(57)【要約】【課題】輝度低下を抑えながら演色性を向上させることができ、さらに、対称性を有する配光特性を得ることができる光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体装置１Ａにおいて、基材２と、その基材２に設けられ、光を放射する第１発光素子３と、第１発光素子３上に設けられ、第１発光素子３から放射された光と異なる波長を有する光を放射する第２発光素子４と、第１発光素子３及び第２発光素子４を封止し、第１発光素子３又は第２発光素子４から放射された光の波長を変換する蛍光体５ａを含有する透光封止部材５とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材に設けられ、光を放射する第１発光素子と、
前記第１発光素子上に設けられ、前記第１発光素子から放射された前記光と異なる波長を有する光を放射する第２発光素子と、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子を封止し、前記第１発光素子又は前記第２発光素子から放射された前記光の波長を変換する蛍光体を含有する透光封止部材と、
を備えることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記基材は凹部を有しており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記透光封止部材は前記凹部内に設けられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第２発光素子は前記第１発光素子上の中央に設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第１発光素子は角錐台形状に形成されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第１発光素子の側面は、その底面に対して６０度の傾斜角で前記凹部の側面から離反する方向に傾斜しており、
前記凹部の側面は、前記第１発光素子の底面に対して６０度の傾斜度で前記第１発光素子から離反する方向に傾斜していることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を備える光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は、照明や表示装置等の様々な装置の光源として広い分野で用いられている。この光半導体装置としては、発光素子により放射された光と、その光により励起された蛍光体により放射された光とを併せて白色光を得る光半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
この光半導体装置は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子と、その発光素子を収容する凹部を有する基材とを備えている。その凹部には、発光素子を封止する透光封止部材が設けられている。この透光封止部材は、粒子状の蛍光体を混合した透光性樹脂材料により形成されている。
【０００４】
このような光半導体装置では、青色光を放射する発光素子と黄色の蛍光体とを用いて白色光を得る場合がある。この場合には、発光素子から放射された青色光と、黄色の蛍光体から放射された黄色光とが一緒になって白色光として放出される。このため、赤色光が存在せず、自然光に近い白色光を得ることができないため、演色性が乏しくなってしまう。
【０００５】
そこで、青色光を放射する発光素子と黄色の蛍光体に加えて、赤色の蛍光体を用いる場合がある（例えば、特許文献２参照）。この場合には、発光素子から放射された青色光と、２つの蛍光体からそれぞれ放射された黄色光及び赤色光とが一緒になって白色光として放出される。通常、青色光が黄色の蛍光体及び赤色の蛍光体により黄色光及び赤色光に変換されるが、変換された黄色光の一部が赤色の蛍光体により赤色光に変換されてしまうことがある。この２度の波長変換は、光エネルギーの損失を生じさせており、輝度低下を招いている。
【０００６】
そこで、青色光を放射する発光素子と黄色の蛍光体に加えて、赤色光を放射する発光素子を用いる場合がある。この場合には、２つの発光素子からそれぞれ放射された青色光及び赤色光と、蛍光体から放射された黄色光とが一緒になって白色光として放出される。このとき、２度の波長変換が生じないので、光エネルギーの損失を防止し、輝度低下を抑えることができる。このような２つの発光素子を備える光半導体装置では、２つの発光素子が同一平面上に並べてそれぞれ設けられている。
【特許文献１】特開２００５−１３６００６号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の２つの発光素子を備える光半導体装置では、２つの発光素子が同一平面上に並べて設けられているため、光半導体装置から放出される白色光の配光特性は対称性を有していない。したがって、２つの発光素子を設けることにより、輝度低下を抑えながら演色性を向上させることは可能であるが、それらに加え、対称性を有する配光特性を得ることは困難である。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝度低下を抑えながら演色性を向上させることができ、さらに、対称性を有する配光特性を得ることができる光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る特徴は、光半導体装置において、基材と、基材に設けられ、光を放射する第１発光素子と、第１発光素子上に設けられ、第１発光素子から放射された光と異なる波長を有する光を放射する第２発光素子と、第１発光素子及び第２発光素子を封止し、第１発光素子又は第２発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光体を含有する透光封止部材とを備えることである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、輝度低下を抑えながら演色性を向上させることができ、さらに、対称性を有する配光特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図５を参照して説明する。
【００１２】
図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る光半導体装置１Ａは、基材２と、その基材２に設けられ、光を放射する第１発光素子３と、その第１発光素子３上に設けられ、第１発光素子３により放射された光と異なる波長を有する光を放射する第２発光素子４と、それらの第１発光素子３及び第２発光素子４を封止し、第１発光素子３又は第２発光素子４から放射された光の波長を変換する蛍光体５ａを含有する透光封止部材５と、凹部２ａの底面から外部まで伸びるように形成され、第１発光素子３及び第２発光素子４に電力を供給するための一対のリード部６ａ、６ｂとを備えている。
【００１３】
基材２は、例えばインジェクションモールド法により、一対のリード部６ａ、６ｂを覆うように形成されている。この基材２の略中央には、凹部２ａが設けられている。凹部２ａは、例えばカップ形状、すなわち逆円錐台形状に形成されており、その内部に第１発光素子３及び第２発光素子４を収容する収容部である。この凹部２ａの側面Ｓ１は、凹部２ａの底面から外部に向かって傾斜しており、第１発光素子３及び第２発光素子４により放射された光を反射する反射面として機能する。このような基材２は、例えば熱可塑性樹脂等のモールド樹脂により形成されている。このモールド樹脂としては、例えば白色のモールド樹脂を用いる。
【００１４】
第１発光素子３は、凹部２ａの底面の中央に位置付けてリード部６ａ上に設けられている。この第１発光素子３は、例えば四角錐台形状に形成されている。第１発光素子３の表面（図２中の上面）には、図３に示すように、表面電極３ａが設けられている。この表面電極３ａは、例えば第１発光素子３の表面の中央から放射状に形成されている。これにより、第１発光素子３の表面が表面電極３ａにより完全に覆われないので、第１発光素子３の放射光量の低下を防止することができる。なお、第１発光素子３としては、例えば、青色光を放射する発光ダイオードを用いる。
【００１５】
第２発光素子４は、第１発光素子３の表面の中央に位置付けてその表面電極３ａ上に設けられている。この第２発光素子４は、例えば四角錐台形状に形成されている。第２発光素子４の表面（図２中の上面）には、図３に示すように、表面電極４ａが設けられている。この表面電極４ａは、例えば四角形状に形成されており、第２発光素子４の表面の略中央に設けられている。なお、第２発光素子４としては、例えば、赤色光を放射する発光ダイオードを用いる。
【００１６】
第１発光素子３の底面電極（図２中の下面）は、例えば金錫はんだ等の接合部材７ａ（図２参照）によりリード部６ａに接合されて電気的に接続されている。また、第２発光素子４の底面電極（図２中の下面）は、例えば金錫はんだ等の接合部材７ｂ（図２参照）により第１発光素子３の表面電極３ａに接合されて電気的に接続されている。加えて、第２発光素子４の表面電極４ａは、例えば金ワイヤ等の接続部材８ａによりリード部６ｂに電気的に接続されている。このように、第１発光素子３及び第２発光素子４は、一対のリード部６ａ、６ｂに接続されて電気的に直列に設けられている。
【００１７】
透光封止部材５は、凹部２ａに設けられ第１発光素子３及び第２発光素子４を封止する封止部材であり、粒子状の蛍光体５ａを複数有している。この透光封止部材５の表面である放出面５ｂは、大気に接する露出面であり、第１発光素子３及び第２発光素子４から放射された光を放出する光取り出し面である。このような透光封止部材５は、例えば、粒子状の蛍光体５ａを混合した蛍光体混合樹脂等の透光性樹脂材料により形成されている。透光性樹脂材料としては、例えば熱硬化性シリコーン樹脂等を用いる。蛍光体５ａは、第１発光素子３又は第２発光素子４の光の波長よりも長い波長を有する光を放射する。この蛍光体５ａとしては、例えば、黄色の蛍光体を用いる。
【００１８】
一対のリード部６ａ、６ｂは、例えば直方体形状に形成されており、第１発光素子３及び第２発光素子４に外部から電力を供給するためのリードフレームである。これらのリード部６ａ、６ｂは、基材２により覆われるように設けられており、凹部２ａの底面を形成している。このような一対のリード部６ａ、６ｂは、例えば銅等の金属材料により形成されている。
【００１９】
ここで、凹部２ａの側面（内側壁）Ｓ１と、第１発光素子３の側面Ｓ２及び第２発光素子４の側面Ｓ３との傾斜関係について説明する。
【００２０】
図４に示すように、凹部２ａの側面Ｓ１は、第１発光素子３の載置面、すなわち第１発光素子３の底面Ｔ１に対して６０度の傾斜角で第１発光素子３から離反する方向へ傾斜している。また、第１発光素子３の側面Ｓ２は、第１発光素子３の底面Ｔ１に対して６０度の傾斜角で凹部２ａの側面Ｓ１から離反する方向へ傾斜している。これにより、第１発光素子３の側面Ｓ２から９０度の出射角で出射された光は、凹部２ａの側面Ｓ１に対して３０度の入射角で入射し、３０度の反射角で反射する。反射した光は、透光封止部材５の放出面５ｂに対して９０度で入射してその放出面５ｂから放出される。このように、第１発光素子３から放射される光の主径路を設定することによって、第１発光素子３から放射された光が透光封止部材５の放出面５ｂに対して９０度で入射してその放出面５ｂから放出されるので、透光封止部材５の放出面５ｂに対する正面の輝度が向上する。
【００２１】
また、第２発光素子４の側面Ｓ３も、第１発光素子３の底面Ｔ１に対して６０度の傾斜角で凹部２ａの側面Ｓ１から離反する方向へ傾斜している。これにより、第２発光素子４の側面Ｓ３から９０度の出射角で出射された光も、凹部２ａの側面Ｓ１に対して３０度の入射角で入射し、３０度の反射角で反射する。反射した光は、透光封止部材５の放出面５ｂに対して９０度で入射してその放出面５ｂから放出される。このように、第２発光素子４から放射される光の主径路を設定することによって、第２発光素子４から放射された光も透光封止部材５の放出面５ｂに対して９０度で入射してその放出面５ｂから放出されるので、透光封止部材５の放出面５ｂに対する正面の輝度がさらに向上する。
【００２２】
次に、このような光半導体装置１Ａの発光動作について説明する。
【００２３】
一対のリード部６ａ、６ｂに電圧が印加され、第１発光素子３及び第２発光素子４に電力が供給されると、第１発光素子３は青色光を放射し、第２発光素子４は赤色光を放射する。それらの光の一部は、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部は、凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このとき、青色光の一部が蛍光体５ａに入射する。これにより、蛍光体５ａは励起されて黄色光を放射する。その黄色光の一部も、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部も凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このようにして、第１発光素子３及び第２発光素子４によりそれぞれ放射された青色光及び赤色光と、青色光により励起された蛍光体５ａにより放射された黄色光とが混合され、白色光として透光封止部材５の放出面５ｂから放出される。
【００２４】
このとき、青色光、赤色光及び黄色光から白色光が生成されているので、自然光に近い白色光を得ることが可能になる。また、赤色光を放射する第２発光素子４を設けずに赤色の蛍光体５ａを設けた場合と比較して、青色光が黄色の蛍光体及び赤色の蛍光体により２度波長変換されることがなくなるので、光エネルギーの損失を防止することが可能になる。加えて、第２発光素子４が第１発光素子３上に設けられているので、２つの光源位置が一致している。これにより、図５に示すように、青色光、赤色光及び黄色光の配光特性は対称性を有しているので、それらの混合光である白色光の配光特性も対称性を有することになる。また、第２発光素子４が第１発光素子３上に設けられているので、０度位置での青色光の強度が抑えられている。これにより、光半導体装置１Ａの中心近傍での色度ばらつきを抑えることができる。
【００２５】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、第１発光素子３及び第２発光素子４を用いることによって、それらの第１発光素子３及び第２発光素子４から２色の光（例えば青色光及び赤色光）が放射され、蛍光体５ａにより１色（例えば黄色光）の光が放射されて、それらの３色の光から白色光が生成されているので、自然光に近い白色光を得ることが可能になる。さらに、赤色光を放射する第２発光素子４を設けずに赤色の蛍光体５ａを設けた場合と比較して、青色光が黄色の蛍光体及び赤色の蛍光体により２度波長変換されることがなくなるので、光エネルギーの損失を防止することが可能になる。加えて、第１発光素子３上に第２発光素子４を設けることによって、２つの光源位置が一致するので、白色光の配光特性が対称性を有するようになる。これらのことから、輝度低下を抑えながら演色性を向上させることができ、さらに、対称性を有する配光特性を得ることができる。また、第１発光素子３上に第２発光素子４を設けることによって、０度位置での青色光の強度が抑えられているので、光半導体装置１Ａの中心近傍での色度ばらつきを抑えることができる。
【００２６】
また、基材２は凹部２ａを有しており、第１発光素子３、第２発光素子４及び透光封止部材５は凹部２ａ内に設けられていることから、透光封止部材５により第１発光素子３及び第２発光素子４を封止する際には、基材２の凹部２ａに透光封止部材５を充填すればよくなるので、その封止作業を容易にすることができる。
【００２７】
さらに、第２発光素子４は、第１発光素子３上の中央に設けられていることから、精度良く白色光の配光特性に対称性を付与することができる。また、精度良い対称性を維持しながら、０度位置での青色光の強度を抑えることができる。
【００２８】
また、第１発光素子３は角錐台形状、例えば四角錐台形状に形成されていることから、第１発光素子３の側面Ｓ２から放射された光が凹部２ａの側面Ｓ１により反射され、透光封止部材の放出面５ｂから放出されやすくなるので、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００２９】
さらに、第１発光素子３の側面Ｓ２は、その底面Ｔ１に対して６０度の傾斜角で凹部２ａの側面Ｓ１から離反する方向に傾斜しており、凹部２ａの側面Ｓ１は、第１発光素子３の底面Ｔ１に対して６０度の傾斜角で第１発光素子３から離反する方向に傾斜していることから、第１発光素子３から放射された光が透光封止部材５の放出面５ｂに対して９０度で入射し、その放出面５ｂから放出されるので、透光封止部材５の放出面５ｂに対する正面の輝度を向上させることができる。
【００３０】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図６ないし図８を参照して説明する。本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第２の実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する（他の実施の形態も同様である）。
【００３１】
図６及び図７に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る光半導体装置１Ｂでは、一対のリード部６ａ、６ｂ（図１及び図２参照）にかえて４つのリード部６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆが設けられている。これらのリード部６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆは、例えば直方体形状に形成されており、第１発光素子３及び第２発光素子４に外部から電力を供給するためのリードフレームである。なお、一対のリード部６ｃ、６ｄが第１発光素子３に外部から電力を供給するためのリード部であり、一対のリード部６ｅ、６ｆが第２発光素子４に外部から電力を供給するためのリード部である。各リード部６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆは、基材２により覆われるように設けられており、凹部２ａの底面を形成している。このようなリード部６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆは、例えば銅等の金属材料により形成されている。
【００３２】
第１発光素子３は、凹部２ａの底面の中央に位置付けてリード部６ｃ上に設けられている。この第１発光素子３の表面（図７中の上面）には、図８に示すように、表面電極３ｂが設けられている。この表面電極３ｂは、例えば四角の額縁形状に形成されている。これにより、第１発光素子３の表面が表面電極３ｂにより完全に覆われないので、第１発光素子３の放射光量の低下を防止することができる。
【００３３】
第２発光素子４は、第１発光素子３の表面電極３ａにより囲まれるように第１発光素子３の表面の中央に位置付けて設けられている。この第２発光素子４の表面（図７中の上面）には、図８に示すように、２つの表面電極４ｂ、４ｃが正電極及び負電極としてそれぞれ設けられている。これらの表面電極４ｂ、４ｃは、例えば四角形状に形成されている。
【００３４】
第１発光素子３の底面電極（図７中の下面）は、例えば金錫はんだ等の接合部材７ａ（図７参照）によりリード部６ｃに接合されて電気的に接続されている。また、第２発光素子４の底面電極（図７中の下面）は、例えば金錫はんだ等の接合部材７ｂ（図７参照）により第１発光素子３に接合されている。なお、第１発光素子３と第２発光素子４とは電気的に絶縁されている。第１発光素子３の表面電極３ｂは、例えば金ワイヤ等の接続部材８ｂによりリード部６ｄに電気的に接続されている。加えて、第２発光素子４の各表面電極４ｂ、４ｃは、例えば金ワイヤ等の接続部材８ｃ、８ｄにより各リード部６ｅ、６ｆに電気的にそれぞれ接続されている。このように、第１発光素子３が一対のリード部６ｃ、６ｄに接続され、第２発光素子４が一対のリード部６ｅ、６ｆに接続されて、第１発光素子３及び第２発光素子４は電気的に並列に設けられている。
【００３５】
次に、このような光半導体装置１Ｂの発光動作について説明する。
【００３６】
一対のリード部６ｃ、６ｄ及び一対のリード部６ｅ、６ｆに電圧がそれぞれ印加され、第１発光素子３及び第２発光素子４に電力が供給されると、第１発光素子３は青色光を放射し、第２発光素子４は赤色光を放射する。それらの光の一部は、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部は、凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このとき、青色光の一部が蛍光体５ａに入射する。これにより、蛍光体５ａは励起されて黄色光を放射する。その黄色光の一部も、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部も凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このようにして、第１発光素子３及び第２発光素子４によりそれぞれ放射された青色光及び赤色光と、青色光により励起された蛍光体５ａにより放射された黄色光とが混合され、白色光として透光封止部材５の放出面５ｂから放出される。
【００３７】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。特に、第１発光素子３及び第２発光素子４を電気的に並列に設けることによって、第１発光素子３及び第２発光素子４に対して供給する電流量をそれぞれ変化させることが可能になるので、第１発光素子３から放射される光と第２発光素子４から放射される光との色度調整をそれぞれ行うことができる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態について図９ないし図１１を参照して説明する。本発明の第３の実施の形態では、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。
【００３９】
図９及び図１０に示すように、本発明の第３の実施の形態に係る光半導体装置１Ｃでは、一対のリード部６ａ、６ｂ（図１及び図２参照）にかえてリード部１１が設けられている。このリード部１１は、例えば立方体形状に形成されており、第１発光素子３及び第２発光素子４に外部から電力を供給するためのリードフレームである。リード部１１は、基材２の底面（図１０中の下面）上に設けられており、凹部２ａの底面を形成している。このようなリード部１１は、例えばプリント配線基板等により形成されている。
【００４０】
リード部１１の表面（図１０中の上面）には、図９及び図１１に示すように、４つの表面電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄが設けられている。そのうちの２つの表面電極１１ａ、１１ｂは、第１発光素子３に電力を供給するための電極である。これらの表面電極１１ａ、１１ｂは、リード部１１の表面領域であって第１発光素子３が載置される載置領域からリード部１１の外周まで伸びるように、例えば長方形状にそれぞれ形成されている。他の２つの表面電極１１ｃ、１１ｄは、第２発光素子４に電力を供給するための電極である。これらの表面電極１１ｃ、１１ｄは、前述の載置領域から離間させて設けられており、リード部１１の外周まで伸びるように、例えば長方形状にそれぞれ形成されている。
【００４１】
リード部１１の裏面（図１０中の下面）には、４つの裏面電極１２ａ、１２ｂ（図１０参照）が設けられている。そのうちの２つの裏面電極１２ａ、１２ｂは、２つの表面電極１１ｃ、１１ｄにそれぞれスルーホール配線１３ａ、１３ｂを介して接続されている。同様に、他の２つの裏面電極（図示せず）も、２つの表面電極１１ａ、１１ｂにそれぞれスルーホール配線（図示せず）を介して接続されている。これらの裏面電極１２ａ、１２ｂに電圧が印加される。
【００４２】
第１発光素子３は、凹部２ａの底面の中央に位置付けてリード部１１の表面電極１１ａ、１１ｂ上に設けられている。ここで、第１発光素子３の表面が第２発光素子４以外の部材、すなわち電極によって覆われないので、第１及び第２の実施の形態に比べ、第１発光素子３の放射光量の低下をさらに抑えることができる。
【００４３】
第２発光素子４は、第１発光素子３の表面の中央に位置付けられて設けられている。この第２発光素子４の表面（図１０中の上面）には、図９及び図１１に示すように、２つの表面電極４ｂ、４ｃが正電極及び負電極としてそれぞれ設けられている。これらの表面電極４ｂ、４ｃは、例えば四角形状に形成されている。
【００４４】
第１発光素子３の底面電極（図１０中の下面）は、例えばはんだボール等の接合部材７ａ（図１０参照）によりリード部１１の表面電極１１ａ、１１ｂ上に接合されて電気的に接続されている。また、第２発光素子４の底面電極（図１０中の下面）は、例えばはんだボール等の接合部材７ｂ（図１０参照）により第１発光素子３に接合されている。なお、第１発光素子３と第２発光素子４とは電気的に絶縁されている。第２発光素子４の各表面電極４ｂ、４ｃは、例えば金ワイヤ等の接続部材８ｅ、８ｆによりリード部１１の各表面電極１１ｃ、１１ｄに電気的にそれぞれ接続されている。このように、第１発光素子３がリード部１１の一対の表面電極１１ａ、１１ｂに接続され、第２発光素子４がリード部１１の一対の表面電極１１ｃ、１１ｄに接続されて、第１発光素子３及び第２発光素子４は電気的に並列に設けられている。
【００４５】
次に、このような光半導体装置１Ｃの発光動作について説明する。
【００４６】
リード部１１の一対の表面電極１１ａ、１１ｂ及び一対の表面電極１１ｃ、１１ｄ、すなわち一対の裏面電極（図示せず）及び一対の裏面電極１２ａ、１２ｂに電圧が印加され、第１発光素子３及び第２発光素子４に電力が供給されると、第１発光素子３は青色光を放射し、第２発光素子４は赤色光を放射する。それらの光の一部は、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部は、凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このとき、青色光の一部が蛍光体５ａに入射する。これにより、蛍光体５ａは励起されて黄色光を放射する。その黄色光の一部も、透光封止部材５を通過してその放出面５ｂから放出され、他の一部も凹部２ａの側面Ｓ１により反射されて放出面５ｂから放出される。このようにして、第１発光素子３及び第２発光素子４によりそれぞれ放射された青色光及び赤色光と、青色光により励起された蛍光体５ａにより放射された黄色光とが混合され、白色光として透光封止部材５の放出面５ｂから放出される。
【００４７】
以上説明したように、本発明の第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。特に、第１発光素子３及び第２発光素子４を電気的に並列に設けることによって、第１発光素子３及び第２発光素子４に対して供給する電流量をそれぞれ変化させることが可能になるので、第１発光素子３から放射される光と第２発光素子４から放射される光との色度調整をそれぞれ行うことができる。さらに、リード部１１が基材２の外周から突出しないので、光半導体装置１Ｃを小型化することができる。
【００４８】
加えて、第１発光素子３の裏面にリード部１１の一対の表面電極１１ａ、１１ｂを電気的に接続することによって、第１発光素子３の表面に電極を設ける必要がなくなり、第１発光素子３の表面が電極によって覆われないので、第１発光素子３の放射光量の低下を確実に防止することができる。
【００４９】
（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００５０】
例えば、前述の実施の形態においては、第１発光素子３を凹部２ａの底面の中央に位置付けて設けているが、これに限るものではなく、例えば、凹部２ａの底面の中央から所定距離移動させて設けるようにしてもよい。
【００５１】
また、前述の実施の形態においては、第２発光素子４を第１発光素子３の表面の中央に位置付けて設けているが、これに限るものではなく、例えば、第１発光素子３の表面の中央から所定距離移動させて設けるようにしてもよい。
【００５２】
また、前述の実施の形態においては、第１発光素子３及び第２発光素子４の両方を四角錐台形状に形成しているが、これに限るものではなく、例えば、六角錐台や八角錐台形状に形成してもよく、さらに、四角柱形状に形成してもよく、また、それらの両方を異なる形状に形成してもよい。
【００５３】
また、前述の実施の形態においては、第１発光素子３として青色光を放射する発光ダイオードを用い、第２発光素子４として赤色光を放射する発光ダイオードを用いているが、これに限るものではなく、例えば、第１発光素子３として赤色光を放射する発光ダイオードを用い、第２発光素子４として青色光を放射する発光ダイオードを用いるようにしてもよい。
【００５４】
最後に、前述の実施の形態においては、光半導体装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃのパッケージ形態をチップ型のパッケージ形態にしているが、これに限るものではなく、例えば砲弾型のパッケージ形態にするようにしてもよく、光半導体装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃのパッケージ形態は限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１及び図２に示す光半導体装置が備える第１発光素子及び第２発光素子の周辺構造を拡大して示す平面図である。
【図４】第１発光素子の側面と凹部の側面との傾斜関係を説明するための説明図である。
【図５】色毎の配光特性を説明するための説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】図６及び図７に示す光半導体装置が備える第１発光素子及び第２発光素子の周辺構造を拡大して示す平面図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る光半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１１】図９及び図１０に示す光半導体装置が備える第１発光素子及び第２発光素子の周辺構造を拡大して示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…光半導体装置、２…基材、２ａ…凹部、３…第１発光素子、４…第２発光素子、５…透光封止部材、５ａ…蛍光体、Ｓ１…側面、Ｓ２…側面、Ｔ１…底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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