(57)【要約】  【課題】シリコンマイクチップ等の振動膜を有する半導体チップを備える低価格で小型の半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】半導体チップ３の振動膜１５を、内部に密封された空気室１８を形成するように椀状のキャップ４で覆い、これら半導体チップ３とキャップ４とを、半導体チップ３の空洞部１６と連通するように開けられた孔２４を有するリードフレーム２と、モールディングの金型に当接する角部２０を有するシールドカバー５とで挟み込んで、モールド樹脂により封止する。【選択図】図１
2007258525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に開けた空洞部に圧力変動に応じて振動する振動膜を掛け渡してなる半導体チップと、
前記半導体チップとワイヤボンド接続されるとともに、中央部に形成した孔を前記空洞部と連通させた状態として前記半導体チップを固定したリードフレームと、
前記振動膜の背部に密封された空気室を形成するように前記半導体チップに被せられた椀状のキャップと、
前記リードフレームとの間に前記半導体チップ及び前記キャップを挟みこむように配置されたシールド部材と、
前記リードフレームの先端部と前記孔とを露出させた状態で前記半導体チップ、前記リードフレーム、前記キャップ及び前記シールド部材を一体に封止するモールド樹脂とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シールド部材は、前記リードフレームの側とは反対方向に起立した角部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記シールド部材は前記リードフレームに向けた張り出し片を備え、
該張り出し片が前記リードフレームに接触することによって両者が電気的に接続状態とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップと前記キャップとの間は弾性体を介して接着されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記キャップと前記シールド部材との間に、前記半導体チップと接続される他の半導体チップを有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームと前記半導体チップと前記キャップと前記シールド部材とを積み重ねるとともに、前記半導体チップと前記リードフレームとをワイヤボンド接続しておき、積み重ね状態の前記リードフレームと前記シールド部材との間に前記半導体チップと前記キャップとをモールド金型の型締力により挟み込んだ状態として、モールド樹脂を注入し、硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部に空気室を形成した半導体装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、シリコンマイクチップ等の振動膜を有する半導体チップを備えたものがあり、この種の半導体装置では、振動膜の振動を妨げないように振動膜の周囲に空気室が形成される。従来、この種の半導体装置内に空気室を形成する場合、回路基板に凹部を形成し、この凹部内に半導体チップを固定するとともに、回路基板の上に凹部を覆う蓋体を設けて空気室とし、これら回路基板と蓋体との外側を包み込むように全体をモールド樹脂で封止する構造とされている。（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、回路基板に凹部を形成した構造であると、絶縁体や導体の積層、レジストの塗布、露光、現像および導体層のエッチングなど、一連の積層基板製造工程を経て凹部が形成されることになるためコストの増加を招く虞がある。また、半導体装置の内部に大きな空気室を備えるために半導体装置が大型化し易い。
さらに、モールド工程中の溶融樹脂の流れによる蓋体の位置ずれ防止のために、予め蓋体を回路基板の表面に接着しておく必要があるなど、工程数が多くなる点もコスト増の一因となっていた。
【特許文献１】特開平８−６４７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明では、シリコンマイクチップ等の振動膜を有する半導体チップを備える、製造容易で低価格な、小型の半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供している。
本発明に係る半導体装置は、半導体基板に開けられた空洞部に圧力変動に応じて振動する振動膜を掛け渡してなる半導体チップと、前記半導体チップとワイヤボンド接続されるとともに、中央部に形成した孔を前記空洞部と連通させた状態として前記半導体チップを固定したリードフレームと、前記振動膜の背部に密封された空気室を形成するように前記半導体チップに被せられた椀状のキャップと、前記リードフレームとの間に前記半導体チップ及び前記キャップを挟みこむように配置されたシールド部材と、前記リードフレームの先端部と前記孔とを露出させた状態で前記半導体チップ、前記リードフレーム、前記キャップ及び前記シールド部材を一体に封止するモールド樹脂とから構成されることを特徴とする。
半導体装置をこのような構成にすると、半導体チップに椀状のキャップを被せただけで振動膜の周囲に空気室を形成することができ、複雑な積層基板技術を用いる必要がない。
【０００６】
また、本発明に係る半導体装置において、前記シールド部材は前記リードフレームの側とは反対方向に起立した角部を備えることを特徴とする。
シールド部材にこのような角部を設けることにより、モールド金型内において上下の金型でシールド部材とリードフレームとを挟みつけたときにこの角部が金型内壁に当接し、型締力をキャップの周縁と半導体チップの表面とに強固に作用させることができ、キャップのずれや、モールド樹脂がキャップ内部の空気室内に侵入するのを防止することができる。
【０００７】
本発明に係る半導体装置において、前記シールド部材は前記リードフレームに向けた張り出し片を備え、該張り出し片が前記リードフレームに接触することによって両者が電気的に接続状態とされていることを特徴とする。
シールド部材にこのような張り出し片を設けると、積層時にシールド部材とリードフレームとを電気的に接続することができるので、シールド部材とリードフレームとの接続のための別工程を組む必要がない。
【０００８】
本発明に係る半導体装置において、前記半導体チップと前記キャップとの間を、弾性体を介して接着する構成とすることにより、半導体チップとキャップとの間の密閉性をより向上させることができる。
【０００９】
本発明にかかる半導体装置において、前記キャップと前記シールド部材との間に、前記半導体チップと接続される他の半導体チップを有する構成とすることにより、半導体装置の搭載面積を削減することができる。他の半導体としてはドライバチップなどが適用できる。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームと前記半導体チップと前記キャップと前記シールド部材とを積み重ねるとともに、前記半導体チップと前記リードフレームとをワイヤボンド接続しておき、積み重ね状態の前記リードフレームと前記シールド部材との間に前記半導体チップと前記キャップとを、モールド金型の型締力により挟み込んだ状態としてモールド樹脂を注入し、硬化させることを特徴とする。
このような工程で半導体装置を製造すると、キャップとシールド部材とを部品に加えるだけで、従来から使用されているモールド工程を使用して半導体装置を容易に製造できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、キャップを半導体チップに被せるだけで空気室を形成する構成としているので、半導体装置を容易に製造でき、製造コストを削減することができる。また、半導体装置の小型化を図ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る第１の実施形態である半導体装置１の構造を図１〜図４に基づいて説明する。
本実施形態の半導体装置１は、図１に示すように、シリコンマイクチップ３の片面（図１の例では上面）にリードフレーム２が接着剤６を介して固着されるとともに、シリコンマイクチップ３の反対面（図１例では下面）にキャップ４が接着剤７を介して固着され、キャップ４の外底面１２にシールドカバー５が接触され、これらリードフレーム２、シリコンマイクチップ３、キャップ４およびシールドカバー５がモールド樹脂部８により一体に封止された構成とされている。
【００１３】
シリコンマイクチップ３は、この実施形態ではほぼ正方形状で、半導体基板１１の中央部に開けられた空洞部１６と、この空洞部１６に掛け渡すように形成され、外部の圧力変動に応じて振動する振動膜１５と、この振動膜１５側の表面に外部回路に接続するための外部接続端子１４とを備えている。
【００１４】
前記リードフレーム２は中央の平面部２５の両側に２段に折り曲げられたリード部１９が形成された構成となっている。平面部２５には中心領域に円状の孔２４が開けられ、この孔２４とシリコンマイクチップ３に設けられた空洞部１６とが連通するように、シリコンマイクチップ３が固着されている。また、リード部１９の１段目の段部２６にはシリコンマイクチップ３との接続のための接続端子２７が設けられており、この接続端子２７とシリコンマイクチップ３の外部接続端子１４とがボンディングワイヤ９によってワイヤボンド接続されている。さらに、リード部１９の２段目の段部２８はその端部と下面とをモールド樹脂部８から露出し、この露出した端部および下面が、半導体装置1をプリント配線板等の回路基板に接続する際の端子２９とされている。
【００１５】
なお、図２に示すように、リードフレーム２の平面部２５には、中心領域に円状の孔２４とともにＬ字状のダイボンドアライメントマーク５１が内側に孔２４を囲む四角形を作るように４箇所をプレスで穴あけされている。また、このダイボンドアライメントマーク５１で作られた四角形の外側に、四角形状の貫通孔５３がリードフレーム２の短手方向に間隔をあけて２箇所形成されている。
【００１６】
前記キャップ４は、開口部の直径が振動膜１５の直径より大きくシリコンマイクチップ３の一辺より小さい、内部が中空で底面が平面状の椀状に形成され、周縁１０が接着剤６を介してシリコンマイクチップ３の振動膜１５側の表面に固着されている。すなわち、キャップ４の内部は、キャップ４の内壁と振動膜１５を含むシリコンマイクチップ３の表面とで囲まれた空気室１８とされている。
【００１７】
前記シールドカバー５は、キャップ４に当接する平面部２１に、キャップ４の側に折り曲げられた突起部２２と、突起部２２とは反対側に起立した角部２０とを備えている。突起部２２は平面部２１の一部を切り起こすようにして同心状に４箇所形成されている。そして、キャップ４の外底面１２が突起部２２で周囲を囲まれた状態で平面部２１の中心領域に当接し、角部２０の先端面はモールド樹脂部８から図１の例では下方に露出している。
また、図２に示すように、シールドカバー５は、キャップ４に当接する平面部２１が円形状の板状に形成され、この平面部２１の外側に一対の突出片２３が１８０°間隔をおいて形成されるとともに、これら突出片２３から９０°ずれた位置に十字型をした張り出し片３０がそれぞれ形成されている。
【００１８】
そして、前記角部２０は突出片２３の先端部を折り曲げることにより形成されている。さらに、前記張り出し片３０は前記角部２０とは反対方向に折り曲げられており、その先端部がリードフレーム２との接合部５７とされ、この接合部５７がリードフレーム２の貫通孔５３に嵌合されるようになっている。また、折り曲げられた張り出し片３０の十字型とされている部分の左右に延びる側壁部５５は、前記平面部２１の外側を矩形に囲んだ状態に配置されている。
【００１９】
さらに、モールド樹脂部８が前記端子２９と、リードフレーム２に設けられた孔２４と、シールドカバー５の角部２０の先端面とを外部に露出しつつ、リードフレーム２の上部から、シールドカバー５までを封止している。
すなわち、シリコンマイクチップ３の振動膜１５は、その一方の面がシリコンマイクチップ３の空洞部１６とリードフレーム２の孔２４とを介して外部に連通状態とされ、他方の面はキャップ４により覆われた空気室１８に連通させられた構成とされている。
【００２０】
このように構成された半導体装置１の外部に音響等により圧力変動が生じると、この圧力変動は半導体装置１の外部の空気を伝ってリードフレーム２の孔２４からシリコンマイクチップ３の空洞部１６内の空気に伝わり、空洞部１６と空気室１８を隔てる振動膜１５を振動させる。この振動をシリコンマイクチップ３が電気信号に変換する。
【００２１】
この半導体装置１によれば、その内部の振動膜１５を自由に振動できるようにするために必要な空気室１８をキャップ４で構成するという簡単な構造であるとともに、そのキャップ４の周りを、空洞部１６、空気室１８、および、これら空洞部１６および空気室１８を外部に連通させるリードフレーム２の孔２４の部分だけを避けてモールド樹脂部８で封止した構造であり、シリコンマイクチップ３全体を空気室で覆う場合に比べ、半導体装置１の大きさを小さくできる。
【００２２】
次に、このように構成される半導体装置１の製造方法について図２〜図４を用いて説明する。図２はリードフレーム２、シリコンマイクチップ３、キャップ４およびシールドカバー５の組み立て前の状態を示す分解斜視図であり、図３は組み立て後の状態の斜視図である。
【００２３】
まず、所定の特性を有する金属板に打ち抜き加工、曲げ加工、絞り加工等を施し、リードフレーム２、シールドカバー５およびキャップ４を作製する。
次に、ダイボンドアライメントマーク５１を基準にして、中心にリードフレーム２の孔２４よりやや大きい穴を有するほぼ正方形の平板状の接着剤７をリードフレーム２の平面部２５に載置し、この上にシリコンマイクチップ３を、ダイボンドアライメントマーク５１を基準にして載置し固着する。
【００２４】
また、キャップ４の周縁１０が当接する直径のドーナツ状の接着剤６を、シリコンマイクチップ３に形成されている振動膜１５の周囲を囲むように載置し、この接着剤６の上にキャップ４を底面が上を向くように載置する。
接着剤６および接着剤７には弾性体としてポリイミドテープが片面に備えられており、シリコンマイクチップ３とリードフレーム２、およびキャップ４とはポリイミドテープを介して接着されている。
【００２５】
さらに、このキャップ４の上にシールドカバー５を載置し、４箇所の突起部２２の内側にキャップ４を囲むように配置する。
このようにシールドカバー５を載置すると、シールドカバー５の折り曲げられた張り出し片３０に備えられた接合部５７はリードフレーム２の貫通孔５３に嵌合し、シールドカバー５とリードフレーム２とは電気的に接続される。また、側壁部５５がシリコンマイクチップ３の外側を囲む状態となり、この側壁部５５とリードフレーム２とシールドカバー５とによって半導体装置１に電磁波シールド効果を備えることができる。
次に、シリコンマイクチップ３の四隅に設けられた外部接続端子１４とリードフレーム２に設けられた接続端子２７との間をワイヤボンド接続する。
【００２６】
このように組み上げられたリードフレーム２、シリコンマイクチップ３、キャップ４およびシールドカバー５をモールディングの金型６１内に収納する。図４に示すように、下金型６３には、リードフレーム２に開けられた孔２４の周りを囲むように環状に突出した押さえ部６５が設けられており、この押さえ部６５の先端面がリードフレーム２の平面部２５に当接する。さらに、シールドカバー５に設けられた角部２０が上金型６２に当接する。このように上金型６２と下金型６３とで挟み込まれた状態で溶融したモールディング樹脂を注入し、硬化することによって、半導体装置１が完成される。
【００２７】
溶融したモールディング樹脂は突起部２２を切り起こした後にできる孔を通って平面部２１とシリコンマイクチップ３との間にも充填されるが、上金型６２と下金型６３とで挟み込まれた状態ではキャップ４の周縁１０とリードフレーム２とはそれぞれ接着剤６、７に備えられたポリイミドテープに強く押し付けられるので、キャップ４とシリコンマイクチップ３との間、およびシリコンマイクチップ３とリードフレーム２との間から、注入されたモールディング樹脂が空気室１８および空洞部１６に入ることはない。
さらに、押さえ部６５がリードフレーム２の平面部２５に強く押し付けられているので、注入されたモールディング樹脂は押さえ部６５の外側で止まり、孔２４に入ることがない。
【００２８】
この半導体装置１を製造する方法によれば、リードフレーム２、シリコンマイクチップ３、キャップ４およびシールドカバー５を積層して組み立て、既存のモールディング工程で上金型６２と下金型６３とで挟みつけながら溶融したモールド樹脂を注入し、硬化させて、半導体装置１を製造することができるので、基板積層技術によって基板に凹部を形成する従来技術に比べて製造工程を簡素化でき、製造経費の削減を図ることができるので、半導体装置１を安価に製造することができる。
【００２９】
また、リードフレーム２の上部からシールドカバー５までの封止と同時にボンディングワイヤ９をモールド樹脂部８によって固定できるので、シリコンマイクチップ３全体を空気室内に密閉する場合のようにボンディングワイヤ９をポッティング樹脂によって固定する必要がない。
【００３０】
次に、本発明に係る第２の実施形態である半導体装置１０１の構造を図５〜図８に基づいて説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態において説明した構成要素には同一符号を付し、その説明は省略する。
図５に示した半導体装置１０１が図１に示した半導体装置１と異なる点は、シリコンマイクチップ３とシールドカバー５との間にシリコンマイクチップ３を駆動するドライバチップ１０３を備える点、およびキャップの代わりに椀状のキャップ部１０５を有するダイボンドステージ１０７を備える点である。
【００３１】
ダイボンドステージ１０７は、長方形状の平板部１０８の中央に椀状のキャップ部１０５が固着されるとともに、平板部１０８の両端部にキャップ部１０５とは逆側に折り曲げて形成された突っ張り部１１１を備える。キャップ部１０５は、シリコンマイクチップ３の振動膜１５側の表面に接着剤６を介して周縁１０が固着され、突っ張り部１１１は先端面がシールドカバー５に当接する。そして、キャップ部１０５の内部がキャップ部１０５の内壁と振動膜１５を含むシリコンマイクチップ３の表面とに囲まれた空気室１８とされている。
【００３２】
ドライバチップ１０３は、ダイボンドステージ１０７のキャップ部１０５とは逆側にシールドカバー５との間に間隙を有しつつ、ほぼ正方形状のポリイミドテープ付きダイボンド接着剤１０９で裏面を固着され、表面にリードフレーム２の接続端子２７にワイヤボンド接続される外部接続端子１４を備えている。
【００３３】
シールドカバー５は、図６に示すように、ドライバチップ１０３との間に溶融したモールド樹脂が円滑に流れるように、中央に円状の穴１１３が開けられたほぼ正方形状の板状に形成された平面部５６と、この平面部５６の両端部に起立するように形成された角部２０と、この角部２０とは９０°ずれた位置の外側に形成された張り出し部３０とから構成されている。この張り出し部３０は角部２０とは反対の方向に折り曲げられ、ドライバチップ１０３とシリコンマイクチップ３とを一部囲う側壁部５５とされている。この側壁部５５には、モールド樹脂がドライバチップ１０３、およびシリコンマイクチップ３まで流れ込むように長方形状の孔５８が開けられ、先端部にリードフレーム２の貫通孔５３に嵌合する接合部５７が設けられている。
【００３４】
そして、モールド樹脂部８は前記端子２９と、リードフレーム２に設けられた孔２４と、シールドカバー５の角部２０の先端面とを外部に露出しつつ、ドライバチップ１０３とシールドカバー５との間を含めたリードフレーム２の上部から、シールドカバー５までを封止している。
【００３５】
すなわち、シリコンマイクチップ３の振動膜１５は、その一方の面がシリコンマイクチップ３の空洞部１６とリードフレーム２の孔２４とを介して外部に連通状態とされ、他方の面はダイボンドステージ１０７のキャップ部１０５により覆われた空気室１８に連通させられた構成とされている。
【００３６】
この半導体装置１０１は、内部にシリコンマイクチップ３と、ドライバチップ１０３とを縦に重ねた状態で収納しているので、シリコンマイクチップ３と、ドライバチップ１０３とを横に並べる場合に比べ、搭載面積を大幅に小さくすることができる。
また、振動膜１５を自由に振動できるようにするために必要な空洞部１６、空気室１８、および、これら空洞部１６および空気室１８を外部に連通させる孔２４の周囲以外の部分だけをモールド樹脂部８で封止されているので、第１の実施形態の半導体装置１と同様に製造工程を簡素化でき製造経費の削減を図ることができ、半導体装置１０１を安価に製造することができる。
【００３７】
次に、このように構成される半導体装置１０１の製造方法について図６〜図８を用いて説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態において説明した構成要素には同一符号を付し、その説明は省略する。
図５は半導体装置１０１の組み立て前の状態を示す分解斜視図を示し、図６は組み立て後の状態の斜視図である。
【００３８】
まず、所定の特性を有する金属板に打ち抜き加工、曲げ加工、絞り加工等を施し、リードフレーム２、シールドカバー５およびダイボンドステージ１０７を作製する。
次に、ダイボンドアライメントマーク５１を基準にして、中央にリードフレーム２の孔２４よりやや大きい穴のあいたほぼ正方形状の接着剤７をリードフレーム２の平面部２５に載置し、この上にシリコンマイクチップ３を、ダイボンドアライメントマーク５１を基準にして載置し固着する。
【００３９】
次に、シリコンマイクチップ３の外部接続端子１４とリードフレーム２の接続端子２７とをワイヤボンド接続する。
続いて、ダイボンドステージ１０７のキャップ部１０５の周縁１０が当接する直径のドーナツ状の接着剤６をシリコンマイクチップ３に形成されている振動膜１５の周囲を囲むように載置し、この接着剤６の上にダイボンドステージ１０７を、キャップ部１０５の周縁１０がドーナツ状の接着剤６上に載り、底面が上に向くように載置する。
【００４０】
このダイボンドステージ１０７の上面の中央領域にほぼ正方形状のポリイミド付きダイボンド接着剤１０９を載置し、ポリイミド付きダイボンド接着剤１０９の上にドライバチップ１０３を固着する。
次に、固着されたドライバチップ１０３の外部接続端子１４とリードフレーム２の接続端子２７とをワイヤボンド接続し、さらに、その上にシールドカバー５を、シールドカバー５に備えられた接合部５７がリードフレーム２の貫通孔５３に嵌合するように載置する。このようにシールドカバー５を載置すると、ダイボンドステージ１０７の突っ張り部１１１がシールドカバー５の平面部５６に当接するとともに、シールドカバー５の側壁部５５に備えられた接合部５７はリードフレーム２の貫通孔５３に嵌合し、シールドカバー５とリードフレーム２とは電気的に接続される。また、側壁部５５がシリコンマイクチップ３およびドライバチップ１０３の外側を囲む状態となり、この側壁部５５とリードフレーム２とシールドカバー５とによって半導体装置１に電磁波シールド効果を備えることができる。
【００４１】
このように組み上げられたリードフレーム２、シリコンマイクチップ３、ダイボンドステージ１０７、ドライバチップ１０３およびシールドカバー５をモールディングの金型６１内に収納する。図８に示すように、下金型６３には、リードフレーム２に開けられた孔２４の周りを囲むように環状に突出した押さえ部６５が設けられており、この押さえ部６５の先端面がリードフレーム２の平面部２５に当接する。さらに、シールドカバー５に設けられた角部２０が上金型６２に当接する。このように上金型６２と下金型６３とで挟み込まれた状態で溶融したモールディング樹脂が注入され、硬化されて、半導体装置１０１が完成される。
【００４２】
上金型６２と下金型６３とで挟み込まれた状態では、角部２０が上金型６２に強く当接し、この角部２０を有するシールドカバー５の平面部５６にダイボンドステージ１０７の突っ張り部１１１が当接しているので、ダイボンドステージ１０７に備えられたキャップ部１０５の縁１０とリードフレーム２とはそれぞれ接着剤６、７に備えられたポリイミドテープに強く押し付けられ、注入されたモールディング樹脂がキャップ部１０５とシリコンマイクチップ３との間、およびシリコンマイクチップ３とリードフレーム２との間から空気室１８および空洞部１６に入るのを防止する。
さらに、押さえ部６５がリードフレーム２の平面部２５に強く押し付けられているので、注入されたモールディング樹脂は押さえ部６５の外側で止まり、孔２４に入ることがない。
【００４３】
この半導体装置１０１を製造する方法によれば、リードフレーム２、シリコンマイクチップ３、キャップ部１０５を有するダイボンドステージ１０７、およびシールドカバー５を積層して組み立て、既存のモールディング工程で上金型６２と下金型６３とで挟みつけながら溶融したモールド樹脂を注入し、硬化させて、半導体装置１０１を製造することができ、また、ボンディングワイヤ９をポッティング樹脂によって固定する必要がないので、第１の実施形態の半導体装置１と同様に製造工程を簡素化でき、製造経費の削減を図ることができるので、半導体装置１０１を安価に製造することができる。
また、シリコンマイクチップ３とドライバチップ１０３とを縦に重ねた状態で半導体装置１０１に収容しているので、ドライバチップ１０３を横に並べる場合に比べ、半導体装置１０１を小型化することができる。
【００４４】
なお、本実施形態では振動膜１５を有する半導体チップはシリコンマイクチップ３であったが、シリコンマイクチップ３に限られず、圧力センサー等の半導体チップであっても良い。
また、第２の実施形態において、振動膜１５を有する半導体チップに接続される半導体チップはドライバチップ１０３であったが、ドライバチップ１０３に限られず他の機能を有する半導体チップであっても良い。
さらに、第２の実施形態では他の半導体チップは１個であったが、複数の他の半導体チップを、振動膜１５を有する半導体チップと同一の半導体装置１０１に収納しても良い。
【００４５】
また、第２の実施形態において、突っ張り部１１１をダイボンドステージ１０７に設けたが、シールドカバー５に設けても良い。この場合に、シリコンマイクチップ３もしくはドライバチップ１０３の外部接続端子１４の位置によっては、リードフレーム２に設けられた接続端子２７と外部接続端子１４とを結ぶボンディングワイヤ９と突っ張り部１１１とが干渉しないように突っ張り部１１１の位置や大きさを変える必要がある。
【００４６】
また、第１の実施形態ではすべての構成部品を積層した後にワイヤボンド工程を組み、第２の実施形態ではシリコンマイクチップ３をリードフレーム２に固定した後にシリコンマイクチップ３の外部接続端子１４とリードフレーム２の接続端子２７とをワイヤボンド接続し、ドライバチップ１０３をダイボンドステージ１０７に固定した後にドライバチップ１０３の外部接続端子１４とリードフレーム２の接続端子２７とをワイヤボンド接続したが、ワイヤボンド工程はこのタイミングに限られず、ワイヤボンド接続を効率的に行うことのできるタイミングで組んでも良い。
【００４７】
さらに、シールドカバー５とリードフレーム２の電気的接続を、シールドカバー５に設けられた接合部５７とリードフレーム２に設けられた貫通孔５３とを嵌合することによって行ったが、貫通孔５３はハーフエッチ等によって形成した凹部でも良く、さらに、接合部５７と貫通孔５３との嵌合に限られず、接触などの別の方法で行っても良い。
また、本実施形態において、弾性体を有する接着剤６、７の弾性体としてポリイミドを採用したが、ポリイミドに限られず半導体装置１、１０１に使用されている他の材料に悪影響を与えず、モールディング工程などで加えられる熱に対して安定な他の弾性体であっても良い。
【００４８】
さらに、上記実施形態で示した各製造工程は、半導体装置の製造技術の進歩に伴い適宜変更されることが想定されるが、本発明の特徴に直接的に関係のない工程については上記実施形態に限定されず適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る半導体装置１の縦断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置１の組み立て前の分解斜視図である。
【図３】本発明に係る半導体装置１の組み立て後の状態を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る半導体装置１をモールディング樹脂で封止する場合の状態を示す図である。
【図５】本発明に係る半導体装置１０１の縦断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置１０１の組み立て前の分解斜視図である。
【図７】本発明に係る半導体装置１０１の組み立て後の状態を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る半導体装置１をモールディング樹脂で封止する場合の状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１０１・・・半導体装置、２・・・リードフレーム、３・・・シリコンマイクチップ（半導体チップ）、４・・・キャップ、５・・・シールドカバー（シールド部材）、６、７・・・接着剤、８・・・モールド樹脂部、９・・・ボンディングワイヤ、１０・・・周縁、１１・・・半導体基板、１２・・・外底部、１４・・・外部接続端子、１５・・・振動膜、１６・・・空洞部、１８・・・空気室、１９・・・リード部、２０・・・角部、２１・・・平面部、２２・・・突起部、２３・・・突出片、２４・・・孔、２５・・・平面部、２６・・・１段目の段部、２７・・・接続端子、２８・・・２段目の段部、２９・・・端子、３０・・・張り出し片、５１・・・ダイボンドアライメントマーク、５３・・・貫通孔、５５・・・側壁部、５６・・・平面部、５７・・・接合部、５８・・・孔、６１・・・金型、６２・・・上金型、６３・・・下金型、６５・・・押さえ部、１０３・・・ドライバチップ（他の半導体チップ）、１０５・・・キャップ部、１０７・・・ダイボンドステージ、１０８・・・平板部、１０９・・・ポリイミド付きダイボンド接着剤、１１１・・・突っ張り部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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