(57)【要約】【課題】有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、製造効率が高く、経時安定性に優れた有機半導体素子を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層および上記有機半導体層上に形成されたパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有する有機半導体素子であって、上記有機半導体層が、上記基板と上記パッシベーション層との間にのみ形成されており、かつ、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層および前記有機半導体層上に形成されたパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有する有機半導体素子であって、
前記有機半導体層が、前記基板と前記パッシベーション層との間にのみ形成されており、かつ、前記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることを特徴とする、有機半導体素子。
【請求項２】
前記有機半導体トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであることを特徴とする、請求項１に記載の有機半導体素子。
【請求項３】
基板を用い、前記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する、有機半導体層形成工程と、
前記有機半導体層上に、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液を用いてパターン状のパッシベーション層を形成する、パッシベーション層形成工程と、
前記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂材料がフッ素系樹脂であることを特徴とする、請求項３に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記パッシベーション層形成工程が、印刷法により前記パッシベーション層を形成するものであることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記印刷法がスクリーン印刷法であることを特徴とする、請求項５に記載の有機半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体トランジスタが用いられた有機半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴに代表される半導体トランジスタは、近年、ディスプレイ装置の発展に伴ってその用途を拡大する傾向にある。このような半導体トランジスタは、半導体材料を介して電極が接続されていることにより、スイッチング素子としての機能を果たすものである。
【０００３】
従来、上記半導体トランジスタに用いられる半導体材料としては、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）やインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）などの無機半導体材料が用いられており、近年、普及が拡大している液晶表示素子のディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板にもこのような無機半導体材料を用いた半導体トランジスタが用いられている。
その一方で、上記半導体材料としては、有機化合物からなる有機半導体材料も知られている。このような有機半導体材料は、上記無機半導体材料に比べて安価に大面積化が可能であり、フレキシブルなプラスチック基板上に形成でき、さらに機械的衝撃に対して安定であるという利点を有することから、電子ペーパー代表されるフレキシブルディスプレイ等の、次世代ディスプレイ装置への応用などを想定した研究が活発に行われている。
【０００４】
ここで、上記有機半導体材料は、加熱状態で成膜されることにより優れた半導体特性を発現するものであるため、上記有機半導体材料を用いた半導体トランジスタを製造するに際しては、まず、上記有機半導体材料からなる層を形成した後、これをパターニングする方法を用いることが必要である。
また、上記有機半導体材料は有機溶媒との作用によってその機能が容易に損なわれてしまうという面もある。このため、上記有機半導体材料を用いた半導体トランジスタを製造する際に、上記無機半導体材料を用いた半導体素子の製造方法に用いられているようなフォトリソグラフィーを用いると、フォトレジストを上記有機半導体材料からなる層の上に塗工した際に有機半導体材料が溶解してしまい、製造されるトランジスタの性能が損なわれてしまうという問題点があった。
【０００５】
このような問題点に対し、特許文献１には、有機半導体材料からなる層の上に上記有機半導体材料を溶解しない水系の溶媒に親水性樹脂を含有させた塗工液を塗工することにより、上記有機半導体材料からなる層の上に親水性樹脂からなる保護層を形成し、当該保護層上にフォトレジストを塗工することで、上記有機半導体材料を溶解させること無く、性能の優れたトランジスタを形成する方法が開示されている。
しかしながら、このような方法は上記保護層の存在により、上記有機半導体材料を上記フォトレジストを塗工する際に用いられる有機溶媒の浸食から保護できる点において有用であるが、従来の無機半導体材料を用いた半導体トランジスタを製造する場合と比較して、保護層を形成する工程が増えるため、工業的な実用性に欠けるという問題点がある。
【０００６】
さらに、上記有機半導体材料は、一般的に空気中の水分や酸素の作用により劣化する性質を有するため、有機半導体材料を用いた半導体トランジスタにおいては、有機半導体材料が空気中の水分や酸素に曝露されることを防止するために、上記有機半導体材料からなる層上にパッシベーション層を備えることが必須となる。
この点、上記特許文献１に記載された方法によれば、上記親水性樹脂からなる保護層が上記パッシベーション層としての役割を果たすことになる。
しかしながら、上記親水性樹脂は、空気中の水分や酸素の透過性が高いため、このような親水性樹脂を用いたパッシベーション層では、上記有機半導体材料の保護が不十分であるという問題点があった。
【０００７】
このようなことから、上記有機半導体を用いた半導体トランジスタは、その有用性が認知されていながらも、工業的に高効率で製造することができないという問題点と、経時安定性に優れたものを得ることが困難であるという問題点とがあった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−５８４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、製造効率が高く、経時安定性に優れた有機半導体素子を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、基板と、上記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層および上記有機半導体層上に形成されたパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有する有機半導体素子であって、上記有機半導体層が、上記基板と上記パッシベーション層との間にのみ形成されており、かつ、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることを特徴とする有機半導体素子を提供する。
【００１１】
本発明によれば、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることにより、上記パッシベーション層を上記有機半導体層の保護機能（以下、単に「保護機能」と称する場合がある）に優れたものにできる。このため、本発明によれば経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることができる。
また、上記フッ素系樹脂は、表面張力が低いフッ素系樹脂に溶解することが可能であるため、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることにより、本発明の有機半導体素子を製造する際に、印刷法を用いて上記パッシベーション層をパターン状に形成することが可能になる。このため、本発明によれば製造効率に優れた有機半導体素子を得ることができる。
このようなことから、本発明によれば有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、製造効率が高く、かつ、経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることができる。
【００１２】
本発明においては、上記有機半導体トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであっても良い。上記有機半導体トランジスタがボトムゲート型の構造を有するものである場合、通常、上記パッシベーション層と、上記有機半導体層とが接触して積層された構成を有するものになるが、本発明においては上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなるものであることにより、このような場合であっても上記有機半導体層を侵すことなく、上記パッシベーション層を形成することができるからである。
【００１３】
また、上記課題を解決するために本発明は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料をからなる有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上に、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液を用いてパターン状のパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程とを含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法を提供する。
【００１４】
本発明によれば、上記パッシベーション層形成用塗工液として、フッ素系溶媒が溶媒として用いられたものを用いることにより、上記有機半導体層上に上記パッシベーション層を形成する際に、上記有機半導体層が上記パッシベーション層形成用塗工液によって浸食されてしまうことを防止できる。このため、本発明によれば上記有機半導体層の機能を損なうことなく、上記有機半導体層上に直接的にパッシベーション層を形成することができるため、高効率で有機半導体素子を製造することができる。
また、上記パッシベーション層形成用塗工液としてフッ素系溶媒が用いられたものを用いることにより、上記樹脂材料としてフッ素系樹脂を用いることが可能になる。このため、本発明によれば上記樹脂材料として、フッ素系樹脂を用いることにより保護機能に優れたパッシベーション層を形成することが可能になる。
このようなことから、本発明によれば有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって経時安定性に優れた有機半導体素子を高効率で製造することができる。
【００１５】
本発明においては、上記樹脂材料がフッ素系樹脂であることが好ましい。上記樹脂材料としてフッ素系樹脂を用いることにより、保護機能に優れたパッシベーション層を形成できる結果、本発明により経時安定性に優れた有機半導体素子を製造することが可能になるからである。
【００１６】
また、本発明においては、上記パッシベーション層形成工程が、印刷法により上記パッシベーション層を形成するものであることが好ましい。これにより上記有機半導体層上にパターニングされたパッシベーション層を直接的に形成することが可能になるため、より高効率で有機半導体素子を製造することが可能になるからである。
【００１７】
さらに本発明においては、上記印刷法がスクリーン印刷法であることが好ましい。本発明に用いられるパッシベーション層形成用塗工液は、フッ素系溶媒が用いられていることから表面張力が低いものとなるため、スクリーン印刷法に好適に用いることができるからである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、製造効率が高く、経時安定性に優れた有機半導体素子を提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、有機半導体素子と、有機半導体素子の製造方法とに関するものである。
以下、本発明の有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法について順に説明する。
【００２０】
Ａ．有機半導体素子
まず、本発明の有機半導体素子について説明する。本発明の有機半導体素子は、基板と、上記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層および上記有機半導体層上に形成されたパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有する有機半導体素子であって、上記有機半導体層が、上記基板と上記パッシベーション層との間にのみ形成されており、かつ、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることを特徴とするものである。
【００２１】
このような本発明の有機半導体素子について図を参照しながら説明する。図１は本発明の有機半導体素子の一例を示す概略図である。図１に例示するように、本発明の有機半導体素子１０は、基板１と、上記基板１上に形成された有機半導体トランジスタ２とを有するものである。
このような例において、上記有機半導体トランジスタ２は、基板１上に形成されたゲート電極２ａと、上記ゲート電極２ａ上に形成されたゲート絶縁層２ｂと、上記基板１およびゲート絶縁層２ｂ上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｃと、上記有機半導体層２ｃ上で対向するように形成されたソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅと、上記有機半導体層２ｃ、上記ソース電極２ｄおよび上記ドレイン電極２ｅ上に形成され、フッ素系樹脂からなるパッシベーション層２ｆとを有するものである。
また、このような例において、本発明の有機半導体素子１０は、上記有機半導体層２ｃが、上記基板１と上記パッシベーション層２ｆとの間にのみ形成されているものである。
【００２２】
本発明によれば、上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることにより、上記パッシベーション層を保護機能に優れたものにできるため、経時で上記有機半導体層に劣化が生じることを著しく低減することができる。したがって、本発明によれば、経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることができる。
また、上記フッ素系樹脂は、表面張力が低いフッ素系樹脂に溶解することが可能である。このため、例えば、本発明の有機半導体素子を製造する際に、フッ素系溶媒にフッ素系樹脂が溶解されたパッシベーション層形成用塗工液を用い、印刷法で上記有機半導体層上にパターニングされたパッシベーション層を直接的に形成することが可能になる。このため、本発明によれば製造効率に優れた有機半導体素子を得ることができる。
【００２３】
従来、有機半導体材料を用いた有機半導体トランジスタは、無機材料を用いた半導体トランジスタと比較して、安価に大面積化が可能であり、フレキシブルなプラスチック基板上に形成でき、さらに機械的衝撃に対して安定である等の利点を有していたが、高効率で製造することができ、かつ、経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることが困難であるという問題点があった。
この点、本発明によれば、上記パッシベーション層としてフッ素系樹脂からなるパッシベーション層を用いることにより、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、製造効率が高く、かつ、経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることができる。
【００２４】
本発明の有機半導体素子は、少なくとも上記基板と、上記有機半導体トランジスタとを有するものである。
以下、本発明の有機半導体素子に用いられる各構成について順に説明する。
【００２５】
１．有機半導体トランジスタ
まず、本発明に用いられる有機半導体トランジスタについて説明する。本発明に用いられる有機半導体トランジスタは、後述する基板上に形成されるものであり、少なくとも、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層上に形成されフッ素系樹脂からなるパッシベーション層とを有するものである。
以下、このような有機半導体トランジスタについて説明する。
【００２６】
（１)パッシベーション層
まず、本発明に用いられるパッシベーション層について説明する。本発明に用いられるパッシベーション層は、フッ素系樹脂からなるものである。
ここで、本発明は、パッシベーション層がフッ素系樹脂からなることにより、製造効率が高く、経時安定性に優れた有機半導体素子を得ることができるのである。
【００２７】
本発明におけるパッシベーション層に用いられるフッ素系樹脂としては、後述する有機半導体層を構成する有機半導体材料の種類等に応じて、上記パッシベーション層に所望の保護機能を付与できるものであれば特に限定されるものではない。このようなフッ素系樹脂としては、フルオロエチレン系樹脂であっても良く、または、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＤ）等のフルオロエチレン系樹脂以外のフッ素系樹脂であっても良い。なかでも、本発明においては上記フッ素系樹脂としてフルオロエチレン系樹脂を用いることが好ましい。フルオロエチレン系樹脂は耐溶剤性に優れるため、例えば、本発明の有機半導体素子を電気泳動ディスプレイに用いる場合であっても、後述する有機半導体層の保護機能を維持できるという利点を有するからである。
また、フルオロエチレン系樹脂は、耐オゾン性にも優れるため、例えば、本発明の有機半導体素子を製造する際に、上記パッシベーション層をマスクとして用い、真空紫外光によって有機半導体層をパターニングする方法を用いることが可能になるという利点も有するからである。
【００２８】
本発明に用いられる上記フルオロエチレン系樹脂としては、フルオロエチレンの重合体であっても良く、または、フルオロエチレンとエチレンとの共重合体であっても良い。
また、上記フルオロエチレンとしては、フッ素の数が１〜４のいずれのものであっても良い。
さらに本発明に用いられるフルオロエチレンはフッ素以外に、メチル基等のアルキル基や、アルコキシ基等の置換基を有するものであっても良い。
【００２９】
このようなフルオロエチレン系樹脂の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレンーヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレンーエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等を挙げることができる。
なかでも本発明に用いられるフルオロエチレン系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であることが好ましい。ポリテトラフルオロエチレンは有機半導体層の保護機能により優れているからである。
【００３０】
なお、本発明に用いられるフッ素系樹脂は１種類のみであっても良く、または、２種類以上であっても良い。
【００３１】
本発明に用いられるパッシベーション層には、上記フッ素系樹脂以外に他の材料を含有しても良い。このような他の材料としてはパッシベーション層の保護機能を損なわないものであれば特に限定されるものではなく、本発明の有機半導体素子の用途等に応じて任意の機能を有する材料を用いることができる。
【００３２】
本発明に用いられるパッシベーション層の厚みとしては、上記フッ素系樹脂の種類等に応じて、パッシベーション層に所望の保護機能を付与できる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては１００μｍ以下であることが好ましく、特に０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、さらには０．３μｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３３】
また、本発明おいてパッシベーション層が形成される態様としては、後述する有機半導体層が、パッシベーション層と後述する基材との間にのみ形成されるような態様であれば特に限定されるものではない。
ここで、上記「パッシベーション層と基板との間にのみ形成される」とは、有機半導体層が、上記パッシベーション層と後述する基材との間に形成されており、かつ、本発明に用いられる有機半導体トランジスタを基板の直上方向から平面視した場合に、有機半導体層の平面視面積が、上記パッシベーション層の平面視面積と同一であるか、または、パッシベーション層の平面視面積よりも小さいことを意味するものである。
【００３４】
本発明において、上記パッシベーション層が形成されている態様としては、本発明に用いられる有機半導体トランジスタを基板の直上方向から平面視した場合に、有機半導体層の平面視面積が上記パッシベーション層の平面視面積と同一となるように形成された態様と、上記有機半導体の上記平面視面積が上記パッシベーション層の上記平面視面積よりも小さくなるように形成された態様とを挙げることができる。
【００３５】
図２は、本発明において上記パッシベーション層が形成されている態様の一例を示す概略図である。図２に例示するように、本発明に用いられるパッシベーション層２ｆは、有機半導体トランジスタ２を平面視した場合に、有機半導体層２ｃの平面視面積が上記パッシベーション層２ｆの平面視面積と同一となるように形成された態様であっても良く（図２（ａ））、または、上記有機半導体２ｃの平面視面積が上記パッシベーション層２ｆの平面視面積よりも小さくなるように形成された態様であっても良い（図２（ｂ））。
なお、上記「有機半導体トランジスタを平面視した場合」とは、図２中、Ｘで示す、基板１の直上方向から上記有機半導体トランジスタ２を正視した場合を意味するものである。
【００３６】
本発明において上記パッシベーション層が形成されている態様としては、上記のいずれの態様であっても好適に用いることができる。
【００３７】
（２）有機半導体層
次に、本発明に用いられる有機半導体層について説明する。本発明に用いられる有機半導体層は、有機半導体材料からなるものである。
【００３８】
本発明に用いられる上記有機半導体材料としては、本発明の有機半導体素子の用途等に応じて、所望の半導体特性を備える有機半導体層を形成できる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的に有機半導体材料を用いた有機半導体トランジスタに用いられる有機半導体材料を用いることができる。このような有機半導体材料としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料、および、ポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）等のポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン等のポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン等のポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）等のポリアニリン類、ポリアセチレン等のポリアセチレン類、ポリジアセチレン、ポリアズレン等のポリアズレン類等の高分子系有機半導体材料を挙げることができる。なかでも本発明においては、ペンタセンまたはポリチオフェン類を好適に用いることができる。
【００３９】
また、本発明に用いられる有機半導体層の厚みについては、上記有機半導体材料の種類等に応じて所望の半導体特性を備える有機半導体層を発現できる範囲であれば特に限定されない。なかでも本発明においては１０００ｎｍ以下であることが好ましく、なかでも５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００４０】
また、本発明において有機半導体層が形成されている態様としては、上記パッシベーション層と後述する基材との間にのみ形成されている態様であれば特に限定されるものではない。このような態様としては、本発明に用いられる有機半導体トランジスタを基板の直上方向から平面視した場合に、有機半導体層の平面視面積が上記パッシベーション層の平面視面積と同一となるように形成された態様と、上記有機半導体の上記平面視面積が上記パッシベーション層の上記平面視面積よりも小さくなるように形成された態様とを挙げることができる。
【００４１】
（３)有機半導体トランジスタ
本発明に用いられる有機半導体トランジスタは、少なくとも上記有機半導体層および上記パッシベーション層を有するものであるが、通常は、上記有機半導体層および上記パッシベーション層以外に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート絶縁層が用いられることにより、トランジスタとしての機能を発現するものである。
【００４２】
ここで、本発明に用いられる有機半導体トランジスタの構造としては、上記有機半導体層および上記パッシベーション層が用いられた構造であれば特に限定されるものではなく、一般的に公知の薄膜トランジスタ構造を採用することができる。このような有機半導体トランジスタの構造としては、例えば、ボトムゲート型構造およびトップゲート型構造を挙げることができる。
【００４３】
本発明に用いられる有機半導体トランジスタが、ボトムゲート型構造を有する場合について図を参照しながら説明する。図３は、本発明に用いられる有機半導体トランジスタが、ボトムゲート型構造を有する態様の一例を示す概略図である。図３に例示するように、本発明に用いられる有機半導体トランジスタ２は、ゲート電極２ａが、有機半導体層２ｃよりも基板１側に配置されているボトムゲート型構造を有するものであっても良い。
また、このような例において、本発明に用いられる有機半導体トランジスタ２は、ソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅが上記有機半導体層２ｃの上面に配置されているボトムゲート・トップコンタクト型構造であっても良く（図３（ａ））、または、ソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅが上記有機半導体層２ｃの下面に配置されているボトムゲート・ボトムコンタクト型構造であっても良い（図３（ｂ））。
【００４４】
次いで、本発明に用いられる有機半導体トランジスタが、トップゲート型構造を有する場合について図を参照しながら説明する。図４は、本発明に用いられる有機半導体トランジスタがトップゲート構造を有する態様の一例を示す概略図である。図４に例示するように、本発明に用いられる有機半導体トランジスタ２は、有機半導体層２ｃがゲート電極２ａよりも基板１側に配置されているトップゲート型構造を有するものであっても良い。
また、このような例において、本発明に用いられる有機半導体トランジスタ２は、ソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅが上記有機半導体層２ｃの上面に配置されているトップゲート・トップコンタクト型構造であっても良く（図４（ａ））、または、ソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅが上記有機半導体層２ｃの下面に配置されているトップゲート・ボトムコンタクト型構造であっても良い（図４（ｂ））。
【００４５】
本発明に用いられる有機半導体トランジスタは、上記ボトムゲート型構造または上記トップゲート型構造を有するもののいずれであっても好適に用いることができる。なかでも本発明においては、上記ボトムゲート構造を有するものであることが好ましい。上記有機半導体トランジスタがボトムゲート型の構造を有するものである場合、通常、図３に例示するように、上記パッシベーション層と、上記有機半導体層とが接触して積層された構成を有するものになるが、本発明においては上記パッシベーション層がフッ素系樹脂からなるものであることにより、このような場合であっても上記有機半導体層を侵すことなく、上記パッシベーション層を形成することができるからである。
【００４６】
なお、本発明に用いられるゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および、ゲート絶縁層については、一般的に有機半導体トランジスタに用いられるものと同様であるため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００４７】
また、本発明の有機半導体素子においては、通常、後述する基板上に複数の有機半導体トランジスタが配置された構成を有するものである。ここで、上記複数の有機半導体トランジスタが基板上に配置される態様としては、特に限定されるものではなく、本発明の有機半導体素子の用途等に応じて所望の態様で配置することができる。
【００４８】
２．基板
次に、本発明に用いられる基板について説明する。本発明に用いられる基板は上記有機半導体トランジスタを支持するものである。
【００４９】
本発明に用いられる基板としては、本発明の有機半導体素子の用途等に応じて任意の機能を有する基板を用いることができる。このような基板としては、ガラス基板等の可撓性を有さないリジット基板であっても良く、または、プラスチック樹脂からなるフィルム等の可撓性を有するフレキシブル基板であっても良い。本発明においては、このようなリジット基板およびフレキシブル基板のいずれであっても好適に用いられるが、なかでもフレキシブル基板を用いることが好ましい。このようなフレキシブル基板を用いることにより、本発明の有機半導体素子をＲｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌプロセスにより製造することが可能になるため、本発明の有機半導体素子を生産性の高いものにすることができるからである。
【００５０】
ここで、上記プラスチック樹脂としては、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＳ、ＰＩ、ＰＥＥＫ、ＰＣ、ＰＰＳおよびＰＥＩ等を挙げることができる。
【００５１】
また、本発明に用いられる基板の厚みは、通常、１ｍｍ以下であることが好ましく、なかでも５０μｍ〜７００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５２】
３．有機半導体素子の用途
本発明の有機半導体素子の用途としては、例えば、ＴＦＴ方式を用いるディスプレイ装置のＴＦＴアレイ基板として用いることができる。このようなディスプレイ装置としては例えば、液晶ディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、および有機ＥＬディスプレイ装置等を挙げることができる。
【００５３】
４．有機半導体素子の製造方法
本発明の有機半導体素子を製造する方法としては、上記構成を有する有機半導体素子を製造できる方法であれば特に限定されるものではない。このような製造方法としては、例えば、後述する「Ｂ．有機半導体素子の製造方法」の項において説明する製造方法を用いることができる。
【００５４】
Ｂ．有機半導体素子の製造方法
次に、本発明の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の有機半導体素子の製造方法は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上に、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液を用いてパターン状のパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程とを含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とするものである。
【００５５】
このような本発明の有機半導体素子の製造方法について図を参照しながら説明する。図５は本発明の有機半導体素子の製造方法の一例を示す概略図である。図５に例示するように、本発明の有機半導体素子の製造方法は、基板１を用い（図５（ａ））、上記基板１上に、有機半導体材料からなるに有機半導体層２ｃ’を形成する有機半導体層形成工程と（図５（ｂ））、上記有機半導体層２ｃ’上に、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液をパターン状に印刷することにより、パターニングされたパッシベーション層２ｆを形成するパッシベーション層形成工程と（図５（ｃ））、上記パッシベーション層２ｆが形成されていない部位の上記有機半導体層２ｃ’をエッチングする有機半導体層パターニング工程と（図５（ｄ））、により、上記基板１上に有機半導体層２ｃとパッシベーション層２ｆとを有する有機半導体トランジスタ２を形成する、有機半導体トランジスタ作成工程を有することを特徴とするものである。
【００５６】
本発明によれば、上記パッシベーション層形成用塗工液として、フッ素系溶媒が溶媒として用いられたものを用いることにより、上記有機半導体層上に上記パッシベーション層を形成する際に、上記有機半導体層が上記パッシベーション層形成用塗工液によって浸食されてしまうことを防止できる。このため、本発明によれば上記有機半導体層の機能を損なうことなく、上記有機半導体層上に直接的にパッシベーション層を形成することができるため、高効率で有機半導体素子を製造することができる。
また、上記パッシベーション層形成用塗工液としてフッ素系溶媒が用いられたものを用いることにより、上記樹脂材料としてフッ素系樹脂を用いることが可能になる。このため、本発明によれば上記樹脂材料として、フッ素系樹脂を用いることにより保護機能に優れたパッシベーション層を形成することが可能になる。
このようなことから、本発明によれば有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって経時安定性に優れた有機半導体素子を高効率で製造することができる。
【００５７】
従来、有機半導体材料が用いられた有機半導体トランジスタを作製するに際しては、有機半導体層上に親水性樹脂からなる保護層を形成した後、当該保護層上にレジストを塗工し、リソグラフィー法により上記有機半導体層をパターニングする方法が用いられてきた。
しかしながら、このような方法は工程の数が多いことから工業的実用性に欠けるという問題点があった。
この点、本発明によれば、上記パッシベーション層形成用塗工液としてフッ素系溶媒が用いられたものを用いることにより、上記有機半導体層上にパターン状のパッシベーション層を直接的に形成することが可能になるため、従来の方法と比較して、より少ない工程で上記有機半導体層をパターン加工することが可能になる。
このようなことから、本発明によれば高効率で有機半導体素子を製造することが可能になる。
【００５８】
本発明の有機半導体素子の製造方法は、少なくとも上記有機半導体トランジスタ形成工程を有するものであり、必要に応じて他の工程を有しても良いものである。
以下、本発明の有機半導体素子の製造方法を構成する各工程について順に説明する。
【００５９】
１．有機半導体トランジスタ形成工程
まず、本発明に用いられる有機半導体トランジスタ形成工程について説明する。本工程は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料を含有する有機半導体層形成用塗工液を塗工することにより有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液を用い、上記有機半導体層上にパターン状にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程とを有するものである。
本発明においては、上記パッシベーション層形成工程に用いられるパッシベーション層形成用塗工液として、フッ素系溶媒が用いられたものを用いることにより、経時安定性に優れた有機半導体素子を高効率で製造することができるのである。
以下、このような有機半導体トランジスタ形成工程について説明する。
【００６０】
（１）パッシベーション層形成工程
まず、本工程に用いられるパッシベーション層形成工程について説明する。本工程は、フッ素系溶媒および樹脂材料を含有するパッシベーション層形成用塗工液を用い、後述する有機半導体層形成工程により形成された有機半導体層上に、パターン状のパッシベーション層を形成する工程である。
【００６１】
ａ．パッシベーション層形成用塗工液
まず、本工程に用いられるパッシベーション層形成用塗工液について説明する。本工程に用いられるパッシベーション層形成用塗工液は、少なくともフッ素系溶媒と、樹脂材料とを含有するものであり、必要に応じて他の材料を含有しても良いものである。
以下、このようなパッシベーション層形成用塗工液に用いられる各構成について説明する。
【００６２】
上記パッシベーション層形成用塗工液に用いられるフッ素溶媒としては、後述する有機半導体層形成工程によって形成される有機半導体層を侵さないものであれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、アルカン、アルケン等の炭化水素の水素原子が全てフッ素に置換された溶媒であるパーフルオロ系溶媒を用いることが好ましい。
【００６３】
このようなパーフルオロ系溶媒としては、例えば、パーフルオロメチルシクロヘキサン、パーフルオロ‐１，３ージメチルシクロヘキサン、パーフルオロ−２−メチル−２−ペンテン、パーフルオロデカリン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロ−８−ヨードオクタン、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクテン、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール等を挙げることができる。
【００６４】
また、本工程に用いられるフッ素系溶媒は、単一のフッ素系溶媒からなるものであっても良く、複数のフッ素系溶媒が混合された混合溶媒であっても良い。
【００６５】
上記パッシベーション層形成用塗工液に用いられる樹脂材料としては、本工程により形成されるパッシベーション層に所望の保護機能を付与することが可能であり、かつ、上記フッ素系溶媒に所望の濃度で溶解させることができるものであれば特に限定されるものではない。なかでも本工程においては、上記樹脂材料としてフッ素系樹脂を用いることが好ましい。フッ素系樹脂は耐溶剤性や耐オゾン性等の耐久性に優れるため、このようなフッ素系樹脂を用いることにより、本工程で形成されるパッシベーション層を上記有機半導体層の保護機能に優れたものにできるからである。また、フッ素系樹脂は、上記フッ素系溶媒に易溶であるからである。
【００６６】
ここで、本工程に用いられる上記フッ素系樹脂については、上記「Ａ．有機半導体素子」の項において説明したものと同様であるためここでの説明は省略する。
【００６７】
なお、上記パッシベーション層形成用塗工液中の樹脂材料の含有量としては、本工程においてパッシベーション層を形成する方法等に応じて、上記パッシベーション層形成用塗工液の溶液粘度や、表面張力等を所望の範囲内にすることができる範囲であれば特に限定されるものではない。なかでも本工程においては、上記パッシベーション層形成用塗工液中の樹脂材料含有量が５質量％〜１５質量％の範囲内であることが好ましい。
【００６８】
また、本工程に用いられる上記パッシベーション層形成用塗工液には、上記フッ素系溶媒および樹脂材料以外に他の材料が含有されていても良い。このような他の材料としては、本発明により製造される有機半導体素子の用途等に応じて、本工程で形成されるパッシベーション層に所望の機能を付与できるものであれば特に限定されるものではない。
ここで、本工程に用いられる上記他の材料としては、上記「Ａ．有機半導体素子」の甲において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００６９】
ｂ．パッシベーション層の形成方法
次に、本工程において上記パッシベーション層形成用塗工液を用いてパッシベーション層を形成する方法について説明する。本工程において、パッシベーション層を形成する方法としては、上記パッシベーション層形成用塗工液を用い、所望のパターン状にパッシベーション層を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、印刷法を用い、上記有機半導体層上に上記パッシベーション層形成用塗工液をパターン状に印刷する方法（第１の方法）と、上記パッシベーション層形成用塗工液を上記有機半導体層上の全面に塗工することにより、パターニングされていないパッシベーション層を形成した後、当該パッシベーション層をリソグラフィー法等によってパターニングする方法（第２の方法）とを挙げることができる。
本工程においては、上記第１の方法および上記第２の方法のいずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでも上記第１の方法を用いることが好ましい。上記第２の方法は、パターニングされたパッシベーション層を形成するのに、パターニングされていないパッシベーション層を形成する工程と、当該パッシベーション層をパターニングする工程との２工程を必要とするのに対し、上記第１の方法は１工程で直接的にパターニングされたパッシベーション層を形成することが可能になるため、本工程を簡略化することができるからである。
【００７０】
上記第１の方法に用いられる印刷法としては、上記パッシベーション層形成用塗工液を所望のパターンに印刷できる方法であれば特に限定されるものではない。このような印刷方法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、およびグラビア・オフセット印刷法等を挙げることができる。なかでも本工程においてはスクリーン印刷法を用いることが好ましい。本工程に用いられるパッシベーション層形成用塗工液は、フッ素系溶媒が用いられていることから表面張力が低いものとすることができるため、スクリーン印刷法による高精細なパターン塗工に好適に用いることができるからである。
【００７１】
（２）有機半導体層形成工程
次に、本工程に用いられる有機半導体層形成工程について説明する。本工程は、基板を用い、上記基板上に、有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する工程である。
以下、このような有機半導体層形成工程について説明する。
【００７２】
本工程において、上記基板上に有機半導体層を形成する方法としては、本工程に用いられる有機半導体材料の種類等に応じて、上記基板上に所望の厚みの有機半導体層を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、例えば、上記有機半導体材料が溶媒に可溶なものである場合は、当該有機半導体材料を溶媒に溶解して、有機半導体層形成用塗工液を調製した後、当該有機半導体層形成用塗工液を上記基板上に塗工する方法を挙げることができる。この場合の塗工方法としては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、およびキャスト法等を挙げることができる。
一方、上記有機半導体材料が溶媒に不溶なものである場合は、例えば、真空蒸着法等のドライプロセスにより、上記基板上に有機半導体層を形成する方法を挙げることができる。
【００７３】
本工程に用いられる有機半導体材料としては、本発明により製造される有機半導体素子の用途等に応じて、本工程により形成される有機半導体層に所望の半導体特性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。このような有機半導体材料としては、上記「Ａ．有機半導体素子」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００７４】
また、本工程に用いられる基板についても、上記「Ａ．有機半導体素子」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００７５】
（３）有機半導体層パターニング工程
次に、本工程に用いられる有機半導体層パターニング工程について説明する。本工程は、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程である。
【００７６】
本工程において、上記有機半導体層をパターン加工する方法としては、パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングできる方法であれば特に限定されるものではない。なかでも、本発明においては、上記パッシベーション層をマスクとして用い、上記有機半導体層の全面にエッチング処理を行うことにより、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層のみをエッチングする方法を用いることが好ましい。このような方法によれば、簡易的に上記有機半導体層をエッチングし、パターン加工することができるからである。
【００７７】
本工程に用いられる上記エッチング処理としては、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングすることができ、かつ、上記パッシベーション層の保護機能が損なわれない方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、例えば、上記有機半導体層を構成する有機半導体材料を溶解し、かつ、上記パッシベーション層を構成する樹脂材料を溶解しない溶媒で、上記有機半導体層を溶解させる方法を挙げることができる。
また、上記パッシベーション層を構成する樹脂材料としてフッ素系樹脂が用いられている場合には、真空紫外光を照射することにより上記有機半導体層をエッチングする方法を用いることも可能である。
【００７８】
（４）その他の工程
本工程には、上記パッシベーション層形成工程、上記有機半導体層形成工程、および、上記有機半導体層パターニング工程以外の他の工程が含まれていても良い。このような他の工程としては特に限定されるものではなく、本工程により形成される有機半導体トランジスタの構造等に応じて任意の工程を用いることができる。なかでも本工程においては、通常、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、上記ゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成するソース・ドレイン電極形成工程とが用いられる。
【００７９】
本工程が、上記ゲート電極形成工程と、上記ゲート絶縁層形成工程と、上記ソース・ドレイン電極形成工程とを有する場合について図を参照しながら説明する。図６は、本工程が、上記ゲート電極形成工程と、上記ゲート絶縁層形成工程と、上記ソース・ドレイン電極形成工程とを有する態様の一例を示す概略図である。図６に例示するように、本工程は、通常、基板１を用い（図６（ａ））、上記基板１上に、ゲート電極２ａを形成するゲート電極形成工程と（図６（ｂ））、上記ゲート電極２ａを覆うようにゲート絶縁層２ｂを形成する、ゲート絶縁層形成工程（図６（ｃ））、上記ゲート絶縁層２ｂおよび上記基板１上に、上述した方法により有機半導体層２ｃ’を形成する有機半導体層形成工程（図６（ｄ））と、上記有機半導体層２ｃ’上で対向するように、ソース電極２ｄおよびドレイン電極２ｅを形成するソース・ドレイン電極形成工程（図６（ｅ）と、上記有機半導体層２ｃ’、ソース電極２ｄ、および、ドレイン電極２ｅ上に上述した方法によりパターン状のパッシベーション層２ｆを形成するパッシベーション層形成工程（図６（ｆ））と、上記パッシベーション層２ｆが形成されていない部位の上記有機半導体層２ｃ’を上述した方法によりエッチングする有機半導体層パターニング工程（図６（ｇ））とにより、有機半導体トランジスタ２を形成する態様で用いられる。
【００８０】
ここで、上記ゲート電極形成工程と、上記ゲート絶縁層形成工程と、上記ソース・ドレイン電極形成工程において、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成する方法としては、一般的に半導体トランジスタを形成する際に用いられている方法と同様であるため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００８１】
２．その他の工程
本発明の有機半導体素子の製造方法は、上記有機半導体トランジスタ形成工程以外に他の工程を有するものであっても良い。このような他の工程としては、特に限定されるものではなく、本発明により製造される有機半導体素子の用途等に応じて適宜選択して用いれば良い。このような他の工程としては、例えば、本発明の有機半導体素子を液晶ディスプレイ装置用のＴＦＴアレイ基板として用いる場合には、上記有機半導体トランジスタに接続されるように画素電極を形成する画素電極形成工程等を挙げることができる。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００８４】
（１）実施例
（ゲート電極形成工程）
まず、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板表面に、ゲート電極形状の開口部を有するメタルマスクを配置した後、膜厚１０ｎｍのクロム膜を形成した。次いで、２００ｎｍのアルミニウム膜を蒸着し、ゲート電極を形成した。蒸着の際の真空度は、１×１０４Ｐａとし、蒸着速度は約１Å／ｓｅｃとした。
【００８５】
（ゲート絶縁層形成工程）
次に、上記基板にゲート絶縁層としてフォトレジスト（アクリル系ネガレジスト）をスピンコートした。このときのスピンコートは、８００ｒｐｍで１０ｓｅｃ保持させた。その後、基板を８０℃で３分乾燥させた後、３５０ｍＪ／ｃｍ２でパターン露光した。
次に、ゲート電極以外の部分を除去するために現像工程を行い、その後、２００℃のオーブンで３０分乾燥させた。
【００８６】
（ソース・ドレイン電極形成工程）
上記ゲート絶縁層形成後の基板表面に、ソース・ドレイン電極形状の開口部を有するメタルマスクを配置した後、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を蒸着し、ソース・ドレイン電極を形成した。このとき、蒸着の際の真空度は１×１０４Ｐａとし、蒸着速度は約１Å／ｓｅｃとした。形成されたソース電極およびドレイン電極を反射型光学顕微鏡にて観察したところ、ソース電極とドレイン電極との電極間距離（チャネル長）は５０μｍであった。
【００８７】
（有機半導体層形成工程）
次に、上記ソース電極およびドレイン電極が形成された側の基板の全面に膜厚５０ｎｍのチオフェン系有機半導体からなる有機半導体層を蒸着した。
【００８８】
（パッシベーション層形成工程）
次に、ポリテトラフルオロエチレンをパーフルオロ系溶媒に固形分１３質量％で溶解したパッシベーション層形成用塗工液を用い、スクリーン印刷法によりパターン状のパッシベーション層を形成した。このときスクリーン版は、５００メッシュ、乳剤３μｍのものを使用した。スクリーン印刷機はマイクロテック社製の装置を用いた。また印刷条件は、印圧０．２ＭＰａ、クリアランス２．１ｍｍ、スキージスピード１００ｍｍ／ｓｅｃで行った。その後、１００℃のホットプレートで３０分乾燥させた。
【００８９】
（有機半導体層パターニング工程）
次に、パッシベーション層が形成された部位以外の有機半導体層を除去するために、トルエン溶液を上記パッシベーション層が形成された側の基板の全面にスピンコートした。このとき、スピンコートは１０００ｒｐｍで２０ｓｅｃ保持させた。
【００９０】
以上の工程により、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子を作製した。
【００９１】
（評価）
作製した有機半導体素子の有機半導体トランジスタのトランジスタ特性を測定した結果、トランジスタとして駆動していることが分かった。このとき、有機半導体トランジスタのＯＮ電流は１×１０−５Ａ、ＯＦＦ電流は１×１０−１１Ａであった。測定条件はゲート電圧を１００Ｖ〜−８０Ｖまで−２Ｖ刻みで印加した。次いでソース・ドレイン電圧を−８０Ｖと固定し、ソース・ドレイン間に流れる電流値を測定した。また、トランジスタ評価においてはいずれの場合においても大気中で測定を行った。このトランジスタ特性の経時変化を作製直後、１日後、３日後、７日後、２週間後、1ヶ月後と評価したところ、ＯＮ電流およびＯＦＦ電流ともに低下は見られなかった。
【００９２】
（２)比較例
パッシベーション層形成工程として以下の工程を実施し、かつ、有機半導体層パターニング工程を実施しなかったこと以外は、実施例と同様の方法により有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子を作製した。
【００９３】
パッシベーション層の形成は、エタノール溶媒で１５質量％に希釈したＰＶＰ溶液を有機半導体層形成後の基板にスピンコートすることにより行った。このとき、スピンコートは２０００ｒｐｍ、１５ｓｅｃ保持で行った。その後、基板を１００℃のホットプレートで３０ｍｉｎ乾燥させた。
【００９４】
（評価）
作製した有機半導体素子の有機半導体トランジスタのトランジスタ特性を測定した結果、トランジスタとして駆動していることが分かった。このとき、有機半導体トランジスタのＯＮ電流は１×１０−５Ａ、ＯＦＦ電流は１×１０−１１Ａであった。測定条件はゲート電圧を１００Ｖ〜−８０Ｖまで−２Ｖ刻みで印加した。次いでソース・ドレイン電圧を−８０Ｖと固定し、ソース・ドレイン間に流れる電流値を測定した。また、トランジスタ評価においてはいずれの場合においても大気中で測定を行った。このトランジスタ特性の経時変化を作製直後、１日後、３日後、７日後、２週間後、1ヶ月後と評価したところ、トランジスタ作製３日後まではＯＮ電流、ＯＦＦ電流ともに保持されていたが、７日後ではＯＮ電流が３×１０−６Ａまで減少していることが確認された。さらに２週間後ではＯＮ電流が５×１０−６Ａまで減少し、１ケ月後ではＯＮ電流が１×１０−６Ａまで減少していることが確認された。いずれの場合においてもＯＦＦ電流の変化は観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の有機半導体素子の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の有機半導体素子の他の例を示す概略図である。
【図３】本発明の有機半導体素子の他の例を示す概略図である。
【図４】本発明の有機半導体素子の他の例を示す概略図である。
【図５】本発明の有機半導体素子の製造方法の一例を示す概略図である。
【図６】本発明の有機半導体素子の製造方法の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  …  基板
２  …  有機半導体トランジスタ
２ａ  …  ゲート電極
２ｂ  …  ゲート絶縁層
２ｃ、２ｃ’  …  有機半導体層
２ｄ  …  ソース電極
２ｅ  …  ドレイン電極
２ｆ  …  パッシベーション層
１０、１０’  …  有機半導体素子
【図１】
2007318025.tif 000003
【図２】
2007318025.tif 000004
【図３】
2007318025.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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