(57)【要約】      （修正有）【課題】ペロブスカイト型酸化物に従来よりも少ない焼結助剤を用いて低い温度で焼成することにより、高誘電率な誘電体磁器及びその製造方法を提供する。【解決手段】前記焼結助剤は、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものであり、かつ、前記焼結助剤の含有量は、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量である。前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であり、前記焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであり、Ｂ、Ｌｉ及びＳｉの含有量が、前記ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して０．１〜４．０モル％である。【選択図】図１
2007137747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、焼結助剤を含有した焼結後の誘電体磁器において、前記焼結助剤は、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものであり、かつ、前記焼結助剤の含有量は、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量であることを特徴とする誘電体磁器。
【請求項２】
前記緻密化温度が１０８０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器。
【請求項３】
前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体磁器。
【請求項４】
前記焼結助剤が、Ｂ及びＬｉを含むものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘電体磁器。
【請求項５】
前記焼結助剤が、Ｂの一部をＳｉで置換したものであることを特徴とする請求項４に記載の誘電体磁器。
【請求項６】
ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、焼結助剤を含有した焼結後の誘電体磁器において、前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であり、前記焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであり、Ｂ、Ｌｉ及びＳｉの含有量が、前記ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して０．１〜４．０モル％であることを特徴とする誘電体磁器。
【請求項７】
前記ペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3は、Ａ-siteがＢａ、Ｓｒ、Ｃａ及びＰｂのうちから選ばれる一種以上の元素からなり、Ｂ-siteがＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆのうちから選ばれる一種以上の元素からなることを特徴とする請求項６に記載の誘電体磁器。
【請求項８】
Ｂの一部をＳｉで置換する割合は、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2に換算してＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比が９０％以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の誘電体磁器。
【請求項９】
前記焼結助剤中に含まれるＬｉの含有量は、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して（Ｂ2Ｏ3＋Ｌｉ2Ｏ＋ＳｉＯ2）の合計量１００モル％に対し、Ｌｉ2Ｏが１４〜６０モル％であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の誘電体磁器。
【請求項１０】
ペロブスカイト型酸化物を主成分とした原料化合物に焼結助剤を添加し、バインダーを混合して成形し、脱バインダーを行った後、焼成する誘電体磁器の製造方法において、前記焼結助剤として、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものを用い、かつ、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量の焼結助剤を添加することを特徴とする誘電体磁器の製造方法。
【請求項１１】
前記緻密化温度が１０８０℃以下であり、１０８０℃以下で焼成することを特徴とする請求項１０に記載の誘電体磁器の製造方法。
【請求項１２】
前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の誘電体磁器の製造方法。
【請求項１３】
前記焼結助剤が、Ｂ及びＬｉを含むものであることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の誘電体磁器の製造方法。
【請求項１４】
前記焼結助剤が、Ｂの一部をＳｉで置換したものであることを特徴とする請求項１３に記載の誘電体磁器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器、詳細には、少量の焼結助剤を添加して低温で焼成し緻密化した誘電体磁器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達及び普及に伴い、それらに使用する電子部品の材料として、誘電体磁器組成物の需要が増大しつつある。
従来、電子部品において、誘電体磁器組成物と導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等の内部導体を同時焼成する場合には、主成分であるペロブスカイト型酸化物に多量の焼結助剤（ガラス成分）を混合せしめて低温焼成化を達成していた（例えば、特許文献１及び２参照）。
【特許文献１】特開昭６３−２２４１０５号公報
【特許文献２】特開２００３−２６８２号公報
【０００３】
特許文献１に記載された誘電体磁器組成物は、ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、該主成分に対して、「ガラス成分を５重量％以上、４０重量％未満含み、該ガラス成分を一般式ａＬｉ2Ｏ・ｂＢａＯ・ｃＢ2Ｏ3・（１−ａ−ｂ−ｃ）ＳｉＯ2で表わした時、ａ、ｂ、ｃの値がモル比で夫々０≦ａ＜０．２５、０．１＜ｂ＜０．５、０．１＜ｃ＜０．５、０．３＜ａ＋ｂ＋ｃ＜０．８の範囲内で含まれる」ものであり、１０５０℃以下の低温で焼結させるためにガラス成分を多く含むので、誘電率は小さく、誘電損失が大きく、また、ガラス成分に含まれるＢａＯが、主成分のペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3のＡ-site／Ｂ-site比をずらし、結果として焼結性が悪くなるという問題があった。
【０００４】
特許文献２には、ペロブスカイト型酸化物等から選ばれる少なくとも一種のセラミックス粉末１００重量部に対して、「ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種を０〜３０重量％の割合で含み、上記成分の合計量が９５重量％以上であり、かつ軟化点が６００℃以下である低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有する」低温焼成磁器組成物の発明が記載され、「本発明の軟化点ガラスを用いた試料Ｎｏ．１〜９は、ガラス量が２０重量％以下であっても、いずれも１０５０℃以下の焼成温度で吸水率０．１％以下に緻密化されており、比誘電率が６．０〜１２０、Ｑ値が２０００以上の優れた誘電特性を有するものであった。」（段落［００４６］）と記載されているが、ペロブスカイト型酸化物に対しては、ガラス量を１０重量％以上で焼成しており比誘電率は低いものであった（表２）。また、特許文献２に記載された低温焼成磁器組成物は、低軟化点ガラスに含まれるアルカリ土類酸化物が、主成分のペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3のＡ-site／Ｂ-site比をずらし、結果として焼結性が悪くなるという問題があった。
【０００５】
ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、少量の焼結助剤（ガラス成分）を含有した誘電体磁器組成物も知られている（特許文献３参照）。
【特許文献３】特開平５−６７１０号公報
【０００６】
特許文献３に記載された発明は、「不純物としてのアルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％以下のＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し、Ｎｂ2Ｏ5を０．５〜３．０重量部、Ｃｏ2Ｏ3を０．１〜１．０重量部、ＭｎＯ2を０．０５〜０．５重量部、およびＢａＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2を主成分とする酸化物ガラスを０．０５〜２．０重量部含有する、誘電体磁器組成物。」であり、酸化物ガラスの含有量が少ないため、誘電率は大きく、誘電損失は小さいが、酸化物ガラスに含まれるＢａＯが、主成分ＢａＴｉＯ3のＢａ／Ｔｉ比をずらし、結果として焼結性が悪くなり、焼成温度は、１２００〜１２５０℃と高いものであった（表３）。
以上のように、従来の低温焼成技術では、焼成温度と誘電率がトレードオフの関係であり、高誘電率な誘電体材料を低温で焼成することができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記のような問題を解決しようとするものであり、ペロブスカイト型酸化物に従来よりも少ない焼結助剤を用いて低い温度で焼成することにより、高誘電率な誘電体磁器及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。
（１）ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、焼結助剤を含有した焼結後の誘電体磁器において、前記焼結助剤は、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものであり、かつ、前記焼結助剤の含有量は、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量であることを特徴とする誘電体磁器である。
（２）前記緻密化温度が１０８０℃以下であることを特徴とする前記（１）の誘電体磁器である。
（３）前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であることを特徴とする前記（１）又は（２）の誘電体磁器である。
（４）前記焼結助剤が、Ｂ及びＬｉを含むものであることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか一項の誘電体磁器である。
（５）前記焼結助剤が、Ｂの一部をＳｉで置換したものであることを特徴とする前記（４）の誘電体磁器である。
（６）ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、焼結助剤を含有した誘電体磁器において、前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であり、前記焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであり、Ｂ、Ｌｉ及びＳｉの含有量が、前記ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して０．１〜４．０モル％であることを特徴とする誘電体磁器。
（７）前記ペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3は、Ａ-siteがＢａ、Ｓｒ、Ｃａ及びＰｂのうちから選ばれる一種以上の元素からなり、Ｂ-siteがＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆのうちから選ばれる一種以上の元素からなることを特徴とする前記（６）の誘電体磁器である。
（８）Ｂの一部をＳｉで置換する割合は、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2に換算してＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比が９０％以下であることを特徴とする前記（６）又は（７）の誘電体磁器である。
（９）前記焼結助剤中に含まれるＬｉの含有量は、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して（Ｂ2Ｏ3＋Ｌｉ2Ｏ＋ＳｉＯ2）の合計量１００モル％に対し、Ｌｉ2Ｏが１４〜６０モル％であることを特徴とする前記（６）〜（８）のいずれか一項の誘電体磁器である。
（１０）ペロブスカイト型酸化物を主成分とした原料化合物に焼結助剤を添加し、バインダーを混合して成形し、脱バインダーを行った後、焼成する誘電体磁器の製造方法において、前記焼結助剤として、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものを用い、かつ、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量の焼結助剤を添加することを特徴とする誘電体磁器の製造方法である。
（１１）前記緻密化温度が１０８０℃以下であり、１０８０℃以下で焼成することを特徴とする前記（１０）の誘電体磁器の製造方法である。
（１２）前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ3の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であることを特徴とする前記（１０）又は（１１）の誘電体磁器の製造方法である。
（１３）前記焼結助剤が、Ｂ及びＬｉを含むものであることを特徴とする前記（１０）〜（１２）のいずれか一項の誘電体磁器の製造方法である。
（１４）前記焼結助剤が、Ｂの一部をＳｉで置換したものであることを特徴とする前記（１３）の誘電体磁器の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＢａＴｉＯ3に代表されるペロブスカイト型酸化物に従来よりも少ない焼結助剤を添加して１０８０℃以下の温度で焼成することにより、緻密化された誘電体磁器が得られるという効果を奏する。また、誘電率を低下させる焼結助剤の含有量が少ない誘電体磁器を使用して、優れた特性を有する電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明者は、ペロブスカイト型酸化物を焼成して誘電体磁器を製造する場合に、焼結助剤の添加量を変化させていくと、図１に示すように、焼結助剤の添加量が減少するにしたがって緻密化温度が上昇するが、一定量よりもさらに減少させると焼結助剤の添加量が減少するにしたがって緻密化温度が一旦低下し、再び上昇することを見出して本発明に到達した。
従来は、緻密化温度を、例えば１０８０℃以下に低下させるためには、上記一定量よりもかなり多い、例えば２０ｍｏｌ％以上といった焼結助剤を含有させなければならず、誘電率が低い誘電体磁器しか得られなかったが、本発明により、焼結助剤の含有量が上記一定量よりも少なくても、１０８０℃以下といった緻密化温度の低い領域にあるものを選択することができ、誘電率低下の原因となる焼結助剤を従来の半分から１／１０程度にまで減らすことができ、低温で焼成して高誘電率の誘電体磁器が得られるようになった。
【００１１】
また、本発明者は、従来の低温焼結方法では焼成過程において、焼結助剤の一部として添加したアルカリ土類がペロブスカイト型酸化物に固溶する、又はペロブスカイト型酸化物を成しているアルカリ土類が焼結助剤中に溶出することによる相互作用において、主成分のペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3のＡ-site／Ｂ-site比をずらし、結果として焼結性が悪くなっていることを見出した。本発明では、焼結体中に含まれているＡ-site成分及びＢ-site成分の総含有量を設計することで、主成分のペロブスカイト型酸化物のＡ-site／Ｂ-site比をずらすことなく、１０８０℃以下で焼成することを可能にしたものである。
【００１２】
主成分のペロブスカイト型酸化物ＡＢＯ3のＡ-site／Ｂ-site比は、０．９８〜１．０３の範囲とすることが好ましい。上記範囲を外れると１０８０℃以下で緻密化することが難しい。
ここで示すＡ-site成分及びＢ-site成分は、焼結体中に含まれている含有量のことであり、必ずしも主相を形成している必要はなく、二次相やガラス相として存在している分も含む。Ａ-siteとしては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ及びＰｂのうちから選ばれる一種以上の元素、Ｂ-siteとしては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆのうちから選ばれる一種以上の元素を採用することができる。ＢａＴｉＯ3、又は、Ｂａの一部をＣａ、Ｓｒで置換したもの、Ｔｉの一部をＺｒで置換したものが好ましい。
また、電気特性調整等のために希土類（Ｌａ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｙｂ等）やＭｇ、Ｍｎ、Ａｌ等を１種類以上添加して焼結性を確保することもできる。
【００１３】
焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであることが好ましく、焼結体（誘電体磁器）中におけるＢ、Ｌｉ及びＳｉの含有量は、主成分のペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して０．１〜４．０モル％であることが好ましい。上記範囲を外れると１０８０℃以下で緻密化することが難しい。
焼結助剤を４．０モルより多く添加すると、ＡＢＯ3から液相に溶解する際のＡ-site／Ｂ-site溶解度比を制御することが困難となり、ＡＢＯ3⇔液相間の溶解・再析出プロセスが上手く機能しなくなり、焼結体の誘電率が低下するにも関わらず焼結性も悪化するからである。
焼結助剤が０．１ｍｏｌ％より少ない場合、焼成時の液相成分が不十分となるために焼結性が悪化し、１０８０℃以下での焼結が困難となる。
【００１４】
Ｂの一部をＳｉで置換する場合、その割合は、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2に換算して焼結体（誘電体磁器）中においてＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比が９０％以下であることが好ましい。それ以上では１０８０℃以下で緻密化することが難しい。
【００１５】
焼結助剤中に含まれるＬｉの含有量は、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2に換算して（Ｂ2Ｏ3＋Ｌｉ2Ｏ＋ＳｉＯ2）の合計量１００モル％に対し、Ｌｉ2Ｏが１４〜６０モル％であることが好ましい。上記範囲を外れると１０８０℃以下で緻密化することが難しい。
【００１６】
本発明の誘電体磁器は、焼結助剤として、上記のような「一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するもの」を用い、ペロブスカイト型酸化物を主成分とした原料化合物に、前記一定量よりも少ない焼結助剤を添加し、バインダーを混合して成形し、脱バインダーを行った後、１０８０℃以下で焼成することにより製造することができる。
また、以下のような従来と同様な方法で、誘電体磁器組成物（セラミック誘電体層）と内部電極とを同時焼成することにより、積層セラミックコンデンサ等の電子部品を製造することができる。
【００１７】
セラミック誘電体層を形成する材料として、主成分であるＢａＴｉＯ3等のペロブスカイト型酸化物にＢ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ、又はＢ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2からなる焼結助剤を添加したもの、必要に応じ、さらにＬａ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｙｂ等の希土類化合物、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ等の化合物を添加したものを用意する。
焼結助剤は各成分を個別に添加するのではなく、先にガラス化して添加する方がより好ましい。この時、安定してガラス化させるために［００１２］及び［００１３］に規定した範囲を超えない範囲でペロブスカイト型酸化物を形成するＡ-site成分及び／又はＢ-site成分の一部をガラス中に固溶させても良い。
【００１８】
このように用意した材料に、バインダー、溶媒、その他添加剤を加えて、混練して、セラミック・スラリーを形成する。バインダーとしては、ポリビニルブチラール樹脂やポリビニルアルコール、アクリル酸ポリマー等を使用することができる。溶媒としては、エタノールやイソプロピルアルコール、水等を使用することができる。
得られたセラミック・スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの長尺のベース・フィルムに、ドクターブレード、ロールコータなどの塗布機を用いてシート状に塗布し、セラミック・グリーンシートを得る。
【００１９】
このセラミック・グリーンシートに、スクリーン印刷によって、導電ペーストを塗布し、内部電極金属層を形成する。この内部電極金属層の形成に用いる導電ペーストには、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属粉末をバインダーに分散したものを用いる。
【００２０】
内部電極金属層が形成されたセラミック・グリーンシートを、所定形状に打ち抜いて、これらを積み重ね、圧着してセラミック積層体を得る。この積層体を切断分割して、積層体チップとする。この積層体チップを加熱し、脱バインダーした後、焼成する。本発明においては、焼成を１０８０℃以下で行うことができる。
【００２１】
焼成後の積層体チップに導電ペーストを焼き付けることにより外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサを得る。また、未焼成の積層体チップに導電ペーストを塗布してセラミック誘電体層の焼成と同時に焼き付けるようにしてもよい。
【実施例１】
【００２２】
主成分であるペロブスカイト型酸化物として、Ａ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比が０．９９のＢａＴｉＯ3を用い、焼結助剤として、Ｂ2Ｏ3 ６３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2 ３ｍｏｌ％、Ｌｉ2Ｏ ３４ｍｏｌ％の組成のものを用い、焼結助剤の添加量（合計量）を表１に示す０．１２ｍｏｌ％（実験No.1-1）から４６．１７％（No.1-13）まで変化させて１３種類の試料を作製した。
ＢａＴｉＯ3にＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＬｉ2Ｏの混合物を添加した各試料は、バインダーとしてポリビニルアルコールを用いて成形し、４００℃で脱バインダーを行った後、焼成温度を変化させて焼成した。
【００２３】
Ａ-site／Ｂ-site比の測定は、ＸＲＦ分析装置を用いて行った。焼成後の試料をメノウ乳鉢にて粉砕し、試料の粒度や結晶構造等も測定Ｘ線強度に影響を与えるため、前処理としてそれらの要因を排除できるガラスビード法を採用した。試料を融剤と混合したものを白金るつぼ中で溶融しガラス状に成形した。融剤は測定元素を含まないものとして無水四ホウ酸リチウムを使用した。作成したガラスビードをＸＲＦ分析装置にかけ、検量線法を用いてＡ-site／Ｂ-site比を測定した。
【００２４】
上記のように焼成した試料について、焼成後の試料の吸水率が０．１％以下になった温度を緻密化温度（焼結温度）とした。吸水率は、ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準じて測定した。
焼結助剤の添加量と緻密化温度（焼結温度）の関係を表１及び図２に示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
表１及び図２より、ペロブスカイト型酸化物を、焼結助剤としてＢ、Ｌｉ及びＳｉを用いて焼成した場合、焼結助剤の添加量が９ｍｏｌ％（実験No.1-9）程度までは添加量が減少するにしたがって緻密化温度が１１３０℃まで上昇するが、焼結助剤の添加量が９ｍｏｌ％程度よりもさらに減少すると、減少するにしたがって緻密化温度が一旦低下して１０００℃以下になり、添加量が１．８５ｍｏｌ％（実験No.1-5）を超えると再び上昇することが確認された。
したがって、焼結助剤の添加量が９ｍｏｌ％よりも少ない領域で、例えば、緻密化温度を１０８０℃以下の低温とするためには、表１及び図２より、焼結助剤の添加量を０．２〜８％程度（実験No.1-2〜1-8）にすればよいことが分かる。なお、焼結助剤中のＢ、Ｌｉの両成分は、焼成により失われるので、焼結助剤の添加量は、後述する焼結体（低温焼成磁器組成物）中における含有量と一致しない。
【実施例２】
【００２７】
ＢａＴｉＯ3のＡ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比を０．９７（実験No.2-1）、０．９８（No.2-2）、０．９９（No.2-3）、１．００（No.2-4）、１．０１（No.2-5）、１．０２（No.2-6）、１．０３（No.2-7）、１．０４（No.2-8）とした試料を作製した。焼結助剤として、実験No.2-1〜No.2-4は、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＬｉ2Ｏ（焼結体中の合計含有量は、２．６３〜３．５３ｍｏｌ％）を用い、実験No.2-5〜No.2-8は、Ｂ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ（焼結体中の合計含有量は、１．３７〜２．２１ｍｏｌ％）を用いた。
焼結体中における焼結助剤の含有量は、焼成後の試料をメノウ乳鉢にて粉砕した後、酸分解法を用いて成分を溶出し、ＩＣＰ分析を用いて測定することで求めた。
焼結の〇×判定は、焼成後の試料の吸水率が０．１％以下のものを〇と判定した。吸水率は、ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準じて測定した。
上記の試料を実施例１と同様に成形し、焼成して、焼結温度（緻密化温度）を測定した結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
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【００２９】
表２より、Ａ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比が０．９８〜１．０３（実験No.2-2〜No.2-7）のＢａＴｉＯ3は、１０８０℃以下で焼結できるが、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９７（No.2-1）と小さすぎる場合や、１．０４（No.2-8）と大きすぎる場合は、１０８０℃以下で焼結できないことが分かる。したがって、Ａ-site／Ｂ-site比は、０．９８〜１．０３が好ましい。
【実施例３】
【００３０】
焼結体中における焼結助剤Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2（Ｂ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ）の含有量を、ＢａＴｉＯ3１００モル％に対し、０．５４ｍｏｌ％（実験No.3-1）、０．１８ｍｏｌ％（No.3-2）、０．６４ｍｏｌ％（No.3-3）、０．２３ｍｏｌ％（No.3-4）、０．１１ｍｏｌ％（No.3-5）、０．０８ｍｏｌ％（No.3-6）、３．２８ｍｏｌ％（No.3-7）、３．６４ｍｏｌ％（No.3-8）、３．９６ｍｏｌ％（No.3-9）、４．０５ｍｏｌ％（No.3-10）とした試料を作製した。ＢａＴｉＯ3のＡ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比は、０．９９（実験No.3-1、No.3-2、No.3-7〜No.3-10）、１．００（実験No.3-3〜No.3-6）とした試料を作製した。
上記の試料を実施例１と同様に成形し、焼成して、焼結温度（緻密化温度）を測定した結果を表３に示す。
【００３１】
【表３】
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【００３２】
表３より、焼結体中における焼結助剤の含有量が、０．１１ｍｏｌ％（No.3-5）〜３．９６ｍｏｌ％（No.3-9）のものは、１０８０℃以下で焼結できるが、焼結助剤が０．０８ｍｏｌ％（No.3-6）と少なすぎる場合や、４．０５ｍｏｌ％（No.3-10）と多すぎる場合は、１０８０℃以下で焼結できないことが分かる。したがって、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2（Ｂ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ）の含有量は、ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、０．１〜４．０モル％が好ましい。
【実施例４】
【００３３】
焼結体中におけるＢ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2の合計量３．６５ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが２．３５ｍｏｌ％（６４ｍｏｌ％）（実験No.4-1）、合計量２．８９ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが１．５９ｍｏｌ％（５５ｍｏｌ％）（No.4-2）、合計量２．１７ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが０．７３ｍｏｌ％（３４ｍｏｌ％）（No.4-3）、合計量３．０８ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが０．７３ｍｏｌ％（２４ｍｏｌ％）（No.4-4）、合計量３．１１ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが０．４５ｍｏｌ％（１４ｍｏｌ％）（No.4-5）、合計量３．５６ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが０．４５ｍｏｌ％（１３ｍｏｌ％）（No.4-6）、合計量０．１６ｍｏｌ％（１００ｍｏｌ％）に対し、Ｌｉ2Ｏが０．０３ｍｏｌ％（１９ｍｏｌ％）（No.4-7）とした試料を作製した。ＢａＴｉＯ3のＡ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比は、０．９９とした。ＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比は、実験No.4-1及びNo.4-2が９０％、No.4-3が８１％、No.4-4が５０％、No.4-5が４４％、No.4-6が３８％、No.4-７が９２％であった。
上記の試料を実施例１と同様に成形し、焼成して、焼結温度（緻密化温度）を測定した結果を表４に示す。
【００３４】
【表４】
2007137747.tif 000006
【００３５】
表４より、焼結助剤中に含まれるＬｉ2Ｏの含有量は、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2の合計量１００モル％に対し、Ｌｉ2Ｏが１４〜５５モル％（実験No.4-5〜No.4-2）であるのものは、１０８０℃以下で焼結できるが、１３ｍｏｌ％と少なすぎる場合（No.4-6）や、６４ｍｏｌ％（No.4-1）と多すぎる場合は、１０８０℃以下で焼結できないことが分かる。したがって、焼結助剤中に含まれるＬｉ2Ｏの含有量は、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2の合計量１００モル％に対し、１４〜６０モル％が好ましい。
また、ＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比が９２％（No.4-７）の場合も、１０８０℃以下で焼結できなかった。したがって、ＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比は９０％以下が好ましい。
【実施例５】
【００３６】
焼結体中における焼結助剤Ｂ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏの合計量を０．９８ｍｏｌ％、Ｌｉ2Ｏを０．４０ｍｏｌ％（合計量に対し４１％）とし、主成分であるペロブスカイト型酸化物のＡ-site／Ｂ-site比を１．００とし、ＢａＴｉＯ3（実験No.5-1）の代わりに、（Ｂａ0.8Ｃａ0.2）ＴｉＯ3（No.5-2）、（Ｂａ0.8Ｓｒ0.2）ＴｉＯ3（No.5-3）、Ｂａ（Ｔｉ0.7Ｚｒ0.3）Ｏ3（No.5-4）を用いた試料を作製した。
上記の試料を実施例１と同様に成形し、焼成して、焼結温度（緻密化温度）を測定した結果を表５に示す。
【００３７】
【表５】
2007137747.tif 000007
【００３８】
表５より、主成分であるペロブスカイト型酸化物の組成によらず、１０８０℃以下で焼結できることが分かる。
【実施例６】
【００３９】
ＢａＴｉＯ3のＡ-site／Ｂ-site（Ｂａ／Ｔｉ）比を１．００とし、焼結体中における焼結助剤Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2の合計量を１．６３ｍｏｌ％、Ｌｉ2Ｏを０．５５ｍｏｌ％（合計量に対し３４％）、ＳｉＯ2／（Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2）の比を８１％とし、その他の成分を添加しない試料（実験No.6-1）、その他の添加成分として、Ｈｏ2Ｏ3：０．２５（実験No.6-2）、Ｄｙ2Ｏ3：０．２５（No.6-2）、Ｙｂ2Ｏ3：０．２５（No.6-3）、Ｙ2Ｏ3：０．２５（No.6-4）、ＭｇＯ：０．５（No.6-5）、ＭｎＯ：２．０（No.6-6）、Ｈｏ2Ｏ3：０．２５／ＭｎＯ：０．５（No.6-7）、Ｄｙ2Ｏ3：０．２５／ＭｎＯ：０．５（No.6-8）、Ｙｂ2Ｏ3：０．２５／ＭｎＯ：０．５（No.6-9）、ＭｇＯ：０．３／Ｌａ2Ｏ3：０．３／ＭｎＯ：０．３（No.6-10）、Ａｌ2Ｏ3：０．３／ＭｎＯ：０．３（No.6-11）を添加した試料を作製した。
上記の試料を実施例１と同様に成形し、焼成して、焼結温度（緻密化温度）を測定した結果を表６に示す。
【００４０】
【表６】
2007137747.tif 000008
【００４１】
表６より、主成分のペロブスカイト型酸化物に希土類、Ｍｎ、Ｍｇ、Ａｌ等の化合物を添加した場合でも、１０８０℃以下で焼結できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】焼結助剤の添加量の本発明の領域を示す概略図である。
【図２】焼結助剤の添加量と緻密化温度（焼結温度）の関係を示す図である。
【図１】
2007137747.tif 000009
【図２】
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