(57)【要約】【課題】  耐久性、電磁波シールド性、光透過性に優れ、光散乱が小さい透過性電磁波シールド膜を、安価で大量に製造できる製造方法、それにより得られる透光性電磁波シールド膜、ディスプレイ用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネルを提供すること。【解決手段】  透明基材上に設けられた銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属を担持させた導電性金属部を形成し、かつ、前記導電性金属部を有機メルカプト化合物にて変色防止処理を施すことを特徴とする透光性電磁波シールド膜の製造方法、該製造方法により得られる透光性電磁波シールド膜、これを有するディスプレイ用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネル。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に設けられた銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属を担持させた導電性金属部を形成し、かつ、前記導電性金属部を有機メルカプト化合物にて変色防止処理を施すことを特徴とする透光性電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項２】
前記有機メルカプト化合物が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
一般式（２）
Ｚ−ＳＭ
〔一般式（２）において、Ｚはアルキル基、芳香族基若しくはヘテロ環基であって、ヒドロキシル基、−ＳＯ３Ｍ２基、−ＣＯＯＭ２基（ここでＭ２は水素原子、アルカリ金属原子またはアンモニウム基を表す）、アミノ基およびアンモニオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つまたは、この群より選ばれる少なくとも１つを有する置換基によって置換されているものを表す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、またはアミジノ基（これはハロゲン化水素酸塩もしくはスルホン酸塩を形成していてもよい）を表す。〕
【請求項３】
前記有機メルカプト化合物が下記一般式（１）、（３）〜（５）から選択された１種以上の有機メルカプト化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
一般式（１）
【化１】
2007088218.tif 000030
［一般式（１）において、−Ｄ＝および−Ｅ＝は各々独立に−ＣＨ＝基、−Ｃ（Ｒ０）＝基、または−Ｎ＝基を表し、Ｒ０は置換基を表す。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはリン原子のいずれかで環に結合する任意の置換基を表す。但しＬ１、Ｌ２、Ｌ３およびＲ０の少なくとも１つは、−ＳＭ基（Ｍはアルカリ金属原子、水素原子またはアンモニウム基を表す）を表す。］
一般式（３）、一般式（４）
【化２】
2007088218.tif 000031
〔一般式（３）、（４）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表す。但し、Ｒ２１とＲ２２は同時に水素原子であることはなく、また上記アルキル基は置換基を有していてもよい。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ２５はヒドロキシル基（またはその塩）、アミノ基、アルキル基又はフェニル基を表す。Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基又は−ＣＯＯＭ２２を表す。但しＲ２６とＲ２７は同時に水素原子であることはない。Ｍ２１は水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。Ｍ２２は水素原子、アルキル基、アルカリ金属原子、アリール基又はアラルキル基を表す。ｍは０、１又は２を表す。ｎは２を表す。〕
一般式（５）
【化３】
2007088218.tif 000032
〔一般式（５）中、Ｘ４０は水素原子、ヒドロキシル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又はスルホ基を表し、Ｍ４１及びＭａはそれぞれ水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。〕
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法により製造された透光性電磁波シールド膜。
【請求項５】
赤外線遮蔽性、ハードコート性、反射防止性、妨眩性、静電気防止性、防汚性、紫外線カット性、ガスバリア性及び表示パネル破損防止性から選択された１つ以上の機能を有する機能性透明層を備えてなることを特徴とする請求項４に記載の透光性電磁波シールド膜。
【請求項６】
請求項４または５に記載の透光性電磁波シールド膜を用いることを特徴とするディスプレイパネル用フィルム。
【請求項７】
請求項６に記載のディスプレイパネル用フィルムを用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用光学フィルター。
【請求項８】
請求項６に記載のディスプレイパネル用フィルムまたは請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル用光学フィルターを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＲＴ（陰極線管）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）などのディスプレイ前面、電子レンジ、電子機器、プリント配線板などから発生する電磁波を遮蔽し、かつ、光透過性を有する透光性電磁波シールド膜の製造方法、該製造方法により得られた透光性電磁波シールド膜、ディスプレイパネル用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増している。上記ＥＭＩは、電子、電気機器の誤動作、障害の原因になることが分かっている。このため、電子電気機器では、電磁波放出の強さを規格または規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
上記ＥＭＩの対策のためには電磁波をシールドする必要があるが、それには金属の電磁波を貫通させない性質を利用すればよいことは自明である。例えば、筐体を金属体または高導電体にする方法や、回路基板と回路基板との間に金属板を挿入する方法、ケーブルを金属箔で覆う方法などが採用されている。しかし、ＣＲＴ、ＰＤＰなどではオペレーターが画面に表示される文字等を認識する必要があるため、ディスプレイにおける透明性が要求される。このため、前記の方法では、いずれもディスプレイ前面が不透明になることが多く、電磁波のシールド法としては不適切なものであった。
【０００４】
特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生するため、より強い電磁波シールド能が求められている。電磁波シールド能は、簡便には表面抵抗値で表すことができる。例えば、ＣＲＴ用の透光性電磁波シールド材料では、表面抵抗値は凡そ３００Ω／ｓｑ以下であることが要求されるのに対し、ＰＤＰ用の透光性電磁波シールド材料では、２．５Ω／ｓｑ以下が要求され、ＰＤＰを用いた民生用プラズマテレビにおいては、１．５Ω／ｓｑ以下とする必要性が高く、より望ましくは０．１Ω／ｓｑ以下という極めて高い導電性が要求されている。
また、透明性に関する要求レベルは、ＣＲＴ用として凡そ７０％以上（全可視光透過率）、ＰＤＰ用として８０％以上が要求されており、さらにより高い透明性が望まれている。
【０００５】
上記の問題を解決するために、以下に示されるように、開口部を有する金属メッシュを利用して電磁波シールド性と光透過性とを両立させる種々の材料・方法がこれまで提案されており、その代表的なものとして、フォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工メッシュがある。従来のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工メッシュは、微細加工が可能であるため、高開口率（高透過率）のメッシュを作成することができ、強力な電磁波放出も遮蔽できるという利点を有する。その一方で、製造工程が複雑であり、高コストである問題を抱えており、改善が要望されている。
【０００６】
この要望に対応する低コストで金属メッシュを製造する方法として、銀塩写真の原理を利用した方法が提案されている。
例えば、特許文献１には、ハロゲン化銀感光材料を作成して、これをメッシュ状に露光、現像処理し、更にめっき処理することで、電磁波シールド材を製造する方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２２１５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のような銀塩写真法を利用して得られる金属メッシュは、フォトリソグラフィーを利用したエッチング加工メッシュの製造プロセスに比べ、少ない工程数で製造でき、製造コストを低減可能な特長を有する。その一方で、次のような問題を有していた。
即ち、ディスプレイに利用される電磁波シールド材料に要求される耐久性が十分ではなく、改善が望まれていた。
【０００９】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐久性に優れ、高い電磁波シールド性を有し、光散乱が小さく高い光透過率を有する透過性電磁波シールド膜を、安価で大量に製造できる製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、上記製造方法により得られる透光性電磁波シールド膜を提供することにある。さらに本発明の別の目的は、上記透光性電磁波シールド膜を含んでなるディスプレイ用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、耐久性に優れ、かつ高い電磁波シールド性と高い透明性とを同時に満たす透光性電磁波シールド膜を得る観点から鋭意検討した結果、耐久性は、有機メルカプト化合物で処理することが有効であることを認め、上記目的は、以下の構成により効果的に達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、以下のとおりである。
【００１１】
１．透明基材上に設けられた銀塩含有層を露光し、現像処理することにより金属銀部と光透過性部とを形成し、さらに前記金属銀部を物理現像及び／又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属を担持させた導電性金属部を形成し、かつ、前記導電性金属部を有機メルカプト化合物にて変色防止処理を施すことを特徴とする透光性電磁波シールド膜の製造方法。
２．  前記有機メルカプト化合物が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする１．に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
一般式（２）
Ｚ−ＳＭ
〔一般式（２）において、Ｚはアルキル基、芳香族基若しくはヘテロ環基であって、ヒドロキシル基、−ＳＯ３Ｍ２基、−ＣＯＯＭ２基（ここでＭ２は水素原子、アルカリ金属原子またはアンモニウム基を表す）、アミノ基およびアンモニオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つまたは、この群より選ばれる少なくとも１つを有する置換基によって置換されているものを表す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、またはアミジノ基（これはハロゲン化水素酸塩もしくはスルホン酸塩を形成していてもよい）を表す。〕
３．  前記有機メルカプト化合物が下記一般式（１）、（３）〜（５）から選択された１種以上の有機メルカプト化合物であることを特徴とする１．または２．に記載の透光性電磁波シールド膜の製造方法。
一般式（１）
【００１２】
【化１】
2007088218.tif 000002
【００１３】
［一般式（１）において、−Ｄ＝および−Ｅ＝は各々独立に−ＣＨ＝基、−Ｃ（Ｒ０）＝基、または−Ｎ＝基を表し、Ｒ０は置換基を表す。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはリン原子のいずれかで環に結合する任意の置換基を表す。但しＬ１、Ｌ２、Ｌ３およびＲ０の少なくとも１つは、−ＳＭ基（Ｍはアルカリ金属原子、水素原子またはアンモニウム基を表す）を表す。］
一般式（３）、一般式（４）
【００１４】
【化２】
2007088218.tif 000003
【００１５】
〔一般式（３）、（４）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表す。但し、Ｒ２１とＲ２２は同時に水素原子であることはなく、また上記アルキル基は置換基を有していてもよい。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ２５はヒドロキシル基（またはその塩）、アミノ基、アルキル基又はフェニル基を表す。Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基又は−ＣＯＯＭ２２を表す。但しＲ２６とＲ２７は同時に水素原子であることはない。Ｍ２１は水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。Ｍ２２は水素原子、アルキル基、アルカリ金属原子、アリール基又はアラルキル基を表す。ｍは０、１又は２を表す。ｎは２を表す。〕
一般式（５）
【００１６】
【化３】
2007088218.tif 000004
【００１７】
〔一般式（５）中、Ｘ４０は水素原子、ヒドロキシル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又はスルホ基を表し、Ｍ４１及びＭａはそれぞれ水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。〕
４．  １．〜３．のいずれかに記載の製造方法により製造された透光性電磁波シールド膜。
５．  赤外線遮蔽性、ハードコート性、反射防止性、妨眩性、静電気防止性、防汚性、紫外線カット性、ガスバリア性及び表示パネル破損防止性から選択された１つ以上の機能を有する機能性透明層をさらに備えてなることを特徴とする４．に記載の透光性電磁波シールド膜。
６．  ４．または５．に記載の透光性電磁波シールド膜を用いることを特徴とするディスプレイパネル用フィルム。
７．  ６．に記載のディスプレイパネル用フィルムを用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用光学フィルター。
８．  ６．に記載のディスプレイパネル用フィルムまたは７．に記載のプラズマディスプレイパネル用光学フィルターを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、耐久性に優れ、高い電磁波シールド性を有し、光散乱が小さく高い光透過率を有する透過性電磁波シールド膜を、安価で大量に製造できる製造方法を提供することができる。また本発明によれば、上記製造方法により得られる透光性電磁波シールド膜、これを有するディスプレイ用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
更に、意外なことに、本発明における有機メルカプト化合物による処理が、着色を防止するという予想外の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味として使用される。
【００２０】
［透明基材］
本発明に用いられる透明基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂；その他、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などの透明プラスチック基材を用いることができる。
本発明においては、透明性、耐熱性、取り扱いやすさおよび価格の点から、上記透明プラスチック基材はポリエチレンテレフタレートフィルムであることが好ましい。この透明プラスチック基材の厚みは、薄いと取扱性が悪く、厚いと可視光の透過率が低下するため５〜２００μｍが好ましい。さらに好ましくは、１０〜１３０μｍ、より好ましくは、４０〜８０μｍである。
【００２１】
ディスプレイパネル用の電磁波シールド膜では透明性が要求されるため、透明基材の透明性は高いことが望ましい。この場合における透明プラスチック基材の全可視光透過率は７０〜１００％が好ましく、さらに好ましくは８５〜１００％であり、特に好ましくは９０〜１００％である。また本発明では、前記透明プラスチック基材として本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
本発明における透明プラスチック基材は、単層で用いることもできるが、２層以上を組み合わせた多層フィルムとして用いることも可能である。
【００２２】
また本発明では、透明基材としてガラス板を用いることもできる。ガラス板の種類は特に限定されないが、ディスプレイ用電磁波シールド膜の用途として用いる場合、表面に強化層を設けた強化ガラスを用いることが好ましい。強化ガラスは、強化処理していないガラスに比べて破損を防止できる可能性が高い。さらに、風冷法により得られる強化ガラスは、万一破損してもその破砕破片が小さく、かつ端面も鋭利になることはないため、安全上好ましい。
【００２３】
［銀塩含有層］
本発明では、銀塩を含有する層（銀塩含有層）が透明基材上に設けられる。銀塩含有層は、銀塩のほか、バインダー、溶媒等を含有することができる。
【００２４】
＜銀塩＞
本発明で用いられる銀塩としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００２５】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀についてさらに説明する。
本発明では、光センサーとして機能させるためにハロゲン化銀を使用する。ハロゲン化銀に関する銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられる技術は、本発明においてもそのまま用いることもできる。
【００２６】
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらにＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。
【００２７】
ここで、「ＡｇＢｒ（臭化銀）を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める臭化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。このＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀粒子は、臭化物イオンのほかに沃化物イオン、塩化物イオンを含有していてもよい。
【００２８】
ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光、現像処理後に形成されるパターン状金属銀層の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、０．１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径である。
【００２９】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。
【００３０】
本発明で用いられるハロゲン化銀は、さらに他の元素を含有していてもよい。例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、Ｋ３Ｒｈ２Ｂｒ９及びＫ２ＩｒＣｌ６などが挙げられる。
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０−１０〜１０−２モル／モルＡｇであることが好ましく、１０−９〜１０−３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００３１】
その他、本発明では、Ｐｄ（ＩＩ）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。Ｐｄはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。ここで、Ｐｄが「ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の表面から深さ方向に５０ｎｍ以内において、他層よりもパラジウムの含有率が高い層を有することを意味する。このようなハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でＰｄを添加することにより作製することができ、銀イオンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加量の５０％以上添加した後に、Ｐｄを添加することが好ましい。またＰｄ（ＩＩ）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。
このＰｄ含有ハロゲン化銀粒子は、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の透過性電磁波シールド膜の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられているが、本発明では、ハロゲン化銀粒子の表層にＰｄを偏在させることが可能なため、極めて高価なＰｄを節約することが可能である。
本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０−４〜０．５モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
使用するＰｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ４やＮａ２ＰｄＣｌ４等が挙げられる。
【００３２】
本発明では、さらに光センサーとしての感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することができる。
本発明で使用できる乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることができる。
【００３３】
＜バインダー＞
本発明の銀塩含有層において、バインダーは、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩含有層と透明基材との密着を補助する目的で用いることができる。本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれもバインダーとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００３４】
本発明の銀塩含有層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。銀塩含有層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜２であることがさらに好ましく、１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩含有層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。
【００３５】
＜溶媒＞
本発明の銀塩含有層で用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。
本発明の銀塩含有層に用いられる溶媒の含有量は、前記銀含有層に含まれる銀塩、バインダー等の合計の質量に対して３０〜９０質量％の範囲であることが好ましく、５０〜８０質量％の範囲であることがより好ましい。
【００３６】
［露光］
本発明では、透明基材上に設けられた銀塩含有層の露光を行う。露光は、電磁波を用いて行うことができる。電磁波としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、Ｘ線などの放射線等が挙げられる。さらに露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、特定の波長の光源を用いてもよい。
【００３７】
上記光源としては、例えば、陰極線（ＣＲＴ）を用いた走査露光を挙げることができる。陰極線管露光装置は、レーザーを用いた装置に比べて、簡便でかつコンパクトであり、低コストになる。また、光軸や色の調整も容易である。画像露光に用いる陰極線管には、必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか１種又は２種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は、上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色或いは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。特に、これらの発光体を混合して白色に発光する陰極線管がしばしば用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのｇ線、水銀ランプのｉ線等も利用される。
【００３８】
また本発明では、露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザー又は半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、さらにＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー等も用いることができる。システムをコンパクトで、安価なものにするために、露光は、半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで、安価、さらに寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【００３９】
レーザー光源としては、具体的には、波長４３０〜４６０ｎｍの青色半導体レーザー（２００１年３月の第４８回応用物理学関係連合講演会で日亜化学発表）、半導体レーザー（発振波長約１０６０ｎｍ）を導波路状の反転ドメイン構造を有するＬｉＮｂＯ３のＳＨＧ結晶により波長変換して取り出した約５３０ｎｍの緑色レーザー、波長約６８５ｎｍの赤色半導体レーザー（日立タイプＮｏ．ＨＬ６７３８ＭＧ）、波長約６５０ｎｍの赤色半導体レーザー（日立タイプＮｏ．ＨＬ６５０１ＭＧ）などが好ましく用いられる。
【００４０】
銀塩含有層をパターン状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。
【００４１】
［現像処理］
本発明では、銀塩含有層を露光した後、さらに現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。現像液については特に限定はしないが、ＰＱ現像液、ＭＱ現像液、ＭＡＡ現像液等を用いることもでき、例えば、富士フィルム社製のＣＮ−１６、ＣＲ−５６、ＣＰ４５Ｘ、ＦＤ−３、パピトール、ＫＯＤＡＫ社製のＣ−４１、Ｅ−６、ＲＡ−４、Ｄ−１９、Ｄ−７２などの現像液、又はそのキットに含まれる現像液、また、Ｄ−８５などのリス現像液を用いることができる。
本発明では、上記の露光及び現像処理を行うことにより金属銀部、好ましくはパターン状金属銀部が形成されると共に、後述する光透過性部が形成される。
【００４２】
本発明における現像処理は、未露光部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。本発明における定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。
【００４３】
現像処理で用いられる現像液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールなどの含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。また、リス現像液を利用する場合特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。
【００４４】
現像処理後の露光部に含まれる金属銀の質量は、露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることができるため好ましい。
【００４５】
本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることができる。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。
【００４６】
［物理現像及びメッキ処理］
本発明では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はメッキ処理を行う。本発明では物理現像又はメッキ処理のみで導電性金属粒子を金属性部に担持させることが可能であるが、さらに物理現像とメッキ処理を組み合わせて導電性金属粒子を金属銀部に担持させることもできる。
本発明における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。
また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。
【００４７】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることができる。本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることができ、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることができ、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。
無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。
【００４８】
本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことができ、さらに５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることができる。
【００４９】
［酸化処理］
本発明では、現像処理後の金属銀部、並びに物理現像及び／又はメッキ処理後に形成される導電性金属部には、好ましくは酸化処理が行われる。酸化処理を行うことにより、例えば、光透過性部に金属が僅かに沈着していた場合に、該金属を除去し、光透過性部の透過性をほぼ１００％にすることができる。
酸化処理としては、例えば、Ｆｅ（ＩＩＩ）イオン処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法が挙げられる。酸化処理は、銀塩含有層の露光及び現像処理後、あるいは物理現像又はメッキ処理後に行うことができ、さらに現像処理後と物理現像又はメッキ処理後のそれぞれで行ってもよい。
【００５０】
本発明では、さらに露光及び現像処理後の金属銀部を、Ｐｄを含有する溶液で処理することもできる。Ｐｄは、２価のパラジウムイオンであっても金属パラジウムであってもよい。この処理により無電解メッキ又は物理現像速度を促進させることができる。
【００５１】
本発明における光透過性部は、前記銀塩含有層を露光及び現像処理することにより、金属銀部と共に形成される。光透過性部は、透過性を向上させる観点から、前記現像処理後、さらには物理処理又はメッキ処理後に酸化処理を行うことが好ましい。
【００５２】
次に本発明に用いられる、有機メルカプト化合物について説明する。
有機メルカプト化合物としては、アルキルメルカプト化合物や、アリールメルカプト化合物、ヘテロ環メルカプト化合物などが挙げられる。
【００５３】
有機メルカプト化合物としては、好ましくは、下記一般式（２）で表される化合物である。
一般式（２）
Ｚ−ＳＭ  
〔一般式（２）において、Ｚはアルキル基、芳香族基若しくはヘテロ環基であって、ヒドロキシル基、−ＳＯ３Ｍ２基、−ＣＯＯＭ２基（ここでＭ２は水素原子、アルカリ金属原子またはアンモニウム基を表す）、アミノ基およびアンモニオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つまたは、この群より選ばれる少なくとも１つを有する置換基によって置換されているものを表す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、またはアミジノ基（これはハロゲン化水素酸塩もしくはスルホン酸塩を形成していてもよい）を表す。〕
【００５４】
また、有機メルカプト化合物として、下記一般式（１）、（３）〜（５）で表される化合物も好ましい。
【００５５】
一般式（１）
【００５６】
【化４】
2007088218.tif 000005
【００５７】
［一般式（１）において、−Ｄ＝および−Ｅ＝は各々独立に−ＣＨ＝基、−Ｃ（Ｒ０）＝基、または−Ｎ＝基を表し、Ｒ０は置換基を表す。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはリン原子のいずれかで環に結合する任意の置換基を表す。但しＬ１、Ｌ２、Ｌ３およびＲ０の少なくとも１つは、−ＳＭ基（Ｍはアルカリ金属原子、水素原子またはアンモニウム基を表す）を表す。］
【００５８】
一般式（３）、一般式（４）
【００５９】
【化５】
2007088218.tif 000006
【００６０】
〔一般式（３）、（４）中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表す。但し、Ｒ２１とＲ２２は同時に水素原子であることはなく、また上記アルキル基は置換基を有していてもよい。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ２５はヒドロキシル基、アミノ基、アルキル基又はフェニル基を表す。Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ水素原子、アルキル基、アシル基又は−ＣＯＯＭ２２を表す。但しＲ２６とＲ２７は同時に水素原子であることはない。Ｍ２１は水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。Ｍ２２は水素原子、アルキル基、アルカリ金属原子、アリール基又はアラルキル基を表す。ｍは０、１又は２を表す。ｎは２を表す。〕
【００６１】
一般式（５）
【００６２】
【化６】
2007088218.tif 000007
【００６３】
〔一般式（５）中、Ｘ４０は水素原子、ヒドロキシル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基又はスルホ基を表し、Ｍ４１及びＭａはそれぞれ水素原子、アルカリ金属原子又はアンモニウム基を表す。〕
【００６４】
一般式（２）で表される化合物についてさらに説明する。
【００６５】
一般式（２）において、Ｚで表されるアルキル基は好ましくは、炭素数１〜３０のものであって特に炭素数２〜２０の直鎖、分岐、または環状のアルキル基であって上記の置換基の他に置換基を有していてもよい。Ｚで表される芳香族基は好ましくは炭素数６〜３２の単環または縮合環のものであって上記の置換基の他に置換基を有していてもよい。Ｚで表されるヘテロ環基は好ましくは炭素数１〜３２の単環または縮合環であり、窒素、酸素、硫黄のうちから独立に選ばれるヘテロ原子を１つの環中に１〜６個有する５または６員環であり、上記の他に置換基を有していてもよい。但し、ヘテロ環基がテトラゾールの場合、置換基として、置換もしくは無置換のナフチル基を有さない。一般式（２）で表される化合物のうち好ましくは、Ｚが２個以上の窒素原子を有するヘテロ環基である化合物である。
【００６６】
一般式（２）で表される化合物で好ましいものは下記式（２−ａ）で表される。
【００６７】
【化７】
2007088218.tif 000008
【００６８】
一般式中、Ｚは窒素原子を有する不飽和の５員ヘテロ環または、６員ヘテロ環（ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環等）を形成するのに必要な基であり、少なくとも一つの−ＳＭ基またはチオン基を有する化合物であって、且つヒドロキシル基、−ＣＯＯＭ基、−ＳＯ３Ｍ基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換のアンモニオ基からなる群から選ばれた少なくとも一つの置換基を有する。式中、Ｒ１１、Ｒ１２は、各々独立に水素原子、−ＳＭ基、ハロゲン原子、アルキル基（置換基を有するものを含む）、アルコキシ基（置換基を有するものを含む）、ヒドロキシル基、−ＣＯＯＭ基、−ＳＯ３Ｍ基、アルケニル基（置換基を有するものを含む）、アミノ基（置換基を有するものを含む）、カルバモイル基（置換基を有するものを含む）、フェニル基（置換基を有するものを含む）であり、Ｒ１１とＲ１２で環を形成してもよい。形成できる環としては、５員環または６員環であり、好ましくは含窒素ヘテロ環である。Ｍは、前記一般式（２）で定義されたＭと同義である。好ましくはＺは二つ以上の窒素原子を含むヘテロ環化合物を形成する基であり、前記−ＳＭ基若しくはチオン基以外の置換基を有していてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、低級アルキル基（置換基を有するものを含む。メチル基、エチル基等の炭素数５以下のものが好ましい。）、低級アルコキシ基（置換基を有するものを含む。メトキシ、エトキシ、ブトキシ等の炭素数５以下のものが好ましい。）、低級アルケニル基（置換基を有するものを含む。炭素数５以下のものが好ましい。）、カルバモイル基、フェニル基等が挙げられる。さらに一般式（２−ａ）において次の式Ａ〜Ｆで表される化合物が特に好ましい。
【００６９】
【化８】
2007088218.tif 000009
【００７０】
式中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４は各々独立に、水素原子、−ＳＭ基、ハロゲン原子、低級アルキル基（置換基を有するものを含む。メチル基、エチル基等の炭素数５以下のものが好ましい。）、低級アルコキシ基（置換基を有するものを含む。炭素数５以下のものが好ましい。）、ヒドロキシ基、−ＣＯＯＭ２、−ＳＯ３Ｍ５基、低級アルケニル基（置換基を有するものを含む。炭素数５以下のものが好ましい。）、アミノ基、カルバモイル基、フェニル基であり、少なくとも一つは−ＳＭ基である。Ｍ、Ｍ２、Ｍ５は各々水素原子、アルカリ金属原子またはアンモニウム基を表す。特に、−ＳＭ以外の置換基としてはヒドロキシ基、−ＣＯＯＭ２、−ＳＯ３Ｍ５基、アミノ基等の水溶性基を持つことが好ましい。
【００７１】
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４で表されるアミノ基は置換または非置換のアミノ基を表し、好ましい置換基としては低級アルキル基である。アンモニウム基としては置換または非置換のアンモニウム基であり、好ましくは非置換のアンモニウム基である。
【００７２】
以下に一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００７３】
【化９】
2007088218.tif 000010
【００７４】
【化１０】
2007088218.tif 000011
【００７５】
【化１１】
2007088218.tif 000012
【００７６】
【化１２】
2007088218.tif 000013
【００７７】
【化１３】
2007088218.tif 000014
【００７８】
【化１４】
2007088218.tif 000015
【００７９】
一般式（１）、（３）〜（５）で表される化合物についてさらに説明する。
【００８０】
一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。一般式（１）において、−Ｄ＝および−Ｅ＝は各々独立に−ＣＨ＝基、−Ｃ（Ｒ０）＝基、または−Ｎ＝基を表し、ここにＲ０は置換基を表す。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはリン原子のいずれかで環に結合する任意の置換基を表し、Ｌ１〜Ｌ３は同じでも異なっていてもよい。但しＬ１、Ｌ２、Ｌ３、およびＲ１の少なくとも１つは、−ＳＭ基（Ｍはアルカリ金属原子、水素原子、アンモニウム基）を表す。
【００８１】
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で表される任意の置換基およびＲ０で表される置換基としては、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、または沃素原子）、アルキル基（アラルキル基、シクロアルキル基、活性メチン基等を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（たとえばピリジニオ基）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキシ基またはその塩、スルホニルカルバモイル基、アシルカルバモイル基、スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、チオカルバモイル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、ヒドロキシアミノ基，Ｎ−置換の飽和もしくは不飽和の含窒素ヘテロ環基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、アシルウレイド基、アシルスルファモイルアミノ基、ニトロ基、メルカプト基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）チオ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、アシルスルファモイル基、スルホニルスルファモイル基またはその塩、リン酸アミドもしくはリン酸エステル構造を含む基、等が挙げられる。これらの置換基は、さらにこれらの置換基で置換されていてもよい。
【００８２】
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で表される任意の置換基およびＲ０で表される置換基としてより好ましくは、炭素数０〜１５の置換基で、塩素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキシ基またはその塩、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、ヒドロキシアミノ基、Ｎ−置換の飽和もしくは不飽和の含窒素ヘテロ環基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、ニトロ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）チオ基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基であり、さらに好ましくは、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキシ基またはその塩、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、ヒドロキシアミノ基、Ｎ−置換の飽和もしくは不飽和の含窒素ヘテロ環基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）チオ基、スルホ基またはその塩であり、最も好ましくはアミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルチオ基、アルールチオ基、メルカプト基、カルボキシ基またはその塩、スルホ基またはその塩である。一般式（１）においてＬ１、Ｌ２、Ｌ３およびＲ０は、互いに結合して炭化水素環、ヘテロ環、芳香環が縮合した縮合環を形成していてもよい。
【００８３】
一般式（１）においてＬ１、Ｌ２、Ｌ３およびＲ０の少なくとも１つは、−ＳＭ基（Ｍはアルカリ金属原子、水素原子またはアンモニウム基を表す）を表す。ここにアルカリ金属原子とは具体的に、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等であり、これらは−Ｓ−の対カチオンとして存在する。Ｍとして好ましくは、水素原子、アンモニウム基、Ｎａ＋、またはＫ＋であり、特に好ましくは水素原子である。一般式（１）の化合物のうち、次の一般式（１−Ａ）一般式（１−Ｂ）で表される化合物が好ましい。
【００８４】
【化１５】
2007088218.tif 000016
【００８５】
つぎに一般式（１−Ａ）について詳細に説明する。Ｒ１〜Ｒ４は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、または炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはリン原子で環に結合する任意の置換基を表すが、これは一般式（１）のＬ１、Ｌ２、Ｌ３と同義の基であり、その好ましい範囲もまた同じである。但し、Ｒ１およびＲ３がヒドロキシ基を表すことはない。Ｒ１〜Ｒ４は同じでも異なっていてもよいが、これらのうち少なくとも一つは−ＳＭ基である。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、アンモニウム基を表す。また、Ｒ１とＲ２は互いに結合して炭化水素環、ヘテロ環、芳香環が縮合した縮合環を形成していてもよい。
【００８６】
一般式（１−Ａ）においてＲ１〜Ｒ４の少なくとも１つは−ＳＭ基であるが、より好ましくはＲ１〜Ｒ４の少なくとも２つが−ＳＭ基である。Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも２つが−ＳＭ基である場合、好ましくはＲ４とＲ１、もしくはＲ４とＲ３が−ＳＭ基である。
【００８７】
本発明においては、一般式（１−Ａ）で表される化合物のうち、下記一般式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−３）で表される化合物が特に好ましい。
【００８８】
【化１６】
2007088218.tif 000017
【００８９】
一般式（１−Ａ−１）において、Ｒ１０はメルカプト基、水素原子、または任意の置換基を表し、Ｘは水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表す。一般式（１−Ａ−２）においてＹ１は水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表し、Ｒ２０は水素原子または任意の置換基を表す。一般式（１−Ａ−３）においてＹ２は水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表し、Ｒ３０は水素原子または任意の置換基を表す。但し、Ｒ１０およびＹ１がヒドロキシ基を表すことはない。
【００９０】
つぎに、一般式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−３）で表される化合物について詳しく説明する。
一般式（１−Ａ−１）において、Ｒ１０はメルカプト基、水素原子または任意の置換基を表す。ここで任意の置換基とは、一般式（１−Ａ）のＲ１〜Ｒ４について説明したものと同じものが挙げられる。Ｒ１０として好ましくは、メルカプト基、水素原子、または炭素数０〜１５の以下の置換基から選ばれる基である。すなわち、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基等が挙げられる。一般式（１−Ａ−１）においてＸは水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表す。ここに水溶性基とはスルホン酸もしくはカルボン酸およびそれらの塩、アンモニオ基のような塩、またはアルカリ性の現像液によって一部もしくは完全に解離しうる解離性基を含む基のことで、具体的にはスルホ基（またはその塩）、カルボキシ基（またはその塩）、ヒドロキシ基、メルカプト基、アミノ基、アンモニオ基、スルホンアミド基、アシルスルファモイル基、スルホニルスルファモイル基、活性メチン基、またはこれらの基を含む置換基を表す。なお本発明において活性メチン基とは、２つの電子吸引性基で置換されたメチル基のことで、具体的にはジシアノメチル、α−シアノ−α−エトキシカルボニルメチル、α−アセチル−α−エトキシカルボニルメチル等の基が挙げられる。一般式（１−Ａ−１）のＸで表される置換基とは、上述した水溶性基、または上述の水溶性基で置換された置換基であり、その置換基としては、炭素数０〜１５の置換基で、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、スルファモイルアミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール）スルホニル基、スルファモイル基、アミノ基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基（特にアミノ基で置換されたメチル基）、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）チオ基等の基である。
【００９１】
一般式（１−Ａ−１）で表される化合物の中で、さらに好ましいものは下記一般式（１−Ａ−１−ａ）で表される化合物である。
一般式（１−Ａ−１−ａ）
【００９２】
【化１７】
2007088218.tif 000018
【００９３】
式中Ｒ１１は、一般式（１−Ａ−１）のＲ１０と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。ただし、Ｒ１２およびＲ１３の少なくとも一方は、少なくとも１つの水溶性基を有する。ここに水溶性基とは、スルホ基（またはその塩）、カルボキシ基（またはその塩）、ヒドロキシ基、メルカプト基、アミノ基、アンモニオ基、スルホンアミド基、アシルスルファモイル基、スルホニルスルファモイル基、活性メチン基、またはこれらの基を含む置換基を表し、好ましくはスルホ基（またはその塩）、カルボキシ基（またはその塩）、ヒドロキシ基、アミノ基等の基が挙げられる。Ｒ１２およびＲ１３は、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、Ｒ１２およびＲ１３がアルキル基であるとき、アルキル基としては炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基が好ましく、その置換基としては水溶性基、特にスルホ基（またはその塩）、カルボキシ基（またはその塩）、ヒドロキシ基、またはアミノ基が好ましい。Ｒ１２およびＲ１３がアリール基であるとき、アリール基としては炭素数が６〜１０の置換もしくは無置換のフェニル基が好ましく、その置換基としては水溶性基、特にスルホ基（またはその塩）、カルボキシ基（またはその塩）、ヒドロキシ基、またはアミノ基が好ましい。Ｒ１２およびＲ１３がアルキル基またはアリール基を表すとき、これらは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。また環状構造により飽和のヘテロ環を形成してもよい。
【００９４】
一般式（１−Ａ−２）においてＹ１は水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表し、一般式（１−Ａ−１）のＸと同義である。一般式（１−Ａ−２）においてＹ１で表される水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基としてさらに好ましくは、活性メチン基、または水溶性基で置換された以下の基、即ちアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル基、アリール基である。Ｙ１としてさらに好ましくは、活性メチン基、または水溶性基で置換された（アルキル、アリール、もしくはヘテロ環）アミノ基であり、ここに水溶性基としてはヒドロキシ基、カルボキシ基またはその塩、スルホ基またはその塩が特に好ましい。Ｙ１  として特に好ましくは、ヒドロキシ基、カルボキシ基（またはその塩）、またはスルホ基（またはその塩）で置換された（アルキル、アリール、もしくはヘテロ環）アミノ基であり、−Ｎ（Ｒ０１）（Ｒ０２）基で表される。ここにＲ０１、Ｒ０２は、それぞれ一般式（１−Ａ）のＲ１２、Ｒ１３と同義の基であり、その好ましい範囲もまた同じである。
【００９５】
一般式（１−Ａ−２）においてＲ２０は水素原子または任意の置換基を表すが、ここで任意の置換基とは、一般式（１−Ａ）のＲ１〜Ｒ４について説明したものと同じものが挙げられる。Ｒ２０として好ましくは、水素原子または炭素数０〜１５の以下の置換基から選ばれる基である。すなわち、ヒドロキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシルアミノ基等が挙げられる。Ｒ２０として最も好ましくは水素原子である。
【００９６】
一般式（１−Ａ−３）においてＹ２は水溶性基もしくは水溶性基で置換された置換基を表し、Ｒ３０は水素原子または任意の置換基を表す。一般式（１−Ａ−３）におけるＹ２、Ｒ３０はそれぞれ式（１−Ａ−２）のＹ１、一般式（１−Ａ−２）のＲ２０と同義の基であり、その好ましい範囲もまた同じである。
【００９７】
つぎに、一般式（１−Ｂ）について詳細に説明する。一般式（１−Ｂ）におけるＲ５〜Ｒ７は、各々独立に一般式（１−Ａ）のＲ１〜Ｒ４と同義であり、その好ましい範囲もまた同じである。一般式（１−Ｂ）で表される化合物のうち一般式（１−Ｂ−１）で表される化合物が特に好ましい。
一般式（１−Ｂ−１）
【００９８】
【化１８】
2007088218.tif 000019
【００９９】
一般式（１−Ｂ−１）において、Ｒ５０は一般式（１−Ｂ）のＲ５〜Ｒ７と同義であり、より好ましくは一般式（１−Ａ−１）〜（１−Ａ−３）のＸ、Ｙ１、Ｙ２と同義の水溶性基もしくは水溶性基で置換された基である。さらに、一般式（１−Ｂ−１）の化合物のうち最も好ましくは一般式（１−Ｂ−１−ａ）で表される化合物である。
一般式（１−Ｂ−１−ａ）
【０１００】
【化１９】
2007088218.tif 000020
【０１０１】
一般式（１−Ｂ−１−ａ）においてＲ５１、Ｒ５２は一般式（１−Ａ−１−ａ）のＲ１２、Ｒ１３と同義の基であり、その好ましい範囲もまた同じである。
【０１０２】
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明で用いることができる一般式（１）で表される化合物はこれらに限定されるものではない。
【０１０３】
【化２０】
2007088218.tif 000021
【０１０４】
【化２１】
2007088218.tif 000022
【０１０５】
【化２２】
2007088218.tif 000023
【０１０６】
【化２３】
2007088218.tif 000024
【０１０７】
一般式（３）及び（４）において、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、Ｒ２６及びＲ２７で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜５であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等が、アシル基としては好ましくは炭素数１〜１８であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。Ｍ２２で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜４であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が、アリール基としては好ましくはフェニル基、ナフチル基等が、アラルキル基としては、好ましくは炭素数１５以下であり、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【０１０８】
一般式（３）又は（４）で表される化合物は種々の合成法が知られているが、例えばアミノ酸合成法として知られているシュトレッカーアミノ酸合成法を用いてもよく、アミノ酸のアセチル化は水溶液中でアルカリと無水酢酸を交互に添加して行う。
【０１０９】
次に、一般式（３）又は（４）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【０１１０】
【化２４】
2007088218.tif 000025
【０１１１】
【化２５】
2007088218.tif 000026
【０１１２】
【化２６】
2007088218.tif 000027
【０１１３】
一般式（５）中のＸ４０の表す低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜５の直鎖、または分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基などが挙げられる。次に、一般式（５）で表される具体的化合物例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１１４】
【化２７】
2007088218.tif 000028
【０１１５】
本発明で使用される有機メルカプト化合物は、例えば水溶液とした後、該水溶液に導電性金属部を形成させた透明基材を浸漬すること等により導電性金属部に適用される。このときに使用される有機メルカプト化合物水溶液は、例えば前記の一般式（１）〜（５）で表される化合物を、１リットル中、１０−６〜１０−１ｍｏｌの濃度、好ましくは１０−５〜１０−２ｍｏｌの濃度として含有するのが好ましい。浸漬時間は、２秒〜３０分、好ましくは５秒〜１０分である。
水溶液のｐＨは、有機メルカプト化合物を溶解する観点から、２〜１２に調整することが好ましく、ｐＨ調整は通常の水酸化ナトリウムや硫酸などのアルカリや酸のほか、緩衝剤として、リン酸やその塩、炭酸塩、酢酸やその塩、ホウ酸やその塩などを用いることができる。
【０１１６】
［導電性金属部］
次に、本発明における導電性金属部について説明する。
本発明では、導電性金属部は、前述した露光及び現像処理により形成された金属銀部を物理現像又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させることにより形成される。
金属銀は、露光部に形成させる場合と、未露光部に形成させる場合がある。物理現像核を利用した銀塩拡散転写法（ＤＴＲ法）は、未露光部に金属銀を形成させるものである。本発明においては、透明性を高めるために露光部に金属銀を形成させることが好ましい。
前記金属部に担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることができる。導電性、価格等の観点から導電性金属粒子は、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子であることが好ましい。また、磁場シールド性を付与する場合、導電性金属粒子として常磁性金属粒子を用いることが好ましい。
【０１１７】
上記導電性金属部において、コントラストを高くし、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色されるのを防止する観点からは、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましく、少なくともその表面が黒化処理されたものであることがさらに好ましい。黒化処理は、プリント配線板分野で行われている方法を用いて行うことができる。例えば、亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸三ナトリウム（１２ｇ／ｌ）の水溶液中で、９５℃で２分間処理することにより黒化処理を行うことができる。
【０１１８】
上記導電性金属部は、該導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。
さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１１９】
本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波シールド膜（導電性金属部）の表面抵抗値は、１０Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、２．５Ω／ｓｑ以下であることがより好ましく、１．５Ω／ｓｑ以下であることがさらに好ましく、０．１Ω／ｓｑ以下であることが最も好ましい。
【０１２０】
本発明における導電性金属部は、透光性電磁波シールド膜としての用途である場合、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、これらの幾何学図形からなるメッシュ状であることがさらに好ましい。
本発明においては正方形からなる格子状のメッシュ形態であることが最も好ましい。
【０１２１】
透光性電磁波シールド膜の用途において、上記導電性金属部の線幅は２０μｍ以下であることが好ましく、線間隔は１００μｍ以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、その線幅が２０μｍより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることがさらに好ましい。
【０１２２】
導電性金属部の厚さは、ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、薄いほどディスプレイの視野角が広がるため好ましい。１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１３μｍ以下であることがより好ましく、２〜１０μｍであることがさらに好ましく、３〜７μｍであることが最も好ましい。また、金属銀部はパターン状であることが好ましい。金属部は１層でもよく、２層以上の重層構成であってもよい。
【０１２３】
本発明における導電性金属部は、可視光透過率の点から開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。また、「開口率」とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。尚、本発明における金属銀部の開口率について特に上限の限定はないが、表面抵抗値および線幅値との関係から、上記開口率としては、９８％以下であることが好ましい。
【０１２４】
［光透過性部］
本発明における「光透過性部」とは、透光性電磁波シールド膜のうち導電性金属部以外の透明性を有する部分を意味する。光透過性部における透過率は、前述のとおり、透明基材の光吸収及び反射の寄与を除いた３８０〜７８０ｎｍの波長領域における透過率の最小値で示される透過率が９０％以上、好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９７％以上であり、さらにより好ましくは９８％以上であり、最も好ましくは９９％以上である。
【０１２５】
本発明の光透過性部は、透過性を向上させる観点から実質的に物理現像核を有しないことが好ましい。本発明は、従来の銀錯塩拡散転写法とは異なり、未露光のハロゲン化銀を溶解し、可溶性銀錯化合物に変換させた後、拡散させる必要がないため、光透過性部には物理現像核を実質的に有しないことが好ましい。
ここに、「実質的に物理現像核を有しない」とは、光透過性部における物理現像核の存在率が０〜５％の範囲であることをいう。
【０１２６】
［機能性膜］
上記のような本発明の製造方法により得られた透光性電磁波シールド膜には、必要に応じて、所望の機能を有する機能性透明層を設けていてもよい。例えば、ディスプレイ用パネルの用途としては、赤外線を吸収する化合物や金属からなる赤外線遮蔽性を有する層；傷のつき難いハードコート層；屈折率や膜厚を調整した反射防止性を付与した反射防止層；ぎらつき防止機能などの妨眩性を有するノングレアー層またはアンチグレアー層；静電気を防止する層；指紋などの汚れを除去しやすい機能を有した防汚性層；紫外線をカットする層；ガスバリア性を有する層；例えばガラス破損時のガラス飛散防止機能を有する表示パネル破損防止層などを設けることができる。これらの機能層は、導電性金属部の上に設けてもよく、透明基材を介して導電性金属部の反対側に設けてもよい。
【０１２７】
上記機能性透明層のいくつかについてさらに説明する。
【０１２８】
赤外線遮蔽性を有する層、例えば近赤外線吸収層は、金属錯体化合物等の近赤外線吸収色素を含有する層、または、銀スパッタ層等である。ここで銀スパッタ層は、誘電体層と金属層を基材上に交互にスパッタリング等で積層させることで、近赤外線、遠赤外線から電磁波まで１０００ｎｍ以上の光をカットすることもできる。誘電体層は誘電体として酸化インジウム、酸化亜鉛等の透明な金属酸化物等を含む。上記金属層に含まれる金属としては銀或いは銀−パラジウム合金が一般的である。上記銀スパッタ層は、通常、誘電体層よりはじまり３層、５層、７層或いは１１層程度積層した構成を有する。
ＰＤＰにおいては、青色を発光する蛍光体は青色以外に僅かであるが赤色を発光する特性を有している為、青色に表示されるべき部分が紫がかった色で表示されるという問題がある。上記特定の波長域の可視光を吸収する色調調節機能をもった層は、この対策として発色光の補正を行う層であり、５９５ｎｍ付近の光を吸収する色素を含有する。
【０１２９】
反射防止性を付与した反射防止層を形成する方法としては、外光の反射を抑えてコントラストの低下を抑えるために、金属酸化物、フッ化物、ケイ化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物等の無機物を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、またはイオンビームアシスト法等で単層或いは多層に積層させる方法やアクリル樹脂、フッ素樹脂等の屈折率の異なる樹脂を単層或いは多層に機能性層上に積層させる方法等がある。また、反射防止処理を施したフィルムを膜上に貼り付けることもできる。
【０１３０】
ノングレアー層やアンチグレアー層を形成する方法としては、シリカ、メラミン、アクリル等の微粉体をインキ化して、表面にコーティングする方法等を用いることができる。この際、インキの硬化は熱硬化或いは光硬化等を用いることができる。また、ノングレア処理またはアンチグレア処理をしたフィルムを膜上に貼り付けることもできる。
【０１３１】
本発明の透光性電磁波シールド膜は、良好な電磁波シールド性および透光性を有するため、とくにディスプレイパネル用フィルムとして有用である。本発明の透光性電磁波シールド膜からなるディスプレイパネル用フィルムは、例えば前記の機能性透明層を設けてプラズマディスプレイパネル用光学フィルターとして使用することもできる。これらの部材は、ＣＲＴ、ＰＤＰ、液晶、ＥＬなどのディスプレイ前面、電子レンジ、電子機器、プリント配線板などに適用することができ、特にＰＤＰに有用である。
本発明のＰＤＰは、高電磁波シールド能、高コントラストおよび高明度であり、且つ低コストで作製することができる。
【実施例】
【０１３２】
以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１３３】
（実施例１）
水媒体中のＡｇ６０ｇに対してゼラチン７．５ｇを含む、球相当径平均０．０５μｍの沃臭化銀粒子（Ｉ＝２モル％）を含有する乳剤を調製した。この際、Ａｇ／ゼラチン体積比は１／１とし、ゼラチン種としては平均分子量２万の低分子量ゼラチンを用いた。
また、この乳剤中にはＫ３Ｒｈ２Ｂｒ９及びＫ２ＩｒＣｌ６を濃度が１０−７（モル／モル銀）になるように添加し、臭化銀粒子にＲｈイオンとＩｒイオンをドープした。この乳剤にＮａ２ＰｄＣｌ４を添加し、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、ゼラチン硬膜剤と共に、銀の塗布量が１ｇ／ｍ２となるようにポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）上に塗布した。ＰＥＴは塗布前にあらかじめ親水化処理したものを用いた。乾燥させた塗布膜にライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀像を与えうる格子状のフォトマスク（ライン／スペース＝１９５μｍ／５μｍ（ピッチ２００μｍ）の、スペースが格子状であるフォトマスク）を介して紫外線ランプを用いて露光し、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、さらに定着液（スーパーフジフィックス：富士写真フイルム社製）を用いて３分間定着処理を行った後、純水でリンスした。
【０１３４】
［現像液の組成］
現像液１リットル中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン                    ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール        ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム              ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム                  ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム                    ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム              ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
【０１３５】
さらに、メッキ液（硫酸銅０．０６モル／Ｌ，ホルマリン０．２２モル／Ｌ，トリエタノールアミン０．１２モル／Ｌ，ポリエチレングリコール１００ｐｐｍ、黄血塩５０ｐｐｍ、α，α’−ビピリジン２０ｐｐｍを含有する、ｐＨ＝１２．５の無電解Ｃｕメッキ液）を用い、４５℃にて無電解銅メッキ処理を行った。ただし、ｐｐｍはｍｇ／Ｌと同義である。更に、表１記載の本発明の化合物０．１モル／Ｌ）を含有する水溶液にて、変色防止処理を行った。なお該処理は、上記の水溶液に３分間浸漬することにより行った。
変色防止処理後は、水洗、乾燥し、本発明のサンプルを得た。
【０１３６】
（比較例１）
変色防止処理を行わない以外は、実施例１と同様にして、サンプルを作成した。
【０１３７】
＜評価法＞
（表面抵抗）
三菱化学製抵抗率計ロレスタにて、表面抵抗率を測定した。
下記表１に記載のサンプルは、０．３Ω／□であった。
（耐湿熱性／導電性金属部の変色）
８０℃、９０％ＲＨの条件下にて２日間の耐湿熱性試験を行い、試験後の導電性金属部の変色を目視評価した。変色は、金属銅の色が、緑色ないし褐色に変色する現象を観察することにより、耐湿熱性を判定した。
変色が認められたものを×とし、認められなかったものを○とした。
（耐熱性／光透過性部の着色）
１００℃にて１週間の耐熱性試験を行い、試験後４１０ｎｍの透過率の減少が３％以上のものを×とした。
【０１３８】
【表１】
2007088218.tif 000029
【０１３９】
表１から判るように、実施例１に示した本発明のサンプルは、金属線部の変色が起こり難いことが分った。更に、意外なことに、導電性金属部を形成しておらず錆びることの考えられない光透過性部に対し、本発明における処理が、着色を防止するという予想外の効果を有することが判明した。