(57)【要約】【課題】安価でありながらも、寿命の向上を図ることが可能な半導体装置１００を提供する。【解決手段】発光素子１１０と、発光素子１１０が配置される配置部１２０と、配置部１２０と接合され、発光素子１１０を封止し、発光素子１１０から発せられる光を透過する封止部１３０と、配置部１２０と封止部１３０とを接合する樹脂１４０と、配置部１２０と封止部１３０とで囲まれた空間に設けられた吸着剤１５０と、を備えたことを特徴とする半導体装置１００である。【選択図】図１
2007299905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子が配置される配置部と、
前記配置部と接合され、前記発光素子を封止し、前記発光素子から発せられる光を透過する封止部と、
前記配置部と前記封止部とを接合する樹脂と、
前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に設けられた吸着剤と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記吸着剤の孔径は、前記樹脂から生じるガスを構成する分子の径よりも大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記吸着剤は、ゼオライトであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子が配置される配置部と、
前記配置部と接合され、前記発光素子を封止し、前記発光素子から発せられる光を透過する封止部と、
前記配置部と前記封止部とを接合する、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記脂環式エポキシ樹脂は、その厚みを１０ｍｍにした場合における、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９５％以上である、ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記脂環式エポキシ樹脂は、高圧水銀ランプ照射（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）後における、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９０％以上である、ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記脂環式エポキシ樹脂は分子量が５００以下である、ことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置において、さらに、前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に吸着剤を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記吸着剤は、ゼオライトであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記吸着剤の孔径は、前記樹脂から生じるガスを構成する分子の径よりも大きい、ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置において、さらに、前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に光触媒を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置において、さらに、マイクロプリズムを備え、前記発光素子がレーザダイオードである、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置において、さらに、受光素子を備え、前記発光素子がレーザダイオードである、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記発光素子は、窒化物系半導体発光素子である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードやレーザダイオードを備えた半導体装置においては、発光ダイオードやレーザダイオードなどの素子が何らかの部材により封止されることがあるが、従来、素子あるいは部品をキャンパッケージする際の真空封止方法として、次のような方法が提案された（特許文献１参照）。すなわち、素子もしくは部品を金属性のキャップでパッケージするキャンパッケージの真空封止方法において、メタルガスケットをシュテムとキャップとの間にはさんで、真空状態にしたチャンバ内で冷間圧接を行うことにより、真空に封止するようにする方法である。
【特許文献１】特開平７−１２２６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年は、素子や部品の低コスト化が進展しており、真空封止するしないにかかわらず、簡易な製造工程により、より安価に封止された装置が求められている。もっとも、より安価に封止された装置であっても、その寿命は向上させる必要がある。
そこで、本発明は、安価でありながらも、寿命の向上を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。
【０００５】
本発明は、発光素子と、前記発光素子が配置される配置部と、前記配置部と接合され、前記発光素子を封止し、前記発光素子から発せられる光を透過する封止部と、前記配置部と前記封止部とを接合する樹脂と、前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に設けられた吸着剤と、を備えた半導体装置である。
なお、封止部には、その名称の如何を問わず、発光素子を封止する機能を果たす全ての部材が含まれる。
【０００６】
前記吸着剤の孔径は、前記樹脂から生じるガスを構成する分子の径よりも大きいことが好ましい。
前記吸着剤は、ゼオライトであることが好ましい。
【０００７】
本発明は、発光素子と、前記発光素子が配置される配置部と、前記配置部と接合され、前記発光素子を封止し、前記発光素子から発せられる光を透過する封止部と、前記配置部と前記封止部とを接合する、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂と、を備えた半導体装置である。この発明は、配置部と封止部とを接合する「芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂」を備えていれば足る。「芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂」を含む樹脂組成物によって配置部と封止部とが接合される場合であっても、半導体装置が「芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂」を備えていることに変わりはなく、本発明に含まれる。
なお、封止部には、その名称の如何を問わず、発光素子を封止する機能を果たす全ての部材が含まれる。
【０００８】
前記脂環式エポキシ樹脂は、その厚みを１０ｍｍにした場合における、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９５％以上であることが好ましい。
ここで、「その厚みを１０ｍｍにした場合における」とは、脂環式エポキシ樹脂の厚みが１０ｍｍであるとの意味ではなく、仮に厚みを１０ｍｍにしたならば、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９５％以上となる脂環式エポキシ樹脂を用いる、との意味である。
【０００９】
前記脂環式エポキシ樹脂は、高圧水銀ランプ照射（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）後における、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９０％以上であることが好ましい。
ここで、「高圧水銀ランプ照射（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）後における」とは、（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）の条件で高圧水銀ランプが照射された脂環式エポキシ樹脂であるとの意味ではなく、仮に（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）の条件で高圧水銀ランプを照射したならば、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９０％以上となる脂環式エポキシ樹脂を用いる、との意味である。
【００１０】
前記脂環式エポキシ樹脂は分子量が５００以下であることが好ましい。
【００１１】
前記半導体装置において、さらに、前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に吸着剤を備えていることが好ましい。
【００１２】
前記吸着剤は、ゼオライトであることが好ましい。
前記吸着剤の孔径は、前記樹脂から生じるガスを構成する分子の径よりも大きいことが好ましい。
【００１３】
前記半導体装置において、さらに、前記配置部と前記封止部とで囲まれた空間に光触媒を備えていることが好ましい。
【００１４】
前記半導体装置において、さらに、マイクロプリズムを備え、前記発光素子がレーザダイオードとする構成を採ることもできる。
【００１５】
前記半導体装置において、さらに、受光素子を備え、前記発光素子がレーザダイオードとする構成を採ることもできる。
【００１６】
前記発光素子は、窒化物系半導体発光素子であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、配置部と封止部とが溶接ではなく樹脂により接合された半導体装置に吸着剤を設ける構成により、あるいは、配置部と封止部とを接合する樹脂に芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂または芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂を用いる構成により、安価でありながらも、寿命の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１００の概略を示す図である。
図１に示すように、第１の実施の形態に係る半導体装置１００は、発光素子１１０と、発光素子１１０が配置される平板状の配置部１２０と、封止部１３０と、配置部１２０と封止部１３０とを接合する樹脂１４０と、吸着剤１５０と、光触媒１６０と、を備えている。この第１の実施の形態に係る半導体装置１００によれば、配置部１２０と封止部１３０との接合が樹脂１４０によりなされるため、従来と比較して、半導体装置１００における封止を安価に行うことが可能となる。
ここで、配置部１２０には、スルーホール１７０などの貫通孔が設けられており、配置部１２０の裏面には、スルーホール１７０に接して電極１８０が設けられている。発光素子１１０には、これらスルーホール１７０及び電極１８０を介して電力が供給される。
また、封止部１３０は、樹脂１４０によって配置部１２０と接合され、発光素子１１０を封止し、発光素子１１０から発せられる光を透過するガラスなどからなる。
図１に示すように、第１の実施の形態では、封止部１３０がレンズ形状に形成されているが、このようにすると、発光素子１１０から放射状に発せられた光の焦点を絞ることが可能となる。
吸着剤１５０は、樹脂１４０から発生するガスを吸着し、配置部１２０と封止部１３０とで囲まれた空間内にガスが滞留するのを抑える。樹脂１４０から発生したガスが発光素子１１０に付着し安定化すると、発光素子１１０を通電させた場合に、光分解によって一部はガス化し、一部は付着物として発光素子１１０に付着したままとなる。ここで、発光素子１１０を通電し続けると、付着物が光エネルギの蓄積により、光吸収率が大きな材質に変質する。このため、半導体装置１００からの光出力を一定に保つためには、発光素子１１０の駆動電流を大きくする必要が生じるが、発光素子１１０の駆動電流を大きくすると、発光素子１１０が劣化しやすくなり、寿命が短くなる。しかしながら、第１の実施の形態によれば、吸着剤１５０による吸着により、樹脂１４０から発生するガスの発光素子１１０に付着する量を低下できるため、発光素子１１０、ひいては半導体装置１００の寿命を向上させることができる。
なお、第１の実施の形態では、吸着剤１５０に加えて、光触媒１６０を備えている。樹脂１４０から生じたガスは発光素子１１０に付着するが、光触媒１６０は、樹脂１４０から生じたガスが発光素子１１０に付着する前に、これを低分子化（分子量を小さく）する。発光素子１１０に付着したガスは、その分子量が小さい方が、発光素子１１０からの光照射による光分解でガス化し易い傾向にある。逆に言うと、発光素子１１０に付着したガスは、その分子量が大きいほど、光分解によりガス化がし難く、発光素子１１０に付着したままとなる。したがって、光触媒１６０によれば、発光素子１１０の付着物を光分解によって取り除きやすくなる。このように、第１の実施の形態によれば、吸着剤１５０と光触媒１６０との組合せにより、吸着剤１５０を単独で用いる場合と比較して、発光素子１１０、ひいては半導体装置１００の寿命を向上させることができる。
【００２０】
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置２００の概略を示す図である。
図２に示すように、第２の実施の形態に係る半導体装置２００は、発光素子２１０と、発光素子２１０が配置される箱状の配置部２２０と、封止部２３０と、配置部２２０と封止部２３０とを接合する樹脂２４０と、を備えている。この第２の実施の形態に係る半導体装置２００によれば、配置部２２０と封止部２３０との接合が樹脂２４０によりなされるため、従来と比較して、半導体装置２００における封止を安価に行うことが可能となる。
ここで、配置部２２０には、スルーホール２７０などの貫通孔が設けられており、配置部２２０の裏面には、スルーホール２７０に接して電極２８０が設けられている。発光素子２１０には、これらスルーホール２７０及び電極２８０を介して電力が供給される。また、第２の実施の形態においては、配置部２２０の底に凹部が設けられ、この凹部に発光素子２１０が配置されている。
また、封止部２３０は、樹脂２４０によって配置部２２０と接合され、発光素子２１０を封止し、発光素子２１０から発せられる光を透過するガラスなどからなる。
吸着剤２５０は、樹脂２４０から発生するガスを吸着し、配置部２２０と封止部２３０とで囲まれた空間内にガスが滞留するのを抑える。樹脂２４０から発生したガスが発光素子２１０に付着し安定化すると、発光素子２１０を通電させた場合に、光分解によって一部はガス化し、一部は付着物として発光素子２１０に付着したままとなる。ここで、発光素子２１０を通電し続けると、付着物が光エネルギの蓄積により、光吸収率が大きな材質に変質する。このため、半導体装置２００からの光出力を一定に保つためには、発光素子２１０の駆動電流を大きくする必要が生じるが、発光素子２１０の駆動電流を大きくすると、発光素子２１０が劣化しやすくなり、寿命が短くなる。しかしながら、第２の実施の形態によれば、吸着剤２５０による吸着により、樹脂２４０から発生するガスの発光素子２１０に付着する量を低下できるため、発光素子２１０、ひいては半導体装置２００の寿命を向上させることができる。
なお、第２の実施の形態では、吸着剤２５０に加えて、光触媒２６０を備えている。樹脂２４０から生じたガスは発光素子２１０に付着するが、光触媒２６０は、樹脂２４０から生じたガスが発光素子２１０に付着する前に、これを低分子化（分子量を小さく）する。発光素子２１０に付着したガスは、その分子量が小さい方が、発光素子２１０からの光照射による光分解でガス化し易い傾向にある。逆に言うと、発光素子２１０に付着したガスは、その分子量が大きいほど、光分解によるガス化がし難く、発光素子２１０に付着したままとなる。したがって、光触媒２６０によれば、発光素子２１０の付着物を光分解によって取り除きやすくなる。このように、第２の実施の形態によれば、吸着剤２５０と光触媒２６０との組合せにより、吸着剤２５０を単独で用いる場合と比較して、発光素子２１０、ひいては半導体装置２００の寿命を向上させることができる。
【００２１】
図３は、本発明の第３の実施の形態に係るレーザカプラ３００の概略を示す図である。
図３に示すように、本発明の第３の実施の形態に係るレーザカプラ３００は、２波長レーザダイオード３１０と、配置部３２０と、封止部の一例である波長板３３０と、配置部３２０と波長板３３０とを接合する樹脂３４０と、吸着剤３５０と、複合レンズ３６０と、複合プリズム３７０と、受光素子３８０と、マイクロプリズム３９０と、を有している。
第３の実施の形態に係るレーザカプラ３００においては、２波長レーザダイオード３１０からの光がマイクロプリズム３９０で反射され、波長板３３０、複合レンズ３６０、複合プリズム３７０を介して、ディスクに照射される。また、ディスクからの光は、複合プリズム３７０、複合レンズ３６０、波長板３３０を介して、受光素子３８０に入射する。
吸着剤３５０は、樹脂３４０から発生するガスを吸着し、配置部３２０と波長板３３０とで囲まれた空間内にガスが滞留するのを抑える。樹脂３４０から発生したガスが２波長レーザダイオード３１０に付着し安定化すると、２波長レーザダイオード３１０を通電させた場合に、光分解によって一部はガス化し、一部は付着物として２波長レーザダイオード３１０に付着したままとなる。ここで、２波長レーザダイオード３１０を通電し続けると、付着物が光エネルギの蓄積により、光吸収率が大きな材質に変質する。このため、レーザカプラ３００からの光出力を一定に保つためには、２波長レーザダイオード３１０の駆動電流を大きくする必要が生じるが、２波長レーザダイオード３１０の駆動電流を大きくすると、２波長レーザダイオード３１０が劣化しやすくなり、寿命が短くなる。しかしながら、第３の実施の形態によれば、吸着剤３５０による吸着により、樹脂３４０から発生するガスの２波長レーザダイオード３１０に付着する量を低下できるため、２波長レーザダイオード３１０、ひいてはレーザカプラ３００の寿命を向上させることができる。
なお、図示してはいないが、第３の実施の形態においても、第１の実施の形態及び第２の実施の形態の場合と同様にして、光触媒を備えることができる。
【００２２】
次ぎに、第１、２、３の実施の形態で説明した各部材についてより詳細に説明する。
【００２３】
［発光素子１１０、２１０、３１０］
発光素子は、その形状や材質などを特に限定されないが、窒化物系発光素子、特に、窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオードなどを用いることが好ましく、より好ましくは、可視光の短波長側の光や紫外線領域の光を発する窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオードなどである。窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオード（特に、可視光の短波長側の光や紫外線領域の光を発するもの）などについては、安価であるにもかかわらず寿命が長いということが求められており、寿命の向上を図ることができる第１の実施の形態及び第２の実施の形態は、これら窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオード（特に、可視光の短波長側の光や紫外線領域の光を発するもの）などに好適に適用できる。なお、発光素子の数は特に限定されず、１以上であればよい。２以上の発光素子を用いる場合は、少なくとも１つが上記した窒化物系発光素子、特に、窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオード（なかでも、可視光の短波長側の光や紫外線領域の光を発する窒化物系発光ダイオードや窒化物系レーザダイオード）などであることが好ましい。
【００２４】
［配置部１２０、２２０、３３０］
配置部は、その形状や材質を特に限定されない。
【００２５】
［封止部１３０、２３０、３３０］
封止部は、その形状や材質を特に限定されない。なお、封止部は、その名称の如何を問わず、発光素子を封止する機能を果たせばよい。
【００２６】
［樹脂１４０、２４０、３４０］
図４は、発光時間と光量との関係が、発光素子に付着している樹脂の材質の違いによってどのように変化するかを示すモデル図であり、図４（ａ）は脂環式エポキシ樹脂が発光素子に付着している場合のモデル図、図４（ｂ）は芳香族エポキシ樹脂が発光素子に付着している場合のモデル図である。
樹脂は、配置部と封止部とを接合できるものであれば、特に、その形状や材質を限定されないが、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂、または、芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂を用いることが好ましい。芳香環は、４００ｎｍ付近（特に４０７ｎｍ）に発光ピーク波長がある光の吸収が少ない樹脂として知られているが、光分解と酸化が進行すると、共役結合が増加して、４００ｎｍ付近（特に４０７ｎｍ）に発光ピーク波長がある光を吸収する性質（黄変）を持つ。このため、発光素子に付着した物が芳香族エポキシ樹脂から生じたガスに基づく場合、発光素子からの光量が、発光開始から所定時間経過後に低下し始める。これに対し、脂環式エポキシ樹脂は二重結合を持たない。したがって、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂、または、芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂から生じたガスは、光分解しても黄変し難い。よって、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂、または、芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂を用いることとすれば、これらの樹脂から生じたガスが発光素子に付着して付着物となった場合に、発光開始から所定時間経過後に光量が低下するということがない。
なお、脂環式エポキシ樹脂は、その厚みを仮に１０ｍｍにしたならば、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９５％以上となるものが好ましく、より好ましくは、この条件を満たした上で、さらに、仮に（５０ｍＷ／ｃｍ２×１０日）の条件で高圧水銀ランプを照射したならば、その照射後において、４００ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有する光の透過率が９０％以上となるものが良い。
なお、配置部と封止部とを接合する樹脂は、分子量が小さいことが好ましく、望ましくは５００以下である。樹脂から生じて発光素子に付着したガスは、光分解によりガス化するが、このガス化は、発光素子に付着したガスの分子量が小さいほど、進行しやすい。したがって、樹脂の分子量が小さい場合は、分子量が大きい場合と比較して、発光素子の発光開始から短時間で発光素子に付着した物がガス化し、発光素子からの光量が短時間で向上し易い。また、樹脂の分子量が小さい場合は、分子量が大きい場合よりも、発光素子に付着していた物がより多くガス化するため、発光素子からの光量が向上し易い。よって、分子量が小さい樹脂を用いれば、半導体装置の寿命をより長くすることができる。
なお、配置部と封止部とを接合する樹脂として、芳香族エポキシ樹脂が含まれていない脂環式エポキシ樹脂、または、芳香族エポキシ樹脂が５ｗｔ％以下の脂環式エポキシ樹脂を単独で用いることもできるが、これらに硬化剤や硬化促進剤や充填剤や顔料などを加えて組成物としたものを用いることもできる。
【００２７】
［電極１８０、２８０］
電極は、その形状や材質を特に限定されない。
【００２８】
［吸着剤１５０、２５０］
吸着剤は、その形状や材質を特に限定されないが、たとえば、活性炭やゼオライトなどを用いることができる。また、吸着剤を配置する位置は、樹脂の近傍にあることが好ましい。樹脂から発生するガスを効果的に吸着させることができるからである。但し、吸着剤を配置する位置は、これに限定されず、配置部と封止部とで囲まれた空間であればどこでもよい。
吸着剤による吸着は、ガスの分子径が吸着剤の孔径よりも小さいほうが促進され、ガスの分子径は、ガスの分子量が小さいほど小さくなる。したがって、吸着剤の孔径は、樹脂から生じるガスを構成する分子の径よりも大きいことが好ましい。
なお、吸着剤を、上記で説明した樹脂とともに用いることとすれば、吸着剤により脂環式エポキシ樹脂から発生するガスの大部分は吸着することができ、また、吸着できずに発光素子に付着した付着物についても、発光素子からの光によって変質せず、発光素子の光出力の大幅な低減を抑制することができる。
【００２９】
［光触媒１６０、２６０］
光触媒は、その形状や材質を特に限定されない。また、光触媒を配置する位置は、特に限定されず、配置部と封止部とで囲まれた空間であればどこでもよい。上述したように、吸着剤と光触媒との組合せにより、吸着剤を単独で用いる場合と比較して、発光素子、ひいては半導体装置の寿命を向上させることができる。なお、配置部と封止部とを樹脂で接合する際や、配置部内における部材を樹脂で接合する際に、これらの樹脂を硬化などするために高圧水銀ランプなどの紫外線を用いる場合には、この紫外線により光触媒を活性化させることができ、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
以上説明した半導体装置は、発光素子を有するすべての半導体装置（たとえば、レーザカプラなど）に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の概略を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の概略を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係るレーザカプラ３００の概略を示す図である。
【図４】発光時間と光量との関係が、発光素子に付着している樹脂の材質の違いによってどのように変化するかを示すモデル図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００、２００    半導体装置
１１０、２１０    発光素子
１２０、２２０、３２０    配置部
１３０、２３０    封止部
１４０、２４０、３４０    樹脂
１５０、２５０、３５０    吸着剤
１６０、２６０    光触媒
１７０、２７０    スルーホール
１８０、２８０    電極
３００    レーザカプラ
３１０    ２波長レーザダイオード
３３０    波長板
３６０    複合レンズ
３７０    複合プリズム
３８０    受光素子
３９０    マイクロプリズム
【図１】
2007299905.tif 000003
【図２】
2007299905.tif 000004
【図３】
2007299905.tif 000005
【図４】
2007299905.tif 000006