(57)【要約】【課題】欠陥の成長および伝搬が低減された、故障の少ない発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオード１１０の発光領域１０８を、２つ以上の発光ゾーンに分割する欠陥伝搬制限機構１４０を設ける。この欠陥伝搬制限機構１４０によって、１つの発光ゾーン１２０内の欠陥１２４が、他の発光ゾーン１３０へもう一方の発光ゾーンへ伝搬することが防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの発光ゾーンを備えている発光ダイオード（１１０）の製造方法であって、
第１の発光ゾーン（１２０）を形成し、
第２の発光ゾーン（１３０）を形成し、
前記第１の発光ゾーン（１２０）および前記第２の発光ゾーン（１３０）に関連して設けられる欠陥伝搬制限機構（１４０）を形成し、該欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーン（１２０）および前記第２の発光ゾーン（１３０）の欠陥（１２４）が、もう一方の発光ゾーンへ伝搬するのを防止する、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記第１の発光ゾーン（１２０）が表面を有し、前記第２の発光ゾーン（１３０）が表面を有し、前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、前記第１の発光ゾーン（１２０）の表面と前記第２の発光ゾーン（１３０）の表面との間に設けられており、少なくとも一方向の欠陥（１４０）の伝搬を防止する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、第１の型の不純物でドープされている領域および第２の型の不純物でドープされている領域のうち一方を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、ｎ型不純物でドープされている領域およびｐ型不純物でドープされている領域のうち一方を有している、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、前記第１の発光ゾーンと前記第２の発光ゾーンとの間に設けられており、少なくとも一方向の欠陥の伝搬を防止する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
欠陥（１２４）を有する、第１の電流に応答する第１の光出力を生成する第１の発光ゾーン（１２０）と、
第２の電流に応答する第２の光出力を生成する第２の発光ゾーン（１３０）と、
前記第１の発光ゾーンの欠陥（１２４）が、前記第２の発光ゾーン（１３０）へと伝搬して、当該第２の発光ゾーンの光生成に影響を及ぼすことを防止する欠陥伝搬制限機構（１４０）とを備えている、発光ダイオード（１１０）。
【請求項７】
前記第１の発光ゾーン（１２０）が、第１の型の不純物でドープされている第１の領域と、第２の型の不純物でドープされている第２の領域とを有し、前記第１の領域および前記第２の領域が、第１の接合部を形成する、請求項６に記載のダイオード。
【請求項８】
前記第１の領域がｐ型不純物でドープされており、前記第２の領域がｎ型不純物でドープされており、該第１の領域および該第２の領域が、第１のｐ−ｎ接合部を形成する、請求項７に記載のダイオード。
【請求項９】
前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、第１の型の不純物でドープされている領域および第２の型の不純物でドープされている領域のうち一方を有している、請求項６に記載のダイオード。
【請求項１０】
前記欠陥伝搬制限機構（１４０）が、前記第１の発光ゾーン（１２０）を、前記第２の発光ゾーン（１３０）から、少なくとも一方向に沿って分離する、請求項９に記載のダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）には、多くの商業的な用途がある。ＬＥＤ光は単色であるため、その出力に関し、特に特定の色の光が必要とされる用途で、白色光と比較して極めて有利である。ＬＥＤの、白色光と異なる点は、発せられた白色光の大部分を吸収させるカラーフィルタを必要としないことである。ＬＥＤ光は元来色付きであり、また広範な色が利用可能であるので、ＬＥＤは、多くの照明用途において一般に好まれる。
【０００３】
例えば、ごく最近導入された色の１つは、エメラルドグリーンもしくは青緑色ＬＥＤ（約５００ｎｍ）であり、この色は、交通信号およびナビゲーションライトで必要とされる条件を満たしている。また、ＬＥＤは、他の電子応用機器においても多くの用途が見い出されている。
【０００４】
しかし、電子応用機器は、ますます複雑になり、またその条件も厳しくなっており、発光ダイオード（ＬＥＤ）の劣化を遅らせるまたは止めることへの要求が依然としてある。ＬＥＤの劣化は、ＬＥＤ内の欠陥により生じうる。このような欠陥は、結晶欠陥、マイクロクラックに起因する欠陥、およびダイオードにおけるスクラッチに起因する欠陥を含む。その結果、光電子デバイス（例えばＬＥＤ）の設計通りの動作が妨げられ、デバイスの故障もしくは品質の低下が生じうる。
【０００５】
光電子産業界では、上記問題の根本原因に対処することによって、このような故障を減らす試みがなされてきた。例えば、結晶欠陥は、純粋なウェハインゴットを製造することによって低減することができる。同様に、より高価なプロセス装置をウェハプロセスに導入し、またより主導的な品質試験および品質検査を行うこと（より徹底的な目視検査）によって、スクラッチやその他の欠陥を低減することができる。
【０００６】
上記の方法によって多くの故障が低減するが、不都合なことに、製造者の元を離れた後、使用時に起こる故障を防ぐこともしくはなくすことはできない。例えば、ＬＥＤを実際に使用する際にデバイスが受ける電気的ストレスによって、潜在的な欠陥が生じ、また伝搬しうる。つまり、実際にＬＥＤを使用する際に受けるストレスによって、ＬＥＤでの欠陥の伝搬が促進される。これにより、まず第１に、欠陥領域が光を生成しなくなる（例えば、暗い領域となる）。第２に、そしておそらくより不都合なことには、欠陥領域が、光生成領域（つまり、損傷していない領域）から有用な電流を引き出す電流リーク路を形成する。その結果、供給電流が同量であっても、ＬＥＤによって生じる光は著しく減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のことから、上述の欠点を克服した、つまり、欠陥の発生および伝搬を防いで、使用時の故障を低減するための構成を有する発光ダイオード、およびその製造方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様として、少なくとも２つの発光ゾーンを備えている発光ダイオード、ならびにその製造方法を記載する。発光ダイオードは、第１の発光ゾーンおよび第２の発光ゾーンを有するように形成されている。この第１の発光ゾーンおよび第２の発光ゾーンに関連して欠陥伝搬制限機構が設けられている。欠陥伝搬制限機構は、第１の発光ゾーンもしくは第２の発光ゾーンの欠陥がもう一方の発光ゾーンに伝搬するもしくは広がることを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、少なくとも２つの発光領域を備えている発光ダイオード（ＬＥＤ）およびそのＬＥＤの製造方法を記載する。本発明がよく理解されるように、以下の記述では、例示を目的とした多くの特定の詳細な態様について説明する。しかし、本発明が、それらの特定の詳細な態様を用いずとも実施可能であることは、当業者には明らかである。別の例では、本発明が明瞭となるように、公知の構造およびデバイスを、ブロック図に示す。
【００１０】
光電子デバイス１００
図１に、第１の発光ゾーン１２０および第２の発光ゾーン１３０を備えている光電子デバイス１１０のブロック図を示す。光電子デバイス１１０は、例えば、不純物をドープしたもしくは含浸した半導体材料を含み、一般にｐ−ｎ接合と呼ばれる構造を形成する発光ダイオード（ＬＥＤ）であってよい。電荷キャリア（例えば電子および正孔）は、異なる電圧で電極から接合部へと流れる。電子が正孔と出会うと、電子は、より低いエネルギーレベルへと落ち、光子の形態でエネルギーを放出する、つまり発光する。
【００１１】
例えば、ｐ−ｎ接合部を横切る電圧が適切な極性を有する場合、ＬＥＤが「順方向バイアス」されていると言う。この場合、ＬＥＤを横切る電圧は、一定であり、かつ発せられた光子のエネルギーに比例する。しかし、電圧が適切な極性を有していない場合、ＬＥＤは「逆方向バイアス」されていると言い、ｐ−ｎ接合部にはほとんど電流が流れず、光も発せられない。
【００１２】
発せられた光の波長、ひいてはその色は、ｐ−ｎ接合を形成する材料のバンドギャップエネルギーに依存する。例えば、ＬＥＤで使用される材料は、近赤外線、可視線もしくは近紫外線に対応するバンドギャップエネルギーを有している。
【００１３】
発光ダイオード１１０は、電圧ポテンシャルがＬＥＤ１１０に印加された場合に光を発する発光領域１０８を備えている。一態様では、発光領域１０８は、ｐ−ｎ接合を横切って電圧が印加された場合に光を発するｐ−ｎ接合部を含む。発光ダイオード（ＬＥＤ）１１０は、ｐ−ｎ接合が順方向バイアスされている場合に、電気エネルギーを所定の周波数（例えば可視周波数および近赤外周波数）の電磁放射に変換する半導体ダイオードである。
【００１４】
発光領域１０８は、欠陥、例えば第１の発光ゾーン１２０の欠陥１２４を含みうる。欠陥１２４はそれ自体で１つ以上の方向に成長し、拡張し、または伝搬しうる。例えば、欠陥１２４は、第１の方向（例えばｘ軸）、第２の方向（例えばｙ軸）、第３の方向（例えばｚ軸）、もしくはこれらを組み合せた方向に沿って伝搬しうる。
【００１５】
光電子デバイス１１０は、欠陥伝搬制限機構（ＤＰＣＭ）１４０を備えている。本発明の一態様によれば、光電子デバイス１１０は、この欠陥伝搬制限機構を利用して、発光領域１０８の特定の部分が損傷した場合にＬＥＤが故障する危険性を低減する。この場合、損傷とは、例えば、結晶欠陥、スクラッチによる欠陥、またはマイクロクラックによる欠陥に起因するものである。
【００１６】
欠陥伝搬制限機構（ＤＰＣＭ）１４０は、発光領域１０８を、少なくとも２つの発光ゾーン（例えば、第１の発光ゾーン１２０および第２の発光ゾーン１３０）に分割する。さらに、ＤＰＣＭ１４０は、欠陥１２４の伝搬を、欠陥が存在する特定のゾーンに制限し、欠陥が発光領域１０８の別のゾーンに伝搬もしくは成長することを防止する。欠陥を分離し、発光領域１０８の別のゾーンへの欠陥の拡大を許容しないことで、ＤＰＣＭ１４０は、欠陥が成長しうる大きさもしくは広がりを効果的に制御し、これにより、欠陥が、発光ダイオードの光出力および適切な動作に与える不都合な影響が低減する。
【００１７】
一態様では、ＤＰＣＭ１４０は、第１の発光ゾーン１２０の境界の少なくとも一部と、第２の発光ゾーン１３０の境界の少なくとも一部とを形成している。一態様では、ＤＰＣＭ１４０は、少なくとも一方向で、欠陥の成長もしくは伝搬を制限または停止させる。別の態様では、ＤＰＣＭ１４０は、第１の方向、第２の方向、またはその両方向を組み合わせた方向で、欠陥の成長もしくは伝搬を制限または停止させる。発光ゾーンの大きさ、形状および数についての様々な形態を、図２〜６を参照して以下に詳細に説明する。
【００１８】
２つの発光領域を備えている第１の実施態様
図２に、本発明の一態様による２つの発光領域２３０、２４０を備えている発光ダイオード２１０の上面図を示す。発光ダイオード２１０は、活性領域（例えば発光領域）２２０を含む。発光領域２２０は、第１の発光ゾーンもしくはエリア２３０および第２の発光ゾーンもしくはエリア２４０を含み、これらのゾーンもしくはエリアは、欠陥伝搬制限機構２４４によって分離されている。
【００１９】
発光ダイオード２１０は、導電層（例えばメタライズ部）２５０および相互接続パッド（例えば、外部コンタクトとの接続のためのパッド）２６０を備えている。導電層２５０は、発光ゾーン２３０、２４０を電気的に接続する環状部分２５２と、この環状部分２５２とパッド２６０とを電気的に接続するブリッジ部分２５４とを備えている。発光ダイオード２１０の線４−４に沿った断面図については、図４を参照して説明する。
【００２０】
４つの発光領域を備えている第２の実施態様
図３に、本発明の一態様による、４つの発光ゾーンもしくはエリア３３０、３４０、３５０、３６０を備えている発光ダイオード３１０の上面図を示す。
【００２１】
発光ダイオード３１０は、活性領域（例えば発光領域）３２０を備えている。この活性領域３２０は、第１の発光ゾーン３３０、第２の発光ゾーン３４０、第３の発光ゾーン３５０および第４の発光ゾーン３６０を含む。各発光ゾーンは、欠陥伝搬制限機構３６４によって互いに分離されている。
【００２２】
発光ダイオード３１０は、導電層（例えばメタライズ部）３７０と、相互接続パッド（例えば、外部コンタクトとの接続のためのパッド）３８０とを備えている。導電層３７０は、発光ゾーン３３０、３４０、３５０、３６０を電気的に接続する環状部分３７２と、この環状部分３７２とパッド３８０とを電気的に接続するブリッジ部分３７４とを備えている。発光ダイオード３１０の線４−４に沿った断面図については、図４を参照して説明する。
【００２３】
図４によれば、ＬＥＤは、基板４１０を備えている。基板４１０の一方の側に、金属層４７０（例えば、背面コンタクト金属）が形成されている。基板４１０のもう一方の側には、第１の型の不純物を含む層４２０が形成されている。一態様では、層４２０は、エピタキシャルｎ型層である。層４４０は、第１のパッシベーション層であり、この層には接合部形成のために窓が開けられている。例えば、この第１のパッシベーション層４４０に設けられた窓を利用して、層４２０の領域の一部にｐ型不純物を注入もしくはドープし、ｐ−ｎ接合を形成する。例えば、領域４３０は、ｐ型不純物が注入されている領域にすることができる。領域４２４が、本発明による欠陥伝搬制限機構（ＤＰＣＭ）１４０であってよい。
【００２４】
層４６０は、第２のパッシベーション層であり、ＬＥＤとのコンタクト（例えば、上部コンタクト金属層）を形成するための窓が開けられている。例えば、導電層４５０（例えば、図２および３の２５０、３７０）は、発光ゾーンを、メタライズ部およびパッドを介して外部コンタクトへと接続している。
【００２５】
各発光領域が別々の相互接続パッドを有している第３の実施態様
図５に、本発明の第３の態様による２つの発光ゾーンもしくはエリア５１０、５２０を備えている発光ダイオード５０４の上面図を示す。第１の発光ゾーン５１０は、これに対応する相互接続パッド５４０を有している。同様に、第２の発光ゾーン５２０は、これに対応する相互接続パッド５５０を有している。この態様では、各発光ゾーンが、対応する別々の相互接続パッド５４０、５５０を有していることに留意されたい。図６に、本発明の一態様による図５の発光ダイオード５０４の、線６−６に沿った断面図を示す。
【００２６】
図６を参照すると、ＬＥＤ５０４は、基板５０２を備えている。基板５０２の一方の側に、金属層（例えば、背面コンタクト金属）５７０が形成されている。基板５０２のもう一方の側には、第１の型の不純物を含む層５０４が形成されている。一態様では、層５０４は、エピタキシャルｎ型層である。層５３４は、第１のパッシベーション層であり、接合部形成のために窓が開けられている。例えば、この第１のパッシベーション層５３４に形成された窓を利用して、層５０４の領域の一部にｐ型不純物を注入もしくはドープして、ｐ−ｎ接合を形成する。例えば、発光ゾーン５１０、５２０は、ｐ型不純物が注入されている領域とすることができる。領域５３０は、本発明による欠陥伝搬制限機構（ＤＰＣＭ）１４０であってよい。
【００２７】
層５３８は、第２のパッシベーション層であり、ＬＥＤとのコンタクト（例えば、上部コンタクト金属層）を形成するために窓が開けられている。例えば、導電層５４０、５５０（例えば、図５の５６０、５７０）は、発光ゾーンを、メタライズ部およびパッドを介して外部コンタクトに接続している。
【００２８】
発光ゾーンの数
単位ダイ当たりの発光ゾーンもしくはエリア（ＬＥＡ、light emitting area）の数は、特定の用途の必要条件に見合うように変更または調整可能であることを留意されたい。さらに、発光ダイオードの設計において、本発明の一態様による発光エリアもしくはゾーンの数を増加させると、発光ダイオードにおける欠陥の分離はより迅速となる。例えば、単一のダイにおいて、より多くの発光エリアもしくはゾーンを利用するようにＬＥＤを設計すると、１ゾーン中の欠陥が制限もしくは分離される時間が短縮する。それというのは、発光領域全体の大きさが一定であれば、欠陥伝搬制限機構に到達するまでの、欠陥が成長もしくは伝搬する距離がより小さくなるからである。
【００２９】
発光領域の形状
発光ゾーンもしくはエリア（ＬＥＡ）の形状または構成は、特定の用途の必要条件に見合うように変更もしくは調整可能であることに留意されたい。さらに、発光ゾーンは、全て均一もしくは同一の形状を有していてもよいし、全て異なる形状を有していてもよい。あるいは、２つ以上の発光領域が同一のもしくは同様の形状を有していて、それ以外の発光ゾーンが異なる形状を有していてもよい。また、発光ゾーンの大きさについても、これが異なっていても実質的に同じであってもよいことに留意されたい。
【００３０】
少なくとも２つの発光ゾーンを備えている発光ダイオードの製造プロセス
少なくとも２つの発光ゾーンを備えているＬＥＤの製造プロセスは、主に４つに分けられる。すなわち、１）パッシベーションの堆積およびマスク形成、２）接合部の形成、３）金属の堆積およびマスク形成、４）背面金属の堆積、である。これらのプロセスを行う前に、層（例えば４２０、５０４）を、単結晶金属の薄層を単結晶基板（例えば、４１０、５０２）上に堆積させるエピタキシプロセスによって製造する。例えば、エピタキシャル成長は、基板の結晶学的構造が成長材料中に再生成されるように行う。
【００３１】
ステップ７１０で、パッシベーションの堆積およびマスク形成を行う。例えば、２つの発光ゾーンに対応する少なくとも２つの窓を規定する。ステップ７２０で、接合部の形成を行う。例えば、２つの発光ゾーンに対応する少なくとも２つのｐ−ｎ接合を形成する。
【００３２】
ステップ７３０では、上部金属の堆積およびマスク形成を行う。例えば、２つ以上の発光ゾーンに対して共通の相互接続部を形成するか、または各発光ゾーンに対して個々の相互接続部を形成する。ステップ７４０で、背面金属の堆積を行う。
【００３３】
複数のＬＥＡを備えているＬＥＤの応用
本発明によるＬＥＤは、様々な埋め込みシステムの情報インジケータ、メッセージディスプレイ（例えば、空港および鉄道の駅もしくはその他の場所での公共の案内標識）、状態インジケータ（例えば、職業用具および消費者用のオーディオ／ビデオ装置のｏｎ／ｏｆｆライト）、遠隔操作装置（ＴＶ、ＶＣＲ等で用いられる）の赤外ＬＥＤ、交通信号、自動車の指示ライト、自転車の照明、計算機および測定装置のディスプレイ、照明（例えば、懐中電灯）、ＬＣＤスクリーンのバックライト、信号／緊急用誘導灯およびストロボ、動作センサの応用（例えば、機械的および光学的なコンピュータマウスおよびトラックボール）およびＬＥＤプリンタといった様々な用途に使用することができるが、これらに限定されることはない。
【００３４】
ＬＥＤは、他の光源に比べ、保守および安全の面において利点をもたらす。電球を含むデバイスの標準的な耐用年数は、１０年であり、これは、他の大抵の光源の耐用年数よりもずっと長い。さらに、ＬＥＤの機能低下は、時間が経つにつれ暗くなるというものであり、これも、白熱電球において突然起こる熱損とは異なる。また、ＬＥＤは、発する熱が白熱電球よりも少なく、脆弱性に関しては蛍光灯よりも優れている。個々のデバイスの長さは、１センチメートルよりも短いので、照明および野外信号で用いられるＬＥＤベースの光源は、数十のデバイスの集合体を使用して構成する。
【００３５】
本発明の一態様による欠陥伝搬制限機構は、欠陥の成長もしくは伝搬を、潜在的な欠陥が存在する発光エリアもしくはゾーンの有する最大の範囲内に制限する。例えば、発光エリアもしくはゾーンは、本発明の一態様によるこの欠陥伝搬制限機構によって互いに分離されているため、欠陥がストレスにより成長を続けた場合でも、その欠陥は、発光ゾーンに限定もしくは制限される。このようにして、本発明の一態様による２つ以上の発光ゾーンを備えている発光ダイオードにより、欠陥、ひいては故障の危険を単一のＬＥＤ内で分散して管理することが可能となる。発光ゾーンの特定の部分が損傷した場合、その他の発光領域、部分もしくはゾーンは、欠陥から分離されたままであり、かつ欠陥がその他の発光ゾーンへ伝搬することからも保護されているので、ＬＥＤの故障の危険を著しく低下させることができる。
【００３６】
以上、特定の実施態様を参照して実施態様を説明した。しかし、実施態様よりも広い本発明の範囲から逸脱しなければ、様々な変更および変形が可能であることは明らかであろう。したがって、明細書および図面は、例示的なものであって、制限を意図するものではない。
【００３７】
以下に本発明の好ましい態様を示す。
１．少なくとも２つの発光ゾーンを備えている発光ダイオードの製造方法であって、
第１の発光ゾーンを形成し、
第２の発光ゾーンを形成し、
前記第１の発光ゾーンおよび前記第２の発光ゾーンに関連して設けられる欠陥伝搬制限機構を形成し、該欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーンおよび前記第２の発光ゾーンの欠陥が、もう一方の発光ゾーンへ伝搬するのを防止する、発光ダイオードの製造方法。
２．前記第１の発光ゾーンが表面を有し、前記第２の発光ゾーンが表面を有し、前記欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーンの表面と前記第２の発光ゾーンの表面との間に設けられており、少なくとも一方向の欠陥の伝搬を防止する、上項１に記載の方法。
３．前記欠陥伝搬制限機構が、第１の型の不純物でドープされている領域および第２の型の不純物でドープされている領域のうち一方を有している、上項１に記載の方法。
４．前記欠陥伝搬制限機構が、ｎ型不純物でドープされている領域およびｐ型不純物でドープされている領域のうち一方を有している、上項３に記載の方法。
５．前記欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーンと前記第２の発光ゾーンとの間に設けられており、少なくとも一方向の欠陥の伝搬を防止する、上項１に記載の方法。
６．少なくとも２つの発光領域を備えている発光ダイオードの製造方法であって、
基板を設け、
第１の型の不純物を含む前記基板を堆積させ、第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に第１のパッシベーション層を形成し、
前記第１のパッシベーション層に少なくとも２つの窓を形成し、
第２の型の不純物を堆積させ、前記第１のパッシベーション層において規定された前記窓内に第２の半導体領域を形成し、
第２のパッシベーション層を形成し、
前記第２のパッシベーション層に少なくとも２つの窓を形成し、
前記第２のパッシベーション層において規定された前記窓内に、導電材料を堆積させる、発光ダイオードの製造方法。
７．欠陥を有する、第１の電流に応答する第１の光出力を生成する第１の発光ゾーンと、
第２の電流に応答する第２の光出力を生成する第２の発光ゾーンと、
前記第１の発光ゾーンの欠陥が前記第２の発光ゾーンへと伝搬して、当該第２の発光ゾーンの光生成に影響を及ぼすことを防止する欠陥伝搬制限機構（１４０）とを備えている、発光ダイオード。
８．前記第１の発光ゾーンが、第１の型の不純物でドープされている第１の領域と、第２の型の不純物でドープされている第２の領域とを有し、前記第１の領域および前記第２の領域が、第１の接合部を形成する、上項７に記載のダイオード。
９．前記第１の領域がｐ型不純物でドープされており、前記第２の領域がｎ型不純物でドープされており、該第１の領域および該第２の領域が、第１のｐ−ｎ接合部を形成する、上項８に記載のダイオード。
１０．前記欠陥伝搬制限機構が、第１の型の不純物でドープされている領域および第２の型の不純物でドープされている領域のうち一方を有している、上項７に記載のダイオード。
１１．前記欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーンを、前記第２の発光ゾーンから、少なくとも一方向に沿って分離する、上項７に記載のダイオード。
１２．前記第１の発光ゾーンが表面を有し、前記第２の発光ゾーンが表面を有し、前記欠陥伝搬制限機構が、前記第１の発光ゾーンの表面と前記第２の発光ゾーンの表面との間に設けられている、上項７に記載のダイオード。
１３．前記欠陥伝搬制限機構が、ｎ型不純物でドープされている領域およびｐ型不純物でドープされている領域の一方を含む、上項７に記載のダイオード。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の発光ゾーンおよび第２の発光ゾーンを備えている光電子デバイスのブロック図である。
【図２】本発明の一態様による２つの発光領域を備えている発光ダイオードの上面図である。
【図３】本発明の第２の態様による４つの発光領域を備えている発光ダイオードの上面図である。
【図４】本発明の一態様による発光ダイオードの、図２および３の線４−４に沿った断面図である。
【図５】本発明の第３の態様による２つの発光領域を備えている発光ダイオードの上面図である。
【図６】本発明の一態様による発光ダイオードの、図５の線６−６に沿った断面図である。
【図７】本発明の一態様による少なくとも２つの発光領域を備えている発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
１１０  発光ダイオード
１２０  第１の発光ゾーン
１２４  欠陥
１３０  第２の発光ゾーン
１４０  欠陥伝搬制限機構
【図１】
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【図２】
2007027741.tif 000004
【図３】
2007027741.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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