(57)【要約】【課題】表示部を形成するためのパターンが形成された基板と、被位置合わせ部材とを高精度に位置合わせ可能な表示装置の製造装置を提供すること、煩雑な工程を行うことなく高精度に位置合わせ可能な製造方法を提供すること等。【解決手段】表示装置の製造装置１００は表示部を形成するためのパターン２４が形成された基板２に被位置合わせ部材（マスク３）を対面させてパターン２４とマスク３との位置合わせを行う。基板２はパターン２４との位置関係が予め規定された位置に出力機能を有する受光素子部２１を備える。マスク３は位置合わせ用透光部３２を有する。製造装置１００は受光素子部２１又は透光部３２との位置関係が固定され、透光部３２を介して受光素子部２１に光を照射可能な光源４を有する。製造装置１００は受光素子部２１の出力を基に基板２とマスク３との位置制御を行う位置制御手段（相対位置駆動部５や制御部８）を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、前記パターンと前記被位置合わせ部材との位置合わせを行う表示装置の製造装置であって、
前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成され、
前記被位置合わせ部材は、位置合わせ用の透光部を有し、
前記受光素子部又は前記透光部との位置関係が固定され、前記透光部を介して前記受光素子部に光を照射可能な光源を設け、
前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記被位置合わせ部材との位置制御を行う位置制御手段を有することを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項２】
前記被位置合わせ部材は、成膜源と、前記成膜源からの成膜材料が成膜される前記基板との間に配置される成膜用のマスクであり、
前記位置制御手段は、前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記マスクとの位置制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項３】
前記基板は、前記受光素子部の前記出力機能として、当該受光素子部に電気的に接続された基板側端子部を備え、
当該製造装置は、前記基板側端子部に電気的に接続可能な装置側端子部を有し、
前記位置制御手段は、前記基板側端子部および前記装置側端子部を介した前記受光素子部の出力に基づいて前記位置制御を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造装置。
【請求項４】
前記基板を支持する基板支持部を有し、
前記基板支持部は、前記基板上に形成された前記基板側端子部と接触する面側に、当該基板側端子部と電気的に接続可能な前記装置側端子部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記位置制御手段は、前記被位置合わせ部材と前記基板との相対位置調整を行う相対位置駆動手段と、
前記受光素子部の出力に基づいて、予め規定された受光強度になるように前記相対位置駆動手段を制御する制御回路とを備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一に記載の表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記制御回路は、前記受光素子部の出力に基づいて、規定された受光強度分布となるように、前記相対位置駆動手段を制御することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記制御回路は、前記受光素子部の出力に基づいて、前記相対位置駆動手段により、前記被位置合わせ部材と前記基板との相対位置を微小に相対移動制御することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記受光素子部は、半導体受光素子からなることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一に記載の表示装置の製造装置。
【請求項９】
前記光源は、アライメント光としてパルス光、または可視外領域の波長の光を出力することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一に記載の表示装置の製造装置。
【請求項１０】
表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、前記パターンと前記被位置合わせ部材との位置合わせを行う表示装置の製造方法であって、
前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成され、
前記受光素子部、又は前記被位置合わせ部材に形成された位置合わせ用の透光部との位置関係が固定された光源から、前記透光部を介して前記受光素子部に光を照射する工程と、
前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記被位置合わせ部材との位置制御を行う工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記被位置合わせ部材は、成膜材料を前記基板上に所定のパターンに形成させるための開口部を備えた成膜用のマスクであり、
前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記成膜用のマスクとの位置制御を行った後、成膜を行うことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板に、前記受光素子部の前記出力機能として、当該受光素子部に電気的に接続された基板側端子部を形成し、
前記基板側端子部を介した前記受光素子部の出力に基づいて前記位置制御を行うことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記受光素子部の出力に基づいて、規定された受光強度分布となるように、前前記位置合わせを行うことを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記受光素子部が前記透光部を介して検出した光の受光強度分布に基づいて、前記被位置合わせ部材と前記基板との相対位置を微小に相対移動制御させて前記位置合わせを行うことを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
表示部を形成するためのパターンが形成され、当該パターンと被位置合わせ部材とが位置合わせされる表示装置の基板であって、
前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されていることを特徴とする表示装置の基板。
【請求項１６】
一端部が前記受光素子部に電気的に接続され、他端部が外部装置に接続可能な端子部が形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の基板。
【請求項１７】
前記端子部は、前記他端部が当該基板の端部近傍に形成されていることを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の表示装置の基板。
【請求項１８】
前記受光素子部は、半導体受光素子からなることを特徴とする請求項１５から請求項１７のいずれか一に記載の表示装置の基板。
【請求項１９】
前記基板上の予め規定された領域内に、複数の前記受光素子部が形成されていることを特徴とする請求項１５から請求項１８のいずれか一に記載の表示装置の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造装置、表示装置の製造方法、および表示装置の基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置、例えば有機ＥＬパネルの製造工程での基板と蒸着用マスクとの位置制御方法を説明する。
一般的な有機ＥＬパネルの製造工程では、支持基板（基板）上に下部電極を形成する工程、支持基板（基板）を洗浄する工程、絶縁膜や隔壁などを形成する工程、蒸着前処理、有機層形成工程（パターン形成工程）、上部電極を形成する工程、封止工程（貼り合わせ工程）等が順次行われる。
上述した有機層形成工程（パターン形成工程）では、蒸着前処理された支持基板（基板）を、蒸着装置（位置制御装置）内へ搬送し、蒸着用マスクを蒸着源と支持基板との間に配置し、蒸着用マスクと基板との位置決めを行った後、蒸着により有機層（パターン）を成膜する。この蒸着用マスクに形成されている開口部が、基板に成膜される有機ＥＬ素子形成領域に対応するので、基板とマスクとの間で高精度な位置調整を行う必要がある。
【０００３】
例えば特許文献１には、位置決め機能を有する蒸着装置が開示されている。この装置は、例えば図１に示すように、透明基板（基板）１０１に形成されたアライメントマーク１０２と、蒸着用マスク（マスク）１０３に形成されたアライメント用開口部１０４とをカメラ１０５により撮影し、その撮影結果に基づいて基板１０１とマスク１０３との位置調整を行う。位置調整後、真空チャンバー１０６内にて蒸着源１０７から蒸発した蒸着材料１０９が、マスク１０３のパターン形成用開口部１０８を介して基板１０１上に蒸着される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８３０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし上述した装置では、カメラ撮影により得られた画像に基づいて位置調整を行うが、例えば支持基板側のアライメントマーク１０２がレジスト等により汚れている場合では、誤検出や誤認識が生じて位置調整の精度が低下する場合がある。この位置調整の精度が低いと成膜時に成膜不良が生じて、最終的な表示パネルに表示不良等が生じる虞がある。またカメラ撮影による位置調整では透明基板に限られるという問題がある。またアライメントマーク１０２の検出精度を高めるために、反射性の高い金属材料によりアライメントマーク１０２を形成する方法が知られているが、例えば基板上に絶縁膜や隔壁等をフォトリソ工程により形成した場合には、アライメントマーク１０２がレジスト等の汚れるために、その汚れを除去する余計な工程を要するという問題がある。また基板１０１が半透明性や反射性を有する材料からなる場合にも、アライメントマーク１０２の画像認識の精度が低下して、位置調整の精度が低下する場合がある。また高精度に位置調整を行うためにアライメントマーク１０２を比較的小さく形成すると、汚れによる影響を受けやすくなる。
【０００６】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、表示装置に用いられる基板と被位置合わせ部材とを高精度に位置合わせすることができる表示装置の製造装置を提供すること、煩雑な工程を行うことなく表示装置に用いられる基板と被位置合わせ部材とを高精度に位置合わせすることができる表示装置の製造方法を提供すること、不透明基板であっても被位置合わせ部材と高精度に位置合わせを行うことができること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
請求項１に記載の発明は、表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、前記パターンと前記被位置合わせ部材との位置合わせを行う表示装置の製造装置であって、前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成され、前記被位置合わせ部材は、位置合わせ用の透光部を有し、前記受光素子部又は前記透光部との位置関係が固定され、前記透光部を介して前記受光素子部に光を照射可能な光源を設け、前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記被位置合わせ部材との位置制御を行う位置制御手段を有することを特徴とする。
【０００８】
請求項１０に記載の発明は、表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、前記パターンと前記被位置合わせ部材との位置合わせを行う表示装置の製造方法であって、前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成され、前記受光素子部、又は前記被位置合わせ部材に形成された位置合わせ用の透光部との位置関係が固定された光源から、前記透光部を介して前記受光素子部に光を照射する工程と、前記受光素子部の出力に基づいて、前記基板と前記被位置合わせ部材との位置制御を行う工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
請求項１５に記載の発明は、表示部を形成するためのパターンが形成され、当該パターンと被位置合わせ部材とが位置合わせされる表示装置の基板であって、前記基板は、前記パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されていることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造装置は、表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、パターンと被位置合わせ部材との位置合わせを行う。この基板には、パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されている。また被位置合わせ部材は、位置合わせ用の透光部を有する。また光素子部又は透光部との位置関係が固定され、透光部を介して受光素子部に光を照射可能な光源が設けられている。製造装置は、受光素子部の出力に基づいて、基板と被位置合わせ部材との位置制御を行う位置制御手段を有する。
上記構成の表示装置の製造装置では、位置制御手段が受光素子部の出力に基づいて、基板と被位置合わせ部材との位置制御を行うので、表示装置の基板と被位置合わせ部材とを高精度に位置合わせすることができる。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、表示部を形成するためのパターンが形成された基板に被位置合わせ部材を対面させて、パターンと被位置合わせ部材との位置合わせを行う表示装置の製造方法である。基板は、パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されている。製造方法は、受光素子部又は被位置合わせ部材に形成された位置合わせ用の透光部との位置関係が固定された光源から、透光部を介して受光素子部に光を照射する工程と、受光素子部の出力に基づいて、基板と被位置合わせ部材との位置制御を行う工程とを有する。
上記したように受光素子部の出力に基づいて、基板と被位置合わせ部材との位置制御を行うので、高精度に位置制御を行うことができる。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る表示装置の基板は、表示部を形成するためのパターンが形成され、当該パターンと被位置合わせ部材とが位置合わせされる表示装置の基板である。この基板は、パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されている。
上記構成の基板は、上記製造装置や製造方法により、前記被位置合わせ部材と高精度に位置合わせを行うことができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態を説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
図２は、本発明の第１実施形態に係る表示装置を製造する製造装置１００を説明するための図である。本実施形態に係る製造装置を採用した蒸着装置は、基板に各種蒸着材料を蒸着するための装置であり、例えば有機ＥＬパネルの表示装置の製造等に用いることができる。また、本発明に係る製造装置は上述した形態に限られるものではない。本発明に係る製造装置を、複数の部材間の位置合わせを行う組立装置に採用することができる。
本実施形態に係る表示装置の製造装置１００は、例えば図２に示すように、基板２、マスク３、光源４、相対位置駆動部５、装置側端子部（端子部）６、蒸着源７、および制御部８を有する。
【００１４】
基板２は本発明に係る基板の一実施形態に相当する。マスク３は本発明に係る被位置合わせ部材や成膜用のマスクの一実施形態に相当する。光源４は本発明に係る光源の一実施形態に相当する。相対位置駆動部５は本発明に係る相対位置駆動手段の一実施形態に相当する。端子部６は本発明に係る装置側端子部の一実施形態に相当する。蒸着源７は本発明に係る蒸着源の一実施形態に相当する。相対位置駆動部５および制御部８は本発明に係る位置制御手段の一実施形態に相当する。制御部８は本発明に係る制御回路の一実施形態に相当する。相対位置駆動部５は本発明に係る相対位置駆動手段の一実施形態に相当する。
【００１５】
本実施形態に係る基板２は、例えば被位置合わせ部材と位置合わせする表示装置に用いられる部材である。本実施形態に係る基板２は、例えば有機ＥＬ素子を形成する基板、液晶を形成する基板、ＰＤＰを形成する基板などの表示用素子を形成する基板（成膜時にマスクとの位置調整が行われる）などの表示装置（表示パネル）を構成する基板に採用することができる。
また、基板２は、カラーフィルターを形成するために顔料を転写またはパターニングされる基板や、金属配線をフォトリソグラフィなどでパターン形成する際に使用される基板（転写時や露光時にフォトマスクとの位置調整）などに採用してもよい。また基板２は、例えばＣＯＧ（Chip on Glass）などのフレキシブル基板を貼りあわせる際に使用される基板などのような位置合わせを必要とする基板や樹脂フィルムなどに採用してもよい。また基板２は、表示用素子が形成された基板と、表示用素子を保護する部材とを貼りあわせる際の基板などの各種基板に採用することができる。
【００１６】
基板２は、例えば図２に示すように、受光素子部２１、基板側端子部（端子部）２２、パターン形成領域２３、およびパターン２４を有する。
受光素子部２１は本発明に係る受光素子部の一実施形態に相当する。基板側端子部（端子部）２２は本発明の基板側端子部の一実施形態に相当する。パターン形成領域２３は本発明に係る表示部の一実施形態に相当する。パターン２４は本発明に係るパターンの一実施形態に相当する。パターン形成領域２３には、本発明に係るパターン２４が予め形成されている。このパターン２４は、表示装置の表示部を形成するためのパターンであり、位置合わせ前に予め基板２上に形成されている。このパターン２４と被位置合わせ部材とを位置合わせする。
【００１７】
受光素子部２１は、基板２上の予め規定された位置に形成されている。詳細には受光素子部２１は、パターンとの位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部が形成されている。具体的には受光素子部２１は、パターン形成領域２３以外の領域、例えばパターン形成領域２３の近傍に形成されている。本実施形態では図２に示すように、複数の受光素子部２１が基板２の端部近傍、好ましくは基板２の角部に規定距離だけ離れて形成されている。この際、受光素子部２１間が離れているほど基板２の面内方向の位置合わせ精度が高い。
受光素子部２１は、後述するように光源４からマスク３を介して受光し、その受光結果に応じた信号を出力する。また受光素子部２１は、後述するようにマスク３に形成されたアライメントマーク（透光部）３２に対応した位置に、基板２上に形成されている。つまり受光素子部２１は、マスク３の規定位置に形成されたアライメントマーク（透光部）３２を検出する機能を有する。
受光素子部２１としては、半導体受光素子、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタや、電荷結合素子（ＣＣＤ：Charge Coupled Devices）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）センサ等のイメージセンサ等の各種受光素子（光電変換素子）を採用することができる。
この受光素子部２１は、基板２上の予め規定された領域内に１個の受光素子部２１が形成されていてもよいし、基板２上の予め規定された領域内に複数個の受光素子部２１がアレイ形状、マトリクス形状など各種形状に形成されていてもよい。上記構成の複数個の受光素子部２１を設けることにより、光源４からマスク３を介して受光した結果に基づいて高精度に位置検出を行うことができ、その結果、高精度に位置合わせを行うことができる。
受光素子部２１は、例えばフォトリソ工程やエッチング工程、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの成膜工程等、各種製造工程により基板２上に形成される。この際、受光素子部２１は、パターンの形成工程に対応して、フォトリソ工程やエッチング工程等により、基板２上に形成される。受光素子部２１はこの形態に限られるものではない。例えば予め基板２とは別体にて形成されたフォトダイオードやフォトトランジスタ等の受光素子部２１を、基板２上の予め規定された位置に接着剤等により接着して形成してもよい。
【００１８】
端子部２２は、受光素子部２１の出力機能として、受光素子部２１に電気的に接続された導電部であり、基板２上に形成されている。この端子部２２は、一端が受光素子部２１に電気的に接続され、他端が外部装置に接続可能に形成された端子である。またこの導電材料からなる端子部２２は、例えばフォトリソ工程やエッチング工程、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの成膜工程等、各種製造工程により形成される。端子部２２は、例えば図２に示すように、受光素子部２１の近傍に形成され、基板２の端部近傍の辺に沿って形成されている。
パターン形成領域２３は、上述したように表示装置の表示部を形成するためのパターン２４が形成された領域である。例えばパターン形成領域２３には、表示部の下部電極などの各種パターンが予め形成されている。また例えばパターン形成領域２３には、パターン領域内にスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などの成膜法により有機ＥＬ層や導電層、絶縁層、半導体層など各種材料からなる層が成膜される。
【００１９】
上記構成の基板２の製造方法を簡単に説明する。まず図２に示すように、基板２上の予め規定された位置、詳細にはパターン形成領域２３内に、パターン２４を形成する。パターン２４は、例えばフォトリソ工程エッチング工程、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの成膜工程等、各種製造工程により形成される。
次に、このパターン２４の形成工程に対応して受光素子部２１および端子部２２を形成する。この受光素子部２１および端子部２２は、例えばフォトリソ工程またはエッチング工程、スパッタ法、真空蒸着法、CVD法などの成膜工程等、各種製造工程により形成される。例えば受光素子部２１としてフォトダイオードを採用した場合には、基板２上に、下部電極、ｎ型半導体、ｐ型半導体、上部電極、保護膜等を各種製造方法により積層して受光素子部２１を形成する。この受光素子部２１と端子部２２は同時に形成してもよいし、別々の工程にて形成してもよい。また受光素子部２１や端子部２２は、パターン形成と同時に形成してもよいし、別々の工程にて形成してもよい。上記製造方法により基板２を簡単に得ることができる。
【００２０】
本実施形態に係るマスク３は、基板２に対する被位置合わせ部材である。本実施形態に係るマスク３は、成膜用のマスクであり、例えばいわゆる蒸着用の遮蔽マスク（シャドーマスク）である。このマスク３は、光源４と基板２との間に配置されている。またマスク３は、遮蔽部３１、透光部（アライメントマーク）３２、およびパターン形成用開口部３３を有する。
マスク３は、例えば金属材料や樹脂材料など各種材料からなる。本実施形態に係るマスク３を、例えば蒸着用マスクに採用した場合には、遮蔽部３１は蒸着源からの蒸着材料をマスク３に対して遮蔽する。また遮蔽部３１は、光源４から放射された光を基板２に対して遮蔽する機能を有する。透光部３２は、製造工程における他の部材との位置合わせを行うための指標となる。詳細には透光部３２は、マスク３の予め規定された位置、例えば基板２の受光素子部２１と対応する位置に形成され、少なくとも光源４から放射された光を透過する。具体的には透光部３２は、光源４から放射された光を透過する材料により形成されていてもよいし、貫通孔部（透光孔部）であってもよい。パターン形成用開口部３３は、例えばマスク３を蒸着用マスクとして採用した場合に、基板２上に形成される蒸着パターンの形状に対応して形成された貫通孔部である。
【００２１】
光源４は、第１の部材（基板２）と第２の部材（マスク３）と間の位置合わせを行うための光（アライメント光）を放射する光源である。詳細には光源４は受光素子部２１又は透光部３２との位置関係が固定され、透光部３２を介して受光素子部２１に光を照射可能である。光源４は、例えば特定の波長（特定の周波数）のレーザ光や、白熱光、太陽光を集光した光等の各種光を出力する光出力装置を採用することができる。光源４は、例えば受光素子部２１としてｎ型半導体およびｐ型半導体などにより構成されるフォトダイオードを採用した場合には、その受光素子部２１の半導体バンドギャップよりも、光源４から出力されるアライメント光のエネルギーが大きくなくように設定されている。また光源４は、例えば予め規定された波長（または周波数）の光や、規定パルス長のパルス光など、外光と区別できるような光を放射することが好ましい。こうすることで受光素子部２１では、光源４からの光と外光とを区別することができ、位置合わせ精度を向上させることができる。
【００２２】
相対位置駆動部５は、例えば制御部８からの制御により、基板２とマスク３との相対位置の位置調整を行う。詳細には相対位置駆動部５は、基板２やマスク３を支持し、制御部８からの制御信号に基づいて、基板２およびマスク３との相対位置の位置調整を行う。相対位置駆動部５は、例えば基板２とマスク３とを面内方向に沿って、詳細にはｘ軸方向、ｙ軸方向に沿って相対的移動することができる。また相対位置駆動部５は更に、例えば基板２とマスク３とを相対回転させることができる。また相対位置駆動部５は、例えば基板２とマスク３とをｚ軸方向に沿って相対的移動できるように構成されていてもよい。
【００２３】
端子部６は、一端が基板２上に形成された端子部２２に対して電気的に接続可能に形成され、他端部が制御部８に接続されている。
蒸着源７は、蒸着材料を収容する収容容器や蒸着材料を加熱する加熱部を有する。この加熱部は例えば制御部８により加熱制御される。
【００２４】
制御部８は、装置全体を統括的に制御して本発明に係る機能を実現する。制御部８は、例えば受光素子部２１による受光結果に基づいて、基板２とマスク３とが予め規定された相対位置となるように、相対位置駆動部５を駆動して基板２とマスク３との相対位置を調整する。
制御部８は、基板２とマスク３との相対位置を決定した場合には、基板２とマスク３とをその相対位置関係を保持した状態で固定する。
【００２５】
制御部８による相対位置の制御としては、各種条件などに応じて適宜、最適な制御を行うことが好ましい。
図３は図２に示した製造装置１００の制御部８の動作を説明するための図である。横軸は基板２とマスク３との相対位置ｒを示し、縦軸は受光素子部２１による受光結果の受光強度を示す。図３（ａ），（ｂ）は基板２とマスク３との相対位置に対する受光強度分布Ｉｐ１を示す図である。
例えば制御部８は、図３（ａ）に示すように、受光素子部２１により受光した結果、相対位置ｒａにて受光強度Ｉｐ２を得た場合に、予め規定された受光強度Ｉｐ３になるように相対位置駆動部５を制御する。この受光強度分布Ｉｐ３は、図３（ｂ）に示すように相対位置ｒｂにて受光強度が最大ピークとなる。
【００２６】
また制御部８は、図３（ｂ）に示すように、受光素子部２１により受光した結果に基づいて、例えば受光強度Ｉが最大ピーク値Ｉｄとなるように相対位置駆動部５を駆動する。例えば制御部８は、相対位置ｒｃにて受光強度Ｉｃが得られた場合に、相対位置駆動部５を制御して受光強度Ｉが大きくなるように基板２とマスク３との相対位置ｒを調整し、相対位置ｒｄにて最大受光強度Ｉｄが得られた場合に、その相対位置ｒｄにて基板２とマスク３との相対的位置関係を固定する。
【００２７】
また制御部８は、受光素子部２１により受光した結果に基づいて、最大受信強度の半値幅の中間に対応する相対位置となるように、基板２とマスク３との位置制御を行ってもよい。詳細には制御部８は、例えば図３（ｂ）に示すように、最大受光強度Ｉｄの半値Ｉｄｈに対応する相対位置ｒｅ，ｒｆを特定し、その特定した位置ｒｅ，ｒｆの中間位置ｒｇにて基板２とマスク３とを相対的に固定してもよい。
【００２８】
また、制御部８は、受光素子部２１がマスク３の透光部３２を介して検出した光の受光強度分布に基づいて最大強度ピークが得られるように、基板２を微小移動させて位置合わせを行ってもよい。
【００２９】
上記構成の製造装置１００の動作を、図面を参照しながら説明する。
先ず、基板２およびマスク３を製造装置１００内に搬送する。基板２と光源４の間にマスク３を配置する。次に基板２の受光素子部２１に電気的に接続された端子部２２に、端子部６が接続される。次に制御部８は、光源４を制御して光源４からレーザ光が出力される。基板２の受光素子部２１では、受光した結果に応じた信号が出力される。制御部８は、受光素子部２１から端子部２２および端子部６を介して出力された信号に基づいて相対位置駆動部５を制御する。この際、制御部８は受光結果に基づいて受光強度が大きくなるように相対位置駆動部５に制御信号を出力する。相対位置駆動部５は制御部８からの制御信号に基づいて、基板２とマスク３との相対位置を調整する。
【００３０】
この際、上述したように制御部８は、受光素子部２１からの信号に基づいて所定の受光強度分布となるように相対位置駆動部５を制御してもよい。また例えば制御部８は、受光素子部２１で受信される受光強度が最大レベルとなるように相対位置駆動部５を制御してもよい。また制御部８は受光強度レベルの半値幅を特定し、その特定した半値幅の中間位置となるように相対位置駆動部５を制御してもよい。
【００３１】
制御部８は、上記制御の結果、基板２とマスク３とが所定の位置に位置決めされた場合には、基板２とマスク３の位置関係を固定するように、相対位置駆動部５を制御する。そして制御部８は、蒸着源７を制御して、蒸着源７から蒸着材料を蒸発させる。蒸着源７からの蒸着材料が、マスク３を介して基板２上のパターン形成領域２３に蒸着される。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態に係る製造装置１００は、表示装置の表示部を形成するためのパターン２４が形成された基板２に、被位置合わせ部材（マスク３）を対面させて、パターン２４と被位置合わせ部材とを位置合わせを行った後、蒸着源７からの蒸着材料をマスク３を介して被蒸着対象の基板２に蒸着する。この際、基板２には、光源４からの光を受光し出力機能（端子部２２）を有する受光素子部２１が、基板２上の規定位置、詳細にはパターン２４との位置関係が予め規定された位置に形成されている。マスク３は光源４と基板２の間に配置され、マスク３には受光素子部２１に対応する位置に形成された、光源４からの光を透過するアライメントマークとしての透光部３２を備える。製造装置１００は受光素子部２１又は透光部３２との位置関係が固定され、透光部３２を介して受光素子部２１に光を照射可能な光源４を有する。そして製造装置１００は受光素子部２１の出力に基づいて基板２とマスク３との位置制御を行う位置制御手段（相対位置駆動部５や制御部８）を有するので、煩雑な工程を行うことなく、高精度に基板２と被位置合わせ部材（マスク３）とを位置制御可能である。
【００３３】
また、高精度に基板２とマスク３とが位置合わせされた状態で成膜を行うことで、基板２のパターン形成領域２３に高精度に成膜パターンを形成することができる。また例えば基板２に予め形成された下部電極等のパターン２４に、有機ＥＬ層などの成膜材料を高精度に成膜することができるので、高性能な表示装置を得ることができる。
【００３４】
また基板２上に成膜パターンを形成する場合に、例えば有機ＥＬ素子を構成する成膜層を形成する場合に、受光素子部２１を基板２上に形成し、受光素子部２１が検出する光強度分布に基づいて、基板２とマスク３との位置合わせを行うので、基板２上に汚れが付着している場合でも高精度に位置合わせを行うことができる。また基板２が非透明性基板であっても、光源４（マスク３）に対向する面側に、受光素子部２１を形成することで、マスク３の透光部３２を介した光を受光することができ、その受光強度に基づいて簡単に位置合わせを行うことができる。
【００３５】
また本発明に係る位置制御手段は、例えば強度分布を検出してその強度ピーク位置を特定し、その強度ピークの位置となるように基板２とマスク３との相対位置を制御するので、例えば単純にカメラでアライメントマークを撮影した結果に基づいて位置合わせを行う従来の装置と比べて、高精度に位置合わせを行うことができる。
また基板２に出力機能を有する受光素子部２１を設けたので、不透明な基板であっても被位置合わせ部材（マスク３）と高精度に位置合わせを行うことができる。
【００３６】
［第２実施形態］
図４は本発明の第２実施形態に係る製造装置１００ａを説明するための図である。図５は図４に示した基板２ａを説明するための図である。図６は図４に示した基板２ａおよび基板支持部を説明するための図である。図７は図４に示したマスク３ａを説明するための図である。図８は図４に示した基板２ａおよび基板支持部とを説明するための図である。図８（ａ）は基板支持部を説明するための斜視図であり、図８（ｂ）は基板および基板支持部を説明するための斜視図である。第１実施形態と同じ機能の構成要素については説明を省略する。
【００３７】
図４に示すように、本実施形態に係る製造装置１００ａは、基板２ａ、マスク３ａ、光源４、相対位置駆動部５ａ、端子部６ａ、蒸着源７、制御部８ａ、真空槽１０、および回転駆動部１１を有する。本実施形態では真空槽１０内に、基板２ａ、マスク３ａ、光源４、相対位置駆動部５ａ、端子部６ａ、蒸着源７、および回転駆動部１１が配置され、真空槽１０の外に制御部８ａが配置されている。
真空槽１０は、例えば図示しない真空ポンプ等を含む真空排気系を有し、内部を所定圧力に維持できるようにしている。真空槽１０内の上部に基板２ａやマスク３ａが配設され、その下方にマスク３ａと対向するように蒸着源７が設置されている。
【００３８】
本実施形態に係る基板２ａは、例えば図５に示すように、受光素子部２１ａ、端子部２２ａ、パターン形成領域２３ａ、およびパターン２４ａを有する。
本実施形態に係る受光素子部２１ａは、図５に示すように、基板２ａの端部近傍、好ましくは角部近傍に形成されている。例えば４個の受光素子部２１が角部近傍に形成されている。また本実施形態では受光素子部２１ａとしてフォトダイオードを採用する。端子部２２ａは、図４に示すように、基板２ａ上に導電材料からなり略Ｌ字状に形成されており、一端部が例えばフォトダイオードのアノードに電気的に接続し、他端部が基板２の端部に配置するように形成された第１の端子部２２１と、基板２上に導電材料からなり略Ｌ字状に形成され、一端部がフォトダイオードのカソードに電気的に接続し、他端部が基板２の端部に配置するように形成された第２の端子部２２２とを有する。パターン形成領域２３ａは、基板２ａの略中央部に左右に並んで２つパターン形成領域２３１，２３２が形成されている。また受光素子部２１は、例えば図５に示すように、各構成要素、詳細には受光素子部２１ａ、端子部２２ａが、ｘｙ平面内で１８０度回転させたときに一致するように形成されている。パターン２４ａは、パターン形成領域２３ａ内に形成されている。このパターン２４ａは表示装置の表示部を形成するためのパターンである。本実施形態ではパターン形成領域２３１，２３２にパターン２４１，２４２が形成されている。受光素子部２１ａは、このパターン２４ａとの位置関係が予め規定された位置に形成される。この構成によりパターン２４ａと被位置合わせ部材（マスク３ａ）とを高精度に位置合わせすることができる。
【００３９】
マスク３ａは、図７に示すように、遮蔽部３１ａ、透光部（アライメントマーク）３２ａ、およびパターン形成用開口部３３ａを有する。本実施形態に係る遮蔽部３１ａ、パターン形成用開口部３３ａは、基板２ａのパターン形成領域２３に対応した形状に形成されている。透光部（アライメントマーク）３２ａは、基板２ａの受光素子部２１ａに対応して形成されている。本実施形態に係る透光部３２ａは、図７に示すように、２つの透光孔部がマスク３ａの角部に形成されている。
【００４０】
本実施形態に係る相対位置駆動部５ａは、図４，８に示すように、基板支持部５１、マスク支持部５２、マスク位置駆動部５３、基板位置駆動部５４を有する。
基板支持部５１は、基板２ａを保持する。基板支持部５１は、例えば図４，図８（ａ）に示すように、略Ｌ字形状に屈曲した腕部が形成され、その端部にて基板２ａを支持する。また基板支持部５１は、基板２ａ上に形成された端子部２２ａと接触する面側に、端子部２２ａと電気的に接続可能な装置側端子部（端子部）６ａが形成されている。詳細には端子部６ａは、基板支持部５１が基板２ａを支持した状態で、基板２ａに形成された端子部２２ａと対応する位置に、基板支持部５１の端部に形成されている。この端子部６ａは制御部８ａに電気的に接続されている。そして図６，図８（ｂ）に示すように、基板２ａを基板支持部５１にて支持することで、端子部２２ａと端子部６ａとが電気的に接続する。つまり受光素子部２１ａと制御部８とが電気的に接続される。
上記構成の基板支持部５１に端子部６ａを設けたことにより、簡単に受光素子部２１ａと制御部８とを電気的に接続することができる。また基板２ａのパターン形成領域２３ａの成膜有効エリアを広げることができる。
【００４１】
マスク支持部５２は、マスク３ａを保持する。マスク支持部５２は、例えば枠形状に形成され、図４に示すようにマスク３ａの端部付近を支持する。
マスク位置駆動部５３は、例えば制御部８ａによる制御に応じて、基板２ａに対してマスク３ａの相対位置を調整する。詳細にはマスク位置駆動部５３は、基板２ａに対してｘ軸方向、ｙ軸方向に沿って相対移動することができる。マスク位置駆動部５３は、例えば基板２ａとマスク３ａとを相対回転させることができる。またマスク位置駆動部５３は、例えば基板２ａとマスク３ａとをｚ軸方向に沿って相対的移動できるように構成されていてもよい。
基板位置駆動部５４は、例えば制御部８ａの制御により、基板２ａの位置をｘ軸方向、ｙ軸方向に沿って相対移動することができる。
回転駆動部１１は、相対位置駆動部５ａを保持し、つまり基板２ａおよびマスク３ａを保持し、制御部８ａの制御により、成膜中に相対位置駆動部５ａを回転させる。
【００４２】
本実施形態に係る制御部８ａは、例えば図４に示すように、インタフェース８１、操作入力部８２、表示部８３、メモリ８４、記憶装置８５、およびＣＰＵ（制御回路）８６を有する。各構成要素はバス（導電線）８７により電気的に接続されている。インタフェース８１は、製造装置の規定された構成要素、例えば光源４、相対位置駆動部５ａ、蒸着源７、端子部６ａを介して受光素子部２１ａ等に電気的に接続されており、制御回路８６の制御により、その構成要素に制御信号を出力したり、その構成要素からの信号を制御回路８６に出力する。操作入力部８２は、例えばオペレータにより操作される操作入力装置、例えばキーボードや、操作ボタン、マウスなどにより構成され、その操作に応じた信号を制御回路８６に出力する。制御回路８６は、その信号に応じた処理を行う。表示部８３は、例えば制御回路８６の制御により、本発明に係る画面表示を行う。メモリ８４は、例えばＲＡＭやＲＯＭなどの半導体メモリなどにより構成され、例えば本発明に係る機能を有するプログラムなど記憶する。制御回路８６は例えばこのプログラムを実行することにより本発明に係る機能を実現する。記憶装置８５は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）や光磁気ディスクドライブなどの記憶装置により構成される。ＣＰＵ（制御回路）８６は、装置全体を統括的に制御する。制御回路８６の詳細な動作については後述する。
【００４３】
図９は、図４に示した製造装置１００ａの動作を説明するためのフローチャートである。図９を参照しながら、製造装置１００ａの動作を制御部８ａ、詳細には制御回路８６の動作を中心に説明する。
ステップＳ１において、基板２ａ、マスク３ａ、光源４、蒸着源７などを予め規定された初期位置に設定する。詳細には先ず、真空槽１０内に基板２ａを基板支持部５１にて支持して初期位置に配置し、光源４と基板２ａの間にマスク３ａを規定位置に配置する。この際上述したように、基板２ａの受光素子部２１ａに電気的に接続された端子部２２ａが、端子部６ａに接続される。
ステップＳ２において、制御部８ａは、光源４を制御して光源４からレーザ光が出力される。
ステップＳ３において、基板２ａの受光素子部２１ａでは、受光した結果に応じた信号が出力される。
ステップＳ４において、制御部８ａは、受光素子部２１から端子部２２ａ、端子部６ａを介して入力された信号に基づいて相対位置駆動部５ａを制御する。この際、制御部８ａは受光結果に基づいて受光強度が大きくなるように相対位置駆動部５ａに制御信号を出力する。相対位置駆動部５ａは制御部８ａからの制御信号に基づいて、基板２ａとマスク３ａとの相対位置を調整する。制御部８ａは、詳細には例えばマスク位置駆動部５３に制御信号を出力して、基板２ａとマスク３ａとの相対位置、詳細にはｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向に沿った相対位置を調整する。また、上述したように制御部８ａは、受光素子部２１からの信号に基づいて所定の受光強度分布となるように相対位置駆動部５ａを制御してもよい。
ステップＳ５において、制御部８ａは、上記制御の結果、基板２ａとマスク３ａとが所定の位置に位置決めされた場合には、基板２ａとマスク３ａの位置関係を固定するように、相対位置駆動部５ａを制御する。
ステップＳ６において、制御部８ａは、蒸着源７を制御して、蒸着源７から蒸着材料を蒸発させる。蒸着源７からの蒸着材料が、マスク３ａを介して基板２ａ上のパターン形成領域２３に蒸着される。この成膜時に、制御部８ａは、回転駆動部１１を回転駆動させて、基板２ａおよびマスク３ａを回転させている。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態に係る製造装置１００ａは、基板２ａ上に形成された端子部２２ａと接触する面側に、端子部２２ａと電気的に接続可能な装置側端子部（端子部）６ａが形成された基板支持部５１を有するので、基板２ａを基板支持部５１にて支持することで、端子部２２ａと端子部６ａとが簡単に電気的に接続する。つまり受光素子部２１ａと制御部８ａとを簡単に電気的に接続することができる。
【００４５】
また、製造装置１００ａは、蒸着源７上に基板２ａおよび蒸着用マスク３ａを保持し、成膜中に基板２ａと蒸着用マスク３ａを回転させる回転駆動部１１に、相対位置駆動部５ａの各構成要素を設けたので、制御部８ａは、簡単に基板２ａとマスク３ａとを位置調整した後、その状態で基板２ａとマスク３ａとを回転させて蒸着することができる。こうすることにより高精度に成膜されたパターンを有する基板２ａを得ることができる。上記実施形態に係る製造装置１００ａを有機ＥＬ素子を形成する装置に適用した場合には、高精度に成膜されたパターンを有する基板２ａを用いて、高品質の表示性能を有する表示装置を得ることができる。
また基板２ａに出力機能を有する受光素子部２１ａを設けたので、不透明な基板であっても被位置合わせ部材（マスク３ａ）と高精度に位置合わせを行うことができる。
【００４６】
［第３実施形態］
図１０は、本発明の第３実施形態に係る製造装置１００ｂを説明するための図である。本実施形態に係る製造装置１００ｂは、基板２ｂと蒸着用マスク３ａとのギャップ調整を高精度に行う。詳細には本実施形態に係る製造装置１００ｂでは、図１０に示すように、基板２ｂ，マスク３ａの面に対して略直交する方向（垂直な方向）に沿って光（レーザ光）を放射する光源４ａと、基板２ｂ，マスク３ａの面に対して斜め方向に光（レーザ光）を照射する光源４ｂを有する。この光源４ｂから放射された光は、マスク３ａの透光部３２ａを斜め方向に入射し、基板２ａに対しても斜め方向に入射する。また、本実施形態に係る光源４ａ，光源４ｂは真空槽１０の外部に配置され、透光窓部１０ａを介して、光（レーザ光）を真空槽１０内部に入射している。
基板２ｂは、受光素子部２１ａと、それに隣接して受光素子部２１ｂが形成されている。この受光素子部２１ａは、光源４ａからの光（レーザ光）を受光する。受光素子部２１ｂは、例えば基板２ｂとマスク３ａとが予め規定された相対距離（ギャップ）となった場合に、光源４ｂからの光（レーザ光）を受光するように配置されている。
【００４７】
上記構成の製造装置１００ｂでは、制御部８ａは、先ず受光素子部２１ａにより受光結果に基づいて相対位置駆動部５ａを駆動制御して、基板２ｂとマスク３とのｘ軸方向，ｙ軸方向に沿った相対位置調整を行う。次に制御部８ａは、受光素子部２１ｂによる受光結果に基づいて相対位置駆動部５ａを駆動制御して、基板２ｂとマスク３ａとの相対距離（ギャップ）を調整する。詳細には、基板２ｂとマスク３ａとが予め規定された相対距離（ギャップ）となった場合に、光源４ｂからの光（レーザ光）の受光強度が最大となるように受光素子部２１ｂを形成しておき、制御部８ａは、受光素子部２１ｂにて光源４ｂから受光した結果、受光強度が最大強度となった場合に、その位置を規定されたギャップとして特定し、その位置関係にて基板２ｂとマスク３ａとを固定する。
【００４８】
上述したように製造装置１００ｂでは、上記光源４ａと光源４ｂを設け、受光素子部２１ａと受光素子部２１ｂとを基板２ｂ上に形成したので、制御部８ａは受光素子部２１ａと受光素子部２１ｂによる受光結果に基づいて、容易に、基板２ｂとマスク３ａとのギャップ調整を行うことができる。
ギャップ調整は、上述した形態に限られるものではない。例えば光源４とマスク３ａとの間に、レンズやミラー（鏡）、屈折部材等の光学系を配置して、上記構成と同等な制御を行ってもよい。また光源４ｂや受光素子部２１ｂを設けずに、光源４とマスク３ａとの間に、レンズや鏡、屈折部材等の光学系を設け、高性能な受光素子部２１により、例えばピンホール現象などを利用して、ギャップ調整を行ってもよい。
【００４９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではない。
例えば上述した製造方法によって製造される有機ＥＬ素子は、蒸着源７からの蒸着流によって有機機能層を少なくとも一層備える。例えば有機ＥＬ素子の有機機能層の構造は、下部電極を陽極、上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成が一般的であるが、発光層，正孔輸送層，電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよく、正孔輸送層，電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また、有機機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機層を用途に応じて挿入することができる。また、有機発光機能層を電子輸送層／発光層／正孔輸送層として、下部電極を陰極、上部電極を陽極にすることもできる。
【００５０】
また、本発明の実施形態として採用できる有機機能層材料の例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。
例えば、正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた、高分子分散系の材料も使用できる。
【００５１】
例えば発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料（特表２００１−５２０４５０）を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光性ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されてもよい。
【００５２】
例えば、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【００５３】
また、上述した実施形態では、光源４の上方にマスク３が配置され、マスク３の上方に基板２が配置されたが、この形態に限られるものではない。例えば基板２とマスク３の位置関係は、上下逆でもよいし、横に配置してもよい。ただし、光源４と基板２の間にマスク３が配置されるように設定される。
また、光源４から出力されるアライメント光は、レンズやミラーなどの光学系を介して、マスク３，基板２に照射されてもよい。アライメント光に、レンズを用いることで位置合わせ精度を向上させることができる。またミラーを用いてマスク３側から基板２へ向けて照射してもよい。また光源４は真空槽１０内に設置してもよいし、光源４を真空槽１０の外に設置してもよい。
【００５４】
また、上述した実施形態では、基板２を備える表示装置を製造する工程のうち、マスクを用いた成膜工程の際に、基板２とマスク３との位置合わせ工程を行う製造装置を説明したが、この形態に限られるものではない。例えば表示装置を製造する工程のうち、ドライエッチング工程において、本発明に係る製造方法を適用して、基板２とマスク３との位置合わせ工程を行ってもよい。
【００５５】
また、上述した実施形態では、蒸着工程（成膜工程）時の基板２とマスク３との位置合わせ工程に、本発明に係る製造装置、製造方法を適用したが、この形態に限られるものではない。本発明に係る製造装置を、例えば第１の部材と第２の部材との位置合わせを行う装置に適用してもよい。
また受光素子部２１，２１ａ、２１ｂは、上記位置合わせ終了後、基板２から基板切断等により除去してもよい。
【００５６】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造装置１００は、表示部を形成するためのパターン２４が形成された基板２に被位置合わせ部材（蒸着用のマスク３）を対面させて、パターン２４と被位置合わせ部材（マスク３）との位置合わせを行う表示装置の製造装置である。基板２は、パターン２４との位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部２１が形成されている。また被位置合わせ部材（マスク３）は、位置合わせ用の透光部３２を有する。そして受光素子部２１又は透光部３２との位置関係が固定され、透光部３２を介して受光素子部２１に光を照射可能な光源４を有する。また、製造装置１００は、受光素子部２１の出力に基づいて、基板２と被位置合わせ部材（マスク３）との位置制御を行う相対位置駆動部５および制御部８を有するので、基板２と被位置合わせ部材（マスク３）とを高精度に位置合わせ可能である。
【００５７】
また、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造装置１００は、蒸着源７上に基板２および蒸着用マスク３を保持して、成膜中に基板２と蒸着用マスク３を回転させる手段（回転駆動部）１１と、基板２上の受光素子部２１が検知した光の強度分布を出力して光強度分布としてモニターできる検知用装置（制御部）８と、基板２上の受光素子部２１へ照射するレーザ光を出力する光源４と、検知用装置（制御部）８にて確認した光強度分布が最大ピークとなるように、基板を微小移動させる機構（相対位置駆動部）５とを有する。上記構成の製造装置１００では、検知用装置（制御部）８にて確認した光強度分布が最大ピークとなるように、基板２を微小移動させる機構を備えているので、高精度に蒸着用マスク３と基板２とを位置合わせすることができ、高精度に蒸着用マスク３を介して基板２上に所定のパターンを蒸着することができる。
【００５８】
また、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造装置１００は、表示部を形成するためのパターン２４が形成された基板２に被位置合わせ部材（マスク３）を対面させて、パターン２４と被位置合わせ部材（マスク３）との位置合わせを行う表示装置の製造方法である。上述したように基板２は、パターン２４との位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部２１が形成されている。また受光素子部２１又は被位置合わせ部材（マスク３）に形成された位置合わせ用の透光部３２との位置関係が固定された光源４から、透光部３２を介して受光素子部２１に光を照射する工程と、受光素子部２１の出力に基づいて、基板２と被位置合わせ部材（マスク３）との位置制御を行う工程とを有するので、煩雑な工程を行うことなく高精度に基板２と被位置合わせ部材（マスク３）とを位置合わせすることができる。
【００５９】
また高精度に位置合わせした後、マスク３を介して基板２上に有機ＥＬ素子を形成することで、高品質な表示を行うことができる有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００６０】
本発明に係る基板２は、表示部を形成するためのパターン２４が形成され、当該パターン２４と被位置合わせ部材（マスク３）とが位置合わせされる表示装置の基板２である。この基板２には、パターン２４との位置関係が予め規定された位置に、出力機能を有する受光素子部２１が形成されているので、受光素子部２１が被位置合わせ部材（マスク３）上に形成されたアライメントマーク（透光部）３２を検出するように位置合わせを行うことで、煩雑な工程を行うことなく簡単に、高精度に位置調整可能である。
【００６１】
また従来、カメラによるマーク認識を行うアライメント方法では、例えば蒸着源と、マスクと、基板とを順次、規定位置となるように配置して蒸着する場合に、マスクと基板との間の位置合わせを行うために、マスクにアライメントマークを形成し、そのアライメントマークを透明性基板を介してカメラにより撮像し、その撮像結果に基づいて、マスクと基板との位置合わせを行っているが、基板マークとマスクマークが重なってしまった場合や、基板またはマスクのどちらかに異物が存在した場合、マスクのマークが小さい場合などには、誤認識や認識不良を生じる場合がある。
一方、本発明に係る製造装置１００では、マスク３の透光部３２から透過した光の強度分布に基づいて位置調整を行うので、マーク形状に頼った認識不良が生じにくく、高精度に位置調整を行うことができる。
【００６２】
また従来のように、マスクから離れたところに設置されたカメラによりアライメントマークを認識するのと比べ、本発明に係る製造装置１００では、基板２に接近したアライメントマークを基板２に形成された受光素子部２１にて検知するので、アライメントマーク（透光部）３２の大きさを極力小さくすることができ、位置合わせ精度が向上する。
【００６３】
また従来は、光源とカメラの間にマスクおよび基板を配置し、光源から放射された光が、マスクのアライメントマークおよび基板を介してカメラに到達する必要があるので、透明性基板を用いたり又は基板に透光孔部を設ける必要がある。
一方、本発明に係る製造装置１００では、例えばシリコン（Ｓｉ）基板など不透明な基板に適用することで、透明性を有しない基板においても高精度に位置合わせを行うことができる。
【００６４】
また、本発明に係る製造装置１００では、製造段階で位置合わせ用のアライメントマークを検出するための受光素子部２１が形成され、受光素子部２１に接続する端子部２２が形成され、基板支持部５１に上記端子部６ａが形成されているので、簡単に受光素子部２１と制御部８とを電気的に接続することができ、製造工程を簡単化することができる。また、製造時間を短縮化することができる。
【００６５】
また、従来のように基板にアライメントマークを形成しないので、アライメントマークに付着した汚れを除去するという煩雑な工程を行う必要がないので、製造時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】従来の製造装置を説明するための図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る製造装置１００を説明するための図である。
【図３】図２に示した製造装置１００の制御部８の動作を説明するための図であり、（ａ），（ｂ）は基板２とマスク３との相対位置に対する受光強度分布を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る製造装置１００ａを説明するための図である。
【図５】図４に示した基板２ａを説明するための図である。
【図６】図４に示した基板２ａおよび基板支持部を説明するための図である。
【図７】図４に示したマスク３ａを説明するための図である。
【図８】図４に示した基板２ａおよび基板支持部とを説明するための図であり、（ａ）は基板支持部を説明するための斜視図であり、（ｂ）は基板および基板支持部を説明するための斜視図である。
【図９】図４に示した製造装置１００ａの動作を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る製造装置１００ｂを説明するための図である。
【符号の説明】
【００６７】
２  基板
３  蒸着用マスク（マスク）
４  光源
５  相対位置駆動部
６  装置側端子部（端子部）
７  蒸着源
８  制御部
２１  受光素子部
２２  基板側端子部（端子部）
２３  パターン形成領域
２４  パターン
３１  遮蔽部
３２  透光部
３３  パターン形成用開口部
５１  基板支持部
５２  マスク支持部
５３  マスク位置駆動部
５４  基板位置駆動部
１００，１００ａ，１００ｂ  製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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