(57)【要約】【課題】  バーンイン検査における引き離し工程の際に、配線基板を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止する。【解決手段】  ウエハトレイ３０の上面に設置された半導体ウエハ１上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台２３に支持された検査用基板５の配線基板１３上に設けられた各プローブ電極に接触させて、複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、ウエハトレイ３０の下面にステージ２９を吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査における引き離し方法であって、ステージ２９をウエハトレイ３０の下面に吸着させる直前に、検査用基板５に対する水平方向における位置固定を解除する工程（ａ）と、検査用基板５の位置固定が解除された状態で、ウエハトレイ３０の下面にステージ２９を吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）とを備える。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハトレイの上面に設置された半導体ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台に支持された検査用基板の配線基板上に設けられた各プローブ電極に接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、前記ウエハトレイの下面にステージを吸着させて、前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査における引き離し方法であって、
前記ステージを前記ウエハトレイの下面に吸着させる直前に、前記検査用基板に対する水平方向における位置固定を解除する工程（ａ）と、
前記検査用基板の位置固定が解除された状態で、前記ウエハトレイの下面に前記ステージを吸着させて、前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）とを備えることを特徴とするバーンイン検査における引き離し方法。
【請求項２】
前記検査用基板の位置固定を解除する工程（ａ）は、
前記検査用基板に対する鉛直方向における位置固定を更に解除する工程を含み、
前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）は、
前記検査用基板の位置固定が解除された状態で、前記ウエハトレイの下面に前記ステージを吸着させた後に、前記ステージを用いて前記検査用基板を前記受け台から浮かせた状態で、前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のバーンイン検査における引き離し方法。
【請求項３】
前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）は、
前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを接触させた状態で、前記検査用基板に前記半導体ウエハを搭載させることが可能な、前記ウエハトレイの上面に設けられた環状のシール部材が、前記検査用基板に密着することによって形成された空間内に、高圧エアーを導入する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載のバーンイン検査における引き離し方法。
【請求項４】
ウエハトレイの上面に設置された半導体ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台に支持された検査用基板の配線基板上に設けられた各プローブ電極に接触させて、前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、前記ウエハトレイの下面にステージを吸着させて、前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査に用いるアライメント装置であって、
前記各検査用電極と前記各プローブ電極とを接触させた状態で、前記検査用基板に前記半導体ウエハを搭載させることが可能な、前記ウエハトレイの上面に設けられた環状のシール部材が、前記検査用基板に密着することによって形成された、空間内の雰囲気を高圧状態に調整し、且つ前記空間内の雰囲気を大気状態に調整可能な第１の電磁弁と、
前記空間内の雰囲気を真空状態に調整可能な第２の電磁弁とを備えることを特徴とするアライメント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バーンイン検査に関するものであって、特に、バーンイン検査における引き離し方法及びバーンイン検査に用いるアライメント装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ上に複数の半導体集積回路素子（以下、半導体チップと記す）が形成されてなる半導体装置は、従来、ボンディングワイヤにより半導体チップとリードフレームとを電気的に接続し、樹脂又はセラミックスにより封止した状態で、回路基板に実装されてきた。
【０００３】
しかしながら、近年では、半導体装置が搭載された電子機器の小型化及び低価格化の進展が目覚しく、半導体装置の小型化及び低価格化に対する要求が強まっており、このため、近年では、半導体チップを半導体ウエハから切り出したままの状態で、回路基板に実装する方法が主流になりつつあり、このような半導体チップを低価格で提供すると共に、このような半導体チップ（ベアチップ）の品質を保証することが強く望まれている。
【０００４】
ここで、半導体チップの品質を保証するためには、半導体ウエハ上に複数の半導体チップが形成された状態で、例えば、バーンイン等の検査を行うことによって、潜在欠陥を持つ半導体チップを予め除去することが必要である。このとき、複数の半導体チップの各々に対してバーンイン検査を行う、又は複数の半導体チップに対して数個ずつ毎にバーンイン検査を行うことは、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そのため、半導体ウエハ上に形成されている全ての半導体チップに対して、一括してバーンイン検査を行う方法が開発されつつある。
【０００５】
半導体ウエハ上に形成されている複数の半導体チップに対して、一括してバーンイン検査を行うには、半導体チップにおけるパッド電極の各々に電圧を同時に印加して、半導体チップの各々を動作させる必要がある。そのため、半導体チップにおけるパッド電極の配置に合わせて、例えば、導電性材料よりなるプローブ針が配列されたプローブカードを準備する必要がある。しかしながら、パッド電極の配置に合わせて、非常に多く（通常、数万個以上）のプローブ針をプローブカード上に配列させなければならず、数量の点からも価格の点からも実現することは困難である。
【０００６】
そこで、近年では、プローブ電極として、プローブ針ではなく、突起状の接続電極であるバンプ電極が用いられ、半導体チップにおけるパッド電極の配置に合わせて、プローブカード上にバンプ電極を配列させることにより、パッド電極の各々とバンプ電極の各々とを一括して接触させることができるので、パッド電極の各々に電圧を同時に印加させることができる。このように、プローブ電極としてバンプ電極を用いることにより、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップに対して、一括してバーンイン検査を行うことが可能である（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
ここで、半導体チップにおける複数のパッド電極の各々と、プローブカード上に配列された複数のバンプ電極の各々とを確実に接触させるためには、パッド電極の配置位置とバンプ電極の配置位置とを観測しながら、両者の位置合わせ（アライメント）を精度良く行わなければならない。
【０００８】
一般に、アライメントは、アライメント装置内において、プローブカード上に配列された複数のバンプ電極の各々の位置を基準にして、バンプ電極の各々と半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップにおけるパッド電極の各々とが接触するように、半導体ウエハを相対的に移動させることによって行われている。また、プローブカードに、例えば、開口部等のアライメントマークを形成し、画像認識装置を用いて、画像処理が施されたアライメントマークの位置を認識して、バンプ電極の各々とパッド電極の各々とが接触するように、半導体ウエハを相対的に移動させる方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
このように、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップに対して、一括してバーンイン検査を行うには、プローブカードにおける各バンプ電極と半導体ウエハにおける各パッド電極との位置合わせを精度良く行うことが重要であり、更には、プローブカード（：第１の基板）における各バンプ電極と半導体ウエハ（：第２の基板）における各パッド電極とを均一に貼り合わせることも重要である。
【００１０】
例えば、近年では、第１の基板と第２の基板とを均一に貼り合わせるための、第１の方法として、第１の基板を下降させて、第１の基板の下方に配置されステージ上に支持された第２の基板に、第１の基板を貼り合わせる際に、第２の基板がステージから浮上している状態で、第１の基板を下降させて、第１の基板（貼り合わせる側）に第２の基板（貼り合わされる側）を倣わせる方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。また、第２の方法として、第１の基板を下降させて、第１の基板の下方に配置された第２の基板に、第１の基板を貼り合わせる際に、第１の基板の上面に弾性部材が設けられている状態で、第１の基板を下降させて、第２の基板（貼り合わされる側）に第１の基板（貼り合わせる側）を沿わせる方法が提案されている（例えば、特許文献４又は特許文献５参照）。
【００１１】
以下に、バーンイン検査に用いられる装置について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、バーンイン検査に用いられる装置について示す図である。一般に、バーンイン検査は、バーンイン検査に長時間（平均的に、約３時間）を要するのに対し、アライメント動作に短時間（平均的に、約５分間）を要するので、貼り合わせ工程とバーンイン検査工程との各々は別々の装置内で行われ、図１３に示すように、アライメント装置３６とバーンイン検査装置３７とに分かれている場合が多い。更には、バーンイン検査時間（平均的に、約３時間）とアライメント動作時間（平均的に、約５分間）との間に大きな差異があることから、アライメント装置３６は、貼り合わせ機能と引き離し機能とを兼用する場合が多い。
【００１２】
上記の場合、半導体ウエハは、検査ボード５に搭載された状態で、アライメント装置３６とバーンイン検査装置３７との間を搬送される。具体的には、図１３に示すように、検査ボード５は、主要な構成要素としてプローブカード６を含んでおり、検査ボード５を構成するプローブカード６上には、プローブカード６上に配列された複数のバンプ電極の各々と、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップにおけるパッド電極の各々とが貼り合わされた状態で、半導体ウエハが搭載されている。半導体ウエハが搭載された検査ボード５は、図１３に示すように、アライメント装置３６とバーンイン検査装置３７との間を搬送されて、アライメント装置３６内では、貼り合わせ工程／引き離し工程が行われると共に、バーンイン検査装置３７内では、バーンイン検査工程が行われる。
【００１３】
以下に、バーンイン検査について、図１４(a) 及び(b) 並びに図１５(a) 及び(b) を参照しながら簡単に説明する。図１４(a) 及び(b) は、バーンイン検査における貼り合わせ方法について示す要部工程断面図であり、また、図１５(a) 及び(b) は、バーンイン検査における引き離し方法について示す要部工程断面図である。ここで、バーンイン検査については、詳細に後述する（ [発明を実施するための最良の形態] 参照）ので、以下の説明では簡単に説明する。
＜アライメント装置による貼り合わせ工程＞
まず、図１４(a) に示すように、アライメント装置内において、検査ボード５を構成するプローブカード６におけるコンタクトプローブ１５上に配列された複数のバンプ電極（図示せず）の各々と、ウエハトレイ３０に設置された半導体ウエハ１上に形成された複数の半導体チップ（図示せず）におけるパッド電極（図示せず）の各々とが、互いに対応するように、検査ボード５に対する半導体ウエハ１の位置合わせステップを行う。
【００１４】
次に、図１４(b) に示すように、ステージ２９を上昇させて、ウエハトレイ３０内に設置された半導体ウエハ１上に形成された複数の半導体チップにおけるパッド電極の各々を、検査ボード５を構成するプローブカード６におけるコンタクトプローブ１５上に配列された複数のバンプ電極の各々に接触させる。次に、図１４(b) に示すように、高真空用カプラ３２に連結されている真空引き用ノズル（図示せず）を用いて、ウエハトレイ３０の上面に設けられたシールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気の真空引きを行う。
【００１５】
このように、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ調整することにより、空間外の大気圧を利用して、各バンプ電極と各パッド電極との間に、各バンプ電極と各パッド電極とが互いに接触するように、各バンプ電極と各パッド電極とが接触する面に対して垂直な方向に、瞬時に且つ均一に力を働かせることができるので、各バンプ電極と各パッド電極とを平行且つ均一に貼り合わせることができる。
＜バーンイン検査装置による検査工程＞
各バンプ電極と各パッド電極との貼り合わせ工程後、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５は、アライメント装置内から取り出され、バーンイン検査装置内へ搬送される。バーンイン検査装置内において、高温（例えば、１２５℃の温度）の下、各パッド電極に貼り合わせた各バンプ電極を用いて、半導体チップの各々に電圧を同時に印加して、半導体チップの各々を同時に動作させて、半導体チップの各々における電気的特性について検査を行う。
＜アライメント装置による引き離し工程＞
バーンインによる半導体チップの検査工程後、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５は、バーンイン検査装置内から取り出され、アライメント装置内へ搬送される。アライメント装置内において、図１５(a) に示すように、ウエハトレイ３０とステージ２９とが互いに対応するように、ウエハトレイ３０に対するステージ２９の位置合わせステップを行う。
【００１６】
次に、ステージ２９を上昇させて、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させた後、図１５(b) に示すように、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気を真空状態から大気状態へ開放させながら、ステージ２９を下降させて、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しステップを行うことにより、検査ボード５と半導体ウエハ１とを互いに分離させる。
【００１７】
以上のようにして、バーンイン検査が終了する。
【００１８】
このように、バーンイン検査は、貼り合わせ工程／バーンイン検査工程／引き離し工程に大別され、具体的には、アライメント装置による各バンプ電極と各パッド電極との貼り合わせ工程の後、バーンイン検査装置による半導体チップの検査工程が行われ、続いて、アライメント装置による各バンプ電極と各パッド電極との引き離し工程が行なわれる。
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特開平１１−１５４６９４号公報
【特許文献３】特開平０８−３０４８３５号公報
【特許文献４】特開平１１−３２６８５７号公報
【特許文献５】特開２００１−１８９５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、バーンイン検査における引き離し方法では、以下に示す問題がある。
【００２０】
バーンイン検査における従来例に係る引き離し方法では、図１５(a) に示すように、ウエハトレイ３０に対するステージ２９の位置合わせステップの際に、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による押圧力によって、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５は規制されているので、検査ボード５を構成するプローブカード６における配線基板１３に内部応力が発生する。更には、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しステップの際に、ステージ２９の上面がウエハトレイ３０の下面に吸着することによって、配線基板１３に更なる内部応力が発生する。
【００２１】
また、バーンイン検査における従来例に係る引き離し方法では、ウエハトレイ３０の下面にステージ２９の上面を吸着させて、図１５(b) に示すように、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気を真空状態から大気状態へ開放させながら、ステージ２９を下降させることによって、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しステップを行う。
【００２２】
このように、配線基板１３に内部応力が発生した状態では、空間内の雰囲気を真空状態から大気状態へ解放させる際に、配線基板１３に内部応力による撓み又は歪みが発生するおそれがある。また、このように、大気に曝された状態では、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを引き離すように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を働かせることができないため、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことが困難であり、更には、配線基板１３に撓み又は歪みが発生している場合、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことがより一層困難であるので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生する。
【００２３】
このため、引き離しステップの際に、貼り合わされた状態で残留する各パッド電極と各バンプ電極との間に、配線基板１３に発生する内部応力によって、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生するという問題がある。
【００２４】
ここで、第１の基板と第２の基板とを均一に貼り合わせる方法として、前述したように、第１の基板（貼り合わせる側）に第２の基板（貼り合わされる側）を倣わせる方法（例えば、前述した特許文献３参照）、又は第２の基板（貼り合わされる側）に第１の基板（貼り合わせる側）を沿わせる方法（例えば、前述した特許文献４及び５参照）を用いて、半導体ウエハ（第１の基板：貼り合わせる側）における各パッド電極と、プローブカード（第２の基板：貼り合わされる側）における各バンプ電極との貼り合わせを行った場合、半導体ウエハにプローブカードを倣わせる、又はプローブカードに半導体ウエハを沿わせるように、各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせを行うため、各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせ時に、各パッド電極と各バンプ電極との間に位置ズレが発生するので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生するという問題がある。更には、各パッド電極と各バンプ電極との引き離し時においても、貼り合わせ時と同様に、各パッド電極と各バンプ電極との間に位置ズレが発生するので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することが予想される。
【００２５】
このように、バーンイン検査では、貼り合わせ工程において、各パッド電極と各バンプ電極とを、均一に貼り合わせるだけでなく、平行に貼り合わせる必要があり、同様に、引き離し工程においても、各パッド電極と各バンプ電極とを平行且つ均一に引き離すことが非常に重要である。
【００２６】
更には、近年では、検査ボード５の製造コストの削減を図る、又は半導体チップへ印加する検査用電流の高電流化を図るために、プローブカード６における配線基板１３を構成する材料として、ガラス材料ではなく樹脂材料が用いられつつある。
【００２７】
ここで、配線基板１３の平面度は、配線基板１３を構成する材料によって決定されるものであり、具体的には、配線基板１３を構成する材料の平面度精度によって、配線基板１３の平面度に発生する誤差の程度が異なる。更には、配線基板１３を構成する材料の機械的強度によって、配線基板１３に発生する撓み又は歪みの頻度が異なる。
【００２８】
一般に、樹脂材料は、ガラス材料と比較して平面度精度が悪い。このため、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合、配線基板１３の平面度に誤差が発生し、更に、誤差の程度が大きい場合には、配線基板１３の傾斜となって現れる。また、一般に、樹脂材料は、ガラス材料と比較して機械的強度が弱い。このため、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合、配線基板１３に発生する内部応力によって、配線基板１３に撓み又は歪みが発生する。
【００２９】
このため、図１５(a) に示すように、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による押圧力よって、検査ボード５が規制された状態では、配線基板１３の平面度の誤差、又は配線基板１３の傾斜に起因して、検査ボード５を構成するプローブカード６における配線基板１３に内部応力が発生する。更には、配線基板１３に発生する内部応力の大きさ、及び配線基板１３を構成する樹脂材料の機械的強度に起因して、配線基板１３に撓み又は歪みが発生する。
【００３０】
このため、バーンイン検査における従来例に係る引き離し方法では、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合、引き離しステップの際に、配線基板１３に内部応力による撓み又は歪みが発生するため、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことができないので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに顕著な差異が発生する。
【００３１】
このため、引き離しステップの際に、貼り合わされた状態で残留する各パッド電極と各バンプ電極との間に、配線基板１３に発生する内部応力によって、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が顕著に発生するという問題がある。このように、バーンイン検査における従来例に係る引き離し方法では、配線基板１３を構成する材料に起因して、具体的には、該材料の平面度精度又は機械的強度に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生する。
【００３２】
前記に鑑み、本発明の目的は、配線基板を構成する材料に影響されることなく、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことにより、引き離し時に、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを防止することができる、バーンイン検査における引き離し方法及びバーンイン検査に用いるアライメント装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
前記の課題を解決するために、本発明に係る引き離し方法は、ウエハトレイの上面に設置された半導体ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台に支持された検査用基板の配線基板上に設けられた各プローブ電極に接触させて、複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、ウエハトレイの下面にステージを吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査における引き離し方法であって、ステージをウエハトレイの下面に吸着させる直前に、検査用基板に対する水平方向における位置固定を解除する工程（ａ）と、検査用基板の位置固定が解除された状態で、ウエハトレイの下面にステージを吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）とを備えることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る引き離し方法によると、ステージをウエハトレイに吸着させる直前に、例えば、水平方向用シリンダによる、検査用基板に対する水平方向における位置固定を解除する工程を行う。
【００３５】
これにより、引き離し工程の際に、受け台に支持された検査用基板に対して、水平方向における位置固定による押圧力が加重されることはないので、検査用基板の配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板に僅かな傾斜が発生することがあっても、検査用基板の配線基板に内部応力が発生することを防止することができる。
【００３６】
このため、引き離し工程の際に、配線基板に発生する内部応力によって、配線基板に撓み又は歪みが発生することがないため、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを均一に行うと共に、各検査用電極と各プローブ電極との間に、配線基板に発生する内部応力によって、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことを防止することができるので、検査用電極の表面に、プローブ電極による引きずり圧痕跡が発生することを防止することができる。
【００３７】
また、本発明に係る引き離し方法によると、ステージをウエハトレイに吸着させる直前に、例えば、水平方向用シリンダによる、検査用基板に対する水平方向における位置固定を解除するため、ステージをウエハトレイに吸着させる直前のウエハトレイの位置を、例えば、認識カメラを用いて認識させながら、ステージをウエハトレイに吸着させることができるので、ウエハトレイに対するステージの吸着を精度良く行うことができる。
【００３８】
このように、本発明に係る引き離し方法では、従来例のように、検査用基板の配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板の傾斜が発生することがあっても、半導体ウエハが搭載された検査用基板に対して、検査用基板に対する水平方向における位置固定による押圧力が加重されることはないので、配線基板の傾斜に起因して、配線基板に内部応力が発生することを防止することができる。
【００３９】
本発明に係る引き離し方法において、検査用基板の位置固定を解除する工程（ａ）は、検査用基板に対する鉛直方向における位置固定を更に解除する工程を含み、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）は、検査用基板の位置固定が解除された状態で、ウエハトレイの下面にステージを吸着させた後に、ステージを用いて検査用基板を受け台から浮かせた状態で、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程を含むことが好ましい。
【００４０】
このようにすると、ステージをウエハトレイに吸着させる直前に、例えば、鉛直方向用シリンダによる、検査用基板に対する鉛直方向における位置固定を更に解除させた状態で、ステージをウエハトレイの下面に吸着させた後に、ステージを押し上げることによって、半導体ウエハが搭載された検査用基板を受け台から浮かせた状態で、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを行うことができる。
【００４１】
これにより、半導体ウエハが搭載された検査用基板は、何ら外的な力を受けることなく、ステージ上に支持された状態となり、引き離し工程の際に、検査用基板の配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板に僅かな傾斜が発生することがあっても、検査用基板の配線基板に内部応力が発生することをより一層防止することができる。
【００４２】
このため、引き離し工程の際に、配線基板に発生する内部応力によって、配線基板に撓み又は歪みが発生することがないため、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを均一に行うと共に、各検査用電極と各プローブ電極との間に、配線基板に発生する内部応力によって、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことをより一層防止することができるので、検査用電極の表面に、プローブ電極による引きずり圧痕跡が発生することをより一層防止することができる。
【００４３】
このように、本発明に係る引き離し方法では、従来例のように、検査用基板の配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板の傾斜が発生することがあっても、半導体ウエハが搭載された検査用基板は、何ら外的な力を受けることなく、ステージ上に支持されているので、配線基板の傾斜に起因して、配線基板に内部応力が発生することを確実に防止することができる。
【００４４】
本発明に係る引き離し方法において、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す工程（ｂ）は、各検査用電極と各プローブ電極とを接触させた状態で、検査用基板に半導体ウエハを搭載させることが可能な、ウエハトレイの上面に設けられた環状のシール部材が、検査用基板に密着することによって形成された空間内に、高圧エアーを導入する工程を含むことが好ましい。
【００４５】
このようにすると、環状のシール部材が検査用基板に密着することによって形成された空間内に高圧エアーを導入することにより、空間内の雰囲気を高圧状態に調整することができるため、各検査用電極と各プローブ電極との間に、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離すように、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【００４６】
このように、本発明に係る引き離し方法では、従来例のように、検査用基板の配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板の平面度に誤差が発生することがあっても、空間内の雰囲気を高圧状態に調整することにより、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができるため、各検査用電極と各プローブ電極との間に、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことがないので、検査用電極の表面に、プローブ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止することができる。
【００４７】
また、このようにすると、前述したように、例えば、水平方向用シリンダ及び鉛直方向用シリンダによる、検査用基板の位置固定が予め解除されているため、環状のシール部材が検査用基板に密着することによって形成された空間内に高圧エアーを導入することによって、各検査用電極と各プローブ電極とが引き離されて、半導体ウエハと検査用基板との相対的な位置関係が変化することを阻害することがないので、空間内に高圧エアーを効果的に導入することができる。
【００４８】
更には、このようにすると、配線基板を構成する材料に影響されることなく、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことにより、引き離し工程の際に、検査用電極の表面に、プローブ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止することができるため、配線基板を構成する材料の選択肢の範囲を拡げることができるので、例えば、配線基板を構成する材料として、樹脂材料を用いることにより、検査用基板の製造コストの削減を図ると共に、バーンイン検査の際に半導体チップへ印可する検査用電流の高電流化を図ることができる。
【００４９】
本発明に係るアライメント装置は、ウエハトレイの上面に設置された半導体ウエハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の各検査用電極を、受け台に支持された検査用基板の配線基板上に設けられた各プローブ電極に接触させて、複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査した後に、ウエハトレイの下面にステージを吸着させて、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離す一連の工程を含むバーンイン検査に用いるアライメント装置であって、各検査用電極と各プローブ電極とを接触させた状態で、検査用基板に半導体ウエハを搭載させることが可能な、ウエハトレイの上面に設けられた環状のシール部材が、検査用基板に密着することによって形成された、空間内の雰囲気を高圧状態に調整し、且つ空間内の雰囲気を大気状態に調整可能な第１の電磁弁と、空間内の雰囲気を真空状態に調整可能な第２の電磁弁とを備えることを特徴とする。
【００５０】
本発明に係るアライメント装置によると、第１の電磁弁及び第２の電磁弁を用いて、環状のシール部材が検査用基板に密着することによって形成された空間内の雰囲気を、高圧状態／大気状態／真空状態に適宜調整することができる。
【００５１】
これにより、例えば、引き離し工程の際に、空間内の雰囲気を真空状態から高圧状態へ調整することにより、各検査用電極と各プローブ電極との間に、各検査用電極と各プローブ電極とを引き離すように、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【００５２】
また、これにより、例えば、貼り合わせ工程の際に、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ調整することにより、各検査用電極と各プローブ電極との間に、各検査用電極と各プローブ電極とを貼り合わせるように、各検査用電極と各プローブ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各検査用電極と各プローブ電極との貼り合わせを平行且つ均一に行うことができる。
【００５３】
このように、バーンイン検査において、本発明に係るアライメント装置を用いることにより、貼り合わせ工程の際に、各検査用電極と各プローブ電極との貼り合わせを平行且つ均一に行うと共に、引き離し工程の際に、各検査用電極と各プローブ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【００５４】
更には、本発明に係るアライメント装置によると、空間内の雰囲気を切り替えることが可能な第１の電磁弁及び第２の電磁弁を用いることにより、貼り合わせ工程の際に、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ調整すると共に、引き離し工程の際に、空間内の雰囲気を真空状態から高圧状態へ調整することができるため、貼り合わせ機能と引き離し機能との双方を備えるアライメント装置を提供することができるので、アライメント装置を有効に活用することができる。
【発明の効果】
【００５５】
バーンイン検査における本発明に係る引き離し方法によると、検査ボードの規制が解除された状態で、空間内の雰囲気を高圧状態に調整することにより、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行う。
【００５６】
このように、検査ボードの規制を解除することにより、配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板に僅かな傾斜が発生することがあっても、配線基板に内部応力が発生することを確実に防止することができるため、配線基板を構成する材料の機械的強度に起因して、配線基板に撓み又は歪みが発生することがないので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことができる。
【００５７】
更には、空間内の雰囲気を高圧状態に調整することにより、配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板の平面度に誤差が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを引き離すように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【００５８】
このように、配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板に僅かな傾斜が発生する、又は配線基板の平面度に誤差が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことにより、各パッド電極と各バンプ電極との間に、配線基板に発生する内部応力によって、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことがないため、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止することができるので、配線基板を構成する材料の選択肢の範囲を拡げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
＜本発明の前提となるバーンイン検査について＞
以下に、本発明の前提となるバーンイン検査について詳細に説明する。
＜半導体ウエハについて＞
図１(a) 及び(b) は、半導体ウエハの構成を示す上面図であり、具体的には、図１(a) は全体図であって、図１(b) は拡大図（特に、半導体チップ形成領域の拡大図）である。図１(a) に示すように、半導体ウエハ１における半導体チップ形成領域２には、複数の半導体チップが形成されている。また、図１(b) に示すように、半導体ウエハ１上に形成された複数の半導体チップ３の各々の周縁部には、複数のパッド電極（検査用電極）４が形成されている。
＜検査ボードについて＞
図２(a) 及び(b) は、検査ボードの構成を示す図であり、具体的には、図２(a) は検査ボードの構成を示す斜視図であって、図２(b) は検査ボードの構成を示す断面図である。検査ボード（検査用基板）５は、主な構成要素として、図２(a) 及び(b) に示すように、プローブカード６、多層配線基板７、コネクタ８、配線基板受け台９、押さえゴム１０、押さえ１１、フレーム１２を含んでおり、また、後述するように、プローブカード６は、配線基板１３、局在型異方導電ゴム１４、及びコンタクトプローブ１５から構成されている（後述する図３参照）。
【００６０】
図２(a) に示すように、多層配線基板７上には、プローブカード６が設けられており、多層配線基板７におけるプローブカード６が設けられている側の面と相対している側の面には、コネクタ８が設けられている。また、多層配線基板７を構成する材料は樹脂材料であり、多層配線基板７の形状は膜厚が約３[ｍｍ]であって１辺が約４５０[ｍｍ]の方形状である。図２(b) に示すように、多層配線基板７上には、配線基板受け台９を介して、配線基板１３、局在型異方導電ゴム（図示せず）及びコンタクトプローブ１５が下から順に配置されてなるプローブカード６が設けられている。
【００６１】
−−配線基板受け台について−−
図２(b) に示すように、配線基板１３の周縁部における８箇所には、配線基板受け台９が配置されており、配線基板受け台９を介して、多層配線基板７上には、配線基板１３が設けられている。これにより、多層配線基板７と配線基板１３とが互いに直接接触することはないため、バーンインによる半導体チップの検査時に、配線基板１３が高温（例えば、約１２５℃の温度）に曝されて、配線基板１３から多層配線基板７へ熱が伝導することにより、樹脂材料よりなる多層配線基板７に歪みが発生することを防止することができる。
【００６２】
−−押さえ及び押さえゴムについて−−
図２(b) に示すように、配線基板１３における配線基板受け台９が設けられている側の面と相対している側の面には、配線基板受け台９と対応するように、シリコンゴムよりなる押さえゴム１０が設けられており、押さえゴム１０は、多層配線基板７上に設けられた押さえ１１によって固定されている。このように、配線基板１３は、押さえ１１によって、多層配線基板７上に固定されており、配線基板１３と押さえ１１との間に、押さえゴム１０を介在させることによって、押さえ１１による配線基板１３への圧力を緩和することができるので、配線基板１３に割れが発生することを防止することができる。
【００６３】
−−フレームについて−−
多層配線基板７の角部には、図２(b) に示すように、フレーム１２が取り付けられており、フレーム１２によって、検査ボード５全体の剛性が高められている。
＜プローブカードについて＞
以下に、プローブカードの構成について、図３、図４(a) 及び(b) 、並びに図５(a) 及び(b) を参照しながら詳細に説明する。
−プローブカードについて（断面図）−
図３は、プローブカードの構成を示す断面図であって、具体的には、各パッド電極と各バンプ電極とが貼り合わされた状態での、プローブカードの構成を示す断面図である。また、図４(a) 及び(b) は、プローブカードの構成を示す拡大図（特に、バンプ電極の周辺部の拡大図）であって、図４(a) は断面図であり、図４(b) は上面図（具体的には、バンプ電極側から見た上面図）である。図３に示すように、プローブカード６は、配線基板１３、局在型異方導電ゴム１４及びコンタクトプローブ１５から構成されている。図３に示すように、多層配線基板（図示せず）上には、配線基板受け台（図示せず）を介して、配線基板１３が設けられており、配線基板１３上には、局在型異方導電ゴム１４及びコンタクトプローブ１５が下から順に設けられている。
【００６４】
−−コンタクトプローブについて−−
図３に示すように、プローブカード６を構成するコンタクトプローブ１５は、薄膜フィルム１５ａ、バンプ電極（プローブ電極）１５ｂ、銅薄膜１５ｃ及びセラミックスリング１５ｄから構成されている。図３に示すように、めっき法により、薄膜フィルム１５ａ上には、半球状のバンプ電極１５ｂが複数形成されており、また、薄膜フィルム１５ａにおけるバンプ電極１５ｂが形成されている側の面と相対している側の面には、複数のバンプ電極１５ｂの各々に対応するように、複数の銅薄膜１５ｃの各々が設けられている。また、図３に示すように、薄膜フィルム１５ａにおけるバンプ電極１５ｂが形成されている側の面の周縁部上には、セラミックスリング１５ｄが設けられており、セラミックスリング１５ｄによって、複数のバンプ電極１５ｂ及び複数の銅薄膜１５ｃが形成された薄膜フィルム１５ａは保持されている。図４(a) 及び(b) に示すように、銅薄膜１５ｃ上には、開口部を有する薄膜フィルム１５ａが形成されており、薄膜フィルム１５ａ上には、開口部の内部を埋め込むように、銅よりなるバンプ電極１５ｂが形成されている。このように、銅薄膜１５ｃは、めっき法によるバンプ電極１５ｂの形成の際に、シード層としての役割を果たしている。
【００６５】
−−局在型異方導電ゴムについて−−
図３に示すように、プローブカード６を構成する局在型異方導電ゴム１４は、半導体ウエハ１上に形成された半導体チップ３における各パッド電極４、及びコンタクトプローブ１５における各バンプ電極１５ｂでの、高さのバラツキを吸収するクッション的な役割を果たしながら、コンタクトプローブ１５と配線基板１３との導通を図っている。また、図３に示すように、局在型異方導電ゴム１４と薄膜フィルム１５ａとの間には、銅薄膜１５ｃが介在しており、また、図４(a) に示すように、開口部に露出する銅薄膜１５ｃとバンプ電極１５ｂとは、互いに直接接触している。そのため、銅薄膜１５ｃは、コンタクトプローブ１５と局在型異方導電ゴム１４との導通の向上を図る役割も果たしている。
【００６６】
−電気的接続方法について−
このように、コンタクトプローブ１５における複数のバンプ電極１５ｂの各々と半導体チップ３における複数のパッド電極４の各々との電気的接続は、配線基板１３によって、配線基板１３と多層配線基板７との間に設けられたフレキ基板（図示せず）を介して、多層配線基板７へ電気的に接続されており、更には、多層配線基板７によって、コネクタ８（図２(a) 参照）を介して、バーンイン検査装置（図示せず）へ電気的に接続されている。
−プローブカードについて（上面図）−
図５(a) 及び(b) は、プローブカードの構成を示す上面図であり、具体的には、コンタクトプローブ側から見たプローブカードの構成を示す上面図であって、図５(a) は全体図であり、図５(b) は拡大図（特に、バンプ電極形成領域の拡大図）である。図５(a) に示すように、薄膜フィルム１５ａの中央部には、半導体ウエハ１における半導体チップ形成領域２（図１(a) 参照）に対応するように、バンプ形成領域１６が設けられている。また、図５(a) に示すように、薄膜フィルム１５ａの周縁部には、コンタクトプローブ１５におけるバンプ電極１５ｂと半導体チップにおけるパッド電極との位置合わせの基準となるアライアライメントマーク（１７ａ〜１７ｄ）が形成されている。このように、アライメントマーク（１７ａ〜１７ｄ）は、薄膜フィルム１５ａにおける中心点に関して、互いに点対称の関係にあるアライメントマークの組み合わせ（ (１７ａ ,１７ｄ)又は(１７ｂ, １７ｃ) ）を１組として、２組以上設けられているのが一般的である。
【００６７】
更に詳しくは、バンプ形成領域１６は、図５(b) に示すように、半導体チップ形成領域２に形成された複数の半導体チップ３（図１(b) 参照）の各々に対応するように、複数のバンプエリア１８に区画されており、バンプエリア１８の周縁部には、図５(b) に示すように、半導体チップ３の周縁部に形成された複数のパッド電極４（図１(b) 参照）の各々に対応するように、複数のバンプ電極１５ｂが配列されている。
【００６８】
以下に、アライメント装置の構成について、図６及び図７を参照しながら説明する。
＜アライメント装置について＞
図６及び図７は、アライメント装置の構成を示す図であり、具体的には、図６は、検査ボード及び半導体ウエハが設置された状態での、アライメント装置の構成を示す斜視図であり、図７は、検査ボード及び半導体ウエハが設置された状態での、アライメント装置の構成を示す断面図（特に、検査ボードと半導体ウエハとの周辺部の拡大図）である。
【００６９】
図６及び図７に示すように、アライメント装置は、主な構成要素として、ユニットベース１９（図６参照）、ユニットベース１９の上面に取り付けられたローラ２０（図６参照）及び水平方向用シリンダ２１（図６参照）、鉛直方向用シリンダ２２（図７参照）、ユニットベース１９に取り付けられた受け台２３（図７参照）、ユニットベース１９の下面に設置された半導体ウエハ用認識カメラ２４（図６参照）、ユニットベース１９の下方に配置されたＸ軸テーブル２５（図６及び図７参照）、Ｘ軸テーブル２５上に設けられたＹ軸テーブル２６（図６及び図７参照）、Ｙ軸テーブル２６上に設けられたＺθ軸テーブル２７（図６及び図７参照）及び検査ボード用認識カメラ２８（図６及び図７参照）、並びにＺθ軸テーブル２７上に設けられたステージ２９（図６及び図７参照）を含んでいる。尚、Ｘ軸テーブル２５、Ｙ軸テーブル２６、Ｚθ軸テーブル２７及び検査ボード用認識カメラ２８の各々に図示する矢印の方向は、各々が移動可能な方向である。
【００７０】
−−アライメント装置内での検査ボードの固定方法−−
図７に示すように、検査ボード５における多層配線基板７の角部に設けられた複数のフレーム１２の各々には、内部を貫通するように、平行用調整ネジ１２ａが設けられており、フレーム１２内を貫通する平行用調整ネジ１２ａが、受け台２３に配置されることによって、検査ボード５は、ユニットベース１９（図６参照）に取り付けられた受け台２３によって支持されている。また、図６に示すように、ユニットベース１９には、水平方向に移動することが可能なローラ２０と水平方向に加圧することが可能な水平方向用シリンダ２１とが設けられており、検査ボード５は、ローラ２０と水平方向用シリンダ２１とによって、水平方向での位置決めがなされており、検査ボード５の位置ズレが防止されている。更には、図７に示すように、フレーム１２上には、鉛直方向に加圧することが可能な鉛直方向用シリンダ２２が設けられており、検査ボード５は、鉛直方向用シリンダ２２によって、鉛直方向の位置決めがなされており、検査ボード５の浮き上がりが防止されている。
【００７１】
−−アライメント装置内での半導体ウエハの固定方法−−
図７に示すように、ステージ２９上には、ウエハトレイ３０内に設置された半導体ウエハ１が支持されており、ウエハトレイ３０は、ステージ２９の上面が、ウエハトレイ３０の下面に吸着することによって、ステージ２９上に保持されている。ウエハトレイ３０の周縁部には、図７に示すように、コンタクトプローブ１５の上面に密着することが可能なシールリング３１が設けられている。また、図７に示すように、ウエハトレイ３０の側面には、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気を真空状態に維持することが可能な、高真空用カプラ３２が設けられており、高真空用カプラ３２には、真空引き用ノズル（図示せず）が連結されている。ここで、高真空用カプラ３２には、真空引き用ノズルが高真空用カプラ３２から取り外されたときの、空間内の雰囲気状態を維持することが可能な、自動閉塞型カプラが採用されている。
【００７２】
以下に、バーンイン検査について、前述した図１４(a) 及び(b) 並びに図１５(a) 及び(b) を参照しながら詳細に説明する。
＜アライメント装置による貼り合わせ工程＞
−−検査ボードの平行度の調整ステップ−−
図１４(a) に示すように、受け台２３に検査ボード５が支持された状態で、フレーム１２内を貫通する平行用調整ネジ１２ａを用いて、半導体ウエハ１に対する検査ボード５の平行度を調整する。このように、バーンイン検査における貼り合わせ方法では、位置合わせステップを行う前に、半導体ウエハ１に対する検査ボード５の平行度の調整ステップを行うので、後ステップである貼り合わせステップを精度良く行うことができる。
【００７３】
−−半導体ウエハの位置合わせステップ−−
次に、画像認識装置（図示せず）を用いて、画像処理が施された各認識カメラ（２４及び２８）の撮影画像から、半導体ウエハ１における複数のパッド電極（図示せず）の各々の位置と、プローブカード６を構成するコンタクトプローブ１５における複数のバンプ電極（図示せず）の各々の位置とを認識し、最適コンタクト位置を演算する。最適コンタクト位置に基づいて、各ＸＹＺθテーブル（２５、２６及び２７）におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びθ軸を用いて、例えば、制御用モータ（図示せず）等によって、バンプ電極の各々とパッド電極の各々とが互いに対応するように、検査ボード５に対する半導体ウエハ１の位置合わせを行う。このように、バーンイン検査における貼り合わせ方法では、貼り合わせステップを行う前に、検査ボード５に対する半導体ウエハ１の位置合わせステップを行うので、後ステップである貼り合わせステップを精度良く行うことができる。
【００７４】
−−ステージによる半導体ウエハの上昇ステップ−−
次に、図１４(b) に示すように、Ｚθテーブル２７におけるＺ軸を用いて、ウエハトレイ３０内に設置された半導体ウエハ１を最適コンタクト位置まで上昇させる。このとき、ウエハトレイ３０の側面に設けられた高真空用カプラ３２に連結されている真空引き用ノズル（図示せず）は、大気に解放されている。これにより、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって、空間内の雰囲気が密封状態になることを防止すると共に、空間内の雰囲気が密封状態となって、各パッド電極を各バンプ電極に接触させることができずに、検査ボード５の中央部が持ち上げられることを防止する。
【００７５】
−−各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせステップ−−
次に、図１４(b) に示すように、半導体ウエハ１における複数のパッド電極の各々を、プローブカード６を構成するコンタクトプローブ１５における複数のバンプ電極の各々に接触させた後、高真空用カプラ３２に連結されている真空引き用ノズルを用いて、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の真空引きを行う。
【００７６】
このように、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ調整することにより、空間外の大気圧を利用して、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とが互いに接触するように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各バンプ電極と各パッド電極とを平行且つ均一に貼り合わせることができる。ここで、空間内の圧力は、プローブカード６を構成するコンタクトプローブ１５におけるバンプ電極の個数によって調整されており、例えば、空間内の圧力は、通常、約−５０[kPa]〜約−８０[kPa]に調整されており、１個当たりのバンプ電極に対して、約１０[g]の圧力が加重されるように調整されている。
【００７７】
以上のようにして、アライメント装置による貼り合わせ工程を行う。
＜バーンイン検査装置による検査工程＞
各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせ工程後、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５は、アライメント装置内から取り出され、バーンイン検査装置内へ搬送される。バーンイン検査装置内において、高温（例えば、１２５℃の温度）の下、各パッド電極に貼り合わせた各バンプ電極を用いて、半導体チップの各々に電圧を同時に印加して、半導体チップの各々を同時に動作させて、半導体チップの各々における電気的特性について検査を行う。
＜アライメント装置による引き離し工程＞
バーンインによる半導体チップの検査工程後、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５は、バーンイン検査装置内から取り出され、アライメント装置内へ搬送される。アライメント装置内において、各パッド電極と各バンプ電極との引き離し工程が行われる。
【００７８】
ここで、前述したように、本発明の解決すべき課題は、引き離し工程の際に、配線基板１３を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを防止することであり、後述するように、本発明は、引き離し方法を工夫することによって、本発明の課題を解決するものである。このため、以下の説明では、本発明の理解を容易に促すために、従来例に係る引き離し方法について詳細に説明した後に、本発明に係る引き離し方法について詳細に説明する。
【００７９】
−従来例に係る引き離し方法−
−−ステージとウエハトレイとの位置関係−−
ここで、以下の説明では、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合を例に挙げて、従来例に係る引き離し方法について説明する。
【００８０】
図８は、引き離し工程を行う前の、半導体ウエハが搭載された状態の検査ボードとステージとの位置関係を示す断面図である。ここで、判り易いように、図８では、配線基板１３を極端に傾けて図示しているが、実際には、配線基板１３が僅かに傾斜する、又は配線基板１３の平面度に誤差（〜約５０[μm]）が発生する程度である。このように、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合、前述したように、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３が僅かに傾斜する、又は、配線基板１３の平面度に誤差が発生する。
【００８１】
−−ウエハトレイに対するステージの位置合わせステップ−−
図１５(a) に示すように、半導体ウェハ１が搭載された検査ボード５が、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による押圧力によって規制された状態で、ウエハトレイ３０に対するステージ２９の位置合わせを行う。このとき、図１５(a) の状態は、検査ボード５が、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２によって規制された状態にあり、また、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３に僅かな傾斜（図８参照）又は配線基板１３の平面度に誤差が発生した状態であるので、配線基板１３には、撓み又は歪みの発生要因となる内部応力が発生する。
【００８２】
−−ウエハトレイに対するステージの吸着ステップ−−
このような状態で、ステージ２９を上昇させて、ウエハトレイ３０の下面へステージ２９の上面を吸着させると、ステージ２９の剛性が高いため、ウエハトレイ３０の下面がステージ２９の上面に沿うように吸着されるので、ウエハトレイ３０はステージ２９側へ引っ張られて、配線基板１３には、撓み又は歪みの発生要因となる内部応力が更に発生する。
【００８３】
−−各パッド電極と各バンプ電極との引き離しステップ−−
次に、図１５(b) に示すように、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気を真空状態から大気状態へ開放させながら、ステージ２９を下降させて、半導体ウエハ１における各パッド電極とプローブカード６を構成するコンタクトプローブ１５における各バンプ電極との引き離しを行うことにより、検査ボード５と半導体ウエハ１とを互いに分離させる。
【００８４】
このとき、従来例に係る引き離し方法では、配線基板１３の傾斜（図８参照）に起因して、配線基板１３に発生する内部応力によって、配線基板１３に撓み又は歪みが発生するので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生する。更には、配線基板１３の平面度の誤差にも起因して、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生する。このように、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いた場合、配線基板１３の傾斜（図８参照）又は配線基板１３の平面度の誤差に起因して、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生するので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことはできないので、以下に示す問題が発生する。
【００８５】
以下に、本発明の課題が発生する過程について、詳細に説明する。
＜引きずり圧痕跡が発生する過程について＞
各パッド電極と各バンプ電極との引き離しが進行するに従い、貼り合わされた状態で残留する各パッド電極と各バンプ電極とのなかには、バンプ電極がパッド電極に食い込むように貼り合わされた状態で残留するものが多いので、各パッド電極と各バンプ電極との間に、配線基板に発生する内部応力によって、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が発生することがあっても、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することはない。
【００８６】
しかしながら、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しが更に進行するに従い、バンプ電極がパッド電極に食い込むように貼り合わされた状態で残留する各パッド電極と各バンプ電極とが減少するので、各パッド電極と各バンプ電極との間に発生する、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に働く力に耐え切れず、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生するという問題がある。
【００８７】
このように、バンプ電極による引きずり圧痕跡は、半導体チップの周縁部に形成された複数のパッド電極のうちの、全てのパッド電極の表面に発生するのではなく、一部のパッド電極の表面に発生する場合が多く、配線基板の傾斜（図８参照）又は配線基板の平面度の誤差に起因して、バンプ電極とパッド電極との引き離しのタイミングが遅い領域、すなわち、貼り合わされた状態で残留するパッド電極とバンプ電極とが存在する領域において、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生する。
【００８８】
以上のように、本発明は、バーンイン検査において、半導体ウエハにおける各パッド電極（検査用電極）と検査ボード（検査用基板）における各バンプ電極（プローブ電極）との、貼り合わせ／引き離しを行うために用いられる、アライメント装置に関するものであって、本発明が解決すべき課題は、バーンイン検査における引き離し工程の際に、配線基板を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを防止することである。そのため、本発明では、バーンイン検査における引き離し方法を工夫することによって、本発明の課題を解決するものであり、本実施形態の説明では、本発明に係る引き離し方法について詳細に説明する。
【００８９】
−本発明に係る引き離し方法−
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００９０】
（一実施形態）
以下に、本発明の一実施形態に係る引き離し方法について、図９(a) 及び(ｂ) 並びに図１０(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図９(a) 及び(b) 並びに図１０(a) 及び(b) は、本発明の一実施形態に係る引き離し方法を示す要部工程断面図である。
＜アライメント装置による引き離し工程＞
−−ウエハトレイに対するステージの位置合わせステップ−−
図９(a) に示すように、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による押圧力よって、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５が規制された状態で、画像認識装置（図示せず）を用いて、画像処理が施された半導体ウエハ用認識カメラ２８の撮像画像から、ステージ２９に対するウエハトレイ３０の位置を認識し、最適吸着位置（すなわち、ステージ２９及びウエハトレイ３０の各々のセンター位置）を演算する。最適吸着位置に基づいて、各ＸＹＺθテーブル（２５、２６及び２７）におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びθ軸を用いて、ウエハトレイ３０とステージ２９とが互いに対応するように、ウエハトレイ３０に対するステージ２９の位置合わせを行う。
【００９１】
−−ウエハトレイに対するステージの吸着ステップ−−
次に、図９(b) に示すように、Ｚθ軸テーブル２７におけるＺ軸を用いて、ステージ２９を最適コンタクト位置まで上昇させることにより、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面へ吸着させる。
【００９２】
吸着ステップの後、引き離しステップの準備ステップとして、自動閉塞型の高真空用カプラ３２による、シールリング３１とコンタクトプローブ１５との密着状態の保持を行うために、真空引き用ノズル（図示せず）を高真空用カプラ３２に接続させる。真空引き用ノズルを用いて、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の真空引きを行い、これにより、空間内の圧力は、バンプ電極の個数に応じて調整され、約−５０[kPa]〜約−８０[kPa]に保持されている。
【００９３】
このとき、本発明の一実施形態に係る引き離し方法では、図９(b) に示すように、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させる直前に、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による、検査ボード５の規制を解除し、検査ボード５の規制が解除された状態で、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させる。このように、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させる直前まで、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による検査ボード５の規制を行い、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させる際には、検査ボード５の規制を解除する。
【００９４】
更に、本発明の一実施形態に係る引き離し方法では、図９(b) に示すように、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させた状態で、ステージ２９を更に押し上げる（例えば、約１[mm]の押し上げを行う）ことにより、検査ボード５を、受け台２３から完全に浮かせた状態にする。
【００９５】
これにより、検査ボード５に対して、外的な力を何ら与えることなく、ステージ２９上に、ウエハトレイ３０を介して、半導体ウエハ１が搭載された検査ボード５を支持することができるため、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３に僅かな傾斜が発生することがあっても、配線基板１３に内部応力が発生することを確実に防止することができるので、配線基板１３に発生する内部応力の抑制を図ることができる。
【００９６】
このように、本発明の一実施形態に係る引き離し方法では、ステージ２９の上面をウエハトレイ３０の下面に吸着させる直前に、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による、検査ボード５の規制を解除することにより、配線基板１３の傾斜に起因して、配線基板１３に内部応力が発生することを確実に防止することができる。
【００９７】
このため、次ステップである引き離しステップの際に、配線基板１３に発生する内部応力によって、配線基板１３に撓み又は歪みが発生することがないため、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うと共に、各パッド電極と各バンプ電極との間に、配線基板１３に発生する内部応力によって、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことを抑制することができる。但し、このとき、配線基板１３の平面度の誤差による内部応力の発生については解消されておらず、配線基板１３には、配線基板１３の平面度の誤差に起因して、内部応力が発生している。
【００９８】
−−各パッド電極と各バンプ電極との引き離しステップ−−
次に、図１０(a) に示すように、受け台２３から検査ボード５を完全に浮かせた状態で、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行う。
【００９９】
ここで、従来例に係る引き離し方法では、前述したように、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内の雰囲気を真空状態から大気状態へ開放させながら、ステージ２９を下降させることによって、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行う。
【０１００】
しかしながら、大気に曝された状態では、各パッド電極と各バンプ電極との間に働く引き離し力が弱く、更には、前述したように、配線基板１３の平面度の誤差に起因して、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生する。
【０１０１】
そこで、本発明の一実施形態に係る引き離し方法では、図１０(a) に示すように、受け台２３から検査ボード５を完全に浮かせた状態で、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内に高圧エアーを送り込むことにより、空間内の雰囲気を高圧状態（例えば、約０．１[MPa]の高圧状態）に調整することによって、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行う。
【０１０２】
これにより、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを引き離すように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力（すなわち、引き離し力）を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【０１０３】
このため、引き離しステップの際に、配線基板１３の平面度の誤差に起因して、配線基板１３に内部応力が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができるため、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行うタイミングに差異が発生することがなく、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が発生することはないので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止することができる。
【０１０４】
また、図９(b) に示すように、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による、検査ボード５の規制を予め解除することにより、引き離しステップの際に、空間内に高圧エアーを送り込むことによって、各パッド電極と各バンプ電極とが引き離されて、半導体ウエハ１と検査ボード５との相対的な位置関係が変化することを阻害することがないので、空間内に高圧エアーを効果的に送り込むことができる。
【０１０５】
次に、図１０(b) に示すように、ステージ２９を下降させて、検査ボード５を検査ボード受け台２３に再び設置し、引き離し工程を終了する。
【０１０６】
以上のように、本発明の一実施形態に係る引き離し方法によると、水平方向用シリンダ２１及び鉛直方向用シリンダ２２による、検査ボード５の規制が解除された状態で、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内に高圧エアーを送り込むことにより、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを行う。
【０１０７】
このように、検査ボード５の規制を解除することにより、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３に僅かな傾斜が発生することがあっても、配線基板１３に内部応力が発生することを確実に防止することができるため、配線基板１３を構成する材料の機械的強度に起因して、配線基板１３に撓み又は歪みが発生することがないので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを均一に行うことができる。
【０１０８】
更には、シールリング３１がコンタクトプローブ１５に密着することによって形成された空間内に高圧エアーを送り込むことにより、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３の平面度に誤差が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを引き離すように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【０１０９】
このように、配線基板１３を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板１３に僅かな傾斜が発生する、又は配線基板１３の平面度に誤差が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことにより、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して水平な方向に力が働くことはないので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずる圧痕跡が発生することを確実に防止することができる。
【０１１０】
更には、このようにすると、配線基板１３を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを防止することができるため、配線基板１３を構成する材料の選択肢の範囲を拡げることができるので、例えば、配線基板１３を構成する材料として樹脂材料を用いることにより、検査ボード５の製造コストの削減を図ると共に、半導体チップへ印可する検査用電流の高電流化を図ることができる。
【０１１１】
以下に、本発明の効果を有効に説明するために、パッド電極の表面に発生する、バンプ電極による圧痕跡について、図１１(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図１１(a) は、本発明に係る引き離し方法を用いた場合の、パッド電極の表面に発生する圧痕跡について示す上面図であり、図１１(b) は、従来例に係る引き離し方法を用いた場合の、パッド電極の表面に発生する引きずり圧痕跡について示す上面図である。
【０１１２】
引きずり圧痕跡３４は、図１１(b) に示すように、半導体チップにおけるパッド電極４の形成領域以外の領域にまで達し、半導体チップにダメージを与える、更には、半導体チップの回路形成領域（図示せず）にまで達して、半導体チップの回路形成領域にダメージを与えるので、半導体チップを破壊させる場合がある。これに対し、圧痕跡３３は、図１１(a) に示すように、半導体チップにおけるパッド電極４の形成領域以外の領域にまで達することがないので、半導体チップを破損させることなく、バーンインによる半導体チップの検査を良好に行うことができる。
【０１１３】
以下に、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって形成された空間内の雰囲気を切り替えるために用いられる、電磁弁の配管方法の具体例について、図１２(a) 〜(c) を参照しながら説明する。図１２(a) 〜(c) は、電磁弁の配管方法について示す図であり、具体的には、図１２(a) は、真空状態での電磁弁の配管方法について示す図であり、図１２(b) は、大気状態での電磁弁の配管方法について示す図であり、図１２(c) は、高圧状態での電磁弁の配管方法について示す図である。
【０１１４】
本発明の一実施形態に係るアライメント装置では、第１の電磁弁３５ａ及び第２の電磁弁３５ｂを用いて、互いの切り替え位置を組み合わせることによって、配管チューブ（図示せず）内を流れるガスの流量を制御することにより、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって形成された空間内の雰囲気を、真空状態（図１２(a) 参照）、大気状態（図１２(b) 参照）、又は高圧状態（図１２(c) 参照）に調整することができる。また、本発明の一実施形態に係るアライメント装置では、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）における切り替えの応答性を向上させるために、ＸＹＺθテーブルにおける真空カプラの下方領域上に、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）が配置されており、これにより、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）における配管チューブの長さの最短化を図ると共に、配管チューブ径の最小化（例えば、約φ４）を図ることができる。
【０１１５】
このように、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）における切り替えの応答性の向上を図ることは重要であり、特に、引き離しステップにおいて、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって形成された空間内の雰囲気を、真空状態から高圧状態へ切り替えるときの、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）の応答性を向上させることは非常に重要である。
【０１１６】
これにより、引き離しステップの際に、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）を用いて、空間内の雰囲気を真空状態から高圧状態へ瞬時に切り替えることができるので、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを引き離すように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができる。
【０１１７】
このため、配線基板を構成する材料の平面度精度に起因して、配線基板の平面度に誤差が発生することがあっても、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができるので、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止すると共に、配線基板の平面度の誤差における許容範囲（〜約５０[μm]）を拡げることができる。
【０１１８】
また、貼り合わせステップにおいて、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって形成された空間内の雰囲気を、大気状態から真空状態へ切り替えるときの、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）の応答性を向上させることも重要である。
【０１１９】
これにより、貼り合わせステップの際に、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）を用いて、空間内の雰囲気を大気状態に調整しながら、各パッド電極を各バンプ電極に接触させた後に、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）を用いて、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ瞬時に切り替えることができるため、各パッド電極と各バンプ電極との間に、各パッド電極と各バンプ電極とを貼り合わせるように、各パッド電極と各バンプ電極とが接触する面に対して垂直な方向に力を瞬時に且つ均一に働かせることができるので、各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせを平行且つ均一に行うことができる。
【０１２０】
また、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）を用いて、空間内の雰囲気を大気状態に調整しながら、各パッド電極を各バンプ電極に接触させるので、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって、空間内の雰囲気が密封状態になることを防止すると共に、空間内の雰囲気が密封状態となって、各パッド電極を各バンプ電極に接触させることができずに、検査ボードの中央部が持ち上げられることを防止することができる。
【０１２１】
また、空間内の雰囲気を大気状態に調整しながら、各パッド電極を各バンプ電極に接触させた後に、各電磁弁（３５ａ及び３５ｂ）を用いて、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ瞬時に切り替えるので、各パッド電極を各バンプ電極に接触させる前に、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ切り替えることがないため、検査ボードがウエハトレイ側へ引っ張られることはないので、検査ボードに歪みが発生することを防止することができる。
【０１２２】
このように、本発明の一実施形態に係るアライメント装置によると、ＸＹＺθテーブルにおける真空カプラの下方領域上に設けられた、第１の電磁弁３５ａ及び第２の電磁弁３５ｂを用いて、シールリングがコンタクトプローブに密着することによって形成された空間内の雰囲気を、高圧状態／大気状態／真空状態に適宜調整することができる。
【０１２３】
このため、バーンイン検査において、本発明に係るアライメント装置を用いることにより、貼り合わせ工程の際に、各パッド電極と各バンプ電極との貼り合わせを平行且つ均一に行うと共に、引き離し工程の際に、各パッド電極と各バンプ電極との引き離しを平行且つ均一に行うことができる。
【０１２４】
更には、本発明に係るアライメント装置によると、空間内の雰囲気を切り替えることが可能な第１の電磁弁３５ａ及び第２の電磁弁３５ｂを用いることにより、貼り合わせ工程の際に、空間内の雰囲気を大気状態から真空状態へ調整すると共に、引き離し工程の際に、空間内の雰囲気を真空状態から高圧状態へ調整することができるため、貼り合わせ機能と引き剥がし機能との双方を備えるアライメント装置を提供することができるので、アライメント装置を有効に活用することができる。
【０１２５】
以上のように、本発明に係る引き離し方法によると、バーンイン検査における引き離し工程の際に、配線基板を構成する材料に起因して、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡が発生することを確実に防止することができるため、配線基板を構成する材料の選択肢を拡げることができるので、例えば、配線基板を構成する材料として、樹脂材料を選択することにより、検査ボードの製造コストの削減を図ると共に、バーンイン検査の際に半導体チップに印加する検査用電流の高電流化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明は、バーンイン検査の際に、検査ボード（検査用基板）の配線基板を構成する材料に影響されることなく、半導体ウエハにおける各パッド電極（検査用電極）と検査ボードにおける各パッド電極（プローブ電極）とを平行且つ均一に引き離すことができるため、パッド電極の表面に、バンプ電極による引きずり圧痕跡を発生させることなく、バーンイン検査を良好に行うことができるので、バーンイン検査に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】(a) 及び(b) は、半導体ウエハの構成を示す上面図である。
【図２】(a) 及び(b) は、検査ボードの構成を示す図である。
【図３】プローブカードの構成を示す断面図である。
【図４】(a) 及び(b) は、プローブカードの構成を示す拡大図（特に、バンプ電極の周辺部の拡大図）である。
【図５】(a) 及び(b) は、プローブカードの構成を示す上面図である。
【図６】は、アライメント装置の構成を示す斜視図である。
【図７】は、アライメント装置の構成を示す断面図である。
【図８】は、引き離し工程を行う前の、半導体ウエハが搭載された状態の検査ボードとステージとの位置関係を示す断面図である。
【図９】(a) 及び(b) は、本発明の一実施形態に係る引き離し方法を示す要部工程断面図である。
【図１０】(a) 及び(b) は、本発明の一実施形態に係る引き離し方法を示す要部工程断面図である。
【図１１】(a) は、本発明に係る引き離し方法を用いた場合の、パッド電極の表面に発生する圧痕跡について示す上面図であり、(b) は、従来例に係る引き離し方法を用いた場合の、パッド電極の表面に発生する引きずり圧痕跡について示す上面図である。
【図１２】(a) 〜(c) は、電磁弁の配管方法について示す図である。
【図１３】ウエハレベルバーンイン検査に用いられる装置について示す図である。
【図１４】(a) 及び(b) は、バーンイン検査における貼り合わせ方法について示す要部工程断面図である。
【図１５】(a) 及び(b) は、バーンイン検査における従来例に係る引き離し方法について示す要部工程断面図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１                                      半導体ウエハ
２                                      半導体チップ形成領域
３                                      半導体チップ
４                                      パッド電極（検査用電極）
５                                      検査ボード（検査用基板）
６                                      プローブカード
７                                      多層配線基板
８                                      コネクタ
９                                      配線基板受け台
１０                                    押さえゴム
１１                                    押さえ
１２                                    フレーム
１２ａ                                  平行用調整ネジ
１３                                    配線基板
１４                                    局在型異方導電ゴム
１５                                    コンタクトプローブ
１５ａ                                  薄膜フィルム
１５ｂ                                  バンプ電極（プローブ電極）
１５ｃ                                  銅薄膜
１５ｄ                                  セラミックスリング
１６                                    バンプ形成領域
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ          アライメントマーク
１８                                    バンプエリア
１９                                    ユニットベース
２０                                    ローラ
２１                                    水平方向用シリンダ
２２                                    鉛直方向用シリンダ
２３                                    受け台
２４                                    半導体ウエハ用認識カメラ
２５                                    Ｘ軸テーブル
２６                                    Ｙ軸テーブル
２７                                    Ｚθ軸テーブル
２８                                    検査ボード用認識カメラ
２９                                    ステージ
３０                                    ウエハトレイ
３１                                    シールリング
３２                                    高真空用カプラ
３３                                    圧痕跡
３４                                    引きずり圧痕跡
３５ａ                                  第１の電磁弁
３５ｂ                                  第２の電磁弁
３６                                    アライメント装置
３７                                    バーンイン検査装置
【図１】
2007073762.tif 000003
【図２】
2007073762.tif 000004
【図３】
2007073762.tif 000005
【図４】
2007073762.tif 000006
【図５】
2007073762.tif 000007
【図６】
2007073762.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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