(57)【要約】【課題】めっき層形状時に、レジスト層とウエハ表面による角部にもめっき層を好適に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＡ１工程と、前記絶縁樹脂層上にシード層を形成するＡ２工程と、前記シード層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられたレジスト層を形成するＡ３工程と、前記シード層上にめっき層を形成するＡ４工程と、前記レジスト層および露出しているシード層を除去するＡ５工程と、を順に備えることを特徴とする。【選択図】図１
2007258354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＡ１工程と、
前記絶縁樹脂層上にシード層を形成するＡ２工程と、
前記シード層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられたレジスト層を形成するＡ３工程と、
前記シード層上にめっき層を形成するＡ４工程と、
前記レジスト層および露出しているシード層を除去するＡ５工程と、を順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記Ａ３工程において、前記テーパーをなす傾斜面を、その他の平坦面に対して４５〜８５°の範囲内となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＢ１工程と、
前記絶縁樹脂層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられた第一レジスト層を形成するＢ２工程と、
前記絶縁樹脂層および前記第一レジスト層上にシード層を形成するＢ３工程と、
前記シード層上であって前記第一レジスト層に対応する位置に、第二レジスト層を形成するＢ４工程と、
前記シード層上にめっき層を形成するＢ５工程と、
前記第一レジスト層および前記第二レジスト層を除去するＢ６工程と、を順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記Ｂ２工程において、前記テーパーをなす傾斜面を、その他の平坦面に対して４５〜８５°の範囲内となるように制御することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年急速に普及している半導体パッケージの構造として、例えばチップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package） と呼ばれ、パッケージの平坦な表面に電極を平面状に配置した、いわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）技術の採用により、同一電極端子数をもつ同一投影面積の半導体チップを従来よりも小さい面積で電子回路基板に高密度実装を可能とするパッケージ構造が開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。
【０００３】
一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製法においては、シリコンウエハ上に、絶縁層、再配線層、封止樹脂層を形成し、はんだバンプを形成する。そして最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することで、パッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。ウエハ全面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このように、「ウエハレベルＣＳＰ」は、高密度な実装を実現することができるという優れた特徴を示す半導体パッケージであるが、半導体パッケージを実装基板に実装した状態では、従来のパッケージ基板に比べて接続寿命が劣るといった問題点がある。この問題を解決する手段として、ポストと呼ばれる金属製、または樹脂製の柱を、はんだバンプと半導体デバイスの間に形成する（例えば、特許文献２参照）、厚い樹脂層を形成する（例えば、特許文献３参照）といった手段が講じられている。
【０００５】
「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製法で作られた半導体チップは、シリコン上に、絶縁層、再配線層、封止層等を形成するという構造となっている。
【０００６】
このうち、再配線層は、ウエハ上に絶縁層を形成した後、薄いシード層を全面または必要な領域に形成し、シード層上にレジスト層を形成する。このレジスト層は、開口部を有している。その後、レジスト層をマスクとして露出したシード層上に、めっき層を例えば電界銅めっきにより形成する。以上の工程によりＳｉウエハ上にはＣｕめっき層による配線路（回路パターン）が形成される。続いて、レジスト層を剥離し、ウエハの面上に露出している不要なシード層をエッチングにより除去して配線層以外の部分に絶縁層を露出させる。
【０００７】
このとき、レジスト層の有する開口部にテーパーをつけていないことで、レジスト層とウエハ表面による角部にめっき液がうまく回り込めず、めっき不良となる場合がある。めっき不良ができることで、できあがった半導体パッケージにおいて、断線や一部の抵抗値が大きくなるなどの問題や、その後の信頼性試験で剥離がおきるなどの問題が生じていた。
【０００８】
また、絶縁層上に直接シード層を形成することで、絶縁層上にパターン外に形成されたシード層が残ることもある。この場合、絶縁層とその上に形成される封止層との間にシード層の残渣があるために、この２つの層の密着力が低下し、その後の信頼性試験等で剥離がおきるなどの問題もあった。
【０００９】
これらの問題を解決するために、絶縁層の上に第一のレジスト層を設け、その上にシード層を形成し、さらに第二のレジスト層を設け、めっき法などにより再配線層を形成するという方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。この方法では、絶縁層と封止層の間にシード層の残渣はなくなるため、２つの層で剥離が起きるといった問題は解決されるが、シード層を形成する際、レジスト層とウエハ表面による角部にまでシード層が形成されないため、さらにはその後のめっき法においてもレジスト層とウエハ表面による角部にまでめっき形成することができずに、その結果めっき不良となってしまうといった問題があった。
【特許文献１】特開２００３−１２４２４４号公報
【特許文献２】国際公開第００／７７８４３号公報
【特許文献３】特開２００１−２２３２９２号公報
【特許文献４】特開２００５−１２９８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、めっき層形成時に、レジスト層とウエハ表面による角部にもめっき層を好適に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＡ１工程と、前記絶縁樹脂層上にシード層を形成するＡ２工程と、前記シード層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられたレジスト層を形成するＡ３工程と、前記シード層上にめっき層を形成するＡ４工程と、前記レジスト層および露出しているシード層を除去するＡ５工程と、を順に備えることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、前記Ａ３工程において、前記テーパーをなす傾斜面を、その他の平坦面に対して４５〜８５°の範囲内となるように制御することを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＢ１工程と、前記絶縁樹脂層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられた第一レジスト層を形成するＢ２工程と、前記絶縁樹脂層および前記第一レジスト層上にシード層を形成するＢ３工程と、前記シード層上であって前記第一レジスト層に対応する位置に、第二レジスト層を形成するＢ４工程と、前記シード層上にめっき層を形成するＢ５工程と、前記第一レジスト層および前記第二レジスト層を除去するＢ６工程と、を順に備えることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項３において、前記Ｂ２工程において、前記テーパーをなす傾斜面を、その他の平坦面に対して４５〜８５°の範囲内となるように制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の請求項１と請求項３に記載の半導体装置の製造方法では、いずれも、めっき層を形成する際に、その前工程において形成されるレジスト層に設けられる開口部を、テーパーを有する形態とすることで、レジスト層とウエハ表面による角部において発生するめっき不良を低減し、ひいては良好なめっき層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜第一実施形態＞
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１は、本発明により製造された半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置１０においては、集積回路（図示略）が形成された半導体基板１の表面に集積回路（ＩＣ、図示略）の電極２が形成されている。
さらにこの半導体装置１０は、半導体基板１のパッシベーション膜３上に設けられた絶縁樹脂層１１と、この絶縁樹脂層１１の上に設けられた配線層１２と、配線層１２を覆うように設けられた封止樹脂層１３と、を有する。
【００１５】
半導体基板１は、少なくとも表層が絶縁部（図示略）をなす基材１ａの一面上に、例えば電極２としてＡｌパッドを設け、さらにその上にＳｉＮまたはＳｉＯ２等のパッシベーション膜３（不動態化による絶縁膜）を形成してなるものである。このパッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部４が設けられており、この開口部４を通して電極２が露出されている。パッシベーション膜３は、例えばＬＰ−ＣＶＤ法等により形成することができ、その膜厚は例えば０．１〜０．５μｍである。
【００１６】
半導体基板１は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板１が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００１７】
絶縁樹脂層１１は、各電極２と整合する位置に形成された開口部（第一開口部）１１ａを有する。絶縁樹脂層１１は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば５〜５０μｍである。
絶縁樹脂層１１は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部１１ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００１８】
配線層１２は、開口部１１ａを介して絶縁樹脂層１１を貫通し、電極２と電気的に接続されている。
配線層１２の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。配線層１２は、電解銅めっき法等のめっき法により形成することができる。
【００１９】
封止樹脂層１３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えばが１０〜１５０μｍである。封止樹脂層１３には、外部への端子を出力するための開口部（図示略）が設けられる。
【００２０】
そして、この半導体装置１０では、その製造方法について後述するように、めっきにより上記配線層１２を形成する際に、その前工程において形成されるレジスト層１４に設けられる開口部（第二開口部）１５を、テーパーを有するものとしている。これにより、めっき時にレジスト層１４とウエハ表面による角部が広くなるため、レジスト層１４とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部１５付近における断線不良などが改善され、配線層１２の電気的安定性を向上することができる。
【００２１】
次に、図１に示す半導体装置１０の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板１上に、該電極２に対応する位置に第一開口部１１ａが設けられた絶縁樹脂層１１を形成するＡ１工程と、前記絶縁樹脂層１１上にシード層１２ａを形成するＡ２工程と、前記シード層１２ａ上に、テーパー１５ａを有する第二開口部１５が設けられたレジスト層１４を形成するＡ３工程と、前記シード層１２ａ上にめっき層（配線層１２）を形成するＡ４工程と、前記レジスト層１４および露出しているシード層１２ａを除去するＡ５工程と、を順に備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明では、めっきにより上記配線層１２（めっき層）を形成する際に、その前工程において形成されるレジスト層１４に設けられる開口部１５を、テーパー１５ａを有するものとしている。これにより、めっき時にレジスト層１４とウエハ表面による角部が広くなるため、めっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部１５付近における断線不良などが改善され、電気的安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法（第一実施形態）について、図２及び図３を用いて説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、集積回路（図示略）、電極２およびパッシベーション膜３を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、上述したように、基材１ａの一面上に電極２とパッシベーション膜３が形成されており、パッシベーション膜３には、電極２と整合する位置に開口部４が設けられた半導体ウエハである。パッシベーション膜３は例えばＬＰ−ＣＶＤ等により形成され、その膜厚は例えば０．１〜０，５μｍである。
【００２４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１のパッシベーション膜３の上に、開口部（第一開口部）１１ａを有する絶縁樹脂層１１を形成する［Ａ１工程］。その厚さは、例えば５〜５０μｍである。
【００２５】
このような絶縁樹脂層１１は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜３の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極２と整合する位置に開口部１１ａを形成することによって形成することができる。
【００２６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード層１２ａを絶縁樹脂層１１上の全面または必要な領域に形成する［Ａ２工程］。シード層１２ａは、例えばスパッタリング法により形成されたＣｕ層およびＣｒ層からなる積層体、またはＣｕ層およびＴｉ層からなる積層体である。また、無電解Ｃｕめっき層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
【００２７】
次いで、図２（ｄ）に示すように、シード層１２ａの上に、電解めっき用のレジスト層１４を形成する［Ａ３工程］。このレジスト層１４には配線層１２の形成すべき領域（半導体基板１上の電極２に整合する位置）に開口部（第二開口部）１５を設け、該開口部１５において、前記シード層１２ａを露出させておく。レジスト層１４は、例えば、フォトリソグラフィ技術によるパターニング、フィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００２８】
ここで本発明では、上記レジスト層１４に設けられる開口部１５を、テーパー１５ａを有するものとしている。これにより、後述するＡ４工程において、めっき時にレジスト層１４とウエハ表面による角部が広くなるため、レジスト層１４とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部１５付近における断線不良などが改善され、電気的安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００２９】
なお、前記テーパー１５ａをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θが、４５°以上、８５°以下となるように制御することが好ましい。角度θが４５°よりも小さいと、めっきにより形成された配線層１２が大きなくびれを持つことになり、その後の工程で形成される封止樹脂層１３が入り込みにくくなるため、封止樹脂層１３の形成不良が起きるおそれがある。あるいは、そのくびれにより配線層１２の強度が低下する。一方、角度θが８５°よりも大きいと、めっき液が入り込みにくくなるためめっき不良を起こすおそれがある。
【００３０】
次いで、図３（ａ）に示すように、前記レジスト層１４をマスクとして露出したシード層１２ａ上に、配線層１２であるＣｕめっき層を電解銅めっきにより形成する［Ａ４工程］。以上の工程によりＳｉウエハ上にはＣｕめっき層による配線路（回路パターン）が形成される。Ｃｕめっき層の厚さは、例えば５〜５０μｍである。その後、Ｃｕめっき層上に、例えばＮｉめっき層及びＡｕめっき層を、その後に形成する半田バンプの濡れ性向上のために形成してもよい。
【００３１】
このとき、レジスト層１４の開口部１５が、テーパー１５ａを有していることでレジスト層１４とウエハ表面による角部が広くなるため、レジスト層１４とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部１５付近における断線不良などが改善され、電気的安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、所望の領域に配線層１２が形成された後、不要なレジスト層１４およびシード層１２ａをエッチングにより除去し、配線層１２が形成された領域以外の部分では絶縁樹脂層１１が露出されるようにする［Ａ５工程］。
【００３３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、配線層１２上に、外部への端子を出力するための開口部（図示略）を有する絶縁性の封止樹脂層１３を形成する。その厚さは、例えばが１０〜１５０μｍである。
このような封止樹脂層１３は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部を有する封止樹脂層１３を形成することができる。なお、封止樹脂層１３の形成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００３４】
その後、必要に応じて、封止樹脂層１３の開口部に、例えば半田バンプを形成してもよい。この半田バンプの形成方法としては、めっき法、印刷法、メタルジェット法、及び半田ボールを載置する方法等が挙げられる。
【００３５】
以上のようにして形成される半導体装置１０は、めっきにより配線層１２を形成する際に、その前工程において形成されるレジスト層１４に設けられる開口部１５を、テーパー１５ａを有するものとしている。これにより、めっき時にレジスト層１４とウエハ表面による角部が広くなるので、レジスト層１４とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部１５付近における断線不良などが改善され、配線層１２の電気的安定性を向上することができる。
【００３６】
ここで、レジスト層の開口部において前記テーパーをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを４５°として、上述した方法により半導体装置を作製し、該半導体装置について断面観察および抵抗値の測定により確認した。その結果、めっき不良は確認されず、また８５℃、ＲＨ８５％の条件下で吸湿リフロー試験を行ったところ、剥離は観察されなかった。
【００３７】
また、レジスト層の開口部において前記テーパーをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを８５°として、同様に半導体装置を作製し、該半導体装置について断面観察および抵抗値の測定により確認した。その結果、めっき不良は確認されず、また８５℃、ＲＨ８５％の条件下で吸湿リフロー試験を行ったところ、剥離は観察されなかった。
【００３８】
このように、配線層をめっき法により形成するためのレジスト層において、開口部をテーパーを有する形状とし、その傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを４５°以上８５°以下とすることで、めっき不良を起こすことなく配線層を形成することができる。また、シード層の残渣が残るという問題も無くなり、配線層と絶縁樹脂層および封止樹脂層との密着性も得ることができ、その後の信頼性試験でも問題がおきることはなかった。
＜第二実施形態＞
【００３９】
以下、本発明の第二実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図４は、本発明により製造された半導体装置の一例を示す断面図である。
なお、図４において、図１と同じ構成要素については同じ符号を付し、共通部分の詳細な説明を省略する。
この半導体装置３０は、半導体基板１のパッシベーション膜３上に設けられた絶縁樹脂層１１と、この絶縁樹脂層１１の上に設けられた配線層１２と、配線層１２を覆うように設けられた封止樹脂層１３と、を有する。
【００４１】
そして、この半導体装置３０では、その製造方法について後述するように、めっきにより上記配線層１２を形成する際に、その前工程において形成される第一レジスト層２０に設けられる開口部２１を、テーパー２１ａを有するものとしている。これにより、めっき時に第一レジスト層２０とウエハ表面による角部が広くなるため、第一レジスト層２０とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部２１付近における断線不良などが改善され、配線層１２の電気的安定性を向上することができる。
【００４２】
次に、図４に示す半導体装置３０の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極２が設けられた半導体基板１上に、該電極に対応する位置に第一開口部１１ａが設けられた絶縁樹脂層１１を形成するＢ１工程と、前記絶縁樹脂層１１上に、テーパー２１ａを有する第二開口部２１が設けられた第一レジスト層２０を形成するＢ２工程と、前記絶縁樹脂層１１および前記第一レジスト層２０上にシード層１２ａを形成するＢ３工程と、前記シード層１２ａ上であって前記第一レジスト層２０に対応する位置に、第二レジスト層２２を形成するＢ４工程と、前記シード層１２ａ上にめっき層（配線層１２）を形成するＢ５工程と、前記第一レジスト層２０および前記第二レジスト層２２を除去するＢ６工程と、を順に備えることを特徴とする。
【００４３】
本発明では、めっきにより上記配線層１２（めっき層）を形成する際に、その前工程において形成される第一レジスト層２０に設けられる開口部２１を、テーパー２１ａを有するものとしている。これにより、めっき時に第一レジスト層２０とウエハ表面による角部が広くなるため、めっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部２１付近における断線不良などが改善され、電気的安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００４４】
本発明の半導体装置の製造方法（第二実施形態）について、図５、図６を用いて説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、集積回路（図示略）、電極２およびパッシベーション膜３を有する半導体基板１を用意する。
【００４５】
次いで、図５（ｂ）に示すように、半導体基板１のパッシベーション膜３の上に、開口部（第一開口部）１１ａを有する絶縁樹脂層１１を形成する［Ｂ１工程］。
【００４６】
次いで、図５（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層１１の上に、第一レジスト層２０を形成する［Ｂ２工程］。この第一レジスト層２０には配線層１２の形成すべき領域（半導体基板１上の電極２に整合する位置）に開口部（第二開口部）２１を設けておく。
【００４７】
ここで本発明では、上記第一レジスト層２０に設けられる開口部２１を、テーパー２１ａを有するものとしている。これにより、後述するＢ５工程において、めっき時に第一レジスト層２０とウエハ表面による角部が広くなるため、第一レジスト層２０とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部２１付近における断線不良などが改善され、電気的な安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００４８】
なお、前記テーパー２１ａをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θが、４５°以上、８５°以下となるように制御することが好ましい。角度θが４５°よりも小さいと、めっきにより形成された配線層１２が大きなくびれを持つことになり、その後の工程で形成される封止樹脂層１３が入り込みにくくなるため、封止樹脂層１３の形成不良が起きるおそれがある。あるいは、そのくびれにより配線層１２の強度が低下する。一方、角度θが８５°よりも大きいと、めっき液が入り込みにくくなるためめっき不良を起こすおそれがある。
【００４９】
次いで、図５（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード層１２ａを第一レジスト層２０上の全面または必要な領域に形成する［Ｂ３工程］。
【００５０】
次いで、図６（ａ）に示すように、シード層１２ａの上に、第二レジスト層２２を形成する［Ｂ４工程］。この第二レジスト層２２には配線層１２の形成すべき領域（半導体基板１上の電極２に整合する位置）に開口部２３を設け、該開口部２３において、前記シード層１２ａを露出させておく。
【００５１】
ここで、上記第二レジスト層２２に設けられる開口部２３も、第一レジスト層２０における開口部２１と同様に、テーパー２３ａを有するものとすることが好ましい。
【００５２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、前記第二レジスト層２２をマスクとして露出したシード層１２ａ上に、配線層１２であるＣｕめっき層を電解銅めっきにより形成する［Ｂ５工程］。
【００５３】
このとき、第一レジスト層２０の開口部２１が、テーパー２１ａを有していることで第一レジスト層２０とウエハ表面による角部が広くなるため、第一レジスト層２０とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部２１付近における断線不良などが改善され、電気的安定性に優れた配線層１２を形成することができる。
【００５４】
次いで、図６（ｃ）に示すように、所望の領域に配線層１２が形成された後、不要な第一レジスト層２０、第二レジスト層２２およびシード層１２ａはエッチングにより除去し、配線層１２が形成された領域以外の部分では絶縁樹脂層１１が露出されるようにする［Ｂ６工程］。
【００５５】
次いで、図６（ｄ）に示すように、配線層１２上に、外部への端子を出力するための開口部（図示略）を有する絶縁性の封止樹脂層１３を形成する。
【００５６】
その後、必要に応じて、封止樹脂層１３の開口部に、例えば半田バンプを形成してもよい。
【００５７】
以上のようにして形成される半導体装置２０は、めっきにより配線層１２を形成する際に、その前工程において形成される第一レジスト層２０に設けられる開口部２１を、テーパー２１ａを有するものとしている。これにより、めっき時に第一レジスト層２０とウエハ表面による角部が広くなるので、第一レジスト層２０とウエハ表面による角部にめっき液が入り込みやすくなり、めっき不良を低減することができる。その結果、配線層１２の開口部２１付近における断線不良などが改善され、配線層１２の電気的安定性を向上することができる。
【００５８】
ここで、レジスト層の開口部において前記テーパーをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを４５°として、上述した方法により半導体装置を作製し、該半導体装置について断面観察および抵抗値の測定により確認した。その結果、めっき不良は確認されず、また８５℃、ＲＨ８５％の条件下で吸湿リフロー試験を行ったところ、剥離は観察されなかった。
【００５９】
また、レジスト層の開口部において前記テーパーをなす傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを８５°として、同様に半導体装置を作製し、該半導体装置について断面観察および抵抗値の測定により確認した。その結果、めっき不良は確認されず、また８５℃、ＲＨ８５％の条件下で吸湿リフロー試験を行ったところ、剥離は観察されなかった。
【００６０】
このように、配線層をめっき法により形成するためのレジスト層において、開口部をテーパーを有する形状とし、その傾斜面と、その他の平坦面とがなす角度θを４５°以上８５°以下とすることで、めっき不良を起こすことなく配線層を形成することができる。また、シード層の残渣が残るという問題も無くなり、配線層と絶縁樹脂層および封止樹脂層との密着性も得ることができ、その後の信頼性試験でも問題がおきることはなかった。
【００６１】
特に、本実施形態では、レジスト層を、シード層を挟んで２層構成としていることで、パターン以外の絶縁樹脂層上にシード層が形成されることがなくなる。これにより、絶縁樹脂層とその上に形成される封止樹脂層との間にシード層の残渣が残ることがなくなり、２層の密着性が保たれる状態となる。さらにめっき不良も減らすことができる。また、第一レジスト層の開口部にテーパーをつけることで、スパッタ法などでシード層の形成を行ったときに、第一レジスト層とウエハ表面による角部までシード層が形成されるため、そのあとの配線層の形成等で不良が生じるという問題がなくなる。その結果、配線層の電気的安定性をさらに向上することができる。
【００６２】
以上、本発明の半導体装置の製造方法について説明してきたが、本発明は上記の例に限定されるものではなく、必要に応じて適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、めっきにより形成される配線層などを備えた半導体装置の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図３】図２に続く工程を順に示す断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の他の一例を示す断面図である。
【図５】図４に示した半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図６】図５に続く工程を順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  半導体基板、２  電極、３  パッシベーション膜、４  開口部、１０、３０  半導体装置、１１  絶縁樹脂層、１１ａ  開口部、１２  配線層、１２ａ  シード層、１３  封止樹脂層、１４  レジスト層、１５  開口部、１５ａ  テーパー、２０  第一レジスト層、２１  開口部、２１ａ  テーパー、２２  第二レジスト層、２３  開口部、２３ａ  テーパー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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