(57)【要約】【課題】本発明は半導体チップと基板との間に効率よくアンダーフィルを注入することを課題とする。【解決手段】実装基板１００の各実装領域２２０には、配線部１０８を囲むように形成された流出防止壁２１０がソルダーレジストにより形成されている。この流出防止壁２１０は、実装領域２２０のうち３方向の３辺を囲む第１〜第３壁部２１０ａ〜２１０ｃと、残る１辺（右辺）を囲む第４壁部２１０ｄとを有する。第４壁部２１０ｄは、ダイシングストリート２６０の外側に形成されており、実装領域２２０の右方に隣接された他の実装領域にはみ出すように形成されている。すなわち、実装基板１００に形成された各実装領域２２０の左方には、左方に隣接された実装領域２２０の第４壁部２１０ｄが設けられている。この第４壁部２１０ｄにより画成されたニードル挿入領域２３０にニードル２８０を挿入して効率よくアンダーフィルを注入することができる。【選択図】図６Ａ
2007324403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の実装領域の夫々に複数の半導体チップをフリップチップ実装し、前記基板と前記半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を注入した後に前記実装領域の境界に沿ってダイシングを行って個片化する半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップが実装される前記基板上の実装領域を囲む４辺のうち１辺が隣接する他の実装領域との境界を越えた位置となるように前記アンダーフィル樹脂の流出を防止する流出防止壁を形成する工程と、
前記境界の外側にはみ出した位置に形成された前記流出防止壁と前記半導体チップの１辺との間にアンダーフィル樹脂注入用ニードルを挿入して前記アンダーフィル樹脂を注入する工程と、
前記アンダーフィル樹脂が固化した状態で前記実装領域の境界に沿ってダイシングを行って前記基板及び樹脂層の１辺を切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記流出防止壁は、前記半導体チップの輪郭に対応する四角形の枠状に形成され、３辺が前記基板上の実装領域を囲む位置に形成され、他の１辺が隣接する実装領域にはみ出した位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記流出防止壁は、前記アンダーフィル樹脂注入用ニードルの移動方向に延在する部分が前記基板上の実装領域よりも幅広に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記流出防止壁は、複数の半導体チップが実装される前記基板上の各実装領域の一方向にはみ出すように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記境界は、ダイシングソーにより切断される切断代を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板の下面には、前記境界に接する一辺を除く他の３辺に沿うように接続パッドが形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に複数の半導体チップを所定間隔でフリップチップ実装し、前記基板と前記半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂が注入された半導体装置において、
前記半導体チップが実装される前記基板上の実装領域を囲む４辺のうち１辺が隣接する他の実装領域との境界を越えた位置となるように前記アンダーフィル樹脂の流出を防止する流出防止壁を形成し、境界の外側にはみ出した位置に形成された流出防止壁と半導体チップの１辺との間にアンダーフィル樹脂注入用ニードルを挿入してアンダーフィル樹脂を注入することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを基板にフリップチップ実装し、基板と半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を注入されてなる半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを実装する製造方法については様々なタイプの方法が提案されているが、例えば半導体チップをフリップチップ実装する方法は、パッケージを小型化・薄型化することが容易である特徴を有している。
【０００３】
近年、半導体チップの演算処理能力の向上に伴って半導体チップの面積が大型化する傾向にある。一方、半導体装置において、半導体チップが実装される基板の実装スペースは、制限されているため、半導体チップの周縁部とダイシングにより切断される基板の切断ライン（所謂「ダイシングストリート」と呼ばれている）との差が小さくなっている。そして、フリップチップの場合、基板上に半導体チップを実装した後に基板と半導体チップとの間に絶縁性の樹脂材からなるアンダーフィル樹脂を注入することで基板と半導体チップとの熱膨張差による応力を樹脂層によって吸収するようにしている。
【０００４】
半導体装置の製造方法では、一枚の基板に複数の半導体チップを所定間隔毎に多数実装し、各半導体チップが実装された各実装領域の境界をダイシングにより切断して個片化している。そのため、上記アンダーフィル樹脂を注入する際に、予め実装領域の周囲に注入されたアンダーフィル樹脂が隣接する他の実装領域に流出した場合、半田付けを行う端子に付着するおそれがあるので、アンダーフィル樹脂が隣接する他の実装領域に流出しないように流出防止壁を設けていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図１Ａ〜図１Ｅは、半導体チップを実装基板にフリップチップ実装する従来の方法を、手順を追って示したものである。図１Ａは、実装基板に実装される、接続バンプ（Ａｕスタッドバンプ）２が形成された、半導体チップ１を示す図である。
【０００６】
図１Ｂに示す工程では、平板を用いて複数の接続バンプ２を押圧し、複数の接続バンプ２の高さを揃える。
【０００７】
次に、図１Ｃに示す工程では、前記半導体チップ１を、接続パッド４が形成された実装基板３に実装する。この場合、接続バンプ２が、接続パッド４と接触するように半導体チップ１が実装され、接続バンプ２と接続パッド４の接触部分には、半田よりなる接続部５が盛られて電気的な接続が確実とされるように構成される。さらに、半導体チップ１が実装される実装領域の周囲には、アンダーフィル流出を防止する流出防止壁６が形成される。そして、半導体チップ１の縁部と流出防止壁６との間には、ニードル挿入スペースＳが形成される。
【０００８】
次に、図１Ｄに示す工程では、ニードル挿入スペースＳからニードル７を挿入してアンダーフィル樹脂８を注入する。これにより、実装された半導体チップ１と実装基板３との間に、アンダーフィル樹脂８を浸透させる。さらに、図１Ｅに示す工程では、当該アンダーフィル樹脂８が半導体チップ１と実装基板３の間に完全に浸透して、半導体チップの実装が完成する。
【０００９】
図２は同一の基板上に複数の半導体チップが実装された状態を模式的に示す平面図である。図２に示されるように、複数の半導体チップ１が所定間隔で実装される場合、半導体チップ１が大型化するのに伴ってニードル挿入スペースＳが狭くなる。
【特許文献１】特開２０００−２６０８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来は、半導体チップ１の面積が大型化することにより、半導体チップ１と実装基板３との対向面積が増大しており、その分アンダーフィル樹脂の注入量も増大する。
【００１１】
ところが、基板のパッケージサイズとチップサイズとの差が小さくなって、半導体チップ１の周縁部と基板上に形成された流出防止壁６との間隔が狭くなると、ニードル挿入スペースＳに合わせてニードル７を太くすることができないため、アンダーフィル樹脂注入時間を短縮することができず、生産効率を高めることができないという問題が生じる。
【００１２】
また、ニードル７は、半導体チップ１の１辺側からアンダーフィル樹脂を注入するため、大型化された半導体チップ１の半体側にアンダーフィル樹脂が浸透するまでに時間がかかり、移動中のアンダーフィル樹脂が硬化してしまうと、アンダーフィル樹脂の流れが一様でなくなり、ボイド（空洞）が発生するという問題が生じる。
【００１３】
また、半導体チップの面積が大型化に比例して実装領域を拡大すると、半導体チップの大きさに拘わらずニードル挿入スペースＳを確保することができるが、１枚の基板上に実装されるチップ数が減少してしまい、生産効率の低下を招くことになる。
【００１４】
また、図３に示されるように、パッケージサイズを拡大せずに各実装領域間の切断スペースＨ（図３中ハッチングで示す）を幅広にしてニードル挿入スペースＳを確保することも考えられるが、この場合、切断スペースＨの両側がダイシングストリートＤとなるため、ダイシング回数が２倍になってその分製造コストが上昇するという問題が生じる。
【００１５】
そこで、本発明は上記事情に鑑み、上記課題を解決した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明は以下のような手段を有する。
【００１７】
本発明は、基板上に形成された複数の実装領域の夫々に複数の半導体チップをフリップチップ実装し、前記基板と前記半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を注入した後に前記実装領域の境界に沿ってダイシングを行って個片化する半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップが実装される前記基板上の実装領域を囲む４辺のうち１辺が隣接する他の実装領域との境界を越えた位置となるように前記アンダーフィル樹脂の流出を防止する流出防止壁を形成する工程と、
前記境界の外側にはみ出した位置に形成された前記流出防止壁と前記半導体チップの１辺との間にアンダーフィル樹脂注入用ニードルを挿入して前記アンダーフィル樹脂を注入する工程と、
前記アンダーフィル樹脂が固化した状態で前記実装領域の境界に沿ってダイシングを行って前記基板及び樹脂層の１辺を切断する工程と、
を有することにより、上記課題を解決するものである。
【００１８】
前記流出防止壁は、前記半導体チップの輪郭に対応する四角形の枠状に形成され、３辺が前記基板上の実装領域を囲む位置に形成され、他の１辺が隣接する実装領域にはみ出した位置に形成されることが望ましい。
【００１９】
前記流出防止壁は、前記アンダーフィル樹脂注入用ニードルの移動方向に延在する部分が前記基板上の実装領域よりも幅広に形成されることが望ましい。
【００２０】
前記流出防止壁は、複数の半導体チップが実装される前記基板上の各実装領域の一方向にはみ出すように形成されることが望ましい。
【００２１】
前記境界は、ダイシングソーにより切断される切断代を含む。
【００２２】
前記基板の下面には、前記境界に接する一辺を除く他の３辺に沿うように接続パッドが形成されることが望ましい。
【００２３】
また、本発明は、基板上に複数の半導体チップを所定間隔でフリップチップ実装し、前記基板と前記半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂が注入された半導体装置において、
前記半導体チップが実装される前記基板上の実装領域を囲む４辺のうち１辺が隣接する他の実装領域との境界を越えた位置となるように前記アンダーフィル樹脂の流出を防止する流出防止壁を形成し、境界の外側にはみ出した位置に形成された流出防止壁と半導体チップの１辺との間にアンダーフィル樹脂注入用ニードルを挿入してアンダーフィル樹脂を注入することにより、上記課題を解決するものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、半導体チップが実装される基板上の実装領域を囲む４辺のうち１辺が隣接する他の実装領域との境界を越えた位置となるようにアンダーフィル樹脂の流出を防止する流出防止壁を形成し、境界の外側にはみ出した位置に形成された流出防止壁と半導体チップの１辺との間にアンダーフィル樹脂注入用ニードルを挿入してアンダーフィル樹脂を注入するため、半導体チップの大型化に対応して太いニードルによりアンダーフィル樹脂を短時間で注入することが可能になり、多量のアンダーフィル樹脂を効率良く注入することができると共に、半導体チップの面積が拡大されても注入されたアンダーフィル樹脂による樹脂層にボイドが発生することを防止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００２６】
図４は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例を示す縦断面図である。図５は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例を示す平面図である。図４及び図５に示されるように、半導体装置２００は、実装基板１００に半導体チップ２０１を実装し、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間にアンダーフィル樹脂を充填して樹脂層２０３を形成したものである。
【００２７】
実装基板１００には、絶縁層１０３に形成された、接続パッド１０４に電気的に接続される配線部１０８を有している。配線部１０８は、実装基板１００の接続パッド１０４が形成された側（以降文中、表側という）と反対側（以降文中、裏側という）で、実装される半導体チップ２０１と接続対象（マザーボードなど）が接続可能となるように構成されている。
【００２８】
また、絶縁層１０３上には、開口部を有するソルダーレジスト層１０７が形成され、接続パッド１０４の一部は、当該開口部より露出するようにして形成されている。ソルダーレジスト層１０７の上面（表側）には、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間にアンダーフィル樹脂を注入する際、アンダーフィル樹脂が流出しないようにするための流出防止壁２１０が突出している。この流出防止壁２１０は、ソルダーレジストにより任意の所定高さに突出するように形成されており、ソルダーレジスト層１０７の上面に形成される。また、流出防止壁２１０は、半導体チップ２０１が実装される四角形状の実装領域２２０のうち３方向の３辺を囲む第１〜第３壁部２１０ａ〜２１０ｃと残る１辺を囲む第４壁部２１０ｄとを有する。
【００２９】
第４壁部２１０ｄは、実装領域２２０に隣接された他の実装領域にはみ出す位置に形成されている。また、第４壁部２１０ｄは、アンダーフィル樹脂を注入するためのニードル挿入領域２３０を形成しており、ニードル移動方向（Ｙ方向）の幅寸法Ｌ１が実装領域２２０の幅寸法Ｌ２よりも幅広に形成されている（Ｌ１>Ｌ２）。従って、当該実装領域２２０のニードル挿入領域２３０は、隣接された他の実装領域にはみ出ている。
【００３０】
そのため、実装基板１００に半導体チップ２０１を実装し、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間にアンダーフィル樹脂を充填して樹脂層２０３を形成した後のダイシング工程により個片化すると、実装基板１００上には、流出防止壁２１０のうち当該実装領域の外側にはみ出た第４壁部２１０ｄが第１〜第３壁部２１０ａ〜２１０ｃから分離された状態で切断され、反対側（左側）に隣りの第４壁部２１０ｄが当該第１壁部２１０ａに近接した位置に残された状態となる。
【００３１】
また、接続パッド１０４上には、半田よりなるコーティング層１０５が形成されている。コーティング層１０５は、例えばメッキ法により形成され、例えば厚さが５μｍ程度になるよう、また接続パッド１０４上に厚さが略一様となるように形成される。
【００３２】
配線部１０８は、接続パッド１０４と接続されるビアプラグ１０８Ａと、ビアプラグ１０８Ａに接続される絶縁層１０３の裏側の表面に形成されるパターン配線１０８Ｂとより構成されている。また、絶縁層１０３の裏側の表面と、パターン配線１０８Ｂの一部、およびビアプラグ１０８Ａを覆うように、ソルダーレジスト層１０９が形成されている。
【００３３】
ソルダーレジスト層１０９の開口部から露出したパターン配線１０８Ｂには、半田よりなるコーティング層１１０が形成されており、当該コーティング層１１０を介して配線部１０８がマザーボードなどの接続対象と接続可能に構成されている。
【００３４】
半導体装置２００は、実装基板１００に、接続バンプ（Ａｕスタッドバンプ）２０２が形成された半導体チップ２０１が実装された構造を有している。接続パッド１０４は、コーティング層１０５が、接続バンプ２０２側に盛り上がるように形成されている。これは、溶融した半田が、接続バンプ２０２に濡れる（接触する）ことにより、表面張力によって接続バンプ２０２側に集められるためである。
【００３５】
次に、上記のように構成された半導体装置２００の製造方法の手順を説明する。図６Ａ〜図６Ｄは半導体装置２００の製造方法の手順を説明するための平面図である。図７Ａ〜図７Ｈは半導体装置２００の製造方法の手順を説明するための縦断面図である。まず、図６Ａ〜図６Ｄを参照して半導体装置２００の製造方法の概略について説明し、その後図７Ａ〜図７Ｈを参照して各工程を説明する。
【００３６】
図６Ａに示されるように、実装基板１００は、複数の実装領域２２０が所定間隔で形成されている。この実装領域２２０とは、破線で示すダイシングストリート（境界）２６０により区切られた基板上のスペースを示しており、各実装領域２２０の夫々に半導体チップ２０１を実装するための配線部１０８が形成されている。そして、各実装領域２２０には、配線部１０８を囲むように形成された流出防止壁２１０がソルダーレジストにより形成されている。この流出防止壁２１０は、前述したように実装領域２２０のうち３方向の３辺を囲む第１〜第３壁部２１０ａ〜２１０ｃと、残る１辺（本実施例では、右辺）を囲む第４壁部２１０ｄとを有する。
【００３７】
第４壁部２１０ｄは、破線で示すダイシングストリート２６０の外側に形成されており、本実施例では実装領域２２０の右方に隣接された他の実装領域にはみ出すように形成されている。すなわち、実装基板１００に形成された各実装領域２２０の左方には、左方に隣接された実装領域２２０の第４壁部２１０ｄが設けられている。
【００３８】
図６Ｂに示されるように、各実装領域２２０の夫々に半導体チップ２０１を実装する。そして、後述するように半導体チップ２０１の下面に設けられた接続バンプ２０２とコーティング層１０５の半田とを超音波により溶融させて接合させる。また、半導体チップ２０１の４辺のうち第４壁部２１０ｄに対向する右辺を除く３辺に沿う位置には、実装基板１００が実装されるマザーボード（図示せず）の配線パターンに接続される複数の接続パッド２７０ａ〜２７０ｃが形成されている。尚、実装基板１００は、第４壁部２１０ｄに対向する右辺には、接続端子が形成されていないので、ダイシングストリート２６０に沿って切断する際に接続端子への配線パターンが切断されないように構成されている。
【００３９】
図６Ｃに示されるように、各実装領域２２０の夫々に半導体チップ２０１が実装されると、第４壁部２１０ｄにより画成されたニードル挿入領域２３０にニードル２８０を挿入してアンダーフィル（破線で示す）を注入する。これにより、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間には、アンダーフィル樹脂による樹脂層２０３（破線で示す）が浸透する。
【００４０】
図６Ｄに示されるように、ニードル２８０をニードル挿入領域２３０に沿ってＹ方向に移動させることにより、ニードル２８０から吐出されたアンダーフィル樹脂が実装領域２２０全体に注入される。その際、ニードル２８０の右方には、第４壁部２１０ｄが設けられているので、ニードル２８０から吐出されたアンダーフィル樹脂は左方（図６Ｄ中破線矢印で示す方向）へ流れる。また、ニードル２８０からアンダーフィル樹脂を吐出させる際は、ヒータ（図示せず）により過熱しており、アンダーフィル樹脂が実装領域２２０を移動しやすくしている。また、実装基板１００上を移動するアンダーフィル樹脂は、実装領域２２０を囲むように形成された第１〜第３壁部２１０ａ〜２１０ｃによりそれ以上の移動が制限され、第１〜第４壁部２１０ａ〜２１０ｄに囲まれたスペースからはみ出さないように注入される。
【００４１】
また、ニードル２８０は、半導体チップ２０１の右辺と第４壁部２１０ｄとの距離Ｌ３が従来のもよりも隣接する実装領域２２０に延長されているので、ニードル挿入領域２３０のＸ方向の幅寸法が幅広となっており、従来よりも太いニードル２８０を挿入することが可能になる。そのため、本実施例では、半導体チップ２０１の大型化に対応して太いニードル２８０によりアンダーフィル樹脂を短時間で注入することが可能になり、多量のアンダーフィル樹脂を効率良く注入することができる。さらに、半導体チップ２０１の面積が拡大されてもアンダーフィル樹脂の注入量を増大することが可能になり、その分アンダーフィル樹脂の流れ不足が解消されて樹脂層２０３におけるボイド発生が防止される。
【００４２】
次に、図７Ａ〜図７Ｈを参照して各工程（その１〜８）を説明する。工程１では、図７Ａに示されるように、複数の実装領域２２０が所定間隔で設けられた実装基板１００を用意する。各実装領域２２０には、導体チップ２０１を実装するための配線部１０８が形成されている（図６Ａ参照）。
【００４３】
次の工程２では、図７Ｂに示されるように、実装基板１００のソルダーレジスト層１０７上に各実装領域２２０を囲む流出防止壁２１を形成する。また、流出防止壁２１０は、半導体チップ２０１が実装される四角形状の実装領域２２０を囲む第１〜第４壁部２１０ａ〜２１０ｄを有する。この流出防止壁２１０は、ソルダーレジストによりされるため、上記ルダーレジスト層１０７を形成する際に同時に形成することも可能である。
【００４４】
また、第４壁部２１０ｄは、前述したように実装領域２２０の右方に隣接された他の実装領域にはみ出すように形成されている（図６Ａ参照）。
【００４５】
次の工程３では、図７Ｃに示されるように、実装基板１００の各実装領域２２０に半導体チップ２０１を実装する。その際、半導体チップ２０１の下面に設けられた接続バンプ２０２とコーティング層１０５の半田とが超音波により溶融されて接合される（図６Ｂ参照）。
【００４６】
次の工程４では、図７Ｄに示されるように、第４壁部２１０ｄにより画成されたニードル挿入領域２３０にニードル２８０を挿入してアンダーフィル樹脂を吐出させる。これにより、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間には、アンダーフィル樹脂による樹脂層２０３が浸透する（図６Ｃ参照）。
【００４７】
次の工程５では、図７Ｅに示されるように、ニードル挿入領域２３０に挿入されたニードル２８０をＹ方向に始動させながらアンダーフィル樹脂を吐出させる。これにより、ニードル２８０から吐出されたアンダーフィル樹脂が実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間の全域に浸透する（図６Ｄ参照）。
【００４８】
次の工程６では、図７Ｆに示されるように、ニードル挿入領域２３０からニードル２８０を離間させる。このとき、ニードル２８０から吐出されたアンダーフィル樹脂は、ヒータ（図示せず）により加熱されて流動性が良いので、実装基板１００と半導体チップ２０１とが対向する空間の全域に浸透するが、流出防止壁２１０により堰き止められて流出防止壁２１０の外側に流出することが防止される（図６Ｄ参照）。
【００４９】
次の工程７では、図７Ｇに示されるように、実装基板１００のダイシングストリート（境界）２６０（図６Ｂ参照）に沿って切断する。このダイシングストリート（境界）２６０は、ダイシングソーにより切断される切断代を含む。
実装領域２２０の左辺をダインシングすることにより、実装領域２２０の左側上面には、左隣の実装領域２２０で使用された第４壁部２１０ｄが残された状態で切断される。
【００５０】
次の工程８では、図７Ｈに示されるように、実装領域２２０の右辺をダインシングすることにより、ニードル挿入領域２３０に塗布された樹脂層２０３が切断され、実装領域２２０の右方の第４壁部２１０ｄが分離される。
【００５１】
このダイシング工程により各半導体チップ２０１が実装された基板１００が所定寸法の大きさで切断されて個片化され、図４及び図５に示す半導体装置２００が得られる。
【００５２】
また、上記の実施例に示した、接続パッド、絶縁層、接続バンプ、樹脂層などを構成する材料、および形成方法はその一例であり、他にも様々な材料、方法を用いて上記の実施例による実装基板、および半導体装置を構成することが可能である。
【００５３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１Ａ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図１Ｃ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図１Ｄ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図１Ｅ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図２】従来の基板上に複数の半導体チップが実装された状態を模式的に示す平面図である。
【図３】従来の半導体装置のアンダーフィル注入工程を説明するための平面図である。
【図４】本発明による半導体装置の製造方法の一実施例を示す縦断面図である。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法の一実施例を示す平面図である。
【図６Ａ】図４の半導体装置の製造方法を示す平面図（その１）である。
【図６Ｂ】図４の半導体装置の製造方法を示す平面図（その２）である。
【図６Ｃ】図４の半導体装置の製造方法を示す平面図（その３）である。
【図６Ｄ】図４の半導体装置の製造方法を示す平面図（その４）である。
【図７Ａ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その１）である。
【図７Ｂ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その２）である。
【図７Ｃ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その３）である。
【図７Ｄ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その４）である。
【図７Ｅ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その５）である。
【図７Ｆ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その６）である。
【図７Ｇ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その７）である。
【図７Ｈ】図５の半導体装置の製造方法を示す縦断面図（その８）である。
【符号の説明】
【００５５】
１００  実装基板
１０３  絶縁層
１０４  接続パッド
１０５  コーティング層
１０７，１０９  ソルダーレジスト層
１０８  配線部
２００  半導体装置
２０１  半導体チップ
２０２  接続バンプ
２０３  樹脂層
２１０  流出防止壁
２１０ａ〜２１０ｄ  第１〜第４壁部
２２０  実装領域
２３０  ニードル挿入領域
２６０  ダイシングストリート
２７０ａ〜２７０ｃ  接続パッド
２８０  ニードル
【図１Ａ】
2007324403.tif 000003
【図１Ｂ】
2007324403.tif 000004
【図１Ｃ】
2007324403.tif 000005
【図１Ｄ】
2007324403.tif 000006
【図１Ｅ】
2007324403.tif 000007
【図２】
2007324403.tif 000008
【図３】
2007324403.tif 000009
【図４】
2007324403.tif 000010
【図５】
2007324403.tif 000011
【図６Ａ】
2007324403.tif 000012
【図６Ｂ】
2007324403.tif 000013
【図６Ｃ】
2007324403.tif 000014
【図６Ｄ】
2007324403.tif 000015
【図７Ａ】
2007324403.tif 000016
【図７Ｂ】
2007324403.tif 000017
【図７Ｃ】
2007324403.tif 000018
【図７Ｄ】
2007324403.tif 000019
【図７Ｅ】
2007324403.tif 000020
【図７Ｆ】
2007324403.tif 000021
【図７Ｇ】
2007324403.tif 000022
【図７Ｈ】
2007324403.tif 000023