(57)【要約】【課題】半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】フリップチップ実装されるＩＣチップ１０の能動面１には、インターポーザ６表面のパッド電極７にＡＣＦ５等を介して接合される複数個のスタッドバンプ４が設けられている。スタッドバンプ４はＩＣチップ１０の外周の４辺に沿って配置されている。また、このＩＣチップ１０の外周の４辺には、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３が設けられており、この斜面３は凹面となっている。【選択図】図２
2007157809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板にフリップチップ実装される半導体素子であって、
前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面、を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記斜面は平面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記斜面は凹面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記斜面は凸面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記斜面は凹面と凸面とが交互に連なる波状の面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の半導体素子と、
所定の接合用樹脂を介して前記半導体素子をフリップチップ実装した配線基板と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
配線基板にフリップチップ実装される半導体素子の製造方法であって、
前記半導体素子が作り込まれた基板をダイシングして当該基板から該半導体素子を分離する工程と、
前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を形成する工程、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
配線基板にフリップチップ実装される半導体素子の製造方法であって、
前記半導体素子が作り込まれた基板をダイシングして当該基板から該半導体素子を分離する際に、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を形成する工程、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程は、
前記基板の前記能動面側に第１のダイシングブレードを当てて当該基板から前記半導体素子が分離しない程度に当該基板をそのスクライブラインに沿って切削する工程と、
前記スクライブラインに沿って切削された前記基板の前記能動面とは反対の裏面側に第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削することによって当該基板から前記半導体素子を分離する工程と、を含み、
前記第１のダイシングブレードの刃先は、曲面、又は当該刃先の先端部を頂点とするＶ字形状であることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の前記能動面側に前記第１のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削する工程では、前記スクライブラインの両端と前記基板の周縁とが重なる部分を切削して一対の切欠き部を形成し、
前記基板の前記裏面側に前記第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削する工程では、
前記一対の切欠き部を目印にして前記スクライブラインの位置を検出することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程は、
前記基板の前記能動面側に第１のダイシングブレードを当てて当該基板から前記半導体素子が分離しない程度に当該基板をそのスクライブラインに沿って切削する工程と、
前記スクライブラインに沿って切削された前記基板の前記能動面側に第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削することによって当該基板から前記半導体素子を分離する工程と、を含み、
前記第１のダイシングブレードの刃先は、曲面、又は当該刃先の先端部を頂点とするＶ字形状で構成され、前記第１のダイシングブレードの前記刃の厚さは前記第２のダイシングブレードの刃の厚さよりも大きい、ことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法を行って、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程と、
所定の接合用樹脂を介して前記半導体素子を配線基板の表面に実装する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からＩＣチップ実装の一方式として、例えば、ＩＣチップのバンプ電極を下側（即ち、インターポーザ側）に向け、そのバンプ電極とインターポーザのパッド電極とをＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）、又はＮＣＦ（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）等の接合用樹脂を介して電気的に接合する、いわゆるフリップチップ実装（「フェースダウン実装」とも呼ばれている。）が知られている。
【０００３】
図１４（Ａ）及び（Ｂ）は、従来例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１４（Ａ）に示すように、ダイシング工程では、高速回転しているダイシングブレードＢを、ウエーハの回路が形成された面（以下、「能動面」という。）９１側からスクライブラインに当ててダイシング作業を行う。この作業により、ウエーハはＩＣチップ９０の４辺に設けられたスクライブラインに沿ってダイシングされ、ＩＣチップ９０に分割される。
【０００４】
次に、ダイシング後、ＩＣチップ９０の能動面９１にスタッドバンプを複数個形成する。そして、図１４（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ９０の能動面９１を下側に向け、ＡＣＦ９５を介在させた状態でスタッドバンプ９４をインターポーザ９６のパッド電極９７に熱圧着する。この熱圧着により、スタッドバンプ９４はパッド電極９７に接合される。また、この熱圧着の過程で、ＡＣＦ９５は熱及び圧力によって溶けて流動化し、図１４（Ｂ）に示すように、その一部はＩＣチップ９０の能動面９１とインターポーザ９６との間からはみ出る。そして、はみ出たＡＣＦ９５は、ＩＣチップ９０の側面９２に沿って迫り出し、やがて温度が低下すると流動性を失って側面９２に固着した状態となる。
【０００５】
図１５（Ａ）及び（Ｂ）は、従来例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。従来例２では、高速回転しているダイシングブレードＢを、ウエーハの能動面９１側からスクライブラインに当てる。そして、チッピング（即ち、切り口における微細な欠け）を防ぐために、ウエーハを厚さ方向に対して２、３回に分けて切削する。このようなステップカットにより、ウエーハの切り口（即ち、ＩＣチップ９０の側面９２）は断面視で階段状となる。ウエーハをＩＣチップ９０に分割した後は、従来例１と同様に、ＩＣチップ９０の能動面９１を下側に向け、ＡＣＦ９５を介在させた状態でスタッドバンプ９４をインターポーザ９６のパッド電極９７に熱圧着する。この熱圧着により、スタッドバンプ９４はパッド電極９７に接合される。
【特許文献１】特開２０００−２８６３０４号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９５４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示したように、従来例１では、ＩＣチップ９０の能動面９１とインターポーザ９６との間からはみ出たＡＣＦ９５は、最終的にＩＣチップ９０の側面９２に固着した状態となる。しかしながら、ＩＣチップ９０の側面９２とＡＣＦ９５との接触はＡＣＦ９５の側面９２に沿った迫り出しに任せたものであり、これら両部材を密着させるためにＡＣＦ９５を側面９２方向に押し付けることはしていなかった。
【０００７】
このため、ＡＣＦ９５と側面９２との密着具合が必ずしも十分でなく、図１４（Ｂ）の破線矢印で示すように、水分や不純物等がＡＣＦ９５と側面９２との間（即ち、界面）を通ってＩＣチップ９０の能動面９１側へ入り込んでしまうおそれがあった。ＩＣチップ９０の能動面９１側へ水分や不純物等が入り込んでしまうと、能動面９１に設けられたスタッドバンプ９４やインターポーザ９６のパッド電極９７等が腐食してしまう可能性があり、半導体装置の信頼性が著しく損なわれてしまう（問題点１）。
【０００８】
また、図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示したように、従来例２では、ＩＣチップ９０の側面９２が階段状となっており、ＩＣチップ９０の能動面９１とインターポーザ９６との間からはみ出たＡＣＦ９５は、この側面９２の庇部分９２ａによってインターポーザ９６側に多少押される。このとき、庇部分９２ａより下側のＡＣＦ９５は図１５（Ｂ）の左右両側へ押され、ＡＣＦ９５は結果的に側面９２の無い左側へはみ出ることになるので、庇部分９２ａより下側の部分では、庇部分９２ａより上側の部分よりも側面９２とＡＣＦ９５との密着具合が良好であると言える。
【０００９】
しかしながら、図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、従来例２では、ＩＣチップ９０の外側へＡＣＦ９５が流動する際に、庇部分９２ａの下付近で空気の逃げ道が塞がれ易く、その付近で空気（即ち、気泡）９９が残されたままＡＣＦ９５が固まってしまうおそれがあった。気泡９９が残留した場合、半導体装置が例えば回路動作等により高温になると気泡９９が膨張して、ＡＣＦ９５にひび割れが発生してしまう可能性があり、半導体装置の信頼性が著しく損なわれてしまう（問題点２）。
【００１０】
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができ、しかも、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止できるようにした半導体素子及びその製造方法並びに、半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
〔発明１〜５〕  上記目的を達成するために、発明１の半導体素子は、配線基板にフリップチップ実装される半導体素子であって、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面、を有することを特徴とするものである。
ここで、「フリップチップ実装」とは、半導体素子の能動面（即ち、回路が形成されている面）を配線基板の表面に向け、能動面のバンプ電極を配線基板表面のパッド電極等に接合する実装方式のことである。フェースダウン実装とも呼ばれる。
【００１２】
発明２の半導体素子は、発明１の半導体素子において、前記斜面は平面であることを特徴とするものである。
発明３の半導体素子は、発明１の半導体素子において、前記斜面は凹面であることを特徴とするものである。
発明４の半導体素子は、発明１の半導体素子において、前記斜面は凸面であることを特徴とするものである。
【００１３】
発明５の半導体素子は、発明１の半導体素子において、前記斜面は凹面と凸面とが交互に連なる波状の面であることを特徴とするものである。
発明１〜５の半導体素子によれば、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する際に、半導体素子の能動面と配線基板との間からはみ出た接合用樹脂を、半導体素子の斜面と配線基板との間で挟むことができ、はみ出た接合用樹脂を斜面と密着させることができる。従って、接合用樹脂と斜面との間（即ち、界面）への水分や不純物等の浸入は困難であり、半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。
【００１４】
また、フリップチップ実装する際に、接合用樹脂は斜面に沿って半導体素子の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
【００１５】
〔発明６〕  発明６の半導体装置は、発明１から発明５の何れか一の半導体素子と、所定の接合用樹脂を介して前記半導体素子をフリップチップ実装した配線基板と、を備えたことを特徴とするものである。ここで、「所定の接合用樹脂」とは、例えば、ＡＣＦ又はＮＣＦ等のことである。
このような構成であれば、発明１から発明５の半導体素子が応用されるので、半導体装置の信頼性を高くすることができる。
【００１６】
〔発明７〕  発明７の半導体素子の製造方法は、配線基板にフリップチップ実装される半導体素子の製造方法であって、前記半導体素子が作り込まれた基板をダイシングして当該基板から該半導体素子を分離する工程と、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を形成する工程、を含むことを特徴とするものである。ここで、半導体素子が作り込まれた「基板」とは、例えばウエーハのことである  
このような構成であれば、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する際に、半導体素子の能動面と配線基板との間からはみ出た接合用樹脂を、半導体素子の斜面と配線基板との間で挟むことができ、はみ出た接合用樹脂を斜面と密着させることができる。従って、接合用樹脂と斜面との間（即ち、界面）への水分や不純物等の浸入は困難であり、半導体素子の側面から能動面側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。
【００１７】
また、フリップチップ実装する際に、接合用樹脂は斜面に沿って半導体素子の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、斜面と接合用樹脂との間に気泡を残したまま接合用樹脂が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
【００１８】
〔発明８〕  発明８の半導体素子の製造方法は、配線基板にフリップチップ実装される半導体素子の製造方法であって、前記半導体素子が作り込まれた基板をダイシングして当該基板から該半導体素子を分離する際に、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に当該半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を形成する工程、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、発明６と同様の作用、効果を得ることができる。しかも、半導体素子のダイシング工程と斜面の形成工程とが並行して行われるので、製造工程の短縮に寄与することができる。
【００１９】
〔発明９〕  発明９の半導体素子の製造方法は、発明８の半導体素子の製造方法において、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程は、前記基板の前記能動面側に第１のダイシングブレードを当てて当該基板から前記半導体素子が分離しない程度に当該基板をそのスクライブラインに沿って切削する工程と、前記スクライブラインに沿って切削された前記基板の前記能動面とは反対の裏面側に第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削することによって当該基板から前記半導体素子を分離する工程と、を含み、前記第１のダイシングブレードの刃先は、曲面、又は当該刃先の先端部を頂点とするＶ字形状であることを特徴とするものである。
このような構成であれば、半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を凹面、又は平面に形成することができる。
【００２０】
〔発明１０〕  発明１０の半導体素子の製造方法は、発明９の半導体素子の製造方法において、前記基板の前記能動面側に前記第１のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削する工程では、前記スクライブラインの両端と前記基板の周縁とが重なる部分を切削して一対の切欠き部を形成し、前記基板の前記裏面側に前記第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削する工程では、前記一対の切欠き部を目印にして前記スクライブラインの位置を検出することを特徴とするものである。
このような構成であれば、一対の切欠き部を結ぶ直線とスクライブラインとが重なり合うので、基板の裏面側からスクライブラインの位置を精度良く検出することができる。
【００２１】
〔発明１１〕  発明１１の半導体素子の製造方法は、発明８の半導体素子の製造方法において、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程は、前記基板の前記能動面側に第１のダイシングブレードを当てて当該基板から前記半導体素子が分離しない程度に当該基板をそのスクライブラインに沿って切削する工程と、前記スクライブラインに沿って切削された前記基板の前記能動面側に第２のダイシングブレードを当てて当該基板を前記スクライブラインに沿って切削することによって当該基板から前記半導体素子を分離する工程と、を含み、前記第１のダイシングブレードの刃先は、曲面、又は当該刃先の先端部を頂点とするＶ字形状で構成され、前記第１のダイシングブレードの前記刃の厚さは前記第２のダイシングブレードの刃の厚さよりも大きい、ことを特徴とするものである。
このような構成であれば、半導体素子の側面と能動面とを繋ぐ斜面を凹面、又は平面に形成することができる。
【００２２】
〔発明１２〕  発明１２の半導体装置の製造方法は、発明７から発明１１の何れか一の半導体素子の製造方法を行って、前記半導体素子の外周の少なくとも一辺に前記斜面を形成する工程と、所定の接合用樹脂を介して前記半導体素子を配線基板の表面に実装する工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、発明７から発明１１の半導体素子の製造方法が応用されるので、半導体装置の信頼性を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るＩＣチップ１０の構成例を示す斜視図である。
このＩＣチップ１０は、ウエーハからスクライブラインに沿って分割されたものであり、例えばインターポーザにフリップチップ実装されるものである。図１に示すように、このＩＣチップ１０の平面視での形状は例えば矩形である。また、ＩＣチップ１０の能動面（即ち、回路が形成された面）１には、インターポーザ表面のパッド電極にＡＣＦ等を介して接合される複数個のスタッドバンプ４が設けられている。スタッドバンプ４は、例えば、ＩＣチップ１０の外周の４辺に沿って配置されている。また、このＩＣチップ１０の外周の４辺には、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３が設けられており、この斜面３は凹面となっている。
【００２４】
図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す拡大断面図である。図２に示すように、この半導体装置は、図１に示したＩＣチップ１０と、ＡＣＦ５と、インターポーザ６とを含んだ構成となっており、ＩＣチップ１０のスタッドバンプ４はＡＣＦ５を介してインターポーザ６表面のパッド電極７に接合されている（即ち、インターポーザ６にフリップチップ実装されている。）。
【００２５】
このような構成であれば、ＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザ６との間からはみ出たＡＣＦ５を、ＩＣチップ１０の斜面（以下、「凹面」という。）  ３とインターポーザ６との間で挟むことができ、はみ出たＡＣＦ５を凹面３と密着させることができる。従って、ＡＣＦ５と凹面３との間（即ち、界面）への水分や不純物等の浸入は困難であり、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。
【００２６】
また、フリップチップ実装する際に、ＡＣＦ５は凹面３に沿って外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、凹面３付近に気泡を残したままＡＣＦ５が固まってしまうといった不具合を防止することができる。次に、ＩＣチップ１０の側面２に凹面３を形成する方法について説明する。
図３は、本発明の第１実施形態に係るＩＣチップ１０の製造方法を示すフローチャートである。まず始めに、図３のステップＳ１で、ウエーハの裏面にＵＶシートを貼付する。ここで、ＵＶシートとは、シートの片面に粘着層が形成されており、ＵＶを照射すると粘着層が硬化して粘着力を失うシートのことである。次に、図３のステップＳ２で、ウエーハを図示しないダイシング装置にセットし、ウエーハの能動面１側にダイシングブレードＢ１（図８（Ａ）参照。）を当てて、ウエーハからＩＣチップ１０が分離しない程度にウエーハをスクライブラインに沿って切削する。図８（Ａ）に示すように、ダイシングブレードＢ１は、刃先が例えば曲面で構成され、刃先の厚さ（即ち、刃厚）Ｔ１が例えば７０［μｍ］程度のものを使用する。これにより、図４に示すように、ウエーハＷのスクライブラインに凹状の溝部１１が形成される。
【００２７】
また、このステップＳ２では、図５に示すように、スクライブラインＳの両端とウエーハＷの周縁とがそれぞれ重なる部分に、切欠き部１２ａ及び１２ｂ、１３ａ及び１３ｂ、１４ａ及び１４ｂ、１５ａ及び１５ｂをそれぞれ形成する。このような切欠き部を形成するときは、図８（ａ）に示したダイシングブレードＢ１の刃先が、図４に示したＵＶシート２１に接触するようにウエーハＷを深く切削する。
【００２８】
次に、図３のステップＳ３で、ウエーハＷをダイシング装置から一旦外す。次に、ウエーハＷの裏面にＵＶを照射してＵＶシート２１をはがす。そして、ウエーハＷの能動面１に新しいＵＶシート２３（図７参照。）を貼付する。ＵＶシートを貼りなおした後で、ウエーハＷをダイシング装置に再びセットする。
次に、図３のステップＳ４では、ステップＳ２で形成した切欠き部１２ａ及び１２ｂ、１３ａ及び１３ｂ、１４ａ及び１４ｂ、１５ａ及び１５ｂを目印にして、ウエーハＷの裏面側からスクライブラインＳを検出する。即ち、図６に示すように、ウエーハＷの裏面９からはスクライブラインＳやＩＣチップ１０を直接見ることができない。しかし、一対の切欠き部１２ａ及び１２ｂを結ぶ直線とスクライブラインＳとは重なり合う。同様に、他の切欠き部１３ａ及び１３ｂ、１４ａ及び１４ｂ、１５ａ及び１５ｂについても、それらを結ぶ直線とスクライブラインＳとは重なり合う。それゆえ、ウエーハＷ面内における切欠き部１２ａ及び１２ｂ、１３ａ及び１３ｂ、１４ａ及び１４ｂ、１５ａ及び１５ｂの位置を認識することで、ウエーハＷの裏面９側からでもスクライブラインＳの位置を精度良く検出することができる。
【００２９】
また、図６において、Ｘ方向で隣り合う切欠き部１２ａ及び１３ａと、切欠き部１２ｂ及び１３ｂの位置をそれぞれ認識し、その離間距離を測定することで、Ｙ方向に沿った（両端に切欠き部のない）他のスクライブラインＳの位置も精度良く検出することができる。同様に、Ｙ方向で隣り合う切欠き部１４ａ及び１５ａと、切欠き部１４ｂ及び１５ｂの位置をそれぞれ認識し、その離間距離を測定することで、Ｘ方向に沿った（両端に切欠き部のない）他のスクライブラインＳの位置も精度良く検出することができる。
【００３０】
次に、ステップＳ５で、ウエーハＷの裏面９側にダイシングブレードＢ２を当てて、ウエーハＷを（切欠き部によって検出した）スクライブに沿ってダイシングする。ダイシングブレードＢ２としては、図８（Ｂ）に示すように、刃先が例えば曲面で構成され、刃先の厚さ（即ち、刃厚）Ｔ２が例えば３０〜５０［μｍ］程度のものを使用する。これにより、図７に示すように、ウエーハＷからＩＣチップ１０が分離され、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１との間にこれら両面を繋ぐ凹面３が形成される。ＩＣチップ１０の外周の４辺全てに凹面３を形成した後は、例えばＩＣチップ１０の能動面にスタッドバンプを形成する。そして、例えばＡＣＦ５を介してＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装して半導体装置を完成させる。
【００３１】
このように、本発明の第１実施形態に係る半導体装置によれば、ＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザ６との間からはみ出たＡＣＦ５を、ＩＣチップ１０の凹面３とインターポーザ６との間で挟むことができ、はみ出たＡＣＦ５を凹面３と密着させることができる。従って、ＡＣＦ５と凹面３との間（即ち、界面）への水分や不純物等の浸入は困難であり、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。これにより、ＩＣチップ１０のスタッドバンプ４や、インターポーザ６のパッド電極７、配線等の腐食を防止することができる。
【００３２】
また、フリップチップ実装する際に、ＡＣＦ５は凹面３に沿ってＩＣチップ１０の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、凹面３とＡＣＦ５との間に気泡を残したままＡＣＦ５が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
この第１実施形態では、インターポーザ６が本発明の「配線基板」に対応し、ＩＣチップ１０が本発明の「半導体素子」に対応している。また、斜面（凹面）３が本発明の「斜面」に対応している。また、ダイシングブレードＢ１が本発明の「第１のダイシングブレード」に対応し、ダイシングブレードＢ２が本発明の「第２のダイシングブレード」に対応している。
【００３３】
なお、第１実施形態では、図３のステップＳ２で、ウエーハＷの能動面１側にダイシングブレードＢ１を当ててそのスクライブラインに凹状の溝部１１を形成した後で、図３のステップＳ５でウエーハＷの裏面９側にダイシングブレードＢ２を当てて、ウエーハＷからＩＣチップ１０を分離する場合について説明した。しかしながら、ＩＣチップ１０の分離方法はこれに限られることはない。例えば、図９に示すように、スクライブラインに凹状の溝部１１を形成した後で、ウエーハＷの能動面１側にダイシングブレードＢ２を当ててウエーハＷをスクライブラインに沿って深く切削することによって、ウエーハＷからＩＣチップ１０を分離するようにしても良い。
【００３４】
このような構成であっても、上記第１実施形態と同様に、ウエーハＷからＩＣチップ１０が分離され、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１との間にこれら両面を繋ぐ凹面３が形成される。また、この方法では、能動面１側からのみウエーハＷを切削することになるので、ＵＶテープを貼りなおしたり、裏面９側からスクライブラインを検出したりする必要がない。つまり、図３のステップＳ２でウエーハＷに切欠き部を形成する工程を省くことができ、さらに、図３のステップＳ３及びステップＳ４を省くことができる。
【００３５】
（２）第２実施形態
図１０は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の構成例を示す拡大断面図である。図１０において、図２と同一の構成及び機能を有する部分には同一符合を付し、その詳細な説明は省略する。この半導体装置では、フリップチップ実装されるＩＣチップ１０の外周の４辺に、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３３を有し、この斜面３３が凹面３ではなく平面となっている。
【００３６】
このような構成であっても、第１実施形態と同様に、ＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザ６との間からはみ出たＡＣＦ５を斜面（以下、「平面」という。）３３と密着させることができるので、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。また、フリップチップ実装する際に、ＡＣＦ５は平面３３に沿ってＩＣチップ１０の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、平面３３とＡＣＦ５との間に気泡を残したままＡＣＦ５が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
【００３７】
なお、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１との間に上記の平面３３を形成する際には、例えば、図８（Ａ）に示したダイシングブレードＢ１ではなく、図８（Ｃ）に示すようなダイシングブレードＢ３を図３のステップＳ２で使用する。このダイシングブレードＢ３の刃先は、その先端部Ｐを頂点とするＶ字形状で構成されているので、上記平面３３を良好に形成することができる。ダイシングブレードＢ３の刃先の厚さ（即ち、刃厚）Ｔ３は、例えば７０［μｍ］程度である。
この第２実施形態では、斜面（平面）３３が本発明の「斜面」に対応し、ダイシングブレードＢ３が本発明の「第１のダイシングブレード」に対応している。その他の対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００３８】
（３）第３実施形態
図１１は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の構成例を示す拡大断面図である。図１１において、図２と同一の構成及び機能を有する部分には同一符合を付し、その詳細な説明は省略する。この半導体装置では、フリップチップ実装されるＩＣチップ１０の外周の４辺に、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３４を有し、この斜面３４が凹面３ではなく凸面となっている。
【００３９】
このような構成であっても、第１実施形態と同様に、ＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザ６との間からはみ出たＡＣＦ５を斜面（以下、「凸面」という。）３４と密着させることができるので、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。また、フリップチップ実装する際に、ＡＣＦ５は凸面３４に沿ってＩＣチップ１０の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、凸面３４とＡＣＦ５との間に気泡を残したままＡＣＦ５が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
第３実施形態では、斜面（凸面）３４が本発明の「斜面」に対応している。その他の対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００４０】
（４）第４実施形態
図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の構成例を示す拡大断面図である。図１２において、図２と同一の構成及び機能を有する部分には同一符合を付し、その詳細な説明は省略する。この半導体装置では、フリップチップ実装されるＩＣチップ１０の外周の４辺に、ＩＣチップ１０の側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３５を有し、この斜面３５が凹面と凸面とが交互に連なる波状の面（即ち、波面）となっている。
【００４１】
このような構成であっても、第１実施形態と同様に、ＩＣチップ１０をインターポーザ６にフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザ６との間からはみ出たＡＣＦ５を斜面（以下、「波面」という。）３５と密着させることができるので、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。また、フリップチップ実装する際に、ＡＣＦ５は波面３５に沿ってＩＣチップ１０の外周の側へ広がることが容易であるため空気の逃げ道を塞ぐことが少ない。それゆえ、波面３５とＡＣＦ５との間に気泡を残したままＡＣＦ５が固まってしまうといった不具合を防止することができる。
第４実施形態では、斜面（波面）３５が本発明の「斜面」に対応している。その他の対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００４２】
（５）第５実施形態
図１３は、本発明の第５実施形態に係るＩＣチップ１０の構成例を示す斜視図である。図において、図１と同一の構成を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。このＩＣチップ１０は、図１に示したＩＣチップ１０と同様、インターポーザにフリップチップ実装されるものである。図１３に示すように、このＩＣチップ１０の平面視での形状は例えば矩形である。また、ＩＣチップ１０の能動面１には、インターポーザ表面のパッド電極にＡＣＦ等を介して接合される複数個のスタッドバンプ４が設けられている。スタッドバンプ４は、例えば、ＩＣチップ１０の外周のうちの、向かい合う一対の辺（即ち、向かい合う２辺）だけに沿って配置されている。また、スタッドバンプ４が形成されている外周の２辺には、側面２と能動面１とを繋ぐ斜面３が設けられている。この斜面３は、例えば凹面である。
【００４３】
このような構成であれば、ＩＣチップ１０をインターポーザにフリップチップ実装する際に、ＩＣチップ１０の能動面１とインターポーザとの間からはみ出たＡＣＦを斜面３と密着させることができるので、スタッドバンプ４が形成されている外周の２辺では、ＩＣチップ１０の側面２から能動面１側への水分や不純物等の入り込みを防止することができる。
【００４４】
一方、スタッドバンプが形成されていない外周の残りの２辺では、ＩＣチップ１０の側面２とＡＣＦ５との密着具合が必ずしも十分ではないため、ＡＣＦと斜面３との間（即ち、界面）へ水分や不純物等が浸入してしまう可能性があり、前記界面を通って能動面１側へ水分や不純物等が入り込んでしまうおそれがある。しかしながら、たとえ水分や不純物等が入り込んでしまったとしても、その近辺にはスタッドバンプ４は配置されていない。従って、スタッドバンプ４やインターポーザのパッド電極等の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施形態に係るＩＣチップ１０の構成例を示す図。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す図。
【図３】ＩＣチップ１０の製造方法を示すフローチャート。
【図４】製造工程の一例を示す図（その１）。
【図５】製造工程の一例を示す図（その２）。
【図６】製造工程の一例を示す図（その３）。
【図７】製造工程の一例を示す図（その４）。
【図８】ダイシングブレードの一例を示す図。
【図９】製造工程の他の例を示す図。
【図１０】第２実施形態に係る半導体装置の構成例を示す図。
【図１１】第３実施形態に係る半導体装置の構成例を示す図。
【図１２】第４実施形態に係る半導体装置の構成例を示す図。
【図１３】第５実施形態に係る半導体装置の構成例を示す図。
【図１４】従来例１に係る半導体装置の製造方法を示す図。
【図１５】従来例２に係る半導体装置の製造方法を示す図。
【符号の説明】
【００４６】
１  能動面、２  側面、３  斜面（凹面）、４  スタッドバンプ、５  ＡＣＦ、６  インターポーザ、７  パッド電極、９  裏面、１０  ＩＣチップ、１１  溝部、１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂ  切欠き部、２１、２３  ＵＶシート、３３  斜面（平面）、３４  斜面（凸面）、３５  斜面（波面）、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３  ダイシングブレード、Ｓ  スクライブライン、Ｗ  ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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