いた。それらの流量はそれぞれ９０ｃｍ3／分、１９ｃｍ3／分及び３４００ｃｍ3／分である。
【００４３】
コレクタ層３のｎ型ＧａＡｓ層の成長には、ｎ+型ＧａＡｓ層の成長に使用したＧａ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3及びＳｉ2Ｈ6を用いた。それらの流量はそれぞれ２００ｃｍ3／分、６４０ｃｍ3／分及び１７ｃｍ3／分である。
【００４４】
ベース層４のｐ型ＧａＡｓ層の成長には、Ｇａ（ＣＨ3ＣＨ2）3、ＡｓＨ3に加えてＣＢｒ4を用いた。それらの流量はそれぞれ５００ｃｍ3／分、１０ｃｍ3／分及び１７ｃｍ3／分である。
【００４５】
エミッタ層５のｎ型ＩｎＧａＰ層の成長には、Ｉｎ（ＣＨ3）3、Ｇａ（ＣＨ3ＣＨ2）3、ＰＨ3及びＳｉ2Ｈ6を用いた。これらの流量はそれぞれ２６０ｃｍ3／分、１３０ｃｍ3／分及び１．０ｃｍ3／分で、５０ｃｍ3／分である。
【００４６】
ノンアロイコンタクト層７のｎ型ＩｎＧａＡｓ層の成長には、Ｇａ（ＣＨ3ＣＨ2）3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、ＡｓＨ3に加えてＨ2Ｓｅを使用した。それらの流量はそれぞれ２００ｃｍ3／分、４００ｃｍ3／分及び１２０ｃｍ3／分で、３００ｃｍ3／分である。
【００４７】
上記条件で成長したＨＢＴについて、電流利得βの低下率と通電時間との関係を調べた。その結果を図３に示す。図中、β１（欠陥なし）として示すプロットの曲線が上記実施例のものであり、通電時間１０００時間が経過した時点においても、大きな電流利得βの低下は見られなかった。従来のβ２（欠陥あり）のＨＢＴについては、通電時間５００時間が経過した時点で、既に大きな電流利得βの低下が見られることからすると、本実施例のＨＢＴは従来の約２倍の寿命が得られていることが分かる。
【００４８】
本発明の目的は、信頼性試験における電流利得βの低下防止である。図２のＨＢＴ用エピタキシャルウエハから上記の如く製造したＨＢＴデバイス製品は、長期使用した場合に電流利得βの低下による動作不良がない製品となる。
【００４９】
＜他の実施形態例、変形例＞
上記実施形態では、ＧａＡｓ基板上に、気相成長法により、ＧａＡｓサブコレクタ層、ＧａＡｓコレクタ層、ＧａＡｓベース層及びＩｎＧａＰエミッタ層を積層形成し、そのサブコレクタ層、ベース層、エミッタ層の上にそれぞれ電極を形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば追加的にＧａＡｓ基板とサブコレクタ層との間に、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなるバッファ層を設けた構造とすることもできる。このバッファ層は、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの複数層、ＧａＡｓとＩｎＧａＰの複数層のいずれかにより構成することができる。
【００５０】
また上記実施形態では、エミッタ／ベース接合がＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合により構成されているＨＢＴについて説明したが、本発明は、エミッタ／ベース接合がＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合により構成されているＨＢＴについても適用することができる。その際、III族化合物半導体のＡｌ原料としては、Ａｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）やＡｌ（ＣＨ3ＣＨ2）3（トリエチルアルミニウム）を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態に係るＨＢＴ用エピタキシャルウェハの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るＨＢＴ用エピタキシャルウェハの構造を示す図である。
【図３】ＨＢＴの通電時間と電流利得βの低下率との関係を示す相関図で、β１はサブコレクタ層に結晶欠陥がない本発明の実施形態に係るＨＢＴの場合を、β２はサブコレクタ層に結晶欠陥がある従来のＨＢＴの場合を示す図である。
【図４】従来技術によるＨＢＴの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ＧａＡｓ基板
２  サブコレクタ層
３  コレクタ層
４  ベース層
５  エミッタ層
６  エミッタコンタクト層
７  ノンアロイコンタクト層
１１  コレクタ電極
１２  ベース電極
１３  エミッタ電極
【図１】
2007012741.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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