(57)【要約】【課題】プリント基板にはんだ付けされる角柱状のリードを備える電子装置において、リードの角柱部にてはんだによるサイドフィレットを形成しやすくする。【解決手段】リード３０は、長手方向と直交する方向の断面が矩形状をなす角柱状の角柱部３３を有し、この角柱部３３における長手方向に延びる一つの面がプリント基板２００にはんだ３００を介して接続されるはんだ接続面３３ａとなっている。角柱部３３には、はんだ３００による接続を行うときに、リフロー状態にあるはんだ３００を、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａ側から、はんだ接続面３３ａの両側に位置し長手方向に延びる側面３３ｂ側へと導くはんだガイド手段としての面取り部４０が設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部基材とはんだ付けされるリード（３０）を備え、
前記リード（３０）は、長手方向と直交する方向の断面が矩形状をなす角柱状の角柱部（３３）を有し、この角柱部（３３）における長手方向に延びる一つの面が前記外部基材にはんだを介して接続されるはんだ接続面（３３ａ）となっている電子装置において、
前記角柱部（３３）には、前記はんだによる接続を行うときに、リフロー状態にある前記はんだを、前記角柱部（３３）における前記はんだ接続面（３３ａ）側から、前記はんだ接続面（３３ａ）の両側に位置し前記長手方向に延びる面である側面（３３ｂ）側へと導くはんだガイド手段（４０、４１、４２、４３）が設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記はんだガイド手段は、前記はんだ接続面（３３ａ）と前記側面（３３ｂ）との間の角部を面取りしてなる面取り部（４０）であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記はんだガイド手段は、前記はんだ接続面（３３ａ）と前記側面（３３ｂ）との間の角部をＲ加工してなるＲ部（４１）であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記はんだガイド手段は、前記側面（３３ｂ）のうち前記はんだ接続面（３３ａ）側の端部を、前記側面（３３ｂ）における当該端部以外の部位よりも突出させた突出部（４２）であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記はんだガイド手段は、前記はんだ接続面（３３ａ）から前記側面（３３ｂ）に形成された溝（４３）であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記角柱部（３３）の表面は、Ａｕメッキ（３０ｂ）により構成されており、前記はんだガイド手段は、前記はんだ接続面（３３ａ）よりも前記側面（３３ｂ）の方が前記Ａｕメッキ（３０ｂ）の厚さを大きくすることで、前記はんだ接続面（３３ａ）よりも前記側面（３３ｂ）の方が前記はんだに対する濡れ性を高くしたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項７】
前記角柱部（３３）の表面は、メッキ（３０ｂ、３０ｃ）により構成されており、前記はんだガイド手段は、前記はんだ接続面（３３ａ）と前記側面（３３ｂ）とでメッキ材料を異ならせ、前記側面（３３ｂ）の方を前記はんだに対する濡れ性の高いメッキ材料からなるようにしたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項８】
前記はんだガイド手段は、前記角柱部（３３）を前記はんだ接続面（３３ａ）側から順に第１の層（３０ｄ）、第２の層（３０ｅ）が積層された構造とし、前記第１の層（３０ｄ）を前記第２の層（３０ｅ）よりも熱伝導率の大きな材料により構成したものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部基材にはんだ付けされる角柱状のリードを備える電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置においては、外部基材とはんだ付けされるリードを、長手方向と直交する方向の断面が矩形状をなす角柱状の角柱部を有するものとし、この角柱部における長手方向に延びる一つの面を、外部基材にはんだを介して接続されるはんだ接続面として構成している。
【０００３】
このような電子装置において、リードとしては、リードの最表面がＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉ等の外装めっきが施されているものが主流であるが、近年、組み付け工程の簡略化およびコストダウンのために、リードとして、ＰＰＦ（Ｐｒｅ  Ｐｌａｔｅｄ  Ｆｒａｍｅ、以下ＰＰＦと略記する）を採用したものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
このＰＰＦは、あらかじめリードの表面に、プリント基板などの外部基材へのはんだ実装においてはんだとの濡れ性を高めるような仕様のメッキ（たとえばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ）を施しているものである。
【特許文献１】特開平４−１１５５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記ＰＰＦは、ワイヤボンド、モールド成形等の組み付け工程で加熱されるため、酸化、汚染等の影響により、はんだ濡れ性がフレーム入荷時よりも確実に劣化する。
【０００６】
その対応として最表面にＡｕメッキを施しているわけであるが、Ａｕが高価であることより、現在は数ｎｍ〜十数ｎｍ程度の極薄のＡｕメッキにするのが普通である。そのため、メッキの出来映えすなわちメッキの厚みやピンホールのばらつき、はんだペースト量のばらつき、リフロー温度のばらつき等により、はんだ濡れ性に不具合が生じる可能性が大きい。
【０００７】
特に、リードにおけるはんだ接続部分である角柱部において、はんだ接続面の両側に位置し角柱部の長手方向に延びる面である側面は、はんだと接触していないため、濡れ上がる必要があり、はんだ濡れ性の劣化の影響をダイレクトに受ける。ここで、このはんだの濡れ上がりとは、リフロー時の熱で溶融したはんだが、角柱部の側面を重力に逆らって上昇することである。
【０００８】
つまり、はんだと接触しているリードの角柱部のはんだ接続面は、はんだで濡れても、側面は濡れない、すなわち、サイドフィレットが形成できないという事態が起きやすくなる。
【０００９】
そうなると、たとえば、はんだ付けの良否を判定する外観検査、すなわち、レーザをサイドフィレットに当ててサイドフィレットの有無により良否判定を行う外観検査が実施不可能となってしまう。また、サイドフィレットが無いと、はんだ付け強度も当然低下し、冷熱サイクル後の強度劣化も大きくなるため製品としての信頼性も問題となる。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、外部基材にはんだ付けされる角柱状のリードを備える電子装置において、リードの角柱部にてはんだによるサイドフィレットを形成しやすくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、リード（３０）の角柱部（３３）に、はんだ（３００）による接続を行うときに、リフロー状態にあるはんだ（３００）を、角柱部（３３）におけるはんだ接続面（３３ａ）側から、はんだ接続面（３３ａ）の両側に位置し長手方向に延びる面である側面（３３ｂ）側へと導くはんだガイド手段（４０、４１、４２、４３）を設けたことを特徴とする。
【００１２】
それによれば、当該電子装置（１００）を外部基材（２００）にはんだ（３００）を介して実装するときに、はんだガイド手段（４０〜４３）により、リード（３０）の角柱部（３３）におけるはんだ接続面（３３ａ）側から側面（３３ｂ）側へと、はんだ（３００）が回り込むため、角柱部（３３）にてはんだ（３００）によるサイドフィレット（３１０）を形成しやすくできる。
【００１３】
また、このような構成において、はんだガイド手段を、はんだ接続面（３３ａ）と側面（３３ｂ）との間の角部を面取りしてなる面取り部（４０）であるものとすれば、この面取り部（４０）を介して、はんだ接続面（３３ａ）側から側面（３３ｂ）側へと、リフロー状態のはんだ（３００）が回り込みやすくなる。
【００１４】
また、はんだガイド手段を、はんだ接続面（３３ａ）と側面（３３ｂ）との間の角部をＲ加工してなるＲ部（４１）であるものとすれば、このＲ部（４１）を介して、はんだ接続面（３３ａ）側から側面（３３ｂ）側へと、リフロー状態のはんだ（３００）が回り込みやすくなる。
【００１５】
また、はんだガイド手段は、側面（３３ｂ）のうちはんだ接続面（３３ａ）側の端部を、側面（３３ｂ）における当該端部以外の部位よりも突出させた突出部（４２）であるものにできる。
【００１６】
それによれば、当該電子装置（１００）を外部基材（２００）に搭載したときに、その搭載時の荷重により、リフロー状態のはんだ（３００）が突出部（４２）上に回り込み、側面（３３ｂ）側へ導かれる。
【００１７】
また、はんだガイド手段を、はんだ接続面（３３ａ）から側面（３３ｂ）に形成された溝（４３）であるものとすれば、この溝（４３）を介して、はんだ接続面（３３ａ）側から側面（３３ｂ）側へと、リフロー状態のはんだ（３００）が回り込みやすくなる。
【００１８】
また、角柱部（３３）の表面を、Ａｕメッキ（３０ｂ）により構成した場合、はんだガイド手段は、はんだ接続面（３３ａ）よりも側面（３３ｂ）の方がＡｕメッキ（３０ｂ）の厚さを大きくすることで、はんだ接続面（３３ａ）よりも側面（３３ｂ）の方がはんだ（３００）に対する濡れ性を高くしたものにできる。
【００１９】
また、角柱部（３３）の表面を、メッキ（３０ｂ、３０ｃ）により構成した場合、はんだガイド手段は、はんだ接続面（３３ａ）と側面（３３ｂ）とでメッキ材料を異ならせ、側面（３３ｂ）の方をはんだ（３００）に対する濡れ性の高いメッキ材料からなるようにしたものにできる。
【００２０】
これらの構成によれば、角柱部（３３）においてはんだ接続面（３３ａ）よりも側面（３３ｂ）の方が、はんだ濡れ性が高くなるため、はんだ接続面（３３ａ）側から側面（３３ｂ）側へと、リフロー状態のはんだ（３００）が回り込みやすくなる。
【００２１】
また、はんだガイド手段は、角柱部（３３）をはんだ接続面（３３ａ）側から順に第１の層（３０ｄ）、第２の層（３０ｅ）が積層された構造とし、第１の層（３０ｄ）を第２の層（３０ｅ）よりも熱伝導率の大きな材料により構成したものにできる。
【００２２】
それによれば、はんだリフロー時に、２つの層（３０ｄ、３０ｅ）のうちはんだ接続面（３３ａ）側に位置する第１の層（３３ｄ）が高温になるため、側面（３３ｂ）への濡れ上がりが促進される。
【００２３】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置としての樹脂封止型半導体装置１００を、外部基材としてのプリント基板２００にはんだ３００を介して実装した状態にて示す概略断面図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿ったアウターリード３２の部分断面図である。
【００２６】
図１に示されるように、本半導体装置１００は、アイランド部１０に、半導体素子としての半導体チップ２０を搭載し、リードとしてのリードフレーム３０とボンディングワイヤ４０を介して結線され電気的に接続されている。
【００２７】
ここで、半導体チップ２０は、シリコン半導体基板に周知の半導体製造技術を用いてトランジスタ素子などを形成してなるものである。また、ボンディングワイヤ４０は、ワイヤボンディングにより形成された金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などからなるワイヤである。
【００２８】
これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０、およびリードフレーム３０におけるインナーリード３１はモールド樹脂５０により包み込まれるようにモールドされ封止されている。
【００２９】
このモールド樹脂５０は、通常の樹脂封止型半導体装置に用いられるエポキシ系樹脂などのモールド材料を採用して、金型を用いたトランスファーモールド法などにより形成されるものである。そして、このモールド樹脂５０が、半導体装置の本体すなわちパッケージボディを構成している。
【００３０】
ここで、リードフレーム３０のうちアウターリード３２は、モールド樹脂５０から突出している部分である。このアウターリード３２は、図１に示されるように、曲がり形状を有しており、その先端部側に位置する部位が、プリント基板２００に接続される部分である角柱部３３として構成されている。
【００３１】
この角柱部３３は、図２に示されるように、その長手方向と直交する方向の断面が矩形状をなす角柱状のものである。そして、この角柱部３３における長手方向に延びる一つの面がプリント基板２００にはんだ３００を介して接続されるはんだ接続面３３ａとなっている。
【００３２】
ここでは、角柱部３３のはんだ接続面３３ａは、プリント基板２００上のパッド２１０に対して、はんだ３００を介して接続されている。
【００３３】
このリードとしてのリードフレーム３０は、はんだ付け部分が上記角柱形状をなす角柱部３３を構成していればく、角柱部３３以外のリードフレーム３０の部分は、円柱形状などであってもよいが、本例では、リードフレーム３０全体が、角柱部３３と同様の角柱形状をなしている。
【００３４】
具体的には、図２に示される寸法において、リードフレーム３０の板厚ｔは０．１２５〜０．２５ｍｍ、リード幅Ｗは０．２〜０．５ｍｍ程度である。
【００３５】
このリードフレーム３０は、たとえば銅や鉄系金属などの通常のリードフレーム材料を母材３０ａとしており、その表面は、図２に示されるように、メッキ膜３０ｂにより形成されている。
【００３６】
このメッキ膜３０ｂは、リードフレーム３０の素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで形成されるものであり、はんだとの濡れ性を高めるような仕様のメッキである。つまり、本実施形態のリードフレーム３０はＰＰＦとして構成されている。
【００３７】
このメッキ膜３０ｂは、図示しないが、下地である母材３０ａより、厚さ０．５μｍ〜２．５μｍ程度のＮｉメッキ、厚さ０．００２μｍ〜０．０２μｍ程度のＰｄメッキ、厚さ０．００２μｍ〜０．０２μｍ程度のＡｕメッキの３層構造をなすＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキとして構成されている。
【００３８】
そして、本実施形態では、このリードフレーム３０の角柱部３３において、はんだ３００による接続を行うときに、リフロー状態にあるはんだ３００を、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａ側から、はんだ接続面３３ａの両側に位置し長手方向に延びる面である側面３３ｂ側へと導くはんだガイド手段４０が設けられている。
【００３９】
本実施形態では、このはんだガイド手段４０は、図２に示されるように、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａと側面３３ｂとの間の角部を面取りしてなる面取り部４０である。
【００４０】
このような面取り部４０は、角柱部３３の板厚ｔの半分程度のサイズであることが望ましい。その形成方法としては、リードフレーム３０の外形抜きを行った後に、はんだ接続面３３の端部に対してプレス加工を行い、面取り部４０を形成する。そして、このプレス加工の後、メッキを行うことで、リードフレーム３０を形成する。
【００４１】
そして、本電子装置１００は、はんだ３００を構成するはんだペーストが印刷されたプリント基板２００に対して、搭載され、はんだ３００をリフローすなわち溶融させることにより、はんだ付けが行われる。
【００４２】
ここで、はんだ３００のリフロー時には、電子装置１００の荷重により、この面取り部４０を介して、はんだ接続面３３ａ側から側面３３ｂ側へと、リフロー状態のはんだ３００が回り込む。
【００４３】
つまり、角柱部３３において、はんだ接続面３３ａだけでなく面取り部４０もはんだ３００と接触する。よって、この面取り部４０は、はんだ３００が濡れた部位となり、図２に示されるように、サイドフィレット３１０が形成できる。
【００４４】
なお、図２において、面取り部４０よりも上の側面３３ｂの部分は、サイドフィレットが形成される保証は無いが、面取り部４０が形成されている部位すなわち角柱部３３の板厚ｔの半分程度までは、サイドフィレット３１０が形成できるため、外観検査には支障が無い。
【００４５】
このように、本実施形態によれば、電子装置１００をプリント基板２００にはんだ３００を介して実装するときに、はんだガイド手段としての面取り部４０により、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａ側から側面３３ｂ側へと、はんだ３００が回り込むため、角柱部３３にてはんだ３００によるサイドフィレット３１０を形成しやすくできる。
【００４６】
ちなみに、従来では、角柱部は、上記図２において、面取り部４０が存在せず、その長手方向と直交する断面は、４つの角部を有する矩形であった。そのため、はんだ接続面から側面へ、はんだが濡れ上がる必要があり、リードにおけるはんだ濡れ性の劣化により、サイドフィレットが形成できない場合があった。
【００４７】
また、本実施形態では、面取り部４０を形成していることより、角柱部３３とはんだ３００との接触部において従来存在していた角部を無くすことができる。そのため、冷熱サイクルによる熱応力の集中を分散できるので、はんだクラックの発生を防止できるという波及効果もある。
【００４８】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る要部を示す概略断面図であり、本実施形態の角柱部３３をその長手方向と直交する断面にて示す図である。なお、本実施形態を含む以下の各実施形態は、上記図１に示される樹脂封止型半導体装置１００における角柱部３３の部分を変形したものである。
【００４９】
本実施形態では、図３に示されるように、はんだガイド手段を、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａと側面３３ｂとの間の角部をＲ加工してなるＲ部４１としている。このようなＲ部４１も、角柱部３３の板厚ｔの半分程度のサイズであることが望ましい。
【００５０】
このＲ部４１は、上記面取り部４０と同様に、リードフレーム３０の外形抜きを行った後に、はんだ接続面３３の端部に対してプレス加工を行い形成する。そして、このプレス加工の後、メッキを行うことで、リードフレーム３０を形成する。
【００５１】
なお、プレス加工に代えて、リードフレーム３０の外形抜きを行う際に、たとえば、パンチの角部を鈍角にするなどにより、故意にダレを発生させるようにし、このダレによりＲ部４１を形成してもよい。
【００５２】
本実施形態によれば、上記面取り部４０と同様に、Ｒ部４１までは、はんだ実装の際に、はんだ３００と接触するのでサイドフィレット３１０が形成でき、はんだ付け外観検査を実施することができる。
【００５３】
また、本実施形態においても、Ｒ部４１を形成していることより、冷熱サイクルによる熱応力の集中を分散できるので、はんだクラックの発生を防止できるという波及効果がある。
【００５４】
（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係る要部を示す概略断面図であり、本実施形態の角柱部３３をその長手方向と直交する断面にて示す図である。
【００５５】
本実施形態では、図４に示されるように、はんだガイド手段を、角柱部３３における側面３３ｂのうちはんだ接続面３３ａ側の端部を、側面３３ｂにおける当該端部以外の部位よりも突出させた突出部４２としている。
【００５６】
図４において、この突出部４２の長さＬは０．０３ｍｍ〜０．１ｍｍ程度で、厚みｄは、角柱部３３の板厚ｔ（上記図２参照）の１／５〜１／３程度がよい。この突出部４２は、リードフレーム３０の外形抜きを行った後に、リードフレーム３０の上面からパンチを当ててプレス加工（つまり、コイニング加工）することにより形成する。
【００５７】
このように、突出部４２を薄く形成していることより、電子装置の搭載時の荷重により、リフロー状態のはんだ３００が突出部４２上に回り込み、側面３３ｂ側へ導かれる。それにより、本実施形態においても、角柱部３３にてはんだ３００によるサイドフィレット３１０が形成できる。
【００５８】
また、本実施形態においては、突出部４２を形成することにより、はんだ付け強度を大幅に向上できるという波及効果もある。
【００５９】
（第４実施形態）
図５は、本発明の第４実施形態に係る要部を示す図であり、（ａ）は本実施形態の角柱部３３の上面図、（ｂ）は側面図である。なお、図５においては、プリント基板２００、はんだ３００の表面には便宜上、それぞれハッチングを施してある。
【００６０】
本実施形態では、図５に示されるように、はんだガイド手段を、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａから側面３３ｂに形成された溝４３としている。図５では、角柱部３３の側面３３ｂを櫛歯状とすることにより、この櫛歯の凹部を溝４３としている。ここで、この櫛歯において凹部、凸部の長さおよび幅は、角柱部３３の幅Ｗ（図２参照）の１／６〜１／３程度とする。
【００６１】
このような櫛歯状の溝部４３は、リードフレーム３０の外形抜きの際に所望のパンチ形状を用いて形成したり、あるいは通常の外形抜きの後に、プレスで追加加工することにより形成することができる。
【００６２】
本実施形態によれば、電子装置の搭載時の荷重により、溝部４３に選択的に、リフロー状態のはんだ３００が押し上げられる形となり、溝部４３においてサイドフィレット３１０が形成される。
【００６３】
なお、櫛歯形状における凸部はサイドフィレットができにくいが、櫛歯のピッチが狭いので、隣同士のサイドフィレット３１０が重なり合って全体として、図５に示されるように、ほぼつながったサイドフィレット３１０が形成できる。
【００６４】
また、本実施形態においては、櫛歯形状を形成していることより、はんだ３００との接続面積が大きくなる、いわゆるアンカー効果が発揮されるため、はんだ付け強度を大幅に向上できるという波及効果もある。
【００６５】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態に係る要部を示す図であり、（ａ）は本実施形態の角柱部３３の上面図、（ｂ）は側面図である。なお、図６においては、プリント基板２００、はんだ３００の表面には便宜上、それぞれハッチングを施してある。
【００６６】
本実施形態も、はんだガイド手段を、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａから側面３３ｂに形成された溝４３としている。図６では、ジグザク形状の凹凸を形成し、その凹部を溝４３としている。ここで、このジグザクの溝４３の深さおよびピッチは、０．００１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度とする。
【００６７】
本実施形態の溝部４３も、リードフレーム３０の外形抜きの際に所望のパンチ形状を用いて形成したり、あるいは通常の外形抜きの後に、プレスで追加加工することにより形成することができる。
【００６８】
そして、本実施形態では、電子装置の搭載時に、微細な溝４３が形成されているので、その溝４３部分を毛細管現象でリフロー状態のはんだ３００が濡れ上がりやすくなり、全体として図６に示したように、サイドフィレット３１０を形成できる。
【００６９】
また、本実施形態においても、上記櫛歯の溝の場合と同様に、アンカー効果により、はんだ付け強度を大幅に向上できるという波及効果がある。
【００７０】
（第６実施形態）
図７は、本発明の第６実施形態に係る要部を示す概略断面図であり、本実施形態の角柱部３３をその長手方向と直交する断面にて示す図である。
【００７１】
上述したように、角柱部３３の表面は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキよりなるメッキ膜３０ｂとして構成されている。つまり、角柱部３３の表面は、Ａｕメッキにより構成されている。図７では、このＡｕメッキを、符号３０ｂを付して示してあり、その下地メッキ部分は省略してある。
【００７２】
ここにおいて、本実施形態では、図７に示されるように、はんだガイド手段を、はんだ接続面３３ａよりも側面３３ｂの方がＡｕメッキ３０ｂの厚さを大きくすることで、はんだ接続面３３ａよりも側面３３ｂの方がはんだ３００に対する濡れ性を高くしたものとしている。
【００７３】
たとえば、角柱部３３において、Ａｕメッキ３０ｂの厚みは、側面３３ｂ以外の面が０．００２μｍ〜０．０２μｍであるのに対し、側面３３ｂでは、その１０倍程度、たとえば０．０２μｍ〜０．２μｍ程度と厚くしている。
【００７４】
このような部分的に厚さの異なるＡｕメッキ３０ｂは、次のようにして形成できる。まず、リードフレーム３０の全体に、０．００２μｍ〜０．０２μｍのＡｕメッキを施す。その後、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａとそれとは反対側の面（図７中の角柱部３３の上面と下面）にテープ等でマスクをして、側面３３ｂのみ露出させた状態とし、再度Ａｕメッキを厚くつける。
【００７５】
このように、はんだ接続面３３ａよりも側面３３ｂの方がＡｕメッキ３０ｂの厚さを大きくすることにより、側面３３ｂは、はんだ接続面３３ａよりも組み付け工程での酸化によるはんだ濡れ性の低下が少なくなる。つまり、側面３３ｂのはんだ濡れ性は、はんだ接続面３３ａよりも相対的に高くなる。
【００７６】
そのため、本実施形態によれば、電子装置の搭載時において、角柱部３３全体にリフローの熱がかかったときに、このはんだ濡れ性の差によって、はんだ接続面３３ａ側から側面３３ｂ側へと、リフロー状態のはんだ３００が濡れ上がりやすくなる。そして、図７に示されるように、サイドフィレット３１０が形成できる。
【００７７】
（第７実施形態）
図８は、本発明の第７実施形態に係る要部を示す概略断面図であり、本実施形態の角柱部３３をその長手方向と直交する断面にて示す図である。本実施形態は、上記第６実施形態と同様に、メッキ構成により側面３３ｂのはんだ濡れ性をはんだ接続面３３ａよりも大きくしたものである。
【００７８】
本実施形態では、図８に示されるように、角柱部３３の母材３０ａには、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキよりなるメッキ膜３０ｂが施されており、さらに、角柱部３３の側面３３ｂにおいてはメッキ膜３０ｂの表面に、はんだメッキ３０ｃを施してある。
【００７９】
つまり、本実施形態では、角柱部３３の表面のうちはんだ接続面３３ａは、メッキ膜３０ｂの最表層であるＡｕメッキにより構成され、側面３３ｂは、そのＡｕメッキよりもはんだ濡れ性の高いメッキ３０ｃ、たとえば、はんだメッキ３０ｃにより構成されている。このようなメッキ構成は、マスクメッキ法により実現できる。
【００８０】
このように、本実施形態では、角柱部３３の表面をメッキ３０ｂ、３０ｃにより構成し、はんだガイド手段を、はんだ接続面３３ａと側面３３ｂとでメッキ材料を異ならせ、側面３３ｂの方をはんだ濡れ性の高いメッキ材料からなるようにしたものとしている。
【００８１】
それによれば、上記第６実施形態と同じく、側面３３ｂのはんだ濡れ性は角柱部３３全体からみて相対的に高いため、リフローの熱がかかった時に側面３３ｂの濡れ上がりを促進する効果が発揮され、サイドフィレット３１０ができあがる。
【００８２】
（第８実施形態）
図９は、本発明の第８実施形態に係る要部を示す概略断面図であり、本実施形態の角柱部３３をその長手方向と直交する断面にて示す図である。
【００８３】
本実施形態では、図９に示されるように、はんだガイド手段を、はんだ接続面３３ａ側から順に第１の層３０ｄ、第２の層３０ｅが積層された構造とし、第１の層３０ｄを第２の層３０ｅよりも熱伝導率の大きな材料により構成したものとしている。
【００８４】
このような構成は、リードフレーム３０として、母材３０ａが異なる２層３０ｄ、３０ｅからなる金属合板の表面にメッキ膜３０ａを形成してなるものを採用することで、容易に実現できる。
【００８５】
具体的に、第１の層３０ｄの材料として、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎなどの添加物が少ない純Ｃｕに近い材料（たとえば、熱伝導率が３６４Ｗ／ｍ・ｋであるＫＦＣ（神戸製鋼の商品名））などが挙げられ、第２の層３０ｅの材料として、当該添加物の多いＣｕ材料（たとえば、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・ｋであるＫＬＦ−１２５（神戸製鋼の商品名））などが挙げられる。
【００８６】
なお、第１の層３０ｄと第２の層３０ｅとは熱膨張率は同じものであることが好ましいのは、言うまでもない。上記具体例で挙げた材料は、すべてＣｕ系であり、熱膨張率は同一である。
【００８７】
本実施形態によれば、はんだリフロー時に、２つの層３０ｄ、３０ｅのうちはんだ接続面３３ａ側に位置する第１の層３３ｄの方が熱が伝わりやすいことから、角柱部３３全体にリフローの熱がかかった時に、側面３３ｂを含むはんだ接続面３３ａ側がまず加熱される。
【００８８】
そのため、側面３３ｂの濡れ上がりを促進することができ、サイドフィレット３１０が形成される。この場合も、第２の層３０ｅの位置までは、サイドフィレットは形成しにくいが、角柱部３３の板厚の半分程度までは、サイドフィレット３１０が形成できるため、はんだ付けの外観検査には支障が無い。
【００８９】
（他の実施形態）
なお、はんだガイド手段は、リフロー状態にあるはんだを、角柱部３３におけるはんだ接続面３３ａ側から側面３３ｂ側へと導くものであれば、上記実施形態以外のものであってもよい。
【００９０】
また、より良くサイドフィレットを形成するために、上記実施形態のそれぞれの構成、材料を、可能な範囲で適宜組み合わせて使うことは効果的である。たとえば、上記図２や図３の面取り部４０やＲ部４１を有するものに対して、上記図５、図６に示されるような溝４３を形成してもよい。
【００９１】
さらに、上記図２〜図６に示されるものに対して、上記図７、図８に示されるようなメッキ構成を採用したり、上記図２〜図８に示されるものに対して、図９に示されるような２層構造を採用してもよい。
【００９２】
また、電子装置としては、上記した樹脂封止型半導体装置に限定されるものではなく、外部基材とはんだ付けされるリードを備え、このリードが、長手方向と直交する方向の断面が矩形状をなす角柱状の角柱部を有し、この角柱部における長手方向に延びる一つの面が外部基材にはんだを介して接続されるはんだ接続面となっているものであればよい。
【００９３】
また、リードとしては、ＰＰＦ以外にも、上記した外装メッキのリードフレームでもよい。また、外部基材はプリント基板でなくてもよく、セラミック基板やケースなどであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型半導体装置をプリント基板にはんだ実装した状態にて示す概略断面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ部分断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る要部を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る要部を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る要部を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る要部を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る要部を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態に係る要部を示す概略断面図である。
【図９】本発明の第８実施形態に係る要部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
３０…リードフレーム、３０ｂ…メッキ膜、Ａｕメッキ、３０ｃ…はんだメッキ、
３０ｄ…第１の層、３０ｅ…第２の層、３３…角柱部、
３３ａ…角柱部のはんだ接続面、３３ｂ…角柱部の側面、４０…面取り部、
４１…Ｒ部、４２…突出部、４３…溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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