(57)【要約】【課題】塗布膜より発生する昇華物の固化を抑制し、ダストの発生による半導体装置の歩留りの低下を抑えることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】塗布膜の形成されたウェハ１をベーク処理するためのベークモジュール２と、ウェハ１をベークモジュール２に搬入又は搬出するためのウェハロード部３と、ウェハ１をベーク処理するためのヒータを備えたベークユニット４と、ウェハロード部３からベークユニット４に至るまでの搬送領域５と、搬送領域５に設けられる加熱手段６と、加熱手段６により加熱される温度を制御するための温度制御部７を備える。【選択図】図１
2007258351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜の形成されたウェハをベーク処理するためのベークモジュールと、
前記ウェハを前記ベークモジュールに搬入又は搬出するためのウェハロード部と、
前記ウェハをベーク処理するためのヒータを備えたベークユニットと、
前記ウェハロード部から前記ベークユニットに至るまでの搬送領域と、
前記搬送領域に設けられる加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される温度を制御するための温度制御部を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記搬送領域の上部に、排気口を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
塗布膜の形成されたウェハを、ベークモジュールに搬入する工程と、
搬入された前記ウェハを搬送する第１の搬送工程と、
搬送された前記ウェハをベーク処理する工程と、
ベーク処理された前記ウェハを搬送する第２の搬送工程と、
搬送された前記ウェハを、前記ベークモジュールから搬出する工程と、
前記第１の搬送工程及び前記第２の搬送工程において前記ウェハが搬送される搬送領域の少なくとも一部を、ベーク温度以下で加熱する工程を備えることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項４】
前記搬送領域内で温度勾配を有するように、加熱温度を制御する工程を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造方法。
【請求項５】
前記搬送領域の上部より排気する工程を備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布膜の形成された半導体基板をベーク処理するための半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウェハなどの表面にパターンを形成する工程において、リソグラフィー技術が用いられている。通常、このようなパターン形成工程は、ウェハなどの表面にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、形成されたレジスト膜にパターンを露光する工程と、露光後のレジスト膜を現像処理する工程から構成されている。
【０００３】
近年、素子の微細化に伴い、より高度な微細加工が要求されており、一方例えばレジスト膜形成前に、ＡＲＣ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ−Ｃｏａｔｉｎｇ）膜を形成する技術が適用されている。これにより、露光時のウェハなどからの反射によるレジスト膜の裾引きを抑制するとともに、及び現像液に含まれる有機アミンによるウェハなどへのコンタミネーションを防止することが可能である。
【０００４】
このようなＡＲＣ膜は、ウェハなどの表面にスピンコートなどにより塗布膜を形成した後、レジストとのミキシング防止とウェハなどとの密着性の向上のために、加熱処理を行なうことにより形成されている。
【０００５】
このようなＡＲＣ膜などの塗布膜の加熱処理において、昇華物が発生するが、これが冷却されることにより、例えば、特許文献１の[０００５]などに記載されているように、排気管などに固着してしまうという問題がある。これに対して、同[０００７]、図４などに、排気路において、昇華物を捕集する技術が開示されている。
【０００６】
しかしながら、昇華物の発生、固化自体を抑制するものではなく、排気路以外に固着した昇華物がダストとなり、ウェハ表面に付着し、半導体装置の歩留りの低下を生ずるといった問題が発生している。
【特許文献１】特開２００３−３４７１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、塗布膜より発生する昇華物の固化を抑制し、ダストの発生による半導体装置の歩留りの低下を抑えることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、塗布膜の形成されたウェハをベーク処理するためのベークモジュールと、ウェハをベークモジュールに搬入又は搬出するためのウェハロード部と、ウェハをベーク処理するためのヒータを備えたベークユニットと、ウェハロード部からベークユニットに至るまでの搬送領域と、搬送領域に設けられる加熱手段と、加熱手段により加熱される温度を制御するための温度制御部を備えることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一態様によれば、塗布膜の形成されたウェハを、ベークモジュールに搬入する工程と、搬入されたウェハを搬送する第１の搬送工程と、搬送されたウェハをベーク処理する工程と、ベーク処理されたウェハを搬送する第２の搬送工程と、搬送されたウェハを、ベークモジュールから搬出する工程と、第１の搬送工程及び第２の搬送工程においてウェハが搬送される搬送領域の少なくとも一部を、ベーク温度以下で加熱する工程を備えることを特徴とする半導体製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一実施態様によれば、塗布膜より発生する昇華物の固化を抑制し、ダストの発生による半導体装置の歩留りの低下を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【００１２】
図１に本実施形態の半導体製造装置の構成を示す。図に示すように、ＡＲＣ塗布膜が形成されたウェハ１がベーク処理されるベークモジュール２には、ウェハ１をベークモジュール２に搬入又は搬出するためのウェハロード部３と、ウェハ１をベーク処理するためのヒータを備えたベークユニット４が設置されている。このウェハロード部３からベークユニット４に至るまでの搬送領域５には、加熱手段としてヒータ６が設けられており、このヒータ６には、ヒータの温度を制御するための温度制御部７が接続されている。そして、搬送領域５の上部には、ベークユニット４から排出されるガスを含むガスを排出するための排気口８が設けられている。
【００１３】
このような半導体製造装置を用いて、以下のようにして半導体基板上にＡＲＣ膜が形成される。予め、ベークモジュール２内の搬送領域５を、ヒータ６により２１５℃に加熱し、排気口８からは、ガスが排出される状態としておく。先ず、ＡＲＣ塗布膜が形成されたウェハ１は、ウェハロード部３よりベークモジュール２に搬入される。そして、ベークモジュール２内を搬送アームなどの搬送手段（図示せず）によりベークユニット４まで搬送される。
【００１４】
搬送されたウェハ１は、ベークユニット４においてベーク処理される。図２にベークユニットの構成を示す。図に示すように、ウェハ１を載置し、加熱するためのベーク板４１と、加熱されたウェハ１上を一定の雰囲気に保持するための天板４２が設けられている。そして、天板４２の上方には、天板４２とベーク板４１により形成された領域を所定の雰囲気でエアパージするためのエア供給口４３が設けられている。
【００１５】
このようなベークユニット４において、先ず、搬送されたウェハ１は、約２１５℃に加熱されたベーク板４１上に載置された後、天板４２により覆われ、エア供給口４３からエアが供給されることにより、ウェハ１表面が約１８０℃、天板４２内雰囲気が約１００℃となるように制御される。そして、供給されたエアは、天板４２とベーク板４１との間に設けられる間隙より、ベークモジュール内に排気される。
【００１６】
このように、ベークユニット４内でベーク処理されたウェハ１は、ベークユニット４から搬出され、ベークモジュール２内をウェハロード部３まで搬送され、ベークモジュール２より排出される。
【００１７】
このようにして、予め、ベークモジュール２内の搬送領域５を、加熱手段６により２１５℃に加熱しておくことにより、ウェハ１のベークモジュール２内への搬入・搬出時に、外気（室温：ＲＴ）流入によるベークモジュール２内の急激な温度低下を抑制し、ＡＲＣ昇華物の固化を抑えることが可能となる。さらに、従来は例えばベークモジュール２のベークユニット４側の側面に排気口が設けられていたが、ウェハロード部３側上部に排気口８を設けてガスを排出することにより、外気の流入によるＡＲＣ昇華物のベークモジュール２内の拡散を抑制することが可能となる。
【００１８】
本実施形態において、加熱手段として一つのヒータ６を用い、２１５℃に加熱したが、温度勾配を持たせても良い。例えば、図３に示すように、ベークモジュール２’において、搬送領域５’に、ウェハロード部３’、排気口８’側からベークユニット４’側に、順次約２５℃のエアエリア５１、約５０℃のエアエリア５２、約７５℃のエアエリア５３、約１００℃のエアエリア５４と温度勾配を有するように、ヒータ６’を温度制御部７’により制御しても良い。
【００１９】
また、ヒータ６は、１００〜２１５℃程度に加熱可能なものであれば、特に限定されるものではなく、例えば通常の抵抗加熱ヒータなどを用いることができる。そして、その形状は、例えば図４に斜視図を示すように、格子状のヒータ６１の内部をウェハ１が搬送される構造となっていても良いし、上方及び下方に、夫々リング状のヒータや渦巻状のヒータを設置しても良い。
【００２０】
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様の半導体製造装置の構造を示す図。
【図２】本発明の一態様におけるベークユニットの構造を示す断面図。
【図３】本発明の一態様の半導体製造装置の構造を示す図。
【図４】本発明の一態様におけるヒータの形状を示す斜視図。
【符号の説明】
【００２２】
１  ウェハ
２、２’  ベークモジュール
３、３’  ウェハロード部
４、４’  ベークユニット
５、５’  搬送領域
６、６’、６１  ヒータ
７、７’  温度制御部
８、８’  排気口
４１  ベーク板
４２  天板
４３  エア供給口
５１、５２、５３、５４  エアエリア
【図１】
2007258351.tif 000003
【図２】
2007258351.tif 000004
【図３】
2007258351.tif 000005
【図４】
2007258351.tif 000006