(57)【要約】【課題】  圧電基板をカットして形成される小型の高周波タイプの圧電振動片であって、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電振動片とその製造方法ならびに、これを利用した圧電デバイスを提供すること。【解決手段】  圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更する。【選択図】  図１
2007088691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、
前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、
該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、
該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更する
ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
前記計測結果と、圧電振動片を構成する基板および該基板に形成された前記駆動電極の厚みが不揃いである場合のいくつかの典型形状とを予め対応させて設定しておき、前記計測結果に応じて、対応する前記典型形状を決定し、該典型形状に即して前記駆動電極の加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
前記圧電振動片が水晶を加工して形成した高周波タイプの水晶振動片であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
パッケージまたはケース内に圧電振動片を収容した圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電振動片が、
圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、
前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、
該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、
該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更する
ことにより製造され、
さらに前記圧電振動片を前記パッケージなどに収容し封止する
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
圧電基板を加工して駆動電極を形成するようにした圧電振動片であって、
前記駆動電極に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更することにより調整されている
ことを特徴とする圧電振動片。
【請求項６】
パッケージまたはケース内に圧電振動片を収容した圧電デバイスであって、
前記圧電振動片が、
圧電基板を加工して駆動電極を形成するようにした圧電振動片であって、
前記駆動電極に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更することにより調整されている
ことを特徴とする圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板をカットして形成される圧電振動片とその製造方法ならびに、これをパッケージやケースに収容した圧電デバイスとその製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
従来の圧電デバイスは、パッケージ内に、例えば、圧電材料で形成した圧電振動片を収容している。
圧電振動片は、例えば水晶ウエハを矩形にエッチングして駆動用の電極を設けることにより形成されている。
【０００３】
このような構成の圧電デバイス（圧電振動片）には、図１０（ａ）に示すように主振動モードｆ０と、主振動以外の振動モード（副振動モードもしくはスプリアス）ｆｓが生じる。
また、図１０（ｂ）は、圧電振動片の周波数−温度特性の一例を示しており、圧電振動片およびこれを利用して形成した圧電振動子などにおいては、環境温度の変化によって、周波数が連続的に変化するとともに、特定の温度、すなわち、図１０（ｂ）の場合には、符号Ａで示すように、摂氏１５０度において、周波数が急激に、不連続に変化する箇所があり、これを「温特（温度特性）ディップ（Ｄｉｐ）」と呼んでいる。
このような温特ディップが、圧電振動子などの使用温度域で生じると、例えば、突然の通信エラーなどにつながり、好ましくない。
【０００４】
ここで、周波数３８．４ＭＨｚ（メガヘルツ）の水晶振動片について、理想の状態（図１１）と、その厚みにバラツキがある状態（図１２）とを比較して説明する。
図１１は、左縦軸に周波数変化、右縦軸にＣＩ（クリスタルインピーダンス）をとったものである。図示されているように、周波数偏差Ｄ−１についてみると、周波数−温度特性が理論値であれば、周波数変化はなだらかであり、ＣＩ値もＣ−１に示すように温度変化を通じて一定である。なお、周波数偏差の理論値と実測値の差であるＥ−１は、ほとんど変化がない。
【０００５】
これに対して、高周波タイプの水晶振動片を実際に制作すると、多くは図１２のような状態となる。すなわち、図示されているように、周波数偏差Ｄ−２については、符号Ｈの箇所でディップが生じており、周波数−温度特性が理論値とは大きく異なっている。このため、ＣＩ値もＣ−２に示すようにディップの箇所では急激な変化を示し、周波数偏差の理論値と実測値の差であるＥ−２も極端に大きな変化を示している。
【０００６】
ここで、上述のような温特ディップは、図１０（ａ）で説明したスプリアスｆｓの周波数と関係する別モードのスプリアスが主振動ｆ０と共振した結果生じると考えられている。
そこで、従来では、例えば矩形の圧電振動片（圧電チップ）の固定箇所（パッケージなどへの接合箇所）である端縁部もしくは周縁部の厚みを薄くする加工を行い、主振動以外の振動モードを抑制するものとして、振動する中心部と、固定される周縁部で厚みに差をつけた所謂コンベックスタイプと呼ばれる圧電振動片が使用されており、例えば特許文献１などに詳しく紹介されている。
【０００７】
しかしながら、製品に要求される周波数が高くなると、圧電振動片の板厚は薄くしなければならず、このような高周波タイプでしかも小型のものでは中央部と周縁部で厚みに差をつけにくく、他の手法を必要とする。
【０００８】
そこで、特許文献２では、圧電振動片を形成する圧電基板に設ける電極を非対称にして、特定の副振動モードすなわちスプリアスを抑制する手法が知られている。
しかしながら、これは、本発明者の実験により確認されたところでは、周波数のきわめて高いピークが立つ場合に、たしかにこれを半分程度にはできるが、これを、必要とされる程度である１／１０レベルにすることは困難である。
すなわち、特許文献２では、スプリアスを抑制する手法をとっており、これは特定のスプリアスは抑制できても抑制の程度が不十分なだけでなく、さらに他のスプリアスは抑制されず、多くのスプリアスが生じる場合には、特に不都合が多い。
【０００９】
そこで、スプリアス自体を抑制するのではなく、図１０（ａ）に示す主振動モードｆ０と副振動モードｆｓの間隔Ｂを変えて、圧電振動片などの使用温度域において、ディップが生じないようにする方法もある。
すなわち、特許文献３では、特定の加工を行うことで、上記間隔Ｂを変更している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３１４２１０
【特許文献２】特開２００３−３０９４４６
【特許文献３】特開２００３−５７２８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献３の方法も、圧電材料でなる基板を削る手法であることから、圧電振動片が小型になり、しかも高周波タイプになると、上記した理由により採用できない。
【００１２】
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、圧電基板をカットして形成される小型の高周波タイプの圧電振動片であって、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電振動片とその製造方法ならびに、これを利用した圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の目的は、第１の発明にあっては、圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更する圧電振動片の製造方法により、達成される。
第１の発明の構成によれば、本願発明では、圧電振動片を形成して、その周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更するようにしている。このような手法を採用するのは、従来の圧電振動片において既に説明したように、温度特性ディップが性能に悪影響を及ぼす温度領域で生じるのは、結局、当該圧電振動片の材料（基板）厚みと、その駆動電極の厚みとが不揃いになるからであるという知見を持ったためである。
すなわち、材料厚み及びその表面の駆動電極の厚みを合わせた全体厚みが、圧電振動片の表面において不均一である場合には、当該厚みの異なる箇所毎に、異なるスプリアスが発生する原因となると見られる。
さらに、本発明者によれば、材料厚みすなわち基板厚み及びその表面の駆動電極の厚みを合わせた全体厚みを均一にすることにより、スプリアスに基づいて生じる温度特性ディップを、これが生じても問題とならない温度域にずらすことができることを見出した。
このような方法により温度特性ディップを調整することにより、該温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電振動片の製造方法を提供することができる。
【００１４】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記計測結果と、圧電振動片を構成する基板および該基板に形成された前記駆動電極の厚みが不揃いである場合のいくつかの典型形状とを予め対応させて設定しておき、前記計測結果に応じて、対応する前記典型形状を決定し、該典型形状に即して前記駆動電極の加工を行うことを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、基板および該基板に形成された前記駆動電極の厚みが不揃いである場合の形状を、周波数−温度特性の計測結果と関連づけて、予めいくつかの典型形状に分類して用意しておくことにより、前記駆動電圧の加工の要否や程度などを容易に判断して決定することができる。
【００１５】
第３の発明は、第１または２のいずれかの発明の構成において、前記圧電振動片が水晶を加工して形成した高周波タイプの水晶振動片であることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、中央部の厚みと周縁部の厚みを異ならせたＡＴカット振動片である所謂コンベックスタイプと呼ばれる高周波タイプの圧電振動片では、基板自体に厚みの差があるので、それ以上基板厚に差をつけることは困難であることから、電極の厚みを減じる手法は効果的である。
【００１６】
また、上記目的は、第４の発明にあっては、パッケージまたはケース内に圧電振動片を収容した圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電振動片が、圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更することにより製造され、さらに前記圧電振動片を前記パッケージなどに収容し封止する圧電デバイスの製造方法により、達成される。
第４の発明の構成によれば、第１の発明で説明したのと同じ原理により、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１７】
さらにまた、上記目的は、第５の発明にあっては、圧電基板を加工して駆動電極を形成するようにした圧電振動片であって、前記駆動電極に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更することにより調整されている圧電振動片により、達成される。
第５の発明の構成によれば、第１の発明で説明したのと同じ原理により、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電振動片を提供することができる。
【００１８】
また、上記目的は、第６の発明にあっては、パッケージまたはケース内に圧電振動片を収容した圧電デバイスであって、前記圧電振動片が、圧電基板を加工して駆動電極を形成するようにした圧電振動片であって、前記駆動電極に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更することにより調整されている圧電デバイスにより、達成される。
第６の発明の構成によれば、第１の発明で説明したのと同じ原理により、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１および図２は、本発明の圧電デバイスの実施形態を示しており、図１は圧電デバイスの概略断面図、図２は図１の圧電デバイスに収容された圧電振動片の概略斜視図である。
図１において、圧電デバイス３０は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス３０のパッケージ３１内に圧電振動片４０を収容している。
パッケージ３１は、セラミックが適しており、特に、好ましい材料としては圧電振動片４０や、後述する蓋体の熱膨張係数と一致もしくは、きわめて近い熱膨張係数を備えたものが選択され、この実施形態では、例えば、セラミックのグリーンシートが利用されている。グリーンシートは、例えば、所定の溶液中にセラミックパウダを分散させ、バインダを添加して生成される混練物をシート状の長いテープ形状に成形し、これを所定の長さにカットして得られるものである。
【００２０】
すなわち、パッケージ３１は、図１の形状に成形したグリーンシートを積層し、焼結して形成することができる。この場合、パッケージ３１の底部を構成する基板には、電極部３３が形成されている。
上記基板に重ねられるグリーンシートは、内側の材料が除去された枠状のものであり、これを上記基板に重ねることで、パッケージ３１は内部空間Ｓを有する箱状の収容体とされている。この内部空間Ｓを利用して、圧電振動片４０を収容するようにしている。このパッケージ３１には、セラミックやガラスあるいはコバールなどの金属で形成された蓋体３５が低融点ガラスやニッケルなどを介して接合されている。これにより、パッケージ３１は気密に封止されている。
【００２１】
パッケージ３１を形成するセラミック材料の上には、例えば、銀・パラジウムなどの導電ペーストもしくはタングステンメタライズなどの導電ペーストなどを用いて、必要とされる導電パターンを形成後に、焼結をした後で、ニッケルおよび金もしくは銀などを順次メッキして、上述した電極部３３が形成されている。
該電極部３３は、パッケージ３１の底面に露出した実装端子３２，３２と図示しない導電パターンにより接続されている。この電極部３３と実装端子３２とを接続するための導電パターンは、パッケージ３１の形成時に利用されるキャスタレーション（図示せず）の表面に形成して、パッケージ３１の外面を引き回してもよいし、あるいはパッケージ３１の底部を構成する絶縁基板を貫通する導電スルーホールなどにより接続してもよい。
【００２２】
圧電振動片４０は、図２に示すように、例えば圧電材料により形成されたウエハを厚みの薄い矩形の基板４３となるように加工した、所謂、ＡＴカット振動片により、圧電チップである振動片個片が形成されている。圧電材料として、例えば、この実施形態では水晶が使用されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。また、圧電チップの形状もフラットタイプに限らず、コンベックスタイプや、逆メサ型の振動片を用いることができる。
特に、基板４３の中央部の厚みと周縁部の厚みを異ならせたＡＴカット振動片である所謂コンベックスタイプと呼ばれる高周波タイプの圧電振動片では、基板自体に厚みの差があるので、それ以上基板厚に差をつけることは困難であることから、後述する本実施形態の手法が適している。
【００２３】
基板４３である振動片の個片としての圧電チップの表面には、駆動用の電極として、励振電極４１が形成されている。励振電極４１は、圧電チップの積極的に振動させようとする領域に形成され、圧電材料に駆動電圧を印加することで、材料内に効率よく電界を生じさせ、励振するためのものである。励振電極４１は、図２のＩ−Ｉ概略断面図である図３に示すように、基板４３の裏面にも同様の形態で形成されている。
また、図２に示すように、励振電極４１は、それぞれ圧電振動片４０の長さ方向の端部において、その幅方向の両端にそれぞれ形成された接続電極である引出し電極４２，４２に対して、各別に接続されている。各引出し電極４２，４２は圧電チップの側面を回り込んで、裏面にも形成されている。
【００２４】
このような圧電振動片４０は、図１に示されているように、パッケージ３１側の電極部３３の上に片持ち式に接合されている。
これにより、パッケージ３１の外部から実装端子３２，３２を介して供給された駆動電圧は、パッケージ３１側の電極部３３から導電性接着剤３４および圧電振動片４０の引出し電極４２を介して、励振電極４１に印加される。したがって、圧電振動片４０の主面は圧電作用により厚みすべり振動することで、駆動されるようになっている。
【００２５】
なお、パッケージ３１を箱状ではなく、単なる絶縁基板として、その上に電極を形成し、浅い箱状とした蓋体（図示せず）により、圧電振動片４０を気密に封止する形式のパッケージを用いてもよい。あるいは、圧電振動片４０に外部の駆動電圧源と接続したプラグを接続し、一端を閉止した金属製の筒状のケースに圧電振動片４０を差し入れて、このプラグによりケースを気密に封止するようにしてもよい（図示せず）。
【００２６】
（圧電デバイスの製造方法）
次に、上記した圧電デバイス３０の製造方法の実施形態を説明する。
図４は、圧電デバイス３０の製造工程の一例を示すフローチャートであり、図４ならびに関連する図面を適宜参照しながら、説明する。
先ず、圧電振動片４０を形成する。
【００２７】
そのために、上述したように、例えば水晶ウエハが使用される。この場合、水晶ウエハは水晶の結晶軸に関して、Ｘ軸が電気軸、Ｙ軸が機械軸及びＺ軸が光学軸となるように、水晶の単結晶から切り出されることになる。また、水晶の単結晶から切り出す際、上述のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる直交座標系において、Ｚ軸から３５、１５度傾けた面で切り出したＡＴカット水晶板を得る（ＳＴ１）。このＡＴカット水晶片が圧電素子片である。
【００２８】
次に、上記圧電素子片であるＡＴカット水晶板の主面を研磨して平坦度を持たせて（ＳＴ２）、所謂水晶ウエハを形成し、さらにこれを個片にカットするチップ加工を行い水晶チップ、すなわち、図２で示した矩形の基板４３である圧電チップを得る（ＳＴ３）。圧電チップは主面をエッチングされることにより上記研磨の加工による残存応力を除去されて、周波数を粗調整される。
【００２９】
続いて、圧電チップの全面に蒸着などにより電極金属を成膜する。電極金属は、例えば、クロム（Ｃｒ）を下地として金（Ａｕ）を成膜することにより、形成され、図２で示した励振電極４１や引出し電極４２を作るように、フォトリソグラフィの手法などにより、電極が形成される（ＳＴ４）。
次に、上記工程と別に形成されたパッケージ３１側の電極部３３の上に導電性接着剤３４を塗布し、その上に圧電振動片４０の図２で説明した各引出し電極４２が形成されている基端部もしくは一端部を載置する。そして、これら導電性接着剤３４を加熱して硬化させることにより圧電振動片４０をパッケージ３１の内側底面に片持ち式に接合する（ＳＴ５）。
ここで、導電性接着剤３４としては、所定の合成樹脂でなるバインダー成分に、銀粒子などの導電粒子を添加したものを使用することができる。また、圧電振動片４０は必ずしも片持ち式でなく、先端側の一部をパッケージ３１の内側底面に形成した凸部（枕部）に載置した構成としてもよい。
【００３０】
そして、圧電振動片４０に対して、パッケージ３１の実装端子３２などから駆動電圧を印加し、圧電振動片４０を駆動してその周波数を計測して、計測結果に基づいて、励振電極４１の一部を削減することで、重量を減じて周波数調整する（ＳＴ６）。
この周波数調整工程では、さらに、周囲の温度環境を変化させて駆動電圧を印加し、温度変化に応じた周波数を計測して圧電振動片４０の温度−周波数特性を合わせて計測し、その結果に応じて調整を行う。その手法は後で詳しく説明する。
【００３１】
次に、パッケージ３１を真空チャンバー内に移し、セラミックやガラスあるいはコバールなどの金属で形成された蓋体３５を低融点ガラスやニッケルなどを介して真空雰囲気下で接合する。これにより、パッケージ３１は気密に封止される（ＳＴ７）。
最後に必要な検査を経て（ＳＴ８）、圧電デバイス３０が完成する。
【００３２】
次に圧電振動片４０の温度−周波数特性の調整方法の実施形態について図５ないし図９を参照して説明する。
ここでは、好ましくない温度−周波数特性を示す場合の基板（４３−１、４３−２、４３−３）およびその表面の励振電極４１−１、４１−２、４１−３）の典型形状について、図５、図７、図９にそれぞれ示し、これらについて、調整する場合の手法を順次説明する。なお、典型形状はいずれも理解の便宜のため極端な形状を示しているが、いずれの場合においても表面形状は全体に凸や凹となっているわけではなく、基板や励振電極の表面状態に関して全体として不均一となっている場合の傾向を表すものである。
【００３３】
すなわち、圧電振動片４０の基板厚み（材料厚み）及びその表面の励振電極４１の厚みを合わせた全体厚みが、圧電振動片４０の表面において不均一である場合には、当該厚みの異なる箇所毎に、異なるスプリアスが発生する原因となるという本発明者の独自の知見に基づいて、調整加工をするものである。その方法とは、本発明者によれば、材料厚みすなわち基板４３の厚み及びその表面の励振電極４１の厚みを合わせた全体厚みを均一にすることにより、スプリアスに基づいて生じる温度特性ディップを、これが生じても問題とならない温度域にずらすことができるというものである。
【００３４】
図５は好ましくない温度−周波数特性を示す第１の例であり、基板４３−１は上に凸の状態で、しかも励振電極４１−１も上に凸の状態であることから、基板４３−１の厚み及びその表面の励振電極４１−１の厚みを合わせた全体厚みとして上に凸の状態である。
この場合には、図６（ａ）に示すように、主振動ｆ０に対して、副振動ｆｓは鎖線に示すような位置にあり、図１０で説明した距離Ｂが大きく離れている。
このため、図６（ｂ）に鎖線で示すように、温特ディップＡは比較的高い温度域にある。
【００３５】
そこで、図５に示すように、励振電極４１−１について鎖線で示した部分を減少させるように加工する。すなわち、励振電極４１−１について、例えばレーザ光を照射して、平坦になるように減少加工する。
これにより、図６（ａ）に実線で示すように副振動ｆｓを矢印Ｊ１の方向に移動させることができ、図６（ｂ）の温特ディップＡをより低い温度域にずらすことができ、例えば図１０（ｂ）と同等の摂氏１５０度程度の箇所に移動させることができる。
【００３６】
図７は好ましくない温度−周波数特性を示す第２の例である。この例では、基板４３−２の上面が下に凸の状態で、しかも励振電極４１−２の上面も下に凸の状態であることから、基板４３−２の厚み及びその表面の励振電極４１−２の厚みを合わせた全体厚みとして下に凸の傾向にある。
この場合には、図８（ａ）に示すように、主振動ｆ０に対して、副振動ｆｓは鎖線に示すような位置にあり、図１０で説明した距離Ｂが小さくなり接近している。
このため、図８（ｂ）に鎖線で示すように、温特ディップＡは比較的低い温度域にある。
【００３７】
そこで、図７に示すように、励振電極４１−２について鎖線で示した部分（励振電極４１−２の上面）を平坦にするように、電極を膜の厚みを増加させるように加工する。すなわち、励振電極４１−２について、例えば蒸着もしくはスパッタリングにより部分的に電極膜を増加させて、あわせて、必要により、上面が平坦になるような減少加工する。
これにより、図８（ａ）に実線で示すように副振動ｆｓを矢印Ｋ１の方向に移動させることができ、図８（ｂ）の温特ディップＡをより高い温度域にずらすことができ、例えば図１０（ｂ）と同等の摂氏１５０度程度の箇所に移動させることができる。
【００３８】
図９は好ましくない温度−周波数特性を示す第３の例であり、基板４３−３は平坦な状態であるが、励振電極４１−３が上に凸の状態であることから、基板４３−３の厚み及びその表面の励振電極４１−３の厚みを合わせた全体厚みとして上に凸の状態である。
【００３９】
そこで、図９に示すように、励振電極４１−３について鎖線で示した部分を減少させるように加工する。すなわち、励振電極４１−３について、例えばレーザ光を照射して、平坦になるように減少加工する。
これによる調整の様子は図６で説明した場合と同じである。
すなわち、加工前においては、図６（ａ）で説明したように、主振動ｆ０に対して、副振動ｆｓは鎖線に示すような位置にあり、図１０で説明した距離Ｂが大きく離れている。
このため、図６（ｂ）に鎖線で示すように、温特ディップＡは比較的高い温度域にある。
これに対して、図９のような加工を施すことで、図６（ａ）に実線で示すように副振動ｆｓを矢印Ｊ１の方向に移動させることができ、図６（ｂ）の温特ディップＡをより低い温度域にずらすことができ、例えば図１０（ｂ）と同等の摂氏１５０度程度の箇所に移動させることができるのは、図５の場合と同様である。
【００４０】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージやケースを利用し、内部に圧電振動片を収容するものであれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電デバイスの概略断面図。
【図２】図１の圧電デバイスに収容される圧電振動片の概略斜視図。
【図３】図２の圧電振動片のＩ−Ｉ線概略断面図。
【図４】実施形態の圧電デバイスの製造方法の一例を示すフローチャート。
【図５】実施形態において、電極の加工の様子を示す説明図。
【図６】図５の加工による作用を説明する図。
【図７】実施形態において、電極の加工の様子を示す説明図。
【図８】図７の加工による作用を説明する図。
【図９】実施形態において、電極の加工の様子を示す説明図。
【図１０】圧電デバイス（圧電振動片）において、その副振動（スプリアス）と、温度特性ディップの関係を説明する図。
【図１１】圧電デバイス（圧電振動片）において、温度特性ディップとＣＩ値との関係を示すグラフ。
【図１２】圧電デバイス（圧電振動片）において、温度特性ディップとＣＩ値との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４２】
３０・・・圧電デバイス、３１・・・パッケージ、４０・・・圧電振動片、４１・・・励振電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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