(57)【要約】【課題】  結晶方位を示すマークの位置を高精度に決定できる窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法を提供する。【解決手段】  この窒化物半導体基板の加工方法では、まず、周囲の単結晶領域１４よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域からなる複数のストライプ領域１２を備えた円盤状の窒化物半導体基板２０を準備する。次に、ストライプ領域１２が延在する方向ＳＴを基準として、窒化物半導体基板２０の縁における所定の位置にオリエンテーションフラットＯＦを形成する。【選択図】  図１
2007073761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域を備えた円盤状の窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向を基準として、前記窒化物半導体基板の縁における所定の位置に切り欠きを形成する工程と、
を含む、窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項２】
前記切り欠きがオリエンテーションフラットである、請求項１に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項３】
前記オリエンテーションフラットがダイシングソーを用いて形成される、請求項２に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項４】
前記切り欠きがノッチである、請求項１に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項５】
前記切り欠きを形成する工程は、
前記窒化物半導体基板を顕微鏡により観察することによって、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向に沿っており前記窒化物半導体基板の中心を通過する直線を決定する工程と、
前記直線を基準として、前記窒化物半導体基板の中心を軸に前記窒化物半導体基板を所定角回転させる工程と、
を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項６】
前記直線を決定する工程では、前記窒化物半導体基板に紫外線を照射する、請求項５に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項７】
円弧状の縁を有する窒化物半導体基板であって、
周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域と、
当該窒化物半導体基板の縁に設けられており前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向と実質的に直角に延びるオリエンテーションフラットと、
を備える、窒化物半導体基板。
【請求項８】
前記オリエンテーションフラットがへき開面に設けられている、請求項７に記載の窒化物半導体基板。
【請求項９】
円弧状の縁を有する窒化物半導体基板であって、
周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域と、
当該窒化物半導体基板の縁に設けられたノッチと、
を備え、
前記ノッチは、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向に沿っており当該窒化物半導体基板の中心を通過する直線上に位置する、窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）として種々のものが知られている（特許文献１〜３参照）。特許文献２には、結晶方位を示すマークとしてのオリエンテーションフラット（ＯＦ）を有する窒化ガリウムウェハが記載されている。このようなオリエンテーションフラットは、Ｘ線回折法により結晶方位を確認した後、研削加工することにより形成される。
【０００３】
特許文献４には、ＧａＮではなくＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等の化合物半導体からなるウェハについて、オリエンテーションフラットを形成する方法が記載されている。また、特許文献５には、ウェハに形成されたオリエンテーションフラットの位置を検出する方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−１８３１００号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５６４５号公報
【特許文献３】特開２０００−１２９００号公報
【特許文献４】特開平７−３０７３１６号公報
【特許文献５】特開平２−２９１１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、窒化ガリウム基板におけるオリエンテーションフラットの位置精度は必ずしも十分ではなく、位置精度の更なる向上が望まれている。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、結晶方位を示すマークの位置を高精度に決定できる窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するため、本発明の窒化物半導体基板の加工方法は、周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域を備えた円盤状の窒化物半導体基板を準備する工程と、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向を基準として、前記窒化物半導体基板の縁における所定の位置に切り欠きを形成する工程とを含む。
【０００７】
本発明の窒化物半導体基板の加工方法では、複数のストライプ領域を備えた窒化物半導体基板を用いる。この複数のストライプ領域を形成する際には、ストライプ領域が延在する方向と所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。したがって、ストライプ領域が延在する方向を基準とすることによって、Ｘ線回折法を用いることなく、結晶方位を示すマークとしての切り欠きの位置を高精度に決定することができる。
【０００８】
また、前記切り欠きがオリエンテーションフラットであることが好ましい。この場合、オリエンテーションフラットの位置を高精度に決定できる。
【０００９】
また、前記オリエンテーションフラットがダイシングソーを用いて形成されることが好ましい。これにより、オリエンテーションフラットを簡便に形成することができる。
【００１０】
また、前記切り欠きがノッチであることが好ましい。この場合、切り欠きを形成する際に切り取られる部分を小さくすることができる。
【００１１】
また、前記切り欠きを形成する工程は、前記窒化物半導体基板を顕微鏡により観察することによって、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向に沿っており前記窒化物半導体基板の中心を通過する直線を決定する工程と、前記直線を基準として、前記窒化物半導体基板の中心を軸に前記窒化物半導体基板を所定角回転させる工程とを含むことが好ましい。この場合、切り欠きの位置をより高精度に決定することができる。
【００１２】
また、前記直線を決定する工程では、前記窒化物半導体基板に紫外線を照射することが好ましい。これにより、低欠陥領域と欠陥集中領域とがより明瞭に区別されるので、容易かつ高精度に直線を決定できる。
【００１３】
本発明の窒化物半導体基板は、円弧状の縁を有する窒化物半導体基板であって、周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域と、当該窒化物半導体基板の縁に設けられており前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向と実質的に直角に延びるオリエンテーションフラットとを備える。
【００１４】
本発明の窒化物半導体基板では、ストライプ領域が延在する方向と所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。オリエンテーションフラットは、ストライプ領域が延在する方向と実質的に直角に延びている。したがって、この窒化物半導体基板では、オリエンテーションフラットの位置を高精度に決定することができる。
【００１５】
また、前記オリエンテーションフラットがへき開面に設けられていることが好ましい。この場合、オリエンテーションフラットは高精度に形成される。
【００１６】
本発明の窒化物半導体基板は、円弧状の縁を有する窒化物半導体基板であって、周囲の低欠陥領域よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域を有する複数のストライプ領域と、当該窒化物半導体基板の縁に設けられたノッチとを備え、前記ノッチは、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも一つが延在する方向に沿っており当該窒化物半導体基板の中心を通過する直線上に位置する。
【００１７】
本発明の窒化物半導体基板では、ストライプ領域が延在する方向と所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。したがって、この窒化物半導体基板では、ノッチの位置を高精度に決定することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、結晶方位を示すマークの位置を高精度に決定できる窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００２０】
図１は、本実施形態の窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。図１に示される窒化物半導体基板１０は、円弧状の縁Ｅを有する。窒化物半導体基板１０は、例えば窒化ガリウムウェハである。窒化物半導体基板１０は、例えば半導体レーザ、ＬＥＤ等の半導体光デバイスに好適に用いられる。
【００２１】
窒化物半導体基板１０は、複数のストライプ領域２と、ストライプ領域２によって隔てられた複数の単結晶領域４とを備える。複数のストライプ領域２は、周囲の単結晶領域４（低欠陥領域）よりも結晶欠陥密度（転位密度）が高い欠陥集中領域からなる。よって、ストライプ領域２の結晶欠陥密度は、単結晶領域４の結晶欠陥密度よりも大きい。また、ストライプ領域２の結晶方位は、単結晶領域４の結晶方位と異なっている。
【００２２】
窒化物半導体基板１０の縁には、複数のストライプ領域２のうち少なくとも一つが延在する方向ＳＴと実質的に直角に延びるオリエンテーションフラットＯＦが設けられている。したがって、方向ＳＴに沿っており窒化物半導体基板１０の中心Ｏを通過する直線ＳＬは、オリエンテーションフラットＯＦと実質的に直交する。このようなオリエンテーションフラットＯＦを有する窒化物半導体基板１０では、ストライプ領域に平行に延びるオリエンテーションフラットを有する窒化物半導体基板と比べると、オリエンテーションフラットの機械的な位置決めが容易になるというメリットがある。また、窒化物半導体基板１０が例えばＧａＮ基板等の透明基板である場合に、製造工程を自動化し易い。
【００２３】
オリエンテーションフラットＯＦは、結晶方位を示すマークとしての切り欠きの一例である。オリエンテーションフラットＯＦは、例えば窒化物半導体基板１０から半導体レーザを製造するプロセスにおいて目印となる。これにより、窒化物半導体基板１０の自動搬送又は自動アライメント等が容易になる。
【００２４】
ストライプ領域２が延在する方向ＳＴは、単結晶領域４の＜１−１００＞方向又は＜１１−２０＞方向に沿っている。なお、＜１−１００＞方向は、単結晶領域４の［１−１００］方向等に等価な結晶方位を表す。＜１１−２０＞方向は、単結晶領域４の［１１−２０］方向等に等価な結晶方位を表す。
【００２５】
方向ＳＴが単結晶領域４の＜１−１００＞方向に沿っている場合、オリエンテーションフラットＯＦは単結晶領域４の＜１１−２０＞方向に沿って延びる。方向ＳＴが単結晶領域４の＜１１−２０＞方向に沿っている場合、オリエンテーションフラットＯＦは単結晶領域４の＜１−１００＞方向に沿って延びる。
【００２６】
窒化物半導体基板は、例えば、ＧａＡｓ基板上に窓を有するマスクを形成し、そのマスク上に窒化物半導体をエピタキシャル成長した後、ＧａＡｓ基板を除去することによって得られる。窒化物半導体基板１０では、例えばＧａＡｓ基板の［−１１０］方向に沿って延びるストライプマスクを用いて窒化物半導体基板１０を形成することによって、ストライプ領域２が延在する方向ＳＴと単結晶領域４の［１１−２０］方向とを高精度に一致させることができる。
【００２７】
このように、窒化物半導体基板１０では、ストライプ領域２が延在する方向ＳＴと所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。したがって、方向ＳＴを基準とすることによって、オリエンテーションフラットＯＦの位置を高精度に決定することができる。例えば方向ＳＴと［１−１００］方向とが高精度に一致している場合には、オリエンテーションフラットＯＦと単結晶領域４の［１１−２０］方向とを高精度に一致させることができる。
【００２８】
その結果、位置決め精度の要求が例えば０．０２度以内と厳しい半導体レーザを製造する際であっても、窒化物半導体基板１０を用いることによって好適に半導体レーザを製造できる。この場合、ストライプ領域２を形成する際の誤差（例えば方向ＳＴと［１−１００］方向とのなす角）を０．０１度以内、オリエンテーションフラットＯＦを加工する際の誤差（方向ＳＴを９０度回転させた方向とオリエンテーションフラットＯＦとのなす角）を０．０１度以内とすることが好ましい。これにより、オリエンテーションフラットＯＦと単結晶領域４の［１１−２０］方向とのなす角を０．０２度以内とすることができる。また、ストライプ領域２を形成する際の誤差を０．０３度以内、オリエンテーションフラットＯＦを加工する際の誤差を０．０１度以内とすることにより、オリエンテーションフラットＯＦと単結晶領域４の［１１−２０］方向とのなす角を０．０４度以内とすることができる。
【００２９】
また、オリエンテーションフラットＯＦは、へき開面に設けられていることが好ましい。この場合、オリエンテーションフラットＯＦを形成する際に窒化物半導体基板を切断し易くなるため、オリエンテーションフラットＯＦを高精度に形成できる。また、半導体レーザ等の半導体光デバイスを好適に製造できる。窒化物半導体基板１０が例えば窒化ガリウムからなる場合、単結晶領域４の［１−１００］方向がへき開面の法線方向となる。
【００３０】
また、窒化物半導体基板１０が２インチウェハの場合、オリエンテーションフラットＯＦの長さは、１６±１ｍｍであることが好ましい。
【００３１】
さらに、オリエンテーションフラットＯＦは、必要に応じて面取りされている。例えば、半径０．１〜０．２５ｍｍのＲ面取りがオリエンテーションフラットＯＦに施されていることが好ましい。この場合、窒化物半導体基板１０を搬送する際にチッピングが発生し難い。また、例えば半径２μｍのＲ面取りがオリエンテーションフラットＯＦに施されていてもよい。この場合、面取り量が小さくなるので、窒化物半導体基板１０の光学式の位置決め精度が向上する。
【００３２】
窒化物半導体基板１０の縁Ｅ（オリエンテーションフラットＯＦが形成されていない縁）は、窒化物半導体基板１０の光学式の位置決め精度に殆ど影響を及ぼさない。よって、窒化物半導体基板１０の縁Ｅには、例えば半径０．１〜０．２５ｍｍのＲ面取りが施されていることが好ましい。
【００３３】
なお、ストライプ領域２内全体が欠陥集中領域からなっていなくてもよい。例えば、ストライプ領域２内には、欠陥集中領域と単結晶領域（低欠陥領域）とが方向ＳＴに沿って交互に繰り返し配置されていてもよい。
【００３４】
また、窒化物半導体基板１０は、窒化ガリウム以外のIII族窒化物半導体（例えば、窒化アルミニウム、窒化インジウム等）からなってもよい。さらに、窒化物半導体基板１０の縁Ｅには、オリエンテーションフラットＯＦよりも長さが短いインデックスフラット（ＩＦ）が設けられていてもよい。窒化物半導体基板１０が２インチウェハの場合、ＩＦの長さは７±１ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
また、ストライプ領域２が延在する方向ＳＴと単結晶領域４の［１１−２０］方向とを高精度に一致させてもよい。この場合、オリエンテーションフラットＯＦと単結晶領域４の［１−１００］方向とを高精度に一致させることができる。
【００３６】
図２は、別の実施形態の窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。図２に示される窒化物半導体基板１０ａは、円弧状の縁Ｅを有する。窒化物半導体基板１０ａは、ストライプ領域２と、単結晶領域４とを備える。窒化物半導体基板１０ａの縁には、ノッチＮＴが設けられている。
【００３７】
ノッチＮＴは、ストライプ領域２が延在する方向ＳＴに沿っており窒化物半導体基板１０ａの中心Ｏを通過する直線ＳＬ上に位置する。ノッチＮＴでは、オリエンテーションフラットＯＦに比べて切り取られる部分を小さくすることができる。その結果、窒化物半導体基板１０ａから多くの半導体光デバイスが得られる。また、材料歩留まりも向上する。
【００３８】
窒化物半導体基板１０と同様に、窒化物半導体基板１０ａでも、方向ＳＴと所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。したがって、窒化物半導体基板１０ａでは、ノッチＮＴの位置を高精度に決定することができる。
【００３９】
図３は、窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。図３に示される窒化物半導体基板１０ｂは、円弧状の縁Ｅを有する。窒化物半導体基板１０ｂは、ストライプ領域２と、単結晶領域４とを備える。窒化物半導体基板１０ｂの縁には、オリエンテーションフラットＯＦ１が設けられている。オリエンテーションフラットＯＦ１は、窒化物半導体基板１０ｂの中心Ｏを軸として直線ＳＬを所定角α回転させた直線Ａに対して実質的に直角に延びている。所定角αは、＋１０度以上＋８０度以下及び−１０度以上−８０度以下であることが好ましい。この場合、ＩＦを形成しなくても窒化物半導体基板１０ｂの表裏を識別できる。所定角αは、例えば４５度である。
【００４０】
図４は、窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。図４に示される窒化物半導体基板１０ｃは、円弧状の縁Ｅを有する。窒化物半導体基板１０ｃは、ストライプ領域２と、単結晶領域４と、窒化物半導体基板１０ｃの縁に設けられたノッチＮＴ１とを備える。ノッチＮＴ１は直線Ａ上に位置しているので、窒化物半導体基板１０ｃの表裏を識別できる。
【００４１】
次に、図１、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る窒化物半導体基板の加工方法について説明する。図５は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の加工方法における一工程を模式的に示す平面図である。図６は、窒化物半導体基板の加工装置を模式的に示す斜視図である。
【００４２】
（基板準備工程）
まず、図５に示されるように、周囲の単結晶領域１４（低欠陥領域）よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域からなる複数のストライプ領域１２を備えた円盤状の窒化物半導体基板２０を準備する。単結晶領域１４は、ストライプ領域１２によって隔てられている。ストライプ領域１２内には、欠陥集中領域と単結晶領域（低欠陥領域）とが方向ＳＴに沿って交互に繰り返し配置されていてもよい。
【００４３】
（切り欠き形成工程）
次に、図１及び図５に示されるように、複数のストライプ領域１２のうち少なくとも一つが延在する方向ＳＴを基準として、窒化物半導体基板２０の縁における所定の位置に、切り欠きとしてのオリエンテーションフラットＯＦを形成する。これにより、ストライプ領域１２からストライプ領域２が形成され、単結晶領域１４から単結晶領域４が形成される。その結果、窒化物半導体基板２０から窒化物半導体基板１０が得られる。
【００４４】
オリエンテーションフラットＯＦは、例えば、研削加工、レーザ加工、放電加工、超音波加工等により形成される。材料コストは増加するが、オリエンテーションフラットＯＦをへき開により形成してもよい。また、オリエンテーションフラットＯＦを形成した後に、エッチング又はポリッシュを施してもよい。
【００４５】
オリエンテーションフラットＯＦは、例えば図６に示される加工装置３０を用いることにより好適に形成される。加工装置３０は、Ｘ軸及びＹ軸（水平方向）に移動可能な駆動機構７０と、駆動機構７０上に設けられ窒化物半導体基板２０を載置するためのステージ６０とを備える。例えば、駆動機構７０がＸ軸方向又はＹ軸方向に移動することにより、窒化物半導体基板２０をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動させることができる。また、例えば、ステージ６０が回転することにより、窒化物半導体基板２０を回転させることができる。
【００４６】
さらに、加工装置３０は、窒化物半導体基板２０の表面を観察するための顕微鏡５０と、オリエンテーションフラットＯＦを形成するためのダイシングソー４０とを備えることが好ましい。顕微鏡５０を用いると、低コストかつ容易にオリエンテーションフラットＯＦを形成することができる。また、ダイシングソー４０を用いると、オリエンテーションフラットＯＦを簡便に形成することができる。また、市販のダイシングソーを用いることにより低コスト化を図ることができる。オリエンテーションフラットＯＦを形成する際には、窒化物半導体基板２０を移動させてもよいし、ダイシングソー４０を移動させてもよい。
【００４７】
なお、ダイシングソー４０に代えて、例えば、研削加工のための砥石、レーザ加工のためのレーザ光源、放電加工のための電極、超音波加工のための工具等を用いることによりオリエンテーションフラットＯＦを形成してもよい。砥石を用いる場合、例えば、円筒形の砥石、面取り形状に対応した形状を有する砥石、又は外周刃砥石等を好適に用いることができる。
【００４８】
顕微鏡５０は、窒化物半導体基板２０の表面に対向配置された対物レンズ５１と、対物レンズ５１からの光を受ける光学系５３と、光学系５３からの光を受け窒化物半導体基板２０の表面状態を表示可能な表示部５５とを備えることが好ましい。顕微鏡５０のＸ軸及びＹ軸と駆動機構７０のＸ軸及びＹ軸とがそれぞれ一致するように、予め軸調整を行うことが好ましい。ダイシングソー４０は、窒化物半導体基板２０を切断するためのダイヤモンドブレード４１と、ダイヤモンドブレード４１を駆動させるための駆動部４３とを備えることが好ましい。
【００４９】
また、加工装置３０は、窒化物半導体基板２０の端面を加工する加工装置（図示せず）を有していてもよい。この加工装置を用いることにより、オリエンテーションフラットＯＦに面取りを施すことができる。
【００５０】
以下、切り欠き形成工程をより具体的に説明する。切り欠き形成工程は、下記の観察工程及び回転工程を含むことが好ましい。まず、観察工程では、窒化物半導体基板２０を顕微鏡５０により観察する。これにより、ストライプ領域１２が延在する方向ＳＴに沿った直線ＳＬを決定する。顕微鏡５０の光源としては、例えば、白色光源、緑色光源、紫外線光源等を用いることができる。緑色光源を用いると、単結晶領域１４とストライプ領域１２とが明瞭に区別し易くなる。
【００５１】
また、窒化物半導体基板２０に紫外線を照射することが好ましい。この場合、窒化物半導体基板２０の構成材料が蛍光を発するため、単結晶領域１４とストライプ領域１２とがより明瞭に区別されるので、容易かつ高精度に直線ＳＬを決定できる。
【００５２】
次に、回転工程では、直線ＳＬを基準として、窒化物半導体基板２０の中心Ｏを軸に窒化物半導体基板２０を所定角回転させる。これにより、窒化物半導体基板２０を所望の位置に調整することができる。その結果、オリエンテーションフラットＯＦの位置をより高精度に決定することができる。例えば、顕微鏡５０のＸ軸からＹ軸方向に±８μｍ以内の帯状領域にストライプ領域１２が含まれるように窒化物半導体基板２０を回転させる。これにより、ストライプ領域１２が延在する方向ＳＴと駆動機構７０のＸ軸とのなす角を０．０１度以内にすることができる。その後、ダイシングソー４０をＹ軸方向に移動させることにより、オリエンテーションフラットＯＦを形成することができる。
【００５３】
上述のように、本実施形態の窒化物半導体基板の加工方法では、ストライプ領域１２を備えた窒化物半導体基板２０を用いる。ストライプ領域１２を形成する際には、ストライプ領域１２が延在する方向ＳＴと所望の結晶方位とを高精度に一致させることができる。したがって、方向ＳＴを基準とすることによって、Ｘ線回折法を用いることなくオリエンテーションフラットＯＦの位置を高精度に決定することができる。
【００５４】
なお、切り欠き形成工程において、窒化物半導体基板２０を所定角α回転させることによって、オリエンテーションフラットＯＦに代えてオリエンテーションフラットＯＦ１（図３参照）を形成してもよい。また、切り欠き形成工程において、オリエンテーションフラットＯＦに代えてノッチＮＴ（図２参照）又はノッチＮＴ１（図４参照）を形成してもよい。いずれの場合であっても、方向ＳＴを基準とすることによって、Ｘ線回折法を用いることなく切り欠きの位置を高精度に決定することができる。
【００５５】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態の窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。
【図２】別の実施形態の窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。
【図３】窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。
【図４】窒化物半導体基板を模式的に示す平面図である。
【図５】本実施形態に係る窒化物半導体基板の加工方法における一工程を模式的に示す平面図である。
【図６】窒化物半導体基板の加工装置を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
２，１２…ストライプ領域、４，１４…単結晶領域（低欠陥領域）、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０…窒化物半導体基板、４０…ダイシングソー、５０…顕微鏡、Ｅ…縁、ＮＴ，ＮＴ１…ノッチ（切り欠き）、Ｏ…窒化物半導体基板の中心、ＯＦ，ＯＦ１…オリエンテーションフラット（切り欠き）、ＳＬ…窒化物半導体基板の中心を通過する直線、ＳＴ…ストライプ領域が延在する方向。
【図１】
2007073761.tif 000003
【図２】
2007073761.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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