(57)【要約】【課題】  キャパシタの製造過程における膜酸化の防止や、膜間の密着性の向上により、素子特性の向上を図る。【解決手段】  本発明のキャパシタ製造方法は、下部電極２０上に第１絶縁膜５０を形成する工程と、第１絶縁膜５０に開口部５１を設けて下部電極２０の少なくとも一部を露出させる工程と、窒素ラジカル６０を用いて第１絶縁膜２０と下部電極２０の露出面２２ａとを窒化する工程と、第１絶縁膜５０の開口部５１を介して下部電極２０上に第２絶縁膜３０を形成する工程と、第２絶縁膜３０上に上部電極４０を形成する工程とを有する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜に開口部を設けて前記下部電極の少なくとも一部を露出させる工程と、
窒素ラジカルを用いて前記第１絶縁膜と前記下部電極の露出面とを窒化する工程と、
前記第１絶縁膜の開口部を介して前記下部電極上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜上に上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とするキャパシタ製造方法。
【請求項２】
前記下部電極が、金属膜上に窒化チタン膜が形成された構成からなることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ製造方法。
【請求項３】
第１絶縁膜が、酸化シリコンからなり、
第２絶縁膜が、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタンからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のキャパシタ製造方法。
【請求項４】
前記窒化工程の後に、前記下部電極及び前記第１絶縁膜の少なくとも一方から余分な窒素化合物を脱離させる工程を、さらに有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のキャパシタ製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載のキャパシタ製造方法を用いて製造されたことを特徴とするキャパシタ。
【請求項６】
請求項５に記載のキャパシタを備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ製造方法、キャパシタ、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置などの電子装置の構成素子として、下部電極／絶縁膜／上部電極の積層構造を有するキャパシタが用いられる。キャパシタの実効部分の小面積化を図るために、下部電極上に開口を有する絶縁膜（層間絶縁膜）を設けるとともに、その層間絶縁膜の開口を介して、下部電極上に絶縁膜と上部電極とを積層する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−５３２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
こうしたキャパシタの製造方法においては、層間絶縁膜に開口を設けた際に、露出した下部電極の表面に酸化膜が形成されると、その酸化膜がリーク電流を誘発し、誘電率の低下をまねく可能性がある。
【０００４】
本発明は、キャパシタの製造過程における膜酸化の防止や、膜間の密着性の向上により、素子特性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のキャパシタ製造方法は、下部電極上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜に開口部を設けて前記下部電極の少なくとも一部を露出させる工程と、窒素ラジカルを用いて前記第１絶縁膜と前記下部電極の露出面とを窒化する工程と、前記第１絶縁膜の開口部を介して前記下部電極上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜上に上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００６】
このようなキャパシタ製造方法によれば、下部電極／第２絶縁膜／上部電極の積層構造からなるキャパシタが製造される。下部電極上の第１絶縁膜（層間絶縁膜）に開口部を設けてキャパシタを製造することにより、キャパシタの実効部分の小面積化が図られる。また、窒素ラジカルを用いてその第１絶縁膜の表面が窒化されることにより、第１絶縁膜と第２絶縁膜との密着性の向上が図られる。さらに、窒素ラジカルを用いて下部電極の表面が窒化されることにより、キャパシタ特性の向上が図られる。
【０００７】
本発明のキャパシタ製造方法において、前記下部電極が、金属膜上に窒化チタン膜が形成された構成からなる。
これによれば、窒化チタン膜は、金属膜の表面の酸化を防止するとともに、下部電極と他の部材（絶縁膜など）との密着性を向上させる。窒素ラジカルによる窒化により、窒化チタン膜の露出面に窒素（Ｎ、Ｎ２、Ｎ＊（ラジカル））が導入される。その導入された窒素は、チタン−窒素（Ｔｉ−Ｎ）、チタン−酸素（Ｔｉ−Ｏ） の各結合を切断するとともに、チタン（Ｔｉ）と再結合する。その結果、不要な成分（ＴｉＯｘ）が除去され、窒化チタン膜の酸化に伴うキャパシタ特性の低下が防止される。
【０００８】
本発明のキャパシタ製造方法において、例えば、第１絶縁膜が、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、第２絶縁膜が、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）からなる構成とすることができる。
これによれば、第２絶縁膜が、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン等の高誘電率材料からなることにより、キャパシタ特性の向上が図られる。
【０００９】
本発明のキャパシタ製造方法において、前記窒化工程の後に、前記下部電極及び前記第１絶縁膜の少なくとも一方から余分な窒素化合物を脱離させる工程を、さらに有するのが好ましい。
窒素化合物の脱離は、例えば、下部電極あるいは第１絶縁膜に対して熱処理（アニール）することにより実施することができる。
これによれば、下部電極あるいは第１絶縁膜の表面から余分な窒素化合物が脱離することにより、第２絶縁膜形成後の加熱に伴う脱離ガスによる界面特性の劣化が防止される。
【００１０】
本発明のキャパシタは、本発明のキャパシタ製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
このようなキャパシタによれば、素子特性の向上が図られる。
【００１１】
本発明の電気光学装置は、先に記載の本発明のキャパシタを備えたことを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、キャパシタの特性向上により、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００１２】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような電子機器によれば、表示品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る素子基板を示す模式断面図である。
図１に示すように、この素子基板１は、基体１０（絶縁体）と、基体１０上に形成された下部電極２０と、下部電極２０上に形成された絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成された上部電極４０と、基体１０上に形成された層間絶縁膜５０とを備える。層間絶縁膜５０は、絶縁膜３０と上部電極４０との形成領域を規定する開口部５１を有する。
【００１５】
下部電極２０は、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜２１と、金属膜２１を被覆する窒化チタン（ＴｉＮ）膜２２とを含む。Ｔｉ膜２２は、金属膜２１の表面の酸化を防止するとともに、金属膜２１と絶縁膜３０との密着性を向上させるものである。金属膜２１としては、Ａｌに限らず、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料が適用可能である。
【００１６】
また、上部電極４０も同様に、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜４１と、金属膜４１を被覆する窒化チタン（ＴｉＮ）膜４２とを含む。Ｔｉ膜４２は、金属膜４１の表面の酸化を防止するとともに、金属膜４１と不図示の他の部材（絶縁膜など）との密着性を向上させるものである。金属膜４１としては、Ａｌに限らず、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの各種の金属材料、あるいはその金属材料を主成分とする合金材料によって形成される。なお、絶縁膜３０を挟む下部電極２０と上部電極４０との仕事関数差は例えば−１Ｖ〜１Ｖである。また、下部電極２０及び上部電極４０の一方が、アモルファスシリコン層などの半導体膜であってもよい。
【００１７】
絶縁膜３０は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン化合物からなる。この他、絶縁膜３０の形成材料としては、アルミナ（ＡｌＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニア（ＨｆＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化ランタン（ＬＡ２Ｏ３）など、各種の絶縁材料が適用可能である。絶縁膜３０が、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＯ２、ＨｆＯ２、ＬＡ２Ｏ３等の高誘電率材料からなることにより、キャパシタ特性の向上が図られる。
【００１８】
層間絶縁膜５０は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン化合物からなる。層間絶縁膜５０には、パターニング処理によって形成された貫通穴からなる開口部５１が形成されている。そして、絶縁膜３０と上部電極４０との積層膜が層間絶縁膜５０の表面と開口部５１の内部との間にわたって連続的に形成され、層間絶縁膜５０の開口部５１の内部において絶縁膜３０が下部電極２０に接している。
【００１９】
この素子基板１では、下部電極２０／絶縁膜３０／上部電極４０の積層構造（いわゆるＭＩＭ構造）を有するキャパシタ２の実効部分が層間絶縁膜５０の開口部５１によって規定されており、その結果、キャパシタ２の実効部分の小面積化が図られている。そして、この素子基板１は、例えば、後述するように、液晶表示装置におけるキャパシタ配線として、あるいはスイッチング素子の少なくとも一部として用いられる。
【００２０】
次に、上記の素子基板１の製造方法の一例について説明する。
図２（Ａ）〜図２（Ｅ）は、上記の素子基板１の製造方法の説明図である。
【００２１】
図２（Ａ）〜図２（Ｅ）に示すように、この製造方法は、基体１０上に、下部電極２０及び層間絶縁膜５０を形成する工程（図２（Ａ））と、層間絶縁膜５０に開口部５１を設ける工程（図２（Ｂ））と、下部電極２０の露出面と層間絶縁膜５０とを窒化する工程（図２（Ｃ））と、下部電極２０及び層間絶縁膜５０から余分な窒素化合物を脱離させる工程（図２（Ｄ））と、層間絶縁膜５０の開口部５１を介して下部電極２０上に絶縁膜３０を形成する工程（図２（Ｅ））と、絶縁膜３０上に上部電極４０を形成する工程（図２（Ｆ））とを有する。
【００２２】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、基体１０上に下部電極２０を形成する。すなわち、基体１０上にＡｌからなる金属膜２１を形成した後、その金属膜２１上にＴｉ膜２２を形成する。金属膜２１及びＴｉ膜２２は、スパッタ法や塗布法等の公知の成膜法により形成することができる。
【００２３】
続いて、下部電極２０上に層間絶縁膜５０を形成する。層間絶縁膜５０は、例えばＳｉＯ２であり、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）や塗布法あるいはスパッタ法などの公知の成膜法を用いて形成することができる。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜５０に貫通穴からなる開口部５１を設ける。この層間絶縁膜５０の開口部５１は、例えば、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより形成することができる。このパターニング処理により、層間絶縁膜５０の開口部５１を介して下部電極２０の一部（露出面２２ａ）が露出状態となる。
【００２５】
次に、図２（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜５０と下部電極２０の露出面２２ａとを窒化する。この窒化工程は、窒素ラジカル（Ｎ＊）６０を層間絶縁膜５０の表面と下部電極２０の露出面２２ａとに供給することにより行う。プラズマ法または触媒法などの公知の方法を用いることにより、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）等を含む材料ガスから、ラジカル状態の窒素を発生させることができる。
【００２６】
この窒化工程では、窒素ラジカル６０によって、層間絶縁膜５０が窒化されるとともに、上記パターニングによって生じた層間絶縁膜５０のダメージが回復する。すなわち、層間絶縁膜５０の開口部５１における原子間結合の切断部が、窒素と結合することによって終端処理される。窒素ラジカルを用いることにより、比較的低温状態であっても、この窒化に関わる高い反応性が得られる。
【００２７】
さらに、この窒化工程では、窒素ラジカル６０による窒化により、Ｔｉ膜２２の露出面２２ａに窒素（Ｎ、Ｎ２、Ｎ＊（ラジカル））が導入される。その導入された窒素は、チタン−窒素（Ｔｉ−Ｎ）、チタン−酸素（Ｔｉ−Ｏ） の各結合を切断するとともに、チタン（Ｔｉ）と再結合する。その結果、不要な成分（ＴｉＯｘなど）（所望の高誘電率膜以外の成分）が除去される。窒素ラジカル６０を用いることにより、比較的低温状態であっても、この窒化に関わる高い反応性が得られる。
【００２８】
次に、図２（Ｄ）に示すように、上記窒化工程の後に、必要に応じて、下部電極２０及び層間絶縁膜５０の少なくとも一方から余分な窒素化合物を脱離させる。窒素化合物の脱離は、例えば、下部電極２０あるいは層間絶縁膜５０に対して熱処理（アニール）することにより実施することができる。熱処理温度の上限値は、下部電極２０の融点に基づいて定められ、例えば４００℃である。熱処理温度は、例えば１２０℃〜４００℃である。こうした脱離処理により、下部電極２０及び層間絶縁膜５０の少なくとも一方から余分な窒素化合物（Ｎ、Ｎ２）が脱離する。
【００２９】
次に、図２（Ｅ）に示すように、層間絶縁膜５０の開口部５１を介して下部電極２０上に絶縁膜３０を形成する。絶縁膜３０は、例えばＳｉＮであり、ＣＶＤ法や塗布法あるいはスパッタ法などの公知の成膜法を用いて形成することができる。なお、窒素ラジカルを用いた窒化工程と、この絶縁膜３０の形成工程との間において、搬送空間や保管雰囲気は、大気のみならず、窒素ガス又はＡｒガス等の不活性ガスを用いることができ、少なくとも十分に乾燥した環境であるのが好ましい。
【００３０】
次に、図２（Ｆ）に示すように、絶縁膜３０上に上部電極４０を形成する。すなわち、絶縁膜３０上にＡｌからなる金属膜４１を形成した後、その金属膜４１上にＴｉ膜４２を形成する。金属膜４１及びＴｉ膜４２は、スパッタ法や塗布法等の公知の成膜法により形成することができる。
【００３１】
その後、フォトリソグラフィ法等を用いて絶縁膜３０と上部電極４０との積層膜を所定平面形状にパターニングすることにより、先の図１に示した下部電極２０／絶縁膜３０／上部電極４０の積層構造からなるキャパシタ２を有する素子基板１が完成する。なお、絶縁膜３０と上部電極４０との積層膜のパターニングの後に、窒素ラジカルによる窒化をさらに行ってもよい。
【００３２】
本例の製造方法では、窒素ラジカル６０を用いて層間絶縁膜５０の表面を窒化することから、層間絶縁膜５０と絶縁膜３０との密着性を向上させることができる。また、本例の製造方法では、窒素ラジカル６０を用いて下部電極２０の露出面２２ａを窒化することから、その露出面２２ａの膜酸化を防止するとともに、下部電極２０の露出面２２ａにおける不要な成分を除去することができ、その結果、下部電極２０（Ｔｉ膜２２）の酸化に伴うキャパシタ特性の低下を防止することができる。
【００３３】
さらに、本例の製造方法では、窒素ラジカル６０を用いた窒化処理の後に、下部電極２０あるいは層間絶縁膜５０の表面から余分な窒素化合物を脱離させることから、絶縁膜３０形成後の加熱に伴う脱離ガスによる界面特性の劣化を防止することができる。すなわち、下部電極２０あるいは層間絶縁膜５０の表面から予め余分な窒素化合物を脱離させておくことで、その後における下部電極２０あるいは層間絶縁膜５０からの不純物が脱離するのを抑制することができる。
【００３４】
なお、絶縁膜３０及び層間絶縁膜５０の少なくとも一方が窒化化合物からなる場合には、その絶縁膜形成用の装置を用いてラジカル窒素の供給を行うことが可能である。複数の工程を、同一の処理装置の同一のチャンバ内にて連続的に行うことにより、処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。さらに、使用するガスを共通化することにより、この点からも処理の簡素化が図られ、処理能力の向上や低コスト化に有利である。
【００３５】
（電気光学装置）
次に、本発明の素子基板が適用される電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
図３は液晶表示装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００３６】
図３及び図４に示すように、液晶表示装置３００は、アレイ基板３１０（基板）と対向基板３２０とがシール材３５２によって貼り合わされ、このシール材３５２によって区画された領域内に液晶層３５０が封入されている。シール材３５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）３５３が形成されている。シール材３５２の外側の領域には、データ線駆動回路４０１及び外部回路実装端子４０２がアレイ基板３１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路４０４が形成されている。アレイ基板３１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路４０４の間を接続するための複数の配線４０５が設けられている。また、対向基板３２０の角部においては、アレイ基板３１０と対向基板３２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材４０６が配設されている。
【００３７】
なお、データ線駆動回路４０１及び走査線駆動回路４０４をアレイ基板３０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とアレイ基板３１０上の端子群とを異方性導電膜を介して接続するようにしてもよい。液晶表示装置３００においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００３８】
図５は、図３の液晶表示装置３００の表示領域の画素を拡大して示した平面図である。
図５に示すように、液晶表示装置３００の表示領域には、Ｘ軸方向に延在する走査線３０７ａ，３０７ｂ，…，３０７ｍと、Ｙ軸方向に延在するデータ線３０６ａ，３０６ｂ，…，３０６ｎが互いに交差して形成されている。走査線３０７ａには、パルス的に走査信号Ｇ１が印加され、同様に走査線３０７ｂ，…，３０７ｍには、走査信号Ｇ２，…，Ｇｍがこの順に線順次で印加される。データ線３０６ａには、画素信号Ｓ１が供給され、同様にデータ線３０６ａ，…，３０６ｎには、画素信号Ｓ２，…，Ｓｎがこの順に線順次で供給される。走査線３０７ａ，３０７ｂ…とデータ線３０６ａ，３０６ｂ…とに区画される領域には、複数のサブ画素５１０ａ，５１０ｂ…がマトリクス状に形成されている。
【００３９】
サブ画素５１０ａについて、下部電極３３４が、走査線３０７ａ及びデータ線３０６ａ上に跨って略Ｌ字状に形成されている。この下部電極３３４の配線幅は、データ線３０６ａと略同じ配線幅であり、画素電極３０９の一部と平面的に重なって形成されている。容量線３０３ａは、走査線３０７ａ上に延在して形成されている。そして、データ線３０６ａと交差する容量線３０３ａ部分においては、データ線３０６ａ上に沿って延出して形成され、延出方向の長さは下部電極３３４の端部と略重なる位置にまで延出している。ここでは、Ｌ字状の下部電極３３４に対向する位置に形成される容量線３０３ａを上部電極３０３と称している。また、下部電極３３４と上部電極３０３と両者の間に配設される不図示の絶縁膜とによってキャパシタ配線３６０が構成されている。スイッチング素子３３０は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとの交差領域に形成されている。また、画素電極３０９は、走査線３０７ａとデータ線３０６ａとに区画される領域に形成されている。そして、画素電極３０９は、コンタクトホール３４０を介してキャパシタ３６０の下部電極３３４に電気的に接続されている。
【００４０】
スイッチング素子３３０は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子、またはＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる。本発明における下部電極／絶縁膜／上部電極の積層構造を有するキャパシタは、ＴＦＤ素子におけるＭＩＭ構造として適用することができる。あるいは、本発明における下部電極／絶縁膜／上部電極の積層構造を有するキャパシタは、ＴＦＴ素子におけるゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層の積層構造として適用することができる。あるいは、本発明における下部電極／絶縁膜／上部電極の積層構造を有するキャパシタは、上記のキャパシタ配線３６０として適用することができる。そして、この液晶表示装置３００によれば、上記適用により、スイッチング素子３３０の素子特性、あるいはキャパシタ配線３６０の容量特性が向上し、表示の均一性、及び表示の高精細化が図られる。
【００４１】
（電子機器）
次に、電子機器について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００４２】
なお、上述した電気光学装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】素子基板を示す模式断面図。
【図２】素子基板の製造方法の説明図。
【図３】液晶表示装置の全体構成を示す平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図５】同、液晶表示装置のサブ画素を示す平面図。
【図６】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４５】
１…素子基板、２…キャパシタ、１０…基体、２０…下部電極、２１…金属膜、２２…Ｔｉ膜（窒化チタン膜）、２２ａ…露出面、３０…絶縁膜（第２絶縁膜）、４０…上部電極、４１…金属膜、４２…Ｔｉ膜、５０…層間絶縁膜（第１絶縁膜）、５１…開口部、３００…液晶表示装置（電気光学装置）、３３０…スイッチング素子、３６０…キャパシタ配線、５１０ａ…サブ画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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