(57)【要約】【課題】基板上のＭｇＯ粉体の分散状態を適切に判定可能にする分散状態数値化システムの提供。【解決手段】分散状態数値化システム６００の分散状態数値化装置６６０は、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された前面基板３の実画像を取得して、この実画像を利用閾値に対応する２値化画像に変換する。各２値化画像全体に対して、ＭｇＯ粉体３４２Ａを表す部分の面積値から求められる標準偏差値σを算出する。各２値化画像におけるＭｇＯ粉体３４２Ａを表す部分の合計面積を２値化画像の面積で除した値を割合ηとして算出する。これら標準偏差値σ、および、割合ηに基づいて、各利用閾値に対応する分散値Ｂを算出する。これら算出した分散値Ｂを積算して、ＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態を表す分散状態数値Ｌを算出する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗工液に分散させた粉体を基体上に塗工し、この粉体からなる粉体層を形成した後、前記粉体層における前記基体上の前記粉体の分散状態を数値化する分散状態数値化方法であって、
前記粉体層の状態を実画像として取得する実画像取得工程と、
所定の輝度値を閾値として、前記実画像中における各画素の輝度値と前記閾値とを比較して、前記画素の輝度値が前記閾値以上の値となる第１の画素と、前記画素の輝度値が前記閾値未満の値となる第２の画素とに識別し、この識別状態を示す画像を２値化画像として前記実画像に対して変換する処理を、複数の前記閾値について実行する２値化画像変換工程と、
前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記第１の画素の各集合体のそれぞれの面積値から標準偏差値σを算出する標準偏差値算出工程と、
前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記２値化画像の全面積に対する前記第１の画素の合計面積の割合ηを算出する割合算出工程と、
前記標準偏差値σおよび前記割合ηに基づいて、以下の式（１）で求められる前記複数の閾値にそれぞれ対応する分散値Ｂを算出する分散値算出工程と、
Ｂ＝σ1/2／η…（１）
前記複数の閾値に対応して算出される全ての前記分散値Ｂを加算または積算して、前記分散状態を示す分散状態数値Ｌを算出する分散状態数値算出工程と、
を具備したことを特徴とする分散状態数値化方法。
【請求項２】
請求項１に記載の分散状態数値化方法であって、
前記塗工後の前記基体および前記粉体層からなる積層体の透過率ごとに、複数の輝度値に基づいて算出した前記分散値Ｂの値が極小値を示す場合の輝度値を求め、この輝度値を前記複数の閾値のうちの１つとして選出する閾値選出工程を具備した
ことを特徴とする分散状態数値化方法。
【請求項３】
請求項２に記載の分散状態数値化方法であって、
前記閾値選出工程では、前記分散値Ｂの値が極小値を示す場合の輝度値に近似する輝度値を前記複数の閾値のうちの１つとして選出する
ことを特徴とする分散状態数値化方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の分散状態数値化方法であって、
前記複数の閾値として、前記割合ηを算出した際にその値が４０以下となる輝度値を選出する閾値選出工程を具備した
ことを特徴とする分散状態数値化方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の分散状態数値化方法であって、
前記粉体はＭｇＯ粉体からなり、
前記基体はプラズマディスプレイパネルを構成する基板であり、
前記粉体層は前記基板上に設けられたＭｇＯ層である
ことを特徴とする分散状態数値化方法。
【請求項６】
塗工液に分散させた粉体を基体上に塗工し、この粉体からなる粉体層を形成した後、前記粉体層における前記基体上の前記粉体の分散状態を数値化する分散状態数値化装置であって、
前記粉体層の状態を実画像として取得する実画像取得手段と、
所定の輝度値を閾値として、前記実画像中における各画素の輝度値と前記閾値とを比較して、前記画素の輝度値が前記閾値以上の値となる第１の画素と、前記画素の輝度値が前記閾値未満の値となる第２の画素とに識別し、この識別状態を示す画像を２値化画像として前記実画像に対して変換する処理を、複数の前記閾値について実行する２値化画像変換手段と、
前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記第１の画素の各集合体のそれぞれの面積値から標準偏差値σを算出する標準偏差値算出手段と、
前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記２値化画像の全面積に対する前記第１の画素の合計面積の割合ηを算出する割合算出手段と、
前記標準偏差値σおよび前記割合ηに基づいて、以下の式（１）で求められる前記複数の閾値にそれぞれ対応する分散値Ｂを算出する分散値算出手段と、
Ｂ＝σ1/2／η…（１）
前記複数の閾値に対応して算出される全ての前記分散値Ｂを加算または積算して、前記分散状態を示す分散状態数値Ｌを算出する分散状態数値算出手段と、
を具備したことを特徴とする分散状態数値化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の粉体の分散状態を数値化する分散状態数値化方法、および、分散状態数値化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。
【０００４】
上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム（以下ＭｇＯと記す）が広く用いられている。
【０００５】
従来、このようなＭｇＯによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、ＭｇＯの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、スパッタリング法などの真空プロセスにより、保護層を形成する方法が知られている。
【０００６】
特許文献１に記載の構成では、直径が１〜２μｍのＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を２００℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、ＭｇＯ微結晶が積層したＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。
【０００７】
また、真空プロセスとしてスパッタリング法を用いる構成では、中〜高真空のチャンバー内のＭｇのターゲットにプラズマビームや電子ビームなどを照射して、ターゲットをイオン化、ラジカル化させる。そして、活性化したこれらの雰囲気中の酸素との反応により、基板にＭｇＯを成長させてＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２９６７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、プラズマディスプレイパネルにおける基板上のＭｇＯ粉体の分散状態において、ムラが発生すると、画素ごとの輝度のばらつきや駆動電圧のばらつきなど、性能（特性）に関して画素ごとにばらつきが発生してしまう。よって、ＭｇＯ粉体の分散状態は、均一である事が求められる。
一方、分散状態に均一性が保てなくなる度合いに対応して、上記のプラズマディスプレイパネルの性能が悪化する。これは表示面内のばらつきが悪化するほど、画素ごとの各種特性のばらつきが大きくなるためである。
よって、製造工程ではこの粉体の分布状態を確認し、製品として問題ない性能が得られる状態に対応した分散状態か否かを確認する必要がある。
この場合、従来では、作業者による目視検査等によって、確認が行われていたが、その定性化は難しい。
【００１０】
また、ＭｇＯ粉体の分散状態を確認する場合、３次元的な分散状態を考慮しなければならない。その理由を、図１（Ａ），（Ｂ）を用いて説明する。
例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板５０Ａ，５０Ｂのそれぞれの表面に、幅寸法Ｘ、かつ、ここでは図示しないが奥行き寸法が等しいＭｇＯ粉体５１Ａ，５１Ｂが存在しているとする。このような場合、基板５０Ａ，５０Ｂの表面を基準として、２次元的に分散状態を確認すると、ＭｇＯ粉体５１Ａ，５１Ｂの面積、すなわち２次元的な分散状態は、等しくなる。
しかしながら、ＭｇＯ粉体は、その結晶状態や、特許文献１のような塊の状態から、２次元的な面積が等しくても、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、３次元的分布、すなわち３次元的に見た分散状態が異なる場合がある。
このことから、分散状態を適切に判定できる構成が望まれている。
【００１１】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、基板上の粉体の分散状態を適切にかつ容易に判定可能にする分散状態数値化方法、および、分散状態数値化装置を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、塗工液に分散させた粉体を基体上に塗工し、この粉体からなる粉体層を形成した後、前記粉体層における前記基体上の前記粉体の分散状態を数値化する分散状態数値化方法であって、前記粉体層の状態を実画像として取得する実画像取得工程と、所定の輝度値を閾値として、前記実画像中における各画素の輝度値と前記閾値とを比較して、前記画素の輝度値が前記閾値以上の値となる第１の画素と、前記画素の輝度値が前記閾値未満の値となる第２の画素とに識別し、この識別状態を示す画像を２値化画像として前記実画像に対して変換する処理を、複数の前記閾値について実行する２値化画像変換工程と、前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記第１の画素の各集合体のそれぞれの面積値から標準偏差値σを算出する標準偏差値算出工程と、前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記２値化画像の全面積に対する前記第１の画素の合計面積の割合ηを算出する割合算出工程と、前記標準偏差値σおよび前記割合ηに基づいて、以下の式（１）で求められる前記複数の閾値にそれぞれ対応する分散値Ｂを算出する分散値算出工程と、Ｂ＝σ1/2／η…（１）、前記複数の閾値に対応して算出される全ての前記分散値Ｂを加算または積算して、前記分散状態を示す分散状態数値Ｌを算出する分散状態数値算出工程と、を具備したことを特徴とする分散状態数値化方法である。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、塗工液に分散させた粉体を基体上に塗工し、この粉体からなる粉体層を形成した後、前記粉体層における前記基体上の前記粉体の分散状態を数値化する分散状態数値化装置であって、前記粉体層の状態を実画像として取得する実画像取得手段と、所定の輝度値を閾値として、前記実画像中における各画素の輝度値と前記閾値とを比較して、前記画素の輝度値が前記閾値以上の値となる第１の画素と、前記画素の輝度値が前記閾値未満の値となる第２の画素とに識別し、この識別状態を示す画像を２値化画像として前記実画像に対して変換する処理を、複数の前記閾値について実行する２値化画像変換手段と、前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記第１の画素の各集合体のそれぞれの面積値から標準偏差値σを算出する標準偏差値算出手段と、前記複数の閾値にそれぞれ対応する前記２値化画像の全面積に対する前記第１の画素の合計面積の割合ηを算出する割合算出手段と、前記標準偏差値σおよび前記割合ηに基づいて、以下の式（１）で求められる前記複数の閾値にそれぞれ対応する分散値Ｂを算出する分散値算出手段と、Ｂ＝σ1/2／η…（１）、前記複数の閾値に対応して算出される全ての前記分散値Ｂを加算または積算して、前記分散状態を示す分散状態数値Ｌを算出する分散状態数値算出手段と、を具備したことを特徴とする分散状態数値化装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
図２は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図３は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。図５は、図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００１５】
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図２に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１６】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１７】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図２に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。
【００１８】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図２および３に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００１９】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図２，４および５に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００２０】
隔壁２３は、図２および４に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図４参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００２１】
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図２，４および５に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００２２】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図２に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００２３】
具体的には、表示電極対３１は、図３および４に示すように、放電ギャップＧ（図３参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００２４】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図３に示すように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００２５】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図３参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図４に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００２６】
ブラックストライプ３２は、図３および４に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２７】
誘電体層３３は、図４および５に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２８】
保護層３４は、図２，４，および５に示すように、誘電体層３３の内周面の全面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる薄膜ＭｇＯ層３４１と、この薄膜ＭｇＯ層３４１を被覆する粉体層としての結晶ＭｇＯ層３４２とを備えた２層構造となっている。
薄膜ＭｇＯ層３４１は、例えば蒸着法やスパッタリング法などにより形成される。
結晶ＭｇＯ層３４２は、後述するスプレー法にて形成される。この結晶ＭｇＯ層３４２は、ＭｇＯ粉体３４２Ａ（図６参照）により層状に設けられている。
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
【００２９】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について図面に基づいて説明する。
図６は、スプレー法による結晶ＭｇＯ層の形成工程を示した模式図である。
【００３０】
まず、ＰＤＰ１の背面基板２の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１のパターンを形成する。このアドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。そして、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。
【００３１】
次に、ＰＤＰ１の前面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布して誘電体層３３を形成する。そして、この誘電体層３３の上に蒸着法やスパッタリング法などにより薄膜ＭｇＯ層３４１を成膜形成する。さらに、図６に示すように、この薄膜ＭｇＯ層３４１上に、塗工装置９００（図７参照）を用いたスプレー法にてＭｇＯ粉体層を形成し（以下に詳述）、これを焼成して結晶ＭｇＯ層３４２を形成する。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００３２】
〔スプレー法による結晶ＭｇＯ層の形成工程〕
次に、上記スプレー法による結晶ＭｇＯ層の形成工程について説明する。
図７は、塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【００３３】
（スプレー法の構成）
まず、スプレー法で用いる塗工装置について説明する。
図７において、９００は塗工装置で、この塗工装置９００は、ガラス基板Ｋの上述した薄膜ＭｇＯ層３４１上に詳細は後述する所定の組成の塗工液ＬＱをスプレー塗布する装置である。
そして、塗工装置９００は、塗工液ＬＱを貯留する塗工液タンク９１０と、この塗工液タンク９１０に配管９１１を介して接続されて塗工液タンク９１０内の塗工液ＬＱを吸引する液送ポンプ９２０と、この液送ポンプ９２０に配管９２１を介して接続された三方弁９３０と、この三方弁９３０に配管９３１を介して接続されて塗工液ＬＱをガラス基板Ｋ上に対してスプレー塗布するスプレーガン９４０とを備えている。また、三方弁９３０は、配管９３２を介して塗工液タンク９１０内に接続されている。
【００３４】
（スプレー塗布方法）
塗工装置９００を用いて、スプレー塗布を実施する場合にのみ、三方弁９３０をスプレーガン９４０側に切り換えて塗工液ＬＱをスプレーガン９４０に供給し、スプレーガン９４０から薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗工液ＬＱを吹き付ける。一方、スプレー塗布を実施しない間は、塗工液タンク９１０、配管９１１、液送ポンプ９２０、配管９２１、三方弁９３０、配管９３２、塗工液タンク９１０と順に塗工液ＬＱを循環させ、スプレー塗布の実施の有無に関わらず塗工液ＬＱを絶えず循環させておく。
塗工液タンク９１０に貯留する塗工液ＬＱは、ＭｇＯ粉体、溶剤および分散剤を調合して得る。
【００３５】
〔分散状態数値化システムの構成〕
次に、ＰＤＰ１に設けられた結晶ＭｇＯ層３４２におけるＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態を数値化する分散状態数値化システムの構成について説明する。
図８は、分散状態数値化システムの概略構成を示すブロック図である。図９は、ＭｇＯ粉体の分散状態をＣＣＤカメラで撮像した実画像を示す図である。図１０は、実画像における輝度値とＭｇＯ粉体の断面形状との関係を示す図である。図１１は、分散状態数値化装置の概略構成を示すブロック図である。図１２は、ＭｇＯ粉体を第ｑの閾値および第（ｑ＋１）の閾値で撮像した際の２値化画像を示す概念図であり、（Ａ）は閾値とＭｇＯ粉体の断面形状との関係を示す図であり、（Ｂ）は第ｑの閾値で撮像した際の２値化画像を示す模式図であり、（Ｃ）は第（ｑ＋１）の閾値で撮像した際の２値化画像を示す概念図である。図１３は、図９の実画像を第ｒの閾値で変換した２値化画像を示す模式図である。図１４は、図９の実画像を第（ｒ＋１）の閾値で変換した２値化画像を示す模式図である。
【００３６】
図８において、６００は分散状態数値化システムである。
そして、分散状態数値化システム６００は、光源６１０と、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ６２０と、表示手段６３０と、入力手段６４０と、メモリ６５０と、分散状態数値化装置６６０と、などを備えている。
【００３７】
光源６１０は、分散状態数値化装置６６０に接続されている。この光源６１０は、図示しない載置部に載置された前面基板３の表面に対して斜め上方４５度の位置から照射可能な状態に配設されている。
そして、光源６１０は、分散状態数値化装置６６０の制御により、前面基板３へ光を照射する。
【００３８】
ＣＣＤカメラ６２０は、分散状態数値化装置６６０に接続されている。このＣＣＤカメラ６２０は、前面基板３における光が照射された部分を撮像可能な状態に配設されている。
そして、ＣＣＤカメラ６２０は、分散状態数値化装置６６０の制御により、前面基板３の表面を撮像して、この撮像した実画像に関する実画像データを分散状態数値化装置６６０へ出力する。
ここで、上述したように、光源６１０は、前面基板３の斜め上方に配設されている。このため、ＭｇＯ粉体３４２Ａは、実画像により、以下のように表される。
【００３９】
すなわち、実画像上において、前面基板３の表面は、図９に示すように、黒く表示される。さらに、ＭｇＯ粉体３４２Ａは、白く表示される。
【００４０】
また、ＭｇＯ粉体３４２Ａに対して斜め上方から光を照射しているため、図１０に示すように、第１のＭｇＯ粉体Ｍ１や第２のＭｇＯ粉体Ｍ２の頂点ほど、ＣＣＤカメラ６２０にて得られる輝度値が大きくなる。
つまり、斜め上方からの光が例えば第１のＭｇＯ粉体Ｍ１で反射して、その反射光をＣＣＤカメラ６２０で受光して輝度値を認識するが、この受光する反射光は、乱反射光である。このため、ＣＣＤカメラ６２０に近い第１のＭｇＯ粉体Ｍ１の頂点ほど受光する乱反射光の量が多くなり、得られる輝度値が大きくなる。
そして、この輝度値に基づいて、詳しくは後述するが、第１，２のＭｇＯ粉体Ｍ１，Ｍ２の立体的な形状を認識できる。
【００４１】
表示手段６３０は、分散状態数値化装置６６０に接続されている。
この表示手段６３０は、分散状態数値化装置６６０により制御され、分散状態数値化装置６６０からの所定の画像を表示させるための画像信号を画面表示させる。この表示手段６３０に表示させる画像としては、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された画像、分散状態の数値化結果などが例示できる。
【００４２】
入力手段６４０は、分散状態数値化装置６６０に接続されている。この入力手段６４０は、例えばキーボードやマウスなどで、入力操作される図示しない各種操作ボタンや操作つまみなどを有している。これら操作ボタンや操作つまみなどの入力操作は、分散状態数値化装置６６０の動作内容の設定入力などである。
そして、入力手段６４０は、設定事項の入力操作により、設定事項に対応する入力信号を分散状態数値化装置６６０へ適宜出力して設定入力させる。
【００４３】
メモリ６５０は、少なくとも１つの数値化処理利用情報を適宜読み出し可能に記憶する。
この数値化処理利用情報は、ＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態数値化処理に利用される。そして、数値化処理利用情報は、前面基板３の透過率に関する透過率情報と、後述する利用閾値に関する利用閾値情報と、が関連付けられて１つのデータ構造として構成されている。
【００４４】
分散状態数値化装置６６０は、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された実画像に基づいて、ＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態を数値化する。
そして、分散状態数値化装置６６０は、各種プログラムとして、図１１に示すように、実画像取得手段としても機能する２値化画像変換手段６６１と、標準偏差値算出手段６６２と、割合算出手段６６３と、分散値算出手段６６４と、閾値選出手段６６５と、分散状態数値算出手段６６６と、などを備えている。
【００４５】
２値化画像変換手段６６１は、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された実画像を、いわゆる２値化した画像（以下２値化画像と記す）に変換する。
具体的には、２値化画像変換手段６６１は、ＣＣＤカメラ６２０から、実画像の実画像データを取得する。さらに、この実画像における各画素の輝度値が、所定の閾値以上か否か判断する。そして、所定の閾値以上の部分を黒で表現し、閾値未満の部分を白で表現した２値化画像を生成する処理、すなわち実画像を２値化画像に変換する処理をする。
【００４６】
例えば、図１２（Ａ）に示すように、略円錐状の第３のＭｇＯ粉体Ｍ３および第４のＭｇＯ粉体Ｍ４が、下端近傍において接触している状態で存在しているとする。
この図１２（Ａ）に示すような第３，４のＭｇＯ粉体Ｍ３，Ｍ４における第ｑ（ｑは自然数）の閾値に対応する２値化画像を生成する場合、第３，４のＭｇＯ粉体Ｍ３，Ｍ４における第ｑの閾値以上の部分は、互いに離間している頂点近傍から頂点にかけての部分であると判断する。そして、図１２（Ｂ）に示すように、第３，４のＭｇＯ粉体Ｍ３，Ｍ４における第ｑの閾値以上の部分を、互いに離間した黒領域Ｃ１１，Ｃ１２として表現した２値化画像Ｇ１を生成する。
また、第ｑの閾値よりも小さい第（ｑ＋１）の閾値に対応する２値化画像を生成する場合、第（ｑ＋１）の閾値以上の部分は、接触している部分よりも下方から頂点にかけての部分であると判断する。さらに、図１２（Ｃ）に示すように、第３，４のＭｇＯ粉体Ｍ３，Ｍ４における第（ｑ＋１）の閾値以上の部分を、１つの黒領域Ｃ２１として表現した２値化画像Ｇ２を生成する。
【００４７】
そして、２値化画像変換手段６６１は、図９に示すような実画像を第ｒ（ｒは自然数）の閾値に基づいて変換して、図１３に示すような２値化画像Ｇ１１を生成する。さらに、第ｒの閾値よりも小さい第（ｒ＋１）の閾値に基づいて変換して、図１４に示すような２値化画像Ｇ２１を生成する。
【００４８】
標準偏差値算出手段６６２は、２値化画像における所定の閾値以上の部分の標準偏差値σを算出する。
すなわち、例えば図１３に示すような２値化画像Ｇ１１が生成された場合、この２値化画像Ｇ１１全体に対するＭｇＯ粉体３４２Ａを表す黒領域の部分の標準偏差値σ、すなわちＭｇＯ粉体３４２Ａにおける第ｒの閾値に対応する各部分の面積値から求められる第ｒの標準偏差値σを算出する。この標準偏差値σの大きさは、黒領域の部分数に反比例する。つまり、ＭｇＯ粉体３４２Ａが分散されて黒領域の部分数が多いほど、標準偏差値σは、小さくなる。
【００４９】
割合算出手段６６３は、所定の閾値以上の部分の面積を２値化画像の面積で除した値を割合ηとして算出する。
すなわち、例えば図１３に示すような２値化画像Ｇ１１が生成された場合、第ｒの閾値に対応する黒領域の部分の合計面積を２値化画像Ｇ１１の面積で除した値を、第ｒの割合ηとして算出する。ここで、図１３の２値化画像Ｇ１１における割合ηは、３４．５であり、図１４の２値化画像Ｇ１２のそれは、４８．２である。
【００５０】
分散値算出手段６６４は、標準偏差値算出手段６６２で算出された標準偏差値σ、割合算出手段６６３で算出された割合ηを利用して、以下の数（１）に基づいて、所定の閾値に対応する分散値Ｂを算出する。
【００５１】
Ｂ＝σ1/2／η…（１）
【００５２】
閾値選出手段６６５は、後述する分散状態数値Ｌの算出処理に利用される分散値Ｂに対応する閾値を、利用閾値として複数選出する。
具体的には、閾値選出手段６６５は、２値化画像変換手段６６１、標準偏差値算出手段６６２、割合算出手段６６３、分散値算出手段６６４を制御して、所定の前面基板３における複数の閾値に対応する分散値Ｂを算出させる。また、これら分散値Ｂのうち、値が最も小さい分散値Ｂを認識する。さらに、この認識した分散値Ｂに対応する閾値（以下第１の閾値と記す）と、この第１の閾値の次に大きい第２の閾値と、その次に大きい第３の閾値と、を利用閾値として選出する。このような利用閾値を選出する際、割合ηが４０以下となる閾値を選出する。そして、これらに基づいて、所定の透過率の前面基板３に対応する数値化処理利用情報を生成して、メモリ６５０に記憶させる。
【００５３】
分散状態数値算出手段６６６は、数値化処理利用情報に基づいて、ＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態を表す分散状態数値Ｌを算出する。
具体的には、分散状態数値算出手段６６６は、例えば分散状態を調査する前面基板３の透過率を認識し、この透過率に対応する数値化処理利用情報をメモリ６５０から取得する。そして、この数値化処理利用情報に基づいて、利用閾値を認識する。
さらに、分散状態数値算出手段６６６は、２値化画像変換手段６６１、標準偏差値算出手段６６２、割合算出手段６６３、分散値算出手段６６４を制御して、所定の前面基板３における利用閾値に対応する分散値Ｂ、すなわち第１，２，３の閾値に対応する分散値Ｂを算出させる。そして、以下の数（２）に基づいて、分散状態数値Ｌを算出する。
【００５４】
Ｌ＝Ｂ１×Ｂ２×Ｂ３…（２）
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３：第１，２，３の閾値に対応する分散値
【００５５】
ここで、分散状態数値Ｌを、複数の利用閾値に対応する分散値Ｂに基づいて算出する理由について説明する。
例えば、図１０に示すように、利用閾値に、第ｐ（ｐは自然数）の閾値と、第（ｐ＋１）の閾値とを含む場合、断面略三角形状の第１のＭｇＯ粉体Ｍ１における第ｐの閾値に対応する領域Ａ１１の大きさが、第（ｐ＋１）の閾値に対応する領域Ａ１２よりも小さくなる。また、断面略長方形状の第２のＭｇＯ粉体Ｍ２における第ｐの閾値に対応する領域Ａ２１の大きさが、第（ｐ＋１）の閾値に対応する領域Ａ２２と略等しくなる。
このため、複数の閾値に対応する分散値Ｂの積算処理により、第１，２のＭｇＯ粉体Ｍ１，Ｍ２の立体的な特徴を捉えることが可能となり、１つの閾値に対応する分散値Ｂをそのまま分散状態数値Ｌとする構成と比べて、より高精度に分散状態を数値化することが可能となる。
【００５６】
〔分散状態数値化システムの動作〕
次に、分散状態数値化システムの動作として、利用閾値選出処理、および、分散状態数値化処理について説明する。
【００５７】
（利用閾値選出処理）
まず、閾値選出工程としての利用閾値選出処理について説明する。
分散状態数値化システム６００は、所定の透過率の前面基板３の実画像をＣＣＤカメラ６２０で撮像して、撮像データを分散状態数値化装置６６０へ出力する。
分散状態数値化装置６６０は、撮像データの実画像を取得する。そして、この実画像を、複数の閾値に対応する２値化画像に変換する。この後、これら２値化画像に対応する標準偏差値σの算出処理、割合ηの算出処理、および、分散値Ｂの算出処理を実施する。そして、これら算出した分散値Ｂに基づいて、３つの利用閾値を選出して、数値化処理利用情報をメモリ６５０に記憶させる。
【００５８】
（分散状態数値化処理）
次に、分散状態数値化処理について説明する。
分散状態数値化システム６００は、撮像対象の前面基板３の透過率に対応する数値化処理利用情報を取得して、利用閾値を認識する。
そして、分散状態数値化システム６００は、ＣＣＤカメラ６２０から撮像データの実画像を取得する実画像取得工程を実施する。この後、この実画像を利用閾値に対応する２値化画像に変換する２値化画像変換工程を実施する。さらに、利用閾値に対応する標準偏差値σを算出する標準偏差値算出工程と、割合ηを算出する割合算出工程と、分散値Ｂを算出する分散値算出工程と、を実施する。そして、上述した数（２）に基づいて、分散状態数値Ｌを算出する分散状態数値算出工程を実施する。
【００５９】
〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
【００６０】
（実施例１）
〈２値化画像変換時の閾値と分散値との関係〉
まず、実施例１として、２値化画像変換時の閾値と分散値Ｂとの関係について、図面を参照して説明する。
図１５は、２値化画像変換時の閾値と分散値Ｂとの関係を示すグラフである。
【００６１】
まず、性能が異なる第１，２のスプレーガンを利用して、基板にＭｇＯ粉体を塗布した被塗工基板を作成した。
塗工液として、ＭｇＯ粉体をアルコール溶媒に分散させたものを用いた。また、基板として、ソーダライムガラスを用いた。さらに、各被塗工基板に対する塗工量を略等しくするために、基板と被塗工部との合計の拡散透過率を８５％に設定した。
第１のスプレーガンとして、２流体霧化方式の低圧力方式のものを用い、霧化エア圧力を０．１ＭＰａ（メガパスカル）とした。
第２のスプレーガンとして、２流体霧化方式の高圧力方式のものを用い、霧化エア圧力を０．７ＭＰａとした。
このように、第２のスプレーガンとして、第１のスプレーガンよりも霧化エア圧力が大きいものを用いることにより、第２のスプレーガンで作成された被塗工基板におけるＭｇＯ粉体の分散状態は、第１のスプレーガンのものよりも良好になる。すなわち、第２のスプレーガンの被塗工基板のＭｇＯ粉体は、第１のスプレーガンのものよりも分散された状態となる。
【００６２】
また、分散値Ｂを算出する際の閾値を、５０，５５，６０，６５，７０，７５，８０，８５に設定した。
ここで、閾値を例えば５０に設定するとは、一般的な最大輝度〜最小輝度における２５６階調中の５０階調に対応する輝度値を、閾値として設定することを意味する。
そして、各被塗工基板に対して、上述した閾値にそれぞれ対応する分散値Ｂを算出した。
【００６３】
図１５に示すように、第１のスプレーガンの被塗工基板における全ての閾値に対応する分散値Ｂが、第２のスプレーガンよりも大きくなることが確認できた。
このことから、分散値Ｂが大きいほど分散状態が悪く、上述した数（１）で算出される分散値Ｂが、ＭｇＯ粉体の分散状態と相関が取れていることが確認できた。
【００６４】
また、第１，２のスプレーガンの被塗工基板の両方において、閾値が６０に対応する分散値Ｂが極小値になることが確認できた。すなわち、分散状態に関係なく、透過率によって分散値Ｂが極小値となる閾値が同一になることが確認できた。
【００６５】
そして、分散値Ｂが極小値となる閾値よりも大きい閾値の場合、例えば図１０に示すように、ＭｇＯ粉体の頂点側のみを検出するため、２値化画像に基づきＭｇＯ粉体として認識される領域が小さくなる。つまり、ＭｇＯ粉体の認識率が低くなる。このため、この認識率に比例するηの値が小さくなり、分散値Ｂが上昇する。以下において、この認識率低下に伴い分散値Ｂが上昇する状態を、認識率悪化状態と称す。
また、分散値Ｂが極小値となる閾値よりも小さい閾値の場合、ＭｇＯ粉体の下端側の存在も検出するため、２値化画像に基づきＭｇＯ粉体として認識される領域が大きくなるが、認識される数が少なくなる。このため、この認識される数に反比例する標準偏差値σの値が大きくなり、分散値Ｂが上昇する。また、ＭｇＯ粉体の下端側の存在を検出すると、ＭｇＯ粉体の分散状態が良好であっても、大きなＭｇＯ粉体が存在するため分散状態が悪いと認識されてしまうおそれがある。以下において、ＭｇＯ粉体の下端側検出に伴い分散状態が悪いと認識されうる状態を、誤認識状態と称す。
【００６６】
これらのことから、極小値の分散値Ｂに対応する閾値は、認識率悪化状態および誤認識状態が発生しにくい２値化画像に対応する閾値であることが確認できた。
つまり、極小値の分散値Ｂに対応する閾値を利用閾値として選出することにより、認識率悪化状態および誤認識状態が発生しにくい状態を反映した分散状態数値Ｌを算出できることが確認できた。
【００６７】
（実施例２）
〈被塗工基板の拡散透過率と分散状態数値との関係〉
次に、実施例２として、被塗工基板の拡散透過率と分散状態数値との関係について、図面を参照して説明する。
図１６は、被塗工基板の拡散透過率と分散状態数値との関係を示すグラフである。
なお、図１６では、分散状態数値Ｌを１０００倍したグラフを示している。
【００６８】
まず、霧化エア圧力を一定にし、塗工液の吐出量を変化させてスプレー量を調整した被塗工基板を作成した。
塗工液および基板として、実施例１と同様のものを用いた。
また、霧化エア圧力を、０．２ＭＰａとした。
そして、利用閾値として、実施例１における６０，６５，７０を選出し、これらに基づく分散値Ｂを積算して分散状態数値Ｌを算出した。
ここで、塗工液の霧化状態は、霧化エア圧力により大きな影響を受ける。このため、霧化エア圧力を変化させずに吐出量のみを変化させると、ＭｇＯ粉体の分散状態はあまり変化せずに、付着量が変化する。すなわち、ＭｇＯ粉体の分散状態が略等しく、透過率が異なる被塗工基板が作成される。
【００６９】
図１６に示すように、透過率８５％を含む範囲内である、透過率８４％〜８７％の範囲内では、分散状態数値Ｌが略等しいことが確認できた。また、上述したように、各透過率において分散状態は略等しい。
これらのことから、透過率８５％を含む、透過率８４％〜８７％の範囲内では、分散状態数値Ｌが分散状態を表す数値として適していることが確認できた。
さらに、透過率８４％〜８７％の範囲内で分散状態数値Ｌが略等しいことから、３個の利用閾値を選出したため、分散状態数値Ｌの安定性が増したことが確認できた。
【００７０】
また、透過率８４％未満では、分散状態数値Ｌが指数関数的に大きくなる。
このことから、透過率８４％未満では、利用閾値として６０，６５，７０を選出することが適切ではないことが確認できた。すなわち、透過率ごとに適切な利用閾値が異なるおそれがあるため、利用閾値選出処理を適宜実施する必要があることが確認できた。
【００７１】
さらに、利用閾値が６０，６５，７０における割合ηの値は、透過率８４％で４０、透過率８４％以上で４０以下、透過率８４％未満で４０より大きくなることが確認できた。
このことから、分散状態が略等しい場合に略等しい値の分散状態数値Ｌを算出するためには、割合ηが４０以下となるような利用閾値を選出する必要があることが確認できた。
【００７２】
（実施例３）
〈分散状態数値とＭｇＯ粉体の分散状態との関係〉
次に、実施例３として、分散状態数値ＬとＭｇＯ粉体の分散状態との関係について、図面を参照して説明する。
図１７は、分散状態数値が０．７８であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。図１８は、分散状態数値が１．４０であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。図１９は、分散状態数値が３．５３であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。図２０は、分散状態数値が５．３２であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。図２１は、分散状態数値が６．３２であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。図２２は、分散状態数値が１１．４４であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【００７３】
まず、霧化エア圧力の大きさやスプレーガンの種別を適宜変更して、拡散透過率が約８５％の被塗工基板を作成した。すなわち、拡散透過率が略等しいが、ＭｇＯ粉体の分散状態が異なる被塗工基板を作成した。
塗工液および基板として、実施例１と同様のものを用いた。
また、利用閾値として、実施例２と同様に、実施例１における６０，６５，７０を選出して、これらに基づく分散状態数値Ｌを算出した。
【００７４】
図１７〜１９に示すように、白く表示されたＭｇＯ粉体の大きさが小さく、分散状態が良好なほど、分散状態数値Ｌが小さくなることが確認できた。
また、図２０に示すように、大きいＭｇＯ粉体と、小さいＭｇＯ粉体とが混在する場合、図１７〜１９と比べて分散状態数値Ｌが大きくなることが確認できた。
さらに、図２１，２２に示すように、ＭｇＯ粉体が集合して島状の塊を形成している場合、図２０と比べて分散状態数値Ｌが大きくなることが確認できた。
これらのことから、分散状態数値Ｌは、ＭｇＯ粉体の分散状態を定性的に表す数値として、適切であることが確認できた。
【００７５】
〔実施形態の効果〕
上述したように、上記実施の形態における分散状態数値化システム６００によれば、以下の効果を奏することができる。
【００７６】
（１）分散状態数値化システム６００の分散状態数値化装置６６０は、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された前面基板３の実画像を取得して、この実画像を利用閾値に対応する２値化画像に変換する。この後、各２値化画像全体に対して、ＭｇＯ粉体を表す部分の面積値から求められる標準偏差値σを算出する。また、各２値化画像におけるＭｇＯ粉体を表す部分の合計面積を２値化画像の面積で除した値を割合ηとして算出する。さらに、これら標準偏差値σ、割合η、および、上述した数（１）に基づいて、各利用閾値に対応する分散値Ｂを算出する。そして、これら算出した分散値Ｂを積算して、分散状態数値Ｌを算出する。
このため、特殊な重み付けなどの処理を実施することなく、ＭｇＯ粉体の分散状態が良好なほど値が小さく、悪いほど値が大きくなるような分散状態数値Ｌを算出できる。また、複数の利用閾値に基づき分散状態数値Ｌを算出するので、ＭｇＯ粉体の立体的な特徴を反映させることができる。さらに、透過率が多少ばらついた場合でも、数値のばらつきが少ない分散状態数値Ｌを算出できる。
したがって、このような分散状態数値Ｌに基づいて、ＭｇＯ粉体の分散状態を適切にかつ容易に判定させることができる。
【００７７】
（２）利用閾値選出処理において、複数の閾値に対応する分散値Ｂを算出する。そして、極小値の分散値Ｂに対応する第１の閾値を、利用閾値として選出している。
このため、認識悪化状態および誤認識状態が発生しにくい状態における分散値Ｂを、分散状態数値Ｌの算出処理に利用するので、認識悪化状態および誤認識状態の影響が最小限に抑えられた分散状態数値Ｌを算出することができる。
したがって、より適切な分散状態数値Ｌに基づいて、ＭｇＯ粉体の分散状態をさらに適切に判定させることができる。
【００７８】
（３）利用閾値選出処理において、最小値の分散値Ｂとなる第１の閾値の次に大きい第２の閾値と、その次に大きい第３の閾値と、を利用閾値として選出している。
すなわち、最小値の分散値Ｂとなる利用閾値に近似する輝度値を利用閾値として選出している。
このため、最小値の分散値Ｂの利用閾値に近似しない輝度値を利用閾値として選出する構成と比べて、認識悪化状態および誤認識状態の影響をより抑えられた分散状態数値Ｌを算出でき、ＭｇＯ粉体の分散状態をさらに適切に判定させることができる。
【００７９】
（４）利用閾値選出処理において、割合ηが４０以下となる閾値を利用閾値として選出している。
このため、前面基板３の透過率が多少ばらついたとしても、分散状態が略等しい場合、略等しい値の分散状態数値Ｌを算出できる
したがって、分散状態数値Ｌの精度を高めることができる。
【００８０】
（５）分散値Ｂを積算して、分散状態数値Ｌを算出している。
このため、わずかな分散状態の差を分散状態数値Ｌとして表すことができる。
したがって、分散状態の差が小さい場合、より詳細な判定をさせることができる。
【００８１】
〔実施形態の変形〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８２】
例えば、前記実施形態では、分散状態数値Ｌを算出する際に、分散値Ｂを積算したが、加算してもよい。
このような構成にすれば、大きな分散状態の差を分散状態数値Ｌとして表すことができる。
したがって、分散状態の差が大きい場合、より適切な判定をさせることができる。
【００８３】
前記実施形態では、極小値の分散値Ｂに対応する第１の閾値を利用閾値として選出したが、このような第１の閾値を利用閾値として選出しない構成としてもよい。例えば、透過率にかかわらず同一の閾値を利用閾値として選出する構成としてもよい。
このような構成にすれば、極小値の分散値Ｂに対応する第１の閾値を認識する処理をする必要がなく、処理負荷を低減できる。
【００８４】
前記実施形態では、極小値の分散値Ｂに対応する第１の閾値に近似する輝度値を利用閾値として選出したが、近似しない輝度値を利用閾値として選出する構成としてもよい。
このような構成にしても、第１の閾値が利用閾値として選出されていれば、認識悪化状態および誤認識状態の影響が最小限に抑えられた分散状態数値Ｌを算出することができる。
【００８５】
前記実施形態では、割合ηが４０以下となる閾値を利用閾値として選出したが、４０以上となる閾値を選出する構成としてもよい。
このような構成にすれば、透過率のばらつきが略０の場合、分散状態を適切に表す分散状態数値Ｌを算出できる。
【００８６】
前記実施形態では、利用閾値として３つの閾値を選出したが２つ、あるいは４つ以上選出する構成としてもよい。また、第１の閾値よりも値が小さい閾値などを利用閾値として選出する構成としてもよい。
【００８７】
前記実施形態では、前面基板３の表面に対して斜め上方４５度の位置から光を照射したが、適宜他の位置に変更可能な構成としてもよい。
例えば、ＭｇＯ粉体の密度が高い場合の分散状態を調べる場合、浅い角度、すなわち前面基板３とのなす角度が小さくなる角度から光を照射すれば、ＭｇＯ粉体の凹凸が強調された分散状態数値Ｌを算出できる。
【００８８】
前記実施例３における例えば図１７〜１９のような分散状態を合格、図２０〜２２のような分散状態を不合格とした場合、合格基準値γを３．５３〜５．３２の範囲内で設定すれば、この合格基準値γおよび分散状態数値Ｌの大小関係により、合格、不合格を定性的に判定できる。
【００８９】
前記実施形態では、ＰＤＰ１の前面基板３におけるＭｇＯ粉体３４２Ａの分散状態を数値化する構成としたが、本発明の分散状態数値化装置を、塗工液に分散させた粉体を基体上に塗工し、この粉体からなる粉体層を形成した後、この粉体層における基体上の粉体の分散状態を数値化するいずれの構成に適用してもよい。
【００９０】
上述した各機能をプログラムとして構築したが、例えば回路基板などのハードウェアあるいは１つのＩＣ（Integrated Circuit）などの素子にて構成するなどしてもよく、いずれの形態としても利用できる。なお、プログラムや別途記録媒体から演算手段としてのコンピュータで読み取らせる構成とすることにより、取扱が容易で、利用の拡大が容易に図れる。
【００９１】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００９２】
〔実施形態の作用効果〕
上述したように、前記実施形態では、分散状態数値化システム６００の分散状態数値化装置６６０は、ＣＣＤカメラ６２０で撮像された前面基板３の実画像を取得して、この実画像を利用閾値に対応する２値化画像に変換する。この後、各２値化画像全体に対して、ＭｇＯ粉体を表す部分の面積値から求められる標準偏差値σを算出する。また、各２値化画像におけるＭｇＯ粉体を表す部分の合計面積を２値化画像の面積で除した値を割合ηとして算出する。さらに、これら標準偏差値σ、および、割合ηに基づいて、各利用閾値に対応する分散値Ｂを算出する。そして、これら算出した分散値Ｂを積算して、分散状態数値Ｌを算出する。
このため、特殊な重み付けなどの処理を実施することなく、ＭｇＯ粉体の分散状態が良好なほど値が小さく、悪いほど値が大きくなるような分散状態数値Ｌを算出できる。また、複数の利用閾値に基づき分散状態数値Ｌを算出するので、ＭｇＯ粉体の立体的な特徴を反映させることができる。さらに、透過率が多少ばらついた場合でも、数値のばらつきが少ない分散状態数値Ｌを算出できる。
したがって、このような分散状態数値Ｌに基づいて、ＭｇＯ粉体の分散状態を適切にかつ容易に判定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】従来のＭｇＯ粉体の分散状態の判定方法を示す模式図であり、（Ａ）は基板上にＭｇＯ粉体が存在している状態、（Ｂ）は基板上に他のＭｇＯ粉体が存在している状態を示す。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図３】前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図４】前記実施形態における図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】前記実施形態における図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】前記実施形態におけるスプレー法による結晶ＭｇＯ層の形成工程を示した模式図である。
【図７】前記実施形態における塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【図８】前記実施形態における分散状態数値化システムの概略構成を示すブロック図である。
【図９】前記実施形態におけるＭｇＯ粉体の分散状態をＣＣＤカメラで撮像した実画像を示す図である。
【図１０】前記実施形態における実画像における輝度値とＭｇＯ粉体の断面形状との関係を示す図である。
【図１１】前記実施形態における分散状態数値化装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】前記実施形態におけるＭｇＯ粉体を第ｑの閾値および第（ｑ＋１）の閾値で撮像した際の２値化画像を示す概念図であり、（Ａ）は閾値とＭｇＯ粉体の断面形状との関係を示す図であり、（Ｂ）は第ｑの閾値で撮像した際の２値化画像を示す模式図であり、（Ｃ）は第（ｑ＋１）の閾値で撮像した際の２値化画像を示す概念図である。
【図１３】前記実施形態における図９の実画像を第ｒの閾値で変換した２値化画像を示す模式図である。
【図１４】前記実施形態における図９の実画像を第（ｒ＋１）の閾値で変換した２値化画像を示す模式図である。
【図１５】本発明の実施例１における２値化画像変換時の閾値と分散値Ｂとの関係を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例２における被塗工基板の拡散透過率と分散状態数値との関係を示すグラフである。
【図１７】本発明の実施例３における分散状態数値が０．７８であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【図１８】本発明の実施例３における分散状態数値が１．４０であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【図１９】本発明の実施例３における分散状態数値が３．５３であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【図２０】本発明の実施例３における分散状態数値が５．３２であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【図２１】本発明の実施例３における分散状態数値が６．３２であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【図２２】本発明の実施例３における分散状態数値が１１．４４であるＭｇＯ粉体の分散状態を撮像した実画像を示す図である。
【符号の説明】
【００９４】
１…プラズマディスプレイパネル
３…前面基板
３４２…粉体層としての結晶ＭｇＯ層
３４２Ａ…ＭｇＯ粉体
６６０…分散状態数値化装置
６６１…実画像取得手段としても機能する２値化画像変換手段
６６２…標準偏差値算出手段
６６３…割合算出手段
６６４…分散値算出手段
６６６…分散状態数値算出手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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