(57)【要約】【課題】樹脂製フィルムのように変性温度が低い物体上に直接回路やアンテナを形成することにより、従来のラベル型ＲＦＩＤタグの製造におけるＩＣチップとアンテナをラベルに組み込むための組立工程を省き、ＲＦＩＤタグの製造コストを削減し、ＲＦＩＤタグの低価格化を実現する。【解決手段】本発明におけるＳＡＷ型ＲＦＩＤは、問合信号を変調入力し、入力された問合信号に応じた反射信号をＳＡＷ回路部にて出力し、反射信号を変調した返答信号を出力する機能を有する。また、上記処理を行う処理回路は樹脂製ベースに形成載置されるようになっていてもよい。また、問合信号の入力の際は、２．４５ＧＨｚの問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調するようになっていてもよい。また、このための処理回路は、非結晶シリコン上に集積される電子回路により構成されるようになっていてもよい。【選択図】図１
2007323555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
問合信号を変調入力するための問合信号入力部と、
入力された問合信号に応じた反射信号を出力するＳＡＷ回路部と、
反射信号を変調した返答信号を出力する返答信号出力部と、
を有するＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項２】
問合信号入力部と、ＳＡＷ回路部と、返答信号出力部とを形成載置する樹脂製ベース部を有する請求項１に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項３】
問合信号入力部は、２．４５ＧＨｚの問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調する第一周波数変調手段を有する請求項１又は２に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項４】
前記第一周波数変調手段は、非単結晶シリコン上に集積される電子回路により構成されている請求項３に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項５】
前記ＳＡＷ回路部は、窒化アルミ膜上に形成されたくし型電極により構成されている請求項１から４のいずれか一に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項６】
返答信号出力部は、ＳＡＷ回路部からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調する第二周波数変調手段を有する請求項１から５のいずれか一に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項７】
問合信号入力部の第一周波数変調手段は、並列接続されたキャパシタとインダクタンスの一の共通接点を接地側に配置し、他の共通接点を、問合信号を受信するアンテナと、このアンテナに直列接続され、その出力をＳＡＷ回路部に出力するダイオードとの中間点に接続することで構成されている請求項３又は請求項３に従属する請求項４から６のいずれか一に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項８】
返答信号出力部の第二周波数変調手段は、ＳＡＷ回路部からの反射信号出力線に接続された反射信号インダクタンスと、この反射信号インダクタンスと結合した第一周波数変調手段のインダクタンスを含むインダクタンス−キャパシタ並列回路により構成されている請求項６に従属する請求項７に記載のＳＡＷ型ＲＦＩＤ。
【請求項９】
ＲＦＩＤタグの駆動方法であって、
ＲＦＩＤリーダからの問合信号を受信し、受信した問合信号をＳＡＷ回路用に変調する第一変調ステップと、
変調ステップにて変調した変調済問合信号をＳＡＷ回路に入力する入力ステップと、
入力された変調済問合信号のＳＡＷ回路からの反射信号出力を得る出力ステップと、
出力ステップにて得た反射信号を変調してＲＦＩＤリーダ用の返答信号とする第二変調ステップと、
返答信号をＲＦＩＤリーダに対して出力する外部出力ステップと、
を有するＲＦＩＤタグの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＳＡＷデバイスを利用したＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、微小な無線チップにより物体を識別するためのシステムとしてＲＦＩＤが注目を集めている。物体のデータを記憶するためのＲＦＩＤタグは、主にＩＣチップとアンテナから構成されており、その形状も、ラベル型、カード型、スティック型など様々である。
【０００３】
例えば、ラベル型ＲＦＩＤタグの製造方法としては、一般的には、ラベル印刷、ＩＣチップの製造、アンテナパターンの形成などを経て、ＩＣチップとアンテナパターンの接続を行ない、ラベルにＩＣチップとアンテナを搭載するというような組立工程が必要である。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開２００３−２２３６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＲＦＩＤタグの流通を促進させるためにも、製造コストを削減しＲＦＩＤタグの価格を下げることは大きな課題である。ＩＣチップ自体は、例えばチップの大きさを小さくし１枚のシリコンウエハから取れるチップ数を増やすことで製造コストを下げることは可能である。しかし、上述のように、さらにＩＣチップとアンテナを接続し、ラベルに組み込むなどの組立工程を経ると製造コストが高くなってしまう。このため、例えばラベル上に直接回路やアンテナを形成することができれば、組み込む工程を省くことができるが、従来のＲＦＩＤタグに搭載されている半導体ＩＣチップはシリコンウエハの製造工程や不純物拡散工程などにおいて高温処理がなされるため、樹脂製フィルムのように変性温度が低い物体上には直接形成することは困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明においては、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスを利用したＳＡＷ型ＲＦＩＤを提案する。本発明のＳＡＷ型ＲＦＩＤは、問合信号を変調入力し、入力された問合信号に応じた反射信号をＳＡＷ回路部にて出力し、反射信号を変調した返答信号を出力する機能を有する。ＳＡＷ回路部を有することにより、ＩＤ等の情報の記憶が可能である。また、上記処理を行う処理回路は樹脂製ベースに直接、形成載置されるようになっていてもよい。これにより、従来のような組立工程を省くことができる。また、問合信号の入力の際は、２．４５ＧＨｚ（ギガヘルツ）の問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調するようになっていてもよい。また、このための処理回路は、非結晶シリコン上に集積される電子回路により構成されるようになっていてもよい。非結晶シリコンは低温にて樹脂製ベースに積層させることが可能であり、従来の単結晶シリコンを使用する半導体ＩＣチップのような高温処理を行わずとも電子回路を形成することが可能となる。また、返答信号を出力する際には、ＳＡＷ回路部からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調するようになっていてもよい。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のＳＡＷ型ＲＦＩＤによれば、ＳＡＷ共振器を利用することによりＩＤ等の情報を記憶することが可能である。また、非結晶シリコン上に電子回路を集積することによって低温処理にてＲＦＩＤタグを製造することが可能であるので、変性温度が低い樹脂製フィルム等の上にも直接電子回路を形成し、従来のような組立工程を省くことができる。これにより、ＲＦＩＤタグの製造コストを削減し、安価なＲＦＩＤタグを提供することが可能となる。また、ＳＡＷ回路部への入力信号や、ＳＡＷ回路部からの反射信号の周波数を変調することが可能であるので、ＳＡＷ回路部にて利用可能な周波数に制限がある場合にも対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明はこれら実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施しうる。
【０００８】
実施形態１は、主に請求項１、５、９などについて説明する。
【０００９】
実施形態２は、主に請求項２などについて説明する。
【００１０】
実施形態３は、主に請求項３、４、７などについて説明する。
【００１１】
実施形態４は、主に請求項６、８などについて説明する。
（実施形態１）
【００１２】
（実施形態１：概要）
【００１３】
本実施形態は、ＳＡＷデバイスを利用したＳＡＷ型ＲＦＩＤについて説明する。本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤは、問合信号を変調入力し、入力された問合信号に応じた反射信号をＳＡＷ回路部にて出力し、反射信号を変調した返答信号を出力する機能を有する。
【００１４】
（一般的なパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成）
【００１５】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの構成について説明する前に、まず、図２を用いて一般的なパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成について説明する。ＲＦＩＤリーダ（図示しない）から出力されたＲＦ信号をアンテナ（０２０１）にて受信し、同調回路（０２０２）によって目的の周波数の信号のみを取り出す。取り出された信号は、復調（検波）回路（０２０３）にて復調される。また、復調された信号はロジック回路（コントローラ）（０２０４）にて解釈され、例えばＲＦＩＤタグに記憶されている情報を読出すコマンドであるか、ＲＦＩＤタグに情報を書込むコマンドであるか、等を判断する。信号が情報を読出すコマンドであった場合には、不揮発性メモリ（０２０５）に記憶されている情報を読出し、読出された情報は変調回路（０２０６）にて変調されてアンテナ（０２０１）から出力される。また、同調回路（０２０２）にて取り出された信号は、整流回路（０２０７）によって直流成分とされ、復調回路（０２０３）、ロジック回路（コントローラ）（０２０４）、不揮発性メモリ（０２０５）、変調回路（０２０６）に電源として供給される。
【００１６】
（実施形態１：構成）
【００１７】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図を図１に例示する。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０１００）は、「問合信号入力部」（０１０１）と、「ＳＡＷ回路部」（０１０２）と、「返答信号出力部」（０１０３）と、を有する。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０１００）は、パッシブ型のＲＦＩＤであってもよいし、アクティブ型のＲＦＩＤであってもよい。また、読出し専用であってもよいし、情報が書込み可能であってもよい。
【００１８】
「問合信号入力部」（０１０１）は、問合信号を変調入力するための機能を有する。「問合信号」とは、主に外部のＲＦＩＤリーダからＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０１００）への問合信号であり、例えばＳＡＷ型ＲＦＩＤに記憶されている情報を読出すための信号などが該当する。また、「問合信号を変調入力する」とは、具体的には、ＲＦＩＤリーダ等から受信した問合信号を異なる周波数に変調し、後述のＳＡＷ回路部（０１０２）に変調した問合信号を入力することを意味する。問合信号入力部は、例えば図２のパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成においては、同調回路（０２０２）と復調回路（０２０３）が該当する。
【００１９】
「ＳＡＷ回路部」（０１０２）は、入力された問合信号に応じた反射信号を出力する機能を有する。「入力された問合信号」とは、問合信号入力部（０１０１）によって入力された問合信号を指す。また、ＳＡＷ回路部は、窒化アルミ膜上に形成されたくし型電極により構成されていてもよい。図３は、ＳＡＷ回路部の具体例を示す。ＳＡＷ回路部（０３００）は、くし型電極（０３０２）とリフレクタ（０３０３）を圧電基板（０３０１）上に備えることにより実現される。電気信号としてＳＡＷ回路部（０３００）に入力される問合信号は、くし型電極（０３０２）によって表面弾性波に変換され、伝搬する表面弾性波の一部はリフレクタ（０３０３）にて反射し、反射波はくし型電極（０３０２）によって電気信号（反射信号）に変換される。また、リフレクタ（０３０３）は図３においてはほぼ等間隔に図示されているが、各リフレクタの間隔を変えることによって表面弾性波の一部が各リフレクタで反射される際に各間隔に応じた遅延が発生し、反射信号は遅延が生じた複数の信号として構成されることとなる。すなわち、各リフレクタの間隔によってＲＦＩＤタグに記憶したいＩＤ等の情報を表現することができる。また、圧電基板（０３０１）は、例えば窒化アルミ膜などを利用すると良い。窒化アルミ膜は低温にて形成可能であり、シリコンとの親和性が高いため、後述するようにアモルファスシリコン等の非単結晶シリコン上に積層させる場合にも好都合である。また、窒化アルミニウムは圧電体の中でも最も高音速な伝搬特性を示す。ここで、図４に例示するように、表面弾性波の周波数をｆとし、くし型電極（０４０１）の幅をｄとし、伝搬速度をｖとすると、ｆ＝ｖ／４ｄ、という関係が成り立つ。よって、ある一定の周波数ｆに対しては、速度ｖの値が大きければ、くし型電極（０４０１）の幅ｄも大きい値を取ることができるため、くし型電極をより形成しやすいというメリットがある。特に後述のように柔軟性のある樹脂製フィルム等の上にくし型電極を形成する場合には、形成可能なくし型電極の幅ｄは約１ミリ以上となるため、くし型電極の幅ｄが大きい値を取ることができることは重要である。また、ＳＡＷ回路部は、例えば図２のパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成においては、ロジック回路（０２０４）、不揮発性メモリ（０２０５）と同様の機能を果たすこととなる。すなわち、問合信号に応じた表面弾性波の一部が各リフレクタにて反射され複数の反射波が反射信号として出力されることは、ロジック回路（０２０４）によって不揮発性メモリ（０２０５）に記憶されているＩＤ等の情報を読出されることと同様である。
【００２０】
「返答信号出力部」（０１０３）は、反射信号を変調した返答信号を出力する機能を有する。「反射信号」は、具体的には、ＳＡＷ回路部（０１０２）のくし型電極において表面弾性波より変換された電気信号である。「反射信号を変調した返答信号を出力する」とは、周波数を変調して反射信号とは異なる周波数の返答信号を出力することを意味する。返答信号出力部は、例えば図２のパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成においては、変調回路（０２０６）などが該当する。
【００２１】
（実施形態１：ＳＡＷ型ＲＦＩＤの具体例）
【００２２】
図５は、本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの具体例を示す。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０５００）は、アルミ等で形成される受信アンテナ（０５０１）、検波回路ブロック（０５０２）、ＳＡＷ回路ブロック（０５０３）、変調用コイル（０５０４）、などにより構成される。また、ＳＡＷ回路ブロック（０５０３）は窒化アルミ膜（０５０５）上にくし型電極やリフレクタ（０５０６）が形成される。
【００２３】
（実施形態１：処理の流れ）
【００２４】
図６は、本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤにおける処理の流れを示すフロー図を例示する。
【００２５】
最初に、ステップＳ０６０１において問合信号を変調する。この処理は、主に問合信号入力部によって実行される。次に、ステップＳ０６０２において変調された問合信号を入力する。この処理は、主に問合信号入力部によって実行される。次に、ステップＳ０６０３において入力された問合信号に応じた反射信号を出力する。この処理は、主にＳＡＷ回路部によって実行される。次に、ステップＳ０６０４において反射信号を変調し返答信号とする。この処理は、主に返答信号出力部によって実行される。次に、ステップＳ０６０５において返答信号を出力する。この処理は、主に返答信号出力部によって実行される。
【００２６】
つまり、ＲＦＩＤタグの駆動方法であって、ＲＦＩＤリーダからの問合信号を受信し、受信した問合信号をＳＡＷ回路用に変調する第一変調ステップと、変調ステップにて変調した変調済問合信号をＳＡＷ回路に入力する入力ステップと、入力された変調済問合信号のＳＡＷ回路からの反射信号出力を得る出力ステップと、出力ステップにて得た反射信号を変調してＲＦＩＤリーダ用の返答信号とする第二変調ステップと、返答信号をＲＦＩＤリーダに対して出力する外部出力ステップと、を有するＲＦＩＤタグの駆動方法を採用する。
【００２７】
（実施形態１：効果）
【００２８】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤは、ＳＡＷ回路を利用したＲＦＩＤであって、ＳＡＷ回路部に問合信号を変調して入力し、さらにＳＡＷ回路部から出力される反射信号を変調した返答信号を出力することが可能である。よって、例えばＲＦＩＤリーダから受信した問合信号とＳＡＷ回路部における表面弾性波の周波数が異なる場合であっても、変調処理を行なうことで信号の入出力を行うことができる。特に、ＳＡＷ回路部において使用可能な共振周波数に制限がある場合等に効を奏する。
（実施形態２）
【００２９】
（実施形態２：概要）
【００３０】
本実施形態は、問合信号入力部と、ＳＡＷ回路部と、返答信号出力部とが樹脂製ベース上に直接、形成されることを特徴とするＳＡＷ型ＲＦＩＤについて説明する。
【００３１】
（実施形態２：構成）
【００３２】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図を図７に例示する。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０７００）は、「問合信号入力部」（０７０１）と、「ＳＡＷ回路部」（０７０２）と、「返答信号出力部」（０７０３）と、を有する。また、ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（０７００）は、問合信号入力部（０７０１）と、ＳＡＷ回路部（０７０２）と、返答信号出力部（０７０３）とを載置する「樹脂製ベース部」（０７０４）を有する。
【００３３】
「樹脂製ベース部」（０７０４）は、問合信号入力部（０７０１）と、ＳＡＷ回路部（０７０２）と、返答信号出力部（０７０３）とを形成載置する。「載置する」とは、直接に樹脂製ベース部上に載置される場合であってもよいし、他の材料を介して間接的に載置される場合であってもよい。他の材料を介して間接的に載置される場合とは、例えば樹脂製ベース部上に他の材料が蒸着等されてから、蒸着等された他の材料の上に、問合信号入力部、ＳＡＷ回路部、返答信号出力部が載置される場合である。また、「形成載置する」とは、樹脂製ベース部上に、問合信号入力部、ＳＡＷ回路部、返答信号出力部が直接形成されていくことを意味しており、別途、形成された問合信号入力部、ＳＡＷ回路部、返答信号出力部を樹脂製ベース部上に載置していくものではない。また、樹脂製ベース部は、硬い基板（リジット）であってもよいし、柔軟性のあるフィルム状であってもよい。図８、図９、図１０に樹脂製ベース部の具体例を示す。
【００３４】
図８は、図５に例示したＳＡＷ型ＲＦＩＤの受信アンテナと変調用コイルが樹脂製ベース部に載置されている場合を例示する。なお、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である。図８においては、樹脂製ベース部（０８０１）上にアモルファスシリコン（０８０２）が積層され、その上に受信アンテナ（０８０３）と変調用コイル（０８０４）がアルミ等で形成されている。
【００３５】
図９は、図５に例示したＳＡＷ型ＲＦＩＤの検波回路ブロックが樹脂製ベース部に載置されている場合を例示する。なお、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である（受信アンテナ部分は図示しない）。図９においては、樹脂製ベース部（０９０１）上にアモルファスシリコン（０９０２）が積層され、その上にさらにＮ型アモルファスシリコン（０９０３）とＰ型アモルファスシリコン（０９０４）が積層されることにより検波回路ブロックを形成している。
【００３６】
図１０は、ＳＡＷ回路部が樹脂製ベース部に載置されている場合を例示する。なお、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である。図１０においては、樹脂製ベース部（１００１）にアルミ（１００２）が蒸着され、その上にアモルファスシリコン（１００３）が積層されている。さらに、その上に窒化アルミニウム（１００４）が積層され、窒化アルミニウム（１００４）上にアルミ（１００２）でくし型電極やリフレクタが形成されている。
【００３７】
（実施形態２：処理の流れ）
【００３８】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤにおける処理の流れは実施形態１に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤにおける処理の流れと同様である。
【００３９】
（実施形態２：効果）
【００４０】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤは、樹脂製ベース上に問合信号入力部と、ＳＡＷ回路部と、返答信号出力部とを直接、形成していくことが可能であるので、樹脂製フィルム等の上に直接電子回路を形成することで、従来、ＩＣチップをラベルに組み込んでいたような組立工程を省くことができる。これにより、製造コストを削減することが可能である。
（実施形態３）
【００４１】
（実施形態３：概要）
【００４２】
本実施形態は、問合信号の入力時に２．４５ＧＨｚ（ギガヘルツ）の問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調することを特徴とするＳＡＷ型ＲＦＩＤについて説明する。
【００４３】
（実施形態３：構成）
【００４４】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図を図１１に例示する。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（１１００）は、「問合信号入力部」（１１０１）と、「ＳＡＷ回路部」（１１０２）と、「返答信号出力部」（１１０３）と、を有する。また、問合信号入力部（１１０１）は、「第一周波数変調手段」（１１０５）を有する。また、ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（１１００）は、さらに「樹脂製ベース部」を有していてもよい。
【００４５】
「第一周波数変調手段」（１１０５）は、２．４５ＧＨｚの問合信号をＳＡＷ回路部（１１０２）の共振周波数に変調する機能を有する。「ＳＡＷ回路部の共振周波数」とは、ＳＡＷ回路部にて伝搬する表面弾性波の周波数であり、図４に例示した周波数ｆが該当する。また、第一周波数変調手段は、並列接続されたキャパシタとインダクタンスの一の共通接点を接地側に配置し、他の共通接点を、問合信号を受信するアンテナと、このアンテナに直列接続され、その出力をＳＡＷ回路部に出力するダイオードとの中間点に接続することで構成されていてもよい。図１２に、第一周波数変調手段の構成例を示す。図１２において、「並列接続されたキャパシタとインダクタンス」とは破線円１２０１で囲まれたキャパシタとインダクタンスが該当する。また、「一の共通接点」とは、接点１２０２が該当し、「他の共通接点」とは、接点１２０３が該当する。破線円１２０１で囲まれたキャパシタとインダクタンスは同調回路であり、２．４５ＧＨｚに共振するよう調整されている。ここで、ＳＡＷ回路部の共振周波数が１ＭＨｚ（メガヘルツ）であるとすると、アンテナ１２０４では１ＭＨｚのベースバンド信号が載った２．４５ＧＨｚの搬送波（１２０７）が受信される。受信された搬送波（１２０７）は、さらに破線円１２０５で囲まれたダイオードで構成される検波回路により１ＭＨｚのベースバンド信号（１２０８）が分離されＳＡＷ回路部（１２０６）に入力される。なお、ＳＡＷ回路部の共振周波数は、図１２の具体例においては１ＭＨｚとしたが、もちろん他の周波数であってもよい。また、図１３は、ＳＡＷ回路部における圧電基板が窒化アルミニウムである場合の共振周波数ｆとくし型電極の幅ｄの関係を表す。圧電基板が窒化アルミニウムである場合、表面弾性波の伝搬速度ｖは約５５００ｍ／ｓ（ミリ毎秒）である。図４に示したように、ｆ＝ｖ／４ｄ、という関係が成り立つため、共振周波数ｆと電極幅ｄの値は表１３０１に示す値となる。ここで、ＳＡＷ回路部が樹脂製ベース部上に形成されている場合であって、樹脂製ベース部が柔軟性のあるフィルム等であった場合、フィルム上に０．５６μｍ（マイクロメートル）（２．４５ＧＨｚに相当）や０．１ｍｍ（ミリメートル）（１３．５６ＭＨｚに相当）の幅の電極を形成することは困難である。よって、例えば１．３７５ｍｍや１１ｍｍの幅で形成することとなる。この場合、共振周波数ｆは１ＭＨｚ以下でなければならない。よって、問合信号が２．４５ＧＨｚで受信された場合には、第一周波数変調手段にて図１２のような回路により１ＭＨｚの共振周波数に変調することで、ＳＡＷ回路部へ１ＭＨｚの問合信号を入力することができる。
【００４６】
また、第一周波数変調手段は、非単結晶シリコン上に集積される電子回路により構成されていてもよい。「非単結晶シリコン」とは、具体的にはアモルファスシリコン、ポリシリコン等が該当する。また、第一周波数変調手段を実現するための電子回路のすべてが非単結晶シリコン上に構成されずとも、一部の電子回路のみが非単結晶シリコン上に構成される場合も含む。例えば図１２においては、第一周波数変調手段は、同調回路１２０１と検波回路１２０５が該当するが、例えば検波回路のみが非単結晶シリコン上に形成され、同調回路は樹脂製ベース上に直接アルミ等で形成される等となっていてもよい。非単結晶シリコンは低温にて積層させることが可能であるので、変性温度が低い樹脂製ベース上であっても積層することができるというメリットがある。
【００４７】
（実施形態３：処理の流れ）
【００４８】
図１４は、本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤにおける処理の流れを示すフロー図を例示する。
【００４９】
最初に、ステップＳ１４０１において２．４５ＧＨｚの問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調する。この処理は、主に第一周波数変調手段によって実行される。次に、ステップＳ１４０２において変調された問合信号を入力する。この処理は、主に問合信号入力部によって実行される。次に、ステップＳ１４０３において入力された問合信号に応じた反射信号を出力する。この処理は、主にＳＡＷ回路部によって実行される。次に、ステップＳ１４０４において反射信号を変調し返答信号とする。この処理は、主に返答信号出力部によって実行される。次に、ステップＳ１４０５において返答信号を出力する。この処理は、主に返答信号出力部によって実行される。
【００５０】
（実施形態３：効果）
【００５１】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤは、２．４５ＧＨｚの問合信号をＳＡＷ回路部の共振周波数に変調することが可能であるので、ＳＡＷ回路部において使用可能な共振周波数に制限がある場合等に特に効を奏する。
（実施形態４）
【００５２】
（実施形態４：概要）
【００５３】
本実施形態は、返答信号の出力時にＳＡＷ回路部からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調することを特徴とするＳＡＷ型ＲＦＩＤについて説明する。
【００５４】
（実施形態４：構成）
【００５５】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図を図１５に例示する。ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（１５００）は、「問合信号入力部」（１５０１）と、「ＳＡＷ回路部」（１５０２）と、「返答信号出力部」（１５０３）と、を有する。また、返答信号出力部（１５０３）は、「第二周波数変調手段」（１５０６）を有する。また、ＳＡＷ型ＲＦＩＤ（１５００）は、さらに、「第一周波数変調手段」又は「樹脂製ベース部」、あるいは双方を有していてもよい。
【００５６】
「第二周波数変調手段」（１５０６）は、ＳＡＷ回路部（１５０２）からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調する機能を有する。「ＳＡＷ回路部からの反射信号」とは、リフレクタによって反射された表面弾性波の一部をくし型電極にて電気信号に変換した信号である。また、第二周波数変調手段は、ＳＡＷ回路部からの反射信号出力線に接続された反射信号インダクタンスと、この反射信号インダクタンスと結合した第一周波数変調手段のインダクタンスを含むインダクタンス−キャパシタ並列回路により構成されていてもよい。図１６に、第二周波数変調手段の構成例を示す。図１６において、「反射信号出力線」とは、出力線１６０１が該当し、「反射信号インダクタンス」とは、破線円１６０２で囲まれたインダクタンスが該当する。また、「第一周波数変調手段のインダクタンスを含むインダクタンス−キャパシタ並列回路」とは、破線円１６０３で囲まれたキャパシタとインダクタンスにて構成される並列回路が該当する。ここで、図１２の具体例と同様に、ＳＡＷ回路部からの反射信号の周波数が１ＭＨｚであったとする。ＳＡＷ回路部に１ＭＨｚの問合信号（１６０５）が入力されると、ＳＡＷ回路部（１６０４）が共振器として作用し、それに応じて同調回路１６０３のインピーダンスが変化するため、受信していた２．４５ＧＨｚの搬送波を反射するようになる。よって、１ＭＨｚの反射信号を反射している２．４５ＧＨｚの搬送波に載せるための変調を第二周波数変調手段にて行うことで、ＳＡＷ回路部からの反射信号を外部のＲＦＩＤリーダ等へ出力することができる。
【００５７】
（実施形態４：処理の流れ）
【００５８】
図１７は、本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤにおける処理の流れを示すフロー図を例示する。
【００５９】
最初に、ステップＳ１７０１において問合信号を変調する。この処理は、主に問合信号入力部によって実行される。次に、ステップＳ１７０２において変調された問合信号を入力する。この処理は、主に問合信号入力部によって実行される。次に、ステップＳ１７０３において入力された問合信号に応じた反射信号を出力する。この処理は、主にＳＡＷ回路部によって実行される。次に、ステップＳ１７０４においてＳＡＷ回路部からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調する。この処理は、主に第二周波数変調手段によって実行される。次に、ステップＳ１７０５において返答信号を出力する。この処理は、主に返答信号出力部によって実行される。
【００６０】
（実施形態４：効果）
【００６１】
本実施形態に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤは、ＳＡＷ回路部からの反射信号を２．４５ＧＨｚの返答信号に変調することが可能であるので、ＳＡＷ回路部において使用可能な共振周波数と搬送波の周波数が異なる場合であっても反射信号を搬送波に載せて出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】実施形態１に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図
【図２】一般的なパッシブ型ＲＦＩＤタグの構成例
【図３】ＳＡＷ回路部の具体例
【図４】表面弾性波の周波数とくし型電極の幅と伝搬速度の関係を説明する図
【図５】ＳＡＷ型ＲＦＩＤの具体例
【図６】実施形態１に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの処理の流れを示すフロー図
【図７】実施形態２に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図
【図８】樹脂製ベース部の具体例
【図９】樹脂製ベース部の具体例
【図１０】樹脂製ベース部の具体例
【図１１】実施形態３に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図
【図１２】第一周波数変調手段の構成の一例図
【図１３】ＳＡＷ回路部における圧電基板が窒化アルミニウムである場合の共振周波数ｆとくし型電極の幅ｄの関係を説明する図
【図１４】実施形態３に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの処理の流れを示すフロー図
【図１５】実施形態４に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの機能ブロック図
【図１６】第二周波数変調手段の構成の一例図
【図１７】実施形態４に係るＳＡＷ型ＲＦＩＤの処理の流れを示すフロー図
【符号の説明】
【００６３】
０１０１  問合信号入力部
０１０２  ＳＡＷ回路部
０１０３  返答信号出力部
０７０４  樹脂製ベース部
１１０５  第一周波数変調手段
１５０６  第二周波数変調手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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