(57)【要約】【課題】簡易な構成によりイオンを検出するイオン検出装置、及び該イオン検出装置を備えたイオン発生装置の提供。【解決手段】イオンを捕集するための捕集電極１９は、整流用のダイオード１８２を介してｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続され、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のドレイン端子には直流電圧が印可される。捕集電極１９の電位が上昇した場合、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１がオン状態になると共に、回路ＧＮＤ−ドレイン端子間に直流電圧を印可しておくでソース電位が印可している直流電圧まで上昇する。ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のソース電位を計測することによりイオンが発生しているか否かの検出を行う。【選択図】図３
2007114177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを捕集する導体と、該導体の電位を検出する検出手段とを備えることを特徴とするイオン検出装置。
【請求項２】
前記検出手段は、そのゲートを前記導体に接続してある電界効果トランジスタを備え、該電界効果トランジスタのソース電位に基づき、前記導体にて捕集したイオンを検出するようにしてあることを特徴とする請求項１に記載のイオン検出装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記導体と前記電界効果トランジスタのゲートとの間に接続された整流素子を備えることを特徴とする請求項２に記載のイオン検出装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記電界効果トランジスタのゲート電位の絶対値を所定値以下に制限すべく定電圧素子を設けてあることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のイオン検出装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に接続された抵抗素子を備えることを特徴とする請求項２乃至請求項４の何れか１つに記載のイオン検出装置。
【請求項６】
前記導体に接続する電界効果トランジスタの種類を検出すべきイオンの極性に応じて異ならせていることを特徴とする請求項２乃至請求項５の何れか１つに記載のイオン検出装置。
【請求項７】
前記導体と前記電界効果トランジスタとを適宜の長さを有する配線により接続してあることを特徴とする請求項２乃至請求項６の何れか１つに記載のイオン検出装置。
【請求項８】
前記電界効果トランジスタのソース電位の絶対値と所定の閾値との大小関係を比較する手段と、前記大小関係が変化した場合、前記検出手段がイオンを検出していない旨を報知する手段とを備えることを特徴とする請求項２乃至請求項７の何れか１つに記載のイオン検出装置。
【請求項９】
イオンを発生させるイオン発生手段と、請求項１乃至請求項８の何れか１つに記載のイオン検出装置とを備え、前記イオン発生手段により発生させたイオンを前記イオン検出装置により検出するようにしてあることを特徴とするイオン発生装置。
【請求項１０】
前記イオン発生手段により発生させたイオンを外部へ拡散させる送風手段を更に備えることを特徴とする請求項９に記載のイオン発生装置。
【請求項１１】
前記イオン発生手段に対してイオンの拡散方向の下流側に前記イオン検出装置を設けてあることを特徴とする請求項１０に記載のイオン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、簡易な構成によりイオンを検出するイオン検出装置、及び該イオン検出装置を備えたイオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン発生装置と呼ばれる装置は数多く存在しているが、その原理はほとんどが針電極間に高電圧インパルスを印加して、放電電極でコロナ放電させることによりイオンを発生させるというものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
放電によって発生したイオンは様々な効果をもたらすことが知られている。例えば、事務所や会議室などの換気の少ない密閉化された部屋では、室内の人が多いと、呼吸により排出される二酸化炭素やたばこの煙、ホコリなどの空気汚染物質が増加するため、人をリラックスさせる効能を有するマイナスイオンが空気中から減少してゆく。特に、タバコの煙によってマイナスイオンが多量に失われ、通常の１／２〜１／５程度にまで減少することがある。そこで、空気中のマイナスイオンを補給することを目的としたイオン発生装置が実用化されている。
【０００４】
また、近年では、殺菌、除菌に対するニーズが高まっており、空気中の浮遊細菌を除去するためにプラスイオン及びマイナスイオンの双方を発生させるイオン発生装置が実用化されている。このようなイオン発生装置では、プラスイオンとしてのＨ+ （Ｈ2 O）m と、マイナスイオンとしてのＯ2-（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、ｍ，ｎは自然数）とを発生させる。プラスイオン及びマイナスイオンの双方が浮遊細菌の表面に付着すると、これらのイオンが化学反応して活性種である過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）及び水酸基ラジカル（・ＯＨ）を生成し、空気中の浮遊細菌を除去するのである。
【特許文献１】特開昭６１−１４５７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、イオンそのものは無味無臭であり、しかも視認できないため、実際に発生しているかどうかを確認することができない。現在のイオン発生装置では、長時間の放電による放電電極の劣化や電極面にごみの付着等が発生した場合、これらが原因で初期状態に比べると放電が不安定、又は停止する虞があるが、これをユーザが外部から確認する手段がないという問題点を有していた。
【０００６】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、イオンを捕集する導体と、この導体の電位を検出する検出手段とを備える構成とすることにより、簡易な構成によりイオンの発生の有無を検出することができるイオン検出装置、及びこのイオン検出装置を備えたイオン発生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るイオン検出装置は、イオンを捕集する導体と、該導体の電位を検出する検出手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明にあっては、イオンを捕集したときの導体の電位を検出手段で検出することにより、イオンの発生の有無を検出する。
【０００９】
本発明に係るイオン検出装置は、前記検出手段は、そのゲートを前記導体に接続してある電界効果トランジスタを備え、該電界効果トランジスタのソース電位に基づき、前記導体にて捕集したイオンを検出するようにしてあることを特徴とする。
【００１０】
本発明にあっては、イオンを捕集するための導体を電界効果トランジスタのゲートに接続している。電界効果トランジスタのドレイン端子に直流電圧を印可しておくことにより、導体の電位が上昇した場合、電界効果トランジスタがオン状態となると共に、ソース電位はドレイン端子に印可している直流電圧まで上昇する。
【００１１】
本発明に係るイオン検出装置は、前記検出手段は、前記導体と前記電界効果トランジスタのゲートとの間に接続された整流素子を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明にあっては、イオンを捕集するための導体と電界効果トランジスタのゲートとの間に整流素子を接続しているため、ゲートに入力される電位の極性が特定される。
【００１３】
本発明に係るイオン検出装置は、前記検出手段は、前記電界効果トランジスタのゲート電位の絶対値を所定値以下に制限すべく定電圧素子を設けてあることを特徴とする。
【００１４】
本発明にあっては、ゲート電位の絶対値を所定値以下に制限するために定電圧素子を設けているため、ゲートに入力される電位の大きさが制限される。
【００１５】
本発明に係るイオン検出装置は、前記検出手段は、前記電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に接続された抵抗素子を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明にあっては、電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に接続された抵抗素子を備えているため、ゲートに溜まったイオンによる電荷が自然に放電される。
【００１７】
本発明に係るイオン検出装置は、前記導体に接続する電界効果トランジスタの種類を検出すべきイオンの極性に応じて異ならせていることを特徴とする。
【００１８】
本発明にあっては、検出対象のイオンがプラスイオンの場合はｐ型の電界効果トランジスタ、マイナスイオンの場合はｎ型の電界効果トランジスタを用いることで、正負どちらのイオンの検出にも対応できる。
【００１９】
本発明に係るイオン検出装置は、前記導体と前記電界効果トランジスタとを適宜の長さを有する配線により接続してあることを特徴とする。
【００２０】
本発明にあっては、イオンを捕集する導体と電界効果トランジスタを含む検出手段との間を接続する配線の長さを自由に調節することができるため、様々な場所でのイオン検出を可能とする。
【００２１】
本発明に係るイオン検出装置は、前記電界効果トランジスタのソース電位の絶対値と所定の閾値との大小関係を比較する手段と、前記大小関係が変化した場合、前記検出手段がイオンを検出していない旨を報知する手段とを備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明にあっては、導体によりイオンを検出し、それを電界効果トランジスタのソース電位に変換して得られた出力が予め設定してある閾値に達した場合、例えば、光、音などに変換され、イオンを検出していない旨を報知する。
【００２３】
本発明に係るイオン発生装置は、イオンを発生させるイオン発生手段と、前述した発明の何れか１つに記載のイオン検出装置とを備え、前記イオン発生手段により発生させたイオンを前記イオン検出装置により検出するようにしてあることを特徴とする。
【００２４】
本発明にあっては、イオンを発生させるイオン発生手段を備え、このイオン発生手段により発生させたイオンを前述したイオン検出装置により検出する。
【００２５】
本発明に係るイオン発生装置は、前記イオン発生手段により発生させたイオンを外部へ拡散させる送風手段を更に備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明にあっては、イオン発生手段により発生させたイオンを外部へ拡散させる送風手段を備えているため、発生させたイオンを装置外部へ導くことが可能となる。
【００２７】
本発明に係るイオン発生装置は、前記イオン発生手段に対してイオンの拡散方向の下流側に前記イオン検出装置を設けてあることを特徴とする。
【００２８】
本発明にあっては、イオンの拡散方向の下流側にイオン検出装置を設けているため、イオンの発生の有無が確実に検出される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明による場合は、イオンを捕集したときの導体の電位を検出手段で検出することにより、イオンの発生の有無を検出することができる。例えば、ゴミの付着等により放電が停止している場合には、イオンが発生していないことを検出できるため、ユーザに異常を知らせることができ、電極面の清掃を促す等の対応が可能となる。
【００３０】
本発明による場合は、イオンを捕集するための導体を電界効果トランジスタのゲートに接続している。電界効果トランジスタのドレイン端子に直流電圧を印可しておくことにより、導体の電位が変化した場合、電界効果トランジスタの状態が遷移すると共に、ソース電位は導体の電位に対応した電位に変化する。したがって、電界効果トランジスタのソース電位を計測することにより、イオンの発生の有無を検出することができる。
【００３１】
本発明による場合は、イオンを捕集するための導体と電界効果トランジスタのゲートとの間に整流素子を接続しているため、ゲートに入力される電位の極性を特定することができる。すなわち、イオンの捕集用の導体が負に帯電している場合、又は正に帯電している場合の何れか一方のみを検出することが可能となり、イオンの効率的な検出が可能となる。
【００３２】
本発明による場合は、ゲート電位の大きさを所定値以下に制限するために定電圧素子を設けているため、ゲートに入力される電位の大きさを制限することができる。すなわち、電界効果トランジスタのゲート耐圧よりも高い電圧が導体に溜まる場合であっても、ツェナーダイオードを接続することによって電位の上昇を制限し、電界効果トランジスタを保護することができる。
【００３３】
本発明による場合は、電界効果トランジスタのゲート電位を自然に低下させるための抵抗を備えているため、イオン発生装置の不具合を常時監視することができる。すなわち、イオン発生装置からイオンの放出が止まった際に何も操作することなくゲート電位を下げることができるため、常時イオン検出を行うことができる。
【００３４】
本発明による場合は、検出対象のイオンの極性により電界効果トランジスタの種類を異ならせるため、正負両方のイオンの検出が可能である。したがって、正負両方のイオンを別々に放出するようなイオン発生器において両極性のイオンが正常に放出されていることを確認することができる。
【００３５】
本発明による場合は、イオンを捕集する導体と電界効果トランジスタを含む検出手段との間の配線の長さを自由に調節することができる。したがって、配線の長さ、イオン捕集用の導体の形状を調整することで、通常測定しづらい場所にイオン発生装置がある場合においてもイオンの検出が可能となる。
【００３６】
本発明による場合は、イオン検出結果である電界効果トランジスタの出力を、例えば、光、音などに変換してイオンを検出していない旨を報知するため、より直感的に使用者に異常を知らせることができる。
【００３７】
本発明による場合は、イオンを発生させるイオン発生手段を備え、このイオン発生手段により発生させたイオンを前述したイオン検出装置により検出する。
【００３８】
本発明による場合は、イオン発生手段により発生させたイオンを外部へ拡散させる送風手段を備えているため、発生させたイオンを装置外部へ導くことが可能となる。
【００３９】
本発明による場合は、イオンの拡散方向の下流側にイオン検出装置を設けているため、イオンの発生の有無を確実に検出することができる。また、イオンの拡散方向に対してイオン発生手段と導体とを略平行に配置し、更に、平板状の導体を使用することにより、発生したイオン風を遮らず、外部へ放出するイオン数を減少させることなく拡散したイオンのみを検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態１．
図１は本実施の形態に係るイオン発生装置の内部構成を示すブロック図である。このイオン発生装置は、マイクロコンピュータ、ＲＯＭ等により構成される制御部１０を備えている。制御部１０は、電源回路１２から電力が与えられ、内蔵されているＲＯＭに記憶されている制御プログラムに従って、高圧駆動回路１１、ファンモータ駆動回路１５、及びランプ回路２０のそれぞれに制御信号を出力する。
【００４１】
高圧駆動回路１１は、電源回路１２から電力が与えられ、制御部１０から出力される制御信号に従って交流の高電圧を出力する。高圧駆動回路１１が出力する交流の高電圧はイオンを発生させるための放電電極１３に印加される。ファンモータ駆動回路１５は、電源回路１２を通じて電力が与えられ、制御部１０から出力される制御信号に基づき、所定の回転数でファンモータ１６が回転するようにＰＷＭ制御を行う。ファンモータ１６はファン１７を回転させる。ランプ回路２０は、電源回路１２を通じて電力が与えられ、制御部１０から出力される制御信号に従ってランプ２１を点灯又は消灯させる。
【００４２】
本発明のイオン発生装置は、放電電極１３を通じて発生させたイオンを検出するためにイオン検出装置を備えている。このイオン検出装置は、イオン検出回路１８Ａと捕集電極１９とにより構成されている。放電電極１３にて発生するイオンは、前述したファン１７の駆動により生じる空気流によって拡散することとなるが、このイオンを捕集したときの捕集電極１９の電位をイオン検出回路１８Ａで検出することによりイオンの発生の有無を検出する。
【００４３】
図２は放電電極１３及び捕集電極１９の配置例を説明する模式図である。イオン発生装置には、空気流の通路となるプラスチック製の通風路１００が設けられており、空気流が図に示した白抜矢符の方向に流れるようにファン１７及び通風路１００の配置関係が調整されている。イオン発生装置が発生させたイオンはファン１７の駆動によって生じた空気流により搬送され、通風路１００を通じて外部空間へ放出される。
【００４４】
放電電極１３及び捕集電極１９はこの通風路１００の底面側に設けられている。放電電極１３を空気流の上流側に、捕集電極１９を空気流の下流側に配置することにより、放電電極１３にて発生したイオンは空気流によって運ばれ、捕集電極１９によって捕集されることとなる。放電電極１３としては、平面格子状に形成され、格子内部に先鋭部を設けた電極を用いることができる。また、捕集電極１９には導体である銅テープを用いることができる。このように、放電電極１３及び捕集電極１９を空気流に対して略平行に配置し、しかも、放電電極１３と捕集電極１９とを同一平面内に設けることにより、イオンを搬送する空気流を遮らず、外部へ放出されるイオン数も減少させずに拡散したイオンのみを捕集することができる。
【００４５】
図３はイオン検出回路１８Ａの内部構成を説明する回路図である。前述した捕集電極１９は、イオン検出回路１８Ａ内において整流用のダイオード１８２を介してｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続されている。なお、捕集電極１９と整流用のダイオード１８２との間は適宜の長さに調節された配線１９ａにより接続されている。また、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のドレイン端子には直流電圧が印可されており、ソース端子は抵抗器１８３を介して回路ＧＮＤに接続されている。ドレイン端子に印可する直流電圧の大きさは、例えば１２Ｖである。更に、ゲート端子−回路ＧＮＤ間にはｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１を保護するためにツェナーダイオード１８４が接続されている。このツェナーダイオード１８４のツェナー電圧は１６Ｖのものを用いている。
【００４６】
イオンは荷電粒子であるから、捕集されたイオンによって捕集電極１９の電位が上昇する。捕集電極１９をｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続することで捕集電極１９の電位が上昇した場合、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１がオン状態になる。このとき、回路ＧＮＤ−ドレイン端子間に直流電圧を印可しておくことでソース電位が印可している直流電圧まで上昇する。制御部１０は、イオン検出回路１８Ａを通じてｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のソース電位の大きさを計測することにより、イオンが発生しているか否かの判断を行うことができる。
【００４７】
また、イオン発生装置では、正負両方の極性のイオンが発生し得るために、捕集電極１９の電位も発生するイオンのバランスによって正負どちらともなり得る。そこで、本実施の形態では、プラスイオンを検出することを目的として捕集電極１９とｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１との間に整流用のダイオード１８２を接続し、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に入力する電位の極性を特定する。この回路構成により迅速なプラスイオンの検出が可能となる。また、動作時にはＦＥＴのゲート耐圧よりも高い電位が捕集電極１９に貯まる虞があるため、ツェナーダイオード１８４を接続することで電位の上昇を制限し、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１を保護している。
【００４８】
図４はｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１におけるソース電位の時間変化を示すグラフである。図３に示したイオン検出回路１８Ａを用いてソース電位の時間変化を計測した場合、ソース電位はグラフに示したように時間変化する。横軸は、放電電極１３に交流電圧を印可し、ファン１７による送風を開始してからの経過時間（秒）を示しており、縦軸は、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のソース電位（絶対値（ボルト））を示している。放電時にはドレイン端子の印可電圧である１２Ｖまでソース電位が上昇している一方で、非放電時には電位が変化していない様子が見られる。したがって、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のソース電位を計測することにより、イオン発生装置でのイオンの発生の有無を検出することが可能となる。
【００４９】
放電の停止等によりイオンが発生していないことを検出した場合、制御部１０はランプ回路２０に制御信号を与えてランプ２１を点灯させ、ユーザに異常を知らせることができる。したがって、放電電極１３にゴミ等が付着して放電が停止している場合には、電極面の清掃を促す等の対応が可能となる。
【００５０】
本実施の形態では、設置が容易なことから捕集電極１９として銅テープを使用したが、他の金属により形成された導電性テープ、板状電極を用いても同様の効果が得られることは勿論のことである。また、イオンを効率的に発生させるために平面格子状に組まれた放電電極１３を使用する構成としたが、一対の針電極を使用し、針電極の両端に高電圧を印可してイオンを発生させる構成としてもよい。
【００５１】
また、本実施の形態では、捕集電極１９と整流用のダイオード１８６を接続している配線１９ａは適宜の長さに調節することができ、また、捕集電極１９の形状も任意の形状とすることができるため、様々な場所での放電検出が可能となる。
【００５２】
実施の形態２．
実施の形態１では、イオン検出回路１８Ａにてプラスイオンを検出する構成としたが、イオン検出回路１８Ａのｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１をｎ−ＪＦＥＴ１８５（図５参照）に変更することでマイナスイオンの検出が可能となる。なお、イオン発生装置の全体構成については実施の形態１と全く同様であるため、その説明を省略することとする。
【００５３】
図５はイオン検出回路１８Ｂの内部構成を説明する回路図である。捕集電極１９は、イオン検出回路１８Ｂ内において整流用のダイオード１８６を介してｎ−ＪＦＥＴ１８５のゲート端子に接続されている。なお、捕集電極１９と整流用のダイオード１８６との間は適宜の長さに調節された配線１９ａにより接続されている。また、ｎ−ＪＦＥＴ１８５のドレイン端子には直流電圧が印加されており、ソース端子は抵抗器１８５を介して回路ＧＮＤに接続されている。ドレイン端子に印加する直流電圧の大きさは、例えば１２Ｖである。更に、ゲート端子−回路ＧＮＤ間にはｎ−ＪＦＥＴ１８５を保護するためにツェナーダイオード１８８が接続されており、ｎ−ＪＦＥＴ１８５のゲート端子とソース端子との間には抵抗器１８９が接続されている。
【００５４】
放電電極１３から放出されたマイナスイオンが捕集電極１９によって捕集されると、捕集電極１９の電位は減少する。捕集電極１９をｎ−ＪＦＥＴ１８５のゲート端子に接続することで捕集電極１９の電位が減少した場合、ｎ−ＪＦＥＴ１８５がオフ状態になる。このとき、回路ＧＮＤ−ドレイン端子間に直流電圧を印加しておくことでソース電位がＧＮＤレベルまで減少する。この電位を測定することによりマイナスイオンが発生しているか否かの判断を行うことができる。
【００５５】
図６はｎ−ＪＦＥＴ１８５におけるソース電位の時間変化を示すグラフである。図５に示したイオン検出回路１８Ｂを用いてマイナスイオンの検出を行い、ソース電位の時間変化を計測した場合、ソース電位はグラフに示したように時間変化する。横軸は、放電電極１３に交流電圧を印加し、ファン１７による送風を開始してからの経過時間（秒）を示しており、縦軸は、ｎ−ＪＦＥＴ１８５のソース電位（絶対値（ボルト））を示している。放電時にはＧＮＤ電圧である０Ｖにソース電位が減少している一方で、非放電時にはドレイン端子印加電圧である１２Ｖ付近で安定して変化しない様子が見られる。したがって、ｎ−ＪＦＥＴ１８５のソース電位を計測することにより、イオン発生装置でのマイナスイオンの発生の有無を検出することが可能となる。
【００５６】
ｎ−ＪＦＥＴ１８５のゲート端子とソース端子間に接続された抵抗器１８９は、ゲート端子に溜まったイオンによる電荷を自然に放電させるためのものであり、イオン発生が停止した際には抵抗器１８９を介してゲートに溜まったイオン電荷が時間の経過と共にＧＮＤに流れてゆき、ゲート端子の電位が非放電時の電位レベルに回復する。
【００５７】
図７はマイナスイオンを検出した後に、イオン発生を停止させた際のソース電位の時間変化を計測したグラフである。図６のグラフと同様に、横軸は、放電電極１３に交流電圧を印加し、ファン１７による送風を開始してからの経過時間（秒）を示しており、縦軸は、ｎ−ＪＦＥＴ１８５のソース電位が非放電時と同じレベルまで時間の経過と共に自然に上昇している。すなわち、外部からｎ−ＪＦＥＴ１８５に対して操作することなくイオン発生の停止を検出することが可能となる。
【００５８】
本実施の形態においても、捕集電極１９と整流用のダイオード１８６を接続している配線１９ａは適宜の長さに調節することができ、また、捕集電極１９の形状も任意の形状とすることができるため、様々な場所での放電検出が可能となる。
【００５９】
実施の形態３．
前述した実施の形態では、制御部１０が高圧駆動回路１１、ファンモータ駆動回路１５、ランプ回路２０に制御信号を与え、これらを制御する構成としたが、イオン発生の停止を検出した際には制御部１０を介することなく、その旨を使用者に報知する構成としてもよい。
【００６０】
図８は本実施の形態に係るイオン発生装置の内部構成を示すブロック図である。このイオン発生装置は、前述した実施の形態と同様に、放電電極１３に交流の高電圧を印加するための高圧駆動回路１１、ファン１７を回転させるためにファンモータ１６に対するＰＭＷ制御を行うファンモータ駆動回路１５を備える。これらの高圧駆動回路１１及びファンモータ駆動回路１５には、スイッチＳＷが入れられた場合に電源回路１２から電力が供給される。
【００６１】
また、イオンを捕集する捕集電極１９は、適宜の長さを有する配線１９ａによりイオン検出回路１８Ｂに接続されている。ここで、イオン検出回路１８Ｂは、実施の形態２で説明したものと同一の回路を用いることができる。イオン検出回路１８Ｂの出力端子は警報回路３０に接続される。
【００６２】
図９は警報回路３０の一例を示す回路図である。警報回路３０は、コンパレータ３０４、警報装置３０６などを備えている。コンパレータ３０４には、入力端子３０１を通じて入力されるｎ−ＪＦＥＴ１８５のソース電位と、電位ＶＣＣの抵抗器３０２，３０３による分圧とが入力される。このコンパレータ３０４の出力端には抵抗器３０５を介して警報装置３０６が接続されている。ここで、警報装置３０６としては、例えば、光を発するＬＥＤランプ、音を発するブザー等を用いることができる。そのため、イオンの発生が停止してｎ−ＪＦＥＴ１８５のソース電位が上昇し、抵抗器３０２，３０３により定まる分圧に達した場合、警報装置３０６を作動させることができる。
【００６３】
このように、本実施の形態では、イオン発生の停止を検出した場合には制御部１０を介することなく、警報装置３０６を動作させることができ、装置全体の小型化が可能となる。
【００６４】
なお、本実施の形態では、イオン検出回路１８Ｂとは別に警報回路３０を設ける構成としたが、イオン検出回路１８Ｂ内部に警報回路３０を設ける構成としてもよいことは勿論のことである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施の形態に係るイオン発生装置の内部構成を示すブロック図である。
【図２】放電電極及び捕集電極の配置例を説明する模式図である。
【図３】イオン検出回路の内部構成を説明する回路図である。
【図４】ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴにおけるソース電位の時間変化を示すグラフである。
【図５】イオン検出回路の内部構成を説明する回路図である。
【図６】ｎ−ＪＦＥＴにおけるソース電位の時間変化を示すグラフである。
【図７】マイナスイオンを検出した後に、イオン発生を停止させた際のソース電位の時間変化を計測したグラフである。
【図８】本実施の形態に係るイオン発生装置の内部構成を示すブロック図である。
【図９】警報回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  制御部  
１１  高圧駆動回路  
１２  電源回路  
１３  放電電極
１５  ファンモータ駆動回路
１６  モータ
１７  ファン
１８Ａ，１８Ｂ  イオン検出回路
１９  捕集電極
２０  ランプ回路
２１  ランプ
３０  警報回路
１８１  ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ
１８２  ダイオード
１８３  抵抗器
１８４  ツェナーダイオード
１８５  ｎ−ＪＦＥＴ
１８６  ダイオード
１８７  抵抗器
１８８  ツェナーダイオード
１８９  抵抗器
３０４  コンパレータ
３０５  抵抗器
【図１】
2007114177.tif 000003
【図２】
2007114177.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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