(57)【要約】【課題】不揮発性記録媒体を販売するシステムにおいて、その寿命を正確に認識して取引できる販売システムを提供すること。【解決手段】登録側のＰＣ端末１０及び購入側のＰＣ端末４０がインターネット２０を介して販売サイト３０に接続される。ＰＣ端末１０には不揮発性記憶装置１１０を接続すると、その寿命に関するパラメータを読出して販売サイト３０に送信する。これに基づいて販売サイトで寿命情報を演算して表示する。このため購入者側は寿命情報に基づいて安心して購入ができる。【選択図】図１
2007323466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性記録媒体の寿命に関わる寿命パラメータを保持する不揮発性記録媒体を販売するための販売システムであって、
販売を希望する不揮発性記録媒体を登録する商品登録処理部と、
前記商品登録処理部に登録される前記不揮発性記録媒体の寿命パラメータを読出す寿命パラメータ読出し部と、
読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を表示する寿命情報表示部と、
表示された寿命情報に基づいて購入希望者からの購入希望を受け付ける商品購入処理部と、を有する不揮発性記録媒体の販売システム。
【請求項２】
前記寿命パラメータ読出し部により読出された不揮発性記録媒体の寿命パラメータに基づいて寿命情報を算出する寿命情報算出部を更に有する請求項１記載の不揮発性記録媒体の販売システム。
【請求項３】
前記寿命情報表示部は、前記算出された寿命情報に基づいて不揮発性記録媒体の相場価格を同時に表示する請求項２記載の不揮発性記録媒体の販売システム。
【請求項４】
不揮発性記録媒体の寿命に関わる寿命パラメータを保持する不揮発性記録媒体を販売する販売方法であって、
前記販売対象となる不揮発性記録媒体に関する情報を登録するステップと、
前記販売対象となる不揮発性記録媒体の寿命パラメータを読出すステップと、
読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を表示するステップと、
表示された寿命情報に基づいて購入希望者からの購入希望を受け付ける商品購入処理ステップと、を有する不揮発性記録媒体の販売方法。
【請求項５】
前記読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を算出するステップを更に有する請求項４記載の不揮発性記録媒体の販売方法。
【請求項６】
前記算出された寿命情報に基づいて不揮発性記録媒体の相場価格を表示するステップを更に有する請求項５記載の不揮発性記録媒体の販売方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリカード等の不揮発性の記録媒体を販売するための販売システム及びその販売方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
地球環境保護を背景とした循環型社会の実現に向けて、特にインターネットを利用した中古品の販売サイトによるリユースが促進されている。その中において、半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置は以下の特徴がある。
【０００３】
不揮発性記憶装置は光ディスクやテープメディアなどの記録媒体と比較して非常に高価格であり、気軽に買い足すことが困難である。一方でデジタルスチルカメラや携帯電話などのポータブル機器においては、小型・軽量・耐震性・取り扱いの簡便さ等のメリットから半導体メモリカードが主な記録媒体として利用されている。その中にあって、特にデジタルスチルカメラなどの静止画記録再生装置や動画再生記録装置などのＡＶ用途においては、半導体メモリカードの大容量化が急速に進んでいる。但し、容量の小さいものの用途がなくなったわけではなく、例えばパソコンのテキストデータなどの比較的容量の小さいデータを記録するといったＯＡ用途においては、低容量のものでも十分使用に耐えうる。つまり、半導体メモリカードに要求される容量は用途によって様々であり、またユーザによっても様々である。
【０００４】
上記した理由により、インターネットなどを利用して、中古品の半導体メモリカードが再使用されるようになってきた。例えば、大容量の半導体メモリカードを必要とする高画質のデジタルスチルカメラと、大容量の半導体メモリカードをセットで購入したユーザは、既に所持している低容量の半導体メモリカードは不要となり、販売したいと考える。
【０００５】
一方、半導体メモリカードの品質の変化についてみると、半導体メモリカードの主記憶メモリとして内蔵されているフラッシュメモリの大容量化に伴い、品質の低下が見受けられる。具体的には、大容量化のニーズに対応して、多値ＮＡＮＤフラッシュメモリのように1つのメモリセルに２ビットの情報が記憶できる品種が主流となってきている。このような多値ＮＡＮＤフラッシュメモリは、メモリセルの信頼性確保が難しいため、書き替え保証回数が低くなっている。例えば、従来の２値ＮＡＮＤフラッシュメモリあっては、書き替え保証回数が１０万回であったのに対して、前述した多値ＮＡＮＤフラッシュメモリにあっては、書き替え保証回数が１万回と約１０分の１まで低下している。更に言えば、１万回の書き替え回数を保証できるフラッシュメモリを製造すること自体も困難な状況となっており、多値ＮＡＮＤフラッシュメモリの歩留まりにおいて大きな課題となっている。
【０００６】
半導体メモリカードの寿命は前述したフラッシュメモリの書き替え保証回数によって決まる。従来は、半導体メモリカードを使用するユーザは、これらの製品の寿命は半永久的なものと考えていたが、前述したような信頼性の低いフラッシュメモリを搭載した製品を使用する場合、特に頻繁にデータを書き替えるユーザにおいては、寿命を考慮した使い方、あるいは製品寿命がどの程度のものかを意識した製品購入が重要となってくる。
【０００７】
他の分野においては、例えば特開２００３−１９６５０１号に示されているように、中古品の品質を評価するシステムが提案されているが、半導体メモリカードについてはこのような提案はなされていない。
【特許文献１】特開２００３―１９６５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、インターネットの販売サイトにおける半導体メモリカードに関する情報は、「品番」、「容量」、「新品か中古品か」、「動作が良好かどうか」、「外観写真」といった情報しかなく、購入者からしてみると、どの程度の寿命があるかわからない。極端な場合、購入後に使えなくなる場合があり、社会的問題を引き起こす可能性を孕んでいる。
【０００９】
例えば、書き替え保証回数が１万回の不揮発性メモリを有する容量が４ＧＢの半導体メモリカードにおいて、２５Ｍバイト／秒の記録レートで毎日３０分間ずつ撮影した場合、式（１）により１日で４ＧＢの全領域に対して約１０回の書き替えが発生する。
（３０分／日×６０秒）÷（４ＧＢ÷２５Ｍバイト／秒）＝約１０回／日  ・・・（１）
従って式（２）により１０００日（約３年）で半導体メモリカードの寿命が尽きてしまう。
１万回÷１０回／日＝１０００日  ・・・（２）
【００１０】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、半導体メモリカードを販売するシステムにおいて、半導体メモリカードの寿命すなわち半導体メモリカードが使用できなくなる時期を正確にしかも簡便に購入者が認識できる、不揮発性記録媒体の販売システム及びその販売方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記録媒体の販売システムは、不揮発性記録媒体の寿命に関わる寿命パラメータを保持する不揮発性記録媒体を販売するための販売システムであって、販売を希望する不揮発性記録媒体を登録する商品登録処理部と、前記商品登録処理部に登録される前記不揮発性記録媒体の寿命パラメータを読出す寿命パラメータ読出し部と、読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を表示する寿命情報表示部と、表示された寿命情報に基づいて購入希望者からの購入希望を受け付ける商品購入処理部と、を有するものである。
【００１２】
ここで前記寿命パラメータ読出し部により読出された不揮発性記録媒体の寿命パラメータに基づいて寿命情報を算出する寿命情報算出部を更に有するようにしてもよい。
【００１３】
ここで前記寿命情報表示部は、前記算出された寿命情報に基づいて不揮発性記録媒体の相場価格を同時に表示するようにしてもよい。
【００１４】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記録媒体の販売方法は、不揮発性記録媒体の寿命に関わる寿命パラメータを保持する不揮発性記録媒体を販売する販売方法であって、前記販売対象となる不揮発性記録媒体に関する情報を登録するステップと、前記販売対象となる不揮発性記録媒体の寿命パラメータを読出すステップと、読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を表示するステップと、表示された寿命情報に基づいて購入希望者からの購入希望を受け付ける商品購入処理ステップと、を有するものである。
【００１５】
ここで前記読出された寿命パラメータに基づいて寿命情報を算出するステップを更に有するようにしてもよい。
【００１６】
ここで前記算出された寿命情報に基づいて不揮発性記録媒体の相場価格を表示するステップを更に有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、販売サイトとユーザ端末が接続され、不揮発性記録媒体は、該不揮発性記録媒体の寿命に係る寿命パラメータを発生する機能を有し、販売サイトが、寿命パラメータに基づいて該販売サイトの広告画面に寿命情報を表示するので、不揮発性記録媒体の購入ユーザは、該不揮発性記録媒体の寿命を事前に知ることができ、安心して購入できる。また、ユーザ端末が、該ユーザ端末に接続された不揮発性記憶装置から寿命パラメータを取得できるので、不揮発性記録媒体の販売ユーザは簡単に寿命情報を販売サイトに登録できる。不揮発性記録媒体の価格を寿命情報に応じた価格に設定するようにしたので、適正な価格設定ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施の形態）
本発明の実施の形態に於ける販売システムとこの販売システムを通じて販売される不揮発性記憶装置について説明する。図１は、本発明の実施の形態に於ける販売システムの実施方法を示した説明図である。図１において、不揮発性記憶装置の販売を希望するユーザのＰＣ端末１０がインターネット２０を介して販売サイト３０に接続される。インターネット２０には商品の購入を希望するユーザ側のＰＣ端末４０も接続される。ここで販売サイト３０側のコンピュータには、寿命パラメータ読出し部３１、寿命情報演算部３２、寿命情報表示部３３、商品登録処理部３４及び商品購入処理部３５の各処理を行うブロックが設けられる。寿命パラメータ読出し部３１はＰＣ端末１０に接続される不揮発性記憶装置の寿命パラメータを読出すものである。又寿命情報演算部３２は後述するように、読出された寿命パラメータに基づいて不揮発性記憶装置の寿命情報を演算するものであり、寿命情報表示部３３はその寿命情報を表示するものである。又商品登録処理部３４は販売側のＰＣ端末１０の入力に基づいて商品を登録する処理を行うものであり、商品購入処理部３５は購入者側のＰＣ端末４０からの入力に基づいて商品の購入処理を行うものである。
【００１９】
次に寿命パラメータを保持している不揮発性記憶装置とその不揮発性記憶装置にアクセスするためのアクセス装置について説明する。図２Ａは、本発明の実施の形態により販売される不揮発性記憶装置、図２Ｂはそのアクセス装置を示すブロック図である。図２Ａ，図２Ｂにおいて、不揮発性記憶システムは、アクセス装置１００と不揮発性記憶装置１１０を含んで構成される。アクセス装置１００と不揮発性記憶装置１１０とは、バス１により接続される。不揮発性記憶装置１１０は、メモリコントローラ１２０と不揮発性メモリ１３０を含む。メモリコントローラ１２０と不揮発性メモリ１３０とは、バス２を介して接続される。
【００２０】
メモリコントローラ１２０は、ホストインターフェース１２１、バッファ１２２、読み書き制御部１２３、ＣＰＵ部１２４、パラメータ１確定部１２５、パラメータ２算出部１２６、寿命パラメータ加工部１２７を含む。なお、パラメータ１確定部１２５、パラメータ２算出部１２６、寿命パラメータ加工部１２７をまとめて寿命パラメータ生成部１２８とする。
【００２１】
ホストインターフェース１２１はアクセス装置１００から、データの書き込みや読み出しに係るコマンド、論理アドレスおよびデータを受信したり、データの読み出し時にデータをアクセス装置１００に送信するブロックである。
【００２２】
バッファ１２２は、バス1のテータ転送レートとバス２のデータ転送レートの相違を吸収するために用いられる。そのサイズは、後述する不揮発性メモリ１３０内のレジスタ１３１のサイズの２倍の容量、ここでは４ｋバイトとする。
【００２３】
読み書き制御部１２３はバッファ１２２に一時記憶されたデータを不揮発性メモリ１３０に書き込んだり、不揮発性メモリ１３０に記憶されたデータをバッファ１２２に読み出すためのブロックである。
【００２４】
ＣＰＵ部１２４は、メモリコントローラ１２０の全体を制御したり、アクセス装置１００から受信した論理アドレスに基づいて不揮発性メモリ１３０の物理アドレスを生成する。ＣＰＵ部１２４は又後述する寿命パラメータ保持部に保持されている寿命パラメータをアクセス装置からの指示に応じて外部に出力する出力部の機能を有している。
【００２５】
パラメータ１確定部１２５は、不揮発性メモリ１３０のＩＤコード１３４を参照して、不揮発性メモリ１３０の容量に応じて不良ブロック数の許容容量であるパラメータ１を確定するブロックである。パラメータ１確定部１２５は図３に示すようにＲＯＭなどのメモリに不揮発性メモリの種別情報テーブルを含んでいる。種別情報テーブルは不揮発性メモリの種類を示すＩＤコード０ｘ０，・・・について、全容量、物理ブロックサイズや書き換え保証回数を示すテーブルである。パラメータ１確定部１２５はこのテーブルに基づいて算出した不良ブロック数の許容容量をパラメータＰ１として保持する。
【００２６】
パラメータ２算出部１２６は、不揮発性メモリ１３０へのデータの書き込みにおいてエラーとなった物理ブロック数の累積値をパラメータＰ２としてカウントするブロックである。
【００２７】
寿命パラメータ加工部１２７はタイマ回路を内蔵しており、パラメータＰ１，Ｐ２を用いて後述するように第１〜第５の寿命パラメータに加工するブロックである。このタイマ回路は不揮発性記憶装置１１０に電源が投入されている間は、常に時間を計数しているものとする。
【００２８】
不揮発性メモリ１３０は、レジスタ１３１、メモリセルアレイ１３２、及び制御回路１３３を有する。レジスタ１３１は後述する書き込み単位であるページのサイズと等しいサイズを有する揮発性ＲＡＭであり、読み書き制御部１２３から転送されたデータを一時保持する。メモリセルアレイ１３２は例えば１Ｇバイトの容量を有するフラッシュメモリであり、複数の物理ブロックから構成される。
【００２９】
制御回路１３３は不揮発性メモリ１３０を識別するためのＩＤコード１３４を保持するとともに、読み書き制御部１２３から転送された書き込み命令や物理アドレスに基づいてレジスタ１３１とメモリセルアレイの制御を行う回路である。ＩＤコード１３４は不揮発性メモリ１３０の種類を識別できるコードであって、フラッシュメモリの製造時にあらかじめ制御回路１３３のＲＯＭ等に記憶されている。なお、ＩＤコード１３４はメモリセルアレイ１３２内の一部の領域に予め書き込んでおくようにしても構わない。
【００３０】
図４はメモリセルアレイ１３２の構成を示す図である。本図に示すようにこのメモリアレイは１ＧＢの容量を有するものとし、０〜４０９５までの物理ブロック（ＰＢ０ｘ０〜ＰＢ０ｘｆｆｆ、０ｘは１６進数を示す）から構成される。各物理ブロックは図５に示すように物理ページ番号ＰＰＮ０〜１２７までの１２８ページから構成される。そのうちデータ領域は１ページ当たり２ｋバイトとする。その他１ページ当たり６４バイトの管理領域を有する。各ページのデータ領域には、通常アクセス装置１００から転送されたデータが記憶される。管理領域にはエラー訂正用のＥＣＣコードなどが記憶される。物理ブロックは消去の単位であり、ページは書き込みの単位である。各物理ブロックのデータ領域サイズは２５６ｋバイトとなる。レジスタ１３１のサイズは、ページ分の容量に合わせて２ｋバイトとする。
【００３１】
図６はこの不揮発性メモリ１３０の論理アドレス空間と物理アドレス空間との対応を示すメモリマップを示す図である。ここで物理アドレス空間は前述のように４０９６ブロックで構成され、このうち３８１５ブロック分の通常領域１３５、１０ブロック分のレジスタ領域１３６、１８９ブロック分のシステム領域、及び８２ブロック分のスペア領域１３８を有している。これらの領域は後述する初期化処理によって形成される。レジスタ領域１３６内には寿命パラメータ保持ブロック１３９が設けられる。寿命パラメータ保持ブロック１３９は後述する寿命パラメータを保持する寿命パラメータ保持部である。
【００３２】
アクセス装置１００は、不揮発性記憶装置１１０へのデータの書き込みおよび読み出しを行う装置であり、内部に寿命パラメータ受信部１０１、表示部１０２を含む。寿命パラメータ受信部１０１は寿命パラメータ保持ブロック１３９が保持する寿命パラメータを読み出すブロックである。表示部１０２は、制御回路１０３と表示回路１０４とを含む。制御回路１０３は内部にタイマ回路１０５を有し、表示回路１０４への表示指示や寿命パラメータ受信部１０１に受信指示を転送する回路である。表示回路１０４はパラメータ１やパラメータ２に基づいて不揮発性記憶装置１１０に寿命に係る情報を表示する回路である。
【００３３】
さてＣＰＵ部１２４は図７に示す物理領域管理テーブルと図８に示す論理物理変換テーブルを含んでいる。物理領域管理テーブルは各物理ブロック番号ＰＢＮに対応して各物理ブロックのブロックステータス、即ち有効ブロック、不良ブロック、消去済みブロックを夫々００，１０，１１の２ビットで示すものである。又論理物理変換テーブルは論理ブロック番号ＬＢＮを物理ブロック番号ＰＢＮに変換するためのテーブルである。
【００３４】
以上のように構成された不揮発性記憶システムについて、初期状態、電源立ち上げ時の初期化処理、通常動作時のデータ書き込み処理にわけて説明する。
【００３５】
［初期状態］
まず、不揮発性記憶装置１１０の出荷前において、半導体メモリカードメーカ側で処理する初期化の内容について説明する。
【００３６】
図６はアクセス装置１００が管理する論理アドレス空間と、不揮発性記憶装置１１０の物理アドレス空間との対応を表しており、物理アドレス空間よりも論理アドレス空間の方が狭い空間となっている。半導体メモリカードの出荷前には、あらかじめ不揮発性メモリ１３０の全領域の書き替え試験により不良ブロックを調べる。この時点で見つかった不良ブロックを「初期不良ブロック」といい、図７の物理領域管理テーブルの対応する物理ブロック番号のブロックステータスを、後の行程で不良ブロックに設定できるように、不良ブロックの物理ブロック番号を管理しておく。
【００３７】
次に、全領域を消去した後、図６のシステム領域１３７にセキュア情報などのシステム情報を記憶させる。更に、図７に示す物理領域管理テーブル（１ｋバイト分）や図８に示す論理物理変換テーブル（６ｋバイト分）をシステム領域１３７内の不良ブロックではない物理ブロックに記憶させる。なお、物理領域管理テーブルにおいて不良ブロックのブロックステータスを値１０に設定し、不良ブロックではない物理ブロックのブロックステータスは値１１に設定しておく。論理物理変換テーブルの各行には０ｘｆｆｆを設定しておく。又レジスタ領域１３６に不揮発性記憶装置（半導体メモリカード）としての属性情報、例えばカード容量などを記憶させる。
【００３８】
レジスタ領域１３６やシステム領域１３７のサイズは、不揮発性記憶装置の品種によって異なるが、本実施の形態においては、レジスタ領域を１０ブロック分（２５６０ｋバイト分）、システム領域として１８９ブロック分（４８３８４ｋバイト分）とする。
【００３９】
通常領域１３５は、アクセス装置１００から送出された画像や音楽データなどのいわゆるファイルデータと、ファイルデータを管理する為の管理情報（ＦＡＴ情報など）が記憶される。ファイルデータと管理情報を総称して単にデータとする。スペア領域１３８は、各領域への書き込みにおいて不良ブロックが発生した際に、該不良ブロックの代替先として確保された領域である。スペア領域１３８は全領域のサイズに対して２％以上の容量を確保することが好ましい。その理由は、フラッシュメモリメーカによる書き替え保証の回数の規定に基づく。例えばこの保証回数が１万回とは、１万回書き替えによって発生する不良ブロックサイズが全領域のサイズの２％未満を意味する。本実施の形態においては、スペア領域１３８として式（３）から、切り上げ処理により８２ブロック個を確保した。
（１Ｇバイト／２５６ｋバイト）×２％≒８２ブロック  ・・・（３）
【００４０】
但し、不揮発性記憶装置の品種によっては、レジスタ領域１３６やシステム領域１３７のサイズが比較的大きなものもあり、スペア領域１３８は８２ブロックより小さくなる場合がある。
【００４１】
さて書き換えを繰り返すと、スペア領域１３８を全て使い果たし、不揮発性記憶装置としてデータの記録ができなくなる。この時期を管理するために、レジスタ領域１３６の最終の物理ブロックに寿命パラメータ保持ブロック１３９を設けた。寿命パラメータ保持ブロック１３９はアクセス装置１００からみると、論理アドレス空間の最終論理ブロック番号、即ちＬＢＮ＝３８２４に配置される。したがって、図８に示す論理物理変換テーブルの論理ブロック番号ＬＢＮが３８２４の位置には、物理ブロック番号ＰＢＮとして３８２４（１６進数で０ｘｅｆｄ）を記憶させておくこととなる。
【００４２】
図９は寿命パラメータ保持ブロック１３９を示す図である。この物理ブロックでは、物理ページ番号０ｘ０に寿命パラメータを記憶する。物理ページ番号０ｘ０の下位バイト、すなわちバイト番号０から降順に、パラメータＰ１、パラメータＰ２、スペアブロック使用率、寿命予測時期パラメータ、警告フラグ、及び不良ブロック率を配置する。これらのパラメータやフラグを総称して寿命パラメータという。
【００４３】
パラメータＰ１は不良ブロックの許容容量、すなわちスペア領域の物理ブロック数（８２ブロック個）となる。一方、パラメータＰ２は不良ブロックの発生容量、すなわちその時点で発生している不良ブロック数である。本実施の形態においては、不良ブロック数は初期化状態で例えば１個であるとする。パラメータＰ１とパラメータＰ２の値は、図９に示すように寿命パラメータ保持ブロックの物理ページ番号０のバイト番号０と１に記憶される。
【００４４】
［電源立ち上げ時の初期化処理］
アクセス装置１００の電源の立ち上げにより、バス１を通じて不揮発性記憶装置１１０も電源が立ち上がり、不揮発性記憶装置１１０は初期化処理に移行する。初期化処理において、ＣＰＵ部１２４は読み書き制御部１２２を介してシステム領域１３７に記憶されている物理領域管理テーブルと論理物理変換テーブルを、ＣＰＵ部１２４内部の揮発性ＲＡＭに一時保持する。以降、データの読み出しや書き込みにおいては、ＣＰＵ部１２４内のＲＡＭに一時記憶されたこれらのテーブルを用いて、物理アドレスを決定する。また、各テーブルの更新がなされた場合は、電源遮断対策のため、その都度不揮発性メモリ１３０に書き戻す。
【００４５】
次に、パラメータ１確定部１２５は読み書き制御部１２３を介してＩＤコード１３４を読み出し、図３に示すメモリ種別テーブルを参照する。例えばＩＤコードが０ｘ４の場合は、不揮発性メモリ１３０は、容量が１Ｇバイトで、物理ブロックサイズが２５６ｋバイトで、書き換え保証回数が１万回であることがわかる。なお、本実施の形態においては、書き換え保証回数は参照しない。パラメータ１確定部１２５は式（３）を実行することにより、スペア領域のブロック数として８２ブロックを算出し、パラメータ１確定部１２５内に保持しておく。
【００４６】
次に、ＣＰＵ部１２４は、バッファ１２２を全クリアし、ホストインターフェース１２１を介してアクセス装置１００に対して初期化が完了したことを通知する。
【００４７】
パラメータ２算出部１２６は、物理領域管理テーブルを参照し、ブロックステータスが値１０、すなわち不良ブロックの個数をカウントし、カウント値をパラメータＰ２としてパラメータ２算出部１２６内に保持しておく。なお、出荷直後であれば前述のように不良ブロック数が１であるとすると、パラメータＰ２は値１となる。
【００４８】
寿命パラメータ加工部１２７は、寿命パラメータとして下記の５種類のパラメータを生成する。尚、本実施の形態ではこの５種類の全てを実行しているが、そのうちの一部のみを実行してもよい。
（１）パラメータＰ１，Ｐ２
第１のパラメータは、不揮発性メモリ１３０のメモリ不良の許容容量、即ちスペア領域１３８の物理ブロック数であるパラメータＰ１と、不揮発性メモリ１３０のメモリ不良の許容容量、すなわち実際に不良ブロックとなった物理ブロック数であるパラメータＰ２そのものである。寿命パラメータ加工部１２７は、パラメータ１確定部１２５が内部に保持しているパラメータＰ１を読み出し、寿命パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号０に記憶させる。なお前述したように、出荷前の工程においてパラメータＰ１としてパラメータ保持ブロック１３９に記憶しておけば、寿命パラメータ保持ブロック１３９への書き込みは不要となる。次に寿命パラメータ加工部１２７は、パラメータ２算出部１２６が内部に保持しているパラメータＰ２を読み出し、パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号１に記憶させる。つまり第１のパラメータの生成処理では、寿命パラメータ加工部１２７は、単にパラメータＰ１とパラメータＰ２をそれぞれパラメータ１確定部１２５とパラメータ２算出部１２６から読み出し、寿命パラメータ保持ブロック１３９に書き込むだけの処理を行う。
【００４９】
（２）スペアブロック使用率
第２のパラメータは、メモリ不良の許容容量であるスペア領域の物理ブロック数に対して、現在の不良ブロックに代えて使用している物理ブロック数の使用率を表すものである。寿命パラメータ加工部１２７は、式（４）によってスペアブロック使用率を求め、この使用率を寿命パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号２に記憶する。
スペアブロック使用率＝Ｐ２／Ｐ１  ・・・（４）
スペアブロック使用率は、不揮発性メモリのメモリ不良の許容容量に対するメモリ不良の発生容量の比に関するパラメータとなっている。
【００５０】
（３）寿命残時間パラメータ
第３のパラメータは、不揮発性記憶装置１１０の寿命の予測残り時間を表す。寿命パラメータ加工部１２７は、以下の式（５）によって寿命残時間パラメータを求める。ここでＴｎは、出荷時を起点として不良ブロック数ｎ個に到達するまでの積算通電時間である。Ｔｎは寿命パラメータ加工部１２７が内蔵するタイマ回路によって計数される。ｖｎは不良ブロック数ｎ個に到達するまでの速度、即ち単位時間当たりの発生不良ブロック数（個／秒）であり、Ｖｍは不良ブロック発生平均速度である。
寿命残時間パラメータ＝（Ｐ１−Ｐ２）／Ｖｍ  ・・・（５）
Ｖｍ＝（ｖ１＋ｖ２＋・・・＋ｖｎ）／ｎ
ｖｎ＝ｎ／Ｔｎ
【００５１】
図１０は時間の経過によるパラメータＰ２の増加及びこれに基づいて算出される速度を示す。現在の発生不良ブロック数がｎ個とすると、平均速度でパラメータＰ１の不良ブロック数に達するまでの時間が寿命残時間パラメータとなる。
【００５２】
寿命パラメータ加工部１２７は、後述するとおり、不揮発性メモリ１３０へのデータ書き込みにおいてエラーが発生し、物理領域管理テーブルに不良ブロックの登録をした際に、式（５）を実行する。ｖ１〜ｖｎ，Ｖｍ及びＴｎは逐次不揮発性メモリのシステム領域の一部の領域に保持しておく。こうして求めた寿命残時間パラメータを寿命パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号３に記憶させる。
【００５３】
（４）警告フラグ
第４のパラメータは、寿命パラメータ加工部１２７が式（６）を実行することによってセットされる警告フラグである。すなわち、前述した寿命残時間パラメータが、閾値を超えた時にセットされ、寿命パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号４に記憶される。なお、出荷前の初期状態においては、警告フラグは値０とする。
警告フラグ＝１（寿命残時間パラメータ＜閾値の時）
警告フラグ＝０（寿命残時間パラメータ≧閾値の時）  ・・・（６）
こうすれば寿命がつきる所定時間前、例えば数時間より短くなれば警告フラグが設定されることとなる。
【００５４】
（５）不良ブロック率
第５のパラメータは不良ブロックの比率を示すパラメータである。寿命パラメータ加工ブロック１２７は、以下の式（７）を実行することによって不良ブロック率を求める。
不良ブロック率＝Ｐ２／全物理ブロック数  ・・・（７）
この不良ブロック率は寿命パラメータ保持ブロック１３９の物理ページ番号０のバイト番号５に保持される。不良ブロック率は不揮発性メモリの全容量に対するメモリ不良の発生容量の比に関するパラメータとなっている。この不良ブロック率が０．０２となれば、この不揮発性記憶装置の寿命が尽きたこととなる。
【００５５】
［通常動作時のデータ書き込み処理］
アクセス装置１００が、２ｋバイト分のデータを書き込む場合について、説明する。なおここでは論理ブロック番号、ＬＢＮ＝０に２ｋバイト分のデータが既に書き込まれており、同じ論理ブロックに２ｋバイト分のデータを書き込む場合を例にして説明する。図１１Ａは、書き込みエラーが発生しない場合、図１１Ｂは１回の書き込みエラーがある場合、図１１Ｃは２回の書き込みエラーがある場合について示した説明図である。
【００５６】
図１１Ａにおいて、物理ブロックＰＢ０ｘ１０のページ０に２ｋバイト分のデータが書き込まれている。その後、アクセス装置１００から同じ論理ブロックアドレスＬＢＮ０に対して続く２ｋバイト分のデータの書き込み指示がなされる。不揮発性記憶装置は、ホストインターフェース１２１を介して２ｋバイト分のデータを受信し、バッファ１２２に保持する。ＣＰＵ部１２４は内部に保持した論理物理変換テーブルの論理ブロック番号ＬＢＮ０に対応する物理アドレスを参照する。この論理アドレスには物理ブロックＰＢ０ｘ１０の物理ブロック番号（ＰＢＮ＝１６）が記憶されており、物理領域管理テーブルのＰＢＮ＝１６のメモリ位置のブロックステータスは値００、すなわち有効ブロックに設定されている。
【００５７】
ＣＰＵ部１２４は、物理ブロックＰＢ０ｘ１０を旧ブロックとし、物理領域管理テーブルに基づき消去済みブロックである物理ブロックＰＢ０ｘ２５を新ブロックとして取得し、書き込みを開始する。
【００５８】
まず図１１Ａの矢印Ａに示すように、旧ブロックである物理ブロックＰＢ０ｘ１０のページ０に既に記憶されている２ｋバイト分のデータを、物理ブロックＰＢ０ｘ２５のページ０に退避する。次いでＣＰＵ部１２４はバッファ１２２に一時記憶された２ｋバイト分のデータと、物理ブロックＰＢ０ｘ２５のページ１に対応する物理アドレスを読み書き制御部１２３に転送し、レジスタ１３１を介して、物理ブロックＰＢ０ｘ２５のページ１に新たに２ｋバイト分のデータを書き込む。図１１Ａの矢印Ｂはこの書き込みを示す。退避処理Ａや書き込み処理Ｂにおいて、ＣＰＵ部１２４は、不揮発性メモリ１３０から書き込みステータスを受信し、エラーがない場合は正常終了となる。
【００５９】
図１１Ｂ及び図１１Ｃは書き込みステータスにエラーがある場合の状態を示す。図１１Ｂは再書き込みよって正常終了した場合、図１１Ｃは再書き込みにおいてもエラーが発生したため、それ以上の再書き込みを断念して、アクセス装置１００にエラーをかえす場合である。これらの処理について、図１２のフローチャートを用いて説明する。なお、簡単のため退避処理については説明を省略し、書き込みのみに着目して説明する。
【００６０】
図１２において、前述したように、ＣＰＵ部１２４が物理領域管理テーブルを参照することにより消去済みの物理ブロックＰＢ０ｘ２５を取得し（Ｓ１０）、物理ブロックＰＢ０ｘ２５のページ１に２ｋバイト分のデータを書き込む（Ｓ１１）。書き込み後に不揮発性メモリ１３０から書き込みステータスを受信し、エラーがあるかどうかを判定する（Ｓ１２）。エラーがなければ、ＣＰＵ部１２４が物理領域管理テーブルの物理ブロックＰＢ０ｘ２５のブロックステータスを有効、即ち値００とし、また論理物理変換テーブルの指定された論理ブロックアドレスに物理ブロック番号を登録して、正常終了する（Ｓ１３）。エラーがあれば、ＣＰＵ部１２４は物理領域管理テーブルを参照してスペア領域１３８の消去済みの物理ブロック、例えばＰＢ０ｘｆｆ０を取得する（Ｓ１４）。そしてＳ１５において物理ブロックＰＢ０ｘｆｆ０のページ０に退避データを書き込み（矢印Ｃ）、ページ１に２ｋバイト分のデータを書き込む（矢印Ｄ）。書き込み後に不揮発性メモリ１３０から書き込みステータスを受信し、エラーがあるかどうかを判定する（Ｓ１６）。エラーがあれば、アクセス装置１００にエラーをかえし、異常終了する。エラーがなければ、パラメータＰ２をインクリメントし、各寿命パラメータを更新する（Ｓ１８）。次いでＣＰＵ部１２４が物理領域管理テーブルの物理ブロックＰＢ０ｘｆｆ０のブロックステータスを有効、即ち値００とし、また論理物理変換テーブルの対応する論理アドレスに物理ブロック番号を登録する（Ｓ１９）。さらに、ＣＰＵ部１２４が物理領域管理テーブルの物理ブロックＰＢ０ｘ２５のブロックステータスを不良ブロック、即ち値１０として、正常終了する（Ｓ２０）。
【００６１】
Ｓ１８の処理について、詳細に説明する。Ｓ１８において、ＣＰＵ部１２４が寿命パラメータ生成部１２８に対してパラメータＰ２のインクリメント指示を転送すると、パラメータ２算出部１２６は、寿命パラメータ保持ブロック１３９に保持されたパラメータＰ２を読み出し、その値を１インクリメントする。さらに、寿命パラメータ加工部１２７が、インクリメントされたパラメータＰ２に基づき、第２〜第５の寿命パラメータを更新し、寿命パラメータとパラメータ２を寿命パラメータ保持ブロック１３９に書き戻す。
【００６２】
次にアクセス装置１００は、寿命パラメータ保持ブロック１３９内の寿命パラメータの読み出しコマンドを不揮発性記憶装置１１０に与えると、不揮発性記憶装置１１０は寿命パラメータ保持ブロック１３９のデータを読み出し、ホストインターフェースを介してアクセス装置１００に出力する。アクセス装置１００は寿命パラメータ受信部１０１によってこのデータを読み出す。表示部１０２は転送された寿命パラメータを表示する。なお、寿命パラメータとして、パラメータＰ１とＰ２、スペアブロック使用率、寿命予測時期パラメータ、警告フラグ、及び不良ブロック率があるが、アクセス装置１００は、これらを全て表示してもよいし、選択的に表示してもよい。また、これらのパラメータをアクセス装置１００側で加工して表示してもよい。また、アクセス装置１００が寿命パラメータ保持ブロック内の寿命パラメータを参照するタイミングは、任意のタイミング、例えば電源立ち上げ後の初期化時であってもよく、あるいは定期的なタイミングでよい。
【００６３】
また、アクセス装置１００側が、パラメータＰ１に対応する情報、すなわち不揮発性記憶装置１１０のメモリ不良の許容容量に関する情報を予め把握している場合は、アクセス装置１００はパラメータＰ２のみを逐次参照することで、不揮発性記憶装置１１０の寿命を認識することが可能となる。このような場合とは、例えば、規格上で不良ブロックの発生率を２％と規定し、初期化時に不揮発性記憶装置１１０の容量（例えば１Ｇバイト）を認識するようにすれば、アクセス装置１００側がこれらの情報に基づいて各寿命パラメータを計算することが可能となる。アクセス装置１００が寿命パラメータを表示することにより、ユーザは不揮発性メモリ１３０の寿命を正確に認識できるようになる。
【００６４】
次に、図１３を用いて不揮発性記憶装置１１０の外観について説明する。図１３において、２００は不揮発性記憶装置１１０の筐体、２０１は筐体２００に貼付けられたシールである。不揮発性記憶装置１１０の寿命が比較的長いものは、シール２０１に「Ｌｏｎｇ  Ｌｉｆｅ」と明記し、短命のものは「Ｓｈｏｒｔ  Ｌｉｆｅ」と明記する。これにより、ユーザは不揮発性記憶装置１１０の購入前に、不揮発性記憶装置１１０をアクセス装置１００に装着して使用しなくても、ある程度の寿命の目安がつけられる。また、筐体２００の色を変えたり、あるいは形状を変えることによって、不揮発性記憶装置１１０の寿命の長短を判別するようにしても構わない。半導体メモリメーカ側は、各ロットのフラッシュメモリをサンプルとして抽出し、寿命を測定することにより、「Ｌｏｎｇ  Ｌｉｆｅ」か「Ｓｈｏｒｔ  Ｌｉｆｅ」の表示を決めるようにすればよい。
【００６５】
「Ｓｈｏｒｔ  Ｌｉｆｅ」と明記された不揮発性記憶装置１１０には、フラッシュメモリメーカ側での書き換え保証試験で不合格となったもの、すなわち書き換え保証回数が１万回に満たない不揮発性メモリを使用することもできる。このような低品質の不揮発性メモリは低価格であり、不揮発性記憶装置１１０の価格も低く設定できる。これは、音楽再生などの書き換えを頻繁に行わない用途に使用するユーザにとっては好都合であり、ユーザは用途に応じて不揮発性記憶装置１１０を選択して購入することが可能となる。
【００６６】
なお、寿命パラメータ保持ブロック１３９は、メモリコントローラ１２０内に不揮発性メモリを設け、そこに記憶させるようにしてもよい。また不揮発性記憶メモリ１３０は、フラッシュメモリ以外の不揮発性メモリ、例えば抵抗変化型メモリなどの不揮発性ＲＡＭでもよい。またパラメータＰ１やパラメータＰ２は物理ブロック数を単位としたパラメータであったが、ページ数やバイト数など、メモリ容量に関する単位であれば何でも良い。また表示部１０２は、寿命パラメータのみを表示する特別の表示回路でなくてもよい。例えばデジタルスチルカメラのように標準装備されているＬＣＤモニターに表示させるようにしてもよい。又不揮発性記憶装置の表面に、例えば特開２００５−２６７１８８号などに示されている電子ペーパーを設け、この電子ペーパーに寿命パラメータ加工部で加工された各寿命パラメータ、又は一部の寿命パラメータを表示するようにしてもよい。
【００６７】
さて上述した不揮発性記憶装置１１０を販売のため登録する場合の処理について、フローチャートに基づいて説明する。図１４は販売側のＰＣ端末１０を介して販売を希望するユーザ（以下、ユーザＡという）が販売サイト３０に商品の登録をする場合の、販売サイト側の処理を示すフローチャートである。中古品となった不揮発性記憶装置１１０を販売したいユーザは、ＰＣ端末１０から販売サイト３０にアクセスして登録処理を行う。登録処理を開始すると、まずステップＳ３１において販売ユーザの登録確認処理を行う。そして販売商品があるかどうかを判別し（ステップＳ３２）、販売商品があれば、ステップＳ３３に進んで商品情報の入力を促す。販売側のユーザから販売を希望する商品の入力があれば、その商品情報の入力が完了するまで商品情報の入力指示を継続する。販売サイト側は、「１．商品登録Ｎｏ」と「２．ジャンル」を判別し、図１５に示す広告画面５１に登録表示するとともに、ユーザＡが登録した「３．商品名」と「４．状態」を登録表示する。商品情報の入力が完了すると、ステップ３４からステップＳ３５に進んで、販売を希望する商品が不揮発性記憶装置かどうかを判別する。不揮発性記憶装置であれば、ステップＳ３６においてその不揮発性記憶装置を販売者側のＰＣ端末１０のスロットに挿入するように指示を出す。
【００６８】
そしてユーザが不揮発性記憶装置１１０をスロットに挿入すると、不揮発性記憶装置１１０にはＰＣ端末１０から電源が供給され、初期化動作に移行する。初期化において、ＰＣ端末１０は不揮発性記憶装置１１０が保持する寿命パラメータを読み取り、販売サイト３０はＰＣ端末１０を介してその不揮発性記憶装置１１０にアクセスして、不揮発性記憶装置１１０内に保持されている寿命パラメータを読出す（ステップＳ３７）。ここで読出す寿命パラメータは前述したパラメータＰ１，Ｐ２、及び寿命パラメータ加工部１２７に保持されている書き換え保証回数とする。次にステップＳ３８に進んで販売サイト３０は、寿命パラメータに基づいて寿命情報を演算し、広告画面５１に「５．カード年齢と６．カード寿命」を表示し、ユーザに確認させる。「５．カード年齢と６．カード寿命」とは不揮発性記憶装置の中古度合いを、人間の年齢に例えたものである。また、補足的に表示されている「※７．寿命１００歳とは書き換え保証回数１万回のフラッシュメモリを搭載した短命タイプです。」とは、不揮発性記憶装置１１０が主記憶メモリとして内蔵する不揮発性メモリ（例えばフラッシュメモリ）の書き換え保証回数に関する表示である。そしてその商品の相場価格を提示し、ユーザＡに確認してもらうと共に（ステップＳ３９）、ユーザＡの販売希望価格を促す（ステップＳ４０）。ユーザＡから希望価格の入力があれば（ステップＳ４１）、ステップＳ４２に進んで販売条件を確認し、商品の登録処理を行う（ステップＳ４３）。
【００６９】
次にステップＳ３８〜Ｓ３９の処理について更に説明する。図１６は寿命パラメータと寿命情報の対応関係を示すテーブルである。ここで寿命パラメータとは、不揮発性記憶装置１１０から読み出せるパラメータであり、寿命情報は寿命パラメータに基づいて販売サイト３０側で生成する情報である。販売サイト３０は、転送されたパラメータＰ１、パラメータＰ２、書き換え保証回数に基づき、「カード年齢」と「カード寿命」を式（８）及び式（９）に従って算出する。
カード年齢＝（パラメータＰ２／パラメータＰ１）×（カードの寿命）  ・・・（８）
カードの寿命＝（書き換え保証回数／１００００回）×１００歳  ・・・（９）
【００７０】
式（９）において、書き換え回数が１００００回のメモリを有する不揮発性記憶装置１１０はカード寿命１００歳であり、これを基準としてカード年齢を算出する。尚カード年齢はパラメータＰ２に対応し、カード寿命はパラメータＰ１に対応している。
【００７１】
次に、販売サイト３０は、こうして算出したカード年齢とカード寿命に基づいて、相場価格を設定する。相場価格とは、新品における価格に対して、中古の度合いであるカード年齢とカード寿命を見込んだ一般的な価格である。販売を希望するユーザＡは、この相場価格を目安にして希望価格を登録することができる。
【００７２】
次に、不揮発性記憶装置１１０を購入したいユーザ（以下、ユーザＢという）は、ＰＣ端末４０から販売サイト３０にアクセスする。以下この処理について図１７のフローチャートを用いて説明する。
【００７３】
購入を希望するユーザがＰＣ端末４０及びインターネット２０を介して販売サイト３０側にアクセスすると、登録されている商品の概要を表示する（ステップＳ５１）。これには商品ジャンル等や商品名、状態等の概要が含まれる。そして商品が選択されたかどうかを判別する（ステップＳ５２）。商品が選択されると、その商品情報の詳細を表示する（ステップＳ５３）。そしてステップＳ５４に進んで選択された商品が不揮発性記憶装置かどうかを判別する。不揮発性記憶装置が選択された場合にはステップＳ５４に進んで図１６に示す寿命情報も同時に表示する。次に購入申し込みがあるかどうかを判別する（ステップＳ５６）。そして、広告内容がユーザの要求に合致すればユーザ購入申し込みボタン５２をクリックして、不揮発性記憶装置１１０の購入要求を販売サイト３０に通知する。申し込みがあればステップＳ５７に進んでユーザの確認処理を行い、更にステップＳ５８において購入処理を行って処理を終える。販売サイト３０は、購入要求を登録したユーザＡに連絡し、商談が成立する。それ以降の商品受け渡しや代金の集金については、従来のインターネットを介した通信販売等に従うものとし、説明を省略する。
【００７４】
なお、この実施の形態ではユーザが不揮発性記憶装置１１０をＰＣ端末１０に装着すると、寿命パラメータを自動的に販売サイト３０に転送し、販売サイト３０が、ＰＣ端末１０から転送された寿命パラメータに基づいて寿命情報を算出し広告画面に寿命情報を表示するようにした。これに代えてユーザＡが、不揮発性記憶装置１１０をデジタルスチルカメラや携帯電話等の別の機器に装着したときに表示される寿命パラメータの写真を販売サイト３０に掲示したり、また、ユーザＡが、寿命パラメータを確認し、それを販売サイト３０の広告画面５１に入力するようにしてもよい。その場合は、販売サイト３０は、寿命情報を表示する部分をブランクとしておき、ユーザＡに対して、寿命情報などの不揮発性記憶装置１１０の寿命に係る情報を入力することを促せばよい。但し、虚偽申告や入力ミスがあった場合の対応処置をルール化しておく必要がある。
【００７５】
またこの実施の形態ではユーザが不揮発性記憶装置１１０をＰＣ端末に装着したときに寿命パラメータのうちＰ１，Ｐ２と書き換え保証回数を販売サイト３０に転送するようにしたが、販売サイト側でこのパラメータに基づいて寿命情報を算出することなく得られた寿命パラメータをそのまま表示するようにしてもよい。又他の寿命パラメータであるスペアブロック使用率や寿命残時間パラメータ、警告フラグの有無及び不良ブロック率のうちの少なくとも１つを転送して、これを表示するようにしてもよい。
【００７６】
また本実施の形態では、寿命情報の表現の仕方として、「カード年齢」や「カード寿命」といったように人の年齢に例えた表現としたが、この表現方法については、販売サイトで自由に決めればよい。また、寿命パラメータから寿命情報への変換をＰＣ端末１０で実施し、ＰＣ端末１０はインターネット２０を介して販売サイトに寿命情報を転送するようにしても構わない。また、寿命情報は寿命パラメータそのものであっても構わない。
【００７７】
また、不揮発性記憶装置１１０としては、記録媒体としての正確な寿命情報を外部から読み出せるものであれば、不揮発性記憶装置以外の不揮発性記録媒体、例えば光ディスクやテープメディアなどの媒体であってもよい。
【００７８】
また、不揮発性メモリ１３０への書き込みにおいて、ＣＰＵ部１２４が各物理ブロックの書き換え回数を計数し、書き換え回数の最大値を算出した上でシステム領域に保持しておくようにしてもよい。この場合はＰＣ端末１０が不揮発性記憶装置１１０から、書き換え回数の最大値と書き換え保証回数を読み出し、販売サイト３０が式（１０）と式（１１）に基づいてカード年齢と寿命を算出する。
カード年齢＝書き換え回数／１００回  ・・・（１０）
寿命＝書き換え保証回数／１００回  ・・・（１１）
但し、この場合は、書き換え保証回数を基準とした寿命情報となるので、前述した本発明の実施の形態のような実際的な寿命ではなく目安に過ぎない。
【００７９】
以上のように、本実施の形態に示す販売システムは、販売サイト３０とＰＣ端末１０，４０がインターネット２０を介して接続され、不揮発性記憶装置１１０は、不揮発性記憶装置１１０の寿命に係る寿命パラメータを発生する機能を有し、販売サイト３０が、寿命パラメータに基づいて広告画面５１に寿命情報を表示する。従って不揮発性記憶装置１１０の購入ユーザは、不揮発性記憶装置１１０の寿命を事前に知ることができ、安心して購入できる。また、ＰＣ端末１０が、不揮発性記憶装置１１０から寿命パラメータを取得できるので、不揮発性記憶装置１１０の販売ユーザは簡単に寿命情報を販売サイト３０に登録できる。また、不揮発性記憶装置１１０の価格を寿命情報に応じた価格に設定するようにしたので、適正な価格設定ができる。
【００８０】
また、本実施の形態においては、不揮発性記憶装置１１０が中古品であることを前提に説明したが、新品を販売する場合においても、この技術は適用できる、すなわち販売サイト３０が、不揮発性記憶装置１１０を販売する前に、その寿命に係る情報を広告画面５１に表示すればよい。この場合は、新品であるので「６．カード寿命」に関する情報は不揮発性記憶装置１１０の種類によって異なる。
【００８１】
更に本実施の形態においてはインターネットを介してＰＣ端末１０，４０を接続するようにしているが、他の通信経路を用いて又は直接に販売サイトとのデータ伝送を行って寿命パラメータや寿命情報を表示するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明にかかる販売システムは、半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置をネット上のサイトで販売する販売システムに関するものであり、不揮発性記憶装置の寿命を客観的に判断することにより中古品の販売サイトによるリユースが促進でき、循環型社会の実現において有益である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態における販売システムの全体構成を示す概略図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムの不揮発性記憶装置を示すブロック図である。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムのアクセス装置を示すブロック図である。
【図３】パラメータ１確定部１２５に含まれるメモリ種別テーブルを示すメモリマップである。
【図４】論理アドレス空間と物理アドレス空間との対応を示すメモリマップである。
【図５】メモリセルアレイ１３２を構成する物理ブロックを示す説明図である。
【図６】物理ブロックの構成を示す説明図である。
【図７】ＣＰＵ部１２４に含まれる物理領域管理テーブルを示すメモリマップである。
【図８】ＣＰＵ部１２４に含まれる論理物理変換テーブルを示すメモリマップである。
【図９】寿命パラメータ保持ブロックの構成を示す説明図である。
【図１０】パラメータＰ２の時間推移を示すグラフである。
【図１１Ａ】データの書き込み時にエラーがない場合を表す説明図である。
【図１１Ｂ】データの書き込み時にエラーがある場合を表す説明図である。
【図１１Ｃ】データの書き込み時にエラーがある場合を表す説明図である。
【図１２】データ書き込み処理を示すフローチャートである。
【図１３】不揮発性記憶装置のパッケージを示す外観図である。
【図１４】本実施の形態による販売を希望するユーザの商品情報の登録処理を示すフローチャートである。
【図１５】販売サイトにおける広告画面の一例を示す図である。
【図１６】本実施の形態による販売システムの寿命パラメータと寿命情報の一例を示す図である。
【図１７】購入を希望するユーザの購入処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８４】
１０  ＰＣ端末（販売側）
２０  インターネット
３０  販売サイト
４０  ＰＣ端末（購入側）
５１  広告画面
１００  アクセス装置
１０１  寿命パラメータ受信部
１０２  表示回路
１１０  不揮発性記憶装置
１２０  メモリコントローラ
１２１  ホストインターフェース
１２２  バッファ
１２３  読み書き制御部
１２４  ＣＰＵ部
１２５  パラメータ１確定部
１２６  パラメータ２算定部
１２７  寿命パラメータ加工部
１２８  寿命パラメータ生成部
１３０  不揮発性メモリ
１３１  レジスタ
１３２  メモリセルアレイ
１３３  制御回路
１３４  ＩＤコード
１３５  通常領域
１３６  レジスタ領域
１３７  システム領域
１３８  スペア領域
１３９  寿命パラメータ保持ブロック
２００  筐体
２０１  シール
【図１】
2007323466.tif 000003
【図２Ａ】
2007323466.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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