(57)【要約】【課題】低電圧駆動のできるＭＥＭＳスイッチ及びその製造方法が開示される。【解決手段】開示されたＭＥＭＳスイッチは、その上面に信号ラインが形成された下部基板と、下部基板の上面に所定の間隔を隔てて設置され、その下面にメンブレイン層が形成され、その内部にキャビティが形成された上部基板と、キャビティの内部且つメンブレイン層の上面に設置されたバイメタル層と、メンブレイン層の下面に設置された発熱層と、発熱層の下面に形成され、信号ラインと接触もしくは離脱される接触部材と、を含む。【選択図】図２
2007027126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に信号ラインが形成された下部基板と、
前記下部基板の上面に所定の間隔を隔てて設置され、その下面にメンブレイン層が形成され、その内部にキャビティが形成された上部基板と、
前記キャビティの内部であってかつ前記メンブレイン層の上面に設置されたバイメタル層と、
前記メンブレイン層の下面に設置された発熱層と、
前記発熱層の下面に形成された接触部材と、
を含み、前記接触部材が前記信号ラインと接触状態または離間状態を取り得ることを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
【請求項２】
前記下部基板及び前記上部基板の間には、前記上部基板及び下部基板の間隔を所定の間隔に維持しながら、前記下部基板及び上部基板の間をシーリングするシーリング層が更に含まれたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
前記上部基板の上側には前記キャビティを覆うカバーが更に含まれることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項４】
前記メンブレイン層が酸化膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項５】
前記発熱層がポリシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項６】
前記発熱層が電気抵抗発熱体であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項７】
前記電気抵抗発熱体が螺旋状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項８】
前記電気抵抗発熱体に所定の電圧を印加する電圧供給ユニットが更に含まれていることを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項９】
電圧供給ユニットが、前記抵抗発熱体に接続された上部電圧印加パッドと、前記下部基板の上面に形成され前記上部電圧印加パッドと接触する下部電圧印加パッドと、前記下部基板のビアホールに埋め込まれて前記下部電圧印加パッドと接続する電圧接続部と、前記下部基板の下面に形成され前記電圧接続部と接続する外部電圧印加パッドと、
を含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１０】
前記信号ラインを前記下部基板の外部回路と接続する信号ライン接続ユニットが更に含まれることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１１】
前記信号ライン接続ユニットが、前記下部基板のビアホールに埋め込まれ前記信号ラインと接続する信号ライン接続部と、前記下部基板の下面に形成され前記信号ライン接続部と接続する信号ラインパッドとを含むことを特徴とする請求項１０に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１２】
前記上部基板および下部基板がシリコンで形成され、前記カバーがガラスで形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１３】
前記信号ライン、接触部材及びシーリング層が接合可能の導電性材質で形成され、前記導電性材質がAu、AuSn、PbSnのうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１４】
上面に所定の導電層を蒸着した後、信号ラインを形成する段階を含む下部基板の提供段階と、
上部基板の下面にメンブレイン層を蒸着する段階と、前記メンブレイン層の下部に発熱層を蒸着する段階と、前記上部基板の上部をエッチングしてキャビティを形成する段階と、前記キャビティの内部であってかつ前記メンブレイン層の上面にバイメタルを形成する段階と、前記発熱層の下部に導電層を蒸着して接触部材をパターンニングする段階によって製造された上部基板を提供する段階と、
前記下部基板の信号ラインが形成された面と、前記上部基板の接触部材が形成された面とを互いに対向させて、前記下部基板及び前記上部基板を所定の間隔を隔てて接合する段階と、
を含むことを特徴とするＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項１５】
前記接触部材をパターンニングする段階以後において、前記発熱層を螺旋状でパターンニングする段階を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項１６】
前記信号ラインをパターンニングする段階において、前記上部基板及び下部基板の間をシーリングする下部シーリング層を更にパターンニングし、
前記接触部材をパターンニングする段階において、前記上部基板及び下部基板の間をシーリングするための上部シーリング層を更にパターンニングすることを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項１７】
前記信号ライン及び前記発熱層を外部回路と接続するための信号ライン接続ユニットの形成段階を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項１８】
前記信号ライン接続ユニットの形成段階が、
前記信号ラインを形成する前の段階において、前記下部基板に前記信号ライン及び前記発熱層と連通する複数のビアホールを形成する段階と、
前記下部基板の下部面に導電層を蒸着する段階と、
前記ビアホールを通じて埋め立てられた導電層を露出させるために、前記上部基板及び下部基板を接合させた以後の段階にて前記下部基板を所定厚さで研磨する段階と、
前記下部基板の下面に外部電圧印加パッド及び信号伝達パッドをパターンニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項１９】
前記メンブレイン層が酸化膜で形成されることを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項２０】
前記発熱層がポリシリコンで形成されることを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項２１】
前記バイメタル層を形成する段階以後に、前記上部基板の前記キャビティを覆うカバーを接合させる段階が更に含まれることを特徴とする請求項１４に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項２２】
前記上部基板及び前記下部基板はシリコン材質を使い、前記カバーはガラス材質を使うことを特徴とする請求項２１に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項２３】
前記信号ライン、接触部材及びシーリング層が接合可能の導電性材質で形成され、前記導電性材質がAu、AuSn、PbSnのうちいずれか１つであることを特徴とする請求項２１に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）スイッチ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波帯域で使われる多くの電子システムは超小型化、超軽量化、高性能化になりつつある。従って、今までこれらのシステムの信号を制御するために使われているFET（Field Effect Transistor）やピンダイオード（Pin Diode）のような半導体スイッチを代替するためにマイクロマシニング（Micro Machining）という新しい技術を利用した超小型マイクロスイッチが広く研究されている。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術を利用したRF素子の中で、現在一番幅広く製造されているのはスイッチである。RFスイッチはマイクロ波やミリメートル波帯域の無線通信端末及びシステムでの信号の選別伝送やインピーダンス整合回路などで広く応用される素子である。
こうした従来のMEMSスイッチは固定電極にDC電圧が印加されると、これらの間で帯電が起こり、静電引力によって稼動電極が基板側に引き寄せられる。稼動電極が引き寄せられることで、稼動電極に設けられた接触部材が基板上に設けられた信号ラインに接触し、スイッチングオンもしくはオフの動作を行う。
【０００４】
しかし、前述のような静電引力を発生させスイッチング動作を行う従来のＭＥＭＳスイッチは駆動電圧が高いという問題点がある。
また、構造物の製造時、ウエハ全体で位置に応じて形がバラバラになるため均一性が落ち、製造工程数が多くて歩留まりが低下するという問題点がある。ここで、均一性とは、例えば無数のウエハ上の各セルに形成される稼動電極及び固定電極間の間隔を一定にすることを意味する。
【０００５】
また、接触部材の接触力が不安定であり、頻繁なスイッチング動作によって挿入損失が増加する短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前述した問題点を解消するために提案されたもので、本発明の第１の目的は低電圧駆動のできるＭＥＭＳスイッチを提供することにある。
本発明の第２の目的はスイッチング接触力を向上させるＭＥＭＳスイッチを提供することにある。
本発明の第３の目的は工程数を減らし、安定した工程を使って全体の歩留まりを向上させるＭＥＭＳスイッチを提供することにある。
【０００７】
本発明の第４の目的は前述のようなＭＥＭＳスイッチの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した目的を達成するために提案された本発明の一実施形態によると、上面に信号ラインが形成された下部基板と、前記下部基板の上面に所定の間隔を隔てて設置され、その下面にメンブレイン層が形成され、その内部にキャビティが形成された上部基板と、前記キャビティの内部であってかつ前記メンブレイン層の上面に設置されたバイメタル層と、前記メンブレイン層の下面に設置された発熱層と、前記発熱層の下面に形成された接触部材とを含み、前記接触部材は前記信号ラインと接触状態または離間状態を取り得ることを特徴とするＭＥＭＳスイッチが提供される。
【０００９】
前記下部基板及び前記上部基板の間には、前記上部基板及び下部基板を所定の間隔に維持しながら、前記下部基板及び上部基板の間をシーリングするシーリング層を更に含む構成とすることができる。
前記上部基板の上側には前記キャビティを覆うカバーが更に含まれたことが好ましい。
前記メンブレイン層は酸化膜で形成され、前記発熱層はポリシリコンで形成されることが好ましい。
【００１０】
前記発熱層は電気抵抗発熱体であり、前記電気抵抗発熱体は螺旋状に形成することが好ましい。ここで、前記電気抵抗発熱体に所定の電圧を印加する電圧供給ユニットを更に含むことが好ましく、電圧供給ユニットは前記抵抗発熱体に接続された上部電圧印加パッドと、前記下部基板の上面に形成され前記上部電圧印加パッドと接触する下部電圧印加パッドと、前記下部基板のビアホールに埋め込まれ前記下部電圧印加パッドと接続する電圧接続部と、前記下部基板の下面に形成され前記電圧接続部と接続する外部電圧印加パッドとを含む構成とすることができる。
【００１１】
前記信号ラインを前記下部基板の外部回路と接続する信号ライン接続ユニットを更に含むことが好ましく、前記信号ライン接続ユニットは前記下部基板のビアホールに埋め込まれ前記信号ラインと接続する信号ライン接続部と、前記下部基板の下面に形成され前記信号ライン接続部と接続する信号ラインパッドとを含むことができる。
前記上部基板および下部基板はシリコンで形成され、前記カバーはガラスで形成され陽極接合（anodic bonding）することができる。
【００１２】
前記信号ライン、接触部材及びシーリング層は接合可能の導電性材質で形成され、前記導電性材質はAu、AuSn、PbSnのうちいずれか１つにすることができる。
本発明の他の実施形態によると、その上面に所定の導電層を蒸着した後、信号ラインを形成する段階を含む下部基板の提供段階と、上部基板の下面にメンブレイン層を蒸着する段階と、前記メンブレイン層の下部に発熱層を蒸着する段階と、前記上部基板の上部をエッチングしてキャビティを形成する段階と、前記キャビティの内部であってかつ前記メンブレイン層の上面にバイメタルを形成する段階と、前記発熱層の下部に導電層を蒸着して接触部材をパターンニングする段階によって製造された上部基板を提供する段階と、前記下部基板の信号ラインが形成された面と、前記上部基板の接触部材が形成された面が、互いに対面して前記下部基板及び前記上部基板を所定の間隔を隔てて接合する段階とを含むことを特徴とするＭＥＭＳスイッチの製造方法が提供される。
【００１３】
前記接触部材をパターンニングする段階以後において、前記発熱層を螺旋状にパターンニングする段階を更に含むことができる。
前記信号ラインをパターンニングする段階において、前記上部基板及び下部基板の間をシーリングする下部シーリング層を更にパターンニングし、前記接触部材をパターンニングする段階において、前記上部基板及び下部基板の間をシーリングするための上部シーリング層を更にパターンニングすることができる。
【００１４】
前記信号ライン及び前記発熱層を外部回路と接続するための信号ライン接続ユニットの形成段階を更に含み、前記信号ライン接続ユニットの形成段階は、前記信号ラインを形成する以前段階において、前記下部基板に前記信号ライン及び前記発熱層と連通する複数のビアホールを形成する段階と、前記下部基板の下部面に導電層を蒸着する段階と、前記ビアホールに埋め込まれた導電層を露出させるために、前記上部基板及び下部基板を接合した以後の段階にて前記下部基板を所定厚さで研磨する段階と、前記下部基板の下面に外部電圧印加パッド及び信号伝達パッドをパターンニングする段階とを含むことができる。
【００１５】
前記メンブレイン層は酸化膜で形成することができ、前記発熱層はポリシリコンで形成することができる。
前記バイメタルを形成する段階以後に、前記上部基板の前記キャビティを覆うカバーを接合する段階を更に含むことができる。
前記上部基板及び前記下部基板はシリコン材質を使い、前記カバーはガラス材質を使うことができる。
【００１６】
前記信号ライン、接触部材及びシーリング層は接合可能の導電性材質で形成され、前記導電性材質はAu、AuSn、PbSnのうちいずれか１つで形成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によるＭＥＭＳスイッチは、静電力を利用した従来のＭＥＭＳスイッチに比べ駆動電圧を下げることができる利点がある。
また、別途のパッケージング工程を実施しなくて済むため、歩留まりを向上できるという利点がある。
また、バイメタルスイッチング動作によって接触部材を信号ラインに接触させることで、接触力を向上させる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一実施形態によるＭＥＭＳスイッチの構造を示す側断面図であり、図２は図１の線II−II'に沿って切断した断面図であり、図３は図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
図１〜３によると、ＭＥＭＳスイッチ１００は大きく信号部１１０と駆動部１５０に区分される。
【００１９】
信号部１１０は下部基板１１１、下部基板１１１の上面に形成された信号ライン１１３、外部回路を接続するための信号接続ユニット１３０、及び後述する駆動部１５０を成す発熱層１５５に電圧を印加するための電圧供給ユニット１２０を含む。下部基板１１１は、例えばシリコン材質で形成することができる。
駆動部１５０はキャビティ１５1ａが形成された上部基板１５１、上部基板１５１の下面に形成されたメンブレイン層１５３、メンブレイン層１５３の下面に形成された発熱層１５５、メンブレイン層１５３の上面に設置されたバイメタル層１５７及び発熱層１５５の下面に形成された接触部材１５９を含む。
【００２０】
上部基板１５１は、例えばシリコン基板で形成され、メンブレイン層１５３は、例えば酸化膜で形成される。
発熱層１５５は電気抵抗発熱体１５５ａであって、例えばポリシリコン材質で形成される。発熱層１５５は螺旋状のコイル形で形成され、バイメタル層１５７の膨張力によって遊動可能に形成することが好ましい。
【００２１】
接触部材１５９は、バイメタル層１５７の膨張力によって遊動する発熱層１５５の下面に設置されたもので、信号ライン１１３と接触することによりＲＦ信号を導通するものであり、例えば、Au、AuSn、PbSnなどの材質で形成することができる。
バイメタル１５７は、熱を加えた時の膨張率が異なる２つの金属層１５７ａ、１５７ｂを接合して同時に熱を加えると、膨張率の高い金属層１５７ａが膨張率の低い金属層１５７ｂ側に歪曲する現象を利用し、接触部材１５９が信号ライン１１３に接触するようにするスイッチである。
【００２２】
図４は図１の下部基板を上側から見た平面図であり、図５は図１の上部基板を下側から見た平面図である。
図３および図５によると、発熱層１５５は外部から電圧を供給するための電圧供給ユニット１２０が設けられる。電圧供給ユニット１２０は電気抵抗発熱体１５５ａに接続された上部電圧印加パッド１２１ａ、１２１ｂと、下部基板１１１の上面に形成され上部電圧印加パッド１２１ａ、１２１ｂと接触する下部電圧印加パッド１２７ａ、１２７ｂと、下部基板１１１のビアホール１１１ａに埋め込まれて下部電圧印加パッド１２７ａ、１２７ｂと接続された電圧接続部１２３ａ、１２３ｂと、下部基板１１１の下面に形成され電圧接続部１２３ａ、１２３ｂと接続する外部電圧印加パッド１２５ａ、１２５ｂとを含むことができる。
【００２３】
図２、図４によると、信号ライン１１３を外部回路と接続する信号ライン接続ユニット１３０が設けられる。信号ライン接続ユニット１３０は、下部基板１１１のビアホール１１１ａに埋め込まれて信号ライン１１３と接続する信号ライン接続部１３１ａ、１３１ｂと、下部基板１１１の下面に形成され信号ライン接続部１３１ａ、１３１ｂと接続する信号ラインパッド１３３ａ、１３３ｂを含むことができる。
【００２４】
また、図２によると、上部基板１５１及び下部基板１１１の間には上部基板１５１及び下部基板１１１の間を所定間隔ｄに維持すると共にその内部をシーリングするシーリング層が更に設けられる。
ここで、シーリング層１４１は、接触部材１５９及び信号ライン１１３が形成される時にパターンニングすることができ、その場合、接触部材１５９もしくは信号ライン１１３と同一材質で形成することができる。この時、上部基板１５１に形成された上部シーリング層１４１ａ及び下部基板１１１に形成された下部シーリング層１４１ｂはボンディングによって接合される。ボンディングができる導電性材質は、例えばAu、AuSn、PbSnなどを含む構成とすることができる。
【００２５】
一方、上部基板１５１の上面にはキャビティ１５１ａを覆うカバー１６１が更に含まれる。カバー１６１は例えばガラス材質で形成され、上部基板１５１及びカバー１６１は例えば陽極接合（anodic bonding）法によって接合することができる。
本発明によるＭＥＭＳスイッチは、外部電圧印加パッド１２５ａ、１２５ｂを通じて所定の電圧が供給されると、電圧接続部１２３ａ、１２３ｂ、下部電圧印加パッド１２７ａ、１２７ｂ、上部電圧印加パッド１２１ａ、１２１ｂを通じて、発熱層１５５である電気抵抗発熱体１５５ａに電圧が印加される。従って、電気抵抗発熱体１５５ａは発熱しバイメタル層１５７にこの熱が伝達される。この時、金属層１５７ａ、１５７ｂの熱膨張の差によってバイメタル層１５７は下側に膨張して歪曲する。従って、これと連動してメンブレイン層１５３及び発熱層１５５が下側に膨張して歪曲し、接触部材１５９が信号ライン１１３と接触する。
【００２６】
次は、前述のＭＥＭＳスイッチを製造する過程について説明する。
図６Ａ、６Ｂは図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図であり、図７Ａ、７Ｂは図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
図４、図６Ａ及び図７Ａに示すように、下部基板１１１の上面に複数のビアホール１１１ａが形成される。
【００２７】
図４、図６Ｂ、図７Ｂによると、例えばシリコン基板で形成される下部基板１１１の上面に所定の導電層、例えばAu、AuSn、PbSnなどの材質を蒸着する。この時、ビアホール１１１ａを通じて導電層が埋め立てられ電圧接続部１２３ａ、１２３ｂと、信号ライン接続部１３１ａ、１３１ｂが形成される。蒸着された導電層上で、例えばエッチング工程を通じて信号ライン１１３及び下部電圧印加パッド１２７ａ、１２７ｂをパターンニングする。ここで、下部基板１１１の縁周部には下部シーリング層１４１ｂが更に形成されることができる。
【００２８】
このように、下部基板１１１を完成させた後、スイッチ駆動部１５０を提供する上部基板１５１を完成する。その上部基板１５１の製造工程は次の通りである。
図８Ａ〜図８Ｅは図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
図８Ａに示すように、例えばシリコン基板で形成された上部基板１５１の下面にメンブレイン層１５３及び発熱層１５５を順番に蒸着する。ここで、メンブレイン層１５３は酸化膜で蒸着し、発熱層１５５はポリシリコンで蒸着する。
【００２９】
図８Ｂに示すように、上部基板１５１の内部にキャビティ１５１ａを形成する。
図８Ｃに示すように、キャビティ１５１ａ内であってメンブレイン層１５３の上面にバイメタル層１５７を形成する。ここでバイメタル層１５７は、熱膨張率の異なる２つの金属層１５７ａ、１５７ｂが順番に蒸着され、金属層１５７ａが金属層１５７ｂに比べて熱膨張係数の高いものを用いることが好ましい。
【００３０】
図８Ｄに示すように、上部基板１５１の上面に、例えばガラス材質のカバー１６１を結合する。ここで、上部基板１５１及びカバー１６１は陽極接合法によって接合することができる。
図８Ｅに示すように、発熱層１５５の下面に導電層を蒸着した後、接触部材１５９をパターンニングし、発熱層１５５を螺旋状にパターンニングして電気抵抗発熱体１５５ａを完成する。この時、電気抵抗発熱体１５５ａに電圧を印加する上部電圧印加パッド１２１ａ、１２１ｂが更に形成され、上部基板１５１の周縁部に沿って上部シーリング層１４１ａがパターンニングされることができる。
【００３１】
図９Ａ〜図９Ｃは上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図であり、図１０Ａ〜図１０Ｃは上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
図９Ａ、１０Ａに示すように、上部基板１５１及び下部基板１１１を上下部シーリング層１４１ａ、１４１ｂを通じて接合する。ここで、接合可能な導電性材質はAu、AuSn、PbSnなどがある。
【００３２】
図９Ｂ、１０Ｂに示すように、下部基板１１１の下面を研磨し、ビアホール１１１ａに埋め込まれた電圧接続部１２３ａ、１２３ｂ及び信号ライン接続部１３１ａ、１３１ｂを露出する。
図９Ｃ、１０Ｃに示すように、下部基板１１１の下面に導電層を蒸着した後、電圧接続部１２３ａ、１２３ｂ及び信号ライン接続部１３１ａ、１３１ｂと連通する外部電圧印加パッド１３３ａ、１３３ｂ及び信号ラインパッド１２５ａ、１２５ｂをパターンニングしてＭＥＭＳスイッチを完成する。
【００３３】
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示及び説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態によるＭＥＭＳスイッチの構造を示す側断面図である。
【図２】図１のII−II'線に沿って切断した断面図である。
【図３】図１のIII−III'線に沿って切断した断面図である。
【図４】図１の下部基板を上側から見た平面図である。
【図５】図１の上部基板を下側から見た平面図である。
【図６Ａ】図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図６Ｂ】図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図７Ａ】図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
【図７Ｂ】図２の下部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
【図８Ａ】図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図８Ｂ】図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図８Ｃ】図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図８Ｄ】図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図８Ｅ】図２の上部基板を形成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図９Ａ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図９Ｂ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図９Ｃ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線II−II'に沿って切断した断面図である。
【図１０Ａ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
【図１０Ｂ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
【図１０Ｃ】上部基板及び下部基板を結合してＭＥＭＳスイッチを完成する過程を示す図面であって、図１の線III−III'に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１０  信号部
１５０  駆動部
１１１  下部基板
１１１ａ  ビアホール
１１３  信号ライン
１２０  信号ライン接続ユニット
１２１ａ、１２１ｂ  上部電圧印加パッド
１２３ａ、１２３ｂ  電圧接続部
１２５ａ、１２５ｂ  外部電圧印加パッド
１２７ａ、１２７ｂ  下部電圧印加パッド
１３０  信号ライン接続ユニット
１３１ａ、１３１ｂ  信号ライン接続部
１３３ａ、１３３ｂ  信号ライン接続パッド
１５１  上部基板
１５３  メンブレイン層
１５５  発熱層
１５５ａ  電気抵抗発熱体
１５７  バイメタル層
１５７ａ、１５７ｂ  バイメタル金属層
１５９  接触部材
１６１  カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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