(57)【要約】【課題】補助容量素子の存在に起因して、制御電圧に対する電圧制御可変主容量素子の容量の変化量に基づき発振周波数を変化させることが鈍化するという事態を回避しつつ、発振周波数を変化させる。【解決手段】インバータ素子と、圧電振動子と、第１の容量素子と、第２の容量素子と、電圧制御可変主容量素子と、複数の補助容量素子と、複数の電圧制御可変副容量素子とを含み、前記複数の補助容量素子及び前記複数の電圧制御可変副容量素子が、前記電圧制御可変主容量素子に接続又は接続切断が可能であり、前記複数の補助容量素子の容量に対しての、制御電圧に対する前記複数の電圧制御可変副容量素子の容量の変化量が実質的に同一である。【選択図】図１
2007318203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）増幅器と、
（２）前記増幅器に並列接続された圧電振動子と、
（３）前記増幅器の入力端及び出力端の一方並びに固定電位間に接続された第１の容量
素子と、
（４）前記増幅器の入力端及び出力端の他方並びに前記固定電位間に、相互に直列に設
けられた第２の容量素子及び電圧制御可変主容量素子であって、前記圧電振動子及び前記
第１の容量素子と協動して発振信号が取り得る発振周波数の範囲の基準となる基準周波数
を規定するための前記第２の容量素子、及び、前記発振信号の発振周波数を可変すべく容
量を変化させるための制御電圧の印加を受ける前記電圧制御可変主容量素子と、
（５）各補助容量素子が前記第２の容量素子と並列に接続又は当該接続の切断が可能で
あり、前記基準周波数を調整すべく容量が相互に相違する複数の補助容量素子と、
（６）前記電圧制御可変主容量素子による前記発振信号の前記発振周波数の可変を補完
すべく、各電圧制御可変副容量素子が、前記複数の補助容量素子のうちの、当該電圧制御
可変副容量素子に対応する補助容量素子の前記接続又は前記接続の切断に連動して前記電
圧制御可変主容量素子に並列に接続又は当該接続の切断が可能であり、前記制御電圧の印
加を受けて容量が変化する複数の電圧制御可変副容量素子であって、当該複数の電圧制御
可変副容量素子間で、一の電圧制御可変副容量素子に対応する一の補助容量素子の容量に
対しての、前記制御電圧に対する前記一の電圧制御可変副容量素子の容量の変化量の比が
実質的に同一であるように、前記制御電圧に対する容量の変化量が相互に相違する前記複
数の電圧制御可変副容量素子と、を含むことを特徴とする発振装置。
【請求項２】
前記制御電圧は、前記発振周波数が前記発振装置の雰囲気の温度変化に起因して変動す
ることを低減すべく、前記雰囲気の温度変化に基づき、前記電圧制御可変主容量素子の前
記容量を変化させることを特徴とする請求項１記載の発振装置。
【請求項３】
（１）固定した容量を有する容量素子と、
（２）前記容量素子と直列に接続され、可変する容量を有する電圧制御可変主容量素子
であって、当該電圧制御可変主容量素子の容量を変化させるための制御電圧の印加を受け
る前記電圧制御可変主容量素子と、
（３）各補助容量素子が前記容量素子と並列に接続又は当該接続の切断が可能であり、
容量が相互に相違する複数の補助容量素子と、
（４）各電圧制御可変副容量素子が、前記複数の補助容量素子のうちの、当該電圧制御
可変副容量素子に対応する補助容量素子の前記接続又は前記接続の切断に連動して前記電
圧制御可変主容量素子に並列に接続又は当該接続の切断が可能であり、前記制御電圧の印
加を受けて容量が変化する複数の電圧制御可変副容量素子であって、当該複数の電圧制御
可変副容量素子間で、一の電圧制御可変副容量素子に対応する一の補助容量素子の容量に
対しての、前記制御電圧に対する前記一の電圧制御可変副容量素子の容量の変化量の比が
実質的に同一であるように、前記制御電圧に対する容量の変化量が相互に相違する前記複
数の電圧制御可変副容量素子と、を含むことを特徴とする容量調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子のような圧電振動子等により定まる発振周波数を有する発振信号
を生成する発振装置、及び、当該発振装置に用いる容量調整装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５に示されるような、下記の特許文献１に記載された従来の発振装置Ｄ１０では、本
来的に、外部装置（図示せず。）から印加される制御電圧Ｖｃｎｔに応じて、バラクタＶ
１０の容量を変化させることにより、水晶振動子Ｘ１０、コンデンサＣ１０、及びＣ２０
により規定される基準周波数ｆｃ（例えば、２６ＭＨｚ）に近似する発振周波数ｆ（例え
ば、２６ＭＨｚ近傍）、即ち、水晶振動子Ｘ１０、コンデンサＣ１０、Ｃ２０、及びバラ
クタＶ１０により規定される発振周波数ｆを有する発振信号ＯＳ１０を生成する。
【０００３】
前記発振装置Ｄ１０は、水晶振動子Ｘ１０等の特性上のばらつきに起因する前記基準周
波数ｆｃのずれを修正すべく、即ち、前記基準周波数ｆｃを調整すべく、図５に示される
ように、調整回路Ａ１０を有する。当該調整回路Ａ１０は、前記基準周波数ｆｃの調整に
必要な容量（合成容量）を実現すべく、相互に容量の大きさを異にする（例えば、１ｐＦ
、２ｐＦ、４ｐＦ、．．．）のコンデンサＣＢ１０、ＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．、及び
、スイッチ電圧Ｖｓｗ１０、Ｖｓｗ２０、Ｖｓｗ３０、．．．による制御下で接続及び接
続切断を行うスイッチＳＷ１０、ＳＷ２０、ＳＷ３０、．．．を備える。
【０００４】
より詳しくは、コンデンサＣＢ１０及びスイッチＳＷ１０は、インバータ素子ＩＮ１０
の出力端及び接地電位ＧＮＤ間に直列接続され、加えて、スイッチＳＷ１０は、前記外部
装置又は他の外部装置（図示せず。）から印加を受けるスイッチ電圧Ｖｓｗ１０に基づき
、コンデンサＣＢ１０を、前記インバータ素子ＩＮ１０の出力端及び前記接地電位ＧＮＤ
間に接続し又は当該接続を切断する。他のコンデンサＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．及び他
のスイッチＳＷ２０、３０、．．．も、同様に設けられており、また、同様に接続及び接
続切断を行う。発振装置Ｄ１０では、前記発振信号ＯＳ１０の基準周波数ｆｃのずれを修
正すべく、例えば、コンデンサＣＢ１０の容量及びＣＢ３０の容量を使用したいときには
、スイッチＳＷ１０、ＳＷ３０を接続状態にし、他方で、スイッチＳＷ２０を接続切断状
態にする。
【０００５】
従来の発振装置Ｄ１０では、２つの極端な例のうちの一方の例として、コンデンサＣＢ
１０、ＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．の全てを使用しない（切断する）ときには、バラクタ
Ｖ１０の容量、正確には、制御電圧Ｖｃｎｔに対するバラクタＶ１０の容量の変化量に対
する、コンデンサＣＢ１０、ＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．の合成容量の比が実質的に零で
あることから、前記基準周波数ｆｃに対しての、バラクタＶ１０の容量が変化することに
よる、当該基準周波数ｆｃからの偏差ｄｆ（縦軸）は、図６の点線で示されるように、制
御電圧Ｖｃｎｔ（横軸）に対し敏感に反応することができ、換言すれば、制御電圧Ｖｃｎ
ｔ（横軸）に対して感度高く（感度鋭く）発振周波数ｆを変化させることができる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２７０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、他方の例として、コンデンサＣＢ１０、ＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．の
全てを使用する（接続する）ときには、制御電圧Ｖｃｎｔに対するバラクタＶ１０の容量
の変化量に対する、コンデンサＣＢ１０、ＣＢ２０、ＣＢ３０、．．．の合成容量の比が
極めて大きくなることから、上記したような基準周波数ｆｃに対する周波数の偏差ｄｆは
、図６の実線で示されるように、制御電圧Ｖｃｎｔに対する反応が鈍感になり、換言すれ
ば、制御電圧Ｖｃｎｔに対する発振周波数ｆの変化が感度鈍くなるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した課題を解決すべく、本発明に係る発振装置は、
（１）増幅器ＩＮ１と、
（２）前記増幅器ＩＮ１に並列接続された圧電振動子Ｘ１と、
（３）前記増幅器ＩＮ１の入力端及び出力端の一方並びに固定電位間ＧＮＤに接続され
た第１の容量素子Ｃ１と、
（４）前記増幅器ＩＮ１の入力端及び出力端の他方並びに前記固定電位ＧＮＤ間に、相
互に直列に設けられた第２の容量素子Ｃ２及び電圧制御可変主容量素子Ｖ１であって、前
記圧電振動子Ｘ１及び前記第１の容量素子Ｃ１と協動して発振信号ＯＳ１が取り得る発振
周波数Ｆの範囲の基準となる基準周波数Ｆｃを規定するための前記第２の容量素子Ｃ２、
及び、前記発振信号ＯＳ１の発振周波数Ｆを可変すべく容量を変化させるための制御電圧
Ｖｃｎｔの印加を受ける前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１と、
（５）各補助容量素子が前記第２の容量素子Ｃ２と並列に接続又は当該接続の切断が可
能であり、前記基準周波数Ｆｃを調整すべく容量が相互に相違する複数の補助容量素子Ｃ
Ｂ１〜ＣＢ３と、
（６）前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１による前記発振信号ＯＳ１の前記発振周波数Ｆ
の可変を補完すべく、各電圧制御可変副容量素子ＶＢｉ（ｉ＝１、２、３．．．．）が、
前記複数の補助容量素子ＣＢ１〜ＣＢ３のうちの、当該電圧制御可変副容量素子Ｃｉに対
応する補助容量素子ＣＢｉの前記接続又は前記接続の切断に連動して前記電圧制御可変主
容量素子Ｖ１に並列に接続又は当該接続の切断が可能であり、前記制御電圧Ｖｃｎｔの印
加を受けて容量が変化する複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３であって、当該
複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３間で、一の電圧制御可変副容量素子ＶＢｉ
に対応する一の補助容量素子ＣＢｉの容量に対しての、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前
記一の電圧制御可変副容量素子ＶＢｉの容量の変化量の比が実質的に同一であるように、
前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する容量の変化量が相互に相違する前記複数の電圧制御可変副
容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３と、を含む。
【０００９】
上記した本発明に係る発振装置によれば、前記複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜
ＶＢ３が、当該複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３間で、前記一の補助容量素
子ＣＢｉの容量に対しての、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前記一の電圧制御可変副容量
素子ＶＢｉの容量の変化量の比が実質的に同一であるように、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対
する容量の変化量が相互に相違し、かつ、各電圧制御可変副容量素子ＶＢｉが、当該電圧
制御可変副容量素子ＶＢｉに対応する補助容量素子ＣＢｉの前記接続又は前記接続の切断
に対応して前記電圧制御可変主容量素子に接続又は当該接続の切断が可能であることから
、前記電圧制御可変主容量素子に接続された少なくとも１つ以上の補助容量素子に対応す
る１つ以上の電圧制御可変副容量素子が、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前記電圧制御可
変主容量素子の容量の変化量を補完することから、従来の発振装置と異なり、前記制御電
圧Ｖｃｎｔに対する前記発振周波数Ｆの変化の感度を鈍化させることなく、前記発振周波
数Ｆを可変することが可能となる。
【００１０】
上記した本発明に係る発振装置では、前記制御電圧Ｖｃｎｔは、前記発振周波数Ｆが前
記発振装置の雰囲気の温度変化に起因して変動することを低減すべく、前記雰囲気の温度
変化に基づき、前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１の前記容量を変化させる。
【００１１】
本発明に係る容量調整装置は、
（１）固定した容量を有する容量素子Ｃ２と、
（２）前記容量素子Ｃ２と直列に接続され、可変する容量を有する電圧制御可変主容量
素子Ｖ１であって、当該電圧制御可変主容量素子Ｖ１の容量を変化させるための制御電圧
Ｖｃｎｔの印加を受ける前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１と、
（３）各補助容量素子が前記容量素子Ｃ２と並列に接続又は当該接続の切断が可能であ
り、容量が相互に相違する複数の補助容量素子ＣＢ１〜ＣＢ３と、
（４）各電圧制御可変副容量素子ＶＢｉ（ｉ＝１、２、３．．．．）が、前記複数の補
助容量素子ＣＢ１〜ＣＢ３のうちの、当該電圧制御可変副容量素子Ｃｉに対応する補助容
量素子ＣＢｉの前記接続又は前記接続の切断に連動して前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１
に並列に接続又は当該接続の切断が可能であり、前記制御電圧Ｖｃｎｔの印加を受けて容
量が変化する複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３であって、当該複数の電圧制
御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３間で、一の電圧制御可変副容量素子ＶＢｉに対応する一
の補助容量素子ＣＢｉの容量に対しての、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前記一の電圧制
御可変副容量素子ＶＢｉの容量の変化量の比が実質的に同一であるように、前記制御電圧
Ｖｃｎｔに対する容量の変化量が相互に相違する前記複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ
１〜ＶＢ３と、を含む。
【００１２】
上記した本発明に係る容量調整装置によれば、前記複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ
１〜ＶＢ３が、当該複数の電圧制御可変副容量素子ＶＢ１〜ＶＢ３間で、前記一の補助容
量素子ＣＢｉの容量に対しての、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前記一の電圧制御可変副
容量素子ＶＢｉの容量の変化量の比が実質的に同一であるように、前記制御電圧Ｖｃｎｔ
に対する容量の変化量が相互に相違し、かつ、各電圧制御可変副容量素子ＶＢｉが、当該
電圧制御可変副容量素子ＶＢｉに対応する補助容量素子ＣＢｉの前記接続又は前記接続の
切断に対応して前記電圧制御可変主容量素子に接続又は当該接続の切断が可能であること
から、前記電圧制御可変主容量素子に接続された少なくとも１つ以上の補助容量素子に対
応する１つ以上の電圧制御可変副容量素子が、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する前記電圧制
御可変主容量素子の容量の変化量を補完することから、前記制御電圧Ｖｃｎｔに対する、
前記電圧制御可変主容量素子Ｖ１の容量変化の感度を鈍化させることなく、当該電圧制御
可変主容量素子Ｖ１の容量を可変することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る発振装置の実施例について図面を参照して説明する。
【００１４】
《構成と動作》
図１は、実施例の発振装置の構成を示す。実施例の発振装置Ｄ１は、図１に示されるよ
うに、インバータ素子ＩＮ１と、水晶振動子Ｘ１と、抵抗器Ｒ１、Ｒ２と、コンデンサＣ
１、Ｃ２（第１、第２の容量素子）と、バラクタＶ１（電圧制御可変主容量素子）と、調
整回路Ａ１とを含む。
【００１５】
インバータ素子ＩＮ１は、増幅器の一つであり、例えば＋３Ｖ及び＋５Ｖのような電源
電位Ｖｃｃ（固定電位）及び接地電位ＧＮＤ（他の固定電位）に接続されており、例えば
、ＣＭＯＳインバータ素子から構成されている。
【００１６】
水晶振動子Ｘ１は、インバータ素子ＩＮ１に並列接続されており、コンデンサＣ１、Ｃ
２と協動して発振信号ＯＳ１の基準周波数Ｆｃを規定する。
【００１７】
抵抗器Ｒ１は、インバータ素子ＩＮ１に並列接続された、いわゆる帰還抵抗器であり、
発振装置Ｄ１のバイアスを規定する。
【００１８】
抵抗器Ｒ２は、電源電位Ｖｃｃに基づき、インバータ素子ＩＮ１の出力端、即ち、バラ
クタＶ１の一端（例えば、カソード側）のバイアスを規定する。
【００１９】
コンデンサＣ１は、インバータ素子ＩＮ１の出力端及び接地電位ＧＮＤ間に設けられて
おり、また、コンデンサＣ２及びバラクタＶ１は、インバータ素子ＩＮ１の出力端及び接
地電位ＧＮＤ間に直列接続されて設けられている。バラクタＶ１は、例えば、ＭＯＳバラ
クタ及びＰＮバラクタからなり、当該バラクタＶ１の容量を変化させるための制御電圧Ｖ
ｃｎｔを外部制御装置（図示せず。）から印加される。
【００２０】
調整回路Ａ１は、インバータ素子ＩＮ１の出力端に設けられており、複数の補助コンデ
ンサ（補助容量素子）ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．と、当該複数の補助コンデンサＣ
Ｂ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．に直列接続された複数の補助バラクタ（電圧制御可変副容
量素子）ＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．と、前記複数の補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２
、ＣＢ３、．．．及び当該複数の補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．と直列に
接続し又は当該接続を遮断することが可能な複数のスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、．
．．と、前記制御電圧Ｖｃｎｔを前記補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．へ別
個独立に印加するための抵抗器ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、．．．と、を有する。
【００２１】
より正確には、補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．は、それぞれ、コンデ
ンサＣ２と並列に接続し又は当該接続を切断することができるように設けられており、か
つ、当該接続及び当該切断に連動して、バラクタＶ１と並列に接続され又は当該接続を切
断される。また、補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．は、それぞれ、バラクタ
Ｖ１と並列に接続し又は当該接続を遮断することができるように設けられている。補助コ
ンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．の前記接続及び当該接続の切断、並びに、補助
バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．の前記接続及び当該接続の遮断は、スイッチＳ
Ｗ１、ＳＷ２、ＳＷ３、．．．により行われ、例えば、コンデンサＣ２への補助コンデン
サＣＢ１の接続及び接続の遮断、並びに、バラクタＶ１への補助コンデンサＣＢ１の接続
及び接続の遮断は、当該コンデンサＣＢ１及びバラクタＶ１に対応するスイッチＳＷ１に
よって、外部記憶装置（図示せず。。）から出力されるスイッチ電圧Ｖｓｗ１に基づき、
連動的に行われる。他の補助コンデンサＣＢ２、ＣＢ３、．．．、及び、他の補助バラク
タＶＢ２、ＶＢ３、．．．についての接続及び接続の遮断もまた、同様にして、それぞれ
、他のスイッチＳＷ２、ＳＷ３、．．．により、スイッチ電圧Ｖｓｗ２、Ｖｓｗ３、．．
．により行われる。
【００２２】
補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．は、相互に容量を異にする。より詳し
くは、水晶振動子Ｘ１等の特性上のばらつきに起因する基準周波数Ｆｃのずれを修正する
ために必要であると予め想定される容量（合成容量）を、補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２
、ＣＢ３、．．．の取捨選択により、即ち、接続又は接続遮断により構成することができ
るように、補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．の容量は、それぞれ、１ｐＦ
、２ｐＦ、４ｐＦ、．．．のように、２のべき乗に従っている。以下では、説明及び理解
を容易にすべく、基準周波数Ｆｃの修正のために、補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ３が、接
続されており、他方で、補助コンデンサＣＢ２が、接続を切断されることを想定する。
【００２３】
補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．は、例えば、ＭＯＳバラクタ及びＰＮバ
ラクタからなり、制御電圧Ｖｃｎｔに対するバラクタＶ１の容量の変化量、即ち、制御電
圧Ｖｃｎｔに対する感度が、例えば、当該バラクタＶ１に接続された前記補助コンデンサ
ＣＢ１、ＣＢ３の合成容量の大きさに左右されて鈍化することを補完すべく、制御電圧Ｖ
ｃｎｔに対する容量の変化量が相互に異なる。より具体的には、補助バラクタＶＢ１、Ｖ
Ｂ２、ＶＢ３、．．．のＣＶ特性（制御電圧Ｖｃｎｔに対する補助バラクタＶＢ１、ＶＢ
２、ＶＢ３、．．．の容量の変化量）は、１ｐＦ／Ｖ、２ｐＦ／Ｖ、４ｐＦ／Ｖ、．．．
のように、補助コンデンサＣＢ１の容量に対する補助バラクタＶＢ１のＣＶ特性の比と、
補助コンデンサＣＢ２の容量に対する補助バラクタＶＢ２のＣＶ特性の比と、補助コンデ
ンサＣＢ３の容量に対する補助バラクタＶＢ３のＣＶ特性の比と、．．．が、相互に実質
的に同一になるように、補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．の容量の比と同様
に、２のべき乗に従っている。
【００２４】
スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、．．．は、上記したような、コンデンサＣ２への補
助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．の接続及び接続の遮断、並びに、バラクタ
Ｖ１への補助バラクタＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．の接続及び接続の遮断を実行すべ
く、例えば、それぞれ、ＭＯＳトランジスタから構成されている。
【００２５】
抵抗器ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、．．．は、前記制御電圧Ｖｃｎｔをバラクタに相互に
独立して印加すべく、制御電圧Ｖｃｎｔが印加される端点（端子）、及び、補助バラクタ
ＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、．．．と補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．との
接続点間に、相互に並列に設けられている。
【００２６】
《効果》
上記したような構成を有する発振装置Ｄ１では、水晶振動子Ｘ１等の特性上のばらつき
に起因する、発振信号ＯＳ１の基準周波数Ｆｃのずれを修正すべく、「接続」の旨を規定
するスイッチ電圧Ｖｓｗ１、Ｖｓｗ３、及び「接続切断」の旨を規定するスイッチ電圧Ｖ
ｓｗ２に従い、スイッチＳＷ１、ＳＷ３により、コンデンサＣ２と並列に補助コンデンサ
ＣＢ１（１ｐＦ）、ＣＢ３（４ｐＦ）が接続され、かつ、スイッチＳＷ２により、コンデ
ンサＣ２と並列に補助コンデンサＣＢ２（２ｐＦ）が接続されない、即ち、接続が切断さ
れる。当該接続及び接続の切断に連動して、バラクタＶ１と並列に、補助バラクタＶＢ１
（１ｐＦ／Ｖ）、補助バラクタＶＢ３（４ｐＦ／Ｖ）が接続され、かつ、補助バラクタＶ
Ｂ２（２ｐＦ／Ｖ）が接続を切断される。バラクタＶ１に並列接続された補助バラクタＶ
Ｂ１及び補助バラクタＶＢ３は、制御電圧Ｖｃｎｔに基づくバラクタＶ１の容量変化によ
り発振周波数Ｆを変えることに関し、それぞれ、制御電圧Ｖｃｎｔに応じてその容量を変
化させることにより、コンデンサＣ２に並列接続された、即ち、バラクタＶ１に並列接続
された補助コンデンサＣＢ１及び補助コンデンサＣＢ３の合成容量の存在に起因して、制
御電圧Ｖｃｎｔに対応するバラクタＶ１の容量の変化量、即ち、バラクタＶ１の感度が鈍
化することを低減することができる。換言すれば、仮に、コンデンサＣ２と並列に、全て
の補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．が接続されても、図２の実線で示され
るように、全ての補助コンデンサＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．が接続されているとき
（点線で図示。）と同様に、制御電圧Ｖｃｎｔに対するバラクタＶ１の感度を鈍らせるこ
となく、発振周波数Ｆを変えることができる。
【００２７】
換言すれば、バラクタＶ１及びコンデンサＣ２、並びに、調整回路Ａ１からなる可変調
整装置Ｂ１では、コンデンサＣ２と並列に、即ち、バラクタＶ１と並列に、補助コンデン
サＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、．．．が接続されても、制御電圧Ｖｃｎｔに対する、バラク
タＶ１の容量変化の感度を低下させることなく、当該バラクタＶ１の容量を変えることが
できる。
【００２８】
〈変形例１〉
図３は、変形例１の発振装置の構成を示す。変形例１の発振装置Ｄ１では、図３に示さ
れるように、図１に示された実施例の発振装置Ｄ１における、インバータ素子ＩＮ１の入
力側の構成と出力側の構成が入れ替わっている。より具体的には、変形例１の発振装置Ｄ
１では、実施例の発振装置Ｄ１における入力側の構成であるコンデンサＣ１が、インバー
タ素子ＩＮ１の出力側に設けられており、他方で、実施例の発振装置Ｄ１における出力側
の構成である、バラクタＶ１、コンデンサＣ２、抵抗器Ｒ２、及び調整回路Ａ１が、イン
バータ素子ＩＮの入力側に設けられている。このような構成を有する変形例１の発振装置
Ｄ１によっても、上記したような実施例の発振装置Ｄ１の効果と同様な効果を得ることが
できる。
【００２９】
〈変形例２〉
図４は、変形例２の発振装置の構成を示す。変形例２の発振装置Ｄ２では、図４に示さ
れるように、実施例及び変形例１の発振装置Ｄ１と同様に、調整回路Ａ１を有し、他方で
、実施例及び変形例１の発振装置Ｄ１と異なり、バイポーラトランジスタＴＲ１、水晶振
動子ＸＣ１、抵抗器ＲＣ１〜ＲＣ５、コンデンサＣＣ１、ＣＣ２を有する。詳細には、変
形例２の発振装置Ｄ２では、トランジスタＴＲ１のベース及び接地電位ＧＮＤ間に、水晶
振動子ＸＣ１、電圧制御可変主容量素子Ｖ１、及びコンデンサＣ２が直列に接続されてお
り、トランジスタＴＲ１のエミッタ及び接地電位ＧＮＤ間に抵抗器ＲＣ１が接続されてお
り、トランジスタＴＲ１のベース及びエミッタ間にコンデンサＣＣ１が接続されており、
前記抵抗器ＲＣ１と並列にコンデンサＣＣ２が接続されており、トランジスタＴＲ１のベ
ース及び接地電位ＧＮＤ間に抵抗器ＲＣ２が接続されており、トランジスタＴＲ１のコレ
クタ及び電源電位Ｖｃｃ間に抵抗器ＲＣ３が接続されており、水晶振動子ＸＣ１の一端（
トランジスタＴＲ１のベースに相当。）と電源電位Ｖｃｃ間に抵抗器ＲＣ４が接続されて
おり、水晶振動子ＸＣ１の他端及び電源電位Ｖｃｃ間に抵抗器ＲＣ５が接続されており、
水晶振動子ＸＣ１の当該他端に、上記の調整回路Ａ１が設けられている。
【００３０】
上記したような構成を有する変形例２の発振装置Ｄ２によっても、また、上記した実施
例及び変形例１の発振装置Ｄ１の効果と同様な効果を得ることができる。
【００３１】
〈変形例３〉
前記実施例及び変形例１の発振装置Ｄ１における、前記発振信号ＯＳ１の発振周波数Ｆ
が、前記発振装置Ｄ１が置かれている環境、即ち、雰囲気の温度変化に起因して変動する
ときには、前記制御電圧Ｖｃｎｔは、前記雰囲気の温度変化に基づき、前記電圧制御可変
主容量素子Ｖ１の前記容量を変化させる量（程度）を規定することにより、前記発振信号
ＯＳ１の発振周波数Ｆを前記温度変化に左右されずに一定に維持すること、即ち、温度補
償することを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施例の発振装置の構成を示す図。
【図２】実施例の発振装置の感度を示す図。
【図３】変形例１の発振装置の構成を示す図。
【図４】変形例２の発振装置の構成を示す図。
【図５】従来の発振装置の構成を示す図。
【図６】従来の発振装置の感度を示す図。
【符号の説明】
【００３３】
Ｄ１…発振装置、ＩＮ１…インバータ素子、Ｘ１…圧電振動子、Ｖ１…電圧制御可変主
容量素子、Ｃ１、Ｃ２…コンデンサ、Ａ１…調整回路、ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３…補助コ
ンデンサ、ＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３…補助バラクタ、ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３…スイッチ
。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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