(57)【要約】 【課題】光照射を受けたことで液晶分子がラジカル化等により活性化した場合にも、当該液晶分子を安定化させ、分子間反応や他の材料との反応を防止ないし抑制させることが可能な液晶組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶組成物は、液晶材料と、ラジカル捕捉剤とを含んでなることを特徴とし、当該液晶組成物により液晶装置の液晶層５０を構成した。【選択図】図３
2007137986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶材料と、
前記液晶材料を構成する液晶分子がラジカル化した場合に、当該ラジカル化した液晶分子を安定化させるラジカル捕捉剤と、を含んでなることを特徴とする液晶組成物。
【請求項２】
前記ラジカル捕捉剤がフラーレンであることを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
前記フラーレンがＣ６０であることを特徴とする請求項２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
前記液晶材料及び前記ラジカル捕捉剤に加えて、共役系分子構造を有する有機成分を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項５】
前記液晶材料及び前記ラジカル捕捉剤に加えて、環状分子構造を有する有機成分を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項６】
液晶材料と、ラジカル捕捉剤とを含む液晶組成物の製造方法であって、
ラジカル捕捉剤を有機液体に分散ないし溶解させる工程と、
前記ラジカル捕捉剤が分散ないし溶解された有機液体と、液晶材料とを混合する工程と、を含むことを特徴とする液晶組成物の製造方法。
【請求項７】
互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備える液晶装置であって、
前記液晶層が請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶組成物を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
光源と、前記光源からの光を変調する液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えるプロジェクタであって、
前記液晶装置が、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備え、前記液晶層が請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶組成物を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物、液晶組成物の製造方法、液晶装置、プロジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶組成物としてフッ素元素等のハロゲン元素を含む液晶化合物を主体として構成されたものがある。このような液晶組成物は、粘度が低く、比抵抗値が高いため、特にアクティブマトリックス駆動用の液晶装置に適している。具体的には、液晶層が一対の基板間に挟持されてなる液晶装置に対して、当該液晶層を上記液晶組成物から構成し、この液晶装置を液晶プロジェクタに搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−４９８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、フッ素元素等のハロゲン元素を含む液晶化合物を主体とする液晶組成物は、例えば過度の光照射（特に短波長の青色光照射）によりラジカル化し、分子間で反応を生じたり、配向膜との間で反応を生じたりする。このような反応が生じると、液晶の配向不良が生じ、上記液晶プロジェクタや直視型表示装置において表示不良が発生する場合がある。そして、液晶プロジェクタのように高輝度化及び小型化が進み、単位面積当たりの光強度が益々高まる状況下では、上記のような液晶分子のラジカル化に起因する表示不良発生の問題は一層深刻なものとなってきている。
【０００４】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、光照射を受けたことで液晶分子がラジカル化等により活性化した場合にも、当該液晶分子を安定化させ、分子間反応や他の材料との反応を防止ないし抑制させることが可能な液晶組成物及びその製造方法を提供することを目的としている。また、特に当該液晶組成物を用いることにより、液晶の配向不良が生じ難く、ひいては表示不良の生じ難い液晶装置、さらには当該液晶装置を備えたプロジェクタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の液晶組成物は、液晶材料と、前記液晶材料を構成する液晶分子がラジカル化した場合に、当該ラジカル化した液晶分子を安定化させるラジカル捕捉剤と、を含んでなることを特徴とする。このような液晶組成物は、例えば光照射等を受けて液晶材料を構成する液晶分子がラジカル化した場合にも、当該ラジカルを捕捉して、液晶分子を安定化させることが可能となる。その結果、液晶分子間で反応が生じたり、他の材料を構成する分子との間で反応が生じたりする問題が殆ど生じないものとなる。
【０００６】
前記ラジカル捕捉剤としては特にフラーレンを用いることが好ましい。フラーレンは液晶材料に好適に分散し、捕捉作用も強いため、当該液晶材料の安定化効果を一層顕著に発現することができる。また、フラーレンは自身が安定な状態のままで捕捉作用を示すため、当該フラーレンが液晶材料の配向性等に不具合を及ぼすことも殆どない。なお、フラーレンの中でも特にＣ６０を用いることが好ましい。液晶材料に対する分散性が特に高いからである。
【０００７】
また、本発明の液晶組成物は、前記液晶材料及び前記ラジカル捕捉剤に加えて、共役系分子構造を有する有機成分を含むものとすることができる。また、環状分子構造を有する有機成分を含むものとすることもでき、当該環状分子構造を有する有機成分は共役系分子構造を有するものであっても良い。このような有機成分は、液晶材料とラジカル捕捉剤との分散媒として寄与し、液晶材料中におけるラジカル捕捉剤の分散性が一層向上することとなる。
【０００８】
次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶組成物の製造方法は、液晶材料と、ラジカル捕捉剤とを含む液晶組成物の製造方法であって、ラジカル捕捉剤を有機液体に分散ないし溶解させる工程と、前記ラジカル捕捉剤が分散ないし溶解された有機液体と、液晶材料とを混合する工程と、を含むことを特徴とする。このような製造方法の採用により、液晶材料中にラジカル捕捉剤を好適に分散させることができるようになる。その結果、ラジカル捕捉剤の凝集による色付きの発生や、捕捉が十分に発現されない等の問題が生じ難いものとなる。
【０００９】
次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備える液晶装置であって、前記液晶層が上述した液晶組成物を備えることを特徴とする。このような液晶装置によると、液晶層に高エネルギーの光が入射し、当該液晶層の液晶分子がラジカル化した場合にも、ラジカル捕捉剤によりラジカル化した液晶分子を安定化することが可能なため、液晶分子間の反応や配向膜との反応が生じ難く、それに伴う配向不良も生じ難いものとなる。その結果、液晶配向不良に基づく表示不良も生じ難いものとなる。
【００１０】
次に、上記課題を解決するために、本発明のプロジェクタは、光源と、前記光源からの光を変調する液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えるプロジェクタであって、前記液晶装置が、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持された構成を備え、前記液晶層が上述した液晶組成物を備えることを特徴とする。このようなプロジェクタによると、光源の輝度を高めた場合にも、光変調手段たる液晶装置にはラジカル捕捉剤が含まれるため、表示不良が生じ難い。つまり、液晶装置の液晶層に高エネルギーの光が入射し、当該液晶層の液晶分子がラジカル化した場合にも、ラジカル捕捉剤によりラジカル化した液晶分子を安定化することが可能なため、液晶分子間の反応や配向膜との反応が生じ難く、それに伴う配向不良も生じ難いものとなる。その結果、液晶配向不良に基づく表示不良も生じ難いものとなるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１２】
［液晶装置］
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。また、本実施形態の液晶装置は、本発明に係る液晶組成物を備えた液晶層を有している。
【００１３】
図１は本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図３は本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図２のＡ−Ａ’線断面図である。また、図４は本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。なお、図３及び図４においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。
【００１４】
本実施形態の透過型液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００１５】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１６】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００１７】
次に、図２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００１８】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００１９】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２０】
次に、図３及び図４に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。なお、図４ではスイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。図３及び図４に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａとその液晶層５０側表面に形成された画素電極９、配向膜４０を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１と配向膜６０とを主体として構成されている。
【００２１】
また、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２２】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００２３】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００２４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図２に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００２５】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。
【００２６】
他方、対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、そのほぼ全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。
【００２７】
次に、液晶層５０は、液晶材料とラジカル捕捉剤を含む液晶組成物で構成されている。具体的には、液晶材料としては、ハロゲン元素を含む有機成分を主体とするもので、液晶相を形成するものを用い、ラジカル捕捉剤としては、その液晶分子が光照射を受けてラジカル化した場合に、当該ラジカルを捕捉して液晶分子を安定化させるものを用いた。
【００２８】
液晶材料を例示すると、例えばＴＦＴ用液晶混合物（メルク社製、ＭＬＣ−６８４９−００）等を用いることができる。一方、ラジカル捕捉剤を例示すると、例えばフラーレン、具体的には５員環、６員環のもの、さらに具体的にはＣ６０に代表されるもの、その他にはＣ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ８６、Ｃ８８、Ｃ９０、Ｃ９２、Ｃ９４、Ｃ９６等を用いることができる。このようなラジカル捕捉剤を液晶材料に分散させた液晶組成物により液晶層５０を構成すると、液晶層５０に高エネルギーの光が入射し、液晶分子がラジカル化した場合にも、ラジカル捕捉剤の作用により当該液晶分子が分子間で反応したり、配向膜４０，６０等と反応したりすることがなく、液晶層５０において配向乱れが殆ど生じないものとなる。その結果、当該液晶装置において液晶分子のラジカル化に起因する表示不良が殆ど生じず、信頼性の高い表示を提供することが可能となる。
【００２９】
なお、ラジカル捕捉剤として用いるフラーレンのうちＣ６０が最も好適に用いられる。液晶材料に対する分散性が特に高く、確実にラジカル捕捉作用を発現することができるためである。また、液晶組成物におけるラジカル捕捉剤の含有率は、０．０１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％とすることができる。０．０１ｗｔ％未満の場合、捕捉作用が若干発現し難い場合がある一方、０．１ｗｔ％を超えると、液晶層５０の透過率が低下して表示特性に影響を及ぼす場合がある。
【００３０】
また、液晶層５０を構成する液晶組成物には、液晶材料及びラジカル捕捉剤の他に、有機系の分散媒が含まれている。この分散媒は、ラジカル捕捉剤を液晶材料に分散させるためのもので、例えば共役系分子構造を有する有機液体（有機成分）、又は環状分子構造を有する有機液体（有機成分）を用いることができる。
【００３１】
共役系分子構造を有する有機液体としては、例えばオクタトリエン、オクタジエン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を、環状分子構造を有する有機液体としては、例えばテトラヒドロフラン、シクロヘキサン、クラウンエーテル、シクロデキストリン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いることができる。
【００３２】
以上のような液晶層５０を構成する液晶組成物は、以下のような方法により製造することができる。すなわち、まずフラーレン等のラジカル捕捉剤を上記有機液体に混合して１０ｗｔ％の混合液体とし、攪拌によりラジカル捕捉剤を十分に分散させる。その後、液晶材料と上記混合液体を混ぜ合わせ（液晶材料に対して混合液体１ｖｏｌ％）、これに４０ＫＨｚの超音波を照射する。そうすると、余剰なラジカル捕捉剤が沈殿するため、これを取り除き、上澄みの液晶組成物を得ることができる。
【００３３】
以下、上記液晶装置を用いて耐久性加速試験を行った結果について説明する。
具体的には、波長３８５ｎｍのＨｇランプを光源として用い、当該光をラジカル捕捉剤を液晶材料に対して０．１ｗｔ％含む液晶装置（実施例）に照射した場合の耐久性について、ここでは光照射を継続して行った場合に配向乱れが生じ始める照射時間について試験した。なお、配向膜４０，６０としては、ポリイミド膜をラビング処理したものを用い、比較としてラジカル捕捉剤を混入しない液晶材料を液晶層とした液晶装置（比較例）についても同様の耐久性試験を行った。その結果、比較例の液晶装置は耐久時間が２分であったのに対し、実施例の液晶装置は耐久時間が６分と向上した。
【００３４】
以上、本発明の一実施形態としての液晶装置を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。例えば、本実施形態では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００３５】
［電子機器］
上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図５（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３６】
図５（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図５（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３７】
図５（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図５（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３８】
このように図５に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、例えば過度の光照射による液晶層における配向不良等が発生し難く、表示品質を長期に渡って維持することが可能となる。
【００３９】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）の構成について、図６を参照して説明する。図６は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図６において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００４０】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００４１】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００４２】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００４３】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、例えば過度の光照射による配向不良等が発生し難く、表示品質を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。なかでも、青色光用液晶光変調装置８２４は、波長の短い光が照射されるため、本実施形態の液晶装置を採用することで、光照射による表示不良発生の抑制効果が最も顕著となり得る。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態たる液晶装置におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図。
【図２】図１の液晶装置についてＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図。
【図３】図１の液晶装置についてその素子構造を示す断面図。
【図４】図１の液晶装置についてその画素領域の構成を模式的に示す断面図。
【図５】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図６】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【符号の説明】
【００４５】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、１０Ａ，２０Ａ…基板本体、５０…液晶層
【図１】
2007137986.tif 000003
【図２】
2007137986.tif 000004
【図３】
2007137986.tif 000005
【図４】
2007137986.tif 000006
【図５】
2007137986.tif 000007
【図６】
2007137986.tif 000008