(57)【要約】  【課題】リカバリ処理時間を短縮することで、稼働率向上を実現する基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板処理装置１００は、装置の動作状態を表す装置データを記憶する記憶部３０４と、記憶部３０４の装置データに基づいてアラームを発生するアラーム発生部３０８と、アラーム発生部３０８により発生した複数のアラームの要因を検出する検出部３１０とを有する。【選択図】図６
2007258630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の動作状態を表す装置データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段の装置データに基づいてアラームを発生するアラーム発生手段と、
前記アラーム発生手段により発生した複数のアラームの共通する要因を検出する検出手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の基板を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置において、該基板処理装置の状態を監視し、該基板処理装置において故障や異常を検知した場合にアラームをユーザ（オペレータや管理者など）に通知するものが知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年における基板処理装置においては、制御部品点数が増加しており、１つのアラームに対して該アラームが発生する要因（アラーム発生要因）が、複数設定されている。これらのアラーム発生要因により、１つのアラームが発生する場合、もしくは複数のアラームが同時に発生する場合がある。複数のアラームが一時期に発生した場合、根本となる障害を解析するためにアラーム毎にアラーム発生要因を確認していたため、リカバリ処理に時間がかかっていた。
【０００４】
本発明は、上記問題を解消し、リカバリ処理時間を短縮することで、稼働率向上を実現する基板処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の特徴とするところは、装置の動作状態を表す装置データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段の装置データに基づいてアラームを発生するアラーム発生手段と、前記アラーム発生手段により発生した複数のアラームの共通する要因を検出する検出手段とを有する基板処理装置にある。
【０００６】
本発明のアラーム発生要因の検出方法は、記憶手段により装置の状態を表す装置データを記憶する工程と、アラーム発生手段により前記記憶手段の装置データに基づいてアラームを発生する工程と、検出手段により前記アラーム発生手段により発生した複数のアラームの共通する要因を検出する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、発生した複数のアラームの共通する要因を検出することができるので、障害発生時の原因解析及び対策を迅速に行なうことができ、リカバリ処理時間が短縮され、もって装置の稼働率向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置１００は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置１００として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明に適用される基板処理装置１００の平面透視図として示されている。また、図２は図１に示す基板処理装置１００の側面透視図である。
【０００９】
図１および２に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１０】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１２】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１３】
図１に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
【００１４】
移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。
ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー（図示省略）が取り付けられている。
【００１５】
図１に示されているように、耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１６】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
図１および２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００１７】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００１８】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００１９】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー（図示省略）の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５の昇降台１６１によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２０】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４０内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００２１】
図３は本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置１００の処理炉２０２の概略構成図であり、図１のａ−ａ線断面図として示されている。
【００２２】
図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００２３】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
【００２４】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００２５】
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部（ガス流量コントローラ）２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２６】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部（圧力コントローラ）２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２７】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部（駆動コントローラ）２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２８】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００２９】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。この温度センサ２６３には所定温度以上となると作動する温度スイッチ（図示省略）が設けられている。
【００３０】
また処理室２０１周辺には冷却水本管（図示省略）は配設されており、この冷却水本管には、冷却水が所定量以下となると作動するフロースイッチ（図示省略）、水冷式ラジエータ（図示省略）及び水冷式サイリスタ設けられている。これら水冷式ラジエータ及び水冷式サイリスタには所定温度以上となると作動する温度スイッチ（図示省略）が設けられている。
【００３１】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部（メインコントローラ）２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００３２】
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００３３】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００３４】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
【００３５】
次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００３６】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００３７】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３８】
なお、一例まで、本実施の形態の処理炉にてウエハを処理する際の処理条件としては、例えば、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）の成膜においては、処理温度４００〜８００℃、処理圧力１〜５０Ｔｏｒｒ、成膜ガス種ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＮＨ３、成膜ガス供給流量ＳｉＨ２Ｃｌ２：０．０２〜０．３０ｓｌｍ，ＮＨ３：０．１〜２．０ｓｌｍが例示され、また、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜（ポリシリコン膜）の成膜においては、処理温度３５０〜７００℃、処理圧力１〜５０Ｔｏｒｒ、成膜ガス種ＳｉＨ４、成膜ガス供給流量０．０１〜１．２０ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ２００に処理がなされる。
【００３９】
図４は、上述したコントローラ２４０の機能構成を示す図である。
図４に示すように、コントローラ２４０は、主制御部（メインコントローラ）２３９、副制御部（サブコントローラ）３０２、記憶部３０４及び表示部３０６を有する。主制御部２３９は、副制御部３０２、記憶部３０４及び表示部３０６と接続され、これら副制御部３０２、記憶部３０４及び表示部３０６との間のデータの入出力を行なうようになっている。また主制御部２３９は、後述するアラーム発生手段としてのアラーム発生部３０８及び検出手段としての検出部３１０を有している。記憶部３０４は、主制御部２３９より出力されたデータを記憶（格納）し、また該記憶部３０４に記憶されているデータを主制御部２３９に出力する。表示部３０６は、後述する表示画面３０６ａを有し、主制御部２３９から出力された記憶部３０４のデータを該表示画面３０６ａに表示するようになっている。また、表示部３０６には、入力手段としてのキーボードやマウス等が備えられており、表示画面３０６ａに入力できるようになっている。
【００４０】
副制御部３０２は、専用コントローラ３１２とＰＬＣ(Program Logic controller)３１４とを有する。専用コントローラ３１２は、温度、ガス、圧力、搬送系（メカニカル）の制御を専用に行なうコントローラであり、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８及び搬送制御部３１６を有する。一方、ＰＬＣ３１４には専用コントローラ３１２に接続されない各センサやスイッチ類が接続される。例えば冷却水本管内の冷却水が所定量以下となった場合に作動するフロースイッチなどがＰＬＣ３１４に接続される。
【００４１】
ガス流量制御部２３５にはＭＦＣ(Mass Flow Controller)２４１等が接続され、圧力制御部２３６には圧力調整装置(APC : Auto Presser Controller)２４２及び圧力センサ２４５等が接続され、駆動制御部２３７にはボートエレベータ１１５や回転機構２５４等の各駆動部が接続され、温度制御部２３８にはヒータ２０６、サイリスタ（出力直流電流を制御する半導体整流素子）及び温度スイッチ等が接続され、搬送制御部３１６にはフォトセンサやカセットセンサ（図示省略）等が接続され、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）３１４には各種センサや外部入出力装置及びフロースイッチ等が接続されている。
【００４２】
ガス流量制御部２３５は、ＭＦＣ２４１により出力される装置データ（ガス流量検出データ）に基づいて流量調整バルブ（図示省略）を調節し、供給するガス流量を制御する。圧力制御部２３６は、圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５より出力される装置データ（圧力検出データ）に基づいて圧力調整バルブ（図示省略）を調節し、処理室２０１内の圧力を制御する。駆動制御部２３７は、位置検出センサ（図示省略）等により出力される装置データ（検出データ）に基づいてボートエレベータ１１５や回転機構２５４等の動作を制御する。温度制御部２３８は、温度センサ２６３やサイリスタ（例えば水冷式）及び水冷式ラジエータ等に設けられた温度スイッチ等より出力される装置データ（温度検出データ）に基づいてヒータ２０６を調節し、処理室２０１内の温度を制御する。搬送制御部３１６は、フォトセンサやカセットセンサ（図示省略）より出力される装置データ（検出データ）に基づいてポッド搬送装置１１８やウエハ移載機構１２５等の動作を制御する。ＰＬＣ３１４は、各種センサ（図示省略）やフロースイッチ等より出力される装置データ（検出データ）を取り込み、主制御部２３９へ出力を行なう。また、ＰＬＣ３１４は、必要に応じて外部入力装置間とのデータ入出力を行なう。
【００４３】
主制御部２３９は、上述した各装置データを副制御部３０２より受信し、該装置データを記憶部３０４に記憶する。また主制御部２３９のアラーム発生部３０８は、記憶部３０４の装置データに基づいてアラームを発生するようになっている。すなわち、主制御部２３９のアラーム発生部３０８は、各装置データを常時監視しており、副制御部３０２より各センサ等の異常や故障などの障害を検知すると、この障害の内容に対応したアラームを表示３０６部の表示画面３０６ａに表示する。例えばアラーム発生部３０８は、供給ガスの圧力が低下した場合、圧力スイッチが作動することで該供給ガスの圧力低下を検出し、供給ガス圧力低下アラームを表示部３０６の表示画面３０６ａに表示する。また例えばアラーム発生部３０８は、排気圧力が低下した場合、圧力スイッチが作動することで該排気圧力の圧力低下を検出し、排気圧力低下アラームを表示部３０６の表示画面３０６ａに表示する。
【００４４】
図５及び６は、記憶部３０４に記憶されているアラームを示す図である。
図５に示すように、記憶部３０４には複数（本図においては例えば６つ）のアラームが記憶されており、各アラームには該アラームが発生する要因が対応付けられている。例えばアラーム５（例えばサイリスタ温度異常アラーム）にはアラーム発生要因として要因Ｄ（例えば冷却水流量低下）及び要因Ｅ（例えばサイリスタ温度異常）が対応付けられている。
【００４５】
図６に示すように、要因マトリクステーブル３２０は、記憶部３０４に記憶されており、上述した複数のアラーム毎に考えられる複数の発生要因をマトリクス化し、各アラームと該アラームの発生要因とを対応付けている。ユーザは予めアラーム毎に考えられる発生要因を要因マトリクステーブル３２０に対して登録するようになっている。例えば、表示画面３０６ａに要因マトリクステーブル３２０を表示させて登録するようにしてもよい。
【００４６】
次に一時期に複数のアラームが発生する場合を図５乃至８に基づいて説明する。
例えば、アラーム２として「冷却水流量低下アラーム」、アラーム３として「ラジエータ温度異常アラーム」、アラーム５として「サイリスタ温度異常アラーム」及びアラーム６として「処理室温度異常アラーム」、これら計４つのアラームが一時期に発生した場合を説明する。
【００４７】
図７に示すように、ステップＳ１００において、主制御部３１０のアラーム発生部３０８は、複数のアラームが発生したか否かを判定し、一時期に複数のアラームが発生した場合はステップＳ１０５の処理に移行し、１つのアラームが発生した場合はステップＳ１１５の処理に移行する
【００４８】
例えば一時期に複数のアラームが発生した場合を説明する。アラーム発生部３０８は、副制御部３０２より冷却水本管に設置されたフロースイッチの装置データ（作動検出データ）が入力されると冷却水低下アラームを発生する。またアラーム発生部３０８は、水冷式ラジエータ温度の高温により温度スイッチの装置データ（作動検出データ）が入力されるとラジエータ温度異常アラームを発生する。さらにアラーム発生部３０８は、副制御部３０２より水冷式サイリスタの高温により温度スイッチの装置データ（作動検出データ）が入力されるとサイリスタ温度異常アラームを発生する。さらにアラーム発生部３０８は、副制御部３０２より処理室の高温により温度スイッチの装置データ（作動検出データ）が入力されると処理室温度異常アラームを発生する。
【００４９】
ステップＳ１０５において、主制御部２３９の検出部３１０は、アラーム発生部３０８より発生した複数の共通する要因を検出する。例えば、図６に示すように、検出部３１０は、要因マトリクステーブル３２０を用いてアラーム２、アラーム３、アラーム５及びアラーム６の「共通要因Ｄ」を検出する。具体的には、検出部３１０は、アラーム２の発生要因は要因Ｃと要因Ｄであり、アラーム３の発生要因は要因Ａ、要因Ｄ及び要因Ｆであり、アラーム５の発生要因は要因Ｄと要因Ｅであり、アラーム６の発生要因は要因Ｄと要因Ｇであることを認識し、共通する要因が要因Ｄであると判断する。より具体的には、検出部３１０は、冷却水流量低下アラーム、ラジエータ温度異常アラーム、サイリスタ温度異常アラーム及び処理室温度異常アラームの共通要因としての「冷却水流量低下」を検出する。このように、主制御部２３９の検出部３１０により、一時期に複数のアラームが発生した場合の共通する要因、すなわち根本となる要因が検出される。
【００５０】
ステップＳ１１０において、主制御部２３９は、検出部３１０の検出結果、すなわち複数のアラーム発生要因における共通する要因を表示部３０６の表示画面３０６ａに表示する。図８に示すように、表示画面３０６ａには同時に発生した複数のアラームの日時と発生した複数のアラームの共通する要因とを示す要因表示画面３２２が表示される。
【００５１】
ステップＳ１１５において、ユーザ（オペレータ）は、表示部３０６の表示画面３０６ａに表示された複数のアラームの共通する要因を確認し、所定の障害に対応する。
【００５２】
なお、複数のアラームが発生した際に、表示部３０６の表示画面３０６ａに共通する要因を色付けした要因マトリクステーブル３２０を表示するようにしてもよい。
【００５３】
以上のように、本発明の基板処理装置１００によれば、複数のアラームが一時期に発生した際に、根本となる要因の切り分けが容易となり、障害発生時の原因解析及び対策を迅速に行なうことができる。したがって、リカバリ処理時間が短縮され、もって装置の稼動率向上を実現することができる。
【００５４】
なお、本発明は、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。また、縦型装置だけでなく枚葉装置でも横型装置にも適用できる。更に、炉内の処理には何等関係なく、ＣＶＤのほかにも、例えば、酸化、拡散、アニール等にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、半導体デバイス等の基板を処理する基板処理装置において、複数のアラームが一時期に発生した場合に障害発生時の原因解析及び対策を迅速に行なう必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す側面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理炉を示し、図１のａ−ａ線断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置のコントローラの機能構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置の記憶部に記憶されたアラームと該アラームの要因とを示す概念図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置の記憶部に記憶された複数のアラームの発生要因をマトリクス化した表である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理装置においてアラームが発生した際の主制御部による処理を説明するフローチャートである。
【図８】本発明の実施形態に係る基板処理装置の表示部に表示された共通要因表示画面を例示する図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００  基板処理装置
３０４  記憶部
３０６  表示部
３０８  アラーム発生部
３１０  検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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