(57)【要約】      （修正有）【課題】配線回路を容易に形成することができ、かつ回路形成時には回路となる金属層と後に除去される層との間の密着性を十分に保持し、樹脂封止後には該封止樹脂と配線回路から容易に不要となる層を引き剥がして除去することができる、半導体装置を高い作業性と生産性で製造することが可能な半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体用フィルムは、第１の金属層１と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層２との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａ５からなり、該樹脂層Ａ５と前記第２の金属層２とが接するように積層されて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属層と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層との少なくとも二層からなる複合金属層、および
少なくとも樹脂層Ａからなり、該樹脂層Ａと前記第２の金属層とが接するように積層された半導体用フィルム、
を備える半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項２】
前記第１の金属層の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下である請求項１記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項３】
前記第１の金属層または前記第２の金属層の材質が、銅または銅合金である請求項１または２に記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項４】
前記第１の金属層と前記第２の金属層との２５℃における９０度ピール強度が、０．１Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項５】
前記複合金属層が、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の間に剥離層をさらに有する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項６】
前記剥離層の材質が、金属または金属酸化物である請求項５に記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項７】
前記第２の金属層と、前記樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が、５Ｎ／ｍ以上である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項８】
前記樹脂層Ａのガラス転移温度が、１００〜３００℃である請求項１〜７のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項９】
前記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度が、３００℃以上である請求項１〜８のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項１０】
前記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率が、０．１ＭＰａ以上である請求項１〜９のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項１１】
前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有する請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層に積層されている半導体用フィルム。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層における複合金属層をエッチングして配線回路を形成してなる配線回路付フィルム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の配線回路付フィルム、
前記配線回路付フィルムに形成された配線回路の所定位置に接着された半導体素子、
前記半導体素子と前記配線回路とを接続するワイヤ、ならびに
前記配線回路、前記半導体素子および前記ワイヤを封止する封止材、
を備える半導体用フィルム付半導体装置。
【請求項１５】
前記封止材と前記樹脂層Ａとの０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が、１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１４に記載の半導体用フィルム付半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の半導体用フィルム付き半導体装置から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【請求項１７】
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層における複合金属層をエッチングして配線回路を形成する工程、
前記配線回路のダイパッドに半導体素子を接着する工程、
前記配線回路と前記半導体素子とをワイヤにより接続する工程、
前記配線回路、前記半導体素子および前記ワイヤを封止材により封止する工程、および
第１の金属層からなる配線回路および封止材から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これに用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型・薄型化を図るため、リードフレームの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されてきた。この構造のパッケージはリードが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる利点がある。このような半導体パッケージの製造方法としては、例えば、リードフレームの片面に接着テープを貼った後、リードフレームの反対面にチップを搭載し、ワイヤボンド、樹脂封止した後、接着テープを剥がす方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。しかし、リードフレームを用いる場合、リードフレームの厚さ、材質に制限があり、半導体パッケージの高さが高くなってしまう、微細な配線を形成できない等の問題が生じる。
【０００３】
一方、上記と類似の半導体パッケージを製造する別の方法として、仮の支持基板上に金属層を形成し、回路形成、チップ搭載、ワイヤボンド、樹脂封止後、仮の支持基板を剥がす方式が考案されている。しかし、この方法を用いた場合、回路形成時に処理液が金属層と支持基板の間に回りこむのを防ぐために金属層と支持基板間で十分な密着力を保持し、なおかつ、配線回路から支持基板を剥離する際に、糊残りなく容易に剥離可能とする必要があるが、これらを両立させることは難しい（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１２７７３号公報
【特許文献２】特許第３５４３８００号公報
【特許文献３】特開平１１−１２１６４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記を鑑みて、本発明は、配線回路を容易に形成することができ、なおかつ回路形成時には回路となる金属層と後に除去される層との間の密着性を十分に保持し、樹脂封止後には該封止樹脂と配線回路から容易に不要となる層を引き剥がして除去することができる、半導体装置を高い作業性と生産性で製造することが可能な半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち、本発明は、下記（１）〜（１７）をその特徴とするものである。
【０００６】
（１）第１の金属層と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａからなり、該樹脂層Ａと前記第２の金属層とが接するように積層された半導体用フィルム、を備える半導体用フィルム付複合金属層。
【０００７】
（２）前記第１の金属層の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下である上記（１）記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【０００８】
（３）前記第１の金属層または前記第２の金属層の材質が、銅または銅合金である上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【０００９】
（４）前記第１の金属層と前記第２の金属層との２５℃における９０度ピール強度が、０．１Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１０】
（５）前記複合金属層が、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の間に剥離層をさらに有する上記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１１】
（６）前記剥離層の材質が、金属または金属酸化物である上記（５）に記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１２】
（７）前記第２の金属層と、前記樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が、５Ｎ／ｍ以上である上記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１３】
（８）前記樹脂層Ａのガラス転移温度が、１００〜３００℃である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１４】
（９）前記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度が、３００℃以上である上記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層
（１０）前記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率が、０．１ＭＰａ以上である上記（１）〜（９）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１５】
（１１）前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有する上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層。
【００１６】
（１２）上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層に積層されている半導体用フィルム。
【００１７】
（１３）上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層における複合金属層をエッチングして配線回路を形成してなる配線回路付フィルム。
【００１８】
（１４）上記（１３）に記載の配線回路付フィルム、前記配線回路付フィルムに形成された配線回路の所定位置に接着された半導体素子、前記半導体素子と前記配線回路とを接続するワイヤ、ならびに前記配線回路、前記半導体素子および前記ワイヤを封止する封止材、を備える半導体用フィルム付半導体装置。
【００１９】
（１５）前記封止材と前記樹脂層Ａとの０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が、１０００Ｎ／ｍ以下である上記（１４）に記載の半導体用フィルム付半導体装置。
【００２０】
（１６）上記（１４）または（１５）に記載の半導体用フィルム付き半導体装置から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【００２１】
（１７）上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体用フィルム付複合金属層における複合金属層をエッチングして配線回路を形成する工程、前記配線回路のダイパッドに半導体素子を接着する工程、前記配線回路と前記半導体素子とをワイヤにより接続する工程、前記配線回路、前記半導体素子および前記ワイヤを封止材により封止する工程、および第１の金属層からなる配線回路および封止材から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離する工程、を有する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、配線回路を容易に形成することができ、なおかつ回路形成時には回路となる金属層と後に除去される層との間の密着性を十分に保持し、回路を樹脂封止した後には該封止樹脂と配線回路から容易に不要となる層を引き剥がして除去することができる、半導体装置を高い作業性と生産性で製造することが可能な半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【００２３】
また、本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化の点で優れており、例えば、携帯電話等の情報機器への使用に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム、半導体用フィルム付半導体装置及び半導体装置、並びに半導体装置の製造方法の実施の形態について詳しく説明する。
【００２５】
本発明の半導体用フィルム付複合金属層は、第１の金属層と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａからなり、該樹脂層Ａと第２の金属層とが接するように積層された半導体用フィルム、を備えることをその特徴とするものである。このような半導体用フィルム付複合金属層を用いることで、配線回路を容易に形成することができ、なおかつ回路形成時には、回路となる金属層、すなわち第１の金属層と、後に除去される層、すなわち第２の金属層および半導体用フィルムからなる層との間の密着性を十分に保持し、回路を樹脂封止した後には、配線回路および封止樹脂から不要となる層、すなわち第２の金属層および半導体用フィルムからなる層を簡便に引き剥がして除去することが可能となる。また、当該剥離除去は、第１の金属層（回路）と第２の金属層との界面で行われるため、糊残りなくきれいに剥離することができる。
【００２６】
本発明の半導体用フィルム付複合金属層においては、上記第２の金属層の厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下であることが重要である。第２の金属層の厚さが３μｍを超える場合、配線回路から半導体用フィルムを剥離する際に、第２の金属層が封止材に埋もれて剥離しにくく、第１の金属層が第２の金属層とともに封止材から剥がれてしまったり、半導体用フィルムが破れてしまったりし易い。同様の理由で、第２の金属層の厚さは２μｍ以下であることがさらに好ましく、１μｍ以下であることが特に好ましい。また、第２の金属層の厚さが０．０１μｍを下回る場合、第２の金属層にピンホールが生じ易い。同様の理由で、第２の金属層の厚さは０．１μｍ以上であることがより好ましい。
【００２７】
また、上記複合金属層の第１の金属層の厚さは、特に制限はないが、１〜１００μｍが好ましく、１０〜５０μｍがさらに好ましく、２５〜５０μｍが特に好ましい。第１の金属層の厚さが１００μｍより厚いと回路形成に時間がかかり、また配線回路付フィルムの屈曲性が乏しくなり、リールツーリール方式で製造する場合、搬送工程等に不都合が生じ易くなる。さらに、半導体パッケージの厚さを薄くできなくなる。一方、第１の金属層の厚さが１μｍより薄いと当該第１の金属層にピンホールが生じやすい。
【００２８】
また、第１の金属層からなる配線回路から半導体用フィルムおよび第２の金属層を剥離する際に剥離しやすいように、第１の金属層と第２の金属層との間の２５℃における９０度ピール強度は、１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５０Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましく、２０Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。さらに、回路形成時に処理液が第１の金属層と第２の金属層の間に回りこむのを防ぐために、第１の金属層と第２の金属層との間の２５℃における９０度ピール強度は、０．１Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、１Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。なお、本発明において、９０度ピール強度の測定は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じることとし、具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで除去層を引きはがす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定するものとする。
【００２９】
また、第１の金属層及び第２の金属層の材質は、特に限定されないが、配線回路を形成しやすいように銅または銅合金であることが好ましい。
【００３０】
また、第２の金属層と、樹脂層Ａ（半導体用フィルム）との２５℃における９０度ピール強度は、５Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。第２の金属層と樹脂層Ａとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、回路形成時に処理液が前記第２の金属層と樹脂層Ａの間に回りこみ易く、また配線回路付フィルムの搬送工程で、半導体用フィルムが配線回路から剥がれやすく、また封止工程時に、配線回路と樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題が生じうる。同様の理由で当該９０度ピール強度は１０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、５０Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。また、この９０度ピール強度は、２０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。なお、このピール強度を測定するために樹脂層Ａと第２の金属層とを接着する条件としては、特に制限はないが、後述する本発明の半導体装置の製造方法における接着条件で行うことが好ましい。例えば、金属層として、銅板を用い、（１）温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２００℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの接着条件で接着する。
【００３１】
また、第２の金属層は、樹脂層Ａとの接着力を向上させるために、その表面が処理されていてもよい。表面処理方法として、特に制限はないが、例えば、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、粗化処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００３２】
また、上記複合金属層は、第１の金属層と、第２の金属層と、当該第１の金属層及び当該第２の金属層の中間に位置する剥離層の少なくとも三層からなることが好ましい。当該第１の金属層及び当該第２の金属層の中間に剥離層が位置することにより、配線回路から半導体用フィルムおよび第２の金属層を剥離する際に、当該第１の金属層及び当該第２の金属層の間で糊残りなく容易に剥離しやすい。当該第１の金属層及び当該第２の金属層の間で容易に剥離できるように、剥離層の厚さは、１０００オングストローム以下が好ましく、１００オングストローム以下が特に好ましい。さらに、当該第１の金属層及び当該第２の金属層の中間にムラなく設けられるように剥離層の厚さは、０．１オングストローム以上が好ましく、１オングストローム以上が特に好ましい。
【００３３】
また、剥離層の材質は、特に限定されず、例えば、金属、金属酸化物、有機物、無機物等を用いることができる。金属の種類は特に限定されないが例えばＮｉ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｏ合金等を用いることができる。また、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等の酸化物を用いることもできる。また、チアジアゾール、ベンゾトリアゾール、メルカプトベンズイミダゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリアリルアミン等の有機物を用いることもできる。耐熱性や剥離しやすさの点で、剥離層の材質は、金属または金属酸化物であることが特に好ましい。
【００３４】
上記半導体用フィルムは、図１に示すように、樹脂層Ａ５単層からなるものであってもよいし、図２に示すように支持フィルム４上に樹脂層Ａ５が形成されたものであってもよいが、作業性等の観点から、支持フィルムを有するものが好ましい。支持フィルムと樹脂層Ａを備える半導体用フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、樹脂層Ａ５が支持フィルム４の片面又は両面に形成されているもの、及び、支持フィルム４の片面に樹脂層Ａ５が形成され、反対面に他の樹脂層が形成されたもの等が挙げられる。
【００３５】
支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、例えば、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより得ることができる。また、上記樹脂（ａ）を含む樹脂フィルムを支持フィルムに加熱加圧して積層してもよい。好ましくは、加熱処理等によって耐熱性樹脂（ａ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ａ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した耐熱性樹脂前駆体ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理することで半導体用フィルムを得る。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を耐熱性樹脂（ａ）とする（例えば、イミド化）。
【００３６】
上記において、ワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂ワニスであるか耐熱性樹脂前駆体ワニスであるかで異なる。樹脂ワニスの場合には、溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ａのガラス転移温度以上の処理温度とすることが好ましい。
【００３７】
上記において、支持フィルムに塗布されるワニスの塗工方法としては、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を挙げることができる。また、ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。
【００３８】
上記樹脂層Ａのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために、１００〜３００℃であることが好ましく、１５０〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度が１００℃未満の場合、配線回路および封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じたり、樹脂層Ａが凝集破壊しやすい傾向がある。また、封止材に樹脂層Ａの樹脂が残留しやすく、また、ワイヤボンド工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい傾向がある。さらには、封止工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、配線回路と樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの不具合が起きやすい傾向がある。また、ガラス転移温度が３００℃を超える場合、接着時に樹脂層Ａが十分軟化せず、第２の金属層との２５℃における９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。なお、樹脂層のガラス転移温度は、樹脂層Ａの単層フィルムを熱機械的分析装置（例えば、セイコー電子工業製、ＴＭＡ−１２０）により、昇温速度１０℃／分、荷重１０ｇの引っ張りモードで測定される。
【００３９】
また、上記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度は、３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であることがさらに好ましい。この温度が３００℃未満の場合、第２の金属層に半導体フィルムを接着する際の熱やワイヤボンド工程での熱でアウトガスが生じ、配線回路やワイヤが汚染されやすい傾向にある。なお、樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度は、示差熱天秤（例えば、セイコー電子工業製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分で測定して求めることができる。
【００４０】
また、上記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率は、０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．５ＭＰａ以上であることがより好ましい。１５０℃における弾性率が０．１ＭＰａ未満の場合、一般的に１５０〜２５０℃程度で行われるワイヤボンド工程における熱より樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい。樹脂層Ａの１５０℃における弾性率の好ましい上限は、２０００ＭＰａであり、より好ましくは１５００ＭＰａであり、さらに好ましくは１０００ＭＰａである。樹脂層Ａの１５０℃における弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ  ＲＨＥＯＳＰＥＣＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定することができる。
【００４１】
また、樹脂層Ａの２０〜２００℃における線熱膨張係数は、３．０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらに好ましい。また、組立工程中の配線回路付フィルムの反りを低減するために、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがさらに好ましく、０．０５％以下であることが特に好ましい。
【００４２】
また、樹脂層Ａは、第２の金属層や支持フィルムに対する密着性を十分高めるために、その表面が処理されていることが好ましい。表面処理方法としては、特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００４３】
また、上記樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）は、特に限定されないが、回路形成時の溶剤に侵食されにくく、なおかつ半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂であることが好ましく、例えば、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレート、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルスルホン、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。中でも、ポリイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性の点から好ましい。
【００４４】
芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドは、いずれも塩基成分である芳香族ジアミンやビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくはこれらの芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条件等についても特に制限はない。
【００４５】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン；４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω−ジアミノアルカンが好適に用いられる。塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを４０〜１００モル％、好ましくは５０〜９７モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及びα，ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種を０〜６０モル％、好ましくは３〜５０モル％の量で用いることが望ましい。好ましい塩基成分の具体例としては、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミン６０〜８９モル％、好ましくは６８〜８２モル％、シロキサンジアミン１〜１０モル％、好ましくは３〜７モル％、及びα，ω−ジアミノアルカン１０〜３０モル％、好ましくは１５〜２５モル％からなる塩基成分、（２）エーテル基を有する芳香族ジアミン９０〜９９モル％、好ましくは９３〜９７モル％、及びシロキサンジアミン１〜１０モル％、好ましくは３〜７モル％からなる塩基成分、（３）エーテル基を有する芳香族ジアミン４０〜７０モル％、好ましくは４５〜６０モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン３０〜６０モル％、好ましくは４０〜５５モル％からなる塩基成分が挙げられる。
【００４６】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。
【００４７】
中でも、上記塩基成分（１）又は（２）１モル当たり、上記酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド、及び、上記塩基成分（３）１モル当たり、上記酸成分（Ｂ）０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドが好適に用いられる。
【００４８】
また、上記樹脂層Ａには、樹脂（ａ）の他に、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤が含まれていてもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量部がより好ましい。カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を有するシランカップリング剤等が挙げられ、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官能基である。樹脂層Ａにシランカップリング剤を添加することで、樹脂層Ａの支持フィルムに対する密着性を向上させ、１００〜３００℃の温度で引き剥がした際に、樹脂層と支持フィルムの界面で剥離が生じ難くなる。カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、１〜１５重量部が好ましく、２〜１０重量部がより好ましい。
【００４９】
上記半導体用フィルムに用いうる支持フィルムとしては、特に制限はないが、樹脂ワニスの塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましく、例えば、ポリイミドフィルム、芳香族ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、芳香族ポリアミドイミドフィルム、芳香族ポリスルホンフィルム、芳香族ポリエーテルスルホンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルム、芳香族ポリエーテルケトンフィルム、ポリアリレートフィルム、芳香族ポリエーテルエーテルケトンフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルムよりなる群から選ばれることが好ましい。また。支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。このような耐熱性樹脂フィルムを支持フィルムとして用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
【００５０】
また、上記支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、１００〜３００℃の温度で配線回路及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じやすく、配線回路及び封止材に樹脂が残留しやすくなる。したがって、支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いポリイミドフィルムであることが特に好ましい。ポリイミドフィルムの種類は特に限定されないが、半導体用フィルムの樹脂層Ａを第２の金属層に貼り付けた後の複合金属層の反りを低減するために、２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下のものであることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下のものであることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下のものであることがさらに好ましい。また、同様の理由で、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下のものであることが好ましく、０．１％以下のものであることがさらに好ましく、０．０５％以下のものであることが特に好ましい。
【００５１】
また、上記支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面が処理されていることが好ましい。表面処理方法としては、特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００５２】
また、支持フィルムの厚さは、特に制限はないが、半導体用フィルムを複合金属層に貼り付けた後の複合金属層の反りを低減するために、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下であることがさらに好ましい。なお支持フィルムの厚さの下限は、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。
【００５３】
また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケル等の金属から選ぶこともできる。支持フィルムを金属とすることにより、複合金属層と支持フィルムの線膨張係数を近づけることができ、半導体用フィルムを複合金属層に貼り付けた後の配線回路付フィルムの反りを低減することができる。
【００５４】
上記少なくとも樹脂層Ａからなる半導体用フィルムの厚さは、特に制限はないが、組立工程中の配線回路付フィルムの反りを低減するため、また、剥離時の剥離角度を大きく取るほど剥離が容易になるため、２００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましく、２５μｍ以下であることが特に好ましい。一方、半導体用フィルムの厚さの下限は、１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。なお、半導体用フィルムが樹脂層Ａのみからなる場合には、樹脂層Ａの厚さを１〜２０μｍとすることが好ましく、３〜１５μｍとすることがより好ましく、４〜１０μｍとすることがさらに好ましい。
【００５５】
また、半導体用フィルムは、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａを設けた場合、特に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設けた場合、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることがさらに好ましい。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少により半導体用フィルムがカールしやすく、複合金属層に接着する際の作業性や生産性が低下しやすい傾向がある。また、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けた場合、または支持フィルムの一方面に樹脂層Ａ、他方面に他の樹脂層を設けた場合には、両面に形成された樹脂層の厚みの比（樹脂層Ａ：他の樹脂層）を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。
【００５６】
また、半導体フィルムの、溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因するカールを相殺するためには、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けた半導体フィルムを用いることが好ましく、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けることも好ましい。特に、支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。
【００５７】
上記接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上がより好ましく、１０００ＭＰａ以上がさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付きやすい傾向がある。この弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【００５８】
上記接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。ここでの９０度ピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。
【００５９】
上記２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などで軟化しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましく、２５０℃以上であることがさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００６０】
上記樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（ｂ）としては、特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂としては、特に制限はないが、前記した樹脂（ａ）と同様の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、前述の塩基成分（３）１モルと前述の酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミドであることが好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）などが好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せて用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せる場合には、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０〜７０重量部とすることがより好ましい。
【００６１】
さらに、上記樹脂層Ｂには、上記の樹脂（ｂ）の他に、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤が含まれていることが好ましい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜２０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。
【００６２】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを支持フィルム上に形成する方法としては、特に制限はなく、前述の樹脂層Ａを支持フィルム上に形成する方法と同様でよい。なお、樹脂層Ｂを形成する樹脂として熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組合せを用いる場合は、ワニス塗工後の加熱処理によって熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層Ｂの弾性率を１０ＭＰａ以上にすることができる。
【００６３】
本発明の半導体用フィルム付き複合金属層は、特に限定されないが、例えば、複合金属層の第２の金属層と、半導体用フィルムの樹脂層Ａとを貼り合せることで得ることができる。また、複合金属層の第２の金属層上に、前述した、樹脂（ａ）を含む樹脂ワニスもしくは前駆体ワニスを塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより得ることもできる。さらに、半導体用フィルムの樹脂層Ａ上に、蒸着やスパッタや電解メッキ法等の公知の方法により第２の金属層、第１の金属層を形成して複合金属層を積層して得ることもでき、この場合には、樹脂層Ａ上にあらかじめ化学的な無電解メッキ、真空蒸着、スパッタリングなどの方法で導体層（シード層）を形成しておき、その後電解メッキにより複合金属層を積層することが好ましい。製造のし易さの観点からは、複合金属層の第２の金属層と、半導体用フィルムの樹脂層Ａとを貼り合わせる製法が好ましい。
【００６４】
本発明の配線回路付フィルムは、図３に示すように、本発明の半導体用フィルム付複合金属層に積層される半導体用フィルム（樹脂層Ａ）上に配線回路が形成されたものである。半導体用フィルム上に配線回路を形成する方法としては、特に制限はないが、例えば、本発明の半導体用フィルム付複合金属層の第１の金属層上に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像した後、複合金属層を溶解する薬品（例えば、銅に対しては塩化第二鉄等）を用いてエッチングすることによってインナーリード及びダイパッド等を有しうる配線回路を形成することができる。また、上記半導体用フィルム上に金属を蒸着、スパッタ等で直接回路形成しても良いし、全面に金属を蒸着、スパッタ等で形成した後、エッチング等の方法で回路を形成しても良い。また、あらかじめ形成された回路を上記半導体用フィルム上に転写、貼り付けして回路形成してもよい。また、配線回路を形成した後には、該回路上に金、銀、パラジウム等のメッキを行ってもよい。
【００６５】
本発明の半導体用フィルム付半導体装置は、図４に示すように、上記本発明の配線回路付フィルム、配線回路付フィルムの半導体用フィルム上に形成された配線回路面に接着された半導体素子、半導体素子と配線回路とを接続するワイヤ、ならびに半導体用フィルム上に形成された配線回路、前記半導体素子および前記ワイヤを封止している封止材、を備えることをその特徴とするものである。また、樹脂層Ａと封止材との０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、８００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、５００Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。この９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、配線回路や封止材に応力が加わり、破損する恐れがある。なお、測定温度が高くなるにつれ、通常、上記の９０度ピール強度は低下する。この９０度ピール強度は、０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることがより好ましい。
【００６６】
上記封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における樹脂層Ａと封止材との９０度ピール強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法を準じて、０〜２５０℃のオーブン中で、半導体用フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度をテンシロンＲＴＭ−１００（オリエンテック製）で測定する。また、上記９０度ピール強度を測定するための封止材による封止条件としては、特に制限はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法における封止条件において封止することが好ましい。例えば、封止材としてＣＥＬ−９２００（商品名、日立化成工業株式会社製ビフェニル封止材）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させることが好ましい。
【００６７】
上記半導体素子を配線回路面のダイパッドに接着するために用いる接着剤としては、特に制限はなく、例えば、銀ペースト等のペースト状の接着剤や公知の接着テープ等を用いることができる。半導体素子をダイパッドに接着した後は、通常、接着剤を１４０〜２００℃で３０分〜２時間加熱することにより硬化させる。
【００６８】
上記ワイヤボンディングに用いるワイヤの材質としては、特に制限はないが、金線などが挙げられる。ワイヤボンディング工程では、例えば、１５０〜２７０℃で３〜３０分加熱してワイヤを半導体素子及びインナーリードに接合する。
【００６９】
上記封止材の材質としては、特に制限はないが、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ、ナフトールノボラックエポキシ樹脂などのエポキシ樹脂等、公知の封止材を用いることができる。また、封止材には、フィラーやブロム化合物等の難燃性物質等の添加材が添加されていてもよい。封止材による封止条件は、特に制限はないが、通常、１５０〜２００℃、圧力１０〜１５ＭＰａで、２〜５分の加熱を行うことにより行われる。また、封止は、半導体素子一つずつ別々の個片封止でも、多数の半導体素子を同時に封止する一括封止のどちらでもよい。
【００７０】
また、封止工程を行う前に本発明の半導体用フィルム付き複合金属層または配線回路付フィルムを加熱処理することで、樹脂層Ａと第２の金属層との接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａと第２の金属層との接着強度を向上させるためには１００℃以上で加熱することが好ましい。また、配線回路や半導体用フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下で加熱することが好ましい。同様の理由で、１３０℃以上２７０℃以下に加熱することがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａと第２の金属層との接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。同様の理由で加熱時間は１分以上２時間以下がより好ましい。
【００７１】
上記の加熱工程は、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。また、ワイヤボンド工程では、通常、１５０℃〜２７０℃程度で３分〜３０分程度の加熱が行われる。従って、上記加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
【００７２】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体用フィルム付半導体装置から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離して得られることをその特徴とするものである。本発明の半導体装置の構造は、特に限定されないが、例えば、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードを外部接続用に用いる構造のパッケージ（Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ  Ｔｙｐｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等が挙げられる。
【００７３】
また、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離した際、第１の金属層からなる配線回路及び封止材に樹脂層Ａが残留しないことが好ましい。この残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、配線回路を外部接続用に用いる際、接触不良の原因になりやすい。従って、配線回路及び封止材に樹脂層Ａが残留した場合には、これを機械的ブラッシングや溶剤等により除去することが好ましい。このとき用いる溶剤としては、特に制限はないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等が好ましい。
【００７４】
第１の金属層からなる配線回路を除く金属層および半導体用フィルムを引き剥がして剥離する際の温度は、特に限定されないが、０〜２５０℃の間が好ましい。この温度が０℃未満の場合、配線回路及び封止材に樹脂が残りやすく、この温度が２５０℃を超えると、配線回路や封止材が劣化する傾向がある。また、この剥離工程は、前述の封止材を硬化させる工程の前後のどちらで行ってもよいが、硬化させる工程の前であることが好ましい。
【００７５】
本発明の半導体装置は、より具体的には、下記の工程を有する製造方法により得ることができる。即ち、（１）第１の金属層と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層の少なくとも二層からなる複合金属層の第２の金属層に、少なくとも樹脂層Ａからなる半導体用フィルムを積層する工程（本発明の半導体用フィルム付き複合金属層）、（２）半導体用フィルムに積層された複合金属層をエッチングして配線回路を形成する工程（本発明の配線回路付きフィルム）、（３）配線回路のダイパッドに接着剤を用いて半導体素子を接着する工程、（４）配線回路のインナーリードと半導体素子とをワイヤにより電気的に接続する工程、（５）配線回路、半導体素子およびワイヤを封止材により封止する工程（本発明の半導体用フィルム付半導体装置）、（６）第１の金属層からなる配線回路および封止材から、第２の金属層および半導体用フィルムを剥離する工程、により製造することが好ましい。
【００７６】
また、本発明の半導体装置において、配線回路が各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合、必要に応じ、封止した配線回路を分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得ることができる。この分割工程は、上記封止工程後又は半導体用フィルム等を剥離する工程の後のいずれにおいて行ってもよい。
【００７７】
本発明の半導体装置の製造方法に使用することのできる複合金属層、及び、半導体用フィルムを複合金属層に接着する際の接着条件、回路形成方法等は、先に記載した内容と同様である。また、本発明の半導体装置の製造方法においては、本発明の半導体用フィルム付複合金属層または配線回路付フィルムが入手できる場合はその段階から始めてもよい。
【実施例】
【００７８】
次に実施例により本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
【００７９】
＜樹脂層ＡまたはＢを形成するための樹脂ワニスの製造＞
（製造例１）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、メタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを得た。
【００８０】
（製造例２）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２６３．１ｇ（０．９０モル）、を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、無水トリメリット酸クロライド１８９．５ｇ（０．９０モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、メタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３．６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを得た。
【００８１】
（製造例３）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、メタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇにシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを得た。
【００８２】
（製造例４）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１０２．５ｇ（０．２５モル）、４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）９１．５ｇ（０．２５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９００ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物２８２．２ｇ（０．４９モル）を添加した。その後、室温（２５℃）で２０分間、６０℃で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離した。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、メタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルイミド粉末を得た。得られたポリエーテルイミド粉末１２０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルイミド樹脂ワニスを得た。
【００８３】
＜半導体用フィルム、半導体用フィルム付複合金属層、配線回路付フィルム、半導体用フィルム付半導体装置および半導体装置の製造とその評価＞
（実施例１）
表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ、厚さ５０μｍ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａがついた半導体用フィルムを得た。なお、樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５重量％減少温度が４１０℃、１５０℃における弾性率が１８００ＭＰａのものであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）は０．５であった。
【００８４】
次に、上記で得た半導体用フィルムに、日本電解製の複合金属層（銅からなる第１の金属層：１８μｍ、銅からなる第２の金属層：１μｍ、及び剥離層の三層からなる。商品名ＹＳＮＡＰ）を、複合金属層の第２の金属層と半導体用フィルムの樹脂層Ａが接するように、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着し、図２の構造の半導体用フィルム付複合金属層を得た。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【００８５】
次に、上記で得た半導体用フィルム付複合金属層の第１の金属層上に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像し、塩化第二鉄溶液を用いて複合金属層をエッチングすることによってインナーリード及びダイパッド等を有する図３の構造の配線回路付フィルムを得た。
【００８６】
ついで、上記で得た配線回路のダイパッド部に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程及び封止工程を行うことで図４に示す構造の半導体フィルム付き半導体装置を製造したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。また、ワイヤボンド工程は、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。また、封止工程は、封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２２０）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行った。
【００８７】
ついで、上記で得た半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルム及び樹脂層Ａ）を剥離して、図５の半導体装置（半導体パッケージ）を得た。この剥離の際、９０度ピール強度は１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００８８】
次に、上記で得た半導体装置を１８０℃、５時間加熱し、封止材を硬化させた後、ダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体装置（図６）を製造したが、工程中、問題は生じなかった。
【００８９】
（実施例２）
支持フィルムとして、表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、ユーピレックスＳＧＡ、厚さ２５μｍ）を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。なお、樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５重量％減少温度が４１０℃、１５０℃における弾性率が１８００ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例３で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。なお、樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５％重量減少温度は４２１℃、２３０℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ形成された半導体用フィルムを得た。
【００９０】
次に、上記で得た半導体用フィルムに、日本電解製の複合金属層（銅からなる第１の金属層：１８μｍ、銅からなる第２の金属層：１μｍ、及び剥離層の三層からなる。商品名ＹＳＮＡＰ）を、複合金属層の第２の金属層と半導体用フィルムの樹脂層Ａが接するように、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着し、半導体用フィルム付複合金属層を得た。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、４０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【００９１】
さらに、上記で得た半導体用フィルム付複合金属層を用い、実施例１と同様にして、配線回路付フィルム、半導体フィルム付き半導体装置、半導体装置を製造したが、各工程において問題は生じなかった。なお、半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルム、樹脂層Ａおよび樹脂層Ｂ）を剥離した際の９０度ピール強度は、１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００９２】
（実施例３）
支持フィルムとして、ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：ＴＥＯＮＥＸ、厚さ５０μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用フィルム、半導体用フィルム付複合金属層、配線回路付フィルム、半導体フィルム付き半導体装置、半導体装置を製造したが、各工程において問題は生じなかった。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、４０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルムおよび樹脂層Ａ）を剥離した際の９０度ピール強度は、１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００９３】
（実施例４）
樹脂層Ａの形成に製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用フィルム、半導体用フィルム付複合金属層、配線回路付フィルム、半導体フィルム付き半導体装置、半導体装置を製造したが、各工程において問題は生じなかった。なお、樹脂層Ａのガラス転移温度は１９０℃、５％重量減少温度は４１５℃、１５０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。また、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、２００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルムおよび樹脂層Ａ）を剥離した際の９０度ピール強度は、１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００９４】
（実施例５）
支持フィルムとして、表面にサンドマット処理を施したポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、厚さ２５μｍ、２０〜２００℃における線熱膨張係数が１．５×１０−６／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．０２％）を用い、樹脂層Ａの厚さを４μｍとした以外は、実施例１と同様にして半導体用フィルム、半導体用フィルム付複合金属層、配線回路付フィルム、半導体フィルム付き半導体装置、半導体装置を製造したが、各工程において問題は生じなかった。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、３０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルムおよび樹脂層Ａ）を剥離した際の９０度ピール強度は、１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００９５】
（実施例６）
樹脂層Ａの形成に製造例４で製造した芳香族ポリエーテルイミド樹脂ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用フィルム、半導体用フィルム付複合金属層、配線回路付フィルム、半導体フィルム付き半導体装置、半導体装置を製造したが、各工程において問題は生じなかった。なお、樹脂層Ａのガラス転移温度は２４０℃、５％重量減少温度は４１０℃、１５０℃における弾性率は２０００ＭＰａであった。また、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、３０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。さらに、半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルムおよび樹脂層Ａ）を剥離した際の９０度ピール強度は、１５Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことができ、第１の金属層からなる配線回路及び配線回路間の封止材に残留物はほとんどなかった。
【００９６】
（比較例１）
表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ、厚さ５０μｍ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａがついた半導体用フィルムを得た。なお、樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５重量％減少温度が４１０℃、１５０℃における弾性率が１８００ＭＰａのものであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）は０．５であった。
【００９７】
次に、上記で得た半導体用フィルムの樹脂層Ａに、日本電解製の単層銅箔（厚さ１８μｍ）を温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着し、半導体用フィルム付単層銅箔を得た。なお、２５℃における樹脂層Ａと単層銅箔との９０度ピール強度を測定したところ、３００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【００９８】
次に、上記で得た半導体用フィルム付単層銅箔上に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像し、塩化第二鉄溶液を用いて単層銅箔をエッチングすることによってインナーリード及びダイパッド等を有する配線回路付フィルムを得た。
【００９９】
ついで、上記で得た配線回路のダイパッド部に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程及び封止工程を行うことで半導体フィルム付き半導体装置を製造したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。また、ワイヤボンド工程は、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。また、封止工程は、封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２２０）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行った。
【０１００】
ついで、上記で得た半導体フィルム付き半導体装置の、単層銅箔からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、半導体用フィルム（支持フィルム及び樹脂層Ａ）を剥離しようとしたが、単層銅箔からなる配線回路と樹脂層Ａの接着力が高く剥がすことができなかった。
【０１０１】
（比較例２）
表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ、厚さ５０μｍ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａがついた半導体用フィルムを得た。なお、樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５重量％減少温度が４１０℃、１５０℃における弾性率が１８００ＭＰａのものであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）は０．５であった。
【０１０２】
次に、上記で得た半導体用フィルムの樹脂層Ａに、日本電解製の複合金属層（銅からなる第１の金属層：３５μｍ、銅からなる第２の金属層：７μｍ、及び剥離層の三層からなる。商品名ＹＳＮＡＰ）を温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着し、図２の構造の半導体フィルム付複合金属層を得た。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１０３】
次に、上記で得た半導体用フィルム付複合金属層の第１の金属層上に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像し、塩化第二鉄溶液を用いて複合金属層をエッチングすることによってインナーリード及びダイパッド等を有する図３の構造の配線回路付フィルムを得た。
【０１０４】
ついで、上記で得た配線回路のダイパッド部に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程及び封止工程を行うことで図４に示す構造の半導体フィルム付き半導体装置を製造したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。また、ワイヤボンド工程は、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。また、封止工程は、封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２２０）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行った。
【０１０５】
上記で得た半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルム及び樹脂層Ａ）を剥離して、図５の半導体装置（半導体パッケージ）を得た。この際、第２の金属層が剥がしにくく、半導体用フィルムの樹脂層Ａがちぎれてしまったり、第１の金属層からなる配線回路が封止材から剥がれてしまったりした。
【０１０６】
（比較例３）
表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ、厚さ５０μｍ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａがついた半導体用フィルムを得た。なお、樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５重量％減少温度が４１０℃、１５０℃における弾性率が１８００ＭＰａのものであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）は０．５であった。
【０１０７】
次に、上記で得た半導体用フィルムの樹脂層Ａに、日本電解製の複合金属層（銅からなる第１の金属層：３５μｍ、銅からなる第２の金属層：５μｍ、及び剥離層の三層からなる。商品名ＹＳＮＡＰ）を温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で接着し、図２の構造の半導体フィルム付複合金属層を得た。なお、２５℃における樹脂層Ａと第２の金属層との９０度ピール強度を測定したところ、５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１０８】
次に、上記で得た半導体用フィルム付複合金属層の第１の金属層上に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像し、塩化第二鉄溶液を用いて複合金属層をエッチングすることによってインナーリード及びダイパッド等を有する図３の構造の配線回路付フィルムを得た。
【０１０９】
ついで、上記で得た配線回路のダイパッド部に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程及び封止工程を行うことで図４に示す構造の半導体フィルム付き半導体装置を製造したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。また、ワイヤボンド工程は、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。また、封止工程は、封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２２０）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行った。
【０１１０】
上記で得た半導体フィルム付き半導体装置の、第１の金属層からなる配線回路及び封止材から、室温（２５℃）で、第２の金属層、剥離層および半導体用フィルム（支持フィルム及び樹脂層Ａ）を剥離して、図５の半導体装置（半導体パッケージ）を得た。この際、第２の金属層が剥がしにくく、半導体用フィルムの樹脂層Ａがちぎれてしまったり、第１の金属層からなる配線回路が封止材から剥がれてしまったりした。
【０１１１】
以上、実施例１〜６及び比較例１〜３の結果より、第１の金属層と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａからなり、該樹脂層Ａと前記第２の金属層とが接するように積層される半導体用フィルム、を備える半導体用フィルム付複合金属層を用いることにより、半導体装置を高い作業性と生産性で製造できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の半導体用フィルム付複合金属層の一態様の断面図である。
【図２】本発明の半導体用フィルム付複合金属層の一態様の断面図である。
【図３】本発明の配線回路付フィルムの一態様の断面図である。
【図４】本発明の半導体用フィルム付半導体装置の一態様の断面図である。
【図５】図４における第２の金属層２、剥離層３、半導体用フィルム４、５を剥離して得られる本発明の半導体装置を示す断面図である。
【図６】図５に示す半導体装置を分割して得られる本発明の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１：第１の金属層（配線回路）
２：第２の金属層
３：剥離層
４：支持フィルム
５：樹脂層Ａ
６：ワイヤ
７：封止材
８：半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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