(57)【要約】【課題】簡易な構成、かつ、低コストであるとともに、画素領域内の液晶分子の配向方向を変えることが可能な液晶装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】互いに対向する一対の基板４，５間に液晶層８が挟持され、複数の画素領域Ａがマトリクス状に配置された液晶装置であって、一対の基板４，５のうちいずれか一方の基板上の液晶層８側の画素領域Ａ内の一部に、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物層を含む配向膜２０が設けられ、画素領域Ａ内の他の部分に水平配向膜１９が設けられていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記一対の基板のうちいずれか一方の基板上の前記液晶層側の前記画素領域内の一部に、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物層を含む配向膜が設けられ、前記画素領域内の他の部分に水平配向膜が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記配向膜は、金属膜の表面を陽極酸化させることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられるとともに、陽極酸化された金属酸化物層と、陽極酸化されずに残存した金属膜とを膜厚方向に有し、前記画素領域内の他の部分は光透過性を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記配向膜が、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話等の表示部として搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板から構成されている。液晶装置としては、一方の基板側から入射した光が、液晶層を透過し、他方の基板側から出射された光を視認する透過型液晶装置が知られている。透過型液晶装置においては、一対の基板の外側に、特定の偏光のみを透過する偏光子を設けることにより、電圧無印加時、電圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行う構成になっている。 
【０００３】
ここで、画素領域内で液晶分子の配向方向を変え、マルチドメイン構造を用いて、特にツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic,以下、ＴＮと略記する）モードの液晶装置で問題となっている視野角依存性を解決した液晶表示素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載の液晶表示素子は、各画素毎に電圧を印加した時に液晶分子が立ち上がる方向が異なる複数のドメイン（領域）を持たせた構造であり、例えば一つの画素内を２分割し、２分割した領域の配向膜にそれぞれ異なる方向の配向処理を施すことによって、マルチドメイン構造を実現することができる。
【０００４】
この液晶表示素子の具体的な配向処理の形成方法としては、全面に配向膜を塗布した後、第１の分割領域をレジストでマスクした状態で１回目のラビング処理を施すことにより、第２の分割領域に配向規制力を付与する。次に、第２の分割領域をレジストでマスクした状態で１回目のラビング処理と異なる方向に第２のラビング処理を施すことにより、第１の分割領域に第２の分割領域とは異なる方向の配向規制力を付与する、いわゆるマスクラビング法を用いたマルチドメイン構造の形成方法が記載されている。このように、各画素領域をマルチドメイン構造にすることにより、ＴＮモードの液晶表示装置において問題となっていた非対称なコントラスト変化が緩和されて対称化し、広視野角の液晶表示装置を実現することができる。
【特許文献１】特開平５−１０７５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、一つの画素領域内の複数の領域毎に異なる配向処理を行う場合、上記のように、マスク作成のためのフォトリソグラフィー工程とラビング工程といった工程環境が大きく異なる２つの工程を繰り返さなければならず、著しく煩雑な工程を通さなければならない。その結果、構造が複雑になり、製造コストが高騰する等の問題がある。
【０００６】
また、１つの画素領域内に透過表示領域と反射表示領域とを有し、透過表示と反射表示との２つのモードで表示を行う、いわゆる半透過反射型の液晶装置が知られている。この液晶装置の場合、反射表示を行う領域は、外光が液晶層を２度通過することになり、液晶のリタデーションΔｎｄは、入射光が液晶層を２回通過してから観測者に到達するので２×Δｎｄで示されるが、透過表示を行う領域の液晶のリタデーションΔｎｄは、バックライトからの光が１回のみ液晶層を通過するので１×Δｎｄとなる。このため、従来では、反射表示領域のリタデーションを小さくするために、液晶層厚調整手段のような構造物を追加し、反射表示を行う領域のセルギャップを小さくしている。もし仮に液晶の屈折率異方性Δｎを透過表示領域と反射表示領域とで変えることができれば、液晶層厚調整層のような構造物をなくすことができるが、実際にはΔｎを容易に変えることは困難である。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡易な構成、かつ、低コストであるとともに、画素領域内の液晶分子の配向方向を変えることが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記一対の基板のうちいずれか一方の基板上の前記液晶層側の前記画素領域内の一部に、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物層を含む配向膜が設けられ、前記画素領域内の他の部分に水平配向膜が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る液晶装置では、画素領域内の一部に複数の微細孔を有する金属酸化物を含む配向膜が形成されているため、配向膜が形成された領域と画素領域内の他の部分である水平配向膜が形成された領域との液晶の配向状態が異なることになる。したがって、複数の微細孔が形成された金属酸化物を含む配向膜を用いることにより、簡易な構成、かつ、低コストで、確実に液晶分子を安定した状態に保ち、高コントラストな表示を実現することが可能となる。また、各画素領域内の液晶の配向方向を分割する配向分割（マルチドメイン）構造にすることができるため、広い視野角を得るのに好適である。
【００１０】
また、本発明の液晶装置は、前記配向膜は、金属膜の表面を陽極酸化させることにより形成されることが好ましい。
一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行った場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行った場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した２次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。このように、陽極酸化により金属膜の表面に多孔質の陽極酸化膜を形成し、この陽極酸化膜の表面に形成された多数の微細孔によって液晶の配向を制御するようにしたものである。
本発明によれば、液晶が微細孔の内周面に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細孔で垂直配向を実現している（即ち、形状配向膜の一種である）ので、安定した配向が得られる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置は、前記配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられるとともに、陽極酸化された金属酸化物層と、陽極酸化されずに残存した金属膜とを膜厚方向に有し、前記画素領域内の他の部分は光透過性を有することが好ましい。
【００１２】
本発明に係る液晶装置では、画素領域内の一部に配向膜が形成され、この酸化膜が陽極酸化されずに残存した金属膜を有しているため、画素領域内の一部が、入射した光を反射させる反射表示領域とすることができる。また、画素領域内の他の部分は、透過表示領域となる。このように、画素内の領域によって屈折率異方性Δｎを変化させることが可能になる。したがって、簡易な構成で、かつ、一つの画素領域において透過表示及び反射表示を行うことが可能な半透過反射型の液晶装置を実現することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶装置は、前記配向膜が、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなることが好ましい。
本発明に係る液晶装置では、配向膜としては、上記のようないわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。この中でも特にアルミニウムは、微細孔を形成し易いため好適である。
また、従来で用いられているポリイミド等の有機膜に比べ、無機膜を用いることにより、長期信頼性に優れており、さらには、基板上に段差があっても容易に配向膜を形成することが可能となる。
【００１４】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本発明に係る電子機器では、視野角が広い表示を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１６】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図１（ａ）は、同液晶装置の平面構成図、（ｂ）は（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１は、一対の基板，ＴＦＴアレイ基板４と、カラーフィルタ基板５とからなる液晶パネル１０が平面視略矩形枠状のシール材７を介して貼り合わされ、このシール材７に囲まれた領域内に、正の誘電率異方性を有するＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶層８が封入された構成になっている。シール材７内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り９が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域１００となっている。また、液晶装置１は、図３に示すように、液晶パネル１０にバックライトとして光を照射させる光源ユニット３０を備えている。
【００１７】
画素表示領域１００内には、画素領域Ａがマトリクス状に設けられている。当該画素領域Ａは、画素表示領域１００の最小表示単位となる１サブ画素を構成している。シール材７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板４の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００１８】
ＴＦＴアレイ基板４の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１００の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、カラーフィルタ基板５の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。本実施形態の液晶装置１は、透過型の液晶装置として構成され、ＴＦＴアレイ基板４側に配置された光源（図示略）からの光を変調し、カラーフィルタ基板５側から表示光として射出するようになっている。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板４の内面側（液晶層側）に、複数の画素電極１１が配列形成されており、これら画素電極１１を覆うように配向膜１３が形成されている。カラーフィルタ基板５の内面側には、周辺見切り９が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極１８が形成されている。そして、共通電極１８を覆うように配向膜１９が形成されている。
【００２０】
図２は、上記の液晶装置の等価回路図である。  
同図に示すように、液晶装置の表示領域１００には、複数の画素領域Ａがマトリクス状に配置されており、これら画素領域Ａには、それぞれ画素電極１１が配置されている。また、その画素電極１１の側方にはＴＦＴ素子１２が形成されている。ＴＦＴ素子１２は、該画素電極１１への通電制御を行うスイッチング素子である。このＴＦＴ素子１２のソース側にはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、例えばデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００２１】
また、ＴＦＴ素子１２のゲート側には走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、例えば走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子１２のドレイン側には画素電極１１が接続されている。
【００２２】
走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が一定期間だけオンにされると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極１１を介して画素領域Ａに所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００２３】
画素領域Ａに書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１１と容量線３ｂとの間に蓄積容量１４が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００２４】
まず、液晶パネル１０の詳細について説明する。
ＴＦＴアレイ基板４の液晶層８側の面には、マトリクス状に複数の走査線（図示略）と複数のデータ線（図示略）とが形成され、これら走査線とデータ線とに囲まれた画素領域Ａ毎に画素電極１１が設けられている。この走査線とデータ線とが交差する位置にＴＦＴ素子１２が設けられ、ＴＦＴ素子１２を介して各画素電極１１がデータ線に接続されている。これにより、走査線とデータ線に対して信号を印加すると、ＴＦＴ素子１２がオン・オフして画素電極１１の信号の書き込みが行われるようになっている。これらのＴＦＴ素子１２及び画素電極１１等上の全面にはラビング処理が施された水平配向の配向膜１３が形成されている。
【００２５】
カラーフィルタ基板５の液晶層８側の面には、カラーフィルタ１６と、オーバーコート層１７，共通電極１８，水平配向の配向膜１９とがこの順に積層されて形成されている。また、カラーフィルタ１６は、遮光部１６ａと赤色，緑色，青色の各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとを備え、遮光部１６ａは各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを区画するようにしてマトリクス状に形成されている。また、遮光部１６ａは、例えば、黒色感光性樹脂膜からなっている。
なお、配向膜１３，１９は、液晶層８の液晶分子が初期配向状態において水平配向となるように、ラビング処理が施されている。
また、画素電極１１及び共通電極１８は、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されており、配向膜１３，１９は、ポリイミド等によって形成されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板４及びカラーフィルタ基板５は、例えば、ガラスなどの透明材料からなる光透過性基板である。
また、ＴＦＴアレイ基板４の外面４ａ側には、入射側偏光板２６が貼着され、カラーフィルタ基板５の外面５ａ側には、射出側偏光板２７が貼着されている。
【００２６】
さらに、配向膜１９上には、画素領域Ａ内の一部に画素内配向膜２０が形成されている。この画素内配向膜２０は、本実施形態では、陽極酸化により、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物層を含んで形成されている。これにより、画素電極１１及び共通電極１８に電圧が印加されていない状態（初期配向状態）において、画素内配向膜２０，配向膜１３の配向規制力により、画素内配向膜２０と配向膜１３との間の液晶分子は、カラーフィルタ基板５側の液晶分子がカラーフィルタ基板５に対して垂直方向に配向し、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がＴＦＴアレイ基板４に対して水平方向に配向となっている。したがって、初期状態における画素内配向膜２０が形成された領域Ｂと、画素内配向膜２０が形成されていない領域Ｃ（他の配向膜が形成された領域）との液晶状態が異なるようになっている。具体的には、画素領域Ａ内の画素内配向膜２０が形成されていない領域Ｃでは、液晶層８の液晶分子は９０度ツイスト（ＴＮ）配向をし、画素内配向膜２０が形成された領域Ｂでは、液晶層８の液晶分子はカラーフィルタ基板５に対して垂直方向に配向し、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がＴＦＴアレイ基板４に対して水平方向に配向され、液晶パネル１０全体ではいわゆる、ハイブリッド配向をしている。
また、偏光方向をクロスした２枚の入射側偏光板２６及び射出側偏光板２７により、液晶パネル１０を挟むことで、電圧が印加されていない状態において白表示、電圧が印加された状態で黒表示を行うことが可能となっている。
【００２７】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、画素内配向膜２０の詳細及び液晶表示装置１の製造方法について説明する。
図４は、カラーフィルタ基板５に画素内配向膜２０を形成する工程の一例を示す模式図であり、図５は、陽極酸化膜の構造を示す模式図である。
まず、ガラス基板４０上に、カラーフィルタ１６，オーバーコート層１７，共通電極１８，配向膜１９を形成し、配向膜１９にはラビング処理を施す。そして、この配向膜１９上に、Ａｌ（アルミ）膜（金属膜）４１を形成する。Ａｌ膜４１を、例えば、純度９９．９％のアルミニウムをスパッタ法で２００ｎｍの厚みで形成する。その後、レジストを用いたフォトリソ工程によって、画素領域Ａの一部である領域ＢにＡｌ膜４１をパターニングし、ガラス基板４０をアセトン等で脱脂処理を行った後、図４に示すように、所定の電解液Ｅを用いてＡｌ膜４１を陽極酸化する。
陽極酸化は、例えば次の条件で行う。電解液Ｅの液温：２０℃、印加電圧：直流１０ｍＡ／ｄｍ２を流す電圧Ｖ、陰極Ｍ１：白金（Ｐｔ）、陽極酸化時間：１時間。このような陽極酸化処理を行うと、Ａｌ膜４１の表面には、電気分解反応によって微細な孔がＡｌ膜４１の面に垂直に形成されていく。そして、反応の進行に伴って、Ａｌ膜４１の表面にナノメートルスケールの小さな孔（ナノホール）が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い陽極酸化膜、すなわち、画素内配向膜２０が形成される。これは、酸化によって画素内配向膜２０の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、孔が自己組織的に再配列される。そして、さらに反応を進めていくと、孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的には下地の層（配向膜１９）まで貫通したナノホールアレイが形成される。
【００２８】
画素内配向膜２０は、具体的には、図５に示すように、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Ｃが細密充填した構造からなる。各セルＣの中心には均一な径の微細孔（ポア）Ｐが開孔しており、この微細孔ＰがＡｌ膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Ｐのピッチ（即ち、セルＣのサイズ）、サイズ、深さ、下地のアルミニウムの残存率は、電解液Ｅの濃度、温度、陽極酸化時の電圧、電流密度、時間を変えることによって制御することができる。
【００２９】
一方、ＴＦＴアレイ基板４は、ＴＦＴ素子１２を形成した後、配向膜１３を形成しラビング処理を施す。そして、一対の基板４，５間に、正の誘電性異方性を有するＴＮ型液晶層８を真空中で注入し、液晶パネル１０を作製する。
【００３０】
本実施形態に係る液晶表示装置１では、複数の微細孔Ｐが形成された画素内配向膜２０を用いることにより、簡易な構成、かつ、低コストで、各画素領域Ａ内の液晶の配向方向を分割する配向分割（マルチドメイン）とすることができる。その結果、１つの画素領域Ａ内に２つの液晶配向が異なる領域を形成しているので、それぞれの視角特性が異なり、平均した視角特性はそれぞれの視角特性よりも広くすることができる。したがって、従来のＴＮ液晶モードを採用した液晶表示装置は上下方向で１：１０の視角範囲が約５０度程度であったが、本発明の液晶表示装置１では約７０度に広がる。
また、このポーラスアルミナ陽極酸化膜は無機膜であるため、従来技術の液晶装置で用いられているポリイミド有機膜よりも耐溶剤性、耐光性などの信頼性が優れており、さらに異方的形状と徴細孔で液晶配向を実現しているので（微細な形状で液晶配向を実現）、液晶配向が安定している。このため、高コントラストな表示であるとともに、長寿命の液晶表示装置を実現することができる。
なお、本実施形態において、画素内配向膜２０をカラーフィルタ基板５に形成したが、ＴＦＴアレイ基板４に形成しても良いが、カラーフィルタ基板５の方が、ＴＦＴアレイ基板４に比べ簡易な構成であるため、画素内配向膜２０を形成し易い。
【００３１】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図６を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る液晶表示装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る液晶表示装置５０において、第２実施形態では、金属酸化物層を含む画素内配向膜５１を用いて、半透過反射表示を行う点において第１実施形態と異なる。すなわち、第１実施形態では、画素内配向膜２０を膜厚方向にすべて陽極酸化したが、第２実施形態では、膜厚方向の一部を陽極酸化している。
【００３２】
液晶表示装置５０は、画素電極１１上に、画素領域Ａ内の一部に画素内配向膜５１が形成されている。この画素内配向膜５１は、膜厚方向に陽極酸化された金属酸化物層５１ａと、陽極酸化されずに残存した金属膜５１ｂとを有している。このように、画素内配向膜５１は、金属膜５１ｂが残存しているため、カラーフィルタ基板５側から液晶パネル１０に入射した外光により、反射表示が可能となっている。また、画素電極１１及び共通電極１８に電圧が印加されていない状態（初期配向状態）において、画素内配向膜５１，配向膜１９の配向規制力により、画素内配向膜５１と配向膜１９との間の液晶分子は、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がカラーフィルタ基板４に対して垂直方向に配向し、カラーフィルタ基板４側の液晶分子がカラーフィルタ基板４に対して水平方向に配向されている。したがって、初期状態における画素内配向膜５１が形成された領域Ｂと、画素内配向膜５１が形成されていない領域Ｃとの液晶状態が異なるようになっている。
また、偏光方向をクロスした２枚の入射側偏光板２６及び射出側偏光板２７により、液晶パネル１０を挟むことで、電圧が印加されていない状態において白表示、電圧が印加された状態で黒表示を行うことが可能となっている。
【００３３】
次に、画素内配向膜５１の詳細について説明する。
まず、図４に示すように、ガラス基板５５上に、画素電極１１を所定の形状に形成した後、例えば、純度９９．９％のアルミニウムをスパッタ法で２００ｎｍの厚みＡｌ膜４１を形成する。そして、第１実施形態と同様に、画素領域Ａの一部である領域ＢにＡｌ膜４１をパターニングし、このガラス基板５５上に配向膜１３を形成し、ラビング処理を施す。その後、所定の電解液Ｅを用いて、第１実施形態の陽極酸化時間を３０分に変更し、他の条件は同じにして陽極酸化を行うことにより、Ａｌ膜４１を液晶層８側の１００ｎｍのみ陽極酸化される。これにより、厚みが１００ｎｍの金属酸化物層５１ａ及び厚みが１００ｎｍの金属膜５１ｂが形成される。
なお、金属膜５１ｂの残存率は、電解液Ｅの濃度、温度、陽極酸化時の電圧、電流密度、時間を変えることによって制御することが可能である。
【００３４】
本実施形態に係る液晶表示装置５０では、画素領域Ａ内の領域Ｂに画素内配向膜５１が形成され、この画素内配向膜５１が陽極酸化されずに残存した金属膜５１ｂを有しているため、画素領域Ａ内の領域Ｂを、入射した光を反射させる反射表示領域とすることができる。そして、この画素内配向膜５１が形成されていない領域Ｃは、透過表示領域となるため、半透過反射表示の液晶表示装置５０を実現することができる。
また、反射表示を行う領域Ｂは、外光が液晶層８を２度通過することになり、液晶の屈折率異方性をΔｎ、セルギャップ（液晶層厚）をｄとすると、液晶のリタデーションΔｎｄは、入射光が液晶層を２回通過してから観測者に到達するので２×Δｎｄで示されるが、透過表示を行う領域Ｃの液晶のリタデーションΔｎｄは、バックライトからの光が１回のみ液晶層を通過するので１×Δｎｄとなる。このため、従来では、反射表示領域Ｂのリタデーションを小さくするために、液晶層厚調整手段のような構造物を追加し、反射表示を行う領域Ｂのセルギャップを小さくしている。しかしながら、本実施形態では、金属酸化物層５１ａ上の液晶分子は、垂直配向をしているため、見かけの位相差Δｎｄは、小さくなるため、従来のように液晶層厚調整層を形成する必要がないので、簡易な構成で、透過表示を行う領域Ｃのリタデーションと略同一とすることができる。したがって、高コントラストの表示を得ることが可能となる。
【００３５】
［電子機器］
図７は、上記第１または第２実施形態の液晶装置１，５０を搭載した電子機器の一例を示す図である。図７に示す携帯電話２００は、上記実施形態の液晶装置１，５０のいずれかを表示部２０１として備えて構成されている。
【００３６】
このような構成により、高画質かつ寿命の長い液晶表示部を備えた電子機器を提供することができる。すなわち、本発明の実施形態に係る液晶装置及び電子機器は、複数の微細孔を有する配向膜を採用しているので、視野角の広い表示装置あるいは光コントラストは表示装置を実現することができる。
【００３７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、前記各実施形態の液晶装置は、前述した例に限らず、その他の種々の電子機器に搭載することができる。この電子機器としては例えば、電子ブック、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等があり、前記液晶装置はこれらの画像表示手段として好適に用いることができる。
【００３８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、画素内配向膜２０，５１としてアルミニウムを陽極酸化させたが、これに限らず、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなる金属膜を陽極酸化しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の回路構成を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図４】図１の液晶表示装置の多孔質処理の工程を示す図である。
【図５】図１の液晶表示装置の配向膜（陽極酸化膜）の構造を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ａ…画素領域、Ｐ…微細孔、１，５０…液晶表示装置（液晶装置）、８…液晶層、２０，５１…画素内配向膜（酸化膜）、４１…Ａｌ膜（金属膜）、５１ａ…金属酸化物層、５１ｂ…金属膜、１００…電子機器
【図１】
2007187778.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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