(57)【要約】【課題】  メンテサイクルの低下やプラズマの分布に影響を与えることなくウエハの位置ずれや脱落を防止する。【解決手段】  半導体ウエハ１０６を処理可能な処理室１０１と、処理室内において半導体ウエハを載置するとともに半導体ウエハを保持する静電チャック１０５を設けた半導体ウエハ載置台と、半導体ウエハを半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピン１０９とを備え、半導体ウエハ載置台における半導体ウエハを載置する領域より外側に、半導体ウエハを位置決めできる昇降自在のガイドピン１１１を少なくとも２つ以上有する。ウエハのプロセス処理終了後、ガイドピンをウエハを囲むように突き出させ、ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することができる。【選択図】  図１
2007073589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置するとともに前記半導体ウエハを保持する静電チャックを設けた半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピンとを備えた半導体製造装置であって、前記半導体ウエハ載置台における半導体ウエハを載置する領域より外側に、前記半導体ウエハを位置決めできるように構成された昇降自在のガイドピンを少なくとも２つ以上有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置するとともに前記半導体ウエハを保持する静電チャックを設けた半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピンと、前記半導体ウエハ載置台の外側に設けたリングとを備えた半導体製造装置であって、前記リングを上昇させて前記半導体ウエハを位置決めできるように構成された昇降自在のリングリフトピンを、前記リングの下に少なくとも２つ以上有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置する半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハ載置台上へ前記半導体ウエハを搬送する搬送アームとを備えた半導体製造装置であって、前記半導体ウエハを載置する領域より外側に、前記半導体ウエハの前記搬送アームからの脱落を防止するための昇降自在のガイドピンを少なくとも２つ以上有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
前記半導体ウエハ載置台上へ前記半導体ウエハを搬送する搬送アームを備えた請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記ガイドピンは少なくとも２つ以上を独立で昇降可能とした請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記半導体製造装置は、プラズマ処理装置である請求項１，２または３記載の半導体製造装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記ガイドピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより搬送位置まで移動させるステップと、前記ガイドピンを下降させるステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【請求項８】
請求項２記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記リフトピンを上昇させるステップと、前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより搬送位置まで移動させるステップと、前記リングリフトピンを下降させるステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させた状態で前記ガイドピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより上昇させるステップと、前記ガイドピンを下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台をウエハ搬送位置まで移動させるステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【請求項１０】
請求項２記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させた状態で前記リングリフトピンを上昇させるステップと、前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより上昇させるステップと、前記リングリフトピンを下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台をウエハ搬送位置まで移動させるステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【請求項１１】
請求項５記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハ搬送に干渉しない前記ガイドピンの一部を上昇させるステップと、前記半導体ウエハを前記搬送アームにより前記処理室に搬送し、前記ガイドピンにより前記半導体ウエハを囲むステップと、前記半導体ウエハを前記搬送アームから前記半導体ウエハ載置台側に受け渡すステップと、上昇させた前記ガイドピンを下降させるステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【請求項１２】
請求項４記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記搬送アームにより前記半導体ウエハを前記処理室に搬送するステップと、前記半導体ウエハをウエハリフトピンにより持ち上げ、前記搬送アームから離脱させた後、前記搬送アームを前記処理室外に移動するステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより半導体ウエハを囲み位置決めした状態で前記ウエハリフトピンを下降させるステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンを下降するステップとを含む半導体ウエハ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に係り、ウエハの位置ずれや脱落を防止できる半導体製造装置およびそれを用いた半導体ウエハの処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、近年の半導体装置の微細化、半導体製造装置の大口径化に伴い、より高い加工精度が要求されている。また、設備投資額が増大することから設備投資の回収を含め、より効率的に利益を上げるために製造プロセスに要するコスト低減が必要不可欠である。より高い加工精度を得るために、薄膜形成やドライエッチング工程等において、製造装置では、ウエハを温度制御された試料台に密着させて、ウエハを所定の温度に制御することが必要とされており、十分な密着性を確保する手段として、静電力による吸着作用を利用した静電チャックを備えた半導体設備が広く普及している。
【０００３】
図１１に従来の静電チャックを備えた半導体製造装置として例えばドライエッチング装置の断面図を示す。処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続された下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図１１の半導体製造装置におけるウエハの温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハを離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。しかしウエハリフトピン１０９を上昇させる時に、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハの跳ねによる位置ずれや静電チャック１０５からの脱落によって搬送トラブルを引き起こすという問題があった。
【０００４】
また、上記のウエハ１０６の跳ねによるトラブル以外に、ウエハ１０６を静電チャック１０５の上に搬送する際に、搬送アーム１１０の搬送位置ずれや、搬送アーム１１０からのウエハ１０６の脱落等の搬送トラブルが起こるという問題があった。これらの搬送トラブルにより、設備のメンテナンス等が必要となり、設備の稼働率の低下を招いていた。
【０００５】
この問題を解決する手段として、次に示す方法が開示されている。すなわち、上部絶縁リング１０３を上部電極１０２より突き出した構造とし、ウエハ１０６の処理後、上部絶縁リング１０３の内壁でウエハ１０６を囲むように、下部電極１０４及び静電チャック１０５を上昇させてからウエハリフトピン１０９を上昇させる方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−４４２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された方法は、下部電極周辺と比較して、通常、反応生成物が堆積しやすい上部電極周辺において上部絶縁リング１０３を上部電極１０２より突き出した構造としており、上部絶縁リング１０３と上部電極１０２との段差部分があることで更に反応性生物が堆積しやすく、かつ剥がれやすくなっており、メンテナンスサイクルが著しく低下する。また、上部絶縁リング１０３の突き出した構造のため、プラズマの分布が悪化する。また、リフトピンを突き上げる前にウエハが載置されている下部電極及び静電チャックを上昇させることで上部電極とウエハの距離が近くなり、ウエハの跳ねが大きい場合、ウエハが上部電極と衝突してウエハに破損が生じるという問題があった。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点をかえりみてなされたものであり、メンテサイクルの低下やプラズマの分布に影響を与えることなくウエハの位置ずれや脱落を防止することができる半導体製造装置および半導体ウエハ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明の請求項１記載の半導体製造装置は、半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置するとともに前記半導体ウエハを保持する静電チャックを設けた半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピンとを備えた半導体製造装置であって、前記半導体ウエハを位置決めできるように構成された昇降自在のガイドピンを少なくとも２つ以上有する。
【０００９】
上記の構成により、ガイドピンを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、半導体ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することが出来る。また、ウエハ処理中はガイドピンが半導体ウエハ載置台上面より下側に配置されることでメンテサイクルの低下やプラズマ分布に影響を与えることがない。
【００１０】
請求項２記載の半導体製造装置は、半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置するとともに前記半導体ウエハを保持する静電チャックを設けた半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピンと、前記半導体ウエハ載置台の外側に設けたリングとを備えた半導体製造装置であって、前記リングを上昇させて前記半導体ウエハを位置決めできるように構成された昇降自在のリングリフトピンを、前記リングの下に少なくとも２つ以上有する。
【００１１】
上記の構成により、リングを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、半導体ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することが出来る。また、ウエハ処理中はリングが半導体ウエハ載置台上面より下に配置されることでメンテサイクルの低下やプラズマ分布に影響を与えることがない。
【００１２】
請求項３記載の半導体製造装置は、半導体ウエハを処理可能な処理室と、前記処理室内において前記半導体ウエハを載置する半導体ウエハ載置台と、前記半導体ウエハ載置台上へ前記半導体ウエハを搬送する搬送アームとを備えた半導体製造装置であって、前記半導体ウエハを載置する領域より外側に、前記半導体ウエハの前記搬送アームからの脱落を防止するための昇降自在のガイドピンを少なくとも２つ以上有する。
【００１３】
上記の構成により、半導体ウエハを処理室に搬送する際にウエハ搬送に干渉しないガイドピンのみを半導体ウエハを囲むように突き出しておくことで、半導体ウエハを搬送する際の搬送アームからのウエハの脱落を防止することが出来る。
【００１４】
請求項４記載の半導体製造装置は、請求項１または２記載の半導体製造装置において、前記半導体ウエハ載置台上へ前記半導体ウエハを搬送する搬送アームを備えた。
【００１５】
請求項５記載の半導体製造装置は、請求項３記載の半導体製造装置において、前記ガイドピンは少なくとも２つ以上を独立で昇降可能とした。
【００１６】
請求項６記載の半導体製造装置は、請求項１，２または３記載の半導体製造装置において、前記半導体製造装置は、プラズマ処理装置である。
【００１７】
請求項７記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項１記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記ガイドピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより搬送位置まで移動させるステップと、前記ガイドピンを下降させるステップとを含む。
【００１８】
上記の構成により、半導体ウエハのプロセス処理終了後、ガイドピンを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、半導体ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することが出来る。
【００１９】
請求項８記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項２記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記リフトピンを上昇させるステップと、前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより搬送位置まで移動させるステップと、前記リングリフトピンを下降させるステップとを含む。
【００２０】
上記の構成により、半導体ウエハのプロセス処理終了後、リングリフトピンによりリングを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、半導体ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することが出来る。
【００２１】
請求項９記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項１記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させた状態で前記ガイドピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより上昇させるステップと、前記ガイドピンを下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台をウエハ搬送位置まで移動させるステップとを含む。
【００２２】
上記の構成により、半導体ウエハのプロセス処理終了後、まず、下部電極側である半導体ウエハ載置台を下降させ、半導体ウエハと上部電極との間隔を十分に保った後、ガイドピンを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる上部電極へのウエハの衝突による欠損を防止することが出来る。また、請求項７よりも大きくガイドピンを突き出させることができるため、より跳ねが大きい場合であっても防止することが出来る。
【００２３】
請求項１０記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項２記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハを前記静電チャックにより保持した状態でプロセス処理を行った後、前記静電チャックを停止させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台を下降させた状態で前記リングリフトピンを上昇させるステップと、前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより囲まれた前記半導体ウエハを前記ウエハリフトピンにより上昇させるステップと、前記リングリフトピンを下降させるステップと、前記半導体ウエハ載置台をウエハ搬送位置まで移動させるステップとを含む。
【００２４】
上記の構成により、半導体ウエハのプロセス処理終了後、まず、下部電極側である半導体ウエハ載置台を下降させ、半導体ウエハと上部電極との間隔を十分に保った後、リングリフトピンによりリングを半導体ウエハを囲むように突き出させることで、半導体ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる上部電極へのウエハの衝突による欠損を防止することが出来る。また、請求項８よりも大きくリングを突き出させることができるため、より跳ねが大きい場合であっても防止することが出来る。
【００２５】
請求項１１記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項５記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記半導体ウエハ搬送に干渉しない前記ガイドピンの一部を上昇させるステップと、前記半導体ウエハを前記搬送アームにより前記処理室に搬送し、前記ガイドピンにより前記半導体ウエハを囲むステップと、前記半導体ウエハを前記搬送アームから前記半導体ウエハ載置台側に受け渡すステップと、上昇させた前記ガイドピンを下降させるステップとを含む。
【００２６】
上記の構成により、半導体ウエハを処理室に搬送する際にウエハ搬送に干渉しないガイドピンのみを半導体ウエハを囲むように突き出しておくことで、半導体ウエハを搬送する際のウエハ搬送アームからのウエハの脱落を防止することが出来る。
【００２７】
請求項１２記載の半導体ウエハ処理方法は、請求項４記載の半導体製造装置を用いた半導体ウエハ処理方法であって、前記搬送アームにより前記半導体ウエハを前記処理室に搬送するステップと、前記半導体ウエハをウエハリフトピンにより持ち上げ、前記搬送アームから離脱させた後、前記搬送アームを前記処理室外に移動するステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンを上昇させるステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンにより上昇した前記リングにより半導体ウエハを囲み位置決めした状態で前記ウエハリフトピンを下降させるステップと、前記ガイドピンまたは前記リングリフトピンを下降するステップとを含む。
【００２８】
上記の構成により、半導体ウエハを搬送アームから上昇させたウエハリフトピンに受け渡した後、ウエハリフトピンを下降させて静電チャックの上に半導体ウエハを載置する際に、ガイドピンまたはリングを上昇させて半導体ウエハを囲むようにしておくことで、ウエハリフトピンの動作不良による半導体ウエハの位置ずれを防ぐことが出来る。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、半導体ウエハ載置台から突き出すように設置されたガイドピンまたはリングを設置し、ウエハ処理中にはガイドピンまたはリングを半導体ウエハ載置台上面より下側に配置させることで、メンテサイクルの低下やプラズマの分布に影響を与えることなく、半導体ウエハの位置ずれや脱落を防止することができる。
【００３０】
したがって、本発明は半導体装置の微細化、歩留まり向上、設備稼働率向上を図る上で極めて意義の大きいものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１及び図２を参照して説明する。
【００３２】
図１は第１の実施の形態に係る装置の構成を示す断面図である。本実施の形態では、並行平板型ドライエッチング装置についての説明である。
【００３３】
図１において、各符号は以下の要素を示す。１０１は処理室、１０２は上部電極、１０３は上部絶縁リング、１０４は下部電極、１０５は静電チャック、１０５ａは静電チャック電極、１０５ｂは静電チャック絶縁体、１０６は処理ウエハ、１０７は下部絶縁リング、１０８は下部電極周辺リング、１０９はウエハリフトピン、１１０は搬送アーム、１１１はウエハガイドピンを示している。半導体ウエハ載置台は、下部電極１０４、静電チャック１０５、下部絶縁リング１０７および下部電極周辺リング１０８等で構成される。
【００３４】
本実施の形態では、下部電極周辺リング１０８から突き出すことができるウエハガイドピン１１１を設けた装置であって、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、ガイドピン１１１をウエハ１０６を囲むように突き出させ、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止する。
【００３５】
この場合、処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続された下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されており、下部電極周辺リング１０８及び下部絶縁リング１０７を通じて可動する昇降機構（図示せず）を備えたウエハガイドピン１１１が例えば下部電極周辺リング１０８上に沿って３本等間隔で設置されており、ウエハガイドピン１１１はプロセス処理中は下部電極周辺リング１０８より上方に突き出ないように格納されている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図１の半導体製造装置におけるウエハ１０６の温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハ１０６を離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。ウエハ離脱の際には、ウエハガイドピン１１１を上昇させウエハ１０６を囲むようにしてウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる構造となっている。
【００３６】
図２は第１の実施の形態に係るウエハ処理シーケンスを示す図である。
【００３７】
まず、ウエハ１０６を載置した搬送アーム１１０によって処理室内にウエハ１０６が搬送される（ステップ２０１）。次に、ウエハリフトピン１０９を上昇させウエハ１０６を搬送アーム１１０より上部に持ち上げ、ウエハ１０６を搬送アーム１１０からウエハリフトピン１０９に受け渡し（ステップ２０２）、搬送アーム１１０を処理室外へ移動する（ステップ２０３）。その後、ウエハリフトピン１０９を下降させ、静電チャック１０５の上に載置し(ステップ２０４)、
静電チャック１０５の電源をオンし、ウエハ１０６を静電チャック１０５に吸着させる（ステップ２０５）。次に、所定のプロセス、例えばプラズマエッチング処理を行い（ステップ２０６）、プロセス終了後に、静電チャック１０５の電源をオフする（ステップ２０７）。次に、ガイドピン１１１を上昇させ（ステップ２０８）、ウエハリフトピン１０９を突き上げ、ウエハ１０６を持ち上げる（ステップ２０９）。この時、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハが跳ねる場合があるが、前記ステップ２０８によってガイドピン１１１がウエハを囲むように突き出しているため、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがない。この後、ガイドピン１１１を下降させ（ステップ２１０）、搬送アーム１１０をウエハ１０６の下方に移動させ、ウエハリフトピン１０９を下降させてウエハ１０６を搬送アーム１１０に受け渡し、ウエハ１０６を処理室１０１外へ搬送する（ステップ２１１）。
【００３８】
以上説明したように第１の実施の形態によれば、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に、下部電極周辺リング１０８から、ガイドピン１１１をウエハ１０６を囲むように突き出させることで、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがないため、搬送トラブルを防止することが出来る。これにより、不要なメンテナンスを防止し、装置の稼働率低下を防止することが出来る。
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図３及び図４を参照して説明する。
【００３９】
図３は第２の実施の形態に係る装置の構成を示す断面図である。本実施の形態では、並行平板型ドライエッチング装置についての説明である。
【００４０】
図３において、各符号は以下の要素を示す。１０１は処理室、１０２は上部電極、１０３は上部絶縁リング、１０４は下部電極、１０５は静電チャック、１０５ａは静電チャック電極、１０５ｂは静電チャック絶縁体、１０６は処理ウエハ、１０７は下部絶縁リング、１０８は下部電極周辺リング、１０９はウエハリフトピン、１１０は搬送アーム、１１２は下部電極周辺リングリフトピンを示している。半導体ウエハ載置台は、下部電極１０４、静電チャック１０５、下部絶縁リング１０７および下部電極周辺リング１０８等で構成される。
【００４１】
本実施の形態では、下部電極周辺リング１０８を持ち上げることができるリングリフトピン１１２を設けた装置であって、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、下部電極周辺リング１０８をウエハ１０６を囲むように突き出させ、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止する。
【００４２】
この場合、処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続された下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されており、下部電極周辺リング１０８を可動させるための昇降機構（図示せず）を備えた下部電極周辺リングリフトピン１１２が例えば３本等間隔で設置されている。
【００４３】
また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図３の半導体製造装置におけるウエハの温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハ１０６を離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。ウエハ離脱の際には、下部電極周辺リングリフトピン１１２を上昇させ、下部電極周辺リング１０８でウエハ１０６を囲むようにしてウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる構造となっている。
【００４４】
図４は第２の実施の形態に係るウエハ処理シーケンスを示す図である。
【００４５】
まず、ウエハ１０６を載置した搬送アーム１１０によって処理室内にウエハ１０６が搬送される（ステップ３０１）。次に、ウエハリフトピン１０９を上昇させウエハ１０６を搬送アーム１１０より上部に持ち上げ、ウエハ１０６を搬送アーム１１０からウエハリフトピン１０９に受け渡し（ステップ３０２）、搬送アーム１１０を処理室外へ移動する（ステップ３０３）。その後、ウエハリフトピン１０９を下降させ、静電チャック１０５の上に載置し(ステップ３０４)、静電チャック１０５の電源をオンし、ウエハ１０６を静電チャック１０５に吸着させる（ステップ３０５）。
【００４６】
次に、所定のプロセス、例えばプラズマエッチング処理を行い（ステップ３０６）、プロセス終了後に、静電チャック１０５の電源をオフする（ステップ３０７）。次に、下部電極周辺リングリフトピン１１２を上昇させ、下部電極周辺リング１０８を持ち上げた後（ステップ３０８）、ウエハリフトピン１０９を突き上げ、ウエハ１０６を持ち上げる（ステップ３０９）。この時、下部電極周辺リング１０８は、下部電極周辺リング１０８の上面が、上部電極１０２あるいは上部絶縁リング１０３の下面よりも下に位置し、かつウエハリフトピン１０９によって持ち上げられるウエハ１０６の上面より上に位置するように持ち上げられている。このため、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハ１０６が跳ねた場合であっても、前記ステップ３０８によって下部電極周辺リング１０８がウエハ１０６を囲むことによって位置ずれや脱落を起こすことがない。この後、下部電極周辺リングリフトピン１１２を下降させ（ステップ３１０）、搬送アーム１１０をウエハ１０６の下方に移動させ、ウエハリフトピン１０９を下降させてウエハ１０６を搬送アーム１１０に受け渡し、ウエハ１０６を処理室１０１外へ搬送する（ステップ３１１）。
【００４７】
以上説明したように第２の実施の形態によれば、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に、下部電極周辺リングリフトピン１１２を上昇させ、下部電極周辺リング１０８を持ち上げ、下部電極周辺リング１０８によってウエハ１０６を囲むようにすることで、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがないため、搬送トラブルを防止することが出来る。これにより、不要なメンテナンスを防止し、装置の稼働率低下を防止することが出来る。また、実施の形態１との比較をすれば、実施の形態１では、下部電極周辺リング１０８及びウエハガイドピン１１１先端部分がプラズマ処理に晒され、経時変化によりウエハガイドピン１１１先端部分が消耗し、異常放電を起こす可能性があるが、実施の形態２では下部電極周辺リングを持ち上げることで、ガイドピン先端部分をプラズマに晒すことがないため、経時変化による異常放電等の発生を抑えることが出来ることに特徴がある。
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態について図５及び図６を参照して説明する。
【００４８】
図５は第３の実施の形態に係る装置の構成を示す図であって、図５(ａ)は断面図を、図５(ｂ)は下部電極周辺部の平面図を示している。本実施の形態では、並行平板型ドライエッチング装置についての説明である。
【００４９】
図５（ａ)，(ｂ)において、各符号は以下の要素を示す。１０１は処理室、１０２は上部電極、１０３は上部絶縁リング、１０４は下部電極、１０５は静電チャック、１０５aは静電チャック電極、１０５ｂは静電チャック絶縁体、１０６は処理ウエハ、１０７は下部絶縁リング、１０８は下部電極周辺リング、１０９はウエハリフトピン、１１０は搬送アーム、１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃはウエハガイドピンを示している。半導体ウエハ載置台は、下部電極１０４、静電チャック１０５、下部絶縁リング１０７および下部電極周辺リング１０８等で構成される。
【００５０】
本実施の形態では、下部電極周辺リング１０８から突き出すことができるウエハガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃを複数設け、かつそれぞれ独立して可動することが出来る装置であって、ウエハ１０６を処理室に搬送する際にウエハ搬送に干渉しないガイドピンのみをウエハ１０６を囲むように突き出しておくことで、ウエハ１０６を搬送する際の搬送アーム１１０からのウエハ１０６の脱落を防止する。
【００５１】
この場合、処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続された下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されており、下部電極周辺リング１０８及び下部絶縁リング１０７を通じて可動する昇降機構（図示せず）を備えた例えば３本等間隔で設置されたウエハガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃは、それぞれが独立して可動できる構成となっている。ウエハガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃはプロセス処理中は下部電極周辺リング１０８より上方に突き出ないように格納されている。
【００５２】
また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図５の半導体製造装置におけるウエハ１０６の温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハ１０６を離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。ウエハ離脱の際には、ウエハガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃを上昇させウエハ１０６を囲むようにしてウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる構造となっている。
【００５３】
図６は第３の実施の形態に係るウエハ処理シーケンスを示す図である。
【００５４】
まず、ウエハガイドピンの一部でウエハの搬送と干渉しないウエハガイドピン１１１ｂ，１１１ｃのみを上昇させる（ステップ４０１）。次に、ウエハ１０６を載置した搬送アーム１１０によって処理室内にウエハ１０６が搬送される（ステップ４０２）。この時、ウエハガイドピン１１１ｂ，１１１ｃでウエハ１０６を囲むことでウエハ搬送アーム１１０の搬送スピードの乱れなどによりウエハ１０６が搬送アーム１１０より脱落することを防止できる。次に、ウエハリフトピン１０９を上昇させウエハ１０６を搬送アーム１１０より上部に持ち上げ、ウエハ１０６を搬送アーム１１０からウエハリフトピン１０９に受け渡し（ステップ４０３）、搬送アーム１１０を処理室外へ移動する（ステップ４０４）。その後、ウエハガイドピン１１１ｂ，１１１ｃを下降させ（ステップ４０５）、ウエハリフトピン１０９を下降させ、静電チャック１０５の上に載置し(ステップ４０６)する。次に、静電チャック１０５の電源をオンし、ウエハ１０６を静電チャック１０５に吸着させる（ステップ４０７）。
【００５５】
次に、所定のプロセス、例えばプラズマエッチング処理を行い（ステップ４０８）、プロセス終了後に、静電チャック１０５の電源をオフする（ステップ４０９）。次に、ガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃを上昇させ（ステップ４１０）、ウエハリフトピン１０９を突き上げ、ウエハ１０６を持ち上げる（ステップ４１１）。この時、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハが跳ねる場合があるが、前記ステップ４１０によってガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃがウエハを囲むように突き出しているため、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがない。この後、ガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃを下降させ（ステップ４１２）、搬送アーム１１０をウエハ１０６の下方に移動させ、ウエハリフトピン１０９を下降させてウエハ１０６を搬送アーム１１０に受け渡し、ウエハ１０６を処理室１０１外へ搬送する（ステップ４１３）。
【００５６】
以上説明したように第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態による効果に加えて、複数設置され独立に可動することが出来るウエハガイドピン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃがあり、ウエハ１０６を処理室１０１に搬送する際にウエハ搬送に干渉しないガイドピン１１１ｂ，１１１ｃをウエハ１０６を囲むように突き出しておくことでウエハ搬送アーム１１０からの脱落を防止できるため、これに起因する搬送トラブルを防止することが出来る。これにより、第１の実施の形態よりも更に不要なメンテナンスを防止し、装置の稼働率低下を防止することが出来る。
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態について図７及び図８を参照して説明する。
【００５７】
図７は第４の実施の形態に係る装置の構成を示す断面図であり、図１と同様の構成である。本実施の形態では、並行平板型ドライエッチング装置についての説明である。
【００５８】
図７において、各符号は以下の要素を示す。１０１は処理室、１０２は上部電極、１０３は上部絶縁リング、１０４は下部電極、１０５は静電チャック、１０５ａは静電チャック電極、１０５ｂは静電チャック絶縁体、１０６は処理ウエハ、１０７は下部絶縁リング、１０８は下部電極周辺リング、１０９はウエハリフトピン、１１０は搬送アーム、１１１はウエハガイドピンを示している。半導体ウエハ載置台は、下部電極１０４、静電チャック１０５、下部絶縁リング１０７および下部電極周辺リング１０８等で構成される。
【００５９】
本実施の形態では、下部電極周辺リング１０８から突き出すことができるウエハガイドピン１１１を設けた装置であって、ウエハ１０６を搬送アーム１１０から上昇させたウエハリフトピン１０９に受け渡した後、ウエハリフトピン１０９を下降させて静電チャック１０５の上にウエハ１０６を載置する際に、ガイドピン１１１を上昇させてウエハ１０６を囲むようにしておくことでウエハリフトピン１０９の動作不良によるウエハ１０６の位置ずれを防ぐ。
【００６０】
この場合、処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続された下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されており、下部電極周辺リング１０８及び下部絶縁リング１０７を通じて可動する昇降機構（図示せず）を備えたウエハガイドピン１１１が例えば下部電極周辺リング１０８上に沿って３本等間隔で設置されており、ウエハガイドピン１１１はプロセス処理中は下部電極周辺リング１０８より上方に突き出ないように格納されている。
【００６１】
また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図７の半導体製造装置におけるウエハ１０６の温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハ１０６を離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。ウエハ離脱の際には、ウエハガイドピン１１１を上昇させウエハ１０６を囲むようにしてウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる構造となっている。
【００６２】
図８は第４の実施の形態に係るウエハ処理シーケンスを示す図である。
【００６３】
まず、ウエハ１０６を載置した搬送アーム１１０によって処理室内にウエハ１０６が搬送される（ステップ５０１）。次に、ウエハリフトピン１０９を上昇させウエハ１０６を搬送アーム１１０より上部に持ち上げ、ウエハ１０６を搬送アーム１１０からウエハリフトピン１０９に受け渡し（ステップ５０２）、搬送アーム１１０を処理室外へ移動する（ステップ５０３）。その後、ガイドピン１１１を上昇させ（ステップ５０４）、ウエハリフトピン１０９を下降させ、静電チャック１０５の上に載置する(ステップ５０５)。この時、ガイドピン１１１によりウエハ１０６が囲まれた状態でウエハリフトピン１０９を下降させるのでウエハリフトピン１０９の動作不良によるウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる。次に、ガイドピン１１１を下降させ（ステップ５０６）、静電チャック１０５の電源をオンし、ウエハ１０６を静電チャック１０５に吸着させる（ステップ５０７）。次に、所定のプロセス、例えばプラズマエッチング処理を行い（ステップ５０８）、プロセス終了後に、静電チャック１０５の電源をオフする（ステップ５０９）。次に、ガイドピン１１１を上昇させ（ステップ５１０）、ウエハリフトピン１０９を突き上げ、ウエハ１０６を持ち上げる（ステップ５１１）。この時、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハが跳ねる場合があるが、前記ステップ２０８によってガイドピン１１１がウエハを囲むように突き出しているため、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがない。この後、ガイドピン１１１を下降させ（ステップ５１２）、搬送アーム１１０をウエハ１０６の下方に移動させ、ウエハリフトピン１０９を下降させてウエハ１０６を搬送アーム１１０に受け渡し、ウエハ１０６を処理室１０１外へ搬送する（ステップ５１３）。
【００６４】
以上説明したように第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態による効果に加えて、ウエハ１０６をウエハリフトピン１０９を下降させて静電チャック１０５の上に載置する際に、ガイドピン１１１を上昇させてウエハ１０６を囲むようにしておくことでウエハリフトピン１０９の動作不良によるウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができ、これによる搬送トラブルを防止することが出来る。これにより、不要なメンテナンスを更に防止し、装置の稼働率低下を防止することが出来る。
【００６５】
なお、第４の実施の形態を第２の実施の形態に適用することも可能である。この場合、搬送アームにより半導体ウエハを処理室に搬送するステップと、半導体ウエハをウエハリフトピンにより持ち上げ、搬送アームから離脱させた後、搬送アームを処理室外に移動するステップと、リングリフトピンを上昇させるステップと、リングリフトピンにより上昇したリングにより半導体ウエハを囲み位置決めした状態でウエハリフトピンを下降させるステップと、リングリフトピンを下降するステップとを行うことにより、第４の実施の形態と同様の効果が得られる。
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態について図９及び図１０を参照して説明する。
【００６６】
図９は第５の実施の形態に係る装置の構成を示す断面図である。本実施の形態では、並行平板型ドライエッチング装置についての説明である。
【００６７】
図９において、各符号は以下の要素を示す。１０１は処理室、１０２は上部電極、１０３は上部絶縁リング、１０４は下部電極、１０５は静電チャック、１０５ａは静電チャック電極、１０５ｂは静電チャック絶縁体、１０６は処理ウエハ、１０７は下部絶縁リング、１０８は下部電極周辺リング、１０９はウエハリフトピン、１１０は搬送アーム、１１１はウエハガイドピンを示している。半導体ウエハ載置台は、下部電極１０４、静電チャック１０５、下部絶縁リング１０７および下部電極周辺リング１０８等で構成される。
【００６８】
本実施の形態では、下部電極周辺リング１０８から突き出すことができるウエハガイドピン１１１を設けた装置であって、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、まず、下部電極１０４を下降させ、ウエハ１０６と上部電極１０２との間隔を十分に保った後、ガイドピン１１１をウエハ１０６を囲むように突き出させ、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に起こる跳ねによる上部電極１０２へのウエハ１０６の衝突による欠損を防止することが出来、また、実施の形態１よりも大きくガイドピン１１１を突き出させることができるため、より跳ねが大きい場合であっても位置ずれや脱落を防止する。
【００６９】
この場合、処理室１０１内上部には、ガス導入孔（図示せず）を有し、ＲＦ電源（図示せず）に接続された上部電極１０２が設置され、上部電極１０２の周辺には上部絶縁リング１０３が設置されている。処理室１０１内下部には、ＲＦ電源（図示せず）に接続され、昇降機構（図示せず）を備えた下部電極１０４が設置され、下部電極１０４上に静電チャック１０５が設置されている。静電チャック１０５の上には、処理ウエハ１０６が載置されている。静電チャック１０５は、ＤＣ電源（図示せず）に接続された静電チャック電極１０５ａが、絶縁体１０５ｂの内部に配置された構成となっている。また、下部電極１０４及び静電チャック１０５側部には下部絶縁リング１０７が設置され、処理ウエハ１０６側部には下部電極周辺リング１０８が設置されており、下部電極周辺リング１０８及び下部絶縁リング１０７を通じて可動する昇降機構（図示せず）を備えたウエハガイドピン１１１が例えば下部電極周辺リング１０８上に沿って３本等間隔で設置されており、ウエハガイドピン１１１はプロセス処理中は下部電極周辺リング１０８より上方に突き出ないように格納されている。
【００７０】
また、下部電極１０４及び静電チャック１０５内部を通じウエハ１０６を載置、離脱させるための昇降機構（図示せず）を備えたウエハリフトピン１０９が設置されている。処理室内外へのウエハ１０６の搬送は搬送アーム１１０により行われる。図９の半導体製造装置におけるウエハ１０６の温度制御には、温度制御された静電チャック１０５にウエハ１０６を吸着させることで行う。また、ウエハ１０６の吸着には、静電チャック電極１０５ａに直流電圧を印加し、静電チャック１０５を帯電させ、ウエハ１０６と静電チャック１０５との間の静電力により吸着させる。ウエハ１０６を離脱させる場合は、静電チャック電極１０５ａに印加された直流電圧をオフにしてウエハリフトピン１０９を上昇させ、ウエハ１０６を裏面から押し上げることで行う。ウエハ離脱の際には、ウエハガイドピン１１１を上昇させウエハ１０６を囲むようにしてウエハ１０６の位置ずれを防ぐことができる構造となっている。
【００７１】
図１０は第５の実施の形態に係るウエハ処理シーケンスを示す図である。
【００７２】
まず、ウエハ１０６を載置した搬送アーム１１０によって処理室内にウエハ１０６が搬送される（ステップ６０１）。次に、ウエハリフトピン１０９を上昇させウエハ１０６を搬送アーム１１０より上部に持ち上げ、ウエハ１０６を搬送アーム１１０からウエハリフトピン１０９に受け渡し（ステップ６０２）、搬送アーム１１０を処理室外へ移動する（ステップ６０３）。その後、ウエハリフトピン１０９を下降させ、静電チャック１０５の上に載置し(ステップ６０４)、静電チャック１０５の電源をオンし、ウエハ１０６を静電チャック１０５に吸着させる（ステップ６０５）。
【００７３】
次に、所定のプロセス、例えばプラズマエッチング処理を行い（ステップ６０６）、プロセス終了後に、静電チャック１０５の電源をオフする（ステップ６０７）。次に、下部電極１０４を下降させ、ウエハ１０６と上部電極１０２との間隔を十分に保つ（ステップ６０８）。続いて、ガイドピン１１１を上昇させ（ステップ６０９）、ウエハリフトピン１０９を突き上げ、ウエハ１０６を持ち上げる（ステップ６１０）。この時、ウエハ１０６に残留した電荷による弱い残留吸着力によってウエハが跳ねる場合があるが、前記ステップ６０８によってガイドピン１１１がウエハ１０６を囲むように突き出しているため、ウエハ１０６が跳ねた場合であっても位置ずれや脱落を起こすことがなく、ガイドピン１１１の突き上げ量に関しても、下部電極１０４を下降させているので実施の形態１よりも多く突き出させることが出来、より大きいウエハ１０６の跳ねに対しても対応することが可能である。また、ウエハ１０６の跳ねが大きい場合であっても、ウエハ１０６と上部電極１０２との間隔を十分に保ってあるのでウエハ１０６が上部電極１０２に衝突してウエハ１０６の欠損が生じることはない。この後、ガイドピン１１１を下降させ（ステップ６１１）、下部電極１０４を搬送位置へ移動させ（ステップ６１２）、搬送アーム１１０をウエハ１０６の下方に移動させ、ウエハリフトピン１０９を下降させてウエハ１０６を搬送アーム１１０に受け渡し、ウエハ１０６を処理室１０１外へ搬送する（ステップ６１３）。
【００７４】
以上説明したように第５の実施の形態によれば、第１の実施の形態と比較して、ウエハ１０６のプロセス処理終了後、ウエハ１０６を静電チャック１０５から離脱させる際に、下部電極１０４を下降させておくことで、ガイドピン１１１の突き上げ量を、実施の形態１よりも多く突き出させることが出来、より大きいウエハ１０６の跳ねに対しても対応することが可能である。また、ウエハ１０６の跳ねが大きい場合であっても、ウエハ１０６と上部電極１０２との間隔を十分に保ってあるのでウエハ１０６が上部電極１０２に衝突してウエハ１０６の欠損が生じることはないため、これによる搬送トラブルを更に防止することが出来る。これにより、不要なメンテナンスを防止し、装置の稼働率低下を防止することが出来る。
【００７５】
なお、第２の実施の形態において、第５の実施の形態と同様に下部電極１０４を下降させても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明に係る半導体製造装置および半導体ウエハ処理方法は、メンテサイクルの低下やプラズマの分布に影響を与えることなく、半導体ウエハの位置ずれや脱落を防止することができるという効果を有し、高い加工精度が要求される半導体製造技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウエハ処理シーケンスである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るウエハ処理シーケンスである。
【図５】(ａ)は本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置の断面図、(ｂ)は本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るウエハ処理シーケンスである。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るウエハ処理シーケンスである。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係るウエハ処理シーケンスである。
【図１１】従来例を説明する半導体製造装置の断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０１  処理室
１０２  上部電極
１０３  上部絶縁リング
１０４  下部電極
１０５  静電チャック
１０５ａ  静電チャック電極
１０５ｂ  静電チャック絶縁体
１０６  処理ウエハ
１０７  下部絶縁リング
１０８  下部電極周辺リング
１０９  ウエハリフトピン
１１０  搬送アーム
１１１  ウエハガイドピン
１１１ａ，１１１ｂ,１１１ｃ  ウエハガイドピン
１１２  下部電極周辺リングリフトピン
【図１】
2007073589.tif 000003
【図２】
2007073589.tif 000004
【図３】
2007073589.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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