(57)【要約】【課題】ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、かつ、この２倍速以上の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好な相変化型光記録媒体を用い、ＣＡＶ方式の記録及びＣＬＶ方式の記録のいずれにおいても良好なジッタが得られ、記録線速を広範囲にカバーできる光記録方法の提供。【解決手段】光記録媒体に記録マークを形成する際に、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスと該オンパルスに続くオフパルスとからなる記録パルス列とし、内周から外周及び外周から内周のいずれかの記録半径位置に対応させて連続的に記録周波数ν＝１／Ｔｗ（ただし、Ｔｗはウィンドウ幅を表す）を変化させて記録する光記録方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に記録マークを形成する際に、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスと該オンパルスに続くオフパルスとからなる記録パルス列とし、内周から外周及び外周から内周のいずれかの記録半径位置に対応させて連続的に記録周波数ν＝１／Ｔｗ（ただし、Ｔｗはウィンドウ幅を表す）を変化させて記録することを特徴とする光記録方法。
【請求項２】
複数のオンパルスの幅が、すべて同じ時定数で固定する部分、及びウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分のいずれかからなる請求項１に記載の光記録方法。
【請求項３】
複数のオンパルスの幅が、すべて同じ時定数で固定する部分と、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる請求項１に記載の光記録方法。
【請求項４】
複数のオンパルスの幅を、すべて同じ時定数で固定する部分と、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせる光記録方法と、
複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整する光記録方法とを、
最大周波数と最小周波数の中間の周波数で切り替える請求項１に記載の光記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせて、情報の記録及び再生を行い、かつ書換えが可能であり、現在市販されているＤＶＤ−ＲＯＭの線速の２倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体を用いた光記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザービームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非結晶相（アモルファス相）間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく知られている。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応用されている。
【０００３】
その記録材料としては、ＧｅＴｅ，ＧｅＴｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，ＧｅＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ），ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴｅＳｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが挙げられる。これらの中でも、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは高感度でアモルファス部分の輪郭が明確な特徴を有し、従来に比べＣ／Ｎ、消去比、感度、記録、消去繰り返し特性の飛躍的向上を達成できる光記録媒体の組成が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
この記録層の構成元素は主としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、又はＴｅであり、それぞれの組成比α，β，γ，δ（原子％）は、０＜α≦３０、０＜β≦３０、１０≦γ≦５０、１０≦δ≦８０、α＋β＋γ＋δ＝１００である。
【０００５】
特にこの材料系を用い、ディスクの回転線速度が１．２〜５．６ｍ／ｓの領域で記録・消去を行う光記録方法において最適な光記録媒体（書き換え可能なコンパクトディスク）として、記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、及びＳｂであり、それぞれの組成比α、β、γ、及びδ（原子％）が、１≦α＜６、７≦β≦２０、２０≦γ≦３５、３５≦δ≦７０、及びα＋β＋γ＋δ＝１００である光記録媒体が開示されている（特許文献２参照）。
【０００６】
ところで、現在の光ディスクは４．７ＧＢ容量のＤＶＤ−ＲＯＭが既に商品化され、これと同容量で互換性の高い光記録媒体としてＤＶＤ−ＲＷ等の高記録密度媒体が提案されている。ＤＶＤ−ＲＯＭのディスク回転数は３．４９ｍ／ｓであるため、これと等速の光記録媒体に用いる記録材料は、上記特許文献２に開示されている組成であっても対応可能であるが、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の高密度記録でかつ２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録線速に適合させることは困難である。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２２６４４号公報
【特許文献２】特開平９−２６３０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にこの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までをカバーできる、具体的には３．０ｍ／ｓ〜１４ｍ／ｓの範囲の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を用いた光記録方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ＣＡＶ方式の記録及びＣＬＶ方式の記録のいずれにおいても良好なジッタが得られ、記録線速を広範囲にカバーできる光記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、光記録媒体について多くの研究及び検討を行ってきた。その過程において、ＡｇＩｎＳｂＴｅの相変化記録材料を用いた光記録媒体の記録線速の上昇は、Ｓｂ含有量を増加するかＩｎ量を増加することによって達成できることを実験的に確認したが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しようとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性が悪化するため、（ｘ−ａ−１／３ｂ）Ｓｂ／（（ｙ−２ａ−２／３ｂ）Ｔｅ＋（ｘ−ａ−１／３ｂ）Ｓｂ）の比ｒが０．７≦ｒ≦０．８５の範囲であることが必要なこと、またＩｎ量を増加した場合には再生光による劣化や記録マークのコントラストが減少してしまう等の不具合が生じるため、Ｉｎ組成比ｂは０．１以下が好ましいことも実験により確かめられた。
【００１０】
このような条件を満たしながら、目的とするＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するためには、Ａｇ含有量を１％以下と非常に少ない量とした系において特開平９−２６３０５５号公報の実施例に開示されるＳｂやＩｎ量をあまり増やすことなく、記録線速に対応できるとともに、ＳｂやＩｎ量を上昇する場合に比較してオーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性において良好な結果を与えることを知見した。また、窒素の導入は更に信頼性向上に効果がある。更に、相変化型記録材料をＤＶＤ−ＲＯＭと互換性が高い２倍速以上の光記録媒体に応用する場合には、レーザー光などの記録に使用する光の波長は６３０ｎｍ〜６７０ｎｍとなるため、この波長領域において所望の反射率及び変調度となるように光記録媒体を構成する記録層、誘電体層、及び反射層の膜厚を調整する必要がある。
【００１１】
以上のように、光記録媒体を構成することによってＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録線速でオーバーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を実現可能であるが、更にオーバーライト特性を改善する目的においては、誘電体層のうち少なくとも１層あるいは両層がＺｎＳ−ＳｉＯ２混合ターゲットを用いてスパッタ成膜された層とその他の誘電体の単体及び混合ターゲットを用いてスパッタ成膜された層の２層構成にすることが望ましい。
【００１２】
また、以上のように構成された光記録媒体に対してＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）で記録マークを記録する場合、最大速度は２倍速以上としても実際の記録線速としては等速の場合もカバーする必要がある。この場合、最適ジッタを得るためには高線速側と等速側の記録ストラテジを調整する必要が生ずる。
【００１３】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。
＜１＞  光記録媒体に記録マークを形成する際に、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスと該オンパルスに続くオフパルスとからなる記録パルス列とし、内周から外周及び外周から内周のいずれかの記録半径位置に対応させて連続的に記録周波数ν＝１／Ｔｗ（ただし、Ｔｗはウィンドウ幅を表す）を変化させて記録することを特徴とする光記録方法である。
＜２＞  複数のオンパルスの幅が、すべて同じ時定数で固定する部分、及びウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分のいずれかからなる前記＜１＞に記載の光記録方法である。
＜３＞  複数のオンパルスの幅が、すべて同じ時定数で固定する部分と、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる前記＜１＞に記載の光記録方法である。
＜４＞  複数のオンパルスの幅を、すべて同じ時定数で固定する部分と、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせる光記録方法と、
複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整する光記録方法とを、
最大周波数と最小周波数の中間の周波数で切り替える前記＜１＞に記載の光記録方法である。
【００１４】
本発明の光記録方法においては、ポリカーボネート基板上に少なくとも第１の誘電体層、相変化型の記録層、第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で積層し、該記録層の組成は、組成式ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞれ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb/（(y-2a-2/3b）Te+（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが０．７≦ｒ≦０．８５の範囲であり、記録マークが記録線速３．０ｍ／ｓ以上１４ｍ／ｓ以下の範囲においてＣＡＶ方式又はＣＬＶ方式で記録される光記録媒体を使用し、これにあらかじめレーザー光等のエネルギービームにより、結晶相に初期化された記録層に対しレーザー光等の光パルス列を用いるアモルファス相の記録マークを記録し、各光パルス列のパルス幅Ｔｐ及び先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ及び後端のオフパルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の記録線速において記録装置の最大速度において最低ジッタが得られるように時定数が決定されるとともに、それよりも低い記録線速においては最大線速において決定された時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記録線速に適合させて記録するか、あるいは先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ及び後端のオフパルス幅Ｔｏｐはそのままの時定数であるが、パルス幅Ｔｐの時定数のみを変更して記録する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、従来における課題を解決することができ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にこの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までをカバーできる、具体的には３．０ｍ／ｓ〜１４ｍ／ｓの範囲の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を用いた光記録方法を提供することができる。
また、本発明によると、ＣＡＶ方式の記録及びＣＬＶ方式の記録のいずれにおいても良好なジッタが得られ、記録線速を広範囲にカバーできる光記録方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を図面により更に詳細に説明する。
図１は、本発明の光記録方法に用いる光記録媒体の一例の層構成の概念図を示す。図１の光記録媒体は、図示されない案内溝を有する基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第１の誘電体層（下部保護層）２、この第１誘電体層上にＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層３、この記録層上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第２の誘電体層（上部保護層）４、この第２の誘電体層上に金属反射層（反射放熱層）５を成膜し、好ましくはこの金属反射層上にＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層６が積層された構成からなる。
【００１７】
基板１の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で好ましい。代表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよい。
【００１８】
各層の成膜条件は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（成膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧力（成膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ，ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（成膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，Ａｒガス圧力（成膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒが適当である。
【００１９】
ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層において、Ａｇの存在は、後述の参考例、参考比較例から明らかなように、記録特性及び保存安定性の向上に効果がある。ただし、Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなるため、高線速に対応できない。また、記録線速の上昇はＳｂ含有量を増加するかＩｎ量を増加することによって達成できるが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇しようとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性が急激に悪化する傾向がある。
【００２０】
また、ＡｇＩｎＳｂＴｅからＡｇＳｂＴｅ2及びＩｎ3ＳｂＴｅ2化合物組成分を差し引いた残りのＳｂ／（Ｔｅ＋Ｓｂ）比ｒによるオーバーライト特性については、図２に示されるように、残余のＳｂ／（Ｔｅ＋Ｓｂ）比ｒが０．７≦ｒ≦０．８５の範囲、特に０．７５の近傍が良好な結果を与える。
【００２１】
更に、Ｉｎ量を増加した場合には、後記の表１に再生光による劣化の状況が他の特性とともに示されているように、Ｉｎ組成比ｂは０．１以下の原子比が好ましいことが実験により確かめられた。
【００２２】
このような条件を満たしながら、目的とするＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上の記録線速を達成するため研究を重ねた結果、本発明者らはＡｇ含有量を原子比で１％以下と非常に少ない量とした系においてオーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性に良好な結果を与えることを知見した。もっともＡｇが少ない系に対してはＡｇの添加による効果が疑問視されるが、Ａｇ添加量０．５％の系の記録特性評価結果と同時に、Ａｇ添加量が０の系つまりＩｎＳｂＴｅ記録膜についての評価結果を後記の参考比較例として表１に示した。表１よりＡｇの添加効果はその添加量が１％以下であっても再生光安定性及び繰り返し記録可能回数（オーバーライト特性）、保存安定性において改善は明白であり、本発明の有効性についても確認することができる。
【００２３】
第１の誘電体層（下部保護層）及び第２の誘電体層（上部保護層）は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。また、その膜厚はその機能、即ち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第１の誘電体層は５０ｎｍ〜１１０ｎｍあるいは１７０ｎｍ〜２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ未満では記録層を基板の影響から保護する機能の乏しく、２１５ｎｍを超えると界面剥離を生じ易くなる。また、第２の誘電体層は１０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ未満では記録感度が悪くなり、３０ｎｍを超えると熱がこもりすぎてしまう。
【００２４】
前記記録層は、一般的にはスパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法などにより膜形成が行われ、その膜厚は１０〜３０ｎｍがよい。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能が不充分である。また、３０ｎｍを超えると記録感度が悪くなる。
【００２５】
金属反射層には各種金属が使用可能であるが、特にＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金やＡｇ−Ｐｄ等のＡｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法等により形成され、その膜厚は２０〜４００ｎｍがよい。２０ｎｍ未満では放熱効果が得られない。また、４００ｎｍを超えると界面剥離を生じ易くなる。また、記録層の成膜時、スパッタリング中にスパッタチャンバー中に窒素（Ｎ2）を導入することにより得られた光記録媒体は保存安定性が向上する。
【００２６】
誘電体層を２層にした場合（参考例４、５）の光記録媒体は、表１にみられるように、オーバーライト特性が向上する。特に記録層からみて金属反射層側の第２の誘電体層（上部保護層）を２層とした場合において、良好な特性向上が見られる。しかし、本発明で用いるＡｇ組成比の少ない相変化型記録材料を用いた記録層に接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良好な結果を与える。
【００２７】
即ち、本発明で用いるＡｇ組成比の少ない相変化型記録材料を用いた記録層に接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合が良好な結果を与える。本発明の第二に記載の第１の誘電体層を２層化する場合、ＺｎＳ−ＳｉＯ2以外の層では（１）誘電体層の膜厚が５０〜１１０ｎｍの場合は、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の誘電体を１０ｎｍ〜９０ｎｍの膜厚範囲とし、また（２）第１の誘電体層の膜厚が１７０ｎｍ〜２３０ｎｍの場合はＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の誘電体を５０ｎｍから１５０ｎｍの膜厚範囲で配置するのがよい。また、本発明の第二に記載の第２の誘電体層の膜厚を２層化する場合は前記第１の誘導体の例と同様に、ＺｎＯやＳｉＯ2、ＴａＯ、ＩｎＳｎＯ等の誘電体は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚範囲で配置するのがよい。なお、前記ＺｎＳ−ＳｉＯ2以外の誘電体としては、ここに記載された以外のものが使用されてもよい。
【００２８】
続いて、記録ストラテジについて説明する。前述のように構成された光記録媒体に対してＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）の記録マークを記録する場合、最大速度は２倍速以上としても実際の記録線速としては等速の場合もカバーする必要がある。この場合、最適ジッタを得るためには高線速側と等速側の記録ストラテジを調整する必要が生ずる。図３に記録ストラテジの代表的な一例を示す。
【００２９】
記録マークの記録を２倍速以上の記録線速と等速の記録線速とに対応させる場合、各光パルス列のオンパルス幅Ｔｐ及び先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ及び後端のオフパルス幅Ｔｏｐは最大線速において最低ジッタが得られるように時定数が決定されるとともに、それよりも低い記録線速においては最大線速において決定された時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記録線速に適合させて記録することによって良好な記録が可能であることが実験により確かめられた。この場合、具体的には高線速のストラテジに対し、等速のストラテジにおいてはマルチパルス後に設定されるオフパルス部分のみがウィンドウ幅Ｔｗの比の分長くなることを示す。
【００３０】
更に、等速記録時により良好なジッタを得ようとする場合においては、更にオンパルス幅Ｔｐも最大線速時のオンパルス幅に対し１〜５０％の範囲でオンパルス幅を小さくすることによって良好な記録特性が得られる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３２】
（参考例１）
表１に記載の組成の記録層を厚さ２０ｎｍ、第１の誘電体層を厚さ７０ｎｍ、第２の誘電体層を厚さ２０ｎｍ、金属反射層を厚さ１４０ｎｍとしてポリカーボネート基板上にスパッタ法により成膜して光記録媒体を作製した。これの特性を４．７ＧＢのＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速以上である８ｍ／ｓの記録線速において評価した。結果は表１に示す様な良好な特性が得られた。なお、表１（高線速での記録特性）は図１の構造を有する光記録媒体の記録線速７ｍ／ｓでの繰り返し記録回数を調べたものである。繰り返し記録回数は、ウィンドウ幅Ｔｗで規格化したジッタの値σ／Ｔｗが規格値を満足する最大回数で判定したものである。トラックピッチは０．７４μｍである。
【００３３】
（参考例２）
記録層組成を表１のように変更した以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。これを参考例１と同じに評価したところ、参考例１とほぼ同等の結果が得られた（表１）。
【００３４】
（参考例３）
参考例１と同じ組成の記録層の成膜時に窒素を約３％としたアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。これを参考例１と同じに評価したところ、参考例１に比較して保存信頼性が向上した（表１）。
【００３５】
（参考例４）
第１の誘電体層を２層にした以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。なお、第１の誘電体層の膜構成は基板側からＺｎＯ：３５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2：３５ｎｍとした。これを参考例１と同じに評価したところ、参考例１に比較してオーバーライト特性が向上した（表１）。
【００３６】
（参考例５）
第２の誘電体層を２層にした以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。なお、第２の誘電体層の膜構成は記録層側からＺｎＳ−ＳｉＯ2：１０ｎｍ、ＺｎＯ：１０ｎｍとした。これを参考例１と同じに評価したところ、参考例１に比較してオーバーライト特性が向上したと同時に記録線速の向上も見られた（表１）。
【００３７】
（参考比較例１）
記録層からＡｇを取り除いた組成に近いＩｎＳｂＴｅを記録層として用いた以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。これを参考例１と同じに評価したところ、再生光安定性、保存信頼性が悪い結果となった。
【００３８】
（参考比較例２）
記録層からＡｇ及びＩｎを取り除いた組成に近いＳｂＴｅを記録層として用いた以外は、参考例１と同様にして、光記録媒体を作製した。これを参考例１と同じに評価したところ、再生光安定性は良好であるものの、保存信頼性が悪い結果となった。また、この結果から、Ｉｎの含有量は低い方が再生光安定性に効果的であることもわかった。
【００３９】
【表１】
2007012269.tif 000003
【００４０】
ＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化型記録材料のＡｇ含有量を１原子％以下と少ない量とし、他の元素を特定範囲に調整することによって、高線速記録条件下（記録線速：３．０〜１４ｍ／ｓ）において、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性において良好な結果を与える光ディスクが実現される。
【００４１】
記録層の膜厚を１０ｎｍ〜２５ｎｍ、第１の誘電体層の膜厚を５０ｎｍ〜１１０ｎｍあるいは１７０ｎｍ〜２１５ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚を１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲にし、更に反射層の膜厚は２０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲としたことにより、４．７ＧＢ  ＤＶＤ−ＲＯＭの規格値に対し互換性の高い書き換え型光ディスクが実現される。
【００４２】
記録層に窒素元素を含有させたことにより保存特性の向上した光ディスクが得られる。
【００４３】
第１及び第２の誘電体層のうち少なくとも１層あるいは両層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合ターゲットを用いてスパッタ成膜された層とその他の誘電体の単体及び混合ターゲットを用いてスパッタ成膜された層の２層構成であり、更にこの２層構成の誘電体層の記録層側はＺｎＳ−ＳｉＯ2とすることによって更にオーバーライト特性が向上される。
【００４４】
基板にポリカーボネート樹脂を用いたことにより、光ディスクの加工性、光学特性が良好になる。
【００４５】
（実施例１）
本発明の記録ストラテジを用いてＤＶＤ−ＲＯＭの１〜２．５倍速の記録を行った。ストラテジ条件を表２に示す。記録パワーを最適化することによって、図５に示すようなフラットなジッタ特性が得られることが分かった。
【００４６】
（実施例２）
実施例１の記録ストラテジに対し、オンパルスの幅も最大線速時のオンパルス幅に比較し、各線速に対し２０％の割合で小さくし、ＤＶＤ−ＲＯＭの１〜２．５倍速の記録を行った。ストラテジ条件を表３に示す。記録パワーを最適化することによって、図５に示すような特に低線速側で更に良好なジッタ特性が得られることが分かった。
【００４７】
【表２】
2007012269.tif 000004
記録パワーは個別に最適化
【００４８】
【表３】
2007012269.tif 000005
記録パワーは個別に最適化
【００４９】
本発明の光記録方法によれば、ポリカーボネート基板上に少なくとも第１の誘電体層、相変化型の記録層、第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で積層し、該記録層の組成は、組成式ＡｇaＩｎbＳｂxＴｅyで表記され、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞれ原子比率で0＜a≦0.01，0.03≦b≦0.10，0.40≦x≦0.70，y=1-a-b-x、かつ（x-a-1/3b）Sb/（(y-2a-2/3b）Te+（x-a-1/3b）Sb）の比ｒが０．７≦ｒ≦０．８５の範囲であり、記録マークが記録線速３．０ｍ／ｓ以上１４ｍ／ｓ以下の範囲においてＣＡＶ方式又はＣＬＶ方式で記録される光記録媒体のレーザー光等の光パルス列を用いる光記録方法において、各光パルス列のパルス幅Ｔｐ及び先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ及び後端のオフパルス幅Ｔｏｐは１４ｍ／ｓ以下の記録線速において記録装置の最大速度において最低ジッタが得られるように時定数が決定されるとともに、それよりも低い記録線速においては最大線速において決定された時定数をそのままとしてウィンドウ幅Ｔｗのみを記録線速に適合させて記録するか、あるいは先頭のディレイタイムＴｄｅｌａｙ及び後端のオフパルス幅Ｔｏｐはそのままの時定数であるが、パルス幅Ｔｐの時定数のみを変更して記録することによって、ＣＡＶ方式の記録及びＣＬＶ方式の記録のいずれにおいても良好なジッタが得られる。また、記録線速を広範囲にカバーできる光記録システムが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明で用いる光記録媒体の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、繰返し記録回数の（ｘ−ａ−１／３ｂ）Ｓｂ／（（ｙ−２ａ−２／３ｂ）Ｔｅ＋（ｘ−ａ−１／３ｂ）Ｓｂ）の比ｒの依存性を表した図である。
【図３】図３は、記録ストラテジの説明図である。
【図４】図４は、実施例１と実施例２との違いを表した記録ストラテジ条件の説明図である。
【図５】図５は、記録ストラテジによるジッタ特性を表した説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      基板
２      第１の誘電体層（下部保護層）
３      記録層
４      第２の誘電体層（上部保護層）
５      金属反射層（反射放熱層）
６      環境保護層
【図１】
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【図２】
2007012269.tif 000007
【図３】
2007012269.tif 000008
【図４】
2007012269.tif 000009
【図５】
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