(57)【要約】【課題】小型化が可能な磁界センサと、これを用いた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】外部磁界を検出する磁界センサであって、一対の磁性層(10a,10b)とこの一対の磁性層(10a,10b)に挟持された非磁性層(10c)とを含む第１積層膜(10)と、一対の磁性層(10a,10b)の少なくとも一方(10a)の磁化が共鳴振動することにより変化する第１積層膜(10)の電気抵抗を読み取って外部磁界を検出する検出手段(15)とを含むことを特徴とする磁界センサ(1)とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界を検出する磁界センサであって、
一対の磁性層と前記一対の磁性層に挟持された非磁性層とを含む第１積層膜と、前記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することにより変化する前記第１積層膜の電気抵抗を読み取って前記外部磁界を検出する検出手段とを含むことを特徴とする磁界センサ。
【請求項２】
前記共鳴振動は、前記一対の磁性層の少なくとも一方に高周波信号を印加することによって発生する請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項３】
前記検出手段は、前記外部磁界が印加されない状態の前記共鳴振動により変化する前記第１積層膜の電気抵抗と、前記外部磁界が印加された状態の前記共鳴振動により変化する前記第１積層膜の電気抵抗とを比較して前記外部磁界を検出する請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項４】
前記共鳴振動の周波数を制御する第１磁界印加機構を更に含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁界センサ。
【請求項５】
前記検出手段は、電圧検出器及び電流検出器の少なくとも一方を含む請求項１又は３に記載の磁界センサ。
【請求項６】
前記非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される少なくとも１つの金属を含む請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項７】
前記非磁性層は、電気絶縁体からなる請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項８】
前記第１積層膜は、前記一対の磁性層の少なくとも一方に接する反強磁性層を更に含む請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項９】
前記高周波信号を印加する高周波信号印加手段を更に含む請求項２に記載の磁界センサ。
【請求項１０】
前記高周波信号印加手段は、前記高周波信号の周波数を制御する制御機構を有する請求項９に記載の磁界センサ。
【請求項１１】
前記高周波信号印加手段は、一対の磁性層と前記一対の磁性層に挟持された非磁性層とを含む第２積層膜であり、
前記第２積層膜は、前記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することによって前記第２積層膜の電気抵抗を変化させて前記高周波信号を発する請求項９に記載の磁界センサ。
【請求項１２】
前記共鳴振動の周波数を制御する第２磁界印加機構を更に含む請求項１１に記載の磁界センサ。
【請求項１３】
前記共鳴振動は、前記一対の磁性層の少なくとも一方に電流を印加することによって発生する請求項１１に記載の磁界センサ。
【請求項１４】
前記電流を印加する電流印加手段を更に含む請求項１３に記載の磁界センサ。
【請求項１５】
前記非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される少なくとも１つの金属を含む請求項１１に記載の磁界センサ。
【請求項１６】
前記非磁性層は、電気絶縁体からなる請求項１１に記載の磁界センサ。
【請求項１７】
前記第２積層膜は、前記一対の磁性層の少なくとも一方に接する反強磁性層を更に含む請求項１１に記載の磁界センサ。
【請求項１８】
磁性体薄膜に記録された信号を再生する磁気記録再生装置であって、
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の磁界センサを含み、
前記磁界センサにより前記磁性体薄膜からの漏洩磁界を検出することによって、前記磁性体薄膜に記録された信号を再生することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部磁界を検出する磁界センサと、これを用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁界センサは、自動車の衝突防止システム、商品管理システムなどの種々の分野で用いられている。現在、磁界センサとして幅広く用いられているのは、下記に示す非特許文献１に記載の磁気インピーダンス効果を有する磁性体を用いた磁界センサである。従来、磁気インピーダンス効果を有する磁性体としては、非晶質リボンが用いられてきた。
【非特許文献１】日本応用磁気学会誌24巻、4-2号、763-766ページ（2000年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、磁気インピーダンス効果を利用し、高い感度で磁界を検出するためには、磁壁を内包する磁性体を用いる必要があり、磁性体をある大きさ以上にしなければならない。そのため、上記非特許文献１に記載の磁界センサでは、2500μm×20μm×3.3μmの磁性体を用いている。磁界センサの応用範囲を拡げるためには、磁性体の大きさを例えば100nm×100nm×50nm程度以下とすることが好ましく、この程度の大きさの磁性体は多くの場合、単磁区構造を有するため、上述のような磁気インピーダンス効果を期待することはできない。
【０００４】
本発明は、小型化が可能な磁界センサと、これを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の磁界センサは、外部磁界を検出する磁界センサであって、
一対の磁性層と前記一対の磁性層に挟持された非磁性層とを含む第１積層膜と、前記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することにより変化する前記第１積層膜の電気抵抗を読み取って前記外部磁界を検出する検出手段とを含むことを特徴とする。
【０００６】
本発明の磁気記録再生装置は、磁性体薄膜に記録された信号を再生する磁気記録再生装置であって、
上述した本発明の磁界センサを含み、
前記磁界センサにより前記磁性体薄膜からの漏洩磁界を検出することによって、前記磁性体薄膜に記録された信号を再生することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の磁界センサ及び磁気記録再生装置によれば、例えば単磁区構造を有する磁性体を用いることができるため、小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の磁界センサは、一対の磁性層とこの一対の磁性層に挟持された非磁性層とを含む第１積層膜と、上記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することにより変化する上記第１積層膜の電気抵抗を読み取って外部磁界を検出する検出手段とを含む。なお、上記共鳴振動は、例えば歳差運動であればよい。
【０００９】
上記第１積層膜は、巨大磁気抵抗効果（例えばJ. Appl. Phys., 第93巻、第10号、6859-6863ページ（2003年）等参照）を発現する積層膜であればよい。巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜は、これを構成する一対の磁性層の少なくとも一方に高周波信号（例えばマイクロ波信号）を印加することによって、上記少なくとも一方の磁化が共鳴振動する。本発明の磁界センサは、上記一対の磁性層の少なくとも一方に高周波信号を印加する高周波信号印加手段（例えばマイクロ波電源等）を更に含んでいてもよいし、本発明の磁界センサを使用する際に、高周波信号印加手段を別途用意してもよい。上記検出手段としては、上記第１積層膜の電気抵抗の変化を読み取れる手段であればよく、例えば電圧検出器や電流検出器等が使用できる。なお、上記第１積層膜の好適な材料や厚み等の具体例は後述する。
【００１０】
本発明の磁界センサでは、上記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することにより変化する上記第１積層膜の電気抵抗を読み取って外部磁界を検出する。上記共鳴振動は、微小な磁性体を用いることによって容易に発現させることができるため、従来のように磁壁を内包する磁性体を用いる必要がない。よって、例えば単磁区構造を有する磁性体を用いることで、磁界センサの小型化が可能となる。
【００１１】
上記検出手段は、外部磁界が印加されない状態の上記共鳴振動により変化する上記第１積層膜の電気抵抗と、外部磁界が印加された状態の上記共鳴振動により変化する上記第１積層膜の電気抵抗とを比較して外部磁界を検出する検出手段であってもよい。この構成により、外部磁界の向きや強さを正確に検出することができる。この場合、上記検出手段は、測定された電気抵抗から外部磁界の向きや強さを算出する演算装置を含んでいてもよい。
【００１２】
本発明の磁界センサは、上記共鳴振動の周波数（共鳴周波数）を制御する第１磁界印加機構を更に含んでいてもよい。外部磁界の向きや強さに応じて上記共鳴周波数を変えることができるため、磁界センサの感度の調整が容易となるからである。なお、第１磁界印加機構としては、例えばコイル、電流線等が使用できる。
【００１３】
上記第１積層膜の非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される少なくとも１つの金属を含む層であってもよい。Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕは、いずれもｄ軌道が電子で埋まっているため、これらの金属を非磁性層に使用すると、一方の磁性層から他方の磁性層へとスピンの向きを変えずに電子を通過させることができる。即ち、これらの金属は、巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜の非磁性層材料として適している。
【００１４】
上記第１積層膜の非磁性層は、電気絶縁体からなる層であってもよい。スピン依存トンネル効果により、一方の磁性層から他方の磁性層へとスピンの向きを変えずに電子を通過させることができる。即ち、電気絶縁体は、巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜の非磁性層材料として適している。
【００１５】
上記第１積層膜は、上記一対の磁性層の少なくとも一方に接する反強磁性層を更に含んでいてもよい。上記一方の磁性層の磁化の向きを固定できるため、巨大磁気抵抗効果を容易に発現させることができるからである。
【００１６】
本発明の磁界センサが高周波信号印加手段を含む場合、この高周波信号印加手段は、上記高周波信号の周波数を制御する制御機構を有していても良い。外部磁界の向きや強さに応じて印加する高周波信号の周波数を変えることができるため、磁界センサの感度の調整が容易となるからである。
【００１７】
本発明の磁界センサは、上記第１積層膜とは別に、一対の磁性層とこの一対の磁性層に挟持された非磁性層とを含む第２積層膜を更に備えていてもよい。この場合、上記第２積層膜は、上記一対の磁性層の少なくとも一方の磁化が共鳴振動することによって上記第２積層膜の電気抵抗を変化させて高周波信号を発する積層膜であればよい。本構成により、第２積層膜が高周波信号印加手段となるため、例えばマイクロ波電源のような大きな装置を使用しなくても磁界センサを組み立てることができる。上記第２積層膜の材料や厚み等については、例えば上記第１積層膜と同様であればよい。なお、上記第２積層膜は、上記第１積層膜と異なる材料や厚みであってもよいが、上記第２積層膜として上記第１積層膜と同じ材料及び厚みの積層膜を使用すると、磁界センサの感度の調整が容易となるため好ましい。また、この場合、上記第２積層膜を構成する一対の磁性層の少なくとも一方の磁化の共鳴振動の周波数を制御する第２磁界印加機構を更に含んでいてもよい。外部磁界の向きや強さに応じて印加する高周波信号の周波数を変えることができるため、磁界センサの感度の調整が容易となるからである。第２磁界印加機構は、例えば上記第１磁界印加機構と同様のものが使用できる。
【００１８】
上記第２積層膜を構成する一対の磁性層の少なくとも一方の磁化を共鳴振動させるには、上記一対の磁性層の少なくとも一方に電流を印加すればよい。本発明の磁界センサは、上記電流を印加する電流印加手段（例えば直流電源等）を更に含んでいてもよいし、本発明の磁界センサを使用する際に、電流印加手段を別途用意してもよい。
【００１９】
本発明の磁気記録再生装置は、磁性体薄膜に記録された信号を再生する磁気記録再生装置であって、上述した本発明の磁界センサを含み、この磁界センサにより上記磁性体薄膜からの漏洩磁界を検出することによって、上記磁性体薄膜に記録された信号を再生する。本発明の磁気記録再生装置は、上述した本発明の磁界センサを用いているため、上記と同様の理由により小型化が容易となる。なお、本発明の磁気記録再生装置は、上記磁性体薄膜に記録された信号を再生するだけでなく、上記磁性体薄膜に信号を記録することもできる装置であってもよい。
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、参照する図面においては、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の符号で示し、重複する説明を省略する場合がある。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る磁界センサの構成図である。図１に示すように、磁界センサ１は、第１積層膜１０と、マイクロ波入力端子１１と、第１積層膜１０とマイクロ波入力端子１１との間に接続されたコンデンサ１２と、第１積層膜１０とコンデンサ１２との間の配線に接続されたコイル１３と、コイル１３とグランド１４との間に接続された直流電圧検出器１５とを含む。
【００２２】
第１積層膜１０は、巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜であり、一対の磁性層１０ａ，１０ｂと、これら一対の磁性層１０ａ，１０ｂに挟持された非磁性層１０ｃとを含む。そして、磁性層１０ａは、図示しない電極を介してグランド１６に接地されている。また、磁性層１０ｂは、図示しない電極を介してコンデンサ１２に接続されている。
【００２３】
磁界センサ１では、マイクロ波入力端子１１にマイクロ波信号（例えば、波長が１ＧＨｚ〜５０ＧＨｚの信号）が入力されると、上記マイクロ波信号からコンデンサ１２により交流成分が取り出され、この交流成分が第１積層膜１０に印加される。この交流成分の周波数がある範囲の時に、磁性層１０ａの磁化が共鳴振動する。これにより、第１積層膜１０の電気抵抗が振動的に変化し、第１積層膜１０の両端の電位差が振動する。その変化の直流成分を、コイル１３を通して直流電圧検出器１５により検出する。この場合、グランド１４とグランド１６とは同電位であることが必要であるが、必ずしも電位が０である必要はない。また、直流電圧検出器１５にブリッジ回路を採用することにより、検出感度が向上する。
【００２４】
図２は、マイクロ波入力端子１１に入力されるマイクロ波信号の周波数と、直流電圧検出器１５で検出した電圧（出力電圧）との関係の一例を示すグラフである。図２では、マイクロ波信号の周波数による出力電圧のピークが示されている。これは、第１積層膜１０へのマイクロ波信号の入力により、第１積層膜１０の磁性層１０ａの磁化が共鳴振動したためである。ここで、第１積層膜１０に外部磁界が印加されると、このピークの位置や大きさが変化する。これは、外部磁界が印加されると、第１積層膜１０の磁性体の共鳴周波数が変化するためである。従って、例えば図２に示すように、ピークの高さのほぼ半分に対応する周波数（以下、「半値周波数」という。）のマイクロ波信号を第１積層膜１０に印加し、直流電圧検出器１５で第１積層膜１０の両端の電圧の直流成分を測定すると、第１積層膜１０に外部磁界が印加された時に、直流電圧検出器１５で検出する信号に変化が生じる。例えば、図２に示すように、印加するマイクロ波の周波数をピークの左側中腹に合わせている場合、第１積層膜１０に正の外部磁界が印加されると信号出力が低下し、第１積層膜１０に負の外部磁界が印加されると信号出力が増加する。即ち、直流電圧検出器１５は、外部磁界が印加されない状態の第１積層膜１０の電気抵抗と、外部磁界が印加された状態の第１積層膜１０の電気抵抗とを比較して外部磁界を検出することができる。なお、印加するマイクロ波信号は、半値周波数でなくてもよいが、半値周波数を印加すると外部磁界の検出範囲（レンジ）が広くなるため好ましい。
【００２５】
また、直流電圧検出器１５で検出する信号についてのマイクロ波信号の周波数に対する依存性（Q値）は、104程度に達する。よって、磁界センサ１によれば、外部磁界の検出感度が高い磁界センサを提供できる。また、第１積層膜１０の大きさは、例えば、100nm×100nm×50nm程度以下にできるため、磁気インピーダンス効果を用いた磁界センサよりも遙かに小型の磁界センサを得ることができる。なお、本実施形態では、外部磁界を検出する検出手段として直流電圧検出器を用いたが、検出手段として電流検出器を用いてもよい。
【００２６】
図３は、上述した磁界センサ１に使用することができる第１積層膜１０の一例を示す断面図である。図３では、厚みが相違する一対の磁性層１０ａ，１０ｂを用いた例について示している。磁性層１０ａは、軟磁性材料からなり、厚さは5nmである。材料としては、図３の例では、Ni-Fe系合金を用いているが、Co-Fe系合金、Co-Fe-B系合金などでも良い。非磁性層１０ｃは、厚さ5nmのCu薄膜からなる。なお、非磁性層１０ｃの厚さは、通常、磁性層１０ａ，１０ｂ間の磁気的な相互作用を弱めることができる厚さに設定すればよい。また、非磁性層１０ｃの材料としては、巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜に用いられる材料であればよく、Cuの他、Ag、Au、あるいはこれらを主成分とする合金等でも良い。あるいは、スピン依存トンネル効果を利用する場合には、Al2O3、MgOなどに代表される絶縁体を用いても良い。磁性層１０ｂは、厚さ20nmのCo-Fe系合金薄膜からなる。なお、磁性層１０ｂには、通常、比較的高い保磁力を有する材料が用いられる。また、磁性層１０ｂとしては、磁性層１０ａよりも、通常、膜厚が厚い磁性層が使用される。
【００２７】
なお、磁性層１０ｂは、磁性層１０ａと比較して、磁化の向きが変化しにくいことが求められるため、磁性層１０ｂの代わりに、図４に示すように磁性層１０ｄと反強磁性層１０ｅとを積層したものを使用する場合もある。この場合、磁性層１０ｄとしては、例えば磁性層１０ａと同様の磁性層が使用できる。また、反強磁性層１０ｅとしては、例えば、Mn-Ir合金、Mn-Pt合金、Fe-Mn合金等からなる薄膜（厚さ3〜10nm程度）を使用できる。
【００２８】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る磁界センサの構成図である。図５に示すように、第２実施形態に係る磁界センサ２は、上述した磁界センサ１の構成要素に加え、磁気回路２０ａ，２０ｂを更に含む。そして、第１積層膜１０は、磁気回路２０ａ，２０ｂ間に設置されている。これにより、磁気回路２０ａ，２０ｂのそれぞれの末端（図示せず）で外部磁界を感知できるため、第１積層膜１０の形状を自由に設計することが可能になる。第１積層膜１０を構成する磁性層１０ａは、その形状により共鳴周波数が変化するため、形状の自由度を増やすことによって磁界センサ２の設計が容易となる。但し、磁気回路２０ａ，２０ｂの効率により、磁界センサ２の実効的な感度が低下するため、高感度が優先される場合には、第１積層膜１０を磁界センサ２の最外部に設置することが好ましい。なお、磁気回路２０ａ，２０ｂの構成材料は特に限定されないが、例えばNi-Fe系合金等が使用できる。
【００２９】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係る磁界センサの構成図である。図６に示すように、第３実施形態に係る磁界センサ３は、上述した磁界センサ１の構成要素に加え、第１積層膜１０の共鳴周波数を制御する第１磁界印加機構３０を更に含む。これにより、印加するマイクロ波信号の周波数と上記共鳴周波数との整合が容易になるので、磁界センサ３の感度の調整が容易となる。
【００３０】
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係る磁界センサの構成図である。図７に示すように、第４実施形態に係る磁界センサ４は、上述した磁界センサ１の構成要素に加え、コンデンサ１２に接続された第２積層膜４０と、コンデンサ１２と第２積層膜４０との間の配線に接続されたコイル４１と、コイル４１とグランド４２との間に接続された直流電源４３とを更に含む。
【００３１】
第２積層膜４０は、巨大磁気抵抗効果を発現する積層膜であり、一対の磁性層４０ａ，４０ｂと、これら一対の磁性層４０ａ，４０ｂに挟持された非磁性層４０ｃとを含む。そして、磁性層４０ａは、図示しない電極を介してグランド４４に接地されている。また、磁性層４０ｂは、図示しない電極を介してコンデンサ１２に接続されている。なお、第２積層膜４０は、例えば第１積層膜１０と同様の積層膜が使用できる。
【００３２】
磁界センサ４では、直流電源４３により第２積層膜４０にコイル４１を通して直流電流を印加すると、第１積層膜１０と同様に、磁性層４０ａの磁化が共鳴振動する。この共鳴振動により、第２積層膜４０の電気抵抗が振動する。この第２積層膜４０の電気抵抗の振動により、第２積層膜４０のコイル４１に近い部分の電位が振動するため、その電位の振動の交流成分のみをコンデンサ１２を通して取り出すことにより、マイクロ波信号を第１積層膜１０に印加することができる。よって、磁界センサ４によれば、従来のマイクロ波電源等のような大型かつ高価なマイクロ波印加手段を使用しなくても磁界センサを組み立てることができるため、小型化及び低コスト化が更に容易となる。
【００３３】
また、磁界センサ４は、第２積層膜４０の共鳴周波数を制御する第２磁界印加機構４５を更に含む。これにより、第２積層膜４０から第１積層膜１０へと印加されるマイクロ波信号の周波数と、第１積層膜１０の共鳴周波数との整合が容易になるので、磁界センサ４の感度の調整が容易となる。例えば、第１積層膜１０に入力されるマイクロ波信号の周波数と、直流電圧検出器１５で検出した電圧とが図２に示す関係を有する場合は、上記入力されるマイクロ波信号（即ち、第２積層膜４０が発するマイクロ波信号）を２ＭＨｚ変化させると図２のピークの位置がピーク幅の半分程度移動する。この場合、第２積層膜４０が発するマイクロ波信号を２ＭＨｚ変化させるには、第２磁界印加機構４５を用いて第２積層膜４０に約６０Ａ／ｍの磁界を印加すればよい。
【００３４】
なお、磁界センサ４では、第１積層膜１０へと印加するマイクロ波印加手段として第２積層膜４０を用いたが、本発明はこれに限定されず、公知のマイクロ波電源等を使用してもよい。その場合、使用するマイクロ波電源には印加するマイクロ波信号の周波数を制御する制御機構が設けられていることが好ましい。
【００３５】
（第５実施形態）
図８Ａは、本発明の第５実施形態に係る磁気記録再生装置の平面図である。また、図８Ｂは、図８ＡのI-I線断面図である。図８Ａ，Ｂに示すように、磁気記録再生装置５は、磁気ヘッド駆動部５０と、磁気ヘッド駆動部５０により保持された磁気ヘッド５１と、磁気記録媒体駆動部５２（図８Ｂ参照）とを含む。そして、磁気ヘッド５１には、上述した第１〜第４実施形態のいずれか１つの磁界センサ（図示せず）が使用されている。磁気ヘッド５１の上記磁界センサは、磁気記録媒体駆動部５２上に載置された磁気記録媒体５３の磁性体薄膜（図示せず）からの漏洩磁界を検出することによって、この磁性体薄膜に記録された信号を再生する。即ち、磁気記録再生装置５では、上述した第１〜第４実施形態のいずれか１つの磁界センサにより漏洩磁界を検出することができるため、再生信号の高出力化が可能となる。また、再生波形の非対称性も３％程度に抑えることができる。なお、磁気記録媒体５３には、例えばCo-Cr-Ta系合金からなる材料を用いることができる。また、磁気ヘッド５１のトラック幅は、例えば700nm程度以下であればよい。また、上述の例は、面内磁気記録方式の例であるが、垂直磁気記録方式の装置においても、本発明の磁界センサを利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の磁界センサは、例えば磁気記録再生装置用磁気ヘッドやアクチュエータ等に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁界センサの構成図である。
【図２】図１のマイクロ波入力端子に入力されるマイクロ波信号の周波数と、図１の直流電圧検出器で検出した電圧との関係の一例を示すグラフである。
【図３】図１の磁界センサに使用することができる第１積層膜の一例を示す断面図である。
【図４】図３の変形例を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る磁界センサの構成図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る磁界センサの構成図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る磁界センサの構成図である。
【図８】Ａは本発明の第５実施形態に係る磁気記録再生装置の平面図であり、ＢはＡのI-I線断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１，２，３，４         磁界センサ
５  磁気記録再生装置
１０  第１積層膜
１０ａ，１０ｂ，１０ｄ  磁性層
１０ｃ  非磁性層
１０ｅ  反強磁性層
１１  マイクロ波入力端子
１２  コンデンサ
１３  コイル
１４，１６，４２，４４  グランド
１５  直流電圧検出器
２０ａ，２０ｂ  磁気回路
３０  第１磁界印加機構
４０  第２積層膜
４０ａ，４０ｂ  磁性層
４０ｃ  非磁性層
４１  コイル
４３  直流電源
４５  第２磁界印加機構
５０  磁気ヘッド駆動部
５１  磁気ヘッド
５２  磁気記録媒体駆動部
５３  磁気記録媒体
【図１】
2007324415.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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