(57)【要約】【課題】受光部の周囲へ漏れ込む迷光を低減して画質を向上させる。【解決手段】画素は、シリコン基板２１に設けられた光電変換を行うフォトダイオード１を含む。フォトダイオード１の周囲に存する半導体領域（電荷格納部３など）の表面が、フォトダイオード１の表面の中心部１ａよりも高い位置に位置している。フォトダイオード１の表面の周縁部がフォトダイオード１の表面の中心部１ａよりも高い位置に位置するように、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂが傾斜している。フォトダイオード１の周囲に存する半導体領域の表面は、フォトダイオード１の表面の周縁部と同じ高さに位置している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられた光電変換を行う受光部を含む画素を有する固体撮像装置であって、前記受光部の周囲に存する半導体表面が、前記受光部の表面の中心部よりも高い位置に位置することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記受光部の表面の周縁部が前記受光部の表面の中心部よりも高い位置に位置するように、前記受光部の表面の周縁側領域が傾斜したことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素は、前記受光部で得られた信号電荷を増幅する増幅部を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記増幅部は、所定部位の電荷量に応じた信号を出力し、
前記画素は、前記受光部から転送される電荷を蓄積する電荷格納部と、前記受光部から前記電荷格納部に電荷を転送する第１の転送ゲート部と、前記電荷格納部から前記所定部位に電荷を転送する第２の転送ゲート部とを含む、ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体像を撮像する固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラや電子スチルカメラなどが広く一般に普及している。これらのカメラには、ＣＣＤ型や増幅型の固体撮像装置が使用されている。増幅型の固体撮像装置では、画素の受光部にて生成・蓄積された信号電荷を、画素に設けられた増幅部に導き、増幅部で増幅した信号を画素から出力する。そして、増幅型の固体撮像装置では、このような画素がマトリクス状に複数配置されている。増幅型の固体撮像装置には、例えば、増幅部に接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を用いた固体撮像装置（下記特許文献１，２）や、増幅部にＣＭＯＳトランジスタを用いたＣＭＯＳ型固体撮像装置（下記特許文献３，４）などがある。
【０００３】
固体撮像装置では、ＣＣＤ型及び増幅型等を問わず、一般的に、受光部の周囲に存する半導体領域等に不要な光が入射しないように遮光部が形成されている（下記特許文献１〜４等）。
【０００４】
また、従来の固体撮像装置では、受光部の表面のいずれの箇所も、受光部の周囲に存する半導体表面と同じ高さに位置している（下記特許文献１〜４等）。
【０００５】
ところで、従来から、増幅型の固体撮像装置において、電子シャッタ動作を行ったときの各画素の露光蓄積時間が行毎にずれてしまうこと（いわゆるローリングシャッタ）に起因する画像の歪みを防止するため、各画素の露光時間が一定となる全画素同時の電子シャッタ動作を実現する構成が提案されている（下記特許文献１〜４）。
【０００６】
特許文献１〜４に開示されている従来の固体撮像装置では、各画素は、受光部及び増幅部と、それらの間において一時的に電荷を蓄積する電荷格納部（蓄積部）とを有している。そして、このような従来の固体撮像装置では、全画素を同時に露光した後、各受光部にて生成された信号電荷を全画素同時に各電荷格納部に転送して一旦蓄積しておき、この信号電荷を所定の読出しタイミングで順次画素信号に変換するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−１７７０７６号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５８８２号公報
【特許文献３】特開２００４−１１１５９０号公報
【特許文献４】特開２００４−１４０１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の固体撮像装置では、ＣＣＤ型及び増幅型等を問わず、受光部の周囲に存する半導体領域等に対して迷光が入射してしまい、この迷光によってノイズが生じて画質が低下していた。
【０００８】
特に、全画素同時の電子シャッタ動作を実現する特許文献１〜４に開示されているような従来の固体撮像装置では、受光部の周囲に配置され信号電荷を一時蓄積している電荷格納部へ迷光が入射してしまうことによって、比較的大きいノイズが生じていた。これは、電荷格納部おける信号電荷読み出しまでの待ち時間（電荷格納部において信号電荷が格納されている時間）が比較的長くなる場合もあるが、その待ち時間中に迷光により余分に蓄積されてしまうノイズ分の電荷が増大するためである。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、受光部の周囲へ漏れ込む迷光を低減して画質を向上させることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による固体撮像装置は、半導体基板に設けられた光電変換を行う受光部を含む画素を有する固体撮像装置であって、前記受光部の周囲に存する半導体表面が、前記受光部の表面の中心部よりも高い位置に位置するものである。
【００１１】
本発明の第２の態様による固体撮像装置は、前記第１の態様において、前記受光部の表面の周縁部が前記受光部の表面の中心部よりも高い位置に位置するように、前記受光部の表面の周縁側領域が傾斜したものである。
【００１２】
本発明の第３の態様による固体撮像装置は、前記第１又は第２の態様において、前記画素は、前記受光部で得られた信号電荷を増幅する増幅部を含むものである。
【００１３】
本発明の第４の態様による固体撮像装置は、前記第３の態様において、前記増幅部は、所定部位の電荷量に応じた信号を出力し、前記画素は、前記受光部から転送される電荷を蓄積する電荷格納部と、前記受光部から前記電荷格納部に電荷を転送する第１の転送ゲート部と、前記電荷格納部から前記所定部位に電荷を転送する第２の転送ゲート部とを含むものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、受光部の周囲へ漏れ込む迷光を低減して画質を向上させることができる固体撮像装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明による固体撮像装置について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態による固体撮像装置の概略構成を示す電気回路図である。
【００１７】
図１では、本実施の形態による固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配置した２列×２行＝４個の画素１０を有するものとして示している。その画素数は、特に限定されるものではないが、実際には、例えば、各行や各列には、数十から数千の画素が配置され、画素数を多くして解像度を高める。なお、本発明は、２次元イメージセンサのみならず、１次元イメージセンサにも適用可能である。
【００１８】
各画素１０は、図１に示すように、光電変換を行う受光部（入射光に応じた電荷を生成して蓄積する光電変換部）としてのフォトダイオード１と、フォトダイオード１から転送される電荷を蓄積する電荷格納部３と、所定部位としてのフローティングディフュージョン（ＦＤ）４と、所定部位（本実施の形態では、ＦＤ４）の電荷量に応じた信号を出力する増幅部としてのＭＯＳトランジスタ（増幅用トランジスタ）７と、ＦＤ４の電荷を排出するリセットゲート部６と、フォトダイオード１から電荷格納部３に電荷を転送する第１の転送ゲート部１１と、第１の転送ゲート部１１を構成するゲート電極及び電荷格納部３用のゲート電極の両ゲート電極として機能する電極２と、電荷格納部３からＦＤ４に電荷を転送する第２の転送ゲート部５と、フォトダイオード１で生成された電荷であって画像形成に寄与しない不要電荷をフォトダイオード１から排出させる不要電荷排出ゲート部としてのＭＯＳトランジスタ（不要電荷排出用トランジスタ）８と、ＭＯＳトランジスタからなる垂直選択スイッチ９と、を備えている。
【００１９】
また、本実施の形態による固体撮像装置は、図１に示すように、複数の画素１０からなる撮像部の他に、撮像部の外側に設けられた駆動制御部と、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling；相関２重サンプリング）回路５１とを備えている。前記駆動制御部は、水平走査回路５２、垂直走査回路５３、ＭＯＳトランジスタからなる水平選択スイッチ５４、出力バッファアンプ５５などを備えている。
【００２０】
図１に示すように、全画素１０の不要電荷排出用トランジスタ８のゲート電極は、共通に接続されており、垂直走査回路５３から駆動パルスφＰＤＲＳＴを受ける。全画素１０の電極２（第１の転送ゲート部１１のゲート電極及び電荷格納部３用のゲート電極を兼ねる電極）は、共通に接続されており、垂直走査回路５３から駆動パルスφＳＴＧを受ける。
【００２１】
図１に示すように、垂直選択スイッチ９の一端（前記Ｎ型層２７）は、列毎に垂直信号線５０に接続され、更には列毎に設けられたＣＤＳ回路５１に接続されている。ＣＤＳ回路５１により処理された信号は、水平選択スイッチ５４を介して出力バッファ５５に入力され、出力端子Ｖoutから撮像信号として図示しない外部回路に供給される。水平選択スイッチ５４は、水平走査回路５２によって制御される。
【００２２】
図１に示すように、第２の転送ゲート部５のゲート電極は、行毎に接続されており、行毎に垂直走査回路５３から駆動パルスφＴＸ（１），φＴＸ（２）をそれぞれ受ける。垂直選択スイッチ９のゲート電極は、行毎に接続されており、行毎に垂直走査回路５３から駆動パルスφＳＥＬ（１），φＳＥＬ（２）をそれぞれ受ける。リセットゲート部６のゲート電極６ａは、行毎に接続されており、行毎に垂直走査回路５３から駆動パルスφＲＳＴ（１），φＲＳＴ（２）をそれぞれ受ける。
【００２３】
次に、本実施の形態による固体撮像装置の動作について、図２を参照して説明する。図２は、本実施の形態による固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。なお、図２では、各駆動パルスがハイのときに、対応するトランジスタがオンするものとしている。
【００２４】
まず、φＰＤＲＳＴをハイにして全画素１０の不要電荷排出用トランジスタ８を同時にオンし、全画素１０のフォトダイオード１に貯まっている電荷を電源ＶＤＤに捨てる。
【００２５】
次に、φＰＤＲＳＴをローにして全画素１０の不要電荷排出用トランジスタ８を同時にオフし、全画素１０のフォトダイオード１における電荷の蓄積を始める。この時、電荷格納部３に貯まっていた電荷は前の読出し時に順次読み出されて電荷格納部３は空になっているとしているが、別途電荷格納部３をリセットするタイミングを設けてもよい。
【００２６】
次いで、φＰＤＲＳＴをローにしてから所定の蓄積時間を経過する前にφＳＴＧをハイにして全画素１０の第１の転送ゲート部１１を同時にオンして、フォトダイオード１に貯まっている電荷を電荷格納部３に転送し、φＳＴＧをローにして全画素１０の第１の転送ゲート部１１をオフする。図２に示すように、φＰＤＲＳＴをローにしてからφＳＴＧを再度ローにするまでの時間が、蓄積露光時間（電子シャッタの時間）となる。なお、φＳＴＧをハイにしてフォトダイオード１から第１の転送ゲート部２へ電荷を転送する際には、φＳＴＧの電位は、フォトダイオード１からの電荷を完全転送できる電位にする。
【００２７】
次に、φＰＤＲＳＴをハイにして全画素１０の不要電荷排出用トランジスタ８をオンしてフォトダイオード１をリセットする。これにより、電荷格納部３に貯まっている電荷を読み出す間にフォトダイオード１に貯まりフォトダイオード１の最大蓄積電荷を超えた時に電荷が電荷格納部３へ溢れてしまうのを、防ぐ。あるいは、次の電荷の蓄積に備えてフォトダイオード１を電源ＶＤＤにリセットする。電荷格納部３に電荷を蓄積している間は、φＳＴＧの電位として、電荷格納部３の表面に反転層を形成するような電位を加えてもよく、これにより蓄積中の暗電流の発生を防ぐことができるようになっている。
【００２８】
その後、φＳＥＬ（１）をハイにして１行目の垂直選択スイッチ９をオンし、１行目の画素１０を選択する。この選択状態において、φＲＳＴ（１）をハイにしてリセットゲート部６をオンすることで、増幅用トランジスタ７のゲート電極７ａに接続されているＦＤ４のリセットを行う。このときの増幅用トランジスタ７からのリセット時出力は、垂直信号線５０を介してＣＤＳ回路５１に保存される。次いで、φＴＸ（１）をハイにして１行目の画素１０の第２の転送ゲート部５をオンし、１行目の画素１０の電荷格納部３にある電荷をＦＤ４へ転送させる。このとき、φＳＴＧの電位は、電荷格納部３からＦＤ４へ電荷を完全転送できる電位にする。ＦＤ４の電荷量に応じた増幅された電位が、垂直出力線５０を通してＣＤＳ回路５１に送られる。ＣＤＳ回路５１では、先ほど保存したリセット時出力との差を１行目の画素１０の画素信号として出力する。そして、これらの１行目の画素１０の画素信号は、水平走査回路５２により水平選択スイッチ５４を順次オンすることで、出力バッファアンプ５５を経て出力端子Ｖoutからシリアルに出力される。
【００２９】
その後、φＳＥＬ（１）をローにした後に、φＳＥＬ（２）をハイにして２行目の垂直選択スイッチ９をオンし、２行目の画素１０を選択する。この選択状態において、図２に示すように、駆動パルスφＴＸ（２），φＲＳＴ（２）の状態を、φＳＥＬ（１）をハイにした状態における駆動パルスφＴＸ（１），φＲＳＴ（１）の状態と同様の状態とする。これにより、２行目の画素１０に関して、先に説明した１行目の画素１０と同様の読み出し動作が行われる。
【００３０】
以上の説明からわかるように、全画素同時の電子シャッタ動作が実現される。
【００３１】
ここで、本実施の形態による固体撮像装置の画素の断面構造について、図３を参照して説明する。図３は画素を模式的に示す断面図である。図４は、図３の一部を拡大した拡大断面図である。図３及び図４には、入射光の様子の例も示している。
【００３２】
図３に示すように、Ｎ型のシリコン基板２１の表面側領域に例えばボロンを注入して熱拡散させることでＰ型ウエル２２が形成されている。このようにシリコン基板２１の表面側領域自体をＰ型ウエル２２にする代わりに、例えば、シリコン基板２１上に成長させたエピタキシャル層によってＰ型ウエル２２を構成してもよい。
【００３３】
図３に示すように、Ｐ型ウエル２２にＮ型層２３が形成されることで、フォトダイオード１が構成されている。このフォトダイオード１は、Ｐ型層２４を基板表面側に付加した構造を有している。受光部としてのフォトダイオード１の表面は、Ｐ型層２４の表面（図３中の上面）となっている。本実施の形態では、フォトダイオード１の表面の周縁部がフォトダイオード１の表面の中心部１ａよりも高い位置に位置するように、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂが傾斜している。
【００３４】
電荷格納部３は、図３に示すように、Ｐ型ウエル２２に形成されたＮ型層（Ｎ＋）で構成されている。電荷格納部３上には、ポリシリコンからなる電極２の、電荷格納部３用のゲート電極に相当する部分２ａが形成されており、電荷格納部３は、事実上、ゲートを持つＭＯＳダイオードとして構成されている。
【００３５】
電極２は、図３に示すように、前記部分２ａの他に、電荷格納部３とフォトダイオード１との間の上に形成された部分２ｂを有している。第１の転送ゲート部１１は、電極２の部分２ｂをゲートとするとともに電荷格納部３及びフォトダイオード１のＮ型層２３をソース又はドレインとするＭＯＳトランジスタとして、構成されている。
【００３６】
また、Ｐ型ウエル２２には、図３に示すように、Ｎ型層（Ｎ＋）からなるＦＤ４が、形成されている。電荷格納部３とＦＤ４との間の上にポリシリコンからなるゲート電極５ａが形成され、第２の転送ゲート部５は、ゲート電極５ａをゲートとするとともに電荷格納部３及びＦＤ４をソース又はドレインとするＭＯＳトランジスタとして、構成されている。
【００３７】
図３には現れてないが、リセットゲート部６、増幅用トランジスタ７、不要電荷排出用トランジスタ８及び垂直選択スイッチ９も、第２の転送ゲート部５と同様に、ＭＯＳトランジスタとして構成されている。
【００３８】
本実施の形態では、電荷格納部３などのフォトダイオード１の周囲に存する半導体領域の表面は、フォトダイオード１の表面の周縁部と同じ高さに位置している。したがって、本実施の形態では、前述したようにフォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂが傾斜していることと相俟って、フォトダイオード１の周囲に存する半導体領域の表面が、フォトダイオード１の表面の中心部１ａよりも高い位置に位置している。このようにフォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂが傾斜していることが、迷光を低減させるためにより好ましい。しかし、本発明では、これに限定されるものではなく、フォトダイオード１の周囲に存する半導体領域の表面が、フォトダイオード１の表面の中心部１ａよりも高い位置に位置していれば、それなりに迷光低減効果が得られるので、必ずしも周縁側領域１ｂを傾斜させる必要はない。
【００３９】
図３において、２５はＬＯＣＯＳによる素子分離部、２６は素子分離用のＰ型領域（Ｐ＋）である。
【００４０】
基板２１上には、ゲート絶縁膜等となるシリコン酸化膜３１、及び、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３２が、形成されている。また、図３に示すように、１層目のアミルニウム配線層３３、２層目のアミルニウム配線層３４及び３層目のアミルニウム配線層３５が形成され、これらによって、図１に示す回路の配線がなされている。３層目のアミルニウム配線層３６は、受光部１に対応する領域以外を覆う遮光膜となっている。
【００４１】
また、本実施の形態では、図３に示すように、３層目のアミルニウム配線層３５より上側の位置において、フォトダイオード１上には、カラーフィルタ３６や入射光をフォトダイオード１へ向けて集光させるためのオンチップマイクロレンズ３７が設けられている。カラーフィルタ３６の下側に平坦化層３８が介在され、カラーフィルタ３６とマイクロレンズ３７との間に平坦化層３９が介在されている。
【００４２】
次に、本実施の形態による固体撮像装置の製造方法の一例について、図５及び図６を参照して簡単に説明する。図５及び図６は、この製造方法における各工程の状態を模式的に示す概略断面図であり、図３に対応している。
【００４３】
まず、Ｎ型のシリコン基板２１の表面側領域に、ボロンを注入して熱拡散させることで、Ｐ型ウエル２２を形成する（図５（ａ））。次に、ＬＯＣＯＳ法により選択酸化膜６３を形成する（図５（ｂ）（ｃ））。すなわち、熱酸化によって、Ｐ型ウエル２２の表面に、パッド酸化膜としてシリコン酸化膜６１を形成する。次いで、シリコン酸化膜６１上にシリコン窒化膜６２を形成し、フォトリソエッチング法により、シリコン窒化膜６２におけるフォトダイオード１に対応する箇所に開口６２ａを形成する（図５（ｂ））。その後、シリコン窒化膜６２をマスクとして熱酸化を行うことで、選択酸化膜６３を形成する（図５（ｃ））。選択酸化膜６３の外周部は、バーズビーク部６３ａとなる。
【００４４】
次に、シリコン酸化膜６１、シリコン窒化膜６２及び選択酸化膜６３を除去する（図６（ａ））。これにより、Ｐ型ウエル２２の表面に、選択酸化膜６３の下側形状が転写された凹部２２ａが形成される。凹部２２ａは、フォトダイオード１の表面の中心部１ａに対応する底面（平面）２２ｂと、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂに対応する傾斜面２２ｃとを有している。
【００４５】
引き続いて、ＬＯＣＯＳ法により選択酸化膜（素子分離部）２５を形成するとともに、イオン注入等によりＰ型ウエル２２に素子分離用のＰ型領域２６を形成する（図６（ｂ））。
【００４６】
次に、シリコン酸化膜６１を形成し、更にポリシリコンによって第２の転送ゲート部５及び電極２等を形成し、イオン注入等により、Ｐ型ウエル２２に前述した各種の領域３，４，２３，２４等を形成する（図６（ｃ））。
【００４７】
その後、周知の方法で、層間絶縁膜３２、配線層３３〜３５、平坦化層３８，３９、カラーフィルタ３６及びマイクロレンズ３７等を形成する。これにより、本実施の形態による固体撮像装置が完成する。
【００４８】
ここで、本実施の形態による固体撮像装置と比較される比較例による固体撮像装置について、図７及び図８を参照して説明する。
【００４９】
図７は、この比較例による固体撮像装置の画素を模式的に示す断面図であり、図３に対応している。図８は、図７の一部を拡大した拡大断面図であり、図４に対応している。図７及び図８には、入射光の様子の例も示している。図７及び図８において、図３及び図４中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００５０】
この比較例による固体撮像装置が本実施の形態による固体撮像装置と異なる所は、フォトダイオード１の表面のいずれの箇所も、電荷格納部３などのフォトダイオード１の周囲に存する半導体領域の表面と同じ高さに位置している。この比較例による固体撮像装置は、図５及び図６を参照して説明した製造方法において、図５（ａ）に示す工程の後に、図５（ｂ）乃至図６（ａ）に示す工程を経ずにウエル２２に凹部２２ａを形成しないで、図６（ｂ）以降の工程を行うことで製造することができる。この比較例による固体撮像装置は、従来技術に相当している。
【００５１】
この比較例では、図７に示すように、斜入射した光は、マイクロレンズ３７で集められて、フォトダイオード１の端部付近に集光する。この入射光のうちマイクロレンズ３７の端部付近（所望のレンズ形状からずれの大きい部分）を通過した図７中の光線Ａや図８中の光線Ｂは、比較的大きく傾斜した角度で、フォトダイオード１の端部付近に入射する。これらの光線Ａ，Ｂの一部はフォトダイオード１を透過する（図７では光線Ａの透過光線は図示せず。）が、光線Ａ，Ｂの他の一部は、フォトダイオード１の表面で反射した後に、１層目のアミルニウム配線層３３で反射し、ポリシリコンからなる電極２を透過し、電荷格納部３に入射する。また、光線Ｂの他の一部は、図８に示すように、電極２で反射した後に１層目のアミルニウム配線層３３で反射し、ポリシリコンからなるゲート電極５ａを透過し、ＦＤ４に入射してしまう。なお、ポリシリコンに入射した光線は、その一部がポリシリコンで反射されるが、他の一部はポリシリコンを透過する。このように、光線Ａ，Ｂが迷光となって電荷格納部３やＦＤ４に入射してしまうので、ノイズが生じ、画質が劣化してしまう。
【００５２】
これに対し、本実施の形態では、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂが傾斜している。したがって、本実施の形態では、図３及び図４にそれぞれ示すように、前述した光線Ａ，Ｂの大部分がフォトダイオード１を透過する（図３では光線Ａの透過光線は図示せず。）とともに、前述した光線Ａ，Ｂのうちの残りの光線は、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂで反射して、配線層３３へ向かうことなく（ひいては、電荷格納部３やＦＤ４へ向かうことなく）外部へ戻され、迷光とならない。
【００５３】
垂直に近い角度で入射する光は、マイクロレンズ３７マイクロレンズによってフォトダイオード１の中心部１ａに集められるため、中心部１ａで反射した成分は、配線層３３へ向かうことなく（ひいては、電荷格納部３やＦＤ４へ向かうことなく）外部へ戻され、迷光とならない。
【００５４】
本実施の形態では、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂの傾斜角が小さいと迷光低減効果が低いが、その傾斜角が大き過ぎても、周縁側領域１ｂを反射した反射光の一部が反対側の配線層３３〜３５の下に入り、迷光になってしまう可能性が生じ、やはり迷光低減効果は低くなる可能性がある。
【００５５】
よって、フォトダイオード１の表面で一回反射した光が極力外部へ抜けるようにして、迷光低減効果を一層高めることができるように、フォトダイオード１の表面の周縁側領域１ｂの傾斜角を最適化することが好ましい。フォトダイオード１のサイズや、カメラレンズの射出瞳距離、Ｆ値等に依存するが、例えば、その傾斜角は２０°〜３０°、周縁側領域１ｂの長さは１ミクロン程度が望ましい。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、フォトダイオード１の周囲へ漏れ込む迷光を低減して画質を向上させつつ、全画素同時読み出しの電子シャッター動作を行うことができる。
【００５７】
以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００５８】
例えば、前記実施の形態は、全画素同時の電子シャッタ動作を実現する構成を有するＣＯＳ型固体撮像装置に適用した例であったが、本発明は、画素同時の電子シャッタ動作を実現し得ない通常のＣＯＳ型固体撮像装置や、特許文献１，２に示すような増幅部に接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を用いた固体撮像装置や、その他の種々の増幅型撮像装置や、ＣＣＤ型固体撮像装置などにも、適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施の形態による固体撮像装置の概略構成を示す電気回路図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】図１に示す固体撮像装置の画素を模式的に示す断面図である。
【図４】図３の一部を拡大した拡大断面図である。
【図５】図１に示す固体撮像装置の製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図６】図５に示す工程に引き続く各工程を示す概略断面図である。
【図７】比較例による固体撮像装置の画素を模式的に示す断面図である。
【図８】図７の一部を拡大した拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  フォトダイオード
１ａ  中心部
１ｂ  周縁側領域
３  電荷格納部
４  フローティングディフュージョン
７  増幅用トランジスタ
【図１】
2007299963.tif 000003
【図２】
2007299963.tif 000004
【図３】
2007299963.tif 000005
【図４】
2007299963.tif 000006
【図５】
2007299963.tif 000007
【図６】
2007299963.tif 000008
【図７】
2007299963.tif 000009
【図８】
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