(57)【要約】【課題】磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子とヘッドアンプとの間の配線長が短く、磁気記録装置の製造コストを低減できる磁気ヘッド、その製造方法、及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】基板２１の上に、ポリシリコン層２２を形成し、このポリシリコン層２２に不純物を導入してヘッドアンプを構成するトランジスタを形成する。その後、トランジスタの上に絶縁膜２７等を形成し、更に下部シールド層２８及びＭＲ素子（データ読出し素子）３２等を形成する。次に、絶縁膜３５等を形成した後、下部磁極層３５、薄膜コイル４２及び上部磁極層４４により構成されるデータ書込み素子を形成する。これらの素子の形成と並行して、ＭＲ素子３２及び薄膜コイル４２の少なくとも一方とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトホール及び配線２６，３３，４１を形成する。【選択図】図４
2007265508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料により形成された基板と、
前記基板の所定の面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層を用いて形成された半導体素子と、
前記基板の前記所定の面上に磁性材料を用いて形成され、前記半導体素子に電気的に接続されて磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子と
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記請求項１に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによりデータの書込み及び読出しが行われる磁気記録媒体と
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項３】
半導体基板の表面に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、
前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側を研磨して薄膜化する工程と、
前記半導体基板を絶縁材料により形成された基板に接合する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置（ハードディスク）に用いられる磁気ヘッド、その製造方法、及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置に使用される磁気ヘッドは、磁性材料を用いて形成された磁性素子、すなわち磁気記録媒体（磁気ディスク）にデータを書き込むデータ書込み素子と、磁気記録媒体からデータを読み出すデータ読出し素子とにより構成されている。一般的に、データ書込み素子にはコイルに流れる電流により磁界を発生する電磁変換素子（薄膜コイル）が使用され、データ読出し素子には磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）が使用される。これらのデータ書込み素子及びデータ読出し素子は、磁性層、金属層及び絶縁層等を薄く形成する成膜技術と、それらの層を所定の形状に微細加工するパターニング技術（フォトリソグラフィ技術）とを用いて形成される。
【０００３】
図１は、従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。この図１に示すように、磁気ヘッドは、アルチック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等の絶縁材料により形成されたスライダ１１と、このスライダ１１の端面に配置されて磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子１０とにより構成されている。スライダ１１は、弾力性を有するサスペンション１２の下側に配置される。磁性素子１０から出力される信号は、金属細線１３を介して例えばサスペンション１２の上側に配置されるヘッドアンプ（図示せず）に伝達される。また、磁性素子１０に供給する信号は、ヘッドアンプから金属配線１３を介して伝達される。
【０００４】
ところで、図１に示す磁気ヘッドでは、磁性素子（データ書込み素子及びデータ読出し素子）とヘッドアンプとの間が金属細線１３により接続されているので、配線長が長くなり、比較的大きな信号損失が発生する。そのため、ＳＮ比（信号／ノイズ比）が低くなり、読出しエラーや信号処理速度の低下の原因となっている。ＳＮ比を高くするために、例えばＭＲ素子に比べて磁気抵抗変化が大きいＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistance）素子を使用することも考えられるが、ＴＭＲ素子の製造には高い製造技術が要求されるため、磁気ヘッド及び磁気記録装置のコスト上昇の原因となる。
【０００５】
このような問題を解消することを目的として、特許文献１〜３にはスライダの上（スライダとサスペンションとの間）にヘッドアンプが形成された半導体チップを配置して、磁性素子（データ書込み素子及びデータ読出し素子）との間の配線長を短縮することが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１２４８３９号公報
【特許文献２】特開２０００−２０７７１８号公報
【特許文献３】特開２００１−２８３４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本願発明者等は、上述した従来技術には以下に示す問題点があると考える。すなわち、特許文献１〜３では、いずれも半導体チップにヘッドアンプを形成した後、スライダの上に接合している。従って、図１に示す構造の磁気ヘッドよりもヘッドアンプまでの配線長を短縮することができるものの、十分とはいえない。信号損失を小さくして良好なＳＮ比を得るためには、磁性素子とヘッドアンプとの間の配線長のより一層の短縮が望まれる。
【０００７】
また、上記特許文献１〜３では、半導体チップと磁気ヘッドとを個別に製造しているので、半導体製造プロセス（ウェハプロセス）と磁気ヘッド製造プロセスとが個別に必要であり、磁気記録装置を製造するための設備コストが高くなる。
【０００８】
以上から、本発明の目的は、磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子とヘッドアンプとの間の配線長が短く、磁気記録装置の製造コストを低減できる磁気ヘッド、その製造方法、及び磁気記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、絶縁材料により形成された基板と、前記基板の所定の面上に設けられた半導体層と、前記半導体層を用いて形成された半導体素子と、前記基板の前記所定の面上に磁性材料を用いて形成され、前記半導体素子に電気的に接続されて磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子とを有する磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
また、本発明の別の観点によれば、上述した構造の磁気ヘッドと、磁気ヘッドによりデータの書込み及び読出しが行われる磁気記録媒体とを有する磁気記録装置が提供される。
【００１１】
本発明の磁気ヘッドにおいては、絶縁性の基板の上に、半導体素子が形成された半導体層と、磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子とが形成されている。このため、半導体素子と磁性素子との間の距離を極めて短くすることができて、従来に比べてＳＮ比が向上する。これにより、読出しエラーや信号処理速度の低下を回避することができる。また、ＴＭＲ素子等のように高度の製造技術が要求される磁性素子を用いなくてもＳＮ比を改善することができるので、製造コストが低減される。
【００１２】
本発明の磁気記録装置は、上記の磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行うので、製造コストを低減できるとともに、読出しエラーや信号処理速度の低下が回避される。
【００１３】
上記の磁気ヘッドは、例えば絶縁材料により形成された基板の上に半導体材料を堆積して半導体層を形成する工程と、前記半導体層に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程とを経て製造することができる。
【００１４】
また、上記の磁気ヘッドは、例えば絶縁材料により形成された基板の上に半導体膜を接合する工程と、前記半導体膜に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程とを経て製造することもできる。
【００１５】
更に、上記の磁気ヘッドは、例えば半導体基板の表面に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側を研磨して薄膜化する工程と、前記半導体基板を絶縁材料により形成された基板に接合する工程とを経て製造することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明について、添付の図面を参照して説明する。
【００１７】
（第１の実施形態）
図２〜図４は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置の磁気ヘッド製造方法を示す断面図である。
【００１８】
まず、図２（ａ）に示すように、アルチック等の絶縁材料により形成された基板２１を用意する。そして、ＣＶＤ法により、基板２１の上にシリコンを堆積させてポリシリコン層２２を形成する。このポリシリコン層２２には、例えばホウ素等のｐ型不純物を導入しておく。
【００１９】
次に、図２（ｂ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにして基板２１に形成したポリシリコン層２２の上にフォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜２３を形成する。そして、このフォトレジスト膜２３を所定の露光マスクを介して露光した後、現像処理を施して、ヘッドアンプ形成領域のポリシリコン層２２の一部が露出する開口部２３ａ，２３ｂを形成する。これらの開口部２３ａ，２３ｂは所定の間隔をおいて形成される。
【００２０】
その後、フォトレジスト膜２３の開口部２３ａ，２３ｂを介してポリシリコン層２２にリン等のｎ型不純物を注入して、エミッタ領域（ｎ型不純物領域）２４ｅ及びコレクタ領域（ｎ型不純物領域）２４ｃを形成する。これらのエミッタ領域２４ｅ及びコレクタ領域２４ｃの間のｐ型領域がベース領域２４ｂとなって、バイポーラトランジスタが形成される。バイポーラトランジスタ形成後、フォトレジスト膜２３を除去する。
【００２１】
なお、必要に応じて、ポリシリコン層２２に抵抗素子やその他の素子を形成してもよい。例えば抵抗素子を形成する場合は、フォトレジスト膜２３のうち抵抗素子形成領域の部分を開口し、その開口部を介してポリシリコン層２２に所定量のｎ型不純物を導入する。
【００２２】
また、本実施形態ではヘッドアンプがバイポーラトランジスタにより構成されているものとしているが、ＭＯＳトランジスタによりヘッドアンプを構成してもよい。その場合は、ポリシリコン層２２上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、ゲート電極の両側のポリシリコン層２２にｎ型不純物をイオン注入して、ソース・ドレイン領域を形成する。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。トランジスタ形成後の基板２１の上側全面に、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等からなる第１の絶縁膜２５を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、この第１の絶縁膜２５に、エミッタ領域２４ｅ、ベース領域２４ｂ及びコレクタ領域２４ｃに到達するコンタクトホールをそれぞれ形成した後、基板２１の上側全面に例えばアルミニウム等の導電材料により導電膜を形成する。このとき、コンタクトホールが導電材料により埋め込まれて、導電膜とエミッタ領域２４ｅ、ベース領域２４ｂ及びコレクタ領域２４ｃとが電気的に接続される。その後、フォトリソグラフィ法により導電膜をパターニングして、第１配線層の配線２６を形成する。このようにして、ヘッドアンプを構成する半導体素子（バイポーラトランジスタ）と配線２６とが形成される。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにしてヘッドアンプを形成した後、第１の絶縁膜２５の上に例えばアルミナ等の絶縁材料からなる第２の絶縁膜２７を形成し、この第２の絶縁膜２７により配線２６を埋め込む。その後、磁性素子形成領域の第２の絶縁膜２７の上に、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料により、例えば厚さが２〜３μｍの下側シールド層２８を形成する。
【００２５】
次に、図３（ａ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにして下側シールド層２８を形成した後、基板２１の上側全面にアルミナ等の絶縁材料からなる第３の絶縁膜２９を形成する。その後、シールド層２８が露出するまで第３の絶縁膜２９を研磨して、表面を平坦化する。次いで、基板２１の上側全面に、例えばアルミナ等の絶縁材料により厚さが約２００ｎｍの第１のギャップ層３０を形成し、この第１のギャップ層３０によりシールド層２８を被覆する。
【００２６】
次に、ギャップ層３０の上にＭＲ素子（データ読出し素子）３２を形成する。このＭＲ素子３２は、例えば厚さが２０ｎｍのＮｉＦｅＣｒからなるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）層と、厚さが１０ｎｍのＴａ等からなる非磁性層と、厚さが２０ｎｍのＮｉＦｅ等からなるＭＲ層とを積層して構成される。これらのＳＡＬ層、非磁性層及びＭＲ層はスパッタリング法により形成され、フォトリソグラフィ法により矩形状にパターニングされる。また、ＭＲ素子３２は、図３（ａ）に示すようにヘッド先端側（基板２１の端部）に配置される。
【００２７】
なお、本実施形態ではデータ読出し素子としてＭＲ素子を形成しているが、ＭＲ素子に替えてＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子等を形成してもよい。
【００２８】
次に、ヘッドアンプ形成領域のギャップ層３０の表面から、第１配線層の配線２６に到達するコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホール内に金属材料を埋め込むとともに、ギャップ層３０の上に金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、第２配線層の配線３３を形成する。
【００２９】
次に、リフトオフ法により、ＭＲ素子３２に接続するリード３４を形成する。すなわち、基板２１の上側全面にフォトレジスト膜を形成する。その後、フォトレジスト膜を所定の露光マスクを介して露光し、現像処理を施して、所定の領域に開口部を形成する。次いで、スパッタリング法等により基板２１の上側全面に金属膜を形成した後、フォトレジスト膜をその上の金属膜とともに除去する。これにより、開口部の部分に金属膜が残り、ＭＲ素子３２の両端にそれぞれ接続した一対のリード３４が形成される。本実施形態では、リード３４の一方が、配線３３を介してバイポーラトランジスタのベース領域２４ｂに電気的に接続されているものとする。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにしてＭＲ素子３２及びリード３４等を形成した後、基板２１の上側全面に、例えばアルミナ等の絶縁材料により第４の絶縁膜３５を１０〜２０ｎｍの厚さに形成し、この第４の絶縁膜３５によりＭＲ素子３２、リード３４及び配線３３等を被覆する。そして、磁性素子形成領域の第４の絶縁膜３５の上に、例えばパーマロイ等の磁性材料により、データ書込み素子の下部磁極となる下部磁極層３６を例えば３μｍの厚さに形成する。この下部磁極層３６は、ＭＲ素子３２に対する磁気シールド（上側磁気シールド層）としての機能も有している。
【００３１】
次いで、基板２１の上側全面にアルミナ等の絶縁材料により第５の絶縁膜３７を形成する。その後、下部磁極層３６が露出するまで絶縁膜３７を研磨して、表面を平坦化する。
【００３２】
次に、図３（ｃ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにして下部磁極層３６を形成した後、基板２１の上側全面に、例えばアルミナ等の絶縁材料により厚さが０．２μｍの第２のギャップ層３８を形成する。その後、ギャップ層３８の上にフォトレジスト膜を形成し、所定の露光マスクを介してフォトレジスト膜を露光した後、現像処理を施して、後述する薄膜コイルの中心となる部分に開口部を形成する。そして、この開口部を介してギャップ層３８をエッチングして、下部磁極層３６を露出させる。その後、フォトレジスト膜を除去する。
【００３３】
次に、基板２１の上側全面に、例えばパーマロイ等の磁性材料からなる磁性層を形成する。その後、この磁性層をパターニングして、上部磁極のヘッド先端となる磁極層４０ａと、ギャップ層３８の開口部を介して下部磁極層３６に接続する磁極層４０ｂとを形成する。次いで、磁極層４０ａをマスクとしてギャップ層３８及び下部磁極層３６の一部をイオンミーリングして、いわゆるトリム構造を形成する。
【００３４】
次に、図４（ａ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにして磁極層４０ａ，４０ｂを形成した後、ヘッドアンプ形成領域のギャップ層３８の表面から第２配線層の配線３３に到達するコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホール内に金属材料を埋め込むとともに、ギャップ層３８の上に金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、第３配線層の配線４１を形成する。また、磁性素子形成領域のギャップ層３８の上に、磁極層４０ｂを中心とする渦巻状の薄膜コイル４２を形成する。この薄膜コイル４２は、所定の第３配線層の配線４１に電気的に接続される。
【００３５】
次に、薄膜コイル４２の上に、例えば熱硬化性樹脂により第６の絶縁膜４３を形成し、薄膜コイル４２を埋め込む。そして、磁性素子形成領域の上に、例えばパーマロイ等の磁性金属により電極層を所定のパターンで形成する。この電極層は磁極層４３ａ，４３ｂと接続され、これらの磁極層により上部磁極層４４が構成される。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示す構造を形成するまでの工程を説明する。上述のようにして上部磁極層４４を形成した後、基板２１の上側全面に、例えばアルミナ等の絶縁材料により保護層４５を形成し、この保護層４５により上部磁極層４４及び第３配線層の配線４１を被覆する。その後、保護層４５の表面から第３配線層の配線４４に到達するコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に金属材料を埋め込むとともに、保護層４８上に金属膜を形成する。次いで、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、電極４６を形成する。これらの電極４６は、配線及びコンタクトホール（電気接続部）を介してヘッドアンプ（バイポーラトランジスタ）、ＭＲ素子３２及び薄膜コイル４２にそれぞれ電気的に接続されている。このようにして、本実施形態の磁気ヘッドが完成する。
【００３７】
図５は、本実施形態の磁気ヘッドの外観を示す模式図である。この図５において、４７はスライダ（基板）を示し、４８ａはヘッドアンプを示し、４８ｂは磁気記録媒体（磁気ディスク）に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子（ＭＲ素子及び薄膜コイル）を示し、４９は電極４６とヘッドアンプ４８ａ又は磁性素子４８ｂとを接続する配線を示している。この図５に示すように、本実施形態の磁気ヘッドでは、ヘッドアンプ４８ａ及び磁性素子４８ｂがいずれもスライダ４７の端面に形成されている。
【００３８】
従来は、磁気ヘッドと半導体装置（ヘッドアンプ）とを個別に形成しているので、磁気ヘッド製造設備とは別に半導体製造設備を設けていた。そのため、成膜装置やエッチング装置等をそれぞれの施設に個別に設置していた。一方、本実施形態では、上述したようにアルチック等の基板２１の上にヘッドアンプと磁性素子（読出し素子及び書き込み素子）とを形成するので、それらの形成工程を連続して行うことができる。従って、磁気ヘッド製造設備と半導体製造設備とを個別に設ける必要がなく、設備コストを低減できるという効果が得られる。
【００３９】
また、本実施形態により製造された磁気ヘッドは、ヘッドアンプを内蔵しているので、磁性素子（ＭＲ素子及び薄膜コイル）とヘッドアンプとの間の配線長が極めて短い。これにより、ノイズの影響が低減されて、エラーの発生が回避される。例えば、従来の磁気ヘッドでは、磁性素子とヘッドアンプとの距離が少なくとも３ｍｍ程度は必要であった。これに対し、本実施形態では、磁性素子とヘッドアンプとの距離を０．５ｍｍ以下にすることが可能である。磁性素子とヘッドアンプとの間には微弱な信号が流れるので、本実施形態のように配線長を短縮することにより、ノイズの影響を大幅に低減することができる。
【００４０】
更に、本実施形態においては、磁気ヘッド内にヘッドアンプを内蔵しているので、従来必要であったサスペンション等の上にヘッドアンプを搭載する工程が不要になる。これにより、磁気記録装置の製造工程が簡略化されるという効果も得られる。
【００４１】
更にまた、本実施形態においては、ヘッドアンプを構成するトランジスタと磁性素子との間にシールド層２８を設けているので、磁性素子からヘッドアンプへのノイズの混入やヘッドアンプから磁性素子へのノイズの混入が回避される。
【００４２】
なお、本実施形態では基板２１上にヘッドアンプ全体を形成するものとしているが、ヘッドアンプのうち特に微弱な信号を増幅する部分のみをスライダ（基板２１）上に形成し、その他の部分をＩＣ化してスライダの外に配置してもよい。この場合も、ノイズの影響が低減されてエラーの発生が回避されるという効果を得ることができる。
【００４３】
図６は、本実施形態により製造された磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を示す平面図である。
【００４４】
磁気記録装置５０の筐体内には、磁気記録媒体である円盤状の磁気ディスク５１と、磁気ディスク５１を回転させるスピンドルモータ（図示せず）と、端面に磁性素子が配置されたスライダ（磁気ヘッド）５２と、スライダ５２を保持するサスペンション５３と、サスペンション５３を磁気ディスク５１の半径方向に駆動制御するアクチュエータ（図示せず）とを有している。スピンドルモータにより磁気ディスク５１が高速で回転すると、磁気ディスク５１の回転によって生じる空気流により、スライダ５２は磁気ディスク５１から若干浮上する。アクチュエータによりスライダ５２が磁気ディスク５１の半径方向に移動し、磁気ディスク５１に対してデータの書込み又は読出しを行う。
【００４５】
（第２の実施形態）
図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【００４６】
まず、図７（ａ）に示すように、アルチック等の絶縁材料により形成された基板６１の上に、単結晶のシリコン層（半導体膜）６２を貼り付ける。その後、図７（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法等により、基板６１の上側全面にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等の絶縁膜６３を形成する。この絶縁膜６３は、シリコン層６２の厚さよりも厚く形成することが必要である。
【００４７】
次に、図７（ｃ）に示すように、シリコン層６２が露出するまで絶縁膜６３を化学機械研磨（ＣＭＰ）して、表面を平坦化する。その後、第１の実施形態と同様にして、シリコン層６２に、ヘッドアンプを構成するバイポーラトランジスタ（又は、ＭＯＳトランジスタ）、読出し素子及び書込み素子（磁性素子：具体的にはＭＲ素子及び薄膜コイル）を形成する。それらの工程は第１の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００４８】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に効果を得ることができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
図８（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【００５０】
まず、図８（ａ）に示すように、表層がｐ型のシリコン基板（半導体基板）７１を用意し、このシリコン基板７１の上に例えばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜７２を形成する。その後、ゲート絶縁膜７２の上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極７３を形成する。
【００５１】
次に、ゲート電極７３をマスクとしてゲート電極７３の両側の基板７１の表面にｎ型不純物を導入する。その後、熱処理を施してｎ型不純物を活性化し、ソース・ドレインとなるｎ型不純物拡散領域７４を形成する。このようにして、ヘッドアンプを構成するＭＯＳトランジスタを形成する。
【００５２】
次に、図８（ｂ）に示すように、基板７１の上側全面にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる絶縁膜７５を形成し、この絶縁膜７５によりゲート電極７３を被覆する。その後、第１の実施形態と同様にして、基板７１上に読出し素子及び書込み素子（磁性素子：具体的にはＭＲ素子及び薄膜コイル）を形成する。それらの工程は第１の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５３】
このようにしてシリコン基板７１上に磁気ヘッドを形成した後、シリコン基板７１を裏面側から研磨して薄膜化する。その後、別工程で作成されたスライダの上にシリコン基板７１を接合する。
【００５４】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００５６】
（付記１）絶縁材料により形成された基板と、
前記基板の所定の面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層を用いて形成された半導体素子と、
前記基板の前記所定の面上に磁性材料を用いて形成され、前記半導体素子に電気的に接続されて磁気記録媒体に対しデータの書込み及び読出しを行う磁性素子と
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【００５７】
（付記２）前記磁性素子が、前記半導体層よりも上方に形成されていることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
【００５８】
（付記３）前記付記１又は２に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによりデータの書込み及び読出しが行われる磁気記録媒体と
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【００５９】
（付記４）絶縁材料により形成された基板の上に半導体材料を堆積して半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、
前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００６０】
（付記５）絶縁材料により形成された基板の上に半導体膜を接合する工程と、
前記半導体膜に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、
前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００６１】
（付記６）半導体基板の表面に不純物を導入して半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に磁気記録媒体に対しデータ書込み及び読出しを行う磁性素子を形成する工程と、
前記磁性素子と前記半導体素子とを電気的に接続する電気接続部を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側を研磨して薄膜化する工程と、
前記半導体基板を絶縁材料により形成された基板に接合する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置の磁気ヘッド製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置の磁気ヘッド製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置の磁気ヘッド製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】図５は、第１の実施形態の磁気ヘッドの外観を示す模式図である。
【図６】図６は、第１の実施形態により製造された磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図８】図８（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…磁性素子、
１１，４７，５２…スライダ、
１２…サスペンション、
１３…金属細線、
２１，６１…基板（絶縁基板）、
２２…ポリシリコン層、
２３…フォトレジスト膜、
２４ｅ…エミッタ領域、
２４ｂ…ベース領域、
２４ｃ…コレクタ領域、
２５，２７．２９，３５，３７，４３，６３，７５…絶縁膜、
２６，３３，４１，４９…配線、
２８…下側シールド層、
３０，３８…ギャップ層、
３２…ＭＲ素子、
３４…リード、
３６…下部磁極層（上側シールド層）、
４２…薄膜コイル、
４４…上部磁極層、
４５…保護層、
４６…電極、
４８ａ…ヘッドアンプ、
４８ｂ…磁性素子、
５０…磁気記録装置、
５１…磁気ディスク、
５３…サスペンション、
６２…シリコン層（半導体薄膜）、
７１…基板（半導体基板）、
７２…ゲート絶縁膜、
７３…ゲート電極、
７４…不純物拡散領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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