(57)【要約】【課題】  光導波路に入射する光ビームの伝搬損失が偏光面に依存するような偏波依存性は、コアの上側を伝搬する光ビームほど低減する。しかし、従来の可変光減衰器は、偏波依存性の影響が少ないコアの上側を伝搬する光ビームを遮蔽し、偏波依存性の影響を強く受けるコアを伝搬する光ビームの下側を多く通過させている課題がある。【解決手段】  前記課題を解決する為に、可変光減衰器は、光ビームの径より小さい開口径の開口部が形成された減衰板を備えた。【選択図】図８
2007025037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に配置されるクラッド層と、
前記クラッド層に囲まれ前記クラッド層よりも屈折率の高いコアと、
前記コアと交差する位置に前記クラッド層の上面から前記コアを横切るように形成された溝と、
前記コアを伝搬する光ビームの径より小さい開口径の開口部が形成され、前記溝に挿入される減衰板と、を備える可変光減衰器。
【請求項２】
前記溝が同一光路上に複数形成され、
前記減衰板がそれぞれの溝に備えられ、
前記複数の減衰板は、それぞれ異なる開口径の前記開口部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の可変光減衰器。
【請求項３】
前記複数の減衰板は、前記減衰板のそれぞれの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の前記開口部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の可変光減衰器。
【請求項４】
前記複数の減衰板は、前記光路の一方の側に位置する前記減衰板の光減衰量が前記光路の他方の側に位置する前記減衰板の光減衰量より小さいことを特徴とする請求項２から３のいずれかに記載の可変光減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減衰板を挿入し光減衰量を任意に制御できる可変光減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の可変光減衰器は、光導波路に減衰板を挿入することで光減衰量を任意に制御している。特許文献１で開示される可変光減衰器を図１に示す。図１の可変光減衰器１０１は、コア１０、クラッド層１１、基板２０、減衰板３０及び溝４０を備える。可変光減衰器１０１は、減衰板３０を溝４０に挿入する深さを変更することでコア１０を伝搬する光ビームの光減衰量を制御するものである。
【特許文献１】特開２００５−０１０６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、可変光減衰器１０１は、光導波路に入射する光ビームの伝搬損失が偏光面に依存する偏波依存性が発生する課題がある。
【０００４】
図２は、可変減衰器１０１の光減衰量の偏波依存性を示した図である。図２の縦軸は光減衰量（単位はデシベル）、横軸は減衰板位置（単位は任意）、実線は減衰板位置に対応する光減衰量の基板２０と平行な偏光成分（ＴＥ；実線）及び破線は減衰板位置に対応する光減衰量の基板２０と垂直な成分（ＴＭ；破線）である。なお、図２において、Ｋは減衰板３０がコア１０の上側に位置することを示し、Ｋ２は減衰板３０がコア１０を遮蔽する位置にあることを示す。
【０００５】
図２によりＴＥ及びＴＭの光減衰量は、０〜−５ｄＢ程度の範囲では差が小さいが、−５ｄＢ以下の範囲では光減衰量が大きくなるにつれて光減衰量の差が拡大する。例えば、ＴＥ及びＴＭの光減衰量は、減衰板３０がＫ２に位置する場合は５ｄＢ程の差となる。減衰板３０がＫ２に位置する場合に、コア１０を伝搬する光ビームは、光ビームの大部分が減衰板３０に遮られ、偏波依存性の影響を強く受ける。前述した偏波依存性の原因としては、基板２０の高屈折率による問題と反りによる問題とがある。
【０００６】
前述した基板２０の高屈折率による問題について説明する。図３は、コア１０の光ビームのエネルギー強度分布を示した図である。図３において、横軸はコア１０の中心からの距離μｍ、縦軸は正規化エネルギー強度を示す。例えば、図３は、比屈折率差Δ＝０．３％、コア１０の幅と高さとをそれぞれ３μｍとしたものである。図３に示すように、光ビームのエネルギー分布は略正規分布であり、光ビームはコア１０の外側まで広がる。例えば図３において、光ビームの強度分布は上下対称となる。
【０００７】
また、図１のクラッド層１１は屈折率１．４５の石英ガラス（ＳｉＯ２）であり、コア１０はクラッド層１１より屈折率が高く、基板２０は屈折率３．４のシリコン（Ｓｉ）である。
【０００８】
クラッド層１１の基板２０の側の屈折率が高くなるような可変光減衰器１０１は、偏波依存性の発生する課題がある。図４において、光ビームの屈折率分布は、基板２０に近いコア１０の下側がコア１０の上側より高くなる。光ビームの強度分布９０は、コア１０を中心にして上下対称にして分布せず、コア１０の下側の基板２０の側に偏っている。
【０００９】
別の表現をすれば、光ビームは、光ビームの一部が基板２０に浸透した状態でコア１０を伝搬する。光ビームの偏波の状態により基板２０へ浸透する深さが異なり、かつ、シリコンからなる基板２０と石英ガラスからなるクラッド層１１との間には光の伝搬損失の違いがある為に、光ビームが基板２０から受ける影響の強さに違いが生じて伝搬損失に差が発生する（以下、「基板効果」と記す。）。すなわち、可変光減衰器１０１の偏波依存性を低減させる場合には、基板効果は無視できない問題となる。
【００１０】
一方、コア１０を伝搬する光ビームの上側の領域ほど前述した基板効果による偏波依存性は低減するが、可変光減衰器１０１は、前述した基板効果を被りやすいコア１０を伝搬する光ビームの下側を多く通過させている。
【００１１】
図５は、減衰板３０の移動を示すものである。減衰板３０は、コア１０の下側に移動して減衰板３０がコア１０を伝搬する光ビームを遮蔽し、可変光減衰器１０１の光減衰量を増加させる。減衰板３０は、光ビームを完全に遮蔽するまで挿入される（図６を参照。）。その後、減衰板３０は、上側に移動して遮蔽されていた光ビームを通過させる。
【００１２】
コア１０の下側のクラッド層１１を厚くすれば前述した偏波依存性は低減できる。しかし、可変光減衰器１０１を厚くすると、可変光減衰器１０１に反りが発生しやすくなる。可変光減衰器１０１に発生する反りは、偏波依存性を発生させる原因となる。
【００１３】
シリコンの基板２０に通常より厚く石英ガラスを積層すると、シリコンの基板２０と石英ガラスのクラッド層１１との熱膨張率が異なることで基板２０及びクラッド層１１の反りが大きくなる。基板２０及びクラッド層１１の反りが大きくなると、製造工程で問題を引き起こすことがある。例えば、製造工程の問題としては、光導波路に形成する微細パターンの精度が劣化することがある。また、基板２０及びクラッド層１１の反りは、基板２０を厚くするほど大きくなり、基板２０が大型化するほど大きくなる。なお、前述した熱膨張率による反りの問題は、シリコンの基板２０に限らず、熱膨張率が石英ガラスより大きい材料を基板２０とする場合にも発生する。
【００１４】
さらに、前述した熱膨張率による反りの問題に加えて、クラッド層１１の反りに応じて発生するクラッド層１１の内部応力も低減する必要がある。前述した内部応力は、クラッド層１１と基板２０との界面に平行な方向のみに発生する為に、クラッド層１１の屈折率に異方性を発生させる。前述した屈折率の異方性は、コア１０を伝搬する光ビームの偏波面が異なれば光ビームの伝搬損失の差を発生させる原因となる。前述した光ビームの伝搬損失の差は、偏波依存性を発生させる原因となる。
【００１５】
図７は、シリコンからなる基板２０及び基板２０に積層された石英ガラスからなるクラッド層１１の断面図である。クラッド層１１は、基板２０に１０００℃以上で積層される。クラッド層１１が常温まで冷却される過程で、前述したようにシリコンと石英ガラスの熱膨張率が異なることでクラッド層１１の基板２０の側がより圧縮され、基板２０に対してクラッド層１１の側が凸となる反りが発生する。また、通常は基板２０よりクラッド層１１の厚みは薄いので、クラッド層１１は、常温では基板２０の側から強い圧縮応力を受ける。さらに、クラッド層１１の内部応力の歪みは、クラッド層１１と基板２０との界面で最も大きく、クラッド層１１の上側ほど低くなる。
【００１６】
別の表現をすれば、クラッド層１１の内部応力の歪みは基板２０の側から遠いほど低減され、前述した内部応力による偏波依存性の問題は基板２０の側から遠いほど低減される。なお、前述した内部応力による偏波依存性の問題は、基板２０がシリコンに限られず、熱膨張率が石英ガラスよりも大きい材質とする場合に発生する。
【００１７】
従って、可変光減衰器１０１は、偏波依存性の影響を強く受けるコア１０を伝搬する光ビームの下側を多く通過させている課題がある。
【００１８】
以上の説明を要約すると、可変光減衰器１０１における、屈折率による基板効果と反りによる屈折率の異方性は、コア１０を伝搬する光ビームに偏波依存性を発生させる。さらに、前述した偏波依存性は、コア１０の上側を伝搬する光ビームほど低減するが、従来の可変光減衰器１０１は、コア１０の上側を伝搬する光ビームを遮蔽し、偏波依存性の影響を強く受けるコア１０を伝搬する光ビームの下側を多く通過させている課題がある。
【００１９】
本発明は前記課題を解決する為になされたもので、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明は、光ビームの径より小さい開口径の開口部が形成された可変光減衰器である。
【００２１】
具体的には、本発明は、基板と、前記基板の上面に配置されるクラッド層と、前記クラッド層に囲まれ前記クラッド層よりも屈折率の高いコアと、前記コアと交差する位置に前記クラッド層の上面から前記コアを横切るように形成された溝と、前記コアを伝搬する光ビームの径より小さい開口径の開口部が形成され、前記溝に挿入される減衰板と、を備える可変光減衰器である。
【００２２】
前記減衰板に前記コアを伝搬する光ビームの径より小さい開口径の前記開口部を形成することで、前記コアの下側を伝搬する偏波依存性の影響を受けた光ビームは前記減衰板で遮蔽され、前記コアの中心部を伝搬する偏波依存性の影響が少ない光ビームは前記開口部を通過することになる。
【００２３】
従って、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供することができる。
【００２４】
本発明において、前記溝が同一光路上に複数形成され、前記減衰板がそれぞれの溝に備えられ、前記複数の減衰板は、それぞれ異なる開口径の前記開口部が形成されていることが好ましい。
【００２５】
前記溝が同一光路上に複数形成され、前記減衰板がそれぞれの溝に備えられ、それぞれ異なる開口径の前記開口部が前記複数の減衰板に形成されていることで、前記可変光減衰器は、前記複数の溝に挿入される前記複数の減衰板の組み合わせに応じて光減衰量を制御することができる。
【００２６】
従って、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供することができる。
【００２７】
本発明において、前記複数の減衰板は、前記減衰板のそれぞれの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の前記開口部が形成されていることが好ましい。
【００２８】
前記減衰板のそれぞれの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の前記開口部が前記複数の減衰板に形成されていることで、前記可変光減衰器は、前記複数の溝に挿入される前記複数の減衰板の組み合わせに応じて０から２ｎデシベルまで１デシベル単位で所望の光減衰量を得ることができる。
【００２９】
従って、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供することができる。
【００３０】
本発明において、前記複数の減衰板は、前記光路の一方の側に位置する前記減衰板の光減衰量が前記光路の他方の側に位置する前記減衰板の光減衰量より小さいことが好ましい。
【００３１】
前記光路の一方の側に位置する前記減衰板の光減衰量が前記光路の他方の側に位置する前記減衰板の光減衰量より小さくなるような前記複数の減衰板を備えていることで、前記可変光減衰器は、光ビームが前記光路の前記一方の側から入射されれば、前記複数の溝に挿入される前記複数の減衰板の組み合わせに応じて光減衰量を制御することができる。
【００３２】
従って、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明により、クラッド層を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものでない。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施形態は、基板と、前記基板の上面に配置されるクラッド層と、前記クラッド層に囲まれ前記クラッド層よりも屈折率の高いコアと、前記コアと交差する位置に前記クラッド層の上面から前記コアを横切るように形成された溝と、前記コアを伝搬する光ビームの径より小さい開口径の開口部が形成され、前記溝に挿入される減衰板と、を備える可変光減衰器である。
【００３６】
本実施形態に係る可変光減衰器１０２について図８を用いて説明する。図８の可変光減衰器１０２は、コア１０、クラッド層１１、基板２０、減衰板３０、開口部３１及び溝４０を備える。
【００３７】
まず、可変光減衰器１０２の製造について説明する。例えば、基板２０としては、シリコン（Ｓｉ）製の基板や石英ガラス（ＳｉＯ２）製の基板をあげることができる。
【００３８】
クラッド層１１は、石英ガラスを基板２０の上面に積層して形成される。
【００３９】
コア層（図８ではコア層から形成されたコア１０としてクラッド層１１に囲まれている。）は、クラッド層１１より屈折率が高くなるような不純物が混合された石英ガラスをクラッド層１１の上面に積層して形成される。また、クラッド層１１は、屈折率が低くなるような不純物が混合された石英ガラスを基板２０の上面に積層して形成され、コア層は、石英ガラスをクラッド層１１の上面に積層して形成されてもよい。
【００４０】
例えば、クラッド層１１及びコア層の積層に、ＦＨＤ法（Ｆｌａｍｅ  Ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ法（化学気相成長法）及びスパッタ法を用いてもよい。
【００４１】
コア１０は、コア層をフォトリゾクラフィ及びエッチングすることで形成される。また、コア１０をクラッド層１１で囲むように、さらに、クラッド層１１は積層されてもよい。
【００４２】
溝４０は、溝４０とコア１０とが交差する位置にクラッド層１１の上面から溝４０がコア１０を横切るように形成される。例えば、溝４０は、エッチングやマイクロブラスト法で形成されてもよい。
【００４３】
減衰板３０は、コア１０を伝搬する光ビームの径より小さい開口径の開口部３１が形成される。例えば、減衰板３０としては、コア１０を伝搬する光ビームを遮蔽できるフィルムが接着された微小板があげられる。また、減衰板３０の開口部３１は、マイクロブラスト法やレーザー加工で形成されてもよい。
【００４４】
コア１０を伝搬する光ビームの量は、減衰板３０の開口部３１の面積、すなわち、開口部３１の開口径の２乗に比例することになる。図９に減衰板３０の開口部３１の面積比と可変光減衰器１０２の光減衰量の関係を示す。減衰板３０は、図９を参考にして、可変光減衰器１０２が所望の光減衰量を得られるような開口径の開口部３１が形成されてもよい。
【００４５】
減衰板３０は、溝４０にどのような方法で挿入されてもよい。例えば、減衰板３０は手動で溝４０に挿入されてもよい。また、可変光減衰器１０２は、減衰板３０を溝４０に挿入できるような機構を用いて減衰板３０を溝４０に挿入してもよい。
【００４６】
以上が可変光減衰器１０２の製造についての説明である。次に、可変光減衰器１０２の偏波依存性の低減について図８及び図１０を用いて説明する。図１０は、可変光減衰器１０２の溝４０が形成された部分の断面図である。また、溝４０は、図１０に図示されていない。
【００４７】
図１０に示すように、減衰板３０の開口部３１がコア１０の中心部に差し掛かるように減衰板３０が溝４０に挿入されれば、可変光減衰器１０２は光減衰量を得ることができる。また、可変光減衰器１０２が所望の光減衰量を得られるような開口径の開口部３１が減衰板３０に形成されていれば、可変光減衰器１０２は所望の光減衰量を得ることができる。
【００４８】
また、可変光減衰器１０２は、減衰板３０の開口部３１がコア１０の中心部に差し掛かるように減衰板３０が溝４０に挿入されれば、コア１０の中心部を伝搬する光ビームは、減衰板３０の開口部３１を通過し、コア１０の下側を伝搬する光ビームは、減衰板３０で遮蔽されることになる。言い換えると、可変光減衰器１０２は、コア１０の中心部を伝搬する偏波依存性の影響が少ない光ビームを伝搬させ、コア１０の下側を伝搬する偏波依存性の影響を受けた光ビームを遮蔽することになる。
【００４９】
従って、クラッド層１１を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器１０２を提供することができる。
【００５０】
（実施の形態２）
溝４０が同一光路９２上に複数形成され、減衰板３０ａから３０ｄがそれぞれの溝４０に備えられ、複数の減衰板３０ａから３０ｄは、それぞれ異なる開口径の開口部３１が形成されることが好ましい。
【００５１】
本実施形態に係る可変光減衰器１０３について図１１を用いて説明する。図１１の可変光減衰器１０３は、コア１０ａから１０ｃ、クラッド層１１、減衰板３０ａから３０ｄ、溝４０及び反射板９１を備える。また、基板２０及び開口部３１は、図１１に図示されていない。
【００５２】
コア１０ａ及びコア１０ａに平行なコア１０ｂは、前述した図８のコア１０と同様の方法で形成される。また、コア１０ｃは、コア１０ａ及びコア１０ｂに接続するように形成される。
【００５３】
光路９２は、コア１０ａの減衰板３０ａの側から入射した光ビームがコア１０ｃを経由し、コア１０ｂの減衰板３０ｄの側へ到達するような経路である。光路９２を形成する為に、可変光減衰器１０３は、反射板９１が設置されてもよい。
【００５４】
例えば、可変光減衰器１０３は、コア１０ａとコア１０ｃが交差する箇所に、コア１０ａの減衰板３０ａの側から入射した光ビームがコア１０ｃに向けて反射されるような反射板９１が設置され、また、コア１０ｂとコア１０ｃが交差する箇所にコア１０ｃから入射した光ビームがコア１０ｂの減衰板３０ｄの側に向けて反射されるような反射板９１が設置されてもよい。
【００５５】
なお、光路９２は、図１１のような複数のコア１０ａから１０ｃを光ビームが伝搬するものであってもよいが、図８のように１本のコア１０を光ビームが伝搬するものであってもよい。
【００５６】
溝４０を光路９２に複数形成する。それぞれの溝４０は、前述した可変光減衰器１０２と同様に形成してもよい。例えば、図１１の可変光減衰器１０３は、コア１０ａに２個、コア１０ｂに２個、合計４個の溝４０が形成される。なお、コア１０ｃに溝４０は形成されていないがコア１０ｃに溝４０が形成されてもよい。また、溝４０は４個に限定されるものではない。
【００５７】
減衰板３０ａから３０ｄは、コア１０ａから１０ｃを伝搬する光ビームの径より小さく、かつ、それぞれ異なる開口径の開口部３１が形成され、それぞれの溝４０に備えられる。また、図１１の可変光減衰器１０３は４枚の減衰板３０ａから３０ｄを使用しているが、本実施形態において、減衰板は４枚に限定されるものではない。
【００５８】
可変光減衰器１０３は、それぞれ異なる開口径の開口部３１が形成されている複数の減衰板３０ａから３０ｄを備えている為に、複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせに応じて光減衰量を制御することができる。
【００５９】
従って、クラッド層１１を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器１０３を提供することができる。
【００６０】
減衰板３０ａから３０ｄのそれぞれの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の開口部３１が形成されていることが好ましい。
【００６１】
図１１、図１２及び図１３を用いて減衰板３０ａから３０ｄのそれぞれの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の開口部３１が形成された可変光減衰器１０３について説明する。
【００６２】
図１１において、光減衰量が１デシベルとなるような開口径の開口部３１が減衰板３０ａに形成され、光減衰量が２デシベルとなるような開口径の開口部３１が減衰板３０ｂに形成され、光減衰量が４デシベルとなるような開口径の開口部３１が減衰板３０ｃに形成され、光減衰量が８デシベルとなるような開口径の開口部３１が減衰板３０ｄに形成されると、減衰板３０ａから３０ｄの光減衰量が２ｎデシベル（ｎは０で始まる連続した異なる整数）で表される開口径の開口部３１が可変光減衰器１０３に形成されていることになる。
【００６３】
図１２は、図１１の複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせと可変光減衰器１０３が得ることができる光減衰量の合計との関係を示したものである。
【００６４】
図１２の３０ａから３０ｄまで４列の「減衰板：光減衰量」は、減衰板３０ａから３０ｄの位置を意味し、減衰板３０ａから３０ｄが溝４０に挿入されていれば「１」であり、減衰板３０ａから３０ｄが溝４０に挿入されていなければ「０」である。
【００６５】
また、図１２の右側「光減衰量の合計」は、複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせで可変光減衰器１０３が得ることができる光減衰量の合計を意味する。
【００６６】
図１２に示すように、図１１の可変光減衰器１０３は、複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせに応じて０から２ｎデシベルまで１デシベル単位、すなわち、０デシベルから１５デシベルまでの所望の光減衰量を得ることができる。なお、可変光減衰器１０３は、減衰板３０ａから３０ｄのいずれも溝４０に挿入しなければ光減衰量を０デシベルとすることができる。
【００６７】
前述したように可変光減衰器１０３の減衰板３０ａから３０ｄは手動で溝４０に挿入されてもよい。また、図１３に示すように、図１１の可変光減衰器１０３の上側に減衰板挿抜機構９３を配置し、減衰板挿抜機構９３と減衰量計算装置９４とを接続してもよい。なお、減衰板３０ｃ及び３０ｄは図１３に図示されていない。
【００６８】
減衰量計算装置９４は、減衰板挿抜機構９３に回線９６を介して接続され、図１３に示すような複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄと可変光減衰器１０３が得ることができる光減衰量の合計との関係が記憶され、入力された光減衰量の合計から複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせを計算し、複数の溝４０に挿入すべき減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせを電気信号として減衰板挿抜機構９３に伝える。
【００６９】
例えば、減衰量計算装置９４は、入力された減衰量の合計が１０デシベルであれば、図１３より減衰板３０ｂと３０ｄを溝４０に挿入すると計算し、減衰板挿抜機構９３に「０１０１」の電気信号を伝えてもよい。なお、減衰量計算装置９４が伝える「０１０１」の４桁の電気信号の意味は、左から順に減衰板３０ａから３０ｄに対応し、対応する電気信号が「１」であれば減衰板３０ａから３０ｄを挿入し、対応する電気信号が「０」であれば減衰板３０ａから３０ｄを挿入しない意味である。
【００７０】
減衰板挿抜機構９３は、挿抜機構基板９５に備えられてもよい。例えば、挿抜機構基板９５としては、シリコン基板又は石英ガラスの基板をあげることができる。
【００７１】
減衰板挿抜機構９３は、減衰量計算装置９４から入力された電気信号をもとにして減衰板３０ａから３０ｄを溝４０に挿入する。例えば、「０１０１」の電気信号が減衰量計算装置９４から伝えられると、減衰板挿抜機構９３は、減衰板３０ｂと３０ｄとを溝４０に挿入する。
【００７２】
従って、クラッド層１１を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器１０３を提供することができる。
【００７３】
本実施形態において、複数の減衰板は、光路９２の一方の側に位置する減衰板の光減衰量が光路９２の他方の側に位置する減衰板の光減衰量より小さいことが好ましい。
【００７４】
図１１及び図１４を用いて説明する。図１１の可変光減衰器１０３において、光路９２の一方の側を減衰板３０ａの側とすると、減衰板３０ａの光減衰量が１デシベル、減衰板３０ｂの光減衰量が２デシベル、減衰板３０ｃの光減衰量が４デシベル及び減衰板３０ｄの光減衰量が８デシベルとなる。
【００７５】
図１４は、図１１の可変光減衰器１０３の減衰板３０ａ及び３０ｂの拡大図である。  図１４の矢印は、光路９２の一方の側から光路９２の他方の側に向けて伝搬する光ビームの方向を示したものである。
【００７６】
図１４において、減衰板３０ａの光減衰量は減衰板３０ｂの減衰量より小さいことから、減衰板３０ａの開口部３１の径は、減衰板３０ｂの開口部３１よりも大きくなる。
【００７７】
光路９２の一方の側から入射した光ビームは、光ビームの一部が減衰板３０ａによって遮蔽され、光ビームの残りが減衰板３０ａの開口部３１を通過する。減衰板３０ａを通過した光ビームは、光ビームの径を徐々に広げながら減衰板３０ｂに到達する。
【００７８】
減衰板３０ｂに到達した光ビームは、光ビームの一部が減衰板３０ｂによって遮蔽され、光ビームの残りが減衰板３０ｂの開口部３１を通過し、光路９２の他方の側に到達することになる。また、可変光減衰器１０３は、複数の溝４０に挿入される複数の減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせに応じて光減衰量を制御することができる。
【００７９】
従って、クラッド層１１を厚くすることなく偏波依存性を低減させる可変光減衰器１０３を提供することができる。
【００８０】
なお、可変光減衰器１０３は、光ビームが光路９２の他方の側から入射されると、複数の溝４０に挿入される減衰板３０ａから３０ｄの組み合わせに応じた光減衰量が得られない場合がある。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、可変光減衰器又は光ファイバーを伝搬する光ビームを減衰させる装置に用いることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の断面図である。
【図２】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の光減衰量の偏波依存性を示した図である。
【図３】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の光ビームのエネルギー強度分布を示した図である。
【図４】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の断面における光ビームの強度分布を示した図である。
【図５】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の断面における光ビームの強度分布と溝の上部にある減衰板の移動とを示した図である。
【図６】従来の発明に係る可変光減衰器１０１の断面における光ビームの強度分布と溝に挿入された減衰板とを示した図である。
【図７】基板とクラッド層との断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る可変光減衰器１０２の断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る可変光減衰器１０２の光減衰量と減衰板３０の開口部３１の面積比との関係を示した図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る可変光減衰器１０２の溝が形成された部分の断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る可変光減衰器１０３の上面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る可変光減衰器１０３の減衰板と光減衰量の合計との関係を示した図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る可変光減衰器１０３、減衰板挿抜機構及び減衰量計算装置の接続を示した図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る可変光減衰器１０３の減衰板の拡大図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ  コア
１１  クラッド層
２０  基板
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ  減衰板
３１  開口部
４０  溝
９０  強度分布
９１  反射板
９２  光路
９３  減衰板挿抜機構
９４  減衰量計算装置
９５  挿抜機構基板
９６  回線
１０１、１０２、１０３  可変光減衰器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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