(57)【要約】【課題】  透光性画素電極と反射層との間に中間層を形成しなくても透光性画素電極の腐食を防止でき、かつ、透過表示領域と反射表示領域との境界を高い精度で規定できる液晶装置および電子機器を提供することにある。【解決手段】  液晶装置において、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）では、ＴＦＤ素子７０の上電極としての第２金属膜７６ｂが層間絶縁膜２３の開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３に沿って、開口部２３０の縁部分より内側に張り出している。層間絶縁膜２３の上層側には反射層２６および透光性画素電極２４が形成されている。反射層２６は、開口部２３０を外側で囲むように形成され、開口部２３０の内側には形成されていない。透光性画素電極２４は、第２金属膜７６ｂの開口部２３０内への張り出し部分７６０ｂに接続している。【選択図】    図４
2007094030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板に備えられた信号線と、該信号線に接続する画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上層に形成された反射層と、該反射層の上層に形成された透光性画素電極とを有し、表示状態を制御可能な最小単位である１つのサブ画素の領域内に透過表示領域と反射表示領域とを備える液晶装置において、
前記層間絶縁膜は前記透過表示領域には設けられておらず、
前記層間絶縁膜の下層側では、前記画素スイッチング素子と電気的に接続されるとともに該画素スイッチング素子から延出された遮光性導電膜が設けられ、
該遮光性導電膜は、前記透過表示領域に隣接した前記層間絶縁膜の端部から前記透過表示領域側に一部が張り出しているとともに、
前記透光性画素電極は、前記遮光性導電膜の張り出し部分に電気的に接続していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記層間絶縁膜には前記透過表示領域に対応して開口された開口部が設けられ、前記遮光性導電膜は前記開口部の縁部分より内側に一部が張り出しているとともに、前記透光性画素電極は、前記遮光性導電膜の前記開口部内への張り出し部分に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記開口部は、矩形形状に形成され、
前記遮光性導電膜は、前記開口部の少なくとも１辺に沿って前記張り出し部分を備えていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記遮光性導電膜は、少なくとも前記開口部の相対向する２辺に沿って前記張り出し部分を備えていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記層間絶縁膜は、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くしていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記層間絶縁膜の表面には、前記反射層の表面に光散乱性を付すための凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記一対の基板のうちの他方の基板には、前記透過表示領域の全ての領域と、前記反射表示領域の一部の領域にカラーフィルタが形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素内に透過表示領域と反射表示領域とを備えた液晶装置およびそれを備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１台の液晶装置でバックライトからの光を利用して透過モードで画像を表示するとともに、外光を利用して反射モードで画像を表示する場合には、１つの画素内に透過表示領域と反射表示領域とを設けた構成が広く採用されている。このような構成の液晶装置を構成するにあたって、従来は、画素内に形成した反射層により反射表示領域を規定し、反射層の非形成領域により透過表示領域を規定した構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のものでは、ＩＴＯ膜からなる透光性画素電極を画素スイッチング素子に電気的に接続する必要があるため、層間絶縁膜の下層側に画素スイッチング素子および透光性画素電極を形成する一方、層間絶縁膜の上層側にアルミニウム膜からなる反射層を形成したため、層間絶縁膜に形成した開口部の底部分で透光性画素電極と反射層とを接続する構造が採用されている。
【特許文献１】特許第３５１３４０９号公報の図６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の構造では、層間絶縁膜の下層側にＩＴＯ膜からなる透光性画素電極を形成する一方、層間絶縁膜の上層側にアルミニウム膜からなる反射層を形成したため、アルミニウム膜をパターニングした後、フォトレジストを除去する際に、アルミニウム膜との接触部分で腐食が発生しないように、ＩＴＯ膜とアルミニウム膜との間にモリブデン膜などの中間層を形成する必要があるため、生産性が悪い。
【０００５】
また、層間絶縁膜の表面に凹凸を形成すれば、反射膜の表面に光散乱性を付与することができ、画像に背景が写り込むのを防止できるが、このような凹凸がある上で薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしようとすると、パターニング精度が低くなってしまう。しかも、反射膜の場合には、フォトリソグラフィ工程で露光する際、反射光の影響でパターニング精度が低くなる傾向にある。このため、特許文献１に記載の構造のように、反射層の非形成領域で透過表示領域を規定した場合、透過表示領域と反射表示領域との境界を高い精度で規定できないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性画素電極と反射層との間に中間層を形成しなくても透光性画素電極の腐食を防止でき、かつ、透過表示領域と反射表示領域との境界を高い精度で規定できる液晶装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、液晶層を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板に備えられた信号線と、該信号線に接続する画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上層に形成された反射層と、該反射層の上層に形成された透光性画素電極とを有し、表示状態を制御可能な最小単位である１つのサブ画素の領域内に透過表示領域と反射表示領域とを備える液晶装置において、前記層間絶縁膜は前記透過表示領域には設けられておらず、前記層間絶縁膜の下層側では、前記画素スイッチング素子と電気的に接続されるとともに該画素スイッチング素子から延出された遮光性導電膜が設けられ、該遮光性導電膜は、前記透過表示領域に隣接した前記層間絶縁膜の端部から前記透過表示領域側に一部が張り出しているとともに、前記透光性画素電極は、前記遮光性導電膜の張り出し部分に電気的に接続していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、前記層間絶縁膜には、前記透過表示領域に対応して開口された開口部が設けられ、前記遮光性導電膜は前記開口部の縁部分より内側に一部が張り出しているとともに、前記透光性画素電極は、前記遮光性導電膜の前記開口部内への張り出し部分に電気的に接続されている構成を採用することができる。
【０００９】
本発明では、反射層の上層に透光性画素電極を形成しており、透光性画素電極をパターニングする際、反射層は透光性画素電極によって完全に覆われている。このため、透光性画素電極と反射層との間に中間層を形成しなくても、透光性画素電極をパターニングする工程で反射層あるいは透光性画素電極に腐食が発生するのを回避できる。また、本発明では、層間絶縁膜の下層側でパターニングされるとともに遮光性であるがゆえにパターニング精度が高い遮光性導電膜が透過表示領域を規定するので、反射層のパターニング精度が低くても透過表示領域と反射表示領域との境界を高い精度で規定できる。さらに、透過表示領域を形成する層間絶縁膜の非形成領域で遮光性導電膜と透光性画素電極とを接続しているので、広い面積で接触させることができる。それ故、通常のコンタクトホールを介して遮光性導電膜と透光性画素電極とを接続した場合と比較して、コンタクト抵抗が安定である。
【００１０】
本発明において、前記開口部は、矩形形状に形成されている場合があり、この場合、前記遮光性導電膜は、前記開口部の少なくとも１辺に沿って前記張り出し部分を備えている。
【００１１】
本発明において、前記遮光性導電膜は、少なくとも前記開口部の相対向する２辺に沿って前記張り出し部分を備えていることが好ましい。このように構成すると、前記遮光性導電膜の形成位置が相対向する２辺のうちの一方側に偏った場合でも、遮光性導電膜と透光性画素電極との接触面積が変化しないので、コンタクト抵抗が安定である。
【００１２】
本発明において、前記層間絶縁膜は、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くしていることが好ましい。このように構成すると、透過モードで画像を表示する際、表示光が１回のみ液晶層を通過し、反射モードで画像を表示する際、表示光が液晶層を２回、通過するとしても、双方のリタデーションを同等とすることができる。
【００１３】
本発明において、前記反射層の表面に光散乱性を付すための凹凸が形成されていることが好ましい。層間絶縁膜の表面に凹凸を形成すれば、反射膜の表面に光散乱性を付与することができ、画像に背景が写り込むのを防止できる。この場合、反射膜のパターニング精度が低くなる傾向にあるが、本発明では、遮光性導電膜が透過表示領域を規定するので、反射層のパターニング精度が低くても透過表示領域と反射表示領域との境界を高い精度で規定できる。
【００１４】
本発明において、前記一対の基板のうちの他方の基板には、前記透過表示領域の全ての領域と、前記反射表示領域の一部の領域にカラーフィルタが形成されていることが好ましい。このように構成すると、反射モードで画像を表示する際、反射モードでの画像の表示は外光を利用するという性質上、その光量は限られているが、反射表示領域の一部領域からカラーフィルタを省けば、カラーフィルタを透過する際の光損失が発生しないため、反射モードであっても明るい画像を表示できる。
【００１５】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１７】
［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した液晶装置の分解斜視図および断面図である。図２は、図１に示す液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【００１８】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１では、バックライト装置６および液晶パネル１０が重ねて配置されている。バックライト装置６は、光源としての複数のＬＥＤ（図示せず）と、これらのＬＥＤから出射された光が側端面から入射して出射面６２から出射される樹脂製の導光板６３とを備えており、導光板６１の出射面側６２に液晶パネル１０が対向配置されている。バックライト装置６においては、例えば、導光板６１の出射面６２の側に光散乱シート６６が配置され、反対側の面にはプリズムシート６７が配置されている。
【００１９】
液晶パネル１０は、例えば、ネマチック液晶を用いたアクティブマトリクス型のカラー液晶パネルであり、液晶パネル１０の両面には入射側偏光板１５および出射側偏光板１６などが積層されている。液晶パネル１０は、後述するように、画素電極やＴＦＤ素子などが形成された素子基板２０と、対向電極やカラーフィルタなどが形成された対向基板３０がシール材１４によって所定の間隙を介して貼り合わされ、その基板間に液晶層１２が挟持されている。本形態では、素子基板２０および対向基板３０のうち、表示光（矢印Ｌで示す）が出射される側に対向基板３０が配置され、その反対側に素子基板２０が配置されている。
【００２０】
素子基板２０は、対向基板３０よりも大きく、素子基板２０の対向基板３０からの張り出し部分１８にパネル駆動用ＩＣ３がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装されている。ここで、パネル駆動用ＩＣ３には、後述するデータ線駆動回路４２０や走査線駆動回路４１０が構成されているとともに、液晶装置１全体で用いる各種電圧を生成する電源回路も構成されている。また、液晶パネル１０の張り出し部分１８には、パネル駆動用ＩＣ３に信号や電源を供給する可撓性基板６０の端部も実装されている。
【００２１】
このような液晶パネル１０では、図２に示すように、複数本の走査線４１が行（Ｘ）方向に形成され、複数本のデータ線４２が列（Ｙ）方向に形成されている。また、走査線４１とデータ線４２との各交差部分に対応して、多数の画素５１がマトリクス状に形成されている。各画素５１では、ネマチック液晶からなる液晶層４３と、二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子７０とが直列接続している。ここに示す例では、液晶層５１が走査線４１の側に接続され、ＴＦＤ素子７０がデータ線４２の側に接続されているが、液晶層４３がデータ線４２の側に接続され、ＴＦＤ素子７０が走査線４１の側に接続されている構成であってもよい。いずれの場合も、各走査線４１は、走査線駆動回路４１０によって駆動される一方、各データ線４２は、データ線駆動回路４２０によって駆動される。
【００２２】
（画素の詳細構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素構成を平面的に示す説明図である。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の各画素における遮光性導電膜の形成範囲、透光性画素電極、反射層、およびカラーフィルタの形成範囲を斜線で示す説明図である。図５（ａ）、（ｂ）は、図３のＡ−Ａ′線およびＢ−Ｂ′線で液晶装置を切断したときの画素の断面を模式的に示す説明図である。なお、図３では、画素電極と反射層は略重なる領域に形成されるが、それらの存在を分かりやすくするために、画素電極および反射層の外周位置をずらし、かつ、画素電極の形成範囲を点線で示し、反射層の形成範囲を実線で示してある。
【００２３】
図３に示すように、本形態の液晶装置１において、１つの画素５０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブの画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）を備えている。画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）はいずれも、基本的な構造が同一であり、いずれの画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）も、ＴＦＤ素子７０を介して各データ線４２に接続しているため、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）に対しては各々、所定の画像信号を供給することができる。
【００２４】
また、本形態では、図３〜図５を参照して以下に説明するように、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）は各々、バックライト装置６から出射された光を変調して透過モードで画像を表示する透過表示領域５１１と、入射した外光を変調して反射モードで画像を表示する反射表示領域５１２とを備えている。
【００２５】
まず、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）では、素子基板２０のガラスなどの透光性基材の表面に透光性の下地膜２２が形成され、この下地膜２２の表面には、複数本のデータ線４２と、それらのデータ線４２に接続された複数のＴＦＤ素子７０とが形成されている。また、データ線４２およびＴＦＤ素子７０の表面側には、透光性の感光性樹脂からなる層間絶縁膜２３が形成され、この層間絶縁膜２３の表面に、アルミニウムや銀などからなる反射層２６、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透光性画素電極２４、および配向膜２９がこの順に形成されている。層間絶縁膜２３の表面には多数の凹凸がランダムに形成され、このような凹凸は、反射層２６の表面にまで反映されている。すなわち、反射層２６で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性や背景の写り込みなどが顕著に出てしまうが、本形態では、反射層２６の表面に光散乱用の微小な凹凸を付与してあるため、かかる不具合が発生しない。
【００２６】
ＴＦＤ素子７０は、第１のＴＦＤ素子７０ａおよび第２のＴＦＤ素子７０ｂからなり、素子基板２０の表面に形成された絶縁膜２２上において、タンタル膜などからなる第１金属膜７２と、この第１金属膜７２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜７４と、この表面に形成されて相互に離間したクロム膜などからなる第２金属膜７６ａ、７６ｂとから構成されている。また、第２金属膜７６ａは、そのままデータ線４２となっている。
【００２７】
これに対して、第２金属膜７６ｂ（遮光性導電膜）は、後述するように、透光性画素電極２４に接続されている。
【００２８】
第１のＴＦＤ素子７０ａは、データ線４２の側からみると順番に、第２金属膜７６ａ／酸化膜７４／第１金属膜７２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子７０ｂは、データ線４２の側からみると順番に、第１金属膜７２／酸化膜７４／第２金属膜７６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子７０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、ＴＦＤ素子７０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子７０のみを用いても良い。なお、ＴＦＤ素子７０は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）バリスタや、ＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などを用いた素子や、これらの素子を単体、または逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【００２９】
本形態において、層間絶縁膜２３には、平面形状が矩形の開口部２３０が形成されており、第２金属膜７６ｂは、開口部２３０の１つの辺２３１に沿って開口部２３０の縁部分より内側に一部が張り出している。このため、透光性画素電極２４は、第２金属膜７６ｂの開口部２３０内への張り出し部分７６０ｂに直接、接続している。
【００３０】
ここで、反射層２６は、開口部２３０を外側で囲むように形成されており、開口部２３０の内側には一切形成されていない。従って、本形態では、反射層２６の形成領域により反射表示領域５１２が規定され、反射層２６および第２金属膜７６ｂの双方が形成されていない領域によって透過表示領域５１１が規定されている。ここで、透過表示領域５１１は開口部２３０に構成されているので、透過モードで画像を表示する際、表示光が１回のみ液晶層１２を通過し、反射モードで画像を表示する際、表示光が液晶層１２を２回、通過するとしても、双方のリタデーションを同等とすることができる。
【００３１】
対向基板３０では、ガラスなどの透光性基材の表面に遮光膜３２および所定色のカラーフィルタ３３が形成され、その表面側に帯状のＩＴＯなどからなる透光性の走査線４１（対向電極）、およびポリイミド樹脂等からなる配向膜３９がこの順に形成されている。従って、カラーフィルタ層３３として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれの着色性を備えたカラーフィルタ層を形成するかによって、いずれの色に対応する画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）となるかが規定される。ここで、カラーフィルタ層３３は、透過表示領域５１１の全体に形成されている一方、反射表示領域５１２では、一部の領域５１２ａを避けるように形成されている。なお、カラーフィルタ３３の上層側には平坦化膜が形成される場合がある。
【００３２】
カラーフィルタ３３は、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）の境界領域において異なる色同士を積層して遮光膜として利用することがある。また、データ線４２に沿って、線状のクロムパターンを形成し、このクロムパターンを画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）の境界領域を遮光する遮光膜として利用することもある。
【００３３】
（動作）
このように構成した液晶装置１では、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）の透過表示領域５１１を用いた透過モードでの画像表示と、反射表示領域５１２を用いた反射モードでの画像表示とを行うことができる。また、反射モードでの画像表示を行う際、一部の領域５１２ａにはカラーフィルタ３３が形成されていないため、カラーフィルタ３３を透過する際の光損失が発生しないため、反射モードであっても明るい画像を表示できる。
【００３４】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１では、反射層２６の上層に透光性画素電極２４が形成されており、透光性画素電極２４をパターニングする際、反射層２６は透光性画素電極２４によって完全に覆われている。このため、透光性画素電極２４と反射層２６との間に中間層を形成しなくても、透光性画素電極２４をパターニングする工程において反射層２６あるいは透光性画素電極２４に腐食が発生することがない。
【００３５】
また、本形態では、第２金属７６ｂ（遮光性導電膜）が透過表示領域５１１の１辺を規定しているため、透過表示領域５１１と反射表示領域５１２との境界を高い精度で規定できる。すなわち、第２金属７６ｂに対するフォトリソグラフィ技術を用いてのパターニングは、層間絶縁膜２３の下層側の平坦な状態で行われるとともに、第２金属７６ｂが遮光性であるため、露光の際、反射光が露光精度を低下させることもないので、パターニング精度が高い。一方、層間絶縁膜２３の表面には凹凸を形成してあるので、反射膜２６のパターニング精度が低くなる傾向にあり、反射膜２６の縁が直線的にパターニングされない場合があるが、本形態では、第２金属７６ｂが透過表示領域５１１の１辺を規定しているので、反射層２６のパターニング精度が低くても透過表示領域５１１と反射表示領域５１２との境界を高い精度で規定できる。
【００３６】
さらに、透過表示領域５１１を形成する層間絶縁膜２３の開口部２３０で第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続しているので、広い面積で接触させることができる。それ故、通常のコンタクトホールを介して第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続した場合と比較して、コンタクト抵抗が安定である。この場合、反射表示領域５１２から第２金属７６ｂがはみ出した部分は、透過モードおよび反射モードのいずれのモードにおいても表示に寄与しないが、かかる部分は、従来でも液晶層１２の厚さが変化しているため、正常な表示に寄与していない部分である。それ故、層間絶縁膜２３の開口部２３０で第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続した構造を採用した場合でも、張り出し部分７６０ｂの面積が狭いので、有効開口率が低下することはない。
【００３７】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画素構成を平面的に示す説明図である。図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の各画素における遮光性導電膜の形成範囲、透光性画素電極、反射層、およびカラーフィルタの形成範囲を斜線で示す説明図である。図８（ａ）、（ｂ）は、図６のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線で液晶装置を切断したときの画素の断面を模式的に示す説明図である。
【００３８】
なお、本形態の液晶装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、図６でも、図３と同様、画素電極および反射層の存在を分かりやすくするために、画素電極および反射層の外周位置をずらし、かつ、画素電極の形成範囲を点線で示し、反射層の形成範囲を実線で示してある。
【００３９】
図６に示すように、本形態の液晶装置１においても、実施の形態１と同様、１つの画素５０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブの画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）が構成されている。また、本形態でも、図６〜図８参照して以下に説明するように、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）は各々、バックライト装置６から出射された光を変調して透過モードで画像を表示する透過表示領域５１１と、入射した外光を変調して反射モードで画像を表示する反射表示領域５１２とを備えている。
【００４０】
このような透過表示領域５１１および反射表示領域５１２を構成するにあたって、本形態では、層間絶縁膜２３に平面形状が矩形の開口部２３０が形成されており、遮光性導電膜としての第２金属膜７６ｂは、開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３に沿って、縁部分より内側に一部が張り出しているとともに、画素電極２４は、開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３において、第２金属膜７６ｂの開口部２３０内への張り出し部分７６０ｂに接続している。
【００４１】
ここで、反射層２６は、開口部２３０を外側で囲むように形成されており、開口部２３０の内側には一切形成されていない。
【００４２】
従って、本形態の液晶装置１においては、反射層２６の形成領域により反射表示領域５１２が規定され、反射層２６および第２金属膜７６ｂのいずれもが形成されていない領域によって透過表示領域５１１が規定されている。
【００４３】
また、対向基板３０では、ガラスなどの透光性基材の表面に遮光膜３２および所定色のカラーフィルタ３３が形成され、その表面側に帯状のＩＴＯなどからなる透光性の走査線４１（対向電極）、およびポリイミド樹脂等からなる配向膜３９がこの順に形成されている。ここで、カラーフィルタ層３３は、透過表示領域５１１の全体に形成されている一方、反射表示領域５１２では、一部の領域５１２ａを避けるように形成されている。
【００４４】
このような構成の液晶装置１でも、実施の形態１と同様、反射層２６の上層に透光性画素電極２４が形成されており、透光性画素電極２４をパターニングする際、反射層２６は透光性画素電極２４によって覆われている。このため、透光性画素電極２４と反射層２６との間に中間層を形成しなくても、透光性画素電極２４をパターニングする際、反射層２６あるいは透光性画素電極２４に腐食が発生しない。また、本形態では、第２金属７６ｂ（遮光性導電膜）が透過表示領域５１１の３辺を規定しているため、反射層２６のパターニング精度が低くても透過表示領域５１１と反射表示領域５１２との境界を高い精度で規定できる。
【００４５】
また、透過表示領域５１１を形成する層間絶縁膜２３の開口部２３０の３辺２３１、２３２、２３３に相当する位置で第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続しているので、広い面積で接触させることができる。それ故、通常のコンタクトホールを介して第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続した場合と比較して、コンタクト抵抗が安定である。さらに、第２金属７６ｂは、開口部２３の相対向する２辺２３２、２３３に沿って、透光性画素電極２４が接続する張り出し部分７６０ｂを備えているため、第２金属７６ｂの形成位置が２辺２３２、２３３のうちの一方側に偏った場合でも、第２金属７６ｂと透光性画素電極２４との接触面積が変化しないので、コンタクト抵抗が安定である。
【００４６】
さらにまた、反射表示領域５１２から第２金属７６ｂがはみ出した部分は、従来でも液晶層１２の厚さが変化しているため、正常な表示に寄与していない部分である。それ故、層間絶縁膜２３の開口部２３０で第２金属７６ｂと透光性画素電極２４とを接続した構造を採用した場合でも、張り出し部分７６０ｂの面積が狭いので、有効開口率が低下することはない。
【００４７】
［その他の実施の形態］
上記形態では、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子７０を利用した構成であったが、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合には、ＴＦＴのドレイン電極を層間絶縁膜を介して透光性画素電極と接続する必要がある。この場合も、層間絶縁膜に開口部を形成するとともに、ドレイン電極を遮光性導電膜として開口部の内側に張り出しように形成し、その張り出し部分と透光性画素電極とを開口部の底部で直接、接続させればよい。また、上記形態では、層間絶縁膜には、透過表示領域に対応して開口部が形成されていたが、層間絶縁膜が透過表示領域に形成されていなければよく、例えば、透過表示領域が複数のサブ画素にわたって帯状に形成されている場合には、層間絶縁膜の非形成領域が帯状に形成されている構成であってもよい。
【００４８】
［電子機器への搭載例］
図９（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した電子機器の一例としての折り畳み式携帯電話機を折り畳んだ状態、および開いた状態の説明図である。
【００４９】
本発明を適用した液晶装置は、例えば、図９（ａ）、（ｂ）に示す携帯電話機３００に用いられる。この携帯電話機３００では、蓋体３３０がヒンジ部３４０を介して操作本体３５０に回動自在に連結されている。携帯電話機３００は、蓋体３３０を開いたときに蓋体３３０の内側で画像を表示するメイン表示部３１１を備える一方、蓋体３３０の外側には、蓋材３３０を操作本体３５０に折り重ねたときに画像を表示するサブ表示部３２１を備えている。このような折り畳み式の携帯電話機３００に本発明を適用するにあたっては、例えば、メイン表示部３１１を構成する液晶装置の本発明を適用する。
【００５０】
なお、本発明を適用した液晶装置１は、上記携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、ムービーカメラ、車載機器、オーディオ機器、プロジェクタなどの各種電子機器に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した液晶装置の分解斜視図および断面図である。
【図２】図１に示す液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素構成を平面的に示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の各画素における遮光性導電膜の形成範囲、透光性画素電極、反射層、およびカラーフィルタの形成範囲を斜線で示す説明図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、図３のＡ−Ａ′線およびＢ−Ｂ′線で液晶装置を切断したときの画素の断面を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画素構成を平面的に示す説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の各画素における遮光性導電膜の形成範囲、透光性画素電極、反射層、およびカラーフィルタの形成範囲を斜線で示す説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、図６のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線で液晶装置を切断したときの画素の断面を模式的に示す説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した電子機器の一例としての折り畳み式携帯電話機を折り畳んだ状態、および開いた状態の説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・液晶装置、１０・・液晶パネル、２０・・素子基板、２３・・層間絶縁膜、２４・・透光性画素電極、２６・・反射層、３０・・対向基板、３３・・カラーフィルタ、４１・・走査線、４２・・データ線、４３・・液晶層（電気光学物質層）、５０・・画素、５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）・・サブの画素、７０・・ＴＦＤ素子（画素スイッチング素子）、７６ｂ・・第２金属膜（遮光性導電膜）、２３０・・層間絶縁膜の開口部、５１１・・透過表示領域、５１２・・反射表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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