(57)【要約】【課題】複数の半導体モジュール同士の積層を簡易な構成で実現させると共に、実装信頼性の向上を図る。【解決手段】基板１３２上に半導体部品１０２が搭載され、基板１３２の上面に、別の基板と接続するための導電部１４２を有する第１の半導体モジュールと、基板１３１上に半導体部品１０１が搭載され、基板１３１の下面に、別の基板と接続するための導電部を有する第２の半導体モジュールとを、複数の中継基板１５０を介して電気的に接続するようにし、中継基板１５０の構成として、第１の半導体モジュールの基板の一辺の長さを複数に分割した長さで構成させ、上面及び下面に、上下が導通した導電ビアを複数配置させた上で、第１の半導体モジュールの上面の導電部１４２と第２の半導体モジュールの下面の導電部との間に配置させることにより、両導電部を接続するようにした。【選択図】図１
2007324354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体部品が搭載され、基板の上面に、別の基板と接続するための導電部を有する第１の半導体モジュールと、
基板上に半導体部品が搭載され、基板の下面に、別の基板と接続するための導電部を有する第２の半導体モジュールと、
前記第１の半導体モジュールの基板の一辺の長さを複数に分割した長さでそれぞれが構成されて、上面及び下面に、上下が導通した導電ビアが複数配置してあり、前記第１の半導体モジュールの上面の導電部と前記第２の半導体モジュールの下面の導電部との間に配置されて両導電部を接続する、複数の中継基板とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の半導体モジュールは、さらに基板の上面に、別の基板と接続するための導電部を有し、
前記複数の中継基板を使用して、さらに前記第２の半導体モジュールの基板の上面に第３の半導体モジュールを接続したことを特徴とする
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に半導体パッケージを搭載した半導体モジュールを積層して構成される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ（Integrated Circuit）の集積度を上げる技術として、複数の異なる機能の半導体チップ同士を積層してパッケージ内に実装し、単一パッケージ化するＳＩＰ（System in package）が広く知られているが、近年では、パッケージ同士を積層するＰｏＰ（Package on Package）の手法が注目を集めている。積層されたパッケージ間を電気的に接続する手法としては、図１９に示されるような、はんだボールによる接続や、図２０に示されるような、導電ビアを備えたキャビティ基板を介しての接続などの手法がある。両図において、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。
【０００３】
図１９（ａ）は、基板１３ａ上にパッケージ１を搭載したＰｏＰ部品１０ａと、基板１３ｂ上にパッケージ２を搭載したＰｏＰ部品１０ｂとが接合される前の状態を示した図であり、ＰｏＰ部品間に、複数個のはんだボール１４が配置されてある。図２０（ａ）は、ＰｏＰ部品１０ａとＰｏＰ部品１０ｂとが接合される前の状態を示した図であり、ＰｏＰ部品間に、パッケージ２が収容される部分がくり抜かれたキャビティ基板１５が配置されてある。キャビティ基板１５は、導電ビアなどの形成により、上面及び下面に電気的導通をとってある。図２０（ｂ）は、ＰｏＰ部品１０ａとＰｏＰ部品１０ｂとがキャビティ基板１５を介してはんだクリーム１８により接合された状態を示した図である。
【０００４】
特許文献１には、導電ビアを備えた、パッケージの周囲を囲う形状のキャビティ基板を、パッケージ間に１枚積層させ、熱圧着による一括積層を行うことについての開示がある。
【特許文献１】特開２０００−３１２３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、高背型のパッケージを搭載したＰｏＰ部品同士をはんだボールで電気的に接続する場合などは、積層されるＰｏＰ部品間の高さを確保する必要があり、高さを確保するためには、ＰｏＰ部品間を接続するはんだボールの径を大きくとる必要がある。図２１に、はんだボールの径と、積層されたＰｏＰ部品間の空間の関係を示してある。ＰｏＰ部品間の空間の高さとして、０．２ｍｍ確保する必要がある場合は、図２１（ａ）に示されるように直径０．２７５ｍｍのはんだボールを使用すればよく、同様に、ＰｏＰ部品間の高さとして０．３ｍｍを確保する必要がある場合は、図２１（ｂ）に示されるように直径０．３５ｍｍのはんだボールを使用する必要があり、０．４ｍｍの高さが必要な場合は、直径０．４５ｍｍのはんだボールを使用する必要がある。
【０００６】
はんだボールの直径を大きくすると、はんだボール間のピッチも広くとる必要があり、図２１（ａ）では０．５ｍｍ、図２１（ｂ）では０．６５ｍｍ、図２１（ｃ）では０．８ｍｍと、はんだボールの直径に比例してはんだボール間のピッチが増えてしまう。つまり、大きなはんだボールを使用すると、ＰｏＰ部品の基板の面積自体も大きくする必要があるという問題があった。図２２では、はんだボール間のピッチの違いにより、ＰｏＰ部品の基板の面積が増減する例が示されている。図２２（ａ）、（ｂ）の両図において、使用したＰｏＰ部品の接続端子数は同数の１２０ｐｉｎであるが、図２２（ａ）においては端子間のピッチが０．５ｍｍのためＰｏＰ部品の一辺は１１．５ｍｍとなるのに対し、図２２（ｂ）においては、端子間のピッチを０．８ｍｍと広くとってあるため、ＰｏＰ部品の一辺は１４ｍｍにする必要があり、ＰｏＰ部品が大型化してしまう。
【０００７】
また、導電ビアを備えた、パッケージの周囲を囲う形状のキャビティ基板を、ＰｏＰ部品間に積層させてＰｏＰ部品間を接続する手法を採用する場合は、形状の特性上、キャビティ基板に反りやねじれが発生しやすくなり、中継基板であるキャビティ基板に反りやねじれが発生すると、積層されたＰｏＰ装置の接続不良や実装信頼性の低下に繋がってしまう。
【０００８】
キャビティ基板を介してＰｏＰ部品を積層した場合の構成例を、図２３（ａ）及び（ｂ）に示してある。図２３（ａ）はＰｏＰ部品間が接合される前の状態を斜視図として示してあり、図２３（ｂ）は接合後の様子を側面図として示してある。図２３では、ＰｏＰ部品１０ａとＰｏＰ部品１０ｂとを接続するキャビティ基板１５に、反りやねじれが発生している様子が示されている。このようなキャビティ基板１５を使用する場合は、接続不要を防ぐために、電気的に接続している部分以外の部分を接着剤等により接続する必要がある。ところが、接着剤等による接続を行ってしまうと、リワークが困難になるという問題があった。また、反りやねじれによる接続不良を防ぐために積層を一括で行う必要があるが、一括積層を行った場合は、一部のパッケージに不良があった場合なども個別対応を行うことができず、積層されたＰｏＰ装置全体の歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、複数の半導体モジュール同士の積層を簡易な構成で実現させると共に、実装信頼性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板上に半導体部品が搭載され、基板の上面に、別の基板と接続するための導電部を有する第１の半導体モジュールと、基板上に半導体部品が搭載され、基板の下面に、別の基板と接続するための導電部を有する第２の半導体モジュールとを、複数の中継基板を介して電気的に接続するようにし、中継基板の構成として、第１の半導体モジュールの基板の一辺の長さを複数に分割した長さで構成させ、上面及び下面に、上下間に電気的な導通をとるための導電ビアを複数配置させた上で、第１の半導体モジュールの上面の導電部と第２の半導体モジュールの下面の導電部との間に配置させることにより、両導電部を接続するようにしたものである。
【００１１】
このようにしたことで、半導体モジュールの基板の一辺に対して複数個の中継基板が配置されるため、中継基板に反りやねじれが発生し難くなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体モジュール間を接続する中継基板に反りやねじれが発生し難くなり、半導体モジュール間の接続状態が良好となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施の形態を、図１〜図１８を参照して説明する。本例は、半導体部品として構成されたパッケージを基板上に搭載したＰｏＰ部品を、複数の中継基板を介して積層させて構成される半導体装置に適用したものである。
【００１４】
図１（ａ）は、本例の半導体装置の構成を、３つのＰｏＰ部品１００ａ〜１００ｃを接合する前の状態で示した斜視図であり、図１（ｂ）は、接合後の状態を側面図として示してある。本例においては、複数個の中継基板１５０を介して、第１〜第３のＰｏＰ部品１００ａ〜１００ｃを積層するようにしてある。第１のＰｏＰ部品１００ａは、基板１３１上にパッケージ１０１と、抵抗やコンデンサなどの受動部品１７０を複数個搭載した半導体モジュールであり、基板１３１の下面に導電部であるランド（図示せず）を備える。第２のＰｏＰ部品１００ｂは、基板１３２上にパッケージ１０２を搭載した半導体モジュールであり、基板１３２の上面に複数のランド１４２を備えるほか、下面にも図示しないランドを備える。第３のＰｏＰ部品１００ｃは、基板１３３上にパッケージ１０３を搭載した半導体モジュールであり、基板１３３の上面に複数のランド１４５を備える。各パッケージ１０１，１０２，１０３は、集積回路部品を内部に収納した半導体部品である。各ＰｏＰ部品１００ａ〜１００ｃと中継基板１５０との間は、図１（ｂ）に示されるように、はんだクリーム１８０によって接合するようにしてある。
【００１５】
各ＰｏＰ部品間に設けられた中継基板１５０ａ及びｂは、導電ビアの形成などで上下間に電気的な導通がとられており、上面に第１のＰｏＰ部品１００ａの下面に設けられたランドに対応するランド１４３を備え、下面には図示しないランドを備える。中継基板１５０ｂは、上面に第２のＰｏＰ部品１００ｂの下面に設けられたランドに対応するランド１４４を備えてあり、下面にも図示しないランドを備える。図１（ａ）に図示されているように、中継基板１５０は、ＰｏＰ部品の一辺に対して複数個配列されて、各ＰｏＰ部品間を接続する構成としてある。
【００１６】
図１（ｂ）は、ＰｏＰ部品１００ａ〜１００ｃが接合された状態を示してあり、各ＰｏＰ部品１００ａ〜１００ｃと中継基板１５０との間は、はんだクリーム１８０により接続されてある。
【００１７】
次に、図２及び図３を参照して、ＰｏＰ部品１００ａ及び１００ｂの構成例について説明する。図２は、第１のＰｏＰ部品１００ａの構成例を示す図である。第１のＰｏＰ部品１００ａは、例えば１２．０ｍｍ四方の基板１３１上に、パッケージ１０１と、複数個の受動部品１７０とを搭載して構成させてあり、図２（ａ）ではＰｏＰ部品１００ａの上面、図２（ｂ）では下面を示してある。図２（ｂ）に示されるように、第１のＰｏＰ部品１００ａの下面（面Ａ）にはランド１４１を複数個形成してあり、各ランド１４１の直径は例えば０．４５ｍｍで、０．８ｍｍのピッチで配置してあるものとする。
【００１８】
図３は、第２のＰｏＰ部品１００ｂの構成例を示す図である。第２のＰｏＰ部品１００ｂは、そのサイズとして例えば縦横１２．０ｍｍの基板１３２の上に、パッケージ１０２を搭載して構成させてあり、パッケージ１０２のサイズは、例えば縦８．０ｍｍ×横８．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ（最大値０．６ｍｍ）であるものとする。基板１３２の上面（面Ｂ）には、ランド１４２を複数個形成させてあり、各ランド１４２は、第１のＰｏＰ部品１００ａの下面（面Ａ）に設けられたランド１４１に対応して配置してある。
【００１９】
図４は、中継基板１５０の構成例を示す図である。中継基板１５０は、図４（ａ）に断面図として示されるように、導電ビア１１０などで上面と下面とで電気的な導通をとってある。また、図４（ｂ）に示されるように、上面にはランド１４３、下面にランド１４４をそれぞれ複数個設けてあり、ランド１４３は第１のＰｏＰ部品１００ａの下面（面Ａ）のランド１４１に対応して設けており、ランド１４４は、第２のＰｏＰ部品１００ｂの上面（面Ｂ）のランド１４２に対応して設けてある。中継基板１５０のサイズは、例えば縦５．０ｍｍ×横１．５ｍｍ×高さ０．５ｍｍであり、第２のＰｏＰ部品１００ｂの一辺１２．０ｍｍに対して、複数個配置されるように構成させてある。中継基板１５０の高さは、［（積層時に下側に配置されるパッケージの凸部の高さ（最大値）＋クリアランス）−はんだ接続の厚さ×２］から求められるものとし、本例においては、パッケージの凸部の高さ（最大）＝０．６ｍｍであるため、クリアランスを０．１ｍｍ、はんだ接続の厚さを０．１ｍｍとした場合は、中継基板１５０の高さは０．５ｍｍと算出される。
【００２０】
なお、中継基板のサイズを小さくすると、ＰｏＰ部品の大きさに合わせて搭載個数を増やす必要があり、コストの増大を招いてしまうため、なるべく大きなサイズとするのが望ましい。サイズを大きくすると中継基板の反りやねじれが生じ易くなるため、いくつかのサイズを試作して歩留まりが良いサイズを決定するようにする。
【００２１】
中継基板１５０の基材としては、ＦＲ−４（耐然性ガラス基材エポキシ樹脂積層板）などの有機基材や、セラミックなどの無機基材を使用するものとするが、実装信頼性上、接続するＰｏＰ部品の基材と線膨張係数が近いものを使用することが望ましい。
【００２２】
また、図４では、中継基板１５０の構成として、上面と下面を導電ビアの形成により電気的に導通させた例を挙げて説明したが、図５（ａ）の斜視図、図５（ｂ）の側面図に例示されるように、端面メッキ１５１と配線１５２により、上下の電気的導通が図られた中継基板１５０′を適用してもよい。
【００２３】
また、中継基板１５０のランドとしては、ハーフボールタイプ及びフルボールタイプのＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプの他、ボール無しのＬＧＡ（Land Grid Array）タイプを適用してもよい。
【００２４】
次に、本実施の形態による構成の半導体装置を組み立てる手順の例を、図６〜図１３を参照して説明する。
第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂとを積層させる際には、まず図６に示されるように、易剥離接着剤などが塗布された固定用ボード１９０上に、第２のＰｏＰ部品１００ｂを整列させ、図７に示されるように、第２のＰｏＰ部品１００ｂ上に、はんだクリーム１８０を供給する。塗布されたはんだクリーム１８０の上には、図８に示されるように中継基板１５０を複数配置し、リフロー加熱によりはんだを硬化させる。中継基板１５０の配置は、図９に示されるように、第２のＰｏＰ部品１００ｂの一辺に対して複数個ずつ行うようにする。
【００２５】
第１のＰｏＰ部品１００ａは、下面にランドを設けてあるため、図１０に示されるように上下を反転させて固定用ボード１９０上に整列させ、次に図１１に示されるように、第１のＰｏＰ部品１００ａの下面にはんだクリーム１８０の供給を行う。
【００２６】
中継基板１５０を実装した第２のＰｏＰ部品１００ｂを、第１のＰｏＰ部品１００ａ上に積層した様子を、図１２に示してある。図１２において、第２のＰｏＰ部品１００ｂは上下を反転させて第１のＰｏＰ部品１００ａ上に配置してあり、リフロー加熱により、はんだを硬化させる。図１３では、中継基板１５０を介して積層された第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂを、固定用ボード１９０から外した状態を示してあり、この状態が半導体装置の完成形である。図１３（ａ）は側面図であり、図１３（ｂ）は斜視図である。
【００２７】
なお、ＰｏＰ部品の動作確認後に、物理的な信頼性を向上させるため、図１３（ｃ）に示されるように、第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂの層間にアンダーフィルなどの補強用樹脂２００を注入するようにしてもよい。
【００２８】
このように、適当な大きさに分割された複数の中継基板を使用してＰｏＰ部品同士の積層を行う構成としたため、ＰｏＰ部品の基板の一辺の長さと同等の長さを持つ中継基板を使用した場合に比べて、中継基板の反りやねじれが発生しにくくなり、ＰｏＰ部品間の接続不良や半導体装置全体の実装信頼性の低下を防ぐことができる。
【００２９】
この場合、一括積層を行わなくても半導体装置の実装信頼性は保持されるため、一部のパッケージに不良があった場合にも個別に対応することが可能となり、半導体装置全体としての歩留まりが向上する。
【００３０】
また、従来のように一枚の基板をくり抜いてキャビティ基板を作成する場合は、くり抜かれた中央部は捨てるしかなく再利用ができないが、中継基板作成においては捨てる部分が発生しないため、キャビティ基板を使用した場合に比べてコストを低減させることができる。
【００３１】
また、ＰｏＰ部品間を接続する部材として、はんだボールの代わりに中継基板を用いることにより、接続パッドピッチの狭ピッチ化を図ることが可能となり、ＰｏＰ部品の小型化を測ることができる。例えば、ＰｏＰ部品間の空間の高さとして０．４ｍｍ確保する必要がある場合に、はんだボールによる接続であれば、図１４（ａ）に示されるようにはんだボール間のピッチを０．８ｍｍ確保する必要があるのに対し、中継基板による接続であれば図１４（ｂ）に示されるように、接続端子のピッチを０．５ｍｍまで縮めることが可能となり、基板自体の大きさを縮小することできるようになる。
【００３２】
また、ＰｏＰ部品間の接続は、はんだにより行われているため、リワークを行うことが可能となる。
【００３３】
また、層間の接続に中継基板を用いているため、はんだボールによる接続時より、ＰｏＰ部品間の空間の高さを高く確保できるようになる。このため、ＰｏＰ部品として高背型のパッケージも取り扱えるようになる。図１５（ａ）には、第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂとが、はんだボール１６０により接続された様子を側面図として示してある。はんだボールによる接続では、ＰｏＰ部品間の高さを高くとれないため、取り扱えるパッケージは、図１５（ａ）に例示されるような、フリップ・チップ接続されたパッケージなどの低背型パッケージ１０３のみとなる。これに対して、層間の接続に中継基板を使用した場合の構成例を図１５（ｂ）に側面図として示してある。図１５（ｂ）では、第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂとが中継基板１５０を介して接合された様子を示してあり、この構成によれば、ワイヤボンディングやＭＣＰ（Multi Chip Package）接続されたパッケージなどの高背型パッケージ１０４も積層させることが可能となる。
【００３４】
また、中継基板に設ける導電ビアや端面メッキのピッチを調整することにより、より多くの接続ランドを確保することができるようになる。
【００３５】
また、中継基板は、端子のピッチや厚み（高さ）、ｐｉｎ数などにバリエーションを持たせてそれぞれを標準化することにより、汎用的に使用することが可能となる。
【００３６】
なお、以上説明した実施の形態では、説明を分かり易くするためＰｏＰ部品のサイズを特定したが、ＰｏＰ部品のサイズは上述したサイズに限定されるものではない。
【００３７】
また、上述した実施の形態では、中継基板のランドをＰｏＰ部品のランドに対応させて構成するようにしたが、図１６に例示されるように、中継基板１５０のランド１４６に対応するランドを備えさせた第１のＰｏＰ部品１００ａ及び第２のＰｏＰ部品１００ｂに適用してもよい。この場合、第１のＰｏＰ部品１００ａのランドは中継基板１５０のランド１４６に対応させてあるため、あわせて第１のＰｏＰ部品１００ａの基板１３１のサイズも縮小されており、搭載されたパッケージ１０１と同等の大きさとなっている。図１６（ａ）は第１のＰｏＰ部品１００ａ及び第２のＰｏＰ部品１００ｂが接合される前の状態を示した斜視図であり、図１６（ｂ）は、接合後の状態を斜視図として示してある。
【００３８】
また、ここまで説明した実施の形態では、縦横の長さが同じである正方形のＰｏＰ部品を例に挙げて説明を行ったが、長方形のＰｏＰ部品への適用も可能である。
【００３９】
また、以上説明した実施の形態では、中継基板をＰｏＰ部品の各辺に配置した構成としたが、図１７に例示されるように、中継基板の搭載をＰｏＰ部品の２辺に対してのみ行うようにしてもよい。図１７（ａ）は、第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂとが接合される前の状態を示した斜視図であり、両部品間の２辺に対して中継基板１５０を複数個配置してある。図１７（ｂ）は、接合後の状態を側面図として示してある。ただし、中継基板１５０の配置をＰｏＰ部品の２辺のみに対して行う場合は、実装信頼性の低下を防ぐため、その配置は両辺において対称に行うことが好ましい。
【００４０】
この場合、中継基板の高さを調節してＰｏＰ部品間の幅を広く設けることにより、図１８（ａ）及び（ｂ）に側面図として例示されるように、第１のＰｏＰ部品１００ａと第２のＰｏＰ部品１００ｂとの間に放熱用ヒートシンク３００などを配置し、半導体チップを冷却する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの積層例を示す斜視図及び側面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの構成例を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの構成例を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施の形態による中継基板の構成例を示す断面図及び斜視図である。
【図５】本発明の一実施の形態による中継基板の構成例を示す斜視図及び側面図である。
【図６】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの整列の例を示す側面図である。
【図７】本発明の一実施の形態による半導体モジュールへのはんだ供給の例を示す側面図である。
【図８】本発明の一実施の形態による半導体モジュールへの中継基板実装例を示す側面図である。
【図９】本発明の一実施の形態による半導体モジュールへの中継基板実装例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの整列の例を示す側面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態による半導体モジュールへのはんだ供給の例を示す側面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの積層例を示す側面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの積層例を示す側面図及び斜視図である。
【図１４】本発明の一実施の形態による中継基板による接着例を示す側面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態による半導体モジュールの積層例を示す側面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態の変形例による半導体モジュールの積層例を示す斜視図及び側面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態の変形例による半導体モジュールの積層例を示す斜視図及び側面図である。
【図１８】本発明の一実施の形態の変形例による半導体モジュールへのヒートシンク取り付けの例を示す側面図である。
【図１９】従来のはんだボールによる接続の例を示す斜視図及び側面図である。
【図２０】従来のキャビティ基板による接続の例を示す斜視図及び側面図である。
【図２１】従来のはんだボールによる接続の例を示す説明図である。
【図２２】従来の半導体モジュールの構成例を示す説明図である。
【図２３】従来の半導体モジュール間積層の例を示す斜視図及び側面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１、２、１０１〜１０４…パッケージ、１０…ＰｏＰ部品、１４…はんだボール、１５…キャビティ基板、１００ａ…第１のＰｏＰ部品、１００ｂ…第２のＰｏＰ部品、１００ｃ…第３のＰｏＰ部品、１１０…導電ビア、１４１〜１４６…ランド、１３、１３１、１３２…基板、１５０…中継基板、１５１…端面メッキ、１５２…配線、１６０…はんだボール、１７０…受動部品、１８、１８０…はんだクリーム、１９０…固定用ボード、２００…補強用樹脂、３００…放熱用ヒートシンク
【図１】
2007324354.tif 000003
【図２】
2007324354.tif 000004
【図３】
2007324354.tif 000005
【図４】
2007324354.tif 000006
【図５】
2007324354.tif 000007
【図６】
2007324354.tif 000008
【図７】
2007324354.tif 000009
【図８】
2007324354.tif 000010
【図９】
2007324354.tif 000011
【図１０】
2007324354.tif 000012
【図１１】
2007324354.tif 000013
【図１２】
2007324354.tif 000014
【図１３】
2007324354.tif 000015
【図１４】
2007324354.tif 000016
【図１５】
2007324354.tif 000017
【図１６】
2007324354.tif 000018
【図１７】
2007324354.tif 000019
【図１８】
2007324354.tif 000020
【図１９】
2007324354.tif 000021
【図２０】
2007324354.tif 000022
【図２１】
2007324354.tif 000023
【図２２】
2007324354.tif 000024
【図２３】
2007324354.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
キャビティ基板を介してＰｏＰ部品を積層した場合の構成例を、図２３（ａ）及び（ｂ）に示してある。図２３（ａ）はＰｏＰ部品間が接合される前の状態を斜視図として示してあり、図２３（ｂ）は接合後の様子を側面図として示してある。図２３では、ＰｏＰ部品１０ａとＰｏＰ部品１０ｂとを接続するキャビティ基板１５に、反りやねじれが発生している様子が示されている。このようなキャビティ基板１５を使用する場合は、接続不良を防ぐために、電気的に接続している部分以外の部分を接着剤等により接続する必要がある。ところが、接着剤等による接続を行ってしまうと、リワークが困難になるという問題があった。また、反りやねじれによる接続不良を防ぐために積層を一括で行う必要があるが、一括積層を行った場合は、一部のパッケージに不良があった場合なども個別対応を行うことができず、積層されたＰｏＰ装置全体の歩留まりが低下してしまうという問題があった。