(57)【要約】      （修正有）【課題】処理室内のクリーニングガスのリークを防止し、高い安全性を実現することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】ウェーハをボートに保持しつつ処理する処理室２０１と、処理室２０１内を洗浄するためのクリーニングガスを処理室２０１内に供給するガスの供給管と、処理室２０１内を排気するガスの排気管と、処理室２０１の下端部に形成される開口部２０３に対し、ボートを搬入出しつつ開口部２０３を開閉するシールキャップと、シールキャップがボートを処理室２０１から取り出した際に、開口部２０３を閉塞可能とする炉口シャッタ２６０と、炉口シャッタ２６０が開口部２０３を閉塞する閉塞力を補助するよう動作する閉塞補助装置２７２とを備え、少なくともガス供給管から処理室２０１内にクリーニングガスを供給する際に、炉口シャッタ２６０が開口部２０３を閉塞する閉塞力を補助するよう閉塞補助装置２７２が動作する。【選択図】図３
2007073746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、
前記処理室内を洗浄するためのクリーニングガスを該処理室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室の下端部に形成される開口部に対し、前記基板保持具を搬入出しつつ前記開口部を開閉する第１の蓋体と、
前記第１の蓋体が前記基板保持具を前記処理室から取り出した際に、前記開口部を閉塞可能とする第２の蓋体と、
前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞する閉塞力を補助するよう動作する閉塞力補助機構と、
を備え、
少なくとも前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞後、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室内に前記クリーニングガスが供給する際に、前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞する閉塞力を補助するよう前記閉塞補助機構が動作することを特徴とする基板処理装置。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の基板を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置は、基板を処理する処理室を有し、この処理室に形成された炉口（開口部）から基板を処理室に搬入し、炉口を炉口シャッタにより閉塞するようになっている。
【０００３】
このような基板処理装置において、炉口シャッタが保持手段（保持板）により弾性的に保持されているものは公知である（例えば特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−９３４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、炉口シャッタは処理室内が減圧状態を想定し設計されているため、炉口シャッタを保持する保持板が撓むおそれがあった。すなわち、処理室内の副生成物除去を目的としたガスクリーニングの際に、処理室内にクリーニングガスをパージした場合（特にクリーニング時間短縮のため処理室内に流入するパージガスの流量を増加した場合）、処理室内の圧力が保持板の付勢力（推力）よりも大きくなり、保持板が撓んで処理室内のガスがリークするおそれがあった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解消し、高い安全性を実現することができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の特徴とするところは、基板を基板保持具に保持しつつ処理する処理室と、前記処理室内を洗浄するためのクリーニングガスを該処理室内に供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記処理室の下端部に形成される開口部に対し、前記基板保持具を搬入出しつつ前記開口部を開閉する第１の蓋体と、前記第１の蓋体が前記基板保持具を前記処理室から取り出した際に、前記開口部を閉塞可能とする第２の蓋体と、前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞する閉塞力を補助するよう動作する閉塞力補助機構とを備え、少なくとも前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞後、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室内に前記クリーニングガスが供給する際に、前記第２の蓋体が前記開口部を閉塞する閉塞力を補助するよう前記閉塞補助機構が動作する基板処理装置にある。  
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第２の蓋体が開口部を閉塞する閉塞力を補助するように動作する閉塞力補助機構を備えたことにより、処理室内のクリーニングガスのリークを防止し、高い安全性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
まず、本実施の形態による基板処理装置１０の構成を図面を用いて説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は本実施の形態による基板処理装置１０の外観斜視図である。尚、この図は透視図として描かれている。
【００１１】
この処理装置は、シリコン等からなるウェーハ（基板）２００を収納したポッド（基板収納容器）１００を、外部から筐体１０１内へ挿入するため、およびその逆に筐体１０１内から外部へ払出すための搬入・搬出口１０４を有するＩ／Ｏステージ（保持具授受部材）１０５が筐体１０１の前面に付設され、筐体１０１内には挿入されたポッド１００を保管するためのカセット棚（載置手段）１０９が敷設されている。また、ウェーハ２００の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持具）２１７のローディング、アンローディング空間となるＮ２パージ室（気密室）１０２が設けられている。ウェーハ２００に処理を行なうときのＮ２パージ室１０２の内部は、ウェーハ２００の自然酸化膜を防止するためにＮ２ガスなどの不活性ガスが充満されるように、Ｎ２パージ室１０２は密閉容器となっている。
【００１２】
上述したポッド１００としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、ポッド１００の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気からウェーハ２００を隔離して搬送でき、蓋体を取り去る事でポッド１００内へウェーハ２００を入出させることができる。このポッド１００の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とＮ２パージ室１０２の雰囲気とを連通させるためにＮ２パージ室１０２の前面側には、ポッドオープナ（開閉手段）１０８が設けられている。ポッドオープナ１０８，カセット棚１０９、およびＩ／Ｏステージ１０５間のポッド１００の搬送は、カセット移載機１１４によって行われる。このカセット移載機１１４によるポッド１００の搬送空間には、筐体１０１に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせるようにしている。
【００１３】
Ｎ２パージ室１０２の内部には、複数のウェーハ２００を多段に積載するボート２１７と、ポッドオープナ１０８上のポッド１００とボード２１７との間でウェーハ２００の搬送を行なうウェーハ移載機（搬送手段）１１２とが設けられている。また、Ｎ２パージ室１０２の上部にはウェーハ２００を処理するための処理室２０１を構成する処理炉２０２が設けられており、この処理室２０１の下端部には炉口（開口部）２０３が形成されている。ボート２１７は、ボートエレベータ（昇降手段）１１５によって処理炉２０２へローディング、又は処理炉２０２からアンローディングすることができる。このボートエレベータ１１５の先端部には第１の蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられ、このシールキャップ２１９上にボート２１７が垂直に支持されている。すなわち、シールキャップ２１９は、処理室２０１の下端部に形成される開口部２０３に対し、ボート２１７を搬入出しつつ該開口部２０３を開閉するようになっている。
【００１４】
また、ボートエレベータ１１５の上端付近には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ（第２の蓋体）２６０が設けられている。この炉口シャッタ２６０は、ボートエレベータ１１５及びシールキャップ２１９がボート２１７を処理室２０１から取り出した際に、処理室２０１内の開口部２０３を閉塞可能としている。
【００１５】
次に、上述の基板処理装置の動作について説明する。
【００１６】
先ず、ＡＧＶやＯＨＴなどにより筐体１０１の外部から搬送されてきたポッド１００は、Ｉ／Ｏステージ１０５に載置される。Ｉ／Ｏステージ１０５に載置されたポッド１００は、カセット移載機１１４によって、直接ポッドオープナ１０８上に搬送されるか、または、一旦カセット棚１０９にストックされた後にポッドオープナ１０８上に搬送される。ポッドオープナ１０８上に搬送されたポッド１００は、ポッドオープナ１０８によってポッド１００の蓋体を取外され、ポッド１００の内部雰囲気がＮ２パージ室１０２の雰囲気と連通される。
【００１７】
次に、ウェーハ搬送機１１２によって、Ｎ２パージ室１０２の雰囲気と連通した状態のポッド１００内からウェーハ２００を取り出す。取り出されたウェーハ２００は、ボート２１７へ搬送される。すなわち、ウェーハ移載機１１２によりポッドオープナ１０８上のポッド１００よりウェーハ２００を取り出し、ボート２１７へ移し変えるようになっている。
【００１８】
ボート２１７へのウェーハ２００の搬送が完了したならば、処理炉２０２の開口部２０３を炉口シャッタ２６０を動作させることにより開けて、その後ボートエレベータ１１５によりウェーハ２００を搭載したボート２１７を処理室２０１内へローディングする。
【００１９】
ローディング後は、処理炉２０２にてウェーハ２００に任意の処理が実施され、処理後は上述の逆の手順で、ウェーハ２００およびポッド１００は筐体１０１の外部へ払出される。
【００２０】
次に、図２を用いて処理炉２０２における基板処理の詳細について説明する。
【００２１】
外管（以下、アウターチューブ２０５）は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下、インナーチューブ２０４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ２０５内に同心円状に載置されている。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０を成す。インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。
【００２２】
アウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４の下端には、例えばステンレス等によりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４が保持されている。このマニホールド２０９は、保持手段（以下、ヒータベース２５１）に固定されている。アウターチューブ２０５の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【００２３】
マニホールド２０９の下端は、上述した炉口（開口部）２０３となっており、基板処理時においては、上述したシールキャップ２１９により気密的に閉塞されている。このシールキャップ２１９は、例えばステンレス等よりなる円板状に形成され、Ｏリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。アウターチューブ２０５の下方には、ガスの供給管２３２が設けられている。これらのガスの供給管２３２により、処理用のガスがアウターチューブ２０５内に供給されるようになっている。また、ガスの供給管２３２は、後述するクリーニング工程において、クリーニングガス供給手段とて処理室２０１内を洗浄するためのクリーニングガスを処理室２０１内に供給するようになっている。これらのガスの供給管２３２はガスの流量制御手段（以下、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３１２）に連結されており、マスフローコントローラ３１２はガスコントローラ３０４に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。尚マスフローコントローラ３１２は、処理用のガスやクリーニングガス等ガス種類ごとにそれぞれ設けられている。
【００２４】
マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ２バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下、真空ポンプ２４６）に連結された排気手段としてのガスの排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段（圧力センサ３２７）により検出し、圧力コントローラ３０５により制御する。
【００２５】
シールキャップ２１９には、回転手段（回転軸２５４）が連結されており、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェーハ２００を回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段（ボートエレベータ１１５）に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４、及びボートエレベータ１１５を所定のスピードにするように、搬送コントローラ３０３により制御する。
【００２６】
アウターチューブ２０５の外周には加熱手段（以下ヒータ２０７）が同心円状に配置されている。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度センサ（熱電対）３２１により温度を検出し、温度コントローラ３０２により制御する。
【００２７】
図２に示した処理炉２０２による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させる。ボート２１７に複数枚のウェーハ２００を保持する。次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管２３２に接続されたマスフローコントローラ３１２により予めアウターチューブ２０５内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ１１５により、ボート２１７を上昇させてアウターチューブ２０５内に移し、アウターチューブ２０５内の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ２０５内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェーハ２００を回転させる。同時にガスの供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウェーハ２００に対して均等に供給される。
【００２８】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、ガスの排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行なう。
【００２９】
このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウェーハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ２０５内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させて、ボート２１７および処理済のウェーハ２００をアウターチューブ２０５から取り出す。このとき、炉口シャッタ２６０によって開口部２０３が閉じられる。アウターチューブ２０５から取り出されたボート２１７上の処理済のウェーハ２００は、Ｎ２パージ室１０２にて、所定の温度（例えば６０℃）まで冷却された後、ウェーハ搬送機１１２によって、Ｎ２パージ室１０２の雰囲気と連通した状態の空のポッド１００に払い出される。
【００３０】
図３に炉口シャッタ２６０の周辺構造が示されている。前述したように、処理炉２０２による基板処理前及び処理後においては、処理室２０１の開口部２０３は炉口シャッタ２６０により気密的に閉塞される。炉口シャッタ２６０は、例えばステンレス等の耐熱性材料から円板状に構成され、処理炉２０２側の面は、気密部材としてのＯリング２６２を介して炉口（開口部）２０３の周縁であるマニホールド２０９の下端部に密着する。
【００３１】
また、炉口シャッタ２６０は保持手段としてのシャッタ保持アーム２６４に弾性的に保持されている。すなわち、シャッタ保持アーム２６４には、保持ピン２６６が保持アーム２６４から突出するように設けられ、該保持ピン２６６に炉口シャッタ２６０が摺動自在に連結され、保持ピン２６６の周囲に配置された付勢手段としてのスプリング２６８により炉口シャッタ２６０が上方に付勢されている。また、この炉口シャッタ２６０の処理室２０１側には石英製のプレート２６３が載置されている。
【００３２】
シャッタ保持アーム２６４の端部は、ブラケット２７０に連結固定され、このブラケット２７０は、筐体１０１に回動自在に支持された回動軸２７１に固定されている。回動軸２７１が、図示しない駆動源（回動モータ等）の駆動により回動することで、炉口シャッタ２６０、シャッタ保持アーム２６４及びブラケット２７０が一体となって回動するようになっている。また、このシャッタ保持アーム２６４には図示しない主シリンダが連結され、この主シリンダの駆動によりシャッタ保持アーム２６４が上下動するようになっている。
【００３３】
シャッタ保持アーム２６４のブラケット２７０が連結固定されている端部と炉口シャッタ２６０の中心に対し略対称に位置する端部である他端には、閉塞補助機構としての閉塞補助装置２７２が設けられている。この閉塞補助装置２７２は、シリンダ２７４とシリンダ受けブロック２７６とを有する。シリンダ２７４は、シャッタ保持アーム２６４の端部に設けられ、該シリンダ２７４の駆動により突出する係合部２７８を有する。シリンダ受けブロック２７６は、シャッタ保持アーム２６４には設けられず例えば筐体１０１に設けられており、該シリンダ受けブロック２７６の前記係合部２７８に対向する位置に被係合部２８０を有する。シリンダ２７４の係合部２７８は、やや下方向を向く傾斜面を有し、一方、シリンダ受けブロック２７６の被係合部２８０は、前記係合部２７８と係合するようやや上方向を向く傾斜面を有する。すなわち、シリンダ２７４の駆動により係合部２７８が矢印Ａ方向に突出したときには、該係合部２７８とシリンダ受けブロック２７６の被係合部２８０とが係合するようになっている。したがって、閉塞補助装置２７２が動作することで、炉口シャッタ２６０が処理室２０１の開口部２０３を閉塞する閉塞力を補助するようになっている。
【００３４】
このように、閉塞補助装置２７２におけるシリンダ２７４の係合部２７８とシリンダ受けブロック２７６の被係合部２８０とが係合することにより、炉口シャッタ２６０が処理室２０１の開口部２０３を気密的に閉塞する力（閉塞力）を補助することができる。すなわち、やや下方向を向くように傾斜した係合部２７８と、やや上方向を向くように傾斜した被係合部２８０とが係合することにより、シリンダ２７４の水平方向（図３の矢印Ａ方向）の力の一部が炉口シャッタ２６０を付勢する方向（上方向）の力（推力）となる。これにより、処理室２０１内の圧力が上昇した場合においても、シャッタ保持アーム２６４の撓みを防ぐことができる。
【００３５】
また、シリンダ２７４は、シリンダカバー２８２によって該シリンダ２８２の側面及び下面が覆われている。同様に、シリンダ受けブロック２７６は、ブロックカバー２８４によって該シリンダ受けブロック２７６の側面及び下面が覆われている。このシリンダカバー２８２には図示しない局所排気装置が接続されており、この局所排気装置は、シリンダカバー２８２内を局所排気するようになっている。
【００３６】
このように、シリンダ２７４の係合部２７８とシリンダ受けブロック２７６の被係合部２８０とが当接した際にパーティクルが発生した場合であっても、シリンダ２７４側のパーティクルは局所排気装置により排出され、シリンダ受けブロック２７６側のパーティクルはブロックカバー２８４により拡散を防ぐことができる。
【００３７】
図４にシャッタ保持アーム２６４における一部の内部構造が示されている。シャッタ保持アーム２６４は、例えばアルミ製であり、該シャッタ保持アーム２６４内部には配線・配管２８１が通されている。すなわち、シャッタ保持アーム２６４下部には溝部（ザグリ）２８６が形成され、この溝部２８６に配線・配管２８７が通されている。また、この溝部２８２を覆うように下板２８８がシャッタ保持アーム２６４下面にボルト等により着脱自在に固定されている。また、シャッタ保持アーム２６４には、該シャッタ保持アーム２６４の側面を沿うように冷却水配管２９０が配設されており、この冷却水配管２９０はシャッタ保持アーム２６４の側面に設けられたサポート金具２９２により固定されている。
【００３８】
このように、シャッタ保持アーム２６４を例えば鉄製からより熱伝導率の高いアルミ製とすることで、シャッタ保持アーム２６４の側面を沿う冷却水配管２９０からの冷却効果を向上させることができる。また、シャッタ保持アーム２６４内部に配線・配管２８７を通すことにより、処理炉２０２からアンローディングしたボート２１７及びウェーハ２００からの放熱による熱影響を軽減することができる。
【００３９】
次に、クリーニング工程、すなわち、処理炉２０２のクリーニング方法（処理室２０１内の副生成物除去方法）について説明する。
【００４０】
まず、回動軸２７１を回動し、炉口シャッタ２６０により処理室２０１の開口部２０３を気密的に閉塞する。続いて、閉塞補助装置２７２のシリンダ２７４を駆動し、該シリンダ２７４の係合部２７８とシリンダ受けブロック２７６の被係合部２８０とを係合させる。すなわち、炉口シャッタ２６０が炉口（開口部）２０３を閉塞する閉塞力を補助するよう閉塞補助装置２７２が動作する。
【００４１】
次に、真空ポンプ２４６を用いてガスの排気管２３１より真空排気する。
次に、ガスの供給管２３２より例えば三弗化塩素（ＣｌＦ３）ガス等からなるクリーニングガスを供給し、真空ポンプ２４６を用いてガスの排気管２３１より真空排気しながら、アウターチューブ２０５内を１２０Ｐａ程度の圧力に保った状態で、インナーチューブ２０４のクリーニングを行う。これによりアウターチューブ２０５の内壁や、インナーチューブ２０４の内外壁や、ガスの排気管２３１の内壁等に付着している反応生成物を除去するようクリーニングされる。
【００４２】
次に、クリーニングガスの供給を止めて、真空ポンプ２４６を用いてガスの排気管２３１より真空排気して、残留クリーニングガスを排気する。
次に、ガスの供給管２３２よりＮ２をアウターチューブ２０５内に流入させてＮ２パージを行い、アウターチューブ２０５内のクリーニングガスを除去する。
【００４３】
その後、真空ポンプ２４６を用いてガスの排気管２３１より真空排気する。真空排気とＮ２パージは数サイクル実施する。これにより、残留した反応生成物を確実に除去することができる。
その後、アウターチューブ２０５内を真空状態から大気圧状態へ戻す。
【００４４】
上述したように、本発明におけるクリーニング工程においては、処理室２０１の開口部２０３を炉口シャッタ２６０で閉塞し、閉塞補助装置２７２にて閉塞する力を補助した状態でクリーニングしている。したがって、成膜処理後にウェーハ２００を保持していないボート２１７をシールキャップ２１９に載せた状態で処理室２０１内に挿入してシールキャップ２１９にて処理室２０１の開口部２０３を閉塞した状態にてクリーニングする場合と比較し、特にボート２１７をクリーニングする必要がない場合、少なくとも以下の（１）〜（３）の工程と同時にクリーニング工程を行えることとなり、スループットを向上することができる。
（１）ボート２１７降下後、ウェーハを冷却させる工程
（２）（１）の後、ウェーハをボート２１７から払出す工程
（３）（２）の後、再度、ウェーハの搭載されていないボート２１７を処理室２０１内に挿入させる工程
【００４５】
特にアウターチューブ２０５、インナーチューブ２０４等の処理室２０１内とボート２１７とを比較し、反応生成物の付着する量がボート２１７の方が少ない場合、ボート２１７のクリーニング回数を減らすようにクリーニング工程を行うようにすると良い。例えば、１回目の成膜処理終了後のクリーニング工程では、炉口シャッタ２６０にて処理室２０１の開口部２０３を閉塞し、ボート２１７を処理室２０１内に挿入しない状態にてクリーニング工程を行い、２回目の成膜処理終了後のクリーニング工程では、ウェーハの搭載されていないボート２１７を処理室２０１内に挿入し、クリーニング工程を行うようにすると良い。
【００４６】
また、クリーニング時間短縮のため処理室２０１内に流入するパージガス（Ｎ２）の流量を増加し、処理室２０１内の圧力を上昇（例えば９．８ｋＰａ程度の圧力）した場合においても、閉塞補助装置２７２により炉口シャッタ２６０の閉塞する力が補助されているので、シャッタ保持アーム２６４が撓むことがなく、処理室２０１内のクリーニングガス、パージガス等のガスリークを防止しすることができ、高い安全性を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、ガスクリーニングをおこなう基板処理装置において、高い安全性を実現する必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉の炉口周辺を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた炉口シャッタ付近の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いたシャッタ保持アームの一部の構成を示す断面斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  基板処理装置
２００  ウェーハ
２０１  処理室
２０３  開口部
２１７  ボート
２１９  シールキャップ
２３１  ガスの排気管
２３２  ガスの供給管
２６０  炉口シャッタ
２６４  シャッタ保持アーム
２７２  閉塞補助装置
【図１】
2007073746.tif 000003
【図２】
2007073746.tif 000004
【図３】
2007073746.tif 000005
【図４】
2007073746.tif 000006