(57)【要約】      （修正有）【課題】所望の検査精度を確保しつつ、半導体チップ領域の集積度、収率を向上させることができる半導体ウェハを提供する。【解決手段】複数の半導体チップ領域と、第１方向（Ｙ方向）に沿って形成された第１スクライブ領域８０と、第１方向に直交する第２方向（Ｘ方向）に沿って形成された第２スクライブ領域は、複数の半導体チップ領域を区分し、かつ、交差領域にて交差し、第１スクライブ領域８０は、第１方向に平行な仮想線９２により第１領域８８および第２領域８９に分割され、第１領域８８の幅は、第２領域８９の幅よりも広く、アライメントマーク領域６０を有し、アライメントマーク領域６０には、少なくとも第２方向を特定するためのアライメントマーク６５が配置されており、第２領域８９は、検査用マーク領域６２を有し、第２スクライブ領域のうち、交差領域以外の領域は，アライメントマーク領域６０および検査用マーク領域６２を有しない。【選択図】図４
2007049067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップ領域と、
第１方向に沿って形成された第１スクライブ領域と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域と、を含み、
前記第１スクライブ領域および前記第２スクライブ領域は、前記複数の半導体チップ領域を区分し、かつ、交差領域にて交差し、
前記第１スクライブ領域は、前記第１方向に平行な仮想線により第１領域および第２領域に分割され、
前記第１領域の幅は、前記第２領域の幅よりも広く、
前記第１領域は、アライメントマーク領域を有し、
前記アライメントマーク領域には、少なくとも前記第２方向を特定するためのアライメントマークが配置されており、
前記第２領域は、検査用マーク領域を有し、
前記第２スクライブ領域のうち、前記交差領域以外の領域は、前記アライメントマーク領域および前記検査用マーク領域を有しない、半導体ウェハ。
【請求項２】
請求項１において、
前記検査用マーク領域には、合わせずれ検査用マークが複数配置されており、
前記第２領域が有する前記検査用マーク領域において、前記合わせずれ検査用マークは、第１方向に沿って１列に並んでいる、半導体ウェハ。
【請求項３】
半導体ウェハの露光に用いられるレチクルであって、
半導体チップ領域パターンと、
第１方向に沿って形成された複数の第１スクライブ領域パターンと、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域パターンと、を含み、
前記第１スクライブ領域パターンおよび前記第２スクライブ領域パターンは、交差領域にて交差し、
前記複数の第１スクライブ領域パターンのうちの１つである第１端部スクライブ領域パターンは、前記レチクルの前記第１方向に沿った端部のうちの一方に設けられ、
前記複数の第１スクライブ領域パターンのうちの１つである第２端部スクライブ領域パターンは、前記端部のうちの他方に設けられ、
前記第１端部スクライブ領域パターンの幅は、前記第２端部スクライブ領域パターンの幅よりも広く、
前記第１端部スクライブ領域パターンは、アライメントマーク領域パターンを有し、
前記アライメントマーク領域パターンには、少なくとも前記第２方向を特定するためのアライメントマークパターンが配置されており、
前記第２端部スクライブ領域パターンは、検査用マーク領域パターンを有し、
前記第２スクライブ領域パターンのうち、前記交差領域以外の領域は、前記アライメントマーク領域パターンおよび前記検査用マーク領域パターンを有しない、レチクル。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１端部スクライブ領域パターンは、さらにＴＥＧ領域パターンを有し、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンは、１つであり、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンは、１つであり、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンと、前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンとは、前記第１方向に隣り合って配置されている、レチクル。
【請求項５】
半導体ウェハの露光に用いられるレチクルであって、
半導体チップ領域パターンと、
第１方向に沿って形成された１以上の第１スクライブ領域パターンと、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域パターンと、を含み、
前記第１スクライブ領域パターンのうちの１つであって、所定の第１スクライブ領域パターンは、ＴＥＧ領域パターンおよびアライメントマーク領域パターンを有し、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンは、１つであり、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンは、１つであり、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンと、前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンとは、前記第１方向に隣り合って配置されている、レチクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハおよびレチクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程においては、レチクルに形成された微細なパターンを半導体ウェハに転写するための露光工程が行われる。半導体ウェハには、例えば、露光工程においてレチクルの位置合わせを行うためのアライメントマーク等の各種マークが配置されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、所望の検査精度を確保しつつ、半導体チップ領域の集積度、収率を向上させることができる半導体ウェハを提供することにある。また、本発明の他の目的は、この半導体ウェハの露光に用いられるレチクルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る半導体ウェハは、
複数の半導体チップ領域と、
第１方向に沿って形成された第１スクライブ領域と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域と、を含み、
前記第１スクライブ領域および前記第２スクライブ領域は、前記複数の半導体チップ領域を区分し、かつ、交差領域にて交差し、
前記第１スクライブ領域は、前記第１方向に平行な仮想線により第１領域および第２領域に分割され、
前記第１領域の幅は、前記第２領域の幅よりも広く、
前記第１領域は、アライメントマーク領域を有し、
前記アライメントマーク領域には、少なくとも前記第２方向を特定するためのアライメントマークが配置されており、
前記第２領域は、検査用マーク領域を有し、
前記第２スクライブ領域のうち、前記交差領域以外の領域は、前記アライメントマーク領域および前記検査用マーク領域を有しない。
【０００５】
この半導体ウェハによれば、１枚の半導体ウェハ当りの前記半導体チップ領域の集積度、収率を向上させることができ、さらに、重ね合わせずれの検査を高い精度で行うことができる。この理由については、後述する。
【０００６】
本発明に係る半導体ウェハにおいて、
前記検査用マーク領域には、合わせずれ検査用マークが複数配置されており、
前記第２領域が有する前記検査用マーク領域において、前記合わせずれ検査用マークは、第１方向に沿って１列に並んでいることができる。
【０００７】
本発明に係る第１のレチクルは、
半導体ウェハの露光に用いられるレチクルであって、
半導体チップ領域パターンと、
第１方向に沿って形成された複数の第１スクライブ領域パターンと、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域パターンと、を含み、
前記第１スクライブ領域パターンおよび前記第２スクライブ領域パターンは、交差領域にて交差し、
前記複数の第１スクライブ領域パターンのうちの１つである第１端部スクライブ領域パターンは、前記レチクルの前記第１方向に沿った端部のうちの一方に設けられ、
前記複数の第１スクライブ領域パターンのうちの１つである第２端部スクライブ領域パターンは、前記端部のうちの他方に設けられ、
前記第１端部スクライブ領域パターンの幅は、前記第２端部スクライブ領域パターンの幅よりも広く、
前記第１端部スクライブ領域パターンは、アライメントマーク領域パターンを有し、
前記アライメントマーク領域パターンには、少なくとも前記第２方向を特定するためのアライメントマークパターンが配置されており、
前記第２端部スクライブ領域パターンは、検査用マーク領域パターンを有し、
前記第２スクライブ領域パターンのうち、前記交差領域以外の領域は、前記アライメントマーク領域パターンおよび前記検査用マーク領域パターンを有しない。
【０００８】
本発明に係る第１のレチクルにおいて、
前記第１端部スクライブ領域パターンは、さらにＴＥＧ領域パターンを有し、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンは、１つであり、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンは、１つであり、
前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンと、前記第１端部スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンとは、前記第１方向に隣り合って配置されていることができる。
【０００９】
本発明に係る第２のレチクルは、
半導体ウェハの露光に用いられるレチクルであって、
半導体チップ領域パターンと、
第１方向に沿って形成された１以上の第１スクライブ領域パターンと、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って形成された第２スクライブ領域パターンと、を含み、
前記第１スクライブ領域パターンのうちの１つであって、所定の第１スクライブ領域パターンは、ＴＥＧ領域パターンおよびアライメントマーク領域パターンを有し、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンは、１つであり、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンは、１つであり、
前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記ＴＥＧ領域パターンと、前記所定の第１スクライブ領域パターンが有する前記アライメントマーク領域パターンとは、前記第１方向に隣り合って配置されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
１．  まず、本実施形態に係る半導体ウェハ１００について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体ウェハ１００を模式的に示す平面図である。図２は、図１のII−II線における断面を示す図である。図３は、図１のIII−III線における断面を示す図である。なお、図１には、便宜上、露光装置の露光ショットのうち４ショット分（第１〜第４ショット９０ａ〜９０ｄ）を図示しているが、ショット数は特に限定されるわけではない。また、図示の例では、露光装置の１ショットには、半導体チップ領域５０が、Ｘ方向に１個配置されており、Ｙ方向に５個配列されているが、各方向に配列される数も特に限定されるわけではない。なお、露光装置の１ショットとは、１枚のレチクル（フォトマスク）に形成された全パターンが、１回の露光により半導体ウェハに転写された範囲をいう。
【００１２】
本実施形態に係る半導体ウェハ１００は、図１に示すように、複数の半導体チップ領域５０と、第１スクライブ領域８０と、第２スクライブ領域８２と、を含む。
【００１３】
半導体チップ領域５０は、図１に示すように、矩形（正方形を含む。以下同じ。）の平面形状を有する。図示の例では、半導体チップ領域５０は、長方形の平面形状を有し、短辺は第１方向（以下「Ｙ方向」ともいう）に平行であり、長辺は第１方向に直交する第２方向（以下「Ｘ方向」ともいう）に平行である。
【００１４】
半導体チップ領域５０において、基板１０の表面近傍には、例えばＭＯＳトランジスタなどの半導体素子（図示せず）、配線層（図示せず）、素子分離領域１６（図２および図３参照）などが形成されている。基板１０の上には、図２および図３に示すように、第１〜第５層間絶縁層１２ａ〜１２ｅが順に形成されている。また、基板１０の上には、ガードリング３０が形成されている。ガードリング３０は、半導体チップ領域５０における半導体素子などを取り囲んでおり、ガードリング３０の外側からの水分の浸入を防ぐことができる。ガードリング３０は、例えば、タングステンからなるプラグ層３２と、アルミニウムからなる金属層３４とを交互に積層させて形成されることができる。第５層間絶縁層１２ｅの上には、パッド部１８およびパッシベーション層２０が形成されている。パッド部１８上の所定の領域では、パッシベーション層２０が開口されており、開口部２２が形成されている。なお、半導体チップ領域５０において、各層間絶縁層上に形成された配線層、上下の配線層間を電気的に接続するコンタクト層などの図示は省略している。
【００１５】
第１スクライブ領域８０は、図１に示すように、Ｙ方向に沿って形成されている。第１スクライブ領域８０のそれぞれは、Ｘ方向に並んだ半導体チップ領域５０のそれぞれを区分している。即ち、第１スクライブ領域８０は、隣り合う半導体チップ領域５０の短辺間に設けられている。第１スクライブ領域８０は、半導体ウェハ１００の一方の端部から他方の端部まで直線上に連続して形成されている。
【００１６】
図４は、１つの第１スクライブ領域８０のみを模式的に示す平面図である。第１スクライブ領域８０は、図４に示すように、Ｙ方向に平行な仮想線９２により第１領域８８および第２領域８９に分割される。第１領域８８の幅（Ｘ方向の幅）は、第２領域８９の幅（Ｘ方向の幅）よりも広い。第１領域８８は、アライメントマーク領域６０を有している。例えば図示の例では、１つの第１領域８８（露光ショットのうち２ショット分）に対して、２つのアライメントマーク領域６０が設けられている。アライメントマーク領域６０には、露光装置による露光時に、レチクルのアライメント位置を検出するための第１、第２アライメントマーク６４，６５が配置されることができる。アライメントを行う際には、第１アライメントマーク６４により、第１方向（Ｙ方向）を特定することができる。また、第２アライメントマーク６５により、第２方向（Ｘ方向）を特定することができる。第１、第２アライメントマーク６４，６５は、例えば、図１および図４に示すように、長方形の平面形状を有することができる。例えば図示の例では、第１アライメントマーク６４の長辺はＹ方向に平行であり、短辺はＸ方向に平行であり、第２アライメントマーク６５の長辺はＸ方向に平行であり、短辺はＹ方向に平行である。また、例えば図示の例では、１つのアライメントマーク領域６０において、２つの第１アライメントマーク６４が、１つの第２アライメントマーク６５を介して、Ｙ方向に並んで配置されている。なお、第１、第２アライメントマーク６４，６５の数と配置については、図示の例に限定されるわけではない。
【００１７】
第１領域８８は、さらに、検査用マーク領域６２およびＴＥＧ領域７０を有していることができる。例えば図示の例では、１つの第１領域８８（露光ショットのうち２ショット分）に対して、４つの検査用マーク領域６２が設けられている。検査用マーク領域６２には、合わせずれ検査用マーク６３が複数配置されることができる。例えば図示の例では、６つの合わせずれ検査用マーク６３が、Ｘ方向に３つ、Ｙ方向に２つ並んで配置されている。なお、合わせずれ検査用マーク６３の数と配置については、図示の例に限定されるわけではない。合わせずれ検査用マーク６３は、基板１０の上方に形成された下層のデバイスパターンと上層のデバイスパターンとの重ね合わせずれの検査に用いられることができる。合わせずれ検査用マーク６３は、例えば、図１および図４に示すように、矩形の平面形状を有することができる。例えば図示の例では、合わせずれ検査用マーク６３は、長方形の平面形状を有し、短辺はＸ方向に平行であり、長辺はＹ方向に平行である。ＴＥＧ領域７０には、図１および図４に示すように、各種のＴＥＧ７１が配置される。
【００１８】
第２領域８９は、検査用マーク領域６２を有している。例えば図示の例では、１つの第２領域８９（露光ショットのうち２ショット分）に対して、４つの検査用マーク領域６２が設けられている。検査用マーク領域６２には、合わせずれ検査用マーク６３が複数配置されることができる。第２領域８９が有する検査用マーク領域６２において、合わせずれ検査用マーク６３は、Ｙ方向に沿って１列に並んでいることができる。例えば図示の例では、２つの合わせずれ検査用マーク６３が、Ｘ方向に１つ、Ｙ方向に２つ並んで配置されている。なお、合わせずれ検査用マーク６３の数と配置については、図示の例に限定されるわけではない。第２領域８９は、さらにＴＥＧ領域７０を有していることができる。
【００１９】
第２スクライブ領域８２は、図１に示すように、Ｘ方向に沿って形成されている。第２スクライブ領域８２のそれぞれは、Ｙ方向に並んだ半導体チップ領域５０のそれぞれを区分している。即ち、第２スクライブ領域８２は、隣り合う半導体チップ領域５０の長辺間に設けられている。第２スクライブ領域８２は、半導体ウェハ１００の一方の端部から他方の端部まで直線上に連続して形成されている。
【００２０】
第１スクライブ領域８０の幅は、第２スクライブ領域８２の幅よりも広くすることができる。即ち、隣り合う半導体チップ領域５０の短辺間の距離は、隣り合う半導体チップ領域５０の長辺間の距離よりも長くすることができる。幅の広い第１スクライブ領域８０には、アライメントマーク領域６０、検査用マーク領域６２、およびＴＥＧ領域７０が配置されていることができる。また、幅の狭い第２スクライブ領域８２のうち、第１スクライブ領域８０と交差する領域以外の領域には、アライメントマーク領域６０、検査用マーク領域６２、およびＴＥＧ領域７０は配置されていないことができる。これにより、半導体チップ領域５０の短辺間の第１スクライブ領域８０よりも数の多い長辺間の第２スクライブ領域８２の幅を可能な限り狭くすることができるので、１枚の半導体ウェハ１００当りの半導体チップ領域５０の集積度、収率を向上させることができる。
【００２１】
図２に示すように、第１スクライブ領域８０には、例えばアルミニウムなどからなる導電層７２が各層間絶縁層上に形成されている。導電層７２は、例えば、アライメントマーク領域６０、検査用マーク領域６２における各種のマークや、ＴＥＧ領域７０における配線などを構成している。第１スクライブ領域８０上では、パッシベーション層２０が開口されており、第１開口部８４が形成されることができる。第１開口部８４は、例えばパッド部１８上の開口部２２と同一工程で形成されることができる。この際、パッシベーション層２０をエッチングして、図２に示すように、例えば第５層間絶縁層１２ｅの上部をオーバーエッチングすることができる。第１開口部８４は、パッシベーション層２０を貫通することができ、さらに、第１開口部８４により、第５層間絶縁層１２ｅは途中まで開口されることができる。平面視において、第１開口部８４が形成された領域は、第１スクライブ領域８０と一致することができる。言い換えるならば、第１スクライブ領域８０とは、例えば、パッシベーション層２０の第１開口部８４が形成された領域であるということができる。なお、第１スクライブ領域８０において、例えば、上下の導電層７２の間を電気的に接続するコンタクト層などの図示は省略している。
【００２２】
一方、第２スクライブ領域８２のうち、第１スクライブ領域８０と交差する領域以外の領域には、マーク領域およびＴＥＧ領域が配置されないことができるため、第１スクライブ領域８０に形成されている導電層７２のような導電層は形成されないことができる（図３参照）。第２スクライブ領域８２上では、パッシベーション層２０が開口されており、第２開口部８６が形成されることができる。第２開口部８６は、上述した第１開口部８４と同様に、図３に示すように、パッシベーション層２０を貫通することができ、さらに、第２開口部８６により、第５層間絶縁層１２ｅは途中まで開口されることができる。平面視において、第２開口部８６が形成された領域は、第２スクライブ領域８２と一致することができる。言い換えるならば、第２スクライブ領域８２とは、例えば、パッシベーション層２０の第２開口部８６が形成された領域であるということができる。
【００２３】
半導体チップ領域５０は、Ｘ方向に複数個（図示の例では２個）配列されており、Ｙ方向に複数個（図示の例では１０個）配列されている。Ｘ方向では、各半導体チップ領域５０は、第１スクライブ領域８０を挟んでおり、Ｙ方向では、各半導体チップ領域５０は、第２スクライブ領域８２を挟んでいる。
【００２４】
半導体ウェハ１００のダイシングは、第１スクライブ領域８０に沿って（即ちＹ方向に）行われ、第２スクライブ領域８２に沿って（即ちＸ方向に）行われることができる。半導体ウェハ１００のダイシングは、例えば、図２および図３に示すように、幅の広いブレードと幅の狭いブレードを用いて２段階で行うことができる。図２および図３に示す一点鎖線８１，８３は、ブレードにより切削される部分を模式的に示している。第１スクライブ領域８０に沿って行われるダイシングは、例えば、まず、一方の端部に沿って行われ、次に、他方の端部に沿って行われることができる。即ち、例えば、まず、第１スクライブ領域８０の内側であって、Ｘ方向に隣り合う半導体チップ領域５０のうち、一方の半導体チップ領域５０に近接した領域に沿ってダイシングを行うことができる。次に、第１スクライブ領域８０の内側であって、他方の半導体チップ領域５０に近接した領域に沿ってダイシングを行うことができる。
【００２５】
２．  次に、本実施形態に係るレチクル１０００について説明する。図５は、本実施形態に係るレチクル１０００を模式的に示す平面図である。
【００２６】
レチクル１０００は、図１に示す半導体ウェハ１００の露光工程に用いられる。レチクル１０００には、露光装置の１ショットに対応したパターンが設けられている。なお、レチクル１０００における各パターンが、対応する半導体ウェハ１００の１ショットの領域内における各領域と同様である点（例えば、形状、配置、数など）については、その説明を省略する。
【００２７】
図１に示す半導体チップ領域５０および第２スクライブ領域８２は、それぞれ図５に示す半導体チップ領域パターン５００および第２スクライブ領域パターン８２０を転写することにより形成されることができる。
【００２８】
また、図１に示す第１スクライブ領域８０のうちの第１領域８８は、図５に示す第１スクライブ領域パターン８００のうちの１つである第１端部スクライブ領域パターン８８０を転写することにより形成されることができる。第１端部スクライブ領域パターン８８０は、図５に示すように、レチクル１０００のＹ方向に沿った端部のうちの一方に設けられている。また、図１に示す第１スクライブ領域８０のうちの第２領域８９は、図５に示す第１スクライブ領域パターン８００のうちの１つである第２端部スクライブ領域パターン８９０を転写することにより形成されることができる。第２端部スクライブ領域パターン８９０は、図５に示すように、レチクル１０００のＹ方向に沿った端部のうちの他方に設けられている。
【００２９】
例えば図示の例では、５つの半導体チップ領域パターン５００の領域は、２つの第１スクライブ領域パターン８００（第１端部スクライブ領域パターン８８０および第２端部スクライブ領域パターン８９０）と、５つの第２スクライブ領域パターン８２０とにより、画定されている。なお、半導体チップ領域パターン５００、第１スクライブ領域パターン８００、および第２スクライブ領域パターン８２０のそれぞれの数については、図示の例に限定されるわけではない。
【００３０】
第１端部スクライブ領域パターン８８０が有するＴＥＧ領域パターン７００は、図５に示すように、１つであることができる。同様に、第１端部スクライブ領域パターン８８０が有するアライメントマーク領域パターン６００は、１つであることができる。第１端部スクライブ領域パターン８８０が有するＴＥＧ領域パターン７００と、第１端部スクライブ領域パターン８８０が有するアライメントマーク領域パターン６００とは、Ｙ方向に隣り合って配置されていることができる。
【００３１】
また、図１に示すアライメントマーク領域６０は、図５に示すアライメントマーク領域パターン６００を転写することにより形成されることができる。より具体的には、図１に示す第１アライメントマーク６４および第２アライメントマーク６５は、図５に示す第１アライメントマークパターン６４０および第２アライメントマークパターン６５０を転写することにより形成されることができる。また、図１に示す検査用マーク領域６２は、図５に示す検査用マーク領域パターン６２０を転写することにより形成されることができる。より具体的には、図１に示す合わせずれ検査用マーク６３は、図５に示す合わせずれ検査用マークパターン６３０を転写することにより形成されることができる。また、図１に示すＴＥＧ領域７０は、図５に示すＴＥＧ領域パターン７００を転写することにより形成されることができる。より具体的には、図１に示すＴＥＧ７１は、図５に示すＴＥＧパターン７１０を転写することにより形成されることができる。
【００３２】
３．  本実施形態に係る半導体ウェハ１００では、第１スクライブ領域８０が、幅の広い第１領域８８と幅の狭い第２領域８９とに分割される。第１領域８８は、Ｘ方向を特定するための第２アライメントマーク６５が配置されたアライメントマーク領域６０を有する。即ち、第１領域８８の幅は、Ｘ方向が長辺である長方形の平面形状を有する第２アライメントマーク６５のＸ方向の幅（例えば７００μｍ〜８００μｍ）と同程度にすることができる。一方、第２領域８９は、検査用マーク領域６２を有する。即ち、第２領域８９の幅は、検査用マーク領域６２のＸ方向の幅と同程度にすることができる。特に、第２領域８９が有する検査用マーク領域６２において、合わせずれ検査用マーク６３を、Ｙ方向に沿って１列に並べることにより、Ｘ方向に並べる場合に比べ、第２領域８９の幅を狭くすることができる。また、合わせずれ検査用マーク６３の平面形状を長方形とした場合、Ｘ方向を短辺とすることにより、Ｘ方向を長辺とする場合に比べ、第２領域８９の幅を狭くすることができる。なお、合わせずれ検査用マーク６３のＸ方向の幅は、例えば、５０μｍ〜７０μｍである。
【００３３】
また、第１領域８８は第２領域８９よりも幅が広いため、第１領域８８に検査用マーク領域６２を配置することは容易である。第１領域８８と第２領域８９との双方に検査用マーク領域６２を配置することにより、上述した重ね合わせずれの検査を高い精度で行うことができる。特に、半導体ウェハ１００のうちの１ショット内において、図１に示すように、４隅に検査用マーク領域６２を配置することにより、重ね合わせずれの検査を、より高い精度で行うことができる。
【００３４】
また、本実施形態では、第２スクライブ領域８２のうち、第１スクライブ領域８０と交差する領域以外の領域には、アライメントマーク領域６０、検査用マーク領域６２、およびＴＥＧ領域７０を配置しないことができる。この場合であっても、本実施形態によれば、重ね合わせずれの検査において高い精度を維持しつつ、第１スクライブ領域８０の幅（即ち、第１領域８８の幅と第２領域８９の幅の総和）を可能な限り狭くすることができる。つまり、半導体ウェハ１００の露光工程における１ショット内に、アライメントマーク領域６０および検査用マーク領域６２を効率良く配置することができる。その結果、所望の検査精度を確保しつつ、１枚の半導体ウェハ１００当りの半導体チップ領域５０の集積度、収率を向上させることができる。
【００３５】
また、本実施形態に係るレチクル１０００を用いて露光工程を行うことにより、上述したような作用効果を奏することのできる半導体ウェハ１００を提供することができる。
【００３６】
また、本実施形態に係るレチクル１０００では、第１スクライブ領域パターン８００のうちの１つであって、所定の第１スクライブ領域パターン８００（第１端部スクライブ領域パターン８８０）は、ＴＥＧ領域パターン７００およびアライメントマーク領域パターン６００を有する。そして、このＴＥＧ領域パターン７００は、図５に示すように、１つであることができる。同様に、このアライメントマーク領域パターン６００は、１つであることができる。そして、このＴＥＧ領域パターン７００と、このアライメントマーク領域パターン６００とは、Ｙ方向に隣り合って配置されていることができる。例えば、アライメントマーク領域パターン６００を挟むようにして、２つのＴＥＧ領域パターン７００を配置するような場合には、アライメントマーク領域パターン６００に対する２つのＴＥＧ領域パターン７００の対称性が悪い場合がある。この場合には、半導体ウェハ１００に転写されたアライメントマーク領域６０に対する２つのＴＥＧ領域７０の対称性が悪くなる。その結果、半導体ウェハ１００に対するレチクル１０００のアライメント工程において、第１、第２アライメントマーク６４，６５を読み取る際に、干渉が起こりやすくなり、第１、第２アライメントマーク６４，６５の解像度が低下することがある。
【００３７】
これに対し、本実施形態によれば、第１端部スクライブ領域パターン８８０において、１つのアライメントマーク領域パターン６００と１つのＴＥＧ領域パターン７００とが隣り合って配置されるので、アライメントマーク領域パターン６００に対するＴＥＧ領域パターン７００の対称性の悪化は生じない。従って、本実施形態によれば、半導体ウェハ１００に対するレチクル１０００のアライメントを良好に行うことができる。
【００３８】
４．  上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施形態に係る半導体ウェハを模式的に示す平面図。
【図２】図１のII−II線における断面を示す図。
【図３】図１のIII−III線における断面を示す図。
【図４】本実施形態に係る半導体ウェハの要部を模式的に示す平面図。
【図５】本実施形態に係るレチクルを模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００４０】
１０  基板、１２ａ〜１２ｅ  第１〜第５層間絶縁層、１６  素子分離領域、１８  パッド部、２０  パッシベーション層、２２  開口部、３０  ガードリング、３２  プラグ層、３４  金属層、５０  半導体チップ領域、６０  アライメントマーク領域、６２  検査用マーク領域、６３  合わせずれ検査用マーク、６４  第１アライメントマーク、６５  第２アライメントマーク、７０  ＴＥＧ領域、７１  ＴＥＧ、７２  導電層、８０  第１スクライブ領域、８２  第２スクライブ領域、８４  第１開口部、８６  第２開口部、８８  第１領域、８９  第２領域、９０ａ〜９０ｄ  第１〜第４ショット、９２  仮想線、１００  半導体ウェハ、５００  半導体チップ領域パターン、６００  アライメントマーク領域パターン、６２０  検査用マーク領域パターン、６３０  合わせずれ検査用マークパターン、６４０  第１アライメントマークパターン、６５０  第２アライメントマークパターン、７００  ＴＥＧ領域パターン、７１０  ＴＥＧパターン、８００  第１スクライブ領域パターン、８２０  第２スクライブ領域パターン、８８０  第１端部スクライブ領域パターン、８９０  第２端部スクライブ領域パターン，１０００  レチクル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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