(57)【要約】【課題】絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、陽極配線２と交差して、陰極配線用の導電線５０ｂ〜５０ｄに接続された接続線４ｂ〜４ｄと、上記導電線５０ｂおよび接続線４ｃ〜４ｄの間に形成され、上記導電線５０ｂと接続線４ｂを接続するためのコンタクトホール３２を有する絶縁層３と、絶縁層３および上記導電線５０ｂの間に形成された絶縁保護層７ｄ、７ｅとを備え、絶縁保護層７ｄ、７ｅは、少なくとも、陰極配線用の導電線５０ｂと、当該陰極配線用の導電線５０ｂに接続された接続線４ｂ以外の接続線４ｃ、４ｄとが重なり合う領域Ｓ１、Ｓ２に、陰極配線用の導電線５０ｂ当該絶縁保護層７ｄ、７ｅの形成領域とこれ以外の領域で分離されるように形成されている。【選択図】図３
2007225966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状に形成された基板と、上記基板上に上記基板の一辺に対して略垂直に形成された複数の第１の導電線と、上記基板上に上記複数の第１の導電線と交差するように形成された複数の第２の導電線と、上記複数の第２の導電線にそれぞれ接続され、上記基板の上記一辺側に引き出された複数の接続線と、上記第１および第２の導電線の間であって、上記第１および第２の導電線の交差部に形成された有機化合物層と、上記複数の第２の導電線および上記複数の接続線の間に形成され、上記複数の第２の導電線と上記複数の接続線をそれぞれ接続するための開口孔を有する絶縁層と、上記絶縁層および上記第２の導電線の間に形成された絶縁保護層とを備え、
上記絶縁保護層は、少なくとも、上記第２の導電線と、当該第２の導電線に接続された接続線以外の接続線とが重なり合う領域に、上記第２の導電線が当該絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で分離されるように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
上記絶縁保護層は、上記第２の導電線の延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が、上記基板から離れるにつれて広がるように形成されている請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
上記複数の第２の導電線のうち、隣り合う第２の導電線の間に、上記隣り合う第２の導電線が分離されるように形成された隔壁を備え、
上記絶縁保護層と上記隔壁は同一材料により形成されている請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
上記絶縁保護層が表示領域の外側に形成されている請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
矩形板状の基板上に上記基板の一辺に対して略垂直に複数の第１の導電線を形成するステップと、
上記複数の第１の導電線と交差するように、複数の第２の導電線を上記基板上に形成するステップと、
上記複数の第２の導電線にそれぞれ接続され、上記基板の上記一辺側に引き回されるように、複数の接続線を上記基板上に形成するステップと、
上記第１および第２の導電線の間であって、上記第１および第２の導電線の交差部に有機化合物層を形成するステップと、
上記複数の第２の導電線および上記複数の接続線の間に、上記複数の第２の導電線と上記複数の接続線をそれぞれ接続するための開口孔を有する絶縁層を形成するステップと、
上記絶縁層および上記第２の導電線の間に絶縁保護層を形成するステップとを含み、
上記絶縁保護層を形成するステップでは、少なくとも、上記第２の導電線と、当該第２の導電線に接続された接続線以外の接続線とが重なり合う領域に、上記第２の導電線が当該絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で分離されるように、上記絶縁保護層を形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記絶縁保護層を形成するステップでは、上記第２の導電線の延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が、上記基板から離れるにつれて広がるように、上記絶縁保護層を形成する請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関し、例えば、基板上に設けられた複数の陽極配線と複数の陰極配線の各交差部で有機化合物層を挟持し、引き回し線などを用いて、複数の陽極配線および陰極配線が基板の一辺側に引き回された有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示素子であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機化合物が有する発光特性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子が基板上に複数配置されて構成される。例えば、パッシブ型の有機ＥＬ表示装置は、基板上にストライプ状に配列された陽極配線と、この陽極配線上に積層され、開口部を有する絶縁層と、この絶縁層上に積層された有機化合物層と、この有機化合物層上に積層して、絶縁層の開口部の位置で陽極配線に交差するようにストライプ状に配列された陰極配線を備えた構造となっている。絶縁層の開口部内、すなわち陽極配線および陰極配線の交差部に、発光素子としての画素が形成されている。有機ＥＬ表示装置は、このような画素がマトリックス状に配列されることにより構成されている。
【０００４】
また、陽極と陰極の間に電圧を印加すると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が、それぞれ有機化合物層に注入されて、有機発光層で再結合し、その際に生じるエネルギーにより有機発光層に含まれる有機発光性化合物の分子が励起され、励起子が生成される。このようにして生成された励起子が基底状態に失活する過程で発光現象が生じる。
【０００５】
近年、有機ＥＬ表示装置の小型化、軽量化の要求に伴って、有機ＥＬ素子基板の外形寸法や表示領域以外の寸法を最小限に抑えるため、陽極配線及び陰極配線が引き回し線などを用いて、有機ＥＬ素子基板の一辺に引き回された有機ＥＬ表示装置が知られている。
図７は、従来の有機ＥＬ表示装置１００Ａの構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。なお、図７では封止基板１０および捕水剤１１を省略している。Ａ〜Ｄは基板１の各頂点を示している。図８は、図７のＷ−Ｗ切断線における断面図である。
【０００６】
図７に示されるように、複数の陽極配線２と陰極配線５Ａａ〜５Ａｄが互いに直交するように基板１上に形成されている。複数の陽極配線２が基板１の辺ＢＣ側に引き出されている。また、各陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの端部には接続線４ａ〜４ｄが接続されており、これら複数の接続線４ａ〜４ｄは複数の陽極配線２と同じように、基板１の辺ＢＣ側に引き出されている。図８に示されるように、各接続線４ａ〜４ｄは、絶縁層３のコンタクトホール３２内の接続部９で、各陰極配線５Ａａ〜５Ａｄに電気的に接続されている。
【０００７】
図７に示されるように、陰極配線５Ａａ〜５Ａｄを蒸着する際に隣り合う陰極配線が分離されるように、隣り合う陰極配線の間に隔壁６が設けられている。絶縁層３の開口部３１は、陽極配線２と陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの交差部に形成されている。図８に示されるように、この交差部では、有機化合物層８が陽極配線２および陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの間で挟持されている。図８に示されるように、基板１には封止基板１０がシール材１２により貼り合わされている。封止基板１０の凹部１０ａには、保水剤１１が塗布されている。
【０００８】
ここで、蒸着により陰極配線５Ａａ〜５Ａｄを基板１上に形成する際に、蒸着用マスクの配置ずれなどが原因で、コンタクトホール３２内に陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの金属材料が蒸着されず、陰極配線５Ａａ〜５Ａｄと接続線４ａ〜４ｄがコンタクトホール３２内で接続されない場合がある。このため、基板１上のコンタクトホール３２の周囲領域にも、陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの金属材料を蒸着するのが一般的である。また、有機ＥＬ表示装置１００Ａの小型化に伴って、各接続線４ａ〜４ｄは表示領域Ｖの外周縁側に配置されている。この結果、図７および図８に示されるように、陰極配線５Ａａ〜５Ａｄと接続線４ａ〜４ｄがコンタクトホール３２内の接続部９以外の領域で重なり合う傾向がある。
【０００９】
特許文献１では、基板上に設けられた複数の陽極配線（アノード電極）と複数の陰極配線（カソード電極）の各交差部で有機化合物層（有機発光層）を挟持し、引き回し線（第１及び第２ライン）などを用いて、複数の陽極配線および陰極配線が基板の一辺側に引き回された有機ＥＬ表示装置の技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−００４９４２号公報（特に、段落０００４〜０００７、図１および図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図７および図８に示される従来の有機ＥＬ表示装置１００Ａを製造する過程において、基板１上に絶縁材料からなる絶縁層３を形成した後に、フォトマスクを使用して、当該絶縁層を露光するなどのフォトリソグラフィー法により、絶縁層に開口部３１およびコンタクトホール３２を形成する。
【００１１】
しかしながら、フォトマスクにゴミなどが付着していた場合、フォトマスクに付着していたゴミなどが絶縁層上に付いてしまう。そして、この状態で絶縁層を露光することによって、絶縁層３内にピンホールが形成されてしまう場合があった。図７および図８に示されるように、特に、陰極配線５Ａｂと当該陰極配線５Ａｂに接続されている接続線４ｂ以外の接続線４ｃ、４ｄが重なり合う領域Ｒ１およびＲ２内に、ピンホールＰ１、Ｐ２が形成されてしまうと、陰極配線５Ａａ〜５Ａｄの金属材料が絶縁層３上に蒸着されることで、陰極配線５Ａｂと、当該陰極配線５Ａｂに接続されている接続線４ｂ以外の接続線４ｃ、４ｄとの間で導通してしまい、リークによる接続不良が生じる場合があった。なお、絶縁層３内に形成されるピンホールＰ１、Ｐ２は、基板１に対して略鉛直に形成される。
【００１２】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、矩形板状に形成された基板と、基板上に基板の一辺に対して略垂直に形成された複数の第１の導電線と、基板上に複数の第１の導電線と交差するように形成された複数の第２の導電線と、複数の第２の導電線にそれぞれ接続され、基板の一辺側に引き出された複数の接続線と、第１および第２の導電線の間であって、第１および第２の導電線の交差部に形成された有機化合物層と、複数の第２の導電線および複数の接続線の間に形成され、複数の第２の導電線と複数の接続線をそれぞれ接続するための開口孔を有する絶縁層と、絶縁層および第２の導電線の間に形成された絶縁保護層とを備え、絶縁保護層は、少なくとも、第２の導電線と、当該第２の導電線に接続された接続線以外の接続線とが重なり合う領域に、第２の導電線が当該絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で分離されるように形成されていることを特徴とするものである。
このような構成にすることにより、絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【００１４】
ここで、絶縁保護層は、第２の導電線の延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が、基板から離れるにつれて広がるように形成されていることが、好ましい。
このことにより、第２の導電線を、絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で、確実に分離できる。
【００１５】
また、複数の第２の導電線のうち、隣り合う第２の導電線の間に、隣り合う第２の導電線が分離されるように形成された隔壁を備え、絶縁保護層と隔壁は同一材料により形成されている。これにより、簡単に、絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。また、絶縁保護層は表示領域の外側に形成されている。
【００１６】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、矩形板状の基板上に基板の一辺に対して略垂直に複数の第１の導電線を形成するステップと、複数の第１の導電線と交差するように、複数の第２の導電線を基板上に形成するステップと、上記複数の第２の導電線にそれぞれ接続され、上記基板の上記一辺側に引き出された複数の接続線を形成するステップと、第１および第２の導電線の間であって、第１および第２の導電線の交差部に有機化合物層を形成するステップと、複数の第２の導電線および複数の接続線の間に、複数の第２の導電線と複数の接続線をそれぞれ接続するための開口孔を有する絶縁層を形成するステップと、絶縁層および第２の導電線の間に絶縁保護層を形成するステップとを含み、絶縁保護層を形成するステップでは、少なくとも、第２の導電線と、当該第２の導電線に接続された接続線以外の接続線とが重なり合う領域に、第２の導電線が当該絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で分離されるように、絶縁保護層を形成することを特徴とする。
このような製造方法を採用することにより、絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【００１７】
ここで、絶縁保護層を形成するステップでは、第２の導電線の延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が、基板から離れるにつれて広がるように、絶縁保護層を形成するのが、好ましい。このようにすることにより、第２の導電線を、絶縁保護層の形成領域とこれ以外の領域で、確実に分離できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、絶縁層に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。なお、図１では封止基板および捕水剤を省略している。図２は図１のＸ−Ｘ切断線における断面図である。図３は図１のＹ−Ｙ切断線における断面図である。
【００２０】
図１、図２および図３に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、基板１上に、第１の導電線としての陽極配線２、絶縁層３、接続線４ａ〜４ｄ、第２の導電線としての陰極配線用の導電線５０ａ〜５０ｄ、各陰極配線用の導電線５０ａ〜５０ｄを構成する陰極配線５１と陰極配線の残余の導電線５２、隔壁６、絶縁保護層７ａ〜７ｆ、有機化合物層８等が形成されて構成されている。
【００２１】
図１、図２および図３に示されるように、基板１は矩形板状に形成されている。基板１には例えば透明なガラス基板が用いられる。ここで、図１に示されるように、便宜上、基板１の各頂点をＡ〜Ｄとする。複数の陽極配線２が、基板１の辺ＢＣに対して略垂直なストライプ状に基板１の表面に接して形成されている。図１に示されるように、複数の陽極配線２は基板１の辺ＢＣ側に引き出されている。各陽極配線２の材料には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【００２２】
図１および図３に示されるように、複数の接続線４ａ〜４ｄが基板１の表面に接して形成されている。複数の接続線４ａ〜４ｄは、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの複数の陰極配線５１にそれぞれ接続され、基板１の辺ＢＣ側に引き出されている。接続線４ａ〜４ｄは、陰極配線５１の本数に対応して形成されている。図３に示されるように、複数の接続線４ａ〜４ｄは、複数の陰極配線５１のそれぞれに、絶縁層３に設けた開口孔としてのコンタクトホール３２を介して接続されている。図３に示されるように、コンタクトホール３２は、複数の陰極配線５１と複数の接続線４ａ〜４ｄをそれぞれ接続するために、絶縁層３内に形成されている。接続線４ａ〜４ｄの材料には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【００２３】
図１、図２および図３に示されるように、陽極配線２および接続線４が形成された基板１上に積層して、開口部３１およびコンタクトホール３２を有する絶縁層３が形成されている。図２および図３に示されるように、この絶縁層３は、複数の陽極配線２および複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの間に形成されている。開口部３１は、陽極配線２と陰極配線５１との交差部に設けられている。図１に示されるように、コンタクトホール３２は、隣り合う隔壁６の間であって、接続線４ａ〜４ｄの引き出されている側に形成されている。また、図３に示されるように、各陰極配線５１と各接続線４ａ〜４ｄは、コンタクトホール３２内の接続部９で接続されている。また、表示領域Ｖは、マトリクス状に配列された複数の開口部３１が形成される領域とされている。
【００２４】
また、図１および図２に示されるように、隔壁６が基板１の辺ＢＣに対して略平行なストライプ状で絶縁膜３上に形成されている。すなわち、隔壁６は陽極配線２と略直交するように形成されている。隔壁６が有機化合物層８や陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを分離することにより、隔壁６間に有機化合物層８が形成され、ストライプ状に配設された複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが形成される。
【００２５】
図２に示されるように、隔壁６は逆テーパ形状に形成されている。すなわち、当該隔壁６の延在方向に対して略垂直方向に切断したときの切断面の形状が、基板１から離れるにつれて広がるように形成されている。このように、隔壁６を逆テーパ形状にすることにより、隔壁６の側面および立ち上がり部分が影となり、製造工程において、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを空間的に分離することができる。
絶縁保護層７ａ〜７ｆについては、後で詳細に説明する。
【００２６】
図１、図２および図３に示されるように、有機化合物層８が絶縁層３上に積層して形成されている。図３に示されるように、有機化合物層８は、陽極配線２および陰極配線５１の間に形成されている。詳細は図示しないが、有機化合物層８は、例えば、基板１の表面上に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層および電子注入層が順次積層されて形成される。なお、有機化合物層８はこれとは異なる構成を有する場合もある。また、陽極および陰極の間で挟持される有機化合物層を複数層からなるものとして説明したが、陽極および陰極の間で挟持される有機化合物層を単層で構成してもよい。
【００２７】
図１に示されるように、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄは、複数の隔壁６の間にストライプ状に形成されている。すなわち、各陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄは、陽極配線２に対して略垂直に形成されている。図３に示されるように、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄは、後述の絶縁保護層７ａ〜７ｆにより、当該絶縁保護層７ａ〜７ｆの形成領域とこれ以外の領域とで分離され、この結果、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが、陰極配線５１と、陰極配線の残余の導電線５２とに分けられている。
【００２８】
図３に示されるように、陰極配線５１は、陽極配線２との交差部との間で有機化合物層７を挟持するように、有機化合物層８上に積層して形成される。陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの材料には、通常はアルミニウムＡｌまたはアルミニウム合金が用いられており、蒸着法により有機化合物層８上に形成される。陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを蒸着法により形成する際、隔壁６が陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを所望のパターンに分離する。なお、ＡｌやＡｌ合金の他に、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやこれらを含む合金を陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの材料に用いてもよい。
【００２９】
図２および図３に示されるように、基板１の有機化合物層８等が配置された面上には、封止基板１０が対向するように配置され、基板１上の有機化合物層８等が外気と遮断されるように封止されている。図２に示されるように、封止基板１０の基板１との対向側の中央部には凹部１０ａが形成されている。この凹部１０ａ内に捕水剤１１が塗布されている。
【００３０】
また、図２および図３に示されるように、封止基板１０と基板１とは、封止基板１０の外周に塗布されたシール材１２により、貼り合わされる。基板１上の有機化合物層８等は、両基板１、１０およびシール材１２によって封止されることで、空気中の水分にさらされないように保たれる。また、基板１と封止基板１０との間の封止空間には、酸素や窒素等の気体が封入されている。
【００３１】
次に、絶縁保護層７ａ〜７ｆについて、図に基づいて詳細に説明する。図３に示されるように、絶縁保護層７ａ〜７ｆは、絶縁層３および陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの間に形成されている。また、図３に示されるように、絶縁保護層７ｂ、７ｃは、陰極配線形成用の導電線５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ｂに接続された接続線４ｂ以外の接続線４ｃ、４ｄとが重なり合う領域Ｓ１、Ｓ２に形成されており、陰極配線形成用の導電線５０ｂが絶縁保護層７ｂ、７ｃの形成領域とこれ例外の領域で分離されるように形成されている。
【００３２】
絶縁保護層７ａ、７ｄ〜７ｆについても、同様に、陰極配線形成用の導電線５０ａ、５０ｃ、５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ、５０ｃ、５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ、４ｃ、４ｄ以外の接続線とが重なり合う領域に形成されており、陰極配線形成用の導電線５が絶縁保護層７ａ、７ｄ〜７ｆの形成領域とこれ例外の領域で分離されるように形成されている。
【００３３】
このように構成したことにより、絶縁層３にピンホールが形成されても、少なくとも、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ〜４ｄ以外の接続線とが重なり合う領域上に、絶縁保護層７ａ〜７ｆが形成されているため、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ〜４ｄ以外の接続線とが、電気的に接続されるのを低減できる。なお、絶縁層３内に形成されるピンホールは、基板１に対して略鉛直に形成されるため、少なくとも、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ〜４ｄ以外の接続線とが重なり合う領域上に、絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成すればよい。
【００３４】
また、絶縁保護層７ａ〜７ｆを設けることにより、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが絶縁保護層７ａ〜７ｆの形成領域とこれ以外の領域で分離され、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの各々を、陰極配線５１と陰極配線以外の残余の導電線５２とに分断できる。
このようにして、絶縁層３に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【００３５】
ここで、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が、基板１から離れるにつれて広がるように、絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成するのが好ましい。例えば、図３に示されるように、陰極配線形成用の導電線５０ｂの延在方向に沿って切断したときの切断面の形状が基板１から離れるにつれて広がるように、絶縁保護層７ｄ、７ｅを形成する。
このようにすることにより、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが、絶縁保護層７ａ〜７ｆの形成領域とこれ以外の領域で確実に分離され、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの各々を、陰極配線５１と陰極配線以外の残余の導電線５２とに確実に分断できる。
【００３６】
また、絶縁保護層７ａ〜７ｆと隔壁６は同一材料により形成されているのが、好ましい。これにより、絶縁保護層７ａ〜７ｆと隔壁６を絶縁層３上に簡単に同時に形成することができ、簡単に、絶縁層３に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【００３７】
また、図１に示されるように、絶縁保護層７ａ〜７ｆは、表示領域Ｖの外側に配置されている。すなわち、絶縁保護層７ａ〜７ｆは、複数の陽極配線２のうち、両端に配置されている陽極配線２よりも外側に設けられている。仮に、絶縁保護層７ａ〜７ｆが表示領域Ｖの内側に配置された場合、表示領域Ｖ内で陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの各々が、陰極配線５１と陰極配線以外の残余の導電線５２とに分断されてしまう。従って、絶縁保護層７ａ〜７ｆを表示領域Ｖの外側に配置することによって、陰極配線５１を表示領域Ｖ内で途切れることなく形成することができる。
【００３８】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を製造する方法について、図に基づいて説明する。図４は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を製造する手順を示すフロー図である。
図４に示されるように、まず、矩形板状の基板１を準備する（ステップ（ＳＴＥＰ：以下、ＳＴと称する）４０１）。基板１には、例えば、ガラスなどの透明基板を用いる。
【００３９】
次に、基板１の表面を洗浄した後に、当該基板１上に、陽極配線２および接続線４ａ〜４ｄを形成する（ＳＴ４０２）。この際、基板１の辺ＢＣに対して略垂直に配置されるように、陽極配線２を形成する。また、複数の陰極配線５１にコンタクトホール３２内で接続され、基板１の辺ＢＣ側に引き出されるように、複数の接続線４ａ〜４ｄを形成する。具体的には、基板１上にＩＴＯをスパッタや蒸着により成膜して、成膜されたＩＴＯ膜に対してエッチィングを施すことによって、陽極配線２および接続線４ａ〜４ｄをパターニングする。
【００４０】
なお、接続線４ａ〜４ｄの材料には、ＡｌやＡｌ合金などの低抵抗金属材料を用いることができる。この場合、例えば、ＩＴＯ膜をパターニングして陽極配線２を形成した後に、Ａｌなどをスパッタまたは蒸着により成膜する。そして、Ａｌ膜をフォトリソグラフィー法などによりパターニングして、接続線４ａ〜４ｄを形成する。
【００４１】
次に、陽極配線２および接続線４ａ〜４ｄが形成された基板１の面上に、開口部３１およびコンタクトホール３２を有する絶縁層３を形成する（ＳＴ４０３）。この際、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと接続線４ａ〜４ｄとの間に配置されるように、絶縁層３を形成する。例えば、感光性のポリイミド樹脂の溶液をスピンコーティングにより塗布して、塗布後のポリイミド樹脂膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、光反応させて絶縁層３を形成する。このとき、ポリイミド樹脂膜の露光工程で使用する露光マスクの形状は、開口部３１およびコンタクトホール３２に対応されている。
【００４２】
次に、隔壁６および絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成する（ＳＴ４０４）。具体的には、例えば、基板１上に形成された絶縁層３上に、ノボラック樹脂、アクリル樹脂などの感光性樹脂をスピンコートにより塗布した後、フォトリソグラフィー法により感光性樹脂膜をパターニングして、光反応させて隔壁６および絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成する。露光マスクの形状を、隔壁６および絶縁保護層７ａ〜７ｆの形状に対応させることにより、これらを同時に形成することができる。なお、隔壁６および絶縁保護層７ａ〜７ｆを同時形成せずに、フォトリソグラフィー法により感光性樹脂膜を繰り返しパターニングすることによって、隔壁６と絶縁保護層７ａ〜７ｆとを別々に形成してもよい。
【００４３】
図１に示されるように、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが形成される位置の間隙に、複数の陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと平行になるようにパターニングを行ない、隔壁６を形成する。また、少なくとも、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ〜４ｄ以外の接続線とが重なり合う重複領域に配置され、各陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが絶縁保護層７ａ〜７ｆの形成領域とこれ例外の領域で分離されるようにパターニングを行い、絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成する。
【００４４】
なお、ネガ型の感光性樹脂を用いると、露光工程において、隔壁６、隔壁接続部７および隔壁延長部１３の下層位置ほど光反応が不十分となり、逆テーパ構造を容易に形成できる。
次に、有機化合物層８を形成する（ＳＴ４０５）。有機化合物の溶液を蒸着する領域に対応した開口を有するマスクを基板１上に配置して、有機化合物の溶液を蒸着法により蒸着する。
【００４５】
例えば、正孔輸送層を形成する場合、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、有機発光層を形成する。続いて、有機発光層の上層にＬｉＦを蒸着して、電子輸送層を形成する。
【００４６】
次に、陰極配線５１を形成する（ＳＴ４０６）。陽極配線２に交差して、陰極配線２との間で有機化合物層８が挟持されるように、陰極配線用の導電線５０ａ〜５０ｄを有機化合物層７上に積層して形成する。具体的には、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄの材料を、マスク蒸着などによって、絶縁層３や有機化合物層８が形成された基板１上に堆積することにより、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを形成する。このとき、各陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄがコンタクトホール３２内で接続線４ａ〜４ｄに接続される。
【００４７】
絶縁保護層７ａ〜７ｆによって、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄが絶縁保護層７ａ〜７ｆの形成領域とこれ以外の領域で分離され、各陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄを、陰極配線５１と陰極配線以外の残余の導電線５２とに分断できる。このようにして、複数の陰極配線５１が、基板１上に形成される。
【００４８】
このように、絶縁保護層７ａ〜７ｆを形成することにより、絶縁層３にピンホールが形成されても、陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄと、当該陰極配線形成用の導電線５０ａ〜５０ｄにそれぞれ接続された接続線４ａ〜４ｄ以外の接続線とが、電気的に接続されるのを低減でき、絶縁層３に形成されたピンホールを原因とするリークによる接続不良の発生を低減できる。
【００４９】
次に、基板１に対して、封止基板１０を貼り合せる（ＳＴ４０７）。具体的には、封止基板１０の内面に形成された凹面１０ａ上に捕水剤１１を塗布し、封止基板１０と基板１とを位置合せをしながら、紫外線硬化樹脂のシール材１２により貼り合わせた後、両基板を加圧し、各シール材に紫外線光を照射する。これにより、基板１と封止基板１０とが接着され、陽極配線２、陰極配線５および有機化合物層８などが封止される。そして、有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００５０】
なお、有機ＥＬ表示装置１００上に、駆動回路などを実装する場合もある。例えば、シール材１２の外側まで延設され、陽極配線２や陰極配線５１に接続された端子に、制御回路が実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）を異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して接続する。
【００５１】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の構成について、図に基づいて説明する。図５は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。図６は、図５のＵ−Ｕ切断線における断面図である。
【００５２】
ここで、図１および図３に示されるように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００では、絶縁保護層７ａ〜７ｆは、各接続線４ａ〜４ｄ上の特定領域にのみ形成されているのに対し、図５および図６に示されるように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例１００ａでは、絶縁保護層７Ａ〜７Ｃは、各接続線４ａ〜４ｄ上の特定領域にのみならず、各接続線４ａ〜４ｄの間にも形成されている点で相違する。すなわち、図５で示される絶縁保護層７Ａは、図１で示される絶縁保護層７ａ〜７ｃを連結して形成したものであり、図５で示される絶縁保護層７Ｂは、図１で示される絶縁保護層７ｄ〜７ｅを連結して形成したものである。このように構成することにより、絶縁保護層の数を少なくすることができ、隔壁および絶縁保護層を形成するためのフォトマスクを簡素化することができ、簡単な工程で、絶縁保護層を形成することができる。
【００５３】
以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。
【００５４】
また、上記実施態様では、パッシブ型有機ＥＬ表示装置として説明したが、アクティブ型有機ＥＬ表示装置にも本発明を適用できる。
また、上記実施態様では、有機ＥＬ表示装置として説明したが、表示装置以外の有機ＥＬ装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ切断線における断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ切断線における断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を製造する手順を示すフロー図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。
【図６】図５のＵ−Ｕ切断線における断面図である。
【図７】従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図である。
【図８】図７のＷ−Ｗ切断線における断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  基板、  ２  陽極配線、  ３  絶縁層、  ３１  開口部、
３２  開口孔（コンタクトホール）、  ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ  接続線、
５０ａ〜５０ｄ  陰極配線形成用の導電線、  ５１  陰極配線、
５２  陰極配線の残余の導電線、  ６  隔壁、
７ａ〜７ｆ、７Ａ〜７Ｃ  絶縁保護層、  ８  有機化合物層、
９  接続部、  １０  封止基板、  １１  捕水剤、  １２  シール材、
１００、１００ａ、１００Ａ  有機ＥＬ素子基板、  Ｖ  表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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