(57)【要約】      （修正有）【課題】抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いられるフレキシブルなスイッチング素子を提供する。【解決手段】ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、またはアニオンラジカル塩である有機導体と、金、チタン白金、銀、錫等の金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で動作可能で、抵抗値変化が１０倍以上のスイッチング素子。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機導体と、金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で動作可能なスイッチング素子。
【請求項２】
一対の電極と、該電極間に設けられた有機導体とを含む素子を、酸素を含む雰囲気下に静置してなり、電圧が３０Ｖ以下で動作可能なスイッチング素子。
【請求項３】
前記有機導体は、ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、またはアニオンラジカル塩である、請求項１または２に記載のスイッチング素子。
【請求項４】
前記有機導体は、カチオンラジカル塩またはアニオンラジカル塩である、請求項１または２に記載のスイッチング素子。
【請求項５】
前記有機導体は、遷移金属を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項６】
前記遷移金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎである、請求項５に記載のスイッチング素子。
【請求項７】
前記有機導体は、下記式で表される、請求項１または２に記載のスイッチング素子。
（Ｘ1・Ｘ2−ＤＣＮＱＩ）2Ｍ
上記式中、ＤＣＮＱＩはジシアノキノンジイミンであり、Ｘ1およびＸ2は、それぞれＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、メチル基、メトキシ基、エチル基であり、Ｍは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅである。
【請求項８】
前記有機導体は、単結晶である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項９】
前記電極の材料は、金、チタン、クロム、タンタル、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、パラジウム、白金、銀および錫から選択される、請求項１〜８のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項１０】
抵抗値が１０倍以上にスイッチ可能である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項１１】
不揮発性を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項１２】
整流特性を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項１３】
整流極性の切り替え機能を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項１４】
前記スイッチング素子は、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子、特に、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子（Random access memory、ＲＡＭ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ランダムアクセスメモリ素子について、種々検討されている。
例えば、非特許文献１には、Ａｇ−Ｐｒｏ0.7Ｃａ0.3ＭｎＯ3に、電圧をかけると抵抗値がスイッチすることが記載されている。しかしながら、Ａｇ−Ｐｒｏ0.7Ｃａ0.3ＭｎＯ3は１００Ｖ〜７００Ｖの電圧をかけないと抵抗値がスイッチしない。また、Ａｇ−Ｐｒｏ0.7Ｃａ0.3ＭｎＯ3は無機物からなるため、フレキシブル性に欠けるという問題もある。
【０００３】
また、非特許文献２には、金の表面にオリゴアニリンの自己組織化単分子膜（Self-assembled monolayer、ＳＡＭ）を形成し、これに電圧をかけることによって抵抗値がスイッチすることが記載されている。しかしながら、フレキシブル性に欠けるという問題は解決されていない。
【０００４】
さらに、非特許文献３には、Ａｇ2Ｓと白金の電極の間に銀を挟み、これを酸化還元して抵抗値をスイッチすることが記載されている。しかしながら、ランダムアクセスメモリ素子として利用することを考えると、フレキシブル性に欠けるという問題はやはり解決されていない。
【０００５】
一方、非特許文献４には、７，７，８，８−テトラシアノキノンジメタンカリウム（Ｋ・ＴＣＮＱ）を用いた、ランダムアクセスメモリ素子について記載がある。該ランダムアクセスメモリ素子は、室温動作に２００Ｖ以上の電圧が必要で実用性が低いばかりでなく、メモリとしての不揮発性もない。また、該ランダムアクセスメモリ素子は結晶そのものが示す性質であり、結晶軸がどちらを向いているかということによって性質が変化する異方性を有している。これは素子を大量に並べた場合に素子間で動作にばらつきがでる原因になってしまうという問題を生じることになる。
【０００６】
【非特許文献１】Nature. 1997,388,50-52
【非特許文献２】Nano Lett. 2005.5.2365-2372.
【非特許文献３】Nature. 2005,433,47-50
【非特許文献４】Science, 284,1645(1999)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的としたものであって、フレキシブルなスイッチング素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題の下、本発明者が鋭意検討した結果、下記手段により上記課題を解決しうることを見出した。
（１）有機導体と、金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で動作可能なスイッチング素子。
（２）一対の電極と、該電極間に設けられた有機導体とを含む素子を、酸素を含む雰囲気下に静置してなり、電圧が３０Ｖ以下で動作可能なスイッチング素子。
（３）前記有機導体は、ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、またはアニオンラジカル塩である、（１）または（２）に記載のスイッチング素子。
（４）前記有機導体は、カチオンラジカル塩またはアニオンラジカル塩である、（１）または（２）に記載のスイッチング素子。
（５）前記有機導体は、遷移金属を含む、（１）〜（４）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（６）前記遷移金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎである、（５）に記載のスイッチング素子。
（７）前記有機導体は、下記式で表される、（１）または（２）に記載のスイッチング素子。
（Ｘ1・Ｘ2−ＤＣＮＱＩ）2Ｍ
上記式中、ＤＣＮＱＩはジシアノキノンジイミンであり、Ｘ1およびＸ2は、それぞれＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、メチル基、メトキシ基、エチル基であり、Ｍは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅである。
（８）前記有機導体は、単結晶である、（１）〜（７）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（９）前記電極の材料は、金、チタン、クロム、タンタル、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、パラジウム、白金、銀および錫から選択される、（１）〜（８）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（１０）抵抗値が１０倍以上にスイッチ可能である、（１）〜（９）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（１１）不揮発性を有する、（１）〜（１０）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（１２）整流特性を有する、（１）〜（１１）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（１３）整流極性の切り替え機能を有する、（１）〜（１１）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
（１４）前記スイッチング素子は、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子である、（１）〜（１３）のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、フレキシブルなスイッチング素子の作製が可能になった。特に、無機物やＳＡＭ膜では、フレキシブル性に欠け、製造工程が高温であり、製造コストが高かった。一方、本発明はこれらの点を回避しており、また、印刷可能である点でも有意である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
【００１１】
本発明のスイッチング素子は、有機導体と、金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で（好ましくは１０Ｖ以下で）動作可能なものである。
ここで、「接合界面」とは、導電性を有しかつ組成の異なる２種類の固体を接触させた時に境に形成され、かつ、前記２種類の固体の内部（接触させる前のそれぞれの組成）とは異なった電子状態や物質構造を有する部位をいう。
このような接合界面を有するスイッチング素子は、例えば、一対の電極と、該電極間に設けられた有機導体とを酸素を含む雰囲気下に静置（例えば、空気中や酸素雰囲気下に、好ましくは１〜１０時間静置）することにより得られる。
【００１２】
有機導体と該有機導体の金属電極との接合界面とからなるものの一例として、有機導体の表面に酸化膜が設けられている態様が挙げられる。ここでいう酸化膜の厚さは特に定めるものではないが、好ましくは、有機導体の厚さの１〜１０％の厚さである。このような厚さとすることにより、有機導体本体の導電性を損なわずに絶縁膜を形成させることができるという利点がある。
また、別の接合界面の一例として、２つの仕事関数の異なる導電性物質の間に絶縁性の導膜が形成されている場合が挙げられる。
【００１３】
有機導体
本発明で用いる有機導体は、有機化合物を主成分（例えば、全体の８０質量％以上）とするものをいい、有機化合物以外の成分を含んでいてもよい。有機化合物以外の成分としては、例えば、後述する遷移金属や有機導体作製に用いた試料や不純物等が挙げられる。
本発明で用いる有機導体は、好ましくは、ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、アニオンラジカル塩であり、より好ましくは、カチオンラジカル塩またはアニオンラジカル塩である。以下、本発明で用いられる有機導体について詳細に説明する。
【００１４】
ヘテロ環含有化合物
本発明で用いる有機導体として、ヘテロ環含有化合物が採用できる。ヘテロ環を構成するヘテロ原子としては、硫黄原子、リン原子、窒素原子が好ましく、少なくとも硫黄原子を含むことがより好ましい。
ヘテロ環含有化合物は、１以上のヘテロ原子を含む炭素数３〜１０（好ましくは炭素数４〜６）のヘテロ環と、該ヘテロ環および／または他の炭素数３〜１０（好ましくは炭素数４〜６）の環とが２つ以上縮合した縮合環を有する化合物がより好ましい。縮合している環の数は、２〜１５が好ましく、２〜１０がより好ましく、２〜５がさらに好ましく、２〜４が特に好ましい。さらに、縮合環同士が、単結合、２重結合または３重結合、あるいは連結基を介して結合した構造であってもよい。連結基としては、例えば、２価以上の金属原子、−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｎ−、およびこれらの２以上の組み合わせからなる基が挙げられる。縮合環を形成するヘテロ環としては、例えば、チオフェン骨格、ジチオフェン骨格、チアゾール骨格、チアン骨格および／またはジチアン骨格を有するものが挙げられる。さらに、本発明のヘテロ環含有化合物は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適当な置換基を有していてもよい。
本発明のヘテロ環含有化合物の好ましい例としては、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）骨格を有する化合物やジチオレン金属骨格を有する化合物（Ｍ（ｄｍｉｔ）2）（Ｍは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔが好ましい）が挙げられる。テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）骨格を有する化合物としては、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）、エチレンヂチオテトラチアフルバレン（ＥＤＴ−ＴＴＦ）およびビス（エチレンヂチオ）テトラチアフルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）が好ましく、エチレンヂチオテトラチアフルバレン（ＥＤＴ−ＴＴＦ）がより好ましい。
【００１５】
カチオンラジカル塩
本発明で用いる有機導体として、カチオンラジカル塩が採用でき、ドナー系分子を酸化して得られるものが好ましい。ドナー系分子は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）骨格を有する化合物、ペリレン骨格を有する化合物およびテトラチアペンタレン（ＴＴＰ）骨格を有する化合物が好ましく、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）骨格を有する化合物およびペリレン骨格を有する化合物がより好ましい。
また、ヘテロ環含有化合物の塩であって、カチオンラジカル塩に該当するものも好ましく採用することができる。
【００１６】
アニオンラジカル塩
本発明で用いる有機導体として、アニオンラジカル塩が採用でき、アクセプター系分子を還元して、あるいは、負イオン系金属錯体を部分酸化して得られるものが好ましい。これらの中でも、アクセプター系分子を還元して得られるものがより好ましい。
本発明で用いるアクセプター系分子は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、各種置換７，７，８，８−テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、ジシアノキノンジイミン（ＤＣＮＱＩ）および各種置換キノン類（クロラニル等）が好ましく、各種置換７，７，８，８−テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）および各種置換ジシアノキノンジイミン（ＤＣＮＱＩ）がより好ましい。
一方、負イオン系金属錯体は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、ジチオレン金属骨格を有する化合物（Ｍ（ｄｍｉｔ）2）（Ｍは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔが好ましい）、Ｍ（ｍｎｔ）2（Ｍは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔが好ましい）およびフタロシアニン錯体が好ましく、ジチオレン金属骨格を有する化合物（Ｍ（ｄｍｉｔ）2）（Ｍは、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔが好ましい）がより好ましい。
また、ヘテロ環含有化合物の塩であって、アニオンラジカル塩に該当するものも好ましく採用することができる。
【００１７】
本発明で用いる有機導体は、遷移金属を含むことが好ましい。ここで、遷移金属は、好ましくは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎであり、より好ましくはＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉである。
遷移金属は、１種類のみ含んでいてもよいし、２種類以上含んでいてもよい。
【００１８】
本発明で用いる有機導体は、特に好ましくは、（Ｘ1・Ｘ2−ＤＣＮＱＩ）2Ｍで表されるものである。ここで、ＤＣＮＱＩはジシアノキノンジイミンであり、Ｘ1およびＸ2は、それぞれＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、メチル基、メトキシ基、エチル基であり、Ｍは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅである。
【００１９】
本発明で用いる有機導体は、さらに、単結晶からなることが好ましい。ここで単結晶からなるとは、有機導体を構築する組成が、単結晶の有機化合物（有機化合物塩を含む）からなることを意味し、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での他の成分（有機導体作製に用いた試料や不純物等）が含まれていることまでも排除するものではない。
【００２０】
本発明で用いる有機導体の厚さは、特に定めるものではないが、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍとすることができる。有機導体の幅は、例えば、１００ｎｍ〜５００μｍであり、さらには、１μ〜１００μｍである。
【００２１】
電極
本発明でスイッチング素子の作製に用いることができる電極の材料は、特に定めるものではない。例えば、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）および錫（Ｓｎ）を用いることができる。
また、本発明で一対の電極間に有機材料を設ける場合、その材料が互いに異なることが好ましい。このように異なる材料を採用することにより、片方の接合界面の性質のみを抽出してデバイス化できるという利点がある。この中でも、一対の電極が、金と銀の組み合わせ、金と銅の組み合わせ、銀と白銀の組み合わせ、アルミニウムと銀の組み合わせであることが好ましい。
【００２２】
電極間の間隔は、１００ｎｍ〜５００μｍであることが好ましく、１μ〜１００μｍであることがより好ましい。このような距離とすることにより、素子全体の抵抗を低くおさえつつ、素子のレイアウトに自由度を与えることができるという利点がある。
特に、本発明のスイッチング素子では、電極間の距離を９００ｎｍより大きくすることにより、電極間でのイオンの流れによる影響を最小限に抑えることができるという点で優れたスイッチング素子が得られ好ましい。
また、電極の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましい。このような厚さとすることにより、有機結晶と電極との接合が機械的なストレスなしに形成できるという利点がある。
【００２３】
電極間に、有機導体を設ける方法は公知の方法を採用できる。例えば、溶液中での化学反応や電気化学反応によって形成する方法、印刷や蒸着によって形成する方法等が挙げられる。
特に、単結晶の有機導体を設ける場合、国際公開ＷＯ２００５／１０４２６０号パンフレットに記載の方法に従って行うことができる。
【００２４】
本発明のスイッチング素子の抵抗値は、１０倍以上、さらには１００倍以上、特には１０００倍以上にスイッチ可能である。特に、本発明のスイッチング素子は、例えば、３０Ｖ以下、好ましくは１０Ｖ以下、さらには１．０〜３．０Ｖの電圧で１０倍以上にスイッチ可能である点で極めて有意である。
【００２５】
本発明のスイッチング素子は、好ましくは、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いることができる。ランダムアクセスメモリ素子としては、DRAM（ディーラム）としても、SRAM（エスラム）としても用いることができる。
また、本発明のスイッチング素子は、不揮発性を有するものとすることができる。さらに、本発明のスイッチング素子は、整流特性を有するものとすることができる。
本発明のスイッチング素子は、通常、フレキシブル性を有する。例えば、最小許容曲げ半径が５ｍｍ以下のスイッチング素子も得ることができる。これに対し、上述したような無機導体からなるランダムアクセスメモリ素子（例えば、非特許文献１〜３に記載の素子）の最小曲げ半径は、１０ｃｍ以上になる。このことからも、本発明のスイッチング素子の有用性は極めて大きなものであることが明らかである。
【実施例】
【００２６】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【００２７】
（単結晶の作製）
国際公開ＷＯ２００５／１０４２６０号パンフレットの実施例１に記載の方法に従い、電極間に単結晶を設けた。図１に概略図を示す。
表面を酸化膜で覆ったシリコン基板（製造元：フルウチ化学）上に、金電極（厚さ：２０ｎｍ）と金層（厚さ：２０ｎｍ）の上に設けられた銀電極（厚さ５０ｎｍ）電極を形成した。
２０ｍｌのアセトニトリルに対して、ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジシアノキノンジイミン（ＤＭｅ−ＤＣＮＱＩ ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製) を１５ｍｇ加えてよく攪拌し、ＤＭｅ−ＤＣＮＱＩ溶液を作製した。
上記電極を設けた基板を、ＤＭｅ−ＤＣＮＱＩ溶液に浸すと、銀がジイミンと反応し微結晶が成長した。電極を設けた基板をＤＭｅ−ＤＣＮＱＩ溶液から取り出して、ヘキサンで洗浄し、乾燥させた。
得られた素子の電子顕微鏡写真を図２に示した。図２から明らかなとおり、電極間に、（ＤＭｅ−ＤＣＮＱＩ）2Ａｇ単結晶が作製されていることが確認された。
【００２８】
（回路の作製方法）
上記により単結晶を成長させた後、レーザー加工顕微鏡にて不必要な回路を切断し、電源・電流計を接続して、図３に示すような回路を作製した。この結晶を含む回路を空気に数時間さらして、単結晶の表面に酸化膜を形成させ、スイッチング素子を作製した。
【００２９】
（電流−電圧曲線の測定）
上記で得られたスイッチング素子の電流電圧曲線（ＩＶ曲線）を測定した。その結果を図４に示した。０Ｖから掃引を開始し、４Ｖまで電圧を印可してから再び０Ｖに戻ってくると、電圧増加時（図４中の右上がりの矢印）と電圧減少時（図４中の左下がりの矢印）で描く曲線が異なっていた。これは、電圧を増加させる時と減少させる時で抵抗値が異なっていることを意味している。すなわち、この特性を利用して、本発明のスイッチング素子にON/OFFの情報を書き込むことができることが確認された。
【００３０】
（メモリ動作の確認）
上記スイッチング素子を用いてメモリ動作をさせた。そのタイムチャートを図５に示した。ここで、（１）は印可した電圧を、（２）は（１）のときの電流値を、（３）は電流値の対数表示である。
ここで、「１」を書き込むには４Ｖの電圧を印可した（図５のａ、ｆ）。データの読み出しでは１．５Ｖの電圧を印可し、その時の電流値が０．０５μＡ以上あれば「１」と読み取ることができた（図５のｂ、ｃ、ｇ−ｋ）。逆に「０」を書き込むには印可電圧を−４Ｖにした（図５のｄ）。その後再び１．５Ｖの電圧をかけてデータを読み出すと、今度は電流がほとんど流れず、記録されたデータが「０」であることが読み取れた（図５のｅ）。
図５において最初に印加した４Ｖの電圧はスイッチング素子をＯＮの状態にするためのもので、一度ＯＮになったスイッチング素子は印可電圧を切っても一時間程度ＯＮの状態を保つことができることが認められた。ＯＮ状態のスイッチング素子に１．５Ｖ程度の電圧をかけると、０．１〜０．３μＡの電流が流れ、スイッチング素子がＯＮ状態であったことが読み取れた。ＯＮの状態は、０．６Ｖ程度の電圧をかけておけば、少なくとも１週間以上保持することが認められた。
一方、−４Ｖの電圧を印加すると、その後は１．５Ｖ程度の電圧では電流がほとんど（１ｎＡ以下）流れず、スイッチング素子がＯＦＦ状態にあることが認められた。これらの過程は繰り返し可能であることが確認された。
【００３１】
本実施例で作製したスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ比を測定した。
具体的には、電極にソースメジャーユニット（横河製ＧＳ６１０）を接続し、電圧を順に印可してその時に流れた電流を計測した。電圧印可と電流計測の間には２０ミリ秒程度の遅延を設定し、計測積分時間は０．２秒とした。ＩＶ曲線のスイープ速度は０．４Ｖ／ｓとした。
これらの結果から、図６に示すようにＯＮ／ＯＦＦ比（抵抗値のスイッチ）が１０００倍〜１００００倍程度であることが確認された。
また、本実施例で作製したスイッチング素子に用いた有機導体は、最小許容曲げ半径が１ｍｍ以下であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、実施例で作製した電極間に単結晶を作製する方法を示す概略図である。
【図２】図２は、実施例で作製した電極間に設けられた単結晶の電子顕微鏡像である。
【図３】図３は、実施例で作製したスイッチング素子を含む回路の概略図を示す。
【図４】図４は、実施例で作製したスイッチング素子のＩＶ曲線を示す。
【図５】図５は、実施例で作製したスイッチング素子を動作させたときのタイムチャートを示す。
【図６】図６は、実施例で作製したスイッチング素子のＩＶ曲線の対数表示を示す。
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１】
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【図２】
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