(57)【要約】【課題】軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】反強磁性層を備える下部構造体と、反強磁性層上に順次に形成された第１軟磁性下地層、非磁性層及び第２軟磁性下地層と、第２軟磁性下地層上に形成された非磁性中間層及び非磁性中間層上に形成された記録層とを備える軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体である。これにより、磁気ヘッド及びボイスコイルモータによる外部磁場による軟磁性下地層から発生するノイズを大きく減少させることができる。【選択図】図２
2007012256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反強磁性層を備える下部構造体と、
前記反強磁性層上に順次に形成された第１軟磁性下地層、非磁性層及び第２軟磁性下地層と、
前記第２軟磁性下地層上に形成された記録層と、を備えることを特徴とする軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記反強磁性層と前記第１軟磁性下地層との間に形成された中間磁性層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１軟磁性下地層のＭｓｔｂｏｔ値に対する前記第２軟磁性下地層のＭｓｔｔｏｐ値の比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．４ないし１．０であり、ここで、Ｍｓは飽和磁化値、ｔｂｏｔは第１軟磁性下地層の厚さ、ｔｔｏｐは第２軟磁性下地層の厚さ、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の軟磁性下地層を有した垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１は、前記第１軟磁性下地層の厚さｄ２及び前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１の和ｄ１＋ｄ２の０．３倍ないし０．５倍の範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第１軟磁性下地層の厚さｄ２と前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１との和は、３０ｎｍないし８０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記下部構造体は、
基板と、前記基板上に順次に形成されたシード層、バッファ層及び反強磁性層とを備えることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第２磁性層は、相対的に上側に位置する前記第１磁性層に比べて薄いことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性層は、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、ＰｄまたはＰｔのうち、少なくともいずれか１つの物質を含んで形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記第１軟磁性下地層または第２軟磁性下地層は、ＣｏＺｒＮｂまたはＣｏＴａＺｒのようなＣｏ系合金物質や、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅＮｉＢ、Ｃｏ９０Ｆｅ１０またはＣｏ３５Ｆｅ６５のようなＣｏＦｅ系の合金から形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第１軟磁性下地層または第２軟磁性下地層の物質のＭｓ値が１，０００ｅｍｕ／ｃｃ〜１，５００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である場合、Ｍｓｔ値は、０．４ないし０．８の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記第１軟磁性下地層または第２軟磁性下地層の物質のＭｓ値が１，６００ｅｍｕ／ｃｃ〜２，０００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である場合、Ｍｓｔ値は、０．６ないし１．０の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に係り、さらに詳細には、軟磁性下地層の厚さ及び構造を制御してノイズを減少させた軟磁性下地層（ＳＵＬ：Ｓｏｆｔ ｍａｇｎｅｔｉｃ ＵｎｄｅｒＬａｙｅｒ）を備えた垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、磁気ディスク装置（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｉｓｋ ｄｅｖｉｃｅ）に対する需要が高まるにつれ、さらに大きい面記録密度（ａｒｅａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｄｅｎｓｉｔｙ）を備えた磁気記録媒体への要求が急増している。従来には、磁気記録装置の記録方式が水平記録方式であったが、面記録密度を向上させるために、垂直磁気記録方式が提示されている。垂直磁気記録方式は、情報が記録される磁気記録層を垂直方向に磁化させて情報を記録する方式である。かような磁気記録層は、高い垂直磁気異方性（ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）と保磁力（ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）とを備えた磁性物質から形成される。
【０００３】
図１は、従来技術による垂直磁気記録装置を説明するための概略的な断面図である。垂直磁気記録装置は、垂直磁気記録媒体及び磁気ヘッドを備えている。
図１を参照すれば、従来の垂直磁気記録媒体は、基板１０上に順次に形成された軟磁性下地層１１、記録層１２及び保護層１３を備えた構造を有している。下地層１１及び記録層１２間には、中間層がさらに形成されうる。垂直磁気記録媒体の上方には、磁気ヘッド１５が位置し、メインポールとリターンポールとから構成される。軟磁性下地層１１は、記録層１２のＡ領域を効果的に磁化させ、データを記録しやすくするために、記録層１２の下部に導入されている。
【０００４】
磁気ヘッドから記録層１２に対して磁場（Ｍ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ）を印加し、記録層１２を磁化させることによって情報を記録する。具体的に述べれば、情報を記録する場合、メインポールから放出された磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ）は、記録層１２をビット領域（ｂｉｔ ｒｅｇｉｏｎ）単位で磁化させ、記録層１２下部の軟磁性下地層１１に沿って流れた後、リターンポールに回収される。メインポールから放出された磁束は、密度が乱れずに記録層１２に効果的に伝えられるので、記録層１２は、このような磁束によってさらに効果的に磁化される。
【０００５】
軟磁性下地層１１を導入する場合、軟磁性下地層１１の飽和現象を考慮しなければならない。軟磁性下地層１１の飽和現象を効果的に防止するためには、まず、十分な厚さを有することが必要であり、次に、十分な飽和磁化値（Ｍｓ：Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）を有さねばならない。
【０００６】
しかし、軟磁性下地層１１を厚く形成する場合、大きいドメインノイズ（ｄｏｍａｉｎ ｎｏｉｓｅ）を伴いうる。そして、従来の軟磁性下地層１１の場合、１００ｎｍ以上の厚さに形成し、コスト及び収率の側面で望ましくない。また、記録層１２に／から情報を記録／再生する場合、磁気ヘッド及びボイスコイルモータなどにより発生する意図しない漂遊磁界（stray field）により軟磁性下地層１２にノイズが発生し、垂直磁気記録媒体の特性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来技術の問題点を改善するためのものであり、軟磁性下地層の導入時に伴われるスパイクノイズを減少させ、磁気ヘッドとボイスコイルモータの漂遊磁界により誘発されるメディアノイズを減少させることができる軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の技術的課題を達成するために本発明では、反強磁性層を備える下部構造体と、前記反強磁性層上に順次に形成された第１軟磁性下地層、非磁性層及び第２軟磁性下地層と、前記第２軟磁性下地層上に形成された記録層とを備える軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【０００９】
本発明において、前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１は、前記第１軟磁性下地層の厚さｄ２及び前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１の和ｄ１＋ｄ２の０．３倍ないし０．５倍の範囲であることを特徴とする。
【００１０】
本発明において、前記第１軟磁性下地層の厚さｄ２と前記第２軟磁性下地層の厚さｄ１との和は、３０ｎｍないし８０ｎｍであることを特徴とする。
本発明において、前記下部構造体は、基板と、前記基板上に順次に形成されたシード層、バッファ層及び反強磁性層とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記非磁性層は、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、ＰｄまたはＰｔのうち、少なくともいずれか１つの物質を含んで形成されたことを特徴とする。
本発明において、前記第１軟磁性下地層または第２軟磁性下地層は、ＣｏＺｒＮｂまたはＣｏＴａＺｒのようなＣｏ系合金物質や、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅＮｉＢ、Ｃｏ９０Ｆｅ１０またはＣｏ３５Ｆｅ６５のようなＣｏＦｅ系の合金から形成されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明において、前記反強磁性層と前記第１軟磁性下地層との間に形成された中間磁性層をさらに備えることを特徴とする。
本発明において、前記第１軟磁性下地層のＭｓｔｂｏｔ（ｔ：厚さ（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ））値に対する前記第２軟磁性下地層のＭｓｔｔｏｐ値の比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．４ないし１．０であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、次のような効果がある。
第一に、軟磁性下地層を多層に形成し、反強磁性層で下部軟磁成層の磁化方向を維持することにより、磁気ヘッド及びボイスコイルモータなどによる外部磁場の影響力を最小化することによってノイズの発生を抑制できる。
【００１４】
第二に、多層の軟磁性下地層の厚さを最適の範囲に限定して調節することにより、スイッチングフィールド最小値を大きくすることでもって、ノイズ発生の抑制効果を極大化できる。
【００１５】
第三に、飽和磁化値をさらに考慮することにより、軟磁性下地層に使われる物質全般にわたって有効に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施例による軟磁性下地層を備える垂直磁気記録媒体及びその製造方法を詳細に説明する。
図２を参照すれば、本発明の実施例による軟磁性下地層を備える垂直磁気記録媒体は、下部構造体２０、前記下部構造体２０上に順次に形成された第１軟磁性下地層２１ａ、非磁性層２２、第２軟磁性下地層２１ｂ、中間層２３、及び記録層２４を含む。また、記録層２４上に、保護層及び／または潤滑層をさらに備えることができる。本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の下部構造体２０は、基板と、前記基板上に順次に形成されたシード層、バッファ層及び反強磁性層とを備える。
【００１７】
本発明の実施例による垂直磁気記録媒体は、記録層２４の下部に、反強磁性層（図示せず）、第１軟磁性下地層２１ａ及び第２軟磁性下部層２１ｂを備え、第１軟磁性下地層２１ａの厚さｄ２と第２軟磁性下地層２１ｂの厚さｄ１との和に対する第２軟磁性下地層２１ｂの厚さｄ１の比ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）が０．３ないし０．５であることを特徴とする。また、第１軟磁性下地層２１ａ及び第２軟磁性下地層２１ｂの飽和磁場と厚さとの積であるＭｓｔの比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．４ないし１．０であることを特徴とする。本発明を製造する工程は、一般的な垂直磁気記録媒体の製造方法と大きく変わりなく、低圧状態でスパッタリングリング工程などを利用して容易に製造できる。
【００１８】
前述のような特徴を備える本発明の実施例による軟磁性下地層を備える垂直磁気記録媒体の具体的な実施例について詳細に説明する。
図３Ａを参照すれば、基板（Ｓｕｂ）３０上にシード層（Ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）３１、バッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）３２、及び反強磁性層（ＡＦＣ）３３が順次に形成されている。そして、反強磁性層３３上には、第１軟磁性下地層（Ｂｏｔ ＳＵＬ）３４ａ、非磁性層（ｎｏｎ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｌａｙｅｒ）３６、及び第２軟磁性下地層（Ｔｏｐ ＳＵＬ）３４ｂが順次に形成されている。そして、図３Ａには図示されていないが、第２軟磁性下地層３４ｂ上には、記録層が形成され、第２軟磁性下地層３４ｂと記録層との間には、記録層の結晶配向性及び磁気的特性を向上させるための中間層がさらに形成されうる。
【００１９】
基板３０は、一般的な垂直磁気記録媒体の基板材料として利用できるものならば、制限されるものではなく、例えば、ガラスなどがある。シード層３１及びバッファ層３２は、軟磁性下地層の成長のためのものであり、シード層３１としてＴａやＴａ合金などを使用でき、バッファ層３２は、Ｔａ／Ｒｕ化合物またはＮｉＦｅまたはＮｉＦｅＣｒのようなＮｉＦｅ系合金から形成できる。
【００２０】
バッファ層３２上には、軟磁性下地層の特性を示す複数層の層が形成される。まず、バッファ層３２上に、反強磁性層３３が形成され、ＩｒＭｎのような反強磁性特徴を示す磁性物質を利用する。かような反強磁性層３３は、その上部に形成される第１軟磁性下地層３４ａの磁化方向を決定して固定させる役割を果たす。
【００２１】
ＩｒＭｎ反強磁性層３３の場合、交換バイアス磁場は、その厚さによって変化し、ほぼ１０ｎｍ前後の厚さである場合、交換バイアス磁場が相対的に高い。従って、反強磁性層３３は、数ｎｍないし数十ｎｍほどの厚さに形成されうるが、望ましくは、１０ｎｍないし２０ｎｍの厚さほどに形成される。
【００２２】
反強磁性層３３上には、軟磁性下地層が合成反磁性（ＳＡＦ：Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）構造に形成される。具体的に、第１軟磁性下地層３４ａ、非磁性層３５、及び第２軟磁性下地層３４ｂを備えた構造を有している。非磁性層３５は、第１軟磁性下地層３４ａが一定方向に磁化されるとき、第２軟磁性下地層３４ｂの磁化方向が第１軟磁性下地層３４ａの磁化方向の反対方向になるように誘導する役割を果たす。
【００２３】
ここで、非磁性層３５は、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｐｔのような物質から形成され、主に、Ｒｕから形成される。Ｒｕから形成された非磁性層３５は、およそ数Åないし数ｎｍの厚さに形成され、反強磁性結合誘導が相対的に有利であるおよそ０．８ｎｍほどの厚さに形成されうる。
【００２４】
第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性非磁性層３４ｂは、多様な磁性物質から形成され、ＣｏＺｒＮｂまたはＣｏＴａＺｒのようなＣｏ系合金物質や、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅＮｉＢ、Ｃｏ９０Ｆｅ１０またはＣｏ３５Ｆｅ６５のようなＣｏＦｅ系の合金から形成されうる。かような第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂは、およそ数ｎｍないし数十ｎｍの厚さに形成されうる。本発明の実施例による軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体では、第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂの厚さの和が３０ｎｍないし８０ｎｍであることを特徴とする。
【００２５】
図３Ｂは前記図３Ａの垂直磁気記録媒体の構造で、反強磁性層３３及び第１軟磁性下地層３４ａ間に中間磁性層（Ｅｘｃｈａｎｇｅ ｂｉａｓ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｌａｙｅｒ）３６をさらに形成したことを特徴とする。かような中間磁性層３６は、反強磁性層３３が第１軟磁性下地層３４ａの磁化方向を固定させる効果を強化するために形成されたものである。中間磁性層３６としては、例えば、ＣｏＦｅまたはＣｏＦｅＢのようなＢｓ（飽和磁性密度）値の高い材料を利用し、数ｎｍの厚さに形成する。
【００２６】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施例による軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体の特性について詳細に説明する。
図４は、軟磁性下地層の厚さによる垂直磁気記録媒体の記録特性を表したグラフである。ここで使われた試片は、図３Ｂのような構成の垂直磁気記録媒体であり、ガラス基板上にシード層３１としてＴａをおよそ５ｎｍ厚に塗布し、バッファ層３２としてＮｉＦｅＣｒをおよそ５ｎｍに塗布して下部構造体を形成しものである。そして、バッファ層３２上に１０ｎｍのＩｒＭｎ強磁性層３３を形成し、中間磁性層３６としてＣｏＦｅＢをおよそ２ｎｍに形成したものである。第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂは、ＣｏＺｒＮｂから形成し、その間にＲｕを用いておよそ０．８ｎｍ厚に非磁性層３５を形成した。そして、前記の軟磁性下地層上にＴａシード層とＲｕ中間層とをそれぞれ３ｎｍ、３０ｎｍ厚に形成した後、１５ｎｍ厚のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２記録層を形成し、記録層の保護のために、水素化炭素層を５ｎｍ厚に形成した。最後に、潤滑層をコーティングした後、スピンスタンドを利用して記録／再生特性を評価した。
【００２７】
図４を参照すれば、情報記録時の磁気的なトラック幅（ＷＴＷ：Ｗｒｉｔｅ Ｔｒａｃｋ Ｗｉｄｔｈ）は、第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂの厚さの和が小さいほど減少するということが分かる。そして、絶縁遷移パルスの半期幅（ＰＷ５０（ｎｓ）：Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ ５０）値は、第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂの厚さの和が約３０ｎｍないし８０ｎｍ厚で安定して低い値を示すということが分かる。記録密度を高めるためには、ＷＴＷ、ＰＷ５０値がいずれも低いものが有利なので、結果的に、最適の軟磁性下地層の厚さ（第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂの厚さの和）は、約３０ｎｍないし８０ｎｍの厚さ範囲であるということが分かる。
【００２８】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の実施例による軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体の磁気的特性を表したグラフである。ここで、横軸は、軟磁性下地層の全体厚に対する第２軟磁性下地層の厚さの比の大きさを表したものである。そして、縦軸は、第１軟磁性下地層のスイッチングフィールド（Ｈｓｗｂｏｔ）、第２軟磁性下地層のスイッチングフィールド（Ｈｓｗｔｏｐ）を表したものであり、参考として透過率を表した。
【００２９】
図５Ａの場合、前記図４の試片と同じ試片について、第１軟磁性下地層及び第２軟磁性下地層の厚さの和を６０ｎｍに設定し、第１軟磁性下地層の厚さを調節したものである。
図５Ａを参照すれば、第１軟磁性下地層の厚さがだんだんと厚くなるほど（すなわち、横軸の厚さ比が小さくなるほど）第１軟磁性下地層のスイッチングフィールドが減少するということが分かる。このような様相は、第２軟磁性下地層も同じである。ただし、第１軟磁性下地層は、反強磁性体の影響で、第２軟磁性下地層に比べてスイッチングフィールドが比較的大きい。第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さの範囲を適切に設定して最適化させるためには、スイッチングフィールドを考慮せねばならない。軟磁性下地層の場合、ヘッドやボイスコイルモータのような外部の望ましくない磁場により磁化方向が影響され、記録層の情報に対してノイズとして作用しうる。従って、軟磁性下地層、すなわち、第１軟磁性下地層または第２軟磁性下地層いずれもスイッチングフィールドの最低値が大きいことが望ましい。図５Ａでは、Ａ及びＣ領域に比べてＢ領域の磁気的特性を示すことが望ましい。結果的に、本発明の実施例では、第２軟磁性下地層の厚さは、全体軟磁性下地層厚さの０．３ないし０．５の範囲であるということが望ましい。
【００３０】
図５Ｂは、図３Ａに表した構造の試片についてのものであり、ガラス基板上にシード層３１としてＴａを約５ｎｍ厚に塗布し、バッファ層３２としてＮｉＦｅＣｒを約５ｎｍに塗布して下部構造体を形成したものである。そして、バッファ層３２上に１０ｎｍのＩｒＭｎ強磁性層３３を形成し、第１軟磁性下地層３４ａ及び第２軟磁性下地層３４ｂは、ＣｏＦｅＢから形成し、その間にＲｕを約０．８ｎｍ厚に非磁性層３５を形成した。図５Ｂの横軸は、第１軟磁性下地層及び第２軟磁性下地層の厚さの和を４０ｎｍに設定し、第１軟磁性下地層の厚さの比を表したものである。
【００３１】
図５Ｂを参照すれば、第１軟磁性下地層及び第２軟磁性下地層の厚さがだんだんと厚くなるほど第１軟磁性下地層及び第２軟磁性下地層のスイッチングフィールドが減少するということが分かる。これは、前記図５Ａグラフの様相と似ているということが分かる。第１軟磁性下地層、第２軟磁性下地層いずれもスイッチングフィールドの最低値が大きい範囲を具体的に述べれば、図５ＢではＡ’及びＣ’領域に比べてＢ’領域のスイッチングフィールドの最低値が大きく示されるということが分かる。結果的に、図５Ｂの場合、第２軟磁性下地層の厚さは、全体軟磁性下地層厚さの０．３ないし０．６の範囲でスイッチングフィールドの大きさが５０ Ｏｅ以上の大きさを有するので望ましい特性を示すということが分かる。
【００３２】
図５Ａ及び図５Ｂから示された結果を検討すれば、全体軟磁性下地層厚さに対し、上部軟磁性下地層である第２軟磁性下地層の厚さ比が０．３ないし０．５であるということが最適値を有することを確認することができる。
図６Ａ及び図６Ｂを参照し、図５Ａの測定対象に該当する試片のうち、Ｂ領域及びＣ領域に該当する試片に対する磁気履歴特性について調べた。
【００３３】
図６Ａは、図５のＢ領域に該当する試片のうち、全体軟磁性下地層の厚さに対する第２軟磁性下地層の厚さの比が０．４である試片についての磁気履歴曲線を表したグラフである。そして、図６Ｂは、図５のＣ領域に該当する試片のうち、全体軟磁性下地層の厚さに対する第２軟磁性下地層の厚さの比が０．７である試片についての磁気履歴曲線を表したグラフである。図６Ａを参照すれば、第１軟磁性下地層のスイッチングフィールドが約４２．７ Ｏｅであり、第２軟磁性下地層のスイッチングフィールドが約３０．７ Ｏｅであるということが分かる。一方、図６Ｂを参照すれば、第１軟磁性下地層のスイッチングフィールドが約８４．１ Ｏｅであり、第２軟磁性下地層のスイッチングフィールドが約１５．８ Ｏｅであるということが分かる。
【００３４】
全体軟磁性下地層のうち第２軟磁性下地層の厚さの比が０．７である試片の場合、たとえ第１軟磁性下地層のスイッチングフィールドが大きいとしても、第２軟磁性下地層のスイッチングフィールドが非常に小さいために、外部磁場により磁化特性が悪くなり、ノイズが発生する可能性が高い。従って、全体軟磁性下地層のうち第２軟磁性下地層の厚さの比が０．４である場合が０．７である場合に比べて垂直磁気記録媒体として優秀な特性を示すというを確認することができる。
【００３５】
図７Ａ及び図７Ｂは、図５Ａの測定対象試片について、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値（Ｍｓ）を考慮し、スイッチングフィールドとの関係を測定した結果を表したものである。図７Ａ及び図７Ｂの横軸は、第１軟磁性下地層のＭｓｔ値に対する第２軟磁性下地層のＭｓｔ値の比（Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔ）を表し、縦軸は、それぞれスイッチングフィールドの最低値（Ｈｓｗｍｉｎ）及びスイッチングフィールドの最大値（Ｈｓｗｍａｘ）についてのスイッチングフィールドの最低値の比（Ｈｓｗｍｉｎ／Ｈｓｗｍａｘ）を表したものである。
【００３６】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、第１軟磁性下地層のＭｓｔ値に対する第２軟磁性下地層のＭｓｔ値の比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．３ないし１．０範囲でスイッチングフィールドの最低値が約３０ Ｏｅ以上を満足するということが分かる。そして、スイッチングフィールドの最大値Ｈｓｗｍａｘに対するスイッチングフィールドの最低値の比Ｈｓｗｍｉｎ／Ｈｓｗｍａｘも約５０％以上であり、特に、０．４ないし０．８の範囲（丸い点線領域）で８０％以上のスイッチングフィールドの最大値Ｈｓｗｍａｘに対するスイッチングフィールドの最低値の比Ｈｓｗｍｉｎ／Ｈｓｗｍａｘを示すということが分かる。
【００３７】
図８Ａ及び図８Ｂもまた、前記図７Ａ及び図７Ｂと同様に、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値Ｍｓを考慮してスイッチングフィールド値を測定した結果を表したものである。ただし、ここでは、図５Ｂの測定対象試片について測定した。
図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、第１軟磁性下地層のＭｓｔ値に対する第２軟磁性下地層のＭｓｔ値の比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．４ないし１．４の範囲でスイッチングフィールドの最低値が約５０ Ｏｅ以上を満足するということが分かる。そして、スイッチングフィールドの最大値Ｈｓｗｍａｘに対するスイッチングフィールドの最低値の比Ｈｓｗｍｉｎ／Ｈｓｗｍａｘも約２０％以上であり、特に、０．６ないし１．０の範囲（丸い点線領域）で７０％以上のスイッチングフィールドの最大値Ｈｓｗｍａｘに対するスイッチングフィールドの最低値の比Ｈｓｗｍｉｎ／Ｈｓｗｍａｘを示すということが分かる。
【００３８】
結果的に、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂのグラフの結果を参照すれば、第１軟磁性下地層のＭｓｔ値に対する第２軟磁性下地層のＭｓｔ値の比Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔが０．４ないし１．０の範囲で最適の結果を示すということが分かる。また、軟磁性下地層物質のＭｓ値の範囲によって細分化すれば、１，０００ｅｍｕ／ｃｃ−１，５００ｅｍｕ／ｃｃのＭｓ値を有した軟磁性下地層（例えば、ＣｏＺｒＮｂから形成した場合）の場合、Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔ値は、０．４ないし０．８の範囲であるということが最も望ましく、Ｍｓ値が１，６００ｅｍｕ／ｃｃ−２，０００ｅｍｕ／ｃｃである場合（例えば、ＣｏＦｅＢから形成した場合）には、Ｍｓｔｔｏｐ／Ｍｓｔｂｏｔ値が０．６ないし１．０であることが最も望ましいということが分かる。
【００３９】
前記した説明で、多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、望ましい実施例の例示として解釈されねばならない。従って、本発明の範囲は、説明された実施例によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められるのである。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体は、例えば、磁気記録関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】従来の一般的な構造の垂直磁気記録装置を説明するために概略的に図示した図面である。
【図２】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体を表した図面である。
【図３Ａ】図２に表した本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の具体的な構造を表した図面である。
【図３Ｂ】図２に表した本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の具体的な構造を表した図面である。
【図４】軟磁性下地層の厚さによる垂直磁気記録媒体の記録特性を表したグラフである。
【図５Ａ】本発明の実施例による軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体の磁気的特性を表したグラフである。
【図５Ｂ】本発明の実施例による軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体の磁気的特性を表したグラフである。
【図６Ａ】図５Ａの測定対象に該当する試片のうち、Ｂ領域に該当する試片に対する磁気履歴特性を表したグラフである。
【図６Ｂ】図５Ａの測定対象に該当する試片のうち、Ｃ領域に該当する試片に対する磁気履歴特性を表したグラフである。
【図７Ａ】図５Ａの測定対象試片について、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値Ｍｓを考慮してスイッチングフィールドとの関係を測定した結果を表したグラフである。
【図７Ｂ】図５Ａの測定対象試片について、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値Ｍｓを考慮してスイッチングフィールドとの関係を測定した結果を表したグラフである。
【図８Ａ】図５Ｂの測定対象試片について、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値Ｍｓを考慮してスイッチングフィールドとの関係を測定した結果を表したグラフである。
【図８Ｂ】図５Ｂの測定対象試片について、第１軟磁性下地層と第２軟磁性下地層の厚さに飽和磁化値Ｍｓを考慮してスイッチングフィールドとの関係を測定した結果を表したグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１０    基板
１１    軟磁性下地層
１２    記録層
１３    保護層
２０，３０    下部構造体
２１ａ，３４ａ    第１軟磁性下地層
２１ｂ，３４ｂ    第２軟磁性下地層
２２，３５    非磁性層
２３    中間層
２４    記録層
３１    シード層
３２    バッファ層
３３    強磁性層
３６    中間磁性層
ｄ１    第２軟磁性下地層の厚さ
ｄ２    第１軟磁性下地層の厚さ
Ｍ    磁場
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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