(57)【要約】【課題】高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録媒体、並びに該光記録媒体への光記録方法及び光記録装置の提供。【解決手段】基板と、該基板上に選択反射層と、該選択反射層上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層とを有してなり、前記記録層の一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一方の面側より重合性化合物を多く含む構造を有する光記録媒体である。該記録層が、少なくとも分解性化合物を含有する光分解性記録層と、少なくとも重合性化合物を含有する光重合性記録層とをこの順に積層してなる態様が好ましい。【選択図】図３
2007225657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に選択反射層と、該選択反射層上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層とを有してなり、
前記記録層の一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一方の面側より重合性化合物を多く含む構造を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
記録層の一方の面が、選択反射層を有する側の記録層の面である請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
記録層が、少なくとも分解性化合物及び感光性分解剤を含有する光分解性記録層と、少なくとも重合性化合物及び光重合開始剤を含有する光重合性記録層とをこの順に積層してなる請求項１から２のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項４】
分解性化合物が、酸分解性化合物及び塩基分解性化合物のいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
重合性化合物が、ラジカル重合性化合物及びカチオン重合性化合物から選択される少なくとも１種である請求項１から４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
光分解性記録層の厚みが、５〜１００μｍである請求項３から５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
光重合性記録層の厚みが、１００〜１０００μｍである請求項３から６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
第一の基板と、選択反射層と、光分解性記録層と、光重合性記録層と、第二の基板とをこの順に有する請求項３から７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
選択反射層が、第一の光を透過し、第二の光を反射する請求項１から８のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の光記録媒体に対し、情報光及び参照光の照射を、該情報光の光軸と該参照光の光軸とが同軸となるようにして行い、前記情報光と前記参照光との干渉により生成される干渉パターンによって情報を記録層に記録することを特徴とする光記録方法。
【請求項１１】
可干渉性を有する情報光の光軸と参照光の光軸とが同軸となるように、請求項１から９のいずれかに記載の光記録媒体に前記情報光及び前記参照光を照射する光照射手段と、該情報光と該参照光との干渉による干渉像を形成し、該干渉像を前記光記録媒体に記録する干渉像記録手段とを有することを特徴とする光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホログラフィを利用して情報を記録し、高感度かつ高多重記録が可能な光記録媒体、並びに該光記録媒体への光記録方法及び光記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度画像データ等の大容量の情報を書き込み可能な記録媒体の一つとして光記録媒体が挙げられる。このような光記録媒体としては、例えば、光磁気ディスク、相変化型光ディスク等の書換型光記録媒体やＣＤ−Ｒ等の追記型光記録媒体については既に実用化されているが、光記録媒体の更なる大容量化に対する要求は高まる一方である。しかし、従来より提案されている光記録媒体は全て二次元記録であり、記録容量の増大化には限界があった。そこで、近時、三次元的に情報を記録可能なホログラム型の光記録媒体が注目されている。
【０００３】
前記ホログラム型光記録方法は、一般に、二次元的な強度分布が与えられた情報光と、該情報光と強度がほぼ一定な参照光とを感光性の記録層内部で重ね合わせ、それらが形成する干渉縞を利用して記録層内部に光学特性の分布を生じさせることにより、情報を記録する。一方、書き込んだ情報の読み出し（再生）は、記録時と同様の配置で参照光のみを記録層に照射し、記録層内部に形成された光学特性分布に対応した強度分布を有する再生光を前記記録層から出射させることにより行われる。
このホログラム型光記録方法では、記録層内に光学特性分布が三次元的に形成されるので、一の情報光により情報が書き込まれた領域と、他の情報光により情報が書き込まれた領域とを部分的に重ね合わせること、即ち、多重記録が可能である。デジタルボリュームホログラフィを利用した場合には、１スポットの信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）は極めて高くなるので、重ね書きによりＳ／Ｎ比が多少低くなっても元の情報を忠実に再現できる。その結果、多重記録回数が数百回までに及び、光記録媒体の記録容量を著しく増大させることができる（特許文献１参照）。
【０００４】
前記光記録媒体としては、例えば、図１に示すように、基板１０及び１１の間に記録層４を積層した光記録媒体２０が挙げられる。また、図２に示すように、情報光の光軸と参照光の光軸とが、同軸となるようにして、該情報光及び参照光を照射して記録する方式に用いられ、第一の基板１、第一ギャップ層８、フィルタ層６、第二ギャップ層７、記録層４、第二の基板５がこの順に積層された光記録媒体２１などが挙げられる。このような光記録媒体における前記記録層への多重記録回数を示す指標として、「ある一定の回析効率を有するホログラムが何枚多重化できるか」を表すダイナミックレンジが用いられる。該ダイナミックレンジは、具体的には、多重化したホログラム１枚１枚の回析効率の平方根を、全てのホログラムについて加え合わせた値が用いられる。このようなダイナミックレンジを増大させる方法としては、例えば、記録層形成の改善、記録層の組成物の改善、記録方法の改善などが挙げられる。前記記録層形成の改善方法として、一般的に該記録層を多層化することにより厚みを増大させ前記ダイナミックレンジを向上させる方法が用いられる。しかし、多層回数が増大するほど、厚みむらの発生や製造効率が低下するという問題がある。
【０００５】
また、複数の記録層の一部の層を接着層として硬化処理した層とフォトポリマー層とを積層することにより、層の均一化及び生産効率の向上を図りダイナミックレンジを改善することが提案されている（特許文献２参照）。
しかし、この提案においても、高い信号強度が得られる露光量で多重書き込みを繰り返すと記録信号に歪みが生じてＳ／Ｎ比が下がり、エラー発生の原因となる。これは、光情報が記録されるエリアが円錐形であるため局所的に集光が起こり、該集光した部位のフォトポリマーが体積収縮を起こして像が崩れるためであると考えられる。このことは、高多重記録を行い、信号記録に必要な最小露光量が上昇した場合において、特に顕著となる。
【０００６】
したがって、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録媒体及びその記録方法、並びに光記録装置は未だ実現されておらず、その速やかな提供が望まれているのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１２３９４９号公報
【特許文献２】特開２００５−１１５０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録媒体、並びに該光記録媒体への光記録方法及び光記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板と、該基板上に選択反射層と、該選択反射層上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層とを有してなり、
前記記録層の一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一方の面側より重合性化合物を多く含む構造を有することを特徴とする光記録媒体である。
＜２＞  記録層の一方の面側が、選択反射層を有する側の記録層の面である前記＜１＞に記載の光記録媒体である。
＜３＞  記録層が、少なくとも分解性化合物及び感光性分解剤を含有する光分解性記録層と、少なくとも重合性化合物及び光重合開始剤を含有する光重合性記録層とをこの順に積層してなる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜４＞  分解性化合物が、酸分解性化合物及び塩基分解性化合物のいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜５＞  重合性化合物が、ラジカル重合性化合物及びカチオン重合性化合物から選択される少なくとも１種である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜６＞  光分解性記録層の厚みが、５〜１００μｍである前記＜３＞から＜５＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜７＞  光重合性記録層の厚みが、１００〜１０００μｍである前記＜３＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜８＞  第一の基板と、選択反射層と、光分解性記録層と、光重合性記録層と、第二の基板とをこの順に有する前記＜３＞から＜７＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜９＞  選択反射層が、第一の光を透過し、第二の光を反射する前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１０＞  選択反射層が、ダイクロイックミラー層、色材含有層、誘電体蒸着層、及びコレステリック液晶層の少なくともいずれかである前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１１＞  第一の光の波長が３５０〜６００ｎｍであり、かつ第二の光の波長が６００〜９００ｎｍである前記＜９＞から＜１０＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１２＞  λ０〜λ０／ｃｏｓ２０°（ただし、λ０は照射光波長を表す）における光反射率が４０％以上である前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１３＞  λ０〜λ０／ｃｏｓ４０°（ただし、λ０は照射光波長を表す）における光反射率が４０％以上である前記＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１４＞  コレステリック液晶層の厚みが、１〜１０μｍである前記＜１０＞から＜１３＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１５＞  第一の基板が、サーボピットパターンを有する前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１６＞  サーボピットパターン表面に反射膜を有する前記＜１５＞に記載の光記録媒体である。
＜１７＞  反射膜が、金属反射膜である前記＜１６＞に記載の光記録媒体である。
＜１８＞  選択反射層と光分解性記録層との間に、厚みが１〜１００μｍの第２ギャップ層を有する前記＜３＞から＜９＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１９＞  光分解性記録層と光重合性記録層との間に、厚みが１〜２０μｍの中間層を有する前記＜３＞から＜１８＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【００１０】
＜２０＞  前記＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の光記録媒体に対し、情報光及び参照光の照射を、該情報光の光軸と該参照光の光軸とが同軸となるようにして行い、前記情報光と前記参照光との干渉により生成される干渉パターンによって情報を記録層に記録することを特徴とする光記録方法である。
＜２１＞  前記＜２０＞に記載の光記録媒体の記録方法により記録層に記録された干渉パターンに参照光を照射して記録情報を再生することを特徴とする光再生方法である。
＜２２＞  参照光が、光記録媒体の記録に用いられた参照光と同じ角度で、干渉パターンに照射して記録情報を再生する前記＜２１＞に記載の光記録媒体の再生方法である。
＜２３＞  可干渉性を有する情報光の光軸と参照光の光軸とが同軸となるように、前記＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の光記録媒体に前記情報光及び前記参照光を照射する光照射手段と、該情報光と該参照光との干渉による干渉像を形成し、該干渉像を前記光記録媒体に記録する干渉像記録手段とを有することを特徴とする光記録装置である。
【００１１】
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に選択反射層と、該選択反射層上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層とを有してなり、前記記録層の一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一方の面側より重合性化合物を多く含む構造を有する。前記光分解性感光層では、感光性分解剤が分解性化合物の分解を誘発し、その結果、分解性化合物の分解が起こった部位に屈折率像が形成される。一方、前記光重合性感光層では、光重合開始剤が重合性化合物の重合反応を開始し、その結果、重合性化合物の重合が起こった部分に屈折率像が形成される。本発明では、光が集光する下部に、体積収縮を伴わない分解性化合物を含む記録層を用いているので、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録媒体が得られる。
【００１２】
本発明の光記録方法は、本発明の前記光記録媒体に対し、情報光及び参照光の照射を、該情報光の光軸と該参照光の光軸とが同軸となるようにして行い、前記情報光と前記参照光との干渉により生成される干渉パターンによって情報を記録層に記録する。本発明の光記録媒体の記録方法においては、本発明の前記光記録媒体を用いて、該情報光と参照光との干渉による干渉パターンによって情報を記録層に記録することにより、今までにない高密度記録を実現することができる。
【００１３】
本発明の光再生方法は、本発明の前記光記録方法により記録層に記録された干渉パターンに参照光を照射して情報を再生する。
本発明の光記録媒体の再生方法においては、本発明の前記光記録方法により記録層に記録された干渉パターンを効率よく、正確に読み取って高密度記録情報を再生することができる。
【００１４】
本発明の光記録装置は、可干渉性を有する情報光の光軸と参照光の光軸とが同軸となるように、本発明の前記光記録媒体に前記情報光及び前記参照光を照射する光照射手段と、該情報光と該参照光との干渉による干渉像を形成し、該干渉像を前記光記録媒体に記録する干渉像記録手段とを有する。本発明の光記録装置においては、本発明の前記光記録媒体を用いているので、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録が行える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能な光記録媒体、並びに該光記録媒体への光記録方法及び光記録装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（光記録媒体）
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に選択反射層と、該選択反射層上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層とを有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００１７】
前記記録層は、その一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一方の面側より重合性化合物を多く含む構造を有する。前記記録層の一方の面は、選択反射層を有する側（選択反射層と接する側）の記録層の面であることが好ましい。
【００１８】
本発明の光記録媒体は、ホログラムの原理を利用して記録再生可能なものであれば特に制限はなく、二次元などの情報を記録する比較的薄型の平面ホログラムや立体像など多量の情報を記録する体積ホログラムであってもよく、透過型及び反射型のいずれであってもよい。また、ホログラムの記録方式もいずれであってもよく、例えば、振幅ホログラム、位相ホログラム、ブレーズドホログラム、複素振幅ホログラムなどでもよい。
【００１９】
ここで、前記記録層の一方の面側が他方の面側より分解性化合物を多く含み、かつ前記記録層の他方の面側が一端側より重合性化合物を多く含む構造とする方法としては、例えば、（１）単層の記録層の厚み方向に分解性化合物又は重合性化合物をリッチとなるように濃度勾配を付ける方法、（２）光分解性記録層と光重合性記録層とをこの順に有する積層構造の記録層とする方法、などが挙げられ、これらの中でも、生産性、機能分離性などから、（２）の積層型の記録層とする方法が特に好ましい。
【００２０】
前記（１）の単層の記録層の厚み方向に分解性化合物又は重合性化合物をリッチとなるように濃度勾配を付ける方法としては、例えば、分解性化合物及び重合性化合物のいずれか一方のみを含む感光性組成物溶液を基板上に均一に塗布し、一旦溶剤を除去して製膜した後、更にその上に残る一方の感光性組成物溶液を塗布することにより実現される。この場合、二層の界面は二度目の塗布の際に二層目の塗布により膨潤乃至溶解して一層目の組成物と二層目の組成物とが混合されて、界面の存在しない、物質の濃度勾配が付いた単層感光層を得ることが可能となる。また、ギーサー同時塗布により、二つの組成物溶液を同時に塗布する際、意図的に液−液界面を僅かに混合させるような条件を選ぶことによっても実現される。
前記単層型の記録層の厚みは、２００〜１０００μｍが好ましく、３００〜７５０μｍが更に好ましい。前記厚みが２００μｍ未満であると、情報記録媒体として有用なＳ／Ｎ比で以って高密度多重記録を行うことが困難となることがあり、１０００μｍを超えると、成膜上の困難を引き起こす恐れがある。
【００２１】
前記（２）の積層型の記録層は、少なくとも分解性化合物を含有する光分解性記録層と、少なくとも重合性化合物を含有する光重合性記録層とをこの順に有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
ここで、前記光分解性記録層と光重合性記録層とが積層されているか否かは、光記録媒体をレーザー共焦点顕微鏡により層構造を解析して確認が可能である。また、前記光分解性記録層と光重合性記録層との区別は、液体窒素冷却下、光記録媒体を破断させてその断面を電子顕微鏡又は光学顕微鏡により観察することによって判断可能である。これらの方法によっても確認が困難である場合は、前記の方法で作製された破断面を、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ質量分析法によって断面に存在する化合物の質量分析マッピングを行うことによって、その界面の存在を知ることが可能である。また、感光性分解剤、重合開始剤、分解性化合物、重合性化合物といった、その層の性質を特徴づける化合物の少なくとも一つが、その他の化合物に含まれない特殊な元素を含む場合には、ＳＥＭ−ＥＤＸ、ＴＥＭ−ＥＥＬＳ等の元素マッピング法を用いて、前記で作製された破断面から層構造を解析することも可能である。
また、単層の層内において分解性化合物と重合性化合物の勾配をもって形成された感光層中に、分解性化合物と重合性化合物とがどのような勾配で存在するかは、前記のＴＯＦ−ＳＩＭＳ、ＳＥＭ−ＥＤＸ、ＴＥＭ−ＥＥＬＳを用いて解析することが可能である。
【００２２】
＜光分解性記録層＞
前記光分解性記録層は、少なくとも分解性化合物及び感光性分解剤を含み、バインダー、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００２３】
−分解性化合物−
前記分解性化合物としては、分解性を有すれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、酸分解性化合物及び塩基分解性化合物のいずれかであることが好ましい。なお、前記分解性化合物の屈折率は、１．５〜１．９が好ましい。また、前記分解性化合物の質量平均分子量は、１００〜５００，０００が好ましく、１００〜３００，０００がより好ましい。
【００２４】
前記酸分解性化合物としては、下記式（１）〜（８）から選択される少なくとも１種の構造を有する化合物が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
【化１】
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ただし、前記式（１）中、Ｒ１は、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、又はアリーレン基を表す。Ｒ２は、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。
【００２６】
【化２】
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ただし、前記式（２）中、Ｍは、Ｓｉ又はＧｅを表す。Ｒ３は、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。Ｒ４は、酸素原子、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アリーレン基、又は単結合を表す。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、又はチオアルキル基を表す。ｍは、０〜２の整数である。
【００２７】
【化３】
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ただし、前記式（３）中、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立に、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。
【００２８】
【化４】
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ただし、前記式（４）中、Ｒ１１はオキシアルキレン基、又は単結合を表す。Ｒ１２は水素原子、アルキル基、アルキレンアリーレンアルキレン基、又はアリール基を表す。
【００２９】
【化５】
2007225657.tif 000007
ただし、前記式（５）中、Ｒ１３は、水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
【００３０】
【化６】
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ただし、前記式（６）中、Ｒ1４は、アルキレン基、下記式（６）−１、式（６）−２、及び式（６）−３のいずれかを表す。
【００３１】
【化７】
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ただし、前記式（６）−１中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数７〜１１のアラルキル基を表す。
【００３２】
【化８】
2007225657.tif 000010
ただし、前記式（６）−２中、Ｒ１９はアルキレン基を表す。
【００３３】
【化９】
2007225657.tif 000011
ただし、前記式（６）−３中、Ｒ２０はアルキレン基を表す。
【００３４】
【化１０】
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ただし、前記式（７）中、Ｒ２１はアルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、又はアリーレン基を表す。
【００３５】
【化１１】
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ただし、前記式（８）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数７〜１１のアラルキル基を表す。
【００３６】
また、前記塩基分解性化合物としては、下記式（９）〜（１２）から選択される少なくとも１種の構造を有する化合物が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
【化１２】
2007225657.tif 000014
ただし、前記式（９）中、Ｒ２６は、アルキレン基、アラルキレン基、又はアリーレン基を表す。Ｒ２７は、アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、又はチオアルキル基を表す。ｉ及びｊは、それぞれ独立に０又は１である。
【００３８】
【化１３】
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ただし、前記式（１０）中、Ｒ３２は、アルキレン基、アラルキレン基又はアリーレン基を表す。Ｒ３３は、アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。
【００３９】
【化１４】
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ただし、前記式（１１）中、Ｒ３４及びＲ３５は、それぞれ独立にアルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。
【００４０】
【化１５】
2007225657.tif 000017
ただし、前記式（１２）中、Ｒ３６及びＲ３７は、それぞれ独立に、アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基、又はアルキルゲルミレン基を表す。
【００４１】
ここで、前記全てのアルキレンアリーレンアルキレン基としては、それぞれ独立に、例えば、下記式（１３）、又は（１４）で示される基が挙げられる。
【００４２】
【化１６】
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ただし、前記式（１３）中、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基、又は６〜１０のアリール基を表す。Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４及びＲ４５は、互いに独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリール基、シアノ基、又はニトロ基を表す。
【００４３】
【化１７】
2007225657.tif 000019
ただし、前記式（１４）中、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８及びＲ４９は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基又は６〜１０のアリール基を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６及びＲ５７は、互いに独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリール基、シアノ基、又はニトロ基を表す。Ａ１は、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ2−又は−Ｃ（Ｒ５８）２−を表す。Ｒ５８は、炭素数１〜６の鎖状アルキル基を表す。
【００４４】
ここで、前記全てのアリーレン基としては、それぞれ独立に、例えば下記式（１５）で示される基が挙げられる。
【化１８】
2007225657.tif 000020
ただし、前記式（１５）中、Ｒ５９〜Ｒ６６は、互いに独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリール基、シアノ基、又はニトロ基を表す。Ａ２は−Ｓ−、−Ｏ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ2−又は−Ｃ（Ｒ６７）２−を表す。Ｒ６７は、炭素数１〜６の鎖状アルキル基を表す。
【００４５】
ここで、前記全てのアルキルシリレン基としては、互いに独立に、例えば、下記式（１６）に示す基が挙げられる。
【化１９】
2007225657.tif 000021
ただし、前記式（１６）中、Ｒ６８、Ｒ６９、Ｒ７０及びＲ７１は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表す。Ａ３は、−Ｏ−、アルキレン基又はアリーレン基を表す。ａは、０又は１の整数を表す。
【００４６】
ここで、前記全てのアルキルゲルミレン基としては、互いに独立に、例えば、下記式（１７）に示す基が挙げられる。
【化２０】
2007225657.tif 000022
ただし、前記式（１７）中、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４及びＲ７５は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表す。Ａ４は、−Ｏ−、アルキレン基、又はアリーレン基を表す。ｂは、０又は１の整数を表す。
【００４７】
前記式（１６）及び（１７）におけるアルキレン基は、それぞれ独立に、炭素数が１〜１０までの直鎖、分岐又は環状のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン、１，２−エチレン、１，３−トリメチレン、１，１０−デカメチレン等を挙げることができ、更にこれらの水素原子が、例えば、塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリール基、又はシアノ基で置換されていてもよい。
【００４８】
ここで、前記全てのアルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基及びアルキルチオエステル基のアルキル基としては、互いに独立に、例えば炭素数が１〜１０までの直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好ましい。また、これらの水素原子が塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリール基又はシアノ基で置換されていてもよい。
【００４９】
ここで、前記全てのアリール基としては、互いに独立に、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基又はビフェニル基及びこれらの水素原子が塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、シアノ基又はニトロ基で置換されたものを挙げることができる。
【００５０】
前記式（６）−１及び式（８）における炭素数１〜６の鎖状アルキル基は、直鎖状であっても分岐していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、等を挙げることができる。
【００５１】
炭素数１〜６のアルコキシル基は、直鎖状であっても分岐していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、テキシルオキシ基等を挙げることができる。
【００５２】
炭素数１〜６のアルキルチオ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、テキシルチオ基等を挙げることができる。
炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、クロロメチル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、１−クロロメチルエチル基、４−クロロブチル基、２−クロロメチルプロピル基、５−クロロペンチル基、３−クロロメチルブチル基、２−クロロエチルプロピル基、６−クロロヘキシル基、３−クロロメチルペンチル基、４−クロロメチルペンチル基、２−クロロエチルブチル基、ブロモメチル基、２−ブロモエチル基、３−ブロモプロピル基、１−ブロモメチルエチル基、４−ブロモブチル基、２−ブロモメチルプロピル基、５−ブロモペンチル基、３−ブロモメチルブチル基、２−ブロモエチルプロピル基、６−ブロモヘキシル基、３−ブロモメチルペンチル基、４−ブロモメチルペンチル基、２−ブロモエチルブチル基等を挙げることができる。
【００５３】
炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、クロロメトキシ基、２−クロロエトキシ基、３−クロロプロポキシ基、１−クロロメチルエトキシ基、４−クロロブトキシ基、２−クロロメチルプロポキシ基、５−クロロペンチルオキシ基、３−クロロメチルブトキシ基、２−クロロエチルプロポキシ基、６−クロロヘキシルオキシ基、３−クロロメチルペンチルオキシ基、４−クロロメチルペンチルオキシ基、２−クロロエチルブトキシ基、ブロモメトキシ基、２−ブロモエトキシ基、３−ブロモプロポキシ基、１−ブロモメチルエトキシ基、４−ブロモブトキシ基、２−ブロモメチルプロポキシ基、５−ブロモペンチルオキシ基、３−ブロモメチルブトキシ基、２−ブロモエチルプロポキシ基、６−ブロモヘキシルオキシ基、３−ブロモメチルペンチルオキシ基、４−ブロモメチルペンチルオキシ基、２−ブロモエチルブトキシ基等を挙げることができる。
【００５４】
炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基としては、例えば、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロプロピルチオ基、クロロメチルチオ基、２−クロロエチルチオ基、３−クロロプロピルチオ基、１−クロロメチルエチルチオ基、４−クロロブチルチオ基、２−クロロメチルプロピルチオ基、５−クロロペンチルチオ基、３−クロロメチルブチルチオ基、２−クロロエチルプロピルチオ基、６−クロロヘキシルチオ基、３−クロロメチルペンチルチオ基、４−クロロメチルペンチルチオ基、２−クロロエチルブチルチオ基、ブロモメチルチオ基、２−ブロモエチルチオ基、３−ブロモプロピルチオ基、１−ブロモメチルエチルチオ基、４−ブロモブチルチオ基、２−ブロモメチルプロピルチオ基、５−ブロモペンチルチオ基、３−ブロモメチルブチルチオ基、２−ブロモエチルプロピルチオ基、６−ブロモヘキシルチオ基、３−ブロモメチルペンチルチオ基、４−ブロモメチルペンチルチオ基、２−ブロモエチルブチルチオ基等を挙げることができる。
炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシメチルエチル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシメチルプロピル基、５−ヒドロキシペンチル基、３−ヒドロキシメチルブチル基、２−ヒドロキシエチルプロピル基、６−ヒドロキシヘキシル基、３−ヒドロキシメチルペンチル基、４−ヒドロキシメチルペンチル基、２−ヒドロキシエチルブチル基等を挙げることができる。
炭素数１〜６のメルカプトアルキル基としては、例えば、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、３−メルカプトプロピル基、１−メルカプトメチルエチル基、４−メルカプトブチル基、２−メルカプトメチルプロピル基、５−メルカプトペンチル基、３−メルカプトメチルブチル基、２−メルカプトエチルプロピル基、６−メルカプトヘキシル基、３−メルカプトメチルペンチル基、４−メルカプトメチルペンチル基、２−メルカプトエチルブチル基等を挙げることができる。
炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシル基としては、例えば、ヒドロキシメトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、３−ヒドロキシプロポキシ基、１−ヒドロキシメチルエトキシ基、４−ヒドロキシブトキシ基、２−ヒドロキシメチルプロポキシ基、５−ヒドロキシペンチルオキシ基、３−ヒドロキシメチルブトキシ基、２−ヒドロキシエチルプロポキシ基、６−ヒドロキシヘキシルオキシ基、３−ヒドロキシメチルペンチルオキシ基、４−ヒドロキシメチルペンチルオキシ基、２−ヒドロキシエチルブトキシ基等を挙げることができる。
炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基としては、例えば、メルカプトメチルチオ基、２−メルカプトエチルチオ基、３−メルカプトプロピルチオ基、１−メルカプトメチルエチルチオ基、４−メルカプトブチルチオ基、２−メルカプトメチルプロピルチオ基、５−メルカプトペンチルチオ基、３−メルカプトメチルブチルチオ基、２−メルカプトエチルプロピルチオ基、６−メルカプトヘキシルチオ基、３−メルカプトメチルペンチルチオ基、４−メルカプトメチルペンチルチオ基、２−メルカプトエチルブチルチオ基等を挙げることができる。
炭素数６〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、１−ナフチル基等を挙げることができる。
炭素数７〜１１のアラルキル基としては、例えば、ベンジル、α−メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
【００５５】
前記式（１）〜（７）で表される構造を、例えば、繰り返し単位として有する酸分解性化合物の製造方法は、特に制限はなく、公知の方法から適宜選択することができる。
【００５６】
前記前記式（１）で表される構造を有する化合物の製造方法は、ＰｏｌｙｍｅｒＢｕｌｌ．，１．１９９（１９７８）、特開昭６２−１３６６３８号公報、ＥＰ２２５，４５４、ＵＳ８０６，５９７、特開平４−３０３８４３号公報、特開平７−５６３５４号公報等に開示されている。
【００５７】
前記式（２）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２９，５５２９（１９９６）、Ｐｏｌｙｍｅｒ  １７，１０８６（１９７６）及び特開昭６０−３７５４９号公報等に開示されている。
【００５８】
前記式（３）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１３３（１）１８１（１９８６）、Ｊ．Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｓｃｉ．，３０（２）５９（１９８６）及びＭａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ  Ｃｏｍｍｕｎ．，７，１２１（１９８６）等に開示されている。
【００５９】
前記式（４）で表される構造を有する化合物の製造方法は、米国特許第３，８９４，２５３号明細書、特開昭６２−１９０２１１号公報、特開平２−１４６５４４号公報、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２３，１６（１９５７）、特開昭６３−９７９４５号公報、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ａ−１，８，２３７５（１９７０）、米国特許第４，２４７，６１１号明細書、ＥＰ４１，６５７、特開昭５７−３１６７４号公報、特開昭６４−３６４７号公報及び特開昭５６−１７３４５号公報等に開示されている。
【００６０】
前記式（５）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｐｒｅｐｒ．Ｅｕｒ．Ｄｉｓｃ  Ｍｅｅｔ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｓｔｒａｓｂｏｕｒｇ，ｐ１０６（１９７８）及びＭａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１７９，１６８９（１９７８）等に開示されている。
【００６１】
前記式（６）で表される構造を有する化合物の製造方法は、米国特許第３，８９４，２５３号明細書、米国特許第３，９４０，５０７号明細書及び特開昭６２−１９０２１１号公報等に開示されている。
【００６２】
前記式（７）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，５４，１５７９（１９３２）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２９，３４３（１９５８）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，ＰａｒｔＡ，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．，２５，３３７３（１９５８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２５，１２，（１９９２）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０，７０５，（１９９７）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２１，１９２５，（１９９８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ  Ｃｏｍｍｕｎ．，１１，８３（１９９０）等に開示されている。
【００６３】
前記式（８）で表される構造を有する化合物は、下記式（８）−１で表される化合物を、必要に応じて分子量調節剤の存在下、溶媒中でカチオン重合又はアニオン重合することによって製造することができる。
【化２１】
2007225657.tif 000023
ただし、前記式（８）−１中、Ｒ２０１、Ｒ２０２、Ｒ２０３及びＲ２０４は、前記式（８）のＲ２２、Ｒ２３、Ｒ２４及びＲ２５で定義される基と同じ基から選ばれる基である。
【００６４】
また、前記式（８）で表される化合物は、下記式（８）−２で表される化合物、下記式（８）−３で表される化合物、及びそれ以外の他の単量体から選ばれる１種以上の化合物と、前記式（８）−１で表される化合物との共重合体であってもよい。この場合、下記式（８）−２で表される化合物、下記式（８）−３で表される化合物、及びそれ以外の他の単量体よりなる群から選ばれる１種以上の化合物の合計量は、前記式（８）−１で表される化合物１００質量部に対して、１００質量部以下の割合とすることができる。
【００６５】
【化２２】
2007225657.tif 000024
ただし、前記式（８）−２中、Ｒ２０５は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８、Ｒ２０９及びＲ２１０は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のアラルキル基を示し、Ｒ２０６、Ｒ２０７、Ｒ２０８、Ｒ２０９及びＲ２１０のいずれか２つは互いに結合してそれらが結合している炭素原子と一緒になって４〜７員環を形成していてもよい。
【００６６】
【化２３】
2007225657.tif 000025
ただし、前記式（８）−３中、Ｒ２１１及びＲ２１２は、互いに独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜１０のメルカプトアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のアラルキル基、エチレンオキシ繰り返し単位が１〜５の（ポリエチレングリコール）エチル基、プロピレンオキシ繰り返し単位が１〜５の（ポリプロピレングリコール）プロピル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリエチレンスルフィド）エチル基、又は繰り返し単位が１〜５の（ポリプロピレンスルフィド）プロピル基を表す。
【００６７】
それ以外の他の単量体としては、例えば、グリオキザール、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、マレアルデヒド、１，８−オクタンジアルデヒド、ｍ−フタルアルデヒド、ｐ−フタルアルデヒド、２，３−ナフタレンジカルボキサルデヒド、２，３−アントラセンジカルボキサルデヒド、９，１０−アントラセンジカルボキサルデヒド、４，４’−ビスベンズアルデヒド、２，５−ジメトキシ−１，４−ジカルボキサルデヒド、２，２’−（エチレンジオキシ）ジベンズアルデヒド、２，２’−ビフェニルジカルボキサルデヒド、ビス（２−ホルミルフェニル）エーテル、６，６’−ジヒドロキシ−５，５’−ジメトキシ−［１，１’−ビフェニル］−３，３’−ジカルボキサルデヒド等の一分子中に２個のアルデヒド基を有する化合物、サリシルアルデヒドクロミウム錯体、アルミニウムホルミルアセテート、（１，１’，３’，１”）ターフェニル−２，６，２”，６”−テトラカルバルデヒド、２−ヒドロキシベンゼン−１，３，５−トリカルバルデヒド、１，２，４，５−テトラ（ｐ−ホルミルフェニル）ベンゼン等の一分子中に３個以上のアルデヒド基を有する化合物が挙げられる。
【００６８】
また、これらの化合物の水素原子を炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルコキシル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキルチオ基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜１０のメルカプトアルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルコキシル基、炭素数１〜１０のメルカプトアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のアラルキル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリエチレングリコール）エチル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリプロピレングリコール）プロピル基等で置換した化合物を使用することもできる。
【００６９】
前記式（８）で表される構造を有する化合物を製造するためのカチオン重合及び／又はアニオン重合は、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、又はカチオン重合触媒を用いて行うことができる。アニオン重合触媒又は配位アニオン重合触媒の代表例としては、ナトリウム、リチウム等のアルカリ金属；ｓ−ブチルリチウム等のアルキル金属化合物；ナトリウム／ナフタレン等のアルカリ金属錯化合物；ナトリウムメトキシド等のアルカリ金属アルコキシド；ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン等のアミン；アンモニウムステアレート、テトラブチルアンモニウムアセテート等の４級アンモニウム塩；ジブチルスズジラウレート、トリブチルスズクロライド、ジエチルスズジラウレート等の４価有機スズ化合物が挙げられる。
【００７０】
前記カチオン重合触媒としては、例えば四塩化スズ、四臭化スズ、四塩化チタン、三塩化アルミニウム、塩化亜鉛、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテレート、過塩素酸、アセチルパークロレート、ｐ−トルエンスルホン酸、トリエチルオキソニウムテトラフルオロボレート、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド等が挙げられる。
【００７１】
前記重合溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；塩化メチレン、塩化エチレン、四塩化炭素等のハロゲン化脂肪族炭化水素；クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素などを用いることができる。これらの有機溶媒は１種類のみでも、あるいは２種類以上を混合して用いてもよい。これらの有機溶媒は、十分に脱水精製されていることが好ましい。
【００７２】
この重合体を製造する際に任意的に共存させる分子量調節剤は、反応系中に均一に溶解乃至分散させて用いるのが好ましく、例えばアルコール、カルボン酸等を使用することができる。
【００７３】
前記アルコールとしては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ヘキシルアルコール、シクロヘキシルアルコール、ベンジルアルコール等を用いることができる。
前記カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、安息香酸等を用いることができる。前記分子量調節剤の使用量は、目的とする重合体の分子量等に応じて調節され、実験的に容易に決定することができる。
【００７４】
前記反応温度は、好ましくは−２００℃〜５０℃の間の温度に設定されるが、有機溶媒の凝固点及び沸点を考慮すれば、多くの場合、−１００℃〜３０℃の間の温度であるのが更に好ましい。反応時間は、特に制限されないが、通常、１００時間以内の範囲で適宜設定することができる。所定重合時間を経た後、例えば、得られた反応混合物をろ過し、得られた固形物をイオン交換水で洗浄した後、真空乾燥することにより、目的とする前記式（８）で表される構造を有する化合物を取得することができる。なお、前記の重合反応によって形成されたヘミアセタール型の分子末端における水酸基は熱的な安定性をやや欠くため、必要に応じて、エステル化、エーテル化、ウレタン化等の、ポリアセタール系重合体の封鎖方法として知られている方法に従って分子末端を封鎖することにより、安定性を向上させることができる。
【００７５】
また、前記式（９）〜（１２）で表される構造を繰り返し単位として有する塩基分解性化合物の製造方法について、以下に説明する。
【００７６】
前記式（９）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ  Ｃｏｍｍｕｎ．，５，１５１（１９８４）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８９，２２２９（１９８８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８７，２５２５（１９８６）、Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．，２２，８０３（１９９０）等に開示されている。
【００７７】
前記式（１０）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，４７，１５２３（１９９３）、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，３５，８５（１９８５）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２２，１５７９（１９８４）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１４，６５５（１９７６）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，２４２９（１９７９）等に開示されている。
【００７８】
前記式（１１）で表される構造を有する化合物の製造方法は、Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．−Ｃｈｅｍ．，Ａ９，１２６５（１９７５）等に開示されている。
【００７９】
前記式（１２）で表される構造を有する化合物の製造方法はＰｏｌｙｍ．Ｂｕｌｌ．，１４，８５（１９８５）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８９，１３２３（１９８８）等に開示されている。
【００８０】
前記分解性化合物の前記光分解性記録層における含有量は、塗布する組成物の総質量に対し１０〜９５質量％が好ましく、２０〜７０質量％がより好ましい。前記含有量が１０質量％未満であると、得られる屈折率差が小さく十分なＳ／Ｎ比の信号を得ることが困難となることがあり、９０質量％を超えると、前記光分解性記録層が脆くなるか、液状となって層の形状を保てなくなるかのどちらかによって記録層として不適な状態となることがある。
【００８１】
＜感光性分解剤＞
本発明に用いられる分解性化合物を分解させるために、感光性分解剤を加える。該感光性分解剤は、感光性酸発生剤又は感光性塩基発生剤が好適である。前記分解性化合物として酸分解性化合物を使用するときには感光性分解剤としては感光性酸発生剤を使用し、分解性化合物として塩基分解性化合物を使用するときには感光性分解剤としては感光性塩基発生剤を使用することが好ましい。
【００８２】
前記感放射線性酸発生剤としては、例えばトリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第四アンモニウム塩類、スルホン酸エステル類等を用いることができる。
【００８３】
前記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類としては、例えば２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。
これらの中でも、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンが特に好ましい。
【００８４】
前記ジアリールヨードニウム塩類としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。これらの中でも、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテートが特に好ましい。
【００８５】
前記トリアリールスルホニウム塩類としては、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテートが特に好ましい。
【００８６】
前記第四アンモニウム塩類としては、例えばテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラブチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、Ｎーシンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。これらの中でも、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートが特に好ましい。
【００８７】
前記スルホン酸エステル類としては、例えばα−ヒドロキシメチルベンゾイン−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−メタンスルホン酸エステル、ピロガロール−トリ（ｐ−トルエンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリ（トリフルオロメタンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−メタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−メタンスルホン酸エステル、２，４，６，３，４，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルなどが挙げられる。
これらの中でも、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルが特に好ましい。
【００８８】
前記感放射線性塩基発生剤としては、特開平４−３３０４４４号公報、「高分子」ｐ２４２−２４８、４６巻、６号（１９９７年）、米国特許第５，６２７，０１０号明細書等に記載されているものが好適に用いられるが、機能として放射線の照射により塩基が発生すればこれらに限定されない。
【００８９】
前記感放射線性塩基発生剤としては、例えばトリフェニルメタノール、ベンジルカルバメート、ベンゾインカルバメート等の光活性なカルバメート；Ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミド、Ｏ−カルバモイルオキシム、アロマティックスルホンアミド、アルファーラクタム、Ｎ−（２−アリルエチニル）アミド等のアミド、その他のアミド；オキシムエステル、α−アミノアセトフェノン、コバルト錯体等を挙げることができる。
【００９０】
前記感放射線性塩基発生剤としては、例えば下記式（１９）〜（２９）で表される化合物が挙げられる。
【化２４】
2007225657.tif 000026
ただし、前記式（１９）中、Ｒ７６は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アリール基、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。ｋは０〜３の整数である。Ｒ７７は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はアリール基を表す。Ｒ７８及びＲ７９はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表し、Ｒ７８とＲ７９は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成してもよい。
【００９１】
【化２５】
2007225657.tif 000027
ただし、前記式（２０）中、Ｒ８０は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基又はアリール基を表す。Ｒ８１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はアリール基を表す。Ｒ８２及びＲ８３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表し、Ｒ８２とＲ８３は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成してもよい。
【００９２】
【化２６】
2007225657.tif 000028
ただし、前記式（２１）中、Ｒ８４は炭素数１〜６のアルキル基又はアリール基を表す。Ｒ８５及びＲ８６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表し、Ｒ８５とＲ８６は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成していてもよい。
【００９３】
【化２７】
2007225657.tif 000029
ただし、前記式（２２）中、Ｒ８７及びＲ８８はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基又はアリール基を表す。
【００９４】
【化２８】
2007225657.tif 000030
ただし、前記式（２３）中、Ｒ８９、Ｒ９０及びＲ９１は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基又はアリール基を表す。
【００９５】
【化２９】
2007225657.tif 000031
ただし、前記式（２４）中、Ｒ９２は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、又はアリール基を表す。Ｒ９３は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又はアリール基を表す。Ｒ９４、Ｒ９５及びＲ９６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表す。
【００９６】
【化３０】
2007225657.tif 000032
ただし、前記式（２５）中、Ｒ９７は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、又はアリール基を表す。Ｒ９８及びＲ９９はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、フェノキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はアリール基を表す。Ｒ１００及びＲ１０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表し、Ｒ１００とＲ１０１は互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成していてもよい。
【００９７】
【化３１】
2007225657.tif 000033
ただし、前記式（２６）中、Ｒ１０２及びＲ１０３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、又はアリール基を表す。Ｒ１０４〜Ｒ１０７はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、フェノキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はアリール基を表す。Ａ５はモノアルキルアミン、ピペラジン、芳香族ジアミン及び脂肪族ジアミンの１個又は２個の窒素原子に結合する２個の水素原子を除いて生ずる二価の原子団を表す。
【００９８】
【化３２】
2007225657.tif 000034
ただし、前記式（２７）中、Ｒ１０８及びＲ１０９はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、又はアリール基を表す。Ｒ１１０及びＲ１１１はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、フェノキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はアリール基を表す。Ｒ１１２〜Ｒ１１５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、又はベンジル基を表し、Ｒ１１２とＲ１１３及びＲ１１４とＲ１１５とは、互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成していてもよい。Ａ６は炭素数１〜６のアルキレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基、又は単結合を表す。
【００９９】
【化３３】
2007225657.tif 000035
ただし、前記式（２８）中、Ｒ１１６〜Ｒ１１８はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、又はアリール基を表す。
【０１００】
【化３４】
2007225657.tif 000036
ただし、前記（２９）中、Ｌは、アンモニア、ピリジン、イミダゾール、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、プロピレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選択される少なくとも１種の配位子である。ｍは２〜６の整数である。Ｒ１１９はアリール基を表す。Ｒ１２０は炭素数１〜１８のアルキル基を表す。
【０１０１】
前記式（１９）〜（２９）の全てにおいて、アルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状であることができる。
また、アリール基は、ビニル基、プロピレニル基などのアルケニル基；アセチレニル基などのアルキニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基をも包括しており、これらの水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、又はチオアルキル基に置換されたものも含むものとする。
【０１０２】
これらの感放射線性塩基発生剤のうち、２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、トリフェニルメタノール、ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミド、ｏ−カルバモイルオキシム、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサン１，６−ジアミン、４−（メチルチオベンゾイル）−１−メチル−１−モルホリノエタン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチルアミノプロパン、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカルボニル）ピロリジン、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフェニルメチルボレート）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等が好適に挙げられる。
【０１０３】
前記感光性分解剤の含有量は、前記分解性化合物とバインダーの合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上が好ましく、０．０５質量部以上がより好ましい。前記含有量が０．０１質量部未満であると、照射光に対する感度が低下してしまうことがある。なお、上限値は３０質量部が好ましく、２０質量部がより好ましい。３０質量部を超えると、生保存性や解像度が悪化することがある。
【０１０４】
前記感光性分解剤を更に増感するため、もしくは、前記感光性分解剤が吸収を持たない波長で以って露光を行いたい場合に、更に増感助剤を加えることが可能である。かかる増感助剤としては、例えば３−位及び／又は７−位に置換基を有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アントラセン類等を用いることができる。
【０１０５】
これらの増感助剤の添加量は、用いる増感助剤及びその増感機構にもよるが、前記感光性分解剤１００質量部に対し、１〜５００質量部が好ましく、５〜２００質量部がより好ましい。前記添加量が上記範囲を下回ると、十分な増感効果が得られないことがあり、上記範囲を上回ると、生保存性や解像度が悪化したり、光の吸収が過剰になることによりホログラム像が適正に再生できなくなる恐れがある。
【０１０６】
−バインダー−
前記バインダーとしては、酸、塩基又はラジカルに対して安定であり、光学的に透明性が高い材料が好ましい。該バインダーの屈折率は、用途、及び共に用いる重合性化合物の種類により好ましい値に任意に設定及び調節することができる。前記バインダーとしては、熱硬化性バインダーが好ましく、ポリマーであることがより好ましい。また、前記バインダーは、三次元架橋していてもしていなくてもよい。
【０１０７】
前記バインダーとしては、例えばアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、スチレン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシロキサン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、ビニルエステル系樹脂などが挙げられる。これらの中から、共に使用する重合性化合物の重合体の屈折率に依存して、用いられる好ましいバインダーを任意に選択することができる。特に重合性化合物の重合体との屈折率差を大きくする目的で、前記樹脂類の水素原子をフッ素原子に置換したバインダーが好適に用いられる場合がある。また非架橋型ポリマーのバインダーを使用する際は、組成物層の機械的強度を向上させる目的で、該ポリマー中に架橋のための反応性基を導入することが可能である。
【０１０８】
前記バインダーは、化合物そのものがバインダーとしての機能及び形態を有していてもよく、また、化合物単体ではバインダーとしての機能を有していないが、組成物を調製する際に行う操作によりバインダーとしての機能を発現する化合物系であってもよい。
【０１０９】
前記バインダーとしては、例えばポリビニリデンフルオライド、ポリジメチルシロキサン、ポリトリフルオロエチルメタクリレート、ポリオキシプロピレン、ポリビニルイソブチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリオキシエチレン、ポリビニルブチルエーテル、ポリビニルペンチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、セルロースアセテートブチレート、ポリ（４−フルオロ−２−トリフルオロメチルスチレン）、ポリビニルオクチルエーテル、ポリ（ビニル２−エチルヘキシルエーテル）、ポリビニルデシルエーテル、ポリ（２−メトキシエチルアクリレート）、ポリブチルアクリレート、ポリ（ｔ−ブチルメタクリレート）、ポリビニルドデシルエーテル、ポリ（３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメチレン、ポリビニルプロピオネート、ポリビニルアセテート、ポリビニルメチルエーテル、ポリエチルアクリレート、エチレン−ビニルアセテート共重合体、（８０〜２０％ビニルアセテート）セルロースプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネート、ベンジルセルロース、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、セルローストリアセテート、ポリビニルメチルエーテル（アイソタクティック）、ポリ（３−メトキシプロピルアクリレート）、ポリ（２−エトキシエチルアクリレート）、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリ（１−デセン）、ポリプロピレン、ポリ（ビニルｓｅｃ−ブチルエーテル）、ポリドデシルメタクリレート、ポリオキシエチレンオキシスクシノイル、（ポリエチレンスクシネート）ポリテトラデシルメタクリレート、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ−ゴム）、ポリヘキサデシルメタクリレート、ポリビニルフォルメート、ポリ（２−フルオロエチルメタクリレート）、ポリイソブチルメタクリレート、エチルセルロース、ポリビニルアセタール、セルロースアセテート、セルローストリプロピオネート、ポリオキシメチレン、ポリビニルブチラール、ポリ（ｎ−ヘキシルメタクリレート）、ポリ（ｎ−ブチルメタクリレート）、ポリエチリデンジメタクリレート、ポリ（２−エトキシエチルメタクリレート）、ポリオキシエチレンオキシマレオイル、（ポリエチレンマレート）ポリ（ｎ−プロピルメタクリレート）、ポリ（３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリエチルメタクリレート、ポリ（２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート）、ポリトリエチルカルビニルメタクリレート、ポリ（１，１−ジエチルプロピルメタクリレート）、ポリメチルメタクリレート、ポリ（２−デシル−１，３−ブタジエン）、ポリビニルアルコール、ポリエチルグリコレートメタクリレート、ポリ（３−メチルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリ（シクロヘキシルα−エトキシアクリレート）、メチルセルロース、ポリ（４−メチルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリデカメチレングリコールジメタクリレート、ポリウレタン、ポリ（１，２−ブタジエン）、ポリビニルフォルマール、ポリ（２−ブロモ−４−トリフルオロメチルスチレン）、セルロースニトレート、ポリ（ｓｅｃ−ブチルα−クロロアクリレート）、ポリ（２−ヘプチル−��，３−ブタジエン）、ポリ（エチルα−クロロアクリレート）、ポリ（２−イソプロピル−１，３ブタジエン、ポリ（２−メチルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリプロピレン、ポリイソブテン、ポリボルニルメタクリレート、ポリ（２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレート、ポリ（シクロヘキサンジオール−１，４−ジメタクリレート）、ブチルゴム、ポリテトラハイドロフルフリルメタクリレート）、グッタペルカ（β）、ポリエチレンアイオノマー、ポリオキシエチレン（高分子量）、ポリエチレン、ポリ（１−メチルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）、ポリビニルクロロアセテート、ポリブテン、ポリビニルメタクリレート、ポリ（Ｎ−ブチル−メタクリルアミド）、グッタペルカ（α）、テルペン樹脂、ポリ（１，３−ブタジエン）、セラック、ポリ（メチルα−クロロアクリレート）、ポリ（２−クロロエチルメタクリレート）、ポリ（２−ジエチルアミノエチルメタクリレート）、ポリ（２−クロロシクロヘキシルメタクリレート）、ポリ（１，３−ブタジエン）（３５％シス；５６％トランス；７％１，２−含有量）、天然ゴム、ポリアリルメタクリレート、ポリビニルクロライド＋４０％ジオクチルフタレート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリ（１，３−ブタジエン）、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリイソプレン、ポリエステル樹脂リジッド（約５０％スチレン）、ポリ（Ｎ−（２−メトキシエチル）メタクリルアミド）、ポリ（２，３−ジメチルブタジエン）（メチルゴム）、ビニルクロライド−ビニルアセテート共重合体、ポリアクリル酸、ポリ（１，３−ジクロロプロピルメタクリレート）、ポリ（２−クロロ−１−（クロロメチル）エチルメタクリレート）、ポリアクロレイン、ポリ（１−ビニル−２−ピロリドン）、塩酸化ゴム、ナイロン６；ナイロン６，６；ナイロン６，１０、ブタジエン−スチレン共重合体、ブロック共重合体ポリ（シクロヘキシルα−クロロアクリレート）、ポリ（２−クロロエチルα−クロロアクリレート）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ（２−アミノエチルメタクリレート）、ポリフルフリルメタクリレート、ポリブチルメルカプチルメタクリレート、ポリ（１−フェニル−Ｎ−アミルメタクリレート）、ポリ（Ｎ−メチル−メタクリルアミド）、セルロース、ポリビニルクロライド、ウレアフォルムアルデヒド樹脂、ポリ（ｓｅｃ−ブチルα−ブロモアクリレート）、ポリ（シクロヘキシルα−ブロモアクリレート）、ポリ（２−ブロモエチルメタクリレート）、ポリジヒドロアビエチン酸、ポリアビエチン酸、ポリエチルメルカプチルメタクリレート、ポリ（Ｎ−アリルメタクリルアミド）、ポリ（１−フェニルエチルメタクリレート）、ポリビニルフラン、ポリ（２−ビニルテトラヒドロフラン）、ポリ（ｐ−メトキシベンジルメタクリレート）、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリ（ｐ−イソプロピルスチレン）、ポリクロロプレン、ポリ（オキシエチレン−α−ベンゾエート−ω−メタクリレート）、ポリ（ｐ，ｐ’−キシリレニルジメタクリレート）、ポリ（１−フェニルアリルメタクリレート）、ポリ（ｐ−シクロヘキシルフェニルメタクリレート）、ポリ（２−フェニルエチルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレン−１−プロピル、ポリ（１−（ｏ−クロロフェニル）エチルメタクリレート）、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリ（１−フェニルシクロヘキシルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレン−１，３−ジメチル−ブチリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（メチルα−ブロモアクリレート）、ポリベンジルメタクリレート、ポリ（２−（フェニルスルフォニル）エチルメタクリレート）、ポリ（ｍ−クレジルメタクリレート）、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンイソブチリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（ｏ−メトキシフェニルメタクリレート）、ポリフェニルメタクリレート、ポリ（ｏ−クレジルメタクリレート）、ポリジアリルフタレート、ポリ（２，３−ジブロモプロピルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレン−１−メチル−ブチリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（オキシ−２，６−ジメチルフェニレン）、ポリオキシエチレンオキシテレフタロイル、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルベンゾエート、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンブチリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（１，２−ジフェニルエチルメタクリレート）、ポリ（ｏ−クロロベンジルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレン−ｓｅｃ−ブチリデン−１，４−フェニレン）、ポリオキシペンタエリスリトロキシフタロイル）、ポリ（ｍ−ニトロベンジルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンイソプロピリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（Ｎ−（２−フェニルエチル）メタクリルアミド）、ポリ（４−メトキシ−２−メチルスチレン）、ポリ（ｏ−メチルスチレン）、ポリスチレン、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンシクロヘキシリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（ｏ−メトキシスチレン）、ポリジフェニルメチルメタクリレート、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンエチリデン−１，４−フェニレン）、ポリ（ｐ−ブロモフェニルメタクリレート）、ポリ（Ｎ−ベンジルメタクリルアミド）、ポリ（ｐ−メトキシスチレン）、ポリビニリデンクロライド、ポリスルフィド（“Ｔｈｉｏｋｏｌ”）、ポリ（ｏ−クロロジフェニルメチルメタクリレート）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−（２，６−ジクロロ）フェニレン−イソプロピリデン−１，４−（２，６−ジクロロ）フェニレン）、ポリ（オキシカルボニロキシビス（１，４−（３，５−ジクロロフェニレン）））ポリペンタクロロフェニルメタクリレート、ポリ（ｏ−クロロスチレン）、ポリ（フェニルα−ブロモアクリレート）、ポリ（ｐ−ジビニルベンゼン）、ポリ（Ｎ−ビニルフタルイミド）、ポリ（２，６−ジクロロスチレン）、ポリ（β−ナフチルメタクリレート）、ポリ（α−ナフチルカルビニルメタクリレート）、ポリサルホン、ポリ（２−ビニルチオフェン）、ポリ（α−ナフチルメタクリレート）、ポ��（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレンジフェニル−メチレン−１，４−フェニレン）、ポリビニルフェニルスルフィド、ブチルフェノールフォルムアルデヒド樹脂、ウレア−チオウレア−フォルムアルデヒド樹脂、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、ナフタレン−フォルムアルデヒド樹脂、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリペンタブロモフェニルメタクリレート、などが挙げられる。
【０１１０】
前記バインダーの前記光分解性記録層における含有量は、５０〜９９．５質量％が好ましく、６０〜９９質量％がより好ましく、７０〜９８質量％が特に好ましい。
【０１１１】
前記光分解性記録層におけるその他の成分としては、例えば、安定化剤、触媒、紫外線吸収剤、界面活性剤、更に必要に応じて、帯電防止剤、保存安定剤、ハレーション防止剤、消泡剤、顔料、熱酸発生剤等が添加可能である。
【０１１２】
前記安定化剤は、信号記録のための光照射の後の屈折率変化材料に残存する分解性化合物を安定化し、酸又は塩基に対する安定性を付与する機能を有する。この安定化処理により、本発明の方法により形成された屈折率パターンは、屈折率を変化させるために使用した波長付近の光が通過する条件下で使用しても、屈折率の変化が引き起こされることがなく、劣化することがない。
【０１１３】
前記安定化剤としては、例えばアミノ化合物、エポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタン化合物、アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化グリコールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン化合物、アルコキシメチル化尿素化合物、イソシアネート化合物、シアネート化合物、オキサゾリン化合物、オキサジン化合物、シリル化合物（ハロゲン化シリル化合物、その他のシリル化合物）などが挙げられる。
【０１１４】
前記アミノ化合物としては、例えばアンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、アニリン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオンタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，３−シクロヘキサンビス（メチルアミン）、１，３−プロパン−２−オール、２，２，２”−トリアミノトリエチルアミン、１，４−ジアミノ−２，２，３，３−テトラフロロペンタン、１，５−ジアミノ−２，２，３，３，４，４−ヘキサフロロペンタン、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン、アクリログアナミン、パラミン、アミドール、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｐ，ｐ−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、１，８−ジアミノナフタレン、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、２−クロロ−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２、６−ジアミノピリジン、３，３−ジアミノベンジジン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、１，２，４，５−ベンゼンテトラミン、２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン、４，４−ジアミノベンゾフェノン、３，３，４，４−テトラアミノベンゾフェノン、トリアミノベンゼン、４，４−チオジアニリン、２，３，５，６−テトラブロモ−ｐ−キシリレンジアミン、２，３，５，６−テトラクロロ−ｐ−キシリレンジアミン、４，５−メチレンジオキシ−１，２−フェニレンジアミン、２，２−ビス（５−アミノピリジル）サルファイドなどが挙げられる。
【０１１５】
前記エポキシ化合物としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジルエーテルなどが挙げられる。
【０１１６】
これらの市販品として、以下のものを例示することができる。前記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピコート１００１、同１００２、同１００３、同１００４、同１００７、同１００９、同１０１０、同８２８（いずれも、油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。前記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７（油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。前記フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート１５２、同１５４（いずれも、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＰＰＮ２０１、同２０２（いずれも、日本化薬（株）製）等が挙げられる。前記クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＥＯＣＮ−１０２、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（いずれも、日本化薬（株）製）、エピコート１８０Ｓ７５（油化シェルエポキシ（株）製）等が挙げられる。前記環式脂肪族エポキシ樹脂としては、ＣＹ１７５、ＣＹ１７７、ＣＹ１７９（いずれも、ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ  Ａ．Ｇ製）、ＥＲＬ−４２３４、ＥＲＬ−４２９９、ＥＲＬ−４２２１、ＥＲＬ−４２０６（いずれも、Ｕ．Ｃ．Ｃ社製）、ショーダイン５０９（昭和電工（株）製）、アラルダイトＣＹ−１８２、同ＣＹ−１９２、同ＣＹ−１８４（いずれも、ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ  Ａ．Ｇ製）、エピクロン２００、同４００（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エピコート８７１、同８７２（いずれも、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＤ−５６６１、ＥＤ−５６６２（いずれも、セラニーズコーティング（株）製）等が挙げられる。前記脂肪族ポリグリシジルエーテルとしては、エポライト１００ＭＦ（共栄社化学（株）製）、エピオールＴＭＰ（日本油脂（株）製）等が挙げられる。
【０１１７】
前記エポキシ化合物としては、上記以外にもフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、３，３，３−トリフロロメチルプロピレンオキシド、スチレンオキシド、ヘキサフロロプロピレンオキシド、シクロヘキセンオキシド、Ｎ−グリシジルフタルイミド、（ノナフロロ−Ｎ−ブチル）エポキシド、パーフロロエチルグリシジルエーテル、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、３−［２−（パーフロロヘキシル）エトキシ］−１，２−エポキシプロパン等がエポキシ化合物として好適に使用できる。
【０１１８】
前記チイラン化合物としては、前記エポキシ化合物のエポキシ基を、例えばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２８，２２９（１９６３）に示されるようにしてエチレンスルフィド基に置換したものを使用することができる。
【０１１９】
前記オキセタン化合物としては、例えばビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン（商品名「ＸＤＯ」、東亞合成（株）製）、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕メタン、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕エーテル、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕プロパン、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕スルホン、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕ケトン、ビス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−フェニル〕ヘキサフロロプロパン、トリ〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、テトラ〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼンなどが挙げられる。
【０１２０】
前記アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン化合物、アルコキシメチル化グリコールウリル化合物、及びアルコキシメチル化尿素化合物は、それぞれメチロール化メラミン化合物、メチロール化ベンゾグアナミン化合物、メチロール化グリコールウリル化合物及びメチロール化尿素化合物のメチロール基をアルコキシメチル基に変換することにより得られる。このアルコキシメチル基の種類については特に限定されるものではなく、例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基等とすることができる。
【０１２１】
これらの市販品としては、例えばサイメル３００、同３０１、同３０３、同３７０、同３２５、同３２７、同７０１、同２６６、同２６７、同２３８、同１１４１、同２７２、同２０２、同１１５６、同１１５８、同１１２３、同１１７０、同１１７４、同ＵＦＲ６５、同３００（いずれも、三井サイアナミッド（株）製）、ニカラックＭｘ−７５０、同Ｍｘ−０３２、同Ｍｘ−７０６、同Ｍｘ−７０８、同Ｍｘ−４０、同Ｍｘ−３１、同Ｍｓ−１１、同Ｍｗ−３０（いずれも、三和ケミカル（株）製）等を挙げることができる。
【０１２２】
前記イソシアネート化合物としては、例えばフェニレン−１，３−ジイソシアネート、フェニレン−１，４−ジイソシアネート、１−メトキシフェニレン−２，４−ジイソシアネート、１−メチルフェニレン−２，４−ジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ビフェニレン−４，４−ジイソシアネート、３，３−ジメトキシビフェニレン−４，４−ジイソシアネート、３，３−ジメチルビフェニレン−４，４−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４−ジイソシアネート、３，３−ジメトキシジフェニルメタン−４，４−ジイソシアネート、３，３−ジメチルジフェニルメタン−４，４−ジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、シクロブチレン−１，３−ジイソシアネート、シクロペンチレン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，４−ジイソシアネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，４−ジイソシアネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，６−ジイソシアネート、１−イソシアネート−３，３，５−トリメチル−５−イソシアネートメチルシクロヘキサン、シクロヘキサン−１，３−ビス（メチルイソシアネート）、シクロヘキサン−１，４−ビス（メチルイソシアネート）、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４−ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、テトラメチレン−１，４−ジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、ドデカメチレン−１，１２−ジイソシアネート、リジンジイソシアネートメチルエステル、又はこれらの有機ジイソシアネートの化学量論的過剰量と２官能性活性水素含有化合物との反応により得られる両末端イソシアネートプレポリマー等を挙げることができる。
【０１２３】
また、場合により前記ジイソシアネートとともに、例えばフェニル−１，３，５−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４，４−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，５，４−トリイソシアネート、トリフェニルメタン−２，４，４”−トリイソシアネート、トリフェニルメタン−４，４，４”−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４，２，４−テトライソシアネート、ジフェニルメタン−２，５，２，５−テトライソシアネート、シクロヘキサン−１，３，５−トリイソシアネート、シクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、３，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、１，３，５−トリメチルシクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、ジシクロヘキシルメタン−２，４，２−トリイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４，４−トリイソシアネート等の３官能以上の有機ポリイソシアネートや、これらの３官能以上の有機ポリイソシアネートの化学量論的過剰量と２官能以上の多官能性活性水素含有化合物との反応により得られる末端イソシアネートプレポリマー等を併用してもよい。
【０１２４】
前記シアネート化合物としては、例えば１，３−ジシアナートベンゼン、１，４−ジシアナートベンゼン、１，３，５−トリシアナートベンゼン、１，３−、１，４−、１，６−、１．８−、２．６−、又は２，７−ジシアナートナフタレン、１，３，６−トリシアナートナフタレン、２，２−又は４，４−ジシアナートビフェニル、ビス（４−シアナートフェニル）メタン、２，２−ビス（４−シアナートフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−シアナートフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアナートフェニル）エタン、ビス（４−シアナートフェニル）エーテル、ビス（４−シアナートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアナートフェニル）スルホン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−シアナートフェニル）プロパン、トリス（４−シアナートフェニル）ホスファイト、トリス（４−シアナートフェニル）ホスフェート、フェノール樹脂とハロゲン化シアンの反応より得られるベンゼン多核体のポリイソシアネート化合物（例えば、特公昭４５−１１７１２号公報、特公昭５５−９４３３号公報）などを挙げることができる。これらの中でも、入手が容易でありかつ、成形性及び最終硬化物に良好な性質を与えるという点から、２，２−ビス（４−シアナートフェニル）プロパンのようなビスフェノールから誘導された２価のシアン酸エステル化合物は、特に良好に使用される。また、フェノールとホルムアルデヒドとの初期縮合物にハロゲン化シアンを反応させて得られるポリシアナートも有用である。
【０１２５】
前記オキサゾリン化合物としては、例えば、２，２−ビス（２−オキサゾリン）、４−フラン−２−イルメチレン−２−フェニル−４Ｈ−オキサゾール−５−オン、１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサゾリル）ベンゼン、１，３−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，３−ビス（４−イソプロペニル−２−オキサゾリン−２−イル）ブタン、２，２−ビス−４−ベンジル−２−オキサゾリン、２，６−ビス（イソプロピル−２−オキサゾリン−２−イル）ピリジン、２，２−イソプロピリデンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−オキサゾリン）、２，２−イソプロピリデンビス（４−フェニル−２−オキサゾリン）、２，２−メチレンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−オキサゾリン）、２，２−メチレンビス（４−フェニル−２−オキサゾリン）、などが挙げられる。
【０１２６】
前記オキサジン化合物としては、例えば２，２−ビス（２−オキサジン）、４−フラン−２−イルメチレン−２−フェニル−４Ｈ−オキサジル−５−オン、１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサジル）ベンゼン、１，３−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサジル）ベンゼン、２，３−ビス（４−イソプロペニル−２−オキサジン−２−イル）ブタン、２，２−ビス−４−ベンジル−２−オキサジン、２，６−ビス（イソプロピル−２−オキサジン−２−イル）ピリジン、２，２−イソプロピリデンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−オキサジン）、２，２−イソプロピリデンビス（４−フェニル−２−オキサジン）、２，２−メチレンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−オキサジン）、２，２−メチレンビス（４−フェニル−２−オキサジン）などが挙げられる。
【０１２７】
前記ハロゲン化シリル化合物としては、例えばテトラクロロシラン、テトラブロモシラン、テトラヨードシラン、トリクロロブロモシラン、ジクロロジブロモシラン等のテトラハロゲノシラン類；メチルトリクロロシラン、メチルジクロロブロモシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン等のモノアルキルトリハロゲノシラン類；フェニルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシラン、４−クロロフェニルトリクロロシラン、フェニルジクロロブロモシラン等のモノアリールトリハロゲノシラン類；フェノキシトリクロロシラン、フェノキシジクロロブロモシラン等のモノアリールオキシトリハロゲノシラン類；メトキシトリクロロシラン、エトキシトリクロロシラン等のモノアルコキシトリハロゲノシラン類；ジメチルジクロロシラン、メチル（エチル）ジクロロシラン、メチル（シクロヘキシル）ジクロロシラン等のジアルキルジハロゲノシラン類；メチル（フェニル）ジクロロシラン等のモノアルキルモノアリールジハロゲノシラン類；ジフェニルジクロロシラン等のジアリールジハロゲノシラン類；ジフェノキシジクロロシラン等のジアリールオキシジハロゲノシラン類；メチル（フェノキシ）ジクロロシラン等のモノアルキルモノアリールオキシジハロゲノシラン類；フェニル（フェノキシ）ジクロロシラン等のモノアリールモノアリールオキシジハロゲノシラン類；ジエトキシジクロロシラン等のジアルコキシジハロゲノシラン類；メチル（エトキシ）ジクロロシラン等のモノアルキルモノアルコキシジクロロシラン類；フェニル（エトキシ）ジクロロシラン等のモノアリールモノエトキシジクロロシラン類；トリメチルクロロシラン、ジメチル（エチル）クロロシラン、ジメチル（シクロヘキシル）クロロシラン等のトリアルキルモノハロゲノシラン類；ジメチル（フェニル）クロロシラン等のジアルキルモノアリールモノハロゲノシラン類；メチル（ジフェニル）クロロシラン等のモノアルキルジアリールモノハロゲノシラン類；トリフェノキシクロロシラン等のトリアリールオキシモノハロゲノシラン類；メチル（ジフェノキシ）クロロシラン等のモノアルキルジアリールオキシモノハロゲノシラン類；フェニル（ジフェノキシ）クロロシラン等のモノアリールジアリールオキシモノハロゲノシラン類；ジメチル（フェノキシ）クロロシラン等のジアルキルモノアリールオキシモノハロゲノシラン類；ジフェニル（フェノキシ）クロロシラン等のジアリールモノアリールオキシモノハロゲノシラン類；メチル（フェニル）（フェノキシ）クロロシラン等のモノアルキルモノアリールモノアリールオキシモノハロゲノシラン類；トリエトキシクロロシラン等のトリエトキシモノハロゲノシラン類；テトラクロロシランの２〜５量体等の前記化合物のオリゴマー等が挙げられる。
【０１２８】
前記その他のシリル化合物としては、例えばヘキサメチルジシラザン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、トリメチルシラノール、ヘキサメチルジシロキサン、クロルメチルジメチルエトキシシラン、アセチルトリフェニルシラン、エトキシトリフェニルシラン、トリフェニルシラノール、トリエチルシラノール、トリプロピルシラノール、トリブチルシラノール、ヘキサエチルジシロキサン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシラン、アセトキシエチルジメチルクロロシラン、１，３−ビス（ヒドロキシブチル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（ヒドロキシプロピル）テトラメチルジシロキサン、γ−アミノプロピルメトキシシラン、γ−アミノプロピルエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ジブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・塩酸塩、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ−トリメチルシリルイミダゾール、ビス（トリメチルシリル）ウレア、トリメチルシリルアセトアミド、ビストリメチルシリルアセトアミド、トリメチルシリルイソシアネート、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリイソプロピルクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ジメチルシリルジイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルシリルトリイソシアネートなどが挙げられる。
【０１２９】
前記安定化剤としては、前記のうち、アミノ化合物、エポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタン化合物、オキサゾリン化合物、オキサジン化合物、シリル化合物、イソシアネート化合物、シアネート化合物が好ましく、これらの中でも、アミノ化合物、エポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタン化合物、オキサゾリン化合物、オキサジン化合物が特に好ましい。具体的には、エチレンジアミン、フェニルグリシジルエーテル、３−フェノキシプロピレンスルフィド、３，３，３，−トリフロロプロピレンオキシド、ヘキサメチルジシラザン、γ−アミノプロピルメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルシリルトリイソシアネートが特に好ましい。
【０１３０】
これらの安定化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。また前記安定化剤の使用割合は、分解性化合物の残存部が十分に反応するように過剰に用いることができるが、前記分解性化合物１００質量部に対して１０質量部以上が好ましく、３０質量部以上がより好ましい。前記安定化剤の量が１０質量部未満であると、反応が不十分となり、屈折率変化材料の安定性が不足することがある。また安定化剤とともに触媒を使用することができる。触媒の使用により、安定化剤と分解性化合物の残存部との反応が促進される。このような触媒としては、例えば酸触媒、塩基触媒、第四オニウム塩類などが挙げられる。
【０１３１】
前記酸触媒としては、例えば酢酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸が挙げられる。前記塩基触媒としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム等のアルカリ金属炭酸塩類；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム又は炭酸水素リチウム等のアルカリ金属重炭酸塩類；酢酸ナトリウム等のアルカリ金属酢酸塩類；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化物類；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物類；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、リチウムメトキシド等のアルカリ金属アルコキシド類；メチルメルカプタンナトリウム、エチルメルカプタンナトリウム等のメルカプタンアルカリ金属類；トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、ピリジン、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデク−７−エン（ＤＢＵ）等の有機アミン類；メチルリチウム、エチルリチウム、ブチルリチウム等のアルキルリチウム類；リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等のリチウムアルキルアミド類などが挙げられる。
更に第四オニウム塩類としては、例えばテトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムヨード、テトラブチルアンモニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムブロミド、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライドなどが挙げられる。
また、１８−クラウン−６−エーテルと、塩化カリウム、臭化カリウム、沃化カリウム、塩化セシウム、カリウムフェノキシド、ナトリウムフェノキシド、安息香酸カリウムなどの塩類とを組み合わせて触媒として用いることもできる。
【０１３２】
これらの中でも、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、カリウムｔ−ブトキシド、トリエチルアミン、ＤＢＵ、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、１８−クラウン−６−エーテル／カリウムフェノキシドが特に好ましい。これらの触媒の使用量は、安定化剤としてアミノ化合物、アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化グリコールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン化合物、アルコキシメチル化尿素化合物、ハロゲン化シリル化合物を用いるときは、安定化剤１当量に対して、２モル以下の使用量が好ましく用いられる。
【０１３３】
また、前記安定化剤としてエポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタン化合物、イソシアネート化合物、シアネート化合物、オキサゾリン化合物、オキサジン化合物、その他のシリル化合物を用いるときは、安定化剤１当量に対して、０．２モル以下の使用量が好ましく用いられる。
ここで、安定化剤の使用当量数は、安定化剤の使用量（モル）に当該安定化剤に含まれる反応性基の数を乗じて得られる値であり、反応性基の数とは、安定化剤の種類により下記のように定義される。
アミノ化合物の場合には窒素原子の数である。エポキシ化合物の場合にはエポキシ基の数である。チイラン化合物の場合にはエチレンスルフィド基の数である。オキセタン化合物の場合にはオキセタニル基の数である。アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化グリコールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン化合物及びアルコキシメチル化尿素化合物の場合にはアルコキシメチル基の数である。イソシアネート化合物の場合にはイソシアネート基の数である。シアネート化合物の場合にはシアネート基の数である。オキサゾリン化合物の場合にはオキサゾリル基の数である。オキサジン化合物の場合にはオキサジル基の数である。ハロゲン化シリル化合物の場合にはケイ素原子に結合しているハロゲン原子の数である。その他のシリル化合物の場合にはケイ素原子の数である。
【０１３４】
前記紫外線吸収剤としては、例えばベンゾトリアゾ−ル類、サリシレ−ト類、ベンゾフェノン類、置換アクリロニトリル類、キサンテン類、クマリン類、フラボン類、カルコン類化合物などが挙げられる。具体的にはチバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製のチヌビン２３４（２−（２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾ−ル）、チヌビン５７１（ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾ−ル誘導体）、チヌビン１１３０（メチル−３−（３−ｔ−ブチル−５−（２Ｈ−ベンゾトリアゾ−ル−２−イル）−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト−ポリエチレングリコ−ル（分子量３００）との縮合物）、１，７−ビス（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニ）−１，６−ヘプタジエン−３，５−ジオン、ジベンジリデンアセトンなどが挙げられる。
【０１３５】
前記紫外線吸収剤を添加することにより、前記光分解性記録層における耐光性を向上することができる。これらの紫外線吸収剤の使用割合は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、３０質量部以下が好ましく、２０質量部以下がより好ましい。
【０１３６】
前記増感剤としては、例えば３−位及び／又は７−位に置換基を有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アントラセン類などが挙げられる。前記増感剤の添加量は、前記分解性化合物と感光性分解剤の合計１００質量部に対して、３０質量部以下が好ましく、２０質量部以下がより好ましい。
【０１３７】
また、前記界面活性剤は、塗布性の改善、例えばストリエーションを防止することができる。前記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤；エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（いずれも、新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（いずれも、大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（いずれも、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６（いずれも、旭硝子（株）製）等の商品名で市販されている弗素系界面活性剤；オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系又はメタクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．５７、９５（共栄社化学（株）製）等の商品名で市販されているその他の界面活性剤を用いることができる。
【０１３８】
これらの界面活性剤の添加量は、前記分解性化合物と感光性分解剤の合計量１００質量部に対して、２質量部以下が好ましく、１質量部以下がより好ましい。
【０１３９】
また、前記接着助剤は、基板との密着性を改良するために添加することができ、シランカップリング剤等が好ましく用いられる。前記耐熱性改良剤としては、多価アクリレート等の不飽和化合物などを添加することができる。更に必要に応じて、帯電防止剤、保存安定剤、ハレーション防止剤、消泡剤、顔料、熱酸発生剤等を添加することもできる。
【０１４０】
前記各成分は、適当な溶媒に溶解乃至は分散し、塗布液に調製し、この塗布液を所望の塗布方法により後述する選択反射層上に塗布することにより、光分解性記録層を形成することができる。
【０１４１】
前記光分解性記録層の厚みは、５〜１００μｍが好ましく、１０〜７０μｍがより好ましく、２０〜４０μｍが更に好ましい。前記厚みが１００μｍを超えると、記録に必要な最小露光量が上昇して記録に不利となることがあり、１００μｍを超えると、目的とする情報光及び参照光の強度とＳ／Ｎ比との両立の効果がなくなってしまうことがある。
【０１４２】
＜光重合性記録層＞
前記光重合性記録層は、少なくとも重合性化合物及び光重合開始剤、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【０１４３】
−重合性化合物−
前記重合性化合物は、カチオン重合性化合物、ラジカル重合性化合物が利用可能であり、いずれか１種のみを使用してもよいし、併用してもよい。
【０１４４】
前記カチオン重合性化合物としては、多価アルコール、多価アルコールのアルキレンオキサイド付加体、又はこれらのジ又はポリグリシジルエーテルなどが挙げられる。具体的には、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、１，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）シクロヘキサン、ソルビトールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、オルソフタル酸ジグリシジルエステル、ジブロモフェニルグリシジルエーテル、ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，６−ジメチロールパーフルオロヘキサンジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
【０１４５】
芳香族エポキシドとしては、少なくとも１個の芳香族核を有する多価フェノール、あるいはそのアルキレンオキサイド付加体とエピクロルヒドリンとの反応によって製造されるジ又はポリグリシジルエーテル、例えば、ビスフェノールＡあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、水素添加ビスフェノールＡあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。ここで、前記アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドなどが挙げられる。
【０１４６】
グリシジルエーテル化合物のグリシジルエーテル基を、２−オキセタニル−ｎ−プロピルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、２−オキセタニル−３−フェニルエチルエーテル、２−オキセタニル−２−ベンジル−エチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、３−オキセタニル−３−フェニル−ｎ−プロピルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ヘプチルエーテル、４−オキセタニル−４−フェニル−ｎ−ブチルエーテル、５−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテルで置換したものが、オキセタン化合物として使用可能である。これらの化合物のうち、入手の容易性などの点から、２−オキセタニル−ｎ−プロピルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテルを用いた化合物が特に好ましい。
【０１４７】
更に、脂環式エポキシドとしては、少なくとも１個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロアルカン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当な酸化剤でエポキシ化することによって得られるシクロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含有化合物などが挙げられる。具体的には、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルオキシラン、１，２，５，６−ジエポキシ−４，７−メタノペルヒドロインデン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−３’，４’−エポキシ−１，３−ジオキサン−５−スピロシクロヘキサン、１，２−エチレンジオキシ−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメタン）、４’，５’−エポキシ−２’−メチルシクロヘキシルメチル−４，５−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、エチレングリコール−ビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ジ−２，３−エポキシシクロペンチルエーテル、又は以下に示す化合物、などが挙げられる。
【化３５】
2007225657.tif 000037
【０１４８】
ビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル等のジ又はトリビニルエーテル化合物；エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−Ｏ−プロピレンカーボネート、ドデシルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテルビニル−２−クロロエチルエーテル等のモノビニルエーテル化合物；ビニルグリシジルエーテルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４９】
前記ラジカル重合性化合物として、例えば、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）又端そのエステル類、アミド類が挙げられる。また、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類が用いられる。また、ヒドロキシル基やアミカルボンカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能イソシアネート類或いはエポキシ類との付加反応物、単官能若しくは、多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基、エポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更にハロゲン基等の置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、前記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。
【０１５０】
多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーとしては、アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー、イソシアヌール酸ＥＯ変性トリアクリレート、ベンジルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、ナフチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリブロモフェニルアクリレート、などが挙げられる。
【０１５１】
メタクリル酸エステルとしては、例えば、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔ｐ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔ｐ−（メタクリルオキシエトキシ）フェニル〕ジメチルメタンなどが挙げられる。
【０１５２】
イタコン酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、１，３−ブタンジオールジイタコネート、１，４−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。
前記クロトン酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。
イソクロトン酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。
マレイン酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。
【０１５３】
その他のエステルとしては、特許２８４９０２１号公報に記載の９，９−ジアリールフルオレン骨格を有するエステル類；特開平８−１０１４９９号公報及び特許３５３２６７９号公報に記載のシロキサン結合含有（メタ）アクリレート類；特開２００１−１２５４７４号公報に記載のビフェニルを含んだ（メタ）アクリレート類；特開平７−１９９７７７号公報、特開平７−１９９７７９号公報、特開平７−１０４６４３号公報に記載のオリゴマー構造の（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１５４】
前記重合性化合物の前記光重合性記録層における含有量は、０．５〜５０質量％が好ましく、１〜４０質量％がより好ましく、２〜３０質量％が特に好ましい。前記含有量が０．５質量％未満であると、記録の際に十分な屈折率差を得ることが困難であったり、記録の際に重合性化合物を使い切ることによって多重記録が困難となることがあり、一方、５０質量％を超えると、重合に伴う層の体積収縮が顕著となって像自体が破壊されることがあったり、層の流動性が大きくなりすぎて層としての形状を保てないおそれがある。
【０１５５】
−光重合開始剤−
前記光重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の各種の系が利用可能ある。開始剤系は、単一の化合物でなる系でもよいし、複数の化合物からなる系であってもよい。開始剤系は、ラジカル重合を活性化する系と、光カチオン重合又は開環重合を活性化する系とを、単一の開始剤系で行ってもよいし、異なる２つの開始剤系で各々行ってもよい。
【０１５６】
前記光カチオン重合又は開環重合開始剤としては、光酸発生剤が好ましく、該光酸発生剤としては、例えば、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第四アンモニウム塩類、スルホン酸エステル類、などが挙げられる。
【０１５７】
前記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類としては、例えば２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。
【０１５８】
前記ジアリールヨードニウム塩類としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【０１５９】
前記トリアリールスルホニウム塩類としては、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【０１６０】
前記第四アンモニウム塩類としては、例えばテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラブチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、Ｎーシンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【０１６１】
前記スルホン酸エステル類としては、例えばα−ヒドロキシメチルベンゾイン−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−メタンスルホン酸エステル、ピロガロール−トリ（ｐ−トルエンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリ（トリフルオロメタンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−メタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−メタンスルホン酸エステル、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルなどが挙げられる。
【０１６２】
これらの化合物のうち、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類としては、例えば２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン又は２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンが特に好ましい。ジアリールヨードニウム塩類としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテートが特に好ましい。トリアリールスルホニウム塩類としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテートが特に好ましい。第四アンモニウム塩類としては、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートが特に好ましい。スルホン酸エステル類としては、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルが特に好ましい。
【０１６３】
前記光ラジカル重合開始系としては、例えば有機ハロゲン化化合物、カルボニル化合物、有機過酸化化合物、アゾ系重合開始剤、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オキシムエステル化合物、オニウム塩化合物などが挙げられる。
【０１６４】
前記有機ハロゲン化化合物としては、具体的には、若林等、「Ｂｕｌｌ  Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ  Ｊａｐａｎ」４２、２９２４（１９６９）、米国特許第３，９０５，８１５号明細書、特公昭４６−４６０５号公報、特開昭４８−３６２８１号公報、特開昭５５−３２０７０号公報、特開昭６０−２３９７３６号公報、特開昭６１−１６９８３５号公報、特開昭６１−１６９８３７号公報、特開昭６２−５８２４１号公報、特開昭６２−２１２４０１号公報、特開昭６３−７０２４３号公報、特開昭６３−２９８３３９号公報、Ｍ．Ｐ．Ｈｕｔｔ“Ｊｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ”１（Ｎｏ３），（１９７０）」などに記載の化合物が挙げられる。これらの中でも、トリハロメチル基が置換したオキサゾール化合物、Ｓ−トリアジン化合物が特に好ましい。
【０１６５】
これらの中でも、少なくとも１つのモノ、ジ、又はトリハロゲン置換メチル基がｓ−トリアジン環に結合したｓ−トリアジン誘導体、具体的には、例えば、２，４，６−トリス（モノクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２―ｎ−プロピル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（α，α，β−トリクロロエチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４−エポキシフェニル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔１−（ｐ−メトキシフェニル）−２，４−ブタジエニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−スチリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ｉ−プロピルオキシスチリル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−トリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ナトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニルチオ−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ベンジルチオ−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メトキシ−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。
【０１６６】
前記カルボニル化合物としては、例えばベンゾフェノン、ミヒラーケトン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、α−ヒドトキシ−２−メチルフェニルプロパノン、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル−（ｐ−イソプロピルフェニル）ケトン、１−ヒドロキシ−１−（ｐ−ドデシルフェニル）ケトン、２−メチルー（４’−（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノ−１−プロパノン、１，１，１−トリクロロメチル−（ｐ−ブチルフェニル）ケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジエチルアミノ安息香酸エチル等の安息香酸エステル誘導体、などが挙げられる。
【０１６７】
前記アゾ化合物としては、例えば、特開平８−１０８６２１号公報に記載のアゾ化合物等を使用することができる。
【０１６８】
前記有機過酸化化合物としては、例えば、トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−オキサノイルパーオキサイド、過酸化こはく酸、過酸化ベンゾイル、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパーオキシカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクタノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ターシルカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｐ−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、カルボニルジ（ｔ−ブチルパーオキシ二水素二フタレート）、カルボニルジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ二水素二フタレート）などが挙げられる。
【０１６９】
前記メタロセン化合物としては、特開昭５９−１５２３９６号公報、特開昭６１−１５１１９７号公報、特開昭６３−４１４８４号公報、特開平２−２４９号公報、特開平２−４７０５号公報、特開平５−８３５８８号公報に記載の種々のチタノセン化合物、例えば、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジ−フルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、特開平１−３０４４５３号公報、特開平１−１５２１０９号公報記載の鉄−アレーン錯体などが挙げられる。
【０１７０】
前記ヘキサアリールビイミダゾール化合物としては、例えば、特公平６−２９２８５号公報、米国特許第３，４７９，１８５号明細書、米国特許第４，３１１，７８３号明細書、米国特許第４，６２２，２８６号明細書等に記載の種々の化合物、具体的には、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブロモフェニル））４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｍ−メトキシフェニル）ビイジダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｏ’−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ニトロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−トリフルオロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾールなどが挙げられる。
【０１７１】
前記有機ホウ酸塩化合物としては、例えば、特開昭６２−１４３０４４号公報、特開昭６２−１５０２４２号公報、特開平９−１８８６８５号公報、特開平９−１８８６８６号公報、特開平９−１８８７１０号公報、特開２０００−１３１８３７号公報、特開２００２−１０７９１６号公報、特許第２７６４７６９号公報、及び、Ｋｕｎｚ，Ｍａｒｔｉｎ“Ｒａｄ  Ｔｅｃｈ  ’９８．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  Ａｐｒｉｌ  １９〜２２，１９９８，Ｃｈｉｃａｇｏ”等に記載される有機ホウ酸塩；特開平６−１５７６２３号公報、特開平６−１７５５６４号公報、特開平６−１７５５６１号公報に記載の有機ホウ素スルホニウム錯体或いは有機ホウ素オキソスルホニウム錯体；特開平６−１７５５５４号公報、特開平６−１７５５５３号公報に記載の有機ホウ素ヨードニウム錯体；特開平９−１８８７１０号公報に記載の有機ホウ素ホスホニウム錯体；特開平６−３４８０１１号公報、特開平７−１２８７８５号公報、特開平７−１４０５８９号公報、特開平７−３０６５２７号公報、特開平７−２９２０１４号公報等の有機ホウ素遷移金属配位錯体などが挙げられる。
【０１７２】
前記ジスルホン化合物としては、特開昭６１−１６６５４４号公報、特開２００２−３２８４６５号公報等に記載される化合物が挙げられる。
【０１７３】
前記オキシムエステル化合物としては、Ｊ．Ｃ．Ｓ．  Ｐｅｒｋｉｎ  ＩＩ  （１９７９）１６５３〜１６６０頁、Ｊ．Ｃ．Ｓ．  Ｐｅｒｋｉｎ  ＩＩ  （１９７９）１５６〜１６２頁、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５）２０２〜２３２頁、特開２０００−６６３８５号公報に記載の化合物、特開２０００−８００６８号公報に記載の化合物、具体的には以下に示す化合物が挙げられる。
【化３６】
2007225657.tif 000038
【０１７４】
前記オニウム塩化合物としては、カチオン重合開始剤として上述した化合物、更には、Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒ，Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，１８，３８７（１９７４）、Ｔ．Ｓ．Ｂａｌ  ｅｔ  ａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ，２１，４２３（１９８０）に記載のジアゾニウム塩；米国特許第４，０６９，０５５号明細書、特開平４−３６５０４９号公報に記載のアンモニウム塩；米国特許第４，０６９，０５５号明細書、米国特許第４，０６９，０５６号明細書に記載のホスホニウム塩；欧州特許第１０４、１４３号明細書、米国特許第３３９，０４９号明細書、米国特許第４１０，２０１号明細書、特開平２−１５０８４８号公報、特開平２−２９６５１４号公報に記載のヨードニウム塩；欧州特許第３７０，６９３号明細書、欧州特許第３９０，２１４号明細書、欧州特許第２３３，５６７号明細書、欧州特許第２９７，４４３号明細書、欧州特許第２９７，４４２号明細書、米国特許第４，９３３，３７７号明細書、米国特許第１６１，８１１号明細書、米国特許第４１０，２０１号明細書、米国特許第３３９，０４９号明細書、米国特許第４，７６０，０１３号明細書、米国特許第４，７３４，４４４号明細書、米国特許第２，８３３，８２７号明細書、独国特許第２，９０４，６２６号明細書、独国特許第３，６０４，５８０号明細書、独国特許第３，６０４，５８１号明細書に記載のスルホニウム塩；Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ  ｅｔ  ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ  ｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，１０４７（１９７９）に記載のセレノニウム塩；Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ  ｅｔ  ａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ  ＡＳＩＡ，ｐ４７８  Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）に記載のアルソニウム塩などが挙げられる。
【０１７５】
これらの中でも、反応性、安定性の面から前記オキシムエステル化合物或いはジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が特に好ましい。これらのオニウム塩はカチオン重合開始剤としての機能も有するが、同時にイオン性のラジカル重合開始剤としても機能する。この性質を利用して、単一の化合物でカチオン重合及びラジカル重合の両方を活性化することも可能である。
【０１７６】
前記重合開始剤を更に増感するために、更に増感助剤を加えることが可能である。かかる増感助剤としては、例えば３−位及び／又は７−位に置換基を有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アントラセン類等を用いることができる。
【０１７７】
前記光重合開始剤の前記光重合性記録層における含有量は、０．１〜１０質量％が好ましく、１〜７質量％がより好ましく、１．５〜５質量％が特に好ましい。この範囲において、感度、多重度ともに優れた光重合性記録層を得ることができる。下限を下回ると十分な感度を得ることができず、上限を上回ると、参照光及び情報光を不必要に吸収してしまい、特に、信号の読み出しの際に十分な信号強度を得ることができないおそれがある。
【０１７８】
＜その他の成分＞
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光熱変換剤などが挙げられる。
【０１７９】
前記光重合性記録層は、前記重合性化合物、前記光開始剤、バインダー、更に必要に応じてその他の成分を攪拌混合し、反応させることによって得られる。得られたフォトポリマーが十分低い粘度ならばキャスティングすることによって光重合性記録層を形成することができる。一方、キャスティングできない高粘度フォトポリマーである場合には、ディスペンサーを用いて第二の基板にフォトポリマーを盛りつけ、このフォトポリマー上に第一の基板で蓋をするように押し付けて、全面に広げて光重合性記録層を形成することができる。
【０１８０】
前記光重合性記録層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００〜１，０００μｍが好ましく、１５０〜７００μｍがより好ましく、２００〜５００μｍが更に好ましい。
前記記録層の厚みが、前記好ましい数値範囲であると、製造適性が高く、１０〜３００多重のシフト多重記録、角度多重記録などの高多重記録を行っても十分なＳ／Ｎ比を得ることができ。前記厚みが１０００μｍを超えると、コスト面及び製造面で困難が生じることがあり、１００μｍ未満であると、信号強度と多重性能の両立を図ることができないことがある。
【０１８１】
＜基板＞
前記基板としては、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば、ディスク形状、カード形状平板状、シート状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、前記光記録媒体の大きさ等に応じて適宜選択することができる。
【０１８２】
前記基板の材料としては、特に制限はなく、無機材料及び有機材料のいずれをも好適に用いることができるが、光記録媒体の機械的強度を確保できるものであり、記録及び再生に用いる光が基板を通して入射する透過型の場合は、用いる光の波長領域で十分に透明であることが必要である。
前記無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、などが挙げられる。
前記有機材料としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセテート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリ乳酸系樹脂、プラスチックフィルムラミネート紙、合成紙などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、成形性、光学特性、コストの点から、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
【０１８３】
前記基板としては、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．１〜５ｍｍが好ましく、０．３〜２ｍｍがより好ましい。前記基板の厚みが、０．１ｍｍ未満であると、ディスク保存時の形状の歪みを抑えられなくなることがあり、５ｍｍを超えると、ディスク全体の質量が大きくなってドライブモーターなどにより回転して用いる場合には、過剰な負荷をかけることがある。
【０１８４】
前記基板には、半径方向に線状に延びる複数の位置決め領域としてのアドレス−サーボエリアが所定の角度間隔で設けられ、隣り合うアドレス−サーボエリア間の扇形の区間がデータエリアになっている。アドレス−サーボエリアには、サンプルドサーボ方式によってフォーカスサーボ及びトラッキングサーボを行うための情報とアドレス情報とが、予めエンボスピット（サーボピット）等によって記録されている（プリフォーマット）。なお、フォーカスサーボは、反射膜の反射面を用いて行うことができる。トラッキングサーボを行うための情報としては、例えば、ウォブルピットを用いることができる。
【０１８５】
−反射膜−
前記反射膜は、前記基板のサーボピットパターン表面に形成される。
前記反射膜の材料としては、記録光や参照光に対して高い反射率を有する材料を用いることが好ましい。使用する光の波長が４００〜７８０ｎｍである場合には、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、などを使用することが好ましい。使用する光の波長が６５０ｎｍ以上である場合には、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ｃｕ合金、ＴｉＮ、などを使用することが好ましい。
なお、前記反射膜として、光を反射すると共に、追記及び消去のいずれかが可能な光記録媒体、例えば、ＤＶＤ（ディジタル  ビデオ  ディスク）などを用い、ホログラムをどのエリアまで記録したかとか、いつ書き換えたかとか、どの部分にエラーが存在し交替処理をどのように行ったかなどのディレクトリ情報などをホログラムに影響を与えずに追記及び書き換えすることも可能となる。
【０１８６】
前記反射膜の形成は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点で優れている。
前記反射膜の厚みは、十分な反射率を実現し得るように、５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
【０１８７】
＜選択反射層＞
前記選択反射層は、前記基板のサーボピット上又は前記反射層上に設けられる。
前記選択反射層は、複数種の光線の中から特定の波長の光のみを反射する、波長選択反射機能を有する。特に、入射角が変化しても選択反射波長にずれが生じることなく、情報光及び参照光による光記録媒体の反射膜からの乱反射を防止し、ノイズの発生を防止する機能もあり、前記光記録媒体に前記選択反射層を積層することにより、高解像度、回折効率の優れた光記録が得られる。
前記選択反射層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ダイクロイックミラー層、色材含有層、誘電体蒸着層、単層又は２層以上のコレステリック層及び必要に応じて適宜選択したその他の層の少なくともいずれかを積層した積層体により形成される。
前記選択反射層は、直接記録層等と共に、前記基板上に塗布などにより積層してもよく、フィルム等の基材上に積層して選択反射層を作製し、これを基板上に積層してもよい。
【０１８８】
−ダイクロイックミラー層−
前記ダイクロイックミラー層は、波長選択反射膜とするためには、複数層積層することが好ましい。前記積層数は、１〜５０層が好ましく、２〜４０層がより好ましく、２〜３０層が特に好ましい。前記積層数が、５０層を超えると、多層蒸着により生産効率性が低下し、分光透過率特性の変化が小さくなり層数を増加するだけの効果は小さくなる。
【０１８９】
前記ダイクロイックミラー層における材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕ、又はこれらの合金などが挙げられる。
【０１９０】
前記ダイクロイックミラー層の積層方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、イオンアシスト法、レーザーアブレーション法等の物理的気相成長（ＰＶＤ）法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相成長（ＣＶＤ）法、などが挙げられる。これらの中でも、物理的気相成長（ＰＶＤ）法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。
前記スパッタリングとしては、成膜レートの高いＤＣスパッタリング法が好ましい。なお、ＤＣスパッタリング法においては、導電性が高い材料を用いることが好ましい。
また、前記スパッタリングにより多層成膜する方法としては、例えば、（１）１つのチャンバで複数のターゲットから交互又は順番に成膜する１チャンバ法と、（２）複数のチャンバで連続的に成膜するマルチチャンバ法とがある。これらの中でも、生産性及び材料コンタミネーションを防ぐ観点から、マルチチャンバ法が特に好ましい。
前記ダイクロイックミラー層の厚みとしては、光学波長オーダーで、λ／１６〜λの膜厚が好ましく、λ／８〜３λ／４がより好ましく、λ／６〜３λ／８がより好ましい。
【０１９１】
−色材含有層−
前記色材含有層は、色材、バインダー樹脂、溶剤及び必要に応じてその他の成分により形成される。
【０１９２】
前記色材としては、顔料及び染料の少なくともいずれかが好適に挙げられ、これらの中でも、５３２ｎｍの光を吸収し、６５５ｎｍ若しくは７８０ｎｍのサーボ光を透過させる観点から、赤色染料、赤色顔料が好ましく、赤色顔料が特に好ましい。
【０１９３】
前記赤色染料としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド１，８，１３，１４，１８，２６，２７，３５，３７，４２，５２，８２，８７，８９，９２，９７，１０６，１１１，１１４，１１５，１３４，１８６，２４９，２５４，２８９等の酸性染料；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド２，１２，１３，１４，１５，１８，２２，２３，２４，２７，２９，３５，３６，３８，３９，４６，４９，５１，５２，５４，５９，６８，６９，７０，７３，７８，８２，１０２，１０４，１０９，１１２等の塩基性染料；Ｃ．Ｉ．リアクティブレッド１，１４，１７，２５，２６，３２，３７，４４，４６，５５，６０，６６，７４，７９，９６，９７等の反応性染料、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１９４】
前記赤色顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１９２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２０９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２１５、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２１６、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２１７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２０、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２４、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２６、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２２８、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４０、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド４８：１、パーマネント・カーミンＦＢＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１４６）、パーマネント・ルビーＦＢＨ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１１）、ファステル・ピンクＢスプラ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド８１）、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１９５】
これらの中でも、５３２ｎｍの光に対する透過率が１０％以下であり、かつ６５５ｎｍの光に対する透過率が９０％以上である透過スペクトルを示す赤色顔料が特に好ましく用いられる。
【０１９６】
前記色材の含有量としては、前記色材含有層の全固形質量に対し０．０５〜９０質量％が好ましく、０．１〜７０質量％がより好ましい。前記含有量が０．０５質量％未満であると、色材含有層の厚みが５００μｍ以上必要となってしまうことがあり、９０質量％を超えると、色材含有層の自己支持性がなくなり、色材含有層の作製工程中に膜が崩れてしまうことがある。
【０１９７】
−バインダー樹脂−
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリビニルアルコール樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体；塩化ビニル、酢酸ビニルとビニルアルコール、マレイン酸及びアクリル酸の少なくともいずれかとの共重合体；塩化ビニル／塩化ビニリデン共重合体；塩化ビニル／アクリロニロリル共重合体；エチレン／酢酸ビニル共重合体；ニトロセルロース等のセルロース誘導体；ポリアクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、分散性及び耐久性を更に高めるため、前記バインダー樹脂分子中に、極性基（エポキシ基、ＣＯ２Ｈ、ＯＨ、ＮＨ２、ＳＯ３Ｍ、ＯＳＯ３Ｍ、ＰＯ３Ｍ２、ＯＰＯ３Ｍ２（ただし、Ｍは水素原子、アルカリ金属、又はアンモニウムであり、一つの基の中に複数のＭがあるときは互いに異なっていてもよい）を導入したものが好ましい。該極性基の含有量としては、バインダー樹脂１グラム当り１０−６〜１０−４当量が好ましい。
以上列挙したバインダー樹脂は、イソシアネート系の公知の架橋剤を添加して硬化処理されることが好ましい。
【０１９８】
前記バインダー樹脂の含有量としては、前記色材含有層の全固形質量に対し１０〜９９．９５質量％が好ましく、３０〜９９．９質量％がより好ましい。
【０１９９】
前記各成分は、適当な溶媒に溶解乃至は分散し、塗布液に調製し、この塗布液を所望の塗布方法により後述する基材上に塗布することにより、色材含有層を形成することができる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水、３−メトキシプロピオン酸メチルエステル、３−メトキシプロピオン酸エチルエステル、３−メトキシプロピオン酸プロピルエステル、３−エトキシプロピオン酸メチルエステル、３−エトキシプロピオン酸エチルエステル、３−エトキシプロピオン酸プロピルエステル等のアルコキシプロピオン酸エステル類；２−メトキシプロピルアセテート、２−エトキシプロピルアセテート、３−メトキシブチルアセテート等のアルコキシアルコールのエステル類；乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、クロロホルム、テトラヒドロフラン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２００】
前記塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、インクジェット法、スピンコート法、ニーダーコート法、バーコート法、ブレードコート法、キャスト法、ディップ法、カーテンコート法、などが挙げられる。
【０２０１】
前記色材含有層の厚みは、例えば、０．５〜２００μｍが好ましく、１．０〜１００μｍがより好ましい。前記厚みが、０．５μｍ未満であると、色材を包んで膜とするためのバインダー樹脂を十分な量添加することができなくなることがあり、２００μｍを超えると、フィルタの厚みが大きくなりすぎて、照射光及びサーボ光の光学系として過大なものが必要になることがある。
【０２０２】
−誘電体蒸着層−
前記誘電体蒸着層は、例えば、互いに屈折率の異なる誘電体薄層を複数層積層してなり、波長選択反射膜とするためには、高屈折率の誘電体薄層と低屈折率の誘電体薄層とを交互に複数層積層することが好ましいが、２種以上に限定されず、それ以上の種類であってもよい。
前記積層数は、２〜２０層が好ましく、２〜１２層がより好ましく、４〜１０層が更に好ましく、６〜８層が特に好ましい。前記積層数が、２０層を超えると、多層蒸着により生産効率性が低下し、本発明の目的及び効果を達成できなくなることがある。
【０２０３】
前記誘電体薄層の積層順については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、隣接する膜の屈折率が高い場合にはそれより低い屈折率の膜を最初に積層する。その逆に隣接する層の屈折率が低い場合にはそれより高い屈折率の膜を最初に積層する。前記屈折率が高いか低いかを決めるしきい値としては１．８が好ましい。なお、屈折率が高いか低いかは絶対的なものではなく、高屈折率の材料の中でも、相対的に屈折率の大きいものと小さいものとが存在してもよく、これらを交互に使用してもよい。
【０２０４】
前記高屈折率の誘電体薄層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｌＣｌ、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、などが挙げられる。これらの中でも、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｒＯ２が好ましく、これらの中でも、ＳｉＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｒＯ２がより好ましい。
【０２０５】
前記低屈折率の誘電体薄層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＢｉＦ３、ＣａＦ２、ＬａＦ３、ＰｂＣｌ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＮｄＦ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３、ＮａＦ、ＴｈＯ２、ＴｈＦ４、などが挙げられる。これらの中でも、Ａｌ２Ｏ３、ＢｉＦ３、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３が好ましく、これらの中でも、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３がより好ましい。
なお、前記誘電体薄層の材料においては、原子比についても特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、成膜時に雰囲気ガス濃度を変えることにより、原子比を調整することができる。
【０２０６】
前記誘電体薄層の積層方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンプレーティング、イオンビーム等の真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、などが挙げられる。これらの中でも、真空蒸着法、スパッタリングが好ましく、スパッタリングがより好ましい。
前記スパッタリングとしては、成膜レートの高いＤＣスパッタリング法が好ましい。なお、ＤＣスパッタリング法においては、導電性が高い材料を用いることが好ましい。
また、前記スパッタリングにより多層成膜する方法としては、例えば、（１）１つのチャンバで複数のターゲットから交互又は順番に成膜する１チャンバ法、（２）複数のチャンバで連続的に成膜するマルチチャンバ法とがある。これらの中でも、生産性及び材料コンタミネーションを防ぐ観点から、マルチチャンバ法が特に好ましい。
前記誘電体薄層の厚みとしては、光学波長オーダーで、λ／１６〜λの膜厚が好ましく、λ／８〜３λ／４がより好ましく、λ／６〜３λ／８がより好ましい。
【０２０７】
前記誘電体蒸着層においては、該誘電体蒸着層中を伝播する光の一部が、各誘電体薄層毎に多重反射し、それらの反射光が干渉するため、誘電体薄層の厚さと光に対する膜の屈折率との積で決まる波長の光のみが選択的に透過されることになる。また、誘電体蒸着層の中心透過波長は入射光に対して角度依存性を有しており、入射光を変化させると透過波長を変えることができる。
【０２０８】
−コレステリック液晶層−
前記コレステリック液晶層は、少なくともネマチック液晶化合物、及びカイラル化合物を含有してなり、重合性化合物、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【０２０９】
前記コレステリック液晶層は、１層でもよく、２層以上が積層されていてもよい。該２層以上の積層数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２〜１０層が好ましい。前記積層数が１０層を超えると、却って塗布による生産効率性が低下し、本発明の目的及び効果を達成できなくなることがある。
【０２１０】
前記コレステリック液晶層としては、円偏光分離機能を有するものが好ましい。前記円偏光分離機能を有するコレステリック液晶層は、液晶の螺旋の回転方向（右回り又は左回り）と円偏光方向とが一致し、波長が液晶の螺旋ピッチであるような円偏光成分の光だけを反射する選択反射特性を有する。このコレステリック液晶層の選択反射特性を利用して、一定の波長帯域の自然光から特定波長の円偏光のみを透過分離し、その残りを反射する。したがって前記各コレステリック液晶層は、第一の光を透過し、該第一の光と異なる第二の光の円偏光を反射することが好ましく、前記第一の光の波長が３５０〜６００ｎｍであり、かつ前記第二の光の波長が６００〜９００ｎｍであることが好ましい。
【０２１１】
前記コレステリック液晶層の選択反射特性は、特定の波長帯域のみに限定され、可視光域をカバーすることは困難である。即ち、前記コレステリック液晶層の選択反射波長領域幅Δλは、下記数式１で表される。
＜数式１＞
Δλ＝２λ（ｎｅ−ｎｏ）／（ｎｅ＋ｎｏ）
ただし、前記数式１中、ｎｏは、コレステリック液晶層に含有されるネマチック液晶分子の正常光に対する屈折率を表す。ｎｅは、該ネマチック液晶分子の異常光に対する屈折率を表す。λは、選択反射の中心波長を表す。
【０２１２】
前記数式１で示すように、前記選択反射波長帯域幅Δλは、ネマチック液晶そのものの分子構造に依存する。前記数式１から、（ｎｅ−ｎｏ）を大きくすれば、前記選択反射波長帯域幅Δλを拡げられるが、（ｎｅ−ｎｏ）は通常０．３以下であり、０．３より大きくなると、液晶としてのその他の機能、例えば、配向特性、液晶温度等が不十分となり、実用化が困難となる。したがって、現実にはコレステリック液晶層の選択反射波長帯域幅Δλは、最大でも１５０ｎｍ程度であり、通常３０〜１００ｎｍ程度が好ましい。
【０２１３】
また、前記コレステリック液晶層の選択反射中心波長λは、下記数式２で表される。
＜数式２＞
λ＝（ｎｅ＋ｎｏ）Ｐ／２
ただし、前記数式２中、ｎｅ及びｎｏは前記数式１と同じ意味を表す。Ｐは、コレステリック液晶層の一回転ねじれに要する螺旋ピッチ長を表す。
【０２１４】
前記数式２で示すように、前記選択反射中心波長λは、コレステリック液晶層の螺旋ピッチが一定であれば、コレステリック液晶層の平均屈折率と螺旋ピッチ長Ｐに依存する。それ故、コレステリック液晶層の選択反射特性を拡げるには、前記各コレステリック液晶層の選択反射中心波長が互いに異なり、前記各コレステリック液晶層の螺旋の回転方向（右回り又は左回り）が互いに同じであることが好ましい。また、各コレステリック液晶層の選択反射波長帯域は連続的であることが好ましい。ここで、前記「連続的」とは、２つの選択反射波長帯域間にギャップがなく、実質的にこの範囲の反射率が４０％以上であることを意味する。
したがって、各コレステリック液晶層の選択反射中心波長λ間の距離は、各選択反射波長帯域が少なくとも１つの他の選択反射波長帯域と連続となる範囲内であることが好ましい。
【０２１５】
前記フィルタ層は、垂直入射を０°とし±２０°の範囲であるλ０〜λ０／ｃｏｓ２０°（ただし、λ０は照射光波長を表す）における光反射率が４０％以上であることが好ましく、垂直入射を０°とし±４０°の範囲であるλ０〜λ０／ｃｏｓ４０°（ただし、λ０は照射光波長を表す）における光反射率が４０％以上であることが特に好ましい。
前記λ０〜λ０／ｃｏｓ２０°、特にλ０〜λ０／ｃｏｓ４０°（ただし、λ０は照射光波長を表す）の範囲における光反射率が４０％以上であれば、照射光反射の角度依存性を解消でき、通常の光記録媒体に用いられているレンズ光学系を採用することができる。
【０２１６】
具体的には、選択反射中心波長が互いに異なり、前記各コレステリック液晶層の螺旋の回転方向が互いに同じであるコレステリック液晶層を３層積層すると、図４に示すような反射特性を有するフィルタ層が得られる。この図４は正面（０°）からの垂直入射光に対する反射特性が４０％以上であることを示している。これに対し、斜め方向からの入射光になると次第に短波長側にシフトしていき、液晶層内で４０°傾斜した時は図５に示すような反射特性を示す。
同様に、選択反射中心波長が互いに異なり、前記各コレステリック液晶層の螺旋の回転方向が互いに同じであるコレステリック液晶層を２層積層すると、図６に示すような反射特性を有するフィルタ層が得られる。この図６は正面（０°）からの垂直入射光に対する反射特性が４０％以上であることを示している。これに対し、斜め方向からの入射光になると次第に短波長側にシフトしていき、液晶層内で２０°傾斜した時は図７に示すような反射特性を示す。
【０２１７】
なお、図４に示したλ０〜１．３λ０の反射域は、λ０＝５３２ｎｍのとき１．３λ０＝６９２ｎｍとなり、サーボ光が６５５ｎｍの場合はサーボ光を反射してしまう。ここに示すλ０〜１．３λ０の範囲は光記録媒体用フィルタにおける±４０°入射光への適性であるが、実際にそうした大きな斜め光まで使用する場合は、入射角±２０°以内のサーボ光をマスキングして使用すれば支障なくサーボ制御できる。また、使用するフィルタにおける各コレステリック液晶層の平均屈折率を十分大きくすれば、光記録媒体用フィルタ内での入射角を±２０°以内で全て設計することも容易であり、その場合は図６に示すλ０〜１．１λ０のコレステリック液晶層を２層積層することでよいので、サーボ光透過には全く支障がなくなる。
したがって、図４〜図７の結果から、本発明の光記録媒体用フィルタ内においては、入射波長が０°〜２０°（好ましくは０°〜４０°）傾斜しても４０％以上の反射率が確保できているので、信号読み取りには何ら支障のないフィルタ層が得られる。
【０２１８】
前記各コレステリック液晶層は、前記特性を満たせば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、上述したように、ネマチック液晶化合物、及びカイラル化合物を含有してなり、重合性化合物、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【０２１９】
−ネマチック液晶化合物−
前記ネマチック液晶化合物は、液晶転移温度以下ではその液晶相が固定化することを特徴とし、その屈折率異方性Δｎが、０．１０〜０．４０の液晶化合物、高分子液晶化合物、及び重合性液晶化合物の中から目的に応じて適宜選択することができる。溶融時の液晶状態にある間に、例えばラビング処理等の配向処理を施した配向基板を用いる等により配向させ、そのまま冷却等して固定化させることにより固相として使用することができる。
【０２２０】
前記ネマチック液晶化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記の化合物などを挙げることができる。
【０２２１】
【化３７】
2007225657.tif 000039
【０２２２】
【化３８】
2007225657.tif 000040
【０２２３】
【化３９】
2007225657.tif 000041
【０２２４】
前記式中において、ｎは１〜１，０００の整数を表す。なお、前記各例示化合物においては、その側鎖連結基を、以下の構造に変えたものも同様に好適なものとして挙げることができる。
【０２２５】
【化４０】
2007225657.tif 000042
【０２２６】
前記の各例示化合物のうち、ネマチック液晶化合物としては、十分な硬化性を確保する観点から、分子内に重合性基を有するネマチック液晶化合物が好ましく、これらの中でも、紫外線（ＵＶ）重合性液晶が好適である。該ＵＶ重合性液晶としては、市販品を用いることができ、例えば、ＢＡＳＦ社製の商品名ＰＡＬＩＯＣＯＬＯＲ  ＬＣ２４２；Ｍｅｒｃｋ社製の商品名Ｅ７；Ｗａｃｋｅｒ−Ｃｈｅｍ社製の商品名ＬＣ−Ｓｌｌｉｃｏｎ−ＣＣ３７６７；高砂香料株式会社製の商品名Ｌ３５、Ｌ４２、Ｌ５５、Ｌ５９、Ｌ６３、Ｌ７９、Ｌ８３、などが挙げられる。
【０２２７】
前記ネマチック液晶化合物の含有量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形分質量に対し３０〜９９質量％が好ましく、５０〜９９質量％がより好ましい。前記含有量が３０質量％未満であると、ネマチック液晶化合物の配向が不十分となることがある。
【０２２８】
−カイラル化合物−
前記カイラル化合物としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、液晶化合物の色相、色純度改良の観点から、例えば、イソマニード化合物、カテキン化合物、イソソルビド化合物、フェンコン化合物、カルボン化合物、等の他、以下に示す化合物などを挙げることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２２９】
【化４１】
2007225657.tif 000043
【０２３０】
【化４２】
2007225657.tif 000044
【０２３１】
また、前記カイラル化合物としては、市販品を用いることができ、該市販品としては、例えば、Ｍｅｒｃｋ社製の商品名Ｓ１０１、Ｒ８１１、ＣＢ１５；ＢＡＳＦ社製の商品名ＰＡＬＩＯＣＯＬＯＲ  ＬＣ７５６、などが挙げられる。
【０２３２】
前記カイラル化合物の含有量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形分質量に対し０〜３０質量％が好ましく、０〜２０質量％がより好ましい。前記含有量が３０質量％を超えると、コレステリック液晶層の配向が不十分となることがある。
【０２３３】
−重合性化合物−
前記コレステリック液晶層には、例えば、膜強度等の硬化の程度を向上させる目的で重合性化合物を併用することができる。該重合性化合物を併用すると、光照射による液晶の捻れ力を変化（パターンニング）させた後（例えば、選択反射波長の分布を形成した後）、その螺旋構造（選択反射性）を固定化し、固定化後のコレステリック液晶層の強度をより向上させることができる。ただし、前記液晶化合物が同一分子内に重合性基を有する場合には、必ずしも添加する必要はない。
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えばエチレン性不飽和結合を持つモノマー等が挙げられ、具体的には、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の多官能モノマーが挙げられる。
前記エチレン性不飽和結合を持つモノマーの具体例としては、以下に示す化合物を挙げることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２３４】
【化４３】
2007225657.tif 000045
【０２３５】
前記重合性化合物の添加量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形分質量に対し０〜５０質量％が好ましく、１〜２０質量％がより好ましい。前記添加量が５０質量％を超えると、コレステリック液晶層の配向を阻害することがある。
【０２３６】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光重合開始剤、増感剤、バインダー樹脂、重合禁止剤、溶媒、界面活性剤、増粘剤、色素、顔料、紫外線吸収剤、ゲル化剤、などが挙げられる。
【０２３７】
前記光重合開始剤としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ｐ−メトキシフェニル−２，４−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ブトキシスチリル）−５−トリクロロメチル１，３，４−オキサジアゾール、９−フェニルアクリジン、９，１０−ジメチルベンズフェナジン、ベンゾフェノン／ミヒラーズケトン、ヘキサアリールビイミダゾール／メルカプトベンズイミダゾール、ベンジルジメチルケタール、チオキサントン／アミン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記光重合開始剤としては、市販品を用いることができ、該市販品としては、例えば、チバスペシャルティケミカルズ社製の商品名イルガキュア９０７、イルガキュア３６９、イルガキュア７８４、イルガキュア８１４；ＢＡＳＦ社製の商品名ルシリンＴＰＯ、などが挙げられる。
【０２３８】
前記光重合開始剤の添加量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形分質量に対し０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましい。前記添加量が０．１質量％未満であると、光照射時の硬化効率が低いため長時間を要することがあり、２０質量％を超えると、紫外線領域から可視光領域での光透過率が劣ることがある。
【０２３９】
前記増感剤は、必要に応じてコレステリック液晶層の硬化度を上げるために添加される。前記増感剤としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、などが挙げられる。
前記増感剤の添加量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形分質量に対し０．００１〜１．０質量％が好ましい。
【０２４０】
前記バインダー樹脂としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリビニルアルコール；ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン等のポリスチレン化合物；メチルセルロース、エチルセルロース、アセチルセルロース等のセルロース樹脂；側鎖にカルボキシル基を有する酸性セルロース誘導体；ポリビニルフォルマール、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂；メタクリル酸共重合体、アクリル酸共重合体、イタコン酸共重合体、クロトン酸共重合体、マレイン酸共重合体、部分エステル化マレイン酸共重合体；アクリル酸アルキルエステルのホモポリマー又はメタアクリル酸アルキルエステルのホモポリマー；その他の水酸基を有するポリマー、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記アクリル酸アルキルエステルのホモポリマー又はメタアクリル酸アルキルエステルのホモポリマーにおけるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、などが挙げられる。
前記その他の水酸基を有するポリマーとしては、例えば、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタアクリル酸のホモポリマー）アクリル酸共重合体、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸／他のモノマーの多元共重合体、などが挙げられる。
【０２４１】
前記バインダー樹脂の添加量としては、前記各コレステリック液晶層の全固形質量に対し０〜８０質量％が好ましく、０〜５０質量％がより好ましい。前記添加量が８０質量％を超えると、コレステリック液晶層の配向が不十分となることがある。
【０２４２】
前記重合禁止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、フェノチアジン、ベンゾキノン、又はこれらの誘導体、などが挙げられる。
前記重合禁止剤の添加量としては、前記重合性化合物の固形分に対し０〜１０質量％が好ましく、１００ｐｐｍ〜１質量％がより好ましい。
【０２４３】
前記溶媒としては、特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、３−メトキシプロピオン酸メチルエステル、３−メトキシプロピオン酸エチルエステル、３−メトキシプロピオン酸プロピルエステル、３−エトキシプロピオン酸メチルエステル、３−エトキシプロピオン酸エチルエステル、３−エトキシプロピオン酸プロピルエステル等のアルコキシプロピオン酸エステル類；２−メトキシプロピルアセテート、２−エトキシプロピルアセテート、３−メトキシブチルアセテート等のアルコキシアルコールのエステル類；乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、クロロホルム、テトラヒドロフラン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２４４】
＜その他の層＞
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、第一ギャップ層、第二ギャップ層などが挙げられる。
【０２４５】
−第一ギャップ層−
前記第一ギャップ層は、必要に応じて前記選択反射層と前記反射膜との間に設けられ、第二の基板表面を平滑化する目的で形成される。また、記録層内に生成されるホログラムの大きさを調整するのにも有効である。即ち、前記記録層は、参照光及び情報光の干渉領域をある程度の大きさに形成する必要があるので、前記記録層とサーボピットパターンとの間にギャップを設けることが有効となる。
前記第一ギャップ層は、例えば、サーボピットパターンの上から紫外線硬化樹脂等の材料をスピンコート等で塗布し、硬化させることにより形成することができる。また、フィルタ層として透明基材の上に塗布形成したものを使用する場合には、該透明基材が第一ギャップ層としても働くことになる。
前記第一ギャップ層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜１００μｍが好ましい。
【０２４６】
−第二ギャップ層−
前記第二ギャップ層は、必要に応じて記録層又は光分解性記録層と選択反射層との間に設けられる。該第二ギャップ層は、情報光及び参照光がフォーカシングするポイントの部分をフォトポリマーで埋めていると、過剰露光がされた場合に、モノマーの過剰消費が起こり、多重記録能力が低下することがあり、この弊害を防止する機能がある。
前記第二ギャップ層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリメタクリル酸メチル＝ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のような透明樹脂フィルム、又は、ＪＳＲ社製商品名ＡＲＴＯＮフィルムや日本ゼオン社製商品名ゼオノアのような、ノルボルネン系樹脂フィルム、などが挙げられる。これらの中でも、等方性の高いものが好ましく、ＴＡＣ、ＰＣ、商品名ＡＲＴＯＮ、及び商品名ゼオノアが特に好ましい。
前記第二ギャップ層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜２００μｍが好ましい。
【０２４７】
−中間層−
前記光分解性記録層と光重合性記録層との間に、必要に応じて中間層を設けることができる。
前記中間層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
前記中間層の厚みは１〜２０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましく、２〜５μｍが更に好ましい。前記中間層の厚みが２０μｍを超えると、目的とする情報光及び参照光の強度とＳ／Ｎ比との両立効果が得られないことがある。
【０２４８】
ここで、本発明の光記録媒体について、図面を参照して更に詳しく説明する。
図３は、本発明の実施形態における光記録媒体の構成を示す概略断面図である。この実施形態に係る光記録媒体２１では、ポリカーボネート樹脂からなる第一の基板１にサーボピットパターン３が形成され、該サーボピットパターン３上にアルミニウム、金、白金等でコーティングして反射膜２が設けられている。なお、図３では第一の基板１全面にサーボピットパターン３が形成されているが、周期的に形成されていてもよい。また、このサーボピットの高さは最大１７５０Å（１７５ｎｍ）であり、第一の基板を始め他の層の厚みに比べて充分に小さいものである。
第一の基板のサーボピットを設けていない側には選択反射層６としてのＡｇを多層蒸着したダイクロイックミラー層が設けられている。
反射膜２上に光分解性記録層４ａが設けられ、該光分解性記録層上に光重合性記録層４ｂが形成されている。第一の基板１及び第二の基板５（ポリカーボネート樹脂製の基板）とによって、選択反射膜６、光分解性記録層４ａ、光重合性記録層４ｂを挟むことによって光記録媒体２１が構成される。
【０２４９】
本実施形態における光記録媒体２１は、ディスク形状でもいいし、カード形状であってもよい。
【０２５０】
次に、図８を参照して、光記録媒体２１周辺での光学的動作を説明する。まず、サーボ用レーザーから出射した光（赤色光）は、ダイクロイックミラー１３でほぼ１００％反射して、対物レンズ１２を通過する。対物レンズ１２によってサーボ用光は反射膜２上で焦点を結ぶように光記録媒体２１に対して照射される。つまり、ダイクロイックミラー１３は緑色や青色の波長の光を透過し、赤色の波長の光をほぼ１００％反射させるようになっている。光記録媒体２１の光の入出射面Ａから入射したサーボ用光は、第二の基板５、光重合性記録層４ｂ、光分解性記録層４ａ、及び選択反射層６を通過し、反射膜２で反射され、再度、選択反射層６、光分解性記録層４ａ、光重合性記録層４ｂ、及び第二の基板５を透過して入出射面Ａから出射する。出射した戻り光は、対物レンズ１２を通過し、ダイクロイックミラー１３でほぼ１００％反射して、サーボ情報検出器（不図示）でサーボ情報が検出される。検出されたサーボ情報は、フォーカスサーボ、トラッキングサーボ、スライドサーボ等に用いられる。光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂを構成するホログラム材料は、赤色の光では感光しないようになっているので、サーボ用光が光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂを通過したり、サーボ用光が反射膜２で乱反射したとしても、光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂには影響を与えない。また、サーボ用光の反射膜２による戻り光は、ダイクロイックミラー１３によってほぼ１００％反射するようになっているので、サーボ用光が再生像検出のためのＣＭＯＳセンサ又はＣＣＤ１４で検出されることはなく、再生光に対してノイズとなることもない。
【０２５１】
また、記録用／再生用レーザーから生成された情報光及び記録用参照光は、偏光板１６を通過して線偏光となりハーフミラー１７を通過して１／４波長板１５を通った時点で円偏光になる。ダイクロイックミラー１３を透過し、対物レンズ１１によって情報光と記録用参照光が光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂ内で干渉パターンを生成するように光記録媒体２１に照射される。情報光及び記録用参照光は入出射面Ａから入射し、光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂで干渉し合って干渉パターンをそこに生成する。その後、情報光及び記録用参照光は光分解性記録層４ａ及び光重合性記録層４ｂ、選択反射層６に入射するが、該選択反射層６の底面までの間に反射されて戻り光となる。つまり、情報光と記録用参照光は反射膜２までは到達しない。選択反射層６は赤色光のみを透過する性質を有するからである。光が集光する下部に、体積収縮を伴わない光分解性記録層を用いているので、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化することがないものである。
【０２５２】
（光記録方法及び光再生方法）
本発明の光記録方法は、本発明の前記光記録媒体に対し、情報光及び参照光の照射を、該情報光の光軸と該参照光の光軸とが同軸となるようにして行い、前記情報光と前記参照光との干渉により生成される干渉パターンによって情報を記録層に記録する。
本発明の光再生方法は、本発明の前記光記録媒体の記録方法により記録層に記録された干渉パターンに参照光を照射して情報を再生する。
この場合。参照光が、光記録媒体の記録に用いられた参照光と同じ角度で、干渉パターンに照射して記録情報を再生することが好ましい。
【０２５３】
本発明の光記録媒体への光記録方法及び光再生方法では、上述したように、二次元的な強度分布が与えられた情報光と、該情報光と強度がほぼ一定な参照光とを感光性の記録層内部で重ね合わせ、それらが形成する干渉パターンを利用して記録層内部に光学特性の分布を生じさせることにより、情報を記録する。一方、書き込んだ情報を読み出す（再生する）際には、記録時と同様の配置で参照光のみを記録層に照射し、記録層内部に形成された光学特性分布に対応した強度分布を有する再生光として記録層から出射される。
ここで、本発明の光記録方法及び光再生方法は、以下に説明する本発明の光記録再生装置を用いて行われる。
【０２５４】
（光記録装置）
本発明の光記録媒体への光記録方法及び光再生方法に使用される光記録装置（光記録再生装置）について図９を参照して説明する。
図９は、本発明の一実施形態に係る光記録装置の全体構成図である。なお、光記録装置は、光記録装置と光再生装置を含んでなる。
この光記録装置１００は、光記録媒体２０が取り付けられるスピンドル８１と、このスピンドル８１を回転させるスピンドルモータ８２と、光記録媒体２０の回転数を所定の値に保つようにスピンドルモータ８２を制御するスピンドルサーボ回路８３とを備えている。また、光記録再生装置１００は、光記録媒体２０に対して情報光と参照光とを照射して情報を記録すると共に、光記録媒体２０に対して再生用参照光を照射し、再生光を検出して、光記録媒体２０に記録されている情報を再生するためのピックアップ３１と、このピックアップ３１を光記録媒体２０の半径方向に移動可能とする駆動装置８４とを備えている。
【０２５５】
光記録再生装置１００は、ピックアップ３１の出力信号よりフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥ、及び再生信号ＲＦを検出するための検出回路８５と、この検出回路８５によって検出されるフォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、ピックアップ３１内のアクチュエータを駆動して対物レンズ（不図示）を光記録媒体２０の厚み方向に移動させてフォーカスサーボを行うフォーカスサーボ回路８６と、検出回路８５によって検出されるトラッキングエラー信号ＴＥに基づいてピックアップ３１内のアクチュエータを駆動して対物レンズを光記録媒体２０の半径方向に移動させてトラッキングサーボを行うトラッキングサーボ回路８７と、トラッキングエラー信号ＴＥ及び後述するコントローラからの指令に基づいて駆動装置８４を制御してピックアップ３１を光記録媒体２０の半径方向に移動させるスライドサーボを行うスライドサーボ回路８８とを備えている。
【０２５６】
光記録再生装置１００は、更に、ピックアップ３１内の後述するＣＭＯＳ又はＣＣＤアレイの出力データをデコードして、光記録媒体２０のデータエリアに記録されたデータを再生したり、検出回路８５からの再生信号ＲＦより基本クロックを再生したりアドレスを判別したりする信号処理回路８９と、光記録再生装置１００の全体を制御するコントローラ９０と、このコントローラ９０に対して種々の指示を与える操作部９１とを備えている。コントローラ９０は、信号処理回路８９より出力される基本クロックやアドレス情報を入力すると共に、ピックアップ３１、スピンドルサーボ回路８３、及びスライドサーボ回路８８等を制御するようになっている。スピンドルサーボ回路８３は、信号処理回路８９より出力される基本クロックを入力するようになっている。コントローラ９０は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ（リード  オンリ  メモリ）、及びＲＡＭ（ランダム  アクセス  メモリ）を有し、ＣＰＵが、ＲＡＭを作業領域として、ＲＯＭに格納されたプログラムを実行することによって、コントローラ９０の機能を実現するようになっている。
【０２５７】
本発明の光記録方法及び光再生方法に使用される光記録再生装置は、本発明の前記光記録媒体を用いているので、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、今までにない高密度記録を実現することができる。
【実施例】
【０２５８】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０２５９】
（実施例１）
−光記録媒体の作製−
前記光記録媒体は、第二の基板、反射層、接着層、選択反射層、保護層（第二ギャップ層）及び第一の基板の順に積層された光記録媒体を作製した。
【０２６０】
−−第一の基板の作製−−
直径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第一の基板を作製した。
【０２６１】
−−第二の基板の作製−−
前記第二の基板としては、直径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、板厚０．６ｍｍのＤＶＤ＋ＲＷ用に用いられている一般的なポリカーボネート樹脂製基板を使用した。この基板表面には、サーボピットパターンは形成されており、そのトラックピッチは０．７４μｍであり、溝深さは１４０ｎｍ、溝幅は３００ｎｍである。
まず、第二の基板のサーボピットパターン表面に反射層を形成した。反射層の材料には銀（Ａｇ）を用いた。ＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚み１５０ｎｍのＡｇ反射層を形成した。
次に、該反射層の上に、接着剤（ＳＤ６４０、大日本インキ化学工業株式会社製）をスピンコートにより厚み１０μｍで塗工し、下記の選択反射層を接着層（第一ギャップ層）上に貼付形成した。
【０２６２】
−−選択反射層の作製−−
まず、ポリカーボネートフィルム（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名ユーピロン）厚さ１００μｍ上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、層数が３０、厚み３μｍのＡｇ膜からなるダイクロイックミラー層を蒸着により形成し、前記第二の基板に積層するため、該第二の基板と同形状のディスクに打ち抜き加工した。
【０２６３】
＜光分解性記録層塗布液の調製＞
−光分解性記録層塗布液の組成−
・ｏ−フタルアルデヒドのアニオン重合物（質量平均分子量２６，０００）・・・４０質量部
・ＧＲ６５０（株式会社昭和電工製、質量平均分子量８,２００）・・・６０質量部
・２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン・・・１質量部
以上の成分を、全体の固形分濃度が２０質量％になるようにジエチレングリコールメチルエチルエーテルに溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、光分解性記録層塗布液を調製した。
【０２６４】
＜光重合性記録層塗布液の調製＞
下記組成からなる光重合性記録層塗布液を、それぞれ湿度を除去し、乾燥させた密閉タンク内で調合し、攪拌して、光重合性記録層の積層の直前まで５℃で各タンクＡ及びＢ内に保存した。
−光重合性記録層塗布液の組成−
〔タンクＡ〕
・Ｂａｙｔｅｃｈ  ＷＥ−１８０（バイエル社製、イソシアネートプレポリマー）・・・２００ｇ
・Ｍｏｎｄｕｒ  ＭＬ（バイエル社製、イソシアネートプレポリマー）・・・２００ｇ
・トリブロモフェニルアクリレート・・・４４．９３ｇ
・イルガキュア７８４・・・９．８４ｇ
・３，５ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン・・・２５４ｍｇ
〔タンクＢ〕
・ポリプロピレンオキサイドトリオール（平均分子量１，０００）・・・８０７ｇ
・ターシャリーブチルペルオキサイド・・・３１０μｌ
・ジブチルラウレートスズ・・・１２．５ｇ
【０２６５】
−−光記録媒体の積層−−
まず、反射層及び接着層（第一ギャップ層）が形成された前記第二の基板に、得られた選択反射層を、該選択反射層のベースフィルム面をサーボピットパターン側にして貼り付けた。貼り合わせには間隙に気泡が入らないようにして行った。以上により前記第二の基板上にフィルタ層を形成した。
次に、保護層（第二ギャップ層）として、ＳＤ６４０（大日本インキ化学工業株式会社製）をスピンコートにより、厚み２０μｍになるように該フィルタ層上に塗工した。
次に、前記光分解性記録層塗布液を、前記第一の基板上にスピンコーターにてスピンコートした後、９０℃にて２分間加熱して溶剤を除去し、厚みが２０μｍの光分解性記録層を前記選択反射層上に形成した。更に、クリスタルレジンＩＩスーパークリアー（日新レジン株式会社製、熱硬化性エポキシ樹脂）をスピンコートにより厚みが２０μｍになるように該光分解性記録層上に塗工し、５０℃にて２時間加熱して中間層を形成した。
次に、前記タンクＡから１．００ｇ、前記タンクＢから１．８ｇの光重合性記録層塗布液を密閉式の定量攪拌注入装置ポシラティオ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｏｎｔｒｏｌ社から入手可能）を用いて、得られた前記第一の基板及び前記第二の基板を平行かつ水平に保持した間隙に注入し、前記両基板を平行に保ったまま１５分間保持したところ、前記感光性組成物は速やかに硬化し、厚み４６０μｍの光重合性記録層が形成された。以上により、実施例１の光記録媒体を作製した。
【０２６６】
（実施例２）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、光分解性記録層及び光重合性記録層の間にある中間層を設けず、直接光分解性記録層及び光重合性記録層が接触するように形成し、光重合性記録層の厚みを４８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２の光記録媒体を作製した。
なお、この実施例２の光記録媒体は、光重合性記録層を形成する際に光分解性記録層との間に成分の混合が生じ、記録層の選択反射層を有する側の面に分解性化合物を多く含み、反対側の面に重合性化合物を多く含むものである。
【０２６７】
（比較例１）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、光分解性記録層を設けず、光重合性記録層の厚みを５００μｍとした以外は、実施例１と同様にして、比較例１の光記録媒体を作製した。
【０２６８】
＜性能評価＞
次に、得られた各光記録媒体について、コリニア方式光情報記録再生評価装置（パルステック（株）製、ＳＨＯＴ−１０００）を用い、光記録媒体を静止させ、再生光の強度は全ての測定で一定として光情報を記録及び再生して、Ｓ／Ｎ比の最高値及び多重記録可能回数を測定した。多重記録可能回数は、スパイラル上に中心に向かってシフト多重記録を行い、その都度最もＳ／Ｎ比の高い記録エネルギーで多重記録を続けた条件において、再生像のＳ／Ｎ比が２．０を初めて下回った回数とした。結果を表１に示す。
【０２６９】
【表１】
2007225657.tif 000046
【産業上の利用可能性】
【０２７０】
本発明の光記録媒体は、高い信号強度が得られる露光量においてもＳ／Ｎ比が悪化せず、信号強度とＳ／Ｎ比とが両立でき、高感度、かつ高多重記録が可能なホログラム型の各種光記録媒体として幅広く用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０２７１】
【図１】図１は、従来の光記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、従来の光記録媒体の別の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の光記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、コレステリック液晶層を３層積層したフィルタの正面（０°）からの入射光に対する反射特性を示すグラフである。
【図５】図５は、コレステリック液晶層を３層積層したフィルタ層内の４０°傾斜方向からの入射光に対する反射特性を示すグラフである。
【図６】図６は、コレステリック液晶層を２層積層したフィルタの正面（０°）からの入射光に対する反射特性を示すグラフである。
【図７】図７は、コレステリック液晶層を２層積層したフィルタ層内の２０°傾斜方向からの入射光に対する反射特性を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明による光記録媒体周辺の光学系の一例を示す説明図である。
【図９】図９は、本発明の光記録媒体を搭載した光記録再生装置の全体構成の一例を表すブロック図である。
【符号の説明】
【０２７２】
１      第一の基板
２      反射膜
３      サーボビットパターン
４ａ      光分解性記録層
４ｂ      光重合性記録層
５      第二の基板
６      選択反射層
７      第二ギャップ層
８      第一ギャップ層
１２      対物レンズ
１３      ダイクロイックミラー
１４      検出器
１５      １／４波長板
１６      偏光板
１７      ハーフミラー
２０〜２２      光記録媒体
３１      ピックアップ
３３      サーボ光
３５      情報光及び参照光
３５ａ    情報光及び参照光
８１      スピンドル
８２      スピンドルモータ
８３      スピンドルサーボ回路
８４      駆動装置
８５      検出回路
８６      フォーカスサーボ回路
８７      トラッキングサーボ回路
８８      スライドサーボ回路
８９      信号処理回路
９０      コントローラ
９１      走査部
１００      光記録再生装置
Ａ      入出射面
ＦＥ      フォーカスエラー信号
ＴＥ      トラッキングエラー信号
ＲＦ      再生信号
【図１】
2007225657.tif 000047
【図４】
2007225657.tif 000048
【図５】
2007225657.tif 000049
【図６】
2007225657.tif 000050
【図７】
2007225657.tif 000051
【図２】
2007225657.tif 000052
【図３】
2007225657.tif 000053
【図８】
2007225657.tif 000054
【図９】
2007225657.tif 000055