(57)【要約】【課題】  発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上したエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  支持棒２３の外側面に光透過性の陽極層２４、正孔輸送層２５、発光層２６及び光反射性の陰極層２７を順次積層して、四角柱状のＥＬ棒２２を形成した。そして、各ＥＬ棒２２の陰極層２７を共通電極に接続された導電性の連結層ＳＣで連結し、各ＥＬ棒２２の陽極層２４をそれぞれ透明基板１１上に形成した各画素電極２１に接続し、各ＥＬ棒２２の軸心Ｃが、それぞれ透明基板１１の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようにした。【選択図】      図３
2007080577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、
第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、
複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第１電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第１電極層を有し、
前記接続手段は、露出した前記第１電極層を前記画素電極に押圧して、前記第１電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第１電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、
前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第２電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第１電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、
前記第２電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、
第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層の間の発光層からなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、
前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第１電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向を互いに平行にする複数の前記発光棒からなる前記発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の前記集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ対応する前記画素電極に接続するようにしたこと特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示データに即した画像を表示する表示装置としてエレクトロルミネッセンス装置（以下単に、「ＥＬ装置」という。）が知られている。ＥＬ装置は、各画素内に設けられた陰極層と、陽極層と、陰極層と陽極層の間の発光層とを含む積層体を備え、前記積層体に供給する駆動電流やその駆動時間の制御によって、発光層の発光輝度を階調制御し、表示データに即した画像を表示するようしている。こうしたＥＬ装置には、高輝度化と低消費電力化を図るために、前記積層体を有機系の材料によって構成する、いわゆる有機ＥＬ装置が知られている。
【０００３】
有機ＥＬ装置の製造工程では、フォトリソグラフィ工程に対する前記有機系材料の耐性が低いために、一般的に、マスクを介した蒸着法によって前記積層体をパターニングしていた。しかし、前記蒸着法では、蒸着粒子（有機低分子）の飛行制御が困難であるために、積層体の加工精度が低くなり、有機ＥＬ装置の生産性を著しく低下させる問題があった。
【０００４】
そこで、上記有機ＥＬ装置では、従来より、こうした積層体のパターニングを容易にして、ＥＬ装置の生産性を向上するための提案がなされている（例えば、特許文献１）。特許文献１では、透明基板上に陽極層を囲む撥液性の隔壁を形成し、その隔壁で囲まれる領域（発光領域）に、発光材料を含む液状体の液滴を吐出している。そして、吐出した容量分の液状体を乾燥することによって、所定量の前記発光層（前記積層体）を形成することができ、その発光層を、隔壁で囲まれる領域に自己整合的にパターニングすることができる。これによって、積層体のパターニングを容易にしてＥＬ装置の生産性を向上している。
【特許文献１】特開２００５−１１６３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記ＥＬ装置の製造工程では、ＥＬ装置の大型化等にともなって発光領域のサイズ変更を行うと、積層体の膜厚均一性を確保するために、液滴の吐出条件や乾燥条件等の各種成膜条件の最適化が必要となる。その結果、発光領域のサイズを変更する都度、各種成膜条件の最適化に多大な時間を要してＥＬ装置の生産性を著しく損なう問題を招いていた。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上したエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第１電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、を備えた。
【０００８】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置（以下単に、「ＥＬ装置」という。）によれば、発光棒を傾斜させる分だけ、法線方向から見た発光棒（発光層）のサイズを変更することができる。従って、発光棒の傾斜角を変更するだけで、一側面の面方向における発光棒からの光の領域、すなわち発光領域のサイズを変更することができる。そのため、積層体の各種成膜工程や成膜条件を維持して発光領域のサイズを変更することができる。その結果、発光領域のサイズ変更を容易にしてＥＬ装置の生産性を向上することができる。
【０００９】
このＥＬ装置において、前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第１電極層を有し、前記接続手段は、露出した前記第１電極層を前記画素電極に押圧して、前記第１電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えるようにしてもよい。
【００１０】
このＥＬ装置によれば、第１電極層と画素電極の電気的接続が保持されるため、ＥＬ装置の電気的特性を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このＥＬ装置において、前記第１電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されるようにしてもよい。
【００１１】
このＥＬ装置によれば、第１電極層と画素電極を面接触させることができ、ＥＬ装置の電気的特性を、さらに安定化することができる。
このＥＬ装置において、前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であってもよい。
【００１２】
このＥＬ装置によれば、基板側から光を取り出すボトムエミッション型のＥＬ装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このＥＬ装置において、前記第２電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第１電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えるようにしてもよい。
【００１３】
このＥＬ装置によれば、第２電極層の反射によって、発光層からの光を軸体の軸心方向に出射させることができる。従って、光のクロストークを回避することができ、確実に発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【００１４】
このＥＬ装置において、前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、前記第２電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であってもよい。
【００１５】
このＥＬ装置によれば、いわゆるアクティブマトリックス方式のＥＬ装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このＥＬ装置において、前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えるようにしてもよい。
【００１６】
このＥＬ装置によれば、積層体に対する水分や酸素等の侵入を遮断することができ、ＥＬ装置の発光寿命を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このＥＬ装置において、前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを含むようにしてもよい。
【００１７】
このＥＬ装置によれば、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか１つを有したＥＬ装置に関して、発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【００１８】
本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、第１電極層と、第２電極層と、第１電極層と第２電極層の間の発光層とか
らなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第１電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、を備えるようにした。
【００１９】
本発明のＥＬ装置の製造方法によれば、発光棒接続工程において、発光棒の基板に対する傾斜角を変更するだけで、基板の法線方向から見た発光棒（発光領域）のサイズを変更することができる。従って、発光領域のサイズ変更を容易にしてＥＬ装置の生産性を向上することができる。
【００２０】
このＥＬ装置の製造方法において、前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向が互いに平行となるように複数の前記発光棒を配列して発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ前記画素電極に接続するようにしてもよい。
【００２１】
このＥＬ装置の製造方法によれば、発光棒群に施す一回の切断工程によって、画素電極に接続する各発光棒の端面を形成することができる。その結果、画素電極に接続する各発光棒の端面形成を容易にすることができＥＬ装置の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
図１に示すように、エレクトロルミネッセンス装置（以下単に、「ＥＬ装置」という。）１０には、四角形状に形成された基板としての透明基板１１が備えられている。透明基板１１は、無アルカリガラス等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂材料からなる基板である。
【００２３】
透明基板１１の一側面（素子形成面１１ａ）には、一方向（Ｘ矢印方向）に延びる複数の走査線１２が等間隔に配列されている。各走査線１２は、それぞれ透明基板１１の一側端に接続されたＦＰＣ（フレキシブル基板）１３上の走査線駆動回路１４に電気的に接続されている。走査線駆動回路１４は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線１２の中から所定の走査線１２を所定のタイミングで選択駆動し、その走査線１２に走査信号を出力するようになっている。
【００２４】
前記素子形成面１１ａには、前記Ｘ矢印方向と直交する方向（Ｙ矢印方向）に延びる複数のデータ線１５が等間隔に配列されて、それぞれ前記フレキシブル基板１３上のデータ線駆動回路１６に電気的に接続されている。データ線駆動回路１６は、図示しない制御回路からの表示データに基づいてデータ信号を生成し、生成したデータ信号を対応するデータ線１５に所定のタイミングで出力するようになっている。
【００２５】
前記素子形成面１１ａには、前記Ｙ矢印方向に延びる複数の電源線１７が各データ線１５に併設されている。各電源線１７は、それぞれ透明基板１１の一側に形成された共通電源線１８に接続されて、図示しない制御回路からの共通する電源電圧が供給されるようになっている。
【００２６】
これら走査線１２とデータ線１５の交差する位置には、対応する走査線１２、データ線１５及び電源線１７に接続されてマトリックス状に配列された四角形状の複数の画素領域２０が形成されている。図２は、前記画素領域２０を説明するための平面図であって、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【００２７】
図２に示すように、各画素領域２０の一側（図２における下側）には、それぞれ制御素子を構成する第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２及び保持キャパシタＣＰが形成されている。
【００２８】
第１トランジスタＴ１は、素子形成面１１ａ上に形成されたポリシリコン型のＴＦＴであって、そのゲート電極Ｇ１及びソース電極Ｓ１が、それぞれ走査線１２及びデータ線１５に接続されている。第２トランジスタＴ２は、第１トランジスタＴ１と同じく、ポリシリコン型のＴＦＴであって、そのゲート電極Ｇ２及びソース電極Ｓ２が、それぞれ保持キャパシタＣＰの下部電極ＰＢ及び上部電極ＰＴに接続されている。保持キャパシタＣＰは、光透過性の層間絶縁膜１９（図３参照）を容量膜とするキャパシタであって、その下部電極ＰＢ及び上部電極ＰＴが、それぞれ第１トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄ１及び前記電源線１７に接続されている。
【００２９】
そして、走査線駆動回路１４（走査線１２）からの走査信号が対応する第１トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１に供給されると、第１トランジスタＴ１は、その走査信号を受けてオン状態となり、データ線駆動回路１６（データ線１５）からのデータ信号に対応する信号をドレイン電極Ｄ１に出力する。データ信号に対応する信号がドレイン電極Ｄ１に出力されると、保持キャパシタＣＰは、ドレイン電極Ｄ１（下部電極ＰＢ）と電源線１７（上部電極ＰＴ）との間の電位差に相対する電荷を蓄積する。そして、第１トランジスタＴ１がオフ状態になっても、第２トランジスタＴ２が、保持キャパシタＣＰの蓄積した電荷に相対する駆動電流をドレイン電極Ｄ２から出力するようになっている。
【００３０】
図２に示すように、第２トランジスタＴ２のドレイン電極Ｄ２には、画素領域２０の略全体にわたる画素電極２１が接続されている。画素電極２１は、仕事関数の高い光透過性の導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等）で形成された四角板状の透明電極であって、前記層間絶縁膜１９上に形成されている。
【００３１】
詳述すると、前記画素電極２１は、そのＸ矢印方向及びＹ矢印方向のピッチ幅が、それぞれＸ方向ピッチＷｘ及びＹ方向ピッチＷｙとなるように、マトリックス状に配列されている。そして、画素電極２１は、前記ドレイン電極Ｄ２に接続されて前記ドレイン電極Ｄ２からの駆動電流が供給されるようになっている。
【００３２】
各画素電極２１の上側には、それぞれ発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒（以下単に、「ＥＬ棒」という。）２２が接続されている。ＥＬ棒２２は、四角柱状に形成されて、図３に示すように、透明基板１１の法線方向（Ｚ矢印方向）に対して、Ｙ矢印方向に傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。尚、本実施形態の傾斜角θは約４５°であるが、これに限られるものではない。
【００３３】
図３に示すように、各ＥＬ棒２２は、それぞれ接続手段を構成する連結層ＳＣによって互いに連結されて、対応する画素電極２１と対峙するように位置決めされている。連結層ＳＣは、図示しない共通電極に接続された遮光性を有する導電性樹脂材料で形成されて、各ＥＬ棒２２の外側面（後述する陰極層２７）を所定の共通電位にするようになっている。
【００３４】
本実施形態では、前記連結層ＳＣによって連結されたＥＬ棒２２の集合体をＥＬ棒シートＧｂという。尚、このＥＬ棒シートＧｂは、複数のＥＬ棒２２を切出し可能のしたマザーＥＬ棒２２Ｍ（図９参照）の集合体（ＥＬ棒ブロックＧａ：図９参照）を所定の切断面ＣＬで切断することによって形成されている。
【００３５】
各ＥＬ棒２２の中心位置には、軸体としての支持棒２３が備えられている。支持棒２３
は、各種ガラス材料等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の透明樹脂材料によって四角柱状に形成されて、その軸心Ｃが、Ｚ矢印方向に対してＹ矢印方向に前記傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。支持棒２３は、その画素電極２１側の端部（支持端部２３ａ）が素子形成面１１ａ（画素電極２１）に沿うように形成されて、密接する前記画素電極２１によって支持されるようになっている。
【００３６】
各支持棒２３の外側面には、軸心Ｃ方向側から順に、それぞれ第１電極層としての陽極層２４と、積層体を構成する正孔輸送層２５と、発光層２６及び第２電極層としての陰極層２７とが積層されている。
【００３７】
陽極層２４は、前記画素電極２１と同じく、仕事関数の高い光透過性の導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等）によって形成された電極であって、図２及び図３に示すように、支持棒２３の外側面の全体にわたって形成されている。陽極層２４は、その画素電極２１側の端部（接続端部２４ａ）が、前記支持端部２３ａと同じく、前記素子形成面１１ａ（画素電極２１）に沿うように形成されて、その画素電極２１と面接触するようになっている。そして、陽極層２４は、接続端部２４ａと画素電極２１との間の面接触によって、前記ドレイン電極Ｄ２（画素電極２１）からの駆動電流が供給されるようになっている。
【００３８】
正孔輸送層２５は、陽極層２４の外側面であって前記接続端部２４ａの近傍を除く略全体にわたり均一な膜厚で積層されている。正孔輸送層２５は、正孔輸送層材料としてのポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（以下単に、「ＰＥＤＯＴ」という。）で形成されて、画素電極２１からの駆動電流が陽極層２４に供給されると、駆動電流に対応する正孔を発光層２６まで輸送するようになっている。
【００３９】
尚、正孔輸送層材料は、「ＰＥＤＯＴ」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の正孔輸送層材料としては、ベンジジン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ピラゾリン誘導体、カルバゾール誘導体、ポルフィリン化合物等を利用することができる。高分子系の正孔輸送層材料としては、上記低分子構造を一部に含む（主鎖あるいは側鎖にする）高分子化合物、あるいはポリアニリン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン、α−ナフチルフェニルジアミン、「ＰＥＤＯＴ」とポリスチレンスルホン酸との混合物（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ、バイエル社商標）、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【００４０】
発光層２６は、正孔輸送層２５の外側面の全体にわたって均一な膜厚で積層された有機層であって、発光層材料としてのフルオレン−ジチオフェンコポリマー（以下単に、「Ｆ８Ｔ２」という。）で形成されている。そして、画素電極２１からの駆動電流が陽極層２４に供給されると、発光層２６には、駆動電流に相対する正孔輸送層２５からの正孔と陰極層２７からの電子が注入されて、注入された正孔と電子の再結合によるエキシトンを生成する。そして、このエキシトンが基底状態に戻るときのエネルギー放出によって、蛍光あるいは燐光を出射する。
【００４１】
尚、発光層材料は、「Ｆ８Ｔ２」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の発光層材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体物、アルミキノ
リノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体等を利用することができる。高分子系の発光層材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリビニレンスチレン誘導体、及びそれらの共重合体、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【００４２】
陰極層２７は、仕事関数の低い光反射性の導電材料（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの金属元素単体等）によって形成された電極であって、図２及び図３に示すように、発光層２６の外側面全体にわたって均一な膜厚で積層されている。
【００４３】
各ＥＬ棒２２及び連結層ＳＣの上側には、接続手段を構成する保持部材としての封止基板２８が配設されている。封止基板２８は、ガスバリヤ性を有した光反射性の基板であって、図１に示すように、前記透明基板１１と略同じサイズで形成されている。
【００４４】
その封止基板２８と透明基板１１との間であって、封止基板２８及び透明基板１１の外縁には、図１に示すように、四角枠状に形成されて接続手段を構成する封止層２９が形成されている。封止層２９は、ガスバリヤ性を有した無機あるいは有機高分子膜等で構成されて、前記封止基板２８を前記透明基板１１に密着させて、各ＥＬ棒２２の支持棒２３（支持端部２３ａ）及び陽極層２４（接続端部２４ａ）を、それぞれ対応する画素電極２１に押圧するようになっている。また、これら封止基板２８及び封止層２９は、封止基板２８と透明基板１１との間の空間（第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、保持キャパシタＣＰ及びＥＬ棒２２等）を封止して、各画素領域２０内への水分や酸素等の侵入を遮断するようになっている。
【００４５】
そして、表示画像のデータ信号に応じた駆動電流が画素電極２１に供給されると、駆動電流に相対する正孔と電子が対応する発光層２６に注入されて、その発光層２６から蛍光あるいは燐光が出射される。
【００４６】
発光層２６から出射された光は、その殆どが、陰極層２７及び封止基板２８によって反射されて、ＥＬ棒２２内を内部反射し、画素電極２１側に出射される。画素電極２１側に出射された光は、光透過性の画素電極２１、層間絶縁膜１９及び透明基板１１を通過して、発光層２６（ＥＬ棒２２）の長さ分に相対する輝度で、素子形成面１１ａと相対向する側面（表示面１１ｂ：図１参照）から出射される。これによって、表示データに基づく表示画像が、ＥＬ装置１０の表示面１１ｂに表示される。
【００４７】
この際、表示面１１ｂから出射されるＥＬ棒２２当たりの光の領域（以下単に、「発光領域Ｓ」という。）は、図２のグラデーションで示すように、表示面１１ｂに沿う発光層２６の領域で規定されて、ＥＬ棒２２（発光層２６）が傾斜する分だけ広くなる。詳述すると、本実施形態の発光領域Ｓは、ＥＬ棒２２を傾斜させない場合の１／ｓｉｎ（９０−θ）倍（約１．４倍）に拡大される。
【００４８】
従って、本実施形態のＥＬ装置１０によれば、発光領域Ｓのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、このＥＬ棒２２の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができる。換言すれば、傾斜角θを変更するだけで発光領域Ｓのサイズを変更することができ、ＥＬ装置１０全体にわたる発光層２６や正孔輸送層２５の膜厚均一性を維持した状態で、発光領域Ｓのサイズ変更を図ることができる。
【００４９】
次に、上記ＥＬ装置１０を製造する製造方法について、以下に説明する。
まず、透明基板１１の素子形成面１１ａに画素電極２１を形成する画素電極形成工程を行う。すなわち、図４に示すように、透明基板１１の素子形成面１１ａに、公知のＴＦＴ製造技術を利用して、前記第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、保持キャパシタＣＰ、走査線１２、データ線１５、電源線１７等を形成し、各画素領域２０を形成する。そして、素子形成面１１ａの全体にわたり、前記「ＩＴＯ」等の光透過性の導電材料を利用したスクリーン印刷法やインクジェット法等の液相プロセス、あるいは蒸着法やスパッタ法等の気相プロセスを施すことによって透明導電膜を堆積し、その透明導電膜をパターニングすることによって、各画素領域２０に対応する画素電極２１を区画形成する。
【００５０】
画素電極２１を形成すると、発光棒形成工程を構成する陽極層形成工程を行う。すなわち、図５に示すように、まず、支持棒２３を切出し可能にした切出し棒２３Ｍの外側面２３ｓを、前記「ＩＴＯ」を含む液状体（陽極層形成液２４Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、切出し棒２３Ｍの外側面２３ｓに堆積した陽極層形成液２４Ｌの液状膜２４Ｆを乾燥することによって、切出し棒２３Ｍに陽極層２４を形成する。
【００５１】
陽極層２４を形成すると、発光棒形成工程を構成する正孔輸送層形成工程を行なう。すなわち、図６に示すように、前記陽極層２４を有した切出し棒２３Ｍを、前記「ＰＥＤＯＴ」を含む液状体（正孔輸送層形成液２５Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、前記陽極層２４の外側面２４ｓに堆積した正孔輸送層形成液２５Ｌの液状膜２５Ｆを乾燥することによって切出し棒２３Ｍに正孔輸送層２５を形成する。
【００５２】
正孔輸送層２５を形成すると、発光棒形成工程を構成する発光層形成工程を行う。すなわち、図７に示すように、正孔輸送層２５を有した切出し棒２３Ｍを、前記「Ｆ８Ｔ２」を含む液状体（発光層形成液２６Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、正孔輸送層２５の外側面２５ａに堆積した発光層形成液２６Ｌの液状膜２６Ｆを乾燥することによって切出し棒２３Ｍに発光層２６を形成する。
【００５３】
発光層２６を形成すると、発光棒形成工程を構成する陰極層形成工程を行なう。すなわち、図８に示すように、前記発光層２６を有した支持棒２３を、前記「Ａｇ」の微粒子を含む液状体（陰極層形成液２７Ｌ）に浸漬して引き出す。そして、前記発光層２６の外側面２６ａに堆積した陰極層形成液２７Ｌの液状膜２７Ｆを乾燥することによって切出し棒２３Ｍに陰極層２７を形成する。これによって、ＥＬ棒２２を切出し可能にしたマザーＥＬ棒２２Ｍ（図９参照）を形成することができる。
【００５４】
マザーＥＬ棒２２Ｍを形成すると、透明基板１１に各ＥＬ棒２２を接続する発光棒接続工程としてのＥＬ棒接続工程を行う。すなわち、図９に示すように、まず、複数のマザーＥＬ棒２２Ｍを、それぞれ軸心ＣがＺ矢印方向となるように配列する。詳述すると、マザーＥＬ棒２２ＭのＸ矢印方向の配列ピッチＭｘが、前記画素電極２１のＸ方向ピッチＷｘであって、Ｙ矢印方向の配列ピッチＭｙが、前記Ｙ方向ピッチＷｙのｓｉｎ（９０−θ）倍（約１／１．４倍）となるように、各マザーＥＬ棒２２Ｍを、前記画素電極２１の数量分だけＸＹ平面上に配列させる。
【００５５】
そして、各マザーＥＬ棒２２Ｍの間に導電性の樹脂材料を充填し、その樹脂材料を硬化することによって、各マザーＥＬ棒２２Ｍを連結する連結層ＳＣ（図９における２点鎖線の領域）を形成する。これによって、連結層ＳＣで３次元的に連結されたマザーＥＬ棒２２Ｍの集合体（ＥＬ棒ブロックＧａ）を形成する。
【００５６】
続いて、ＥＬ棒ブロックＧａを形成すると、ＥＬ棒ブロックＧａを所定の切断面ＣＬで切断して、前記ＥＬ棒シートＧｂを切出す。すなわち、図９に示すように、マザーＥＬ棒
２２Ｍの軸心Ｃに対して、その法線方向が傾斜角θだけ傾斜する一対の切断面ＣＬに沿って、前記ＥＬ棒ブロックＧａを切断する。これによって、図１０に示すように、前記各画素電極２１に対応した支持端部２３ａを有する複数のＥＬ棒２２と、そのＥＬ棒２２の支持端部２３ａを切断面ＣＬの面方向に沿って連結する連結層ＳＣとからなるＥＬ棒シートＧｂを形成する。
【００５７】
ＥＬ棒シートＧｂを形成すると、前記支持端部２３ａを含むＥＬ棒シートＧｂの一側面にエッチング等を施して正孔輸送層２５、発光層２６、陰極層２７及び連結層ＳＣの一部を除去し、陽極層２４の接続端部２４ａを露出させる。
【００５８】
接続端部２４ａを形成すると、図１１に示すように、封止基板２８の一側面上に、前記支持端部２３ａ及び前記接続端部２４ａを上側にした前記ＥＬ棒シートＧｂを配置し、封止基板２８の外縁に沿って紫外線硬化性樹脂２９Ｌを塗布する。そして、封止基板２８及び透明基板１１を不活性ガスの減圧雰囲気下に搬送し、前記接続端部２４ａ（前記支持端部２３ａ）がそれぞれ対応する画素電極２１と接触するように、前記透明基板１１を前記封止基板２８に貼り合せる。そして、貼り合せた状態の透明基板１１及び封止基板２８を大気に解放して、紫外線硬化性樹脂２９Ｌを硬化する。
【００５９】
これによって、各ＥＬ棒２２を挟むようにして、透明基板１１と封止基板２８を密着させることができ、大気圧によって、各ＥＬ棒２２の接続端部２４ａをそれぞれ対応する各画素電極２１に均一に押圧することができる。そのため、陽極層２４と画素電極２１との間の電気的接続を確保することができ、透明基板１１と封止基板２８との間に封入した不活性ガスによって、各ＥＬ棒２２の電気的安定性を確保することができる。
【００６０】
従って、発光領域Ｓのサイズを変更する場合には、ＥＬ棒ブロックＧａに対する切断面ＣＬの傾斜角θを変更するだけで対応することができ、ＥＬ装置１０の全体にわたる発光層２６や正孔輸送層２５の膜厚均一性を維持することができる。
【００６１】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、支持棒２３の外側面に陽極層２４、正孔輸送層２５、発光層２６及び陰極層２７を順次積層して四角柱状のＥＬ棒２２を形成した。そして、透明基板１１上の複数の画素電極２１に、それぞれＥＬ棒２２の陽極層２４を接続し、各ＥＬ棒２２の軸心Ｃが、それぞれ透明基板１１の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようした。
【００６２】
従って、発光領域Ｓのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、ＥＬ棒２２の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができ、傾斜角θを変更するだけで発光領域Ｓのサイズを変更することができる。その結果、ＥＬ装置１０の全体にわたる発光層２６や正孔輸送層２５の成膜工程や膜厚均一性等を維持した状態で、発光領域Ｓのサイズ変更を図ることができる。そのため、発光領域Ｓのサイズ変更を容易にして、ＥＬ装置１０の生産性を向上することができる。
【００６３】
（２）上記実施形態によれば、陽極層２４の接続端部２４ａを素子形成面１１ａに沿うように形成し、封止基板２８によって、各接続端部２４ａをそれぞれ対応する画素電極２１に押圧するようにした。従って、陽極層２４と画素電極２１を面接触させることができ、画素電極２１とＥＬ棒２２の電気的接続を安定化することができる。
【００６４】
（３）上記実施形態によれば、ＥＬ棒２２の外表面に光反射性の陰極層２７を形成し、発光層２６からの光を支持棒２３側に反射するようにした。従って、発光層２６からの光を、支持棒２３の軸心Ｃ方向に出射させることができ、ＥＬ棒２２の長さ分だけ、各発光
領域Ｓからの光の輝度を向上することができる。
【００６５】
（４）上記実施形態によれば、透明基板１１の外縁に、封止基板２８と透明基板１１とを密着させて、封止基板２８と透明基板１１との間の空間を封止する封止層２９を形成した。従って、各ＥＬ棒２２に対する水分や酸素等の浸入を遮断することができ、各ＥＬ棒２２の長寿命化を図ることができる。
【００６６】
（５）上記実施形態によれば、各ＥＬ棒２２の陽極層２４、正孔輸送層２５、発光層２６及び陰極層２７をＥＬ棒２２毎に形成するようにした。そのため、ＥＬ棒２２を製造するための製造装置や付帯設備等を変更することなく、ＥＬ棒２２の本数を増加することができ、ＥＬ装置１０のサイズの大型化を、さらに容易にすることができる。
【００６７】
（６）上記実施形態によれば、ＥＬ棒２２を切出し可能にしたマザーＥＬ棒２２Ｍを形成し、複数のマザーＥＬ棒２２ＭからなるＥＬ棒ブロックＧａを切断面ＣＬで切断することによって各ＥＬ棒２２を形成するようにした。従って、各ＥＬ棒２２の接続端部２４ａをそれぞれ切断面ＣＬ上に整合させることができ、各画素電極２１に対する接続端部２４ａの位置整合性を向上することができる。その結果、発光領域Ｓのサイズ変更を容易にして、ＥＬ装置１０の生産性を、さらに向上することができる。
【００６８】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、軸体を支持棒２３として具体化したが、これに限らず、例えば軸体を棒状の陽極として具体化し、同陽極の表層を陽極層２４とする構成であってもよい。
・上記実施形態では、支持棒２３及び陰極層２７をそれぞれ光透過性部材及び光反射性部材で構成して、発光層２６からの光を、支持棒２３の軸心Ｃ方向に出射する構成にした。これに限らず、支持棒２３及び陰極層２７をそれぞれ光反射性部材及び光透過性部材で構成し、発光層２６からの光を支持棒２３の径方向に出射する構成にしてもよい。この際、各ＥＬ棒２２の外周部、すなわち連結層ＳＣを光反射性部材あるいは遮光性部材で構成して、各ＥＬ棒２２間の光のクロストークを回避する構成が好ましい。
・上記実施形態では、積層体を、陽極層２４、正孔輸送層２５、発光層２６及び陰極層２７によって構成した。これに限らず、例えば正孔輸送層２５を省略する構成にしてもよく、あるいは正孔輸送層２５と陽極層２４との間に、対応する発光層２６への正孔の注入効率を高めるための正孔注入層を形成する構成にしてもよい。さらには、正孔輸送層２５と発光層２６との間に、電子の移動を抑制する電子障壁層を形成する構成にしてもよい。
【００６９】
あるいは、発光層２６と陰極層２７との間に、陰極層２７から注入された電子を発光層２６まで輸送する電子輸送層を形成する構成にしてもよい。さらには、発光層２６と対応する前記電子輸送層との間に、正孔の移動を抑制する正孔障壁層を形成する構成であってもよい。
・上記実施形態では、ＥＬ棒２２に発光層２６を一層のみ形成する構成にした。これに限らず、例えばＥＬ棒２２は、対応する発光層２６と電荷発生層からなるユニットを複数積層した、いわゆるマルチフォトン構造であってもよい。
・上記実施形態では、ＥＬ棒２２を四角柱状に具体化したが、これに限らず、例えば断面が三角形や五角形以上の多角形であってもよく、さらには断面が楕円形状や円形状であってもよい。
・上記実施形態では、ＥＬ装置１０を、透明基板１１側に光を出射するボトムエミッション方式に具体化した。これに限らず、各ＥＬ棒２２の封止基板２８側を透明部材で構成して、ＥＬ棒２２からの光を封止基板２８側に出射するトップミッション方式に具体化してもよい。
・上記実施形態において、ＥＬ棒２２の発光層２６を、それぞれ赤色に対応した波長領域の光を発光する赤色発光層、緑色に対応した波長領域の光を発光する緑色発光層、青色に
対応した波長領域の光を発光する青色発光層によって構成する、あるいは、カラーフィルタを配設する構成にして、表示面１１ｂにフルカラーの画像を表示するようにしてもよい。
・上記実施形態では、陽極層２４、正孔輸送層２５、発光層２６及び陰極層２７を、それぞれ液相プロセスによって形成する構成したが、これに限らず、例えば蒸着成膜やスパッタ成膜等の気相プロセスによって形成する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、ＥＬ棒ブロックＧａを切断して連結層ＳＣに連結されたＥＬ棒２２、すなわちＥＬ棒シートＧｂを形成する構成にした。これに限らず、例えば１本のマザーＥＬ棒２２Ｍを順次切断して複数のＥＬ棒２２を形成し、あるいは複数のＥＬ棒２２をそれぞれ独立して形成し、各ＥＬ棒２２を、順次封止基板２８上に配列させる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明を具体化したエレクトロルミネッセンス装置を示す概略斜視図。
【図２】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す拡大平面図。
【図３】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す要部断面図。
【図４】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図５】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図６】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図７】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図８】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図９】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図１０】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図１１】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【符号の説明】
【００７１】
１０…エレクトロルミネッセンス装置、１１…透明基板、２０…画素領域、２１…画素電極、２２…発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒、２３…軸体としての支持棒、２４…第１電極層としての陽極層、２５…積層体を構成する正孔輸送層、２６…積層体を構成する発光層、２７…第２電極層及び反射膜としての陰極層、２８…接続手段を構成する保持部材としての封止基板、２９…接続手段を構成する封止層、ＣＬ…切断面、Ｇａ…集合体としてのＥＬ棒ブロックＳ…発光領域、Ｔ１…制御素子を構成する第１トランジスタ、Ｔ２…制御素子を構成する第２トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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