(57)【要約】【課題】フレキシブル可能な基板を一方向に曲げる時、基板上に形成された薄膜トランジスターの電気的特性変化を最小化することができる有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】フレキシブル可能な基板と、前記基板上に形成される薄膜トランジスターを含み、前記薄膜トランジスターは前記基板上に形成されて画素を駆動する画素薄膜トランジスターと、ドライバー回路を駆動するドライバー回路薄膜トランジスターを含み、前記画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向は前記基板が曲がる方向と所定角度を形成する。【選択図】図１
2007025620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光表示装置において、
フレキシブル可能な基板と;
前記基板上に形成される薄膜トランジスターを含み、
前記薄膜トランジスターは、
前記基板上に形成されて画素を駆動する画素薄膜トランジスターと、
ドライバー回路を駆動するドライバー回路薄膜トランジスターを含み、
前記画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向は前記基板が曲がる方向と所定角度を形成することを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記ドライバー回路薄膜トランジスターの少なくとも一つは、
前記画素薄膜トランジスターと所定角度を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素薄膜トランジスターは、
スイッチング薄膜トランジスターと駆動薄膜トランジスターを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記スイッチング薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向は、
駆動薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向と相異なっていることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記駆動薄膜トランジスターは前記基板が曲がる方向と同じ方向に設けられることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向と前記基板が曲がる方向の間の角度範囲は、４５度以上９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記基板は、
金属またはプラスチック材質で外力によって変形可能に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記金属は、
ステンレススチール(sus)、チタン(Ti)のうち一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記半導体層は、
低温ポリシリコンを利用することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記半導体層は、
Ge、Ge化合物を利用することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスター上に形成されて前記薄膜トランジスターと電気的に連結される発光素子OLEDをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記薄膜トランジスター上に形成されて前記薄膜トランジスターと電気的に連結される液晶素子LCDをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、より具体的には、フレキシブル可能な基板を一方向に曲げる時、基板上に形成された薄膜トランジスターの電気的特性変化を最小化することができる有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁基板上に形成される半導体層を利用して、 薄膜トランジスターを構成する技術が注目されている。 薄膜トランジスターは集積回路や電気光学装置のような電子デバイスに応用され、特に、有機電界発光表示装置のスイッチング素子または駆動素子に利用されている。
【０００３】
前記薄膜トランジスターを形成するために利用される硝子または石英などの絶縁基板は割れやすくて重く、大型化が容易でなく、これによって大量生産も容易ではない。
【０００４】
このような短所を解決するために最近は、相対的に厚さの薄い基板、例えば、薄膜形態の金属基板またはフィルム形態のプラスチック基板上に薄膜トランジスターを形成する。前記薄膜形態の金属基板またはフィルム形態のプラスチック基板は、厚さが薄くて軽量ということに加えてフレキシブルが可能であるため、一般的なディスプレイ装置やショウインドーなどは勿論、円筒形状のディスプレイ装置にも利用することができる。
【０００５】
しかし、フィルム形態のプラスチック基板は、耐熱性が弱くて温度変化にかなり敏感であるから、フィルム形態のプラスチック基板上に薄膜トランジスターを設ける場合には相対的に低い温度条件で薄膜トランジスターを製造しなければならない。これによって、フィルム形態のプラスチック基板上に薄膜トランジスターを形成する場合、 硝子基板上に薄膜トランジスターを形成する場合に比べて薄膜トランジスターの性能を落ちる可能性もある。
【０００６】
したがって、前記短所を解消するため、薄膜形態の金属基板上に形成された薄膜トランジスターを含む有機電界発光表示装置を形成することが提案されている。  
【０００７】
薄膜形態の金属基板は、完全に曲がらないが水気や酸素の流入問題が全然なく、高温工程が可能であるため、金属基板を利用する場合には優秀なチャンネル移動度を持つ薄膜トランジスターを製作することができる。これにより、駆動回路を画素に同時に集積化するシステムオンパネル(system on panel :SOP)具現が可能であり、また、金属基板がフレキシブル可能であるから高解像度及び高性能の巻きディスプレイ具現が可能である。
【０００８】
図１は、フレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを概略的に図示した模式図である。図１を参照すれば、図１にはフレキシブル可能な基板１上にチャンネル領域１１を含む半導体層、ソース電極１２、及びドレイン電極１３を含む薄膜トランジスター１０が形成されている。この時、薄膜トランジスター１０のチャンネル領域１１は、基板１が曲がる方向と水平を成すように形成される。
【０００９】
しかし、前述したように、フレキシブル可能な基板に薄膜トランジスターを形成する場合、基板が曲がる方向によって薄膜トランジスターの構造(array)に変形(atrain)が発生するという短所を持っている。一般に、薄膜トランジスターを構成する半導体層に応力が加えられれば、電荷移動度と有效電荷質量などが影響を受け、これによって薄膜トランジスターの電気的特性が変わるようになる。
【００１０】
より具体的には、基板が曲がる方向と薄膜トランジスターのチャンネル形成方向、 すなわち、電流が流れる方向が水平を成す場合、変形-誘導されたドレイン電流の変化が大きくなって薄膜トランジスターの電気的特性が変わるという問題点を持つ。
【００１１】
一方、前記従来の有機電界発光表示装置に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１および２等がある。
【特許文献１】特開２００３−４５８９０号公報
【特許文献２】韓国特許公開第２００４−０１０５３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
したがって、本発明は前記問題点を解消するために提案された発明であり、その目的はフレキシブル基板上に形成された薄膜トランジスターのチャンネル領域を基板が曲がる方向と所定の角度を成すように形成することで、薄膜トランジスターの電気的特性を最小化することができる有機電界発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を果たすための、本発明の有機電界発光表示装置は、フレキシブル可能な基板と、前記基板上に形成される薄膜トランジスターを含み、前記薄膜トランジスターは前記基板上に形成されて画素を駆動する画素薄膜トランジスターと、ドライバー回路を駆動するドライバー回路薄膜トランジスターを含み、前記画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向は前記基板が曲がる方向と所定角度を形成することを特徴とする。
【００１４】
望ましくは、前記ドライバー薄膜トランジスターの少なくとも一つは前記画素薄膜トランジスターと所定角度を形成する。
【００１５】
前記画素薄膜トランジスターはスイッチング薄膜トランジスターと駆動薄膜トランジスターを含む。
【００１６】
前記スイッチング薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向は駆動薄膜トランジスターの長さ方向と相異なっている。
【００１７】
前記駆動薄膜トランジスターは前記基板が曲がる方向と同じ方向に設けられる。前記画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向と前記基板が曲がる方向の間の角度範囲は４５度〜９０度以下である。
【００１８】
前記基板は金属またはプラスチック材質で外力によって変形可能に形成される。
【００１９】
前記金属はステンレススチールsus、チタンTiのうち一つを含む。前記半導体層は低温ポリシリコンを利用する。また、前記半導体層はGe、Ge化合物を利用する。
【００２０】
前記薄膜トランジスター上に形成されて前記薄膜トランジスターと電気的に連結される発光素子OLEDをさらに含む。
【００２１】
前記薄膜トランジスター上に形成されて前記薄膜トランジスターと電気的に連結される液晶素子LCDをさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
以上、説明したように、本発明によれば、フレキシブル可能な基板に薄膜トランジスターを形成する時、基板が曲がる方向と薄膜トランジスターのチャンネル領域の形成方向が所定角度を成すように形成することで、チャンネル領域に流れる電流量の変化を著しく減らすことができる。これによって、薄膜トランジスターの電気的特性低下あるいは変化を最小化することができ、ひいてはディスプレイの性能及び解像度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明をより具体的に説明する。図２は本発明の実施形態による発光表示装置を現わす回路図である。図２を参照すれば、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置は、走査線S１ないしSn及びデータ線D１ないしDmの交差領域に形成された画素２４を含む画像表示部２３と、走査線S１ないしSnを駆動するための走査駆動部２１と、データ線D１ないしDmを駆動するためのデータ駆動部２２と、走査駆動部２１及びデータ駆動部２２を制御するためのタイミング制御部２５を具備する。
【００２４】
タイミング制御部２５は外部から供給される同期信号を利用してデータ駆動制御信号DCS及び走査駆動制御信号SCSを生成する。タイミング制御部２５で生成されたデータ駆動制御信号DCSはデータ駆動部２２に供給され、走査駆動制御信号SCSは走査駆動部２１に供給される。そして、タイミング制御部２５は外部から供給されるデータをデータ駆動部２２に供給する。
【００２５】
走査駆動部２１はタイミング制御部２５から走査駆動制御信号SCSの供給を受ける。走査駆動制御信号SCSの供給を受けた走査駆動部２１は第１走査線S１ないし第n走査線Snに走査信号を順次供給する。そして、走査駆動制御信号SCSの供給を受けた走査駆動部２１は第１発光制御線E１ないし第n発光制御線Enに発光制御信号を順次供給する。
【００２６】
データ駆動部２２はタイミング制御部２５からデータ駆動制御信号DCSの供給を受ける。データ駆動制御信号DCSの供給を受けたデータ駆動部２２は走査信号が供給される時ごとにデータ線D１ないしDmにデータ信号を供給する。各駆動部２１、２２にはこれらを駆動する薄膜トランジスター(一名、ドライバー回路薄膜トランジスター)が形成されている。
【００２７】
画像表示部２３は、第１電源ELVDD及び第２電源ELVSSの供給を受ける。画像表示部２３に供給された第１電源ELVDD及び第２電源ELVSSはそれぞれの画素２４に供給される。
【００２８】
図３は、図２に図示された画素の第１実施形態を現わす図面である。図３では説明の便宜性のために第n走査線Sn及び第mデータ線Dmと接続された画素を図示する。
【００２９】
図３を参照すれば、本発明の画素２４は発光素子OLEDと、発光素子OLED、データ線Dm、 発光制御線En及び走査線Snに接続されて発光素子OLEDを発光させるための画素回路２６を具備する。発光素子OLEDのアノード電極は画素回路２６に接続されて、カソード電極は第２電源ELVSSに接続される。このような発光素子OLEDは画素回路２６から供給される電流に対応される光を生成する。
【００３０】
画素回路２６は第１電源ELVDDと発光素子OLED の間に接続される第２画素薄膜トランジスターM２と、第２画素薄膜トランジスターM２、データ線Dm及び走査線Snの間に接続される第１トランジスターM１と、第２画素薄膜トランジスターM２のゲート電極と第１電源ELVDDの間に接続されるストリッジキャパシタCを具備する。
【００３１】
第１画素薄膜トランジスターM１のゲート電極は走査線Snに接続され、第１電極はデータ線Dmに接続される。そして、第１画素薄膜トランジスターM１の第２電極はストリッジキャパシタCの一側及び第２画素薄膜トランジスターM２のゲート電極に接続される。このような、第１画素薄膜トランジスターM１は走査線Snから走査信号が供給される時ターンオンされてデータ線Dmから供給されるデータ信号をストリッジキャパシタCに供給する。この時、ストリッジキャパシタCにはデータ信号に対応される電圧が充電される。
【００３２】
一方、第１電極はソース電極及びドレイン電極のうち、いずれか一つに設定され、 第２電極は第１電極と違う電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定されれば第２電極はドレイン電極に設定される。第２画素薄膜トランジスターM２のゲート電極はストリッジキャパシタCの一側に接続され、第１電極は第１電源ELVDDに接続される。そして、第２画素薄膜トランジスターM２の第２電極は発光素子OLEDに接続される。
【００３３】
図４は図２に図示された画素の第２実施形態を図示する回路図である。
【００３４】
図４を参照すれば、第２実施形態の画素構造は図３の第１実施形態の画素構造と同様に、発光素子OLEDと、発光素子OLED、データ線Dm、発光制御線En及び走査線Snに接続されて発光素子OLEDを発光させるための画素回路２６を具備する。このため、画素回路２６を成す各構成要素に対する具体的な説明は略する。但し、第２実施形態ではNMOS薄膜トランジスターを使用する。
【００３５】
図５は一般的なシフトレジスターの構成を現わすブロック図である。
【００３６】
図５に図示されたように本発明の実施形態によるシフトレジスターは、スタートパルスSP入力ラインに従属接続されると同時に、４相クロック信号CLK１ないしCLK４供給ラインのうち、３本のクロック信号供給ラインにそれぞれ接続されたn個のステージ(Stage１ないしStagen)を具備する。
【００３７】
図５に図示されたシフトレジスターからn個のステージの出力ラインは画素アレイに含まれたn本のローラインROW１ないしROWnにそれぞれ接続される。各ステージは順次に位相が遅延される第１ないし第４クロック信号CLK１ないしCLK４のうち３本のクロック信号のみを入力するようになる。例えば、第１ ステージStage１に第１及び第３と第４クロック信号CLK１、CLK３、CLK４が入力される場合、第２ステージStage２には順次に一クロックほどずつ位相遅延された３個のクロック信号CLK２、CLK４、CLK１が入力されて第３ないし第n ステージにも同じ方式で続いて順次に一クロックほどずつ位相遅延された３個のクロック信号が入力される。
【００３８】
スタートパルスSPが第１ステージに供給されれば、各ステージは一クロックほどずつシフトさせて出力ラインに供給し、第１ないし第n-１ステージStage１ないしStagenの出力信号(g１ないしgn-１)は次の段のステージにスタートパルスとして供給することで n本のローラインROW１ないしROWnを順次駆動するようになる。
【００３９】
以下、フレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを図示した図面等を参照して本発明をさらに具体的に説明する。
【００４０】
図６Ａ及び図６Ｂはフレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを概略的に図示した模式図である。
【００４１】
図６Ａを参照すれば、薄膜トランジスター６１はフレキシブル可能な基板６０上に形成され、薄膜トランジスター６１を成すチャンネル領域６２が基板６０が曲がる方向と所定の角度(おおよそ４５゜)を成すように形成される。
【００４２】
一方、前記説明と同様に、図６Ｂにはフレキシブル可能な基板６０上に形成されたチャンネル領域６４を持つ半導体層、ソース電極６５、及びドレイン電極６６を含む薄膜トランジスター６３が形成されている。薄膜トランジスター６３のチャンネル領域６４は、基板６０が曲がる方向と垂直を成すように形成される。より具体的には、チャンネル領域６４に流れる電流の流れと基板６０の曲がる方向とは垂直を成す。
【００４３】
図７は図１と図６Ａ及び図６Ｂに開示された薄膜トランジスターの電流の流れを図示したグラフである。
【００４４】
図７のグラフを参照すれば、横軸は基板の変形力(strain)を現わし、縦軸は電流の変化量を現わす。
【００４５】
グラフ(a)は基板１が曲がる方向とチャンネル領域１１が水平を成すように形成された場合を現わす。グラフ(a)は基板１が曲がる方向とチャンネル形成、すなわち、チャンネル領域１１の長さ方向が水平を成す場合を現わすが、この場合、基板１に加えられる力に比例して電流の変化量が増加することが分かる。
【００４６】
グラフ(b)は基板６０が曲がる方向とチャンネル領域６２の長さ方向が所定角度約４５度を成す場合を現わす。この場合も同様に基板６０に加えられる力に比例して電流量が増加するが、基板１が曲がる方向とチャンネル領域１１の長さ方向が水平を成す場合に比べてその変化量が著しく小さいということが分かる。
【００４７】
一方、グラフ(c)は基板６０が曲がる方向とチャンネル領域６４の形成方向が垂直を成す場合を現わす。この場合には、基板６４０に加えられる力とチャンネル領域６４に流れる電流変化量の変化がほとんどなく、実質的にほとんど同じ電流が流れる。
【００４８】
結論的に、基板６０が曲がる方向と薄膜トランジスター６１、６３のチャンネル方向６２、６４が所定角度を成すほど(図６b、図６c参照)、一番望ましくは基板６０が曲がる方向とチャンネル領域の長さ方向６４が垂直を成すほど電流の変化はほとんどない。
【００４９】
図８ないし図１２は本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
【００５０】
まず、図８を参照すれば、本発明の有機電界発光表示装置は、駆動回路領域８１と画像領域８２が形成されたフレキシブル可能な基板８０を含む。駆動回路領域８１及び画像領域８２それぞれには少なくとも一つの薄膜トランジスター８３、８４が形成され、画像領域８２には薄膜トランジスター８４と電気的に連結される少なくとも一つの発光素子(OLED;図示せず)が形成される。また、画像領域８２には発光素子の代わりに薄膜トランジスター８４と電気的に連結される少なくとも一つの液晶素子(LCD:liquid crystal device、図示せず)を形成することもできる。本実施形態で駆動回路領域８１は画像領域８２の上端に形成される。
【００５１】
より具体的には、基板８０はステンレススチール(sus)、チタンTiなどを含んで形成されたフレキシブル可能な金属薄膜形態である。基板８０に形成された画像領域８２と駆動回路領域８１には少なくとも一つの薄膜トランジスター８３、８４がそれぞれ形成される。各薄膜トランジスター８３、８４は基板８０上に形成された半導体層(図示せず)、半導体層上に形成されたゲート電極(図示せず)、ソース電極及びドレイン電極８３b、８４b; ８３c、８４cを含む。
【００５２】
半導体層は低温ポリシリコン層を利用し、特に、Ge、Ge化合物を利用する。半導体層にはソース及びドレイン電極８３b、８４b; ８３c、８４cと電気的に連結される(図示せず)ソース及びドレイン領域と、ゲート電極下部に形成されたチャンネル領域８３a、８４aが形成される。各薄膜トランジスター８３、８４のチャンネル領域８３a、８４aは長さLと幅Wを持つ。
【００５３】
本実施形態において、薄膜トランジスター８３は駆動領域のドライバー回路を駆動するドライバー回路薄膜トランジスターであり、チャンネル領域８３aの長さ方向Lは基板８０が曲がる方向と水平を成す。
【００５４】
一方、薄膜トランジスター８４は画像領域の画素を駆動する画素薄膜トランジスターであり、チャンネル領域８４aの長さ方向Lは基板８０が曲がる方向と所定角度で、ほとんど垂直を成すように形成される。画素薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向と基板が曲がる方向の間の角度は４５度から９０度の範囲にあることが望ましい。
【００５５】
画素を構成する画素薄膜トランジスターはスイッチング薄膜トランジスターと駆動薄膜トランジスターを含む。説明の便宜上、本実施形態では駆動領域８１と画像領域８２に一つの画素薄膜トランジスターを図示したが、各領域８１、８２には複数個の薄膜トランジスターを形成することができる。
【００５６】
以下実施形態では、説明の重複を避けるため、図８に開示された構成要素と同じ構成要素のうち、一部構成要素に対する具体的な説明は略する。
【００５７】
図９を参照すれば、フレキシブル可能な基板９０には駆動回路領域９１a、９１bと画像領域９２が形成され、駆動回路領域９１a、９１bは画像領域９２の上部及び下部にそれぞれ形成されており、各駆動回路領域９１a、９１b及び画像領域９２には薄膜トランジスター９３、９４、９５が形成される。
【００５８】
駆動回路領域９１a、９１b及び画像領域９２に形成された薄膜トランジスター９３、９４、９５は半導体層(図示せず)、ゲート電極(図示せず)、ソース電極９３b、９４b及びドレイン電極９３c、９４c、９５cを含み、薄膜トランジスター９３、９４、９５を構成するチャンネル領域９３a、９４a、９５aは基板９０が曲がる方向と所定角度を成すように形成する。この時、基板９０が曲がる方向とチャンネル領域９３a、９４a、９５aが垂直に近いほど電流変化が起きない。
【００５９】
本実施形態で、画像領域９２には二つの薄膜トランジスター９４、９５が形成される。  二つの薄膜トランジスター９４、９５のうち一つはスイッチング薄膜トランジスター９４で、 他の一つは駆動薄膜トランジスター９５である。スイッチング薄膜トランジスター９４のチャンネル領域９４aの長さ方向は基板９０が曲がる方向と垂直を成し、駆動薄膜トランジスター９５のチャンネル領域９５aは基板９０が曲がる方向と水平を成す。すなわち、スイッチング薄膜トランジスター９４のチャンネル領域９４aは駆動薄膜トランジスター９５aのチャンネル領域の長さ方向と相異である。
【００６０】
図１０に開示された実施形態に開示されたフレキシブル可能な基板１００には駆動回路領域１１０a、１１０bと画像領域１２０が形成され、本実施形態で駆動回路領域１１０aは画像領域１２０の左側部に形成され、駆動回路領域１１０bは画像領域１２０の上部に形成される。駆動回路領域１１０a、１１０b及び画像領域１２０それぞれには薄膜トランジスター１３０、１４０、１５０、１６０が形成されるが、薄膜トランジスター１３０、１４０、１５０、１６０のチャンネル領域１３０a 、１４０a、１５０a、１６０aは基板１００が曲がる方向と所定角度を成すように形成される。
【００６１】
本発明の実施形態おいて、駆動回路領域１１０aに形成された薄膜トランジスター１３０、 １４０のチャンネル領域１３０a、１４０aの長さ方向は基板が曲がる方向と水平を成す。そして、 本発明の実施形態おいて、画素回路領域１２０に形成された薄膜トランジスター１５０のチャンネル領域１５０aは基板１００が曲がる方向と垂直を成すように形成され、薄膜トランジスター１６０のチャンネル領域１６０aは基板１００が曲がる方向と水平を成す。
【００６２】
より具体的には、駆動薄膜トランジスター１６０は基板１００が曲がる方向と水平を成して、スイッチング薄膜トランジスター１５０は基板１００が曲がる方向と垂直を成す。
【００６３】
結論的に、前記実施形態に開示されたところによれば、薄膜トランジスターのチャンネル領域の長さ方向Lが基板が曲がる方向と垂直を成すように形成することで、フレキシブル可能な基板に応力が加えられて基板が曲がっても電流の流れには大きい影響を及ぼさない。また、基板に応力が加えられる場合、チャンネル領域の幅方向Wが相対的に広くなるから電流移動度をさらに高めることができる。
【００６４】
前記実施形態では、画像領域のまわり方向に沿って少なくとも一領域のみに駆動領域が形成されていることが開示されているが、画像領域のまわり方向全領域にかけて駆動回路領域が形成されることが可能であることは勿論である。また、前記実施形態では画像領域と駆動回路領域が単一基板上に形成されていることが開示されているが、 これと違って、駆動回路領域が個別的に形成されて画像領域と電気的に連結されることが可能である。
【００６５】
前記実施形態には有機電界発光表示装置を構成する発光素子または液晶素子が具体的に図示及び説明されていないが、一般的に有機電界発光表示装置には薄膜トランジスターと電気的に連結される発光素子または液晶素子などが形成される。
【００６６】
本発明は添付された図面に図示された実施形態を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】フレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを概略的に図示した模式図である。
【図２】本発明の実施形態による発光表示装置を現わす回路図である。
【図３】図２に図示された画素の第１実施形態を図示する回路図である。
【図４】図２に図示された画素の第２実施形態を図示する回路図である。
【図５】図２の一般的なシフトレジスターの構成を現わすブロック図である。
【図６Ａ】本発明によるフレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを概略的に図示した模式図である。
【図６Ｂ】本発明によるフレキシブル可能な基板上に形成された薄膜トランジスターを概略的に図示した模式図である。
【図７】図１と図６Ａ及び図６Ｂに開示された薄膜トランジスターの電流の流れを図示したグラフである。
【図８】本発明の実施形態による平板表示装置を概略的に図示した平面図である。
【図９】本発明の実施形態による平板表示装置を概略的に図示した平面図である。
【図１０】本発明の実施形態による平板表示装置を概略的に図示した平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１００、１２０、１４０    フレキシブル可能な基板
１１０、１３０、１５０    薄膜トランジスター
１１１、１３１、１５１、  チャンネル領域
【図１】
2007025620.tif 000003
【図２】
2007025620.tif 000004
【図３】
2007025620.tif 000005
【図４】
2007025620.tif 000006
【図５】
2007025620.tif 000007
【図６Ａ】
2007025620.tif 000008
【図６Ｂ】
2007025620.tif 000009
【図７】
2007025620.tif 000010
【図８】
2007025620.tif 000011
【図９】
2007025620.tif 000012
【図１０】
2007025620.tif 000013