(57)【要約】【課題】  ディスクドライバ上のエアベアリング面で、磁気記録再生スライダの浮上性能を向上することができる高さの低い微細構造を備えた磁気記録再生スライダを提供する。【解決手段】  本発明は、磁気記録再生スライダのエアベアリング面に微細構造を形成する方法である。この方法は、(ａ）上方に向うポール先端を一つずつ含む複数のスライダを受け皿の中に配列するステップと、（ｂ）前記受け皿を処理室の中に入れ、処理室が予定の圧力を有する真空になるように空気を抽出するステップと、（ｃ）酸素を含む気体を前記処理室の中に導入するステップと、（ｄ）前記スライダを前記処理気体の中のエッチング手段に暴露させ、また、その表面に対してエッチングを行うことによりその上に明確な二段構造を形成するステップとを有する。本発明では上述方法によって形成した磁気記録再生スライダの構造も開示した。【選択図】      図１
2007066505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録再生スライダのエアベアリング面に微細構造を形成する方法であって、以下の（ａ）乃至（ｄ）のステップを有する方法。
（ａ）上方に向うポール先端を一つずつ含む複数のスライダを受け皿の中に配列するステップ
（ｂ）前記受け皿を処理室の中に入れ、当該処理室が所定の圧力を有する真空となるように空気を抽出するステップ
（ｃ）酸素を含む気体を前記処理室の中に導入するステップ
（ｄ）前記スライダを前記処理気体中のエッチング手段に露出させ、また、その表面に対してエッチングを行うことによって、その上に明確な二段構造を形成するステップ
【請求項２】
前記ステップ（ａ）の前に、前記スライダの表面を研磨するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ｃ）の前に、フォトレジストマスクで前記スライダのポール先端を遮蔽するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スライダ表面を粗さが０.２〜０.４ｎｍとなるように研磨する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フォトレジストマスクは、陽性フォトレジストマスク、又は、陰性フォトレジストマスクである、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記フォトレジストマスクの厚さは１〜２０μｍの範囲内にある、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ａ）の前に、前記スライダの表面にエアベアリング面図案を形成するステップをさらに含み、前記ステップ（ｂ）の後に、保護層を除去するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチング手段は、プラズマ又はイオンビームを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記プラズマは、直接容量結合プラズマ、又は、誘導結合プラズマである、ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記プラズマは、電子回転加速共振により、マイクロ波源を補強されて発生される、ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理気体は純粋な酸素である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理気体は、酸素と少なくとも一種の不活性ガスの混合気体である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記段の高さは１０〜５０Ａであり、前記隣の段との距離は０.２〜３μｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
微細構造を有する磁気記録再生スライダを形成する方法であって、以下の（ａ）乃至（ｆ）のステップを有する方法。
（ａ）上方に向うポール先端を一つずつ含む複数のスライダを受け皿の中に排列するステップ
（ｂ）前記受け皿を処理室の中に入れ、当該処理室が予定の圧力を有する真空となるように空気を抽出するステップ
（ｃ）酸素を含む気体を前記処理室の中に導入するステップ
（ｄ）前記スライダを前記処理気体中のエッチング手段に露出させ、また、その表面に対してエッチングを行うことにより、その上に明確な二段構造を形成するステップと、
（ｅ）エッチング表面にシリコン層をメッキ加工するステップと、
（ｆ）前記シリコン層の上にダイヤモンド状炭素層をメッキ加工するステップ
【請求項１５】
保護層を有するエアベアリング面を含んでいる磁気記録再生スライダであって、当該保護層は、明確な二段構造をしている、ことを特徴とする磁気記録再生スライダ。
【請求項１６】
前記エアベアリング面はＡｌＴｉＣからなり、当該エアベアリング面は、アルミナ基準位相と、前記アルミナ基準位相に埋め込んだ粒子状の炭化チタニウム第二位相とを含み、前記炭化チタニウム位相は、前記アルミナ基準位相から突き出すことにより、前記アルミナ基準位相が設定した底部段と区別する明確な頂部段を形成する、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【請求項１７】
底部段から頂部段への高さは１０〜５０Ａである、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【請求項１８】
前記突き出した隣接する頂部段の間の距離は０.２〜３μｍである、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【請求項１９】
前記保護層は、ダイヤモンド状炭素層と、当該ダイヤモンド状炭素層とスライダ表面との間に挟まれているシリコン層とを含む、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【請求項２０】
前記スライダは３０％、２５％、２０％、１５％のスライダである、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【請求項２１】
前記二段構造は、酸素を含む処理気体の中でエッチング手段により形成された、ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録再生スライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクドライブに使用される磁気記録再生スライダ及びその製造方法に係り、特に、スライダのエアベアリング面(air bearing surface, ＡＢＳ)に微細構造(micro-texture)を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスクドライブは、例えば、デジタルカメラ、デジタルオーディオ/ビデオ機器、デジタルテレビ等のように、大容量メモリーを必要としているデジタル機器とともに急激に発展している。これらのデジタル機器はディスクドライブにとって巨大な市場需要がある。そこで、ディスクドライブは、高記録密度化及び小型化という両方面から開発が進められている。
【０００３】
ディスクドライブは、複数のディスクを含み、ディスク表面にはデジタル情報を記録するための磁気メッキ層が備えられている。磁気記録再生スライダは、ディスクの磁気表面を移動しながら、保存されたデータにアクセスすることができる。記録密度の高密度化は、ディスク表面の磁気メッキ層の性能改善や、磁気メッキ層にアクセスする磁気記録再生スライダの大きさを小さくすることによって実現することができる。記録再生スライダの大きさを小さくすることは、記録再生時の信号が弱くなることを意味し、これによりトラック幅又はトラックピッチを減小させることが可能である。しかし、トラック幅又はトラックピッチを減小する要点は、記録再生スライダの位置制御能力（例えば、浮上量の制御能力）を改善することにある。ここで、記録再生スライダの位置制御は、ディスク表面の保護メッキ層の厚さとスライダのポール先端リセッション等も含んで、スライダがディスク表面を移動する場合のスライダとディスク表面との距離を指している。
【０００４】
なお、ディスクドライブを小型化することは、一つのシステム工程であって、ディスクドライブの各部品の物理的なサイズ変更に関連すると共に、スライダの浮上動力性能の最適化にも関連する。近年、よく使用されるディスクドライブは、デスクトップコンピュータに適用される３.５インチディスクドライブと、ノートパソコンに適用される２.５インチディスクドライブである。携帯用デジタルオーディオ/ビデオ機器に使用されるディスクドライブのサイズは１インチ、更には０.８５インチに小型化されている。
【０００５】
この磁気記録再生スライダは、ディスクドライブの重要部品である。磁気記録再生スライダは、スライダの浮上量を制御するセラミックベースを備えている。セラミックベースの表面には、沈積法又はエッチング手段により「浮上着地パッド」、「サポート面」及びマイナス圧力腔等のパターンが形成される。更に磁気記録再生スライダは、セラミックベース上に配列している機能多層構造を含む。この機能多層構造は、薄膜磁気によるコイルとＧＭＲ回路からなるポール先端、記録再生連結パッド又は溶接パッドを有している。
【０００６】
磁気記録再生スライダの磁気ポール先端は非常に平坦な表面となっている。通常、この平坦な表面は磁気記録再生スライダベースを研磨することにより形成される。このスライダの平坦な表面の粗さは０.３ｎｍ以下である。また研磨工程ではポール先端のリセッションの制御を補助することもできる。
【０００７】
マイクロドライブ（登録商標）等の小型ディスクドライブにとって、磁気記録再生スライダの浮上と着地の性能を改善するためには、スライダベースの表面の粗さを増して比較的粗いベース表面が形成されることになる。一般に、スライダベースはＡｌＴｉＣからなる。ここでＡｌＴｉＣはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）とＴｉＣ（炭化チタン）の混合物であり、Ａｌ２Ｏ３基盤に埋め込まれた島状ＴｉＣ粒子を含んでいる。
【０００８】
特許文献１と特許文献２では、スパッタリングプロセスによりスライダベースの粗い表面を形成する技術が開示されている。スライダベースの粗さの目標高さ(頂端からの距離)は約５０〜３００Ａ（オングストローム）であり、ピーク値(突き出し区域)の幅度とピーク間の距離は約５〜２０μｍである。しかし、マイクロドライバに適用させるには、以上の条件でも充分ではない。本発明の目的は、磁気記録再生スライダのエアベアリング面の微細構造を改善して、スライダの浮上性能を改善することにある。
【特許文献１】米国特許第５０１０４２９号明細書
【特許文献２】米国特許第５０５２０９９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の主要の目的は、ディスクドライバ上のエアベアリング面で、磁気記録再生スライダの浮上性能を向上することができる高さの低い微細構造を備えた磁気記録再生スライダを提供することにある。
本発明の他の目的は、微細構造を形成する方法を提供することにあり、該方法は、スパッタリング、又は、イオンビームエッチング（ion beam etching, ＩＢＥ）を通常のスライダの製造工程に応用することによって実現することにある。
本発明の他の目的は、微細構造を形成する方法を提供することにあり、この方法により、スライダに電性的な損壊を生じさせず、製品の高歩留まりを維持することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、磁気記録再生スライダのエアベアリング面に微細構造を形成する方法であって、以下の（ａ）乃至（ｄ）のステップを有している。
（ａ）上方に向うポール先端を一つずつ含む複数のスライダを受け皿の中に配列するステップ
（ｂ）前記受け皿を処理室の中に入れ、当該処理室が所定の圧力を有する真空となるように空気を抽出するステップ
（ｃ）酸素を含む気体を前記処理室の中に導入するステップ
（ｄ）前記スライダを前記処理気体中のエッチング手段に露出させ、また、その表面に対してエッチングを行うことによって、その上に明確な二段構造(two-step structure)を形成するステップ
【００１１】
すなわち、本発明の磁気記録再生スライダの上に微細構造を形成する方法は、研磨した後の表面を有するスライダを提供するステップと、
酸素を含む気体の中で、プラズマ又はイオンビームを使って前記研磨した後の表面をエッチングすることにより、微細構造のアルミナ基準位相が粒子状の炭化チタニウム第二位相上の選択性を提高させ、更には、炭化チタニウム粒子からなる頂部段とアルミナからなる底部段とを形成するステップと、を含む。
【００１２】
前記底部段と頂部段との距離は約１０〜５０Ａ（オングストローム）であり、隣接する炭化チタニウム間の距離は約０.２〜３μｍである。
本発明は、また、エアベアリング面に微細構造が形成されている磁気記録再生スライダを提供する。
前記スライダは、従来のスライダよりも高い浮上性能と着地性能を持っている。
また、磁気記録再生スライダに微細構造を形成させる場合、電子損壊現象が無くて、製品の高歩留まりを維持する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施例に対して説明する。
添付の図において、図１（ａ）乃至（ｄ）は、磁気記録再生スライダのエアベアリング面に微細構造を形成する過程を示した図である。なお、ここで用いられるスライダはピコ（３０％）スライダ、若しくはフェムト（２０％）スライダとすることができる。既述のとおり、磁気記録再生スライダは、磁気記録材料の一層が表面に形成された回転ディスク上を移動する構成である。磁気記録再生スライダはエアベアリング面を含み、この磁気記録再生スライダを磁気記録表面に対向させることでデータの記録再生を行う。図１（ａ）に示すように、磁気記録再生スライダ１０は、磁気ディスクの磁気記録表面（図示せず）に対向して配置される表面１２が備えられている。この表面１２は、以下のステップを通じてエアベアリング面として形成される。
【００１４】
先ず、図１（ａ）に示すように、表面１２は精度のよい研磨によって滑らかにされ、表面の粗さが０.２〜０.４ｎｍとなる。そして、研磨した後の表面１２には、一層の保護層（例えば、ダイヤモンド状炭素（diamond-like carbon, ＤＬＣ）層）がメッキ加工される。続いて、表面１２には、幾つかの処理工程（例えば、フォトリソグラフィとイオンエッチング）を通過して、気流と圧力を制御する凹溝１４（若しくは、段）が形成される。その後、図１（ｃ）にように、表面１２に微細構造（図のハッチング部分）が形成される。続いて、図１（ｄ）に示すように、更なる処理によってエアベアリング面の加工が完成される。
【００１５】
また他の形成方法を図２（ａ）乃至（ｄ）に示すと、スライダ１０の表面１２は、図２（ｂ）のハッチング領域に示すように、研磨されて、ダイヤモンド状炭素層（図２（ａ）参照)がメッキ加工された後、微細構造に処理される。その後、図２（ｃ）に示すように、表面１２に凹溝１４が形成され、更なる処理により図２（ｄ）に示すようなエアベアリング面の加工が完成する。
【００１６】
フォトマスクは、陽性フォトレジストマスク及び陰性フォトレジストマスクを含み、このフォトマスクは、微細構造を形成する際に、表面１２の特定区域（例えば、磁気ポール先端）を保護するために使用され、これにより微細構造がこの特定区域で形成されなくなる。
【００１７】
従来、ＣＶＤ法(Chemical Vapor Deposition)、ＩＢＤ法(Ion Beam Deposition)、ＦＣＡ法(Filtered Cathodic Arc)によって磁気記録再生スライダに保護層が形成されていた。一般的な保護層の形成工程は、事前洗浄、支持層（adhesion layer）のメッキ加工、ダイヤモンド状炭素層（ＤＬＣ）の塗装等の３つのステップで実施される。
【００１８】
通常、スライダは空気中で洗浄された後、真空処理室に入れられる。加工されるスライダの表面は、空気中において、湿気、二酸化炭素、更には、スライダを洗浄した際の有機溶媒等が吸収されている。事前洗浄する場合、例えば、アルゴンのような不活性ガスでプラズマエッチング又はイオンビームエッチングを実施することにより、加工されるスライダの表面汚染を除去する。エッチング過程を通じて、非常に微小な物質がスライダベース表面から除去されても、表面の粗さに顕著な変化がない。即ち、スライダの表面の粗さはおよそ０.３ｎｍのままの状態に保たれている。
【００１９】
そして、事前洗浄した後、加工されるスライダの表面に一層の支持層がメッキ加工される。この支持層はシリコンによって形成することが好ましい。シリコンであれば、ダイヤモンド状炭素層のメッキ工程をいっそう簡単にさせることができる。更に、ダイヤモンド状炭素層をメッキ加工する場合、ＣＶＤ法及びＩＢＤ法においてメタン又はエチレンが前駆物質(precursor)になり、純グラファイトシリンダー(pure graphite cylinder)がＦＣＡターゲットとして適用される。
【００２０】
本発明においては、スライダ１０のＡｌＴｉＣベース(６４％のＡｌ２Ｏ３と３６％のＴｉＣを含む磁気記録再生スライダベース)に微細構造を形成する為に、事前洗浄するステップを改善している。このステップは、基本的に処理時間を増やさずに従来の設備のまま実施されるため、本発明の工程が非常に実用的になる。本発明は、幾つかの従来の工程（例えば、プラズマエッチング工程又はイオンビームエッチング工程）によって実現することができる。よって、先にこれらの工程について詳細に説明する。
【００２１】
図３は、プラズマエッチング工程を進行する設備を示す図である。この設備により、磁気記録再生スライダベースには微細構造が形成される。整列して配置されたスライダは、ローバー(row bar)とも呼ばれ、搬送用受け皿(carried tray)上に固定され、搬送用受け皿は１つの着脱口１０２を通じて設備に装着される。本発明において、搬送用受け皿は、機械装置１０４により着脱口１０２から設備の真空伝送室１０６に移送される。その後、真空伝送室１０６は所定の圧力を有する真空となるように空気が抽出され、続いて、搬送用受け皿がプラズマエッチング室１０８に移送される。
【００２２】
続いて、プラズマエッチング工程を行う。ここで、搬送用受け皿を含むプラズマエッチング室１０８を予め定めた圧力の真空にさせると、処理気体（例えば、酸素又は酸素と不活性ガスの混合気体）が、質量流量コントローラ（mass flow controller, ＭＦＣ）のバルブ（図示せず）を通じて、プラズマエッチング室１０８に導入されていく。この処理気体が導入された後、プラズマに点火させる。このプラズマを発生させる方法は複数あげられる。ここで、最もよく用いられるプラズマは、高周波電圧により発生した直接容量結合プラズマ、又は、誘導結合プラズマである。もちろん、プラズマは最近の新方法によって作ることも可能であり、例えば、プラズマを、電子回転共振増強マイクロ波源により発生させることもできる。
本発明において、微細構造を形成するポイントは、ベースのバイアスを調整することにある。容量結合プラズマは、ベース自身にバイアスを作ることができる。しかし、他の方法に用いた場合は、ベースに電圧を加えることで、ベースにバイアスを作ることになる。
【００２３】
プラズマは予定の時間の経過後に停止する。時間の設定は、スライダに微細構造を形成する所定の高さに応じて異なる。
【００２４】
続いて、搬送用受け皿は、機械装置１０４によりシリコンメッキ室１１０に移送され、そこでスパッタリング法により、スライダのベース表面にシリコン層がメッキ加工される。そして、搬送用受け皿は機械装置１０４により、ａ−Ｃ：Ｈ（非晶質炭素）、又は、ｔａ―Ｃ（４面体炭素）のメッキ室１１２に移送され、そこで、スライダのベース表面に所定の厚さを有するダイヤモンド状炭素層がメッキ加工される。
【００２５】
プラズマエッチング工程に主に影響を与える要因は、処理気体の種類、処理室の圧力、エッチング電圧とエッチング時間等である。本発明において、プラズマエッチング工程に使用されるエッチング気体は、Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣの比率によって、酸素、アルゴン、不活性ガスの混合気体に生成される。また、本発明において、酸素のＡｌ２Ｏ３に対するエッチング速度は比較的高速であり、ＴｉＣに対するエッチング速度は比較的低速である。処理気体の流動速度は、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）によって、所望の圧力となるように制御される。ここでは処理室の工程圧力が制御のために１．０Ｐａに設定される。
【００２６】
本発明に必要とされる電源は、設備に応じて調整されたプラズマエッチング工程がプラズマを作り、加工されたスライダにバイアスを加える。本発明の実施形態では、スライダに３００Ｖの直流バイアスを加える構成である。このバイアスを形成する目的は、酸素による物理的なエッチングを進行させることにある。
【００２７】
エッチング時間は、微細構造の所定の段的な高さにしたがって決められる。通常、微細構造の段階的な高さが約４ｎｍなら、エッチング時間は約５分に設定すればよい。
【００２８】
上記に説明した処理工程は、ステップを追加することによって改善される。即ち、エアベアリング面の図案が形成されているスライダを加工して、独自のエアベアリング面の表面の粗さに変更させるステップを追加する。この新しく追加したステップは、スライダがプラズマエッチング室１０８に入った後と、プラズマエッチング室１０８が真空になった後に実施される。真空のプラズマエッチング室１０８内において、プラズマに点火することによって、スライダ上に存在する保護層をエッチングして除去する。この保護層は、シリコン層及び炭層(ダイヤモンド)を含んでいる。そして、プラズマエッチング室１０８の真空状態を破壊しないように、処理気体がプラズマエッチング室１０８内に導入され、更にこの処理気体を使ってスライダを再びエッチングする。このようにして、スライダに所定の微細構造が形成され、その後にシリコンとＤＬＣがエッチングされる。
【００２９】
本発明の他方の実施形態では、上述したプラズマエッチングの代わりに、イオンビームエッチング工程（ＩＢＥ）が適用可能である。図４はＩＢＥ工程を行う設備を示す図である。ＩＢＥ工程で、磁気記録再生スライダに微細構造を形成する過程は次の通りである。先ず、ローバーが載置されている搬送用受け皿を真空処理室２０２内に放置し、０度から９０度の範囲で角度操作可能な製品保持装置２０４に搬送用受け皿を固定させる。また、真空処理室２０２は、所定の圧力になるように空気が抽出される。
【００３０】
その後、例えば、酸素、又は、酸素と不活性ガスの混合気体等の処理気体は第一イオン源２０６内に導入される。このイオン源２０６は第一シャッター２０８によって製品保持装置２０４と隔てられている。そして、第一イオン源２０６内の中和物とプラズマが発火する。その後、特定の時間を経てからプラズマは安定する。
【００３１】
プラズマが安定した状態になると、製品保持装置２０４は予め設定された角度に傾き、搬送用受け皿上に固定されたスライダにプラズマが入射するように、シャッター２０８が開き、スライダを事前洗浄する動作を実施する。この時点の処理室内の内部圧力は約０.０３〜０.０５Ｐａである。
【００３２】
シャッター２０８が開いてから一定時間経過後、シャッター２０８は再び閉じ、イオン源２０６と中和装置の電源はオフになる。真空処理室２０２は再び真空になり、搬送用受け皿が、予め設定されている別の方向へ傾き、第二イオン源２１０との組み合わせで処理が行われる。ここで、第二イオン源２１０は第二シャッター２１２によって隔てられ、シリコンターゲット２１４は第三シャッター２１６によって製品保持装置２０４と隔てられている。シリコン層はこのようにしてスライダ上で形成される。
【００３３】
その後、搬送用受け皿は調整されて第一イオン源２０６の位置に戻る。しかしながら、第一イオン源２０６に用いられるガス源は、Ｃ：Ｈ層をメッキ加工するためにＣ２Ｈ４に変更される。このステップで要する処理時間はＣ：Ｈ層をメッキ加工する希望の厚さと堆積速度によって定めされる。
【００３４】
イオンエッチング方法で微細構造を形成する際に影響を与える条件は、処理気体の類型、イオンビームの入射角度、エッチング電圧、及びエッチング時間等である。本発明において、Ａｌ２Ｏ３がＴｉＣ上で比較的大きな選択範囲を持つようにするために、イオンビームエッチング工程に使用される気体は、酸素、アルゴン、又は酸素と不活性ガスの混合気体からなる。また、スライダのポール先端のリセッションのため、イオンビームの入射角度が調節されなければならない。ポール先端材料及び事前洗浄する前の表面形態は、所望のポール先端形態に成形するため、入射角度を調節するための重要な条件である。
【００３５】
エッチング電圧は加速電場を形成する格子電圧により調節することができ、高周波電源（radio-frequency （ＲＦ） power）は、イオン源中の電離比率を調節することができる。最適なエッチング電圧は、要求されるエッチング量、処理時間、プラズマ安定度、及び静電放電損壊(electrical static charge damaging)によって決定される。エッチング時間は、微細構造の所望の高さと先のエネルギー入射角度の設定によって決定される。
【００３６】
本発明において、図５に示すように、ＡｌＴｉＣ表面は、処理をした後、明確な二段構造(two-step structure)を持つ微細構造が形成される。この微細構造はＴｉＣ５１からなる頂部段(top step)とアルミナ５２からなる底部段(bottom step)とを含む構成である。この微細構造の高さは原子間力顕微鏡（atomic force microscope, ＡＦＭ）により測定され、２０×２０μｍの正方形区域によってスキャンされる。ここでは、フラットン法(flatten method)によって、原子間力顕微鏡の湾曲片持ち梁の影響が除去されている。
【００３７】
図５Ａに示すように、本発明の工程のように処理しない場合、ＡｌＴｉＣ表面には明確な二段構造が形成されない。これは、研磨を通じて機械的な方式により二種類の硬い物質（Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣ）を除去する際に、同じ除去率を持っているためである。アルゴン気体で表面の汚染を除去する従来の技術では、ＴｉＣ上のＡｌ２Ｏ３を除去する際に極めて小さな選択範囲しか持っていない。本発明では、明確な二段構造の持った微細構造を提供することによって、二種類の物質がはっきりと異なる高さを持つことができる。この段の高さまたは微細構造の高さは処理時間によって決定される。図５Ｂに示すように、２０秒の処理を実行することで、微細構造の高さは２ｎｍになり、図５Ｃに示すように、４０秒の処理を実行することで、微細構造の高さは３ｎｍになり、図５Ｄに示すように、６０秒の処理を実行することで、微細構造の高さは４ｎｍになる。
【００３８】
この微細構造の高さは、磁気記録再生スライダの浮上及び着地性能に影響を与える。この違いを示すと以下の表のようになる。
【００３９】
【表１】
2007066505.tif 000003
比較的低い値、及び、浮上と着地間の違いは、スライダが比較的に優れた安定性を有していることを意味する。
【００４０】
なお、本発明において、ベースは上記のＡｌＴｉＣ（２つの異なる物質の混合物、即ち、６４％のＡｌ２Ｏ３と３６％のＴｉＣ）に限定されない。ここで、Ａｌ２Ｏ３は底層にあり、ＴｉＣは島状の第二層（island-like second phase）にある。ＡｌＴｉＣの粒子の大きさは１μｍぐらいである。このＡｌＴｉＣの粒子の大きさが変化しても、本発明の微細構造形成工程は概ね同様の効果が得られるが、島状の第二層の密度だけ異なる構造となる（図５Ｅ参照）。
【００４１】
以上、好ましい実施形態にしたがって本発明を説明したが、上記の実施形態に限定されないことはもちろんであり、本発明の精神から逸脱せずに様々な変形が可能であり、また本発明は本明細書に記載した細部に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の磁気記録再生スライダを作るステップを示す図である。
【図２】本発明の磁気記録再生スライダを作る別種のステップを示す図である。
【図３】プラズマを使って、磁気記録再生スライダに本発明の微細構造を形成する設備を示す図である。
【図４】イオンビームを使って、磁気記録再生スライダに本発明の微細構造を形成する設備を示す図である。
【図５】本発明のスライダが微細構造のＡｌＴｉC表面を有する状態を示す図である。
【図５Ａ】本発明のスライダの異なる状態における微細構造を示す図である。
【図５Ｂ】本発明のスライダの異なる状態における微細構造を示す図である。
【図５Ｃ】本発明のスライダの異なる状態における微細構造を示す図である。
【図５Ｄ】本発明のスライダの異なる状態における微細構造を示す図である。
【図５Ｅ】本発明のスライダの異なる状態における微細構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０：磁気記録再生スライダ、１２：表面、１４：凹溝、
１０２：着脱口、１０４：機械装置、１０６：真空伝送室、１０８：プラズマエッジング室、１１０：シリコンメッキ室、１１２：メッキ室、
２０２：真空処理室、２０４：製品保持装置、２０６：第一イオン源、２０８：第一シャッター、２１０：第二イオン源、２１２：第二シャッター、２１４：シリコンターゲット、２１６：第三シャッター
【図１】
2007066505.tif 000004
【図２】
2007066505.tif 000005
【図３】
2007066505.tif 000006
【図４】
2007066505.tif 000007
【図５】
2007066505.tif 000008
【図５Ａ】
2007066505.tif 000009
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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