(57)【要約】【課題】  ニオブ酸カリウム固溶体を圧電材料として用いた、高性能な圧電薄膜振動子を提供する。【解決手段】  本発明の圧電薄膜振動子１０は、圧電体層１２と、該圧電体層の表裏両側に配置された一対の電極層１１，１３とを含む積層構造を有し、前記一対の電極で与えられる電界により前記積層構造内に積層方向の音響振動が生成される圧電薄膜振動子において、前記圧電体層１２はニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト構造を有する層であり、前記一対の電極層１１，１３は共に６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で構成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、該圧電体層の表裏両側に配置された一対の電極層とを含む積層構造を有し、前記一対の電極で与えられる電界により前記積層構造内に積層方向の音響振動が生成される圧電薄膜振動子において、
前記圧電体層はニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト型構造を有する層であり、
前記一対の電極層は共に６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で構成されていることを特徴とする圧電薄膜振動子。
【請求項２】
前記圧電体層は、擬立方晶の（１００）配向膜であることを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜振動子。
【請求項３】
圧電体層と、該圧電体層の表裏両側に配置された一対の電極層とを含む積層構造を有し、前記一対の電極で与えられる電界により前記積層構造内に積層方向の音響振動が生成される圧電薄膜振動子の製造方法において、
一方の前記電極層が６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で形成される第１工程と、
前記一方の電極層上に前記圧電体層がニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト型構造を有する層として形成される第２工程と、
他方の前記電極層が６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で形成される第３工程と、
を具備することを特徴とする圧電薄膜振動子の製造方法。
【請求項４】
前記一方の電極層はＰｔ若しくはＩｒを主成分とする層であることを特徴とする請求項３に記載の圧電薄膜振動子の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程よりも後において減圧下で前記圧電体層の熱処理を行う熱処理工程を具備することを特徴とする請求項３又は４に記載の圧電薄膜振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電薄膜振動子及びその製造方法に係り、特に、圧電体としてニオブ酸カリウム固溶体を用いた振動子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話機などの通信機器では高周波化や小型化が進展しつつあり、このために、ＲＦ回路部の高性能化や小型化が要求されるようになってきている。この中で、通信機器の送受信部に用いられる高周波フィルタ等の高周波素子として、従来のＳＡＷ（表面弾性波）素子と同等の性能を実現することが可能で、しかも、従来よりも高周波化及び小型化の容易なＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）素子が注目されている。このＢＡＷ素子は、圧電体層を電極で挟んだ積層構造を有し、圧電体層に厚み方向の音響波を生じさせるものであり、高周波化が容易、耐電圧性が良好、小型化が容易などの利点を備えている（例えば、以下の特許文献１及び２参照）。
【０００３】
上記のＢＡＷ素子としては、シリコン基板等からなる基板上に上記の積層構造を形成し、その後、積層構造の背後の基板部分をエッチングなどによって除去することによって積層構造部分の縦振動を可能にした、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型の素子構造を備えたもの（特許文献１の図１及び図３）と、音響インピーダンスの異なる層を交互に繰り返し積層してなる音響反射多層膜を上記の積層構造と基板との間に配置した、ＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型の素子構造を備えたもの（特許文献１の図２）と、が知られている。
【特許文献１】特開２００１−１５６５８２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、広くエレクトロニクスの分野で実用化されている圧電材料の大部分は、Ｐｂ系ペロブスカイト型強誘電体であり、その主流は、ＰＺＴ系セラミックスである。Ｐｂ系圧電材料は、有害性が指摘されている酸化鉛（ＰｂＯ）を主成分として多量に含んでいるので、その製造や廃棄に際し、環境に悪影響を与えているため、近年、欧米を中心にその使用が規制の対象となりつつある。
【０００５】
このような状況に鑑み、環境に優しい非鉛系圧電材料の研究開発は急務かつ、必要不可欠であると考えられ、無鉛で現在のＰＺＴ系の性能に匹敵する圧電材料の研究開発が世界的な関心を集め、その研究開発が最近活発になってきている。このような圧電体としてはニオブ酸カリウムがあり、上記のＢＡＷ素子においても圧電体としてニオブ酸カリウムを用いることは公知である（特許文献２の段落００２４参照）が、一般的に、絶縁性を確保することが難しいため、耐電圧性を特徴の一つとするＢＡＷ素子としては製造しにくいことから、今までニオブ酸カリウムを用いたＢＡＷ素子の具体的な開発はなされていなかった。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、ニオブ酸カリウム固溶体を圧電材料として用いた、高性能な圧電薄膜振動子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
斯かる実情に鑑み、本発明の圧電薄膜振動子は、圧電体層と、該圧電体層の表裏両側に配置された一対の電極層とを含む積層構造を有し、前記一対の電極で与えられる電界により前記積層構造内に積層方向の音響振動が生成される圧電薄膜振動子において、前記圧電体層はニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト構造を有する層であり、前記一対の電極層は共に６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で構成されていることを特徴とする。
【０００８】
ニオブ酸カリウムは、非Ｐｂ系の圧電体としては最も高い圧電係数を有し、きわめて高い電気機械結合係数を備えている。この圧電特性を有効に利用することで、高い性能を有する圧電薄膜振動子を構成することができる。本発明では、圧電体層としてニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト構造を有する層を用いている。ニオブ酸カリウム［ＫＮｂＯ３］におけるＫ（カリウム）とＮｂ（ニオブ）の一部は他の元素（同属元素）で置換でき、例えば、Ｋ１−ＸＮａＸＮｂ１−ＹＴａＹＯ３（０<Ｘ<１、０<Ｙ<１）などが挙げられる。このような材料［Ｋ１−ＸＡＸＮｂ１−ＹＢＹＯ３（０<Ｘ<１、０<Ｙ<１）］（Ａ、Ｂは置換元素）を本明細書ではニオブ酸カリウム固溶体と総称することとする。
【０００９】
本発明では、ニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト構造を有する圧電体層の表裏両側に音響インピーダンスが６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の電極層を形成している。ニオブ酸カリウムのもう一つの特徴点は、きわめて低い音響インピーダンスを備えている点である。ニオブ酸カリウムの音響インピーダンスは一般的には２９［Ｐａ・ｓ／ｍ］程度であり、その両側に６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する電極層を形成することで、積層方向の音響振動（縦振動）を電極間において効率的に閉じ込めることができる。音響インピーダンスＺａが６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の電極材料としては、例えば、Ｐｔ（Ｚａ＝６９．７［Ｐａ・ｓ／ｍ］）、Ｉｒ（Ｚａ＝１０９．０［Ｐａ・ｓ／ｍ］）、Ｗ（Ｚａ＝９８．２［Ｐａ・ｓ／ｍ］）、Ｍｏ（Ｚａ＝６４．４［Ｐａ・ｓ／ｍ］）などが挙げられる。
【００１０】
すなわち、隣接する層の界面に対して入射側の音響インピーダンスをＺ１、出射側の音響インピーダンスをＺ２とした場合、上記界面での音響反射比（入射波と反射波の音圧の比）はＲ＝（Ｚ２−Ｚ１）／（Ｚ１＋Ｚ２）となり、Ｚ１<Ｚ２であればＲは正となり反射波の位相は変化せず、Ｚ１>Ｚ２であればＲは負となり反射波の位相は反転する。したがって、隣接する層の音響インピーダンスの差が大きいほど反射波が増加し、しかも、音響インピーダンスが小さい層から大きい層へと入射波が向かう場合、音響波の閉じ込め効果が生じ、その閉じ込め効果は音響インピーダンスの差が大きいほど高くなる。
【００１１】
本発明の場合には、音響振動は一対の電極層の界面間に閉じ込められるため、電極層の厚みや特性に振動状態が影響されにくい。したがって、一対の電極層の界面間の素材や厚みによって振動特性を高精度に設計することが可能になる。
【００１２】
本発明において、前記圧電体層は、擬立方晶の（１００）配向膜であることが好ましい。これによれば、圧電体層の電気機械結合係数ｋ２を最も高くすることができる。ニオブ酸カリウムの単結晶の擬立方晶の（１００）方位の平板では、その厚み方向の縦振動の結合係数Ｋｔが５０％を超えることが知られている。したがって、この方位の圧電体層を形成することで、高い性能を有する振動子を構成できる。
【００１３】
次に、本発明の圧電薄膜振動子の製造方法は、圧電体層と、該圧電体層の表裏両側に配置された一対の電極層とを含む積層構造を有し、前記一対の電極で与えられる電界により前記積層構造内に積層方向の音響振動が生成される圧電薄膜振動子の製造方法において、一方の前記電極層が６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で形成される第１工程と、前記一方の電極層上に前記圧電体層がニオブ酸カリウム固溶体からなるペロブスカイト型構造を有する層として形成される第２工程と、他方の前記電極層が６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の音響インピーダンスを有する導電体で形成される第３工程と、を具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記一方の電極層はＰｔ若しくはＩｒを主成分とする層であることが好ましい。一方の電極層をＰｔ若しくはＩｒとすることで、この上に直接に圧電体層を形成した場合、容易に擬立方晶の（１００）配向膜を形成できる。
【００１５】
本発明において、前記第２工程よりも後において減圧下で前記圧電体層の熱処理を行う熱処理工程を具備することが好ましい。減圧下で熱処理工程を実施することで、圧電体層からＫが脱離し、化学量論的組成よりもＫを少なくすることができるため、絶縁性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１実施形態］
次に、添付図面を参照して本発明の第１実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形態の圧電薄膜振動子の構造を模式的に示す概略縦断面図である。
【００１７】
この圧電薄膜振動子１０は基板１上に形成されている。この基板１は、シリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、セラミックス基板等の各種の基板を用いることができる。特に、シリコン基板等の半導体基板を用いることによって、基板１内に各種の半導体回路を作り込むことができるため、圧電体薄膜振動子と回路とを一体化することができる。この中でも、シリコン基板を用いることが一般的な半導体製造技術を利用できる点で有利である。
【００１８】
基板１上には下地層２が形成されている。この下地層２は、酸化シリコン層（ＳｉＯ２）、窒化シリコン層（Ｓｉ３Ｎ４）等の絶縁膜であり、２層以上の複合層で構成されていてもよい。下地層２は熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などで形成することができる。
【００１９】
基板１には裏面からのエッチング（ウエットエッチング又はドライエッチング）によって形成された開口部１ａが設けられている。この開口部１ａは上記下地層２をエッチングストップ層として用いて形成することができる。開口部１ａを設けることで、後述する積層構造に対する機械的拘束力が低減され、積層構造が比較的自由に振動できるように構成される。図示例はＦＢＡＲ型の素子構造を示している。
【００２０】
下地層２の上には、下部電極層１１、圧電体層１２、上部電極層１３が順次に積層されてなる構造を備えた圧電薄膜振動子１０が形成されている。
【００２１】
下部電極層１１は、音響インピーダンスが６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の任意の電極材料を用いることができる。本実施形態では、Ｐｔ（Ｚａ＝６９．７［Ｐａ・ｓ／ｍ］）を用いている。下部電極層１１は、基板１（下地層２）上に蒸着法、スパッタリング法等を用いて容易に形成できる。下部電極層１１は必要に応じて適宜の平面形状となるようにパターニングされる。下地電極層１１の厚さはλ／４程度、或いはそれ以下であることが好ましい。実際には充分に低い電気抵抗値が得られるのであれば、音響振動に影響を与えないようにするために、λ／４の十分の一以下であることが望ましい。下部電極層１１の厚さは１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００２２】
圧電体層１２は、ニオブ酸カリウム固溶体、すなわち、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、或いは、そのＫとＮｂの少なくとも一方の一部が他の元素に置換された化合物（例えば、Ｋ１−ＸＮａＸＮｂ１−ＹＴａＹＯ３（０<Ｘ<１、０<Ｙ<１））であって、ペロブスカイト構造を有するものとされている。圧電体層１２の膜厚ｈは、共振波長をλとした場合、０．９×λ／２以上、１．１×λ／２以下であることが好ましく、特にｈ〜λ／２であることが望ましい。これは、圧電体層１２内に積層方向の音響波を閉じ込めたときの波長λでの共振条件を成立させるためである。共振周波数を高くすることにこだわらないのであれば、上記λ／２の代わりにその自然数倍の値を用いることができる。圧電体層１２の厚さは１００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることができる。
【００２３】
本実施形態の場合には下部電極層１１と上部電極層１３の間には圧電体層１２のみが存在するが、両電極間に上記の圧電体層１２以外の層を形成しても構わない。この場合、共振条件に応じて圧電体層１２の膜厚を適宜に変更すればよい。
【００２４】
圧電体層１２は、蒸着法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、ＣＶＤ法などの種々の方法で形成することができる。例えば、レーザーアブレーション法を用いる場合には、レーザー光をニオブ酸カリウム固溶体用ターゲット、例えば、ＫｘＮｂＯｙ（１<ｘ<４、例えばｘ＝１．５）のターゲットに照射し、このターゲットからカリウム原子、ニオブ原子及び酸素原子をアブレーションによって放出させ、レーザーエネルギーによってプルームを発生させ、このプルームを基板１上に照射する。このようにすると、下部電極１１上にペロブスカイト構造で、擬立方晶（１００）配向のニオブ酸カリウム固溶体の薄膜が形成される。圧電体層１２は必要に応じて適宜の平面形状となるようにパターニングされる。圧電体層１２のパターニングは通常のフォトリソグラフィ法によって行うことができる。
【００２５】
圧電体層１２には減圧下（好ましくは真空下）で熱処理を施すことが好ましい。この熱処理は、圧電体層１２のペロブスカイト構造を保ちつつ、カリウムを化学量論的組成よりも少なくするように行われる。このようにすると、圧電体層１２の絶縁性を向上させることができる。この熱処理は酸素を含む雰囲気で行われることが好ましい。この場合、酸素分圧は、例えば、１．３３［Ｐａ］以上、１３３［Ｐａ］以下とすることが好ましく、特に、６．６７［Ｐａ］以上、６６．７［Ｐａ］以下とすることが望ましい。例えば、１．３３［Ｐａ］より小さな酸素分圧ではカリウムが脱離しすぎて、ニオブとカリウムの組成比が４：６の異なる相が発生するため、圧電性が低下する。また、１３３［Ｐａ］より大きな酸素分圧では、熱処理によるカリウムの脱離が抑制され、絶縁性が向上しない。なお、この熱処理工程は酸素とともに他の気体（例えば窒素）を含む雰囲気で行うことも可能である。この場合でも酸素分圧に関しては上記と同様である。
【００２６】
熱処理工程における基板温度は６００℃以上、９００℃以下とすることが好ましい。特に、７００℃以上８００℃以下とすることが望ましい。６００℃より低い温度では熱処理によるカリウムの脱離が生じにくく、絶縁性が向上しない。また、９００℃より高い温度では上記の異なる相が出現し、圧電性が低下したり、基板との反応が生じたりする。熱処理時間は例えば１時間とすることができる。
【００２７】
圧電体層１２をＰｔで構成される下部電極層１１上で成膜する場合には、擬立方晶の（１００）配向が容易に得られる。この配向の薄膜は後述するように厚み方向の縦振動に関する圧電性がきわめて高く、きわめて大きな結合係数Ｋｔを示す。図５は、シリコン基板からなる基板１上にＰｔで下部電極層１１を形成し、さらにこの上に圧電体層１２を形成したもののＸ線回折プロファイルを示すものである。この結果より、圧電体層１２として（１００）配向のニオブ酸カリウム薄膜が形成されていることが確認された。
【００２８】
上部電極層１３は、音響インピーダンスが６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上の任意の電極材料を用いることができる。本実施形態では、Ｐｔ（Ｚａ＝６９．７［Ｐａ・ｓ／ｍ］）を用いている。上部電極層１３は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によって形成することができる。上部電極層１３は必要に応じて適宜の平面形状となるようにパターニングが施される。下地電極層１１の厚さはλ／４程度、或いはそれ以下であることが好ましい。実際には充分に低い電気抵抗値が得られるのであれば、音響振動に影響を与えないようにするために、λ／４の十分の一以下であることが望ましい。下部電極層１１の厚さは１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。
【００２９】
ここで、圧電体層１２の音響インピーダンスがほぼ２９［Ｐａ・ｓ／ｍ］であり、両側の電極層１１，１３の音響インピーダンスは６４［Ｐａ・ｓ／ｍ］以上であり、圧電体層１２と電極層１１，１３が接しているときには、界面での反射率Ｒは３７．６％以上となり、きわめて高い値を示す。本実施形態では、反射率Ｒはほぼ４６．１％であり、さらに高い値を示す。したがって、両電極間に印加される電界に起因して積層方向の音響振動が発生するとき、音響振動は圧電体層１２内に効率的に閉じ込められ、高い振動子性能を得ることができる。また、下部電極層１１や上部電極層１３の素材特性や厚みに影響を受けにくくなるので、振動子設計が容易になり、振動子特性の精度を向上させることができる。
【００３０】
また、本実施形態では、下部電極層１１をＰｔで構成し、このＰｔ上に圧電体層１２を成膜することで、ペロブスカイト構造の擬立方晶（１００）配向の薄膜を容易に形成することができる。この薄膜は厚み方向の縦振動に関する圧電性がきわめて高く、平板形状の厚み方向の縦振動の結合係数Ｋｔが７０％という著しく高い値が報告されている。
【００３１】
なお、本実施形態においては、基板１における積層構造１０の下方位置に開口孔１ａが形成され、これによって積層構造１０内の音響振動を妨げないように構成されるが、上記基板１の代わりに、後述する第２実施形態の基板１′、或いは、後述する第３実施形態の基板１″を用いても構わない。
【００３２】
［第２実施形態］
次に、図２を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。この第２実施形態の圧電薄膜振動子１０′は、基本的な構成については上記第１実施形態と同様であるが、下部電極層１１′及び上部電極層１３′として、Ｐｔの代わりにＩｒを用いている点で第１実施形態とは異なる。
【００３３】
Ｉｒの音響インピーダンスＺａは１０９［Ｐａ・ｓ／ｍ］とＰｔより高いため、上記の反射率Ｒも５８％となり、上記の音響振動の閉じ込め効果はさらに高くなる。また、下部電極層１１′上に圧電体層１２を成膜したとき、Ｐｔと同様にペロブスカイト構造の擬立方晶（１００）配向が容易に得られるという利点もある。
【００３４】
本実施形態では、第１実施形態とは異なり、基板１′と圧電薄膜振動子１０の間に介在する空間部１ｂを基板１′の表層部に形成してある。この空間部１ｂは、基板１′上に図示しない犠牲層（基板材料に対して選択的に除去可能な材料、例えば、酸化シリコン膜、ＰＳＧ膜など）を形成し、その後、この犠牲層上に圧電薄膜振動子１０′を形成してから、最後に、圧電薄膜振動子１０′をそのままとし、犠牲層だけを除去することによって形成することができる。
【００３５】
なお、この実施形態においても、基板１′の代わりに、上記第１実施形態と同様の開口部１ａを備えた基板１、あるいは、後述する第３実施形態の基板１″を用いても構わない。
【００３６】
［第３実施形態］
次に、図３を参照して本発明に係る第３実施形態について説明する。この実施形態の圧電薄膜振動子１０″は、下部電極層１１″としてＷ（タングステン）を用い、上部電極層１３としてＰｔを用いる点で先の各実施形態とは異なる。
【００３７】
タングステンの音響インピーダンスＺａも約９８［Ｐａ・ｓ／ｍ］と高いため、上記の反射率Ｒも５４．３％となり、上記と同様に音響振動の高い閉じ込め効果を得ることができる。
【００３８】
なお、図示例とは逆に、下部電極層１１としてＰｔを用い、上部電極層１３″としてＷを用いてもよい。この場合には、圧電体層１２をＰｔ上に成膜することができるので、ペロブスカイト構造の擬立方晶（１００）配向の薄膜を容易に形成できるという利点がある。
【００３９】
下部電極層１１″としては、図４に示すように、例えば、音響インピーダンスの高いＷやＩｒを用いた主電極層１１ａを形成するとともに、この主電極層１１ａの表面上にＰｔ等のような圧電体層１２を良好に成膜することができる下地面を形成するための表面層１１ｃを形成することが好ましい。この場合、主電極層１１ａと表面層１１ｃとの間に元素の拡散を防止するための中間層１１ｂを介在させることが効果的である。例えば、表面層１１ｃをＰｔで構成し、中間層１１ｂをＴｉＡｌＮで構成することができる。
【００４０】
本実施形態では、上記各実施形態とは異なり、基板１″の表面部に、音響インピーダンスの異なる層を交互に繰り返し積層してなる音響反射多層膜１ｃを形成し、この音響反射多層膜１ｃによって圧電薄膜振動子１０″で発生した音波を反射させ、基板１″へ音響振動のエネルギーが漏出しないようにし、積層構造中に音響振動を閉じ込めている。すなわち、いわゆるＳＭＲ型の素子構造を有している。
【００４１】
なお、本実施形態において、基板１″の代わりに、先の実施形態の基板１又は１′を用いてもかまわない。
【００４２】
［応用例と周波数特性］
例えば、携帯電話機の送受信部に用いられる高周波フィルタは、通信に用いる電波の高周波化に伴って従来よりもさらに高い通過帯域を有することが要求される。また、上記送受信部に用いられるデュプレクサにはきわめて急峻なカットオフ特性が必要とされる。このような高周波フィルタは、個々に図６に示す周波数特性Ｓを備えた複数の圧電薄膜振動子の共振周波数をわずかに異なるものとすることで、広い通過帯域を備えた図６に示す周波数特性Ｐを得ることができ、バンドパスフィルタとして用いることが可能になる。これに対して、本実施形態の圧電薄膜振動子では、圧電体層１２が高い電気機械結合係数を有するため、単独で広い通過帯域を有する周波数特性Ｐを実現することができる。したがって、高周波回路中のフィルタを小型化することができ、さらに、基板１に高周波回路を構成することによって、高周波回路を一体化（ワンチップ化）することができる。
【００４３】
尚、本発明の圧電薄膜振動子は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態の圧電薄膜振動子の構造を示す概略縦断面図。
【図２】第２実施形態の圧電薄膜振動子の構造を示す概略縦断面図。
【図３】第３実施形態の圧電薄膜振動子の構造を示す概略縦断面図。
【図４】第３実施形態の下部電極として好適な構造を示す縦断面図。
【図５】第１実施形態の圧電体層のＸ線回折プロファイル。
【図６】振動子の周波数特性Ｓ及びＰを示すグラフ。
【符号の説明】
【００４５】
１…基板、１ａ…貫通孔、１ｂ…空洞、１ｃ…音響反射多層膜、１０，１０′，１０″…圧電薄膜振動子、１１，１１′，１１″…下部電極層、１２…圧電体層、１３，１３′…上部電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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