(57)【要約】      （修正有）【課題】連続してパターン形成体の製造を行った場合であっても、目的とするパターンの形状に高精細に特性変化パターンを形成可能なパターン形成体の製造方法を提供。【解決手段】真空紫外光３の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスク２を介して前記真空紫外光３を照射することにより、前記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターン４を形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、前記複数回行われるパターン形成工程の間に、前記フォトマスク２と前記パターン形成用基板とを対向させない状態で、前記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源により前記フォトマスク２に真空紫外光３を照射し、前記フォトマスク２に付着した付着物を除去する付着物除去工程を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空紫外光の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して前記真空紫外光を照射することにより、前記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、
前記複数回行われるパターン形成工程の間に、前記フォトマスクと前記パターン形成用基板とを対向させない状態で、前記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源により前記フォトマスクに真空紫外光を照射し、前記フォトマスクに付着した付着物を除去する付着物除去工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
【請求項２】
前記付着物除去工程が、前記フォトマスクと、前記光源からの真空紫外光を反射させる反射板とを対向させて、真空紫外光照射が行われることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばカラーフィルタの製造等に用いられる、表面の特性がパターン状に変化したパターン形成体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基材上に図案、画像、文字、回路等の種々のパターンを形成するパターン形成体の製造方法として、様々な方法が提案されており、例えば、平版印刷や、オフセット印刷、ヒートモード記録材料を用いた平版印刷原版を作製する印刷法等も用いられている。また、例えば、基材上に塗布したフォトレジスト層にパターン露光を行い、露光後、フォトレジストを現像し、さらにエッチングを行ったり、フォトレジストに機能性を有する物質を用いて、フォトレジストの露光によって目的とするパターンを直接形成する等のフォトリソグラフィーによるパターン形成体の製造方法も知られている。
【０００３】
しかしながら、例えばカラーフィルタ等に用いられる、高精細なパターン形成体を製造する際には、上記印刷法では位置精度が低い等の問題があり、用いることが難しかった。また、上記フォトリソグラフィー法においては、フォトレジストを用いるとともに、露光後に液体現像液によって現像を行ったり、エッチングを行う必要があるので、廃液を処理する必要が生じる等の問題があった。また、フォトレジストとして機能性の物質を用いた場合には、現像の際に使用されるアルカリ液等によって劣化する等の問題もあった。
【０００４】
そこで、基材、および上記基材上に形成された有機物からなる有機分子膜を有するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記有機分子膜にパターン状に真空紫外光を照射することにより、上記有機分子膜を分解除去し、パターンを形成するパターン形成体の製造方法等が提案されている（特許文献１参照）。この方法によれば、フォトレジストを用いることなくパターン形成体を製造することができるため、現像液等を用いることなく容易にパターン形成体を製造することができる。
【０００５】
ここで、このような真空紫外光によるパターンの形成は、有機分子膜が真空紫外光の作用により、分解除去されて行われるものである。すなわち、真空紫外光の照射が行われると、有機分子膜の有機物の分子結合が、真空紫外光の作用により切断されたり、また酸素の存在下、酸素が励起されて発生する酸素原子ラジカルが有機物に作用を及ぼすことにより、有機分子膜の有機物が分解物となり、この分解物がパターン形成用基板上から揮発除去されることで、パターンが形成されるのである。
【０００６】
しかしながら、上述したようなフォトマスクを介した真空紫外光の照射によって連続的にパターン形成体の製造を行った場合、パターン形成用基板上で生じた分解物等が、フォトマスク上に付着してしまい、この付着物が上記酸素原子ラジカルの働きを阻害したり、また逆に付着物が特性変化に寄与してしまうこと等があり、パターン形成用基板上に、一定の線幅でパターンを形成することが難しいという問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３２４８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、連続してパターン形成体の製造を行った場合であっても、目的とするパターンの形状に高精細に特性変化パターンを形成可能なパターン形成体の製造方法の提供が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、真空紫外光の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、上記複数回行われるパターン形成工程の間に、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とを対向させない状態で、上記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源により上記フォトマスクに真空紫外光を照射し、上記フォトマスクに付着した付着物を除去する付着物除去工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、上記パターン形成工程とパターン形成工程との間に、上記付着物除去工程によって、上記フォトマスク表面に付着した付着物を除去することから、フォトマスクに付着した付着物によって特性変化パターンの形成に影響を及ぼしてしまうことを防ぐことができる。したがって本発明によれば、上記パターン形成工程において、目的とするパターン状に高精細にパターン形成用基板の特性を変化させることができ、高品質なパターン形成体を複数製造することが可能となる。また本発明においては、上記付着物除去工程における真空紫外光照射に、上記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源が用いられることから、上記フォトマスクを、パターン形成体を製造するための装置から取り外すことなく、かつ特別な部材を用いることなく、上記付着物除去工程を行うことができ、効率よくパターン形成体を製造することができるという利点も有している。
【００１１】
上記発明においては、上記付着物除去工程が、上記フォトマスクと、上記光源からの真空紫外光を反射させる反射板とを対向させて、真空紫外光照射が行われるものであってもよい。これにより、上記付着物除去工程において、照射された真空紫外光だけでなく、反射板によって反射された真空紫外光においてもフォトマスクに付着した付着物に作用させることができる。したがって、より効率よく上記付着物を除去することが可能となるからである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、表面に付着した付着物が除去されたフォトマスクを用いてパターニングを行うことができ、目的とするパターン状に高精細に特性が変化したパターン形成体を複数製造することができるという効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、例えばカラーフィルタの製造等に用いられる、表面の特性がパターン状に変化したパターン形成体の製造方法に関するものである。
本発明のパターン形成体の製造方法は、真空紫外光の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成してパターン形成体を形成するパターン形成工程を複数回行って、パターン形成体を複数製造するパターン形成体の製造方法であって、上記複数回行われるパターン形成工程の間に、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とを対向させない状態で、上記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源により上記フォトマスクに真空紫外光を照射し、上記フォトマスクに付着した付着物を除去する付着物除去工程を有することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明のパターン形成体の製造方法は、例えば図１に示すように、真空紫外光により表面の特性が変化するパターン形成用基板１に、フォトマスク２を介して真空紫外光３を照射して（図１（ａ））、パターン形成用基板１の表面に、特性が変化した特性変化パターン４を有するパターン形成体を形成する（図１（ｂ））パターン形成工程が行われるものである。本発明においては、上記パターン形成工程が複数回行われ、そのパターン形成工程とパターン形成工程との間に、例えば図２に示すように、上記フォトマスク２に真空紫外光３を照射し、上記フォトマスク２に付着した付着物を除去する付着物除去工程が行われることとなる。
【００１５】
ここで、上記フォトマスクを介してパターン形成用基板に真空紫外光を照射することにより、パターン形成用基板のパターニングを行った場合、パターン形成用基板上で生じた分解物等が気化し、対向して配置されている上記フォトマスクに付着してしまう場合がある。これにより、続けて他のパターン形成用基板に対してパターニングを行った際、このフォトマスクに付着した付着物がパターン形成用基板の特性変化に寄与してしまったり、また上記付着物が真空紫外光の作用により発生した酸素原子ラジカルの働きを阻害する場合がある。そのため、連続してパターン形成体を製造した場合、上記特性変化パターンを、均一な幅で目的とするパターン状に形成することが難しい、という問題があった。
【００１６】
しかしながら、本発明においては、パターン形成工程とパターン形成工程との間に、上記フォトマスクに付着した付着物を除去する付着物除去工程が行われることから、上記フォトマスクを用いてパターン形成工程を行った際、フォトマスクに付着した付着物によって特性変化パターンの線幅等が変化してしまうことを防ぐことができる。これにより、連続してパターン形成体を製造する場合であっても、目的とするパターン状に高精細に特性変化パターンを形成することができる。したがって本発明によれば、特性変化パターンに沿って、種々の機能性部を目的とするパターン状に形成可能なパターン形成体を安定して複数製造することができる。
【００１７】
また、本発明においては、上記付着物除去工程において、上記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源が用いられることから、フォトマスクを、パターン形成体を製造するための装置から取り外すことなく付着物除去工程を行うことができ、パターン形成体を効率よく製造することができる。またこの際、パターン形成体を製造する装置に、特別な部材を設ける必要がない、という利点も有している。
以下、本発明のパターン形成体の製造方法の各工程について説明する。
【００１８】
１．付着物除去工程
まず、本発明における付着物除去工程について説明する。本発明における付着物除去工程は、複数回行われるパターン形成工程の間に、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とを対向させない状態で、上記パターン形成工程に用いられる光源と同一の光源により上記フォトマスクに真空紫外光を照射し、上記フォトマスクに付着した付着物を除去する工程である。
【００１９】
ここで、複数回行われるパターン形成工程の間とは、パターン形成工程とパターン形成工程との間のことをいい、本発明においては例えばパターン形成工程を１回行うごとに本工程が行われてもよく、またパターン形成工程を複数回行うごとに本工程が行われてもよい。また、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とを対向させない状態とは、上記真空紫外光の作用が届く範囲に、上記パターン形成用基板を配置していない状態をいうこととする。
【００２０】
また、本工程における真空紫外光照射に用いられる光源は、後述するパターン形成工程に用いられる光源と同一のものとされ、パターン形成用基板の表面の特性を変化させることが可能であり、かつフォトマスクに付着した付着物を除去可能な波長を照射可能な光源とされる。
【００２１】
このような光源から照射される真空紫外光の波長は、通常１００ｎｍ〜２５０ｎｍ以下の範囲内、好ましくは１５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内から設定される。これにより、フォトマスクに付着した付着物をより効率的に除去することが可能であるからである。上記光源として具体的にはエキシマランプ、低圧水銀ランプ、その他種々の光源を挙げることができる。なお、上記真空紫外光の照射時間や照射強度等は、上記光源の種類や付着物の種類等によって適宜選択される。
【００２２】
ここで、本発明においては、上記真空紫外光照射を、上記フォトマスクと、上記光源からの真空紫外光を反射させることが可能な反射板とを対向させた状態で行ってもよい。これにより、光源から直接照射された真空紫外光だけでなく、上記反射板によって反射された真空紫外光においてもフォトマスクに付着した付着物に作用させることが可能となり、より効率よく付着物を除去することが可能となるからである。
【００２３】
上記反射板は、例えば後述するパターン形成工程においてパターン形成用基板が配置される位置に、パターン形成用基板の代わりに配置されるものであってもよく、また例えばパターン形成体を製造する装置内に、予め形成されているものであってもよい。このような反射板としては、自己支持性を有し、かつ真空紫外光を反射可能な反射層１層からなるものであってもよく、また基板上に、真空紫外光を反射可能な反射層が形成されたものであってもよい。このような反射層に用いられる材料としては、特に限定されるものではないが、金属材料が好適に用いられ、具体的には、アルミニウム、銀、鉄等が挙げられる。
【００２４】
上記反射板の形成方法としては、基板上に反射層が形成される場合には、通常、上述した金属を真空蒸着法等により基板表面に蒸着する方法等が用いられる。また、反射層が自己支持性を有する場合には、上記金属からなる金属板の一方の表面を鏡面仕上げする方法等が用いられる。また、上記基板としては、上記反射層を支持可能なものであれば特に限定されるものではなく、有機材料からなるものであってもよく、また無機材料からなるものであってもよい。
【００２５】
（フォトマスク）
次に、本工程によって付着物が除去されるフォトマスクについて説明する。本工程に用いられるフォトマスクは、上記パターン形成用基板に真空紫外光を照射する際に用いられ、上記特性変化パターンの形成される領域に真空紫外光を照射することが可能なものであれば特に限定されるものではない。このようなフォトマスクは、例えば図１（ａ）に示すように、通常、透明基材５とその透明基材５上に形成された遮光部６とを有するものとされる。
以下、上記フォトマスクの各構成について説明する。
【００２６】
（１）遮光部
まず、フォトマスクに用いられる遮光部について説明する。本工程に用いられる遮光部は、後述する透明基材上に形成され、特性変化パターンの形成に寄与するものであり、真空紫外光を透過させないものであれば特に限定されるものではない。このような遮光部の材料としては、遮光部の形成面の特性や、形成方法等に応じて適宜選択されて用いられる。
【００２７】
例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等により厚み３００〜２０００Å程度のクロム等の金属薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより形成されてもよい。このパターニングの方法としては、スパッタ、金属エッチング、リフトオフ等の通常のパターニング方法を用いることができる。
【００２８】
また、樹脂バインダ中にカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有させた層をパターン状に形成する方法であってもよい。用いられる樹脂バインダとしては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等の樹脂を１種または２種以上混合したものや、感光性樹脂、さらにはＯ／Ｗエマルジョン型の樹脂組成物、例えば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用いることができる。このような樹脂製の遮光部のパターニング方法は、フォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用いることができる。
【００２９】
ここで、上記遮光部の形成位置は、上記フォトマスクとパターン形成用基板とを対向させて配置させた際、上記透明基材のパターン形成用基板に面する側に形成されたものであってもよく、上記透明基材のパターン形成用基板に面しない側に形成されたものであってもよい。
【００３０】
また、上記遮光部の形状としては、特に限定されるものではなく、上記パターン形成用基板に形成されるパターン等に合わせて適宜選択することができる。
【００３１】
また、上記遮光部の幅としては、通常０．１μｍ以上程度とされ、中でも１μｍ以上程度とされることが好ましい。このような範囲内とすることにより、真空紫外光の回折の影響等を受けることなく、目的とするパターン状に特性変化パターンを形成することが可能となるからである。
【００３２】
（２）透明基材
次に、フォトマスクに用いられる透明基材について説明する。本発明に用いられる透明基材は、真空紫外光に対して透過性を有するものであり、上記遮光部を形成することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、一般的なフォトマスクに用いられる透明基材を用いることができる。このような透明基材として具体的には、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材等を挙げることができる。また、基材は、必要に応じてアルカリ溶出防止用やガスバリア性付与その他の目的の表面処理を施したものであってもよい。
【００３３】
また、透明基材表面と上記遮光部との密着性を向上させるために、透明基材上にアンカー層が形成されていてもよい。このようなアンカー層としては、例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げることができる。
【００３４】
２．パターン形成工程
次に、本発明におけるパターン形成工程について説明する。本発明におけるパターン形成工程は、真空紫外光の作用により表面の特性が変化するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンを形成し、パターン形成体を形成する工程である。なお、本発明において上記パターン形成工程は、少なくとも２回以上行われればよく、その回数は特に限定されるものではない。
【００３５】
本発明においては、上記付着物除去工程が、パターン形成工程とパターン形成工程との間に行われることから、連続してパターン形成体を製造した場合であっても、各パターン形成体における上記特性変化パターンの幅等が変化してしまうことの少ないものとすることができ、目的とするパターン状に高精細に特性変化パターンを形成することができるのである。
以下、本工程に用いられるパターン形成用基板、および真空紫外光の照射方法についてそれぞれ説明する。
【００３６】
（パターン形成用基板）
まず本発明に用いられるパターン形成用基板について説明する。本発明に用いられるパターン形成用基板は、上述したフォトマスクを介して真空紫外光を照射した際に、照射された真空紫外光の作用により表面の特性が変化するものであればよく、その構成については特に限定されるものではない。
【００３７】
例えば支持基板と、その支持基板上に形成され、真空紫外光の作用により表面の特性が変化する特性変化層とを有するものであってもよく、また真空紫外光の作用により特性が変化する特性変化層のみからなるものであってもよい。なお、本発明においては、上記特性変化層が有機物を含有する層であることが特に好ましい。特性変化層が有機物を含有する場合、上記フォトマスクを用いてパターニングした際に付着物がフォトマスクに付着しやすいため、本発明の利点を特に活かすことが可能となるからである。
【００３８】
また、上記パターン形成用基板における特性変化層の特性変化の種類についても特に限定されるものではなく、例えば真空紫外光の作用により表面の濡れ性が変化するものであってもよく、また例えば真空紫外光の作用により、特定の物質との接着性が変化するもの等であってもよい。本発明においては、特に真空紫外光の作用により表面の濡れ性が変化するものが好ましく、中でも真空紫外光の作用により液体との接触角が低下する濡れ性変化層であることが好ましい。これにより、本工程により濡れ性が変化した領域を親液性領域、本工程により濡れ性が変化していない領域を撥液性領域とすることができる。したがって本発明により製造されたパターン形成体上に例えば塗布法等により機能性部形成用塗工液を塗布した際、親液性領域である特性変化パターンにのみ機能性部形成用塗工液を付着させることができ、高精細なパターン状に機能性部を形成すること等が可能となるからである。
【００３９】
ここで、親液性領域とは、隣接する領域より液体との接触角が１°以上低い領域をいうこととし、液体との接触角が小さい領域であって、機能性部を形成する機能性部形成用塗工液に対する濡れ性の良好な領域をいうこととする。また、撥液性領域とは、液体との接触角が大きい領域であり、上記機能性部形成用塗工液に対する濡れ性が悪い領域をいうこととする。
【００４０】
上記パターン形成用基板に用いられる濡れ性変化層は、濡れ性が変化していない状態では、表面張力４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上の濡れ性を示すことが好ましい。これは、濡れ性が変化していない領域は、撥液性が要求される領域であることから、液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、例えば上記機能性部形成用塗工液を塗布した際に、撥液性領域上にも機能性部形成用塗工液が残存する可能性があり、好ましくないからである。
【００４１】
また、本工程により上記濡れ性変化層に真空紫外光の作用が及ぼされた場合、濡れ性が変化した部分の液体との接触角は、表面張力４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が、９°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下となることが好ましい。濡れ性が変化した部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高い場合は、例えば、上記機能性部形成用塗工液を塗布した際に、親液性領域においても機能性部形成用塗工液をはじいてしまう可能性があり、親液性領域上に機能性部パターニングすることが難しくなる可能性があるからである。
【００４２】
なお、ここでいう液体との接触角は、種々の表面張力を有する液体との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴を滴下して３０秒後）し、その結果から、もしくはその結果をグラフにして得たものである。また、この測定に際して、種々の表面張力を有する液体としては、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を用いた。
【００４３】
このような真空紫外光の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層としては、例えばオルガノポリシロキサンを含有する層等とすることができ、具体的には特開２００１−０７４９２８号公報に記載されているようなオルガノポリシロキサン等を含有する層とすることができる。
【００４４】
また、上記オルガノポリシロキサンの他に、界面活性剤や添加剤等を用いることができ、これらについても、例えば特開２００１−０７４９２８号公報に記載されているようなものを用いることができる。
【００４５】
上記特性変化層の膜厚としては、特性変化層の種類や、パターン形成用基板の種類や用途等に応じて適宜選択されるものであるが、通常０．０１μｍ〜１ｍｍ程度、中でも０．１μｍ〜０．１ｍｍ程度とすることができる。
【００４６】
また上記パターン形成用基板が支持基板を有する場合、支持基板は特性が変化する特性変化層を支持することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、パターン形成体の用途等に応じてその種類や可撓性や透明性等は適宜選択される。本発明において上記支持基板は、有機材料からなるものであってもよく、また無機材料からなるものであってもよい。具体的には、樹脂製フィルム、ガラス、セラミック、金属からなるもの等を用いることができ、板状のものであることが好ましい。
【００４７】
（真空紫外光照射）
次に、本工程における真空紫外光照射について説明する。本工程においては、パターン形成用基板に、フォトマスクを介して、所定の方向からパターン状に真空紫外光が照射される。
【００４８】
ここで、上記真空紫外光の波長は、通常１００ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内とされるものであるが、好ましくは１５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内から設定されることが好ましい。これにより、パターン形成用基板に効率よく特性変化パターンを形成することが可能となるからである。
【００４９】
このような真空紫外光の照射に用いることできる光源としては、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、その他種々の光源を挙げることができる。
【００５０】
ここで、真空紫外光照射に際してのエネルギーの照射量は、パターン形成用基板の表面に、特性が変化した特性変化パターンが形成されるのに必要な照射量とする。
【００５１】
また、上記真空紫外光照射の際、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とは、真空紫外光の作用がパターン形成用基板に及ぶ状態で配置されるものであれば特に限定されるものではなく、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板とを密着させて配置してもよいが、本発明においては、上記フォトマスクと上記パターン形成用基板との間に間隙を設けて配置することが好ましい。このような間隙としては特性変化パターンの線幅を１μｍ〜１００μｍの範囲内に形成する場合、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内、特に１〜５０μｍの範囲内とすることが好ましく、また特性変化パターンの線幅を１００μｍより大きく、１０００μｍ以下の範囲内に形成する場合、１０〜２００μｍの範囲内、特に５０〜２００μｍの範囲内とすることが好ましい。これにより、ムラなくパターニングすることが可能となるからである。
【００５２】
本工程においては、このようなフォトマスクとパターン形成用基板との配置状態は、少なくとも真空紫外光照射の間だけ維持されればよい。
【００５３】
なお、本工程により形成される特性変化パターンの形状や面積等については、パターン形成体の種類や用途等に応じて適宜選択される。
【００５４】
３．その他
本発明のパターン形成体の製造方法は、上記付着物除去工程および上記パターン形成工程を有するものであれば特に限定されるものではなく、上記工程以外に、例えばパターン形成用基板を製造する工程等を有していてもよい。
【００５５】
なお、本発明により製造されたパターン形成体は、例えば上記特性変化パターン上に着色層が形成されたカラーフィルタの形成や、特性変化パターン上に有機ＥＬ層が形成された有機ＥＬ素子の形成、特性変化パターン上にレンズが形成されたマイクロレンズの形成等に用いられるものとすることができる。本発明によれば、上記特性変化パターンが、目的とするパターン状に高精細に形成されたものとすることができることから、例えば着色層や有機ＥＬ層等、各種機能性部が高精細に形成されたものとすることができるからである。またさらに本発明により製造されたパターン形成体は、細胞を培養するために用いられる細胞培養基板として用いられるものであってもよい。この場合、上記特性変化パターン上に、目的とするパターン状に高精細に細胞を培養することが可能となる。
【００５６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５７】
[実施例１]
（パターン形成用基板の作製）
デシルメトキシシラン（信越シリコーン製ＬＳ-５２５８）０．５ｍｌを入れたガラス
容器とガラス基板とを蓋付きの耐熱容器に入れ密閉した。上記耐熱容器を１６５℃に加熱
したオーブンに投入し１時間保持することで、上記耐熱容器内をデシルメトキシシラン雰
囲気にし、ガラス基板表面にデシルメトキシシランを蒸着させ、透明で均一な濡れ性変化
層を有するパターン形成用基板を得た。
（パターン形成工程）
石英ガラス基板上に、Ｃｒ薄膜を幅が５０μｍでピッチが１００μｍのストライプ状に形成したマスクパターンを有するフォトマスクと、上記濡れ性変化層とを、１０μｍのギャップを設けて対向させ、フォトマスク側からエキシマランプにて、波長が１７２ｎｍの真空紫外光を、１０ｍＷ／ｃｍ２の照度で照射することにより露光し、濡れ性変化層の表面に濡れ性変化パターンを形成した。得られた濡れ性変化パターンは未露光部における水との接触角が１０８°、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角は７２°であり、露光部における水との接触角が１０°以下、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°以下になるのに、４０ｓを要した。また、未露光部の幅は４８μｍ、露光部の幅は５２μｍであった。なお、上記濡れ性変化パターンの幅は、パターン形成体の表面を走査型電子顕微鏡により観察することにより行った。
（付着物除去工程およびパターン形成工程）
続いて付着物除去工程として、上述した露光後のフォトマスクに、上記パターン形成工程における光源と同一のエキシマランプにてフォトマスク側から、波長が１７２ｎｍの真空紫外光を、１０ｍＷ／ｃｍ２の照度で３０ｓ間照射し、上記フォトマスク表面に付着した付着物を除去した。その後、パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板と同様のパターン形成用基板に対して、上記フォトマスクを用いて、上記と同様に４０ｓ間露光を行った。
上記付着物除去工程およびパターン形成工程を、それぞれ５０回繰り返し、５０枚の濡れ性変化パターンを有するパターン形成体を作製した。５０枚目の濡れ性変化パターンにおいて、未露光部の幅は５１μｍ、露光部の幅は４９μｍであった。また、５０枚のパターン形成体の濡れ性変化パターンにおける露光部の平均線幅は４８μｍであった。
【００５８】
[実施例２]
（パターン形成工程）
実施例１と同様のパターン形成用基板とフォトマスクとを用いて露光を行った。得られた濡れ性変化パターンは未露光部における水との接触角が１０８°、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角は７２°であり、露光部における水との接触角が１０°以下、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°以下になるのに、４０ｓを要した。また、未露光部の幅は４９μｍ、露光部の幅は５１μｍであった。なお、上記濡れ性変化パターンの幅は、パターン形成体の表面を走査型電子顕微鏡により観察することにより行った。
（付着物除去工程およびパターン形成工程）
続いて付着物除去工程として、上述した露光後のフォトマスクと、上記エキシマランプからのエネルギーを反射させるアルミニウム製の反射板とを対向させて、フォトマスク側から、波長が１７２ｎｍの真空紫外光を、１０ｍＷ／ｃｍ２の照度で１５ｓ間照射し、上記フォトマスク表面に付着した付着物を除去した。その後、パターン形成工程として、上述したパターン形成用基板と同様のパターン形成用基板に対して、上記フォトマスクを用いて、上記と同様に４０ｓ間露光を行った。
上記付着物除去工程およびパターン形成工程を、それぞれ５０回繰り返し、５０枚の濡れ性変化パターンを有するパターン形成体を作製した。５０枚目の濡れ性変化パターンにおいて、未露光部の幅は５１μｍ、露光部の幅は４９μｍであった。また、５０枚のパタン形成体の濡れ性変化パターンにおける露光部の平均線幅は４８μｍであった。
【００５９】
[比較例１]
（パターン形成工程）
実施例１と同様のパターン形成用基板とフォトマスクとを用いて露光を行った。得られた濡れ性変化パターンは未露光部における水との接触角が１０８°、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角は７２°であり、露光部における水との接触角が１０°以下、および表面張力が４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°以下になるのに、４０ｓを要した。また、パターン形成体の表面を走査型電子顕微鏡により観察することにより、上記濡れ性変化パターンの線幅を測定した結果、未露光部の幅は４９μｍ、露光部の幅は５１μｍであった。
続いて付着物除去工程を行わずに、上記フォトマスクを用いて、上記パターン形成用基板と同様の２０枚のパターン形成用基板に対して、４０ｓの露光を行った。露光枚数が多くなるにつれて、露光部にインクを付着した際の線幅が、フォトマスクの開口部よりも太くなる傾向が確認され、８枚目以降の濡れ性変化パターンにおいては、基板全面にインクが濡れ広がりパターン潰れとなった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明における付着物除去工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  …基材
２  …フォトマスク
３  …真空紫外光
４  …特性変化パターン
【図１】
2007094159.tif 000003
【図２】
2007094159.tif 000004