(57)【要約】【課題】  配線パターン層の配線密度の差に起因する応力負荷が低減された、高い信頼性を有する回路基板およびそれを用いた回路装置を提供する。【解決手段】  本発明の回路装置５０は、回路基板１０内部に、コア部材として開口部２を有する金属基板１が設けられ、その開口部２の下面側の端には突起１ａを有し、開口部２の上面側の端にはへたり１ｂを有している。この金属基板１の両面側に絶縁層３，５を介してそれぞれ配線パターン層４，６が形成されており、各配線パターン層を電気的に接続させるため、開口部２を介して金属基板１を貫通し、配線パターン層４と配線パターン層６とを接続する導体層８が形成され、各配線パターン層との導通が得られる。さらに、回路基板１０の上面側に、半導体チップ２０が半田ボール２１を介して直接接続されている。【選択図】図１
2007066942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた開口部と、
前記基板の一方の面に第１の絶縁層を介して設けられた第１の配線層と、
前記基板の他方の面に第２の絶縁層を介して設けられ、前記第１の配線層よりも配線密度の小さい第２の配線層と、
前記開口部を介して前記基板を貫通し、前記第１の配線層と第２の配線層とを接続する導体層と、
前記基板の他方の面側において、前記開口部の端に沿って設けられた突起と、を備えた回路基板。
【請求項２】
前記基板の一方の面側において、前記開口部の端に沿って設けられた突起をさらに備え、
前記基板の他方の面側の前記突起の数は、前記基板の一方の面側の前記突起の数よりも多いことを特徴とした請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路基板と、
前記回路基板に搭載された回路素子と、
を備えることを特徴とした回路装置。
【請求項４】
前記回路素子は、前記突起とは反対側の、前記第１の配線層の上に設けられていることを特徴とした請求項３に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板およびそれを用いた回路装置に関し、特に、金属を主体とする基板をコア部に備えた回路基板およびそれを用いた回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、及びＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化および高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。
【０００３】
こうしたパッケージの例としてＢＧＡ（Ball Grid Array）が知られている。ＢＧＡは、パッケージ用基板の上に半導体チップを実装し、それを樹脂モールディングした後、反対側の面に外部端子として半田ボールをエリア状に形成したものである。ＢＧＡでは、実装エリアが面で達成されるので、パッケージを比較的容易に小型化することができる。また、回路基板側でも狭ピッチ対応とする必要がなく、高精度な実装技術も不要となるので、ＢＧＡを用いると、パッケージコストが多少高い場合でもトータルな実装コストとしては低減することが可能となる。
【０００４】
図７は、一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。ＢＧＡ１００は、ガラスエポキシ基板１０６上に、接着層１０８を介してＬＳＩチップ１０２が搭載された構造を有する。ＬＳＩチップ１０２は封止樹脂１１０によってモールドされている。ＬＳＩチップ１０２とガラスエポキシ基板１０６とは、金属線１０４により電気的に接続されている。ガラスエポキシ基板１０６の裏面には、半田ボール１１２がアレイ状に配列されている。この半田ボール１１２を介して、ＢＧＡ１００がプリント配線基板に実装される。
【０００５】
さらに近年では、電子機器などに含まれる半導体パッケージ（回路装置）は、更なる小型化、高密度化および多機能化のために、単位体積当たりの発熱密度が増加している。こうした発熱密度の増加は、回路装置性能や信頼性に悪影響を及ぼす原因となり、大きな問題となっている。このため、回路装置を構成する回路基板として、ガラスエポキシ基板１０６に代えて、高い放熱性を有する金属基板などが用いられている。
【０００６】
図８は、特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。図８を参照して、従来の回路装置２００を構成する回路基板２１０では、回路基板内部に、コア部材として金属基板２０１が用いられ、その両面側に樹脂絶縁層２０２，２０４を介して配線パターン層２０３，２０５が形成されている。そして各層を電気的に接続させるため、スルーホール２０６と呼ばれる貫通孔が板厚方向に設けられる。スルーホール内面は銅めっき等により電気伝導層２０７が形成され、各層の導通が得られる。さらに、回路基板２１０の一方の面側に、半導体チップ２２０が半田ボール２２１を介して直接接続されている。
【特許文献１】特開２００２−３３５０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的に、回路基板２１０に使用される配線材（例えば、銅）には形成過程に生じる圧縮応力（配線材が収縮する方向の応力）が備わっており、配線材がパターニング工程を経て所望の配線パターン層２０３，２０５に加工された状態においても、配線パターン層２０３，２０５には圧縮応力（応力Ａ，Ｂ）が残存している。さらに配線パターン層の配線密度が大きければそれに応じて残留する圧縮応力が大きくなるため、図８に示すように、金属基板２０１の一方の面に設けられる配線パターン層２０３の配線密度が、他方の面に設けられた配線パターン層２０５よりも高い場合には、配線パターン層２０３側に掛かる圧縮応力（応力Ａと応力Ｂの差分の圧縮応力）が、回路基板２１０に対して影響を及ぼすことになる。
【０００８】
図９は、変形した回路基板を有する回路装置の断面図である。図９に示すように、配線パターン層２０３側に掛かる圧縮応力（図８の応力Ａと応力Ｂの差分の引っ張り応力）が、回路基板２１０（特に金属基板２０１）の剛性を超える応力となった場合には、回路基板２１０は配線パターン層２０３側に収縮し反り返って変形してしまう。具体的には、配線パターン層２０３側では、配線パターン層２０３や樹脂絶縁層２０２に対して圧縮応力（材料が収縮する方向の応力）が掛かり、反対の配線パターン層２０５側では、配線パターン層２０５や樹脂絶縁層２０４に対して引張応力（材料が伸張する方向の応力）が掛かっている。この結果、配線パターン層２０３，２０５では配線材のマイグレーションが発生しやすくなるので配線信頼性の低下が懸念され、樹脂絶縁層２０２，２０４では金属基板２０１や配線パターン層との剥がれが懸念され、全体として、回路基板２１０を備える回路装置２００の信頼性が損なわれることになる。
【０００９】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線パターン層の配線密度の差に起因する応力負荷を低減し、高い信頼性を有する回路基板およびそれを用いた回路装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路基板は、基板と、基板に設けられた開口部と、基板の一方の面に第１の絶縁層を介して設けられた第１の配線層と、基板の他方の面に第２の絶縁層を介して設けられ、第１の配線層よりも配線密度の小さい第２の配線層と、開口部を介して基板を貫通し、第１の配線層と第２の配線層とを接続する導体層と、基板の他方の面側において、開口部の端に沿って設けられた突起と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
この態様によると、基板の一方の面側と他方の面側における配線層の配線密度の差に起因した圧縮応力（基板の一方の面側に掛かる圧縮応力）による回路基板の反りが、基板の一方の面側と他方の面側における絶縁層の膨張（特に横方向の膨張）の差に起因して生じる引張応力（基板の一方の面側に掛かる引張応力）によって低減されるため、配線マイグレーションの発生や樹脂絶縁層の剥がれを抑制することができるとともに、回路素子などの実装時における搬送エラーの誘発を防ぐことができるなど、回路基板の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また別の態様の回路基板では、基板の一方の面側において、開口部の端に沿って設けられた突起をさらに備え、基板の他方の面側の突起の数は、基板の一方の面側の突起の数よりも多いことを特徴とする。このようにすることにより、突起の数が多い面側において絶縁層の膨張がより抑制されるため、絶縁層の膨張に差が生じる。この結果、基板の一方の面側に引張応力が作用するので、配線密度差に起因した圧縮応力による回路基板の反りを低減することができ、回路基板の信頼性を向上させることができる。
【００１３】
さらに本発明のある態様の回路装置では、上記回路基板と、回路基板に搭載された回路素子と、を備えることを特徴とする。発熱源となる回路素子によって回路基板（回路装置）の温度が上昇するので、基板の一方の面側と他方の面側における絶縁層の膨張の差に起因して生じる引張応力が大きくなる。これにより、配線密度差に起因した圧縮応力を低減することができるので、回路基板の反りを抑制し、回路装置の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また上記構成では、回路素子は、突起とは反対側の、第１の配線層の上に設けられていることが望ましい。このようにすることで、回路素子に近い絶縁層が回路素子の発熱によってより膨張しやすくなるので、基板の一方の面側と他方の面側における絶縁層の膨張の差に起因して生じる引張応力がさらに大きくなる。これにより、配線密度差に起因した圧縮応力がさらに低減されるので、回路基板の反りがさらに抑制され、高い信頼性を有する回路装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、配線パターン層の配線密度の差に起因する応力負荷を低減することができ、高い信頼性を有する回路基板およびそれを用いた回路装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書において、「上」方向とは、金属基板に対して回路素子が存在する方向が上であると規定している。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。
【００１８】
本発明の第１実施形態の回路装置５０は、回路基板１０内部に、コア部材として開口部２を有する金属基板１が設けられ、その開口部２の下面側の端には突起１ａを有し、開口部２の上面側の端にはへたり１ｂを有している。この金属基板１の両面側には、絶縁層３，５を介してそれぞれ配線パターン層４，６が形成されている。さらに各配線パターン層を電気的に接続させるため、開口部２を介して金属基板１を貫通し、配線パターン層４と配線パターン層６とを接続する導体層８が形成され、各配線パターン層との導通が得られている。さらに、回路基板１０の上面側に、半導体チップ２０が半田ボール２１を介して直接接続されている。
【００１９】
具体的には、本発明の第１実施形態による回路装置５０では、回路基板１０内部のコア部材として、約５０μｍ〜約１ｍｍ（例えば、約１００μｍ）の厚みを有する金属基板１を用いる。例えば、この金属基板１は、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成される。なお、金属基板１は、銅単層であってもよい。
【００２０】
金属基板１には、金属基板１にレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、金属基板１を貫通する開口部２（直径約３００μｍ）が所定の箇所に形成されている。これにより、金属基板１の下面側には、開口部２の端に突起１ａ（約２５μｍ）が形成され、上面側には、開口部２の端にへたり１ｂが形成されている。なお、金属基板１の開口部２は、例えば、１００ｍｍ２あたり１０箇所以上設けることで、後述する回路基板およびそれを用いた回路装置の信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００２１】
金属基板１の上面側および下面側には、約６０μｍ〜約１６０μｍ（例えば、約７５μｍ）の厚みを有するエポキシ樹脂を主成分とする絶縁層３，５が形成されている。この際、金属基板１の開口部２は、絶縁層３，５によって完全に埋め込まれている。尚、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層３，５には、約２μｍ〜１０μｍ程度の直径を有する充填剤が添加されていてもよい。この充填剤としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）および窒化ホウ素（ＢＮ）などがある。また、充填剤の重量充填率は、約６０％〜約８０％である。
【００２２】
絶縁層３，５上には、約３５μｍの厚みを有する銅からなる配線パターン層４，６がそれぞれ形成され、導体層８（直径約１５０μｍ）によって各配線パターン層との導通を得ている。この時、下面側の配線パターン層６の配線密度は３０％程度であり、上面側の配線パターン層４の配線密度は５０％程度である。さらに配線パターン層４上には、半導体チップ２０としてＬＳＩチップが半田ボール２１を介して接続されている。
【００２３】
図２〜図４は、図１に示した本発明の第１実施形態に係る回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【００２４】
まず、図２（Ａ）に示すように、コア部材として約５０μｍ〜約１ｍｍ（例えば、約１００μｍ）の厚みを有する金属基板１を用意する。例えば、この金属基板１は、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成される。尚、金属基板１は、銅単層であってもよい。
【００２５】
次に、図２（Ｂ）に示すように、金属基板１にレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、金属基板１を貫通する開口部２（直径約３００μｍ）を所定の箇所に形成する。これにより、金属基板１の開口部２の下面側の端に突起１ａ（高さ約２５μｍ）を形成し、開口部２の上面側の端にへたり１ｂを形成する。この突起１ａは、金属基板１の開口部２の端に沿って設けられるが、突起１ａの先端部は均一な高さでなくてもよく、例えば、櫛状であったり、波状であったりしてもよい。また、突起ごとの形状や高さも同じでなくてもよい。尚、金属基板１の突起１ａ（開口部２）は、例えば、１００ｍｍ２あたり１０箇所以上設けることで、配線パターン層の配線密度の差に起因する応力負荷を低減することができ、高い信頼性を有する回路基板およびそれを用いた回路装置が提供される。また、開口部２は、金属基板１の面内で均一に設けられていることが好ましい。
【００２６】
次に、図２（Ｃ）に示すように、銅箔４ａ付きの絶縁膜３を金属基板１の上面側から、銅箔６ａ付きの絶縁膜５を金属基板１の下面側から真空下または減圧下で熱圧着する。ここで、絶縁膜３，５の厚さは、例えば、７５μｍ程度とし、銅箔４ａ，６ａの厚さは、例えば、１０μｍ〜１５μｍ程度とする。
【００２７】
尚、図３（Ｄ）に示すように、銅箔付き絶縁層を圧着することにより、金属基板１の開口部２は、絶縁層３，５によって完全に埋め込まれる。
【００２８】
次に、図３（Ｅ）に示すように、金属基板１にレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、両面の銅箔を接続するためのスルーホール７（直径約１５０μｍ）を開口部２に対応する箇所に形成する。
【００２９】
次に、図３（Ｆ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔４ａの上面、スルーホール７の内面上、及び銅箔６ａの下面に、銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔４ａの上面、スルーホール７の内面上、及び銅箔６ａの下面に、めっきする。尚、本発明の第１実施形態では、めっき液中に、抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔４ａ，６ａの表面上に吸着させるとともに、促進剤をスルーホール７の内面上に吸着させる。これにより、スルーホール７の内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、スルーホール７内に銅を埋め込むことができる。その結果、樹脂層３，５上に、約３５μｍの厚みを有する銅からなる配線層４，６がそれぞれ形成されるとともに、スルーホール７内に銅からなる導体層８が埋め込まれる。
【００３０】
次に、図４（Ｇ）に示すように、通常のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、配線層４，６をそれぞれパターニングする。これにより、配線パターン層４および配線パターン層６を形成する。この時、突起１ａを有する面上の配線密度は、反対面よりも低い配線密度であり、配線密度の差は約１０％以上である。これにより、突起１ａを有した金属基板１を備える回路基板１０が形成される。
【００３１】
最後に、図１に示すように、回路基板１０における配線パターン層４の上にＬＳＩチップ２０を、半田ボール２１を介して電気的に接続させるように搭載し、樹脂層（図示せず）で固定する。この結果、金属基板１を備えた回路基板１０を有する回路装置５０が形成される。
【００３２】
第１実施形態では、上記のように、金属基板１の開口部２の端に突起１ａを備える。金属基板１と絶縁層３，５との間には、熱膨張率の差に起因して引張応力（絶縁層が膨張しようとする力）が働くが、通常は金属基板１と絶縁層３との間の引張応力と、金属基板１と絶縁層５との間の引張応力は、均衡が取れてほぼ釣り合っている。しかしながら、絶縁層５の膨張については、絶縁層５に食い込むように設けられた突起１ａによるアンカー効果によって制限されるため、絶縁層３の膨張に比べて小さく抑えられる。この結果、各絶縁層に起因する引張応力の均衡がくずれ、絶縁層３と絶縁層５の差分の引張応力が回路基板１０に対して作用することになる。この差分の引張応力によって回路基板１０に設けられた配線パターン層の配線密度の差に起因した圧縮応力（配線層４側に掛かる圧縮応力）が低減されるため、回路基板１０の反りを防ぐことができるとともに、回路基板１０に掛かる圧縮応力に起因した配線マイグレーションの発生や絶縁層の剥がれを抑制することができる。さらに、回路素子２０の実装時における搬送エラーの誘発を防ぐことができるなど、金属基板１を備える回路基板１０の信頼性を向上させることができる。
【００３３】
また、開口部２の端に沿って設けられた突起１ａによって、金属基板１の下面側が補強された構造となるので、金属基板１の反りや変形に対する耐性（屈曲耐性）が増す。このため、回路基板１０に対して応力負荷（配線層４側に掛かる圧縮応力）が掛かった場合において回路基板１０の反りや変形が抑制される。
【００３４】
また、第１実施形態では、回路基板１０上に回路素子２０を備えている。発熱源となる回路素子２０によって回路基板１０（回路装置５０）の温度が上昇するので、絶縁層３および絶縁層５は膨張しやすくなる。しかしながら、絶縁層５の膨張については突起１ａによって制限されるため、絶縁層３と絶縁層５の膨張量の差は広がり、絶縁層に起因する引張応力はさらに大きくなる。これにより、配線密度差に起因した圧縮応力が低減されるので、回路基板１０の反りや変形を抑制することができ、回路装置５０の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
さらに、回路素子２０を開口部２を覆うように配置すれば、絶縁層３と絶縁層５の膨張量の差は広がり、絶縁層に起因する引張応力はさらに大きくなるので、回路基板１０の反りや変形を抑制するのに効果的である。
【００３６】
さらに、第１実施形態では、回路素子２０は、突起１ａとは反対側の、配線層４の上に設けられている。回路素子２０に近い絶縁層３が、回路素子２０の発熱によってより膨張しやすくなるので、絶縁層の膨張の差に起因して生じる引張応力がさらに大きくなる。これにより、配線密度差に起因した圧縮応力がさらに低減されるので、回路基板１０の反りや変形がさらに抑制され、高い信頼性を有する回路装置を提供することができる。
【００３７】
（第１実施形態の変形例）
図５は、本発明の第１実施形態の変形例に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。第１実施形態の変形例では、金属基板１の開口部２の端に設けられた突起１ａを、金属基板１の開口部すべてに設けるのではなく、突起を設けない開口部２ａ（端部１ｃ）を混合して形成している。それ以外については、第１実施形態と同様である。
【００３８】
第１実施形態の変形例においても、金属基板１の開口部端に突起１ａが設けられているため、第１実施形態と同様、配線パターン層の配線密度に起因した圧縮応力が低減されるだけでなく、圧縮応力による金属基板１の反りや変形を抑制することができるので、高い信頼性を有する金属基板１を備えた回路基板１０およびそれを用いた回路装置５０を提供することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属基板１の開口部２の突起１ａ（反対側はへたり１ｂ）を、金属基板１の開口部２の下面側だけに形成するのではなく、上面側と下面側にそれぞれ突起１ａを形成していることである。尚、図中では、上面側と下面側に１つの例を示しているが、実際には、下面側の突起１ａの数が、上面側の突起１ａの数よりも多くなるように配置している。それ以外については、第１実施形態と同様である。
【００４０】
第２実施形態では、金属基板１の上面側に設けられた突起１ａの数よりも、金属基板１の下面側に設けられた突起１ａの数が多いので、上面側の絶縁層３の膨張に比べて、下面側の絶縁層５の膨張が突起１ａによってより制限される。このため、第１実施形態と同様、配線パターン層の配線密度に起因した圧縮応力が低減されることになり、回路装置５０の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４２】
例えば、上記実施形態では、ＬＳＩチップが装着された回路装置に本発明を適用したが、本発明はこれに限らず、ＬＳＩチップ以外の回路素子が装着された回路装置にも適用可能である。
【００４３】
また、上記実施形態では、金属基板を用いた例について説明したが、レーザ照射またはドリル加工によって突起が形成されれば、樹脂基板であってもよい。
【００４４】
さらに、上記実施形態では、金属基板の両面に絶縁膜および配線層が順次形成された２層配線構造の回路基板およびそれを用いた回路装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、２層配線構造の回路基板の配線層上に、一層以上の絶縁膜および配線層がさらに形成された回路基板およびそれを用いた回路装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路装置を示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る金属基板を備えた回路基板を有する回路基板を示した断面図である。
【図７】従来の一般的なＢＧＡの概略構成を説明するための図である。
【図８】従来の金属基板を備えた回路基板を有する回路装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図９】従来の金属基板を備えた構造において、変形した回路基板を有する回路装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  金属基板
１ａ  開口部の突起
１ｂ  開口部のへたり
２  開口部
３，５  絶縁層
４，６  配線層（配線パターン層）
７  スルーホール
８  導体層
１０  回路基板
２０  ＬＳＩチップ
２１  半田ボール
５０  回路装置
【図１】
2007066942.tif 000003
【図２】
2007066942.tif 000004
【図３】
2007066942.tif 000005
【図４】
2007066942.tif 000006
【図５】
2007066942.tif 000007
【図６】
2007066942.tif 000008
【図７】
2007066942.tif 000009
【図８】
2007066942.tif 000010
【図９】
2007066942.tif 000011