(57)【要約】【課題】表示用配線が断線した際に、予備配線による信号遅延が抑制される断線修正を実現する。【解決手段】互いに対向配置されたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、両基板２０及び３０の間に設けられた液晶層４０とを備え、表示領域と非表示領域とが規定された液晶表示装置であって、アクティブマトリクス基板２０は、複数のソース線４と、非表示領域に設けられてソース線４の両端側に対して接続可能に構成された予備配線１ｃとを備え、対向基板３０は、液晶層４０に電圧を印加するための共通電極１１と、共通電極１１を液晶層４０側で覆う配向膜９ｂと、非表示領域に設けられて共通電極１１及び配向膜９ｂに接触するブラックマトリクス１２とを備え、ブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂは、予備配線１ｃに重畳しないように設けられている。【選択図】図４
2007025281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板と、
上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とが規定された液晶表示装置であって、
上記アクティブマトリクス基板は、上記表示領域において相互に平行に延びる複数の表示用配線と、上記非表示領域に設けられ、上記少なくとも１つの表示用配線の両端側に対して接続可能に構成された予備配線とを備え、
上記対向基板は、上記表示領域に設けられて上記液晶層に電圧を印加するための共通電極と、上記共通電極を上記液晶層側で覆うように設けられた配向膜と、上記非表示領域に設けられて上記共通電極及び配向膜の少なくとも一方に接触すると共に上記アクティブマトリクス基板側から上記対向基板側へ向かう光を遮光する遮光膜とを備え、
上記遮光膜及び配向膜は、上記予備配線に重畳しないように設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
アクティブマトリクス基板と、
上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とが規定された液晶表示装置であって、
上記アクティブマトリクス基板は、上記表示領域において相互に平行に延びる複数の表示用配線と、上記非表示領域に設けられ、上記少なくとも１つの表示用配線の両端側に対して接続可能に構成された予備配線とを備え、
上記対向基板は、上記表示領域に設けられて上記液晶層に電圧を印加するための共通電極と、上記共通電極を上記液晶層側で覆うように設けられた配向膜と、上記非表示領域に設けられて上記共通電極及び配向膜の少なくとも一方に接触すると共に上記アクティブマトリクス基板側から上記対向基板側へ向かう光を遮光する遮光膜とを備え、
上記遮光膜及び配向膜の少なくとも一方は、上記予備配線に重畳されていると共に、
上記予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜は、絶縁性を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜の比抵抗値は、１×１０12Ωｃｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された液晶表示装置において、
上記予備配線は、上記表示用配線に対して絶縁膜を介して設けられていると共に、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上記表示用配線に接続可能に構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載された液晶表示装置において、
上記表示用配線は、映像信号が入力されるソース線であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載された液晶表示装置において、
上記対向基板の表示領域には、マトリクス状に配列された複数の着色層が設けられ、
上記遮光膜は、上記各着色層の間を遮光するブラックマトリクスであることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、線欠陥を修正するための予備配線を備えた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置は、画像の最小単位である画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素子を備え、精細な画像表示ができるので、広く利用されている。
【０００３】
このアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置は、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板及び対向基板と、それら両基板の間に設けられた液晶層とを備えている。アクティブマトリクス基板には、上記各画素に駆動回路からの表示信号を供給するための表示用配線として、互いに平行に延びる複数のゲート線と、それら各ゲート線に直交する複数のソース線とが設けられている。そのため、表示用配線の何れかに断線が発生すると、駆動回路からの表示信号が断線位置から先の表示用配線に供給されなくなり、その液晶表示装置では、断線が発生した表示用配線に沿って線欠陥が検出され、表示品位が著しく悪化してしまう。
【０００４】
この線欠陥を修正するために、例えば、特許文献１には、基板の外周縁部に略コ字状の補正用配線（予備配線）を形成して、断線が発生したソース線と補正用配線とを接続することにより、線欠陥を点欠陥に変換する技術が開示されている。
【０００５】
また、図９は、従来の線欠陥を修正するための予備配線１０１ｃを備えた液晶表示装置１５０の予備配線１０１ｃ周辺の断面図である。ここで、予備配線１０１ｃは、図９に示すように、アクティブマトリクス基板１２０の額縁領域、すなわち、上記各画素がマトリクス状に配列された表示領域と、アクティブマトリクス基板１２０及び対向基板１３０を貼り合わせるための枠形状のシール材１１５との間の非表示領域内に形成されている。そして、例えば、ソース線に断線が発生して線欠陥が検出された場合には、その断線が発生したソース線と予備配線１０１ｃとを接続させることにより、断線位置から先のソース線に沿った画素では、予備配線１０１ｃを介して表示信号が供給され、線欠陥が修正されることになる。
【特許文献１】特公平３−１６０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の液晶表示装置１５０では、線欠陥を修正した後に、予備配線１０１ｃを介して表示信号が供給される各画素において表示信号の遅延が発生するという問題がある。
【０００７】
以下に、上記表示信号の遅延の問題について、具体的に説明する。
【０００８】
アクティブマトリクス基板１２０に形成された予備配線１０１ｃには、図９に示すように、液晶層１４０を介して、対向基板１３０に形成された遮光膜（ブラックマトリクス）１１２や配向膜１０９ｂが重なっていることがある。ここで、遮光膜１１２は、バックライトからの光などを遮光するためのものであり、配向膜１０９ｂは、液晶層１４０中の液晶分子を一定方向に配列させるためのものである。
【０００９】
そして、液晶表示装置１５０では、アクティブマトリクス基板１２０上の各画素電極（不図示）、及び対向基板１３０上の共通電極１１１に表示信号をそれぞれ入力して、液晶層１４０の液晶分子の配向状態を変えることによって画像が表示される。
【００１０】
ここで、共通電極１１１には、遮光膜１１２及び配向膜１０９ｂが接触されているが、この遮光膜１１２及び配向膜１０９ｂについては、通常、樹脂により構成されているので、その電気的絶縁性があまり考慮されていない。そのため、遮光膜１１２及び配向膜１０９ｂに共通電極１１１からの電流が流れ込み、予備配線１０１ｃと遮光膜１１２及び配向膜１０９ｂの端部との間に位置する液晶層１４０に電圧が印加される虞れがある。ここで、液晶層１４０を構成する一般的な液晶材料は、図１０に示すように、電圧が印加されると容量が増大するという特性を有している。そのため、この予備配線１０１ｃと遮光膜１１２及び配向膜１０９ｂの端部との間に形成された液晶容量、すなわち、寄生容量によって、予備配線１０１ｃを介して表示信号が供給される画素において表示信号の遅延が発生すると考えられる。
【００１１】
また、液晶表示装置の大画面化が進む今日では、予備配線の引き回される長さが長くなっているので、その予備配線上に形成される寄生容量が大きくなって、上記信号遅延の問題が益々悪化する虞れがある。
【００１２】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示用配線が断線した際に、予備配線による信号遅延が抑制される断線修正を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、対向基板の遮光膜及び配向膜とアクティブマトリクス基板の予備配線との間で寄生容量を生じさせないようにしたものである。
【００１４】
具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とが規定された液晶表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板は、上記表示領域において相互に平行に延びる複数の表示用配線と、上記非表示領域に設けられ、上記少なくとも１つの表示用配線の両端側に対して接続可能に構成された予備配線とを備え、上記対向基板は、上記表示領域に設けられて上記液晶層に電圧を印加するための共通電極と、上記共通電極を上記液晶層側で覆うように設けられた配向膜と、上記非表示領域に設けられて上記共通電極及び配向膜の少なくとも一方に接触すると共に上記アクティブマトリクス基板側から上記対向基板側へ向かう光を遮光する遮光膜とを備え、上記遮光膜及び配向膜は、上記予備配線に重畳しないように設けられていることを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、複数の表示用配線の何れかが断線した際には、その断線が発生した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線位置から先の表示配線にも予備配線を介して表示信号が供給される。そして、画像表示の際には、対向基板において共通電極からの電流が流れる虞れのある遮光膜及び配向膜は、アクティブマトリクス基板上に設けられた予備配線に重畳されていないので、遮光膜及び配向膜と予備配線との間には、液晶層による寄生容量が形成され難くなる。そのため、予備配線を介して断線位置から先の表示用配線に供給される表示信号の遅延が抑制される。したがって、表示用配線が断線した際に、予備配線による信号遅延が抑制される断線修正を実現することが可能になる。
【００１６】
また、本発明に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とが規定された液晶表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板は、上記表示領域において相互に平行に延びる複数の表示用配線と、上記非表示領域に設けられ、上記少なくとも１つの表示用配線の両端側に対して接続可能に構成された予備配線とを備え、上記対向基板は、上記表示領域に設けられて上記液晶層に電圧を印加するための共通電極と、上記共通電極を上記液晶層側で覆うように設けられた配向膜と、上記非表示領域に設けられて上記共通電極及び配向膜の少なくとも一方に接触すると共に上記アクティブマトリクス基板側から上記対向基板側へ向かう光を遮光する遮光膜とを備え、上記遮光膜及び配向膜の少なくとも一方は、上記予備配線に重畳されていると共に、上記予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜は、絶縁性を有していることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、表示用配線が断線した際には、その断線が発生した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線位置から先の表示配線にも予備配線を介して表示信号が供給される。そして、予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜は、絶縁性を有しているので、画像表示の際に共通電極からの電流が流れ込み難くなる。そのため、予備配線とその予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜との間には、液晶層による寄生容量が形成され難くなる。これにより、予備配線を介して断線位置から先の表示用配線に供給される表示信号の遅延が抑制される。したがって、表示用配線が断線した際に、予備配線による信号遅延が抑制される断線修正を実現することが可能になる。
【００１８】
上記予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜の比抵抗値は、１×１０12Ωｃｍ以上であってもよい。
【００１９】
上記の構成によれば、予備配線に重畳された遮光膜及び配向膜は、絶縁性を有しているので、画像表示の際に共通電極からの電流が流れ込み難くなる。
【００２０】
上記予備配線は、上記表示用配線に対して絶縁膜を介して設けられていると共に、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上記表示用配線に接続可能に構成されていてもよい。
【００２１】
上記の構成によれば、予備配線と表示配線との交差部分に、例えば、レーザー光を照射することにより、その部分の絶縁膜が破壊されて、予備配線と表示配線とを導通させるコンタクトホールが形成される。そのため、そのコンタクトホールによって、断線位置から先の表示用配線に表示信号が予備配線を介して供給される。
【００２２】
上記表示用配線は、映像信号が入力されるソース線であってもよい。
【００２３】
例えば、液晶表示装置において、ソース線は、画像の最小単位である画素に映像信号を供給するものであるので、そのソース線に供給される映像信号のばらつきは、液晶表示装置の表示品位を低下させる虞れがある。しかしがら、本発明では、予備配線による信号遅延が抑制される表示用配線の断線修正が可能であるので、ソース線が断線して線欠陥が修正されたしても、信号遅延による映像信号のばらつきが少なく、表示品位の低下が抑制される。
【００２４】
上記対向基板の表示領域には、マトリクス状に配列された複数の着色層が設けられ、上記遮光膜は、上記各着色層の間を遮光するブラックマトリクスであってもよい。
【００２５】
上記の構成によれば、対向基板上に設けられたブラックマトリクス及び配向膜は、アクティブマトリクス基板上に設けられた予備配線に重畳していない、又は、その予備配線に重畳されていても絶縁性を有しているので、ブラックマトリクス及び配向膜と予備配線との間には、液晶層による寄生容量が形成され難くなる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、対向基板の遮光膜及び配向膜がアクティブマトリクス基板の予備配線に重畳しない、又は、その予備配線に重畳されていても絶縁性を有し、遮光膜及び配向膜と予備配線との間で液晶層による寄生容量が形成され難くなっているので、表示用配線が断線した際に、予備配線による信号遅延が抑制される断線修正を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、断線が発生して線欠陥を修正する対象の表示用配線として、ソース線を例に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００２８】
《発明の実施形態１》
以下に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置について、説明する。
【００２９】
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１００を示す平面図である。また、図２は、液晶表示装置１００を構成するアクティブマトリクス基板２０の１つの画素を示す平面図であり、図３は、図２中のIII−III線に沿った液晶パネル５０の断面図である。さらに、図４は、図１中のIV−IV線に沿った液晶パネル５０の断面図である。
【００３０】
この液晶表示装置１００は、図１に示すように、液晶パネル５０と、液晶パネル５０の図中右辺に設けられたゲートドライバー２５と、ゲートドライバー２５の図中右辺に設けられたゲート基板２６と、液晶パネル５０の図中上辺に設けられたソースドライバー２７と、ソースドライバー２７の図中上辺に設けられたソース基板２８とを備えている。
【００３１】
液晶パネル５０は、図３に示すように、互いに対向するように配置されたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、それら両基板２０及び３０間に設けられた液晶層４０とを有している。
【００３２】
アクティブマトリクス基板２０は、ガラス基板１０ａ上に、複数のゲート線１が図２中の横方向に相互に平行に延びるように設けられ、複数のソース線４（表示用配線）が図２中の縦方向に各ゲート線１と直交するように設けられている。また、各ゲート線１の間には容量線１ｂが相互に平行に延びるように設けられている。そして、ゲート線１とソース線４との各交差部分には、スイッチング素子として、ＴＦＴ５が設けられている。
【００３３】
ここで、隣り合う一対のゲート線１及び一対のソース線４に囲われる各領域が画像の最小単位である画素を構成している。そして、各画素には、各ゲート線１及びソース線４に沿って、画素電極７がマトリクス状に形成され、そのマトリクス状に形成された複数の画素電極７が全体で表示領域（図１中のａ、ｂ及びｃ）を構成している。なお、表示領域の外側は、非表示領域となっている。
【００３４】
ＴＦＴ５は、図２及び図３に示すように、ゲート線１から側方に突出したゲート電極１ａと、そのゲート電極１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜２と、そのゲート絶縁膜２上に設けられ、ソース線４から側方に突出したソース電極４ａと、同じくゲート絶縁膜２上にソース電極４ａに対峙するように設けられたドレイン電極４ｂとを備えている。
【００３５】
ドレイン電極４ｂは、容量線１ｂが配設された領域まで延設され、その延設された部分と、容量線１ｂと、それらの間に挟持されたゲート絶縁膜２とによって補助容量が形成されている。
【００３６】
また、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂを覆うように保護膜６が設けられている。そして、その保護膜６の上層には画素電極７が設けられている。ここで、画素電極７は、保護膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介してドレイン電極４ｂに接続されている。さらに、画素電極７の上層には、図３及び図４に示すように、配向膜９ａが設けられている。
【００３７】
各ゲート線１は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板２０において、図中の右側の非表示領域に引き出され、ゲートドライバー２５に接続されている。
【００３８】
また、各ソース線４は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板２０において、図中の上側の非表示領域に引き出され、ソースドライバー２７に接続されている。
【００３９】
ここで、ゲート基板２６及びソース基板２８は、それぞれゲートドライバー２５及びソースドライバー２７に信号を入力するためのプリント回路基板である。
【００４０】
さらに、アクティブマトリクス基板２０の上辺及び下辺には、ゲートドライバー２５、ゲート基板２６、ソース基板２８、及びソースドライバー２７を経由して、図１中の横方向に延びる予備配線１ｃが設けられている。ここで、図５は、図１中の領域Ａの部分拡大図であり、図６は、図５中のVI−VI線の沿った部分断面図である。予備配線１ｃは、アクティブマトリクス基板の上辺及び下辺において、図５及び図６に示すように、ゲート絶縁膜２を介して各ソース線４に直交するように設けられいる。
【００４１】
また、対向基板３０は、図３及び図４に示すように、ガラス基板１０ｂ上に、カラーフィルター層１４、オーバーコート層（不図示）、共通電極１１及び配向膜９ｂが順に積層された多層積層構造になっている。
【００４２】
カラーフィルター層１４には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの１色の着色層１３が設けられ、各着色層１３の間には遮光膜としてブラックマトリクス１２が設けられている。
【００４３】
ここで、ブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂは、本発明の特徴として、図４に示すように、アクティブマトリクス基板２０に形成された予備配線１ｃに重畳しないように設けられている。
【００４４】
液晶層４０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。
【００４５】
このような構成の液晶表示装置１００では、各画素において、ゲートドライバー２５からのゲート信号がゲート線１及びゲート電極１ａを介してＴＦＴ５に供給されることにより、ＴＦＴ５がオン状態となり、それと同時に、ソースドライバー２７からのソース信号（映像信号）がソース線４、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂを介して画素電極７に供給されることにより、画素電極７に所定の電荷が書き込まれる。またそれと同時に、例えば、コモン交流駆動回路から共通信号が共通電極１１に供給されることにより、共通電極１１に所定の電荷が書き込まれる。このとき、画素電極７と共通電極１１との間では、電位差が生じることになり、液晶層４０からなる液晶容量、及び補助容量に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置１００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００４６】
次に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１００の製造方法について、一例を挙げて説明する。
【００４７】
本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１００は、以下に説明するアクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程、液晶パネル作製工程、検査工程、ドライバー実装工程を経て製造され、そして、検査工程で断線が検出された場合には、検査工程の後に断線修正工程を行って製造される。
【００４８】
まず、アクティブマトリクス基板作製工程では、ガラス基板１０ａの基板全体に、Ｔａ、ＴａＭｏ合金などからなる金属膜（厚さ１００〜２００ｎｍ）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線１、ゲート電極１ａ、容量線１ｂ、及び予備配線１ｃを形成する。
【００４９】
次いで、ゲート線１などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）などを成膜し、ゲート絶縁膜２を形成する。
【００５０】
次いで、ゲート絶縁膜２上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりゲート電極１ａ上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層３を形成する。
【００５１】
続いて、半導体層が形成された基板全体に、Ｔｉなどからなる金属膜（厚さ１００〜２００ｎｍ）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ソース線４、ソース電極４ａ、及びドレイン電極４ｂを形成する。
【００５２】
ここで、半導体層３は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザーアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層３の内部の電子の移動速度が速くなり、ＴＦＴ５の特性を向上させることができる。
【００５３】
さらに、ソース線４などが形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）などを成膜して、保護膜６を形成する。
【００５４】
次いで、保護膜６のドレイン電極４ｂに対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール６ａを形成する。
【００５５】
続いて、保護膜６上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、画素電極７を形成する。
【００５６】
最後に、画素電極７上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５０〜１００ｎｍで印刷し、その後、焼成して、回転布により１方向にラビング処理を行って、配向膜９ａを形成する。
【００５７】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０が作製される。
【００５８】
次に行う対向基板作製工程では、まず、ガラス基板１０ｂ上に、黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ブラックマトリクス１２を形成する。
【００５９】
続いて、ブラックマトリクス１２の間のそれぞれに、顔料分散法などを用いて、赤、緑及び青の何れかの着色層１３（厚さ２μｍ程度）をパターン形成してカラーフィルター層１４を形成する。
【００６０】
その後、カラーフィルター層１４上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバーコート層を形成する。
【００６１】
さらに、オーバーコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜して、共通電極１１を形成する。
【００６２】
最後に、共通電極１１上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５０〜１００ｎｍで印刷し、その後、焼成して、回転布により１方向にラビング処理を行って、配向膜９ｂを形成する。
【００６３】
上記のようにして、対向基板３０を作製することができる。
【００６４】
次に、行う液晶パネル作製工程では、まず、上述のようにして作製されたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０のうちの一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性のエポキシ樹脂などからなるシール材料１５を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層４０の厚さに相当する直径を持ち、プラスチック又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。
【００６５】
続いて、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とを貼り合わせ、シール材料１５を硬化させて、空の液晶パネルを作製する。
【００６６】
最後に、空の液晶パネルに、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射により、液晶材料を封止する。これによって、液晶層４０が形成される。
【００６７】
以上のようにして、液晶パネル５０が作製される。
【００６８】
以下に、液晶パネル５０の検査工程について、説明する。
【００６９】
例えば、各ゲート線１にバイアス電圧−１０Ｖ、周期１６．７ｍｓｅｃ、パルス幅５０μｓｅｃの＋１５Ｖのパルス電圧のゲート検査信号を入力して全てのＴＦＴ５をオン状態にする。さらに、各ソース線４に１６．７ｍｓｅｃ毎に極性が反転する±２Ｖの電位のソース検査信号を入力して、各ＴＦＴ５のソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂを介して画素電極７に±２Ｖに対応した電荷を書き込む。同時に、共通電極１１に直流で−１Ｖの電位の共通電極検査信号を入力する。
【００７０】
このとき、画素電極７と共通電極１１との間で構成される液晶容量に電圧が印加され、その画素電極７で構成する画素が点灯状態になり、ノーマリーホワイトモード（電圧無印加時に白表示）では、白表示から黒表示となる。
【００７１】
また、断線が発生したソース線に沿った画素では、その画素電極７に所定の電荷が書き込むことができず、非点灯（輝点）となる。これにより、ソース線４の断線位置Ｘ（線欠陥）が検出される。
【００７２】
以上のようにして、液晶パネル５０が検査される。
【００７３】
以下に、上述のようにして線欠陥が検出された液晶パネル５０の欠陥修正工程について、説明する。
【００７４】
この欠陥修正工程では、断線位置Ｘで分断されたソース線４の両端側と予備配線１ｃとの各交差部分に、ガラス基板１０ａ側からレーザー光を照射して、各交差部分のゲート絶縁膜２にコンタクトホールを形成する。具体的には、図５及び図７に示すように、ソース線４と予備配線１ｃとの交差部分のＸ１及びＸ２に対してレーザー光を照射することにより、各ゲート絶縁膜２にコンタクトホール２ａを形成する。このコンタクトホール２ａによって、断線により分断されたソース線４と予備配線１ｃとが接続され、断線位置Ｘから先のソース線４には、予備配線１ｃを介して、ソース信号が供給されることになる。
【００７５】
以上のようにして、液晶パネル５０の線欠陥が修正される。
【００７６】
次に行うドライバー実装工程では、上記検査工程で良品となった液晶パネル５０、及び上記欠陥修正工程で線欠陥が修正されて良品となった液晶パネル５０に対して、ゲートドライバー２５、ソースドライバー２７、ゲート基板２６及びソース基板２８を実装する。
【００７７】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置１００が製造される。
【００７８】
以上説明したように本発明の液晶表示装置１００では、複数のソース線４の何れかが断線した際には、その断線が発生したソース線４と予備配線１ｃとを接続することにより、断線位置から先のソース線４にも予備配線１ｃを介してソース信号が供給される。そして、画像表示の際には、対向基板３０において共通電極１１からの電流が流れる虞れのあるブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂは、アクティブマトリクス基板２０上に設けられた予備配線１ｃに重畳されていないので、ブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂと予備配線１ｃとの間には、液晶層４０による寄生容量が形成され難くなる。そのため、予備配線１ｃを介して断線位置から先のソース線４に供給されるソース信号の遅延を抑制することができる。したがって、ソース配線４が断線した際に、予備配線１ｃによる信号遅延が抑制される断線修正を実現することができる。
【００７９】
《発明の実施形態２》
本発明は、上記実施形態１について、以下のような構成にしてもよい。なお、以下の実施形態では、図１〜図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００８０】
上記実施形態１では、対向基板３０上のブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂが、アクティブマトリクス基板２０上の予備配線１ｃに対して重畳しないように設けられていたが、本実施形態では、対向基板３０上のブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃが、アクティブマトリクス基板２０上の予備配線１ｃに対して重畳されている。そして、それ以外の構成については、実施形態１と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００８１】
図９は、本実施形態に係る液晶パネル５０の断面図であり、上記実施形態１で説明した図４に対応する図である。
【００８２】
本実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル５０は、上述したように、対向基板３０上のブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃが、アクティブマトリクス基板２０上の予備配線１ｃに対して重畳されている。そして、本発明の特徴として、ブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃの双方の比抵抗値は、１×１０12Ωｃｍ以上になっている。そのため、ブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃは、上記実施形態１で用いたような通常のブラックマトリクス１２（１．６×１０11Ωｃｍ程度）及び配向膜９ｂ（１．６×１０11Ωｃｍ程度）よりも絶縁性を有しているので、画像表示の際に共通電極１１からの電流が流れ込み難くなる。
【００８３】
本実施形態に係る液晶表示装置１００の製造方法については、上記実施形態１に説明した対向基板作製工程においてブラックマトリクス１２及び配向膜９ｂの材料及びパターン形状を変更すればよいだけなので、その詳細な説明を省略する。
【００８４】
本実施形態の実施例として、本実施形態と同じ方法で液晶表示装置を製造した。具体的には、ブラックマトリクスの材料として導電性の低い黒色顔料を含み比抵抗値が４．４×１０12Ωｃｍ程度の樹脂を、配向膜の材料として比抵抗値が３．０×１０14Ωｃｍ程度のポリイミド樹脂をそれぞれ用いて、ブラックマトリクス及び配向膜を形成した。
【００８５】
また、比較例として、ブラックマトリクスの材料として導電性の比較的高い黒色顔料を含み比抵抗値が１．６×１０11Ωｃｍの樹脂を、配向膜の材料として比抵抗値が１．６×１０11Ωｃｍ程度のポリイミド樹脂をそれぞれ用いて、ブラックマトリクス及び配向膜を形成した。
【００８６】
そして、実施例及び比較例の双方の線欠陥が発生した液晶表示装置に対して上述した欠陥修正を行い、表示領域の位置による線欠陥の修正成功率を比較した。
【００８７】
比較例では、図１の表示領域ａにおける線欠陥の修正成功率が９５．７％であり、図１の表示領域ｂにおける線欠陥の修正成功率が７９．７％であり、図１の表示領域ｃにおける線欠陥の修正成功率が６３．８％であった。ここで、図１の表示領域ａ、ｂ及びｃは、表示領域全体を横方向に３等分した領域である。
【００８８】
これに対して、実施例では、図１の表示領域ａ、ｂ及びｃにおける線欠陥の修正成功率に大差がなく、表示領域ａ、ｂ及びｃの平均で９７．１％であった。
【００８９】
このように、比較例では、予備配線による寄生容量がドライバーから遠ざかるにつれて大きくなるため、表示領域ａ、ｂ及びｃの順に成功率が低下したが、実施例では、予備配線による寄生容量が小さくなっているので、表示領域ａ、ｂ及びｃの位置に関係なく、線欠陥の修正成功率が高くなった。
【００９０】
以上説明したように本発明の液晶表示装置１００では、ソース線４が断線した際には、その断線が発生したソース線４と予備配線１ｃとを接続することにより、断線位置から先のソース線４にも予備配線１ｃを介してソース信号が供給される。そして、予備配線４に重畳されたブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃの比抵抗値は、１×１０12Ωｃｍ以上であるので、画像表示の際に共通電極１１からの電流が流れ込み難くなる。そのため、予備配線１ｃとその予備配線１ｃに重畳されたブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃとの間には、液晶層４０による寄生容量が形成され難くなる。これにより、予備配線１ｃを介して断線位置から先のソース線４に供給されるソース信号の遅延を抑制することができる。したがって、ソース線４が断線した際に、予備配線１ｃによる信号遅延が抑制される断線修正を実現することができる。
【００９１】
なお、本実施形態では、ブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃの双方を予備配線に重畳させた構成であったが、ブラックマトリクス１２ａ及び配向膜９ｃの何れかか一方を重畳させて、そして重畳させない他方を比抵抗値が１．６×１０11Ωｃｍ程度の材料で形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
以上説明したように、本発明は、予備配線による信号遅延が抑制されるソース線の断線修正を行うことができるので、ＴＶ、モニターなどに用いられるマトリクス型液晶表示装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１００を示す平面図である。
【図２】液晶表示装置１００を構成するアクティブマトリクス基板２０の１つの画素を示す平面図である。
【図３】図２中のIII−III線に沿った液晶パネル５０の断面図である。
【図４】図１中のIV−IV線に沿った液晶パネル５０の断面図である。
【図５】図５は、図１中の領域Ａの部分拡大図である。
【図６】図５中のVI−VI線の沿った部分断面図である。
【図７】図６に対応する欠陥修正後の部分断面図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る液晶表示装置１００を構成する液晶パネル５０の断面図である。
【図９】従来の線欠陥を修正するための予備配線１０１ｃを備えた液晶表示装置１５０の予備配線１０１ｃ周辺の断面図である。
【図１０】一般的な液晶材料の容量−電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９４】
１ｃ          予備配線
２            ゲート絶縁膜（絶縁膜）
２ａ          コンタクトホール
４            ソース線（表示用配線）
９ｂ，９ｃ    配向膜
１１          共通電極
１２，１２ａ  ブラックマトリクス（遮光膜）
１３          着色層
２０          アクティブマトリクス基板
３０          対向基板
４０          液晶層
１００        液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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