(57)【要約】【課題】  励起光源から出射する励起光を効率よくレーザー結晶のコア部分に入射させることが可能なレーザー装置を提供する。【解決手段】  レーザー光を出射する励起光源と、励起光源から出射されたレーザー光が入射するレーザー結晶を備えた共振器と、励起光源と共振器との間に配置され、レーザー光が透過する励起光学系と、を有するレーザー装置であって、励起光源から出射されたレーザー光をスーパープリズム効果によって分光するフォトニック結晶を分光手段として設ける。【選択図】  図１
2007027251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を出射する励起光源と、
前記励起光源から出射されたレーザー光が入射するレーザー結晶を備えた共振器と、
前記励起光源と前記共振器との間に配置され、前記レーザー光が透過する励起光学系と、を有するレーザー装置であって、
前記励起光源から出射されたレーザー光を分光する分光手段を設けたことを特徴とするレーザー装置。
【請求項２】
前記分光手段で分光したレーザー光のうち、所定の波長のレーザー光を遮光する遮光手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のレーザー装置。
【請求項３】
前記分光手段で分光したレーザー光のうち、所定の波長のレーザー光を集光する集光手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー装置。
【請求項４】
前記分光手段の入出力面に、屈折率を徐々に変化させる構造を設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレーザー装置。
【請求項５】
前記共振器の反射ミラーの波長がそれぞれ異なる複数の前記レーザー結晶をアレイ状に配置したことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザー装置。
【請求項６】
前記分光手段は、スーパープリズム効果を有するフォトニック結晶であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザー装置。
【請求項７】
前記レーザー結晶は、レーザー媒質となる元素を添加したコア部と、レーザー媒質となる元素を含まないクラッド部と、を有し、
前記レーザー光は、前記コア部へ入射することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のレーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体レーザー結晶を使用し、波長変換デバイスを用いて様々な波長を発振できるレーザー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザー媒質となる元素を添加したコアとレーザー媒質となる元素を含まないクラッドからなるレーザー結晶と、このレーザー結晶に励起光を側面から照射する励起光源と、上記レーザー媒質を冷却する冷却手段とを備えた固体レーザー発振装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この固体レーザー発振装置は、レーザー結晶を平板状に形成し、かつ、その裏面全面を冷却手段の平坦な冷却面に接触させることによって、ロッド型(円柱型)のレーザー結晶に比較してコア部の冷却効果の向上を図って温度勾配によるコアの熱歪みを軽減し、ビーム品質の劣化を防ぐようにしている。例えば特許文献１では、裏面だけでなくコア部を含むレーザー結晶表面の冷却も行っている。この種の固体レーザー発振装置は、レーザー結晶の厚みが１ｍｍ以下という非常に薄く小さい形態からマイクロチップレーザーと称されている。
【０００３】
図８は、レーザー結晶に対して側面から光を入射する、側面励起固体レーザー装置の従来技術の構成を示したものである。このレーザー装置は、図８に示すように、励起光源としての半導体レーザー１、半導体レーザーの光をレーザー結晶へ効率よく入射させるための光学系２、コア３とクラッド４を有するレーザー結晶５、レーザー結晶を冷却するためのヒートシンク６から構成されている。
【０００４】
一方、近年注目されているフォトニック結晶の特性の１つとして、「スーパープリズム」という現象がある。これは、ガラスなどで作られるプリズムのように分光する現象（色分散）が、波長差１％につき分散角が０．１度なのに対して、フォトニック結晶では波長差１％に対して５０度と通常プリズムの約５００倍となっている。また、中間の波長をもつ光はほぼ波長に比例した角度で折れ曲がる（例えば、非特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３５０３５８８号公報
【非特許文献１】小坂  英男、“スーパープリズムにはじまるフォトニック結晶光学”、O plus E  １９９９年１２月号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記側面励起固体レーザー装置においては、励起光の出力強度に対するレーザー結晶からのレーザー発振光出力強度の比、いわゆる発振効率が問題となる。特に、レーザー媒質は特定の波長領域に対して吸収する特性をもっており、この波長域とほぼ同じ波長域をカバーするように励起光源の波長域が設定されるべきであるが、実際には励起光源の波長域が広くなってしまい、その分がレーザー発振に寄与しないため、結果として効率を落とすことになる。
【０００６】
そこで、本発明は、光源から出射する励起光（レーザー光）を効率よくレーザー結晶のコア部分に入射させることが可能なレーザー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的を達成するために、請求項１記載の発明は、レーザー光を出射する励起光源と、励起光源から出射されたレーザー光が入射するレーザー結晶を備えた共振器と、励起光源と共振器との間に配置され、レーザー光が透過する励起光学系と、を有するレーザー装置であって、励起光源から出射されたレーザー光を分光する分光手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、分光手段で分光したレーザー光のうち、所定の波長のレーザー光を遮光する遮光手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、分光手段で分光したレーザー光のうち、所定の波長のレーザー光を集光する集光手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の発明において、分光手段の入出力面に、屈折率を徐々に変化させる構造を設けたことを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の発明において、共振器の反射ミラーの波長がそれぞれ異なる複数のレーザー結晶をアレイ状に配置したことを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の発明において、分光手段は、スーパープリズム効果を有するフォトニック結晶であることを特徴とする。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項１から６のいずれか１項に記載の発明において、レーザー結晶は、レーザー媒質となる元素を添加したコア部と、レーザー媒質となる元素を含まないクラッド部と、を有し、レーザー光は、コア部へ入射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、励起光を効率よくレーザー結晶のコア部分に入射させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
本発明の実施例１であるレーザー装置の構成を図１に示す。また、図２は本実施例の上面図であり、図３は本実施例の側面図である。
【００１７】
図１〜図３に示すように、本実施例のレーザー装置は、半導体レーザーが線状に配置された半導体レーザーアレイ７と、半導体レーザーアレイ７からの光をビーム整形し、さらにコリメートするためのコリメートレンズ８と、コリメートされたビームを縮小するための縮小光学系９と、縮小光学系９からの光を分光するためのフォトニック結晶１１と、特定の波長域を選択するための遮光手段であるピンホール１０と、ピンホール１０からの光を集光するための集光レンズ１２と、レーザー媒質となる元素を添加したコア部１３及びレーザー媒質となる元素を含まないクラッド部１４を備えるレーザー結晶１５と、を有して構成される。
【００１８】
半導体レーザーアレイ７は、サブマウント上に配置され、温度制御のための素子（例えばペルチェ素子や空冷ユニットなど）で温度制御される。半導体レーザーアレイ７の中心波長として８０８ｎｍ、波長のＦＷＨＭが２.５ｎｍ、１９アレイの半導体レーザーアレイを用いる。
【００１９】
縮小光学系９は、通常用いられているようなレンズ２枚で構成される。本実施例では凸レンズ２枚で構成しているが、凸レンズと凹レンズの２枚で構成しても構わない。
【００２０】
フォトニック結晶１１は、半導体レーザーアレイ７の波長に対して透明な材料を用いた２次元周期構造を持つものである。具体的には、ＴｉＯ２基板に対して円柱状あるいは中空状に２次元周期的に微細加工したものである。このフォトニック結晶１１は、波長８０８ｎｍの光が入射した場合はそのまま直進し、波長差１％に対して５０度分光する作用がある。
【００２１】
ピンホール１０は、金属板に微小な円形の穴が開いたもので、穴の径は上記フォトニック結晶１１の分光と、半導体レーザーの波長帯域として選択したい領域の関係で決まる。本実施例で使用する半導体レーザーアレイ７のＦＷＨＭは２.５ｎｍで、選択したい波長帯域が１ｎｍ幅とすると、上記波長差１％に対して５０度分光するフォトニック結晶１１では角度が６.２５度以内の光が選択したい波長帯域の光となる。フォトニック結晶１０の厚さが１００μｍとすると、ピンホール１０の直径は１０.９μｍとなる。
【００２２】
レーザー結晶１５は、クラッド部１３がセラミックスＹＡＧ、コア部１４がＮｄをドープしたＹＡＧを用いている。レーザー結晶１５の吸収波長は８０８ｎｍである。このレーザー結晶１５は、レーザー発振する波長である１０６４ｎｍに対して、基板に設置する面では反射率１００％、レーザー光が出射する面では反射率が９７％のコーティングを施している。また、コア部１４の大きさは、０.５ｍｍ角で高さが１ｍｍ、レーザー結晶１５全体の大きさは１ｍｍ立方である。さらに、レーザー結晶１５は、自ら発生する熱を廃熱するための温度制御ユニット（例えばペルチェ素子や空冷ユニット等）上に配置される。なお、本実施例のレーザー結晶は、図示しない共振器内に備えられる。
【００２３】
そして、本実施例のレーザー装置では、図１に示すように、温度制御ユニットを含む半導体レーザーアレイ７、コリメートレンズ８、縮小光学系９、フォトニック結晶１１、ピンホール１０、集光レンズ１２、温度制御ユニットを含むレーザー結晶１５、の光学素子が１つの基板上に配置される。
【００２４】
本実施例の動作について説明する。
半導体レーザーアレイ７は１９素子が一括で点灯する。この半導体レーザーアレイ７は放射角が水平方向と垂直方向では大きく異なるため、２つの焦点距離が異なり曲面のある方向が互いに直行するシリンドリカルレンズを組み合わせてコリメートレンズ８としている。特に垂直方向は放射角が大きいので、焦点距離の短いシリンドリカルレンズとし、水平方向は垂直方向に比べて放射角が小さいので、焦点距離の長いシリンドリカルレンズとし、コリメートしている。この際に、ほぼ円形となるように各シリンドリカルレンズの焦点距離を選んでいる。この後、フォトニック結晶１１に垂直入射した光はフォトニック結晶１１内で分光される。そして、上述のように、波長８０８ｎｍは直進し、８０８ｎｍからの波長差１％に対して５０度分光する。フォトニック結晶１１の先に配置されたピンホール１０ではちょうど波長幅１ｎｍの光が透過し、それ以外の波長の光はピンホール１０で遮光され、その後の集光レンズ１２には入射しない。この後、集光レンズ１２により、レーザー結晶１５へ入射し、コア部１４で集光する。
【００２５】
上述したように本実施例の構成では、コリメートした後の励起光はアレイ状になっているが、アレイインテグレータ（フライアイレンズ）を用いて重ね合わせて１つの光源のようにしても構わない。また、上述したコリメートレンズ８や集光レンズ１２以外にも、特開平７-９８４０２号公報で開示されているレンズを使用しても構わない。
【実施例２】
【００２６】
本発明の実施例２であるレーザー装置の構成を図４に示す。また、図５は本実施例の上面図であり、図６は本実施例の側面図である。
【００２７】
図４〜図６に示すように、本実施例のレーザー装置は、半導体レーザーが線状に配置された半導体レーザーアレイ１７と、半導体レーザーアレイ１７からの光をビーム整形し、さらにコリメートするためのコリメートレンズ１８と、コリメートされたビームを縮小するための縮小光学系１９と、縮小光学系１９からの光を分光するためのフォトニック結晶２１と、特定の波長域を選択し集光するための集光レンズ２２と、レーザー媒質となる元素を添加したコア部２３及びレーザー媒質となる元素を含まないクラッド部２４を備えるレーザー結晶２５と、を有して構成される。
【００２８】
半導体レーザーアレイ１７は、サブマウント上に配置され、温度制御のための素子（例えばペルチェ素子や空冷ユニットなど）で温度制御される。半導体レーザーアレイ１７の中心波長として８０８ｎｍ、波長のＦＷＨＭが２.５ｎｍ、１９アレイの半導体レーザーアレイを用いる。
【００２９】
縮小光学系１９は、通常用いられているようなレンズ２枚で構成される。本実施例では凸レンズ２枚で構成しているが、凸レンズと凹レンズの２枚で構成しても構わない。
【００３０】
フォトニック結晶２１は、半導体レーザーアレイ１７の波長に対して透明な材料を用いた２次元周期構造を持つものである。具体的には、ＴｉＯ２基板に対して円柱状あるいは中空状に２次元周期的に微細加工したものである。このフォトニック結晶２１は、波長８０８ｎｍの光が入射した場合はそのまま直進し、波長差１％に対して５０度分光する作用がある。さらに、本実施例では、フォトニック結晶２１の入射面出射面に対して屈折率が徐々に変化する構造を設けている。具体的には光の波面に対して徐々に屈折率が変化するような山型の構造を設けている。
【００３１】
集光レンズ２２は、通常のレンズではあるが、上記フォトニック結晶２１の分光と半導体レーザーの波長帯域として選択したい領域の関係でＮＡを選択したものである。本実施例で使用する半導体レーザーアレイ１７のＦＷＨＭは２.５ｎｍで選択したい波長帯域が１ｎｍ幅とすると、上記波長差１％に対して５０度分光するフォトニック結晶では角度が６.２５度以内の光が選択したい波長帯域の光となる。したがって、ＮＡが０.０５程度のレンズを選択している。
【００３２】
レーザー結晶２５は、クラッド部２３がセラミックスＹＡＧ、コア部２４がＮｄをドープしたＹＡＧを用いている。レーザー結晶２５の吸収波長は８０８ｎｍである。このレーザー結晶２５は、レーザー発振する波長である１０６４ｎｍに対して、基板に設置する面では反射率１００％、レーザー光が出射する面では反射率が９７％のコーティングを施している。また、コア部２４の大きさは、０.５ｍｍ角で高さが１ｍｍ、レーザー結晶２５全体の大きさは１ｍｍ立方である。さらに、レーザー結晶２５は、自ら発生する熱を廃熱するための温度制御ユニット（例えばペルチェ素子や空冷ユニット等）上に配置される。
【００３３】
そして、本実施例のレーザー装置では、図４に示すように、温度制御ユニットを含む半導体レーザーアレイ１７、コリメートレンズ１８、縮小光学系１９、フォトニック結晶２１、集光レンズ２２、温度制御ユニットを含むレーザー結晶２５、の光学素子が１つの基板上に配置される。
【００３４】
本実施例の動作について説明する。
半導体レーザーアレイ１７は１９素子が一括で点灯する。この半導体レーザーアレイ１７は放射角が水平方向と垂直方向では大きく異なるため、２つの焦点距離が異なり曲面のある方向が互いに直行するシリンドリカルレンズを組み合わせてコリメートレンズ１８としている。特に垂直方向は放射角が大きいので、焦点距離の短いシリンドリカルレンズとし、水平方向は垂直方向に比べて放射角が小さいので、焦点距離の長いシリンドリカルレンズとし、コリメートしている。この際に、ほぼ円形となるように各シリンドリカルレンズの焦点距離を選んでいる。この後、フォトニック結晶２１に垂直入射した光はフォトニック結晶２１内で分光される。そして、上述のように、波長８０８ｎｍは直進し、８０８ｎｍからの波長差１％に対して５０度分光する。フォトニック結晶２１で分光された光は、集光レンズ２２でちょうど波長幅１ｎｍの光が集光に寄与し、それ以外の波長の光は集光されない。集光レンズ２２の焦点位置をレーザー結晶２５のコア部２４とすることにより、レーザー結晶２５へ入射し、コア部２４で集光する。
【００３５】
上述したように本実施例の構成では、コリメートした後の励起光はアレイ状になっているが、アレイインテグレータ（フライアイレンズ）を用いて重ね合わせて１つの光源のようにしても構わない。また、上述したコリメートレンズ１８や集光レンズ２２以外にも、特開平７-９８４０２号公報で開示されているレンズを使用しても構わないが、集光レンズのＮＡは波長帯域に合わせて選択する。
【実施例３】
【００３６】
本発明の実施例３であるレーザー装置の構成を図７に示す。
【００３７】
図７に示すように、本実施例のレーザー装置は、半導体レーザーが線状に配置された半導体レーザーアレイ２７と、半導体レーザーアレイ２７からの光をビーム整形し、さらにコリメートするためのコリメートレンズ２８と、コリメートされたビームを縮小するための縮小光学系２９と、縮小光学系２９からの光を分光するためのフォトニック結晶３１と、特定の波長域を選択するための遮光手段であるピンホール３０と、ピンホール３０からの光を集光するための集光レンズ３２と、レーザー媒質となる元素を添加したコア部３３及びレーザー媒質となる元素を含まないクラッド部３４を備えるレーザー結晶３５と、を有して構成されたものが、３つアレイ状に配置された構造となっている。
【００３８】
縮小光学系２９は、通常用いられているようなレンズ２枚で構成される。本実施例では凸レンズ２枚で構成しているが、凸レンズと凹レンズの２枚で構成しても構わない。
【００３９】
半導体レーザーアレイ２７は、サブマウント上に配置され、温度制御のための素子（例えばペルチェ素子や空冷ユニットなど）で温度制御される。半導体レーザーアレイ２７の中心波長として８０８ｎｍ、波長のＦＷＨＭが２.５ｎｍ、１９アレイの半導体レーザーアレイを用いる。
【００４０】
フォトニック結晶３１は、半導体レーザーアレイ２７の波長に対して透明な材料を用いた２次元周期構造を持つものである。具体的には、ＴｉＯ２基板に対して円柱状あるいは中空状に２次元周期的に微細加工したものである。このフォトニック結晶１０は、波長８０８ｎｍの光が入射した場合はそのまま直進し、波長差１％に対して５０度分光する作用がある。
【００４１】
ピンホール３０は、金属板に微小な円形の穴が開いたもので、穴の径は上記フォトニック結晶３１の分光と、半導体レーザーの波長帯域として選択したい領域の関係で決まる。本実施例で使用する半導体レーザーアレイ２７のＦＷＨＭは２.５ｎｍで、選択したい波長帯域が１ｎｍ幅とすると、上記波長差１％に対して５０度分光するフォトニック結晶３１では角度が６.２５度以内の光が選択したい波長帯域の光となる。フォトニック結晶３１の厚さが１００μｍとすると、ピンホール３１の直径は１０.９μｍとなる。
【００４２】
レーザー結晶３５は、クラッド部１３がGdVO4、コア部１４がＮｄをドープしたGdVO4を用いている。このレーザー結晶３５は、９１２ｎｍ、１０６３ｎｍ、１３４６ｎｍと１つのレーザー結晶から３つの基本波が出力できる。基本波の選択は、レーザー発振する波長に対してそれぞれレーザー結晶面にコーティングする反射膜のスペクトルが異なるレーザー結晶を準備することで行う。波長は上述のように３種類あり、図７では９１２ｎｍをレーザー結晶３５（λ１）と、１０６３ｎｍをレーザー結晶３５（λ２）と、１３４６ｎｍをレーザー結晶３５（λ３）と表示している。それぞれのレーザー結晶の基板に設置する面では、それぞれの波長に対し反射率１００％、レーザー光が出射する面では反射率が９７％のコーティングを施している。また、コア部の直径は０.５ｍｍ角で高さが１ｍｍ、レーザー結晶全体の大きさは１ｍｍ立方である。
【００４３】
そして、本実施例のレーザー装置では、図７に示すように、温度制御ユニットを含む半導体レーザーアレイ２７、コリメートレンズ２８、縮小光学系２９、フォトニック結晶３１、ピンホール３０、集光レンズ３２、温度制御ユニットを含むレーザー結晶３５、の光学素子が１つの基板上に配置される。
【００４４】
本実施例の動作について説明する。なお、３つのアレイとも波長は異なるが動作はまったく同じである。
半導体レーザーアレイ２７は１９素子が一括で点灯する。この半導体レーザーアレイ２７は放射角が水平方向と垂直方向では大きく異なるため、２つの焦点距離が異なり曲面のある方向が互いに直行するシリンドリカルレンズを組み合わせてコリメートレンズ２８としている。特に垂直方向は放射角が大きいので、焦点距離の短いシリンドリカルレンズとし、水平方向は垂直方向に比べて放射角が小さいので、焦点距離の長いシリンドリカルレンズとし、コリメートしている。この際に、ほぼ円形となるように各シリンドリカルレンズの焦点距離を選んでいる。この後、フォトニック結晶３１に垂直入射した光はフォトニック結晶３１内で分光される。そして、上述のように、波長８０８ｎｍは直進し、８０８ｎｍからの波長差１％に対して５０度分光する。フォトニック結晶３１の先に配置されたピンホール３０ではちょうど波長幅１ｎｍの光が透過し、それ以外の波長の光はピンホール３０で遮光され、その後の集光レンズ３２には入射しない。この後、集光レンズ３２により、レーザー結晶３５へ入射し、コア部３４で集光する。
【００４５】
上述したように本実施例の構成では、コリメートした後の励起光はアレイ状になっているが、アレイインテグレータ（フライアイレンズ）を用いて重ね合わせて１つの光源のようにしても構わない。また、上述したコリメートレンズ２８や集光レンズ３２以外にも、特開平７-９８４０２号公報で開示されているレンズを使用しても構わない。
【００４６】
以上説明したように、上記実施例のレーザー装置においては、レーザー結晶に対して効率よく発振できる波長の光を集めるために所定の波長域の光を分光する分光手段を設けることにより、発振に寄与しない波長の光がレーザー結晶内で吸収されて熱に変わり、結果的に効率を落とすことを抑えることが可能となる。
【００４７】
また、上記実施例のレーザー装置においては、分光手段として、フォトニック結晶のスーパープリズム効果を用いることにより、小型でレーザー装置を構成することができる。
【００４８】
また、上記実施例のレーザー装置においては、不要な光をレーザー結晶へ入射しないようにする遮光手段（ピンホール）を設けることにより、さらにレーザー結晶内で発生する熱を抑えることができる。
【００４９】
また、上記実施例のレーザー装置においては、必要な波長の光だけ集光してレーザー結晶へ入射するようにする光学系（集光レンズ）を設けることにより、さらにレーザー結晶内で発生する熱を抑えることができる。
【００５０】
また、上記実施例のレーザー装置においては、フォトニック結晶の入出力面に屈折率が徐々に変化する構造を設けることにより、フォトニック結晶の入出力時に損失となる光を抑えることが可能となり、励起光からレーザー発振への効率を高めることができる。
【００５１】
また、上記実施例のレーザー装置においては、アレイ状に配置することにより、複数の波長のレーザー光を小型に配置することができる。
【００５２】
以上、本発明の各実施例について説明したが、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、プリンタ用光書込み用光源、ディスプレイ用光源などに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係る構成を示す概観図である。
【図２】本発明の実施例１に係る構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る構成を示す側面図である。
【図４】本発明の実施例２に係る構成を示す概観図である。
【図５】本発明の実施例２に係る構成を示す上面図である。
【図６】本発明の実施例２に係る構成を示す測面図である。
【図７】本発明の実施例３に係る構成を示す概観図である。
【図８】従来技術に係る構成を示す概観図である。
【符号の説明】
【００５５】
１    半導体レーザー
２    光学系
３    コア
４    クラッド
５    レーザー結晶
６    ヒートシンク
７、１７、２７    半導体レーザーアレイ（励起光源の一例）
８、１８、２８    コリメートレンズ（励起光学系の一例）
９、１９、２９    縮小光学系（励起光学系の一例）
１０、３０    ピンホール（遮光手段の一例）
１１、２１、３１    フォトニック結晶（分光手段の一例）
１２、２２、３２    集光レンズ（集光手段の一例）
１３、２３、３３    クラッド部
１４、２４、３４    コア部
１５、２５、３５    レーザー結晶
【図１】
2007027251.tif 000003
【図２】
2007027251.tif 000004
【図３】
2007027251.tif 000005
【図４】
2007027251.tif 000006
【図５】
2007027251.tif 000007
【図６】
2007027251.tif 000008
【図７】
2007027251.tif 000009
【図８】
2007027251.tif 000010