(57)【要約】【課題】  配向膜の表面に生じる結露に起因する不純物の濃縮や液晶中への水分の浸入を防止して表示不良が発生しない品質及び信頼性の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】  内面に画素選択用の薄膜トランジスタを有する第１の基板ＳＵＢ１と、複数色のカラーフィルタＦＩＬを有する第２の基板ＳＵＢ２とを液晶ＬＣを介して対向配置し、第２の基板ＳＵＢ２の表示領域を周回してシール材で貼り合わせて第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２との間隙に液晶配向膜ＣＭを介して液晶ＬＣを注入した後に液晶注入口を封止材で封止した液晶表示装置であって、第１の基板ＳＵＢ１及び第２の基板ＳＵＢ２の液晶配向膜ＣＭと接触する内面にシリコン酸化膜ＩＮを設けることにより、液晶配向膜ＣＭの表面に生じる結露に起因する不純物の濃縮や液晶中への水分の浸入を防止することができる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、該第１の基板に対向して配置されている第２の基板を有し、該第１の基板及び第２の基板の夫々に配置された配向膜間に液晶層を挟持して構成された液晶表示装置において、
前記液晶層は、前記第１の基板と第２の基板間に配置されたシール材に囲われて配置されているものであり、
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方の基板の前記配向膜の下層には、少なくとも前記シール材に囲われた領域において無機膜が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記無機膜は、前記シール材に囲われた領域から前記シール材に囲われた領域を越えた領域においても配置されていること特徴とする請求項１の液晶表示装置。
【請求項３】
前記無機膜は、該無機膜が配置されている基板の全面に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の基板は、ＴＦＴ基板であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の基板は、カラーフィルタが配置されたカラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記無機膜は、前記配向膜の直下に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記無機膜の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記無機膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記無機膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記無機膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に当該液晶表示装置を構成する一対の基板の対向面に形成される配向膜の下層から混入する水分，残留溶媒，薬液等が配向膜表面及び液晶内への混入を遮断するバリア構造を備えた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、基本的には、ガラス基板を好適とする第１の基板と第２の基板との２枚の基板間に液晶を封入して当該基板に有する画素選択電極から液晶に印加される電界に応じて液晶の配向方向が変化することを利用した画像表示装置である。現在最も広く使用されている薄膜トランジスタ型の液晶表示装置では、当該液晶表示装置を構成する一方の基板（以下、第１の基板）と他方の基板（第２の基板）との少なくとも一方には画素選択用の薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とこのスイッチング素子に駆動信号を供給する電極群とを備えている。
【０００３】
第１の基板と第２の基板とは、表示領域を囲うようにして配置されたシール材を介して貼り合わされる。尚、このシール材は紫外線を照射することにより硬化される。
【０００４】
図９は、液晶表示装置の構成を説明する要部拡大断面図であり、図１０は、液晶表示装置の上基板の上方から見た要部平面図である。図９において、ＳＵＢ１は画素選択用のスイッチング素子として図示しない薄膜トランジスタ等を形成した透光性の第１の基板（下基板）、ＳＵＢ２はカラーフィルタ層ＦＩＬ等を形成した透光性の第２の基板（上基板）である。
【０００５】
また、ＰＳＶは絶縁層である有機パッシベーション層、ＧＬは薄膜トランジスタに走査信号を供給するゲート線、ＧＴＭはゲート線ＧＬの引き出し端子である。なお、薄膜トランジスタは、シール材ＳＬで囲まれた内部の大部分を占める表示領域ＡＲに画素に対応して多数形成されている。また、第１の基板ＳＵＢ１の内面に形成された有機パッシベーション層ＰＳＶと液晶ＬＣとの境界には液晶分子を初期配向させるための配向膜ＣＭが形成されている。
【０００６】
第２の基板ＳＵＢ２の内面には、ブラックマトリクス層ＢＭ，３色のカラーフィルタ層ＦＩＬ及び有機オーバーコート層ＯＣ等が形成されている。また、第２の基板ＳＵＢ２の内面に形成されたオーバーコート層ＯＣと液晶ＬＣとの境界には液晶分子を初期配向させる配向膜ＣＭが形成されている。また、両基板の外面にはそれぞれ偏光板ＰＯＬ１及び偏光板ＰＯＬ２が積層されている。
【０００７】
また、図９及び図１０に示したように下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２との間の外周に沿って液晶組成物の注入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣを注入して両基板を貼り合わせるようにシール材ＳＬが塗布されている。この液晶表示装置ＰＮＬは、下基板ＳＵＢ１側と上基板ＳＵＢ２側とで別個に種々の層を積み重ね、シール材ＳＬを上基板ＳＵＢ２側に形成し、下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの液晶注入口ＩＮＪとなる開口部から液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪを封止材ＰＬＧで封止し、両基板を所定の形状サイズに切断することによって液晶表示装置ＰＮＬが組み立てられる。
【０００８】
なお、この種の液晶表示装置に関する従来技術を開示したものとしては、下記特許文献１及び特許文献２等を挙げることができる。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２８４１号公報
【特許文献２】特開平１１−３１１７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
背景技術において、液晶表示装置は、下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２を固定する硬化工程において、セル内に結露が生じるという問題があった。
【００１１】
この結露の発生は、有機膜に残存している水溶性不純物の濃縮を招き、配向膜ＣＭの表面（液晶ＬＣと接触する面）に不純物を集めてしまう。この不純物の集結により、当該液晶表示装置ＰＮＬの表示画像に表示不良が生じるという課題があった。また、有機膜内の水分の存在は、液晶ＬＣの比抵抗の低下及び分解を促進すること等が知られているためにセル内に水分が混入しないようにすることが重要となっている。ここで、第１の基板ＳＵＢ１及び第２の基板ＳＵＢ２が持つ水分の多くはオーバーコート層ＯＣやパッシベーション層ＰＳＶ等の有機膜に保有されるため、この有機膜に水分が混入しない対策が要請されている。
【００１２】
また、背景技術において、この種の液晶表示装置ＰＮＬでは、このような配向膜ＣＭの下層に存在する上記有機膜に浸入する水分の混入防止に関する対策については考慮されておらず、したがって、それに付随して発生する表示不良を低減させる問題の提起はなされていなかった。
【００１３】
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配向膜と接触する有機膜内への水分の浸入を遮断することにより、セル中の総水分量を低減させ、表示不良が生じない高品質及び高信頼性の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するために本発明による液晶表示装置は、内面に画素選択用の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、複数色のカラーフィルタを有する第２の基板とを液晶を介して対向配置し、第２の基板の表示領域を周回してシール材で貼り合わせた液晶表示装置であって、第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方の基板の液晶配向膜と接触する内面の全面に無機膜を設けることにより、配向膜の表面に生じる結露に起因する不純物の濃縮や液晶中への水分の浸入を遮断できるので、背景技術の課題を解決することができる。
【００１５】
本発明による他の液晶表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記無機膜は、表示領域及びシール材の塗布領域を越えて外側までの全面に設けることにより、背景技術の課題を解決することができる。
【００１６】
本発明によるさらに他の液晶表示装置は、好ましくは、上記構成において、無機膜の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲とすることにより、背景技術の課題を解決することができる。
【００１７】
本発明による他の液晶表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記無機膜は、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜またはこれらの積層膜とすることにより、背景技術の課題を解決することができる。
【００１８】
なお、本発明は、上記の構成及び後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、配向膜と有機膜との間に水分を透過させない無機膜を設けたことにより、有機膜への水分の浸入を遮断でき、セル中の総水分量を大幅に低減できるので、配向膜の表面で発生する結露に起因する不純物に濃縮や液晶中への水分混入を確実に遮断できる。これによって表示領域の全面に亘って表示不良のない液晶画像表示が得られる品質及び信頼性の高い液晶表示装置が実現できるという極めて優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１及び図２は、本発明による液晶表示装置の実施例１の構成を説明するＩＰＳ方式の液晶表示装置を示す図であり、図１は上基板側から見た平面図、図２は図１の表示領域の要部拡大断面図である。また、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００２２】
図２において、ＩＰＳ方式では、上基板ＳＵＢ２の下面側に形成されているオーバーコート層ＯＣの配向膜ＣＭと対向する内面の全面には、無機膜としてのシリコン酸化膜ＩＮが形成されている。また、下基板ＳＵＢ１の上面側に形成されているパッシベーション層ＰＡＶの配向膜ＣＭと対向する内面の全面にも同様に無機膜としてのシリコン酸化膜ＩＮが形成されている。これらのシリコン酸化膜ＩＮは、例えばＣＶＤ法またはスパッタリング法により水分の移動を確実に遮断できる厚さ約１０ｎｍ以上の膜厚で成膜されている。
【００２３】
また、このシリコン酸化膜ＩＮは、上基板ＳＵＢ２及び下基板ＳＵＢ１共に図１に示すように画像表示領域ＡＲ及びシール材ＳＬの塗布領域を越えて外側まで全面的に成膜されている。この場合、下基板ＳＵＢ１と上基板ＳＵＢ２との対向面に形成される図示しない各電極に電圧を印加して液晶ＬＣを正確に駆動するためには、各電極上に成膜する膜厚を約２００ｎｍ以下とする必要があることから、シリコン酸化膜ＩＮと配向膜ＣＭとの合計厚さは約２００ｎｍ以下とすることが望ましい。なお、図中、ＰＸは画素電極、ＰＳＶ１は対向電極ＣＴの相互間を絶縁するパッシベーション層、ＰＳＶ２は画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間を絶縁するパッシベーション層である。
【００２４】
このように構成される液晶表示装置は、偏光板ＰＯＬ１と、下基板ＳＵＢ１と、画素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴ等が挟持されたパッシベーション層ＰＳＶ１，ＰＳＶ２，ＰＳＶと、シリコン酸化膜ＩＮと、配向膜ＣＭとが積層されてアクティブマトリクス基板ＴＦＴＢが形成され、偏光板ＰＯＬ２と、上基板ＳＵＢ２と、カラーフィルタ層ＦＩＬ及びブラックマトリクス層ＢＭ等が挟持されたオーバーコート層ＯＣと、シリコン酸化膜ＩＮと、配向膜ＣＭとが積層されてカラーフィルタ基板ＣＦＢが形成されている。そして、アクティブマトリクス基板ＴＦＴＢとカラーフィルタ基板ＣＦＢとの間に液晶ＬＣが封入されている。
【００２５】
この実施例１の構成によれば、上基板ＳＵＢ２の下面側に形成されているオーバーコート層ＯＣの配向膜ＣＭと対向する内面の全面に、水分を透過または吸収しないシリコン酸化膜ＩＮを形成したことにより、上基板ＳＵＢ２の表面から配向膜ＣＭを透過してオーバーコート層ＯＣ，カラーフィルタ層ＦＩＬ及びブラックマトリクス層ＢＭに浸入する水分を遮断できるので、カラーフィルタ基板ＣＦＢの全体が保有する水分量を大幅に低減することができる。
【００２６】
さらに、このシリコン酸化膜ＩＮを形成したことにより、オーバーコート層ＯＣ，カラーフィルタＦＩＬ及びブラックマトリクス膜ＢＭで発生する水分や残留している溶媒，薬液が配向膜ＣＭの表面及び液晶ＬＣ内への混入を遮断する効果も得られた。
【００２７】
また、下基板ＳＵＢ１の上面側に形成されているパッシベーション層ＰＳＶの配向膜ＣＭと対向する内面の全面に、水分を透過または吸収しないシリコン酸化膜ＩＮを形成したことにより、下基板ＳＵＢ１から配向膜ＣＭを透過してパッシベーション層ＰＳＶに浸入する水分を遮断できるので、アクティブマトリクス基板ＴＦＴＢの全体が保有する水分量を大幅に低減することができる。
【００２８】
さらに、このシリコン酸化膜ＩＮを形成したことにより、パッシベーション層ＰＳＶで発生する水分や残留している溶媒，薬液が配向膜ＣＭの表面及び液晶ＬＣ内への混入を遮断する効果も得られた。
【００２９】
なお、図１では、シール材は封入口が配置された構成を示しているが、所謂ＯＤＦにより液晶を封入する封入口のない構成についても使用できる。
【実施例２】
【００３０】
図３は、本発明の液晶表示装置の実施例２の構成を説明する他のＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３１】
図３において、他のＩＰＳ方式では、上基板ＳＵＢ２の下面側に形成されている有機オーバーコート層ＯＣの配向膜ＣＭと対向する内面の全面には、無機膜としてのシリコン酸化膜ＩＮが形成されている。このシリコン酸化膜ＩＮの成膜方法及び膜厚条件は前記実施例１と同一である。この実施例２においては、下基板ＳＵＢ１の上面側に有機パッシベーション層に代えて無機のシリコン窒化膜ＰＳＶＮが形成されているので、配向膜ＣＭと対向する内面には無機膜としてのシリコン酸化膜ＩＮが形成されていない。なお、図中、Ｓはソース電極、Ｃはコモン電極である。
【００３２】
この実施例２の構成によれば、上基板ＳＵＢ２の下面側に形成されているオーバーコート層ＯＣの配向膜ＣＭと対向する内面の全面に、水分を透過または吸収しないシリコン酸化膜ＩＮを形成したことにより、上基板ＳＵＢ２の表面から配向膜ＣＭを透過してオーバーコート層ＯＣ及びカラーフィルタ層ＦＩＬに浸入する水分を確実に遮断できるので、カラーフィルタ基板ＣＦＢの全体が保有する水分量を大幅に低減することができる。
【実施例３】
【００３３】
図４は、本発明の液晶表示装置の実施例３の構成を説明するＰＶＡ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３４】
図４において、ＰＶＡ方式では、上基板ＳＵＢ２の下面側の透明導電層ＩＴＯの存在しない部分に有機オーバーコート層ＯＣが存在しているので、このオーバーコート層ＯＣに水分が浸入し、カラーフィルタ基板ＣＦＢの全体が保有する水分量は増加する。ここで、配向膜ＣＭの上面の全面に無機膜としてのシリコン酸化膜ＩＮを形成する。なお、このシリコン酸化膜ＩＮの成膜方法及び膜厚条件は上記実施例１と同様である。なお、図中、ＩＴＯは透明導電層、ＰＳＶＮはゲート絶縁層であるシリコン窒化膜、ＣＬはコモン電極配線層である。
【００３５】
この実施例３の構成によれば、カラーフィルタ基板ＣＦＢの全体が保有する水分量を大幅に低減できる。また、このシリコン酸化膜ＩＮの存在は、オーバーコート層ＯＣで発生する水分，残留している溶媒及び薬液等が配向膜ＣＭの表面及び液晶ＬＣの内部への混入を遮断できる効果も得られる。
【実施例４】
【００３６】
図５は、本発明の液晶表示装置の実施例４の構成を説明するＡＳＶ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３７】
図５において、ＡＳＶ方式では、下基板ＳＵＢ１の透明導電層ＩＴＯのない部分に有機パッシベーション層ＰＳＶが存在しているので、このパッシベーション層ＰＳＶに水分が浸入し、アクティブマトリクス基板ＴＦＴＢの全体が保有する水分量は増加する。ここで、配向膜ＣＭの下層の全面にシリコン酸化膜ＩＮを形成する。このシリコン酸化膜ＩＮの成膜方法及び膜厚条件は上記実施例１と同様である。なお、図中、ＰＲＯは突起である。
【００３８】
この実施例４の構成によれば、アクティブマトリクス基板ＴＦＴＢの全体が保有する水分量を大幅に低減できる。また、このシリコン酸化膜ＩＮの存在は、オーバーコート層ＯＣで発生する水分，残留している溶媒及び薬液等が配向膜ＣＭの表面及び液晶ＬＣの内部への混入を遮断できる効果も得られる。
【００３９】
なお、前述した各実施例において、無機膜としてシリコン酸化膜ＩＮを用いた場合について説明したが、本発明はこのシリコン酸化膜ＩＮに限定されるものではなく、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜を用いても前述と同様の作用効果が得られる。また、無機質膜としてシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを積層または複数積層して形成される多層膜であっても前述と同様の作用効果が得られることは言うまでもない。
【００４０】
次に、以上説明した液晶表示装置を用いた液晶表示モジュールとその応用例とについて説明する。図６は、本発明による液晶表示装置を用いた液晶表示モジュールを説明する展開斜視図である。液晶表示モジュールＭＤＬは、液晶表示装置に駆動手段，バックライトＢＬ及びその他の構成部材等を一体化したものである。図６において、参照符号ＳＨＤは金属板からなるシールドケース（メタルフレームとも称する）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１〜ＩＮＳ３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜ＰＣＢ３は駆動手段を構成する回路基板（ＰＣＢ１はドレイン側回路基板（ドレイン線駆動回路）：映像信号線駆動用回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板（ゲート線駆動回路）、ＰＣＢ３はインターフェース回路基板）である。
【００４１】
また、参照符号ＪＮ１〜ＪＮ３は回路基板ＰＣＢ１〜ＰＣＢ３同士を電気的に接続するジョイナ、ＴＣＰ１，ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬは液晶表示装置、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは一体化成形により形成された下側ケース（モールドフレーム）、ＭＯは下側ケースＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管ＬＰ及び導光板ＧＬＢ等からなるバックライトを示し、図示の配置関係で拡散板部材を積み重ねて液晶モジュールＭＤＬが組み立てられる。
【００４２】
液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケースＭＣＡとシールドケースＳＨＤとの２種類の収納・保持部材を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜ＩＮＳ３，回路基板ＰＣＢ１〜ＰＣＢ３及び液晶表示装置ＰＮＬを収納固定した金属製のシールドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ，導光板ＧＬＢ及びプリズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納した下側ケースＭＣＡとを合体させて構成される。
【００４３】
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１には、液晶表示装置ＰＮＬに各画素を駆動するための集積回路チップが搭載され、また、インターフェース回路基板ＰＣＢ３には、外部ホストからの映像信号の受け入れ、タイミング信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ及びタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミングコンバータＴＣＯＮが搭載される。
【００４４】
上記タイミングコンバータＴＣＯＮで生成されたクロック信号は、インターフェース回路基板ＰＣＢ３及び映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロック信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。
【００４５】
インターフェース回路基板ＰＣＢ３及び映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は、多層配線基板であり、上記クロック信号ラインＣＬＬは、インターフェース回路基板ＰＣＢ３及び映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１の内層配線として形成される。
【００４６】
なお、液晶表示装置ＰＮＬには、薄膜トランジスタを駆動するためのドレイン側回路基板ＰＣＢ１，ゲート側回路基板ＰＣＢ２及びインターフェース回路基板３がテープキャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各回路基板間はジョイナＪＮ１，ＪＮ２，ＪＮ３で接続されている。液晶表示装置ＰＮＬは、前述した各実施例の構成を有するＩＰＳ方式，ＰＶＡ方式またはＡＳＶ方式の液晶表示パネルである。
【００４７】
図６に示した構成は一例であり、液晶表示装置の駆動回路を当該液晶表示装置を構成する基板の端縁部に直接実装した形式もある。その場合は、各駆動回路（半導体チップ）及び信号線の一部は当該基板上に形成され、ゲート側回路基板及びドレイン側回路基板に代えて配線と複数の電子部品とを搭載したフレキシブルプリント基板が用いられる。
【００４８】
図７は、組み立て完了後の液晶表示モジュールＭＤＬの構成を説明する正面面及び側面図である。図７において、シールドケースＳＨＤの表示窓ＷＤに露呈する領域が画像表示がなされる領域（表示領域）ＡＲであり、最表面には偏光板が設けてある。シールドケースＳＨＤとモールドケースＭＣＡとは爪のかしめ構造で固定される。この液晶表示モジュールＭＤＬの上辺内部には、バックライトを構成する蛍光管が収納され、給電用のランプケーブルＬＰＣが引き出されている。前述の実施例で説明した液晶注入口は、この蛍光管を配置する長辺に対向する長辺側に位置する。
【００４９】
また、長辺の一方に駆動回路を実装したものでは、その長辺と対向する他の長辺側に前述の実施例で説明した液晶注入口が設けられる。この液晶表示装置（液晶表示モジュールＭＤＬ）をディスプレイモニターやパソコンの表示部に実装する。
【００５０】
図８は、本発明による液晶表示装置を実装した電子機器に一例としてのノート型コンピュータの斜視図である。このノート型コンピュータ（可搬型パソコン）は、キーボード部（本体部）と、このキーボード部にヒンジで連結した表示部とから構成される。キーボード部には、キーボード，ホスト（ホストコンピュタ）及びＣＰＵ等の信号生成機能を収納し、表示部には、液晶表示装置ＰＮＬを有し、その周辺に駆動回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２及びコントロールチップＴＣＯＮを搭載したインターフェース回路基板ＰＣＢ３及びバックライト電源であるインバータ電源基板等が実装される。
【００５１】
そして、上記液晶表示装置ＰＮＬ，各種回路基板ＰＣＢ１〜ＰＣＢ３，インバータ電源基板及びバックライトを一体化した液晶表示モジュールを実装してある。この液晶表示装置ＰＮＬに上記実施例の液晶表示装置を用いることにより、表示領域の全面で表示不良のない画像表示が得られる高品質のノート型コンピーユタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１の構成を説明するＩＰＳ方式の液晶表示装置の上基板側から見た平面図である。
【図２】図１の表示領域の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例２の構成を説明する他のＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の実施例３の構成を説明するＰＶＡ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例４の構成を説明するＡＳＶ方式の液晶表示装置の表示領域の要部拡大断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置を用いた液晶表示モジュールを説明する展開斜視図である。
【図７】組立て完了後の液晶表示モジュールの正面図及び側面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置を実装した電子機器の一例としてのノート型コンピュータの斜視図である。
【図９】液晶表示装置の構成を示す要部拡大断面図である。
【図１０】液晶表示装置の上基板の上方から見た要部平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
ＳＵＢ１・・・下基板（第１の基板）、ＳＵＢ２・・・上基板（第２の基板）、ＡＲ・・・表示領域、ＳＬ・・・シール材、ＩＮ・・・シリコン酸化膜、ＩＮＪ・・・注入口、ＰＬＧ・・・封止材、ＴＦＴＢ・・・アクティブマトリクス基板、ＣＦＢ・・・カラーフィルタ基板、ＬＣ・・・液晶、ＣＭ・・・配向膜、ＦＩＬ・・・カラーフィルタ層、ＢＭ・・・ブラックマトリクス層、ＰＳＶ・・・パッシベーション層、ＰＳＶ１・・・パッシベーション層、ＰＳＶ２・・・パッシベーション層、ＰＳＶＮ・・・シリコン窒化膜、ＣＴ・・・対向電極、ＰＸ・・・画素電極、ＰＯＬ１・・・偏光板、ＰＯＬ２・・・偏向板、ＯＣ・・・オーバーコート層、Ｓ・・・ソース電極、Ｃ・・・コモン電極、ＩＴＯ・・・透明導電層、ＣＬ・・・コモン電極配線層、ＰＲＯ・・・突起。
【図１】
2007033502.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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