(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置において、より開口率が大きくかつ容易に製造可能とする。【解決手段】  上記基板２０上の上記第１電極２３が複数含まれる所定領域全域に形成されるとともに上記補助配線６０上の少なくとも一部に開口部１１０ａを有しかつ上記発光機能層を含む有機層１１０と、上記所定領域全域に形成されるとともに上記補助配線６０に上記有機層１１０の上記開口部１１０ａを介して接続される上記第２電極５０とを備える。【選択図】              図４
2007073323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子によってスイッチングされかつ反射材料によって形成される第１電極と、透光性を有する導電材料によって形成される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記スイッチング素子及び前記第１電極が形成された基板上の前記第１電極間に前記第２電極と接続される補助配線を形成する補助配線形成工程と、
前記基板上の前記第１電極が複数含まれる所定領域全域に前記発光機能層を含む有機層を形成する有機層形成工程と、
前記補助配線上の前記有機層の少なくとも一部を除去する除去工程と、
前記所定領域全域に前記第２電極を形成する第２電極形成工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記除去工程は、前記有機層の少なくとも一部をマスクを介してアッシングすることによって除去する工程であることを特徴とする請求項１記しあの有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスクの開口部幅は、前記補助配線幅より小さいことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクの開口部幅は、前記マスクと前記基板とのアライメント誤差によって前記補助配線幅を越えない範囲に設定されることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去工程において、前記基板が載置される載置面あるいは当該載置面と接触する基板面が、光を反射しない面とされていることを特徴とする請求項２〜４いずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
スイッチング素子によってスイッチングされかつ反射材料によって形成される第１電極と、透光性を有する導電材料によって形成される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光機能層とを備える有機ＥＬ装置であって、
前記スイッチング素子及び前記第１電極が形成された基板上の前記第１電極間に形成される補助配線と、
前記基板上の前記第１電極が複数含まれる所定領域全域に形成されるとともに前記補助配線上の少なくとも一部に開口部を有しかつ前記発光機能層を含む有機層と、
前記所定領域全域に形成されるとともに前記補助配線に前記有機層の前記開口部を介して接続される前記第２電極と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記発光機能層から射出された光の色を変化させて射出するカラーフィルタ層を備えることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、自発光でかつ薄膜形成な発光機能層を有しているため、高いコントラストと広い色再現性を持つ薄型ディスプレイとすることが可能であり、次世代の表示体技術等として非常に注目されている。
このような有機ＥＬ装置の中に、スイッチング素子が配置されていない側から発光機能層において生成された光を射出する、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置がある。
このようなトップエミッション構造の有機ＥＬ装置は、スイッチング素子や配線等を光が射出される側と反対側に配置することができ、発光エリアを広く形成することができるため、開口率が高い装置となる。
【非特許文献１】高画質・大画面有機ＥＬディスプレイ技術の現状と展望；電子ディスプレイフォーラム２００２講演集  ｐ．８−２７〜ｐ．８−３１
【非特許文献２】Semiconductor FPD World ２００１，９月号  ｐ．１４６〜ｐ．１４８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置においては、一般的に、発光機能層を含む有機層を挟む一対の電極のうち共通電極側が、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極が透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）等によって形成されている。このようなＩＴＯやＩＺＯは抵抗が大きいため、広い領域に形成される共通電極がこれらのＩＴＯやＩＺＯから形成されている場合には、共通電極が電圧降下を起こす恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機ＥＬ装置では、基板上に、抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
このような、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置を製造する場合には、補助配線上に有機層が形成されることによって、補助配線と共通電極との導通が図れなくことを防止するために、有機層をマスク製膜している。
しかしながら、このようなマスク製膜においては、マスクと基板とのアライメント精度を考慮して、補助配線上に有機膜が製膜されないよう、マスクの開口部を狭くする必要がある。このため、有機膜の製膜エリアが小さくなってしまい、トップエミッション構造のメリットが減少してしまう。
また、マスク製膜の場合には、マスクの剛性を確保するために、マスクに多くの開口部や広い開口部を形成することが難しい。このため、例えば、基板の全面領域から単一色を射出する有機ＥＬ装置、すなわち基板の全面に形成される発光機能層が同一材料からなる有機ＥＬ装置を製造する場合であっても、マスクをずらしながら複数回に分けて発光機能層を形成しており、工程数の増大に繋がっている。
【０００４】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、より開口率が大きくかつ容易に製造可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、スイッチング素子によってスイッチングされかつ反射材料によって形成される第１電極と、透光性を有する導電材料によって形成される第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に配置される発光機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記スイッチング素子及び上記第１電極が形成された基板上の上記第１電極間に上記第２電極と接続される補助配線を形成する補助配線形成工程と、上記基板上の上記第１電極が複数含まれる所定領域全域に上記発光機能層を含む有機層を形成する有機層形成工程と、上記補助配線上の上記有機層の少なくとも一部を除去する除去工程と、上記所定領域全域に上記第２電極を形成する第２電極形成工程とを有することを特徴とする。
【０００６】
このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、補助配線形成工程において補助配線が形成された後、有機層形成工程において所定領域の全域に有機層が形成され、除去工程において補助配線上の有機層の少なくとも一部が除去され、その後、第２電極形成工程において所定領域の全域に第２電極が形成されることによって、第２電極と補助配線との導通が図られる。
このように、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、有機層が所定領域の全域に形成されるため、マスクを用いて有機層を形成する必要がなくなる。したがって、有機層が形成される領域が、マスク製膜の場合と比較して広くなり、より開口率が大きな有機ＥＬ装置となる。
このように、より開口率が大きな有機ＥＬ装置は、従来の有機ＥＬ装置と比較して少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮することができる。また、有機ＥＬ装置においては、有機層に供給される電力の大きさに反比例して発光機能層の寿命が変化するため、少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮できるということは、すなわち、有機ＥＬ装置の長寿命化を図ることができる。
なお、従来の有機ＥＬ装置と同様の電力を供給した場合には、従来の有機ＥＬ装置と比較してより明るくすることが可能となる。
一方、マスクを用いて有機層を形成する必要がなくなることによって、マスク製の場合に行っていた複数回の有機層の形成工程を行う必要がなくなる。よって、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ装置を製造するための工程数を削減することが可能となり、製造の容易性が向上する。
【０００７】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、具体的には、上記除去工程が、上記有機層の少なくとも一部をマスクを介してアッシングすることによって除去する工程であるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、補助配線上の有機層の少なくとも一部がマスクを用いたアッシングによって除去される。
なお、上記マスクの開口部幅が、上記補助配線幅より小さいという構成を採用することが好ましく、さらに、上記マスクの開口部幅が、上記マスクと上記基板とのアライメント誤差によって上記補助配線幅を越えない範囲に設定されるという構成を採用することがより好ましい。
マスクの開口部幅が、補助配線幅より小さい場合には、有機層が除去される領域が補助配線上から食み出すことを抑止することができる。
また、マスクの開口部幅が、マスクと基板とのアライメント誤差によって補助配線幅を越えない範囲に設定されている場合には、有機層が除去される領域が補助配線上から食み出すことを防止することができる。
【０００８】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、上記除去工程において、上記基板が載置される載置面あるいは当該載置面と接触する基板面が、光を反射しない面とされているという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、マスクの開口部が万が一補助配線上から食み出し、アッシングの際に発生する紫外線がマスクの開口部から基板の内部に入射しても、紫外線が載置面あるいは基板面によって反射されないため、裏側から有機層が破壊されることを防止できる。
【０００９】
次に、本発明の有機ＥＬ装置は、スイッチング素子によってスイッチングされかつ反射材料によって形成される第１電極と、透光性を有する導電材料によって形成される第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に配置される発光機能層とを備える有機ＥＬ装置であって、上記スイッチング素子及び上記第１電極が形成された基板上の上記第１電極間に形成される補助配線と、上記基板上の上記第１電極が複数含まれる所定領域全域に形成されるとともに上記補助配線上の少なくとも一部に開口部を有しかつ上記発光機能層を含む有機層と、上記所定領域全域に形成されるとともに上記補助配線に上記有機層の上記開口部を介して接続される上記第２電極とを備えることを特徴とする。
【００１０】
このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ装置によれば、有機層が補助配線を含む基板上の所定領域全域に形成され、この有機層に形成された開口部を介して第２電極と補助配線との導通が図られる。
このように、本発明の有機ＥＬ装置は、有機層が所定領域の全域に形成されるため、有機層が形成される領域がマスク製膜によって有機層を形成する場合と比較して広く、より開口率が大きな有機ＥＬ装置となっている。したがって、本発明の有機ＥＬ装置は、従来の有機ＥＬ装置と比較して少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮することができる。また、有機ＥＬ装置においては、有機層に供給される電力の大きさに反比例して発光機能層の寿命が変化するため、少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮できるということは、すなわち、有機ＥＬ装置の長寿命化を図ることができる。
なお、従来の有機ＥＬ装置と同様の電力を供給した場合には、従来の有機ＥＬ装置と比較してより明るくすることが可能となる。
また、有機層が所定領域の全域に形成されるため、マスクを用いて有機層を形成する必要がなくなる。したがって、マスク製膜の場合に行っていた複数回の有機層の形成工程を行う必要がなくなる。よって、有機ＥＬ装置を製造するための工程数を削減することが可能となり、製造の容易性が向上する。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、上記発光機能層から射出された光の色を変化させて射出するカラーフィルタ層を備えるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、発光機能層から射出された光を任意の色に変化することができる。例えば、ＲＧＢ３色のカラーフィルタを有するカラーフィルタ層を備え、発光機能層から射出される光を白色光とすれば、フルカラー表示可能の有機ＥＬ装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ装置及びその製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下の説明において、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１３】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近にサブピクセル領域Ｘ１…を形成したものである。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、３つのサブピクセル領域Ｘ１によって１画素領域が形成されている。
【００１４】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１５】
更に、サブピクセル領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に配置されるとともに発光機能層を含む有機層１１０（有機膜）と、陰極５０に接続される陰極配線６０とが設けられている。
【００１６】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図５を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す断面図である。図３は有機ＥＬ装置１が備える有機ＥＬ基板１１を模式的に示す平面図である。図４は、図３の有機ＥＬ基板１が備える有機ＥＬ基板１１の詳細な断面図である。
【００１７】
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板１１と、カラーフィルタ基板１２とが積層された構成を有している。そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板１１から射出される白色光をカラーフィルタ基板１２によって色を変化させて射出することによってフルカラー表示が可能とされたディスプレイとして構成されている。
【００１８】
有機ＥＬ基板１１は、基板本体上に形成された各種配線、ＴＦＴ、画素電極、各種回路によって、有機層１１０に含まれる発光機能層を発光させるものである。
図３に示すように、有機ＥＬ基板１１は、基板本体２０（例えば、ガラス基板、シリコン単結晶基板、石英基板等）と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板本体２０上にマトリックス状に配置されてなるサブピクセル領域Ｘ１（図１参照）と、サブピクセル領域Ｘ１の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくともサブピクセル領域Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図３中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
【００１９】
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２０】
実表示領域４においては、サブピクセル領域Ｘ１に対応して設けられた発光領域Ｈが紙面左右方向に規則的に配置されている。この、発光領域Ｈの各々は、サブピクセル領域Ｘ１のＴＦＴ１１２，１２３の動作に伴って、白色光を発光する構成となっている。
また、実表示領域４の図３中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００２１】
また、実表示領域４の図３中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ基板１１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２２】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ基板１１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２３】
ここで、図４を参照して有機ＥＬ基板１１の断面構造について説明する。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板本体２０上に設けられた層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１上に設けられた発光機能層を含む有機層１１０を備えている。なお、有機層１１０は、スイッチング素子である駆動用ＴＦＴ１２３と反対側に配置されている。
基板本体２０は、透明性材料或いは非透明性材料からなる基板であり、透明性基板としてはガラス基板や透明性の樹脂基板等を採用することができ、非透明性基板としては金属基板や非透明性の樹脂基板を採用することができる。
【００２４】
層間絶縁膜２１は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）であって、基板本体２０上に設けられた走査線１０１…、信号線１０２…、電源線１０３…、スイッチング用ＴＦＴ１１２、及び駆動用ＴＦＴ１２３（以上図１記載）を被覆している。より詳細には、図４には、層間電源線１０３を被覆する層間絶縁膜２１ａと、駆動用ＴＦＴ１２３を被覆する層間絶縁膜２１ｂと、陰極配線６０と画素電極２３との絶縁を確保するための層間絶縁膜２１ｃとが示されている。そして、層間絶縁膜２１ｂにはコンタクトホールが形成されており、駆動用ＴＦＴ１２３と画素電極２３とがコンタクトホールを介して接続されている。
なお、本実施形態においては、層間絶縁膜２１として酸化シリコン膜を採用したが、これに限定することなく、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）等、採用を採用することができる。
【００２５】
画素電極２３は、Ａｌ等の光反射性金属の単層構造、あるいは光反射性金属と透明導電膜との積層構造のいずれかの構造を採用することができる。なお、本実施形態においては、光反射性金属２３ａと透明導電膜２３ｂとの積層構造を採用している。この透明導電膜としては、ＩＴＯ等を用いることができる。
【００２６】
陰極配線６０は、共通電極である陰極５０が電圧降下を防止するための補助配線であり、アルミニウム、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のアルミニウム合金あるいは銅等の低抵抗の金属材料によって形成されている。なお、この陰極配線６０は、サブピクセル領域Ｘ１間に延在して形成されている。
【００２７】
有機膜１１０は、画素電極２３側から正孔注入層、正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層が順に積層された構成を有している。
なお、具体的には、正孔注入層の形成材料としては、出光興産製のアミン系有機材料ＨＩ−４０６を用いることができ、正孔注入層の膜厚は本実施形態においては６０ｎｍとされている。また、正孔輸送層の形成材料としては、出光興産製のアミン系有機材料ＨＴ−３２０を用いることができ、正孔輸送層の膜厚は本実施形態においては２０ｎｍとされている。
また、発光機能層は、本実施形態においては白色光を射出するものであるため、青色発光機能層と黄色発光機能層とが積層されて構成されている。なお、青色発光機能層の膜厚と黄色発光機能層の膜厚とは、発光輝度のバランスを考慮しながら調整される。具体的には、青色発光機能層は、出光興産製のＢＨ−２１５をホスト材料にして出光興産製のＢＤ−１０２を４％ドーピングすることによって形成することができ、その膜厚は本実施形態において１５ｎｍとされている。一方、黄色発光機能層は、出光興産製のＢＨ−２１５をホスト材料にして出光興産製のＲＤ−００１を１％ドーピングすることによって形成することができ、その膜厚は本実施形態において４０ｎｍとされている。
また、電子輸送層の形成材料としては、Ａｌｑ３を用いることができ、電子輸送層の膜厚は本実施形態において３０ｎｍとされている。
【００２８】
このように構成された有機層１１０は、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、実表示領域４の全面に形成されており、図５に示すように、陰極配線６０上の一部に、陰極配線６０が露出されるような開口部１１０ａが複数形成されている。
【００２９】
図４に戻り、陰極５０は、有機層１１０と同様に、実表示領域４の全面に形成されており、マグネシウム銀層と透明電極とが積層された構成を有している。なお、マグネシウム銀層は、電子が透明電極から電子輸送層に伝達されやすくするための層であり、発光機能層から射出された光に対して透光性を有する程度の膜厚（本実施形態においては５ｎｍ）に形成される。そして、この陰極５０は、有機層１１０に形成された開口部１１０ａを介して陰極配線６０に接続されている。
【００３０】
封止膜７０は、有機ＥＬ基板１１を封止するための薄膜であり、陰極５０上に形成されている。具体的には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等を用いることができる。
【００３１】
図１に戻り、カラーフィルタ基板１２は、有機ＥＬ基板１１から射出された白色光をＲＧＢの各色光に変換するものである。具体的には、ＲＧＢの各色のカラーフィルタ層が有機ＥＬ基板１１のサブピクセル領域Ｘ１に応じるように、複数配列されており、各１つのＲＧＢが一つのまとまりとなって、表示単位画素が構成されている。そして、図１に示すように、カラーフィルタ基板１２は、有機ＥＬ基板１１に対して封止樹脂１３を介して接着され、これによって、有機ＥＬ基板１１とカラーフィルタ基板１２との間の空間が封止されている。
【００３２】
このように構成された本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、画素電極２３に電圧が印加されると、有機層１１０の発光機能層において白色光が射出され、この射出された白色光が陰極５０側から有機ＥＬ基板１１の外部に射出される。そして、上方に配置されたカラーフィルタ層によって色が変化された後、有機ＥＬ装置１の外部に射出される。
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上述のようにして射出されるＲＧＢの各色光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００３３】
このような本実施形態の有機ＥＬ装置１によれば、実表示領域４（所定領域）の全域に有機層１１０が形成され、この有機層１１０の陰極配線６０上に形成された開口部１１０ａを介して陰極５０が陰極配線６０と接続されている。
したがって、有機層が形成される領域がマスクを用いて有機層を形成する場合と比較して広く、より開口率が大きな有機ＥＬ装置となっている。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、従来の有機ＥＬ装置と比較して少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮することができる。また、有機ＥＬ装置１においては、有機層１１０に供給される電力の大きさに反比例して発光機能層の寿命が変化するため、少ない電力で従来の有機ＥＬ装置と同様の明るさを発揮できるということは、すなわち、有機ＥＬ装置１の長寿命化を図ることができる。
なお、従来の有機ＥＬ装置と同様の電力を供給した場合には、従来の有機ＥＬ装置と比較してより明るくすることが可能となる。
【００３４】
次に、上述のように構成された本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、図６に示すように、複数の走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３、画素電極２３が形成された基板本体２０を用意する。
続いて、図７に示すように、基板本体２０のサブピクセルＸ１間に陰極配線６０を形成する（補助配線形成工程）。具体的には、フォトリソグラフィー技術と、湿式エッチング技術あるいは乾式エッチング技術とを組合わせることによって、基板２０上に配置された陰極配線材料をパターニングすることによって、陰極配線６０を形成する。なお、陰極配線材料としては、上述のように、アルミニウム、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のアルミニウム合金あるいは銅等の低抵抗の金属材料を用いることができる。
【００３６】
次に、図８に示すように、有機膜１１０を、実表示領域４の全面に形成する（有機層形成工程）。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層の各材料を順に実表示領域４に蒸着することによって積層することで有機膜１１０を形成する。
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法においては、有機膜１１０を形成する際に、マスクを用いてパターニングする必要がないため、有機ＥＬ装置１の製造工程数を削減し、有機ＥＬ装置の製造を容易化することができる。
【００３７】
続いて、陰極配線６０上の有機膜１１０の一部を除去する（除去工程）。具体的には、図９に示すように、有機膜１１０に形成する開口部１１０ａに応じた大きさの開口部Ｍ１を有するマスクＭを基板本体２０に重ね合わせて配置する。その後、酸素プラズマによって有機膜１１０を除去するアッシング処理を行うことによって、図１０に示すように、陰極配線６０上の有機膜１１０の一部を除去する。
【００３８】
なお、マスクＭの開口部幅Ｄは、陰極配線幅ｄより小さいことが好ましく、さらには、マスクＭと基板本体２０とのアライメント誤差が最大である場合にも陰極配線幅ｄを越えない範囲に設定されることが好ましい。具体的には、陰極配線幅ｄよりマスクＭの開口部幅Ｄが１０〜２０μｍ程度小さいことが好ましい。これによって、有機層１１０に形成される開口部１１０ａが陰極配線６０上から食み出すことを防止することができる。
このように、有機層１１０に形成される開口部１１０ａが陰極配線６０上から食み出すことを防止することによって、アッシング処理の際に発生する紫外線が全て陰極配線６０によって反射し、基板本体２０の内部に入射することを防止できる。これによって、基板本体２０の内部に入射した紫外線によって、有機膜１１０が基板本体２０の内側から傷つけられることを防止することができる。
なお、さらに万全を期すのであれば、除去工程における基板本体２０の載置面あるいはこの載置面と接触する基板面に光が反射されない表面処理を行うことによって、万が一紫外線が基板本体２０の内部に入射した場合であっても、有機膜１１０が傷つくことを防止することができる。
【００３９】
また、アッシング処理がＥＣＲエチャーのおうなプラズマ生成部とエッチング室が独立したものである場合には、マスクＭを４２アロイ等の強磁性体を用いて形成し、基板本体２０の裏面から磁力でマスクＭを吸引することによって、マスクＭと基板本体２０とを密着させても良い。このような場合には、マスクＭと基板本体２０とが密着されるためマスクＭと基板本体２０との間にプラズマが回り込むことを防止することができ、均一なアッシング処理を行うことが可能となる。なお、マスクＭ自体は非磁性体で形成し、マスクＭの表面に強磁性体膜を製膜することによっても同様の効果を得ることができる。
一方、プラズマ生成部とエッチング室が独立していない場合には、マスクＭをシリコン、ガラスあるいはアルミニウム等の非磁性体を用いて形成することが好ましい。これによって、マスクＭがプラズマ分布を阻害することなく均一なアッシング処理を行うことができる。
【００４０】
このようにして、有機膜１１０に開口部１１０ａが形成された後は、図１１に示すように、実表示領域４の全域に陰極５０を形成する（第２電極形成工程）。具体的には、マグネシウムと銀とを１０：１の体積比率で５ｎｍ程蒸着製膜した後に、ＩＴＯをスパッタによって１００ｎｍ製膜することによって陰極５０が形成される。
そして、陰極５０上に封止薄膜７０を形成することで、有機ＥＬ基板１１が完成する。その後、カラーフィルタ基板１２と有機ＥＬ基板１１とを封止樹脂１３によって貼りあわせることによって、本実施形態の有機ＥＬ装置１が製造される。
【００４１】
このような本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法によれば陰極配線６０が形成された後、実表示領域４全域に有機膜１１０が形成され、この有機膜１１０の陰極配線６０上の一部が除去され、その後、実表示領域４全域に陰極５０が形成される。このため、マスクを用いて有機膜１１０を形成する必要がなくなり、有機膜１１０が形成される領域がマスクを用いる場合と比較して広くなる。したがって、より開口率の大きな有機ＥＬ装置を製造することが可能となる。
また、マスクを使わずに有機膜１１０が形成可能となることによって、マスクを用いた場合と比較して有機ＥＬ装置１を製造するための工程数を削減することが可能となり、製造の容易性が向上する。
【００４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ装置及びその製造方法に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態において、有機ＥＬ装置１が有機ＥＬ基板１１とカラーフィルタ基板１２とを備える構成として説明した。
しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、カラーフィルタ基板１２を備えない、すなわち有機ＥＬ基板１１が有機ＥＬ装置とされているものに適用することも可能である。
このような場合には、白色光のみを射出する有機ＥＬ装置を、例えば、照明機器等として用いることができる。なお、射出する光は白色光でなくても良い。
また、複数種類の色光を射出するエリアカラータイプの有機ＥＬ装置に本発明を適用することも可能である。
【００４４】
また、上記実施形態においては、有機膜１１０を蒸着することによって形成しているため、実質的には有機膜の形成材料は低分子材料となる。しかしながら、本発明においては、有機膜１１０を印刷法によって形成することもできるため、このような場合には有機膜の形成材料として高分子材料を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ基板を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ基板の詳細な断面図である。
【図５】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ基板の拡大平面図である。
【図６】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【図７】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【図８】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【図９】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１……有機ＥＬ装置、１１……有機ＥＬ基板、１２……カラーフィルタ基板、２０……基板本体、２３……画素電極（第１電極）、５０……陰極（第２電極）、６０……陰極配線（補助配線）、１１０……有機膜（有機層）、１１０ａ……開口部、Ｍ……マスク、Ｍ１……開口部、ｄ……陰極配線幅、Ｄ……開口部幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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