(57)【要約】【課題】  任意の精緻な回路定数に制御可能な回路素子の製造方法及び製造装置を提供すること、また、その製造方法を利用して製造される所望の回路定数を有した回路素子及び回路基板を提供する。【解決手段】  基板２の導電膜形成領域Ｌの略中央に、所定の大きさに制御されたビームスポットＢｓ２を集光させてから、導電膜形成領域Ｌに、液滴吐出ヘッド３２のノズルから導電性流動体４Ｌを微小液滴として吐出させて所定量塗布する。そして、抵抗値計測結果を確認しながらビームスポットＢＳ２の大きさを制御して所定の抵抗値に合わせ込み（ビームスポットＢｓ１とする）、ビームスポットＢｓ１を集光させたまま、ＵＶ照射部３４から導電性流動体４Ｌが塗布された導電膜形成領域ＬにＵＶ光を照射して固化させると、略中央部に空隙Ｔ１が形成された導電膜４となって成膜され、抵抗素子１が得られる。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子を形成する基板上の電極間に、機能膜材を含む流動体を液滴吐出法を用いて塗布することにより、所定の回路定数を有する形状に機能膜を形成する回路素子の製造方法であって、
機能膜が形成される機能膜形成領域の一部を含む範囲または機能膜形成領域の外側にレーザ光源からレーザ光を照射するレーザ光照射ステップと、
前記機能膜形成領域に前記流動体を液滴吐出ヘッドから液滴として吐出して塗布する塗布ステップと、
前記レーザ光により前記流動体の塗布形状を整える塗布形状整形ステップと、を有することを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路素子の製造方法において、
前記塗布形状整形ステップでは、前記レーザ光が照射されている領域への前記流動体の濡れ広がりを抑える力を前記レーザ光のエネルギーにより前記流動体に与えることで前記流動体の塗布形状を整えることを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路素子の製造方法において、
前記塗布形状整形ステップでは、前記機能膜形成領域における流動体塗布形状を整形させるために、レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御するレーザ光制御ステップを有することを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の回路素子の製造方法において、
前記塗布形状整形ステップでは、前記電極間に前記流動体が塗布された後の回路定数を計測する回路定数計測ステップを有し、当該回路定数の計測値に基づき計測値が所定の許容範囲内に収まるようにレーザ光を制御することを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の回路素子の製造方法において、
前記塗布形状整形ステップでは、流動体の濡れ広がりを抑制しているレーザ光のビームスポットの濡れ広がり抑制ラインを、流動体の濡れ広がりを許容する方向へ移動させることを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路素子の製造方法において、
前記塗布形状整形ステップに続けて前記流動体を固化させる固化ステップを有することを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の回路素子の製造方法において、
前記固化ステップでは、レーザ光を照射して塗布形状を保持しながら流動体を固化させることを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の回路素子の製造方法において、
前記流動体には溶媒または熱硬化材料を含み、
前記固化ステップにて加熱することによって前記流動体を固化させることを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の回路素子の製造方法において、
前記流動体には光硬化材料を含み、
前記固化ステップにて光を照射することによって前記流動体を固化させることを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の回路素子の製造方法において、
前記レーザ光照射ステップにて、前記機能膜形成領域の外周の少なくとも一部にもレーザ光を照射することを特徴とする回路素子の製造方法。
【請求項１１】
回路素子の製造方法に利用可能な液滴吐出装置であって、
前記機能膜形成領域の一部を含む範囲または機能膜形成領域の外側にレーザ光源からレーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記機能膜形成領域に流動体を吐出して塗布する液滴吐出ヘッドと、
レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御する制御手段と、を有することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液滴吐出装置であって、
回路定数計測手段と、
前記制御手段は調節手段とをさらに備え、流動体吐出後に回路定数計測手段による回路定数計測結果に基づいて調節手段を制御することにより、前記レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の液滴吐出装置であって、
前記流動体を固化させる手段を備えていることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法、または請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の液滴吐出装置によって製造される回路素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の回路素子を備えた回路基板。
【請求項１６】
請求項１４に記載の回路素子、または請求項１５に記載の回路基板を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路素子の電極間に液滴吐出法（インクジェット方式）を用いて抵抗体材料または誘電体材料等を含む流動体を噴射することにより、所定の回路定数（抵抗値、静電容量等）を有する回路素子を形成する製造方法及び製造装置に関連する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化の動きは進展の一途をたどっており、それに伴なって電子機器の各種動作を制御するための制御回路に求められる機能においても、高機能化、高精度化の要求がますます高まってきている。例えば、電子時計においては、高精度な時間調整を実現するために、内部のＩＣや発信回路の駆動回路に所定値の微小な電流を流す必要があり、駆動回路を構成する回路素子には、微小な任意の回路定数を高精度に有していることが求められる。ここで、回路定数とは、例えば抵抗素子における抵抗値や、コンデンサ素子における静電容量値などの、各種回路素子がそれぞれ有している電気特性値のことを指している。従来、所望の回路定数を有する回路素子の製造方法として、例えば抵抗素子の電流値を計測しながら、あらかじめ形成された複数の電流調整用の回路パターンをレーザ光で切断して、回路内の抵抗値を増加させることで所望の抵抗値に調整する方法が知られている（特許文献１、特許文献２）。しかしこの方法では、電流調整用パターン１本毎の段階的な電流制御しか行うことができず、高精度に電流値制御するためには電流調整用パターンをより細かく分割して形成し、且つ数多く設けなければならず、スペースを大きくとってしまうなどの制約がある。また、切断した導電体片が塵となって飛散し、回路素子を使って構成した回路内の短絡原因になる恐れもあった。このため、別の回路素子の製造方法として、回路間の電流値を計測しながら、液滴吐出法（インクジェット方式）によって導電性流動体を噴射して導電体を形成する方法が提案されている（特許文献３）。すなわち、前記回路間の電流値を計測した計測結果に基づき、液滴吐出ヘッドによる前記導電性流動体の吐出回数を制御して、所定の回路定数を有する回路素子を形成する方法である。
【０００３】
【特許文献１】実開昭５８−１１２９９３号公報
【特許文献２】特開昭５９−１３８９８１号公報
【特許文献３】特開２００１−３２０１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記のような液滴吐出法によって導電性流動体の吐出回数を制御して所定の回路定数に調整する回路素子の形成方法では、液滴吐出ヘッドが備える吐出手段の一回あたりの吐出量単位での段階的な回路定数調整しかできないため、精緻な回路定数の制御が難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、より小型の回路素子の製造においても、任意の精緻な回路定数に制御可能な回路素子の製造方法及び製造装置を提供すること、及びその製造方法を利用して製造される所望の回路定数を有した回路素子や回路基板、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の回路素子の製造方法は、回路素子を形成する基板上の電極間に、機能膜材を含む流動体を液滴吐出法を用いて塗布することにより、所定の回路定数を有する形状に機能膜を形成する回路素子の製造方法であって、機能膜が形成される機能膜形成領域の一部を含む範囲または機能膜形成領域の外側にレーザ光源からレーザ光を照射するレーザ光照射ステップと、機能膜形成領域に流動体を液滴吐出ヘッドから液滴として吐出して塗布する塗布ステップと、レーザ光が照射されている領域への流動体の濡れ広がりを抑える力をレーザ光のエネルギーにより流動体に与えることにより流動体の塗布形状を整える塗布形状整形ステップと、を有することを要旨とする。また、本発明では、塗布形状整形ステップでは、レーザ光が照射されている領域への流動体の濡れ広がりを抑える力をレーザ光のエネルギーにより流動体に与えることで流動体の塗布形状を整えることを主旨とする。
【０００７】
すなわち、基板上の電極間の機能膜形成領域内の目標位置に向けて液滴吐出ヘッドから流動体を吐出させると、基板上に着弾した液滴は濡れ広がろうとする。このとき、照射されているレーザ光の照射領域の濡れ広がりを抑える力が、照射されているレーザ光のエネルギーにより流動体に与えられる。この与えられた力によって、流動体はレーザ光から遠ざかる挙動を示し、これにより、レーザ光の照射領域には流動体が塗布されないか塗布されにくくなり、塗布形状が整形される。つまり、この流動体を固化させることにより成膜される機能膜は、所定の回路定数を有する形状に形成される。従って、レーザ光の照射スポット形状を制御することで回路素子の回路定数を任意に制御することができ、精緻に回路定数を有する回路素子を製造できる製造方法を提供できるという効果を奏する。
【０００８】
本発明では、塗布形状整形ステップでは、機能膜形成領域における流動体塗布パターン形状を整形させるために、レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御するレーザ光制御ステップを有することが望ましい。
【０００９】
この製造方法によれば、流動体を塗布した後に、レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置を変化させることにより、レーザ光周辺の流動体が、レーザ光に与えられるエネルギーを受けてレーザ光から遠ざかるように移動する。これにより、流動体の塗布形状を制御することができるので、形成する回路素子の回路定数を任意に制御することが可能となり、所望の回路定数を有する回路素子を提供できるという顕著な効果を奏する。
【００１０】
本発明では、塗布形状整形ステップでは、電極間に流動体が塗布された後の回路定数を計測する回路定数計測ステップを有し、当該回路定数の計測値に基づき計測値が所定の許容範囲内に収まるようにレーザ光を制御することが好ましい。
【００１１】
上記構成によれば、流動体が塗布された状態での電極間の回路定数の計測値に基づいて、レーザのビームスポットの大きさまたは位置をを制御することにより、流動体の塗布形状を制御して回路定数を調整することができる。従って、精緻な回路定数を有する回路素子を製造することができるという顕著な効果を奏する。また、例えば液滴吐出ヘッドによる流動体の吐出量のばらつきや、流動体の基板に対する濡れ性のばらつきなどにより回路定数が所定の値とずれた場合にあっても、回路定数の計測値を確認しながら所望の回路定数に合わせこむことができるので、回路定数が規格外の不良製品を少なくとも多発させないという効果を有する。
【００１２】
本発明では、塗布形状整形ステップでは、流動体の濡れ広がりを抑制しているレーザ光のビームスポットの濡れ広がり抑制ラインを、流動体の濡れ広がりを許容する方向へ移動させることが好ましい。
【００１３】
すなわち、流動体を塗布する前に照射するレーザ光のビームスポットに大きさまたは位置のうち少なくとも一方を、機能膜形成領域の面積に対する流動体塗布面積が小さくなるように設定して照射し、流動体塗布後の塗布形状整形ステップでは、ビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を、流動体塗布面積が広がる方向、すなわち濡れ広がりを許容する方向になるように制御して、濡れ広がり抑制ラインを移動させる構成とする。これによれば、流動体の濡れ広がる特性を利用して流動体の塗布形状を制御できるので、塗布形状を高精度に整形することができるので、回路定数の正確な調整が可能になるという顕著な効果を奏する。また、ビームスポットにより流動体濡れ広がり抑制ラインを、流動体の濡れ広がる方向と逆に移動させる構成とした場合に発生しやすい濡れ残り等を抑制できるので、流動体の塗布形状を整形しやすく、回路素子の回路定数を精緻に調整することが可能となる。
【００１４】
本発明では、塗布形状整形ステップに続けて流動体を固化させる固化ステップを有することが望ましい。このとき、固化ステップでは、レーザ光を照射して塗布形状を保持しながら流動体を固化させることが望ましい。また、流動体には溶媒または熱硬化材料を含み、固化ステップにて加熱することによって流動体を固化させることが好ましい。さらに、流動体には光硬化材料を含み、固化ステップにて光を照射することによって流動体を固化させる構成としてもよい。
【００１５】
上記構成によれば、レーザ光制御ステップにて所定の回路定数に合わせ込んだ後に、レーザ光を照射した状態で流動体を固化させる固化ステップを含むので、レーザ光により回路定数調整のために形成した未塗布部分に流動体が濡れ広がるなどして、塗布部分の面積が変化してしまうことによる回路定数変動を抑えることが可能となる。従って、精緻な回路定数の調整が可能となり、任意の回路定数を有する回路素子を製造することができるという効果を奏する。このときの流動体の固化方法としては、流動体に揮発性を有する溶媒を含有させて、加熱することによって溶媒を除去して固化させる方法や、流動体に熱硬化材料を含有させて、加熱することによって架橋反応を促進させて固化させる方法を用いれば、加熱手段を備えた基板載置台を設置するなどの簡易的な設備によって回路素子を製造することができる。また、この他の流動体の固化方法として、流動体に光硬化材量を含有させて、紫外線などの光を照射することによって固化させる方法を用いれば、例えば基板に与える熱ダメージを抑えることができるため、基板材料の選択肢が拡がりコストダウンも可能となるという効果を有する。
【００１６】
本発明では、レーザ光照射ステップにて、機能膜形成領域の外周の少なくとも一部にもレーザ光を照射する構成としてもよい。
【００１７】
上記構成によれば、機能膜形成領域の外周にレーザ光を照射することによって、塗布後の流動体が、レーザ光に与えられるエネルギーによりレーザ光から遠ざかるように動く作用によってビームスポットの内側には濡れ広がらないか濡れ広がりにくいので、流動体を所望の塗布形状に形成することが可能となる。これにより、小さいサイズの回路素子を製造する場合にあっても、精緻な回路定数を有する回路素子を製造することができるという効果を奏する。
【００１８】
本発明は、回路素子の製造方法に利用可能な液滴吐出装置であって、機能膜形成領域の一部を含む範囲または機能膜形成領域の外側にレーザ光源からレーザ光を照射するレーザ照射部と、機能膜形成領域に流動体を吐出して塗布する液滴吐出ヘッドと、レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御する制御手段とを有することを要旨とする。
【００１９】
上記構成によれば、基板の電極間に、吐出ヘッドから吐出して着弾させた流動体を、レーザ光により、未塗布部分の大きさを制御しながら着弾させて塗布された塗布形状を高精度に整形することができ、さらに、流動体の未塗布部分の大きさを変えることによって回路定数を調整することができるので、所望の回路定数を有する回路素子を形成できるという効果を奏する。
【００２０】
本発明は、回路素子の製造方法に利用可能な液滴吐出装置であって、回路定数計測手段と、制御手段は調節手段とをさらに備え、流動体吐出後に回路定数計測手段による回路定数計測結果に基づいて調節手段を制御することにより、レーザ光のビームスポットの大きさまたは位置のうち少なくとも一方を制御することが好ましい。
【００２１】
上記構成によれば、流動体塗布後の回路定数計測結果に基づいて、流動体の塗布形状を整形できるので、個々の回路素子毎に求められる回路定数を高精度に有する回路素子を製造することができる。
【００２２】
本発明の液滴吐出装置は、流動体を固化させる手段をさらに備えていることが望ましい。
【００２３】
この構成によれば、レーザ光による整形後の流動体の塗布形状を保持させたまま固化させることができるため、流動体が濡れ広がることにより塗布形状が変化しにくい状態で流動体を固化することができるので、所定の回路定数を有する回路素子を安定して製造できるという顕著な効果を奏する。
【００２４】
本発明の回路素子は、上記のいずれかの製造方法または製造装置によって製造される。
【００２５】
上記構成によれば、小型であったとしても、所望の回路定数を正確に有する回路素子が提供できる。
【００２６】
本発明の回路基板は、上記発明の回路素子を備えていることを特徴とする。
【００２７】
上記構成によれば、回路配線上に、精緻な電気制御が可能な上記発明の回路素子を備えているので、回路基板を正確に駆動させる発信回路基板等を提供することが可能である。
【００２８】
本発明の電子機器は、上記発明の回路素子または回路基板のうち、少なくとも一方を備えたことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、精緻な電気制御が可能な回路素子または回路基板のうち、少なくとも一方を備えているので、電子機器を正確に駆動させることが可能であることから、電子機器の高機能化に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について図面に従って説明する。
図１は、本実施形態の製造方法を用いて製造する回路素子としての抵抗素子の概略構成を示す正面図である。
【００３１】
本実施形態の抵抗素子１は、ガラスや樹脂材料またはセラミックなどの絶縁性材料からなる基板２の上面（回路素子形成面）に、所定の間隔を空けて対をなして形成された電極３ａ，３ｂを備えている。電極３ａ，３ｂの間には、略中央に円形の空隙Ｔ１を設けて、導電性材料としての金属粉が電気絶縁性の樹脂に含有されてなる機能膜としての導電膜４が、両端をそれぞれ電極３ａ，３ｂに接触させて形成されている。すなわち、抵抗素子１は、導電膜４の略中央に形成された空隙Ｔ１によって導電膜４の断面積が調整されることにより、回路素子としての回路定数（抵抗値）が決定されている。
【００３２】
次に、本実施形態の抵抗素子１の製造に用いる液滴吐出装置３０を、図２〜図４を用いて説明する。
図２は、液滴吐出装置の構成を模式的に示す斜視図であり、図３（ａ），（ｂ）は、図２におけるレーザ照射部４０のビームスポット制御機構を示す模式側断面図である。また、図４は、液滴吐出装置の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【００３３】
図２において、液滴吐出装置３０は、図示を省略した基台上に、直動機構（図示せず）を備えた基板ステージ３１を備えている。基板ステージ３１の上面（基板載置面３１ａ）には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、基板２が回路素子形成面２ａを上側にして基板載置面３１ａに載置されると、基板２が基板載置面３１ａに対して位置決めされるようになっている。この状態で基板ステージ３１を直動機構によって図示するＹ方向に往動または復動させることによって、基板２を、後述する液滴吐出ヘッド３２の描画動作範囲に移動させるようになっている。
【００３４】
基板２を位置決めした基板ステージ３１の上方には、基台に立設された図示しない一対の支持台に架設されている案内部材に、図示しない直動機構を備えたキャリッジ３３が支持されて取り付けられている。キャリッジ３３の直動機構は、例えば案内部材に沿ってＸ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、ステッピングモータよりなるＸ軸モータに連結されて、所定のステップ数に相当する駆動信号をＸ軸モータに入力すると、キャリッジ３３が同ステップ数分だけＸ方向に沿って往動または復動するようになっている。
【００３５】
キャリッジ３３の前面下側には、圧電素子（ピエゾ素子）を有する液滴吐出ヘッド３２が、その下面（ノズル形成面）を基板２の回路素子形成面２ａと対峙させて取り付けられている。液滴吐出ヘッド３２は、圧電素子による電気機械変換方式を用いたものであり、図示しない流動体タンクから導電性流動体４Ｌの供給を受け、ノズル形成面に配設されたノズル（図示せず）から導電性流動体４Ｌを微小液滴として基板２の導電膜形成領域（機能膜形成領域）Ｌに向けて吐出するようになっている。
【００３６】
液滴吐出法（インクジェット法）の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されないというものである。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。なお、液滴吐出方式としては、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させるバブル（サーマル）方式でも採用可能であるが、ピエゾ方式は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３７】
キャリッジ３３には、液滴吐出ヘッド３２の一方の側方位置に、基板２の導電膜形成領域Ｌの方向に向けて紫外線（ＵＶ光）を照射するためのＵＶ照射部３４が設けられている。ＵＶ照射部３４から照射される紫外線は、導電膜形成領域Ｌの大きさに応じて、図示しないＵＶスポット制御機構によってＵＶ照射スポットの大きさ及び照射位置が変えられるようになっており、少なくとも液滴吐出装置３０にて製造可能な回路素子の導電膜形成領域Ｌの最大範囲にＵＶ光を照射できるようになっている。
【００３８】
一方、ＵＶ照射部３４と反対側となる液滴吐出ヘッド３２の他方の側方には、基板２の導電膜形成領域Ｌに向けてレーザ光を照射するためのレーザ照射部４０が備えられている。レーザ照射部４０は、キャリッジ３３との設置部分にレーザ光照射調整手段４９を備えており、基板２の導電膜形成領域Ｌへのレーザ光照射位置をキャリッジ３３とは独立して変更できるようになっている。
【００３９】
また、レーザ照射部４０は、レーザ光のビームスポットの大きさや形状を制御するためのビームスポット制御機構を備えている。図３（ａ），（ｂ）は、それぞれレーザ照射部４０のビームスポット制御機構の例を示している。
図３（ａ）は、レンズの位置を制御してビームスポットを制御するビームスポット調整装置を例示している。図３（ａ）のレーザ照射部４０は、筒状の筐体４１の内側上部に、レーザ光源としての半導体レーザアレイＬＤを備えている。半導体レーザアレイＬＤの下方に所定の間隔を空けた位置にはレンズＬＺ１が固定されて備えられている。さらにレンズＬＺ１の下方には、レンズ位置調整装置４２に保持されたレンズＬＺ２が備えられており、レンズ位置調整装置４２を移動させることにより、レンズＬＺ２の位置を上下に移動させることが可能となっている。半導体レーザアレイＬＤから照射されたレーザ光は、レンズＬＺ１を通過して直進光としてレンズＬＺ２に進み、ＬＺ２を通過して下方にある基板２の回路素子形成面２ａにビームスポットを集光させている。このとき、レンズ位置調整装置４２を移動させることによって、基板２の回路素子形成面２ａに対するレンズＬＺ２の位置が変わることにより、回路素子形成面２ａに集光されるビームスポットの大きさを制御できるようになっている。図３（ａ）では、レンズ位置調整装置４２が実線の位置にあるときは回路素子形成面２ａにビームスポット径ＢｓＬ１のビームスポットが集光され、レンズ位置調整装置４２が二点鎖線の位置にあるとき（回路素子形成面２ａに近いとき）は、回路素子形成面２ａにビームスポット径ＢｓＬ２のビームスポットが集光されていることを示している。
また、図３（ｂ）は、半導体レーザアレイＬＤから照射されるレーザ光を、レンズＬＺ１を通った後に一部遮光することによってビームスポットを制御するビームスポット小生装置を示している。図３（ｂ）のレーザ照射部４０は、筒状の筐体４１の内側上部に、レーザ光源としての半導体レーザアレイＬＤを備えている。半導体レーザアレイＬＤの下方に所定の間隔を空けた位置にはレンズＬＺ１が固定されて備えられており、さらに下方にはレンズＬＺ２が固定されて備えられている。このレンズＬＺ１とレンズＬＺ２の中間には、略中央にビームスポットの形状あるいは大きさを、レーザ光を部分的に遮光することにより調整可能なシャッタ開口部Ｓｌを有するシャッタ機構４３が備えられている。半導体レーザアレイＬＤから照射されたレーザ光は、レンズＬＺ１を通過してシャッタ機構４３に至り、そこでレーザ光は、シャッタ機構４３のシャッタ開口部Ｓｌの開口部分のみが下方のレンズＬＺ２に進み、ＬＺ２を通過してさらに下方にある基板２の回路素子形成面２ａにビームスポットを集光させている。すなわち、シャッタ機構４３のシャッタ開口部Ｓｌの形状あるいは大きさを制御することによって、回路素子形成面２ａに集光されるビームスポットの大きさまたは形状を制御できるようになっている。図３（ｂ）では、シャッタ機構４３のシャッタ開口部Ｓｌが図中の実線の位置にあるときは回路素子形成面２ａにビームスポット径ＢｓＬ２のビームスポットが集光され、シャッタ機構４３のシャッタ開口部Ｓｌが図中の二点鎖線の位置にあるときは、回路素子形成面２ａにビームスポット径ＢｓＬ１のビームスポットが集光されるようになっている。
【００４０】
図２に示すように、液滴吐出ヘッド３２と基板２を搭載する基板ステージ３１との中間には、液滴吐出ヘッド３２から基板２の導電膜形成領域Ｌへの微小液滴の吐出を妨げないように凹部を設けた形状の板状のプローバ３６が、キャリッジ３３と連動する移動手段（図示せず）を備えて取り付けられている。プローバ３６には、基板２の導電膜形成領域Ｌを挟んで設けられた少なくとも一対の電極３ａ，３ｂのそれぞれと接触可能に設けた少なくとも一対のプローブ針３５ａ，３５ｂが備えられている。さらに、プローバ３６には図示しない昇降装置が備えられており、この昇降装置によってプローバ３６が昇降動作を行うことにより、プローブ針３５ａ，３５ｂが基板２の電極３ａ，３ｂに接触したり離れたりできるようになっている。このように、電極３ａ，３ｂとそれぞれ対応したプローブ針３５ａ，３５ｂを配設したプローバ３６は、電極レイアウトの異なる回路素子を製造する場合には、その回路素子の電極のレイアウトに合わせてプローブ針が配設されたプローバと交換可能になっている。
【００４１】
液滴吐出装置３０には、抵抗値や静電容量値等の回路定数を計測する回路定数計測装置３７が備えられている。回路定数計測装置３７は、プローバ３６に配設されている少なくとも一対のプローブ針３５ａ，３５ｂと電気的に接続されており、プローブ針３５ａ，３５ｂを接触させた電極３ａ，３ｂ間の回路定数（抵抗値、静電容量値等）を計測できるようになっている。
【００４２】
液滴吐出装置３０には、上記した各部、すなわち基板ステージ３１、液滴吐出ヘッド３２、キャリッジ３３、ＵＶ照射部３４、レーザ照射部４０、プローバ３６、及び回路定数計測装置３７のそれぞれに接続されて、各部の動作を制御するための制御装置５０が備えられている。したがって、液滴吐出装置３０は、制御装置５０によって各部を統合して動作させることが可能となっている。
【００４３】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置３０の電気的構成を図４に従って説明する。
図４において、制御装置５０には、ＣＰＵ等からなる制御部５１、各種データを格納するＲＡＭ５２、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ５３が備えられている。また、制御装置５０には、レーザ電源回路５４、駆動信号生成回路５５、レーザ照射位置制御回路５６、ビームスポット制御回路５７、ＵＶ電源回路５８、発振回路５９が備えられている。レーザ電源回路５４は、前記レーザ照射部４０のレーザ光照射動作を制御するレーザ駆動信号ＣＯＭ１を生成し、駆動信号生成回路５５は、前記液滴吐出ヘッド３２による液滴吐出動作を制御する吐出ヘッド駆動信号ＣＯＭ４を生成する。また、レーザ照射位置制御回路５６は、制御プログラムまたは回路定数計測装置３７による回路定数計測結果に基づいて、ビームスポットの照射位置を制御するレーザ照射位置制御信号ＣＯＭ２を生成する。ビームスポット制御回路５７は、制御プログラム、または回路定数計測装置３７による回路定数の回路定数計測結果に基づいて、レーザ光のビームスポットを制御するビームスポット制御信号ＣＯＭ３を生成する。ＵＶ電源回路５８は、前記ＵＶ照射部３４のＵＶ光照射動作を制御するＵＶ照射部駆動信号ＣＯＭ５を生成する。そして、発振回路５９は、前記の各駆動信号を同期させるためのクロック信号ＣＬＫを生成する。制御装置５０には、これら制御部５１、ＲＡＭ５２、ＲＯＭ５３、レーザ電源回路５４、駆動信号生成回路５５、レーザ照射位置制御回路５６、ビームスポット制御回路５７、ＵＶ電源回路５８、発振回路５９が、図示しないバスを介して接続されている。
【００４４】
制御装置５０には、入力装置６１と回路定数計測装置３７が接続されている。入力装置６１は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御装置５０（制御部５１）に出力する。また、入力装置６１は、基板２の導電膜形成領域Ｌ（機能膜形成領域）に、液滴吐出ヘッド３２から導電性流動体４Ｌを微小液滴として吐出させる際の描画情報と、その導電膜形成領域Ｌにおける導電性流動体４Ｌに未塗布部分を形成するために、レーザ照射部４０からレーザ光を初期照射する際のレーザ光の強度やビームスポット形状などの制御情報と、塗布した導電性流動体４Ｌを固化させるためにＵＶ照射部３４から照射するＵＶ光の照射条件の情報とを、描画データＩａとして制御装置５０に出力する。回路定数計測装置３７は、電気抵抗値や静電容量値等の回路定数の計測結果を制御装置５０に出力する。制御装置５０は、入力装置６１からの描画データＩａと、ＲＯＭ５３等に格納された制御プログラム（例えば抵抗素子１の製造プログラム）に従って、基板ステージ３１を移動させて基板２の搬送処理動作を行い、レーザ照射部４０を駆動させて抵抗素子１の形成部に所定のビームスポットに制御されたレーザ光を照射させる。また、制御装置５０は、抵抗素子１の製造プログラムに従って、液滴吐出ヘッド３２を駆動させて液滴吐出動作を行う。そして、制御装置５０は、回路定数計測装置３７の回路定数（抵抗値）の計測結果に基づいて、導電性流動体４Ｌの塗布形状を整形することにより回路定数を所望の値に調整するために、レーザ光のビームスポット制御回路を駆動させてビームスポット制御動作を行う。このとき、制御装置５０は、液状のときの、すなわち導電性流動体４Ｌの塗布パターンの回路定数と、後述する固化後の導電体膜４になったときの回路定数値（抵抗値）との関係を示すデータを予めメモリに記憶しており、固化させて導電体膜４になったときの抵抗素子１の回路定数が所望の値になるように、液状のときの回路定数値を所定の値に調整する。さらに、制御装置５０は、ビームスポット制御により液状のときの回路定数が所定の値になったことを認識することにより、ＵＶ照射部３４を駆動させて、基板２上の導電膜形成領域Ｌに塗布された導電性流動体４ＬにＵＶ光を照射して固化させる固化処理動作を行う。
【００４５】
制御装置５０には、レーザ駆動回路６７、吐出ヘッド駆動回路６８、及びＵＶ照射部駆動回路６９が接続されている。
レーザ駆動回路６７には、レーザ照射位置制御回路６７ａと、ビームスポット制御回路６７ｂと、スイッチ回路６７ｃが備えられている。レーザ照射位置制御回路６７ａは、制御装置５０からのレーザ照射位置制御信号ＣＯＭ２を受けて、レーザ照射位置制御信号ＳＰ生成してレーザ光照射位置調整手段４９に出力するようになっている。ビームスポット制御回路６７ｂは、制御装置５０からのビームスポット制御信号ＣＯＭ３を受けて、ビームスポット成形信号ＳＣを生成し、ビームスポット調整装置（レンズ位置調整装置４２またはシャッタ機構４３）に出力するようになっている。スイッチ回路６７ｃには、レーザ光源に対応する図示しないスイッチ素子が備えられている。スイッチ素子の入力側には、レーザ電源回路５４の生成したレーザ駆動信号ＣＯＭ１が入力され、出力側には、レーザ光源である半導体レーザアレイＬＤが接続されている。スイッチ回路６７ｃは、制御装置５０からの描画制御データＳＩ（開閉信号）に応じて、レーザ駆動信号ＣＯＭ１を半導体レーザアレイＬＤに供給するか否かを制御するようになっている。
【００４６】
吐出ヘッド駆動回路６８は、クロック信号ＣＬＫに同期した制御装置５０からの描画制御データＳＩを、液滴吐出ヘッド３２の備える複数の前記圧電素子にそれぞれ対応させたシリアル／パラレル変換を行う。パラレル変換された所定ビット数の描画制御データＳＩは、吐出ヘッド駆動回路６８が駆動する電圧まで昇圧されて、液滴吐出ヘッド３２が備える複数の前記圧電素子ＰＺにそれぞれ対応する開閉信号を生成する。そして、吐出ヘッド駆動回路６８は、開閉信号に応じて、制御装置５０からの吐出ヘッド駆動信号ＣＯＭ４を、対応する各圧電素子に供給するか否かを制御するようになっている。
【００４７】
ＵＶ照射部駆動回路６９は、制御装置５０からのＵＶ照射部駆動信号ＣＯＭ５を受けると、対応するＵＶ光源部（ＵＶ照射手段）ＵＬに駆動電力が供給され、ＵＶ照射による導電性流動体４Ｌの固化処理が開始されるようになっている。
【００４８】
図４に示すように、制御装置５０には、Ｘ軸モータ駆動回路６２が接続され、Ｘ軸モータ駆動回路６２にＸ軸駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路６２は、制御装置５０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記キャリッジ３３を往復運動させるＸ軸モータＭＸを正転または逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸駆動モータＭＸを正転させると、キャリッジ３３は図２におけるＸ矢印方向に移動し、逆転させると、キャリッジ３３は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００４９】
制御装置５０には、Ｙ軸モータ駆動回路６３が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路６３にＹ軸駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路６３は、制御装置５０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記基板ステージ３１を往復運動させるＹ軸モータＭＹを正転または逆転させるようになっている。そして、Ｙ軸駆動モータＭＹを正転させると、基板ステージ３１は図２におけるＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ３１は反Ｙ矢印方向に移動するようになっている。
【００５０】
制御装置５０には、基板検出装置６４が接続されている。基板検出装置６４は、基板２の端縁を検出し、制御装置５０によって液滴吐出ヘッド３２の直下を通過する基板２の導電膜形成領域Ｌの位置を算出する際の基準点（原点）に利用される。
【００５１】
制御装置５０には、Ｘ軸モータ回転検出器６５が接続され、Ｘ軸モータ回転検出器６５からの検出信号が入力される。制御装置５０は、Ｘ軸モータ回転検出器６５からの検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、キャリッジ３３のＸ矢印方向の移動量を演算するようになっている。
【００５２】
制御装置５０には、Ｙ軸モータ回転検出器６６が接続され、Ｙ軸モータ回転検出器６６からの検出信号が入力される。制御装置５０は、Ｙ軸モータ回転検出器６６からの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、基板ステージ３１のＹ矢印方向の移動量を演算するようになっている。
【００５３】
次に、上記の液滴吐出装置を使って抵抗素子１を製造する方法について、図５、図６に沿って説明する。
図５（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態のレーザ光を併用した液滴吐出法（インクジェット法）による抵抗素子１の形成過程を説明するための説明図、図６は、同じく抵抗素子１の形成工程のフローチャート図である。
【００５４】
基板ステージ３１の基板載置面３１ａの所定位置に基板２を供給して、吸着装置により所定位置に固定する。基板２には、図５（ａ）に示すように、基板２上に、例えば金等の電気抵抗が小さい金属を、めっき法などによってパターニングすることにより一対の電極３ａ，３ｂが形成されている。なお、基板２には、一対の電極３ａ，３ｂが等ピッチ間隔にて複数配列して形成されている。また、図５（ａ）において、二点鎖線で示された領域が導電膜形成領域Ｌとなる。導電膜形成領域Ｌは、外形が矩形で内側に円形の空隙（未塗布領域）を有する略環状の領域となっている。
【００５５】
次に、基板ステージ３１は、基板２の導電膜形成領域Ｌの描画開始位置となる列が、液滴吐出ヘッド３２の直下近傍に位置するまで移動する。すると、基板検出装置６４が基板２の端縁を検出し、その検出結果に基づいて、基板２の描画開始位置が液滴吐出ヘッド３２の直下の位置になるように基板ステージ３１を移動させて基板位置決めをする（ステップＳ１）。
【００５６】
ステップＳ２では、制御装置５０がＸ軸モータＭＸを駆動させて、液滴吐出ヘッド３２が描画開始位置に位置するまでキャリッジ３３を移動させる。本実施形態では、このタイミングで昇降装置によってプローバ３６を所定の位置に降下させて、一対のプローブ針３５ａ，３５ｂを、対応する電極３ａ，３ｂにそれぞれ接触させておく。
【００５７】
ステップＳ３では、前記基板検出装置６４の検出結果に基づいてレーザ照射位置制御手段４９を駆動させ、導電膜形成領域Ｌへのレーザ照射部４０からのレーザ照射位置決めを行う。そして、ステップＳ４では、図５（ｂ）に示すように、レーザ照射部４０から、導電膜形成領域Ｌの略中央に、所定のビームスポットに制御されたビームスポットＢｓ２を集光させる。このとき、導電膜形成領域Ｌの略中央に位置する円形の空隙（未塗布領域）より大径のビームスポットＢｓ２が、空隙の中心とビームスポットＢｓ２の中心とが一致するように照射される。そして次のステップＳ５では、電極３ａ，３ｂのそれぞれに接触されている一対のプローブ針３５ａ，３５ｂに接続された回路定数計測装置３７にて抵抗値の計測を開始する。
【００５８】
次に、ステップＳ６では、図５（ｃ）に示すように、基板２の導電膜形成領域Ｌに、液滴吐出ヘッド３２のノズルから、導電性流動体４Ｌを微小液滴として所定量吐出させる。このときの液滴吐出ヘッド３２の塗布動作は、導電膜形成領域Ｌの略中央に空隙（塗布されない部分）を形成されるように、前記描画データＩａの描画情報にあらかじめ組み込まれた塗布プログラムに基づいて制御され、ビームスポットＢｓ２の集光部分には微小液滴は着弾しない状態となる。また、着弾した微小液滴がビームスポットＢｓ２の内側に濡れ広がることもない。
【００５９】
上記のように、吐出された微小液滴が、ビームスポットＢｓ２の集光部分に着弾しなかったり、ビームスポットＢｓ２の集光部の周囲に着弾した液滴がビームスポット内に濡れ広がらない現象は、レーザ光の運動エネルギーが微小液滴の分子に付与されることに基づくものである。すなわち、吐出された導電性流動体４Ｌの微小液滴がレーザ光に近づき、微小液滴にレーザ光が当たると、微小液滴の分子（ナノ粒子）を構成する電子（最外殻電子、共有電子等）にレーザ光の運動量とエネルギーが与えられて、この運動量とエネルギーは他の分子に配分されながら微小液滴全体で保持される。そして、このレーザ光から与えられた運動量とエネルギーを移動エネルギーとして、レーザ光に近づいた微小液滴がレーザ光から遠ざかるように移動する挙動を呈し、これによりビームスポットＢｓ２の集光部には微小液滴が着弾しないのである。また、同様の作用により、ビームスポット集光部周辺に着弾した液滴は、ビームスポット内には濡れ広がって来ない。従って、ビームスポットＢｓ２集光部により、導電性流動体の塗布されない空隙を形成することが可能となる。
【００６０】
ステップＳ７では、前記の抵抗値計測結果を確認しながらビームスポットＢｓ２の大きさを変化させて所定の回路定数（抵抗値）に合わせ込むビームスポット制御を開始する。図５（ｄ）は、抵抗値計測結果に基づいてビームスポットＢｓ２を縮小させてビームスポットＢｓ１とした状態を示している。このビームスポット制御は、計測している抵抗値が所定の値にならない間は継続され（ステップＳ８でＮＯ）、抵抗値が所定の値になったところで（ステップＳ８でＹＥＳ）終了する（ステップＳ９）。
【００６１】
続いて、図５（ｅ）に示すように、ビームスポットＢｓ１を集光させたまま、ＵＶ照射部３４から微小液滴が塗布された導電膜形成領域ＬにＵＶ光を照射する（ステップＳ１０）。所定時間（硬化時間）のＵＶ照射後にレーザ光の照射を終了し、続いてＵＶ光の照射を終了すると（ステップＳ１１）、導電性流動体４Ｌに含有された光硬化材料がＵＶ光の光反応によって硬化させる。すると、略中央部に空隙Ｔ１が形成された導電膜４となって成膜（固化）され、図５（ｆ）に示す抵抗素子１が完成する。
【００６２】
ステップＳ１２では、電極３ａ，３ｂ間に導電膜４が成膜された抵抗素子１の抵抗値計測結果が所定の値（許容値）になっているか否かを確認する。抵抗値が所定の値から外れている場合は（ステップＳ１２でＮＯ）、該抵抗素子１が規格外品として識別可能なマーキングを施して分別する（ステップＳ１４）。抵抗値が所定値であれば、上記工程による抵抗素子製造を継続するか否かを判断し（ステップＳ１３）、継続する場合（ステップＳ１３でＮＯ）は基板ステージ３１またはキャリッジ３３を次の描画位置にスキャンさせて（ステップＳ１５）、レーザ照射位置決め動作（ステップＳ３）から同様の工程を繰り返し、抵抗素子製造を継続する。抵抗素子製造を終了する場合（ステップＳ１３でＹＥＳ）は、基板ステージ３１を基板排出位置まで移動させて基板２を排出し、一連の抵抗素子１の製造作業を終了する。
【００６３】
次に、上記実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、基板２の導電膜形成領域Ｌに、所定のビームスポットＢｓ１に制御されたレーザ光を集光させた状態で、液滴吐出ヘッド３２のノズルから導電性流動体４Ｌを微小液滴として吐出して着弾させた。すると、レーザ集光部分（ビームスポットＢｓ２）及びレーザ光の進路に近づいた微小液滴は、レーザ光から運動エネルギーを与えられ、そのエネルギーにより推力を得てレーザ光から遠ざかる挙動を示した。これにより、導電性流動体４Ｌの塗布パターンのビームスポットＢｓ２部分には微小液滴が着弾せず、また、ビームスポットＢｓ２内には導電性流動体が濡れ広がらずに空隙Ｔ１が形成された。次に、ビームスポットＢｓ２の大きさを変化させる（本実施形態ではビームスポットＢｓ１にした）ことによって空隙Ｔ１の大きさを微調整し、それに伴なって変化する抵抗値を所定の値に調整して抵抗素子１を得た。
【００６４】
その結果、ビームスポットＢｓ２の大きさを微調整することにより、抵抗素子１の回路定数（抵抗値）を任意に調整できるので、液滴吐出ヘッド３２のノズルによる微小液滴の吐出単位よりも精緻に回路定数を調整することが可能となり、任意の抵抗値（回路定数）を有する回路素子を製造することが可能となる。また、微小液滴の吐出量を厳密に制御する必要はなく、例えば液滴吐出ヘッド３２の吐出量のばらつきや導電性流動体４Ｌの粘度のばらつきなどにより吐出量が変動した場合でも、ビームスポットＢｓ２（Ｂｓ１）の制御によって回路定数を所定の許容値範囲内に調整できるため、高い歩留りにて回路素子を安定して製造することが可能となる。また、微小液滴を吐出させる液滴吐出法（インクジェット法）を用いているので、スクリーン印刷法などに比べてより小型の回路素子の製造が可能である。
【００６５】
（２）上記実施形態では、回路定数計測装置３７によって塗布した導電性流動体４Ｌの回路定数（抵抗値）を計測し、その計測結果に基づいてビームスポットＢｓ２を制御して所定の抵抗値に調整するとともに、導電性流動体４Ｌを固化後（導電膜４）の抵抗値も確認する構成とした。これにより、抵抗値を正確に把握しながら抵抗値の調整ができるので、精度よく所定の抵抗値を有する抵抗素子１を製造することができる。また、例えば固化ステップでの不具合により、固化後の抵抗値が所定値を外れても即時把握できるので、不良混入等の不具合を回避することができる。
【００６６】
（３）上記実施形態によれば、ビームスポットＢｓ２の制御によって塗布した導電性流動体４Ｌの抵抗値を所定の値に調整した（ビームスポットＢｓ１）ところで、ビームスポットＢｓ１を当てたままの状態で、ＵＶ光を照射して導電性流動体４Ｌの塗布パターンを固化させることによって導電膜４を形成し、抵抗素子１を得る構成とした。これにより、ビームスポットＢｓ１によって形成された空隙Ｔ１の周辺の導電性流動体４ＬがビームスポットＢｓ１の内側に濡れ広がらずに固化されるので、抵抗値を変化させることなく導電膜４を形成して所定の抵抗値を有する抵抗素子１を得ることができる。
【００６７】
（４）上記実施形態によれば、導電性流動体４Ｌには光硬化材（ＵＶ硬化材）を含み、ＵＶ光を照射することによって固化させる構成としたので、基板２等に熱ダメージをほとんど与えずに抵抗素子１を製造することができる。また、基板２の材料の具備条件として耐熱性はそれほど必要とならないため、基板材料の選択肢が拡がって、材料コストの軽減を図ることも可能となる。
【００６８】
（５）上記実施形態によれば、導電体膜形成領域Ｌの略中央にビームスポットＢｓ２（Ｂｓ１）を照射して、略中央部に空隙Ｔ１を形成した導電体膜４を得る構成とした。この構成によれば、レーザ照射位置が多少ずれても導電体膜形成領域Ｌの内側に収まるので、ビームスポットＢｓ２の大きさや位置を制御する調整マージンを比較的広くとることができ、回路素子の製造マージンを広げることが可能となる。
【００６９】
（第２の実施形態）
上記実施形態では、導電膜形成領域Ｌの略中央にビームスポットＢｓ２を照射してから導電性流動体を塗布し、回路素子の導電膜４に空隙Ｔ１を形成する方法を示したが、これに限定されない。一対の電極のそれぞれに端部が接触した流動体塗布パターンを形成して略中央部に隙間を設けるように、ビームスポットを照射する構成としてもよい。
【００７０】
図７は、略中央部に隙間を設けるようにビームスポットを照射させながら流動体を塗布する方法で製造される回路素子の一例としての、コンデンサ素子２０の概略構成を示す平面図であり、図８は同じくコンデンサ素子２０の形成工程を説明するための説明図である。なお、本第２の実施形態の回路素子（コンデンサ素子）及びその製造工程の構成のうち、上述した第１の実施形態と同様の構成については同一符号を用いて説明し、同一の構成については説明を省略する。
【００７１】
図７において、コンデンサ素子２０は、基板２の上面（回路素子形成面）に、所定の間隔を空けて対をなして形成された電極２３ａ，２３ｂが設けられている。一対の電極２３ａ，２３ｂの間には、酸化アルミニウムなどの誘電体材料等からなる誘電体膜（機能膜）２４が、略中央に隙間Ｔ２を空け、一端を電極２３ａ，２３ｂのどちらかに接触させて形成されている。すなわち、電極２３ａ，２３ｂのそれぞれに接触させて形成された一対の誘電体膜２４が隙間Ｔ２を挟んで対面しており、この隙間Ｔ２の距離によってコンデンサ素子２０の回路定数（静電容量）が決定される構成になっている。
【００７２】
次に、コンデンサ素子２０の製造工程を説明する。
図８（ａ）に示すように、まず、基板２上に、一対の電極２３ａ，２３ｂを形成する。図８（ａ）において、二点鎖線で示された領域が誘電体膜形成領域（機能膜形成領域）Ｌ２となる。誘電体膜形成領域Ｌ２は、電極２３ａ，２３ｂ間の略中央に矩形の隙間（未塗布領域）を有して、一端をそれぞれ電極２３ａ、２３ｂに接触させてなる二つの矩形の領域となっている。次に、前記誘電体膜形成領域Ｌ２の、電極２３ａ，２３ｂの対峙方向と平行な方向の二辺縁部を囲むように、一対のバンクＢを形成する。なお、一対のバンクＢ及び一対の電極２３ａ，２３ｂは、基板２上に等ピッチ間隔に配列して複数形成されている。
【００７３】
次に、液滴吐出装置３０の一対のプローブ針３５ａ，３５ｂを、それぞれ対応する電極２３ａ，２３ｂにそれぞれ接触させてから、図８（ｂ）に示すように、誘電体膜形成領域Ｌ２である電極２３ａ，２３ｂ間の略中央に、シャッタ開口部Ｓ１の形状を矩形に制御したシャッタ機構４３により、所定のビームスポットに制御された矩形のビームスポットＢｓ４を、誘電体膜形成領域を二分割するように集光させる。このとき、誘電体膜形成領域Ｌ２を略中央で二分している矩形の隙間（未塗布領域）より大径のビームスポットＢｓ４が、該隙間の中心とビームスポットＢｓ４の中心とが一致するように照射される。そして、一対のプローブ針３５ａ，３５ｂに接続された回路定数計測装置３７にて静電容量値の計測を開始する。
【００７４】
次に、図８（ｃ）に示すように、基板２のバンクＢで囲まれた誘電体膜形成領域Ｌ２に、液滴吐出ヘッド３２のノズルから、一端が各電極２３ａ，２３ｂと接触するように、酸化アルミニウムなどの誘電体材料と紫外線硬化材料等を含有する誘電性流動体２４Ｌを微小液滴として所定量吐出させる。このとき、前記レーザ光から微小液滴が得た運動エネルギーによる作用と同様の作用により、ビームスポットＢｓ４の集光部分には微小液滴は着弾しない状態になり、着弾した誘電性流動体２４ＬがビームスポットＢｓ４に濡れ広がることもない。すなわち、誘電性流動体２４Ｌの塗布パターンは、ビームスポットＢｓ４によって二分割された状態になる。
【００７５】
次に、図８（ｄ）に示すように、前記の静電容量値計測結果を確認しながらビームスポットＢｓ４の大きさを変化させることにより、二分割されて塗布されている誘電性流動体２４Ｌの間隔を変化させて、所定の回路定数（静電容量値）に合わせ込むビームスポット制御を開始する。図８（ｄ）においては、ビームスポットＢｓ４の幅を狭める制御をすることにより、二分割された誘電性流動体２４Ｌ間の間隔を狭くて、静電容量値を上げる制御をしている。そして、静電容量値が所定の値になったときのビームスポットＢｓ３の状態で固定する。
【００７６】
続いて、図８（ｅ）に示すように、ビームスポットＢｓ３を集光させたまま、ＵＶ照射部３４から誘電体膜形成領域Ｌ２向けてＵＶ光を照射し、誘電体膜形成領域Ｌ２に塗布された誘電性流動体２４Ｌを固化させ、レーザ光およびＵＶ光の照射を中止する。これにより、略中央部に隙間Ｔ２を形成した誘電体膜２４が成膜されて、図８（ｆ）に示すコンデンサ素子２０を得る。その後、静電容量計測結果が所定の値になっているか否かを確認する。
【００７７】
この構成によれば、回路定数計測装置３７によって回路定数（静電容量値）を確認しながら、また、その計測結果に基づいて、ビームスポットＢｓ４の制御によって誘電性流動体塗布パターンの隙間Ｔ２（電極間距離）を精緻に変化させることによって、コンデンサ素子２０の静電容量（回路定数）を任意の値に調整することが可能なため、所定の静電容量を有するコンデンサ素子２０を製造することができる。また、本実施形態では、誘電体膜形成領域Ｌ２の縁部二辺を囲むように、バンクＢを形成した構成としているので、塗布された誘電性流動体２４Ｌの塗布パターンの端部の濡れ広がりが規制され、誘電性流動体２４Ｌの塗布パターンを、誘電体膜形成領域Ｌ２に位置精度よく形成することができる。従って、誘電性流動体２４Ｌの塗布パターンの面積を所定の大きさに形成することができるので、より精緻な回路定数（静電容量値）を有する回路素子（コンデンサ素子２０）を製造することが可能である。
【００７８】
（第３の実施形態）
上記第１の実施形態では、導電膜形成領域Ｌの略中央にビームスポットＢｓ１を照射して、回路素子の導電膜４に空隙Ｔ１を形成する方法を示したが、これに限定されない。導電膜形成領域の外周の少なくとも一部にもレーザ光を照射する構成としてもよい。
【００７９】
図９（ａ）〜（ｆ）は、導電膜形成領域Ｌ１の略中央部に円形の空隙Ｔ３を設けるようにビームスポットＢｓ２を照射させるとともに、導電膜形成領域Ｌ１の外周の一部にもビームスポットＢｓ５を照射して、流動体塗布パターンを形成する方法で製造される抵抗素子１０の形成工程を説明するための説明図である。なお、本実施形態の抵抗素子１０の製造工程の構成のうち、上述した第１の実施形態と同様の構成については同一符号を用いて説明し、同一の構成については説明を省略する。
【００８０】
図９（ａ）に示すように、基板２上に、所定の間隔を設けて形成された一対の電極１３ａ，１３ｂは、基板２上に等ピッチ間隔に配列して複数形成されている。次に、液滴吐出装置３０のプローブ針３５ａ，３５ｂを、それぞれ対応する電極１３ａ，１３ｂに接触させてから、図９（ｂ）に示すように、導電膜形成領域Ｌ１の略中央に、円形のビームスポットＢｓ２を集光させる。さらに、本実施形態で用いる液滴吐出装置３０の別のレーザ照射部４０から、導電膜形成領域Ｌ１の外周のうち、電極１３ａ，１３ｂの対面方向と平行な二辺のそれぞれに、外側から接するように細長い矩形のビームスポットＢｓ５を照射する。そして、一対のプローブ針３５ａ，３５ｂに接続された回路定数計測装置３７にて抵抗値の計測を開始する。
【００８１】
次に、図９（ｃ）に示すように、電極１３ａ，１３ｂとビームスポットＢｓ５に囲まれた導電膜形成領域Ｌ１に、液滴吐出ヘッド３２のノズルから、一端が各電極１３ａ，１３ｂと接触するように導電性流動体１４Ｌを微小液滴として所定量吐出させる。このとき、前記したレーザ光から与えられる微小液滴の運動エネルギーによる作用と同様の作用により、ビームスポットＢｓ２の集光部分には微小液滴は着弾しない状態になり、着弾した導電性流動体がビームスポットＢｓ２に濡れ広がることもない。さらに、同じ作用によって、微小液滴１４は、導電膜形成領域Ｌ１の外周のうち二辺に接するように照射されたビームスポットＢｓ５の内側には濡れ広がらない。
【００８２】
次に、図９（ｄ）に示すように、前記の静電容量値計測結果を確認しながらビームスポットＢｓ２の大きさを変化させて所定の回路定数（抵抗値）に合わせ込むビームスポット制御を開始し、抵抗値が所定の値になったときのビームスポットＢｓ１の状態で固定する。そして、図９（ｅ）に示すように、ビームスポットＢｓ１およびビームスポットＢｓ５を集光させたまま、ＵＶ照射部３４から導電膜形成領域Ｌ１にＵＶ光を照射して導電性流動体１４Ｌを硬化させると、略中央部に空隙Ｔ３を形成した導電膜１４として成膜（固化）され、図９（ｆ）に示す抵抗素子１０が形成される。
【００８３】
この構成によれば、導電性流動体１４Ｌの塗布パターンが、基板２の導電膜形成領域Ｌ１に導電性流動体１４Ｌの濡れ広がりを規制するためのバンクを設けなくても、ビームスポットＢｓ５によって導電膜形成領域Ｌ１の外周の二辺の塗布位置が規制される。しかも、塗布された導電性流動体１４ＬがビームスポットＢｓ５の内側に濡れ広がらないので、導電性流動体１４Ｌの塗布パターンを所定の大きさに形成することができる。従って、より精緻な回路定数（抵抗値）を有する回路素子（抵抗素子１０）を製造することが可能となる。
【００８４】
（第４の実施形態）
上記第１〜３の実施形態では、抵抗素子１及び１０やコンデンサ素子２０等の単一の回路素子の製造方法を示したが、これに限らず、基板上に、これらの回路素子を複数設けたり、各種回路素子が配設された回路基板を製造することも可能である。例えば、上記実施形態の製造方法により形成される回路素子を備えた、図１０に示す発振回路基板７０を製造することができる。図１０は、電子時計用として利用可能な発振回路基板７０の概略構成を示す正面図である。図１０において、発振回路基板７０は、絶縁性材料からなる基材７１上に、電子時計の駆動信号の基準発信源となる水晶振動子７２を備えている。水晶振動子７２には、複数のＣ−ＭＯＳインバータ７３，７４が直列に接続されて構成された増幅器７５が接続されており、水晶振動子７２が外部因子に起因して起こるインピーダンスの増加を補っている。また、水晶振動子７２と複数のＣ−ＭＯＳインバータ７３，７４のそれぞれの回路配線上には、上記第１の実施形態に記載した抵抗素子１の製造方法により形成された導電体膜８４と空隙Ｔ４による安定化抵抗素子８０と、導電体膜９４と空隙Ｔ５による帰還抵抗素子９０が配線接続されており、微小電流の精緻な制御に供している。さらに、第１０図に示す回路配線上には、上記第２の実施形態に記載したコンデンサ素子２０の製造方法により、誘電体膜１０４と隙間Ｔ６によるふたつの発振安定化容量素子（コンデンサ素子）１００が形成され、それぞれに接続された回路配線の一端が発振回路基板７０のグランドに接地されている。以上のように構成された発振回路基板７０は、そこに接続された図示しない分周回路を経て駆動回路に駆動信号を発信し、駆動回路からの出力によって電子時計の駆動手段（図示せず）を駆動させるのに供する。従って、精緻な回路定数を有する回路素子を備えた回路基板を提供できるとともに、省スペースにて回路基板を形成可能なことにより、図１１に示す電子時計２００等の小型で高機能な電子機器を提供することができる。
【００８５】
本発明は、前記各実施形態に限定されるものではなく、以下の変形例を実施することもできる。
【００８６】
〇前記各実施形態では、導電性流動体４Ｌ等の流動体にはＵＶ硬化樹脂を含み、液滴吐出ヘッド３２により塗布された導電性流動体４Ｌ等の流動体塗布パターンにＵＶ光を照射することによって硬化させて導電膜４等の機能膜を得たが、これに限定されない。流動体に比較的揮発性の高い溶媒を含み、その流動体塗布パターンに所定の波長のレーザ光を照射することによって発生する熱により、溶媒を除去して導電膜４等の機能膜を得る構成としてもよい。また、溶媒を除去するために、ホットプレートもしくは温風発生装置による温風等の別の熱源によって加熱して乾燥させる構成としてもよい。
【００８７】
また、流動体に熱硬化樹脂を含み、液滴吐出装置３０に新たに備えたホットプレートもしくは温風発生装置による温風等の熱源によって、流動体塗布パターンを加熱して、溶媒を除去するか、または熱硬化材を固化させて機能膜を得る構成としてもよい。この構成によれば、ＵＶ光照射やレーザ光照射による硬化手段に較べて安価な設備にて回路素子を製造することができる。
【００８８】
〇前記各実施形態では、回路定数計測装置３７による回路定数計測結果に基づいてビームスポットの大きさを制御し、製造される抵抗素子１等の回路素子の回路定数を調整する方法としたが、これに限定されない。流動体の塗布面積に対する空隙Ｔ１，Ｔ３や隙間Ｔ２等の面積と回路定数値との関係が明確であるか、または製造する回路素子の回路定数の許容範囲の大きさ（要求精度）によっては、回路定数計測装置３７を用いることなく、流動体の塗布プログラム（描画データＩａ）によりあらかじめ設定された塗布量、及びビームスポットの大きさにより、回路素子を製造する構成としてもよい。この構成によれば、装置コストを抑えることができ、簡便な工程にて任意の回路定数を有する回路素子を製造することができる。
【００８９】
〇前記第２の実施形態では、誘電体膜形成領域Ｌ２（機能膜形成領域）の縁部二辺を囲むようにバンクＢを形成して、誘電性流動体２４Ｌの塗布パターンを形成する構成としたが、これに限定されない。機能膜形成領域に塗布する流動体の濡れ広がりを防止したい箇所に撥水処理を施す構成としてもよい。これによれば、バンクＢを形成せずに流動体の塗布パターンの形状を所定の大きさに形成することが可能となり、低コストにてコンデンサ２０等の回路素子を形成することができる。
【００９０】
〇前記第１及び第３の実施形態では、ビームスポットＢｓ２の大きさを制御することにより、導電膜４に形成される空隙Ｔ１の大きさを変えて抵抗値（回路定数）を所定の許容値に調整する構成としたが、ビームスポットＢｓ２の一部を導電体膜形成領域Ｌの外側に位置するように照射し、ビームスポットＢｓ２の照射位置を制御して抵抗値を変化させる構成としてもよい。この構成によれば、ビームスポットＢｓ２の大きさを制御する必要がなく、液滴吐出装置３０の制御シーケンスを簡略化して回路素子を製造することができる。また、ビームスポットＢｓ２の制御は、ビームスポットＢｓ２の大きさ及び位置の両方を制御して回路定数を調整する構成としてもよい。さらに、ビームスポットＢｓ２の一部を導電体膜形成領域Ｌ，Ｌ１の外側に位置するように照射し、ビームスポットＢｓ２の大きさのみを制御して回路定数を変化させる構成としてもよい。
【００９１】
〇前記各実施形態では、導電性流動体４Ｌを塗布する前に照射するビームスポットＢｓ２はやや大きめとして、導電性流動体４Ｌを塗布した後にビームスポットＢｓ２の大きさを小さくしていくことで抵抗値（回路定数）を所定値に合わせ込む構成としたが、ビームスポットＢｓ２の大きさを大きくしていくことで抵抗値の調整をする構成としてもよい。なお、このとき、基板２の表面（回路素子形成面２ａ）が導電性流動体４Ｌに対して一定の撥液性を有していれば、ビームスポットＢｓ２を広げていったときに空隙Ｔ１に導電性流動体４Ｌの液残りが発生しにくくなる。この構成によれば、例えば導電性流動体４Ｌを塗布した後の抵抗値が、所定値に対してどのような値を示した場合でも、所定の回路定数を有する回路素子を製造することが可能となる。なお、ビームスポットＢｓ２の大きさを広げるだけの場合は、最初に照射する小さめのビームスポットＢｓ２のときの照射領域は、導電膜形成領域Ｌの外側となる。
【００９２】
〇前記各実施形態では、導電性流動体４Ｌ等の流動体を塗布する前にレーザ光を照射する構成としたが、流動体吐出後にレーザ光を照射する構成としてもよい。なお、このとき上記変形例と同様の作用効果を得るために、基板２の表面（回路素子形成面２ａ）が導電性流動体４Ｌに対して一定の撥液性を有していることが好ましい。この構成によれば、回路素子の形成シーケンス単位でのサイクルタイムを短縮することができるので、比較的短時間で回路素子を製造することが可能となる。
【００９３】
〇前記各実施形態では、抵抗素子１，１０や、コンデンサ素子２０の製造方法を示したが、回路定数を決定する機能膜材料を、液滴吐出法によって吐出可能な流動体に調整できるものであれば、任意の回路定数を有する各種の回路素子を製造することが可能である。例えば、レーザ光のビームスポットを照射させながら、金属粉を分散させた流動体を吐出して折れ線形状の機能膜を形成することにより、回路定数としてのインダクタンスを精緻に有するミアンダ型のコイル素子を製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】第１または第３の実施形態の回路素子製造方法を用いて製造された回路素子としての抵抗素子を示す正面図。
【図２】本発明の回路素子製造方法に用いる液滴吐出装置の概略構成を説明する斜視図。
【図３】同じく液滴吐出装置のビームスポット調整装置の機構を概念的に説明するためのレーザ照射部の内部説明図。
【図４】同じく液滴吐出装置の電気的構成を示す回路ブロック図。
【図５】第１の実施形態の抵抗素子の形成過程を説明するための説明図。
【図６】本発明の回路素子の製造工程のフローチャート図。
【図７】第２実施形態の回路素子製造方法により製造された回路素子としてのコンデンサ素子を示す正面図。
【図８】同じくコンデンサ素子の形成過程を説明するための説明図。
【図９】第３の実施形態の回路素子製造方法により製造された回路素子としての抵抗素子の形成過程を説明するための説明図。
【図１０】本発明によって製造可能な回路基板を概念的に説明する説明図。
【図１１】同じく回路素子または回路基板を備えた電子機器としての電子時計。
【符号の説明】
【００９５】
１…回路素子としての抵抗素子、２…基板、３ａ，３ｂ，１３ａ，１３ｂ，２３ａ，２３ｂ…電極、４Ｌ…導電性材料を含む流動体としての導電性流動体、４…機能膜としての導電膜、１０…回路素子としての抵抗素子、２０…回路素子としてのコンデンサ素子、３０…液滴吐出装置、３２…液滴吐出ヘッド、３４…固化手段としてのＵＶ照射部、３７…回路定数計測手段としての回路定数測定装置、４０…レーザ照射部、４２…ビームスポット制御手段としてのレンズ位置調整装置、４３…ビームスポット制御手段としてのシャッタ機構、４９…レーザ照射位置制御手段、５０…各部の制御に供する制御装置、７０…回路基板としての発振回路基板、８０…回路素子としての帰還抵抗素子、９０…回路素子としての安定化抵抗素子、１０１…回路素子としての発振安定化容量素子、２００…電子機器としての電子時計、Ｌ…機能膜形成領域としての導電膜形成領域、Ｔ１，Ｔ３…レーザ光が照射されている領域に形成される空隙、Ｔ２…レーザ光が照射されている領域に形成される隙間、Ｓ４…塗布形状整形ステップでのレーザ照射開始ステップ、Ｓ５…回路定数を計測する回路定数計測開始ステップ、Ｓ６…塗布ステップとしての流動体を所定量吐出させるステップ、Ｓ７…回路定数の計測値に基づくビームスポット制御ステップ、Ｓ１０…固化ステップとしてのＵＶ照射ステップ、Ｂｓ１，Ｂｓ３…機能膜形成領域の一部の範囲に照射されるビームスポット、Ｂｓ２…流動体の塗布形状を整形するためのビームスポット、Ｂｓ４…機能膜形成領域の外周の少なくとも一部に照射されたビームスポット、ＬＤ…レーザ光源としての半導体レーザアレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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