(57)【要約】【課題】高線速記録が可能で、初期化むらがなく、かつ長期に亘ってデータ領域中の記録特性の変動が小さい光記録媒体、及びその初期化方法を提供する。【解決手段】溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する円盤状の基板１上に、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、及び反射層６が順次積層されており、２０ｍ／ｓ以上の線速度で記録可能であり、記録領域中のトラック毎のＤＯＷ１特性の変動がσ’≦０．１５％である相変化型の光記録媒体に対し、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射して初期化する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する円盤状の基板上に、
少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層が、順次積層されており、
２０ｍ／ｓ以上の線速度で記録するものであり、記録領域中のトラック毎のＤＯＷ１特性の変動が、σ’≦０．１５％であることを特徴とする相変化型の光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層の主成分が、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＧｅであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記記録層は、前記Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＧｅに加えて、Ｉｎ、Ｔｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃ、Ｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、及び希土類元素から選択される少なくとも一種の元素を、１０原子％未満含有していることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記記録層の膜厚が、６〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記第１保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記第２保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記反射層が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記第２保護層と、前記反射層との間に、第３保護層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記第１保護層と前記記録層との間、及び／又は前記記録層と前記第２保護層との間に、熱伝導率が１０．０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導率層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光記録媒体を、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射し、初期化することを特徴とする光記録媒体の初期化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非晶質相と結晶相の間の可逆的相変化現象を利用する書換え型の光記録媒体に関するものであり、特に、２０ｍ／ｓ以上の高線速記録が可能で、初期化むらがなく、データ領域中の記録特性の変動が小さい光記録媒体及びその初期化方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、動画像データや、音声データ等のデジタルデータを、記録または再生可能な書換え型の情報記録媒体の一つとして、結晶相と非晶相の間の相転移を利用する、いわゆる相変化光記録媒体が知られている。
特に相変化光ディスクは、そのシンプルな記録原理から、広く実用化されており、既にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ±ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等が普及している。
【０００３】
従来、実用化されている相変化光ディスクの一般的な構造について説明する。
レーザー光の走査を案内するための所定の凹状案内溝が形成された光透過性の基板上に、少なくとも第１保護層、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする相変化記録層、第２保護層、金属からなる反射層が、順次設けられており、更に反射層上には樹脂保護層が設けられた構造となっている。
また、貼り合わせ型光ディスクの場合には、前記構造を一方に用いるか、又は両方に用いて、接着層を介し貼り合わせた構造となっている。
【０００４】
信号の記録／再生原理について説明する。
先ず、記録の際には、前記基板上の記録層に、強度変調した所定の集光レーザー光を照射し、レーザー光の照射条件を変化させることによって、記録部位を結晶相−非晶相と可逆変化させ、このようにして形成した相状態の差を信号パターンとして記録するのである。
一方、再生時は、記録部位の反射率変化を記録情報として読み取る。
強度変調は、３値の出力レベル間で行われ、記録時には相変化材料に高出力で短パルスのレーザービームを照射し、記録部位を融点以上まで加熱後、最も低出力のレーザー光を照射することで急速冷却し、非晶質の記録マークを形成する。また消去時には、相変化材料に記録時よりも低出力・長パルスのレーザー光を照射し、結晶化温度以上・融点未満に保持させて結晶化する。
【０００５】
上述したように、相変化光ディスクは、光強度変調による重ね書き(以下、『オーバーライト』と称す)が容易であり、また光磁気記録のように磁界を必要とせず、単純に結晶相−非晶相の反射率変化を信号として読み取るものであることから、光学系の構造が簡単なものとなる。
また、このような１ビームオーバーライト方式を採るものであるから、データ転送速度が速いという利点も有しており、更には原則としてＣＤ−ＲＯＭや、ＤＶＤ−ＲＯＭをはじめとする再生専用ディスクと共通のドライブで再生可能であることから、互換性に優れるという優れた面ももっている。
【０００６】
このような相変化光ディスクは、その構成層が、一般的にスパッタリング法、真空蒸着法等による真空プロセスを経て成膜される。このように成膜された記録層の成膜直後の状態（ａｓ-ｄｅｐｏ．状態）は、少なくとも一部分が非晶質状態となっているか、あるいは準安定な結晶状態となっていることが多い。このａｓ-ｄｅｐｏ．状態は、反射率が低く、ＣＤやＤＶＤ系のドライブシステムにおけるオートフォーカス機能やトラッキングの動作が不安定になり易いため、通常、記録を行う前に予め記録層を結晶化する工程（以下、初期化と称する）が設けられている。
【０００７】
近年、ハイビジョンＴＶ（ＨＤＴＶ）に代表されるような、画像や音声の高画質化／高音質化から、取り扱うデータ量が増大し、これに伴い記録速度の高速化への要望が高まってきている。
特に相変化光ディスクにおいて高速記録を実現するためには、記録層がレーザー光の照射によって高速に相変化できるような、結晶化速度の速い相変化材料からなるものとすることが必要である。
このような相変化材料としては、従来、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｓｂ、及びＩｎ−Ｓｂ系の合金が、結晶化速度が速く、かつ高速記録時の消去比が高いものとして注目されていた。
【０００８】
しかしながら、このような結晶化速度の速い相変化材料は、その結晶化温度が比較的高いことから初期化不良が起りやすいという性質を有しており、特に、初期化後の結晶状態に最も影響を受けやすいオーバーライト２回目の記録特性（以下、『ＤＯＷ１記録特性』と称す）において、記録する場所によっては特性が変動してしまうという問題を有していた。
ここで初期化不良とは、具体的に、初期化（結晶化）に必要なエネルギーに対し充分なパワーを照射して初期化を行っても、初期化後の反射率が場所によってばらつき、面内分布（初期化むら）が生じてしまう現象のことを意味する。また、初期化パワーが不充分であると、照射箇所によってはアモルファス状態のいわゆる初期化ぬけ部分が生じてしまい、これも、初期化むらとなる。
【０００９】
上述したように、均一な反射率が得られない原因について考察する。
高速記録用の相変化材料は、多元系の合金から構成されているものであり、材料的に、初期化後の結晶状態が様々な構造や組成をとりやすいものであることが一因であると考えられている。
一方、従来行われている初期化方法においては、均一な初期化を常に確実に行うことが困難であるという問題もあった。
【００１０】
従来、一般的に行われている光ディスクの初期化方法について説明する。
円盤状のディスクの半径方向に長い楕円状のレーザー光を、特定の線速度でディスクを回転させながら照射し、このレーザー光を、レーザー光の長軸方向のスポットサイズより短い幅で、ディスクが１回転する毎に半径方向に移動させながら（以下、『送り幅』と称する）、徐々に結晶化する方法が適用されている。
また、初期化に用いるレーザー光源は、生産性の観点で優れている大型ＬＤが広く利用されている。
【００１１】
上述したような、従来公知の方法により、高速記録用の相変化ディスクの初期化を行うと、多くの場合において初期化むらが生じてしまい、このような初期化むらは、レーザー光の送り幅と同間隔で出現し、また初期むらが生じて反射率の変動がある領域においては、記録特性が著しく悪化してしまうことが分かっている。
【００１２】
従来、上述した相変化記録媒体の初期化不良に関しての改善を図る技術の提案がなされてきた（例えば、下記特許文献１乃至６参照。）。
しかしながら、従来公知のいずれの初期化方法技術においても、上述したような「初期化むら」の問題を、充分に改善し得るものはなく、特に記録線速が２０ｍ／ｓ以上もの高速記録を行うような光記録媒体においては、初期化むらの改善が重要視されている。
【００１３】
【特許文献１】特許第２８３０３３６号公報
【特許文献２】特許第２９８５２９５号公報
【特許文献３】特許第３２８６５０１号公報
【特許文献４】特開平９−１６９６１号公報
【特許文献５】特開２００２−２５１７９２号公報
【特許文献６】特開２００３−９１８８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明においては、非晶質相と結晶相の間の可逆的相変化現象を利用する書換え型の光記録媒体に関しての検討を行い、２０ｍ／ｓ以上もの高線速記録を行うものに関して、初期化むらがなく、データ領域中の記録特性の変動が小さい光記録媒体、及びその初期化方法を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明においては、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する円盤状の基板上に、少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層が、順次積層されており、２０ｍ／ｓ以上の線速度で記録するものにおいて、記録領域中のトラック毎のＤＯＷ１特性の変動が、σ’≦０．１５％である相変化型の光記録媒体を提供する。
【００１６】
請求項２の発明においては、前記記録層の主成分が、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＧｅであることとした請求項１に記載の光記録媒体を提供する。
【００１７】
請求項３の発明においては、前記記録層は、前記Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＧｅに加えて、Ｉｎ、Ｔｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃ、Ｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、及び希土類元素から選択される少なくとも一種の元素を、１０原子％未満含有していることとした請求項２に記載の光記録媒体を提供する。
【００１８】
請求項４の発明においては、前記記録層の膜厚が、６〜２０ｎｍであることとした請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００１９】
請求項５の発明においては、前記第１保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることとした請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００２０】
請求項６の発明においては、前記第２保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることとした請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００２１】
請求項７の発明においては、前記反射層が、Ａｇ、又はＡｇを主成分とする合金からなることとした請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００２２】
請求項８の発明においては、前記第２保護層と、前記反射層との間に、第３保護層が設けられていることとした請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００２３】
請求項９の発明においては、前記第１保護層と前記記録層との間、及び／又は前記記録層と前記第２保護層との間に、熱伝導率が１０．０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導率層が設けられていることとした請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光記録媒体を提供する。
【００２４】
請求項１０の発明においては、上記請求項１乃至９のいずれか一項の発明に係る光記録媒体を、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射し、初期化することを特徴とする光記録媒体の初期化方法を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、初期化不良が起こり難く、いわゆる高速初期化が可能な相変化光記録媒体が得られ、記録特性の向上が図られた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の例に限定されるものではない。
【００２７】
本発明の相変化型の光記録媒体は、基板上に、少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、及び反射層が、順次積層されている構成を有するものであり、基板は、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する円盤形状のものであるものとし、２０ｍ／ｓ以上の線速度で記録するものにおいて、記録領域中のトラック毎のＤＯＷ１特性の変動が、σ’≦０．１５％であるものとする。
【００２８】
特に、２０ｍ／ｓ以上もの高線速記録を行う相変化型の光記録媒体に関し、初期化むらを抑制し、初期化の影響を受けやすいＤＯＷ１特性の変動を押さえるためには、記録層にＳｎ、Ｓｂ、Ｇａ及びＧｅが主成分である材料を用い、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度下で、１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射して初期化することが有効であることを見出した。
【００２９】
先ず、初期化むらの抑制について説明する。
初期化むらを低減するためには、均一な初期化（結晶状態）を行う必要がある。
このような初期化の光源形状（送り幅）に依存する「むら」は、媒体に照射される初期化パワーが大きいほど顕著になることが確かめられている。
【００３０】
従来行われてきた初期化方法においては、ディスク半径方向に長い長方形もしくは楕円状のレーザー光を用いており、前記レーザー光の短軸方向を円周方向と一致させ特定の線速度でディスクを回転するとともに、１周（１回転）毎に、前記レーザー光の長軸方向のスポットサイズ（半値幅）よりも短い幅でディスク半径方向に移動させながら、徐々に結晶化する方法を採用していた（図１参照。）。
長軸方向のスポットサイズ（半値幅）よりも短い幅でレーザーをディスク半径方向に操作する理由は、初期化ぬけが起こらないようにするためであり、例えば７５μｍ径のレーザヘッドの場合、その２／３程度にあたる５０μｍ／ｒに設定している。
そのため、重複してレーザー光が照射される半径部分（図中、青色部分）が生じることになるが、このとき、２回目にビームが通過する際、重複部分は既に結晶化しているため、隣接する未初期化部分に比べて吸収率が小さくなっており、照射部分において初期化条件のバランスが崩れる。そしてその結果、重複部分と、新たに初期化される未初期化部分の境界で不連続性が生じ、初期化むらが生じるのである。
【００３１】
従って、レーザー光が重複する部分と未初期化部分との初期化を一様に行うためには、前記吸収率差をできるだけ小さくする初期化条件を設定することが必要であり、比較的吸収率の大きい、即ち結晶化度の低い結晶を生成するような初期化を行うことが望ましい。
【００３２】
このような結晶状態を実現するためには、光ディスクを高速に回転させ、短時間にレーザー光照射を行う初期化方法が有効であることを見出した。
図２は、初期化時のディスク回転速度とＤＯＷ１特性との関係について示したものである。
図２においては、ディスク回転速度が高速化するにつれ、特性の変動が小さくなる傾向があるが、回転速度が２４ｍ／ｓを超えると再び特性の変動が大きくなるため、初期化むらを改善できる速度範囲は１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下であることがわかった。
【００３３】
またこの時、ディスクに照射する初期化パワーは、ＤＯＷ１特性が最も良好な値をとなるように最適化した値を用いるが、図３に示すように、ディスク回転速度に対し、ほぼ線形な関係があることがわかり、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の回転速度に対しては、１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のパワー密度が必要であることがわかった。
【００３４】
また一方、融点や結晶化温度の高い相変化材料を記録層材料として用いると、これを初期化する場合には、より高出力のレーザー照射が必要となり、初期化むらを改善しにくくなり、レーザー照射部分と未初期化部分に生じる温度差が原因となって組成の偏析も起りやすくなる。かかる観点から、結晶化速度の速い相変化材料の中でも比較的低融点、低結晶化温度で、かつ組成偏析の起りにくい材料を用いることが好ましい。
【００３５】
Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ及びＧｅを主成分とした相変化材料は、高速記録時の記録特性が良好であり、かつ比較的低融点で、組成偏析が起こり難い優れた材料である。
第一の主要構成元素であるＳｂは、構成材料中のＳｂ比を変化させることにより結晶化速度を調整することが可能であり、比率を高くすることにより結晶化速度を高速化できるため、高速記録の実現には不可欠な非常に優れた相変化材料である。
しかし、Ｓｂ単独では、記録線速が２０ｍ／ｓ以上もの（ＤＶＤ６倍速相当）速い結晶化速度を実現することは困難なため、繰り返し記録特性や保存信頼性を損なわずに結晶化速度を向上させる第二の主要構成元素としてＧａが必須となる。
Ｇａは、少ない添加量でアモルファス状態への変化を容易にし、記録しやすくなる。
第三の主要構成元素であるＳｎは、高速結晶化に必須とされる元素であり、また融点を降下させる作用もあり、Ｇａ−Ｓｂ系材料の欠点である高い結晶化温度によりもたらされる初期化不良の弊害を改善することができ、更には、記録媒体の感度向上、反射率向上、初期化ノイズ低減化に有効である。
そして第四の主要構成元素であるＧｅは、少量の添加で保存信頼性が飛躍的に向上するため、構成元素として特に不可欠な元素となっている。
上述したように、Ｇａ−Ｓｂ系材料のもつ高速結晶化特性に注目し、これにＳｎ及びＧｅから構成される相変化材料を選択することにより、２０ｍ／ｓ以上もの高速記録を行う場合においても、良好な記録特性及び保存信頼性を有し、かつ初期化不良の起こり難い光記録媒体が得られるようになる。
そしてまた、前記光ディスクを、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光照射によって初期化することで、初期化むらのない、即ちＤＯＷ１特性の変動が小さい光記録媒体が得られる。
【００３６】
次に、本発明の光記録媒体についての具体的な構成を説明する。
本発明の一例の光記録媒体は、所定の基板上に、第１保護層、相変化記録層、第２保護層、及び反射層が順次積層された構造を基本とし、必要に応じてその他の機能層を有しているものとする。
図４に、本発明の光記録媒体の一例の概略断面図を示す。
この光記録媒体１０は、レーザー光の案内溝が設けられた透明な基板１の上面に、第１保護層２、非晶質相と結晶相の間で可逆的相変化をする記録層３、第２保護層４、第３保護層５、反射層６、樹脂保護層７を備えており、前記基板１と同様な貼り合せ用基板８を貼り合わせた層構成を有している。
以下、各層について具体的に説明する。
【００３７】
（基板１）
基板の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、成形性、コストの観点から、樹脂製基板が好適である。
樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
成形性、光学特性、コストの点から、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
基板の厚さは特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常使用するレーザーの波長やピックアップ・レンズの集光特性により決定される。
波長６５０〜６６５ｎｍのＤＶＤ系では０．６ｍｍの板厚の基板が用いられている。
基板１は、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有するものとする。このような基板を用いた光記録媒体においては、現状のＤＶＤ＋ＲＷ媒体の規格に準拠した高速記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷ媒体が提供される。
溝を蛇行させることによって、未記録の特定トラックにアクセスさせることや、基板を一定線速度で回転させることができる。
【００３８】
（記録層３）
記録層３はＳｎ、Ｓｂ、Ｇａ及びＧｅが主成分であって、また組成式をＧａαＳｂβＳｎγＧｅδとして、２≦α≦１０、７０≦β≦８６、１０≦γ≦２０、２≦δ≦１０の範囲にあるものが好ましい。
ここで、「主成分」とは、記録層材料全体の９０原子％以上を占めることを意味し、またα、β、γ、δは原子％であり、α＋β＋γ＋δ＝１００であるものとする。
Ｓｎが１０％未満であるとすると、記録層材料の融点が高くなりすぎて感度が悪化し、Ｓｎが２０％を超えると結晶化速度が速くなりすぎアモルファス化が困難となるため好ましくない。
またＳｂが７０％未満であるとすると、融点が高くなり記録感度が悪化し、Ｓｂが８６％を超える場合は保存信頼性が劣化し好ましくない。
またＧａ及びＧｅについては、２％未満で保存信頼性が劣化し、１０％を超える場合結晶化温度が高くなりすぎ、初期化が困難となる。
【００３９】
また、記録層３には、上記構成元素の他、更にＩｎ、Ｔｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃ、Ｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、及び希土類元素から選択される少なくとも１種の添加元素が、合計含有量で１０原子％未満、より好ましくは５原子％未満含有されていることが好ましい。
Ｉｎは、Ｇａと同様の効果を持ち、またＧａほど結晶化温度を高くしないというメリットがあるため、初期化の問題を考慮した場合、Ｇａを補う元素として有効である。
しかし、Ｉｎの過剰な添加は繰り返し記録特性を低下させ、また反射率低下、再生光劣化を引き起すため、１０原子％未満とすることが好ましい。
Ｉｎ以外に、Ｂｉ、Ａｌ、Ｓｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＤｙ等に代表される希土類元素も記録特性を改善する効果がある。これらの元素のうちＳｂと同じ価数を取り易いＩｎ、Ｂｉはより好ましい。しかし添加量が多すぎると再生光劣化や初期ジッターの劣化を引き起すため、組成範囲は何れも１０原子％未満である必要がある。
また、このうちＭｎは、Ｇｅ添加量をそれほど増やす必要のない保存信頼性にも優れた添加元素であり、好ましいＭｎ添加量は１〜５原子％未満である。１原子％より少ないと結晶化速度を速くする効果が現れず、５原子％を超えると反射率が低くなり好ましくない。
保存信頼性に関してはＭｎ以外に、Ｔｅ、Ｚｎの添加によっても改善できる。
またＳｅ、Ｃ、Ｎには記録感度を改善する効果がある。
また上記添加元素と共にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はＣｏを含有させることが望ましい。
これらの元素も保存信頼性に優れ、かつ初期化不良を改善する添加元素であることから、上記添加元素と適当に組み合せることにより、線速度２０ｍ／ｓ以上の高速記録に適した記録特性を有し、かつ保存信頼性に優れた相変化材料を設計することができる。しかしながらこれらの元素は一方で結晶化速度を低下させ、高速記録特性を妨げる特性も備えているため、合計添加量の上限は５原子％未満が好ましい。一方少なすぎると添加効果が不明瞭となるため下限は０．１原子％が好ましい。
【００４０】
記録層３の膜厚は、６〜２０ｎｍとすることが好ましい。６ｎｍよりも薄いと繰り返し記録による記録特性の劣化が著しく、また２０ｎｍよりも厚いと、繰り返し記録による記録層の移動が起こり易くジッター増加が激しくなるためである。
また、結晶とアモルファスの吸収率差をなるべく小さくして消去特性を向上させるためには、記録層の厚さは薄い方が好ましく、より好ましい膜厚は８〜１７ｎｍである。
【００４１】
（第１保護層２及び第２保護層４）
第１保護層２及び第２保護層４は、記録層３の劣化変質を防ぎ、記録層３の接着強度を高め、かつ記録特性を高める等の作用効果を有し、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボン、あるいはそれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物が好適である。ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は、耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れており、膜の残留応力が小さく、記録／消去の繰り返しによっても記録感度、消去比等の特性劣化が起きにくく、記録層との密着性にも優れている点で好ましい。
これら保護層の形成方法としては、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等が適用できるが、これらの中でもスパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
また保護層の厚さに特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、反射率、記録パワーマージン、ジッターや繰り返し記録の信号安定性の記録特性や高温高湿保存、ヒートサイクル試験等の品質特性により決定される。通常、第１保護層２は５０〜８０ｎｍが好ましく、第２保護層４は２〜２０ｎｍが好ましい。
第２保護層４の膜厚については、記録層３の冷却に関係し直接的な影響が大きいため、良好な消去特性・繰り返し記録耐久性を得るために４ｎｍ以上は必要である。
これより薄いとクラック等の欠陥を生じ繰り返し記録耐久性が低下するほか、記録感度が悪くなるため好ましくない。また、２０ｎｍを超えると記録層３の冷却速度が遅くなるためマークが形成し難くなり、マーク面積は小さくなってしまうので好ましくない。
【００４２】
（反射層６）
反射層は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ等の金属材料、又はこれらの合金等により形成する。また、添加元素として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａ等が適用できる。これらの中でも、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかが好適である。
これは、反射層６は通常、記録時に発生する熱の冷却速度を調整する「熱伝導性」の観点と、干渉効果を利用して再生信号のコントラストを改善する「光学的」な観点から、「高熱伝導率／高反射率の金属」であることが望ましく、純Ａｇ又はＡｇ合金はＡｇの熱伝導率が４２７Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、記録時に記録層が高温に達した後、直ぐにアモルファスマーク形成に適した急冷構造を実現できるからである。
なお、このように高熱伝導率性を考慮すると純銀が最良であるが、耐食性を考慮しＣｕを添加しても良い。この場合、Ａｇの特性を損なわないためには銅の添加量範囲は０．１〜１０原子％程度が好ましく、特に０．５〜３原子％とすることが望ましい。過剰量添加すると、Ａｇの耐食性を劣化させてしまうため好ましくない。
反射層６は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成できるが、特にスパッタリング法が量産性、膜質等の観点から好適である。
反射層６の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、一層記録の場合では１００〜３００ｎｍとする。１００ｎｍよりも薄いと反射層としての機能を充分に発揮できず、３００ｎｍより厚いと生産性の低下やディスクの「そり」等の機械特性を低下させるため好ましくない。
【００４３】
（第３保護層５）
第２保護層４と反射層６との間には、第３保護層５を設けることが好ましい。
純Ａｇ又はＡｇ合金を反射層６に用いると、第２保護層４にＺｎＳとＳｉＯ2の混合物のような硫黄を含む材料を用いた場合に、硫黄がＡｇと反応して反射層６を腐食し、ディスク欠陥となる不具合が生じてしまうためである（Ａｇの硫化反応）。
従って、このような反応を防止する第３保護層５としては、（１）Ａｇの硫化反応を防ぐ、バリア能力があること、（２）レーザー光に対して光学的に透明であること、（３）アモルファスマーク形成のため、熱伝導率が低いこと、（４）保護層や反射層と密着性が良いこと、（５）形成が容易であること、等の機能が要求され、かかる要件を満たす材料としては、酸化物、炭化物、及び窒化物が好ましい。
第３保護層５の膜厚は、０．５〜８ｎｍの範囲が好ましい。０．５ｎｍよりも薄いと、均一な膜を形成し難く、硫化防止層としての機能を充分に発揮できず、８ｎｍよりも厚いと、記録特性が劣化するため好ましくない。
【００４４】
（低熱伝導率層）
本発明の光記録媒体においては、保護層と記録層の間に熱伝導率が１０．０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の低熱伝導率層を設けることが好ましい。
低熱伝導率層の形成材料の主成分としては、ＳｉＯ2が好適なものとして挙げられる。
低熱伝導率層は、特に第１保護層２と記録層３との間に設けることが好ましく、初期化及び記録時の保護層の熱負荷（熱ダメージ）を低減し、かつ記録材料の感度を高める効果を発揮する。
熱伝導率が約１．６ Ｗ／ｍ・ＫのＳｉＯ2は、その低熱伝導性から低熱伝導率層の主要構成材料となるばかりでなく、ＺｒＯ2（約２．０ Ｗ／ｍ・Ｋ）のような結晶性の性質をもたないことから、２０．０ｍ／ｓ以上の高速記録に適した、結晶化速度の非常に速い記録材料と接して設けても、保存信頼性を損なうことなく、繰り返し記録特性の改善に貢献できる。
なお、熱伝導率が１０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料を適用する場合にも、ＳｉＯ2を主成分とした混合材料とすることにより、熱伝導率が１０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下で、かつ機械特性／化学的耐久性に特に優れた低熱伝導率材料が得られる。
硬質材料酸化物の一つであるＴｉＯ2（≒６．５Ｗ／ｍ・Ｋ）は、層の高温粘性を低くし、溶融性を改善できるため、安定化、耐久性の向上した材料を実現することができる。またＴｉＯ2は、添加量の調整によって光学特性の調整も可能である。
Ｙ2Ｏ3（≒２７Ｗ／ｍ・Ｋ）を代表とする希土類酸化物や、ベリリウムを除くIIａ族の酸化物、又は複合酸化物は、材料の温度に対する体積変化を小さくするため、初期化や記録時の温度変化に対する安定性を向上させ、またスパッタリングで使用するターゲットの割れを防ぐ等の効果があり、更に耐久性及び高温溶融性を改善することも可能である。
また、特にＡｌ2Ｏ3（≒２７Ｗ／ｍ・Ｋ）は、高耐熱性と高耐久性に寄与し、剛性度を高める成分として重要である。
ＳｉＯ2は、Ａｌ2Ｏ3の中間酸化物と組み合せることで、剛性率等の機械的物性や耐熱性が向上する。
ＴｉＯ2と希土類酸化物、及びベリリウムを除くIIａ族の酸化物、または複合酸化物を、ＳｉＯ2を主要構成材料とした場合の修飾成分として添加する場合、その含有量はＴｉＯ2の場合、構成材料全体に対して０以上５０ｍｏｌ％未満、希土類酸化物、ベリリウムを除くIIａ族の酸化物、または複合酸化物の場合においては０以上１０ｍｏｌ％未満とすることが望ましい。
材料を混合する割合は、必ずしもこの範囲に限定はされないが、上記範囲を超えると熱伝導率が１０．０Ｗ／ｍ ・Ｋ 以下の低熱伝導率材料の形成が困難となるため、上記範囲とすることが好適である。
ＴｉＯ2は、屈折率がＳｉＯ2と比べると大きく、混合の割合を増やすと材料全体の屈折率が低下し、繰り返し記録特性についての改善効果が充分に得られなくなる恐れがあるため、ＴｉＯ2の上限は５０ｍｏｌ％未満である。
一方、希土類酸化物、ベリリウムを除くIIａ族の酸化物、または複合酸化物として、Ｙ2Ｏ3が例示できるが、少量の添加は比弾性率の向上、及び材料の均質化に寄与するため、０以上１０ｍｏｌ％未満とすることが好適である。
また、低熱伝導率層を構成する材料に、金属、及び／又は半金属の炭化物、及び／又は窒化物を含有させると、低熱伝導率層と保護層、及び記録層との密着性を向上させることができる。このような物質の具体例としては、Ｓｉ、Ｇｅ 、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｔａ 、Ｎｂ 、Ｈｆ 、Ａｌ 、Ｙ 、Ｃｒ 、Ｗ 、Ｚｎ 、Ｉｎ 、Ｓｎ 、Ｂ等の炭化物や窒化物が挙げられる。しかし、これらの物質の配合量が１０ｍｏｌ％を越えると、結晶化促進効果が現れ、保存信頼性が低下したり、低熱伝導率性の性質が実現されなくなったりするおそれがあるため好ましくない。配合量の下限は特に無いが、効果を発揮させるには１ｍｏｌ％以上配合することが望ましい。
低熱伝導率層の厚さは、熱的／光学的な条件から０．５〜１０ｎｍとすることが好ましい。厚さが０．５ｎｍ未満であると均一な厚さで低熱伝導率層を基板上に積層することが困難となり、更には低熱伝導率層の機能が発揮されなくなるからである。繰り返し記録における長期安定性を維持する点から、より好ましい厚さは２〜８ｎｍである。
【００４５】
（樹脂保護層７）
樹脂保護層は、工程内及び製品となった時点で記録層の光記録媒体の薄膜積層構造保護の作用効果を有し、通常紫外線硬化性の樹脂により形成する。膜厚は２〜５μｍであるものとする。
【００４６】
（接着層）
接着層（図示せず）は、情報信号が書き込まれる基板１と貼り合せ用基板８とを貼り合わせるために用いるものであり、ベースフィルムの両側に粘着剤を塗布した両面粘着性のシート、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂により形成することができる。接着層の膜厚は、通常５０μｍ程度である。
【００４７】
（貼り合せ基板８）
貼り合せ用基板８は、接着層として粘着性シート又は熱硬化性樹脂を用いる場合は、透明である必要はないが、接着層に紫外線硬化樹脂用いる場合は紫外線を透過する透明基板とする。
前記貼り合せ用基板８の厚さは、通常、情報信号を書き込む透明基板１と同じ０．６ｍｍのものが用いられている。
【００４８】
本発明の光記録媒体１０は、多層型光記録媒体としてもよい。
例えば、図５は、二層構造光記録媒体の概略断面図を示す。
これにおいては、第１基板１の上に、第１情報層１８、中間層２０、第２情報層２８、及び第２基板２５を順次積層した構成を有し、更に必要に応じてその他の層を有しているものとする。
第１情報層１８は、接着層１１、第１下部保護層１２、第１記録層１３、第１上部保護層１４、第１反射層１５、及び熱拡散層１６からなる。
第２情報層２８は、第２下部保護層２１、第２記録層２２、第２上部保護層２３、及び第２反射層２４からなる。
なお、第１上部保護層１４と第１反射層１５との間、及び第２上部保護層２３と第２反射層２４との間に所定のバリア層を設けてもよい。
【００４９】
図５に示すような光記録培地亜においては、例えば第２情報層２８を本発明の初期化方法によって初期化後、第１情報層１８を形成することになる。
このような多層構造の光記録媒体によれば、更なる大容量の記録が可能となる。
【００５０】
本発明の光記録媒体は、上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更してもよい。
例えば、図６に示すように、基板１の上面に、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層６、貼り合せ用基板８を貼り合わせた層構成を有する一般的なＢｌｕ−Ｒａｙ（青色波長）ディスク型の光記録媒体に相当する場合にも、構成によらず全く同様に適用できる。
【００５１】
２０ｍ／ｓ以上の高速記録が可能であって、かつＤＯＷ１特性の変動がσ≦０．１５である本発明の光記録媒体は、記録層の主成分がＳｎ、Ｓｂ、Ｇａ及びＧｅからなり、前記光ディスクを１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射することにより初期化する。
【００５２】
本発明の初期化方法について以下に説明する。
光記録媒体が円盤状のディスクである場合、初期化はディスクの半径方向に長い長方形もしくは楕円状のレーザー光を照射しながら、一定速度で回転させ、更に該楕円状のレーザー光の長軸方向スポットサイズ（半値幅）よりも短い幅で、ビームを半径方向に移動させながら徐々に初期化（結晶化）する方式を採用する。
初期化用の照射光源としては、半導体レーザー、ガスレーザー等各種のものを使用できるが、大型ＬＤ（半導体レーザー）を用いた初期化は、膜の均質性、ディスク信号特性、生産性の点で優れており好適である。
この場合、現在開発されているＬＤの最大出力限界値が、４．０Ｗ程度である現状を考慮すると、本発明で規定するパワー密度を安定に維持して初期化を行うためには、初期化に用いる光源のサイズ（面積）は２００μｍ2以下とすることが望ましく、１００μｍ2以下とすることがより望ましい。
光源サイズの下限は特に限定されないが、小さ過ぎると初期化に要する時間が長くなり生産性が低下するため、ＬＤの出力に応じた適当なサイズを選択することが望ましい。
【００５３】
ディスクの回転速度については、図２に示して前述したように、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の速度範囲で初期化むらを改善できたことから、１２ｍ／ｓ以上２６ｍ／ｓ以下、好ましくは１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下、より好ましくは１６ｍ／ｓ以上２２ｍ／ｓ以下とする。
またパワー密度に関しては、図３に示して説明したように、好ましくは１０ｍＷ／μｍ2以上２６ｍＷ／μｍ2以下、より好ましくは１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下であるものとする。
２６ｍＷ／μｍ2を超える場合は、初期化むらが生じてしまうばかりか、媒体の温度が必要以上に上がってディスク全体に熱ダメージを与えてしまい、また１０ｍＷ／μｍ2未満の場合、いわゆる初期化抜けが起こることが確かめられた。
【００５４】
光記録媒体の全領域の初期化については、前記楕円ビームの短軸方向をディスクの円周方向と一致させ、ディスクを回転させながら１回転毎にビームを長軸方向に移動させて行う。
この場合、ディスク１回転当りの送り幅は「初期化抜け」が起こらないように、ビームの長軸よりも短く設定する必要があるが、このとき、ディスクの同一半径部分が複数回重複して照射されないように初期化を行うと、生産性が向上するだけでなく初期化の均一性も向上し、従ってＤＯＷ１特性の変動も改善される。
ディスクの同一半径部分を重複して照射せずに初期化するためには、送り幅とビーム長軸を等しくする必要があるが、実際はレーザービームがビームプロファイルを持つため、ビーム端で充分な照射光パワー密度が得られず、初期化不良が起こるおそれがある。そのため特に制限されるものではないが、好ましくは楕円状のビームの送り幅を長軸方向のビームサイズの２／３程度に設定すると良い。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明は以下に示す例に限定されるものではない。
【００５６】
〔実施例１〕〜〔実施例４〕
（光記録媒体の作製）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製であり、トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、溝幅０．２７μｍの蛇行溝が形成されている基板１を用意した。
図５に示すように、基板１上に、所定の構成層を以下のようにして形成した。
先ず、スパッタ装置（ユナクシス社製、Ｂｉｇ  Ｓｐｒｉｎｔｅｒ）を用いて、第１保護層２として、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）−ＳｉＯ2（２０ｍｏｌ％）を、膜厚が６５ｎｍになるように成膜した。
第１保護層２上に記録層３として、Ｇａ5Ｓｂ65Ｓｎ20Ｇｅ10を、膜厚が１８ｎｍになるように成膜した。
記録層３上に第２保護層４として、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）−ＳｉＯ2（２０ｍｏｌ％）を膜厚が１０ｎｍとなるように成膜した。
第２保護層４上に第３保護層５として、ＳｉＣを、膜厚が４ｎｍとなるように成膜した。
第３保護層５上に反射層６として、純Ａｇを、膜厚が１６０ｎｍとなるように成膜し、スパッタ装置から取り出した。
スパッタ成膜終了後、反射層６上にスピンコート法により樹脂保護層７（大日本インキ化学工業株式会社製、ＳＤ３１８）をコートし、最後に基板１と同一の直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の貼り合せ用基板８を紫外線硬化により貼り合せた。これにより光ディスクを作製した。
【００５７】
〔実施例５〕
上記実施例１において、第１保護層２と記録層３との間に、ＳｉＯ2からなる低熱伝導率層を設けた。その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例５の光ディスクを作製した。
【００５８】
〔実施例６〕
上記実施例１において、第１保護層２と記録層３との間に、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2（３０ｍｏｌ％）からなる低熱伝導率層を設けた。その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例６の光ディスクを作製した。
【００５９】
〔実施例７〕
上記実施例１において、第３保護層５をＴｉＣ（７０ｗｔ％）−ＴｉＯ2に変えた。
その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例７の光ディスクを作製した。
【００６０】
〔実施例８〕
上記実施例１において、記録層３の組成をＧａ5Ｓｂ66Ｓｎ16Ｇｅ7Ｔｅ6に変えた。
その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例８の光ディスクを作製した。
【００６１】
〔実施例９〕
上記実施例１において、記録層３の組成を、Ｇａ3Ｓｂ68Ｓｎ20Ｇｅ7Ｉｎ2に変えた。
その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例９の光ディスクを作製した。
【００６２】
〔実施例１０〕
上記実施例１において、記録層３の組成を、Ｇａ5Ｓｂ67Ｓｎ20Ｇｅ6Ｃｏ2に変えた。
その他の条件は、実施例１と同様にして、実施例１０の光ディスクを作製した。
【００６３】
〔比較例１〕、〔比較例２〕
実施例１と同様の工程により、比較例１、比較例２の光ディスクを作製した。
【００６４】
次に、上述したようにして作製した実施例１〜１０、比較例１〜２の光ディスクについて、以下のようにして、初期化を行い、初期化後のディスク評価、記録特性の評価、及び保存信頼性の評価を行った。
【００６５】
（初期化方法）
初期化装置（日立コンピュータ機器株式会社製、ＰＣＲ  ＤＩＳＫ  ＩＮＩＴＩＡＬＩＺＥＲ）を使用し、上記光ディスクを線速度１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させ、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を半径方向に所定の速度で移動させながら照射することで行った。
実施例１〜１０、比較例１、２の初期化条件を、表１に示した。
【００６６】
【表１】
2007157202.tif 000003
【００６７】
（記録特性の評価）
記録特性の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製、ＤＤＵ−１０００）を用いて、記録線速度２８ｍ／ｓ（ＤＶＤの８倍速に相当）、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔの条件で、光ディスクの全データ領域内においてＥＦＭ＋変調方式により３Ｔ〜１４Ｔのランダム信号の繰り返し記録を行い、ＤＯＷ１特性σ（ジッター）を評価した。
評価時の再生線速度は３．５ｍ/ｓ、再生光パワー０．７ｍＷとした。
なお、前記「ジッター」は、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ ｊｉｔｔｅｒであり、検出窓幅Ｔｗで規格化した値である。
評価結果を下記表２に示す。
評価については、書換え型の光ディスクシステムを実現する場合、前記ジッターは少なくとも１０％以下であることが必要であり、９％以下であれば安定したシステムが実現できるものとした。なお、評価は下記の基準によって表した。
「×」光ディスクの全データ領域のＤＯＷ１ジッターの平均値が、１０％を超える場合
「○」光ディスクの全データ領域のＤＯＷ１ジッターの平均値が、９％を超えるが、１０％以下の場合
「◎」光ディスクの全データ領域のＤＯＷ１ジッターの平均値が、９％以下の場合
【００６８】
（トラック毎のＤＯＷ１特性σのばらつきに関する評価）
「初期化不良」、即ち「反射率むら」は、直接、記録特性のばらつきに影響を及ぼす。
そのため客観的な評価が難しい反射率分布を評価する代りに、ＤＯＷ１特性「σ」のトラック毎のばらつき「σ’」（標準偏差）を評価した。
ここで「トラック」とは、円盤状記録ディスクに設けられた同心円状の記録単位であり、トラック間の幅は「トラックピッチ」と呼ばれる。
トラックピッチはＣＤタイプでは１．６μｍ程度であるが、ＤＶＤタイプでは０．６〜０．８μｍと短く、最小マーク長の縮小と相まって記録密度の大容量化が図られている。
評価は、前記光ディスク評価装置を用い、再生速度３．５ｍ／ｓ、リードパワー０．７ｍＷの条件で行った。
評価結果を下記表２に示す。
なお、評価については、光ディスクの全データ領域にあるトラック毎のＤＯＷ１ジッターの標準偏差を０．１５％以下に規定することで、媒体全ての記録個所において均一で良好な記録特性を保証することができるものとした。
参考として図７に、ＤＯＷ１特性がトラック毎にばらつく様子を示した。
これによると、ＤＯＷ１特性の平均値σが良好でも、トラック毎のばらつきσ’が大きいと再生エラーが起きる傾向があった。
なお、ＤＯＷ１特性σのトラック毎のばらつきσ’（標準偏差）の評価基準は、下記に示すようにした。
「○」σ’が０．１５％以下の場合
「×」σ’が０．１５％を超える場合
【００６９】
（保存信頼性の評価）
実施例１〜１０、及び比較例１〜２の光ディスクについて、８０℃〜８５％ＲＨ恒温槽に３００時間放置した後のＤＯＷ１ジッターを測定し、下記基準により保存信頼性の評価を行った。
評価結果を下記表２に示す。
−評価基準−
８０℃−８５％ＲＨ恒温層に３００時間放置した後のＤＯＷ１ジッターが１０％を超える場合を「×」、９％を超えるが、１０％以下の場合を「○」、９％以下の場合を「◎」とした。なお、未評価のものについては「−」の記号を付与した。
【００７０】
【表２】
2007157202.tif 000004
【００７１】
表２に示す評価結果から明らかなように、本発明にかかる光ディスクである、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する基板上に、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、第３保護層５、及び反射層６が順次積層された構成を有し２０ｍ／ｓ以上の線速度で記録可能なものであり、記録領域中のトラック毎のＤＯＷ１特性の変動が、σ’≦０．１５％である実施例１〜１０の光記録媒体については、これを、１４ｍ／ｓ以上２４ｍ／ｓ以下の一定線速度で回転させながら、パワー密度１２ｍＷ／μｍ2以上２４ｍＷ／μｍ2以下のレーザー光を照射して初期化したことにより、長期に亘って初期化不良が起こり難く、いわゆる高速初期化が可能な相変化光記録媒体であることが確かめられた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】一般的な初期化方法の説明図を示す。
【図２】初期化時のディスク回転速度とＤＯＷ１特性との関係を示す。
【図３】初期化時のディスク回転速度と初期化パワー密度との関係を示す。
【図４】本発明の光記録媒体の一例の概略断面図を示す。
【図５】本発明の光記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【図６】本発明の光記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【図７】ＤＯＷ１特性のトラック毎のばらつきを示す。
【符号の説明】
【００７３】
１  基板
２  第１保護層
３  記録層
４  第２保護層
５  第３保護層
６  反射層
７  樹脂保護層
８  貼り合せ用基板
１０  光記録媒体
１１  接着層
１２  第１下部保護層
１３  第１記録層
１４  第１上部保護層
１５  第１反射層
１６  熱拡散層
１８  第１情報層
２０  中間層
２１  第２下部保護層
２２  第２記録層
２３  第２上部保護層
２４  第２反射層
２５  第２基板
２８  第２情報層
【図１】
2007157202.tif 000005
【図２】
2007157202.tif 000006
【図３】
2007157202.tif 000007
【図４】
2007157202.tif 000008
【図５】
2007157202.tif 000009
【図６】
2007157202.tif 000010
【図７】
2007157202.tif 000011