(57)【要約】【課題】作業性、耐吸水性及び接続信頼性が高いエポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラー１１と、エポキシ樹脂主剤１２と、エポキシ樹脂硬化剤１３とを含み、無機フィラー１１は、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ前記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されていることを特徴とする。また、本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法は、無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与する工程と、前記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆する工程と、前記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記無機フィラーは、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ前記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されていることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記官能基は、アミン基である請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記官能基は、イミダゾール基である請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３に記載のエポキシ樹脂組成物の製造方法であって、
無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与する工程と、
前記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆する工程と、
前記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合する工程とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子と基板とを接合したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子と基板とのフリップチップ実装に用いられるエポキシ樹脂組成物及びその製造方法、並びにそのエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を基板に実装して半導体装置を製造する分野では、半導体素子を高密度に実装する要求が高まっており、その要求を満たす方式としてフリップチップ実装方式が注目されている。これは、半導体素子（チップ）と基板との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わるものであり、半導体素子をフェイスダウン実装し、半導体素子の回路面側に形成したバンプと配線基板の電極との間を電気的及び機械的に接続する方式である。
【０００３】
上記フリップチップ実装において、回路面の保護や、バンプ破断の抑制等のために、半導体素子と基板との間に樹脂組成物が充填されている。この樹脂組成物には、水分や粉塵に対して半導体素子を保護する機能と、半導体素子と基板との熱膨張率差に起因する接合部の破断を抑制する機能とが必要であり、低熱膨張性、高弾性、耐吸水性等が要求される。このため、通常上記樹脂組成物には、低熱膨張率化のために４０〜６０重量％程度の無機フィラーを含有させている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照。）。
【０００４】
また、本発明に関連する先行技術文献としては、例えば特許文献４及び特許文献５がある。
【特許文献１】特開平１０−１０１９０６号公報
【特許文献２】特開２００４−３４６２３２号公報
【特許文献３】特表２００４−５１８７９６号公報
【特許文献４】特開平５−１２１５７８号公報
【特許文献５】特開平１０−１０１９０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来は無機フィラーをそのまま樹脂組成物に添加して用いていたため、（１）樹脂組成物の粘度が上昇して作業性が低下する、(２)無機フィラーとエポキシ樹脂との密着強度が弱く耐吸水性に乏しい、（３）樹脂組成物中の無機フィラーがエポキシ樹脂分子の動きを妨げるためエポキシ樹脂の硬化反応を阻害して接続信頼性が低下する、等の問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題を解決したもので、作業性、耐吸水性及び接続信頼性が高いエポキシ樹脂組成物及びその製造方法、並びにそのエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物であって、前記無機フィラーは、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ前記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法は、上記本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法であって、無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与する工程と、前記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆する工程と、前記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子と基板とを接合したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、無機フィラーとエポキシ樹脂主剤との相溶性が向上して粘度が低下するため作業性が向上し、無機フィラーとエポキシ樹脂との密着強度が高まり耐吸水性及び接続信頼性が向上する。
【００１１】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法によれば、上記本発明のエポキシ樹脂組成物を合理的に製造できる。
【００１２】
また、本発明の半導体装置によれば、半導体素子と基板との接続信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施形態１）
先ず、本発明のエポキシ樹脂組成物の実施形態を説明する。本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを含み、上記無機フィラーは、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ上記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されている。無機フィラーが、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ上記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されていることにより、無機フィラーとエポキシ樹脂主剤との相溶性が向上して粘度が低下するため作業性が向上すると共に、無機フィラーとエポキシ樹脂との密着強度が高まり耐吸水性及び接続信頼性が向上する。
【００１４】
上記無機フィラーとしては、シリカ粉末やアルミナ粉末を用いることができる。本実施形態のエポキシ樹脂組成物を後述する半導体素子の接合に用いる場合、熱膨張率を適切な範囲に制御する観点からは、無機フィラーの含有量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して３０〜７０重量％が好ましく、接続信頼性を向上させる観点からは５０〜７０重量％が好ましい。
【００１５】
上記塩基性の官能基としては、特に限定されないが、アミン基、イミダゾール基等が好ましい。後述するように、これらの官能基はエポキシ樹脂主剤の硬化促進剤又は反応促進剤として機能するからである。
【００１６】
また、上記塩基性官能基は、修飾基を介して無機フィラーの表面に付与されていることが好ましい。これにより、無機フィラーの表面に塩基性官能基を確実に保持できる。修飾基としては、特に限定されないが、シラン基、シリコーン等の珪素含有修飾基を使用できる。
【００１７】
上記エポキシ樹脂主剤としては、例えば、固形タイプ又は液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシ等を用いることができる。これらの中でも、特にビスフェノール型エポキシ及びナフタレン型エポキシから選ばれる少なくとも１種のエポキシ樹脂が好ましい。これらは、接続信頼性が特に高いからである。
【００１８】
上記エポキシ樹脂硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤及び酸無水物硬化剤から選ばれる少なくとも１種の硬化剤を用いることができる。イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等を用いることができる。アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン等を用いることができる。酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等を用いることができる。
【００１９】
また、上記エポキシ樹脂で被覆された無機フィラーがエポキシ樹脂主剤と接触すると、被覆されたエポキシ樹脂の一部が溶解し、無機フィラーの表面の塩基性官能基が露出し、塩基性官能基がエポキシ樹脂主剤と接触する場合がある。この場合には、無機フィラーの塩基性官能基が、エポキシ樹脂主剤の硬化促進剤又は反応促進剤として機能する。
【００２０】
また、本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、カップリング剤をさらに含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物に含まれる各成分の結合性がより向上するからである。カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤等を用いることができる。カップリング剤の添加量は、エポキシ樹脂主剤１００重量部に対して、０．１重量部以上７重量部以下とすることができる。
【００２１】
図１は、本実施形態のエポキシ樹脂組成物のイメージ図である。本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、通常液状に形成され、例えば、塩基性官能基を有し、エポキシ樹脂で被覆された無機フィラー１１と、液状のエポキシ樹脂主剤１２と、エポキシ樹脂硬化剤１３とを含んでいる。
【００２２】
また、図２は、本実施形態で用いる無機フィラーの表面の概念図である。本実施形態で用いる無機フィラーは、例えば、無機フィラーの表面にシリコーン〔−（Ｓｉ−Ｏ）n−〕を介してアミン基を有し、そのアミン基がエポキシ樹脂と結合することにより、無機フィラー全体がエポキシ樹脂で被覆されている。
【００２３】
次に、本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態のエポキシ樹脂組成物の製造方法は、上記で説明した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物の製造方法であり、無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与する工程と、上記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆する工程と、上記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合する工程とを含む。
【００２４】
上記無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与するには、例えば、無機フィラーとエタノールとの混合液を十分撹拌した後、この混合液に０．５〜２．０重量％のアミン基等の塩基性官能基を付与したシラン化合物又はシリコーン化合物を加えて室温（２５℃）で撹拌し、その後、濾過して、１００〜１５０℃にて乾燥させればよい。十分に乾燥させた後、さらにふるいに掛けて分級を行うことが好ましい。
【００２５】
上記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆するには、例えば、界面重合法、ｉｎ−ｓｉｔｕ重合法、相分離法等により無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆すればよい。その場合、エポキシ樹脂と無機フィラーの塩基性官能基とは反応し、エポキシ樹脂が無機フィラーに安定的に被覆される。
【００２６】
上記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合するには、通常の混合装置等により行えばよい。この際、カップリン剤等をさらに加えて混合してもよい。
【００２７】
本実施形態の製造方法で得たエポキシ樹脂組成物は、前述のとおり、無機フィラーとエポキシ樹脂主剤との相溶性が向上して粘度が低下するため作業性が向上すると共に、無機フィラーとエポキシ樹脂との密着強度が高まり耐吸水性及び接続信頼性が向上する。
【００２８】
（実施形態２）
次に、本発明の半導体装置の実施形態を説明する。本実施形態の半導体装置は、上記実施形態１のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子と基板とが接合されている。実施形態１のエポキシ樹脂組成物を用いることにより、接続信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００２９】
上記半導体素子には、例えば、ＬＳＩチップ、ウエハ等が含まれる。また、上記基板には、プリント基板、セラミック基板、半導体基板等が含まれる。
【００３０】
次に、図面に基づき本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図３Ａ〜Ｃは、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法では、先ず図３Ａに示すように、複数の電極２１が形成された基板２２の上に、実施形態１のエポキシ樹脂組成物２３を塗布する。ここで、エポキシ樹脂組成物２３は、粘度を低く抑えることができるので、塗布時の作業性が向上する。この時点で基板２２は、例えば５０〜１００℃に加熱されている。次に、図３Ｂに示すように、基板２２の上に、複数のバンプ２４を形成した半導体素子２５を位置合わせする。最後に、図３Ｃに示すように、例えば２００〜２５０℃に加熱した半導体素子２５を基板２２に押圧して、電極２１とバンプ２４とを接続（熱圧接）する。
【００３１】
上記基板２２を予め５０〜１００℃に加熱しておくのは、最終的に半導体素子２５と基板２２とを熱圧接する際の温度（２００〜２５０℃）との温度差を小さくして、基板２２の熱膨張を小さくするためである。このため、エポキシ樹脂組成物２３は、基板２２の上に塗布した状態の５０〜１００℃の温度では硬化が進まず、粘度上昇もなく、その後に２００〜２５０℃に昇温した時には速やかに硬化する特性が望ましい。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
アドマテックス製のアルミナ粉末“ＡＯ８０２”（商品名）１００重量部と、エタノール１００重量部とを混合して室温（２５℃）で充分攪拌した後、さらにアミン基が付与された信越シリコーン製のシリコーン化合物“ＫＢＭ−５７３”（商品名）を１．０重量部加えて室温で攪拌した。その後、混合液を濾過し、１３０℃で乾燥し、分級して平均粒径５μｍのアルミナ粉末を得た。
【００３４】
次に、上記アルミナ粉末をエポキシ樹脂で被覆してアルミナ粉末Ａを得た。即ち、エポキシ樹脂を分散媒とし、この分散媒に芯物質である上記アルミナ粉末を撹拌しながら添加して、上記アルミナ粉末の表面にエポキシ樹脂被膜を形成させて、アルミナ粉末Ａを得た。
【００３５】
続いて、エポキシ樹脂主剤として室温で液状タイプの大日本インキ化学工業製のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂“ＥＸＡ８３０ＬＶＰ”（商品名）１００重量部と、硬化剤として四国化成製のイミダゾール系硬化剤“キュアゾールＣ１１Ｚ−Ａ”（商品名）１５重量と、カップリング剤として信越化学製のγ−グリシドキプロピルトリエトキシシラン“ＫＢＭ４０３”（商品名）２重量部と、無機フィラーとして上記アルミナ粉末Ａ５０重量部とを均一に撹拌・混合し、本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００３６】
（実施例２）
アミン基に代えてイミダゾール基を付与したアルミナ粉末Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００３７】
（実施例３）
アルミナ粉末Ａの含有量を３０重量％とした以外は、実施例１と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００３８】
（実施例４）
アルミナ粉末Ａの含有量を６０重量％とした以外は、実施例１と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００３９】
（実施例５）
イミダゾール系硬化剤“キュアゾールＣ１１Ｚ−Ａ”に代えて、酸無水物硬化剤である旭電化製のメチルテトラヒドロ無水フタル酸“ＫＲＭ−２９１−５”（商品名）１００重量部を用い、さらに四国化成製の硬化触媒“１Ｍ２ＥＺ”（商品名）０．５重量部を加えた以外は、実施例１と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４０】
（実施例６）
硬化触媒“１Ｍ２ＥＺ”を用いなかった以外は、実施例５と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４１】
（実施例７）
アルミナ粉末Ａに代えてアルミナ粉末Ｂを用いた以外は、実施例５と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４２】
（実施例８）
硬化触媒“１Ｍ２ＥＺ”を用いなかった以外は、実施例７と同様にして本実施例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４３】
（比較例１）
アルミナ粉末Ａに代えて、アミン基を付与せず且つエポキシ樹脂で被覆していないアルミナ粉末“ＡＯ８０２”を用いた以外は、実施例１と同様にして本比較例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４４】
（比較例２）
アルミナ粉末Ａに代えて、アミン基を付与せず且つエポキシ樹脂で被覆していないアルミナ粉末“ＡＯ８０２”を用いた以外は、実施例５と同様にして本比較例のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００４５】
＜エポキシ樹脂組成物の粘度の測定＞
上記実施例１、２、５〜８及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物の粘度を、東京計器産業製の粘度測定機“ＥＨ型粘度計”（商品名）を用いて測定した。その結果を表１に示す。表１から、実施例１、２のエポキシ樹脂組成物の粘度は、比較例１のエポキシ樹脂組成物の粘度に比べて大きく低下し、作業性が向上したことが分かる。また、実施例５〜８のエポキシ樹脂組成物の粘度は、比較例２のエポキシ樹脂組成物の粘度に比べて大きく低下し、作業性が向上したことが分かる。
【００４６】
＜耐吸水性の評価＞
上記実施例１、２、５〜８及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物の吸水前後における接着強度を下記のようにして測定して耐吸水性を評価した。
【００４７】
先ず、被着体として日立化成製のガラスエポキシ基板を用い、このガラスエポキシ基板二枚を上記各エポキシ樹脂組成物により接着し、インストロンジャパン製の接着強度試験機“Ｉｎｓｔｒｏｎ５５８１”（商品名）を用いて吸水前の接着強度を測定した。接着条件は、加熱温度１５０℃、加熱時間１時間とした。
【００４８】
次に、上記と同様に接着したガラスエポキシ基板を用いて加速吸水試験を行った。加速吸水試験は、楠本化成製の高加速寿命試験器“ＰＭ２５０”(商品名)を用いて温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２．１ａｔｍ、供試時間２４時間の条件で行い、その後上記と同様にして接着強度を測定し、吸水後の接着強度とした。
【００４９】
その結果を表１に示す。表１から、実施例１、２、５〜８のエポキシ樹脂組成物の吸水後の接着強度は、吸水前の接着強度に比べて１０％以下の低下に抑制でき、高い耐吸水性を維持していることが分かる。一方、比較例１、２のエポキシ樹脂組成物の吸水後の接着強度は、吸水前の接着強度に比べて４０％を超えて大幅に低下した。
【００５０】
＜半導体素子と基板の準備＞
半導体素子として、電極径７０μｍ、電極ピッチ１２０μｍ、電極数１２０の金製の電極（バンプ）を備える縦８．５ｍｍ、横８．５ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍのＬＳＩチップを準備した。また、基板として、電極径７０μｍ、電極ピッチ１２０μｍ、電極数２７００の電極を備える縦４０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの三菱瓦斯化学製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなる配線基板を準備した。
【００５１】
＜半導体装置の作製＞
上記実施例１〜８及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物を用いてそれぞれ下記のようにして半導体装置を作製した。
【００５２】
即ち、図３Ａに示すように、エポキシ樹脂組成物６ｍｇを、上記配線基板の電極周辺に塗布した。次に、図３Ｂに示すように、上記ＬＳＩチップのバンプと配線基板の電極とをフェイスダウンの状態で位置合わせを行った。続いて、図３Ｃに示すように、基板加熱温度６０℃、荷重６ｋｇ、接合時間１０秒、加熱ヘッド温度２６５℃、エポキシ樹脂組成物温度２２０℃の条件で加圧し、半導体素子と配線基板とを加熱接合した。
【００５３】
＜接続信頼性の評価＞
次に、上記各半導体装置を、高加速寿命試験器“ＰＭ２５０”を用いて温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２．１ａｔｍの条件で加速寿命試験を行い、試験前（０時間）、試験開始から１６８時間後及び３３６時間後における各半導体装置の各接続点間の導通抵抗を測定することにより、接続信頼性を評価した。評価基準は、試験後の導通抵抗の上昇が、試験前の導通抵抗に対して１０％以下の場合には、接続信頼性は良と判断し、１０％を超えた場合には、接続信頼性は不良と判断した。試験開始時の供試数は各１５とした。
【００５４】
その結果を表１に示す。表１では、不良数／供試数として示した。表１から、実施例１、２、５〜８のエポキシ樹脂組成物を用いて接合した半導体装置では、全て導通抵抗の上昇が１０％以下と確認され、接続信頼性は全て良と判断された。一方、比較例１、２では、試験時間の経過に伴い導通抵抗の上昇が１０％を超えるものが増加することが分かる。
【００５５】
また、無機フィラーの含有量以外は全て同様にして作製した実施例１、３及び４の比較から、無機フィラーの含有量が５０重量％以上であると接続信頼性が良好であることが分かる。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
＜硬化率の測定＞
上記実施例１、２、５〜８及び比較例１、２のエポキシ樹脂組成物を用いて、加熱温度２２０℃、加熱時間５秒の硬化反応における硬化率を測定した。硬化率は、セイコーインスツル製の発熱量測定装置“ＤＳＣ１００”を用いて測定した硬化発熱量から、下記式（１）により計算した。
（１）硬化率＝１００−（硬化反応後の硬化発熱量／硬化反応前の硬化発熱量）×１００
硬化反応後の硬化発熱量は、各エポキシ樹脂組成物を２２０℃に加熱したホットプレート上に５秒間放置した後に測定した。
【００５８】
その結果を表２に示す。表２から、実施例１、２、５〜８のエポキシ樹脂組成物では、比較例１、２に比べて硬化率が高いことが分かる。これは、無機フィラーの表面に付与した塩基性官能基が硬化反応を促進したからであると考えられる。
【００５９】
【表２】
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【００６０】
以上の実施例１〜実施例８を含む本発明の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６１】
（付記１）  無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記無機フィラーは、その表面に塩基性の官能基を有し、且つ前記官能基を介してエポキシ樹脂で予め被覆されていることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【００６２】
（付記２）  前記官能基は、アミン基である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６３】
（付記３）  前記官能基は、イミダゾール基である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６４】
（付記４）  前記官能基は、シラン基を介して前記無機フィラーの表面に付与されている付記１〜３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６５】
（付記５）  前記官能基は、シリコーンを介して前記無機フィラーの表面に付与されている付記１〜３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６６】
（付記６）  前記エポキシ樹脂硬化剤は、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤及び酸無水物硬化剤から選ばれる少なくとも１種の硬化剤である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６７】
（付記７）  前記無機フィラーの含有量が、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して５０重量％以上である付記１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【００６８】
（付記８）  付記１〜７に記載のエポキシ樹脂組成物の製造方法であって、
無機フィラーの表面に塩基性の官能基を付与する工程と、
前記官能基を付与した無機フィラーの表面をエポキシ樹脂で被覆する工程と、
前記エポキシ樹脂で被覆した無機フィラーと、エポキシ樹脂主剤と、エポキシ樹脂硬化剤とを混合する工程とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方法。
【００６９】
（付記９）  付記１〜７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子と基板とを接合したことを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施形態１のエポキシ樹脂組成物のイメージ図である。
【図２】実施形態１で用いる無機フィラーの表面の概念図である。
【図３】実施形態２の半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１１  無機フィラー
１２  エポキシ樹脂主剤
１３  エポキシ樹脂硬化剤
２１  電極
２２  基板
２３  エポキシ樹脂組成物
２４  バンプ
２５  半導体素子
【図１】
2007217649.tif 000005
【図２】
2007217649.tif 000006
【図３】
2007217649.tif 000007