(57)【要約】  【課題】基板の大口径化に伴う問題を解決する。この問題には、基板上における処理液の温度差、処理液置換に要する長い時間、および基板中央領域の乾燥が含まれる。  【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック１と、基板Ｗの表面の２箇所に処理液を着液させる第１および第２薬液ノズル２１，２２と、基板Ｗ上における２つの着液点３１，３２が、基板Ｗの回転中心３５付近を通るスキャン経路３０に沿って移動するように、第１および第２薬液ノズル２１，２２を往復移動させるアーム６とを備えている。２つの着液点３１，３２間の距離Ｘは、第１および第２薬液ノズル２１，２２の移動中、終始、基板Ｗの表面全域が覆われるように定められている。【選択図】        図１
2007088381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる基板保持回転機構と、
この基板保持回転機構に保持された基板の表面に処理液を供給し、基板の前記表面の少なくとも２箇所に前記処理液を着液させるノズル機構と、
前記ノズル機構から供給される処理液の前記基板上における少なくとも２つの着液点が、前記基板保持回転機構によって回転される基板の回転中心付近を通る所定のスキャン経路に沿って移動するように、前記ノズル機構を移動させるノズル移動機構とを含み、
前記ノズル移動機構によって前記ノズル機構が移動されているときに、このノズル機構から供給される処理液によって前記基板の前記表面の全域が覆われるように、前記少なくとも２つの着液点間の距離が定められている、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板が直径Ｄのほぼ円形の基板であり、
前記２つの着液点間の距離Ｘが、Ｄ／４＜Ｘ＜Ｄ／２を満たすように定められている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点の一方が基板の回転中心に向かうときに、それらのうちの他方が基板の周縁部に向かうように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点の一方が基板の周縁部に達した時点で、前記２つの着液点の移動方向が反転するように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点間の距離を一定に保持するように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズル移動機構は、前記ノズル機構を保持する保持アームと、この保持アームを前記基板保持回転機構に保持された基板の前記表面に沿って揺動させる揺動駆動機構とを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ノズル機構に供給される処理液を加熱する処理液加熱手段をさらに含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を回転させる基板回転工程と、
この基板回転工程と並行して実行され、ノズル機構から前記基板の表面に処理液を供給し、基板の前記表面の少なくとも２箇所に前記処理液を着液させる処理液供給工程と、
この処理液供給工程と並行して実行され、前記ノズル機構から供給される処理液の前記基板上における少なくとも２つの着液点が、前記基板回転工程によって回転されている基板の回転中心付近を通る所定のスキャン経路に沿って移動するように、前記ノズル機構を移動させるノズル移動工程とを含み、
前記ノズル移動工程によって前記ノズル機構が移動されているときに、このノズル機構から供給される処理液によって前記基板の前記表面の全域が覆われるように、前記少なくとも２つの着液点間の距離が定められている、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程などでは、基板に処理液を供給する基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの表面に処理液を供給する処理液ノズルと、この処理液ノズルを基板上で移動させるノズル移動機構とを備えている。ノズル移動機構によって処理液ノズルが移動されることによって、基板上における処理液の着液点が、基板の回転中心を通る経路に沿って移動する。これにより、基板の全域に処理液を供給することができる。
【０００３】
基板に供給される処理液は、必要に応じて加熱して用いられる。処理液を所定の温度まで加熱して用いることにより、基板処理効率が高まるからである。
【特許文献１】特開２００５−１４２２９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、基板が大口径化してきたのに伴い、前述の先行技術では、次のような不具合が生じてきた。
第１の不具合は、基板中心部と周縁部とで処理液の温度差が生じることである。この問題は、主として、高温（室温よりも高温）の処理液を用いる場合に、その着液点が、基板中心付近に位置しているときに生じる。すなわち、基板中心付近に着液した処理液は、基板および雰囲気に熱を奪われながら、遠心力によって基板周縁部へと流れていく。そのため、基板中心部と周縁部とでは処理液に温度差が生じる。これにより、基板中心部と周縁部とで処理効率の不均一が生じる。この問題は、基板が大きくなるほど深刻になる。
【０００５】
第２の不具合は、基板上の処理液置換速度が遅いことである。すなわち、基板が大口径になるほど、処理液の着液点が基板全域をスキャンするのに要する時間が長くなる。それに応じて、基板上の処理液を新液に置換するのに長い時間が必要になる。その結果、処理効率が悪くなり、基板の大口径化により見込まれるだけの生産性向上を達成できなくなる。
【０００６】
第３の不具合は、処理中に基板中央付近が乾燥するおそれがあることである。すなわち、基板の周縁部に着液点が位置している状況では、供給された処理液は遠心力によって基板外へと向かうので、基板中心付近には処理液が供給されない。加えて、基板の大口径化のために、基板中心付近まで着液点が移動してくるまでの時間が長い。そのため、基板中心付近の処理液が排除され尽くされる期間が生じ、基板中央付近の乾燥が生じる。これにより、処理液による基板処理が進行しなくなるばかりでなく、基板処理の面内均一性が損なわれるおそれがある。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板の大口径化に伴う前述の課題を解決して、基板処理を効率的に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して回転させる基板保持回転機構（１）と、この基板保持回転機構に保持された基板の表面に処理液を供給し、基板の前記表面の少なくとも２箇所に前記処理液（同種の処理液）を着液させるノズル機構（２１，２２，４０）と、前記ノズル機構から供給される処理液の前記基板上における少なくとも２つの着液点（３１，３２，４２）が、前記基板保持回転機構によって回転される基板の回転中心付近を通る所定のスキャン経路（３０）に沿って移動するように、前記ノズル機構を移動させるノズル移動機構（６，７，８）とを含み、前記ノズル移動機構によって前記ノズル機構が移動されているときに、このノズル機構から供給される処理液によって前記基板の前記表面の全域が覆われるように、前記少なくとも２つの着液点間の距離（Ｘ）が定められている、基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
この構成によれば、回転状態の基板表面の少なくとも２つの着液点に処理液を着液させた状態で、この２つの着液点を基板の回転中心付近を通るスキャン経路に沿って移動させることができる。少なくとも２つの着液点のうちの一方は、基板の中央領域側に位置し、その他方は基板の周縁領域側に位置することになるため、基板の中央領域側および周縁領域側の両方に対して同時に処理液を供給できる。こうして、基板表面の全域を均一に処理することができるとともに、基板中央領域の乾燥を効果的に抑制または防止できる。また、基板表面の少なくとも２箇所に同時に処理液が供給されることにより、基板表面の処理液を速やかに新液に置換することができる。このようにして、基板の大口径化に伴う前述の問題を抑制または回避することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記基板が直径Ｄのほぼ円形の基板であり、前記２つの着液点間の距離Ｘが、Ｄ／４＜Ｘ＜Ｄ／２を満たすように定められている、請求項１記載の基板処理装置である。距離Ｘをこのように定めることによって、２つの着液点の移動中、終始、基板の全域に処理液を行き渡らせることができるので、より面内均一性の高い基板処理が可能になる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点の一方が基板の回転中心に向かうときに、それらのうちの他方が基板の周縁部に向かうように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１または２記載の基板処理装置である。この構成により、基板の中央領域および周縁領域の両方に対して、より確実に、処理液を同時供給できる。
【００１２】
請求項４記載の発明は、前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点の一方が基板の周縁部に達した時点で、前記２つの着液点の移動方向が反転するように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成により、２つの着液点が、終始、基板表面に位置している状態を保持できる。その結果、基板の中央領域および周縁領域の両方に対して、より確実に、処理液を同時供給できる。
【００１３】
請求項５前記ノズル移動機構は、前記２つの着液点間の距離を一定に保持するように、前記ノズル機構を移動させるものである、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成により、基板表面に対する処理液の供給状態を安定化することができるとともに、簡単な構成で、基板の中央領域および周辺領域の両方に対して処理液の同時供給を行えるとともに、着液点を基板上で移動させることができる。
【００１４】
請求項６前記ノズル移動機構は、前記ノズル機構を保持する保持アーム（６）と、この保持アームを前記基板保持回転機構に保持された基板の前記表面に沿って揺動させる揺動駆動機構（８）とを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成により、簡単な構成で、基板の中央領域および周辺領域の両方に対して処理液を同時供給しつつ、着液点を基板上で移動させることができる。
【００１５】
請求項７記載の発明は、前記ノズル機構に供給される処理液を加熱する処理液加熱手段（１３）をさらに含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成により、加熱された処理液（より具体的には、室温よりも高温の処理液）を基板表面に供給することができ、効率的な基板処理が可能になる。この場合に、基板の中央領域側および周辺領域側の少なくとも２箇所に処理液が同時供給されるので、基板上における処理液の温度差を抑制することができる。これにより、面内均一性が高く、かつ、効率的な基板処理が可能になる。
【００１６】
請求項８記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転工程（Ｓ２）と、この基板回転工程と並行して実行され、ノズル機構（２１，２２，４０）から前記基板の表面に処理液を供給し、基板の前記表面の少なくとも２箇所に前記処理液を着液させる処理液供給工程（Ｓ４）と、この処理液供給工程と並行して実行され、前記ノズル機構から供給される処理液の前記基板上における少なくとも２つの着液点（３１，３２，４２）が、前記基板回転工程によって回転されている基板の回転中心付近を通る所定のスキャン経路（３０）に沿って移動するように、前記ノズル機構を移動させるノズル移動工程（Ｓ５）とを含み、前記ノズル移動工程によって前記ノズル機構が移動されているときに、このノズル機構から供給される処理液によって前記基板の前記表面の全域が覆われるように、前記少なくとも２つの着液点間の距離（Ｘ）が定められている、基板処理方法である。
【００１７】
この方法により、請求項１の発明と同様な効果が得られる。むろん、この方法の発明に関しても、基板処理装置の発明と同様な変形が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の基本的な構成を説明するための図解図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等のほぼ円形の基板Ｗに対して処理液を供給して処理を施すための装置である。処理液には、薬液および純水（脱イオン化した水）が含まれる。薬液としては、この実施形態では、室温よりも高温に加熱して温度調節された薬液が用いられる。このように加熱して用いられる薬液としては、エッチング液、レジスト剥離液、ポリマー除去液を例示することができる。レジスト剥離液は、ドライエッチング処理後の使用済みレジストを基板表面から剥離するための処理液であり、一つの例は、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ液：sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）である。硫酸過酸化水素水混合液は、たとえば８０℃程度に加熱された硫酸と過酸化水素水との混合液として用いられる。この混合液は、硫酸および過酸化水素水の混合に伴う化学反応によって発熱（反応熱）を生じ、この発熱により、その液温が、基板Ｗからレジストを良好に剥離可能な高温（たとえば、８０℃〜１５０℃）にまで上昇する。
【００１９】
以下では、レジスト剥離液を薬液として用いる基板処理装置（レジスト剥離装置）を例にとって説明する。
この基板処理装置は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるための基板保持回転機構としてのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面にレジスト剥離液（前述のＳＰＭ液）を供給する第１および第２薬液ノズル２１，２２と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に純水を供給する純水ノズル２とを備えている。
【００２０】
スピンチャック１は、基板Ｗを保持するチャック本体３と、このチャック本体３を上端で支持する回転軸４とを備えている。回転軸４は、鉛直方向に沿って設けられており、チャック回転駆動機構５からの駆動力を得て、その軸線まわりに回転させられるようになっている。
第１および第２薬液ノズル２１，２２は、スピンチャック１の上方に設けられたアーム６の先端に取り付けられている。アーム６は、スピンチャック１の側方において鉛直方向に沿って配置された支持軸７に支持されており、この支持軸７の上端部からほぼ水平に延びている。支持軸７は、揺動駆動機構８によって、その軸線まわりに回転されるようになっている。支持軸７の回転に伴い、アーム６は、基板Ｗの上方において、水平面に沿って揺動することになる。これにより、第１および第２薬液ノズル２１，２２から供給されるレジスト剥離液の基板Ｗ表面における着液点３１，３２を移動（スキャン）させることができ、また、第１および第２薬液ノズル２１，２２をスピンチャック１の側方の退避位置へと退避させることができる。
【００２１】
第１および第２薬液ノズル２１，２２には、ミキシングバルブ９から、薬液供給配管１０を介してレジスト剥離液が供給されるようになっている。ミキシングバルブ９には、硫酸供給配管１１および過酸化水素水供給配管１２が接続されている。
硫酸供給配管１１には、図示しない硫酸供給源からの硫酸が供給されるようになっており、その途中部には、硫酸を室温よりも高い所定の温度（たとえば８０℃以上）に加熱するための処理液加熱手段としてのヒータ１３と、ミキシングバルブ９への硫酸の供給／停止を制御するための硫酸バルブ１４とが介装されている。硫酸の加熱は、硫酸供給配管１１の途中部で行う必要はなく、硫酸供給源に設けられた硫酸タンクに処理液加熱手段を設けて硫酸の温度調節を行うようにしてもよい。
【００２２】
過酸化水素水供給配管１２には、図示しない過酸化水素水供給源から室温（約２５℃）程度の過酸化水素水が供給されるようになっており、その途中部には、ミキシングバルブ９への過酸化水素水の供給／停止を切り換える過酸化水素水バルブ１５が配置されている。
薬液供給配管１０の途中部には、ミキシングバルブ９から流出する硫酸および過酸化水素水の混合液を撹拌するための撹拌流通管１６が介装されている。撹拌流通管１６は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。
【００２３】
ミキシングバルブ９における硫酸および過酸化水素水の混合によって、化学反応（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2→Ｈ2ＳＯ5＋Ｈ2Ｏ）が生じ、このときに発生する反応熱によって、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ液）の温度は、硫酸の液温以上に上昇する。そして、撹拌流通管１６において、硫酸および過酸化水素水の混合液が十分に撹拌されることにより、前記の化学反応がさらに進行する。これにより、強い酸化力を有するカロ酸（Ｈ2ＳＯ5：ペルオキソ一硫酸）をより多量に含み、かつ、より高温に昇温されたＳＰＭ液が生成されることになる。
【００２４】
こうして作成された高温のＳＰＭ液からなるレジスト剥離液が、第１および第２薬液ノズル２１，２２から基板Ｗの上面に供給されることになる。
前述のチャック回転駆動機構５および揺動駆動機構８の動作、ヒータ１３への通電、ならびに硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５の開閉は、マイクロコンピュータを含む制御装置１７によって制御されるようになっている。制御装置１７は、さらに、純水供給源から純水ノズル２に純水を供給する純水供給配管１８に介装された純水バルブ１９の開閉を制御する。
【００２５】
図２は、第１および第２薬液ノズル２１，２２の配置を説明するための図解的な平面図である。第１薬液ノズル２１および第２薬液ノズル２２は、アーム６の揺動に伴って、支持軸７を中心とした円弧軌道に沿って移動する。それに伴い、第１および第２薬液ノズル２１，２２からそれぞれ供給されるレジスト剥離液の基板Ｗ表面における着液点３１，３２は、基板Ｗ上で円弧状の軌跡を描くように移動する。この実施形態では、着液点３１，３２が、いずれも、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面において、基板Ｗの回転中心３５を通る円弧状のスキャン経路３０に沿って移動するように、第１および第２薬液ノズル２１，２２がアーム６に取り付けられている。
【００２６】
より具体的に説明すると、この実施形態では、第１および第２薬液ノズル２１，２２は、いずれも鉛直下方に垂れ下がった直管状の吐出部２１ａ，２１ｂを備えている。これらの吐出部２１ａ，２１ｂは、支持軸７から等距離の位置に配置されている。より詳しくは、支持軸７から吐出部２１ａ，２１ｂまでの距離は、支持軸７から基板Ｗの回転中心（スピンチャック１の回転軸線）３５までの距離にほぼ等しく定められている。これにより、アーム６の揺動に伴い、第１および第２薬液ノズル２１，２２から吐出されたレジスト剥離液の着液点３１，３２を、基板Ｗの回転中心３５を通る円弧状（支持軸７を中心点とする円弧状）のスキャン経路３０に沿って移動させることができる。
【００２７】
第１および第２薬液ノズル２１，２２の吐出部２１ａ，２２ｂ間には、距離Ｘが確保されており、それに応じて、着液点３１，３２間も距離Ｘだけ離れることになる。距離Ｘは、基板Ｗの直径Ｄの４分の１よりも長く、かつ、その２分の１よりも小さい範囲（すなわち、Ｄ／４＜Ｘ＜Ｄ／２）で定められることが好ましい。このように距離Ｘを定めることによって、着液点３１，３２を中心としたレジスト剥離液の広がりにより、終始、基板Ｗの上面全域をレジスト剥離液で覆うことができる。すなわち、基板Ｗの回転中心３５付近とその周縁領域とに並行してレジスト剥離液を供給でき、その結果、基板Ｗの上面が、終始、レジスト剥離液で覆われることになる。
【００２８】
図３は、第１および第２薬液ノズル２１，２２の往復範囲を説明するための図解図である。スピンチャック１によって基板Ｗが回転されている状態でレジスト剥離液（ＳＰＭ液）を第１および第２薬液ノズル２１，２２から基板Ｗの上面に供給するとき、制御装置１７は、アーム６を所定の角度範囲αで往復揺動（たとえば、４〜８秒で一往復）させる。この角度範囲αは、スキャン経路３０の第１薬液ノズル２１側の端部に着液点３１が位置するアーム位置６Ａを一端とし、スキャン経路３０の第２薬液ノズル２２側の端部に着液点３２が位置するアーム位置６Ｂを他端とするように定められる。すなわち、着液点３１，３２の移動方向は、それらの一方が基板Ｗの周縁部に達した時点で、基板Ｗの回転中心３５に向かう方向と、その周縁部に向かう方向との間で、反転される。これにより、レジスト剥離液による基板処理中、終始、着液点３１，３２の両方が基板Ｗ上に位置するようにされる。
【００２９】
着液点３１，３２間の距離Ｘを基板Ｗの半径（Ｄ／２）未満に定めることによって、着液点３１，３２のうちの一方が基板Ｗの周端に達するまでに、それらのうちの他方を基板Ｗの回転中心に導くことができる。これにより、基板Ｗの全面に対して、レジスト剥離液を直接供給できる。
また、距離Ｘを基板Ｗの半径（Ｄ／２）に近い値に定めることによって、着液点３１，３２のうちの一方が基板Ｗの回転中心に向かうときに、その他方は基板Ｗの周縁部に向かうことになる。距離Ｘが基板Ｗの半径に近い値でない場合であっても、距離Ｘが零でないかぎり、着液点３１，３２の移動中において、それらの一方が基板Ｗの回転中心に向かい、それらの他方が基板Ｗの周縁部に向かう期間が存在することになる。
【００３０】
図４は、前述の基板処理装置による基板Ｗの処理工程の一例を示す流れ図である。未処理の基板Ｗは、基板搬送ロボット（図示省略）によって、スピンチャック１に受け渡されて保持される（Ｓ１）。このとき、第１および第２薬液ノズル２１，２２は、スピンチャック１の側方の退避位置に退避させられている。また、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５ならびに純水バルブ１９は、いずれも閉状態に制御されており、チャック回転駆動機構５はスピンチャック１を回転停止状態としている。
【００３１】
基板Ｗがスピンチャック１に受け渡された後、制御装置１７は、チャック回転駆動機構５を制御して、基板Ｗを所定の液処理回転速度で回転させる（Ｓ２）。それとともに、制御装置１７は、揺動駆動機構８を制御することにより、アーム６を揺動させ、第１および第２薬液ノズル２１，２２を基板Ｗの上方へと導く（Ｓ３）。
この状態で、制御装置１７は、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５を開く（Ｓ４）。それとともに、制御装置１７は、揺動駆動機構８を制御して、アーム６を前述の所定角度範囲αで往復揺動させる（Ｓ５）。なお、ヒータ１３は、たとえば、この基板処理装置の動作中は、終始、通電状態に制御される。これにより、加熱された硫酸と室温の過酸化水素水とがミキシングバルブ９で混合され、さらに、撹拌流通管１６で撹拌されて、ＳＰＭ液からなるレジスト剥離液が作成され、このレジスト剥離液が第１および第２薬液ノズル２１，２２から、回転状態の基板Ｗの上面に向けて吐出される。アーム６の揺動により、レジスト剥離液の着液点３１，３２は、その両方が基板Ｗ上にある状態で、スキャン経路３０に沿って往復移動（スキャン）する。
【００３２】
このようにして、レジスト剥離液による処理を一定時間だけ行うと（Ｓ６）、制御装置１７は、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５を閉じ、第１および第２薬液ノズル２１，２２からのレジスト剥離液の吐出を停止させる（Ｓ７）。また、制御装置１７は、揺動駆動機構８を制御して、アーム６を揺動させ、第１および第２薬液ノズル２１，２２をスピンチャック１の側方の退避位置に退避させる（Ｓ８）。
【００３３】
次に、制御装置１７は、純水バルブ１９を開いて、純水ノズル２から、回転状態の基板Ｗの上面に向けて純水を吐出させる（Ｓ９）。これにより、基板Ｗ上のレジスト剥離液が純水に置換され、リンス処理が行われる。
このリンス処理を所定時間行った後に（Ｓ１０）、制御装置１７は、純水バルブ１９を閉じてリンス処理を終了させる（Ｓ１１）。制御装置１７は、さらに、チャック回転駆動機構５を制御し、スピンチャック１の回転速度を所定の乾燥回転速度（＞液処理回転速度）に加速する（Ｓ１２）。これにより、基板Ｗ表面の水分が遠心力によって振り切られ、乾燥工程が行われる。
【００３４】
乾燥工程を所定時間行った後（Ｓ１３）、制御装置１７はチャック回転駆動機構５を制御して、スピンチャック１の回転を停止させる（Ｓ１４）。その後は、処理済み基板Ｗが基板搬送ロボットによって搬出されることになる（Ｓ１５）。
以上のように、この実施形態によれば、距離Ｘだけ離れた着液点３１，３２を形成する第１および第２薬液ノズル２１，２２によって、基板Ｗの上面をスキャンしながら、終始、基板Ｗの中央領域および周縁領域の両方にレジスト剥離液を供給するようにしている。そのため、基板Ｗが大口径のもの（たとえば直径３００ｍｍ）であっても、基板Ｗ上面の各部におけるレジスト剥離液の温度差を少なくすることができる。これにより、基板Ｗの上面の各部でレジスト剥離液によるレジスト剥離処理を効率的に、かつ、ほぼ均一に進行させることができるので、面内均一性に優れた基板処理（レジスト剥離処理）が可能になる。
【００３５】
また、この実施形態によれば、基板Ｗの上面に対して複数箇所にレジスト剥離液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジスト剥離液を速やかに新液に置換していくことができる。これにより、基板Ｗ上面の各部でレジスト剥離処理が効率的に進行するので、処理時間の短縮が可能になり、生産性の向上を図ることができる。
さらに、着液点３１，３２の一方が基板Ｗの周縁部にある場合でも、その他方は基板Ｗの回転中心により近い位置にあり、基板Ｗ上面の全域が、終始、レジスト剥離液で覆われているので、レジスト剥離液による処理中に基板Ｗの回転中心付近が乾燥したりするといった不具合が生じることがない。
【００３６】
図５に、本願発明者による実験結果を示す。この図５には、直径３００ｍｍの基板Ｗについて、その回転中心からの距離（半径方向位置）と、基板温度との関係を計測した結果が示されている。基板温度の測定は、放射温度計を用いて行った。図５において、線Ａは、薬液ノズルを１つだけ備えた従来装置の構成による計測結果を示し、線Ｂは前記の実施形態において距離Ｘを７５ｍｍ（基板直径の１／４）とした場合の測定結果を示し、線Ｃは前記の実施形態において距離Ｘを１００ｍｍ（基板直径の１／３）とした場合の測定結果を示す。線Ａと、線Ｂ，Ｃとの比較から、第１および第２薬液ノズル２１，２２を用いた構成によって、基板温度の面内均一性が向上されていることが理解される。
【００３７】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能である。たとえば、前述の実施形態では、第１および第２薬液ノズル２１，２２が基板Ｗ上に２つの着液点３１，３２を形成する例について説明したが、３個以上のノズルを用いて基板Ｗ上に３個以上の着液点を形成し、これらをスキャン経路３０に沿って移動させるようにしてもよい。この場合でも、少なくとも２個の着液点間の距離Ｘが、Ｄ／４＜Ｘ＜Ｄ／２の範囲に定められ、基板Ｗの中央領域および周縁領域の両方に同時にレジスト剥離液を供給できるようにすることが好ましい。
【００３８】
また、図６に示すようなスロット状開口４１を有するノズル４０を第１および第２薬液ノズル２１，２２に代えて、アーム６に固定して用いることとしてもよい。スロット状開口４１は、スキャン経路３０に沿う円弧形状の細長い開口である。このスロット状開口４１から供給された処理液は、基板Ｗの上面において、スキャン経路３０に沿って延びる円弧形状の着液領域４２を形成する。この着液領域４２の両端間の距離Ｘは、Ｄ／４＜Ｘ＜Ｄ／２となるように定めるとよい。これにより、着液領域４２の少なくとも両端部は、前述の実施形態における着液点３１，３２に相当することになるから、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
また、前述の実施形態では、第１および第２薬液ノズル２１，２２が、いずれもアーム６に共通に固定される例について説明したが、これらは異なるアームにそれぞれ取り付けられて移動されるようになっていてもよい。この場合において、第１および第２薬液ノズル２１，２２間の距離Ｘは一定に保持されてもよいし、第１および第２薬液ノズル２１，２２の往復移動に伴って変化させてもよい。
【００４０】
また、前述の実施形態では、レジスト剥離液を用いた基板処理を例にとったが、この発明は、エッチング液、洗浄液その他の処理液を用いた処理に対しても同様に適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の基本的な構成を説明するための図解図である。
【図２】第１および第２薬液ノズルの配置を説明するための図解的な平面図である。
【図３】第１および第２薬液ノズルの往復範囲を説明するための図解図である。
【図４】基板処理工程の一例を示す流れ図である。
【図５】本願発明者による実験結果を示すグラフであり、基板の回転中心からの距離（半径方向位置）と、基板温度との関係を計測した結果が示されている。
【図６】スロット状開口を有するノズルを用いた他の実施形態を示す図解的な斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    スピンチャック
２    純水ノズル
３    チャック本体
４    回転軸
５    チャック回転駆動機構
６    アーム
６Ａ  一端のアーム位置
６Ｂ  他端のアーム位置
７    支持軸
８    揺動駆動機構
９    ミキシングバルブ
１０    薬液供給配管
１１    硫酸供給配管
１２    過酸化水素水供給配管
１３    ヒータ
１４    硫酸バルブ
１５    過酸化水素水バルブ
１６    撹拌流通管
１７    制御装置
１８    純水供給配管
１９    純水バルブ
２１    第１薬液ノズル
２２    第２薬液ノズル
２１ａ，２２ａ  吐出部
３０    スキャン経路
３１    着液点
３２    着液点
３５    回転中心
４０    ノズル
４１    スロット状開口
４２    着液領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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