(57)【要約】【課題】バス電極の電界強度を高めると共に、誘電体層の絶縁破壊を防止でき、効率かつ簡単に低コストで製造することのできるプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供する。【解決手段】空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において前記空間側主面に延伸して配設された表示電極対と、前記表示電極対を覆って形成された誘電体層とからなるプラズマディスプレイパネルであって、前記表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、前記帯状電極に沿って前記表示側基板上に凹部が形成されてなり、前記帯状電極は前記基板の凹部に金属材料が充填されてかつ、前記帯状電極の前記空間側に凸状に金属材料が形成されてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において前記空間側主面に延伸して配設された表示電極対と、前記表示電極対を覆って形成された誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、
前記帯状電極は，前記一方の基板上に形成された凹部に配設されてなり，
前記帯状電極の一部は前記一方の基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層は、略均一な厚みで前記表示電極対を覆う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記帯状電極の，前記基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる凸部の幅は、前記基板の凹部の幅より幅広に形成されてなる請求項１及び２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記帯状電極の凸部は、円弧状の断面形状を有する請求項１から３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記帯状電極の凸部は、前記基板の表面との接触角が８０度以下である請求項１から４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記帯状電極の凹部は、円弧状の断面形状を有する請求項１及び請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記帯状電極は、前記凹部の曲率半径Ｒ１、前記凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状を有する請求項１から６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記帯状電極は、６０μｍ以下の幅を有する請求項１から請求項７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記表示電極対は、３０μｍ以上１５０μｍ以下の電極間距離を有する請求項１から請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記帯状電極は金属を主成分として含む請求項１から９の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
基板上に凹部を形成するステップと、前記基板の凹部に金属材料を充填して、凸形状を有する帯状電極対を延伸形成するステップと、前記帯状電極を覆う誘電体層を形成するステップを含み、
前記帯状電極対を延伸形成するステップは、金属材料を主成分とする導電ペースト材を前記基板の凹部に略円弧状に塗布した後、乾燥工程を行うステップを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記帯状電極を延伸形成するステップは、前記凹部に前記導電ペーストを充填するサブプロセスと、略円弧状に形成するサブプロセスを含む請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記帯状電極を形成するステップは、ディスペンサ法により導電ペーストを塗布する請求項１１又は１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関するものであり、特に表示電極およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型表示装置の一つとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と記す。）があり、特に大型化、寿命特性の面から面放電型ＰＤＰが脚光を浴びている。一般的な前面基板の断面図を図６に示すと、面放電型ＰＤＰは、一般に、前面基板と背面基板とで放電空間を挟んでなる構造となっている。前面基板には、ガラス基板６１上に透明電極とバス電極とからなる表示電極対６２と、誘電体層６３と、保護層６４とが順次形成されており、背面基板には、ガラス基板６６上にデータ６９と、誘電体層６７とがこの順で形成され、この誘電体層の上に蛍光体層６８Ｒ、６８Ｇ、６８Ｂと隔壁６７が形成されている。
【０００３】
このようなＰＤＰの消費電力を低減し、面放電時の放電効率を高めるには、前面基板を構成する誘電体層の表面の電界強度を高めれば良いことが知られており、その手段として誘電体層の厚みを薄くすれば良いことも理解されている。
【０００４】
一方、高精細化を実現するためには、表示電極対の幅を狭くし開口率を上げると共に、表示電極の低抵抗を維持することが重要である。
【０００５】
これらの問題を解決するために表示側のガラス基板６１の表面に対して透明電極６２ａと、その透明電極６２ａ上にその導電性を補う（低抵抗化）のための細幅の金属バス電極６２ｂとして電気的特性とガラス基板及び誘電体層などとの密着にすぐれたクロム（Ｃｒ）−銅（Ｃｕ）−クロム（Ｃｒ）の三層構造の金属膜、または銀（Ａｇ）等の金属膜をスパッタリング工程、または真空蒸着工程とフォトリソグラフィ工程等により重ねて形成されている。
【０００６】
しかしながら、厚い金属バス電極のエッジ部で薄い誘電体や保護膜の被覆性が悪くなり絶縁破壊が多数する。
【０００７】
そこで、図７に示す構造が提案されている。絶縁破壊を防止しつつ誘電体層表面７４の電界強度を高めるため、前記ガラス基板７１の内面にフォトエッチング工程により前記各放電電極対の幅が狭い金属バス電極７３のパターンと厚さに相当する凹部７２を形成し、その凹部７２にＡｇ等の金属ペーストを用いたスクリーン印刷法やレジストマスク等を用いたスパッタ法とリフトオフ法等によって溝を設けＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層構造の金属材料を埋め込んで金属バス電極を形成した方法がある。特に、ガラス面を飛び出さない高さにバス電極形成して平坦化することで誘電体の被覆性を向上させる発明がなされている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１４３６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような構造においても、溝部上に形成した透明性電極（ＩＴＯ）やＣｒ等の金属電極が溝のエッジ部で断線が発生し、放電効率が低下して発光が弱まり輝度が激減した。また、溝部上に形成した誘電体層及びＭｇＯにおいても被覆性が悪くなるため絶縁耐性が弱くなる。
【０００９】
透明性電極形成しない構造において、ガラス基板に設けられた凹部幅はバス電極の幅に相当するため、幅が狭くならばなるほどバス電極の表面積が狭くなるため電界強度が弱くなり蛍光体の発光が低下して輝度が激減する。
【００１０】
また、バス電極の低抵抗を維持して溝幅を狭くするため凹部をより深く形成しなければならない。このような深い溝形成はサンドブラスト法やフォトリソ法の手法では限界があり、歩留まりが悪くなる。
【００１１】
また、凹部の幅方向の断面形状において、凹部底部が平坦な形状であると、金属ペースト（金属等を含んだ電極材料）をスクリーン印刷、ティスペンサー等で溝に充填し、ペースト内の溶剤を除去する加熱工程後、バス電極表面形状が凹んでしまう。このため、バス電極の断面積が減り、抵抗が高くなるともに、バス電極の表面積が減るため、電界強度が弱くなる。
【００１２】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても高輝度でかつ歩留まりが向上し簡易に低コストで製造することのできるＰＤＰとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明では、空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において空間側主面に延伸して配設された表示電極対と、表示電極対を覆って形成された誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルであって、表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、帯状電極は，前記一方の基板上に形成された凹部に配設されてなり，帯状電極の一部は前記一方の基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる構成とした。
【００１４】
誘電体層は、略均一な厚みで前記表示電極を覆う構成とした。
【００１５】
帯状電極の凸部の幅は、基板の凹部の幅より幅広に形成されてなる構成とした。
【００１６】
前記帯状電極の凸部は、円弧状の断面形状を有することとした。
【００１７】
前記帯状電極の，前記基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる凸部は、前記基板の表面との接触角が８０度以下であることした。
【００１８】
前記帯状電極の凹部は、円弧状の断面形状を有することとした。
【００１９】
前記帯状電極は、前記凹部の曲率半径Ｒ１、前記凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状を有することとした。
【００２０】
前記帯状電極は、６０μｍ以下の幅を有することとした。
【００２１】
前記表示電極対は、３０μｍ以上１５０μｍ以下の電極間距離を有することとした。
【００２２】
前記帯状電極は金属を主成分として含む構成とした。
【００２３】
また、本願のプラズマディスプレイの製造方法は、基板上に凹部を形成するステップと、前記基板の凹部に金属材料を充填して、凸形状を有する帯状電極対を延伸形成するステップと、前記帯状電極を覆う誘電体層を形成するステップを含み、前記帯状電極対を延伸形成するステップは、金属材料を主成分とする導電ペースト材を前記基板の凹部に略円弧状に塗布した後、乾燥工程を行うステップを含むこととした。
【００２４】
前記帯状電極を延伸形成するステップは、前記凹部に前記導電ペーストを充填するサブプロセスと、略円弧状に形成するサブプロセスを含むことした。
【００２５】
前記帯状電極を形成するステップは、ディスペンサ法により導電ペーストを塗布することとした。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は上記した構成により，放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても，放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても高輝度で，絶縁耐性の低下を防止する。簡易に低コストで歩留まり良く製造することのできる製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２９】
＜ＰＤＰの構成＞以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
＜ＰＤＰの構成＞
図１は、本実施の形態における前面板のＰＤＰの概略構成図である。また、図２は本実施例の前面板を用いて作製したＰＤＰの断面図である。本実施例では図１のように、表示面側のガラス基板１、１１にフォトエッチング工程等によって凹部２、１２がある。この電極凹部２，１２の表面に、ストライプ状の一対のスキャン電極７、１７とサステイン電極６、１６（一対でバス電極３、１３）が埋め込まれ、スキャン電極７、１７とサステイン電極６、１６は，放電空間側９、１９に凸状にガラス基板１から一部が突出して金属材料が形成されてなり、ガラス基板１、１１の凹部２、１２にＡｇ等の金属材料、粘着剤、有機溶剤等を含んだペーストをスクリーン印刷、ディスペンサ等の塗布方法を用いて形成できる。例えば、バス電極３、１３の各々の幅４０μｍ、凹部２、１２の深さ４０μｍ、バス電極３、１３の頂部から底部までの厚さ６０μｍ、バス電極３、１３間の距離８０μｍに設定すればよい。
【００３１】
誘電体層４、１４は、例えば、プラズマＣＶＤで形成した比誘電率を３．５〜４．５程度であるシリコン酸化膜を用いると、薄くかつ厚みを均一に形成される。誘電体層５、１５は、対を成す表示電極間の静電容量や絶縁耐圧を考慮して、その厚みを、３〜２０μｍとするのが望ましい。上記のとおり、誘電体層４、１４がバス電極３、１３を被膜するように、かつ薄く形成されているので、誘電体層４、１４は、バス電極３、１３からなる表示電極対の表面の起伏に沿った形状、つまり略同形状となる。
【００３２】
図９（ａ）は、ガラス基板表面とバス電極の凸部との接触角θを示す図である。バス電極３、１３は、接触角θが大きすぎると、基板との接触部で誘電体層が均一に形成できないため絶縁破壊が発生するため、接触角θは８０゜以下に設定することが好ましい。
【００３３】
＜＜本実施例におけるＰＤＰの効果＞＞
上記のように構成された前面基板を採用したＰＤＰにおいては、バス電極が放電空間側に凸状で金属材料が形成されているため、バス電極が平坦に形成されている構成よりも、電極表面積が広くなり電界強度が高くなるため、発光効率が向上する。また、凹部に電極材料が充填されているため、バス電極の断面積がより大きくなるため、低抵抗を維持して幅狭の電極を形成することができる。図９（ｂ）に示すように、バス電極の設計はバス電極の幅ｗ１は６０μｍ以下で、表示電極対の電極間距離ｗ２は３０μｍ以上１５０μｍ以下であれば、幅狭で低抵抗のバス電極が得られる。
【００３４】
バス電極の凸部が円弧状で形成されていることによって、誘電体層の厚みが薄い膜で形成された場合であっても、誘電体層が均一な膜厚で形成できるため、絶縁耐圧が保たれ、歩留まりが向上した。特に、バス電極の凹部の曲率半径Ｒ１、凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状に設定することで、バス電極の表面形状が滑らかになり、絶縁耐圧性は更に上がる。
【００３５】
また、基板凹部の形状が該円弧状であるため、金属ペーストを塗布した後の乾燥工程後も、バス電極の表面形状が凸形状を有するため、バス電極表面積を広く電界強度が高くなる。
【００３６】
かかる構成によって、高コストな透明性電極を形成する必要がないため、工程数が減ると同時に安価に形成できる。
【００３７】
次に、実施例１における製造方法について述べる。
【００３８】
＜製造方法＞
図３は、本発明の工程を示す図である。図３（ｂ）はガラス基板、図３（ｂ）は溝を形成すること工程、（ｃ）は溝に金属ペーストを形成する工程、（ｄ）は誘電体を形成する工程、（ｅ）はＭｇＯ保護膜を形成する工程である。
【００３９】
（１）溝形成方法
図３（ｂ）で示すように、凹部３２の形成には、例えばサンドブラスト法においては、前面板３６となるガラス基板３１を洗浄したのち、感光性被覆層を厚さ４０μｍのネガドライフィルムレジストをラミネートして形成する。このドライフィルムにフォトマスクを用いて開口幅４０μｍのパターンを形成する。次に、基板上面からサンドブラス法によって基板に例えば、５μｍ径の金属のビーズを噴射して当てる。ドライフィルムレジストの開口部にビーズが当たりガラス基板に溝が形成されたのち、ドライフィルムレジストを取り除く。例えば、Ａｇ等の金属材料を埋め込む場合溝深さは、２０〜６０ｍがよい。また、凹部１の形成には、フォトリソグラフィーを用いてガラスに溝幅のフォトレジストパターンを形成して、例えばフッ酸溶液に浸してエッチングしても、同様に得られる。
【００４０】
ガラス基板の凹部２を円弧状に形成するためには、サンドブラスト法の場合、ビーズの径を１０μｍ程度大きくするか、またはビーズの噴射圧力を上げることで凹部底の周辺が残るように削れるため実現可能である。フォトリソグラフィーの場合、フッ酸濃度を高く設定し腐食速度を上げると凹部２の中央部から腐食が進み周辺の腐食が遅いため、凹部２中央は深く、凹部２周辺が浅い傾斜を持った形状が得られる。例えば、フッ酸溶液は弗化水素酸を水で希釈２％〜３％でよい。
【００４１】
（２）バス電極形成方法
図３（ｂ）のバス電極形成方法について図４を用いて説明する。図４（ａ）のように溝４２完成後、バス電極４３を、ストライプ状にかつ断面において該円弧状をなすように形成する。図４（ｂ）に示すように、例えば、ディスペンサ４５を用いて導電性ペースト４４として銀ペーストを透明電極の上に細幅で塗布すると、凹部４２を充填しかつ塗布された銀ペーストは断面が該円弧状になる。断面が該円弧状となるのは、銀ペーストに表面張力があるためである。適切な表面張力を利用するためには、ペースト粘度、溶媒等の成分比率を変えることで、ある程度、自由に設定することができる。図４（ｃ）に示すように、塗布された銀ペーストを加熱・乾燥することによって収縮するが、バス電極の凸部が円弧状で形成できる。
【００４２】
本実施の形態において用いるディスペンサは、一般的によく知られており、例えば特許２６７１３６１号公報に記載されたものを使用した。テーブル上に凹部２が形成されたガラス基板１を載置し、テーブルを移動させ、銀ペーストを塗布する始端位置の上方にディスペンサ先端を対向配置する。
【００４３】
そして、位置センサによりガラス基板１の表面とディスペンサ先端との相対位置を検出しながらディスペンサ先端を下降せしめて、ディスペンサ先端とガラス基板１の表面との間に所定のギャップが設けられるようにディスペンサ先端の高さ方向の位置決めを行う。このギャップは、ディスペンサ先端とテーブルとの相対移動速度、銀ペーストの粘度、形成すべき描画パターンの断面寸法等によって適宜設定されるが、通常は数１０μｍ程度である。ガラス基板１から溝部  にかけてディスペンサ先端から銀粒子を主成分とする銀ペーストを吐出させながら、ディスペンサ先端を所定の移動速度にて形成すべき描画パターンに沿って相対移動させると、所定の描画パターンで銀ペーストを塗布することができる。その際にディスペンサ先端とガラス基板１１１の表面との間のギャップが多少変化しても、銀ペーストの吐出量は一定であるため、高精度の描画パターンを形成できる。
【００４４】
なお、ディスペンサにて銀ペーストを塗布する場合、銀ペーストの粘度は１０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。銀ペーストの粘度範囲を上記のように規定したのは、銀ペーストとして１０Ｐａ・ｓ以上の比較的粘度の高いものを用いると、基板表面の材質が異なっても、形成されたバス電極のテーパー角が大きく変化することはないが、粘度が１０Ｐａ・ｓ未満である場合、焼成後の厚みが十分でなく、配線抵抗が高くなるという不都合が生じるため好ましくない。また、粘度が１０００Ｐａ・ｓより大きい場合は、ディスペンサのノズルが詰まるという不具合が生じるため好ましくない。
【００４５】
（３）誘電体層の形成方法
図３（ｃ）に示すように、バス電極３３を硬化した後、ガラス基板３１及びバス電極３３を覆うように誘電体層３４を形成する。例えば、比誘電率が３．５〜４．５程度のシリコン酸化膜を３〜２０μｍの範囲形成すればよい。例えば、被覆性の高いプラズマＣＶＤ装置を用いて形成する。これによって、バス電極に沿って誘電体層を形成することができる。プラズマＣＶＤ装置は一般的なものを用いるので、その構成についての説明を省略する。以下、プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜を誘電体層として形成する工程について説明する。真空容器内に設けられた下部電極上にＰＤＰ材料として用いるガラス基板を載置し、ガス供給装置から上部電極下部に設けられたシャワーヘッドを通じて例えばＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｏ2ガスを原料ガスとして供給しつつ、ポンプで真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に保ちながら、上部電極に上部電極用高周波電源より例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、下部電極に下部電極用高周波電源より例えば１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、原料ガスをプラズマ化させて、その反応性を高め、ガラス基板３１上にシリコン酸化膜を誘電体層として形成する。
【００４６】
プラズマＣＶＤ法によれば、表示電極の表面形状に沿って、均一的な厚みでシリコン酸化膜が形成される。当該シリコン酸化膜の表面形状は、表示電極の表面形状と略同形状となるので、本願発明には好適である。
【００４７】
（４）保護層の形成工程
図３（ｄ）に示すように、誘電体層３４を形成した後、酸化マグネシウム薄膜を保護層３５として、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などを用いて誘電体層３４の上に形成すると、上記誘電体層３５の表面に沿って均一な厚みの保護層３５が形成される。保護層３５の厚みは、パネル動作中に保護層３５が受けるダメージとパネルの寿命、形成時間（コスト）などを考慮して決定されるが、概ね０．３〜２μｍの範囲である。また、段差の寸法は概ね４．９μｍである。
【００４８】
（５）封着工程（図２を参照）
上記のように前面基板２１を形成した後、この前面基板２６と、別に形成した背面基板とを放電空間を挟んで対向させたうえで貼り合わせ、真空排気した後に、この放電空間に放電ガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）を封じ込めてＰＤＰを作製する。背面基板には、ストライプ状の隔壁構造を有するものを用いてもよいが、井桁状の隔壁構造を有するものを用いてもよい。井桁状の隔壁構造を有する背面基板を用いる場合、縦隔壁と横隔壁との高さが等しい井桁隔壁構造のものを用いても、前面基板側に段差が生じた状態となっているため、前面基板と当該隔壁頂部との間に必ず隙間が生じた状態となり、上記真空排気工程を良好に行うことができる。
【００４９】
＜＜本実施例におけるＰＤＰの製造方法の効果＞＞
上記のように形成した前面基板を採用したＰＤＰにおいては、ディスペンサ方式でペーストを塗布するため、ペーストの表面張力によってバス電極に円弧状に形成できる持たせることができ、溝に隙間なく十分な高さをもって電極材料を充填できる。また、凹部の底辺が丸みを帯びているため、ペーストを凹部に充填した後乾燥・加熱しても、バス電極表面の中央部が沈むことがなく丸みを帯びた形状で保たれる。
【００５０】
以上のような製造方法によって、バス電極の基板の凹部に金属材料が充填されてかつ放電空間側に凸状に金属材料が形成できるので、バス電極表面積が広くなり放電空間での電界強度が高くなりより輝度が高くなる。また、誘電体層が均一に形成できるため絶縁耐圧が向上し歩留まりが高いＰＤＰが得られる。
【００５１】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について、図５を参照して説明する。バス電極製造工程以外は、実施の形態１と同様のため省略する。
【００５２】
図５（ａ）は、実施の形態１と同様の方法で、底部が丸みを帯びた凹部５２をガラス基板５１に設ける。図５（ｂ）に示すように、導電ペーストを凹部からあふれ出さない程度に塗布する。この時のディスペンサ法やスクリーン印刷法を用いればよい。図５（ｃ）のように、更にディスペンサ法を用いて導電ペーストを基板の凹部より幅広に塗布する。その後乾燥及び加熱することにより図５（ｄ）のように、バス電極の表面形状が円弧状で形成できる。
【００５３】
導電ペーストは塗布後、乾燥・加熱工程を経ることによって中央部が沈みやすく、塗布後が変形してしまう。実施の形態２の製造方法によれば、ぺースト塗布工程が基板の凹部５１を充填する工程と、更に充填された電極材料の上にペーストを円弧状に塗布する２段階のステップとすることで、導電ペーストの塗布を一回で塗布するよりバス電極表面の頂部を高く設定できる。このため、バス電極の表面形状が広くなり放電強度が高く、誘電体層の絶縁破壊を防止できるため良好な放電特性が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本願発明は、優れた特性を有するＰＤＰとその製造方法であり、テレビやコンピュータ等の画像表示に用いられるディスプレイ及びその製造方法に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施の形態１におけるＰＤＰの前面板の概略断面図
【図２】実施の形態１におけるＰＤＰの概略断面図
【図３】実施の形態１における前面板の製造方法の概略断面図
【図４】実施の形態１におけるバス電極の製造方法の概略断面図
【図５】実施の形態２におけるバス電極の製造方法の概略断面図
【図６】従来のＰＤＰを示す概略断面図
【図７】従来のＰＤＰの前面基板を示す概略断面図
【図８】従来のＰＤＰの前面基板の溝構造を示す概略断面図
【図９】バス電極の接触及びディメンジョンを説明する図
【符号の説明】
【００５６】
１，１１，３１，４１，５１，６１，７１，８１    ガラス基板
２，１２，３２，４２，５２，７２，８２    凹部
３，１３，３３，４３，５３，６２，７３，８３    バス電極
４，１４，３４，６３，８４    誘電体層
５，１５，３５，６４    保護層
６，１６，３６    スキャン電極
７，１７，３７    サステイン電極
８，１８    前面板
９，１９    放電空間
１０，２０    表示側
２１，６６    ガラス基板（背面板）
２２，６９    データ電極
２３，６７    隔壁
２４，６８    蛍光体
２５    背面板
６３，７４    透明導電性電極
４４    導電性ペースト
４５    ディスペンサーの先
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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