(57)【要約】【課題】本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、レジストを塗布し、液浸露光した後の基板を現像するにあたり、基板の裏面に付着した液が乾燥することで発生するパーティクルによる汚染を防ぐことができる塗布、現像装置を提供すること。【解決手段】  液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、前記基板の裏面に付着した、前記液層を形成した液を、前記基板が搬送手段に保持されている状態で検知する液検知部と、この液検知部の検知結果に基づいて基板の裏面の液除去処理を行うか否か判定する制御部と、液除去処理を行うと判定した基板の裏面の液を除去するための液除去手段と、を備えるように構成してウォータマークの形成を抑える。  【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に加熱処理を行う加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の裏面に付着した、前記液層を形成した液を、前記基板が搬送手段に保持されている状態で検知する液検知部と、
この液検知部の検知結果に基づいて基板の裏面の液除去処理を行うか否か判定する制御部と、
液除去処理を行うと判定した基板の裏面の液を除去するための液除去手段と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
塗布ユニット及び現像ユニットが割り当てられた処理部と、
この処理部に隣接して設けられ、基板を液浸露光する露光部と接続されるインターフェイス部と、を備え、
液検知部及び液除去手段は当該インターフェイス部に設けられたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により保持された基板の裏面に対し、前記液層を形成した液を除去する液除去手段と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項４】
塗布ユニット及び現像ユニットが割り当てられた処理部と、
この処理部に隣接して設けられ、基板を液浸露光する露光部と接続されるインターフェイス部と、を備え、
液除去手段は当該インターフェイス部に設けられることを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットが設けられ、
前記液除去手段による液除去処理は、当該洗浄ユニットによる洗浄処理よりも前に行われることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
液除去手段は、基板の裏面に気体を供給する気体供給ノズルと、供給された気体及び基板の裏面の液を吸引する吸引用ノズルと、を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
液除去手段は、基板が搬送手段に保持されている状態で基板の裏面の液除去処理を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の裏面に付着した、前記液層を形成した液を、前記基板が搬送手段に保持されている状態で検知する液検知部と、
この液検知部の検知結果に基づいて処理ユニットへの基板の搬送を行うか否か判定する制御部と、
を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項９】
基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットが設けられ、
加熱ユニットへ搬送を行わないと判定された基板は、洗浄ユニットに搬送されないことを特徴とする請求項８記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
塗布ユニット及び現像ユニットが割り当てられた処理部と、
この処理部に隣接して設けられ、基板を液浸露光する露光部と接続されるインターフェイス部と、を備え、
前記液検知部は当該インターフェイス部に設けられることを特徴とする請求項１、２、８または９記載の塗布、現像装置。
【請求項１１】
前記搬送手段に液検知部が設けられていることを特徴とする請求項１、２、８、９または１０に記載の塗布、現像装置。
【請求項１２】
基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、
基板の裏面に付着した前記液層を形成した液を、前記搬送手段による搬送途中にて検知する工程と、
この工程における検知結果に基づいて、基板に対して液除去処理するか否かを判定する工程と、
液除去処理すると判定した基板の裏面に対して液除去を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１３】
基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、
前記搬送手段による搬送途中にて基板の裏面に対して液除去を行う工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１４】
液除去された後の基板を、基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットに搬送する工程を含むことを特徴とする請求項１２または１３記載の塗布、現像方法。
【請求項１５】
基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、
液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、
基板の裏面に付着した前記液層を形成した液を、前記搬送手段による搬送途中にて検知する工程と、
この工程における検知結果に基づいて、基板を加熱ユニットへ搬送するか否かを判定する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１６】
基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の当該基板を加熱処理ユニットに搬送して加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１２ないし１５のいずれか一に記載の塗布、現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜の表面に液層を形成して液浸露光した後にその被処理基板を現像する塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその塗布、現像方法を実施するためのコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウエハ（以下ウエハとする）の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパターンで露光した後に、現像してレジストパターンを作成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
ところで近年、デバイスパターンの微細化、薄膜化の要請から露光の解像度を上げることを目的として液浸露光と呼ばれる露光手法を導入することが検討されている。液浸露光とはウエハの表面に光を透過させる超純水等の液層を形成した状態で光源から発せられた光を、この液層を透過させることでウエハ表面に照射させて、所定の回路パターンをレジストに転写する露光処理である。詳しく述べると例えばＡｒＦを露光処理を行うための光源として用いた場合に、その光源から発せられた光の波長は大気中では１８３ｎｍであるが水中では実質１３４ｎｍになるように、この手法は光の波長が水中では短くなることを利用して解像度の高い露光処理を行うものである。
この液浸露光を行う露光装置について図１４を用いて簡単に述べておく。先ず、図示しない保持機構により水平姿勢に保持されたウエハＷの表面と対向するように露光手段１を配置する。この露光手段１の先端部にはレンズ１０が設けられており、図示しない例えばＡｒＦ、ＫｒＦなどの光源から発せられパターンマスクを通過した光は当該レンズ１０を通過してウエハＷの表面に塗布されたレジストに照射され、これによりレジストの回路パターンを転写させる。また先端部には光を通過させる溶液例えば超純水の供給口１１及び吸引口１２が夫々設けられており、供給口１１を介してレンズ１０とウエハＷの表面との間に水が供給され、更に当該水を吸引口を介して吸引回収する。これによりレンズ１０とウエハＷの表面との間の隙間に光を透過させる水膜が形成され、レンズ１０から出た光は当該水膜を通過してレジストに照射されることとなる。そしてウエハＷの表面に所定のパターンが転写されると、ウエハＷとの間に水膜を張った状態でウエハＷを横方向に移動させて、露光手段１を次の転写領域に対応する位置に対向させて光を照射していくことでパターンを順次転写していく。
【０００４】
そして露光時に受けた定在波の影響を除いてレジストパターンの形状を整えるために上述のように露光処理を受けたウエハＷは、現像処理前に加熱処理用の熱板を備えた、ＰＥＢ（ポストエクスポージャベーキング）ユニットと呼ばれる加熱ユニットに搬送され、前記熱板上で例えば１２０〜１３０℃の温度で加熱される。また例えば化学増幅型のレジスト膜が形成されている場合おいてこの加熱処理は、露光されることでレジストの表面に生成した酸触媒を当該レジスト内部に広く拡散させることも目的として行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述の液浸露光処理では、ウエハＷの表面に液膜を形成して露光が行われることから、ウエハＷの裏面にその露光処理に使用した液が回り込み、裏面にその液が付着したまま露光装置から塗布、現像装置にウエハＷが搬出されるおそれがあり、この付着した液が乾燥するとウォータマークと呼ばれる液の付着跡が形成され、このウォータマークからはパーティクルが発生する。なおウォータマークは液体が乾燥する際に空気中の成分を吸着することにより形成されると考えられている。
【０００６】
そして裏面に液が付着した状態のウエハＷ及び既にウォータマークが形成されたウエハＷが前記加熱（ＰＥＢ）ユニットに搬送されて加熱処理を受けると、当該加熱ユニットの熱板上にパーティクルが転写するおそれがあり、このようにパーティクル汚染を受けた熱板については加熱処理時にパーティクルの付着している部位の温度と他の部位の温度との間に温度差が生じて、ウエハＷの加熱処理が適切に行われなくなり、正常なレジストパターンが形成されなくなるおそれがある。特に既述の化学増幅型のレジストが形成されたウエハＷを加熱処理する際には、酸触媒反応の進行がウエハＷの面内で不均一となる結果として、レジストパターンの線幅に大きな影響が及ぶおそれがある。
【０００７】
またパーティクルが付着したウエハＷが現像ユニットに搬送されると、その現像ユニットにもパーティクル汚染が拡大し、この現像ユニット及び前記加熱ユニットにおいてパーティクルがウエハＷの表面にまわりこんで付着して、その表面のパターンを傷つけ、パターンに欠陥が生じるおそれがある。
【０００８】
ところで液浸露光処理後のウエハを処理する塗布、現像装置には、前記ＰＥＢ処理を行う前にウエハＷの表面を洗浄し、液浸露光処理時に使用した液を除去してその表面を乾燥させる洗浄ユニットが設けられる場合がある。この洗浄ユニットには通常、ウエハＷの裏面中央部を吸引して保持するチャックが設けられており、このチャックは鉛直軸周りに回転自在に構成されている。ウエハＷの洗浄処理時には、洗浄液がウエハＷ表面に供給されながらこのチャックを介してウエハＷが回転され、その洗浄液及び液浸露光時に使用された液が遠心力により振り切られてウエハＷが洗浄される。そして洗浄液の供給停止後もしばらく回転が続けられウエハＷ表面が乾燥される。
【０００９】
しかし裏面に液が付着した状態でウエハＷが前記チャックに載置されると、チャックがその液を吸引し、当該チャックの吸引力が低下することにより、洗浄処理中にウエハＷがチャックから離れて床に落下して破損するおそれがある。また吸引されずにこのチャックとウエハＷとの間に残った液からも既述のようにウォータマークが生成して、ウエハＷの裏面がパーティクル汚染を受けるおそれがある。
【００１０】
なお特許文献１には液浸露光後の基板表面に残った液を検出して除去する技術が記載されているが、上述の基板の裏面に付着する液の問題を解決できるものではない。
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−１９７４６９（段落００２２、段落００２３）
【００１２】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、レジストを塗布し、液浸露光した後の基板を現像するにあたり、基板の裏面に付着した液が乾燥して形成されるウォータマークから発生するパーティクルによる汚染を防ぐことができる塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の塗布、現像装置は、基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に加熱処理を行う加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、前記基板の裏面に付着した、前記液層を形成した液を、前記基板が搬送手段に保持されている状態で検知する液検知部と、この液検知部の検知結果に基づいて基板の裏面の液除去処理を行うか否か判定する制御部と、液除去処理を行うと判定した基板の裏面の液を除去するための液除去手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また他の発明の塗布、現像装置は、基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、前記搬送手段により保持された基板の裏面に対し、前記液層を形成した液を除去する液除去手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
さらに他の発明の塗布、現像装置は、基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する加熱ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段と、前記基板の裏面に付着した、前記液層を形成した液を、前記基板が搬送手段に保持されている状態で検知する液検知部と、この液検知部の検知結果に基づいて処理ユニットへの基板の搬送を行うか否か判定する制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
これらの塗布、現像装置は、塗布ユニット及び現像ユニットが割り当てられた処理部と、この処理部に隣接して設けられ、基板を液浸露光する露光部と接続されるインターフェイス部と、を備え、液除去手段あるいは液検知部は当該インターフェイス部に設けられていてもよい。また基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットが設けられ、前記液除去手段による液除去処理は、当該洗浄ユニットによる洗浄処理よりも前に行われてもよい。
【００１７】
また液除去手段は、基板の裏面に気体を供給する気体供給ノズルと、供給された気体及び基板の裏面の液を吸引する吸引用ノズルと、を備えていてもよく、例えば液除去手段は、基板が搬送手段に保持されている状態で基板の裏面の液除去処理を行う。また例えば基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットが設けられ、加熱ユニットへ搬送を行わないと判定された基板は、洗浄ユニットに搬送されず、また前記搬送手段には例えば液検知部が設けられている。
【００１８】
本発明の塗布、現像方法は、基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、基板の裏面に付着した前記液層を形成した液を、前記搬送手段による搬送途中にて検知する工程と、この工程における検知結果に基づいて、基板に対して液除去処理するか否かを判定する工程と、液除去処理すると判定した基板の裏面に対して液除去を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
また他の発明の塗布、現像装置は、基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、  液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、前記搬送手段による搬送途中にて基板の裏面に対して液除去を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
これらの塗布、現像方法において液除去された後の基板を、基板の裏面を吸引保持する基板載置部を備え、前記加熱処理を行う前に基板表面を洗浄して前記液層を形成した液を除去するための洗浄ユニットに搬送する工程が含まれてもよい。
さらに他の発明の塗布、現像装置は、基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像方法であって、液浸露光後、前記加熱処理前の基板を搬送手段により搬送する工程と、基板の裏面に付着した前記液層を形成した液を、前記搬送手段による搬送途中にて検知する工程と、この工程における検知結果に基づいて、基板を加熱ユニットへ搬送するか否かを判定する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の記憶媒体は、基板の表面にレジストを塗布し、その表面に液層を形成して液浸露光された後の当該基板を加熱処理ユニットに搬送して加熱処理した後に現像液を供給して現像する塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、既述の塗布、現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、液浸露光処理後、加熱処理前に搬送手段によって保持されている基板の裏面に対して、液浸露光処理の際に液層を形成した液が付着しているか否かを液検知部が検知し、液が付着していないと判定した基板については加熱ユニットへと送り、反対に液が付着していると判定された基板については液除去処理を行ってから加熱ユニットに送る構成としている。従って加熱ユニット及び現像ユニットなどの塗布、現像装置内の各所にパーティクル汚染が広がることを抑えることができ、基板の加熱処理時にパーティクルがパターンの形成に影響を与えたり、パーティクルによりパターンが傷つけられたりする不具合を抑えることができるためレジストパターンに欠陥が生じることが抑えられる。また基板を保持した状態で液の検知を行うのでスループットの低下を抑えることができる。なお多数枚の基板を処理する場合にはすべての基板に対して液除去処理を行わないので、よりスループットの低下を抑えることができる。
【００２３】
また他の発明によれば、液浸露光処理後、前記加熱処理前の基板を搬送する搬送手段に保持されている基板の裏面に対して液除去処理を行う構成とすることで先の発明のようにスループットの低下を抑えながら塗布、現像装置内にパーティクル汚染が広がることを抑えることができ、基板のレジストパターンに欠陥が発生することを抑えることができる。
【００２４】
さらに他の発明によれば、加熱処理前に搬送手段によって保持されている基板の裏面に対して、液浸露光処理の際に液層を形成した液が付着しているか否かを液検知部が検知し、この検知結果に基づいて加熱ユニットへの基板の搬送を行うか否か判定される構成とすることで先の発明と同様にスループットの低下を抑えながら塗布、現像装置内にパーティクル汚染が広がることを抑えることができ、基板のレジストパターンに欠陥が発生することを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の第１の実施の形態にかかる塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの全体構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図中Ｂ１はキャリアブロックであり、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリアＣ１を搬入出するための載置部２０ａを備えたキャリアステーション２０と、このキャリアステーション２０から見て前方の壁面に設けられる開閉部２１と、開閉部２１を介してキャリアＣ１からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００２６】
キャリアブロックＢ１の奥側には筐体２２にて周囲を囲まれる処理部である処理ブロックＢ２が接続されており、この処理ブロックＢ２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。また主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアブロックＢ１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側に一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面側と、左側の一面側をなす背面部とで構成される区画壁２３により囲まれる空間内に置かれている。前記棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされている。また図中２４，２５は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
【００２７】
液処理ユニットＵ４は例えば図２に示すようにレジスト液や反射防止膜を形成するための薬液などを収納する薬液収納部の上に反射防止膜形成用の塗布ユニット（ＢＡＲＣ）（以下「反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）」という）２６が２段、レジスト膜形成用の塗布ユニット（ＣＯＴ）（以下「レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）」という）２７が２段、保護膜形成用の塗布ユニット（ＩＴＣ）２８（以下「保護膜形成ユニット（ＩＴＣ）」という）が１段、上から下に向かってこの順に積層されて構成されている。保護膜形成ユニット（ＩＴＣ）２８は、例えば撥水性の有機材料を含む塗布液をレジスト膜が形成されたウエハＷ表面に塗布して、液浸露光を行う際に用いる液体がレジスト膜に浸みるのを防ぐ撥水性保護膜を形成する。
【００２８】
液処理ユニットＵ５は、現像液などを収納する薬液収納部の上に、前記撥水性保護膜を除去するための撥水性保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）２９（以下「保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）」が２段、現像ユニット（ＤＥＶ）２Ａが例えば３段、上から下に向かいこの順に積層されて構成されている。また既述の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、レジスト膜を塗布する前にウエハＷ表面全体に疎水化処理を行う疎水化処理ユニットやウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＰＡＢ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット等を含んでいる。また棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＢ１と処理ブロックＢ２との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しステージ（ＴＲＳ）が、棚ユニットＵ３には、処理ブロックＢ２とインターフェイスブロックＢ３との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージ（ＴＲＳ）が夫々含まれている。
【００２９】
処理ブロックＢ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイス部であるインターフェイスブロックＢ３を介して露光部である露光装置Ｂ４が接続されている。このインターフェイスブロックＢ３は、例えば処理ブロックＢ２と露光装置Ｂ４との間に処理ブロックＢ２側、露光装置Ｂ４側に夫々設けられる第１の搬送室３Ａ、第２の搬送室３Ｂにより構成されている。
【００３０】
図３を参照しながらこれら搬送室３Ａ，３Ｂの構成について説明する。第１の搬送室３Ａは筺体３ａを備え、筺体３ａ内には例えば棚ユニットＵ６及びバッファカセットＣ０が設けられており、棚ユニットＵ６は第１の搬送室３Ａと第２の搬送室３Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージＴＲＢ１、露光処理を行ったウエハＷを加熱処理する例えば２基の加熱ユニット（ＰＥＢ）３１及び冷却プレートを有する例えば２基の高精度温調ユニット３２などが上下に積層された構成となっている。また第１の搬送室３Ａは、棚ユニットＵ６の各ユニット、バッファカセットＣ０及び処理ブロックＢ２の棚ユニットＵ３の受け渡しステージにアクセスできる基板搬送手段３１Ａを備えている。
【００３１】
第２の搬送室３Ｂは筺体３ｂを備えており、その筺体３ｂの露光装置Ｂ４に面する壁面にはウエハＷの搬送口３３が開口している。この搬送口３３を介して第２の搬送室３Ｂに設けられた基板搬送手段３４と、露光装置Ｂ４側に設けられた受け渡しステージ４Ａとの間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００３２】
基板搬送手段３４は夫々ウエハＷの裏面の周縁裏側を保持する搬送部３５，３６と、これら搬送部３５，３６を支持する搬送基体３７とを備えている。搬送部３５，３６は各々上下に重なるように設けられており、また各々独立して進退自在に構成されている。上段側の搬送部３５は露光前のウエハＷを露光装置Ｂ４に搬送し、搬送部３６は露光後のウエハＷを第２の搬送室３Ｂに搬送する。搬送基体３７は鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。
【００３３】
また第２の搬送室３Ｂには搬送部３６がアクセスできる位置に洗浄ユニット４が設けられている。洗浄ユニット４は筺体４０を備えており、筺体４０の内部には図４に示すようにウエハＷの中央部を吸引することでそのウエハＷを吸着保持する円形のバキュームチャック４１が設けられている。基板載置部であるバキュームチャック４１は軸部４２を介して駆動部４３に接続され、当該駆動部４３を介して鉛直軸周りに回転自在に構成されている。図中４４はウエハＷの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルである。前記チャック４１はウエハＷを保持した状態で高速回転することで遠心力によりウエハＷ表面における露光時に付着した液及び洗浄液を振り飛ばして当該ウエハＷをスピン乾燥できるようになっている。図中４５は洗浄液の飛散を抑えるためのカップである。図中４６は排液口であり、図中４７はカップ４５内の排気を行う排気口である。
【００３４】
図３に戻って、筺体３０内の搬送口３３付近には液検知部を構成する、例えばレーザー変位センサからなる距離検知センサ５１が設けられており、例えばその上部には発光部５２が設けられ、この発光部５２からは上方に向けてレーザー光が照射される。図５（ａ）に示すように前記搬送部３６は液浸露光処理を終えたウエハＷを保持した状態で後退し、例えばウエハＷは、その直径がこの発光部５２の上方を通過するように径方向に沿って、搬送口３３を介して露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に搬送される。なお発光部５２の光源としては可視光を発する光源を用いてもよいが３００ｎｍクラスの光を発する光源を用いると、可視光を用いることによる外乱が抑えられるため好ましい。
【００３５】
このように搬送部３６が後退してウエハＷがインターフェイスブロックＢ３に搬送される際に、例えば図５（ｂ）中鎖線で示すように距離検知センサ５１上にウエハＷの後端が位置すると、後述の制御部１００から送信された制御信号を受けて発光部５２からレーザー光がウエハＷの裏面に向けて照射され、そのレーザー光がウエハＷの裏面に衝突して反射し、この反射光を例えば距離検知センサ５１の不図示の受光部が受光する。その受光部は、例えばその受光部における光の入射位置（入射スポット）や光の入射する方向、角度などを検知する。
【００３６】
搬送部３６が後退を続けて、例えば図５（ｂ）中実線で示すようにウエハＷの前端が距離検知センサ５１上に位置すると発光部５２からレーザー光の照射が停止する。このようにレーザー光がウエハに照射される間、後述する制御部７が、前記受光部の検知結果に基づいて距離検知センサ５１からそのウエハＷの裏面のレーザーが照射されるポイントまでの距離を演算し、その距離をモニタする。
【００３７】
距離検知センサ５１の処理ブロックＢ２側には液除去手段であるノズル部６が設けられている。図６（ａ）に示すようにこのノズル部６は、ウエハＷの裏面に乾燥気体を供給する気体供給ノズル６１と、ウエハＷの裏面に付着した液及び周囲の雰囲気を吸引する吸引ノズル６２とを備えている。例えば気体供給ノズル６１は処理ブロックＢ２側に吸引ノズル６２は露光装置Ｂ４側に互いに連接して設けられている。
【００３８】
図６（ｂ）に示すようにこれらのノズル６１，６２は夫々スリット状の気体供給口６１ａ、吸引口６２ａを備えており、これら気体供給口６１ａ、吸引口６２ａはウエハＷの直径をカバーする長さを有している。気体供給ノズル６１には気体供給管６３の一端が接続されており、気体供給管６３の他端は例えばＮ2（窒素）ガスなどの不活性ガスが貯留された気体供給源６４に接続されている。液体吸引ノズル６２には吸引管６５の一端が接続されている。図中６６は吸引管６５に介設された吸引機構であるエジェクタであり、吸引管６５の他端は例えばこの塗布、現像装置が設置される工場の排気路などに接続されている。
【００３９】
続いてこの塗布、現像装置に設けられた制御部７について図７を参照しながら説明する。制御部７は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部７１、バス７２、ＣＰＵ７３及び各種の演算を行うためのワークメモリ７４を備えている。プログラム格納部７１には例えば後述する距離検知プログラム７５及び判定プログラム７６及びその他の塗布、現像装置の後述の作用を実施するための各種のプログラムが格納される。距離検知プログラム７５は、既述のように距離検知センサ５１によってウエハＷの裏面に照射されたレーザー光の反射光に基づいて、ウエハＷの裏面の直径部分における距離検知センサ５１とウエハＷの裏面との間の距離のパターンを演算する。また図中７６は記憶部であり、ウエハＷの裏面に液が付着していない場合におけるウエハＷの裏面と距離検知センサ５１との間の距離のパターンが記憶される。
【００４０】
判定プログラム７５は、記憶部７６に記憶された前記距離のパターンと、既述のように演算された距離のパターンとを比較し、比較結果が許容値（誤差範囲）に収まっていればウエハＷの裏面全体に液が付着していないものとして洗浄ユニット４にウエハＷを搬送するように搬送手段４２に制御信号を送信する。その反対に比較結果が許容値に収まっていない場合は、ウエハＷに液が付着しているものとして、ノズル部６及び基板搬送手段３４に制御信号を送信して塗布、現像装置の作用で説明するようにウエハＷの裏面の液除去処理を行う。
【００４１】
なお既述のプログラム格納部７１に格納される各プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部７１に格納される。
【００４２】
続いて、上述の塗布、現像装置の作用について説明する。先ず外部からウエハＷの収納されたキャリアＣ１が載置台２０ａに載置されると、開閉部２１と共にキャリアＣ１の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しステージ（ＴＲＳ）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡される。
【００４３】
続いてウエハＷは、主搬送手段Ａ２→反射防止膜形成ユニット２６→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の加熱ユニット→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の冷却ユニット→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の疎水化処理ユニット→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の冷却ユニット→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）２７の順に搬送されて、その表面に反射防止膜及びレジスト膜が形成される。
【００４４】
レジスト膜が形成されたウエハＷは主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の加熱ユニット（ＰＡＢ）→主搬送手段Ａ２→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の冷却ユニット→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→保護膜塗布ユニット２８の順に搬送され、レジスト膜の上部に撥水性の保護膜が形成された後、主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の加熱ユニット→主搬送手段Ａ２（Ａ３）→棚ユニットＵ１〜Ｕ３の冷却ユニット→主搬送手段Ａ３→棚ユニットＵ３の受け渡しステージ（ＴＲＳ）→インターフェイスブロックＢ３の基板搬送手段３１Ａ→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ１→基板搬送手段３４の搬送部３５→露光装置Ｂ４の受け渡しステージ４Ａの順に搬送され、その後そのウエハＷは、詳しくは「背景技術」の欄に記載したように例えば純水の液膜が形成されて液浸露光処理を受ける。
【００４５】
液浸露光処理を受けたウエハＷが露光装置Ｂ４の受け渡しステージ４Ａに載置されると、搬送部３６が搬送口３３を介して露光装置Ｂ４に進入して、ステージ４Ａ上のウエハＷの裏面を保持する。搬送部３６がウエハＷを保持したまま第２の搬送室３Ｂに後退し、距離検知センサ５１の上方にそのウエハＷの裏面後端（処理ブロックＢ２側の端部）が位置すると、距離検知センサ５１の発光部５２からレーザー光が照射され、レーザー光はウエハＷの裏面後端に衝突して反射し、その反射した光を当該距離検知センサ５１の受光部が受光する。
【００４６】
搬送部３６が後退を続け、ウエハＷの裏面がその直径に沿ってレーザー光によりスキャンされ、ウエハＷの前端が距離検知センサ５１上に移動すると距離検知センサ５１からのレーザー光の照射が停止する。制御部７はウエハＷの裏面のスキャンされた領域と距離検知センサ５１との距離のパターンを演算し、この演算された距離のパターンと予め制御部７に記憶された距離のパターンとを比較して、ウエハＷの裏面に液が付着しているか否か判定する。
【００４７】
具体的に、裏面に液が付着していないウエハＷが露光装置Ｂ４から搬送される場合、図８（ａ）に示すようにウエハＷの後端が距離検知センサ５１上に移動すると、距離検知センサ５１がウエハＷの裏面にレーザー光を照射する。図８（ｂ）に示すように搬送部３６は後退を続け、ウエハＷの裏面中央部が径方向にスキャンされる。ウエハＷの裏面は平坦であるためウエハＷと距離検知センサ５１との距離は一定であり、このスキャン中、レーザーの反射光が一定の角度から検知センサ５１の一定の位置に入射し続ける。図８（ｃ）に示すようにウエハＷの前端が距離検知センサ５１上に移動すると、距離検知センサ５１はレーザー光の照射を停止する。
【００４８】
制御部７は、距離検知センサ５１の検知に基づいて図８（ｄ）に示すようにレーザー光が照射されたウエハＷの裏面と距離検知センサ５１との距離のパターンを演算し、続いてその演算した距離のパターンと当該制御部７に予め記憶された距離のパターンとを比較し、ウエハＷの裏面には液が付着していないと判定して、搬送手段３６に所定の制御信号を送り、その制御信号を受けた搬送手段３６はウエハＷを洗浄ユニット４に搬送する。
【００４９】
続いて裏面に液が付着したウエハＷが露光装置Ｂ４から搬送される場合について説明する。図９（ａ）に示すようにウエハＷの後端が距離検知センサ５１上に移動すると、距離検知センサ５１がウエハＷの裏面の後端にレーザー光を照射し、そのレーザー光の反射光を距離検知センサ５１が受光する。搬送部３６は後退を続け、図９（ｂ）に示すようにウエハＷの後退中に距離検知センサ５１の上方に裏面に付着した液滴１００及び液膜１０１が移動すると、照射されたレーザー光はそれら液滴１００及び液膜１０１の表面で反射し、距離検知センサ５１への反射光の入射角度及び入射ポイントが変動する。図９（ｃ）に示すようにウエハＷの前端が距離検知センサ５１上に移動すると距離検知センサ５１はレーザー光の照射を停止する。
【００５０】
制御部７は、距離検知センサ５１の検知した反射光に基づいてレーザー光が照射されたウエハＷの裏面と距離検知センサ５１との距離のパターンを演算する。ウエハＷの裏面において液滴１００及び液膜１０１が付着した箇所に相当する部分は、それら液滴１００及び液膜１０１の厚さ分だけウエハＷと距離検知センサ５１との間の距離が小さくなり、図９（ｄ）に示すようにその距離の変化が演算されたパターンに反映される。制御部７は、この演算されたパターンと、予め記憶されたパターンとを比較し、ウエハＷの裏面に液が付着していると判断して、この液除去処理を行うようにノズル部６及び基板搬送手段３４に夫々所定の制御信号を送信する。
【００５１】
前記制御信号を受けた基板搬送手段３４は、図１０（ａ）に示すように搬送部３６により、ウエハＷの後端がノズル６１，６２の前側（露光装置Ｂ４側）に位置するように当該ウエハＷを搬送する。続いて制御信号を受けたノズル部６の気体供給源６４から気体供給ノズル６１にＮ2ガスが供給され、このＮ2ガスが当該ノズル６１から上方に吐出されると共にエジェクタ６６が作動し、吸引ノズル６２からの吸引が行われる。然る後、搬送部３６がウエハＷを保持した状態で後退し、例えば図１０（ｂ）に示すようにウエハＷは露光装置Ｂ４側から処理ブロックＢ２側へ向けて移動する。
【００５２】
気体供給ノズル６１から吐出されたＮ2ガスは、後退するウエハＷの裏面に当たり、図中矢印で示すようにこの裏面に沿って流れて吸引ノズル６２に吸引される。ウエハＷに付着している液滴１００及び液膜１０１はこの気流に押し流されてウエハＷの先端側（露光装置Ｂ４側）へ移動し、移動中に互いに凝集して大きな液溜まりとなる。ある程度大きくなった液溜まりは、その重量が増加することにより、吸引ノズル６２によりＮ2ガスと共に吸引ノズル６２に吸収されてウエハＷの裏面から除去される（図１０（ｃ））。
【００５３】
そして図１０（ｄ）に示すようにウエハＷの先端が気体供給ノズル６１及び吸引ノズル６２を越えて処理ブロックＢ２側に移動すると、続いて搬送部３６は前進してウエハＷがノズル部６上を通過するように露光装置Ｂ４側に搬送し、再度ノズル６１，６２によりウエハＷの裏面の液除去処理が行われる。その後ウエハＷの後端がノズル６１，６２上を通過して、ウエハＷがノズル６１，６２の前側（露光装置Ｂ４側）に移動すると、気体供給ノズル６１からのＮ2ガスの吐出及び吸引ノズル６２の吸引が停止し（図１０（ｅ））、搬送部３６はウエハＷを洗浄ユニット４に搬送する。
【００５４】
洗浄ユニット４に搬送されたウエハＷは、その裏面中央部がチャック４１に保持され、然る後当該チャック４１を介して回転される。例えばその回転開始直後にウエハＷ表面に洗浄液が供給され、この洗浄液は液浸露光時に表面に付着した液（純水）と共に遠心力により振り切られてウエハＷの表面が洗浄され、ウエハＷの回転開始後、所定の時間が経過すると洗浄液の供給が停止される。洗浄液の供給停止後もウエハＷの回転はしばらく続けられ、その表面が乾燥される。
【００５５】
この乾燥終了後、ウエハＷは、搬送部３６→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ１→基板搬送手段３１Ａ→棚ユニットＵ６の加熱ユニット（ＰＥＢ）３１の順に搬送され加熱処理を受けた後、基板搬送手段３１Ａ→棚ユニットＵ６の温調ユニット３２→基板搬送手段３１Ａ→棚ユニットＵ３の受け渡しステージ（ＴＲＳ）→主搬送手段Ａ３→保護膜除去ユニット２９→主搬送手段Ａ３（Ａ２）→現像ユニット２Ａの順に搬送されて現像処理を受ける。
【００５６】
現像処理を受けたウエハＷは、主搬送手段Ａ２→棚ユニットＵ１の受け渡しステージ（ＴＲＳ）→受け渡し手段Ａ１の順に搬送され前記受け渡し手段Ａ１により載置台２０ａ上の元のキャリアＣ１へと戻される。
【００５７】
上述の第１の実施形態の塗布、現像装置によれば、露光装置Ｂ４において液浸露光処理を受けたウエハＷを搬送部３６が保持してインターフェイスブロックＢ３に搬送する際にそのウエハＷの裏面を径方向に沿って距離検知センサ５１がスキャンし、演算された距離検知センサ５１とウエハＷの裏面との距離のパターンに基づいて制御部７がウエハＷの裏面に液浸露光に使用した液が付着しているか否かを判定して、液が付着していないと判定したウエハＷについては洗浄ユニット４に搬送し、反対に液が付着していると判定されたウエハＷは、搬送部３６に保持されながらノズル部６により裏面の液除去処理を受けた後、前記洗浄ユニット４に搬送している。従ってこのウエハＷの裏面においてウォータマークの形成が抑えられるため前記洗浄ユニット４や加熱ユニット３１、現像ユニット２Ａなどの露光後のウエハＷに対して夫々処理を行う処理ユニット及び露光後のウエハＷを搬送する各搬送手段がパーティクル汚染を受け、塗布、現像装置内にパーティクル汚染が広がることが抑えられる。その結果としてウエハＷの加熱処理時にパーティクルの存在によりウエハＷの加熱が均一に行われないことに基づいてパターンの形状が影響を受けたり、この加熱処理時や現像処理時にパーティクルによりパターンが損傷されたりするような不具合を抑えることができ、ウエハＷに微細なレジストパターンの形成を正確に行うことができる。また露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３にウエハＷを搬送する搬送部３６の動きを利用すると共にウエハＷをこの搬送部３６が保持したまま距離検出センサ５１による液の検出及びノズル部６による液除去処理が行われるため、これらの液の検出処理及び液除去処理によるスループットの低下を抑えることができる。なお多数枚のウエハＷを処理する場合にあっても、すべてのウエハＷに対してノズル部６は液除去処理を行わないのでスループットの低下をより抑えることができる。
【００５８】
また上述の実施形態においてウエハＷは、洗浄ユニット４に搬送される前にノズル部６によりウエハＷの裏面の液除去処理が行われるため、洗浄ユニット４のチャック４１がウエハＷの裏面を吸引、保持する際にウエハＷの裏面の液を吸引することが抑えられる。従って当該チャック４１の吸引力が低下することが抑えられる結果として、洗浄ユニット４により洗浄処理が行われる際にウエハＷの吸引力が低下することによりウエハＷがチャック４１から離れて、床に落下して損傷することが抑えられる。
【００５９】
また前後に移動する搬送部３６に保持されたウエハＷの裏面に気体供給ノズル６１によりＮ2ガスを供給して液滴及び液膜を吹き流し、これらを凝集させて大きな液溜まりを作り、液の表面張力に対する重力を増加させて吸引ノズル６２により吸引しているため、実質的に吸引ノズル６２の吸引力が高まることになり、ウエハＷの裏面の液をより確実に除去することができる。
【００６０】
なおウエハＷの液検知部として距離検知センサ５１を設ける代わりに例えばＣＣＤカメラにより構成される撮像手段８０を設けて、搬送部３６により露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に搬送されるウエハＷの裏面を撮像し、その画像データを取得するようにしてもよい。この場合、例えば制御部７の記憶部７６には予め液が付着していないウエハＷの裏面の画像データが記憶されるように構成し、制御部７はその記憶された画像データと撮像手段８０により撮像された画像データとを比較することにより露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に搬送されるウエハＷの裏面に液が付着しているか否か判定するように構成される。またこの場合、露光後のウエハＷを保持した搬送部３６が、撮像手段８０上を複数回往復し、ウエハＷの裏面が撮像手段８０上を通過する毎に画像データを取得して、これら複数の画像データを基に液の付着の有無の判定を行ってもよい。
【００６１】
また図１１（ａ）に示すように露光装置Ｂ４に受け渡されるウエハＷの裏面を撮像手段８０が撮像し、制御部７がその画像データを記憶した後、図１１（ｂ）に示すように液浸露光処理を受け、露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に搬送される前記ウエハＷの裏面を撮像手段８０が再度撮像して画像データを取得する。そして制御部７がこの同一のウエハＷについて露光前の画像データと露光後の画像データとを比較し、その比較結果に基づいて液の付着の有無を判定するようにしてもよい。
【００６２】
次に第２の実施形態の塗布、現像装置について説明する。この第２の実施形態の塗布、現像装置は既述の第１の実施形態の塗布、現像装置と略同様に構成されるが、距離検知センサ５１が設けられず、また例えば制御部７に当該検出センサ５１により検出された距離を基にウエハＷの裏面に液の付着の有無を判定する機能が備えられていないものとする。
【００６３】
この第２の実施形態の塗布、現像装置において、ウエハＷは第１の実施形態の搬送経路と同一の経路でキャリアブロックＢ１から露光装置Ｂ４に搬送された後、搬送部３６により露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に搬送されるすべてのウエハＷに対してノズル部６が、第１の実施形態と同様に液除去処理を行い、液除去処理後ウエハＷは第１の実施形態の搬送経路と同一の経路でキャリアブロックＢ１に戻される。
【００６４】
この第２の実施形態の塗布、現像装置によっても既述の実施形態と同様に搬送部３６にウエハＷが保持された状態でその裏面の液除去処理が行われてから液浸露光処理後のウエハＷの裏面に対してノズル部６により液除去処理を行ってから加熱ユニット３１に搬送する構成としているため、第１の実施形態の塗布、現像装置と同様に洗浄ユニット４に搬送される前のウエハＷの裏面においてウォータマークの形成が抑えられ、塗布、現像装置内にパーティクル汚染が広がり、このパーティクルによりウエハＷのレジストパターンに欠陥が生じることが抑えられる。また洗浄ユニット４により洗浄処理が行われる際にウエハＷがチャック４１から離れ、床に落下して損傷することが抑えられる。またこの実施形態においても露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３にウエハＷを搬送する搬送部３６の動きを利用すると共にウエハＷをこの搬送部３６が保持したままノズル部６による液除去処理が行われるため、スループットの低下が抑えられる。
【００６５】
次に第３の実施形態について説明する。この第３の実施形態の塗布、現像装置は既述の第１の実施形態の塗布、現像装置と略同様に構成されるが、ノズル部６が設けられていない。またこの塗布、現像装置には例えばアラーム発生部が設けられ、制御部７によりウエハＷの裏面に液が付着していると判定された場合、このアラーム発生部がアラームを発生させる。
【００６６】
この塗布、現像装置においてウエハＷは第１の実施形態の搬送経路と同様の経路でキャリアブロックＢ１から露光装置Ｂ４に搬送される。そして露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３に受け渡されるウエハＷについて第１の実施形態と同様に距離検知センサ５１がウエハＷの裏面をスキャンし、制御部７がその裏面における液の付着の有無を判定する。制御部７により液が付着されていないと判定された場合、ウエハＷは第１の実施形態と同様の搬送経路によりキャリアブロックＢ１に搬送される。
【００６７】
反対に制御部７がウエハＷの裏面に液が付着していると判定した場合、例えば基板搬送手段３４は洗浄ユニット４へのウエハＷの搬送を行わず、例えばその場で停止し、既述のようにアラーム発生部がアラームを発する。
【００６８】
この塗布、現像装置によれば、液浸露光処理後、搬送部３６によりインターフェイスブロックＢ３に搬送されるウエハＷの裏面に対して、液浸露光処理時に液層を形成した液が付着しているか否かを距離検知センサ５１により検知し、液が付着していると判定されたウエハＷがあったときは基板搬送手段３４による洗浄ユニット４への搬送が行われないことで加熱ユニット３１へのウエハＷの搬送が回避されることにより、第１の実施形態の塗布、現像装置と同様に洗浄ユニット４に搬送される前のウエハＷの裏面においてスループットの低下が抑えられながら、ウォータマークの形成が抑えられ、塗布、現像装置内にパーティクル汚染が広がり、このパーティクルによりウエハＷのレジストパターンに欠陥が生じることが抑えられる。また洗浄ユニット４により洗浄処理が行われる際にウエハＷがチャック４１から離れ、床に落下して損傷することが抑えられる。またこの実施形態においても露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３にウエハＷを搬送する搬送部３６の動きを利用すると共にウエハＷをこの搬送部３６が保持したまま距離検出センサ５１による液の検出が行われるためスループットの低下を抑えることができる。
【００６９】
なお第１及び第３の実施形態において液検知部は、露光装置Ｂ４からインターフェイスブロックＢ３にウエハＷの搬送を行う基板搬送装置３４の搬送部に組み込まれてもよく、その場合、ウエハＷの裏面の一部を保持する搬送部としては例えば図１２（ａ），（ｂ）に示すように構成される。この図に示した搬送部８１は、爪部８２，８３を備え、この爪部８２，８３の各先端にはウエハＷの第１の保持部８２ａ，８３ａが設けられている。これら第１の保持部８２ａ，８３ａはウエハＷの位置規制用の上方に向かう突部を備えたブロックとして形成され、その突部の基部側の平面部はウエハＷの載置面８２ｂ，８３ｂとして構成されている。
【００７０】
また搬送部８１の基部側には扇状のブロックとして形成された、ウエハＷの第２の保持部８４が設けられており、この第２の保持部８４の外周縁はウエハＷの位置規制用の突縁部として構成されている。この突縁部の内側（搬送部８１の先端側）の平面部はウエハＷの載置面８４ａとして構成される。
【００７１】
第２の保持部８４において搬送部８１の先端側に向かう側壁には、第１の保持部８２ａ，８３ａに向かって図１２（ｂ）中鎖線で示すようにレーザー光を照射する例えばレーザー変位センサからなる発光部８５が設けられており、第１の保持部８２ａ，８３ａにおいて搬送部８１の基部側に向かう側壁には、受光部８２ｃ，８３ｃが設けられている。これらの受光部８２ｃ，８３ｃは前記発光部８５から照射されたレーザー光を受光して、その光量（光強度）を検知する。
【００７２】
またこの搬送部８１が設けられる塗布、現像装置の制御部７には前記光量の許容値（許容範囲）が設定され、後述するようにウエハＷが搬送される際にこの受光部８２ｃ、８３ｃが受ける光量がこの許容値に収まっていれば制御部７は、ウエハＷの裏面に液が付着していないと判定し、許容値に収まらなければ液が付着していると判定する。
【００７３】
そして搬送部８１が露光装置Ｂ４の受け渡しステージ４ＡからウエハＷを受け取り、各載置面８２ｂ，８３ｂ，８４ａにウエハＷが載置されると、発光部８５からレーザー光が受光部８２ｃ，８３ｃに向けて照射される。図１２（ｂ）のようにウエハＷの裏面に液が付着していない場合は受光部８２ｃ，８３ｃが受光する光量は既述の許容値に収まるが、その反対に図１２（ｃ）に示すようにウエハＷの裏面に液滴１００が付着している場合はその液滴１００によりレーザー光が屈折したり、遮られたりすることにより、図中点線で示すように裏面に液が付着していないウエハＷを搬送する場合に比べて受光部８３ｃに達する光量が小さくなるかゼロになることにより、既述の許容値を外れる結果、制御部７が、液が付着していると判定し、既述のようにノズル部６により液除去処理が行われるかあるいは基板搬送手段３４により洗浄ユニット４へのウエハＷの搬送が停止される。
【００７４】
このように液検知部を搬送部に組み込むことによりインターフェイスブロックＢ３の大型化、ひいては塗布、現像装置の大型化を抑えることができる。
【００７５】
また前記搬送部８１の第１の保持部８２ａ（８３ａ）は、例えば図１３（ａ）に示すように構成してもよい。図中８７ａ，８７ｂは、ウエハＷの載置面８２ｂ（８３ｂ）の前後方向に夫々設けられた電極であり、各電極８７ａ，８７ｂにはこれら各電極に電圧を印加するセンサ８８が接続されている。各電極８７ａ，８７ｂ及びセンサ８８は液検知部として構成される。
【００７６】
図１３（ｂ）に示すように裏面に液１０２が付着したウエハＷが載置面８２ｂに載置されると、その液１０２により電極８７ａ，８７ｂが短絡し、これら電極間に電流が流れる。この電流の流れ（電極８７ａ，８７ｂ間の抵抗値の変化）をセンサ８８が検知して、その検知結果に基づいて制御部７がウエハＷの裏面への液の付着の有無を判定する。
【００７７】
第２の保持部８４のウエハＷの載置面８４ａにもこのような電極８７ａ，８７ｂを設けてもよく、また図１３（ｃ）に示すように例えば多数の電極８７ａ，８７ｂを交互に載置面８２ｂ（８３ｂ）の前後方向に多数配列することにより、この載置面８２ｂ（８３ｂ）における液の検知可能範囲を広げてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】上記塗布、現像装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図３】上記塗布、現像装置のインターフェイス部を示す斜視図である。
【図４】前記塗布、現像装置に組み込まれる洗浄ユニットを示す縦断面図である。
【図５】上記インターフェイス部の搬送手段により液検知部上を搬送されるウエハの様子を示した説明図である。
【図６】上記インターフェイス部に設けられたノズル部の構成を示す説明図である。
【図７】上記塗布、現像装置に設けられた制御部を示す説明図である。
【図８】上記インターフェイス部に裏面に液が付着していないウエハが搬送される様子を示した説明図である。
【図９】上記インターフェイス部に裏面に液が付着しているウエハが搬送される様子を示した説明図である。
【図１０】上記ノズル部によりウエハの裏面の液が除去される様子を示した説明図である。
【図１１】他の液検知部により液を検出する様子を示した説明図である。
【図１２】液検知部が組み込まれた搬送機構を示した構成図である。
【図１３】液検知部の更に他の構成を示した構成図である。
【図１４】液浸露光が行われる様子を示した説明図である
【符号の説明】
【００７９】
Ｗ          半導体ウエハ
Ｂ１  キャリアブロック
Ｂ２  処理ブロック
Ｂ３  インターフェイスブロック
Ｂ４  露光装置
２７  塗布ユニット
２Ａ  現像ユニット
３１  加熱ユニット
３４  基板搬送手段
３５，３６  搬送部
４    洗浄ユニット
５１  距離検出センサ
６    ノズル部
７    制御部
【図１】
2007299937.tif 000003
【図２】
2007299937.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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