(57)【要約】【課題】  斜め光導波路構造を有する光半導体素子を備えた光源装置において、光半導体素子の実装を容易にかつ精度よく行う。【解決手段】  出射光の出射方向Ｌ0が光出射端面12の法線Ｎに対して所定の角度θ2をもつ光半導体素子10と、光半導体素子10が実装されるブロック部31を備えたステム35とからなる、所定の出射方向Ｌに光を出射する光源装置101において、ブロック部31に、光半導体素子10の実装時における所定の角度θ2を位置決めする位置決め手段38を備え、光半導体素子10を、出射光の出射方向Ｌ0が光源装置101の所定の出射方向Ｌと一致するように、位置決め手段38に応じて光出射端面12を所定の出射方向Ｌに対して垂直な面Ａから所定の角度θ2傾けて実装する。【選択図】          図１
2007088320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子と、該光半導体素子が実装されるブロック部を備えたステムとからなる、所定の出射方向に光を出射する光源装置において、
前記光半導体素子が、前記出射光の出射方向が前記所定の出射方向と一致するように、前記光出射端面を前記所定の出射方向に対して垂直な面から前記所定の角度傾けて実装されており、
前記ブロック部が、前記光半導体素子の実装時における前記所定の角度を位置決めする位置決め手段を備えていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記位置決め手段が、前記ブロック部の実装面上に形成された前記所定の角度を示すマーカーであることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記位置決め手段が、前記ブロック部の前記光半導体素子の実装部において、前記光半導体素子の前記光出射端面と平行に形成された端縁であることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項４】
前記位置決め手段が、前記ブロック部の前記光半導体素子の実装部において、前記光半導体素子の前記光出射端面に直交するように形成された側縁であることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項５】
前記光を出射する出射窓を備え、
前記所定の出射方向が前記出射窓の法線方向であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の光源装置。
【請求項６】
前記所定の出射方向が、前記ブロック部を固定する平板状の基台の面の法線方向であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の光源装置。
【請求項７】
前記光半導体素子が、前記ブロック部に対してジャンクションダウンにて実装されていることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の光源装置。
【請求項８】
前記光半導体素子がスーパールミネッセントダイオードであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項９】
所定の出射方向に光を出射する光源装置のステムのブロック部に、一部を該ブロック部の実装部の端縁より突出されて実装される、出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子であって、
前記ブロック部に接触される面上の、前記ブロック部への実装時に視認可能な位置に、該実装時に前記端縁と平行となるように配置される直線を規定するマーカーが形成されていることを特徴とする光半導体素子。
【請求項１０】
前記マーカーが前記出射光の出射方向に直交する方向を示すものであることを特徴とする請求項９記載の光半導体素子
【請求項１１】
前記マーカーが、前記面上の電極パターニング形状により構成されていることを特徴とする請求項９または１０記載の光半導体素子。
【請求項１２】
前記マーカーが、前記面上の凹部形状により構成されていることを特徴とする請求項９または１０記載の光半導体素子。
【請求項１３】
前記面が、基板の裏面側であることを特徴とする請求項９から１２いずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項１４】
スーパールミネッセントダイオードであることを特徴とする請求項９から１３いずれか１項記載の光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体素子を備えた光源装置に関し、特に出射される光の主光線が光出射端面に垂直な軸（光出射端面の法線）に対して所定の角度を有する光半導体素子を備えた光源装置および、光半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（以下、「SLD」と称する）は通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザ同様に数十ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な高出力の光半導体素子である。SLDはその高出力かつインコヒーレント性であるという特徴からファイバジャイロや高分解能OTDR（optical time domain reflect meter)などの光計測分野における光源として期待されている。
【０００３】
このSLDの構造およびその製造においては、第１にレーザ発振を抑制しながら光出力を高めること、第２に発光スペクトルの半値幅を広げることが重要なポイントとなっている。
【０００４】
まず、レーザ発振を抑制するためには端面における光反射率を抑制する必要があり、その方法として(1)光反射防止(AR)膜、(2)端面窓構造、(3)斜め光導波路構造などが知られている。特に光導波路を共振器端面から僅かに傾けることにより発振を抑制する斜め光導波路構造は古くから採用されている方法である。1978年にD.R.SCIFRESらにより非特許文献１において、GaAs/AlGaAs半導体レーザのストライプを端面の法線に対して傾けていくと、実効的な端面反射率が低下しSLDとしての性能を示すことが報告されている。また1988年にはA.GERARDらにより非特許文献２において端面の法線から５度傾斜させたストライプ構造による28ｍＷの高出力SLDが報告されている。
【０００５】
この非特許文献２にて報告された斜め光導波路構造を備えた光半導体素子10の一例であるSLDの概要を図９に示す。図９に示すSLD10は、ｎ型GaAs基板１上にｎ型のAl0.4Ga0.6Asクラッド層２、Al0.06Ga0.94As活性層３、ｐ型のAl0.4Ga0.6Asクラッド層４、ｎ型のGaAsキャップ層５、SiO2からなる絶縁膜６（以下、「SiO2膜６」という。）が積層形成されている。電流を注入するためのストライプ領域SiO2膜６は除去され、該SiO2膜が除去された直下の電流ブロック層５とクラッド層４はZn拡散領域（図中の斜線で示す領域）となっている。ストライプ領域11は、その延びる方向（以下、「ストライプ方向」という）が、光出射端面12の法線Ｎに対し所定の傾きθ1を有するように形成された斜め光導波路構造となっている。ｎ型電極９は基板１の裏面に、ｐ型電極８はSiO2膜６およびストライプ領域11上に形成されている。
【０００６】
図９に示すような、斜め光導波路構造は比較的簡易に端面反射率を抑制することができるという特徴があるが、一方、ストライプを傾斜させるが故に出射端面12の法線Ｎと実際の出射光の出射方向Ｌ0が異なるという問題がある。具体的には、出射端面12の法線Ｎに対するストライプ方向の傾きθ1と、出射端面12の法線Ｎに対する出射光軸の傾きθ2との関係は、下記式（１）（スネルの法則）で表される。
【０００７】
ｎ1・sinθ1=ｎ2・sinθ2                        (1)
ここでｎ1はストライプ内での等価屈折率、ｎ2は出力媒体屈折率である。
【０００８】
例えば、ｎ1がGaAsの屈折率、ｎ2が空気の屈折率であり、ストライプ方向を出射端面の法線に対して５度傾けた場合、すなわちθ1＝５度のとき、上記式（１）からθ2は17.8度となる。
【０００９】
このように、斜め光導波路構造を有する光半導体素子10においては、光出射端面12の法線Ｎに対して所定角度傾いた方向に進行する主光線が出射される。このような光半導体素子を光源として用いる場合、光源装置としては、光半導体素子の出射光の出射方向を考慮して該素子を実装する必要があるため実装作業が非常に煩雑になるという問題がある。
【００１０】
このような素子の実装時の作業を容易にする方法として、特許文献１においては、光半導体素子に位置決め構造を設ける方法が提案されている。図１０はこの従来例を示すものであり、光半導体素子21がサブマウント22上に実装された様子を示す斜視図である。光半導体素子21はサブマウント22の基準面23上に、出射光の出射方向Ｌ0がサブマウント22の法線Ｎと一致するようにマウントされている。実装方法は、光半導体素子21を作製する際に位置決め構造として、素子21上面にウェットエッチングにより凹状のマーカー25を設け、これを目安にチップをサブマウントに対して所定角度傾けた状態で実装するというものである。なお、凹状のマーカーのほか、素子の一部に切り欠きを設けた位置決め構造も提案されている。
【特許文献１】特開平１１−８７８４０号公報
【非特許文献１】IEEE J. Quantum Electron., 1978, QE-14, p223-227
【非特許文献２】IEEE J. Quantum Electron., 1988, Vol.24, p2454-2457
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら特許文献１に記載の技術には以下のような問題点がある。まず、図７に示したような位置決め構造の場合、光半導体素子の実装時上面となる面にマーカーを設けているが、実装時には一般に金属製の筒（コレット）を半導体素子の上面に接触させ真空吸引により光半導体素子を吸着させてハンドリングを行うため、素子の上面に設けられているマーカーの認識度は低くなってしまい、高精度の実装が困難となる恐れがある。また、位置決め構造として素子に切り欠きを設ける場合、切り欠きをダイシングにより形成するため、素子にクラックが生じる、あるいは、ダイシング時のゴミが端面に付着するなどにより信頼性を低下させる恐れがある。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、斜め光導波路構造を有する光半導体素子の実装を容易にかつ精度よく行うことができる光源装置および、光半導体素子を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の光源装置は、出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子と、該光半導体素子が実装されるブロック部を備えたステムとからなる、所定の出射方向に光を出射する光源装置において、
前記光半導体素子が、前記出射光の出射方向が前記所定の出射方向と一致するように、前記光出射端面を前記所定の出射方向に対して垂直な面から前記所定の角度傾けて実装されており、
前記ブロック部が、前記光半導体素子の実装時における前記所定の角度を位置決めする位置決め手段を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
位置決め手段としては、前記ブロック部の実装面上に形成された前記所定の角度を示すマーカーを用いることができる。マーカーとしては、前記法線に対して前記所定の角度傾いた直線を規定するもの、あるいはさらにその直線の直交する直線を規定するものなどが挙げられる。
【００１５】
さらに、位置決め手段は、前記ブロック部の前記光半導体素子の実装部において、前記光半導体素子の前記光出射端面と平行に形成された端縁であってもよいし、前記ブロック部の前記光半導体素子の実装部において、前記光半導体素子の前記光出射端面に直交するように形成された側縁であってもよい。
【００１６】
光源装置は、前記光を出射する出射窓を備え、前記所定の出射方向が前記出射窓の法線方向であってもよい。
【００１７】
また、前記所定の出射方向は、前記ブロック部を固定する平板状の基台の面の法線方向であってもよい。
【００１８】
前記光半導体素子は、前記ブロック部に対してジャンクションダウンにて実装されていることが望ましい。
【００１９】
前記光半導体素子は、スーパールミネッセントダイオードとすることができる。
【００２０】
本発明の光半導体素子は、所定の出射方向に光を出射する光源装置のステムのブロック部に、一部を該ブロック部の実装部の端縁より突出されて実装される、出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子であって、
前記ブロック部に接触される面上の、前記ブロック部への実装時に視認可能な位置に、該実装時に前記端縁と平行となるように配置される直線を規定するマーカーが形成されていることを特徴とするものである。
【００２１】
前記マーカーが前記出射光の出射方向に直交する方向を示すものであることが望ましい。
【００２２】
前記マーカーは、前記面上の電極パターニング形状により構成することができる。また、前記マーカーは、前記面上の凹部形状により構成されていてもよい。
【００２３】
前記面は、基板の裏面側であることが望ましい。また、光半導体素子は、スーパールミネッセントダイオードであることが望ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の光源装置によれば、出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子と、該光半導体素子が実装されるブロック部を備えたステムとからなる、所定の出射方向に光を出射する光源装置において、ブロック部が、光半導体素子の実装時における所定の角度を位置決めする位置決め手段を備えており、光半導体素子の実装時に、光半導体素子の傾け角度を容易に認識できるので、光半導体素子を、その出射光の出射方向が所定の出射方向と一致するように、光出射端面を所定の出射方向に対して垂直となる角度から所定の角度傾けて精度よくかつ容易に実装させることができる。
【００２５】
光半導体素子、ブロック部に対してジャンクションダウンにて実装されていれば、放熱効率がよく、特に、その光半導体素子がスーパールミネッセントダイオードのような自発発光型の素子である場合に効果的である。
【００２６】
本発明の光半導体素子は、所定の出射方向に光を出射する光源装置のステムのブロック部に、一部を該ブロック部の実装部の端縁より突出されて実装される、出射光の出射方向が光出射端面の法線に対して所定の角度をもつ光半導体素子であって、ブロック部に接触される面上の、ブロック部への実装時に視認可能な位置に、該実装時に端縁と平行となるように配置される直線を規定するマーカーが形成されているので、容易かつ精度よくブロック部へ実装されうる。
【００２７】
前記面が、基板の裏面側であれば、ジャンクションダウン実装時に基板裏面側から画像認識等を行いつつマーカーを目印として位置決めすることができるのでジャンクションダウン実装も非常に精度よく為されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の第１の実施形態の光源装置を示すものである。本実施形態の光源装置は、一般に半導体レーザが実装されるパッケージであるキャンパッケージ型ステムを備えた光源装置である。図１（Ａ）は光源装置の斜視図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の1Ｂ方向から見た光源装置の透視図である。
【００２９】
本実施形態の光源装置101は、出射光の出射方向Ｌ0が光出射端面12の法線Ｎに対して所定の角度θ2をもつ光半導体素子10と、光半導体素子10が実装されるステムブロック部31および端子ピン32が平板状の基台33に配置されてなるステム35と、光出射窓36を備え、光半導体素子10を覆って封止されるキャップ37とからなる。
【００３０】
光半導体素子10は、図９に示したようなストライプ方向が出射端面12の法線Ｎに対して角度θ1傾いた傾斜光導波路を有するSLDであり、法線Ｎに対して所定の角度θ2傾いた出射方向に光を出射するものである。角度θ1とθ2との関係は、上述のスネルの法則（式（１））に基づいて求めることができる。例えば角度θ1が５度である場合、既述の通りθ2は17.8度である。なお、角度θ1は５度に限るものではなく、例えば、２〜１０度の範囲の所定値で設定されたものを用いることができ、該角度θ1に応じてスネルの法則よりθ2は一義的に得ることができる。
【００３１】
光源装置101としての所定の出射方向Ｌ（図１中点線矢印で示す）に光半導体素子10の出射光の出射方向Ｌ0が一致するように、光半導体素子10は、光出射端面12を所定の出射方向Ｌに直交する面Ａから所定の角度θ2傾けて実装されている。
【００３２】
光半導体素子10はブロック部31の実装面31ａ上にジャンクションダウンにて実装されている。このとき、素子10から出射される光が実装面31ａにて妨害されないようにするため、出射点がブロック部31の出射方向先端面のブロック辺31ｂに一致もしくは出射点がブロック辺31ｂより前に突き出された状態で実装されている。
【００３３】
ブロック部31の光半導体素子10が実装される実装面31ａには、光半導体素子10実装時の傾き角の目印となる位置決め手段である直線状のマーカー38が形成されている。マーカー38は、光源装置101としての所望の出射方向Ｌに対してθ2傾いて形成された直線である。なお、マーカーは必ずしも直線的なものに限らず、直線を規定できる２以上のマークなどであってもよい。
【００３４】
光半導体素子10をブロック部31に実装する際には、マーカー38と素子10の側面が平行になるように光半導体素子10を回転させればよく、容易に傾き角度をθ2となるように位置決めして実装することができる。実装時、光半導体素子10はその上面を吸着するコレットを備えたハンドリング手段によりハンドリングされる。素子の上方に配置されたＣＣＤカメラなどの撮像手段により素子10およびマーカー38を撮影し、画像認識手段によりマーカー形状と素子形状を認識させ、素子10の側面がマーカー38と平行となるようにハンドリング実装される。マーカー38はブロック部31上に形成されているため、コレットにより妨害されることなく認識でき、精度よく実装することができる。
【００３５】
なお、ブロック部31は、実装面31a上のマーカーとして、図２に示すように、実装面31ａ内で出射方向Ｌに直交する直線Ａ’に対して角度θ2傾いた直線状マーカー39を備えていてもよい。この場合には、光半導体素子10の共振器端面12および13が該直線状マーカー39と平行となるように位置決めして光半導体素子10を実装すればよい。
【００３６】
図１および図２に示したように、光半導体素子10を、所定の出射方向Ｌに対して法線Ｎを角度θ2傾けて実装することにより所定の光出射方向Ｌと、光半導体素子10の光出射方向Ｌ0を一致させることができる。なお、本実施形態のような一般的なキャンステムの場合、所定の光出射方向Ｌは出射窓36の法線の方向およびブロック部31を固定する平板状の基台33の面33ａおよび33ｂの法線の方向と一致している。また、一般には光源装置としての所定の光出射方向Ｌに対してブロック部の実装面は平行であるが、ブロック部の形状やキャップの形状は、上記実施形態のような一般的なキャンパッケージ型ステムに限るものではなく、それらの形状により、光源装置としての光出射方向Ｌは必ずしも出射窓および／または基台の面の法線方向と一致しているとは限らない。本発明の技術によれば、そのような場合であっても、光源装置として所望の光出射方向に光を出射させるべく、光半導体素子からの出射光の出射方向を光源装置としての所望の光出射方向に一致するように光半導体素子を精度よく、かつ容易にマウントすることができる。
【００３７】
図３は本発明の第２の実施形態となる光源装置の上方透視図を示すものである。以下においては、第１の実施形態と同等の要素には同一符号を付し詳細な説明は省略し、第１の実施形態との相違点を主として説明する。
【００３８】
図３に示すように本実施形態の光源装置102は、光半導体素子10が実装されているステム35のブロック部41の形状が第１の実施形態のものと異なる。ブロック部41の光出射方向の端縁42を含む面が光源装置102の所定の出射方向Ｌに直交する面Ａから角度θ2傾けて形成されており、この端縁42が位置決め手段を構成している。光半導体素子10は、ブロック部41の実装面41ａ上に、光出射端面12がブロック部41の端縁42と平行となるように実装されている。光半導体素子10の光出射方向Ｌ0は光源装置102の所定の出射方向Ｌと一致しており、従って光出射方向Ｌ0の法線Ｎは所定の出射方向Ｌから角度θ2傾いている。
【００３９】
光半導体素子10の実装時には、素子10の上方に備えられた撮像手段により素子10およびブロック部41の形状を撮影し、画像認識手段により形状認識を行い、ブロック部41の端縁42と素子10の光出射端面12とが平行となるように、ここでは、端縁42と端面12が一致するように素子10をハンドリングしてブロック部41の実装面41ａ上に実装することにより、容易にかつ精度よく素子10の光出射方向Ｌ0を、光源装置102の所定の出射方向Ｌと一致させることができる。
【００４０】
図４は本発明の第３の実施形態となる光源装置の上方透視図を示すものである。図４に示すように本実施形態の光源装置103は、光半導体素子10が実装されているステム35のブロック部45の形状が第１および第２の実施形態のものと異なる。ブロック部45の側縁46および47を含むそれぞれの面が光源装置103の所定の出射方向Ｌから角度θ2傾けて形成されており、この側縁46および47が位置決め手段を構成している。光半導体素子10は、ブロック部45の実装面45ａ上に、その側面16および17がブロック部45の側縁46および47と平行となるように、すなわち光出射端面12が側縁46および47と直交するように実装されている。本実施形態においても、光半導体素子10の光出射方向Ｌ0は光源装置３の所定の出射方向Ｌと一致しており、従って光出射方向Ｌ0の法線Ｎは所定の出射方向Ｌから角度θ2傾いている。
【００４１】
光半導体素子10の実装時には、素子10の上方に備えられた撮像手段により素子10およびブロック部45の形状を撮影し、画像認識手段により形状認識を行い、ブロック部45の側縁46および47と素子10の側面16および17とが平行となるように、素子10をハンドリングしてブロック部41の実装面41ａ上に実装することにより、容易にかつ精度よく素子10の光出射方向Ｌ0を、光源装置103の所定の出射方向Ｌと一致させることができる。
【００４２】
なお、いずれの実施形態においても光半導体素子10のストライプ方向の光出射端面12に対する角度θ1を測定し、スネルの法則からθ2を算出した上で、ブロック部上に位置決め手段が形成される。
【００４３】
上記第１〜３の実施形態の光源装置においては、ステムのブロック部に位置決め手段が設けられていたのに対して、以下の述べる光源装置においては、光半導体素子の実装面側に位置決め手段が設けられている。
【００４４】
図５は本発明における光半導体素子の第１の実施形態の概略を示す斜視図（Ａ）およびこの光半導体素子が実装されてなる光源装置の上方透視図（Ｂ）を示すものである。
【００４５】
光半導体素子60は、図９に示した光半導体素子10と略同様の層構成および構造を有するSLDあり、図５（Ａ）においてはその詳細は省略して示している。光半導体素子60は、隅部に電極層８が形成されず絶縁層６がむき出しになっている領域62を備えている点、すなわち電極層８のパターニング形状が光半導体素子10と異なる。領域62の電極層８と絶縁層６との境界線62ａは光出射端面12から角度θ2傾いて形成されており、この境界線62ａが位置決め手段を構成するものである。
【００４６】
電極層８をストライプ領域11および絶縁層６上に形成する際に領域62にマスクを形成し、領域62のみ電極層８が形成されないようにする。このような電極層８のパターニングにより、位置決めのためのマーカーである境界線62ａを有する領域62を形成することができる。
【００４７】
光半導体素子60が実装されるキャンステムは上述の第１〜第３の実施形態とほぼ同様であるが、ステムのブロック部51に位置決め手段を備えていない点で異なる。なお、ブロック部51は光源装置104としての所定の出射方向Ｌに対して垂直な端縁51ｂを備えている。光半導体素子60は、ブロック部51に電極層８側を実装面51ａに接触するように、領域62がブロック部51の端縁51ｂから突出し、かつ境界線62ａが端縁51ｂと一致するように実装されている。電極層８は素子60の積層面上面であり、ブロック部51に対してジャンクションダウン実装されている。
【００４８】
光半導体素子60をブロック部51に実装する方法について図６を参照して説明する。図６（Ａ）はその実装装置の概略構成を示す模式図であり、同図（Ｂ）は実装時、ブロック部51の下面51ｃ下方（図中矢印6Ｂ）からブロック部51の端縁51ｂおよび光半導体素子60を臨む図である。図６（Ａ）に示すように実装装置は、光半導体素子60をハンドリングするための実装時上面60ｂを吸着するコレット71を備えたハンドリング手段70と、ブロック部51の下方に配置されたＣＣＤカメラなどの撮像手段74と、撮像手段74により撮像された画像から光半導体素子の実装時下面60ａに設けられている境界線62ａおよびブロック部端縁51ｂを認識し、両者が一致するようにハンドリング手段70を制御する処理部75とを備えている。処理部75はハンドリング手段70を制御して、図６（Ｂ）に示すように、光半導体素子60に設けられている領域62の境界線62ａがブロック部51の端縁51ｂと平行となるように光半導体素子60を図中点線で示す位置まで回転させ、その後、領域62のみがブロック部51の端縁51ｂから突出する、境界62ａが端縁51ｂと略一致する位置まで移動させ、ブロック部51上に光半導体素子60を実装する。なお、境界線62ａは、必ずしもブロック部51の端縁51ｂと一致している必要はなく、端縁51ｂから突出した位置となっていてもよい。光半導体素子60の領域62に絶縁層が露出していることから、画像認識による認識度を高くすることができより精度高い位置決めが可能となっている。その他、絶縁層を面状に露出するのではなく線状に露出するようにパターニングをしてもよい。
【００４９】
さらに図７および図８にそれぞれに第２および第３の実施形態の光半導体素子70、80の斜視図を示す。いずれの光半導体素子70、80も、ブロック部に接触させられる面70ａ、80ａ側の電極層８にマーカーが設けられているが、そのマーカーの種類が異なる。図７に示す光半導体素子70は、ステムのブロック部と接触する面70ａに、マーカーとして直線状の凹部72が形成されている。直線状の凹部72は、光出射端面12に対して角度θ2を有するものである。凹部72は、スクライブによる傷として形成することができる。より詳細には、光半導体素子を形成する工程においてウエハから個々のチップに分割するためにスクライブによる傷入れを行うが、このスクライブを利用し、素子そのものにダメージを与えることなく、電極面のみに傷を入れることにより上述の凹部72を形成することができる。この方法を用いればパターニングでマーカーを形成する場合と比較してマスク形成などの特殊なプロセス処理を必要とせずに簡易に位置決め手段を形成することができる。
【００５０】
なお、図８に示す光半導体素子80のように、破線で示す直線82を規定できるものであれば実際に直線82に沿ったマーカーが形成されている必要はなく、画像認識処理により直線を規定可能な２以上のマーク83などを備えるものであってもよい。
【００５１】
なお上記各実施の形態の光源装置としてはキャンパッケージ型ステムを例に挙げ説明したが、角形形状ステムであっても構わない。また、本発明の趣旨に該当するものであれば前述した位置決め手段の形状、大きさなどに限定されるものではない。
【００５２】
さらに、上記各実施形態では光半導体素子をステムブロック部の実装面へ直づけしているが、サブマウントを介して実装してもよい。この場合、サブマウントの光出射端面側の端縁と光半導体素子の光出射端面を平行にして実装し、サブマウントを光半導体素子の一部とみなし、それを上記各実施形態のようにステム上に光半導体素子付きサブマウントをその光出射方向Ｌ0が所定の出射方向Ｌと一致するように補正する傾きで実装してもよいし、また逆に、サブマウントをブロック部の一部とみなし、上記各実施形態のように、光出射方向Ｌ0を補正する傾きで光半導体素子をサブマウントに実装し、サブマウントの光出射端面側の辺とステムの光出射端面側の辺を平行にして実装してもよい。
【００５３】
上記実施形態においては、光半導体素子をSLDとし、ジャンクションダウン実装されているものについて説明したが、光半導体素子としては、SLDに限らず、斜め導波路を備えた光増幅器などであってもよい。SLDなどの自発発光型光半導体素子の場合には、放熱効果を上げることができるのでジャンクションダウン実装が好ましいが、光増幅器などの非自発発光型光半導体素子の場合には、ジャンクションアップ実装であってもよい。光半導体素子にマーカーを備える形態において、ジャンクションアップ実装する場合には、素子の基板裏面側の電極面に位置決めのためのマーカーを設けておけばよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（Ａ）本発明の第1の実施形態の光源装置の斜視図、および（Ｂ）該光源装置上方からの透視図
【図２】本発明の第１の実施形態の変形例の光源装置上方からの透視図
【図３】本発明の第２の実施形態の光源装置上方からの透視図
【図４】本発明の第３の実施形態の光源装置上方からの透視図
【図５】（Ａ）本発明の第１の実施形態の光半導体素子の斜視図、および（Ｂ）第１の実施形態の光半導体素子を備えた光源装置上方からの透視図
【図６】第１の実施形態の光半導体素子の実装装置を説明するための模式図
【図７】本発明の第２の実施形態の光半導体素子の模式図
【図８】本発明の第３の実施形態の光半導体素子の模式図
【図９】斜め光導波路構造を備えた光半導体素子の斜視図
【図１０】従来技術における光半導体素子をサブマウント上に配置した状態を示す斜視図
【符号の説明】
【００５５】
1    n型GaAs基板
2    n型Al0.4Ga0.6Asクラッド層
3    Al0.06Ga0.94As活性層 
4    p型Al0.4Ga0.6Asクラッド層
5    n-GaAsキャップ層
6    SiO2絶縁膜
7    Zn拡散領域 
8    p型電極
9    n型電極
10、60、70、80    光半導体素子（ＳＬＤ）
11    ストライプ領域
12    光出射端面
31    ステムのブロック部
32    端子ピン
33    基台
35    ステム
36    出射窓
37    封止用キャップ
38,39    マーカー
62ａ    境界線（マーカー）
101〜104    光源装置
Ｎ    素子の光出射端面の法線
Ｌ    光源装置としての所定の出射方向
Ｌ0    光半導体素子の光出射方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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