(57)【要約】【課題】イオン注入により形成されるパターン線幅等のバラツキの発生を抑えつつ、イオン注入工程を統合できる半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置を得、工程を削減し、スループットを向上させ、製造コストを低減し、歩留を向上させる。【解決手段】半導体基板にイオン打ち込みを行うにあたり、所望のイオン注入領域に開口を有するマスクを半導体基板上に形成し、マスクの開口から半導体基板へイオン注入を行う工程を含む半導体装置１００の製造方法において、同一のマスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件で開口からイオン注入を複数回にわたって行い、半導体基板に対して深さ方向に複数のピークＰ１，Ｐ２を有する不純物濃度プロファイルを形成する。【選択図】図１
2007299989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にイオン打ち込みを行うにあたり、所望のイオン注入領域に開口を有するマスクを前記半導体基板上に形成し、前記マスクの開口から半導体基板へイオン注入を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、
同一の前記マスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件で前記開口からイオン注入を複数回にわたって行い、前記半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記相互に異なるイオン注入条件が、イオン加速電圧、ドーズ量、イオン種のいずれかを含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板に、複数の光電変換部と、該複数の光電変換部に蓄積される電荷を読み出す電荷読み出し部と、隣接する前記光電変換部同士を電気的に分離する画素分離帯とを少なくとも有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯、及び前記画素分離帯が前記半導体基板内にイオン注入して形成される不純物層であり、
前記読み出し電圧調整帯と前記画素分離帯とを請求項１又は請求項２記載の方法に基づいて形成する固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板に、複数の光電変換部と、該複数の光電変換部に蓄積される電荷を読み出す電荷読み出し部と、隣接する前記光電変換部同士を電気的に分離する画素分離帯とを少なくとも有する固体撮像装置であって、
少なくとも前記電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯と前記画素分離帯との双方が、前記半導体基板の深さ方向に略同一の複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成している固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクを半導体基板上に形成し、マスク開口から半導体基板へイオン注入を行う工程を含む半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、不純物の濃度や分布形状を変えて種々の不純物領域を半導体基板内に形成する場合が多々ある。異なる不純物領域を形成する半導体装置としては、例えばＣＣＤ（charge coupled device）型固体撮像素子（固体撮像素子）がある。固体撮像素子は、半導体基板内に、画素となる複数の受光部をマトリックス状に配列してなる。各受光部列同士の間にはＣＣＤ構造の垂直転送路が受光部列に沿って設けられ、垂直転送路は光電変換を行う受光部から読み出した信号電荷を列終端へ転送する。それぞれの垂直転送路の転送終端は水平転送路へと接続され、水平転送路は出力側に接続された出力部から変換した１画素ずつの信号電圧を出力する。半導体基板上には、ゲート絶縁膜を介して垂直転送電極が形成される。また、ＣＣＤ型の他にＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型の固体撮像素子もあるが、信号電荷の取り出し方法が異なるものの、基本的な受光素子の構造は略同一である。
【０００３】
図７は従来の固体撮像装置の要部断面図、図８は異なる不純物領域の形成プロセスに用いられる従来のマスクの平面図である。
固体撮像装置は、Ｐ−型の低濃度層１を有し、この低濃度層１内に光を光電変換する光電変換部（フォトダイオード）ＰＤを有する。図中、ＶＣＣＤは、Ｎ型の拡散層からなる垂直転送路、ならびにＰ型の拡散層からなる分離帯を有する。ここで、３は画素分離帯（ＬＣＳ）、５は読み出し電圧調整帯（ＴＧＩ）である。半導体基板の表面には、ゲート絶縁膜（例えばＯＮＯ膜）が形成され、ＯＮＯ膜上には１層目ならびに２層目のポリシリコンで形成される転送電極ＰＹ１，ＰＹ２が形成される。
【０００４】
従来、画素分離帯や読み出し電圧調整帯のような不純物領域の形成において、イオン注入における最適な加速電圧が異なるイオン注入工程を行う場合は、複数のマスクを用いて、それぞれの領域を個別にイオン注入して不純物領域を形成していた。
【０００５】
例えば、ＣＣＤを例に挙げれば、画素分離帯と読み出し電圧調整帯のイオン注入プロセスは、図８（ａ）に示す第１のマスクＭ１により画素分離帯のイオン注入を行い、図８（ｂ）に示す第２のマスクＭ２により読み出し電圧調整帯のイオン注入を行う。イオン注入条件例としては、画素分離帯形成時は、ボロンＢを、イオン加速電圧９０ｋｅＶ，ドーズ量４．０×１０12ｃｍ−２で行い、読み出し電圧調整帯のイオン注入時は、ボロンＢを、イオン加速電圧４０ｋｅＶ，ドーズ量３．８×１０12ｃｍ−２で行う。
この他にも、例えば特許文献１に記載のように、イオン注入スルー膜の膜厚を調整して、工程を統合せずに一括してイオン注入を行うものもあった。
【特許文献１】特開平８−１９５４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近の回路・配線パターンの更なる微細化に伴って、複数のマスクを用いて繰り返しイオン注入する場合には、マスクの位置合わせ精度が不十分となる場合も考えられ、一枚のマスクで同時にイオン注入する方法の確立が切望されていた。しかしながら、異なる特性の不純物領域の部位に対してイオン注入工程を統合する特許文献１の技術では、イオン注入スルー膜を構成する絶縁膜の厚みを変えて行うため、不純物領域の不純物導入量が複数のイオン注入スルー膜の種類、膜質（組成）及び膜厚に依存するため、不純物の濃度及び分布形状等が安定しないという問題があった。
このような理由から、イオン注入工程が、スループットの向上や製造コストの低減、歩留まりの向上の妨げとなる一要因となっていた。
【０００７】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、イオン注入により形成されるパターン線幅等のバラツキの発生を抑えつつ、イオン注入工程を統合できる半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置を提供し、もって、工程を削減し、スループットの向上、製造コストの低減、歩留の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る上記目的は、下記構成により達成される。
（１）  半導体基板にイオン打ち込みを行うにあたり、所望のイオン注入領域に開口を有するマスクを前記半導体基板上に形成し、前記マスクの開口から半導体基板へイオン注入を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、
同一の前記マスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件で前記開口からイオン注入を複数回にわたって行い、前記半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成する半導体装置の製造方法。
【０００９】
この半導体装置の製造方法によれば、イオン注入のためのパターンが統合され、その統合パターンでイオン注入をそれぞれ異なる条件で複数回行われることで、半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルが形成され、異なる不純物領域を、イオン注入スルー膜の厚み等を変更して用いる必要がなくなり、不純物領域におけるパターン線幅等のバラツキの発生を抑えつつ、イオン注入工程の統合が可能となる。
【００１０】
（２）  （１）項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記相互に異なるイオン注入条件が、イオン加速電圧、ドーズ量、イオン種のいずれかを含む半導体装置の製造方法。
【００１１】
この半導体装置の製造方法によれば、イオン加速電圧、ドーズ量、イオン種のいずれかをイオン注入のパラメータとして、イオン注入の際に同一のマスクを用いて、半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成できる。
【００１２】
（３）  半導体基板に、複数の光電変換部と、該複数の光電変換部に蓄積される電荷を読み出す電荷読み出し部と、隣接する前記光電変換部同士を電気的に分離する画素分離帯とを少なくとも有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯、及び前記画素分離帯が前記半導体基板内にイオン注入して形成される不純物層であり、
前記読み出し電圧調整帯と前記画素分離帯とを（１）項又は（２）項記載の方法に基づいて形成する固体撮像装置の製造方法。
【００１３】
この固体撮像装置の製造方法によれば、画素分離帯（ＬＣＳ）と読み出し電圧調整帯（ＴＧＩ）とが同一の不純物濃度プロファイルとなる構成に変更することで、これまで、各不純物領域を個別に形成していたプロセスを、電極パターンを変更して改善可能となる。すなわち、パターン線幅等のバラツキの発生を抑えつつ、イオン注入工程を統合することができる。
【００１４】
（４）  半導体基板に、複数の光電変換部と、該複数の光電変換部に蓄積される電荷を読み出す電荷読み出し部と、隣接する前記光電変換部同士を電気的に分離する画素分離帯とを少なくとも有する固体撮像装置であって、
少なくとも前記電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯と前記画素分離帯との双方が、前記半導体基板の深さ方向に略同一の複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成している固体撮像装置。
【００１５】
この固体撮像装置によれば、加速電圧やドーズ量を変えた条件により、複数回のイオン注入で、不純物濃度プロファイルが略同一のピークが形成されて、それぞれのイオン注入領域が読み出し電圧調整帯と画素分離帯として機能する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、同一のマスクを用い、相互に異なる条件でマスク開口からイオン注入を複数回にわたって行い、半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成するので、イオン注入で形成されるパターン線幅等のバラツキを抑えつつ、イオン注入工程を統合できる。この結果、工程を削減し、スループットを向上させ、製造コストを低減し、歩留を向上させることができる。
【００１７】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、半導体基板に、光電変換部、電荷読み出し部、画素分離帯を有する固体撮像装置において、電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯、及び画素分離帯が、上述の方法に基づいて、半導体基板内にイオン注入して形成される不純物層であるので、画素分離帯と読み出し電圧調整帯とが、イオン注入により形成されるパターン線幅等のバラツキを抑えつつ、イオン注入工程を統合できる。この結果、工程を削減し、スループットを向上させ、製造コストを低減し、歩留を向上させることができる。
【００１８】
本発明に係る固体撮像装置によれば、画素分離帯と電荷読み出し部との双方が、半導体基板の深さ方向に略同一の複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成するので、加速電圧やドーズ量を変えた条件により、複数回のイオン注入で、画素分離帯と読み出し電圧調整帯とを形成する製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置の好適な実施の形態を図面を参照して説明する。
以下の実施形態においては、本発明に係る半導体装置の製造方法を固体撮像装置に適用した例について説明するが、本発明はこれに限定されることはない。
【００２０】
図１は本発明に係る固体撮像装置の要部断面図、図２は図１の断面をＡ−Ａで示した固体撮像装置の平面図である。
本実施の形態による半導体装置としての個体撮像装置１００は、Ｐ−型の低濃度層２７を有し、この低濃度層２７内に光電変換部（フォトダイオード）ＰＤを有する。フォトダイオードＰＤは、低濃度層２７内に形成された、下層側のＮ型層２９ならびに上層側のＰ＋型層３１により構成される。
【００２１】
図中、ＶＣＣＤは、Ｎ型の拡散層からなる垂直転送路３４、ならびにＰ型の拡散層からなる分離帯を有する。ここで、３５は画素分離帯（ＬＣＳ）、３６は読み出し電圧調整帯（ＴＧＩ）である。半導体基板の表面には、ゲート絶縁膜（例えばＯＮＯ膜：ＳｉＯ2 / ＳｉＮ / ＳｉＯ2）が形成され、ＯＮＯ膜上には１層目ならびに２層目のポリシリコンで形成される転送電極ＰＹ１，ＰＹ２が形成される。
【００２２】
固体撮像装置１００では、半導体基板にイオン打ち込みを行う際に、所望のイオン注入領域に開口を有するレジスト材等からなるマスクを半導体基板上に形成し、このマスクの開口から半導体基板へイオン注入を行う。ここで、本発明においては、同一のマスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件でマスク開口からイオン注入を複数回にわたって行う。すると、半導体基板に対して深さ方向に複数のピーク（不純物濃度のピーク）Ｐ１，Ｐ２を有する不純物濃度プロファイルが形成される。これにより、画素分離帯や読み出し電圧調整帯のような相互に異なる不純物領域の形成プロセスにおいて、統合マスクを用いてイオン注入プロセスの統合を可能にしている。
【００２３】
本実施の形態による半導体装置の製造方法では、イオン注入のためのパターンを統合し、その統合パターンで相互に異なるイオン注入を複数回行う。相互に異なるイオン注入条件は、イオン加速電圧、ドーズ量、イオン種のいずれかが含まれる。すなわち、イオン注入スルー膜の変更等は行わず、統合したマスクを用いて、加速電圧やドーズ量を互いに変更した条件で、複数回のイオン注入を行う。すると、イオン加速電圧、ドーズ量、イオン種のいずれかが、イオン注入のパラメータとなって半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルが形成される。
【００２４】
したがって、本実施の形態による半導体装置の製造方法によれば、同一のマスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件でマスク開口からイオン注入を複数回にわたって行い、半導体基板に対して深さ方向に複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを形成する。このため、異なる不純物領域を、イオン注入スルー膜を変更する等の工程が必要なくなり、パターン線幅等のバラツキの発生を抑えて、効率的にイオン注入工程を統合できる。その結果、パターンの寸法精度を向上させ、かつ、工程を削減し、スループットを向上させ、製造コストを低減し、歩留を向上させることができる。
【００２５】
次に、本発明に係る固体撮像装置の製造方法について、より詳細に説明する。
図３は図１のイオン注入領域を有する固体撮像装置の要部断面図である。
固体撮像装置１００は、半導体基板に、複数の光電変換部としてのフォトダイオードＰＤと、これら複数のフォトダイオードＰＤに蓄積される電荷を読み出す電荷読み出し部３６と、隣接するフォトダイオードＰＤ同士を電気的に分離する画素分離帯３５とを少なくとも有する。
【００２６】
すなわち、この固体撮像装置１００は、図３に示すように、Ｎ型半導体基板（Ｎ−Ｓｕｂ）２１と、Ｎ型エピタキシャル層２３と、Ｐ型のオーバーフローバリア層２５と、Ｐ−型の低濃度層２７と、を有する。なお、低濃度層２７の導電型は、場合によってはＮ型でもよく、或いはノンドープの層とすることもできる。その場合には、以降の説明における極性が適宜変更される。
【００２７】
光電変換が行われるフォトダイオードＰＤは、低濃度層２７内に形成された、下層側のＮ型層２９ならびに上層側のＰ＋型層３１により構成される。
また、３５は画素分離帯、３６は読み出し電圧調整帯である。ＶＣＣＤは、Ｎ型の拡散層３７からなる垂直転送路、ならびにＰ型の拡散層３９からなる分離帯を有する。
【００２８】
さらに、半導体基板の表面には、ゲート絶縁膜（例えばＯＮＯ膜）４５が形成されている。ＰＹ１，ＰＹ２は各々、１層目ならびに２層目のポリシリコンで形成される転送電極である。また、参照符号４７はオーバーコート絶縁膜である。また、転送電極ＰＹ１，ＰＹ２は、ＴｉＮ密着層４９と、タングステン（Ｗ）からなる遮光膜５１により覆われている。
【００２９】
フォトダイオードＰＤは、上面に開口された遮光膜開口部５５によって入射光を受光し、これ以外の領域は遮光膜５１で覆われる。
【００３０】
なお、固体撮像装置１００の基板２１と遮光膜５１上には、ＢＰＳＧ膜６７が形成され、その上には、平坦化層としての窒化シリコン（ＳｉＮ）膜６９が形成されている。この平坦化層６９の上には、色付の透明レジストからなる、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色のカラーフィルタ層７１，７３，７５が形成される。そのカラーフィルタ層７１，７３，７５の上に、有機膜からなる平坦化層７７を介して、オンチップレンズ７９が形成される。
【００３１】
この固体撮像装置１００は、電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯３６、及び画素分離帯３５が半導体基板内にイオン注入して形成される不純物層となる。この読み出し電圧調整帯３６と画素分離帯３５とは、上記した方法に基づくイオン注入方法、すなわち、同一のマスクを用いて、相互に異なるイオン注入条件で開口からイオン注入を複数回にわたって行い、半導体基板に対して深さ方向に複数の不純物濃度ピークＰ１，Ｐ２を有する不純物濃度プロファイルを形成することにより形成されている。
【００３２】
換言すると、この固体撮像装置１００によれば、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６との双方が、半導体基板の深さ方向に略同一の複数のピークＰ１，Ｐ２を有する不純物濃度プロファイルを形成しているので、イオン注入スルー膜の変更等を行うことなく、統合した同一のマスクを用いて、加速電圧やドーズ量を変えた条件の下、複数回のイオン注入を実施して、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とを同時に形成する製造方法が適用可能となっている。
【００３３】
つまり、従前では、必要な部位の必要な深さ位置に所望の不純物濃度の領域を形成していたが、実際の製品には、深さ方向に異なる位置に不純物濃度の高い領域を別途形成しても機能上何ら支障がない部位が存在する。このことに着目し、これらの部位同士を同じタイミングで同一のマスクを利用してイオン注入するようにしたことが本発明の大きな特徴である。また、このイオン注入方法を実施できるような複数のピークを有する不純物濃度プロファイルを持たせたことも特徴である。
【００３４】
次に、図３に示した固体撮像装置の製造方法について説明する。
図４は図３に示した固体撮像装置の製造工程の説明図、図５は図４の製造工程で用いられる統合マスクの平面図、図６はイオン注入領域の拡大図である。
まず、図３に示したＮ型の半導体基板（Ｎ−ｓｕｂ）２１上にＮ型のエピタキシャル層２３を形成し、そのＮ型のエピタキシャル層２３内にイオン注入を行い、Ｐ型のオーバーフローバリア層２５を形成する。
【００３５】
次に、図３及び図４（ａ）に示すように、Ｎ型のエピタキシャル層２３の、オーバーフローバリア層２５よりも基板表面側の部分における低濃度層２７において、垂直転送路となるＮ型の拡散層３７、及び分離帯となるＰ型の拡散層３９を形成する。そして、半導体基板の表面にはイオン注入する際のマスクとなるレジスト４５をパターニング形成する。
【００３６】
続いて、図４（ｂ），（ｃ）に示すように、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とを同一のマスクを用いて形成する。このときのマスクは、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とのイオン注入を同時に行うために、図５にハッチ部分で示すマスク開口を有する統合マスクＭ３としている。
【００３７】
この統合マスクＭ３を用いた第一回目のイオン注入は、例えばボロンＢをイオン加速電圧９０ｋｅＶ，ドーズ量２．０×１０12ｃｍ−２で行い、第二回目のイオン注入は、例えばボロンＢをイオン加速電圧４０ｋｅＶ，ドーズ量２．０×１０１２ｃｍ−２で行うこととする。これにより、イオン注入領域となる画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とに、深さ方向に異なる位置でピークＰ１，Ｐ２の形成された不純物濃度プロファイルが得られることになる。
【００３８】
このように、本実施の形態による製造方法では、従来のように、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とを個別に形成していた場合と比較して、イオン注入のためのマスクの形成が１回で済み、これにより位置合わせ精度も保証されるので、高精度なイオン注入が可能となる。また、イオン注入工程も簡略化でき、工数の低減によるコストダウンと、スループットの向上が図られる。
【００３９】
また、図６に示すように、垂直転送路３４に沿って形成される画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６の不純物濃度プロファイルが場所によらずに同じになる。このため、例えば、図中のＡ位置、Ｂ位置、Ｃ位置における垂直転送路３４内のポテンシャル電位は、両脇側の不純物層の濃度が同じであるため、いずれも一定になり、安定した電荷転送が可能となる。
【００４０】
ここで、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６の不純物プロファイルが同じになるため、読み出しパルスを印加したときに、画素分離帯３５側に読み出しされないように、電極パターンにレイアウト的な工夫が必要となる。そこで、本実施の形態では、読み出し電圧調整帯３６と、フォトダイオードＰＤとの間にスペースＳＰ（図１参照）を設けることで、読み出しパルス印加時において、図中のフォトダイオードＰＤから図中右側の画素分離帯３５側への電荷読み出しを防止している。
【００４１】
続いて、再び図４（ｃ）に戻り、イオン注入の後にレジスト４５を除去し、図４（ｄ）に示すように、垂直転送路となる拡散層３７上で、電荷転送用の第１層目／第２層目のポリシリコンからなる転送電極ＰＹ１，ＰＹ２を形成する。
そして、フォトダイオード形成領域をマスク開口とするレジストを形成し、フォトダイオード形成工程を実施する。すなわち、フォトダイオード形成領域における、低濃度領域（Ｐ−層）２７内にフォトダイオードを構成する下層側のＮ型層２９をヒ素Ａｓ＋のイオン注入によって形成する。
【００４２】
次に、図４（ｄ）に示すように、そのＮ型層２９とＰＮ接合を形成する、上層側の第２導電型層３１をボロンＢ＋のイオン注入により形成する。
【００４３】
以降は図３に示したように、転送電極ＰＹ１，ＰＹ２上にＴｉＮ密着層４９を形成し、続いて、遮光膜としてのタングステン（Ｗ）膜５１、ＢＰＳＧ膜６７及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜６９を形成し、最終的に図３に示す構成にする。
【００４４】
上記した固体撮像装置１００の製造方法によれば、半導体基板に、フォトダイオードＰＤ、電荷読み出し部（読み出し電圧調整帯３６）、画素分離帯３５を有する固体撮像装置１００に対し、電荷読み出し部の読み出し電圧調整帯３６及び画素分離帯３５が、上記のイオン注入方法に基づいて、半導体基板内にイオン注入して形成される不純物層であるので、画素分離帯３５と読み出し電圧調整帯３６とが略同一の不純物プロファイルが形成される。これにより、イオン注入により形成するパターン線幅等のバラツキが抑えられる。そして、従来のイオン注入時における複数のマスクの位置合わせのバラツキの問題を生じることなく、むしろ工程の統合により良化させることができる。また、特に同種のイオン種であれば、チェーンレシピでイオン注入ができるため、コスト低減、歩留向上の効果が高められる。
【００４５】
なお、上述した実施の形態では、同種の不純物層の統合であったが、本発明に係る半導体装置の製造方法は、垂直電荷転送路ＶＣＣＤと画素分離帯の統合等、異種の不純物の統合も可能とすることができる。例えば、ＬＯＧＩＣ品の例として、ＭＯＳトランジスタのＮｃｈしきい値電圧調整用の不純物層に対するインプラと、Ｐ型不純物領域の反転防止用不純物層のインプラの統合がある。即ち、Ｎｃｈしきい値電圧調整用の不純物層に対するインプラ工程に、加速電圧を変え二重打ちすること等が挙げられる。
【００４６】
また、本発明に係る半導体装置は、ＣＣＤ型固体撮像装置に限らず、ＭＯＳ型の撮像装置に対しても好適に用いることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る半導体装置の要部断面図である。
【図２】図１の断面をＡ−Ａで示した半導体装置の平面図である。
【図３】図１のイオン注入領域を有する固体撮像装置の要部断面図である。
【図４】図３に示した固体撮像装置の製造工程の説明図である。
【図５】図４の製造工程で用いられる統合マスクの平面図である。
【図６】イオン注入領域の拡大平面図である。
【図７】従来の固体撮像装置の要部断面図である。
【図８】異なる不純物領域の形成プロセスに用いられる従来のマスクの平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
３５  画素分離帯
３６  読み出し電圧調整帯
１００  固体撮像装置（半導体装置）
Ｍ３  マスク
ＰＤ  フォトダイオード（光電変換部）
【図１】
2007299989.tif 000003
【図２】
2007299989.tif 000004
【図３】
2007299989.tif 000005
【図４】
2007299989.tif 000006
【図５】
2007299989.tif 000007
【図６】
2007299989.tif 000008
【図７】
2007299989.tif 000009
【図８】
2007299989.tif 000010