(57)【要約】      （修正有）【課題】生活している住環境の近傍で手軽に足湯の効用を受けることが粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法の提供。【解決手段】足部を挿入可能な足湯浴槽２０と、この足湯浴槽の内部に設けられる中底部材と、前記足湯浴槽の前記中底部材の上部に収容され、前記足部を所定の温度に暖める粒状体と、前記足湯浴槽に、下部側から所定の温度の温水を供給するための温水供給手段１４，３３と、前記足湯浴槽に、前記温水と協働して前記粒状体の洗浄を行うための洗浄用空気を、下部側から供給する洗浄用空気供給手段１５，３４と、前記浴槽の下部側から前記浴槽内の前記温水を排出するための温水排出手段１３，３２と、前記温水供給手段、前記温水排出手段及び前記洗浄用空気供給手段を制御するための制御手段５０とからなっている。【選択図】図１
2007082623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
足部を挿入可能な足湯浴槽（２０，１２０）と、
この足湯浴槽の内部の所定の高さ位置に設けられ、液体及び／又は気体の通過が可能な複数の穴が形成された中底部材（２１ｄ）と、
前記足湯浴槽の近傍に設けられ、前記足湯浴槽に、前記中底部材の下部側から所定の温度の温水を供給するための温水供給手段（１４，３３，１３３）と、
前記足湯浴槽の前記中底部材の上部に収容され、前記温水で所定の温度に暖められるとともに前記足部を暖める粒状体（２１ｇ）と、
前記足湯浴槽の近傍に設けられ、前記足湯浴槽に、前記温水と協働して前記粒状体の洗浄を行うための洗浄用空気を、前記中底部材の下部側から供給する洗浄用空気供給手段（１５，３４，１１５，１３４）と、
前記足湯浴槽の近傍に設けられ、前記足湯浴槽の下部側から前記足湯浴槽内の前記温水を排出するための温水排出手段（１３，３２，１３１）と、
前記温水供給手段、前記温水排出手段及び前記洗浄用空気供給手段を制御するための制御手段（５０，１５０）と
からなる粒状体足湯システム。
【請求項２】
請求項１に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記足湯浴槽は、前記粒状体足湯システム内に複数設けられているものであり、
前記温水供給手段、前記洗浄用空気供給手段及び前記温水排出手段は、複数の前記足湯浴槽の各々に、前記温水の供給、排出、前記洗浄用空気の供給を行うものである
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記制御手段は、前記粒状体を前記温水及び前記洗浄用空気で洗浄するための洗浄工程、及び、前記足湯浴槽内に貯留されている前記温水を前記足湯浴槽内から排出して、前記中底部材より下方の位置に前記温水の水位を下降させ、入浴可能とするための入浴準備工程を含んだ制御を行うものである
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項４】
請求項３に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記制御手段は、待機中の前記足湯浴槽内の粒状体の温度を、所定の温度範囲内に保持している待機中運転工程、及び／又は、所望の前記足湯浴槽内の前記粒状体の温度を前記温水を入れ替えることによって所定の温度まで上昇させる温水入れ替え工程を含んだ制御を行うものである
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記足湯浴槽には、前記温水の水位位置を検出可能な水位検出部材が設けられている
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項６】
請求項５に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記水位検出手段は、
前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置である第１の水位位置に達したことを検出する第１の水位検出手段と、
前記中底部材より所定の寸法高い位置である第２の水位位置に達したことを検出する第２の検出手段と、
前記中底部材より所定の寸法低い位置である第３の高さ位置に達したことを検出する第３の水位検出手段とからなっているものである
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記足湯浴槽には、前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置に達したとき、前記温水を前記足湯浴槽から排出可能な上部側排出口が設けられている
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項８】
請求項７に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記足湯浴槽は、前記足部を挿入する主浴槽と、前記主浴槽の近傍に設けられる補助浴槽とからなるものであり、
前記主浴槽と前記補助浴槽とは前記所定寸法高い位置で連通しており、
前記補助浴槽に前記上部側排出口が設けられている
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかの１項に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記粒状体は、所定の大きさの砂又はセラミックス粒である
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項１０】
請求項９に記載された粒状体足湯システムにおいて、
前記セラミックス粒は、原石を粉末状にした後、所定の大きさの球体にセラミック加工したものである
ことを特徴とする粒状体足湯システム。
【請求項１１】
請求項１に記載された粒状体足湯システムの制御方法であって、
前記粒状体を、前記温水と前記洗浄用空気の供給によって洗浄するための洗浄工程と、
前記足湯浴槽内に貯留されている前記温水を前記足湯浴槽内から排出して、前記中底部材より下方の位置に前記温水の水位を下降させ、入浴可能にするための入浴準備工程とを有している
ことを特徴とする粒状体足湯システムの制御方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載された粒状体足湯システムの制御方法であって、
前記洗浄工程は、
所望の前記足湯浴槽に前記温水を前記浴槽の下部側から供給し、前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置に達し、前記温水が前記足湯浴槽の上部側排出口より排出される動作を所定の時間行う第１洗浄工程と、
前記足湯浴槽内に、前記足湯浴槽の下部側から洗浄用空気を所定の時間供給し、前記温水中に気泡を発生させ、前記温水及び前記気泡で前記粒状体及び前記温水の洗浄を行う第２洗浄工程とからなっている
ことを特徴とする粒状体足湯システムの制御方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載された粒状体足湯システムの制御方法であって、
前記洗浄工程は、
前記足湯浴槽内の前記温水を、前記温水の水位が前記粒状体の上方位置と前記中底部材の近傍位置との間で昇降するように循環させるとともに、前記足湯浴槽の下部側から洗浄用空気を供給する動作を所定の時間行う第３洗浄工程を有している
ことを特徴とする前記粒状体足湯システムの制御方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか１項に記載された粒状体足湯システムの制御方法であって、
待機中の前記足湯浴槽内の粒状体の温度を、所定の温度範囲内に保持している待機中運転工程、及び／又は、所望の前記足湯浴槽内の前記粒状体の温度を前記温水を入れ替えることによって所定の温度まで上昇させる温水入れ替え工程を有している
ことを特徴とする足湯システムの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、足湯浴槽内に収容された粒状体で足部を暖める粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法に関する。更に詳しくは、温水で所定の温度に暖められたセラミックスや砂等粒状体で足部を暖める足湯浴槽が複数設けられた粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
足、特に足の裏には、人体のあらゆる部分に関係のある神経が集中しているいわゆる足のつぼがあるといわれている。そして、この足のつぼを刺激することにより全身が活性化し、疲労をとることができるなどといわれて、足裏マッサージ、青竹踏みなどのいろいろなことが行われている。これらの一つとして、足を暖める足湯があり、血液の循環をよくし、疲労、ストレスの解消、心身をリラックスするなど効用のあるといわれている。足湯にも、温泉湯、温水湯など種々知られている。
【０００３】
現在、全国の温泉地には、手軽に入浴でき、いろいろと効用がある足湯が好評であり、足湯施設を備えた温泉地も多くなっている。また、温泉地までいかなくても、生活している住環境の近傍で手軽に足湯の効用を受けることができるような施設の開発が望まれている。一方、４５〜５０℃に温かく保たれた砂に穴を掘り、その中に人が入り、全身に温かい砂をかけ所定の時間（例えば、１５分）入浴するいわゆる砂湯（砂風呂）もよく知られている。また、砂湯を売り物にしている温泉地も古くから存在する。
【０００４】
不特定多数の人が利用する足湯施設では、使用する人の足に付着していた汚れ、毛髪、雑菌、水虫菌等が混入してしまい安全面、衛生面で問題が生じるおそれがあった。そのため、流れてくる湯をきれいに保つことが可能な足湯用ケースに関する技術が提案されている（例えば、特許文献７参照）。
また、足湯を砂風呂のようなものとした場合には、砂が汚れた可能性があるかといって、砂を使用毎に交換するのでは手間、労力、経費等がかかりすぎてしまうという問題点が生じた。しかし、以前に使用した人の足に付着していた汚れ、雑菌等があっては、これから足湯に入浴しようする人は不潔感をもってしまい、爽快にリラックスして、また、安心して足湯を楽しむことができないという問題点がある。すなわち、足湯の砂、セラミック粒等の洗浄は不可欠なものであって、簡単な操作及び装置で砂湯の汚れ等を洗浄できる洗浄機能、足湯に入浴したいときにすぐ入浴できるように待機している機能等を備えた足湯システム及び足湯システムの制御方法の開発が要望されていた。
【０００５】
いわゆる足湯に関する先行技術として、次のものがあった。断熱材、面状発熱体、金属板を重ね、その上に遠赤外線セラミック粒を入れ、容器内の砂の上部下部の温度差が少なく、足の行動を束縛することがなく、足の裏から足首まで暖める足の砂風呂が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、エステティックサロン等において多数のフットバスを列設した場合において、単一の排液貯留槽を備え、これらのフットバスから良好に排水することができるフットバス装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
さらに、浴槽内に砂を入れ、所定の温度に暖め砂風呂とすることも知られている。このような浴槽を有する砂風呂、遠赤外線セラミックス風呂の砂、セラミックスの洗浄技術も知られている（例えば、特許文献３，特許文献４，特許文献５，特許文献６参照）。
【特許文献１】実開平０６−０１７７３６号公報
【特許文献２】特開２００３−０３３２８８号公報
【特許文献３】実公平０５−０２２１７２号公報
【特許文献４】実公昭３８−０１９５５５号公報
【特許文献５】特開平０７−２０４２４５号公報
【特許文献６】特開２００３−１９９８０３号公報
【特許文献７】実用新案登録第３１０４０７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の技術は、個人用の足の砂風呂であって、遠赤外線セラミック粒の洗浄、待機中の処理、入浴準備処理等についての考慮は全くなされていない。すなわち、前記した問題点を解決していない。特許文献２の技術は、所定の温度の温水を洗浄槽にため、温水で足を暖めるためのものであり、排液貯留槽を介して排水するだけのものにすぎない。特許文献７は、流れてくるお湯に含まれている汚れや雑菌をケース外で止めるだけのものにすぎない。
【０００８】
また、特許文献３の技術は、浴槽内に洗剤噴射後、浴槽の下部の噴出口から水を圧送し、水より比重の大きい粒状体を水と共に流動状態に攪拌させて洗浄するものであり、洗剤、大量の高圧の水を必要とする効率の悪い粒状体の洗浄装置であった。また、洗浄装置が大型化し、複数の浴槽が設けられ、順次、足湯を利用する間に洗浄を行う必要がある足湯システムには全然不向きのものであった。
【０００９】
さらに、特許文献４から特許文献６の技術は、砂風呂の洗浄が不充分であるおそれが大きかったり、排水時に洗浄湯から遠赤外線セラミックスに汚れが戻ってしまうおそれがあったりするものであった。また、特許文献３から特許文献５の技術は、複数の浴槽を備えたシステムを考慮したものではなかった。
【００１０】
このように、従来から公知の砂風呂の洗浄技術は、砂、セラミックス粒等粒状体を利用した足湯システムには全く不向きであり、粒状体足湯システムに好適な新しい洗浄方法、制御方法の開発が要望されていた。特に、複数の足湯用の浴槽を備えた足湯システムでは、所望の浴槽のみの洗浄、入浴、その他はいつでも入浴可能に待機ができるものが必要であり、これに適したものの開発も要望されていた。
【００１１】
本発明は、前述したような従来の技術の問題点を解決するためになされたものであり、次の目的を達成する。
本発明の目的は、生活している住環境の近傍で手軽に足湯の効用を受けることが粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、足湯浴槽、粒状体の洗浄機能、待機している状態からの足湯入浴を可能とする入浴準備機能等粒状体足湯入浴に好適な機能を備えた粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、前記目的を達成するために次の手段をとる。  
本発明１の粒状体足湯システムは、
足湯システム内に設けられ、足部を挿入可能な足湯浴槽と、この足湯浴槽の内部の所定の高さ位置に設けられ、液体及び／又は気体の通過が可能な複数の穴が形成された中底部材と、前記足湯浴槽の近傍に設けられ、前記足湯浴槽に、前記中底部材の下部側から所定の温度の温水を供給するための温水供給手段と、前記足湯浴槽の前記中底部材の上部に収容され、前記温水で所定の温度に暖められるとともに前記足部を暖める粒状体と、前記足湯浴槽の近傍に設けられ、前記足湯浴槽に、前記温水と協働して前記粒状体の洗浄を行うための洗浄用空気を、前記中底部材の下部側から供給する洗浄用空気供給手段と、前記足湯浴槽の近傍に設けられ、複数の前記足湯浴槽の下部側から、前記足湯浴槽内の前記温水を排出するための温水排出手段と、前記温水供給手段、前記温水排出手段及び前記洗浄用空気供給手段を制御するための制御手段とからなっている。
【００１４】
本発明２の粒状体足湯システムは、本発明１において、
前記足湯浴槽は、前記足湯システム内に複数設けられているものであり、前記温水供給手段、前記洗浄用空気供給手段及び前記温水排出手段は、複数の前記足湯浴槽の各々に、前記温水の供給排出、前記洗浄用空気の供給を行うものであることを特徴とする。
【００１５】
本発明３の粒状体足湯システムは、本発明１又は２において、
前記制御手段は、前記粒状体を前記温水及び前記洗浄用空気で洗浄するための洗浄工程、及び、前記足湯浴槽内に貯留されている前記温水を前記足湯浴槽内から排出して、前記中底部材より下方の位置に前記温水の水位を下降させ、入浴可能とするための入浴準備工程を含んだ制御を行うものであることを特徴とする。
【００１６】
本発明４の粒状体足湯システムは、本発明３において、
前記制御手段は、待機中の前記足湯浴槽内の粒状体の温度を、所定の温度範囲内に保持している待機中運転工程、及び／又は、前記粒状体の温度を前記温水を入れ替えることによって所定の温度まで上昇させる温水入れ替え工程を含んだ制御を行うものであることを特徴とする。
【００１７】
本発明５の粒状体足湯システムは、本発明１から４において、
前記足湯浴槽には、前記温水の水位位置を検出可能な水位検出部材が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
本発明６の粒状体足湯システムは、本発明５において、
前記水位検出手段は、前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置である第１の水位位置に達したことを検出する第１の水位検出手段と、前記中底部材より所定の寸法高い位置である第２の水位位置に達したことを検出する第２の検出手段と、前記中底部材より所定の寸法低い位置である第３の高さ位置に達したことを検出する第３の水位検出手段とからなっているものであることを特徴とする。
【００１９】
本発明７の粒状体足湯システムは、本発明１から６において、
前記足湯浴槽には、前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置に達したとき、前記温水を前記足湯浴槽から排出可能な上部側排出口が設けられていることを特徴とする。
【００２０】
本発明８の粒状体足湯システムは、本発明７において、
前記足湯浴槽は、前記足部を挿入する主浴槽と、前記主浴槽の近傍に設けられる補助浴槽とからなるものであり、前記主浴槽と前記補助浴槽とは前記所定寸法高い位置で連通しており、前記補助浴槽に前記上部側排出口が設けられていることを特徴とする。
【００２１】
本発明９の粒状体足湯システムは、本発明１から８において、
前記粒状体は、所定の大きさの砂又はセラミックス粒であることを特徴とする。
【００２２】
本発明１０の粒状体足湯システムは、本発明９において、
前記セラミックス粒は、原石を粉末状にした後、所定の大きさの球体にセラミック加工したものであることを特徴とする。
【００２３】
本発明１１の粒状体足湯システムの制御方法は、
本発明１に記載された粒状体足湯システムの制御方法であって、
前記足湯浴槽内の粒状体の温度を、前記粒状体を、前記温水と前記洗浄用空気の供給によって洗浄するための洗浄工程と、前記足湯浴槽内に貯留されている前記温水を前記足湯浴槽内から排出して、前記中底部材より下方の位置に前記温水の水位を下降させ、入浴可能にするための入浴準備工程とを有していることを特徴とする。
【００２４】
本発明１２の粒状体足湯システムの制御方法は、本発明１１において、
前記洗浄工程は、所望の前記足湯浴槽に前記温水を前記足湯浴槽の下部側から供給し、前記温水の水位が、前記粒状体の収納高さより所定寸法高い位置に達し、前記温水を前記足湯浴槽の上部側排出口より排出させる動作を所定の時間行う第１洗浄工程と、前記足湯浴槽内に、前記足湯浴槽の下部側から洗浄用空気を所定の時間供給し、前記温水中に気泡を発生させこの気泡で前記粒状体及び前記温水の洗浄を行う第２洗浄工程とからなっていることを特徴とする。
【００２５】
本発明１３の粒状体足湯システムの制御方法は、本発明１２において、
前記洗浄工程は、前記足湯浴槽内の前記温水を、前記温水の水位が前記粒状体の上方位置と前記中底部材の近傍位置との間で昇降するように循環させるとともに、前記足湯浴槽の下部側から洗浄用空気を供給する動作を所定の時間行う第３洗浄工程を有していることを特徴とする。
【００２６】
本発明１４の粒状体足湯システムの制御方法は、本発明１１から１３において、
待機中の前記足湯浴槽内の粒状体の温度を、所定の温度範囲内に保持している待機中運転工程、及び／又は、所望の前記足湯浴槽内の前記粒状体の温度を前記温水を入れ替えることによって所定の温度まで上昇させる温水入れ替え工程を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
以上、詳記したように、本発明の粒状体足湯システムは、温泉地まで行くことなく、生活している住環境の近傍で手軽に足湯の効用を受けることができる。また、簡素な構成で、足湯浴槽、粒状体等の洗浄工程、足湯入浴直前に、温水の水位を中底部材の下方の位置まで下降させ、足部と温水とが接することがなく安全で安心して足湯入浴を楽しめる入浴準備工程などを備え、粒状体足湯システムとして最適のものとすることができた。さらに、手軽に快適にリラックスして足湯入浴を楽しむことができる。すなわち、毎回、きれいで、清潔な粒状体、足湯浴槽で足湯を楽しむことができ、清潔志向の強い現代人にも受け入れられるものとすることができた。また、常に、足湯入浴可能に待機しているので、待つことがあまり得意でない現代人にも好適なものとすることができた。
【００２８】
粒状体を原石を粉末化した後、セラミック加工したものは、原石に含まれている成分の効能を受けることができ、さらにリラックス効果、癒し効果等を堪能することができる。また、お湯、温泉等による入浴（温泉浴、温水浴）と異なり、お湯、温泉の温度より高い温度の温水で粒状体を暖めた後、粒状体による足湯入浴を行うことが可能なため、いわゆる温熱療法の効果も有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の粒状体足湯システム及び粒状体足湯システムの制御方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
〔実施の形態１〕
図１は、本発明の粒状体足湯システムの実施の形態１の全体構成を示した説明図、図２は、粒状体足湯システムの足湯浴槽を示した正面図、図３は、足湯浴槽の平面図、図４は、足湯浴槽の側面断面図である。図５は、足湯システムの待機中運転工程の状態を示した説明図、図６は、足湯システムの洗浄工程の状態を示した説明図、図７は、粒状体足湯システムで足湯を楽しんでいる状態を説明した説明図である。図８は、粒状体足湯システムの制御方法の待機中運転工程の流れを示したフローチャート、図９は、粒状体足湯システムの制御方法の洗浄工程の流れを示したフローチャート、図１０は、粒状体足湯システムの制御方法の入浴準備工程の流れを示したフローチャートである。
【００３１】
図１に従って、実施の形態１の粒状体足湯システム１の説明を行う。粒状体足湯システム１は、所定の温度の温水を供給するための給湯用のタンク１０、粒状体により足部を入浴させるための足湯浴槽（以下、浴槽という。）２０、各浴槽２０への温水の供給、排出、洗浄用空気（洗浄用エア）の供給等を行うための電磁式方向制御弁（以下、電磁弁という。）３０、温水をタンク１０と浴槽２０との間で循環するための排水用ポンプ１３、供給用ポンプ１４、洗浄用エアを供給するためのコンプレッサー１５、供給用ポンプ１４、排水用ポンプ１３，電磁弁３０等の制御を行うための制御装置５０等から構成されている。浴槽２０は、この実施の形態では、第１浴槽２１から第５浴槽２５までの５つのものから構成されている。なお、浴槽２０の数は、施設の設備に対応して適宜決めればよいものであり、５つに限定されるものでなく一つ又は複数であればよい。電磁弁３０は、温水の排水を行うための電磁弁３１、３２、温水の供給を行うための電磁弁３３、洗浄用エアの供給を行うための電磁弁３４とから構成されている。電磁弁３１、３２、３３、３４は、各浴槽２１〜２５に対応して各々１個ずつ設けられている。
【００３２】
粒状体であるセラミックス粒２１ｇは所定の大きさ（例えば、直径３ｍｍ位の球状）のものであり、浴槽２０内に所定の高さｈ１（例えば、１５０ｍｍ位）収容されていることが好ましい（図４参照）。また、このセラミックス粒２１ｇは、いろいろな成分が入っている原石を粉末にし、その後所定の大きさの球体にセラミック加工したものなどが好適である。このようにすると、原石がもつパワーが放出されさらに足湯の効果を高められる可能性がある。
【００３３】
タンク１０は、水道水、井戸水、河川水等の水が自動給水されるとともに、この水を所定の温度に加熱させたものを貯留しているものである。このタンク１０に貯留され、浴槽２０に供給される温水の温度は、例えば４５℃から５０℃位が好ましく、４８℃から５０℃位が好適である。タンク１０には、ろ過（濾過）槽１１が接続されており、タンク１０内の水または温水のろ過をおこなう。ろ過槽１１には、ヒーター（図示せず）が設けられ、水を所定の温度の温水に加熱している。また、タンク１０とろ過槽１１とのあいだには、塩素注入ユニット１２が設けられ、ろ過槽１１に塩素を注入している。ろ過槽１１から排出される汚れた水又は温水は、排水路に自動排水される。なお、この実施の形態では、ろ過槽１１にヒーターを設けた構成のもので説明を行っているが、タンク１０にヒーターを設けた構成のものなどであってもよい。
【００３４】
コンプレッサー１５は、空気を圧縮して所定の圧力の圧縮空気を作るものである。フィルタ・レギュレータ１６は、空気中の水分と油分を取り除くとともに、空気中の固形異物を除去する機能のエアフィルタと、圧縮空気の圧力を所定の圧力に調整するための機能のレギュレータがユニット化されたものである。エアフィルタ・レギュレータ１６から出てくる排水も排水路に自動排水される。エアフィルタ・レギュレータ１６を通過した圧縮空気は、洗浄用エアとして使用可能なものである。
【００３５】
電磁弁３０は、２ポート弁であり、電磁コイルに通電することにより温水又は洗浄用エアの供給路、排出路の接続、遮断を行うものである。電磁弁３０は、一方の側がばね力で、他方の側が電磁力で開閉するものであることが好ましい。例えば、電磁弁３０を開状態にするとき電磁コイルに通電し、電磁コイルへの通電を遮断するとばね力で閉状態となるタイプのものである。
【００３６】
ヘアーキャッチャー１７は、循環している温水に含まれている固形異物例えば毛髪、体毛等を除去して、清浄な温水のみをタンク１０の戻すためのものである。チェック弁（逆止弁）１８は、排水用ポンプ１３からタンク１０側に温水が流れることを可能にし、温水の逆流を防止している弁である。
【００３７】
この粒状体足湯システム１を楽しむ人５は、図７に示すように、いす７等に座り、足首又は足首近傍まで浴槽２０内のセラミックス粒２１ｇに埋めて足湯を楽しむ。すると、足の血行がよくなって、体が暖まるとともに老廃物の排出機能が高まる。また、足のつぼを刺激することで全身が活性化し、疲労をとることができる。さらに、セラミックス粒２１ｇが原石からなるものは、原石からの成分、癒しのパワー等を得ることもできる。また、セラミックス粒２１ｇを暖める温水の温度は４８℃から５０℃であり、通常の温水又は温泉入浴のお湯の温度より高温にすることができ、この温水により暖められるセラミックス粒２１ｇに足湯入浴することは温熱療法の効果も有することにもなる。すなわち、直接入浴すると火傷などする恐れすらある５０℃の温水で暖められたセラミックス粒２１ｇでは、火傷などが発生することがなく、高温温熱療法に匹敵する効果を得ることができる。
【００３８】
図２から図４に従って、浴槽２０の説明を行う。浴槽２０として、第１浴槽２１を例にして説明を行うが、第２浴槽２２から第５浴槽２５も同一の構成、形状のものである。上
部が開口した主浴槽２１ａ、主浴槽２１ａの周囲を囲繞するように形成された補助浴槽２１ｂ、主浴槽２１ａと補助浴槽２１ｂとを連通させている連通口に設けられる網状体２１ｃ、主浴槽２１ａを浴槽部と底部２１ｆを分けている中底部材である簀の子状部材２１ｄ、脚部等から構成されている。補助浴槽２１ｂは、温水を循環させることにより、主浴槽２１ａの温水の保温を行うためのものである。
【００３９】
簀の子状部材２１ｄは、底部２１ｆを二重底状態にするための中底を形成するものである。簀の子状部材２１ｄには、所定の大きさの穴（この形態では長穴）２１ｅが設けられている。この穴２１ｅの大きさは、簀の子状部材２１ｄの上部に収容されるセラミックス粒２１ｇが落下しない程度の大きさである。網状体２１ｃの穴の大きさは、温水の汚れ、毛髪等が通過可能で、かつ、セラミックス粒２１ｇが通過できない程度の大きさの穴が形成されている。
【００４０】
第１浴槽２１には、底部２１ｆの底面に形成された下部側第１排出口４１ｄ、底部２１ｆの側面に形成された温水供給口４１ｂ、洗浄用エア供給口４１ｃが設けられている。補助浴槽２１ｂの下部には下部側第２排出口４１ａが設けられている。補助浴槽２１ｂの上部には、上部側排出口４１ｅが設けられている。また、第１浴槽２１には、第１浴槽２１内に供給された温水の水位を検出するための水位センサが設けられている。水位センサは、収容されたセラミックス粒２１ｇの上面より、所定の寸法ｈ２分高い位置である第１の水位位置（以下、Ｌ１位置という。）に温水の上面が位置していることを検出する第１水位センサ４１ｆ、簀の子状体２１ｄより所定の寸法ｈ３分高い位置である第２の水位位置（以下。Ｌ２位置という。）に温水の上面が位置していることを検出する第２水位センサ４１ｇ、簀の子状体２１ｄより所定寸法ｈ４低い位置である第３の水位位置（以下、Ｌ３位置という。）に温水の上面が位置していることを検出する第３水位センサ４１ｈとからなっている。
なお、水位センサは、浴槽２１内に設けられたフロート体（図示せず）が温水の浮力の作用の有無で上下動するのを検出して出力信号を出力（例えば、ＯＮ−ＯＦＦ信号を出力）するよく知られたセンサであり、詳細な説明は省略する。
【００４１】
第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５と、供給用ポンプ１４、排出用ポンプ１３、コンプレッサー１５との間の接続を説明する。供給用ポンプ１４から吐出される温水は、電磁弁３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅを介して、第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５に形成された温水供給口４１ｂ、４２ｂ・・に供給される。すなわち、電磁弁３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅの一つ又は複数個を開状態（言い換えると所望の電磁弁を開状態）にすることで温水を供給し、電磁弁３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅを閉状態とすることで温水の供給を遮断する。
【００４２】
第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５内の温水は、第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５に形成された下部側第１排出口４１ｄ、４２ｄ、・・から電磁弁３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅを介して、排出用ポンプ１３で排出される。すなわち、電磁弁３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅの一つ又は複数個を開状態にすることで第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５から温水を排出し、電磁弁３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅを閉状態とすることで温水の排水を遮断する。
【００４３】
第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５の補助浴槽２１ｂ、・・内の温水は、下部側第２排出口４１ａ、４２ａ、・・から電磁弁３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅを介して、排出用ポンプ１３で排出される。すなわち、電磁弁３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅの一つ又は複数個を開状態にすることで第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５から温水を排出し、電磁弁３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅを閉状態とすることで温水の排出を遮断する。
【００４４】
コンプレッサー１５から供給される洗浄用エアは、フィルタ・レギュレータ１６でゴミ等の除去、所定の圧力への調整がなされ、電磁弁３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅを介して、洗浄用エア供給口４１ｃ、４２ｃ、・・から第１浴槽２１、第２浴槽２２、第３浴槽２３、第４浴槽２４、第５浴槽２５の温水内に噴出され気泡（バブル）となる。噴出された気泡は、底部２１ｆの全体にひろがり、簀の子状部材２１ｄの穴２１ｅから出てくる。洗浄用エアは、簀の子状部材２１ｄの穴２１ｅから気泡となって各浴槽内を上昇していく。この気泡は、各浴槽内のセラミックス粒２１ｇ間を、温水とともに上昇していく。気泡は、汚れを剥ぎ取るような作用をするとともに、破裂する際には衝撃波を発生しこの衝撃波でも汚れを洗浄する。また、気泡は、汚れを吸い取って包み込む作用もする。このようなことにより、足部から出てくる油状の老廃物等は、温水面の上部に浮き上がり、上部側排出口４１ｅ、４２ｅ・・からまず排出される。また、セラミックス粒２１ｇに付着した汚れは、気泡の作用により洗浄され、温水、気泡等とともに浮上し上部側排出口４１ｅ、４２ｅ・・等から排出される。このようにして、各浴槽、セラミックス粒、温水等の洗浄がなされる。
【００４５】
図８から図１０のフローチャート、図５，６の説明図に従って、本発明の粒状体足湯システムの制御方法の説明を行う。まず、粒状体足湯システム１の電源を起動し、ろ過槽１１、コンプレッサー１５等の運転を開始する。
【００４６】
〔待機中運転工程〕
図５，図８に従って説明を行う。待機中運転ボタンが各浴槽２０に対応して操作盤（図示せず）があり、待機中運転ボタンを押圧することで待機中運転がスタートする(ステップ１０１）。なお、この実施の形態１の粒状体足湯システム１には５個の浴槽２０が設けられているが、説明の都合上、第１浴槽２１、第２浴槽２２が待機中運転を行っているものとして説明を行う。
【００４７】
排出用ポンプ１３、供給用ポンプ１４を運転状態とする（ステップ１０２，１０３）。第１浴槽２１の温水排出用の電磁弁（以下、ＶＢａバルブという。）３２ａ、第２浴槽２２の温水排出用の電磁弁（以下、ＶＢｂバルブという）３２ｂ、及び、第１浴槽２１の洗浄エア用の電磁弁（以下、ＶＤａバルブという。）３４ａ、第２浴槽２２の洗浄エア用の電磁弁（以下、ＶＤｂバルブという。）３４ｂを閉状態とする（ステップ１０４，１０５）。第１浴槽２１の温水排出用の電磁弁（以下、ＶＡａバルブという。）３１ａ、第２浴槽２２の温水排出用の電磁弁（以下、ＶＡｂバルブという。）３１ｂ、及び、第１浴槽２１の温水供給用の電磁弁（以下、ＶＣａバルブという。）３３ａ、第２浴槽２２の温水供給用の電磁弁（以下、ＶＣｂバルブという。）３３ｂを開状態とする（ステップ１０６，１０７）。すなわち、第１浴槽２１はタンク１０内の所定の温度の温水が、供給用ポンプ１４、ＶＣａバルブ３３ａを介して供給される。また、第１浴槽２１内の温水は、ＶＡａバルブ３１ａ、排出用ポンプ１３を介して排出される。同様に、第２浴槽２２にも、温水が供給用ポンプ１４、ＶＣｂバルブ３３ｂを介して供給され、ＶＡｂバルブ３１ｂ、排出用ポンプ１３を介して排出される。このようにして、温水は、タンク１０と第１浴槽２１、第２浴槽２２間を循環している。ＶＡａバルブ３１ａ、ＶＡｂバルブ３１ｂと排出用ポンプ１３との間には、ヘアーキャッチャー１７が設けられているので、排出される温水に体毛、毛髪等が含まれていた場合、ヘアーキャッチャー１７で回収される。
【００４８】
第１浴槽２１の温水の水位がＬ２位置まで低下したか否かを第２水位センサ４１ｇの出力から判断する（ステップ１０８）。低下していない場合には、ステップ１１３に移行する。低下している場合、全浴槽の水位がＬ２位置まで低下しているか否かを判断する。例えば、この説明では、第２浴槽２２の温水の水位がＬ２位置（第２水位センサ４２ｇ）まで低下しているか否か判断する。すなわち、第１浴槽２１のみがＬ２位置まで低下している場合には、ＶＡａバルブ３１ａを閉状態とし、第１浴槽２１からの温水の排出を停止する。また、待機中運転状態の全ての水槽の温水の水位が低下している場合には、ＶＡａバルブ３１ａを閉状態とするとともに、排水用ポンプ１３の運転も停止する（ステップ１０９〜１１２）。
【００４９】
次に、第１浴槽２１の水位がＬ１位置（第１水位センサ４１ｆ）を超えたか否かを第１水位センサ４１ｆの出力から判断する（ステップ１１３）。Ｌ１位置を超えていない場合には、ステップ１１６に移行する。Ｌ１位置を超えたと判断された場合には、ＶＡａバルブ３１ａを開状態にする（ステップ１１４）。また、排水用ポンプ１３が停止状態の時には、排水用ポンプ１３を運転状態にする（ステップ１１５）。
【００５０】
第２浴槽２２の温水の水位がＬ２位置まで低下したか否かを第２水位センサ４２ｇの出力から判断する（ステップ１１６）。低下していない場合には、ステップ１２１に移行する。低下している場合、全浴槽の水位がＬ２位置まで低下しているか否かを判断する。例えば、この説明では、第１浴槽２１の温水の水位がＬ２位置まで低下しているか否か判断する。すなわち、第２浴槽２２のみがＬ２位置まで低下していると判断された場合には、ＶＡｂバルブ３１ｂを閉状態とし、第２浴槽２２からの温水の排出を停止する。また、待機中運転状態の全ての水槽の温水の水位が低下している場合には、ＶＡｂバルブ３１ｂを閉状態とするとともに、排水用ポンプ１３の運転も停止する（ステップ１１８〜１２０）。
【００５１】
次に、第２浴槽２２の水位がＬ１位置を超えたか否かを第１水位センサ４２ｆの出力から判断する（ステップ１２１）。Ｌ１位置を超えていない場合には、ステップ１２４に移行する。Ｌ１位置を超えたと判断された場合には、ＶＡｂバルブ３１ｂを開状態にする（ステップ１２２）。また、排水用ポンプ１３が停止状態の時には、排水用ポンプ１３を運転状態にする（ステップ１２３）。
【００５２】
第１浴槽２１、第２浴槽２２において、洗浄運転の操作ボタンが操作（例えば、押しボタンスイッチが押圧操作）されたか否かを判断する（ステップ１２４）。操作された場合には、洗浄工程の動作を行う。操作されていない場合には、入浴準備の操作ボタンが操作（例えば、押しボタンスイッチが押圧操作）されたか否かを判断する（ステップ１２５）。操作された場合には、入浴準備工程の動作を行う。操作されていない場合には、ステップ１２６に移行する。ステップ１２６において、電源ＯＦＦの操作がされたか否かの判断をし、操作されたと判断された場合には、処理を終了する。操作されていないと判断された場合には、ステップ１０８に戻り、待機中運転工程の処理を続行する。
【００５３】
すなわち、待機中運転状態の各浴槽２０ｎは、Ｌ１位置に温水の水位が下がったら各ＶＡｎバルブを閉状態とし、Ｌ２位置に温水の水位が上がったら各ＶＡｎバルブを開状態とする。また、全浴槽２０ｎで水位がＬ２位置に下がったら排水用ポンプ１３の運転を停止し、どれかの浴槽２０ｎの水位がＬ１位置に上昇したら排水用ポンプ１３を運転する。このような状態で待機をし、セラミックス粒２１ｇの温度を所定の温度範囲内に保持している。
【００５４】
〔洗浄工程〕
図６，図９に従って説明を行う。待機中運転状態の浴槽から、所望の浴槽に対して洗浄運転の操作を行えば、操作された浴槽のみ洗浄運転動作を行う。また、この実施の形態では、一度に一つの浴槽のみを洗浄運転する仕様となっているが、複数の浴槽を同時に洗浄できる仕様にしてもよい。
【００５５】
説明の都合上、前記した待機中運転の状態で、第１浴槽２１の対して洗浄運転を行う操作がされたものとする。洗浄が第１浴槽２１か否かを判断する（ステップ２０１〜２０３）。第１浴槽２１である場合、ステップ２０４に移行し、ＶＡｂバルブ３１ｂ〜ＶＡｅバルブ３１ｅ、ＶＢｂバルブ３２ｂ〜ＶＢｅバルブ３２ｅ、ＶＣｂバルブ３３ｂ〜ＶＣｅバルブ３３ｅ、ＶＤｂバルブ３４ｂ〜ＶＤｅバルブ３４ｅを閉状態とする。すなわち、洗浄に関係しない浴槽の電磁弁を全て閉状態とする（ステップ２０４）。ＶＣａバルブ３３ａを開状態とする（ステップ２０５）。供給用ポンプ１４を運転状態とし（ステップ２０６）、温水を第１浴槽２１に供給する。タイマＴ２をリセットし、時間のカウントを開始する（ステップ２０７）。
【００５６】
第１浴槽２１の温水の水位がＬ１位置まで上昇したか否かを第１水位センサ４１ｆの出力から判断し、上昇するまで待つ（ステップ２０８）。水位がＬ１位置まで上昇した場合には、タイマＴ１をリセットし、時間のカウントを開始する（ステップ２０９）。すなわち、温水の供給で、足部から出てくる油状の老廃物等は、温水面の上部に浮き上がり上部側排出口２１ｅから排出される。所定の時間（例えば、５秒）経過後、ＶＤａバルブ３４ａを開状態にし、コンプレッサー１５から洗浄用エアを第１浴槽２１に供給する（ステップ２１０）。洗浄用エアは気泡となって温水内に噴出される。噴出された気泡は、底部２１ｆの全体にひろがり、簀の子状部材２１ｄの穴２１ｅから出てくる。セラミックス粒２１ｇに付着した汚れは、この気泡（バブル）により洗浄され、セラミックス粒２１ｇ、温水等は清潔に保たれる。この汚れは気泡に包み込まれ、上昇し、上部側排出口４１ｅから排出される。タイマＴ１の時間が所定の洗浄時間ｔ１（例えば、１０秒）になったらステップ２１２に移行し（ステップ２１１）。ＶＢａバルブ３２ａを開状態にし（ステップ２１２）、排水用ポンプ１３を運転状態とする（ステップ２１３）。すなわち、ＶＢａバルブ３２ａ、排水用ポンプ１３を介して温水がタンク１０に戻る。
【００５７】
第１浴槽２１の温水の水位がＬ２位置以下（又はＬ３位置以下）になったか否かを第２水位センサ４１ｇ（又は第３水位センサ４１ｈ）の出力から判断する。Ｌ２位置以下になった場合には、排水用ポンプ１３を運転停止の状態にし（ステップ２１５）、Ｌ２位置以下になっていない場合には、ステップ２１４に戻る。すなわち、Ｌ２位置以下になるまで、排水用ポンプ１３の運転を続け、Ｌ２位置以下になったら排水用ポンプ１３の運転を停止する。排水用ポンプ１３の運転を停止すると、温水は第１浴槽２１内に貯まっていく。第１浴槽２１の温水の水位がＬ１位置以上になったか否かを判断する（ステップ２１６）。Ｌ１位置以上になった場合には、排水用ポンプ１３を運転状態にし（ステップ２１７）、Ｌ１位置以上になっていない場合には、ステップ２１６に戻る。すなわち、Ｌ１位置以上になるまで、排水用ポンプ１３の運転を停止状態にし、Ｌ１位置以上になったら排水ポンプ１３を運転状態にする。
【００５８】
タイマＴ２の時間が所定の洗浄時間ｔ２（例えば、６０秒）になったか否かを判断する（ステップ２１８）。ｔ２に達していない場合にはステップ２１４に戻り、ステップ２１４からステップ２１７の処理を続ける。洗浄時間ｔ２に達したと判断された場合には、排水用ポンプ１３の運転を停止し（ステップ２１９）、ＶＤａバルブ３４ａを閉状態にし、洗浄用エアの供給を止める（ステップ２２０）。待機中運転に戻る。
【００５９】
すなわち、洗浄する浴槽２０に温水を供給することで、温水の上面側に浮き上がってきた汚れた温水を上部側排出口４１ｅから排出して洗浄する工程と、その後、洗浄エアを供給し、温水と洗浄用エアで洗浄する工程と、洗浄用エアを供給しながら温水をＬ１位置とＬ２位置（又はＬ３位置）との間で上下させるように循環し、汚れた温水を排出して洗浄する工程とからなっている。
【００６０】
〔入浴準備工程〕
図１０に従って説明を行う。待機中運転状態の浴槽から、所望の浴槽に対して入浴準備運転の操作を行えば、操作された浴槽のみ入浴準備動作を行う。また、この実施の形態では、どれかの浴槽が洗浄運転中の場合には、洗浄動作が終了するまで待っている仕様になっているが、洗浄運転中に入浴準備運転を行える仕様にしてもよい。この実施の形態では、説明の都合上、前記した待機中運転の状態で、第１浴槽２１に対して入浴準備運転を行う操作がされたものとする。
【００６１】
洗浄中の浴槽があるか否かを判断し、洗浄中の浴槽がある場合には洗浄が終了するのを待つ（ステップ３０１）。入浴準備運転の操作がされたのが、第１浴槽２１か否かを判断する（ステップ３０２〜３０４）。第１浴槽２１である場合、ステップ３０５に移行し、ＶＢａバルブ３２ａを閉状態にする。すると、排出路が全て閉状態になるので、第１浴槽２１内の温水は上昇していく。第１浴槽２１の温水の水位がＬ１位置以上になったか否かを第１水位センサ４１ｆの出力から判断する。Ｌ１位置以上になった場合には、ＶＡａバルブ３１ａを開状態にし（ステップ３０７）、Ｌ１位置以下になっていない場合には、ステップ３０６の監視を続ける。温水の水位がＬ１位置以上になったことは、セラミックス粒２１ｇが温水につかり、足湯に好適な所定の温度まで暖められたことを意味する。また、補助浴槽２１ｂにも温水が供給され、セラミックス粒２１ｇの保温を行う。
【００６２】
ＶＡａバルブ３１ａ及び／又はＶＢａバルブ３２ａを開状態にすると、温水は排水されるので、第１浴槽２１内の温水の水位は低下していく。第１浴槽２１の温水の水位がＬ３位置以下になったか否かを第３水位センサ４１ｈの出力から判断する（ステップ３０８）。Ｌ３位置以下になった場合には、ＶＡａバルブ３１ａ及び／又はＶＢａバルブ３２ａを閉状態にする（ステップ３０９）。すなわち、第１浴槽２１からの温水の排出が停止される。また、ＶＣａバルブ３３ａを閉状態にする。すなわち、セラミックス粒２１ｇが所定の温度に暖められるとともに、温水の水位は簀の子状部材２１ｄの下方に位置し、間違っても温水に、直接、足部が接することがないようにしている。すなわち、火傷などを起こすおそれがなく安心して足湯入浴を楽しむことができる。入浴ランプを点灯し（ステップ３１０）、使用者に入浴可能になったことを知らせる。使用者が足湯入浴を所定時間楽しむ。
【００６３】
〔実施の形態２〕
本発明の実施の形態２の粒状体足湯システムは、実施の形態１の粒状体足湯システムを一部簡素化したものであり、システム設備の簡素化による信頼性向上、設置コストの低減が図れるものである。なお、この実施の形態２の説明では、実施の形態１と同一の部位には同一の番号を付与し、詳細な説明は省略している。
図１１は、本発明の粒状体足湯システムの実施の形態２の全体構成を示した説明図、図１２は、実施の形態２の粒状体足湯システムの足湯浴槽を示した正面断面図、図１３は、足湯浴槽の平面図、図１４は、足湯浴槽の側面断面図である。図１５は、実施の形態２の洗浄工程のタイムチャートである。
【００６４】
図１１から１４に従って、実施の形態２の粒状体足湯システム１０１の説明を行う。粒状体足湯システム１０１は、所定の温度の温水を供給するためのタンク１０、粒状体により足部を入浴させるための浴槽１２０、各浴槽１２０への温水の供給、排出、洗浄用エアの供給等を行うための電磁弁１３０、温水をタンク１０と浴槽１２０との間で循環するための排水用ポンプ１３、供給用ポンプ１４、洗浄用エアを供給するためのブロワ１１５、供給用ポンプ１４、排水用ポンプ１３，電磁弁１３０等の制御を行うための制御装置１５０等から構成されている。浴槽１２０は、この実施の形態２では、第１浴槽１２１から第３浴槽１２３までの３つのものから構成されている。なお、浴槽１２０の数は、前述したように、一つ又は複数であればよいことはいうまでもない。電磁弁１３０は、温水の排水を行うための電磁弁１３１、温水の供給を行うための電磁弁１３３、洗浄用エアの供給を行うための電磁弁１３４とから構成されている。電磁弁１３１、１３３、１３４は、各浴槽１２１〜１２３に対応して各々１個ずつ設けられている。
【００６５】
セラミックス粒２１ｇは所定の大きさ（例えば、直径３ｍｍ位の球状）のものであり、浴槽１２０内に所定の高さｈ１’（例えば、１５０ｍｍ位）収容されていることが好ましい。また、このセラミックス粒２１ｇは、いろいろな成分が入っている原石を所定の大きさの球体にセラミック加工したものなどが好適である。また、タンク１０に貯留され、浴槽１２０に供給される温水の温度は、４８℃から５０℃位が好適である。タンク１０には、ろ過槽１１、塩素注入ユニット１２が設けられている。また、タンク１０と排水ポンプ１３との間には、ヘアーキャッチャー１７、チェック弁１８が設けられている。ブロワ１１５は、いわゆる送風機であり、所定の圧力の空気を浴槽１２０に送風するものである。この実施の形態２では、ブロワ１１５を使用することで、設置面積削減、メンテナンスの容易化などを図っている。
【００６６】
図１２から図１４に従って、浴槽１２０の説明を行う。浴槽１２０として、第１浴槽１２１を例にして説明を行うが、第２浴槽１２２から第３浴槽１２３も同一の構成、形状のものである。上部が開口した主浴槽１２１ａ、主浴槽１２１ａの周囲の３面に形成された補助浴槽１２１ｂ、主浴槽１２１ａと補助浴槽１２１ｂとを連通させている連通口に設けられる網状体１２１ｃ、主浴槽１２１ａを浴槽部と底部２１ｆを分けている中底部材である簀の子状体２１ｄ、脚部等から構成されている。網状体１２１ｃは、セラミックス粒２１ｇより所定寸法ｈ２’高い位置に設けられていることが好ましい。主浴槽１２１ａ、補助浴槽１２１ｂの外側の壁面には、断熱部材（例えば、ガラスウール）１６０等が貼り付けてあり、温水の熱が主浴槽１２１ａの外壁面等から大気側に逃げにくくしている。補助浴槽１２１ｂは、網状体１２１ｃを介して主浴槽１２１ａ側から流入してくる温水を集め、上部側排出口１４１ｅから排出するためのものである。
【００６７】
簀の子状部材２１ｄは、底部２１ｆを二重底状態にするための中底を形成するものであり、所定の大きさの穴（この形態では長穴）２１ｅが設けられている。第１浴槽１２１には、底部２１ｆの底面に形成された下部側排出口１４１ｄ、底部２１ｆの側面に形成された温水供給口１４１ｂ、洗浄用エア供給口１４１ｃが設けられている。補助浴槽１２１ｂの下部には、上部側排出口１４１ｅが設けられている。また、第１浴槽１２１には、第１浴槽１２１内に供給された温水の水位を検出するための水位センサ１４１ｈが設けられている。水位センサ１４１ｈは、前述したＬ３位置（簀の子状部材２１ｄより所定寸法ｈ４’低い位置）を検出するものである。
【００６８】
第１浴槽１２１、第２浴槽１２２、第３浴槽１２３と、供給用ポンプ１４、排出用ポンプ１３、ブロワ１１５との間の接続を説明する。供給用ポンプ１４から吐出される温水は、電磁弁であるＶＣａバルブ１３３ａ、ＶＣｂバルブ１３３ｂ、ＶＣｃバルブ１３３ｃを介して、第１浴槽１２１、第２浴槽１２２、第３浴槽１２３に形成された温水供給口１４１ｂ、・・に供給される。すなわち、ＶＣａバルブ１３３ａ、ＶＣｂバルブ１３３ｂ、ＶＣｃバルブ１３３ｃの一つ又は複数個を開状態にすることで温水を供給し、閉状態とすることで温水の供給を遮断する。
【００６９】
第１浴槽１２１、第２浴槽１２２、第３浴槽１２３内の温水は、下部側排出口１４１ｄ、・・から電磁弁であるＶＡａバルブ１３１ａ、ＶＡｂバルブ１３１ｂ、ＶＡｃバルブ１３１ｃを介して、排出用ポンプ１３で排出される。すなわち、ＶＡａバルブ１３１ａ、ＶＡｂバルブ１３１ｂ、ＶＡｃバルブ１３１ｃの一つ又は複数個を開状態にすることで第１浴槽１２１、第２浴槽１２２、第３浴槽１２３から温水を排出し、閉状態とすることで温水の排出を停止する。
【００７０】
ブロワ１１５から供給される洗浄用エアは、電磁弁であるＶＤａバルブ１３４ａ、ＶＤｂバルブ１３４ｂ、ＶＤｃバルブ１３４ｃを介して、洗浄用エア供給口１４１ｃ、・・から第１浴槽１２１、第２浴槽１２２、第３浴槽１２３に供給される。洗浄用エアは、簀の子状部材２１ｄの穴２１ｅから細かな気泡となって第１浴槽１２１の主浴槽２１ａ内に噴出される。この気泡は、各浴槽内のセラミックス粒２１ｇ間を、温水とともに上昇していく。気泡は、汚れを剥ぎ取るような作用をするとともに、破裂する際には衝撃波を発生しこの衝撃波でも汚れを洗浄する。また、気泡は、汚れを吸い取って包み込む作用もする。
【００７１】
〔洗浄工程〕
洗浄運転ボタンは、各浴槽の数（例えば、図１１の形態では３個）に対応して設けられている。初期状態の各バルブはすべて閉じている。そして、洗浄運転ボタンを押圧操作した順番に洗浄運転を開始する。例えば、第１浴槽１２１の洗浄運転ボタンを押圧操作した後、第２浴槽１２２の洗浄運転ボタンを押圧操作すると、それぞれ第１浴槽１２１、第２浴槽１２２の洗浄完了ランプ（図示せず）を点滅状態にする。
【００７２】
ＶＣａバルブ１３３ａ を開状態とした後、ＶＣｂバルブ１３３ｂを開状態とする。ＶＣａバルブ１３３ａを開状態にし、所定の時間ｔ１１（例えば、３０秒）経過後、ＶＣａバルブ１３３ａを閉状態とする。ＶＣｂバルブ１３３ｂを開状態にし、所定の時間ｔ１１（例えば、３０秒）経過後、ＶＣｂバルブ１３３ｂを閉状態とする。なお、この実施の形態２では、一つの浴槽にしか洗浄用エアの供給を行わない。従って、仮に第１浴槽１２１に洗浄用エアを供給している場合には、第２浴槽１２２では第１浴槽１２１の洗浄用エアの供給が停止するのを待たなくてはならない。従って、第２浴槽１２２の所定の時間ｔ１１は、第１浴槽１２１がブロワ１１５を使用していた場合、第２浴槽１２２に洗浄用エアが供給されるまで待っている時間（α）を加算している。このようにすることで、ブロワ１１５を小型のものにすることができ、経済的であり、省エネとなる。なお、複数の浴槽に洗浄用エアを同時に供給する仕様のものであってもよいことはいうまでもない。
【００７３】
図１５のタイムチャートによりさらに説明を行う。第１浴槽１２１の洗浄ボタンを押圧操作すると、ＶＣａバルブ１３３ａが開状態となり、ｔ１２（例えば、１０秒)経過後ＶＤａバルブ１３４ａが開状態となる。ＶＤａバルブ１３４ａはｔ１３（例えば、１０秒)経過後閉状態となり、ＶＣａバルブ１３３ａもｔ１１経過後閉状態となる。すなわち、タンク１０の所定の温度の温水が、供給用ポンプ１４、ＶＣａバルブ１３３ａを介して、ｔ１１時間第１浴槽１２１内に流入し、上部側排出口１４１ｅから排出される。また、温水の供給を開始してからｔ１２時間経過後、ブロワ１１５から洗浄用エアが第１浴槽１２１内に供給され、ｔ１３後供給を停止する。ＶＤａバルブ１３４ａが閉状態になってからｔ１４時間経過後、ＶＣａバルブ１３３ａが閉状態となり温水の供給が停止され、第１浴槽１２１の洗浄完了ランプを点灯状態とする。
【００７４】
一方、第２浴槽１２２は、洗浄ボタンの押圧操作とともに、ＶＣｂバルブ１３３ｂは開状態となるが、ＶＤｂバルブ１３４ｂはＶＤａバルブ１３４ａが閉状態となるのを待ってから開状態となる。ＶＤｂバルブ１３４ｂはｔ１３経過後閉状態となる。ＶＣｂバルブ１３３ｂは、ＶＤｂバルブ１３４ｂが閉状態になってからｔ１４経過後に閉状態となる。すなわち、タンク１０の所定の温度の温水が、供給用ポンプ１４、ＶＣｂバルブ１３３ｂを介して、（ｔ１１＋α）時間第１浴槽１２１内に流入し、上部側排出口１４１ｅから排出される。また、温水の供給を開始してから（ｔ１２＋α）時間経過後、ブロワ１１５から洗浄用エアがｔ１３時間第２浴槽１２２内に供給される。洗浄終了後、第２浴槽１２２の洗浄完了ランプを点灯状態にする。
このような手順で洗浄を行うことにより、温水のみの供給により、足部から出てくる油状の老廃物等が、温水面の上部に浮き上がり、上部排出口１４１ｅからまず排出される。次に温水と洗浄用エアを供給することで、、セラミックス粒２１ｇに付着した汚れが、気泡の作用により洗浄され、気泡等とともに浮上し第１浴槽１２１、セラミックス粒、温水等の洗浄がなされる。さらに、温水のみの供給により、温水が清浄な温水に入れ替わる。
【００７５】
〔入浴準備工程〕
この実施の形態２では、洗浄完了ランプが点灯中の浴槽だけ入浴準備運転が可能である。例えば、第１浴槽１２１の入浴準備ボタンを押圧操作すると、第１浴槽１２１の洗浄完了ランプが消灯する。ＶＡａバルブ１３１ａを開状態とし、排水用ポンプ1３を運転する。洗浄完了状態では、温水が第１浴槽１２１の上部まで貯留されているので、第１浴槽１２１の温水が排水され、第１浴槽１２１内の温水の水位は低下していく。第１浴槽１２１の温水の水位がＬ３位置以下になったか否かを水位センサ１４１ｈの出力から判断し、Ｌ３位置以下になった場合には、ＶＡａバルブ１３１ａを閉状態にする。第１浴槽１２１の浴槽の 入浴準備完了ランプを点灯状態にする。このようにすることで、セラミックス粒２１ｇが所定の温度に暖められるとともに、温水の水位は簀の子状部材２１ｄの下方に位置し、間違っても温水に、直接、足部が接することがないようにしている。すなわち、火傷等を起こすおそれがなく安心して足湯入浴を楽しむことができる。
【００７６】
〔温水入れ替え工程〕
この実施の形態２では、セラミックス粒２１ｇを暖めるために、温水の入れ替え運転を行う。この温水入れ替え運転は、洗浄完了ランプが点灯状態の浴槽だけ行うことが可能である。例えば、第１浴槽１２１の温水入れ替えボタンを押圧操作すると、第１浴槽１２１の洗浄完了ランプが点滅状態となる。ＶＡａバルブ１３１ａを開状態とし、第１浴槽１２１の温水の水位がＬ３位置まで下がったら、ＶＡａバルブ１３１ａを閉状態とする。すなわち、第１浴槽１２１内の温水をＬ３位置まで排水する。ＶＣａバルブ１３３ａを開状態とし、タンク１０内の温水を第１浴槽１２１に供給する。すなわち、第１浴槽１２１に温水が貯まっていく。所定の時間ｔ１４(例えば、２０秒)後に、ＶＣａバルブ１３３ａを閉状態とし温水の供給を停止する。第１浴槽１２１の洗浄完了ランプを点灯状態にする。
【００７７】
この実施の形態２の排水用ポンプ１３の運転条件は、ＶＡａバルブ１３１ａ〜ＶＡｃバルブ１３１ｃのどれかが開状態のとき運転状態とし、全て閉状態のとき運転停止状態としている。また、供給用ポンプ１４の運転条件は、ＶＣａバルブ１３３ａ〜ＶＣｃバルブ１３３ｃのどれかが開状態のとき運転状態とし、全て閉状態のとき運転停止状態としている。さらに、ブロワ１１５の運転条件は、ＶＤａバルブ１３４ａ〜ＶＤｃバルブ１３４ｃのどれかが開状態のとき運転状態とし、全て閉状態のとき運転停止状態としている。
【００７８】
また、各浴槽には、温水の温度センサー（図示せず）を取り付け、制御装置１５０の操作盤等で温水の温度を表示し、粒状体足湯システムのオペレータが確認できることが好ましい。この温度センサーの温水の温度表示により、温水入れ替え運転などを行うか否か等の判断を容易に行うことができる。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されない。本発明の目的、趣旨を逸脱しない範囲内での変更が可能であることはいうまでもない。例えば、循環させている温水は、地下から出てくる温泉の湯を所定の温度に調整したものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は、本発明の粒状体足湯システムの実施の形態１の全体構成を示した説明図である。
【図２】図２は、実施の形態１の粒状体足湯システムの足湯浴槽を示した正面図である。
【図３】図３は、実施の形態１の足湯浴槽の平面図である。
【図４】図４は、実施の形態１の足湯浴槽の側面断面図である。
【図５】図５は、粒状体足湯システムの待機中運転工程の状態を示した説明図である。
【図６】図６は、粒状体足湯システムの洗浄工程の状態を示した説明図である。
【図７】図７は、粒状体足湯システムで足湯を楽しんでいる状態を説明した説明図である。
【図８】図８は、粒状体足湯システムの制御方法の待機中運転工程の流れを示したフローチャートである。
【図９】図９は、粒状体足湯システムの制御方法の洗浄工程の流れを示したフローチャートである。
【図１０】図１０は、粒状体足湯システムの制御方法の入浴準備工程の流れを示したフローチャートである。
【図１１】図１１は、本発明の粒状体足湯システムの実施の形態２の全体構成を示した説明図である。
【図１２】図１２は、実施の形態２の粒状体足湯システムの足湯浴槽を示した正面図である。
【図１３】図１３は、実施の形態２の足湯浴槽の平面図である。
【図１４】図１４は、実施の形態２の足湯浴槽の側面断面図である。
【図１５】図１５は、実施の形態２の洗浄工程のタイムチャートである。
【符号の説明】
【００８１】
１，１０１…粒状体足湯システム
１０…タンク
１１…ろ過（濾過）槽
１２…塩素注入ユニット
１３…排水用ポンプ
１４…給水用ポンプ
１５…コンプレッサー
１１５…ブロワ
２０，２１，２２，２３，２４，２５，１２０…足湯浴槽
３０，３１，３２，３３，３４，３５，１３０…電磁式方向制御弁（電磁弁）
４１ｆ，４２ｆ…第１水位センサ
４１ｇ，４２ｇ…第２水位センサ
４１ｈ，４２ｈ…第３水位センサ
５０，１５０…制御装置
１４１ｈ…水位センサ
【図１】
2007082623.tif 000003
【図２】
2007082623.tif 000004
【図３】
2007082623.tif 000005
【図４】
2007082623.tif 000006
【図５】
2007082623.tif 000007
【図６】
2007082623.tif 000008
【図７】
2007082623.tif 000009
【図８】
2007082623.tif 000010
【図９】
2007082623.tif 000011
【図１０】
2007082623.tif 000012
【図１１】
2007082623.tif 000013
【図１２】
2007082623.tif 000014
【図１３】
2007082623.tif 000015
【図１４】
2007082623.tif 000016
【図１５】
2007082623.tif 000017