(57)【要約】【課題】ポリシリコン層形成方法の提供。【解決手段】基板が提供され、前記基板上にアモルファスシリコン層が形成される。前記アモルファスシリコン上にパターン金属層が形成される。次に、前記パターン金属層と前記アモルファスシリコン層との間に金属シリサイドを形成するためにパルス急速熱アニール処理が行われ、前記アモルファスシリコンがポリシリコン層に転換されるよう、前記パターン金属層および前記金属シリサイドが、前記アモルファスシリコンに熱エネルギーを伝導するように適合される。最後に、前記パターン金属層が除去される。したがって、上記の処理はポリシリコン層の金属汚染を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供し、前記基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン層上にパターン金属層を形成する工程と、
前記パターン金属層と前記アモルファスシリコン層との間に金属シリサイドを形成するためにパルス急速熱アニール処理を行う工程であって、前記パターン金属層および前記金属シリサイドが、前記アモルファスシリコンがポリシリコン層に転換されるよう、前記アモルファスシリコンに熱エネルギーを伝導するように適合される工程と、
前記パターン金属層を除去する工程とを含む、
ポリシリコン層形成方法。
【請求項２】
前記パターン金属層が、ニッケル、コバルト、銅、タンタル、鉄、または白金を含む、請求項１に記載のポリシリコン層形成方法。
【請求項３】
前記パルス急速熱アニール処理の動作温度が５５０℃から９００℃の間である、請求項１に記載のポリシリコン層形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載のポリシリコン層形成方法にしたがって形成されるポリシリコン層であって、前記ポリシリコン層の粒子が球形である、ポリシリコン層。
【請求項５】
前記粒子の大きさが４０００オングストロームより大きい、請求項４に記載のポリシリコン層。
【請求項６】
前記ポリシリコン層の表面粗さが１０オングストロームより小さい、請求項４に記載のポリシリコン層。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して膜およびその形成方法に関し、より具体的には、ポリシリコン層およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイは、人間がデバイスから情報を取得するための通信インターフェイスとしての役割を果たし、ディスプレイ市場における現在の主流はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）である。ＦＰＤは、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＯＬＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等を含む様々な種類に分類できる。
【０００３】
上記のディスプレイは通常、ディスプレイの切り替え装置として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いる。一般的に言えば、ＴＦＴは、アモルファスシリコンＴＦＴおよび低温ポリシリコン薄膜トランジスタ（ＬＴＰＳ  ＴＦＴ）を含む主に２つの種類に分類できる。ＬＴＰＳ  ＴＦＴの電子移動度は２００ｃｍ２／ＶＳを超えることがあるため、従来のアモルファスシリコンＴＦＴと比較して、ＬＴＰＳ  ＴＦＴの面積は高開口率の要件を満たすためにより小さくなっている。
【０００４】
ＬＴＰＳ  ＴＦＴのチャネル層としての役割を果たすポリシリコン層は、以下の方法によって形成できる。
【０００５】
１．固相晶析法（ＳＰＣ）と組み合わせた炉アニーリング（ＦＡ処理）―この方法の不利な点は、動作温度が高すぎる（６００℃超）こと、および熱処理に必要な時間が長すぎる（１５時間超）ことである。その上、ガラス基板を使用する場合、ガラス基板が高温によって変形することが多い。
【０００６】
２．エキシマレーザ結晶法（ＥＬＡ）処理―この方法の不利な点は、この装置がより高価なこと、処理時間がより長いこと、およびポリシリコン層の表面粗さが粗いことである。
【０００７】
３．金属誘起の横方向結晶化（ＭＩＬＣ）処理―この方法の不利な点は、ポリシリコン膜が金属汚染されていることである。その上、個々の粒子の大きさが小さすぎるため、粒子の大きさは範囲値によって表すことしかできない。
【０００８】
４．急速エネルギー移動アニーリング（ＲＥＴＡ）処理―この方法の不利な点は、加熱板としてウエハを採用していることであり、したがってこの方法は大型の基板には適用できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明は、金属汚染を防ぐためのポリシリコン層形成方法を対象とするものである。
【００１０】
本発明は、比較的大きな粒子の大きさを有するポリシリコン層も対象とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本明細書において具現化し広範に説明しているように、本発明は以下の工程を含むポリシリコン層形成方法を対象とする。まず、基板が提供され、前記基板上にアモルファスシリコン層が形成される。前記アモルファスシリコン上にパターン金属層が形成される。次に、前記パターン金属層と前記アモルファスシリコン層との間に金属シリサイドを形成するためにパルス急速熱アニール（ＰＲＴＡ）処理が行われ、前記アモルファスシリコンがポリシリコン層に変換されるよう、前記パターン金属層および前記金属シリサイドが、前記アモルファスシリコンに熱エネルギーを伝導するように適合される。最後に、前記パターン金属層が除去される。
【００１２】
本発明のある実施形態によると、前記パターン金属層の材質は、ニッケル、コバルト、銅、タンタル、鉄、または白金を含む。
【００１３】
本発明のある実施形態によると、前記パルス急速熱アニール処理の動作温度は５５０℃から９００℃の間である。
【００１４】
本明細書において具現化し広範に説明しているように、本発明は前述の形成方法にしたがって形成されるポリシリコン層も提供する。前記ポリシリコン層の粒子は球形である。
【００１５】
本発明のある実施形態によると、前記粒子の大きさは４０００オングストロームより大きい。
【００１６】
本発明のある実施形態によると、前記ポリシリコン層の表面粗さは１０オングストロームより小さい。
【００１７】
前述の説明によると、本発明は、金属シリサイドを形成するためにパルス急速熱アニール処理を用い、前記パターン金属層および前記アモルファスシリコン層は、前記アモルファスシリコン層をポリシリコン層に変換するため、前記アモルファスシリコン層に熱エネルギーを伝導することができる。従来のＭＩＬＣと比較して、本発明の金属シリサイドは横方向に移動しにくいため、金属汚染の発生を効果的に低減することができる。また、従来のＥＬＡ処理と比較して、本発明により提供される形成方法は、比較的大きな粒子の大きさを持つポリシリコン層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付図面は、本発明をさらに理解しやすくするために含まれたものであり、これらは本明細書の一部に組み込まれるとともに本明細書の一部を構成する。これらの図面は本発明の実施形態を図示するものであり、記述とあいまって本発明の原理を説明する役割を果たす。
【００１９】
以下、本発明の好適な実施形態を詳しく参照し、それらの例を添付図面に図示する。同じまたは同等の部分について言及する図面および記述においては、可能な限り同じ参照番号を使用する。
【００２０】
図１の（Ａ）から（Ｆ）は、本発明の実施形態に係るポリシリコン層形成工程を図示する略断面図である。図１（Ａ）を参照すると、本発明の実施形態に係るポリシリコン層形成方法は以下のステップを含む。まず、基板１１０が提供されるが、この基板１１０はガラス基板または水晶基板であってよい。次に、基板１１０上にアモルファスシリコン層１２０が形成される。アモルファスシリコン層１２０は、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ）またはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を使用して形成することができる。
【００２１】
図１（Ｂ）を参照すると、アモルファスシリコン層１２０上に金属層１３０が形成され、金属層１３０は、ニッケル、コバルト、銅、タンタル、鉄、白金、またはその他任意の金属材料からなり、例えばスパッタリング処理を使用して形成することができる。
【００２２】
図１（Ｃ）を参照すると、金属層１３０の一部はパターン金属層１３２を形成するために除去される。金属層１３０は、例えばフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理を使用して除去することができる。
【００２３】
図１（Ｄ）を参照すると、パターン金属層１３２とアモルファスシリコン層１２０との間に金属シリサイド１４０を形成するため、ＰＲＴＡ処理が行われる。次に、ＰＲＴＡ処理中、パターン金属層１３２および金属シリサイド１４０は、アモルファスシリコン層１２０が図１（Ｅ）に示すようにポリシリコン層１５０に変換されるよう、アモルファスシリコン層１２０に熱エネルギーを伝導する。
【００２４】
図２は、本発明の実施形態に係るＰＲＴＡ処理の加熱曲線を示す図である。図１（Ｄ）および図２を参照すると、地平座標は時間を表し、時間の単位は１秒であり、また垂直座標は温度を表し、摂氏は温度を示すのに使用される単位を表す。例えば、ＰＲＴＡ処理の動作温度は５５０℃から９００℃の間である。また、各サイクルにつき、高温（９００℃）が５秒続き、加熱勾配は７０℃／秒、冷却勾配は３５℃／秒である。より具体的には、結晶シードとしての役割を果たすシード金属シリサイド１４０をあらかじめ形成することができる。次に、ＰＲＴＡ処理から生成された赤外線エネルギーは、金属シリサイド１４０およびパターン金属層１３２によって熱に転換され、次いで熱はアモルファスシリコン層１２０へ伝導されてそれを結晶化する。すなわち、再結晶化のメカニズムは、一種のＳＰＣ様方法である。
【００２５】
図１（Ｆ）を参照すると、パターン金属層１３２が除去されており、パターン金属層１３２はエッチング処理によって除去されることができる。このようにして、本発明の実施形態に係るポリシリコン層１５０形成方法が完了する。
【００２６】
ＭＩＬＣ処理は、アモルファスシリコン層が再結晶するのを誘起するために金属シリサイドの側方移動を利用するため、その結果、側方結晶化領域（図１（Ｄ）に示すパターン金属層１３２によって覆われない領域）が金属汚染することがある。ポリシリコン層を、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）によって分析し、その結果は以下に示すとおりである。
【００２７】
図３は、エネルギー分散型Ｘ線分析装置によって測定したポリシリコン層のスペクトル図である。図３を参照すると、地平座標はエネルギーを表し、エネルギーの単位は１キロ電子ボルト（ＫｅＶ）であり、また垂直座標は秒当たりカウント（ｃｐｓ）を表す。本発明の金属シリサイドは横方向に移動することができず、したがって、側方結晶化領域内におけるニッケルのシグナルは明瞭ではない（図３の点線領域など）。すなわち、側方結晶化領域はごくわずかなニッケル量しか有さない。
【００２８】
図１（Ｆ）を参照すると、従来のＥＬＡ処理によって形成されたポリシリコン層の粒子は、樹枝状である。しかしながら、上述の処理によって形成されたポリシリコン層１５０の粒子は、実質的に球形である。金属シリサイドは核生成部位の一部の生成を早めるため、その結果、核生成密度は著しく減少し、ポリシリコン層１５０はより大きな粒子の大きさを有する。従来のＥＬＡ処理により形成されたポリシリコン層の粒子の大きさと比較すると、当該粒子の大きさが約３０００から４０００オングストロームであるのに対し、上述の処理によって形成されたポリシリコン層の粒子の大きさは４０００オングストロームより大きいことがある。その上、従来のＥＬＡ処理によって形成されたポリシリコン層の表面粗さが数十から数百ナノメートルの間であるのと比較すると、上述の処理によって形成されたポリシリコン層の表面粗さは１０オングストロームより小さいことがある。
【００２９】
要約すると、本発明は少なくとも以下の利点を有する。
【００３０】
１．従来のＳＰＣ処理と比較して、本発明は高速である（２分未満）。本発明はＰＲＴＡ処理を採用しており、したがってあらゆる種類の基板上にポリシリコン層を形成するのに適している。
【００３１】
２．従来のＥＬＡ処理と比較すると、本発明が必要とする機器は安価であり、その処理時間は高速である（２分未満）。また、本発明にしたがって形成されたポリシリコン層のほうが平面性に優れており、１０オングストローム未満である。
【００３２】
３．従来のＭＩＬＣ処理と比較すると、本発明の金属汚染は横方向に移動することができず、したがって金属汚染を効果的に回避することができる。
【００３３】
当業者には、本発明の構造に、本発明の範囲と精神を逸脱することなく様々な修正および変更がなされ得ることが明らかであろう。以上を考慮して、本発明は、以下の特許請求の範囲および同等物の範囲内に含まれる限り、本発明の修正および変更をも包含することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１（Ａ）から（Ｆ）は、本発明の実施形態に係るポリシリコン層形成工程を図示する略断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係るＰＲＴＡ処理の加熱曲線を示す図である。
【図３】図３は、エネルギー分散型Ｘ線分析装置によって測定したポリシリコン層のスペクトル図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１０  基板
１２０  アモルファスシリコン層
１３０  金属層
１３２  パターン金属層
１４０  金属シリサイド
１５０  ポリシリコン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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