(57)【要約】【課題】  欠陥部に修正液の堆積層を正確に形成することが可能なパターン修正装置を提供する。【解決手段】  このパターン修正装置では、シャッタ３１を開く指令または閉じる指令を出してからシャッタ３１が開状態または閉状態になるまでの応答時間Ｔｄと、塗布ノズル３０と基板３４の相対移動速度ｖとに基づいて、応答時間Ｔｄ内にシャッタ３１が移動する応答遅れ距離ｘを求め、堆積膜３６を描画すべき区間Ｂの始点Ｐ１または終点Ｐ２から応答遅れ距離ｘだけ手前の位置に塗布ノズル３０が到達したときにシャッタ３１を開く指令または閉じる指令を出す。したがって、塗布ノズル３０が区間Ｂの始点Ｐ１または終点Ｐ２に到達した瞬間にシャッタ３０が開状態または閉状態になる。【選択図】        図１０
2007066803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
霧状の修正液を前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置とを備え、
前記堆積装置は、前記霧状の修正液を噴射する塗布ノズルと、該塗布ノズルと前記基板との間で開閉されるシャッタとを含み、
さらに、前記塗布ノズルが前記欠陥部の上方を移動するように、前記堆積装置と前記基板とを相対的に移動させる位置決め装置と、
前記シャッタを開く指令または閉じる指令を出してから前記シャッタが開状態または閉状態になるまでの応答時間と、前記塗布ノズルと前記基板の相対移動速度とに基づいて、前記応答時間内に前記シャッタが移動する応答遅れ距離を求め、前記欠陥部の始点または終点から前記応答遅れ距離だけ手前の位置に前記塗布ノズルが到達したときに前記シャッタを開く指令または閉じる指令を出す制御装置とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。  
【請求項２】
前記塗布ノズルと前記基板の相対移動速度は一定であることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、霧状の修正液を塗布ノズルを介して噴射するとともに塗布ノズルと基板の間でシャッタを開閉し、霧状の修正液を欠陥部に噴射して修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。塗布ノズルと基板は相対的に移動され、塗布ノズルが欠陥部の始点に到達したときにシャッタが開かれ、塗布ノズルが欠陥部の終点に到達したときにシャッタが閉じられる。
【０００８】
このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００９】
しかし、このパターン修正装置では、シャッタを開く指令または閉じる指令を出してからシャッタが実際に開状態または閉状態になるまでに応答時間がかかるので、塗布ノズルが欠陥部の始点または終点に到達する時点でシャッタを開く指令または閉じる指令を出すと、塗布ノズルが欠陥部の始点または終点を過ぎてからシャッタが開状態または閉状態になり、欠陥部に修正液の堆積層を正確に形成できなくなることも想定される。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、欠陥部に修正液の堆積層を正確に形成することが可能なパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置とを備え、堆積装置は、霧状の修正液を噴射する塗布ノズルと、該塗布ノズルと基板との間で開閉されるシャッタとを含み、さらに、塗布ノズルが欠陥部の上方を移動するように、堆積装置と基板とを相対的に移動させる位置決め装置と、シャッタを開く指令または閉じる指令を出してからシャッタが開状態または閉状態になるまでの応答時間と、塗布ノズルと基板の相対移動速度とに基づいて、応答時間内にシャッタが移動する応答遅れ距離を求め、欠陥部の始点または終点から応答遅れ距離だけ手前の位置に塗布ノズルが到達したときにシャッタを開く指令または閉じる指令を出す制御装置とを備えることを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、塗布ノズルと基板の相対移動速度は一定である。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るパターン修正装置では、シャッタを開く指令または閉じる指令を出してからシャッタが開状態または閉状態になるまでの応答時間と、塗布ノズルと基板の相対移動速度とに基づいて、応答時間内にシャッタが移動する応答遅れ距離を求め、欠陥部の始点または終点から応答遅れ距離だけ手前の位置に塗布ノズルが到達したときにシャッタを開く指令または閉じる指令を出す。したがって、塗布ノズルが欠陥部の始点または終点に到達した瞬間にシャッタが開状態または閉状態になるので、欠陥部に修正液の堆積層を正確に形成することができる。
【００１４】
好ましくは、塗布ノズルと基板の相対移動速度は一定である。この場合は、シャッタの応答遅れ距離を容易に求めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１６】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１７】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００１８】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００１９】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２０】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２１】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２２】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２３】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２４】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２５】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２６】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを示す図であり、図４（ｂ）はオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方側の電極１３の端部から他方側の電極１３の端部に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００２７】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００２８】
図４（ｃ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部３２は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部３２以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００２９】
また、図５および図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正することも可能である。図６（ａ）において、まずリブ欠け欠陥部３５ａの幅以上に欠陥部３５ａと微粒子堆積装置５のヘッド部１８とを相対移動させることができるように、欠陥部３５ａよりもかなり手前からＸＹステージ１０を移動させ、背面ガラス基板３４を動かし始める。このとき、シャッタ３１は塗布ノズル３０の直下に位置し、塗布ノズル３０から噴出する霧状の修正液２０を受け止める状態（シャッタ閉状態）にあり、背面ガラス基板３４には描画されない。また、基板加熱部６は、塗布ノズル３０が描画するエリアよりも広い範囲を加熱している。
【００３０】
次いで図６（ｂ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａの少し手前でシャッタ３１を開いて、リブ欠け欠陥部３５ａの手前の正常なリブトップ面に修正液２０の霧粒子を収束させて描画を開始する。この状態で背面ガラス基板３４の移動を継続し、リブ欠け欠陥部３５ａ全体に修正液２０の霧粒子を噴射する。
【００３１】
次に図６（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａ全体の描画を終え、正常なリブトップ面に少し描画した位置でシャッタ３１を閉じる。シャッタ３１を閉じた後も背面ガラス基板３４は移動を続け、図６（ｄ）に示すように、描画を停止した点よりも離れた位置でＸＹステージ１０を停止し、背面ガラス基板３４の移動を停止する。図５（ａ）〜（ｄ）の動作により、リブ欠け欠陥部３５ａの幅よりも少し長めに、また、リブ欠け欠陥部３５ａの前後の正常なリブトップ面にも描画された堆積層３６＿１が形成される。
【００３２】
その後、図６（ｄ）の位置から図６（ａ）に戻るようにして同様の描画を行なうことで、１回目に描画したした上に積層して、１往復の積層が完了する。この動作を複数（ｎ）回実施して、リブ欠け欠陥部３５ａに積層された堆積層３６がリブトップ面よりも高くなった時点で積層を終了すれば、堆積層３６は図７に示すような形状となる。
【００３３】
積層終了後、リブ欠陥部３５ａに積層した堆積層３６を部分焼成し、あるいは、背面ガラス基板３４全体を炉に入れて焼成する。その後、正常なリブトップ面３５ｂに等しい高さになるまでたとえば研磨テープで余分なはみ出し部を研磨することで修正が完了する。
【００３４】
この例では、堆積層３６＿１〜３６＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３５】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料微粒子堆積装置５の制御にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器（図示せず）で測定しながら堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面をリブ３５の正常なトップ面よりも高く積層することができたかどうか判断することも可能である。
【００３６】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３７】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３８】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３９】
次に、このパターン修正装置１の特徴となるシャッタ制御方法について説明する。図８（ａ）は、このパターン修正装置１のシャッタ機構の構成を示す正面断面図であり、図８（ｂ）は、その側面図であり、図８（ａ）は図８（ｂ）のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線断面図である。図８（ａ）（ｂ）において、閉状態のシャッタ３１は、塗布ノズル３１の直下に、塗布ノズル３１の先端に対向するようにして配置される。シャッタ３１の表面には、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子の流れを受けるための凹部３１ａが形成されている。なお、シャッタ３１には、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子を吸引するための吸引機構を設けてもよい。シャッタ３１は、シャッタ３１を支持するくの字型の支柱４０の下端部に固定されている。シャッタ３１と支柱４０は、一体成形してもよいし、ネジなどによって固定してもよい。支柱４０の上端部は、Ｌ字型の可動部４１の下端にネジ４２で固定される。
【００４０】
可動部４１は、ボールを用いたリニアスライド軸受４３のベッド４３ａに固定され、そのテーブル４３ｂは固定台４４の下端部に固定され、その固定台４４の側面は微粒子堆積装置５に固定される。固定台４４には直動電磁ソレノイド４５が固定され、その出力軸４５ａは、可動部４１の上端部に開けられた孔４１ａに挿通され、止めネジ４６によって可動部４１に固定されている。直動電磁ソレノイド４５のコネクタ４５ｂは、コネクタ４５ｂを介して制御装置（図１のコンピュータ８，９）に接続される。このような構成を取ることで、直動電磁ソレノイド４５の駆動により、シャッタ３１は、図８（ｂ）中の左右に移動することが可能となり、霧粒子の流路を開閉する。
【００４１】
直動電磁ソレノイド４５の出力軸４５ａは、リニアスライド軸受４３により支持されるため、出力軸４５ａには負荷がかからず、直動電磁ソレノイド４５の寿命を延ばすことが可能になると共に、剛性を高くして、かつ、スムーズにシャッタ３１を移動することができる。シャッタ３１の移動距離は直動電磁ソレノイド４５のストロークで決まり、そのストロークはシャッタ３１の幅とほぼ等しい３ｍｍに設定した。
【００４２】
なお、直動電磁ソレノイド４５として、電磁石を内蔵した２位置ラッチタイプを用いれば、ソレノイドに通電する時間が短くて済み、発熱を抑えることが可能となる。また、直動電磁ソレノイド４５以外のアクチュエータでシャッタ３１を駆動しても構わない。
【００４３】
ところで、図８（ａ）（ｂ）で示したシャッタ機構では、直動電磁ソレノイド４５の応答性の問題から、シャッタ３１を開ける指令または閉じる指令を与えてから実際にシャッタ３１が開状態または閉状態になるまでに遅れＴｄが生じる。この応答遅れＴｄは、使用するアクチュエータにもよるが、この例の場合には約３０ｍｓとなる。たとえば、ＸＹステージ１０の速度ｖを２０ｍｍ／ｓにして堆積描画を行なう場合、応答遅れＴｄによる位置ずれｘはｘ＝ｖ×Ｔｄ＝２０×０．０３＝０．６ｍｍも生じることになる。
【００４４】
図９は、シャッタ３１の応答遅れＴｄを補正しない堆積描画工程とその問題点を説明するための図である。図９において、堆積描画したい堆積描画指令区間Ｂがあると、この区間Ｂよりも手前からＸＹステージ１０の駆動により基板３４を移動、または塗布ノズル３０を図示しない副軸を用いて移動する。
【００４５】
始めに堆積描画１回目について説明する。なお、塗布ノズル３０と基板３４との相対位置は、ＸＹステージ１０が持つ図示しないエンコーダパルスをカウンタでカウントしており、そのカウンタ情報から位置の把握が可能となり、コンピュータ８，９はこの位置情報からシャッタ３１の開閉指令を出力する。また、シャッタの開閉は、ＸＹステージ１０の速度が一定になっている状態で行なわれる。
【００４６】
堆積描画指令区間Ｂの開始点Ｐ１でシャッタ３１を開く指令を与えると、シャッタ３１の応答時間Ｔｄと、ＸＹステージ１０の速度ｖから求められるシャッタの応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置（Ｐ１＋ｘ）から堆積描画が開始される。また、堆積描画指令区間Ｂの終了点Ｐ２でシャッタ３１を閉じる指令を与えると、同様にシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置（Ｐ２＋ｘ）まで堆積描画が行われる。つまり、１回目の描画線は、堆積描画指令区間Ｂと同じ長さになるが、堆積描画指令区間Ｂよりも図９中の左側にｘだけずれた位置に堆積される。
【００４７】
次に堆積描画２回目について説明する。偶数回はＸＹステージ１０が元の位置に戻る間に堆積を行うため、図９では左側から右側に向けて堆積描画が行われる。堆積描画指令区間Ｂの点Ｐ２でシャッタ３１を開く指令を与えると、シャッタ３１の応答時間Ｔｄと、ＸＹステージ１０の速度ｖから求められるシャッタの応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置（Ｐ２―ｘ）から堆積描画が開始される。また、堆積描画指令区間Ｂの点Ｐ１でシャッタ３１を閉じる指令を与えると、同様にシャッタの応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置（Ｐ１―ｘ）まで堆積描画が行われる。つまり、２回目の描画線は、堆積描画指令区間Ｂと同じ長さになるが、堆積描画指令区間Ｂよりも図９中の右側にｘだけずれた位置に堆積される。
【００４８】
上記動作を交互に行ってｎ回まで堆積を行えば、図９の下段に示すように、基板３４の上面に作成される堆積層３６の両端部は中央部よりも薄くなり、堆積層３６は凸形状となる。堆積層３６の両端部の薄い層のそれぞれの長さは、シャッタ３１の応答遅れ距離ｘの２倍になる。
【００４９】
リブ修正のように、堆積後テープ研磨を行う場合には、堆積層３６が凸形状になることは許容されるが、許容されない場合には、シャッタ３１の応答性を補正する必要がある。
【００５０】
図１０は、シャッタ３１の応答遅れＴｄを補正する堆積描画工程とその効果を説明するための図である。始めに堆積描画１回目について説明する。堆積描画指令区間Ｂの開始点Ｐ１からシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ手前の位置（Ｐ１−ｘ）でシャッタ３１を開く指令を与えると、シャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ進んだ位置Ｐ１で堆積描画が開始される。
【００５１】
また、堆積描画指令区間Ｂの終了点Ｐ２からシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ手前の位置（Ｐ２−ｘ）でシャッタ３１を閉じる指令を与えると、同様にシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ進んだ位置Ｐ２まで堆積描画が行われる。つまり、堆積描画指令区間Ｂからずれることなく堆積描画することができ、堆積描画指令区間Ｂと堆積描画区間を一致させることができる。
【００５２】
次に堆積描画２回目について説明する。偶数回は元の位置に戻る間に堆積を行うため、図８では左側から右側に向けて堆積描画が行われる。堆積描画指令区間Ｂの点Ｐ２の手前位置（Ｐ２＋ｘ）でシャッタ３１を開く指令を与えると、シャッタ３１の応答時間Ｔｄと、ＸＹステージ１０の速度ｖから求められるシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置Ｐ２から堆積描画が開始される。
【００５３】
また、堆積描画指令区間Ｂの点Ｐ１の手前位置（Ｐ１＋ｘ）でシャッタ３１を閉じる指令を与えると、同様にシャッタ３１の応答遅れ距離ｘだけ遅れた位置Ｐ１まで堆積描画が行われる。つまり、堆積描画区間Ｂからずれることなく堆積描画することができ、堆積描画指令区間Ｂと堆積描画区間を一致させることができる。上記動作を交互に行ってｎ回まで堆積を行えば、図１０の下段に示すように、基板３４の上面に作成される堆積層３６の高さを均一にすることが可能となる。
【００５４】
なお、塗布ノズル３０と基板３４の相対移動速度ｖを一定にすれば、シャッタ３１の応答遅れ量ｘを容易に求めることができる。
【００５５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示すさらに他の図である。
【図７】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示すさらに他の図である。
【図８】図１に示したパターン修正装置のシャッタ機構の構成を示す図である。
【図９】図８に示したシャッタの応答遅れを補正しない堆積描画工程とその問題点を説明するための図である。
【図１０】図８に示したシャッタの応答遅れを補正する堆積描画工程とその効果を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、３２  修正部、３４  背面ガラス基板、３５  リブ、３５ａ  リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層、４０  支柱、４１  可動部、４１ａ  孔、４２  ネジ、４３  リニアスライド軸受、４３ａ  ベッド、４３ｂ  テーブ、４４  固定台、４５  直動電磁ソレノイド、４５ａ  出力軸、４５ｂ  コネクタ、４６  止めネジ。
【図１】
2007066803.tif 000003
【図２】
2007066803.tif 000004
【図３】
2007066803.tif 000005
【図４】
2007066803.tif 000006
【図５】
2007066803.tif 000007
【図６】
2007066803.tif 000008
【図７】
2007066803.tif 000009
【図８】
2007066803.tif 000010
【図９】
2007066803.tif 000011
【図１０】
2007066803.tif 000012