(57)【要約】【課題】直角な折り曲げ部を有する第１配線の内側近傍にくびれの無い第２配線を形成する。【解決手段】第１配線１１の折り曲げ部１１'の内側近傍に第２配線を形成する場合は、第１配線１１と同じ材料で形成された直角三角形のダミーパターン１２を、長辺に対向する頂点を第１配線１１の折り曲げ部１１'に位置させて形成する。こうして、第１配線１１の段差に起因して下地絶縁膜および上記第２配線の材料膜に形成される斜面領域１５に生ずるコーナー部を９０度よりも大きい鈍角のみにして、斜面領域１５の凹面鏡としての機能を低下させる。その結果、上記第２配線を形成する際のエッチングマスクとなるレジストパターン１３に、斜面領域１５のコーナー部からの反射に起因して発生するくびれの大きさを小さくすることができる。したがって、整形されたレジストパターン１３をマスクとして形成された第２配線には、くびれが無い。【選択図】図１
2007157957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されると共に、略直角の折り曲げ部を有する第１配線と、
上記第１配線における上記折り曲げ部の内側に、上記折り曲げ部の近傍に、上記第１配線に沿って、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成されたダミーパターンと、
上記第１配線および上記ダミーパターンを覆う絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成されると共に、上記第１配線における上記折り曲げ部の内側であって、上記第１配線の近傍であり、且つ、上記ダミーパターンよりも外側を通る第２配線と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記第１配線の折り曲げ部と上記第２配線との間隔は、３μm以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記絶縁膜に上記第１配線の段差に起因して形成される斜面領域に、上記折り曲げ部および上記ダミーパターンの存在に因って生ずるコーナー部の角度が、鈍角であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ダミーパターンは、三角形の形状を有すると共に、長辺に対向する頂点を上記折り曲げ部の位置に位置させて配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
上記三角形は、二等辺三角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、
上記三角形は、直角三角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ダミーパターンの形状は、１つの頂点を形成する２つの辺の端を、長さが１μm以下の辺によって階段状に接続してなる多角形であり、
上記ダミーパターンは、上記１つの頂点を上記折り曲げ部の位置に位置させて配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成されると共に、２箇所に略直角の折り曲げ部を有する第１配線と、
上記第１配線における上記両折り曲げ部の内側に、上記両折り曲げ部の近傍に、上記第１配線に沿って、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成された２つのダミーパターンと、
上記第１配線および上記２つのダミーパターンを覆う絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成されると共に、上記第１配線の上記２箇所の折り曲げ部の間であって、且つ、上記２つのダミーパターンよりも外側を通る第２配線と
を備え、
上記第１配線における各折り曲げ部と上記第２配線との間隔は、３μm以下である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
上記第１配線における上記両折り曲げ部の内側に形成された２つのダミーパターンは、互いに異なる形状を成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９の何れか一つに記載の半導体装置であって、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、直角な折り曲げ部を有する第１の配線と上記折り曲げ部の近傍に形成された第２の配線とを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路において、高集積化および高機能化を追及するために配線の微細化技術が不可欠となっている。すなわち、配線の微細化によって高集積を達成することが可能となり、もってチップサイズの縮小化や高機能化を図ることが可能となる。従来の配線形成方法を図６に示す。但し、図６(a)は平面図であり、図６(b)は図６(a)のＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【０００３】
図６において、先ず、半導体基板１上に第１配線２を形成した後、全面にＣＶＤ(化学気相成長)法によって下地絶縁膜３を形成し、次に、スパッタ法によって第２配線の材料膜４を形成する。しかる後に、上記第２配線を形成するために、フォト工程によって第２配線に対応した形状のレジストパターン５を形成する。そして、得られたレジストパターン５をマスクとして上記第２配線の材料膜４に対してエッチングを行うことにより、第２配線(図示せず)が形成されるのである。
【０００４】
ところが、図６(b)の断面図に示すように、上記第１配線２の段差に起因して下地絶縁膜３および第２配線の材料膜４には斜面領域６が形成されており、レジストパターン形成時に入射光が斜面領域６によって反射され、本来は露光されないはずであるレジストパターン５の側面に入射されることになる。その結果、レジストパターン５にくびれが発生するという不具合が生ずるのである。
【０００５】
上述の不具合に対して、例えば特開平５‐１１００２７号公報(特許文献１)等に、上記不具合を改善する方法が提案されている。すなわち、図７に示すように、第１配線２の近傍に形成されるためくびれの発生が予想されるようなレジストパターン７を形成する場合には、上記くびれの発生を考慮して、予め第２配線の所望の線幅よりも太くしたレジストパターン７を形成するのである。尚、図７(a)は平面図であり、図７(b)は図７(a)のＢ‐Ｂ'矢視断面図である。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載された従来の半導体装置には、以下のような問題がある。すなわち、図８および図９に示すように、下地絶縁膜３および第２配線の材料膜４に第１配線８に沿って斜面領域９が形成されるのであるが、第１配線８に直角の折り曲げ部が存在する場合には、この折り曲げ部の箇所においては、平面視において斜面領域９は丸みを持ったコーナー部９'を形成することになる。そして、この丸みを持ったコーナー部９'で反射された入射光は平面視において集光されるため、入射光の集光箇所がレジストパターン７上である場合には、レジストパターン７に発生するくびれ１０は、図９に示すように、上記第２配線の必要線幅を確保できない程度まで大きくなる。したがって、第１配線８における折り曲げ部が存在する部分では、レジストパターン７の線幅をさらにを太くする必要があり、チップサイズの増大を招き、高集積化を図ることができないのである。尚、図８(a)は平面図であり、図８(b)は図８(a)のＣ‐Ｃ'矢視断面図であり、図９は図８(a)のＤ‐Ｄ'矢視断面図である。
【０００７】
また、上記レジストパターン７に発生するくびれの程度を、正確に且つ安定して制御することが困難であるため、第２配線にくびれが発生することを完全に防止することができない。したがって、エレクトロンマイグレーションやストレスマイグレーションといった配線信頼性が確保できないという問題もある。
【特許文献１】特開平５‐１１００２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明の課題は、直角な折り曲げ部を有する第１の配線における上記折り曲げ部の近傍に形成された第２の配線にくびれが生じていない半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置は、
基板上に形成されると共に、略直角の折り曲げ部を有する第１配線と、
上記第１配線における上記折り曲げ部の内側に、上記折り曲げ部の近傍に、上記第１配線に沿って、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成されたダミーパターンと、
上記第１配線および上記ダミーパターンを覆う絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成されると共に、上記第１配線における上記折り曲げ部の内側であって、上記第１配線の近傍であり、且つ、上記ダミーパターンよりも外側を通る第２配線と
を備えたことを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、上記第１配線における上記折り曲げ部の内側に、上記折り曲げ部の近傍に、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに、ダミーパターンが形成されている。したがって、上記第１配線および上記ダミーパターンを覆って形成された絶縁膜には、上記第１配線およびダミーパターンの段差に起因して斜面領域が形成される。その場合に、上記折り曲げ部および上記ダミーパターンの存在に因って上記斜面領域に生ずるコーナー部の角度は、上記ダミーパターンの存在に因って鈍角となる。そのために、当該半導体装置の形成時において、上記絶縁膜上に第２配線の材料膜が形成され、さらにその上に、上記第２配線形成用のレジストパターンをフォト工程によって形成する際に、上記絶縁膜の斜面領域上に形成された上記第２配線の材料膜の斜面領域におけるコーナー部の角度も鈍角となる。
【００１１】
したがって、上記レジストパターン形成時に、露光用の入射光が上記第２配線の材料膜でなる上記斜面領域におけるコーナー部で反射する際の上記斜面領域の凹面鏡としての機能が大きく低下し、上記レジストパターン上に集光される光量の増加が防止される。そのため、上記レジストパターンに、上記斜面領域のコーナー部からの反射光に起因して発生するくびれが、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくなる。
【００１２】
このように、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さなくびれのみが生じているレジストパターンを整形して(上記小さなくびれが形成されている面を平らに均して)、マスクとして形成された第２配線にはくびれは生じない。したがって、高集積化が可能な半導体装置を得ることができるのである。また、上記第２配線にくびれがないため、上記第２配線の高信頼性を確保することができる。
【００１３】
さらに、上記ダミーパターンは、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成されている。したがって、上記ダミーパターンと上記第１配線とは、同じ一つの工程で作成することができる。
【００１４】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記第１配線の折り曲げ部と上記第２配線との間隔は、３μm以下である。
【００１５】
この実施の形態によれば、上記第１配線の折り曲げ部と上記第２配線との間隔が３μm以下であるため、上記絶縁膜および上記第２配線の材料膜でなる傾斜領域で反射された露光用の光は上記レジストパターンに当たることなる。したがって、上記傾斜領域のコーナー部からの反射光に起因して上記レジストパターンに発生するくびれを小さくできる効果が発揮される。
【００１６】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記絶縁膜に上記第１配線の段差に起因して形成される斜面領域に、上記折り曲げ部および上記ダミーパターンの存在に因って生ずるコーナー部の角度が、鈍角である。
【００１７】
この実施の形態によれば、当該半導体装置の形成時において、上記絶縁膜の斜面領域上に形成された第２配線の材料膜の斜面領域におけるコーナー部の角度も鈍角となる。したがって、上記レジストパターン形成時に、露光用の入射光が上記第２配線の材料膜でなる上記斜面領域におけるコーナー部で反射する際の上記斜面領域の凹面鏡としての機能が大きく低下し、上記斜面領域のコーナー部からの反射光に起因して上記レジストパターンに発生するくびれが、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくなる。
【００１８】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記ダミーパターンは、三角形の形状を有すると共に、長辺に対向する頂点を上記折り曲げ部の位置に位置させて配置されている。
【００１９】
この実施の形態によれば、上記ダミーパターンにおける上記長辺に対向する頂点を除く他の２つの頂点に因って上記絶縁膜の斜面領域に生ずる２つのコーナー部の角度は、鈍角となる。
【００２０】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記三角形は、二等辺三角形である。
【００２１】
この実施の形態によれば、上記ダミーパターンにおける上記長辺に対向する頂点を除く他の２つの頂点に因って上記絶縁膜の斜面領域に生ずる２つのコーナー部の角度は、同角度となる。さらに、上記三角形が直角二等辺三角形である場合には、上記２つのコーナー部の角度は１３５度となる。
【００２２】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記三角形は、直角三角形である。
【００２３】
この実施の形態によれば、上記ダミーパターンにおける上記長辺に対向する頂点を除く他の２つの頂点に因って上記絶縁膜の斜面領域に生ずる２つのコーナー部の角度は、互いに異なった角度となる。さらに、上記直角三角形の内角が３０度,６０度,９０度である場合には、内角が３０度の頂点に因って上記斜面領域に生ずるコーナー部の角度は１５０度となり、上記直角二等辺三角形の場合における１３５度よりも大きくなる。
【００２４】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記ダミーパターンの形状は、１つの頂点を形成する２つの辺の端を、長さが１μm以下の辺によって階段状に接続してなる多角形であり、
上記ダミーパターンは、上記１つの頂点を上記折り曲げ部の位置に位置させて配置されている。
【００２５】
この実施の形態によれば、上記ダミーパターンの形状を、三角形とは異なる形状にすることができる。
【００２６】
また、この発明の半導体装置は、
基板上に形成されると共に、２箇所に略直角の折り曲げ部を有する第１配線と、
上記第１配線における上記両折り曲げ部の内側に、上記両折り曲げ部の近傍に、上記第１配線に沿って、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成された２つのダミーパターンと、
上記第１配線および上記２つのダミーパターンを覆う絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成されると共に、上記第１配線の上記２箇所の折り曲げ部の間であって、且つ、上記２つのダミーパターンよりも外側を通る第２配線と
を備え、
上記第１配線における各折り曲げ部と上記第２配線との間隔は、３μm以下である
ことを特徴としている。
【００２７】
上記構成によれば、２箇所に略直角の折り曲げ部を有する第１配線における上記２箇所の折り曲げ部の間を第２配線が通る場合において、上記第１配線および２つのダミーパターンを覆って形成された絶縁膜には、上記第１配線およびダミーパターンの段差に起因して斜面領域が形成される。その場合、上記折り曲げ部および上記各ダミーパターンの存在に因って上記斜面領域に生ずるコーナー部の角度は鈍角となる。そのために、当該半導体装置の形成時において、上記絶縁膜上に第２配線の材料膜が形成され、さらにその上に、上記第２配線形成用のレジストパターンをフォト工程によって形成する際に、上記絶縁膜の斜面領域上に形成された上記第２配線の材料膜の斜面領域におけるコーナー部の角度も鈍角となる。
【００２８】
したがって、上記レジストパターン形成時に、露光用の入射光が上記第２配線の材料膜でなる上記斜面領域におけるコーナー部で反射する際の上記斜面領域の凹面鏡としての機能が大きく低下し、上記斜面領域のコーナー部からの反射光に起因して上記レジストパターンに発生するくびれが、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくなる。
【００２９】
さらに、上記２つのダミーパターンは、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに形成されている。したがって、上記両ダミーパターンと上記第１配線とは、同じ一つの工程で作成することができる。
【００３０】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記第１配線における上記両折り曲げ部の内側に形成された２つのダミーパターンは、互いに異なる形状を成している。
【００３１】
この実施の形態によれば、上記第２配線が上記第１配線における上記２箇所の折り曲げ部の中央を通過していても、上記第２配線の材料膜の斜面領域における一方のダミーパターンの存在に因るコーナー部からの反射光の上記レジストパターン上の集光位置と、他方のダミーパターンの存在に因るコーナー部からの反射光の上記レジストパターン上の集光位置とが、異なる位置になる。したがって、上記レジストパターンに発生するくびれの大きさを、さらに小さくすることができる。
【００３２】
また、１実施の形態の半導体装置では、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用されていることを特徴としている。
【００３３】
上記構成によれば、上述のような高信頼性を有する半導体装置を、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用している。したがって、安定して長期間に亘って定電圧を供給することができる定電圧供給デバイスを提供することができる。
【発明の効果】
【００３４】
以上より明らかなように、この発明の半導体装置は、第１配線における略直角の折り曲げ部の内側に、上記折り曲げ部の近傍に、上記第１配線と同じ材料で上記第１配線と同じ高さに、ダミーパターンを形成したので、当該半導体装置の形成時において、上記第１配線および上記ダミーパターンを覆って形成された絶縁膜とこの絶縁膜上に形成された第２配線の材料膜には、上記第１配線およびダミーパターンの段差に起因して斜面領域が形成される。その場合に、上記折り曲げ部および上記ダミーパターンの存在に因って上記斜面領域に生ずるコーナー部の角度は、上記ダミーパターンの存在に因って鈍角となる。
【００３５】
したがって、上記第２配線の材料膜の上に、上記第２配線形成用のレジストパターンをフォト工程によって形成する際に、露光用の入射光が上記斜面領域のコーナー部で反射する際の上記斜面領域の凹面鏡としての機能を大きく低下させることができ、上記レジストパターン上に集光される光量の増加を防止することができる。その結果、上記レジストパターンに、上記斜面領域のコーナー部からの反射光に起因して発生するくびれが、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくすることができるのである。
【００３６】
このように、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さなくびれのみが生じているレジストパターンを整形し、この整形されたレジストパターンをマスクとして形成された第２配線にはくびれは生じていない。したがって、この発明によれば、高集積化が可能な半導体装置を得ることができるのである。また、上記第２配線にくびれがないため、上記第２配線の高信頼性、挽いては当該半導体装置の高信頼性を確保することができる。
【００３７】
また、上記高信頼性を有する半導体装置を、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用すれば、安定して長期間に亘って定電圧を供給することができる定電圧供給デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３９】
・第１実施の形態
図１は、本実施の形態の半導体装置における配線パターンを示す図である。尚、詳細な説明は省略するが、本実施の形態の場合にも、図６〜図９に示す場合と同様に、半導体基板上に第１配線が形成され、さらに全面に下地絶縁膜が形成され、次に、全面に第２配線の材料膜が形成される。そうした後に、上記第２配線を形成するために、フォト工程によって上記第２配線の材料膜上に上記第２配線に対応した形状のレジストパターンが形成される。このレジストパターンをマスクとして上記材料膜に対してエッチングを行うことによって、上記第２配線が形成される。
【００４０】
図１において、第１配線１１には、直角に折れ曲がった折り曲げ部１１'が存在している。そして、第１配線１１における折り曲げ部１１'の内側には、第１配線１１と同じ材料で形成されたダミーパターン１２が、上記半導体基板上における折り曲げ部１１'の極近傍に配置されている。このダミーパターン１２の形状は、直角二等辺三角形であり、長辺に対向する頂点を第１配線１１の折り曲げ部１１'の位置に位置させて第１配線１１に沿って配置されている。
【００４１】
上記ダミーパターン１２を配置しない従来の半導体装置では、上述したように、第１配線の折り曲げ部では斜面領域が平面視で丸みを持った形状となり、凹面鏡として機能するために、斜面領域で反射された入射光は第２配線のエッチングマスクとなるレジストパターン上に集光される。その結果、上記レジストパターンに発生するくびれは、第２配線の必要線幅を確保できない程度までに大きくなってしまう。
【００４２】
これに対して、本実施の形態においては、上記第１配線１１の折り曲げ部１１'の内側には、直角二等辺三角形のダミーパターン１２を配置するようにしている。したがって、ダミーパターン１２を含めた第１配線１１の折り曲げ部１１'における上記下地絶縁膜および上記第２配線の材料膜でなる斜面領域１５には、９０度よりも大きい鈍角のコーナー部のみが存在することになり、斜面領域１５の凹面鏡としての機能が大きく低下することになる。そのため、第２配線のエッチングマスクとなるレジストパターン１３に、斜面領域１５の上記コーナー部からの反射に起因して発生するくびれの大きさを、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくすることができるのである。
【００４３】
また、図１に示す領域１４においては、入射光の反射源となる斜面領域１５のコーナー部１６がレジストパターン１３の下になることによってコーナー部１６からの反射は一切なくなり、上記第２配線のレジストパターン１３にはコーナー部１６からの反射に起因するくびれは一切発生しなくなる。
【００４４】
尚、上記第１配線１１の折り曲げ部１１'の内側に、第１配線１１の直線部からの距離が３μmを超えた領域に上記第２配線が形成される場合には、上記下地絶縁膜および上記第２配線の材料膜でなる傾斜領域１５で反射された光はレジストパターン１３には当たらず、レジストパターン１３にはくびれが発生しない。したがって、上述した傾斜領域１５のコーナー部からの反射光に起因して第２配線のレジストパターン１３に発生するくびれの大きさを小さくできる効果は、第１配線１１における折り曲げ部１１'の内側に、第１配線１１の直線部からの距離が３μm以内の領域に上記第２配線が形成される場合に発揮されるのである。
【００４５】
また、上記ダミーパターン１２の形状は、上記直角二等辺三角形に限定されるものではなく、直角二等辺三角形以外の三角形であっても一向に構わない。図２に示すように、二等辺三角形以外の三角形を有するダミーパターン１７を配置した場合でも、ダミーパターン１７を含めた第１配線１１の折り曲げ部１１'における斜面領域１９には、９０度よりも大きい鈍角のコーナー部のみが存在することになり、斜面領域１９の凹面鏡としての機能を大きく低下させることが可能になるのである。
【００４６】
また、図２の場合のように、上記第２配線の位置が第１配線１１の折り曲げ部１１'に近い場合には、ダミーパターン１７の形状としては二等辺三角形以外の三角形が好ましい場合がある。すなわち、図２に示すように、三角形の内角の夫々が９０度,６０度,３０度のダミーパターン１７を配置しても、上記第２配線の位置が第１配線１１の折り曲げ部１１'に近い場合には、領域１８においては、入射光の反射源となる斜面領域１９のコーナー部２０がレジストパターン１３の下になることによってコーナー部２０からの反射は一切なくなり、上記第２配線のレジストパターン１３にはコーナー部２０からの反射に起因するくびれは一切発生しなくなる。
【００４７】
さらに、上記ダミーパターン１７における内角が３０度の頂点近傍に位置する領域２１においては、斜面領域１９のコーナー部の角度が１５０度となり、直角二等辺三角形を配置した場合の上記コーナー部の角度(図１参照)１３５度よりも更に大きい鈍角となる。したがって、凹面鏡としての機能を更に大きく低下させることが可能になる。
【００４８】
また、図３に示すように、ダミーパターン２２の形状は、図１あるいは図２に示すような三角形の斜辺を一辺の長さが１μm以下の階段状の辺に置き換えた多角形(つまり、１つの頂点を形成する２つの辺の端を長さが１μm以下の辺によって階段状に接続してなる多角形)の形状であっても構わない。このように、一辺の長さが１μm以下の階段状の辺を有するダミーパターン２２の場合であっても、斜面領域２３のコーナー部における凹面鏡としての機能を大きく低下させることが可能になるため、レジストパターン１３に当たる反射光量が大幅に減少し、斜面領域２３の上記コーナー部からの反射に起因してレジストパターン１３に発生するくびれの大きさを、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくすることができるのである。
【００４９】
しかしながら、上記階段状の一辺の長さが１μmより大きくなった場合には、上記階段状のパターンの夫々は配線の折り曲げ部と見なされるため、夫々の折り曲げ部に対応する斜面領域のコーナー部が凹面鏡として機能することになり、レジストパターン１３に発生するくびれの大きさが上記第２配線の必要線幅を確保できない程度にまで大きくなってしまう。したがって、上記階段状の一辺は、１μm以下である必要がある。
【００５０】
以上のように、本実施の形態においては、第１配線１１における折り曲げ部１１'の内側に、第１配線１１の直線部からの距離が３μm以内の領域に第２配線を形成する場合には、折り曲げ部１１'と上記第２配線との間における折り曲げ部１１'の近傍に、第１配線１１と同じ材料で形成された直角三角形のダミーパターン１２,１７を、長辺に対向する頂点を第１配線１１の折り曲げ部１１'の位置に位置させて形成している。したがって、第１配線１１の段差に起因して上記下地絶縁膜および上記第２配線の材料膜に形成された斜面領域１５,１９に、折り曲げ部１１'およびダミーパターン１２,１７の存在に起因して生ずるコーナー部は９０度よりも大きい鈍角のみが存在することになり、斜面領域１５,１９の凹面鏡としての機能を低下させることができる。
【００５１】
その結果、上記第２配線を形成する際のエッチングマスクとなるレジストパターン１３に、斜面領域１５,１９の上記コーナー部からの反射に起因して発生するくびれの大きさを、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくすることができるのである。
【００５２】
その際に、上記ダミーパターン１２,１７における上記第２配線に最も近い頂点に対応する斜面領域１５,１９のコーナー部１６,２０がレジストパターン１３の下になるため、コーナー部１６,２０からの反射は一切なくなる。したがって、上記第２配線のレジストパターン１３には、コーナー部１６,２０からの反射に起因するくびれは一切発生しなくなる。
【００５３】
さらに、上記ダミーパターン１２,１７は、第１配線１１と同じ材料で、第１配線１１同様に上記半導体基板上に同じ高さで形成されている。したがって、ダミーパターン１２,１７と第１配線１１とは、同じ一つの工程で作成することができる。
【００５４】
また、上記ダミーパターン２２の形状は、１つの頂点を形成する２つの辺の端を長さが１μm以下の辺によって階段状に接続してなる多角形、より端的に言えば、上記直角三角形の斜辺を一辺の長さが１μm以下の階段形状の辺に置き換えた多角形であっても構わない。
【００５５】
・第２実施の形態
図４および図５は、本実施の形態の半導体装置における配線パターンを示す図である。以下、本実施の形態における半導体装置を、図４および図５を参照しながら説明する。
【００５６】
図４に示す半導体装置では、第１配線３１には２箇所に直角の折り曲げ部３１',３１''が存在しており、第２配線の両側３μm以内の領域に第１配線３１の折り曲げ部３１',３１''が存在している。そして、各折り曲げ部３１',３１''の内側には、大きさの異なる直角三角形のダミーパターン３２,３３が、長辺に対向する頂点を折り曲げ部３１',３１''の位置に位置させて配置されている。
【００５７】
上記第１実施の形態の場合と同様に、上記第１配線３１の折り曲げ部３１',３１''の近傍に、ダミーパターン３２,３３を配置することによって、上記第２配線のエッチングマスクとなるレジストパターン３４を形成する際に、上記下地絶縁膜および上記第２配線の材料膜に形成される斜面領域３５のコーナー部からの反射光を分散し、凹面鏡としての機能を低下させることができる。したがって、斜面領域３５の上記コーナー部からの反射に起因してレジストパターン３４に発生するくびれの大きさを、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度に小さくすることができる。
【００５８】
さらに、本実施の形態においては、上記第１配線３１の折り曲げ部３１'の近傍に配置するダミーパターン３２と折り曲げ部３１''の近傍に配置するダミーパターン３３との大きさを、異なる大きさにしている。したがって、斜面領域３５におけるダミーパターン３２に対応するコーナー部からの反射光におけるレジストパターン３４上の集光位置と、ダミーパターン３３に対応するコーナー部からの反射光におけるレジストパターン３４上の集光位置とが、異なる位置になる。したがって、レジストパターン３４に発生するくびれの大きさを、さらに小さくすることができるのである。
【００５９】
尚、上記斜面領域３５における夫々のコーナー部からの反射光の集光位置が同一である場合には、反射光の干渉効果によってレジストパターン３４に発生するくびれが大きくなることが懸念される。そのような場合には、上述のようにダミーパターン３２,３３の大きさや形状を変化させることによって、反射光の集光位置をずらずことが必要になる。
【００６０】
図５は、上記第１配線３１の折り曲げ部３１'の近傍に配置するダミーパターン３６と折り曲げ部３１''の近傍に配置するダミーパターン３７との大小関係を、図４の場合とは逆にダミーパターン３６の方を大きくしている。さらに、ダミーパターン３６の形状も図４の場合とは異なる形状にした例である。
【００６１】
ここで、上記各実施の形態において、上記第１配線１１,３１の折り曲げ部１１',３１',３１''の折り曲げ角度を表す上記「直角」とは、第１配線１１,３１を形成する際の誤差も含めて、目視によって略直角であると見なせる角度を含む概念である。
【００６２】
尚、上記各実施の形態における半導体装置によれば、上記斜面領域１５,１９,２３,３５,３８におけるコーナー部からの反射に起因してレジストパターン１３,３４に発生するくびれの大きさを、上記第２配線の必要線幅を確保できる程度までに小さくすることができる。したがって、上記小さなくびれが形成されている面を平らに均したレジストパターン１３,３４を用いて形成された第２配線にはくびれがなく、高集積化が可能な半導体装置を得ることができる。また、上記第２配線にくびれがなく、上記第２配線は必要な線幅を有しているため、上記第２配線の高信頼性を確保することができる。
【００６３】
このような高信頼性を有する半導体装置は、定電圧供給デバイスを構成する素子に使用されることによって、安定して長期間に亘って定電圧を供給することができる定電圧供給デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明の半導体装置における配線パターンを示す図である。
【図２】図１とは異なる配線パターンを示す図である。
【図３】図１および図２とは異なる配線パターンを示す図である。
【図４】図１とは異なる半導体装置における配線パターンを示す図である。
【図５】図４とは異なる配線パターンを示す図である。
【図６】従来の配線形成方法を示す図である。
【図７】図６とは異なる従来の配線形成方法を示す図である。
【図８】図７に示す配線形成方法の問題点を示す図である。
【図９】図８(a)のＤ‐Ｄ'矢視断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１１,３１…第１配線、
１１',３１',３１''…折り曲げ部、
１２,１７,２２,３２,３３,３６,３７…ダミーパターン、
１３,３４…レジストパターン、
１５,１９,２３,３５,３８…斜面領域、
１６,２０…コーナー部。
【図１】
2007157957.tif 000003
【図２】
2007157957.tif 000004
【図３】
2007157957.tif 000005
【図４】
2007157957.tif 000006
【図５】
2007157957.tif 000007
【図６】
2007157957.tif 000008
【図７】
2007157957.tif 000009
【図８】
2007157957.tif 000010
【図９】
2007157957.tif 000011