(57)【要約】【課題】発光強度の高い発光材料を提供することを課題とする。また、発光効率が高い発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題とする。【解決手段】少なくとも発光性物質と、母体材料と、周期律第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物である添加物とを有する発光材料である。また、前記発光材料により、発光効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子及び電子機器を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、
前記発光性物質は発光中心となる元素であり、
前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素であることを特徴とする発光材料。
【請求項２】
発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、
前記発光性物質は発光中心となる元素であり、
前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素を２種以上含む化合物であることを特徴とする発光材料。
【請求項３】
発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、
前記発光性物質は発光中心となる元素であり、
前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物であることを特徴とする発光材料。
【請求項４】
発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、
前記発光性物質は発光中心となる元素であり、
前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族及び第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光材料。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記添加物は、同族元素を２種以上含むことを特徴とする発光材料。
【請求項６】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素を２種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素と第４Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第４Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、
前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素、第４Ｂ族の元素及び第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のいずれか一項において、
前記第１の電極と前記発光層との間もしくは前記第２の電極と前記発光層との間のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項６乃至１３のいずれか一項において、
前記発光性物質は、発光中心となる元素であることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項６乃至１４のいずれか一項において、
前記母体材料は周期表第２Ａ族の元素と第６Ｂ族の元素を少なくともそれぞれ１種以上含む化合物、もしくは周期表第２Ｂ族の元素と第６Ｂ族の元素が少なくともそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴する発光素子。
【請求項１６】
請求項６乃至１５のいずれか一項において、
前記発光性物質はマンガン、銀、銅、サマリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、ユーロピウム、セリウム、プラセオジウムであることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項６乃至１６のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子に関する。また、発光素子を有する発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ、携帯電話、デジタルカメラ等における表示装置は、平面的で薄型の表示装置が求められており、この要求を満たすための表示装置として、自発光型である発光素子を利用した表示装置が注目されている。自発光型の発光素子の一つとして、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光素子があり、この発光素子は、発光材料を一対の電極で挟持し、電圧を印加することにより発光材料からの発光を得ることができるものである。
【０００３】
このような自発光型の発光素子は、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型かつ軽量に作製できることも大きな利点である。また、応答速度が非常に速いことも特徴の一つである。
【０００４】
さらに、このような自発光型の発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を形成することにより、面発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
ところで、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０００６】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。前者は、発光材料の粒子を分散させた発光層を有し、後者は発光材料の薄膜からなる発光層を有している点に違いがある。一般的に、無機ＥＬ素子で発光を得るためには高い電界が必要であり、発光素子に数百Ｖの電圧を印加する必要がある。例えば、近年フルカラーディスプレイに必要とされる高輝度の青色発光の無機ＥＬ素子が開発されたが、１００〜２００Ｖの駆動電圧が必要である（例えば、非特許文献１）。そのため、無機ＥＬ素子は消費電力が大きく、中小型サイズのディスプレイ、例えば、携帯電話等のディスプレイには採用することが難しかった。
【非特許文献１】ジャパニーズ  ジャーナル  オブ  アプライド  フィジクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）、１９９９年、Ｖｏｌ．３８、ｐ．Ｌ１２９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記問題を鑑み、本発明は、従来よりも発光強度の高い発光材料を提供することを課題とする。また、発光効率が高い発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一は、発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、前記発光性物質は発光中心となる元素であり、前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素であることを特徴とする発光材料である。
【０００９】
本発明の一は、発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、前記発光性物質は発光中心となる元素であり、前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素を２種以上含む化合物であることを特徴とする発光材料である。
【００１０】
本発明の一は、発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、前記発光性物質は発光中心となる元素であり、前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物であることを特徴とする発光材料である。
【００１１】
本発明の一は、発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、前記発光性物質は発光中心となる元素であり、前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族及び第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光材料である。
【００１２】
前記添加物は、同族元素を２種以上含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素であることを特徴とする発光素子である。
【００１４】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第４Ｂ族に属する元素を２種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００１５】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００１６】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素と第４Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００１７】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００１８】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第４Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００１９】
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された発光性物質と母体材料と添加物とを含む発光層とを有し、前記添加物は周期表第３Ｂ族の元素、第４Ｂ族の元素及び第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴とする発光素子である。
【００２０】
上記発光素子において、前記第１の電極と前記発光層との間もしくは前記第２の電極と前記発光層との間のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁層を有していても良い。
【００２１】
また、発光性物質は、発光中心となる元素であることを特徴とする。前記母体材料は周期表第２Ａ族の元素と第６Ｂ族の元素を少なくともそれぞれ１種以上含む化合物、もしくは周期表第２Ｂ族の元素と第６Ｂ族の元素が少なくともそれぞれ１種以上含む化合物であることを特徴する。前記発光性物質は、マンガン、銀、銅、サマリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、ユーロピウム、セリウム、プラセオジウムであることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、上述した発光素子を有する発光装置も範疇に含めるものである。本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を範疇に含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【００２３】
また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
なお、本明細書で言う周期表第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族は、短周期型周期表に従って記載したものであり、長周期型周期表を用いた場合にはそれぞれ第１３族、第１４族、第１５族と表記することが可能である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、発光強度の高い発光材料を得ることができる。
【００２６】
また、発光効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を提供することができる。さらに、前記発光素子を用いて発光装置及び電子機器を作製することにより、消費電力を低減することができる。また、高耐電圧の駆動回路が不要であるため、これらを低コストで作製することも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明に係る発光素子について図１（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する。
【００２９】
本実施の形態で示す発光素子は、図１（Ａ）に示すように基板１００の上に、第１の電極１０１と第２の電極１０５を有し、第１の電極１０１と第２の電極１０５との間に、第１の絶縁層１０２と第２の絶縁層１０４とを有し、第１の絶縁層１０２と第２の絶縁層１０４との間に、発光層１０３を有する素子構成である。なお、第１の絶縁層１０２と第２の絶縁層１０４は必ずしも必要ではなく、いずれか一方もしくは図１（Ｂ）のように両方を省くことも可能である。
【００３０】
基板１００は発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えば、ガラス、石英又はプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでも用いることができる。
【００３１】
第１の電極１０１及び第２の電極１０５は、金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウム錫酸化物とも言う）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＳＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウム酸化亜鉛とも言う）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いたスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。この他、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン：ＴｉＮ）等を用いることができる。
【００３２】
ただし、発光は、第１の電極１０１もしくは第２の電極１０５を通って外部に取り出されるため、第１の電極１０１および第２の電極１０５のうち、少なくとも一方は透光性を有する材料で形成されている必要がある。なお、可視光の透過率が低い材料であっても、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さで成膜することにより、透光性を有する電極として用いることができる。
【００３３】
また、本発明の発光素子は直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができる。直流駆動として動作させる場合には、陰極として機能する電極よりも陽極として機能する電極の方が仕事関数が大きくなるように材料を適宜選択することが好ましい。ただし、これに限定されるものではない。
【００３４】
第１の絶縁層１０２及び第２の絶縁層１０４は、絶縁性を有する無機物または有機物を用いて形成することができる。なお、無機物を用いる場合においては、誘電率の高い酸化物や窒化物を用いることが好ましい。例えば、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸リチウム、チタン酸鉛、チタン酸カルシウム、ニオブ酸カリウム、窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル等が挙げられる。また、有機物としては、アセタール樹脂、エポキシ樹脂、メチル・メタアクリレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネイト、フェノール樹脂、ポリスチロール、ポリ４フッ化エチレン、ビスフェーノール系エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリデン、シアノ・エチル・セルロース等を用いることができる。なお、誘電率の高い材料に特に限定されず、絶縁性を有する材料であれば良い。
【００３５】
発光層１０３は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有する発光材料より形成される。添加物には、周期表第４Ｂ族に属する元素の他、第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。なお、同族元素を２種以上を含んでいても良い。以下に例を挙げる。
【００３６】
第４Ｂ族の元素としては、炭素、シリコン（珪素）、ゲルマニウム、スズ、鉛が挙げられ、添加物にこれら一種を用いることが可能である。また、第４Ｂ族の元素が２種以上含まれてもよく、例えば炭化珪素等が挙げられる。
【００３７】
また、添加物に第３Ｂ族の元素と第４Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む代表的な化合物として、炭化アルミニウム、硼化シリコン等がある。また、同族の元素が２種以上含まれていてもよい。第３Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む代表的な化合物として、窒化アルミニウム、リン化アルミニウム、砒化アルミニウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、リン化インジウム、砒化インジウム、アンチモン化インジウム等が挙げられる。また、砒化ガリウムインジウムのように同族の元素が２種以上含まれていてもよい。第４Ｂ族の元素と第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む代表的な化合物として、窒化珪素等があげられる。また、同族の元素が２種以上含まれていてもよい。なお、第３Ｂ族の元素、第４Ｂ族の元素及び第５Ｂ族の元素をそれぞれ１種以上含む化合物を用いることもできる。なお、これら添加物は、母体材料に対し０．１以上１０ｍｍｏｌ％以下で混入されていることが好ましい。
【００３８】
母体材料や発光性物質は特に限定される物ではない。例えば、母体材料として、第２Ａ族の元素と第６Ｂ族の元素を少なくともそれぞれ１種以上含む化合物が挙げられる。例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、硫化マグネシウム、硫化カルシウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム、セレン化マグネシウム、セレン化カルシウム、セレン化ストロンチウム、セレン化バリウム、テルル化マグネシウム、テルル化カルシウム、テルル化ストロンチウム、テルル化バリウム等が挙げられる。また、硫化ストロンチウムバリウムのように第２Ａ族の元素と第６Ｂ族の元素がそれぞれ１種以上含まれたものであってもよい。この他、第２Ｂ族の元素と第６Ｂ族の元素が少なくともそれぞれ１種以上含む化合物であってもよい。例えば、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化水銀、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化水銀、セレン化亜鉛、セレン化カドミウム、セレン化水銀、テルル化亜鉛、テルル化カドミウム、テルル化水銀等が挙げられる。また、硫化亜鉛カドミウムのように第２Ｂ族の元素と第６Ｂ族の元素がそれぞれ１種以上含まれたものであってもよい。
【００３９】
また、発光性物質には、発光中心として機能するものであれば良く、例えばマンガン、銀、銅、サマリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、ユーロピウム、セリウム、プラセオジウム等の金属元素を用いることができる。さらに、発光層１０３には、これら金属元素の他、電荷補償のためにフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素が添加されていても良い。
【００４０】
さらに、発光層１０３は、発光性物質と母体材料と添加物の他、フッ化銅（ＣｕＦ２）、塩化銅（ＣｕＣｌ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、リン化銅（Ｃｕ３Ｐ）、フッ化銀（ＡｇＦ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、ヨウ化銀（ＡｇＩ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）、塩化金（ＡｕＣｌ３）、臭化金（ＡｕＢｒ３）等を有していても良い。
【００４１】
上記のような発光層１０３を形成する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有することにより発光強度を増大させることができる。
【００４２】
第１の電極１０１、第２の電極１０５、発光層１０３、第１の絶縁層１０２、第２の絶縁層１０４は以下の方法を適宜選択し形成することができる。具体的には、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。また、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等を用いることができる。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
【００４３】
例えば、発光層１０３を形成する際、蒸着材料には、発光性物質、母体材料及び添加物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱して反応させた材料を用いれば良い。焼成温度は、７００℃以上１５００℃以下が好ましい。温度が低すぎる場合は反応が進まず、温度が高すぎる場合は材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。これに限らず、それぞれの材料を共蒸着により形成することも可能である。また、蒸着に限らず、上記方法を適宜選択し形成することが可能である。なお、発光層１０３の形成時もしくは形成直後にレーザービームの照射や基板１００の加熱を行うとなお良い。
【００４４】
本発明の発光素子は、第１の電極１０１及び第２の電極１０５に挟持された絶縁層と発光層１０３が混合されていても良い。
【００４５】
以上のようにして、発光効率が高く、低電圧で駆動可能な発光素子を得ることができる。
【００４６】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００４７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。
【００４８】
本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明する。本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、これらと基板６１０とで囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【００４９】
なお、引き回し配線６０８は、ソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【００５０】
次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【００５１】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、ＴＦＴにより構成される駆動回路ＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路を用いて形成しても良い。また、本実施形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示しているが、必ずしもその必要はなく、周辺駆動回路の全てもしくは一部を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、ＩＣチップなどに形成し、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などで実装しても良い。
【００５２】
また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【００５３】
また、後に形成される発光材料を含む層６１６の成膜被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。さらに、絶縁物６１４の材料として有機物に限らず無機物が用いることができ、例えば酸化珪素、酸窒化珪素等を用いることもできる。
【００５４】
第１の電極６１３上には、発光材料を含む層６１６および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。なお、層６１６が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と、母体材料と、添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。なお、第１の電極６１３、発光材料を含む層６１６、第２の電極６１７は、実施の形態１に示した材料を適宜選択して用いることができる。なお、第１の電極６１３および第２の電極６１７の少なくとも一方は透光性を有しており、その電極側から発光を外部へ取り出すことが可能である。
【００５５】
なお、第１の電極６１３、発光材料を含む層６１６、第２の電極６１７の形成方法としては、種々の方法を用いることができる。具体的には、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いることができる。また、インクジェット法、スピンコート法等を用いることができる。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
【００５６】
さらにシール材６０５を用いて封止基板６０４を基板６１０と貼り合わせることにより、基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に第１の電極６１３と発光材料を含む層６１６と第２の電極とを有する本発明の発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。
【００５７】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００５８】
以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。なお、得られた発光装置は、直流駆動で動作させても良いし、交流駆動で動作させても良い。
【００５９】
本実施形態に係る発光装置は、発光効率が高く低電圧で駆動可能な本発明の発光素子を有する。そのため、消費電力を低減することができ、さらに高耐電圧の駆動回路が不要であるため作製コストを低減することができる。また、発光装置の軽量化、駆動回路部分の小型化が可能となる。
【００６０】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００６１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について図３を用いて説明する。
【００６２】
本実施の形態で示す発光装置は、画素部にトランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置である。本発明を適用したパッシブ型の発光装置の斜視図を図３に示す。なお、発光装置は直流駆動で動作させても良いし、交流駆動で動作させても良い。
【００６３】
図３において、基板９５１上には、第１の電極９５２と第２の電極９５６との間には発光材料を含む層９５５が設けられている。なお、層９５５が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。
【００６４】
第１の電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、その断面における底辺（絶縁層９５３と接する辺）は上辺（絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。
【００６５】
以上のように本実施形態に係る発光装置は、発光効率が高く低電圧で駆動可能な本発明の発光素子を有する。そのため、消費電力を低減することができ、さらに高耐電圧の駆動回路が不要であるため作製コストを低減することができる。また、発光装置の軽量化、駆動回路部分の小型化が可能となる。
【００６６】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００６７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明を適用した電子機器について説明する。なお、発光効率が高く低電圧で駆動可能な発光素子を有することにより、消費電力が低い電子機器を低コストで作製することが可能となる。
【００６８】
本発明を適用した電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図４に示す。
【００６９】
図４（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。表示部９１０３には、上記実施の形態で説明したものと同様の発光素子がマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。このような本発明の発光素子は発光効率が高く、なおかつ低電圧で駆動することができる。また、外部からの衝撃等による短絡を防止することもできる。そのため、表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体９１０１や支持台９１０２の小型軽量化や低コスト化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。
【００７０】
図４（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングマウス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、上記実施の形態で説明したものと同様の発光素子がマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。このような本発明の発光素子は発光効率が高く、なおかつ低電圧で駆動することができる。また、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９２０１や筐体９２０２の小型軽量化や低コスト化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化やが図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。また、持ち運ぶことも可能となり、持ち運ぶときの外部からの衝撃にも強い表示部を有しているコンピュータを提供することができる。
【００７１】
図４（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、上記実施の形態で説明したものと同様の発光素子がマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。このような本発明の発光素子は発光効率が高く、なおかつ低電圧で駆動することができる。また、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部９４０３も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９４０１や筐体９４０２の小型軽量化や低コスト化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、携帯したときの衝撃にも強い表示部を有している製品を提供することができる。なお、操作キー９４０６を本発明の発光素子を用いて作製しても良い。
【００７２】
図４（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、上記実施の形態で説明したものと同様の発光素子がマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子が有する本発明の発光材料は、少なくとも発光性物質と母体材料と添加物とを有し、前記添加物には周期表第４Ｂ族に属する１種以上の元素もしくは化合物、または第３Ｂ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族のうちの少なくとも異族に属する２種以上の元素を含む化合物を用いることができる。このような本発明の発光素子は発光効率が高く、なおかつ低電圧で駆動することができる。また、外部からの衝撃等による短絡を防止することも可能である。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化がなく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体９５０１や筐体９５０３の小型軽量化や低コスト化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。また、携帯したときの衝撃にも強い表示部を有している製品を提供することができる。なお、操作キー９５０９を本発明の発光素子を用いて作製しても良い。
【００７３】
図５は音響再生装置、具体例としてカーオーディオであり、本体７０１、表示部７０２、操作スイッチ７０３、７０４を含む。表示部７０２は実施の形態２の発光装置（アクティブ型）又は実施の形態３の発光装置（パッシブ型）で実現することができる。また、この表示部７０２はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光材料を用いることにより、車両用電源（１２〜４２Ｖ）を使って、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。また、本実施形態では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用のオーディオ装置に用いても良い。
【００７４】
図６は、その一例としてデジタルプレーヤーを示している。図６に示すデジタルプレーヤーは、本体７１０、表示部７１１、メモリ部７１２、操作部７１３、イヤホン７１４等を含んでいる。なお、イヤホン７１４の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。表示部７１１として、実施の形態２の発光装置（アクティブ型）又は実施の形態３の発光装置（パッシブ型）で実現することができる。また、この表示部７０２はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光材料を用いることにより、二次電池（ニッケル−水素電池など）を使っても表示が可能であり、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。メモリ部７１２は、ハードディスクや不揮発性メモリを用いている。例えば、記録容量が２０〜２００ギガバイト（ＧＢ）のＮＡＮＤ型不揮発性メモリを用い、操作部７１３を操作することにより、映像や音声（音楽）を記録、再生することができる。
【００７５】
なお、表示部７０４及び表示部７１１は黒色の背景に白色の文字を表示することでさらに消費電力を抑えられる。これは携帯型のオーディオ装置において特に有効である。
【００７６】
以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、低消費電力で、信頼性の高い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【００７７】
また、本発明の発光装置は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図７及び図８を用いて説明する。
【００７８】
図７は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図７に示した液晶表示装置は、筐体５０１、液晶層５０２、バックライト５０３、筐体５０４を有し、液晶層５０２は、ドライバＩＣ５０５と接続されている。また、バックライト５０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子５０６により、電流が供給されている。
【００７９】
本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力が低減されたバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置として優れており、大面積化も可能である。そのため、バックライトの大面積化と共に液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。
【００８０】
また、図８は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置すなわち照明器具８０１、８０２として用いた例である。照明器具８０１は天井に取り付け、照明器具８０２は壁に埋め込んだ態様と示している。本発明の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明器具８０１として用いた部屋に、図４（Ａ）で説明したような、本発明に係るテレビ装置４００を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。
【００８１】
照明装置としては、本実施形態で示したものに限られず、住宅や公共施設の照明をはじめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合において、本発明に係る照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、デザインの自由度が高いので、様々な意匠を凝らした商品を市場に提供することができる。
【実施例１】
【００８２】
硫化亜鉛ＺｎＳ５ｇと硫化マンガン１４０ｍｇとシリコン１５ｍｇを乳鉢で混合し、坩堝に試料を入れた。坩堝を電気炉中にセットし、窒素雰囲気下１５０℃で前記試料を１時間仮焼成した。仮焼成後、電気炉の温度を１０００℃にし、４時間焼成した。その後、焼成した試料を回収し、酢酸やオゾン水、シアン化カリウム（ＫＣＮ）水溶液等で不純物を除去し、純水で洗浄した。その後、生成物を濾過し、得られた生成物を１００℃で４時間乾燥させた。
【００８３】
（比較例１）
硫化亜鉛ＺｎＳ５ｇと硫化マンガン１４０ｍｇを乳鉢で混合し、坩堝に試料を入れた。坩堝を電気炉中にセットし、窒素雰囲気下１５０℃で１時間仮焼成した。仮焼成後電気炉の温度を１０００℃にし、４時間焼成した。その後、焼成した試料を回収し、酢酸やオゾン水、ＫＣＮ水溶液等で不純物を除去し、純水で洗浄した。その後、生成物を濾過し、得られた生成物を１００℃で４時間乾燥させた。
【００８４】
以上のように調製した試料を波長３５６ｎｍの光を照射して励起し、目視により比較した。その結果、実施例１で調製したシリコンを添加した試料の方がルミネセンス強度が高いことがわかった。よって、発光材料に発光性物質と母体材料と添加物とを有する材料を用いることにより、発光強度を高くすることができた。
【実施例２】
【００８５】
硫化亜鉛ＺｎＳ１０ｇと硫酸銅０．０１ｇと塩化マグネシウム０．４６７ｇと塩化ナトリム０．２０７ｇを乳鉢で混合し、アルミナ坩堝に試料を入れた。この坩堝を電気炉中にセットし、窒素雰囲気下１５０℃で前記試料を１時間仮焼成した。仮焼成後、電気炉の温度を１１００℃にし、窒素雰囲気下で４時間焼成した。その後、焼成した試料を回収し、純水で洗浄した。そして濾過により得られた生成物を、真空下、１８０℃で２時間乾燥させた。このようにして、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌを得た。
【００８６】
さらに、得られたＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ３ｇとＺｎＳに対し１ａｔｏｍ％にあたる周期表第４Ｂ族に属する一元素を乳鉢で混合し、アルミナ坩堝に試料を入れた。なお、周期表第４Ｂ属に属する元素には、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｉのいずれかを用い、Ｃの場合には０．００３７ｇを、Ｇｅの場合には０．０２２３ｇを、Ｓｉの場合には０．００８６ｇを用いた。次に、試料を入れた坩堝を電気炉中にセットし、窒素雰囲気下１５０℃で前記試料を１時間仮焼成した。仮焼成後、電気炉の温度を１１００℃にし、窒素雰囲気下で４時間焼成した。その後、焼成した試料を回収し、純水で洗浄した。そして、濾過により得られた生成物を、真空下、１８０℃で２時間乾燥させ、本発明の一である発光材料を得た。
【００８７】
以上のように調製した発光材料を用いて発光素子を形成した。以下にその方法について図９を用いて説明する。
【００８８】
まず、ガラス基板２００上にスパッタ法を用いて１１０ｎｍとなるようにＩＴＯを成膜し、第１の電極２０１とした。
【００８９】
そして、シアノレジン（信越化学工業製）を溶解させたジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液中に上記で調製した発光材料の一を加えて攪拌し、分散させた溶液、即ち分散溶液を第１の電極２０１上に塗布した。その後、１２０℃で１時間乾燥させ、発光層２０２を形成した。なお、シアノレジンと各々の発光材料との重量比は１：３（＝シアノレジン：発光材料）とし、発光層２０２の膜厚は５０μｍとなるようにした。
【００９０】
次に、シアノレジンを溶解させたＤＭＦ溶液中にチタン酸バリウムを加えて攪拌し、分散させた溶液を発光層２０２上に塗布し、１２０℃で１時間乾燥させ、絶縁層２０３を形成した。なお、シアノレジンとチタン酸バリウムとの重量比は１：３（＝シアノレジン：チタン酸バリウム）とし、絶縁層２０３の膜厚は５０μｍとなるようにした。
【００９１】
絶縁層２０３上にはＡｇペーストを用いて第２の電極２０４を形成した。
【００９２】
以上のようにして、第１の電極２０１と第２の電極２０４の間に、発光層２０２、絶縁層２０３を順に積層して発光材料が異なる３種の発光素子を作製した。なお、各々の発光素子が有する発光層２０２の発光材料には、Ｃが添加されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、Ｇｅが添加されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、Ｓｉが添加されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌが用いられている。また、比較例として周期表第４Ｂ属に属する元素を添加しないＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌを発光材料として用いた発光素子、即ち比較素子も作製した。なお、当該発光素子の形成には、用いた発光材料が異なる以外、上述と同様の物質かつ手法を用いた。
【００９３】
以上のようにして得られた発光素子に対し正弦波でなおかつ周波数ｆ＝１０００（Ｈｚ）の交流電圧を印加し、各々の発光素子の電圧−輝度特性について調べた結果を図１０に示す。なお、図１０において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。
【００９４】
図１０より、周期表第４Ｂ属に属する元素が含まれていない発光材料を用いて形成された素子、即ち比較素子に対し、当該元素が添加された発光材料を用いて形成された発光素子はいずれの場合においても輝度が向上することがわかった。なお、本実施例で作製した発光素子において、周期表第４Ｂ属に属する元素が添加された発光材料を用いることで、約５〜９倍の輝度が得られた。
【００９５】
以上のことから、本発明により発光素子の発光強度を増大できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の発光素子を説明する図。
【図２】本発明の発光装置を説明する図。
【図３】本発明の発光装置を説明する図。
【図４】本発明の電子機器を説明する図。
【図５】本発明の電子機器を説明する図。
【図６】本発明の電子機器を説明する図。
【図７】本発明の照明装置を説明する図。
【図８】本発明の照明装置を説明する図。
【図９】実施例２において作製した発光素子を説明する図。
【図１０】実施例２で作製した発光素子の電圧−輝度特性を示す図。
【符号の説明】
【００９７】
１００    基板
１０１    第１の電極
１０２    第１の絶縁層
１０３    発光層
１０４    第２の絶縁層
１０５    第２の電極
２００    基板
２０１    第１の電極
２０２    発光層
２０３    絶縁層
２０４    第２の電極
４００    テレビ装置
５０１    筐体
５０２    液晶層
５０３    バックライト
５０４    筐体
５０５    ドライバＩＣ
５０６    端子
６０１    ソース側駆動回路
６０２    画素部
６０３    ゲート側駆動回路
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    空間
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０    基板
６１１    スイッチング用ＴＦＴ
６１２    電流制御用ＴＦＴ
６１３    第１の電極
６１４    絶縁物
６１６    （発光材料を含む）層
６１７    第２の電極
６１８    発光素子
６２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
７０１    本体
７０２    表示部
７０３    操作スイッチ
７０４    表示部
７１０    本体
７１１    表示部
７１２    メモリ部
７１３    操作部
７１４    イヤホン
８０１    照明器具
８０２    照明器具
９５１    基板
９５２    第１の電極
９５３    絶縁層
９５４    隔壁層
９５５    （発光材料を含む）層
９５６    第２の電極
９１０１    筐体
９１０２    支持台
９１０３    表示部
９１０４    スピーカー部
９１０５    ビデオ入力端子
９２０１    本体
９２０２    筐体
９２０３    表示部
９２０４    キーボード
９２０５    外部接続ポート
９２０６    ポインティングマウス
９４０１    本体
９４０２    筐体
９４０３    表示部
９４０４    音声入力部
９４０５    音声出力部
９４０６    操作キー
９４０７    外部接続ポート
９４０８    アンテナ
９５０１    本体
９５０２    表示部
９５０３    筐体
９５０４    外部接続ポート
９５０５    リモコン受信部
９５０６    受像部
９５０７    バッテリー
９５０８    音声入力部
９５０９    操作キー
９５１０    接眼部
【図１】
2007265985.tif 000003
【図２】
2007265985.tif 000004
【図３】
2007265985.tif 000005
【図４】
2007265985.tif 000006
【図５】
2007265985.tif 000007
【図６】
2007265985.tif 000008
【図７】
2007265985.tif 000009
【図８】
2007265985.tif 000010
【図９】
2007265985.tif 000011
【図１０】
2007265985.tif 000012