(57)【要約】    【課題】  基板の成膜工程に於いて、カバー部材によって基板周縁部を覆い周縁部に原料ガスが接触するのを防止すると共にカバー部材の熱変形を防止し、基板周縁部での成膜を確実に防止する。    【解決手段】  基板を処理する処理室２と、該処理室内で基板３を支持する支持台４と、基板を加熱する加熱手段６と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材４８と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材４９とを具備する。    【選択図】          図１
2007073879.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持台と、基板を加熱する加熱手段と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に酸化膜、ＣＶＤ膜等を生成して半導体装置を製造する基板処理装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の基板から半導体装置を製造する工程の１つに、基板表面に薄膜を生成する工程があり、又薄膜を生成する方法として化学気相成膜法（ＣＶＤ法）がある。
【０００３】
ＣＶＤ法では、気密な処理室内に基板を収納し、基板を加熱し、所定の処理圧に維持した状態で処理室内に原料ガスを流し、加熱された基板に原料ガスを接触させることで、基板表面に膜を生成するものである。
【０００４】
膜処理の後工程で、基板が運搬される場合には基板の周縁部がハンドリングに利用される。又、基板の裏面は基板を保持する場合に保持部材と物理的に接触する。基板の周縁部は、露出していると原料が接触するので膜が生成し、基板裏面も原料ガスが回込むことがあり、この場合やはり膜が生成する。
【０００５】
基板の周縁部、裏面、特に周縁部に膜が生成されると、ハンドリング時、或は基板を支持台に載置した場合等で、物理的に衝撃が加わった場合、或は次工程で熱的に衝撃が加わった場合に、膜が剥がれる可能性があり、膜が剥がれると微細な粉塵（パーティクル）となって処理室内、或は装置内を浮遊し、基板に付着して汚染することがある。
【０００６】
この為、成膜後基板の周縁部を洗浄する洗浄装置が提供されている。然し乍ら、洗浄装置を設備することは設備費の増大を招くと共に工程数が増え、スループットが低下するという問題が生じる。
【０００７】
洗浄工程を省略する為基板の周縁部を覆い、周縁部が原料ガスに接触しない様にする成膜方法が提案され、又実施されている。該成膜方法では基板の周縁部をリング形状のカバーで覆い、該カバーを周縁部に密着させ、周縁部に原料ガスが回込まない様にしたものである。カバーが確実に基板の周縁部に密着することで、周縁部の成膜が防止される。
【０００８】
ところが、カバーは基板と同様に加熱手段によって加熱されることから、熱変形を生じることがあり、熱変形によってカバーの平面度が損われると、カバーと基板間に間隙が生じ、この間隙に原料ガスが回込み膜が生成されることがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は斯かる実情に鑑み、カバーによって基板周縁部を覆い周縁部に原料ガスが接触するのを防止すると共にカバーの熱変形を防止し、基板周縁部での成膜を確実に防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持台と、基板を加熱する加熱手段と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材とを具備する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持台と、基板を加熱する加熱手段と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材とを具備するので、該第２カバー部材の重量によって前記第１カバー部材の平面度が矯正され、該第１カバー部材が基板の周縁部に密着し、原料ガスが基板周縁部に接触することを防止し、基板周縁部に膜が生成することが防止されるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１３】
先ず図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例を説明する。
【００１４】
図１は本発明の実施の形態に係る基板処理装置であるリモートプラズマユニットが組込まれた枚葉式処理装置の処理炉の一例を示す概略図である。
【００１５】
図１に示す様に、処理容器１により画成される処理室２には、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板３を支持する支持台４が設けられる。該支持台４の上部には支持体の一部を構成し、基板が載置される載置板としてのサセプタ５が設けられる。前記支持台４の内部には加熱手段としてのヒータ６が設けられ、該ヒータ６によって前記サセプタ５上に載置される基板３を加熱する様になっている。前記ヒータ６は基板３の温度が所定の温度となる様に温度コントローラ７により制御される。
【００１６】
前記処理室２の外部には、基板回転機構としての基板回転ユニット８が設けられ、該基板回転ユニット８によって前記支持台４を回転して、前記サセプタ５を介して基板３を回転する様になっている。該基板３を回転させることで、後述する基板への処理が基板面内に於いて素早く均一に行われる。前記処理室２の外部には昇降機構９が設けられ、該昇降機構９によって、前記支持台４が前記処理室２で昇降可能となっている。
【００１７】
該処理室２の上部にはガス噴出手段として多数の孔１１を有するシャワーヘッド１２が前記サセプタ５と対向する様に設けられる。前記シャワーヘッド１２は、２つの室、即ち原料ガス供給部１３と活性化ガス供給部１４とに分割され、分割された前記原料ガス供給部１３、前記活性化ガス供給部１４から、後述する原料ガス、活性化ガスを、それぞれ別々に基板３に対してシャワー状に噴出できる様になっている。前記原料ガス供給部１３と前記活性化ガス供給部１４とで基板３に対して原料ガスと活性化ガスをそれぞれ供給する別々の供給口が構成される。尚、原料ガスと活性化ガスは前記シャワーヘッド１２内で混ざることはない。
【００１８】
前記処理室２の外部には、液体原料である第１原料を供給する第１原料供給ユニット１５が設けられ、該第１原料供給ユニット１５には液体原料供給管１６が接続されている。該液体原料供給管１６は、第１原料の液体供給流量を制御する流量コントローラとしての液体流量制御装置１７を介して、第１原料を気化する気化器１８に接続されている。該気化器１８には原料ガス供給管１９が接続されており、該原料ガス供給管１９はバルブ２１を介して前記原料ガス供給部１３に接続されている。第１原料としては、例えば、常温で液体の有機金属材料、即ち有機金属液体原料を用いる。
【００１９】
前記処理室２の外部には、非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニット２２が設けられ、該不活性ガス供給ユニット２２には不活性ガス供給管２３が接続されている。該不活性ガス供給管２３は、不活性ガスの供給流量を制御する流量コントローラとしてのガス流量制御装置２４、バルブ２５を介して前記原料ガス供給管１９に接続されている。不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 等が用いられる。
【００２０】
前記気化器１８で気化した第１原料、即ち原料ガスを前記原料ガス供給管１９から、前記原料ガス供給部１３に供給しない場合は、前記バルブ２１を閉じ、バルブ５４を開き、原料ガスバイパス管５２に原料ガスを流す。この時前記バルブ２５を開き、前記不活性ガス供給管２３から不活性ガスを供給することにより、前記原料ガス供給管１９のバルブ２１から原料ガス供給部１３までの配管、前記シャワーヘッド１２内部に吸着している原料ガスを取除くことが可能になる。
【００２１】
又、前記処理室２の外部には、ガスをプラズマにより活性化させる活性化機構としてのリモートプラズマユニット２６が設けられる。該リモートプラズマユニット２６の上流側には、ガス供給管２７が設けられる。該ガス供給管２７には、第２原料を供給する第２原料供給ユニット２８、プラズマを発生させる為のガスを供給するプラズマ着火用ガス供給ユニット２９、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニット３１がそれぞれ供給管３２，３３，３４を介して接続され、それぞれのガスを前記リモートプラズマユニット２６に対して供給する様になっている。前記供給管３２，３３，３４には、それぞれのガスの供給流量を制御するガス流量制御装置３５，３６，３７と、バルブ３８，３９，４０がそれぞれ設けられている。
【００２２】
前記供給管３２，３３，３４にそれぞれ設けられた前記バルブ３８，３９，４０を開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御することが可能となっている。第２原料としては、例えば、酸素原子（Ｏ）を含むガス、水素原子（Ｈ）を含むガス、窒素原子（Ｎ）を含むガスを用いる。プラズマ着火用ガスとしては、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを用いる。クリーニングガスとしては、例えば、フッ素原子（Ｆ）を含むガス、塩素原子（Ｃｌ）を含むガスを用いる。
【００２３】
前記リモートプラズマユニット２６の下流側には、活性化ガス供給管４１が設けられる。該活性化ガス供給管４１はバルブ４２を介して前記活性化ガス供給部１４に接続され、該活性化ガス供給部１４に前記リモートプラズマユニット２６で活性化した第２原料を含むガス、即ち活性化ガスを供給する様になっている。前記活性化ガス供給管４１に設けられた前記バルブ４２を開閉することにより、活性化ガスの供給を制御することが可能となっている。
【００２４】
前記処理容器１の側壁下部には排気口４３が設けられ、該排気口４３には排気装置としての真空ポンプ４４、除害装置（図示せず）に連通する排気管４５が接続されている。該排気管４５には、前記処理室２の圧力を制御する圧力コントローラ４６と、原料を回収する為の原料回収トラップ４７が設けられる。前記排気口４３及び前記排気管４５で排気系が構成される。
【００２５】
前記支持台４上には、前記基板３の周縁部を覆う第１カバープレート４８が設けられ、該第１カバープレート４８上には該第１カバープレート４８を前記基板３に密着させる為の第２カバープレート４９が載置されている。
【００２６】
前記第１カバープレート４８、前記第２カバープレート４９はそれぞれ円環（リング）形状のプレートであり、該第２カバープレート４９の内径は前記第１カバープレート４８の内径と等しいか、それ以上となっている。
【００２７】
前記第１カバープレート４８は、前記基板３に密着する様、剛性の低いものが好ましく、又熱変形し難い材質が選択され、更に残留歪みが生じない様な加工方法、熱処理によって製作される。前記第２カバープレート４９は前記第１カバープレート４８を前記基板３に押付ける様、或る程度の重量を有しており、例えば前記第１カバープレート４８に対して高密度の材質が使用されるか、板厚を厚くする形状が採用される。又、前記第１カバープレート４８を前記基板３の表面に倣わせる為、前記第２カバープレート４９は高剛性にされ、例えばヤング率の大きい材質が選択されるか、板厚を厚く断面二次モーメントを大きくする形状が選択される。
【００２８】
又、前記第２カバープレート４９の下面には突部６２（後述）が形成され、該突部６２を介して前記第１カバープレート４８に載置される様にする。前記突部６２の数は少なくとも３以上、好ましくは３とされ、円周等分した位置に形成される。又、前記第２カバープレート４９が前記第１カバープレート４８に前記突部６２を介して載置される場合は、前記第２カバープレート４９は前記第１カバープレート４８を前記基板３に密着させる所要の重量があればよく、前記第２カバープレート４９の剛性は必ずしも必要とされない。
【００２９】
前記第１カバープレート４８、前記第２カバープレート４９は、整流板としても機能し、前記シャワーヘッド１２から供給されたガスの流れを調整する。
【００３０】
前記シャワーヘッド１２から基板３に供給されたガスは基板３の径方向に向かって流れ、前記第２カバープレート４９上を通り、該第２カバープレート４９と前記処理容器１の側壁との間を通り、前記排気口４３より排気される。
【００３１】
尚、前記昇降機構９により前記支持台４が降下されると、前記第１カバープレート４８、前記第２カバープレート４９は前記処理容器１の内壁に設けられた棚部５１に支持され、前記基板３から前記第１カバープレート４８、前記第２カバープレート４９が離反する様になっており、後述する様に基板３の搬入搬出が可能となる。
【００３２】
前記原料ガス供給管１９は前記原料回収トラップ４７の前方に、前記活性化ガス供給管４１は前記原料回収トラップ４７の後方になる様、排気管４５を原料ガスバイパス管５２及び活性化ガスバイパス管５３によってそれぞれ接続し、前記原料ガスバイパス管５２、前記活性化ガスバイパス管５３は、それぞれバルブ５４，５５が設けられる。
【００３３】
前記処理容器１の前記排気口４３と反対側の側壁には基板搬入搬出口５６が設けられ、該基板搬入搬出口５６は仕切弁としてのゲートバルブ５７によって開閉され、前記基板搬入搬出口５６から基板３を前記処理室２に搬入搬出し得る様に構成されている。
【００３４】
前記バルブ２５，２１，５４，５５，４２，３８，３９，４０、前記流量制御装置２４，１７，３５，３６，３７、前記温度コントローラ７、前記圧力コントローラ４６、前記気化器１８、前記リモートプラズマユニット２６、前記基板回転ユニット８、前記昇降機構９等の基板処理装置を構成する各部の動作の制御は、メインコントローラ５８により行う。
【００３５】
次に、半導体装置製造の一工程として基板上に薄膜を堆積する方法について説明する。
【００３６】
以下、常温で液体である有機金属液体原料を用いて、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、特にＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により基板上に金属膜や金属酸化膜等の薄膜を形成する場合を説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作はメインコントローラ５８により制御される。
【００３７】
前記支持台４が基板搬送位置迄下降した状態で、前記ゲートバルブ５７が開かれ、前記基板搬入搬出口５６が開放されると、図示しない基板移載機により基板３が前記処理室２に搬入される（基板搬入工程）。基板３が前記処理室２に搬入された後、前記ゲートバルブ５７が閉じられる。前記支持台４が基板搬送位置からそれよりも上方の基板処理位置迄上昇する。その間に基板３は前記サセプタ５上に載置される（基板載置工程）。
【００３８】
前記支持台４が基板処理位置に到達すると、基板３は前記基板回転ユニット８により回転される。又、前記ヒータ６に電力が供給され基板３は所定の処理温度となる様に均一に加熱される（基板昇温工程）。同時に、前記処理室２は前記真空ポンプ４４により真空排気され、所定の処理圧力となる様に制御される（圧力調整工程）。尚、基板３の搬送時や基板加熱時や圧力調整時に於いては、前記不活性ガス供給管２３に設けられた前記バルブ２５は開いた状態とされ、前記不活性ガス供給ユニット２２より前記処理室２に不活性ガスが常に流される。これにより、パーティクルや金属汚染物の基板３への付着を防ぐことができる。
【００３９】
基板３の温度、前記処理室２の圧力が、それぞれ所定の処理温度、所定の処理圧力に到達して安定すると、前記処理室２に原料ガスが供給される。即ち、前記第１原料供給ユニット１５から供給された第１原料としての有機金属液体原料が、前記液体流量制御装置１７で流量制御され、前記気化器１８へ供給されて気化される。前記原料ガス供給管１９に設けられた前記バルブ２１が開かれ、気化された第１原料、即ち原料ガスが、前記原料ガス供給部１３を介して基板３上へ供給される。この時前記バルブ２５は閉じた状態でもよいが、前記不活性ガス供給ユニット２２から不活性ガスを希釈ガスとして常に流す為に前記バルブ２５を開いたままの状態で用いる場合について述べる。原料ガスと不活性ガスとは前記原料ガス供給管１９で混合され、混合ガスとして前記原料ガス供給部１３に導びかれ、多数の孔１１を経由して、前記サセプタ５上の基板３上へシャワー状に供給される（原料ガス供給工程）。尚、原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより拡散し易くなる。
【００４０】
原料ガスの供給が所定時間行われた後、前記バルブ２１が閉じられ、原料ガスの基板３への供給が停止される。この時、前記バルブ２５は開いたままの状態なので、前記不活性ガス供給ユニット２２から前記処理室２への不活性ガスの供給は維持される。これにより、前記処理室２が不活性ガスによりパージされ、前記処理室２の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００４１】
尚、この際、前記原料ガスバイパス管５２に設けられた前記バルブ５４を開き、原料ガスを前記原料ガスバイパス管５２より前記処理室２をバイパスする様に排気し、前記気化器１８からの原料ガスの供給を停止しない様にするのが好ましい。液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給する迄には時間がかかるので、前記気化器１８からの原料ガスの供給を停止することなく、前記処理室２をバイパスする様に流しておくと、次の原料ガス供給工程では、流れを切換えるだけで、直ちに原料ガスを基板３へ供給できる。
【００４２】
前記処理室２のパージが所定時間行われた後、該処理室２に活性化ガスが供給される。即ち、前記バルブ３９が開かれ、前記プラズマ着火用ガス供給ユニット２９から供給されたプラズマ着火用ガスとしてのＡｒガスが前記ガス流量制御装置３６で流量制御されて、前記リモートプラズマユニット２６へ供給され、Ａｒプラズマが生成される。Ａｒプラズマが生成された後、前記バルブ３８が開かれ、前記第２原料供給ユニット２８から供給された第２原料がガス流量制御装置３５で流量制御され、Ａｒプラズマが生成されている前記リモートプラズマユニット２６へ供給され、第２原料がプラズマにより活性化される。これによりラジカル（活性種）等の反応種が生成される。前記バルブ４２が開かれ、前記リモートプラズマユニット２６から第２原料をプラズマにより活性化したガス、即ち活性化ガスが前記シャワーヘッド１２に送給され、前記活性化ガス供給部１４より基板３上へ供給される（活性化ガス供給工程）。尚、この時も、前記バルブ２５は開いたままの状態とされ、前記処理室２には前記不活性ガス供給ユニット２２から不活性ガスが常に供給される。
【００４３】
活性化ガスの供給が所定時間行われた後、前記バルブ４２が閉じられ、活性化ガスの基板３への供給が停止される。この時も、前記バルブ２５は開いたままの状態なので、前記不活性ガス供給ユニット２２から前記処理室２への不活性ガスの供給は維持される。これにより、前記処理室２が不活性ガスによりパージされ、該処理室２の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００４４】
尚、この際、前記バルブ５５を開き、活性化ガスを前記活性化ガスバイパス管５３より前記処理室２をバイパスする様に排気し、前記リモートプラズマユニット２６からの活性化ガスの供給を停止しない様にするのが好ましい。Ａｒプラズマ、更にはＡｒプラズマにより活性化された活性化ガスを安定供給する迄には時間がかかるので、前記リモートプラズマユニット２６からの活性化ガスの供給を停止することなく、前記処理室２をバイパスする様に流しておくと、次の活性化ガス供給工程では、流れを切換えるだけで、直ちに活性化ガスを基板３へ供給できる。
【００４５】
前記処理室２のパージが所定時間行われた後、前記バルブ５４が閉じられ、再び、前記バルブ２１が開かれ、気化した第１原料、即ち原料ガスが、不活性ガスと共に前記シャワーヘッド１２の前記原料ガス供給部１３を介して基板３上へ供給され、原料ガス供給工程が行われる。
【００４６】
以上の様な、原料ガス供給工程、パージ工程、活性化ガス供給工程、パージ工程を、１サイクルとして、このサイクルを複数回繰返すサイクル処理により、基板３上に所定膜厚の薄膜を形成することができる（薄膜形成工程）。
【００４７】
基板３への薄膜形成処理終了後、前記基板回転ユニット８による基板３の回転が停止され、処理済基板３は基板搬入工程と逆の手順で前記処理室２外へ搬出される（基板搬出工程）。
【００４８】
尚、薄膜形成工程をＣＶＤ法により行う場合には、基板温度を原料ガスが自己分解する程度の温度帯となる様に制御する。この場合、原料ガス供給工程に於いては、原料ガスが熱分解し、基板３上に数〜数１０Å（数〜数１０原子層）程度の薄膜が形成される。この間、基板３は回転しながら前記ヒータ６により所定温度に保たれているので、基板面内に亘り均一な膜を形成できる。活性化ガス供給工程に於いては、活性化ガスにより基板３上に形成された数〜数１０Å（数〜数１０原子層）程度の薄膜より炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）等の不純物が除去される。この間も、基板３は回転しながら前記ヒータ６により所定温度に保たれているので、薄膜より不純物を素早く均一に除去できる。
【００４９】
又、薄膜形成工程をＡＬＤ法により行う場合には、基板温度を原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となる様に制御する。この場合、原料ガス供給工程に於いては、原料ガスは熱分解することなく基板３上に吸着する。この間、基板３は回転しながら前記ヒータ６により所定温度に保たれているので、基板面内にわたり均一に原料を吸着させることができる。活性化ガス供給工程に於いては、基板３上に吸着した原料と活性化ガスとが反応することにより基板３上に１Å以下（１／２〜１／３原子層）程度の薄膜が形成される。この間も、基板３は回転しながら前記ヒータ６により所定温度に保たれているので、基板面内にわたり均一な膜を形成できる。尚、この時、活性化ガスに含まれるラジカル成分により薄膜中に混入する炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）等の不純物を脱離することができる。
【００５０】
尚、本発明の実施の形態の処理炉にて、ＣＶＤ法により、基板を処理する際の処理条件としては、例えばＨｆＯ2 膜を成膜する場合、処理温度３５０℃〜５００℃、処理圧力５０Ｐａ〜２００Ｐａ、第１原料Ｈｆ−（ＭＭＰ）4 （テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）−ハフニウム：Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ）4 ）、供給流量０．０１ｓｃｃｍ〜０．１ｓｃｃｍ、第２原料Ｏ2 、供給流量５００ｓｃｃｍ〜１５００ｓｃｃｍが例示される。
【００５１】
又、本発明の実施の形態の処理炉にて、ＡＬＤ法により、基板を処理する際の処理条件としては、例えばＲｕ膜を成膜する場合、処理温度２００℃〜３００℃、処理圧力２０Ｐａ〜２００Ｐａ、第１原料ＤＥＲ（２，４ジメチルペンタジエニルエチルシクロペンタジエニルルテニウム：Ｒｕ（Ｃ2 Ｈ5 Ｃ5 Ｈ4 ）（（ＣＨ3 ）Ｃ5 Ｈ5 ））、供給流量０．０１ｓｃｃｍ〜０．１ｓｃｃｍ、第２原料Ｏ2 、供給流量５００ｓｃｃｍ〜１５００ｓｃｃｍが例示される。
【００５２】
次に、図２〜図６に於いて、前記基板３と前記第１カバープレート４８、前記第２カバープレート４９との関係について説明する。
【００５３】
図２は図１のＡ部を拡大したものであり、前記第１カバープレート４８の下面には、図３に示す様に円形状の突条６１が全周連続して形成されており、該突条６１が前記基板３の周縁部に密着している。前記突条６１が前記基板３の周縁部に密着することで、原料ガスの流れが遮ぎられ、原料ガスが周縁部に回込むことが防止される。又、前記第２カバープレート４９の下面には、図４に示す様に突部６２が円周上に所要数、例えば３以上好ましくは３形成される。又、該突部６２は円周等分した位置に配置され、該突部６２が形成される円周は、前記突条６１と同心、同径となっており、前記第１カバープレート４８に前記第２カバープレート４９が載置された状態で、前記突部６２は前記突条６１に重なる様になっている（図４参照）。
【００５４】
上記した様に、前記第２カバープレート４９の重量は、前記突条６１を基板３の表面に倣い密着させる様に設定されており、又前記第１カバープレート４８は、前記第２カバープレート４９の重量で変形する様に、前記第１カバープレート４８の剛性は低く設定されている。
【００５５】
該第１カバープレート４８は変形し易い性状のもの、例えば材質としてはヤング率の小さい石英とし、断面形状としては断面二次モーメントを小さくする為に板厚を薄くする等である。前記第２カバープレート４９は、重量を大きくする為密度、比重の大きい材質が用いられ、例えばステンレス鋼が用いられる。又、前記第２カバープレート４９は、前記第１カバープレート４８に比べ剛性が大きい方がよく、該第１カバープレート４８に対して大きいヤング率の材質が選択され、或は断面形状としては断面二次モーメントを大きくする為に板厚が厚くされる等である。
【００５６】
前記第２カバープレート４９の重量は前記突部６２を介して前記第１カバープレート４８に伝達され、前記突部６２の数が３であると、該突部６２から均等に、又確実に重量が前記第１カバープレート４８に伝達される。更に、前記突部６２は前記突条６１上にあるので、前記第２カバープレート４９の重量は前記突条６１に集中して伝達される。
【００５７】
而して、前記基板３が加熱により変形（図６では基板３が加熱により中心部が盛上がる様に湾曲した例を示している）しても、前記第１カバープレート４８が加熱により変形しても、前記第２カバープレート４９の重量で前記突条６１が前記基板３の周縁部に密着される。
【００５８】
前記第２カバープレート４９の作用について、図７に示す従来例との比較に於いて説明する。従来は、前記基板３に第１カバープレート４８が載置されただけとなっている。
【００５９】
図７に於いて、基板３がサセプタ５により加熱されると、第１カバープレート４８も同時に加熱される。前記基板３、前記第１カバープレート４８が加熱されることで、前記基板３、前記第１カバープレート４８が熱変形をするが、不規則な変形である場合は、基板３と突条６１との間に間隙６３が生じ、該間隙６３から原料ガスが基板３の周縁部に浸入して周縁部に不要な膜が生成される。
【００６０】
図６は本発明の場合を示しており、前記基板３、前記第１カバープレート４８が熱変形をした場合も、前記第２カバープレート４９が前記第１カバープレート４８を前記基板３に押付ける。該第１カバープレート４８は変形し易く構成されているので、該第１カバープレート４８が前記基板３の形状に倣って、前記突条６１が前記基板３に密着する。従って、前記突条６１と基板３との密着により、中心部から周辺部に向うガスの流れが遮られ、基板３の周辺部に膜が生成されるのを防止する。
【００６１】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６２】
（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を支持する支持台と、基板を加熱する加熱手段と、前記支持台に載置された基板の周縁部を覆う第１カバー部材と、該第１カバー部材上に載置される第２カバー部材とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【００６３】
（付記２）基板を処理室内に搬入する工程と、第１カバー部材を基板上面外周部に接触させて基板外周部を覆う様設置すると共に、前記第１カバー部材上に第２カバー部材を設置した状態で、基板を加熱して処理する工程と、処理済基板を前記処理室より搬出する工程とを有することを特徴とする基板処理方法及び半導体装置の製造方法。
【００６４】
（付記３）（付記１）（付記２）に於いて、前記第１カバー部材を、前記第２カバー部材よりもヤング率の小さい材料にて構成する。
【００６５】
（付記４）（付記１）（付記２）に於いて、前記第１カバー部材を、前記第２カバー部材よりも変形し易い材料にて構成する。
【００６６】
（付記５）（付記１）（付記２）に於いて、前記第２カバー部材を、前記第１カバー部材よりも密度の大きい材料にて構成する。
【００６７】
（付記６）（付記１）（付記２）に於いて、前記第２カバー部材の重量を、前記第１カバー部材よりも大きくする。
【００６８】
（付記７）（付記１）（付記２）に於いて、前記第２カバー部材の裏面には複数の突起が設けられる。
【００６９】
（付記８）（付記７）に於いて、前記複数の突起は、第１カバー部材と基板との接触部分に対応する部分に配置される。
【００７０】
（付記９）（付記１）（付記２）に於いて、前記第２カバー部材は前記第１カバー部材を基板表面に倣わせる重量となっている。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態に於ける第１カバープレートの裏面図である。
【図４】本発明の実施の形態に於ける第２カバープレートの裏面図である。
【図５】図１のＢ矢視図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ矢視図である。
【図７】従来例の説明図である。
【符号の説明】
【００７２】
１              処理容器
２              処理室
３              基板
４              支持台
５              サセプタ
６              ヒータ
１２            シャワーヘッド
４８            第１カバープレート
４９            第２カバープレート
６１            突条
６２            突部
６３            間隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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