(57)【要約】【課題】液晶分子等の配向異常が生じ難い電子デバイス用基板、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供すること。【解決手段】液晶パネル1は、ＴＦＴ基板17と液晶パネル用対向基板12と配向膜3と配向膜4と液晶層2とを有する。配向膜3および配向膜4は、斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜に対して、該無機酸化物膜に存在する水酸基の数を低減させる水酸基低減処理を施してなるものであり、配向膜3、4を電解質水溶液に接触させた状態で和周波発生法により測定したとき、得られるスペクトルにおいて、波数3100〜3300cm−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度が、pH＝7の電解質水溶液を用いた場合に対して、pH＝11の電解質水溶液を用いた場合0.8〜2倍である。  ［ただし、前記スペクトルは、前記電解質水溶液の接触を省略した状態で、配向膜3、4を和周波発生法により測定して得られた値をオフセットして得られたものである。］【選択図】図１
2007033743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面に設けられた配向膜とを有する電子デバイス用基板であって、
前記配向膜は、斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜に対して、該無機酸化物膜に存在する水酸基の数を低減させる水酸基低減処理を施してなるものであり、
当該配向膜を電解質水溶液に接触させた状態で和周波発生法により測定したとき、得られるスペクトルにおいて、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度が、ｐＨ＝７の電解質水溶液を用いた場合に対して、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いた場合、０．８〜２倍であることを特徴とする電子デバイス用基板。
［ただし、前記スペクトルは、前記電解質水溶液の接触を省略した状態で、前記配向膜を和周波発生法により測定して得られた値をオフセットして得られたものである。］
【請求項２】
前記基板は、その少なくとも一部に光透過性を有し、
前記和周波発生法では、前記配向膜に前記電解質水溶液を選択的に接触させた状態で、前記基板の光透過性を有する部分に、前記配向膜と反対側から光を入射させる請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項３】
前記和周波発生法では、前記基板に入射させる光として、可視レーザ光と赤外レーザ光とを用いる請求項１または２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記電解質水溶液の温度は、１０〜４０℃である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
前記水酸基低減処理は、前記水酸基に少なくとも１種のアルコールを化学結合させる処理である請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の電子デバイス用基板と、
前記配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする液晶パネル。
【請求項７】
第１の配向膜を備える第１の電子デバイス用基板と、
第２の配向膜を備える第２の電子デバイス用基板と、
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜との間に介挿された液晶層とを有する液晶パネルであって、
前記第１の電子デバイス用基板および前記第２の電子デバイス用基板が、それぞれ、請求項５に記載の電子デバイス用基板で構成されていることを特徴とする液晶パネル。
【請求項８】
前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量と前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量とが異なっている請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項９】
前記第１の電子デバイス用基板は、駆動用素子を備え、
前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量が、前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量より大きくなっている請求項８に記載の液晶パネル。
【請求項１０】
前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量は、１００〜４００である請求項９に記載の液晶パネル。
【請求項１１】
前記第１の配向膜のアルコールは、炭素数６〜３０のものを主とする請求項１０に記載の液晶パネル。
【請求項１２】
前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量は、３２〜７０である請求項９ないし１１のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項１３】
前記第２の配向膜のアルコールは、炭素数１〜４のものを主とする請求項１２に記載の液晶パネル。
【請求項１４】
請求項６ないし１３のいずれかに記載の液晶パネルを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、垂直配向タイプの液晶表示素子（液晶パネル）が液晶テレビ（直視型表示装置）、液晶プロジェクタ（投射型表示装置）等で実用化されている。
これらの垂直配向タイプの液晶表示素子に用いられる垂直配向膜としては、例えば液晶テレビにはポリイミド等の有機配向膜が用いられている。また、液晶プロジェクタには、ＳｉＯ２等の斜方蒸着膜（無機配向膜）が多用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
無機酸化物の斜方蒸着膜は、複数の細孔を有し、その表面および細孔の内面には、分極した水酸基が多数存在している。この水酸基は、ブレンステッド酸点として活性があり、液晶分子や液晶表示素子に含まれる不純物、特に極性基を持つ化合物を吸着したり反応したりし易い。
ここで、不純物には、シール剤中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が含まれる。
斜方蒸着膜表面に不純物が吸着したり、反応したりすると、表面の形状や極性が変化して垂直アンカリング力が低下し、液晶分子が配向異常を起こすという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１８６０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、液晶分子等の配向異常が生じ難い電子デバイス用基板、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板は、基板と、該基板の一方の面に設けられた配向膜とを有する電子デバイス用基板であって、
前記配向膜は、斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜に対して、該無機酸化物膜に存在する水酸基の数を低減させる水酸基低減処理を施してなるものであり、
当該配向膜を電解質水溶液に接触させた状態で和周波発生法により測定したとき、得られるスペクトルにおいて、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度が、ｐＨ＝７の電解質水溶液を用いた場合に対して、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いた場合、０．８〜２倍であることを特徴とする。
［ただし、前記スペクトルは、前記電解質水溶液の接触を省略した状態で、前記配向膜を和周波発生法により測定して得られた値をオフセットして得られたものである。］
かかる関係を満足する配向膜は、無機酸化物膜に残存する水酸基の数が非常に少ないことを示し、このような配向膜を備える電子デバイス用基板は、液晶分子等の配向異常が極めて生じ難いものとなる。
【０００７】
本発明の電子デバイス用基板では、前記基板は、その少なくとも一部に光透過性を有し、
前記和周波発生法では、前記配向膜に前記電解質水溶液を選択的に接触させた状態で、前記基板の光透過性を有する部分に、前記配向膜と反対側から光を入射させることが好ましい。
これにより、電解質水溶液中の水が、得られるスペクトル（ピークの強度）に与える影響を排除することができる。
【０００８】
本発明の電子デバイス用基板では、前記和周波発生法では、前記基板に入射させる光として、可視レーザ光と赤外レーザ光とを用いることが好ましい。
これにより、ピークの強度をより正確に測定することができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記電解質水溶液の温度は、１０〜４０℃であることが好ましい。
これにより、ピーク強度やピーク位置のバラツキを低減することができるという効果が得られる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記水酸基低減処理は、前記水酸基に少なくとも１種のアルコールを化学結合させる処理であることが好ましい。
これにより、水酸基低減処理を容易かつ安価に行うことができる。
【０００９】
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機酸化物膜は、ＢＥＴ法で測定される前記基板の一方の面の表面積をＳ１［ｎｍ２］とし、ＢＥＴ法で測定される前記無機酸化物膜の表面積をＳ２［ｎｍ２］とし、前記無機酸化物膜の平均厚さをｔ［ｎｍ］としたとき、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋４．４なる関係を満足することが好ましい。
【００１０】
かかる無機酸化物膜を用いることにより、無機酸化物膜の表面のみならず、細孔の内面に存在する水酸基にもアルコールを容易かつ確実に化学結合させることができ、その結果、前述したような関係を満足する配向膜を容易に得ることができる。
また、前記関係を満足する無機酸化物膜は、細孔の占める割合が比較的多いこと、すなわち、規則的に配列した細孔が比較的高密度に存在することを示しており、液晶層が含有する液晶分子に対する配向性（無機酸化物膜の形状に依存した配向性）をより増大させることができる。したがって、より長期に亘って、液晶分子に対する優れた配向性が発揮される配向膜が得られる。
【００１１】
本発明の電子デバイス用基板では、前記ＢＥＴ法は、ＢＥＴ多点法であることが好ましい。
ＢＥＴ多点法によれば、無機酸化物膜の表面積をより正確に測定することができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記ＢＥＴ法は、吸着ガスとしてクリプトンガスを用いるものであることが好ましい。
クリプトンガスを用いるＢＥＴ法によれば、再現性よく表面積の測定が可能である。
【００１２】
本発明の液晶パネルは、本発明の電子デバイス用基板と、
前記配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液晶パネルが得られる。
本発明の液晶パネルは、第１の配向膜を備える第１の電子デバイス用基板と、
第２の配向膜を備える第２の電子デバイス用基板と、
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜との間に介挿された液晶層とを有する液晶パネルであって、
前記第１の電子デバイス用基板および前記第２の電子デバイス用基板が、それぞれ、本発明の電子デバイス用基板で構成されていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液晶パネルが得られる。
【００１３】
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量と前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量とが異なっていることが好ましい。
これにより、耐光性に優れ、焼き付きが生じ難いものとなる。
本発明の液晶パネルでは、前記第１の電子デバイス用基板は、駆動用素子を備え、
前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量が、前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量より大きくなっていることが好ましい。
これにより、耐光性に優れ、焼き付きが生じ難いものとなる。
【００１４】
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールの平均分子量は、１００〜４００であることが好ましい。
これにより、配向異常の発生に要する時間をより確実に延長させること、すなわち、耐久性（耐光性）をより確実に向上させることができる。
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールは、炭素数６〜３０のものを主とすることが好ましい。
これにより、耐久性向上の効果がより顕著となる。
【００１５】
本発明の液晶パネルでは、前記第２の配向膜のアルコールの平均分子量は、３２〜７０であることが好ましい。
これにより、焼き付きをより確実に防止することができる。
本発明の液晶パネルでは、前記第２の配向膜のアルコールは、炭素数１〜４のものを主とすることが好ましい。
これにより、焼き付き防止効果がより顕著となる。
【００１６】
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールおよび前記第２の配向膜のアルコールの少なくとも一方は、複数種のアルコールを含んでなるものであることが好ましい。
例えば、高分子量のアルコールと低分子量のアルコールとを組み合わせて用いると、高分子量のアルコール同士の間の水酸基や、細孔の奥に存在する水酸基にもアルコールを化学結合させることができ、無機酸化物膜に残存する水酸基をより確実に減少させることができるという利点がある。
【００１７】
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールおよび前記第２の配向膜のアルコールのいずれか一方は、複数種のアルコールを含んでなるものであり、他方は、１種のアルコールからなるものであり、
前記一方の配向膜のアルコールは、前記他方の配向膜のアルコールと同種のアルコールを含んでいることが好ましい。
これにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整し易くなるという利点がある。
【００１８】
本発明の液晶パネルでは、前記第１の配向膜のアルコールおよび前記第２の配向膜のアルコールの双方が、複数種のアルコールを含んでなるものであり、
前記第１の配向膜のアルコールおよび前記第２の配向膜のアルコールは、同種のアルコールを含んでいることが好ましい。
これにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整し易くなるという利点がある。
本発明の電子機器は、本発明の液晶パネルを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の電子デバイス用基板を適用した液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図、図２は、図１に示す液晶パネルが備える配向膜を拡大して示す縦断面図である。なお、図１では、シール材、配線等の記載は省略した。また、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
図１に示す液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２に接合された配向膜４と、配向膜３と配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２と、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７の外表面（上面）側に接合された偏光膜７と、液晶パネル用対向基板１２の外表面（下面）側に接合された偏光膜８とを有している。
【００２１】
液晶パネル用対向基板１２は、マイクロレンズ基板１１と、かかるマイクロレンズ基板１１の表層１１４上に設けられ、開口１３１が形成されたブラックマトリックス１３と、表層１１４上にブラックマトリックス１３を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）１４とを有している。
マイクロレンズ基板１１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）１１２が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板１１１の凹部１１２が設けられた面に樹脂層（接着剤層）１１５を介して接合された表層１１４とを有している。
【００２２】
また、樹脂層１１５では、凹部１１２内に充填された樹脂によりマイクロレンズ１１３が形成されている。
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、平板状の母材（透明基板）より製造され、その表面には、複数（多数）の凹部１１２が形成されている。
凹部１１２は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
このマイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、例えば、ガラス等で構成されている。
【００２３】
前記母材の熱膨張係数は、ガラス基板１７１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネル１では、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、ガラス基板１７１とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
【００２４】
特に、後述するＴＦＴ基板１７には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を石英ガラスで構成することが好ましい。これにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れた液晶パネル１を得ることができる。
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の上面には、凹部１１２を覆う樹脂層（接着剤層）１１５が設けられている。
凹部１１２内には、樹脂層１１５の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ１１３が形成されている。
【００２５】
樹脂層１１５は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂（接着剤）で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
樹脂層１１５の上面には、平板状の表層１１４が設けられている。
【００２６】
表層（ガラス層）１１４は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層１１４の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【００２７】
表層１１４の平均厚さは、必要な光学特性を得る観点からは、通常、５〜１０００μｍ程度とされ、より好ましくは１０〜１５０μｍ程度とされる。
なお、表層（バリア層）１１４は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物系セラミックス、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。
【００２８】
表層１１４をセラミックスで構成する場合、表層１１４の平均厚さは、特に限定されないが、２０ｎｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層１１４は、必要に応じて省略することができる。
ブラックマトリックス１３は、遮光機能を有し、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
【００２９】
透明導電膜１４は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で構成されている。
ＴＦＴ基板１７は、液晶層２が含有する液晶分子を駆動（配向制御）する基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられ、マトリックス状（行列状）に配設された複数（多数）の画素電極１７２と、各画素電極１７２に対応する複数（多数）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。
【００３０】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
画素電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１４との間で充放電を行うことにより、液晶層２の液晶分子を駆動する。この画素電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１４と同様の材料で構成されている。
【００３１】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する画素電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極１７２の充放電が制御される。
ＴＦＴ基板１７の外表面（図１中上面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）７が配置されている。同様に、液晶パネル用対向基板１２の外表面（図１中下面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）８が配置されている。
【００３２】
偏光膜７、８の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
このような偏光膜７、８を配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
偏光膜７、８の偏光軸の方向は、通常、配向膜３、４の配向方向（本実施形態では、電圧印加時）に応じて決定される。
また、ＴＦＴ基板１７には、画素電極１７２に接合して配向膜３が設けられ、液晶パネル用対向基板１２には、透明導電膜１４に接合して配向膜４が設けられている。
【００３３】
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７と配向膜３とにより第１の電子デバイス用基板が構成され、液晶パネル用対向基板１２と配向膜４とにより、第２の電子デバイス用基板が構成される。
そして、これらの配向膜３と配向膜４との間に液晶層２が介挿されている。液晶層２は、液晶分子（液晶材料）を含有しており、画素電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子の配向が変化する。
【００３４】
液晶分子としては、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体、ビフェニル誘導体、ビフェニルシクロヘキサン誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルエーテル誘導体、フェニルエステル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、アゾメチン誘導体、アゾキシ誘導体、ピリミジン誘導体、ジオキサン誘導体、キュバン誘導体、さらに、これらの誘導体に、フルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入したもの等が挙げられる。
なお、後述するように、配向膜３、４を用いた場合、液晶分子は垂直配向し易くなるが、垂直配向に適する液晶分子としては、例えば、下記化１〜化３で表される化合物等が挙げられる。
【００３５】
【化１】
2007033743.tif 000003
【００３６】
【化２】
2007033743.tif 000004
【００３７】
【化３】
2007033743.tif 000005
［式中、環Ａ〜Ｉは、それぞれ独立して、シクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはフッ素原子のいずれかを示し、Ｘ１〜Ｘ１８は、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を示す。］
【００３８】
配向膜（垂直配向膜）３、４は、液晶層２が含有する液晶分子の（電圧無印加時における）配向状態を規制する機能を有している。
なお、これらの配向膜３、４の構成については、後に詳述する。
このような液晶パネル１では、通常、１個のマイクロレンズ１１３と、かかるマイクロレンズ１１３の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１３の１個の開口１３１と、１個の画素電極１７２と、かかる画素電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【００３９】
液晶パネル用対向基板１２側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を通り、マイクロレンズ１１３を通過する際に集光されつつ、樹脂層１１５、表層１１４、ブラックマトリックス１３の開口１３１、透明導電膜１４、液晶層２、画素電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。
このとき、マイクロレンズ基板１１の入射側に偏光膜８が設けられているため、入射光Ｌが液晶層２を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。
【００４０】
その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層２の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１を透過した入射光Ｌを偏光膜７に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
このように、液晶パネル１は、マイクロレンズ１１３を有しており、しかも、マイクロレンズ１１３を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス１３の開口１３１を通過する。
【００４１】
一方、ブラックマトリックス１３の開口１３１が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１は、画素部で高い光の透過率を有する。
さて、配向膜３（４）は、それぞれ、図２に示すように、斜方蒸着法により形成された無機酸化物膜３１（４１）と、この無機酸化物膜３１（４１）に、後述するような方法により処理（水酸基低減処理）を施すことにより形成された被膜３２（４２）とで構成されている。
【００４２】
以下、配向膜３、４は、同様の構成であるため、配向膜３を代表に説明する。
無機酸化物膜３１は、斜方蒸着法により形成されるため、図２に示すように、複数の細孔３０を有する構造をなし、各細孔３０の軸は、ＴＦＴ基板１７の上面（配向膜３が形成される面）に対して、傾斜した状態で一軸配向している。
ここで、各細孔３０の軸が一軸配向しているとは、大多数の細孔３０の軸がほぼ等しい方向を向いていること（細孔３０の軸の平均的な方向が制御されていること）をいい、複数の細孔３０の中には、軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた細孔３０が含まれていてもよい。
【００４３】
このように、各細孔３０が規則的に配列していることにより、無機酸化物膜３１は、高い構造規則性を有している。
このような構成により、液晶層２が含有する液晶分子は、垂直配向（ホメオトロピック配向）し易くなる。したがって、このような構成の配向膜３は、ＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶パネルの構築に有用である。
【００４４】
また、配向膜３が高い構造規則性を有することから、液晶分子の配向方向もより正確に一定方向（垂直方向）に揃うようになる。その結果、液晶パネル１の性能（特性）の向上を図ることができる。
なお、細孔３０とＴＦＴ基板１７の上面とのなす角度（図２中角度θ）は、特に限定されないが、４５〜８５°程度であるのが好ましく、５５〜７５°程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
【００４５】
無機酸化物膜３１は、無機酸化物を主材料として構成された膜である。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性（光安定性）を有している。このため、無機酸化物膜３１は、有機材料で構成された配向膜に比べ、特に優れた耐光性を有するものとなる。
また、無機酸化物膜３１を構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶パネル１において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
【００４６】
このような無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯのようなシリコン酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＷＯ３、ＣｒＯ３、ＧａＯ３、ＨｆＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主成分とするものが好ましい。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。
このような無機酸化物膜３１の少なくとも表面（本実施形態では、表面および細孔３０の内面）に沿って、被膜３２が形成されている。
【００４７】
本実施形態の被膜３２は、後述する処理液を用いて無機酸化物膜３１に対して処理（水酸基低減処理）を施すことにより形成された膜、すなわち、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に存在する活性な水酸基と、アルコールが有する水酸基とが化学反応（脱水縮合反応）して形成された膜であり、アルコールの主骨格部分を主としてなる膜である。
【００４８】
被膜３２を形成することにより、無機酸化物膜３１に存在する活性な水酸基の数を減少させることができ、無機酸化物膜３１に対して各種不純物が付着することや、無機酸化物膜３１が液晶分子と反応すること等を防止することができる。このため、例えば、配向膜３の液晶分子に対する垂直アンカリング力の低下等を防止することができ、結果として、液晶分子に配向異常が生じるのをより確実に防止することができる。
【００４９】
特に、本実施形態では、細孔３０の内面に存在する水酸基にもアルコールが化学結合しているため、前記効果がより顕著となる。
換言すれば、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数がより少ないほど、前記効果がより顕著となる。
そして、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、配向膜３を電解質水溶液に接触させた状態で和周波発生法により測定したとき、得られるスペクトルにおいて、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度が、ｐＨ＝７の電解質水溶液を用いた場合に対して、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いた場合０．８〜２倍であると、液晶分子の配向異常が極めて生じ難くなることを見い出した。
【００５０】
ここで、和周波発生（Ｓｕｍ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：ＳＦＧ）法とは、二つの光をサンプルの同じ場所に同時に照射し、この二つの光の周波数の和の周波数を持つ光（和周波光）を測定する手法のことを言う。
この和周波発生法によれば、反転中心を持たないサンプル表面や、異種の界面（固体と固体、固体と液体、液体と液体）の分子振動のみを高感度で検出可能である。
【００５１】
本発明では、配向膜３に電解質水溶液を接触させた状態で、この配向膜３を和周波発生法により測定し、ｐＨの異なる電解質水溶液を用いた場合において、配向膜３と電解質水溶液との界面における電解質水溶液中の水分子（Ｈ２Ｏ）の状態を検出・比較することにした。これは、次のような理由からである。
すなわち、無機酸化物膜３１に水酸基（シラノール基）が残存する場合、この水酸基は、アルカリ性の電解質水溶液に接触すると、脱プロトン化され、負電荷を持つことになる。そして、その負電荷により生じた表面電場が、多くの水分子の永久双極子を配向させ、水分子が水素原子を無機酸化物膜３１側に向けて、規則的に配列するようになる。
【００５２】
一方、水酸基は、中性（ｐＨ＝７）の電解質水溶液に接触すると、一部が脱プロトン化するため、水分子が水素原子を無機酸化物膜３１側に向けて配向するようになり、残りは脱プロトン化せず、水素結合により、水分子が酸素原子を無機酸化物膜３１側に向けて配向するようになる。これにより、配向膜３と電解質水溶液との界面における水分子の配列に乱れが生じることになる。
【００５３】
この水分子の分子振動を和周波発生法により検出すれば、電解質水溶液のｐＨの違いにより、配向膜３と電解質水溶液との界面における水分子の配列が異なることが要因となり、異なる強度（大きさ）の水分子に由来するピークが観測されることとなる。そして、この水分子に由来するピーク（以下、単に、「ピーク」と言う。）の強度の差の程度は、無機酸化物膜３１に残存する水酸基（シラノール基）の数に依存して変化する。すなわち、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数が少ない場合には、ピークの強度の差の程度は小さく、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数が多い場合には、ピークの強度の差の程度は大きくなる。
このように、異なるｐＨの電解質水溶液を用いて測定されたピークの強度を比較することにより、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数の多少を知ることができる。
【００５４】
ところで、この水分子に由来するピークは、異なる波数の範囲（領域）に複数存在するが、電解質水溶液のｐＨに関わらず、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲には必ず現れること、また、この範囲に現れるピークは、その強度（大きさ）が電解質水溶液のｐＨに依存して大きく変動することから、本発明では、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在するピークを比較することとした。
【００５５】
また、アルカリ性の電解質水溶液には、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いることとした。これは、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いることにより、無機酸化物膜３１に残存する水酸基を確実に脱プロトン化させ得ること、ｐＨ＝１１を上回る高アルカリ性の電解質水溶液を用いると、無機酸化物膜３１自体に変質・劣化（溶解）が生じること等からである。
また、スペクトルには、電解質水溶液の接触を省略した状態で、配向膜３を和周波発生法により測定して得られた値をオフセットして得られたものを用いることとした。これにより、測定機器や測定条件等によらず、一定の適正なピークの強度を得ることができる。
【００５６】
そして、本発明者は、さらに検討を重ねた結果、前述のようにして検出されたピークの強度が、ｐＨ＝７の電解質水溶液を用いた場合に対して、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を用いた場合０．８〜２倍、好ましくは０．９〜１．８倍、より好ましくは１〜１．６倍であればよいとの結論に達した。かかる関係を満足するということは、ピークの強度の差の程度が極めて小さいことを意味し、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数が非常に少ないことを示す。そして、このような配向膜３は、液晶分子の配向異常が極めて生じ難いものとなる。
配向膜３の和周波発生法による測定は、例えば、図３に示すような測定装置を用いて行われる。
【００５７】
図３に示す測定装置７００は、電解質水溶液を貯留する空間７９０を有する容器７１０と、容器７１０の開口部を塞ぐ蓋７２０と、蓋７２０上に配置されるプリズム７３０と、基本波７５３を出射する光源７５４と、基本波７５３を分割した分割波７４２により可視光７４０を出射する可視光作成手段７４１と、基本波７５３を分割した分割波７５２により赤外光７５０を出射する赤外光作成手段７５１と、和周波光７６０を検出する検出器７６１とを備えている。
【００５８】
容器７１０には、電解質水溶液を空間７９０内に供給する供給口７１１と、空間７９０内から排出する排出口７１２とが設けられている。
また、蓋７２０の中央部には、配向膜が形成された基板を設置、固定する開口部７２１が形成されている。
また、プリズム７３０は、例えば、石英ガラス等で構成されている。
【００５９】
まず、蓋７２０の開口部７２１に、配向膜３が形成されたＴＦＴ基板１７を、配向膜が蓋７２０の内側（図３中、下側）を向くようにして設置、固定する。
次に、この状態で、蓋７２０を容器７１０に装着し、さらに、プリズム７３０を蓋７２０上に載置する。
次に、可視光７４０および赤外光７５０を、配向膜３の同一箇所に照射し、発生した和周波光７６０を検出する。このときの測定値をオフセット値として使用する。
【００６０】
次に、ｐＨ＝７の電解質水溶液を空間７９０内にほぼ満量となるように充填する。これにより、配向膜３が電解質水溶液と選択的に接触させる。
次に、この状態で、前記と同様にして、和周波光７６０を検出する。そして、前記測定値をオフセットして得られたスペクトルから、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度（ｐＨ＝７）を求める。
【００６１】
次に、ｐＨ＝７の電解質水溶液を空間７９０内から排出し、ｐＨ＝１１の電解質水溶液を空間７９０内にほぼ満量となるように充填する。
次に、この状態で、前記と同様にして、和周波光７６０を検出する。そして、前記測定値をオフセットして得られたスペクトルから、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度（ｐＨ＝１１）を求める。
そして、ピークの強度（ｐＨ＝７）に対するピークの強度（ｐＨ＝１１）の比を算出する。
【００６２】
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７は、ＴＦＴ１７３が形成された箇所を除く部分に光透過性を有するため、当該部分に配向膜３と反対側から光７４０、７５０を入射させる。これにより、電解質水溶液に接触させた状態で配向膜３を測定する場合（以下、「本測定」と言う。）において、電解質水溶液中の水が、得られるスペクトル（ピークの強度）に与える影響を排除することができる。
【００６３】
また、２つの光７４０、７５０の組み合わせとしては、種々あるが、特に、可視レーザ光と赤外レーザ光とを組み合わせて用いるのが好ましい。これにより、ピークの強度をより正確に測定することができる。
また、本測定に際して、電解質水溶液の温度は、１０〜４０℃程度であるのが好ましく、１５〜３０℃程度であるのがより好ましい。これにより、ピーク強度やピーク位置のバラツキを低減することができるという効果が得られる。
【００６４】
また、無機酸化物膜３１は、ＢＥＴ法で測定されるＴＦＴ基板１７の上面（無機酸化物膜３１を形成する面）の表面積をＳ１［ｎｍ２］とし、ＢＥＴ法で測定される無機酸化物膜３１の表面積をＳ２［ｎｍ２］とし、無機酸化物膜３１の平均厚さをｔ［ｎｍ］としたとき、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋４．４なる関係を満足することが好ましく、０．５５ｌｏｇｅｔ≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋３．５なる関係を満足するのがより好ましく、０．５５ｌｏｇｅｔ＋０．５≦Ｓ２／Ｓ１≦０．５５ｌｏｇｅｔ＋２なる関係を満足するのがさらに好ましい。なお、無機酸化物膜３１の表面積の値とは、無機酸化物膜３１の表面の面積と、細孔３０の内面の面積とを合計した値である。
【００６５】
かかる無機酸化物膜３１を用いることにより、無機酸化物膜３１の表面のみならず、細孔３０の内面に存在する水酸基にもアルコールを容易かつ確実に化学結合させることができ、その結果、前述したような関係を満足する配向膜３を容易に得ることができる。
また、前記関係を満足する無機酸化物膜３１は、細孔３０の占める割合が比較的多いこと、すなわち、規則的に配列した細孔３０が比較的高密度に存在することを示しており、液晶層２が含有する液晶分子に対する配向性（無機酸化物膜の形状に依存した配向性）をより増大させることができる。したがって、より長期に亘って、液晶分子に対する優れた配向性が発揮される配向膜３が得られる。
【００６６】
各表面積の測定方法には、それぞれ、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法が用いられる。表面積の測定法としては、気体吸着法（ＢＥＴ法、Ｈａｒｋｉｎｓ−Ｊｕｒａの相対法）、液相吸着法、浸漬熱法、透過法などがあるが、このＢＥＴ法によれば、複雑な形状の無機酸化物膜３１の表面積、すなわち、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面の全面積を正確に測定することができる。
【００６７】
また、ＢＥＴ法としては、ＢＥＴ多点法、ＢＥＴ一点法のいずれでもよいが、ＢＥＴ多点法を用いるのが好ましい。ＢＥＴ多点法によれば、無機酸化物膜３１の表面積をより正確に測定することがでる。
さらに、ＢＥＴ法に用いる吸着ガスとしては、例えば、クリプトンガス、ネオンガスのような希ガス、窒素ガス等が挙げられるが、希ガス、特に、クリプトンガスを用いるのが好ましい。クリプトンガスを用いるＢＥＴ法によれば、特に、再現性よくかつ正確に表面積の測定が可能である。
【００６８】
なお、無機酸化物膜３１の表面積は、例えば、後述するような斜方蒸着に際する蒸着装置内の真空度、蒸着レート等の各種条件を適宜設定することにより調整することができる。
平均厚さｔの具体的な値は、２０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましく、４０〜８０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。無機酸化物膜３１の厚さが薄過ぎると、液晶分子が直接、画素電極１７２に接触し、ショートするのを十分に防止することができないおそれがある。一方、無機酸化物膜３１の厚さが厚過ぎると、液晶パネル１の駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる可能性がある。
【００６９】
また、面積比Ｓ２／Ｓ１の具体的な値は、２〜５程度であるのが好ましく、２．５〜４程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子の配向性をより向上させることができる。
さて、図１に示す液晶パネル１では、無機酸化物膜３１、４１が同組成（同種）のアルコールで処理され、配向膜３と配向膜４とにおいて、無機酸化物膜３１、４１に化学結合したアルコールの平均分子量が等しくなっていてもよいが、各膜３１、４１に化学結合したアルコールの平均分子量は、異なっているのが好ましい。
【００７０】
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７側に設けられた配向膜（第１の配向膜）３のアルコールの平均分子量が、液晶パネル対向基板１２側に設けられた配向膜（第２の配向膜）４のアルコールの平均分子量より大きくなっている。すなわち、無機酸化物膜４１より無機酸化物膜３１に、分子量の大きい（炭素数の多い）アルコールがより多く化学結合している。これにより、液晶パネル１の特性の向上を図ることができる。
【００７１】
一般に、液晶パネル１の焼き付きを防止する観点からは、液晶分子を配向させる力が必要以上に強すぎると、焼き付きが生じる傾向が高くなるため、液晶分子と配向膜との分子間力をある程度弱くすべく、無機酸化物膜３１（４１）に化学結合させるアルコールとしては、比較的分子量の小さい（比較的炭素数の少ない）ものを選択するのが好ましい。
一方、無機酸化物膜３１（４１）に存在する水酸基と液晶分子との反応に伴う液晶パネル１の配向異常の発生を防止（耐光性、耐久性を向上）する観点からは、無機酸化物膜３１（４１）の表面に残存する水酸基から液晶分子をできる限り遠ざけるべく、無機酸化物膜３１（４１）に化学結合させるアルコールとしては、比較的分子量の大きい（比較的炭素数の多い）ものを選択するのが好ましい。
【００７２】
ところで、ＴＦＴ基板１７は、ＴＦＴ１７３を備えることから、液晶パネル用対向基板１２に対して高温となり易く、無機酸化物膜３１に残存する水酸基は、加熱により、その活性がより高まっている。このため、配向膜３と液晶層２との界面において、液晶分子が活性な水酸基と反応して変質・劣化し易い状態となっている。したがって、ＴＦＴ基板１７側の配向膜３において、より分子量の大きいアルコールを化学結合させ、液晶分子が無機酸化物膜３１に接触するのを確実に防止するのことは、特に有効である。
一方、液晶パネル用対向基板１２側の配向膜４では、焼き付きを防止することに主眼に置けばよいため、分子量の小さいアルコールが積極的に選択するのが好ましい。
【００７３】
なお、この場合、各配向膜３、４のアルコールにおいて、それらの平均分子量に差が存在すればよく、アルコールとしては、高分子量のアルコールと低分子量のアルコールとを適宜組み合わせるようにしてもよい。
特に、高分子量のアルコールを用いるべき配向膜３において、低分子量のアルコールを組み合わせて用いると、高分子量のアルコール同士の間の水酸基や、細孔３０の奥に存在する水酸基にもアルコールを化学結合させることができ、無機酸化物膜３１に残存する水酸基の数をより確実に減少させることができるという利点もある。
このようなことから、本実施形態では、ＴＦＴ基板１７側に設けられた配向膜３のアルコールの平均分子量が、液晶パネル対向基板１２側に設けられた配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなるように、無機酸化物膜３１、４１の処理に用いるアルコールが選択される。
【００７４】
ここで、分子量がアルコールＸ＞アルコールＹ＞アルコールＺである場合、配向膜３のアルコールの平均分子量が、配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなる組み合わせとしては、例えば、次のような組み合わせが挙げられる。
Ｉ ：配向膜３：Ｘ、    配向膜４：ＹまたはＺ
II ：配向膜３：Ｘ＋Ｙ、配向膜４：Ｘ＋Ｙ（ただし、Ｘ／Ｙ：配向膜３＞配向膜４）
III：配向膜３：Ｘ＋Ｙ、配向膜４：Ｙ＋Ｚ
IV ：配向膜３：Ｘ、    配向膜４：Ｘ＋Ｚ
【００７５】
また、配向膜３のアルコールおよび配向膜４のアルコールのうちのいずれか一方が複数種のアルコールを含んでなるものであり、他方が１種のアルコールからなるものである場合、一方の配向膜のアルコールは、他方の配向膜のアルコールと同種のアルコールを含んでいるのが好ましい（前記IV参照）。
また、配向膜３のアルコールおよび配向膜４のアルコールの双方が、複数種のアルコールを含んでなるものである場合、配向膜３のアルコールおよび配向膜４のアルコールは、同種のアルコールを含んでいるのが好ましい（前記III参照）。
【００７６】
このように、配向膜３のアルコールと配向膜４のアルコールとが同種のアルコールを含むことにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整する場合、配向膜３、４における垂直アンカリング力に大きな差が生じるのを防止すること、換言すれば、微小な力の差の制御を容易に行うことができる。すなわち、液晶分子に対する垂直アンカリング力を調整し易くなるという利点がある。
【００７７】
配向膜３のアルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。これにより、液晶パネル１において、配向異常の発生に要する時間をより確実に延長させること、すなわち、耐久性（耐光性）をより確実に向上させることができる。
また、配向膜３のアルコールは、炭素数６〜３０のもの（特に、炭素数８〜３０のもの）を主成分とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著となる。
【００７８】
また、このような炭素数のアルコールは、常温で液状であるか、または半固形状（固形状）であっても比較的低温で液状とすることができる。このため、後述する処理液により無機酸化物膜３１（４１）を処理する際の取り扱いが容易である。また、液晶分子に対する親和性がより高いため、液晶分子に対する垂直アンカリング力を確実に増大させることができる。
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、脂環アルコール、複素環アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体を用いることにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力がさらに増大し、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
また、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、ステロイド骨格を有するものがより好ましい。ステロイド骨格を有する脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、平面性の高い構造を有するため、液晶分子を配向制御する機能に特に優れるものである。
【００７９】
これらのことから、配向膜３のアルコールとしては、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノール、エイコサノール、ヘンエイコサノール、ドコサノール、トリコサノール、テトラコサノール等の脂肪族アルコール、コレステロール、エピコレステロール、コレスタノール、エピコレスタノール、エルゴスタノール、エピエルゴスタノール、コプレスタノール、エピコプレスタノール、α−エルゴステロール、β−シトステロール、スチグマステロール、カンペステロール等の脂環アルコールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。
【００８０】
また、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体は、その炭化水素部分またはフッ化炭素部分（主骨格部分）が、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもののいずれであってもよい。
一方、配向膜４のアルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これにより、液晶パネル１の焼き付きをより確実に防止することができる。
【００８１】
また、配向膜４のアルコールは、炭素数１〜４のもの（特に、炭素数１〜３のもの）を主成分とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著となる。
また、このような炭素数の第１のアルコールは、分子サイズが小さいため、細孔４０の奥深くにまで確実に浸透させることもできる。また、常温で液状であるため、後述する処理液により無機酸化物膜３１（４１）を処理する際の取り扱いが容易である。
【００８２】
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。
このようなことから、配向膜４のアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。
なお、液晶分子には、フッ素化されたものが多いことから、フッ素置換体を用いることにより、液晶分子との親和性が向上し、液晶分子を垂直配向させる効果がより高まる。
【００８３】
本実施形態では、高温となるＴＦＴ基板１７側の配向膜３のアルコールの平均分子量を、液晶パネル用対向基板１２側の配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくする場合について説明したが、第２の電子デバイス用基板が第１の電子デバイス用基板側より高温となる構成の液晶パネルの場合には、好ましくは、第２の電子デバイス用基板側の配向膜のアルコールの平均分子量が、第１の電子デバイス用基板側の配向膜のアルコールの平均分子量より大きくなるように設定される。
【００８４】
また、配向膜３、４において、アルコールの平均分子量を変える目的としては、配向異常の発生や焼き付きの発生を防止すること以外に、例えば、一対の配向膜における電気的なバラツキを解消すること等が挙げられる。
また、水酸基低減処理には、アルコールを化学結合させる処理の他、例えば、前述したようなアルコールの炭化水素部分を有するシランカップリング剤等の各種カップリング剤を化学結合させる処理が挙げられる。かかるカップリング剤を化学結合させる処理を用いた場合でも、前記と同様の効果が得られる。
なお、アルコールの入手を容易かつ安価であること、アルコールは取り扱いが特に容易であること等から、水酸基低減処理には、アルコール処理を用いるのが好ましい。
このような液晶パネル１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００８５】
［１］  まず、公知の方法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とを用意する。
［２］  次に、ＴＦＴ基板１７上に画素電極１７２およびＴＦＴ１７３を覆うように配向膜３を、一方、液晶パネル用対向基板１２の透明導電膜１４上に配向膜４をそれぞれ形成する。
【００８６】
配向膜３、４の形成方法（形成工程）は、同様であるので、以下、配向膜３の形成方法を代表に説明する。
なお、工程［２２］〜［２４］では、例えば、図４に示すような処理装置９００が用いられる。
図４に示す処理装置９００は、チャンバ９１０と、チャンバ９１０内に設けられたステージ９５０と、ステージ９５０上に配置された容器９２０と、容器９２０内に処理液Ｓを供給する給液手段９６０と、容器９２０内の処理液Ｓを排液する排液手段９４０と、チャンバ９１０内の排気を行う排気手段９３０とを有している。
【００８７】
また、ステージ９５０には、例えば、ヒータ等の加熱手段（図示せず）が設けられている。
排気手段９３０は、ポンプ９３２と、ポンプ９３２とチャンバ９１０とを連通する排気ライン９３１と、排気ライン９３１の途中に設けられたバルブ９３３とで構成されている。
【００８８】
また、排液手段９４０は、処理液Ｓを回収する回収タンク９４４と、回収タンク９４４と容器９２０とを連通する排液ライン９４１と、排液ライン９４１の途中に設けられたポンプ９４２およびバルブ９４３とで構成されている。
また、給液手段９６０は、処理液Ｓを貯留する貯留タンク９６４と、貯留タンク９６４から処理液Ｓを容器９２０に導く給液ライン９６１と、給液ライン９６１の途中に設けられたポンプ９６２およびバルブ９６３とで構成されている。
また、排液手段９４０および給液手段９６０には、それぞれ、図示しない加熱手段（例えば、ヒーター等）が設けられ、処理液Ｓを加熱し得るよう構成されている。
【００８９】
［２１］  まず、ＴＦＴ基板１７上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜３１を形成する。
具体的には、斜方蒸着法では、図５に示すように、チャンバ（図示せず）内に、無機酸化物（原料）８００を収納した蒸着源８１０と、ＴＦＴ基板１７とを設置し、これらの間にスリット８２１が形成されたスリット板８２０を配置する。
【００９０】
なお、ＴＦＴ基板１７は、駆動装置８３０に固定され、後述する蒸着角度（図４中、蒸着角度θ２）を維持した状態で、平行移動可能になっている。また、ＴＦＴ基板１７は、図示しない加熱手段により加熱可能となっている。
この状態で、蒸着源８１０に設けられた加熱手段（図示せず）により無機酸化物８００を加熱して蒸発（気化）させる。そして、無機酸化物８００の蒸発粒子を、スリット板８２０のスリット８２１を介してＴＦＴ基板１７の上面（無機酸化物膜３１を形成する面）に到達させる。
【００９１】
なお、このとき、ＴＦＴ基板１７を、前述の加熱手段により所定の温度に加熱するとともに、駆動装置８３０により所定の速度で平行移動させる。
これにより、ＴＦＴ基板１７上に、複数の細孔３０を有する無機酸化物膜３１が得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機酸化物（蒸発粒子）８００が、ＴＦＴ基板１７の上面に到達する蒸着角度（図５中、角度θ２）を適宜設定することにより、細孔３０のＴＦＴ基板１７の上面に対する角度を調整することができる。
【００９２】
また、無機酸化物膜３１の表面積Ｓ２は、気化した無機酸化物８００が基板に到着した際に形成される構造（カラム構造）の状態に大きく依存しており、蒸着時のチャンバ内の真空度、蒸着レート、ＴＦＴ基板１７の温度（基板温度）、蒸着角度θ２等の各種条件を適宜設定することにより調整することができる。
チャンバ（蒸着装置）内の真空度は、１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度であるのが好ましく、５×１０−５〜５×１０−３Ｐａ程度であるのがより好ましい。
【００９３】
また、蒸着時の基板温度は、２０〜１５０℃程度であるのが好ましく、５０〜１２０℃程度であるのがより好ましい。
また、蒸着レートは、２．５〜２５Å／秒程度であるのが好ましく、４〜２０Å／秒程度であるのがより好ましい。
また、蒸着角度θ２は、４５〜８５°程度であるのが好ましく、５０〜７５°程度であるのがより好ましい。
【００９４】
各種条件を、それぞれ前記範囲に設定することにより、目的とする面積比Ｓ２／Ｓ１の無機酸化物膜３１を精度よく形成することができる。
例えば、真空度を高く設定すると、表面積Ｓ２が小さくなる傾向を示し、基板温度を高く設定すると、表面積Ｓ２が小さくなる傾向を示し、蒸着角度θ２を大きく設定すると、セルフシャドーイング（自己影づけ）効果により表面積Ｓ２が大きくなる傾向を示す。
また、蒸着源８１０とＴＦＴ基板１７との方位角度（図５中、角度θ１）や、ＴＦＴ基板１７と蒸着源８１０との離間距離（図５中Ｌ）、スリット板８２０の厚さ（図５中Ｔ）やスリット８２１の幅（図５中Ｗ）等を適宜設定することにより、カラム構造の方向均一性を制御すること、すなわち、無機酸化物膜３１の配向性を制御することができる。
【００９５】
［２２］  次に、無機酸化物膜３１が形成されたＴＦＴ基板１７を、前述したようなアルコールを含有する処理液Ｓに浸漬する。
具体的には、チャンバ９１０を開放し、無機酸化物膜３１が形成されたＴＦＴ基板１７を搬入して、容器９２０内に設置する。
次に、チャンバ９１０を密閉した状態とし、ポンプ９６２を作動し、この状態で、バルブ９６３を開くことにより、給液ライン９６１を介して、処理液Ｓを貯留タンク９６４から容器９２０内に供給する。
【００９６】
そして、容器９２０内に所定量の処理液Ｓ、すなわち、ＴＦＴ基板１７が完全に漬かる量の処理液Ｓを供給すると、ポンプ９６２を停止するとともに、バルブ９６３を閉じる。
ここで、アルコールとしては、常温で液状のものであっても、常温で固形状または半固形状のものであってもよい。
常温で液状のアルコールを用いる場合、処理液Ｓには、このアルコールそのもの（アルコールの含有量がほぼ１００％のもの）を用いることができる他、適当な溶媒にアルコールを混合して用いることができる。
【００９７】
また、常温で固形状または半固形状のアルコールを用いる場合、処理液Ｓには、このアルコールを加熱により液状としたものを用いることができる他、適当な溶媒にアルコールを溶解して用いることができる。
アルコールを溶媒に混合または溶解する場合、溶媒には、アルコールを混合または溶解可能であり、かつ、アルコールより極性の低いものが選択される。これにより、溶媒が、後工程［２４］における無機酸化物膜３１の水酸基とアルコールとの反応を妨げることを防止することができ、化学反応を確実に生じさせることができる。
【００９８】
［２３］  次に、チャンバ９１０内（処理液Ｓが設置された空間）を減圧することにより、無機酸化物膜３１の細孔３０内に処理液Ｓを浸透させる。
具体的には、チャンバ９１０を密閉した状態とし、ポンプ９３２を作動し、この状態で、バルブ９３３を開くことにより、排気ライン９３１を介して、チャンバ９１０内の気体を処理装置９００外に排出する。
チャンバ９１０内の圧力が徐々に低下することにより、処理液Ｓ中および無機酸化物膜３１の細孔３０内の気体（例えば空気等）が取り除かれ、細孔３０内に処理液Ｓが浸透していく。
【００９９】
そして、チャンバ９１０内が所定の圧力になると、ポンプ９３２を停止するとともに、バルブ９３３を閉じる。
このチャンバ９１０内（空間）の所定の圧力、すなわち、チャンバ９１０内の真空度は、１×１０−４〜１×１０４Ｐａ程度であるのが好ましく、１×１０−２〜１×１０３Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、無機酸化物膜３１の細孔３０内から十分に空気が取り除かれ、細孔３０内に処理液Ｓを十分に浸透させることができる。
次に、ポンプ９４２を作動し、この状態で、バルブ９４３を開くことにより、容器９２０内の余剰の処理液Ｓを排液ライン９４１を介して回収タンク９４４に回収する。
そして、容器９２０内から処理液Ｓのほぼ全てが回収されると、ポンプ９４２を停止するとともに、バルブ９４３を閉じる。
【０１００】
［２４］  次に、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に、アルコールを化学結合させる。
具体的には、ステージ９５０に設けられた加熱手段を作動させることにより、無機酸化物膜３１が形成されたＴＦＴ基板１７を加熱する。
これにより、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に、アルコールが化学結合する。
【０１０１】
その結果、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜３２が形成され、配向膜３が得られる。
なお、この加熱を行うのに先立って、必要に応じて、再度、チャンバ９１０内を減圧するようにしてもよい。
ＴＦＴ基板１７の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、アルコールの種類や、無機酸化物の種類等によっては、無機酸化物膜３１にアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【０１０２】
また、ＴＦＴ基板１７の加熱時間も、特に限定されないが、２０〜１８０分程度であるのが好ましく、４０〜１００分程度であるのがより好ましい。加熱時間が短過ぎると、加熱温度等の他の条件によっては、無機酸化物膜３１にアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【０１０３】
以上のように、無機酸化物膜３１の表面および細孔３０の内面に存在する水酸基と、アルコールとを反応させる方法として、加熱による方法を用いることにより、前記反応を比較的容易かつ確実に行うことができる。
なお、前記反応は、加熱による方法に限定されず、例えば、紫外線の照射、赤外線の照射等により行うこともできる。これらの場合、各処理を行うのに必要な機構（手段）が処理装置９００に設けられる。
【０１０４】
なお、アルコールとして、複数種のものを用いる場合には、前記処理液Ｓ中に複数のアルコールを同時に混合するようにしてもよい。この場合、無機酸化物膜３１に化学結合する複数種のアルコールの比率は、例えば、処理液中における複数種のアルコールの配合比、種類や分子量、処理条件等を適宜設定することにより調整することができる。
また、各アルコールをそれぞれ含有する複数の処理液を用意し、各処理液を順次用いて、前述したようにしてＴＦＴ基板１７を処理するようにしてもよい。この場合、最も分子量の小さいアルコールを含有する処理液から、より分子量の大きいアルコールを含有する処理液へと順に変更して、ＴＦＴ基板１７を処理するのが好ましい。これにより、低分子量のアルコールを細孔３０の奥にまでより確実に化学結合させることができる。
【０１０５】
さらに、無機酸化物膜３１の表面付近に選択的にアルコールが化学結合していればよい場合には、無機酸化物膜３１の表面に処理液Ｓを単に接触させるようにすればよい。これにより、前述したような処理装置９００の使用を省略することができ、液晶パネル１の製造工程の簡略化や、製造コストの低減を図ることができる。
無機酸化物膜３１に処理液Ｓを接触させる方法としては、例えば、無機酸化物膜３１に処理液Ｓを塗布する方法（塗布法）、無機酸化物膜３１が形成されたＴＦＴ基板１７を処理液Ｓに浸漬する方法（浸漬法）、無機酸化物膜３１を処理液Ｓの蒸気に曝す方法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０６】
なお、塗布法には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いることができる。
なお、減圧する方法を用いることにより、前述したような関係を満足する配向膜３、４をより確実に得ることができる。
また、以上のような水酸基低減処理は、配向膜３、４が、前述したような関係を満足するまで、１回または複数回繰り返し行う。
【０１０７】
［３］  次に、配向膜３、４を対向させ、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とをシール材（図示せず）を介して接合し、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）から液晶（液晶組成物）を空隙部内に注入した後、かかる封入孔を塞ぐ。
なお、上記液晶パネル１では、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【０１０８】
次に、本発明の電子機器の一例として、上記液晶パネル１を用いた電子機器（液晶プロジェクタ）について説明する。
図６は、本発明の電子機器（投射型表示装置）の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【０１０９】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１１０】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１を備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【０１１１】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。光源３０１から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン３２０上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置３００では、耐光性に優れた液晶パネル１を用いているため、光源３０１から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
【０１１２】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図６中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図６中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図６中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【０１１３】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図６中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【０１１４】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図６中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図６中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１の各画素（薄膜トランジスタ１７３とこれに接続された画素電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
【０１１５】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１１６】
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図６中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
【０１１７】
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図６中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１１８】
本実施形態の投射型表示装置３００は、３個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに液晶パネル１を適用したものについて説明したが、これらのうちの少なくとも１つが、液晶パネル１であればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに液晶パネル１を適用するのが好ましい。
なお、本発明の電子機器は、図６の投射型表示装置の他にも、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機（ＰＨＳを含む）、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータなどが挙げられる。そして、これらの各種電子機器が表示部、モニタ部に備える液晶パネルに、本発明を適用可能なことは言うまでもない。
【０１１９】
以上、本発明の電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明の電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０１２０】
また、本発明の電子デバイス用基板は、前記実施形態で説明した構成の液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、同一基板上に、液晶層に電圧を印加する一対の電極を設けた構成の液晶パネルに適用することができる。
さらに、本発明の電子デバイス用基板は、液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、有機トランジスタ等に適用することもできる。この場合、かかる電子デバイス用基板を用いることにより、有機半導体層の配向方向を規制して、キャリア移動度の向上を図ることができる。
なお、電子デバイス用基板を一対で用いることを要さない場合、すなわち、一つの電子デバイス用基板を用いる場合、無機酸化物膜の水酸基低減処理には、前述したアルコールやカップリング剤のような各種処理剤のうち、適当なものを１種または２種以上組み合わせて用いるようにすればよい。
【実施例】
【０１２１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．配向膜付きＴＦＴ基板の作製
以下において、各サンプルＮｏ．の配向膜付きＴＦＴ基板を、それぞれ、複数個ずつ作製した。
【０１２２】
（サンプルＮｏ．Ａ１）
＜１Ａ＞  まず、図１に示すＴＦＴ基板を用意し、真空蒸着装置のチャンバ内に基板面が蒸着源に対して、角度θ1が５０°となるようにセットした。また、スリット板の厚さは１．５ｃｍ、スリットの幅は２．０ｃｍとし、蒸着角度θ２は６０°、蒸着距離は１．５ｍ、基板の稼動速度（移動速度）は２．５ｃｍ／分とした。
そして、チャンバ内を減圧（１×１０−４Ｐａ）し、基板温度１１０℃、蒸着レート１０Å／秒で、ＳｉＯ２を斜方蒸着して、斜方蒸着膜（無機酸化物膜）付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１２３】
＜２Ａ＞  次に、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を、クリーンオーブン中、２００℃×９０分間で加熱し、加熱終了直後、乾燥窒素雰囲気中に移動し、そのまま放置した。
＜３Ａ＞  次に、２−プロパノール（分子量：６０）を用意し、ろ過フィルターを用いてイオン性不純物を除去した後、窒素バブリングにより微量含有水分を除去して、処理液を調整した。
【０１２４】
＜４Ａ＞  次に、図４に示す処理装置内に、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を搬入し、容器（ポリテトラフルオロエチレン製）内に、斜方蒸着膜を上にして設置した。
そして、チャンバを密閉した後、準備した処理液を容器内に供給して、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を処理液に浸漬させた。
＜５Ａ＞  次に、前記工程＜４Ａ＞の状態で、チャンバ内を１００Ｐａに減圧した。
これにより、斜方蒸着膜の細孔内の気体を処理液に置換した。すなわち、細孔内に処理液を浸透させた。
【０１２５】
＜６Ａ＞  次に、過剰な処理液を容器から排出した後、再度、チャンバ内を１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）に減圧し、基板を１５０℃×１時間で加熱した。
これにより、斜方蒸着膜の表面および細孔の内面に、２−プロパノールを化学結合させた。
＜７Ａ＞  加熱終了後、減圧状態を維持しつつ、放冷した。
以上のようにして、配向膜付きＴＦＴ基板を得た。
【０１２６】
（サンプルＮｏ．Ａ２）
前記工程＜６Ａ＞において、基板を１００℃×１時間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１２７】
（サンプルＮｏ．Ａ３）
前記工程＜２Ａ＞において、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を２００℃×１８０分間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１２８】
（サンプルＮｏ．Ａ４）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１２９】
（サンプルＮｏ．Ａ５）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ２と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１３０】
（サンプルＮｏ．Ａ６）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ３と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１３１】
（サンプルＮｏ．Ａ７）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えてオクタドデシルアルコール（分子量：２９８）のトルエン溶液を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１３２】
（サンプルＮｏ．Ａ８）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えてコレスタノール（分子量：３８９）のトルエン溶液を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１３３】
（サンプルＮｏ．Ａ９）
前記工程＜６Ａ＞において、基板の加熱を省略した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１３４】
（サンプルＮｏ．Ａ１０）
前記工程＜２Ａ＞において、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板の加熱を省略した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１３５】
（サンプルＮｏ．Ａ１１）
前記工程＜６Ａ＞において、基板を１００℃×３０分で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１３６】
（サンプルＮｏ．Ａ１２）
前記工程＜２Ａ＞において、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を２５０℃×１８０分間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１３７】
（サンプルＮｏ．Ａ１３）
前記工程＜３Ａ＞において、２−プロパノールに代えてｎ−ヘキサンを用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１３８】
（サンプルＮｏ．Ａ１４）
前記工程＜３Ｂ＞を省略し、前記工程＜４Ａ＞〜前記工程＜６Ａ＞に代えて、以下に示すような工程＜４Ａ’＞〜工程＜６Ａ’＞とした以外は、前記サンプルＮｏ．Ａ１と同様にして、配向膜付きＴＦＴ基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔のＴＦＴ基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１３９】
＜４Ａ’＞  次に、真空蒸着装置のチャンバ内に、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板の斜方蒸着膜が形成されている側の面を鉛直下方となるようにセットするとともに、オクタドデシルアルコールを材料供給部にセットした。
＜５Ａ’＞  次に、前記工程＜４Ａ’＞の状態で、斜方蒸着膜付きＴＦＴ基板を１１０℃に加熱するとともに、チャンバ内を１００Ｐａに減圧した。その後、材料供給部を加熱することにより、オクタドデシルアルコールを蒸発させた。
これにより、斜方蒸着膜の細孔内の気体を気化したオクタドデシルアルコールに置換するとともに、細孔内の表面に固形物状のオクタドデシルアルコールを付着させた。
【０１４０】
＜６Ａ’＞  次に、チャンバ内の減圧状態を維持しつつ、基板を１５０℃×１時間で加熱した。
これにより、過剰に付着しているオクタドデシルアルコールを除去するとともに、斜方蒸着膜の表面および細孔の内面に、オクタドデシルアルコールを化学結合させた。
【０１４１】
２．配向膜付き液晶パネル用対向基板の作製
以下において、各サンプルＮｏ．の配向膜付き液晶パネル用対向基板を、それぞれ、複数個ずつ作製した。
（サンプルＮｏ．Ｂ１）
＜１Ｂ＞  まず、図１に示す液晶パネル用対向基板を用意し、真空蒸着装置のチャンバ内に基板面が蒸着源に対して、角度θ1が５０°となるようにセットした。また、スリット板の厚さは１．５ｃｍ、スリットの幅は２．０ｃｍとし、蒸着角度θ２は６０°、蒸着距離は１．５ｍ、基板の稼動速度（移動速度）は２．５ｃｍ／分とした。
【０１４２】
そして、チャンバ内を減圧（１×１０−４Ｐａ）し、基板温度１１０℃、蒸着レート１０Å／秒で、ＳｉＯ２を斜方蒸着して、斜方蒸着膜（無機酸化物膜）付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１４３】
＜２Ｂ＞  次に、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を、クリーンオーブン中、２００℃×９０分間で加熱し、加熱終了直後、乾燥窒素雰囲気中に移動し、そのまま放置した。
＜３Ｂ＞  次に、２−プロパノール（分子量：６０）を用意し、ろ過フィルターを用いてイオン性不純物を除去した後、窒素バブリングにより微量含有水分を除去して、処理液を調整した。
【０１４４】
＜４Ｂ＞  次に、図４に示す処理装置内に、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を搬入し、容器（ポリテトラフルオロエチレン製）内に、斜方蒸着膜を上にして設置した。
そして、チャンバを密閉した後、準備した処理液を容器内に供給して、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を処理液に浸漬させた。
＜５Ｂ＞  次に、前記工程＜４Ｂ＞の状態で、チャンバ内を１００Ｐａに減圧した。
これにより、斜方蒸着膜の細孔内の気体を処理液に置換した。すなわち、細孔内に処理液を浸透させた。
【０１４５】
＜６Ｂ＞  次に、過剰な処理液を容器から排出した後、再度、チャンバ内を１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）に減圧し、基板を１５０℃×１時間で加熱した。
これにより、斜方蒸着膜の表面および細孔の内面に、２−プロパノールを化学結合させた。
＜７Ｂ＞  加熱終了後、減圧状態を維持しつつ、放冷した。
以上のようにして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を得た。
【０１４６】
（サンプルＮｏ．Ｂ２）
前記工程＜６Ｂ＞において、基板を１００℃×１時間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１４７】
（サンプルＮｏ．Ｂ３）
前記工程＜２Ｂ＞において、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を２００℃×１８０分間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１４８】
（サンプルＮｏ．Ｂ４）
前記工程＜３Ｂ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１４９】
（サンプルＮｏ．Ｂ５）
前記工程＜３Ｂ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ２と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１５０】
（サンプルＮｏ．Ｂ６）
前記工程＜３Ｂ＞において、２−プロパノールに代えて１−ヘキサノール（分子量：１３０）を用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ３と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１５１】
（サンプルＮｏ．Ｂ７）
前記工程＜６Ｂ＞において、基板の加熱を省略した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１５２】
（サンプルＮｏ．Ｂ８）
前記工程＜２Ｂ＞において、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板の加熱を省略した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１５３】
（サンプルＮｏ．Ｂ９）
前記工程＜６Ｂ＞において、基板を１００℃×３０分で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが５０ｎｍであった。
【０１５４】
（サンプルＮｏ．Ｂ１０）
前記工程＜２Ｂ＞において、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を２５０℃×１８０分間で加熱した以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
【０１５５】
（サンプルＮｏ．Ｂ１１）
前記工程＜３Ｂ＞において、２−プロパノールに代えてｎ−ヘキサンを用いた以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１５６】
（サンプルＮｏ．Ｂ１２）
前記工程＜３Ｂ＞を省略し、前記工程＜４Ｂ＞〜前記工程＜６Ｂ＞に代えて、以下に示すような工程＜４Ｂ’＞〜工程＜６Ｂ’＞とした以外は、前記サンプルＮｏ．Ｂ１と同様にして、配向膜付き液晶パネル用対向基板を作製した。
なお、得られた斜方蒸着膜は、その細孔の液晶パネル用対向基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４５ｎｍであった。
【０１５７】
＜４Ｂ’＞  次に、真空蒸着装置のチャンバ内に、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板の斜方蒸着膜が形成されている側の面を鉛直下方となるようにセットするとともに、オクタドデシルアルコールを材料供給部にセットした。
＜５Ｂ’＞  次に、前記工程＜４Ｂ’＞の状態で、斜方蒸着膜付き液晶パネル用対向基板を１１０℃に加熱するとともに、チャンバ内を１００Ｐａに減圧した。その後、材料供給部を加熱することにより、オクタドデシルアルコールを蒸発させた。
これにより、斜方蒸着膜の細孔内の気体を気化したオクタドデシルアルコールに置換するとともに、細孔内の表面に固形物状のオクタドデシルアルコールを付着させた。
＜６Ｂ’＞  次に、チャンバ内の減圧状態を維持しつつ、基板を１５０℃×１時間で加熱した。
これにより、過剰に付着しているオクタドデシルアルコールを除去するとともに、斜方蒸着膜の表面および細孔の内面に、オクタドデシルアルコールを化学結合させた。
【０１５８】
３．ＳＦＧ強度比（ｐＨ１１／ｐＨ７）の算出
各サンプルＮｏ．の基板を所定のサイズ（２．５ｃｍ×２．５ｃｍ）に切断して、この切片をそれぞれ、図３に示す測定装置７００に設置し、和周波発生（ＳＦＧ）法により、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークを、ｐＨ１１の電解質水溶液を接触させた場合と、ｐＨ７．０の電解質水溶液を接触させた場合とで測定し、それぞれのピークの比すなわち、ＳＦＧ強度比（ｐＨ１１／ｐＨ７）を算出した。
【０１５９】
＜１Ｃ＞  具体的には、まず、図３に示す測定装置７００に設けられた開口部７２１に、各切片に形成された配向膜３（４）が蓋７２０の内側を向くように設置、固定した。
＜２Ｃ＞  次に、可視光作成手段７４１から出射した可視光７４０と、赤外光作成手段７５１から出射した赤外光７５０とを、電解質水溶液を接触させていない状態で、配向膜の同一箇所に照射し、発生した和周波光７６０を分光器（図示せず）を備える検出器７６１により測定（検出）した。そして、この測定値をオフセット値として使用した。
【０１６０】
なお、可視光７４０の出射、赤外光７５０の出射および和周波光７６０の検出は、それぞれ、以下のようにして行った。
すなわち、光源７５４としては、チタンサファイヤ再生増幅器（波長：８００ｎｍ程度、パルス幅：１２０フェムト秒程度、パルスエネルギー３ｍＪ程度、繰返周波数：１ｋＨｚ程度）を用いた。
【０１６１】
そして、この光源７５４から出射される基本波７５３を分光器（図示せず）により可視光７４０および赤外光７５０を得るための２ｍＪの分割波７４２および１ｍＪの分割波７５２に分割した。
そして、分割波７４２を、回折格子を備える可視光作成手段７４１に入射させた。これにより、分割波７４２を二分し、逆方向にチャープさせた後、これらを再び合成して狭帯域の可視光７４０（波長：５３０ｎｍ、波数半値全幅：１０ｃｍ−１）を可視光作成手段７４１から出射させた。
【０１６２】
また、１つの波の周波数が２つの波の周波数の和と等しくなるように、１つの波を二分する光パラメトリック発生増幅器（ＯＰＧ／ＯＰＡ）と、波の周波数に差を発生させる差周波発生器（ＤＦＧ）とを備える赤外光作成手段７５１に分割波７５２を入射させることにより、広帯域の赤外光７５０（波長：２．３〜８．５μｍ、波数半値全幅：２５０ｃｍ−１）を赤外光作成手段７５１から出射させた。
【０１６３】
さらに、可視光７４０と赤外光７５０とにより発生した和周波光７６０は、分光器（焦点距離ｆ：３５ｃｍ）により分散した後、検出器（ＣＣＤ検出器）７６１により検出した。
なお、和周波光７６０、可視光７４０および赤外光７５０の偏光状態は、それぞれ、ｓ−ＳＦＧ、ｓ−Ｖｉｓおよびｐ−ＩＲとした。
【０１６４】
＜３Ｃ＞  次に、ｐＨ＝７の電解質水溶液（炭酸水素ナトリウム水溶液、溶液温度：２５℃）を、空間７９０内をほぼ満量となるように充填した状態で、すなわち、ｐＨ＝７の電解質水溶液に配向膜３（４）を接触させた状態で、可視光７４０と赤外光７５０とを配向膜３（４）の同一箇所に照射して、発生した和周波光７６０を検出した。そして、前記工程＜２Ｃ＞で測定された測定値をオフセット値として用いて、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度（ｐＨ＝７）を求めた。
【０１６５】
＜４Ｃ＞  次に、ｐＨ＝７の電解質水溶液を空間７９０内から排出した後、ｐＨ＝１１の電解質水溶液（リン酸ナトリウム水溶液、溶液温度：２５℃）を、空間７９０内をほぼ満量となるように充填した状態で、可視光７４０と赤外光７５０とを配向膜３（４）の同一箇所に照射して、発生した和周波光７６０を検出した。そして、前記工程＜３Ｃ＞で説明したのと同様にして、波数３１００〜３３００ｃｍ−１の範囲に存在する水分子に由来するピークの強度（ｐＨ＝１１）を求めた。
【０１６６】
＜５Ｃ＞  次に、これらのピーク強度（ｐＨ＝７）およびピーク強度（ｐＨ＝７）から、ピーク強度（ｐＨ＝７）に対するピーク強度（ｐＨ＝１１）の比、すなわち、ＳＦＧ強度比（ｐＨ１１／ｐＨ７）を算出した。
そして、各サンプルＮｏ．の基板から得られた切片について、前記工程＜１Ｃ＞〜前記工程＜５Ｃ＞で説明した測定を行い、それぞれの切片のＳＦＧ強度比（ｐＨ１１／ｐＨ７）を算出した。
【０１６７】
４．液晶パネルの製造
以下において、各実施例および各比較例の液晶パネルを、それぞれ製造した。
（実施例１）
まず、サンプルＮｏ．Ａ１の配向膜付きＴＦＴ基板に対し、配向膜を形成した面の外周部に沿って、液晶注入口となる部分を残して、熱硬化型接着剤（日本化薬社製、「ＭＬ３８０４Ｐ」）を印刷し、８０℃×１０分間加熱して溶媒を除去した。
なお、熱硬化型接着剤は、直径約３μｍのシリカ球を混合したエポキシ樹脂である。
【０１６８】
次に、サンプルＮｏ．Ｂ１の配向膜付き液晶パネル用対向基板の配向膜を形成した面を内側にして、２枚の基板を圧着しつつ、１４０℃×１時間で加熱することにより貼り合わせた。
なお、２枚の基板は、配向膜の配向が互いに１８０°となるように配置した。
次に、２枚の基板を貼り合わせて形成された内側の空間に、液晶注入口から、フッ素系の負の誘電異方性液晶（メルク社製、「ＭＬＣ−６６１０」）を真空注入法により注入した。
次に、液晶注入口をアクリル系のＵＶ接着剤（ヘンケルジャパン社製、「ＬＰＤ−２０４」）を用いて、波長３６５ｎｍのＵＶを３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化し、液晶注入口を封止した。
以上のようにして、液晶パネルを製造した。
【０１６９】
（実施例２）
サンプルＮｏ．Ａ２の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ２の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（実施例３）
サンプルＮｏ．Ａ３の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ３の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７０】
（実施例４）
サンプルＮｏ．Ａ４の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ４の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（実施例５）
サンプルＮｏ．Ａ５の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ５の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７１】
（実施例６）
サンプルＮｏ．Ａ６の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ６の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（実施例７）
サンプルＮｏ．Ａ７の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ１の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７２】
（実施例８）
サンプルＮｏ．Ａ８の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ１の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（実施例９）
サンプルＮｏ．Ａ１４の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ１２の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７３】
（比較例１）
サンプルＮｏ．Ａ９の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ７の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（比較例２）
サンプルＮｏ．Ａ１０の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ８の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７４】
（比較例３）
サンプルＮｏ．Ａ１１の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ９の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（比較例４）
サンプルＮｏ．Ａ１２の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ１０の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
（比較例５）
サンプルＮｏ．Ａ１３の配向膜付きＴＦＴ基板と、サンプルＮｏ．Ｂ１１の配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、液晶パネルを製造した。
【０１７５】
５．液晶パネルの耐光性試験
耐光性試験は、各実施例および各比較例で製造した液晶パネルを、それぞれ、図５に示す投射型表示装置の青色用の液晶ライトバルブとしてセットして、液晶パネルの表面温度を５５℃に保ちつつ、光源を連続点灯し、表示異常が発生するまでの時間を測定した。
なお、光源には、１３０ＷＵＨＰランプ（フィリップス社製）を用いた。
この結果を、下記表１に示す。
【０１７６】
【表１】
2007033743.tif 000006
【０１７７】
なお、表１には、各実施例および各比較例で製造した液晶パネルの配向膜についての要約とＳＦＧ強度比（ｐＨ１１／ｐＨ７）とを示した。
また、表１には、比較例１の液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を「１．０」とし、実施例１〜９および比較例２〜５の液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を、それぞれ、相対値で示した。
【０１７８】
表１に示すように、各実施例の液晶パネルは、いずれも、各比較例の液晶パネルに対して、表示異常が発生するまでの時間が長くなることが明らかとなった。
なお、比較例５の液晶パネルでは、液晶が配向しなかった。
また、ＳｉＯ２に代えて、前記と同様にして、Ａｌ２Ｏ３で無機酸化物膜を形成した配向膜付きＴＦＴ基板および配向膜付き液晶パネル用対向基板を用いて、液晶パネルを製造し、前記と同様にして評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】本発明の電子デバイス用基板を適用した液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示す液晶パネルが備える配向膜の構成を模式的に示す縦断面図である。
【図３】和周波発生法による測定に用いる測定装置の構成を示す模式図である。
【図４】本発明の電子デバイス用基板の製造方法に用いる処理装置の構成を示す模式図である。
【図５】真空蒸着装置の構成を示す模式図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１８０】
１……液晶パネル  ２……液晶層  ３、４……配向膜  ３０、４０……細孔  ３１、４１……無機酸化物膜  ３２、４２……被膜  １１……マイクロレンズ基板  １１１……マイクロレンズ用凹部付き基板  １１２……凹部  １１３……マイクロレンズ  １１４……表層  １１５……樹脂層  １２……液晶パネル用対向基板  １３……ブラックマトリックス  １３１……開口  １４……透明導電膜  １７……ＴＦＴ基板  １７１……ガラス基板  １７２……画素電極  １７３……薄膜トランジスタ  ７００……測定装置  ７１０……容器  ７１１……供給口  ７１２……排出口  ７２０……蓋  ７２１……開口部  ７３０……プリズム  ７４０……可視光  ７４１……可視光作成手段  ７４２、７５２……分割波  ７５０……赤外光  ７５１……赤外光作成手段  ７５３……基本波  ７５４……光源  ７６０……和周波光  ７６１……検出器  ７９０……空間  ８００……無機酸化物（原料）  ８１０……蒸着源  ８２０……スリット板  ８２１……スリット  ８３０……駆動装置  ９００……処理装置  ９１０……チャンバ  ９２０……容器  ９３０……排気手段  ９３１……排気ライン  ９３２……ポンプ  ９３３……バルブ  ９４０……排液手段  ９４１……排液ライン  ９４２……ポンプ  ９４３……バルブ  ９４４……回収タンク  ９５０……ステージ  ９６０……給液手段  ９６１……給液ライン  ９６２……ポンプ  ９６３……バルブ  ９６４……貯留タンク  Ｓ……処理液  ３００……投射型表示装置  ３０１……光源  ３０２、３０３……インテグレータレンズ  ３０４、３０６、３０９……ミラー  ３０５、３０７、３０８……ダイクロイックミラー  ３１０〜３１４……集光レンズ  ３２０……スクリーン  ２０……光学ブロック  ２１……ダイクロイックプリズム  ２１１、２１２……ダイクロイックミラー面  ２１３〜２１５……面  ２１６……出射面  ２２……投射レンズ  ２３……表示ユニット  ２４〜２６……液晶ライトバルブ
【図１】
2007033743.tif 000007
【図２】
2007033743.tif 000008
【図３】
2007033743.tif 000009
【図４】
2007033743.tif 000010
【図５】
2007033743.tif 000011
【図６】
2007033743.tif 000012