(57)【要約】【課題】ネオデカン酸等の反応性の低いカルボン酸から純度の高いカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法の提供。【解決手段】酸化銀とカルボン酸とを反応させてカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法であって、  前記カルボン酸が、下記式（１）で表される化合物であり、  前記反応が、前記酸化銀を粉砕しつつ進行する、カルボン酸銀の製造方法。    【化１】2007204411.tif 000007（式中、Ｒ1は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、炭素数１〜１６のアルキル基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化銀とカルボン酸とを反応させてカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法であって、
前記カルボン酸が、下記式（１）で表される化合物であり、
前記反応が、前記酸化銀を粉砕しつつ進行する、カルボン酸銀の製造方法。
【化１】
2007204411.tif 000006
（式中、Ｒ1は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、炭素数１〜１６のアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記カルボン酸が、ネオデカン酸である請求項１に記載のカルボン酸銀の製造方法。
【請求項３】
前記反応が、イソホロンおよび／またはテルピネオールを溶媒として用いる請求項１または２に記載のカルボン酸銀の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルボン酸銀の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カルボン酸銀の製造方法として、カルボン酸ナトリウム塩と硝酸銀を反応させて製造する方法が一般的に知られている（特許文献１参照。）。しかしながら、この方法では、硝酸ナトリム塩が副生成物として生成するため、純度の高いカルボン酸銀が得られないという問題があった。
一方、金属カルボン酸塩の製造方法として、金属化合物をカルボン酸と反応させて金属カルボン酸塩を得る方法が知られている（特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１０１８９７号公報
【特許文献２】特願２０００−１１２５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２に記載の方法では、硝酸ナトリム塩は生成しないものの、カルボニル基のα位の炭素が２級または３級炭素であるカルボン酸（例えば、ネオデカン酸等）を用いた場合には、その立体障害のため反応が遅く、カルボン酸銀が得られ難いという問題があることが明らかとなった。
【０００５】
そこで、本発明は、ネオデカン酸等の反応性の低いカルボン酸から純度の高いカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、反応系に固体として存在する酸化銀を粉砕させながらカルボン酸と反応させることにより、純度の高いカルボン酸銀を生成できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
これは、反応における副生成物が水だけという点と、硬い酸化銀（固体）と反応性の低いカルボン酸との反応においてはシェアをかけることが有効であるという知見に基くものである。
【０００８】
即ち、本発明は、下記（１）〜（３）に記載のカルボン酸銀の製造方法を提供する。
（１）酸化銀とカルボン酸とを反応させてカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法であって、
上記カルボン酸が、下記式（１）で表される化合物であり、
上記反応が、上記酸化銀を粉砕しつつ進行する、カルボン酸銀の製造方法。
【０００９】
【化１】
2007204411.tif 000002
【００１０】
式中、Ｒ1は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、炭素数１〜１６のアルキル基を表す。
【００１１】
（２）上記カルボン酸が、ネオデカン酸である上記（１）に記載のカルボン酸銀の製造方法。
（３）上記反応が、イソホロンおよび／またはテルピネオールを溶媒として用いる上記（１）または（２）に記載のカルボン酸銀の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
以下に示すように、本発明によれば、ネオデカン酸等の反応性の低いカルボン酸から純度の高いカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法を提供することができる。
この方法により、カルボニル基のα位の炭素が２級または３級炭素である反応性が低いネオデカン酸等を用いても純度の高いカルボン酸銀を得ることができ、電子回路、アンテナ等の回路の作製に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明のカルボン酸銀の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。）は、酸化銀とカルボン酸とを反応させてカルボン酸銀を得るカルボン酸銀の製造方法であって、該カルボン酸が、上記式（１）で表される化合物であり、該反応が、上記酸化銀を粉砕しつつ進行する、カルボン酸銀の製造方法である。
以下に、酸化銀、カルボン酸ならびにこれらの反応および該反応により生成するカルボン酸銀について詳述する。
【００１４】
＜酸化銀＞
本発明の製造方法で用いる酸化銀は、酸化銀（Ｉ）、即ち、Ａｇ2Ｏである。
【００１５】
＜カルボン酸＞
本発明の製造方法で用いるカルボン酸は、下記式（１）で表される化合物である。
【００１６】
【化２】
2007204411.tif 000003
【００１７】
式中、Ｒ1は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、炭素数１〜１６のアルキル基を表す。
【００１８】
上記式（１）中、Ｒ1の炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ1としては、水素原子、メチル基、エチル基であるのが好ましい。
また、上記式（１）中、Ｒ2およびＲ3の炭素数１〜１６のアルキル基としては、上記Ｒ1の炭素数１〜６のアルキル基以外に、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基が挙げられる。Ｒ2としては、メチル基、エチル基であるのが好ましく、Ｒ3としては、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基であるのが好ましい。
更に、上記式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素数は合計で２以上であるのが好ましく、酸化銀との反応で生成するカルボン酸銀の分解が良好となる観点から、２〜８であるのがより好ましい。
【００１９】
本発明においては、上記式（１）で表されるカルボン酸しては、具体的には、例えば、イソ酪酸、ネオデカン酸、２−エチルヘキサン酸が好適に挙げられる。
【００２０】
また、本発明においては、このようなカルボン酸を用いるため、得られるカルボン酸銀の導電性が優れ、電子回路、アンテナ等の回路の作製に好適に用いることができる。
【００２１】
＜酸化銀およびカルボン酸の反応、カルボン酸銀＞
上記酸化銀と上記カルボン酸との反応は、上記酸化銀を粉砕しつつ進行させるものである。
具体的には、上記酸化銀と、溶剤により上記カルボン酸を溶液化したものとを、ボールミル等により混練し、固体である上記酸化銀を粉砕させながら、室温で、１〜１８時間程度、好ましくは２〜８時間反応させることで、以下の反応を進行させるものである。
【００２２】
【化３】
2007204411.tif 000004
【００２３】
本発明においては、このような反応によりカルボン酸銀が得られるため、副生成物は水のみとなり、脱水により純度の高いカルボン酸銀が得られる。
また、このような反応が、上記酸化銀を粉砕させることにより進行することになる理由は定かではないが、上述したように、酸化銀の粉砕に用いる金属球同士またはセラミック球同士がぶつかりあう際に、硬い酸化銀と反応性の低いカルボン酸との接触が促進されるためであると考えられる。
【００２４】
本発明においては、上記カルボン酸を溶液化する溶媒としては、トルエン、メチルエチルケトン、イソホロン、テルピネオール等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
中でも、イソホロンおよび／またはテルピネオールを溶媒として用いるのが、上記反応により得られるカルボン酸銀を回路の作製に使用する際に、チクソ性付与の観点から用いられる溶剤の量を軽減できる理由から好ましい。
【００２５】
本発明においては、上記酸化銀と上記カルボン酸とを反応させる際に、還元剤、金属粉等の添加剤を添加することにより、カルボン酸銀と添加剤とを含有する組成物を調製することができる。
【００２６】
還元剤としては、具体的には、例えば、アルコール；アルデヒド；グリコール；グリセリン；グルコースなどの糖類；等が挙げられる。
金属粉としては、具体的には、例えば、銅、銀、アルミニウム等が挙げられ、中でも、銅、銀であるのが好ましい。また、０．０１〜１０μｍの粒径の金属粉であるのが好ましい。
【００２７】
本発明の製造方法により得られるカルボン酸銀や上述した組成物は、導電性が優れ、電子回路、アンテナ等の回路の作製に好適に用いることができる。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例を用いて、本発明の製造方法について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
酸化銀（Ｉ）２．０ｇと、α−テルピネオール３．０ｇで溶液化したネオデカン酸３．０ｇとを、乳鉢に入れて、酸化銀の黒色の粒がなくなるまで室温下で混練し、下記構造式で表されるカルボン酸銀を調製した。
【００３０】
【化４】
2007204411.tif 000005
【００３１】
得られたカルボン酸銀について、Ｃ13−ＮＭＲ測定により、主ピークである１８４．０７ｐｐｍのネオデカン酸のピークが消失し、１８５．４９ｐｐｍにＡｇ−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）のケミカルシフトを確認でき、反応が進行していたことが分かった。
また、得られたカルボン酸銀は、ナトリウムイオン量が４６ｐｐｍ（原料である酸化銀（Ｉ）に由来）であったことから、高純度であることが分かった。なお、特開２００３−２０３５２２号公報に記載の方法で得られたカルボン酸銀、すなわち、硝酸銀とネオデカン酸ナトリウムから製造されたネオデカン酸銀のナトリウムイオン量は、３５０ｐｐｍであった。
【００３２】
次に、このようにして得られたネオカルボン酸銀に、溶媒としてα−テルピネオールを加え、チクソ性のあるペースト状物を調製する。
その後、調製したペースト状物をスクリーン印刷などにより、ガラス、ＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム上に塗布し、１８０℃下、１時間熱することにより、銀の塗膜が得られる。
塗膜の体積固有抵抗値は、４〜８×１０-6Ω・ｃｍを示す。