(57)【要約】【課題】チッピングの発生を抑えることができるレーザスクライブ方法、レーザ照射装置、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】マザー基板１０をステージ５０上に載置する基板載置工程（図５（ａ））と、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光４４を照射して、マザー基板１０の内部に第１改質層Ｒｃ１を形成する第１照射工程（同図（ｂ））と、マザー基板１０の平面視における第１改質層Ｒｃ１の位置を測定する位置測定工程（同図（ｃ））と、位置データを記憶するデータ記憶工程（同図（ｃ））と、位置データに基づいて、位置制御しつつ、第１改質層Ｒｃ１とマザー基板１０の面とを垂直方向に結んだマザー基板１０の仮想ラインに沿って、レーザ光４４を照射して、マザー基板１０の内部に第２改質層Ｒｃ２を形成する第２照射工程（同図（ｃ））と、マザー基板１０に外力を与え、マザー基板１０を切断する切断工程（同図（ｄ））とを有する。【選択図】図５
2007275901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、前記基板を切断するレ
ーザスクライブ方法であって、
前記基板をステージ上に載置する基板載置工程と、
前記基板に設けられた前記切断予定ライン上に前記レーザ光の光軸を合わせ、前記切断
予定ラインに沿って前記レーザ光を照射して、前記基板の内部に第１改質層を形成する第
１照射工程と、
前記基板の平面視における前記第１改質層の位置を測定し、位置データを取得する位置
測定工程と、
前記位置データを記憶するデータ記憶工程と、
前記位置データに基づいて、前記第１改質層の位置と前記光軸の位置とが互いに合わさ
るように、前記光軸と前記ステージのうち少なくとも一方を位置制御しつつ、前記第１改
質層と前記基板の面とを垂直方向に結んだ前記基板の仮想ラインに沿って、前記レーザ光
を照射して、前記基板の内部に第２改質層を形成する第２照射工程と、
前記基板に外力を与えることにより、前記第１及び第２改質層を起点にして亀裂を生じ
させ、前記基板を切断する切断工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法
。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記第２照射工程では、前記仮想ライン上において、前記第１改質層の上に前記第２改
質層を形成するように、前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ方法
。
【請求項３】
請求項１または２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記位置測定工程と、前記データ記憶工程と、前記第２照射工程とを同時期に行うこと
を特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
基板に設けられた切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、前記基板の内部に改質
層を形成するするレーザスクライブ装置であって、
前記基板を載置するステージ装置と、
載置された前記基板に向けて前記レーザ光を照射して、前記基板の内部に前記改質層を
形成するレーザ照射装置と、
前記改質層の前記基板の平面視における位置を測定し、位置データを取得する位置測定
装置と、
前記位置データを記憶するデータ記憶装置と、
前記位置データに基づいて、前記改質層の位置と前記レーザ光の光軸の位置とが互いに
合わさるように、前記光軸と前記ステージのうち少なくとも一方を位置制御しつつ、前記
改質層と前記基板の面とを垂直方向に結んだ前記基板の仮想ラインに沿って、前記レーザ
光を照射させる制御装置と、を有することを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のレーザスクライブ装置において、
前記位置測定装置は、前記光軸の移動方向に対して、前記レーザ光の照射位置よりも前
方に設置されたことを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって製造されたことを
特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、レーザスクライブ装置、電気光学装置、電子機器に
関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を照射して基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。
この方法では、基板の内部にレーザ光を集光させ、当該集光点の部分に改質層を形成した
後、基板に外力を加えることにより、改質層を起点として基板を切断するというものであ
る。改質層の形成方法としては、例えば、特許文献１に示すように、基板に設けられた切
断予定ラインに対して基板の厚み方向に集光点の位置を変え、複数回のレーザ光走査を行
って、複数の改質層を重ねて形成する方法が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レーザ光の光軸と基板とを相対移動しながらレーザ光走査を複数回行う
とき、基板に歪みや撓み等の起伏が生じると、基板の平面視における複数の改質層の位置
が互いにずれてしまうという問題があった。当該改質層のずれが生じると、基板を切断し
たときに、チッピングが発生して、基板に損傷を与えるおそれがあった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、チッピングの発生を抑え
ることができるレーザスクライブ方法、レーザスクライブ装置、電気光学装置、電子機器
を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板に設けられた切断予定ラインに沿ってレー
ザ光を照射して、基板を切断するレーザスクライブ方法であって、基板をステージ上に載
置する基板載置工程と、基板に設けられた切断予定ライン上にレーザ光の光軸を合わせ、
切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、基板の内部に第１改質層を形成する第１照
射工程と、基板の平面視における第１改質層の位置を測定し、位置データを取得する位置
測定工程と、位置データを記憶するデータ記憶工程と、位置データに基づいて、第１改質
層の位置と光軸の位置とが互いに合わさるように、光軸とステージのうち少なくとも一方
を位置制御しつつ、第１改質層と基板の面とを垂直方向に結んだ基板の仮想ラインに沿っ
て、レーザ光を照射して、基板の内部に第２改質層を形成する第２照射工程と、基板に外
力を与えることにより、第１及び第２改質層を起点にして亀裂を生じさせ、基板を切断す
る切断工程とを有することを要旨とする。
【０００７】
これによれば、ステージ上に載置された基板に設けられた切断予定ラインに沿って、レ
ーザ光が照射され、基板の内部に第１改質層が形成される。その後、基板の平面視におけ
る第１改質層の位置が測定され、当該位置データが記憶される。そして、位置データに基
づいて、第１改質層の位置と光軸の位置とが互いに合わさるように位置制御しつつ、レー
ザ光が照射されて、第１改質層と基板の面とを垂直方向に結ぶ仮想ライン上に第２改質層
が形成される。従って、第２改質層は、基板の平面視において、第１改質層の位置とずれ
がなく形成されるので、基板を切断したときにチッピングの発生を抑えることができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の第２照射工程では、仮想ライン上において、第１改質
層の上に第２改質層を形成するように、レーザ光を照射してもよい。
【０００９】
これによれば、第２改質層は、第１改質層の上に形成されるので、レーザ光の散乱等を
抑え、効率良く第２改質層を形成することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の位置測定工程と、記憶工程と、第２照射工程とを同時
期に行ってもよい。
【００１１】
これによれば、第１改質層の位置の測定と当該位置データの記憶と、当該位置データに
基づいた第２照射工程とを同時期に行うことにより、作業性を向上させることができる。
【００１２】
本発明は、基板に設けられた切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、基板の内部
に改質層を形成するするレーザスクライブ装置であって、基板を載置するステージ装置と
、載置された基板に向けてレーザ光を照射して、基板の内部に改質層を形成するレーザ照
射装置と、改質層の基板の平面視における位置を測定し、位置データを取得する位置測定
装置と、位置データを記憶するデータ記憶装置と、改質層の位置とレーザ光の光軸の位置
とが互いに合わさるように、光軸とステージのうち少なくとも一方を位置制御しつつ、改
質層と基板の面とを垂直方向に結んだ基板の仮想ラインに沿って、レーザ光を照射させる
制御部とを有することを要旨とする。
【００１３】
これによれば、ステージ上に載置された基板に設けられた切断予定ラインに沿って、レ
ーザ光が照射され、基板の内部に改質層が形成され、基板の平面視における改質層の位置
が測定され、当該位置データが記憶される。そして、改質層の位置とレーザ光の光軸の位
置とが互いに合わさるように位置制御され、レーザ光が、改質層と基板の面とを垂直方向
に結ぶ仮想ラインに沿って照射される。従って、改質層は、基板の平面視において、改質
層同士の位置がずれることなく形成されるので、基板を切断したときにチッピングの発生
を抑えることができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ装置の位置測定装置は、光軸の移動方向に対して、レーザ光
の照射位置よりも前方に設置してもよい。
【００１５】
これによれば、改質層の位置を測定しながらレーザ光を照射させることが可能となる。
また、随時位置データの取得が可能となるので、改質層の位置データを一括処理する場合
に比べて、記憶装置の記憶容量を低減させるとともに、制御部の負荷を低減させることが
できる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって製造されたことを要旨
とする。
【００１７】
これによれば、基板の平面視における改質層のずれが軽減されるので、チッピングのな
い品質のよい電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００１９】
これによれば、品質の良い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（
ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２１】
図１（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、基板としての第
１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の電気光学装置としての液晶表示パネル２
０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、マザー基板１０の液晶表示パネル２
０の区画形成領域であって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿っ
て切断して、マザー基板１０から分割される。
【００２２】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図２は、電気光学装置としての液晶材表
示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線
で切った概略断面図を示す。
【００２３】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
（Thin  Film  Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第
２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液
晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出
した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部
１１ａが形成されている。
【００２４】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には
画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴ
ＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互
いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続
されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆
動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形
成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２
９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子
３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線
駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００２５】
第２基板１２は、厚みおよそ１．２〜１．１ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共
通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に
設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当
該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００２６】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向
膜２７，２８が形成されている。
【００２７】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続
される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線
駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチング
され、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００２８】
（レーザスクライブ装置の構成）
次に、マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域であって、第１
基板１１にレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するため
のレーザスクライブ装置の構成について説明する。
【００２９】
図３（ａ）は、レーザスクライブ装置の構成を示す模式図であり、図３（ｂ）は改質層
の位置測定の概略図である。図３（ａ）において、レーザスクライブ装置３８は、マザー
基板１０を載置するステージ装置４７と、載置されたマザー基板１０の第１基板１１に向
けてレーザ光４４を照射するレーザ照射装置４０と、レーザ照射によってマザー基板１０
の内部に形成された改質層の位置を測定する位置測定装置としてのＣＣＤカメラ５５と、
測定された位置データを記憶する記憶装置としてのＲＡＭ７２、ＲＯＭ７３と、測定デー
タに基づき、改質層とレーザ照射位置との位置合わせを制御する制御装置としてのメイン
コンピュータ６０等で構成されている。
【００３０】
レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパル
スレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する
集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板
１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置
を調整する調整手段としての第１Ｚ軸スライド機構５４を備えている。
【００３１】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒の
パルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波
長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍで
ある。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力は
およそ７００ｍＷである。
【００３２】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Work
ing  Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３は第１Ｚ軸スライド機構
５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００３３】
ステージ装置４７は、マザー基板１０を載置するステージ５０と、ステージ５０を集光
レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およ
びＹ軸スライド部５１とを備えている。
【００３４】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ
軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に
支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ
軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対
してより垂直な状態とすることが可能である。
【００３５】
ＣＣＤカメラ５５は、第２Ｚ軸スライド機構７４から延びたスライドアーム７４ａによ
って支持されている。
【００３６】
上記各構成を制御するメインコンピュータ６０には、ＣＰＵ７１、ＲＡＭ７２、ＲＯＭ
７３と、ＣＣＤカメラ５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。
また、メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータ
を入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている
。さらに、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と
、第１Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレン
ズ制御部６７と、第２Ｚ軸スライド機構７４を駆動してＣＣＤカメラ５５のＺ軸方向の位
置を制御するＣＣＤ制御部７５と、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれ
レール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御
部７０が接続されている。
【００３７】
ＣＣＤカメラ５５が撮像した位置データは、画像処理部６１によって画像処理され、メ
インコンピュータ６０によって、図３（ｂ）に示すように、第１改質層Ｒｃ１の位置と、
レーザ光４４の光軸５９の位置とがずれているか否か判断するとともに、例えば、位置が
ずれていた場合は、ずれ距離Ｄｉ分を補正すべく、ステージ制御部７０を介してステージ
５０を移動させるようになっている。また、集光レンズ４３とＣＣＤカメラ５５は、同期
してＺ軸方向に移動可能となるように、レンズ制御部６７とＣＣＤ制御部７５に指示信号
が送信される。
【００３８】
次に、メインコンピュータ６０における位置制御の処理方法について説明する。図４は
、メインコンピュータ６０における位置制御の処理方法を示すフローチャート図である。
【００３９】
図４のステップＳ１では、マザー基板１０の内部に形成された第１改質層Ｒｃ１の位置
を測定させる。具体的には、ＣＣＤカメラ５５をマザー基板１０の上方から、第１基板１
１の平面視における第１改質層Ｒｃ１の位置を撮像させ、位置データを取得する。
【００４０】
図４のステップＳ２では、ステップＳ１によって取得された位置データをＲＡＭ７２に
記憶させる。
【００４１】
図４のステップＳ３では、光軸５９をレーザ照射位置へ移動させる。
【００４２】
図４のステップＳ４では、ステップＳ２の位置データに基づいて、第１改質層Ｒｃ１の
位置と光軸５９の位置とが合わさっているか否かを判断させる。
【００４３】
図４のステップＳ５では、ステップＳ４でＮＯの場合、位置ずれを補正させる。具体的
には、ステージ制御部７０を介してＸ軸スライド部４８またはＹ軸スライド部５１を移動
させ、第１改質層Ｒｃ１の位置と光軸５９の位置とを合わせる。
【００４４】
図４のステップＳ６では、第１基板１１に向けてレーザ光４４を照射させる。
【００４５】
図４のステップＳ４でＹＥＳの場合は、ステップＳ６に移行して、第１基板１１に向け
てレーザ光４４を照射させる。
【００４６】
（レーザスクライブ方法）
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図５は、レーザスクライブ方法を示す
工程図である。
【００４７】
図５（ａ）の基板載置工程では、マザー基板１０をレーザスクライブ装置３８のステー
ジ４７の上に載置する。
【００４８】
図５（ｂ）の第１照射工程では、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ
上にレーザ光の光軸５９を合わせ、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光４４を照
射しながらステージ４７を移動させ、第１基板１１の内部に第１改質層Ｒｃ１を形成する
。
【００４９】
図５（ｃ）の位置測定工程では、ＣＣＤカメラ５５を用いて、第１基板１１の平面視に
おける第１改質層Ｒｃ１の位置を撮像し、位置データを取得する。
【００５０】
図５（ｃ）のデータ記憶工程では、取得した位置データをＲＡＭ７２に記憶する。
【００５１】
図５（ｃ）の第２照射工程では、データ記憶工程で記憶した位置データに基づいて、第
１改質層Ｒｃ１の位置と光軸５９の位置とが互いに合わさるように、ステージ４７を位置
制御しつつ、第１改質層Ｒｃ１とマザー基板１０の面とを垂直方向に結んだマザー基板１
０の仮想ラインＬ１に沿って、レーザ光４４を照射して、第１改質層Ｒｃ１の上に第２改
質層Ｒｃ２を形成する。なお、本実施形態では、ＣＣＤカメラ５５を光軸５９の移動方向
に対して、レーザ光４４の照射位置よりも前方に設置することにより、位置測定工程と、
データ記憶工程と、第２照射工程とを同時期に行っている。
【００５２】
図５（ｄ）の切断工程では、マザー基板１０に外力を与えることにより、第１基板１１
の内部に形成された第１及び第２改質層Ｒｃ１，Ｒｃ２を起点にして亀裂を生じさせ、マ
ザー基板１０を切断して、液晶表示パネル２０に分割する。
【００５３】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図６は、電子機器としてのプロジェクタの構
成を示す斜視図である。図６において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パ
ネル２０が搭載されている。
【００５４】
従って、上記の実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５５】
（１）第２改質層Ｒｃ２は、第１改質層Ｒｃ１の位置の測定データに基づいて、位置制
御された第１改質層Ｒｃ１とマザー基板１０の面とを垂直方向に結んだ仮想ライン上に形
成されるので、第１改質層Ｒｃ１と第２改質層Ｒｃ２は、マザー基板１０の平面視におい
て、位置ずれすることなく形成され、マザー基板１０を切断したときに、チッピングの発
生を抑えることができる。
【００５６】
（２）第１改質層Ｒｃ１の位置の測定と測定データの記憶を行うとともに、第１改質層
Ｒｃ１の位置と光軸５９の位置とを合わせるように位置制御しながらレーザ光４４を照射
するので、作業性を向上させることができる。
【００５７】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられ
る。
【００５８】
（変形例１）本実施形態では、仮想ライン上において、第１改質層Ｒｃ１の上に第２改
質層Ｒｃ２が形成されるようにレーザ光４４を照射したが、これに限定されない。例えば
、切断予定ライン上に蛇行して形成された第１改質層Ｒｃ１の位置を測定し、第１改質層
Ｒｃ１とマザー基板１０の面との垂直方向に結んだ仮想ライン上に第２改質層Ｒｃ２が形
成されるようにレーザ光４４を照射してもよい。このようにしても、マザー基板１０の平
面視において、第１改質層Ｒｃ１と第２改質層Ｒｃ２の位置ずれを防止することができる
。
【００５９】
（変形例２）本実施形態では、２回のレーザ光４４の照射工程（第１及び第２照射工程
）を備えたが、これに限定されない。例えば、３回以上のレーザ光４４の照射工程を設け
てもよい。この場合において、照射回数Ｎ回目において、Ｎ−１回目にレーザ光４４を照
射して形成された改質層の位置をＣＣＤカメラ５５で測定し、当該位置データに基づいて
、位置制御を行い、レーザ光４４を照射する。このようにすれば、マザー基板１０の厚み
や改質層の形成幅に対応したレーザスクライブを行うことができる。
【００６０】
（変形例３）本実施形態では、位置測定工程と、第２照射工程とを同時期に行ったが、
これに限定されず、別個に行ってもよい。このようにすれば、第１改質層Ｒｃ１の位置デ
ータを一括して画像処理を行うことにより、作業性を向上させることができる。
【００６１】
（変形例４）本実施形態では、ステージ４７を移動させることにより、第１改質層Ｒｃ
１と光軸５９との位置制御を行ったが、これに限定されず、光軸５９側を移動させて位置
制御を行ってもよい。このようにしても、第１改質層Ｒｃ１と光軸５９との位置を制御す
ることができる。
【００６２】
（変形例５）本実施形態では、位置測定装置として、ＣＣＤカメラ５５を用いたが、こ
れに限定されない。例えば、ＣＣＤカメラ５５の他に光センサ、超音波センサ、レーザセ
ンサ等を用いてもよい。このようにしても、第１改質層Ｒｃ１の位置を測定することがで
きる。
【００６３】
（変形例６）本実施形態では、マザー基板１０の材料としてガラス材を用いたが、これ
に限定されず、例えば、材料としてシリコン材の半導体ウエハを用いてもよい。この場合
、位置測定装置としてＩＲカメラを用いる。このようにしても、半導体ウエハを切断する
ことにより、チッピングのない半導体チップに分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】マザー基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２】電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図３】レーザスクライブ装置の構成を示し、（ａ）は装置全体の模式図、（ｂ）は位置測定の概略図。
【図４】制御部の処理方法を示すフローチャート図。
【図５】レーザスクライブ方法を示す工程図。
【図６】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【００６５】
１０…マザー基板、１１…基板としての第１基板、１２…第２基板、２０…電気光学装
置としての液晶表示パネル、３８…レーザスクライブ装置、４０…レーザ照射装置、４３
…集光レンズ、４４…レーザ光、４７…ステージ装置、５０…ステージ、５５…位置測定
装置としてのＣＣＤカメラ、５９…光軸、６０…制御装置としてのメインコンピュータ、
６１…画像処理部、６３…入力部、６４…表示部、６７…レンズ制御部、７５…ＣＣＤ制
御部、７０…ステージ制御部、７１…ＣＰＵ、７２…記憶装置としてのＲＡＭ、７３…記
憶装置としてのＲＯＭ、８０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｒｃ１…第１改質層、Ｒ
ｃ２…第２改質層、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン、Ｌ１…仮想ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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