(57)【要約】【課題】半導体装置の固有情報を保存するための専用メモリを半導体装置に搭載することなく、パッケージ化されている半導体装置の固有情報をトレースすることができるようにした半導体装置の固有情報保存方法を提供する。【解決手段】ウエハ試験の際に、通常のウエハ試験以外に、電圧、温度、タイミングを動作条件とし、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件で半導体装置内のメモリの試験（特別試験）を行い、半導体装置の製造履歴に係る個別の固有情報であるプロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件及び不良情報とを関連付けてデータベース化して外部記憶媒体１０に保存する（Ｓ３）。【選択図】図１
2007258312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリを搭載した半導体装置の固有情報保存方法であって、
ウエハ試験の際に、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件で前記メモリの試験を実行して不良情報を取得する工程と、
前記半導体装置の固有情報と前記不良情報とを関連付けて所定の記憶媒体に保存する工程を有することを特徴とする半導体装置の固有情報保存方法。
【請求項２】
前記不良情報のほかに、前記動作条件も関連付けて前記所定の記憶媒体に保存することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の固有情報保存方法。
【請求項３】
前記動作条件は、電圧条件、温度条件及びタイミング条件の少なくとも１個を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の固有情報保存方法。
【請求項４】
前記メモリの不良情報は、不良セル位置情報を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置の固有情報保存方法。
【請求項５】
前記メモリの不良情報は、不良セル位置情報及び不良モード情報を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置の固有情報保存方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ化して出荷した半導体装置が不良返品された場合においてプロセス上の原因を解析する場合など、パッケージ化されている半導体装置の製造履歴に係る個別の固有情報（プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標）をトレースする必要がある場合に使用して好適な半導体装置の固有情報保存方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来の半導体装置の固有情報保存方法の一例及びその利用方法を説明するための流れ図である。半導体装置が製造される場合には、一定枚数のウエハ毎にプロセスロット番号が付与され、ウエハプロセス、即ち、ウエハ上に半導体装置を形成するプロセスが実行され（ステップＰ１）、これが終了すると、ウエハ試験、即ち、ウエハ上に形成されている半導体装置の試験が行われる（ステップＰ２）。
【０００３】
次に、パッケージ組み立てプロセスが実行され（ステップＰ３）、プロセスロット番号とアセンブリロット番号との対応関係がパッケージ化された半導体装置の固有情報として保存される（ステップＰ４）。このプロセスロット番号とアセンブリロット番号との対応関係の保存が従来の半導体装置の固有情報保存方法の一例である。
【０００４】
次に、パッケージ試験、即ち、パッケージ化された半導体装置の試験が行われ（ステップＰ５）、パッケージ化された半導体装置が顧客に出荷される（ステップＰ６）。その後、顧客から、出荷した半導体装置の不良返品があった場合には（ステップＰ７）、プロセス上の原因を解析する等のために、プロセスロット番号とアセンブリロット番号との対応関係の保存情報を利用し、アセンブリロット番号からプロセスロット番号がトレースされる（ステップＰ８）。
【０００５】
図５は従来の半導体装置の固有情報保存方法の他の例及びその利用方法を説明するための流れ図である。半導体装置が製造される場合に、一定枚数のウエハ毎にプロセスロット番号が付与され、ウエハプロセスが実行される点（ステップＱ１）は、図４に示す場合と同様である。
【０００６】
次に、ウエハ試験が行われるが（ステップＱ２）、その際に、半導体装置の固有情報として、プロセスロット番号、ウエハ番号及びウエハ内座標（チップＩＤ）が半導体装置内の固有情報専用のヒューズ切断型ＰＲＯＭ（Programmable Read Only Memory）に書き込まれる。これが従来の半導体装置の固有情報保存方法の他の例である。
【０００７】
次に、パッケージ組み立てプロセスが実行され（ステップＱ３）、パッケージ試験が行われ（ステップＱ４）、パッケージ化された半導体装置が顧客に出荷される（ステップＱ５）。その後、顧客から、出荷した半導体装置の不良返品があった場合には（ステップＱ６）、プロセス上の原因を解析する等のために、不良返品された半導体装置内の固有情報専用のヒューズ切断型ＰＲＯＭから固有情報が読み出され、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標がトレースされる（ステップＱ７）。
【特許文献１】特開２０００−９９３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図４に示す従来の半導体装置の固有情報保存方法では、半導体装置の固有情報として、プロセスロット番号までしかトレースすることができず、ウエハ番号及びウエハ内座標についてはトレースすることができないという問題点があった。
【０００９】
また、図５に示す従来の半導体装置の固有情報保存方法では、半導体装置の固有情報として、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標をトレースすることができるが、ヒューズ切断型ＰＲＯＭの形成工程及びヒューズ切断型ＰＲＯＭのヒューズ切断工程が必要であり、この分、コストが増えてしまうという問題点があった。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑み、半導体装置の固有情報を保存するための専用メモリを半導体装置に搭載することなく、パッケージ化されている半導体装置の固有情報をトレースすることができるようにした半導体装置の固有情報保存方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、メモリを搭載した半導体装置の固有情報保存方法であって、ウエハ試験の際に、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件で前記メモリの試験を実行して不良情報（フェイル情報）を取得する工程と、前記半導体装置の固有情報と前記不良情報とを関連付けて所定の記憶媒体に保存する工程を有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体装置の固有情報と、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件での半導体装置内のメモリの試験結果である不良情報とが関連付けられて所定の記憶媒体に保存されるので、半導体装置の固有情報を保存するための専用メモリを半導体装置に搭載しなくとも、パッケージ化されている半導体装置について、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件でメモリ試験を実行して不良情報を取得し、この不良情報に対応する半導体装置の固有情報を所定の記憶媒体から読み出すことにより、パッケージ化されている半導体装置の固有情報をトレースすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明の一実施形態及びその利用方法を説明するための流れ図である。本発明の一実施形態は、半導体製造工程の途中で実行するものであるが、半導体装置を製造する場合には、図４に示す場合と同様に、一定枚数のウエハ毎にプロセスロット番号を付与し、ウエハプロセスを実行し（ステップＳ１）、更に、ウエハ試験を行う（ステップＳ２）。
【００１４】
そして、このウエハ試験の際に、通常のウエハ試験を行う以外に、半導体装置内のメモリについて、電圧、温度、タイミングを動作条件とし、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件で試験（以下、最大定格以下かつ設計保証外の動作条件での試験を「特別試験」という。）を実行して不良情報を取得し、半導体装置の製造履歴に係る個別の固有情報であるプロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、メモリの特別試験時の動作条件及び不良情報とを関連付けて外部記憶媒体１０に保存してデータベース化する（ステップＳ３）。これが本発明の一実施形態である。
【００１５】
次に、パッケージ組み立てプロセスを実行し（ステップＳ４）、パッケージ試験を行い（ステップＳ５）、パッケージ化した半導体装置を顧客に出荷する（ステップＳ６）。その後、顧客から、出荷した半導体装置の不良返品があった場合には（ステップＳ７）、プロセス上の原因を解析する等のために、不良返品に係る半導体装置内のメモリについて特別試験を実行して不良情報を取得する（ステップＳ８）。
【００１６】
そして、この不良返品に係る半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件及び不良情報に対応する半導体装置の固有情報を外部記憶媒体１０から読み出すことにより（ステップＳ９）、不良返品に係る半導体装置の固有情報であるプロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標を取得することができる。
【００１７】
図２は本発明の一実施形態を実施するための装置の一例の概略的構成図である。図２中、１１は試験対象のウエハ、１２はウエハ１１上に形成された半導体装置のウエハ内座標情報を取得するためのプローバ、１３はウエハ試験を行うためのテスタ、１４は制御装置をなすワークステーションである。
【００１８】
また、１５はワークステーション１４を操作するために使用する入出力装置のセットであるコンソールであり、本例では、ウエハ１１のロット情報は、コンソール１５から入力する。１６は半導体装置の固有情報であるプロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、ウエハ１１に形成されている半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件及び不良情報とを関連付けて保存するための外部記憶媒体をなすハードディスクである。
【００１９】
本例では、ワークステーション１４は、本発明の一実施形態を実施するための所定のプログラムに従って、半導体装置の固有情報であるプロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、ウエハ１１に形成されている半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件及び不良情報とを関連付けてハードディスク１６に保存する。
【００２０】
ここで、保存すべき不良情報としては、不良セル位置情報のみを対象としても良いし、不良セル位置情報及び不良モード情報を対象としても良い。
【００２１】
そこで、半導体装置が１個のメモリを搭載する場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報のみを保存する場合には、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、メモリの特別試験時の動作条件及び不良セル位置情報（コラム番号、ロウ番号）とを関連付けて保存する。
【００２２】
この場合、本実施形態においては、「プロセスロット番号；ウエハ番号；ウエハ内座標；不良情報（動作条件番号，コラム番号，ロウ番号），（動作条件番号，コラム番号，ロウ番号），…」という記述様式を採用し、具体的には、「Lot w；Wafer w；座標x,y；Fail(w,w,w),(w,w,w),…」と記述して保存する。但し、ｗ、ｘ、ｙは数値であり、以下、同様である。
【００２３】
これに対して、半導体装置が１個のメモリを搭載する場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報及び不良モード情報を保存する場合には、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、メモリの特別試験時の動作条件、不良セル位置情報（コラム番号、ロウ番号）及び不良モード情報とを関連付けて保存する。
【００２４】
この場合、本実施形態では、例えば、「プロセスロット番号；ウエハ番号；ウエハ内座標；不良情報（動作条件番号，コラム番号，ロウ番号，不良モード番号），（動作条件番号，コラム番号，ロウ番号，不良モード番号），…」という記述様式を採用し、具体的には、「Lot w；Wafer w；座標x,y；Fail（w,w,w,w），（w,w,w,w），…」と記述して保存する。
【００２５】
また、半導体装置が２個以上のメモリを搭載する場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報を保存する場合には、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、メモリの特別試験時の動作条件、メモリのマクロ番号、不良セル位置情報（コラム番号、ロウ番号）とを関連付けて保存する。
【００２６】
この場合、本実施形態では、例えば、「プロセスロット番号；ウエハ番号；ウエハ内座標；不良情報（動作条件番号，マクロ番号，コラム番号，ロウ番号），（動作条件番号，マクロ番号，コラム番号，ロウ番号），…」という記述様式を採用し、具体的には、「Lot w；Wafer w；座標x,y；Fail（w,w,w,w），（w,w,w,w），…」と記述して保存する。
【００２７】
これに対して、半導体装置が２個以上のメモリを搭載する場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報及び不良モード情報を保存する場合には、プロセスロット番号、ウエハ番号、ウエハ内座標と、メモリの特別試験時の動作条件、メモリのマクロ番号、不良セル位置情報（コラム番号、ロウ番号）及び不良モード情報とを関連付けて保存する。
【００２８】
この場合、本実施形態では、例えば、「プロセスロット番号；ウエハ番号；ウエハ内座標；不良情報（動作条件番号，マクロ番号，コラム番号，ロウ番号，不良モード番号），（動作条件番号，マクロ番号，コラム番号，ロウ番号，不良モード番号）、…」という記述様式を採用し、具体的には、「Lot w；Wafer w；座標x,y；Fail（w,w,w,w,w），（w,w,w,w,w），…」と記述して保存する。
【００２９】
ここで、例えば、図３は、半導体装置内のメモリの特別試験を動作条件１、動作条件２及び動作条件３の下で実行した場合において、動作条件１の下で、ロット番号＝１２３４、ウエハ番号＝３のウエハ１７のウエハ内座標（ｘ、ｙ）＝（４、５）の半導体装置１８が１個のメモリ１９のみを搭載し、このメモリ１９の（コラム番号、ロウ番号）＝（３、７）のセルに不良モード番号＝０の不良があり、（コラム番号、ロウ番号）＝（８、２）のセルに不良モード番号＝１の不良があった場合を示している。なお、動作条件１、動作条件２、動作条件３は、電圧、温度、タイミングの少なくとも１個が設計保証外の条件となっているものである。
【００３０】
この場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報のみを保存するとしている場合には、ワークステーション１４は、「Lot 1234；Wafer 3；座標4,5；Fail（1,3,7），（1,8,2）」と記述してハードディスク１６に保存する。
【００３１】
これに対して、メモリの不良情報として不良セル位置情報及び不良モード情報を保存するとしている場合には、ワークステーション１４は、「Lot 1234；Wafer 3；座標4,5；Fail（1,3,7,0），（1,8,2,1）」と記述してハードディスク１６に保存する。
【００３２】
また、図３の例において、メモリ１９が半導体装置１８内に複数存在するメモリ中のマクロ番号＝１のメモリである場合において、メモリの不良情報として不良セル位置情報のみを保存するとしている場合には、ワークステーション１４は、「Lot 1234；Wafer 3；座標4,5；Fail（1,1,3,7），（1,1,8,2）」と記述してハードディスク１６に保存する。
【００３３】
これに対して、メモリの不良情報として不良セル位置情報及び不良モード情報を保存するとしている場合には、ワークステーション１４は、「Lot 1234；Wafer 3；座標4,5；Fail（1,1,3,7,0），（1,1,8,2,1）」と記述してハードディスク１６に保存する。
【００３４】
以上のように、本発明の一実施形態によれば、半導体装置の固有情報と、ウエハ試験の際に行う半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件及び不良情報とを関連付けて外部記憶媒体１０（例えば、ハードディスク１６）に保存してデータベース化するとしているので、半導体装置の固有情報を保存するための専用メモリを半導体装置に搭載しなくとも、パッケージ化されている半導体装置内のメモリについて特別試験を実行して不良情報を取得し、この特別試験時の動作条件及び不良情報に対応する半導体装置の固有情報を外部記憶媒体１０から読み出すことにより、パッケージ化されている半導体装置の固有情報をトレースすることができる。
【００３５】
なお、本発明の一実施形態では、半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件として複数の動作条件を設定する場合について説明したが、１個の動作条件のみを設定するようにしても良い。また、この１個の動作条件が固定された動作条件の場合には、外部記憶媒体１０に半導体装置内のメモリの特別試験時の動作条件は保存する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態及びその利用方法を説明するための流れ図である。
【図２】本発明の一実施形態を実施するための装置の一例の概略的構成図である。
【図３】本発明の一実施形態を具体的に説明するための図である。
【図４】従来の半導体装置の固有情報保存方法の一例及びその利用方法を説明するための流れ図である。
【図５】従来の半導体装置の固有情報保存方法の他の例及びその利用方法を説明するための流れ図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０…外部記憶媒体
１１…ウエハ
１２…プローバ
１３…テスタ
１４…ワークステーション
１５…コンソール
１６…ハードディスク
１７…ウエハ
１８…半導体装置
１９…メモリ
【図１】
2007258312.tif 000003
【図２】
2007258312.tif 000004
【図３】
2007258312.tif 000005
【図４】
2007258312.tif 000006
【図５】
2007258312.tif 000007