(57)【要約】【課題】効率よく低コストで発光装置を製造し得る発光装置の製造方法、かかる製造方法により製造された信頼性の高い発光装置および電子機器を提供すること。【解決手段】青色に発光する発光層51と、赤色に発光する発光層52と、白色に発光する発光層53とを備える表示装置（発光装置）10を製造する方法であって、発光層51形成用の開口部および発光層53形成用の開口部を備えるマスクを用いて、陽極３の一方の面側に、青色に発光する材料を供給して被膜を形成する工程と、発光層52形成用の開口部および発光層53形成用の開口部を備えるマスクを、前記被膜のうち発光層53とすべきものと発光層53形成用の開口部とがほぼ一致するように位置決めした状態で、陽極３の一方の面側に、赤色に発光する材料を供給し、これにより各発光層51、52、53を得る工程と、各発光層51、52、53の陽極３と反対側に陰極６を形成する工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色に発光する材料で構成された第１の発光層と、前記第１の色と異なる第２の色に発光する材料で構成された第２の発光層と、少なくとも前記第１の色に発光する材料と前記第２の色に発光する材料とを重ね合わせることにより、前記第１の色および前記第２の色の双方と異なる第３の色に発光する第３の発光層とを備える発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
第１の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備える第１のマスクを用いて、第１の電極の一方の面側に、前記第１の色に発光する材料を気相プロセスにより供給して被膜を形成する第１の工程と、
第２の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備える第２のマスクを、前記被膜のうち前記第３の発光層とすべきものと、前記第３の発光層形成用の開口部とがほぼ一致するように位置決めした状態で、前記第１の電極の一方の面側に、前記第２の色に発光する材料を気相プロセスにより供給し、これにより、各前記発光層を得る第２の工程と、
各前記発光層の前記第１の電極と反対側に、第２の電極を形成する第３の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の色および前記第２の色のうちのいずれか一方は、青色であり、他方は、赤色であり、前記第３の色は、白色である請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記発光装置は、前記第１の色、前記第２の色および前記第３の色のいずれとも異なる第４の色に発光する材料で構成された第４の発光層を備え、
第４の発光層形成用の開口部を備える第３のマスクを用いて、前記第１の電極の一方の面側に、前記第４の色に発光する材料を気相プロセスにより供給する第４の工程を有する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３の発光層は、前記第１の色に発光する材料、前記第２の色に発光する材料および前記第４の色に発光する材料を重ね合わせることにより、前記第３の色に発光するものであり、
当該発光装置の製造方法は、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記第４の工程を有し、
該第４の工程において、前記第３のマスクとして、さらに第４の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備えるマスクを、前記被膜のうち前記第３の発光層とすべきものと、前記第３の発光層形成用の開口部とがほぼ一致するように位置決めした状態で、前記第１の電極の一方の面側に、前記第４の色に発光する材料を気相プロセスにより供給する請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４の色は、緑色である請求項３または４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光装置は、前記第１の電極側から光を取り出す構成であり、
前記第１の色は、青色であり、第２の色は、赤色である請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の電極は、発光層毎に設けられた個別電極であり、
前記第１の工程に先立って、各前記個別電極を区画するバンクを形成するバンク形成工程を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記気相プロセスは、蒸着法である請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光性有機層（有機エレクトロルミネッセンス層）が、陰極と陽極との間に設けられた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、無機ＥＬ素子に比べて印加電圧を大幅に低下させることができ、多彩な発光色の素子が作製可能である。
この有機ＥＬ素子は、具体的には、陽極と陰極を有し、この陽極と陰極の間に有機ＥＬ層が設けられて構成される。
この有機ＥＬ層は、正孔輸送層、発光層および電子輸送層の３層で構成されるのが一般的であり、さらにほかの層が付加されて構成される場合もある。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の発色方式としては、ＲＧＢ塗り分け方式、カラーフィルター方式、色変換方式等の各種方式が知られている。
このうち、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ素子は、１つの画素中に、互いに離間したＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の発光層を有しており、各発光層の発光を独立して制御することにより、フルカラー発光が可能となっている。
このようなＲ、Ｇ、Ｂの各発光層は、一般に真空蒸着法により発光材料を蒸着して形成される。そして、真空蒸着の際に各発光層がそれぞれ所定の領域に蒸着されるよう、３種類のマスクを用い、３回の蒸着工程を経て発光層を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
また、近年、発光層の劣化を抑制するため、ＲＧＢＷ塗り分け方式のフルカラー有機ＥＬ素子の開発が進んでいる。
この発色方式の有機ＥＬ素子は、１つの画素中にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白）の４色の発光層を有している。そして、４色の発光層のうち、Ｗの発光層は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層のうちの少なくとも２種類を重ね合わせて形成されるものである。
【０００５】
このような有機ＥＬ素子を形成する場合、まず、前述の方法と同様にして、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層を形成し、次いで、Ｗの発光層を形成するためのマスクを別途用意し、このマスクを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層のうちの少なくとも２種類を順次蒸着して、Ｗの発光層を形成する方法が適用できる。
このような方法では、４色の発光層を形成するために、少なくとも４種類のマスクと、少なくとも５回の蒸着工程が必要となる。しかしながら、マスクは非常に高価なものなので、できるだけ使用枚数を減らすことが経済的要請である。
また、蒸着工程は、長時間の減圧作業を伴うため、有機ＥＬ素子の製造工程が長期化する要因となっている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−９１０８２号公報
【特許文献２】特開平８−２２７２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、効率よく低コストで発光装置を製造し得る発光装置の製造方法、かかる製造方法により製造された信頼性の高い発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置の製造方法は、第１の色に発光する材料で構成された第１の発光層と、前記第１の色と異なる第２の色に発光する材料で構成された第２の発光層と、少なくとも前記第１の色に発光する材料と前記第２の色に発光する材料とを重ね合わせることにより、前記第１の色および前記第２の色の双方と異なる第３の色に発光する第３の発光層とを備える発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
第１の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備える第１のマスクを用いて、第１の電極の一方の面側に、前記第１の色に発光する材料を気相プロセスにより供給して被膜を形成する第１の工程と、
第２の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備える第２のマスクを、前記被膜のうち前記第３の発光層とすべきものと、前記第３の発光層形成用の開口部とがほぼ一致するように位置決めした状態で、前記第１の電極の一方の面側に、前記第２の色に発光する材料を気相プロセスにより供給し、これにより、各前記発光層を得る第２の工程と、
各前記発光層の前記第１の電極と反対側に、第２の電極を形成する第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、効率よく低コストで発光装置を製造することができる。
【０００９】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の色および前記第２の色のうちのいずれか一方は、青色であり、他方は、赤色であり、前記第３の色は、白色であることが好ましい。
これにより、特に少ない蒸着回数（少なくとも２回）で白色発光の発光層を形成することができる。
【００１０】
本発明の発光装置の製造方法では、前記発光装置は、前記第１の色、前記第２の色および前記第３の色のいずれとも異なる第４の色に発光する材料で構成された第４の発光層を備え、
第４の発光層形成用の開口部を備える第３のマスクを用いて、前記第１の電極の一方の面側に、前記第４の色に発光する材料を気相プロセスにより供給する第４の工程を有することが好ましい。
これにより、４種類の発光層を少ない枚数のマスクと少ない回数の蒸着工程により効率よく形成することができる。
【００１１】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第３の発光層は、前記第１の色に発光する材料、前記第２の色に発光する材料および前記第４の色に発光する材料を重ね合わせることにより、前記第３の色に発光するものであり、
当該発光装置の製造方法は、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記第４の工程を有し、
該第４の工程において、前記第３のマスクとして、さらに第４の発光層形成用の開口部および第３の発光層形成用の開口部を備えるマスクを、前記被膜のうち前記第３の発光層とすべきものと、前記第３の発光層形成用の開口部とがほぼ一致するように位置決めした状態で、前記第１の電極の一方の面側に、前記第４の色に発光する材料を気相プロセスにより供給することが好ましい。
これにより、４種類の発光層を少ない枚数のマスクと少ない回数の蒸着工程により効率よく形成することができる。
【００１２】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第４の色は、緑色であることが好ましい。
これにより、第１の色を青色、第２の色を赤色としたとき、フルカラーの発光が可能な発光装置を効率よく得ることができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記発光装置は、前記第１の電極側から光を取り出す構成であり、
前記第１の色は、青色であり、第２の色は、赤色であることが好ましい。
これにより、色純度の高い発光が得られる。
【００１３】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の電極は、発光層毎に設けられた個別電極であり、
前記第１の工程に先立って、各前記個別電極を区画するバンクを形成するバンク形成工程を有することが好ましい。
これにより、蒸着される材料が混在するのを防止し、各発光層が、それぞれ構成材料本来の発光性能で発光することができる。
【００１４】
本発明の発光装置の製造方法では、前記気相プロセスは、蒸着法であることが好ましい。
これにより、発光層の構成材料の分子構造を維持しつつ、発光層を形成することができる。その結果、構成材料本来の発光性能を発揮させることができ、特性に優れた発光層を形成することができる。
【００１５】
本発明の発光装置は、本発明の発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高く安価な発光装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性が高く安価な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態と、このアクティブマトリクス型表示装置の製造方法（本発明の発光装置の製造方法）の第１実施形態とについて説明する。
【００１７】
＜アクティブマトリクス型表示装置＞
図１は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２〜図４は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１８】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基体２０上に設けられた３種類の有機ＥＬ素子１１、１２、１３と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。
表示装置１０は、３種類の有機ＥＬ素子１１、１２、１３をそれぞれ多数備えているが、この多数の有機ＥＬ素子のうちの隣接する３つの有機ＥＬ素子１１、１２、１３により、１つの画素１を構成している。そして、表示装置１０は、このような画素１を多数備えている。
【００１９】
この３つの有機ＥＬ素子１１、１２、１３は、それぞれ、異なる色に発光する。その発光色は特に限定されないが、本実施形態では、第１の有機ＥＬ素子１１が青色（第１の色）に、第２の有機ＥＬ素子１２が赤色（第２の色）に、第３の有機ＥＬ素子１３が白色（第３の色）にそれぞれ発光する。かかる構成によれば、後述する蒸着工程において、特に少ない蒸着回数（少なくとも２回）で白色発光の発光層を形成することができる。また、これら３つの有機ＥＬ素子１１、１２、１３の発光強度を調整することにより、各画素１は、青色、赤色および白色の中間色の発光が可能となる。
また、各画素１の発光強度をそれぞれ制御することにより、表示装置１０は、所定の情報（文字、数字、記号、図形等）や所定のデザインを表示することができる。
【００２０】
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３を保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、上基板９は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００２１】
一方、上基板９には、各種ガラス基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００２２】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の表示装置１０は、ボトムエミッション型であるが、上基板９側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であってもよい。この場合、上基板９は、実質的に透明とされる。
【００２３】
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３が設けられている。また、隣接する各有機ＥＬ素子１１、１２、１３同士は、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２により構成される隔壁部（バンク）３５により区画されている。
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３の陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、正孔輸送層４および発光層５は、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３に対して個別に形成されており、陰極６は、共通電極とされている。
【００２４】
以下、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３について詳述する。
図１に示すように、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３は、陽極３と、陰極６と、これらの電極の間に、陽極３側から正孔輸送層４および発光層５の順で積層された有機半導体層（積層体）が設けられている。
陽極３は、正孔輸送層４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００２５】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、陽極３は、必要かつ十分な電気伝導性と光透過性を有するものとなり、例えば、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３の構成がボトムエミッション型である場合、実用に適した各有機ＥＬ素子１１、１２、１３が得られる。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００２６】
一方、陰極６は、発光層５に電子を注入する電極である。この陰極６の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極６の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００２７】
特に、陰極６の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極６の構成材料として用いることにより、陰極６の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極６の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光装置１０は、ボトムエミッション型であるため、陰極６に、光透過性は、特に要求されない。
【００２８】
正孔輸送層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層４の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００３０】
なお、陽極３と正孔輸送層４との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００３１】
正孔輸送層４の陽極３と反対側には、発光層（有機発光層）５が設けられている。陽極３と陰極６との間に電圧を印加すると、この発光層５には、後述する陰極６から電子が、また、正孔輸送層４から正孔がそれぞれ供給（注入）される。そして、発光層５内では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）が放出（発光）される。
【００３２】
図１に示す第１の有機ＥＬ素子１１は第１の発光層５１を、第２の有機ＥＬ素子１２は第２の発光層５２を、第３の有機ＥＬ素子１３は第３の発光層５３を、それぞれ備えている。
このうち、第１の発光層５１は青色（第１の色）に発光する材料で、第２の発光層５２は赤色（第２の色）に発光する材料で、それぞれ構成されたものである。
また、第３の発光層５３は、第１の発光層５１の構成材料（第１の色に発光する材料）および第２の発光層５２の構成材料（第２の色に発光する材料）を積層して構成されたものである。
【００３３】
なお、これらの構成材料の積層順序は、特に限定されないが、本実施形態のようなボトムエミッション型の表示装置１０の場合、上側に位置する層と下側に位置する層とでは、放出された光の光路長が異なり、光の色に若干の変化をもたらす場合がある。したがって、第３の発光層５３を形成する際には、この光の色の変化を考慮して積層順序を決めるのが好ましい。具体的には、ボトムエミッション型の表示装置１０の場合、放出される光の波長が長い層ほど上側に位置するよう構成するのが好ましい。これにより、色純度の高い発光が得られる。
【００３４】
発光層５の構成材料としては、ベンゾチアジアゾールのようなチアジアゾール系化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００３５】
なお、陰極６と発光層５との間には、例えば、陰極６から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにしてもよい。さらには、この電子輸送層と陰極６との間に、陰極６から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００３６】
その他、電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、オキサジアゾール系高分子（ポリオキサジアゾール）、トリアゾール系高分子（ポリトリアゾール）等の高分子系の材料を用いることもできる。
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて（例えば、複数層の積層体等として）用いることができる他、各種の無機絶縁材料や、各種の無機半導体材料等を用いることができる。
無機絶縁材料や無機半導体材料を主材料として電子注入層を構成することにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることや、耐久性の向上を図ることができる。
【００３７】
このような表示装置１０は、本発明の発光装置の製造方法を適用した製造方法により、次のようにして製造される。
［１］まず、図２（ａ）に示すようなＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【００３８】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００３９】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００４０】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【００４１】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００４２】
［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に各有機ＥＬ素子１１、１２、１３を形成する。
［２−Ａ］まず、図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。
なお、これらの方法は、陽極３の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
【００４３】
［２−Ｂ］次に、第２層間絶縁層２６上に、各陽極３を区画するように、隔壁部（バンク）３５を形成する（バンク形成工程）。これにより、陽極３および隔壁部３５により画成された空間に、３つの発光層５１、５２、５３をそれぞれ形成するための凹部状の発光空間３６１、３６２、３６３が形成される。その結果、後述する工程において蒸着される材料が混在するのを防止し、各発光層５１、５２、５３が、それぞれ構成材料本来の発光性能で発光することができる。
【００４４】
隔壁部３５は、図２（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜２６上に第１隔壁部３１を形成した後、この第１隔壁部３１上に、図２（ｄ）に示すように、第２隔壁部３２を形成することにより得ることができる。
なお、第１隔壁部３１は、陽極３および第２層間絶縁膜２６を覆うように絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。また、第２隔壁部３２は、陽極３および第１隔壁部３１を覆うように絶縁膜を形成した後、第１隔壁部３１を形成したのと同様にして得ることができる。
【００４５】
第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、それぞれ、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
また、隔壁部３５の開口の形状は、例えば、円形、楕円形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
このような第１隔壁部３１の高さは、陽極３、正孔輸送層４および発光層５の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００４６】
［２−Ｃ］次に、図３（ｅ）に示すように、陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層（半導体層）４を形成する。
この正孔輸送層４は、前述した陽極３の形成方法と同様に、気相プロセスまたは液相プロセスにより形成することができる。
［２−Ｄ］次に、各正孔輸送層４の陽極３と反対側に、発光層（半導体層）５を形成する。
前述したように、発光層５は、第１の発光層５１（青色）、第２の発光層５２（赤色）、および第３の発光層５３（白色）の３種類の発光層を備えている。
【００４７】
このような各発光層５は、それぞれ、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスにより形成することができるが、蒸着法（真空蒸着法）により形成されるのが好ましい。これにより、発光層５の構成材料の分子構造を維持しつつ、発光層５を形成することができる。その結果、構成材料本来の発光性能を発揮させることができ、特性に優れた発光層５を形成することができる。
【００４８】
以下、発光層５を蒸着法により形成する方法について詳述する。なお、蒸着法では、通常、下方に位置する蒸着源から上方に位置する被処理物に向けて蒸着がなされるが、図３（ｆ）〜図４（ｉ）は、上下を逆転させて示している。
［２−Ｄａ］まず、正孔輸送層４を形成したＴＦＴ回路基板を、蒸着装置内に載置し、装置内を減圧する。
【００４９】
次に、図３（ｆ）に示すように、隔壁部３５の第２層間絶縁膜２６と反対側に、第１のマスク７１を配置する。
この第１のマスク７１は、第１の発光層５１を形成すべき発光空間３６１に、第１の発光層５１の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第１の発光層形成用の開口部）７１１と、第３の発光層５３を形成すべき発光空間３６３に、第１の発光層５１の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第３の発光層形成用の開口部）７１２とを備えている。
【００５０】
次に、第１のマスク７１の隔壁部３５と反対側から、開口部７１１、７１２を介して第１の発光層５１の構成材料を蒸着（供給）する。これにより、図３（ｇ）に示すように、発光空間３６１の正孔輸送層４の陽極３と反対側の面と、発光空間３６３の正孔輸送層４の陽極３と反対側の面に、それぞれ被膜５５が形成される。これらの被膜５５のうち、発光空間３６１に形成されたものが、第１の発光層５１を構成する（第１の工程）。
【００５１】
なお、被膜５５の厚さは、第１の発光層５１の発光色と第３の発光層５３の発光色の双方に対して、その色純度に影響を与えるため、この両者の影響を考慮して決定される。例えば、第１の発光層５１の発光色と、第３の発光層５３の発光色の双方を考慮して被膜５５の厚さを決定するのが好ましい。これにより、第１の発光層５１の発光色の色純度と第３の発光層５３の発光色の色純度の双方を、目的とする色純度に近づけることができる。
【００５２】
［２−Ｄｂ］次に、図３（ｈ）に示すように、隔壁部３５の第２層間絶縁膜２６と反対側に、第２のマスク７２を配置する。
この第２のマスク７２は、第２の発光層５２を形成すべき発光空間３６２に、第２の発光層５２の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第２の発光層形成用の開口部）７２１と、第３の発光層５３を形成すべき発光空間３６３に、第２の発光層５２の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第３の発光層形成用の開口部）７２２とを備えている。なお、第２のマスク７２を配置する際に、開口部７２２の位置と、発光空間３６３に形成した被膜５５の位置とがほぼ一致するように位置決めをする。
【００５３】
次に、第２のマスク７２の隔壁部３５と反対側から、開口部７２１、７２２を介して第２の発光層５２の構成材料を蒸着（供給）する。これにより、図４（ｉ）に示すように、発光空間３６２の正孔輸送層４の陽極３と反対側の面と、発光空間３６３の被膜５５の陽極３と反対側の面に、それぞれ被膜５６が形成される。これらの被膜５６のうち、発光空間３６２に形成されたものが、第２の発光層５２を構成する。また、発光空間３６３には、被膜５５および被膜５６を積層してなる第３の発光層５３が形成される（第２の工程）。
【００５４】
なお、前述の被膜５５と同様に、第２の発光層５２の発光色と第３の発光層５３の発光色の双方を考慮して被膜５６の厚さを決定するのが好ましい。これにより、第２の発光層５２の発光色の色純度と第３の発光層５３の発光色の色純度の双方を、目的とする色純度に近づけることができる。
以上のように、本実施形態では、第１の発光層５１と被膜５５および第２の発光層５２と被膜５６を、それぞれ同一の工程で形成する。
かかる方法によれば、３種類の発光層５１、５２、５３を、２枚のマスク７１、７２を用い、２回の蒸着工程により形成することができる。
【００５５】
ところで、従来、このような３種類の発光層を形成する場合、発光層５１、５２と、発光層５３とは、それぞれ異なる工程で形成されることが一般的であった。
すなわち、従来は、まず、各マスク７１、７２を用いて、それぞれ発光層５１、５２を形成する。
次に、前述の第３の発光層形成用の開口部を備えたマスクを介して、発光空間３６３に、被膜５５、５６をそれぞれ順次蒸着して形成する。
このような方法では、３種類の発光層５１、５２、５３を形成するために、少なくとも３枚のマスクと少なくとも４回の蒸着工程を必要としていた。
しかしながら、マスクは非常に高価なものなので、できるだけ使用枚数を減らすことが経済的要請となっていた。
【００５６】
また、蒸着工程は、長時間の減圧作業を伴うため、有機ＥＬ素子の製造工程が長期化する要因となっていた。さらに、蒸着工程の回数に比例して、蒸着時の不良発生率も増加することとなる。このため、蒸着工程の回数をできるだけ減らし、製造工程の短縮と歩留まりの向上を図ることが課題であった。
これに対し、本実施形態では、わずか２枚のマスクと２回の蒸着工程を経て、３種類の発光層５１、５２、５３を形成することができる。これにより、表示装置１０の製造工程の低コスト化を図るとともに、製造工程の短縮と歩留まりの向上をも図ることができる。
【００５７】
［２−Ｅ］次に、図４（ｊ）に示すように、各発光層５上および各隔壁部３５上に、すなわち、各発光層５および各隔壁部３５を覆うように、共通の陰極６を形成する（第３の工程）。
この陰極６は、例えば、ゲート電極２４３と同様にして形成することができる。
なお、本実施形態では、発光層５および隔壁部３５の全面に、陰極６を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
以上のようにして、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３を形成することができる。
【００５８】
［３］  次に、上基板９を用意し、図４（ｋ）のように、上基板９により陰極６を覆うようにして、陰極６と上基板９とを接合する。
この陰極６と上基板９との接合は、陰極６と上基板９との間に、エポキシ系の接着剤を介在させた状態で、この接着剤を乾燥させること等により行うことができる。
この上基板９は、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３を保護する保護基板としての機能を有する。このような上基板９を、陰極６上に設けることにより、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３が酸素や水分に接触するのを防止または低減できることから、各有機ＥＬ素子１１、１２、１３の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果を得ることができる。
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。
【００５９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態と、このアクティブマトリクス型表示装置の製造方法の第２実施形態とについて説明する。
図５は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６０】
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の表示装置１０は、画素１の構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。
本実施形態では、図５に示すように、表示装置１０は、４種類の有機ＥＬ素子１１、１２、１３、１４により１つの画素１を構成している。すなわち、本実施形態の画素１は、第１の有機ＥＬ素子１１、第２の有機ＥＬ素子１２、および第３の有機ＥＬ素子１３を備える前記第１実施形態の画素１に、第４の有機ＥＬ素子１４を追加した構成となっている。
【００６１】
これらの４種類の有機ＥＬ素子１１、１２、１３、１４は、それぞれ、異なる色に発光する。その発光色は、特に限定されないが、本実施形態では、第１の有機ＥＬ素子１１が青色（第１の色）に、第２の有機ＥＬ素子１２が赤色（第２の色）に、第３の有機ＥＬ素子１３が白色（第３の色）に、第４の有機ＥＬ素子１４が緑色（第４の色）に、それぞれ発光する。これら４つの有機ＥＬ素子１１、１２、１３、１４の発光強度を制御することにより、各画素１はフルカラーの発光が可能となる。
第４の有機ＥＬ素子１４は、第４の発光層５４を備えている。この第４の発光層５４は、緑色（第４の色）に発光する材料で構成されたものである。
【００６２】
このような構成の表示装置１０を製造する場合、前記第１実施形態の工程［２−Ｄｂ］の後に、第４の発光層５４の形成工程［２−Ｄｃ］が追加されることとなる。この工程のおいて、第４の発光層５４を蒸着して形成するための第３のマスクと、蒸着工程とを必要とする。
したがって、本実施形態では、４種類の発光層５１、５２、５３、５４を、少ない枚数（３枚）のマスクと、少ない回数（３回）の蒸着工程により効率よく形成することができる。これにより、表示装置１０の製造工程の低コスト化を図るとともに、製造工程の短縮と歩留まりの向上をも図ることができる。
なお、第３のマスクは、第４の発光層５４を形成すべき発光空間に、第４の発光層５４の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第４の発光層形成用の開口部）を備えたものである。
【００６３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態と、このアクティブマトリクス型表示装置の製造方法の第３実施形態とについて説明する。
図６は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６４】
以下、第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態および前記第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態の表示装置１０は、第３の発光層の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。
すなわち、前記第１および第２実施形態では、第３の発光層５３は、第１の発光層５１の構成材料を用いて形成された被膜５５と、第２の発光層５２の構成材料を用いて形成された被膜５６とを積層した２層構造をなしているが、本実施形態では、被膜５５、被膜５６、および第４の発光層５４の構成材料を用いて形成された被膜５７を積層した３層構造をなしている。かかる構成によれば、より白色度の高い白色発光の発光層（第３の発光層５３）を少ない蒸着回数（少なくとも３回）で形成することができる。これにより、各画素１は、より演色性に優れたフルカラーの発光が可能となる。
【００６５】
この場合、第４の発光層５４を蒸着する際に用いる第３のマスクには、前述の第４の発光層形成用の開口部と、第３の発光層５３を形成すべき発光空間に、第４の発光層５４の構成材料を選択的に蒸着するための所定の開口部（第３の発光層形成用の開口部）とを備えたものを用いる。
そして、第４の発光層５４の形成工程［２−Ｄｃ］において第３のマスクを配置する際には、前述の第３の発光層形成用の開口部の位置と、前記工程［２−Ｄｂ］で形成された被膜５６の位置とがほぼ一致するように位置決めをする。
【００６６】
この状態で、第３のマスクの隔壁部３５と反対側から、第４の発光層形成用の開口部と第３の発光層形成用の開口部とを介して第４の発光層５４の構成材料を蒸着（供給）する。これにより、第４の発光層５４を形成すべき発光空間３６４の正孔輸送層４の陽極３と反対側の面と、第３の発光層５３を形成すべき発光空間３６３の被膜５６の陽極３と反対側の面に、それぞれ、被膜５７が形成される。これらの被膜５７のうち、発光空間３６４に形成されたものが、第４の発光層５４を構成する。また、発光空間３６３には、被膜５５、被膜５６および被膜５７を積層してなる第３の発光層５３が形成される。
以上のような本実施形態においても、前記第１実施形態および第２実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００６７】
＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００６８】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００６９】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００７０】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００７２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００７３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７４】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。なお、本発明の電子機器は、光源など発光機能を有するものであればよく、表示機能を有するものには限られない。
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の発光装置の製造方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図６】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１……画素  １１……第１の有機ＥＬ素子  １２……第２の有機ＥＬ素子  １３……第３の有機ＥＬ素子  １４……第４の有機ＥＬ素子  ３……陽極  ４……正孔輸送層  ５……発光層  ５１……第１の発光層  ５２……第２の発光層  ５３……第３の発光層  ５４……第４の発光層  ５５、５６、５７……被膜  ６……陰極  ７１……第１のマスク  ７２……第２のマスク  ７１１、７１２、７２１、７２２……開口部  ９……上基板  １０……表示装置  ２０……ＴＦＴ回路基板  ２１……基板  ２２……回路部  ２３……下地保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  ３５……隔壁部  ３６１、３６２、３６３、３６４……発光空間  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
2007265696.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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