(57)【要約】【課題】駆動不良を防止することができる表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置を提供する。【解決手段】表示基板は、プラスティック基板、ゲート配線、アクティブ層、データ配線、及びドレイン配線を含む。ゲート配線はプラスティック基板上に形成され、ゲートライン及びゲート電極部を含む。アクティブ層は、ゲート電極部に対応してゲート絶縁膜上に形成される。データ配線は、ゲート絶縁膜上にゲート配線と交差するように形成されたデータライン及びデータラインと平行に形成され、データラインと電気的に接続されたリペアラインを含む。ドレイン配線は、データラインとリペアラインとの間に形成される。従って、プラスティック基板の微細なクラックを通じて誘発されるデータラインの断線による駆動不良を防止することができる。【選択図】図１
2007017935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスティック基板と、
前記プラスティック基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含むゲート配線と、
前記ゲート配線が形成された前記プラスティック基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上に形成されたアクティブ層と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータライン、及び前記データラインとほぼ平行に形成され、前記データラインと電気的に接続されたリペアラインを含むデータ配線と、
前記データラインと前記リペアラインとの間に形成されたドレイン配線と、
を含む表示基板。
【請求項２】
前記データ配線は、前記データラインと前記リペアラインを電気的に接続する連結ラインを更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項３】
前記連結ラインは、前記ゲート配線と平行に形成されたことを特徴とする請求項２記載の表示基板。
【請求項４】
前記データラインは、前記アクティブ層と重畳するソース電極部を含み、前記ドレイン配線は、前記アクティブ層と重畳するドレイン電極部を含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項５】
前記ゲート配線及びドレイン配線が形成された前記ゲート絶縁膜上に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成された画素電極と、
を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項６】
前記ドレイン配線は、前記画素電極との接続のためのコンタクト部を含むことを特徴とする請求項５記載の表示基板。
【請求項７】
前記画素電極は、前記保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記コンタクト部と電気的に接続されることを特徴とする請求項６記載の表示基板。
【請求項８】
前記プラスティック基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の上面及び下面に形成されたバリア層と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項９】
前記ベース基板は、
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる群から選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項８記載の表示基板。
【請求項１０】
前記バリア層は、アクリル系列の樹脂からなることを特徴とする請求項８記載の表示基板。
【請求項１１】
プラスティック基板上にゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線が形成された前記プラスティック基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にデータライン、前記データラインとほぼ平行なリペアライン、及び前記データラインと前記リペアラインを接続する連結ラインを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データラインと前記リペアラインとの間にドレイン配線を形成する段階と、
を含む表示基板の製造方法。
【請求項１２】
前記データライン及びリペアラインは、前記ゲート配線と交差するように形成され、
前記連結ラインは、前記ゲート配線と平行に形成されることを特徴とする請求項１１記載の表示基板の製造方法。
【請求項１３】
前記データラインは、前記アクティブ層と重畳するソース電極部を含み、
前記ドレイン配線は、前記アクティブ層と重畳するドレイン電極部とを含むことを特徴とする請求項１１記載の表示基板の製造方法。
【請求項１４】
前記データ配線及び前記ドレイン配線が形成された前記ゲート絶縁膜上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に画素電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１１記載の表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ドレイン配線は、前記画素電極との接続のためのコンタクト部を更に含み、
前記画素電極は、前記保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記コンタクト部と電気的に接続されることを特徴とする請求項１４記載の表示基板の製造方法。
【請求項１６】
前記データ配線及び前記ドレイン配線は、同じ物質で同時に形成されることを特徴とする請求項１１記載の表示基板の製造方法。
【請求項１７】
前記プラスティック基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の上面及び下面に形成されたバリア層と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の表示基板の製造方法。
【請求項１８】
表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、
を含み、前記表示基板は、
第１プラスティック基板と、
前記第１プラスティック基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含むゲート配線と、
前記ゲート配線が形成された前記第１プラスティック基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上に形成されたアクティブ層と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート配線と交差するように形成されたデータライン、及び前記データラインとほぼ平行に形成され、前記データラインと電気的に接続されたリペアラインを含むデータ配線と、
前記データラインと前記リペアラインとの間に形成されたドレイン配線と、
を含む表示装置。
【請求項１９】
前記データ配線は、
前記データラインと前記リペアラインを電気的に接続する連結ラインを更に含むことを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１プラスティック基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の上面及び下面に形成されたバリア層と、
を含むことを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【請求項２１】
前記表示基板は、
前記データ配線及び前記ドレイン配線が形成された前記ゲート絶縁膜上に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成された画素電極と、
を更に含むことを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【請求項２２】
前記対向基板は、
第２プラスティック基板と、
前記第２プラスティック基板上に前記画素電極と向かい合うように形成された共通電極と、
を含むことを特徴とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２３】
プラスティック基板と、
第１方向に沿って前記プラスティック基板上に形成された第１配線と、
前記プラスティック基板上に形成され、前記第１配線の両端部と電気的に接続された第２配線と、
を含む表示装置。
【請求項２４】
第２方向に沿って前記プラスティック基板上に形成された第３配線を更に含むことを特徴とする請求項２３記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第１配線はデータラインであり、
前記第２配線はリペアラインであり、
前記第３配線はゲート配線であり、
前記データラインは、前記リペアラインの少なくとも１つ以上の端部とほぼ平行であり、
前記第１方向は、前記第２方向とほぼ平行であることを特徴とする請求項２４記載の表示装置。
【請求項２６】
前記ゲート配線を有する前記プラスティック基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート配線のゲート電極部と、
前記ゲート電極部上に形成されたアクティブ層と、
を更に含むことを特徴とする請求項２５記載の表示装置。
【請求項２７】
前記第１配線はゲート配線であり、
前記第２配線はリペアラインであり、
前記第３配線はデータラインであり、
前記ゲート配線は、前記リペアラインの少なくとも１つ以上の端部とほぼ平行であり、
前記第１方向は、前記第２方向とほぼ垂直であることを特徴とする請求項２４記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置に関し、より詳細には、データラインの断線による駆動不良を防止することができる表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、移動通信端末機、デジタルカメラ、ノートパソコン、モニター等の多様な電子機器は、画像を表示するための表示装置を備えている。表示装置としては、電子機器の特性上、平板形状を有する液晶表示装置又は有機ＥＬ等が主に使用される。
液晶表示装置又は有機ＥＬ等の表示装置は、多数の画素を独立的に駆動するための表示基板を含む。表示基板は、絶縁基板及び絶縁基板上に形成された信号配線、及び薄膜トランジスタ等の駆動素子を含む。
【０００３】
従来の表示基板は、硬質のガラス基板を絶縁基板として主に使用した。しかし、最近では、製品の軽量化及び薄型化のために、フレキシブルなプラスティック基板を絶縁基板として使用する技術についての研究が進行している。
一般に、プラスティック基板は、ベース基板とベース基板の上面及び下面に形成されたバリア層で構成される。バリア層は、外部からの水分やガスがベース基板に浸透して拡散することを防止するために、ベース基板の上面及び下面に形成されることが必須である。
【０００４】
しかし、プラスティック基板を使用する場合、ベース基板とバリア層との間の熱膨張係数の差異によって、熱工程中に微細なクラックが発生するという問題点がある。発生する微細なクラックは、普通、３０μｍ〜５０μ程度の直径を有するので、データラインの断線を誘発し、これによって表示基板の駆動不良が発生するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明は、このような問題点を勘案したもので、本発明の目的は、データラインの断線による駆動不良を防止できる表示基板を提供することにある。
又、本発明の他の目的は、表示基板の製造方法を提供することにある。
又、本発明の更に他の目的は、前記した表示基板を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一特徴による表示基板は、プラスティック基板、ゲート配線、アクティブ層、データ配線、及びドレイン配線を含む。
前記ゲート配線は前記プラスティック基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含む。
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート配線が形成された前記プラスティック基板上に形成される。
【０００７】
前記アクティブ層は、前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上に形成される。
前記データ配線は、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータライン、及び前記データラインとほぼ平行に形成され前記データラインと電気的に接続されたリペアラインを含む。
前記ドレイン配線は、前記データラインと前記リペアラインとの間に形成される。
【０００８】
前記データ配線は、前記データラインと前記リペアラインを電気的に接続する連結ラインを更に含む。
本発明の一特徴による表示基板の製造方法は、プラスティック基板上にゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含むゲート配線を形成する段階、前記ゲート配線が形成された前記プラスティック基板上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にデータライン、前記データラインとほぼ平行なリペアライン、及び前記データラインと前記リペアラインを接続する連結ラインを含むデータ配線を形成する段階、及び前記データラインと前記リペアラインとの間にドレイン配線を形成する段階を含む。
【０００９】
本発明の一特徴による表示装置は、表示基板、前記表示基板と対向する対向基板、及び前記表示基板と前記対向基板との間に配置された液晶層を含む。
前記表示基板は、プラスティック基板、ゲート配線、アクティブ層、データ配線、及びドレイン配線を含む。前記ゲート配線は、前記プラスティック基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極部を含む。前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート配線が形成された前記プラスティック基板上に形成される。前記アクティブ層は、前記ゲート電極部に対応して前記ゲート絶縁膜上に形成される。前記データ配線は、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータライン及び前記データラインとほぼ平行に形成され前記データラインと電気的に接続されたリペアラインを含む。前記ドレイン配線は、前記データラインと前記リペアラインとの間に形成される。
【００１０】
本発明の他の一特徴による表示装置は、プラスティック基板、第１配線、及び第２配線を含む。前記第１配線は、第１方向に沿って前記プラスティック基板上に形成される。前記第２配線は前記プラスティック基板上に形成され、前記第１配線の両端部と電気的に接続される。ここで、前記表示装置は、第２方向に沿って前記プラスティック基板上に形成された第３配線を更に含むことが好ましい。前記第１配線はデータラインであり、前記第２配線はリペアラインであり、前記第３配線はゲート配線であり、前記データラインは、前記リペアラインの少なくとも１つ以上の端部とほぼ平行であり、前記第１方向は前記第２方向とほぼ平行である。
【００１１】
このような表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置によると、プラスティック基板の微細なクラックを通じて誘発されるデータラインの断線による駆動不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による表示基板を示す平面図であり、図２は、図１の１−１’に沿って切断した表示基板の断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の一実施例による表示基板１００は、プラスティック基板１１０、プラスティック基板１１０上に形成されたゲート配線１２０、ゲート絶縁膜１３０、アクティブ層１４０、データ配線１５０、及びドレイン配線１６０を含む。
【００１３】
プラスティック基板１１０は、柔軟性を有する薄いフィルム形態を有する。プラスティック基板１１０は、光を透過することができる透明な合成樹脂からなる。
ゲート配線１２０はプラスティック基板１１０上に形成され、ゲートライン１２２及びゲートライン１２２と接続されたゲート電極部１２４を含む。
ゲート配線１２０は、図１において横方向に延長されるように形成される。ゲート電極部１２４はゲートライン１２２と接続され、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート端子を構成する。
【００１４】
ゲート絶縁膜１３０は、ゲート配線１２０が形成されたプラスティック基板１１０上に形成される。ゲート絶縁膜１３０は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなる。
アクティブ層１４０は、ゲート電極部１２４に対応してゲート絶縁膜１３０上に形成される。アクティブ層１４０は、半導体層１４２及びオームコンタクト層１４４を含む。半導体層１４２は、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）からなり、オームコンタクト層１４４は、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコン（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ）からなる。
【００１５】
データ配線１５０はゲート絶縁膜１３０上に形成され、データライン１５２及びデータライン１５２とほぼ平行に形成されたリペアライン１５４を含む。データライン１５２及びリペアライン１５４は、ゲート配線１２０と交差するように図１における縦方向に形成される。
データライン１５２は、アクティブ層１４０と重畳するソース電極部１５３を含む。ソース電極部１５３は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース端子を構成する。
【００１６】
データ配線１５０は、データライン１５２とリペアライン１５４を電気的に接続する連結ライン１５６を更に含む。連結ライン１５６は、ゲート配線１２０と平行に形成される。連結ライン１５６は、表示基板１００の開口率を低下させないために、ゲート配線１２０と隣接した領域に形成されることが好ましい。
ドレイン配線１６０は、ゲート絶縁膜上のデータライン１５２とリペアライン１５４との間に形成される。ドレイン配線１６０は、アクティブ層１４０と重畳するドレイン電極部１６２を含む。ドレイン電極部１６４は、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン端子を構成する。
【００１７】
ソース電極部１５３とドレイン電極部１６２は、アクティブ層１４０上に互いに離間するように配置され、薄膜トランジスタＴＦＴのチャンネルを形成する。
ドレイン配線１６０は、画素電極１８０との接続のためのコンタクト部１６４を更に含む。
データ配線１５０とドレイン配線１６０は同じ金属物質からなり、一回の工程を通じて同時に形成される。
【００１８】
一方、表示基板１００は、保護膜１７０及び画素電極１８０を更に含む。
保護膜１７０は、データ配線１５０及びドレイン配線１６０が形成されたゲート絶縁膜１３０上に形成される。保護膜１７０は、ドレイン配線１６０のコンタクト部１６４の一部を露出させるためのコンタクトホール１７２を有する。
画素電極１８０は、ドレイン配線１６０のコンタクト部１６４と重畳するように保護膜１７０上に形成される。画素電極１８０は、光を透過することができる透明な導電性物質からなる。例えば、画素電極１８０は、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、又はインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）からなる。
【００１９】
画素電極１８０は、保護膜１７０に形成されたコンタクトホール１７２を通じてドレイン配線１６０のコンタクト部１６４と電気的に接続される。
一方、図示していないが、表示基板１００は、表示基板１００の平坦化のために、保護膜１７０と画素電極１８０との間に形成される有機膜を更に含むことができる。
本発明による表示基板１００は、バリア層を有するプラスティック基板１１０を使用するので、工程の進行中に微細なクラックが発生され、クラックによってデータライン１５２の断線が発生するおそれがある。
【００２０】
従って、本発明による表示基板１００は、データライン１５２の断線を考慮して、データライン１５２と電気的に接続されたリペアライン１５４を更に具備する構造を有する。
データライン１５２でクラックＣＲＫが発生すると、データライン１５２は、駆動部（図示せず）から提供される電気的な信号（データ信号）を薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極部１５３まで伝達することができない。しかし、本発明によると、入力されるデータ信号は、断線領域前端の連結ライン１５６、リペアライン１５２及び断線領域後端の連結ライン１５６の経路を通じて薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極部１５３に伝送される。従って、データライン１５２の断線によるライン不良を除去することができる。
【００２１】
一方、本実施例による表示基板１００は、データライン１５２の断線を考慮して、データライン１５２と接続されるリペアライン１５４を備えるデータライン１５２リペア構造を有するが、これと同じ方式でゲートライン１２２と接続されるリペアラインを更に追加することによって、ゲートライン１２２の断線に対するリペア構造を有する構成とすることもできる。
【００２２】
図３は、本発明の一実施例によるプラスティック基板を示す断面図である。
図３に示すように、プラスティック基板１１０は、ベース基板１１２及びベース基板１１２の上面及び下面にそれぞれ形成された第１バリア層１１４、及び第２バリア層１１６を含む。
ベース基板１１２は、光を透過することができる透明な合成樹脂からなる。例えば、ベース基板１１２は、ポリエーテルスルホン、ポリカボネート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、又はポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂からなる。
【００２３】
第１バリア層１１４及び第２バリア層１１６は、外部からの水分やガスがベース基板１１２に浸透して拡散することを防止するために、ベース基板１１２の上面及び下面に形成される。
第１バリア層１１４及び第２バリア層１１６は、ベース基板１１２より相対的に熱膨張率が小さい物質で形成される。例えば、第１バリア層１１４及び第２バリア層１１６は、アクリル系列の樹脂からなる。
【００２４】
以下、本発明の一実施例による表示基板の製造方法について、図４〜図７を参照して詳細に説明する。
図４〜図７は、図１及び図２に図示された表示基板の製造過程を示す工程図である。
図１及び図４に示すように、プラスティック基板１１０上に第１金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を通じてゲートライン１２２、及びゲートライン１２２と接続されたゲート電極部１２４を含むゲート配線１２０を形成する。
【００２５】
ゲート配線１２０は図１における横方向に延長されるように形成される。ゲート電極部１２４はゲートライン１２２と接続され、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート端子を構成する。ゲート配線１２０は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びモリブデン（Ｍｏ）が順次積層された３層膜構造を有する。
その後、ゲート配線１２０が形成されたプラスティック基板１１０上にゲート絶縁膜１３０を形成する。ゲート絶縁膜１３０は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなる。
【００２６】
その後、図１及び図５に示すように、ゲート絶縁膜１３０上にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を順次積層した後、フォトリソグラフィ工程を通じてゲート電極部１２４に対応されるようにアクティブ層１４０を形成する。
アクティブ層１４０は、半導体層１４２及びオームコンタクト層１４４で構成される。半導体層１４２はａ−Ｓｉで形成され、オームコンタクト層１４４は、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたｎ＋ａ−Ｓｉで形成される。
【００２７】
その後、図１及び図６に示すように、ゲート絶縁膜１３０及びアクティブ層１４０上に第２金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を通じてデータ配線１５０及びドレイン配線１６０を形成する。
データ配線１５０は、データライン１５２、データライン１５２とほぼ平行に形成されたリペアライン１５４、及びデータライン１５２とリペアライン１５４を電気的に接続する連結ライン１５６を含む。データライン１５２は、アクティブ層１４０と重畳するソース電極部１５３を含む。
【００２８】
データライン１５２及びリペアライン１５４は、ゲート配線１２０と交差するように図１の縦方向に形成される。連結ライン１５６は、データライン１５２とリペアライン１５４を接続するために、ゲート配線１２０と平行に形成される。連結ライン１５６は、表示基板１００の開口率を低下させないために、ゲート配線１２０と隣接した領域に形成されることが好ましい。
【００２９】
ドレイン配線１６０は、データライン１５２とリペアライン１５４との間に形成される。ドレイン配線１６０は、アクティブ層１４０と重畳するドレイン電極部１６２及びゲート絶縁膜１３０上に形成されたコンタクト部１６４を含む。
データ配線１５０のソース電極部１５３は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース端子を構成して、ドレイン配線１６０のドレイン電極部１６４は、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン端子を構成する。ソース電極部１５３とドレイン電極部１６２は、アクティブ層１４０上に互いに離間するように配置され、薄膜トランジスタＴＦＴのチャンネルを形成する。
【００３０】
データ配線１５０とドレイン配線１６０は同じ金属物質で形成され、一回の工程を通じて同時に形成される。例えば、データ配線１５０及びドレイン配線１６０は、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンが順次積層された３層膜構造を有する。
以後、ソース電極部１５３とドレイン電極部１６２との間に位置したオームコンタクト層１４４をエッチングして、半導体層１４２を露出させる。
【００３１】
その後、図１及び図７に示すように、データ配線１５０及びドレイン配線１６０が形成されたゲート絶縁膜１３０上に保護膜１７０を形成する。以後、フォトリソグラフィ工程を通じてドレイン配線１６０のコンタクト部１６３を露出させるためのコンタクトホール１７２を形成する。
図１及び図２に示すように、保護膜１７０上に透明な導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を通じて画素電極１８０を形成する。
【００３２】
画素電極１８０は、光を透過することができる透明な導電性物質で形成される。例えば、画素電極１８０は、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）又はインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）からなる。
画素電極１８０は、保護膜１８０に形成されたコンタクトホール１７２を通じてドレイン配線１６０のコンタクト部１６４と電気的に接続される。
【００３３】
一方、本実施例による表示基板１００の製造方法は、表示基板１００の平坦化のために、保護膜１７０と画素電極１８０との間に有機膜を形成する段階を更に含むように構成できる。
図８は、本発明の一実施例による表示装置を示す断面図である。本実施例において、表示基板は、図２に図示されたものと同じ構造を有するので、同じ構成要素には同じ参照番号を付与し、その重複説明は省略する。
【００３４】
図８に示すように、本発明の一実施例による表示装置２００は、表示基板１００、表示基板１００と対向する対向基板３００、及び表示基板１００と対向基板３００との間に配置された液晶層４００を含む。
対向基板３００は、プラスティック基板３１０、カラーフィルター層３２０、及び共通電極３３０を含む。
【００３５】
プラスティック基板３１０は、柔軟性を有する薄いフィルム形態を有する。プラスティック基板３１０は、光を透過することができる透明な合成樹脂からなる。例えば、プラスティック基板３１０は、表示基板１００のプラスティック基板１１０と同じ構成を有する。
カラーフィルター層３２０は、表示基板１００と向かい合うプラスティック基板３１０の対向面に形成される。カラーフィルター層３２０は、色を具現するために、レッド、グリーン、及びブルー色画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を含む。一方、カラーフィルター層５２０は、表示基板１００上に形成することができる。
【００３６】
共通電極３３０は、表示基板１００の画素電極１８０と向かい合うように、プラスティック基板３１０のカラーフィルター層３２０上に形成される。共通電極３３０は、光の透過のために、透明な導電性物質で形成される。例えば、共通電極３３０は、画素電極１８０と同じインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）又はインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）からなる。
【００３７】
液晶層４００は、異方性屈折率、異方性誘電率等の光学的、電気的特性を有する液晶分子が一定の形態で配列された構造を有する。液晶層４００は、画素電極１８０と共通電極３３０との間に形成される電界によって液晶分子の配列が変化し、液晶分子の配列変化によって通過する光の透過率を制御する。
このような構成を有する表示装置２００は、ゲートライン１２２を通じてゲート電極部１２４にゲート信号が印加されると、薄膜トランジスタＴＦＴがターンオンする。薄膜トランジスタＴＦＴのターンオンによって、データライン１５２を通じて印加されるデータ信号は、ソース電極部１５３及びドレイン電極部１６２を経て画素電極１８０に印加される。一方、対向基板３００の共通電極３３０には、共通電圧が印加される。
【００３８】
従って、画素電極１８０と共通電極３３０との間には、データ信号と共通電圧との間の差異に該当する電界が形成され、このような電界による液晶分子の配列変化によって外部から供給される光の透過度が変更され、所望する諧調の画像を表示することになる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
このような表示基板、その製造方法、及びこれを有する表示装置によると、データラインの断線を考慮して、それぞれの画素領域にデータラインと電気的に接続されたリペアラインを形成する。
従って、プラスティック基板の微細なクラックを通じて誘発されるデータラインの断線が別の追加工程を行うことなく、リペアされることによって、データラインの駆動不良を防止することができる。
【００４０】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例による表示基板を示す平面図である。
【図２】図１の１−１’に沿って切断した表示基板の断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるプラスティック基板を示す断面図である。
【図４】図１及び図２に図示された表示基板の製造過程を示す工程図である。
【図５】図１及び図２に図示された表示基板の製造過程を示す工程図である。
【図６】図１及び図２に図示された表示基板の製造過程を示す工程図である。
【図７】図１及び図２に図示された表示基板の製造過程を示す工程図である。
【図８】本発明の一実施例による表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００    表示基板
１１０    プラスティック基板
１２０    ゲート配線
１２２    ゲートライン
１２４    ゲート電極部
１３０    ゲート絶縁膜
１４０    アクティブ層
１５０    データ配線
１５２    データライン
１５３    データ電極部
１５４    リペアライン
１５６    連結ライン
１６０    ドレイン配線
１６２    ドレイン電極部
１６４    コンタクト部
１７０    保護膜
１７２    コンタクトホール
１８０    画素電極
２００    表示装置
３００    対向基板
３３０    共通電極
４００    液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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