(57)【要約】【課題】  液晶表示装置の製造方法において、表示画素を構成する走査線やデータ線の絶縁破壊を起因とした歩留まりの低下を抑止する。【解決手段】  各パネル領域１Ｐに複数の表示画素１０が形成される。このとき、各表示画素１０の走査線１１及びデータ線１２は、パネル領域１Ｐの外側にまで延びるように形成される。次に、パネル領域１Ｐの外側において、複数の走査線１１間を短絡し、複数のデータ線１２間を短絡し、さらに走査線１１とデータ線１２との間を短絡する短絡用配線３０が形成される。その後、第１のガラス基板１に、不図示のスペーサーを介して、第２のガラス基板２を貼り合わせ、第１及び第２のガラス基板１，２の間に液晶を封入して不図示の液晶層を形成する。最後に、第１及び第２のガラス基板１,２を各パネル領域１Ｐの外縁に沿って切断し、複数のパネル、即ち複数の液晶表示装置に分離する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示画素を含む複数のパネル領域が画定された第１のガラス基板上に、各表示画素から各パネル領域の外側に延びるようにして、各表示画素に画素選択信号を供給する複数の走査線、及び各表示画素に表示信号を供給する複数のデータ線を形成する工程と、
前記第１のガラス基板の各パネル領域の外側において、各走査線を互いに短絡し、かつ各データ線を互いに短絡する工程と、
前記第１のガラス基板に第２のガラス基板を貼り合わせ、前記第１及び第２のガラス基板の間に液晶を封入する工程と、
各パネル領域の外縁に沿って各走査線及び各データ線を切断すると共に、前記第１及び第２のガラス基板を切断して複数の液晶表示パネルに分離する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記走査線を形成した後に、それらを覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に前記データ線を形成した後に、前記第１の絶縁膜上及び前記データ線上を覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記走査線及びデータ線を短絡する工程は、
前記パネル領域の外側の前記第１及び第２の絶縁膜に、各走査線の一部を露出する複数の第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記パネル領域の外側の第２の絶縁膜に、各データ線の一部を露出する複数の第２のコンタクトホールを形成する工程と、
各第１のコンタクトホールを通して各走査線を互いに接続する第１の短絡用配線を形成する工程と、各第２のコンタクトホールを通して各データ線を互いに接続する第２の短絡用配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の短絡用配線と前記第２の短絡用配線は、互いに接続されていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記短絡用配線は、ＩＴＯからなることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記走査線及びデータ線を前記短絡する工程は、
前記走査線を形成した後に、それらを覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記パネル領域の外側の前記第１の絶縁膜に、前記走査線の一部を露出するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内を含む前記第１の絶縁膜上にデータ線を形成し、前記第１のコンタクトホールを通して前記走査線と前記データ線とを互いに接続する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、液晶が封入されたガラス基板を切断する工程を含む液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラ等の携帯型電子機器の普及に伴い、液晶表示装置の需要が益々高まっている。次に、従来例に係る液晶表示装置の概略について、図面を参照して説明する。図６は、この液晶表示装置の等価回路図である。なお、図６では、１つのパネル上の表示領域にマトリクス状に形成された複数の表示画素の中から、１つの表示画素１０だけを示している。
【０００３】
図６に示すように、ガラス基板等からなる液晶表示パネルＰ上で、行方向に延びた走査線１１と列方向に延びたデータ線１２の交差点の付近に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であるＮチャネル型の画素選択用ＴＦＴ１３が配置されている。この画素選択用ＴＦＴ１３のゲートは、走査線１１に接続されており、そのソースは、データ線１２に接続されている。走査線１１には垂直駆動回路１０１から出力される画素選択信号Ｇが印加され、それに応じて画素選択用ＴＦＴ１３のオンまたはオフが制御される。データ線１２には水平駆動回路１０２から表示信号Ｄが出力される。
【０００４】
画素選択用ＴＦＴ１３のドレインは、液晶層ＬＣを挟む不図示の画素電極及び共通電極のうち、画素電極に接続されている。なお、この液晶層ＬＣは誘電体として機能するためキャパシタとして表されている。また、画素選択用ＴＦＴ１３のドレインには、上記画素電極に印加される表示信号Ｄを一水平期間保持するための保持容量Ｃｓが接続されている。
【０００５】
なお、上記構成では、画素選択用ＴＦＴ１３のソースにデータ線１２が接続され、そのドレインに画素電極が接続されているが、ソースに画素電極が接続され、ドレインにデータ線１２が接続されてもよい。
【０００６】
次に、上記液晶表示装置の動作について説明する。ハイレベルの画素選択信号Ｇが１水平期間にわたって走査線１１に印加されると、画素選択用ＴＦＴ１３がオンする。すると、データ線１２の出力された表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ１３を通して保持容量Ｃｓによって保持されると共に、上記画素電極に印加される。そして、表示信号Ｄに応じて、１水平期間にわたって液晶層の電界が制御され、その電界に応じて液晶分子の配向が制御される。これにより、黒表示もしくは白表示の液晶表示が行われる。この動作を１フィールド期間にわたって、全ての行の表示画素１０に対して行うことにより、表示領域の全体に所望の画像を表示することができる。
【０００７】
なお、画素選択用ＴＦＴ１３がボトムゲート型である場合、図７に示すように、表示画素１０の画素選択用ＴＦＴ１３が形成される領域では、例えば、画素選択用ＴＦＴ１３のゲートを兼ねるクロムからなる走査線１１、シリコン酸化膜等のゲート絶縁膜１６、画素選択用ＴＦＴ１３の能動層であるアモルファスシリコン層１７のドレインと接続するアルミニウムからなる電極１４、塗布酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８が、この順で積層して形成される。
【０００８】
また、画素選択用ＴＦＴ１３のドレインと接続する電極１４上にはコンタクトホールＣ３が設けられる。そして、コンタクトホールＣ３を通して電極１４と接続して平坦化絶縁膜１８上に延びるように、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる画素電極１９が形成される。
【０００９】
なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開平１１−２８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記表示画素１０のボトムゲート型の画素選択用ＴＦＴ１３では、走査線１１とデータ線１２が重畳する領域に、ゲート絶縁膜１６を介して静電容量が生じる場合がある。例えば、他の層の成膜工程、そのエッチング工程、配向膜の配向処理の際のラビング工程等により、データ線１２に過剰な電荷が蓄積される場合がある。
【００１１】
そして、例えば走査線１１とデータ線１２との間に異物が混入してゲート絶縁膜１６の膜厚が局所的に薄くなった場合、上記電荷がそのゲート絶縁膜１６の耐圧を越えて、走査線１１とデータ線１２との間、もしくは複数の走査線１１間、もしくは複数のデータ線１２間に絶縁破壊が生じ、それらが短絡されるという問題が生じていた。そのため、完成した液晶表示パネルの表示領域において行単位や列単位の不良表示が生じていた。このような表示不良を抱える液晶表示パネルの発生、即ち歩留まりの低下は、近年にみられる第１及び第２のガラス基板の大型化にともなって顕著となっている。
【００１２】
そこで本発明は、液晶表示装置の製造方法において、走査線１１やデータ線１２の絶縁破壊を起因とした歩留まりの低下を抑止する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記課題に鑑みて為されたものであり、複数の表示画素を含む複数のパネル領域が画定された第１のガラス基板上に、各表示画素から各パネル領域の外側に延びるようにして、各表示画素に画素選択信号を供給する複数の走査線、及び各表示画素に表示信号を供給する複数のデータ線を形成する工程と、第１のガラス基板の各パネル領域の外側において、各走査線を互いに短絡し、かつ各データ線を互いに短絡し、さらに走査線とデータ線とを短絡する工程と、第１のガラス基板に第２のガラス基板を貼り合わせ、第１及び第２のガラス基板の間に液晶を封入する工程と、各パネル領域の外縁に沿って各走査線及び各データ線を切断すると共に、第１及び第２のガラス基板を切断して複数の液晶表示パネルに分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、切断される前の第１のガラス基板上のパネル領域（液晶表示パネルとなる予定の領域）の外側で、表示画素を構成する走査線及びデータ線が短絡されて同電位となっている。これにより、第１及び第２のガラス基板を切断する前の工程において、走査線やデータ線の絶縁破壊を極力抑止することが可能となる。従って、液晶表示パネルの表示領域において行単位や列単位の不良表示が生じることを極力抑止することができる。即ち、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法の概略について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。図１（Ａ）は、マザーガラス基板（大判のガラス基板）として準備された第１のガラス基板１等を上面からみた図である。また、図１（Ｂ）は、第１のガラス基板１及びそれに貼り合わされる第２のガラス基板２を切断した後の状態を示している。
【００１６】
図１（Ａ）に示すように、液晶表示装置、即ち液晶表示パネルが形成される予定の複数の領域（以下、「パネル領域１Ｐ」と略称する）が画定されている。この第１のガラス基板１上において、最初に、各パネル領域１Ｐに、その表示領域として、図６及び図７に示したものと同様の複数の表示画素１０が形成される。このとき、各表示画素１０の走査線１１及びデータ線１２は、パネル領域１Ｐの外側の所定位置にまで延びるように形成される。
【００１７】
次に、パネル領域１Ｐの外側において、複数の走査線１１間を短絡し、複数のデータ線１２間を短絡し、さらに走査線１１とデータ線１２との間を短絡する短絡用配線３０が形成される。
【００１８】
次に、不図示の配向膜の成膜や配向処理等の必要な工程を経た後、第１のガラス基板１に、不図示のスペーサーを介して、不図示の共通電極及び配向膜等の必要な層が形成された第２のガラス基板２を貼り合わせる。そして、第１及び第２のガラス基板１，２の間に液晶を封入して不図示の液晶層を形成する。
【００１９】
最後に、図１（Ｂ）に示すように、第１及び第２のガラス基板１,２を各パネル領域１Ｐの外縁に沿って切断（例えばスクライブ及びブレイクによる切断）し、複数の液晶表示パネルＰ、即ち複数の液晶表示装置に分離する。
【００２０】
次に、上述した液晶表示装置の製造方法のうち、表示画素１０及び短絡用配線３０の形成工程の詳細について、図面を参照して説明する。図２は、短絡用配線３０を示す断面図である。図２（Ａ）は、複数の走査線１１間を短絡する箇所の短絡用配線３０を、走査線１１の延びる方向からみた場合の断面図である。また、図２（Ｂ）は、複数のデータ線１２間を短絡する箇所の短絡用配線３０を、データ線１２の延びる方向からみた場合の断面図である。また、図２（Ｃ）は、走査線１１とデータ線１２とを短絡する箇所の短絡用配線３０を、データ線１２の延びる方向からみた場合の断面図である。
【００２１】
図２、及び図７に示すように、まず、第１のガラス基板１上にクロム層を形成し、そのクロム層を、不図示の画素選択用ＴＦＴのゲート、及びそのゲートと接続してパネル領域１Ｐの外側にまで延びる走査線１１が構成されるようにパターニングする。その後、第１のガラス基板１上に、上記ゲート及び走査線１１を覆うようにして、例えばシリコン酸化膜等のゲート絶縁膜１６を形成する。
【００２２】
次に、そのゲート絶縁膜１６上に、アルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層を、不図示の画素選択用ＴＦＴのソースと接続してパネル領域１Ｐの外側に延びるデータ線１２が構成されるようにパターニングする。そして、ゲート絶縁膜１６上及びデータ線１２上を覆うようにして、例えば塗布酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。
【００２３】
次に、パネル領域１Ｐの外側のゲート絶縁膜１６及び平坦化絶縁膜１８を貫通して各走査線１１の一部を露出する第１のコンタクトホールＣ１を形成する。この第１のコンタクトホールＣ１は、好ましくは、不図示のマスクを用いて平坦化絶縁膜１８をエッチングして所定の不図示の開口部を設け、上記不図示のマスクを除去した後、さらに平坦化膜１８をマスクとしてゲート絶縁膜１６をエッチングすることにより形成される。
【００２４】
また、好ましくはコンタクトホールＣ１の形成と同時に、パネル領域１Ｐの外側の平坦化絶縁膜１８を不図示のマスクを用いてエッチングし、各データ線１２の一部を露出する第２のコンタクトホールＣ２を形成する。
【００２５】
また、好ましくはコンタクトホールＣ１の形成と同時に、パネル領域１Ｐの内側の平坦化絶縁膜１８を不図示のマスクを用いてエッチングし、画素選択用ＴＦＴ１３のドレインと接続された電極１４の一部を露出するコンタクトホールＣ３を形成する。
【００２６】
その後、第１及び第２のコンタクトホールＣ１，Ｃ２、及びコンタクトホールＣ３内を含む平坦化絶縁膜１８上にＩＴＯ層を形成する。その後、不図示のマスクを上記ＩＴＯ層を用いてエッチングし、画素電極１９及び短絡用配線３０が構成されるようにパターニングする。ここで、短絡用配線３０は、図１に示すように、パネル領域１Ｐの外側において、第１及び第２のコンタクトホールＣ１，Ｃ２を通して、走査線１１及びデータ線１２の全てに接続されるように形成される。即ち、短絡用配線３０は、複数の走査線１１間、複数のデータ線１２間、及び走査線１１とデータ線１２との間を接続している。なお、短絡用配線３０は、ＩＴＯに限定されず、その他の材料、例えばＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）からなるものであってもよい。
【００２７】
こうして、短絡用配線３０により、複数の走査線１１間、複数のデータ線１２間、及び走査線１１とデータ線１２との間が短絡されて、それらが同電位となる。これにより、第１及び第２のガラス基板１，２を切断する工程よりも前において、従来例にみられたような走査線１１及びデータ線１２の絶縁破壊を極力抑止することが可能となる。従って、完成した液晶表示パネルの表示領域において行単位や列単位の不良表示が生じることを極力抑止することができる。即ち、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることが可能となる。また、画素電極１９と短絡用配線３０とは同時に形成可能なため、成膜に係る製造工程を極力増加させずに、上記絶縁破壊の抑止を実現することが可能となる。
【００２８】
なお、本実施形態では、短絡用配線３０は、第１及び第２のコンタクトホールＣ１，Ｃ２内を通して、各走査線１１及び各データ線１２の全てに接続されるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、図示しないが、短絡用配線３０は、各走査線１１を互いに接続する第１の短絡用配線と、各データ線１２を互いに接続する第２の短絡用配線とに分かれており、第１の短絡用配線と第２の短絡用配線とは接続されていなくともよい。この場合、複数の走査線１１を構成する同一の層間、及び複数のデータ線１２を構成する同一の層間において絶縁破壊を極力抑止することが可能となる。
【００２９】
また、本実施形態では、走査線１１及びデータ線１２は、パネル領域１Ｐの内側から外側に延びるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、走査線１１及びデータ線１２は、各表示画素１０からパネル領域１Ｐの外縁の手前にまで延びて、切断の対象となる位置には形成されなくともよい。
【００３０】
この場合、パネル領域１Ｐの内側に、各走査線１１及び各データ線１２の一部を露出するコンタクトホールが、第１及び第２のコンタクトホールＣ１，Ｃ２と同様に形成される。そして、それらのコンタクトホールを通して走査線１１及びデータ線１２と接続し、かつパネル領域１Ｐの外縁上を通りその外側に延びる短絡用配線が形成される。
【００３１】
次に、第１の実施形態で示した短絡用配線３０を形成せずに各走査線１１及びデータ線１２を短絡する実施形態として、第２、第３、及び第４の実施形態について説明する。最初に、本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。図３（Ａ）は、マザーガラス基板（大判のガラス基板）として準備された第１のガラス基板１等を上面からみた図である。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示した第１のガラス基板１のうち、複数の走査線１１とデータ線１２とが短絡する箇所を、データ線１２の延びる方向からみた場合の断面図である。
【００３２】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、液晶表示装置、即ち液晶表示パネルが形成される予定の複数の領域（以下、「パネル領域１Ｐ」と略称する）が画定されている。この第１のガラス基板１上において、最初に、各パネル領域１Ｐに、その表示領域として、図６及び図７に示したものと同様の複数の表示画素１０が形成される。その際、表示画素１０から延びる走査線１１は、例えばクロム層の形成及びそのパターニングにより、パネル領域１Ｐの外側に延びて１つの配線として結合されるように、かつ後述する複数のデータ線１２が形成される予定のパネル領域１Ｐの外側の領域と交差する位置にまで延びるようにして形成される。
【００３３】
次に、第１のガラス基板１上に、走査線１１を覆うようにして、例えばシリコン酸化膜等のゲート絶縁膜１６を形成する。そして、パネル領域１Ｐの外側のゲート絶縁膜１６に、１つの配線として結合された走査線１１の一部を複数の箇所で露出する複数のコンタクトホールＣ４を形成する。このコンタクトホールＣ４は、例えば、不図示のマスクを用いてゲート絶縁膜１６をエッチングすることにより形成される。
【００３４】
次に、コンタクトホールＣ４内を含むゲート絶縁膜１６上に、アルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層を、不図示の画素選択用ＴＦＴのソースと接続してパネル領域１Ｐの外側に延び、さらにコンタクトホールＣ４を通して走査線１１と接続するデータ線１２が構成されるようにパターニングする。このコンタクトホールＣ４を通した走査線１１とデータ線１２との接続により、特別な配線、即ち第１の実施形態の短絡用配線３０を用いることなく、各走査線１１間、各データ線１２間、及び走査線１１とデータ線１２との間を短絡することが可能となる。
【００３５】
次に、ゲート絶縁膜１６上及びデータ線１２上を覆うようにして、例えば塗布酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。その後、第１の実施形態と同様の工程を経ることによって、図１（Ｂ）に示すように、複数の液晶表示パネルＰ、即ち複数の液晶表示装置が完成する。
【００３６】
次に、本発明の第３の実施形態ついて図面を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。図４（Ａ）は、マザーガラス基板（大判のガラス基板）として準備された第１のガラス基板１等を上面からみた図である。また、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示した第１のガラス基板１のうち、複数の走査線１１とデータ線１２とが短絡する箇所を、走査線１１の延びる方向からみた場合の断面図である。
【００３７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、最初に、表示画素１０からパネル領域１Ｐの外側に延びる複数の走査線１１を形成し、それらの走査線１１を覆うゲート絶縁膜１６を形成する。そして、パネル領域１Ｐの外側のゲート絶縁膜１６に、各走査線１１の一部を露出する複数のコンタクトホールＣ５を形成する。このコンタクトホールＣ５は、例えば、不図示のマスクを用いてゲート絶縁膜１６をエッチングすることにより形成される。
【００３８】
次に、コンタクトホールＣ５内を含むゲート絶縁膜１６上に、アルミニウム層を形成する。そして、表示画素１０からパネル領域１Ｐの外側に延び、さらに１つの配線となってコンタクトホールＣ５を通して走査線１１と接続するデータ線１２が構成されるように、上記アルミニウム層をパターニングする。このコンタクトホールＣ５を通した走査線１１とデータ線１２との接続により、特別な配線、即ち第１の実施形態の短絡用配線３０を用いることなく、各走査線１１間、各データ線１２間、及び走査線１１とデータ線１２との間を短絡することが可能となる。
【００３９】
次に、ゲート絶縁膜１６上及びデータ線１２上を覆うようにして、例えば塗布酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。その後、第１の実施形態と同様の工程を経ることによって、図１（Ｂ）に示すように、複数の液晶表示パネルＰ、即ち複数の液晶表示装置が完成する。
【００４０】
次に、本発明の第４の実施形態ついて図面を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。図５（Ａ）は、マザーガラス基板（大判のガラス基板）として準備された第１のガラス基板１等を上面からみた図である。また、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示した第１のガラス基板１のうち、パネル領域１Ｐの外側において走査線１１とデータ線１２が接続された箇所を示す断面図である。
【００４１】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、例えばクロム層の形成及びそのパターニングにより、表示画素１０からパネル領域１Ｐの外側に延び、かつ１つの配線として結合された走査線１１を形成し、その走査線１１を覆うゲート絶縁膜１６を形成する。そして、パネル領域１Ｐの外側のゲート絶縁膜１６に、１つの配線に結合された走査線１１の一部を露出する１つのコンタクトホールＣ６を形成する。このコンタクトホールＣ６は、例えば、不図示のマスクを用いてゲート絶縁膜１６をエッチングすることにより形成される。
【００４２】
次に、コンタクトホールＣ６内を含むゲート絶縁膜１６上に、アルミニウム層を形成する。そして、表示画素１０からパネル領域１Ｐの外側に延び、かつ１つの配線となってコンタクトホールＣ６を通して走査線１１と接続するデータ線１２が構成されるように、上記アルミニウム層をパターニングする。このコンタクトホールＣ６を通した走査線１１とデータ線１２との接続により、特別な配線、即ち第１の実施形態の短絡用配線３０を用いることなく、各走査線１１間、各データ線１２間、及び走査線１１とデータ線１２との間を短絡することが可能となる。また、その際に、パネル領域１Ｐの外側では、１つのコンタクトホールＣ６のみを形成すればよく、他の実施形態のように複数のコンタクトホールを形成する必要がない。
【００４３】
次に、ゲート絶縁膜１６上及びデータ線１２上を覆うようにして、例えば塗布酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。その後、第１の実施形態と同様の工程を経ることによって、図１（Ｂ）に示すように、複数の液晶表示パネルＰ、即ち複数の液晶表示装置が完成する。
【００４４】
なお、上記第１乃至第４の実施形態では、走査線１１はクロムからなり、データ線１２はアルミニウムからなり、画素電極１９はＩＴＯからなるとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、走査線１１、データ線１２、画素電極１９は、ボトムゲート型のＴＦＴを構成し得るものであれば上記以外の材料からなるものであってもよい。
【００４５】
また、上記第１乃至第４の実施形態では、画素選択用ＴＦＴ１３の能動層は、アモルファスシリコン層１７であるとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、画素選択用ＴＦＴ１３の能動層は、ボトムゲート型のＴＦＴを構成し得るものであれば上記以外の層からなるものであってもよく、例えば低温ポリシリコン層であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の短絡用配線を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図及びその断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図及びその断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図及びその断面図である。
【図６】従来例に係る液晶表示装置の表示画素の等価回路図である。
【図７】従来例に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    第１のガラス基板        １Ｐ  パネル領域        ２  第２のガラス基板
１０  表示画素                  １１  走査線          １２  データ線
１３  画素選択用ＴＦＴ          １４  電極            １６  ゲート絶縁膜
１７  アモルファスシリコン層    １８  平坦化絶縁膜    １９  画素電極
３０  短絡用配線                Ｃ１  第１のコンタクトホール
Ｃ２  第２のコンタクトホール    Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６  コンタクトホール
Ｃｓ  保持容量                  ＬＣ  液晶層            Ｐ  液晶表示パネル
【図１】
2007025561.tif 000003
【図２】
2007025561.tif 000004
【図３】
2007025561.tif 000005
【図４】
2007025561.tif 000006
【図５】
2007025561.tif 000007
【図６】
2007025561.tif 000008
【図７】
2007025561.tif 000009