(57)【要約】【課題】  フリップチップ実装構造体に液状樹脂を充填してアンダーフィルを形成する際に、ボイド残留の発生を防止し、電気接続的な信頼性および長期的な作動信頼性が非常に高い樹脂封止体を得る。【解決手段】  バンプ電極配置面２１ａにｎ個（ｎ≧３）のバンプ電極２３が配置された半導体装置２１と、バンプ電極２３の配置に対応するようにチップ電極配置面２２ａにパッド電極２４が配置された実装基板２２とを、バンプ電極２３とパッド電極２４との接続部２５によって、バンプ電極配置面２１ａとチップ電極配置面２２ａとの間隔がＨになるように接合された実装構造２０において、１つの接続部２５とそれに隣り合う接続部２５との最短間隔Ｗとし、ｎ個あるＷのうち、一部または全部を異なる長さにする。【選択図】      図１
2007157800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続するｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合される半導体装置の実装構造であって、
１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、
ｎ個のＷは、
一部または全部が異なる長さであることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項２】
ｎ個のＷは、
Ｈよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項３】
ｎ個のＷのうち半数以上はＨよりも小さいＷｘであり、かつ残りのＷはＨと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の実装構造。
【請求項４】
半導体装置と実装基板との間隙に充填される封止樹脂をさらに含み、
封止樹脂は、
最大粒径ｒが３ｒ≦Ｈを満たすフィラーを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の実装構造。
【請求項５】
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続したｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合され、１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、ｎ個のＷの一部または全部が異なる長さである半導体装置の実装構造の封止方法であって、
ｎ個のＷのうち、最も大きいＷを有して隣り合う接続部同士の間から、半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を注入する工程と、
半導体装置と実装基板との間隙に注入される液状樹脂を硬化させて封止樹脂とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の封止方法。
【請求項６】
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続したｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合され、１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、ｎ個のＷがＨよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとを含む半導体装置の実装構造の封止方法であって、
ｎ個のＷのうち、Ｗｙを有して隣り合う接続部同士の間から、半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を注入する工程と、
半導体装置と実装基板との間隙に注入される液状樹脂を硬化させて封止樹脂とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の封止方法。
【請求項７】
液状樹脂は、
最大粒径ｒが３ｒ≦Ｈを満たすフィラーを含有することを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の実装構造の封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装構造および半導体装置の実装構造の封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、たとえば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、ベアチップ、半導体ウエハに最終絶縁膜、バンプ電極などを形成した後に個片化して得られるウエハレベルパッケージなどがあり、このような半導体装置の実装構造として、フリップチップ構造が知られている。これは、半導体装置の半導体素子およびバンプ電極が形成された面と、実装基板上のパッド電極が形成された面とを対向させるように接続する実装構造である。従来のワイヤボンディング、リードフレームなどを用いる実装構造と比較して、実装に要する高さおよび基板面積を最小化できるため、携帯型電子機器などの小型化、軽量化などに対応するのに特に有用な実装構造である。
【０００３】
半導体装置のフリップチップ実装構造では、通常、半導体装置と実装基板との間隙部にアンダーフィルと呼ばれる封止樹脂を充填する必要がある。アンダーフィルは、バンプ電極とパッド電極との接続部を保護するとともに、半導体装置と実装基板との線熱膨張係数の違いにより、周辺温度の変動によって発生する熱応力を分散させるために形成される。アンダーフィルが存在しないと、実装構造の周辺温度の変動、電子機器の電源入／切による半導体装置の発熱・冷却などによって、接続部に繰り返しの歪みが発生して容易に破断する。アンダーフィルは、この歪みを半導体装置と実装基板との対向面全体に分散させ、接続部による接続を確保する。また、半導体装置がベアチップである場合には、半導体素子の形成面は薄いパシベーション膜で覆われるだけなので、アンダーフィルは半導体素子を電子機器の使用環境下における湿気、有害ガスなどから保護する。
【０００４】
アンダーフィルの形成は、半導体装置の外周近傍に液状樹脂を滴下し、毛細管現象を利用して半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を充填した後、液状樹脂を加熱硬化させることにより実施される（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の方法は、半導体装置と実装基板とを接合する接合工程と、半導体装置の外周近傍に液状樹脂滴下用ニードルを設置するニードル設置工程と、液状樹脂滴下工程と、液状樹脂硬化工程とを含む。
【０００５】
図７は接合工程を示す図面であり、図７（ａ）は実装構造１の構成を模式的に示す上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す実装構造１の切断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢにおける断面図をそれぞれ示す。図７（ａ）は上面図であるので、半導体装置２と実装基板３との間に存在するバンプ電極４は視認できないけれども、説明のために便宜上図示することとする。以後、図８、図９および図１０（ａ）においても同様である。実装構造１は、半導体装置２の一主面２ａに配置されるバンプ電極４と、バンプ電極４の配置に対応するように実装基板３の一主面３ａに配置されるパッド電極５とが接続された接続部６によって、半導体装置２と実装基板３とが接合された構造を有する。半導体装置２は、その周縁部に沿ってバンプ電極４が配置された所謂ペリフェラル電極配置を有する。フリップチップ実装における半導体装置２と実装基板３との接合には、超音波接合法の利用頻度が高まっている。超音波接合法は、他の接合方法よりも低い接合温度で金属接合を実現できるので、実装基板３の材料の制約が少なくなり、実装基板３として有機樹脂基板を使用でき、実装工程のコストを低減化し得る。
【０００６】
図８はニードル設置工程を示す上面図である。図８に示す工程では、実装基板３の一主面３ａにおける半導体装置２の周縁部近傍に、液状樹脂滴下用ニードル７を設置する。
【０００７】
図９は液状樹脂滴下工程を示す上面図である。図９に示す工程では、ニードル７の図示しないディスペンサから実装基板３の一主面３ａにおける半導体装置２の周縁部近傍に液状樹脂８を滴下する一点塗布を行う。滴下された液状樹脂８は、毛細管現象により、半導体装置２と実装基板３との間隙に入り込んで行く。液状樹脂８は加熱などにより流動性を向上させた状態で滴下するのが好ましい。また液状樹脂８を滴下する前に、実装構造１の温度を室温以上にして液状樹脂８の流動性を高めても良い。図９に示す一点塗布以外にも、ニードル７を半導体装置２外周から一定の間隔を保ちながら、半導体装置２の外周に沿って移動させる塗布方法も行われる。具体的には、半導体装置２の一辺をなぞるように移動させる一辺書き法、三辺をなぞるように移動させる三辺書き法などがある。ただし、これらの方法は、液状樹脂８が良好な流動性を有する場合には、ニードル７の移動機構、移動の条件設定などに要するコストが無駄になるので、実用的ではない。
【０００８】
図１０は液状樹脂硬化工程を示す図面であり、図１０（ａ）は液状樹脂８を注入した実装構造１の構成を模式的に示す上面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す液状樹脂８を注入した実装構造１の切断面線ｘＢ−ｘＢにおける断面図である。液状樹脂８の滴下から数十秒経過後には、図１０に示す状態になる。液状樹脂８を注入した実装構造１では、固定配置されるニードル７から液状樹脂８が滴下されるにもかかわらず、半導体装置２と実装基板３との隙間全体に液状樹脂８が充填され、さら半導体装置２と実装基板３との隙間から実装基板３の一主面３ａに向けて液状樹脂８が張り出し、半導体装置２の外周から実装基板３の一主面３ａにかけてフィレット９が形成される。液状樹脂８の硬化を、ホットプレート上、オーブン内などにて１００〜２００℃程度の温度下に３０〜６０分程度行うことによって、アンダーフィルが形成される。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−１１０７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
アンダーフィルは、前述のように、半導体装置と実装基板との線熱膨張係数の差を緩和するために形成される。しかるに、現在のフリップチップ実装技術においては、超音波接合法の普及によって、合成樹脂からなる実装基板が多用されるようになり、主に単結晶シリコンからなる半導体装置とは線熱膨張係数などの物性の違いがさらに拡大している。そこで、アンダーフィルには有機物と無機物との中間の物性を持つことが要求され、液状樹脂（有機物）にシリカ、アルミナなどの無機粉末を含有させた樹脂組成物を用いてアンダーフィルが形成される。該樹脂組成物における液状樹脂と無機粉末との含有比率は重量比で１：１前後である。
【００１１】
毛細管現象を利用して液状樹脂を半導体装置と実装基板との間隙に入り込ませるために、前記間隙の高さをある程度狭くする必要がある。ところが、半導体装置の高機能化に伴うバンプ電極数の増加および半導体プロセスの微細化に伴う半導体装置の外形サイズの縮小によって、隣り合うバンプ電極同士の間隔の狭小化が進む現状において、前記間隙をも狭くすると、液状樹脂が半導体装置と実装基板との間隙全体に行き渡らず、ボイド（未充填部）が残留するという問題が発生する。この問題は、液状樹脂が無機粉末を含む場合に特に顕著である。
【００１２】
図１１は、液状樹脂８の注入によりボイド１０が残留した実装構造１の構成を模式的に示す上面図である。なお、半導体装置２の下部に存在するバンプ電極４、液状樹脂８およびボイド１０は実際には視認できないけれども、説明のために便宜上図示する。ボイド１０は実装構造１の信頼性が低下させる。たとえば、実装構造１の使用環境下における空気中の水分（湿気）がアンダーフィルを構成する樹脂分子の隙間を透過し、ボイド１０に溜まり易くなる。この水分が周辺温度の低下によって結露し、半導体装置２の図示しない半導体素子にリーク不良などの問題を生じさせる恐れがある。また、はんだリフロー工程などによる周辺温度の急激な上昇に伴い、ボイド１０内の水分が気化して急激に膨張してボイド１０が破裂し、半導体装置２と実装基板３との間のアンダーフィルに亀裂、剥離などが発生し、アンダーフィルとしての機能が著しく低下するという問題もある。そのため、アンダーフィル中のボイド１０は皆無にする必要がある。
【００１３】
図１２は、実装構造１における液状樹脂８の流過状態を示す上面図である。ニードル７による実装基板３の一主面３ａに滴下された液状樹脂８は、一主面３ａ上を流過する。図１２に示すように、液状樹脂８の流れには、流れＡおよび流れＢの２種類がある。流れＡは、半導体装置２と実装基板３との間隙を半導体装置２の中心に向けて進行する毛細管流れであり、流れＢは、実装基板３の一主面３ａにおける半導体装置２の外周部近傍をバンプ電極４の配置に沿って進行する流れである。
【００１４】
ここで、実装基板３の一主面３ａにおいて、半導体装置２を介して液状樹脂吐出位置（ニードル７の位置）に対向する位置を点Ｃとし、流れＡおよび流れＢの点Ｃへの到達時間について考察する。流れＡおよび流れＢの到達時間が同等または流れＡの方が早い場合には、液状樹脂８が半導体装置２と実装基板３との間隙に行き渡った後に、液状樹脂８が点Ｃに到達するので、ボイド１０が発生する恐れは少ない。一方、流れＢの到達時間の方が早く、流れＡがＣ点に到達する前に流れＢが到達する場合には、流れＡが半導体装置２と実装基板３との間隙内の空気を間隙の外方に押し出しながら進行するのに対し、流れＢが流れＡの進行よりも先に半導体装置２と実装基板３との間隙の外周を覆い、流れＡによって押出される空気の逃げ場所をなくすことになるので、ボイド１０が残留し易くなる。
【００１５】
図１３は、図１１に示すボイド１０が残留した実装構造１の切断面線ｘＩＩＩ−ｘＩＩＩにおける断面図である。図１３に示すように、液状樹脂８の滴下位置に最も近接し、液状樹脂８の半導体装置２と実装基板３との間隙への注入口に形成されるフィレット９では、液状樹脂８に含まれるフィラー１２が凝集したフィラー塊１３が観察される。すなわち隣り合う接続部６の間を通過できなかったフィラー１２は液状樹脂８の入り口付近に滞留する。一方、半導体装置２と実装基板３との間隙に充填されたアンダーフィル１１では、フィラー１２の存在はまばらであり、半導体装置２を介して液状樹脂８の滴下位置とは反対側に形成されるフィレット９ａのフィラー含有量は、フィレット９とアンダーフィル１１との中間程度である。以上の結果から、半導体装置２の周縁部近傍における特定の一点からフィラー１２を含む液状樹脂８を吐出すると、液状樹脂８の半導体装置２と実装基板３との間隙への入り口である、隣り合う接続部６同士の間にフィラー１２が滞留し、液状樹脂８の前記間隙への流入を妨げ、図１２に示すように流れＡよりも流れＢの方が早くなるものと考えられる。すなわち、ボイド１０の残留防止には、流れＡのＣ点への到達時間を流れＢと同等またはそれよりも早くする必要があるけれども、そのためには、フィラー１２の滞留による液状樹脂８の流過阻害を避けねばならない。
【００１６】
図１４は、図１２に示す実装構造１の切断面線ｘＩＶ−ｘＩＶにおける断面図である。フィラー１２を含む液状樹脂８ａは図１２に示す流れＡの一部である。フィラー１２を含む液状樹脂８ｂは図１２に示す流れＢの一部である。ところで、微粒子を含む液体が物体の隙間を通過する際の流れ易さについては、隙間中に微粒子が一列に並ぶと仮定していくつの微粒子が並ぶかということが簡便な指標になる。隙間が広いかまたは粒子が細かいと多くの微粒子を並べ得るので、微粒子が隙間の入り口で滞留することがなく、液体はその隙間を流れ易い。図１４によれば、液状樹脂８ａの場合は、半導体装置２と実装基板３および隣り合う接続部６同士で形成される隙間には、縦方向および横方向のいずれにも有限の少ない数しか並べ得ない。これに対し、液状樹脂８ｂの場合は、実装基板３の主面３ａにおいて流れＢに垂直な方向（すなわち横方向）の一方は障害物がなく開放され、横方向に並ぶフィラー１２の数は、液状樹脂８ａの場合よりも著しく多くなり、液状樹脂８ｂの方が液状樹脂８ａよりも速く流過することは明白である。液状樹脂８ａを液状樹脂８ｂよりも速く流過させ、ボイドの残留を防ぐためには、フィラー１２が隙間入り口を支障なく通過することが肝要である。
【００１７】
このためには、たとえば、バンプ電極４を高くし、半導体装置２と実装基板３との間隙高さを大きくすることが考えられる。しかしながら、バンプ電極４を高くすると、バンプ電極４の高さのばらつきを増大させて、フリップチップ実装における良品率を低下させる。また、高いバンプ電極４を形成すること自体がコスト増加に繋がる。たとえば、めっき法によるバンプ形成であれば、めっき時間が延び、コストが増加する。また、流れＢの流過幅が拡がり、液状樹脂８の不必要な消費が増加する。
【００１８】
また、フィラー１２を一層細粒化することも考えられる。フィラー１２を細粒化すれば、半導体装置２と実装基板３との間隙入り口でフィラー１２が滞留する可能性は小さくなるけれども、フィラー１２の細粒化に多大なコストを要し、さらに細粒化に伴って厳格な粉塵対策を施す必要が生じ、この点からもコストが上昇する。
【００１９】
一方、フリップチップ実装構造においては、隣り合う接続部同士の間隔は、バンプ電極数の増加、半導体装置の小型化などによって、一層狭くなる傾向にある。特に、超音波の印加下に加熱加圧を行ってバンプ電極を押し潰してバンプ電極とパッド電極とを接続する超音波接合法を行う場合には、バンプ電極が縦方向に潰されて接続部高さが低くなるとともに、バンプ電極が潰されて横方向にも拡がるので、隣り合う接続部同士の間隔もさらに狭くなり、フィラーの通過は一層困難になる。超音波接合法はフリップチップ実装構造を形成する際に種々の利点をもたらすけれども、隣り合う接続部同士の間隔の狭小化にともなう液状樹脂の充填不良の解決が望まれる。これは、たとえば、はんだリフローによるフリップチップ工法、すなわちはんだバンプを溶融させて、半導体装置の自重と溶融はんだバンプの表面張力の総和とのつりあいによって、接続高さが自ずと決まるような工法とは明らかに異なる点である。
【００２０】
本発明の目的は、超音波接合法を利用して形成されたフリップチップ実装構造体であるにもかかわらず、液状樹脂の充填不良が著しく低減化され、半導体装置と実装基板との間にボイドが残留することなく、電気接続的な信頼性および長期的な作動信頼性が非常に高い樹脂封止体を得ることのできる半導体の実装構造およびそれを用いる封止方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続するｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合される半導体装置の実装構造であって、
１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、
ｎ個のＷの一部または全部が異なる長さであることを特徴とする半導体装置の実装構造である。
【００２２】
また本発明の半導体装置の実装構造は、
ｎ個のＷが、
Ｈよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとを含むことを特徴とする。
【００２３】
さらに本発明の半導体装置の実装構造は、
ｎ個のＷのうち半数以上はＨよりも小さいＷｘであり、かつ残りのＷはＨと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙであることを特徴とする。
【００２４】
さらに本発明の半導体装置の実装構造は、
半導体装置と実装基板との間隙に充填される封止樹脂をさらに含み、
封止樹脂が、
最大粒径ｒが３ｒ≦Ｈを満たすフィラーを含有することを特徴とする。
【００２５】
また本発明は、
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続したｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合され、１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、ｎ個のＷの一部または全部が異なる長さである半導体装置の実装構造の封止方法であって、
ｎ個のＷのうち、最も大きいＷを有して隣り合う接続部同士の間から、半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を注入する工程と、
半導体装置と実装基板との間隙に注入される液状樹脂を硬化させて封止樹脂とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の封止方法である。
【００２６】
また本発明は、
一主面の周縁部に沿って周縁部の内側にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置される半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置される実装基板とを含み、バンプ電極とパッド電極とを接続したｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように半導体装置と実装基板とが接合され、１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、ｎ個のＷがＨよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとを含む半導体装置の実装構造の封止方法であって、
ｎ個のＷのうち、Ｗｙを有して隣り合う接続部同士の間から、半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を注入する工程と、
半導体装置と実装基板との間隙に注入される液状樹脂を硬化させて封止樹脂とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の封止方法である。
【００２７】
また本発明の半導体装置の実装構造の封止方法は、
液状樹脂が、
最大粒径ｒが３ｒ≦Ｈを満たすフィラーを含有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、周縁部に沿って周縁部の内側（以後特に断らない限り単に「一主面の周縁部内側」と称す）にｎ個（ｎは３以上の整数である）のバンプ電極が配置されるバンプ電極配置面を有する半導体装置と、半導体装置のバンプ電極の配置に対応するように一主面にｎ個のパッド電極が配置されるパッド電極配置面を有する実装基板とが、パンプ電極とパッド電極とを接続するｎ個の接続部によって、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔がＨになるように接合される半導体装置の実装構造において、１つの接続部とそれに隣り合う接続部との最短間隔をＷとするとき、ｎ個のＷは、一部または全部が異なる長さである半導体装置の実装構造および該実装構造に液状樹脂を注入する封止方法が提供される。
【００２９】
本発明の実装構造は、半導体装置の周縁部内側にｎ個のバンプ電極を等間隔で配置するのではなく、隣り合うバンプ電極同士の間隔（ここでは最短距離Ｗ）を変化させ、ｎ個あるＷのうち一部または全部を異なる長さにすることを特徴とする。この実装構造において、フィラーを含む液状樹脂の滴下位置を、最も大きいＷを有して隣り合う接続部同士の間付近に設定すれば、半導体装置と実装基板との間の間隙入り口でフィラーの滞留が防止され、液状樹脂が該間隙全体に円滑かつ速やかに行き渡り、ボイドが残留することもない。このようにして充填される液状樹脂を加熱などによって硬化させれば、電気的接続の信頼性および長期的な作動信頼性が非常に高いフリップチップ実装構造の樹脂封止体が得られる。したがって本発明によれば、バンプ電極を高くすること、フィラーの細粒化などの製造コストを増加させる方法を採用することなく、また半導体装置と実装電極とを超音波接合法にて接合し、隣り合う接続部同士の間隔が一層狭小化しても、前述のような信頼性の高い樹脂封止体が得られる。
【００３０】
本発明によれば、本発明の実装構造において、ｎ個のＷのうちに、半導体装置のバンプ電極配置面と実装基板のパッド電極配置面との間隔Ｈよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとが存在するように構成することによって、液状樹脂を充填するアンダーフィル工法および接続部間の間隔を狭小化する超音波接合法への対応が一層容易になる。すなわち、前記のような構成において間隔Ｗｙを有して隣り合う接続部同士の間近傍に液状樹脂を滴下すれば、ボイドの残留を伴うことなく、半導体装置と実装基板との間隙にフィラーを含む液状樹脂を一層円滑に充填できる。その結果、液状樹脂の充填時間の短縮化を図り得る。注入時間の短縮化は、製造工程の簡略化ひいては製造コストの低下をもたらす。しかも前述のような信頼性の非常に高い樹脂封止体が得られる。
【００３１】
本発明によれば、本発明の実装構造において、ｎ個のＷのうちに、Ｈよりも小さいＷｘが半数以上存在し、残りがＨと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙであるように構成することによって、バンプ電極の数を増加させて高機能化された半導体装置と実装基板とを超音波接合法により接合する場合でも、半導体装置と実装基板との間隙に液状樹脂を注入するのを容易に実行でき、液状樹脂の充填時間のさらなる短縮化を図りながら、前述のような信頼性の非常に高い樹脂封止体が得られる。要するに、前記のような構成を採る本発明の実装構造は、半導体装置の高機能化への対応が容易である。
【００３２】
本発明によれば、半導体装置と実装基板との間隙に充填される液状樹脂がフィラーを含み、該フィラーの最大粒径ｒと、半導体装置と実装基板との間隙の大きさＨとが、３ｒ≦Ｈを満たすフィラーを選択することによって、半導体装置と実装基板との間隙入り口におけるフィラーの滞留が一層防止され、液状樹脂の充填がさらに円滑に実行される。また、液状樹脂の充填により形成されるアンダーフィル中にフィラーが均一に分散するので、アンダーフィルの特性も全体的にほぼ均一になる。したがって、電気的接続の信頼性および長期的な作動信頼性がさらに向上した樹脂封止体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１は、本発明の実施の第１形態である半導体装置の実装構造２０の構成を模式的に示す上面図である。図２は、図１に示す半導体装置の実装構造２０の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。なお、図１において、バンプ電極２３は半導体装置２１のバンプ電極配置面２１ａから下方に向けて形成されるので、実際には視認できないけれども、便宜上透視状態で図示するものとする。
【００３４】
半導体装置の実装構造２０は、半導体装置２１の一主面２１ａに配置されるバンプ電極２３と、実装基板２２の一主面２２ａにバンプ電極２３の配置に対応するように配置されるチップ電極２３とを接続して形成される接続部２５によって、半導体装置２１の一主面２１ａと実装基板２２の一主面２２ａとが対向するように半導体装置２１と実装基板２２とが接合された実装構造体である。半導体装置の実装構造２０において、一主面２１ａと一主面２２ａとの間隔が「Ｈ」である。
【００３５】
ここで、半導体装置２１におけるバンプ電極２３が配置される一主面２１ａを、特に断らない限り、バンプ電極配置面２１ａと称する。また、実装基板２２におけるチップ電極２３が配置される一主面２２ａを、特に断らない限り、チップ電極配置面２２ａと称する。
【００３６】
半導体装置の実装構造２０は、２２個の接続部２５を有し、接続部２５はそれぞれ隣り合う接続部２５との間に、最短距離の間隔Ｗを設けて配置される。２２個の接続部２５のうち、接続部２５ａと接続部２５ｂとの間隔Ｗは、バンプ電極配置面２１ａとチップ電極配置面２２ａとの間隔Ｈよりも大きいＷｙであり、それ以外の２１個のＷ、すなわち半数以上のＷは、間隔Ｈよりも小さいＷｘである。
【００３７】
隣り合う接続部２５同士の最短距離Ｗは、接続部２５の一部を構成するバンプ電極２３であって、隣り合うバンプ電極２３同士の最短距離と等しくなる。これは、バンプ電極２３とチップ電極２４との接続の際に、加圧などによってバンプ電極２３の一部が水平方向の周囲に拡がり、接続部２５の中で最も外方に向けて突出する部分が形成されるからである。すなわち、１つの接続部２５における最も外方に向けて突出する部分から、その接続部２５に隣り合う別の接続部２５における最も外方に突出する部分までの間隔が最短距離ｗと定義されるからである。
【００３８】
したがって、前述のような接続部２５の配置は、たとえば、半導体装置２１の設計段階においてバンプ電極２３の配置を調整することによって容易に得ることができる。これを、従来のフリップチップ実装におけるバンプ電極の配置との対比により説明する。従来のバンプ電極の配置は、図７に示す実装構造１の半導体装置２におけるのと同様である。図７において、半導体装置２の短辺の両側に延びる方向を縦方向、長辺の両側に延びる方向を横方向とすると、バンプ電極４は、半導体装置２におけるバンプ電極形成面２１ａの周縁部に沿って該周縁部の内側に、縦６個、横５個、合計２２個が長方形状に配置される。そして、縦方向に配置されるバンプ電極４と周縁部との間には、バンプ電極４を周縁部の方に向けて移動させるだけの余地が充分に残されている。そこで、バンプ電極４の合計個数および縦方向の配列個数を変えることなく、バンプ電極４で囲まれた長方形の領域を周縁部に向けて横方向に均等に拡げる操作を行う。この操作を行うと、横方向におけるバンプ電極４の配列個数を増加させ得る。２列ある横方向の配列のうち、一方の配列におけるバンプ電極４を８個に増やすと、自ずと他方の配列におけるバンプ電極４は６個に減じ、バンプ電極４間の間隔Ｗが拡がる。バンプ電極４が６個に減じた横配列において、中央のＷを残して他のＷの大きさを、一方の横方向の配列におけるＷと同じにすれば、中央のＷが拡がる。このような半導体装置２１を実装基板２３と接合すれば、前述のような接続部２５の配置が得られる。
【００３９】
なお、バンプ電極２３は、超音波接合法によるチップ電極２４との接続によりやや押し潰され、その高さは接続前よりも低くなっている。
【００４０】
実装構造１は、半導体装置２１と実装基板２２とを接合することによって製造できる。
半導体装置２１には、図３に示すものを使用できる。図３は、半導体装置２１の構成を模式的に示す図面であり、図３（ａ）は半導体装置２１の上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す半導体装置２１の切断面線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢにおける断面図である。半導体装置２１は、バンプ電極配置面２１ａ上の２列の縦方向に６個ずつ、切断面線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ上の一方の横方向に６個、他方の横方向に８個が配置される。これらのうち、縦方向または横方向の両端のバンプ電極２３は縦方向と横方向とで共有されるので、実際には計２２個のバンプ電極２３が配置される。隣り合うバンプ電極２３同士の間隔Ｗは、バンプ電極２３ａとバンプ電極２３ｂとの間隔Ｗを除いて、後に超音波接合されバンプ電極２３が横方向に拡がることを勘案して、チップ電極２４との接合後に間隔ＷがＷｘになるように、Ｗｘよりも大きめのＷｘ１に設定される。同様に、バンプ電極２３ａとバンプ電極２３ｂとの間隔Ｗは、Ｗｙよりも大きめのＷｙ１に設定される。
【００４１】
実装基板２２には、半導体装置２１におけるバンプ電極２３の配置に対応するように、チップ電極配置面２２ａに２２個のチップ電極２４が配置される。
【００４２】
半導体装置２１と実装基板２２との接合は、超音波接合法にしたがって実施できる。たとえば、加熱状態にある図示しないステージ上に、実装基板２２のチップ電極配置面２２ａを上向きにして載置し、室温以上に加熱した図示しないツールにバンプ電極配置面２１ａを下向きにして半導体装置２１を真空吸着させ、該ツールを移動させてバンプ電極配置面２１ａとチップ電極配置面２２ａとが対向するように半導体装置２１を実装基板２２の上方に搬送し、バンプ電極２３とパッド電極２４との位置合せを行った後にツールを下降させ、バンプ電極２３とパッド電極２４とを接触させて加圧するとともに、ツールに超音波振動を付与する。このときの加圧力は、このときのツール温度およびステージ温度においてバンプ電極２３の材質の塑性変形が起こる応力（降伏応力）以上の圧力とする。バンプ電極２３を降伏応力以上に加圧した上で、パッド電極２３とバンプ電極２４との界面に超音波振動を加えることで、パッド電極２３とバンプ電極２４とを金属接合する。このとき、バンプ電極２３が水平方向に拡がり、ややひしゃげた形状になる。つまり、接合後のバンプ電極２３はパッド電極２３との接続部分、すなわちバンプ電極２３の下周縁部で水平方向の四方に膨らんだ形状となる。したがって、実装構造１における隣り合う接続部２５同士の最短距離と定義される間隔Ｗは、バンプ電極２３の下周縁部における間隔となる。なお、バンプ電極２３の高さも接続後は接合前に比べて低くなる。超音波接合の結果、バンプ電極２３が水平方向に潰れ、Ｗｘには多少のばらつきが生じる。これは、バンプ電極２３形状のばらつき、パッド電極２４形状のばらつき、超音波接合時の加圧力の面内ばらつきなどに起因する。
このようにして、本発明の半導体装置の実装構造２０が得られる。
【００４３】
図４は、本発明の別の実施形態である実装構造の樹脂封止体３０の構成を模式的に示す上面図である。図５は、図４に示す実装構造の樹脂封止体３０の切断面線Ｖ−Ｖにおける断面図である。なお、図４においてバンプ電極２３は実際には視認できないけれども、説明のため便宜上透視状態で図示する。
【００４４】
本発明の実装構造の樹脂封止体３０は、本発明の半導体の実装構造２０における最も大きいＷ（すなわちＷｙ）を有して隣り合う接続部２５ａ，２５ｂ同士の間から、半導体装置２１と実装基板２２との間隙に液状樹脂を注入する樹脂注入工程と、半導体装置２１と実装基板２２との間隙に注入される液状樹脂を硬化させて封止樹脂（アンダーフィル）とする樹脂硬化工程とを含む封止方法によって製造できる。
【００４５】
樹脂注入工程では、実装構造２０における実装基板２２のチップ電極配置面２２ａであって、最も大きいＷ（すなわちＷｙ）を有して隣り合う接続部２５ａ，２５ｂ同士の間の近傍上方にニードル２６を設置し、ディスペンサにより液状樹脂２７を滴下する。ニードル２６は、その先端が、実装基板２２のチップ電極配置面２２ａに接することなく、かつ半導体装置２１のバンプ電極配置面２１ａに対向する面（上面）よりも低い位置に設置するのが望ましい。ニードル２６の先端が実装基板２２のバンプ電極配置面２１ａに接触すると、液状樹脂２７の吐出が困難になり、半導体装置２１の上面より高い位置になると、吐出した液状樹脂２７が半導体装置２１と実装基板２２との間隙に流入する前に、半導体装置２１の上面に付着することがある。その場合、半導体装置２１と実装基板２２との間隙に充填される液状樹脂２７の量が少なくなり、所望の機能を有するアンダーフィルが形成されないおそれがある。液状樹脂２７には、この分野で常用されるものをいずれも使用できる。またフィラーには、たとえば、シリカ、アルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウムなどの絶縁体微粉末を使用できる。液状樹脂２７の吐出は、実装構造２０を加熱した状態で行うのが好ましい。実装構造２０の加熱は、たとえば、ホットプレートなどの加熱手段上に実装構造２０を載置することによって行われる。ディスペンサから吐出される液状樹脂２７は、半導体装置２１および実装基板２２と接続部２５ａ，２５ｂとによって形成される液状樹脂２７の流入口３２から、半導体装置２１と実装基板２２との間隙に円滑に流入し、少ない時間で半導体装置２１周縁部の四辺下部から流出する。
【００４６】
樹脂硬化工程では、半導体装置２１と実装基板２２との間隙に存在する液状樹脂２７を硬化させてアンダーフィル３１を形成し、実装構造の樹脂封止体３０を得る。液状樹脂２７の硬化は、加熱、紫外線の照射などによって実施できる。
【００４７】
本実施の形態では、隣り合う接続部２５同士の間隔Ｗが、半導体装置２１のバンプ電極配置面２１ａと実装基板２２のチップ電極配置面２２ａとの間隔Ｈよりも大きいＷｙであるのは、接続部２５ａ，２５ｂの間の１つのみとしたけれども、それに限定されず、間隔ＷがＨと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙである接続部２５の配置が２箇所以上あってもよい。ＷがＷｙである接続部２５の配置が複数ある場合は、いずれの配置の近傍から液状樹脂を滴下してもよいけれども、最も大きいＷｙを有する接続部２５の配置近傍に液状樹脂２７を滴下するのが最も好ましい。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例および比較例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
図１および図２に示す実装構造２０を製造し、得られた実装構造２０を用いて図４および図５に示す実装構造の樹脂封止体３０を製造した。
【００４９】
半導体装置２１にはシリコン単結晶基板を用いた。半導体装置２１のバンプ電極配置面２１ａに２２個配置されるバンプ電極２３には、高さ１５μｍ、６０μｍ角のＡｕ電極を用いた。バンプ電極２３の配列ピッチＰは８０μｍとし、バンプ電極２３ａ，２３ｂ間のピッチを１６０μｍとした。すなわち、すなわち、バンプ電極２３ａとバンプ電極２３ｂとの間では、１ピッチ分のバンプ電極を間引いた構成とした。実装基板２２にはプリント配線基板を用い、そのチップ電極配置面２２ａには半導体装置２１におけるバンプ電極２３の配置に対応するようにチップ電極２４を配置した。チップ電極２４はプリント配線基板のＣｕ配線上に厚さ３μｍのＮｉ層および厚さ０．１μｍのＡｕ層がこの順番で形成された高さ１５μｍ、幅２０μｍの電極を用いた。Ｎｉ層およびＡｕ層はめっきにより形成した。
【００５０】
１００℃に加熱したステージ上にチップ電極配置面２２ａを上向きにして実装基板２２載置し、１００℃に加熱したツール下面にバンプ電極配置面２１ａを下向きにして半導体装置２１を真空吸着させ、該ツールを移動させてバンプ電極配置面２１ａとチップ電極配置面２２ａとが対向するように半導体装置２１を実装基板２２の上方に搬送した。バンプ電極２３とパッド電極２４との位置合せの後、ツールを下降させ、バンプ電極２３とパッド電極２４とを接触させて２１０ＭＰａの圧力を加えるとともに、ツールに５０ｋＨｚの超音波振動を付与し、パッド電極２３とバンプ電極２４とを金属接合して接続部２５を形成し、実装構造２０を製造した。ここで、上記の圧力に関しては、加圧する力をバンプ電極とパッド電極との接触面積で割った値である。得られた実装構造２０における半導体装置２１のバンプ電極配置面２１ａと実装基板２２のチップ電極配置面２２ａとの間隔Ｈは２１μｍであった。また、接合前の大きさが６０μｍ角のバンプ電極２３と、幅が２０μｍのパッド電極２４とを超音波接合した結果、バンプ電極２３が水平方向の四方に潰れ、Ｗｘは１０〜１５μｍ程度であった。Ｗｙは約９０μｍであった。なお、複数の実装構造２０を製造した場合、Ｗｙは９０〜１００μｍの範囲であった。
【００５１】
次に、実装構造２０において、接続部２５ａ，２５ｂ間の近傍のパッド電極配置面２２ａ上方にニードル２６を設置し、ディスペンサにより液状樹脂２７を滴下した。液状樹脂２７には、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂分５０重量％と、シリカ微粒子５０重量％とを含むものを用いた。シリカ微粒子の最大粒径は２．５μｍであった。液状樹脂２７の吐出は、実装構造２０を１００℃程度に予熱したホットプレート上に載置して行った。ディスペンサから液状樹脂２７を数秒間吐出し、吐出３０秒後には、半導体装置２１におけるバンプ電極２３が横方向に８個配置された側の辺の下部から液状樹脂２７が流出し、図４および図５に示すように、半導体装置２１周縁部の下部近傍にはフィレットが形成された。
【００５２】
このときの液状樹脂２７の流過状態について考察する。本実施例では、Ｈ：２１μｍ、Ｗｙ：９０〜１００μｍ、液状樹脂２７に含まれるフィラーの最大粒径：２．５μｍであるから、半導体装置２１および実装基板２２と接続部２５ａ，２５ｂとによって形成される液状樹脂２７の流入口３２では、高さ方向に８．４個、横方向に３６〜４０個のフィラーを並べることが可能である。このように多数のフィラーを並べることが可能な流入口３２が形成され、特に高さ方向よりも横方向に多くのフィラーを並べ得るので、半導体装置２１の周縁部近傍部分３３と同等の樹脂流れが発生し、流入口３２でのフィラーの滞留が防止され、液状樹脂２７が円滑に流入してボイド残留のないアンダーフィル３１が形成されたものと考えられる。
【００５３】
次に、液状樹脂２７を注入した実装構造２０をオーブン内にて１５０℃で３０分間加熱して液状樹脂２７を硬化させ、実装構造の樹脂封止体３０を製造した。この実装構造の樹脂封止体３０について超音波顕微鏡による観察を行った結果、アンダーフィル３１にボイド残留はなかった。
【００５４】
（比較例１）
実施例１と同様にして、図７に示す実装構造１を製造した。実装構造１の製造に用いる半導体装置２は、バンプ電極４の配置および隣り合うバンプ電極４の間隔Ｗが全てＷｘである点以外は、実装構造２０の半導体装置２１と同じ構成である。また、実装基板３は、チップ電極５の配置以外は実装構造２０の実装基板２２と同じ構成である。
【００５５】
実装構造１における半導体装置２のバンプ電極配置面１ａと実装基板３のチップ電極配置面３ａとの間隔Ｈは２１μｍ、隣り合うバンプ電極４同士の間隔であるＷｘは１０〜１５μｍ程度であった。
【００５６】
この実装構造１を用いて、実施例１と同様にして液状樹脂２７の注入によるアンダーフィルの形成を行ったところ、超音波顕微鏡による観察から、ボイド残留が認められた。実施例１と同様に、液状樹脂２７の流過状態について考察する。本比較例では、Ｈ：２１μｍ、Ｗｘ：１０〜１５μｍ、液状樹脂２７に含まれるフィラーの最大粒径：２．５μｍであるから、隣り合うバンプ電極４の間には、４〜６個のフィラー粒子しか並べることができず、高さ方向に並べ得る８．４個よりも少ないために、フィラーが流れ難くなる。したがって、半導体装置２と実装基板３との間隙への液状樹脂２７の流れよりも、半導体装置２の周縁部近傍のチップ電極配置面３ａにおける液状樹脂２７の流れの方が速くなってボイドが残留するものと考えられる。
【００５７】
実施例１および比較例１の結果から、バンプ電極が半導体装置の外周に沿って配置された実装構造で、隣り合う接続部間隔ＷがＨよりも小さいＷｘと、Ｈと等しいかまたはＨよりも大きいＷｙとを含み、ＷがＷｙである隣り合う接続部間隔近傍から液状樹脂を滴下することの効果が明らかである。
【００５８】
（比較例２）
フィラーの最大粒径が１０μｍである液状樹脂２７ａを用いる以外は、実施例１と同様にして樹脂封止体を製造した。この樹脂封止体には、超音波顕微鏡による観察結果から、ボイド残留が確認された。
【００５９】
図６は比較例２で得られる樹脂封止体３５の構成を模式的に示す図面であり、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す樹脂封止体３５の切断面線ＶＩＢ−ＶＩＢにおける断面図である。なお、図６（ａ）においてバンプ電極２３は実際には視認できないけれども、説明のため便宜上透視状態で図示する。
【００６０】
本比較例では、Ｈ：２１μｍ、Ｗｙ：９０μｍ、フィラーの最大粒径：１０μｍである。半導体装置２１および実装基板２２とＷｙである間隔Ｗを有して隣り合う接続部２５ａ，２５ｂとで形成される液状樹脂２７ａの流入口３２では、高さ方向に約２個、横方向に約８個のフィラー３６を並べ得る。これでは、高さ方向に並べ得るフィラー３６の数が少な過ぎて、フィラー３６の円滑な流過を発生させ得ない。したがって、フィラー３６の滞留が発生した。また、フィレット３７において、半導体装置２１周縁部と実装基板２２との間隙３８にはフィラー３６が存在せず、その他の部分にはフィラー３６が適量存在する。フィレット３７におけるフィラー３６の不均一な分散およびボイド残留によって、樹脂封止体３５は電子部品として満足な機能を有していなかった。
【００６１】
（実施例２）
フィラーの最大粒径が７μｍである液状樹脂を用いる以外は、実施例１と同様にして樹脂封止体を製造した。得られた樹脂封止体には、ボイド残留は発生しなかった。また、得られた樹脂封止体について断面観察を行ったところ、Ｈ：２１μｍ、Ｗｙ：９０μｍ、フィラーの最大粒径：７μｍであり、半導体装置２１および実装基板２２とＷｙである間隔Ｗを有して隣り合う接続部２５ａ，２５ｂとで形成される液状樹脂の流入口３２では、高さ方向にフィラーを３個並べることができ、フィラーの滞留は認められず、フィラーが流入口３２を円滑に流過したことが明白である。また、入り口３２におけるフィラーの分散状態は、半導体装置２１の周縁部から該周縁部近傍のチップ電極配置面２２ａにかけて形成されるフィレット中のフィラー分散状態と同等であった。
【００６２】
すなわち、本発明の実装構造において、フィラーの最大粒径ｒが３ｒ≦Ｈを満たす場合には、ボイド残留を起こさず、半導体装置と実装基板と間隙にフィラーが均一に分散したアンダーフィルを形成でき、しかもアンダーフィル内のフィラー分散状態を、半導体装置の周縁部から該周縁部近傍のチップ電極配置面にかけて形成されるフィレットにおけるフィラー分散状態と同等にすることができる。すなわち、アンダーフィルおよびフィレットの物性を均一にできる。したがって、前述の信頼性がさらに向上したフリップチップ実装構造の樹脂封止体が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明による半導体装置の実装構造および封止方法によれば、フリップチップ実装構造において、ボイド残留のないアンダーフィル形成を容易に実施できる。その結果、高信頼性であり、電子機器の一層の小型化に対応し得る好適な半導体装置の実装構造が得られる。また、本発明の半導体装置の実装構造は、超音波接合のようなバンプ電極を押し潰して、接続部間隔をより狭くするような工法を利用するフリップチップ実装技術にも非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の第１形態である半導体装置の実装構造の構成を模式的に示す上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の実装構造の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】半導体装置の構成を模式的に示す図面であり、図３（ａ）は半導体装置の上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す半導体装置の切断面線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢにおける断面図である。
【図４】本発明の別の実施形態である実装構造の樹脂封止体の構成を模式的に示す上面図である。
【図５】図４に示す実装構造の樹脂封止体の切断面線Ｖ−Ｖにおける断面図である。
【図６】比較例２の樹脂封止体の構成を模式的に示す図面であり、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す樹脂封止体の切断面線ＶＩＢ−ＶＩＢにおける断面図である。
【図７】接合工程を示す図面であり、図７（ａ）は実装構造体の構造を模式的に示す上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す実装構造体の切断面線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢにおける断面図である。
【図８】ニードル設置工程を示す上面図である。
【図９】液状樹脂滴下工程を示す上面図である。
【図１０】液状樹脂硬化工程を示す図面であり、図１０（ａ）は液状樹脂を注入した実装構造体の構成を模式的に示す上面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す液状樹脂を注入した実装構造体の切断面線ｘＢ−ｘＢにおける断面図である。
【図１１】液状樹脂の注入によりボイドが残留した実装構造体の構成を模式的に示す上面図である。
【図１２】図７（ａ）に示す実装構造体における液状樹脂の流過状態を示す上面図である。
【図１３】図１１に示すボイドが残留した実装構造体の切断面線ｘＩＩＩ−ｘＩＩＩにおける断面図である。
【図１４】図１２に示す実装構造体の切断面線ｘＩＶ−ｘＩＶにおける断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
２０  実装構造
２１  半導体装置
２１ａ  一主面
２２  実装基板
２２ａ  一主面
２３，２３ａ，２３ｂ  バンプ電極
２４  チップ電極
２５，２５ａ，２５ｂ  接続部
２６  ニードル
２７，２７ａ  液状樹脂
３０，３５  樹脂封止体
３１  アンダーフィル
３２  液状樹脂流入口
３６  フィラー
３７  フィレット
３８  間隙
【図１】
2007157800.tif 000003
【図２】
2007157800.tif 000004
【図３】
2007157800.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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