(57)【要約】【課題】レーザリペアによる素子の損傷を最小化することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り、前記有機電界発光表示装置は、基板と；前記基板上に位置し、複数個に分割されるセル及び、前記各セルを相互に連結する切り取りパターンを具備する画素電極と；前記画素電極上に位置する少なくとも発光層を含む有機膜層と；前記有機膜層上に位置する上部電極とを含むことによって、素子の損傷を最小化してレーザリペアすることができる。【選択図】図３
2007066904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に位置し、複数個に分割される切り取り単位セル及び、前記各切り取り単位セルを相互に連結する切り取りパターンを具備する画素電極と；
前記画素電極上に位置する少なくとも発光層を含む有機膜層と；
前記有機膜層上に位置する上部電極と；
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記各切り取り単位セルを囲んでいる切り取りパターンの長さの合計は、前記各切り取り単位セルの周りの長さの１／２以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記各切り取り単位セルと切り取り単位セルの間隔は５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置
【請求項４】
前記基板は、少なくとも２以上の薄膜トランジスタ、少なくとも１以上のキャパシタ及び少なくとも２以上の絶縁膜を具備することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
基板を提供する段階と；
前記基板に導電膜を形成する段階と；
前記導電膜を複数個の切り取り単位セルに分割し、かつ、前記各切り取り単位セルを相互に連結される切り取りパターンを具備する画素電極にパターニングする段階と；
前記画素電極上に少なくとも発光層を含む有機膜層を形成する段階と；
前記有機膜層上に上部電極を形成する段階と；
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記各切り取り単位セルを囲んでいる切り取りパターンの長さの合計は、前記各切り取り単位セルの周りの長さの１／２以下になるように形成することを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記各切り取り単位セルと切り取り単位セルの間隔は５μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記製造方法により製造された有機電界発光表示装置の暗点（ｄａｒｋ  ｐｉｘｅｌ）の発生可否を検査する段階と、
前記有機電界発光表示装置の暗点が生成される場合に、前記暗点の原因であるショート（ｓｈｏｒｔ）部が存在するセルを検出して、前記検出したセルと連結されている切り取りパターンをレーザリペア（ｌａｓｅｒ  ｒｅｐａｉｒ）する段階と；
をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに具体的には、素子の損傷を最小化してレーザリペア（ｌａｓｅｒ  ｒｅｐａｉｒ）できる画素電極の構造を有する有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、有機電界発光表示装置はＣＲＴやＬＣＤに比べて薄膜型、広い視野角、軽量、小型、迅速な応答速度及び少ない消費電力等の長所によって次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
このような有機電界発光表示装置は基本的に陽極及び陰極と前記両電極間に配置されている発光層を具備する。前記陽極と陰極に電圧が印加されることによって、正孔と電子が前記発光層に移動するようになって、前記発光層に移動した正孔と電子が再結合して光を発光するようになる。
【０００４】
この時、前記陽極と陰極のショートにより、電圧を印加しても発光しないいわゆる暗点（ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）が発生することがある。
【０００５】
図１は複数個の単位ピクセルで構成された有機電界発光表示装置が駆動していることを示した写真である。
【０００６】
図１を参照すると、有機電界発光表示装置の１単位ピクセルが発光しないダークピクセル（ｄ）が発生して、有機電界発光表示装置が不良を起こす。
【０００７】
図２Ａないし図２Ｃはダークピクセルが形成された領域の一部分の断面図を拡大した写真である。
【０００８】
図２Ａないし図２Ｃを参照すると、ダークピクセルが形成される要因を確認することができる。
【０００９】
図２Ａに示すように、発光層の形成時工程上の誤謬によって発光層が短絡されることがある。このように発光層が短絡される領域が発光しない暗点（ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）の発生を確認することができる。
【００１０】
図２Ｂに示すように、発光層または陰極の形成時に発生するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）により暗点が発生することがある。
【００１１】
図２Ｃに示すように、下部膜パターン不良により暗点が発生することを確認することができる。
【００１２】
また、前記有機電界発光表示装置の駆動中不良潜在部の電界集中により暗点が発生することがある。
【００１３】
ＡＭ―ＯＬＥＤでは前記のように陽極と陰極間に局所部位ショートにより画素一つが発光しない暗点（ｄａｒｋ  ｐｉｘｅｌ）不良が発生するようになる。このような暗点のもっとも大きい問題点は時間が経過するにしたがってその領域が拡大されて、結局は暗点が発生した単位ピクセルが点灯しないダークピクセルになって有機電界発光表示装置の信頼性が低下するということである。
【００１４】
従来は、前記パーティクルのような異物質にレーザーを照射して前記異物質を除去するレーザリペア工程を介してこれを解決しようとした。
【００１５】
しかし、前記レーザーは前記異物質を除去することもするが、その周辺領域まで損傷させることがある。このような損傷部は素子内に水分または酸素が投入される経路になり、むしろ有機電界発光表示装置の寿命を短縮させてしまう。
【特許文献１】韓国公開特許第２００４−００６７９６４号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第２００３−００８６８２１号明細書
【特許文献３】韓国公開特許第２００１−００６０８３２号明細書
【特許文献４】特開２００４−１１９２０７号公報
【特許文献５】特開２００１−３１９７７８号公報
【特許文献６】特開２００１−２３７０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は前記した従来技術の問題点を解決するために案出したものであって、レーザリペアによる素子の損傷を最小化することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記技術的課題を達成するために本発明の一側面は、有機電界発光表示装置を提供する。前記有機電界発光表示装置は、基板と；前記基板上に位置し、複数個に分割されるセル及び、前記各セルを相互に連結する切り取りパターンを具備する画素電極と；前記画素電極上に位置する少なくとも発光層を含む有機膜層と；前記有機膜層上に位置する上部電極とを含む。
【００１８】
前記各セルを囲んでいる切り取りパターンの長さの合計は、前記各セルの周りの長さの１／２以下であることが望ましい。
【００１９】
前記各セルとセルの間隔は５μｍ以下であることが望ましい。
【００２０】
前記基板は、少なくとも２以上の薄膜トランジスタ、少なくとも１以上のキャパシタ及び少なくとも２以上の絶縁膜を具備することができる。
【００２１】
前記技術的課題を達成するために本発明の他の側面は、有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。前記製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板に導電膜を形成する段階と；前記導電膜を複数個のセルに分割し、かつ、前記各セルを相互に連結される切り取りパターンを具備する画素電極にパターニングする段階と；前記画素電極上に少なくとも発光層を含む有機膜層を形成する段階と；前記有機膜層上に上部電極を形成する段階とを含む。
【００２２】
前記製造方法により製造された有機電界発光表示装置の暗点（ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）の発生可否を検査する段階と、前記有機電界発光表示装置の暗点が生成される場合に、前記暗点が生成されたセルを検出して、前記検出したセルと連結されている切り取りパターンをレーザリペア（ｌａｓｅｒ  ｒｅｐａｉｒ）する段階とをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２３】
前記したように本発明によると、複数の切り取り単位セルに分割して、前記各切り取り単位セルと連結される切り取りパターンを具備するように画素電極を形成することによって、レーザーによる周辺領域の損傷を最小化してレーザリペア工程を遂行することができる有機電界発光表示装置が得られる。
【００２４】
また、レーザリペア工程を介して不良切り取り単位セルのみを補修することによって、他の正常切り取り単位セルが正常に点灯するので製品を廃棄しないでよく、生産率の向上を期待することができる。
【００２５】
また、レーザリペア工程を介してレーザーによる損傷を最小化することができて、有機電界発光表示装置の信頼性を確保することができる。
【００２６】
前記では本発明の望ましい実施形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明による有機電界発光表示装置を図面を参照して詳細に説明する。次に紹介される実施形態は当業者に本発明の思想が充分に伝達されることができるようにするために例として提供されるものである。したがって、本発明は以下説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さ等は便宜のために誇張されて表現されることもある。明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００２８】
図３は本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を示した平面図であって、一つの単位画素を限定して示したものである。
【００２９】
図３を参照しながら説明すれば、一方向に配列されたデータライン１０、前記データライン１０と相互に絶縁されながら交差するスキャンライン２０及び前記スキャンライン２０と相互に絶縁されながら交差して前記データライン１０に平行するように共通電源電圧ライン３０が位置する。前記データライン１０、前記スキャンライン２０及び共通電源電圧ライン３０により単位画素が定義される。前記ラインの配列は任意に配列したことであって各機能を維持するならば他の配列で配置されても構わない。
【００３０】
前記単位画素はスイッチング薄膜トランジスタ４０、駆動薄膜トランジスタ５０、キャパシタ６０及び有機発光ダイオード８０を具備する。
【００３１】
前記スイッチングトランジスタ４０はスキャンライン２０に印加されるスキャン信号により駆動され、データライン１０に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ５０に伝達する役割をする。
【００３２】
前記駆動トランジスタ５０は前記スイッチングトランジスタ４０から伝達されたデータ信号と電源供給ライン３０から伝達された信号、すなわちゲートとソース間の電圧差により有機発光ダイオード８０を介して流れる電流量を決定する。
【００３３】
また前記キャパシタ６０は前記スイッチングトランジスタ４０を介して伝達されたデータ信号を１フレーム間保存する役割をする。
【００３４】
前記有機発光ダイオード８０は少なくとも画素電極９０、有機発光層及び上部電極を具備する。
【００３５】
前記画素電極９０は複数個のセル９０ａに分割されて、前記各セル９０ａは切り取りパターン９０ｂにより相互に連結されている。
【００３６】
前記複数個のセルのうち不良セル、すなわち暗点が発生するセルと連結されている切り取りパターン９０ｂにレーザーを照射して、前記不良セルと正常セル間の連結を切断することができる。この時、前記切り取りパターン９０ｂのみが切断されるため、周辺領域の損傷を最小化してレーザリペアを遂行することができる。また、前記複数のセルのうち不良セルと連結されている切り取りパターン９０ｂのみが切断されるので、前記不良セルだけを除き他の正常セルは正常に点灯できる。
【００３７】
前記切り取りパターン９０ｂがレーザーにより切断される時、周辺領域の損傷を最小化しながらレーザリペアを遂行することを考慮して、前記各セルを囲んでいる切り取りパターン９０ｂの長さの合計は、前記各セル９０ａの周りの長さの１／２以下であることが望ましい。この時、前記各セルを囲んでいる切り取りパターン９０ｂの長さの合計が、前記各セル９０ａの周りの長さの１／２以上になれば、レーザーが照射される領域が広くなるので、周辺領域損傷が大きくなる。
【００３８】
また、前記各セルとセルの間隔はパターニング工程により充分に短縮されることができなければならず、前記画素電極の開口率が低下することを考慮して、５μｍ以下になるように形成することが望ましい。
【００３９】
また、図面では前記セルの形態が四角形の構造を有するがこれに限られなくて、他の形態に形成されることができる。
【００４０】
図４Ｂは本発明の実施形態による有機電界発光表示装置に対する断面図であって、図３のＩ―Ｉ’線に沿った断面を示したものである。
【００４１】
図４Ｂを参照すると、先ず基板１００が位置する。前記基板１００から素子に流入する不純物を防止するために、前記基板１００上にバッファー層１１０を形成することが望ましい。ここで、前記バッファー層１１０はシリコーン窒化膜、シリコーン酸化膜またはシリコーン酸化窒化膜で構成されることができる。
【００４２】
前記バッファー層１１０上部に半導体層１１５が位置する。前記半導体層１１５は非晶質または結晶質シリコーン膜で構成され、ソース領域１１５ｂ、ドレイン領域１１５ａとチャネル領域１１５ｃで構成される。
【００４３】
前記半導体層１１５が形成された基板上部にゲート絶縁膜１２０とゲート電極１２５が位置する。前記ゲート電極１２５を含む基板全面にかけて層間絶縁膜１３０が位置して、前記半導体層１１５と電気的に連結されるソース電極１３５ｂ、ドレイン電極１３５ａが位置する。
【００４４】
前記ソース電極１３５ｂ、ドレイン電極１３５ａの上部に保護膜１４０が位置する。前記保護膜１４０は無機膜、有機膜またはこれらの積層構造で構成されることができる。
【００４５】
前記無機膜はシリコーン窒化膜、シリコーン酸化膜またはシリコーン酸化窒化膜で構成されることができる。また、前記有機膜はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ）  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンサルファイド系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）  ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）で構成された群から選択された一つの物質であることができる。
【００４６】
前記保護膜１４０は前記ソース電極１３５ｂまたはドレイン電極１３５ａを露出するビアホールを具備し、前記ビアホールを介して露出する例えばドレイン電極１３５ａ上に画素電極１４５が位置する。
【００４７】
前記画素電極１４５は陽極の場合に、仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯで構成された透明電極であったり、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金で構成された群から選択された反射電極であることができる。
【００４８】
反面、前記画素電極１４５が陰極の場合、仕事関数が低い金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａ及びこれらの合金で構成された群から選択された薄い厚さを有する透明電極であったり、厚い反射電極であることができる。
【００４９】
この時、前記画素電極１４５は複数個のセル１４５ａと、前記各セルとセルを連結する切り取りパターン１４５ｂで構成されることが望ましい。
【００５０】
この時、前記複数のセルのうち不良セルが発生する場合に前記不良セルと連結されている切り取りパターン１４５ｂをレーザーで切断する。これによって、レーザーによる周辺領域の損傷を最小化してレーザリペア工程を遂行することができる。
【００５１】
上述したように、前記各セル１４５ａを囲んでいる切り取りパターン１４５ｂの長さ（ｂ）の合計は、前記各セル１４５ａの周りの長さの１／２以下であることが望ましい。これによって、前記切り取りパターン１４５ｂをレーザーで切断する時、周辺領域が損傷されることを最小化することができる。
【００５２】
また、前記各セルとセルの間隔は５μｍ以下になるように形成することが望ましい。これは前記各セルとセルの間隔が広くなれば、それだけ画素電極の開口率が小さくなって発光効率が低下する場合があるためである。
【００５３】
前記画素電極１４５上部では前記画素電極１４５の一部分を露出する開口部を具備する画素定義膜（ＰＤＬ；ｐｉｘｅｌ  ｄｅｆｉｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１５０が形成される。
【００５４】
前記画素電極１４５上部に少なくとも発光層を含む有機膜層１５５が位置する。
【００５５】
前記有機膜層１５５は正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層で構成された群から選択された少なくとも１層以上をさらに含むことができる。
【００５６】
前記有機膜層１５５上部に上部電極１６０を具備することによって、有機電界発光表示装置が構成されることができる。
【００５７】
ここで、前記上部電極１６０は前記画素電極１４５が陽極の場合に陰極として仕事関数が低い導電性の金属であって、例えばＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金で構成された群から選択された一つの物質で薄い厚さを有する透明電極であったり、厚い厚さを有する反射電極で形成される。反面、前記上部電極１６０が陰極の場合に陽極として仕事関数が高い導電性の金属として、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成された透明電極であったり、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金で構成された反射電極であることができる。
【００５８】
図４Ａ及び図４Ｂは本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するために示した断面図であって、図３のＩ―Ｉ’線に沿った断面を示したものである。
【００５９】
図４Ａを参照すると、基板１００を提供する。前記基板１００は絶縁基板または導電性基板で構成されることができる。
【００６０】
前記基板１００上にバッファー層１１０を形成することが望ましい。但し、本発明の実施形態によって必ず形成しなければならないことではない。前記バッファー層１１０を形成することは、素子製造時前記基板１００で発生する不純物が半導体層内に浸透することを防止して素子の特性を向上させる役割を果たすため、望ましいのである。
【００６１】
前記バッファー層１１０はシリコーン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコーン酸化膜（ＳｉＯ２）、及びシリコーン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）のうちいずれか一つで形成することができる。
【００６２】
前記バッファー層１１０上に半導体層１１５を形成する。前記半導体層１１５は非晶質または結晶質シリコーン膜で形成することができる。また前記半導体層１１５上にゲート絶縁膜１２０を形成する。前記ゲート絶縁膜１２０は通常の絶縁膜、例えばシリコーン酸化膜（ＳｉＯ２）で形成する。
【００６３】
前記ゲート絶縁膜１２０が形成された基板上にゲート電極１２５を形成する。前記ゲート電極１２５をマスクとして用いて前記半導体層１１５にイオン注入を実施する。前記イオン注入で半導体層にはソース領域１１５ｂ及びドレイン領域１１５ａが形成されて、前記ソース領域１１５ｂ及びドレイン領域１１５ａによりチャネル領域１１５ｃが定義される。
【００６４】
前記ゲート電極１２０上部に層間絶縁膜１３０を形成する。前記層間絶縁膜１３０内に前記ソース領域１１５ｂ及びドレイン領域１１５ａをそれぞれ露出させるコンタクトホールを形成する。前記層間絶縁膜１３０上に導電膜を積層してパターニングすることによって前記露出したソース領域１１５ｂ及びドレイン領域１１５ａとそれぞれ電気的に連結されるソース電極１３５ｂ及びドレイン電極１３５ａを形成する。
【００６５】
前記ソース電極１３５ｂ、ドレイン電極１３５ａを形成した基板の上部に保護膜１４０を形成する。前記保護膜１４０は有機膜、無機膜またはこれらの積層構造で構成されることができる。
【００６６】
この時、前記無機膜はシリコーン窒化膜、シリコーン酸化膜またはシリコーン酸化窒化膜で形成することができる。前記有機膜はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ）  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンサルファイド系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）  ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）で構成された群から選択された一つの物質で形成することができる。
【００６７】
前記保護膜１４０に前記ドレイン電極１３５ａが露出するようにビアホールを形成して、前記ビアホールを介して前記ドレイン電極１３５ａと電気的に連結される導電膜１４５を形成する。
【００６８】
ここで、前記導電膜１４５は仕事関数が高い金属としてＩＴＯまたはＩＺＯで構成された透明導電膜であるか、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金で構成された群から選択された反射導電膜であることができる。反面、前記導電膜１４５は仕事関数が低い金属としてＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａ及びこれらの合金で構成された群から選択された薄い厚さを有する透明導電膜であるか、厚い反射導電膜であることができる。
【００６９】
図４Ｂを参照すると、前記導電膜１４５をパターニングして画素電極１４５を形成する。この時、前記画素電極１４５は複数の切り取り単位セル１４５ａに分割し、前記各切り取り単位セル１４５ａを切り取りパターン１４５ｂにより連結されるようにパターニングする。図面には前記各切り取り単位セル１４５ａが四角形の形態を有しているが、これに限られないで円形、三角形及び多角形等多くの形態で形成することができる。
【００７０】
前記各切り取り単位セル１４５ａを囲んでいる切り取りパターン長さ（ｂ）の合計は、前記各切り取り単位セルの周りの長さの１／２以下になるように切り取りパターン１４５ｂを形成することが望ましい。また、前記各切り取り単位セルと切り取り単位セルの間隔は５μｍ以下になるように形成することが望ましい。
【００７１】
続いて、前記画素電極１４５上に画素定義膜１５０を形成した後、前記画素電極１４５の一部分を露出する開口部を形成する。
【００７２】
前記開口部に発光層を含んだ有機膜層１５５を形成する。前記有機膜層１５５は正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層で構成された群から少なくとも１層以上をさらに形成することができる。ここで、前記有機膜層は通常の材料及び製造方法を遂行して形成され、本発明はこれに限定するものでない。
【００７３】
そして、前記有機膜層１５５上部に上部電極１６０を形成して有機電界発光表示装置を完成する。
【００７４】
図５は本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の平面図であって、レーザリペア工程を説明するために示した図面である。
【００７５】
図５を参照すると、上述したように製作された有機電界発光表示装置で暗点が発生すれば、顕微鏡または自動検出装置を利用した検査工程を遂行してその原因を確認することができる。図５に示すように、パーティクル（Ｐ）が発生すると画素電極と上部電極とがショートし、暗点が発生する。この時、前記パーティクル（Ｐ）が位置する不良切り取り単位セル２４５ａを検出して、前記不良切り取り単位セル２４５ａと連結している切り取りパターン２４５ｂにレーザーを照射して切断する。この時、単位画素に電圧を印加すれば、前記不良切り取り単位セル２４５ａは点灯せず、他の正常な切り取り単位セル２４５ｃは正常に点灯するので、前記単位画素は正常に作動できる。この時、前記パーティクルが形成された全領域にレーザーを照射しないで、局所的に前記パーティクルが位置する不良切り取り単位セル２４５ａと連結される切り取りパターン２４５ｂにだけレーザーを照射するので、レーザーによる周辺領域の損傷を最小化させることができる。
【００７６】
これによって、レーザリペアする場合において、レーザーによる周辺領域の損傷を最小化して不良切り取り単位セルを補修することで、レーザリペア工程による有機電界発光表示装置の信頼性が低下することを防止することができる。
【００７７】
また、レーザリペア工程を遂行することによって、前記不良切り取り単位セル２４５ａだけ非発光領域になって他の正常な切り取り単位セルは発光領域になるので、前記有機電界発光表示装置を廃棄しなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】複数個の単位ピクセルで構成された有機電界発光表示装置が駆動していることを示した写真である。
【図２Ａ】ダークピクセルが形成された領域の一部分の断面図を拡大した写真である。
【図２Ｂ】ダークピクセルが形成された領域の一部分の断面図を拡大した写真である。
【図２Ｃ】ダークピクセルが形成された領域の一部分の断面図を拡大した写真である。
【図３】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を示した平面図であって、一つの単位画素を限定して示したものである。
【図４Ａ】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図であって、図３のＩ―Ｉ’線に沿った断面を示したものである。
【図４Ｂ】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図であって、図３のＩ―Ｉ’線に沿った断面を示したものである。
【図５】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の平面図であって、レーザリペア工程を説明するために示した図面である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  データライン
２０  スキャンライン
３０  共通電源電圧ライン
４０  スイッチング薄膜トランジスタ
５０  駆動薄膜トランジスタ
６０  キャパシタ
８０  有機発光ダイオード
９０  画素電極
【図３】
2007066904.tif 000003
【図４Ａ】
2007066904.tif 000004
【図４Ｂ】
2007066904.tif 000005
【図５】
2007066904.tif 000006
【図１】
2007066904.tif 000007
【図２Ａ】
2007066904.tif 000008
【図２Ｂ】
2007066904.tif 000009
【図２Ｃ】
2007066904.tif 000010