(57)【要約】      （修正有）【課題】製造工程中に端子部が腐食するのを防止し、信頼性を向上させる。【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、前記端子部は、下側電極部ＴＬと、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部ＴＨとを有し、前記上側電極部は、第１の透明導電膜ＴＨ１と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第２の透明導電膜ＴＨ２とで構成される。【選択図】図４
2007309965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、
前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、
前記上側電極部は、第１の透明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第２の透明導電膜とで構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、
前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、
前記上側電極部は、第１の透明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第１の金属膜と、前記第１の金属膜上に設けられる第２の透明導電膜とで構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の金属膜は、Ａｌ膜あるいはＡｌ合金膜であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、
前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、
前記上側電極部は、透明導電膜で構成され、
前記上側電極部の前記透明導電膜の厚さをｄｏ、前記画素電極あるいは前記対向電極のうち厚さが厚い方の電極の厚さをｄｃとするとき、１．２＜ｄｏ／ｄｃ＜２を満足することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記上側電極の透明導電膜は、アモルファスＩＴＯ膜で構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記上側電極部の一部が露出する開口部を有し、前記上側電極部を覆う絶縁膜を有し、
前記下側電極部は、前記絶縁膜上に設けられ、前記絶縁膜に設けられる開口部において前記上側電極部と電気的に接続されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記下側電極部は、第２の金属膜で構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２の金属膜は、Ａｌ膜あるいはＡｌ合金膜であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極と、前記対向電極とは、前記一対の基板のうち一方の基板上に設けられることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記対向電極上に設けられる層間絶縁膜を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に設けられることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶表示装置は、前記各サブピクセルが、透過部と反射部とを有する半透過型液晶表示装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、端子部が腐食するのを防止し信頼性を向上させた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、下記特許文献１などに記載されているように、１サブピクセル内に、透過部と反射部を有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
このような半透過型液晶表示装置では、液晶表示パネルを構成する一方のガラス基板上に駆動回路を構成する半導体チップがＣＯＧ方式で実装される。即ち、半導体チップのバンプ電極が、ガラス基板上に形成される端子部（パッド電極）に電気的、機械的に接続される。
図９は、従来の半透過型液晶表示装置の端子部の構成を説明するための断面図である。図９に示すように、従来の端子部は、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に設けられる下側電極部（ＴＬ）と、この下側電極部（ＴＬ）上に設けられ、下側電極部（ＴＬ）に電気的に接続される上側電極部（ＴＨ）とを有する。
また、下側電極部（ＴＬ）は、下側電極部（ＴＬ）の一部が露出する開口部（ＣＨＴ）を有する絶縁膜（ＰＡＳＴ）で覆われ、上側電極部（ＴＨ）は、絶縁膜（ＰＡＳＴ）に形成され、絶縁膜（ＰＡＳＴ）に設けられる開口部において、下側電極部（ＴＬ）と電気的に接続される。
ここで、下側電極部（ＴＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜、あるいは、ＡｌＮｄ（ネオジム）などの合金膜で構成され、上側電極部（ＴＨ）は、アモルファスＩＴＯ膜で構成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半透過型液晶表示装置の製造工程において、上側電極部（ＴＨ）を構成するアモルファスＩＴＯ膜を形成した状態で、それより上層に形成される反射電極のエッチングが行われる。この場合、アモルファスＩＴＯ膜は、エッチング液のシールド効果は少なく、反射電極をエッチングするＡｌエッチング液がアモルファスＩＴＯ膜を通り抜けて、下側電極部（ＴＬ）のＡｌ膜、あるいは、Ａｌ合金膜を溶解させる。
エッチング液が染み込む道ができている為に、以降の製造工程のアルカリ洗浄液の履歴を加えると、端子部が腐食し、信頼性を損なわせることになる。
この問題を回避するためには、（１）上側電極部（ＴＨ）を構成するアモルファスＩＴＯ膜の膜厚を厚くする、（２）反射電極をエッチングする前にアモルファスＩＴＯを結晶化する、（３）反射電極、下側電極部（ＴＬ）の２つの金属を異種化する、３つの方法が想定される。
【０００４】
しかしながら、前述の（１）の方法は、本問題を対策可能な程度までにアモルファスＩＴＯ膜の膜厚を厚くすると透過率が低下し、スループットも低下するという問題がある。また、前述の（２）の方法は、アモルファスＩＴＯを結晶化すると、反射膜にＨＢｒ、王水などの強い酸が掛ることになり、これに耐えうる反射膜の金属を選択範囲せねばならなくなることから、選択範囲が狭まり、かつ反射率が期待できないという問題がある。さらに、前述の（３）の方法は、反射電極、下側電極部（ＴＬ）の２つの金属を異種化すると工程が複雑になり、かつ、金属材料の選択範囲が狭まるという問題がある。
金属材料を積層化し、キャップ金属による保護の効果も期待はできるが、エッチング工程が増加するという問題点がある。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、製造工程中に端子部が腐食するのを防止し、信頼性を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、前記上側電極部は、第１の透明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第２の透明導電膜とで構成される。
【０００６】
（２）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、前記上側電極部は、第１の透明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第１の金属膜と、前記金属膜上に設けられる第２の透明導電膜とで構成される。
（３）（２）において、前記第１の金属膜は、Ａｌ膜あるいはＡｌ合金膜である。
【０００７】
（４）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、前記端子部は、下側電極部と、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部とを有し、前記上側電極部は、透明導電膜で構成され、前記上側電極部の前記透明導電膜の厚さをｄｏ、前記画素電極あるいは前記対向電極のうち厚さが厚い方の電極の厚さをｄｃとするとき、１．２＜ｄｏ／ｄｃ＜２を満足する。
【０００８】
（５）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記上側電極の透明導電膜は、アモルファスＩＴＯ膜で構成される。
（６）（１）ないし（５）の何れかにおいて、前記上側電極部の一部が露出する開口部を有し、前記上側電極部を覆う絶縁膜を有し、前記下側電極部は、前記絶縁膜上に設けられ、前記絶縁膜に設けられる開口部において前記上側電極部と電気的に接続される。
（７）（１）ないし（６）の何れかにおいて、前記下側電極部は、第２の金属膜で構成される。
（８）（７）において、前記第２の金属膜は、Ａｌ膜あるいはＡｌ合金膜である。
（９）（１）ないし（８）の何れかにおいて、前記画素電極と、前記対向電極とは、前記一対の基板のうち一方の基板上に設けられる。
（１０）（９）において、前記対向電極上に設けられる層間絶縁膜を有し、前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に設けられる。
（１１）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記液晶表示装置は、前記各サブピクセルが、透過部と反射部とを有する半透過型液晶表示装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の液晶表示装置によれば、製造工程中に端子部が腐食するのを防止し、信頼性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１は、本発明の実施例の半透過型液晶表示装置の平面図である。図１において、ＳＵＢ１，ＳＵＢ２はガラス基板、ＤＲＶは半導体チップ、ＰＯＬ２は上偏光板、ＦＰＣはフレキシブル配線基板である。
本実施例の半透過型液晶表示装置は、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が設けられたガラス基板（ＴＦＴ基板ともいう）（ＳＵＢ１）と、カラーフィルタ等が形成されるガラス基板（ＣＦ基板ともいう）（図示せず）とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。
図１に示す液晶表示装置において、ガラス基板（ＳＵＢ１）上には、駆動回路を構成する半導体チップ（ＤＲＶ）が搭載される。
なお、図１では、駆動回路は、１個の半導体チップ（ＤＲＶ）で構成される場合を図示しているが、駆動回路を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に直接形成するようにしてもよい。
同様に、駆動回路の一部の回路を分割し、駆動回路を複数個の半導体チップで構成してもよく、駆動回路の一部の回路を、例えば、半導体層に低温ポリシリコンを使用する薄膜トランジスタを用いて、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に直接形成するようにしてもよい。
さらに、駆動回路（ＤＲＶ）あるいは駆動回路（ＤＲＶ）の一部の回路を、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に搭載する代わりに、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）上に形成するようにしてもよい。
【００１１】
図２は、本発明の実施例の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。図２において、３０は透過部、３１は反射部、ＢＭはブラックマトリクスである。
本実施例の半透過型液晶表示装置では、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、ブラックマトリクス（ＢＭ）、赤のカラーフィルタ層（ＣＦＲ）、緑のカラーフィルタ層および青のカラーフィルタ層（図２では、ＣＦＲのみを図示している）、保護膜（ＯＣ）、光の偏光状態を変化させる位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）、段差形成層（ＭＲ）、配向膜（ＡＬ２）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には上偏光板（ＰＯＬ２）が形成される。
また、ガラス基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板ともいう。）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、走査線（ＧＬ）、層間絶縁膜（ＰＡＳ３）、映像線（図示せず）、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）、対向電極（ＣＴ）および反射電極（ＲＡＬ）、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）、画素電極（ＰＩＸ）、配向膜（ＡＬ１）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側には下偏光板（ＰＯＬ１）が形成される。
【００１２】
また、対向電極（ＣＴ）は面状に形成され、さらに、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とが、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）を介して重畳しており、これにより、保持容量を形成する。画素電極（ＰＩＸ）および対向電極（ＣＴ）は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成される。尚、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）は、１層に限定されず、２層以上であっても良い。
反射部３１は、反射電極（ＲＡＬ）を有する。反射電極（ＲＡＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の金属膜、あるいは、下層のモリブデン（Ｍｏ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）の２層構造であってもよい。
本実施例の半透過型液晶表示装置でも、画素電極（ＰＩＸ）と平面状の対向電極（ＣＴ）とが、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）を介して積層されており、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間に形成されるアーチ状の電気力線が液晶層（ＬＣ）を貫くように分布することにより液晶層（ＬＣ）を配向変化させる。
反射部３１のセルギャップ長は、透過部３０のセルギャップ長の約半分に設定している。これは、反射部３１は往復２回光が通過するため、透過部３０と反射部３１とで光路長をおおよそ一致させるためである。
透過部３０では、液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示するのに対して、反射部３１では、液晶表示パネルの内部に配置された位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示する。
【００１３】
本実施例の半透過型液晶表示装置では、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に、駆動回路を構成する半導体チップ（ＤＲＶ）がＣＯＧ方式で実装される。即ち、半導体チップ（ＤＲＶ）のバンプ電極が、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成された端子部（パッド電極）に電気的、機械的に接続される。
図４は、本実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の構成を説明するための断面図である。図４に示すように、本実施例の端子部は、上側電極部（ＴＨ）が、第１の透明導電膜（ＴＨ１）と、第１の透明導電膜（ＴＨ１）上に設けられる第２の透明導電膜（ＴＨ２）とで構成される点で、従来の端子部構造と異なっている。
ここで、第１の透明導電膜（ＴＨ１）と、第２の透明導電膜（ＴＨ２）とは、アモルファスＩＴＯ膜で構成され、第１の透明導電膜（ＴＨ１）は、対向電極（ＣＴ）と同一工程で、第２の透明導電膜（ＴＨ２）は、画素電極（ＰＩＸ）と同一工程で形成される。
【００１４】
したがって、本実施例では、第１の透明導電膜（ＴＨ１）と第２の透明導電膜（ＴＨ２）とが重なっている部分の厚み（図４のｄｏ）が、対向電極（ＣＴ）あるいは画素電極（ＰＩＸ）のうち厚さが厚い方の電極（図４では、第２の透明導電膜（ＴＨ２）の場合を想定している）の厚さをｄｃとするとき、１．２＜ｄｏ／ｄｃ＜２を満足することになる。
本実施例でも、第１の透明導電膜（ＴＨ１）には、エッチング液が染み込む道ができているが、第２の透明導電膜（ＴＨ２）により、第１の透明導電膜（ＴＨ１）にできたエッチング液が染み込む道を遮断することができるので、以降の製造工程のアルカリ洗浄液の履歴を加えても、端子部が腐食するのを防止して、信頼性を向上させることが可能となる。
なお、図４に示す端子部の下側電極部（ＴＬ）と、絶縁膜（ＰＡＳＴ）上に形成される映像線とを接続するときには、表示領域（あるいは、有効画素領域）以外の領域で、下側電極部（ＴＬ）と映像線とを接続する。
【００１５】
次に、本実施例の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の製造方法について、図５、図６を用いて説明する。
なお、これらの図において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は画素部分、右側は端部部の断面形状でみた加工の流れを示す。
各程は、各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。なお、写真処理とは、本明細書では、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を意味する。
（１）図５の工程Ａ
ガラス基板（ＳＵＢ１）上、Ａｌ膜をスパッタリングにより形成し、写真処理後、Ａｌ膜を選択的にエッチングして、ゲート電極（Ｇ）と、下側電極部（ＴＬ）を形成する。
（２）図５の工程Ｂ
ＣＶＤにより窒化Ｓｉ膜を形成し、ゲート絶縁層（ＧＩ）を形成する。
（３）図５の工程Ｃ
プラズマＣＶＤにより連続的に、ｉ型非晶質Ｓｉ膜と、Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜を形成し、写真処理後、Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることにより、半導体層（ａ−Ｓｉ）を形成する。
【００１６】
（４）図５の工程Ｄ
Ｃｒ膜をスパッタリングにより形成し、写真処理後、Ｃｒ膜を選択的にエッチングして、ドレイン電極（ＳＤ２）と、ソース電極（ＳＤ１）を形成する。
（５）図５の工程Ｅ
ＣＶＤにより絶縁膜を形成し、写真処理後、絶縁膜を選択的にエッチングして、層間絶縁膜（ＰＡＳ３）を形成する。この工程では、層間絶縁膜（ＰＡＳ３）に第１のコンタクトホール（ＣＨ１）と、端子部の開口部（ＣＨＴ）も形成する。図５のＤとＥの工程により、端子部の絶縁膜（ＰＡＳＴ）が形成される。
（６）図５の工程Ｆ
ＣＶＤにより絶縁膜を形成し、写真処理後、絶縁膜を選択的にエッチングして、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）を形成する。この工程では、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）に第２のコンタクトホール（ＣＨ２）を形成する。
【００１７】
（７）図６の工程Ｇ
ＩＴＯ膜をスパッタリングにより形成した後、Ａｌ膜をスパッタリングにより形成し、写真処理後、Ａｌ膜を選択的にエッチングして、反射電極（ＲＡＬ）を形成し、写真処理後、ＩＴＯ膜を選択的にエッチングして、対向電極（ＣＴ）と、端子部の下側電極部（ＴＬ）上に第１の透明導電層（ＴＨ１）を形成する。
（８）図６の工程Ｈ
ＣＶＤにより絶縁膜を形成し、写真処理後、絶縁膜を選択的にエッチングして、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）を形成する。この工程では、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）に、第２のコンタクトホール（ＣＨ２）に連続するコンタクトホール（ＣＨ３）を形成する。
（９）図６の工程Ｉ
ＩＴＯ膜をスパッタリングにより形成した後、写真処理後、ＩＴＯ膜を選択的にエッチングして、画素電極（ＰＩＸ）と、端子部の第１の透明導電層（ＴＨ１）上に第２の透明導電層（ＴＨ２）を形成する。
この工程においては、ＩＴＯ膜が、コンタクトホール（ＣＨ１〜ＣＨ３）の内部まで入り込むことにより、画素電極（ＰＩＸ）とソース電極（ＳＤ１）とが電気的に接続される。
【００１８】
図７は、本実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の変形例の構成を説明するための断面図である。
図７に示す端子部では、上側電極部（ＴＨ）が、第１の透明導電膜（ＴＨ１）と、第１の透明導電膜（ＴＨ１）上に設けられる金属膜（ＴＨ３）と、金属膜（ＴＨ３）上に設けられる第２の透明導電膜（ＴＨ２）とで構成される点で、図４に示す端子部構造と異なっている。ここで、金属膜（ＴＨ３）は、例えば、Ａｌ膜あるいは、ＡｌＮｄなどのＡｌ合金膜で構成され、金属膜（ＴＨ３）は、反射電極（ＲＡＬ）と同一工程で形成される。
本実施例では、第１の透明導電膜（ＴＨ１）と第２の透明導電膜（ＴＨ２）との間に、金属膜（ＴＨ３）が形成される。
したがって、第１の透明導電膜（ＴＨ１）にできたエッチング液が染み込む道を、第２の透明導電膜（ＴＨ２）と金属膜（ＴＨ３）で遮断することができるので、以降の製造工程のアルカリ洗浄液の履歴を加えたときに、端子部が腐食するのをより確実に防止することでき、より信頼性を向上させることが可能となる。
【００１９】
図８は、本実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の変形例の構成を説明するための断面図である。
図８に示す端子部は、第１の絶縁膜（ＰＡＳＴ１）上に下側電極部（ＴＬ）を形成した点で、図４に示す端子部構造と異なっている。
そのため、図８に示す端子部では、下側電極部（ＴＬ）は、下側電極部（ＴＬ）の一部が露出する開口部を有する第２の絶縁膜（ＰＡＳＴ２）で覆われ、上側電極部（ＴＨ）は、絶縁膜（ＰＡＳＴ）に設けられる開口部において、下側電極部（ＴＬ）と電気的に接続される。
なお、図８に示す端子部の下側電極部（ＴＬ）と、絶縁膜（ＰＡＳＴ）の下側に形成される走査線（ＧＬ）とを接続するときには、表示領域（あるいは、有効画素領域）以外の領域で、下側電極部（ＴＬ）と走査線（ＧＬ）とを接続する。
なお、前述の説明では、本発明を半透過型液晶表示装置に適用した実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、全透過型液晶表示装置にも適用可能である。また、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に限らず、ＥＣＢ（縦電界モード、ポジ液晶）方式、あるいは、ＶＡ（縦電界モード、ネガ液晶）方式の半透過型あるいは全透過型液晶表示装置にも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１サブピクセルの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の構成を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の変形例の構成を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施例の半透過型液晶表示装置の端子部の変形例の構成を説明するための断面図である。
【図９】従来の半透過型液晶表示装置の端子部の構成を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
３０  透過部
３１  反射部
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  ガラス基板
ＤＲＶ  半導体チップ
ＲＥＴ  位相差板
ＧＩ  ゲート絶縁膜
ＰＡＳ１〜ＰＡＳ３，ＰＡＳＴ，ＰＡＳＴ１，ＰＡＳＴ２  絶縁膜
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２  偏光板
ＢＭ  ブラックマトリクス
ＣＦＲ  カラーフィルタ
ＯＣ  保護膜
ＭＲ  段差形成層
ＡＬ１，ＡＬ２  配向膜
ＲＡＬ  反射電極
ＣＨ１〜ＣＨ３  コンタクトホール
ＣＨＴ  開口部
ＬＣ  液晶層
ＰＩＸ  画素電極
ＣＴ  対向電極
ＧＬ  走査線（ゲート線）、
ＳＤ１  ソース電極
ＳＤ２  ドレイン電極
Ｇ  ゲート電極
ＴＬ  下側電極部
ＴＨ  上側電極部
ＴＨ１，ＴＨ２  透明導電膜
ＴＨ３  金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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