(57)【要約】【課題】ＭＶＡモードを用いたアクティブ・マトリス型液晶表示装置及びその製造方法において、タンデムリペア方式による点欠陥のリペアの成功率を向上させ、広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を安価に提供する。【解決手段】液晶配向の制御のために各画素電極６が、スリット６２により複数のサブピクセルパターン６Ａに分離され、これらがブリッジ部６６を介して互いに導通されている。アレイ検査により点欠陥が発見された際には、画素電極６の一隅に位置する小さな直角三角形状の第１のサブピクセルパターン６Ａ-１と、大面積の第２のサブピクセルパターン６Ａ-２との間にて、ブリッジ部６６にレーザーカット部６１が設けられる。【選択図】図１
2007225828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面上に走査線、信号線、スイッチング素子、画素電極、及び樹脂絶縁層を有したアレイ基板と、一主面上に対向電極を有する対向基板と、これら基板の間に挟持される負の誘電率異方性の液晶組成物及びスペーサと、前記樹脂絶縁層に形成され前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させるコンタクトホールと、
前記各画素電極を複数のサブピクセルパターンに分割して該画素電極の端部に第１のサブピクセルパターンを形成する画素電極スリットと、
前記複数のサブピクセルパターンを互いに導通させる画素電極ブリッジ部と、
前記第１のサブピクセルパターンがなす一方の縁の略全体から延在されて前記コンタクトホールを覆う画素電極コンタクト部と、
少なくとも一つの前記画素電極にて前記第１のサブピクセルパターンとその他のサブピクセルパターンとを電気的に切り離すように前記画素電極ブリッジ部に設けられたレーザーカット部と、
前記その他のサブピクセルパターンを前記一つの画素電極に隣り合う他の一の前記画素電極に導通させるべくこれら画素電極の間に掛け渡されたリペア用連結配線とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極の一隅またはその近傍から、信号線に沿った方向へと張り出したリペア用張り出し部が設けられ、前記リペア用連結配線が、このリペア用張り出し部の少なくとも端部を覆うレーザーＣＶＤによる配線として設けられたことを特徴とする請求項１の液晶表示装置。
【請求項３】
一主面上に走査線、信号線、スイッチング素子、画素電極、及び樹脂絶縁層を有したアレイ基板と、一主面上に対向電極を有する対向基板と、これら基板の間に挟持される負の誘電率異方性の液晶組成物及びスペーサと、前記樹脂絶縁層に形成され前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させるコンタクトホールと、前記各画素電極を複数のサブピクセルパターンに分割して該画素電極の端部に第１のサブピクセルパターンを形成する画素電極スリットと、前記複数のサブピクセルパターンを互いに導通させる画素電極ブリッジ部と、前記第１のサブピクセルパターンがなす一方の縁の略全体から延在されて前記コンタクトホールを覆う画素電極コンタクト部とからなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記アレイ基板の製造後に、その画素ドットごとの欠陥を検出する点欠陥検出工程と、
この点欠陥検出工程にて検出された点欠陥に係る一の前記画素電極を前記第１のサブピクセルパターンとその他のピクセルパターンとの間にて、前記画素電極ブリッジ部のレーザーカットにより電気的に切り離し、また、前記一の画素電極に隣り合う他の前記画素電極と前記その他のピクセルパターンとをレーザーＣＶＤを用いた連結配線の形成、またはリペア回路を用いた導通操作により、電気的に接続させるタンデムリペア工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの能動素子（スイッチング素子）により駆動されるアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。特には、マルチドメイン型ＶＡＮモードの液晶表示装置について、製造歩留まりを向上させることができるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を有するために、ＯＡ機器、情報端末、時計、テレビ等さまざまな分野に応用されている。特に、画素ドットごとのスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置は、その優れた応答性から携帯テレビやコンピュータなど多くの情報を含むデータの表示用モニターに用いられている。近年、情報量の増加に伴い高精細化や高速応答性が要求され始めており、高精細化にはＴＦＴアレイ構造の微細化により対応がなされている。一方、高速応答性の実現のためには、ネマチック液晶を用いたＯＣＢ（optically compensated bending）方式、ＶＡＮ（vertically aligned nematic）方式、ＨＡＮ（hybrid aligned nematic）方式、及びπ配列方式、並びに、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶（SSFLC）方式、及び反強誘電性液晶（AFLC）方式が検討されている。
【０００３】
これらの中でも最近、特に注目されているのがＶＡＮ（vertically aligned nematic）型配向モードである（例えば、特許文献１参照）。従来のツイストネマチック型（TN）モードよりも速い応答速度が得られるだけでなく、垂直配向処理の採用により、従来から静電気破壊などの不良原因の発生が危倶されていたラビング配向処理工程を削除することができるという利点を有している。
【０００４】
ここで、マルチドメイン型ＶＡＮモード（以下の文中では、ＭＶＡモードと略称する）の基本原理を、図６の例を用いて説明する。図中、アレイ基板１０上の画素電極６にはスリット６１が形成され、対向基板１０２上の共通電極（対向電極）１０７表面には畝（うね）状ないしリブ状の突起１０８が形成されており、両基板の主面（電極形成面）上には垂直配向膜が塗布されている。ここで負の誘電異方性を示すネマチック液晶材料１０１Ａを用いた場合、電圧が印加されていない状態では液晶分子が垂直方向に配向する。また、所定の電圧を印加した状態では電界離散効果により画素電極スリットの外側へと電界が傾斜し、液晶分子はスリットの内側へと向かって傾斜する。一方、対向基板側では突起の形状効果により液晶は突起の外側に傾斜する。この原理に従えば、前記画素電極スリット及び対向突起を複数の方向への異方性を有するパターンに形成するだけで、容易に液晶層を複数のドメインに分割することが可能である。例えば、画素電極６のスリット６１及び対向基板１０２の突起構造１０８を基板端辺に対し略±４５度の角度で設けるならば、液晶材料の分子配向が、互いに略９０度異なる４方向への異方性を有するようにすることができる（特許文献１）。すなわち、液晶分子が４方向に配向するため、広い視野角を実現できる。
【０００５】
さらに、ＭＶＡモードは、対向ＣＦ（対向基板上のカラーフィルタ）構造、ＣＦ・オン・アレイ構造（ＣＯＡ構造；カラーフィルタ層をアレイ基板上に形成するもの）、あるいは画素上置き構造（画素電極を最上層のパターンとする構造）といった様々な構成への適用も容易である。
【０００６】
ところで、ＭＶＡモードに限らずアクティブマトリクス型液晶表示装置では画素ドットごとに能動素子（スイッチング素子）が形成されており、画素ドット単位の表示不良は点欠陥として視認される。これら点欠陥は近年の大画面化、高精細化に伴い歩留まり低下の大きな要因となっており、安価に良質のパネルを提供するためには欠点部分のリペア技術の開発が重要となる。そこで開発された欠点リペア方法のーつにタンデムリペア方式と呼ばれるものがある（例えば特許文献２乃至３）。本方式では、まずレーザーカットにより欠陥画素ドットの画素電極からＴＦＴの箇所を切り離し、該画素電極をオープンの状態にする。ここで、画素ドットは、カラー表示の場合、レッド、グリーン及びブルーの表示を行う各ドット部分をいうものとする。このようにレーザーカットを行うとともに、切り離した画素電極と隣接画素ドットの画素電極を、レーザーＣＶＤ（chemical vapor deposition）により形成したリペア配線等によりショートさせる。その結果、該隣接画素ドットの一つのＴＦＴにより欠陥画素ドットの画素電極と、隣接する正常画素ドットの画素電極との、２つの画素電極ないし画素ドットを、合わせて駆動することができ、見かけ上は良点画素とすることができる。
【０００７】
一方、近年、厚型の樹脂絶縁膜を介して、画素電極の四周の縁部を信号線及び走査線と重ね合わせることが行われている。樹脂絶縁膜は、例えば１μｍ以上の厚さを有する低誘電率の有機樹脂からなり、これを介して重ねられる画素電極と信号線等との間での、電気容量の発生や短絡のおそれを充分に小さくすることを可能にするものである。このような樹脂絶縁膜の配置により、画素開口率または光反射率ないし光源光の利用率を向上させることができる。特には、透過型液晶表示装置にあって、位置合わせマージンに起因する画素開口の損失をなくすことができるので、画素開口率を大きく向上することができる。このような樹脂絶縁膜は、同時にカラーフィルタ層として用いられることが多い（例えば特許文献４）。
【特許文献１】特開２００１−０８３５２２号公報
【特許文献２】特開２００２−９１３４２号公報
【特許文献３】特開２００２−２７８４７６号公報
【特許文献４】特開２００２−１８２２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
厚型の樹脂絶縁膜を用いる液晶表示装置であると、画素電極とＴＦＴが該樹脂絶縁膜を貫くコンタクト・ホールを介して導通しており、ソース電極等にレーザーカットを施すのは困難である。点欠陥に係る画素電極をＴＦＴから電気的に切り離してオープンの状態にするためには、コンタクト・ホール近傍にて、画素電極を横断するようにレーザーカットしなくてはならない。しかし、画素電極の切断距離が長くなるにつれてリペア工程に要する時間が長くなりスループットが悪化するのはもちろん、カットミスや、飛び散った画素電極材料（多くの場合ITO）の破片が再付着することによるショートなどが発生しやすくなる。そのため、リペア工程の歩留まりが低下する。
【０００９】
本発明は前記問題点を鑑みてなされたものであり、ＭＶＡモードを用いたアクティブ・マトリス型液晶表示装置において点欠点部のリペア成功率を向上させ、広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示素子を安価に提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、一主面上に走査線、信号線、スイッチング素子、画素電極、及び樹脂絶縁層を有したアレイ基板と、一主面上に対向電極を有する対向基板と、これら基板の間に挟持される負の誘電率異方性の液晶組成物及びスペーサと、前記樹脂絶縁層に形成され前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させるコンタクトホールと、前記各画素電極を複数のサブピクセルパターンに分割して該画素電極の端部に第１のサブピクセルパターンを形成する画素電極スリットと、前記複数のサブピクセルパターンを互いに導通させる画素電極ブリッジ部と、前記第１のサブピクセルパターンがなす一方の縁の略全体から延在されて前記コンタクトホールを覆う画素電極コンタクト部と、少なくとも一つの前記画素電極にて前記第１のサブピクセルパターンとその他のサブピクセルパターンとを電気的に切り離すように前記画素電極ブリッジ部に設けられたレーザーカット部と、前記その他のサブピクセルパターンを前記一つの画素電極に隣り合う他の一の前記画素電極に導通させるべくこれら画素電極の間に掛け渡されたリペア用連結配線とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、一主面上に走査線、信号線、スイッチング素子、画素電極、及び樹脂絶縁層を有したアレイ基板と、一主面上に対向電極を有する対向基板と、これら基板の間に挟持される負の誘電率異方性の液晶組成物及びスペーサと、前記樹脂絶縁層に形成され前記スイッチング素子と前記画素電極とを導通させるコンタクトホールと、前記各画素電極を複数のサブピクセルパターンに分割して該画素電極の端部に第１のサブピクセルパターンを形成する画素電極スリットと、前記複数のサブピクセルパターンを互いに導通させる画素電極ブリッジ部と、前記第１のサブピクセルパターンがなす一方の縁の略全体から延在されて前記コンタクトホールを覆う画素電極コンタクト部とからなる液晶表示装置の製造方法であって、前記アレイ基板の製造後に、その画素ドットごとの欠陥を検出する点欠陥検出工程と、この点欠陥検出工程にて検出された点欠陥に係る一の前記画素電極を前記第１のサブピクセルパターンとその他のピクセルパターンとの間にて、前記画素電極ブリッジ部のレーザーカットにより電気的に切り離し、また、前記一の画素電極に隣り合う他の前記画素電極と前記その他のピクセルパターンとをレーザーＣＶＤを用いた連結配線の形成、またはリペア回路を用いた導通操作により、電気的に接続させるタンデムリペア工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
レーザーカット及びレーザーＣＶＤを用いるタンデムリペア方式のリペアにより、高い成功率及び高い歩留まりで欠陥画素を良点化することができ、しかも、リペアのための工程負担及び時間を低減することができる。また、各画素電極においてＴＦＴの端子との接続箇所近傍では、該接続箇所から他の箇所への給電抵抗を低く保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜液晶パネルの要部の構成＞
本発明の実施の形態になる液晶表示装置１００の構成について、図１乃至２を用いて説明する。図１の拡大平面図には、リペア箇所の画素ドットの構成について模式的に示す。尚、図１には、アレイ基板１０の画素ドットごとの構成を示すが、液晶分子の配向方向が理解しやすいように、対向基板１０２の表面に設けられたリブ状突起１０８も併せて記載している。
【００１４】
図示の例では、画素電極スリット６２、及び対向基板上のリブ状突起１０８について、それぞれ基板端辺に対し略４５度の角度をなすように設けている。このようにして、液晶層１０１の液晶分子１０１Ａが、ドメイン間で互いに略９０度異なる、４方向への異方性を有するようにしている。そのため、対向基板と組み合わせて負の誘電異方性を示すネマチック液晶材料を注入した場合、画素電極スリット６２の漏れ電界効果と対向突起の形状効果により、液晶分子１０１Ａは図中に示した４方向に配向する。
【００１５】
画素電極６とＴＦＴ７は、厚型樹脂膜５（図２）に設けられたコンタクト・ホール５３を介して導通している。詳しくは、画素電極６から延在されたコンタクト部６３が、コンタクト・ホール５３の箇所を覆い、ＴＦＴ７のソース電極３３に直接接触して導通している。
【００１６】
また、図示の例で、各画素電極６は、信号線３１の方向に細長い矩形状であり、画素電極スリット６２により５つのサブピクセルパターン６Ａ-１乃至６Ａ-５に分割されており、隣り合うサブピクセルパターン６Ａは、画素電極スリット６２に架け渡された形のブリッジ部６６を通じて互いに導通している。
【００１７】
図示の具体例において、コンタクト部６３が直接延在された第１のサブピクセルパターン６Ａ-１は、画素電極６の矩形の一隅に、直角２等辺三角形状に設けられており、ブリッジ部６６を通じて、面積の大きい概略平行四辺形状の第２のサブピクセルパターン６Ａ-２に導通している。そして、第２のサブピクセルパターン６Ａ-２が他の複数のブリッジ部６６を通じて、画素電極６の中央部に位置する第３のサブピクセルパターン６Ａ-３に導通している。第３のサブピクセルパターン６Ａ-３は、大きな直角２等辺三角形状であり、その斜辺が一方の信号線３１に沿って延び、頂点が他方の信号線３１に近接した箇所に位置する。
【００１８】
画素電極６の長さ方向略中央部に補助容量線１４が延びているが、この補助容量線１４を基準として、第１及び第２のサブピクセルパターン６Ａ-１及び６Ａ-２と線対称に、第４及び第５のサブピクセルパターン６Ａ-４及び６Ａ-５が配置されている。したがって、画像信号電位がＴＦＴ７を介して供給された際には、コンタクト部６３から、第１乃至第５のサブピクセルパターン６Ａ-１乃至６Ａ-５へと順次、給電が行われる。なお、図示の例で、第２及び第４のサブピクセルパターン６Ａ-２及び６Ａ-４は、一つのブリッジ部６７を介して互いに連続している。
【００１９】
本実施形態において、各画素電極６における第１のサブピクセルパターン６Ａ-１と、これから延在されるコンタクト部６３とは、これらの間にくびれ部分を形成することなく、これらの走査線方向寸法の全体にわたって互いに接ぎ合わされた形で、相互に連続している。図示の具体例で、コンタクト部６３は走査線１１の方向に長い矩形状であって、その長辺は、第１のサブピクセルパターン６Ａ-１がなす２等辺三角形における走査線１１に沿った辺と長さが一致しており、これらの全体にわたって、接ぎ合わされている。したがって、コンタクト部６３から第１のサブピクセルパターン６Ａ-１への給電抵抗は最小限となっている。
【００２０】
タンデムリペアの際、点欠陥に係る画素電極６−１は、第１のサブピクセルパターン６Ａ-１と第２のサブピクセルパターン６Ａ-２との間のブリッジ部６６が、レーザーカットにより切断される。すなわち、リペアを行った箇所では、レーザーカット部６１により、第１のサブピクセルパターン６Ａ-１とその他のサブピクセルパターン６Ａ-２乃至６Ａ-５とが、電気的に切り離されている。そして、リペアの際にレーザーＣＶＤによって設けられたリペア用連結配線９により、点欠陥の画素電極６−１は、第１のサブピクセルパターン６Ａ-１を除き、良点（点欠陥でない画素ドット）の画素電極６−２に電気的に導通されている。図示の例で、リペアに用いられる良点の画素電極６は、点欠陥の画素電極６−１に対して、そのＴＦＴ７−１から遠い側で、信号線３１方向に隣り合うものである。
【００２１】
リペアの際に、点欠陥に係る画素電極６−１から、その第１のサブピクセルパターン６Ａ-１が切り離されるが、画素電極６中に占める第１のサブピクセルパターン６Ａ-１の面積割合が小さいことから、液晶表示装置１００の使用時には、ほぼ正常動作する良点として視認される。画素電極６の表示面積中における第１のサブピクセルパターン６Ａ-１の表示面積の比率は、大きくとも２０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下に設定される。図示の例で、第１のサブピクセルパターン６Ａ-１の表示面積の比率は、約３％である。
【００２２】
なお、本実施形態において、リペア用連結配線９を形成するときにその長さ及び金属膜を形成する面積が少なくて済むように、隣接画素電極６間の領域に、画素電極６の張り出し部６５を設けるという工夫をした。詳しくは、図１中に示すように、各画素電極６には、その矩形の一隅またはその近傍から信号線３１に沿った方向へと延在された形のリペア用張り出し部６５を設けた。リペア用張り出し部６５は、好ましくは、コンタクト部６３が設けられる側に設けられ、かつ、コンタクト部６３からできるだけ離間される。図示の例で、リペア用張り出し部６５は、短冊状であり、走査線１１上に位置する。
【００２３】
＜アレイ基板の作製＞
透明基板上１８に、膜厚約０．３μｍのモリブデン膜をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターン形成して、走査線（ゲート線、ゲートバスライン）１１及び補助容量線１４を作成する。その上に、二酸化珪素あるいは窒化珪素から成る膜厚０．１５μｍのゲート絶縁膜１５を形成し、引き続き、その上にＴＦＴの半導体層３６を設ける。次いで、膜厚０．３μｍのアルミニウム金属（AL）層から成る信号線（ドレインバスライン）３１とソース電極３３を形成し、ＴＦＴ７を完成させる。
【００２４】
なお、図示の例では、各ＴＦＴ７にチャネル保護膜２を設けており、また、ＴＦＴ７を覆う、非樹脂材料による層間絶縁膜４を設けている。また、補助容量形成用の島状パターン３４を、信号線３１と同時に設けている
続いて、赤色の顔料を分散させた感光性レジスト樹脂をスピンナー（spinner; spin coater）で全面塗布し、９０℃、１０分の乾燥後、赤色の着色層を形成する部分のみに紫外線が照射されるようなフォトマスクを介して、露光量が２００ｍＪ／ｃｍ2となるように露光を行う。次に、水酸化カリウムの１ｗｔ％水溶液で２０秒間現像を行い、２００℃、６０分焼成することにより、赤色の着色層のパターンを形成した。このようにして、同様に緑色、青色の顔料を分散させた感光性レジストを用いて着色層のパターンを形成した。このようにして、カラーフィルタ層をなす膜厚約１．５μｍの厚型樹脂膜５、及びコンタクト・ホール５３，５４を形成した。
【００２５】
なお、図２に示す例においては、額縁状遮光膜８２を設ける箇所に溝状の抜き部５２を、同時に形成している。また、厚型樹脂膜５のコンタクトホール５３，５４の箇所に、予め、層間絶縁膜４を貫く抜き部４３，４４を設けている。
【００２６】
さらにその後、インジウム・スズ酸化物（ITO）を膜厚約０．１μｍにスパッタリングしてフォトリソグラフィにより画素電極６のパターンを形成した。
【００２７】
また、感光性の黒色樹脂をスピンナーで塗布し、９０℃で１０分の乾燥後、スペーサ部（ＴＦＴ７の近傍）と表示エリアの外周部に紫外線が照射されるようなフォトマスクを介して、露光量３００ｍＪ／ｃｍ2で露光を行った。その後、ｐＨ１１．５のアルカリ性水溶液で現像し、２００℃、６０分焼成することにより、各柱状スペーサ８１、及び額縁状遮光膜８２のパターンを形成した。
【００２８】
＜アレイ基板の検査及びリペア＞
このようにして得られた図示の具体例のアレイ基板１０についてアレイテスタ検査装置で検査した結果、１６％の割合でアレイ基板１０に点欠陥の発生が見られた。そこで、以下の手順で点欠陥についてのタンデムリペアを実施した。
【００２９】
まず、点欠陥を生じた画素電極６−１において、ソース電極３３との間のコンタクト・ホール５３に最も近い位置にあるブリッジ部６６をレーザーカットした。このようにして、画素電極６−１のコンタクト部６３に連続する第１のサブピクセルパターン６Ａと、その他のサブピクセルパターン６Ｂ乃至６Ｅとを切り離した。
【００３０】
次に、レーザーＣＶＤを用いて、信号線方向（たて方向）に隣接する画素電極６−１，６−２間を連結するように、導電性に優れたタングステン金属を主成分とする金属膜を堆積させ、リペア用連結配線９を形成した。
【００３１】
なお、レーザーカットを行うレーザー蒸散加工（Zapping）のためのレーザー光としては、一具体例において、Ｎｄ+3：ＹＬＦレーザー装置、またはＮｄ+3：ＹＡＧレーザー装置の第３高調波（３４９ｎｍ）を使用し、超音波Ｑスイッチ素子により変調されてパルス状に発振するレーザー光であって、エネルギーレベルが０．６ｍＪ（２Ｈｚ）を越えるものを用い、幅約３μｍのレーザーカット部６１を作成した。また、リペア用連結配線９を形成するためのレーザーＣＶＤには、一具体例において、同様のレーザー光であってソースガスとしてタングステン含有カルボニル化合物、例えばＷ（ＣＯ）6を用いた他、キャリアガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を用いた。また、例えば、連続発振のレーザー光であって、最大平均出力が１００ｍＷ（２ｋＨｚ）以上であるものを用い、配線幅が約１０μｍ、膜厚が約０．３μｍの配線層が堆積されるようにした。一具体例において、信号線３１の幅が約５μｍ、信号線３１同士の間隔が約５０μｍ、画素電極６のスリット６２の幅が約５μｍ、ブリッジ部６６，６７の幅が約５μｍである。
【００３２】
上記のようなタンデムリペアの結果、正常作動する一つのＴＦＴ７−２により、２つの画素ドットを同時に駆動できるようになった。上記タンデムリペアは、点欠陥が発生した１６％のアレイ基板１０のうち、１０％のアレイ基板１０に適用した。残りの６％のうち５％は、主に、隣接する画素電極６間のショートによる不良、及び、信号線３１及びゲート線１１のショート・オープン不良であった。すなわち配線間の短絡や配線の断線による不良であった。そこで、ショート部のレーザーカット、及びレーザーＣＶＤによる配線修正によりリペアを実施した。残る１％は点欠陥が塊状に多発しているなど、リペア対応が困難な不良であった。
【００３３】
＜液晶パネルの組立＞
その後、上述したアレイ基板を用いて液晶セルを作成した。まず、対向基板１０２にはＩＴＯのスパッタリングにより対向電極（共通電極）１０７を形成した後、感光性樹脂レジストをスピンナーで全面塗布し、所定のフォトマスクを介して、露光、現像を行うことにより、畝状ないしリブ状の突起１０８を形成した。その後、上記のようにして得られたアレイ基板１０と対向基板１０２とに、それぞれ、垂直性を示す配向膜１０６を７０ｎｍの厚さで塗布した。そして、アレイ基板１０の端面と対向基板１０２の端面とを治具で位置合わせしつつ、エポキシ系の熱硬化樹脂から成るシール材１０９を用いて、互いに貼合わせた。続いて、得られた構造体（「空セル」）の空隙内に、誘電率異方性が負の液晶材料１０３を充填してから、注入口を紫外線硬化樹脂で封止した。そして、両基板１０，１０２の外面に偏光板１０４を貼って「液晶セル」（駆動回路基板を実装する前の液晶パネル本体）を完成させた。
【００３４】
この試作液晶セルの点灯表示検査を実施したところ、タンデムリペアを行った点欠陥については１００％の歩留まりで良点化に成功していた。また、リペアを実施した液晶セルの表示特性を評価した結果も良好であり、その結果、高い製造歩留まりを得ることができた。
【００３５】
＜比較例１＞
比較例１の液晶表示装置１００’における画素ドットの構成及びリペア箇所について、図３乃至４に示す。図３に示すように、各画素電極６を構成するサブピクセルパターン６Ａ-１乃至６Ａ-５の形状、寸法及び配置は、図１に示す実施形態の液晶表示装置と同一である。また、図４の積層断面図は、レーザーカット部６１の位置のみ、図２と異なっている。
【００３６】
比較例１において、コンタクトホール５３の箇所を覆うコンタクト部６３は、第２のサブピクセルパターン６Ａ-２における走査線１１に沿った方向の縁から、そのままの幅で信号線３１方向に延在された形となっている。第２のサブピクセルパターン６Ａ-２は、第１及び第３のサブピクセルパターン６Ａ-１，６Ａ-３の間に位置するとともに、表示面積が大きく、例えば画素電極６全体の約３３％である。そのため、コンタクト部６３からの給電抵抗は、低く抑えられている。しかし、同様のタンデムリペアのためには、コンタクト部６３と、第２のサブピクセルパターン６Ａ-２とを切り離す長寸法のレーザーカット部６１を設ける必要がある。すなわち、レーザーのフォーカススポットが、コンタクト部６３の走査線方向の寸法だけ移動して横断するように、レーザーカットを行ったのである。
【００３７】
なお、図４に示すように、レーザーカットは、コンタクトホール５３及びドレイン電極３３のパターンに近接した箇所で行われる。そのため、レーザーカットの際、ドレイン電極３３のパターンを露出させてしまい、画素電極６の表示部が再度ドレイン電極３３と部分的に導通してしまうといったことのため、液晶表示装置の特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００３８】
上記のようなレーザーカットの後は、上記実施の形態で説明したのと全く同様にレーザーＣＶＤを用いて、リペア用連結配線９を作製して、点欠陥に係る画素電極６−１と隣接する画素電極６−２とをショートさせた。また、同様のプ口セスで液晶パネルを作成した。この試作液晶セルの点灯表示検査を実施したところ、タンデムリペアを行った点欠陥のうち１５％は、黒表示で薄い輝点に見えるなど良点化に失敗しており、８５％の歩留まりしか得られなかった。さらに、図１に示す実施形態の液晶表示装置の場合と比べ、タンデムリペアに約１．５倍の時間を要した。そのため製造歩留まりとスループットが共に悪化し、その結果、製造コストが大幅に増大した。
【００３９】
＜比較例２＞
比較例２の液晶表示装置１００”の画素ドットの構成及びリペア箇所について、図５に示す。ここでは画素電極６の表示部分からコンタクト部６３へと延びる箇所を鎌（かま）首状に細くした。点欠陥のタンデムリペアを実施する際には、画素電極６が細くなった首状部分６８をレーザーカットした。この点を除き、図３の比較例１の場合と全く同様である。詳しくは、図５中に示すように、サブピクセルパターン６Ａの形状、寸法及び配置が図３の場合と同一であり、かつ、コンタクト部６３は、第２のサブピクセルパターン６Ａ-２から延在されている。但し、図示のリペア用張り出し部６５は、コンタクト部６３と近接して、第２のサブピクセルパターン６Ａ-２の隅部から延びている。
【００４０】
比較例２においても、上記実施の形態で説明したのと全く同様のプロセスで液晶セルを作成した。この液晶セルの点灯表示検査を実施したところ、タンデムリペアを行った点欠陥については１００％の歩留まりで良点化に成功していた。また、リペアに要する時間も比較例１に比べて２／３に短縮でき、リペア工程のスループットも改善された。しかし、新たな表示むらが発生しており、表示むら箇所の観察により周辺の正常部に対してわずかに明るく見える半輝点が多発していることが確認された。
【００４１】
さらに詳細に調べたところ、画素電極６のコンタクト部６３から表示部への給電抵抗値ないしはコンタクト抵抗値が上昇しており、わずかなプロセス条件の振れによってもコンタクト異常が発生して表示不良を生じることが分かった。この表示むらは得られた液晶セルの５％で発生しており、製造歩留まりは大幅に悪化した。
【００４２】
以上説明したように、上記実施の形態のような構成を採用することで、はじめて、ＭＶＡモードの液晶表示装置に発生した点欠陥を高い歩留まりで良点化することができた。比較例１のような従来から一般的であった画素ドット部分の構成を採用した場合には、タンデムリペアの際、長距離のレーザーカットを必要としていた。しかし、本発明ではＭＶＡモードの画素ドット構成の特徴を活かしコンタクト・ホール部に最も近いブリッジ部を切断することで、切断距離を短くしリペアを容易にしている。その結果、製造歩留まりが改善され、広い視野角と良好な表示特性を有する液晶表示素子を安価に提供することができる。
【００４３】
すなわち、本発明においては、ＭＶＡモードでは配向制御用のスリットにより画素が複数のサブピクセルに分割されていることを有効に利用し、コンタクト・ホール部分に最も近いブリッジ部を切断することで画素電極をオープン状態にしている。そのため、コンタクト・ホール近傍の画素電極面積は広く取って抵抗値を低く保ったままで、画素電極切断距離を短くすることが可能である。その結果、タンデムリペア方式において、点欠陥画素を容易にオープン状態にでき、その後、隣接画素とレーザーＣＶＤでショートさせることにより高い成功率で欠陥画素を良点化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態になる液晶表示装置の各画素ドット及びリペア箇所の構成を示す拡大平面図である。
【図２】図１の液晶表示装置の画素構成を説明するための模式的な積層断面図である。
【図３】比較例１の液晶表示装置の各画素ドット及びリペア箇所の構成を示す、図１に対応する拡大平面図である。
【図４】図１の液晶表示装置についての、図２に対応する積層断面図である。
【図５】比較例２の液晶表示装置の各画素ドット及びリペア箇所の構成を示す、図１に対応する拡大平面図である。
【図６】ネガ型ネマティック液晶を垂直配向モードで駆動する際のマルチドメイン配向について説明するための模式的な積層断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  アレイ基板        １００  液晶表示装置    １０１  液晶層
１０１Ａ  液晶分子        １０２  対向基板        １０８  リブ状突起
１１  走査線              ３１  信号線              ５  厚型樹脂膜（着色膜）
６  画素電極          ６Ａ-１乃至６Ａ-５  第１乃至第５のサブピクセルパターン
６１  レーザカット箇所    ６２  スリット          ６３  コンタクト部
６５  画素電極からのリペア用の張り出し部          ６６  画素電極のブリッジ部
６６  ブリッジ部            ７  ＴＦＴ              ９  リペア用連結配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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