(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の均一加熱性を更に向上させ、基板処理に於ける面内温度分布の均一化、成膜膜厚の均一性の向上を図る基板処理を提供する。【解決手段】基板３を処理する処理室４１と、該処理室４１内で基板３を支持する支持板５０と、前記処理室４１内の基板３を加熱するヒータ７６とを具備し、前記支持板５０の上面には複数の凸部が設けられ、該凸部は格子状に配列されると共に、前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下である。【選択図】図３
2007088176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持板と、前記処理室内の基板を加熱するヒータとを具備し、前記支持板の上面には複数の凸部が設けられ、該凸部は格子状に配列されると共に、前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で支持板上面に複数の凸部が設けられ、該凸部が前記上面に於いて格子状に配置されると共に前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下である前記支持板上に基板を載置し、該基板を加熱しつつ処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板を処理して、ＩＣ等の半導体装置を製造する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する工程には、熱ＣＶＤ法により基板上にアモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜等を生成する工程がある。例えば、アモルファスシリコン膜の生成を行うには、低温での成膜となるが、ＳｉＨ4 ガス等を用い、活性化エネルギが大きな領域で成膜処理をした場合、基板の面内温度分布の影響を受け易くなる。この為、基板面内の膜厚均一性を向上させる為には、基板の面内温度分布の均一性が要求される。
【０００３】
基板は処理室内で支持板に支持され、前記基板は前記支持板を介してヒータにより加熱される。該支持板は均熱板として機能しており、又前記基板の加熱均一性は前記支持板と前記基板との熱伝達状態によって決定される。基板を前記支持板に直接載置した場合は、該支持板の温度分布が基板の温度分布に影響を及ぼし、又前記支持板と基板の接触状態で加熱状態が変化するが基板全面を前記支持板に均等に接触させることは難しく、又加熱途中の基板の反り等が生ずる。この為、基板全面での均熱加熱が難しい。
【０００４】
特許文献１に示される様に、従来、支持板にピンを介して基板を支持し、前記支持板と前記基板との間に間隙を形成し、前記支持板からの輻射熱により前記基板を加熱する様にしたものがある。
【０００５】
前記支持板と前記基板との間に間隙を形成することで、前記支持板と前記基板間で直接接触させた場合の加熱の不均一さは解消されるが、ピンと基板間の熱伝導、ピンとピンとの間で生じる基板のうねりによる前記支持板と前記基板間の間隙の変化に起因する輻射熱の変化が有り、基板の均一加熱を阻害する要因が尚存在している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７７７８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板の均一加熱性を更に向上させ、基板処理に於ける面内温度分布の均一化、成膜膜厚の均一性の向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持板と、前記処理室内の基板を加熱するヒータとを具備し、前記支持板の上面には複数の凸部が設けられ、該凸部は格子状に配列されると共に、前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下である基板処理装置に係るものである。
【０００９】
又本発明は、基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で支持板上面に複数の凸部が設けられ、該凸部が前記上面に於いて格子状に配置されると共に前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下である前記支持板上に基板を載置し、該基板を加熱しつつ処理する工程と、処理後の基板を前記処理室内から搬出する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持板と、前記処理室内の基板を加熱するヒータとを具備し、前記支持板の上面には複数の凸部が設けられ、該凸部は格子状に配列されると共に、前記支持板上面の平面度が周方向で０．０１５ｍｍ以下、半径方向で０．０２５ｍｍ以下であるので、前記支持板を介して加熱される基板の均一加熱性が向上し、基板処理に於ける面内温度分布の均一化、成膜膜厚の均一性が向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１２】
以下、本発明の実施の形態の一例を図面に即して説明する。
【００１３】
図１及び図２に於いて、本発明が適用される基板処理装置の概要を説明する。
【００１４】
尚、本発明が適用される基板処理装置に於いてはウェーハ等の基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ  以下、ポッドという）が使用されている。
【００１５】
又、以下の説明に於いて、前後左右は図１を基準とする。即ち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１６】
図１及び図２に示されている様に、基板処理装置は真空状態等の大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第１の搬送室１を備えており、該第１の搬送室１の筐体２は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。前記第１の搬送室１には負圧下でウェーハ３を移載する第１のウェーハ移載機４が設置されている。該第１のウェーハ移載機４は、エレベータ５によって、前記第１の搬送室１の気密性を維持しつつ昇降できる様に構成されている。
【００１７】
前記筐体２の六枚の側壁の内前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室６と搬出用の予備室７とがそれぞれゲートバルブ８，９を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。更に、前記予備室６には搬入室用の基板置き台１１が設置され、前記予備室７には搬出室用の基板置き台１２が設置されている。
【００１８】
前記予備室６及び前記予備室７の前側には、略大気圧下で用いられる第２の搬送室１３がゲートバルブ１４，１５を介して連結されている。前記第２の搬送室１３にはウェーハ３を移載する第２のウェーハ移載機１６が設置されている。該第２のウェーハ移載機１６は前記第２の搬送室１３に設置されたエレベータ１７によって昇降される様に構成されていると共に、リニアアクチュエータ１８によって左右方向に往復移動される様に構成されている。
【００１９】
図１に示されている様に、前記第２の搬送室１３の左側にはオリフラ合わせ装置１９が設置されている。又、図２に示されている様に、前記第２の搬送室１３の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット２１が設置されている。
【００２０】
図１及び図２に示されている様に、前記第２の搬送室１３の筐体２２には、ウェーハ３を前記第２の搬送室１３に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口２３と、該ウェーハ搬入搬出口２３を閉塞する蓋２４と、ポッドオープナ２５がそれぞれ設置されている。該ポッドオープナ２５は、ＩＯステージ２６に載置されたポッド２７のキャップ及び前記ウェーハ搬入搬出口２３を閉塞する前記蓋２４を開閉するキャップ開閉機構２８とを備えており、前記ＩＯステージ２６に載置された前記ポッド２７のキャップ及び前記ウェーハ搬入搬出口２３を閉塞する前記蓋２４を前記キャップ開閉機構２８によって開閉することにより、前記ポッド２７のウェーハの出入れを可能にする。又、該ポッド２７は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ２６に、供給及び排出される様になっている。
【００２１】
図１に示されている様に、前記筐体２の六枚の側壁の内後ろ側に位置する二枚の側壁には、ウェーハに所望の処理を行う第１の処理炉３１と、第２の処理炉３２とがそれぞれ隣接して連結されている。前記第１の処理炉３１及び前記第２の処理炉３２はいずれもコールドウォール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。又、前記筐体２に於ける六枚の側壁の内の残りの互いに対向する二枚の側壁には、第３の処理炉としての第１のクーリングユニット３３と、第４の処理炉としての第２のクーリングユニット３４とがそれぞれ連結されており、前記第１のクーリングユニット３３及び前記第２のクーリングユニット３４はいずれも処理済みのウェーハ３を冷却する様に構成されている。
【００２２】
以下、前記構成を持つ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
【００２３】
未処理のウェーハ３は２５枚がポッド２７に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送される。図１及び図２に示されている様に、搬送された前記ポッド２７はＩＯステージ２６の上に前記工程内搬送装置から受渡されて載置される。前記ポッド２７のキャップ及びウェーハ搬入搬出口２３を開閉する蓋２４がキャップ開閉機構２８によって取外され、前記ポッド２７のウェーハ出入口が開放される。
【００２４】
該ポッド２７がポッドオープナ２５により開放されると、第２の搬送室１３に設置された第２のウェーハ移載機１６は前記ポッド２７からウェーハ３をピックアップし、予備室６に搬入し、ウェーハ３を基板置き台１１に移載する。この移載作業中には、第１の搬送室１側のゲートバルブ８は閉じられており、前記第１の搬送室１の負圧は維持されている。ウェーハ３の前記基板置き台１１への移載が完了すると、ゲートバルブ１４が閉じられ、前記予備室６が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２５】
前記予備室６が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ８，３５が開かれ、前記予備室６、前記第１の搬送室１、第１の処理炉３１が連通される。続いて、第１の搬送室１の第１のウェーハ移載機４は前記基板置き台１１からウェーハ３をピックアップして前記第１の処理炉３１に搬入する。そして、該第１の処理炉３１内に処理ガスが供給され、所望の処理がウェーハ３に行われる。
【００２６】
前記第１の処理炉３１内で前記処理が完了すると、処理済みのウェーハ３は前記第１の搬送室１の前記第１のウェーハ移載機４によって前記第１の搬送室１に搬出される。
【００２７】
更に、前記第１のウェーハ移載機４は前記第１の処理炉３１から搬出したウェーハ３を第１のクーリングユニット３３へ搬入し、処理済みのウェーハ３を冷却する。
【００２８】
前記第１のクーリングユニット３３にウェーハ３を移載すると、前記第１のウェーハ移載機４は再び前記予備室６の前記基板置き台１１に予め準備されたウェーハ３を前記第１の処理炉３１に前述した作動によって移載し、該第１の処理炉３１内に処理ガスが供給され、所望の処理がウェーハ３になされる。
【００２９】
前記第１のクーリングユニット３３に於いて予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェーハ３は前記第１のウェーハ移載機４によって前記第１のクーリングユニット３３から前記第１の搬送室１に搬出される。
【００３０】
冷却済みのウェーハ３が前記第１のクーリングユニット３３から前記第１の搬送室１に搬出された後、ゲートバルブ９が開かれる。そして、前記第１のウェーハ移載機４は前記第１のクーリングユニット３３から搬出したウェーハ３を予備室７へ搬送し、基板置き台１２に移載した後、前記予備室７は前記ゲートバルブ９によって閉じられる。
【００３１】
前記予備室７が前記ゲートバルブ９によって閉じられると、排出用の前記予備室７内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。該予備室７内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１５が開かれ、第２の搬送室１３の前記予備室７に対応した前記ウェーハ搬入搬出口２３を閉塞する前記蓋２４と、前記ＩＯステージ２６に載置された空の前記ポッド２７のキャップが前記ポッドオープナ２５によって開かれる。続いて、前記第２の搬送室１３の前記第２のウェーハ移載機１６は前記基板置き台１２からウェーハ３をピックアップして前記第２の搬送室１３に搬出し、該第２の搬送室１３の前記ウェーハ搬入搬出口２３を通して前記ポッド２７に収納する。処理済みの２５枚のウェーハ３の前記ポッド２７への収納が完了すると、該ポッド２７のキャップと前記ウェーハ搬入搬出口２３を閉塞する前記蓋２４が前記ポッドオープナ２５によって閉じられる。閉じられた前記ポッド２７は前記ＩＯステージ２６の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送される。
【００３２】
以上の作動が繰返されることにより、ウェーハ３が、順次、処理されていく。以上の作動は前記第１の処理炉３１及び前記第１のクーリングユニット３３が使用される場合を例にして説明したが、第２の処理炉３２及び第２のクーリングユニット３４が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３３】
尚、上述の基板処理装置では、予備室６を搬入用、予備室７を搬出用としたが、予備室７を搬入用、予備室６を搬出用としてもよい。又、第１の処理炉３１と第２の処理炉３２は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第１の処理炉３１と第２の処理炉３２で別の処理を行う場合、例えば第１の処理炉３１でウェーハ３にある処理を行った後、続けて第２の処理炉３２で別の処理を行ってもよい。又、第１の処理炉３１でウェーハ３にある処理を行った後、第２の処理炉３２で別の処理を行わせる場合、第１のクーリングユニット３３（又は第２のクーリングユニット３４）を経由する様にしてもよい。
【００３４】
図３に示される様に、本発明に係る第１の処理炉３１は、枚葉式ＣＶＤ炉（枚葉式コールドウオール形ＣＶＤ炉）として構成されており、被処理基板としてのウェーハ（半導体ウェーハ）３を処理する処理室４１を形成したチャンバ４２を備えている。該チャンバ４２は上側キャップ４３と円筒カップ４４と下側キャップ４５とが組合わされて、上下の端面がいずれも閉塞した円筒形状に形成されている。
【００３５】
前記チャンバ４２の前記円筒カップ４４の円筒壁の中間部にはゲートバルブ４６によって開閉されるウェーハ搬入搬出口４７が水平方向に横長に開設されており、該ウェーハ搬入搬出口４７は被処理基板であるウェーハ３を前記処理室４１に前記ウェーハ移載装置４によって搬入搬出し得る様に形成されている。即ち、ウェーハ３は前記ウェーハ移載装置４によって下から機械的に支持された状態で、前記ウェーハ搬入搬出口４７を通して前記処理室４１に搬入搬出され、搬入されたウェーハ３はサセプタ（基板支持板）５０に載置される様になっている。
【００３６】
該サセプタ５０の上面には、後述する様に多数の支持ピンが突設されており、ウェーハ３は支持ピンを介して前記サセプタ５０に載置され、該サセプタ５０の上面とウェーハ３の下面とは所要の間隙が形成される様になっている。
【００３７】
前記円筒カップ４４の前記ウェーハ搬入搬出口４７と対向する壁面の上部には、真空ポンプ等からなる排気装置（図示せず）に接続された排気口５５が前記処理室４１に連通する様に開設されており、該処理室４１内は排気装置によって排気される様になっている。
【００３８】
又、前記円筒カップ４４の上部には前記排気口５５に連通する排気バッファ空間５６が円環状に形成され、カバープレート５７と共にウェーハ３の全面に対し、均一に排気が行われる様に作用している。
【００３９】
尚、前記カバープレート５７は、ウェーハ３のエッジ部を覆う様に、前記サセプタ５０に上方から対向する様に設けられており、前記カバープレート５７はウェーハ３のエッジ部に成膜されるＣＶＤ膜を制御する為に用いられる。
【００４０】
前記チャンバ４２の前記上側キャップ４３には処理ガスを供給するシャワーヘッド５８が一体的に組込まれている。即ち、前記上側キャップ４３の天井壁にはガス供給管５９が挿入されており、該各ガス供給管５９には例えば原料ガスやパージガス等の処理ガスＡ，Ｂを導入する為開閉バルブ６１，６２、流量制御装置（マスフローコントローラ＝ＭＦＣ）６３，６４から成るガス供給装置６０が接続されている。前記上側キャップ４３の下面には円板形状に形成されたシャワープレート（以下、プレートという）６５が前記ガス供給管５９から間隔を置いて水平に固定されており、前記プレート６５には複数個のガス吹出口（以下、吹出口という）６６が全面に亘って均一に配置されて上下の空間を流通させる様に開設されている。
【００４１】
前記上側キャップ４３の内側面と前記プレート６５の上面とが画成する内側空間によってバッファ室６７が形成されており、該バッファ室６７は前記ガス供給管５９に導入された処理ガス６８を全体に均等に拡散させて前記各吹出口６６から均等にシャワー状に吹出させる様になっている。
【００４２】
前記チャンバ４２の前記下側キャップ４５の中心には挿通孔６９が円形に開設されており、該挿通孔６９の中心線上には円筒形状に形成された支持軸７１が前記処理室４１に下方から挿通されている。前記支持軸７１はエアシリンダ装置等が使用された昇降機構（昇降手段）７２によって昇降される様になっている。
【００４３】
前記支持軸７１の上端には加熱ユニット７３が同心に配され、前記サセプタ５０に対して下方から対向する様に水平に固定されており、前記加熱ユニット７３は前記支持軸７１によって昇降される様になっている。即ち、前記加熱ユニット７３は円板形状に形成されたヒータ支持体７４を備えており、該ヒータ支持体７４は前記支持軸７１の上端開口に同心に固定されている。前記ヒータ支持体７４の上面には支柱を兼ねる複数本の電極７５が垂直に立脚されており、該複数本の電極７５の上端には円板形状に形成され複数領域に分割制御されるヒータ（加熱手段）７６が取付けられている。前記複数本の電極７５に対する電気配線７７は前記支持軸７１の中空部内に挿通されている。
【００４４】
又、前記ヒータ７６の下方には反射板７８が前記ヒータ支持体７４に支持され、前記ヒータ７６から発せられた熱を前記サセプタ５０側に反射させて、加熱効率を向上させている。
【００４５】
又、温度検出手段である放射温度計７９が、前記支持軸７１の下端から導入され、前記放射温度計７９の先端が前記サセプタ５０の裏面に所定の隙間で設置されている。前記放射温度計７９は、石英から成るロッドと光ファイバとの組合せから構成され、前記サセプタ５０の裏面（例えばヒータ７６の分割領域に対応する裏面）から発せられる放射光を検出し、該サセプタ５０の裏面温度を算出するのに用いられ（予め取得したウェーハ３とサセプタ５０の温度の関係によりウェーハ３の温度を算出することも可能）、この算出結果に基づきヒータ７６の加熱状態を制御している。
【００４６】
前記下側キャップ４５の前記挿通孔６９の前記支持軸７１の外側には、該支持軸７１よりも大径の円筒形状に形成された回転軸８１が同心に配置されて前記処理室４１に下方から挿通されており、前記回転軸８１はエアシリンダ装置等が使用された前記昇降機構７２によって前記支持軸７１と共に昇降される様になっている。前記回転軸８１の上端には回転ドラム８２が同心に配されて水平に固定されており、該回転ドラム８２は前記回転軸８１によって回転される様になっている。即ち、前記回転ドラム８２はドーナツ形の平板に形成された回転板８３と、円筒形状に形成された回転筒８４を備えており、前記回転板８３の内周縁辺部が円筒形状の前記回転軸８１の上端開口に固定されて、前記回転板８３の上面の外周縁辺部に前記回転筒８４が同心に固定されている。前記回転ドラム８２の前記回転筒８４の上端には炭化シリコンや窒化アルミニウム等が使用されて円板形状に形成された前記サセプタ５０が前記回転筒８４の上端開口を閉塞する様に被せられている。
【００４７】
図３に示されている様に、前記回転ドラム８２にはウェーハ昇降装置８５が設置されている。該ウェーハ昇降装置８５は円形リング形状に形成された２つの昇降リングのそれぞれに突上ピン（基板突上手段）８６，８７を突設したものから構成されており、下側の昇降リング（以下、回転側リングという）は前記回転ドラム８２の前記回転板８３の上に前記支持軸７１と同心に配置されている。回転側リングの下面には複数本（本実施の形態に於いては三本とする）の前記突上ピン（以下、回転側ピンという）８７が周方向に等間隔に配置されて垂直方向下向きに突設されており、該各回転側ピン８７は前記回転板８３に前記回転筒８４と同心の線上に配置されて垂直方向に開設された各ガイド孔８８にそれぞれ摺動自在に貫通されている。前記各回転側ピン８７の長さは回転側リングを水平に突上げ得る様に互いに等しく設定されていると共に、ウェーハ３のサセプタ５０上からの突上げ量に対応する様に設定されている。前記各回転側ピン８７の下端は前記処理室４１の底面即ち前記下側キャップ４５の上面に離着自在に対向されている。
【００４８】
前記加熱ユニット７３の前記ヒータ支持体７４には円形リング形状に形成されたもう一つの昇降リング（以下、ヒータ側リングという）が前記支持軸７１と同心に配置されている。ヒータ側リングの下面には前記複数本（本実施の形態に於いては三本とする）の突上ピン（以下、ヒータ側ピンという）８６が周方向に等間隔に配置されて垂直方向下向きに突設されており、該各ヒータ側ピン８６は前記ヒータ支持体７４に前記支持軸７１と同心の線上に配置されて垂直方向に開設された各ガイド孔８９にそれぞれ摺動自在に嵌入されている。前記ヒータ側ピン８６の長さはヒータ側リングを水平に突上げ得る様に互いに等しく設定されていると共に、その下端が回転側リングの上面に適度のエアギャップを置いて対向されている。つまり、前記ヒータ側ピン８６は前記回転ドラム８２の回転時に回転側リングに干渉しない様になっている。
【００４９】
又、ヒータ側リングの上面には前記複数本（本実施の形態に於いては三本とする）の突上ピン（以下、突上部という）８６が、周方向に等間隔に配置されて垂直方向上向きに突設されており、該突上部８６の上端は前記ヒータ７６及び前記サセプタ５０の挿通孔８０に対向する様になっている。前記突上部８６の長さは前記ヒータ７６及び前記サセプタ５０の前記挿通孔８０を下から挿通して前記サセプタ５０に載置されたウェーハ３を前記サセプタ５０から水平に浮かせる様に互いに等しく設定されている。又、前記突上部８６の長さはヒータ側リングが前記ヒータ支持体７４に着座した状態に於いて、その上端が前記ヒータ７６の上面から突出しない様に設定されている。つまり、前記突上部８６は前記回転ドラム８２の回転時に前記サセプタ５０に干渉しない様に、且つ、前記ヒータ７６の加熱を妨げない様になっている。
【００５０】
図３に示されている様に、前記チャンバ４２は複数本の支柱９１によって水平に支持されている。該支柱９１には各昇降ブロック９２がそれぞれ昇降自在に嵌合されており、該各昇降ブロック９２間にはエアシリンダ装置等が使用された昇降駆動装置（図示せず）によって昇降される昇降台９３が架設されている。該昇降台９３の上にはサセプタ回転機構９４が設置されており、該サセプタ回転機構９４と前記チャンバ４２との間にはベローズ９０が、前記回転軸８１の外側を気密封止する様に介設されている。
【００５１】
前記昇降台９３に設置された前記サセプタ回転機構（回転手段）９４にはブラシレスＤＣモータが使用されており、出力軸（モータ軸）が中空軸に形成されて前記回転軸８１として構成されている。前記サセプタ回転機構９４はハウジング９５を備えており、該ハウジング９５が前記昇降台９３の上に垂直方向上向きに据付けられている。前記ハウジング９５の内周面には電磁石（コイル）によって構成された固定子（ステータ）９６が固定されている。即ち、該固定子９６はコイル線材（エナメル被覆銅線）９７が鉄心（コア）９８に巻装されて構成されている。前記コイル線材９７には図示しないリード線が前記ハウジング９５の側壁に開設された図示しない挿通孔を挿通して電気的に接続されており、前記固定子９６はブラシレスＤＣモータのドライバ（図示せず）から電力を前記コイル線材９７にリード線を通じて供給されることにより、回転磁界を形成する様に構成されている。
【００５２】
前記固定子９６の内側には回転子（ロータ）９９がエアギャップ（隙間）を設定されて同心に配置されており、該回転子９９は前記ハウジング９５に上下のボールベアリング１０１を介して回転自在に支承されている。即ち、前記回転子９９は円筒形状の本体１０２と鉄心（コア）１０３と複数個の永久磁石１０４とを備えており、前記本体１０２には前記回転軸８１がブラケット１０５によって一体回転する様に固定されている。前記鉄心１０３は前記本体１０２に嵌合されて固定されており、前記鉄心１０３の外周には前記複数個の永久磁石１０４が周方向に等間隔に固定されている。前記鉄心１０３と前記複数個の永久磁石１０４とによって環状に配列された複数の磁極が形成されており、前記固定子９６の形成する回転磁界が複数個の磁極即ち前記永久磁石１０４の磁界を切ることにより、前記回転子９９が回転する様になっている。
【００５３】
前記上下のボールベアリング１０１は前記回転子９９の前記本体１０２の上下端部にそれぞれ設置されており、前記上下のボールベアリング１０１には前記本体１０２の熱膨張を吸収する為の隙間が適宜設定されている。該隙間は前記本体１０２の熱膨張を吸収する一方で、最小のがたつきに抑制する為に、５μｍ〜５０μｍに設定されている。尚、前記ボールベアリング１０１の隙間とはボールをアウタレース又はインナレースのいずれか片側に寄せた場合に反対側に発生する隙間を意味している。
【００５４】
前記固定子９６と前記回転子９９との対向面には二重筒壁を構成する外側と内側の囲い部材であるカバー１０６とが互いに対向されて、前記ハウジング９５の内周面と前記本体１０２の外周面とにそれぞれ固定されており、それぞれの前記カバー１０６との間には所定のエアギャップ（隙間）が設定されている。該カバー１０６は非磁性体であるステンレス鋼が使用されて、筒壁の厚さが極薄い円筒形状にそれぞれ形成されており、円筒の上下開口端に於いて前記ハウジング９５及び前記本体１０２に電子ビーム溶接によって全周に亘って確実且つ均一に固着されている。前記カバー１０６は非磁性体であるステンレス鋼で極薄く形成されている為、磁束の拡散を防止してモータ効率の低下を防止するばかりでなく、前記固定子９６の前記コイル線材９７及び前記回転子９９の前記永久磁石１０４の腐食を防止することができ、且つ、前記コイル線材９７等による前記処理室４１の内部の汚染を確実に防止することができる。前記カバー１０６は前記固定子９６を気密シール状態に囲うことにより、該固定子９６を真空雰囲気となる前記処理室４１の内部から完全に隔絶している。
【００５５】
又、前記サセプタ回転機構９４には磁気式ロータリエンコーダ１０７が設置されている。該磁気式ロータリエンコーダ１０７は磁性体からなる被検出体としての被検出リング１０８を備えており、該被検出リング１０８は鉄等の磁性体が使用されて円形リング形状に形成されている。該被検出リング１０８の外周には被検出部としての歯が多数個環状に配列されている。
【００５６】
前記ハウジング９５の前記被検出リング１０８の対向位置には該被検出リング１０８の被検出部である各歯を検出する磁気センサ１０９が設置されている。該磁気センサ１０９の先端面と前記被検出リング１０８の外周面との隙間（センサギャップ）は、０．０６ｍｍ〜０．１７ｍｍに設定されている。前記磁気センサ１０９は前記被検出リング１０８の回転に伴うこれらの対向位置に於ける磁束変化を磁気抵抗素子によってそれぞれ検出する様に構成されている。前記磁気センサ１０９の検出結果はブラシレスＤＣモータ即ち前記サセプタ回転機構９４の駆動制御部に送信されて、前記サセプタ５０の位置認識に使用されると共に、該サセプタ５０の回転量の制御に使用される。
【００５７】
尚、本発明の実施の形態に於ける第１の処理炉３１は、ガス制御部１１１、駆動制御部１１２、加熱制御部１１３、温度検出部１１４、等から構成される主制御部１１５を有する。前記ガス制御部１１１は前記ＭＦＣ６３，６４、前記開閉バルブ６１，６２に接続され、ガス流量、供給を制御する。前記駆動制御部１１２は前記サセプタ回転機構９４、前記昇降ブロック９２に接続され、これらの駆動を制御する。前記加熱制御部１１３は前記電気配線７７を介し前記ヒータ７６に接続され、該ヒータ７６の加熱具合を制御する。前記温度検出部１１４は前記放射温度計７９に接続され、前記サセプタ５０の温度を検出し、前記加熱制御部１１３と連携して前記ヒータ７６の加熱制御に用いられる。
【００５８】
次に、上記構成に係る処理炉の作用を説明することにより、本発明の実施の形態の一例である半導体装置の製造方法に於ける成膜工程について説明する。
【００５９】
ウェーハ３の搬出搬入に際しては、回転ドラム８２及び加熱ユニット７３が回転軸８１及び支持軸７１によって下限位置に下降される。ウェーハ昇降装置８５の回転側ピン８７の下端が処理室４１の底面、即ち下側キャップ４５の上面に突合する為、回転側リングが前記回転ドラム８２及び前記加熱ユニット７３に対して相対的に上昇する。上昇した回転側リングはヒータ側ピン８６を突上げることにより、ヒータ側リングを持上げる。ヒータ側リングが持上げられると、ヒータ側リングに立脚された三本の前記突上部８６がヒータ７６及びサセプタ５０の挿通孔８０を挿通して、前記サセプタ５０の上面に載置されたウェーハ３を下方から支持して前記サセプタ５０から浮上がらせる。
【００６０】
前記ウェーハ昇降装置８５がウェーハ３を前記サセプタ５０の上面から浮上がらせた状態になると、図３に図示しないウェーハ移載機に設けられた基板保持プレートであるツィーザ（図示せず）がウェーハ搬入搬出口４７からウェーハ３の下方に挿入される。ウェーハ３の下方に挿入されたツィーザは上昇することによりウェーハ３を受取る。ウェーハ３を受取ったツィーザは前記ウェーハ搬入搬出口４７より退出してウェーハ３を前記処理室４１から搬出する。そして、ツィーザによってウェーハ３を搬出したウェーハ移載機は、前記処理室４１の外部の空ウェーハカセット等の所定の収納場所にウェーハ３を移載する。
【００６１】
次いで、ウェーハ移載機は実ウェーハカセット等の所定の収納場所から次回に成膜処理するウェーハ３をツィーザによって受取って、前記ウェーハ搬入搬出口４７から前記処理室４１に搬入する。ツィーザはウェーハ３を前記サセプタ５０の上方に於いてウェーハ３の中心が前記サセプタ５０の中心と一致する位置に搬送する。ウェーハ３を所定の位置に搬送すると、ツィーザは若干下降することによりウェーハ３を前記サセプタ５０に移載する。ウェーハ３を前記ウェーハ昇降装置８５に受渡したツィーザは、前記ウェーハ搬入搬出口４７から前記処理室４１の外へ退出する。ツィーザが前記処理室４１から退出すると、前記ウェーハ搬入搬出口４７はゲートバルブ（仕切弁）４６によって閉じられる。
【００６２】
該ゲートバルブ４６が閉じられると、前記処理室４１に対して回転ドラム８２及び加熱ユニット７３が回転軸８１及び支持軸７１を介して昇降機構７２によって上昇される。前記回転ドラム８２及び前記加熱ユニット７３の上昇により、突上ピン８６，８７が前記回転ドラム８２及び加熱ユニット７３に対し相対的に下降し、図３に示されている様に、ウェーハ３は前記サセプタ５０の上に完全に移載された状態になる。回転軸８１及び支持軸７１は突上部８６の上端がヒータ７６の下面に近接する高さになる位置にて停止される。
【００６３】
一方、前記処理室４１が排気口５５に接続された排気装置（図示せず）によって排気される。この際、前記処理室４１の真空雰囲気と外部の大気圧雰囲気とはベローズ９０によって隔絶されている。
【００６４】
続いて、前記回転ドラム８２が前記回転軸８１を介してサセプタ回転機構９４によって回転される。即ち、該サセプタ回転機構９４が運転されると、固定子９６の回転磁界が回転子９９の複数個の磁極の磁界を切ることにより、該回転子９９が回転する為、該回転子９９に固定された前記回転軸８１によって前記回転ドラム８２が回転する。この際、前記サセプタ回転機構９４に設置された磁気式ロータリエンコーダ１０７によって前記回転子９９の回転位置が時々刻々と検出されて前記駆動制御部１１２に送信され、この信号に基づいて回転速度等が制御される。
【００６５】
前記回転ドラム８２の回転中には、前記回転側ピン８７は前記処理室４１の底面から離座し、前記ヒータ側ピン８６は回転側リングから離座している為、前記回転ドラム８２の回転がウェーハ昇降装置８５に妨げられることはなく、而も、加熱ユニット７３は停止状態を維持することができる。即ち、前記ウェーハ昇降装置８５に於いては、回転側リングと前記回転側ピン８７が前記回転ドラム８２と共に回転し、ヒータ側リングと前記ヒータ側ピン８６が加熱ユニット７３と共に停止した状態になっている。
【００６６】
ウェーハ３の温度が処理温度迄上昇し、排気口５５の排気量及び前記回転ドラム８２の回転作動が安定した時点で、図３に実線矢印で示されている様に、処理ガス６８が供給管５９に導入される。該ガス供給管５９に導入された前記処理ガス６８は、ガス分散空間として機能するバッファ室６７に流入すると共に、径方向外向きに放射状に拡散して、シャワープレート６５の各ガス吹出口６６からそれぞれが略均等な流れになって、ウェーハ３に向かってシャワー状に吹出す。前記吹出口６６群からシャワー状に吹出した前記処理ガス６８はカバープレート５７の上方空間を通って、排気バッファ空間５６を経由して前記排気口５５に吸込まれて排気される。
【００６７】
この際、前記回転ドラム８２に支持された前記サセプタ５０の上のウェーハ３は回転している為、前記吹出口６６群からシャワー状に吹き出した前記処理ガス６８はウェーハ３の全面に亘って均等に接触する状態になる。前記処理ガス６８がウェーハ３の全面に亘って均等に接触する為、ウェーハ３に前記処理ガス６８によって形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布や膜質分布はウェーハ３の全面に亘って均一になる。
【００６８】
又、前記加熱ユニット７３は前記支持軸７１に支持されることにより回転しない状態になっている為、前記回転ドラム８２によって回転されながら前記加熱ユニット７３によって加熱されるウェーハ３の温度分布は全面に亘って均一に制御される。この様にウェーハ３の温度分布が全面に亘って均一に制御されることにより、ウェーハ３に熱化学反応によって形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布や膜質分布はウェーハ３の全面に亘って均一に制御される。
【００６９】
尚、一例迄、本発明の実施の形態に於ける第１の処理炉３１にて処理される処理条件は、ドープ／ノンドープシリコン膜の成膜に於いて、成膜温度４５０℃〜６５０℃、処理圧力２７０Ｐａ〜５００００Ｐａ（成膜時）、処理ガスシラン系ガス（ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 ）ドーパントガス（ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 ）、不活性ガス（Ｎ2 ）、ガス供給量はシラン系ガス〜２ｓｌｍ、ドーパントガス〜１ｓｌｍ、不活性ガス〜２０ｓｌｍである。
【００７０】
予め選定された所定の処理時間が経過すると、前記サセプタ回転機構９４の運転が停止される。この際、前記サセプタ５０即ち前記回転子９９の回転位置は前記サセプタ回転機構９４に設置された前記磁気式ロータリエンコーダ１０７によって時々刻々と監視されている為、前記サセプタ５０は予め設定された回転位置に於いて正確に停止される。即ち、前記突上部８６と前記ヒータ７６及び前記サセプタ５０の挿通孔８０は正確且つ再現性よく合致される。
【００７１】
前記サセプタ回転機構９４の運転が停止されると、前述に示されている様に、前記回転ドラム８２及び前記加熱ユニット７３は前記回転軸８１及び前記支持軸７１を介して前記昇降台９３によって搬入搬出位置に下降される。前述した様に、下降の途中に於いて、前記ウェーハ昇降装置８５の作用によりウェーハ３を前記サセプタ５０の上から浮上げる。この際、前記突上部８６と前記ヒータ７６及び前記サセプタ５０の前記挿通孔８０とは正確且つ再現性よく合致されている為、前記突上部８６が前記サセプタ５０及び前記ヒータ７６を突上げる突上げミスが発生することはない。
【００７２】
以降、前述した作業が繰返されることにより、次のウェーハ３にＣＶＤ膜が成膜処理される。
【００７３】
次に、図４〜図６に於いて、前記サセプタ５０について説明する。
【００７４】
前記サセプタ５０は高純度カーボン製（熱伝導（９０Ｗ／ｍ・ｋ）がよい、変形量が大きい）或は窒化アルミニウム製（熱伝導（６０Ｗ／ｍ・ｋ）が低い、変形量が小さい、加工が難しい）であり、又、他の材質（例えば、石英、炭化珪素等）も使用可能であり、前記サセプタ５０の上面にはウェーハ載置面５１が形成され、該ウェーハ載置面５１には所要数の凸部５２が形成される。前記サセプタ５０及び前記凸部５２は、高純度カーボン或は窒化アルミニウム製のブロックから切削加工等の加工により一体に形成されたものであり、前記凸部５２の配列は格子状、例えば図４に示される様に、正４角形の各頂点に配列し、隣接する凸部５２，５２間の距離が等しくなる様に配設される。尚、該凸部５２がウェーハ３の周辺を支持する様、４箇所の凸部５２ａについて正４角形頂点から外れた位置に設けられている。
【００７５】
又、格子形状としては、正４角形に限らず、前記凸部５２は正３角形の各頂点に配設した格子形状としてもよく、要は隣接する凸部５２間の距離が等しく、或は略等しくなる様な格子形状であればよい。
【００７６】
前記ウェーハ３は、前記凸部５２を介して前記サセプタ５０に載置される。
【００７７】
前述した様に、ヒータ７６の発熱により前記サセプタ５０が加熱され、更に該サセプタ５０により前記ウェーハ３が加熱される。
【００７８】
ウェーハ３の加熱のメカニズムとしては、前記ウェーハ載置面５１からの熱輻射、前記凸部５２と前記ウェーハ３との固体接触による熱伝導、前記ウェーハ載置面５１と前記ウェーハ３間のガスを介在した熱伝導が有り、熱輻射は前記ウェーハ載置面５１とウェーハ３間の距離に影響され、前記凸部５２と前記ウェーハ３間の固体接触による熱伝導は、前記凸部５２とウェーハ３との接触状態、前記凸部５２の配置状態等に影響される。
【００７９】
更に、前記ウェーハ載置面５１とウェーハ３間の距離は、前記ウェーハ載置面５１の平面度、前記凸部５２の高さ精度の影響を受け、該凸部５２とウェーハ３との接触状態等は、前記凸部５２上端の面積、形状、臨接する凸部５２間の距離等に影響を受ける。
【００８０】
本発明では、前記凸部５２と前記ウェーハ３間の固体接触による熱伝導の均一化を図ると共に前記ウェーハ載置面５１とウェーハ３間の距離のバラツキを制限して熱輻射による加熱の均一性を向上させている。
【００８１】
例えば、前記凸部５２と前記ウェーハ３間の固体接触による熱伝導の均一化を図る為に、前記凸部５２の数を、８インチウェーハ、１２インチウェーハを載置する構成で、数十個〜２７個程度、好ましくは８０個程度としている。又、隣接する凸部５２間の距離を、例えば３０ｍｍとし、配列は少なくとも、前記ウェーハ載置面５１の中心に関し、直交する２方向で対称とする。
【００８２】
又、前記凸部５２の形状としては、例えば切頭円錐形（以下円錐台）であり、底面の直径がφ１ｍｍ以下、好ましくはφ０．５ｍｍ〜φ０．３ｍｍ、上面の直径がφ１ｍｍ以下好ましくは、φ０．４ｍｍ〜φ０．２ｍｍとする。尚、底面、上面の直径の下限は、前記サセプタ５０の材質、加工方法で決定されるものであり、切削加工以外の放電加工等他の加工方法によれば下限の制限は異なる。
【００８３】
前記凸部５２の上面の接触面積を、０．０４πｍｍ2 とすることで、前記凸部５２個々の固体接触による熱伝達量を抑制し、而も該凸部５２の数を多くし、隣接する凸部５２間の距離を等しくすることで、固体接触による熱伝達の均一化を図っている。尚、前記凸部５２個々の接触面積は、ウェーハ３全体の被加熱面積を考慮すると、所定値以下に制限されることが好ましく、ウェーハ３の面積に対して１．８×１０-6倍以下であることが好ましい。又、前記凸部５２の接触面積については、ウェーハ３、前記サセプタ５０の材質、熱伝導率等も考慮されるべきであり、要は、固体接触による熱伝達量を抑制できればよい。尚、本発明の場合は、ウェーハがシリコンウェーハ、前記サセプタ５０の材質が高純度カーボン、窒化アルミニウムの場合を示している。
【００８４】
更に、前記凸部５２からの熱伝達量が抑制されることで、熱伝達は熱輻射及びガス熱伝達が支配的になり、固体接触による熱伝達の不均一によるウェーハ３の熱分布への影響が少なくなる。
【００８５】
次に、熱輻射による熱伝達に影響を及ぼす前記ウェーハ載置面５１の平面度の管理、前記凸部５２の高さ精度の管理は、前記サセプタ５０が前記凸部５２の加工も併せて機械加工により一体に仕上げられる為、精度管理は容易である。
【００８６】
例えば、前記ウェーハ載置面５１とウェーハ３間の距離のバラツキを制限する為、前記ウェーハ載置面５１の平面度は周方向で２５μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下の精度、半径方向で３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下の精度で仕上げるものとしている。
【００８７】
ここで、前記ウェーハ載置面５１の平面度を、周方向と半径方向で制限しているが、機械加工に於いて、周方向のうねりと、半径方向のうねりがあり、双方のうねりの影響により誤差が増大しない様にしている。
【００８８】
又、前記凸部５２の高さ精度は前記ウェーハ載置面５１全面に亘り、０．０１５ｍｍ以下、好ましくは０．０１５ｍｍ〜０．０１ｍｍとし、前記凸部５２の高さ（ｈ：図６参照）は、０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍとしている。
【００８９】
更に、具体的には、前記凸部５２の高さ精度は、前記サセプタ５０の半径３０ｍｍ以内、半径３０ｍｍ〜７０ｍｍ、半径７０ｍｍ〜１２０ｍｍ、半径１２０ｍｍ〜１５０ｍｍのエリアに区分けした場合、各エリア内で０．０１５ｍｍ以下、好ましくは０．０１５ｍｍ〜０．０１ｍｍとし、各エリア間で０．０１５ｍｍ以下、好ましくは０．０１５ｍｍ〜０．０１ｍｍとする。
【００９０】
尚、平面度とは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に定義されるものであって、平面部分の幾何学的平面からの狂いの大きさを言い、平面部分を２つの平行な幾何学的平面で挟んだ時、これらの両平面の間隔が最小となる時の、両幾何学的平面の間隔（単位はｍｍ又はμｍ）で表される。即ち、本実施の形態に於いて、サセプタ平面度とは、サセプタ中心に於けるサセプタ上面（平面）を基準とするサセプタの平面３６０点（φ３０、φ６０、φ９０、φ１２０、φ１５０、φ１８０、φ２１０、φ２４０、φ２７０、φ３００の周上の各１０点）の高さを測定し、その測定値の最大値と最小値の差のことである。
【００９１】
又本実施の形態に於いて、ピン高さ精度とは、サセプタ中心に於けるサセプタ上面を基準とするピン８０個の各ピンの頂点部分の高さとピンが接する平らな部分の高さとを測定しその測定値の最大値と最小値の差のことである。
【００９２】
以下、前記凸部５２が形成された前記サセプタ５０によりウェーハが処理された場合の、膜厚の均一性について説明する。
【００９３】
先ず、前記ウェーハ載置面５１の平面度と前記凸部５２の高さ精度と、膜厚均一性について、図７により説明する。尚、図７は前記ウェーハ載置面５１の平面度と前記凸部５２の高さ精度の異なる３組のサセプタＡ，Ｂ，Ｃによりウェーハ３を処理した場合の膜厚、膜厚均一性について表しており、処理条件としてはドープ／ノンドープシリコン膜の成膜、成膜温度４５０℃〜６５０℃、処理圧力２７０Ｐａ〜５００００Ｐａ（成膜時）、処理ガスシラン系ガス（ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 ）、ドーパントガス（ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 ）、不活性ガス（Ｎ2 ）、ガス供給量はシラン系ガス〜２ｓｌｍ、ドーパントガス〜１ｓｌｍ、不活性ガス〜２０ｓｌｍである。
【００９４】
処理の結果で推察される様に、サセプタの平面度及び凸部の高さ精度により、膜厚均一性が左右され、サセプタの平面度が周方向で０．０１５ｍｍ（１５μｍ）以下、半径方向で０．０２５ｍｍ（２５μｍ）以下、又凸部の高さ精度が０．０１５ｍｍ（１５μｍ）以下の時に均一性σ３％以下が達成され、更にサセプタの平面度が周方向で１０μｍ以下、半径方向で１０μｍ以下、又凸部の高さ精度が１５μｍ以下の時に均一性σ２％以下が達成されている。
【００９５】
次に、図８に於いて、前記凸部５２の高さと、上面の直径（凸部５２上端の接触面積）と、膜厚の均一性について説明する。
【００９６】
尚、図８に於いて、使用されたサセプタ５０はＮｏ．１〜Ｎｏ．１２で有り、又Ｎｏ．４、Ｎｏ．５については、比較の為に前記凸部５２の配列が図９に示される様に、同心多重円状に配列され、隣接する凸部５２間の距離は同一ではない。又、Ｎｏ．９については比較の為に、凸部５２を設けていない。処理条件は上記した場合と同様である。
【００９７】
図８より、前記凸部５２の直径が０．４ｍｍ、高さが０．１ｍｍの場合に成膜均一性が良好である結果が得られており、又前記凸部５２の直径を１ｍｍとした場合、又高さを０．２ｍｍとした場合に均一性が悪くなっており、前記凸部５２の直径が増加する方向で均一性が低下し、又前記凸部５２の高さが増加する方向で均一性が低下する傾向があると判断できる。
【００９８】
従って、図８が示す結果より、前記凸部５２の直径が０．４ｍｍ以下、高さが０．１ｍｍ以下で成膜均一性が改善される。更に、前記凸部５２の直径が１ｍｍの場合、成膜上に前記凸部５２の支持跡が転写される場合が有り、斯かる点からも前記凸部５２の直径は小さい方が良好な結果が得られる。
【００９９】
更に、６３０℃以上の温度での成膜（高温成膜）では、凸部の高さ精度による均一性への影響は少ないが、６３０℃以下の成膜（低温成膜）では、前記ウェーハ載置面５１の平面度、凸部の高さ精度による均一性への影響は大きい。
【０１００】
更に、前記凸部５２の配列について、隣接する凸部５２間の距離が等しい格子状に配設された場合と、隣接する凸部５２間の距離が等しくない同心多重円状に配列され場合を比較すると、前記凸部５２が格子状に配列した場合の方がより膜厚の均一性が改善されている。隣接する凸部５２間の距離が等しくない配列では、固体接触での熱伝達の均一性が損われると判断できる。
【０１０１】
尚、前記凸部５２の形状について、円錐台に限らず、図１０（Ａ）に示される半球形状、図１０（Ｂ）に示される円柱形状、図１０（Ｃ）に示される円錐形状等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の一例を示す平断面図である。
【図２】同前基板処理装置の側断面図である。
【図３】該基板処理装置に於ける処理炉を示す立断面図である。
【図４】該処理炉に於けるサセプタの平面図である。
【図５】該サセプタの側面図である。
【図６】該サセプタの凸部の拡大図である。
【図７】基板処理装置で処理した成膜結果を示す図である。
【図８】基板処理装置で処理した成膜結果を示す図である。
【図９】凸部の他の配列を示すサセプタの平面図である。
【図１０】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ凸部の他の形状を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
３              ウェーハ
３１            第１の処理炉
４１            処理室
５０            サセプタ
５１            ウェーハ載置面
５２            凸部
７６            ヒータ
【図１】
2007088176.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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