(57)【要約】【課題】  内蔵する複数の半導体チップ間の高調波ノイズの漏洩を防止でき、入力及び出力各端子におけるインピーダンス整合のずれの発生を抑制できる高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】  複数の高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈと、複数の高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域８Ｌ，８Ｈを連結した非矩形状のダイパッド８と、パッケージ外部と高周波用半導体チップの各電極パッド４Ｌ，４Ｈ，５Ｌ，５Ｈを電気的に接続する複数のリード端子７ＡＬ，７ＡＨ，７ＢＬ，７ＢＨと、リード端子と各電極パッドを電気的に接続するワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨと、を備えてパッケージ内に組み立てられ、ダイボンド領域の外周端と、対応するダイボンド領域に搭載される高周波用半導体チップの入力電極パッド及び出力電極パッドとワイヤで各別に接続されるリード端子との間の距離が夫々同長となっている。【選択図】        図１
2007324499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの高周波用半導体チップと、
前記少なくとも２つの高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域を複数連結してなり、隣接する任意の２つのダイボンド領域の合体形状が非矩形状であるダイパッドと、
パッケージ外部と前記少なくとも２つの高周波用半導体チップの各電極パッドを電気的に接続するための複数のリード端子と、
前記リード端子と前記各電極パッドを電気的に接続するワイヤと、を備えて所定のパッケージ内に組み立てられている高周波用半導体装置であって、
前記ダイボンド領域の外周端と、対応する前記ダイボンド領域に搭載される前記高周波用半導体チップの入力電極パッド及び出力電極パッドと前記ワイヤで各別に接続される前記リード端子との間の距離が、全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長であることを特徴とする高周波用半導体装置。
【請求項２】
前記非矩形状のダイパッドが、２つの前記高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状の２つのダイボンド領域の一方側の１つのコーナー部と他方側の対角に位置する１つのコーナー部を連結してなることを特徴とする請求項１に記載の高周波用半導体装置。
【請求項３】
前記各高周波用半導体チップの入力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である入力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の１辺に配置され、
前記各高周波用半導体チップの出力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である出力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の他の１辺に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波用半導体装置。
【請求項４】
前記各高周波用半導体チップの入力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である入力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の１辺に配置され、
前記各高周波用半導体チップの出力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である出力リード端子が、前記パッケージの矩形状の外周の他の２辺または３辺に分散して配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波用半導体装置。
【請求項５】
前記入力リード端子が配置されている１辺と、前記出力リード端子が配置されている１辺が直交して隣接していることを特徴とする請求項３または４に記載の高周波用半導体装置。
【請求項６】
前記パッケージの矩形状の外周の前記入力リード端子と前記出力リード端子の何れも配置されていない辺には、前記入力リード端子と前記出力リード端子以外の前記リード端子を配置しないことを特徴とする請求項３〜５の何れか１項に記載の高周波用半導体装置。
【請求項７】
前記ダイボンド領域の外周端と前記リード端子との間の距離が全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長となるために、前記複数のリード端子の一部が、前記ダイボンド領域の外周端に向かって延長するとともに、前記ワイヤが接続しない側の面が厚み方向に後退した延長部分を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の高周波用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用半導体装置に関し、より詳細には、同一ダイパッド上に少なくとも２つの高周波用半導体チップが搭載された高周波用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線ＬＡＮ機能搭載のパーソナルコンピュータ、携帯情報端末、コンピュータ周辺機器等の通信用パワーアンプとして、高周波、高出力で動作するトランジスタが不可欠である。これらの用途には、高周波特性の関係から化合物半導体を利用したトランジスタが用いられている。近年、情報伝送量、情報伝送速度等、その用途により使用周波数帯域が異なる複数の規格が並存している。これらに対応し、同時に商品の実装面積を縮小し、且つ、コスト低減を図るために、周波数帯域の異なる２つの高周波用半導体チップを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応のより小型化された高周波用半導体装置が採用されている。
【０００３】
図１０は、従来の２チップ１パッケージタイプのデュアルバンド対応高周波用半導体装置のパッケージ内部における、フレーム上のダイボンドエリア内のチップ配列、及び、ワイヤレイアウトの様子を示す説明図である。図１０に示すように、高周波用半導体装置１３は、異なる周波数に対応した半導体チップ１３Ｌ（低周波数対応チップ）及び１３Ｈ（高周波数対応チップ）の２つの高周波用半導体チップと、２つの半導体チップを同一領域内に搭載するダイボンドエリア２０（高周波半導体チップ１３Ｌ，１３Ｈの裏面電極、即ち接地もしくはグランド電極と接触し、高周波用半導体装置１３の接地電極を兼ねる。）を含むフレームと、各半導体チップ内の回路を外部へ電気的に接続する複数のリード端子と、夫々の一端が各チップの電極パッドに接続され、他端が前記パッドに対応するリード端子に接続される端子接続ワイヤ（６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨ等）とを、パッケージ内部に備えている。各半導体チップは、半導体チップ間のクロストークを防止すべく、一方の半導体チップの出力電極パッドと他方の半導体チップの出力電極パッドとの最短距離が所定距離以上であるように、更に、出力端子接続ワイヤは、一方の半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤと他方の半導体チップの出力電極パッドに接続されたワイヤとの最短距離が所定距離以上であるように配置される。
【０００４】
ここで、高周波用半導体装置のパッケージの大型化を避け、且つ、２つの半導体チップの出力電極パッド間距離をより大きくするため、図１０に示す通り、各半導体チップはダイボンドエリア内で、通常対角線上に配置される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２５２０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１１は、無線ＬＡＮモジュールにおける高周波用半導体装置及びフィルタ部分の構成を示す概略ブロック図である。ＲＦ回路が集積されたＲＦＩＣ１１から２．４ＧＨｚの低周波帯域信号または５ＧＨｚの高周波帯域信号が高周波用半導体装置１３の使用条件に応じて出力される。夫々の信号はバンドパスフィルタ１２Ｌ，１２Ｈ、高周波用半導体装置１３（低周波数側半導体チップ１３Ｌ，高周波数側半導体チップ１３Ｈ）を経て電力増幅され、ローパスフィルタ１４Ｌ，１４Ｈ、及び、ダイプレクサ１５を経た後に、アンテナ１６から送信される。図１１において、デュアルバンド対応高周波用半導体装置１３（図１０の高周波用半導体装置１３に相当）の低周波数側半導体チップ１３Ｌ（図１０の半導体チップ１３Ｌに相当）からの高調波信号が、隣接して配置された高周波数側半導体チップ１３Ｈ（図１０の半導体チップ１３Ｈに相当）の出力端子から漏れて出力され、高調波ノイズを含んだ信号がアンテナ１６から送信されてしまうという不都合があった。即ち、２つの高周波用半導体チップ１３Ｌ，１３Ｈの夫々の出力電極パッドまたは出力端子接続ワイヤを通して誘導される高調波ノイズを防止するために、図１０に示すように２つの半導体チップの出力電極パッド間の最短距離が所定距離以上で、更に、２つの半導体チップの出力端子接続ワイヤ間の最短距離が所定距離以上であるように配置された。より具体的には、上述の如く、２つの半導体チップは、通常は図１０に示すようにダイボンドエリア内で同一対角線上に配置される。しかしながら、上述した従来の高周波用半導体装置の構造においては、以下に説明するような問題の生じる虞がある。
【０００７】
図１０に示すように、２つの高周波用半導体チップ１３Ｌ，１３Ｈを矩形状の一つのダイボンドエリア内において対角に配置することにより、２つの半導体チップ１３Ｌ，１３Ｈの入力端子または出力端子の少なくとも何れかの一方のリード端子をパッケージの外周の１辺に纏めて配置した場合に、入力端子または出力端子の何れかの接続ワイヤが長くなるとともに、ワイヤ長のバラツキも大きくなる。即ち、接続ワイヤに寄生するインダクタンス成分が増加し、インピーダンス整合のずれ或いは信号損失が増加するという不都合が発生する。
【０００８】
従来の無線ＬＡＮモジュールでは、モジュールを構成する際に高周波用半導体装置とは別に外付けの整合回路（図１１中に破線の長方形で表示）を追加して、インピーダンス整合等の調整することで最適化を行っていた。しかし、近年ではモジュールの小型化のために高周波用半導体装置の２つの半導体チップの夫々に、予め整合回路が内蔵されている。即ち、半導体チップ設計時に予め想定したワイヤ長によるインダクタンス成分をシミュレーションにより求め、そのインダクタンス成分に適合する整合回路を半導体チップ内に作り込む作業がなされている。
【０００９】
ところが、ワイヤ長が長いほどシミュレーション精度が悪くなり、且つ、ワイヤ長が長いほど製造工程でのシミュレーション結果と実際のインダクタンス成分とのバラツキが大きくなり易くなる。この結果、シミュレーションにより導出したインダクタンス成分に基づいて設計された整合回路が必ずしも最適設計とならずにインピーダンス整合のずれが発生し易くなるという問題がある。つまり、インピーダンス整合のずれにより高周波用半導体装置の各半導体チップの高周波特性のずれが顕著化する。
【００１０】
また、図１２に、無線ＬＡＮカード等のモジュールのセット基板内での高周波用半導体装置（図１１の高周波用半導体装置１３に相当）の実装例を示す。尚、図１２中において、図１１と同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。図１２に示すように、セット基板１０上に高周波用半導体装置１３を実装する場合に、高周波用半導体装置１３の入力信号用のリード端子と出力信号用のリード端子が、パッケージの左右或いは上下等１８０°対称方向に配置されているため、高周波用半導体装置１３の入力側及び出力側に取り付ける各部品は、高周波用半導体装置１３を挟んで１８０°対称部（左右、上下）に配置する必要がある。従って、セット基板１０内に従来のような高周波用半導体装置１３を実装する場合にセット基板１０の配線、各種部品配置等のレイアウトに自由度がなくなり、セット基板１０の小型縮小化が阻害されるという問題がある。特に、近年携帯用機器の小型化、低コスト化の要請により、セット基板の小型化或いは部品自身の小型化が必要不可欠となってきており、本問題の解決は益々重要となっている。
【００１１】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、内蔵する複数の半導体チップ間の高調波ノイズの漏洩を防止でき、入力及び出力各端子におけるインピーダンス整合のずれの発生を抑制できる高周波用半導体装置を提供する点にある。更に、本発明の目的は、搭載されるセット基板の設計自由度を増してセット基板の小型化が容易となる高周波用半導体装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明に係る高周波用半導体装置は、少なくとも２つの高周波用半導体チップと、前記少なくとも２つの高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域を複数連結してなり隣接する任意の２つのダイボンド領域の合体形状が非矩形状であるダイパッドと、パッケージ外部と前記少なくとも２つの高周波用半導体チップの各電極パッドを電気的に接続するための複数のリード端子と、前記リード端子と前記各電極パッドを電気的に接続するワイヤと、を備えて所定のパッケージ内に組み立てられている高周波用半導体装置であって、前記ダイボンド領域の外周端と、対応する前記ダイボンド領域に搭載される前記高周波用半導体チップの入力電極パッド及び出力電極パッドと前記ワイヤで各別に接続される前記リード端子との間の距離が、全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長であることを第１の特徴とする。
【００１３】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記第１の特徴に加えて、前記非矩形状のダイパッドが、２つの前記高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状の２つのダイボンド領域の一方側の１つのコーナー部と他方側の対角に位置する１つのコーナー部を連結してなることを第２の特徴とする。
【００１４】
上記第１または第２の特徴を備えた高周波用半導体装置によれば、少なくとも２つの高周波用半導体チップを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域が複数連結したダイパッドにおいて、隣接する任意の２つのダイボンド領域の合体形状が非矩形状であるため、各ダイボンド領域の相互の配置関係は、各ダイボンド領域の縦方向及び横方向の両方向にずれているため、隣接する任意の２つのダイボンド領域に搭載される２つの高周波用半導体チップの入力電極パッド同士及び入力電極パッドに接続するワイヤ同士を離間させることができ、また同様に、出力電極パッド同士及び出力電極パッドに接続するワイヤ同士を離間させることができ、２つの高周波用半導体チップ間での高周波ノイズの漏洩を低減できる。更に、ダイボンド領域の外周端と入力電極パッド及び出力電極パッドと接続するリード端子間の距離が同長であるため、パッケージの最も端部寄りに配置された入力電極パッド及び出力電極パッドと接続するリード端子とダイボンド領域の外周端との距離に、全ての入力電極パッド及び出力電極パッドと接続するリード端子とダイボンド領域の外周端との距離が統一されるので、入力信号用及び出力信号用の電極パッドと対応するリード端子間のワイヤ長が等しく且つ短く設定できるため、各ワイヤの寄生インダクタンス成分による高周波特性の劣化を抑制できるとともに、更に、ワイヤ長に伴うインダクタンス成分のシミュレーション精度も向上し、実際のインダクタンス成分との誤差も抑制されるため、整合回路の設計誤差によるインピーダンス整合のずれも抑制され、各半導体チップの高周波特性のずれを低減できる。以上により、上記本発明の主たる目的が達成される。特に、第２の特徴を備えた高周波用半導体装置によれば、２つの高周波用半導体チップを搭載した高周波用半導体装置において、上記本発明の主たる目的が達成される。
【００１５】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記第１または第２の特徴に加えて、前記各高周波用半導体チップの入力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である入力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の１辺に配置され、前記各高周波用半導体チップの出力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である出力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の他の１辺に配置されていることを第３の特徴とする。
【００１６】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記第１または第２の特徴に加えて、前記各高周波用半導体チップの入力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である入力リード端子の全てが、前記パッケージの矩形状の外周の１辺に配置され、前記各高周波用半導体チップの出力電極パッドと前記ワイヤを介して接続する前記リード端子である出力リード端子が、前記パッケージの矩形状の外周の他の２辺または３辺に分散して配置されていることを第４の特徴とする。
【００１７】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記第３または第４の特徴に加えて、前記入力リード端子が配置されている１辺と、前記出力リード端子が配置されている１辺が直交して隣接していることを第５の特徴とする。
【００１８】
上記第３の特徴の高周波用半導体装置によれば、本発明に係る高周波用半導体装置を搭載するモジュールのセット基板を縦横比（長辺／短辺）の大きい細長い矩形状にする必要がある場合には、入力リード端子が配置されている１辺と出力リード端子が配置されている１辺を従来通りにパッケージの左右或いは上下等１８０°対称方向に配置でき、高周波用半導体装置をセット基板の中央に配置できる。他方、当該セット基板を縦横比の小さい正方形に近い矩形状にする必要がある場合には、入力リード端子が配置されている１辺と出力リード端子が配置されている１辺を相互に直交して隣接するよう選択することで、高周波用半導体装置をセット基板の４隅の１つに配置できる。特に、上記第３及び第５の特徴を兼ね備える後者の場合は、セット基板の縦横比を小さくでき小型化に寄与し、上記本発明の従たる目的が達成される。
【００１９】
上記第４の特徴の高周波用半導体装置によれば、本発明に係る高周波用半導体装置の各半導体チップの出力信号を処理する回路群を、セット基板上で分散配置できるため、出力リード端子をセット基板上の余白部分に向けて分散配置することで、セット基板上の面積を有効活用でき、セット基板の小型化に寄与し、上記本発明の従たる目的が達成される。特に、上記第４及び第５の特徴を兼ね備える場合には、出力リード端子を２辺に分散して配置し、その２辺を入力リード端子が配置されている１辺と直交して隣接することで、本発明に係る高周波用半導体装置をセット基板の１端辺の中央に配置して、その両側に出力信号の処理回路を分散配置できるため、セット基板の縦横比を小さくでき小型化に寄与し、上記本発明の従たる目的が達成される。
【００２０】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記第３乃至第５の何れか特徴に加えて、前記パッケージの矩形状の外周の前記入力リード端子と前記出力リード端子の何れも配置されていない辺には、前記入力リード端子と前記出力リード端子以外の前記リード端子を配置しないことを第６の特徴とする。
【００２１】
上記第６の特徴の高周波用半導体装置によれば、全てのリード端子が、入力リード端子と出力リード端子の何れかが配置されている辺に配置されるため、出力リード端子を１辺または２辺に配置する場合には、残りの２辺または１辺にはリード端子が配置されず、同じパッケージサイズにおいて高周波用半導体装置自体の外形寸法を小さくでき、結果としてセット基板の小型化に寄与する。
【００２２】
更に、本発明に係る高周波用半導体装置は、上記何れか特徴に加えて、前記ダイボンド領域の外周端と前記リード端子との間の距離が全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長となるために、前記複数のリード端子の一部が、前記ダイボンド領域の外周端に向かって延長するとともに、前記ワイヤが接続しない側の面が厚み方向に後退した延長部分を有することを第７の特徴とする。
【００２３】
上記第７の特徴の高周波用半導体装置によれば、延長部分を有するリード端子の当該延長部分を除く部分が、前記ダイボンド領域の外周端と前記リード端子との間の距離が全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長となっていない既存品の対応するリード端子と同じ厚みで同じ平面形状となるため、各リード端子のワイヤが接続しない側の面をパッケージの裏面側に露出させた場合に、本パッケージを搭載する基板側の配線パターンを既存品用の配線パターンから変更する必要がなく既存品との互換性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明に係る高周波用半導体装置（以下、適宜「本発明装置」と略称する）の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
〈第１実施形態〉
図１（Ａ）は、第１実施形態に係る本発明装置のパッケージ内部におけるリード端子のレイアウト、ダイパッド及びダイボンド領域のレイアウト、２つの高周波用半導体チップのダイパッド上での搭載位置、リード端子と各高周波用半導体チップ内の電極パッド間を接続するワイヤレイアウト等を模式的に示す平面透視図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ’断面を側方（図１（Ａ）の下側）から透視した本発明装置の断面構造を模式的に示す断面透視図である。尚、図１（Ａ）において、説明の簡単化のため、図１０に示す従来の高周波用半導体装置１３と同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。
【００２６】
図１（Ａ）に示すように、本発明装置１は、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈと、高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域８Ｌ，８Ｈの一方側８Ｌの１つのコーナー部（図中では右上角）と他方側８Ｈの対角に位置する１つのコーナー部（図中では左下角）を連結してなる非矩形状のダイパッド８と、リード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと、各リード端子７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ上の電極パッド４Ｌ，４Ｈ，５Ｌ，５Ｈを各別に電気的に接続するワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨとを備えて構成され、例えば、上記各構成部品が樹脂封止されパッケージ内に組み立てられている。尚、本実施形態では、本発明装置１は、周波数帯域の異なる２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応の高周波用半導体装置として構成されている。
【００２７】
ここで、高周波用半導体チップとは、メガヘルツ帯以上の信号周波数を扱う半導体チップのことをいい、特にギガヘルツ帯の信号周波数を扱う半導体チップのことをいう。特にギガヘルツ帯の半導体チップには、周波数特性の関係からＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：材料として化合物半導体が広く用いられる）が使用されるが、それに限定されず、例えば、ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）或いはＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）も適用可能であり、更に、周波数が比較的低い用途で特性に問題がなければシリコンを材料とするトランジスタであってもよい。
【００２８】
また、リード端子とは、本発明装置のパッケージの端子のことであり、本発明装置とその外部の回路とは、リード端子を介して電気的に接続される。リード端子は、例えばＣｕ（銅）を用いることができるが、それに限定されず、例えばＣｕ合金系や４２アロイ等のＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）合金系金属を用いてもよい。
【００２９】
ダイパッドとは、高周波用半導体チップをその上に接着固定するための平板状の部材で、リード端子と同様の材質の金属を用いることができるが、それに限定されず、例えば、セラミックケースやプリント基板であってもよい。また、ダイボンド領域とは、高周波用半導体チップをダイパッド上に搭載して物理的に固定する所定の領域のことをいう。
【００３０】
ワイヤは、例えば、高周波用半導体チップの電極パッドやダイパッドとリード端子とを電気的に接続する導電体の線材で、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属細線を用いることができるが、これらの材料に限定されない。
【００３１】
電極パッドとは、高周波用半導体チップ内の回路にワイヤを接続するためにチップ上に設けられた導電体領域のことである。
【００３２】
図１（Ａ）に示す例では、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈには、夫々、入力信号受信用の入力電極パッド４Ｌ，４Ｈと出力信号発信用の出力電極パッド５Ｌ，５Ｈが１つずつ配置されており、入力電極パッド４Ｌ，４Ｈは夫々入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨとワイヤ６ＡＬ，６ＡＨにより電気的に接続され、出力電極パッド５Ｌ，５Ｈは夫々出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨとワイヤ６ＢＬ，６ＢＨにより電気的に接続されている。また、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈに電源供給するための電源パッド及び接地電位を供給するグランドパッドは図示を省略するとともに、各パッドへのワイヤの接続も図示を省略している。尚、接地電位は、ダイパッド８からチップの裏面を介して供給する構成でも構わない。また、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈに、夫々、２以上の入力電極パッドを設けてもよいし、更に、２以上の出力電極パッドを設けてもよい。
【００３３】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ダイパッド８は、低周波数対応の高周波用半導体チップ２Ｌを搭載するダイボンド領域８Ｌの１つのコーナー部（図中では右上角）と高周波数対応の高周波用半導体チップ２Ｈを搭載するダイボンド領域８Ｈの１つのコーナー部（図中では左下角）を連結してなる非矩形状であり、各ダイボンド領域８Ｌ，８Ｈは１つの大きな矩形状のダイボンド領域内に対角線上に配置された２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの周囲の一部分を残して、余剰の部分を高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈに向けて切り込んで削除した形状となっている。そして、リード端子のレイアウトは、切り込まれて削除された部分のダイボンド領域と対向していたリード端子（図中では、リード端子７ＢＬ，７ＡＨ等）の端部を、各ダイボンド領域８Ｌ，８Ｈに向って切り込まれた部分に延伸させた形状となっている。従って、本実施形態では、ダイボンド領域８Ｌに搭載される高周波用半導体チップ２Ｌの入力電極パッド４Ｌと入力リード端子７ＡＬとの間、及び、出力電極パッド５Ｌと出力リード端子７ＢＬとの間の各距離、及び、ダイボンド領域８Ｈに搭載される高周波用半導体チップ２Ｈの入力電極パッド４Ｈとリード端子７ＡＨとの間、及び、出力電極パッド５Ｈと出力リード端子７ＢＨとの間の各距離は、全て同じ長さとなっている。この結果、入力電極パッド４Ｌと入力リード端子７ＡＬを接続するワイヤ６ＡＬ、出力電極パッド５Ｌと出力リード端子７ＢＬを接続するワイヤ６ＢＬ、入力電極パッド４Ｈとリード端子７ＡＨを接続するワイヤ６ＡＨ、及び、出力電極パッド５Ｈと出力リード端子７ＢＨを接続するワイヤ６ＢＨの夫々が、全て略同じ短いワイヤ長となる。
【００３４】
以上のパッケージ内部の構成により、高周波用半導体チップ２Ｌの入力電極パッド４Ｌと出力電極パッド５Ｌは、夫々、ワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ、及び、入力リード端子７ＡＬと出力リード端子７ＢＬを経て、本発明装置１の外部の回路と電気的に接続される。同様に、高周波用半導体チップ２Ｈの入力電極パッド４Ｈと出力電極パッド５Ｈは、夫々、ワイヤ６ＡＨ，６ＢＨ、及び、入力リード端子７ＡＨと出力リード端子７ＢＨを経て、本発明装置１の外部の回路と電気的に接続される。
【００３５】
図２は、本発明装置１が適用される一回路例としての無線ＬＡＮモジュールの概略の構成を示すブロック図である。ＲＦ回路が集積されたＲＦＩＣ１１から２．４ＧＨｚの低周波帯域信号または５ＧＨｚの高周波帯域信号が本発明装置１の使用条件に応じて出力される。夫々の信号はバンドパスフィルタ１２Ｌ，１２Ｈ、本発明装置１（低周波数側半導体チップ２Ｌ，高周波数側半導体チップ２Ｈ）を経て電力増幅され、ローパスフィルタ１４Ｌ，１４Ｈ、及び、ダイプレクサ１５を経た後に、アンテナ１６から送信される。無線ＬＡＮモジュールを構成する本発明装置１以外の構成要素については、図１１に示す従来の高周波用半導体装置１３を適用した無線ＬＡＮモジュールと同じであり、同じ構成要素については同じ符号を付して説明する。
【００３６】
本実施形態では、入力信号用及び出力信号用の整合回路が、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ内の入力電極パッド４Ｌ，４Ｈ及び出力電極パッド５Ｌ，５Ｈに夫々隣接して設けられている。ここで、入力電極パッド４Ｌ，４Ｈ及び出力電極パッド５Ｌ，５Ｈに接続するワイヤ６ＡＬ，６ＡＨ，６ＢＬ，６ＢＨの各ワイヤ長が、図１１に示す無線ＬＡＮモジュールに使用される従来の高周波用半導体装置１３のようにワイヤ長の一部が長くなり不揃いとなることはなく、短く且つ相互に略同長となるため、整合回路の設計時に使用する各ワイヤの寄生インダクタンス成分のシミュレーション値が高精度に導出されるとともに、インダクタンス成分自体も小さくなるため、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの高周波特性の劣化（インピーダンス整合のずれ、信号損失の増加等）が大幅に抑制される。
【００３７】
更に、本実施形態では、図１０に示す従来の高周波用半導体装置１３内の２つの高周波半導体チップ１３Ｌ，１３Ｈと同様に、２つの高周波半導体チップ２Ｌ，２Ｈが、縦方向及び横方向の両方向にずれて１本の対角線上に配置されているため、２つのダイボンド領域８Ｌ，８Ｈに搭載される２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの入力電極パッド４Ｌ，４Ｈ同士及び入力電極パッド４Ｌ，４Ｈに接続するワイヤ６ＡＬ，６ＡＨ同士を離間させることができ、また同様に、出力電極パッド５Ｌ，５Ｈ同士及び出力電極パッド５Ｌ，５Ｈに接続するワイヤ６ＢＬ，６ＢＨ同士を離間させることができ、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ間での高周波ノイズの漏洩を低減できる。
【００３８】
〈第２実施形態〉
図３は、第２実施形態に係る本発明装置１ａのパッケージ内部におけるリード端子のレイアウト、ダイパッド８及びダイボンド領域８Ｌ，８Ｈのレイアウト、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈのダイパッド８上での搭載位置、リード端子と各高周波用半導体チップ内２Ｌ，２Ｈの電極パッド間を接続するワイヤレイアウト等を模式的に示す平面透視図である。尚、第１実施形態と同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。また、高周波用半導体チップ、リード端子、ダイパッド、ワイヤ、電極パッド等の個々の構成要素の機能や材料は第１実施形態と同じであるので、重複する説明は省略する。
【００３９】
本発明装置１ａは、第１実施形態と同様に、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈと、高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域８Ｌ，８Ｈの一方側８Ｌの１つのコーナー部（図中では右上角）と他方側８Ｈの対角に位置する１つのコーナー部（図中では左下角）を連結してなる非矩形状のダイパッド８と、リード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと、各リード端子７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ上の電極パッド４Ｌ，４Ｈ，５Ｌ，５Ｈを各別に電気的に接続するワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨと、を備えて構成され、例えば、上記各構成部品が樹脂封止されパッケージ内に組み立てられている。また、本発明装置１ａは、第１実施形態と同様に、周波数帯域の異なる２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応の高周波用半導体装置として構成されている。
【００４０】
図３に例示する本発明装置１ａでは、パッケージ内部におけるリード端子のレイアウト及び当該レイアウトにおける出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置と、出力電極パッド５Ｌ，５Ｈと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨ間を夫々電気的に接続するワイヤ６ＢＬ，６ＢＨのワイヤレイアウトが第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同じである。つまり、本発明装置１ａのダイパッド８及びダイボンド領域８Ｌ，８Ｈのレイアウト、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈのダイパッド８上での搭載位置、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ内の入力電極パッド４Ｌ，４Ｈ間を接続するワイヤレイアウトは第１実施形態と同じである。
【００４１】
つまり、第２実施形態に係る本発明装置１ａでは、図３に示すように、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨが配置されるパッケージの矩形状の外周の１辺（図中の右側端辺）と、出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨが配置されるパッケージの矩形状の外周の１辺（図中の下側端辺）が、互いに直交して隣接している。
【００４２】
以上のパッケージ内部の構成により、高周波用半導体チップ２Ｌの入力電極パッド４Ｌと出力電極パッド５Ｌは、夫々、ワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ、及び、入力リード端子７ＡＬと出力リード端子７ＢＬを経て、本発明装置１ａの外部の回路と電気的に接続される。同様に、高周波用半導体チップ２Ｈの入力電極パッド４Ｈと出力電極パッド５Ｈは、夫々、ワイヤ６ＡＨ，６ＢＨ、及び、入力リード端子７ＡＨと出力リード端子７ＢＨを経て、本発明装置１ａの外部の回路と電気的に接続される。
【００４３】
尚、本発明装置１ａが適用される一回路例としての無線ＬＡＮモジュールは、第１実施形態と同様に、図２に示すような概略構成となる。
【００４４】
図４に、無線ＬＡＮカード等のモジュールのセット基板内での本発明装置１ａの実装例を示す。尚、図４中において、図２と同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。図４に示すように、セット基板１０上に本発明装置１ａを実装する場合に、本発明装置１ａの入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨが、パッケージの矩形状の外周の互いに直交して隣接する２辺の夫々に各別に配置されているため、本発明装置１ａの入力側及び出力側に取り付ける各部品は、本発明装置１ａを中心として直角方向に配置することができる。これにより、本発明装置１ａのセット基板１０内における配置個所の自由度が増し、具体的には、従来は配置が不可能であったセット基板１０の隅位置にも配置が可能となって、セット基板１０の縦横比（長辺／短辺）を小さくでき、モジュールの小型化が容易となる。
【００４５】
尚、第２実施形態においても、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの高周波特性の劣化（インピーダンス整合のずれ、信号損失の増加等）が大幅に抑制される点、及び、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ間での高周波ノイズの漏洩を低減できる点は、第１実施形態と同様であり、重複する説明は省略する。
【００４６】
〈第３実施形態〉
図５は、第３実施形態に係る本発明装置１ｂのパッケージ内部におけるリード端子のレイアウト、ダイパッド８及びダイボンド領域８Ｌ，８Ｈのレイアウト、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈのダイパッド８上での搭載位置、リード端子と各高周波用半導体チップ内２Ｌ，２Ｈの電極パッド間を接続するワイヤレイアウト等を模式的に示す平面透視図である。尚、第１及び第２実施形態と同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。また、高周波用半導体チップ、リード端子、ダイパッド、ワイヤ、電極パッド等の個々の構成要素の機能や材料は第１実施形態と同じであるので、重複する説明は省略する。
【００４７】
本発明装置１ｂは、第１実施形態と同様に、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈと、高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域８Ｌ，８Ｈの一方側８Ｌの１つのコーナー部（図中では右上角）と他方側８Ｈの対角に位置する１つのコーナー部（図中では左下角）を連結してなる非矩形状のダイパッド８と、リード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと、各リード端子７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨと高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ上の電極パッド４Ｌ，４Ｈ，５Ｌ，５Ｈを各別に電気的に接続するワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨと、を備えて構成され、例えば、上記各構成部品が樹脂封止されパッケージ内に組み立てられている。また、本発明装置１ｂは、第１実施形態と同様に、周波数帯域の異なる２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応の高周波用半導体装置として構成されている。
【００４８】
図５に例示する本発明装置１ｂでは、出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置と、出力電極パッド５Ｌ，５Ｈと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨ間を夫々電気的に接続するワイヤ６ＢＬ，６ＢＨのワイヤレイアウトが第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同じである。つまり、本発明装置１ｂのパッケージ内部におけるリード端子全体のレイアウト、ダイパッド８及びダイボンド領域８Ｌ，８Ｈのレイアウト、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈのダイパッド８上での搭載位置、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ内の入力電極パッド４Ｌ，４Ｈ間を接続するワイヤレイアウトは第１実施形態と同じである。
【００４９】
つまり、第３実施形態に係る本発明装置１ｂでは、図５に示すように、出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨがパッケージの矩形状の外周の２辺（図中の下側端辺と上側端辺）に分散して配置され、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨが配置されるパッケージの矩形状の外周の１辺（図中の右側端辺）と、出力リード端子７ＢＬ，７ＡＨが配置されるパッケージの矩形状の外周の２辺（図中の下側端辺と上側端辺）が互いに直交して隣接している。
【００５０】
以上のパッケージ内部の構成により、高周波用半導体チップ２Ｌの入力電極パッド４Ｌと出力電極パッド５Ｌは、夫々、ワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ、及び、入力リード端子７ＡＬと出力リード端子７ＢＬを経て、本発明装置１ｂの外部の回路と電気的に接続される。同様に、高周波用半導体チップ２Ｈの入力電極パッド４Ｈと出力電極パッド５Ｈは、夫々、ワイヤ６ＡＨ，６ＢＨ、及び、入力リード端子７ＡＨと出力リード端子７ＢＨを経て、本発明装置１ｂの外部の回路と電気的に接続される。
【００５１】
尚、本発明装置１ｂが適用される一回路例としての無線ＬＡＮモジュールは、第１実施形態と同様に、図２に示すような概略構成となる。
【００５２】
図６に、無線ＬＡＮカード等のモジュールのセット基板内での本発明装置１ｂの実装例を示す。尚、図６中において、図２と同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。図６に示すように、セット基板１０上に本発明装置１ｂを実装する場合に、本発明装置１ｂの出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨがパッケージの矩形状の外周の２辺（図中の下側端辺と上側端辺）に分散して配置され、当該２辺が入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨが配置されるパッケージの矩形状の外周の１辺と直交して隣接するため、本発明装置１ｂの入力側及び出力側に取り付ける各部品は、本発明装置１ｂを中心として３方向に分散して配置することができる。これにより、本発明装置１ｂのセット基板１０内における配置個所の自由度が増し、具体的には、従来は配置が不可能であったセット基板１０の端縁部中央にも配置が可能となって、セット基板１０の縦横比（長辺／短辺）を小さくでき、モジュールの小型化が容易となる。
【００５３】
尚、第３実施形態においても、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの高周波特性の劣化（インピーダンス整合のずれ、信号損失の増加等）が大幅に抑制される点、及び、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ間での高周波ノイズの漏洩を低減できる点は、第１実施形態と同様であり、重複する説明は省略する。
【００５４】
〈第４実施形態〉
図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、第４実施形態に係る本発明装置１ｃ〜１ｅのパッケージ内部におけるリード端子のレイアウト、ダイパッド８及びダイボンド領域８Ｌ，８Ｈのレイアウト、２つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈのダイパッド８上での搭載位置、リード端子と各高周波用半導体チップ内２Ｌ，２Ｈの電極パッド間を接続するワイヤレイアウト等の２つの実施例を模式的に示す平面透視図である。尚、第１〜第３実施形態と同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。また、高周波用半導体チップ、リード端子、ダイパッド、ワイヤ、電極パッド等の個々の構成要素の機能や材料は第１実施形態と同じであるので、重複する説明は省略する。
【００５５】
図７（Ａ）に例示する本発明装置１ｃは、第１実施形態に係る本発明装置１の変形例であり、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置されていないパッケージの矩形状の外周の２辺（図中の上側端辺と下側端辺）にリード端子を設けないリード端子のレイアウトとなっている。リード端子のレイアウト以外は、第１実施形態と同じである。
【００５６】
図７（Ｂ）に例示する本発明装置１ｄは、第２実施形態に係る本発明装置１ａの変形例であり、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置されていないパッケージの矩形状の外周の２辺（図中の上側端辺と右側端辺）にリード端子を設けないリード端子のレイアウトとなっている。リード端子のレイアウト以外は、第２実施形態に係る本発明装置１ａと同じである。
【００５７】
図７（Ｃ）に例示する本発明装置１ｅは、第３実施形態に係る本発明装置１ｂの変形例であり、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置されていないパッケージの矩形状の外周の１辺（図中の右側端辺）にリード端子を設けないリード端子のレイアウトとなっている。リード端子のレイアウト以外は、第３実施形態と同じである。
【００５８】
図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示すように、第４実施形態に係る本発明装置１ｃ〜１ｅは、何れも入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置されているパッケージの矩形状の外周の２辺または３辺にのみリード端子を設けるリード端子のレイアウトとなっている。これにより、本発明装置１ｃ〜１ｅのパッケージのリード端子を含む外形寸法が縮小化されるため、本発明装置１ｃ〜１ｅを図２に示す概略構成となる無線ＬＡＮモジュールのセット基板１０上に本発明装置１ｃ〜１ｅを実装する場合おいて、更に、セット基板１０内における配置個所の自由度が増し、具体的には、従来は配置が不可能であったセット基板１０の隅位置や端縁部にも配置が可能となって、セット基板１０つまりモジュールの小型化が更に容易に達成可能となる。
【００５９】
尚、第４実施形態では、各高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈに電源供給するための電源パッド（図示せず）とワイヤ（図示せず）を介して電気的に接続されるリード端子、及び、接地電位を供給するグランドパッド（図示せず）またはダイパッド８とワイヤ（図示せず）を介して電気的に接続されるリード端子は、入力リード端子７ＡＬ，７ＡＨと出力リード端子７ＢＬ，７ＢＨの配置されているパッケージの矩形状の外周の２辺または３辺に配置されることになる。
【００６０】
〈別実施形態〉
以下に、本発明装置の別実施形態について説明する。
【００６１】
〈１〉上記各実施形態では、本発明装置のダイパッド８に搭載される高周波用半導体チップの個数は２であったが、高周波用半導体チップの個数は２に限定されるものではなく、３以上であってもよい。例えば、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、本発明装置１ｆ，１ｇが、３つの高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ，２Ｍと、高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ，２Ｍを各別に搭載する矩形状のダイボンド領域８Ｌ，８Ｈ，８Ｍの内の１つのコーナー部（図中では右上角）と他の１つの対角に位置する１つのコーナー部（図中では左下角）を連結してなる非矩形状のダイパッド８と、リード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨ，７ＡＭ，７ＢＭと、各リード端子７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨ，７ＡＭ，７ＢＭと高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈ，２Ｍ上の電極パッド４Ｌ，４Ｈ，４Ｍ，５Ｌ，５Ｈ，５Ｍを各別に電気的に接続するワイヤ６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨ，６ＡＭ，６ＢＭとを備えて構成されるのも好ましい形態である。
【００６２】
〈２〉更に、上記各実施形態では、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ダイボンド領域８の外周端とリード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨとの間の距離が全ての前記高周波用半導体チップついて夫々同長となるために、一部のリード端子７ＡＨ，７ＢＬ等が、ダイボンド領域８の外周端に向かって延長した延長部分を有し、その延長部分の厚みが、リード端子の全長に亘って同じであり、また、延長部分を有しない他のリード端子７ＡＬ，７ＢＨ等と同じであった。ところで、図９（Ｂ）に示すように、当該延長部分３Ａの厚みを、リード端子のパッケージの外周側寄りの他の部分３Ｂより、ワイヤが接続しない側の面を厚み方向に後退させて薄く加工するのも好ましい実施の形態である。この場合、リード端子のパッケージの外周側寄りの他の部分３Ｂの厚みは、延長部分３Ａを有しないリード端子７ＡＬ，７ＢＨ等と同じである。これにより、延長部分３Ａを有するリード端子７ＡＨ，７ＢＬ等の当該延長部分を除く部分３Ｂが、ダイボンド領域８の外周端とリード端子３，７ＡＬ，７ＢＬ，７ＡＨ，７ＢＨとの間の距離が全ての高周波用半導体チップついて夫々同長となっていない既存品の対応するリード端子と同じ厚みで同じ平面形状となるため、各リード端子のワイヤが接続しない側の面をパッケージの裏面側に露出させた場合に、本パッケージを搭載する基板側の配線パターンを既存品用の配線パターンから変更する必要がなく既存品との互換性を確保できる。尚、図９（Ａ）は図１（Ａ）と全く同じ平面透視図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＸ−Ｘ’断面を側方（図９（Ａ）の下側）から透視した本発明装置の断面構造を模式的に示す断面透視図である。
【００６３】
〈３〉更に、上記各実施形態では、本発明装置の各構成部品を樹脂封止したプラスチックパッケージを想定して説明したが、本発明装置のパッケージは、プラスチックパッケージに限定されるものではなく、例えばセラミックパッケージであってもよい。また、セラミックパッケージのダイボンド領域８Ｌ，８Ｈに搭載された高周波用半導体チップ２Ｌ，２Ｈの封止をセラミック製または金属製の蓋部材（リッド）で密閉する構成、或いは、樹脂封止する構成であっても構わない。
【００６４】
〈４〉上記各実施形態において、図２に例示した本発明装置が適用される一回路例としての無線ＬＡＮモジュールは、本発明装置が送信側の電力増幅器を構成する場合を想定した実施例として説明したが、受信側の電力増幅器についても、本発明装置を適用した構成とするのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明に係る高周波用半導体装置は、同一ダイパッド上に少なくとも２つの高周波用半導体チップが搭載された高周波用半導体装置に利用可能であり、特に、周波数帯域の異なる２つの高周波用半導体チップを１パッケージ内に搭載したデュアルバンド対応の小型化された高周波用半導体装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る高周波用半導体装置の第１実施形態におけるパッケージ内部の構成を模式的に示す平面透視図と断面透視図
【図２】本発明に係る高周波用半導体装置が適用される一回路例としての無線ＬＡＮモジュールの概略の構成を示すブロック図
【図３】本発明に係る高周波用半導体装置の第２実施形態におけるパッケージ内部の構成を模式的に示す平面透視図
【図４】本発明に係る高周波用半導体装置の第２実施形態におけるモジュールのセット基板内での実装例を模式的に示すブロック図
【図５】本発明に係る高周波用半導体装置の第３実施形態におけるパッケージ内部の構成を模式的に示す平面透視図
【図６】本発明に係る高周波用半導体装置の第３実施形態におけるモジュールのセット基板内での実装例を模式的に示すブロック図
【図７】本発明に係る高周波用半導体装置の第４実施形態におけるパッケージ内部の３つの構成例を模式的に示す平面透視図
【図８】本発明に係る高周波用半導体装置の３つの高周波用半導体チップを内蔵する別実施形態におけるパッケージ内部の２つの構成例を模式的に示す平面透視図
【図９】本発明に係る高周波用半導体装置の別実施形態におけるパッケージ内部の構成を模式的に示す平面透視図と断面透視図
【図１０】従来の２チップ１パッケージタイプのデュアルバンド対応高周波用半導体装置のパッケージ内部の構成を模式的に示す平面透視図
【図１１】従来の無線ＬＡＮモジュールにおける高周波用半導体装置及びフィルタ部分の構成を示す概略ブロック図
【図１２】無線ＬＡＮカード等のモジュールのセット基板内での従来の高周波用半導体装置の実装例を模式的に示すブロック図
【符号の説明】
【００６７】
１、１ａ〜１ｇ：  本発明に係る高周波用半導体装置
２Ｌ：  高周波用半導体チップ（低周波数側半導体チップ）
２Ｈ：  高周波用半導体チップ（高周波数側半導体チップ）
２Ｍ：  高周波用半導体チップ
３：  リード端子
３Ａ：  リード端子の延長部分
３Ｂ：  リード端子の延長部分を除く他の部分
４Ｌ，４Ｈ，４Ｍ：  入力電極パッド（電極パッド）
５Ｌ，５Ｈ，５Ｍ：  出力電極パッド（電極パッド）
６ＡＬ，６ＢＬ，６ＡＨ，６ＢＨ，６ＡＭ，６ＢＭ：  ワイヤ
７ＡＬ，７ＡＨ，７ＡＭ：  入力リード端子（リード端子）
７ＢＬ，７ＢＨ，７ＢＭ：  出力リード端子（リード端子）
８：  ダイパッド
８Ｌ，８Ｈ，８Ｍ：  ダイボンド領域
１０：  セット基板
１１：  ＲＦＩＣ
１２Ｌ，１２Ｈ：  バンドパスフィルタ
１３：  従来の高周波用半導体装置
１３Ｌ：  高周波用半導体チップ（低周波数側半導体チップ）
１３Ｈ：  高周波用半導体チップ（高周波数側半導体チップ）
１４Ｌ，１４Ｈ：  ローパスフィルタ
１５：  ダイプレクサ
１６：  アンテナ
２０：  ダイボンドエリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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