(57)【要約】【課題】クロストークが生じにくい高記録容量のランド・グルーブ記録用光ディスクを提供する。【解決手段】下記構造の光ディスク基板上に記録層膜等を所定の態様で形成することにより光ディスクを得る。この光ディスク基板では、基板上にランドトラックとグルーブトラックを螺旋状に形成したものにおいて、グルーブトラック１２の底面１２ａに、ランドトラック１１より低い湾曲形状の凸状トラック１３をグルーブトラック１２に沿って形成するとともに、この凸状トラック１３の頂部１３ａをランドトラック１１の頂部１１ａより低くする（Ｈ２＞Ｈ１）。この光ディスク基板のランドトラックおよびグルーブトラックに記録層を形成する。この場合、グルーブトラック底面１２ａのコーナー部の記録層膜厚を、ランドトラック上の記録層膜厚より薄く形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にランドトラックとグルーブトラックが螺旋状に形成されている光ディスク基板において、グルーブトラックの底面にランドトラックより低い凸状トラックがグルーブトラックに沿って形成され、この凸状トラックの頂部はランドトラックの頂部より低いことを特徴とする光ディスク基板。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスク基板において、前記凸状トラックが湾曲形状のものであることを特徴とする光ディスク基板。
【請求項３】
ランドトラックとグルーブトラックが螺旋状に形成され、記録層がこれらランドトラックおよびグルーブトラックに形成されているランド・グルーブ記録用光ディスクにおいて、請求項１または２記載の光ディスク基板を有することを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスクにおいて、前記グルーブトラック底面のコーナー部の記録層膜厚が、ランドトラック平坦部の記録層膜厚より薄く形成されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
請求項３または４に記載の光ディスクにおいて、グルーブトラック底面のコーナー部には記録層が形成されていないことを特徴とする光ディスク。
【請求項６】
請求項１または２に記載のディスク基板を作製するためのスタンパ製造用の光ディスク原盤作製方法において、
基板上に少なくとも光吸収層とこれよりも上層のレジスト層とを積層してレジスト原盤を作製する製膜工程と、
前記レジスト原盤上に２本のレーザビームを集光し、該レーザビームによって所定のパターンに応じた潜像をレジスト層上に形成する露光工程と、
露光後のレジスト原盤をエッチングしてパターンを形成するエッチング工程と、を備えてなり、
前記レジスト層は、ＭｇＦ2，ＣａＦ2，ＬｉＦおよびＢａＦ2 から任意に選ばれた一種または複数種のフッ素化合物を含むことを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項７】
請求項６に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記レジスト層にはＳｉＯ2 が添加されていることを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記露光工程で使用する露光波長における透過性能は、レジスト層より光吸収層のほうが低いことを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項９】
請求項８に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記光吸収層は、ＳｂＴｅ，ＧｅＳｂＴｅ，ＩｎＳｂＴｅ，ＢｉＳｂＴｅ，ＧａＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂＴｅのいずれかの材料からなることを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法において、前記基板と光吸収層との間に光吸収層の材料、レジスト層の材料のいずれとも異なる材料からなる保護層を形成することを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項１１】
請求項１０の光ディスク原盤作製方法において、前記保護層の材料はＺｎＳであることを特徴とする光ディスク原盤作製方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法により作製されたことを特徴とする光ディスク原盤。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光ディスク原盤により得られたスタンパを用いて光ディスク基板を成形することを特徴とする光ディスク基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の製造方法で得られた光ディスク基板を用いることを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項１５】
ランドトラックとグルーブトラックとが一定の間隔で基板上に形成されてなる光ディスク基板を有し、前記ランドトラックおよびグルーブトラックそれぞれに情報が記録される光ディスクにおいて、
再生光の波長をλ（ｎｍ）とし、前記光ディスク基板の屈折率をｎとし、ランドトラックとグルーブトラックとの間隔をＴＰ（ｎｍ）としたとき、
前記グルーブトラック頂部とランドトラック頂部との段差Ｄ１が、以下の式（１）を満足することを特徴とする光ディスク。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ１  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （１）
【請求項１６】
請求項１または２記載の光ディスク基板を有し、前記ランドトラックおよびグルーブトラックそれぞれに情報が記録される光ディスクにおいて、
再生光の波長をλ（ｎｍ）とし、前記光ディスク基板の屈折率をｎとし、ランドトラックとグルーブトラックとの間隔をＴＰ（ｎｍ）としたとき、
前記凸状トラックの頂部からランドトラック頂部までの段差Ｄ２が、以下の式（２）を満足することを特徴とする光ディスク。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ２  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスク、光ディスク基板および光ディスク原盤ならびに、これらの製造方法に関し、特に、クロストークの減少と、狭トラックピッチ化した場合におけるジッタなどの信号特性の向上とを実現した、ランド・グルーブ記録用光ディスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク原盤（光ディスク用の原盤：マスタ）の製造方法、この光ディスク原盤によるスタンパの製造方法および、このスタンパを使用する光ディスクの作製方法としては従来、例えば以下の工程が採用されている。
精密に研磨・洗浄されたガラス基板にフォトレジストを均一になるように塗布してフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層を所定のフォーマットに従って光変調されたレーザ露光ビームで露光して案内溝などの潜像を形成する。この潜像が形成されたフォトレジスト層を現像・洗浄処理することにより、フォトレジスト層に案内溝等を形成する。以上により光ディスク原盤が得られる。
つぎに、この光ディスク原盤にスパッタ処理を施してニッケルスパッタ膜を形成する。このニッケルスパッタ膜にニッケル電鋳を行ってニッケル層を積層し、その後、ニッケル層をガラス基板とフォトレジスト層から剥離し、溝パターンが形成されていない裏面を研磨して光ディスク用のスタンパを作製する。
さらに、このスタンパを使用して射出成形法等により光ディスク基板を作製する。この光ディスク基板の案内溝であるグルーブと凸部であるランドが設けられた面に例えば、第１の誘電体層と、記録層と、第２の誘電体層と、反射層と、保護層とをこの順に積層して光ディスクを得る。
【０００３】
ところが、光ディスクの記録容量増加という近年の要求に対応するためには、光ディスクのトラックピッチを狭める必要がある。
図８は、トラックピッチを狭くしたグルーブトラック１０１上に記録マーク１０１Ａを形成した光ディスクの要部構造を示す平面図である。この図で明らかなように、記録マーク１０１Ａが大きい場合、記録マーク同士がごく接近するため、相互間で情報の書込み・消去に悪影響を与えてしまうことがあった。なお、符号１０２はランドトラックである。
【０００４】
また、光ディスクの記録容量を上げる方法として、グルーブおよびランドに記録をしていく方法がある。しかしながら、この方法では、互いに隣接するグルーブトラック上の記録マークと、ランドトラック上の記録マークが近いため、図８の場合と同様に、クロスライトといわれる隣接トラックへのマークの書込みや、クロースイレーズといわれる隣接トラックにあるマークの消去等の問題が伴う。
【０００５】
ところで、記録密度を向上させた光ディスクを得るための従来技術として、下記特許文献１、特許文献２に開示されたものが知られている。
【０００６】
上記特許文献１に記載された発明は、光ディスクの記録密度向上のために、ランドとグルーブとの間に物理的な障壁となる突起を備えた複雑な形状をもつ凹凸パターンを形成できる光記録媒体製造用原盤の製造方法、露光装置、並びに光記録媒体製造用原盤および光記録媒体を提供するものである。
そして、この目的達成のための手段として、トラッキング機構を備えた露光装置を用いて、第１のレジスト層に形成された第１の凹凸パターン上にレーザ光を追従させ、第２のレジスト層に第２の凹凸パターンを形成する。露光工程を２回行うことによって、ガラス原盤上に第１および第２の凹凸パターンを組み合わせた複雑な凹凸パターンを形成するようにしている。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の原盤作製方法では、原盤露光工程を２回行う必要がある。このため、工程数が増加し、コストアップにつながる。また、原盤露光機は、通常の装置が備えていないトラッキング機構を必要とするので、専用の原盤露光機、もしくは原盤露光機の改造が必要になる等の問題がある。さらに、光リソグラフィ技術によってパターンの微細化、高密度化を進めようとすると、電子線露光装置等のプロセスコストおよび装置コストの高い技術が必要になってしまう。
【０００８】
一方、上記特許文献２に記載された、光ディスク原盤の製造方法及び光ディスクの製造方法に係る発明は、既存の露光装置を利用して光ディスクの更なる高記憶容量化を実現することが可能な、光ディスク用原盤の製造方法および光ディスクの製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
そして、この目的達成のために、光リソグラフィ技術に替わる方法として、熱リソグラフィによる微細パターン形成方法を使用している。具体的には、光吸収層をレーザ露光によって加熱し、この熱によって光吸収層上に形成されたレジストの構造を変化させる。露光後、現像液（またはエッチング液）によって構造が変化した部分、または変化していない部分を除去して微細パターンを形成する。この熱リソグラフィによれば、レジストの熱変質が、あるしきい値をもっているため、光リソグラフィより微細なパターンを形成できる。また、この特許文献２の発明に係る実施形態では、光ディスク原盤の層構成を基板／中間層／レジストとしており、中間層の材料としては熱伝導率が小さいａ−Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮが好ましいとしている。また、レジストは、遷移金属の不酸化物であることを特徴とし、特にＷ，Ｍｏが好ましいとしている。なお、実施例では、露光波長４０５ｎｍ、対物レンズＮＡ０．９で露光を行っている。
【００１０】
しかしながら、特許文献２の発明において、パターンの更なる微細化をめざして露光光源を短波長化した場合、例えば波長２５７ｎｍの深紫外線を光源とした場合、この特許文献２に記載されているレジスト材料では、それ自身で光吸収が起こるため、微細パターンを形成できないという問題があった。これは、以下の理由によるものと考えられる。
【００１１】
レジスト層が露光波長に対して透明な材料の場合、光吸収層において光吸収による熱が発生し、その熱があるしきい値を持ってレジスト層に伝わる。このため、露光ビーム中心の温度の高い領域だけがレジスト層に伝わるので、露光ビーム径より小さなパターンを形成できる。しかし、レジスト層で光吸収が起こると、レジスト層内で熱が広がるため、露光ビーム径以下の微細パターンは形成できない、という問題があった。
【００１２】
また、クロストークの課題を解決するための従来技術として、下記特許文献３、特許文献４に開示されたものが知られている。
【００１３】
このうち、特許文献３に記載された発明は、ランド・グルーブ記録方式の相変化型光ディスクにおいて、狭トラックピッチ化の弊害を解消することを目的とするものである。その具体的な手段としては、光の波長をλとし、基板の屈折率をｎとしたとき、グルーブ深さをλ/（３．７８ｎ）以上とするものであった。また、グルーブ深さを，λ/（３ｎ），{λ/(３ｎ)＋λ/(２ｎ)}，{λ/(６ｎ)＋λ/(２ｎ)}の値付近のいずれかに設定するものであった。さらに、溝側壁の荒れ幅を５０ｎｍ以下もしくは２０ｎｍ以下に抑制するものであった。また、溝側壁のテーパ角を６０度以上、８０度以上もしくは８４度以上に設定するものであった。
【００１４】
また特許文献４に記載された発明は、深さがλ/（４ｎ）以上のグルーブが形成されたランド・グルーブ記録の光ディスク基板において、クロストークとクロスイレーズ特性に優れる光ディスク基板を提供することを目的とするものである。その具体的な手段としては、グルーブ深さＤを以下の式を満足する値に限定するものであった。
Ｄ＝０．４０２２−０．４５７４・Ａ＋０．６４５８・Ａ２
ここで、Ａ＝（（ＮＡ・ＴＰ）／λ）・（１／ｓｉｎ２θ）、Ｄ＝（物理的なグルーブ深さ）・（ｎ/λ）、ＴＰ：トラックピッチ、θ：グルーブ壁面のテーパ角である。
【００１５】
しかしながら、いくつかのトラックピッチに対して回折シミュレーションでクロストークを計算したところ、従来技術で開示されている深さλ/（４ｎ）以上の深いグルーブを形成しなくてもクロストークを低減できることがわかった。トラックピッチによっては、むしろ、それより浅いグルーブのほうがクロストークが小さくなることがわかった。また、深さλ/（４ｎ）以上のグルーブが形成された基板を射出成形法等で大量に複製する場合、グルーブが深いために離型時にグルーブがひっかかり、転写不良が発生しやすいという問題がある。また、良好な転写性を確保するために、成形時間を長く設定することになる。このため、従来基板より製造タクトが長くなり、ディスクのコストアップになるという問題があった。
【００１６】
【特許文献１】特開２００３−５９１２１号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２４６５号公報
【特許文献３】特開平１０−３２０８３５号公報
【特許文献４】特開２０００−２８５５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、従来技術の上記問題に鑑みなされたもので、その最終的な目的は、グルーブトラックおよびランドトラックに記録を行うことで記録容量を上げるようにした光ディスクの作製技術において、記録マークの半径方向への広がりを抑えることにより、上記クロストークの問題を解消することにある。
すなわち、本発明の第１の目的は、クロストークが生じにくい高記録容量のランド・グルーブ記録用光ディスク（狭トラックピッチ化を実現させる）を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、このような光ディスクを作製するための光ディスク基板、光ディスク原盤およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１に係る発明は、基板上にランドトラックとグルーブトラックが螺旋状に形成されている光ディスク基板において、グルーブトラックの底面にランドトラックより低い凸状トラックがグルーブトラックに沿って形成され、この凸状トラックの頂部はランドトラックの頂部より低いことを特徴とする光ディスク基板である（図１、図２、図４、図５を参照）。
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の光ディスク基板において、前記凸状トラックが湾曲形状のものであることを特徴とする光ディスク基板である（図２、図４を参照）。
【００１９】
請求項３に係る発明は、ランドトラックとグルーブトラックが螺旋状に形成され、記録層がこれらランドトラックおよびグルーブトラックに形成されているランド・グルーブ記録用光ディスクにおいて、請求項１または２記載の光ディスク基板を有することを特徴とする光ディスクである。
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の光ディスクにおいて、前記グルーブトラック底面のコーナー部の記録層膜厚が、ランドトラック平坦部の記録層膜厚より薄く形成されていることを特徴とする光ディスクである（図２（１）を参照）。
請求項５に係る発明は、請求項３または４に記載の光ディスクにおいて、グルーブトラック底面のコーナー部には記録層が形成されていないことを特徴とする光ディスクである（図２（２）を参照）。
【００２０】
請求項６に係る発明は、請求項１または２に記載のディスク基板を作製するためのスタンパ製造用の光ディスク原盤作製方法において、
基板上に少なくとも光吸収層とこれよりも上層のレジスト層とを積層してレジスト原盤を作製する製膜工程と、前記レジスト原盤上に２本のレーザビームを集光し、該レーザビームによって所定のパターンに応じた潜像をレジスト層上に形成する露光工程と、露光後のレジスト原盤をエッチングしてパターンを形成するエッチング工程（現像工程）と、を備えてなり、前記レジスト層は、ＭｇＦ2，ＣａＦ2，ＬｉＦおよびＢａＦ2から任意に選ばれた一種または複数種のフッ素化合物を含むことを特徴とする光ディスク原盤作製方法である（図５、図６を参照）。
【００２１】
請求項７に係る発明は、請求項６に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記レジスト層にはＳｉＯ2が添加されていることを特徴とする光ディスク原盤作製方法である。
請求項８に係る発明は、請求項６または７に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記露光工程で使用する露光波長における透過性能は、レジスト層より光吸収層のほうが低いことを特徴とする光ディスク原盤作製方法である。
請求項９に係る発明は、請求項８に記載の光ディスク原盤作製方法において、前記光吸収層は、ＳｂＴｅ，ＧｅＳｂＴｅ，ＩｎＳｂＴｅ，ＢｉＳｂＴｅ，ＧａＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂＴｅのいずれかの材料からなることを特徴とする光ディスク原盤作製方法である。
請求項１０に係る発明は、請求項６〜９のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法において、前記基板と光吸収層との間に光吸収層の材料、レジスト層の材料のいずれとも異なる材料からなる保護層を形成することを特徴とする光ディスク原盤作製方法である（図７を参照）。
請求項１１に係る発明は、請求項１０の光ディスク原盤作製方法において、前記保護層の材料はＺｎＳであることを特徴とする光ディスク原盤作製方法である。
【００２２】
請求項１２に係る発明は、請求項６〜１１のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法により作製されたことを特徴とする光ディスク原盤である。
請求項１３に係る発明は、請求項１２に記載の光ディスク原盤により得られたスタンパを用いて光ディスク基板を成形することを特徴とする光ディスク基板の製造方法である。
請求項１４に係る発明は、請求項１３に記載の製造方法で得られた光ディスク基板を用いることを特徴とする光ディスクの製造方法である。
【００２３】
請求項１５，１６に係る発明は、グルーブ深さがλ/（4n）以下でクロストークの影響を低減できる光ディスク基板を有する光ディスクを提供することにある。
すなわち請求項１５に係る発明は、ランドトラックとグルーブトラックとが一定の間隔で基板上に形成されてなる光ディスク基板を有し、前記ランドトラックおよびグルーブトラックそれぞれに情報が記録される光ディスクにおいて、再生光の波長をλ（ｎｍ）とし、前記光ディスク基板の屈折率をｎとし、ランドトラックとグルーブトラックとの間隔をＴＰ（ｎｍ）としたとき、前記グルーブトラック頂部とランドトラック頂部との段差Ｄ１が、以下の式（１）を満足することを特徴とする光ディスクである。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ１  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （１）
請求項１６に係る発明は、請求項１または２記載の光ディスク基板を有し、前記ランドトラックおよびグルーブトラックそれぞれに情報が記録される光ディスクにおいて、再生光の波長をλ（ｎｍ）とし、前記光ディスク基板の屈折率をｎとし、ランドトラックとグルーブトラックとの間隔をＴＰ（ｎｍ）としたとき、前記凸状トラックの頂部からランドトラック頂部までの段差Ｄ２が、以下の式（２）を満足することを特徴とする光ディスクである。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ２  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （２）
【発明の効果】
【００２４】
（１）請求項３の発明に対応する作用効果
請求項１に記載のディスク基板を有する光ディスクでは、所定の構成により記録マークが半径方向に広がるのを抑えることができるから、クロストークが生じない高記録容量のランド・グルーブ記録用光ディスクが提供される。
請求項２に記載のディスク基板を有する光ディスクでは、グルーブトラックのコーナー部において記録層が不連続に形成されるように、グルーブトラック底面を凸状に湾曲させて形成したので、記録マークが半径方向に広がるのを抑えることができ、クロストークが生じない高記録容量のランド・グルーブ記録用光ディスクが提供される。
【００２５】
（２）請求項４，５の発明に対応する作用効果
請求項４，５に記載の光ディスクにおいては、所定の構成により、記録マークが半径方向に広がるのを抑えることができるので、狭トラックピッチ化が可能になり、記録容量を増加させることができる。
【００２６】
（３）請求項６の発明に対応する作用効果
請求項６に記載の光ディスク原盤作製方法においては、露光波長に対して透過率が高い材料をレジスト層に用いるとともに、２本の異なるパワーのレーザビームで第１のランドトラックおよび第２のランドトラックをそれぞれ露光するようにしているので、深紫外線レーザ光でも微細パターンを形成できるとともに、高さの異なるランドトラックを容易に形成することができる。
【００２７】
（４）請求項７の発明に対応する作用効果
請求項７に記載の光ディスク原盤作製方法においては、レジスト層にＳｉＯ2 を添加し、露光部と未露光部とのエッチングレートの差を大きくしているので、コントラストの高い凹凸パターンを形成することができる。
（５）請求項８，９の発明に対応する作用効果
請求項８，９に記載の光ディスク原盤作製方法においては、光吸収層に光透過性能の低い材料を用いて光吸収層を効率よく発熱させるので、高出力レーザを要することなくレジスト層に凹凸パターンを形成することができる。
（６）請求項１０，１１の発明に対応する作用効果
請求項１０，１１に記載の光ディスク原盤作製方法にいては、基板と光吸収層との間に、光吸収層およびレジスト層材料とは異なる材料の保護層を設けているので、光吸収層およびレジスト層にクラック等の欠陥が発生するのを防止することができる。
【００２８】
（７）請求項１２〜１４の発明に対応する作用効果
請求項１２〜１４に記載の光ディスク原盤、光ディスク基板の製造方法および光ディスクの製造方法は、請求項６〜１１のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法に基づいているから、これら請求項６〜１１に係る原盤作製方法による効果をもたらすものである。
【００２９】
（８）請求項１５，１６の発明に対応する作用効果
請求項１５，１６に記載の光ディスク基板は、トラックピッチに応じてクロストークが最小値付近になるグルーブ深さを設定しているので、記録密度の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を、図面をもとに説明する。本実施形態の光ディスクは、基板（光ディスク基板）の断面形状に特徴がある。
図１（１）に本発明の光ディスク基板１０の拡大平面図を、同図（２）にその断面図を示す。光ディスク基板１０の表面には、図１（１）に示すように、ランドトラック１１とグルーブトラック１２と、さらにグルーブトラック１２の底面には凸状トラック１３がグルーブトラック１２に沿って形成されている。図１（２）に示すように、グルーブ底面１２ａからの距離がＨ２である凸状トラック１３の頂部１３ａは、グルーブ底面１２ａからの距離がＨ１であるランドトラック１１の頂部１１ａより低く形成されていることが、この光ディスク基板１０の特徴である。
【００３１】
図２（１）に、図１の基板１０に記録層２１を形成したときの断面図を示す。図２（１）に示すように、グルーブコーナー部２２が細くなっているため、この部分の記録層は、ランドトラック頂部１１ａ上の記録層３１Ａの膜厚、凸状トラック頂部１３ａ上の記録層３１Ｂ膜厚の、いずれよりも薄くなる。
グルーブコーナー部２２の形状（コーナー形状）によっては、図２（２）のように、このグルーブコーナー部２２に記録層が形成されないこともある。なお、この点については後記する。
【００３２】
このように、図１に示す断面構造の基板を使用した、図２（１）に示す光ディスクの場合、図３に示すように、グルーブトラック１２に記録すると、グルーブ底面１２ａと凸状トラック１３との境界の記録層が薄く、あるいは途切れているために、凸状トラック１３に形成された記録マーク３１ｂがその半径方向に広がるのを抑えることができる。図３において符号３１ａは、ランドトラック１１上の記録マークである。
【００３３】
図４に、グルーブ底面１２ａが凸状に湾曲した光ディスク基板１０の拡大断面図を示す。この基板の特徴は、グルーブ壁面１２ｂとグルーブ底面１２ａとの境界であるグルーブコーナー部２２が細くなっていることである。前出の図２（２）は、図４に示した光ディスク基板に記録層を形成したときの拡大断面図を示している。図２（１）と同様に、グルーブコーナー部２２における記録層の膜厚が、グルーブ底面１２ａの中央部より薄くなる。この効果によって、グルーブトラック１２に形成された記録マークが、半径方向に広がるのを防ぐことができる。
【００３４】
次に、本発明の光ディスク作製方法について、図５を用いて説明する。
（１）製膜工程（図５（１））
研磨、洗浄された基板５１上に、光吸収層５２、レジスト層５３を順次形成し、レジスト原盤５０を作製する。この場合、露光波長における透過性能は、レジスト層５３より光吸収層５２のほうが低い材料を用いる。これにより、レジスト層５３は、主に光吸収層５２で発生する熱によって加熱されるので、熱変質する領域が露光ビームスポット径以下になり、微細パターンを形成できる。基板５１としては、ガラス基板、Ｓｉウエハ、プラスチック基板等いずれでもかまわない。
（２）露光工程（図５（２））
上記製膜工程（１）によるレジスト原盤５０を、２本の異なるレーザパワーのレーザビーム（レーザビームＬＢ１，ＬＢ２）で露光する。
（３）エッチング工程（図５（３））
上記露光後のレジスト原盤をフッ酸水溶液でエッチングして未露光部のレジスト層を除去し、凹凸パターンを形成することにより光ディスク原盤６０を得る。図５（３）において符号６１はランドトラック、６２はグルーブトラック、６３は凸状トラックである。
（４）電鋳工程（図５（４））
上記光ディスク原盤６０上に導電膜を形成後、Ｎｉ電鋳を行う。図５（４）において符号６４はＮｉ層である。
（５）剥離、外径加工工程（図５（５））
上記電鋳工程後の原盤をガラス原盤とＮｉ電鋳層に剥離後、裏面研磨および外径加工を行う。これによりスタンパ（光ディスクスタンパ）７０が得られる。
【００３５】
上記工程により作製したスタンパを金型として、公知の射出成形法、２Ｐ転写法等によりプラスチック製の光ディスク基板を作製後、さらにこの基板上に記録型光ディスクに必要な記録層、反射層、保護層等を形成して光ディスクを作製する。
このような光ディスクの一例（図略）としては、ランドトラックおよびグルーブトラックに、第１の誘電体、記録層、第２の誘電体、反射層および保護層をこの順に積層したものが挙げられる。
【００３６】
つぎに、図９にクロストークとグルーブ深さの関係について計算した結果を示す。ここでは、トラックピッチ（ＴＰ）として２００，２４０，２８０，３２０ｎｍの場合についてそれぞれ計算している。計算に用いた光学系は、再生光波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．８５で、再生光は膜面から入射する方式である。また、トラックピッチおよびグルーブ深さの定義について、図１０（１）に示す光ディスク基板２００の平面拡大図と同図（２）に示す断面拡大図を用いて説明する。トラックピッチは、ランドトラック２０２の中心とグルーブトラック２０１の中心との距離であり、グルーブ深さはランドトラック２０２とグルーブトラック２０１との段差とする。
【００３７】
クロストークは以下の方法で算出した。
（Ｓ１１）長さ６００ｎｍのマークとスペースが繰返し記録されたグルーブトラックを再生したときの再生信号振幅を計算する。このとき隣接ランドトラックには何も記録されていない。
（Ｓ１２）ランドトラックに長さ６００ｎｍのマークとスペースが繰返し記録されており、これに隣接するグルーブトラックを再生したときの再生信号振幅を計算する。このときグルーブトラックには何も記録されていない。
（Ｓ１３）前記（Ｓ１１）と（Ｓ１２）の再生信号振幅の比を計算し、これをクロストークとした。
【００３８】
図９に示す計算結果から、グルーブ深さがλ／４以下の範囲で、クロストークが最小値になる溝深さおよび最小値から３ｄＢ劣化する溝深さをプロットしたグラフを図１１に示す。クロストークによるＣＮＲ(Carrier  to  Noise  ratio)の３ｄＢ劣化は、ビットエラー率には影響しないレベルである。クロストークが最小値付近になるグルーブ深さは、トラックピッチによって異なり、その範囲は図１１に示す近似式１（グルーブ深さｙ＝−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）と近似式２（グルーブ深さｙ＝−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）で囲まれた範囲になる。これより、クロストークが最小値付近になるグルーブ深さ（グルーブトラック頂部とランドトラック頂部との段差）Ｄ１は、基板の屈折率ｎを考慮して、以下の式（１）で表すことができる。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ１  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （１）
【００３９】
また、前述した図１、図４に示す断面形状を有するディスク基板を用いる場合には、クロストークが最小値付近になるグルーブ深さ（凸状トラックの頂部からランドトラック頂部までの段差）Ｄ２は、基板の屈折率ｎを考慮して、以下の式（２）で表すことができる。
（−８×１０−７・ＴＰ２−０．０００６・ＴＰ＋０．３８）・（ｎ/λ）≦  Ｄ２  ≦（−３×１０−６・ＴＰ２−０．０００７・ＴＰ＋０．２２）・（ｎ/λ）  ・・・  （２）
【００４０】
上記の範囲にグルーブ深さを設定すれば、グルーブ深さがλ/(４ｎ)以下であるため基板作製が容易なクロストークが最小値付近の光ディスクが得られる。
【実施例】
【００４１】
本発明を、実施例により更に具体的に説明する。
[実施例１]
研磨されたガラス基板５１を洗浄後、光吸収層５２としてＧｅＳｂＴｅをスパッタリング法により膜厚１０ｎｍ形成後、レジスト層５３としてＭｇＦ2 を真空蒸着法により膜厚１００ｎｍ製膜してガラス原盤５０を作製した（図５（１）を参照）。図５（３）においてランドトラック６１の高さは、レジスト層の膜厚によって設定されるので、適用する記録再生システムに応じて必要な高さに応じた膜厚を形成する。
【００４２】
上記光吸収層５２の材料は、光を吸収し発熱する機能をもち、レジスト層５３より光透過性が低い材料であればどのような材料でも構わない。Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓなどの半導体材料を用いることができる。Ｂｉ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎなどの低融点金属を含む金属間化合物材料を用いることができる。ＢｉＴｅ，ＢｉＩｎ，ＧａＳｂ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂ，ＩｎＴｅなどの材料を用いることができる。Ｃ，ＳｉＣなどの炭化物材料を用いることができる。Ｖ2Ｏ5，Ｃｒ2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4，Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｏ3Ｏ4，ＣｕＯなどの酸化物材料を用いることができる。ＡｌＮ，ＧａＮなどの窒化物材料を用いることができる。ＳｂＴｅなどの２元系の相変化材料や、ＧｅＳｂＴｅ，ＩｎＳｂＴｅ，ＢｉＳｂＴｅ，ＧａＳｂＴｅなどの３元系の相変化材料、ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの４元系材料の相変化材料を用いることができる。
【００４３】
光吸収層５２の膜厚は３〜２０ｎｍの範囲に設定する。光吸収層５２を薄膜化することによって、該層内における熱の拡がりが抑制でき微細な円柱が形成できる。
【００４４】
上記基板５１としては、ガラス、石英などを用いることができる。また、Ｓｉ，ＳＯＩ(シリコンオンインシュレーター)などの半導体製造に用いられる基板も使える。また、Ａｌ、不透明ガラス基板など、ＨＤＤ(ハードディスク)用の基板も用いることができる。また、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリビニルエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、紫外線硬化樹脂などの樹脂基板を用いることができる。
【００４５】
図６に、上記実施例に用いた原盤露光機の概略図を示す。この原盤露光機は、レーザビームを出射するレーザ光源８１と、レーザビームを分離するビームスプリッタ８２と、レーザビームを反射するミラーＭ１，Ｍ２およびＭ３と、図示しない原盤露光機の制御装置からの変調信号に応じてレーザビームを変調する光変調器ＯＭ１，ＯＭ２と、ビームエキスパンダＢＥ１，ＢＥ２と、２本のレーザビームを合成する偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）と、ガラス原盤５０上にレーザビームを集光する対物レンズおよびフォーカスユニットを備えた光ヘッド８３と、ガラス原盤を保持するターンテーブル８４と、それを回転させるモータ８５とを備えている（図５（２）を参照）。
光ヘッド８３は、光学移動台に設置されており、ターンテーブル８４の回転とともに、上記光学移動台が移動することによって、ガラス原盤５０上にらせん状の潜像が形成される。
【００４６】
上記レーザ光源８１は、波長２５７ｎｍの深紫外レーザ光である。レーザ光源８１から出射されたレーザビームは、ビームスプリッタ８２によりレーザビームＬＢ１とレーザビームＬＢ２に分離される。レーザビームＬＢ１は、光変調器ＯＭ１を通過し、ミラーＭ１で反射した後、ＰＢＳに入射する。一方、ビームスプリッタ８２およびミラーＭ２を経たレーザビームＬＢ２は、光変調器ＯＭ２を通過後、ＰＢＳに入射する。ＰＢＳで合成されたレーザビームＬＢ１およびＬＢ２は、ミラーＭ３で反射した後、光ヘッド８３を通過し、ガラス原盤５０上に集光される。レーザビームＬＢ１およびレーザビームＬＢ２のガラス原盤５０上における集光位置は、対物レンズへの入射角を調整することによって容易に調整できる。
【００４７】
上記集光工程では、レーザビームＬＢ１で第１のランドトラックを、レーザビームＬＢ２で第２ランドトラックを、それぞれ露光する。レーザビームＬＢ１のレーザパワーを、レーザビームＬＢ２より高く設定する。
【００４８】
つぎに、露光したガラス原盤をフッ酸水溶液に浸漬し、未露光部のレジスト層を除去する（図５（３）を参照）。パワーの高いレーザビームＬＢ１で露光された部分は、レジスト層表面まで熱変質が起こるため、レジスト層がそのまま残る。一方、パワーの低いレーザビームＬＢ２の露光部分は、光吸収層との界面付近のレジスト層しか熱変質が起こらないので、エッチングによりレジスト層の表面が除去される。このようにして、ランドトラックより低い凸状のトラックがグルーブトラック底面に沿って形成される。この凸状のトラックの高さは、露光レーザパワーによって設定でき、レーザビームＬＢ２のパワーを大きくすると、凸状のトラックの高さは高くなる。
本実施例での凸状トラックの高さＨ２は４０ｎｍであり、ランドトラックの高さＨ１は、レジスト層膜厚と等しい１００ｎｍである。
【００４９】
上記のようにして高さの異なる２種類のトラック（ランドトラック６１と凸状トラック６３）が形成された光ディスク原盤上にＮｉ薄膜等の導電膜を形成し、Ｎｉ等による電鋳を施す。この電鋳膜をガラス原盤から剥離後、外径加工してＮｉスタンパを得る（図５（３）〜図５（５）を参照）。
さらに、このＮｉスタンパを金型として射出成形法により樹脂基板を作製し、この基板上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電体膜、ＡｇＩｎＳｂＴｅからなる記録膜、Ａｌからなる反射膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電体膜を順次積層して光ディスクを作製した。
製膜後の光ディスク基板の断面形状写真から、ランドトラック上の記録層膜厚よりも、グルーブエッジ部（グルーブコーナー部）の記録層膜厚のほうが薄くなっていることを確認した。
【００５０】
上記した光ディスク原盤製造方法によれば、１回の露光工程でランドトラックと、グルーブトラック底面に沿った凸状のトラックを形成することができる。
レジスト層５３にＣａＦ2，ＬｉＦ，ＢａＦ2を用いた場合においても、同様に凹凸パターンを形成できた。一方、レジスト層５３に露光波長領域における透過性能が低いＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた場合は、凹凸パターンが形成されなかった。この結果から、レジスト層の材料としては、露光波長領域における透過性能の高い材料が好ましい。
【００５１】
[実施例２]
図４に示すような、グルーブ底面１２が凸状に湾曲したグルーブの形成方法について説明する。この場合のグルーブ形成方法は、原盤露光機の設定を除いて、実施例１と同様の工程に従う。異なる点は、図６に示すビームエキスパンダＢＥ２の設定である。ビームエキスパンダＢＥ２は、レーザビームＬＢ２の集光ビーム径を変化させることができる。レーザビームＬＢ２の集光ビーム径を大きくしていくと、第２のランドトラックの断面形状は、矩形から台形、台形から半円状に変化させることができる。第２のランドトラックが半円状、すなわちグルーブ底面が凸状に湾曲した形状のほうが、スタンパを原盤から剥離するとき、あるいはスタンパを樹脂基板から剥離するとき、第２にランドトラックが引っかからず、精度よく凹凸パターンを転写できる。
【００５２】
[実施例３]
記録再生光の波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．８５のディスクテスター（シバソク社製ＬＭ３３０）を用いて、実施例１で作製した光ディスクと、従来の光ディスクとのジッタ値を比較した。光ディスクのグルーブ間の間隔は０．３０μｍであり、１−７変調のランダムデータ（最小マーク長：０．１６μｍ）をグルーブトラックに記録し、このときのジッタ値を評価した。従来の光ディスクのジッタ値が７．５％であったのに対して、本発明の光ディスクのジッタ値は６．４％であった。
【００５３】
つぎに、ランドトラックおよびグルーブトラックに１−７変調のランダムデータを記録し、このときの記録マークを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した。従来の光ディスクでは、記録マークが隣接するトラックにまで広がっているのに対して、本発明の光ディスクでは、記録マークはそれぞれの記録トラック内に収まっていた。本発明の光ディスクによれば、記録マークが半径方向に広がるのを防ぐことができるため、露光波長と対物レンズのＮＡで規定されるより狭いトラックピッチでの記録再生が可能になった。
また、グルーブ底面が湾曲した光ディスクにおいても、同様の効果があることを確認した。
【００５４】
さらにクロスライト特性を、以下の手順で測定した。
（Ｓ２１）グルーブトラックに長さ１５０ｎｍのマークとスペースを繰返し記録し、その再生信号のＣＮＲを測定する。このときの記録パワーは、ＣＮＲが最大となるパワーに設定する。
（Ｓ２２）前記（Ｓ２１）の両側の隣接ランドトラックに長さ６００ｎｍのマークとスペースを繰返し記録する。このときの記録パワーは、前記（Ｓ２１）の場合と等しいパワーである。
（Ｓ２３）再び、前記（Ｓ２１）のグルーブトラックを再生し、そのＣＮＲを測定する。
（Ｓ２４）前記（Ｓ２２），（Ｓ２３）の工程を記録パワーを変化させて行い、ＣＮＲの変化を測定する。
【００５５】
ランドトラックに記録するときの記録パワーを上げていくと、ランドトラックに記録されたマークの隣接グルーブトラックへのはみ出しが大きくなるため、グルーブトラックのＣＮＲが劣化する。ＣＮＲが劣化しはじめる記録パワーが高ければ、クロスライト抑制効果があると判断できる。
【００５６】
本実施例の光ディスク及びグルーブが平らなディスク（図１０の基板から作製した光ディスク（比較例３とする））のクロスライト特性の測定結果を図１２に示す。ＣＮＲが最大となる記録パワーをＰ０とするが、これらの光ディスクでは４．０ｍＷであった。比較例３の光ディスクでは、１．２Ｐ０からグルーブトラックのＣＮＲが低下しはじめるのに対して、本実施例の凸状トラックが形成された光ディスクでは、１．５Ｐ０までクロスライトによる影響がなく、クロスライト特性が向上していることを確認した。
【００５７】
[実施例４]
実施例１のレジスト層を、ＭＦ2からＭＦ2−ＳｉＯ2（ＭＦ2：ＳｉＯ2＝８０：２０）に変更したガラス原盤を作製し、実施例１と同様の凹凸パターンを形成し、エッチング後の凹凸パターンをＭＦ2とＭＦ2−ＳｉＯ2とで比較した。ＭＦ2−ＳｉＯ2のほうが、断面形状が急峻で、コントラストの高い凹凸パターンが得られた。レジスト層にＳｉＯ2を添加することによって、露光部と未露光部とのエッチングレートの差が大きくなったためと考えられる。レジスト層をＣａＦ2−ＳｉＯ2，ＬｉＦ−ＳｉＯ2，ＢａＦ2−ＳｉＯ2にした場合においても、同様の効果が得られた。
【００５８】
[実施例５]
光ディスク原盤を露光するとき光吸収層に、溶融凝固時の膨張と収縮によってクラックが発生し、エッチング工程でこのクラックからエッチング液が浸入することがある。すると、エッチング液によって基板までもエッチングされてしまう、また、エッチング液の浸入により光吸収層の剥離が発生する場合がある。
【００５９】
そこで、基板と光吸収層との間にエッチング液に対して耐性のある保護層を形成することで、エッチング工程での不良を低減することができる。保護層は、エッチング工程での不良を低減するだけでなく、光吸収層の密着性を向上させる効果もある。
【００６０】
[実施例６]
図７に示す積層構造のレジスト原盤を作製にした。この光ディスク原盤は、基板９１上に保護層９２としてＺｎＳをスパッタリング法により膜厚２０ｎｍ形成後、光吸収層９３としてＧｅＳｂＴｅをスパッタリング法により膜厚１０ｎｍ形成後、さらにレジスト層９４としてＭＦ2を真空蒸着法により膜厚１００ｎｍ製膜して作製した。この構成にすることで、エッチング工程における上記不良を低減することができた。 
【００６１】
[実施例７]
ディスク基板の断面形状が図１０（２）に示す形状のものであって、トラックピッチが２４０ｎｍ、グルーブ深さが５０ｎｍ（０．１２λ相当），６５ｎｍ（０．１６λ相当），８０ｎｍ(０．２０λ相当)，１３０ｎｍ(０．３２λ相当)のディスク基板をそれぞれ作製し、これらのディスク基板上に保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を膜厚１０ｎｍ、この上に光吸収層としてＡｇＩｎＳｂＴｅを膜厚２０ｎｍ、さらにこの上に熱反応層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を膜厚４０ｎｍとなるようにスパッタリング法により成膜して光ディスクを作製した。この光ディスクを記録再生光の波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．８５のディスクテスター（シバソク社製ＬＭ３３０）を用いて、膜面から記録再生を行い、クロストークを測定した。
【００６２】
なお、クロストークは，以下の手順で測定した。
（Ｓ３１）グルーブトラックに２Ｔマーク（マーク長１５０ｎｍ）を記録する。
（Ｓ３２）前記（Ｓ３１）の２Ｔマークを再生し、再生信号のＣＮＲを測定する。
（Ｓ３３）前記（Ｓ３１）のグルーブトラックに隣接する両側のランドトラックに８Ｔマーク（マーク長６００ｎｍ）を記録する。
（Ｓ３４）前記（Ｓ３１）のグルーブトラックの再生信号のＣＮＲを測定する。
（Ｓ３５）前記（Ｓ３２）と（Ｓ３４）で測定したＣＮＲの差をクロストークとする。
【００６３】
その測定結果を図１３に示す。トラックピッチ２４０ｎｍでは、グルーブ深さ０．２２λ付近でクロストークが最小になる。また、従来技術で開示されているグルーブ深さにするよりも、本発明で限定したグルーブ深さにした場合の方がクロストークを低減できている。
【００６４】
また、ディスク基板の断面形状が、図１（２）および図２（２）であるディスク基板においても同様の結果であった。このときのグルーブ深さは、ランドトラック頂部と凸状トラック頂部との段差である。この断面形状にすれば、クロスライトおよびクロストーク特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の光ディスク基板に係るもので、（１）はその表面構造を示す平面図、（２）は（１）の断面図である。
【図２】（１）（２）は本発明の光ディスク基板に記録層を形成したときの状態を示す断面図であり、特に（２）は図４に示す光ディスク基板に記録層を形成したときの状態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る光ディスクの記録層に形成された記録マークの形態を示す平面図である。
【図４】グルーブ底面が凸状に湾曲した光ディスク基板の断面図である。
【図５】本発明に係る光ディスク基板の成形用原盤および、これを用いる光ディスク基板作製用スタンパの作製工程を示す断面図（レジスト原盤作製からスタンパ作製までの工程図）である。
【図６】本発明の実施例で使用した原盤露光機の概略図である。
【図７】本発明の実施例で作製したレジスト原盤の積層構造を示す断面図である。
【図８】従来技術の問題点に係るもので、光ディスクの記録層に形成された記録マークの形態を示す平面図である。
【図９】光ディスクにおけるクロストークのグルーブ深さ依存性を計算した結果を示す図である。
【図１０】光ディスク基板の構成を示すものであり、（１）はその表面構造を示す平面図、（２）は（１）の断面図である。
【図１１】図９の計算結果に基づいて、トラックピッチに対応してクロストークが最小になるグルーブ深さをプロットした図である。
【図１２】実施例３におけるクロスライト特性の測定結果を示す図である。
【図１３】実施例７のクロストーク測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０，２００    光ディスク基板（基板）
１１，１０１，２０１    ランドトラック
１１ａ    ランドトラックの頂部
１２，１０２，２０２    グルーブトラック
１２ａ    グルーブ底面
１２ｂ    グルーブ壁面
１３    凸状トラック
１３ａ    凸状トラックの頂部
２１    記録層
２２    グルーブコーナー部
３１Ａ    記録層
３１ａ    ランドトラック上の記録マーク
３１Ｂ    記録層
３１ｂ    凸状トラック上の記録マーク
５０    レジスト原盤
５１    基板
５２    光吸収層
５３    レジスト層
６０    光ディスク原盤
６１    ランドトラック
６２    グルーブトラック
６３    凸状トラック
６４    Ｎｉ層
７０    光ディスクスタンパ
８１    レーザ光源
８２    ビームスプリッタ
８３    光ヘッド
８４    ターンテーブル
８５    モータ
９０    レジスト原盤
９１    基板
９２    保護層
９３    光吸収層
９４    レジスト層
ＢＥ１，ＢＥ２    ビームエキスパンダ
Ｈ１    ランドトラックの高さ
Ｈ２    凸状トラックの高さ
ＬＢ１，ＬＢ２    レーザビーム
Ｍ１〜Ｍ３    ミラー
ＯＭ１，ＯＭ２    光変調器
ＰＢＳ    偏光ビームスプリッタ
【図１】
2007265593.tif 000003
【図２】
2007265593.tif 000004
【図３】
2007265593.tif 000005
【図４】
2007265593.tif 000006
【図５】
2007265593.tif 000007
【図６】
2007265593.tif 000008
【図７】
2007265593.tif 000009
【図８】
2007265593.tif 000010
【図９】
2007265593.tif 000011
【図１０】
2007265593.tif 000012
【図１１】
2007265593.tif 000013
【図１２】
2007265593.tif 000014
【図１３】
2007265593.tif 000015