(57)【要約】【課題】  一次ボンディングにおけるボンディングパッドとボールとの接続信頼性および二次ボンディングにおけるリードとワイヤとの接続信頼性を向上できる技術を提供する。【解決手段】  タブ１４上に半導体チップ１５を配置し、タブ１４の周囲にインナーリード１３を形成する。そして、インナーリード１３の先端部（タブ１４に近い側の先端部）１３ａに傾斜を設ける。半導体チップ１５に形成されたボンディングパッド１６とインナーリード１３とをボール１７およびワイヤ１８を介して接続する。インナーリード１３とワイヤ１８とは、インナーリード１３に設けられた傾斜した部分で圧着するようにする。インナーリード１３に設けられた傾斜の角度は、例えば３度以上１５度以下の範囲にする。【選択図】  図５
2007073763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体チップ上のボンディングパッドとリードの一先端部とを、先端がテーパ形状をしたキャピラリを用いてワイヤボンディングする工程を備え、
前記（ａ）工程は、前記リードの一先端部が傾斜した状態で行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記リードの一先端部は、先端にいくほど厚さが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードの一先端部は、傾斜するように加工されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記リードの一先端部は、プレス加工によって傾斜するように形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードの一先端部は、３度以上１５度以下の角度で傾斜していることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ）工程は、前記リードの一先端部を傾斜したステージに押し付けることにより、前記リードの一先端部を傾斜させた状態でワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ステージは、３度以上１５度以下の角度で傾斜していることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
少なくとも前記リードの一先端部のうちワイヤを接続する領域は傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
少なくとも前記リードの一先端部のうち銀めっきされている領域は傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも前記リードの一先端部の先端から５００μｍまでの領域は傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
さらに、
（ｂ）前記半導体チップおよび前記リードを樹脂で封止する工程とを備え、
前記リードの他端部は、前記樹脂の側面から突出していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
さらに、
（ｂ）前記半導体チップおよび前記リードを樹脂で封止する工程とを備え、
前記リードは、前記樹脂の底面から露出している部分があることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ボンディングパッドと前記リードとを接続するワイヤは金線であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ボンディングパッドと前記リードとを接続するワイヤは、パラジウムを添加した金より形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記リードの他端部と実装基板とを、鉛を含有しない半田で接続することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記リードのうち前記樹脂の底面から露出している部分と実装基板とを、鉛を含有しない半田で接続することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記キャピラリの先端には、３度以上１５度以下の傾斜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
（ａ）半導体チップと、
（ｂ）前記半導体チップの周囲に配置されたリードと、
（ｃ）前記半導体チップと前記リードの一先端部とを電気接続するワイヤと、
（ｄ）前記半導体チップ、前記リードおよび前記ワイヤを封止する樹脂とを備え、
前記ワイヤが接続された前記リードの一先端部が傾斜していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
前記リードの一先端部に設けられている傾斜は、前記リードをプレス加工することにより形成されていることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記リードの一先端部に設けられている傾斜は、３度以上１５度以下の角度であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、リードフレームを使用する半導体装置およびその製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開平１１−２８４０１７号公報（特許文献１）には、ワイヤボンディング時に発生するワイヤの離脱を防止可能とする技術が開示されている。具体的には、アイランドの周方に位置するリードの先端部が載置されるヒータプレートの先端縁部を、上りまたは下り勾配の傾斜状としている。
【０００３】
特開平７−３７９４０号公報（特許文献２）には、リード細線を外部リードに十分な機械的強度で固着できる技術が開示されている。具体的には、外部リードの一端に肉厚の押え部とこの押え部から突出する肉薄のポストを設ける。そして、押え部から突出するポストは、押え部の底面に対して傾斜するように構成するとしている。
【特許文献１】特開平１１−２８４０１７号公報
【特許文献２】特開平７−３７９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置を製造する場合の一工程として、タブ上に配置された半導体チップとタブの周囲に配置されたリードとをワイヤを用いて電気接続する工程（ワイヤボンディング工程）がある。このワイヤボンディング工程では、金線からなるワイヤの先端を溶融して形成したボールを、半導体チップのボンディングパッド上に加熱圧着して、一次ボンディングを行なう。次に、ワイヤをリード上に移動した後、リードとワイヤとを加熱圧着して、二次ボンディングを行なう。このようにして、半導体チップ上のボンディングパッドとリードとをワイヤを用いて電気的に接続している。
【０００５】
近年、半導体チップのサイズの縮小化に伴い、半導体チップ上に形成されているボンディングパッドの間隔も狭くなってきている。半導体チップとリードとをワイヤで接続する際には、図１に示すようなキャピラリ１と呼ばれるボンディング用ツールが使用されるが、ボンディングパッド間隔の縮小化に伴って、キャピラリ１の先端部１ａのサイズも、隣接するボンディングパッドに干渉しないように縮小化する必要がある。
【０００６】
ところが、キャピラリ１の先端部１ａを縮小化すると、リード上にワイヤを熱と超音波で圧着させる際、ワイヤの圧着面積が小さくなり、ワイヤの圧着強度の低下や剥がれが発生する問題点がある。つまり、リード上にワイヤを接続する二次ボンディングを行なう際の圧着強度が低下する問題点がある。
【０００７】
そこで、リードとワイヤとの圧着面積の縮小分を補うため、リードとワイヤとの圧着部の肉厚を厚くして圧着強度を上げることが考えられる。圧着部の肉厚を厚くするには、図２に示すキャピラリ１の先端部１ａに角度αを持たせてあげることにより実現できる。また、半導体チップのサイズがより縮小化されても、キャピラリ１の先端部１ａの角度αをより大きくすることで、更に圧着部の肉厚を厚くすることが可能である。
【０００８】
しかし、キャピラリ１の先端部１ａの角度αを大きくしすぎると、図３に示すように、ボンディングパッド２上にボール３を圧着させる一次ボンディングの際、超音波およびボール３を押す荷重が、ボール３の外側に逃げてしまう。このため、ボンディングパッド２とボール３との境界において、ボール３の外周部は合金層（例えばＡｌ−Ａｕ層）が形成されるのに対し、ボール３の中央部（キャピラリ１の先端部１ａにおける開口部下）は合金層（例えばＡｌ−Ａｕ層）が形成されにくくなる。したがって、ボンディングパッド２とボール３との境界全面に合金層が形成されないことから、ボンディングパッド２とボール３との接着強度が低下し、ボンディングパッド２からボール３が剥がれてしまう問題点がある。さらに、キャピラリ１の先端部１ａの角度αを大きくしすぎると、キャピラリ１の先端部１ａがくさびとして機能してしまい、二次ボンディングの際、リードと接続するワイヤをキャピラリ１の先端部１ａで切断してしまうという問題も発生する。
【０００９】
このような問題は、半導体チップの微細化により顕著となって現われる。例えば、ワイヤ径がφ＝２０μｍ以下になると、ワイヤのひっぱり強度が低下するため上述した問題が顕在化する。言い換えれば、ボンディングパッドの間隔が５０μｍ以下になると問題が顕在化するとも言える。
【００１０】
本発明の目的は、一次ボンディングにおけるボンディングパッドとボールとの接続信頼性および二次ボンディングにおけるリードとワイヤとの接続信頼性を向上できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体チップ上のボンディングパッドとリードの一先端部とを、先端がテーパ形状をしたキャピラリを用いてワイヤボンディングする工程を備え、前記（ａ）工程は、前記リードの一先端部が傾斜した状態で行なわれることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明による半導体装置は、（ａ）半導体チップと、（ｂ）前記半導体チップの周囲に配置されたリードと、（ｃ）前記半導体チップと前記リードの一先端部とを電気接続するワイヤと、（ｄ）前記半導体チップ、前記リードおよび前記ワイヤを封止する樹脂とを備え、前記ワイヤが接続された前記リードの一先端部が傾斜しているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
リードの一先端部が傾斜した状態でワイヤボンディングするため、キャピラリの先端部の角度αを大きくすることなく、リードとワイヤとの圧着部の肉厚を厚くすることができる。したがって、キャピラリの先端部の角度αを大きくする必要がないので、一次ボンディングにおけるボンディングパッドとボールとの接続信頼性を向上させることができる。一方、リードの一先端部の傾斜とキャピラリの先端部の角度αを合わせた角度でリードとワイヤとを接続することができるので、リードとワイヤとの圧着部の肉厚を厚くすることができ、リードとワイヤとの接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１９】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２０】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
図４は、本実施の形態１における半導体装置の外観を示す斜視図である。本実施の形態１における半導体装置のパッケージ形態は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）である。図４に示すように、本実施の形態１における半導体装置１０は、直方体の形状をした樹脂１１で覆われており、この樹脂１１の四側面からアウターリード１２が突出している。アウターリード１２は、Ｌ字型に曲げられた構造をしている。
【００２３】
図５は、図４のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。図５に示すように、リードは、樹脂１１の側面から突出しているアウターリード１２と樹脂１１の内部に形成されているインナーリード１３から構成されている。左右のインナーリード１３で挟まれた（複数のインナーリード１３で囲まれた）中央部には、タブ１４が形成されており、このタブ１４上に半導体チップ１５が配置されている。半導体チップ１５には、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）などの回路素子や配線が形成されており、最上層にボンディングパッド１６が形成されている。ボンディングパッド１６上には、ボール１７を介してワイヤ１８が接続されており、このワイヤ１８はインナーリード１３に接続されている。
【００２４】
ここで、本発明の特徴の一つは、ワイヤ１８を接続しているインナーリード１３の先端部に傾斜を設けたことにある。これにより、ボンディングパッド１６とボール１７の接続信頼性を確保しながら、ワイヤ１８とインナーリード１３との接続信頼性を向上することができる。近年、半導体チップ１５上に形成されたボンディングパッド１６の狭ピッチ化が進められている。このため、ボンディングパッド１６に接続するワイヤ１８も細線化されている。ワイヤ１８が細線化されると、ワイヤ１８とインナーリード１３との接続面積が小さくなり、ワイヤ１８とインナーリード１３との接着力が低下し、ワイヤ１８がインナーリード１３から剥がれる不良が発生しやすくなる。そこで、ボンディング用ツールであるキャピラリの先端部に角度をつけることが行なわれる。つまり、キャピラリの先端をテーパ形状にしている。このようにすることにより、ワイヤ１８とインナーリード１３の圧着部の肉厚を厚くすることができるので、接続信頼性を向上することができる。しかし、キャピラリの先端部に角度をつけすぎると、ボンディングパッド１６とボール１７との接続信頼性が悪くなる問題が発生する。なぜなら、超音波およびボール１７を押す荷重が、ボール１７の外側に逃げてしまうからである。ボール１７を押す荷重がボール１７の外側に逃げてしまうと、ボンディングパッド１６とボール１７との境界の中央部に合金層が形成されにくくなる。したがって、ボンディングパッド１６とボール１７との接着強度が低下し、ボンディングパッド１６からボール１７が剥がれやすくなる。このことから、キャピラリの先端部に角度をつけすぎることはできない。そこで、本実施の形態１では、インナーリード１３の先端部１３ａに傾斜を設けている。これにより、キャピラリの先端部にそれほど角度をつけなくても、ワイヤ１８とインナーリード１３との圧着部の肉厚をかせげる。すなわち、ワイヤ１８とインナーリード１３とは、キャピラリの先端部に形成されている角度とインナーリード１３の傾斜による角度をあわせた角度で圧着することができるので、圧着部の肉厚を厚くすることができ、ワイヤ１８とインナーリード１３との接続信頼性を向上させることができる。一方、キャピラリの先端部には、それほど角度がついていないので、ボンディングパッド１６にボール１７を押し付ける荷重が外側に逃げない。このため、ボンディングパッド１６とボール１７との接続信頼性を向上させることができる。つまり、本実施の形態１によれば、ボンディングパッド１６とボール１７との接続信頼性を確保しながら、ワイヤ１８とインナーリード１３との接続信頼性を向上することができる。
【００２５】
インナーリード１３に設けられている傾斜は、インナーリード１３の先端部１３ａにいくにつれてインナーリード１３の厚さが薄くなるように形成されている。このように傾斜させることにより、ワイヤ１８とインナーリード１３との圧着部の肉厚をかせぐことができる。具体的にインナーリード１３に設けられている傾斜の角度は、３度以上１５度以下にすることが望ましい。インナーリード１３に設けられている傾斜の角度が３度未満であると、圧着部の肉厚を充分にかせぐことができないからである。一方、インナーリード１３に設けられている傾斜の角度が１５度より大きくなると、キャピラリとインナーリード１３との間の角度が大きくなりすぎて、キャピラリがくさびとして機能することになり、ワイヤ１８が切断されるおそれがあるからである。ここで、キャピラリの先端部自体に形成されている角度は、ボンディングパッド１６とボール１７との接続性を考慮して、３度以上１５度以下になっている。したがって、ワイヤ１８とインナーリード１３とを接続する際、キャピラリとインナーリード１３との間に形成される角度は、キャピラリの先端部自体に形成された角度とインナーリード１３の先端部に形成された傾斜の角度を合わせたものであり、６度以上３０度以下になる。この角度の範囲であれば、圧着部の肉厚を充分かせげるとともに、キャピラリがくさびとして機能することによるワイヤ１８の切断を防止することができる。このことから、インナーリード１３の先端部１３ａに設けられている傾斜の角度は、３度以上１５度以下にすることが望ましいことがわかる。
【００２６】
インナーリード１３の先端部１３ａに設けられている傾斜は、ワイヤ１８とインナーリード１３との圧着部の肉厚をかせいで接続信頼性の向上を図るために形成されているので、インナーリード１３のうちワイヤ１８と接続する領域に形成されていればよい。別の言い方をすれば、インナーリード１３のうちワイヤ１８と接続する領域には、例えば銀めっきが形成されているので、インナーリード１３のうち銀めっきされている領域に傾斜が形成されていればよい。また、インナーリード１３のうちワイヤ１８と接続する領域は、例えば、インナーリード１３の先端部から約５００μｍの範囲にあることから、インナーリード１３の先端部から約５００μｍの範囲内の領域が傾斜していればよいとも言える。
【００２７】
図６は、図４に示す半導体装置１０の内部構造を示す上面図である。図６に示すように、半導体装置１０の中央部には、タブ１４が形成されており、タブ１４の周囲には、リードが配置されている。リードは樹脂１１で覆われているインナーリード１３と樹脂で覆われていないアウターリード１２より構成されている。タブ１４上には、半導体チップ１５が搭載されており、この半導体チップ１５とインナーリード１３とは、例えば金線などからなるワイヤ１８で電気接続されている。
【００２８】
次に、本実施の形態１における半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、図７に示すように、リードフレームを用意する。リードフレームには、複数のリード２１とリード２１に囲まれた中央部にタブ２０が形成されている。リード２１の先端部のうちタブ２０に近い側の先端部（一先端部）２１ａは、銀めっき２２が施されているとともに、傾斜している。リードフレームは、タブ２０やリード２１などのパターンが、縦方向や横方向に繰り返し形成された構造となっており、複数個の半導体チップを搭載する多連構造をしている。
【００３０】
タブ２０およびリード２１よりなるリードフレームは、例えば、鉄とニッケルの合金あるいは銅などから形成されている。そして、リード２１の先端部２１ａの上面には、ワイヤを良好にボンディングするため、めっき処理がなされて銀めっき２２が形成されている。さらに、先端部２１ａの上面には傾斜が設けられている。この傾斜は、先端部２１ａの上面に設けられている一方、先端部２１ａの下面には設けられていない。すなわち、リード２１の先端部２１ａは先端にいくにしたがって厚さが薄くなっている。先端部２１ａの下面に傾斜が設けられていないのは、先端部２１ａの下面にはワイヤをボンディングする必要がないので傾斜を設ける必要がなく、さらに、ステージ２３上に隙間なくリードフレームを置けるように、リード２１とタブ２０の下面を水平に維持する必要があるからである。
【００３１】
このような構成を有するリードフレームは、例えば、プレス加工によって形成することができる。すなわち、型によるプレス加工により、タブ２０とリード２１を形成し、リード２１の先端部２１ａに傾斜を設ける。その後、先端部２１ａにめっき法を使用して銀めっき２２を形成することにより、図７に示すようなリードフレームを得ることができる。
【００３２】
次に、図８に示すように、タブ２０上に半導体チップ２４を搭載する。タブ２０と半導体チップ２４とは、例えば、Ａｕペーストやエポキシ樹脂系の接着剤を用いて接着される。半導体チップ２４は、半導体ウェハの状態でＭＩＳＦＥＴや配線が形成され、その後、ダイシングで半導体ウェハを個片化することにより得られる。なお、半導体チップ２４の上面には、例えば、アルミニウムよりなるボンディングパッド２５が形成されている。
【００３３】
続いて、図９に示すように、半導体チップ２４上のボンディングパッド２５とリード２１とをボール２６およびワイヤ２７を介して電気接続する。このとき、リード２１は、押え冶具２８により固定されている。この押え冶具２８は、リード２１のうち銀めっき２２が施されている領域よりも外側の領域を押えるようになっている。これは、銀めっき２２を施されている領域を押えるようにすると、押え治具２８が汚れてしまうからである。そして、ボンディングパッド２５とリード２１とを接続するボール２６およびワイヤ２７は、ボンディング用ツールであるキャピラリ２９を用いて形成される（ワイヤボンディング工程）。
【００３４】
以下に、上述したワイヤボンディング工程の詳細について説明する。まず、図１０に示すように、キャピラリ２９を用いてボール２６を形成する。キャピラリ２９には、超音波を伝達する超音波ホーン３０が取り付けられているとともに、キャピラリ２９の内部に金線３１が形成されている。この金線３１をキャピラリ２９の先端部から取り出す。そして、キャピラリ２９の先端部から出ている金線３１に、放電トーチ３２を接触させて金線３１の先端部に球状のボール２６を形成する。
【００３５】
次に、図１１に示すように、金線３１の先端部に形成したボール２６を、半導体チップ２４に形成されたボンディングパッド２５上に押し付ける（一次ボンディング）。このときの様子を図１２に示す。図１２に示すように、ボンディングパッド２５上に金線３１の先端部に形成されたボール２６を、キャピラリ２９を用いて押し付ける。ここで、図１２に示すように、キャピラリ２９の先端部に形成された角度αは大きくないため、キャピラリ２９によってボール２６を押し付けた荷重および超音波は外側に逃げない。したがって、ボール２６の中央部に荷重が充分にかかるため、ボンディングパッド２５とボール２６の境界の中央部に合金層が形成される。例えば、ボンディングパッド２５は、アルミニウムから形成され、ボール２６は金から形成されているため、境界にアルミニウムと金からなる合金層が形成される。これにより、ボンディングパッド２５とボール２６の接着力を向上させることができるので、ボール２６がボンディングパッド２５から剥がれ落ちることを防止することができる。キャピラリ２９の先端部に形成された角度αは、キャピラリ２９によってボール２６に押し付けた荷重が外側に逃げないのに充分な範囲で設定されており、例えば３度から１５度の範囲で形成されている。キャピラリ２９によってボール２６に押し付けた荷重が外側に逃げないようにする観点からは、キャピラリ２９の先端部に形成された角度αは０度であることが望ましい。一方、後述するように、リード２１とワイヤ２７を接続する際、圧着部の肉厚をかせいで接着力を向上させる観点から、キャピラリ２９の先端部に角度αを形成することが望ましい。そこで、本実施の形態１では、キャピラリ２９によってボール２６に押し付けた荷重および超音波が極力外側に逃げない範囲で、キャピラリ２９の先端部に角度αを設けている。ただし、キャピラリ２９の先端部に設けられた角度αは、ボンディングパッド２５とボール２６の接着力（一次ボンディングの接着力）を向上することを考慮して、小さくなっているので、ワイヤ２７とリード２１との接着の際における肉厚をかせぐ点を充分に考慮した大きさの角度αが設定されているとはいえない。
【００３６】
次に、図１３に示すように、ボール２６からリード２１へ向かってワイヤ２７を形成する（ルーピング）そして、図１４に示すように、ボール２６から延在するワイヤ２７をリード２１の先端部近傍（インナーリード側）に接続する（ステッチボンド、二次ボンディング）。このとき、ワイヤ２７を接続するリード２１には傾斜が形成されている。図１５は、ワイヤ２７を銀めっき２２が施されたリード２１に圧着する様子を示した断面図である。図１５に示すように、リード２１には、先端部にいくにしたがって厚さが薄くなるように傾斜が形成されている。図１５では、この傾斜している角度を角度βとしている。リード２１に角度βが形成されていることにより、ワイヤ２７とリード２１との間にある角度は、キャピラリ２９の先端部に設けられた角度αよりも大きくなっている。つまり、図１５に示すように、ワイヤ２７とリード２１との間の角度は、角度αよりも大きい角度（α＋β）となる。したがって、本実施の形態１によれば、ワイヤ２７とリード２１の圧着部における肉厚を充分にかせげることになる。すなわち、ワイヤ２７とリード２１との圧着部における肉厚を充分にかせぐことができるので、ワイヤ２７の径が微細化されて圧着面積が減少しても、接着力を確保することができる。具体的に、ワイヤ径がφ＝２０μｍ以下になった場合（言い換えれば、ボンディングパッドの間隔が５０μｍ以下の場合）に、顕著な効果を奏し、接着力を確保できる。このように、本実施の形態１によれば、まず、キャピラリ２９の先端部の角度αをボンディングパッド２５とボール２６の接着力（一次ボンディングの接着力）を考慮して小さくしている。そして、キャピラリ２９の先端部の角度αを小さくすることによるワイヤ２７とリード２１との接着力（二次ボンディングの接着力）の低下を補うため、リード２１の先端部に傾斜（角度β）を設けている。これにより、キャピラリ２９の先端部の角度αを小さくしても、実質的に、ワイヤ２７とリード２１との圧着部における肉厚をかせぐことが可能となる。つまり、本実施の形態１によれば、ボンディングパッド２５とボール２６との接続信頼性を確保しながら、ワイヤ２７とリード２１との接続信頼性を向上させることができるのである。例えば、リード２１の先端部に設けられる傾斜の角度βは、３度以上１５度以下に設定することにより、充分な効果を得ることができる。３度未満では、それほど効果が得られず、また、１５度よりも大きくすると、キャピラリ２９自体がくさびとして機能し、ワイヤ２７を切断してしまうという新たな問題が発生してしまう。
【００３７】
次に、図１６に示すように、ワイヤ２７とリード２１とを圧着した後、不要なワイヤ２７を切断する（テールカット）。これにより、ボンディングパッド２５とリード２１とをボール２６およびワイヤ２７を介して電気接続することができる。このようにして、半導体チップ２４上に形成されている一つのボンディングパッド２５と一つのリード２１とを接続することができる。以下、同様にして、図１７に示すように、半導体チップ２４上に形成されているすべてのボンディングパッド２５とリード２１とを接続する。これにより、ワイヤボンディング工程が終了する。
【００３８】
本実施の形態１ではワイヤ２７として金線を用いる場合について説明したが、例えば、ワイヤ２７の材料としてパラジウムを添加した金線を用いることもできる。パラジウムを添加した金線を用いることにより、アルミニウムよりなるボンディングパッド２５とパラジウムを添加した金線よりなるボール２６を接続することになり、さらに、接着力を向上させることができる。これはアルミニウムと金線が接触することで、接合強度の強い合金層とそれよりも接合強度が低く、脆い合金層が生成される。アルミニウムに対して金の割合が高ければ、接合強度の強い合金層が形成されやすいが、金の割合が低くなると脆い合金層が生成されやすくなる。そこで本実施の形態１のように、ワイヤ２７として用いる金線にパラジウムを添加することで、ＡｌＰｄが生成される。すなわち、ボンディングパッド２５の材料であるアルミニウムをパラジウムと化学結合させることで、ワイヤ２７の材料である金に対してアルミニウムの割合を低くすることができるため、接合強度の強い合金層が多く生成されやすくなる。これにより、ワイヤ２７とボンディングパッド２５の接着力を向上させることができる。
【００３９】
続いて、ワイヤボンディング工程を終了した後、図１８に示すように、半導体チップ２４を搭載したリードフレームの上下から金型３３ａ、３３ｂで挟む。このとき、樹脂封止領域には空洞部が形成されている。そして、金型３３ａ、３３ｂに形成されているゲートから樹脂を注入し、半導体チップ２４を樹脂封止する。図１９は、半導体チップ２４を樹脂３４で封止した状態を示す断面図である。図１９に示すように、半導体チップ２４、ワイヤ２７、タブ２０およびリード２１の一部（インナーリード）が樹脂３４で封止される。樹脂３４は略直方体の形状に加工され、この略直方体の側面からは、リード２１の一部（アウターリード）が突出している。
【００４０】
次に、樹脂３４から露出しているリード（アウターリード）２１を切断し、樹脂封止された半導体装置を個片化する。そして、図２０に示すように、リード２１の一部であるアウターリードをＬ字型に成形して半導体装置が完成する。このようにして、ＱＦＰのパッケージ形態を有する半導体装置を製造することができる。
【００４１】
その後、完成した半導体装置に対して、バーンインテスティングが行なわれ、最終外観検査が行なわれる。そして、検査によって良品と判別された半導体装置は、梱包された後、出荷される。出荷された半導体装置は、出荷先で例えば、実装基板に実装される。図２１は、完成した半導体装置を実装基板３５に実装した様子を示す断面図である。図２１に示すように、実装基板３５には端子３６が設けられており、この端子３６に半田３７を介して半導体装置のリード２１を接続することにより、半導体装置を実装基板３５に実装することができ、半導体製品を形成することができる。
【００４２】
ここで、鉛を含有する半田（Ｓｎ−Ｐｂ系）は、半田付け接合に用いられ、接合部の信頼性が良く融点が低いことから、作業性にも優れているという数多くの利点を有している。このことから、鉛を含有する半田は、電気・電子機器の組み立てに多く使用されている。ところが、電気・電子製品は耐用年数の経過や新製品の登場で破棄されるものが増加している。そして、この廃棄物は不燃性のため、そのままの形で放置されたり、粉砕して地中に埋められたりしているのが現状である。このため、廃棄された電気・電子機器に使用されていた鉛を含有する半田が溶出し、地下水に混入したり、河川に流れたりする。すると、何らかの形で鉛が人間に取り込まれ、その毒性が問題視されるようになっている。
【００４３】
世界中において環境問題がクローズアップされている最近では、半田に含まれる有毒な鉛を規制する動きが生じている。このため、鉛を含有する半田に代えて鉛を含有しない半田が用いられるようになってきている。鉛を含有しない半田としては、例えば錫、銀、銅による合金や錫、銅による合金、あるいは錫、銀による合金などがある。これらの鉛を含有しない半田を実装時の接合に用いることにより、環境に配慮した半導体製品を製造することができる。
【００４４】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ワイヤボンディング工程をリードの一先端部が傾斜した状態で行う一例として、一先端部が傾斜した構造のリードフレームを用いる例について説明した。本実施の形態２では、リードフレームを配置するヒートステージに傾斜を設け、このヒートステージにリードフレームを押し付けることにより、リードの一先端部が傾斜した状態でワイヤボンディングする例について説明する。
【００４５】
ワイヤボンディングを行なうまでは、前記実施の形態１と同様の工程を経るので、その説明は省略する。ただし、本実施の形態２では、前記実施の形態１と異なり、リードフレームを構成するリードの先端部に傾斜は設けられていない。つまり、本実施の形態２では、傾斜が設けられていない通常の形状をしたリードが用いられる。
【００４６】
図２２は、本実施の形態２におけるワイヤボンディング工程を実施する様子を示す上面図である。図２２に示すように、ヒートステージ４３上には、リード４１およびタブ４０を有するリードフレームが配置されており、タブ４０上には半導体チップ４２が搭載されている。前記実施の形態１では、半導体チップよりもサイズの大きい大タブを使用している例について説明したが、本実施の形態２に示すように、半導体チップ４２よりもサイズの小さいタブ（小タブ）４０を用いてもよい。
【００４７】
半導体チップ４２を搭載したリードフレームは、押え駒４４によって上部から押え付けられており、この状態でワイヤボンディングが行なわれる。図２３は、図２２のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。図２３に示すように、ヒートステージ４３上にはタブ４０およびリード４１を含むリードフレームが配置されている。タブ４０はヒートステージ４３内に埋め込むように配置され、タブ４０上に搭載される半導体チップ４２が直接ヒートステージ４３に接触するようになっている。したがって、ヒートステージ４３で発生した熱が半導体チップ４２に効率的に伝導する。このため、半導体チップ４２に形成されているボンディングパッド４５を充分に加熱することができるので、ボンディングパッド４５上にボール４６を良好に圧着することができる。
【００４８】
ヒートステージ４３のリード４１を載置する領域には傾斜が設けられている。すなわち、リード４１の先端部が下側に向かって傾斜するようにヒートステージ４３が傾斜している。そして、リード４１上には、リード４１を押え付ける押え駒４４が配置されており、この押え駒４４から下方に突出した押え爪４８によってリード４１の先端部がヒートステージ４３に押さえつけられている。これにより、リード４１の先端部は、ヒートステージ４３の形状に合わせて傾斜することになる。この時、リード４１の先端部がボール４６に加えられる超音波により振動するのを抑制するために、できるだけリード４１の先端部付近を押え爪４８により押さえつける必要がある。しかしながら、リード４１の先端部は銀めっきが施されているため、押え爪４８に銀めっきが付着し汚染するのを防止するためには、少なくともこの銀めっき領域よりも外側の領域を押えることが必要である。以上のことから、本実施の形態２では、リード４１の先端部に形成された銀めっき領域よりも外側であり、ヒートステージ４３において傾斜している部分に押え爪４８が位置するようにすることが好ましい。
【００４９】
このように本実施の形態２では、傾斜していない通常のリード４１を傾斜した形状を有するヒートステージ４３に強制的に押し付けることにより、リード４１の先端部を傾斜状態にしている。この状態でキャピラリ４９を用いてワイヤボンディングが行なわれる。
【００５０】
まず、キャピラリ４９を用いて半導体チップ４２に形成されているボンディングパッド４５と例えば金線からなるボール４６とを圧着する（一次ボンディング）。このとき、キャピラリ４９の先端部には、角度がついているが、その大きさは例えば３度以上１５度以下の程度である。このため、ボール４６に加えられる荷重および超音波がボールの外側に逃げることを充分抑制することができるので、ボンディングパッド４５とボール４６の境界には合金層が形成され充分な接着強度を確保することができる。
【００５１】
続いて、キャピラリ４９を移動して、ワイヤ４７とリード４１とを接続する（二次ボンディング）。このとき、キャピラリ４９の先端部に形成されている角度だけでは充分な肉厚を確保できない。すなわち、ワイヤ４７とリード４１との圧着部における肉厚をかせぐことができない。しかし、本実施の形態２では、リード４１の先端部を下方に傾斜した状態でボンディングを行なうので、ワイヤ４７とリード４１との圧着部における肉厚をかせぐことができるのである。
【００５２】
図２４は、ワイヤ４７とリード４１との圧着部を拡大した図である。図２４に示すように、ヒートステージ４３は傾斜しており、その傾斜角度は角度βである。この角度βで傾斜しているヒートステージ４３にリード４１は押し付けられているので、リード４１の先端部には角度βの傾斜が形成されていることになる。したがって、キャピラリ４９とリード４１との間の角度、言い換えれば、ワイヤ４７とリード４１との間の角度は、キャピラリ４９の先端部に形成されている角度αとリード４１が傾斜していることにより生じる角度βをあわせた角度γとなる。すなわち、ワイヤ４７とリード４１とを圧着するときの角度は、キャピラリ４９の先端部に形成されている角度αより大きくなる。これにより、ワイヤ４７とリード４１との間の角度を大きくすることができるので、ワイヤ４７とリード４１の圧着部における肉厚を充分にかせぐことができる。つまり、キャピラリ４９の先端部の角度を大きくしなくても、充分な肉厚をかせぐことができる。このため、一次ボンディングにおけるボンディングパッド４５とボール４６の接続信頼性を確保しながら、二次ボンディングにおけるワイヤ４７とリード４１との接続信頼性を向上させることができる。
【００５３】
このように本実施の形態２によれば、リード４１の先端部を例えばプレス加工などによって傾斜を設けなくとも、圧着時におけるリード４１とワイヤ４７との間の角度を大きくとることができる。すなわち、ヒートステージ４３に傾斜を設け、このヒートステージ４３にリード４１を押し付けることにより、リード４１の先端部を傾斜させることが可能となる。以上より、本実施の形態２によれば、傾斜が形成されていない通常のリードフレームについても本発明を適用することができる。そのため、リード４１の先端部が加工されている前記実施の形態１に比べ、リード４１の強度を低下させることがない。
【００５４】
ただし、本実施の形態２のような手段を適用すると、押え爪４８の荷重により、押え爪４８を離した後であってもリード４１の先端部が元の位置に戻らず、下方向に撓んだ状態となる可能性がある。本実施の形態２のようなＱＦＰパッケージの場合、リード４１の下側も樹脂で覆われているため、リード４１の形状が下方向に撓んだ状態でも問題はないが、後述する実施の形態３において説明するリードの一部が樹脂の底面から露出するようなＱＦＮパッケージに適用する場合は、リードの先端部が樹脂の底面から大きく突出してしまい、実装基板にこのような半導体装置を搭載する際には、この突出した部分が障害となる恐れがある。
【００５５】
なお、ヒートステージ４３に設けられる角度βは、前記実施の形態１で述べたのと同様理由により、３度以上１５度以下にすることが望ましい。
【００５６】
（実施の形態３）
前記実施の形態１では、パッケージ形態がＱＦＰである半導体装置を例にとって説明したが、本実施の形態３では、パッケージ形態がＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded package）である半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
【００５７】
リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂からなる封止体によって封止したパッケージの一種にＱＦＮがある。
【００５８】
図２５は、パッケージ形態がＱＦＮの半導体装置５０の外観を示した斜視図である。図２５に示すように、半導体装置５０は、略直方体をした樹脂５１で覆われており、樹脂５１で形成された略直方体の側面にリード５２の端部が露出している。
【００５９】
図２６は、半導体装置５０の裏面側から眺めた平面図である。図２６に示すように、半導体装置５０の裏面には樹脂５１から露出している端子５３が形成されている。この端子５３はリード５２の一部であり、実装基板に接続するためのものである。
【００６０】
図２７は、図２５のＡ−Ａ線で切断した断面を示した断面図である。図２７に示すように、半導体装置５０の中央部には、タブ５４が形成されており、このタブ５４の周囲にリード５２が形成されている。リード５２の底部にはわずかに突出した端子５３が形成されている。タブ５４上には、半導体チップ５５が搭載されており、この半導体チップ５５の上面に形成されたボンディングパッド５６とリード５２とは、ボール５７およびワイヤ５８を用いて電気接続されている。そして、半導体チップ５５、リード５２、ボール５７およびワイヤ５８などは樹脂５１で封止されており、樹脂５１の底面において端子５３が露出している。
【００６１】
このように構成されたＱＦＮによれば、リードが樹脂の側面から横方向に延びて端子を構成するＱＦＰに比べて実装面積が小さくなるという利点を備えている。
【００６２】
ここで、本実施の形態３においても前記実施の形態１と同様にリードの一先端部（タブ５４に近い側の先端部）に傾斜が設けられている。これにより、前記実施の形態１で述べたように、ワイヤ５８とリード５２との接続信頼性を向上させることができる。
【００６３】
次に、本実施の形態３における半導体装置の製造方法について説明する。まず、図２８に示すように、タブ６１およびリード６２を有するリードフレームを用意する。このリードフレームにおいて、リード６２の一先端部（タブ６１に近い先端部）には傾斜が設けられている。この傾斜は、例えばプレス加工によって形成することができる。傾斜の角度は前記実施の形態１と同様の理由から、例えば３度以上１５度以下にすることが望ましい。そして、傾斜したリード６２の一先端部には、銀めっき６３が形成されている。また、リード６２の裏面には、わずかに突出した端子６２ａが形成されている。このように構成されたリードフレームをステージ６０上に配置する。このとき、リード６２の裏面に形成された端子６２ａは、ステージ６０に設けられた溝に収まるように配置される。
【００６４】
次に、ステージ６０上に配置されたタブ６１に半導体チップ６４を搭載する。タブ６１と半導体チップ６４とは、例えば接着剤を用いて接着される。なお、半導体チップ６４の上面には、ボンディングパッド６５が形成されている。
【００６５】
続いて、図２９に示すように、押え治具６６でリードフレームを押えた状態で、半導体チップ６４に形成されたボンディングパッド６５とリード６２とをボール６８およびワイヤ６９を用いて電気接続する。すなわち、キャピラリ６７を用いて、ボンディングパッド６５とボール６８とを接続し（一次ボンディング）、その後、キャピラリ６７を移動させてワイヤ６９とリード６２とを接続する（二次ボンディング）。このワイヤボンディング工程は、例えば、図１０から図１７に示した前記実施の形態１の工程と同様に行なわれる。
【００６６】
具体的には、キャピラリ６７を用いてボール６８をボンディングパッド６５に圧着する。このとき、キャピラリ６７の先端部に形成されている角度は小さくなっているので、ボール６８のかかる荷重および超音波は、ボール６８の外側に逃げない。したがって、ボール６８とボンディングパッド６５との接続信頼性を確保することができる。
【００６７】
続いて、キャピラリ６７を移動させて、ワイヤ６９とリード６２とを圧着する。このとき、リード６２の一先端部には傾斜が設けられているので、ワイヤ６９とリード６２との間に形成される角度は、キャピラリ６７の先端部に設けられている角度にリード６２の一先端部が傾斜している角度を足したものになる。したがって、キャピラリ６７の先端部に設けられている角度より大きな角度で、ワイヤ６９とリード６２が圧着される。このため、ワイヤ６９とリード６２の圧着部の肉厚を厚くすることができ、ワイヤ６９とリード６２との接続信頼性を向上させることができる。つまり、本実施の形態３においても、前記実施の形態１と同様に、ワイヤ６９の径が微細化しても、ボンディングパッド６５とボール６８との接続信頼性を確保しながら、ワイヤ６９とリード６２との接続信頼性を向上させることができる。
【００６８】
次に、リードフレームを図３０に示す金型７０、７２に装着する。図３０は、金型７０、７２の一部（ＱＦＮ約１個分の領域）を示す断面図である。この金型７０、７２を使って半導体チップ６４を樹脂封止する際には、まず、金型７０の表面に薄い樹脂シート７１を敷き、この樹脂シート７１上にリードフレームを配置する。リードフレームは、端子６２ａが形成された面を下に向けて載置し、端子６２ａと樹脂シート７１とを接触させる。そしてこの状態で、樹脂シート７１とリードフレームとを金型７０および金型７２で挟みつける。このようにすると、リード６２の下面に位置する端子６２ａが、金型７２の押圧力によって樹脂シート７１を押え付けるので、端子６２ａの先端部分が樹脂シート７１の中に食い込む。
【００６９】
この結果、金型７０と金型７２の隙間に溶融樹脂を注入して樹脂を成形した後、金型７０と金型７２とを分離すると、図３１に示すように、樹脂シート７１の中に食い込んでいた端子６２ａの先端部分が樹脂７３の裏面から外側に突出する。
【００７０】
そして、樹脂７３の裏面に露出した端子６２ａの表面に半田層を印刷し、続いて樹脂７３の表面に製品名などのマークを形成した後、ダイサーを使ってリードフレームを切断することにより、図３２に示す半導体装置に個片化する。このようにして、パッケージ形態がＱＦＮの半導体装置を製造することができる。その後、完成した半導体装置に対して、バーンインテスティングが行なわれ、最終外観検査が行なわれる。そして、検査によって良品と判別された半導体装置は、梱包された後、出荷される。出荷された半導体装置は、出荷先で例えば、実装基板に実装される。図３３は、完成した半導体装置を実装基板７４に実装した様子を示す断面図である。図３３に示すように、実装基板７４には端子７５が設けられており、この端子７５に半田７６を介して半導体装置の端子６２ａを接続することにより、半導体装置を実装基板７４に実装することができ、半導体製品を形成することができる。ここで、例えば、半田７６として、鉛を含有しない、いわゆる鉛フリー半田を用いることにより、環境に配慮した半導体製品を製造することができる。
【００７１】
本実施の形態３では、リード６２の一先端部に傾斜を設けるように構成したが、前記実施の形態２で説明したように、リード６２の一先端部に傾斜を設けず、リードフレームを載置するステージに傾斜を設けるようにしてもよい。そして、傾斜したステージにリードフレームを押し付けることにより、リード６２の一先端部を傾斜した状態にしてワイヤボンディングを行なってもよい。ただし、パッケージ形態がＱＦＮの場合、リード６２の裏面から端子６２ａが突出して露出するようになっている。リード６２を傾斜したステージに押し付けると、その後、リード６２が曲がったままになるおそれがある。すると、端子６２ａの部分が必要以上に突出し、他の端子６２ａとの高さが一致しなくなり実装時に一部の端子６２ａで接続不良が発生する可能性がある。したがって、ＱＦＮの場合は、傾斜したステージにリードフレームを押し付けることにより、リードの一先端部を傾斜させた状態でワイヤボンディングする方法よりも、本実施の形態３のように、リード６２の一先端部自体を加工して傾斜を設けた状態でワイヤボンディングする方法を採用することが望ましい。
【００７２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】キャピラリを示す図である。
【図２】キャピラリの先端部を示す断面図である。
【図３】ボールに加えられた荷重が外側に逃げる様子を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるＱＦＰを示す斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。
【図６】ＱＦＰの内部構造を示す上面図である。
【図７】実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】ワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１１】図１０に続くワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１２】ボールに荷重を加えた様子を示す断面図である。
【図１３】図１１に続くワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１４】図１３に続くワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１５】ワイヤとリードとの圧着部を示す断面図である。
【図１６】図１４に続くワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１７】図１６に続くワイヤボンディングの一工程を示す斜視図である。
【図１８】実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１における半導体装置を示す側面図である。
【図２１】実施の形態１における半導体装置を実装基板に実装した様子を示す図である。
【図２２】実施の形態２におけるワイヤボンディング工程を実施する様子を示す上面図である。
【図２３】図２２のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。
【図２４】ワイヤとリードとの圧着部を示す断面図である。
【図２５】実施の形態３におけるＱＦＮを示す斜視図である。
【図２６】実施の形態３におけるＱＦＮを裏面から見た平面図である。
【図２７】図２５のＡ−Ａ線で切断した断面を示す断面図である。
【図２８】実施の形態３における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２９】図２８に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３０】図２９に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３１】図３０に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３２】実施の形態３における半導体装置を示す側面図である。
【図３３】実施の形態３における半導体装置を実装基板に実装した様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  キャピラリ
１ａ  先端部
２  ボンディングパッド
３  ボール
１０  半導体装置
１１  樹脂
１２  アウターリード
１３  インナーリード
１３ａ  先端部
１４  タブ
１５  半導体チップ
１６  ボンディングパッド
１７  ボール
１８  ワイヤ
２０  タブ
２１  リード
２１ａ  先端部
２２  銀めっき
２３  ステージ
２４  半導体チップ
２５  ボンディングパッド
２６  ボール
２７  ワイヤ
２８  押え治具
２９  キャピラリ
３０  超音波ホーン
３１  金線
３２  放電トーチ
３３ａ  金型
３３ｂ  金型
３４  樹脂
３５  実装基板
３６  端子
３７  半田
４０  タブ
４１  リード
４２  半導体チップ
４３  ヒートステージ
４４  押え駒
４５  ボンディングパッド
４６  ボール
４７  ワイヤ
４８  押え爪
４９  キャピラリ
５０  半導体装置
５１  樹脂
５２  リード
５３  端子
５４  タブ
５５  半導体チップ
５６  ボンディングパッド
５７  ボール
５８  ワイヤ
６０  ステージ
６１  タブ
６２  リード
６２ａ  端子
６３  銀めっき
６４  半導体チップ
６５  ボンディングパッド
６６  押え治具
６７  キャピラリ
６８  ボール
６９  ワイヤ
７０  金型
７１  樹脂シート
７２  金型
７３  樹脂
７４  実装基板
７５  端子
７６  半田
【図１】
2007073763.tif 000003
【図２】
2007073763.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007073763.tif 000006
【図５】
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【図６】
2007073763.tif 000008
【図７】
2007073763.tif 000009
【図８】
2007073763.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2007073763.tif 000012
【図１１】
2007073763.tif 000013
【図１２】
2007073763.tif 000014
【図１３】
2007073763.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2007073763.tif 000017
【図１６】
2007073763.tif 000018
【図１７】
2007073763.tif 000019
【図１８】
2007073763.tif 000020
【図１９】
2007073763.tif 000021
【図２０】
2007073763.tif 000022
【図２１】
2007073763.tif 000023
【図２２】
2007073763.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2007073763.tif 000028
【図２７】
2007073763.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
2007073763.tif 000031
【図３０】
2007073763.tif 000032
【図３１】
2007073763.tif 000033
【図３２】
2007073763.tif 000034
【図３３】
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