(57)【要約】【課題】全体に光を行き渡らせつつ、外部へ照射される光量を増加させることができ、更に、容易に全域に渡って光量の均一性を向上させることができる照明装置を提供する。【解決手段】照明装置１は、半導体レーザ素子（発光素子）２と、光導波路３とを備えている。光導波路３は、基板１１と、下クラッド部１２と、コア部１３と、上クラッド部１４と、蛍光体部１５とを備えている。上クラッド部１４は、コア部１３の導波部１３ａの上面の一部及び側面を覆うように形成されると共に、コア部１３の凸部１３ｂに対応する位置が開口された光取り出し部１４ａが形成されている。コア部１３には、光取り出し部１４ａに対応させて凸部１３ｂが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が導波するコア部、及び、コア部を覆うクラッド部を有する光導波路と、
前記光導波路の端面に光学的に接続された発光素子と、を有し、
前記クラッド部は、前記コア部を導波する光を取り出すための光取り出し部を一部に有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記光取り出し部は、前記クラッド部における前記一部の厚みが、前記クラッド部における他の部分の厚みよりも小さくして形成されていることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項３】
前記発光素子が接続された前記光導波路の一方の端面から他方の端面に沿って、前記光取り出し部の光取り出し面積が徐々に大きくなることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項４】
前記コア部がアレイ状に複数配列される共に、前記コア部に対応させて同数の前記発光素子が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記光取り出し部は、光の波長を変換可能な蛍光体を含む蛍光体部によって覆われていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と発光素子によって発光された光を導波させるための光導波路を備えた照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光導波路と、光導波路の端面に光学的に接続された発光素子を備えた照明装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、円柱状のコア部と、コア部を構成する材料よりも屈折率の小さい材料からなると共にコア部を覆うように同心円状に形成されたクラッド部と、クラッド部を覆うように同心円状に形成されると共に蛍光体が分散された蛍光体部とを有する光導波路と、光導波路の端部に設けられた半導体レーザ素子とを備えた照明装置が開示されている。
【０００４】
この特許文献１の照明装置では、半導体レーザ素子からコア部に光が入射し、この光はコア部とコア部よりも屈折率の小さいクラッド部との界面で反射されつつ、コア部を導波する。ここで、導波する光はコア部とクラッド部との界面で完全に反射されるわけではなく、エバネッセント光や透過光等の光が界面からクラッド部側へとしみ出る。そして、コア部からしみ出た光は、更にクラッド部からしみ出て蛍光体部まで進行し、この光によって蛍光体部内の蛍光体が励起されて、外部へと蛍光が照射される。
【０００５】
また、特許文献２には、発光素子と、コア部と、クラッド部とを備え、コア部に光を散乱させるためのＴｉＯＸ粒子が分散された照明装置が開示されている。この特許文献２の照明装置では、散乱係数から導かれる関係式に基づいて、光の導波方向に沿って所定の割合で濃度を変化させつつ、コア部にＴｉＯＸ粒子を分散させている。この構成にすることによって、同文献では、長さが変更されても発光強度の均一性を維持し得るファイバ状の発光体を得ようとしている。
【特許文献１】特開２００２−１４８４４２号公報
【特許文献２】特開２００４−３４１１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の照明装置では、コア部からクラッド部へとしみ出す光量及びコア部を導波する光の導波距離は、主としてコア部とクラッド部との屈折率の差によって決まる。コア部とクラッド部との屈折率の差を大きくすると、光の閉じ込め効果が大きくなるので、コア部からクラッド部へとしみ出す光量は小さくなり、光の導波距離は大きくなる。コア部とクラッド部との屈折率の差を小さくすると、光の閉じ込め効果が小さくなるので、コア部からクラッド部へとしみ出す光量は大きくなり、光の導波距離は小さくなる。
【０００７】
このように、上記特許文献１の照明装置では、コア部とクラッド部との屈折率差を大きくして光の導波距離を大きくすると、外部に取り出せる光の光量が小さくなってしまうので、大きいサイズの照明装置では取り出せる光量を増大することが困難である、という課題がある。
【０００８】
また、コア部とクラッド部との屈折率差を小さくして外部に取り出せる光量を増大すると、光の導波距離が小さくなるので、大きいサイズの照明装置では発光素子に近い場所で明るく、発光素子から遠ざかるほど暗くなり、均一性が低下する、という課題がある。
【０００９】
また、小さいサイズの照明装置に用いる場合には、大きいサイズの照明装置に用いる場合に比べ、コア部とクラッド部との屈折率差を小さくして光の導波距離を短くし、取り出せる光量を大きくすることが好ましい。然し乍ら、このように照明装置のサイズによってコア部とクラッド部との間の屈折率差を調整することは、製造工程の煩雑を招く、という課題がある。
【００１０】
また、コア部及びクラッド部の屈折率を精度良く、且つ再現性良く調整することは製造上困難である。このため、光の導波距離と取り出せる光量を適宜調整しながら様々なサイズの照明装置を製造することは、実質的に困難である、という課題がある。
【００１１】
また、特許文献２における照明装置では、所定の割合で濃度を変化させてＴｉＯＸ粒子をコア部に分散させることによって、光の導波方向に対して外部へ照射される光量を均一にすることを可能としているが、所望の割合で濃度を変化させてＴｉＯＸ粒子をコア部に分散させることは極めて難しい。また、特許文献２の照明装置でも、コア部からクラッド部へとしみ出す光量及びコア部を導波する光の導波距離は、主としてコア部とクラッド部との屈折率の差によって決まっているので、上述したのと同様の課題を有している。従って、特許文献２の技術に基づいて、光の導波方向に沿って、外部へ照射される光量を均一にすることは困難であるといった問題がある。
【００１２】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、光の導波距離と取り出せる光量の両立を図った照明装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る照明装置は、光が導波するコア部、及び、コア部を覆うクラッド部を有する光導波路と、前記光導波路の端面に光学的に接続された発光素子と、を有し、前記クラッド部は、前記コア部を導波する光を取り出すための光取り出し部を一部に有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記光取り出し部は、前記クラッド部における前記一部の厚みが、前記クラッド部における他の部分の厚みよりも小さくして形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、前記発光素子が接続された前記光導波路の一方の端面から他方の端面に沿って、前記光取り出し部の光取り出し面積が徐々に大きくなることを特徴とする。
【００１６】
また、前記コア部がアレイ状に複数配列される共に、前記コア部に対応させて同数の前記発光素子が設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また、前記光取り出し部は、光の波長を変換可能な蛍光体を含む蛍光体部によって覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る照明装置によれば、コア部を導波する光を、クラッド部の一部に設けた光取り出し部から外部に取り出すことができる。従って、光取り出し部の数や大きさ或いは配置を調整することで、外部に取り出す光の光量や分布を調整することができるので、容易に光の導波距離と取り出せる光量の両立を図ることができる。
【００１９】
また、光取り出し部は、クラッド部の一部の厚みを他の部分より薄くすることで容易に形成することができる。従って、コア部とクラッド部との間の屈折率差を調整することなく外部に取り出す光の光量や分布を調整した照明装置を製造することができる。このためサイズの異なる照明装置に適用する場合にも、製造工程が煩雑になることがなく、容易に再現性良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明による第１実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、第１実施形態による照明装置の全体図である。図２は、第１実施形態による照明装置の光導波路の分解斜視図である。図３は、図１におけるＩＩＩ線−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図３におけるＩＶ線−ＩＶ線に沿った断面図である。
【００２１】
図１に示すように、照明装置１は、半導体レーザ素子（発光素子）２と、光導波路３とを備えている。
【００２２】
半導体レーザ素子２は、光導波路３の端面のうち後述するコア部１３が露出している部分に光学的に接続されている。半導体レーザ素子２には、例えば、発光する光のピーク波長が約４０５ｎｍのＧａＮ系半導体レーザ素子を適用することができる。
【００２３】
図２〜４に示すように、光導波路３は、基板１１と、下クラッド部１２と、コア部１３と、上クラッド部１４とを備えている。また、本実施形態では、上クラッド部１４の上に蛍光体部１５を有している。
【００２４】
基板１１には、例えば、石英基板を適用することができる。下クラッド部１２は、基板１１上の全面に渡って形成され、高分子樹脂層からなる。下クラッド部１２を構成する高分子樹脂層としては、例えば、１．５２の屈折率を有するＵＶ硬化性又は熱硬化性の透明エポキシ樹脂を適用することができる。
【００２５】
コア部１３は、下クラッド部１２上に設けられている。コア部１３は、下クラッド部１２を構成する高分子樹脂よりも屈折率の大きい高分子樹脂によって構成されている。コア部１３を構成する高分子樹脂層としては、例えば、１．５４の屈折率を有し、下クラッド部１２を構成する透明エポキシ樹脂よりもフッ素含有量が多い、ＵＶ硬化性又は熱硬化性の透明エポキシ樹脂を適用することができる。
【００２６】
図２〜図４に示すように、コア部１３は、導波部１３ａと、複数の凸部１３ｂとを有する。導波部１３ａは、半導体レーザ素子２が取り付けられた光導波路３の一方の端面から他方の端面まで延び、約１００ｍｍの長さ、約１００μｍの幅及び約９０μｍの厚みを有する直方体形状に形成されている。凸部１３ｂは、導波部１３ａの上面の途中部に約５ｍｍの間隔を空けて複数個設けられている。各凸部１３ｂは、約１０μｍの厚み及び約１００μｍの幅を有し、上面の面積が約１００００μｍ２となるように形成されている。
【００２７】
上クラッド部１４は、下クラッド部１２と同じ材料からなる。上クラッド部１４は、コア部１３の導波部１３ａの上面の一部及び側面を覆うように形成されると共に、コア部１３の凸部１３ｂに対応する位置が開口された光取り出し部１４ａが形成されている。この光取り出し部１４ａの開口面積（以下、光取り出し面積）は、約１００００μｍ２に形成されている。この光取り出し部１４ａを介して、コア部１３の凸部１３ｂの上面が上クラッド部１４の上面から露出されている。
【００２８】
蛍光体部１５は、半導体レーザ素子２によって照射された光を別の波長の光に変換する蛍光体が分散されたＵＶ硬化性又は熱硬化性の透明エポキシ樹脂等の高分子樹脂からなる。蛍光体としては、所望の光が得られるように配合すればよく、例えば、白色光を得る場合には、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕの青色蛍光体と、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕの緑色蛍光体と、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕの赤色蛍光体を組み合わせることができる。蛍光体部１５の下面の一部は、コア部１３の凸部１３ｂの上面を覆い、互いに光学的に接続されている。
【００２９】
次に、上述した照明装置の製造方法について説明する。図５〜図９は、照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。尚、図５、図６、図７（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）は、図３に対応する断面図である。また、図７（ｂ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）は、図４に対応する断面図である。
【００３０】
まず、図５に示すように、下クラッド部１２を構成するＵＶ硬化性又は熱硬化性の高分子樹脂の材料を基板１１上に滴下した後、スピンコート法によって高分子樹脂の材料を基板１１の上面全体に延ばすことによって塗布する。次に、ＵＶ照射又は加熱によって高分子樹脂を硬化させて下クラッド部１２を成膜する。その後、上述した下クラッド部１２と同様の工程を用いてコア部１３を構成する高分子樹脂層１３ｃを下クラッド部１２の上面に成膜する。
【００３１】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、コア部１３の導波部１３ａと同じ約１００μｍの幅のマスク（図示略）を形成した後、ドライエッチング技術を用いて、導波部１３ａと同じ約１００μｍの幅の直方体形状に高分子樹脂層１３ｃをパターニングする。
【００３２】
次に、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、高分子樹脂層１３ｃ上の凸部１３ｂと対応する領域にマスク（図示略）を形成した後、ドライエッチングを所望の時間行って、マスクから露出する部分の高分子樹脂層１３ｃを所定の厚み分だけ除去する。これにより、凸部１３ｂを有するコア部１３が完成する。
【００３３】
次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、下クラッド部１２の上面及びコア部１３の上面と側面を覆うように、下クラッド部１２と同様の工程を用いて上クラッド部１４を構成する高分子樹脂層１４ｂを成膜する。
【００３４】
次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、ドライエッチング技術を用いて、コア部１３の凸部１３ｂの上面が露出する程度に高分子樹脂層１４ｂの上面部をエッチングして上クラッド部１４を完成する。
【００３５】
次に、ＵＶ硬化性又は熱硬化性の高分子樹脂中に撹拌によって蛍光体を分散させたものをスクリーン印刷、ディスペンス法又はドット印刷によって形成する。最後に、半導体レーザ素子２をコア部１３の端面に光学的に接続することにより、図１に示す照明装置１が完成する。
【００３６】
この照明装置１では、半導体レーザ素子２から光が照射されると、その光はコア部１３の端面から入射する。入射した光は、コア部１３と下クラッド部１２及び上クラッド部１４との界面で反射されつつ、コア部１３の導波部１３ａを導波する。また、上クラッド部１４には光取り出し部１４ａが開口されているので、コア部１３の導波部１３ａを導波する光の一部はコア部１３の凸部１３ｂを介して蛍光体部１５に入射し、蛍光体部１５に含まれる蛍光体によって波長が変換されて外部へと照射される。
【００３７】
このように、本実施形態では、上クラッド部１４がその一部に、厚みをゼロにして形成された光取り出し部１４ａを有している。このため、この光取り出し部１４ａではコア部１３への光閉じ込め効果がなくなるので、コア部１３を導波する光は光取り出し部１４ａの領域でコア部１３ａに閉じ込められることなく外部に取り出せる。このため、クラッド部によりコア部の全表面が覆われ、コア部とクラッド部との界面で多くの光が反射される従来の照明装置に比べて、外部へ照射される光量を増大させることができる。
【００３８】
また、上クラッド部１４の光取り出し部１４ａの光取り出し面積を調節することによって、各光取り出し部１４ａから外部へ照射される光量を調整することができるので、外部へ照射されずに導波部１３ａを導波する光の到達距離を調整することができる。具体的には、照明装置１を大型化して、上述したコア部１３の長手方向の長さを約１００ｍｍから約５００ｍｍに変更する場合、光取り出し部１４ａの間隔を約５ｍｍのままで、光取り出し面積を約５０００μｍ２に形成することで光の到達距離を変えることができる。これにより、照明装置の大きさを変更して光の到達距離を変更する必要がある場合、従来では、コア部とクラッド部との屈折率の差を調節しなければならず、製造工程が複雑になるといった問題があったが、照明装置１では、製造工程を複雑化することなく容易にできるパターニングによって光取り出し部１４ａの光取り出し面積又は配置を変更することによって対応することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、上クラッド部の各光取り出し部の光取り出し面積を異ならせた第２実施形態による照明装置について、図面を参照して説明する。
【００４０】
図１０は、第２実施形態による照明装置の断面図である。図１１は、蛍光体部を除いた第２実施形態による照明装置の平面図である。尚、第１実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００４１】
図１０に示すように、照明装置１Ａの光導波路３Ａは、基板１１と、下クラッド部１２と、コア部２３と、上クラッド部２４と、蛍光体部１５とを備えている。
【００４２】
コア部２３は、導波部２３ａと、凸部２３ｂｎ（ｎ＝１、２、３・・）とを備えている。上クラッド部２４には、コア部２３ｂｎに対応する部分が開口された光取り出し部２４ａｎが形成されている。
【００４３】
ここで、第２実施形態による照明装置１Ａでは、図１１に示すように、上クラッド部２４の光取り出し部２４ａｎの光取り出し面積Ｓｎがそれぞれ異なるように構成されると共に、凸部２３ｂｎが、それぞれ光取り出し部２４ａｎに対応させて形成されている。これら光取り出し面積Ｓｎは、照明装置１Ａのコア部２３から外部へ照射される光が均一になるように設定されている。即ち、半導体レーザ素子２が接続されている端面２３ｃに最も近く、コア部２３の導波部２３ａを導波する光の強度が最も大きい部分の光取り出し面積Ｓ１が最も小さく、逆側の端面２３ｄ側に近く導波する光の強度が大きくなるにつれて光取り出し面積が大きくなるように設定されている（Ｓ２＜Ｓ３＜Ｓ４＜・・）。
【００４４】
これら光取り出し面積Ｓｎの設定方法は、導波部２３ａを導波する光の減衰を考慮して設定することが好ましい。具体的には、図１１に示すのように、半導体レーザ素子２が接続された端面２３ｃを「０」とし、コア部２３の長手方向にｘ軸を設定し、ｘ＝０での光の強度をＩ（０）とし、コア部２３での光の吸収係数をαとすると、ｘでの光の強度Ｉ（ｘ）は、
Ｉ（ｘ）＝Ｉ（０）ｅｘｐ（−α・ｘ）    ・・・（ア）
となる。また、吸収係数αと消光係数κとの関係は、
α＝４πκ／λ                          ・・・（イ）
となる。式（ア）に式（イ）を代入すると、距離ｘでの光の強度Ｉ（ｘ）は、
Ｉ（ｘ）＝Ｉ（０）ｅｘｐ{−４πκ／（λ・ｘ）}      ・・・（ウ）
となる。この式（ウ）から半導体レーザ素子２から離れると指数関数的に光の強度が減少することがわかる。
【００４５】
式（ウ）より、各光取り出し部２４ａ１〜２４ａ４から外部へ照射される光量を等しくするためには、
Ｉ（ｘ）×Ｓｎ＝一定                    ・・・（エ）
の条件を満たせばよい。この式（エ）を満たすように各光取り出し面積Ｓｎを設定することによって、各光取り出し部２４ａｎから照射される光量が等しくなり、導波方向に沿って、照明装置１Ａの光量を均一化することができる。
【００４６】
尚、上述した吸収係数α及び消光係数κによる光の減衰のみならず、光取り出し部２４ａｎから照射される光による減衰を考慮して光取り出し面積Ｓｎを設定することがより好ましい。
【００４７】
上述したように、この照明装置１Ａでは、コア部２３の凸部２３ｂｎが露出するように、上クラッド部２４に光取り出し部２４ａｎが形成されているので、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４８】
また、照明装置１Ａでは、半導体レーザ素子２が接続されて光の強度の大きいコア部２３の端面２３ｃから、半導体レーザ素子２から遠く光の強度の小さい逆側の端面２３ｄになるにつれて、光取り出し面積Ｓｎが大きくなるように、光取り出し部２４ｎが形成されているので、各光取り出し部２４ａｎから照射される光量を略等しくすることができる。これによって、照明装置１Ａの導波方向に沿って、外部へと照射される光量の均一性を向上させることができる。そして、上クラッド層２４のパターニングによって光取り出し面積Ｓｎを容易に設定することができるので、散乱粒子の分散濃度の調整等に起因する製造工程の複雑化を生じさせることなく、この光量の均一性を向上させることができる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に、複数の半導体レーザ素子２が接続された第３実施形態による照明装置について、図面を参照して説明する。
【００５０】
図１２は、蛍光体部を除いた第３実施形態による照明装置の平面図である。尚、第１及び第２実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００５１】
図１２に示すように、照明装置１Ｂは、複数の半導体レーザ素子２をアレイ状に設けると共に、各半導体レーザ素子２に対応させて複数のコア部２３もアレイ状に設けられている。また、上クラッド部２４には、各コア部２３の凸部２３ｂｎに対応させて、光取り出し部２４ａｎがマトリックス状に形成されている。
【００５２】
この照明装置１Ｂでは、コア部２３の凸部２３ｂｎが露出するように、上クラッド部２４に光取り出し部２４ａｎが形成されているので、上述の第２実施形態と同様の効果を奏することができる。また、複数の半導体レーザ素子２を設けることによって、外部へ照射される光量を増加させることができるので、より明るい照明装置１Ｂを提供することができる。また、コア部２３をアレイ状に設けることによって、面内での光量の均一性をも向上させることができる。
【００５３】
以上、上記実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲内で変更して実施することができる。即ち、本明細書の記載は、一例であり、本発明を何ら限定的な意味に解釈させるものではない。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００５４】
本発明においてクラッド部に設ける光取り出し部には、コア部への光閉じ込め効果を、クラッド部の他の部分に比べ小さくした領域を用いることができる。従って、光取り出し部には、クラッド部の他の部分に比べ厚みを薄くした領域、或いは他の部分に比べ屈折率をコア部の屈折率に近づけた領域を用いることができる。
【００５５】
厚みをクラッド部の他の部分に比べ薄くした光取り出し部は、各実施形態で説明したようにエッチングを用いて作製することができる。
【００５６】
屈折率をクラッド部の他の部分に比べコア部に近づけた光取り出し部は、ＵＶ光エネルギー照射を用いた変質或いは、屈折率を変化させる材料を光取り出し部にのみ含有させることで製造することができる。
【００５７】
これらの中で、厚みをクラッド部の他の部分に比べ薄くした光取り出し部は、エッチングを用いて容易に作製することができるので、製造工程上好ましい。このように厚みをクラッド部の他の部分に比べ薄くした光取り出し部を有する本発明の照明装置の例を、以下に説明する。
【００５８】
例えば、図１３に示す照明装置１Ｃの光導波路３Ｃのように、上クラッド部３４の光取り出し部３４ａを開口させるのではなく、凹部状に形成した樹脂層によって構成してもよい。このようにクラッド部３４に他の部分よりも薄く形成した光取り出し部３４ａを設けることによって、光取り出し部３４ａからのしみ出す光量を増大させているので、照射装置１Ｃから照射される光量を増加させることができる。
【００５９】
また、図１４に示す照明装置１Ｄの光導波路３Ｄのように、コア部４３の上面を平坦に構成し、コア部４３の上面部と接するように形成された樹脂層であって、凹部状の樹脂層によって光取り出し部４４ａを構成してもよい。このように上クラッド部４４の光取り出し部４４ａを凹部状に形成した場合、この部分に蛍光体部４５を埋め込むように凸部４５ａを形成してもよい。
【００６０】
また、上述した各照明装置１、１Ａ〜１Ｄの各構成の形状及び材料などは適宜変更可能である。例えば、基板１１には、石英基板に限らず、サファイア基板、Ｓｉ基板等任意の基板を用いることができる。また、コア部及びクラッド部を構成する材料としては、エポキシ樹脂に限らず、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ＰＭＭＡ等他の材料を用いることができる。また、発光素子としては青・青紫色の光を発光するＧａＮ系半導体レーザ素子に限らず、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子やＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子等の、赤・赤外の波長の光を発光する半導体レーザ素子を用いることができる。また、レーザ素子に限らず、ＬＥＤ素子を用いても良い。また、蛍光体の材料としても実施形態の材料に限らず、用いる発光素子の発光波長並びに目的とする照明光の波長に応じて適宜選択して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態による照明装置の全体図である。
【図２】第１実施形態による照明装置の光導波路の分解斜視図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ線−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図３におけるＩＶ線−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。
【図６】照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。
【図７】照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。
【図８】照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。
【図９】照明装置の製造方法における各工程を説明する断面図である。
【図１０】第２実施形態による照明装置の断面図である。
【図１１】蛍光体部を除いた第２実施形態による照明装置の平面図である。
【図１２】蛍光体部を除いた第３実施形態による照明装置の平面図である。
【図１３】変更形態による照明装置の断面図である。
【図１４】変更形態による照明装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１、１Ａ〜１Ｄ  照明装置
２    半導体レーザ素子
３、３Ａ〜３Ｄ  光導波路
１１  基板
１２  下クラッド部
１３、２３、４３  コア部
１３ａ、２３ａ  導波部
１３ｂ、２３ｂｎ     凸部
１４、２４、３４、４４  上クラッド部
１４ａ、２４ａｎ、３４ａ、４４ａ   光取り出し部
１５、４５   蛍光体部
【図１】
2007258038.tif 000003
【図２】
2007258038.tif 000004
【図３】
2007258038.tif 000005
【図４】
2007258038.tif 000006
【図５】
2007258038.tif 000007
【図６】
2007258038.tif 000008
【図７】
2007258038.tif 000009
【図８】
2007258038.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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