(57)【要約】【課題】無線によりテストプログラムを受信する半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】半導体装置の検査方法として、テストプログラムを通信信号として、テスト毎に送信する。動作テスト時に、テストプログラムを通信信号として、無線により送信することで、テスト内容を必要に応じて変化させる。これにより、テストプログラムの変更が容易になり、且つ、検査回路等が不要となる。このようにして無線チップ生産時の製造コストを削減することができる。【選択図】図１
2007066301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ格納部とアンテナを有し、
該データ格納部は薄膜トランジスタを有し、
前記データ格納部には、無線通信によってアンテナを介して受信したテストプログラムが記録されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
データ格納部と受信回路と状態制御レジスタとＲＦ回路を有し、
該データ格納部と該受信回路と該状態制御レジスタと該ＲＦ回路は各々薄膜トランジスタを有し、
前記データ格納部には、無線通信によって前記ＲＦ回路を介して受信されたテストプログラムが記録され、
前記状態制御レジスタはテストプログラム実行状態となる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記データ格納部は、読み出し専用メモリとランダムアクセスメモリを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記テストプログラムのデータには前記読み出し専用メモリ及び前記ランダムアクセスメモリの動作テストを行うテストルーチンが含まれている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
演算回路と送信回路を有し、
該演算回路は、
前記状態制御レジスタがテストプログラム実行状態になった後に前記テストプログラムを開始し、
前記テストプログラムが終了した後に前記状態制御レジスタを送信処理状態にして、
前記送信回路によって、送信データを通信信号の形式に適合するように加工してから変調回路に出力し、送信が終了した後、
前記状態制御レジスタを受信処理状態にする機能を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
演算回路とデータ格納部と状態制御レジスタとＲＦ回路を有する半導体装置の検査方法であって、
前記演算回路が前記状態制御レジスタの状態に従って動作を開始し、
前記演算回路は、前記データ格納部に記録されたテストプログラムを読み込み、前記テストプログラム内のテストルーチンを実行し、
前記演算回路は、前記テストルーチンの実行結果を判別し、該実行結果を前記データ格納部へ書き込み、
前記テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信される
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項７】
演算回路とデータ格納部と状態制御レジスタとＲＦ回路を有する半導体装置の検査方法であって、
前記状態制御レジスタがテストプログラム実行状態になった後に前記テストプログラムを開始し、
前記演算回路は、前記データ格納部に記録されたテストプログラムを読み込み、前記テストプログラム内のテストルーチンを実行し、
前記演算回路は、前記テストルーチンの実行結果を判別し、該実行結果を前記データ格納部へ書き込み、
前記テストプログラムが終了した後に前記状態制御レジスタを送信処理状態にして、
送信が終了した後、
前記状態制御レジスタを受信処理状態にする機能を有し、
前記テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信される
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項８】
演算回路、状態制御レジスタ、データ格納部とＲＦ回路を有する無線チップの検査方法であって、
該無線チップ上には液晶素子を有し、
テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信され、前記データ格納部へ記録され、
前記テストプログラムにより検査を行った後、該検査についての結果の可否を前記液晶素子により表示する
ことを特徴とする無線チップの検査方法。
【請求項９】
演算回路、状態制御レジスタ、データ格納部とＲＦ回路を有する無線チップの検査方法であって、
該無線チップ上には液晶素子を有し、
レーザ光源から受光器への間に前記無線チップが配置され、
テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信、前記データ格納部へ記録され、
前記テストプログラムにより検査を行った後、該検査についての結果の可否を前記レーザ光源からの光が前記受光器に入力されるか否かにより判別する
ことを特徴とする無線チップの検査方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記液晶素子は、偏光板が設けられた基板間に液晶分子が狭持されている
ことを特徴とする無線チップの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の検査を簡便に行うための検査方法や半導体装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有価証券や商品の在庫管理等の自動認識が必要なあらゆる分野を対象に、非接触でデータの授受を行うことのできるＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）チップを搭載したカードや、ＲＦＩＤタグの必要性が高まっている。ＲＦＩＤチップを搭載したカードは、磁気記録方式によりデータを記録する磁気カードに比べて記録容量が大きく、セキュリティ性に優れているため、最近では様々な分野への利用できる形態が提案されている。このようなＲＦＩＤチップを搭載したカードは、データの授受を行う際に使用する周波数帯に適応した形状のアンテナを介することで、外部の機器と非接触でデータの読み書きをする。
【０００３】
一般に、ＲＦＩＤタグ等の半導体装置は大量生産され、検査工程を経て出荷される。検査方法の一つとして、回路や基板に駆動電力を供給することなく検査を行う方法がある（特許文献１参照）。特許文献１には、集積回路に予め検査回路を組み込み、該検査回路に固有のコードを割り当て、外部からの電磁波を受信して動作電源を生成し、生成された検査信号に基づく手順に従って検出し、検出結果を外部へ送信する方法が開示されている。
【０００４】
また、別の検査方法としては配線パターンを含む基板全体を非接触で検査する方法がある（特許文献２参照）。特許文献２によると、集積回路に予め検査回路を組み込み、該検査回路に固有のコードを割り当て、電磁波を検査回路の受信部で受け取り、検査回路の駆動電力を生成し、検査装置から検査制御手順も同様に非接触で受け取り、結果を検査装置に送信する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−５７３００号公報
【特許文献２】特開２００３−６００４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置では検査回路を半導体装置に搭載し、該検査回路を用いて該半導体装置の検査をする、という検査方法が一般的であった。しかし、これでは検査に要するテストプログラムの変更や更新に対処するために検査回路の変更を余儀なくされ、変更や更新が著しく困難であるという不都合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を鑑み、本発明では、半導体装置に搭載されたデータ格納部に、無線通信により送信されたテストプログラムを記録し、該テストプログラムを用いることにより、検査を行う。必要とする検査によって、テストプログラムの内容を変更する場合には無線通信により消去及び書き込みをおこなうことで書き換えができるものとする。半導体装置としては、無線通信可能なチップ（以下、無線チップと記す。）が挙げられる。
【０００７】
以下に本発明の具体的な構成を示す。
【０００８】
本発明の一形態は、データ格納部とアンテナを有し、該データ格納部は薄膜トランジスタを有し、前記データ格納部には、少なくともテスト工程の時には、無線通信によってアンテナを介して受信したテストプログラムが記録されている半導体装置である。
【０００９】
本発明の別形態は、データ格納部と受信回路と状態制御レジスタとＲＦ回路を有し、該データ格納部と該受信回路と該状態制御レジスタと該ＲＦ回路は各々薄膜トランジスタを有し、前記データ格納部には、少なくともテスト工程の時には、無線通信によって前記ＲＦ回路を介して受信された後に前記受信回路にて処理されたテストプログラムが記録され、前記状態制御レジスタはテストプログラム実行状態となることを特徴とする半導体装置である。
【００１０】
また、前記状態制御レジスタはテストプログラム実行状態フラグをテストプログラム実行状態に書き換える手段を有してもよい。
【００１１】
また、前記データ格納部は、読み出し専用メモリとランダムアクセスメモリを有する。
【００１２】
また、前記テストプログラムのデータには前記読み出し専用メモリ及び前記ランダムアクセスメモリの動作テストを行うテストルーチンが含まれている。
【００１３】
上記の形態において、演算回路と送信回路を有し、該演算回路は、前記状態制御レジスタがテストプログラム実行状態に変化する時に前記テストプログラムを開始し、前記テストプログラムが終了する時に前記状態制御レジスタを送信処理状態に変化させ、前記送信回路によって、送信データを通信信号の形式に適合するように加工してから変調回路に出力し、送信が終了次第、前記状態制御レジスタを受信処理状態に変化させる機能を有していてもよい。
【００１４】
本発明の別形態は、演算回路とデータ格納部と受信回路と状態制御レジスタとＲＦ回路を有する半導体装置の検査方法であって、前記演算回路が前記状態制御レジスタの状態に従って動作を開始し、前記演算回路は、前記データ格納部に記録されたテストプログラムを読み込み、前記テストプログラム内のテストルーチンを実行し、前記演算回路は、前記テストルーチンの実行結果を判別し、該実行結果を前記データ格納部へ書き込み、前記テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信された後に前記受信回路にて処理されることを特徴とする半導体装置の検査方法である。
【００１５】
本発明の別形態は、演算回路とデータ格納部と受信回路と状態制御レジスタとＲＦ回路と送信回路を有する半導体装置の検査方法であって、前記状態制御レジスタがテストプログラム実行状態に変化する時に前記テストプログラムを開始し、前記演算回路は、前記データ格納部に記録されたテストプログラムを読み込み、前記テストプログラム内のテストルーチンを実行し、前記演算回路は、前記テストルーチンの実行結果を判別し、該実行結果を前記データ格納部へ書き込み、前記テストプログラムが終了する時に前記状態制御レジスタを送信処理状態に変化させ、前記送信回路によって、送信データを通信信号の形式に適合するように加工してから変調回路に出力し、送信が終了次第、前記状態制御レジスタを受信処理状態に変化させる機能を有し、前記テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信された後に前記受信回路にて処理されることを特徴とする半導体装置の検査方法である。
【００１６】
上記の検査方法の形態において、受信状態フラグを実行状態に書き換える手段によって、前記状態制御レジスタを送信処理状態に変化させてもよい。
【００１７】
本発明の別形態は、演算回路、状態制御レジスタ、データ格納部、ＲＦ回路及び受信回路を有する無線チップの検査方法であって、該無線チップ上には液晶素子を有し、テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信された後に前記受信回路にて処理されて前記データ格納部へ記録され、前記テストプログラムにより行う、検査結果の可否を前記液晶素子により表示する無線チップの検査方法である。
【００１８】
本発明の別形態は、演算回路、状態制御レジスタ、データ格納部、ＲＦ回路及び受信回路を有する無線チップの検査方法であって、該無線チップ上には液晶素子を有し、レーザ光源から受光器への間に前記無線チップが配置され、テストプログラムは通信信号として前記ＲＦ回路を介して受信された後に前記受信回路にて処理されて前記データ格納部へ記録され、前記テストプログラムにより行う、検査結果の可否を前記レーザ光源からの光が前記受光器に入力されるか否かにより判別することを特徴とする無線チップの検査方法。
【００１９】
上記の無線チップの検査方法において、前記液晶素子は、偏光板が設けられた基板間に液晶分子が狭持されていてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によって、通信信号からの誘導起電力により電源電圧を供給し、通信データを送受信する無線チップにおいて、当該チップ構成部品の動作テスト時に、テストプログラムを通信信号として、テスト毎に送信することにより、必要に応じて柔軟にテスト内容を変えることができる。このようにして無線チップ生産時の製造コストを削減することができる。
【００２１】
本発明の無線チップを、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の絶縁性表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタで構成することで、高性能且つ低消費電力の無線チップを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明における検査対象である無線チップのブロック図、無線チップ検査方法を実現するための装置構成及びフローチャートについて説明する。
【００２４】
図１に本発明における検査対象である無線チップのブロック図を示す。
【００２５】
図１において、無線チップ２０１は、データ格納部２２１、演算回路２０２、状態制御レジスタ２０３、受信回路２０４、送信回路２０５、アンテナ２０６、共振回路２０７、電源回路２０８、リセット回路２０９、クロック回路２１０、復調回路２１１、変調回路２１２を有する。無線チップ２０１は、アンテナ２０６、共振回路２０７、電源回路２０８、リセット回路２０９、クロック回路２１０、復調回路２１１及び変調回路２１２を有するＲＦ回路によって、受信信号２１３と送信信号２１４を送受信することができる。なお、図１では、説明の簡単化のため、受信信号２１３と、送信信号２１４とを別の信号として示しているが、実際には両者は重ね合わされ、無線チップ２０１とリーダ／ライタの間で同時に送受信される。
【００２６】
図１において、通信信号により形成される磁界中に無線チップ２０１を配置すると、アンテナ２０６と共振回路２０７により、誘導起電力を生じる。この誘導起電力により、無線チップ２０１の電源電圧を供給することができる。誘導起電力は、電源回路２０８の電気容量により保持され、また、電気容量によって電位を安定化することができる。リセット回路２０９は無線チップ２０１全体を初期状態にする、システムリセット信号２１５を生成する。システムリセット信号２１５はクロック波形を有する。例えば、電源電圧の立ち上がりに対して、一定の時間遅れて立ち上がる信号をシステムリセット信号２１５とすることができる。クロック回路２１０は、通信信号からクロック信号を生成する。例えば、通信信号を半波整流回路にて整流した後、インバーター回路を通すことで、通信信号と同周期のクロック信号が生成される。このクロック信号を、無線チップ２０１におけるシステムクロック信号２１６としてもよいし、さらに分周し、システムクロック信号２１６としてもよい。復調回路２１１は、受信信号２１３の振幅の変動を”０”或いは”１”の信号として検出する。復調回路２１１として、例えばローパスフィルターを用いる。変調回路２１２は、送信信号２１４の振幅を変動させて、送信データを送信する。例えば、送信データが”０”の場合、共振回路２０７の共振点を変化させ、通信信号の振幅を変化させる。状態制御レジスタ２０３は、受信処理状態、データ実行状態、送信処理状態のいずれの状態であるかを示す。状態制御レジスタ２０３を変更することで、各状態間を遷移することができる。具体的には、状態制御レジスタ２０３における特定のビットを、受信処理状態フラグビット、テストプログラム実行状態フラグビット、送信処理状態フラグビットとする。例えば、各状態フラグビットが”１”の場合に各々の状態であるとし、各フラグビットを変更する。つまり、この場合には、受信処理状態フラグビットが”１”の場合に、無線チップ２０１は受信処理状態であるということになる。
【００２７】
データ格納部２２１は、リーダ／ライタから受信した受信データに含まれているテストプログラムデータ及びテスト結果を格納するメモリ素子を有する。メモリ素子として、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ：Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ含む）がある。ＲＯＭにはマスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等があり、ＲＡＭにはＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等がある。具体的には、テストプログラムデータにはＲＯＭ、ＲＡＭの動作検査を行うテストルーチンが含まれ、検査結果にはＲＯＭ、ＲＡＭの不良アドレスおよび不良内容が含まれる。
【００２８】
受信処理状態の場合には、受信回路２０４が動作し、演算回路２０２及び送信回路２０５は停止する。また、演算処理状態の場合は、演算回路２０２が動作し、受信回路２０４及び送信回路２０５は停止する。さらに、送信処理状態の場合は、送信回路２０５が動作し、受信回路２０４及び演算回路２０２は停止する。
【００２９】
上記の状態制御において、クロック信号の供給を停止するには、例えば、受信処理状態フラグビットが”１”の場合に受信回路２０４に供給するクロック信号のイネーブル信号２１７を”１”とし、演算処理状態フラグビットが”１”の場合に演算回路２０２のリセット信号を”０”、演算回路２０２に供給するクロック信号のイネーブル信号２１８を”１”とし、送信処理状態フラグビットが”１”の場合に送信回路２０５に供給するクロック信号のイネーブル信号２１９を”１”とすることで実現できる。
【００３０】
より具体的には、システムリセット信号２１５とイネーブル信号２１７との論理積を受信回路２０４に供給するクロック信号とし、システムリセット信号２１５とイネーブル信号２１８との論理積を演算回路２０２に供給するクロック信号とし、システムリセット信号２１５とイネーブル信号２１９との論理積を送信回路２０５に供給するクロック信号とすることで実現できる。
【００３１】
上記のようにクロック信号を必要とする回路のみに供給することで、無線チップ全体の消費電力を低減できる。
【００３２】
以下、図２のフローチャートを参照しながら、無線チップ全体の動作を説明する。
【００３３】
受信回路２０４は、復調回路２１１により復調された信号から、ＳＯＦ（Ｓｔａｒｔ  Ｏｆ  Ｆｒａｍｅ）と、受信データと、ＥＯＦ（Ｅｎｄ  Ｏｆ  Ｆｒａｍｅ）を識別して抽出する（通信信号受信２７１）。ＥＯＦを抽出した場合、受信データをデータ格納部２２１に記録し、状態制御レジスタ２０３をテストプログラム実行状態に変化させる（状態制御レジスタ設定２７２）。状態制御レジスタ２０３をテストプログラム実行状態に変化させるには、テストプログラム実行状態フラグを”１”に書き換える手段を有していればよい。具体的には、受信回路２０４がＥＯＦを抽出した際に、受信回路２０４がテストプログラム実行状態フラグを”１”に変化させる手段を有していればよい。
【００３４】
演算回路２０２は、例えばテストプログラムデータの送受信において、テストプログラムの実行を行う専用回路を有する。テストプログラム実行状態フラグが”１”の場合に、テストプログラムを開始する（テストプログラム実行２７３）。また、テストプログラムが終了した場合、状態制御レジスタを送信処理状態に変化させる（状態制御レジスタ設定２７４）。状態制御レジスタ２０３を送信処理状態に変化させるには、送信状態フラグを”１”に書き換える手段を有していれば良い。具体的には、演算回路２０２がテストプログラムの実行を終了した際に、演算回路２０２が送信状態フラグを”１”に変化させる手段を有していれば良い。
【００３５】
送信回路２０５は、送信データを、通信信号の形式に沿って加工し、変調回路２１２に出力する（通信信号送信２７５）。送信が終了次第、状態制御レジスタを受信処理状態に変化させる（状態制御レジスタ設定２７６）。状態制御レジスタを受信処理状態に変化させるには、受信状態フラグを”１”に書き換える手段を有していればよい。具体的には、送信回路２０５が送信データの送信を終了した際に、送信回路２０５が受信状態フラグを”１”に変化させる手段を有していれば良い。
【００３６】
次に、図３のフローチャートを参照しながらテストプログラムの動作を説明する。
【００３７】
演算回路２０２は状態制御レジスタ２０３の状態を受けて動作を開始する（開始３０７）。演算回路２０２は、データ格納部２２１からテストプログラムを読み込み（テストプログラム読み込み３０８）、テストプログラム内のテストルーチンを実行する（テストルーチン実行３０９）。演算回路２０２はテストルーチンの実行結果を判別し（テスト結果判別３１０）、その結果をデータ格納部２２１へ書き込む（テスト結果書き込み３１１）。最後に、演算回路２０２は動作を終了する（終了３１２）。
【００３８】
このようにテストプログラムを実行させることにより、テストプログラムを通信信号としてテスト毎に送信することにより、必要に応じて自由にテスト内容を変えることができる。
【００３９】
次に図１の構成を有し、図２、図３の手順で動作を行う無線チップの検査装置を図４乃至図８を用いて説明する。
【００４０】
図４に示す基板４０４は、大型のガラス基板であり、基板上に大量の無線チップが形成されている。無線チップの構成は図１に示すとおりである。具体的には、６００ｍｍ×７２０ｍｍの第４世代ガラス基板を使用した場合、１枚の基板上に１ｃｍ角の無線チップが約４０００個形成できる。図７には、基板４０４の上面図を示す。無線チップは各々アンテナ４０６を有している。当該アンテナにより無線通信及び無線検査を行うことができる。
【００４１】
図４に示すプローバ制御装置４０１は、ケーブル４０２を介して、無線プローバ４０３に接続され、無線プローバ４０３の動作を制御する。無線プローバ４０３は、ステージ４０５の上に置かれた基板４０４に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に動作する機構を備えていればよい。
【００４２】
プローバ制御装置４０１は、図２２に示すように、ホストコンピュータ６００、当該コンピュータに接続されたデータ送信部６０１、データ受信部６０２、ステージ制御部６０３を有する。プローバ制御装置４０１は、データ送信部６０１によって、テストプログラムデータを無線プローバ４０３へ送信することができる。プローバ制御装置４０１は、データ受信部６０２によって、無線プローバ４０３からテストプログラムデータを受信することができる。プローバ制御装置４０１は、ステージ制御部６０３によって、ステージとプローバとを相対的に移動させることができる。
【００４３】
また、無線プローバ４０３は、内蔵された無線アンテナによって基板４０４上の任意の無線チップのアンテナ４０６にテストプログラムデータを送信することができる。このとき、通信信号により形成される無線アンテナの磁界中に、無線チップのアンテナ４０６が入るようにプローバ制御装置４０１とステージ４０５とをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対的に移動させる。具体的には１３．５６ＭＨｚで動作する無線チップの場合、無線プローバから２〜３ｃｍ程度の距離にあればよい。
【００４４】
基板４０４上の無線チップの全てを検査するとき、例えばステージ４０５を固定し、基板４０４上に矢印で記した方向に無線プローバ４０３を動作させると、無線プローバ４０３の移動距離が短いため、検査工程のスループットをあげることができる。また無線プローバ４０３を固定し、矢印で示した方向にステージ４０５を移動させてもよい。
【００４５】
無線プローバ４０３は、任意の無線チップのアンテナ４０６へテストプログラムデータを送信し、検査終了後に受信した検査結果を、ケーブル４０２を介してプローバ制御装置４０１へ送信することができる。
【００４６】
検査結果は、図５のように、基板上の良品を○、不良品を×であらわすことにより、基板上の不良分布を一目で判別することが可能となる。検査結果の表示は、良品不良品の場所を座標（ｘ、ｙ）で示してもよいし、良品不良品の数を示しても良い。
【００４７】
図２３には、検査方法のフローチャートを示す。ホストコンピュータ６００は、検査を開始する（開始６３０）と、ステージ４０５を検査箇所に移動させる（ステージを検査箇所に移動させる６３１）。その後、ホストコンピュータ６００はプローバ制御装置４０１のデータ送信部６０１へテストプログラムデータを送信する（データ送信部へテストデータを送信する６３２）。具体的には、データ送信部６０１はテストプログラムデータを無線プローバ４０３によって任意の無線チップへ送信する。次に、データ受信部６０２は任意の無線チップから無線プローバを介して受け取ったデータを受信し、ホストコンピュータ６００はデータ受信部６０２から収集したデータを受信する（データ受信部から収集したデータを受信する６３３）。その後、ホストコンピュータ６００は、データの一致不一致を判断するテスト結果の判別を行う（テスト結果判別６３４）。検査結果が良好（ＹＥＳ）である場合、検査箇所のステージ座標データと、「ＯＫ」のフラグをホストコンピュータ６００へ記録する（ステージ座標データと「ＯＫ」とを記録６３６）。そして検査を終了する（終了６３８）。一方、検査結果が不良（ＮＯ）である場合には再テストを行い、判別を行ってもよい（再テスト判別６３５）。再テストを行っても検査結果が不良（ＮＯ）となる場合には、対象箇所のステージ座標データと、「ＮＧ」のフラグをホストコンピュータ６００へ記録する（ステージ座標データと「ＮＧ」とを記録６３７）。そして検査を終了する（終了６３８）。再テストは、最初のテストを含めて２回以上であれば、その回数は限定されない。検査を複数回行うことで、テストの精度を高めることができる。そのため、検査結果が良好（ＹＥＳ）となった場合であっても、再テストを行ってもよい。
【００４８】
次に、異なる形態の検査装置について説明する。図６には、図４に示す検査装置に加えて、プローバによって通信信号を送受信し、無線チップの動作検査を行うことができる検査装置の構成を示す。
【００４９】
図６に示したプローバ制御装置４１１は、ケーブル４１２を介して無線プローバ４１３に接続され、無線プローバ４１３の動作を制御し、無線プローバ４１３はプローバ４１６を有している。無線プローバ４１３は、ステージ４１５の上に置かれた基板４１４に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に動作する機構を備えていれば良い。すなわち図４と同様に、プローバ制御装置４１１とステージ４１５とをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対的に移動させることができればよい。
【００５０】
基板４１４には、電極パッド４１７が設けられている。図８には、当該検査装置を用いて検査する基板の上面図を示す。基板４２０には大量の無線チップが形成され、基板４２０の一部に電極パッド４１７が設けられ、無線チップはアンテナ４１９を有する。このような検査装置により、プローバ４１６と電極パッド４１７を接触させることで直接接続させ、電気的に接続させることで、テストデータを含む通信信号を無線チップへ送ることもできる。
【００５１】
このような形態の検査装置により、基板４２０上のアンテナ４１９に不良があり、使用できない場合でも、無線チップの検査が可能になる。
【００５２】
上記の形態をとることで、通信信号からの誘導起電力により電源電圧を供給し、通信データを送受信する無線チップにおいて、無線チップ構成部品の動作検査時に、テストプログラムを通信信号として検査毎に送信することにより、必要に応じて柔軟に検査内容を変えることができる。従来のように、検査回路を内蔵する無線チップにおいては、検査内容を変える度にマスク変更及び再生産が必要であった。本発明を用いることで、マスクの変更及びマスクの再生産を行わずに検査内容の変更に柔軟に対応することができる。これにより無線チップ生産時の製造コストを削減することができる。
【００５３】
また、本実施の形態における無線チップを、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の絶縁性基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにより構成することで、高性能且つ低消費電力の無線チップを提供することができる。
【００５４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の無線チップ検査方法を実現するための装置構成及びフローチャート、検査対象である無線チップのブロック図、素子構造を図９乃至図１４を用いて説明する。
【００５５】
図９に本発明における無線チップ検査方法の検査対象である無線チップのブロック図を示す。図９は実施の形態１における無線チップのブロック図に液晶駆動部２２２を加えたものであり、図１と同様にデータ格納部２２１、演算回路２０２、状態制御レジスタ２０３、受信回路２０４、送信回路２０５、アンテナ２０６、共振回路２０７、電源回路２０８、リセット回路２０９、クロック回路２１０、復調回路２１１、変調回路２１２を有する。液晶駆動部２２２は、スイッチング素子と液晶素子を有し、基板上面から下面への光の透過を制御する手段を有していれば良い。スイッチング素子は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴともいう。）を用いて形成することができる。具体的な液晶駆動部２２２は、演算回路２０２がテストプログラムを実行した際に、テスト結果に応じてスイッチング素子に電圧を印加し、液晶分子を制御することで、光の透過、非透過を決めることができる。
【００５６】
図１０、図１１に液晶駆動部２２２を構成する液晶分子の動作を模式的に示す。本模式図は一般的にＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型と呼ばれる液晶の表示原理を示す。
【００５７】
図１０には、第一の基板１００４に設けられた第一の偏光板１００１と、第二の基板１００５に設けられた第二の偏光板１００３との間に、液晶分子１００２を有する液晶素子を示す。液晶素子に電圧を印加していないとき、第一の基板１００４から入射した光は、第二の基板１００５へ透過する。具体的には、第一の基板１００４から入射した光が、第一の偏光板１００１によって単一方向の成分のみ通過し、液晶分子１００２によって螺旋方向に９０°ねじれた光として第二の偏光板１００３を通過することで、第一の基板１００４から第二の基板１００５へ光が透過する。
【００５８】
図１１には、第一の基板１０１４に設けられた第一の偏光板１０１１と、第二の基板１０１５に設けられた第二の偏光板１０１３との間に、液晶分子１０１２を有する液晶素子を示す。液晶素子に対して電圧を印加しているとき、第一の基板１０１４から入射した光は、第二の基板１０１５へ透過しない。具体的には、第一の基板１０１４から入射した光が、第一の偏光板１０１１によって単一方向の成分のみ通過させられるが、液晶分子１０１２によって遮光されるため、第二の基板１０１５へ光が到達しない。
【００５９】
図１２には、液晶駆動部２２２の断面図を示す。絶縁性基板３０１上に下地層を介し、スイッチング素子として、ＴＦＴ３０３が設けられている。ＴＦＴ３０３のソース電極又はドレイン電極には、画素電極３０４が接続されており、ＴＦＴ３０３からの制御信号が画素電極３０４に入力される。画素電極３０４及びＴＦＴ３０３を覆うように配向膜３０５が設けられている。配向膜３０５によって、液晶分子の傾きを制御することができる。
【００６０】
絶縁性基板３０１に対向して、対向基板３１４が配置されている。対向基板３１４には、対向電極３１８、配向膜３１５が順に設けられている。絶縁性基板３０１と対向基板３１４の間には、液晶分子３１７が設けられている。絶縁性基板３０１と、対向基板３１４との間隔は、スペーサ３１９によって一定に保持されている。液晶分子３１７が設けられた後、絶縁性基板３０１と対向基板３１４はシール材３２０によって固定される。
【００６１】
このような液晶駆動部２２２は、ＴＦＴ３０３によって液晶分子３１７への電圧印加のスイッチングが行われ、ＴＦＴ３０３がオフのときに絶縁性基板３０１に透過光３３０が達する。
【００６２】
次に、このような液晶駆動部２２２を有する無線チップにおけるテストプログラムの動作を、図１３を参照しながら説明する。
【００６３】
まず、無線チップが有する演算回路２０２は、状態制御レジスタ２０３の状態を受けて動作を開始する（開始３０７）。演算回路２０２は、データ格納部２２１からテストプログラムを読み込み（テストプログラム読み込み３０８）、テストプログラム内のテストルーチンを実行する（テストルーチン実行３０９）。演算回路２０２は、テストルーチンの実行結果を判別し（テスト結果判別３１０）、異常が検出されたときに、液晶駆動部２２２へ電圧を印加する（液晶駆動部電圧印加３１３）。最後に、演算回路２０２は動作を終了する（終了３１２）。
【００６４】
このようにテストプログラムを実行させ、テスト結果に応じて液晶駆動部２２２に電圧を印加することで、光の透過、非透過を制御することができる。
【００６５】
次に図９の構成を有し、図１３の手順でテストプログラムの動作を行うことができる無線チップの検査装置及び検査方法について図１４を用いて説明する。本検査装置は実施の形態１の装置と組み合わせて使用し、無線チップの動作電源に通信信号からの誘導起電力を用いる構成は実施の形態１と同様であり、説明を省略する。
【００６６】
図１４（Ａ）に示すレーザ光源５０は、絶縁性基板５３上に形成された任意の無線チップ５４に対して垂直方向から発せられ、チップを通過して受光器５１に到達する。したがって、レーザ光源５０の光軸と受光器５１の中心軸が一致していることが必要である。
【００６７】
絶縁性基板５３は、検査対象の無線チップ５４にレーザ光源が入射するように、絶縁性基板５３とレーザ光源５０が相対的に移動する。例えば、絶縁性基板５３を保持するステージがＸ方向、Ｙ方向に移動する手段を有していれば良い。
【００６８】
無線チップ５４のスペーサ５７の内側に液晶５６が封入されており、液晶５６は液晶駆動部２２２によって透過、非透過の制御が行われる。絶縁性基板５３は、本検査装置による検査後に、カット領域５８で分断される。
【００６９】
任意の無線チップ５４へレーザ光源５０から光を発したとき、テストプログラムの実行結果が正常であれば、液晶は駆動され、レーザ光源５０から発せられた光は、受光器５１に到達することができない。検査プログラムの実行結果が異常であれば、液晶が駆動されず、レーザ光源５０から発せられた光は、受光器５１に到達する。受光器５１は、チップ毎に透過、非透過を記録し、チップの不良情報として蓄積する。
【００７０】
このとき、無線チップ５４の間隔が狭いため、アンチコリジョン処理を用いる。アンチコリジョン処理を行うことで、特定の無線チップのみを対象として検査することができる。アンチコリジョン処理は、検査装置内に設定すればよい。なお、アンチコリジョン処理とは混信が発生することを防止する処理である。
【００７１】
上記のように、レーザ光源５０から発せられた光の透過、非透過によって、無線チップの良品、不良品の検知を行うことが可能である。
【００７２】
上記の形態とすることで、通信信号からの誘導起電力により電源電圧を供給し、通信データを送受信する無線チップにおいて、無線チップ構成部品の動作検査時に、液晶の駆動状態によって動作検査を行うことができる。そのため、通信により結果を送信することなく、光の透過、非透過により検出するため、検査工程時に装置から発せられる電気ノイズの影響を受けることが無くなる。
【００７３】
また、液晶表示素子を内蔵した無線チップを製造するときに、本実施形態で示した検査方法を用いると、表示素子の動作検査と無線チップの動作検査を同時に行うことができる。そのため、検査工程を減らすことができ、製造コストの低減につながる。
【００７４】
また、本実施の形態における無線チップを、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の絶縁性表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタから構成することで、高性能且つ低消費電力の無線チップを提供することができる。
【００７５】
図１４（Ｂ）には無線チップの拡大図と切断工程を示す。絶縁性基板５３に設けられた無線チップ５４上には、基板に狭持された液晶５６が配置されている。隣接する無線チップの境目をスペーサ５７によって隔てている。そのため、液晶５６が複数の無線チップにわたって設けられることはない。このような構成となるように、液晶５６を狭持する基板にスペーサ５７を設けておき、液晶を滴下し、対向基板をもって封止する。このように液晶を滴下することにより、スペーサ５７によって隔てられた複数の領域に、液晶素子を設けることができる。
【００７６】
その後、無線チップ５４と液晶素子を合わせた状態で切断する。切断する領域は、スペーサ５７の間である。切断する手段には、レーザカット法、スクライブ法等がある。
【００７７】
このように、本発明を用いることで、検査を簡便に行うことができる無線チップを提供することができる。
【００７８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明における無線チップ検査方法を実現するためのテストプログラム内のテストルーチンを図１６から図２１を用いて説明する。本実施の形態におけるテストルーチンは、実施の形態１及び実施の形態２で使用されるテストプログラムに組み込むことができる。
【００７９】
図１６に示すフローチャートを参照しながら、テストルーチンの動作を説明する。
【００８０】
演算回路２０２は、データ格納部２２１からテストプログラムを読み込み、テストルーチンを開始する（開始５０１）。演算回路２０２は、データ格納部のコマンドコードを判別（コマンドコード判別５０２）し、コマンドコードの種類によって処理をデータコピールーチン（データコピールーチン５０４）、ＲＯＭテストルーチン（ＲＯＭテストルーチン５０５）、ＲＡＭテストルーチン（ＲＡＭテストルーチン５０６）に分岐させ、いずれかのルーチンを実行させることができる。勿論、複数のルーチンを実行させてもよい。最後に、演算回路２０２はテストルーチンを終了する（終了５０３）。
【００８１】
図２０には、データ格納部２２１のアドレス空間を示す。データ格納部２２１は、ＲＯＭ２５０、ＲＡＭ２５１、制御レジスタ２５２、受信データレジスタ２５３、送信データレジスタ２５４を有する。制御レジスタ２５２は、受信処理状態、データ実行状態、送信処理状態のいずれの状態であるかを示す機能を有する。受信データレジスタ２５３は、無線チップが受信したデータを格納する機能を有する。送信データレジスタ２５４は、無線チップが送信するデータを格納する機能を有する。また、無線チップと情報や電力の授受を行うリーダ／ライタ装置にも、図２０と同様の内容が記録されている。
【００８２】
次に図１７から図１９のフローチャートを参照しながら、図１６に含まれるコマンドコード別処理の詳細を説明する。
【００８３】
図１７に、データコピールーチンのフローチャートを示す。コマンドの種類によって、データコピールーチンを開始する（開始６０５）。その後、受信データレジスタを送信データレジスタにコピーする（受信データレジスタを送信データレジスタにコピー６０６）。受信データレジスタを送信データレジスタにコピーすることによって、無線通信可能なデータとなり、リーダ／ライタ装置にデータを送信することができる。その後、リーダ／ライタ装置に記録されているデータと対比して、データの一致不一致を判断する。そして、データコピールーチンは終了する（終了６０７）。
【００８４】
このようなデータコピールーチンは、コピー先とコピー元のデータの一致不一致を判断し、検査を簡便に行うことができる。さらに、不一致箇所のデータから、不具合が生じている配線を特定することができ、選択的に修理することが可能である。
【００８５】
図１８に、ＲＯＭテストルーチンのフローチャートを示す。コマンドの種類によって、ＲＯＭテストルーチンを開始する（開始６１１）。そして、選択したアドレスのデータを送信データレジスタにコピーする（選択したアドレスのデータを送信データレジスタにコピー６１２）。選択したアドレスのデータを送信データレジスタにコピーすることによって無線通信可能なデータとなり、リーダライタ装置に送信することができる。その後、リーダライタ装置に記録されているアドレスデータと対比して、データの一致不一致を判断する。このようにしてＲＯＭテストルーチンは終了する（終了６１３）。
【００８６】
このようなＲＯＭテストルーチンは、コピー先とコピー元のデータの一致不一致を判断し、検査を簡便に行うことができる。任意のアドレスに対して検査を行っているが、すべてのアドレスに対する検査を行う必要はない。不良の発生確率を考慮し、アドレスを指定して検査を行う。もちろん、全アドレスに対して検査を行ってもよい。その場合、不具合が生じている配線を特定することができ、選択的に修理することが可能である。
【００８７】
図１９にＲＡＭテストルーチンのフローチャートを示す。コマンドの種類によって、ＲＡＭテストルーチンを開始する（開始６２１）。そして、受信データレジスタのデータをＲＡＭの任意のアドレスにコピーし（受信データレジスタのデータをＲＡＭの任意のアドレスにコピー６２２）、ＲＡＭからデータを読み出す（ＲＡＭからデータを読み出し６２３）。次に、コピーされた書き込みデータと、読み出しデータとの一致、不一致を判断する（書き込みデータと読み出しデータの一致判断６２４）。一致する場合（ＹＥＳ）、検査結果が良好であったことを記すため、「ＯＫ」フラグを送信データレジスタに書き込み（「ＯＫ」フラグを送信データレジスタに書き込み６２５）、ＲＡＭテストルーチンは終了する（終了６２７）。一方、不一致であった場合（ＮＯ）、検査結果が不良であったことを記すため、「ＮＧ」フラグを送信データレジスタに書き込み（「ＮＧ」フラグを送信データレジスタに書き込み６２６）、終了する（終了６２７）。
【００８８】
ＲＡＭテストルーチンは、ＲＡＭがＣＰＵの演算結果を一時的に保存する機能を有するため、特に重要な検査である。また、ＲＡＭはＲＯＭと比較すると容量も少ないため、検査は短時間で完了する。
【００８９】
このような検査を行うため、リーダ／ライタ装置（Ｒ／Ｗ）から無線チップに送られるデータはＳＯＦ２６０、フラグ２６１、コマンド２６２、データ２６３、ＣＲＣ２６４（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  Ｃｈｅｃｋ）、ＥＯＦ２６５を有する（図２１（Ａ）参照）。コマンド２６２によって、いずれのテストプログラムを実行するかを決めることができる。
【００９０】
また、無線チップからリーダライタ装置（Ｒ／Ｗ）に送信されるデータは、ＳＯＦ２６８、データ２６９、ＥＯＦ２７０を有する（図２１（Ｂ）参照）。データ２６９は、送信データレジスタにコピーされたデータ、つまりリーダ／ライタ装置に記録されたデータとの一致、不一致を判断するデータである。
【００９１】
本実施の形態で示した検査において、送信データレジスタにコピーされたデータと、リーダ／ライタ装置に記録されたデータとの一致、不一致の判断は、複数回行ってもよい。複数回行うことで検査の精度を高めることができる。
【００９２】
上記の形態をとることで、通信信号からの誘導起電力により電源電圧を供給し、通信データを送受信する無線チップにおいて、ＲＦチップ構成部品の動作検査時に、短い時間で無線チップ検査を行うことが可能になる。そのため、検査工程の時間を短縮することができ、検査工程のタクトタイムを減らし、生産時間を減らすことができる。結果として、コストを削減することができる。
【００９３】
また、本実施の形態における無線チップを、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の絶縁性表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタで構成することで、高性能且つ低消費電力の無線チップを提供することができる。
【００９４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタによる無線チップの作製方法について説明する。
【００９５】
図１５（Ａ）に示すように、絶縁性基板１００を用意する。絶縁性基板１００には、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等が挙げられる。また、これらの基板は裏面を研磨する等して薄くすることができる。さらに、金属元素等の導電性基板や、シリコン等の半導体基板上に絶縁性を有する材料の層を形成した基板を用いることも可能である。無線チップを、例えばプラスチック基板に形成することで、柔軟性が高く、軽量で薄型な装置を作製することができる。
【００９６】
絶縁性基板１００上に剥離層１０１を選択的に形成する。剥離層１０１は絶縁性基板１００の全面に形成されていてもよい。剥離層１０１はスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素又は前記元素を主成分とする合金材料又は前記元素を主成分とする化合物材料からなる層を単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造には特に限定はなく、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【００９７】
剥離層１０１上に下地層１０２を形成する。下地層１０２は、酸化珪素、窒化珪素、又は酸化窒化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて、単層又は積層で形成することができる。積層形成する場合、下地層１０２の一層目として、膜厚１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下（好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）の酸化窒化珪素層を形成する。当該酸化窒化珪素層はプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ及びＨ２を反応ガスとして用いて形成することができる。次いで、下地層１０２のニ層目として、膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下（好ましくは１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下）の酸化窒化珪素層を形成する。当該酸化窒化珪素層は、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを反応ガスとして形成することができる。
【００９８】
下地層１０２上に半導体層１０４を形成する。半導体層１０４は、シリコン又はシリコンとゲルマニウムからなる材料等を用いて形成することができる。半導体層１０４の結晶構造に特に限定はなく、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【００９９】
半導体層１０４を多結晶材料で形成するには、非晶質半導体層に対して加熱処理を行えばよい。加熱処理には、レーザ照射、加熱炉、ランプ照射等が挙げられ、これらのいずれか一又は複数を用いることができる。
【０１００】
レーザ照射には、連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザ）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザ）を用いることができる。レーザビームとしては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザのうち一種又は複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波と、当該基本波の第２高調波から第４高調波といった高調波のレーザビームのいずれかを照射することで、粒径の大きな結晶を有するシリコン層を得ることができる。高調波には、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるとよい。レーザ照射におけるエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。また、走査速度は１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度とする。
【０１０１】
なお、基本波のＣＷレーザと高調波のＣＷレーザとを照射するようにしてもよいし、基本波のＣＷレーザと高調波のパルスレーザとを照射するようにしてもよい。複数のレーザ光を照射することにより、広範囲のエネルギー領域を補うことができる。
【０１０２】
また、パルスレーザを用いる場合に、非晶質状態を有するシリコン層がレーザによって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザを照射できるような発振周波数のレーザを発振させるレーザを用いることもできる。このような周波数でレーザを発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有するシリコン層を得ることができる。このようなレーザの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であり、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い。
【０１０３】
加熱処理として加熱炉を用いる場合には、非晶質状態を有する半導体層を４００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を４００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の４００℃程度の低温加熱工程により、非晶質状態を有する半導体層に含まれる水素等が出てくるため、結晶化の際に層表面が荒れるのを低減することができる。
【０１０４】
上記加熱処理の行程において、半導体層の結晶化を促進させる金属、例えばニッケル（Ｎｉ）を添加する。非晶質状態を有するシリコンの層上にニッケル（Ｎｉ）を含む溶液を塗布し、加熱処理を行うことができる。このように金属を用いて加熱処理を行うことで、加熱温度を低減することができ、さらには、結晶粒界の連続した多結晶珪素層を得ることができる。ここで結晶化を促進するための金属としてはニッケル（Ｎｉ）の他に、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｕ）等を用いることもできる。
【０１０５】
結晶化を促進させる金属はメモリセル等の汚染源となるため、半導体層を結晶化した後に、金属を除去するゲッタリング工程を行うことが望ましい。ゲッタリング工程では、半導体層を結晶化した後、半導体層上にゲッタリングシンクとなる層を形成し、加熱することで金属をゲッタリングシンクへ移動させる。ゲッタリングシンクには、多結晶半導体層や不純物が添加された半導体層を用いることができる。例えば、多結晶珪素層上にアルゴン等の不活性元素が添加された多結晶半導体層を形成し、これをゲッタリングシンクとして用いることができる。ゲッタリングシンクに不活性元素を添加することによってひずみを生じさせ、より効率的に金属を捕獲することができる。また新たにゲッタリングシンクを形成することなく、ＴＦＴの半導体層の一部にリン等の元素を添加することによって、金属を捕獲することもできる。
【０１０６】
このようにして形成された半導体層１０４を所定の形状に加工し、島状の半導体層１０４を形成する。加工には、フォトリソグラフィ法によって形成されたマスクを用いて、エッチングを行う。エッチングには、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を適用することができる。
【０１０７】
半導体層１０４を覆うようにゲート絶縁層１０５として機能する絶縁層を形成する。ゲート絶縁層１０５は、下地層１０２と同様の材料、同様の方法により形成することができる。
【０１０８】
図１５（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁層１０５を介してゲート電極層１０６として機能する導電層を形成する。ゲート電極層１０６はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を有する合金膜を用いることができる。ゲート電極層１０６は、単層又は積層にすることができ、積層にする場合には、例えば、窒化タンタル上にタングステンを形成した積層構造にすればよい。ゲート電極層１０６の加工には、フォトリソグラフィ法によって形成されたマスクを用いてエッチングを行う。エッチングには、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を適用することができる。
【０１０９】
ゲート電極層１０６の側面に絶縁層として機能する、サイドウォール１０７を形成する。サイドウォール１０７は、下地層１０２と同様の材料、同様の方法により形成することができる。またサイドウォール１０７の端部にテーパ形状を有するためには、等方性エッチングを行えばよい。短チャネル効果はＮチャネル型ＴＦＴにおいて特に顕著であるため、少なくともＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極側面に設けるとよい。
【０１１０】
このような状態で、ゲート絶縁層１０５をエッチングする。その結果、半導体層１０４の一部や下地層１０２が露出する。エッチングには、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を適用することができる。
【０１１１】
ゲート電極層１０６及びサイドウォール１０７の存在する状態で、半導体層１０４に不純物元素を添加し、高濃度不純物領域１１０、高濃度不純物領域１１２を形成する。Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する場合、不純物元素にはリンを用い、Ｐチャネル型ＴＦＴとする場合、不純物元素にはボロンを用いることができる。このとき、不純物元素の添加量を調節し、サイドウォール１０７の下方に低濃度不純物領域を形成すると好ましい。本実施の形態では、Ｎチャネル型ＴＦＴの不純物領域にのみ低濃度不純物領域１１１を形成する。低濃度不純物領域１１１により、短チャネル効果を防止することができる。このような低濃度不純物領域を有するＴＦＴ構造をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造と呼ぶ。
【０１１２】
その後、下地層１０２、半導体層１０４、ゲート電極層１０６、サイドウォール１０７を覆うように絶縁層１１４を形成する。絶縁層１１４は、ＣＶＤ法によって酸化珪素、窒化珪素等により形成するとよい。
【０１１３】
絶縁層１１４を形成後、必要に応じて加熱処理を行う。加熱処理は、上記の結晶化と同様に行うことができる。この加熱処理により、不純物領域が活性化される。ＣＶＤ法により形成された絶縁層１１４は、多量の水素を含むため、上記の加熱処理により水素が拡散し、不純物領域の膜に形成される荒れを低減することができる。
【０１１４】
図１５（Ｃ）に示すように、層間膜として機能する絶縁層１１５、絶縁層１１６を形成する。絶縁層１１５、絶縁層１１６には、無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。有機材料としてはポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。なお、シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。一般に、無機材料を用いると、不純物元素の侵入を防止することができ、有機材料を用いると平坦性を高めることができる。そのため、本実施の形態では、絶縁層１１５に無機材料を用い、絶縁層１１６に有機材料を用いる。
【０１１５】
次に、絶縁層１１４、絶縁層１１５、絶縁層１１６をエッチングで開口することで、コンタクトホールを形成して配線１１８を形成する。配線１１８は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を有する合金膜を用いることができる。配線１１８は、単層又は積層にすることができ、例えば第１層にタングステンや窒化タングステン等を用い、第２層にアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）やアルミニウムとチタンの合金（Ａｌ−Ｔｉ）を用い、第３層に窒化チタン膜やチタン膜等を順次積層した構造を適用することができる。配線１１８の加工方法として、フォトリソグラフィ法で形成されたマスクを用いるエッチング法がある。エッチング法には、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を適用することができる。配線１１８は、半導体層１０４の高濃度不純物領域１１０及び高濃度不純物領域１１２に接続される。
【０１１６】
このようにして、Ｎチャネル型ＴＦＴ１３０、Ｐチャネル型ＴＦＴ１３１を形成することができる。
【０１１７】
その後、必要に応じて、配線１１８上に保護層１１９を形成する。保護層１１９は、酸化珪素又は窒化珪素等によって形成することができる。例えば、窒化珪素を用いて保護層１１９を形成する。その結果、ＴＦＴは保護される。
【０１１８】
ここで、図１５（Ｄ）に示すように、ＴＦＴが形成されていない領域の、所望の位置に開口部を形成し、該開口部にエッチング剤１２５を導入する。開口部はウェットエッチング法又はドライエッチング法を用いて形成することができる。エッチング剤１２５は、剥離層つまり被エッチング層の材質により適切なものを選択する。例えば、ウエットエッチング法であれば、フッ酸を水やフッ化アンモニウムで希釈した混液、フッ酸と硝酸の混液、フッ酸と硝酸と酢酸の混液、過酸化水素と硫酸の混液、過酸化水素とアンモニウム水と水の混液、過酸化水素と塩酸と水の混液等を用いることができる。また、ドライエッチング法であれば、フッ素等のハロゲン系の原子や分子を含む気体又は酸素を含む気体を用いる。好ましくは、エッチング剤として、フッ化ハロゲン又はハロゲン間化合物を含む気体又は液体、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を用いるとよい。
【０１１９】
エッチング剤１２５を導入することにより、剥離層１０１が除去される。すると、絶縁性基板１００が剥離される。このようにして、薄型、軽量の無線チップを作製することができる。
【０１２０】
上記の方法の他に、レーザ描画、無線チップの側面に切り込みを入れる等の方法により、剥離層１０１を露出させてエッチング剤を導入してもよい。また、エッチング剤を用いずに、物理的に絶縁性基板１００を剥離させてもよい。
【０１２１】
図１５（Ｅ）に示すように、剥離したＴＦＴをフィルム１２７やフィルム１２８によって覆うことで無線チップを完成させる。このとき、接着層１２９を用いて、フィルム１２７やフィルム１２８と貼り合わせてもよい。フィルム１２７及びフィルム１２８には、水分や酸素等の侵入を防ぐために、保護層を形成しても良い。また配線１１８上には保護層１１９が形成されているため、下地層１０２又は接着層１２９の下方に保護膜を形成してもよい。保護膜は、酸化珪素又は窒化珪素等によって形成することができる。
【０１２２】
このように絶縁性基板上に形成して、絶縁性基板を剥離した無線チップは、より軽量で安価に提供することができる。また、このような無線チップは柔軟性に富むため、曲面に貼り付けることも可能であり、様々な物品へ搭載することができる。
【０１２３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明における半導体装置の例として、暗号処理機能を有する無線チップについて図２４〜図２６を用いて説明する。図２４は無線チップのブロック図、図２５は無線チップのレイアウト図、図２６は無線チップの一部の断面図である。
【０１２４】
まず、図２４を用いて無線チップのブロック構成を説明する。図２４において、無線チップ２６０１は、ＣＰＵ２６０２、ＲＯＭ２６０３、ＲＡＭ２６０４、コントローラ２６０５で構成される演算回路２６０６、アンテナ２６０７、共振回路２６０８、電源回路２６０９、リセット回路２６１０、クロック生成回路２６１１、復調回路２６１２、変調回路２６１３、電源管理回路２６１４で構成されるアナログ部２６１５を有する。コントローラ２６０５は、ＣＰＵのインターフェースであるＣＰＵＩＦ２６１６、制御レジスタ２６１７、コード抽出回路２６１８、符号化回路２６１９から構成される。なお、図２４では説明の簡単化のため、通信信号を受信信号（暗号文）２６２０と送信信号（平文）２６２１に分けて示したが、実際には両者は重ね合わされており、無線チップ２６０１とリーダ／ライタ装置の間で同時に送受信される。受信信号（暗号文）２６２０はアンテナ２６０７で受信された後、復調回路２６１２で復調される。また、送信信号（平文）２６２１は、変調回路２６１３で変調された後、アンテナ２６０７から送信される。なお、ここで平文とは暗号文を含まない信号をいう。
【０１２５】
図２４において、通信信号により形成される磁界中に無線チップ２６０１を置くと、アンテナ２６０７と共振回路２６０８により誘導起電力を生じる。誘導起電力は、電源回路２６０９における電気容量により保持され、また、電気容量によって電位が安定化され、無線チップ２６０１の各回路に電源電圧として供給される。リセット回路２６１０は、無線チップ２６０１全体の初期化を行うリセット信号を生成する。例えば、電源電圧の上昇に遅延して立ち上がる信号をリセット信号として生成する。クロック生成回路２６１１は、電源管理回路２６１４より生成される制御信号に応じて、クロック信号の周波数とデューティー比を変更する。復調回路２６１２は、ＡＳＫ方式の受信信号（暗号文）２６２０の振幅の変動を”０”或いは”１”の受信データ２６２２として検出する。復調回路２６１２は、例えばローパスフィルターとする。変調回路２６１３はＡＳＫ方式の送信信号（平文）２６２１の振幅を変動させて送信データを送信する。例えば、送信データ２６２３が”０”の場合、共振回路２６０８の共振点を変化させ、通信信号の振幅を変化させる。電源管理回路２６１４は電源回路２６０９より演算回路２６０６に供給される電源電圧又は演算回路２６０６における消費電流を監視し、クロック生成回路２６１１において、クロック信号の周波数とデューティー比を変更するための制御信号を生成する。
【０１２６】
本実施の形態における無線チップの動作を説明する。まず、リーダ／ライタより送信された、暗号文データを含む受信信号（暗号文）２６２０を無線チップ２６０１が受信する。受信信号（暗号文）２６２０は復調回路２６１２で復調された後、コード抽出回路２６１８で制御コマンドや暗号文のデータ等に分解され、制御レジスタ２６１７に格納される。ここで、制御コマンドは、無線チップ２６０１の応答を指定するデータである。例えば、固有ＩＤ番号の送信、動作停止、暗号解読等を指定する。ここでは、暗号解読の制御コマンドを受信するものとする。
【０１２７】
続いて、演算回路２６０６において、ＣＰＵ２６０２が、ＲＯＭ２６０３に格納された暗号解読プログラムにしたがって、ＲＯＭ２６０３にあらかじめ格納された秘密鍵２６２４を用いて暗号文を解読（復号）する。復号された暗号文（復号文）は、制御レジスタ２６１７に格納される。このとき、ＲＡＭ２６０４をデータ格納領域として用いる。なお、ＣＰＵ２６０２は、ＣＰＵＩＦ２６１６を介してＲＯＭ２６０３、ＲＡＭ２６０４、制御レジスタ２６１７にアクセスする。ＣＰＵＩＦ２６１６は、ＣＰＵ２６０２が要求するアドレスより、ＲＯＭ２６０３、ＲＡＭ２６０４、制御レジスタ２６１７のいずれかに対するアクセス信号を生成する機能を有している。
【０１２８】
最後に、符号化回路２６１９において、復号文から送信データ２６２３を生成し、変調回路２６１３で変調し、アンテナ２６０７より送信信号（平文）２６２１をリーダ／ライタに送信する。
【０１２９】
なお、本実施の形態では、演算方式として、ソフトウェア的に処理する方式、すなわち、ＣＰＵと大規模メモリとで演算回路を構成し、プログラムをＣＰＵで実行する方式について説明したが、目的に応じて最適な演算方式を選び、当該方式に基づいて構成することも可能である。例えば、演算方式として、他に、演算をハードウェア的に処理する方式と、ハードウェア及びソフトウェアを併用する方式が考えられる。ハードウェア的に処理する方式では、専用回路で演算回路を構成すれば良い。ハードウェア及びソフトウェアを併用する方式では、専用回路、ＣＰＵ、メモリで演算回路を構成し、専用回路で演算処理の一部分を行い、残りの演算処理のプログラムをＣＰＵで実行すれば良い。
【０１３０】
次に、図２５を用いて、無線チップのレイアウトについて説明する。なお、図２５において、図２４に相当する部分には、同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１３１】
図２５において、ＦＰＣパッド２７０７は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を無線チップ２６０１に貼る時に用いる電極パッド群であり、アンテナバンプ２７０８はアンテナを貼り付けるための電極パッドである。なお、アンテナを貼り付ける際には、アンテナバンプ２７０８に過度の圧力がかかる可能性がある。したがって、アンテナバンプ２７０８の下には、トランジスタ等の、回路を構成する部品を配置しないことが望ましい。
【０１３２】
ＦＰＣパッド２７０７は、主に不良解析時に用いると有効である。無線チップは電源電圧を通信信号から得るため、例えば、アンテナや電源回路で不良が発生している場合、演算回路が全く動作しない。このため、アンテナや電源回路に不良がある場合、不良解析が著しく困難となる。しかし、ＦＰＣより、ＦＰＣパッド２７０７を介して無線チップ２６０１に電源電圧を供給し、また、アンテナより供給される電気信号の代わりに任意の電気信号を入力することで、演算回路を動作させることが可能になる。したがって、アンテナや電源回路に不良がある場合にも不良解析を行うことができる。
【０１３３】
さらに、ＦＰＣパッド２７０７を、プローバを使った測定が可能な配置にすると更に有効である。すなわち、ＦＰＣパッド２７０７において、電極パッドをプローバの針のピッチに合わせて配置することで、プローバによる測定が可能となる。プローバを用いることで、不良解析時にＦＰＣを貼り付ける工数を減らすことができる。また、基板上に複数の無線チップを形成した状態でも測定できるので、個々の無線チップに分断する工数も減らすことができる。また、量産時に、アンテナを貼り付ける工程の直前に、無線チップの良品検査を行うことが可能である。したがって、工程の早い段階で不良品を選別できるので、生産コストを削減することができる。
【０１３４】
このような無線チップの断面図を図２６に示す。まず図１５に示した配線１１８に相当する配線１８０４まで形成する。配線１８０４を覆うように、絶縁層１８５３を形成する。絶縁層１８５３は、無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。有機材料はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。なお、シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。
【０１３５】
接続領域１８５０において、配線１８０４と同時に形成される配線１８５１が露出するように、絶縁層１８５３に開口部を形成する。開口部では、上端の角部は丸みを帯び、側面にはテーパをつけるとよい。その後に形成するパターンの段切れを防止することができるからである。
【０１３６】
開口部には、接続配線１８５２を形成する。接続配線１８５２はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜等から形成することができる。またインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２％以上２０％以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料を用いることができる。このとき、接続配線１８５２はＮチャネル型ＴＦＴ１８２１、Ｎチャネル型ＴＦＴ１８２２、容量素子１８２４、抵抗素子１８２５、Ｐチャネル型ＴＦＴ１８２３等には重ならないように配置する。意図しない寄生容量の発生を防止するためである。
【０１３７】
絶縁層１８５３及び接続配線１８５２を覆うように絶縁層１８５４を形成する。絶縁層１８５４は、絶縁層１８５３と同様に形成することができる。
【０１３８】
絶縁層１８５３上に設けられた接続配線１８５２が露出するように、絶縁層１８５４に開口部を形成する。開口部内に、導電性微粒子１８５５を有する異方性導電体１８５６を設け、導電層１８５７を有するＦＰＣ１８５８を接続する。
【０１３９】
このようにして、本発明の無線チップを作製することができる。
【０１４０】
（実施の形態６）
アンテナは、電波法に定められた範囲内の、目的に適合する大きさや形状であればよい。送受信される信号は、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなどがあり、それぞれＩＳＯ規格等により規格化されている。アンテナの種類としては、ダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いればよい。本実施の形態では、無線チップに接続されるアンテナの形状について説明する。
【０１４１】
図２７（Ａ）に、無線チップ１６０１に接続されるアンテナ１６０２を示す。図２７（Ａ）では、無線チップ１６０１が中心部に設けられ、アンテナ１６０２は無線チップ１６０１の接続端子に接続されている。アンテナの長さを確保するため、アンテナ１６０２は複数箇所で折れ曲がっている。
【０１４２】
図２７（Ｂ）では、無線チップ１６０１が一端側に設けられ、アンテナ１６０３は無線チップ１６０１の接続端子に接続されている。アンテナの長さを確保するため、アンテナ１６０３は複数箇所で折れ曲がっている。
【０１４３】
図２７（Ｃ）では、無線チップ１６０１の両端に複数の折れ曲がった箇所を有するアンテナ１６０４が設けられている。
【０１４４】
図２７（Ｄ）には、無線チップ１６０１の両端に直線上のアンテナ１６０５が設けられている。
【０１４５】
このようにアンテナの形状は無線チップの構造若しくは偏波又は用途に適合するものを選択すればよい。そのため、ダイポールアンテナであれば折り返しダイポールアンテナであってもよい。ループアンテナであれば、円形ループアンテナ、方形ループアンテナであってもよい。パッチアンテナであれば円形パッチアンテナ、方形パッチアンテナであってもよい。
【０１４６】
パッチアンテナの場合、セラミック等の誘電材料を用いたアンテナを用いればよい。パッチアンテナの基板として用いる誘電材料の誘電率を高くすることによって、アンテナを小型化することができる。また、パッチアンテナの場合、機械的強度が高いため、繰り返し使用することが可能である。
【０１４７】
パッチアンテナの誘電材料は、セラミック、有機樹脂又はセラミックと有機樹脂の混合物等で形成することができる。セラミックの代表例としては、アルミナ、ガラス、フォルステライト等が挙げられる。さらには、複数のセラミックを混合して用いてもよい。また、高い誘電率を得るためには、誘電体層を強誘電体材料で形成することが好ましい。強誘電体材料の代表例としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、二オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、チタン酸ジルコン鉛（ＰＺＴ）等が挙げられる。さらには、複数の強誘電体材料を混合して用いてもよい。
【０１４８】
無線チップ１６０１には、上記の他の実施の形態及び実施の形態で示した構造を適用することができる。
【実施例１】
【０１４９】
本実施例では、実施の形態５に記載した方法を用いてテストを行い、スペクトラムアナライザにより測定を行った。無線チップに入力された１３．５６ＭＨｚの周波数のＲＦ信号に対して、応答信号を出力することを確認した。
【０１５０】
図２８はスペクトラムアナライザにて測定した、無線チップの送受信信号波形の測定結果である。図２８（Ｂ）に示す利得対周波数測定結果は、無線チップの利得の周波数特性を示したものである。周波数を横軸に、利得を縦軸に示している。周波数１３．５６ＭＨｚにピーク２８０３が存在し、無線チップが１３．５６ＭＨｚに高い感度を持つことを示している。図２８（Ａ）に示す利得対時間測定結果周波数１３．５６ＭＨｚにおける、無線チップの利得の時間変化を示している。時間を横軸に、利得を縦軸に示している。領域２８０１の波形は、リーダ／ライタから無線チップへの送信信号であり、暗号文データを含む受信信号（暗号文）２６２０である。
また、領域２８０２の波形は、無線チップからリーダ／ライタへの応答信号であり、送信信号（平文）２６２１である。図２８（Ｃ）に示す利得対時間測定結果は、領域２８０２を拡大したものであり、無線チップからリーダ／ライタへの応答信号の詳細を示す。
【０１５１】
本実施例の測定結果によると、実施の形態５に記載した方法を用いてテストを行うことは有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の半導体装置を示したブロック図である
【図２】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図３】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図４】本発明の検査装置を示した図である
【図５】本発明の検査結果の表示例である
【図６】本発明の検査装置を示した図である
【図７】本発明の検査対象を示した図である
【図８】本発明の検査対象を示した図である
【図９】本発明の半導体装置を示したブロック図である
【図１０】本発明に適用する液晶素子の動作を示した図である
【図１１】本発明に適用する液晶素子の動作を示した図である
【図１２】本発明に適用する液晶素子を示した断面図である
【図１３】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図１４】本発明の検査装置及び検査対象を示した図である
【図１５】本発明の半導体層の作製工程を示した図である
【図１６】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図１７】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図１８】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図１９】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図２０】本発明の半導体装置が有するアドレス空間である
【図２１】本発明のテストプログラムのデータ形態である
【図２２】本発明の検査装置を示したブロック図である
【図２３】本発明の検査方法を示したフローチャートである
【図２４】本発明の半導体装置を示したブロック図である
【図２５】本発明の半導体装置を示したブロック図である
【図２６】本発明の半導体装置の断面図である
【図２７】本発明の半導体装置が有するアンテナの形状を示した図である
【図２８】本発明を用いて測定を行った結果を示した図である
【符号の説明】
【０１５３】
５０    レーザ光源
５１    受光器
５３    絶縁性基板
５４    無線チップ
５６    液晶
５７    スペーサ
５８    カット領域
１００    絶縁性基板
１０１    剥離層
１０２    下地層
１０４    半導体層
１０５    ゲート絶縁層
１０６    ゲート電極層
１０７    サイドウォール
１１０    高濃度不純物領域
１１１    低濃度不純物領域
１１２    高濃度不純物領域
１１４    絶縁層
１１５    絶縁層
１１６    絶縁層
１１８    配線
１１９    保護層
１２５    エッチング剤
１２７    フィルム
１２８    フィルム
１２９    接着層
１３０    Ｎチャネル型ＴＦＴ
１３１    Ｐチャネル型ＴＦＴ
２０１    無線チップ
２０２    演算回路
２０３    状態制御レジスタ
２０４    受信回路
２０５    送信回路
２０６    アンテナ
２０７    共振回路
２０８    電源回路
２０９    リセット回路
２１０    クロック回路
２１１    復調回路
２１２    変調回路
２１３    受信信号
２１４    送信信号
２１５    システムリセット信号
２１６    システムクロック信号
２１７    イネーブル信号
２１８    イネーブル信号
２１９    イネーブル信号
２２１    データ格納部
２２２    液晶駆動部
２５０    ＲＯＭ
２５１    ＲＡＭ
２５２    制御レジスタ
２５３    受信データレジスタ
２５４    送信データレジスタ
２６０    ＳＯＦ
２６１    フラグ
２６２    コマンド
２６３    データ
２６４    ＣＲＣ
２６５    ＥＯＦ
２６８    ＳＯＦ
２６９    データ
２７０    ＥＯＦ
２７１    通信信号受信
２７２    状態制御レジスタ設定
２７３    テストプログラム実行
２７４    状態制御レジスタ設定
２７５    通信信号送信
２７６    状態制御レジスタ設定
３０１    絶縁性基板
３０３    ＴＦＴ
３０４    画素電極
３０５    配向膜
３０７    開始
３０８    テストプログラム読み込み
３０９    テストルーチン実行
３１０    テスト結果判別
３１１    テスト結果書き込み
３１２    終了
３１３    液晶駆動部電圧印加
３１４    対向基板
３１５    配向膜
３１７    液晶分子
３１８    対向電極
３１９    スペーサ
３２０    シール材
３３０    透過光
４０１    プローバ制御装置
４０２    ケーブル
４０３    無線プローバ
４０４    基板
４０５    ステージ
４０６    アンテナ
４１１    プローバ制御装置
４１２    ケーブル
４１３    無線プローバ
４１４    基板
４１５    ステージ
４１６    プローバ
４１７    電極パッド
４１９    アンテナ
４２０    基板
５０１    開始
５０２    コマンドコード判別
５０３    終了
５０４    データコピールーチン
５０５    ＲＯＭテストルーチン
５０６    ＲＡＭテストルーチン
６００    ホストコンピュータ
６０１    データ送信部
６０２    データ受信部
６０３    ステージ制御部
６０５    開始
６０６    受信データレジスタを送信データレジスタにコピー
６０７    終了
６１１    開始
６１２    選択したアドレスのデータを送信データレジスタにコピー
６１３    終了
６２１    開始
６２２    受信データレジスタのデータをＲＡＭの任意のアドレスにコピー
６２３    ＲＡＭからデータを読み出し
６２４    書き込みデータと読み出しデータの一致判断
６２５    「ＯＫ」フラグを送信データレジスタに書き込み
６２６    「ＮＧ」フラグを送信データレジスタに書き込み
６２７    終了
６３０    開始
６３１    ステージを検査箇所に移動させる
６３２    データ送信部へテストデータを送信する
６３３    データ受信部から収集したデータを受信する
６３４    テスト結果判別
６３５    再テスト判別
６３６    ステージ座標データと「ＯＫ」とを記録
６３７    ステージ座標データと「ＮＧ」とを記録
６３８    終了
１００１    第一の偏光板
１００２    液晶分子
１００３    第二の偏光板
１００４    第一の基板
１００５    第二の基板
１０１１    第一の偏光板
１０１２    液晶分子
１０１３    第二の偏光板
１０１４    第一の基板
１０１５    第二の基板
１６０１    無線チップ
１６０２    アンテナ
１６０３    アンテナ
１６０４    アンテナ
１６０５    アンテナ
１８０４    配線
１８２１    Ｎチャネル型ＴＦＴ
１８２２    Ｎチャネル型ＴＦＴ
１８２３    Ｐチャネル型ＴＦＴ
１８２４    容量素子
１８２５    抵抗素子
１８５０    接続領域
１８５１    配線
１８５２    接続配線
１８５３    絶縁層
１８５４    絶縁層
１８５５    導電性微粒子
１８５６    異方性導電体
１８５７    導電層
１８５８    ＦＰＣ
２６０１    無線チップ
２６０２    ＣＰＵ
２６０３    ＲＯＭ
２６０４    ＲＡＭ
２６０５    コントローラ
２６０６    演算回路
２６０７    アンテナ
２６０８    共振回路
２６０９    電源回路
２６１０    リセット回路
２６１１    クロック生成回路
２６１２    復調回路
２６１３    変調回路
２６１４    電源管理回路
２６１５    アナログ部
２６１６    ＣＰＵＩＦ
２６１７    制御レジスタ
２６１８    コード抽出回路
２６１９    符号化回路
２６２０    受信信号（暗号文）
２６２１    送信信号（平文）
２６２２    受信データ
２６２３    送信データ
２６２４    秘密鍵
２７０７    ＦＰＣパッド
２７０８    アンテナバンプ
２８０１    領域
２８０２    領域
２８０３    ピーク
【図１】
2007066301.tif 000003
【図２】
2007066301.tif 000004
【図３】
2007066301.tif 000005
【図４】
2007066301.tif 000006
【図５】
2007066301.tif 000007
【図６】
2007066301.tif 000008
【図７】
2007066301.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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