(57)【要約】【課題】  ワークの各種表面処理を効率良く行うことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  導入したプロセスガスに高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生部３と、プラズマ発生部３からプロセスガスをワークＷに導くガス供給流路１２と、ガス供給流路１２の下流端に接続され、プロセスガスをワークＷの部分処理領域Ｗａに集約的に吹き付けるガス吹出し口１３と、ガス吹出し口１３に併設され、処理後のプロセスガスを吸い込むガス吸込み口１４と、上流端をガス吸込み口１４に接続され、処理後のプロセスガスを排気するガス排気流路１５と、を備えたものである。【選択図】  図１
2007080676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入したプロセスガスに高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部から前記プロセスガスをワークに導くガス供給流路と、
前記ガス供給流路の下流端に接続され、前記プロセスガスを前記ワーク表面の一部である部分処理領域に集約的に吹き付けるガス吹出し口と、
前記ガス吹出し口に併設され、処理後の前記プロセスガスを吸い込むガス吸込み口と、
上流端を前記ガス吸込み口に接続され、処理後の前記プロセスガスを排気するガス排気流路と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ワークをセットすると共に前記ワークをアースするワーク載置台を、更に備えたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス吹出し口は、前記部分処理領域と略同一の形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス吹出し口は、前記部分処理領域の直上部に位置すると共に前記ワークに近接して配設されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記ガス吸込み口は、前記ガス吹出し口を囲繞するように配設されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記ガス吸込み口は、前記ワークに気密に接触していることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ガス吹出し口および前記ガス吸込み口は、前記ワークを収容する処理室の天面に開口していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記ガス供給流路の上流端はガス供給ポートに着脱自在に接続され、且つ前記ガス排気流路の下流端はガス排気ポートに着脱自在に接続され、
前記ガス供給流路、前記ガス吹出し口、前記ガス吸込み口および前記ガス排気流路は、前記ガス供給ポートおよび前記ガス排気ポートに対し着脱自在なガス流路ユニットを構成していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記ガス流路ユニットは、前記ガス供給流路、前記ガス吹出し口、前記ガス吸込み口および前記ガス排気流路を自身の中空部および相互の間隙に形成すると共に、相互に気密に接合した複数の仕切りブロックで構成されていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記ガス供給流路の上流端はガス供給ポートに接続され、且つ前記ガス排気流路の下流端はガス排気ポートに接続され、
前記ガス供給ポート、前記ガス供給流路、前記ガス吹出し口、前記ガス吸込み口、前記ガス排気流路および前記ガス排気ポートを自身の中空部および相互の間隙に形成すると共に、相互に離接自在に且つ気密に接合した複数の仕切りブロックを有し、
前記複数の仕切りブロックは、積層構造を為し且つそれぞれの外周部が装置ハウジングの少なくとも一部を兼ねるガス流路アッセンブリを構成していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記ワークの部分処理領域は、相互に離間して複数設けられており、
前記ガス吹出し口および前記ガス吸込み口は、前記複数の部分処理領域に対応して複数設けられていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等のワークに対し、アッシング、エッチング、親水処理、撥水処理等の表面処理（表面改質処理）を行うプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のプラズマ処理装置として、ワーク表面のレジストを除去するアッシング装置が知られている（特許文献１参照）。このアッシング装置は、チャンバー内が誘電体（アルミナ、石英等の絶縁体）で構成された仕切壁により、プラズマ生成室とアッシング処理室とに仕切られている。プラズマ生成室では、導入したプロセスガスに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、アッシング処理室では、イオン化・ラジカル化したプロセスガスにより、ウェハであるワークの表面に対しアッシング処理が行われる。ワークは、アッシング処理室内に設けた載置台にセットされており、セットされたワークの直上部に位置する仕切壁には、ワークの輪郭形状に合致する直上部領域に複数の孔が形成されている。そして、この複数の孔からプロセスガスをワークに供給するようになっている。
【特許文献１】実開平５−１１４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような従来のプラズマ処理装置では、活性化（イオン化・ラジカル化）したプロセスガスをワークの表面全域に暴露して処理を行うようにしているため、ワークが、例えば薄膜トランジスタ等の耐電圧性が低い半導体を作り込んだ基板である場合には、処理不能となる。また、ワーク上の一部に処理したくない領域がある場合、この部分をレジスト膜等で被覆する必要が生ずる。さらに、ワークを収容するチャンバーの容積が大きくなり、プロセスガスの量が多くなることは元より、真空および真空解除等に時間がかかり、作業効率が低下する問題があった。
【０００４】
本発明は、ワークの各種表面処理を効率良く行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプラズマ処理装置は、導入したプロセスガスに高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生部と、プラズマ発生部からプロセスガスをワークに導くガス供給流路と、ガス供給流路の下流端に接続され、プロセスガスをワーク表面の一部である部分処理領域に集約的に吹き付けるガス吹出し口と、ガス吹出し口に併設され、処理後のプロセスガスを吸い込むガス吸込み口と、上流端をガス吸込み口に接続され、処理後のプロセスガスを排気するガス排気流路と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、プラズマ発生部で活性化（イオン化・ラジカル化）したプロセスガスは、ガス供給流路を通ってガス吹出し口からワークの部分処理領域に吹き付けられ、ワークの表面処理に供される。また、処理後のプロセスガスは、ガス吹出し口に併設したガス吸込み口から吸引され、排気流路を通って装置外に排気される。この場合、活性化したプロセスガスを、ワークの部分処理領域に集約的に吹き付けるようにしているため、ワークの要処理領域にのみプロセスガスを供給することができる一方、同一のワークにおいて、処理したくない領域にプロセスガスが供給されることがない。したがって、ワークの一部に耐電圧性の低い部分等があっても、処理が可能となると共に、処理したくない領域をレジスト等で被覆する必要がなく、ワークの表面処理を効率良く行うことができる。また、ガス吹出し口およびガス吸込み口をワークに近づけて設けても、均一な処理が可能と成るため、ワークの処理室（チャンバー）の容積を極力小さくすることができる。なお、本装置は、いわゆる真空プラズマおよび大気圧プラズマのいずれにも適用可能である。
【０００７】
この場合、ワークをセットすると共にワークをアースするワーク載置台を、更に備えていることが、好ましい。
【０００８】
この構成によれば、活性化したプロセスガスをワークに向かって十分に加速させることができると共に局所処理が促進され、処理をより一層効率良く行うことができる。
【０００９】
これらの場合、ガス吹出し口は、部分処理領域と略同一の形状に形成されていることが、好ましい。
【００１０】
この構成によれば、ワークの部分処理領域（要処理領域）に対し、均一な処理（等方性処理）が可能になる。
【００１１】
また、均一な処理をより一層促進すべく、ガス吹出し口は、部分処理領域の直上部に位置すると共にワークに近接して配設されていることが、好ましい。
【００１２】
一方、ガス吸込み口は、ガス吹出し口を囲繞するように配設されていることが、好ましい。
【００１３】
この構成によれば、処理後のプロセスガスが、部分処理領域（要処理領域）以外の部分に流れ難く、局所処理を効率良く行うことができると共に、処理後のプロセスガスを効率良く排気することができる。
【００１４】
この場合、ガス吸込み口は、ワークに気密に接触していることが、好ましい。
【００１５】
この構成によれば、処理後のプロセスガスが、部分処理領域（要処理領域）以外の部分に流れるのを防止することができ、局所処理をより一層効率良く行うことができると共に、処理後のプロセスガスをより一層効率良く排気することができる。また、ワークの処理室（チャンバー）の容積をより一層小さくすることができる。
【００１６】
一方、ガス吹出し口およびガス吸込み口は、ワークを収容する処理室の天面に開口していることが、好ましい。
【００１７】
この構成によれば、ガス吹出し口およびガス吸込み口を、装置内部に簡単に作り込むことができる。
【００１８】
さらに、ガス供給流路の上流端はガス供給ポートに着脱自在に接続され、且つガス排気流路の下流端はガス排気ポートに着脱自在に接続され、ガス供給流路、ガス吹出し口、ガス吸込み口およびガス排気流路は、ガス供給ポートおよびガス排気ポートに対し着脱自在なガス流路ユニットを構成していることが、好ましい。
【００１９】
この構成によれば、ガス供給流路、ガス吹出し口、ガス吸込み口およびガス排気流路をユニット化（ガス流路ユニット）し、これをガス供給ポートおよびガス排気ポートに対し着脱自在に構成しているため、ガス流路ユニットの交換により、要処理領域（部分処理領域）が異なる各種のワークにも、簡単に対応させることができる。同様に、プロセスガスの種別や処理の種別にも、簡単に対応させることができる。
【００２０】
この場合、ガス流路ユニットは、ガス供給流路、ガス吹出し口、ガス吸込み口およびガス排気流路を自身の中空部および相互の間隙に形成すると共に、相互に気密に接合した複数の仕切りブロックで構成されていることが、好ましい。
【００２１】
この構成によれば、ガス流路ユニットの構造を単純化することができる。
【００２２】
同様に、ガス供給流路の上流端はガス供給ポートに接続され、且つガス排気流路の下流端はガス排気ポートに接続され、ガス供給ポート、ガス供給流路、ガス吹出し口、ガス吸込み口、ガス排気流路およびガス排気ポートを自身の中空部および相互の間隙に形成すると共に、相互に離接自在に且つ気密に接合した複数の仕切りブロックを有し、複数の仕切りブロックは、積層構造を為し且つそれぞれの外周部が装置ハウジングの少なくとも一部を兼ねるガス流路アッセンブリを構成していることが、好ましい。
【００２３】
この構成によれば、ガス流路アッセンブリの交換により、要処理領域（部分処理領域）が異なる各種のワークにも、簡単に対応させることができる。同様に、プロセスガスの種別や処理の種別にも、簡単に対応させることができる。さらに、全体の構造を単純化することができる。
【００２４】
そして、ワークの部分処理領域は、相互に離間して複数設けられており、ガス吹出し口およびガス吸込み口は、複数の部分処理領域に対応して複数設けられていることが、好ましい。
【００２５】
この構成によれば、単一のワークに対し、きめ細かな処理が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付の図面に基づいて、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。このプラズマ処理装置は、基板等のワークに対し、アッシング、エッチング、親水処理、撥水処理、スパッタリング等の表面処理、特に表面局所処理を行うものであり、ここでは、いわゆる真空プラズマで構成したもの例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の模式図であり、同図に示すように、プラズマ処理装置１は、装置本体２と、装置本体２に活性化したプロセスガスを供給するプラズマ発生部３と、を有している。プラズマ発生部３で活性化（イオン化・ラジカル化）したプロセスガスは、ガス供給パイプ４を介して、装置本体２に導入される。また、処理対象となるワークＷは、島状に分散した複数の部分処理領域（要処理領域）Ｗａを有しており（同図（ｂ））、このプラズマ処理装置１は、この部分処理領域Ｗａにのみ表面処理を施すようになっている。
【００２７】
プラズマ発生部３には、高周波電源６が接続されており、外部のボンベ７から導入したプロセスガスに、陽極（アノード電極）８および陰極（カソード電極）９を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマ発生部３では、陰極９に平行に磁界を与えるＲＩＥ方式や、プラズマ発生部３側と装置本体２側とに独立して高周波電力を供給するＩＣＰ方式を適用することも可能である。一方、使用するプロセスガスは、例えばアッシングや親水処理ではＯ2やＨ2Ｏ（水蒸気）等が導入され、エッチングや撥水処理ではＣＦ4やＳＦ6等が導入される。また、スパッタリングではＮ2やＡｒ等が導入される。なお、これら各種プロセスガスのボンベ７を用意しておき、ボンベ７からプラズマ発生部３に至る図外の導入パイプのバルブ切り替えにより、処理別に所望のプロセスガスを導入するようにしてもよい。
【００２８】
装置本体２は、上記のガス供給パイプ４が接続される複数のガス供給ポート１１と、ガス供給ポート１１を介して、プラズマ発生部３から導入されたプロセスガスをワークＷに導くガス供給流路１２と、ガス供給流路１２の下流端に接続され、プロセスガスをワークＷの部分処理領域Ｗａに吹き付けるガス吹出し口１３と、処理後のプロセスガスを吸い込むガス吸込み口１４と、上流端をガス吸込み口１４に接続され、処理後のプロセスガスを排気するガス排気流路１５と、ガス排気流路１５の上流端が接続されるガス排気ポート１６と、これら各構成要素を収容したハウジング１７と、を備えている。また、ガス排気ポート１６は、ガス排気パイプ２１を介して真空吸引設備（真空ポンプ等）２２およびガス処理設備２３に接続されている。
【００２９】
ハウジング１７は、略方形に形成され、主体を為す上ハウジング２５と、上ハウジング２５に下側から離接自在に接合した下ハウジング２６と、を備えている。上ハウジング２５は、最上位の上部ハウジングブロック３１と、中間の中間部ハウジングブロック３２と、最下位の下部ハウジングブロック３３と、を有し、これらハウジングブロック３１，３２，３３を相互に気密に固着されている。また、下部ハウジングブロック３３の下面には、下ハウジング２６とのシールを行うために、環状に連続するシール部材（例えばＯリング）３４が設けられている。詳細は後述するが、これらハウジングブロック３１，３２，３３の内部には、上記各種のガス流路を形成すべく、上ハウジング２５と後述する複数のパイプ状隔壁４３とは、絶縁体（セラミック、アルミナ、石英等）で構成されている。
【００３０】
下ハウジング２６は、ワークＷのセットテーブル（ワーク載置台）を兼ねており、図外の位置決め機構により、その上面中央部にワークを位置決めセットできるようになっている。そして、下部ハウジングブロック３３の下面に広く形成した矩形溝３３ａと、この下ハウジング２６の上面により、ワークＷを収容するチャンバー（処理室）３５が構成されている。また、下ハウジング２６は、これを支持する昇降機構３７により、上ハウジング２５に対し相対的に離接自在に構成されており、上ハウジング２５に対し下ハウジング２６を密接させた状態でワークＷの表面処理が行われ、離間させた状態で処理前後のワークＷの交換（搬入搬出）が行われる。この場合、下ハウジング２６は、導電性の部材（アルミニウム、銅等）で構成されると共に、アース（接地）３８されている。
【００３１】
このように、上ハウジング２５を絶縁体で構成することにより、ガス供給流路１２やガス排気流路１５等のプロセスガスが接触する部分の汚染を確実に防止することができる。また、下ハウジング２６を導電性の部材で構成し、これをアースすることにより、活性化したプロセスガスをワークＷに向かって十分に加速させることができるため、効率よく処理を行うことができる。なお、本実施形態では、ワークＷの搬入搬出において、下ハウジング２６を昇降させるようにしたが、逆に上ハウジング２５を昇降させるようにしてもよい。
【００３２】
ガス供給流路１２は、ガス供給ポート１１に連通するヘッダー状供給流路４１と、ヘッダー状供給流路４１の下流側に連なる複数の個別供給流路４２とで構成されている。ヘッダー状供給流路４１は、処理するワークＷと略同形の平面空間を構成する一方、各個別供給流路４２は、ワークＷの複数の部分処理領域Ｗａに対応して複数設けられている。この場合、ヘッダー状供給流路４１は、上記の上部ハウジングブロック３１の下面に大きく形成した矩形の溝と、これに固着した中間部ハウジングブロック３２の上面により形成されている。一方、各個別供給流路４２は、パイプ状隔壁４３によりその内部に形成されており、対応する部分処理領域Ｗａの形状と略同一の断面形状（相似形）を有している。また、各個別供給流路４２は、ヘッダー状供給流路４１から対応する部分処理領域Ｗａに向かって垂直に延在している。そして、各個別供給流路４２の下流端には、部分処理領域Ｗａの形状と略同一形状のガス吹出し口１３が形成されている。
【００３３】
ガス排気流路１５は、ガス排気ポート１６に連通するヘッダー状排気流路４６と、ヘッダー状排気流路４６の上流側に連なる複数の個別排気流路４７とで構成されている。ヘッダー状排気流路４６は、処理するワークＷと略同形の平面空間を構成する一方、各個別排気流路４７は、ワークＷの複数の部分処理領域（言い換えれば個別供給流路４２）Ｗａに対応して複数設けられている。この場合、ヘッダー状排気流路４６は、上記の中間部ハウジングブロック３２の下面に大きく形成した矩形の溝と、これに固着した下部ハウジングブロック３３の上面により形成されている。一方、各個別排気流路４７は、ヘッダー状排気流路４６から対応する部分処理領域Ｗａに向かって垂直に延在すると共に、対応する個別供給流路４２を囲繞するように配設されている。すなわち、各個別排気流路４７は、上記のパイプ状隔壁４３と下部ハウジングブロック３３との間隙に形成されている。そして、各個別排気流路４７の上流端には、ガス吹出し口１３を囲繞するようにガス吸込み口１４が形成されている。なお、ガス吸込み口１４はガス吹出し口１３を囲繞するように設けられているが、個別排気流路４７は、必ずしも個別供給流路４２を囲繞するように設ける必要はない。また、ガス吸込み口１４をガス吹出し口１３に添設（併設）するようにしてもよい。
【００３４】
各ガス吹出し口１３および各ガス吸込み口１４は、これを形成するパイプ状隔壁４３と下部ハウジングブロック３３の矩形溝（チャンバー３５）３３ａの天面３３ｂとが面一に配設されているため、下向きに且つ面一に配設されている。そして、各ガス吹出し口１３および各ガス吸込み口１４は、ワークＷの上面に近接して配設されている。これにより、処理後のプロセスガスが、部分処理領域（要処理領域）Ｗａの周囲に広がって流れ難く、ワークＷの局所処理を効率良く行うことができると共に、処理後のプロセスガスを効率良く排気することができる。なお、各ガス吹出し口１３の形状は、部分処理領域Ｗより幾分大きくても、また小さくてもよいが、相似形とすることが好ましい。また、下部ハウジングブロック３３の矩形溝（チャンバー３５）３３ａの深さは、処理対象となる最大厚のワークＷが各ガス吹出し口１３および各ガス吸込み口１４に十分近接する寸法とすることが、好ましい。かかる場合に、薄手のワークＷにあっては、導電性の嵩上げ部材によりワークＷを嵩上げすることも好ましい。
【００３５】
ここで、プラズマ処理装置１の運転方法について簡単に説明する。本装置１では、ワークＷを搬入した稼動待機状態から、先ず真空吸引設備２２を駆動して、ガス供給流路１２、チャンバー３５およびガス排気流路１５等の装置内部を所望の真空状態とする。次に、高周波電源６をＯＮすると共にボンベ７からプラズマ発生部３にプロセスガスを送り込む。また同時に、真空吸引設備２２により真空引きを行う。これにより、プロセスガスは、プラズマ発生部３で活性化された後、ガス供給流路１２を通って且つアースされたワークＷに向かって加速されながら、ガス吹出し口１３を介してワークＷの部分処理領域Ｗａに吹き付けられる。また、処理後のプロセスガスは、ガス吸込み口１４から強制的に吸い込まれ、ガス排気流路１５を介して真空吸引設備２２に吸引される。そして、この状態を所定時間維持することにより、ワークＷの処理が完了する。また、必要に応じて、処理完了後であってワークＷの除給前に、装置内部にＮ2ガス等を導入して装置内部を掃気することが、好ましい。なお、常温プラズマ（大気圧プラズマ）の場合には、ボンベ７からのプロセスガスの導入と真空引きとを同時に行うと共に、ガス濃度を検出しフィードバック制御によりプロセスガスの流量を制御し、装置内部のガス濃度を所望の値となるように管理する。
【００３６】
以上のように、本実施形態のプラズマ処理装置１によれば、活性化したプロセスガスを、ガス吹出し口１３からワークＷの部分処理領域Ｗａに吹き付け且つ近接して設けたガス吸込み口１４から吸引するようにしていため、プロセスガスを、複数の部分処理領域（要処理領域）Ｗａにのみ供給することができる一方、ワークＷにおける処理したくない領域に供給されることがない。したがって、ワークＷの一部に耐電圧性の低い部分等があっても、処理が可能となると共に、処理したくない領域をレジスト等で被覆する必要がなく、ワークＷの表面処理を効率良く行うことができる。また、ガス吹出し口１３およびガス吸込み口１４をワークＷに近接して設けることができるため、チャンバー３５の容積を極力小さくすることができ、真空引きの時間を短縮することができる。すなわち、ワークＷの局所処理が可能となると共にワークＷ処理のタクトタイムを短縮することができる。
【００３７】
次に、図２を参照して、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１について説明する。なお、以降の各実施形態では、第１実施形態と異なる部分を主に説明することとする。この実施形態では、各個別供給流路４２の直上部にこれに対応して複数のガス供給ポート５１，５１が配設されている。また、プラズマ発生部３が別置きになっており、プラズマ発生部３と複数のガス供給ポート５１を接続するガス供給パイプ４は、プラズマ発生部３側の供給主パイプ４ａと、ガス供給ポート５１側の複数の供給枝パイプ４ｂ，４ｂとで構成されている。一方、上ハウジング２５は、上側のトップハウジング５３と下側のボトムハウジング５４と、の上下２分割構造を為しており、複数の固定ボルト（図示省略）により分離可能に接合されている。複数のガス供給ポート５１は、トップハウジング５３の上面に貫通形成され、ガス排気ポート１６は、トップハウジング５３の側面に貫通形成されている。そして、ボトムハウジング５４の下側に、下ハウジング２６が離接自在に接合されている。
【００３８】
上ハウジング２５の内部には、ガス供給流路１２やガス排気流路１５等を構成する、上仕切りブロック５６、中間仕切りブロック５７および下仕切りブロック５８が収容されている。より具体的には、上記のトップハウジング５３の下面に大きく形成した矩形の溝と、これに第１シール部材６１を介して接合した上仕切りブロック５６の上面により、ヘッダー状供給流路４１が形成され、また上仕切りブロック５６の下面に垂設した複数のパイプ状隔壁部６２の内部にそれぞれ個別供給流路４２が形成されている。同様に、中間部仕切りブロック５７の下面に大きく形成した矩形の溝と、これに第３シール部材６３を介して接合した下仕切りブロック５８の上面により、ヘッダー状排気流路４６が形成されている。さらに、上仕切りブロック５６の各パイプ状隔壁部６２と、下仕切りブロック５８との間隙にそれぞれ個別排気流路４７が形成されている。
【００３９】
そして、トップハウジング５３と上仕切りブロック５６との間には、第１シール部材６１が、上仕切りブロック５６と中間仕切りブロック５７との間には、第２シール部材６４が、また中間仕切りブロック５７と下仕切りブロック５８との間には、第３シール部材６３が、さらに下仕切りブロック５８とボトムハウジング５４との間には、第４シール部材６５が、それぞれ介設されている。また、トップハウジング５３とガス排気ポート１６との間には、中間仕切りブロック５７に接するように第５シール部材６６が介設されている。そして、下仕切りブロック５８の下面および各パイプ状隔壁部６２の下面に開口した各ガス吹出し口１３および各ガス吸込み口１４は、第１実施形態と同様に、下向き面一に配設され且つワークＷに近接して配設されている。
【００４０】
上記の固定ボルトは、これら第１シール部材６１乃至第４シール部材６５を変形（シール状態）させるようにして、トップハウジング５３、上仕切りブロック５６、中間仕切りブロック５７、下仕切りブロック５８およびボトムハウジング５４の相互間を接合するようにしており、また固定ボルトを外すことにより、これら構成部品が分解できるようになっている。すなわち、ガス供給流路１２、ガス吹出し口１３、ガス吸込み口１４およびガス排気流路１５の主要部を形成する上仕切りブロック５６、中間仕切りブロック５７および下仕切りブロック５８は、ガス流路ユニット５０として交換可能に構成されている。
【００４１】
すなわち、部分処理領域Ｗａの数や配置の異なる各種基板（ワークＷ）に対応して、ガス供給流路１２、ガス吹出し口１３、ガス吸込み口１４およびガス排気流路１５を作り込んだ複数種のガス流路ユニット５０が用意されており、ワークＷの種別に対応してガス流路ユニット５０をハウジング１７の内部に組み込み得るようになっている。これにより、ガス流路ユニット５０のみの交換で、各種ワークＷに対応させることができる。
【００４２】
図３は、上記第２実施形態の変形例を表している。この変形例では、プラズマ発生部３が装置本体２内に組み込まれている。また、プラズマ発生部３を装置本体２内に組み込むことにより、プラズマ発生部３の内部と上記のヘッダー状供給流路４１とを兼用させた構造になっている。この場合、トップハウジング５３は、ハウジング本体７１と、これを上側から閉蓋するように密接した蓋ハウジング７２とで構成されており、蓋ハウジング７２の上側に、プロセスガスの導入口７３を形成したアノード電極７４が配設され、蓋ハウジング７２の上側に、プラズマ発生空間（ヘッダー状供給流路を兼用）７５を隔ててカソード電極７６が配設されている。そして、アノード電極７４およびカソード電極７６は、高周波電源６に接続されている。
【００４３】
このような構成では、プラズマ処理装置１全体をコンパクトに構成することができると共に、活性化したプロセスガスを直接的にワークＷの部分処理領域Ｗａに供給することができ、ワークＷの局所処理を効率良く行うことができる。また、プラズマ処理装置１を、プラズマ発生部３を含めて分解および交換することができる。
【００４４】
次に、図４を参照して、第３実施形態に係るプラズマ処理装置１について説明する。この実施形態では、上記の第２実施形態における上仕切りブロック５６Ａ、中間仕切りブロック５７Ａおよび下仕切りブロック５８Ａが、それぞれ上ハウジング２５の一部を兼ねており、また上仕切りブロック５６Ａの上側には、ガス供給ポート１１やヘッダー状供給流路４１を作り込んだ上蓋ブロック５５Ａが設けられている。これら、上蓋ブロック５５Ａ、上仕切りブロック５６Ａ、中間仕切りブロック５７Ａおよび下仕切りブロック５８Ａは、積層構造を為すと共に、相互に気密に接合され且つ固定ボルト等により分解可能に構成されている。そして、上蓋ブロック５５Ａ、上仕切りブロック５６Ａ、中間仕切りブロック５７Ａおよび下仕切りブロック５８Ａにより、その内部には、ガス供給ポート１１、ガス供給流路１２、ガス吹出し口１３、ガス吸込み口１４、ガス排気流路１５およびガス排気ポート１６を作り込んだガス流路アッセンブリ８０が構成されている。すなわち、装置本体２は、このガス流路アッセンブリ８０と下ハウジング２６とで構成されている。
【００４５】
このような構成では、部分処理領域の数や配置の異なる各種ワークＷに対応して、ガス流路アッセンブリ８０を用意しておくことで、各種ワークＷに簡単に対応させることができる。
【００４６】
次に、図５を参照して、第４実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。この実施形態は、上記の第１実施形態から第３実施形態に適用可能なものであり、各個別排気流路４７を形成している下部ハウジングブロック（第１実施形態）３３や下仕切りブロック（第２・３実施形態）５８，５８Ａの各流路縁部９１が、ワークＷの表面に密接している。図示では省略したが、各流路縁部９１とワークＷの表面との間には、Ｏリング等の絶縁性を有するシール部材が介設（流路縁部９１に装着）されている。
【００４７】
このような構成では、処理後のプロセスガスが、部分処理領域（要処理領域）Ｗａ以外の部分に流れるのを防止することができ、局所処理をより一層効率良く行うことができる。また、上記のチャンバー３５の容積をより一層小さく、実質的には無くすことができる。したがって、真空引き等の時間が省略され、ワークＷ処理のタクトタイムを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置およびその処理対象となるワークの模式図である。
【図２】第２実施形態に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【図３】第２実施形態の変形例に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【図４】第３実施形態に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【図５】第４実施形態に係るプラズマ処理装置の部分模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  プラズマ処理装置、２  装置本体、３  プラズマ発生部、６  高周波電源、１１  ガス供給ポート、１２  ガス供給流路、１３  ガス吹出し口、１４  ガス吸込み口、１５  ガス排気流路、１６  ガス排気ポート、１７  ハウジング、３１  上部ハウジングブロック、３２  中間部ハウジングブロック、３３  下部ハウジングブロック、３３ｂ  天面、３５  チャンバー、３８  アース、４３  個別供給流路、４７  個別排気流路、５０  ガス供給ユニット、５６，５６Ａ  上仕切りブロック、５７，５７Ａ  中間仕切りブロック、５８，５８Ａ  下仕切りブロック、８０  ガス供給アッセンブリ、Ｗ  ワーク、Ｗａ  部分処理領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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