(57)【要約】【課題】５ｍｓ程度の速い応答時間を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１電極と、第１電極に対向する第２電極と、第１電極と第２電極との間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層を備え、液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ、液晶層の厚さであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、第１電極と第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖ、応答時間は６．７８＋（回転粘性）×０．８１＋（セルギャップ）×０．７＋（回転粘性）×（セルギャップ）×０．１４を満たす。本発明の他の一実施形態による液晶表示装置は、第１電極と、第１電極に対向する第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層を備え、液晶層のピッチは１０μｍ〜７０μｍ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは３．０μｍ〜４．５μｍ、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖである。【選択図】図１
2007025666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層とを備え、
前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記回転粘性は７５ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は−２．３×（セルギャップ）2＋１７．８３×（セルギャップ）−２６．０４を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記回転粘性は６５ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は−０．４２×（セルギャップ）2＋３．９５×（セルギャップ）−２．２５を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記回転粘性は５０ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は０．９５×（セルギャップ）2−５．５２５×（セルギャップ）＋１３．４３を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層とを備え、
前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖ、応答時間は６．７８＋（回転粘性）×０．８１＋（セルギャップ）×０．７＋（回転粘性）×（セルギャップ）×０．１４を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ以上６５ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは３．２μｍ以上３．８μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層の回転粘性は６５ｍＰａｓ超過７５ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは２．６μｍ以上３．２μｍ未満であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶層の回転粘性は７５ｍＰａｓ以上８０ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは２．５μｍ以上２．６μｍ未満であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は、
第１基板と、
前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極とを備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、
第２基板と、
前記第２基板上に形成されているカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成されている共通電極とを備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２電極は、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層とを備え、
前記液晶層のピッチは１０μｍ〜７０μｍ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは３．０μｍ〜４．５μｍ、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖ、前記液晶層のピッチは１０μｍ〜３０μｍ、液晶層の応答時間は０．０３６４×（ピッチ）＋４．９９２８を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖ、前記液晶層のピッチは３０μｍ〜７０μｍ、液晶層の応答時間は０．０１６６×（ピッチ）＋５．５５５８を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ、前記液晶層のピッチは１０μｍ〜３０μｍ、液晶層の応答時間は０．０４０８×（ピッチ）＋４．８１８９を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ、前記液晶層のピッチは３０μｍ〜７０μｍ、液晶層の応答時間は０．０１２３×（ピッチ）＋５．６４６７を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記液晶層のピッチは２０μｍであり、画面のコントラスト比は５００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．８Ｖより大きいことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記液晶層のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比は５００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．４Ｖより大きいことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記液晶層のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比は６００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．６Ｖより大きいことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１電極は、
第１基板と、
前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極とを備えることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第２電極は、
第２基板と、
前記第２基板上に形成されているカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成されている共通電極とを備えることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第２電極は、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに備えることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、詳しくは、ねじれネマティック（ＴＮ）方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置は、電場生成電極と偏光板が備えられた一対の表示板の間に挟持された液晶層を備える。電場生成電極は液晶層に電場を生成し、このような電場の強さが変化することによって液晶分子の配列が変化する。例えば、電場を印加した状態で液晶層の液晶分子はその配列を変化させて液晶層を通過する光の偏光を変化させる。偏光板は偏光された光を適切に遮断または透過して、明るい領域及び暗い領域を形成することで所望の映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶層の液晶分子が配列された形態によって分類することができ、ねじれネマチック方式（ＴＮ：ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ ｍｏｄｅ）、平面駆動方式（ＩＰＳ：ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ）及び垂直配向方式（ＶＡ：ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）などがあり、ねじれネマチック方式の液晶表示装置が最も一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般のねじれネマチック方式の液晶表示装置は、液晶層の応答時間が２０〜３０ｍｓ程度であり、応答時間が遅いため動画表示に限界がある。
本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、応答時間が速い液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述した目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層とを備え、前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、前記第１電極と前記第２電極の電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖであることを特徴とする。
【０００６】
前記回転粘性は７５ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は−２．３×（セルギャップ）2＋１７．８３×（セルギャップ）−２６．０４を満たすことが好ましい。
前記回転粘性は６５ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は−０．４２×（セルギャップ）2＋３．９５×（セルギャップ）−２．２５を満たすことが好ましい。
前記回転粘性は５０ｍＰａｓであり、前記液晶層の応答時間は０．９５×（セルギャップ）2−５．５２５×（セルギャップ）＋１３．４３を満たすことが好ましい。
【０００７】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層とを備え、前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、前記第１電極と前記第２電極の電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖ、応答時間は６．７８＋（回転粘性）×０．８１＋（セルギャップ）×０．７＋（回転粘性）×（セルギャップ）×０．１４を満たすことを特徴とする。
【０００８】
前記液晶層の回転粘性は５０ｍＰａｓ以上６５ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは３．２μｍ以上３．８μｍ以下であることが好ましい。
前記液晶層の回転粘性は６５ｍＰａｓ超過７５ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは２．６μｍ以上３．２μｍ未満であることが好ましい。
前記液晶層の回転粘性は７５ｍＰａｓ以上８０ｍＰａｓ以下であり、前記セルギャップは２．５μｍ以上２．６μｍ未満であることが好ましい。
【０００９】
前記第１電極は、第１基板と、前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を備えることを特徴とする。
前記第２電極は、第２基板と、前記第２基板上に形成されているカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されている共通電極を備えることを特徴とする。
【００１０】
前記第２電極は、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに備えることを特徴とする。
本発明の他の一実施形態による液晶表示装置は、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に挟持され、ねじれネマチック配向する液晶層を備え、前記液晶層のピッチは１０μｍ〜７０μｍ、前記液晶層の厚さであるセルギャップは３．０μｍ〜４．５μｍ、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖであることを特徴とする。
【００１１】
前記液晶表示装置は、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜 ５．５Ｖ、前記液晶層のピッチは１０μｍ〜３０μｍ、液晶層の応答時間は０．０３６４×（ピッチ）＋４．９９２８を満たすことが好ましい。
前記液晶表示装置は、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖ、前記液晶層のピッチは３０μｍ〜７０μｍ、液晶層の応答時間は０．０１６６×（ピッチ）＋５．５５５８を満たすことが好ましい。
【００１２】
前記液晶表示装置は、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ、前記液晶層のピッチは１０μｍ〜３０μｍ、液晶層の応答時間は０．０４０８×（ピッチ）＋４．８１８９を満たすことが好ましい。
前記液晶表示装置は、前記第１電極と前記第２電極との電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ、前記液晶層のピッチは３０μｍ〜７０μｍ、液晶層の応答時間は０．０１２３×（ピッチ）＋５．６４６７を満たすことが好ましい。
【００１３】
前記液晶表示装置は、前記液晶層のピッチは２０μｍであり、画面のコントラスト比は５００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．８Ｖより大きいことが好ましい。
前記液晶表示装置は、前記液晶層のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比は５００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．４Ｖより大きいことが好ましい。
【００１４】
前記液晶表示装置は、前記液晶層のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比は６００：１であり、前記第１電極と前記第２電極との最大電圧差は５．６Ｖより大きいことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
液晶表示装置の回転粘性及びセルギャップを調節したり、液晶表示装置の液晶ピッチ及び電場生成電極間の電圧差を調節することによって、応答時間が速い高速応答液晶表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１７】
図１乃至図３を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置及び偏光板について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２及び図３は各々図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線及びＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。図１乃至図３を参照して液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
【００１８】
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図１中、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は下方に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積されることができる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延びて端部１２９と直接接続できる。
【００１９】
維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に延びた幹線と、これから分岐された複数対の第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂを備える。維持電極線１３１それぞれは隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうち図１中の下側のゲート線１２１に近い位置に配置されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂそれぞれは、幹線に接続された固定端とその反対側の自由端を有している。第１維持電極１３３ａの固定端は面積が広く、その自由端は直線部と折曲部の二つに分かれる。維持電極線１３１の形状及び配置は様々に変更することができる。
【００２０】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。そのうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。なお、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、それ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
【００２１】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２２】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に縦方向に延び、ゲート電極１２４に向かって延びて突出した複数の突出部１５４を有する。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１近傍で幅が広くなってこれらを幅広く覆っている。これにより、線状半導体１５１の上部に形成される配線の断線を抑えることができる。
【００２３】
半導体１５１上には複数の線状及び島状オーミック接触部材１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなったり、シリサイドからなることができる。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００２４】
半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面もまた、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はまた、維持電極線１３１と交差し、隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂ群の間を走る。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積されることができる。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びて端部１７９と直接接続できる。
【００２５】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、広い一端部と棒状の他端部を有する。広い端部は維持電極線１３１と重畳し、棒状の端部はＪ字状に曲がったソース電極１７３に取り囲まれるように配置されている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００２６】
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。なお、データ線１７１及びドレイン電極１７５はそれ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
【００２７】
データ線１７１及びドレイン電極１７５もまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の角度で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。殆どの部分で線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、既に述べたように、ゲート線１２１と出会う部分で幅が広くなり、表面のプロファイルを滑らかにすることによってデータ線１７１が断線するのを防止する。半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとするデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出した部分がある。
【００２８】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体１５１部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦になることができる。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。一方、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら露出した半導体１５１部分に害を及ぼさないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
【００２９】
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの固定端近傍の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、そして第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。
【００３０】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８４及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることができる。
画素電極１９１はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧の印加を受ける他の表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０間の液晶層３の液晶分子（図示せず）の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向により液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ（以下、液晶キャパシタという。）を構成して薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも印加された電圧を維持する。
【００３１】
画素電極１９１は維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳してなすキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。接続ブリッジ８４はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と維持電極１３３ｂの自由端の露出した端部に接続されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８４と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥修理に使用できる。
【００３２】
次に、図２及び図３を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックスともいい、光漏れを防ぐ。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状を有する複数の開口部を有しており、画素電極１９１間の光漏れを防止する。なお、遮光部材２２０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分からなることができる。
【００３３】
基板２１０上にはまた、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０で覆われた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。
【００３４】
オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。
二つの表示板１００、２００の内側の面には配向膜１１、２１がそれぞれ塗布されており、二つの表示板１００、２００の外側の面には偏光板１２、２２が付着されている。二つの偏光板１２、２２の透過軸は直交または平行である。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光板１２、２２のうちの一つは省略してもよい。
【００３５】
本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに有することができる。液晶表示装置はまた、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔｕｎｉｔ）（図示せず）を備えることができる。
液晶層３は正の誘電率異方性を有するネマチック液晶物質を有する。液晶層３の液晶分子は、その長軸方向が表示板１００、２００に平行に配列され、その方向が一つの表示板１００から別の表示板２００に至るまで螺旋状に９０゜ねじれた構造を有する。
【００３６】
液晶層３の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜８０ｍＰａｓ以下であり、液晶層３の誘電率異方性は４．８〜５．５、液晶層３の厚みであるセルギャップは２．５μｍ〜５．０μｍ、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜８．０Ｖ範囲であることが好ましい。ここで、５０ｍＰａｓ以上に限定したのは一般的な液晶の最小回転粘性を考慮したためである。
【００３７】
また、液晶表示装置の応答時間は６．７８＋（回転粘性）×０．８１＋（セルギャップ）×０．７＋（回転粘性）×（セルギャップ）×０．１４を満たすことが好ましい。
ここで、回転粘性が７５ｍＰａｓである場合には液晶層の応答時間が−２．３×（セルギャップ）2＋１７．８３×（セルギャップ）−２６．０４を満たし、回転粘性が６５ｍＰａｓである場合には液晶層の応答時間が−０．４２×（セルギャップ）2＋３．９５×（セルギャップ）−２．２５を満たし、回転粘性が５０ｍＰａｓである場合には液晶層の応答時間が０．９５×（セルギャップ）2−５．５２５×（セルギャップ）＋１３．４３を満たすことが好ましい。
【００３８】
液晶層３の回転粘性が５０ｍＰａｓ以上６５ｍＰａｓ以下である場合には、セルギャップは３．２μｍ以上３．８μｍ以下であることが好ましく、液晶層３の回転粘性が６５ｍＰａｓ超過７５ｍＰａｓ以下である場合には、セルギャップは２．６μｍ以上３．２μｍ未満であることが好ましく、液晶層３の回転粘性が７５ｍＰａｓ以上８０ｍＰａｓ以下である場合には、セルギャップは２．５μｍ以上２．６μｍ未満であることが好ましい。
【００３９】
液晶層３の回転粘性は５０ｍＰａｓ〜６０ｍＰａｓであることが好ましく、液晶層３のピッチは１０μm〜７０μmであることが好ましく、セルギャップは３．０μm〜４．５μmであることが好ましく、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ範囲であることが好ましい。ここで、ピッチとは、液晶分子の螺旋構造の周期を言う。
この時、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖであり、液晶層３のピッチは１０μｍ〜３０μｍである場合には、液晶層の応答時間は０．０３６４×（ピッチ）＋４．９９２８を満たすことが好ましく、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖであり、液晶層３のピッチは３０μｍ〜７０μｍである場合には、液晶層の応答時間は０．０１６６×（ピッチ）＋５．５５５８を満たすことが好ましく、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖであり、液晶層３のピッチは１０μｍ〜３０μｍである場合には、液晶層の応答時間は０．０４０８×（ピッチ）＋４．８１８９を満たすことが好ましく、二つの電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖであり、液晶層３のピッチは３０μｍ〜７０μｍである場合には、液晶層の応答時間は０．０１２３×（ピッチ）＋５．６４６７を満たすことが好ましい。
【００４０】
また、液晶の速い応答時間と共に画面のコントラスト比を一定値以上に維持するために、液晶層のピッチにより電場生成電極の電圧差を調節することが望ましい。
液晶層３のピッチは２０μｍであり、画面のコントラスト比が５００：１である場合には、二つの電極１９１、２７０の最大電圧差は５．８Ｖより大きいことが好ましく、液晶層３０のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比が５００：１である場合には、二つの電極１９１、２７０の最大電圧差は５．４Ｖより大きいことが好ましく、液晶層のピッチは３０μｍであり、画面のコントラスト比が６００：１である場合には、二つの電極１９１、２７０の最大電圧差は５．６Ｖより大きいことが好ましい。
【００４１】
このようにして液晶層３を形成すると、５ｍｓ程度の短い応答時間を得ることができる。
次に、本実施形態による液晶表示装置の動作について図４を参照して説明する。
図４は、本発明の一実施形態によるねじれネマチック（ＴＮ）方式の液晶表示装置における液晶分子の配列を示した断面図である。
【００４２】
画素電極１９１と共通電極２７０、つまり電場生成電極１９１、２７０間に電圧差がなく、液晶層３に電場がかからない場合には、図４Ａに示したように、液晶層３の液晶分子３１はその長軸方向が表示板１００、２００の表面に平行に配列され、一つの表示板１００から他の表示板２００にいたるまで螺旋状に９０゜ねじれた構造を有する。
偏光板１２を通過して線偏光した光の偏光は、液晶層３を通過しながら液晶の屈折率異方性による遅延によって変化する。液晶層３の誘電率異方性及び螺旋ピッチや表示板１００、２００間の間隔（液晶層３の厚さまたはセルギャップ）などを調節することで、液晶層３を通過した光の線偏光方向を９０゜回転させることができる。
【００４３】
これにより、二つの偏光板１２、２２の透過軸が互いに垂直である場合、液晶層３を通過した光は偏光板２２をそのまま通過して明るい状態を実現するが、このような方式をノーマリーホワイトモードという。これに対し、二つの偏光板１２、２２の透過軸が互いに平行である場合、液晶層３を通過した光は偏光板２２によって遮断されて暗い状態を実現するが、このような方式をノーマリーブラックモードという。
【００４４】
図４Ｂに示すように、電場生成電極１９１、２７０間に電圧差を与えて十分な大きさの電場を形成した場合、液晶分子３１の長軸が電場の方向と平行し、表示板１００、２００に垂直に配列される。
この時、偏光板１２を通過した光は、偏光の変化なしに液晶層３を通過する。これにより、ノーマリーホワイトモードの場合、液晶層３を通過した光が偏光板２２によって遮断されて暗い状態を実現し、ノーマリーブラックモードの場合、偏光板１２を通過した光が偏光板２２をそのまま通過して明るい状態を実現する。
【００４５】
一方、液晶層３の応答時間は大きく、立ち上がり時間（ｒｉｓｉｎｇ ｔｉｍｅ）と立ち下がり時間（ｆａｌｌｉｎｇ ｔｉｍｅ）に分けられる。立ち上がり時間は、電場生成電極１９１、２７０間に電圧が印加されない状態で十分な大きさの電圧を印加した時に液晶が反応する応答時間である。立ち下がり時間は、十分な大きさの電圧を印加した状態で十分に低い電圧を印加した時に液晶が反応する応答時間、つまり、液晶分子がもとの状態に戻る時間である。
【００４６】
以下、液晶の各種特性と応答時間の関係について実験を通じて詳細に説明する。
図５は本発明の一実験例による液晶表示装置の回転粘性とセルギャップによる液晶層の応答時間を測定した表であり、図６は本発明の一実験例による回転粘性とセルギャップの変化による液晶層の応答時間を示したグラフである。
本実験例では、液晶層の応答時間を測定するために“Ｍｅｒｃｋ”社の“０３−１５１”、“０４−２０３”、“０５−１５２”の３種類を使用した。この液晶物質の回転粘性は各々７1ｍＰａｓ、６５ｍＰａｓ、５０ｍＰａｓであり、電場生成電極１９１、２７０の電圧差は０．２Ｖ〜６．０Ｖ範囲であり、セルギャップは３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍであった。
【００４７】
図５及び図６に示したように、液晶の回転粘性及びセルギャップが増加するほど応答時間は長くなった。即ち、回転粘性またはセルギャップを減少させることによって液晶表示装置の応答時間を短縮することができる。
このような液晶の回転粘性とセルギャップの変化による応答時間の変化傾向について図７を参照して説明する。
【００４８】
図７は、図５及び図６に示した本発明の一実験例であり、複数のセルギャップに対する回転粘性の変化による液晶層の応答時間の変化を示したグラフである。
図７に示すように、セルギャップと応答時間の相互関係は、回転粘性と関係なくセルギャップが減少することによって応答時間が短縮する。回転粘性と応答時間の相互関係は、回転粘性が大きいときは回転粘性の減少による応答時間の短縮が非常に大きいが、回転粘性が小さいとき、特に回転粘性が約６０ｍＰａｓより小さいときは回転粘性の減少による液晶層の応答時間の短縮は非常に少ない。
【００４９】
従って、回転粘性が６０ｍＰａｓより小さいときは応答時間を短縮するために、回転粘性が低い液晶物質を使用することよりもセルギャップを短縮することが望ましい。
数回の実験から得られたデータに基づき、各回転粘性値に対するセルギャップ（ｄ）による応答時間（ｔ）を次式（１）〜（３）のように求めることができる。
回転粘性が７５ｍＰａｓである場合、次式（１）となる。
【００５０】
ｔ＝−２．３×ｄ2＋１７．８３×ｄ−２６．０４・・・（１）
回転粘性が６５ｍＰａｓである場合、次式（２）となる。
ｔ＝−０．４２×ｄ2＋３．９５×ｄ−２．２５・・・（２）
回転粘性が５０ｍＰａｓである場合、次式（３）となる。
ｔ＝０．９５×ｄ2−５．５２５×ｄ＋１３．４３・・・（３）
また、数回の実験から得られたデータに基づき、各セルギャップ値に対する回転粘性（γ）による応答時間（ｔ）を次式（４）〜（６）のように求めることができる。
【００５１】
セルギャップが３μｍである場合、次式（４）となる。
ｔ＝０．００６４５×γ2−０．７１８９７×γ＋２５．２８・・・（４）
セルギャップが３．５μｍである場合、次式（５）となる。
ｔ＝０．００７４６×γ2−０．７１４６×γ＋２１．３３・・・（５）
セルギャップが４μｍである場合、次式（６）となる。
【００５２】
ｔ＝０．００１２７６×γ2−１．４５３×γ＋４７．２７・・・（６）
また、実験結果データを利用して回転粘性及びセルギャップｄと応答時間ｔの相関関係を求めると、応答時間ｔは次式（７）となる。
６．７８＋（回転粘性）×０．８１＋（セルギャップ）×０．７＋（回転粘性）×（セルギャップ）×０．１４・・・（７）
前記式において、応答時間のｔの単位はｍｓであり、セルギャップｄの単位はμｍであり、回転粘性の単位はｍｐａｓである。
【００５３】
即ち 、液晶表示装置の応答時間が５ｍｓ程度の高速に応答するために、液晶表示装置の回転粘性が７５ｍＰａｓより大きいときはセルギャップが２．６μｍ以下が好ましい。
また、回転粘性が６５ｍＰａｓより大きいときはセルギャップが３．２μｍ以下が好ましい。
また、回転粘性が５０ｍＰａｓ以上であるときはセルギャップが３．８μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
次に、図８は本発明の一実験例による液晶表示装置の液晶ピッチによる液晶層の応答時間を測定した表である。
本実験例では、液晶層の応答時間を測定するために“Ｍｅｒｃｋ”社の“０４−１０３５”を使用した。この液晶物質の回転粘性は７６．５ｍＰａｓ、セルギャップは４．０μｍ、電場生成電極の電圧差は０．２Ｖ〜５．５Ｖと０．２Ｖ〜６．０Ｖ範囲である二つの場合に対して実験を行なった。
【００５５】
図８に示したように、本発明の実験例では、液晶層のピッチが増加するほど、立ち上がり及び立ち下がりの合計の応答時間は長くなった。また、電場生成電極の電圧差が大きいほど応答時間が短くなった。即ち、液晶層のピッチを減少させたり、電場生成電極の電圧差を大きくすることによって液晶表示装置の応答時間を短縮することができる。
このような液晶層のピッチ変化と電場生成電極の電圧差による応答時間の変化傾向について図９を参照して説明する。
【００５６】
図９は図８に示した本発明の一実験例であり、液晶層のピッチ変化による応答時間の変化を示したグラフである。
図９に示すように、液晶層のピッチが１０μｍ〜３０μｍ範囲の場合には、液晶ピッチの増加に伴い応答時間が大きく増加し、３０μｍ〜７０μｍ範囲で変化する場合には、液晶ピッチの増加に伴う応答時間の増加が大きくないことが判った。また、液晶層のピッチが１０μｍ〜３０μｍ範囲で増加する場合には、電場生成電極の電圧差による応答時間の差は減少した。例えば、液晶層のピッチが１０μｍの場合、電圧差が０．２Ｖ〜５．５Ｖでは応答時間は５．３３ｍｓであり、電圧差が０．２Ｖ〜６．０Ｖでは応答時間は５．２０ｍｓであり、その応答時間の差は０．１３ｍｓである。液晶層のピッチが３０μｍの場合、電圧差が０．２Ｖ〜５．５Ｖでは応答時間は６．０５ｍｓであり、電圧差が０．２Ｖ〜６．０Ｖでは応答時間は６．０２ｍｓであり、その応答時間の差は０．０３ｍｓであり、応答時間の差は小さくなっている。
【００５７】
一方、液晶層のピッチが３０μｍ〜７０μｍ範囲で増加する場合には、電場生成電極の電圧差による応答時間の差は大きくなった。例えば、液晶層のピッチが３０μｍの場合、前述の通り応答時間の差は０．０３ｍｓである。液晶層のピッチが７０μｍの場合、電圧差が０．２Ｖ〜５．５Ｖでは応答時間は６．７２ｍｓであり、電圧差が０．２Ｖ〜６．０Ｖでは応答時間は６．５１ｍｓであり、その応答時間の差は０．２１ｍｓであり、応答時間の差は大きくなっている。
【００５８】
このような実験で得られたデータを利用して、電場生成電極の電圧差に対する液晶ピッチ（Ｐ）による応答時間（ｔ）を求めると以下のとおりである。
電場生成電極の電圧差が０．２Ｖ〜５．５Ｖ、液晶ピッチが１０μｍ乃至３０μｍである場合、次式（８）となる。
ｔ＝０．０３６４×Ｐ＋４．９９２８・・・（８）
電場生成電極の電圧差が０．２Ｖ〜５．５Ｖ、液晶ピッチが３０μｍ乃至７０μｍである場合、次式（９）となる。
【００５９】
ｔ＝０．０１６６×Ｐ＋５．５５５８・・・（９）
電場生成電極の電圧差が０．２Ｖ〜６．０Ｖ、液晶層のピッチが１０μｍ乃至３０μｍである場合、次式（１０）となる。
ｔ＝０．０４０８×Ｐ＋４．８１８９・・・（１０）
電場生成電極の電圧差が０．２Ｖ〜６．０Ｖ、液晶層のピッチが３０μｍ乃至７０μｍである場合、次式（１１）となる。
【００６０】
ｔ＝０．０１２３×Ｐ＋５．６４６７・・・（１１）
次に、液晶層のピッチや電極１９１、２７０間の電圧差による画面のコントラスト比について実験例を参照して説明する。
図１０は本発明の一実験例であり、液晶層のピッチと電場生成電極の電圧差による画面のコントラスト比の変化を測定した表である。この実験で使用された液晶物質は、図８及び図９の実験例と同一である。
【００６１】
本実験では、まず、液晶層のピッチは７０μｍ、セルギャップは４．０４μｍであるときに対する画面のコントラスト比を測定する。その後、液晶層のピッチが各々１０μｍ、２０μｍ及び３０μｍであり、セルギャップは各々４．００μｍ、４．０４μｍ及び３．９１μｍであるときに対する画面のコントラスト比を測定する。２つの値を比較してコントラスト比の減少率（％）を測定した。この時、電場生成電極の電圧差は各々０．２Ｖ〜５Ｖ、０．２Ｖ〜５．６Ｖ、０．２Ｖ〜５．８Ｖ、そして０．２Ｖ〜６Ｖであった。
【００６２】
図１０に示すように、液晶層のピッチと電場生成電極の電圧差が小さいほど液晶表示装置のコントラスト比の減少率は大きくなった。即ち、液晶層のピッチが減少すると液晶表示装置の応答時間は短くなるが、液晶表示装置の画面のコントラスト比も減少することが判った。また、液晶表示装置の電場生成電極の電圧差を大きくすると液晶層の応答時間が短くなると共に、液晶表示装置の画面のコントラスト比も相対的に大きくなることが判った。
【００６３】
即ち、液晶表示装置の画面のコントラスト比を維持しながら、応答速度を短縮するためには、液晶層のピッチによる電場生成電極の電圧差を適正値以上に維持することが好ましい。
前記実験結果によれば、コントラスト比が５００：１以上、及び６００：１以上、応答時間が５ｍｓ程度になるための液晶層のピッチと電場生成電極の電圧差の範囲は次のとおりである。コントラスト比が５００：１以上、５ｍｓ程度の応答時間を実現するためには、液晶層のピッチが２０μｍであるとき電極１９１、２７０間の最大電圧差は５．８Ｖ以上、液晶層のピッチが３０μｍであるとき電極１９１、２７０間の最大電圧差が５．４Ｖ以上であることが好ましい。また、コントラスト比が６００：１以上、５ｍｓの応答時間を実現するためには、液晶層のピッチは３０μｍであり、電極１９１、２７０間の最大電圧差は５．６Ｖ以上であることが好ましい。
【００６４】
以上のように、液晶層の応答速度は、液晶の回転粘性、セルギャップ、液晶層のピッチ、２枚の電極間の電圧差等によって影響を受ける。ここで、回転粘性が小さいと応答速度は速く、セルギャップが小さいと応答速度は速く、液晶層のピッチが小さいと応答速度は速く、電圧差が大きいと応答速度は速い。しかし、液晶層のピッチが小さくなるとコントラスト比が悪くなる。そこで、これらの関係を考慮し、液晶の回転粘性、セルギャップ、液晶層のピッチ、２枚の電極間の電圧差等を上述に従って選択することで、従来の液晶層の応答速度よりも速い応答速度の液晶層を得ることができる。
【００６５】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１の液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によるＴＮ方式の液晶表示装置における画素構造の動作状態を示した断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によるＴＮ方式の液晶表示装置における画素構造の動作状態を示した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の回転ガンマとセルギャップによる液晶層の応答時間を測定した表である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の回転ガンマとセルギャップの変化による液晶層の応答時間を示したグラフである。
【図７】本発明の一実施形態において、複数のセルギャップに対する回転粘性変化による液晶層の応答時間の変化を示したグラフである。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の液晶ピッチによる液晶層の応答時間を測定した表である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶ピッチによる液晶層の応答時間を示したグラフである。
【図１０】本発明の一実施形態において、液晶層のピッチと電極間の電圧差による画面のコントラスト比の変化を測定した表である。
【符号の説明】
【００６７】
１１、２１…配向膜
１２、２２…偏光板
３…液晶層
３１…液晶物質
８１、８２…接触補助部材
８４…接続ブリッジ
１００…薄膜トランジスタ表示板
１１０…基板
１２１、１２９…ゲート線
１２４…ゲート電極
１３１…維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ…維持電極
１４０…ゲート絶縁膜
１５１、１５４…半導体
１６１、１６３、１６５…オーミック接触層
１７１、１７９…データ線
１７３…ソース電極
１７５…ドレイン電極
１８０…保護膜
１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５…コンタクトホール
１９１…画素電極
２００…カラーフィルタ表示板
２１０…基板
２２０…遮光部材
２３０…カラーフィルタ
２５０…オーバーコート膜
２７０…共通電極
【図１】
2007025666.tif 000003
【図２】
2007025666.tif 000004
【図３】
2007025666.tif 000005
【図４Ａ】
2007025666.tif 000006
【図４Ｂ】
2007025666.tif 000007
【図５】
2007025666.tif 000008
【図６】
2007025666.tif 000009
【図７】
2007025666.tif 000010
【図８】
2007025666.tif 000011
【図９】
2007025666.tif 000012
【図１０】
2007025666.tif 000013