(57)【要約】【目的】  液体の状態を正確に検知できる静電式液体状態検知装置を提供すること。【構成】  液体レベルセンサ１００は、オイルＯＬの状態に応じて第１静電容量が発生する一対の第１−１，第１−２電極１３８，１３９を有するフィルム電極基板１３１と、第１静電容量等に基づいてオイルＯＬの状態を検知する検知回路１６１を有する配線基板２０１とを備える。検知回路１６１は、第１−１電極１３８とＩＣチップＩＣ１とを導通させる第１−１基板内導通路２１８、及び、第１−２電極１３９とＩＣチップＩＣ１とを導通させる第１−２基板内導通路２１９を有する。そして、これらの導通路２１８，２１９間には、これらの間で生じる寄生容量Ｃ１３，Ｃ１４を低減させる表面側接地電極パターン２２１，２１７ｔ，２２２が配設されている。【選択図】        図１４
2007033409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体に少なくとも自身の一部を浸漬して、前記液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置であって、
前記液体の状態に応じて静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第１電極及び第２電極を有する静電容量測定素子と、
前記静電容量測定素子と電気的に接続し、前記静電容量に基づいて前記液体の状態を検知する検知回路が形成された配線基板であって、前記検知回路は、前記第１電極と第１基板内回路素子とを導通させる第１基板内導通路、及び、前記第２電極と第２基板内回路素子とを導通させる第２基板内導通路を有する配線基板と、
を備え、
前記配線基板のうち、前記第１基板内導通路と前記第２基板内導通路との間には、これら第１基板内導通路及び第２基板内導通路の間で生じる寄生容量を低減させる電極パターンが配設されてなる
静電式液体状態検知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記電極パターンは、接地電位とされる接地電極パターン、または、電源電位とされる電源電極パターンである
静電式液体状態検知装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記電極パターンは、前記第１基板内導通路及び前記第２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第１同一平面部と第２同一平面部との間に配設してなる
静電式液体状態検知装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記電極パターンは、前記第１基板内導通路及び前記第２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第１異平面部と第２異平面部との間に配設してなる
静電式液体状態検知装置。
【請求項５】
液体に少なくとも自身の一部を浸漬して、前記液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置であって、
前記液体の状態に応じて第１静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第１−１電極及び第１−２電極、並びに、前記液体の他の状態に応じて第２静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第２−１電極及び第２−２電極、を有する静電容量測定素子と、
前記静電容量測定素子と電気的に接続し、前記第１静電容量及び前記第２静電容量に基づいて前記液体の状態を検知する検知回路が形成された配線基板であって、前記検知回路は、前記第１−１電極と第１−１基板内回路素子とを導通させる第１−１基板内導通路、前記第１−２電極と第１−２基板内回路素子とを導通させる第１−２基板内導通路、前記第２−１電極と第２−１基板内回路素子とを導通させる第２−１基板内導通路、及び、前記第２−２電極と第２−２基板内回路素子とを導通させる第２−２基板内導通路を有する配線基板と、
を備え、
前記配線基板のうち、前記第１−１基板内導通路と前記第１−２基板内導通路との間には、これら第１−１基板内導通路及び第１−２基板内導通路の間で生じる第１寄生容量を低減させる第１電極パターンが配設されてなり、
前記配線基板のうち、前記第２−１基板内導通路と前記第２−２基板内導通路との間には、これら第２−１基板内導通路及び第２−２基板内導通路の間で生じる第２寄生容量を低減させる第２電極パターンが配設されてなる
静電式液体状態検知装置。
【請求項６】
請求項５に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記第１電極パターンは、接地電位とされる第１接地電極パターン、または、電源電位とされる第１電源電極パターンであり、
前記第２電極パターンは、接地電位とされる第２接地電極パターン、または、電源電位とされる第２電源電極パターンである
静電式液体状態検知装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記第１電極パターンは、前記第１−１基板内導通路及び前記第１−２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第１−１同一平面部と第１−２同一平面部との間に配設してなり、
前記第２電極パターンは、前記第２−１基板内導通路及び前記第２−２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第２−１同一平面部と第２−２同一平面部との間に配設してなる
静電式液体状態検知装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載の静電式液体状態検知装置であって、
前記第１電極パターンは、前記第１−１基板内導通路及び前記第１−２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第１−１異平面部と第１−２異平面部との間に配設してなり、
前記第２電極パターンは、前記第２−１基板内導通路及び前記第２−２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第２−１異平面部と第２−２異平面部との間に配設してなる
静電式液体状態検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体に少なくとも自身の一部を浸漬して液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自身の一部を液体に浸漬してこの液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置が知られている。例えば特許文献１〜３には、車両のガソリンやオイルなどの液面レベルを測定する静電式液体状態検知装置が開示されている。これらの静電式液体状態検知装置は、被測定液体に少なくとも一部が浸漬される一対の電極を有する。この電極間には、液面レベルに応じて静電容量が発生するので、この静電容量に基づいて液面レベルを検知できる。
【０００３】
【特許文献１】特開昭６３−７９０１６号公報
【特許文献２】特開平４−２５８７２５号公報
【特許文献３】ＤＥ４２３６３２０Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、静電容量は、電極間で発生するだけでなく、液面レベルを検知する検知回路においても発生する。具体的には、検知回路のうち、一対の電極と基板内回路素子とを導通させる一対の基板内導通路間においても、静電容量が発生する。このように基板内導通路間で静電容量が発生すると、電極における静電容量を検出する際に、基板内導通路間で発生した静電容量が浮遊容量（寄生容量）として重畳されてしまう。そうすると、この浮遊容量の影響により液面レベルの検出精度が低下することがある。
【０００５】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、従来よりも液体の状態を正確に検知できる静電式液体状態検知装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
その解決手段は、液体に少なくとも自身の一部を浸漬して、前記液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置であって、前記液体の状態に応じて静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第１電極及び第２電極を有する静電容量測定素子と、前記静電容量測定素子と電気的に接続し、前記静電容量に基づいて前記液体の状態を検知する検知回路が形成された配線基板であって、前記検知回路は、前記第１電極と第１基板内回路素子とを導通させる第１基板内導通路、及び、前記第２電極と第２基板内回路素子とを導通させる第２基板内導通路を有する配線基板と、を備え、前記配線基板のうち、前記第１基板内導通路と前記第２基板内導通路との間には、これら第１基板内導通路及び第２基板内導通路の間で生じる寄生容量を低減させる電極パターンが配設されてなる静電式液体状態検知装置である。
【０００７】
この静電式液体状態検知装置は、検知回路が形成された配線基板を有し、この検知回路には、静電容量測定素子の第１電極と配線基板に実装された第１基板内回路素子とを導通させる第１基板内導通路と、静電容量測定素子の第２電極と配線基板に実装された第２基板内回路素子とを導通させる第２基板内導通路とが設けられている。そして、本発明では、配線基板のうち、これら第１，第２基板内導通路間に、これらの導通路間で生じる寄生容量を低減させる電極パターンが配設されている。
【０００８】
前述したように、静電容量を検知するにあたり、第１，第２電極間に発生する静電容量に、第１，第２基板内導通路間で発生する寄生容量が重畳されることは避けられない。しかし、本発明のように、第１，第２基板内導通路間にこれらの導通路間で生じる寄生容量を低減させる電極パターンを設ければ、これらの導通路間で発生する寄生容量自体を小さくできる。従って、寄生容量の影響を軽減できるので、従来よりも正確に液体の状態を検知できる。
【０００９】
特に本発明では、第１，第２電極が同一平面上に対をなして配置された平板状の電極であるため、例えば互いに対向して配置された電極に比して、電極間で発生する静電容量が小さくなりがちである。このため、相対的に第１，第２基板内導通路間で発生する寄生容量の影響が大きく現れる。従って、上記のように第１，第２基板内導通路間で発生する寄生容量自体を少なくすることで、寄生容量の影響を効果的に軽減できる。
【００１０】
ここで、本発明の静電式液体状態検知装置で検知する「液体の状態」としては、液体の液面レベルの高低や液体の誘電率の高低、液体の劣化度合いなどが挙げられる。また、測定対象となる「液体」は、空気とは異なる誘電率を持つ液体であればよく、例えば、エンジンオイル、ガソリン、機械油などが挙げられる。
「第１電極」及び「第２電極」は、それぞれ上記の要件を満たしていれば、その形態等は適宜変更できる。例えば、これらの電極は、プリント基板やフレキシブルプリント基板、フィルム基板などの基板における銅箔などによる導体層として実現できる。
【００１１】
「配線基板」は、上記の要件を満たすものであればよく、その形態等は特に限定されない。例えば、１層の絶縁基板上に検知回路を実装したものでもよいし、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して形成した多層配線基板でもよい。
「第１基板内導通路」及び「第２基板内導通路」は、それぞれ上記の要件を満たすものであればよく、その形態等は特に限定されない。例えば、これらの導通路は、静電容量測定素子と電気的に接続される電極端子や、配線基板の主面に沿って形成された配線やパッドなどによって、同一平面上に形成されたものが挙げられる。また、このような電極端子や配線、パッドなどの他に、ビア導体やスルーホール導体を有し、三次元的に形成されたものでもよい。
「第１基板内回路素子」及び「第２基板内回路素子」としては、例えば、ＩＣチップ、コンデンサ、トランジスタ、抵抗などが挙げられる。
【００１２】
「電極パターン」は、上記の要件を満たすものであればよく、第１，第２基板内導通路間に挟まれる領域全部に設けられている必要はなく、少なくとも一部に設けれられていればよい。このように電極パターンが一部にだけ設けられていても、第１，第２基板内導通路間で発生する寄生容量を低減できるからである。また、電極パターンは、上記のように第１，第２基板内導通路間に設けられていればよく、第１，第２基板内導通路と同一平面上に設ける他、第１，第２基板内導通路が三次元的な形態をなす場合には、３次元的に見たときに第１，第２基板内導通路間に介在するように設けることもできる。
【００１３】
更に、上記の静電式液体状態検知装置であって、前記電極パターンは、接地電位とされる接地電極パターン、または、電源電位とされる電源電極パターンである静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００１４】
本発明によれば、電極パターンは、接地電位とされる接地電極パターンまたは電源電位とされる電源電極パターンであるので、第１，第２基板内導通路間で発生する寄生容量をより確実に小さくできる。
【００１５】
更に、上記のいずれかに記載の静電式液体状態検知装置であって、前記電極パターンは、前記第１基板内導通路及び前記第２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第１同一平面部と第２同一平面部との間に配設してなる静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００１６】
第１，第２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第１，第２同一平面部間で発生する寄生容量は、例えば互いに対向する導通路間で発生する寄生容量に比して、小さくなる傾向にある。しかし、前述したように、第１，第２電極は同一平面上に対をなして配置された平板状の電極であるため、これらの電極間で発生する静電容量も小さくなりがちである。このため、第１，第２平面部間で発生する寄生容量がたとえ小さいものであっても、相対的に寄生容量の影響が現れやすい。従って、本発明のように、互いに同一平面上に位置する第１，第２同一平面部間に電極パターンを設け、これら第１，第２同一平面部で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【００１７】
更に、前記のいずれかに記載の静電式液体状態検知装置であって、前記電極パターンは、前記第１基板内導通路及び前記第２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第１異平面部と第２異平面部との間に配設してなる静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００１８】
第１，第２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第１，第２異平面部間で発生する寄生容量は、上述の第１，第２同一平面部間で発生する寄生容量よりも、大きくなりやすい。一方、第１，第２電極は同一平面上に対をなして配置された平板状の電極であるため、これらの電極間で発生する静電容量は小さくなりがちである。このため、第１，第２異平面部間で発生する寄生容量の影響が大きく現れやすい。従って、本発明のように、互いに異なる平面上に位置する第１，第２異平面部間に電極パターンを設け、これら第１，第２異平面部で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【００１９】
また、他の解決手段は、液体に少なくとも自身の一部を浸漬して、前記液体の状態を検知する静電式液体状態検知装置であって、前記液体の状態に応じて第１静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第１−１電極及び第１−２電極、並びに、前記液体の他の状態に応じて第２静電容量が発生するように同一平面上に対をなして配置された平板状の第２−１電極及び第２−２電極、を有する静電容量測定素子と、前記静電容量測定素子と電気的に接続し、前記第１静電容量及び前記第２静電容量に基づいて前記液体の状態を検知する検知回路が形成された配線基板であって、前記検知回路は、前記第１−１電極と第１−１基板内回路素子とを導通させる第１−１基板内導通路、前記第１−２電極と第１−２基板内回路素子とを導通させる第１−２基板内導通路、前記第２−１電極と第２−１基板内回路素子とを導通させる第２−１基板内導通路、及び、前記第２−２電極と第２−２基板内回路素子とを導通させる第２−２基板内導通路を有する配線基板と、を備え、前記配線基板のうち、前記第１−１基板内導通路と前記第１−２基板内導通路との間には、これら第１−１基板内導通路及び第１−２基板内導通路の間で生じる第１寄生容量を低減させる第１電極パターンが配設されてなり、前記配線基板のうち、前記第２−１基板内導通路と前記第２−２基板内導通路との間には、これら第２−１基板内導通路及び第２−２基板内導通路の間で生じる第２寄生容量を低減させる第２電極パターンが配設されてなる静電式液体状態検知装置である。
【００２０】
この静電式液体状態検知装置に含まれる配線基板の検知回路には、静電容量測定素子の第１−１電極と配線基板に実装された第１−１基板内回路素子とを導通させる第１−１基板内導通路と、静電容量測定素子の第１−２電極と配線基板に実装された第１−２基板内回路素子とを導通させる第１−２基板内導通路とが設けられている。そして、本発明では、この配線基板のうち、これら第１−１，第１−２基板内導通路間に、これらの導通路間で生じる第１寄生容量を低減させる第１電極パターンが配設されている。このように第１電極パターンを設ければ、第１−１，第１−２基板内導通路間で発生する第１寄生容量自体を小さくできる。
【００２１】
特に本発明では、第１−１，第１−２電極が同一平面上に対をなして配置された平板状の電極であるため、これらの電極間で発生する第１静電容量が小さくなりがちである。このため、相対的に第１−１，第１−２基板内導通路間で発生する第１寄生容量の影響が大きく現れる。従って、上記のように第１寄生容量自体を少なくすることで、第１寄生容量の影響を効果的に軽減できる。
【００２２】
また、検知回路には、静電容量測定素子の第２−１電極と配線基板に実装された第２−１基板内回路素子とを導通させる第２−１基板内導通路と、静電容量測定素子の第２−２電極と配線基板に実装された第２−２基板内回路素子とを導通させる第２−２基板内導通路とが設けられている。そして、本発明では、この配線基板のうち、これら第２−１，第２−２基板内導通路間に、これらの導通路間で生じる第２寄生容量を低減させる第２電極パターンが配設されている。このように第２電極パターンを設ければ、第２−１，第２−２基板内導通路間で発生する第２寄生容量自体を小さくできる。
【００２３】
特に本発明では、第２−１，第２−２電極が同一平面上に対をなして配置された平板状の電極であるため、これらの電極間で発生する第２静電容量が小さくなりがちである。このため、相対的に第２−１，第２−２基板内導通路間で発生する第２寄生容量の影響が大きく現れる。従って、上記のように第２寄生容量自体を少なくすることで、第２寄生容量の影響を効果的に軽減できる。
そして、本発明では、第１寄生容量の影響を軽減した形で測定される第１静電容量、及び、第２寄生容量の影響を軽減した形で測定される第２静電容量に基づいて液体の状態を検知するので、従来よりも正確に液体の状態を検知できる。
【００２４】
更に、上記の静電式液体状態検知装置であって、前記第１電極パターンは、接地電位とされる第１接地電極パターン、または、電源電位とされる第１電源電極パターンであり、前記第２電極パターンは、接地電位とされる第２接地電極パターン、または、電源電位とされる第２電源電極パターンである静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００２５】
本発明によれば、第１電極パターンは、接地電位とされる第１接地電極パターンまたは電源電位とされる第１電源電極パターンであるので、第１−１，第１−２基板内導通路間で発生する第１寄生容量をより確実に小さくできる。また、第２電極パターンは、接地電位とされる第２接地電極パターンまたは電源電位とされる第２電源電極パターンであるので、第２−１，第２−２基板内導通路間で発生する第２寄生容量をより確実に小さくできる。
【００２６】
更に、上記のいずれかに記載の静電式液体状態検知装置であって、前記第１電極パターンは、前記第１−１基板内導通路及び前記第１−２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第１−１同一平面部と第１−２同一平面部との間に配設してなり、前記第２電極パターンは、前記第２−１基板内導通路及び前記第２−２基板内導通路のうち、互いに同一平面上に位置する第２−１同一平面部と第２−２同一平面部との間に配設してなる静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００２７】
前述したように、互いに同一平面上に位置する第１−１，第１−２同一平面部間で発生する寄生容量は小さくなる傾向にあるが、第１−１，第１−２電極は同一平面上に配置された電極であるため、これらの電極間で発生する第１静電容量も小さくなりがちである。このため、第１−１，第１−２同一平面部間で発生する寄生容量がたとえ小さくても、相対的に寄生容量の影響が現れやすい。従って、本発明のように、第１−１，１−２同一平面部間に電極パターンを設け、これらの同一平面部間で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【００２８】
同様に、互いに同一平面上に位置する第２−１，第２−２同一平面部間で発生する寄生容量は小さくなる傾向にあるが、第２−１，第２−２電極間で発生する第２静電容量も小さくなりがちである。このため、第２−１，第２−２同一平面部間で発生する寄生容量がたとえ小さくても、相対的に寄生容量の影響が現れやすい。従って、本発明のように、第２−１，２−２同一平面部間に電極パターンを設け、これらの同一平面部間で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【００２９】
更に、前記のいずれかに記載の静電式液体状態検知装置であって、前記第１電極パターンは、前記第１−１基板内導通路及び前記第１−２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第１−１異平面部と第１−２異平面部との間に配設してなり、前記第２電極パターンは、前記第２−１基板内導通路及び前記第２−２基板内導通路のうち、互いに異なる平面上に位置する第２−１異平面部と第２−２異平面部との間に配設してなる静電式液体状態検知装置とすると良い。
【００３０】
前述したように、互いに異なる平面上に位置する第１−１，第１−２異平面部間で発生する寄生容量は大きくなる傾向にある一方、第１−１，第１−２電極は同一平面上に配置された電極であるため、これらの電極間で発生する第１静電容量は小さくなりがちである。このため、相対的に第１−１，第１−２異平面部間で発生する寄生容量の影響が大きく現れやすい。従って、本発明のように、第１−１，１−２異平面部間に電極パターンを設け、これらの異平面部間で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【００３１】
同様に、互いに異なる平面上に位置する第２−１，第２−２異平面部間で発生する寄生容量は大きくなる傾向にある一方、第２−１，第２−２電極間で発生する第２静電容量は小さくなりがちである。このため、相対的に第２−１，第２−２異平面部間で発生する寄生容量の影響が大きく現れやすい。従って、本発明のように、第２−１，２−２異平面部間に電極パターンを設け、これらの異平面部間で生じる寄生容量を小さくすることで、寄生容量の影響を軽減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。図１〜図４に本実施形態の液体レベルセンサ（静電式液体状態検知装置）１００を示す。この液体レベルセンサ１００は、液体に少なくとも自身の一部を浸漬して、液体の液面レベルを検知するセンサである。具体的には、この液体レベルセンサ１００は、図４に示すように、自動車エンジンのオイルタンク底部ＬＴに、その軸線ＡＸが鉛直方向Ｖと一致し、その先端１００ｓが鉛直方向上向きになるように取り付けて使用され、オイルタンク内のオイルＯＬの液面レベルを検知するのに用いられる。
【００３３】
この液体レベルセンサ１００は、図１，図２及び図４に示すように、樹脂製のベース部材１２１と、このベース部材１２１から突出するように配設された略筒状のセンサキャップ１１１とを有する。このセンサキャップ１１１は、コンデンサＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を構成する各電極１３２，１３３，１３８，１３９等を担持するフィルム電極基板１３１（図５（ａ）参照）と、このフィルム電極基板１３１を鉛直方向Ｖに保持する基板支持部材１４１（図６参照）とを包囲している（図４参照）。また、ベース部材１２１は、基板支持部材１４１及びセンサキャップ１１１を支持している。液体レベルセンサ１００は、これら基板支持部材１４１及びセンサキャップ１１１をオイルタンク内に挿入した状態でベース部材１２１をオイルタンク底部ＬＴに固定することで、オイルタンクに装着される（図４参照）。
【００３４】
まず、液体レベルセンサ１００のうち、フィルム電極基板（静電容量測定素子）１３１について、図５を参照して説明する。このフィルム電極基板１３１は、図５（ａ）に示すように、基端１３１ｋ（図中、下端）から先端１３１ｓ（図中、上端）にかけて、長手方向（図中、上下方向）に、比較的幅広の幅広矩形部１３１ｈ、先細の台形状のテーパ部１３１ｐ、及び、比較的幅狭の細長矩形部１３１ｎが、この順で並ぶ形状を有する。
【００３５】
また、このフィルム電極基板１３１は、図５（ｂ）に示すように、ポリイミドからなる樹脂製のフィルム１３１ｂ、コンデンサＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３を構成する電極１３２，１３３，１３８，１３９等を有する導体層１３１ｄ、及び、ポリイミドからなる樹脂製のフィルム１３１ｃをこの順に積層して形成されている。樹脂製のフィルム１３１ｂ、１３１ｃは、導体層１３１ｄを所定の位置に保持すると共に、導体層１３１ｄのオイルＯＬを介した導通（リーク）やオイルＯＬ及び大気による腐食を防止するため、導体層１３１ｄをオイルＯＬや大気から遮断している。
【００３６】
導体層１３１ｄは、銅箔からなり、第２−１電極１３２、第２−２電極１３３（第２−２１電極１３３ｂ及び第２−２２電極１３３ｃ）、ガード電極１３７、第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９を有する。なお、第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３は、レベル測定電極に相当し、第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９は、基準電極に相当する。また、第２−１電極１３２及び第１−１電極１３８は、本発明の第１電極に相当し、第２−２電極１３３及び第１−２電極１３９は、本発明の第２電極に相当する。
【００３７】
レベル測定電極の一方をなす第２−１電極１３２は、フィルム電極基板１３１の細長矩形部１３１ｎ及びテーパ部１３１ｐに配置されており、その電位の取り出し口であって矩形状に形成された第２−１電極端子１５２ｔに、第２−１電極接続線１５２ｆを介して電気的に接続されている。また、レベル測定電極の他方をなす第２−２電極１３３は、同様にフィルム電極基板１３１の細長矩形部１３１ｎ及びテーパ部１３１ｐに配置されており、電極連結線１５３ｄを介して接続され等電位とされた第２−２１電極１３３ｂ及び第２−２２電極１３３ｃを有する。このうち第２−２１電極１３３ｂは、第２−２電極１３３の電位の取り出し口であって矩形状に形成された第２−２電極端子１５３ｔと、第２−２電極接続線１５３ｆを介して電気的に接続されている。
【００３８】
また、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）は、フィルム電極基板１３１の幅方向（図中、左右方向）ＨＫにおいて、第２−２１電極１３３ｂ、第２−１電極１３２、第２−２２電極１３３ｃの順に列置されている。そして、第２−２１電極１３３ｂと第２−１電極１３２とは、これらの間に、フィルム電極基板１３１の長手方向に延びる所定間隔の第１ギャップ１３５を形成するように配置されている。従って、第２−１電極１３２と第２−２１電極１３３ｂとは、この第１ギャップ１３５を介してコンデンサＣＰ１を構成する。同様に、第２−１電極１３２と第２−２２電極１３３ｃとは、これらの間に、フィルム電極基板１３１の長手方向に延びる所定間隔の第２ギャップ１３６を形成するように配置されている。従って、第２−１電極１３２と第２−２２電極１３３ｃとは、この第２ギャップ１３６を介してコンデンサＣＰ２を構成する。
【００３９】
一方、基準電極の一方をなす第１−１電極１３８は、この電極の電位の取り出し口であり、矩形状に形成された第１−１電極端子１５８ｔに、第１−１電極接続線１５８ｆを介して電気的に接続されている。同様に、基準電極の他方をなす第１−２電極１３９についても、この電極の電位の取り出し口であって矩形状に形成された第１−２電極端子１５９ｔに、第１−２電極接続線１５９ｆを介して電気的に接続されている。
【００４０】
また、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）は、クシ状に互いに噛み合うようにして、所定間隔のギャップ１４０を形成する形態を有し、フィルム電極基板１３１のうち、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）よりも基端１３１ｋ側に配置されている。従って、第１−１電極１３８と第１−２電極１３９とは、このギャップ１４０を介してコンデンサＣＰ３を構成する。
【００４１】
フィルム電極基板１３１の周縁には、上記の電極１３２，１３３，１３８，１３９等を囲むようにガード電極１３７が配置され、フィルム電極基板１３１の基端１３１ｋ側に矩形状に形成されたガード電極端子１５７ｔに接続されている。なお、各電極端子（第２−１電極端子１５２ｔ、第２−２電極端子１５３ｔ、第１−１電極端子１５８ｔ、第１−２電極端子１５９ｔ及びガード電極端子１５７ｔ）の中央には、それぞれ円形の貫通孔が設けられている。
【００４２】
更に、このフィルム電極基板１３１の先端１３１ｓ近傍で幅方向ＨＫにおける中央部分には、長手方向に長い楕円状の上部貫通孔１３１ｆが設けられている。この上部貫通孔１３１ｆは、このフィルム電極基板１３１を後述する基板支持部材１４１に組み付ける際に、このフィルム電極基板１３１の位置決めをすると共に、フィルム電極基板１３１の先端１３１ｓ側の部分が浮き上がらないように保持するために利用される。また、フィルム電極基板１３１のテーパ部１３１ｐにも、フィルム電極基板１３１の位置決めをするための円形の中央部貫通孔１３１ｅが設けられている。
【００４３】
次に、基板支持部材１４１について、基板支持部材１４１にフィルム電極基板１３１を装着した状態を示す図６を参照して説明する。この基板支持部材１４１は、６６ナイロンからなり、フィルム電極基板１３１の周縁を支持可能なように、その平面形状に近似する枠の形状を有する。基板支持部材１４１は、一対の外枠部１４１ｇ、外枠部１４１ｇから互いに内側に突出する一対の突起状の一面側支持部１４１ｂ、上部支持ピン１４１ｄ、中央部支持ピン１４１ｅ、及び、下部挟持部１４１ｃを有する。
【００４４】
また、この基板支持部材１４１は、これにフィルム電極基板１３１を装着したときに、そのレベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）と基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）とを覆わない形状とされた内方突出部１４１ｆを有する。基板支持部材１４１は、フィルム電極基板１３１の一方の面の一部を内方突出部１４１ｆに当接させると共に、フィルム電極基板１３１の他方の面の一部を一面側支持部１４１ｂに当接させて、交互に挟み込む形態でフィルム電極基板１３１を支持する。更に、基板支持部材１４１は、フィルム電極基板１３１の上部貫通孔１３１ｆに上部支持ピン１４１ｄを、中央部貫通孔１３１ｅに中央部支持ピン１４１ｅを、それぞれ貫通させた上で、超音波溶着により加締めると共に、下部挟持部１４１ｃでフィルム電極基板１３１の基端１３１ｋを挟み込むことにより、フィルム電極基板１３１全体を保持している。
【００４５】
次に、センサキャップ１１１について図１〜図４を参照して説明する。センサキャップ１１１は、誘電体である６６ナイロンからなり、軸線ＡＸが鉛直方向Ｖと一致するように配置される。センサキャップ１１１は、ベース部材１２１側に位置する基端部１１１ｋ（図４参照）が開口し、先端１１１ｓが閉じた筒状の形態を有する。具体的には、このセンサキャップ１１１は、基端部１１１ｋ側から先端１１１ｓに向けて、幅方向ＨＫ（図１中、左右方向）に比較的幅広い幅広筒部１１１ｈ、先細形状のテーパ筒部１１１ｐ、及び、幅方向ＨＫに比較的幅狭の細長筒部１１１ｎが、この順で構成された形態を有している。
【００４６】
図３に示すように、センサキャップ１１１のうち細長筒部１１１ｎの内側には、軸線ＡＸ方向に延びるガイド溝１１１ｇが形成されている。そして、このガイド溝１１１ｇには、基板支持部材１４１の外枠部１４１ｇが嵌合している。また、図１及び図４に示すように、センサキャップ１１１の基端部１１１ｋには、周囲のオイルＯＬをセンサキャップ１１１の内外に流通可能とする下部連通孔１１１ｃが複数形成されている。一方、センサキャップ１１１の先端１１１ｓ近傍には、空気抜き（空気流通）のための上部連通孔１１１ｂが複数形成されている。
【００４７】
次に、ベース部材１２１について、図１、図２及び図４を参照して説明する。センサキャップ１１１を保持すると共に、自身をオイルタンク底部ＬＴに固定するベース部材１２１は、ベース本体部１２２と、図示しない外部機器と接続するためのコネクタ端子１２３ｃを含むコネクタ部１２３と、フィルム電極基板１３１の各電極端子１５３ｔ、１５９ｔ、１５７ｔ、１５２ｔ、１５８ｔとコネクタ端子１２３ｃとの間に介在する配線基板２０１とを有する。配線基板２０１は、後述する検知回路１６１を実装するものであり、ベース本体部１２２内に収容され、樹脂を充填してなる充填部材１２８により包囲されている。また、ベース部材１２１の下方側には、充填部材１２８を覆うように、金属蓋１２７が取り付けられている。
【００４８】
このうちベース本体部１２２は、図２に示すようにオイルタンク底部ＬＴに取り付ける際にネジを挿通するための取付ネジ穴１２２ｂと、先端１００ｓ側（図１中、上方）に突出した形状を有し、センサキャップ１１１を保持するためのガイド溝１２２ｈが内側に形成された取付ガイド部１２２ｇとを有する。そして、ベース部材１２１とセンサキャップ１１１とは、取付ガイド部１２２ｇの内側に形成されたガイド溝１２２ｈに、センサキャップ１１１の外側に形成された突起部１１１ｊを嵌合した状態で結合されている。
【００４９】
図１及び図４に示すように、第２−１電極端子１５２ｔと配線基板２０１（検知回路１６１）とは、第２−１リードピン１５２ｒを介して電気的に接続されている。また、第２−２電極端子１５３ｔと配線基板２０１とは、第２−２リードピン１５３ｒを介して電気的に接続されている。また、ガード電極端子１５７ｔと配線基板２０１とは、ガード用リードピン１５７ｒを介して電気的に接続されている。また、第１−１電極端子１５８ｔと配線基板２０１とは、第１−１リードピン１５８ｒを介して電気的に接続されている。更に、第１−２電極端子１５９ｔと配線基板２０１とは、第１−２リードピン１５９ｒを介して電気的に接続されている。これらのリードピン１５２ｒ，１５３ｒ，１５７ｒ，１５８ｒ，１５９ｒは、それぞれ同形状をなし、同じ間隔をあけて、一列にかつ互いに平行に延びるように配設されている。
【００５０】
次に、配線基板２０１について説明する。この配線基板２０１は、主面としての表面２０１ｂと裏面２０１ｃとを有する板形状をなす（図１及び図４参照）。この配線基板２０１は、４層の導体層（第１導体層２０３、第２導体層２０４、第３導体層２０５及び第４導体層２０６）と、３層の絶縁層（図示しない）とを交互に積層することにより形成されている。図７に配線基板２０１の表面２０１ｂに位置する第１導体層２０３の一部を示す。また、図８に配線基板２０１の内部に形成され、表面２０１ｂ側に位置する第２導体層２０４の一部を示す。また、図９に配線基板２０１の内部に形成され、裏面２０１ｃ側に位置する第３導体層２０５の一部を示す。更に、図１０に配線基板２０１の裏面２０１ｃに位置する第４導体層２０６の一部を示す。なお、図７及び図８は、第１，第２導体層２０３，２０４をそれぞれ配線基板２０１の表面２０１ｂ側から見た図であり、一方、図９及び図１０は、第３，第４導体層２０５，２０６をそれぞれ配線基板２０１の裏面２０１ｃ側から見た図である。
【００５１】
配線基板２０１の表面２０１ｂ上には、図７中に破線で囲んで示すように、複数の基板内回路素子が実装されている。即ち、この表面２０１ｂ上には、ＩＣチップＩＣ１や、抵抗Ｒ１，Ｒ２、トランジスタＱ１，Ｑ２、ダイオードＺＤ１、コンデンサＣＰ５，ＣＰ６などが実装されている。また、配線基板２０１の裏面２０１ｃ上にも、図１０中に破線で囲んで示すように、ＩＣチップＩＣ２や、コンデンサＣＰ７〜ＣＰ１０、抵抗Ｒ３〜Ｒ１５などが実装されている。そして、これらの基板内回路素子と第１〜第４導体層２０３，２０４，２０５，２０６等によって、後述する検知回路１６１が構成されている。
【００５２】
配線基板２０１のうち、まず、第１導体層２０３について説明する（図７参照）。この第１導体層２０３は、前述の各々のリードピン１５２ｒ，１５３ｒ，１５７ｒ，１５８ｒ，１５９ｒと電気的に接続する基板内電極端子２１２ｔ，２１３ｔ，２１７ｔ，２１８ｔ，２１９ｔを有する。具体的には、第１導体層２０３は、第２−１リードピン１５２ｒと電気的に接続する第２−１基板内電極端子２１２ｔと、第２−２リードピン１５３ｒと電気的に接続する第２−２基板内電極端子２１３ｔとを有する。また、第１導体層２０３は、ガード用リードピン１５７ｒと電気的に接続するガード用基板内電極端子２１７ｔを有する。また、第１導体層２０３は、第１−１リードピン１５８ｒと電気的に接続する第１−１基板内電極端子２１８ｔと、第１−２リードピン１５９ｒと電気的に接続する第１−２基板内電極端子２１９ｔとを有する。これらの基板内電極端子２１２ｔ，２１３ｔ，２１７ｔ，２１８ｔ，２１９ｔは、それぞれ外形が円形状をなし、各々のリードピン１５２ｒ，１５３ｒ，１５７ｒ，１５８ｒ，１５９ｒを挿通させてハンダ固着するために、その中央に配線基板２０１を貫通する円形の貫通孔が穿設されている。
【００５３】
また、この第１導体層２０３は、複数の配線（リード部）を有する。具体的には、第１導体層２０３は、第２−１表面側リード部２１２ｆ１、第２−２リード部２１３ｆ、第１−１リード部２１８ｆ、第１−２表面側リード部２１９ｆ１を含む、複数の配線を有する。このうち、第２−１表面側リード部２１２ｆ１は、一方で、ビア導体２１２ｂ２、後述する第４導体層２０６の第２−１裏面側リード部２１２ｆ２、ビア導体２１２ｂ１等を介して（図１０等参照）、第２−１基板内電極端子２１２ｔと導通すると共に、他方で、抵抗Ｒ１及びＩＣチップＩＣ１と導通する。また、第２−２リード部２１３ｆは、一方で第２−２基板内電極端子２１３ｔと導通すると共に、他方で抵抗Ｒ２及びＩＣチップＩＣ１と導通する。
【００５４】
また、第１−１リード部２１８ｆは、一方で第１−１基板内電極端子２１８ｔと導通すると共に、他方でＩＣチップＩＣ１と導通する。また、第１−２表面側リード部２１９ｆ１は、一方で、ビア導体２１９ｂ２、後述する第４導体層２０６の第１−２裏面側リード部２１９ｆ２、ビア導体２１９ｂ１等を介して（図１０等参照）、第１−２基板内電極端子２１９ｔと導通すると共に、他方で、ＩＣチップＩＣ１と導通する。
【００５５】
更に、この第１導体層２０３は、接地電位とされる島状の表面側接地電極パターン２２１，２２２，２２３を含む、複数の表面側接地電極パターンを有する。また、第１導体層２０３は、電源電位とされる島状の表面電源電極パターン２３１なども一部に有する。この第１導体層２０３は、所定の位置に設けられた、図中に白丸で示す複数のビア導体２１２ｂ１，２１３ｂ１，２１７ｂ１，２１８ｂ１，２１９ｂ１，２１２ｂ２，２１９ｂ２等を介して、次述する第２導体層２０４と電気的に接続されている。
【００５６】
次に、第２導体層２０４について説明する（図８参照）。この第２導体層２０４は、概略ベタ状に形成されている。この第２導体層２０４の大部分は、電源電位とされるベタ状電源電極パターン２３２である。そして一部に、複数のパッド２１２ｐ１，２１３ｐ１，２１７ｐ１，２１８ｐ１，２１９ｐ１，２１２ｐ４，２１９ｐ４，２４１を有する。これらのパッド２１２ｐ１，２１３ｐ１，２１７ｐ１，２１８ｐ１，２１９ｐ１，２１２ｐ４，２１９ｐ４，２４１は、図中に白丸で示す複数のビア導体２１２ｂ１，２１３ｂ１，２１７ｂ１，２１８ｂ１，２１９ｂ１，２１２ｂ２，２１９ｂ２等を介して、上述の第１導体層２０３や次述する第３導体層２０５と電気的に接続されている。
【００５７】
第３導体層２０５（図９参照）も、概略ベタ状に形成されている。この第３導体層２０５の大部分は、接地電位とされるベタ状接地電極パターン２２４である。そして一部に、複数のパッド２１２ｐ２，２１３ｐ２，２１７ｐ２，２１８ｐ２，２１９ｐ２，２１２ｐ５，２１９ｐ５，２４２を有する。これらのパッド２１２ｐ２，２１３ｐ２，２１７ｐ２，２１８ｐ２，２１９ｐ２，２１２ｐ５，２１９ｐ５，２４２は、図中に白丸で示す複数のビア導体２１２ｂ１，２１３ｂ１，２１７ｂ１，２１８ｂ１，２１９ｂ１，２１２ｂ２，２１９ｂ２等を介して、上述の第２導体層２０４や次述する第４導体層２０６と電気的に接続されている。
【００５８】
次に、第４導体層２０６について説明する（図１０参照）。この第４導体層２０６は、複数の配線（リード部）を有する。具体的には、第４導体層２０６は、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２、第１−２裏面側リード部２１９ｆ２を含む、複数の配線を有する。このうち、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２は、一方で、ビア導体２１２ｂ１等を介して、前述の第１導体層２０３の第２−１基板内電極端子２１２ｔと導通すると共に、他方で、ビア導体２１２ｂ２等を介して、前述の第１導体層２０３の第２−１表面側リード部２１２ｆ１と導通する（図７等参照）。また、第１−２裏面側リード部２１９ｆ２は、一方で、ビア導体２１９ｂ１等を介して、前述の第１導体層２０３の第１−２基板内電極端子２１９ｔと導通すると共に、他方で、ビア導体２１９ｂ２等を介して、前述の第１導体層２０３の第１−２表面側リード部２１９ｆ１と導通する（図７等参照）。
【００５９】
また、この第４導体層２０６は、接地電位とされる島状の裏面側接地電極パターン２２５，２２６，２２７，２２８を含む、複数の裏面側接地電極パターンを有する。また、第４導体層２０６は、電源電位とされる島状の裏面側電源電極パターン２３３なども一部に有する。更に、第４導体層２０６は、複数のパッド２１２ｐ３，２１３ｐ３，２１７ｐ３，２１８ｐ３，２１９ｐ３等を有する。これらのパッド２１２ｐ３，２１３ｐ３，２１７ｐ３，２１８ｐ３，２１９ｐ３等は、図中に白丸で示す複数のビア導体２１２ｂ１，２１３ｂ１，２１７ｂ１，２１８ｂ１，２１９ｂ１，２１２ｂ２，２１９ｂ２等を介して、上述の第３導体層２０５と電気的に接続されている。
【００６０】
以上の説明からも判るように、この配線基板２０１の検出回路１６１には、第２−１基板内電極端子２１２ｔから、ビア導体２１２ｂ１及びパッド２１２ｐ１，２１２ｐ２，２１２ｐ３、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２、ビア導体２１２ｂ２及びパッド２１２ｐ５，２１２ｐ４、第２−１表面側リード部２１２ｆ１を通じて、抵抗Ｒ１及びＩＣチップＩＣ１に至る第２−１基板内導通路（第１基板内導通路）２１２が形成されている。従って、検出回路１６１は、フィルム電極基板１３１の第２−１電極１３２と抵抗Ｒ１及びＩＣチップＩＣ１とを導通させている。なお、抵抗Ｒ１及びＩＣチップＩＣ１は、本発明の第１基板内回路素子または第２−１基板内回路素子に相当する。
【００６１】
また、検出回路１６１には、第２−２基板内電極端子２１３ｔから、第２−２リード部２１３ｆを通じて、抵抗Ｒ２及びＩＣチップＩＣ１に至る第２−２基板内導通路（第２基板内導通路）２１３が形成されている。従って、検出回路１６１は、フィルム電極基板１３１の第２−２電極１３３と抵抗Ｒ２及びＩＣチップＩＣ１とを導通させている。なお、抵抗Ｒ２及びＩＣチップＩＣ１は、本発明の第２基板内回路素子または第２−２基板内回路素子に相当する。
【００６２】
また、検出回路１６１には、第１−１基板内電極端子２１８ｔから、第１−１リード部２１８ｆを通じて、ＩＣチップＩＣ１に至る第１−１基板内導通路（第１基板内導通路）２１８が形成されている。従って、検出回路１６１は、フィルム電極基板１３１の第１−１電極１３８とＩＣチップＩＣ１とを導通させている。なお、ＩＣチップＩＣ１は、本発明の第１基板内回路素子または第１−１基板内回路素子に相当する。
【００６３】
また、検出回路１６１には、第１−２基板内電極端子２１９ｔから、ビア導体２１９ｂ１及びパッド２１９ｐ１，２１９ｐ２，２１９ｐ３、第１−２裏面側リード部２１９ｆ２、ビア導体２１９ｂ２及びパッド２１９ｐ５，２１９ｐ４、第１−２表面側リード部２１９ｆ１を通じて、ＩＣチップＩＣ１に至る第１−２基板内導通路（第２基板内導通路）２１９が形成されている。従って、検知回路１６１は、フィルム電極基板１３１の第１−２電極１３９とＩＣチップＩＣ１とを導通させている。なお、ＩＣチップＩＣ１は、本発明の第２基板内回路素子または第１−２基板内回路素子に相当する。
【００６４】
図１１に第１導体層２０３の一部を示すように、第２−１電極１３２と導通する第２−１表面側リード部２１２ｆ１と、第２−２電極１３３と導通する第２−２リード部２１３ｆとは、同一平面上、即ち、第１導体層２０３上において、互いの間隙が小さくなっている所が存在する。このような部分では、もし表面側接地電極パターン２２２が存在しないとすると、第２−１表面側リード部２１２ｆ１と第２−２リード部２１３ｆとの間で寄生容量Ｃ１１が発生する。この寄生容量Ｃ１１は、第２−１電極１３２と第２−２電極１３３との間で生じる第２静電容量を測定する際に、第２静電容量に重畳されてしまう。そうすると、この寄生容量Ｃ１１の影響を受けてオイルＯＬの状態を正確には検知できなくなる。
【００６５】
これに対し、本実施形態では、図１１に示すように、第２−１表面側リード部２１２ｆ１と第２−２リード部２１３ｆとの間に、表面側接地電極パターン２２２の一部をなす第１導通路間介在部２２２ｈ（図中に網掛けのハッチングで示す部分）を配設しているため、これらのリード部２１２ｆ１，２１３ｆ間で発生する寄生容量Ｃ１１自体を小さくできる。従って、寄生容量Ｃ１１の影響を軽減できるので、従来よりも正確にオイルＯＬの状態を検知できる。なお、第２−１表面側リード部２１２ｆ１が、本発明の第１同一平面部または第２−１同一平面部に相当し、第２−２リード部２１３ｆが、本発明の第２同一平面部または第２−２同一平面部に相当する。また、第１導通路間介在部２２２ｈが、本発明の接地電極パターンまたは第２接地電極パターンに相当する。
【００６６】
また、図１２及び図１３に破線で示すように、第２−１電極１３２と導通する第２−１裏面側リード部２１２ｆ２と、第２−２電極１３３と導通する第２−２リード部２１３ｆとは、異なる平面上、即ち、第１導体層２０３上と第４導体層２０６上とにおいて、３次元的に見て、互いの間隙が小さくなっている所が存在する。なお、図１２は、第２導体層２０４に第２−１裏面側リード部２１２ｆ２と第２−２リード部２１３ｆとを投影した図であり、図１３は、第３導体層２０５に第２−１裏面側リード部２１２ｆ２と第２−２リード部２１３ｆとを投影した図である。このような部分では、もしベタ状電源電極パターン２３２やベタ状接地電極パターン２２４が介在しないとすると、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２と第２−２リード部２１３ｆとの間に寄生容量Ｃ１２が発生する。この寄生容量Ｃ１２は、上述したように、第２静電容量を測定する際に、第２静電容量に重畳されてしまうので、オイルＯＬの状態を正確には検知できなくなる。
【００６７】
これに対し、本実施形態では、図１２及び図１３に示すように、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２と第２−２リード部２１３ｆとの間に、即ち、３次元的に見てこれらの間に、ベタ状電源電極パターン２３２の一部をなす第２導通路間介在部２３２ｈ、及び、ベタ状接地電極パターン２２４の一部をなす第３導通路間介在部２２４ｈを配設している（図中に網掛けのハッチングで示す部分）。このため、これらのリード部２１２ｆ２，２１３ｆ間で発生する寄生容量Ｃ１２自体を小さくできる。従って、寄生容量Ｃ１２の影響を軽減できるので、従来よりも正確にオイルＯＬの状態を検知できる。なお、第２−１裏面側リード部２１２ｆ２が本発明の第１異平面部または第２−１異平面部に相当し、第２−２リード部２１３ｆが本発明の第２異平面部または第２−２異平面部に相当する。また、第２導通路間介在部２３２ｈが、本発明の電源電極パターンまたは第２電源電極パターンに相当し、第３導通路間介在部２２４ｈが、本発明の接地電極パターンまたは第２接地電極パターンに相当する。
【００６８】
また、図１４に第１導体層２０３の一部を示すように、第１−１電極１３８と導通する第１−１リード部２１８ｆと、第１−２電極１３９と導通する第１−２表面側リード２１９ｆ１とは、同一平面上、即ち、第１導体層２０３上において、互いの間隙が小さくなっている所が存在する。このような部分では、もし表面側接地電極パターン２２２が存在しないとすると、第１−１リード部２１８ｆと第１−２表面側リード２１９ｆ１との間で寄生容量Ｃ１３が発生する。
【００６９】
また、第１−１電極１３８と導通する第１−１リード部２１８ｆと、第１−２電極１３９と導通する第１−２基板内電極端子２１９ｔも、同一平面上（第１導体層２０３上）において、互いの間隙が小さくなっている所が存在する。この部分でも、もし表面側接地電極パターン２２１が存在しないとすると、第１−１リード部２１８ｆと第１−２基板内電極端子２１９ｔとの間で寄生容量Ｃ１４が発生する。
これらの寄生容量Ｃ１３，Ｃ１４は、第１−１電極１３８と第２−２電極１３９との間で生じる第１静電容量を測定する際に、第１静電容量に重畳されてしまう。そうすると、これらの寄生容量Ｃ１３，Ｃ１４の影響を受けてオイルＯＬの状態を正確には検知できなくなる。
【００７０】
これに対し、本実施形態では、図１４に示すように、第１−１リード部２１８ｆと第１−２表面側リード２１９ｆ１との間に、表面側接地電極パターン２２２の一部をなす第４導通路間介在部２２２ｇ（図中に網掛けのハッチングで示す部分）を配設しているため、これらのリード部２１２ｆ１，２１３ｆ間で発生する寄生容量Ｃ１３自体を小さくできる。また、第１−１リード部２１８ｆと第１−２基板内電極端子２１９ｔとの間に、表面側接地電極パターン２２１の一部をなす第５導通路間介在部２２１ｇ（図中に網掛けのハッチングで示す部分）を配設しているため、これらの部分２１８ｆ，２１９ｆ間で発生する寄生容量Ｃ１４自体を小さくできる。従って、寄生容量Ｃ１３，Ｃ１４の影響を軽減できるので、従来よりも正確にオイルＯＬの状態を検知できる。なお、第１−１リード部２１８ｆが本発明の第１同一平面部または第１−１同一平面部に相当し、第１−２表面側リード部２１９ｆ１及び第１−２基板内電極端子２１９ｔが本発明の第２同一平面部または第１−２同一平面部に相当する。また、第４導通路間介在部２２２ｇ及び第５導通路間介在部２２１ｇが、本発明の接地電極パターンまたは第１接地電極パターンに相当する。
【００７１】
また、図１５及び図１６に破線で示すように、第１−１電極１３８と導通する第１−１リード部２１８ｆと、第１−２電極１３９と導通する第１−２裏面側リード部２１９ｆ２とは、異なる平面上、即ち、第１導体層２０３上と第４導体層２０６上とにおいて、３次元的に見て、互いの間隙が小さくなっている所が存在する。なお、図１５は、第２導体層２０４に第１−１リード部２１８ｆと第１−２裏面側リード部２１９ｆ２とを投影した図であり、図１６は、第３導体層２０５に第１−１リード部２１８ｆと第１−２裏面側リード部２１９ｆ２とを投影した図である。このような部分では、もしベタ状電源電極パターン２３２やベタ状接地電極パターン２２４が介在しないとすると、第１−１リード部２１８ｆと第１−２裏面側リード部２１９ｆ２との間で寄生容量Ｃ１５が発生する。この寄生容量Ｃ１５は、上述したように、第１静電容量を測定する際に、第１静電容量に重畳されてしまうので、オイルＯＬの状態を正確には検知できなくなる。
【００７２】
これに対し、本実施形態では、図１５及び図１６に示すように、第１−１リード部２１８ｆと第１−２裏面側リード部２１９ｆ２との間に、即ち、３次元的に見てこれらの間に、ベタ状電源電極パターン２３２の一部をなす第６導通路間介在部２３２ｇ、及び、ベタ状接地電極パターン２２４の一部をなす第７導通路間介在部２２４ｇを配設している（図中に網掛けのハッチングで示す部分）。このため、これらのリード部２１８ｆ，２１９ｆ２間で発生する寄生容量Ｃ１５自体を小さくできる。従って、寄生容量Ｃ１５の影響を軽減できるので、従来よりも正確にオイルＯＬの状態を検知できる。なお、第１−１リード部２１８ｆが、本発明の第１異平面部または第１−１異平面部に相当し、第１−２裏面側リード部２１９ｆ２が、本発明の第２異平面部または第１−２異平面部に相当する。また、第６導通路間介在部２３２ｇが、本発明の電源電極パターンまたは第１電源電極パターンに相当し、第７導通路間介在部２２４ｇが、本発明の接地電極パターンまたは第１接地電極パターンに相当する。
【００７３】
このように、本実施形態では、配線基板２０１内で生じる寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５を抑制しているので、従来よりも正確にオイルＯＬの状態を検知できる。特に本実施形態では、第２−１電極１３２、第２−２電極１３３、第１−１電極１３８、第１−２電極１３９がフィルム電極基板１３１に同一平面上に配置された平板状の電極であるため、例えば互いに対向して配置された電極に比して、電極間で発生する第１静電容量及び第２静電容量が小さくなりがちである。このため、相対的に上記の寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５の影響が大きく現れやすい。従って、前述したように、寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５自体を少なくすることで、寄生容量Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５の影響を効果的に軽減できる。
【００７４】
次に、この液体レベルセンサ１００をオイルタンク底部ＬＴに取り付けてオイルＯＬの状態を検知する方法について説明する。図４に示すように、液体レベルセンサ１００は、軸線ＡＸを鉛直方向Ｖに一致させ、その先端１００ｓが鉛直方向上向きにして、オイルタンク底部ＬＴに、パッキン組付部１２１ｐに配置されたリングパッキン１２５を介して、液密に取り付けられる。この取り付けは、ベース部材１２１の取付ネジ穴１２２ｂ（図２参照）に図示しないネジ部材を挿通し、オイルタンク底部ＬＴに設けられた図示しない雌ネジ穴に締め付けて行う。
【００７５】
液体レベルセンサ１００は、このようにオイルタンク底部ＬＴに液密に取り付けられる一方で、電子制御装置（ＥＣＵ）１６０（図１７参照）に接続され、ＥＣＵ１６０に対してオイルタンク内のオイルＯＬの液面レベルに関する情報を送信する。ＥＣＵ１６０は、内燃機関の全体動作を制御するものであり、各種制御処理を実行する。ＥＣＵ１６０で実行される制御処理としては、例えば、この液体レベルセンサ１００で検出されたオイルＯＬの液面レベルが正常範囲を逸脱した場合に液面レベルの異常を通知するオイルレベル警報処理や、内燃機関の点火時期を制御する点火時期制御処理や、ノッキングなどの異常燃焼を検出するためのノッキング判定処理などが挙げられる。
【００７６】
このＥＣＵ１６０から、液体レベルセンサ１００のコネクタ端子１２３ｃを介して検知回路１６１に電源電圧が供給され、この検知回路１６１から、第２−１リードピン１５２ｒ及び第２−２リードピン１５３ｒを介して、第２−１電極端子１５２ｔと第２−２電極端子１５３ｔとの間に交流電圧を印加する。すると、液体レベルセンサ１００のうち細長筒部１１１ｎの水平方向Ｈ（鉛直方向Ｖに直交する方向）の断面において、第２−１電極１３２と第２−２１電極１３３ｂとの間、及び、第２−１電極１３２と第２−２２電極１３３ｃとの間に、電気力線が発生する。第２−１電極１３２と第２−２１電極１３３ｂ及び第２−１電極１３２と第２−２２電極１３３ｃとの間に形成されるコンデンサＣＰ１，ＣＰ２の合計の静電容量（第２静電容量）は、このような電気力線が通る空間の誘電率によって変化する。
【００７７】
例えば、液体レベルセンサ１００がオイルＯＬに浸漬された場合、空気にさらされている部分に比して、これらの電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃのうちオイルＯＬに浸されている部分は、鉛直方向の単位長さあたりの第２静電容量が変化することとなる。このため、コンデンサＣＰ１，ＣＰ２の第２静電容量は、電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃが長手方向についてオイルＯＬに浸漬されている部分とそうでない部分との割合に応じて変化する。つまり、これらの電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃ間の第２静電容量と、これらの電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃがオイルＯＬに浸漬されている部分の割合との間には相関関係があるため、これらの電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃ間の第２静電容量に基づいて、これらの電極１３２，１３３ｂ，１３３ｃがオイルＯＬに浸漬されている部分の割合（浸漬されている部分の深さ）を求めることができる。こうして、この液体レベルセンサ１００では、第２−１電極１３２、第２−２１電極１３３ｂ及び第２−２２電極１３３ｃにより構成されたコンデンサＣＰ１，ＣＰ２の第２静電容量の変化に基づいてオイルＯＬの液面レベルを検知できる。
【００７８】
なお、オイルＯＬは、経年変化や熱などによりその特性が変化したり、種類の異なったオイルを混合したりして、当初から存在するオイルに比べると誘電率が変化する場合が多い。このようにオイルＯＬの誘電率が変化すると、コンデンサＣＰ１，ＣＰ２の第２静電容量と、オイルＯＬの液面レベルとの間の相関関係も変化するため、液面レベルの測定精度が低下することとなる。
【００７９】
そこで、この液体レベルセンサ１００では、第２−１電極１３２、第２−２１電極１３３ｂ及び第２−２２電極１３３ｃの他に、更に第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９が設けられている。第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９は、常に全体がオイルＯＬに浸漬された状態となるよう配設されている。そして、これら第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９間に生ずるコンデンサＣＰ３の静電容量（第１静電容量）を測定することで、オイルＯＬの誘電率を計測し、これに基づいて、第２−１電極１３２等を用いて測定したコンデンサＣＰ１，ＣＰ２の第２静電容量を補正し、正確な液面レベルを測定できる。
【００８０】
この液体レベルセンサ１００に含まれる配線基板２０１には、検知回路１６１（図１７参照）が設けられている。この検知回路１６１は、電源回路１６３、マイコン１６５、信号出力取得回路１６７、接続先切替回路１６９、第１電極用グランド接続回路（第１接地手段）１７０、第２電極用グランド接続回路（第２接地手段）１７１を有する。この検知回路１６１は、ＥＣＵ１６０から電力供給を受けており、電源回路１６３は、ＥＣＵ１６０から供給される電力波形から高周波成分を除去した後、検知回路１６１の各部に電力（電圧値５Ｖ）を供給する。
【００８１】
マイコン１６５は、公知のＣＰＵ１７３、ＲＯＭ１７４、ＲＡＭ１７５、Ｉ／Ｏポート１７６、Ａ／Ｄ変換ポート１７７などを有しており、後述するオイルレベル検出制御処理を実行することで、第１静電容量及び第２静電容量に基づいてオイルＯＬの液面レベルを検出する。また、マイコン１６５は、ＰＷＭ出力部１７８を有しており、ＥＣＵ１６０に対して、液面レベルの情報を付加したＰＷＭ信号を出力するよう構成されている。
【００８２】
信号出力取得回路１６７は、分圧回路１８１、ローパスフィルタ１８２、電流電圧変換回路１８３を有する。分圧回路１８１は、複数の抵抗素子を有しており、電源回路１６３から出力される電源電圧値（５Ｖ）を、抵抗分圧により電圧変換して出力する。なお、分圧回路１８１は、マイコン１６５からの指令信号に基づき複数の抵抗素子の接続状態（抵抗分圧状態）が変化することで、ローパスフィルタ１８２に対する出力電圧値を変更できる。そして、分圧回路１８１は、段階的に出力電圧値を変更することで、出力電圧波形として、階段状に変化する波形を出力する。
【００８３】
ローパスフィルタ１８２は、分圧回路１８１が出力する階段状の波形について、低周波成分を抽出して出力するものであり、階段状に変化する波形を滑らかな正弦波波形に変換し、変換後の正弦波波形を接続先切替回路１６９に対して出力する。また、電流電圧変換回路１８３は、対をなす第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９、または、対をなす第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３から出力される電流波形信号（通過後信号）を、電圧波形信号に変換して、変換後の電圧波形信号をマイコン１６５に出力する。なお、分圧回路１８１及びローパスフィルタ１８２の具体的な回路構成としては、特開２００３−１１０３６４号公報に開示された構成回路が挙げられる。
【００８４】
次に、接続先切替回路１６９は、アナログスイッチで構成されており、マイコン１６５からの指令信号（スイッチ切替タイミング信号）に応じて、信号出力取得回路１６７の接続先を、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）、または、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）のいずれかに切り替えるためのものである。このために、信号出力取得回路１６７は、測定用信号としての正弦波信号を接続先切替回路１６９を介して、基準電極またはレベル測定電極に出力し、正弦波信号が基準電極またはレベル測定電極を通過した後の信号を電流電圧変換回路１８３で取得するように構成されている。
【００８５】
次に、第１電極用グランド接続回路１７０は、２つのスイッチング素子（トランジスタ）１７２ａ，１７２ｂを有しており、マイコン１６５からの指令信号（シールド切替タイミング信号）に応じて、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）からグランドラインに至る電流経路を通電状態または開放状態のいずれかに設定する。
また、第２電極用グランド接続回路１７１は、２つのスイッチング素子（トランジスタ）１７２ｃ，１７２ｄを有しており、マイコン１６５からの指令信号（シールド切替タイミング信号）に応じて、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）からグランドラインに至る電流経路を通電状態または開放状態のいずれかに設定する。
【００８６】
次に、マイコン１６５において実行されるオイルレベル検出制御処理について説明する。図１８にオイルレベル検出制御処理の処理内容を表すフローチャートを示す。なお、このオイルレベル検出制御処理は、キースイッチがオンされると処理を開始する。オイルレベル検出制御処理が始まると、まずステップＳ１１０において、ＲＡＭ１７５、Ｉ／Ｏポート１７６、タイマレジスタなどを初期化するための初期化処理を実行する。
【００８７】
次に、ステップＳ１２０に進み、基準測定処理を実行する。図１９にこの基準測定処理の処理内容を表すフローチャートを示す。基準測定処理が開始されると、まずステップＳ２１０において、接続先を基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）に設定するためのスイッチ切替タイミング信号を出力し、接続先切替回路１６９を駆動制御することで、信号出力取得回路１６７の接続先を基準電極に設定する。
【００８８】
次に、ステップＳ２２０において、第２電極用グランド接続回路１７１をオン状態（通電状態）に設定するためのシールド切替タイミング信号を出力し、第２電極用グランド接続回路１７１をオン状態に制御することで、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）をグランドラインに接続する。また、第１電極用グランド接続回路１７０をオフ状態（開放状態）に設定するためのシールド切替タイミング信号を出力し、第１電極用グランド接続回路１７０をオフ状態に制御することで、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）からグランドラインに至る電流経路を遮断する。
【００８９】
次に、ステップＳ２３０において、信号出力取得回路１６７に対して入力波形生成指令信号を出力し、分圧回路１８１を駆動制御して、ローパスフィルタ１８２に階段状に変化する波形を出力させる。これにより、信号出力取得回路１６７（具体的には分圧回路１８１及びローパスフィルタ１８２）は、接続先切替回路１６９を介して、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）に対して測定用信号（正弦波信号）を出力する。
【００９０】
次に、ステップＳ２４０において、信号出力取得回路１６７（具体的には電流電圧変換回路１８３）から出力される信号を取り込む処理を行う。なお、このときに取り込まれる信号は、測定用信号（正弦波信号）が基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）を通過した後の通過後信号（基準側通過後信号）である。
【００９１】
次に、ステップＳ２５０において、信号出力取得回路１６７（具体的には電流電圧変換回路１８３）から取り込んだ通過後信号の波形における最大振幅値（基準側最大振幅値）を算出する処理を実行する。なお、基準側通過後信号の最大振幅値は、第１静電容量に比例した値を示し、第１静電容量はオイルＯＬの誘電率のみに応じて変化することから、基準側最大振幅値は、オイルＯＬの誘電率に応じた値を示すこととなる。このステップＳ２５０での処理が完了すると、再びオイルレベル検出制御処理に処理が移行し、ステップＳ１３０に進む（図１８参照）。
【００９２】
ステップＳ１３０では、センサ測定処理（レベル測定処理）を実行する。図２０にセンサ測定処理の処理内容を表すフローチャートを示す。センサ測定処理が開始されると、まずＳ３１０において、接続先をレベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）に設定するためのスイッチ切替タイミング信号を出力し、接続先切替回路１６９を駆動制御することで、信号出力取得回路１６７の接続先をレベル測定電極に設定する。
【００９３】
次に、ステップＳ３２０において、第２電極用グランド接続回路１７１をオフ状態（開放状態）に設定するためのシールド切替タイミング信号を出力し、第２電極用グランド接続回路１７１をオフ状態に制御することで、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）からグランドラインに至る電流経路を遮断する。また、第１電極用接続回路１７０をオン状態（通電状態）に設定するためのシールド切替タイミング信号を出力し、第１電極用グランド接続回路１７０をオン状態に制御することで、基準電極（第１−１電極１３８及び第１−２電極１３９）をグランドラインに接続する。
【００９４】
次に、ステップＳ３３０において、信号出力取得回路１６７に対して入力波形生成指令信号を出力し、分圧回路１８１を駆動制御して、ローパスフィルタ１８２に階段状に変化する波形を出力させる。これにより、信号出力取得回路１６７（具体的には分圧回路１８１及びローパスフィルタ１８２）は、接続先切替回路１６９を介して、レベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）に対して測定用信号（正弦波信号）を出力する。
【００９５】
次に、ステップＳ３４０において、信号出力取得回路１６７（具体的には電流電圧変換回路１８３）から出力される信号をマイコン１６５に取り込む処理を行う。なお、このときに取り込まれる信号は、測定用信号（正弦波信号）がレベル測定電極（第２−１電極１３２及び第２−２電極１３３）を通過した後の通過後信号（センサ側通過後信号）である。
【００９６】
次に、ステップＳ３５０において、信号出力取得回路１６７（具体的には電流電圧変換回路１８３）から取り込んだ通過後信号の波形における最大振幅値（センサ側最大振幅値）を算出する処理を実行する。なお、センサ側通過後信号の最大振幅値は、第２静電容量に比例した値を示し、第２静電容量はオイルＯＬへの浸漬割合に応じて変化することから、センサ側最大振幅幅は、オイルＯＬの液面レベルに応じた値を示すこととなる。このステップＳ３５０での処理が完了すると、再びオイルレベル検出制御処理に処理が移行し、ステップＳ１４０に進む（図１８参照）。
【００９７】
ステップＳ１４０では、レベル算出処理を実行する。図２１にレベル算出処理の処理内容を表すフローチャートを示す。レベル算出処理が開始されると、まずステップＳ４１０において、基準測定処理にて算出された基準側最大振幅値、及び、センサ測定処理にて算出されたセンサ側最大振幅値に基づいて、オイルＯＬの液面レベルを算出する。具体的には、基準側最大振幅値に基づいて第１静電容量を算出すると共に、センサ側最大振幅値に基づいて第２静電容量を算出する。そして、これら第１静電容量と第２静電容量の比をとり、その比の値に基づいてオイルＯＬの液面レベルを算出する。
【００９８】
次に、ステップＳ４２０において、ＰＷＭ出力処理を実行する。ＰＷＭ出力処理の処理内容を表すフローチャートを図２２に示す。ＰＷＭ出力処理が開始されると、まずステップＳ５１０において、レベル算出処理にて算出した液面レベルに応じてパルス幅データを作製する処理を実行する。なお、パルス幅データには、ＰＷＭ信号のハイレベル出力時間を含むパルス幅Ｈｉデータと、ＰＷＭ信号のローレベル出力時間を含むパルス幅Ｌｏデータとが、少なくとも含まれている。そして、ステップＳ５１０では、オイルＯＬの液面レベルが大きい値になるに従ってハイレベル出力時間が長くなるように、パルス幅データを設定する。
【００９９】
次に、ステップＳ５２０において、ＰＷＭ信号の第１回目の出力であるか否かを判定し、ＹＥＳの場合にはステップＳ５３０に移行し、ＮＯの場合にはＰＷＭ出力処理を終了する。ステップＳ５３０に進んだ場合には、タイマデータレジスタに対して、ステップＳ５１０で作成したパルス幅Ｈｉデータを設定する処理を実行する。
【０１００】
次に、ステップＳ５４０では、ＰＷＭ信号の出力状態をハイレベル出力状態に設定し、続くステップＳ５５０では、ＰＷＭ信号の出力を開始する。そして、ステップＳ５５０での処理が完了すると、ＰＷＭ出力処理が終了する。ＰＷＭ出力処理が終了すると、再びレベル算出処理に処理が移行する。なお、ステップＳ５５０においてＰＷＭ信号の出力が開始されると、タイマによる経過時間の計測が開始され、その後、ステップＳ５３０にて設定されたパルス幅Ｈｉデータに相当する時間が経過すると、タイマ割り込み処理が実行される。
【０１０１】
タイマ割り込み処理の処理内容を表すフローチャートを図２３に示す。タイマ割り込み処理が開始されると、まずステップＳ６１０において、ＰＷＭ信号の出力状態がハイレベル出力状態に設定されているか否かを判断する。そして、ＹＥＳの場合にはステップＳ６２０に進み、ＮＯの場合にはＳ６４０に進む。ステップＳ６２０に進んだ場合には、ＰＷＭ出力処理のステップＳ５１０で作製したパルス幅データのうちパルス幅Ｌｏデータを、タイマデータレジスタに対して設定する処理を行う。その後、ステップＳ６３０において、ＰＷＭ信号の出力状態をローレベル出力状態に設定する。
【０１０２】
一方、ステップＳ６４０に進んだ場合には、ＰＷＭ出力処理のＳ５１０で作製したパルス幅データのうちパルス幅Ｈｉデータを、タイマデータレジスタに対して設定する処理を行う。その後、ステップＳ６５０において、ＰＷＭ信号の出力状態をハイレベル出力状態に設定する。
【０１０３】
ステップＳ６３０またはステップＳ６５０での処理が完了すると、ステップＳ６６０に進み、ＰＷＭ信号の出力を開始する。そして、ステップＳ６６０においてＰＷＭ信号の出力が開始されると、タイマによる経過時間の計測が開始され、タイマデータレジスタに設定された時間が経過すると、タイマ割り込み処理が実行される。つまり、ＰＷＭ出力処理及びタイマ割り込み処理は、レベル算出処理において算出された液面レベルに応じてＰＷＭ信号のパルス幅データ（具体的にはハイレベル出力時間及びローレベル出力時間）を切り替える処理を行う。これにより、液体レベルセンサ１００からＥＣＵ１６０に対しては、ＰＷＭ信号を用いて、オイルＯＬの液面レベルを通知することが可能となる。
【０１０４】
そして、ＰＷＭ出力処理が終了して、レベル算出処理におけるステップＳ４２０（図２１参照）が終了すると、再びオイルレベル検出制御処理に処理が移行し、ステップＳ１４０（図１８参照）が完了すると、再びステップＳ１２０に移行する。つまり、マイコン１６５は、レベル算出処理におけるステップＳ１２０からステップＳ１４０までの処理を繰り返し実行することで、オイルＯＬの液面レベルを算出すると共に、算出結果をＥＣＵ１６０に対して出力する処理を実行する。
【０１０５】
次いで、上記液体レベルセンサ１００の製造方法について説明する。
最初に図５に示すフィルム電極基板１３１の製造について説明する。まず、銅箔がその一面に貼り付けられたポリイミド基板に対して、公知のエッチング加工を行い、フィルム１３１ｂ上に導体層１３１ｄが形成された状態とする（図５（ｂ）中、下側部分）。その後、このフィルム１３１ｂ及び導体層１３１ｄの上からエポキシ樹脂ペーストＥＰが塗られたフィルム１３１ｃを貼り付け、これらを接着する。この状態で乾燥した後、公知の方法を用いて、上部貫通孔１３１ｆ及び中央部貫通孔１３１ｅを穿孔すると共に、第２−１電極端子１５２ｔ、第２−２電極端子１５３ｔ、ガード電極端子１５７ｔ、第１−１電極端子１５８ｔ及び第１−２電極端子１５９ｔの中央にも穴開け加工を行い、フィルム電極基板１３１を完成させる。
【０１０６】
次に、このフィルム電極基板１３１を、図６に示すように、基板支持部材１４１に組み付ける。具体的には、フィルム電極基板１３１の細長矩形部１３１ｎを、基板支持部材１４１の一面側支持部１４１ｂと内方突出部１４１ｆとの間に挟み込むと共に、フィルム電極基板１３１の上部貫通孔１３１ｆに、基板支持部材１４１の上部支持ピン１４１ｄを挿通する。また、フィルム電極基板１３１の幅広矩形部１３１ｈの基端１３１ｋを基板支持部材１４１の下部挟持部１４１ｃに挟み込むと共に、フィルム電極基板１３１の中央部貫通孔１３１ｅに基板支持部材１４１の中央部支持ピン１４１ｅを挿通し、加締める。
【０１０７】
次に、フィルム電極基板１３１が組み付けられた基板支持部材１４１を、図４に示すようにベース部材１２１に組み付ける。具体的には、基板支持部材１４１の外枠部１４１ｇのうち底部（図６中、下方）に設けられた突出部１４１ｈと、ベース部材１２１の図示しない嵌合部とを嵌合させて、基板支持部材１４１とベース部材１２１とを結合させる。更に、公知の多層配線基板の製造方法により製造された配線基板２０１と、フィルム電極基板１３１の各電極端子１５３ｔ，１５８ｔ，１５７ｔ，１５２ｔ，１５９ｔとを、各リードピン１５３ｒ，１５８ｒ，１５７ｒ，１５２ｒ，１５９ｒを介して接続する。この配線基板２０１あるいは電極端子１５３ｔ，１５８ｔ，１５７ｔ，１５２ｔ，１５９ｔと、リードピン１５３ｒ，１５８ｒ，１５７ｒ，１５２ｒ，１５９ｒとの接続は、公知のハンダ付けで行う。
【０１０８】
次に、配線基板２０１が配設された空間に樹脂を充填して充填部材１２８を形成した後、充填部材１２８を覆うように、ベース部材１２１の下方側に金属蓋１２７を取り付ける。その後、ベース部材１２１のうち、オイルタンク底部ＬＴに当接する面に設けられたパッキン組付部１２１ｐにリングパッキン１２５の組付けを行う。かくして、液体レベルセンサ１００が完成する。
【０１０９】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態の液体レベルセンサ１００では、第２−２電極１３３を第２−２１電極１３３ｂ及び第２−２２電極１３３ｃの２つに分け、第２−１電極１３２と合わせて３つの電極により、２つのコンデンサＣＰ１，ＣＰ２を構成する形態とした。しかし、第２−２電極を分けないで、第２−１電極と第２−２電極の２つの電極を対向させて１つのコンデンサを構成する形態としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】実施形態に係る液体レベルセンサの正面図である。
【図２】実施形態に係る液体レベルセンサの平面図である。
【図３】実施形態に係る液体レベルセンサの図１におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】実施形態に係る液体レベルセンサをオイルタンクに取り付けた状態を示す説明図であり、図２におけるＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】実施形態に係る液体レベルセンサを構成するフィルム電極基板を示す説明図であり、（ａ）はフィルム電極基板の平面図、（ｂ）はフィルム電極基板の製造を説明するＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図６】実施形態に係る液体レベルセンサに関し、電極支持部材にフィルム電極基板を組み付けた状態を示す斜視図である。
【図７】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板のうち、第１導体層の一部を示す説明図である。
【図８】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板のうち、第２導体層の一部を示す説明図である。
【図９】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板のうち、第３導体層の一部を示す説明図である。
【図１０】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板のうち、第４導体層の一部を示す説明図である。
【図１１】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第１導体層のうち、第１の要部を示す説明図である。
【図１２】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第２導体層のうち、第１の要部を示す説明図である。
【図１３】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第３導体層のうち、第１の要部を示す説明図である。
【図１４】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第１導体層のうち、第２の要部を示す説明図である。
【図１５】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第２導体層のうち、第２の要部を示す説明図である。
【図１６】実施形態に係る液体レベルセンサを構成する配線基板の第３導体層のうち、第２の要部を示す説明図である。
【図１７】実施形態に係る液体レベルセンサの検出回路の回路構成図である。
【図１８】実施形態に係り、オイルレベル検出制御処理の処理内容を表すフローチャートである。
【図１９】実施形態に係り、基準測定処理の処理内容を表すフローチャートである。
【図２０】実施形態に係り、センサ測定処理の処理内容を表すフローチャートである。
【図２１】実施形態に係り、レベル算出処理の処理内容を表すフローチャートである。
【図２２】実施形態に係り、ＰＷＭ出力処理の処理内容を表すフローチャートである。
【図２３】実施形態に係り、タイマ割り込み処理の処理内容を表すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１１】
１００  液体レベルセンサ（静電式液体状態検知装置）
１３１  フィルム電極基板（静電容量測定素子）
１３２  第２−１電極
１３３  第２−２電極
１３８  第１−１電極
１３９  第１−２電極
２０１  配線基板
２１２  第２−１基板内導通路
２１２ｔ  第２−１基板内電極端子
２１２ｆ１  第２−１表面側リード部
２１２ｆ２  第２−１裏面側リード部
２１３  第２−２基板内導通路
２１３ｔ  第２−２基板内電極端子
２１３ｆ  第２−２リード部
２１７ｔ  ガード用基板内電極端子
２１８  第１−１基板内導通路
２１８ｔ  第１−１基板内電極端子
２１８ｆ  第１−１リード部
２１９  第１−２基板内導通路
２１９ｔ  第１−２基板内電極端子
２１９ｆ１  第１−２表面側リード部
２１９ｆ２  第１−２裏面側リード部
２２１，２２２，２２３  表面側接地電極パターン
２２４  ベタ状接地電極パターン
２２５，２２６，２２７，２２８  裏面側接地電極パターン
２３１  表面側電源電極パターン
２３２  ベタ状電源電極パターン
２３３  裏面側電源電極パターン
２２２ｈ  第１導通路間介在部
２３２ｈ  第２導通路間介在部
２２４ｈ  第３導通路間介在部
２２２ｇ  第４導通路間介在部
２２１ｇ  第５導通路間介在部
２３２ｇ  第６導通路間介在部
２２４ｇ  第７導通路間介在部
ＯＬ  オイル（液体）
ＩＣ１，ＩＣ２  ＩＣチップ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５  抵抗
Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５  寄生容量
【図１】
2007033409.tif 000003
【図２】
2007033409.tif 000004
【図３】
2007033409.tif 000005
【図４】
2007033409.tif 000006
【図５】
2007033409.tif 000007
【図６】
2007033409.tif 000008
【図７】
2007033409.tif 000009
【図８】
2007033409.tif 000010
【図９】
2007033409.tif 000011
【図１０】
2007033409.tif 000012
【図１１】
2007033409.tif 000013
【図１２】
2007033409.tif 000014
【図１３】
2007033409.tif 000015
【図１４】
2007033409.tif 000016
【図１５】
2007033409.tif 000017
【図１６】
2007033409.tif 000018
【図１７】
2007033409.tif 000019
【図１８】
2007033409.tif 000020
【図１９】
2007033409.tif 000021
【図２０】
2007033409.tif 000022
【図２１】
2007033409.tif 000023
【図２２】
2007033409.tif 000024
【図２３】
2007033409.tif 000025