(57)【要約】【課題】一定の厚みをもった樹脂からなる蛍光体層で半導体発光素子の周囲が被覆された良質な半導体発光装置と、該半導体発光装置を簡易な工程で製造することができる方法を提供することである。【解決手段】基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドした後、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型し、第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂および基板を貫通するダイシング加工して、もしくは、第１樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工して製造された半導体発光装置およびその製造方法に関する。【選択図】図１
2007324417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、
前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、
前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂および基板を貫通するダイシング加工する工程とで製造されることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、
前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、
前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工する工程とで製造されることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
第１樹脂の中に蛍光体を混入させたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記ダイシング加工する工程後に半導体発光素子を被覆する第１樹脂の表面を第２樹脂で被覆することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
半導体発光素子を被覆する第１樹脂の厚みを５０μｍ〜５００μｍとすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
第１樹脂の材料をシリコーン系樹脂とすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
第２樹脂はエポキシ系樹脂とすることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
第１樹脂は、第２樹脂に比べて樹脂の硬化後の弾性率が小さいことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
第２樹脂は、第１樹脂に比べて吸湿率が小さいことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
第１樹脂は、第２樹脂に比べて屈折率が大きいことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記半導体発光素子は、その下面にｐ型電極とｎ型電極が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記半導体発光素子を、スルーホールを介して電気的に導通しているセラミック基板に、金あるいは半田によってダイボンドすることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記半導体発光素子を、スルーホールを介して電気的に導通している炭化珪素基板に、金あるいは半田によってダイボンドすることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記ダイボンドする工程の基板は、アルミニウム板の上に絶縁層を形成しその上に銅箔によって回路パターンを形成したアルミニウム基板であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記基板上に半導体発光素子から放射された光を反射させるために半導体発光素子の周囲に反射面を備えた樹脂成形品を装着することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、
前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、
前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂および基板を貫通するダイシング加工する工程と、
を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項１７】
基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、
前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、
前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工する工程と、
を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体を混入した一定の厚みをもつ樹脂領域で半導体発光素子の周囲が被覆された半導体発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子（ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ））を用いた高品質な白色光を発する半導体発光装置の研究開発が進められている。この白色光を作る一つの方法として、赤色、青色、緑色、黄色等の蛍光体を利用するものがある。具体的には例えば、青色光を発する半導体発光素子の一部の光が蛍光体に吸収されて波長変換し、赤色光、緑色光を発するとすると、この蛍光体による２色の光と半導体発光素子の青色光が結合することによって、白色光を発することを利用するものである。
【０００３】
蛍光体を利用する半導体発光装置の一形態を図９に示す。リードフレーム９０５にダイボンドされた半導体発光素子９０２が、反射率の高い白色の樹脂で形成された反射面９０４を有するパッケージ９０６に装着されており、半導体発光素子９０２は蛍光体を混入した封止樹脂９０１で被覆されている。半導体発光素子９０２は、ワイヤ９０３でボンドされることで電気的に接続している。現在、このような白色光を発する半導体発光装置は、カメラの照明装置や液晶表示装置のバックライトなどとして利用されている。
【０００４】
しかし、図９に示すような半導体発光装置の場合、見る角度によって白色光の色度が異なる。原因は半導体発光素子９０２からは、様々な方向に光が放射されるために、光の経路が異なり、封止樹脂９０１を通過する距離が異なり、封止樹脂９０１の厚い部分を通る光は、薄い部分を通る光に比べてより多く蛍光体に吸収されるなどの現象が起こるためである。
【０００５】
そこで、蛍光体を混入した一定の厚みをもつ樹脂領域（以下、蛍光層ともいう。）で半導体発光素子の周囲を被覆した半導体発光装置について研究されている。この半導体発光素子は、半導体発光素子から放射された光がどのような経路をとっても、蛍光体層を通過する距離がほぼ同じとなり、蛍光体によって波長変換によって放射される光の割合を一定にすることができ、結果、どの角度から見ても同じ色度になる。これらの半導体発光装置については、例えば特許文献１〜３において開示されている。ここで、各特許文献の説明においては、その中で使用されている単語を引用する。
【０００６】
特許文献１では、基板上に設けた発光半導体装置がステンシルの開口部内に位置するように位置決めをした後に、ステンシルの開口部に発光材料を含む組成物を堆積させることで、最終的に発光半導体装置のまわりに発光材料含有層をほぼ一定の厚さで形成する方法が開示されている。また、特許文献２では、特許文献１と同様にステンシルを用いた方法や、電気泳動によってルミネッセンス材料構造体を発光素子に堆積させる方法が述べられている。また、特許文献３では、あらかじめ結合剤としての無機材料に発光性材料などを混合した波長変換材料のシートを生成し、このシートを凹状に成形して生成した波長変換素子でＬＥＤダイを覆い、装着する方法について述べられている。
【特許文献１】特開２００２−１８５０４８号公報
【特許文献２】特開２００３−１１０１５３号公報
【特許文献３】特開２００６−３７０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のステンシルを用いた方法では、発光半導体装置とステンシルの位置決めが少しでもずれると、全ての発光半導体装置についてずれてしまい、発光材料含有層の厚さが一定にならない。また、発光半導体装置は形状が小さいため、発光材料含有層原料は硬化前にはステンシル開口部での粘度と量の綿密な管理が必要であり、硬化後には、うまくステンシルが離型するかなどの問題がある。さらに、ステンシル開口部ごとに発光材料含有層原料を注型しなければならないので、工程が複雑となり時間も要する。
【０００８】
また、特許文献２に記載の電気泳動による方法では、発光素子などを帯電する必要があり、また堆積させるために長時間要する。また、特許文献３に記載のＬＥＤダイにあらかじめ作製したシートを被せる方法では、ＬＥＤダイごとに１つずつ被せていくために量産するには時間がかかる。また、ＬＥＤダイと波長変換素子との間の間隙を無くす必要があるため、別途樹脂でその間隙を埋める必要がある。
【０００９】
以上のように、一定の厚みをもった蛍光体層で半導体発光素子の周囲を被覆する工程は煩雑であり、長時間を有する。したがって、本発明の目的は、一定の厚みをもった蛍光体層で半導体発光素子の周囲が被覆された良質な半導体発光装置を、簡易な工程で製造することができる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体発光装置は、基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう第１樹脂および基板を貫通するダイシング加工する工程とで形成されたことを特徴とする半導体発光装置に関する。
【００１１】
また、本発明の半導体発光装置は、基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう第１樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工する工程とで形成されたことを特徴とする半導体発光装置に関する。
【００１２】
また、本発明の半導体発光装置において、前記第１樹脂の中に蛍光体を混入させることが好ましく、前記ダイシング加工する工程後に半導体発光素子を被覆する第１樹脂の表面を第２樹脂で被覆することが好ましく、半導体発光素子を被覆する第１樹脂の厚みを５０μｍ〜５００μｍとすることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の半導体発光装置において、第１樹脂の材料をシリコーン系樹脂とし、第２樹脂はエポキシ系樹脂とすることが好ましく、第１樹脂は、第２樹脂に比べて樹脂の硬化後の弾性率が小さく、第２樹脂は、第１樹脂に比べて吸湿率が小さく、第１樹脂は、第２樹脂に比べて屈折率が大きいことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の半導体発光装置において、前記半導体発光素子は、その下面にｐ型電極とｎ型電極が形成されたものを用いることが好ましく、さらに前記半導体発光素子を、スルーホールを介して電気的に導通しているセラミック基板もしくは炭化珪素基板に、金あるいは半田によってダイボンドすることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の半導体発光装置において、前記ダイボンドする工程の基板は、アルミニウム板の上に絶縁層を形成しその上に銅箔によって回路パターンを形成したアルミニウム基板であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の半導体発光装置において、前記基板上に半導体発光素子から放射された光を反射させるために半導体発光素子の周囲に反射面を備えた樹脂成形品を装着することが好ましい。
【００１７】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう第１樹脂および基板を貫通するダイシング加工する工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法に関する。
【００１８】
また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板あるいはサブマウントに少なくとも１つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第１樹脂を注型する工程と、前記第１樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第１樹脂の厚みＤ１と、半導体発光素子の側面の第１樹脂の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう第１樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工する工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
蛍光体層を一括して形成するので、蛍光体を混入した硬化前の樹脂の量や粘度の管理が易しくなり、量産性や品質が向上する。また、蛍光体を混入した硬化後の樹脂と基板やサブマウントのダイシングを同時に行なうことで製造工程が簡略化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の製造方法および装置の一形態を示した図１に基づいて説明する。
【００２１】
まず、図１（ａ）において、基板１０２に少なくとも１つの半導体発光素子１０１を所定間隔でダイボンドする。本発明において、基板１０２とは半導体発光素子１０１を保持する保持体であり、パッケージとして外枠になるものも含む概念である。また、基板１０２は、電極を外部に取り出す役目も有するリードフレームのようなものであってもよい。そして、ダイボンドとは、半導体発光素子１０１を装着することをいい、その手段は限定されないが、熱せられた金や半田で装着するものに接続する方法を用いることが好ましい。また、半導体発光素子１０１は、青色光を発することが好ましい。基板あるいはサブマウントにダイボンドする半導体発光素子の数は、特に限定されないが、間隔については考慮するべきである。また、ダイボンドする際に、基板１０２と半導体発光素子１０１の間で電気的接続を行なうことが好ましい。なお、電気的接続とダイボンドする間隔については後に詳述する。
【００２２】
次に、図１（ｂ）において基板１０２全面に対して、半導体発光素子１０１の上面と略平行にかつ半導体発光素子１０１を被覆するように第１樹脂１０３を注型する。このとき、第１樹脂を注型するのは基板１０２のダイボンドした面の上のみでよく、その裏面に注型する必要はない。また、半導体発光素子１０１の上面とは、基板１０１とダイボンドした方向の面に対向する面をいう。そして、半導体発光素子１０１は、基板１０２とダイボンドされている面以外は全て第１樹脂１０３で覆われている。なお、半導体発光素子１０１は、後述する発光層と基板１０２が略平行になるようにダイボンドされていることが好ましい。
【００２３】
第１樹脂１０３を注型する方法は、例えば樹脂封止で用いられる代表的な公知方法であるポッティング装置を用いた方法を用いることができる。
【００２４】
第１樹脂１０３は、蛍光体を混入させたものを用いる。蛍光体とは半導体発光素子から放射する光を吸収して波長変換し、赤色、青色、緑色、青緑色など異なる波長の光を放射するものをいう。これらの様々な色の蛍光体を混入して白色の光を作ることができる。なお、蛍光体は第１樹脂１０３内に均一に分散させる。第１樹脂１０３に蛍光体を含有させると、第１樹脂１０３は、蛍光体層となる。
【００２５】
また、第１樹脂１０３は、シリコーン系樹脂とすることが好ましい。シリコーン系樹脂とは、珪素原子と酸素原子の結合を含むポリマーに硬化剤などの触媒を加えた熱硬化性樹脂である。
【００２６】
次に、図１（ｃ）において、第１樹脂１０３が硬化した後、半導体発光素子１０１上面の第１樹脂１０３の厚みＤ１と、半導体発光素子１０１側面の第１樹脂１０３の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂１０３および基板１０２を貫通するダイシング加工する。ダイシングとは、ダイサー１０４で切溝することをいい、切溝とは切断および削って溝を形成することの双方を含む概念とする。また、半導体発光素子１０１の側面とは、ダイボンドされた面と上面を除く全ての面のことをいう。本実施形態では、基板１０２までダイサー１０４で貫通させる。この工程によって、各半導体発光素子１１０を分割することが可能である。
【００２７】
また、半導体発光素子１０１上面の第１樹脂１０３の厚みＤ１にもよるが、半導体発光素子１０１側面の第１樹脂１０３の厚みＤ２は５０μｍ〜５００μｍとすることが好ましい。これは、所望の色度と明るさを得るためであり、また、５０μｍより薄い第１樹脂１０３の厚みを残してダイサー１０４でダイシングするためには高度な加工精度を要するため工程が複雑になるからである。半導体発光素子１０１上面と側面の第１樹脂１０３の厚みが同程度であることによって、どの角度から見ても、同じ色度になる半導体発光装置１１０を作ることができる。
【００２８】
図１（ａ）における基板１０２に半導体発光素子１０１をダイボンドする間隔は、半導体発光素子１０１上面と側面の第１樹脂１０３の厚さがほぼ同じとなるように、ダイシングによる切りしろも考慮して所定の間隔で作製されることが好ましい。
【００２９】
本発明の半導体発光素子は、図６に示す半導体発光素子６１０のような一方向にｐ電極６０９とｎ電極６０２が形成されている、フリップチップ接続することが可能である。この半導体発光素子６１０は半導体層の積層体であり、素子基板６０１上にｎ型領域６０２とｐ型領域６０４と発光層である活性領域６０３を持つ。そして、ｎ接点６０５表面とｐ接点６０６表面は絶縁体６０７で覆われている。ｎ型領域６０２とｐ型領域６０４中の半導体層の数と活性領域６０３の構成は適宜変更してもよい。また、本発明において、素子基板６０１が上面になるようダイボンドされることができる。また、一方向にｐ電極６０９とｎ電極６０２が形成されている場合には、ｎ電極６０８から素子基板６０１までの距離と、ｐ電極６０９から素子基板６０１までの距離が同程度であることが好ましい。
【００３０】
前述した基板に半導体発光素子をダイボンドする工程において、半導体発光素子は電気的接続されている。本実施形態における半導体発光素子の電気的接続について図７に基づいて説明する。本実施形態においては、スルーホール７０６が形成されたセラミック基板や炭化珪素基板を用いることが好ましい。これらの基板７０２は、半導体発光素子６０１の発熱を効率よく拡散する働きがあるためである。スルーホール７０６とは、基板７０２に垂直にほった穴の内側に導体をめっきにより端子７０７を形成したものをいう。スルーホール７０６によって、基板７０２の上面と下面が電気的に導通している。
【００３１】
そこで、半導体発光素子６１０の電極上に金または半田で形成したバンプ７０８で、スルーホール７０６と半導体発光素子６１０とを電気的接続することで、同時に基板７０２と半導体発光素子６１０がダイボンドされる。この電気的接続により、基板７０２のスルーホール７０６を介して半導体発光素子６１０のｐ電極、ｎ電極と接続した端子７０７を基板７０２の裏面に形成できる。この電気的接続の後に前述したように半導体発光素子６１０を第１樹脂７０１で被覆し、そしてダイシング加工する。この電気的接続によると、端子を第１樹脂の外に形成することができるために、本実施形態による半導体発光素子形成後に他のパッケージなどに接続可能である。また、本実施形態においては、ダイシング加工する工程において、電気的接続を切断することがないように、各半導体発光素子６１０どうしの電気的接続はなされない方が好ましい。
【００３２】
なお、図６に示すようなフリップチップ接続可能な半導体発光素子以外を用いる場合には、ダイボンドする工程において、半導体発光素子の電極を少なくとも１つ以上のワイヤボンドによって外部に電極を取り出すことが可能な基板と接続する必要がある。また、ダイシング加工する工程でワイヤボンドを切断しないよう配意すべきである。
【００３３】
（実施の形態２）
本発明の製造方法および装置の他の一形態を示した図２に基づいて説明する。
【００３４】
まず、サブマウント２０５に半導体発光素子２０１を少なくとも１つダイボンドする。ダイボンドに関しては実施の形態１と同様であるが、本実施形態では、サブマウント２０５に半導体発光素子２０１をダイボンドする。ここでサブマウント２０５とは、半導体発光素子２０１と熱膨張率の近い熱伝導性の良い板であって半導体発光素子２０１を保持し、かつ基板２０２に保持されるものとする。基板２０２はサブマウント２０５を介して半導体発光素子２０１を保持する。本発明においては、サブマウント２０５が電極を外部に取り出す役目をするものであっても良い。なお、サブマウントにダイボンドする半導体発光素子２０１の数は、特に限定されない。
【００３５】
次に、サブマウント２０１全面に対して、半導体発光素子２０１の上面と略平行にかつ半導体発光素子２０１を被覆するように第１樹脂２０３を注型する。第１樹脂２０３を注型する工程は、実施の形態１と同様である。
【００３６】
そして、第１樹脂２０３が硬化した後、半導体発光素子２０１の上面の第１樹脂２０３の厚みＤ１と、半導体発光素子２０１の側面の第１樹脂２０３の厚みＤ２との比Ｄ２／Ｄ１が０．８５〜１．１５となるよう、第１樹脂２０３および基板２０２を貫通するダイシング加工する。
【００３７】
ここで、本発明の半導体発光素子２０１は実施の形態１と同じフリップチップ接続できるものを使用することが好ましい。また、半導体発光素子２０１とサブマウント２０５および基板２０２の電気的接続は、サブマウント２０５に半導体発光素子２０１をダイボンドするときに同時に行なう。この電気配線は、特に限定されないが、ダイシングの際に該配線が切断されないように、各半導体発光素子２０１各々に単独で電気配線を形成することが好ましい。つまり、各半導体発光素子２０１同士は、電気的接続されていないことが好ましい。サブマウント２０５および、基板２０２にスルーホールを形成して、実施の形態１のように、電気配線を行なうことも可能である。また、ワイヤボンドで半導体発光素子２０１とサブマウンド２０５を電気的接続し、サブマウント２０５はスルーホールを有する基板２０５にダイボンドしてもよい。なお、いずれの場合にも電気配線の端子は第１樹脂２０３の外部に形成される必要がある。
【００３８】
（実施の形態３）
実施の形態１の図１（ｂ）までは実施の形態１と同様の工程を行なう。その後、図３のように、第１樹脂３０３を少し残す程度の深さでダイシング加工する。このとき、ダイサー３０４は、基板３０２に触れることない深さでダイシング加工する。本実施形態のダイシング加工によると、基板３０２の表面、内部を傷つけない。したがって、基板３０２に半導体発光素子３０１をダイボンドする際に、同時に基板３０２上に半導体発光素子３０１間を接続して電子的接続回路を構成する配線を形成してもよい。また、基板３０２には、スルーホールを有する基板を多数重ね合わせることで内部に配線を施したようなものを用いることも可能である。以上のような配線より、半導体発光素子３０１どうしが電気的接続される。そして、半導体発光素子３０１は、前述した図６のようなフリップチップ接続することができるものを用いることが好ましい。なお、半導体発光素子３０１どうしが電気的接続されることによって、半導体発光装置の省スペース化などが達成される。
【００３９】
なお、本実施形態においては、半導体発光素子３０１の側面の第１樹脂３０３の厚みＤ２は、図３に示すようにダイサー３０４によってダイシング加工された切断面から半導体発光素子３０１の側面までの厚みをいう。
【００４０】
（実施の形態４）
図４に基づいて説明する。ダイシング加工するまでは、実施の形態２と同様に行なう。そして、半導体発光素子４０１をダイボンドしたサブマウント４０５上の第１樹脂４０３を少し残す程度の深さでダイシングする。このとき、ダイサー４０４は、サブマウント４０５に触れることない深さでダイシング加工する。
【００４１】
この方法によって、半導体発光素子４０１をサブマウント４０５にダイボンドするとき、同時に基板４０２上またはサブマウント４０５上に半導体発光素子４０１間を接続して電子的接続回路を構成する配線を形成してもよい。例えば、半導体発光素子４０１をダイボンドしたサブマウント４０５が、アルミニウム板の上に絶縁層を形成しその上に銅箔によって回路パターンを形成した基板４０２に保持できる。また、基板４０２には、スルーホールを有する薄膜基板を多数重ね合わせることで内部に配線を施したようなものを用いることも可能である。
【００４２】
以上の配線より、半導体発光素子４０１どうしが電気的接続される。そして、半導体発光素子４０１は、前述した図６のようなフリップチップ接続することができるものを用いることが好ましい。なお、半導体発光素子３０１どうしが電気的接続されることによって、半導体発光装置の省スペース化などが達成される。
【００４３】
なお、本実施形態においては、半導体発光素子４０１の側面の第１樹脂４０３の厚みＤ２は、図４に示すようにダイサー４０４によってダイシング加工された切断面から半導体発光素子４０１の側面までの厚みをいう。
【００４４】
（実施の形態５）
以下、半導体発光素子をパッケージングし、半導体発光素子と電気的接続された端子を有するものをすべて半導体発光装置とする。したがって、半導体発光装置をパッケージングした装置も半導体発光装置とする。
【００４５】
図５に基づいて本発明の一実施形態について説明する。
実施の形態１で形成された半導体発光装置１１０を、反射面５０３を有するパッケージ５０２に装着し、半導体発光装置１１０の周りを第２樹脂５０１で注型する。パッケージ５０２には例えば、セラミックパッケージを採用することができる。まず、パッケージ５０１に半導体発光装置１１０を金、半田などによってダイボンドすると同時に、半導体発光装置１１０の外部に設けられた端子をパッケージ５０２の端子に電気的接続する。
【００４６】
第２樹脂５０１で覆うことによって、第１樹脂のダイシング面を保護し、界面での光の散乱を防ぐことができる。したがって、第１樹脂は、第２樹脂５０１に比べて屈折率が大きいことが好ましく、また、第２樹脂５０１は透明度が高い樹脂が好ましい。
【００４７】
また、第１樹脂は、第２樹脂５０１に比べて樹脂の硬化時の弾性率が小さく、かつ第２樹脂５０１は、第１樹脂に比べて吸湿率が小さいことが好ましい。第２樹脂５０１で被覆する目的は、前述した光の散乱を防ぐことのほかに、半導体発光素子を保護することであるためである。以上より、第２樹脂５０１としては、熱硬化性樹脂であるエポキシ系樹脂とすることが好ましい。
【００４８】
また、半導体発光素子から放射された光を反射させるための反射面５０３を備えることで、半導体発光装置５１０は、高い光度を得るために半導体発光素子から放射される光を特定の方向に向けて発することができる。
【００４９】
なお、実施の形態２〜４の各半導体発光装置２１０、３１０、４１０を利用して、本実施形態と同様の半導体発光装置を作製することも可能である。
（実施の形態６）
図８に基づいて本発明の一実施形態について説明する。
【００５０】
実施の形態５で形成した半導体発光装置５１０をメタルコア基板８０９にダイボンドすることによって、実装することで形成した半導体発光装置８１０である。ここで、メタルコア基板８０９とは、実装した部品等の発熱を拡散することができる。実施の形態１において、基板と半導体発光素子は、フリップチップ接続されており、バンプからの放熱経路は半導体発光素子の素子基板全体をダイボンディングした場合に比べて劣るため、放熱対策に工夫が必要となる。したがって、メタルコア基板８０９のような基板に実装することによって、発熱を効率よく拡散することができ、半導体発光素子の寿命を長くすることができる。
【００５１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
液晶を使用した表示装置のバックライト、照明用の光源モジュールに使用できる高品質な半導体発光装置を、簡単な工程で安定して製造でき、量産性を高めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態の工程を示した半導体発光装置の簡略した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるダイシングする工程の半導体発光装置の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるダイシングする工程の半導体発光装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態におけるダイシングする工程の半導体発光装置の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態における半導体発光装置の断面図である。
【図６】本発明において用いられる半導体発光素子の一形態の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態における電気的接続とダイシングする工程の半導体発光装置の断面図である。
【図８】本発明の一実施形態における半導体発光装置の断面図である。
【図９】従来の一実施形態における半導体発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１，２０１，３０１，４０１，９０２  半導体発光素子、１０２，２０２，３０２，４０２，７０２  基板、１０３，２０３，３０３，４０３，７０３  第１樹脂、１０４，２０４，３０４，４０４，７０４  ダイサー、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０  半導体発光装置、２０５，４０５  サブマウント、５０１  第２樹脂、５０２，９０６  パッケージ、５０３，９０４  反射面，６０１  素子基板、６０２  ｎ型領域、６０３  活性領域、６０４  ｐ型領域、６０５  ｎ接点、６０６  ｐ接点、６０７  絶縁体、６０８  ｎ電極、６０９  ｐ電極、６１０  半導体発光素子、７０６  スルーホール、７０７  端子、７０８  バンプ、８０９  メタルコア基板、９０１  封止樹脂、９０３  ワイヤ、９０５  リードフレーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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