(57)【要約】【課題】  圧力方式によるフラットニング等を必要とせず、半導体素子上の金属バンプをすべて均一な高さにする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体素子電極パッド上に金属バンプを形成し、キャピラリを一定の高さまで上昇させ、キャピラリを電極パッドと水平方向に移動して金属ワイヤを切断する。又は、キャピラリを一定の高さまで上昇させ、キャピラリを水平方向に移動させた後、さらに水平方向に移動させながら下降させ、キャピラリの先端部分で金属ワイヤを切断する。【選択図】      図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ワイヤを、キャピラリの細孔を通して、前記キャピラリの先端部分から突出させ、
前記金属ワイヤの先端部に金属ボールを形成し、
前記キャピラリを、電極パッドの上に降下させて、前記金属ボールを前記電極パッドに付着させて金属バンプを形成した後に、
前記キャピラリを上昇させて、前記金属バンプから離し、
さらに、前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させて、前記金属バンプから前記金属ワイヤを切断する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
金属ワイヤを、キャピラリの細孔を通して、前記キャピラリの先端部分から突出させ、
前記金属ワイヤの先端部に金属ボールを形成し、
前記キャピラリを、電極パッドの上に降下させて、前記金属ボールを前記電極パッドに付着させて金属バンプを形成した後に、
前記キャピラリを上昇させて、前記金属バンプから離し、
前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させて、
さらに、前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させながら下降させて、前記金属バンプから前記金属ワイヤを切断する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属ワイヤの材料として、純度９９％以上の金を用いることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属ワイヤの材料として、純度９９％以上の金を用いることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記キャピラリとして、先端部の外縁に円周部が設けられたキャピラリを用いることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記キャピラリとして、先端部の外縁に円周部が設けられたキャピラリを用いることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
細孔を有するキャピラリと、
前記細孔を通した金属ワイヤを保持する手段と、
前記キャピラリを、上下方向または水平方向に移動させる手段とを備え、
前記キャピラリの先端部の外縁に円周部が設けられている
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記円周部が、２０度以上の角度で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体素子上に形成された電極パッドにボールバンプにより金属の突起電極を形成する半導体装置の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子をプリント配線板の配線パターンと接続する方法としては、半導体素子上の電極パッドにバンプと呼ばれる金属の突起電極を形成し、この突起電極により、半導体素子上の電極パッドとプリント配線基板上の配線パターンを加熱、加圧によって接続実装する方法が一般的である。
【０００３】
以下、一般的なボールボンディング法による金属バンプの形成方法を、図を用いて説明する。
まず、金属バンプ形成用の装置を図１３に示す。
この装置は、キャピラリ１と、クランパ２と、トーチ電極３とを備えている。
キャピラリ１には、中心部を上下に通じて細孔１ａが設けられている。キャピラリ１の先端部１ｂでは、細孔１ａに連通して、先端にいくほど内径が広がる開口が形成されている。また、キャピラリ１は、図示しない駆動系により任意に移動させることが可能な構成となっている。
クランパ２は、キャピラリ１の上部に設けられ、キャピラリ１の細孔１ａに通した金属ワイヤ４を保持するものであり、このクランパ２も、図示しない駆動系により、任意の方向に移動させることが可能な構成となっている。
トーチ電極３は、金属ワイヤ４を加熱溶融して、バンプとなる金属ボール５（図１５参照）を形成するものである。金属ワイヤ４は、キャピラリ１の細孔１ａを通り、先端部１ｂから引き出されており、適宜キャピラリ１の上方から連続して供給される構成となっている。
【０００４】
そして、図１３に示した装置を用いて、次のようにして金属バンプを形成する。
図１４に示すように、クランパ２を閉じて金属ワイヤ４を保持した状態で、キャピラリ１とクランパ２を下降させて、金属ワイヤ４の先端をトーチ電極３に近づける。そして、トーチ電極３から放たれるスパーク１７を、金属ワイヤ４に向けて放電させる。これにより、金属ワイヤ４の先端を加熱して溶融させる。
【０００５】
次に、トーチ電極３からのスパークを停止して、自然冷却されることにより、図１５に示すように、溶融させた金属ワイヤ４の先端部に、再結晶化領域１５が形成される。再結晶化領域１５は、金属ワイヤ４の一部がスパーク１７によって溶融した後に、表面張力により球形となった金属ボール５と、ボール状にならず金属ボール５と金属ワイヤ４の接続部分にワイヤ形状のまま再結晶化したネック部６とにより構成される。溶融後再結晶化して形成されたネック部６は、脆い性質を有しているため、容易に切断できる。
【０００６】
次に、図１６に示すように、キャピラリ１およびクランパ２を、金属バンプを実装する電極パッド８の上方へ移動させる。電極パッド８は、半導体素子７の上に設けられており、半導体素子７は加熱装置が取り付けられたステージ１０に設置されている。
【０００７】
次に、図１７に示すように、クランパ２を開いた後にキャピラリ１を下降させる。キャピラリ１の先端部１ｂで金属ボール５を電極パッド８に上から押圧する。同時にキャピラリ１に付設された超音波振動子から超音波を加え、半導体素子７側のステージ１０の加熱装置から熱を加える。これにより、電極パッド８上に金属ボール５が実装され、金属バンプ９が形成される。
【０００８】
次に、図１８に示すように、クランパ２を開いたまま、キャピラリ１を任意の高さまで垂直に上昇させる。
【０００９】
次に、図１９に示すように、クランパ２を閉じ、金属ワイヤを保持して固定した後、キャピラリ１とクランパ２を上昇させる。そして、金属ワイヤ４の張力により、ネック部６で金属ワイヤ４を切断する。
【００１０】
以上の方法により、半導体素子７の上に設けられた電極パッド８上にボールボンディング法によって金属バンプ９が形成される。この工程を順次繰り返すことにより、多数の金属バンプを連続的に形成することができる。
【００１１】
図２２に、半導体素子７とプリント配線基板１１を接続した様子を示す。プリント配線基板１１の表面に形成された配線パターン１２と、半導体素子７に設けられた電極パッド８が、金属バンプ９を介して電気的に接続されている。そして、この半導体素子７を金属バンプ９と配線基板１１上の電極１２とが接続するように配線基板１１にフリップチップ実装することによりこれらが電気的に接続されている。
【００１２】
この場合、半導体素子７とプリント配線基板１１上の電極を正しく接続するためには、図２２Ａに示すように、半導体素子７上の金属バンプ９の高さが均一であることが望ましい。逆に、図２２Ｂに示すように、半導体素子７の電極８に形成させたバンプ９の高さが異なると、一部の電極で接続不良が発生する問題がある。
この他にも、金属バンプに倒れが生じると、配線基板との接触面の位置がずれてしまう問題や、引きちぎり時にネック部６の再結晶領域が不十分であると、金ワイヤ４が無理に引きちぎられ、引きちぎり後の金属バンプ９の高さに差異が生じて、製造された半導体装置の大半で外観上不良が発生する問題がある。
【００１３】
ところが、図１４に示した、トーチ電極３から放電されたスパーク１７の温度は一定ではないため、金属ワイヤ４の先端に伝わる熱量が一定ではない。そのため、図２０に示すように、スパーク１７の温度が違う影響を受けて、再結晶領域１５の大きさが違ってくる。特に、金属ワイヤ４の先端に形成されるネック部６において、溶融後再結晶する領域の範囲が大きく異なる。
【００１４】
そのため、図２１に示すように、金属バンプ９を形成した後、張力により金属ワイヤ４を切断したときに、金属ワイヤ４の切断箇所が異なり、金属バンプ９上のネック部６の長さが異なる。そのため、金属バンプ９の高さに差異が発生する。
【００１５】
そこで、バンプ形成後にバンプの高さを均一に揃えるため、バンプフラットニングが行われる。
例えば、図２３Ａに示すように、電極パッド８上に、長さの異なるネック部６を持つ金属バンプ９が複数形成された半導体素子７がある。これをバンプフラットニングする場合は、図２３Ｂに示すように、半導体素子受台１４の上に半導体素子７を置き、この上に形成された複数の金属バンプ９を、加圧面を有した荷重部材１３で加圧し、金属バンプ９の高さを均一にする。このようなバンプフラットニング装置により、図２３Ｃに示すように、半導体素子７上に形成された複数の金属バンプ９の高さを形よく揃えることができる。
【００１６】
また、金属バンプの高さを均一にする他の方法として、金属バンプ形成時の金属ワイヤを金属バンプから切断する際に、キャピラリから、金属ワイヤに共振周波数の超音波を印加する方法がある。これにより、金属バンプの上部に残る金属ワイヤの長さを均一にして切断し、金属バンプの高さを均一にする（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平５−１４４８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかし、バンプを加圧して平坦化する方法では、ウェハを半導体素子毎に切断した後に平坦化のためのバンプフラットニングをする必要がある。つまり、ウェハの状態でバンプを形成した後、これを個片化し半導体素子毎に取り出してバンプフラットニングをすることになる。この場合、全体の工程が増加し、複雑化し、半導体の生産時間が長く、量産性に劣る。また、そのために生産コストにも影響を与える。
【００１８】
また、半導体素子の多ピン化により、１チップ内に３００ピンを超える半導体素子が多数あり、多ピン化された半導体素子の場合は、これらの金属バンプに一括フラットニングを行う場合、相当な加重が接合部に伝わり、接合部にクラックなど発生する懸念がある。
【００１９】
ここで、加圧部材の押圧面を拡大し、ウェハ全体に対してフラットニングする技術が考えられる。しかしながら、ウェハ全体に形成される金バンプは非常に多数であり、これらすべてを押圧するためには非常に大きな荷重が必要となる。このような装置を有するフラットニング装置は大型かつ高価になり、現実性に乏しい。
【００２０】
これらの問題を解決するため、本発明は、半導体素子上の電極パッド上に金属バンプを形成するにあたり、バンプフラットニング等を必要とせず、半導体素子上の金属バンプを均一な高さに形成することを可能にする、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法は、金属ワイヤを、キャピラリの細孔を通して、前記キャピラリの先端部分から突出させ、前記ワイヤの先端部に金属ボールを形成し、前記キャピラリを、電極パッドの上に降下させて、前記金属ボールを前記電極パッドに付着させて金属バンプを形成した後に、前記キャピラリを上昇させて、前記金属バンプから離し、さらに、前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させて、前記金属バンプから前記金属ワイヤを切断することを特徴とする。
【００２２】
上述の本発明の半導体装置の製造方法によれば、金属ワイヤの切断において、キャピラリを水平方向に移動させることにより、金属ワイヤが切断の際に無理に引きちぎられることがない。このため、金属バンプの上方向に伸びる金属ワイヤの残りを抑えることができる。
【００２３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、金属ワイヤを、キャピラリの細孔を通して、前記キャピラリの先端部分から突出させ、前記ワイヤの先端部に金属ボールを形成し、前記キャピラリを、電極パッドの上に降下させて、前記金属ボールを前記電極パッドに付着させて金属バンプを形成した後に、前記キャピラリを上昇させて、前記金属バンプから離し、さらに、前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させて、さらに、前記キャピラリを前記電極パッドに対して水平方向に移動させながら下降させて、前記金属バンプから前記金属ワイヤを切断することを特徴とする。
【００２４】
上述の本発明の半導体装置の製造方法によれば、キャピラリを水平方向に移動させて、さらに、キャピラリを水平方向に移動させながら下降させることにより、切断時に過度に引っ張り応力を与えることがない。このため、金属ワイヤの変形を防止でき、直進性のよいワイヤボンディングが可能となり、金属ワイヤの残りによる隣接端子間の接触が防止できる。しかも、金属ワイヤが残らないため金属バンプの高さを低く抑えることが可能である。
【００２５】
また、亀裂の生じている部位で安定的に金属ワイヤが切断されることにより、切断後にキャピラリの先端部より飛び出しているワイヤリードの長さが略一定になる。このため、金属ワイヤの先端に形成する金属ボールの大きさが安定するので、ボンディングを安定的に行うことが可能である。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造装置は、細孔を有するキャピラリと、前記細孔を通した金属ワイヤを保持する手段と、前記キャピラリを、上下方向または水平方向に移動させる手段とを備え、前記キャピラリの先端部の外縁に円周部が設けられていることを特徴とする。
【００２７】
上述の本発明の半導体装置の製造装置によれば、キャピラリの先端部に円周部が設けられていることにより、溶融後再結晶した金属ワイヤを金属バンプ本体と馴染ませて、ネック部から金属ワイヤを切断しやすくすることが可能になる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、半導体素子上の電極パッド上に金属バンプを形成するに当たり、加圧によるフラットニングを必要とせずに、均一な高さの金属バンプを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の第一の実施形態を、図面を参照して説明する。
まず、金属バンプ形成用の装置を図１に示す。
この装置は、キャピラリ１と、クランパ２と、トーチ電極３とを備えている。
キャピラリ１には、中心部を上下に通じて細孔１ａが設けられている。キャピラリ１の先端部１ｂでは、細孔１ａに連通して、先端にいくほど内径が広がる開口が形成されている。また、キャピラリ１は、図示しない駆動系により任意に移動させることが可能な構成となっている。
クランパ２は、キャピラリ１の上部に設けられ、キャピラリ１の細孔１ａに適した金属ワイヤ４を保持するものであり、このクランパ２も、図示しない駆動系により、任意の方向に移動させることが可能な構成となっている。
トーチ電極３は、金属ワイヤ４を加熱溶融して、バンプとなる金属ボール５（図２参照）を形成するものである。金属ワイヤ４は、キャピラリ１の細孔１ａを通り、先端部１ｂから引き出されており、適宜キャピラリ１の上方から連続して供給される構成となっている。
【００３０】
金属ワイヤ４としては、延性と導電性に優れた金属、例えば９９％以上の金を用いることができる。また、金属ワイヤ４の太さは、例えば直径２５μmとする。
【００３１】
そして、図１に示した装置を用いて、次のようにして金属バンプを形成する。
図２に示すように、クランパ２を閉じて金属ワイヤ４を保持した状態で、キャピラリ１とクランパ２を下降させて、金属ワイヤ４の先端をトーチ電極３に近づける。そして、トーチ電極３から放たれるスパーク１７を、金属ワイヤ４に向けて放電させる。これにより、金属ワイヤ４の先端を加熱して溶融させる。
【００３２】
次に、トーチ電極３からのスパークを停止して、自然冷却されることにより、図３に示すように、溶融させた金属ワイヤ４の先端部に、再結晶化領域１５が形成される。再結晶化領域１５は、金属ワイヤ４の一部がスパーク１７によって溶融した後に、表面張力により球形となった金属ボール５と、ボール状にならず金属ボール５と金属ワイヤ４の接続部分にワイヤ形状のまま再結晶化したネック部６とにより構成される。溶融後再結晶化して形成されたネック部６は、脆い性質を有しているため、容易に切断できる。
【００３３】
次に、図４に示すように、キャピラリ１およびクランパ２を、金属バンプを実装する電極パッド８の上方へ移動させる。電極パッド８は、半導体素子７の上に設けられており、半導体素子７は加熱装置が取り付けられたステージ１０に設置されている。電極パッド８は、アルミや銅により形成され、電極パッド８が形成されている部分以外の半導体素子７の表面は保護膜で覆われている。
【００３４】
次に、図５に示すように、クランパ２を開いた後にキャピラリ１を下降させる。キャピラリ１の先端部１ｂで金属ボール５を電極パッド８に上から押圧する。同時にキャピラリ１に付設された超音波振動子から超音波を加え、半導体素子７側のステージ１０の加熱装置から熱を加える。これにより、電極パッド８上に金属ボール５が実装され、金属バンプ９が形成される。
【００３５】
次に、図６に示すように、クランパ２を開いたまま、キャピラリ１を任意の高さまで垂直に上昇させる。
【００３６】
次に、図７に示すように、クランパ２を閉じた後、キャピラリ１とクランパ２を水平に移動させる。キャピラリ１の移動により、金属バンプ上部の突起および金属ワイヤ４は、キャピラリ１の先端部１ｂにより横方向に引き伸ばされる。
【００３７】
次に、図８に示すように、キャピラリの先端部１ｂと金属ワイヤ４の張力により再結晶領域１５を金属ワイヤ４から切断する。このとき、超音波の印加等は行わない。
【００３８】
以上の方法により、半導体素子７の上に設けられた電極パッド８上にボールボンディング法によって金属バンプ９が形成される。この工程を順次繰り返すことにより、多数の金属バンプを連続的に形成することができる。
【００３９】
第一の実施の形態によれば、金属ワイヤ４を切断する際に、金属ワイヤ４を上方に引っ張ることがないので、ネック部６が金属バンプ９の上に伸びることがない。また、キャピラリ１の先端部１ｂを金属バンプ９のネック部分から水平に移動させることで、先端部１ｂで金属バンプ９の表面を引っ掻くようにして金属ワイヤ４が切断される。そのため、再結晶化領域１５の大きさやネック部６の長さに影響を受けず、表面が削られて高さが一定となり、大きさの安定した金属バンプ９が形成できる。
【００４０】
このとき、例えば金属バンプ９の高さを５０μmと設計したとき、電極パッド８の上面よりキャピラリ１の先端部１ｂの高さを５０μmに設定し、この高さを保持したままで水平方向に移動することで金属ワイヤ４を切断し、目的の高さの金属バンプ９を形成することができる。
【００４１】
本発明の第二の実施形態を、図面を参照して説明する。
図１から図６で示された各工程は第一の実施の形態と同一である。
図６に示す状態から、図９に示すように、キャピラリ１を水平方向に移動させて、任意の位置まで移動させる。このとき、クランパ２は開放したままであり、超音波の印加等は行わない。また、図９に示されたクランパ２は開放されているが、クランパ２の開閉はどちらでも良く、キャピラリ１の移動により金属ワイヤが切れてしまう場合があるため、クランパ２は開放いているほうが好ましい。
【００４２】
次に、図１０に示すように、クランパ２を閉じた後に、キャピラリ１を水平方向に移動させながら下降させて、キャピラリ１の先端部分で金属ワイヤ４を切断する。このとき、クランパ４を閉じたことにより、金属ワイヤ４がキャピラリ１から抜け落ちないようにすることができる。
このとき、図９で横方向に引き伸ばされた金属バンプ９上部の突起部および金属ワイヤ４はキャピラリ１の下降により、キャピラリ１の先端部１ｂと金属バンプ９の間で押しつぶされる。また、その際に発生する応力により金属ワイヤ４が切断される。
【００４３】
第二の実施の形態によっても、第一の実施の形態と同じく、金属ワイヤ４を切断する際に、金属ワイヤ４を上に引っ張らないので、ネック部６が金属バンプ９の上に伸びることがない。また、再結晶化領域１５の大きさやネック部６の長さに影響を受けず、表面が削られて高さが一定となり、大きさの安定した金属バンプが形成できる。
さらに、第二の実施の形態では、キャピラリ１の先端部１ｂを水平方向に移動させながら下降させて、キャピラリ１の先端部分と金属バンプ９の間で押しつぶすように金属ワイヤ４を切断するので、金属ワイヤ４の切断が容易であり、第一の実施形態より安定した大きさの金属バンプ９が形成できる。
このとき、例えば金属バンプ９の高さを５０μmと設計したとき、電極パッド８の上面よりキャピラリ１の先端部１ｂの高さを５０μmに設定し、この高さを保持したままで水平方向に移動し、さらに、水平方向に移動させながら下降させることで金属ワイヤ４を切断し、目的の高さの金属バンプ９を形成することができる。
【００４４】
本実施の形態において、さらに好ましくは、キャピラリ１の先端部１ｂの形状を従来と異ならせる。本発明のキャピラリ１の先端部１ｂと従来のキャピラリ１の先端部１ｂの違いを図を用いて比較して説明する。
【００４５】
図１１は、従来と本実施の形態のキャピラリの概略の構造比較を示す図である。図１１Ａに示す従来のキャピラリ１は、キャピラリ１の先端部１ｂの外縁に円周部が設けられていないのに対して、図１１Ｂに示す本実施の形態のキャピラリ１は、キャピラリ１の先端部１ｂの外縁に円周部１６が設けられている。
【００４６】
キャピラリ先端部１ｂの外縁に円周部１６が設けられていない場合、溶融再結晶化した金属ワイヤ４が金属バンプ９本体と馴染まず、摩擦抵抗が大きいため切断後の金属バンプ９の形状がおもわしくない。そこで、金属バンプ９から金属ワイヤ４を良好に切断するには、キャピラリ先端部１ｂの外縁の円周部１６の角度を大きくする。そうすると溶融再結晶化した金属ワイヤを金属バンプ本体とよく馴染み、摩擦抵抗が小さくなるため、切断後の金属バンプ９の形状が良好になる。
【００４７】
このとき、キャピラリ１の先端部１ｂの外縁の円周部１６の角度は２０度以上あることが好ましい。角度が２０度未満であると溶融再結晶化した金属ワイヤ４と金属バンプ９とが馴染みにくくなるため、摩擦抵抗が大きく、金属ワイヤ４の切断が困難である。円周部１６の角度が２０度以上であると溶融再結晶化した金属ワイヤ４と金属バンプ９とよく馴染み、摩擦抵抗が小さくなるため金属ワイヤ４の切断が良好である。
また、この円周部は、単一の曲面だけでなく、複数の曲面により構成されていてもよく、目的とする切断の形状に合わせて、選択することができる。
【００４８】
図１２は、従来と本実施の形態において、電極パッド上に形成された金属バンプの形状を比較する拡大顕微鏡写真である。
図１２Ａに示す顕微鏡写真は、従来の方法により形成された金属バンプであり、図１２Ｂに示す顕微鏡写真は、本発明の第二の実施形態の製造方法により形成された金属バンプである。
本発明の方法によって形成された金属バンプは、キャピラリ１の先端１ｂにより金属バンプ９の上部がつぶされ、切断されているため、従来の金属バンプのような、金属バンプ上に余計な金属ワイヤが残らず、安定して高さの揃った金属バンプを形成することができた。
【００４９】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】一般的な金属バンプを形成するための製造装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図３】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図４】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図５】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図６】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図７】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図８】本発明の第一の実施形態を説明する図である。
【図９】本発明の第二の実施形態を説明する図である。
【図１０】本発明の第二の実施形態を説明する図である。
【図１１】図１１Ａは従来のキャピラリ、図１１Ｂは本実施の形態のキャピラリの構造を示す図である。
【図１２】図１２Ａは従来の金属バンプ、図１２Ｂは本実施の形態の金属バンプの顕微鏡写真である。
【図１３】一般的な金属バンプを形成するための製造装置の構成を示す図である。
【図１４】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図１５】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図１６】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図１７】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図１８】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図１９】従来の金属バンプの形成方法を説明する図である。
【図２０】溶融後再結晶領域の金属ボールとネック部の領域を示す図である。
【図２１】張力により金属ワイヤを切断した金属バンプの高さの差異を示す図である。
【図２２】Ａ、Ｂ  半導体素子とプリント配線基板を金属バンプにより電気的に接続した様子を示す図である。
【図２３】Ａ〜Ｃ  金属バンプが形成された半導体素子のフラットニングを示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  キャピラリ、１ａ  細孔、１ｂ  先端部、２  クランパ、３  トーチ電極、４  金属ワイヤ、５  金属ボール、６  ネック部、７  半導体素子、８  電極パッド、９  金属バンプ、１０  ステージ、１１  プリント配線基板、１２  配線パターン、１３  プレースメント、１４  半導体素子受台、１５  再結晶化領域、１６  キャピラリ先端の円周部、１７  スパーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図１２】
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