(57)【要約】【課題】ディスクリネーションの発生が少なく、表示が明るい上、垂直配向に基づく高コントラストの液晶装置を安価に提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、一対の基板１０，２０間に、誘電異方性が負の液晶からなる液晶層５０が挟持されてなり、前記基板１０には、マトリクス状に配列され且つ各々が矩形状を有する複数の画素電極９と、該画素電極９上に配設された垂直配向膜４０とが形成されてなる一方、前記基板２０には、対向電極２１と、該対向電極２１上に配設された垂直配向膜６０とが形成されてなり、前記画素電極９の１辺部上の液晶層５０に印加される電圧値が、他の３辺部上の液晶層５０に印加される電圧値よりも相対的に大きくなるように調整する電圧値調整手段４３が具備されてなることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に、誘電異方性が負の液晶からなる液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、マトリクス状に配列され且つ各々が矩形状を有する複数の画素電極と、該画素電極上に配設された垂直配向膜とが形成されてなる一方、
前記一対の基板のうちの他方の基板には、対向電極と、該対向電極上に配設された垂直配向膜とが形成されてなり、
前記矩形状の画素電極の１辺部上の液晶層に印加される電圧値が、他の３辺部上の液晶層に印加される電圧値よりも相対的に大きくなるように調整する電圧値調整手段が具備されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記電圧値調整手段は、前記矩形状の画素電極の３辺に沿って、当該画素電極の縁部を覆う形で形成された誘電体膜により構成されてなり、
前記垂直配向膜が、前記画素電極及び前記誘電体膜を覆う形で形成されるとともに、
前記誘電体膜が、前記垂直配向膜よりも誘電率の高い材料から構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記垂直配向膜にはラビング処理が施されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクタがある。プロジェクタにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラスト表示が可能で、近年、プロジェクタ用の光変調装置として採用されつつある。
【０００３】
しかし、垂直配向方式では液晶分子が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。そのため、電圧を印加すると、電極端から発生する横電界によって様々な方向に液晶分子が倒れ、クロスニコル下でいずれかの偏光板の透過軸に平行な液晶分子は位相差を生じないため、方位によっては表示に寄与しないことがあり、透過率が水平配向のそれより低くなってしまう問題があった。
【０００４】
そこで、配向方向を一方向に揃えることを目的として、配向膜にプレチルト角を付与する手法が、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１６３９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されたような技術によると、プレチルト角を大きくすると電圧無印加状態で液晶分子に位相差が発生し、黒表示でも光漏れが生じてコントラストが低くなる場合がある。そこで、本発明は、画素領域において垂直配向部分のチルトを形成しなくても、電圧印加時に電極端から発生する横電界の影響を排除して液晶分子の倒れる方向を均一にし、ディスクリネーションの発生が少なく、表示が明るい上、垂直配向に基づく高コントラストの液晶装置を安価に提供することを目的としている。また、本発明は、そのような液晶装置を備えた電子機器、例えば投射型表示装置等について提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に、誘電異方性が負の液晶からなる液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板には、マトリクス状に配列され且つ各々が矩形状を有する複数の画素電極と、該画素電極上に配設された垂直配向膜とが形成されてなる一方、前記一対の基板のうちの他方の基板には、対向電極と、該対向電極上に配設された垂直配向膜とが形成されてなり、前記矩形状の画素電極の１辺部上の液晶層に印加される電圧値が、他の３辺部上の液晶層に印加される電圧値よりも相対的に大きくなるように調整する電圧値調整手段が具備されてなることを特徴とする。
【０００７】
上記本発明の液晶装置は、アクティブマトリクスタイプで垂直配向方式の液晶装置であるが、上記のように電圧値調整手段を具備させて、矩形状の画素電極の４辺部のうち１辺部において、他の３辺部よりも液晶層に印加される電圧値が相対的に大きくなるように調整しているため、当該電圧値が相対的に大きくなる１辺部において液晶分子の電界印加に伴う傾倒が優先的に生じ、画素内では当該１辺部における液晶分子の傾倒に倣って液晶分子が同方向に傾倒することとなる。その結果、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を一方向に揃えることが可能となり、ディスクリネーションの発生を防止ないし抑制することが可能となる。また、このような構成によると、垂直配向膜に対してプレチルトを付与しなくても液晶分子の傾倒方向を規制することが可能となるため、チルトに起因した漏光の発生を防止ないし抑制することもできる。したがって、本実施形態によれば高コントラストで且つ明るく均一な表示品質を有する液晶装置を提供することが可能となる。
【０００８】
本発明の液晶装置において、前記電圧値調整手段は、前記矩形状の画素電極の３辺に沿って、当該画素電極の縁部を覆う形で形成された誘電体膜により構成されてなり、前記垂直配向膜が、前記画素電極及び前記誘電体膜を覆う形で形成されるとともに、前記誘電体膜が、前記垂直配向膜よりも誘電率の高い材料から構成されてなるものとすることができる。
【０００９】
このような誘電体膜を形成することで、矩形状の画素電極の１辺部上の液晶層に印加される電圧値と、他の３辺部上の液晶層に印加される電圧値との相対的な比較において、１辺部上の液晶層に印加される電圧値を確実に大きくすることが可能となる。しかも、このように画素電極の３辺に沿って当該画素電極の縁部を覆う形の誘電体膜の形成は、従来のフォトリソグラフィ法等により簡便に配設することが可能なため、コスト増大にも繋がらない。
【００１０】
画素電極及び誘電体膜上に形成する垂直配向膜は、これらを平坦に覆うものとすることができる。つまり、上記誘電体膜を形成した３辺部上と、該誘電体膜を形成していない１辺部上とにおいて、垂直配向膜が段差を形成することなく平坦面となるように当該垂直配向膜を形成することができる。このようにすれば、液晶層の挟持面が平坦となるため、光漏れの発生等が防止ないし抑制され、コントラスト向上に寄与することが可能となる。なお、平坦化のためには配向膜を構成する有機材料をスピンコート法等の液相法により成膜する手法を採用することができる。
【００１１】
本発明では、前記垂直配向膜にはラビング処理が施されていないものとすることができる。ラビング処理を施さないことで、電圧無印加状態（初期配向状態）でプレチルト角が０°の垂直配向を好適に実現することが可能となり、コントラスト向上を図ることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置は、例えば液晶テレビや携帯電話等の電子機器の表示画面、パソコンのモニタ、液晶プロジェクタ（投射型表示装置）の光変調装置として用いることができる。このような用途に用いることで表示特性に優れた電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１４】
［液晶装置］
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。
【００１５】
図１は本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図３は本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図２のＡ−Ａ’線断面図である。また、図４は本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。なお、図３及び図４においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。
【００１６】
本実施形態の透過型液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００１７】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１８】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００１９】
次に、図２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００２０】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２１】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２２】
次に、図３及び図４に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。なお、図４ではスイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。
図３及び図４に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）１０と、これに対向配置される対向基板（液晶装置用基板）２０との間に液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなるもので、当該透過型液晶装置は垂直配向モードの表示装置である。
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａとその液晶層５０側表面に形成された画素電極９、配向膜（垂直配向膜）４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、配向膜６０とを主体として構成されている。また、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。
【００２４】
画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２５】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００２６】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図２に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００２８】
また、画素電極９の液晶層５０側には、図４に示すような誘電体膜４３が形成されている。画素電極９は矩形状に構成されており、上記誘電体膜４３は矩形状の画素電極９の３辺部に沿って、当該画素電極９の縁を覆う形で形成されている。このような誘電体膜４３の形成によって、画素電極９と対向する共通電極（対向電極）との間に生じ得る電圧値が抑えられることとなる。なお、誘電体膜４３の詳細については後述する。
【００２９】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側、すなわち画素電極９、誘電体膜４３及び第３層間絶縁膜７上には配向膜４０が形成されている。配向膜４０は、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子を基板１０に対して垂直方向に配向させるものであって、ここでは垂直配向性を示すポリイミド膜からなるものを用いているが、ラビング処理は施されていない。なお、ポリイミド以外の材料からなるものであっても、液晶分子に対して垂直配向性を示すものであれば、いかなるものを採用しても良い。
【００３０】
他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。
さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、その略全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には配向膜６０が形成されている。この場合の配向膜６０は、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜４０と同様、電圧無印加時において液晶分子を基板２０に対して垂直方向に配向させるものであって、ここでは垂直配向性を示すポリイミド膜からなるものを用いているが、ラビング処理は施されていない。なお、この場合も、ポリイミド以外の材料からなるものであっても、液晶分子に対して垂直配向性を示すものであれば、いかなるものを採用しても良い。
【００３１】
ここで、本実施形態の液晶装置では、上述の通り、矩形状の画素電極９の各辺部上の液晶層５０に印加される電圧値を異ならせるものとしている。つまり、矩形状の画素電極９の１辺部上の液晶層５０に印加される電圧値が、他の３辺部上の液晶層５０に印加される電圧値よりも相対的に大きくなるように構成されている。具体的には、上述した誘電体膜（電圧値調整手段）４３の選択的な形成により電圧値の調整を行っている。
【００３２】
以下、そのような誘電体膜４３の構成及び作用について詳述する。図５は画素電極９上に形成された誘電体膜４３の構成を模式的に示す平面図、図６は液晶分子の配向態様を模式的に示す断面図、図７は同じく液晶分子の配向態様を模式的に示す平面図である。
【００３３】
図５に示すように、電圧値調整手段たる誘電体膜４３は、矩形状の画素電極９の３辺に沿って、画素電極９の縁部を覆う形で形成されており、誘電体膜４３上には、該誘電体膜４３と画素電極９とを覆う形で配向膜４０が形成されている（図４参照）。誘電体膜４３は、配向膜４０よりも比抵抗、誘電率の高い材料（ここではアクリル樹脂）から構成されており、したがって誘電体膜４３が形成された領域の液晶層５０には、誘電体膜４３が形成されていない領域の液晶層５０よりも低い電圧が印加されることとなる。
【００３４】
その結果、図６及び図７に示すように、誘電体膜４３が形成されていない画素電極９の１辺部において、電圧印加に伴う液晶分子５１ｃの傾倒が優先的に生じ、画素内では当該１辺部における液晶分子５１ｃの傾倒に倣って液晶分子５１ｂが同方向に傾倒することとなる。また、誘電体膜４３が形成された領域の液晶層５０では、相対的に電圧値が低くなり、液晶分子５１ａは図示した通り垂直配向に近い状態となる。これにより、画素部において電界印加時の液晶分子５１ｂの傾倒方向を一方向に揃えることが可能となり、ディスクリネーションの発生を防止ないし抑制することが可能となる。
【００３５】
また、このような構成により、本実施形態のように配向膜４０に対してプレチルトを付与しなくても液晶分子の傾倒方向を規制することが可能となるため、液晶分子のプレチルトに起因した漏光の発生を防止ないし抑制することもできる。したがって、本実施形態の液晶装置によれば高コントラストで且つ明るく均一な表示を提供することが可能となる。
【００３６】
なお、図４に示すように、画素電極９及び誘電体膜４３上に形成された配向膜４０は、これらを平坦に覆うように構成されている。つまり、誘電体膜４３を形成した３辺部上と、該誘電体膜４３を形成していない１辺部上とにおいて、配向膜４０が段差を形成することなく平坦面となるように形成されている。また、誘電体膜４３の幅は、画素電極９の一辺の長さの１％〜１０％程度とすることができる。１％未満の誘電体膜は電圧値調整効果が十分に得られない場合があり、１０％を超えると、当該誘電体膜４３上に形成されるディスクリネーションの影響が大きくなる場合がある。
【００３７】
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について説明する。図８は当該誘電体膜４３の形成方法（ＴＦＴアレイ基板１０の作成方法）について模式的に示した説明図である。
【００３８】
まず、ＴＦＴアレイ基板１０を作成する。
ここでは、図８（ａ）に示すようにガラス等からなる透光性の基板１０Ａを用意し、これに第１遮光膜１１ａ、第１層間絶縁膜１２、半導体層１ａ、各種配線３ａ，３ｂ，６ａ、絶縁膜４，７（以上、図示略）を形成し、さらに画素電極９等を公知の方法で形成する。
【００３９】
続いて、図８（ｂ）に示すように、画素電極９上の３辺部に誘電体膜４３を選択的に形成する。ここでは、画素電極９を含む基板１０Ａ上に（表面には絶縁層等が形成されている）、スピンコート法によりアクリル樹脂を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジストを形成するとともに、該レジストをマスクとしてエッチングを行うことで、誘電体膜４３の選択的形成を行うものとしている。
【００４０】
次に、図８（ｃ）に示すように、誘電体膜４３及び画素電極９を含む基板１０Ａ上に（表面には絶縁層等が形成されている）、配向膜４０を形成する。ここでは、スピンコート法によりポリイミドを成膜して当該配向膜４０としている。
以上のような工程を経て、ＴＦＴアレイ基板１０が作成される。
【００４１】
一方、上述したＴＦＴアレイ基板１０とは別に対向基板２０も作成する。ここでも、基板２０Ａを用意した後、ＴＦＴアレイ基板１０の作成と同様の方法を用いて、当該基板２０Ａ上に遮光膜２３や対向電極２１を形成するとともに、さらに配向膜６０を形成し、対向基板２０を得るものとしている。
【００４２】
その後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール剤を介して貼り合わせ、さらにシール剤に形成した液晶注入口から誘電異方性が負の液晶（ネガ型液晶材料）を注入して液晶パネルとする。また、パネル両側に偏光板をクロスニコル状態で貼り合せ、所定の配線を接続して、本実施形態の液晶装置を製造するものとしている。
【００４３】
このような方法により製造した液晶装置について、表示用電気信号を入れて液晶の配向状態を観察したところ、画素内にディスクリネーションは観察されず、すべての液晶分子が一方向に配向していることが分かった。これにより均一な表示品位を有する明るく高コントラストな液晶装置を提供できることが明らかとなった。
【００４４】
以上、本発明の一実施形態としての液晶装置を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。
例えば、本実施形態では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明はいかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００４５】
［電子機器］
上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４６】
図９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４７】
図９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図９（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４８】
このように図９に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、また高コントラストで明るく品質の高い表示を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。
【００４９】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）の構成について、図１０を参照して説明する。図１０は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１０において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００５０】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００５１】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００５２】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００５３】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、また高コントラストで明るく品質の高い表示を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態たる液晶装置におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図。
【図２】図１の液晶装置についてＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図。
【図３】図１の液晶装置についてその素子構造を示す断面図。
【図４】図１の液晶装置についてその画素領域の構成を模式的に示す断面図。
【図５】図１の液晶装置に形成した誘電体膜の構成を模式的に示す平面図。
【図６】図１の液晶装置において電圧印加に伴う液晶の配向態様を模式的に示す断面図。
【図７】図１の液晶装置において電圧印加に伴う液晶の配向態様を模式的に示す平面図。
【図８】図１の液晶装置の一製造工程を示す説明図。
【図９】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図１０】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【符号の説明】
【００５５】
９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２１…共通電極（対向電極）、４０，６０…配向膜（垂直配向膜）、４３…誘電体膜（電圧値調整手段）、５０…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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