(57)【要約】【課題】高いデータレートでより高い飽和保持力媒体を切り替えることができる書込過程を得る。【解決手段】本装置は磁性材料のリング、リングに設定磁界を印加するソース、およびリングに電流を供給する第１および第２の電極を含む。この装置を使用して磁気記憶媒体に書込みを行う方法も提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料のリングと、
該リングに設定磁界を印加するソースと、
前記リングに電流を印加する第１および第２の電極と、
を含む装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記リングは磁気接合を形成する電気的絶縁材料層を含む前記装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、前記リングは前記磁気接合に隣接する重複部を含む前記装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置であって、さらに、前記リング内に配置された導電性位相制御磁気接合を含む前記装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、前記ソースは、さらに、前記リング内に隣接配置された電線を含む前記装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、さらに、前記磁性材料のリングに平行に配置された非磁性導電材料の第１のリングを含む前記装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、さらに、前記磁性材料のリングに平行にかつ前記磁性材料のリングを間にして前記非磁性誘導材料の第１のリングと向かい合って配置された非磁性導電材料の第２のリングを含む前記装置。
【請求項８】
請求項６に記載の装置であって、さらに、前記非磁性材料の第１のリングに平行に配置された磁性材料の第２のリングを含む前記装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、前記リングは、磁性および非磁性導電層を含む多層構造を含む前記装置。
【請求項１０】
磁性材料のリング内にオニオン磁化状態を確立するステップと、
前記リング中に電流を通して歳差運動磁界を作り出すステップと、
前記歳差運動磁界を使用して記録媒体内の磁壁の磁化方向を切り替えるステップと、
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記磁性材料のリング内にオニオン磁化状態を確立するステップは、前記リングを該リングの面内磁界の影響下に置くステップを含む前記方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記リングの面内磁界は前記リング中に電流を通して歳差運動磁界を作り出すステップの前にターンオフされる前記方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、前記リングは磁気接合を形成する電気的絶縁材料層を含む前記方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記リングは該リングの中に配置された導電性位相制御磁気接合を含む前記方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法であって、前記歳差運動磁界は実質的に前記磁気記録媒体の磁化容易軸に垂直な軸に沿って印加され、前記歳差運動磁界は前記磁気記録媒体の磁化を第１の磁化方向から該第１の磁化方向と実質的に逆平行な第２の磁化方向へ切り替えるのに十分な期間だけ印加される前記方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の方法であって、前記記録媒体は垂直磁気記録媒体、長手磁気記録媒体、パターン化磁気記録媒体、または傾斜磁気記録媒体の中の１つを含む前記方法。
【請求項１７】
請求項１０に記載の方法であって、前記リングは、磁性および非磁性導電層を含む多層構造を含む前記方法。
【請求項１８】
請求項１０に記載の方法であって、さらに、前記磁性材料のリングに隣接配置された非磁性導電材料のリング中に電流を通すステップを含む前記方法。
【請求項１９】
請求項１０に記載の方法であって、さらに、前記歳差運動磁界の回転方向を制御するステップを含む前記方法。
【請求項２０】
磁気記録媒体と、
磁性材料のリングと、
該リングに設定磁界を印加するソースと、
前記リングに電流を印加して前記磁気記録媒体内の磁壁の磁化方向を切り替える歳差運動磁界を生成する第１および第２の電極と、
を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録装置に関し、特に、磁気記憶媒体にデータを書き込むための磁界を発生する装置および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録におけるビット面密度がハードディスク装置の記憶容量を増すために向上するにつれ、磁気遷移（ビット）ディメンジョンおよび付随する記録ヘッドクリティカルフィーチュアは１００ｎｍ以下とされている。同様な努力において、より高い面密度において記録媒体を安定にするために、磁気的により硬い（高飽和保磁力）媒体材料が必要である。従来、より硬い媒体への書込みは誘導性書込ヘッドを含む磁性材料の飽和磁化、すなわち、４πＭｓ値を増大させて媒体に印加される磁界を強めることにより達成されている。書込ヘッドのＭｓを増大させる材料研究努力はある程度成功はしているが、増大率はディスク記憶装置のビット面密度の年間成長率を維持するのに十分ではない。さらに、材料がその基本的限界に達するためＭｓの連続的増大は維持できないものと思われる。より高い面密度の結果はデータレートの増加である。データレートはＧＨｚに向かいそれを超えて引き上げられており、磁化方向と逆平行に加えられる従来の書込磁界を使用して記録媒体の磁化を切り替えるのは次第に困難になっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、次第に高いデータレートでより高い飽和保持力媒体を切り替えることができる書込過程が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は磁性材料のリング、リングに設定磁界を印加するソース、およびリングに電流を印加する第１および第２の電極を含んでいる。
【０００５】
もう１つの側面において、本発明は磁性材料のリング内にオニオン磁化状態を確立し、リング中に電流を通して歳差運動磁界を作り出し、歳差運動磁界を使用して記録媒体内の磁区の磁化方向を切り替えるステップを含んでいる。
【０００６】
本発明は、さらに、磁気記録媒体、磁性材料のリング、リングに設定磁界を印加するソース、およびリングに電流を印加して記録媒体内の磁区の磁化方向を切り替えるための歳差運動磁界を作り出す第１および第２の電極を含む装置を包含している。
【実施例】
【０００７】
図１は本発明に従った記録ヘッドを利用することができるディスク装置１０の図表現である。ディスク装置１０はそのさまざまなコンポーネントを入れられるサイズおよび構成とされたハウジング１２（上部は除去され下部が図示されている）を含んでいる。ディスク装置１０は垂直、長手および／または傾斜磁気記録媒体とすることができる磁気記録媒体１６等の少なくとも１つの磁気記憶媒体を回転させるスピンドルモータ１４をハウジング１２内に含んでいる。少なくとも１本のアーム１８がハウジング１２内に含まれており、各アーム１８は記録ヘッドすなわちスライダ２２を有する第１の端部２０、およびベアリング２６により軸上にピボット搭載された第２の端部２４を有する。アクチュエータモータ２８がアームの第２の端部２４に配置されてアーム１８をピボットさせ読取ヘッド２２をディスク（磁気記録媒体１６）の所望のセクタまたはトラック２７上に配置する。アクチュエータモータ２８はコントローラにより調整され、それは図示されず従来技術でよく知られている。
【０００８】
記録ヘッドは磁気記憶媒体にデータを書き込むのに使用される磁界を作り出す。本発明は記録ヘッド内で磁性材料のリングを使用して回転磁界を発生し、それを使用して記憶媒体の磁化を非常に高いデータレートで比較的限られた磁界の大きさで歳差運動的に切り替えることを含んでいる。
【０００９】
面内磁界により飽和された磁性材料のリングは、オリジナル印加磁界の方向に沿った方向を向く正味の面内磁界がリングのコア内にあるような、「オニオン」状態として知られる残留磁化を有することができる。コア内の磁界線はリングの両側の２つの磁壁で始りかつ終わる。磁気リング周りを循環する直流はスピン−分極電子流からの角運動量伝達により磁壁へ圧力を加える。磁壁は電子流と同じ方向へ移動し、それは実際上、電流方向とは反対である。圧力は２つの磁区を、やはり両側で、同じ方向にリング廻りに駆動してコア内のベクトル場がコンパスの回転針のように回転するようにする。そのため、直流電流を使用して連続回転面内場を発生することができ、あるいは、交流電流を使用して回転速度および方向を交番させることができる。さらに、循環電流は回転場と一緒に並べられるリングのコアを貫く垂直場を発生する。これらの特性を有する書込み場は非常に高いデータレートで比較的限られたフィールドマグニチュードで記憶媒体の磁化を歳差運動的に切り替える潜在力を有する。
【００１０】
図２は記録ヘッドのエアベアリング表面３４に隣接配置された磁性材料３２のリングを含む記録ヘッド３０の一部の略表現である。記録ヘッドは磁気記録媒体３６に隣接配置されかつ媒体からエアベアリング３８により分離されて配置されている。磁界パルスが磁性材料のリングに印加されて矢符Ｍで示すリング内の残留磁化を確立する。磁界は、たとえば、リングに隣接配置された電線（図示せず）に電流を通して印加することができる。電極４２および４４はリングに接続されている。リングの磁化が設定された後で、電線中の電流はターンオフされ電極４２および４４を介してリングに電流４６が供給されて磁壁４３および４５がリング廻りを移動し、磁界４０，Ｈ（ｔ）の面内回転を生じる。電流４６はリングを貫く自己磁界Ｈ（Ｉ）も発生する。正味の磁界Ｈ自体は歳差運動して下層媒体内の磁化Ｍｏに作用してそれをその最後の状態Ｍｆへ歳差運動的に切り替える。
【００１１】
図２に示すライタ３０は記録媒体３６に磁界を加えて媒体内の磁区の磁化方向を切り替えることができる。図２のライタジオメトリは垂直媒体に特有のものであるが、たとえば、媒体はその面に平行な磁化容易軸を有する長手媒体、媒体の面に垂直な磁化容易軸を有する垂直媒体、傾斜媒体、またはパターン化媒体とすることができる。
【００１２】
磁界はその初期磁化方向から初期磁化方向に実質的に逆平行な最終磁化方向まで磁気記録媒体の磁化方向を切り替えるのに十分な時間だけ選択的に印加される。典型的に、初期および最終磁化方向は磁気記録媒体の磁化容易軸に沿っている。
【００１３】
磁界
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が存在する時の単磁区磁化
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の力学を記述する単純なモデルがランダウ−リフシツ式で表され、
【数１】
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ここで、γは地磁気比であり、μ０は自由空間の透磁率であり、αは減衰パラメータである。第１項は磁界
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に関する磁化
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の歳差運動を記述し、第２項は運動の減衰を表し最終的に
2007122856.tif 000008
を
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に沿って強制的に緩和させる。従来の書込み過程のタイムスケール上で、減衰は記憶媒体の磁化の力学において重要な役割を果たすため、（１）式の全体表現により切替えは最善に記述され、
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は最終的に記憶媒体の磁化容易軸に平行な書込み場
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の有効な方向に沿って緩和する。しかしながら、十分短いタイムスケールに対しては、有意減衰が生じる時間がないため、歳差運動項は力学の大部分を記述する。さらに、横切磁界を使用する書込過程は最大トルクＴを有する磁界を磁化に加える利点を有し、ここに、
2007122856.tif 000012
，θはＭおよびＨ間の角度である。
【００１４】
歳差運動切替過程は図３に略示されており、時間変化磁界
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は歳差運動磁界
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に垂直である。磁化は磁化容易軸（本例ではｚ−軸）に沿った初期状態
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であり、磁界
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は磁化に垂直なｘ−ｙ面内でターンオンされる。印加磁界
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および異方性磁界
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（容易軸に平行）の初期方向は（１）式の第１項に従い、かつ図３に示す、歳差運動磁化の軌跡を指図する。しかしながら、ＨがＨｋに較べて小さければ、歳差運動の回転方向（時計回りまたは反時計回り）は
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により指図される。
【００１５】
磁化は本例において最初は上向きであるため、図に示すように、（１）式は
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が反時計廻り回転方向でｚ−軸周り（Ｈｋ周り）に歳差運動するよう指図する。印加磁界
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が同じ回転方向および周波数を有し（すなわち、印加磁界とＭは共振）、反転されるまで歳差運動磁化に直交のままであれば、磁化は最小エネルギおよび印加磁界マグニチュードで切り替えることができる。
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が
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の歳差運動と位相外れであれば（正しくない回転方向または周波数）、磁化は反転されない。たとえば、初期磁化が下向きであれば（
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も下向きであり磁化は時計回りに歳差運動する）、前記したように、印加磁界
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はそれを反転させず、下向きのままとされる。
【００１６】
書込過程に関して、下向き磁化を書き込むために、
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は少なくとも最初は反時計回りに回転しなければならず、それにより上向き磁化を反転させることができ、あるいは下向き磁化は変わらないままとされる。上向き磁化を書き込むために、
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は少なくとも最初は時計回りに回転しなければならず、それにより下向き磁化を反転させることができ、あるいは上向き磁化は変わらないままとされる。最終磁化
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方向に平行に印加される付加垂直磁界、すなわち、設定磁界は所要面内磁界の大きさを減少させるだけでなく、反転時間を減少させることにより磁化切替えを助けることができる。
【００１７】
図４ａ，４ｂおよび４ｃは本発明で使用できる磁気リングジオメトリを示す。磁気リングの磁気的性質は他の人達により１００ｎｍ以下のディメンジョンまで実験的および理論的に詳細に研究されてきている。図４ａ，４ｂおよび４ｃはその磁気履歴によって決まるリングの３つの位相を示す。これら３つの位相は本発明の書込概念において特に重要な役割を果たし、その状況については後述する。図４ａにおいて、リング６０は渦磁化６２を有し、それは正味の磁化および残留磁界の無い非常に安定な状態である、すなわち、初期渦状態、Ｍ＝０である。これはライタの休止状態を表す。図４ｂにおいて、リング６４はその面内に印加された外部磁界Ｈｅｘｔを有し、磁化Ｍは矢符６６により示す印加磁界方向に沿って飽和される、すなわちＭ＝Ｍｓである。ライタが最初に励起されると（その休止渦状態から）、それは書込シーケンスを開始する初期磁化状態を表す。磁化を飽和させ次に外部磁界をターンオフさせた後で、Ｍ≠０である図４ｃのリング６８に示すように、リングはオニオン状態として知られる状態を持続することができる。オニオン状態は、特に、磁界が大部分元の印加磁界方向に平行であるリングのコア内に正味の磁化および正味の磁界を有する。リングは、たとえば、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ、またはこの分野で既知の他の高モーメント材料の合金で作ることができる。
【００１８】
図５ａは磁気リングに対する全ヒステリシス曲線７０の略図であり、曲線に沿って、本発明に特に関連する点である点に近似磁化方位が描かれている。図５ｂの部分曲線は渦（休止すなわちオフ）状態７２、飽和（初期オン）状態７６、およびオニオン（励起）状態７４を含む、非ヒステリシス渦状況（Ｍ，ｄＭ／ｄＨ≒０）において、本発明に関連する磁化状態にアクセスするために印加磁界をどのように巡回できるかを示している。
【００１９】
図６は磁界を連続的に回転させる技術を示している。磁気リングは、本質的に全ての強磁性金属がそうするように、スピン分極電流８２を運ぶ。磁気リングのオニオン状態内に確立された２つの磁壁８４および８６があり、図６に示すように、磁壁はリングの両側にある。リング内に循環電流が確立されると、スピン分極電子は磁壁を通過する時にそこへ角モーメントを伝達し、磁壁を電子流の方向へ押して、参照符号８４’および８６’で示すように、それらをリングの周辺周りに掃引する。リングのジオメトリおよび材料性質が比較的均一であれば、磁壁は互いに対向し続けてコア内の磁界はリングの軸周りを均一に回転する。
【００２０】
循環電流を確立する１つの方法が図７および８に示されている。電気絶縁体９０の非常に薄い層がリング９２内に埋め込まれて強磁性接合９４を形成し、それは接合両端間の磁束流を許すが電流の流れは防止する。電極９６および９８は強磁性接合により電気的に分離されるようにリングに接続される。絶縁体は十分薄くして接合の両端間で強力な交換結合が行われリング材料の磁気的性質を維持しなければならない。また、電気的に分離するために非磁性絶縁体を使用することもできる。図８に示すように、リングは１回よりもいくらか多く巻き付いている、すなわち、２つの電極間距離は２πＲよりも大きく、Ｒはリングの外形である。このようにして、リングの周辺周りの各点でリング周りを常に電流が流れるように、電流は一方の電極へ入り（本例では、リングの底部を介して）他方の電極を出ることができる（本例では、リングの頂部から）。このようにして、各点において磁壁上にそれを回転し続ける圧力がある。
【００２１】
図８は図７に示すリングおよび底部および頂部電極の８−８線に沿った断面図を示し、矢符１００，１０２および１０４により電子流を示している。リング内の正味の電流は磁壁に適切な圧力を加える循環電流を有する。その接合の頂部および底部のディメンジョンは磁壁が釘付けされたりその動作が妨げられるのを防止するのに必要な増加した電流密度を与えるように設計することができる。第２の接合１０６（位相維持接合と呼ばれる）はリングの反対側で両方の磁壁に平衡した圧力を生じて１８０°の所望の位相差を維持するように設計することができる。位相維持接合は磁壁の位相を維持する磁気的性質を有する導電性材料を使用して作ることができる。
【００２２】
前記した電極配置の変動が図９に示されており、電極１１０および１１２はリング１１４上で２πＲもしくはそれよりも少なく変位されている。ここでも、電極は磁壁伝播を支持する適切な絶縁材料１１６により互いに分離されている。ここでは、電流は電極付近の周辺に完全に接してはいない。しかしながら、印加磁界パルスにより始動されたリングの磁化（たとえば、オニオン状態）は磁界をターンオフした後でもリング周りで歳差運動し続けられることを他の人達が示している。本発明の場合の類似性は、磁壁中の電流がある期間消失しても磁壁はリング中を移動し続けられることである。したがって、図９の略図はこの効果の１つの実現であり、図７および８よりも製作上の複雑性が低い利点がなければならない。
【００２３】
スピンモーメント伝達効果は非常に強い有効力（すなわち、トルク）を磁化に加えて、同じ磁化に対して加えられたテスラよりも大きい磁界に対抗することが他の人達により示されている。このようにして、適切に大きい電流において、位相を著しく外すことなく磁壁上の圧力が接合、および他の材料および幾何学的欠点を超えてそれを運ぶようにリングを設計できなければならない。
【００２４】
図１０および１１は前記した初期および最終磁化状態にリングを設定するための外部磁界Ｈｓｅｔ１２４を印加するのに使用できる電線１２２の頂部に一体化されたリング１２０を示す。リングおよびリングに電流を注入する電極１２６および１２８は下層電線から電気的に分離されている。特に、リングは電線中を流れる電流１３０の極性および大きさにより指図される印加磁界の方向に沿って飽和することができる。例として、直径１００ｎｍのリングに対して、下層電線はおよそ１００ｎｍの幅を有することができ、匹敵するまたはより小さい厚さを有することができる。この例において、電線中を流れる２０ｍＡの電流はリングにおいておよそ１０００Ｏｅの面内磁界を作り出し、それはこのような構造を飽和させるのに一般的に十分な磁界である。電線のジオメトリは電線からの磁界がリングの領域に絞り込まれて、電線はビットが書き込まれている所から離れた所で媒体を不要に妨害しないようにしなければならない。図１１に示すように、これはリング付近で電線のディメンジョンを押さえて、電流密度および磁束密度はリング付近で大きくリングから離れた所では小さくなるようにして行われる。
【００２５】
図１２ａから１２ｉは渦（休止）状態にあるリング１４０を示す図１２ａの左上部側から始まる書込サイクルを示す。矢符１４１は渦磁化を表す。リングは設定磁界を作り出すのに使用される電線１４２に隣接配置されている。電極１４４および１４６がリングに接続されて電流を供給する。図１２ｂにおいて、電線内の初期電流Ｉｓｅｔはリング１４０を飽和させて磁壁１４８および１５０を確立するＨｓｅｔ磁界インパルスを発生する。図１２ｃは電線電流オフにより、磁界Ｈ（ｔ）の回転を開始するリング中を電流（電子流）１５２が循環することを示している。図１２ｄから１２ｇはある適切な期間にわたって回転する磁界を示し、図１２ｈに示すように、その後、リング内の電流はターンオフされインパルス磁界１５４が電線から印加される。このインパルス磁界はリング内に渦磁化１５６を再確立し、図１２ｉに示すようにライタをその休止状態へ戻す。図１０，１１および１２ａから１２ｉは外部磁界を印加するための電線の使用を示しているが、必要な外部磁界を提供するのに他のタイプの磁界源も使用できることを理解しなければならない。
【００２６】
図１３は本発明のライタを使用する歳差運動書込過程の３Ｄレンダリングである。媒体磁化の歳差運動反転は図３で記述したものと同様であり、ライタジオメトリは回転書込磁界源として内蔵されている。オニオン状態が設定された後で、電圧源１６０がリング１６４に電流１６２を供給する。回転磁界の周波数はＧＨｚよりも上として、典型的には１０ＧＨｚのオーダーである、媒体の強磁性共振（ＦＭＲ）周波数付近の歳差運動スピンに遅れないようにする必要がある。回転磁界の周波数ｆはリングの周辺に沿って循環する磁区の速度を指図する。例として、５０ｎｍの外径（半径、ｒ＝２５ｎｍ）を有するリングに対して必要な磁壁速度を推定することができる。
【数２】
2007122856.tif 000029
【００２７】
このオーダーの大きさの磁壁速度は理論的に可能ではあるが、我々の知る限り実験的に明示されてはいない。達成可能な速度は、たとえば、リングの磁気制動定数（小さいほど良い）および電流により生じる駆動力によって決まる。もちろん、（２）式に従って必要な磁壁速度はリング直径が減少すると減少する。
【００２８】
図１４はリング内の従来の電流１７０（電流１７２とは反対方向）および電流により発生される対応する磁界を描いている略図である。特に、リングのコアを貫く、電流からの磁界Ｈ（Ｉ）は回転磁界と並べられ最終磁化方向に平行である。この垂直磁界は磁化の反転を助ける。
【００２９】
図１５に示すように、回転磁界に対する所望の駆動電流に関係なく特定の垂直磁界強度を設計する方法として平行非磁性導体１７４を磁気リング１７６と一体化することができる。非磁性導体は磁気リングの面に平行に配置される第２のリングを形成する。使用する電流源が回転磁界を駆動するのに必要な電流よりも多い電流を送ることができ、付加電流は非磁性導体を介して分路されて垂直磁界を強める場合がそうである。導体は単層または二重層（磁気リングの頂部および底部に隣接配置される）とすることができ、あるいは、磁性および非磁性導電材料の二層の多数の繰返しを含む多層リングの一部とすることができる。
【００３０】
図１６および１７は代替リング構造の側面図である。図１６は導電性、非磁性材料の隣接リング１７４を有する磁気リング１７６および非磁気リングに隣接する磁性材料の第２のリング１７８を示す。図１７は導電性、非磁性材料の２つのリング１７４および１８０間に配置された磁性材料のリング１７６を示す。図１６および１７は多層構造を示している。付加磁性および非磁気リングをこれらの構造に加えることができる。
【００３１】
リングのジオメトリは平坦な構造として最も直接的に作られる、すなわち、リングはウェーハの面内に堆積され、次に、それは記録ヘッド（ＡＢＳおよびウェーハ面が平行である）のエアベアリング表面（ＡＢＳ）として変化する。しかしながら、ＡＢＳがウェーハ面に垂直であるより伝統的な方法でライタが作られるように、ウェーハの面に垂直なリングを生成する製作技術を開発することができる。また、厚さおよび内外径等のリングのディメンジョン、および磁性材料はその磁気的性質を指図し最適性能となるように設計することができる。これらのパラメータを変える効果は他の人々により広く研究されている。したがって、ここに示す例は全てを包含するものではなく、特定の応用に依存するこのようなデバイスを製作するのに利用できる広範なパラメータスペースがある。
【００３２】
本発明は直流を使用して連続的に回転する面内磁界を発生するが、交流を使用して回転速度および方向を変えることができる。これらの特性を有する書込磁界を媒体磁化を横切して印加すると、非常に高いデータレートで比較的限られた磁界の大きさで記録媒体の磁化を歳差運動的に切り替える潜在力がある。横切磁界は媒体磁化に最大トルクを加え、遷移を書き込むのに必要なエネルギを最小限に抑え、また短いタイムスケールによりデータレートは現在の記録技術を十分超えることができる。
【００３３】
いくつかの例について本発明を記述してきたが、当業者ならば特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を逸脱せずに記述された例をさまざまに変更できることがお判りであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に従って構成することができるディスク装置の機械的部分の図表現である。
【図２】本発明に従って構成された磁気書込ヘッドの一部の略表現である。
【図３】歳差運動切替過程を示す略図である。
【図４】ａ〜ｃは、本発明において使用することができる磁気リングジオメトリの平面図である。
【図５】ａおよびｂは、磁気リングに対する全ヒステリシス曲線の略図である。
【図６】磁界を連続的に回転させるための技術を示す略図である。
【図７】磁気リングの平面図である。
【図８】８−８線に沿った図７のリングの断面図である。
【図９】磁気リングの平面図である。
【図１０】ワイヤに隣接する磁気リングの平面図である。
【図１１】ワイヤに隣接する磁気リングの平面図である。
【図１２】ａ〜ｉは、磁気リングの磁化の切替えを示す図である。
【図１３】書込磁界を作り出す磁気リングの動作を示す図である。
【図１４】書込磁界を作り出す磁気リングの動作を示す図である。
【図１５】書込磁界を作り出す磁気リングの動作を示す図である。
【図１６】代替磁気リング構造の側面図である。
【図１７】代替磁気リング構造の側面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  ディスク装置
１２  ハウジング
１４  スピンドルモータ
１６  磁気記録媒体
１８  アーム
２０  第１の端部
２２  スライダ
２４  第２の端部
２６  ベアリング
２８  アクチュエータモータ
３０  記録ヘッド
３２，６０，６４，６８，９２，１１４，１２０，１４０，１６４，１７４，
１７６，１７８，１８０  リング
３４  ベアリング表面
３６  磁気記録媒体
３８  エアベアリング
４０  磁界
４２，４４，９６，９８，１１０，１１２，１２６，１２８，１４４，１４６  電極
４３，４５，８４，８６  磁壁
４６，１３０，１５２，１６２，１７０  電流
６２  渦磁化
７０  ヒステリシス曲線
７２  渦状態
７４  オニオン状態
７６  飽和状態
８０  金属
８２  スピン分極電流
９０  電気絶縁体薄層
９４  強誘電接合
１１６  絶縁材料
１２２  電線
１２４  外部磁界
１４８，１５０  磁区
１５４  インパルス磁界
１５６  渦磁化
１６０  電圧源
１７２  電子流
１７４  非磁性導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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