(57)【要約】 【課題】  磁気抵抗効果素子の両側壁面に設けるサイドシールド層に起因する静電容量を小さくして磁気抵抗効果ヘッドによる磁気情報の読み取り性能の低下を防ぐ。【解決手段】  【請求項１】  磁気抵抗効果素子１と４該磁気抵抗効果素子１の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層１３と下部シールド層１２と、該磁気抵抗効果素子１の両側壁面に直に接するサイドシールド層１４とを有し、該磁気抵抗効果素子１を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッド１００において、該サイドシールド層１４が高絶縁性磁性材料からなるように磁気抵抗効果ヘッドを構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
該サイドシールド層が高絶縁性磁性材料からなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
該高絶縁性磁性材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含むフェライト材料である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性導電層からなる中間層を有し、該中間層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＣＰＰ−ＧＭＲ素子である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性絶縁層からなるトンネル接合層を有し、該トンネル接合層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＴＭＲ素子である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドを読み取り用ヘッドとして搭載した
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み取る磁気センサや磁気ヘッドなどの読み取りヘッドに関わり、特に磁気ディスク読取用の磁気ヘッドに適した磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録装置、特に磁気ディスク記録装置の高密度化、大容量化に伴い、読み取り用ヘッドの高感度化、微細化が求められている。
【０００３】
従来の磁気ディスク用読み取り用ヘッドにおいては、磁気信号が記録された媒体の移動方向に平行に並ぶ磁気信号、いわゆるビットの間隔が非常に小さい。そのため、隣接するビットからの磁気信号が読み取るべきビットの磁気信号に干渉して正常なビットの読み取りを阻害することが起らないように、媒体の移動方向となる磁気抵抗効果素子の上下に磁気シールド層を設け、隣接するビットからの磁界混入を防ぐ方法が採られている。そして、この磁気シールド層は厚ければ効果的であるが、製造工程上の課題があって構成上の工夫がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、磁気記録装置の記録密度を上げるために、磁気信号が記録された媒体の移動方向と交叉する横方向の磁気信号の幅となる、いわゆるトラックピッチを狭くする方向に進展しており、トラックピッチを狭めるための層構成の提案もなされている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところで、通常、トラックピッチはビットの間隔に比べれば寸法が大きい。従って、特に磁気シールド層を設ける必要はなかった。ところが、磁気記録装置の高密度化が進むにつれてトラックピッチが小さくなり、隣接するトラックからの磁界混入が無視できなくなってきた。そこで、磁気抵抗効果素子のエアベアリング面に、素子の幅より狭い軟磁性層を形成してトラック幅を規定する提案がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、この隣接するトラックからの磁界混入を防ぐ方法として、読み取り用ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子の両側にも磁気シールドを形成する、いわゆるサイドシールド構造の素子が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２０００−１７６０２７号公報（ [００１２] ）
【特許文献２】特許３２３３１１５号（ [０００７] ）
【特許文献３】特開２００４−３９８６９号公報（ [００１５]、[図１] ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図６にサイドシールド構造を有する磁気抵抗効果ヘッドの一例の模式的な断面図、図７は多層構造を有する磁気抵抗効果素子の一例の模式的な断面図を示す。
【０００８】
図６において、磁気抵抗効果ヘッド１００の基本的な構成は、Ｔａ薄膜からなる下部シールド層／下部電極１２と上部シールド層／上部電極１３とが磁気抵抗効果素子１を矜装した構成になっている。つまり、下部シールド層と上部シールド層とが導電性の金属磁性体から構成されていれば下部電極層と上部電極層を兼ね備えた構成にすることができる。また、上部のシールド層１３は、保護膜も兼ねさせることができる。さらに、磁気抵抗効果素子１の両側壁面には、磁気抵抗効果素子１を両側から挟むように、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）からなるサイドシールド層１４が形成されている。
【０００９】
一方、磁気抵抗効果素子は、いろいろな材料と層構成が提案されているが、ここで例示した磁気抵抗効果素子は、ＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ−Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）と呼ばれる構造を有する素子に属しており、構成膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＧＭＲ素子である。
【００１０】
図７において、ＣＰＰ−ＧＭＲ構造２０は、例えば、スパッタ法によって３μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 層１１と、２μｍ程度のＮｉＦｅからなる下部シールド層１２が被着されたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる基板１０の上に、同じくスパッタ法によって、ＣＰＰ−ＧＭＲ膜２０が形成された構成になっている。
【００１１】
ＣＰＰ−ＧＭＲ膜２０の膜構成は、基板１０の側から順に、厚さ５０ÅのＴａ膜２１、厚さ５０ÅのＮｉＦｅ薄膜２２、ピンド層固着のための反強磁性層２３として厚さ２５０ÅのＰｄＰｔＭｎ薄膜、積層フェリ型ピンド層２４として厚さ２５ÅのＣｏＦｅ膜と厚さ１５ÅのＲｕ膜と厚さ２０ÅのＣｏＦｅ膜との三積層薄膜、中間層２５として厚さ２５ÅのＣｕ膜、フリー層２６として厚さ２５ÅのＣｏＦｅ膜と厚さ２０ÅのＮｉＦｅ膜との二積層薄膜、表面保護層２７として厚さ５０ÅのＴａ薄膜とをそれぞれ積層した多積層構成になっている。
【００１２】
再び、図６において、このようなＣＰＰ−ＧＭＲ膜２０の両側壁面にサイドシールド層１４を付加した磁気抵抗効果ヘッド１００では、図示してないが、例えば、磁気ディスクにおいて隣接するトラックからの横方向からの磁界をサイドシールド層１４によって吸収することができる。
【００１３】
そのため、サイドシールド層１４を設けた磁気抵抗効果ヘッド１００では、隣接するトラックからの磁界が混入することが阻止でき、その結果、所定のトラックの磁気信号を正常に読み出すことができる。
【００１４】
ところが、このようなサイドシールド層１４を有する従来の磁気抵抗効果ヘッド１００においては、サイドシールド層１４がＮｉＦｅで形成されている。このＮｉＦｅは、いわゆる金属磁性材料のパーマロイであり、導電性を有する磁性材料を代表するものである。従って、磁気抵抗効果素子１の側壁面と、上部・下部のシールド層１３、１２の間を絶縁するために絶縁膜１５が設けられている。
【００１５】
しかし、サイドシールド層１４が導電性を持っているために、電極として用いられている上部・下部のシールド層１３、１２の間は、絶縁膜１５の厚み分しか空いておらず、実質的な距離が狭くなる。その結果、上部−下部電極間の静電容量が増大してしまう。そのために、磁気抵抗効果素子１、延いては磁気抵抗効果ヘッド１００の高速動作を阻害する不具合の原因となっていた。
【００１６】
そこで、本発明では、サイドシールド層を高絶縁性磁性材料によって構成するようにしている。そのため、サイドシールド層を磁気抵抗効果素子の両側壁面に絶縁層を介在させずに直に接触した状態で設ける。そして、上部・下部のシールド層に挟まれたサイドシールド層の静電容量を小さくして磁気抵抗効果素子の高速動作を維持し、しかも製造プロセスも簡略化することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１において、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子の膜面を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該サイドシールド層が高絶縁性磁性材料からなるように構成された磁気抵抗効果ヘッドによって解決される。
【００１８】
つまり、本願発明においては、磁気抵抗効果素子の両側壁面に設けるサイドシールド層を高絶縁性磁性材料によって構成するようにしている。そして、サイドシールド層が上部・下部の導電性のシールド層に挟まれて形成される容量（コンデンサ）の静電容量が実質的に小さくなるようにしている。
【００１９】
そうすると、センス電流が膜面を垂直方向に流れる磁気抵抗効果素子に並列に付加される浮遊容量が小さくなるので、サイドシールド層に起因する磁気抵抗効果素子の動作速度の遅れ、延いては該磁気抵抗効果素子によって構成される磁気抵抗効果ヘッドの読み取り動作特性の性能低下を防ぐことができる。
【００２０】
また、請求項２において、該高絶縁性磁性材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含むフェライト材料であるように構成された請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドによって解決される。
【００２１】
つまり、このようなサイドシールド層に用いる高絶縁性磁性材料には、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含むフェライト材料を用いるようにしている。
【００２２】
これらのフェライト材料は、金属磁性材料に比べて電気抵抗率が高く、例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトでは、抵抗率が１０3 Ωμｍ2 〜１０7 Ωμｍ2 に達する高い絶縁性を持っている。
【００２３】
さらに、請求項５において、本発明の磁気抵抗効果ヘッドを搭載した磁気記録装置によって解決される。
【００２４】
つまり、本発明の磁気抵抗効果ヘッドを磁気記録装置、特に磁気ディスク記録装置の読み取り用ヘッドをして用いれば、上部・下部のシールド層に挟まれたサイドシールド層を高絶縁性磁性材料で構成しているので、下部電極層／上部電極層間の静電容量を小さくすることができるので、ヘッドの構成要素である磁気抵抗効果素子の高速動作を維持することができる。しかも製造プロセスも簡略化することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明になる磁気抵抗効果ヘッドにおいては、ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子の両側壁面に設けるサイドシールド層に高絶縁性磁性材料を用いて構成するようにし、絶縁層を介在させなくてもよいようにしている。
【００２６】
その結果、サイドシールド層が磁気抵抗効果素子の上部と下部とに設ける上下のシールド層に挟まれて形成される容量（コンデンサ）の実質的な静電容量を小さくすることができ、磁気抵抗効果素子の動作速度が低下することを防ぐことができ、磁気抵抗効果素子を適用した磁気抵抗効果ヘッドの今後の進展に対して、多いに貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は本発明になる磁気抵抗効果ヘッドの模式的な構成断面図、図２は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の工程図（その１）、図３は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の工程図（その２）、図４は本発明の効果を従来例と比較した説明図、図５は磁気ディスク記録装置の要部を示す平面図である。
【００２８】
図１には、下部シールド層／下部電極層１２と上部シールド層／上部電極層１３との間にＣＰＰ−ＧＭＲ構造の磁気抵抗効果素子１を設けた構成を示す。ここで、下部シールド層／下部電極層１２と上部シールド層／上部電極層１３と述べたのは、シールド層に導電性の金属磁性体を用いた場合には、シールド層と電極層を兼ね備えることができるからである。
【００２９】
図１（Ａ）は、図示してない多層構造をなす磁気抵抗効果素子１が下部シールド層／下部電極層１２と上部シールド層／上部電極層１３との間に挟まれて設けられており、磁気抵抗効果素子１の両側壁面を挟むようにサイドシールド層１４が設けられた最も基本的な構成である。
【００３０】
この構成では、下部シールド層／下部電極層１２の上に、高絶縁性のサイドシールド層１４を磁気抵抗効果素子１の両側壁面に接するように設ける。このサイドシールド層１４は、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含む高絶縁性のフェライト材料からなる。
【００３１】
上部シールド層／上部電極層１３は磁気抵抗効果素子１と両側壁側のサイドシールド層１４を覆うように設け、磁気抵抗効果素子１が上部・下部のシールド層／電極層１３、１２に挟まれた構成になっている。
【００３２】
図１（Ｂ）は、磁気抵抗効果素子１の両側壁面に絶縁層１５を介してサイドシールド層１４を設けた構成を示す。この構成は、サイドシールド層１４を構成する高絶縁性のフェライト材料の絶縁性が十分に高ければ必要ない。
【００３３】
しかし、磁気抵抗効果素子１の多層構造を構成する薄膜の露出断面間がサイドシールド層１４によって望ましくない磁気回路を生じる場合には、磁気抵抗効果素子１の両側壁面を絶縁層１５で覆ってからサイドシールド層１４を設ける。絶縁層１５には、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 膜を用いる。
【００３４】
図１（Ｃ）は多層構造をなす磁気抵抗効果素子１のフリー層２６が下部シールド層／下部電極層１２の側に構成されているものである。このフリー層２６は自由磁化層とも呼ばれて強磁性体のＣｏＦｅ−ＮｉＦｅなどからなり、記録媒体からの信号磁界によって磁化の方向が回転するものであり、露出した側壁面はサイドシールド層１４で覆われている必要がある。  
【００３５】
ところで、本発明になる磁気抵抗効果ヘッド１００は、下部シールド層／下部電極層１２と上部シールド層／上部電極層１３とが磁気抵抗効果素子の左右の側壁面に設けたサイドシールド層１４を介して磁気的に接続されているために、還流的に望ましくない磁気回路を形成してしまうことが問題となっている。
【００３６】
その対策としては、サイドシールド層１４の下部または上部に絶縁層１５を積層して介在させれば、磁気的に切断することができる。絶縁層１５には、例えば、厚さ５０ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜が用いられる。
【００３７】
図１（Ｃ）は、この条件を満たす例であり、望ましくない磁気回路を遮断する対策を講じたものである。磁気抵抗効果素子１を多層構成しているうちのフリー層２６の位置に応じて、図１（Ｃ）においては、磁性切断層であるＡｌ2 Ｏ3 からなる絶縁層１５を下部シールド層／下部電極層１２の側に設けた構成であるが、上部シールド層／上部電極層１３の側に設ける構成もある。
【００３８】
図２と図３は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の工程図を示したものである。磁気抵抗効果ヘッド１００の製造工程は、まず、図２（Ａ）において、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣからなる基板１０の上に、スパッタによって、例えば、３μｍのＡｌ2 Ｏ3 層１１を形成し、その上に２μｍのＮｉＦｅからなる下部シールド層／下部電極層１２を設ける。ＮｉＦｅ（パーマロイ）は金属磁性材料なので、シールド層と電極層を兼ね備えることができる。
【００３９】
さらに、下部シールド層／下部電極層１２の上にはＣＰＰ−ＧＭＲ構造の磁気抵抗効果素子１を設ける。この磁気抵抗効果素子１のＧＭＲ構造の構成は、図７にも模式的に示したが、基板１側から順に、厚さ５０ÅのＴａ膜、厚さ５０ÅのＮｉＦｅ膜、ピンド層固着のための反強磁性層として厚さ２５０ÅのＰｄＰｔＭｎ膜、積層フェリ型ピンド層として厚さ２５ÅのＣｏＦｅ膜と厚さ２５ÅのＲｕ膜と厚さ２０ÅのＣｏＦｅ膜、中間層として厚さ２５ÅのＣｕ膜、フリー層として厚さ２５ÅのＣｏＦｅ膜と厚さ２０ÅのＮｉＦｅ膜、表面保護層として厚さ５０ÅのＴａ膜を順次積層したものである。
【００４０】
ここで、ＣｏＦｅ膜とＲｕ膜とＣｏＦｅ膜との三積層フェリ磁性層のピンド層は、ＰｄＰｔＭｎ膜の反強磁性層とともに固定磁化層とも呼ばれ、磁化の方向が一定に固定されるものである。それに対して、フリー層の二積層強磁性層は自由磁化層とも呼ばれ、層を流れる電流の方向によって磁化の方向が自在に変化するものである。
【００４１】
続いて、ピンド層の磁化方向を固定するために、後に磁化情報の読み取り面となる方向と直交する方向に１０ｋＯｅ以上の磁場を印加しながら、２８０℃の温度で３時間熱処理を行う。熱処理時の磁気抵抗効果素子１を構成する積層膜の酸化を防ぐためには、熱処理をＮ2 ガス雰囲気か真空中で行うことが望ましい。
【００４２】
図２（Ｂ）において、磁気抵抗効果素子１の上にレジスト膜２を設ける。このレジスト膜２は、ポジ型とネガ型のどちらのレジストも用いることができるが、このレジスト膜２を用いてリフトオフを行うので、ポジ型レジストの方が好ましい。
【００４３】
図２（Ｃ）において、イオンミリング法によって、所定のコア幅となるように磁気抵抗効果素子１を削る。その際、磁気抵抗効果素子１の上にレジスト膜２を残す。磁気抵抗効果素子１の両側には下部シールド層／下部電極層１２が露出した状態となる。
【００４４】
図３（Ｄ）において、磁気抵抗効果素子１の上のレジスト膜２と、下部シールド層／下部電極層１２との上にサイドシールド層１４となるＮｉ−Ｚｎフェライト膜を磁気抵抗効果素子１の厚さに相当する４７５Åの膜厚になるように堆積する。
【００４５】
図３（Ｅ）において、リフトオフ法によって、レジスト膜を剥離してレジスト膜の上に堆積した不要のサイドシールド層１４を除去すれば、磁気抵抗効果素子１の両側壁面にサイドシールド層１４が形成された構成となる。
【００４６】
図３（Ｆ）において、磁気抵抗効果素子１とサイドシールド層１４との上に上部シールド層と上部電極層とを兼ね備えた上部シールド層／上部電極層１３となるＮｉ−Ｆｅ膜を、例えば、めっき法によって２μｍの厚さに堆積する。
【００４７】
こうして製造した磁気抵抗効果素子１を下部シールド層／下部電極層１２と上部シールド層／上部電極層１３とサイドシールド層１４とで覆った後、従来と同様のヘッド製造プロセスによって本発明になる磁気抵抗効果ヘッド１００が完成する。
【００４８】
なお、ここでは、磁気抵抗効果素子にスピンバルブ型のＣＰＰ−ＧＭＲ構造の層を例示したが、磁気抵抗効果素子の層構成のうちで、ＣＰＰ−ＧＭＲ構造の中間層の、例えば、２５Å厚さのＣｕ膜に代えて、絶縁膜をトンネル接合層として用いればスピンバルブ型のＴＭＲ構造となる。この際、トンネル接合層としては、例えば、１２ÅのＡｌ2 Ｏ3 膜が用いられ、ＭｇＯ膜なども用いることができる。
【００４９】
図４は本発明の効果を従来例と比較した説明図で、本願発明の構成となる磁気抵抗効果ヘッドを用いて、従来型のヘッドと性能を比較した結果である。
【００５０】
図４において、上／下シールド層の面積、つまり、サイドシールド層の断面積は、従来型も本発明も１．５０×１０-9ｍ2 であり、上／下シールドの間隔、つまりサイドシールド層の厚さは、従来型では導電性のサイドシールド層に重層する磁性切断層となる絶縁層の厚さが１．００×１０-7ｍであり、本発明では高絶縁性の磁性材料の厚さが４．２×１０-7ｍである。
【００５１】
サイドシールド層の材料は、従来型では導電性のサイドシールド層に重層する磁性切断層としてＡｌ2 Ｏ3 膜を用い、本発明ではＮｉ−Ｚｎフェライトを用いた。これらの材料の誘電率は、Ａｌ2 Ｏ3 が１．１３ｐＦで、Ｎｉ−Ｚｎフェライトが０．４１ｐＦである。
【００５２】
その結果、従来型のサイドシールド層の静電容量は、従来型では１．１３ｐＦであるのに対して、本発明では０．４１ｐＦであった。つまり、本発明はサイドシールド層の静電容量を従来型に対して約１／３に低減させる効果があることを確認できた。
【００５３】
本願発明になる高絶縁性の磁性材料からなるサイドシールド層を用いて構成した磁気抵抗効果ヘッドを実際に磁気ディスク記録装置に搭載し、磁気抵抗効果ヘッドとしての読み取り性能を調べた。
【００５４】
図５は磁気ディスク記録装置の要部を示す平面図で、本発明になる磁気抵抗効果ヘッド１００の特性を調べたものである。
【００５５】
図５において、磁気抵抗効果ヘッド１００は、磁気ディスク記録装置２００の中で、性能調査に供する磁気抵抗効果ヘッド１００は、アクチュエータユニット２０３によって矢印で示したように駆動されるアーム２０４の端部に取り付けられたサスペンション２０５の先端部取り付けられている。
【００５６】
磁気記録媒体２０２は、いわゆる磁気ディスクであり、ハブ２０１に回転可能に取り付けられたおり、磁気抵抗効果ヘッド１００が浮上しながら磁気記録媒体２０２の表面に近接して走査するようになっている。
【００５７】
その結果、隣り合う磁気記録媒体２０２の上に記録された図示してない磁気トラックからの漏洩磁場の遮断が有効に機能することはもちろんのこと、磁気抵抗効果ヘッド１００を構成する磁気抵抗効果素子自体の読み取り応答性能が従来型以上に高性能化されることが確認でき、磁気抵抗効果ヘッド１００として優れていることが確認できた。
【００５８】
ここで例示した磁気抵抗効果素子の多層構成やそれぞれの層を構成する材料や厚さなどの諸元は、本発明を規制するものではなく、種々の変形が可能である。
【００５９】
また、サイドシールド層を構成する高絶縁磁性材料としてＮｉ−Ｚｎフェライトを例示したが、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇなどのフェライト材料やこれらの固溶体を用いても同様の効果があり、種々の変形が可能である。
【００６０】
さらに、下部シールド層／下部電極層や上部シールド層／上部電極層などとシールド層と電極層とを兼ね備えて例示したが、このことは本発明の必要条件ではなく、シールド層と別個に電極層を設けることもでき、種々の変形が可能である。
【００６１】
（付記１）  磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
該サイドシールド層が高絶縁性磁性材料からなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【００６２】
（付記２）  該高絶縁性磁性材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含むフェライト材料である
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【００６３】
（付記３）  該サイドシールド層が、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に絶縁層を介して接している
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【００６４】
（付記４）  該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性導電層からなる中間層を有し、該中間層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＣＰＰ−ＧＭＲ素子である
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【００６５】
（付記５）  該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性絶縁層からなるトンネル接合層を有し、該トンネル接合層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＴＭＲ素子である
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【００６６】
（付記６）  付記１記載の磁気抵抗効果ヘッドを読み取り用ヘッドとして搭載した
ことを特徴とする磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明になる磁気抵抗効果ヘッドの模式的な構成断面図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の工程図（その１）である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の工程図（その２）である。
【図４】本発明の効果を従来例と比較した説明図である。
【図５】磁気ディスク記録装置の要部を示す平面図である。
【図６】サイドシールド構造を有する磁気抵抗効果ヘッドの一例の模式的な断面図である。
【図７】多層構造を有する磁気抵抗効果素子の一例の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  磁気抵抗効果素子
２  レジスト膜
１０  基板                            １１  Ａｌ2 Ｏ3 膜
１２  下部シールド層／下部電極層      １３  上部シールド層／上部電極層
１４  サイドシールド層                １５  絶縁層
１００  磁気抵抗効果ヘッド
２００  磁気ディスク装置
２０１  ハブ                          ２０２  磁気記録媒体
２０３  アクチュエータユニット        ２０４  アーム
２０５  サスペンション
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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