(57)【要約】【課題】この発明は、製造が完了し製品の状態でも、非蒸発ゲッタに一定時間電流を通電して非蒸発ゲッタを活性化できる構造とし、長期的に内部を高真空に維持できる電界放出型画像表示装置を得る。【解決手段】非蒸発ゲッタ１３が形成された金属薄板１４が電子放出素子５および蛍光体１２の形成領域を避けて表示器１の気密空間内に配設され、Ｖｇｅ電流源２２が金属薄板１４に金属導入線１５を介して電気的に接続されている。放出電流を計測するＩａ電流計２３が電子加速用回路に挿入されている。制御手段２４は、引き出し電極１０に所定の電圧を印加するとともに、Ｉａ電流計２３により放出電流を計測し、その計測値が基準電流値より小さい場合に、金属薄板１４に通電して非蒸発ゲッタ１３を活性化させる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子が主面上に行列状に配列して形成されたリア基板と、上記電子放出素子に電子を放出させる電界を印加するための引き出し電極と、上記リア基板の主面に対向して配置され、上記電子放出素子から放出された電子の照射を受けて発光する蛍光体が該リア基板の主面に対向する主面上に上記電子放出素子と対向配置されているフロント基板と、上記リア基板と上記フロント基板との間に気密に介装され、上記電子放出素子および上記蛍光体の形成領域を囲繞する枠体と、を備え、上記リア基板、上記フロント基板および上記枠体により構成される気密空間内が真空雰囲気にされている電界放出型画像表示装置において、
上記電子放出素子および上記蛍光体の形成領域を避けて上記気密空間内に配設され、該気密空間内のガスを吸着する非蒸発ゲッタと、
上記非蒸発ゲッタを加熱して該非蒸発ゲッタを活性化するゲッタ加熱手段と、
上記ゲッタ加熱手段への通電を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とする電界放出型画像表示装置。
【請求項２】
上記電子放出素子からの放出電流を計測する電流計測手段を更に備え、
上記制御手段は、上記引き出し電極に所定の電圧を印加するとともに、上記電流計測手段により放出電流を計測し、その電流計測値が基準電流値より小さい場合に、上記ゲッタ加熱手段に通電して上記非蒸発ゲッタを活性化させることを特徴とする請求項１記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項３】
上記フロント基板の主面と上記蛍光体との間に配設された電子加速用電極と、上記電子加速用電極に電子加速用電圧を印加する電子加速用電圧源と、を備え、上記電流計測手段は、上記引き出し電圧に所定の電圧を印加した際に、上記電圧加速用電極と上記電子加速用電圧源とにより構成される電子加速用回路に流れる電流を計測することを特徴とする請求項２記載の電界放出型画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子放出素子および蛍光体を備えた電界放出型画像表示装置に関し、特に電子放出素子および蛍光体が配置された密閉空間内に配置された非蒸発ゲッタの活性化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の映像視聴環境は、テレビジョン放送ではハイビジョン化、ビデオ装置ではデジタルビデオ化に代表される様に高画質化が進み、本環境に対応する表示装置に対して、高輝度、高解像度、大型化の要求がますます強くなってきている。
これまでのテレビジョン放送での表示装置の代表であったカラーブラウン管は、上記の環境では、特に大型化の点で、重量が重くなる、大幅に薄くすることが出来ない等の問題があった。そこで、その代替として、プラズマ方式やＬＣＤ方式による表示装置が普及しはじめている。ただし、これらの表示装置は、カラーブラウン管方式と比べて、軽い、薄い等の利点は有しているが、カラーブラウン管並の表示品質、つまり、真空内で高電圧を加えて電子ビームを蛍光体に照射させて得られる発光による表示並みの、明るさ、高画質の特性を得られるまでには至っていない。そこで、カラーブラウン管方式の表示性能を確保し、かつ薄型のフラット方式の画像表示装置として、電界放出型画像表示装置の開発が行われている。
【０００３】
この電界放出型画像表示装置は、多数個のカソードから電子ビームを引き出し、蛍光体に電子ビームを照射させて、画像を表示するものである。
この従来の電界放出型画像表示装置は、電子源（電子放出素子）が形成された背面ガラス基板と蛍光体が配置された前面ガラス基板とを重ね合わせて、内部を高真空の状態としている（例えば、特許文献１参照）。そして、背面ガラス基板の電子源から電子ビームを引き出し、引き出された電子ビームを、おおよそ数ｋＶの高電圧の加わった蛍光体が配置された前面ガラス基板に向け加速する。加速された電子ビームが蛍光体にあたることで発光する。ここで、電子ビームを引き出す為に、引き出し電極に１００Ｖ前後の電圧が印加される。引き出し電極に印加される電圧により、引き出す電子ビームの量の調整が行われ、引き出し電極に一定の電圧を印加した場合、引き出される電流量は短期の期間で観察すればおおよそ一定である。
以上の構成となる電子源構造を多数配置し、個々の電子源の引き出し電極における電圧印加のオン-オフと、オン時の電圧を調整して、引き出された電子ビームで蛍光体を発光させて、画像を表示する。
【０００４】
また、画像表示装置内部は、前面ガラス基板に印加した高電圧に対する耐電圧を確保し、カソード部の電子源からの電界放出による電子ビームを効率よく引き出すために、内部を１０-５Ｐａレベル以下の高真空状態としなければならない。
この種の画像表示装置において、特にその製造過程で内部を高真空化する方法が種々提案されている（例えば、特許文献２参照）。この高真空化する方法で用いられる非蒸発ゲッタは、製造中に、ゲッタ本体を３００℃以上の高温に加熱することで、非蒸発ゲッタを活性化させ、画像表示装置内のガスを吸着して、内部の真空度を高めている。
【０００５】
しかしながら、非蒸発ゲッタにより活性化して内部を高真空の状態に設定しても、画像表示装置を長時間の間で動作させた場合、電子ビームが蛍光面にあたることで、蛍光面から徐々にガスが発生する。ゲッタのガス吸収能力が十分であれば問題ないが、ゲッタが吸着しきれない状態となった場合は真空度が低下する。また、画面を明るく設定しようとすれば、電子ビームをより多く取り出して、蛍光面にあてて発光させる必要があり、この場合、ガスの発生が多くなる方向にある。
通常は、製造時点で、内部を高真空に確保しておき、内部に配設されたゲッタでこれら使用時の発生ガスを吸収して高真空を保ち続ける様に設計がなされる。
【０００６】
しかしながら、長時間に動作させた場合や、動作条件の違い、また、個々の製品における放出ガスの特性のバラツキにより、画像表示装置内部で発生するガスは一定ではない。そして、内部のガスが増加することで、真空度の低下が生じ、電界放出による電子ビームの取り出しが困難となる。また、前面ガラス基板に高電圧を印加した際の耐電圧の劣化が生じる等により、電界放出型画像表示装置の寿命に影響を与える。従来の電界放出型画像表示装置では、製品にしてから、その個々の真空度の劣化の状態に応じて、内部の真空度の改善ができる機能は有していない。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２９２２２７号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の画像表示装置では、製造時に内部を高真空度に確保しておき、内部に配設されたゲッタで使用時の発生ガスを吸収して高真空を保ち続けるように構成しているので、長時間動作させたり、動作条件の違いなどにより、内部のガスが増加すると、ゲッタで吸収しきれなくなり、内部の真空度を確保できなくなるという課題があった。
【０００９】
この発明は、上記の課題を解消するためになされたもので、製造が完了し製品の状態でも、非蒸発ゲッタに一定時間電流を通電して非蒸発ゲッタを活性化できる構造とし、長期的に内部を高真空に維持できる電界放出型画像表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明による電界放出型画像表示装置は、電子放出素子が主面上に行列状に配列して形成されたリア基板と、上記電子放出素子に電子を放出させる電界を印加するための引き出し電極と、上記リア基板の主面に対向して配置され、上記電子放出素子から放出された電子の照射を受けて発光する蛍光体が該リア基板の主面に対向する主面上に上記電子放出素子と対向配置されているフロント基板と、上記リア基板と上記フロント基板との間に気密に介装され、上記電子放出素子および上記蛍光体の形成領域を囲繞する枠体と、を備え、上記リア基板、上記フロント基板および上記枠体により構成される気密空間内が真空雰囲気にされている。さらに、電界放出型画像表示装置は、上記電子放出素子および上記蛍光体の形成領域を避けて上記気密空間内に配設され、該気密空間内のガスを吸着する非蒸発ゲッタと、上記非蒸発ゲッタを加熱して該非蒸発ゲッタを活性化するゲッタ加熱手段と、上記ゲッタ加熱手段への通電を制御する制御手段と、を備えている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、制御手段によりゲッタ加熱手段に通電が開始されると、ゲッタ加熱手段により非蒸発ゲッタが加熱され、非蒸発ゲッタが活性化され、非蒸発ゲッタの吸着能力が回復される。そこで、製造が完了し製品の状態でも、内部の真空度の状況に応じて、非蒸発ゲッタを活性化でき、内部の真空度を長期的に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置における表示器の構成を模式に示す分解斜視図、図２はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器におけるカソード構造を説明する断面図、図３はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における蛍光体の構造を説明する断面図、図４はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における蛍光体の配列状態を説明する平面図、図５はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器におけるＶ／Ｉ特性を示す図、図６はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における動作時間とビーム電流との関係を示す図、図７はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の全体構成を模式的に示す図、図８はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置における動作を説明するフロー図である。
【００１３】
図１において、電界放出型画像表示装置の表示器１は、電子ビームを発生する電子放出素子５が主面上に形成されたリア基板２と、電子ビームの照射により蛍光する蛍光体１２が主面上に形成され、該蛍光体１２を電子放出素子５に対向配置させるようにリア基板２の主面側に平行に配置されたフロント基板３と、リア基板２とフロント基板３との間に気密に、かつ、電子放出素子５および蛍光体１２の形成領域を囲繞するように配設された枠体４と、電子放出素子５および蛍光体１２の形成領域の外側で、かつ、枠体４内に位置するように配設された非蒸発ゲッタ１３とを備え、リア基板２、フロント基板３および枠体４により構成された気密空間内を真空雰囲気にして構成されている。
【００１４】
リア基板２には、例えば石英ガラスや青板ガラスからなるガラス基板が用いられている。そして、図２に示されるように、カソード電極６がリア基板２の主面上に所定のピッチでストライプ状に形成され、電子放出部形成用導電層７がカソード電極６上の各電子放出部形成領域に対応するように形成されている。さらに、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）層８が各電子放出部形成用導電層７上に形成されている。また、絶縁層９がＣＮＴ層８の形成領域を避けてリア基板２上に形成され、引き出し電極１０がＣＮＴ層８の形成領域でカソード電極６と直交するように所定のピッチでストライプ状に絶縁層９上に形成されている。
このようにして、電子放出部形成用導電層７およびＣＮＴ層８から構成される電子放出素子５が、リア基板２上に行列状（ｎ行ｍ列）に配列されて形成されている。なお、ｎ、ｍは２以上の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。また、リア基板２には、セラミック基板を用いてもよい。
【００１５】
フロント基板３には、例えば石英ガラスや青板ガラスからなるガラス基板が用いられる。そして、図３に示されるように、電子加速用電極１１がフロント基板３の主面上に形成され、蛍光体１２が、電子加速用電極１１上に電子放出素子５の配列状態に対応したｍ列のストライプ状に形成されている。そして、カラー表示の場合には、図４に示されるように、青、緑、赤色に発光する蛍光体１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒが、電子放出素子５の各列に対応するように順番に配列されている。
なお、蛍光体１２は、必ずしもストライプ状に配列される必要はなく、電子放出素子５の配列状態に対応した行列状（ｎ行ｍ列）に形成されてもよい。
【００１６】
ここで、最小の表示単位であるモードでは、６４０×４８０ピクセルの画素が必要である。そして、カラー表示の場合には、青、緑、赤色の蛍光体１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒに対応し、１９２０×４８０個の電子放出素子５が配置される。
【００１７】
枠体４は、例えばガラス材を用い、電子放出素子５および蛍光体１２の形成領域を取り囲む大きさの枠状に作製されている。また、枠体４には、セラミックやプラスチックを用いてもよい。そして、枠体４は、リア基板２とフロント基板３との間に介装され、例えばフリットガラス（低融点ガラス）や接着剤によりリア基板２およびフロント基板３に気密に接合されている。
【００１８】
非蒸発ゲッタ１３は、Ｔｉを主成分とし、Ｚｒ，ＶおよびＦｅからなり、リア基板２の主面に固定された、例えばＴｉ製の金属薄板１４上に成膜されている。この非蒸発ゲッタ１３は、表示器１内部のガスを吸着して、内部の真空度を高める排気ポンプとして機能する。また、一対の金属導入線１５が金属薄板１４の両端に溶接などにより電気的に接続されている。これらの金属導入線１５は、リア基板２と枠体４との間、あるいはフロント基板３と枠体４との間に挟み込まれ、気密に固定されている。これにより、外部より金属導入線１５を介して金属薄板１４に通電され、非蒸発ゲッタ１３を加熱できる。これにより、非蒸発ゲッタ１３は活性化されることになる。なお、Ｔｉを主成分とし、Ｚｒ，ＶおよびＦｅからなる非蒸発ゲッタを用いたが、Ｚｒを主成分とする非蒸発ゲッタを用いても良い。また、金属薄板１４、金属導入線１５および後述するＶｇｅ電流源２２がゲッタ加熱手段を構成している。
【００１９】
このように構成された電界放出型画像表示装置では、カソード電極６と引き出し電極１０との間に電圧を印加すると、ＣＮＴ層８の露出したＣＮＴの微少な先端に電界集中が発生し、電子ｅがＣＮＴの先端から放出される。そして、電圧を印加するカソード電極６と引き出し電極１０とを選択することにより、行列状に配列されている電子放出素子５（ＣＮＴ層８）の中の所望の電子放出素子５から電子ｅが放出される。
一方、電子加速用電極１１には電子加速用電圧源としてのＶａ電圧源２１により数ｋＶの高電圧が印加されている。そこで、電子放出素子５から放出された電子ｅは、電子加速用電極１１に印加されている高電圧により加速され、対応する蛍光体１２に衝突する。これにより、蛍光体１２が発光し、画像が表示される。
【００２０】
ついで、図５に示されるように、この電界放出型画像表示装置においては、引き出し電極１０に印加される電圧がＶ０未満では、電子ｅは電子放出素子５から放出されない。そして、引き出し電極１０に印加される電圧がＶ０を超えると、電子ｅが電子放出素子５から放出される。この時、引き出し電極１０に印加される電圧が大きくなるほど、電子ｅの放出量が大きくなる。図５に示されるカーブをＶ／Ｉ特性として、カソード構造を設計した際に特性が定まる。画素毎のＶ／Ｉ特性は、短期間においてはほぼ一定の特性を示す。つまり、画素毎で、多少のバラツキはあるが、引き出し電極１０にＶ１の電圧を印加すれば、ビーム電流Ｉ１の出力が得られる。
【００２１】
また、電界放出型画像表示装置では、電子ビームが蛍光体１２に衝突して蛍光体１２が発光する際に、ガスが放出される。そこで、電界放出型画像表示装置を長時間動作させると、発光する際に放出されるガスが徐々に増加する。この時、非蒸発ゲッタ１３がガスを吸着し、内部の真空度を維持している。しかし、非蒸発ゲッタ１３の吸着能力が劣化すると、ガスを吸着しきれず、内部の真空度が劣化することになる。この内部の真空度の劣化により、引き出し電極１０に一定の電圧Ｖ１を印加しても、図６に示されるように、取り出されるビーム電流は徐々に低下する。このビーム電流の劣化曲線を詳細に調査することにより、引き出し電極１０に電圧Ｖ１を印加し、ビーム電流がＩ２以下となった場合に、内部の真空度のレベルが劣化したと判断することが可能となる。
【００２２】
つぎに、電界放出型画像表示装置におけるゲッタ活性化について図７を参照しつつ説明する。
図７において、電子引き出し用電圧源としてのＶｇ電圧源２０が引き出し電極１０に切換可能に接続され、カソード電極６が切換可能にアースに接続され、電子加速用電圧源としてのＶａ電圧源２１が電子加速用電極１１に接続され、さらにゲッタ活性化用のＶｇｅ電流源２２が一対の金属導入線１５に接続されている。そして、電流計測手段としてのＩａ電流計２３が電子加速用電極１１とＶａ電圧源２１とにより構成される電子加速用回路に挿入されている。そこで、電子放出素子５から放出された電子ｅが蛍光体１２に到達すると、Ｖａ電圧源２１に通じる回路に電流が流れ、この電流がＩａ電流計２３により検知される。
【００２３】
制御手段２４は、所定の引き出し電極１０をＶｇ電圧源２０に接続し、所定のカソード電極６をアースに接続し、Ｖｇ電圧源２０をＯＮして所定の電子放出素子５に電界を印加するとともに、Ｖａ電圧源２１をＯＮして電子加速用電圧を電子加速用電極１１に印加する。そして、Ｉａ電流計２３の出力をモニターし、この出力に基づいて内部の真空度のレベルが劣化したかを判断し、劣化したと判断した場合に、Ｖｇ電圧源２０およびＶａ電圧源２１をＯＦＦし、Ｖｇｅ電流源２２を駆動して、金属薄板１４に通電し、非蒸発ゲッタ１３の活性化処理を行う。この制御手段２４は、ＣＰＵ、ＣＰＵで実行されるプログラムや各種データが格納されているＲＯＭやＲＡＭの記憶手段、Ｃｌｏｃｋなどを備えたマイクロコンピュータで構成されている。そして、記憶手段に格納されるデータとしては、例えばゲッタ活性化のための通電時間、通電電流値、内部の真空度のレベルの劣化判定基準電流値などがある。
【００２４】
ここで、電界放出型画像表示装置の表示器１の製造時点で、Ｖｇ電圧源２０から引き出し電極１０に基準電圧Ｖ１を印加し、Ｖａ電圧源２１から電子加速用電極１１に電子加速用電圧を印加し、ビーム電流をＩａ電流計２３により計測する。そして、例えば、ビーム電流値がビーム電流値の初期計測値Ｉ１の７０％となったときに、真空度のレベルが劣化したと判断すると決めれば、内部の真空度のレベルの劣化判定基準電流値Ｉ２はＩ１×０．７として算出される。このようにして算出した劣化判定基準電流値Ｉ２をＲＯＭに格納しておく。
また、ゲッタ活性化の際の電流の通電時間は、通電量とゲッタの大きさ、電界放出型画像表示装置の表示器１の大きさにより定まるが、例えば、数アンペア（Ａ）を１〜数時間の間で通電を継続すればよい。
【００２５】
つぎに、この実施の形態１による動作について図８のフローに基づいて説明する。なお、図８において、ステップ１００〜１１４は便宜上Ｓ１００〜１１４と示している。
まず、主電源ＳＷａ２５がＯＮされ、電力がコンセント２７から電界放出型画像表示装置に供給され、電界放出型画像表示装置が動作可能状態となる（ステップ１００）。ついで、使用者が操作電源ＳＷｕ２６をＯＮすると（ステップ１０１）、駆動制御手段（図示せず）により、Ｖｇ電圧源２０およびＶａ電圧源２１が駆動制御され、画像が表示され、使用者が電界放出型画像表示装置を視聴することになる（ステップ１０２）。使用者の視聴が終わると、操作電源ＳＷｕ２６がＯＦＦされる（ステップ１０３）。これにより、駆動制御手段によるＶｇ電圧源２０およびＶａ電圧源２１の駆動制御が終了し、引き出し電極１０および電子加速用電極１１への電圧印加が解除される。
【００２６】
制御手段２４は、主電源ＳＷａ２５がＯＮされた後、操作電源ＳＷｕ２６のＯＮからＯＦＦを確認すると、Ｖａ電圧源２１をＯＮし（ステップ１０４）、ついでＶｇ電圧源２０をＯＮする（ステップ１０５）。これにより、引き出し電極１０に基準電圧Ｖ１が印加され、ビーム電流がＩａ電流計２３により計測される。制御手段２４は、Ｉａ電流計２３の計測値と、ＲＯＭに格納されている劣化判定基準電流値Ｉ２との大小を判定する（ステップ１０６）。
【００２７】
そして、ステップ１０６において、Ｉａ電流計２３の出力がＩ２以上である判定すると、内部の真空度が劣化していないと判断し、Ｖｇ電圧源２０をＯＦＦし（ステップ１０７）、Ｖａ電圧源２１をＯＦＦし（ステップ１０８）、ステップ１０９に移行して主電源ＳＷａ２５をＯＦＦし、終了する。
【００２８】
また、ステップ１０６において、Ｉａ電流計２３の出力がＩ２より小さいと判定すると、内部の真空度が劣化していると判断し、Ｖｇ電圧源２０をＯＦＦし（ステップ１１０）、Ｖａ電圧源２１をＯＦＦし（ステップ１１１）、ステップ１１２に移行する。ステップ１１２では、Ｖｇａ電流源２２をＯＮし、ＲＯＭに格納されている通電電流値に基づいて金属薄板１４への通電を開始すると同時に、Ｃｌｏｃｋをスタートさせる。
ついで、通電開始からの経過時間がＲＯＭに格納されている通電時間（所定時間）に達したか否かを判定する（ステップ１１３）。そして、通電開始から所定時間経過すると、ステップ１１４に移行し、Ｖｇｅ電流源２２をＯＦＦし、非蒸発ゲッタ１３の活性化を終了して、ステップ１０９に移行する。
【００２９】
このように、この実施の形態１によれば、使用者の視聴終了後に、引き出し電極１０に基準電圧Ｖ１を印加し、Ｉａ電流計２３により計測された電流値が劣化判定基準電流値Ｉ２以上であるか否かを判定している。そして、計測された電流値が劣化判定基準電流値Ｉ２より小さくなると、金属薄板１４に通電し、非蒸発ゲッタ１３を所定時間加熱している。そこで、非蒸発ゲッタ１３は活性化され、ガス吸着能力が回復する。これにより、内部の真空度が高真空に復帰するので、電子放出素子５からの電子放出の効率の低下が抑制され、電子加速用電極１１に高電圧を印加した際の耐電圧の劣化が防止され、電界放出型画像表示装置の長寿命化が図られる。
【００３０】
また、Ｉａ電流計２３を用いて電子加速用電極１１とＶａ電圧源２１からなる電子加速用回路に流れる電流を計測しているので、特殊な構成を付加することなく、簡易な構成で電子放出素子５からの電子放出時のビーム電流を計測することができる。
【００３１】
なお、上記実施の形態１では、制御手段２４を電界放出型画像表示装置の画像表示用の駆動制御手段と別体に構成するものとして説明しているが、制御手段２４を画像表示用の駆動制御手段に一体に構成するようにしてもよい。
また、表示器１内部の真空度の劣化を調べるために引き出し電極１０に印加する基準電圧Ｖ１が通常の表示時と同じ高電圧であると、蛍光体１２からの発光を伴うことから、当該基準電圧Ｖ１を蛍光体１２からの発光を伴わない電圧値に設定することが望ましい。
また、表示器１内部の真空度の劣化を調べるために基準電圧を印加する対象の電子放出素子５は、リア基板２上の全電子放出素子５であっても良いし、リア基板２上の一部分のエリアに形成されている電子放出素子５であってもよい。
【００３２】
実施の形態２．
図９はこの発明の実施の形態２に係る電界放出型画像表示装置における表示器の構成を模式に示す分解斜視図である。
図９において、表示器１Ａでは、一対の金属ピン２８が枠体４の１辺を気密に貫通して固着されている。そして、非蒸発ゲッタ１３が形成された金属薄板１４の両端が金属ピン２８のそれぞれの端部に溶接されて、リア基板２、フロント基板３および枠体４により形成された密閉空間内に配設されている。
なお、この実施の形態２は、ゲッタ加熱手段が金属薄板１４、金属ピン２８およびＶｇｅ電流源２２で構成されている点を除いて上記実施の形態１と同様に構成されている。
【００３３】
この実施の形態２においても、Ｖｇａ電流源２２をＯＮし、金属ピン２８を介して金属薄板１４に通電することにより、金属薄板１４が加熱され、非蒸発ゲッタ１３の活性化を行われる。
そこで、上記実施の形態１と同様に、使用者の視聴終了後に、引き出し電極１０に基準電圧Ｖ１を印加し、Ｉａ電流計２３により計測された電流値が劣化判定基準電流値Ｉ２以上であるか否かを判定し、計測された電流値が劣化判定基準電流値Ｉ２より小さくなると、金属薄板１４に通電することにより、非蒸発ゲッタ１３の活性化が行われ、内部の真空度を高真空に維持することができる。
【００３４】
実施の形態３．
この実施の形態３では、制御手段２４によるゲッタ活性化方法が異なる点を除いて、上記実施の形態１と同様に構成されている。
【００３５】
ここで、この実施の形態３による動作について図１０のフローに基づいて説明する。
まず、主電源ＳＷａ２５がＯＮされ、電力がコンセント２７から電界放出型画像表示装置に供給され、電界放出型画像表示装置が動作可能状態となる（ステップ１００）。ついで、使用者が操作電源ＳＷｕ２６をＯＮすると（ステップ１０１）、駆動制御手段（図示せず）により、Ｖｇ電圧源２０およびＶａ電圧源２１が駆動制御され、画像が表示され、使用者が電界放出型画像表示装置を視聴することになる（ステップ１０２）。使用者の視聴が終わると、操作電源ＳＷｕ２６がＯＦＦされる（ステップ１０３）。これにより、駆動制御手段によるＶｇ電圧源２０およびＶａ電圧源２１の駆動制御が終了し、引き出し電極１０および電子加速用電極１１への電圧印加が解除される。
【００３６】
制御手段２４は、主電源ＳＷａ２５がＯＮされた後、操作電源ＳＷｕ２６のＯＮからＯＦＦを確認すると、Ｖｇａ電流源２２をＯＮし、ＲＯＭに格納されている通電電流値に基づいて金属薄板１４への通電を開始すると同時に、Ｃｌｏｃｋをスタートさせる（ステップ１１２）。
ついで、通電開始からの経過時間がＲＯＭに格納されている通電時間（所定時間）に達したか否かを判定する（ステップ１１３）。そして、通電開始から所定時間経過すると、ステップ１１４に移行し、Ｖｇｅ電流源２２をＯＦＦし、非蒸発ゲッタ１３の活性化を終了する。そして、ステップ１０９に移行し、主電源ＳＷａ２５をＯＦＦとする。
【００３７】
この実施の形態３では、使用者が視聴を終えて操作電源ＳＷｕ２６をＯＦＦとすると、必ず非蒸発ゲッタ１３の活性化を行っている。そこで、上記実施の形態１に比べ、非蒸発ゲッタ１３の活性化処理時間を短くすることができる。また、ビーム電流を測定して真空度が劣化しているか否かの判定工程が省略されるので、Ｉａ電流計２３が不要となり、構成機器の簡素化が図られるとともに、ビーム電流値の判定回路が不要となり、制御手段の構成も簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置における表示器の構成を模式に示す分解斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器におけるカソード構造を説明する断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における蛍光体の構造を説明する断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における蛍光体の配列状態を説明する平面図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器におけるＶ／Ｉ特性を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の表示器における動作時間とビーム電流との関係を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置の全体構成を模式的に示す図である。
【図８】この発明の実施の形態１に係る電界放出型画像表示装置における動作を説明するフロー図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係る電界放出型画像表示装置における表示器の構成を模式に示す分解斜視図である。
【図１０】この発明の実施の形態３に係る電界放出型画像表示装置における動作を説明するフロー図である。
【符号の説明】
【００３９】
１，１Ａ  表示器、２  リア基板、３  フロント基板、４  枠体、５  電子放出素子、１０  引き出し電極、１１  電子加速用電極、１２  蛍光体、１３  非蒸発ゲッタ、１４  金属薄板（ゲッタ加熱手段）、１５  金属導入線（ゲッタ加熱手段）、２１  Ｖａ電圧源（電子加速用電圧源）、２２  Ｖｇｅ電流源（ゲッタ加熱手段）、２３  Ｉａ電流計（電流計測手段）、２４  制御手段、２８  金属ピン（ゲッタ加熱手段）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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