(57)【要約】【課題】半導体レーザチップからの排熱性に優れるとともに、半導体レーザチップの光出射端面側にはみ出した導電性接着層を残存させない半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】本体１１ａと、当該本体１１ａの一端面Ｓ側に本体１１ａと一体で構成されるとともに、本体１１ａの表面と同一面で構成された表面を有する突出部１１ｂとからなる基体１１を用意する。次に、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａと本体１１ａの一端面Ｓとが略同一面になるように、本体１１ａの表面に導電性接着層１２を介して半導体レーザチップ１３を固定する。次いで、突出部１１ｂとともに突出部１１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２を取り除くことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法である。【選択図】図１
2007157960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザチップの光出射端面と基体の一端面とが略同一面となるように、基体上に導電性接着層を介して半導体レーザチップが配置された半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記基体の表面に前記導電性接着層を介して前記半導体レーザチップを固定する第１工程と、
前記基体における前記半導体レーザチップの前記光出射端面よりも突出した部分とともに、この突出した部分上にはみ出した前記導電性接着層を取り除く第２工程とを有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記基体は、本体と、当該本体の一端面側に当該本体と一体で構成され、当該本体の表面と同一面で構成された表面を有する突出部とを備えており、
前記第１工程では、前記光出射端面が前記本体の前記一端面に沿うように、前記本体の表面に前記導電性接着層を介して前記半導体レーザチップを固定し、
前記第２工程では、前記突出部とともに当該突出部上にはみ出した前記導電性接着層を取り除く
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記突出部の基端には、前記本体の前記一端面に沿って、当該突出部の表面側の一部分を残存させる状態で、切り込みが設けられている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記基体は、本体と、当該本体の一端面側に、表面が当該本体の表面と略同一面となるように配置された付設体とを備えており、
前記第１工程では、前記光出射端面が前記本体の前記一端面に沿うように、前記本体の表面に前記導電性接着層を介して前記半導体レーザチップを固定し、
前記第２工程では、前記付設体とともに当該付設体上にはみ出した前記導電性接着層を取り除く
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記本体と前記付設体とは、相互に押圧された状態で密着して配置されている
ことを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項６】
前記本体と前記付設体とは接合されている
ことを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に、半導体レーザチップの光出射端面とヒートシンクの一端面とが略同一面となるように、ヒートシンク上に半田層を介して半導体レーザチップが固定された半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザチップは発熱する電子デバイスであるため、熱をヒートシンク等の排熱部品に放出することが必要である。そこで、放熱を行うために、半導体レーザチップは、高熱伝導の金属やセラミック等からなるヒートシンクまたはヒートスプレッタ等と半田材料を介して熱接合される。通常の半導体レーザ装置では、半導体レーザチップからの排熱を重視して半田材料の選定を行っているため、半導体レーザチップとヒートシンク間での半田の濡れをよくするために半田を余剰に供給することが多い。
【０００３】
ところで、半導体レーザチップをヒートシンク上に固定する際には、ケラレを防止するため、半導体レーザチップの光出射端面とヒートシンクの一端面とが略同一面となるように配置する。このため、余剰な半田が半導体レーザチップの光出射端面側にはみ出し、はみ出した半田が半導体レーザチップの光出射端面に付着してＰＮ接合の短絡回路を形成したり、はみ出した半田の盛り上がりによってレーザの発光点が塞がれてしまい、レーザ光が出難くなってしまうことがあった。
【０００４】
特に、半導体レーザチップの排熱性を高めるためにＰＮ接合分岐点がヒートシンクに近くなるように半導体レーザチップをヒートシンク上に固定する、いわゆるジャンクションダウンマウントを行っている半導体レーザ装置では、はみ出した半田の付着によるＰＮ接合の短絡回路が形成され易く、また、発光点もヒートシンクに近いため、はみ出した半田により発光点が塞がれ易い。
【０００５】
さらに、半導体レーザ装置には、出射されるレーザ光を光学部品を透過させて平行光にしたり、焦点を持つようにする際に、マイクロレンズと呼ばれる非常に小さな光学レンズ等を実装することがある。この場合には、マイクロレンズを上記半導体レーザチップの光出射端面の近傍に実装するため、半田が光出射端面側にはみ出している場合にはマイクロレンズの実装が不可能になってしまう場合がある。
【０００６】
そこで、ステム（ヒートシンク）における半導体レーザチップの光出射面の角部を面取り加工する、または曲状に加工して、ステムまたはサブマウントの一端の端面から、導電性ダイボンドペーストを介して、半導体レーザチップの発光点側の端面（光出射端面）を迫り出すように半導体レーザチップを配設する半導体レーザ装置の製造方法の例が記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
このような半導体レーザ装置の製造方法では、半導体レーザチップの光出射端面側への導電性ダイボンドペーストのはみ出しが防止されるため、はみ出した導電性ダイボンドペーストによる短絡回路の形成や、発光点が塞がれることが防止され、半導体レーザチップの光出射端面の近傍にマイクロレンズ等の光学部品を実装することも可能である。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２２３４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述したような半導体レーザ装置の製造方法では、半導体レーザチップにおいて、最も発熱する光出射端面の下部側がヒートシンクと離間した状態となり、半導体レーザチップの光出射端面の下部側とヒートシンクとの間に導電性ダイボンドペーストが厚く設けられた状態となる。そして、一般的に導電性ダイボンドペーストは熱抵抗が高く、導電性ダイボンドペーストの代わりに半田材料を用いたとしても半田材料の熱抵抗も高いことから、半導体レーザチップからの排熱性が悪くなり、半導体レーザ装置の性能が劣化するという問題が生じている。
【００１０】
そこで、本発明は、半導体レーザチップからの排熱性に優れるとともに、半導体レーザチップの光出射端面側にはみ出した導電性接着層を残存させない半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザチップの光出射端面と基体の一端面とが略同一面となるように、基体上に導電性接着層を介して半導体レーザチップが配置された半導体レーザ装置の製造方法であって、次のような工程を順次行うことを特徴としている。まず、第１工程では、基体の表面に導電性接着層を介して半導体レーザチップを固定する工程を行う。次に、第２工程では、基体における半導体レーザチップの光出射端面よりも突出した部分とともに、この突出した部分上にはみ出した導電性接着層を取り除く工程を行う。
【００１２】
このような半導体レーザ装置の製造方法によれば、基体における半導体レーザチップの光出射端面よりも突出した部分とともに、この突出した部分上の導電性接着層が取り除かれる。これにより、半導体レーザチップの光出射端面の下部側が、例えばヒートシンクからなる基体と離間しない状態で維持されるため、排熱性に優れた半導体装置を製造することが可能となる。また、半導体レーザチップの光出射端面側にはみ出した導電性接着層が残存しないため、はみ出した導電性接着層が光出射端面に付着することによる短絡回路の形成や、はみ出した導電性接着層の盛り上がりにより光出射端面の発光点が塞がれることが防止される。さらに、半導体レーザチップの光出射端面側にはみ出した導電性接着層が残存しないことで、マイクロレンズ等の光学部品を、半導体レーザチップの光出射端面近傍に配置することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、排熱性に優れた半導体レーザ装置を製造することができるため、半導体レーザチップの劣化が抑制され、高性能な半導体レーザ装置を得ることができる。また、はみ出した導電性接着層による短絡回路の形成や、発光点が塞がれることが防止されることから、半導体レーザ装置の歩留まりを向上させることができる。さらに、マイクロレンズ等の光学部品を、半導体レーザチップの光出射端面近傍に配置することができるため、用途に合わせた光学部品を半導体レーザ装置に実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１〜図２は、本実施形態における半導体レーザ装置の製造方法を説明するための斜視図およびＡ−Ａ’断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、例えば幅（ｘ方向）２５ｍｍ、奥行き（ｙ方向）２０ｍｍ、高さ（ｚ方向）５ｍｍの直方体のＣｕブロックを加工して、ヒートシンクとなる本体１１ａと、本体１１ａの一端面側に本体１１ａの表面と同一面で構成された表面を有する突出部１１ｂとを備えた基体１１を作成する。この場合には、例えばエンドミル等を用いて、上記Ｃｕブロックの例えばｙ方向の一端面側を、Ｃｕブロックの表面側を残存させる状態で、切削する。これにより、本体１１ａのｙ方向の一端面Ｓ側に、本体１１ａと一体で構成された突出部１１ｂが形成される。
【００１６】
ここで、突出部１１ｂの幅（ｘ方向）は、後述する導電性接着層がはみ出す範囲の幅に設けられていればよく、ここでは、本体１１ａと同一幅で設けられることとする。また、突出部１１ｂの奥行き（ｙ方向）の長さは、導電性接着層がはみ出す範囲よりも長く、後工程で、この突出部１１ｂを手等で掴持して本体１１ａから取り除くことから、掴持できる程度の例えば５ｍｍ程度以上であることが好ましい。ここでは、例えば５ｍｍであることとする。
【００１７】
さらに、突出部１１ｂの厚み（ｚ方向）は、後工程で、突出部１１ｂを掴持し、本体１１ａから取り除ける程度の厚みであればよい。ただし、突出部１１ｂの厚みが本体１１ａよりも薄い方が、後工程で、突出部１１ｂの基端に、本体１１ａの端面Ｓに沿って切り込みを入れるのが容易であるため、好ましい。上述したような形状に突出部１１ｂが形成されると、ヒートシンクとなる本体１１ａは、幅（ｘ方向）２５ｍｍ、奥行き（ｙ方向）１５ｍｍ、高さ（ｚ方向）５ｍｍの直方体状となる。
【００１８】
次に、例えばダイシングソーにより、突出部１１ｂの基端に、本体１１ａの端面Ｓに沿って、突出部１１ｂの表面側の一部を残存させる状態で、切り込み１１ｃを形成する。この切り込み１１ｃは、突出部１１ｂの下部側から表面に向けて、表面側に例えば５０μｍ程度の厚みを残した状態で形成する。ここで、この残存した部分が、突出部１１ｂにおける本体１１ａとの連結部１１ｄとなる。そして、連結部１１ｄの厚みは、後工程で、本体１１ａから上記突出部１１ｂを取り除くことから、突出部１１ｂを取り除く工程までの各工程で破損しない程度に、出来るだけ薄い方が好ましい。
【００１９】
なお、ここでは、突出部１１ｂの基端に、上記切り込み１１ｃを形成する例について説明するが、切り込み１１ｃを形成しなくてもよい。この場合には、例えば突出部１１ｂ全体が連結部１１ｄと同程度の厚みになるように、上記Ｃｕブロックを切削する。ただし、切り込み１１ｃを形成する方が、後工程で、突出部１１ｂを取り除く際に、連結部１１ｄを基点として突出部１１ｂを取り除き易いため、好ましい。
【００２０】
次いで、図１（ｂ）に示すように、後工程で半導体レーザチップを配置する基体１１の表面の一領域に、例えば半田材料からなる導電性接着層１２を形成する。この際、排熱性を重視して半田材料を選択し、ヒートシンクとなる本体１１ａとの濡れ性を得るために、この半田材料を余剰に供給することが好ましい。ここでは、上記領域に、約２７０℃で溶融する金錫（ＡｕＳｎ）からなる成型された半田箔を載置することとし、この半田箔を余剰に供給することとする。
【００２１】
なお、ここでは、導電性接着層１２を構成する半田材料として、半田箔を供給する例について説明するが、半田材料の供給形態は特に限定されることなく、例えば半田ペーストで供給してもよい。また、ここでは、導電性接着層１２として半田材料を用いることとするが、導電性接着層１２の構成材料は半田材料に限定されることなく、導電性ダイボンドペーストを用いることも可能である。導電性ダイボンドペーストとしては、銀（Ａｇ）のフィラーを熱硬化型エポキシ樹脂に混ぜた銀ペーストや、グラファイト粉末を熱硬化型エポキシ樹脂に混ぜたもの等が挙げられる。
【００２２】
続いて、上記導電性接着層１２上に半導体レーザチップ１３を配置する。この際、半導体レーザチップ１３の発光点を有する光出射端面１３ａが、本体１１ａにおける突出部１１ｂ側の端面Ｓに沿うように、半導体レーザチップ１３を導電性接着層１２を介して本体１１ａ上に配置する。この際、半導体レーザチップ１３をＰＮ接合分岐点が本体１１ａに近くなるように、ジャンクションダウンマウントを行うことで、半導体レーザチップ１３からの排熱性を高めることができるため、好ましい。
【００２３】
また、本発明に用いる半導体レーザチップ１３については、特に限定されるものではないが、１つのチップ内に独立制御可能なレーザビームを出射する複数の発光点を備えたマルチビーム型の半導体レーザチップであれば、高い排熱性を必要とするため、後述する本発明の効果を顕著に奏することができるため、好ましい。
【００２４】
その後、図２（ｃ）に示すように、２７０℃程度の熱をかけて、半田材料からなる導電性接着層１２を溶融させる。この際、導電性接着層１２は、半導体レーザチップ１３の周囲の基体１１上に広がるため、本体１１ａ上だけでなく、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａからもはみ出した状態で突出部１１ｂ上にも広がる。そして、導電性接着層１２が固化することで、半導体レーザチップ１３が基体１１上に熱接合により固定される。
【００２５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、何らかの治具または手により突出部１１ｂ（前記図２（ｃ）参照）を掴持し、例えば本体１１ａとは反対側に引っ張るまたは上下方向にずらすことで、上記連結部１１ｄ（前記図２（ｃ）参照）を基点として、突出部１１ｂとともに突出部１１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２とを取り除く。これにより、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａを汚染せずに、突出部１１ｂと突出部１１ｂ上の導電性接着層１２が取り除かれる。
【００２６】
以上の工程を行うことで、光出射端面１３ａと本体１１ａの端面Ｓとが略同一面となるように、本体１１ａ上に導電性接着層１２を介して半導体レーザチップ１３が配置された半導体レーザ装置が完成する。
【００２７】
なお、ここでは、突出部１１ｂを掴持して取り除くこととしたが、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａを汚染しないように、突出部１１ｂを取り除くことができれば、どのような方法で取り除いてもよく、例えば上記連結部１１ｄをレーザ等で焼き切ることで、突出部１１ｂを取り除いてもよい。
【００２８】
このような半導体レーザ装置の製造方法によれば、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａよりも突出した突出部１１ｂとともに、突出部１１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２を取り除くことから、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａの下部側がヒートシンク（本体１１ａ）と離間しない状態で維持される。したがって、半導体レーザチップ１３の排熱性に優れた半導体レーザ装置を製造することができるため、半導体レーザチップ１３の劣化が抑制され、高性能な半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２９】
また、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａ側にはみだした導電性接着層１２が残存しないため、はみ出した導電性接着層１２が光出射端面１３ａに付着することによる短絡回路の形成や、はみ出した導電性接着層１２の盛り上がりにより光出射端面１３ａの発光点が塞がれることが防止される。したがって、半導体レーザ装置の歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
さらに、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａ側にはみ出した導電性接着層１２が残存しないため、マイクロレンズ等の光学部品を、半導体レーザチップの光出射端面１３ａ近傍に配置することも可能となる。したがって、用途に合わせた光学部品をレーザ装置に実装することができる。
【００３１】
（第２実施形態）
本実施形態では、基体がヒートシンクとなる本体と本体の一端面側に配置された付設体とで構成された例について、図３の製造工程断面図を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の構成には同一の番号を付して説明する。
【００３２】
まず、図３（ａ）に示すように、例えば、第１実施形態の本体１１ａ（前記図２（ｄ）参照）と同一形状のＣｕからなる本体２１ａの一端面Ｓ’側に、本体２１ａと同程度の厚みを有する直方体状の付設体２１ｂを、付設体２１ｂの表面が本体２１ａの表面と略同一面となるように配置し、本体２１ａと付設体２１ｂとを、横方向からクランプ等で挟持する。このようにして、本体２１ａと付設体２１ｂとが相互に押圧された状態で密着して配置された基体２１を構成する。なお、本体２１ａはヒートシンクであることとする。
【００３３】
ここで、付設体２１ｂの幅（ｘ方向）（前記図１（ａ）参照）は、後述する導電性接着層がはみ出す範囲の幅に設けられていればよく、ここでは、本体１１ａと同一幅で設けられることとする。また、付設体２１ｂの奥行き（ｙ方向）の長さは後述する導電性接着層がはみ出す範囲よりも長く設けられていればよい。また、付設体２１ｂのｚ方向の厚みは、本体２１ａの端面Ｓ’側に配置された状態で、本体２１ａと付設体２１ｂとを横方向からクランプで挟持できる程度の厚みで設けられていることが好ましく、本体２１ａと同程度の厚みとすることで、付設体２１ｂの表面が本体２１ａの表面と略同一面となるように付設体２１ｂを配置し易いため、好ましい。
【００３４】
また、この付設体２１ｂの材質は特に限定されるものではない。ただし、本体２１ａよりも後述する導電性接着層との濡れ性がよい材質で構成する方が、後述するように、余剰に供給した導電性接着層を溶融する際、余剰分を選択的に付設体２１ｂ側にはみ出させ、付設体２１ｂとともにはみ出した導電性接着層を取り除くことができるため、好ましい。また、導電性接着層を溶融する際に、毛細管現象により本体２１ａと付設体２１ｂとの間に導電性接着層が入り込んだとしても、付設体２１ｂを本体２１ａよりも導電性接着層との濡れ性がよい材質で構成することで、本体２１ａと付設体２１ｂとの間に入り込んだ導電性接着層を付設体２１ｂとともに取り除くことができる。ここでは、後述するように導電性接着層をＡｕＳｎで構成することから、本体２１ａを構成するＣｕよりもＡｕＳｎとの濡れ性がよい、例えばＡｕで付設体２１ｂを構成する。
【００３５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、後工程で半導体レーザチップを配置する基体２１の表面の一領域に、第１実施形態と同様に、導電性接着層１２として、ＡｕＳｎからなる成型された半田箔を載置し、ＡｕＳｎを余剰に供給する。
【００３６】
続いて、上記導電性接着層１２上に半導体レーザチップ１３を配置する。この際、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａと上記本体２１ａにおける付設体２１ｂ側の端面Ｓ’とが略同一面となるように、本体２１ａ上に導電性接着層１２を介して半導体レーザチップ１３を配置する。
【００３７】
その後、図３（ｃ）に示すように、２７０℃程度の熱をかけて、導電性接着層１２を溶融させる。この際、導電性接着層１２は、半導体レーザチップ１３の周囲の基体２１上に広がるため、本体２１ａ上だけでなく、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａからもはみ出した状態で付設体２１ｂ上にも広がる。この際、毛細管現象により、本体２１ａと付設体２１ｂとの間に導電性接着層１２が入り込む場合もある。そして、導電性接着層１２が固化することで、半導体レーザチップ１３が基体２１上に熱接合により固定される。
【００３８】
次いで、図３（ｄ）に示すように、クランプ（図示省略）の挟持状態を解除し、付設体２１ｂ（前記図３（ｃ）参照）を本体２１ａから離脱させることで、付設体２１ｂとともに付設体２１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２を取り除く。この際、導電性接着層１２の溶融工程において、本体２１ａと付設体２１ｂとの間に導電性接着層１２が入り込んだとしても、付設体２１ｂが本体２１ａよりも導電性接着層１２との濡れ性のよい材料で構成されていることから、本体２１ａと付設体２１ｂとの間に入り込んだ導電性接着層１２は付設体２１ｂとともに取り除かれる。
【００３９】
以上のようにして、光出射端面１３ａが本体２１ａの端面Ｓ’と略同一面となるように、本体２１ａ上に導電性接着層１２を介して半導体レーザチップ１３が配置された半導体レーザ装置が完成する。
【００４０】
このような半導体レーザ装置の製造方法によっても、光出射端面１３ａよりも突出した付設体２１ｂと付設体２１ｂ上の導電性接着層２２とを取り除くことから、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
（変形例１）
なお、上記第２実施形態では、図３（ａ）を用いて説明したように、本体２１ａと付設体２１ｂとが接合されていない状態の基体２１を用いる例について説明したが、図４（ａ）に示すように、本体２１ａと付設体２１ｂとが接着層２２により接合されていてもよい。
【００４２】
この場合、付設体２１ｂの幅（ｘ方向）（前記図１（ａ）参照）は、本体２１ａと同一幅で設けられることとするが、導電性接着層１２がはみ出す範囲の幅に設けられていればよい。また、付設体２１ｂの奥行き（ｙ方向）の長さは、後工程で、付設体２１ｂを治具等で掴持して取り除くことから、治具等で掴持できる程度の５ｍｍ以上であることが好ましい。さらに、付設体２１ｂの厚み（ｚ方向）は、接着層２２を介して固定でき、上記治具等で掴持できる範囲の厚みであることが好ましい。
【００４３】
また、付設体２１ｂは、第２実施形態で説明したように、本体２１ａよりも導電性接着層１２との濡れ性のよい材質で構成されることが好ましい。さらに、付設体２１ｂを本体２１ａよりも上記接着層２２との濡れ性のよい材質で構成することで、後工程で、付設体２１ｂを取り除く際に、付設体２１ｂとともに接着層２２も取り除くことができるため、好ましい。
【００４４】
ここで、本体２１ａと付設体２１ｂとを接合する接着層２２としては、後述する導電性接着層として用いる導電性ダイボンドペーストの硬化温度よりも高く、かつ硬化後の導電性ダイボンドペーストが変性しない程度の温度で溶融する半田材料を用いることとする。ここでは、例えば１５０℃程度で溶融するインジウム銀（ＩｎＡｇ）または銀錫（ＡｇＳｎ）からなる半田材料を用いることとする。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、後工程で半導体レーザチップを配置する基体１１の表面の一領域に、導電性接着層１２を形成する。ここでは、導電性接着層１２としては、例えば銀（Ａｇ）のフィラーを熱硬化型樹脂に混ぜた硬化温度１００℃程度の銀ペーストを用いることとし、上記基体１１の表面の一領域に銀ペーストを塗布形成する。
【００４６】
続いて、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａと上記本体２１ａにおける付設体２１ｂ側の端面Ｓ’とが略同一面となるように、本体２１ａ上に導電性接着層１２を介して半導体レーザチップ１３を配置する。この際、導電性接着層１２は、半導体レーザチップ１３の周囲の基体２１上にはみ出し、半導体レーザチップ１３の光出射端面１３ａからも付設体２１ｂ上にはみ出した状態となる。
【００４７】
その後、導電性接着層１２の硬化温度（約１００℃）よりも高く、接着層２２の溶融温度よりも低い温度をかけて、本体２１ａの表面に半導体レーザチップ１３を固定する。此の際、上記付設体２１ｂは本体２１ａに接合した状態で維持される。
【００４８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、１５０℃程度の温度をかけて半田材料からなる接着層２２を溶融し、付設体２１ｂとともに付設体２１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２を取り除く。これにより、硬化した銀ペーストからなる導電性接着層１２は変性しないため、半導体レーザチップ１３の固定状態が維持される。また、付設体２１ｂは本体２１ａよりも接着層２２との濡れ性のよい材料で構成されていることから、接着層２２は付設体２１ｂとともに除去される。なお、接着層２２は全て除去されることが好ましいが、マイクロレンズ等の光学部品の実装に影響のない範囲であれば、本体２１ａの端面Ｓ’に残存しても構わない。
【００４９】
このような半導体レーザ装置の製造方法であっても、光出射端面１３ａよりも突出する付設体２１ｂとこの付設体２１ｂ上にはみ出した導電性接着層１２とを取り除くことから、第２実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５０】
なお、以上説明した第１実施形態、第２実施形態および変形例１では、本体１１ａまたは本体２１ａがヒートシンクである例について説明したが、本体１１ａ、２１ａがサブマウントであっても本発明は適用可能である。また、ヒートシンク上に導電性接着層を介してサブマウントが配置され、サブマウント上に導電性接着層を介して半導体レーザチップが配置された半導体レーザ装置を製造する際に、ヒートシンクとサブマウントの両方を、基体１１または基体２１から加工してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程図（斜視図，断面図）である（その１）。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための製造工程図（斜視図，断面図）である（その２）。
【図３】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る第２実施形態を説明するための製造工程断面図である。
【図４】本発明の半導体レーザ装置の製造方法に係る第２実施形態の変形例１を説明するための製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１１，２１…基体、１１ａ，２１ａ…本体、１１ｂ…突出部、１２…導電性接着層、１３…半導体レーザチップ、１３ａ…光出射端面、２１ｂ…付設体、Ｓ，Ｓ’…端面
【図１】
2007157960.tif 000003
【図２】
2007157960.tif 000004
【図３】
2007157960.tif 000005
【図４】
2007157960.tif 000006