(57)【要約】【課題】  セキュリティロック機構に多様性を持たせることによりハッキング耐性がより強い記憶装置を提供する。【解決手段】  不揮発性メモリ１と、あらかじめ決められた種類の認証手順により不揮発性メモリ１へのアクセスの可否を判断するセキュリティーロック機構２と、セキュリティロック機構２の解除に一定数回連続して失敗した場合は不揮発性メモリ内のデータを消去するための消去用データを不揮発性メモリ１に書き込む手段と、セキュリティロック機構２によりアクセス可になった場合に不揮発性メモリ１にアクセス可能なＩ／Ｆ３とを具備することを特徴とする記憶装置。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリと、
あらかじめ決められた種類の認証手順により不揮発性メモリへのアクセスの可否を判断するセキュリティーロック機構と、
セキュリティロック機構の解除に一定数回連続して失敗した場合は不揮発性メモリ内のデータを消去するための消去用データを不揮発性メモリに書き込む手段と、
セキュリティロック機構によりアクセス可になった場合に不揮発性メモリにアクセス可能なＩ／Ｆとを
具備することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
前記手段が消去用データを前記不揮発性メモリに書き込んだ後に前記セキュリティロック機構の解除失敗及びデータ消去を外部に通知する手順を特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】
前記手段が消去用データを前記不揮発性メモリに書き込んでいる途中に電源が遮断された場合に電源再投入後に再び消去用データの書き込みを行いその完了までの期間にはBUSYもしくはRETRYを外部に通知し続けることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項４】
前記消去用データは、ランダムデータであることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項５】
前記消去用データは、全て０であることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項６】
前記消去用データは、全て１であることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セキュリティロック機構を備えた記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ではSDカード等の外付けの記憶媒体を利用する記憶装置が用いられている。記憶媒体の記憶デバイス本体には不揮発性メモリが、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリが用いられている。
【０００３】
ここで記憶情報に対しセキュリティロック機構を用いて、適正な利用者のみが利用するような情報へのアクセス制限をすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方式は、メモリカードに関し、特にフラッシュメモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ）などのような不揮発性メモリを搭載したセキュリティ機能付きメモリカードに適用して有効な技術に関するとある。
【０００４】
内容は、セキュリティのあるユーザーデータの保護のため、パスワードの検証回数に制限をかけて強制的にデータ消去を行うことで、アクセス権限を有しない第３者にデータが漏洩することを防止できるメモリカードを提供するものとなっている。
【０００５】
手段は、マルチメディアカード１と、このマルチメディアカード１に電気的に接続され、マルチメディアカード１の動作を制御するホスト機器２などから構成されるシステムであって、パスワード検証の失敗回数を記憶するリトライカウンタ５１を設け、さらに失敗回数の上限値５２をレジスタに設定しておき、パスワードの入力が１回目、・・・、ｎ回目と繰り返され、これを計数するリトライカウンタ５１が失敗回数の上限値５２に達した際に、データを強制的に消去し、フラッシュメモリ１１上にデータを残さないようにするというものである。即ち、パスワードの検証回数に制限をかけて強制的にデータ消去を行うことで、アクセス権限を有しない第３者にデータが漏洩することを防止できるメモリカードを提供するものであった。
【０００６】
しかし、この利用形態においてはセキュリティロック機構としてパスワードのみが対象であった。即ち、パスワードの認証ミスによるデータの消去なので、第三者によるハッキング耐性が弱いという問題があった。
【特許文献１】特開２００５−１１１５１号公報（１頁、請求項１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、セキュリティロック機構に多様性を持たせることによりハッキング耐性がより強い記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、この発明においては、不揮発性メモリと、あらかじめ決められた種類の認証手順により不揮発性メモリへのアクセスの可否を判断するセキュリティーロック機構と、セキュリティロック機構の解除に一定数回連続して失敗した場合は不揮発性メモリ内のデータを消去するための消去用データを不揮発性メモリに書き込む手段と、セキュリティロック機構によりアクセス可になった場合に不揮発性メモリにアクセス可能なＩ／Ｆとを具備することを特徴とする記憶装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、セキュリティロック機構に多様性を持たせることによりハッキング耐性がより強い記憶装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【実施例１】
【００１１】
本発明の実施例１を図１及び図２を参照して説明する。
図１は、セキュア記憶装置の概略ブロック図である。不揮発性メモリ１は、ＮＡＮＤフラッシュメモリである。セキュリティロック機構２の要素、一手順として、CPRM（Content Protection for Recordable Media）やパスワードを用い、それらの組み合わせにより、ロック解除後にＩ／Ｆ３経由での不揮発性メモリへのアクセスを可能にし、セキュリティロック解除失敗の検出時には、不揮発性メモリ内部のデータを消去する。Ｉ／Ｆ３は、セキュリティロック機構２を通して、不揮発性メモリ１に外部からアクセスするためのインターフェースである。なお、アクセスとは一般的な意味であるデータのリード又はライトであるが、ここでは特にリードである。
【００１２】
例えばＳＤ（Secure Digital）メモリカードでは、セキュリティロック機構２はＭＰＵ（Micro Processing Unit）２ａを備えたカードコントローラ内にソフトウェアで構成される。
【００１３】
図２は、記憶装置の処理フローチャートを示している。ＭＰＵ２ａによって以下制御される。セキュリティロック機構の設定要素としてはｎ種の認証方法、ｍ回の失敗許容回数があり、いずれもＩ／Ｆ３を通じて外部からは設定できないものである。図ではｎ＝３で、ｍ＝ｉ（正の整数）回の設定であり、ｉ回の設定は専用レジスタに予め行われている。ｎ種の内容としては、パスワード、ＣＰＲＭ、指紋認証等がある。種類が異なる認証手段では一般に相互に認証手順は異なる。
【００１４】
ステップＳ２０１では、消去中つまり消去用データが不揮発性メモリ１に書かれている途中であるかを判定し、通常は消去処理外であるので次のステップＳ２０２へ進む。ステップＳ２０２では、３種の認証手段の内のＡ種の認証手段が扱われ固有の手順１が行われる。次のステップＳ２０３では、このＡ種の認証手段による認証結果によるセキュリティロックの解除が成功か判定され、成功ならば次のステップＳ２０４へと進む。ステップＳ２０４では、３種の認証手段の内の2種目のＢ種の認証手段が扱われ固有の手順２が行われる。次のステップＳ２０５では、このＢ種の認証手段による認証結果によるセキュリティロックの解除が成功か判定され、成功ならば次のステップＳ２０６へと進む。ステップＳ２０６では、３種の認証手段の内の３種目、即ち最後のＣ種の認証手段が扱われ固有の手順３が行われる。次のステップＳ２０７では、このＣ種の認証手段による認証結果によるセキュリティロックの解除が成功か判定され、成功ならば（一般には次の認証手段へ進むがここでは最後の認証手段だったので）ステップＳ２０８へと進む。
【００１５】
ステップＳ２０８では連続否認回数カウンタを初期化（回数０回）し、次のステップＳ２０９では、メモリアクセス可通知が外部に行われ、外部からのメモリアクセスが以後可能となる。
【００１６】
ステップＳ２０３、ステップＳ２０５、ステップＳ２０７のいずれかでセキュリティロックの解除が否認と判定された場合には、ステップＳ２１０へと分岐する。ステップＳ２１０では連続否認回数カウンタをカウントアップする。次のステップＳ２１１ではこのカウンタ値と専用レジスタに置かれている固定のｉの値とを比較し、前者がｉ以上であったと判定された場合には次のステップＳ２１２へと進む。ステップＳ２１２ではデータ消去処理を行う。消去用データとしてはランダムデータ、全て０、全て１などのパターンがある。ステップＳ２１２が終了すると次のステップＳ２１３へ移りデータが消去されたという通知を外部に出す。つぎにステップＳ２１４ではメモリアクセス否認通知を外部に出す。
【００１７】
なおステップＳ２１１で連続否認回数カウンタ値が専用レジスタに置かれている固定のｉの値より小さければ、ステップステップＳ２１４に分岐する。つまり、データの消去とその通知は行われず、メモリアクセス否認のみ通知される。
【００１８】
ステップＳ２１４の後には、ステップＳ２０２に処理が戻る。なお初めのステップＳ２０１で消去処理中と判定された場合には、ステップＳ２１５へと分岐し、ステップＳ２１５ではデータ消去処理を行い、ステップＳ２０２へと進む。ステップＳ２１５の処理は、データ消去処理中に電源遮断があった場合に電源再投入時に処理の継続、完了を行うものである。
【００１９】
以上説明した通り本発明によれば、情報のハッキング者が情報のハッキングに失敗した瞬間に、物理的にハッキングされうる情報をハッキング者に知られずに消すことができるため、情報の漏洩を防止することが可能になる。
【００２０】
また、ＳＤカードのような一般的に流通している製品にＨＷの変更なしに適用が可能という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例１の記憶装置を示す概略ブロック図。
【図２】実施例１の記憶装置の処理フローチャート。
【符号の説明】
【００２２】
１…不揮発性メモリ、２…セキュリティロック機構、３…Ｉ／Ｆ。
【図１】
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【図２】
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