(57)【要約】【課題】  多層配線基板の絶縁樹脂層と平滑配線層間の間で高い密着性を得ることのできる配線形成方法を提供するとともに、高い密着性を有する配線構造を有する多層配線基板を提供する。【解決手段】支持基板１０上に絶縁樹脂層２０と配線パターン４５とを１層づつ交互に積み上げ、更にインナービアホール５０を有する多層配線基板１の絶縁樹脂層２０に、金属製の金属箔７０に塗布した少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を転写して、絶縁樹脂層２０と配線パターン４５との間に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層３０を形成し、凸凹等によるアンカー効果ではなく、化合物層３０によって絶縁樹脂層２０と配線パターン４５とを密着性を持って積層する多層配線基板１の製造方法及びこれによって製造された多層配線基板１である。【選択図】図１
2007049116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に絶縁層と配線パターンを交互に積み上げる多層配線基板の製造方法において、
少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を表面に処理した金属箔を、前記絶縁層表面に貼り合わせる工程と、
前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を前記絶縁層表面に転写する工程と、
転写された前記化合物層上に金属薄膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層には、更に、下記一般式（１）で表されるトリアジン化合物及び／又はカップリング剤が含まれている              ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2007049116.tif 000008
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記貼り合わせる工程が、前記金属箔を半硬化状態の前記絶縁層表面に貼り合わせる工程と、かつ、その後、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記絶縁層表面に張り合わせた金属箔を除去又は薄層化する工程と、
この金属箔を除去又は薄層化した面の上に無電解めっきによる金属薄膜を設ける工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
支持基板上に絶縁層と配線パターンを交互に積み上げた多層配線基板において、
前記絶縁層と前記配線パターンとの間に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層が設けられている
ことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子機器の回路等の配線に使用される多層配線基板の製造方法及び多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する小型化、高性能化及び低価格化等の要求に伴い、プリント配線板の微細化、多層化及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、プリント配線板に対して多層配線構造を有する多層配線基板の開発が行われている。この多層配線基板の製造方法としては、一括積層法及びビルドアップ法が知られている。一括積層法においては、複数の絶縁樹脂層とこの絶縁樹脂層間に設けられる金属配線パターンとからなる積層構造は、一括的に一体化される。一方、ビルドアップ法においては、絶縁樹脂層の形成と、この絶縁樹脂層上での配線パターンを有する金属の配線層の形成とが順次繰り返されて多層化される。
多層配線基板では、複数の配線層間に絶縁樹脂層が形成されており、配線層間の導通をとるために、ビアホールと称される微細な穴が絶縁樹脂層に形成される。ビアホールを形成する方法としては、例えば感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ技術により形成する方法及びレーザを照射して穴を形成する方法がある。ビアホールを形成した絶縁樹脂層上に、無電解めっき及び電気めっきによって導体膜を形成し、これをエッチングして新たな配線パターンを形成するとともに、ビアホールとの導通をとって複数の配線層間が電気的に接続される。このような多層配線基板においては、必要に応じて絶縁樹脂層の形成から配線層形成までの工程を繰り返すことによって、回路の集積度を高めることができる。
【０００３】
多層配線基板の配線では、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性は、絶縁樹脂層に微細な凹凸を形成し、アンカー効果を持たせることで得られている。アンカー効果とは、絶縁樹脂を膨潤液、粗化液、中和液に順次浸漬し、樹脂の表面に５μｍ程度の凹凸を形成し、この上に無電解銅めっき、電気銅めっきを順次施して銅膜を形成することによって、前記絶縁樹脂膜と銅膜のと間に物理的な密着性を付与することをいう。
銅密着性は、ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準じた９０度剥離試験で評価され、一般的に、多層配線基板に対し、１ｋｇ／ｃｍ以上の密着性が求められているが、上述したアンカー効果ではほとんどが１ｋｇ／ｃｍ未満であり、十分な密着性が得られていないのが現状である。また、近年、多層配線基板にも高周波の信号が伝送されるようになり、特に１ＧＨｚを超える周波数領域では、アンカー効果を得るために微細突起を設けた配線構造を採用した場合に、配線構造の各層の表皮効果によって伝送損失、特に、導体損が増大するという不具合が生ずる。
【０００４】
配線層と絶縁樹脂層との間の密着性を向上させる手段としては、前述の物理的アンカー効果に起因させる方法以外に、銅と樹脂中の構成成分との間の化学的密着性を向上させる手段がある。分子レベルでの密着性を向上させる樹脂中の構成成分として各種の有機化合物が提案されているが、そのなかでも、チオール基を２個以上有する複素環状化合物は、銅等の金属に対する密着性を高めるものとして報告例が多い。
【０００５】
例えば、特許文献１には、銅との密着性に優れる化合物として、１，３，５−トリメルカプトピリジン、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール等の化合物がフォトソルダーレジスト組成物として開示されている。しかし、これらの化合物は反応基を有しない添加型の化合物であり、銅との密着性向上に関しては、樹脂内での当該化合物の密着性が低いことから、銅密着性の向上に対する効果も低いものと考えられる。
また、特許文献２には、６−ジブチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、６−フェニルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール等の化合物を銅害防止剤として使用する銅張積層板用接着剤が開示されている。トリアジンチオール化合物は、金属とキレートを形成する作用によって、金属と化学的に結合するものである。
【０００６】
更に、特許文献３には、熱可塑性ポリイミド樹脂の中に有機チオール化合物を添加したポリイミド樹脂組成物、又は有機チオール化合物を溶解した溶媒に熱可塑性ポリイミド樹脂を含浸させることによって、熱可塑性ポリイミド樹脂表面に有機チオール化合物を担持させたポリイミド樹脂組成物及びプリント配線板が開示されている。この技術は、熱可塑性ポリイミド樹脂中に有機チオール化合物を含ませるものであるが、有機チオール化合物を樹脂表面に一様に存在させるのは困難である。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１５８２４０号公報
【特許文献２】特開平５−０６５４６６号公報
【特許文献３】特開２００５−００２３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、樹脂層と配線層との密着性を高める構成成分としてトリアジン化合物を樹脂に添加する方法、及びトリアジン化合物溶液に樹脂を浸漬してその表面にトリアジン化合物を担持させる方法では、樹脂表面全面に均一に、トリアジン化合物層を形成することが困難であり、むらが生じるため、密着性の指標となる剥離強度を十分に高くすることができない問題がある。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、多層配線基板の絶縁樹脂層と平滑配線層との間で高い密着性を得ることができる多層配線基板の製造方法を提供するとともに、絶縁樹脂層と平滑配線層との間で高い密着性を有する配線構造の多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する手段である本発明の特徴を以下に挙げる。
本発明は、支持基板上に絶縁層と配線パターンとを１層づつ交互に積み上げ、さらに、インナービアホールを有する多層配線基板の製造方法であって、凸凹等によるアンカー効果ではなく、金属箔表面に形成した少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層、又は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤を含む化合物層を、絶縁層に転写して、絶縁層と配線パターンとの間に、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層、又は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤を含む化合物層を形成して、前記絶縁層と配線パターンとを積層する多層配線基板の製造方法である。
また、本発明は、上記多層配線基板の製造方法において、金属箔を除去又は薄層化して、その上に無電解めっきで電気配線層を含む配線パターンを形成する多層配線基板の製造方法である。
更に、本発明は、支持基板上に絶縁層と配線パターンとを１層づつ交互に積み上げ、さらに、インナービアホールを有する多層配線基板であって、金属箔に塗布し、絶縁層に転写された少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層、又は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤を含む化合物層の上に、Ｐｄ等の触媒を浸積・塗布し、無電解めっきによるＣｕ、Ｎｉ又はＣｏを含む金属配線層を含む配線パターンを備えた多層配線基板である。
【発明の効果】
【００１１】
上記解決するための手段によって、本発明の多層配線基板の製造方法及び多層配線基板によれば、絶縁層上に形成される金属配線の性能の劣化が生じない程度に、絶縁層の表面の微細な凹凸を小さくすることができ、凹凸によって生ずる電気的ショートを抑えることができる。また、均一な膜質の金属膜を形成することで、配線パターンの耐久性、信頼性を向上させることができる。さらに、高密度実装が可能な多層配線基板を構築することができ、電子機器の性能を向上させ、小型軽量化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明は、この発明における最良の形態の例であって、特許請求の範囲を限定するものではなく、いわゆる当業者による特許請求の範囲内における変更・修正による他の実施形態は、この特許請求の範囲に含まれる。
【００１３】
図１は、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基板の構造を示す概略図である。
図１において、本発明の多層配線基板は、支持基板１０と、その上に積層された配線パターン１１及び絶縁樹脂層２０とを有し、絶縁樹脂層２０の上に配線パターン４５が配置され、その配線パターン４５の上には、ビルドアップ方式で積層された絶縁樹脂層２１が配置される配線構造を有する。上層の配線パターン４５と内層の配線パターン１１とを導通させるビアホール５０が形成されている。
また、絶縁樹脂層と配線パターンとの間、絶縁樹脂層２０と電解めっきによる金属層４０，４２を含む配線パターン４５との間に、図１（２）に示したように、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０、又は少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤、例えばシランカップリング剤を含む化合物層３０が存在する。
以下に、この配線構造を有する多層配線基板の製造方法について説明する。
【００１４】
図２（１）〜（９）は、本発明の第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法における各工程を示す説明図である。
図２（１）において、多層配線基板を製造するに際し、先ず、金属箔７０の表面を、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物で処理して少なくとも前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を設ける。具体的には、平均表面粗さＲｚが３μｍ以下の金属箔７０の表面に、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物の溶液を塗布又は浸漬し、その後、加熱乾燥することによって、金属箔７０の表面に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を吸着させる。
溶液の塗布又は浸漬方法は、公知の塗布方法であるスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれであってもよい。塗布又は浸漬させる溶液は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物を有機溶媒又は水系溶媒中に溶解させたものである。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ブチルアルコールなどの低級アルコール；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル；ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル；ジメチルホルムアルデヒトなどのアルデヒドなどを挙げることができる。
【００１５】
金属箔７０としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の、箔、薄膜などの金属フィルムが好適に用いられるが、特に、Ｃｕ又はＮｉが好ましい。Ｃｕ又はＮｉは、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層が吸着しやすく、かつ、エッチングによって除去する場合等の加工が容易である。金属箔７０の平均表面粗さＲｚは、３μｍ以下にする。平均表面粗さＲｚが大きいと、金属箔７０上に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層を均一に塗布することが困難であり、また後述するように、転写して絶縁樹脂層２０上に均一な膜の化合物層３０を形成することが困難になる。ここで、平均表面粗さＲｚとは、材料表面の断面形状に現れる粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和をいうものとする。
従来の多層配線基板においては、絶縁樹脂層とこれに積層される配線パターンとの密着性を向上させる観点より、配線パターンが接する絶縁樹脂層の平均表面粗さＲｚは、比較的高く、積極的に粗面化処理を施すことによって５μｍ程度とされていた。すなわち、従来技術においては、このような高い表面粗さ、即ち表面凹凸形状に基づく物理的なアンカー効果によって、絶縁樹脂層に対する配線パターンの密着性が確保されていた。
これに対し、本発明では、平均表面粗さＲｚが３μｍ以下であってアンカー効果をほとんど期待できない場合であっても、金属箔からの転写によって絶縁樹脂層上に設けられる少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層を、絶縁樹脂層と配線パターンとの接合面に介在させることによって、前記絶縁樹脂層に対する配線パターンの密着性が向上する。
少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物として、例えばメルカプトスルホン酸が適用されるが、特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜選択することができる。メルカプトスルホン酸としては、例えばメルカプトエタンスルホン酸、メルカプトプロパンスルホン酸、及びこれらのアルカリ金属塩などが好適に用いられる。また、メルカプト基部分で２分子が結合した２量体として、一般的にめっき液の添加剤として用いられるビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジスルフィドなどがあり、これらの２量体と強アルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等）を混合することにより液中で２量体のジスルフィド結合を切断し、メルカプト基とスルホン酸基とを形成させたものであってもよい。
金属箔としての金属表面に化合物層を形成する方法は、前記メルカプトスルホン酸基又はそのアルカリ金属塩を含む溶液に金属箔を、例えば浸漬する方法が好適に採用される。
【００１６】
上述した少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層は、さらに、トリアジン化合物及び／又はカップリング剤を含有していてもよい。
トリアジン化合物は、下記一般式（１）で表される。
【化１】
2007049116.tif 000003
ここで、Ｘは、ＮＲ２又はＳＡを表し、この中で、Ａは、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓの中から選択される。従って、ＳＡは、ＳとＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓとが結合したものであり、これによって金属との吸着性が高くなる。その中でも特に、Ｈとの組み合わせによるＳＨ（チオール基）が好ましい。また、Ｒは、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７又はＣ６Ｈ５を表す。
カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコニウムカップリング剤等を挙げることができる。特に、シランカップリング剤は、水に容易に溶解することから好ましく適用される。シランカップリング剤としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、スルフィド基およびイソシアネート基からなる群より選択される官能基を有するものを使用することができる。より具体的には、シランカップリング剤として、例えば、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤、又はイミダゾール基、ジアルキルアミノ基、ピリジル基などを含むシラン系カップリング剤を用いることができる。
【００１７】
図２（２）は、化合物層を形成した金属箔７０を絶縁樹脂層２０表面に貼り合わせる工程を示している。ここでは、既に配線パターン１１を形成した支持基板１０上に、多層配線基板の絶縁層に用いる未硬化の絶縁樹脂層２０に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物で処理した金属箔７０の前記処理面が絶縁樹脂層２０に接するように重ね貼り合わせられる。金属箔７０と絶縁樹脂層２０とを貼り合わせた後、図２（３）に示したように、例えば真空プレス装置や真空ラミネート装置により金属箔７０を絶縁樹脂層２０に対して加熱・加圧することによって、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０が絶縁樹脂層２０の樹脂構造に取り込まれるなどして絶縁樹脂層２０に固定される。これによって、化合物層３０を絶縁樹脂層２０に転移、固着させることができる。このとき、絶縁樹脂層２０は、半硬化させた状態であっても良く、これによって、転写する少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層を強固に吸着させることができる。化合物層を吸着させた後、絶縁樹脂層２０を完全に硬化させるために、硬化工程を設けても良い。なお、半硬化させる反応によっては、その後の完全に硬化させるための加熱工程を省略することができる場合もある。
【００１８】
次に、図２（４）に示したように、絶縁樹脂層２０上に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を残しつつ、金属箔７０のみをエッチング処理などによって除去する。これによって、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０のみが絶縁樹脂層２０の表面に均一に転写された状態で残る。
金属箔として、銅フィルム、ニッケルフィルム、アルミニウムフィルムなどの金属フィルムを用いる場合は、エッチング液によってエッチング処理を行うことで金属箔を除去することができる。エッチング液としては、Ｃｕフィルムに対しては、例えば過酸化水素−硫酸混合水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。また、Ｎｉフィルムに対しては、例えば、硝酸を用いることができる。また、Ａｌフィルムに対しては、例えば塩酸を用いることができる。
【００１９】
次に、図２（５）に示したように、化合物層３０の上方から絶縁樹脂層２０に対して無電解銅めっき処理を施して厚さ０．０５〜１．５μｍの無電解銅めっき層４０を形成する。無電解銅めっき法としては、例えばコンディショニング、触媒前処理、触媒処理、反応促進処理、無電解銅めっき析出処理などの一連の処理工程を含む公知の手法を採用することができる。無電解銅めっき層４０は、絶縁樹脂層２０上の全面を被覆し、後の工程の電気めっき処理における通電層として機能することとなる。この無電解めっき法は、化学的な還元によって、絶縁樹脂層２０上に均一な厚さの金属を析出することができる。これによって、複雑な形状の品物でも、鋭いエッジや深い溝でさえも均一に、かつ完全にめっきすることができる。また、この無電解めっき法では、自己触媒である、例えばパラジウム（Ｐｄ）、Ａｕ又はＡｇで表面が覆われた触媒層を形成した後に、Ｃｕ等をめっきして無電解銅めっき層４０を設ける。
【００２０】
次に、図２（６）に示したように、無電解銅めっき層４０上にレジストパターン８０を形成する。具体的には、無電解銅めっき層４０上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象処理により当該フォトレジストをパターニングすることによって、レジストパターン８０を形成する。
次に、図２（７）に示したように、無電解銅めっき層４０を通電層として、電気銅めっき処理を施す。これにより、レジストパターンの非マスク領域に、厚さ１０〜３０μｍの電気Ｃｕめっき層４２を堆積成長させる。電気Ｃｕめっき法としては、酸性硫酸銅めっき液を用いた手法を採用することができる。酸性硫酸銅めっき液としては、例えば、硫酸銅五水和物を５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０〜３００ｇ／Ｌ、塩素イオンを３０〜１００ｍｇ／Ｌ、光沢剤や平滑剤などの添加剤を０．１〜２％の濃度で含むものを用いることができる。電解時における電流密度は０．５〜５Ａ／ｄｍ２の範囲が好ましい。
【００２１】
次に、図２（８）に示したように、レジストパターンを剥離する。剥離液としては、水酸化ナトリウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることができる。
次に、図２（９）に示したように、電気銅めっき層４２に覆われていない無電解銅めっき層４０を除去する。具体的には、無電解銅めっき層４０は、例えば、過酸化水素と硫酸の混合水溶液、または塩化第二銅水溶液などを用いてエッチング除去する。この結果、無電解銅めっき層４０および電気銅めっき層４２からなる配線パターンが、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層を介して、絶縁樹脂層２０上にパターン形成されることとなる。
【００２２】
次に、上述した図１（１）に示したように、絶縁樹脂層２０に対して、配線パターンの上方から絶縁樹脂層２１を積層形成する。これによって、多層配線基板１が形成される。このような、一連の工程を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を有する多層配線基板を製造することができる。
図３は、配線パターン４５上に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を設けた状態を説明するための概略図である。図３において、配線パターン４５の電気銅めっき層４２の表面には、次に積層形成される絶縁樹脂層との間においても密着性を高めるために、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物を処理した化合物層３０が設けられている。
【００２３】
以下に、本発明の第２実施形態について説明する。
本発明の多層配線基板の製造方法では、金属箔７０を、エッチングして薄膜化するだけで、除去せずに用いることができる。
図４は、本発明の第２実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示す概略図である。この方法は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を吸着させた金属箔７０を完全に除去しないで、薄膜化して、無電解めっきの下地層として利用する。
第１実施形態と同じ工程は、詳しい説明を省略するが、図４（１）〜（４）では、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０を吸着させた金属箔７０を絶縁樹脂層２０に貼着させて、化合物層３０を絶縁樹脂層２０に転写させる。
その後、図４（５）に示したように、金属箔７０を、エッチング液によってエッチング処理を行うことで、厚さ５μｍ以下に薄膜化する。エッチング液としては、銅フィルムに対しては、例えば過酸化水素−硫酸混合水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。また、アルミニウム箔に対しては、例えば塩酸を用いることができる。
【００２４】
次に、図４（６）に示したように、化合物層３０が転写された絶縁樹脂層２０に対し、ビアホール５０を形成する。ビアホール５０の形成手段としては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどを採用することができる。これらのレーザによりビアホール５０を形成すると、ビアホール５０の内壁には微細な凹凸形状が形成され、ビアホール５０の内壁とこれに接触するように形成されるビアとの間において充分なアンカー効果が得られる。ビアホール５０を形成した後、スミアを除去して、次の工程に入る。
図４（７）〜（１１）までの製造工程は、第１実施形態における図２（５）〜（９）と同様であり、詳しい説明を省略するが、ビアホール５０を形成した表面に、無電解めっき層４０を形成し（７）、その表面にレジストパターン８０を形成し（８）、その後、レジストパターンの非マスク領域に電気Ｃｕめっき層４２を堆積成長させ（９）、レジストパターンを剥離した後（１０）、電気銅めっき層４２に覆われていない無電解銅めっき層４０を除去する。その後、第１実施形態と同様に、配線パターンの上方から絶縁樹脂層を積層形成することによって、多層配線基板１が形成される。
【００２５】
以下に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物としてトリアジン化合物を適用したものであり、化合物層３０は、トリアジン化合物を含む化合物層となる。以下、第１実施形態の説明で使用した図２を援用して本実施形態を説明する。
まず、図２（１）に示すように、金属箔７０の表面を、トリアジン化合物を含む化合物で処理して化合物層３０を設ける。具体的には、平均表面粗さＲｚが３μｍ以下の金属箔７０の表面に、トリアジン化合物を含む化合物の溶液を塗布又は浸漬し、その後、加熱乾燥する。このようにして、金属箔７０の表面にトリアジン化合物を含む化合物層を吸着させる。塗布又は浸漬方法は、公知の塗布方法であるスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれでもよい。溶液は、トリアジン化合物を含む化合物を有機溶媒又は水系溶媒中に溶解させたものである。有機溶媒としては、上記第１実施形態で説明したと同様の低級アルコール、ケトン、環状エーテル、エーテル、アルデヒドなどを挙げることができる。
【００２６】
金属箔７０としては、第１実施形態で説明したように、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の、箔、薄膜などの金属フィルムを用いるのが好ましく、特に、Ｃｕ、Ｎｉが好ましい。これらは、トリアジン化合物を含む化合物が吸着しやすく、かつ、エッチングによって除去等の加工が容易だからである。また、平均表面粗さＲｚは、上記第１実施形態と同様の理由から、同様に３μｍ以下にする。なお、本実施形態では、平均表面粗さＲｚが３μｍ以下であってアンカー効果をほとんど期待できない場合であっても、後述するように、金属箔７０からの転写によって絶縁樹脂層２０上に設けられるトリアジン化合物を含有する化合物層３０が介在することによって、絶縁樹脂層２０に対する配線パターン４５の密着性を向上させることができる。
【００２７】
図５は、金属箔７０上に吸着したトリアジン化合物を含む化合物層におけるトリアジン化合物の状態を説明するための模式図である。
図５（１）に示すように、トリアジン化合物は、チオールが金属とキレート化して金属箔７０に対して強く吸着する。さらに、図５（２）に示したように、金属箔７０とは反対側に、炭素数１〜３のアルキル基又はフェニル基を有することで絶縁樹脂層２０に吸着して、金属配線層による配線パターンと絶縁樹脂層２０との間で吸着性を高めて、多層配線基板として半導体装置、電子部品を実装して使用したときの寿命を延ばすことができる。
本実施形態において、化合物層３０は、更にカップリング剤を含有してもよい。カップリング剤としては、上述した第１実施形態で例示したものを同様に用いることができる。
カップリング剤の中でも特に、シランカップリング剤は、トリアジン化合物と同様に、金属箔７０、又は配線パターン４５等の金属と絶縁樹脂層２０との間の吸着性を高める。シランカップリング剤は、樹脂等の有機材料と結合可能なビニル基、アミノ基、エポキシ基、イミダゾール基等の官能基と、Ｃｕ等の金属と結合可能な水酸基、メトキシ基、エトキシ基等の官能基を有する。カップリング剤のこのような働きにより、絶縁樹脂層２０に対する配線パターン４５の密着性をより高くすることができる。シランカップリング剤も、水系溶媒に溶解させた溶液を調製し、これをトリアジン化合物と同様に金属箔に塗布して化合物層３０を形成することができる。
【００２８】
以下、上述した第１実施形態と同様、図２（２）〜（９）に従って絶縁樹脂層と配線層との間にトリアジン化合物が含まれる化合物層３０を介在させた多層配線基板が形成される。
なお、配線パターン４５の上に更に絶縁樹脂層及び配線層を重ねる場合は、その密着性を高めるために、例えば配線パターン４５の表面にトリアジン化合物を処理して化合物層３０が設けられる。
【００２９】
以下、本発明の第４実施形態について説明する。
本実施形態が上述した第３実施形態と相違するところは、金属箔７０をエッチングによって完全に除去させることなく、薄膜化して残し、無電解めっきの下地層として利用するようにした点である。
図６は、本実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示す概略図である。
上述した第３の実施形態と同じ工程は、詳しい説明を省略するが、図６（１）では、トリアジン化合物を含む化合物層３０を吸着させた金属箔７０を絶縁樹脂層２０に貼着させて、化合物層３０を絶縁樹脂層２０に転写させる。その後、図６（２）に示したように、金属箔７０を、エッチング液によってエッチング処理を行うことで、５μｍ以下に薄膜化する。エッチング液としては、銅フィルムに対しては、例えば過酸化水素−硫酸混合水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。また、アルミニウム箔に対しては、例えば塩酸を用いることができる。
【００３０】
次に、図６（３）に示したように、化合物層３０が転写された絶縁樹脂層２０に対し、ビアホール５０を形成する。ビアホール５０の形成手段としては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどを採用することができる。これらのレーザによりビアホール５０を形成すると、ビアホール５０の内壁には微細な凹凸形状が形成され、ビアホール５０の内壁とこれに接触形成されるビアとの間において充分なアンカー効果が得られる。その後、スミアを除去して次の工程に入る。
すなわち、図６（４）に示したように、ビアホール５０を形成した後、薄膜化した金属箔７０の表面及びビアホール５０の壁面に、上述した第３実施形態と同様にして、例えば厚さ０．０５〜１．５μｍの無電解銅めっき層４０を形成する。
次に、図６（５）に示したように、第３実施形態と同様にして無電解銅めっき層４０上にレジストパターン８０を形成する。具体的には、無電解銅めっき層４０上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象処理により当該フォトレジストをパターニングすることによって、レジストパターン８０を形成する。
次に、図６（６）に示したように、第１実施形態と同様にして無電解銅めっき層４０を通電層として、電気銅めっき処理を施す。これにより、レジストパターン８０の非マスク領域に、厚さ１０〜３０μｍの電気Ｃｕめっき層４２を堆積成長させる。
次に、図６（７）に示したように、第３実施形態と同様にしてレジストパターン８０を剥離する。剥離液としては、水酸化ナトリウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることができる。
次に、図６（８）に示したように、絶縁層２０に対して、配線パターン４５の上方から絶縁層２１を積層形成する。これによって、多層配線基板１が形成される。このように、当該一連の工程を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を有する多層配線基板１を製造することができる。
【００３１】
本発明の多層配線基板の製造方法においては、第１及び第３実施形態として説明したように、全面に導電層となる厚みの薄い無電解めっき層４０を形成した後、形成しようとする導体回路のレジスト８０を形成し、次いで電気めっきを行い、レジスト８０を剥離した後、露出した給電層を除去するいわゆるセミアディティブ法により形成する。この方法をとることによって、金属配線層の配線を細くエッチングすることができ、高密度配線を得ることができる。
このような高密度配線は、第２及び第４実施形態として説明したように、金属箔７０を薄層化して残し、この薄層化した金属箔７０上に、導電層となる厚みの薄い無電解めっき層４０を形成した後に、配線パターン４５を形成する方法を適用した場合でも同様に得られる。すなわち、金属箔７０をエッチングして薄層化することで、サイドエッチングの量を抑えて、微細回路を形成することができる。また、金属箔７０のエッチング時間を短縮することで生産性を高めることもできる。
【００３２】
ここで、支持基板１０は、樹脂製基板、セラミック製基板、金属製基板の中から適宜選択される。樹脂製基板を適用する際の樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでも良く、絶縁性が高く、誘電率の低い樹脂が好ましく適用される。特に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂から選択することができる。
また、セラミックス製基板を適用する際のセラミックスとしては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＰｂＯ、ＺｎＯ２等の金属酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＡｌＣ等の炭化物、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物から適宜選択することができ、これらの混合物であっても良い。これらは、誘電率が低く、電気抵抗が高いことから、多層配線基板として半導体装置等を実装したときに安定した動作をさせることができる。特に、ガラスクロスに樹脂を含浸させて、この樹脂をＢステージの状態としたプリプレグを複数積層したものを用いても良い。
また、金属製基板を適用する際の金属としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ等が好適に用いられる。金属は、熱の放散が速く、多層配線基板として半導体装置等を実装したときに安定した動作をさせることができる。
【００３３】
また、絶縁樹脂層２０、２１に適用する樹脂としては、例えば絶縁性を有する熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が挙げられる。このような熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂として、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の中の少なくとも一つを含む樹脂を挙げることができ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
更にまた、絶縁樹脂層２０、２１に用いる樹脂は、液晶ポリマーを含むものであっても良い。液晶ポリマーとは、液晶構造を発現する高分子をいい、その液晶構造の発現のもととなるメソゲン基が直接主鎖にのみ入ったもの（主鎖型液晶ポリマー）、側鎖にのみ入ったもの（側鎖型液晶ポリマー）、またはその両者に入ったもの（複合型液晶ポリマー）に分類される。液晶ポリマーとしては、具体的に、リオトロピック液晶ポリマーでは代表的なものとして全芳香族ポリアミド、サーモトロピック液晶ポリマーでは代表的なものとして全芳香族ポリエステルが挙げられる。
【００３４】
以上説明したように、上述の多層配線基板の製造方法によって、図７（ａ）に示す多層配線基板１を得ることができる。図７（ａ）において、絶縁樹脂層２０の上には、配線パターン４５が設けられ、その上にさらに絶縁樹脂層２１を設けて多層配線基板が形成されている。絶縁樹脂層２０と配線パターン４５の間には、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層、又はこの化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤を添加した化合物層３０が設けられている。
更に、この多層配線基板１は、微細な配線構造を得るために、化合物層３０の上（薄層化された金属箔の上）に無電解めっきを施すための触媒になるＰｄ等の金属を吸着させて、例えばＰｄ層４１を設け、その上に無電解めっき層４０が設けられている。無電解めっき層４０としての金属薄膜は、無電解めっきによるＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏのいずれかを含むものである。さらに、この無電解めっき層４０の通電層を用いて電解めっきによって金属配線層４２を設けて配線パターン４５が形成されている。このように、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層、又はこの化合物層にトリアジン化合物及び／又はカップリング剤を含む化合物層３０を絶縁樹脂層２０と配線パターン４５の間に設けることで、前記絶縁樹脂層２０と配線パターン４５との密着性が向上し、配線パターン４５の剥離強度を高くすることができる。また、従来技術のように、密着性を上げるために、絶縁樹脂層２０と配線パターン４５の平均表面粗さＲｚを粗くする必要がないので、多層配線基板１の高周波数領域における動作時の伝送損失、特に、導体損を防止することができる。
一方、配線パターン４５の上に、更に絶縁樹脂層及び配線層を積層する場合は、図６（ｂ）に示したように、配線パターン４５の電気めっき層４２の表面に、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層３０が形成される。これによって、次に積層される絶縁樹脂層との密着性が確保される。
【００３５】
以下に、本発明の具体的実施例について説明する。
実施例１
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍの銅フィルムを用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板として銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、この銅表面に、絶縁層として熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、上述の表面処理を施した銅フィルムの処理面とポリイミドフィルムが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。次に、金属箔としての銅フィルムを過酸化水素−硫酸の混合液で除去した後、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られた。また、剥離面の平均表面粗さＲｚを調べたところ、１μｍであった。結果を表１に示す。
なお、サンプル基板における１ｃｍ幅の銅めっき膜を、その幅方向に垂直であって基板に垂直な方向へ剥がし、剥がし速度が一定であるときに銅めっき膜に作用する力を測定してピール強度とした。また、平均表面粗さＲｚは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１に則り、表面粗さ計で測定したものである。
【００３６】
比較例１
金属箔としての銅フィルムに対して３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩による処理を省略した以外は、上記実施例１と同様に処理したところ、無電解めっきの最中にポリイミド表面から銅めっき膜が剥がれ、ピール強度を測定するに至らなかった。
【００３７】
実施例２
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが３μｍの銅フィルムを用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬した。次いで、この銅箔を、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液に５分間浸漬処理し、次に、１ｗｔ％のγ−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ−６０３：信越化学工業製）水溶液で５分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板として銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、この銅表面に、絶縁層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、上述の表面処理を施した銅フィルムの処理面とポリイミドフィルムが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。次に、金属箔としての銅フィルムを過酸化水素−硫酸の混合液で除去し、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．１ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００３８】
実施例３
金属箔として厚さが２５μｍ、平均表面粗さＲｚが２μｍのニッケル箔を用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬した。次いで、この銅箔を、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）５ｗｔ％水溶液で５分間浸漬処理を行い、１２０℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板として銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、半硬化状態（Bステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。次いで、上述の表面処理を施したニッケル箔の処理面とエポキシ樹脂シートが接するようにこれらを重ね、真空ラミネートで１５０℃、１ＭＰａ、３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下で１７０℃、１時間キュアし、ニッケル箔を除去した後、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、得られた銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．１ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００３９】
実施例４
金属箔として厚さが３μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍの銅フィルムを用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬した。次いで、この銅箔を、２ｗｔ％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−4０３：信越化学工業製）水溶液で３分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板として銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、この銅表面に、絶縁層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、上述の表面処理を施した銅フィルムの処理面とポリイミドフィルムが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。
次に、上記銅フィルム面から、炭酸ガスレーザでφ６０μｍのビアホールを形成した。ビアホールのスミアを除去し、次に、ビアホール側面を含む全面に無電解銅めっき、電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、ビアホール以外の部分で銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．０ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００４０】
比較例２
銅フィルムに、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物による表面処理を行わなかった以外は、上記実施例４と同様にして同様のサンプルを調製し、同様にピール強度を測定したところ、０．３ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００４１】
実施例５
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが２μｍの銅フィルムを用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬した。次いで、この銅箔に対し、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ%水溶液で５分間浸漬処理を行い、次に、２ｗｔ％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業製）水溶液で３分間浸漬処理し、１１０℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板として銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、半硬化状態（Bステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。その後、上述の表面処理を施した銅フィルムの処理面とエポキシ樹脂シートが接するようにこれらを重ね、真空ラミネートで１５０℃、１ＭＰａ、３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下で１７０℃、１時間キュアした。
次に、銅フィルムを過酸化水素−硫酸混合液でエッチングし、厚さが全面１〜３μｍの範囲になるように溶解して薄膜化させ、この銅フィルム面から、ＵＶ−ＹＡＧレーザでφ５０μｍのビアホールを形成した。ビアホールのスミアを除去し、次に、ビアホール側面を含む全面に無電解銅めっき及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、ビアホール以外の部分で銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．２ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
2007049116.tif 000004
【００４３】
表１から明らかなように、実施例１と比較例１とを比較すると、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物による処理を行わない比較例１は、平均表面粗さＲｚが実施例１と同じであっても、ピール強度が低く、接着力が低いことがわかる。また、実施例１ないし３を比較しても、平均表面粗さＲｚの影響はあまり大きくなく、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物による処理を施すことによって層間接着力が大きくなっていることが分かる。
更に、実施例４に示すように、ビアホールを形成しても、他の実施例１ないし３と同様に、層間の接着力が大きくなっていることが分かる。
一方、比較例２では、銅フィルムに少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物による処理を施していないので、ピール強度は小さく０．３ｋｇｆ／ｃｍであった。
更にまた、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物による処理とカップリング剤による処理との両方を施した実施例５は、同じ平均表面粗さＲｚの実施例３と比較して分かるように、１．２ｋｇｆ／ｃｍという大きなピール強度が得られ、層間の接着力がより大きくなっていることが分かる。
【００４４】
実施例６
平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の銅フィルムを金属箔として用い、これを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬、処理した。次いで、この銅箔に対して、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）２ｗｔ％水溶液で３分間浸漬処理を行い、１１０℃で３０分のベークで乾燥させた。既に配線を形成し、前処理を施したＢＴレジン基板上に、未硬化のポリイミドフィルムと、上述した表面処理をした銅フィルムを、その処理面が前記ポリイミドフィルムに接するようにして重ね、真空ラミネータを用い、１ＭＰａの加圧力で、１８０℃、３分の条件で貼り合わせた。ラミネート後、さらに大気中で２１０℃、６０分の加熱を行い、ポリイミドを硬化させた。
次に、銅フィルムを塩化第二銅水溶液でエッチング処理して除去し、この状態で上下の導通をとるために、ＵＶ−ＹＡＧレーザでφ５０μｍのビアホールを形成した。次に、通電層を形成するために無電解銅めっきを行い、レジストのパターニングを行った。その後、電気めっき、及びレジスト剥離を行い、配線以外の通電層を過酸化水素と硫酸の混合液で除去して配線パターンを形成した。これによって、密着性が高く、配線幅が３０μｍ、配線間の間隔が３０μｍの微細配線を有する微細配線構造を製造することができた。
【００４５】
実施例７
厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の銅フィルムを、３−メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム塩（Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．１ｍｏｌ／Ｌ水溶液に５分間浸漬し、次いで、この銅箔に対して、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液で５分間浸漬処理を施した後、１ｗｔ％γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業製）＋１ｗｔ％γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−５０３：信越化学工業製）水溶液で５分間浸漬処理し、１２０℃で２０分乾燥させた。
一方、既に配線を形成し、前処理を施したＢＴレジン基板上に、未硬化のポリイミドフィルムと、上述した表面処理をした銅フィルムをその処理面が前記ポリイミドフィルムに接するようにして重ね、真空ラミネータを用い、加圧圧力１ＭＰａ、温度１８０℃、時間３分の条件で貼り合わせた。ラミネート後、さらに大気中で２１０℃、３０分の加熱を行い、ポリイミドを硬化させた。
次に、全面の厚さが０．５〜２μｍの範囲になるように、金属箔としての銅フィルムを塩化第二銅水溶液を用いて溶解、薄膜化させ、この状態で上下の導通をとるために、炭酸ガスレーザでφ８０μｍのビアホールを形成した。次いで、スミア除去を行った後、通電層を形成するためにビアホール側面を含む全面に、無電解銅めっきを施し、レジストのパターニングを行った。
その後、電気めっき、レジスト剥離を行い、配線以外の通電層を過酸化水素−硫酸の混合液で除去して配線を形成した。これによって、密着性が高く、配線幅が３０μｍ、配線間の間隔が３０μｍの微細配線を有する微細配線構造を製造することができた。
以上、説明した本発明の実施例６、７によれば、絶縁樹脂層と配線層との間に、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基を含む化合物を含む化合物層を介在させたことにより、平滑な表面の絶縁樹脂膜層と配線層との密着性に優れた多層回路基板を提供することができる。
【００４６】
実施例８
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍの銅フィルムを用い、これを、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液に５分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、絶縁樹脂層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、トリアジン化合物処理を施した上述の銅フィルムの処理面とポリイミドが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。その後、銅フィルムを過酸化水素−硫酸の混合液で除去し、次に、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られた。また、剥離面の平均表面粗さＲｚを調べたところ、１μｍであった。結果を表１に示す。
【００４７】
比較例３
実施例８で用いた銅フィルムをトリアジン化合物処理を行わず、そのまま真空プレスで硬化させた以外は、上記実施例８と同様に処理したところ、無電解めっきの最中にポリイミド表面から銅めっき膜が剥がれ、ピール強度を測定するに至らなかった。
【００４８】
実施例９
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが３μｍの銅フィルムを用い、これを、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液に５分間浸漬処理し、次に、１ｗｔ％のγ−アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ−６０３：信越化学工業製）水溶液で５分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、絶縁層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、トリアジン化合物処理をした上述の銅フィルムの処理面とポリイミドが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。銅フィルムを過酸化水素−硫酸の混合液で除去した後、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．２ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００４９】
実施例１０
金属箔として厚さが２５μｍ、平均表面粗さＲｚが２μｍのニッケル箔を用い、これを、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）５ｗｔ％水溶液に５分間浸漬処理し、１２０℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、半硬化状態（Bステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。さらに、トリアジン化合物処理した上述のニッケル箔の処理面とエポキシ樹脂シートが接するようにこれらを重ね、真空ラミネートで１５０℃、１ＭＰａ、３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下で１７０℃、１時間キュアした。
次いで、ニッケル箔を除去した後、全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．０ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００５０】
実施例１１
金属箔として厚さが３μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍの銅フィルムを用い、これを、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液に５分間浸漬処理し、次に、２ｗｔ％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業製）水溶液で３分間浸漬処理し、１００℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）を用い、その銅表面に、絶縁樹脂層として熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ねた。さらに、上述の表面処理を施した銅フィルムの処理面とポリイミドが接するようにこれらを重ね、真空プレスで２１０℃、３ＭＰａ、６０分間プレスした。
その後、銅フィルム面から、炭酸ガスレーザでφ６０μｍのビアホールを形成した。ビアホールのスミアを除去した後、ビアホール側面を含む全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、ビアホール以外の部分で銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．０ｋｇｆ／ｃｍであった。この結果を表１に示す。
【００５１】
比較例４
実施例１１で用いた銅フィルムにトリアジン化合物処理、又はカップリング処理の何れも行わず、そのまま真空プレスで硬化させた以外は、上記実施例１１と同様に処理してサンプル片を調製し、同様にしてピール強度を測定したところ、０．４ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表１に示す。
【００５２】
実施例１２
金属箔として厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが２μｍの銅フィルムを用い、これを、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ%水溶液に５分間浸漬処理し、次に、２ｗｔ％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業製）水溶液で３分間浸漬処理し、１１０℃で３０分のベークで乾燥させた。一方、支持基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製を用い、その銅表面に、半硬化状態（Bステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。次に、上述のトリアジン化合物及びカップリング処理した銅フィルムの処理面とエポキシ樹脂シートが接するようにこれらを重ね、真空ラミネートで１５０℃、１ＭＰａ、３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下で１７０℃、１時間キュアした。
次に、銅フィルムを過酸化水素−硫酸混合液で、全面の厚さが１〜３μｍの範囲になるように、溶解、薄膜化させ、その銅フィルム面から、ＵＶ−ＹＡＧレーザでφ５０μｍのビアホールを形成した。ビアホールのスミアを除去した後、ビアホール側面を含む全面に無電解銅めっき、及び電気銅めっき（膜厚３０μｍ）を施した。その後、１７０℃、１時間のアニール処理を行い、ビアホール以外の部分で銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定したところ、１．２ｋｇｆ／ｃｍであった。結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
2007049116.tif 000005
【００５４】
表２から明らかなように、実施例８と比較例３とを比較すると、トリアジン化合物による処理を行わないことで、平均表面粗さＲｚが同じであっても、ピール強度が低く、接着力が低いことがわかる。また、実施例８ないし１０を比較しても、平均表面粗さＲｚの影響はあまり大きくなく、トリアジン化合物の処理で接着力が大きくなっていることが分かる。
更に、実施例１１に示すように、ビアホールを形成しても、他の実施例８ないし１０と同様に、接着力が大きくなっていることが分かる。
一方、比較例４では、銅フィルムにトリアジン化合物処理を施していないので、ピール強度は小さく０．４ｋｇｆ／ｃｍであった。
更に、トリアジン化合物とカップリング剤との両方の処理を施した実施例１２は、同じ平均表面粗さＲｚの実施例１０と比較して分かるように、１．２ｋｇｆ／ｃｍという大きなピール強度が得られ、層間の接着力がより大きくなっていることが分かる。
【００５５】
実施例１３
平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の銅フィルムの表面に対し、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）２ｗｔ％水溶液で３分間浸漬処理を行い、１１０℃で３０分のベークで乾燥させた。
既に配線を形成し、前処理を施したＢＴレジン基板上に、未硬化のポリイミドフィルムと、カップリング処理した銅フィルムを処理面がポリイミドフィルムに接するように重ねて真空ラミネータを用い、１ＭＰａの加圧で、１８０℃、３分の条件で貼り合わせた。ラミネート後、さらに大気中で２１０℃、６０分の加熱を行い、ポリイミドを硬化させた。
次に、銅フィルムを塩化第二銅水溶液でエッチング処理して、この銅フィルムを除去した。この状態で上下の導通をとるためにＵＶ−ＹＡＧレーザでφ５０μｍのビアホールを形成した。次に、通電層を形成するために無電解銅めっきを施した後、レジストのパターニングを行った。その後、電気めっき、レジスト剥離を行った。配線以外の通電層を過酸化水素と硫酸の混合液で除去して配線パターンを形成した。これによって、密着性が高く、配線幅が３０μｍ、配線間の間隔が３０μｍの微細配線を有する微細配線構造を製造することができた。
【００５６】
実施例１４
厚さが１８μｍ、平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の銅フィルムの表面に対し、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１：三協化成製）１ｗｔ％水溶液で５分間浸漬処理を行い、１ｗｔ％γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業製）＋１ｗｔ％γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−５０３：信越化学工業製）水溶液で５分間浸漬処理し、１２０℃で２０分乾燥させた。
既に配線を形成し、前処理を施したＢＴレジン基板上に、未硬化のポリイミドフィルムと、トリアジン化合物処理、及びカップリング剤処理を施した銅フィルムを処理面がポリイミドフィルムに接するように重ね、真空ラミネータを用い、１ＭＰａの加圧で、１８０℃、３分の条件で貼り合わせた。ラミネート後、さらに大気中で２１０℃、６０分の加熱を行い、ポリイミドを硬化させた。
次に、全面０．５〜２μｍの範囲になるように、銅フィルムを塩化第二銅水溶液で、溶解、薄膜化させた。この状態で上下の導通をとるために炭酸ガスレーザでφ８０μｍのビアホールを形成し、スミア除去を行った。次に、通電層を形成するためにビアホール側面を含む全面に、無電解銅めっきを施した後、レジストのパターニングを行った。
その後、電気めっき、レジスト剥離を行った。配線以外の通電層を過酸化水素−硫酸の混合液で除去して配線を形成した。これによって、密着性が高く、配線幅が３０μｍ、配線間の間隔が３０μｍの微細配線を有する微細配線構造を製造することができた。
【００５７】
以上が本発明の実施形態による説明であるが、発明として、例えば、下記のような特徴を抽出することができるので、ここで列挙しておく。
（付記１：請求項１）本発明の多層配線基板の製造方法は、支持基板上に絶縁層と配線パターンを交互に積み上げる多層配線基板の製造方法において、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を表面に処理した金属箔を、前記絶縁層表面に貼り合わせる工程と、前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を前記絶縁層表面に転写する工程と、転写された前記化合物層上に金属薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
（付記２：請求項２）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１において、前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層には、更に、下記一般式（１）で表されるトリアジン化合物及び／又はカップリング剤が含まれていることを特徴とする。
2007049116.tif 000006
（付記３）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１又は２において、前記少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物は、トリアジン化合物であることを特徴とする。
（付記４：請求項３）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記貼り合わせる工程が、前記金属箔を半硬化状態の前記絶縁層表面に貼り合わせる工程と、かつ、その後、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
（付記５）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物並びにそのアルカリ金属塩の中から選択された少なくとも一つを含む溶液を用いて前記金属箔を処理することを特徴とする。
（付記６）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記金属箔は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌのいずれか一種類を含む金属製であることを特徴とする。
（付記７）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記６において、前記金属箔の平均表面粗さＲｚは、３μｍ以下であることを特徴とする。
（付記８：請求項４）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記金属箔を除去する工程と、その上に金属薄膜を設ける工程を有することを特徴とする。
（付記９：請求項４）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記金属箔を薄膜化する工程と、その上に金属薄膜を設ける工程を有することを特徴とする。
（付記１０）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記８又は９において、前記金属薄膜は、無電解めっきによることを特徴とする。
（付記１１）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記８又は９において、前記金属薄膜の上に電解めっきによる導電層の金属層を設ける工程を有することを特徴とする。
（付記１２）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記支持基板は、樹脂製基板、セラミック製基板、金属製基板の中から選択される基板であることを特徴とする。
（付記１３）本発明の多層配線基板の製造方法は、付記１〜３のいずれかにおいて、前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマーの中の少なくとも一つを含んでいることを特徴とする。
【００５８】
（付記１４：請求項５）本発明の多層配線基板は、支持基板上に絶縁樹脂層と配線層とを交互に積み上げる多層配線基板において、前記絶縁層と配線パターンとの間に少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層が設けられていることを特徴とする。
（付記１５）本発明の多層配線基板は、付記１４において、前記メルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層には、更に、下記一般式（１）で表されるトリアジン化合物及び／又はカップリング剤が含まれていることを特徴とする。
2007049116.tif 000007
（付記１６）本発明の多層配線基板は、付記１４又は１５において、前記少なくともメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物は、トリアジン化合物であることを特徴とする。
（付記１７）本発明の多層配線基板は、付記１４又は１５において、前記配線パターンは、無電解めっき層と電解めっき層とが設けられていることを特徴とする。
（付記１８）本発明の多層配線基板は、付記１７において、前記配線パターンは、Ｐｄ層の上に無電解めっき層が設けられていることを特徴とする。
（付記１９）本発明の多層配線基板は、付記１４又は１５において、前記配線パターンは、金属箔上に設けられていることを特徴とする。
（付記２０）本発明の多層配線基板は、付記１９において、前記金属箔が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌのいずれか一種類を含むことを特徴とする。
（付記２１）本発明の多層配線基板は、付記２０において、前記金属箔の平均表面粗さＲｚは、３μｍ以下であることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された多層配線基板の構造を示す概略図である。
【図２Ａ】本発明の多層配線基板の製造方法の工程を説明するための概略図である。
【図２Ｂ】本発明の多層配線基板の製造方法の工程を説明するための概略図である。
【図３】配線パターン上にメルカプト基及び／又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物を処理したときの状態を説明するための概略図である。
【図４Ａ】本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す概略図である。
【図４Ｂ】本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施形態を示す概略図である。
【図５】金属箔上に吸着したトリアジン化合物の状態を説明するための模式図である。
【図６Ａ】本発明の多層配線基板の製造方法の別の実施形態を示す概略図である。
【図６Ｂ】本発明の多層配線基板の製造方法の別の実施形態を示す概略図である。
【図７】本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された他の多層配線基板の構造を示す概略図である
【符号の説明】
【００６０】
１  多層配線基板
１０  支持基板
１１  配線パターン
２０  絶縁樹脂層
２１  絶縁樹脂層
３０  化合物層
４０  無電解めっき層
４１  Ｐｄ層
４２  金属配線層（電気銅めっき層）
４５  配線パターン
５０  ビアホール
７０  金属箔
８０  レジストパターン
【図１】
2007049116.tif 000009
【図２Ａ】
2007049116.tif 000010
【図２Ｂ】
2007049116.tif 000011
【図３】
2007049116.tif 000012
【図４Ａ】
2007049116.tif 000013
【図４Ｂ】
2007049116.tif 000014
【図５】
2007049116.tif 000015
【図６Ａ】
2007049116.tif 000016
【図６Ｂ】
2007049116.tif 000017
【図７】
2007049116.tif 000018