(57)【要約】【課題】  バンプとランド部間の剥がれが無く、生産性の良好な半導体部品の実装構造、及びそれに使用される実装基板の製造方法な撮像モジュールを提供すること。【解決手段】  本発明の半導体部品の実装構造において、バンプ８が位置するランド部４の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられ、係止部５の凹み部５ｃ内にバンプ８を食い込ませたため、バンプ８のランド部４への結合は、係止部５にバンプ８を食い込ませることによって強固となり、バンプ８とランド部４間の剥がれの無いものが得られる。【選択図】  図１
2007073748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンとランド部が設けられた絶縁基板を有する実装基板と、前記ランド部にバンプを介して前記実装基板に実装された半導体部品とを備え、前記バンプが位置する前記ランド部の端面には、前記絶縁基板からほぼ垂直な立ち上がり面と、この立ち上がり面の上部から前記立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部と、この膨出部と前記立ち上がり面と前記絶縁基板とで囲まれた凹み部とからなる係止部が設けられ、前記係止部の前記凹み部内に前記バンプを食い込ませたことを特徴とする半導体部品の実装構造。
【請求項２】
前記ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の前記端面を有し、この一対の前記端面に設けられた前記係止部には、前記バンプを食い込ませたことを特徴とする請求項１記載の半導体部品の実装構造。
【請求項３】
前記半導体部品と前記絶縁基板との間に介在したアンダーフィルを有し、前記ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の前記端面と、この一対の端面間に設けられ、前記ランド部が削除された溝部と、この溝部の少なくとも一端側に設けられた開放部を有し、前記溝部に介在した前記アンダーフィルが前記開放部を通って流出するようにしたことを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体部品の実装構造。
【請求項４】
前記バンプが金材で形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項記載の半導体部品の実装構造。
【請求項５】
前記ランド部の上部層である前記膨出部は、耐食性の高い金属で形成されると共に、前記膨出部の下部側に設けられた前記ランド部の下部層は、導電率の高い金属で形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れか１項記載の半導体部品の実装構造。
【請求項６】
前記上部層がニッケルーリンで形成されると共に、前記下部層が銅で形成されたことを特徴とする請求項５記載の半導体部品の実装構造。
【請求項７】
請求項１から４の何れか１項記載の半導体部品の実装構造を備え、前記実装基板は、前記絶縁基板上に下地層を形成する工程と、この下地層上に現像可能なレジストを形成する工程と、前記レジストを現像して、前記配線パターンと前記ランド部となる箇所にレジスト除去部を形成して所望のパターン形状にするための工程と、前記下地層に付着した状態で、前記レジスト除去部内に金属性の中間層を形成する工程と、前記中間層に付着し、前記レジスト上にはみ出た状態で、前記膨出部となる金属性の上部層を形成する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記中間層が位置する箇所を除いて、前記下地層を除去する工程とによって製造されて、前記配線パターンと前記ランド部が形成されると共に、前記ランド部の前記端面には、前記立ち上がり面と、前記膨出部と、前記凹み部とからなる前記係止部が形成されたことを特徴とする半導体部品の実装構造に使用される実装基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から４の何れか１項記載の半導体部品の実装構造を備え、前記実装基板は、前記絶縁基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属性の中間層を形成する工程と、前記中間層上に金属性の上部層を形成する工程と、前記上部層上に現像可能なレジストを形成する工程と、前記レジストを現像して、前記配線パターンと前記ランド部となる以外の箇所のレジストを除去する工程と、前記レジストが位置する箇所を除いて、前記上部層をエッチングによって除去する工程と、前記上部層が除去されて露出した箇所、及び前記上部層の端部の下部近傍に位置する箇所の前記中間層をウエットエッチングによって除去する工程と、前記上部層上の前記レジストを除去する工程と、前記中間層が位置する箇所を除いて、前記下地層をエッチングによって除去する工程とによって製造されて、前記配線パターンと前記ランド部が形成されると共に、前記ランド部の前記端面には、前記立ち上がり面と、前記膨出部と、前記凹み部とからなる前記係止部が形成されたことを特徴とする半導体部品の実装構造に使用される実装基板の製造方法。
【請求項９】
前記上部層が耐食性の高い金属で形成されると共に、前記中間層が導電率の高い金属で形成されたことを特徴とする請求項７又は８項記載の半導体部品の実装構造に使用される実装基板の製造方法。
【請求項１０】
前記上部層がニッケルーリンで形成されると共に、前記中間層が銅で形成されたことを特徴とする請求項９記載の半導体部品の実装構造に使用される実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器や電子回路ユニット等に適用して好適な半導体部品の実装構造、及びそれに使用される実装基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体部品の実装構造の図面を説明すると、図２５は従来の半導体部品の実装構造に係る要部拡大断面図、図２６は従来の半導体部品の実装構造に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図であり、次に、従来の半導体部品の実装構造の構成を図２５、図２６に基づいて説明すると、実装基板５１は、絶縁基板５２と、この絶縁基板５２上に設けられた配線パターン５３と、この配線パターン５３の端部に設けられたランド部５４とで形成されている。そして、配線パターン５３とランド部５４は、金属膜をエッチングすることによって形成されると共に、ランド部５４は、複数個が点在する島状部５４ａで形成され、この島状部５４ａの端面は、絶縁基板５２の面から上方に向かって垂直な面となっている。
【０００３】
半導体部品５５は、下面に複数の電極５６が設けられ、この電極５６には、バンプ５７が付着されていると共に、電極５６に付着したバンプ５７は、ランド部５４上に熱圧着されて、半導体部品５５が実装基板５１に実装されている。また、半導体部品５５の下面と絶縁基板５２の上面との間には、アンダーフィル５８を介在させて、半導体部品５５の取付を強固にすることによって、従来の半導体部品の実装構造が構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、従来の半導体部品の実装構造は、ランド部５４の島状部５４ａの端面が垂直面となした状態で、バンプ５７がランド部５４に付着するため、バンプ５７とランド部５４間の付着が弱く、剥がれ易い上に、アンダーフィル５８の膨張や収縮によって、バンプ５７とランド部５４間の付着が剥がれる。
【０００５】
また、従来の実装基板の製造方法は、絶縁基板５２上に設けられた金属膜をエッチングすることによって、配線パターン５３とランド部５４が形成されるため、ランド部５４の島状部５４ａの端面が垂直面となし、このため、バンプ５７とランド部５４間の付着が弱く、剥がれ易い上に、アンダーフィル５８の膨張や収縮によって、バンプ５７とランド部５４間の付着が剥がれる。
【特許文献１】特開平１１−４０９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の半導体部品の実装構造は、ランド部５４の島状部５４ａの端面が垂直面となした状態で、バンプ５７がランド部５４に付着するため、バンプ５７とランド部５４間の付着が弱く、剥がれ易い上に、アンダーフィル５８の膨張や収縮によって、バンプ５７とランド部５４間の付着が剥がれるという問題がある。
【０００７】
また、従来の実装基板の製造方法は、絶縁基板５２上に設けられた金属膜をエッチングすることによって、配線パターン５３とランド部５４が形成されるため、ランド部５４の島状部５４ａの端面が垂直面となし、このため、バンプ５７とランド部５４間の付着が弱く、剥がれ易い上に、アンダーフィル５８の膨張や収縮によって、バンプ５７とランド部５４間の付着が剥がれるという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、バンプとランド部間の剥がれが無く、生産性の良好な半導体部品の実装構造、及びそれに使用される実装基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の解決手段として、配線パターンとランド部が設けられた絶縁基板を有する実装基板と、前記ランド部にバンプを介して前記実装基板に実装された半導体部品とを備え、前記バンプが位置する前記ランド部の端面には、前記絶縁基板からほぼ垂直な立ち上がり面と、この立ち上がり面の上部から前記立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部と、この膨出部と前記立ち上がり面と前記絶縁基板とで囲まれた凹み部とからなる係止部が設けられ、前記係止部の前記凹み部内に前記バンプを食い込ませた構成とした。
【００１０】
また、第２の解決手段として、前記ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の前記端面を有し、この一対の前記端面に設けられた前記係止部には、前記バンプを食い込ませた構成とした。
【００１１】
また、第３の解決手段として、前記半導体部品と前記絶縁基板との間に介在したアンダーフィルを有し、前記ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の前記端面と、この一対の端面間に設けられ、前記ランド部が削除された溝部と、この溝部の少なくとも一端側に設けられた開放部を有し、前記溝部に介在した前記アンダーフィルが前記開放部を通って流出するようにした構成とした。
【００１２】
また、第４の解決手段として、前記バンプが金材で形成された構成とした。
【００１３】
また、第５の解決手段として、前記ランド部の上部層である前記膨出部は、耐食性の高い金属で形成されると共に、前記膨出部の下部側に設けられた前記ランド部の下部層は、導電率の高い金属で形成された構成とした。
【００１４】
また、第６の解決手段として、前記上部層がニッケルーリンで形成されると共に、前記下部層が銅で形成された構成とした。
【００１５】
また、第７の解決手段として、請求項１から４の何れか１項記載の半導体部品の実装構造を備え、前記実装基板は、前記絶縁基板上に下地層を形成する工程と、この下地層上に現像可能なレジストを形成する工程と、前記レジストを現像して、前記配線パターンと前記ランド部となる箇所にレジスト除去部を形成して所望のパターン形状にするための工程と、前記下地層に付着した状態で、前記レジスト除去部内に金属性の中間層を形成する工程と、前記中間層に付着し、前記レジスト上にはみ出た状態で、前記膨出部となる金属性の上部層を形成する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記中間層が位置する箇所を除いて、前記下地層を除去する工程とによって製造されて、前記配線パターンと前記ランド部が形成されると共に、前記ランド部の前記端面には、前記立ち上がり面と、前記膨出部と、前記凹み部とからなる前記係止部が形成された製造方法とした。
【００１６】
また、第８の解決手段として、請求項１から４の何れか１項記載の半導体部品の実装構造を備え、前記実装基板は、前記絶縁基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属性の中間層を形成する工程と、前記中間層上に金属性の上部層を形成する工程と、前記上部層上に現像可能なレジストを形成する工程と、前記レジストを現像して、前記配線パターンと前記ランド部となる以外の箇所のレジストを除去する工程と、前記レジストが位置する箇所を除いて、前記上部層をエッチングによって除去する工程と、前記上部層が除去されて露出した箇所、及び前記上部層の端部の下部近傍に位置する箇所の前記中間層をウエットエッチングによって除去する工程と、前記上部層上の前記レジストを除去する工程と、前記中間層が位置する箇所を除いて、前記下地層をエッチングによって除去する工程とによって製造されて、前記配線パターンと前記ランド部が形成されると共に、前記ランド部の前記端面には、前記立ち上がり面と、前記膨出部と、前記凹み部とからなる前記係止部が形成された製造方法とした。
【００１７】
また、第９の解決手段として、前記上部層が耐食性の高い金属で形成されると共に、前記中間層が導電率の高い金属で形成された製造方法とした。
【００１８】
また、第１０の解決手段として、前記上部層がニッケルーリンで形成されると共に、前記中間層が銅で形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体部品の実装構造において、バンプが位置するランド部の端面には、絶縁基板からほぼ垂直な立ち上がり面と、この立ち上がり面の上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部と、この膨出部と立ち上がり面と絶縁基板とで囲まれた凹み部とからなる係止部が設けられ、係止部の凹み部内にバンプを食い込ませたため、バンプのランド部への結合は、係止部にバンプを食い込ませることによって強固となり、バンプとランド部間の剥がれの無いものが得られる。
【００２０】
また、ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の端面を有し、この一対の端面に設けられた係止部には、バンプを食い込ませたため、バンプとランド部間の結合は、一層強固となり、バンプとランド部間の剥がれの無いものが得られる。
【００２１】
また、半導体部品と絶縁基板との間に介在したアンダーフィルを有したため、半導体部品の絶縁基板への取付が強固にできると共に、アンダーフィルの膨張や収縮によってもバンプとランド部間の剥がれが無く、また、ランド部は、互いに間隔を置いて対向する一対の端面と、この一対の端面間に設けられ、ランド部が削除された溝部と、この溝部の少なくとも一端側に設けられた開放部を有したため、溝部に介在したアンダーフィルが開放部を通って容易に流出するものが得られる。
【００２２】
また、バンプが金材で形成されたため、バンプとランド部間の導通が一層良くなると共に、係止部へのバンプの食い込みの良好なものが得られる。
【００２３】
また、ランド部の上部層である膨出部は、耐食性の高い金属で形成されると共に、膨出部の下部側に設けられたランド部の下部層は、導電率の高い金属で形成されたため、導電性の良好な下部層は、上部層である膨出部によって腐蝕が防止されて、長期にわたって導電性の良好なものが得られる。
【００２４】
また、上部層がニッケルーリンで形成されると共に、下部層が銅で形成されたため、下部層は導電性が良く、上部層は耐腐食性の良好なものが得られる。
【００２５】
また、実装基板は、絶縁基板上に下地層を形成する工程と、この下地層上に現像可能なレジストを形成する工程と、レジストを現像して、配線パターンとランド部となる箇所にレジスト除去部を形成して所望のパターン形状にするための工程と、下地層に付着した状態で、レジスト除去部内に金属性の中間層を形成する工程と、中間層に付着し、レジスト上にはみ出た状態で、膨出部となる金属性の上部層を形成する工程と、レジストを除去する工程と、中間層が位置する箇所を除いて、下地層を除去する工程とによって製造されて、配線パターンとランド部が形成されたため、生産性が良好であると共に、端面には、立ち上がり面と、膨出部と、凹み部とからなる係止部を有したランド部が容易に形成できて、バンプとランド部間の剥がれの無いものが得られる。
【００２６】
また、実装基板は、絶縁基板上に下地層を形成する工程と、下地層上に金属性の中間層を形成する工程と、中間層上に金属性の上部層を形成する工程と、上部層上に現像可能なレジストを形成する工程と、レジストを現像して、配線パターンとランド部となる以外の箇所のレジストを除去する工程と、レジストが位置する箇所を除いて、上部層をエッチングによって除去する工程と、上部層が除去されて露出した箇所、及び上部層の端部の下部近傍に位置する箇所の中間層をウエットエッチングによって除去する工程と、上部層上のレジストを除去する工程と、中間層が位置する箇所を除いて、下地層をエッチングによって除去する工程とによって製造されて、配線パターンとランド部が形成されたため、生産性が良好であると共に、端面には、立ち上がり面と、膨出部と、凹み部とからなる係止部を有したランド部が容易に形成できて、バンプとランド部間の剥がれの無いものが得られる。
【００２７】
また、上部層が耐食性の高い金属で形成されると共に、中間層が導電率の高い金属で形成されたため、導電性の良好な下部層は、上部層である膨出部によって腐蝕が防止されて、長期にわたって導電性の良好なものが得られる。
【００２８】
また、上部層がニッケルーリンで形成されると共に、中間層が銅で形成されたため、中間層は導電性が良く、上部層は耐腐食性の良好なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の半導体部品の実装構造の第１実施例に係る要部拡大断面図、図２は本発明の半導体部品の実装構造の第１実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図、図３は本発明の半導体部品の実装構造の第２実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図、図４は図３の４−４線における断面図、図５は本発明の半導体部品の実装構造の第３実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図、図６は本発明の半導体部品の実装構造の第４実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図、図７は本発明の半導体部品の実装構造の第５実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図、図８は本発明の半導体部品の実装構造の第６実施例に係る要部拡大断面図である。
【００３０】
また、図９は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、下地層を形成する工程を示す説明図、図１０は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジストを形成する工程を示す説明図、図１１は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジスト除去部を形成する工程を示す説明図、図１２は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、中間層を形成する工程を示す説明図、図１３は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、上部層を形成する工程を示す説明図、図１４は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジストを除去する工程を示す説明図、図１５は本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、下地層を除去する工程を示す説明図である。
【００３１】
また、図１６は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、下地層を形成する工程を示す説明図、図１７は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、中間層を形成する工程を示す説明図、図１８は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、上部層を形成する工程を示す説明図、図１９は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを形成する工程を示す説明図、図２０は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを除去する第１の除去工程を示す説明図、図２１は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、上部層を除去する工程を示す説明図、図２２は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、中間層を除去する工程を示す説明図、図２３は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを除去する第２の除去工程を示す説明図、図２４は本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、下地層を除去する工程を示す説明図である。
【００３２】
次に、本発明の半導体部品の実装構造の第１実施例に係る構成を図１，図２に基づいて説明すると、実装基板１は、セラミック（低温焼成セラミック）等からなる絶縁基板２と、この絶縁基板２上に設けられた配線パターン３と、この配線パターン３の端部等に設けられたランド部４とで形成されている。
【００３３】
このランド部４は、互いに間隔を置いて対向する少なくとも一対の端面４ａ、４ｂと、この端面４ａ、４ｂに設けられた係止部５を有し、この係止部５は、絶縁基板２の面からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとで形成されている。また、ランド部４には、一対の端面４ａ、４ｂ間に設けられ、ランド部４の削除部である溝部４ｃと、この溝部４ｃの少なくとも一端部は、ランド部４を除去して開放された開放部４ｄが設けられている。
【００３４】
半導体チップ等からなる半導体部品６は、下面に複数の電極７が設けられ、この電極７には、金材等からなるバンプ８が付着されていると共に、電極７に付着したバンプ８は、ランド部４に熱圧着されて、半導体部品６が実装基板１に実装されている。この時、バンプ８は、ランド部４の端面４ａ、４ｂに設けられた係止部５に食い込んで（バンプ８が凹み部５ｃ内に嵌り込む）、ランド部４に接合している。
【００３５】
また、半導体部品６と絶縁基板２の上面との間には、アンダーフィル９を介在させて、半導体部品６の取付を強固にすると共に、溝部４ｃに介在したアンダーフィル９は、溝部４ｃ内に溜まることなく、開放部４ｄを通って溝部４ｃ外に流出するようになって、本発明の半導体部品の実装構造が構成されている。
【００３６】
また、図３、図４は本発明の半導体部品の実装構造の第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、ランド部４は、一端部がＵ字状に形成され、互いに間隔を置いて対向する一対の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２の面からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられている。その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３７】
また、図５は本発明の半導体部品の実装構造の第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、ランド部４は、一部がＨ字状に形成され、互いに間隔を置いて対向する一対の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２の面からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられている。その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３８】
また、図６は本発明の半導体部品の実装構造の第４実施例を示し、この第４実施例について説明すると、ランド部４には、Ｔ字状の溝部４ｃが形成され、互いに間隔を置いて対向する一対の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２の面からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられている。その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００３９】
また、図７は本発明の半導体部品の実装構造の第５実施例を示し、この第５実施例について説明すると、ランド部４は、一部が十字状に形成され、互いに間隔を置いて対向する一対の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２の面からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられている。その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００４０】
また、図８は本発明の半導体部品の実装構造の第６実施例を示し、この第６実施例について説明すると、ランド部４は、絶縁基板２上に形成された下地層１０と、この下地層１０上に形成され、導電率の高い銅や銀等の金属からなる下部層（中間層）１１と、この下部層１１上に形成され、耐食性の高いニッケルやニッケルーリン（ＮｉＰ）等の金属からなる上部層１２で構成されて、下地層１０と下部層１１には、係止部５の立ち上がり面５ｃが設けられると共に、上部層１２によって、係止部５の膨出部５ｂが形成されて、バンプ８が係止部５の凹み部５ｃに食い込んで、ランド部４に接合されている。その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。また、上部層１２の上には、腐食防止のための金層を形成しても良い。
【００４１】
次に、本発明の実装基板の製造方法の第１実施例を図９〜図１５に基づいて説明すると、先ず、図９に示すように、絶縁基板２上には、チタンの下層１０ａと銅の上層１０ｂからなる下地層１０を形成する工程を行った後、図１０に示すように、この下地層１０上に現像可能なレジスト１３を形成する工程を行い、しかる後、図１１に示すように、レジスト１３を現像して、配線パターン３とランド部４となる箇所にレジスト除去部１３ａを形成して所望のパターン形状にするための工程を行う。
【００４２】
次に、図１２に示すように、下地層１０に付着した状態で、レジスト除去部１３ａ内には、導電率の高い銅や銀等の金属からなる金属性の中間層１１を印刷やメッキによって形成する工程を行った後、図１３に示すように、中間層１１に付着し、レジスト１３上に一部がはみ出た状態で、耐食性の高いニッケルやニッケルーリン（ＮｉＰ）等の金属によって膨出部５ｂとなる金属性の上部層１２を無電解メッキによって形成する工程を行い、次に、図１４に示すように、レジスト１３を除去する工程を行った後、図１５に示すように、中間層１２が位置する箇所を除いて、下地層１０をエッチングによって除去する工程を行うと、実装基板１の製造が完了し、このような実装基板１の製造方法によって、配線パターン３とランド部４が形成されると共に、ランド部４の端面４ａ、４ｂには、立ち上がり面５ａと、膨出部５ｂと、凹み部５ｃとからなる係止部５が形成される。
【００４３】
次に、本発明の実装基板の製造方法の第２実施例を図１６〜図２４に基づいて説明すると、先ず、図１６に示すように、絶縁基板２上には、チタンの下層１０ａと銅の上層１０ｂからなる下地層１０を形成する工程を行った後、図１７に示すように、下地層１０上には、導電率の高い銅や銀等の金属からなる金属性の中間層１１をメッキ等によって形成する工程を行い、しかる後、図１８に示すように、中間層１１上には、耐食性の高いニッケルやニッケルーリン（ＮｉＰ）等の金属からなる金属性の上部層１２をメッキ等によって形成する工程を行い、次に、図１９に示すように、上部層１２上に現像可能なレジスト１３を形成する工程を行う。
【００４４】
次に、図２０に示すように、レジスト１３を現像して、配線パターン３とランド部４となる以外の箇所のレジスト１３を除去する第１の除去工程を行った後、図２１に示すように、レジスト１３が位置する箇所を除いて、上部層１２をエッチングによって除去する工程を行い、しかる後、図２２に示すように、上部層１２が除去されて露出した箇所、及び上部層１２の端部の下部近傍に位置する箇所の中間層１１をウエットエッチングによって選択的にエッチングして除去する工程を行い、次に、図２３に示すように、上部層１２上のレジスト１３を除去する第２の除去工程を行った後、図２４に示すように、中間層１１が位置する箇所を除いて、下地層１０をエッチングによって除去する工程を行うと、実装基板１の製造が完了し、このような実装基板１の製造方法によって、配線パターン３とランド部４が形成されると共に、ランド部４の端面４ａ、４ｂには、立ち上がり面５ａと、膨出部５ｂと、凹み部５ｃとからなる係止部５が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の半導体部品の実装構造の第１実施例に係る要部拡大断面図である。
【図２】本発明の半導体部品の実装構造の第１実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【図３】本発明の半導体部品の実装構造の第２実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【図４】図３の４−４線における断面図である。
【図５】本発明の半導体部品の実装構造の第３実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【図６】本発明の半導体部品の実装構造の第４実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【図７】本発明の半導体部品の実装構造の第５実施例に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【図８】本発明の半導体部品の実装構造の第６実施例に係る要部拡大断面図である。
【図９】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、下地層を形成する工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジストを形成する工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジスト除去部を形成する工程を示す説明図である。
【図１２】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、中間層を形成する工程を示す説明図である。
【図１３】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、上部層を形成する工程を示す説明図である。
【図１４】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、レジストを除去する工程を示す説明図である。
【図１５】本発明の実装基板の製造方法の第１実施例に係り、下地層を除去する工程を示す説明図である。
【図１６】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、下地層を形成する工程を示す説明図である。
【図１７】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、中間層を形成する工程を示す説明図である。
【図１８】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、上部層を形成する工程を示す説明図である。
【図１９】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを形成する工程を示す説明図である。
【図２０】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを除去する第１の除去工程を示す説明図である。
【図２１】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、上部層を除去する工程を示す説明図である。
【図２２】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、中間層を除去する工程を示す説明図である。
【図２３】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、レジストを除去する第２の除去工程を示す説明図である。
【図２４】本発明の実装基板の製造方法の第２実施例に係り、下地層を除去する工程を示す説明図である。
【図２５】従来の半導体部品の実装構造に係る要部拡大断面図である。
【図２６】従来の半導体部品の実装構造に係り、ランド部の構成を示す実装基板の要部の平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  実装基板
２  絶縁基板
３  配線パターン
４  ランド部
４ａ  端面
４ｂ  端面
４ｃ  溝部
４ｄ  開放部
５  係止部
５ａ  立ち上がり面
５ｂ  膨出部
５ｃ  凹み部
６  半導体部品
７  電極
８  バンプ
９  アンダーフィル
１０  下地層
１０ａ  下層
１０ｂ  上層
１１  下部層（中間層）
１２  上部層
１３  レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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