(57)【要約】【課題】面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】非磁性酸化物：４〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を、温度：４５０℃以下に保持しながら圧下率：２〜１０％で板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工する面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を、温度：４５０℃以下に保持しながら板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工することを特徴とする面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
前記圧縮加工は、圧下率：２〜２０％の範囲内の圧縮加工であることを特徴とする請求項１または２記載の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
面内方向最大比透磁率：５０以下であることを特徴とする請求項１または２記載の方法で製造した請求項１、２または３記載の方法で製造した面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための面内比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われており、実用化に向けて開発が進められている。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用する材料の有力な候補としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜が提案されており、このＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜はＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基焼結合金相と二酸化珪素相の混合相を有するスパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により作製することが知られている（非特許文献１参照）。
このスパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＣｏ粉末を、二酸化珪素：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られており、その他に市販のＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基合金粉末または急冷凝固して作製したＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基合金粉末と二酸化珪素粉末を二酸化珪素：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られている。（特許文献１、特許文献２などを参照）。
さらに、前記ＳｉＯ２のほかにＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＢｅＯ２、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３などの非磁性酸化物が使用できることが知られている（特許文献３、４参照）。
【非特許文献１】「富士時報」Ｖｏｌ．７５Ｎｏ．３  ２００２（１６９〜１７２ページ）
【特許文献１】特開２００１‐２３６６４３号公報
【特許文献２】特開２００４‐３３９５８６号公報
【特許文献３】特開２００３‐３６５２５号公報
【特許文献４】特開２００６‐２４３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、強磁性合金であるＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基合金を主体として構成されているために、非磁性体ターゲットと比較して磁束がターゲット内部を通過する割合が大きく、ターゲット上空に漏れ出る磁束が極めて少ない。このことはターゲット下部に磁気回路を配置し、ターゲット上空に漏れ出る磁束を利用して希ガスの電離効率を高めることで放電を安定化させ、成膜速度を向上させているマグネトロンスパッタリング法にとっては大きな問題となる。すなわち、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ない漏洩磁束密度の低いターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを行なうと、放電が安定しないあるいは放電できても成膜速度が極端に遅くなるなどの問題を引き起こすからである。
この問題点を解消するための手段の一つとして、ターゲットの厚さを薄くして磁束をターゲット上空へ抜けやすくする方法が取られている。しかし、ターゲットを薄くすると、ターゲットの交換頻度が頻繁になるので成膜効率が悪くなり、コスト的に好ましくない。
また、漏洩磁束密度の低いターゲットは、一旦マグネトロンスパッタリングを行ってエロージョンが形成されると、エロージョン部分から磁束が集中的に漏洩し、その部分だけがますます集中的にスパッタされていくためにターゲットの利用効率が低下したり、成膜速度が経時変化したり、基板面内に膜厚のばらつきが生じたり、さらにターゲット上への再デポ膜の大量付着が生じるなどといった問題を引き起こしやすい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者らは、ターゲットの厚さを薄くすることなくマグネトロンスパッタリングを行うことができるスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結果、
（ａ）磁束は比透磁率の大きな方向に通りやすく小さな方向に通りにくいため、ターゲットの面内方向の比透磁率を小さくすることにより磁束はターゲットの上空に抜けやすくなる、
（ｂ）この面内方向の比透磁率を小さいターゲットは、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムなどの非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有する板状焼結体を温度：４５０℃以下に保持しながら圧下率：２〜２０％で厚さ方向に圧縮加工することにより作製できる、などの知見を得たのである。
【０００５】
この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
（１）非磁性酸化物２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を、温度：４５０℃以下に保持しながら板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工する面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（２）前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかである前記（１）記載の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（３）前記圧縮加工は、圧下率：２〜２０％の範囲内の圧縮加工である前記（１）または（２）記載の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００６】
なお、この発明の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法における「圧下率」は、元の板状焼結体の厚みをｈ１、すべての圧縮加工工程を終了した時点での厚みをｈ２とした時、（ｈ１−ｈ２）／ｈ１×１００（％）で定義される。
前記圧縮加工により面内方向の比透磁率が低下する理由は現時点では明確ではないが、以下のような二つの原因が推測される。第一に磁性体合金を圧縮加工すると内部の転位密度が上昇し、転位により磁壁の移動および磁化の回転が妨げられるため、磁化されにくくなり、比透磁率が低下する。第二に通常の粉末焼結によるＣｏＣｒＰｔ合金は高温相であるｆｃｃ構造が室温まで冷却しても完全には変態せず、低温相であるｈｃｐ構造との混合状態となりやすいが、低温で圧縮加工を行なうことにより、残留しているｆｃｃ相の一部が歪み誘起マルテンサイト変態を生じてｈｃｐ相に変化し、ターゲット中のｈｃｐ相の占める割合が増加する。ｈｃｐ相はｆｃｃ相よりも磁気異方性が大きく、低温で板厚方向に圧縮加工すると、磁化容易方向であるｃ軸方向がターゲット面に垂直に配向する傾向がある。これにより面内方向には磁化されにくい非ｃ軸方向で占められることとなる。すなわち磁気異方性の小さいｆｃｃ相が減少して磁気異方性の大きいｈｃｐ相が増加し、なおかつｈｃｐ相は面内方向に磁化されにくい方向を示すのであるから、面内方向比透磁率は小さくなる。
【０００７】
この発明の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において板状焼結体の圧下率を２〜２０％に限定した理由は、圧下率が２％未満では面内方向の比透磁率が十分に小さなターゲットが得られないので好ましくなく、一方、圧下率が２０％を越えると圧縮加工中に割れが生じるので好ましくないことによるものである。圧下率の一層好ましい範囲は４〜１０％である。なお、この発明で行なう圧縮加工は圧延加工、鍛造加工、プレス加工など板状焼結体の厚さ方向に一方向圧縮できる加工方法であればいかなる塑性加工方法であっても良い。
また、前記非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を４５０℃以下で圧縮加工を行なう理由は、４５０℃を越える温度ではｈｃｐ結晶構造がｆｃｃ結晶構造へと相転移してしまったり、圧延しても歪が緩和されて比透磁率が低下しなかったりするので好ましくないからである。より好ましくは４００℃以下である。
【０００８】
この発明の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法で使用する前記板状焼結体は、
非磁性酸化物粉末：２〜１５モル％、Ｃｒ粉末：３〜２０モル％、Ｐｔ粉末：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏ粉末からなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、
Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔのいずれか２種以上を任意の組成で含む合金粉末と非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、または
Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔのいずれか２種以上を任意の組成で含む合金粉末、非磁性酸化物粉末およびＣｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ粉末の内の１種または２種以上を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、
などの方法で作製することができる。前記加圧焼結は、具体的には真空ホットプレス、熱間静水圧プレスなどである。
なお、この発明の方法において使用する板状焼結体の成分組成は垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの成分組成としてすでに知られている成分組成であるのでその限定理由の説明は省略する。この発明の方法により作製した垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、面内方向最大透比磁率：５０以下となる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の方法によると、マグネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができる面内方向比透磁率の低い優れた磁気記録膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
原料粉末として、市販の５０％粒径：１０μｍのＣｏ粉末、５０％粒径：１５μｍのＰｔ粉末、５０％粒径：１０μｍのＣｒ粉末、いずれも５０％粒径：３μｍのＳｉＯ２粉末、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５粉末およびＡｌ２Ｏ３を用意した。
【００１１】
実施例１
これら原料粉末をモル％でＣｒ：１０．８％、Ｐｔ：１５．３％、ＳｉＯ２：１０．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００１２】
この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ：６．５ｍｍの板にしたのち、表１に示される温度で表１に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から９０度、１８０度、２７０度回転させて計４回の圧延を行ない、かかる４方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し本発明法１〜８および比較法１〜３を実施した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し従来法１を実施した。
【００１３】
本発明法１〜８、比較法１〜３および従来法１により得られたターゲットについて下記の方法により面内方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表１に示した。
【００１４】
（イ）面内方向最大比透磁率の測定：
本発明法１〜８、比較法１〜３および従来法１により得られたターゲットから一辺５ｍｍの立方体試料を切り出した。この立方体試料について市販の直流磁化測定装置にて面内方向に最大４×１０５Ａ／ｍの直流磁場を印加し、磁化・磁場曲線（Ｍ−Ｈ曲線）を描画し、その初期磁化曲線に対して原点から接線を引き、その傾きを求め、傾き＋１により面内方向の最大比透磁率を求め、その結果を表１に示した。
【００１５】
（ロ）漏洩磁束密度の測定：
漏洩磁束密度の測定はＡＳＴＭ  Ｆ２０８６−０１に基づき実施した。測定治具は、非磁性体の材質（例えば、アルミニウム)からなり、図１に示されるようにターゲットを載せるテーブルと、その下に配置する磁石を固定するための固定治具、ホールプローブをターゲット上空に保持しかつ上下方向あるいは支柱を中心とした円弧方向に移動させることのできる支柱から構成されている。磁束を発生させるための磁石には馬蹄形磁石（Ｄｅｘｔｅｒ社製アルニコ磁石５Ｋ２１５）を用いた。測定手順としては、まず測定治具に磁石とホールプローブを取り付けて固定し、ホールプローブにガウスメーターを接続した。ターゲットを載せずにテーブルにホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらターゲットに水平な磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。この位置で測定されたテーブル面に水平な方向の磁束密度をＡＳＴＭで定義されているＳｏｕｒｃｅ  Ｆｉｅｌｄとし、これが９０±５ｍＴの範囲にあることを確認した。
つぎに、ホールプローブの先端を測定するターゲットの厚み＋０．５ｍｍの高さまで上昇させ、ホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらテーブル面に水平な方向の磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。この位置で測定された磁場をＡＳＴＭで定義されるＲｅｆｅｒｅｎｎｃｅ  ｆｉｅｌｄとして記録した。
一方、十分に脱磁された（ターゲット表面にてターゲットに垂直な方向の残留磁束密度が０．３ｍＴ以下になるように脱磁された）ターゲットをテーブルの上に載せた。この際ホールプロ−ブの位置は上記のまま固定し、ターゲットをその下から滑り込ませた。ターゲット表面の中心と、ターゲット表面のホールプローブ直下の点の間の距離は４３．７±２ｍｍになるようにターゲットを配置した。次に均一に磁化されるようにターゲットを反時計回りに５回転させた。回転後に測定されるテーブル面に水平な方向の磁束密度を記録し、これを０度の位置での磁束密度とした。さらにターゲットを中心位置に移動せずに反時計回りに３０度、６０度、９０度、１２０度回転した位置での磁束密度を記録した。
これらの値をＲｅｆｅｒｅｎｎｃｅ  ｆｉｅｌｄの値で割って１００を掛けた値について５点の平均をとり、その５点平均値をそのターゲットの漏洩磁束密度（％）として表１に示した。
【００１６】
【表１】
2007291489.tif 000002
【００１７】
表１に示される結果から、本発明法１〜８により得られたターゲットは従来法１により得られたターゲットに比べて、面内方向の最大比透磁率にくらべて格段に低く、したがって漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較法１〜３で作製したターゲットは特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。
【００１８】
実施例２
先に用意した原料粉末をモル％でＣｒ：９．９％、Ｐｔ：１３．５％、ＴｉＯ２：１０．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００１９】
この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ：６．５ｍｍの板にしたのち、表２に示される温度で表２に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から９０度、１８０度、２７０度回転させて計４回の圧延を行ない、かかる４方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し本発明法９〜１６および比較法４〜６を実施した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し従来法２を実施した。
【００２０】
本発明法９〜１６、比較法４〜６および従来法２により得られたターゲットについて実施例１と同様にして面内方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表２に示した。
【００２１】
【表２】
2007291489.tif 000003
【００２２】
表２に示される結果から、本発明法９〜１６により得られたターゲットは従来法２により得られたターゲットに比べて、面内方向の最大比透磁率にくらべて格段に低く、したがって漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較法４〜６で作製したターゲットは特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。
【００２３】
実施例３
先に用意した原料粉末をモル％でＣｒ：１３．４％、Ｐｔ：１５．４％、Ｔａ２Ｏ５：４．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００２４】
この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ：６．５ｍｍの板にしたのち、表３に示される温度で表３に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から９０度、１８０度、２７０度回転させて計４回の圧延を行ない、かかる４方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し本発明法１７〜２４および比較法７〜９を実施した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し従来法３を実施した。
【００２５】
本発明法１７〜２４、比較法７〜９および従来法３により得られたターゲットについて実施例１と同様にして面内方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表３に示した。
【００２６】
【表３】
2007291489.tif 000004
【００２７】
表３に示される結果から、本発明法１７〜２４により得られたターゲットは従来法３により得られたターゲットに比べて、面内方向の最大比透磁率にくらべて格段に低く、したがって漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較法７〜９で作製したターゲットは特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。
【００２８】
実施例４
先に用意した原料粉末をモル％でＣｒ：１４．７％、Ｐｔ：１４．７％、Ａｌ２Ｏ３：８．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：１５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００２９】
この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ：６．５ｍｍの板にしたのち、表４に示される温度で表４に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から９０度、１８０度、２７０度回転させて計４回の圧延を行ない、かかる４方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し本発明法２５〜３２および比較法１０〜１２を実施した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有するターゲットを作製し従来法４を実施した。
【００３０】
本発明法２５〜３２、比較法１０〜１２および従来法４により得られたターゲットについて実施例１と同様にして面内方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表４に示した。
【００３１】
【表４】
2007291489.tif 000005
【００３２】
表４に示される結果から、本発明法２５〜３２により得られたターゲットは従来法４により得られたターゲットに比べて、面内方向の最大比透磁率にくらべて格段に低く、したがって漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較法１０〜１２で作製したターゲットは特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】漏洩磁束密度の測定方法を説明するための説明図である。
【図１】
2007291489.tif 000006