(57)【要約】【課題】  通常の光ファイバを内蔵した他の光接続部品との接続時に、所望な光学特性を得ることができるファイバグレーティング内蔵型の光接続部品を提供する。【解決手段】  光アダプタ１は、ファイバグレーティング１０が形成された光ファイバ１１を有している。ファイバグレーティング１０は、光ファイバ１１の一端側部分に形成された第１グレーティング領域と、光ファイバ１１の他端側部分に形成された第２グレーティング領域とを有している。第２グレーティング領域は、第１グレーティング領域に対して連続的に形成されているのが好ましい。第１グレーティング領域は、光ファイバ１１の一端側から他端側に向けてグレーティングピッチが徐々に増加するように形成され、第２グレーティング領域は、同方向にグレーティングピッチが徐々に減少するように形成されている。【選択図】  図１
2007025603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定波長の光を反射または透過させるファイバグレーティングが形成された光ファイバを備えた光接続部品において、
前記ファイバグレーティングは、前記光ファイバの一端側から他端側に向けてグレーティングピッチが増加するように形成された少なくとも１つの第１グレーティング領域と、前記第１グレーティング領域の少なくとも１つよりも前記光ファイバの前記他端側に設けられ、前記光ファイバの前記一端側から前記他端側に向けてグレーティングピッチが減少するように形成された少なくとも１つの第２グレーティング領域とを有することを特徴とする光接続部品。
【請求項２】
前記第１グレーティング領域及び前記第２グレーティング領域の各々における最も短いグレーティングピッチが実質的に同等であり、前記第１グレーティング領域及び前記第２グレーティング領域の各々における最も長いグレーティングピッチが実質的に同等であることを特徴とする請求項１記載の光接続部品。
【請求項３】
前記ファイバグレーティングは、前記第１グレーティング領域及び前記第２グレーティング領域を１つずつ有していることを特徴とする請求項１または２記載の光接続部品。
【請求項４】
前記第１グレーティング領域において前記グレーティングピッチが増加する変化率は、前記第２グレーティング領域において前記グレーティングピッチが減少する変化率と実質的に同等であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の光接続部品。
【請求項５】
前記第１グレーティング領域と前記第２グレーティング領域とが連続的に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の光接続部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバを内蔵した光アダプタや光コネクタ等の光接続部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光接続部品としては、例えば特許文献１に記載されているように、任意波長の光を反射または透過させるファイバグレーティングが書き込まれた光ファイバを内蔵したものが知られている。
【特許文献１】特開平１０―２２７９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ファイバグレーティングにおいては、所望の遮断帯域幅を得るために、光ファイバの長手方向にグレーティング周期を変化させることがある。このようなファイバグレーティングは、チャープトグレーティングと呼ばれている。従来では、チャープトグレーティングが形成された光ファイバを内蔵した光接続部品とファイバグレーティングが形成されていない通常の光ファイバを内蔵した光接続部品と接続した場合に、良好な光学特性が得られないことがあった。
【０００４】
本発明の目的は、通常の光ファイバを内蔵した他の光接続部品との接続時に、所望な光学特性を得ることができるファイバグレーティング内蔵型の光接続部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、ファイバグレーティングが形成された光ファイバとファイバグレーティングが形成されていない通常の光ファイバとの接続について、試行錯誤を繰り返しながら鋭意検討を重ねた結果、チャープトグレーティングに対して入射する光の方向がファイバグレーティングのフィルタ特性（光学特性）に影響を及ぼすことを見い出した。具体的には、グレーティングピッチが光伝搬方向に対して徐々に増加するだけの場合には、各光ファイバのコア間に軸ずれがあると、特定波長の光の遮断特性が劣化し、グレーティングピッチが光伝搬方向に対して徐々に減少するだけの場合には、特定波長の光の反射特性が劣化することが分かった。本発明は、そのような知見に基づいて完成されたものである。
【０００６】
即ち、本発明は、特定波長の光を反射または透過させるファイバグレーティングが形成された光ファイバを備えた光接続部品において、ファイバグレーティングは、光ファイバの一端側から他端側に向けてグレーティングピッチが増加するように形成された少なくとも１つの第１グレーティング領域と、第１グレーティング領域の少なくとも１つよりも光ファイバの他端側に設けられ、光ファイバの一端側から他端側に向けてグレーティングピッチが減少するように形成された少なくとも１つの第２グレーティング領域とを有することを特徴とするものである。
【０００７】
このようなファイバグレーティングが形成された光ファイバを備えた光接続部品と通常の光ファイバを備えた他の光接続部品とを接続する際、各光ファイバのコア間に軸ずれがあると、他の光接続部品の光ファイバを基底モード（コアモード）で伝搬してきた光の一部からクラッドモードが発生する。そして、本発明に係わる光接続部品の光ファイバを基底モードで伝搬する光は、第１グレーティング領域の基底モード反射位置で反射される。また、本発明に係わる光接続部品の光ファイバをクラッドモードで伝搬する光の一部は、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域のクラッドモード反射位置でそれぞれ反射されて、基底モードに結合する。ここで、コア及びクラッドの屈折率の違いによって、基底モードの光は、クラッドモードから基底モードに結合した光よりもグレーティングピッチの短い部位で反射されることになる。このため、第１グレーティング領域では、基底モード反射位置はクラッドモード反射位置よりも光入射側に形成され、第２グレーティング領域では、基底モード反射位置はクラッドモード反射位置よりも光出射側に形成されることになる。
【０００８】
従って、クラッドモードから基底モードに結合した光は、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域の基底モード反射位置でそれぞれ反射され合って、ファイバグレーティングに閉じ込められる状態になるか、再びクラッドモードに結合してクラッドを通り抜けていくことで、光ファイバの出射側のコア端面に到達しなくなると考えられる。これにより、各光ファイバのコア間の軸ずれ量に応じた特定波長の光遮断量の劣化を低減することができる。さらに、クラッドモードから基底モードに結合した光は、他の光接続部品の光ファイバから入射された基底モードの光及びその反射光と干渉しにくくなると考えられる。これにより、特定波長の光反射特性の劣化を低減することもできる。以上により、ファイバグレーティングの良好なフィルタ特性が得られ、ひいては所望な光学特性を得ることが可能となる。
【０００９】
好ましくは、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域の各々における最も短いグレーティングピッチが実質的に同等であり、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域の各々における最も長いグレーティングピッチが実質的に同等である。この場合には、最も短いグレーティングピッチから最も長いグレーティングピッチまでに対応する波長の光が光ファイバの出射側のコア端面に到達することを確実に防止できる。
【００１０】
また、好ましくは、ファイバグレーティングは、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域を１つずつ有している。この場合には、ファイバグレーティングの構成を最も簡単にしながらも、クラッドモードから基底モードに結合した光の閉じ込め効果を十分に発揮させることができる。
【００１１】
さらに、好ましくは、第１グレーティング領域においてグレーティングピッチが増加する変化率は、第２グレーティング領域においてグレーティングピッチが減少する変化率と実質的に同等である。この場合には、光ファイバの一端側から光を入射させても、光ファイバの他端側から光を入射させても、ほぼ同一の光学特性を得ることができる。これにより、本発明に係わる光接続部品と通常の光ファイバを有する他の光接続部品とを接続する際に、光接続部品の接続方向を気にしなくて済む。
【００１２】
また、好ましくは、第１グレーティング領域と第２グレーティング領域とが連続的に形成されている。この場合には、第１グレーティング領域と第２グレーティング領域との間で生じる光の多重反射の頻度が最小限に抑えられるため、ファイバグレーティングによる遮断帯域にリップルが生じにくくなる。また、より好ましくは第１グレーティング領域と第２グレーティング領域との位相を整合させておく。この場合には、第１グレーティング領域と第２グレーティング領域との位相不整合によって遮断帯域に生じるリップルを抑えることができる。これらにより、ファイバグレーティングが形成された光ファイバを備えた光接続部品と通常の光ファイバを備えた他の光接続部品とを接続するに際し、ファイバグレーティングの更に良好なフィルタ特性を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係わる光接続部品によれば、通常の光ファイバを内蔵した他の光接続部品との接続時に、所望な光学特性を得ることができる。これにより、各光接続部品の光ファイバ同士の位置合わせを極めて精密に行う必要がないので、光接続部品の製造面で非常に有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る光接続部品の好適な実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係る光接続部品の一実施形態として光アダプタを示す断面図である。同図において、本実施形態の光アダプタ１は、光コネクタ２，３同士を接続するための光接続部品である。
【００１６】
光アダプタ１は、ハウジング４と、このハウジング４の内部をコネクタ受容部５ａ，５ｂに区画する仕切壁６とを有している。仕切壁６には、ハウジング４の両端側に突出したスリーブ７が一体的に形成されている。スリーブ７内には、ハウジング４の長手方向に延在するファイバ孔を有するフェルール８が収容されている。フェルール８は、スリーブ７の両端側にコネクタ嵌合凹部９ａ，９ｂを形成するようにスリーブ７内の中央部に配置されている。
【００１７】
フェルール８のファイバ孔には、ファイバグレーティング１０を形成した光ファイバ１１が入っている。ファイバグレーティング１０は、光ファイバ１１のコアに周期的な屈折率変化を形成したものであり、その周期に対応した特定波長の光を反射または透過させる。ファイバグレーティング１０は、光ファイバ１１の側面に紫外線を照射して干渉縞を形成し、その干渉縞に応じたパターンが光誘起屈折率変化により光ファイバ１１中に書き込まれることによって形成される。
【００１８】
ファイバグレーティング１０は、図２に示すように、光ファイバ１１の一端側（図１のコネクタ嵌合凹部９ａ側）部分に形成されたグレーティング領域１２と、光ファイバ１１の他端側（図１のコネクタ嵌合凹部９ｂ側）部分に形成されたグレーティング領域１３とを有している。グレーティング領域１３は、グレーティング領域１２に対して連続的に形成されているのが好ましい。
【００１９】
グレーティング領域１２は、光ファイバ１１の一端側から他端側に向けて（図示矢印Ａ方向）にグレーティングピッチが徐々に増加する、言い換えると屈折率変化であるグレーティングの周期が徐々に長くなるように形成されている。グレーティング領域１３は、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に減少する（グレーティングの周期が徐々に短くなる）ように形成されている。
【００２０】
このとき、図３に示すように、グレーティング領域１２の最も短いグレーティングピッチとグレーティング領域１３の最も短いグレーティングピッチとを同一とし、グレーティング領域１２の最も長いグレーティングピッチとグレーティング領域１３の最も長いグレーティングピッチとを同一とするのが好ましい。さらに、グレーティング領域１２においてグレーティングピッチが増加する変化率と、グレーティング領域１３においてグレーティングピッチが減少する変化率とは、同一となっているのが好ましい。
【００２１】
グレーティングピッチの変化率が大きい場合は、所望の遮断帯域幅を得るのに必要なファイバグレーティング１０を短くすることができるため、光アダプタ１の寸法を小さくコンパクトに設計することができる。また、グレーティングピッチの変化率が小さい場合は、所望の遮断帯域幅を得るのに必要なファイバグレーティング１０を長くすることができるため、良好なフィルタ特性を得るのに有利となり、生産性が向上する。ファイバグレーティング１０をフェルール８に位置決め、固定する際の寸法トレランスとしては、光ファイバ１１（フェルール８）の全長の２０〜４０％程度設けておくことが望ましいため、光ファイバ１１（フェルール８）の全長をＡとした場合、ファイバグレーティング１０の長さは、０．６×Ａ〜０．８×Ａ程度となるように設計することが好ましい。
【００２２】
本実施形態では、光ファイバ１１（フェルール８）の全長Ａは、２０ｍｍ程度とした。この場合に好ましいファイバグレーティング１０の長さは、例えば１２〜１６ｍｍ程度であり、所望の遮断帯域幅を得るのに必要なグレーティングピッチの変化率は、例えば１６〜２６ｎｍ／ｃｍ程度であるため、ファイバグレーティング１０の長さを１４ｍｍ程度とし、ファイバグレーティング１０のグレーティングピッチの変化率を２２ｎｍ／ｃｍ程度とした。この場合には、光アダプタ１の寸法を小さくコンパクトに設計することができると共に、ファイバグレーティング１０をフェルール８に位置決め、固定する際の寸法トレランスとしても好適である。また、ファイバグレーティング１０の長さ及びグレーティングピッチの変化率においても、フィルタ特性を著しく低下させることは無いため、生産性は良好である。
【００２３】
図３において、横軸は、ファイバグレーティング１０の一端（コネクタ嵌合凹部９ａ側）からの長さ位置を示し、縦軸は、ファイバグレーティング１０のグレーティングピッチを示している。同図から分かるように、グレーティング領域１２，１３のグレーティングピッチの構成は、ファイバグレーティング１０の中心に対して対称となっている。このとき、グレーティング領域１２，１３において、グレーティングピッチの位相が整合しているのが望ましい。
【００２４】
このように光ファイバの長手方向に沿ってグレーティングピッチを変化させたファイバグレーティングは、チャープトグレーティングと呼ばれる。このチャープトグレーティングでは、光の反射波長が光ファイバの長手方向に沿って変化することになる。具体的には、長波長の光は、ファイバグレーティングにおけるグレーティングピッチの長い部位で反射され、短波長の光は、ファイバグレーティングにおけるグレーティングピッチの短い部位で反射される。
【００２５】
図１に戻り、このような光アダプタ１のコネクタ受容部５ａには光コネクタ２が挿入され、光アダプタ１のコネクタ受容部５ｂには光コネクタ３が挿入される。光コネクタ２はフェルール１４を有し、このフェルール１４のファイバ孔には、ファイバグレーティングが形成されていない通常の光ファイバ１５が入っている。光コネクタ２を光アダプタ１のコネクタ受容部５ａに挿入し、更にフェルール１４をコネクタ嵌合凹部９ａに嵌め込んでフェルール８に突き当てることで、光アダプタ１に内蔵された光ファイバ１１と光ファイバ１５とが接続されることになる。
【００２６】
光コネクタ３はフェルール１６を有し、このフェルール１６のファイバ孔には、ファイバグレーティングが形成されていない通常の光ファイバ１７が入っている。光コネクタ３を光アダプタ１のコネクタ受容部５ｂに挿入し、更にフェルール１６をコネクタ嵌合凹部９ｂに嵌め込んでフェルール８に突き当てることで、光アダプタ１に内蔵された光ファイバ１１と光ファイバ１７とが接続されることになる。
【００２７】
なお、ファイバグレーティング１０が形成された光ファイバ１１を内蔵した光アダプタの構造としては、特に上記の光アダプタ１に限られるものではない事は言うまでも無い。
【００２８】
次に、光アダプタ１を介して光コネクタ２，３同士を接続した状態で、光ファイバ１５から光ファイバ１７に向けて光を伝搬させ、その時のファイバグレーティング１０のフィルタ特性（光学特性）をシミュレーションにより解析したので、その内容について説明する。
【００２９】
まず比較例として、図４に示すように、上述したファイバグレーティング１０の代わりに、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に増加するグレーティング領域のみ有するファイバグレーティング５０を形成した場合について考える。
【００３０】
このとき、光ファイバ１１のコア１１ａと光ファイバ１５のコア１５ａとの軸ずれが無い場合のフィルタ特性を図５（ａ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが２μｍである場合のフィルタ特性を図５（ｂ）に示す。図５において、実線が反射率特性であり、１点鎖線が透過率特性である。同図から分かるように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが発生すると、特定波長の光の透過率が高くなり、当該光の遮断量（遮断スペクトル）が劣化する。この不具合は、以下のメカニズムによって起こるものと推定される。
【００３１】
即ち、図４に示すように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれがあると、コア１５ａを伝搬してきた特定波長（例えば１．６５μｍ帯）の基底モード（コアモード）の光Ｐはコア１１ａに入射されるが、その光の一部は、光ファイバ１１のクラッド１１ｂに漏れてクラッドモードの光Ｑが発生する。
【００３２】
ここで、クラッド１１ｂの屈折率はコア１１ａの屈折率よりも低いので、クラッドモードの光は、基底モードの光よりもグレーティングピッチの長い部位で反射される。従って、クラッドモードの光の反射位置Ｙは、基底モードの光の反射位置Ｘよりも光ファイバ１７側に存在することになる。
【００３３】
コア１１ａを通る基底モードの光Ｐは、反射位置Ｘで反射されるため、光ファイバ１７のコア１７ａに入射されることはない。しかし、クラッド１１ｂを通るクラッドモードの光Ｑの一部は、反射位置Ｘよりも光ファイバ１７側の反射位置Ｙで反射されて、基底モードに結合される。そして、その結合した光Ｑ１は、コア１１ａを光ファイバ１５側に向けて伝搬し、反射位置Ｘで反射される。そして、その反射光Ｑ２は、コア１１ａを光ファイバ１７側に向けて伝搬し、コア１７ａに入射される。これにより、特定波長の光の遮断量の劣化が生じ、図５（ｂ）に示すようにファイバグレーティング５０のフィルタ特性が悪化するものと考えられる。
【００３４】
なお、光ファイバ１５のクラッド１５ｂから入射されたクラッドモードの光Ｒの一部は、ファイバグレーティング５０において基底モードに結合され、光ファイバ１７側に向けて伝搬するが、その影響は極めて少ないため無視しても構わない。
【００３５】
他の比較例として、図６に示すように、上述したファイバグレーティング１０の代わりに、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に減少するグレーティング領域のみ有するファイバグレーティング６０を形成した場合について考える。
【００３６】
このとき、光ファイバ１１のコア１１ａと光ファイバ１５のコア１５ａとの軸ずれが無い場合のフィルタ特性を図７（ａ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが２μｍである場合のフィルタ特性を図７（ｂ）に示す。図７において、実線が反射率特性であり、１点鎖線が透過率特性である。同図から分かるように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれの有無にかかわらず、特定波長の光の反射率が低くなり、当該光の反射スペクトルが劣化する。この不具合は、以下のメカニズムによって起こるものと推定される。
【００３７】
即ち、図６に示すように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれがあると、図４に示した場合と同様に、基底モードの光Ｐからクラッドモードの光Ｑが発生する。このとき、コア１１ａを通る基底モードの光Ｐは反射位置Ｘで反射され、クラッド１１ｂを通るクラッドモードの光Ｑは、反射位置Ｘよりも光ファイバ１５側の反射位置Ｙで反射されて、基底モードに結合される。このため、反射位置Ｘで反射された光（反射光）Ｐ１とクラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ１とが干渉してしまう。また、クラッド１５ｂからのクラッドモードの光Ｒの一部が基底モードに結合されるときにも、当該光が反射光Ｐ１と干渉することがある。このような光同士の干渉によって、特定波長の光の反射率の劣化が生じ、図７（ｂ）に示すようにファイバグレーティング６０のフィルタ特性が悪化するものと考えられる。
【００３８】
なお、図７（ａ）に示すようにコア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが無い場合でも、クラッド１５ｂからのクラッドモードの光Ｒの一部が反射光Ｐ１と干渉すること等によって、特定波長の光の反射率の劣化が生じると考えられる。
【００３９】
更に他の比較例として、図８に示すように、光ファイバ１５側部分に配置されたグレーティング領域７１と光ファイバ１７側部分に配置されたグレーティング領域７２とからなるファイバグレーティング７０であって、グレーティング領域７１を、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に減少するように形成し、グレーティング領域７２を、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に増加するように形成した場合について考える。
【００４０】
このとき、光ファイバ１１のコア１１ａと光ファイバ１５のコア１５ａとの軸ずれが無い場合のフィルタ特性を図９（ａ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが２μｍである場合のフィルタ特性を図９（ｂ）に示す。図９において、実線が反射率特性であり、１点鎖線が透過率特性である。同図から分かるように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれの有無にかかわらず、特定波長の光の透過率が極めて高くなり、当該光の遮断量（遮断スペクトル）が非常に劣化し、更に特定波長の光の反射率が低くなり、当該光の反射スペクトルが劣化する。この不具合は、以下のメカニズムによって起こるものと推定される。
【００４１】
即ち、図８に示すように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれがあると、図４に示した場合と同様に、基底モードの光Ｐからクラッドモードの光Ｑが発生する。ここで、ファイバグレーティング７０のグレーティング領域７１では、クラッドモードの光の反射位置Ｙ１は、基底モードの光の反射位置Ｘ１よりも光ファイバ１５側に存在する。グレーティング領域７２では、クラッドモードの光の反射位置Ｙ２は、基底モードの光の反射位置Ｘ２よりも光ファイバ１７側に存在する。
【００４２】
従って、コア１１ａを通る基底モードの光Ｐは、グレーティング領域７１の反射位置Ｘ１で反射されるが、クラッド１１ｂを通るクラッドモードの光Ｑの一部は、グレーティング領域７１における反射位置Ｘ１よりも光ファイバ１５側の反射位置Ｙ１で反射されて、基底モードに結合される。このため、反射位置Ｘ１で反射された光（反射光）Ｐ１とクラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ１とが干渉してしまう。
【００４３】
また、反射位置Ｙ１を通過したクラッドモードの光Ｑの一部は、グレーティング領域７２の反射位置Ｙ２で反射されて、基底モードに結合される。そして、その結合した光Ｑ２は、コア１１ａを光ファイバ１５側に向けて伝搬し、グレーティング領域７２の反射位置Ｘ２で反射される。そして、その反射光Ｑ３の一部は、コア１１ａを光ファイバ１７側に向けて伝搬し、反射位置Ｙ２を通り抜けてコア１７ａに入射される。
【００４４】
さらに、反射光Ｐ１の一部は、反射位置Ｙ１で反射されて、クラッドモードに結合される。また、反射光Ｑ３の一部は、反射位置Ｙ２で反射されて、クラッドモードに結合される。その結合した光Ｑ４は、クラッド１１ｂを光ファイバ１５側に向けて伝搬する。そして、結合した光Ｑ４の一部が、反射位置Ｙ１で反射されて、基底モードと結合される。このため、基底モードの光Ｐとクラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ５とが干渉してしまう。
【００４５】
このようにファイバグレーティング７０では、クラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ２がグレーティング領域７２の反射位置Ｘ２で反射し、その反射光Ｑ３が出射側の光ファイバ１７に通り抜けてしまうので、特定波長の光の遮断量の劣化が生じる。また、グレーティング領域７１において、反射光Ｐ１とクラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ１とが干渉し、基底モードの光Ｐとクラッドモードから基底モードに結合した光Ｑ５とが干渉するため、特定波長の光の反射率の劣化が生じる。なお、図示はしないが、光ファイバのクラッドからのクラッドモードの光の一部が基底モードと結合されるときにも、基底モードの光の反射光とクラッドモードから基底モードに結合した光とが干渉することがある。以上により、図９（ｂ）に示すようにファイバグレーティング７０のフィルタ特性が悪化するものと考えられる。
【００４６】
なお、図９（ａ）に示すようにコア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが無い場合でも、上記のような光の循環パスが形成されることによって、特定波長の光の遮断量の劣化と特定波長の光の反射率の劣化とが生じるものと考えられる。
【００４７】
これらの比較例に対し、本実施形態の光アダプタ１に内蔵されたファイバグレーティング１０は、図２に示すように、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に増加するグレーティング領域１２と、図示矢印Ａ方向にグレーティングピッチが徐々に減少するグレーティング領域１３とからなっている。
【００４８】
このような光アダプタ１を介して光コネクタ２，３を接続したとき、光ファイバ１１のコア１１ａと光ファイバ１５のコア１５ａとの軸ずれが無い場合のフィルタ特性を図１０（ａ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが２μｍである場合のフィルタ特性を図１０（ｂ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが３μｍである場合のフィルタ特性を図１０（ｃ）に示し、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれが４μｍである場合のフィルタ特性を図１０（ｄ）に示す。図１０において、実線が反射率特性であり、１点鎖線が透過率特性である。
【００４９】
同図から分かるように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれ量が大きくなるにつれて、特定波長の光の透過率が少しずつ高くなるものの、上記比較例に比べると、特定波長の光の遮断量（遮断スペクトル）の劣化が少ない。また、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれの有無にかかわらず、特定波長の光の反射率が高く、当該光の反射スペクトルの劣化が少ない。その理由は、以下のメカニズムによるものと推定される。
【００５０】
即ち、図１１に示すように、コア１１ａ，１５ａ同士の軸ずれがあると、上記の比較例と同様に、コア１５ａを伝搬してきた特定波長（例えば１．６５μｍ帯）の基底モードの光Ｐはコア１１ａに入射されるが、その一部はクラッド１１ｂに漏れて、クラッドモードの光Ｑが発生する。ここで、グレーティング領域１２では、基底モードの光の反射位置Ｘ１は、クラッドモードの光の反射位置Ｙ１よりも光ファイバ１５側に存在する。グレーティング領域１３では、基底モードの光の反射位置Ｘ２は、クラッドモードの光の反射位置Ｙ２よりも光ファイバ１７側に存在する。
【００５１】
従って、コア１１ａを通る基底モードの光Ｐはグレーティング領域１２の反射位置Ｘ１で反射されるが、その反射光Ｐ１の一部がグレーティング領域１２においてクラッドモードに結合されることは無い。また、クラッド１１ｂを通るクラッドモードの光Ｑの一部は、グレーティング領域１２の反射位置Ｙ１とグレーティング領域１３の反射位置Ｙ２とで反射されて、基底モードに結合される。その結合した光Ｑ１は、光ファイバ１５側に向かって伝搬し、反射位置Ｘ１で反射される。そして、その反射光Ｑ２は、光ファイバ１７側に向かって伝搬し、反射位置Ｘ２で反射される。このため、反射光Ｑ２が光ファイバ１７のコア１７ａに入射されることは無い。
【００５２】
さらに、反射位置Ｘ２で反射された光（反射光）Ｑ３の一部は、反射位置Ｙ１，Ｙ２で反射されて、クラッドモードに結合される。また、反射光Ｑ２の一部も、反射位置Ｙ１，Ｙ２で反射されて、クラッドモードに結合される。その結合した光Ｑ４は、クラッド１１ｂを光ファイバ１５側に向けて伝搬するが、その一部が反射位置Ｘ１よりも光ファイバ１５側で反射されることは無い。このため、基底モードからクラッドモードに結合した光Ｑ４と基底モードの光Ｐの反射光Ｐ１とが干渉することは無い。
【００５３】
このように本実施形態の光アダプタ１に内蔵されたファイバグレーティング１０では、クラッドモードから基底モードに結合した光は、グレーティング領域１２の反射位置Ｘ１とグレーティング領域１３の反射位置Ｘ２とで反射し合い、反射位置Ｘ１，Ｘ２間に閉じ込められることになるか、もしくはクラッドモードと結合してクラッド１１ｂを通り抜けていく。このため、クラッドモードから基底モードに結合した光がそのままファイバグレーティング１０を通り抜けてコア１７ａに達することは無いので、特定波長の光の遮断量（遮断スペクトル）の劣化を抑えることができる。また、コア１５ａから入射された基底モードの光及びその反射光は、クラッドモードから基底モードに結合した光と干渉することは無い。このため、特定波長の光の反射スペクトルの劣化を抑えることもできる。
【００５４】
また、ファイバグレーティング１０のグレーティング領域１２，１３は、間が離れることなく連続的に形成されているので、グレーティング領域１２，１３間で生じる光の多重反射の頻度が最小限となり、遮断帯域の長波長側に生じるリップルが低減される。
【００５５】
以上により、光アダプタ１を介して光コネクタ２，３同士を接続する際、光ファイバ１１のコア１１ａと光ファイバ１５のコア１５ａとの間に多少の軸ずれがあっても、ファイバグレーティング１０として優れたフィルタ特性（光学特性）を得ることができる。これにより、例えばコア１１ａ，１５ａ同士を極めて高精度に位置合わせすべく光アダプタ１と光コネクタ２との接続部分の公差を十分に小さくしなくて良いため、光アダプタ１及び光コネクタ２の加工（製造）の面において有利となる。
【００５６】
さらに、グレーティング領域１２，１３のグレーティングピッチの変化率をファイバグレーティング１０の中心に対して対称となるように形成したので、光ファイバ１５側から光ファイバ１１に光を入射させても、光ファイバ１７側から光ファイバ１１に光を入射させても、ファイバグレーティング１０のフィルタ特性は同等となる。これにより、光アダプタ１を使用する際に、光コネクタ２，３に対する光アダプタ１の接続方向を気にする必要がないので、使用者に余計な負担をかけなくて済む。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ファイバグレーティングを、所定方向にグレーティングピッチが徐々に増加する１つの第１グレーティング領域と、同方向にグレーティングピッチが徐々に減少する１つの第２グレーティング領域とからなるものとしたが、ファイバグレーティングの構成としては、特にこれに限られず、第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域は各々少なくとも１つあれば良い。
【００５８】
このとき、そのような第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域が例えば複数対ある場合には、図１２（ａ）に示すように、各対の第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域において長さ及びグレーティングピッチを変えても良いし、図１２（ｂ）に示すように、各対の第１グレーティング領域及び第２グレーティング領域においてグレーティングピッチを断続的に変えても良い。
【００５９】
また、上記実施形態では、ファイバグレーティングが形成された光ファイバを光アダプタに内蔵するものとしたが、ファイバグレーティングが形成された光ファイバを内蔵する光接続部品としては、特に上記実施形態に示すようなプラグ型光コネクタ同士を接続する光アダプタには限られない。例えば、プラグ型光コネクタとソケット型光コネクタとを接続する光アダプタ等でも良く、更には光コネクタ等であっても良い。
【００６０】
さらに、ファイバグレーティングが形成された光ファイバを１つの光接続部品に内蔵する心数は、単心でも複数心であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る光接続部品の一実施形態として光アダプタを示す断面図である。
【図２】図１に示すファイバグレーティングが形成された光ファイバの概略図である。
【図３】図１に示すファイバグレーティングのグレーティングピッチを示す図である。
【図４】比較例として、別のファイバグレーティングが形成された光ファイバと、これを使用する場合に起きる不具合の発生メカニズムとを示す概略図である。
【図５】図４に示すファイバグレーティングのフィルタ特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図６】２番目の比較例として、更に別のファイバグレーティングが形成された光ファイバと、これを使用する場合に起きる不具合の発生メカニズムとを示す概略図である。
【図７】図６に示すファイバグレーティングのフィルタ特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図８】３番目の比較例として、更に別のファイバグレーティングが形成された光ファイバと、これを使用する場合に起きる不具合の発生メカニズムとを示す概略図である。
【図９】図８に示すファイバグレーティングのフィルタ特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０】図２に示すファイバグレーティングのフィルタ特性のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１１】図２に示す光ファイバを使用することによって、図４、図６及び図８に示す比較例の不具合が解消される理由（メカニズム）を示す概略図である。
【図１２】図２とは異なる構造を有するファイバグレーティングのグレーティングピッチを示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…光アダプタ（光接続部品）、１０…ファイバグレーティング、１１…光ファイバ、１２…グレーティング領域（第１グレーティング領域）、１３…グレーティング領域（第２グレーティング領域）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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