(57)【要約】【課題】  残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法の提供。【解決手段】  一実施態様においては、ＢＣｌ３を有する第１プラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。高ｋ誘電材料は、シリコン層を有するスタックにおいてＡｌ２Ｏ３を含むことができる。エッチングするステップは、パッシベーションガス、例えば、Ｃ２Ｈ４を供給するステップを含むことができ、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスを供給するステップを更に含むことができる。ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法であって、ＢＣｌ３を含むプラズマガス反応種混合物を用いて該高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む、前記方法。
【請求項２】
エッチングするステップが、パッシベーションガスを供給する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該高ｋ誘電材料が、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該誘電材料が酸化アルミニウムである、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該パッシベーションガスがＣ２Ｈ４を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
該パッシベーションガスが炭化水素を含む、請求項２記載の方法。
【請求項７】
該パッシベーションガスがＣ２Ｈ４を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
エッチングするステップが、更に、希ガスを含む希釈ガスを供給するステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
該希釈ガスを供給するステップが、Ｈｅを供給する工程を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
酸化物ハードマスクを用いてエッチングするステップを更に含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
該高ｋ誘電材料がＡｌ２Ｏ３を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
エッチングするステップが、反応性イオンエッチングプロセスを用いる工程を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
エッチングするステップが、約２５０℃の範囲内でエッチングする工程を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
エッチングするステップが、約１００℃未満でエッチングする工程を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
エッチングするステップが、約８０℃でエッチングする工程を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
該パッシベーションガスがＣＨ４を含む、請求項６記載の方法。
【請求項１７】
該高ｋ誘電材料がＡｌ２Ｏ３を含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
エッチングするステップが、反応性イオンエッチングプロセスを用いる工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
エッチングするステップが、約２５０℃の範囲内でエッチングする工程を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
エッチングするステップが、約１００℃未満でエッチングする工程を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
エッチングするステップが、約８０℃でエッチングする工程を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
該高ｋ誘電材料をエッチングするステップが、シリコンを含むスタックをエッチングする工程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項２３】
該高ｋ誘電材料をエッチングするステップが、シリコンを含む層の下の該高ｋ誘電材料をエッチングする工程を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
該高ｋ誘電材料をエッチングするステップが、該高ｋ誘電材料の下のシリコンを含む材料まで該高ｋ誘電材料をエッチングする工程を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該高ｋ誘電材料をエッチングするステップが、該高ｋ誘電材料の下のバリヤ層まで該高ｋ誘電材料をエッチングする工程を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
プラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法であって、ＢＣｌ３、炭化水素パッシベーションガス、希ガスで形成されたプラズマを用いて、シリコンを含むスタックにおけるＡｌ２Ｏ３層をプラズマエッチングするステップを含む、前記方法。
【請求項２７】
該希ガスがＨｅを含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
該炭化水素パッシベーションガスがＣ２Ｈ４を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
該炭化水素パッシベーションガスがＣＨ４を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
エッチングするステップが、反応性イオンエッチングプロセスを用いる工程を含む、請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
プラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法であって、ＨＢｒ、炭化水素を含むパッシベーションガス、希ガス希釈剤を含む第１プラズマガス反応種混合物で該高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む、前記方法。
【請求項３２】
該パッシベーションガスがＣ２Ｈ４を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
該希ガス希釈剤がＨｅを含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
該高ｋ誘電材料をエッチングするステップが、シリコンを含むスタックをエッチングする工程を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
エッチングするステップが、反応性イオンエッチングプロセスを用いる工程を含む、請求項３１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
集積回路（ＩＣ）は、現代の半導体技術の分野において重要な役割を果たしている。集積回路の開発は高度な電気技術を備えた現代の世界を可能にした。集積回路の応用は、かなり広範囲に及び、それらの重要性は、携帯電話、デジタルテレビから、カメラ内部のフラッシュメモリチップに至るまで、我々の日々の生活に影響している。これらの集積回路は、典型的には、シリコン基板或いはウェハ上に形成され、メモリ能力を加えた異なる材料から作られた広範囲のスタック層のために構成されたプロセスによる能動的な半導体デバイスを含むことができる。
【０００２】
最近の半導体技術においては、集積回路はより多くのメモリを備えたより小さなデバイスへと進歩してきた。半導体集積回路（ＩＣ）の製造においては、典型的には、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のような誘電材料が広く用いられてきた。しかしながら、技術が進歩するにつれて、ＩＣデバイス形状はより小さくなり、結果として次第により薄い集積回路デバイスとなる。典型的なＩＣデバイスは数ナノメートル以下の膜厚に近づいた場合、前述の従来の誘電材料は、典型的には、絶縁破壊に耐えることはできるが、もはや必要とされる記憶装置を備えることはできない。
【０００３】
前述の問題に取り組むために、高誘電率材料（高ｋ誘電材料）がメモリデバイスの潜在的な適用により製造した半導体チップに用いられてきた。高ｋ材料の例としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及びそれらの混合物、並びにＨｆＳｉｘＯｙ、ＺｒＳｉＯ４及びそれらの混合物のような金属ケイ酸塩が含まれる。
【０００４】
ＩＣ適用におけるそれらの使用のために後に前述の高ｋ材料が探求されたが、ドライエッチングすることが非常に難しいことは当業者に知られている。高ｋ材料は、典型的には、かなり安定であり、大抵のエッチング反応に対して耐性があり（それらの化学的不活性による）、エッチングストップ層、プラズマエッチングのハードマスク層及び他の材料として利用されてきた。
【０００５】
典型的な堆積プロセスでは（例えば、シリコンウェハ）基板上に高ｋ誘電膜を生成することは望ましいが、望まれていない反応がこれら薄膜上や反応チャンバの他の部分に生じてしまう。これらの望まれていない残渣の蓄積は粒子の脱落、堆積均一性の低下を生じることがあり、これらの影響はウェハ欠陥をまねき、続いてデバイス欠陥をまねき更に悪くなってしまう。
【０００６】
高誘電率材料に関して、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が典型的には、最も遅いエッチング速度の一つであることは当業者に知られている。典型的には、強力なプラズマ条件下でさえ、高チャックバイアス電圧の条件となってしまい、結果として高イオンスパッタリングとスパッタ誘発エッチングが生じる。
【０００７】
高ｋ誘電材料をエッチングする従来の方法は、典型的には、高ウェハ温度の塩素ガス（Ｃｌ２）とフッ素ガスを必要とする。これらの方法には多くの欠点があった。Ｃｌ２をベースにした化学は、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ）を積極的にエッチングし、結果としてｐｏｌｙに対する選択性が低くなることは当業者によく知られている。低容量性構造或いは欠陥があるウェハにエッチングを行った後、エッチングされた高ｋ誘電層はウェハ上に残渣を生じてしまう。特に酸化アルミニウムに関しては、フラッシュメモリや他の関連した適用の場合に薄いｐｏｌｙ１層の上面上のＡｌ２Ｏ３をエッチングすることは極めて困難である。フッ素は、典型的には、高ｋ誘電材料をエッチングするのに効果のないことがわかった。フッ素は、典型的には、不揮発性である金属フッ化物生成物を生じるので、リアクタから除去することが難しい。
【０００８】
５５ｎｍノード以上のフラッシュメモリスタックはｐｏｌｙ２/Ａｌ２Ｏ３（又は他の高ｋ誘電材料）/ｐｏｌｙ１からなる。Ａｌ２Ｏ３は積層膜のｐｏｌｙと異なり、エッチングすることが難しいことは、当業者によく知られている。新しいフラッシュメモリ積層膜のｐｏｌｙ１層の薄層の上面上のＡｌ２Ｏ３のような高ｋ誘電材料のエッチングの成功の鍵は、適度なＡｌ２Ｏ３エッチング速度と多結晶シリコンに対する高い選択性を有するプロセスを見つけることである。
【０００９】
当業者が理解するように、高誘電率材料をエッチングすることができる方法が求められている。好ましくは、このようなエッチング方法はウェハ欠陥を作ってしまう望まれていない残渣を促進させる望ましくない特性を有してはならない。更に、コスト効果があり、選択性が高く、且つエッチング速度が適度に速い、酸化アルミニウムのような高誘電率材料をエッチングする方法が求められている。
【概要】
【００１０】
一実施態様においては、プラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法であって、ＢＣｌ３を有するプラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む前記方法が提供される。高ｋ誘電材料は、少なくとも１つのシリコン層を有するスタックにおけるＡｌ２Ｏ３であってもよい。炭化水素、即ち、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４等のパッシベーションガスは、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスと共に、エッチングをするために供給することができる。ある実施態様においては、エッチングは反応イオンエッチングプロセスにおいて行うことができる。
【説明】
【００１１】
図１は、エッチングすべき高誘電率層又は高ｋ層を有する、部分的にエッチングされたスタック１００を示す切り取られた側面図である。この実施態様においては、マスク層１１０は、高ｋ層１４０上でパターン形成される。追加の任意層１２０と１３０は、マスク層１１０と高ｋ層１４０との間に位置することができる。一実施形態においては、マスク層１１０は、典型的には、プラズマ増強型化学気相堆積酸化物或いはＰＥＣＶＤ酸化物、ＢＳＧ或いはホウ素ドープスピンオンガラス、他の酸化物ハードマスク、窒化シリコン、又は他のハードマスクのようなハードマスクである。一実施形態においては、任意層１２０はタングステン（Ｗ）であり、任意層１３０は窒化チタン（ＴｉＮ）である。高ｋ層の下は多結晶シリコン層１５０である。図２は、図１の高ｋ層１４０をエッチングした後のスタック２００を示す図である。エッチングされた高ｋ層２４０は、ある実施形態においては基板の一部であってもよい、下にある多結晶シリコン層１５０までエッチングされる。窒化シリコン（ＳｉＮ）又は他のバリヤ層材料のようなバリヤ層（図示せず）は、高ｋ層１４０と多結晶シリコン層１５０との間に位置することができる。このような実施形態においては、高ｋ層１４０はバリヤ層までエッチングされる。
【００１２】
高誘電率を有する材料は、高ｋ誘電材料と呼ばれる。高ｋ誘電材料は、典型的には４を超え、ある実施形態においては５を超え、ある実施形態においては更に好ましくは少なくとも７である誘電率を有する。ある実施形態においては、高ｋ材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＡｌＨｆ３Ｏｙ、ＺｒＯ２、ＨｆＳｉｘＯｙ、ＺｒＳｉｘＯｙ及びそれらの混合物からなる群より選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。
【００１３】
図１を参照すると、一実施態様においては、高ｋ材料層１４０のエッチングはＢＣｌ３により行われる。高ｋ材料がＡｌ２Ｏ３である場合、ＢＣｌ３は揮発性ＡｌＣｌ３を形成することによってＡｌ２Ｏ３を化学的にエッチングする。Ｃ２Ｈ４、ＣＨ４又は他の炭化水素のようなパッシベーションガスは、それぞれ層１２０と１３０の側壁構造１２０ｓと１３０ｓの不動態化を与えるとともに下にある多結晶シリコン層１５０に対する選択性を改善するように導入することができる。ＢＣｌ３とＣ２Ｈ４、又はＣＨ４との比率は所望のエッチング速度と多結晶シリコン層１５０に対する高い選択性を与えるように選択される。炭化水素添加剤は、選択性を改善するために多結晶シリコン層１５０のエッチング速度を低減させる。Ｃ２Ｈ４の１つの利点は、ポリプロピレンのポリマー前駆物質であり、また、フォトレジストに類似した内容を有することである。
【００１４】
Ｈｅのような希釈ガスは、例えば、Ｃ２Ｈ４による不動態化において導入することができる。Ｃ２Ｈ４：Ｈｅの原子比は、ある実施態様においては約２.７％：１であってもよい。他の比も可能である。具体的な一実施態様においては、希釈係数３７の場合、２.７％のＣ２Ｈ４と９７.３％のＨｅを有するＣ２Ｈ４：Ｈｅが商業的に有効である。
【００１５】
他の実施態様においては、高ｋ材料層１４０は、他の炭化水素を含有するパッシベーションガスと共に、他のハロゲン含有ガスを含むガス混合物を用いてエッチングすることができる。従って、ある実施態様においては、パッシベーションガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群より選ばれた不活性ガスを含むことができる。
【００１６】
図１を参照すると、ある実施態様においては、高ｋ層１４０エッチングプロセスは反応性イオンエッチングを用いて行うことができる。エッチングステップは全て、いずれもカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズから入手できるＤＰＳエッチングリアクタ、又は反応イオンエッチング（ＲＩＥ）のような単一プラズマエッチングチャンバ内で行うことができる。一ＲＩＥプロセスにおいては、プロセスパラメータは、約０ワットのソースパワー、約２００ワットのバイアスパワー、約２５ｍＴのチャンバ圧、約８０℃で約３０ｓｃｃｍのＢＣｌ３を含んでいる。これにより、約１５０オングストローム/分のエッチング速度で側壁テーパが小さく且つ側壁プロファイルが良好な多結晶シリコン層１５０の１００オングストローム未満の損失が生じる。バイアスパワーは、約１５０Ｗ〜約３００Ｗの範囲にあってもよい。一般に、Ｗ層１２０とＴｉＮ層１３０の側壁不動態化は、約１００℃以下の低い温度より高いカソード温度で制御する方が難しい。例えば、８０℃ではＷ層１２０とＴｉＮ層１３０の良好な不動態化が得られ、上記のＲＩＥプロセスにおいて良好なエッチングプロファイルが得られる。
【００１７】
他の実施態様においては、約８００Ｗのソースパワー、２００Ｗのバイアスパワー、約２５０℃で約６０ｓｃｃｍのＢＣｌ３による誘導結合方式によって、良好な側壁プロファイルが得られた。誘導結合方式は、Ａｌ２Ｏ３高ｋ層１４０のエッチング速度が大きかったが、上記ＲＩＥ方式は多結晶シリコン層１５０に対する選択性が約３倍になる。ある実施態様においては、バイアスパワー範囲は約１５０-３００Ｗである。
【００１８】
ある実施態様においては、エッチングは、当該技術で既知のようにメインエッチングとオーバーエッチングステップによる２つのエッチングプロセスで行うことができる。メインエッチングは高ｋ層１４０をエッチングするように設計される。オーバーエッチングステップは、高誘電率層１４０から多結晶シリコン層１５０、又はバリヤ層（図１に図示されていない）まで均一な貫通を確実にする。
【００１９】
Ａｌ２Ｏ３のような高ｋ誘電材料は、約２５０℃ほどの高温又は約８０℃ほどの低温でエッチングすることができる。メインエッチングステップとオーバーエッチングステップが完了した後、所望されるように、チャンバのチャック開放と洗浄を行うことができる。ある実施態様において可能なより低い温度、例えば、約１００℃未満、又は８０℃程度の温度は、ウェハ処理量を改善するためにより迅速な冷却とチャック開放を促進させることができる。
【００２０】
ある実施態様においては、水素と炭素を含む炭化水素パッシベーションガスを、４０ミリトール未満のチャンバ圧でガス混合物に加えることができる。パッシベーションガスは、-（ＣＨ２)ｎ-ガスのような炭化水素、ある実施態様においてはエチレンであるが、例えば、メタンのような他の炭化水素を用いることができる。
【００２１】
適度なエッチング速度と多結晶シリコンに対する高選択性でＡｌ２Ｏ３をエッチングするために、ＢＣｌ３又は三塩化ホウ素が用いられる。Ｃｌ2ガスは、典型的には、高ｋ誘電材料をエッチングするために用いられてきたが、多結晶シリコンや他の材料を積極的にエッチングすることができる。ホウ素はシリコン-ホウ素の組合わせを形成することによって多結晶シリコンエッチング速度の低減を援助するので、高誘電率を有する材料をエッチングする場合、選択性が増大し且つ成功した結果が得られる。三塩化ホウ素は揮発性ＡｌＣｌ３の形成によりＡｌ２Ｏ３を化学的にエッチングすることができる。ＢＣｌ３：Ｃ２Ｈ４/Ｈｅ又はＣＨ４は、適度なＡｌ２Ｏ３エッチング速度と多結晶シリコンに対する高選択性を得るように選択される。Ｂ２Ｏ３とＢ-Ｓｉを形成すると、多結晶シリコンに対する高選択性が促進する。Ｃ２Ｈ４/Ｈｅ、CＨ４等の炭化水素パッシベーションガスは、選択性を改善するために多結晶エッチング速度を低減し、多結晶シリコン層がさらされる場合にエッチング速度を低減し、他の実施形態においては１以上の多結晶シリコン層を含むことができる（図１に示されていない）、その他の層１２０と１３０の側壁１２０ｓと１３０ｓの側部への作用を阻止する。
【００２２】
上記のように、本明細書に記載される反応性物質に加えて、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノンのような不活性希釈ガスを添加することもできる。不活性希釈ガスは安全性の理由で必要とされ、プラズマ特性を変化させることもできる。不活性ガスの濃度は、ヘリウムの場合で１.０％〜約３.０％の範囲にあってもよい。他の不活性希釈ガスも可能である。
【００２３】
ある実施態様においては、従来のチャンバ洗浄はエッチングプロセスの後に行うことができる。
【００２４】
他の実施態様においては、ＨＢｒは高ｋ誘電材料をエッチングするために用いることができる。上記のように、パッシベーションガスと、希釈ガスを用いることができる。Ａｌ２Ｏ３高ｋ材料の場合、ＨＢｒは揮発性ＡｌＢｒ３の形成によりＡｌ２Ｏ３をエッチングする。ＨＢｒ：Ｃ２Ｈ４の比は適度なエッチング速度を与えるよう選択される。希釈ガスは、上記のようにＣ２Ｈ４：Ｈｅが約２.７％：１の比によるＨｅのような不活性ガスであってもよい。
【００２５】
図３に戻ると、一実施態様においては、高ｋ材料は多結晶シリコンの２層間に位置し、ｐｏｌｙ１は符号３４１で示され、ｐｏｌｙ２は符号３４２で示される。ｐｏｌｙ２の３４２は高ｋ層３４０上に位置し、ｐｏｌｙ１の３４１は高ｋ層３４０の下に位置する。一実施態様によれば、スタック３００は、ある実施態様においてはハードマスクであってもよい、マスク３１０を用いてエッチングされる。ｐｏｌｙ２の３４２のエッチングは、Ａｌ２Ｏ３に対して高選択性を有するように、高ｋ層３４０で、例えば、Ａｌ２Ｏ３層で停止する。Ａｌ２Ｏ３エッチングが続き、ｐｏｌｙ２の３４２とｐｏｌｙ１の３４１に対する高選択性を有し、ｐｏｌｙ１の３４１で停止する。ＳｉＮの任意のバリヤ層３２２を用いることができる。その後、ｐｏｌｙ１の３４１を、下にあるゲート酸化物層３４７までエッチングすることができる。
【００２６】
Ａｌ２Ｏ３エッチングにおいて高エッチング選択性を達成するために、反応種混合物はＢＣｌ３と、おそらくＣ２Ｈ４のような炭化水素パッシベーションガスを有してもよい。Ａｌ２Ｏ３層３４０は、ＢＣｌ３エッチング剤とＨｅで希釈されたＣ２Ｈ４でエッチングすることができる。希釈はＣ２Ｈ４の少量の流量に特に効果的である。プロセスは２つのステップを含むことができ、メインエッチング後に、メインエッチングと同様の反応種混合物を持ち得るオーバーエッチングが続く。ある実施態様においては、１００℃を超える温度によって良好な結果が得られ、１５０℃の温度によって更に良好な結果が得られる。
【００２７】
図４は、図３の高ｋ層をエッチングした後のエッチングされたスタック４００を示す切り取られた側面図である。エッチングされたスタック４００を形成するために、ｐｏｌｙ２層４４２がエッチングされた後にエッチングされた高ｋ層４４０が形成される。エッチングされたバリヤ層４４４は、高ｋ層４００をエッチングした後に形成され、エッチングされたｐｏｌｙ１層４４１はエッチングされたｐｏｌｙ２、エッチングされた高ｋ層４４０、エッチングされたバリヤ層４４４のエッチング後に形成される。マスク４１０はエッチングされたｐｏｌｙ２、エッチングされた高ｋ層４００、エッチングされたバリヤ層４４４、エッチングされたｐｏｌｙ１層４４１を画成するために用いられる。
【００２８】
典型的には、多結晶シリコン関連プロセスは、減結合プラズマソースパワーとバイアスパワーによる化学プラズマエッチングを利用する。しかしながら、上記実施態様の一部は、バイアスパワーのみを用いた反応性イオンエッチングで行うことができる。ある種の実施態様においては、高ｋ材料の反応性イオンエッチングにより多結晶シリコンとの選択性が高くなる。一例の実施態様においては、プロセスウィンドウは、約１００Ｗ〜約４００Ｗのバイアスパワー、約０Ｗのソースパワー、約５ミリトール〜約５０ミリトールのチャンバ圧、約３０℃〜約３５０℃での約２０ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍのＢＣｌ３の流量である。
【００２９】
ある実施態様においては、メインエッチングプロセスの化学プラズマエッチングを用い、その後、終点近くで反応性イオンエッチングに切り替えることが可能であり、上記オーバーエッチングステップについても可能である。
【００３０】
ある種の上記実施態様のいくつかの利点の１つは、Ａｌ２Ｏ３と反応しやすくフッ化アルミニウム汚染物質を形成するフッ素を含まずにメインエッチングガス混合物を形成することができることである。
【００３１】
前述は本発明の単なる例示であり、本発明を開示された化合物に限定するものではない。本明細書に記載された実施態様は、例示された特定のスタック構造に限定されない。他のスタック構造と実施態様も可能である。当業者に明白である変形や変更は、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲と本質の範囲内にあるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、エッチングすべき高誘電率層又は高ｋ層を有する、部分的にエッチングされたスタックを示す切り取られた側面図である。
【図２】図２は、図１の高ｋ層をエッチングした後のスタックを示す切り取られた側面図である。
【図３】図３は、エッチング前の高誘電率層を含むスタックを示す切り取られた側面図である。
【図４】図４は、図３の高ｋ層をエッチングした後のスタックを示す切り取られた側面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１００…スタック、１１０…マスク層、１２０…任意層、１２０ｓ…側壁構造、１３０…任意層、１３０ｓ…側壁構造、１４０…高ｋ層、１５０…ポリシリコン層、２００…スタック、２４０…高ｋ層、３１０…マスク、３２２…バリヤ層、３４０…高ｋ層、３４１…ｐｏｌｙ１、３４２…ｐｏｌｙ２、３４７…ゲート酸化物層、４００…スタック、４１０…マスク、４４０…高ｋ層、４４１…ｐｏｌｙ１、４４２…ｐｏｌｙ２、４４４…バリヤ層。
【図１】
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【図２】
2007073952.tif 000004
【図３】
2007073952.tif 000005
【図４】
2007073952.tif 000006
【外国語明細書】
2007073952000001.pdf