(57)【要約】【課題】低温度の熱処理により、Ｌ１０構造の微細な結晶粒から構成される構造体の製造方法、及びこの構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程と、該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程と、前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、
磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程と、
該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程と、
前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって：
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素とＰｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ａと、前記非磁性体とにより構成される膜状部材を物理気相法で形成する工程と；
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素と、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ｂを有する連続膜を該膜状部材の上部に形成する工程と；
前記の連続膜を形成する工程の間に、又は前記の連続膜を形成する工程の後に、加熱する熱処理工程と；
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項３】
前記磁性体Ａを構成する元素は、前記磁性体Ｂを構成する元素と同じである、請求項１又は２に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記磁性体Ａ又は前記磁性体Ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｂ及びＮからなる群から選択された１種類以上の元素を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記連続膜の厚さは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記の連続膜を形成する工程の後に、前記連続膜上に第２の連続膜を形成する工程をさらに有する、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２の連続膜は、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｃｕ、Ａｇ又はＣｕとＳｉとの積層膜である、請求項６に記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理工程の後に、前記の連続膜を除去する工程を有する、請求項２乃至７のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理工程の後に、前記の連続膜を軟磁性化する工程をさらに有する、請求項２乃至７のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記構造体は、磁気記録媒体である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の製造方法に係り、特に、非磁性体中に磁性体が規則合金化して配置された構造体の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報量の飛躍的な増大に伴って、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を代表とする磁気記録装置には、高記録密度及び大容量化が求められている。
【０００３】
磁気記録装置において、最小記録単位（１ビット）が多くの磁性微粒子によって構成されることにより、記録分解能の向上と記録ノイズの低減が図られ、高記録密度化が実現される。このため、記録層内に含まれる磁性粒子の微細化が不可欠であるが、個々の磁性粒子が保持する磁気エネルギーの大きさが熱エネルギーの大きさを無視できなくなり、記録された磁化が失われる超常磁性効果（熱揺らぎ）が問題視されている。従って、熱揺らぎによる記録磁化の不安定性を抑制するため、磁気異方性定数（Ｋｕ）の大きな高Ｋｕ材料を用い、且つ微細な結晶粒により構成される磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００４】
高Ｋｕ、特に１×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３以上の大きな磁気異方性定数を有する材料として、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ等のＬ１０構造を有するＬ１０規則合金が注目されている。特に、Ｌ１０−ＦｅＰｔ合金は、７×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３という高い磁気異方性定数を有する。
【０００５】
室温にて成膜したＦｅＰｔ合金の結晶構造は、ｆｃｃ不規則構造を形成するが、熱処理によりｆｃｔ規則構造（Ｌ１０構造）に変態する。しかしながら、熱処理により結晶粒径が増大してしまうため、結晶粒の成長を抑制しつつ規則合金構造を得る手法として、ナノグラニュラー構造の研究が行われている。ナノグラニュラー構造とは、酸化物（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等）等のマトリックス中に、ナノスケールの結晶粒が分散して存在する構造をいう。
【０００６】
特許文献１は、ナノグラニュラー構造を用いた磁気記録媒体を開示する。しかしながら、この場合も規則合金化と共に結晶成長が進行し、１０ｎｍ以下のＬ１０−ＦｅＰｔ結晶粒を有するグラニュラー構造の作製は困難であった。
【０００７】
一方、特許文献２は、Ｆｅ微粒子を含むグラニュラー薄膜と、Ｐｔ微粒子を含むグラニュラー薄膜とを積層し、この積層体を形成する際、又は積層体を形成した後に、所定温度に加熱してＦｅ及びＰｔを合金化する方法を開示する。この文献では、一例として、３５０℃以上の加熱により、結晶粒１０ｎｍ程度で、５ｋＯｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有するＬ１０−ＦｅＰｔ結晶粒を含むグラニュラー構造が示されている。しかし、規則合金化を行うために、３５０℃以上の加熱を行うことがまだ必要であった。
【０００８】
実用化の観点から考えると、磁性体が非磁性体中に分散された構造体において、磁性体がさらに低温で規則合金化されることが強く望まれていた。
【特許文献１】特開２００１−２７３６２２号公報
【特許文献２】特許第３５０７８９２号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００２年３月２５日、８０巻、１２号、ｐｐ．２１４７−２１４９
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、２００２年１１月１５日、９２巻、１０号、ｐｐ．６１０４−６１０９
【非特許文献３】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００２年１月１４日、８０巻、２号、ｐｐ．２８８−２９０
【非特許文献４】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、２００１年６月１日、８９巻、１１号、ｐｐ．７０６５−７０６７
【非特許文献５】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、２００３年１２月１日、９４巻、１１号、ｐｐ．７２２２−７２２６
【非特許文献６】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００４年１１月８日、８５巻、１９号、ｐｐ．４４３０−４４３２
【非特許文献７】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００３年１２月１日、８３巻、２２号、ｐｐ．４５５０−４５５２
【非特許文献８】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００４年９月２０日、８５巻、１２号、ｐｐ．２３０４−２３０６
【非特許文献９】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、２００１年６月１日、８９巻、１１号、ｐｐ．７０６８−７０７０
【非特許文献１０】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２００３年９月１５日、８３巻、１１号、ｐｐ．２１９６−２１９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、低温度の熱処理により、Ｌ１０構造の微細な結晶粒から構成される構造体の製造方法、及びこの構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による構造体の製造方法は、磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程と、該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程と、前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、結晶粒径を増大させずに、従来よりも低温で熱処理することで、高密度記録化の要求を満たされた構造体を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態につき説明する。
【００１３】
＜本発明による構造体の製造方法＞
本発明による構造体の製造方法は、磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程と、該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程と、前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明による構造体の製造方法は、磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって：Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素とＰｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ａと、前記非磁性体とにより構成される膜状部材を物理気相法で形成する工程と；Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素と、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ｂを有する連続膜を該膜状部材の上部に形成する工程と；前記の連続膜を形成する工程の間に、又は前記の連続膜を形成する工程の後に、加熱する熱処理工程と；を有することを特徴とする。
【００１５】
以下、膜状部材形成工程とは、「磁性体Ａが非磁性体中に分散された第１層を形成する工程」を称する。また、膜状部材形成工程とは、「Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素とＰｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ａと、非磁性体とにより構成される膜状部材を物理気相法で形成する工程」を称する。
【００１６】
また、連続膜形成工程とは、「該第１層上に磁性体Ｂを含む第２層を形成する工程」を称する。また、連続膜形成工程とは、「Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素と、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体Ｂを有する連続膜を該膜状部材の上部に形成する工程」を称する。
【００１７】
さらに、熱処理工程とは、「前記の第２層を形成する工程の間、又は前記の第２層を形成する工程の後に、前記磁性体Ａと前記磁性体Ｂとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程」を称する。また、熱処理工程とは、「前記の膜状部材を形成する工程の間に、若しくは前記の連続膜を形成する工程の間に、又は前記の連続膜を形成する工程の後に、所定温度に加熱する熱処理工程」を称する。
【００１８】
本発明による構造体の製造方法の概略を、図６に示す。第１の工程として、図２に示したようなグラニュラー構造を作製する（膜状部材形成工程に相当）。第２の工程として、図４に示したような連続膜を作製する。必要ならば図５に示すような第２の連続膜を作製する（連続膜形成工程に相当）。第３の工程として、第２の工程で作製した構造体を熱処理する熱処理工程を行なう。ここで、工程２にて熱処理を同時に行なう場合は、第３の工程を省略することが可能である。第４の工程として、図４及び図５に示した連続膜若しくは、連続膜及び第２の連続膜の除去工程を行ってもよい。
【００１９】
（膜状部材形成工程）
膜状部材形成工程は、基板又は下地上に磁性体Ａと非磁性体とから構成される膜状部材を形成する工程である。磁性体Ａは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉのうち少なくとも１種類以上の元素とＰｔ及びＰｄのうち少なくとも１種類以上の元素を主成分とする磁性体である。このような磁性体の例としては、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ等が挙げられ、各元素が層状に成長した結晶構造を示す。また、このＬ１０構造は、この構造を維持する限り、他の元素を有していてもよく、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎ、Ｂ等が例示される。非磁性体としては、例えば、酸化物、窒化物、炭化物やＡｇ、Ａｕ等が挙げられる。特に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等の酸化物が好ましい。
【００２０】
Ｌ１０構造のｃ軸方向は、垂直磁気記録媒体として用いる場合を考慮すると、基板に対して法線方向を向くような結晶配向を有することが好ましい。配向制御のためには、下地の結晶構造の格子間隔とＬ１０構造の格子間隔の相関が重要である。例えば、ＭｇＯ（００１）配向膜上のＬ１０−ＦｅＰｔはｃ軸配向し易いが、グラニュラー構造としてＭｇＯを用いることにより、ｃ軸配向が維持され易い。このため、ＭｇＯマトリックスにＦｅＰｔが含まれるグラニュラー構造は特に好ましい形態である。
【００２１】
膜状部材形成工程は、物理気相法により行う。ここで、物理気相法としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法や、イオンプレーティング、イオンビームデポジション、及び、スパッタ法等が挙げられる。特に、スパッタ法は、多種多様な薄膜の作製が可能であるのみならず、製造プロセスでも広く用いられており、好ましい実施の形態である。
【００２２】
形成するグラニュラー構造に関して更に詳しく説明する。以下、Ｌ１０構造としてＬ１０−ＦｅＰｔを、非磁性体マトリックスとしてＭｇＯを例にして概説するが、その他の組み合わせのグラニュラー構造にも類似する内容である。また、成膜方法は、特別に断りが無い限りスパッタ法とするが、その他の手法でも構わない。
【００２３】
図１は、本発明におけるグラニュラー構造を有する構造体の一形態（１）の断面図である。一般的に、グラニュラー構造１０１０とは、図１に示すように、マトリックス部材１００３中に球状結晶部材１００４が分散した構造を有する。成膜後、ＦｅＰｔ結晶粒は、球状でも構わないが、本発明における構造体を磁気記録媒体として用いる場合、図２に示すように、規則合金化された柱状構造を有することが好ましい。つまり、図２に示すように、マトリックス部材２００３中に柱状構造の柱状結晶部材２００４が分散した、相分離構造をとるグラニュラー構造２０１０とすることが好ましい。下地上に堆積するＦｅＰｔ及びＭｇＯの結晶核を制御することにより、ＦｅＰｔ及びＭｇＯ結晶核上に、ＦｅＰｔ粒子、ＭｇＯ粒子がそれぞれ堆積する相分離構造が形成される。相分離構造では、下地を反映した結晶配向、及び結晶粒径をある程度制御することが可能であるため、磁気記録媒体として望ましい構造である。
【００２４】
ＦｅＰｔの平均結晶粒径は、ＦｅＰｔと酸化物であるＭｇＯの含有比率に影響され、酸化物の体積比率が高い程微細なＦｅＰｔ結晶粒が得られる。しかしながら、４ｎｍ以下の結晶粒径では、Ｌ１０規則合金化し難いことが報告されており、規則化温度低減が困難となる為、極端な微細粒は好ましくない。ＭｇＯの含有率は、３５体積％以上７５体積％以下であることが好ましく、さらには４０体積％以上６５体積％以下であることが好ましく、特には４５体積％以上５５体積％以下であることが好ましい。熱処理前のＦｅＰｔ結晶粒の平均直径は１ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましく、さらには１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましく、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることが好ましい。規則合金化のための熱処理過程により結晶粒径はある程度増大するが、本発明では、結晶粒が顕著に増大する前に規則合金化させることを目的としている。規則合金化後の結晶粒として、平均直径が４ｎｍ以上１０ｎｍ以下、さらには４ｎｍ以上８ｎｍ以下であること、特に４ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましい。スパッタ時に基板温度を上昇させながら成膜する場合、結晶粒径は室温成膜の場合より大きくなるが、上記に示す、規則合金化後の結晶粒が得られれば問題は無い。なお、柱状構造の平均結晶粒径は、図３に示すような膜状部材の平面図における、柱状構造上面（柱状結晶部材３００２）の平均直径とする。
【００２５】
（連続膜形成工程）
連続膜形成工程は、上述の膜状部材上に連続膜を形成する工程である。図４は、連続膜を有する本発明における構造体の一形態（３）の断面図である。連続膜４００５は、磁性体Ｂを有し、磁性体Ｂは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種類以上の元素と、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種類以上の元素とを主成分とする磁性体である。連続膜は、柱状構造に例示されるグラニュラー構造４０１０を形成する磁性体Ａの規則合金化を促進する目的で具備された膜であり、磁性体Ａ及び磁性体Ｂが同じ元素で構成されても、異なる元素で構成されても構わない。特に、製造上のプロセス負荷低減、及び材料コスト削減等の点で、同じ材料で構成されることが好ましい。
【００２６】
ここで、ＦｅＰｔ合金を例にして、ｆｃｃ不規則構造からＬ１０規則構造に変態する規則合金化に関して説明する。不規則相を形成したＦｅＰｔ合金は、熱処理に伴いＦｅ及びＰｔが相互拡散し、２元系ＦｅＰｔの相図に示されているように安定構造であるＬ１０構造を形成する。詳細な検討により、（１）初期に成長した規則相の結晶核が連続的に広がり、結晶成長と共に規則合金化が進行すること、（２）不規則／規則相界面が移動することにより規則化が進行する、という以上の点が規則化進行のメカニズムとして提案されている。
【００２７】
一方、ナノ粒子では結晶粒径に応じて規則化の容易さが異なり、特にＦｅＰｔ合金の詳細な検討では、４ｎｍ以下の結晶粒では規則合金化が進行しにくいことが示されている。即ち、ナノ粒子のような狭い空間では、規則合金化に寄与する、Ｆｅ及びＰｔの相互拡散エネルギーや、弾性エネルギー等が抑制されて規則化が進行しにくいことが考えられる。上述したように、規則合金化メカニズムの背景として、グラニュラー構造中の結晶粒の小さなＦｅＰｔよりも、連続膜中のＦｅＰｔの方が規則合金化しやすいことが推察される。実際に、多くの実験でも、連続膜中のＦｅＰｔの方が低温にて規則合金化しやすいことが示されている。
【００２８】
本発明では、これまで述べた点、即ち、（１）結晶粒径の小さな規則合金結晶粒を作製することが不可欠なこと、（２）連続膜中のＦｅＰｔの方がグラニュラー構造中のＦｅＰｔよりも規則合金化しやすいこと、（３）不規則／規則相界面の移動により規則化合金結晶が成長すること、以上の点を鑑み鋭意検討した。その結果、グラニュラー構造に含まれる柱状構造を形成するＦｅＰｔと連続膜を形成しているＦｅＰｔとが接続している構造体において、連続膜中のＦｅＰｔの規則合金化により、グラニュラー構造中のＦｅＰｔ結晶粒の規則合金化が促進されることを見出した。
【００２９】
後述するが、連続膜を構成する磁性体Ｂは、本発明における構造体を磁気記録媒体として用いる場合、磁気記録媒体を構成する記録層としては不要な部分である。そのため、磁気記録層作製時には、除去または軟磁性化等の処理を行なう。従って、本発明による構造体の製造方法において、連続膜が備えるべき要件としては、以下に挙げる通りである。
【００３０】
（１）微結晶粒化等の構造制御は不必要
（２）連続膜中の磁性体Ｂ（ＦｅＰｔ合金）の規則化温度低減を実現する要素を有する
（３）グラニュラー構造中の磁性体Ａ（ＦｅＰｔ合金）の規則化を促進する
【００３１】
連続膜ＦｅＰｔの膜厚は、後述の熱処理工程において連続膜を構成する元素が規則合金化しやすい膜厚であれば、特に制約はない。また、連続膜は、本発明における構造体を磁気記録媒体として用いる場合には、不要な膜であるため、必要以上に厚過ぎる場合は、磁気記録媒体製造プロセスに対して負荷となる。故に、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上２０ｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００３２】
本発明による構造体の製造方法において、連続膜形成工程の後に、連続膜上に第２の連続膜を形成する工程をさらに有してもよい。この第２の連続膜は、例えば、前記ＦｅＰｔ合金の配向制御及び／または規則合金化温度の低減に寄与する膜である。例えば、本発明による構造体を磁気記録媒体として用いる場合、上記連続膜ＦｅＰｔを除去するが、この除去工程の前に、図５に示すような第２の連続膜５００６を付け加えてから、後述の熱処理工程、及び除去工程を行ってもよい。
【００３３】
第２の連続膜の具体例としては、配向制御の目的として、（００１）で表される面が配向しているＺｎＯ、更に、ｆｃｃ結晶構造を有する材料の（００１）で表される面が配向している膜（即ち、基板に対して垂直方向から見た場合に、膜表面に（００１）で示される面が表れている膜）を適用できる。ＭｇＯ（００１）配向膜等も適用できる。一方、規則化温度低減の目的としては、上述したが、ＣｕやＡｇ、またはＣｕ／Ｓｉの積層膜を選択することが可能である。
【００３４】
本発明における構造体を、裏打ち軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体として使用する場合、記録感度の向上及び書きにじみの低減から、磁気ヘッドから裏打ち層までの距離を短縮することが好ましい。ＦｅＰｔ連続層のみならず、第２の連続膜も最終的に除去するため、記録層と軟磁性層間との距離の増大をもたらすことがないため、良好な磁気記録媒体を提供することが可能である。
【００３５】
（熱処理工程）
本発明による構造体の製造方法において、熱処理工程は、膜状部材形成工程の間、若しくは連続膜形成工程の間、又は連続膜形成工程の後に、構造体を所定温度に加熱する工程である。
【００３６】
熱処理工程は、膜状部材であるグラニュラー構造及びその上に形成される連続膜を室温で作製後熱処理する方法、及び成膜中に熱処理する方法が可能である。成膜後の熱処理は、製造プロセスの負荷が低い等の長所がある。一方、一般的にＦｅＰｔ規則合金薄膜の作製において、成膜中に加熱することによりＦｅ及びＰｔ粒子の表面拡散が促進されるため、規則化温度の低減には効果的である。但し、熱処理工程は、連続膜ＦｅＰｔの規則化温度低減手法に依存するので、適宜、成膜中或いは、成膜後の熱処理のいずれかを選択すればよい。
【００３７】
また、成膜中に加熱する場合は、好適な温度は、膜状部材上に上付けする連続膜ＦｅＰｔ合金が規則合金化する温度であり、膜状部材中の柱状ＦｅＰｔが連続膜ＦｅＰｔの規則化に促進されて規則合金化する温度を選択すればよい。具体的には、２８０〜３４０℃の範囲で規則合金化が可能である。これは、相分離層の上に磁性層（連続膜）を形成することにより、上の磁性層から規則化が始まり、上の磁性層の規則合金化の影響を相分離層中の磁性体が受け、さらに熱エネルギーにより規則合金化される。この相分離層上の磁性層の規則合金化の影響があるため、相分離層中の磁性体を従来よりも低温で、規則合金化することが可能になる。必要以上に温度を上げることは、本発明の目的に反するのみならず、膜状部材中のＦｅＰｔ結晶粒の増大に繋がり逆効果となる。
【００３８】
熱処理工程において、連続膜を構成する磁性体Ｂは、規則化される。例えば、磁性体ＢがＦｅＰｔ合金である場合、ＦｅＰｔ合金の規則化温度を低減する手法に関しては、これまで多くの研究が行なわれており、それらの要素を取り込むことが可能である。
【００３９】
連続膜のＦｅＰｔ合金の規則化において、これまでに報告されている規則化温度の低減手法を以下に示す。
【００４０】
（１）ＦｅＰｔ合金にＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｂ及びＮ等の第３元素を添加する方法
ＦｅＰｔと固溶することで効果的な働きを示す元素としては、特にＣｕ等が挙げられる。また、非固溶して粒子内に空孔を作ることにより効果的な働きを示す元素としては、特にＡｇ、Ａｕ等が挙げられる（非特許文献１及び２参照）。
【００４１】
（２）Ｆｅ単原子層とＰｔ単原子層とを交互に積層することにより、規則合金層を形成する方法
Ｌ１０−ＦｅＰｔはＦｅとＰｔが層状に積層した構造であり、成膜時に原子オーダーで制御よく積層させると、規則構造変態に必要とするエネルギーを低くすることが可能である（非特許文献３参照）。
【００４２】
（３）数ｎｍのＦｅ及びＰｔを積層する方法
この手法も、方法（２）と類似した理由により、規則化温度の低減に寄与するが、特に、加熱しながら成膜することがより効果的に働く（非特許文献４及び５参照）。
【００４３】
（４）ＣｕとＳｉがＣｕ３Ｓｉを形成する際に生じる歪みエネルギーによって規則化を促進する方法
室温にてＳｉ基板上にＣｕを成膜し、加熱処理にてシリサイドが形成される際に生じる動的な引っ張り張力が効果的に作用する（非特許文献６参照）。本発明に適用する場合は、連続膜ＦｅＰｔの上にＣｕ／Ｓｉの積層膜を作製することにより、同様の効果を発現する。
【００４４】
（５）Ｈｅイオン照射により規則化温度を低減する手法
本手法は、熱処理に代わりに用いる手法である（非特許文献７参照）。
【００４５】
（６）磁場中にて熱処理することにより規則化が促進する方法（非特許文献８参照）
【００４６】
（７）下地及びキャップ層としてＡｇ薄膜を用いることにより規則化温度が低減する方法
ＦｅＰｔとＡｇ膜の界面に生じる弾性エネルギーが規則化温度低減理由の一つであると考えられる（非特許文献９及び１０参照）。
【００４７】
（８）その他、ＦｅＰｔ成膜時のＡｒ圧力を高めてＦｅ及びＰｔの拡散を促進することや、成膜装置内の真空度を高めて規則化進行の阻害に関わる不純物量を低減すること、更に使用するターゲットの不純物濃度を低減すること等が挙げられる。これらの方法により、成膜における基本的な諸条件を最適化することにより規則化温度の低減をはかることが可能となる。
【００４８】
規則化温度（つまり、熱処理工程の加熱温度）を低減するためには、上述の通りの多種多様な手法が明らかにされているが、本発明では、連続膜ＦｅＰｔ合金の規則化温度を低減する手法に関しては、上述の方法に制限されるものではない。規則化温度を低減する手法を利用した連続膜を用いることにより、目的とするグラニュラー構造中のＦｅＰｔ合金の規則化を促進することが可能となる。
【００４９】
熱処理工程は、例えば水素等を含む還元性雰囲気下で行ってもよい。ＦｅＰｔ中に微量の酸素等の不純物が混入している場合は、水素雰囲気下にて熱処理をすることにより酸素等の不純物が除去されて、Ｆｅ及びＰｔ原子の拡散が促進され規則化温度低減に寄与すると考えられる。
【００５０】
（その他の工程）
本発明による構造体の製造方法において、熱処理工程の後に、連続膜及び第２の連続膜は、研磨またはドライエッチングなどの公知の方法で除去されてもよい（以下、除去工程とも称する。）。特に、本発明における構造体を磁気記録媒体として使用する場合、連続膜及び第２の連続膜は、この除去工程により、除去される。
【００５１】
除去工程を行う方法としては、例えば、ダイヤモンドスラリーまたはコロイダルシリカ等を用いた精密研磨が挙げられる。これにより、除去された構造体の表面の凹凸に係るｒｍｓ（２乗平均の平方根）は、１ｎｍ以下の平坦性を得ることが可能である。除去工程では、表面に露出している部分は若干ダメージ層として残存することが考えられる。ダメージ層は、Ｌ１０構造を維持していない軟磁性層である。除去しきれないダメージ層が存在していても、グラニュラー構造中の大部分のＬ１０−ＦｅＰｔに影響が無ければ、記録再生特性に対して決定的な問題とならない。逆に、Ｌ１０−ＦｅＰｔは磁気異方性定数が非常に大きく、磁気ヘッドでの書き込みには非常に強いヘッド磁界が必要とされ、記録感度に問題が生じる可能性がある。このような観点から、ダメージ層を軟磁性層とする硬磁性（Ｌ１０−ＦｅＰｔ）／軟磁性のスタック構造は、記録感度向上に関して良好に寄与することも考えられる。
【００５２】
連続膜は、除去工程の代わりに、又は除去工程と組み合わせて、軟磁性化されてもよい。特に、ＦｅＰｔの連続膜が薄い場合は、連続膜のＬ１０−ＦｅＰｔだけを選択的に軟磁性化してもよい。軟磁性化には、物理的な衝撃による結晶構造の破壊やＦｅＰｔを変質させることにより達成される。
【００５３】
軟磁性化を行う方法としては、例えば、プラズマ発生が可能な誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）装置を有するチャンバー内にＣＦ４を導入することにより、行ってもよい。これにより、生成される反応性の高いフッ素ラジカルによりＦｅＰｔを変質させる。ここでは、必要とする膜状部材であるグラニュラー構造中のＬ１０−ＦｅＰｔに影響を与えないように条件を制御する必要がある。
【００５４】
＜磁気記録媒体＞
上記のようにして作製した構造体は、磁気記録媒体の磁性層として利用することが可能である。図７は、本発明における構造体を用いた磁気記録媒体の構成例である。７００１は、基板を、７００２は、下地層及び中間層を、７００３は、磁気記録層を、７００４は、保護層を、７０１０は、潤滑層を、それぞれ示す。基板７００１には、ガラス基板、Ａｌ基板、Ｓｉ基板等を用いることができる。硬度を確保するためにＮｉＰ膜をめっき法などにより下地層として形成しておくことが望ましい。基板７００１と磁気記録層７００３との間には、軟磁性層を裏打ち層として形成することが有効である。その裏打ち層としては、ＮｉｔＦｅ１−ｔを主成分とする膜が使用可能であり、ｔの範囲は０．６５から０．９１であることが望ましく、さらに一部Ａｇ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、ＣＲ、Ｐ、Ｂなどを含んでもよい。その他、ＦｅＴａＣや、ＣｏＺｒＮｂ等のアモルファス軟磁性体材料を用いてもよい。
【００５５】
また、上記の裏打ち軟磁性層の上には、Ｌ１０−ＦｅＰｔの配向制御のために（００１）配向したＭｇＯなどの配向制御層を挿入し、更に配向制御層の上にエピタキシャル成長するＰｔ等の（００１）配向する金属を積層してもよい。また、（００１）配向したＺｎＯ（００１）を用いてもよい。本発明の記録層の上には表面保護層を形成することが好ましく、ヘッドとの摩擦に対して耐磨耗性を持たせるために、カーボンの他、カーバイト、窒化物等の高硬度の非磁性材料を用いることが有効である。更に、潤滑層としてＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）を塗布することが好ましい。本発明の磁気記録媒体は垂直磁気記録媒体として有効である。
【実施例】
【００５６】
以下に、本発明に係る実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００５８】
（工程１）
基板６００１として熱酸化膜付きＳｉ基板を用いる。Ｓｉ基板上に下地６００２として、スパッタ法にて、ＭｇＯ膜を２０ｎｍ成膜する。ＭｇＯ膜は（００１）面が配向するように成膜する。下地上にＦｅＰｔ合金からなら結晶粒とＭｇＯマトリックスからなるグラニュラー構造とを有する膜状構造体を作製する。ここでは、Ｆｅ５０Ｐｔ０５（すなわち、Ｆｅ０．５Ｐｔ０．５）ターゲットの上に、Ｆｅチップを対称性よく配置した複合ターゲット及びＭｇＯターゲットを用いて、ＤＣ又はＲＦスパッタにて成膜を行なう。膜厚は、２５ｎｍである。成膜装置のｂａｓｅ  ｐｒｅｓｓｕｒｅは、２×１０−５Ｐａ以下である。ここで、ＦｅＰｔ合金とＭｇＯとの体積比を替えて３種類のグラニュラー構造を用意する。ＭｇＯの割合の大きいサンプルから順にサンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣとする。なお、サンプルＡ、サンプルＢ及びサンプルＣのＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００５９】
各サンプルにおいて、膜表面の構造を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察すると、サンプルＡでは明瞭なグラニュラー構造は観察されず、サンプルＢでは平均結晶粒径３ｎｍ程度、サンプルＣでは平均結晶粒径５ｎｍ程度である。同様にして、ＴＥＭにより断面構造を観察すると、サンプルＡでは、明瞭な柱状構造は観察できないが、サンプルＢ及びサンプルＣでは、ＭｇＯマトリックス中に柱状のＦｅＰｔが分散している様子が明確に観察される。この膜上部材のＸ線回折（ＸＲＤ）測定を行なうと、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に由来するピークは観察されない。
【００６０】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜６００５を作製する。ここで、連続膜としては、ＦｅＰｔターゲットに第３元素としてＣｕが含まれるＦｅＰｔＣｕ薄膜２０ｎｍを作製する。蛍光Ｘ線分光装置（ＸＲＦ）にて膜組成を確認すると、Ｆｅ４２Ｐｔ４６Ｃｕ１２である。このＦｅＰｔＣｕ薄膜の成膜中に、基板温度を３００℃にして成膜する。
【００６１】
（工程３）
熱処理工程は、工程２で用いた基板６００１の温度を３００℃として、これを３０分間維持することにより、行った。この工程を、工程３とする。
【００６２】
（工程４）
工程２において作製した連続膜６００５を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡでは、平均結晶粒径３ｎｍ、サンプルＢでは、平均結晶粒径５ｎｍ、サンプルＣでは、平均結晶粒径８ｎｍであり、回折構造を観察すると、サンプルＢ及びサンプルＣでは、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡでは、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ（ＡＧＭ）にて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡでは、１００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢでは、３５００Ｏｅ、サンプルＣでは、４５００Ｏｅの保磁力を示す。
【００６３】
（実施例２）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００６４】
（工程１）
実施例１と同様である。実施例１のサンプルＡと同様のサンプルを、サンプルＡ２と、サンプルＢと同様のサンプルを、サンプルＢ２と、サンプルＣと同様のサンプルをサンプルＣ２と、それぞれ称する。なお、サンプルＡ２、サンプルＢ２及びサンプルＣ２のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００６５】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜６００５を作製する。ここでは、ＦｅとＰｔ層をそれぞれ２ｎｍずつ交互に積層した連続膜（膜厚２０ｎｍ）を、基板温度３００℃にて作製する。
【００６６】
（工程３）
熱処理工程は、実施例１と同様に行う。
【００６７】
（工程４）
工程２において作製した連続膜６００５を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡ２では、平均３ｎｍ、サンプルＢ２では、平均５ｎｍ、サンプルＣ２では、平均８ｎｍである。また、回折構造を観察すると、サンプルＢ２及びサンプルＣ２では、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡ２では、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡ２では、１００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢ２では、３０００Ｏｅ、サンプルＣ２では、４０００Ｏｅの保磁力を示す。
【００６８】
（実施例３）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００６９】
（工程１）
実施例１と同様である。実施例１のサンプルＡと同様のサンプルを、サンプルＡ３と、サンプルＢと同様のサンプルを、サンプルＢ３と、サンプルＣと同様のサンプルを、サンプルＣ３と、それぞれ称する。なお、サンプルＡ３、サンプルＢ３及びサンプルＣ３のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００７０】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜６００５を作製する。ここでは、ＦｅとＰｔ層をそれぞれ２ｎｍづつ交互に積層した連続膜（膜厚３０ｎｍ）を室温にて作製する。更に、第２の連続膜６００６として、ｂｕｆｆｅｒ層であるＰｔ１０ｎｍと、その上にＣｕ５０ｎｍと、更にＳｉ３０ｎｍとを作製する。
【００７１】
（工程３）
成膜後、基板６００１の温度を３００℃として、これを３０分間維持して、熱処理を行う。この熱処理は、還元雰囲気である水素雰囲気中で行う。
【００７２】
（工程４）
工程２において作製した連続膜６００５及び第２の連続膜６００６を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡ３では、平均３ｎｍ、サンプルＢ３では、平均６ｎｍ、サンプルＣ３では、平均９ｎｍである。また、回折構造を観察すると、サンプルＢ３及びサンプルＣ３では、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡ３では、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡ３では、１０００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢ３では、４０００Ｏｅ、サンプルＣ３では、５５００Ｏｅの保磁力を示す。
【００７３】
（実施例４）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００７４】
（工程１）
実施例１と同様である。実施例１のサンプルＡと同様のサンプルを、サンプルＡ４と、サンプルＢと同様のサンプルを、サンプルＢ４と、サンプルＣと同様のサンプルを、サンプルＣ４と、それぞれ称する。なお、サンプルＡ４、サンプルＢ４及びサンプルＣ４のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００７５】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜６００５を作製する。ここでは、ＦｅＰｔ連続層（膜厚３０ｎｍ）を室温にて作製する。
【００７６】
（工程３）
ここでは、熱処理工程の代わりに２ＭｅＶのＨｅイオン照射を工程２で形成した膜に対して行なう。本工程ではＨｅイオン照射により基板温度が上昇するが、その最高温度は２８０℃以下である。
【００７７】
（工程４）
工程２において作製した連続膜６００５を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡ４では、平均３ｎｍ、サンプルＢ４では、平均６ｎｍ、サンプルＣ４では、平均９ｎｍである。また、回折構造を観察すると、サンプルＢ４及びサンプルＣ４では、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡ４では、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡ４では、１００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢ４では、４０００Ｏｅ、サンプルＣ４では、５５００Ｏｅの保磁力を示す。
【００７８】
（実施例５）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００７９】
（工程１）
実施例１と同様である。実施例１のサンプルＡと同様のサンプルを、サンプルＡ５と、サンプルＢと同様のサンプルを、サンプルＢ５と、サンプルＣと同様のサンプルを、サンプルＣ５と、それぞれ称する。なお、サンプルＡ５、サンプルＢ５及びサンプルＣ５のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００８０】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜６００５を作製する。ここでは、ＦｅとＰｔの単原子層を交互に積層したＦｅＰｔ連続層（膜厚２０ｎｍ）を室温にて作製する。この連続膜の上に、第２の連続膜６００６として２０ｎｍのＡｇ薄膜を作製する。
【００８１】
（工程３）
成膜後、３００℃にて３０分間熱処理を行う。熱処理には、還元雰囲気である水素雰囲気中で行なう。
【００８２】
（工程４）
工程２において作製した連続膜を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡ５では、平均３ｎｍ、サンプルＢ５では、平均５ｎｍ、サンプルＣ５では、平均８ｎｍである。また、回折構造を観察すると、サンプルＢ５及びサンプルＣ５では、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡ５では、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡ５では、１０００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢ５では、３０００Ｏｅ、サンプルＣ５では、４０００Ｏｅの保磁力を示す。
【００８３】
（実施例６）
図６の製造フローに即して本発明の一実施例を示す。
【００８４】
（工程１）
実施例１と同様である。実施例１のサンプルＡと同様のサンプルを、サンプルＡ６と、サンプルＢと同様のサンプルを、サンプルＢ６と、サンプルＣと同様のサンプルを、サンプルＣ６と、それぞれ称する。なお、サンプルＡ６、サンプルＢ６及びサンプルＣ６のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、３５：６５及び５０：５０である。
【００８５】
（工程２）
工程１で用いたサンプル上に連続膜を作製する。ここでは、ＦｅとＰｔの単原子層を交互に積層したＦｅＰｔ連続層（膜厚２０ｎｍ）を室温にて作製する。この連続膜の上に、第２の連続膜として４０ｎｍのＺｎＯ薄膜を作製する。ＺｎＯは基板温度３００℃にて作製する。
【００８６】
（工程３）
成膜後、基板６００１の温度を３００℃として、これを３０分間維持して、熱処理を行う。
【００８７】
（工程４）
工程２において作製した連続膜６００５及び第２の連続膜６００６を研磨にて除去する。研磨後、ＴＥＭにてＦｅＰｔの平均結晶粒径を確認すると、サンプルＡ６では、平均３ｎｍ、サンプルＢ６では、平均５ｎｍ、サンプルＣ６では、平均８ｎｍである。また、回折構造を観察すると、サンプルＢ６及びサンプルＣ６では、Ｌ１０−ＦｅＰｔの規則相に相当する回折ピークが観察される。一方、サンプルＡ６では、規則相に相当する明瞭な回折ピークは観察されない。ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＡ６では、１００Ｏｅ未満であるが、サンプルＢ６では、３０００Ｏｅ、サンプルＣ６では、４０００Ｏｅの保磁力を示す。
【００８８】
また、サンプルＣ６とサンプルＣ２において、ｃ軸方向の配向分散をＸＲＤにて観察する。配向分散の指標となるＬ１０−ＦｅＰｔの（００１）面の回折ピークのロッキングカーブを観察すると、サンプルＣ６の方がサンプルＣ２より半値幅は小さく、ｃ軸分散がよいことが確認できる。
【００８９】
（比較例１）
（工程１）
実施例１と同様であるが、ＦｅＰｔ合金とＭｇＯの体積比を若干変えた３種類のグラニュラー構造を用意する。ＭｇＯの割合の大きいサンプルから順にサンプルＲ１、サンプルＲ２、サンプルＲ３とする。なお、サンプルＲ１、サンプルＲ２及びサンプルＲ３のＦｅＰｔ合金：ＭｇＯの比率（体積比）は、それぞれ、２０：８０、５０：５０及び７０：３０である。
【００９０】
各サンプルにおいて、膜表面の構造を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察すると、サンプルＲ１では、明瞭なグラニュラー構造は観察されず、サンプルＲ２では、平均５ｎｍ程度、サンプルＲ３では、平均１５ｎｍ程度である。同様にして、ＴＥＭにより断面構造を観察すると、サンプルＲ１では、明瞭な柱状構造は観察できないが、サンプルＲ２及びサンプルＲ３では、ＭｇＯマトリックス中に柱状のＦｅＰｔが分散している様子が明確に観察される。
【００９１】
（工程２）
ここでは、連続膜は作製しない。
【００９２】
（工程３）
熱処理工程は、基板６００１の温度を３００℃として、これを３０分間維持して、熱処理を行う。
【００９３】
（工程４）
熱処理後、ＡＧＭにて基板に対して垂直方向の保磁力（Ｈｃ）を測定すると、サンプルＲ１では１００Ｏｅ未満であり、サンプルＲ２では、５００Ｏｅ未満、サンプルＲ３では、３０００Ｏｅの保磁力を示す。ＴＥＭにてサンプルＲ３では、平均粒径２５ｎｍであり、粒径分散も大きな構造であった。
【００９４】
（実施例７）
実施例１の製造方法を用いて磁気記録媒体を作製する。基板を２．５インチのガラス基板とし、ＣｏＺｒＮｂのアモルファス軟磁性体材料を裏打ち層として形成する。その上に５ｎｍのＭｇＯ層を作製し、実施例１に示した製造方法を用いて記録層を作製する。その後、表面保護層としてＤＬＣを作製し、更に、潤滑層としてＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）を塗布する。成膜プロセスは３００℃以下であるため、ガラス基板を用いた磁気記録媒体の作製が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明におけるグラニュラー構造を有する構造体の一形態（１）の断面図である。
【図２】本発明における柱状構造を有する構造体の一形態（２）の断面図である。
【図３】図２に示す構造体の平面図である。
【図４】本発明における構造体の一形態（３）の断面図である。
【図５】本発明における構造体の一形態（４）の断面図である。
【図６】本発明による構造体の製造方法の概略である。
【図７】本発明における構造体を用いた磁気記録媒体の構成例である。
【符号の説明】
【００９６】
１００１    基板
１００２    下地
１００３    マトリックス部材
１００４    球状結晶部材
１０１０    グラニュラー構造
２００１    基板
２００２    下地
２００３    マトリックス部材
２００４    柱状結晶部材
２０１０    グラニュラー構造
３００１    マトリックス部材
３００２    柱状結晶部材
４００１    基板
４００２    下地
４００３    マトリックス部材
４００４    柱状結晶部材
４００５    連続膜
４０１０    グラニュラー構造
５００１    基板
５００２    下地
５００３    マトリックス部材
５００４    柱状結晶部材
５００５    連続膜
５００６    第２の連続膜
５０１０    グラニュラー構造
６００１    基板
６００２    下地
６００３    マトリックス部材
６００４    柱状結晶部材
６００５    連続膜
６００６    第２の連続膜
７００１    基板
７００２    下地層及び中間層
７００３    磁気記録層
７００４    保護層
７０１０    潤滑層
【図１】
2007299492.tif 000003
【図２】
2007299492.tif 000004
【図３】
2007299492.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007299492.tif 000007
【図６】
2007299492.tif 000008
【図７】
2007299492.tif 000009