(57)【要約】【課題】  本発明は、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、テスターの観点から、各当該半導体デバイスを効率良く検査することができる半導体装置の検査方法等を提供する。【解決手段】  第一の発明では、半導体デバイスに対応して配設されている識別マークを、認識するステップと、当該認識した識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、半導体デバイスの検査に必要なテストプログラムを、決定するステップと、当該決定したテストプログラムに基づいて、半導体デバイスを検査するステップとを、備えている。【選択図】  図１３
2007033248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、
（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、認識するステップと、
（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストプログラムを、決定するステップと、
（Ｃ）前記決定したテストプログラムに基づいて、前記半導体デバイスを検査するステップとを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記ステップ（Ｂ）は、
予め用意されている所定のテーブルと、前記認識された識別マークとに基づいて、前記半導体デバイスの検査に必要なテストプログラムを、決定するステップである、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記ステップ（Ｃ）の後に、
未検査の前記半導体デバイスに対して、前記ステップ（Ａ）ないし（Ｃ）を実施するステップを、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、
（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、
（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターンまたはテスト設定値を、決定するステップと、
（Ｃ）前記決定したテストパターンまたはテスト設定値に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項５】
（Ｃ）複数種類のテストパターンまたは複数種類のテスト設定値が記憶されている第一のメモリと、所定のテーブルとを、用意するステップを、さらに備えており、
前記ステップ（Ｂ）は、
（Ｂ−１）前記所定のテーブルと前記識別マークとに基づいて決定される、前記第一のメモリのアドレスを、各第二のメモリに、各々記憶するステップと、
（Ｂ−２）前記第二のメモリに各々記憶されている前記アドレスに基づき、前記第一のメモリに記憶されている前記テストパターンまたは前記テスト設定値を各々、一義的に決定し、当該決定された各前記テストパターンまたはテスト設定値に従って、２以上の所定数の前記半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えている、
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項６】
一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、
（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、
（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターン群を、決定するステップと、
（Ｃ）前記決定したテストパターン群に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体装置の検査方法によって、半導体装置をテストすることができる、
ことを特徴とする半導体装置のテスター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の検査方法および半導体装置のテスターに係る発明であり、特に、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法、および半導体装置のテスターに適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に使われるシリコンウエハは、製造技術の向上に伴い、インチアップしてきている。そして、当該シリコンウエハのインチアップにより、一枚のシリコンウエハには、１００００個ほどの半導体デバイスを形成することができるようになってきている。
【０００３】
しかし、一のユーザから要求される半導体デバイスは、小ロットである場合がある。このような場合には、一枚のシリコンウエハに、一種類の半導体デバイスを１００００個近く製造したとしても、大部分の半導体デバイスは、破棄または在庫となってしまう。
【０００４】
以上のことから、複数のユーザから各々の用途に応じた仕様の、小ロットの半導体デバイスの製造要求がある場合には、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成できれば、製造パフォーマンスは大幅に向上する。
【０００５】
そして、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合には、各当該半導体デバイスを効率良く検査する方法等が要求される。当該観点から、今までに多く検査方法等開発されている（たとえば、特許文献１ないし特許文献８）。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６０−７２２３９号公報
【特許文献２】特開昭５６−１５８４４２号公報
【特許文献３】特開昭６３−２２０５４２号公報
【特許文献４】特開平１−２１８０３８号公報
【特許文献５】特開昭６１−２５６６４７号公報
【特許文献６】特開昭６２−５１２３４号公報
【特許文献７】特開昭６１−１５４１３８号公報
【特許文献８】特開昭６０−１４８１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記各先行文献に係わる技術は、一枚のシリコンウエハに対して複数種類の半導体デバイスを形成する際の、当該半導体デバイスの配列方法を特定したもの、または、各半導体デバイスに識別マークが配設されており、当該識別マークを読み取るプローバに特徴を有するもの等である。
【０００８】
また、先行技術の一部には、所定のテストプログラムを実行するテスターに関する記載もある。しかし、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、当該テスターの観点から、各当該半導体デバイスを効率良く検査することができる方法を、具体的に開示した先行技術は存しない。
【０００９】
そこで、本発明は、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、テスターの観点から、各当該半導体デバイスを効率良く検査することができる半導体装置の検査方法および半導体装置のテスターを、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストプログラムを、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストプログラムに基づいて、前記半導体デバイスを検査するステップとを、備えている。
【００１１】
また、請求項４に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターンまたはテスト設定値を、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストパターンまたはテスト設定値に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えている。
【００１２】
また、請求項６に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターン群を、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストパターン群に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えている。
【００１３】
また、請求項７に記載の半導体装置のテスターは、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体装置の検査方法によって、半導体装置をテストすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストプログラムを、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストプログラムに基づいて、前記半導体デバイスを検査するステップとを、備えているので、マニュアル操作により、必要に応じてテストプログラムを変更する必要が無い。したがって、ノンストップで、効率の良く、正確なテスト（検査）を、半導体デバイスに対して実施することができる。
【００１５】
また、請求項４に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターンまたはテスト設定値を、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストパターンまたはテスト設定値に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えているので、異なる種類の半導体デバイスがウエハ上に形成されていたとしても、自動的に、かつ同時に複数の半導体デバイスのテスト（検査）を行うことができる。
【００１６】
また、請求項６に記載の半導体装置の検査方法は、一のウエハ内に、複数種類の半導体デバイスが形成されており、当該半導体デバイスを各々検査する半導体装置の検査方法であって、（Ａ）前記半導体デバイスに対応して前記ウエハに各々配設されており、前記半導体デバイスの識別情報から成る識別マークを、２以上の所定数、認識するステップと、（Ｂ）前記認識された識別マークに基づいて、予め設定された対応関係に従って、前記半導体デバイスの検査に必要なテストパターン群を、決定するステップと、（Ｃ）前記決定したテストパターン群に基づいて、２以上の所定数の半導体デバイスを同時に検査するステップとを、備えているので、異なる種類の半導体デバイスがウエハ上に形成されていたとしても、自動的に、かつ同時に複数の半導体デバイスに対して、テストパターン群に従った（検査）および、合否判断を行うことができる。
【００１７】
また、請求項７に記載の半導体装置のテスターは、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体装置の検査方法によって、半導体装置をテストすることができるので、異なる種類の半導体デバイスが一のウエハ上に形成されたとしても、効率良く、各半導体デバイスの検査を行うことができるテスターを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１９】
＜実施の形態１＞
本実施の形態では、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、当該半導体デバイスの配列方法について言及する。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【００２０】
図１は、半導体デバイスの配列方法の一例を示す、シリコンウエハの概略平面図である。
【００２１】
図１に示すように、シリコンウエハ１には、機能Ａを有する半導体デバイス、機能Ｂを有する半導体デバイス、および機能Ｃを有する半導体デバイスが、各々形成されている。
【００２２】
具体的に、１行目と２行目には、機能Ａを有する半導体デバイスが形成されている。３行目には、機能Ｂを有する半導体デバイスが形成されている。４行目から７行目には、機能Ｃを有する半導体デバイスが形成されている。
【００２３】
図１から分かるように、シリコンウエハ１には、行単位で、同じ機能を有する半導体デバイスが形成されている。
【００２４】
このように、所定の単位で、同じ機能を有する半導体デバイスを形成することにより、
ランダムに異なる種類の半導体デバイスを形成した場合と比較して、より効率良く各半導体デバイスの検査を実施することができる。これは、機能が異なれば、テストプログラムも異なり、ランダムに半導体デバイスを形成した場合には、テストプログラムの変更作業が煩雑化するからである。
【００２５】
なお、上記では、シリコンウエハに行単位で、同じ機能を有する半導体デバイスが形成される場合について説明した。しかし、たとえば、列単位で、同じ機能を有する半導体デバイスを形成しても、同様な効果を奏することができる。また、プローバにより同時に測定できる半導体デバイスの数が決まっている場合には、当該同時測定の数単位で、同じ機能を有する半導体デバイスを形成しても良い。
【００２６】
＜実施の形態２＞
本実施の形態では、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、当該シリコンウエハに半導体デバイスの識別マークを付する場合について言及する。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【００２７】
図２は、複数種類の半導体デバイスと識別マークとが形成された、シリコンウエハの概略平面図である。
【００２８】
図２に示すように、シリコンウエハ１には、複数種類の半導体デバイス（機能Ａ，機能Ｂ等）と、識別マークＩＭとが形成されている。
【００２９】
識別マークＩＭは、半導体デバイスが形成された状態の、シリコンウエハ上の空きスペースの任意の場所に形成される。たとえば、当該識別マークＩＭの外部装置による認識の容易性を考慮すると、当該識別マークＩＭを、アライメントマークの近傍に形成すると良い。
【００３０】
また、識別マークＩＭには、半導体デバイスの種類数、各半導体デバイス毎のチップ数や行数、シリコンウエハにおける半導体デバイスの位置情報等（以下、これらを識別情報と称する）が記録されている。ここで、識別情報は、プローバ等を用いて認識することができる。また、当該識別情報は、記号、数字、文字、図形など、他の装置が認識できる任意のものが採用される。
【００３１】
以上のように、本実施の形態では、シリコンウエハ１に識別マークＩＭが形成されているので、プローバ等の処理装置に上記識別情報を手入力する必要は無い。つまり、識別マークＩＭの形成により、当該処理装置は、半導体デバイスに関する識別情報を、自動的にかつ効率良く取得することができる。さらに、当該識別情報の取得（読み取り）を一度行うだけで、全ての半導体デバイスに関する識別情報を認識することができる。
【００３２】
また、上記のように識別情報の手入力を行う必要が無いので、情報の入力ミスが発生することも無い。
【００３３】
＜実施の形態３＞
本実施の形態では、一枚のシリコンウエハに複数種類の半導体デバイスを形成した場合において、各半導体デバイスに、実施の形態２で説明した内容の識別マークを各々付する場合について言及する。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【００３４】
図３は、複数種類の半導体デバイスと識別マークとが形成された、シリコンウエハの概略平面図である。
【００３５】
図３に示すように、シリコンウエハ１には、複数種類の半導体デバイス（機能Ａないし機能Ｅ等）がアットランダムに形成されている。そして、各半導体デバイス内には、実施の形態２で説明した識別情報を有する識別マークＩＭが、各々形成されている。
【００３６】
識別マークＩＭは、半導体デバイス内の空いたスペースに形成可能である。たとえば、半導体デバイスの周辺部（ダイシングライン）に形成することができ、また、アライメントマークの近傍に形成することができる。
【００３７】
また、識別マークＩＭは、半導体デバイス毎に形成する必要は無く、半導体デバイスの行（または列）毎に形成しても良い。
【００３８】
以上の構成により、本実施の形態は、実施の形態２で説明した内容と同様な効果を有する。さらに、本実施の形態は、半導体デバイスがシリコンウエハ１にアットランダムに形成されている場合に、より有効である。理由は以下の通りである。
【００３９】
半導体デバイスがアットランダムに形成された場合、実施の形態２では、一の識別マークＩＭ内の識別情報量が膨大となる。したがって、当該識別マークＩＭの面積が増大する。しかし、本実施の形態では、識別マークＩＭが分散されている。したがって、たとえ半導体デバイスがアットランダムに形成されたとしても、識別マークＩＭに記憶される識別情報量も分散される。したがって、各識別マークＩＭの面積を、より小さくすることができる。
【００４０】
＜実施の形態４＞
実施の形態２，３では、シリコンウエハに識別マークを形成する形態について、言及した。本実施の形態では、当該識別マークを取得・認識する発明について言及する。特に、本実施の形態では、ウエハアライメント処理の際に、当該識別マークを取得・認識する場合について言及する。なお、識別マークの取得は、プローバ等のシリコンウエハ検査用装置が有するＣＣＤカメラを用いて、実行することができる。
【００４１】
図４は、本実施の形態に係わる識別マーク取得装置（アライメント装置兼用）の概略構成を示す、ブロック図である。
【００４２】
図４に示すように、識別マーク取得装置は、ＣＣＤカメラ１１、画像取得部１２、アライメント処理部１３、デバイス識別マーク処理部１４、文字コード化処理部１５、ローダ１６、ステージ１７、制御部１８、および外部Ｉ／Ｆ（インターフェイス）部１９等により構成されている。
【００４３】
ＣＣＤカメラ１１では、シリコンウエハの表面を撮影する。画像取得部１２では、ＣＣＤカメラ１１で撮影した画像を取得する。アライメント処理部１３では、画像取得部１２で取得した画像からアライメントパターンを取り出す。デバイス識別マーク処理部１４では、画像取得部１２で取得した画像から識別マークを取り出す。
【００４４】
また、文字コード化処理部１５では、デバイス識別マーク処理部１４で取得した識別マークを、文字コード化する。ローダ１６では、シリコンウエハをステージ１７へと搬送する。ステージ１７では、シリコンウエハの検査位置を変化させる。制御部１８では、各部分の制御を統括している。外部Ｉ／Ｆ部１９では、外部装置（たとえば、テスター）とのデータ通信を行う。
【００４５】
次に、図５に示すパターンを有する半導体デバイスを検査する場合における、上記識別マーク取得装置の動作について説明する。ここで、図５は、識別マークが形成されている半導体デバイスの一部を示す平面図である。
【００４６】
図５に示すように、半導体デバイスＰ１には、アライメントパターンＰ２、識別マークＰ３、パッドＰ４が形成されている。ここで、図５に示す点線領域は、ＣＣＤカメラ１１の画像撮影領域Ｐ５である。また、図５には、アライメント用ポインタＰ６と識別マーク用ポインタＰ７も、一緒に図示されている。
【００４７】
ここで、アライメント用ポインタＰ６は、アライメントパターンＰ２を、識別マーク取得装置に認識させるためのポインタであり、ウエハアライメント処理を実行する前に、アライメント用ポインタＰ６は、識別マーク取得装置に予めに設定される。また、識別マーク用ポインタＰ７は、識別マークＰ３を、識別マーク取得装置に認識させるためのポインタであり、ウエハアライメント処理を実行する前に、識別マーク用ポインタＰ７は、識別マーク取得装置に予めに設定される。
【００４８】
さて、識別マーク取得装置を用いて、ウエハアライメント処理後に識別マークＰ３を取得する方法を、図６のフローチャートを用いて説明する。
【００４９】
ローダ１６を用いて、シリコンウエハをステージ１７まで搬送し、当該ステージ１７上にシリコンウエハを載置する（ステップＳ１）。次に、ＣＣＤカメラ１１を用いて、シリコンウエハの所定の領域（領域Ｐ５）の画像を撮影する。そして、画像取得部１２において、ＣＣＤカメラ１１で撮影された画像が取得される（ステップＳ２）。
【００５０】
次に、ウエハアライメント処理を行う（ステップＳ３）。
【００５１】
具体的には、識別マーク取得装置に予めに設定されているアライメント用ポインタＰ６を用いて、アライメント処理部１３では、画像取得部１２で取得した画像からアライメントパターンＰ２を取り出す。そして、当該アライメントパターンＰ２に基づいて、アライメント処理部１３では、ウエハアライメント処理を実行する。
【００５２】
ここで、シリコンウエハのアライメントが正常に完了したか否かの判断を行い（ステップＳ４）、アライメントが不完全の場合には（ステップＳ４で「Ｎ」）、ステップＳ２へと戻る。また、アライメントが正常に完了した場合には（ステップＳ４で「Ｙ」）、ステップＳ５へと進む。
【００５３】
次に、識別マーク取得装置に予めに設定されている識別マーク用ポインタＰ７を用いて、デバイス識別マーク処理部１４では、画像取得部１２で取得した画像から識別マークＰ３を取得する（ステップＳ５）。
【００５４】
次に、文字コード化処理部１５において、取得した識別マークＰ３が有する識別情報を、文字コード化する（ステップＳ６）。その後、外部Ｉ／Ｆ部１９を介して、当該文字コード化された識別情報を、テスター（外部装置）へと送信する。これにより、テスター（外部装置）では、半導体デバイスに関する識別情報を認識することができる（ステップＳ７）。
【００５５】
なお、テスターでは、当該認識した識別情報に基づいて、今検査対象となっている半導体デバイスに適切な、テストプログラム等を自動的に選択する。そして、テスターは、当該テストプログラムに従ったテスト（検査）を実行する。
【００５６】
以上のように、本実施の形態に係わる識別マーク取得装置では、アライメント処理の際に用いるＣＣＤカメラ等を用いて、識別マークＰ３の取得を行うことができる。つまり、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）といった余分な装置を用いる必要が無い。
【００５７】
また、本実施の形態の方法を採用することにより、シリコンウエハのアライメント処理後に、同じ装置を用いて、識別マークＰ３の取得を行うことができる。
【００５８】
＜実施の形態５＞
実施の形態２，３では、シリコンウエハに識別マークを形成する形態について、言及した。また、実施の形態４では、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。本実施の形態では、当該識別マークを取得・認識する他の形態について言及する。特に、本実施の形態では、レーザブロー処理の際に、当該識別マークを取得・認識する場合について言及する。
【００５９】
なお、識別マークの取得は、レーザブロー装置が有するレーザを用いて、実行することができる。
【００６０】
図７は、本実施の形態に係わる識別マーク取得装置（レーザブロー装置兼用）の概略構成を示す、ブロック図である。
【００６１】
図７に示すように、識別マーク取得装置は、レーザ２１、レーザ反射光受光素子２２、デバイスアライメント処理部２３、デバイス識別マーク処理部２４、文字コード化処理部２５、ＣＣＤカメラ２６、画像取得部２７、アライメント処理部２８、ガルバメータ２９、ステージ３０、位置制御部３１、制御部３２、および記憶装置３３等により構成されている。
【００６２】
レーザ２１からは、レーザ光が発振される。レーザ反射光受光素子２２では、半導体デバイスに照射し、反射してきたレーザ光を受光する。デバイスアライメント処理部２３では、レーザ反射光受光素子２２で受光した反射光から、アライメントマーク（ＬＴマーク）からの反射光を分析し、当該アライメントマーク（ＬＴマーク）に基づいて半導体デバイスのアライメントを実行する。
【００６３】
また、デバイス識別マーク処理部２４では、レーザ反射光受光素子２２で受光した反射光から、識別マークからの反射光を取り出し、これを整形する。文字コード化処理部２５では、デバイス識別マーク処理部２４で整形した識別マーク反射光を文字コード化する。ＣＣＤカメラ２６では、シリコンウエハの表面を撮影する。画像取得部２７では、ＣＣＤカメラ２６で撮影した画像を取得する。アライメント処理部２８では、画像取得部２７で取得した画像から所定のパターンを取り出し、当該所定のパターンに基づいてシリコンウエハ１のアライメントを実行する。
【００６４】
また、ガルバノメータ２９は、所定の回転軸に関する動作により、レーザ光を適切な場所へと照射させる装置である。ステージ３０では、レーザブローされるシリコンウエハの位置を変化させる。位置制御部３１は、ガルバノメータ２９とステージ３０とを制御する。制御部３２では、各部分の制御を統括している。記憶装置３３では、レーザブローに関する所定のデータが記憶されている。
【００６５】
図８は、本実施の形態に係わる識別マーク取得装置から出射される、レーザ光等の経路を示す図である。図８において、実線はレーザ光の経路であり、点線は画像の経路である。
【００６６】
図８において、レーザ２１から出射されたレーザ光は、レーザ反射光取得用反射板３７、反射板３６、ガルバノメータ２９、対物レンズ３５を通って、シリコンウエハ１上に照射される。
【００６７】
ここで、レーザ反射光取得用反射板３７は、シリコンウエハ１からの反射光をレーザ反射光受光素子２２へと導く反射板である。また、反射板３６は、シリコンウエハ１からの表面画像をＣＣＤカメラ２６へと導く反射板である。
【００６８】
また、シリコンウエハ１上に照射されたレーザ光は、シリコンウエハ１上で反射される。当該反射光は、対物レンズ３５、ガルバノメータ２９、反射板３６、レーザ反射光取得用反射板３７を通って、レーザ反射光受光素子２２で受光される。
【００６９】
これに対して、シリコンウエハ１の表面画像は、対物レンズ３５、ガルバノメータ２９、反射板３６を通って、ＣＣＤカメラ２６に取り込まれる。
【００７０】
次に、図９に示すパターンを有する半導体デバイスに対してレーザブローする場合における、上記識別マーク取得装置の動作について説明する。ここで、図９は、識別マークが形成されている半導体デバイスの一部を示す平面図である。
【００７１】
図９に示すように、半導体デバイスＰ１には、アライメントパターン（ＬＴマーク）Ｐ２、識別マークＰ３、パッドＰ４が形成されている。ここで、アライメントパターンＰ２および識別マークＰ３は、レーザ光を反射し易い構造となっている。
【００７２】
さて、識別マーク取得装置を用いて、レーザブローの際に識別マークＰ３を取得する方法を、図１０のフロー図を用いて説明する。
【００７３】
まず、シリコンウエハ１をステージ３０まで搬送し、当該ステージ３０上にシリコンウエハ１を載置する（ステップＳ１１）。次に、ＣＣＤカメラ２６を用いて、シリコンウエハ１の所定の領域の画像を撮影する。そして、画像取得部２７において、ＣＣＤカメラ２６で撮影された画像が取得される。そして、当該取得した画像内の所定のマークを用いて、シリコンウエハ１のアライメント処理を行う（ステップＳ１２）。
【００７４】
次に、レーザ２１から出射されるレーザ光により、アライメントパターン（ＬＴマーク）Ｐ２を照射する。そして、当該ＬＴマークＰ２から反射される反射光をレーザ反射光受光素子２２が受光する。すると、デバイスアライメント処理部２３は、当該受光したＬＴマークＰ２からの反射光と、予め設定されている座標とに基づいて、半導体デバイスＰ１のアライメント調整を行う（ステップＳ１３）。
【００７５】
半導体デバイスＰ１のアライメント調整が完了したら、次に、レーザ２１から出射されるレーザ光により、識別マークＰ３を照射する。そして、当該識別マークＰ３から反射される反射光をレーザ反射光受光素子２２が受光する。すると、デバイス識別マーク処理部２４は、当該受光した識別マークＰ３を波形整形する。つまり、デバイス識別マーク処理部２４が、識別マークＰ３を取得する（ステップＳ１４）。
【００７６】
次に、文字コード化処理部２５において、取得した識別マークＰ３が有する識別情報を、文字コード化する（ステップＳ１５）。その後、制御部３２が、当該文字コード化された識別情報を取得する（ステップＳ１６）。さらに、制御部３２では、当該取得した識別情報に対応する、ブローに関する情報を、記憶装置３３から読み出す（ステップＳ１７）。
【００７７】
その後、識別マーク取得装置（レーザブロー装置兼用）では、当該読み出されたブローに関する情報を基に、半導体デバイスＰ１の所定の箇所を、レーザ光を用いてブローする。
【００７８】
以上のように、本実施の形態に係わる識別マーク取得装置では、レーザブロー処理の際に用いるＣＣＤカメラ２６およびレーザ２１等を用いて、識別マークＰ３の取得を行うことができる。つまり、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）といった余分な装置を用いる必要が無い。
【００７９】
また、本実施の形態の方法を採用することにより、半導体デバイスに対するレーザブロー処理の際に、同じ装置を用いて、当該レーザブローに必要な情報を有する識別マークＰ３の取得を行うことができる。具体的に、レーザブローが行われる前に実行される、半導体デバイスＰ１のアライメント調整後に、識別マークＰ３を取得することができる。
【００８０】
なお、ＬＴマークＰ２と識別マークＰ３との配置関係を、図１１に示すように変更することも可能である。
【００８１】
ここで、通常、長方形のＬＴマークＰ２の短い方の幅方向に、レーザ光を走査させることにより、デバイスアライメント調整を行う。したがって、図１１のような配置を採用することにより、レーザ光の走査方向を変更させること無しに、識別マークＰ３の取得動作も行うことができる。
【００８２】
たとえば、図１１において、レーザ光がＬＴマークＰ２に照射されるように、当該レーザ光を図面の左右方向に走査する。そして、上述の通り、半導体デバイスのアライメント調整を行い、当該アライメント調整が完了したならば、次に、レーザ光の照射方向を変えること無く、識別マークＰ３の取得動作へと移行する。
【００８３】
＜実施の形態６＞
実施の形態２，３では、識別マークを形成する形態について言及した。また実施の形態４では、プローバ機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。また実施の形態５では、レザーブロー機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。
【００８４】
本実施の形態では、当該取得（認識）された識別マークが有する識別情報を基に、テスターにおいて所定のテストプログラムを選択する。さらに、本実施の形態では、当該テスターが、当該所定のテストプログラムに従ったテストを、所定の半導体デバイスに対して自動実行する。
【００８５】
特に、本実施の形態では、異なる機能を有する半導体デバイスＡ，Ｂ，Ｃが存在する場合において、「Ａ」→「Ｂ」→「Ｃ」の順番で、ノンストップで、当該半導体デバイスＡ〜Ｃに対してテスト（検査）を行う方法について説明する。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスＡ，Ｂ，Ｃとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。また、当該機能数は、３種類に限る必要は無く、２種類でも、４種類以上であっても良い。
【００８６】
まず、半導体デバイスのテスト（検査）に際して、以下の準備をしておく。
【００８７】
テスター内に、図１２に示すようなテーブルと、各テストプログラムを含むプログラムとを、ロードしておく。図１２から分かるように、当該テーブルは、半導体デバイスの各機能と、当該機能に対応した各テストプログラムとから成る。
【００８８】
ここで、ｔｅｓｔ１およびｔｅｓｔ２は、半導体デバイスＡのテストにのみ必要なテストプログラムである。また、ｔｅｓｔ３は、半導体デバイスＢのテストにのみ必要なテストプログラムである。また、ｔｅｓｔ４は、半導体デバイスＣのテストにのみ必要なテストプログラムである。当該各テストプログラムは、上記プラグラムに含まれている。
【００８９】
また、半導体デバイスＡ，Ｂ，Ｃに共通して必要なテストプラグラムは、別途テスター内にロードしておく。
【００９０】
上記準備ができたならば、半導体デバイスのテスト（検査）を開始する。以下、図１３に示すフローチャートに基づいて、半導体デバイスのテスト（検査）方法を説明する。
【００９１】
まず、半導体デバイスＡのテストから始める。
【００９２】
たとえば、実施の形態４に記載されている方法により、半導体デバイスＡに配設されている識別マーク（識別情報）を認識する（ステップＳ２１）。
【００９３】
次に、図１２に示したテーブルを参照し、当該認識した識別マークに対応するテストプログラムを決定する。つまり、半導体デバイスＡに必要なテストプログラム（ｔｅｓｔ１、ｔｅｓｔ２）を決定する（ステップＳ２２）。
【００９４】
次に、上記で決定されたテストプログラム（ｔｅｓｔ１、ｔｅｓｔ２）に基づく固有のテスト、および別途テスター内にロードされている半導体デバイスＡ，Ｂ，Ｃに共通して必要なテストプラグラムに基づくテスト（以下、共通テスト）を、半導体デバイスＡに対して実施する（ステップＳ２３）。ここで、上述したように、各テストプログラムは全て、事前にテスター内にロードされている。
【００９５】
ここで、共通テストは、任意のタイミングで実施してよい。たとえば、共通テストを実施した後に、固有のテストを行っても良く、また、固有のテストの合間に共通テストを実施しても良い。また、固有のテスト後に、共通のテストを実施しても良い。
【００９６】
さて、半導体デバイスＡのテスト（検査）終了後、次に、未だテスト（検査）していない半導体デバイスがあるか否かを判断する（ステップＳ２４）。
【００９７】
もし、未検査の半導体デバイスがあれば（ステップＳ２４で「Ｙｅｓ」）、当該未検査の半導体デバイス（たとえば、半導体デバイスＢ）に対して、ステップＳ２１からのステップを再開する。なお、その後のステップは、上記と同様なので省略する。
【００９８】
ただし、図１２のテーブルから分かるように、半導体デバイスＢに対しては、ｔｅｓｔ３のテストプログラムが決定され、当該ｔｅｓｔ３に従った、テスト（検査）が実施される。また、半導体デバイスＣに対しては、ｔｅｓｔ４のテストプログラムが決定され、当該ｔｅｓｔ４に従った、テスト（検査）が実施される。なお、共通テストは、もちろん半導体デバイスＢ，Ｃに対しても、上記同様、任意のタイミングで各々実施される。
【００９９】
これに対して、もし、未検査の半導体デバイスが無ければ（ステップＳ２４で「Ｎｏ」）、テスト（検査）は終了する。
【０１００】
以上のように、本実施の形態に係わる半導体装置の検査方法では、各半導体デバイスに対応して配設されている識別マークを認識し、当該識別マークを基に、自動的に当該半導体デバイスに必要なテストプログラムを決定・実施している。
【０１０１】
したがって、マニュアル操作により、必要に応じてテストプログラムを変更する必要が無い。したがって、ノンストップで、効率の良く、正確なテスト（検査）を、半導体デバイスに対して実施することができる。
【０１０２】
なお、本実施の形態では、予めに全てのテストプログラムが、テスター内にロードされている場合について言及した。しかし、一部のテストプログラムだけをテスター内にロードしておき、必要に応じて未ロードのテストプログラムをロードする方法であっても良い。当該場合のフローチャートを図１４に示す。ここで、図１４に示す場合では、上記共通テストに関するテストプログラムのみがテスター内に、事前ロードされている（ステップＳ０）。
【０１０３】
図１３と図１４とを比較して分かるように、図１４の場合には、ステップＳ２２とステップＳ２３との間に、ステップＳ３１とステップＳ３２とが追加されている。その他のフローは、両者において同様である。
【０１０４】
具体的に、図１４では、ステップＳ２２の後に、必要なテストプログラムがテスターにロードされているか否かを判断する（ステップＳ３１）。今、テスターには、共通テストのテストプログラムのみがテスターにロードされているので、固有のテストに必要なテストプログラムがテスターにロードされているか否かを判断する。
【０１０５】
そして、もし、必要なテストプログラムがテスターにロードされていないなら（ステップＳ３１で「Ｎｏ」）、必要なプログラムをテスターにロードする（ステップＳ３２）。これに対して、もし、必要なプログラムがすでにテスターにロードされているなら（ステップＳ３１で「Ｙｅｓ」）、ステップＳ２３へと進む。
【０１０６】
当該フローに従って半導体デバイスを検査した場合も、上記と同様の効果を有することは言うまでも無い。
【０１０７】
＜実施の形態７＞
実施の形態２，３では、識別マークを形成する形態について言及した。また実施の形態４では、プローバ機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。また実施の形態５では、レザーブロー機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。
【０１０８】
本実施の形態では、当該取得（認識）された識別マークが有する識別情報を基に決定されるテストパターンに従って、各半導体デバイスを自動的かつ同時にテスト（検査）する場合について言及する。ここで、テストパターンは、テストプログラムと所定の設定値等から構成されている。
【０１０９】
なお、本実施の形態においても、異なる機能を有する半導体デバイスが一のシリコンウエハ上に形成されている。また、上述の通り、各半導体デバイスには、対応する識別マークが形成されている。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【０１１０】
半導体デバイスのテスト（検査）に際して、テスターに対して以下の準備を実施しておく。
【０１１１】
まず、テストパターンメモリ内に、複数のテストパターンを記憶しておく。図１５には、当該テストパターンメモリの概念図が示されている。
【０１１２】
また、複数のアドレス指定メモリが用意されている。当該アドレス指定メモリの概念図も図１５に示されている。なお、当該アドレス指定メモリの数は、たとえば以下のように設定することができる。
【０１１３】
たとえば、一度の識別マークの認識作業の際に、認識される識別マークの数に等しい数を、アドレス指定メモリの数とすることができる。本実施の形態では、一度の識別マークの認識作業の際に認識される識別マークの数は、３つであるとする。したがって、本実施の形態では、アドレス指定メモリの数を３個とすることができる。以下、当該場合について言及する。しかし、当該場合に限定する趣旨で無い。
【０１１４】
また、各アドレス指定メモリは、各識別マークに対応して一義的に決まるテストパターンが記憶されている、テストパターンメモリのアドレス（具体的には、先頭アドレス）の記憶・書き換え等が可能である。
【０１１５】
さらに、図１５に示すように、テスターには、所定のテーブルが設定されている。ここで、当該テーブルは、半導体デバイスの各機能と、当該機能に対応したテストプログラムが記憶されている先頭アドレスとから成る。
【０１１６】
図１５に示した所定のテーブルから分かるように、半導体デバイスＡに対しては、先頭アドレス「０２００」が一義的に決まる。そして、テストパターンメモリの先頭アドレス０２００には、テストパターンＰ３が記憶されている。このことから、半導体デバイスＡは、テストパターンＰ３に従ったテスト（検査）が必要であると分かる。以下、同様の議論により、半導体デバイスＢ、Ｃ等は各々、テストパターンＰ１、Ｐ４等に従ったテスト（検査）が必要であると分かる。
【０１１７】
テスターに対して上記準備ができたならば、半導体デバイスのテスト（検査）を開始する。以下、本実施の形態に係わる半導体デバイスのテスト（検査）方法を説明する。
【０１１８】
たとえば、実施の形態４に記載されている方法により、半導体デバイスに配設されている識別マーク（識別情報）を認識する。ここで、上述の通り、一度の識別マークの認識作業の際に認識される識別マークの数は、３つであるとする。したがって、一度の識別マークの認識作業により、第一ないし第三の被検査対象の識別マークが各々、認識されたものとする。
【０１１９】
ここで、第一の被検査対象が、機能Ａを有する半導体デバイスＡであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスＢであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ｃを有する半導体デバイスＣであると認識されたとする。
【０１２０】
以上の認識作業後、次に、図１５に示した所定のテーブルを参酌する。すると、半導体デバイスＡ（第一の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０２００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＢ（第二の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「００００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＣ（第三の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０３００」が一義的に決定される。
【０１２１】
ところで、図１５に示すアドレス指定メモリのメモリ１には、第一の被検査対象に必要なテストパターンが記憶されている、テストパターンメモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。また、メモリ２には、第二の被検査対象に必要なテストパターンが記憶されている、テストパターンメモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。また、メモリ３には、第三の被検査対象に必要なテストパターンが記憶されている、テストパターンメモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。
【０１２２】
したがって、次のステップでは、メモリ１には、先頭アドレス「０２００」が記憶される。また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶される。また、メモリ３には、先頭アドレス「０３００」が記憶される。
【０１２３】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のテスト（検査）を、同時に行う。
【０１２４】
具体的に、まず、テスターは、メモリ１ないし３に記憶されている先頭アドレスから、テストパターンメモリに記憶されているテストパターンを読み出す。そして、テスターは、読み出したテストパターンに従って、各被検査対象のテスト（検査）を行う。
【０１２５】
今の場合、メモリ１には、先頭アドレス「０２００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「０２００」に記憶されているテストパターンＰ３を読み出す。
【０１２６】
また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「００００」に記憶されているテストパターンＰ１を読み出す。
【０１２７】
また、メモリ３には、先頭アドレス「０３００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「０３００」に記憶されているテストパターンＰ４を読み出す。
【０１２８】
その後、テスターは、第一の被検査対象（半導体デバイスＡ）に対して、テストパターンＰ３に従ったテスト（検査）を、第二の被検査対象（半導体デバイスＢ）に対して、テストパターンＰ１に従ったテスト（検査）を、第三の被検査対象（半導体デバイスＣ）に対して、テストパターンＰ４に従ったテスト（検査）を、同時に実施する。
【０１２９】
さて、上記テスト（検査）終了後、たとえば、プローバを移動させる。そして、同一シリコンウエハ上に形成されている半導体デバイスに配設されている、各識別マーク（識別情報）を再度認識する。当該認識方法は、上記と同様、たとえば実施の形態４に記載されている方法により、実施することができる。
【０１３０】
当該認識作業の結果、今の場合、第一の被検査対象が、機能Ｅを有する半導体デバイスＥであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスＢであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ｄを有する半導体デバイスＤであると認識されたとする。
【０１３１】
以上の認識作業後、次に、図１５に示した所定のテーブルを参酌する。すると、半導体デバイスＥ（第一の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０１００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＢ（第二の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「００００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＤ（第三の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０４００」が一義的に決定される。
【０１３２】
したがって、次のステップでは、メモリ１には、先頭アドレス「０１００」が書き換えられる。また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」がそのまま記憶される。また、メモリ３には、先頭アドレス「０４００」が書き換えられる。
【０１３３】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のテスト（検査）を、同時に行う。
【０１３４】
具体的に、テスターは、メモリ１ないし３に記憶されている先頭アドレスから、テストパターンメモリに記憶されているテストパターンを読み出す。そして、テスターは、読み出したテストパターンに従って、各被検査対象のテスト（検査）を行う。
【０１３５】
今の場合、メモリ１には、先頭アドレス「０１００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「０１００」に記憶されているテストパターンＰ２を読み出す。
【０１３６】
また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「００００」に記憶されているテストパターンＰ１を読み出す。
【０１３７】
また、メモリ３には、先頭アドレス「０４００」が記憶されている。したがって、テスターは、テストパターンメモリの先頭アドレス「０４００」に記憶されているテストパターンＰ５を読み出す。
【０１３８】
その後、テスターは、第一の被検査対象（半導体デバイスＥ）に対して、テストパターンＰ２に従ったテスト（検査）を、第二の被検査対象（半導体デバイスＢ）に対して、テストパターンＰ１に従ったテスト（検査）を、第三の被検査対象（半導体デバイスＤ）に対して、テストパターンＰ５に従ったテスト（検査）を、同時に実施する。
【０１３９】
当該作業を繰り返し実行する。
【０１４０】
以上のように、本実施の形態に係わる半導体装置の検査方法では、各半導体デバイスに対応して配設されている識別マークを認識し、当該識別マークを基に、自動的に当該半導体デバイスに必要なテストパターンを決定し、さらに、当該テストパターンに従ったテスト（検査）を実施している。
【０１４１】
したがって、異なる種類の半導体デバイスがシリコンウエハ１上に形成されていたとしても、自動的に、かつ同時に複数の半導体デバイスのテスト（検査）を行うことができる。
【０１４２】
＜実施の形態８＞
実施の形態２，３では、識別マークを形成する形態について言及した。また実施の形態４では、プローバ機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。また実施の形態５では、レザーブロー機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。
【０１４３】
本実施の形態では、当該取得（認識）された識別マークが有する識別情報を基に決定されるテスト設定値を用いて、各半導体デバイスを自動的かつ同時に、ＤＣ電気テスト（検査）する場合について言及する。
【０１４４】
なお、本実施の形態においても、異なる機能を有する半導体デバイスが一のシリコンウエハ上に形成されている。また、上述の通り、各半導体デバイスには、対応する識別マークが形成されている。ここで、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【０１４５】
半導体デバイスのテスト（検査）に際して、テスターに対して以下の準備を実施しておく。
【０１４６】
まず、テスト設定値メモリ内に、複数のテスト設定値を記憶しておく。図１６には、当該テスト設定値メモリの概念図が示されている。
【０１４７】
また、複数のアドレス指定メモリが用意されている。当該アドレス指定メモリの概念図も図１６に示されている。なお、当該アドレス指定メモリの数は、たとえば以下のように設定することができる。
【０１４８】
たとえば、一度の識別マークの認識作業の際に、認識される識別マークの数に等しい数を、アドレス指定メモリの数とすることができる。本実施の形態では、一度の識別マークの認識作業の際に認識される識別マークの数は、３つであるとする。したがって、本実施の形態では、アドレス指定メモリの数を３個とすることができる。以下、当該場合について言及する。しかし、当該場合に限定する趣旨で無い。
【０１４９】
また、各アドレス指定メモリは、各識別マークに対応して一義的に決まるテスト設定値が記憶されている、テスト設定値メモリのアドレス（具体的には、先頭アドレス）の記憶・書き換え等が可能である。
【０１５０】
さらに、図１６に示すように、テスターには、所定のテーブルが設定されている。ここで、当該テーブルは、半導体デバイスの各機能と、当該機能に対応したテスト設定値が記憶されている、テスト設定値メモリに対する先頭アドレスとから成る。
【０１５１】
図１６に示した所定のテーブルから分かるように、半導体デバイスＡに対しては、先頭アドレス「０２００」が一義的に決まる。そして、テスト設定値メモリの先頭アドレス０２００には、テスト設定値Ｖ３が記憶されている。ここで、当該設定値Ｖ３は、所定の範囲を有する値とすることができる。半導体デバイスＡに対してＤＣ電気テストを実施した結果、当該テストの出力値が、設定値Ｖ３の値（もしくは、設定値Ｖ３の範囲内）であれば、当該半導体デバイスＡのＤＣ電気テストは、合格と判断できる。
【０１５２】
以下、同様の議論により、半導体デバイスＢ、Ｃ等に対しては各々、テスト設定値Ｖ１、Ｖ４等に基づいて、当該半導体デバイスＢ，Ｃ等のＤＣ電気テストの合否が判断される。
【０１５３】
テスターに対して上記準備ができたならば、半導体デバイスのＤＣ電気テスト（検査）を開始する。以下、本実施の形態に係わる半導体デバイスのテスト（検査）方法を説明する。
【０１５４】
たとえば、実施の形態４に記載されている方法により、半導体デバイスに配設されている識別マーク（識別情報）を認識する。ここで、上述の通り、一度の識別マークの認識作業の際に認識される識別マークの数は、３つであるとする。したがって、一度の識別マークの認識作業により、第一ないし第三の被検査対象の識別マークが各々、認識されたものとする。
【０１５５】
ここで、第一の被検査対象が、機能Ａを有する半導体デバイスＡであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスＢであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ｃを有する半導体デバイスＣであると認識されたとする。
【０１５６】
以上の認識作業後、次に、図１６に示した所定のテーブルを参酌する。すると、半導体デバイスＡ（第一の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０２００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＢ（第二の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「００００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＣ（第三の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０３００」が一義的に決定される。
【０１５７】
ところで、図１６に示すアドレス指定メモリのメモリ１には、第一の被検査対象のＤＣ電気テストの合否判断に必要なテスト設定値が記憶されている、テスト設定値メモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。また、メモリ２には、第二の被検査対象のＤＣ電気テストの合否判断に必要なテスト設定値が記憶されている、テスト設定値メモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。また、メモリ３には、第三の被検査対象のＤＣ電気テストの合否判断に必要なテスト設定値が記憶されている、テストパターンメモリの先頭アドレスが記憶・書き換えされるとする。
【０１５８】
したがって、次のステップでは、メモリ１には、先頭アドレス「０２００」が記憶される。また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶される。また、メモリ３には、先頭アドレス「０３００」が記憶される。
【０１５９】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のＤＣ電気テスト（検査）を、同時に行う。そして、テスターは、当該テスト結果と、所定の設定値との比較を行う。
【０１６０】
具体的に、まず、テスターは、メモリ１ないし３に記憶されている先頭アドレスから、テスト設定値メモリに記憶されているテスト設定値を読み出す。そして、テスターは、読み出したテスト設定値と、各被検査対象のテスト（検査）結果とを比較する。
【０１６１】
今の場合、メモリ１には、先頭アドレス「０２００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「０２００」に記憶されているテスト設定値Ｖ３を読み出す。
【０１６２】
また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「００００」に記憶されているテスト設定値Ｖ１を読み出す。
【０１６３】
また、メモリ３には、先頭アドレス「０３００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「０３００」に記憶されているテスト設定値Ｖ４を読み出す。
【０１６４】
その後、テスターは、第一ないし第三の被検査対象（半導体デバイスＡ〜Ｃ）に対して、ＤＣ電気テスト（検査）を、同時に実施する。
【０１６５】
ＤＣ電気テストの結果、第一の被検査対象（半導体デバイスＡ）から、出力値Ｏ１が出力されたとする。また、第二の被検査対象（半導体デバイスＢ）から、出力値Ｏ２が出力されたとする。また、第三の被検査対象（半導体デバイスＣ）から、出力値Ｏ３が出力されたとする。
【０１６６】
当該結果が得られたなら、テスターは、設定値Ｖ３と第一の被検査対象の出力値Ｏ１とを比較する。そして、当該出力値Ｏ１が、設定値Ｖ３である場合（もしくは、設定値Ｖ３の範囲内である場合）には、テスターは、第一の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ１が、設定値Ｖ３でない場合（もしくは、設定値Ｖ３の範囲外である場合）には、テスターは、第一の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１６７】
同様に、テスターは、設定値Ｖ１と第二の被検査対象の出力値Ｏ２とを比較する。そして、当該出力値Ｏ２が、設定値Ｖ１である場合（もしくは、設定値Ｖ１の範囲内である場合）には、テスターは、第二の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ２が、設定値Ｖ１でない場合（もしくは、設定値Ｖ１の範囲外である場合）には、テスターは、第二の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１６８】
また、テスターは、設定値Ｖ４と第三の被検査対象の出力値Ｏ３とを比較する。そして、当該出力値Ｏ３が、設定値Ｖ４である場合（もしくは、設定値Ｖ４の範囲内である場合）には、テスターは、第三の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ３が、設定値Ｖ４でない場合（もしくは、設定値Ｖ４の範囲外である場合）には、テスターは、第三の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１６９】
さて、上記ＤＣ電気テスト（検査）終了後、たとえば、プローバを移動させる。そして、同一シリコンウエハ上に形成されている半導体デバイスに配設されている、各識別マーク（識別情報）を再度認識する。当該認識方法は、上記と同様、たとえば実施の形態４に記載されている方法により、実施することができる。
【０１７０】
当該認識作業の結果、今の場合、第一の被検査対象が、機能Ｅを有する半導体デバイスＥであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスＢであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ｄを有する半導体デバイスＤであると認識されたとする。
【０１７１】
以上の認識作業後、次に、図１６に示した所定のテーブルを参酌する。すると、半導体デバイスＥ（第一の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０１００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＢ（第二の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「００００」が一義的に決定される。また、半導体デバイスＤ（第三の被検査対象）に対しては、先頭アドレス「０４００」が一義的に決定される。
【０１７２】
したがって、次のステップでは、メモリ１には、先頭アドレス「０１００」が書き換えられる。また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」がそのまま記憶される。また、メモリ３には、先頭アドレス「０４００」が書き換えられる。
【０１７３】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のＤＣ電気テスト（検査）を、同時に行う。
【０１７４】
具体的に、テスターは、メモリ１ないし３に記憶されている先頭アドレスから、テスト設定値メモリに記憶されているテスト設定値を読み出す。そして、テスターは、読み出したテスト設定値を用いて、各被検査対象のＤＣ電気テスト（検査）の合否を判断する。
【０１７５】
今の場合、メモリ１には、先頭アドレス「０１００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「０１００」に記憶されているテスト設定値Ｖ２を読み出す。
【０１７６】
また、メモリ２には、先頭アドレス「００００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「００００」に記憶されているテスト設定値Ｖ１を読み出す。
【０１７７】
また、メモリ３には、先頭アドレス「０４００」が記憶されている。したがって、テスターは、テスト設定値メモリの先頭アドレス「０４００」に記憶されているテスト設定値Ｖ５を読み出す。
【０１７８】
その後、テスターは、第一ないし第三の被検査対象（半導体デバイスＥ，Ｂ，Ｄ）に対して、ＤＣ電気テスト（検査）を、同時に実施する。
【０１７９】
ＤＣ電気テストの結果、第一の被検査対象（半導体デバイスＥ）から、出力値Ｏ１１が出力されたとする。また、第二の被検査対象（半導体デバイスＢ）から、出力値Ｏ１２が出力されたとする。また、第三の被検査対象（半導体デバイスＤ）から、出力値Ｏ１３が出力されたとする。
【０１８０】
当該結果が得られたなら、テスターは、設定値Ｖ２と第一の被検査対象の出力値Ｏ１１とを比較する。そして、当該出力値Ｏ１１が、設定値Ｖ２である場合（もしくは、設定値Ｖ２の範囲内である場合）には、テスターは、第一の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ１１が、設定値Ｖ２でない場合（もしくは、設定値Ｖ２の範囲外である場合）には、テスターは、第一の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１８１】
同様に、テスターは、設定値Ｖ１と第二の被検査対象の出力値Ｏ１２とを比較する。そして、当該出力値Ｏ１２が、設定値Ｖ１である場合（もしくは、設定値Ｖ１の範囲内である場合）には、テスターは、第二の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ１２が、設定値Ｖ１でない場合（もしくは、設定値Ｖ１の範囲外である場合）には、テスターは、第二の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１８２】
また、テスターは、設定値Ｖ５と第三の被検査対象の出力値Ｏ１３とを比較する。そして、当該出力値Ｏ１３が、設定値Ｖ５である場合（もしくは、設定値Ｖ５の範囲内である場合）には、テスターは、第三の被検査対象のＤＣ電気テストは合格であると判断する。これに対して、当該出力値Ｏ１３が、設定値Ｖ５でない場合（もしくは、設定値Ｖ５の範囲外である場合）には、テスターは、第三の被検査対象のＤＣ電気テストは不合格であると判断する。
【０１８３】
当該作業を繰り返し実行する。
【０１８４】
以上のように、本実施の形態に係わる半導体装置の検査方法では、各半導体デバイスに対応して配設されている識別マークを認識し、当該識別マークを基に、自動的に当該半導体デバイスに対応したテスト設定値を決定し、さらに、当該テスト設置値とＤＣ電気テスト結果とを比較し、被検査対象の合否判定を実施している。
【０１８５】
したがって、異なる種類の半導体デバイスがシリコンウエハ１上に形成されていたとしても、自動的に、かつ同時に複数の半導体デバイスのＤＣテスト（検査）および、合否判断を行うことができる。
【０１８６】
＜実施の形態９＞
実施の形態２，３では、識別マークを形成する形態について言及した。また実施の形態４では、プローバ機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。また実施の形態５では、レザーブロー機能を有する識別マーク取得装置により、当該識別マークを取得・認識する発明について言及した。
【０１８７】
本実施の形態では、当該取得（認識）された識別マークが有する識別情報を基に決定されるテストパターン群に従って、各半導体デバイスを自動的かつ同時にテスト（検査）する場合について言及する。
【０１８８】
ここで、当該テストパターン群は、複数のテストパターンから構成されている。また、本実施の形態においても、異なる機能を有する半導体デバイスが一のシリコンウエハ上に形成されている。また、テストパターン群の数は、シリコンウエハ１上に形成されている半導体デバイスの種類数と同じである。つまり、各機能を有する半導体デバイス対応して、一のテストパターン群が用意されている。
【０１８９】
また、上述の通り、各半導体デバイスには、対応する識別マークが形成されている。なお、異なる機能を有する半導体デバイスとして、たとえばマイコンのマスクＲＯＭなどがある。
【０１９０】
半導体デバイスのテスト（検査）に際して、テスターに対して以下の準備を実施しておく。
【０１９１】
つまり、概念図である図１７で示すように、テスターのメモリ内に、複数のテストパターン群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を設定しておく。
【０１９２】
各テストパターン群Ｇ１〜Ｇ３は、複数のテストパターンから構成されている。そして、各テストパターン群Ｇ１〜Ｇ３には、各テストパターンの先頭アドレスが示されている。ここで、当該先頭アドレスは、図１７に示すように、テストパターン群を示す桁と、当該テストパターン群におけるテストパターンの場所を示す桁とから構成されている。そして、取得された認識情報に従って、該当するテストパターン群を示す桁を決定する。
【０１９３】
また、本実施の形態において、テストパターン群Ｇ１は、機能Ａを有する半導体デバイスのテストに必要なテストパターンから構成されている。また、テストパターン群Ｇ２は、機能Ｂを有する半導体デバイスのテストに必要なテストパターンから構成されている。また、テストパターン群Ｇ３は、機能Ｃを有する半導体デバイスのテストに必要なテストパターンから構成されている。
【０１９４】
テスターに対して上記準備ができたならば、半導体デバイスのテスト（検査）を開始する。以下、本実施の形態に係わる半導体デバイスのテスト（検査）方法を説明する。
【０１９５】
たとえば、実施の形態４に記載されている方法により、半導体デバイスに配設されている識別マーク（識別情報）を認識する。ここで、一度の識別マークの認識作業の際に認識される識別マークの数は、３つであるとする。したがって、一度の識別マークの認識作業により、第一ないし第三の被検査対象の識別マークが各々、認識されたものとする。
【０１９６】
ここで、第一の被検査対象が、機能Ａを有する半導体デバイスであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ｃを有する半導体デバイスであると認識されたとする。
【０１９７】
以上の認識作業後、次に、各被検査対象に対応したテストパターン群Ｇ１〜Ｇ３を決定する。具体的に、当該テストパターン群Ｇ１〜Ｇ３の決定は、当該テストパターンに付されている、アドレスのテストパターン群を示す桁と、識別マークとに基づいて、行われる。
【０１９８】
具体的に、本実施の形態では、第一の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ１が決定される。また、第二の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ２が決定される。また、第三の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ３が決定される。
【０１９９】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のテスト（検査）を、同時に行う。なお、本実施の形態では、各被検査対象は、複数のテストパターンに従って、複数のテスト（検査）が行われる。
【０２００】
テストは、第一の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ１に従ったテストを、また第二の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ２に従ったテストを、また第三の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ３に従ったテストを、同時に実施する。
【０２０１】
なお、第一の被検査対象は、複数のテストパターンＡａ〜Ａｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。また、第二の被検査対象は、複数のテストパターンＢａ〜Ｂｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。また、第三の被検査対象は、複数のテストパターンＣａ〜Ｃｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。
【０２０２】
さて、上記テスト（検査）終了後、たとえば、プローバを移動させる。そして、同一シリコンウエハ上に形成されている半導体デバイスに配設されている、各識別マーク（識別情報）を再度認識する。当該認識方法は、上記と同様、たとえば実施の形態４に記載されている方法により、実施することができる。
【０２０３】
当該認識作業の結果、今の場合、第一の被検査対象が、機能Ｃを有する半導体デバイスであると認識されたとする。また、第二の被検査対象が、機能Ｂを有する半導体デバイスであると認識されたとする。また、第三の被検査対象が、機能Ａを有する半導体デバイスであると認識されたとする。
【０２０４】
以上の認識作業後、次に、各被検査対象に対応したテストパターン群Ｇ１〜Ｇ３を決定する。具体的に、当該テストパターン群Ｇ１〜Ｇ３の決定は、当該テストパターンに付されている、アドレスのテストパターン群を示す桁と、識別マークとに基づいて、行われる。
【０２０５】
具体的に、今の場合、第一の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ３が決定される。また、第二の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ２が決定される。また、第三の被検査対象に対しては、テストパターン群Ｇ１が決定される。
【０２０６】
次に、テスターは、第一ないし第三の被検査対象のテスト（検査）を、同時に行う。なお、本実施の形態では、各被検査対象は、複数のテストパターンに従って、複数のテスト（検査）が行われる。
【０２０７】
テストは、第一の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ３に従ったテストを、また第二の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ２に従ったテストを、また第三の被検査対象に対して、テストパターン群Ｇ１に従ったテストを、同時に実施する。
【０２０８】
なお、第一の被検査対象は、複数のテストパターンＣａ〜Ｃｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。また、第二の被検査対象は、複数のテストパターンＢａ〜Ｂｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。また、第三の被検査対象は、複数のテストパターンＡａ〜Ａｅに従って、順次各テスト（検査）を行う。
【０２０９】
当該作業を繰り返し実行する。
【０２１０】
以上のように、本実施の形態に係わる半導体装置の検査方法では、各半導体デバイスに対応して配設されている識別マークを認識し、当該識別マークを基に、自動的に当該半導体デバイスに必要なテストパターン群を決定し、さらに、当該テストパターン群に従ったテスト（検査）を実施している。
【０２１１】
したがって、異なる種類の半導体デバイスがシリコンウエハ１上に形成されていたとしても、自動的に、かつ同時に複数の半導体デバイスに対して、複数のテストパターンに従ったテスト（検査）を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１】実施の形態１に係わる、一のシリコンウエハに形成される半導体デバイスの配列示す平面図である。
【図２】シリコンウエハに形成された識別マーク等を示す、拡大平面図である。
【図３】全ての半導体デバイスに形成されている、識別マークの様子を示す拡大平面図である。
【図４】実施の形態４に係わる識別マーク読み取り装置の構成を示す、ブロック図である。
【図５】実施の形態４に係わる識別マーク読み取り方法を、説明するための図である。
【図６】実施の形態４に係わる識別マーク読み取り方法を示す、フローチャートである。
【図７】実施の形態５に係わる識別マーク読み取り装置の構成を示す、ブロック図である。
【図８】レーザ光等の経路を示す概念図である。
【図９】ＬＴマークと識別マークとの配設例を示す平面図である。
【図１０】実施の形態５に係わる識別マーク読み取り方法を示す、フローチャートである。
【図１１】ＬＴマークと識別マークとの他の配設例を示す平面図である。
【図１２】実施の形態６に係わるテスト方法において使用される、テーブルを示す図である。
【図１３】実施の形態６に係わるテスト方法を説明するための、フローチャートである。
【図１４】実施の形態６に係わるテスト方法を説明するための、他のフローチャートである。
【図１５】実施の形態７に係わるテスト方法において、準備されるデータ等を示す図である。
【図１６】実施の形態８に係わるテスト方法において、準備されるデータ等を示す図である。
【図１７】実施の形態９に係わるテスト方法において使用される、複数のテストパターン群を示す図である。
【符号の説明】
【０２１３】
１  シリコンウエハ、ＩＭ，Ｐ３，Ｐ４  識別マーク。
【図１】
2007033248.tif 000003
【図２】
2007033248.tif 000004
【図３】
2007033248.tif 000005
【図４】
2007033248.tif 000006
【図５】
2007033248.tif 000007
【図６】
2007033248.tif 000008
【図７】
2007033248.tif 000009
【図８】
2007033248.tif 000010
【図９】
2007033248.tif 000011
【図１０】
2007033248.tif 000012
【図１１】
2007033248.tif 000013
【図１２】
2007033248.tif 000014
【図１３】
2007033248.tif 000015
【図１４】
2007033248.tif 000016
【図１５】
2007033248.tif 000017
【図１６】
2007033248.tif 000018
【図１７】
2007033248.tif 000019