(57)【要約】【課題】容易にデータの転送をすることができ、利便性を向上できる半導体記憶装置およびそのデータ送信方法を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、プロテクト情報３３を記憶する不揮発性メモリ１５と、システムバッファ１８を備え、前記不揮発性半導体メモリの物理状態を制御するコントローラ１６と、前記不揮発性メモリおよび前記コントローラを駆動する電池１７と、前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第１送受信手段１２と、前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第２送受信手段１３とを具備する。【選択図】      図３
2007323321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロテクト情報を記憶する不揮発性メモリと、
システムバッファを備え、前記不揮発性半導体メモリの物理状態を制御するコントローラと、
前記不揮発性メモリおよび前記コントローラを駆動する電池と、
前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第１送受信手段と、
前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第２送受信手段と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第１、第２送信手段は、ＵＳＢ端子、赤外線ポート、または無線ＬＡＮのいずれか一つであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータ領域と冗長領域とを有する複数の単位記憶領域を備え、
前記プロテクト情報は、前記冗長領域に記憶されること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記不揮発性メモリ内のデータのうち前記プロテクト情報を有するデータを前記第１または第２送受信手段から送信しないように前記不揮発性メモリを制御すること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
プロテクト情報をデータに記憶する第１不揮発性メモリと、第１システムバッファを有し前記第１不揮発性メモリの物理状態を制御する第１コントローラと、前記第１不揮発性メモリおよび前記第１コントローラを駆動する電池と、前記第１不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第１送受信手段と、前記第１不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第２送受信手段とを備えた第１半導体記憶装置と、
第２不揮発性メモリと、第２システムバッファを有し前記第２不揮発性半導体メモリの物理状態を制御する第２コントローラと、前記第２不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第３送受信手段とを備えた第２半導体記憶装置とを具備する半導体記憶装置の送信方法であって、
前記第１または第２送受信手段と前記第３送受信手段とを電気的に接続し、
前記第１コントローラが、前記第１不揮発性メモリから送信データを読み出し、
前記第１コントローラが、前記送信データのうち前記プロテクト情報を有する送信データを第２半導体記憶装置に送信しないこと
を特徴とする半導体記憶装置の送信方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体記憶装置およびそのデータ送信方法に関し、例えば、ＵＳＢメモリ等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリの容量増大に伴って、ＵＳＢ（ユニバーサルシリアルバス：Universal Serial Bus）メモリ、メモリカード等の携帯可能な半導体記憶装置の需要が増大している。
【０００３】
例えば、上記ＵＳＢメモリは、ＰＣ（personal computer）等のホスト装置のＵＳＢ端子に接続することができるメモリである（例えば、特許文献１参照）。現在のＵＳＢメモリ等であっても、データの書き込みおよび消去は当然行うことが可能である。しかし、ＵＳＢメモリ同士のデータ転送・交換等のデータ送信については行うことができない。
【０００４】
これは、例えば、著作物であるウェブ上の音楽データを適法に購入して、ＰＣ等にダウンロードした場合、当該音楽データの複製権については消尽されたと考えられている。一方、上記音楽データのその他の著作財産権である譲渡権（著作権法第２６条の２）等については、今だ原著作物たる音楽データに残存している。そのため、ＰＣからＵＳＢメモリに記憶させた音楽データを他人に受け渡した場合には、形式的には譲渡権等の著作権侵害を構成し得ることになる。
【０００５】
さらに、かかる送信データに営業秘密等が含まれている場合には、不正競争行為を構成する場合もある（不正競争防止法第２条第１項第４号等）。
【０００６】
他方、現状の記憶媒体同士で送信されるデータについて、著作権等の問題を回避し得る技術的手段は設けられていない。そのため、記憶媒体の中の音楽情報、写真、映像等のその他のデータを記憶媒体同士で容易に送信することができず、利便性が低下するという問題がある。
【０００７】
上記のように、従来の半導体記憶装置は、容易にデータ送信をすることができず、利便性が低下するという事情があった。
【特許文献１】特開２００６−９４４４１号公報  明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、容易にデータ送信をすることができ、利便性を向上できる半導体記憶装置およびそのデータ送信方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の一態様によれば、プロテクト情報を記憶する不揮発性メモリと、システムバッファを備え、前記不揮発性半導体メモリの物理状態を制御するコントローラと、前記不揮発性メモリおよび前記コントローラを駆動する電池と、前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第１送受信手段と、前記不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し、外部から送信されたデータを受信可能な第２送受信手段とを具備する半導体記憶装置。
【００１０】
この発明の一態様によれば、プロテクト情報をデータに記憶する第１不揮発性メモリと、第１システムバッファを有し前記第１不揮発性メモリの物理状態を制御する第１コントローラと、前記第１不揮発性メモリおよび前記第１コントローラを駆動する電池と、前記第１不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第１送受信手段と、前記第１不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第２送受信手段とを備えた第１半導体記憶装置と、第２不揮発性メモリと、第２システムバッファを有し前記第２不揮発性半導体メモリの物理状態を制御する第２コントローラと、前記第２不揮発性メモリ内のデータを外部に送信し外部から送信されたデータを受信可能な第３送受信手段とを備えた第２半導体記憶装置とを具備する半導体記憶装置の送信方法であって、前記第１または第２送受信手段と前記第３送受信手段とを電気的に接続し、前記第１コントローラが、前記第１不揮発性メモリから送信データを読み出し、前記第１コントローラが、前記送信データのうち前記プロテクト情報を有する送信データを第２半導体記憶装置に送信しない半導体記憶装置の送信方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、容易にデータ送信をすることができ、利便性を向上できる半導体記憶装置およびその送信方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１３】
[第１の実施形態]
まず、図１乃至図３を用いて、この発明の第１の実施形態に係る半導体記憶装置を説明する。図１は、この実施形態に係る半導体記憶装置を示す斜視図である。図２は、ＵＳＢ受付け用端子を示す平面図である。この実施形態では、ＵＳＢメモリを一例に挙げて説明する。
【００１４】
図示するように、ＵＳＢメモリ１１は、ＵＳＢ差込み用端子（第１送受信手段）１２と、ＵＳＢ受け付け用端子（第２送受信手段）１３とを備えている。
【００１５】
ＵＳＢ差込み用端子１２をＰＣ（personal computer）等のホスト装置に差込み、接続することで、ＵＳＢメモリ１１内のデータの送受信を行う。
【００１６】
ＵＳＢ受け付け用端子１３に、その他のＵＳＢメモリ等のＵＳＢ差込み用端子を差込み接続することで、ＵＳＢメモリ１１内のデータの送受信を行う。
【００１７】
次に、図３を用いて、本例のＵＳＢメモリ１１について、さらに詳しく説明する。図３は、この実施形態に係る半導体記憶装置を示すブロック図である。
【００１８】
図示するように、ＵＳＢメモリ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５、コントローラ１６、および電池１７を備えている。
【００１９】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５は、書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリであって、例えば、音楽情報等のデータを記憶している。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５は、２つのデータキャッシュを有するセンスアンプ（図示せず）を備え、このセンスアンプにより記憶したデータを増幅して読み出す。
【００２０】
コントローラ１６は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５内部の物理状態（例えば、何処の物理ブロックアドレスに、何番目の論理セクタアドレスデータが含まれているか、あるいは、何処のブロックが消去状態であるか）を制御するように構成されている。また、コントローラ１６は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５に対してデータの入出力制御、データの管理、及びデータを書き込む際には誤り訂正符号（ＥＣＣ：Error Correcting Code）を付加し、読み出す際にも誤り訂正符号（ＥＣＣ）の解析・処理を行う。
【００２１】
このコントローラ１６は、システムバッファ１８、ＭＰＵ（micro processing unit）１９、ＵＳＢインターフェイス（以下、ＵＳＢＩ／Ｆ）２１、２２を備えている。
【００２２】
システムバッファ１８は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５からのデータ等を一時的に保持するように構成されている。
【００２３】
ＭＰＵ１９は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５およびシステムバッファ１８の動作を制御するように構成されている。例えば、ＭＰＵ１９は、ホスト装置（図示せず）から書き込みコマンド、読み出しコマンド、消去コマンドを受け取り、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５に対して所定の処理を実行したり、システムバッファ１８を通じたデータ転送処理を制御する。
【００２４】
ＵＳＢＩ／Ｆ２１は、上記ＵＳＢ受付け用端子１３と電気的に接続されている。このＵＳＢＩ／Ｆ２１を介して、例えば、その他のＵＳＢメモリ等とデータの送受信を行う。
【００２５】
ＵＳＢＩ／Ｆ２２は、上記ＵＳＢ差込み用端子１２と電気的に接続されている。このＵＳＢＩ／Ｆ２２を介して、例えば、ＰＣ等のホスト装置等とデータの送受信を行う。
【００２６】
電池１７は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５およびコントローラ１６に所定の電源を供給し、これらを駆動するように構成されている。尚、この電池１７は、外部から電源を供給されることや、外部からの供給される電源により充電できるとする構成とすることも可能である。
【００２７】
＜データ転送動作＞
次に、この実施形態の半導体記憶装置に係るデータ送信動作の一動作であるデータ転送動作について、図４乃至図７を用いて説明する。図４および図５は、本例に係るデータ転送動作を説明するための斜視図およびブロック図である。図６は、本例に係るデータ転送動作を説明するためのフロー図である。本例では、この実施形態で説明した同様の構成を備えたＵＳＢメモリ１１−１内のデータをＵＳＢメモリ１１−２に送信する例を用い、以下、図６に則して説明する。
【００２８】
（ステップ１）
まず、図４に示すように、ＵＳＢメモリ１１−１のＵＳＢ受付け用端子１３−１に、ＵＳＢメモリ１１−２のＵＳＢ差込み用端子１２−２を接続する。この際、図５に示すように、ＵＳＢメモリ１１−１のＵＳＢＩ／Ｆ２１−１と、ＵＳＢメモリ１１−２のＵＳＢＩ／Ｆ２２−２とが電気的に接続される。このように、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２同士が接続されることにより、互いの情報を読み取れるようになる（ＳＴ１）。
【００２９】
（ステップ２）
続いて、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２が接続されたことをＭＰＵ１９−１、１９−２が検知すると、コントローラ１６−１、１６−２を起動させる。これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２を駆動可能状態にする（ＳＴ２）。
【００３０】
（ステップ３）
続いて、図７に示すように、送信する側のＵＳＢメモリ１１−１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１から、送信データをセンスアンプＳ／Ａ１により増幅し、読み出す（ＳＴ３）。
【００３１】
（ステップ４（送信データのプロテクトチェック））
続いて、上記読み出した送信データに対してプロテクトチェックを行う（ＳＴ４）。
【００３２】
ここで、上記プロテクトチェックについて、図７を用いて説明する。図７は、プロテクトチェック（ＳＴ４）の際の送信データを説明するための平面図である。図示するように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２は、単位記憶領域であるメモリページ（本例では、メモリページ０〜メモリページ３を示している）を複数有するブロック２５−１、２５−２を備えている。
【００３３】
メモリページ０〜メモリページ３のそれぞれは、データ領域２７−１、２７−２と冗長領域２８−１、２８−２とを有している。例えば、本例の場合、データ領域２７−１、２７−２の容量は2000Byte程度であり、冗長領域２８−１、２８−２の容量は60Byte程度である。また、冗長領域２７−１、２７−２に、例えば、容量40Byte程度の上記誤り訂正符号（ＥＣＣ）が記憶されている（図示せず）。そして、メモリページ０およびメモリページ１の冗長領域２８−１に、プロテクトフラグ（プロテクト情報）３３を有している。
【００３４】
このプロテクトフラグ３３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１のメモリページにデータを書き込む際に、プロテクトまたはコピーガードしておきたいデータに対してあらかじめ選択的に書き込こむものである。
【００３５】
本例の場合、読み出したメモリページ０〜メモリページ３のうち、プロテクトフラグ３３を有するメモリページ０およびメモリページ１はプロテクトフラグ３３を有している。そのため、コントローラ１６−１は、メモリページ０およびメモリページ１につき、プロテクトするデータであると判断して、ＵＳＢメモリ１１−２へ転送せず、次のメモリページ２の読み出し動作を行う。
【００３６】
尚、プロテクトフラグ（プロテクト情報）３３は、冗長領域２８−１に書き込む場合を一例として示した。しかし、プロテクト情報は、冗長領域２８−１に限らず、例えば、ブロック２５−１ごと、またはデータを転送するファイルごと等に書き込んでも良い。
【００３７】
（ステップ５）
続いて、コントローラ１６−１は、プロテクトフラグ３３がないメモリページについて、ＵＳＢメモリ１１−２へ転送する（ＳＴ５）。
【００３８】
例えば、コントローラ１６−１は、メモリページ２の読み出しを行い（ＳＴ３）、プロテクトフラグがないことを確認し（ＳＴ４）、ＵＳＢメモリ１１−２のブロック２５−２にこのメモリページ２を転送する（ＳＴ５）。
【００３９】
続いて、同様のステップ３〜ステップ５（ＳＴ３〜ＳＴ５）をメモリページ３についても行う。以後、上記ステップ３〜ステップ５（ＳＴ３〜ＳＴ５）をブロック２５−１内の全ての送信データについて繰り返して行い、転送データのコピーを行う。
【００４０】
（ステップ６（転送データのプロテクトチェック））
続いて、コントローラ１６−２は、転送されたメモリページ２、メモリページ３、…、についてプロテクトチェックを行う（ＳＴ６）。
【００４１】
即ち、コントローラ１６−２は、転送データにプロテクトフラグ３３があるか否かについて再度確認を行う。この際、コントローラ１６−２は、転送されたメモリページのうちプロテクトフラグ３３があることを確認すると、そのメモリページにつきＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−２に書き込むことを行わない。そして、上記ステップ３〜ステップ６（ＳＴ３〜ＳＴ６）を繰り返す。
【００４２】
（ステップ７）
続いて、コントローラ１６−２は、プロテクトフラグ３３がないことが確認されたメモリページ２等につき、受信側のＵＳＢメモリ１１−２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−２に書き込む（ＳＴ７）。
【００４３】
以上のステップ１〜ステップ７により、本例に係るデータ転送動作が終了する。
【００４４】
＜データ交換動作＞
次に、この実施形態の半導体記憶装置に係るデータ送信動作の一動作であるデータ交換動作について、図８、図９を用いて説明する。図８は、本例に係るデータ交換動作を説明するためのブロック図である。図９は、本例に係るデータ交換動作を説明するためのタイミングチャート図である。
【００４５】
まず、図８を用いて、本例のデータ交換に関する構成について、説明する。図示するように、メモリセルアレイ１１−１、１１−２は、上記のように複数のメモリページＡ，メモリページＢ，…，を備えている。
【００４６】
メモリページＡ等のそれぞれは、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交差位置にマトリクス状に配置された複数のメモリセルＭＣにより構成されている。メモリセルＭＣのそれぞれは、半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜、トンネル絶縁膜上に設けられた浮遊電極ＦＧ、浮遊電極ＦＧ上に設けられたゲート間絶縁膜、ゲート間絶縁膜上に設けられた制御電極ＣＧを備えた積層構造である。ビット線ＢＬ方向に沿って隣接するメモリセルＭＣは、電流経路であるソース／ドレインを共有し、それぞれの電流経路の一端および他端が直列に、例えば、３２個接続するように配置されている。
【００４７】
センスアンプＳ／Ａ１、Ｓ／Ａ２は、２つのデータキャッシュＣ１、Ｃ２、Ｃ１´、Ｃ２´を備えている。１つデータキャッシュＣ１〜Ｃ２´に対応して、１つのメモリページＡ等のデータが格納されるように構成されている。
【００４８】
システムバッファ１８−１、１８−２は、例えば、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等により構成されたメモリＳＢ、ＳＢ´を備えている。１つのメモリＳＢ、ＳＢ´に対応して、１つのメモリページＡ等のデータが格納されるように構成されている。
【００４９】
次に、図９に則して本例のデータ交換方法について説明する。ここでは、この実施形態で説明した同様の構成を備えたＵＳＢメモリ１１−１、１１−２を例に挙げ、メモリページＡとメモリページＢとを交換し、メモリページＣとメモリページＤとを交換する場合を説明する。
【００５０】
（ステップ１）
まず、上記データ転送動作の際と同様に、ＵＳＢメモリ１１−１のＵＳＢ受付け用端子１３−１に、ＵＳＢメモリ１１−２のＵＳＢ差込み用端子１２−２を接続する。この際、ＵＳＢメモリ１１−１のＵＳＢＩ／Ｆ２１−１と、ＵＳＢメモリ１１−２のＵＳＢＩ／Ｆ２２−２とが電気的に接続される。このように、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２同士を接続し、互いの情報を読み取れる状態とする。
【００５１】
そして、ＵＳＢメモリ１１−１ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２は、メモリページＡおよびメモリページＢを読み出す（ＳＴ１）
この際、上記転送動作と同様に、コントローラ１６−１、１６−２は、上記読み出した交換するメモリページＡおよびメモリページＢに対して、プロテクトフラグ（プロテクト情報）を有するか否かのプロテクトチェックを行う。コントローラ１６−１、１６−２は、プロテクトフラグを有する場合には、次のメモリページの読み出し動作を行う。本例の場合には、メモリページＡおよびメモリページＢのいずれもプロテクトフラグを有しないため、次のメモリページの読み出し動作は行われない。
【００５２】
（ステップ２）
続いて、コントローラ１６−１は上記読み出したメモリページＡのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ１に格納し、コントローラ１６−２はメモリページＢのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ１´に格納する（ＳＴ２）。
【００５３】
（ステップ３）
続いて、コントローラ１６−１は上記メモリページＡのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ２に格納し、コントローラ１６−２はメモリページＢのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ２´に格納する（ＳＴ３）。
【００５４】
（ステップ４）
続いて、コントローラ１６−１はメモリページＡのデータをシステムバッファ１８−１内のメモリＳＢに格納し、コントローラ１６−２はメモリページＢのデータをシステムバッファ１８−２内のメモリＳＢ´に格納する（ＳＴ４）。
【００５５】
（ステップ５（メモリページＡとメモリページＢとのデータ交換））
続いて、コントローラ１６−１はメモリページＡのデータをＵＳＢＩ／Ｆ２１−１を介してＵＳＢメモリ１１−２に転送し、コントローラ１６−２はメモリページＢのデータをＵＳＢＩ／Ｆ２２−２を介してＵＳＢメモリ１１−１に転送し、データ交換を同時に行う（ＳＴ５）。
【００５６】
（ステップ６）
続いて、コントローラ１６−１は交換したメモリページＢのデータをシステムバッファ１８−１内のメモリＳＢに格納し、コントローラ１６−２は交換したメモリページＡのデータをシステムバッファ１８−２内のメモリＳＢ´に格納する。
【００５７】
さらに、この際、コントローラ１６−１、１６−２は、次に交換するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２内のメモリページＣおよびメモリページＤを読み出す（ＳＴ６）
（ステップ７）
続いて、コントローラ１６−１は交換したメモリページＢのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ２に格納し、コントローラ１６−２は交換したメモリページＡのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ２´に格納する。
【００５８】
この際、コントローラ１６−１は次に交換するメモリページＣのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ１に格納し、コントローラ１６−２はメモリページＤのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ１´に格納する（ＳＴ７）。
【００５９】
（ステップ８）
続いて、コントローラ１６−１は交換したメモリページＢのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ１に格納し、コントローラ１６−２は交換したメモリページＡのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ１´に格納する。
【００６０】
この際、コントローラ１６−１は次に交換するメモリページＣのデータをセンスアンプＳ／Ａ１内のデータキャッシュＣ２に格納し、コントローラ１６−２はメモリページＤのデータをセンスアンプＳ／Ａ２内のデータキャッシュＣ２´に格納する（ＳＴ８）。
【００６１】
（ステップ９）
続いて、コントローラ１６−１は交換したメモリページＢのデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１のブロック２５−１に書込み、コントローラ１６−２は交換したメモリページＡのデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−２のブロック２５−２に書込む。以上の動作により、メモリページＡとメモリページＢとの交換動作が終了する。
【００６２】
この際、コントローラ１６−１、１６−２は、交換されたメモリページＡおよびメモリページＢについての再度のプロテクトチェックを行っても良い。即ち、コントローラ１６−１、１６−２は、交換されたデータにプロテクトフラグがあるか否かについて再度確認を行う。そして、コントローラ１６−１、１６−２は、交換されたメモリページＡおよびメモリページＢのうちプロテクトフラグがあることを確認すると、そのメモリページにつきＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２に書き込むことを行わない。
【００６３】
さらに、この際、コントローラ１６−１は次に転送するメモリページＣのデータをシステムバッファ１８−１内のメモリＳＢに格納し、コントローラ１６−２はメモリページＤのデータをシステムバッファ１８−２内のメモリＳＢ´に格納する（ＳＴ９）。
【００６４】
（ステップ１０（メモリページＣとメモリページＤとのデータ交換））
続いて、メモリページＣのデータをＵＳＢＩ／Ｆ２１−１を介してＵＳＢメモリ１１−２に転送し、メモリページＤのデータをＵＳＢＩ／Ｆ２２−２を介してＵＳＢメモリ１１−１に転送し、データ交換を同時に行う（ＳＴ１０）。
【００６５】
（ステップ１１）
続いて、コントローラ１６−１は交換したメモリページＤのデータをシステムバッファ１８−１内のメモリＳＢに格納し、コントローラ１６−２は交換したメモリページＣのデータをシステムバッファ１８−２内のメモリＳＢ´に格納する。
【００６６】
この際、同様に、コントローラ１６−１、１６−２は、次に交換するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２内のメモリページＥおよびメモリページＦを読み出す（ＳＴ１１）
以後、同様の動作について、交換するＵＳＢメモリ１１−１、１１−２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−１、１５−２内の全てメモリページについて行い、データ交換動作を終了する。
【００６７】
尚、本例では、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２間のデータを同時に交換する場合を一例として示した。しかし、例えば、ステップＳＴ５の際に、ＵＳＢメモリ１１−１からＵＳＢメモリ１１−２へメモリページＡのみのデータを一方通行として転送したり、メモリページＢのみのデータを一方通行として転送等することも可能である。この場合は、コントローラ１６をかかる一方通行を可能とする構成とすれば良い。
【００６８】
上記のように、この実施形態に係る半導体記憶装置およびそのデータ送信方法によれば、下記（１）乃至（３）の効果が得られる。
【００６９】
（１）容易にデータ送信をすることができ、利便性を向上できる。
【００７０】
上記のように、この実施形態に係る半導体記憶装置は、ＵＳＢ受付け用端子１３を備えている。そのため、上記データ交換動作の際には、ＵＳＢ受付け用端子１３に電気的に接続されたＵＳＢＩ／Ｆ２１−１と、ＵＳＢメモリ１１−２のＵＳＢＩ／Ｆ２２−２とが電気的に接続される。
【００７１】
このように、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２同士を接続できることにより、互いの情報を読み取ることができる（ＳＴ１）。そのため、ＵＳＢメモリ１１−１内のデータ（メモリページ２、メモリページ３、…、）を容易に転送および交換することができる。その結果、利便性を向上できる。
【００７２】
さらに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５中の単位記憶領域であるメモリページの冗長領域２７にプロテクトフラグ（プロテクト情報）３３を有している。
【００７３】
そのため、ＵＳＢメモリ１１−１からＵＳＢメモリ１１−２にデータを転送および交換する際に、送信する側のコントローラ１６−１が、送信データに対してプロテクトフラグ３３を有するか否かのプロテクトチェックを行うことができる（ＳＴ４）。そして、コントローラ１６−１は、プロテクトフラグ３３がないメモリページについて転送し、プロテクトフラグ３３を有するメモリページについては転送しない（ＳＴ５）。
【００７４】
このプロテクトフラグ３３は、転送側のメモリページにデータを書き込む際に、コピーガードしたいメモリページに対してあらかじめ選択的に書き込むものである。
【００７５】
その結果、著作権や営業秘密等を含むデータについては選択的に転送せず、著作権侵害等の問題が生じることを防止（コピーガード）することができ、容易にデータ送信をすることができ、利便性を向上できる。
【００７６】
さらに、ＵＳＢメモリ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５およびコントローラ１６に所定の電源を供給し、これらを駆動する電池１７を備えている。
【００７７】
従って、ＵＳＢメモリ１１は、ＰＣ等のホスト装置と接続してこれらと付随して駆動する必要がなく、単独で駆動することができる。そのため、ＵＳＢメモリ１１単独でＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５を駆動でき、ホスト装置から電源を供給されない場合であっても、容易にＵＳＢメモリ１１同士でデータ送信を行うことができる。
【００７８】
以上のような構成により、容易にデータ送信をすることができ、利便性を向上できる。そのため、例えば、他人が持っているデジタルオーディオプレーヤーの音楽情報等を、ＰＣ等を介することなく、容易に他人と転送したり交換したりすることが可能である。
【００７９】
（２）コピーガード機能を強化することができる。
【００８０】
上記のように、送信データを受信した側のコントローラ１６−２は、転送および交換されたメモリページ２、メモリページ３、…、についてプロテクトフラグ３３がないことを再度確認し、プロテクトフラグ３３がないメモリページ２等を転送側のＵＳＢメモリ１１−２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−２に書き込む（ＳＴ６）。この際、コントローラ１６−２は、転送されたメモリページのうちプロテクトフラグ３３があることを確認すると、そのメモリページにつきＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５−２に書き込むことを行わない。
【００８１】
このように、送信されたデータについても、書き込む際に再度のプロテクトチェックを行うことができる。そのため、送信する際のプロテクトチェック（ＳＴ４）で見逃されたデータであっても、この書き込む際の再度のプロテクトチェック（ＳＴ６）により発見することができ、コピーガード機能を強化することができる。
【００８２】
（３）データ交換速度を向上できる。
【００８３】
上記データ交換動作のステップ６〜ステップ９においては、コントローラ１６−１は、交換したメモリページＢのデータを順次、メモリＳＢ、データキャッシュＣ２、データキャッシュＣ１に格納し、書き込む。これと同時に、コントローラ１６−１は、次に交換するメモリページＣを順次、読み出し、データキャッシュＣ１、データキャッシュＣ２、メモリＳＢに格納している。
【００８４】
同様に、コントローラ１６−２は、交換したメモリページＡのデータを順次、メモリＳＢ´、データキャッシュＣ２´、データキャッシュＣ１´に格納し、書き込む。これと同時に、コントローラ１６−２は、次に交換するメモリページＤを順次、読み出し、データキャッシュＣ１´、データキャッシュＣ２´、メモリＳＢ´に格納している（ＳＴ６〜ＳＴ９）。
【００８５】
このように、コントローラ１６−１は、交換したメモリページＢを格納し書き込むと同時に、次に交換するメモリページＣを読み出し格納している。同様に、コントローラ１６−２は、交換したメモリページＡを格納し書き込むと同時に、次に交換するメモリページＤを読み出し格納している。
【００８６】
そのため、次に交換するメモリページＣおよびメモリページＤを読み出しおよび格納する時間について動作上見えなくでき、この時間を削除することができる。
【００８７】
結果、交換したメモリページＡおよびメモリページＢを書き込んだその際（ＳＴ９）から、即座に次に交換するメモリページＣおよびメモリページＤをデータ交換することができ（ＳＴ１０）、データ交換速度を向上できる。
【００８８】
［第２の実施形態（赤外線送信の一例）］
次に、第２の実施形態に係る半導体記憶装置およびそのデータ送信方法について、図１０および図１１を用いて説明する。図１０は、この実施形態に係る半導体記憶装置を示す斜視図である。上記第１の実施形態では、ＵＳＢ端子１２、１３による接続によって、データの転送および交換を行う例を示した。対して、この実施形態は、赤外線送信を送信方法として適用した一例に関するものである。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
【００８９】
図示するように、この実施形態に係るＵＳＢメモリ１１は、スイッチ５３、インジケータ５１、および赤外線ポート５５を備えている点で上記第１の実施形態と相違している。
【００９０】
スイッチ５３は、上記データ転送動作およびデータ交換動作の際に、データ転送およびデータ交換をするか否かを決定する。例えば、スイッチ５３がオン（ＯＮ）の場合はデータの転送を行えず、スイッチ５３がオフ（ＯＦＦ）の場合はデータの転送を行うことができるように構成されている。
【００９１】
インジケータ５１は、上記データ転送動作およびデータ交換動作が行われていることを外部に示すために設けられている。例えば、インジケータ５１は、発光ダイオード等により構成され、データ転送動作が行われている間は発光するように構成されている。
【００９２】
赤外線ポート５５は、ＵＳＢメモリ１１中のデータを転送および交換するように構成されている。その他の構成は、上記第１の実施形態と同様である。
【００９３】
＜データ転送動作およびデータ交換動作＞
次に、この実施形態に係る半導体記憶装置のデータ転送動作およびデータ交換動作について、図１１を用いて説明する。
【００９４】
図示するように、データ転送動作およびデータ交換動作の際には、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２が所定の距離に近づきスイッチ５３−１がオン（ＯＮ）とされ、赤外線ポート５５−１、５５−２間に赤外線５９へと変換されたデータが照射される。データ転送動作およびデータ交換動作の動作中は、インジケータ５１−１が発光して、動作中であることを外部に知らせる。
【００９５】
以後、上記第１の実施形態と同様の動作により、データ転送動作およびデータ交換動作がなされる。データ転送動作およびデータ交換動作が完了すると、インジケータ５１−１は発光しなくなる。
【００９６】
上記のように、この実施形態に係る半導体記憶装置によれば、上記（１）乃至（３）と同様の効果が得られる。
【００９７】
さらに、本例に係る半導体記憶装置は、赤外線通信を用いて、直接にＵＳＢメモリ１１−１、１１−２同士のデータの転送および交換を行うことができる。
【００９８】
そのため、例えば、リーダライタ等のその他のデバイスを介さず直接にデータの転送および交換ができ、利便性を向上できる点で有利である。
【００９９】
尚、送受信手段は、上記赤外線ポート５５に限らず、例えば、無線ＬＡＮ等を適用することも可能である。
【０１００】
上記第１、第２の実施形態では、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２のいずれもが、電池１７−１、１７−２を備えている例を説明した。しかし、ＵＳＢＩ／Ｆ等により互いに電源を供給できれば、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２のいずれか一方が電池１７を備えていればよい。
【０１０１】
また、上記各実施形態においては、ＵＳＢメモリ１１−１、１１−２間相互のデータの転送および交換を一例として示した。しかし、例えば、ＵＳＢメモリ１１−１からＵＳＢメモリ１１−２等へのデータの転送を一方通行とすることも可能である。この場合は、コントローラ１６をかかる一方通行を可能とする構成とすればよく、このようなデータの転送かデータの一方通行かは、ユーザが使いやすさの観点よりいずれかを選択すれば良い。
【０１０２】
さらに、上記実施形態においては、ＵＳＢメモリ１１を半導体記憶装置の一例として説明した。しかし、ＵＳＢメモリ１１に限らず、例えば、メモリカード、携帯電話等のデータを転送または交換し得るその他の半導体記憶装置に適応可能である。この際、携帯電話等のようにディスプレイを有する場合には、転送データをディスプレイで確認できるため、より詳細に転送データを選択できる点で有効である。
【０１０３】
以上、第１、第２の実施の形態を用いて本発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体記憶装置を示す斜視図。
【図２】ＵＳＢ受付け用端子を示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体記憶装置を示すブロック図。
【図４】第１の実施形態に係るデータ転送動作を説明するための斜視図。
【図５】第１の実施形態に係るデータ転送動作を説明するためのブロック図。
【図６】第１の実施形態に係るデータ転送動作を説明するためのフロー図。
【図７】プロテクトチェックの際の送信データを説明するための平面図。
【図８】第１の実施形態に係る半導体記憶装置のデータ交換動作を説明するための平面図。
【図９】第１の実施形態に係る半導体記憶装置のデータ交換動作を示すタイミングチャート図。
【図１０】この発明の第２の実施形態に係る半導体記憶装置を示す斜視図。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体記憶装置のデータ転送動作を説明するための斜視図。
【符号の説明】
【０１０５】
１１…ＵＳＢメモリ、１２…ＵＳＢ差込み用端子、１３…ＵＳＢ受付け用端子、１５…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、１６…コントローラ、１７…電池、１８…システムバッファ、１９…ＭＰＵ、２１、２２…ＵＳＢインターフェイス。
【図１】
2007323321.tif 000003
【図２】
2007323321.tif 000004
【図３】
2007323321.tif 000005
【図４】
2007323321.tif 000006
【図５】
2007323321.tif 000007
【図６】
2007323321.tif 000008
【図７】
2007323321.tif 000009
【図８】
2007323321.tif 000010
【図９】
2007323321.tif 000011
【図１０】
2007323321.tif 000012
【図１１】
2007323321.tif 000013