(57)【要約】【課題】表示品位の良好な表示装置の製造方法及びこの製造方法により製造された表示品位の良好な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  画素毎に独立島状の第１電極を形成する工程と、所定画素列の第１電極上に第１色に発光する第１光活性層を形成する工程と、第１光活性層を形成した画素列に隣接する画素列の前記第１電極上に第１色とは異なる第２色に発光する第２光活性層を形成する工程と、第１光活性層及び第２光活性層を覆うように第２電極を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の形成工程と、  各画素内において第１光活性層と第２光活性層とが重なった混色部、第１電極における混色部に重なった第１積層部、及び、第２電極における混色部に重なった第２積層部の少なくとも１つを除去または電気的に絶縁化するリペア工程と、  を備えたことを特徴とする。【選択図】      図３
2007066562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置の製造方法であって、
画素毎に独立島状の第１電極を形成する工程と、
所定画素列の前記第１電極上に第１色に発光する第１光活性層を形成する工程と、
前記第１光活性層を形成した画素列に隣接する画素列の前記第１電極上に第１色とは異なる第２色に発光する第２光活性層を形成する工程と、
前記第１光活性層及び前記第２光活性層を覆うように第２電極を形成する工程と、
各画素内において前記第１光活性層と前記第２光活性層とが重なった混色部、前記第１電極における前記混色部に重なった第１積層部、及び、前記第２電極における前記混色部に重なった第２積層部の少なくとも１つを除去または電気的に絶縁化するリペア工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記リペア工程の前に、表示エリアにおける混色部の有無を検査する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記リペア工程は、前記混色部に向けてレーザ光を照射することによって行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記リペア工程において、表示エリアにおける同一の光活性層を有する画素列に沿ってレーザ光を照射することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記リペア工程において、前記第１電極側から前記混色部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記リペア工程において、画素外を避けるよう同一直線上に不連続にレーザ光を照射することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記リペア工程において、前記第２電極側から前記混色部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記リペア工程において、同一直線上に連続にレーザ光を照射することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
マトリクス状の画素によって構成された表示エリアにおいて、
画素毎に独立島状に配置された第１電極と、
表示エリアにおける第１画素列の前記第１電極上に配置され第１色に発光する第１光活性層と、
前記第１画素列に隣接する第２画素列の前記第１電極上に配置され第１色とは異なる第２色に発光する第２光活性層と、
前記第１光活性層及び前記第２光活性層を覆うように配置された第２電極と、を備え、
前記第１電極、前記第１光活性層、及び、前記第２電極の少なくとも１つは、前記第１画素列の各画素内における前記第２画素列側にスリット状の開口部を有し、この開口部は同一直線上に沿って配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記光活性層は、有機活性層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、異なる色に発光する自発光性素子間の混色を抑制する表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成されたアレイ基板を備えている。有機活性層は、低分子系材料や高分子系材料を用いて、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法などにより形成される。
【０００４】
カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置においては、異なる色に発光するそれぞれの有機活性層は、対応する色画素に形成される。このような有機活性層の形成工程においては、所定の色の有機活性層が隣接する他の色画素にわたって形成される場合がある。例えば、低分子系材料を用いたマスク蒸着法により有機活性層を形成する工程においては、マスクと色画素との合わせずれなどに起因して、有機活性層を形成するための材料が対応する色画素のみならず隣接する他の色画素にも飛散してしまうことがある。また、高分子系材料を用いたインクジェット法により有機活性層を形成する工程においては、有機活性層を形成するための液滴の離散などにより対応する色画素のみならず隣接する他の色画素にも飛散してしまうことがある。
【０００５】
これにより、他の色画素においては、対応する色の有機活性層の他に他の色の有機活性層が重なった混色部が形成されてしまう。画素内にこのような混色部が存在する場合、表示装置を点灯した際に色むらとして視認されてしまい、表示品位の低下をもたらす。
【０００６】
一方で、陽極の一部と陰極とがショートした箇所にレーザ光を照射して少なくとも一方の電極を消失させてリペアする方法が提案されている（例えば、特許文献１）。また、画素内に異物が存在する領域にレーザ光を照射して陽極と陰極との間に高抵抗領域を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開２００３−２３３３２９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２７８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、有機活性層の形成過程において一部の画素に複数の有機活性層が重なった混色部が形成された場合、表示品位の低下をもたらす。特に、低分子系材料を用いたマスク蒸着法において、マスクの合わせずれに起因する場合、混色部は複数の画素にわたって同一直線上に形成されてしまい、視認されやすくなってしまう。また、このような混色部が存在する表示装置に対する有効なリペア方法がなかったため、製造歩留まりの低下を招くといった問題がある。
【０００８】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位の良好な表示装置の製造方法及びこの製造方法により製造された表示品位の良好な表示装置を提供することにある。また、この発明の目的は、製造歩留まりの改善が可能な表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の第１の様態による表示装置の製造方法は、
マトリクス状の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置の製造方法であって、
画素毎に独立島状の第１電極を形成する工程と、
所定画素列の前記第１電極上に第１色に発光する第１光活性層を形成する工程と、
前記第１光活性層を形成した画素列に隣接する画素列の前記第１電極上に第１色とは異なる第２色に発光する第２光活性層を形成する工程と、
前記第１光活性層及び前記第２光活性層を覆うように第２電極を形成する工程と、
各画素内において前記第１光活性層と前記第２光活性層とが重なった混色部、前記第１電極における前記混色部に重なった第１積層部、及び、前記第２電極における前記混色部に重なった第２積層部の少なくとも１つを除去または電気的に絶縁化するリペア工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
この発明の第２の様態による表示装置は、
マトリクス状の画素によって構成された表示エリアにおいて、
画素毎に独立島状に配置された第１電極と、
表示エリアにおける第１画素列の前記第１電極上に配置され第１色に発光する第１光活性層と、
前記第１画素列に隣接する第２画素列の前記第１電極上に配置され第１色とは異なる第２色に発光する第２光活性層と、
前記第１光活性層及び前記第２光活性層を覆うように配置された第２電極と、を備え、
前記第１電極、前記第１光活性層、及び、前記第２電極の少なくとも１つは、前記第１画素列の各画素内における前記第２画素列側にスリット状の開口部を有し、この開口部は同一直線上に沿って配置されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、表示品位の良好な表示装置の製造方法及びこの製造方法により製造された表示品位の良好な表示装置を提供することができる。また、混色部が存在する表示装置に対するリペア方法により製造歩留まりの改善が可能な表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１３】
有機ＥＬ表示装置１は、図１及び図２に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。
【００１４】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する列方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１５】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００１６】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを有している。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１７】
表示素子は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１８】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、画素毎ＰＸに独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された光活性層として機能する有機活性層６４と、によって構成されている。
【００１９】
画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ２０のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極は蓄積容量素子３０を構成する他方の電極及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。
【００２０】
図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０上に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２１】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜（例えば平坦化層）上に配置され、陽極として機能する。
【００２２】
有機活性層６４は、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６４は、発光層以外の層として、例えば、各色共通に形成される正孔輸送層を備え、各色画素に形成される発光層と積層した２層構造で構成されても良いし、正孔注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。有機活性層６４においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。
【００２３】
第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能している。
【００２４】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を区画する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各色画素を分離するよう形成することが望ましく、各第１電極６０の周縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁７０は、樹脂材料によって形成される。
【００２５】
このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射され、表示画面を構成する。
【００２６】
ところで、この実施の形態では、表示エリア１０２は、同一の色画素が同一直線上に複数並んだ画素列を備えている。例えば、図１に示すように、表示エリア１０２は、複数の赤色画素ＰＸＲが列方向（Ｘ方向）に並んだ赤色画素列ＲＬ、複数の緑色画素ＰＸＧが列方向（Ｘ方向）に並んだ緑色画素列ＧＬ、及び、複数の青色画素ＰＸＢが列方向（Ｘ方向）に並んだ青色画素列ＢＬを備えている。
【００２７】
次に、上述したような構成の表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、有機活性層６４は低分子系材料を用いてマスク蒸着法により形成されるものとする。
【００２８】
すなわち、ここで説明する表示装置の製造方法は、図３に示すように、マトリクス状の色画素によって構成された表示エリア１０２に有機ＥＬ素子４０を形成する工程（ＳＴ１）と、表示エリア１０２における混色部（すなわち色画素内において第１色に発光する第１有機活性層と第１色とは異なる第２色に発光する第２有機活性層とが重なった部分）の有無を検査する工程（ＳＴ２）と、検査工程において混色部を検出した場合に混色部をリペアする工程（ＳＴ３）と、を含んでいる。
【００２９】
まず、有機ＥＬ素子４０の形成工程（ＳＴ１）について説明する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、縦４８０画素、横６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）画素の合計９２万画素からなる表示エリア１０２を有した配線基板１２０を用意する。そして、図４Ａに示すように、配線基板１２０上の表示エリア１０２において画素毎に第１電極６０を形成する。この第１電極６０の形成方法については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、第１電極のパターンを有するマスクを介したマスクスパッタ法で形成しても良い。
【００３０】
その後、図４Ｂに示すように、各画素を分離する隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを成膜した後に一般的なフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、２２０℃で３０分間の焼成処理を行う。これにより、各画素を囲むような格子状の隔壁７０を形成する。
【００３１】
その後、図４Ｃに示すように、所定画素列Ｌ１の第１電極６０上に第１色に発光する第１有機活性層６４Ａを形成する。すなわち、この実施の形態では、所定画素列Ｌ１の第１電極６０を露出するようにマスクＭ１を配置し、第１色に発光する発光層の他にホールバッファ層などを形成するための低分子系材料を飛散させる。これにより、第１色に対応した色画素からなる画素列のそれぞれの第１電極６０上に第１有機活性層６４Ａが形成される。
【００３２】
その後、図４Ｄに示すように、所定画素列Ｌ１に隣接する画素列Ｌ２の第１電極６０上に第２色に発光する第２有機活性層６４Ｂを形成する。すなわち、この実施の形態では、画素列Ｌ２の第１電極６０を露出するようにマスクＭ２を配置し、第２色に発光する発光層の他にホールバッファ層などを形成するための低分子系材料を飛散させる。これにより、第２色に対応した色画素からなる画素列のそれぞれの第１電極６０上に第２有機活性層６４Ｂが形成される。このような工程により、表示エリア１０２の全体に、対応する色に発光する有機活性層６４を形成する。
【００３３】
その後、図４Ｅに示すように、表示エリア１０２において各色画素の第１有機活性層６４Ａ及び第２有機活性層６４Ｂを覆うように第２電極６６を形成する。この第２電極６６は、先に形成された第１有機活性層６４Ａ及び第２有機活性層６４Ｂが水分の影響によりダメージを受けないようにドライプロセスで形成されることが望ましく、例えば、蒸着法によって形成される。
【００３４】
一方で、アレイ基板１００上の表示エリア１０２を封止するために、封止体の外周に沿って紫外線硬化型のシール材を塗布し、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板１００と封止体とを貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材を硬化させる。なお、表示エリア１０２を封止する工程は、検査工程（ＳＴ２）あるいは必要に応じて追加されるリペア工程（ＳＴ３）の後であっても良い。
【００３５】
続いて、表示エリア１０２の検査工程（ＳＴ２）及びリペア工程（ＳＴ３）について説明する。
【００３６】
検査工程（ＳＴ２）及びリペア工程（ＳＴ３）では、第１電極６０及び第２電極６６のうち光透過性を有する材料によって形成された電極側から表示エリア１０２をモニタする。すなわち、光透過性を有する第１電極６０を備えた表示エリア１０２は、第１電極６０側すなわちアレイ基板１００の下面側からモニタ可能である。また、光透過性を有する第２電極６６を備えた表示エリア１０２は、第２電極６６側すなわちアレイ基板の上面側からモニタ可能である。
【００３７】
このように表示エリア１０２をモニタした結果に基づいて、検査工程において混色部の有無を検査する。そして、この検査工程において、混色部ＭＸを検出した場合には、リペア工程が適用される。ここでは、例えば、図５Ａに示すように、画素列Ｌ１の各色画素内において、第１有機活性層６４Ａ上に第２有機活性層６４Ｂが重なって混色部ＭＸが形成されたものとする。また、第１電極６０において混色部ＭＸと重なった領域を第１積層部６０Ａとし、第２電極６６において混色部ＭＸと重なった領域を第２積層部６６Ａとする。
【００３８】
また、特に低分子系材料を用いてマスク蒸着法により第１有機活性層６４Ａ及び第２有機活性層６４Ｂを形成した場合、マスクの合わせずれ起因した混色部ＭＸは、図５Ｂに示すように、表示エリア１０２における画素列Ｌ１に沿って（より厳密には画素列Ｌ１の各画素内における画素列Ｌ２側に）形成される。
【００３９】
リペア工程では、混色部ＭＸ、第１積層部６０Ａ、及び、第２積層部６６Ａの少なくとも１つを除去または電気的に絶縁化（高抵抗化）する。すなわち、リペア工程では、混色部ＭＸに向けて高エネルギビームを照射する。特に、図５Ｂに示したような混色部ＭＸに対しては、リペア工程において、画素列Ｌ１に沿って高エネルギビームを照射する。ビーム照射源は、除去または絶縁化の対象物が有する吸収波長やエネルギ密度などを考慮して適宜選択可能である。また、高エネルギビームは、レーザ光などの容易に微小径を形成可能であることが望ましい。ここでは、ビーム照射源として、ＹＡＧ（ｙｔｔｒｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｇａｒｎｅｔ）レーザを採用した。
【００４０】
このように混色部ＭＸに向けて高エネルギビームを照射することにより、高エネルギビームの波長を吸収する対象物が除去または絶縁化される。これにより、混色部ＭＸが発光しなくなる。また、第１電極６０−第２電極６６間を流れる電流量はほとんど変化しないため、輝度の低下も抑制される。したがって、色むらとして視認されにくくなり、表示品位を改善することができる。また、混色部が存在する表示装置であっても上述したようなリペア方法を適用することにより、不良点数を減少させることができ、製造歩留まりを改善することができる。
【００４１】
第１電極６０が光透過性を有する場合、リペア工程において、第１電極６０側から混色部ＭＸに向けて高エネルギビームを照射可能である。すなわち、図６Ａに示すように、アレイ基板１００の下面側から高エネルギビームを照射する。ここでは、第１有機活性層６４Ａ、第２有機活性層６４Ｂ、及び、第２電極６６が高エネルギビームの波長を吸収し、混色部ＭＸ及び第２積層部６６Ａが除去された状態を示している。
【００４２】
このとき、表示エリア１０２の画素外において、画素列と直交するように各種配線等が配置されているような構成においては、画素外を避けるよう同一直線上に不連続に高エネルギビームを画素列に沿って照射する。
【００４３】
このような高エネルギビームの照射により、第１電極６０、第１光活性層６４Ａ、及び、第２電極６６の少なくとも１つには、画素列Ｌ１の各画素内における画素列Ｌ２側にスリット状の開口部あるいは絶縁化した領域が形成される。図６Ｂには、第２電極６６が、画素列Ｌ１の各画素内における画素列Ｌ２側にスリット状の開口部ＡＰを有する例を図示している。すなわち、各色画素に形成された開口部ＡＰは、画素列Ｌ１と略平行な同一直線上に沿って並んでいる。
【００４４】
これにより、リペア工程において画素外の各種配線等が切断されることなく、混色部ＭＸでの発光を抑制することができ、表示品位を改善することができる。
【００４５】
また、第２電極６６が光透過性を有する場合、リペア工程において、第２電極６６側から混色部ＭＸに向けて高エネルギビームを照射可能である。すなわち、図７Ａに示すように、アレイ基板１００の上面側から高エネルギビームを照射する。ここでは、第２電極６６が高エネルギビームの波長を吸収し、第２積層部６６Ａが除去された状態を示している。
【００４６】
このとき、アレイ基板１００の上面側において、画素列と直交するように各種配線等が配置されていないような構成においては、同一直線上に連続に高エネルギビームを画素列に沿って照射する。
【００４７】
このような高エネルギビームの照射により、第１電極６０、第１光活性層６４Ａ、及び、第２電極６６の少なくとも１つには、画素列Ｌ１の各画素内における画素列Ｌ２側にスリット状の開口部あるいは絶縁化した領域が形成される。図７Ｂには、第２電極６６が、画素列Ｌ１の各画素内における画素列Ｌ２側にスリット状の開口部ＡＰを有する例を図示している。すなわち、画素列Ｌ１に形成された単一の開口部ＡＰは、画素列Ｌ１を構成する複数の色画素にわたって同一直線上に形成されている。
【００４８】
これにより、混色部ＭＸでの発光を抑制することができ、表示品位を改善することができる。
【００４９】
以上説明した表示装置の製造方法、特にリペア工程は、有機ＥＬ表示装置など電流量に応じて輝度が決定される表示素子を備えた表示装置に適用すれば、リペア後の画素を良点化する（つまり正常画素と同等に駆動する）ことが可能となる。
【００５０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５１】
上述した実施の形態では、リペア工程において、高エネルギビームとしてレーザ光を混色部に向けて照射する例について説明したが、混色部及び混色部に重なる電極の積層部の少なくとも１つを除去または絶縁化することで混色部での発光を抑制できれば、リペア方法はこの例に限定されない。
【００５２】
例えば、各色の有機活性層特有の吸収波長を有する高エネルギビームを照射して、混色部の有機活性層の劣化あるいは分解を促進させるような方法であっても良い。例えば、図５Ａに示したように、画素列Ｌ１の各画素において第１吸収波長を有する第１有機活性層６４Ａ上に第２吸収波長を有する第２有機活性層６４Ｂが重なった混色部ＭＸにおいては、第２吸収波長を含む波長分布を有する高エネルギビームを混色部ＭＸに向けて照射する。これにより、混色部ＭＸにおいて、第２有機活性層６４Ｂは、劣化あるいは分解する。したがって、混色部ＭＸでの第２有機活性層６４Ｂの発光を抑制することができ、表示品位を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示したアレイ基板を表示エリアで切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図４Ａ】図４Ａは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１電極を形成する工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、隔壁を形成する工程を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第１有機活性層を形成する工程を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２有機活性層を形成する工程を示す図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、有機ＥＬ素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第２電極を形成する工程を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、第１有機活性層のみが配置されるべき画素列において第１有機活性層上に第２有機活性層が重なって混色部が形成された例を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、表示エリアを構成する所定画素列に混色部が形成された例を示す平面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、リペア工程においてアレイ基板の下面側からレーザ光を照射して混色部及び第２積層部を除去した例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、リペア工程において第２電極に形成されたスリット状の開口部が画素列と略平行に並んだ例を示す平面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、リペア工程においてアレイ基板の上面側からレーザ光を照射して第２積層部を除去した例を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、リペア工程において第２電極に形成された単一のスリット状の開口部が画素列を構成する複数の色画素にわたって形成された例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６０Ａ…第１積層部、６４…有機活性層、６４Ａ…第１有機活性層、６４Ｂ…第２有機活性層、６６…第２電極、６６Ａ…第２積層部、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１０２…表示エリア、１２０…配線基板、ＰＸ…画素、ＭＸ…混色部、Ｌ（１、２…）…画素列、ＡＰ…開口部、Ｍ（１、２…）…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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