(57)【要約】【課題】  基板間の接続強度面での接続信頼性に優れた接続端子を有する回路装置を提供することを目的とする。【解決手段】  半導体基板（１）と、半導体基板（１）に設けられた導電性バンプ（２）と、回路基板（３）と、回路基板（３）に設けられ、先端が開口した中空の弾性体からなる導電性スプリング（４）と、を備え、導電性スプリング（４）は、回路基板（３）との設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有し、導電性バンプ（２）は、導電性スプリング（４）の開口部から嵌入し、導電性バンプ（２）の側面が導電性スプリング（４）の内側のテーパ面に接触することで半導体基板（１）と回路基板（３）とを電気的に接続せしめる。【選択図】  図１
2007157745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板（１）と、
前記第１の基板（１）に設けられた第１の導電性端子（２）と、
第２の基板（３）と、
前記第２の基板（３）に設けられ、先端が開口した中空の弾性体からなる第２の導電性端子（４）と、を備え、
前記第２の導電性端子（４）は、前記第２の基板（３）との設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有し、
前記第１の導電性端子（２）は、前記第２の導電性端子（４）の開口部から嵌入し、前記第１の導電性端子（２）の側面が前記第２の導電性端子（４）の内側のテーパ面に接触することで前記第１の基板（１）と前記第２の基板（３）とを電気的に接続せしめることを特徴とする回路装置（１０）。
【請求項２】
前記第１の導電性端子（２）は、前記第１の基板（１）との設置面から漸次外径を縮小せしめたテーパ形状を有し、
前記第１の導電性端子（２）を前記第２の導電性端子（４）の開口部から嵌入せしめ、
前記第１の導電性端子（２）と前記第２の導電性端子（４）とが接触している領域で、前記第１の導電性端子のテーパ角と前記第２の導電性端子のテーパ角とは同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路装置（１０）。
【請求項３】
前記第２の導電性端子（４）は、コイル状スプリングであり、
前記第１の導電性端子（２）の先端部の外周長は、前記第２の導電性端子（４）の開口部の内周長よりも小さく、且つ前記第２の導電性端子（４）の基底部の内周長よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置（１０）。
【請求項４】
前記第１の導電性端子（２）は、円錐台形状を有していることを特徴とする請求項３に記載の回路装置（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置に関し、特に基板間を電気的に接続する端子の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、多機能化及び高性能化に伴い、入／出力端子数が増加し、高い放熱特性や高速動作が要求されている。また、携帯電子機器の増加により、半導体パッケージの小型化及び軽量化への要求がますます強くなっている。
【０００３】
これらの要求を満たすため、従来のリードフレームを用いたプラスチックパッケージから半導体パッケージ裏面に半田ボールの端子を格子状に配列したボール・グリッド・アレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、以下ＢＧＡ）という技術がある。
【０００４】
このＢＧＡ技術を用いた半導体パッケージを基板上に実装する方法として、半導体パッケージ裏面に配置された半田ボール端子を基板上に設けたコイル状弾性接触部材の端子で受け、電気的に接続する方法が特許文献１に紹介されている。
【０００５】
図１０は、特許文献１に開示されている導電性接触子を示している。チップ５４の裏面に設けられた平坦面状のランド５１上に、非接触子として半田ボール５２が設けられている。又、基板５９の内部には内部配線層６１が設けてあり、内部配線層６１は基板５９の開口部にてクリーム半田５８と接触している。このクリーム半田５８上には支持シート５７が設けてあり、その上にパッチ５６を介してコイル状弾性接触部材５３が半田５５により固定されている。
【０００６】
チップ５４及び基板５９は、半田ボール５２をコイル状弾性接触部材５３のコイル端側の密着巻き部５３ｂに対抗して押し当て、コイル状弾性接触材５３の荷重により接合することによって物理的かつ電気的に接続されている。
【特許文献１】国際公開番号  ＷＯ０１／０１８５５３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半田ボール５２とコイル状弾性接触部材５３は、半田ボール５２が密着巻き部５３ｂに接触している部分（半田ボール５２表面上の線６２）でのみ当接されているため、端子同士の接触面積を十分に確保できず、接続強度面での接続信頼性に欠けるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、基板間の接続強度面での接続信頼性に優れた接続端子を有する回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の回路装置は、第１の基板と、第１の基板に設けられた第１の導電性端子と、第２の基板と、第２の基板に設けられ、先端が開口した中空の弾性体からなる第２の導電性端子と、を備え、第２の導電性端子は、第２の基板との設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有し、第１の導電性端子は、第２の導電性端子の開口部から嵌入し、第１の導電性端子の側面が第２の導電性端子の内側のテーパ面に接触することで第１の基板と第２の基板とを電気的に接続せしめることをその要旨とする。
【００１０】
すなわち、第２の基板上に設けられた、先端が開口した中空の弾性体からなる第２の導電性端子は、第２の基板設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有する。又、第１の基板上に設けられた第１の導電性端子は、第２の導電性端子の開口部から嵌入し、第１の導電性端子の側面と第２の導電性端子の内側のテーパ面とが接触して第１の基板と第２の基板とを電気的に接続せしめる。従って、第１の導電性端子と第２の導電性端子に嵌入することができ、第１の導電性端子と第２の導電性端子とが面接触するため、両端子間の接触面積を確保し、ひいては接続信頼性を向上させることができる。
【００１１】
又、第１の導電性端子に加えられる嵌入方向の荷重は、弾性体である第２の導電性端子の内側のテーパ面を外側に押し広げ、これにより弾性変形を起こした第２の導電性端子が復元しようとする反作用の力は、第１の導電性端子を締め付ける力となるため、第１の導電性端子及び第２の導電性端子の接続強度を向上させることができる。
【００１２】
ここで内径は、立体の断面の内側の形状において、円の場合はその直径、楕円の場合はその長軸、多角形の場合はその最大の対角線をそれぞれ指す。又、側面は、立体を構成する面において上面及び底面のどちらにも属さない面を指す。又、テーパ面とは、テーパを有する立体においてテーパを形成する面を指す。
【００１３】
請求項２の回路装置は、請求項１の発明において、第１の導電性端子は、第１の基板との設置面から漸次外径を縮小せしめたテーパ形状を有し、第１の導電性端子を前記第２の導電性端子の開口部から嵌入せしめ、第１の導電性端子と第２の導電性端子とが接触している領域で、第１の導電性端子のテーパ角と第２の導電性端子のテーパ角とは同一であることをその要旨とする。
【００１４】
すなわち、第１の導電性端子は、第１の基板との設置面から漸次外径を縮小せしめたテーパ形状を有し、第１の導電性端子を第２の導電性端子の開口部から嵌入せしめ、第１の導電性端子と第２の導電性端子との接触している部分で、第１の導電性端子のテーパ角と第２の導電性端子のテーパ角とは同一となる。ここで鋭角であるテーパ角とは、テーパ形状を有する立体において、テーパを形成する鈍角と鋭角の２つの角度の内、９０度未満の鋭角の角度を指す。従って第２の導電性端子は第１の導電性端子を包持し、両端子のテーパ形状を構成するテーパ角が同一であることから、両端子は嵌入時にお互いのテーパ面で接触する。このように第１の導電性端子のテーパ面と第２の導電性端子のテーパ面とが面接触となり、接触面積を十分確保でき、接続強度を向上させることが出来る。
【００１５】
又、端子同士の接触面積が増大することから、端子間にかかる圧力を分散させることができ、第１の導電性端子に圧痕が生じることを防止できる。
【００１６】
請求項３の回路装置は、請求項１又は２の発明において、第２の導電性端子は、コイル状スプリングであり、第１の導電性端子の先端部の外周長は、第２の導電性端子の開口部の内周長よりも小さく、且つ第２の導電性端子の基底部の内周長よりも大きいことをその要旨とする。
【００１７】
すなわち、第２の導電性端子は、コイル状スプリングであり、第１の導電性端子の先端部の外周長は、第２の導電性端子の開口部の内周長よりも小さく、第２の導電性端子の基底部の内周長よりも大きい。従って、第１の導電性端子は、第２の導電性端子であるコイル状スプリングの内部に嵌入し、先端部が第２の導電性端子の基底部に到達せずに接合される。これにより、第２の導電性端子は、第１の導電性端子及び第２の基板のいずれにも接触しない部分を持つことができる。この部分は、弾性変形を妨げる他との接触を持たない為、弾性特性を発揮でき、回路装置に加えられる応力を効果的に吸収し、接続信頼性を向上させることができる。
【００１８】
又、第１の導電性端子に加えられる荷重が、コイル状スプリングである第２の導電性端子を内側から外に押し広げ、スプリングが元の形に戻ろうとする反作用の力が第１の導電性端子を締め付ける力となるため、第１の導電性端子及び第２の導電性端子の接続強度を向上させることができる。
【００１９】
請求項４の回路装置は、請求項３の発明において、第１の導電性端子は、円錐台形状を有していることをその要旨とする。
【００２０】
すなわち、第１の導電性端子は、第１の基板設置面から徐々に外周長が減少する円錐台形状を有し、第２の基板との設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有するコイル状スプリングの第２の導電性端子に嵌入せしめる。このとき、両端子の断面は円であるため、嵌入方向に垂直な面での端子間の接触を効果的に促進する。よって両端子間の接続強度を向上させることが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、両基板の端子間の結合強度及び応力吸収に優れ、接続信頼性の高い接続端子を有する回路装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を詳述する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２３】
図１（ａ）は、本発明の一実施形態による回路装置１０の断面図である。回路装置１０において、半導体基板１は、回路素子及び配線層等を構成する回路素子部１ａ、回路素子部１ａの表面上に設置された電極パッド１ｂ、並びに保護膜としてのポリイミド１ｃで構成されている。回路基板３は、配線層等を構成する回路基板部３ａ、回路基板部３ａの表面上に設置された電極パッド３ｂ、並びに保護膜としてのソルダーレジスト３ｃで構成されている。半導体基板１下部に設けられた導電性バンプ２は、回路基板３上に設けられた導電性スプリング４によって包持されている。
【００２４】
図１（ｂ）は、図１（ａ）の回路装置１０が、半導体基板側部材５の導電性バンプ２を回路基板側部材６の導電性スプリング４の内部に嵌入せしめることによって完成されることを示している。円錐台形状の導電性バンプ２は、その遊端を先端部２ａとし、半導体基板１表面の電極パッド１ｂに設置される面を基底部２ｂとする。又、円錐台形状の導電性スプリング４はその遊端を開口部４ａとし、回路基板３に設置される面を基底部４ｂとする。ここで導電性バンプ２の先端部２ａの外周長は、導電性スプリング４の開口部４ａの内周長よりも小さいため、導電性バンプ２を導電性スプリング４の内部に差し込むことができる。
【００２５】
尚、それぞれ、半導体基板１は本発明の「第１の基板」、導電性バンプ２は本発明の「第１の導電性端子」、先端部２ａは本発明の「第１の導電性端子の先端部」、回路基板３は本発明の「第２の基板」、導電性スプリング４は本発明の「第２の導電性端子」、開口部４ａは本発明の「第２の導電性端子の開口部」、基底部４ｂは本発明の「第２の導電性端子の第２の基板との設置面若しくは第２の導電端子の基底部」、円錐台形状は「テーパ形状」の一例である。又、円錐台形状を構成する上面及び底面でもない側面は、導電性バンプのおいては本発明の「第１の導電性端子の側面」、導電性スプリングにおいては本発明の「第２の導電性端子の内側のテーパ面」の一例である。
【００２６】
図２は、図１（ｂ）において導電性バンプ２の外形及び導電性スプリング４の内形を模式的に示したものである。ここで外形とは立体の表面を形成する形を示し、内形とは立体の中空部を形成する形を示している。台形状の導電性バンプ２の外形を導電性バンプ外形２ｃとし、逆台形状の導電性スプリング４の内形を導電性スプリング内形４ｃとする。又、図２は、図１（ｂ）と対応して、導電性バンプ外形２ｃはその先端部２ａ、基底部２ｂを有し、導電性スプリング内形４ｃはその開口部４ａ、基底部４ｂを有していることを示している。ここで導電性バンプ外形２ｃは、上底２ｄが７０μｍ、下底２ｅが１００μｍ、及び高さ２ｆが６０μｍのパラメータを有し、又、導電性スプリング内形４ｃは、上底４ｄが５０μｍ、下底４ｅが１００μｍ、及び高さ２ｆが１００μｍのパラメータを有している。このように設計することによって導電性バンプ外形２ｃの鋭角のテーパ角αは、導電性スプリング内形４ｃの鋭角のテーパ角βと同一になる。
【００２７】
尚、それぞれ、テーパ角αは本発明の「第１の導電性端子のテーパ角」、テーパ角βは本発明の「第２の導電性端子のテーパ角」の一例である。
【００２８】
以下、図１（ａ）に示される回路装置１０の構造について、製造プロセスを示す図３〜図７を参照しながら説明する。ここで特に、図１（ｂ）の回路素子側部材５の製造プロセスを図３及び図４、並びに回路基板側部材６の製造プロセスを図５にそれぞれ示す。
【００２９】
第１工程（図３（ａ）参照）：まず半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、回路素子及び配線層等で構成されている回路素子部１ａ（例えばＬＳＩチップ）、回路素子部１ａ上に設けられた電極パッド１ｂ、並びに保護膜としてのポリイミド１ｃによって構成されている。尚、図示はしていないが、電極パッド１ｂは回路素子部１ａ内において必要な回路素子と配線接続されている。
【００３０】
第２工程（図３（ｂ）参照）：この半導体基板１の電極パッド１ｂ及びポリイミド１ｃの上にソルダーレジスト７（膜厚６０μｍ）を真空圧着する。この後、マスクパターンを介して露光及び現像をすることにより、円錐台状の開口部８を形成する。ここで図２（ｂ）は断面図であるため、開口部８は台形として見える。ソルダーレジスト７はネガタイプのものを用い、透明度を制御することにより開口部８のような逆テ―パ状を実現できる。又、後の工程のために、ソルダーレジスト７は剥離の容易な素材を選択する。
【００３１】
尚、開口部８の形状は、後の工程（第４工程参照）により形成される導電性バンプの形状を決定するため、導電性バンプと同じ形状（円錐台状、高さ：６０μｍ、先端部の内径８ａ：７０μｍ、基底部の内径８ｂ：１００μｍ）である。
【００３２】
第３工程（図４（ｃ）参照）：ソルダーレジスト７をマスクとして開口部８内に電気メッキ法を用いて半田２を形成する。
【００３３】
第４工程（図４（ｄ）参照）：ソルダーレジスト７を３ｗｔ％−ＮａＯＨ水溶液（５０℃）を用いて除去し、円錐台状の半田バンプ２を形成する。半田バンプ２（以下導電性バンプ２）の形状は、高さが６０μｍ、先端部２ａのバンプ外径が７０μｍ、基底部２ｂのバンプ外径が１００μｍである。
【００３４】
ここで、導電性バンプ２の、テーパ角及び先端部２ａのバンプ外径を変えずに高さ及び基底部２ｂのバンプ外径を大きくすると、後の工程（第７工程）でこの導電性バンプを導電性スプリングに嵌入せしめた時、押し付けによる接合ができる。
【００３５】
一方、回路基板側部材６（図１（ｂ）参照）の製造プロセスを以下に説明する。
【００３６】
第５工程（図５（ｅ）参照）：回路基板３は、回路基板部３ａ上に設けられた電極パッド３ｂと保護膜としてのソルダーレジスト３ｃで構成される。この電極パッド３ｂは、Ｃｕを基盤にＮｉ（５μｍ）そしてＡｕ（０．５μｍ）をそれぞれ無電解メッキ法により成膜することによって形成される。そしてその電極パッド３ｂの上にＳｎ−Ａｇ系のクリーム半田９をあらかじめ塗布しておく。
【００３７】
第６工程（図５（ｆ）参照）：微小サイズで銅製の円錐台状導電性スプリング４（高さ：１００μｍ、線径：１０μｍ、内径：先端部４ａ  １００μｍ／基底部４ｂ  ５０μｍ、巻き数：４−５巻）を、クリーム半田９を介してリフローソルダリング法により電極パッド３ｂ上に溶着する。
【００３８】
以上の工程によって作製された半導体基板側部材５（図６（ｇ）参照）及び回路基板側部材６（図６（ｇ）参照）を、接合する工程を以下に説明する。
【００３９】
第７工程（図７（ｈ）参照）：半導体基板側部材５の導電性バンプ２を、回路基板側部材６の導電性スプリング４の中空に嵌入する。導電性バンプ２及び導電性スプリング４のテーパ角が同一であるため、導電性バンプ２の外壁は導電性スプリング４の複数のピッチに内側から接触している。又、導電性バンプ２の先端部２ａ（図６（ｇ）参照）の外周長は、導電性スプリング４の基底部４ｂ（図６（ｇ）参照）の内周長よりも大きいため、導電性バンプ２の先端部は導電性スプリング４の基底部に到達しない。以上により、本実施形態の回路装置１０が完成する。
【００４０】
第８工程（図７（ｉ）参照）：ここで、第４工程で説明したテーパ角及び先端部２ａのバンプ外径を変えずに高さ及び基底部２ｂのバンプ外径を大きくした導電性バンプを用いると、半導体基板側部材５からの荷重をかけることによって導電性バンプ２が導電性スプリングを外に押し広げる力（黒矢印）が生じ、弾性体である導電性スプリング４が押し広げられた分だけ戻ろうとする反作用の力（中抜き矢印）が導電性バンプ２を締め付ける。この押し付け型接合は、ピーク温度２４０℃（３秒間）の環境下において実行されるため、導電性スプリングが導電性バンプにくい込み溶着される。この工程により、回路装置２０が完成する。
【００４１】
又、第８工程において、押し付け型による半導体基板側部材５及び回路基板側部材６の接合を説明したが、以下に形状記憶型による接合方法を説明する。
【００４２】
図８は、導電性スプリング４をＴｉ−Ｎｉ系の形状記憶合金で構成される導電性スプリング１１に置き換えたものを示している。図８（ａ）は室温下の導電性スプリング１１を示している。そして図８（ｂ）は、温度を１００℃にすることによって導電性スプリングの内径が大きくなることを示し、図８（ｃ）において、内径の大きくなった導電性スプリング１１に導電性バンプ２を挿入することを示している。ここで図８（ｄ）に示すように、温度を室温に戻すと形状記憶合金で構成されている導電性スプリング１１は図８（ａ）の時の内径に戻ろうとし、導電性バンプ２を締め付ける力となる。
【００４３】
図９は、温度変化に伴う形状記憶合金の結晶構造の変化を示している。
【００４４】
低温において、あらかじめ結晶構造に歪を持たせてあるマルテンサイト相の結晶構造は、形状回復温度を超す加熱をすることによって結晶構造に歪のないオーステンサイト相に相変態する。又、冷却することによって低温に戻すと、オーステンサイト相から元の歪を持ったマルテンサイト相に相変態する。このように、導電性スプリングの内径は、低温では小さく、高温において大きくなり、また低温に戻すと小さくなる。
【００４５】
本発明を具現化した上記実施形態における効果を以下に述べる。
【００４６】
（１）導電性バンプを導電性スプリングの内部に嵌入することができ、導電性バンプの外形及び導電性スプリングの内形が同一のテーパ角を有するテーパ形状であり、且つ両端子の断面が円であるため、導電性バンプのテーパ面が導電性スプリングの複数のピッチに内側から接触し、接触面積の確保が促進され、接続強度面での接続信頼性を向上させることができる。
【００４７】
（２）導電性バンプにかけられる荷重は、導電性スプリングを押し広げ、弾性体の導電性スプリングが元に戻ろうとする反作用の力が導電性バンプを締め付ける力になり、さらに高温環境下において実行されると導電性スプリングが導電性バンプにくい込み溶着され、両端子の接触面積はさらに増大し、接続強度を向上させることができる。
【００４８】
（３）導電性スプリングの基底部の内周長は、導電性バンプの先端部の外周長よりも小さいことから導電性バンプが導電性スプリングの基底部に到達せずに両端子は接合され、導電性スプリングが導電性バンプ及び回路基板のいずれにも接触しない部分を生じる。この部分は、弾性変形を妨げる要因である他との接触がないため、弾性特性を発揮し、回路装置に加えられる応力を吸収することができる。
【００４９】
（４）形状記憶合金で構成される導電性スプリングの内径が、低温の状態では小さく、温度上昇に伴い増大する性質を持つため、高温状況下で導電性バンプを導電性スプリング内に挿入し、温度を下げると、導電性スプリングの内径が小さく戻り、導電性スプリングと導電性バンプとの接触面積が十分確保され、さらに内径が元の大きさに戻ろうとする力が導電性バンプを締め付ける力となり、両端子の接続強度を向上させることができる。
【００５０】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味およびその範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５１】
（第１変形例）本実施形態では、第２の導電性端子として導電性スプリングを用いたが、本発明はこれに限らず、弾性体である通電性のゴムも適用可能である。
【００５２】
（第２変形例）本実施形態では導電性スプリングとして銅製のスプリングを適用したが、本発明はこれに限らず、銅合金に金やニッケルをメッキしたスプリングも適用可能である。
【００５３】
（第３変形例）本実施形態では導電性スプリングを回路基板に固定する手段としてＳｎ−Ａｇ系のクリーム半田を適用したが、本発明はこれに限らず、例えばＳｎ−Ｂｉ系のクリーム半田も適用可能である。
【００５４】
（第４変形例）本実施形態では導電性スプリングの形状を回路基板上の設置面から徐々にその内径が増大する形状であるものを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば導電性スプリングの中腹部（基板部及び先端部のどちらでもない部分）からその内径が徐々に増大する形状も適用可能である。
【００５５】
（第５変形例）本実施形態では導電性バンプの形状を半導体基板上の設置面から徐々にその内径が減少する形状である円錐台形状のものを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば導電性バンプの中腹部（基板部及び先端部のどちらでもない部分）からその内径が徐々に減少する形状、つまり先端付近部（先端部から中腹部にかけての部分）のみにテーパを有する形状も適用可能である。
【００５６】
（第６変形例）本実施形態では円錐台状の導電性スプリングを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば、回路基板設置面に平行な断面が多角形又は楕円の形状を有する導電性スプリングも適用可能である。
【００５７】
（第７変形例）本実施形態では円錐台状の導電性バンプを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば、半導体基板設置面に平行な断面が多角形又は楕円の形状を有する導電性バンプも適用可能である。
【００５８】
（第８変形例）本実施形態では、第１の導電性端子に円錐台形状の導電性バンプを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば球状の半田ボール端子等も、先端付近部分（外径が最大の部分から先端部にかけての部分）が漸次外径を縮小せしめたテーパ形状に近似することができるため、本発明の効果を得ることができ、適用可能である。
【００５９】
（第９変形例）本実施形態では、第２の導電性端子に円錐台形状の導電性スプリングを適用したが、本発明はこれに限らず、例えば、先端付近部分（内径が最小の部分から先端部にかけての部分）が漸次内径を拡大せしめたテーパ形状に近似することができる導電性端子も、本発明の効果を得ることができ、適用可能である。
【００６０】
（第１０変形例）本実施形態では、円錐台状の導電性バンプ及び導電性スプリングのテーパ角が同一であるものを適用したが、本発明はこれに限らず、導電性スプリングが弾性体であり、弾性変形によってそのテーパ角を変化可能であるため、導電性バンプのテーパ角と導電性スプリングのテーパ角が略同一であるものも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施形態による回路装置を示した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による回路装置を示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図５】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図６】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図７】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態の製造プロセスを示す図である。
【図９】形状記憶合金の温度変化に伴う相変態を示す図である。
【図１０】従来の回路装置を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体基板
２  導電性バンプ
３  回路基板
４  導電性スプリング
【図１】
2007157745.tif 000003
【図２】
2007157745.tif 000004
【図３】
2007157745.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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