(57)【要約】 【課題】保護層の構成を改良することにより、優れた放電効率と画層表示性能を発揮することの可能なPDPとその製造方法を提供する。【解決手段】  フロントパネル10の表面において、下層のMgO15b及び上層MgO15aとの積層構造により保護層15を形成する。上層MgO15aは下層のMgO15bに比べて2次電子放出係数が小さいものとする。そして上層MgO15aのうち、パネルに垂直な方向から見て、表示電極12、13が放電空間24を挟んでアドレス電極18のクロスオーバーする領域26が除去された構造とする。当該クロスオーバー領域26の除去は製造工程のエージング工程で同時に行うようにする。【選択図】図1
2007157485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に複数対の表示電極が形成されたフロントパネルと、基板表面に複数のアドレス電極が形成されたバックパネルとが放電空間を挟んで対向配置され、前記放電空間に臨むフロントパネル表面には保護層が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、MgOを主成分として含む第一層と、当該第一層よりも2次電子放出係数の低いMgOを主成分として含む第二層とが順次積層されてなり、且つ、
前記第二層は、当該パネルの垂直方向から見た場合に、表示電極対及び前記アドレス電極とが放電空間をおいてクロスオーバーする領域を除く領域に形成されている
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
基板表面に複数対の表示電極が形成されたフロントパネルと、基板表面に複数のアドレス電極が形成されたバックパネルとを放電空間を挟んで対向配置させ、前記放電空間に臨むフロントパネル表面に保護層が形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記フロントパネルの保護層形成工程では、
前記フロントパネル基板上に、MgOを主成分として含む第一層材料と、当該第一層よりも2次電子放出係数の低いMgOを主成分として含む第二層材料とを順次積層する積層工程と、
当該パネルの垂直方向から見た場合に、前記表示電極対及び前記アドレス電極とが放電空間をおいてクロスオーバーする領域を除く領域に前記第二層材料が積層されるよう，前記第二層材料をパターニングする第二層パターニング工程とを経ることで保護層を形成する
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第二層パターニング工程にはエージング工程が含まれ、
前記積層工程では、前記第一層の上に一様に前記第二層材料を積層した後、  
前記第二層パターニング工程において、前記クロスオーバーする領域における第二層材料の部分を前記エージング工程により削除する
請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記エージング工程は、プラズマディスプレイパネルに導入される放電ガスよりもMgOのエッチング速度が高いエッチングガスを用いて行い、
エージング工程終了後にエッチングガスを前記放電ガスに入れ替える
請求項3に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関し、特に保護層及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下PDPという）は、ガス放電で発生した紫外線によって蛍光体を励起発光させ、画像表示する表示装置である。その放電の形成手法からPDPは、交流（AC）型と直流（DC）型に分類することが出来るが、AC型は輝度、発光効率、寿命の点でDC型より優れているため、このタイプが最も一般的である。
AC型PDPは、例えば特許文献1に開示されているように、複数の電極（表示電極またはアドレス電極）とこれを覆うように誘電体層を配した2枚の薄いパネルガラスの表面を、複数の隔壁を介して対向させ、当該複数の隔壁の間に蛍光体層を配し、マトリクス状に放電セルを形成した状態で、両パネルガラスの間に放電ガスを封入した構成を持つ。表示電極を覆う誘電体層の表面には保護層（膜）が形成される。
【０００３】
PDPでは、駆動時にはいわゆるフィールド内時分割階調表示方式に基づき、複数のサブフィールド（初期化期間、アドレス期間、維持期間等を含む）において、前記複数の電極に適宜給電し、放電ガス中で放電を得ることにより発生する紫外線で蛍光発光させる。
ここで前面側のパネルガラスの保護層の材料には、放電時のイオン衝撃から誘電体層を保護しながら、低い放電開始電圧で放電を発生させる機能が要求される。この目的でPDPの保護層としては特許文献2に開示されているように、優れたスパッタ耐性を持ち、2次電子放出係数の大きな酸化マグネシウム（MgO）を主成分とする材料が広く用いられている。
【０００４】
ここで従来のPDPでは、CRTディスプレイに比した場合の発光効率の向上等、画像表示性能上の課題がある。この対策としては放電ガス中のXe濃度を上昇させて輝度を向上させる方法が知られている。しかし一方で、放電ガス中のXe濃度を上げると駆動電圧の上昇も招くため消費電力の問題が生じるほか、放電規模が不要な程度まで拡大し、隔壁と放電との不要な相互作用が生じやすく、理想的な放電効率が得られにくい。また不要な放電規模の拡大が生じると、隣接セル同士の干渉が大きくなり、非点灯セルが誤って点灯するといった画質低下原因にもなりうる。
【０００５】
そこで例えば特許文献2では、放電特性の異なる材料を2層構造とし、これにより保護層を形成して上記問題の解消を図ることが開示されている。
【特許文献１】特開2002−150953号公報
【特許文献２】特開2001−229836号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら特許文献2の技術では、2層構造の保護層はMgOからなる下層に対し、MgO以外の材料（SiO2、Al2O3等）からなる上層を積層して形成されている。このため材料特性上、駆動中にMgO以外の材料成分がMgOの層に混入し、MgOの放電特性が経時変化するという課題があった。
また、特許文献2の技術で上記構成を得るためには、パネル面に沿って一旦全面的に材料をコートさせた後、上層となる層領域を所望のパターンに形成するべくパターニングすることが要求される。これによって工程が増加し、パネル作製工程が複雑になるという課題が生じるほか、コスト的な課題を生じる。
【０００７】
以上のようにPDPの技術分野では、未だ解決すべき余地が存在する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は比較的低コストでありながら、優れた放電効率と画像表示性能を発揮することの可能なPDPとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、基板表面に複数対の表示電極が形成されたフロントパネルと、基板表面に複数のアドレス電極が形成されたバックパネルとが放電空間を挟んで対向配置され、前記放電空間に臨むフロントパネル表面には保護層が形成されたPDPであって、前記保護層は、MgOを主成分として含む第一層と、当該第一層よりも2次電子放出係数の低いMgOを主成分として含む第二層とが順次積層されてなり、且つ、前記第二層は、当該パネルの垂直方向から見た場合に、表示電極対及び前記アドレス電極とが放電空間をおいてクロスオーバーする領域を除く領域に形成されているものとした。
【０００９】
また、本発明は基板表面に複数対の表示電極が形成されたフロントパネルと、基板表面に複数のアドレス電極が形成されたバックパネルとを放電空間を挟んで対向配置させ、前記放電空間に臨むフロントパネル表面に保護層が形成するPDPの製造方法であって、前記フロントパネルの保護層形成工程では、前記フロントパネル基板上に、MgOを主成分として含む第一層材料と、当該第一層よりも2次電子放出係数の低いMgOを主成分として含む第二層材料とを順次積層する積層工程と、当該パネルの垂直方向から見た場合に、前記表示電極対及び前記アドレス電極とが放電空間をおいてクロスオーバーする領域を除く領域に前記第二層材料が積層されるよう，前記第二層材料をパターニングする第二層パターニング工程とを経ることで保護層を形成するものとした。
【００１０】
ここで、前記第二層パターニング工程にはエージング工程が含まれ、前記積層工程では、前記第一層の上に一様に前記第二層材料を積層した後、前記第二層パターニング工程において、前記クロスオーバーする領域における第二層材料の部分を前記エージング工程により削除するものとすることができる。
さらに、前記エージング工程は、PDPに導入される放電ガスよりもMgOのエッチング速度が高いエッチングガスを用いて行い、エージング工程終了後にエッチングガスを前記放電ガスに入れ替えるようにすることもできる。
【発明の効果】
【００１１】
以上の構成を持つ本発明のPDPでは、特許文献2のように異種材料を用いて保護層を形成するのではなく、MgO材料を用いながら2次電子放出係数の異なる層を積層構造とする。このように保護層の積層構造材料がともにMgOを主体とするため、特許文献2のように異種材料の混合による性能劣化という問題が生じない。
また、パネルに垂直な方向から見た場合に、表示電極とアドレス電極とが放電空間を挟んでクロスオーバーする領域を避けて第二層が設けられるため、当該クロスオーバーする領域では放電が集中して生じやすくなり、維持放電時における放電において隔壁と不要な相互作用がなくなる。
【００１２】
すなわち、第二層を設けていない領域では二次電子放出係数が高い第一層が露出しており、この領域に放電が集中しやすい構成となるため、放電セル内において隔壁付近で生じる不要な沿面放電等が制限される。この結果として、放電ガス中のXe分圧を高めて高効率化が達成でき、画質も良好に保持できることとなる。
また、本発明の製造方法を利用すれば、上層のパターニングはエージング工程とともに行えるため、別途特別な工程を用意しなくても実施できる。このため、比較的低コストで且つ効率よくPDPを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
＜実施の形態1＞
1−1.PDPの構成
図1は、本発明の実施の形態1に係るAC型PDP1の主要構成を示す部分的な断面斜視図である。図中、z方向がPDP1の厚み方向、xy平面がPDP1のパネル面に平行な平面に相当する。PDP1は、ここでは一例として42インチクラスのNTSC仕様に合わせた仕様にしているが、本発明はもちろんXGAやSXGA等、この他の仕様・サイズに適用してもよい。
【００１４】
図1に示すように、PDP1の構成は、互いに主面を対向させて配設されたフロントパネル10およびバックパネル16に大別される。
フロントパネル10の基板となるフロントパネルガラス11には、その一方の主面に複数対の表示電極12、13（スキャン電極12、サステイン電極13）が形成されている。各表示電極12、13は、ITOまたはSnO2等の透明導電性材料からなる帯状の透明電極120、130（厚さ0.1μm、幅150μm）に対して、Ag厚膜（厚み2μm〜10μm）、アルミニウム（Al）薄膜（厚み0.1μm〜1μm）またはCr/Cu/Cr積層薄膜（厚み0.1μm〜1μm）等からなるバスライン121、131（厚さ7μm、幅95μm）が積層されてなる。このバスライン121、131によって透明電極120、130のシート抵抗が下げられる。
【００１５】
表示電極12、13を配設したフロントパネルガラス11には、当該ガラス11の主面全体にわたって、酸化鉛（PBO）または酸化ビスマス（Bi2O3）または酸化燐（PO4）を主成分とする低融点ガラス（厚み20μm〜50μm）の誘電体層14が、スクリーン印刷法等によって形成されている。誘電体層14は、AC型PDP特有の電流制限機能を有しており、DC型PDPに比べて長寿命化を実現する要素になっている。誘電体層14の表面には、厚さ約1.0μmの保護層15がコートされている。
【００１６】
ここで、本実施の形態1の特徴は保護層15の構成にあるが、これについては詳細を後述する。
バックパネル16の基板となるバックパネルガラス17には、その一方の主面にAg厚膜（厚み2μm〜10μm）、アルミニウム（Al）薄膜（厚み0.1μm〜1μm）またはCr/Cu/Cr積層薄膜（厚み0.1μm〜1μm）等からなる幅60μmの複数のアドレス電極18が、x方向を長手方向としてy方向に一定間隔毎（360μm）でストライプ状に並設され、このアドレス電極18を内包するようにバックパネルガラス17の全面にわたって厚さ30μmの誘電体膜19がコートされている。
【００１７】
誘電体膜19の上には、さらに隣接するアドレス電極18の間隙に合わせて隔壁20（高さ約150μm、幅40μm）が配設され、隣接する隔壁20によってセルSUが区画され、x方向での誤放電や光学的クロストークの発生を防ぐ役割をしている。そして隣接する2つの隔壁20の側面とその間の誘電体膜19の面上には、カラー表示のための赤色（R）、緑色（G）、青色（B）のそれぞれに対応する蛍光体層21〜23が形成されている。
【００１８】
なお、誘電体膜19を用いずにアドレス電極18を直接蛍光体層21〜23で内包するようにしてもよい。
フロントパネル10とバックパネル16は、アドレス電極18と表示電極12、13の互いの長手方向が直交するように対向させながら配置され、両パネル10、16の外周縁部をガラスフリットで封着されている。この両パネル10、16間にはHe、Xe、Ne等の不活性ガス成分からなる放電ガス（封入ガス）が所定の圧力（通常53.2kPa〜79.8kPa程度）で封入されている。
【００１９】
隣接する隔壁20間は放電空間24であり、隣り合う一対の表示電極12、13と1本のアドレス電極18が放電空間24を挟んで交叉する領域が、画像表示にかかるセル（「サブピクセル」とも言う）SUに対応する。セルピッチはx方向が1080μm、y方向が360μmである。隣り合うRGB3つのセルSUで1画素（1080μm×1080μm）が構成される。
1−2.PDPの駆動方法
上記構成のPDP1は、不図示の駆動部によって、一対の表示電極12、13の間隙には数十kHz〜数百kHzのAC電圧が印加されることにより、セルSU内で放電を発生させ、励起されたXe原子からの紫外線によって蛍光体層21〜23を励起し可視光発光するように駆動される。
【００２０】
その駆動方法例としては、いわゆるフィールド内時分割階調表示方式がある。当該方式は、表示するフィールドを複数のサブフィールドに分け、各サブフィールドをさらに複数の期間に分ける。各サブフィールドでは、初期化期間で画面全体の壁電荷を初期化（リセット）した後、アドレス期間で点灯すべき放電セルのみに壁電荷を蓄積させるアドレス放電を行い、その後の放電維持期間ですべての放電セルに対して一斉に交流電圧（サステイン電圧）を印加することによって一定時間放電維持することで発光表示するものである。
【００２１】
この駆動時において、前記駆動部では、各セルでの発光をON/OFFの2値制御によって階調表現するために、外部からの入力画像である時系列の各フィールドFを、例えば6個のサブフィールドに分割する。各サブフィールドにおける輝度の相対比率が例えば1：2：4：8：16：32となるように重み付けをして、各サブフィールドのサステイン（維持放電）の発光回数を設定する。
【００２２】
ここで図2は、本PDP1の駆動波形プロセスの一例である。当図2ではフィールド中の第m番目のサブフィールドの駆動波形を示している。当図2が示すように、各サブフィールドには、初期化期間、アドレス期間、放電維持期間、消去期間がそれぞれ割り当てられる。
初期化期間とは、それ以前のセルの点灯による影響（蓄積された壁電荷による影響）を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去（初期化放電）を行う期間である。当図2に示す波形例では、すべての表示電極12、13に放電開始電圧Vfを超える正極性の下りランプ波形のリセットパルスを印加する。これとともに、バックパネル16側の帯電とイオン衝撃を防ぐために、すべてのアドレス電極18に正極性パルスを印加する。印加パルスの立ち上がりと立ち下がりの差動電圧によって、すべてのセルで弱い面放電である初期化放電が生じ、すべてのセルにおいて壁電荷が蓄積され、画面全体が一様な帯電状態となる。
【００２３】
アドレス期間は、サブフィールドに分割された画像信号に基づいて選択されたセルのアドレッシング（点灯/不点灯の設定）を行う期間である。当該期間では、スキャン電極12を接地電位に対して正電位にバイアスし、すべてのサステイン電極13を負電位にバイアスする。この状態で、パネル上部最先におけるライン（一対の表示電極に対応する横一列のセル）から1ラインずつ順に各ラインを選択し、該当するスキャン電極12に負極性のスキャンパルスを印加する。また、点灯すべきセルに対応したアドレス電極18に対して、正極性のアドレスパルスを印加する。これにより前記初期化期間での弱い面放電を受け継ぎ、点灯すべきセルのみでアドレス放電が行われ、壁電荷が蓄積される。
【００２４】
放電維持期間は、階調に応じた輝度を確保するために、アドレス放電により設定された点灯状態を拡大して放電維持する期間である。ここでは不要の放電を防止するため、全てのアドレス電極18を正極性の電位にバイアスし、全てのサステイン電極13に正極性のサステインパルスを印加する。その後、スキャン電極12とサステイン電極13とに対して交互にサステインパルスを印加し、所定期間放電を繰り返す。
【００２５】
消去期間では、スキャン電極12に漸減パルスを印加し、これによって壁電荷を消去させる。
なお初期化期間およびアドレス期間の長さは、輝度の重みに関わらず一定であるが、放電維持期間の長さは輝度の重みが大きいほど長い。つまり、各サブフィールドの表示期間の長さは互いに異なる。
【００２６】
PDP1ではサブフィールドで行われる各放電によって、Xeに起因する147nmに鋭いピークを有する共鳴線と、173nmを中心とする分子線からなる真空紫外線が発生する。この真空紫外線が各蛍光体層21〜23に照射され、可視光が発生する。そして、RGB各色ごとのサブフィールド単位の組み合わせにより、多色・多階調表示がなされる。
（本発明の効果について）
ここにおいて本実施の形態1の特徴は、PDP1における保護層15の構成にある。図3(a)はxy平面に沿ってPDP1を見下ろした場合の電極12、13、18のクロスオーバー位置を表す仮想的な電極配置図、図3(b)はyz平面に沿ったPDP1の部分拡大図である。
【００２７】
まず、図3（b）に示されるように、保護層15はMgO材料を利用してなる2層構造で構成され、このうち第一層目である下層MgO15bは誘電体層14上のほぼ全面にわたり形成されている。
一方、第二層である上層MgO15aは、前記下層MgO15bよりも2次電子放出係数が低い材料からなり、当該の下層MgO15b上に積層形成されている。
【００２８】
そして上層MgO15aは、図3（a）及び（b）に示されるように、xy平面に沿ってPDP1を見下ろした場合に放電空間24を挟んでスキャン電極12およびサステイン電極13及びアドレス電極18とがクロスオーバーする領域（クロスオーバー領域26）を回避するように形成されている。この上層MgO15aの形成方法例として、ここでは一端下層MgO15b上に一様に上層材料を積層形成したのち、クロスオーバー領域26に該当する上層材料の部分を切除して形成されている。
【００２９】
以上の構成を持つ本発明のPDPによれば、保護層15として2次電子放出係数の異なる層からなる積層構造とすることで、特許文献2と同様の積層構造を形成できる。また、当該積層構造の材料がともにMgOを主体とするため、上層MgO15aと前記下層MgO15bの材料が混合しても、保護層15の性能を大きく低下させることはなく、特許文献2のように異種材料の混合による性能劣化問題が生じない。これによりMgOの放電特性変動も無く、安定した駆動が行える効果が奏される。
【００３０】
ここで、一般には放電ガス中Xe濃度を高めることで、PDPの放電効率が高められることが知られているが、一般的にXe濃度を高めると放電規模が必要以上に大きくなり、誤放電も生じやすくなる。これに対し本実施の形態1では、表示電極12、13とアドレス電極18とが放電空間24を挟んでクロスオーバーする領域26に上層MgO15aを設けないことで、放電が隔壁20部分まで拡大するのを抑制することができる。なお、「相互作用」とは、不要な沿面放電その他意図しない放電の発生を指す。
【００３１】
さらに本発明によれば、このような相互作用を効果的に防止されるので、高効率化が達成できる。また、このような相互作用を防止した構成とすることによって、隣接セルSUとの相互作用による非点灯セルの誤点灯といった画質低下も防ぐことができる。
また、本発明では以下に説明するように、下層MgO15bのパターニングはエージング工程とともに行えるため、別途特別な工程を用意しなくても実施できる。このため、比較的低コストで且つ効率よくPDPを製造することができる。
【００３２】
＜PDPの製造方法＞
ここでは実施の形態1のPDP1の製造方法について、本願発明の保護層の形成方法も含めて一例を説明する。当然ながら、本発明ではこの製造方法に限定されるものではない。
（フロントパネルの作製）
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるフロントパネルガラス11の面上に、表示電極12、13を作製する。ここでは印刷法によって表示電極12、13を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
【００３３】
まず、ITO（透明電極）材料を所定のパターンでフロントパネルガラス上に塗布する。これを乾燥させる。一方、金属（Ag）粉末と有機ビヒクルに感光性樹脂（光分解性樹脂）を混合してなる感光性ペーストを作製する。これを前記透明電極材料の上に重ねて塗布し、形成する表示電極のパターンを有するマスクで覆う。そして、当該マスク上から露光し、現像工程を経て、590〜600℃程度の焼成温度で焼成する。これにより透明電極120、130上にバスライン121、131が形成される。このフォトマスク法によれば、従来は100μmの線幅が限界とされていたスクリーン印刷法に比べ、30μm程度の線幅までバスライン121、131を細線化することが可能である。なお、このバスラインの金属材料としては、この他にPt、Au、Ag、Al、Ni、Cr、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。
【００３４】
また、前記バスライン121、131は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。
次に、形成した表示電極12、13の上から、軟化点が550℃〜600℃の酸化鉛系あるいは酸化ビスマス系の誘電体ガラス粉末とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストを塗布する。そして、550℃〜650℃程度で焼成し、誘電体層14を形成する。
【００３５】
（保護層の作製工程について）
続いて以下の手順で保護層15を形成する。図4、5は保護層15の形成プロセスを模式的に説明する図である。
まず、誘電体層14上に電子ビーム蒸着法を用いて、MgO膜Aを所定の厚さ（1000nm程度で）成膜する（図4（a）、（b））。
【００３６】
その後、イオン注入装置を用い、MgO膜Aに対し不活性元素であるArイオンを照射することで、表面から深さ50nm程度のMgO領域に欠陥を導入する（図4（c）、（d））。この方法によれば、不活性ガスイオンであるArイオンの照射により、MgO膜の表面層A1に欠陥が生じ、下層A2の照射イオンの影響を受けないMgOに比べて、2次電子放出係数を小さくすることが可能である。
【００３７】
これにより第一層である下層MgO15bの表面上に第二層である上層MgO15aが積層工程として形成されるが、この時点では下層MgO15bは上層MgO15aにより完全に被覆された状態となる。
なお、MgO層の成膜方法として電子ビーム蒸着法を例示したが、本発明はこれに限定するものではなく、MgO層の成膜自体についてはその他の方法、例えばスパッタ法、イオンプレーティング法等を利用してもよい。
【００３８】
以上で基本的なフロントパネル10の構成が作製される。
（バックパネルの作製）
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるバックパネルガラス17の表面上に、スクリーン印刷法によりAgを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ約5μmのアドレス電極18を形成する。ここで、作製するPDP1を例えば40インチクラスのNTSC規格もしくはVGA規格とするためには、隣り合う2つのアドレス電極18の間隔を0.4mm程度以下に設定する。
【００３９】
続いて、アドレス電極18を形成したバックパネルガラス17の面全体にわたって鉛系ガラスペーストを厚さ約20〜30μmで塗布して焼成し、誘電体膜19を形成する。
次に、誘電体膜19と同じ鉛系ガラス材料を用いて、誘電体膜19の上に、隣り合うアドレス電極の間毎に高さ約60〜100μmの隔壁20を形成する。この隔壁20は、例えば上記ガラス材料を含むペーストを繰り返しスクリーン印刷し、その後焼成して形成できる。なお、本発明では隔壁20を構成する鉛系ガラス材料にSi成分が含まれていると、保護層15のインピーダンス上昇を抑制する効果が高まるので望ましい。このSi成分はガラスの化学組成に含まれていても、ガラス材料に添加してもよい。また蒸気圧の高い不純物（N、H、Cl、F等）の添加物は、MgOの成膜時に気相中にガス状に適量添加してもよい。
【００４０】
隔壁20が形成できたら、隔壁の壁面と、隔壁間で露出している誘電体膜19の表面に、赤色（R）蛍光体、緑色（G）蛍光体、青色（B）蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布し、これを乾燥・焼成してそれぞれ蛍光体層21〜23とする。
RGB各色蛍光体の化学組成は、例えば以下の通りである。
赤色蛍光体；Ｙ2O3;Eu3+
緑色蛍光体；Zn2SiO4：Mn
青色蛍光体；BaMgAl10O17：Eu2+
各蛍光体材料は、平均粒径2.0μmのものが使用できる。これをサーバー内に50質量%の割合で入れるとともに、エチルセルローズ1.0質量%、溶剤（α−ターピネオール）49質量%を投入し、サンドミルで撹拌混合して、15×10-3Pa・sの蛍光体インクを作製する。そして、これをポンプにて径60μmのノズルから隔壁20間に噴射させて塗布する。このとき、パネルを隔壁20の長手方向に移動させ、ストライプ状に蛍光体インクを塗布する。その後は500℃で10分間焼成し、蛍光体層21〜23を形成する。
【００４１】
以上でバックパネル16が完成される。
なおフロントパネルガラス11およびバックパネルガラス17をソーダライムガラスからなるものとしたが、これは材料の一例として挙げたものであって、これ以外の材料でもよい。
（MgOのパターニング工程等及びPDPの完成）
続いて、前記上層MgO15aにおける表示電極12、13及びアドレス電極18とのクロスオーバー領域26の除去を以下のようにして行う。
【００４２】
まず、フロントパネル10及びバックパネル16を、封着用ガラスで貼り合わせて封着工程を行う（図5（a））。
そして封着後は、パネルの一部に設けられた排気管を用いて、パネルの真空加熱排気を行う。PDP内部が十分に排気された状態に達した時点で、その後PDPの駆動時の放電ガス（Arを含むエッチングガス）を導入し、排気管でPDPを封じ切る。なお、エッチングガスとしては、通常の放電ガスよりもMgOのエッチング速度が速いガスを利用することができる。
【００４３】
エージング工程を開始すると、当該エージング工程中において、Arイオン34及び放電33によるスパッタ作用によりパターニング工程が実行され、上層MgO15aにおける表示電極12、13及びアドレス電極18とのクロスオーバー領域26は自然に削除される（図5（b））。
この際、上層MgOの膜厚を〜50nmと比較的薄く設定しておくことで、短時間で上層MgO15aのパターニング工程が終了できる。具体的にはマスクdepoフォトリソグラフィー等の薄膜パターニング工程に比較して、より簡便にパターニング工程を行うことができる。
【００４４】
これにより、表示電極12、13及びアドレス電極18とのクロスオーバー領域26に相当するMgO15aが完全に除去された箇所においては、放電が容易な下層MgO15bの表面が放電空間24に露出するので、駆動時にはクロスオーバー領域26の近傍で放電が集中する。従って、セルSUの中央付近における放電を制御することが可能となる。
その後は放電空間の内部を高真空（1.0×10-4Pa）程度に排気し、これに所定の圧力（ここでは66.5kPa〜101kPa）でNe-Xe系やHe-Ne-Xe系、Ne-Xe-Xe-Ar系等の放電ガスを封入する。
【００４５】
以上でPDP1が完成する。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のガス放電表示パネルは、大型のテレビジョンや高精細テレビジョンあるいは大型表示装置など、映像機器産業、宣伝機器産業、産業機器やその他の産業分野に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施の形態1におけるPDPの構成を模式的に示す断面斜視図である。
【図２】PDPの駆動プロセス例を示す図である。
【図３】表示電極とアドレス電極のクロスオーバー位置を表す仮想的な電極配置図及びPDPの部分拡大図である。
【図４】保護層の作製工程を示す図である。
【図５】保護層の作製工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
1    PDP
10    フロントパネル
11  フロントパネルガラス
12    走査（スキャン）電極
13    維持（サステイン）電極
14，19    誘電体層
15    保護層
15ａ  上層MgO
15b  下層MgO
16  バックパネル
17  バックパネルガラス
18    アドレス電極
20    隔壁
23    蛍光体層
26    上層MgOが除去された領域（クロスオーバ領域）  
【図１】
2007157485.tif 000003
【図２】
2007157485.tif 000004
【図３】
2007157485.tif 000005
【図４】
2007157485.tif 000006
【図５】
2007157485.tif 000007