(57)【要約】【課題】  洗浄ステージの載置面に存在する静電気を確実に除電する。【解決手段】  ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板をステージ載置面と半導体基板の裏面とが対向するように設置する工程（ａ）と、ステージ載置面に設けられた光源を用いて、半導体基板に光を照射することにより、少なくとも半導体基板の裏面を除電する工程（ｂ）と、半導体基板の裏面に対する除電が開始された後に、半導体基板の表面に薬液を供給する工程（ｃ）とを備える。【選択図】  図２
2007088262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板が前記ステージ載置面と前記半導体基板の裏面とが対向するように設置される洗浄ステージと、
前記ステージ載置面に設けられ、前記半導体基板に光を照射する光源と、
前記半導体基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする電子デバイスの洗浄装置。
【請求項２】
前記光は、軟Ｘ線であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項３】
前記ステージ載置面に設けられ、前記半導体基板の裏面に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項４】
ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板が前記ステージ載置面と前記半導体基板の裏面とが対向するように設置される洗浄ステージと、
前記ステージ載置面に設けられ、前記半導体基板の裏面に溶液を吐出する複数の第１の吐出口を分散して有する溶液供給手段と、
前記半導体基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする電子デバイスの洗浄装置。
【請求項５】
前記薬液供給手段により、前記半導体基板の表面に薬液を供給する前に、前記溶液供給手段の前記第１の吐出口から前記半導体基板の裏面に溶液を吐出させる第１の制御手段を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項６】
前記複数の第１の吐出口のうち、前記薬液供給手段の第２の吐出口と対向する前記第１の吐出口から前記半導体基板の裏面に溶液を吐出させる第２の制御手段を更に備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項７】
前記溶液は、薬液又は炭酸水であることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスの洗浄装置。
【請求項８】
ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板を前記ステージ載置面と前記半導体基板の裏面とが対向するように設置する工程（ａ）と、
前記ステージ載置面に設けられた光源を用いて、前記半導体基板に光を照射することにより、少なくとも前記半導体基板の裏面を除電する工程（ｂ）と、
前記半導体基板の裏面に対する除電が開始された後に、前記半導体基板の表面に薬液を供給する工程（ｃ）とを備えることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）は、前記半導体基板に軟Ｘ線を照射する工程であることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ）は、前記半導体基板の裏面に酸素ガスを供給しながら、前記半導体基板に前記軟Ｘ線を照射する工程であることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１１】
ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板を前記ステージ載置面と前記半導体基板の裏面とが対向するように設置する工程（ａ）と、
前記ステージ載置面に分散して設けられた複数の第１の吐出口から前記半導体基板の裏面に溶液を供給することにより、前記半導体基板の裏面を除電する工程（ｂ）と、
前記半導体基板の裏面に対する除電が開始された後に、第２の吐出口から前記半導体基板の表面に薬液を供給する工程（ｃ）とを備えることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）は、前記複数の第１の吐出口のうち、前記第２の吐出口と対向する前記第１の吐出口から前記半導体基板の裏面に溶液を供給する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）は、前記半導体基板の裏面に薬液又は炭酸水を供給する工程であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法、特に、電子デバイスの枚葉式洗浄装置及び電子デバイスの枚葉式洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの高速化及び高集積化が要求されており、これらを実現するために、電子デバイスの微細化が進められている。そのため、近年では、微細化された電子デバイスの洗浄方法として、洗浄が施される領域の制御性を向上させるために、バッチ式洗浄方法から枚葉式洗浄方法へ移行されつつある。
【０００３】
従来の枚葉式洗浄方法では、図１０(a) に示すように、洗浄ステージ１１４の載置面に、チャックピン１１５を介して、ウエハ１を設置した後、回転台１１６を用いて、洗浄ステージ１１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、薬液ノズル１１１から、ウエハ１の表面に薬液を吐出することにより、ウエハ１の表面のエッチング処理を行う。続いて、図１０(b) に示すように、水洗ノズル１１２から、ウエハ１の表面に水を吐出することにより、ウエハ１の表面の水洗処理を行う。続いて、図１０(c) に示すように、回転台１１６を用いて、洗浄ステージ１１４上に支持されたウエハ１を回転させ、ウエハ１の表面に残留する水を振り切って乾燥させることにより、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【０００４】
しかしながら、従来の電子デバイスの洗浄方法では、以下に示す問題がある。
【０００５】
回転台１１６を用いて、ウエハ１を支持する洗浄ステージ１１４を回転させるため、空気との摩擦により、洗浄ステージ１１４の表面に静電気が帯電するので、洗浄ステージ１１４の載置面には静電気が存在している。そのため、例えば、表面に絶縁膜が形成されたウエハ１の洗浄を行う場合、洗浄ステージ１１４の載置面に存在する静電気が、洗浄ステージ１１４の載置面に設置されたウエハ１の表面に誘導されて、絶縁膜と薬液ノズル１１１から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生する。
【０００６】
このため、静電気による放電によって、ウエハの表面（特に、絶縁膜における薬液が供給された部分）にホール状の損傷が発生する等の問題が発生する。このように、従来の電子デバイスの洗浄方法では、電子デバイスの歩留まりを低下させるおそれがある。
【０００７】
この問題に対応すべく、ウエハ（特に、ウエハの回路部）の表面に発生する損傷を防止する方法として、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハの表面上を移動可能な薬液ノズルを用いて、ウエハのエッジの非回路部に薬液を吐出した後に、ウエハの回路部に薬液を吐出する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
これにより、ウエハにおける薬液が最初に供給された部分、すなわち、ウエハのエッジの非回路部に、静電気による放電によって、ホール状の損傷が発生することがあっても、ウエハの回路部にホール状の損傷が発生することはないので、電子デバイスの歩留まりを低下させることなく、電子デバイスの洗浄を行うことが可能である。
【０００９】
また、洗浄ステージの載置面に存在する静電気を除電する方法として、第２の従来例に係る洗浄装置（図１１参照）を用いた、電子デバイスの洗浄方法が挙げられる。図１１に示すように、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置は、主な構成要素として、チャンバー２１０、薬液ノズル２１１、水洗ノズル２１２ａ、カップ２１３、洗浄ステージ２１４、チャックピン２１５、回転台２１６、保持手段２１７、フィルターＦＦＵ（ファンフィルタユニット）、溶液供給ライン２３０、及びバルブ２３１を含む。
【００１０】
第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、洗浄ステージ２１４の載置面に設置された溶液供給ライン２３０に設けられた溶液ノズル２３０ａから、ウエハ１の裏面の中央部に溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）を吐出しながら、薬液ノズル２１１からウエハ１の表面に薬液を吐出する方法が提案されている。このように、ウエハ１の裏面に溶液を供給することにより、洗浄ステージ２１４の載置面に存在する静電気を除電することが可能である。
【特許文献１】特開平１１−２３３４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、以下に示す問題がある。
【００１２】
第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハのエッジの非回路部を狙って、薬液ノズルから薬液を吐出させる必要があり、非回路部を選択的に狙うことが困難である。このため、ウエハのエッジの非回路部以外の部分、すなわち、ウエハの回路部に薬液が吐出されて、ウエハの回路部における薬液が吐出された部分に、静電気による放電によって、ホール状の損傷が発生するという問題がある。更には、静電気による放電によって、ウエハの表面にパーティクルが吸着するという問題もある。
【００１３】
また、第１の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、薬液吐出時に、薬液がウエハのエッジに当たって飛散し、カップ内に薬液を回収することができずに、飛散した薬液がウエハの表面に付着するので、ウエハの表面が汚染されるという問題もある。
【００１４】
また、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、以下に示す問題がある。
【００１５】
第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置では、図１１に示すように、ウエハ１の裏面に対する溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）の供給は、洗浄ステージ２１４の載置面の中央部に設置された溶液供給ライン２３０に設けられた溶液ノズル２３０ａから行われるので、ウエハ１の裏面のエッジに溶液を供給することが非常に困難である。
【００１６】
このため、洗浄ステージ２１４の載置面（特に、洗浄ステージ２１４の載置面におけるウエハ１のエッジの近傍領域）に存在する静電気を確実に除電することができないため、残留する静電気がウエハ１の表面に誘導されて、ウエハ１の表面と薬液ノズル２１１から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生するので、ウエハ１の表面における薬液が吐出された部分にホール状の損傷が発生するという問題がある。更には、静電気による放電によって、ウエハ１の表面にパーティクルが吸着するという問題もある。
【００１７】
このように、第１及び第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハの表面と薬液ノズルから吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生するため、ウエハに欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）が発生するので、電子デバイスの歩留まりが低下する。
【００１８】
前記に鑑み、本発明の目的は、洗浄ステージの載置面に存在する静電気を確実に除電することにより、薬液吐出時に、ウエハの表面と薬液ノズルから吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができる、電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記の課題を解決するために、本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄装置は、ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板がステージ載置面と半導体基板の裏面とが対向するように設置される洗浄ステージと、ステージ載置面に設けられ、半導体基板に光を照射する光源と、半導体基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄装置によると、ステージ載置面に設けられた光源を用いて、半導体基板に光を照射することにより、光照射領域にイオン化エアを生成させることができるため、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００２１】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを防止することができる。
【００２２】
したがって、本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄装置では、半導体基板の表面に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【００２３】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄装置において、光は、軟Ｘ線であることが好ましい。
【００２４】
このようにすると、軟Ｘ線照射領域にイオン化エアを生成させることができるので、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができる。更には、ステージ載置面に存在する静電気が半導体基板の表面に誘導されて、半導体基板の表面に静電気が存在することがあっても、半導体基板内を透過する軟Ｘ線によって、半導体基板の表面にイオン化エアを生成させることができるので、半導体基板の表面に存在する静電気を除電することができる。
【００２５】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することをより一層防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することをより一層防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することをより一層防止することができる。
【００２６】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄装置において、ステージ載置面に設けられ、半導体基板の裏面に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段を更に備えることが好ましい。
【００２７】
このようにすると、軟Ｘ線照射領域に酸素ガスを供給することができるため、酸素ガスによって、軟Ｘ線照射によるイオン化エアの生成反応を促進させることができるので、ステージ載置面に生成するイオン化エアの濃度を高めることができる。そのため、イオン化エアによる静電気の中和反応を促進させることができるので、ステージ載置面に存在する静電気をより一層除電すると共に、ステージ載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができる。更には、ステージ載置面に存在する静電気が半導体基板の表面に誘導されて、半導体基板の表面に静電気が存在することがあっても、半導体基板内を透過する軟Ｘ線によって、半導体基板の表面にイオン化エアを生成させることができるので、半導体基板の表面に存在する静電気を除電することができる。
【００２８】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを確実に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを確実に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを確実に防止することができる。
【００２９】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置は、ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板がステージ載置面と半導体基板の裏面とが対向するように設置される洗浄ステージと、ステージ載置面に設けられ、半導体基板の裏面に溶液を吐出する複数の第１の吐出口を分散して有する溶液供給手段と、半導体基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする。
【００３０】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置によると、複数の第１の吐出口を分散して有する溶液供給手段を用いて、半導体基板の裏面に溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）を供給することにより、半導体基板の裏面に溶液を均一に供給することができるため、ステージ載置面に存在する静電気を効果的に除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００３１】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを防止することができる。
【００３２】
したがって、本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置では、半導体基板の表面に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【００３３】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置において、薬液供給手段により、半導体基板の表面に薬液を供給する前に、溶液供給手段の第１の吐出口から半導体基板の裏面に溶液を吐出させる第１の制御手段を更に備えることが好ましい。
【００３４】
このようにすると、半導体基板の表面に薬液を供給する前に、半導体基板の裏面に溶液を供給することにより、ステージ載置面に存在する静電気を予め除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００３５】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを効果的に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを効果的に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを効果的に防止することができる。
【００３６】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置において、複数の第１の吐出口のうち、薬液供給手段の第２の吐出口と対向する第１の吐出口から半導体基板の裏面に溶液を吐出させる第２の制御手段を更に備えることが好ましい。
【００３７】
このようにすると、複数の第１の吐出口のうちの第２の吐出口と対向する第１の吐出口から、半導体基板の裏面に溶液を吐出させることができる。そのため、半導体基板の裏面のうち、半導体基板の表面における薬液供給領域と相対する領域に、第１の吐出口から溶液を吐出することができるので、静電気が半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液供給領域）に誘導されることを確実に防止することができる。
【００３８】
このため、半導体基板の表面と第２の吐出口から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを確実に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを確実に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを確実に防止することができる。
【００３９】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄装置において、溶液は、薬液又は炭酸水であることが好ましい。
【００４０】
これにより、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができる。
【００４１】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法は、ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板をステージ載置面と半導体基板の裏面とが対向するように設置する工程（ａ）と、ステージ載置面に設けられた光源を用いて、半導体基板に光を照射することにより、少なくとも半導体基板の裏面を除電する工程（ｂ）と、半導体基板の裏面に対する除電が開始された後に、半導体基板の表面に薬液を供給する工程（ｃ）とを備えることを特徴とする。
【００４２】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法によると、ステージ載置面に設けられた光源を用いて、半導体基板に光を照射することにより、光照射領域にイオン化エアを生成させることができるため、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００４３】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを防止することができる。
【００４４】
したがって、本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法では、半導体基板の表面に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【００４５】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法において、工程（ｂ）は、半導体基板に軟Ｘ線を照射する工程であることが好ましい。
【００４６】
このようにすると、軟Ｘ線照射領域にイオン化エアを生成させることができるので、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができる。更には、ステージ載置面に存在する静電気が半導体基板の表面に誘導されて、半導体基板の表面に静電気が存在することがあっても、半導体基板内を透過する軟Ｘ線によって、半導体基板の表面にイオン化エアを生成させることができるので、半導体基板の表面に存在する静電気を除電することができる。
【００４７】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することをより一層防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することをより一層防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することをより一層防止することができる。
【００４８】
本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法において、工程（ｂ）は、半導体基板の裏面に酸素ガスを供給しながら、半導体基板に軟Ｘ線を照射する工程であることが好ましい。
【００４９】
このようにすると、軟Ｘ線照射領域に酸素ガスを供給することができるため、酸素ガスによって、軟Ｘ線照射によるイオン化エアの生成反応を促進させることができるので、ステージ載置面に生成するイオン化エアの濃度を高めることができる。そのため、イオン化エアによる静電気の中和反応を促進させることができるので、ステージ載置面に存在する静電気をより一層除電すると共に、ステージ載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができる。更には、ステージ載置面に存在する静電気が半導体基板の表面に誘導されて、半導体基板の表面に静電気が存在することがあっても、半導体基板内を透過する軟Ｘ線によって、半導体基板の表面にイオン化エアを生成させることができるので、半導体基板の表面に存在する静電気を除電することができる。
【００５０】
このため、半導体基板の表面と供給される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを確実に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを確実に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを確実に防止することができる。
【００５１】
また、このようにすると、ステージ載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができるため、除電時間の短縮化を図る、すなわち、除電工程に要する時間の短縮化を図ることができるので、生産能力の向上を図ることができる。
【００５２】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法は、ステージ載置面に、表面に電子デバイスが形成されている半導体基板をステージ載置面と半導体基板の裏面とが対向するように設置する工程（ａ）と、ステージ載置面に分散して設けられた複数の第１の吐出口から半導体基板の裏面に溶液を供給することにより、半導体基板の裏面を除電する工程（ｂ）と、半導体基板の裏面に対する除電が開始された後に、第２の吐出口から半導体基板の表面に薬液を供給する工程（ｃ）とを備えることを特徴とする。
【００５３】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法によると、ステージ載置面に分散して設けられた複数の第１の吐出口を用いて、半導体基板の裏面に溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）を供給することにより、半導体基板の裏面に溶液を均一に供給することができるため、ステージ載置面に存在する静電気を効果的に除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００５４】
また、本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法によると、従来例のように、半導体基板の裏面に対する溶液の供給と同時に、半導体基板の表面に対する薬液の供給を行うのではなく、半導体基板の裏面に対する溶液の供給が開始された後に、半導体基板の表面に対する薬液の供給を行う。これにより、ステージ載置面に存在する静電気を予め除電することができるので、静電気が半導体基板の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。
【００５５】
このため、半導体基板の表面と第２の吐出口から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを効果的に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを効果的に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを効果的に防止することができる。
【００５６】
したがって、本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法では、半導体基板の表面に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【００５７】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法において、工程（ｂ）は、複数の第１の吐出口のうち、第２の吐出口と対向する第１の吐出口から半導体基板の裏面に溶液を供給する工程であることが好ましい。
【００５８】
このようにすると、複数の第１の吐出口のうちの第２の吐出口と対向する第１の吐出口から、半導体基板の裏面に溶液を予め吐出することができる。そのため、半導体基板の裏面のうち、半導体基板の表面における薬液供給領域と相対する領域に、第１の吐出口から溶液を予め吐出することができるので、静電気が半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液供給領域）に誘導されることを確実に防止することができる。
【００５９】
このように、ステージ載置面における第２の吐出口の下方領域に存在する静電気を予め除電することにより、静電気が半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における第２の吐出口の下方領域）に誘導されることを確実に防止することができる。
【００６０】
このため、半導体基板の表面と第２の吐出口から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを確実に防止することができるので、静電気による放電によって、半導体基板の表面（特に、半導体基板の表面における薬液が供給される部分）に損傷が発生することを確実に防止すると共に、半導体基板の表面にパーティクルが吸着することを確実に防止することができる。
【００６１】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法において、工程（ｂ）は、半導体基板の裏面に薬液又は炭酸水を供給する工程であることが好ましい。
【００６２】
これにより、ステージ載置面に存在する静電気を除電することができる。
【発明の効果】
【００６３】
本発明に係る電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法によると、薬液吐出時に、ウエハの表面と薬液ノズルから吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００６５】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。
【００６６】
図１に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、主な構成要素として、洗浄チャンバー１０、ウエハ１の表面に薬液を吐出する薬液ノズル１１、ウエハ１の表面に水を吐出する水洗ノズル１２、薬液及び水を回収するカップ１３、載置面にウエハ１が設置される洗浄ステージ１４、ウエハ１を保持するチャックピン１５、ウエハ１を回転させる回転台１６、カップ１３と洗浄ステージ１４と回転台１６とを保持する保持手段１７、洗浄チャンバー１０の上面に設置されたフィルターＦＦＵ（ファンフィルタユニット）１８、及び洗浄ステージ１４の載置面にウエハ１の裏面と対向するように設置された軟Ｘ線照射装置１９を含む。
【００６７】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた、電子デバイスの洗浄方法について、図２(a) 〜(d) を参照しながら説明する。図２(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【００６８】
まず、図２(a) に示すように、洗浄ステージ１４の載置面に、例えば、表面に電子デバイス（図示せず）が形成されたウエハ１を、チャックピン１５を介して設置する。続いて、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、所望の除電時間の間、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、ウエハ１の除電処理を施す。
【００６９】
次に、図２(b) に示すように、回転台１６を用いて、所望のエッチング時間の間、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、薬液ノズル１１から、ウエハ１の表面に薬液を吐出することにより、ウエハ１の表面のエッチング処理を施す。
【００７０】
次に、図２(c) に示すように、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、水洗ノズル１２から、ウエハ１の表面に水を吐出することにより、ウエハ１の表面の水洗処理を施す。次に、図２(d) に示すように、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させ、ウエハ１の表面に残留する水を振り切って乾燥させることにより、ウエハ１の表面の乾燥処理を施す。
【００７１】
ここで、本実施形態の効果を有効に説明するために、従来の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ、及び本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、以下に示す評価を行った。
【００７２】
まず、下記に示す洗浄条件の下、従来の電子デバイスの洗浄方法によるウエハの洗浄を行う。
【００７３】
具体的には、従来の電子デバイスの洗浄装置を用いて、前述した図１０(a) に示すように、回転台１１６を用いて、洗浄ステージ１１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、ウエハセンター吐出方式により、室温（２３℃）の下、１０秒間、薬液ノズル１１１から、ウエハ１上に形成されている膜厚が１００[nm]の熱酸化膜（図示せず）の表面にＤＨＦ溶液（Ｄiluted Ｈydrofluoric acid，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０の体積比の混合溶液）を吐出し、熱酸化膜に対するエッチングを行う。次に、前述した図１０(b) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、前述した図１０(c) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【００７４】
次に、下記に示す洗浄条件の下、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によるウエハの洗浄を行う。
【００７５】
具体的には、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、図２(a) に示すように、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、所望の除電時間の間：１０秒間、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、ウエハ１の除電処理を施す。
【００７６】
次に、図２(b) に示すように、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、ウエハセンター吐出方式により、室温（２３℃）の下、１０秒間、薬液ノズル１１から、ウエハ１上に形成されている膜厚が１００[nm]の熱酸化膜（図示せず）の表面にＤＨＦ溶液（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０の体積比の混合溶液）を吐出し、熱酸化膜に対するエッチングを行う。次に、図２(c) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、図２(d) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【００７７】
上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０）の下、従来の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ、及び本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、パーティクルカウンターを用いて、０．１６[μm]以上のパーティクルを欠陥としてカウントすることにより、各ウエハに発生する欠陥について評価を行った。以下に、各ウエハに発生する欠陥について、[表１]及び図３(a) 及び(b) を参照しながら説明する。[表１]は、各ウエハに発生する欠陥数及び欠陥分類について示す表である。また、図３(a) 及び(b) は、各電子デバイスの洗浄方法が施された、各ウエハの構造について示す断面図である。
【００７８】
【表１】
2007088262.tif 000003
【００７９】
[表１]に示すように、従来の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、処理前の欠陥数は３個であるのに対し、処理後の欠陥数は７個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加している（具体的には、４個の増加）ことが確認された。更には、ＳＥＭ式欠陥検査装置を用いて、処理後に発生したウエハの欠陥（具体的には、４個の欠陥）について、詳細に検査を行った。以下に、処理後に発生したウエハの欠陥について、図３(a) を参照しながら説明する。図３(a) は、従来の電子デバイスの洗浄方法が施された、ウエハの構造について示す断面図である。
【００８０】
図３(a) に示すように、ウエハ１上に形成された熱酸化膜２の中央部には、孔径ｄが約１[μm]のホールＤが発生しており、処理後に発生した欠陥数４個のうちの１個であるホールＤは、ウエハ１の表面と薬液ノズル１１１から吐出されたＤＨＦ溶液との空間に発生する静電気放電により、熱酸化膜２が損傷を受けることによって発生する欠陥であり、また、ホールＤ以外の欠陥、すなわち、処理後の欠陥数４個のうちの３個は、パーティクル（図示せず）であることが確認された。
【００８１】
一方、[表１]に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも４個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。図３(b) は、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施された、ウエハの構造について示す断面図であり、図３(b) に示すように、ウエハ１の表面に、静電気放電による損傷は観測されなかった。
【００８２】
このように、上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０）の下、従来の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、洗浄工程前の欠陥数と比較して、洗浄工程後の欠陥数は増加しているのに対し、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、洗浄工程前の欠陥数と比較して、洗浄工程後の欠陥数は増加しておらず、洗浄工程の前に、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気が除電されることが分かった。
【００８３】
以上のように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によると、洗浄工程（図２(b) 〜(d) 参照）の前に、図２(a) に示すように、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射する。
【００８４】
これにより、軟Ｘ線照射領域にイオン化エアを生成させることができるので、イオン化エアによって、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気を除電することができるので、静電気がウエハ１の表面に誘導されることを防止することができる。
【００８５】
更には、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気がウエハ１の表面に誘導されて、ウエハ１の表面に静電気が存在することがあっても、ウエハ１内を透過する軟Ｘ線によって、ウエハ１の表面にイオン化エアを生成させることができるので、ウエハ１の表面に存在する静電気を除電することができる。
【００８６】
このため、洗浄工程における薬液供給時（図２(b) 参照）に、ウエハ１の表面と薬液ノズル１１から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、静電気による放電によって、ウエハ１の表面（特に、ウエハ１の表面における薬液が供給された部分）にホール状の損傷Ｄが発生することを防止すると共に、ウエハ１の表面にパーティクルが吸着することを防止することができる。
【００８７】
したがって、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハ１の表面に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図る。
【００８８】
また、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、従来のように、溶液供給ライン（図１１：２３０参照）を備えるのではなく、図１に示すように、軟Ｘ線照射装置１９を備えており、軟Ｘ線照射装置１９は、溶液供給ラインと比較して嵩張ることがないので、電子デバイスの洗浄装置の省スペース化を図ることができる。
【００８９】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。図４において、前述した本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同一の構成要素については、同一の符号を付す。したがって、本実施形態では、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【００９０】
第１の実施形態では、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、所望の除電時間の間、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線の照射を行うのに対し、本実施形態では、洗浄ステージ１４の載置面に設置された酸素ガス供給ライン２０を用いて、所望の除電時間の間、ウエハ１の裏面に酸素ガスの供給を行いながら、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線の照射を行う。
【００９１】
図４に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置（図１参照）と同様に、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を備えるだけでなく、更には、洗浄ステージ１４の載置面に設置された酸素ガス供給ライン２０を備える。
【００９２】
以下に、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた、電子デバイスの洗浄方法について簡単に説明する。
【００９３】
まず、洗浄ステージ１４の載置面に、例えば、表面に電子デバイス（図示せず）が形成されたウエハ１を、チャックピン１５を介して設置する。続いて、洗浄ステージ１４の載置面に設置された酸素ガス供給ライン２０を用いて、所望の除電時間の間、ウエハ１の裏面に酸素ガスを供給しながら、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、ウエハ１の除電処理を施す。
【００９４】
次に、前述した図２(b) と同様に、回転台１６を用いて、所望のエッチング時間の間、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、薬液ノズル１１から、ウエハ１の表面に薬液を吐出することにより、ウエハ１の表面のエッチング処理を施す。次に、前述した図２(c) と同様に、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、前述した図２(d) と同様に、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【００９５】
このように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハ１の裏面に酸素ガスを供給しながら、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射する。一般に、軟Ｘ線照射領域に酸素ガスを供給することによって、軟Ｘ線照射によるイオン化エアの生成反応が促進されることが知られている。このため、ウエハ１の裏面に酸素ガスを供給しながら、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、酸素ガスによって、軟Ｘ線照射領域に生成するイオン化エアの濃度を高めることができるので、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気を効果的に除電することができる。
【００９６】
ここで、本実施形態の効果を有効に説明するために、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ、及び本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、以下に示す評価を行った。
【００９７】
まず、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハにおける、除電時間とウエハに発生する欠陥数との関係について評価を行った。
【００９８】
上記の評価は、前述した図２(a) に示すように、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、所望の除電時間の間（具体的には、２．５秒間、５秒間及び１０秒間）、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、ウエハ１の除電処理を施す。次に、前述した図２(b) に示すように、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、室温（２３℃）の下、１０秒間、薬液ノズル１１から、ウエハ１上に形成されている膜厚が１００[nm]の熱酸化膜（図示せず）の表面にＤＨＦ溶液（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０の体積比の混合溶液）を吐出し、熱酸化膜に対するエッチングを行う。次に、前述した図２(c) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、前述した図２(d) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【００９９】
所望の除電時間の間（具体的には、２．５秒間、５秒間及び１０秒間）、上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０）の下、第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、パーティクルカウンターを用いて、０．１６[μm]以上のパーティクルを欠陥としてカウントすることにより、ウエハに発生する欠陥数について評価を行った。以下に、除電時間とウエハの欠陥数との関係について、[表２]を参照しながら説明する。[表２]は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハにおける、除電時間とウエハに発生する欠陥数との関係について示す表である。
【０１００】
【表２】
2007088262.tif 000004
【０１０１】
[表２]に示すように、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、除電時間が２．５秒の場合、処理前の欠陥数は４個であるのに対し、処理後の欠陥数は１１個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加している（具体的には、７個の増加）ことが確認された。更には、ＳＥＭ式欠陥検査装置を用いて、処理後に発生したウエハの欠陥（具体的には、７個の欠陥）について、詳細に検査を行った。これにより、処理後に発生した欠陥数７個のうちの１個は、ホール状の損傷であり、また、処理後に発生した欠陥数７個のうちの６個は、パーティクルであることが確認された。
【０１０２】
また、[表２]に示すように、除電時間が５秒の場合、処理前の欠陥数は５個であるのに対し、処理後の欠陥数は９個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加している（具体的には、４個の増加）ことが確認された。更には、ＳＥＭ式欠陥検査装置を用いて、処理後に発生したウエハの欠陥（具体的には、４個の欠陥）について、詳細に検査を行った。これにより、処理後に発生した欠陥数４個のうちの１個は、ホール状の損傷であり、また、処理後に発生した欠陥数４個のうちの３個は、パーティクルであることが確認された。
【０１０３】
これに対し、[表２]に示すように、除電時間が１０秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも４個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。
【０１０４】
次に、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハにおける、除電時間とウエハに発生する欠陥数との関係について評価を行った。
【０１０５】
上記の評価は、洗浄ステージ１４の載置面に設置された酸素ガス供給ライン２０を用いて、所望の除電時間の間（具体的には、２．５秒間、５秒間及び１０秒間）、ウエハ１の裏面に酸素ガスを供給しながら、洗浄ステージ１４の載置面に設置された軟Ｘ線照射装置１９を用いて、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、ウエハ１の除電処理を施す。次に、前述した図２(b) と同様に、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を回転させながら、室温（２３℃）の下、１０秒間、薬液ノズル１１から、ウエハ１上に形成されている膜厚が１００[nm]の熱酸化膜（図示せず）の表面にＤＨＦ溶液（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０の体積比の混合溶液）を吐出し、熱酸化膜に対するエッチングを行う。次に、前述した図２(c) と同様に、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、前述した図２(d) と同様に、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【０１０６】
所望の除電時間の間（具体的には、２．５秒間、５秒間及び１０秒間）、上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０）の下、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、パーティクルカウンターを用いて、０．１６[μm]以上のパーティクルを欠陥としてカウントすることにより、ウエハに発生する欠陥数について評価を行った。以下に、除電時間とウエハの欠陥数との関係について、[表３]を参照しながら説明する。[表３]は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハにおける、除電時間とウエハに発生する欠陥数との関係について示す表である。
【０１０７】
【表３】
2007088262.tif 000005
【０１０８】
[表３]に示すように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、除電時間が２．５秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも１個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。また、[表３]に示すように、除電時間が５秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも４個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。また、[表３]に示すように、除電時間が１０秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも２個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。
【０１０９】
このように、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１０）の場合、[表２]に示すように、ウエハの裏面に対して、２．５秒間又は５秒間の軟Ｘ線の照射を施すだけでは、洗浄ステージの載置面に存在する静電気を確実に除電することはできず、除電工程後に残留する静電気によって、洗浄工程における薬液吐出時に、ウエハに欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）が発生する。
【０１１０】
これに対し、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハでは、上記の洗浄条件（エッチング処理条件：２３℃，１０秒間，ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１）の場合、[表３]に示すように、除電時間が２．５秒、５秒及び１０秒の何れにおいても、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加しておらず、ウエハの裏面に酸素ガスを供給しながら、ウエハの裏面に軟Ｘ線を照射することにより、第１の実施形態と比較して、洗浄ステージの載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができる。
【０１１１】
以上のように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によると、ウエハ１の裏面に酸素ガスを供給しながら、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射する。
【０１１２】
このように、ウエハ１の裏面に軟Ｘ線を照射することにより、軟Ｘ線照射領域にイオン化エアを生成させることができるので、イオン化エアによって、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気を除電することができる。
【０１１３】
更には、軟Ｘ線照射領域に酸素ガスを供給することにより、酸素ガスによって、軟Ｘ線照射によるイオン化エアの生成反応を促進させることができるので、洗浄ステージ１４の載置面に生成するイオン化エアの濃度を高めることができる。そのため、イオン化エアによる静電気の中和反応を促進させることができるので、第１の実施形態と比較して、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気をより一層除電すると共に、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができる。
【０１１４】
更には、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気がウエハ１の表面に誘導されて、ウエハ１の表面に静電気が存在することがあっても、ウエハ１内を透過する軟Ｘ線によって、ウエハ１の表面にイオン化エアを生成させることができるので、ウエハの表面に存在する静電気を除電することができる。
【０１１５】
このため、ウエハ１の表面と薬液ノズル１１から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを確実に防止することができるので、静電気による放電によって、ウエハ１の表面（特に、ウエハ１の表面における薬液が供給された部分）にホール状の損傷が発生することを確実に防止すると共に、ウエハの表面にパーテイクルが吸着することを確実に防止することができる。
【０１１６】
また、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によると、第１の実施形態と比較して、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気をより短時間で除電することができるため、除電時間の短縮化を図る、すなわち、除電工程に要する時間の短縮化を図ることができるので、生産能力の向上を図ることができる。
【０１１７】
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。図５において、前述した本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同一の構成要素については、同一の符号を付す。したがって、本実施形態では、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置と同様の説明は繰り返し行わない。
【０１１８】
本実施形態の特徴は、ウエハの除電処理方法として、ウエハの表面に薬液ノズルから薬液を吐出する前に、洗浄ステージの載置面に設置された溶液供給ラインに設けられた複数の溶液ノズルのうちの薬液ノズルと対向する溶液ノズルから、ウエハの裏面に溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）を予め吐出する方法である。
【０１１９】
ここで、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置では、前述した図１１に示すように、ウエハ１の裏面に対する溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）の供給は、洗浄ステージ２１４の載置面の中央部に設置された溶液供給ライン２３０に設けられた溶液ノズル２３０ａから行わなければならず、ウエハ１のエッジ近傍領域に溶液を供給することが非常に困難である。
【０１２０】
そこで、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、図５に示すように、洗浄ステージ１４の載置面に設置された溶液供給ライン３０には、複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）が分散して設けられており、複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）の各々には、バルブ３１の各々が設けられている。
【０１２１】
このため、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置では、図５に示すように、ウエハ１の裏面に対する溶液（例えば、薬液又は炭酸水等）の供給は、洗浄ステージ１４の載置面に設置された溶液供給ライン３０に分散して設けられた複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）から行うことができるので、ウエハ１の裏面に溶液を均一に供給することができる。
【０１２２】
ここで、近年の電子デバイスの枚葉式洗浄方法では、高温（例えば、約７０℃）の下、短時間の間（例えば、３０秒間）、ウエハの表面にＡＰＭ溶液（Ａmmonia Ｈydrogen Ｐeroxide Ｍixture ，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０の体積比の混合溶液）を供給する方法が採用されており、エッチングの均一性を確保するために、薬液ノズルをスキャンさせることが一般的である。また、近年の電子デバイスの枚葉式洗浄方法では、パーティクルの除去性の観点から、ウエハの表面のエッジを始点として、薬液ノズルをスキャンさせながら、薬液ノズルからウエハの表面に薬液を吐出することが多い。
【０１２３】
そこで、上記に示す洗浄条件（エッチング処理条件：７０℃，３０秒間，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０）の下、第１〜第３の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハについて、以下に示す評価を行った。具体的には、７０℃の下、３０秒間、ウエハ１上に形成されている膜厚が１００[nm]の熱酸化膜の表面にＡＰＭ溶液（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０の体積比の混合溶液）を供給することにより、熱酸化膜に対するエッチングが施されたウエハについて、パーティクルカウンターを用いて、ウエハに発生する欠陥について評価を行った。
【０１２４】
まず、第１〜第３の電子デバイスの洗浄方法について詳細に説明する。
【０１２５】
第１の電子デバイスの洗浄方法では、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、上記に示す洗浄条件（エッチング処理条件：７０℃，３０秒間，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０）の下、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法によるウエハの洗浄を行う。以下に、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法について、図６(a) 〜(c) を参照しながら説明する。
【０１２６】
まず、図６(a) に示すように、回転台２１６を用いて、洗浄ステージ２１４上に支持されたウエハ１を３００[rpm]の回転数で回転させながら、ウエハ１における一方のエッジから約１[cm]離れた位置を始点として、ウエハ１における一方のエッジから他方のエッジへ、薬液ノズル２１１をスキャンさせて、薬液ノズル２１１からのウエハ１の表面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、熱酸化膜に対するエッチングを行う（上記エッチング処理条件参照）。
【０１２７】
このとき、図６(a) に示すように、薬液ノズル２１１からのウエハ１の表面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うと同時に、第２の除電時間の間：３０秒間、溶液供給ライン２３０に設けられた溶液ノズル２３０ａからのウエハ１の裏面（特に、ウエハ１の裏面の中央部）に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、ウエハ１の裏面に対する除電を行う。次に、図６(b) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、図６(c) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【０１２８】
第２の電子デバイスの洗浄方法では、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、上記に示す洗浄条件（エッチング処理条件：７０℃，３０秒間，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０）の下、ウエハの洗浄を行う。以下に、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置を用いた、電子デバイスの洗浄方法について、図７(a) 〜(d) を参照しながら説明する。
【０１２９】
まず、図７(a) に示すように、回転台２１６を用いて、洗浄ステージ２１４上に支持されたウエハ１を３００[rpm]の回転数で回転させながら、第１の除電時間の間：３０秒間、溶液供給ライン２３０に設けられた溶液ノズル２３０ａからのウエハ１の裏面（特に、ウエハ１の裏面の中央部）に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、ウエハ１の裏面に対する除電を行う。
【０１３０】
次に、図７(b) に示すように、引き続き、第２の除電時間の間：３０秒間、溶液ノズル２３０ａからのウエハ１の裏面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行いながら、ウエハ１における一方のエッジから約１[cm]離れた位置を始点として、ウエハ１における一方のエッジから他方のエッジへ、薬液ノズル２１１をスキャンさせて、薬液ノズル２１１からのウエハ１の表面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、熱酸化膜に対するエッチングを行う（上記エッチング処理条件参照）。次に、図７(c) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、図７(d) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【０１３１】
第３の電子デバイスの洗浄方法では、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置を用いて、上記に示す洗浄条件（エッチング処理条件：７０℃，３０秒間，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０）の下、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によるウエハの洗浄を行う。以下に、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について、図８(a) 〜(d) を参照しながら説明する。
【０１３２】
まず、図８(a) に示すように、回転台１６を用いて、洗浄ステージ１４上に支持されたウエハ１を３００[rpm]の回転数で回転させながら、所望の第１の除電時間の間（具体的には、１０秒間及び３０秒間）、溶液供給ライン３０に設けられた複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）からのウエハ１の裏面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、ウエハ１の裏面に対する除電を行う。
【０１３３】
次に、図８(b) に示すように、引き続き、第２の除電時間の間：３０秒間、薬液ノズル１１と対向する溶液ノズルからのウエハ１の裏面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行いながら、ウエハ１における一方のエッジから約１[cm]離れた位置を始点として、ウエハ１における一方のエッジから他方のエッジへ、薬液ノズル１１をスキャンさせて、薬液ノズル１１からのウエハ１の表面に対するＡＰＭ溶液の吐出を行うことにより、熱酸化膜に対するエッチングを行う（上記エッチング処理条件参照）。
【０１３４】
このとき、ウエハ１の裏面に対するＡＰＭ溶液の供給は、洗浄工程の際に、洗浄ステージ１４の載置面に存在する静電気が、ウエハ１の表面（特に、ウエハ１の表面における薬液が供給される部分）に誘導されないように、複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）のうちの薬液ノズル１１と対向する溶液ノズル（例えば、溶液ノズル３０ｂ）から行われる。
【０１３５】
次に、図８(c) に示すように、ウエハ１の表面の水洗処理を行った後、図８(d) に示すように、ウエハ１の表面の乾燥処理を行う。
【０１３６】
このように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、薬液ノズル１１からウエハ１の表面に薬液を吐出する（図８(b) 参照）前に、例えば、第１の制御装置（図示せず）を用いて、図８(a) に示すように、溶液供給ライン３０に設けられた複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）から、ウエハ１の裏面に溶液（例えば、ＡＰＭ溶液）を予め吐出させる。更には、例えば、第２の制御装置（図示せず）を用いて、図８(b) に示すように、複数の溶液ノズルのうちの薬液ノズル１１と対向する溶液ノズル（例えば、溶液ノズル３０ｂ）から、ウエハ１の裏面に溶液を吐出させながら、ウエハ１の表面上を移動可能な薬液ノズル１１からウエハ１の表面に薬液を吐出する。
【０１３７】
上記の洗浄条件（エッチング処理条件：７０℃，３０秒間，ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：４０）の下、第１〜第３の電子デバイスの洗浄方法が施された各ウエハについて、パーティクルカウンターを用いて、０．１６[μm]以上のパーティクルを欠陥としてカウントすることにより、各ウエハに発生する欠陥について評価を行った。以下に、各ウエハに発生する欠陥について、[表４]及び図９(a) 〜(c) を参照しながら説明する。[表４]は、各ウエハに発生する欠陥数及び欠陥分類について示す表である。また、図９(a) 〜(c) は、第１〜第３の電子デバイスの洗浄方法が施された、各ウエハの構造について示す断面図である。
【０１３８】
【表４】
2007088262.tif 000006
【０１３９】
第１の電子デバイスの洗浄方法、すなわち、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ１では、[表４]に示すように、処理前の欠陥数は２個であるのに対し、処理後の欠陥数は８個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加している（具体的には、６個の増加）ことが確認された。更には、ＳＥＭ式欠陥検査装置を用いて、処理後に発生したウエハの欠陥（具体的には、６個の欠陥）について、詳細に検査を行った。以下に、処理後に発生したウエハの欠陥について、図９(a) を参照しながら説明する。図９(a) は、第１の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハの構造について示す断面図である。
【０１４０】
図９(a) に示すように、表面に熱酸化膜２が形成されたウエハ１のエッジから約１[cm]離れた部分、すなわち、ウエハ１の表面におけるＡＰＭ溶液が最初に吐出された部分には、孔径ｄａが約１[μm]のホールＤａが発生しており、処理後に発生した欠陥数６個のうちの１個であるホールＤａは、ウエハ１の表面と薬液ノズル２１１から吐出されたＡＰＭ溶液との空間に発生する静電気放電により、熱酸化膜２が損傷を受けることによって発生する欠陥であり、また、ホールＤａ以外の欠陥、すなわち、処理後に発生した欠陥数６個のうちの５個は、パーティクル（図示せず）であることが確認された。
【０１４１】
また、第２の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ１では、[表４]に示すように、処理前の欠陥数は１個であるのに対し、処理後の欠陥数は３個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加している（具体的には、２個の増加）ことが確認された。更には、ＳＥＭ式欠陥検査装置を用いて、処理後に発生したウエハの欠陥（具体的には、２個の欠陥）について、詳細に検査を行った。以下に、処理後に発生したウエハの欠陥について、図９(b) を参照しながら説明する。図９(b) は、第２の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハの構造について示す断面図である。
【０１４２】
図９(b) に示すように、表面に熱酸化膜２が形成されたウエハ１のエッジから約１[cm]離れた部分、すなわち、ウエハ１の表面におけるＡＰＭ溶液が最初に吐出された部分には、孔径ｄｂが約０．５[μm]のホールＤｂが発生しており、処理後に発生した欠陥数２個のうちの１個であるホールＤｂは、ウエハ１の表面と薬液ノズル２１１から吐出されたＡＰＭ溶液との空間に発生する静電気放電により、熱酸化膜２が損傷を受けることによって発生する欠陥であり、また、ホールＤｂ以外の欠陥、すなわち、処理後に発生した欠陥数２個のうちの１個は、パーティクル（図示せず）であることが確認された。
【０１４３】
これに対し、第３の電子デバイスの洗浄方法、すなわち、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハ１では、[表４]に示すように、第１の除電時間が３０秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも４個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。また、[表４]に示すように、第１の除電時間が１０秒の場合、処理前の欠陥数及び処理後の欠陥数は何れも２個であり、処理前の欠陥数と比較して、処理後の欠陥数は増加していないことが確認された。図９(c) は、第１の除電時間が１０秒の場合の、第３の電子デバイスの洗浄方法が施されたウエハの構造について示す断面図である。図９(c) に示すように、ウエハ１の表面に、静電気放電による損傷は観測されなかった。
【０１４４】
このように、ウエハ１の表面に薬液を供給する前に、ウエハ１の裏面に溶液を供給することにより、洗浄ステージの載置面に存在する静電気を予め除電することができるので、静電気がウエハ１の表面に誘導されることを効果的に防止することができる。更には、複数の溶液ノズルのうちの薬液ノズルと対向する溶液ノズルからウエハ１の裏面に溶液を吐出することにより、洗浄ステージの載置面における薬液ノズルの下方領域に存在する静電気を予め除電することができるので、静電気がウエハ１の表面における薬液ノズルの下方領域、すなわち、ウエハ１の表面における薬液供給領域に誘導されることを確実に防止することができる。
【０１４５】
以上のように、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によると、溶液供給ライン３０に設けられた複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）のうち、薬液ノズル１１と対向する溶液ノズルから、ウエハ１の裏面に溶液を予め吐出することができるため、洗浄ステージ１４の載置面における薬液ノズル１１の下方領域に存在する静電気を予め除電することができるので、静電気がウエハ１の表面における薬液ノズル１１の下方領域、すなわち、ウエハ１の表面における薬液供給領域に誘導されることを確実に防止することができる。
【０１４６】
このため、洗浄工程における薬液吐出時に、ウエハ１の表面と薬液ノズル１１から吐出される薬液との空間に、静電気による放電が発生することを防止することができるので、静電気による放電によって、ウエハ１の表面（特に、ウエハ１の表面における薬液が供給された部分）にホール状の損傷が発生することを確実に防止すると共に、ウエハ１の表面にパーティクルが吸着することを確実に防止することができる。
【０１４７】
したがって、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハ１に欠陥（具体的には、損傷及びパーティクル）を発生させることなく、電子デバイスの洗浄を良好に行うことができるので、電子デバイスの歩留まりの向上を図ることができる。
【０１４８】
また、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、第１及び第２の実施形態のように、軟Ｘ線照射装置（図２(a)：１９参照）を用いて、ウエハの除電処理を行うのではなく、図８(a) に示すように、溶液供給ライン３０を用いて、ウエハ１の除電処理を行うことができるので、第１及び第２の実施形態と比較して、電子デバイスの洗浄を安価に行うことができる。
【０１４９】
尚、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、ウエハ１の裏面に供給する溶液としてＡＰＭ溶液を用いたが、本発明はこれに限定されることはなく、ウエハ１の裏面に供給する溶液として、例えば、炭酸水、無機系の薬液、及び有機系の薬液等を用いた場合においても、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法と同様の効果を得ることができる。
【０１５０】
また、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法では、図８(a) に示すように、第１の除電時間の間、溶液供給ライン３０に設けられた複数の溶液ノズル（３０ａ〜３０ｉ）から、ウエハ１の裏面に溶液を吐出し、図８(b) に示すように、第２の除電時間の間、複数の溶液ノズルのうちの薬液ノズル１１と対向する溶液ノズル（例えば、溶液ノズル３０ｂ）から、ウエハ１の裏面に溶液を吐出する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されることはない。例えば、第１の除電時間及び第２の除電時間の間、複数の溶液ノズルから、ウエハ１の裏面に溶液を吐出する、又は第１の除電時間及び第２の除電時間の間、複数の溶液ノズルのうちの薬液ノズル１１と対向する溶液ノズルから、ウエハ１の裏面に溶液を吐出する場合においても、本実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明は、電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法、特に、電子デバイスの枚葉式洗浄装置及び電子デバイスの枚葉式洗浄方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。
【図２】(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【図３】(a) 及び(b) は、各電子デバイスの洗浄方法が施された、各ウエハの構成について示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。
【図６】(a) 〜(d) は、第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【図７】(a) 〜(c) は、第２の電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【図８】(a) 〜(d) は、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【図９】(a) 〜(c) は、第１〜第３の電子デバイスの洗浄方法が施された、各ウエハの構成について示す断面図である。
【図１０】(a) 〜(c) は、従来の電子デバイスの洗浄方法について示す要部工程断面図である。
【図１１】第２の従来例に係る電子デバイスの洗浄装置の構成について示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５３】
１                                      ウエハ
２                                      熱酸化膜
１０                                    チャンバー
１１                                    薬液ノズル
１２、１２ａ、１２ｂ                    水洗ノズル
１３                                    カップ
１４                                    洗浄ステージ
１５                                    チャックピン
１６                                    回転台
１７                                    保持手段
１８                                    フィルターＦＦＵ
１９                                    軟Ｘ線照射装置
２０                                    酸素ガス供給ライン
３０                                    溶液供給ライン
３０ａ〜３０ｉ                          溶液ノズル
３１                                    バルブ
Ｄ、Ｄａ、Ｄｂ                          損傷
ｄ、ｄａ、ｄｂ                          孔径
１１０、２１０                          チャンバー
１１１、２１１                          薬液ノズル
１１２、２１２ａ、２１２ｂ              水洗ノズル
１１３、２１３                          カップ
１１４、２１４                          ステージ
１１５、２１５                          チャックピン
１１６、２１６                          回転台
１１７、２１７                          保持手段
１１８、２１８                          フィルターＦＦＵ
２３０                                  薬液供給ライン
２３０ａ                                溶液ノズル
２３１                                  バルブ
【図１】
2007088262.tif 000007
【図２】
2007088262.tif 000008
【図３】
2007088262.tif 000009
【図４】
2007088262.tif 000010
【図５】
2007088262.tif 000011
【図６】
2007088262.tif 000012
【図７】
2007088262.tif 000013
【図８】
2007088262.tif 000014
【図９】
2007088262.tif 000015
【図１０】
2007088262.tif 000016
【図１１】
2007088262.tif 000017