(57)【要約】【課題】反射電極の光反射率を向上し、残像発生を減少しうる表示基板を提供する。【解決手段】ベース基板１１０、ベース基板１１０上に形成された薄膜トランジスタ１２０、薄膜トランジスタ１２０を覆うようにベース基板１１０上に形成された保護層１３０、保護層１３０上の反射領域に形成された複数の反射パターン１５０、及び反射パターン１５０上に形成された透明電極層１６０及び反射電極層１７０を含む。反射パターンは、極性が互いに異なる二つの高分子膜を保護層１３０上に形成し、高分子膜の層転移現象によって形成される。表示基板は、反射領域における光透過率が優秀であり、液晶表示装置の残像を減少することができる。【選択図】図２
2007025663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように前記ベース基板上に形成され、反射領域及び透過領域に区分される保護層と、
前記保護層上の反射領域に形成され、互いに異なる極性を有する二つの高分子層を含む複数の反射パターンと、
前記複数の反射パターンを覆うように前記保護層上に形成された透明電極層と、
前記反射領域に対応する透明電極層上に形成された反射電極層と、を含むことを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記反射パターンは、断面上から見たとき、アーチ形状を有することを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項３】
前記反射パターンは、第１高分子を含む表面部、及び第２高分子を含み、前記表面部に取り囲まれる中心部を含むことを特徴とする請求項２記載の表示基板。
【請求項４】
前記第１高分子の極性は、前記保護層の極性と異なり、前記第２高分子の極性は、前記保護層の極性と同一であることを特徴とする請求項３記載の表示基板。
【請求項５】
前記第１高分子及び第２高分子は、ブロック共重合体であることを特徴とする請求項３記載の表示基板。
【請求項６】
前記第１高分子はポリスチレンを含み、前記第２高分子はポリビニルピリジンを含むことを特徴とする請求項３記載の表示基板。
【請求項７】
前記反射パターンは、上から見たとき、それぞれ不規則な閉曲線形状を有することを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項８】
前記反射パターンの大きさは、不規則であることを特徴とする請求項７記載の表示基板。
【請求項９】
前記反射パターンの間には、保護層が露出していることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項１０】
前記反射パターンの間には、平坦面が形成されることを特徴とする請求項９記載の表示基板。
【請求項１１】
前記保護層は、前記反射領域で第１厚さを有し、前記透過領域で前記第１厚さより薄い第２厚さを有することを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項１２】
（ｉ）第１ベース基板、
前記第１ベース基板上に形成された複数の薄膜トランジスタ、
前記複数の薄膜トランジスタを覆うように前記第１ベース基板上に形成され、反射領域及び透過領域に区分される保護層、
光反射率を増加させるために、前記保護層上の反射領域に形成され、互いに異なる極性を有する二つの高分子層を含む複数の反射パターン、
前記複数の反射パターンを覆うように前記保護層上に形成された透明電極層、及び
前記反射領域に対応する透明電極層上に形成された反射電極層、を含む第１表示基板と、
（ｉｉ）第２ベース基板、
前記第２ベース基板上に形成されたカラーフィルタ層、
及び前記カラーフィルタ層上に形成された共通電極層を含み、前記第１表示基板と向かい合う第２表示基板と、
（ｉｉｉ）前記第１表示基板と第２表示基板との間に配置された液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項１３】
ベース基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に保護層を形成する段階と、
前記保護層上に前記保護層の極性と異なる極性を有する第１高分子膜を形成する段階と、
前記第１高分子膜上に前記保護層の極性と同一の極性を有する第２高分子膜を形成する段階と、
前記第１高分子膜及び第２高分子膜の一部を除去して保護層上に透過領域を形成する段階と、
前記第１高分子膜及び第２高分子膜を加熱して複数の反射パターンを含む反射パターンを形成する段階と、
前記保護層上に前記反射パターンを覆うように透明電極層を形成する段階と、
前記反射パターンに対応する前記透明電極層上に反射電極層を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１高分子膜及び第２高分子膜は、ブロック共重合体を含むことを特徴とする請求項１３記載の表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ブロック共重合体は、反復単位として感光性機能基及び感光性架橋基を含むことを特徴とする請求項１４記載の表示基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１高分子膜はポリスチレンを含み、前記第２高分子膜はポリビニルピリジンを含むことを特徴とする請求項１３記載の表示基板の製造方法。
【請求項１７】
前記透過領域は、一つのマスクを用いる露光及び現像工程を通じて形成することを特徴とする請求項１３記載の表示基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板、前記表示基板を含む液晶表示パネル及び前記表示基板の製造方法に関わり、より詳細には、光反射率を向上させ、液晶表示装置の残像発生を防止しうる表示基板、液晶表示パネル及び表示基板の製造工程を単純化しうる表示基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、表示装置は、情報処理装置にて処理された電気的情報を画像に変更させる。
【０００３】
代表的な表示装置としては、陰極線管方式の表示装置（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ  ｔｙｐｅ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）、有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）などがある。
【０００４】
前記液晶表示装置は、光の利用方法によって透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、及び反射透過型液晶表示装置に区分する。
【０００５】
前記透過型液晶表示装置は、ランプなどから発生した内部の光が液晶を透過するようにすることで画像を表示し、反射型液晶表示装置は、太陽光などの外部光を反射して画像を表示する。
【０００６】
前記反射透過型液晶表示装置は、外部光の光量が豊かな位置では反射型液晶表示装置のように作動し、外部光の光量が足りない位置では、透過型液晶表示装置のように作動することで、消費電力を減少させることができ、暗い位置でも画像を表示することができる長所を有する。
【０００７】
前記反射透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置は、外部光を反射させて画像を表示するために一般的に外部光を反射させる反射電極を含み、前記反射電極の表面には、外部光を散乱させるための反射パターンを含む。
【０００８】
一般的に前記反射電極の反射パターンは、低分子量の感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像によるパターニング工程を経て形成される。
【０００９】
しかし、このような反射パターンは、現像及び架橋化段階を経るに従ってレンズ形状が変化してしまう問題点がある。また、有機膜の流れ性によって、形成された反射パターンの間に平坦な面が形成できなくて反射パターンの間で反射光の干渉による反射率の低下現象が発生する可能性がある。
【００１０】
また、これとは違って、有機高分子材料を用いた従来の反射パターンの形成方法によっても架橋化の後に、少量の低分子物質を含むので、残像の問題が発生する恐れがある。
【００１１】
また、従来の反射パターンの形成のためには、複数のマスク工程が必要であるので、製造工程の効率面から不利であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、反射電極の光反射率を向上し、残像発生を減少しうる表示基板を提供する。
【００１３】
また本発明は、前記表示基板を含む液晶表示パネルを提供する。
【００１４】
また本発明は、工程を単純化しうる表示基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
発明の一特徴による表示基板は、ベース基板、薄膜トランジスタ、保護層、複数の反射パターン、透明電極層、及び反射電極層を含む。
【００１６】
前記薄膜トランジスタは、前記ベース基板上に形成される。前記保護層は、前記薄膜トランジスタを覆うように前記ベース基板上に形成され、反射領域及び透過領域に区分される。前記複数の反射パターンは、光反射率を増加させるために前記保護層上の反射領域に形成され、互いに異なる極性を有する二つの高分子層を含む。前記透明電極層は、前記複数の反射パターンを覆うように前記保護層上に形成される。前記反射電極層は、前記反射領域に対応する透明電極層上に形成される。
【００１７】
本発明の一特徴による液晶表示パネルは、第１表示基板、第２表示基板、及び前記第１表示基板と第２表示基板との間に配置される液晶層を含む。
【００１８】
前記第１表示基板は、第１ベース基板、薄膜トランジスタ、保護層、複数の反射パターン、透明電極層、及び反射電極層を含む。
【００１９】
前記薄膜トランジスタは、前記第１ベース基板上に形成される。前記保護層は、前記薄膜トランジスタを覆うように前記第１ベース基板上に形成され、反射領域及び透過領域に区分される。前記複数の反射パターンは、光反射率を増加させるために前記保護層上の反射領域に形成され、互いに異なる極性を有する二つの高分子層を含む。前記透明電極層は、前記複数の反射パターンを覆うように前記保護層上に形成される。前記反射電極層は、前記反射領域に対応する透明電極層上に形成される。
【００２０】
前記第２表示基板は、前記第１表示基板と向かい合うように配置され、前記第２表示基板は、第２ベース基板、前記第２ベース基板上に形成されたカラーフィルタ層、及び前記カラーフィルタ層上に形成された共通電極層を含む。
【００２１】
本発明の一特徴によって表示基板を製造するためには、まず、ベース基板上に薄膜トランジスタを形成する。前記薄膜トランジスタ上には、保護層が形成される。前記第１高分子膜上には、前記保護層の極性と同一の極性を有する第２高分子膜が形成される。露光及び現像工程を通じて前記第１高分子及び第２高分子膜の一部を除去して複数の反射パターンを含む反射パターンを形成する。前記保護層上に前記反射パターンを覆うように透明電極層を形成する。前記反射パターンに対応する前記透明電極層に反射電極層を形成して表示基板を完成する。
【００２２】
本発明によると、前記表示基板は、反射領域における光反射率が優秀であり、残像の発生を減少させることができる。また、表示基板に含まれる反射パターンは、優秀な耐久性を有する。一方、前記表示基板の製造方法によって表示基板を製造すると、表示基板の製造工程を単純化することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、表示基板の反射パターンは、二つの高分子層の層転移による化学的な方法によって形成されるので、反射パターンの形成のためのマスク工程が不必要になって表示基板の製造工程を単純化することができる。
【００２４】
また、前記反射パターンは不規則な形状を有するので、光反射率を向上させることでき、架橋化の後にも低分子物質を含まないので、液晶表示装置の残像問題を解決することができる。
【００２５】
また、反射パターンの間に平坦面が形成されるので、隣接する反射パターンの間で反射光による干渉現象を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００２７】
（表示基板）
図１は、本発明の一実施形態による表示基板の平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。
【００２８】
図１及び図２を参照すると、表示基板１００は、ベース基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、保護層１３０、及び反射パターン１８０を含む。
【００２９】
前記ベース基板１１０は、透明な基板、例えば、ガラス基板を含む。
【００３０】
前記ベース基板１１０上には、第１信号線１０及び第２信号線２０が形成されている。第１信号線１０は、第１方向に沿って延びられ、第１方向と直交する第２方向に沿って複数個が並列に配置される。第２信号線２０は、第２方向に沿って延びられ、第１方向に複数個が並列に配置される。
【００３１】
前記薄膜トランジスタ１２０は、ゲート電極１２１、絶縁層１２３、チャンネル層１２５、ソース電極１２７、及びドレイン電極１２９を含む。
【００３２】
前記ゲート電極１２１は、第１信号線１０から第２方向の一部が延びられて形成される。前記ゲート電極１２１は、前記絶縁層１２３によって絶縁される。
【００３３】
前記チャンネル層１２５は、ゲート電極１２１を覆うように絶縁層１２３上に形成される。前記チャンネル層１２５は、アモルファスシリコンを含むアモルファスシリコンパターンを含む。これとは違って、前記チャンネル層は、アモルファスシリコンパターン上に形成されたｎ＋アモルファスシリコンパターンを更に含むことができる。
【００３４】
前記第１信号線１０を通じて前記チャンネル層１２５にターンオン信号が印加されると、前記チャンネル層１２５を通じて電流が流れるようになる。
【００３５】
前記ソース電極１２７は、第２信号線２０から前記チャンネル層１２５の方向に延びられ、前記チャンネル層１２５と電気的に連結される。
【００３６】
前記ドレイン電極１２９は、前記チャンネル層１２５上に形成されて前記チャンネル層１２５と電気的に連結される。前記ドレイン電極１２９は、前記ソース電極１２７と向かい合うように離隔して配置される。第１信号線１０にターンオン信号が印加されると、前記第２信号線２０に印加されたデータ信号が前記チャンネル層１２５に通じてドレイン電極１２９に伝達される。
【００３７】
前記保護層１３０は、前記薄膜トランジスタ１２０を覆うように前記ベース基板１１０上に形成される。前記ドレイン電極１２９の一部は、コンタクトホール１４０を通じて保護層１３０の上面に露出される。
【００３８】
前記保護層１３０上には、反射パターン層１８０が形成されている。反射パターン層１８０は、複数の反射パターン１５０、前記反射パターン１５０上に形成された透明電極層１６０、及び前記透明電極層１６０上に形成された反射電極層１７０を含む。
【００３９】
前記反射パターン層１８０は、反射領域（ＲＦ）及び透過領域（ＴＲ）に区分する。前記透過領域（ＴＲ）には、前記反射パターン１５０、及び反射電極層１７０が形成されない。
【００４０】
前記反射パターン１５０は、前記保護層１３０の表面から不規則に突出したエンボシング構造を有する。前記反射パターン１５０は上から見たとき、不規則な閉曲線の形状を有する。また、前記反射パターン１５０の大きさも不規則である。
【００４１】
前記反射パターン１５０は、互いに分離するように離隔されて形成される。したがって、反射パターン１５０の間には、保護層が露出される。また、隣接する反射パターン１５０の間には平坦な面が形成される。
【００４２】
前記反射パターン１５０は、前記反射領域（ＲＦ）に形成される。前記透明電極層１６０は、前記反射パターン１５０を覆うように前記保護層１３０上に形成される。前記透明電極層１６０は、導電性を有する透明な材質を含む。具体的に、前記透明電極層１６０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、またはアモルファスインジウムスズ酸化物（ａ−ＩＴＯ）などを含むことができる。
【００４３】
前記反射電極層１７０は、反射領域（ＲＦ）に形成される。前記反射電極層１７０は、反射電極物質を透明電極層１６０上に形成した後、フォトリソグラフィ工程などを通じて反射領域（ＲＦ）にのみ選択的に形成される。前記反射電極物質として反射率が優秀な金属を用いることができる。前記金属の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、などを挙げることができる。
【００４４】
図３は、図２のＡ部分の拡大図である。
【００４５】
図３を参照すると、反射パターン１５０は、二つの高分子膜を含む。また、前記反射パターン１５０は、表面部１５２と中心部１５４に区分する。前記表面部１５２は、第１高分子を含み、中心部１５４は、第２高分子を含む。前記第１高分子は、保護層１３０の極性と異なる極性を有する。反面、第２高分子は、前記保護層１３０と同一の極性を有する。前記反射パターン１５０の製造時には、第１高分子膜が先に形成され、前記第１高分子膜上に第２高分子膜が形成される。しかし、前記第１高分子膜及び第２高分子膜に熱が加えられると、層転移が起こって、前記第１高分子膜は隆起し、前記第２高分子膜は沈降するようになる。また、このような層転移過程を通じて別途の追加工程なしに反射パターン１５０が形成される。
【００４６】
本実施形態で、前記第１高分子及び第２高分子は、それぞれポリスチレン（ＰＳ）及びポリビニルピリジン（ＰＶＰ）を含む。
【００４７】
この場合、ポリスチレンは極性がない（またはポリビニルピリジンと比較して極性が低い）。一方、ポリビニルピリジンは極性がある（またはポリスチレンと比較して強い極性を持つ）。また、前記第１高分子及び第２高分子は、反復単位として感光性機能基及び感光性架橋基を含むことができる。前記感光性架橋基を含むことで、前記反射パターン１５０は、架橋化しかつ保護層１３０上に堅固に付着することができる。
【００４８】
また、前記第１高分子及び第２高分子は、ブロック共重合体であることが望ましい。前記ブロック共重合体は、層転移過程にて多様な形態を有する反射パターン１５０を形成させるに適合である。
【００４９】
前記第１高分子膜及び第２高分子膜の層転移過程で下に位置した第１高分子膜及び第２高分子膜は、張力によって切断される。したがって、隣接する反射パターン１５０の間には保護層１３０が露出されるので、平坦面が形成される。
【００５０】
反射パターン１５０の断面は、アーチ形態有する。表面部１５２の厚さは一定でない。
【００５１】
前記反射パターン１５０は、層転移過程で不規則に形成されるので、その形態及び大きさが一定でない。
【００５２】
前記反射パターン１５０は、追加的な工程なしに高分子の化学的な性質によって形成されるので、表示基板の製造工程を単純化することができる。また、反射パターン１５０の間に平坦面を形成するので、隣接する反射パターン１５０から反射された反射光の干渉現象を減少することができる。反射パターン１５０は、分子量が大きい高分子を含むので、加熱及び架橋時における反射パターン１５０の変形を起こさない。
【００５３】
保護層１３０には、コンタクトホール１４０が形成される。前記コンタクトホール１４０を通じて透明電極層１６０及び反射電極層１７０がトランジスタ１２０のドレイン電極１２９と電気的に連結される。
【００５４】
前記反射パターン層１８０上には、液晶の初期配向のための配向膜（図示せず）が形成される。
【００５５】
図４は、本発明の他の実施形態による表示基板の断面図である。
【００５６】
表示基板２００は、保護層及び透過領域（ＴＲ）を除くと、図２の表示基板１００と実質的に同一である。したがって、図２の表示基板の構造と異なる部分のみを説明し重複された説明は省略する。
【００５７】
図４を参照すると、表示基板２００は、ベース基板２１０、薄膜トランジスタ２２０、保護層２３０、及び反射パターン層２８０を含む。
【００５８】
前記薄膜トランジスタ２２０は、前記ベース基板２１０上に形成される。前記薄膜トランジスタ２２０は、ゲート電極２２１、絶縁層２２３、チャンネル層２２５、ソース電極２２７、及びドレイン電極２２９を含む。
【００５９】
前記保護層２３０は、透過領域（ＴＲ）に対応する部分に開口２３５を有する。したがって、前記開口２３５を通じて前記薄膜トランジスタ２２０の絶縁層２２３が露出される。
【００６０】
前記反射パターン層２８０は、複数の反射パターン２５０、前記反射パターン２５０上に形成された透明電極層２６０、及び前記透明電極層２６０上に形成された反射電極層２７０を含む。前記反射パターン２５０は、反射領域（ＲＦ）に形成される。
【００６１】
前記透明電極層２６０は、前記反射パターン２５０を覆うように反射領域（ＲＦ）及び透過領域（ＴＲ）上に形成される。前記透明電極層２６０はまた透過領域に対応する保護層２３０が開口されたので露出された絶縁層２２３上に形成される。
【００６２】
前記反射電極層２７０は、反射領域（ＲＦ）の透明電極層２６０上に形成される。
【００６３】
前記表示基板２００は、透過領域（ＴＲ）の厚さが薄いため、前記表示基板２００上に配置される液晶層（図示せず）のセルギャップが反射領域（ＲＦ）より相対的に大きくなり、この結果、前記透過領域（ＴＲ）と反射領域（ＲＦ）における輝度差が減少する。
【００６４】
（液晶表示装置）
図５は、本発明の一特徴による液晶表示パネルの断面図である。
【００６５】
図５を参照すると、液晶表示パネル５００は、第１表示基板１００、第２表示基板３００、及び液晶層４００を含む。
【００６６】
前記第１表示基板は、既に図２を参照して説明したので、重複された説明は省略する。
【００６７】
前記第１表示基板３００は、第１ベース基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、保護層１２０、及び反射パターン層１８０を含む。
【００６８】
前記第２表示基板３００は、第１表示基板１００と向かい合うように配置される。前記第２表示基板３００は、第２ベース基板３１０、カラーフィルタ層３２０、及び共通電極層３３０を含む。
【００６９】
前記カラーフィルタ層３２０は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを含む。前記カラーフィルタ層３２０は、第１表示基板１００の透明電極層１６０と向かい合うように形成される。
【００７０】
前記共通電極層３３０は、前記カラーフィルタ層３２０を覆うように前記第２ベース基板３１０上に形成される。
【００７１】
前記液晶層４００は、第１表示基板１００と第２表示基板３００との間に配置される。前記液晶層４００は、前記第１表示基板１００の透過領域（ＴＲ）及び反射領域（ＲＦ）から提供される光の透過率を前記透明電極層１６０と共通電極層３２０との間に形成された電場の強度に対応して変更させ、この結果、画像を表示する。
【００７２】
図６は、本発明の他の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【００７３】
本実施形態による液晶表示パネルは、第１表示基板を除くと、図５の液晶表示パネルと同一である。したがって、同一の部分に対する重複された説明は省略する。
【００７４】
図６を参照すると、液晶表示パネル６００は、第１表示基板２００、第２表示基板３００、及び液晶層４００を含む。
【００７５】
前記第１表示基板３００は、第１ベース基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、保護層１３０、及び反射パターン層１８０を含む。前記第１表示基板２００は、透過領域（ＴＲ）に対応する領域に開口２３５を有する。
【００７６】
前記第２表示基板３００は、第１表示基板２００と向かい合うように配置される。前記第２表示基板３００は、第２ベース基板３１０、カラーフィルタ層３２０、及び共通電極層３３０を含む。
【００７７】
前記液晶層４００は、第１表示基板２００と第２表示基板との間に配置される。前記液晶層４００は、前記第１表示基板２００の透過領域（ＴＲ）及び反射領域（ＲＦ）から提供される光の透過率を前記透明電極層２６０と共通電極層３２０との間に形成された電場の強度に対応して変更させ、この結果、画像を表示する。
【００７８】
前記液晶層４００は、反射領域（ＲＦ）のセルギャップ（Ｈ１）より透過領域（ＴＲ）のセルギャップ（Ｈ２）が相対的に大きいので、この結果、前記透過領域（ＴＲ）と反射領域（ＲＦ）における輝度差が減少する。
【００７９】
（表示基板の製造方法）
以下、本発明の一特徴による表示基板の製造方法を詳細に説明する。
【００８０】
図７は、ベース基板上に薄膜トランジスタを形成したものを示した断面図である。
【００８１】
図７を参照すると、ベース基板１１０上には、第１信号線（図示せず）が形成される。第１信号線をベース基板上に形成するために、ベース基板１１０の上面には金属物質が塗布され、金属薄膜は、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。
【００８２】
薄膜トランジスタ１２０は、ベース基板１１０上に形成される。前記薄膜トランジスタ１２０は、ゲート電極１２１、絶縁層１２３、チャンネル層１２５、ソース電極１２７、及びドレイン電極１２９を含む。
【００８３】
前記ゲート電極１２１は、前記第１信号線に垂直な方向に第１信号線の一部が延びられて形成される。
【００８４】
前記絶縁層１２４は、前記ゲート電極１２１を覆うように前記ベース基板１１０上に形成される。前記絶縁層１２３は、有機物質または無機物質を含む。
【００８５】
前記チャンネル層１２５は、前記絶縁層１２３上にゲート電極１２１を覆うように形成される。前記チャンネル層１２５は、半導体物質を前記絶縁層上に蒸着した後、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされて形成される。本実施形態で、前記チャンネル層１２５は、アモルファスシリコン薄膜をパターニングして形成される。前記第１信号線１０を通じて前記チャンネル層１２５にターンオン信号が印加されると、前記チャンネル層１２５を通じて電流が流れるようになる。
【００８６】
第２信号線（図示せず）は、チャンネル層１２５が形成されたベース基板１１０上に形成される。前記第２信号線を形成するために、ベース基板１１０上には、金属薄膜が全面積にかけて形成され、金属薄膜は、フォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされて形成される。前記第２信号線は第１信号線と垂直する方向に延びられる。
【００８７】
前記ソース電極１２７は、前記第２信号線から垂直する方向に延びられて形成される。前記ソース電極１２７は、前記チャンネル層１２５の一側に形成されて第１信号線からターンオン信号が印加されると、前記チャンネル層１２５と電気的に連結される。前記第２信号線には、外部から提供されたデータ信号が印加される。
【００８８】
第２信号線を形成するために金属薄膜がフォトリソグラフィ工程によってパターニングされると共に、チャンネル層１２５の他側上にはドレイン電極１２９が形成される。
【００８９】
図８は、図７の薄膜トランジスタ上に保護層を形成したものを示した断面図である。
【００９０】
図８を参照すると、保護層１３０は、薄膜トランジスタ１２０を覆うようにベース基板１１０上に形成される。前記保護層１３０は、有機物質を含む。前記有機物質は、ポジティブ感光物質またはネガティブ感光物質を含む。前記有機物質は、スピンコーティング、スリットコーティングなどの方法によってベース基板１１０上に塗布される。
【００９１】
図９は、図８の保護層上に反射パターンの形成のために二つの高分子膜を形成したものを示した断面図である。
【００９２】
図９を参照すると、保護層１３０には、複数の反射パターンを形成するために第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４が順次に形成される。
【００９３】
前記第１高分子膜１４２は、前記保護層１３０の極性と異なる極性を有する高分子を含む。反面、第２高分子膜１４４は、前記保護層１３０と同一の極性を有する高分子を含む。
【００９４】
本実施形態で、前記第１高分子膜１４２は、ポリスチレン（ＰＳ）を含み、第２高分子膜１４４は、ポリビニルピリジン（ＰＶＰ）を含む。
【００９５】
また、前記保護層１３０は、ポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリアクリル酸（ｐｏｌｙａｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ；ＰＡＡ）、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）、ポリエチレンオキシド（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ；ＰＥＯ）などを含むことができる。
【００９６】
前記第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４は、ブロック共重合体を含むものが望ましい。前記ブロック共重合体は、熱が加えられると、自己組立（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ）現象によってラメラ（ｌａｍｅｌａ）、キュービック（ｃｕｂｉｃ）、ジャイロド（ｇｙｒｏｉｄ）などの多様な形態の相（ｐｈａｓｅ）を形成することができる。
【００９７】
前記第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４は、反復単位として感光性機能機及び感光性架橋剤を含むことができる。前記第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４が感光性機能機及び感光性架橋剤を含むと、形成される反射パターン１５０が架橋化して保護層１３０上に堅固に付着することができる。
【００９８】
図１０は、図９の高分子膜をパターニングしたものを示した断面図である。
【００９９】
第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４は、マスク５０を用いてパターニングされる。マスク５０は、コンタクトホール１４０を形成するための開口５２及び透過領域（ＴＲ）を形成するための複数のスリット５４を含む。
【０１００】
前記マスク５０の開口５２に対応される第１高分子膜、第２高分子膜、及び保護層１３０は、露光及び現像工程によって除去されてコンタクトホール１４０を形成してドレイン電極１２９の一部が露出される。
【０１０１】
前記マスク５０のスリット５４に対応する第１高分子膜及び第２高分子膜は、露光及び現像工程によって除去され、透過領域（ＴＲ）を形成する。
【０１０２】
これとは違って、前記スリット５４を開口に代置することで、前記スリット５４が形成されたマスク領域に開口を形成して第１高分子膜及び第２高分子膜だけでなく、開口に対応する保護層１３０まで除去することができる。これによって、前記透過領域（ＴＲ）に対応する液晶層（図示せず）のセルギャップを増加させることができる。
【０１０３】
図１１は、保護層上に反射パターンが形成される過程を示す断面図である。
【０１０４】
パターニングされた第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４を加熱すると、層転移現象が発生して保護層１３０と極性の異なる第１高分子膜１４２は隆起し、第２高分子膜１４４は沈降するようになる。層転移が進行されながら、前記第１分離膜１４２及び第２高分子膜１４４は、複数の膜に分離される。
【０１０５】
前記第１高分子膜１４２及び第２高分子膜１４４は、選択的に加熱することでき、ベース基板１１０の加熱を通じて間接的に加熱することができる。
【０１０６】
図１２は、図１１の保護層上に反射パターンが形成されるものを示した断面図である。図１３は、図１２の「Ｂ」部分の拡大図である。
【０１０７】
図１２を参照すると、前記保護層１３０上の反射領域（ＴＲ）には、層転移が完了して複数の反射パターン１５０が形成される。隣接する反射パターン１５０の間には、保護層１３０が露出して平坦面が形成される。
【０１０８】
前記反射パターン１５０は、断面状からアーチ形状を有する。また、前記反射パターン１５０は、平面状から見たとき、不規則な閉曲線の形状を有し、前記反射パターン１５０の大きさは多様にすることができる。
【０１０９】
前記反射パターン１５０は、多様な形状を有するので、光反射率を増加させることができる。
【０１１０】
図１１及び図１３を参照すると、前記反射パターン１５０は表面部１５２及び中心部１５４を含む。前記表面部１５２は、第１高分子膜１４２が層転移によって隆起されて形成された部分であって、第１高分子を含む。前記中心部１５４は、第２高分子膜１４４が層転移によって沈降して形成された部分であって、第２高分子を含む。
【０１１１】
前記層転移は、不規則に発生するので、前記表面部１５２の厚さは、一定でない。
【０１１２】
図１４は、反射パターン上に透明電極層を形成したものを示した断面図である。
【０１１３】
図１４を参照すると、透明電極層１６０は、透明な導電性物質を保護層１３０上に反射パターン１５０を覆うようにして形成される。前記透明電極層１５０は、反射パターンの上部を覆うように反射領域（ＲＦ）及び透過領域（ＴＲ）を含む全面積にかけて形成される。
【０１１４】
前記透明な導電性物質の例としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アモルファスインジウムスズ酸化物（ａ−ＩＴＯ）などを挙げることができる。
【０１１５】
前記透明電極層１６０は、コンタクトホール１４０の内面上にも形成される。透明電極層１６０は、コンタクトホール１４０を通じて薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極１２９と電気的に連結される。
【０１１６】
図１５は、図１４の透明電極層上に反射電極層が形成されたものを示した断面図である。
【０１１７】
図１５を参照すると、前記反射電極層１７０は、透明電極層１６０上の反射領域（ＲＦ）上に反射電極物質を塗布し、フォトリソグラフィ工程を通じて形成される。前記反射電極層１７０は、コンタクトホール１４０の内面にも形成することができる。
【０１１８】
前記反射電極物質の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金などを挙げることができる。前記反射電極層１７０上には示していないが、配向膜を形成することができる。
【０１１９】
これによって、複数の反射パターン１５０、透明電極層１６０及び反射電極層１７０を含む反射パターン層１８０が形成され、延いては表示基板１００が完成する。
【０１２０】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の一実施形態による表示基板の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。
【図３】図２「Ａ」部分の拡大図である。
【図４】本発明の他の実施形態による表示基板の断面図である。
【図５】本発明の一特徴による液晶表示パネルの断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図７】ベース基板上に薄膜トランジスタを形成したものを示した断面図である。
【図８】図７の薄膜トランジスタ上に保護層を形成したものを示した断面図である
【図９】図８の保護層上に反射パターンの形成のために二つの高分子膜を形成したものを示した断面図である。
【図１０】図９の高分子膜をパターニングしたものを示した断面図である。
【図１１】保護層上に反射パターンが形成される過程を示す断面図である。
【図１２】図１の保護層上に反射パターンが形成されるものを示した断面図である。
【図１３】図１２の「Ｂ」部分の拡大図である。
【図１４】反射パターン上に透明電極層を形成したものを示した断面図である。
【図１５】図１４の透明電極層上に反射電極層が形成されたものを示した断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１００…表示基板、
１１０…ベース基板、
１２０…薄膜トランジスタ、
１２１…ゲート電極、
１２３…絶縁層、
１２５…チャンネル層、
１２７…ソース電極、
１２９…ドレイン電極、
１３０…保護層、
１４１…第１高分子膜、
１４２…第２高分子膜、
１５０…反射パターン、
１６０…透明電極層、
１７０…反射電極層、
５００、６００…液晶表示パネル。
【図１】
2007025663.tif 000003
【図２】
2007025663.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007025663.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007025663.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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