(57)【要約】【課題】  装置の信頼性の向上を図ることが可能なパターン修正装置を提供する。【解決手段】  このパターン修正装置では、堆積装置５のヘッド部１８に流れるシースガスの圧力を圧力センサ６２で検出し、その検出値が閾値を越えたら、塗布ノズル３０が詰まったと判断し、作業者に警告する。したがって、装置のメンテナンスの時期を的確に判断したり、描画線が異常になる前に対処することができ、装置の信頼性の向上を図ることができる。【選択図】        図９
2007066650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
修正液を霧状にして前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置とを備え、
前記堆積装置は、前記修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含み、
さらに、前記堆積装置の内圧に基づいて前記塗布ノズルの詰まり具合を検出する装置詰まり検出手段を備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
所定の流量のシースガスを前記ヘッド部に流すガス流量制御装置を備え、
前記ヘッド部は、前記ガス流量制御装置から供給されるシースガスで前記霧状の修正液の流れの周りを覆いこんで前記霧状の修正液を収束し、
前記装置詰まり検出手段は、前記ガス流量制御装置から前記ヘッド部に流れるシースガスの圧力を検出し、その検出結果に基づいて前記塗布ノズルの詰まり具合を検出することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
所定の流量のアトマイズガスを前記噴霧部に流すガス流量制御装置を備え、
前記噴霧部は、前記修正液が注入された容器と、前記ガス流量制御装置から供給されるアトマイズガスと前記容器から吸い上げた前記修正液とを噴出する噴霧ノズルと有し、
前記堆積装置は、前記噴霧部で霧状にされた修正液の圧力を減じて前記ヘッド部に与える減圧部をさらに含み、
前記装置詰まり検出手段は、前記容器内の圧力を検出し、その検出結果に基づいて前記塗布ノズルの詰まり具合を検出することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記堆積装置は、前記噴霧部で霧状にされた修正液の圧力を減じて前記ヘッド部に与える減圧部をさらに含み、
前記減圧部は、前記噴霧部に接続されるノズル部と、前記ヘッド部に接続される集気部と、前記ノズル部と前記集気部を内蔵する外管と、該外管内を排気するための排気管とを有し、
前記パターン修正装置は、前記排気管と排気ポンプの間に設けられ、所定の流量の排気ガスを流す排気流量制御装置を備え、
前記装置詰まり検出手段は、前記排気管内または前記外管内の圧力を検出し、その検出結果に基づいて前記塗布ノズルの詰まり具合を検出することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項５】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
修正液を霧状にして前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置とを備え、
前記堆積装置は、前記修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液の圧力を減じる減圧部と、減圧された霧状の修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含み、
前記噴霧部は、前記修正液が注入された容器と、アトマイズガスと前記容器から吸い上げた前記修正液とを噴出する噴霧ノズルと有し、
さらに、所定の流量のアトマイズガスを前記噴霧ノズルに流すガス流量制御装置と、
前記ガス流量制御装置から前記噴霧ノズルに流れるアトマイズガスの圧力を検出し、その検出結果に基づいて前記噴霧ノズルの詰まり具合を検出する装置詰まり検出手段を備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、装置内で修正液を霧状にして噴出するので、装置内に修正液が詰まることも想定される。この場合、装置の詰まり具合を検出できれば、メンテナンスの時期を的確に判断したり、描画線が異常になる前に対処することができ、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、装置の信頼性の向上を図ることが可能なパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置とを備え、堆積装置は、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含み、さらに、堆積装置の内圧に基づいて塗布ノズルの詰まり具合を検出する装置詰まり検出手段を備えることを特徴とする。したがって、塗布ノズルの詰まり具合を検出することができるので、メンテナンスの時期を的確に判断したり、描画線が異常になる前に対処することができ、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１１】
好ましくは、所定の流量のシースガスをヘッド部に流すガス流量制御装置を備え、ヘッド部は、ガス流量制御装置から供給されるシースガスで霧状の修正液の流れの周りを覆いこんで霧状の修正液の流れを収束し、装置詰まり検出手段は、ガス流量制御装置からヘッド部に流れるシースガスの圧力を検出し、その検出結果に基づいて塗布ノズルの詰まり具合を検出する。
【００１２】
また好ましくは、所定の流量のアトマイズガスを噴霧部に流すガス流量制御装置を備え、噴霧部は、修正液が注入された容器と、ガス流量制御装置から供給されるアトマイズガスと容器から吸い上げた修正液とを噴出する噴霧ノズルとを有し、堆積装置は、噴霧部で霧状にされた修正液の圧力を減じてヘッド部に与える減圧部をさらに含み、装置詰まり検出手段は、容器内の圧力を検出し、その検出結果に基づいて塗布ノズルの詰まり具合を検出する。
【００１３】
また好ましくは、堆積装置は、噴霧部で霧状にされた修正液の圧力を減じてヘッド部に与える減圧部をさらに含み、減圧部は、噴霧部に接続されるノズル部と、ヘッド部に接続される集気部と、ノズル部と集気部を内蔵する外管と、該外管内を排気するための排気管とを有し、パターン修正装置は、排気管と排気ポンプの間に設けられ、所定の流量の排気ガスを流す排気流量制御装置を備え、装置詰まり検出手段は、排気管内または外管内の圧力を検出し、その検出結果に基づいて塗布ノズルの詰まり具合いを検出する。
【００１４】
また、この発明の他のパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置とを備え、堆積装置は、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液の圧力を減じる減圧部と、減圧された霧状の修正液を収束して塗布ノズルから噴出するヘッド部とを含み、噴霧部は、修正液が注入された容器と、アトマイズガスと容器から吸い上げた修正液とを噴出する噴霧ノズルとを有し、さらに、所定の流量のアトマイズガスを噴霧ノズルに流すガス流量制御装置と、ガス流量制御装置から噴霧ノズルに流れるアトマイズガスの圧力を検出し、その検出結果に基づいて噴霧ノズルの詰まり具合を検出する装置詰まり検出手段を備えることを特徴とする。したがって、噴霧ノズルの詰まり具合を検出することができるので、メンテナンスの時期を的確に判断したり、描画線が異常になる前に対処することができ、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、この発明に係るパターン修正装置では、装置の詰まり具合を検出することができるので、メンテナンスの時期を的確に判断したり、描画線が異常になる前に対処することができ、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１７】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１８】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１９】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２０】
噴霧部１５は、図３に示すように、容器１９を含む。この容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２１】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、アトマイズガスは噴霧ノズル２１の上部の小径（０．３ｍｍ程度）の貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂを介して容器１９内に噴出される。このとき噴出口２１ｂにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｃから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ｂから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ｂの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２２】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。超音波振動子による霧化装置を用いる場合、減圧部１６は省略され、霧粒子をヘッド部１８に流すための微量のガスが霧化装置に供給されて、霧化装置で発生した霧粒子がヘッド部１８に直接供給される。
【００２３】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２４】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２５】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。
【００２６】
ヘッド部１８は、図４に示すように、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。なお、パイプ２７とヘッド部１８の間にはシール部材３２が設けられ、塗布ノズル３０はテーパシール３３および固定ナット３４によりヘッド部１８に固定され、霧粒子の流路は密閉されている。
【００２７】
図２に戻って、シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２８】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図５（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００２９】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００３０】
図５（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部４０は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部４０の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部４０以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３１】
また、図６（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板４１の表面に形成されているリブ４２の一部が欠落したリブ欠け欠陥部４２ａを修正することも可能である。すなわち図６（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部４２ａを加熱しながら塗布ノズル３０から欠陥部４２ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部４２ａに微粒子の堆積層４３＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層４３＿２〜４３＿ｎを積層し、最終的には図６（ｃ）に示すようにリブ４２の正常高さまで積層する。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板１４を炉で再焼成しても構わない。
【００３２】
この例では、堆積層４３＿１〜４３＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３３】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層４３＿２〜４３＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３４】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，４２ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，４２ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，４２ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３５】
また、従来技術で必要であった修正用ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３６】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３７】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３８】
また、修正液２０によっては、図７に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００３９】
さて、このようなパターン修正装置では、微粒子堆積装置５の噴霧部１５、減圧部１６、加熱部１７、ヘッド部１８内を霧状の修正液２０が通過するので、装置の使用時間が長くなると、その内部に修正液が付着して溜まる。特にヘッド部１８の先端に固定される塗布ノズル３０内部に修正液２０の塊（滴）が付着して詰まった場合には霧粒子が収束せずに飛散し、描画線が太くなったり、最終的には描画不能になる。
【００４０】
図８は、塗布ノズル３０の先端が修正液２０からなる付着物４５で詰まった状態を表している。図８のように塗布ノズル３０の外部に付着物４５が現れた場合には既に内部も詰まりを起こしており、霧粒子は収束せず発散状態になり、描画線は異常になる。以下の実施の形態では、このような状態になるよりも早期に装置詰まりを検出することが可能となる。
【００４１】
図９は、この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の要部を示す図である。図９において、このパターン修正装置では、アトマイズガスのガス供給源と噴霧ノズル２１の間のガス配管に電磁バルブ（Ｖ）５０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５１および圧力センサ（Ｓ）５２が順に介挿されている。ガス供給源は、を所定の圧力に調整して電磁バルブ５０に与える。電磁バルブ５０は、噴霧部１５で修正液２０の霧粒子を生成する霧化期間に開けられてガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてガスを遮断する。マスフローコントローラ５１は、ガス流量を制御する装置であり、霧化期間に所定流量のアトマイズガスを流す。圧力センサ５２は、霧化期間にガス配管内のアトマイズガスの圧力を検出する。噴霧ノズル２１の貫通孔２１ａが詰まってくるとガス配管内のアトマイズガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５２の検出結果に基づいて噴霧ノズル２１の貫通孔２１ａの詰まり具合を検出することができる。
【００４２】
また、噴霧部１５の容器１９の上部に圧力検出孔が開口され、その孔にはフィルタ５３、圧力センサ５４および電磁バルブ５５がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５３は、修正液２０の霧粒子を遮断し、ガスを通過させる。圧力センサ５４は、霧化期間に容器１９内の圧力を検出する。電磁バルブ５５は、通常は閉じられ、容器１９内のガスを排気する場合に開けられる。塗布ノズル３０が詰まってくると容器１９内のガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５４の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４３】
また、減圧部１６の排気管２４の下流には、フィルタ５６、圧力センサ５７、マスフローコントローラ５８および吸引ポンプ５９がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５６は、修正液２０の霧粒子を遮断し、ガスを通過させる。圧力センサ５７は、霧化期間に排気管２４内の圧力すなわち減圧部１６の外管２５内の圧力を検出する。マスフローコントローラ５８は、ガス流量を制御する装置であり、霧化期間に所定流量のガスを排気する吸引ポンプ５９は、減圧部１６からガスを排気するもので、吸引ポンプ５９としては、一般的なポンプ以外に真空発生源を用いても良い。塗布ノズル３０が詰まってくると外管２５内のガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５７の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４４】
また、シースガスのガス供給源とヘッド部１８の間のガス配管に電磁バルブ６０、マスフローコントローラ６１および圧力センサ６２が順に介挿されている。ガス供給源は、ガスを所定の圧力に調整して電磁バルブ６０に与える。電磁バルブ６０は、霧化期間に開けられてシースガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてシースガスを遮断する。マスフローコントローラ６１は、ガス流量を制御する装置であり、霧化期間に所定流量のシースガスを流す。圧力センサ６２は、霧化期間にガス配管内のシースガスの圧力を検出する。塗布ノズル３０が詰まってくるとガス配管内のシースガスの圧力が上昇するので、圧力センサ６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４５】
詳しく説明すると、塗布ノズル３０の先端内径は、通常１００μｍから２００μｍ程度であり、塗布ノズル３０の先端に修正液２０が付着すると、その内径が狭まって流路抵抗が大きくなるため、シースガスやアトマイズガスが微粒子堆積装置５の内部に溜り、堆積装置５の内圧が正常時に比べて高くなる傾向がある。
【００４６】
図１０は、圧力センサ６２で検出したシースガスの圧力の時刻変化を示すタイムチャートである。図１０において、ガス配管内のシースガスの圧力は、正常時にはほぼ一定になるが、塗布ノズル３０が詰まり始めると上昇し始める。図１０では、Ａ点で塗布ノズル３０が詰まり始め、その後シースガスの圧力が次第に上昇する。シースガスの圧力は、アトマイズガス流量、排気流量、シースガス流量の値によって異なってくるが、一例を挙げれば、正常時５〜７ｋＰａ前後で推移しているものが、塗布ノズル３０の詰まりが発生すると１０ｋＰａを超える圧力となり、詰まりの程度が大きくなれば圧力はさらに上昇する。
【００４７】
そこで、正常時の圧力よりも少し高い閾値を設け、この閾値を超えた場合（図１０のＢ点）、塗布ノズル３０が詰まったと判断して、作業者に警告を出す。あるいは、パターン修正装置１のソフトで自動的に塗布ノズル３０の洗浄工程に入るようにしてもよい。このように、塗布ノズル３０の詰まりを早期に検出し、描画線が太くなったり発散したりする前に塗布ノズル３０の洗浄、交換などの対応を行なえうことにより、修正作業を再度継続することができる。
【００４８】
なお、圧力センサ６２の検出値には、サンプリングごとにばらつきがあるので、サンプリングした圧力値の平均、たとえば１００回の平均を取ってから閾値と比較するようにすれば、誤判定を防ぐことができる。
【００４９】
また、修正を行わない間、アトマイズ流量、排気流量、シースガス流量をゼロにしている場合、これら流量を描画可能な値に設定してから各圧力センサの圧力値が安定するまで時間がかかるため、圧力値が安定した時期にサンプリングを行い、詰まり判定を行なう方が好ましい。
【００５０】
また、図１０はシースガス圧力の時刻変化を示したが、圧力センサ５４で検出する噴霧部１５の容器１９内の圧力や、圧力センサ５７で検出する減圧部１６の内圧もシースガスと同様の時刻変化を示し、圧力値もほぼ同じであるので、容器１９内の圧力や減圧部１６の内圧に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００５１】
また、微粒子堆積装置５の中で、噴霧部１５の噴霧ノズル２１内の貫通孔２１ａも詰まり易い部分である。特にプラズマディスプレイのリブ修正を行なう場合、修正液２０として、たとえば、低融点ガラス粉末（中心粒径２μｍ程度）、アルミナ粉末、有機溶剤（たとえば、アクリル系やセルロース系の樹脂）、希釈剤（たとえば、テルピネオール）、分散剤からなる分散溶液を用いる。粘度は１００ｍＰａ・ｓ前後に調整されるが、金属ナノペーストを希釈した修正液２０に比べて粘度が高く、霧化する粒子径も大きい。また、樹脂成分を含むため、噴霧ノズル２１のアトマイズガスが噴出する貫通孔２１ａに修正液２０が付着して、時間経過と共に貫通孔２１ａが詰まってくる。
【００５２】
図１１は、圧力センサ５２で検出したアトマイズガスの圧力の時刻変化を示すタイムチャートである。図１１中の実線、点線、２点鎖線の曲線は、それぞれ高粘度、中粘度、低粘度の修正液２０を用いた場合のアトマイズガスの圧力の時刻変化を示している。アトマイズガスの圧力の時刻変化の様子は、修正液２０の粘度によって変わり、通常は修正液２０の粘度が高いほど噴霧ノズル２１内の貫通孔２１ａが速く詰まる傾向がある。
【００５３】
噴霧ノズル２１の貫通孔２１ａが詰まり始めると、アトマイズガスの圧力（図９で示した圧力センサ５２の検出値）は上昇し始める。アトマイズガスの圧力が上昇しても霧化は可能であるが、正常時と霧化条件が異なるため、霧化した微粒子の粒径や分布が変わって、描画線の質が悪くなる可能性がある。また、アトマイズガスの圧力が上昇すると、アトマイズガスの実際の流量が、設定したアトマイズガス流量まで到達できず、排気流量よりも低くなる場合があり、その場合は描画不能となる。そこで、ある一定の閾値を設けて、アトマイズガスの圧力が閾値を越えた場合、作業者に警告し、噴霧ノズル２１の洗浄を促す。これにより、作業者は、噴霧部１５のメンテナンス時期を的確に判断することができる。
【００５４】
なお、コンピュータ８，９は、プログラムやユーザからの指示にしたがって、電磁バルブ５０，５５，６０、マスフローコントローラ５１，５８，６１、圧力センサ５２，５４，５７，６２を制御する。また、コンピュータ８，９は、圧力センサ５２の検出結果に基づいて噴霧ノズル２１の詰まり具合を検出するとともに、圧力センサ５４，５７，６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出し、塗布ノズル３０や噴霧ノズル２１が詰まったと判断した場合は、たとえばその旨をモニタ３の画面に表示することによりユーザに警告する。
【００５５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した微粒子堆積装置の構成を示す断面図である。
【図３】図２に示した噴霧部の構成を示す断面図である。
【図４】図２に示したヘッド部の構成を示す断面図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図７】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図８】図１に示したパターン修正装置の問題点を示す断面図である。
【図９】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の要部を示す図である。
【図１０】図９に示したパターン修正装置の塗布ノズル詰まり検出方法を説明するためのタイムチャートである。
【図１１】図９に示したパターン修正装置の噴霧ノズル詰まり検出方法を説明するためのタイムチャートである。
【符号の説明】
【００５７】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  貫通孔、２１ｂ  噴出口、２１ｃ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、３２  シール部材、３３  テーパシール、３４  固定ナット、４０  修正部、４１  背面ガラス基板、４２  リブ、４２ａ  リブ欠け欠陥部、４３＿１〜４３＿ｎ  堆積層、４５  付着物、５０，５５，６０  電磁バルブ、５１，５８，６１  マスフローコントローラ、５２，５４，５７，６２  圧力センサ、５３，５６  フィルタ、５９  ポンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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