(57)【要約】      （修正有）【課題】  線引きにより光ファイバを製造している際、地震等の要因により線引きタワーが振動した場合に、線引きされた光ファイバが冷却装置等の機器に接触することを防ぐ。【解決手段】  光ファイバ製造方法は、線引きタワー６に設けられた加熱炉２内に光ファイバ母材Ｇを挿入し、加熱炉２により加熱溶融させた光ファイバ母材Ｇを線引きしている線引き工程において、線引きタワー６を所定の許容振動レベル以上で振動させる要対応振動として所定レベル以上の地震の縦波を地震計８により検知してから、線引きタワー６が許容振動レベル以上に振動するまでの間に、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び冷却装置１１の本体の、少なくとも何れか１つを開くか、または、加熱炉２より鉛直方向下方に位置する光ファイバＧ１，Ｇ２に気体を吹き付けて固有振動数を変化させる固定点を形成するものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
線引きタワーに設けられた加熱炉内に光ファイバ母材を挿入し、前記光ファイバ母材を加熱溶融させ、線引きして光ファイバを形成し、前記光ファイバを冷却装置内に通過させる線引き工程において、
前記線引きタワー周辺の振動情報を入手し、光ファイバの線引きに悪影響を与えるほど前記線引きタワーが振動することが予測される場合に、前記線引きタワーが光ファイバに有害な振動を与える前に、前記冷却装置の上部シャッタ、下部シャッタ及び前記冷却装置の少なくとも何れか１つを開くか、または、前記線引きタワー中に位置する光ファイバに固有振動数を変化させる固定点を形成することを特徴とする光ファイバの製造方法。
【請求項２】
入手した前記振動情報が、所定レベル以上の地震の縦波、または、前記線引きタワーの固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分を所定レベル以上含む振動である場合は、光ファイバの線引きに悪影響を与えると判断することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項３】
前記冷却装置を開く際には、開く度合いを前記光ファイバに接触しない程度に調整することを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項４】
前記冷却装置を開いたときには、前記光ファイバを冷却する空間を外部から略遮蔽することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項５】
入手した前記振動情報が前記線引きタワーの固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分を所定レベル以上含む振動である場合は、前記線引きタワー中に位置する前記光ファイバに周囲から気体を当てて、その光ファイバの固有振動数を変化させることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項６】
前記冷却装置の上部シャッタ、下部シャッタ及び前記冷却装置の少なくとも何れか１つを開いたときに、前記冷却装置を通過した前記光ファイバの長手方向の位置を記録することを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の光ファイバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱炉内で加熱した光ファイバ母材を線引きして、光ファイバを製造する光ファイバの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ファイバは、石英等の材料で製造された光ファイバ母材を下端側から加熱溶融させ、細径化することにより得られる。この光ファイバ母材を細径化して光ファイバとする工程は、線引きと呼ばれている。
【０００３】
線引きされた光ファイバは、冷却装置により冷却された後に樹脂の被覆が施され、次いでキャプスタンローラ等の引き取り手段によりそのパスラインの下流側に引き取られ、ボビン等に巻き取られる。
【０００４】
この線引き工程において、安定した光ファイバの外径及び被覆外径を得るためには、光ファイバ母材を把持するとともに加熱炉及び被覆装置を固定する線引きタワーの振動を抑制することが重要である。そこで、線引きタワー本体の振動を抑制し、光ファイバの品質低下や断線などを防止することができる技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
図３に、特許文献１に開示された光ファイバの製造装置の概略図を示す。
線引きタワー本体５０は略鉛直方向に建てられており、線引きタワー本体５０の上部には加熱炉５２が設けられている。この加熱炉５２により光ファイバ母材５３が加熱されるとともに、光ファイバ５４が下方に引き出される。光ファイバ５４は、被覆装置５５において被覆が形成された後、プーリ５６で方向を変えられキャプスタン（図示せず）により引き取られた後、巻き取り機（図示せず）に巻き取られる。また、この光ファイバ製造装置には、線引きタワー本体５０の最上部にアクティブに振動を防止する制振装置５１が搭載されている。制振装置５１により線引きタワー本体５０の振動を抑えることにより、把持している光ファイバ母材５３および光ファイバ５４の振動が抑えられ、光ファイバ５４の外径の変動などを防止することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、線引き工程時には、光ファイバ母材は通常その上端部が把持された状態で加熱炉内に挿入されている。そのため、地震等の不規則で広い振動周波数帯域を有する振動や、線引きタワーを共振させるような周波数成分を含む振動に対しては、光ファイバ母材の振動を完全に抑制することは困難である。光ファイバ母材が振動することによって、線引きされた光ファイバも振動してしまい、加熱炉の出口や冷却装置等に光ファイバが接触してしまうことがある。特に、光ファイバ母材と光ファイバに被覆を施す装置との間に位置している冷却装置に接触しやすい状況にあった。
【０００８】
被覆前の光ファイバが加熱炉や冷却装置等の機器に接触すると、外傷が発生してしまう他、場合によっては断線してしまうこともある。断線した場合には、パスライン上に光ファイバを掛け直して再度線引きを行うまでに多くの時間が必要となるため、製造の歩留が低下したり、作業時間が増加したりするなど、光ファイバの製造効率を低下させる要因となっていた。
【０００９】
本発明は、線引きにより光ファイバを製造している際、地震等の要因により線引きタワーが振動した場合に、線引きされた光ファイバが冷却装置等の機器に接触することを防ぐことができる光ファイバの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成することができる本発明の光ファイバの製造方法は、線引きタワーに設けられた加熱炉内に光ファイバ母材を挿入し、前記光ファイバ母材を加熱溶融させ、線引きして光ファイバを形成し、前記光ファイバを冷却装置内に通過させる線引き工程において、前記線引きタワー周辺の振動情報を入手し、光ファイバの線引きに悪影響を与えるほど前記線引きタワーが振動することが予測される場合に、前記線引きタワーが光ファイバに有害な振動を与える前に、前記冷却装置の上部シャッタ、下部シャッタ及び前記冷却装置の少なくとも何れか１つを開くか、または、前記線引きタワー中に位置する光ファイバに固有振動数を変化させる固定点を形成することを特徴とする。
【００１１】
本発明の光ファイバの製造方法において、入手した前記振動情報が、所定レベル以上の地震の縦波、または、前記線引きタワーの固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分を所定レベル以上含む振動である場合は、光ファイバの線引きに悪影響を与えると判断することが好ましい。
【００１２】
本発明の光ファイバの製造方法において、前記冷却装置を開く際には、開く度合いを前記光ファイバに接触しない程度に調整することが好ましい。
【００１３】
本発明の光ファイバの製造方法において、前記冷却装置を開いたときには、前記光ファイバを冷却する空間を外部から略遮蔽することが好ましい。
【００１４】
本発明の光ファイバの製造方法において、入手した前記振動情報が前記線引きタワーの固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分を所定レベル以上含む振動である場合は、前記線引きタワー中に位置する前記光ファイバに周囲から気体を当てて、その光ファイバの固有振動数を変化させることが好ましい。
【００１５】
本発明の光ファイバの製造方法において、前記冷却装置の上部シャッタ、下部シャッタ及び前記冷却装置の少なくとも何れか１つを開いたときに、前記冷却装置を通過した前記光ファイバの長手方向の位置を記録することが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光ファイバの製造方法によれば、入手した振動情報によって光ファイバの線引きに悪影響を与えるほど前記線引きタワーが振動することが予測される場合に、事前に、冷却装置の上部シャッタ、下部シャッタ及び冷却装置の少なくとも何れか１つを開くか、または、前記加熱炉より鉛直方向下方に位置する光ファイバに固有振動数を変化させる固定点を形成するため、振動する光ファイバから冷却装置を遠ざけるか、または、光ファイバの振幅を小さくすることによって、線引きされた光ファイバが冷却装置に接触することを防ぎ、光ファイバの断線を防止することができる。そのため、振動に起因する線引きの中断を引き起こすこと無く光ファイバを製造することができるため、光ファイバの製造効率を良好に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る光ファイバの製造方法の実施の形態について説明する。
図１は、本実施の形態の光ファイバの製造方法を行うことのできる装置の概略構成図である。
図１に示すように、光ファイバの製造装置１は、ほぼ鉛直方向に立設された線引きタワー６と、線引きタワー６の上部に設けられ光ファイバ母材Ｇを加熱する縦型の加熱炉２と、線引きされた光ファイバＧ１の外径を測定する外径測定器１０と、光ファイバＧ１を冷却する冷却装置１１と、光ファイバＧ１の周囲に樹脂の被覆を施す被覆塗布装置１４及び紫外線照射装置１５と、被覆された光ファイバＧ２を引き取るキャプスタン１９と、光ファイバＧ２を巻き取る巻き取りボビン２６とを備えている。
【００１８】
線引きタワー６は、加熱炉２、外径測定器１０、冷却装置１１、被覆塗布装置１４、紫外線照射装置１５等の各種機器を、線引きのパスラインに沿った鉛直方向に配列させた状態で固定している。なお、線引きタワー６は、これを取り囲む建物等に連結されることなく、独立して基礎の上に建てられていることが望ましい。
【００１９】
光ファイバ母材Ｇは、把持部５によってその上部が把持される。把持部５は、線引きタワー６における加熱炉２の上方に設けられた駆動部７に連結されており、鉛直方向に移動可能である。光ファイバ母材Ｇは、駆動部７の駆動により加熱炉２内に送られる。このように、加熱炉２内に供給された光ファイバ母材Ｇは、その下端側が加熱溶融し、下方に引き伸ばされて細径化し、ガラス体の光ファイバＧ１が形成される。
【００２０】
加熱炉２の下端に位置する出口には、開閉可能な加熱炉シャッタ９が設けられている。この加熱炉シャッタ９は、線引き時には閉じられることで加熱炉２内に外気が侵入することを防ぐものである。また、加熱炉シャッタ９は、閉じた状態でその中央に細径の孔が形成されるようになっている。その細径の孔は、線引きされた光ファイバＧ１より若干大きい直径を有している。光ファイバＧ１は、加熱炉シャッタ９と僅かなクリアランスを維持して細径の孔を通過する。
【００２１】
加熱炉２の下方には、例えばレーザ光式の外径測定器１０が設けられており、加熱炉２を出た光ファイバＧ１は、この外径測定器１０によりその外径が測定される。なお、ここでの外径の測定は、光ファイバＧ１の軸に直交する方向の平面上の直交軸（Ｘ軸とＹ軸）方向のそれぞれにおいて測定することが好ましい。線引き時には、外径測定器１０により測定された外径値が所定の範囲内に収まるようにキャプスタン１９の駆動がフィードバック制御され、光ファイバＧ１の線速が制御される。
【００２２】
また、外径測定器１０は、光ファイバＧ１を測定可能な測定検出範囲が、例えば光ファイバＧ１の軸に直交する方向で２ｍｍ程度である。光ファイバＧ１の位置がこの測定検出範囲から外れると、測定を行うことが不可能となり、エラー信号が検出されるかまたは測定値が０μｍと検出される。そのときには光ファイバＧ１が通常のパスラインから外れていると判断できるため、外径測定器１０は、線引きされた光ファイバＧ１がそのパスライン上に存在するか否かを判断できる位置センサとしても機能する。
【００２３】
外径測定器１０の下方には、冷却装置１１が設けられている。冷却装置１１の本体は、光ファイバＧ１のパスラインから離反する方向に２分割して開閉できる構成となっており、線引き時には通常互いに接合されて一体化された状態で使用される。冷却装置１１は、本体を構成する２つの部材を閉じた中央の位置に、長手方向にわたって光ファイバＧ１が通される挿通孔が形成されている。この挿通孔には冷却ガスが送り込まれ、挿通孔に挿通された光ファイバＧ１が冷却される。また、冷却装置１１の本体は、その内部に長手方向に沿って冷却流路が形成されており、冷却流路の内部は冷却流体が循環するようになっている。この冷却流体によって挿通孔内の冷却ガスが冷却され、その冷却ガス雰囲気中を光ファイバＧ１が通ることで、線引き後の光ファイバＧ１を適切な温度に冷却できる。これにより、光ファイバＧ１の形状が安定する。
【００２４】
また、冷却装置１１の上端には、挿通孔の入口を開閉可能な上部シャッタ１２が設けられている。また、冷却装置１１の下端には、挿通孔の出口を開閉可能な下部シャッタ１３が設けられている。これらの上部シャッタ１２及び下部シャッタ１３は、線引き時には閉じられて冷却装置１１の冷却効率を高めるものである。また、上部シャッタ１２及び下部シャッタ１３は、閉じた状態でその中央に細径の孔が形成されるようになっている。その細径の孔は、線引きされた光ファイバＧ１より若干大きい直径を有している。光ファイバＧ１は、上部シャッタ１２及び下部シャッタ１３とそれぞれ僅かなクリアランスを維持して細径の孔を通過する。
なお、冷却装置１１はパスライン上に複数台設けられていても良い。
【００２５】
冷却装置１１の下方には、光ファイバＧ１に紫外線硬化型樹脂を塗布する被覆塗布装置１４と、塗布された紫外線硬化型樹脂を硬化させるための紫外線照射装置１５が設けられている。紫外線照射装置１５は、例えば多灯のＵＶランプによって樹脂を塗布した光ファイバＧ２に紫外線を照射して、紫外線硬化型樹脂を硬化させるものである。光ファイバＧ１は、被覆塗布装置１４によって外周に紫外線硬化型樹脂が塗布されて、その後、紫外線照射装置１５によって紫外線硬化型樹脂が硬化反応することにより、紫外線硬化型樹脂の被覆層が形成された光ファイバＧ２となる。
【００２６】
紫外線照射装置１５の下方には、外径測定器１６が設けられており、被覆層が形成された光ファイバＧ２の外径が測定される。
この外径測定器１６は、上記の外径測定器１０と同様のものを用いることができる。なお、ここで測定される光ファイバＧ２の外径が所定の値となるように、被覆塗布装置１４で紫外線硬化型樹脂が塗布される。
【００２７】
外径測定器１６を通過した光ファイバＧ２は、ガイドローラ１７，１８を介してキャプスタン１９に引き込まれ、キャプスタン１９によって所定の張力が加えられる。キャプスタン１９は、複数のローラ２０に巻回されたキャプスタンベルト２１と、このキャプスタンベルト２１が密着されるキャプスタンローラ２２とを有しており、これらキャプスタンベルト２１とキャプスタンローラ２２との間に、光ファイバＧ２を挟持して引き込む構造とされている。このキャプスタン１９により、光ファイバＧ２はさらに下流側に引き取られる。
【００２８】
また、キャプスタン１９の下流側では、光ファイバＧ２は、ダンサローラ２４，２５を介して巻き取りボビン２６に送られ、この巻き取りボビン２６に巻き取られる。
以上示した構成により、光ファイバ母材Ｇを線引きして製品となる光ファイバＧ２を製造することができる。
【００２９】
また、線引きタワー６が建てられている基礎の上には、地震計８が設置されており、この地震計８内には振動を検知するための加速度センサまたは速度センサが内蔵され、地震による基礎の振動や、周囲の交通状況等により発生する基礎の振動を検出することができる。また、検出した振動波をフーリエ変換することでその振動の周波数成分を知ることもできる。
地震が発生した場合には、その震源から縦波（Ｐ波）と横波（Ｓ波）の２つの波が同時に発生して地中を伝わってくるが、観測地（地震計８）には最初に縦波が到着し、初期微動が起きる。その後、震源から観測地（地震計８）までの距離に応じて横波が遅れて伝わってきて、主要動が起きる。この主要動によって線引きタワー６が横揺れする。
また、周囲の交通状況等により生じた振動に、線引きタワー６の固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分が含まれている場合には、線引きタワー６が共振により横揺れする。
【００３０】
このように、地震等によって線引きタワー６が振動すると、光ファイバ母材Ｇが振動して、それにより光ファイバＧ１が振動する。光ファイバＧ１が振動により冷却装置等の機器に接触してしまうのは、線引きタワー６が所定の許容振動レベル以上で振動した場合であり、線引きタワー６を許容振動レベル以上で振動させる要対応振動の発生を検知した際には、光ファイバの線引きに悪影響を与えるほど線引きタワー６が振動すると予測されるため、被覆前の光ファイバＧ１が加熱炉２や冷却装置１１等の機器に接触しないように可及的速やかに対応する。
地震の場合は、縦波による初期微動の振動レベルによって後の横波による主要動の振動レベルを概ね推測することができるため、所定レベル以上の縦波が要対応振動として検出される。または、地震以外の振動の場合には、線引きタワー６の固有振動数のｎ倍（ｎは正の整数）の周波数成分を所定レベル以上含む振動が要対応振動として検出される。
【００３１】
本発明の光ファイバの製造方法では、図１に示したような装置で線引きを行っている際に、線引きタワー６を所定の許容振動レベル以上で振動させる要対応振動が地震計８により検出された場合に、光ファイバの線引きに悪影響を与えるほど線引きタワー６が振動すると予測して、被覆前の光ファイバＧ１が加熱炉２や冷却装置１１等の機器に接触しないように図られる。そのため、光ファイバの製造装置１には、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３、冷却装置１１の本体及び加熱炉２下端の加熱炉シャッタ９の開閉動作をそれぞれ制御することができる制御部２７が設けられている。この制御部２７は、上記の速度センサまたは加速度センサの出力値をモニタして、要対応振動の発生を検知した要対応振動検知時に、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び冷却装置１１の本体の、少なくとも何れか１つを開くように設定されている。この開く動作は、要対応振動を検知した直後であって、線引きタワー６が上記の許容振動レベル以上に振動する前、すなわち線引きタワー６が光ファイバＧ１に有害な振動を与える前に行う。このように、要対応振動検知時には、光ファイバＧ１が接近している冷却装置１１等の機器を速やかに光ファイバＧ１から遠ざけることで、光ファイバＧ１が冷却装置１１等の機器へ接触することを防止できる。
また、好ましくは、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び本体の全てを開くように設定されていると良い。
【００３２】
さらに、要対応振動検知時に加熱炉シャッタ９も開くように設定されていると良く、その場合には線引き直後の光ファイバＧ１が加熱炉２の出口に接触することが防がれる。または、横波を検出してからその横波の大きさに応じて、加熱炉シャッタ９やその他の機器も開くと良い。
【００３３】
冷却装置等を開く際の閾値として設定される要対応振動の値は、線引きタワー６の大きさや設置床面の状態に応じて許容振動レベルが異なるため、それに合わせて適切な値が設定されるが、例えば震度１の地震に相当する振動として設定することができる。
【００３４】
また、地震計８から要対応振動が検出されたことを制御部２７が検知して、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び冷却装置１１の本体のうち、少なくとも何れか１つを開いた後には、振動が抑制されたことを確認した後、所定の時間が経過するのを待ってから、開いた機器は再び閉じられる。この所定の時間は、２秒から６０秒の範囲内とすることが好ましい。
【００３５】
速度センサまたは加速度センサの測定値が所定の値以下となって２秒以上経過すれば、あるいは外径測定器１０の測定検出範囲に光ファイバＧ１が戻って２秒以上経過すれば、光ファイバＧ１は再び正常なパスライン上に復帰する。また、振動が所定の値以下となってから６０秒以内で光ファイバ母材Ｇの振動は十分に減衰して、所定の径となるように線引きが行えるようになる。
【００３６】
また、冷却装置１１の本体やシャッタを開いたままとしておくと、光ファイバＧ１の冷却を十分に行うことができない。光ファイバＧ１が高温のまま樹脂が塗布されると被覆が薄くなり、所望の外径が得られなくなってしまう。例えば、要対応振動検出前に被覆された光ファイバＧ２の外径が２４５μｍの場合、冷却装置１１の本体及びシャッタ１２，１３が開いていると、外径が２３０μｍ程度まで小さくなってしまい、冷却装置１１の本体、上部及び下部シャッタ１２，１３を閉じると、光ファイバＧ２の外径は再び所定の値に戻る。このように外径が小さくなった箇所は、製品としては不良である。そのため、冷却装置１１の本体やシャッタはできるだけ早く閉じることが好ましく、例えば震度１の地震が発生した場合には、所定の時間を３０秒程度とすると良い。
【００３７】
また、冷却装置１１は、その開く度合いを調節できるようになっており、例えば地震計８により検出される振幅や外径測定器１０によって検出される光ファイバＧ１の振幅に応じて、少なくとも開く度合いを光ファイバＧ１に接触しない程度とすることで、冷気が外部へ逃げることを極力防ぐことができる。
また、図２に示すように、冷却装置１１を開いたときにその内側の空間（すなわち光ファイバＧ１を冷却する空間）を外部から略遮蔽する遮蔽板１１ａを設けておき、冷気が外部へ逃げることを防いでも良い。
【００３８】
なお、線引きタワー６を振動させる線引きタワー６周辺の振動情報は、地震計８以外の手段により入手しても良い。例えば、地震による縦波の検出は、地震計８に拠らずに、外部の情報提供者からもたらされる地震発生情報に基づくものであっても良い。
【００３９】
また、本発明において、上記要対応振動を検出した後、線引きタワー６中の光ファイバＧ１，Ｇ２の揺れを積極的に抑えることもできる。例えば、走行している光ファイバＧ１に対して、周囲から気体（クリーンエアなど）をバランス良く吹き付けて、光ファイバＧ１をパスライン上に保持することができる。また、走行している光ファイバＧ１が振動する際の振幅の大きい部分（所謂振動モードの腹の部分）に対して集中的に周囲から気体を吹き付けることで固定点（所謂振動モードの節の部分）を形成して振幅を小さくし、固有振動数を変化させてその振動モードが形成されることを防ぐことができる。特に、入手した振動情報が線引きタワー６の固有振動数のｎ倍の周波数成分を所定レベル以上含む振動である場合は、光ファイバＧ１，Ｇ２の固有振動数を変化させることが有効である。
【００４０】
また、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び冷却装置１１の本体の少なくとも何れか１つを開いているときに冷却装置１１を通過した光ファイバＧ１は、製品として不良となる。そのため、冷却装置１１の上部シャッタ１２、下部シャッタ１３及び冷却装置１１の本体の何れかを開いているときに冷却装置１１を通過した異常部の光ファイバＧ１の長手方向の位置情報を制御部２７等で記録しておき、後に巻き取りボビン２６に巻かれた光ファイバＧ２からその位置にあたる異常部を他の正常に線引きした良品部と区別して認識し、除去することができる。したがって、線引きされた光ファイバＧ２において、良品部と異常部とが混在することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る光ファイバの製造方法を実施することができる装置を示す概略構成図である。
【図２】図１に示した冷却装置の構造例を示す平面図である。
【図３】従来の光ファイバの製造装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  光ファイバの製造装置
２  加熱炉
５  把持部
６  線引きタワー
７  駆動部
１０，１６  外径測定器
１１  冷却装置
１２  上部シャッタ
１３  下部シャッタ
１４  被覆塗布装置
１５  紫外線照射装置
１９  キャプスタン
２６  巻き取りボビン
２７  制御部
Ｇ  光ファイバ母材
Ｇ１，Ｇ２  光ファイバ
【図１】
2007045680.tif 000003
【図２】
2007045680.tif 000004
【図３】
2007045680.tif 000005