(57)【要約】【課題】  加熱用のレーザスポットの位置調整を容易に行なうことが可能なパターン修正装置を提供する。【解決手段】  このパターン修正装置では、基板加熱部６のヘッド部６ｂを挿入して固定するための孔５０ｄを有する保持部材５０ｂと、堆積装置５に固定され、保持部材５０ｂを介してヘッド部６ｂを斜めに保持し、レーザスポットを塗布ノズル３０の直下の点Ｆに位置させる支持部本体５０ａとを備える。したがって、レーザスポットの位置調整を容易に行なうことができる。【選択図】        図６
2007066804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記基板上にレーザ光を照射して加熱する加熱装置と、
霧状の修正液を塗布ノズルを介して前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置と、
前記堆積装置に設けられ、前記基板上の前記塗布ノズルに対向する位置またはその近傍に前記レーザ光が照射されるように前記加熱装置の光出射部を支持する支持部材とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
前記支持部材は、前記加熱装置の光出射部を光軸方向にスライド可能に支持することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記加熱装置の光出射部を着脱可能に支持することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記加熱装置は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射された前記レーザ光を先端から前記基板上に照射する光ファイバを含み、
前記支持部材は、前記光ファイバの先端部を支持することを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、欠陥部を含む範囲にレーザ光を照射して基板を加熱した状態で、霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、加熱用のレーザスポットの位置調整に時間がかかることも想定される。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、加熱用のレーザスポットの位置調整を容易に行なうことが可能なパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、基板上にレーザ光を照射して加熱する加熱装置と、霧状の修正液を塗布ノズルを介して欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置と、堆積装置に設けられ、基板上の塗布ノズルに対向する位置またはその近傍にレーザ光が照射されるように加熱装置の光出射部を支持する支持部材とを備えることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、支持部材は、加熱装置の光出射部を光軸方向にスライド可能に支持する。
また好ましくは、支持部材は、加熱装置の光出射部を着脱可能に支持する。
【００１２】
また好ましくは、加熱装置は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を先端から基板上に照射する光ファイバを含み、支持部材は、光ファイバの先端部を支持する。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るパターン修正装置では、基板上の塗布ノズルに対向する位置またはその近傍にレーザ光が照射されるように加熱装置の光出射部を支持する支持部材が堆積装置に設けられる。したがって、加熱装置の光出射部を支持部材に支持させるだけで所定の位置にレーザスポットが位置するので、加熱用のレーザスポットの位置調整を容易に行なうことができる。
【００１４】
好ましくは、支持部材は、加熱装置の光出射部を光軸方向にスライド可能に支持する。この場合は、加熱装置の光出射部の光軸方向の位置を調整することにより、光スポットの大きさを調整して基板の加熱温度を容易に調整することができる。
【００１５】
また好ましくは、支持部材は、加熱装置の光出射部を着脱可能に支持する。この場合は、加熱装置の光出射部を取り外すことにより、堆積装置のメンテナンスを容易に行なうことができる。また、メンテナンスの終了後は、加熱装置の光出射部を支持部材に容易に取り付けることができる。
【００１６】
また好ましくは、加熱装置は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を先端から基板上に照射する光ファイバを含み、支持部材は、光ファイバの先端部を支持する。この場合は、光出射部の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１８】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１９】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００２０】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２１】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２２】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２３】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２４】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２５】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２６】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２７】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２８】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２９】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。なお、図４（ａ）（ｂ）では、シャッタ３１が省略されているが、修正材料の微粒子の堆積範囲はシャッタ３１の開閉により制御される。
【００３０】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００３１】
図４（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部３２は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部３２以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３２】
また、図５（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正することも可能である。すなわち図５（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながらシャッタ３１を開いて塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図５（ｃ）に示すようにリブ３５の正常高さまで積層してシャッタ３１を閉じる。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板１４を炉で再焼成しても構わない。
【００３３】
この例では、堆積層３６＿１〜３６＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３４】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３５】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３６】
また、従来技術で必要であった修正用ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３７】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３８】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３９】
さて、このようなパターン修正装置１では、基板加熱部６の支持方法が悪いと、装置調整時に加熱用レーザスポットの位置調整に時間がかかる。基板加熱部６をパターン修正装置１に固定される支持部材で支持すると、塗布ノズル３０に近づけることができず、離れた位置になったり、その支持部材が大きくなる。また、このパターン修正装置１では、修正液２０を霧化して修正を行うため、定期的に堆積装置５の内部を洗浄する必要があり、その際にはパターン修正装置１から堆積装置５は取り外される。堆積装置５を外す際に基板加熱部６が邪魔になる場合は、一度基板加熱部６も取り外す必要がある。洗浄メンテナンス後、堆積装置５と基板加熱部６はパターン修正装置１に装着されるが、その後再び加熱用レーザスポットの位置調整が必要となる。そこで、この実施の形態では、加熱用レーザスポットの位置調整を容易に行なうことが可能なパターン修正装置を提案する。
【００４０】
図６（ａ）（ｂ）はこの発明の一実施の形態によるパターン修正装置の要部を示す図であり、特に、図６（ａ）はシャッタ機構の構成を示す正面断面図であり、図６（ｂ）はシャッタ機構の構成および基板加熱部６の支持部材５０の構成を示す側面断面図であり、図６（ａ）は図６（ｂ）のＶＩＡ−ＶＩＡ線断面図である。図６（ａ）（ｂ）において、閉状態のシャッタ３１は、塗布ノズル３１の直下に、塗布ノズル３１の先端に対向するようにして配置される。シャッタ３１の表面には、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子の流れを受けるための凹部３１ａが形成されている。なお、シャッタ３１には、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子を吸引するための吸引機構を設けてもよい。シャッタ３１は、シャッタ３１を支持するくの字型の支柱４０の下端部に固定されている。シャッタ３１と支柱４０は、一体成形してもよいし、ネジなどによって固定してもよい。支柱４０の上端部は、Ｌ字型の可動部４１の下端にネジ４２で固定される。
【００４１】
可動部４１は、ボールを用いたリニアスライド軸受４３のベッド４３ａに固定され、そのテーブル４３ｂは固定台４４の下端部に固定され、その固定台４４の側面は微粒子堆積装置５に固定される。固定台４４には直動電磁ソレノイド４５が固定され、その出力軸４５ａは、可動部４１の上端部に開けられた孔４１ａに挿通され、止めネジ４６によって可動部４１に固定されている。直動電磁ソレノイド４５のコネクタ４５ｂは、コネクタ４５ｂを介して制御装置（図１のコンピュータ８，９）に接続される。このような構成を取ることで、直動電磁ソレノイド４５の駆動により、シャッタ３１は、図６（ｂ）中の左右に移動することが可能となり、霧粒子の流路を開閉する。
【００４２】
直動電磁ソレノイド４５の出力軸４５ａは、リニアスライド軸受４３により支持されるため、出力軸４５ａには負荷がかからず、直動電磁ソレノイド４５の寿命を延ばすことが可能になると共に、剛性を高くして、かつ、スムーズにシャッタ３１を移動することができる。シャッタ３１の移動距離は直動電磁ソレノイド４５のストロークで決まり、そのストロークはシャッタ３１の幅とほぼ等しい３ｍｍに設定した。
【００４３】
なお、直動電磁ソレノイド４５として、電磁石を内蔵した２位置ラッチタイプを用いれば、ソレノイドに通電する時間が短くて済み、発熱を抑えることが可能となる。また、直動電磁ソレノイド４５以外のアクチュエータでシャッタ３１を駆動しても構わない。
【００４４】
また、基板加熱部６は、基板加熱用のレーザ光αを出射するレーザ光源（図示せず）と、そのレーザ光源から出射されたレーザ光αが一方端面に入射される光ファイバ６ａと、その光ファイバ６ａの他方端部が挿入されるノズル状のヘッド部６ｂとを含む。レーザ光源としては、ＣＯ２レーザやＬＤレーザが用いられる。ヘッド部６ｂの先端には、光ファイバ６ａの他方端面から出射されたレーザ光αを基板１４の欠陥部1３ａに照射するための照射口６ｃが設けられている。
【００４５】
微粒子堆積装置５の本体には、基板加熱部６のヘッド部６ｂを支持する支持部材５０がネジによって固定されている。すなわち支持部材５０は、Ｌ型の支持本体部５０ａと、基板加熱部６のヘッド部６ｂを保持する保持部材５０ｂとを含む。支持部本体５０ａは、微粒子堆積装置５の本体、たとえば加熱部１７本体にネジ止め固定される。加熱部１７本体と支持部本体５０ａとは、位置合わせ用の図示しない突き当て面、またはノックピンによって位置合わせされる。また、保持部材５０ｂは、支持部本体５０ａに設けた位置決め用の溝５０ｃの底に当接されてネジ固定される。保持溝５０ｃの側面に案内支持されるため、支持部本体５０ａと保持部材５０ｂとの固定角度は正確に合わせられる。
【００４６】
保持部材５０ｂに開けられた基板加熱部６のヘッド部６ｂを挿入する孔５０ｄの中心線が、塗布ノズル３０の中心線と基板１４の表面とが交わる点Ｆまたはその近傍の点を通るように、支持部材５０は構成されている。したがって、レーザ光αは、基板１４上の点Ｆまたはその近傍の点に照射される。
【００４７】
基板加熱部６のヘッド部６ｂは小型であるので、ヘッド部６ｂの先端を塗布ノズル３０に接近させて配置することが可能である。ヘッド部６ｂは、基板１４に対して斜めに配置され、保持部材５０ｂに開けられた孔５０ｄ内で孔５０ｄの中心線の方向にスライド可能に支持される。最適な位置で止めネジ５１を締めることにより、ヘッド部６ｂは保持部材５０ｂに一体固定される。
【００４８】
基板加熱部６のレーザ光源のパワーを変えることで基板１４の加熱温度を変えることができるが、基板１４と照射口６ｃの間の距離を変えて、照射スポット径を変えることによっても加熱温度を調整することができる。
【００４９】
また、保持部材５０ｂの上端部には、光ファイバ６ａが曲がって支持部材５０に過大な力がかかるのを防止するためのガイド５２が設けられている。ガイド５２の一端面５２ａは保持部５０ｂの一端面に設けたフランジ５０ｅにネジ固定される。
【００５０】
このように微粒子堆積装置５の本体に基板加熱部６のヘッド部６ｂを固定するので、照射口６ｃを塗布ノズル３０の近傍に配置することができ、さらに、機械的に位置合わせされた支持部材５０でヘッド部６ｂを固定するので、レーザ光αのスポット位置を簡単に調整することができる。
【００５１】
メンテナンスなどで、微粒子堆積装置５をパターン修正装置１から取り外す場合には、基板加熱部６のヘッド部６ｂを保持部材５０ｂおよびガイド５２とともに支持部本体５０ａから取り外す。微粒子堆積装置５をメンテナンスなどで洗浄する際、支持部本体５０ａは邪魔にならない部分、たとえば微粒子堆積装置５の加熱部１７の本体に固定されていれば、洗浄の際に支持部本体５０ａを取り外す必要はない。
【００５２】
この場合、再度パターン修正装置１に微粒子堆積装置５を装着する場合であっても、微粒子堆積装置５は図示しない位置合わせピンにより元の位置に戻される。また、支持部本体５０ａは取り外していないため、そのまま保持部材５０ｂを支持部本体５０ａに取り付ければ、スポット位置の調整を行なうことなく、塗布ノズル３０の直下の点Ｆまたはその近傍の点にレーザ光αを照射することが可能になる。ただし、塗布ノズル３０の先端と基板１４との距離は変えないことが前提となる。この距離は図４（ａ）（ｂ）の説明では５ｍｍとしていた。
【００５３】
図７（ａ）（ｂ）は、基板加熱部６から出射されるレーザ光αとシャッタ３１との関係を示す図であり、特に、図７（ａ）はシャッタ３１が閉じられている場合を示し、図７（ｂ）はシャッタ３１が開けられている場合を示す。図７（ａ）（ｂ）において、シャッタ３１は塗布ノズル３０の直下の位置とその一方側の位置との間で往復動し、基板加熱部６はシャッタ３１の他方側の斜め上から塗布ノズル３０の直下の基板１４表面の点Ｆに向けてレーザ光αを照射する。したがって、シャッタ３１の開閉動作が基板加熱部６から出射されたレーザ光αに影響を与えることはない。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図７】図６に示したシャッタと基板加熱部との関係を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、６ａ  光ファイバ、６ｂ  ヘッド部、６ｃ  照射口、α  レーザ光、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、３２  修正部、３４  背面ガラス基板、３５  リブ、３５ａ  リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層、４０  支柱、４１  可動部、４１ａ  孔、４２  ネジ、４３  リニアスライド軸受、４３ａ  ベッド、４３ｂ  テーブル４３ｂ、４４  固定台、４５  直動電磁ソレノイド、４５ａ  出力軸、４５ｂ  コネクタ、５０  支持部材、５０ａ  支持本体部、５０ｂ  保持部材、５０ｃ  溝、５０ｄ  孔、５０ｅ  フランジ、５１  止めネジ、５２  ガイド、５２ａ  一端面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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