(57)【要約】【課題】  短波長領域の光による記録再生が可能であり、しかも十分な再生品質を得ることが可能な光記録媒体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  好適な実施形態に係る光記録媒体は、基板２上に、セラミック層３、記録層４、光入射層６及び保護層８がこの順に設けられた構成を有している。そして、反射層であるセラミック層３は、セラミックス材料から構成されている。【選択図】  図１
2007122833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたセラミックス材料からなるセラミック層を含む反射層と、
前記反射層上に形成された記録層と、
前記記録層上に形成された保護層と、
を備えることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記セラミックス材料は、バルクの状態で７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記セラミックス材料は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アモルファスシリコン、窒化ホウ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料である請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記セラミック層は、２０〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記基板と前記反射層との間に、接合層を更に有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記接合層は、酸化ケイ素、アモルファスシリコン又はレジスト材料からなる層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光記録媒体。
【請求項７】
基板、反射層、記録層及び保護層をこの順に備える光記録媒体を製造する方法であって、
前記反射層を形成する工程において、気相成長法により前記セラミックス材料を堆積させてセラミック層を形成する工程を含む、
ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記気相成長法を、前記セラミック層を形成するべき対象物の温度を１００℃以下として行うことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体は、記録層にレーザー等を照射し、記録層の形状変化、磁区変化、相変化等により情報を記録するものである。このような光記録媒体としては、基板上に色素を含む記録層が形成された円盤状の光記録媒体が知られている。なかでも、色素を含む記録層を備える光記録媒体は、高感度の記録を行うことが可能であり、ＣＤ−ＲやＤＶＤ±Ｒとして広く普及している。
【０００３】
従来の光記録媒体においては、記録層の光入射側に対して反対側に、記録又は再生光の反射率を高めて良好な記録再生を行うための反射層が設けられることが多い。反射層としては、蒸着やスパッタによって形成された金属膜が多用されている。例えば、優れた耐久性を有する反射層を備える光記録媒体として、下記特許文献１又は２に記載のものが知られている。
【特許文献１】国際公開０２／２１５２４号パンフレット。
【特許文献２】特開２００５−１００６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、更なる高密度記録を実現するために、記録再生光の短波長化が試みられている。具体的には、４００〜４２０ｎｍの波長を有する青色半導体レーザー光を記録・再生光として使用することが検討されており、かかる波長域での記録再生が可能な記録層を構成し得る色素等についても盛んに開発されている。
【０００５】
しかし、このような短波長の光による記録再生を行う光記録媒体において、上記従来のような金属膜からなる反射層を適用すると、再生時に記録層に記録された信号を十分に読み出せない場合があるなど、十分な再生品質が得られ難い傾向にあった。
【０００６】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、短波長領域の光による記録再生が可能であり、しかも十分な再生品質を得ることが可能な光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、上記従来技術の問題は、再生光に対する光記録媒体の反射率が高すぎることに起因して生じていることを見出した。すなわち、短波長の光を用いて記録を行う場合、記録層に形成されるピットは、これよりも長波長の光で記録を行う場合に比して微小となる。この際に反射率が高すぎると、ピット形成部と未形成部との反射率差が見出し難くなり、記録された信号が十分に読み出せなくなるという不都合が生じ易くなる。
【０００８】
そこで、上記知見に基づいて本発明者らが更に検討を行った結果、光記録媒体における反射層を、従来のものに比して反射率の低い材料から構成することで、光記録媒体の反射率を抑えて十分な再生品質が得られるようになることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の光記録媒体は、基板と、この基板上に形成されたセラミックス材料からなるセラミック層を含む反射層と、反射層上に形成された記録層と、記録層上に形成された保護層とを備えることを特徴とする。
【００１０】
このように、本発明の光記録媒体においては、反射層としてセラミック層を含むものを備えている。かかるセラミック層は、従来の金属膜に比して低い反射率を有している。そのため、本発明のような記録層に微小なピットが形成されることが想定される光記録媒体であっても、優れた再生品質を得ることが可能となる。
【００１１】
また、本発明の光記録媒体は、反射層にセラミック層を含むことから、十分な記録品質も得られるようになる。金属膜よりも反射率の低い材料としては様々な材料があるが、本発明者らの検討によると、これらのほとんどは、光記録媒体の反射層に用いた場合、記録層に形成されるピットが所望の領域をはみ出して形成される、いわゆるにじみの現象を引き起こし易いことが確認された。そしてその結果、信号を正確に記録するのが困難となる等の記録品質の低下を招いていた。これは、これらの材料は金属膜に比して大幅に熱伝導度が低いため、記録層に照射した記録光の熱が、反射層において拡散せずにこもってしまい、これによって所望のピット形成領域の周辺までが不必要に加熱されることによると考えられる。これに対し、セラミック層は、金属膜よりも低い反射率を有する材料のなかで、適度な熱伝導度を有するという特徴を有していることが判明した。このため、セラミック層を反射層に適用することで、記録光による熱を十分に拡散できるようになり、その結果、上記のようなにじみ等の発生が大幅に低減されることとなる。
【００１２】
さらに、反射層に含まれるセラミック層は、例えば、金属膜よりも反射率が低い材料（例えば、樹脂等の有機材料）に比して、高い強度を有するほか、記録光や再生光を繰り返し照射された場合であっても劣化が少ないなど、優れた耐久性を有するという特徴も具備している。このため、セラミック層を反射層として備える本発明の光記録媒体は、優れた耐久性を有することから長期の使用・保管が可能であるほか、繰り返しの記録・再生が可能な光記録媒体としても極めて適している。
【００１３】
上記本発明の光記録媒体は、反射層に含まれるセラミック層を構成するセラミックス材料が、バルクの状態で７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を有するものであると好ましい。このような熱伝導度を有するセラミックス材料からなるセラミック層は、記録光による熱をより良好に分散することができる。したがって、かかるセラミック層によれば、ピットのにじみを抑制して記録品質を更に高めることが可能となる。
【００１４】
より具体的には、セラミックス材料としては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アモルファスシリコン、窒化ホウ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料が好ましい。これらの材料は、光記録媒体における反射層を容易に形成し得るほか、上述したセラミック層による特性に特に優れる傾向にある。
【００１５】
さらに、反射層におけるセラミック層は、２０〜５００ｎｍの厚さを有しているとより好ましい。こうすれば、セラミック層による効果が良好に得られるようになるほか、当該層に過度の内部応力が生じることによる光記録媒体の破壊等も十分に抑制することが可能となる。
【００１６】
さらにまた、上記本発明の光記録媒体は、基板と反射層との間に接合層を更に有していると好ましい。このように、基板と反射層との間に特定の接合層を介することで、基板と反射層との密着性を向上させることができる。また、接合層は、基板又は反射層に生じた応力を緩和することもできる。したがって、接合層を設けることによって、光記録媒体において基板と反射層との間で剥離が生じるのを大幅に低減することができる。このような接合層は、酸化ケイ素、アモルファスシリコン又はレジスト材料からなる層であると好ましい。
【００１７】
また、本発明による光記録媒体の製造方法は、上記本発明の光記録媒体を良好に製造する方法であって、基板、反射層、記録層及び保護層をこの順に備える光記録媒体を製造する方法であって、反射層を形成する工程において、気相成長法によりセラミックス材料を堆積させてセラミック層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
このような製造方法により得られる光記録媒体は、反射層がセラミック層を有していることから、上述の如く、優れた再生及び記録品質を有し、更に、優れた耐久性をも有するものとなる。また、気相成長法によれば、良好な厚みを有する均質なセラミック層を形成できることから、セラミック層による上述した効果が更に良好に得られるようになる。
【００１９】
上記本発明の光記録媒体の製造方法においては、気相成長法を、セラミック層を形成するべき対象物の温度を１００℃以下として行うことが好ましい。通常、セラミック層を形成するセラミックス材料は、基板（又は基板を含む対象物）上に堆積されるが、一般に、光記録媒体に適用される基板は耐熱性が低い傾向にある。そこで、上記のように１００℃以下で気相成長法を実施することによって、高温による基板のダメージを確実に抑制しながらセラミック層を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、短波長領域の光による記録再生が可能であり、十分な再生品質のみならず優れた記録品質をも得ることが可能な光記録媒体及びその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２２】
図１は、好適な実施形態に係る光記録媒体の断面構造を模式的に示す図である。図１に示す光記録媒体１０は、基板２上に、セラミック層３、記録層４、光入射層６及び保護層８がこの順に設けられた構成を有している。基板２は、記録層４と対向している面に、溝状のグルーブ１２を有している。かかる構造の光記録媒体１０は、保護層８側から記録層４に記録又は再生光が照射されることによって、記録層４への情報の記録又は記録層４からの情報の読み出しが行われる。以下、光記録媒体１０の各構成について説明する。
【００２３】
基板２は、直径が６４〜２００ｍｍ程度、厚さが０．３〜１．６ｍｍ程度のディスク状の形状を有するものである。この基板２の記録層４側の面には、上述の如く溝状のグルーブ１２が形成されており、グルーブ１２が形成されていない部分がランド１４となっている。グルーブ１２は、基板２を平面視してスパイラル状に形成されている。
【００２４】
基板２は、必ずしも透明の材料から構成される必要はなく、樹脂、ガラス、セラミックス等からなるものを適用できる。特に、基板２としては、樹脂からなるものが好ましく、樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂などが好ましい。
【００２５】
グルーブ１２は、その深さ（ランド１４面とグルーブ１２面との高さの差）が、４０〜１５０ｎｍであると好ましく、６０〜１２０ｎｍであるとより好ましい。また、グルーブ１２の幅（グルーブ１２の深さの１／２の位置の幅）は、好ましくは１１０〜２１０ｎｍであり、より好ましくは１３０〜１９０ｎｍである。さらに、隣り合うグルーブ１２間の間隔（グルーブピッチ；グルーブ１２の幅方向の中心間の距離）は、２９０〜３５０ｎｍであると好ましく、３１０〜３３０ｎｍであるとより好ましい。これらにより、クロストークを低減することが可能となる。
【００２６】
セラミック層３は、光記録媒体１０において反射層として機能する層である。このようなセラミック層３は、例えば、２０〜５００ｎｍの厚さを有する場合に、４００〜４２０ｎｍの波長を有する光に対して、好ましくは２０〜８０％程度の反射率を有するものである。また、このセラミック層３を構成するセラミックス材料は、バルクの状態で７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を有するものが好ましく、９０〜３００Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度を有するものがより好ましく、１５０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度を有するものが更に好ましい。セラミック層３の熱伝導度が７０Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、記録光を照射された場合の熱拡散が不十分となり、記録層４に形成されるピットのにじみ等が生じやすくなる。一方、３００Ｗ／ｍ・Ｋを超えると、記録光の熱拡散が過度に生じて記録に過剰なエネルギーが必要となるほか、このような過剰なエネルギーによってピットのにじみが生じ易くなる場合がある。
【００２７】
セラミック層３を構成するセラミックス材料としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、窒化ケイ素、アモルファスシリコン（Ｓｉ）、窒化ホウ素（ＢＮ）及び炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンド（好ましくはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ））、酸化ベリリウム（ＢｅＯ２）が挙げられる。なかでも、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、Ｓｉ、ＢＮ、ＳｉＣ又はＤＬＣが好ましく、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、Ｓｉ、ＢＮ又はＳｉＣが更に好ましい。これらのセラミックス材料からなるセラミック層３は、上述した範囲の反射率を有し、かつ、適度な熱伝導度を有するものとなり易い。
【００２８】
セラミック層３の厚さは、２０〜５００ｎｍであると好ましく、８０〜４００ｎｍであるとより好ましい。セラミック層３の厚さが２０ｎｍ未満であると、十分な反射率及び熱伝導度が得られ難くなり、光記録媒体１０の記録・再生品質が不十分となる傾向にある。一方、５００ｎｍを超える場合は、セラミック層３が大きな内部応力を有し易くなり、隣接する層からのセラミック層３の剥離や光記録媒体１０のそりといった不都合が生じるおそれがある。なお、光記録媒体１０における反射層は、セラミック層３以外の層を更に有していてもよい。
【００２９】
記録層４は、色素を含む層であり、４００〜４２０ｎｍの波長域の光の照射により情報の記録が可能な層であると好ましい。記録層４に含まれる色素としては、モノメチンシアニン、アゾメチン、アゾ化合物、ポルフィリン、フタロシアニン、クマリン、オキソノール、トリアゾール、ピロメテン、ホルマザンや、これらの化合物を金属と組み合わせた金属錯体等が挙げられる。これらは、所定の化学構造を有することで、光記録媒体の記録及び再生光の波長に合わせた吸収極大を有するように調整することができる。色素としては、これらを単独で、又は、組み合わせて用いることができる。なかでも、色素としては、４００〜４２０ｎｍに吸収極大を有するものが好ましい。
【００３０】
また、記録層４は、当該層の光に対する安定性を高めるために、クエンチャーを更に含有していてもよい。このようなクエンチャーとしては、一重項酸素クエンチャーが挙げられ、例えば、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニルチオール系等のビスジチオール系、チオカテコール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレート系等の金属錯体が例示できる。また、窒素のラジカルイオンを有するアミン系化合物やヒンダードアミン等のアミン系のクエンチャーも挙げられる。なお、上述した色素として、それ自身がクエンチャーとして機能する金属錯体等を含む場合は、これらのクエンチャーは必ずしも含まなくても十分な光安定性が得られる。
【００３１】
記録層４の記録光及び再生光に対する消衰係数（複素屈折率の虚部ｋ）は、０〜０．２０であることが好ましい。消衰係数が０．２０を超えると十分な反射率が得られなくなる傾向にある。また、記録層４の屈折率（複素屈折率の実部ｎ）は、１．８以上であることが好ましい。屈折率が１．８未満であると、信号の変調度が小さくなる傾向にある。
【００３２】
さらに、記録層４の厚さは、５〜１００ｎｍであると好ましく、３０〜７０ｎｍであるとより好ましい。こうすれば、記録層４の変調度と反射率とのバランスが良くなるため、再生品質が更に向上する傾向にある。記録層４の厚さがこの範囲外であると、反射率が低下して、再生を行うことが困難となる傾向にある。特に、グルーブ１２に隣接する部分の記録層４の厚さが１００ｎｍ以上であると、変調度と反射率とのバランスが悪化する傾向にある。
【００３３】
光入射層６は、記録層４の上に設けられ、記録層４を物理的及び／又は化学的に保護するほか、記録層４の光学特性を調整する干渉層としての機能を有している。この光入射層６は、記録層４に対する光入射側に位置するため、記録再生光に対して透明な材料から構成される。光入射層６の好適な厚さは１〜１００ｎｍであり、２〜１０ｎｍであるとより好ましい。
【００３４】
このような光入射層６の構成材料としては、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、ＦｅやＭｇ等の金属の酸化物、窒化物、硫化物又はフッ化物あるいはこれらの複合物が好ましい。特に、良好な屈折率及び消衰係数を有する光記録媒体１０を得る観点からは、光入射層６の構成材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＡＩＮ、Ｔａ２Ｏ３等が好ましい。
【００３５】
保護層８は、光記録媒体１０において記録再生光が入射される側に設けられ、光記録媒体１０内部の層を保護する機能を有する。保護層８は、記録再生光の吸収や複屈折が小さく、記録再生光に対して透明な材料から構成される。このような保護層８の構成材料としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、電子線硬化樹脂等、活性光線の照射による硬化が可能な活性光線硬化性樹脂が好ましい。また、記録再生光に対して透明であれば、保護層８としては、上述した基板２と同様の材料からなるものも適用できる。
【００３６】
このように構成された光記録媒体１０は、１２〜５０％の反射率を有すると好ましく、１２〜２４％の反射率を有するとより好ましい。これにより、４００〜４２０ｎｍの波長域の光による記録を行うことで記録層に微小なピットを形成した場合であっても、再生光の反射が適切に生じて記録層に記録された信号を明瞭に読み出すことができ、良好な再生品質が得られるようになる。
【００３７】
次に、上記の構成を有する光記録媒体１０の好適な製造方法について説明する。
【００３８】
光記録媒体１０の製造においては、まず、上述した構造を有する基板２を準備する。グルーブ１２を有する基板２は、例えば、上述したような樹脂を用いて射出成形等を行うことにより形成可能である。また、平板状の基板を製造した後、その上に２Ｐ法等によりグルーブ１２となる凹部を有する樹脂層を形成し、平板状の基板と樹脂層との複合基板とすることによって得ることもできる。
【００３９】
次に、この基板２におけるグルーブ１２が設けられた面上に、セラミック層３を形成する。セラミック層３は、例えば、上述したセラミックス材料を、気相成長法により基板２上に堆積させることで形成することができる。気相成長法としては、スパッタリング法、蒸着法、化学気相成長法等が挙げられる。なかでも、スパッタリング法が、セラミック層３の形成が容易である上、構成原子が高密度に配列されて良好な熱伝導度を有するセラミック層３が得られることから好ましい。
【００４０】
セラミック層３を形成する際の気相成長法は、基板２（セラミック層３が形成される対象物）を１００℃以下とすることが好ましく、８０℃以下とすることがより好ましく、５０℃以下とすることが更に好ましい。こうすれば、基板２にダメージを極力与えないようにセラミック層３を形成することができる。特に、基板２がポリカーボネートといった樹脂等の比較的耐熱性が低い材料からなる場合には、基板温度を５０℃以下とするのが有効である。
【００４１】
それから、基板２上に形成されたセラミック層３上に、上述したような色素を含む塗布液を塗布した後、必要に応じて乾燥することにより溶媒を除去して記録層４を形成する。ここで、色素を含む塗布液は、色素や必要に応じてその他の成分を、アルコール系、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、フッ素系アルコール、ハロゲン化アルキル系等の溶媒に溶解することで調製することができる。また、塗布液は、必要に応じて、バインダー、分散剤、安定剤などを更に含有していてもよい。
【００４２】
また、塗布液の塗布は、スピンコート法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法等により実施可能である。なかでも、平易に均一な厚さの塗布を行うことができるスピンコート法が好ましい。こうして形成された記録層４は、上述した塗布液から溶媒が除去された構成を有し、主として色素及び適宜添加したその他の成分とから構成される層となる。なお、記録層４には、塗布液に用いた溶媒が特性に大きく影響しない程度に残存していてもよい。
【００４３】
次に、記録層４上に、イオンビームスパッタリング法、リアクティブスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法等により上述の光入射層６の構成材料を堆積させ、光入射層６を形成する。そして、光入射層６上に、活性光線硬化型樹脂をスピンコート法等により塗布した後、活性光線を照射して硬化させ、保護層８を形成する。こうして、上述した構造を有する光記録媒体１０を得ることができる。
【００４４】
上述のように構成された光記録媒体１０においては、保護層８側から４００〜４２０ｎｍの波長を有する記録光（レーザー等）を照射し、記録層４の記録光が照射された部位を化学的又は物理的に変化させてピットを形成することによって、所定の情報が記録される。そして、このようにしてピットが形成された記録層４に、記録光と同程度の波長の再生光を照射して、反射された光を検出する。この際、ピット形成部位とその他の部位とで屈折率が異なるため、この屈折率の差に基づいて記録層４に記録された情報を読み出すことができる。
【００４５】
なお、本発明における光記録媒体は、上述した実施形態のものに限定されず、種々の態様をとり得るものである。例えば、まず、本発明の光記録媒体は、上記光記録媒体１０を構成する各層の間に、その他の層を備えていてもよい。例えば、基板２と反射層３との間に、接合層９を更に設けてもよい。図２は、接合層を含む光記録媒体の断面構成を模式的に示す図である。
【００４６】
図示される光記録媒体１００は、基板２上に、接合層９、反射層３、記録層４、光入射層６及び保護層８をこの順に有するものである。かかる光記録媒体２０における接合層９以外の構成は、上述した光記録媒体１０と同様である。接合層９の構成材料としては、酸化ケイ素、アモルファスシリコン等の無機材料、光硬化樹脂等のレジスト材料が挙げられる。また、接合層９には、アルミニウム等の金属材料も適用できる。この場合、接合層９によって光記録媒体１００の反射率が不都合に高まるのを抑制するために、０．５ｎｍ程度の極薄層又は島状構造層とすることが望ましい。
【００４７】
このような接合層９を設けることによって、基板２とセラミック層３との密着性が向上するほか、基板２、セラミック層３又はこれらの界面に生じた応力が緩和される。その結果、基板２とセラミック層３との剥離を大幅に低減することができるようになる。特に、基板２とセラミック層３との物性が大きく異なるような場合には、両者の間に接合層９を設けるのが好適である。
【００４８】
また、上述した実施形態では、記録層４として色素を含む層を例示したが、必ずしもこれに限定されない。例えば、記録層は、相変化型の記録材料から構成されるものであってもよい。これにより、繰り返し記録を行うことが可能な光記録媒体を得ることもできる。
【００４９】
さらに、上述した実施形態では、光記録媒体は、一層の記録層のみを有していたが、これに限定されず、例えば、上記構成の光記録媒体１０を、その基板２側で張り合わせた両面光記録媒体としてもよく、基板の一側に複数の記録層を形成した多層光記録媒体としてもよい。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［光記録媒体の作製］
【００５１】
（実施例１）
まず、グルーブが形成されたポリカーボネート基板のグルーブ面上に、気相成長法によりＡｌＮからなる反射層を形成した。次に、色素として、下記化学式（１）で表される化合物とＮｉとのキレート化合物を、溶媒であるテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）に溶解して塗布液を調製した。それから、この塗布液を、反射層上に塗布した後に乾燥させ、基板上に記録層を形成した。その後、記録層上にスパッタリング法によりＳｉＯ２−ＺｎＳからなる光入射層を形成した後、この光入射層上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、紫外線を照射することによりこれを硬化させて保護層を形成した。これにより、図１に示す構造を有する光記録媒体を作製した。
【化１】
2007122833.tif 000003
【００５２】
反射層を形成する際の気相成長法の条件は以下に示す通りとした。なお、気相成長の際の基板温度の制御は、水冷により基板を載置したステージの温度を維持することにより行った（以下の実施例及び比較例も同様）。
製膜方法              ：ＥＣＲスパッタリング法
出発原料              ：Ａｌターゲット
スパッタリングガス    ：Ａｒ（流量５０ｓｃｃｍ）＋Ｎ２（流量５０ｓｃｃｍ）
励起方法              ：マイクロ波（２５０Ｗ）、ＲＦ（ターゲットバイアス１５０Ｗ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：６．３×１０−２Ｐａ
【００５３】
反射層の形成後、その厚さを段差膜厚計により測定したところ、５０７ｎｍであった。なお、バルク状態のＡｌＮのサンプルを別途準備して、その熱伝導度をフラッシュ法により測定したところ、２１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
【００５４】
（実施例２）
ＡｌＮからなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、２５２ｎｍであった。
製膜方法              ：ＥＣＲスパッタリング法
出発原料              ：Ａｌターゲット
スパッタリングガス    ：Ａｒ（流量５０ｓｃｃｍ）＋Ｎ２（流量５０ｓｃｃｍ）
励起方法              ：マイクロ波（２５０Ｗ）、ＲＦ（ターゲットバイアス１５０Ｗ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：６．３×１０−２Ｐａ
【００５５】
（実施例３）
ＡｌＮからなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９６ｎｍであった。
製膜方法              ：ＲＦスパッタリング法
出発原料              ：焼結ＡｌＮターゲット
スパッタリングガス    ：Ａｒ（流量１００ｓｃｃｍ）
励起方法              ：ＲＦ（３００Ｗ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：３０Ｐａ
【００５６】
（実施例４）
アモルファスシリコン（Ｓｉ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９５ｎｍであった。また、バルク状態のＳｉのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、１８０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＲＦスパッタリング法
出発原料              ：Ｓｉターゲット
スパッタリングガス    ：Ａｒ（流量１００ｓｃｃｍ）
励起方法              ：ＲＦ（３００Ｗ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：３０Ｐａ
【００５７】
（実施例５）
窒化ホウ素（ＢＮ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５０５ｎｍであった。なお、バルク状態のＢＮのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、２２０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：イオンビームスパッタリング法
出発原料              ：ｈＢＮターゲット、Ａｒイオンビーム（イオン加速電圧７００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：５．４×１０−２Ｐａ
【００５８】
（実施例６）
炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５０１ｎｍであった。また、バルク状態のＳｉＣのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、１７０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＲＦスパッタリング法
出発原料              ：焼結ＳｉＣターゲット
スパッタリングガス    ：Ａｒ（流量１００ｓｃｃｍ）
励起方法              ：ＲＦ（３００Ｗ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：３０Ｐａ
【００５９】
（比較例１）
銀（Ａｇ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５０５ｎｍであった。なお、バルク状態のＡｇのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、４５５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：蒸着法
原料                  ：Ａｇペレット
励起方法              ：抵抗加熱
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：２．１×１０−２Ｐａ
【００６０】
（比較例２）
金（Ａｕ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９７ｎｍであった。なお、バルク状態のＡｕのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、３２５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：蒸着法
原料                  ：Ａｕペレット
励起方法              ：抵抗加熱
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
【００６１】
（比較例３）
アルミニウム（Ａｌ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５０１ｎｍであった。なお、バルク状態のＡｌのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、２４５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：蒸着法
原料                  ：Ａｌペレット
励起方法              ：抵抗加熱
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
【００６２】
（比較例４）
モリブデン（Ｍｏ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９９ｎｍであった。なお、バルク状態のＭｏのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、１３５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｍｏターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：２．１×１０−２Ｐａ
【００６３】
（比較例５）
ニッケル（Ｎｉ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９２ｎｍであった。なお、バルク状態のＮｉのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、１２０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｎｉターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
【００６４】
（比較例６）
タンタル（Ｔａ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９９ｎｍであった。なお、バルク状態のＴａのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、約６０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｔａターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
【００６５】
（比較例７）
チタン（Ｔｉ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５０６ｎｍであった。なお、バルク状態のＴｉのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、約２５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｔｉターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：２．１×１０−２Ｐａ
【００６６】
（比較例８）
クロム（Ｃｒ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、５１０ｎｍであった。なお、バルク状態のＣｒのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、１１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｃｒターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
【００６７】
（比較例９）
銅（Ｃｕ）からなる反射層を、以下に示す条件で気相成長法を行うことにより形成したこと以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。得られた反射層の膜厚は、４９９ｎｍであった。なお、バルク状態のＣｕのサンプルを別途準備し、その熱伝導度をフラッシュ法により別に測定したところ、４２５（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。
製膜方法              ：ＤＣスパッタリング法
原料                  ：Ｃｕターゲット
励起方法              ：ＤＣ（６００Ｖ）
基板温度              ：７５℃
製膜圧力              ：１．９×１０−２Ｐａ
［光記録媒体の特性評価］
【００６８】
（反射率の測定）
実施例１〜６及び比較例１〜９の光記録媒体をそれぞれ用い、これらに保護層側から光を照射したときの反射率を測定した。なお、反射率は、４０７ｎｍの波長の光を用い、鏡面反射（５°程度）となるように測定した。得られた結果を表１に示す。
【００６９】
（２Ｔ−ＣＮＲの測定）
実施例１〜６及び比較例１〜９の各光記録媒体に対し、波長４０７ｎｍのレーザー光を用いて線速９．８３ｍ／ｓで信号を記録した。そして、信号が記録された光記録媒体に対して、パルステック社製ＤＤＵ−１０００を用いて、最短マークである２Ｔ信号のＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ、単位：ｄＢ）を測定した。得られた値を２Ｔ−ＣＮＲとした。この値が大きいほど、記録層に記録された信号を明瞭に読み出すことができることを示している。得られた結果を表１に示す。
【表１】
2007122833.tif 000004
【００７０】
表１より、実施例１〜６の光記録媒体は、いずれも反射層を金属により構成した比較例１〜９に比して低い反射率を有していた。また、実施例１〜６の光記録媒体は高い２Ｔ−ＣＮＲを有していた。これより、実施例１〜６の光記録媒体は、記録された信号を明瞭に読み出すことができ、優れた記録再生品質を有していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】好適な実施形態に係る光記録媒体の断面構造を模式的に示す図である。
【図２】接合層を含む光記録媒体の断面構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０…光記録媒体、２…基板、３…反射層、４…記録層、６…光入射層、８…保護層、９…接合層、１２…グルーブ、１４…ランド、１００…光記録媒体。
【図１】
2007122833.tif 000005
【図２】
2007122833.tif 000006