(57)【要約】【課題】基板側における光の反射率の経時的な変化を抑制するとともに、発光素子近傍の反射率を従来よりも向上させる。【解決手段】実装面上にＬＥＤチップ２を搭載するとともに基板４に搭載され、実装面上にＬＥＤチップ２と電気的に接続されるサブマウント配線部３ａが形成される板状のサブマウント３を備え、サブマウント３のサブマウント配線部３ａはＬＥＤチップ２の搭載部と離隔して形成され、サブマウント３の搭載部はサブマウント３のサブマウント配線部３ａよりもＬＥＤチップ２から放射される光の反射率が高くなるよう構成される。【選択図】図２
2007324204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンの基板配線部が形成された基板と、
前記基板上に配置される実装面を有するサブマウントと、
前記サブマウントの前記実装面に実装され、前記配線部と接続手段を介して電気的に接続される電極を有する発光素子と、を備え、
前記サブマウントは、前記発光素子の出射光に対する反射率が前記配線部の前記出射光に対する反射率より大きい材質によって構成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記サブマウントはアルミナからなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記サブマウントは、前記基板配線部と絶縁され前記発光素子の搭載部と離隔して形成されるサブマウント配線部を有し、
前記接続手段は、前記発光素子の前記電極と前記サブマウント配線部とを接続する第１接続手段と、前記サブマウント配線部と前記基板配線部とを接続する第２接続手段と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記サブマウント配線部は、前記サブマウントの所定方向について両端側に対をなして形成されることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１接続手段は、前記発光素子の前記電極と前記サブマウント配線部とを直接接続するワイヤを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２接続手段は、前記サブマウントを上下に貫通し導電性部材が充填されたビアであり、
前記第１接続手段の前記ワイヤが、前記サブマウント配線部における前記第２接続手段の前記ビアの真上に接続されることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記サブマウントにおける前記発光素子の搭載部に、上下に貫通するサーマルビアが形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板は、ＦＲ−４基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に発光素子が搭載される発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置のバックライト光源として、発光素子の電極と基板の配線部をワイヤにより直接接続するチップオンボード（ＣＯＢ）の発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置では、発光素子として複数のＬＥＤチップが基板上に配置され、複数のＬＥＤチップを封止するために封止樹脂層が形成される。この種の発光装置は、一般に、金の表層を有する配線部が基板の実装面に形成され、各ＬＥＤチップは配線部に搭載される。基板としては、ガラスエポキシ樹脂を基材とする汎用的なＦＲ−４基板が用いられ、基板表面にはソルダーレジスト層が配される。
【０００３】
ここで、ガラスエポキシ樹脂は白色に近いため、基板はソルダーレジストの色に染まることとなる。ソルダーレジストの色として緑色が一般的であるが、基板の反射率を高める場合にはソルダーレジストは、塗料の混入によって白色とされる。
【０００４】
また、ＬＥＤチップをフリップチップ実装により基板に搭載するものも知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の発光装置においても、ＬＥＤチップは基板上の配線部に搭載されている。基板としてはセラミック基板が用いられる。
【特許文献１】特開平７−１９１３１１号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、ＬＥＤの光の反射率が基板のソルダーレジスト層及び配線部の材質に依存している。これにより、ＬＥＤの光、熱等に起因してソルダーレジスト層が劣化すると基板側の光の反射特性が変化してしまう。従って、装置の使用に伴って明るさが経時的に変化することは避けられない。例えば、ソルダーレジスト層が白色の場合は、ＬＥＤから放射される光、熱等により黄色に変色して所期の光量が得られなくなる。
【０００６】
また、特許文献１及び２に記載の発光装置では、基板の配線部に発光素子が搭載されているので、配線部における光の反射率の影響が大きい。この場合、配線に用いられる材質により反射率が決まってしまうことから、配線部の反射率を向上させることが困難である。従って、配線に用いられる材質に左右されずに発光素子近傍の反射率を向上させる構造がのぞまれている。
【０００７】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板側における光の反射率の経時的な変化を抑制するとともに、発光素子近傍の反射率を従来よりも向上させることのできる発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明では、
所定のパターンの基板配線部が形成された基板と、
前記基板上に配置される実装面を有するサブマウントと、
前記サブマウントの前記実装面に実装され、前記配線部と接続手段を介して電気的に接続される電極を有する発光素子と、を備え、
前記サブマウントは、前記発光素子の出射光に対する反射率が前記配線部の前記出射光に対する反射率より大きい材質によって構成されることを特徴とする発光装置が提供される。
【０００９】
この発光装置によれば、サブマウントにより基板の実装面が覆われているので、発光素子から放射される光はサブマウントにて反射し基板の実装面に直接的に入射することはない。これにより、発光素子から放射される光、熱等による基板の実装面の劣化が抑制される。ここで、サブマウントは基板と独立しており、サブマウントの材質を任意に選択することができるので、サブマウントとして基板の実装面の材質よりも発光素子の光、熱等により変質し難い材質を選定することができる。
そして、サブマウントは基板配線部よりも光の反射率が高いので、発光素子が基板配線部に搭載されるものよりも発光素子近傍の反射率が高くなっており、従来よりも光の反射率が向上する。
さらに、発光素子が搭載された状態でサブマウントを基板に搭載することとなるため、発光素子を基板に直接搭載する場合よりも、搭載パッケージを大きくすることができ、搭載パッケージの取り扱いが容易である。
【００１０】
また、上記発光装置において、
前記サブマウントはアルミナからなることが好ましい。
【００１１】
この発光装置によれば、サブマウントの実装面はアルミナであり、発光素子から放射される光の全波長領域にわたって比較的高い反射率を有している。アルミナは、基板の実装面をなすエポキシ樹脂等に比して耐熱性等が高く、発光素子から放射される光、熱により劣化することはない。
【００１２】
また、上記発光装置において、
前記サブマウントは、前記基板配線部と絶縁され前記発光素子の搭載部と離隔して形成されるサブマウント配線部を有し、
前記接続手段は、前記発光素子の前記電極と前記サブマウント配線部とを接続する第１接続手段と、前記サブマウント配線部と前記基板配線部とを接続する第２接続手段と、を有することが好ましい。
【００１３】
この発光装置によれば、発光素子の電極と基板配線部とは、第１接続手段、サブマウント配線部、第２接続手段を介して電気的に接続される。
【００１４】
また、上記発光装置において、
前記サブマウントの前記配線部は、該サブマウントの所定方向について両端側に対をなして形成される構成が好ましい。
【００１５】
この発光装置によれば、発光素子はサブマウントの中央部に搭載され、発光素子の２つの電極と各配線部とが電気的に接続される。
【００１６】
また、上記発光装置において、
前記第１接続手段は、前記発光素子の前記電極と前記サブマウント配線部とを直接接続するワイヤを含むことが好ましい。
【００１７】
この発光装置によれば、ワイヤにより発光素子の電極とサブマウント配線部とが直接接続されるチップオンボードの構成がとられる。
【００１８】
また、上記発光装置において、
前記第２接続手段は、前記サブマウントを上下に貫通し導電性部材が充填されたビアであり、
前記第１接続手段の前記ワイヤが、前記サブマウント配線部における前記第２接続手段の前記ビアの真上に接続されることが好ましい。
【００１９】
この発光装置によれば、ビアの真上にワイヤを接続することにより、サブマウント配線部の面積を小さくすることができ、サブマウントの反射率を効率良く大きくすることができる。
【００２０】
また、上記発光装置において、
前記サブマウントにおける前記発光素子の搭載部分に、上下に貫通するサーマルビアが形成されることが好ましい。
【００２１】
この発光装置によれば、発光素子の熱がサーマルビアを通じて放出されることから、発光素子の放熱性能が増して、発光素子の信頼性が向上する。
【００２２】
また、上記発光装置において、
前記基板は、ＦＲ−４基板であることが好ましい。
【００２３】
この発光装置によれば、汎用的なＦＲ−４基板を用いることで、特殊な基板を用いることなく装置を構成することができ、実用に際して極めて有利である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基板の実装面と発光素子との間にサブマウントを介在しているので、基板の実装面の劣化により発光素子から放射される光の反射率が変化することはない。また、サブマウントにおける発光素子の搭載部について所定の光の反射率を確保することができる。従って、基板側における発光素子の光の反射率の経時的な変化を抑制するとともに、発光素子近傍の反射率を従来よりも向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１から図４は本発明の一実施形態を示すもので、図１は発光装置の概略外観斜視図である。
【００２６】
図１に示すように、発光装置１は、複数のＬＥＤチップ２と、各ＬＥＤチップ２を搭載するサブマウント３と、サブマウント３を搭載する樹脂製の基板４と、を備えている。各ＬＥＤチップ２はサブマウント３とともに基板４から突出するレンズ部５により覆われている。この発光装置１は、液晶表示装置のバックライト光源として用いられる。
【００２７】
ＬＥＤチップ２は、例えば窒化ガリウム系の発光層を有し、青色に発光する。図２に示すように、ＬＥＤチップ２は、サブマウント３とともに黄色蛍光体が含まれるシリコン系、エポキシ系等の封止部材６により封止されている。黄色蛍光体としては、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）系、ＢＯＳ（Barium ortho-Silicate）系等の蛍光体が用いられる。黄色蛍光体によりＬＥＤチップ２から放射される光の一部が黄色に変換され、青色と黄色を組み合わせた結果、白色にて発光するようになっている。この封止部材６の表面が半球状のレンズ部５をなしている。
【００２８】
図２は封止樹脂を省略して図示した発光装置の一部拡大斜視図である。
サブマウント３は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなり、白色を呈するとともに多孔質で、略正方形の板状に形成されている。具体的に、サブマウント３の厚さ寸法は１００μｍ〜３００μｍであり、サブマウント３の一辺の寸法は５００μｍ〜１５００μｍである。サブマウント３の上面の中央にＬＥＤチップ２が搭載され、ＬＥＤチップ２の搭載部と離隔してサブマウント配線部３ａ，３ｂが形成されている。本実施形態においては、ＬＥＤチップ２の電極２ａ，２ｂとサブマウント３のサブマウント配線部３ａ，３ｂとがワイヤ７により直接接続される構成をとっている。このワイヤ７がＬＥＤチップ２の電極２ａ，２ｂとサブマウント配線部３ａ，３ｂとを接続する第１接続手段をなしている。この結果、ＬＥＤチップ２の真下にはアルミナが位置している。サブマウント配線部３ａ，３ｂの表層は金からなり、サブマウント３の上面の所定方向について両端側に対をなして形成される。
【００２９】
図３は発光装置の一部概略断面図である。
図３に示すように、サブマウント３は、上面のサブマウント配線部３ａ，３ｂから下面まで上下に貫通し導電性部材が充填されたビア３ｃ，３ｄを有する。このビア３ｃ，３ｄが、サブマウント配線部３ａ，３ｂと基板配線部４ｂ，４ｃとを接続する第２接続手段をなしている。すなわち、ＬＥＤチップ２の電極２ａ，２ｂと基板配線部４ｂ，４ｃとは、ワイヤ７、サブマウント配線部３ａ，３ｂ、ビア３ｃ，３ｄを介して電気的に接続される。ここで、ワイヤ７は、サブマウント配線部３ａ，３ｂにおけるビア３ｃ，３ｄの真上に接続されている。ビア３ｃ，３ｄは、例えば、Ａｇ−Ｐｔ、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ等が用いられる。ビア３ｃ，３ｄは直径１００μｍ〜３００μｍに形成され、好ましくは１５０μｍである。尚、ビア３ｃ，３ｄの直径が５０μｍ以上であれば、ワイヤ７による接続が可能である。さらに、サブマウント３は、下面の所定方向について両端側に対をなして形成される配線部３ｅ，３ｆを有する。この配線部３ｅ，３ｆがはんだにより基板４の基板配線部４ｂに接続される。
【００３０】
基板４は、最外層にソルダーレジスト層４ａが配されたＦＲ−４基板である。本実施形態においては、ソルダーレジスト層４ａは白色に着色されている。基板４の実装面は、ソルダーレジスト層４ａの領域と、ＬＥＤチップ２に電力を供給するための基板配線部４ｂ，４ｃが形成される領域と、に大別される。
【００３１】
基板４の基板配線部４ｂ，４ｃの表層は金からなり所定方向へ延びる。基板配線部４ｂ，４ｃは、サブマウント３の搭載部分における所定方向中央にて分断されており、この分断領域を跨ぐようにサブマウント３が基板４に実装される。サブマウント３のサブマウント配線部３ｅ，３ｆがそれぞれ基板配線部４ｂ，４ｃに接続され、基板４側の通電制御によりＬＥＤチップ２が発光する。
【００３２】
サブマウント３と基板４は、接着剤８により接着される。接着剤８は、例えば、エポキシ系、シリコーン系の樹脂からなる。
【００３３】
以上のように構成された発光装置１では、サブマウント３により基板４の実装面が覆われているので、ＬＥＤチップ２から放射される光はサブマウント３にて反射し、基板４の実装面に直接的に入射することはない。これにより、ＬＥＤチップ２から放射される光、熱等による基板４の実装面の劣化が抑制される。
【００３４】
また、サブマウント３の実装面がアルミナであり、基板４の実装面をなすエポキシ樹脂等に比して耐熱性等が高く、ＬＥＤチップ２から放射される光、熱により劣化することはない。そして、サブマウント３の配線部３ｂがＬＥＤチップ２の搭載部と離隔し、サブマウント３の搭載部は配線部３ｂ，３ｃよりも光の反射率が高いので、ＬＥＤチップ２が配線部３ｂ，３ｃに搭載されるものよりもＬＥＤチップ２近傍の反射率が高くなっており、従来よりも光の反射率が向上する。
【００３５】
さらに、ＬＥＤチップ２が搭載された状態でサブマウント３を基板４に搭載することとなるため、ＬＥＤチップ２を基板４に直接搭載する場合よりも、搭載パッケージを大きくすることができ、搭載パッケージの取り扱いが容易である。
【００３６】
従って、本実施形態の発光装置１によれば、基板４の実装面とＬＥＤチップ２との間にサブマウント３を介在させているので、基板４の実装面の劣化によりＬＥＤチップ２から放射される光の反射率が変化することはない。また、サブマウント３の実装面がアルミニウムであることから、反射率が良好である。従って、基板４側におけるＬＥＤチップ２の光の反射率の経時的な変化を抑制するとともに、ＬＥＤチップ２近傍の反射率を従来よりも向上させることができる。
【００３７】
また、従来は基板４の配線パターン等により反射率が定まってしまい反射率の調整が困難であったが、本実施形態の発光装置１によれば、サブマウント３の実装面の面積を変更することにより反射率を調整することができる。
【００３８】
さらに、ビア３ｃ，３ｄの真上にワイヤ７を接続することにより、サブマウント配線部３ａ，３ｂの面積を小さくすることができ、サブマウント３の反射率を効率良く大きくすることができる。
【００３９】
また、サブマウント３の上面が白色を呈していることから、ＬＥＤチップ２から基板４側へ放射された光の反射率が良好である。これにより、ＬＥＤチップ２の光量を無駄なく利用することができる。
【００４０】
また、サブマウント３を多孔質材とし、サブマウント３側における接着剤８との接触面積が比較的大きいことから、接着剤８の接着力を大きくすることができる。これにより、接着力や濡れ性が比較的小さい接着剤８を用いたとしても、サブマウント３と基板４とを強固に接着することができる。
【００４１】
また、基板４として汎用的なＦＲ−４基板を用いることにより、セラミック基板のような特殊な基板を用いることなく装置を構成することができ、実用に際して極めて有利である。
【００４２】
また、発光素子として青色のＬＥＤチップ２を用いるとともにサブマウント３としてアルミナを用いたことから、光の反射率が良好である。ここで、図４は光の波長と反射率との関係を示すグラフである。図４には、金メッキとアルミナのグラフを図示している。図４に示すように、金は光の波長により反射率が変化するところ、アルミナでは波長によらず反射率が略一定である。具体的に、金は４８０ｎｍよりも低波長の光について反射率が４０％を下回っており、４６０ｎｍ付近の青色の発光波長では高い反射率を得ることはできない。これに対し、アルミニウムは波長によらず反射率が８０％超で一定である。
【００４３】
このように、アルミナの反射率は、光の波長領域によらずほぼ一定であるので、特定の波長で反射率が悪化するようなことはない。さらに、アルミナは樹脂等に比して耐熱性等が高く、光の反射率が経時的に変化することはない。
【００４４】
尚、前記実施形態においては、サブマウント３について上下を貫通するビア３ｃ，３ｄが各サブマウント配線部３ａ，３ｂ，３ｅ，３ｆを導通するもののみであるものを示したが、例えば、放熱用のサーマルビアを形成したものであってもよい。図５及び図６は本発明の変形例を示すもので、図５はサブマウントの外観斜視図、図６はサブマウントの断面図である。
【００４５】
前記実施形態と同様に、このサブマウント１３は、アルミナからなり、白色を呈するとともに多孔質で、略正方形の板状に形成されている。図５に示すように、サブマウント１３のＬＥＤチップ２の搭載部分には放熱部１４が設けられる。図６に示すように、放熱部１４は、サブマウント１３の上面に略円形に形成される上面部１４ａと、下面に略円形に形成される下面部１４ｃと、上面部１４ａ及び下面部１４ｃと接続しサブマウント１３を上下に貫通するサーマルビア１４ｂと、を有している。ここで、具体的なサブマウント１３の外形形状及び寸法は前記実施形態と同様である。また、上面のサブマウント配線部３ａ，３ｂ、ビア３ｃ，３ｄ及び下面のサブマウント配線部３ｅ，３ｆの形成状態についても前記実施形態と同様である。
【００４６】
放熱部１４の上面部１４ａ及び下面部１４ｃは、上面のサブマウント配線部３ａ，３ｂ及び下面のサブマウント配線部３ｅ，３ｆと同様に表層が金により構成され、各サブマウント配線部３ａ，３ｂ，３ｅ，３ｆと同じ工程で形成される。また、放熱部１４のサーマルビア１４ｂは、ビア３ｃ，３ｄと同様の部材により構成され、ビア３ｃ，３ｄと同じ工程で形成される。すなわち、サブマウント１３は、第１の実施形態のサブマウント３と同様の製造工程で製造される。ここで、サーマルビア１４ｂの直径は１００μｍである。
【００４７】
このサブマウント１３を用いて発光装置１を構成した場合、発光時にＬＥＤチップ２にて生じた熱を放熱部１４から逃がすことができる。ここで、サブマウント１３の製造時に工程が増えるわけでないので、製造工数等が増大することはなく、サーマルビア１４ｂを設けることにより製造コストが過度に嵩むようなことはない。
【００４８】
また、例えば、図７に示すように、サブマウント１３における放熱部１４の上面部１４ａに接着剤２５を印刷してもよい。この接着剤２５は、放熱部１４の上面部１４ａよりもＬＥＤチップ２の光の反射率が高い金属、セラミック等が含有されていることが好ましい。例えば、放熱部１４の上面部１４ａとして金を用いるのであれば、接着剤２５に二酸化チタンを含有させて白色に着色する構成が好ましい。これにより、放熱部１４を形成することによる反射率の低下を抑制することができる。
【００４９】
また、この接着剤２５は、ガラス繊維を含有することが好ましい。この場合、ガラス繊維が補強材として作用する為に接着強度が向上する。また、ガラス繊維は熱伝導性に優れているので接着剤２５として樹脂を用いても放熱性能が損なわれることはない。
【００５０】
また、前記実施形態においては、フェイスアップの状態でＬＥＤチップ２がサブマウント３に搭載されるものを示したが、図８に示すように、フリップチップ搭載用アダプタ３９をサブマウント３とＬＥＤチップ３２の間に介在させることにより、ＬＥＤチップ３２をフリップチップ実装することも可能である。搭載用アダプタ３９の電極３９ａ，３９ｂとサブマウント配線部３ａ，３ｂとは前記実施形態と同様にワイヤ７により電気的に接続される。この場合、ＬＥＤチップ３２の光の主取出面が上面となることから、基板４の実装面の劣化を抑制することができる。
【００５１】
また、前記実施形態においては、サブマウント３がアルミナであるものを示したが、サブマウント３は、例えばジルコニウムのような他のセラミックであってもよい。この場合、白色のジルコニウムを用いることにより、前記実施形態と同様に光の反射率を高くすることができる。
【００５２】
また、前記実施形態においては、基板２として難燃性がＦＲ−４のものを示したが、基板２は、例えばＦＲ−５であってもよい。
【００５３】
また、前記実施形態においては、発光素子として青色光のＬＥＤチップ２を用いたものを示したが、発光素子として例えば、赤色光、緑色光、紫外光等のＬＥＤチップを用いてもよい。また、封止部材６の材質についても任意であり、例えば、封止樹脂６を蛍光体を含まない透明樹脂とし、ＬＥＤチップ２の発光色で発光装置１が発光するようにしてもよい。
【００５４】
また、前記実施形態においては、１つのサブマウント３に１つのＬＥＤチップ２が搭載されるものを示したが、１つのサブマウント３に複数のＬＥＤチップ２が搭載されるようにしてもよいことは勿論である。
【００５５】
また、前記実施形態においては、サブマウント３にサブマウント配線部３ａ，３ｂを形成したものを示したが、例えば図９に示すように、サブマウント３に配線部３ａ，３ｂを形成することなく、ＬＥＤチップ２の電極２ａ，２ｂと基板４の基板配線部４ｂ，４ｃとを直接接続するようにしてもよい。図９では、ワイヤ１７によりＬＥＤチップ２の電極２ａ，２ｂと基板４の基板配線部４ｂ，４ｃとが直接接続され、ワイヤ１７が電極２ａ，２ｂと基板配線部４ｂ，４ｃを接続する接続手段をなしている。
【００５６】
また、発光素子としてＬＥＤでなく例えばＬＤを用いてもよく、発光素子の数、配置状態についても任意であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態を示す発光装置の概略外観斜視図である。
【図２】封止樹脂を省略して図示した発光装置の一部拡大斜視図である。
【図３】発光装置の一部概略断面図である。
【図４】光の波長と反射率との関係を示すグラフである。
【図５】変形例を示すサブマウントの外観斜視図である。
【図６】変形例を示すサブマウントの断面図である。
【図７】変形例を示すサブマウントの外観斜視図である。
【図８】変形例を示す封止樹脂を省略して図示した発光装置の一部拡大斜視図である。
【図９】変形例を示す封止樹脂を省略して図示した発光装置の一部拡大斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１          発光装置
２          ＬＥＤチップ
２ａ        電極
３          サブマウント
３ａ        サブマウント配線部
３ｂ        サブマウント配線部
３ｃ        ビア
３ｄ        ビア
３ｅ        サブマウント配線部
３ｆ        サブマウント配線部
４          基板
４ａ        ソルダーレジスト層
４ｂ        配線部
４ｃ        配線部
５          レンズ部
６          封止樹脂
７          ワイヤ
８          接着剤
１１        発光装置
１３        サブマウント
１４        放熱部
１４ａ      上面部
１４ｂ      サーマルビア
１４ｃ      下面部
２３        サブマウント
２５        接着剤
３２        ＬＥＤチップ
３９        フリップチップ搭載用アダプタ
【図１】
2007324204.tif 000003
【図２】
2007324204.tif 000004
【図３】
2007324204.tif 000005
【図４】
2007324204.tif 000006
【図５】
2007324204.tif 000007
【図６】
2007324204.tif 000008
【図７】
2007324204.tif 000009
【図８】
2007324204.tif 000010
【図９】
2007324204.tif 000011