(57)【要約】【課題】  半導体装置ダイのウェハ状態での動作試験において、特に大振幅の信号端子が発するノイズの小振幅信号端子に対する影響を効果的に低減することが可能な半導体装置ダイの試験方法を提供する。【解決手段】  半導体基板２の表面に形成された、複数のパッドを有する半導体装置ダイ１における試験方法であって、前記半導体装置ダイ１の外周の少なくとも一部に沿って、前記複数のパッド３のいずれとも金属配線による接続がなされていない金属領域４を設け、前記半導体装置ダイ１の動作試験時に、前記パッド３に測定針を接触させるとともに、前記金属領域４にＧＮＤ電位が供給されたＧＮＤ電位供給針を接触させ、前記測定針を通じて前記半導体装置ダイ１の動作試験を行う。【選択図】図１
2007027399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された、複数のパッドを有する半導体装置ダイにおける試験方法であって、
前記半導体装置ダイの外周の少なくとも一部に沿って、前記複数のパッドのいずれとも金属配線による接続がなされていない金属領域を設け、
前記半導体装置ダイの動作試験時に、前記パッドに測定針を接触させるとともに、前記金属領域にＧＮＤ電位が供給されたＧＮＤ電位供給針を接触させ、
前記測定針を通じて前記半導体装置ダイの動作試験を行うことを特徴とする半導体装置ダイの試験方法。
【請求項２】
前記半導体装置ダイは、対向する第１および第２の長辺を有する平面矩形形状を有し、前記第１の長辺に沿って、第１の振幅の信号を出力する複数の出力パッドが配置され、前記第２の長辺に沿って、前記第１の長辺に沿って配置された出力パッドの個数と比較して少ない個数の、前記第１の振幅に比較して小さな振幅の信号を入力または出力する入出力パッドが配置された表示素子駆動用半導体装置ダイであって、
前記金属領域が、少なくとも、前記第２の長辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置ダイの試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体装置ダイが表面に形成された半導体基板の動作試験時におけるノイズの低減を図ることが可能な半導体装置ダイの試験方法及び半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体装置ダイが表面に形成された半導体基板（ウェハ）の製造過程においては、その製造過程の最終段階において、ダイ選別等の目的のため、形成された回路の動作試験がウェハの状態で行われる場合が多い。この動作試験は、一般に、プローブ試験と呼ばれ、動作試験を行うプローバの測定針をウェハ上の各半導体装置ダイに設けられたパッドに接触させ、テスト信号の印加や電源からの電力の供給を行うことで実施される。そして、印加されたテスト信号に対する回路の出力信号を測定して、その機能が正常かどうかの判定が行われる。
【０００３】
そして、多ピン化が進んだ近年の半導体装置の試験においては、試験時間の延長を防止するために、試験の高速化が要求されている。このような多ピン化された半導体の高速による動作試験においては、多くの信号ピンの電位が高速に且つ同時に変化する。
【０００４】
特に液晶、有機ＥＬ等の表示素子駆動用半導体（「表示パネルドライバＩＣ」ともいう）においては、３．３Ｖ程度の小振幅のロジック信号を入・出力するのに加えて、表示素子駆動のために、例えば１８Ｖ程度の、大きな振幅のパネル駆動信号を出力することが要求される。このような大振幅のパネル駆動出力端子の電位が高速、且つ、同時に変化すると、大きなノイズが発生し、例えば、小振幅のロジック出力端子の信号電位測定に影響を及ぼす場合があった。
【０００５】
このような問題に対し、ノイズ低減を目的に、信号パターンを取り囲むようにシールドパターンを設けたプローブカードを用いる方法（特許文献１参照）やフォース線の回りに、フォース線と同電位のガード線を設け、さらにその回りにグランド（以下、「ＧＮＤ」と記す。）線を設けるように構成したプローブカードを用いる方法（特許文献２参照）などが報告されている。
【０００６】
また、実装時に使用する電源パッドに加えて、スクライブライン領域に試験用電源パッドを設け、両方から電源を供給することにより、試験時の電源電圧レベル変動を低減する方法（特許文献３参照）が報告されている。
【特許文献１】特開平１１−０４４７０９号公報
【特許文献２】特開２００３−３０７５２７号公報
【特許文献３】特許第３５２２４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
多ピン化及び狭パッドピッチ化が進んだ、例えば、前記表示パネルドライバＩＣを高速で測定しようとした場合には、それに用いられるプローブカードの測定針は必然的に多数設けることが必要となる。この場合、前記プローブカード上の配線密度は高密度となり、上記特許文献１に記載されているような信号パターンを取り囲むようにシールドパターンを設けるスペースや、上記特許文献２に記載されているようなフォース線の回りにフォース線と同電位のガード線を設け、さらにその回りにＧＮＤ線を設けるようなスペースを十分に確保できず、高速応答を要する測定においてノイズを逃がしきれないという問題がある。
【０００８】
また、上記特許文献３に記載の方法は、電源電圧レベル変動対策としては有効であるが、大振幅のパネル駆動出力端子が発生するノイズの小振幅のロジック入・出力端子に対する影響を低減する効果は期待できない。
【０００９】
そこで、本発明は、半導体装置ダイのウェハ状態での動作試験において、特に大振幅の信号端子が発するノイズの小振幅信号端子に対する影響を効果的に低減することが可能な半導体装置ダイの試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置ダイの試験方法は、半導体基板の表面に形成された、複数のパッドを有する半導体装置ダイにおける試験方法であって、  前記半導体装置ダイの外周の少なくとも一部に沿って、前記複数のパッドのいずれとも金属配線による接続がなされていない金属領域を設け、前記半導体装置ダイの動作試験時に、前記パッドに測定針を接触させるとともに、前記金属領域にＧＮＤ電位が供給されたＧＮＤ電位供給針を接触させ、前記測定針を通じて前記半導体装置ダイの動作試験を行うことを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、前記半導体装置ダイが、対向する第１および第２の長辺を有する平面矩形形状を有し、前記第１の長辺に沿って第１の振幅の信号を出力する複数の出力パッドが配置され、前記第２の長辺に沿って、前記第１の長辺に沿って配置された出力パッドの個数と比較して少ない個数の、前記第１の振幅に比較して小さな振幅の信号を入力または出力する入出力パッドが配置された表示パネルドライバＩＣダイである場合には、前記金属領域は、少なくとも、前記第２の長辺に沿って設けることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体装置ダイのウェハ状態での動作試験において、特に、表示パネルドライバＩＣのような、大振幅の出力端子を有する半導体装置の試験においても、ノイズの影響を効果的に低減することが可能な半導体装置ダイの試験方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態の一例を説明する。
【００１４】
図１は、本発明に係る試験方法を適用するための半導体装置ダイ１が、複数、表面に形成された半導体基板２の平面図である。ここで、図１においては、半導体基板（以下、「ウェハ」と記す。）２の表面に形成されたダイ１の部分拡大図もあわせて示している。
【００１５】
図１に示すように、本発明の試験方法を適用する半導体基板２は、複数のパッド３を有する半導体装置ダイ１の外周の少なくとも一部に沿って、前記複数のパッド３のいずれとも、金属配線による接続がなされていない金属領域４を設けたものである。
【００１６】
図１は、前記金属領域４を半導体装置ダイ１の外周の全部に沿って設け、さらに隣接するダイと金属領域４を共用するように設けた場合について示している。前記金属領域４は、図１のように半導体装置ダイ１の外周の全部に沿って設けてもよく、また、その外周の一部に沿って設けてもよい。
【００１７】
前記金属領域４をどの範囲に設けるかは、半導体装置ダイ１について行われる動作試験の内容等により、ノイズを最も効果的に低減できる位置を特定し、その位置に設けるようにしてもよい。例えば、表示パネルドライバＩＣダイの場合は、ノイズの影響を受けやすいロジック出力パッドに近接した位置に設けることが好ましい。一方、可能である場合には、半導体装置ダイ１の外周の全部に沿って設けることが、ノイズ低減効果を高めるという観点からは最も好ましい。
【００１８】
ここで、前記金属領域４は、ウェハ製造工程において、半導体装置ダイ１のパッド形成工程と同時に、例えばダイ間のスクライブエリアに設けることが好ましい。この場合、予めパッド形成工程で用いるフォトマスクに金属領域４のパターンを作り込んでおけば、金属領域４を形成するための特別の工程を設けることなく、半導体装置ダイ１内のパッドの金属領域と同じ金属層による形成が可能となる。また、前記金属領域４をスクライブエリアに設けることで、金属領域４のための特別の領域を確保する必要がなく、ウェハ上の領域の有効活用が図れる。
【００１９】
前記金属領域４は、半導体装置ダイ１内の複数のパッドのいずれとも、金属配線によって接続されることはないように設けられる。すなわち、金属領域４が、パッドを構成する金属領域と同一の金属層内の配線で直接接続されることはない。もしくは、複数の金属層を利用する半導体装置である場合には、同一の金属層内の配線、もしくは、異なる金属層の配線、および、金属層間の接続を介して、金属領域４がパッドを構成する金属領域と接続されることはない。金属配線によって接続されていた場合、試験を行った後に、個々のダイに分割するためにスクライブエリアをダイサーで切断する際に、金属配線が剥がれ、それに接続されたパッドがダメージを受ける場合がある。
【００２０】
ただし、ダイ１中に設けられたＧＮＤ端子用パッドと前記金属領域４とが、例えば半導体基板を介して電気的に接続されていて、同電位となる場合を含む。
【００２１】
以下、図２を用いて本発明に係る試験方法の一例を説明する。
【００２２】
本発明に係る試験方法は、ウェハ状態のままで半導体装置ダイ１の動作試験を行う際に、パッド３に測定針５を接触させるとともに、金属領域４にＧＮＤ電位が供給されたＧＮＤ電位供給針６を接触させ、前記測定針５を通じて前記半導体装置ダイ１の動作試験を行うものである。
【００２３】
図２に示しているように、前記半導体装置ダイ１の外周に沿って金属領域４を設け、この金属領域４に、前記ＧＮＤ電位供給針６によりＧＮＤ電位を供給することで、動作試験時に発生する電気的ノイズが前記金属領域４に吸収される。これにより、特に小振幅の入出力信号の測定においてノイズの影響を受けることなく安定した測定が可能となる。
【００２４】
ここで、前記金属領域４は半導体装置ダイ１の外周に沿って形成されているため、プローブカードの製作及び設計上、特に問題がない場合は、前記金属領域４にＧＮＤ電位を供給するＧＮＤ電位供給針６の本数はできるだけ多く、且つ、針径をできるだけ太くすることがノイズ除去効率を向上させる観点から好ましい。ドライバＩＣにおいて、短辺にはパッドが並ばない場合が多いので、短辺にＧＮＤ電位供給針を集中させて設ければよい。
【００２５】
図３は、上述の半導体装置ダイ１として、表示パネルドライバＩＣダイ１０を用いた場合の試験方法の一例を説明するための説明図である。なお、図１及び図２と同様の部分には同一の番号を付して説明を省略する。
【００２６】
前記表示パネルドライバＩＣダイ１０は、図３に示すように、対向する第１の長辺（ドライバ出力側）１０ａおよび第２の長辺（ロジック端子側）１０ｂを有する平面矩形形状を有する。前記第１の長辺１０ａに沿って多数の出力パッドが高密度に配置され、前記第２の長辺１０ｂに沿って、前記第１の長辺１０ａに沿って配置された出力パッドの個数と比較して少ない個数の入出力パッドが配置される。
【００２７】
前記表示素子パネルドライバＩＣダイ１０の外周に沿って設けられる金属領域４については、図３に示すように表示パネルドライバＩＣダイ１０の外周の全部に沿って設けてもよく、また、その外周の一部に沿って設けてもよい。
【００２８】
前記金属領域４に対するＧＮＤ電位の供給方法については、基本的には上記図２で説明した方法と同様の方法を用いることができる。ただし、パッド並びが狭ピッチとなるドライバ出力側である第１の長辺１０ａに沿って設けられる金属領域４には、プローブカードの針立ての都合上、ＧＮＤ電位供給針６を接触できない場合がある。この場合は、ロジック端子側である第２の長辺１０ｂ若しくは短辺に沿って設けられる金属領域４にＧＮＤ電位供給針６を集中的に接触させる。
【００２９】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る試験方法を適用するための半導体装置ダイが、複数、表面に形成された半導体基板の平面図である。
【図２】上記本発明に係る試験方法の一例を説明するための説明図である。
【図３】本発明に係る試験方法を適用する半導体装置ダイとして、表示パネルドライバＩＣダイを用いた場合の試験方法の一例を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  半導体装置ダイ
１０  表示パネルドライバＩＣダイ
２  ウェハ（半導体基板）
３  パッド
４  金属領域
５  測定針
６  ＧＮＤ電位供給針
【図１】
2007027399.tif 000003
【図２】
2007027399.tif 000004
【図３】
2007027399.tif 000005