(57)【要約】【課題】テープキャリアが有する可撓性等の本来の特性を損なうことなく、放熱性に優れた半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。【解決手段】５０μｍの厚さと３５ｍｍの幅を有するポリイミドテープ１の表面に、配線用接着剤２を介して、厚さが２５μｍの電解銅箔からなる配線層３を形成し、更に、配線層３上に、銅箔用接着剤４ａを介して銅箔４ｂを形成して保護層４とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂フィルムの少なくとも一方の面に導体配線層を形成し、当該導体配線層の所定の箇所に半導体チップ搭載部を形成すると共に、当該導体配線層の所定の部分に保護層を被覆した半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記保護層の一部が金属で形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記保護層は、金属層と絶縁性接着剤とからなり、前記金属層は、絶縁性接着剤を介して前記導体配線層に貼付けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記金属層の厚さは、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記半導体チップ搭載部は、デバイスホールを有し、前記絶縁性樹脂フィルムの所定の箇所に形成されていることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記半導体チップ搭載部は、デバイスホールを有することなく、前記絶縁性樹脂フィルムの所定の箇所に形成されていることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
前記導体配線層が前記絶縁性樹脂フィルムの両面に形成され、それぞれの導体配線層に前記保護層が被覆されていることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項７】
予め半導体チップ搭載部を形成した絶縁性樹脂フィルムの少なくとも一方の面に、導体配線層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂フィルム上で、絶縁性接着剤が塗布された金属層を、前記絶縁性接着剤を下面にして打抜きプレスでパンチングすることにより、前記導体配線層の所定の部分に、パンチング動作と連続した動作で前記金属層を接着する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】
更に、所定の温度で加熱処理を施すことにより前記絶縁性接着剤を硬化させ、前記導体配線層上に前記金属層を接着させる工程を備えることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープキャリアが有する可撓性等の本来の特性を損なうことなく、放熱性に優れた半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアは、ＬＣＤ用ドライバーＩＣやプリンター用インク制御ＩＣなどの半導体チップを搭載する基板として欠かせない存在となっている。
【０００３】
図２は、従来の半導体装置用テープキャリアの構造を示したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向所定面の断面図である。
【０００４】
この半導体装置用テープキャリア２０は、絶縁性樹脂のポリイミドテープ１の表面に、配線用接着剤２を介して、銅からなる配線層３が形成されており、この配線層３は半導体チップ７の搭載を可能にするインナーリード部３ａ、外部電極との接続を可能にするアウターリード３ｂ、及び配線部３ｃを有している。配線部３ｃには保護層としてソルダーレジスト８が被覆されている。ソルダーレジスト８は、多くの場合、エポキシ樹脂系の液状ソルダーレジスト材を印刷塗布した後、これに加熱硬化処理を施して形成される。また、インナーリード部３ａとアウターリード部３ｂの銅表面は、ＳｎあるいはＡｕ等のめっきが施されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３３２０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の半導体装置用テープキャリア２０の構成では、半導体チップの高密度化・高集積化に伴って、半導体装置を駆動した際にチップや電源用配線などから発生する熱量が大きくなり、この発熱により半導体装置が高温になり、本来の機能に支障をきたすという問題があった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、テープキャリアが有する可撓性等の本来の特性を損なうことなく、放熱性に優れた半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性樹脂フィルムの少なくとも一方の面に導体配線層を形成し、当該導体配線層の所定の箇所に半導体チップ搭載部を形成すると共に、当該導体配線層の所定の部分に保護層を被覆した半導体装置用テープキャリアにおいて、前記保護層の一部が金属で形成されていることを特徴とする。
【０００８】
前記保護層を金属層と絶縁性接着剤とし、前記金属層を、絶縁性接着剤を介して前記導体配線層に貼付けることができる。
【０００９】
前記金属層の厚さを、３０μｍ以下とすることが好ましい。
【００１０】
前記半導体チップ搭載部はデバイスホールを有するものとし、前記絶縁性樹脂フィルムの所定の箇所に形成することができる。
【００１１】
前記半導体チップ搭載部はデバイスホールを有しないものとし、前記絶縁性樹脂フィルムの所定の箇所に形成することもできる。
【００１２】
前記導体配線層を前記絶縁性樹脂フィルムの両面に形成し、それぞれの導体配線層に前記保護層を被覆することもできる。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、予め半導体チップ搭載部を形成した絶縁性樹脂フィルムの少なくとも一方の面に、導体配線層を形成する工程と、前記絶縁性樹脂フィルム上で、絶縁性接着剤が塗布された金属層を、前記絶縁性接着剤を下面にして打抜きプレスでパンチングすることにより、前記導体配線層の所定の部分に、パンチング動作と連続した動作で前記金属層を接着する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
更に、所定の温度で加熱処理を施すことにより前記絶縁性接着剤を硬化させ、前記導体配線層上に前記金属層を接着させる工程を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、テープキャリアが有する可撓性等の本来の特性を損なうことなく、放熱性に優れた半導体装置用テープキャリアを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（テープキャリアの構成）
図１は、本発明による半導体装置用テープキャリアの一実施形態を示したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向所定面の断面図である。
【００１７】
この半導体装置用テープキャリア１０は、５０μｍの厚さと３５ｍｍの幅を有するポリイミドテープ１の表面に、配線用接着剤２を介して、厚さが２５μｍの電解銅箔からなる配線層３が形成されており、この配線層３は半導体チップ７の搭載を可能にするインナーリード部３ａ、外部電極との接続を可能にするアウターリード３ｂ、及び配線部３ｃを有している。なお、ポリイミドテープ１の所定の箇所には、半導体チップ７を搭載するためのデバイスホール５及び送り孔６が設けられている。
【００１８】
更に、この半導体装置用テープキャリア１０の特徴部分として、配線部３ｃに、保護層４が形成されている。保護層４は、図１（ｂ）に示すように、配線層３上に、銅箔用接着剤４ａを介して、銅箔４ｂが形成された構造となっている。銅箔４ｂの厚さは、半導体装置用テープキャリア１０の可撓性を損なわないように、３０μｍ以下とすることが好ましい。銅箔用接着剤４ａとしては、例えば、熱硬化性エポキシ系樹脂を用いることができ、配線層３を十分に被覆するために、配線層３の厚さよりも厚く形成することが好ましい。
【００１９】
また、保護層４より露出したインナーリード３ａ及びアウターリード３ｂは、それぞれ、半導体チップ７、外部電極（図示せず）との接続を容易にするために、０．５μｍ厚のＮｉめっきを下地とした０．５μｍ厚のＡｕめっきが施されている。
【００２０】
（製造方法）
この半導体装置用テープキャリア１０を製造するには、まず、予め５０μｍの厚さと３５ｍｍの幅を有するポリイミドテープ１の所定の箇所に、半導体チップ７を搭載するためのデバイスホール５及び送り孔６を形成しておき、このポリイミドテープ１の表面に、配線用接着剤２を介して厚さが２５μｍの電解銅箔を接着する。
【００２１】
次に、当該電解銅箔をエッチングしてインナーリード部３ａ、アウターリード部３ｂ、及び配線部３ｃを有する所定のパターンの配線層３を形成する。
【００２２】
更に、９μｍの厚さの銅箔４ｂの片面に厚さ４０μｍの熱硬化性エポキシ系樹脂の接着剤４ａを塗布した保護層４を、接着剤４ａを下面にして打抜きプレスで所定の形状にパンチングして、インナーリード部３ａとアウターリード部３ｂ以外の配線層３ｃの部分に連続した動作で接着する。
【００２３】
最後に、保護層４に１８０℃の加熱処理を施すことにより、接着剤４ａを硬化させ、これにより配線層３を覆うように接着させる。
【００２４】
（本実施形態の効果）
本実施形態の半導体装置用テープキャリア１０によれば、配線部３ｃの表面に形成された保護層４の表面が銅箔４ｂで構成されているので、従来の樹脂単体あるいは樹脂と有機フィルムとで構成される保護層と比較して、半導体チップ７や導体配線から発生する熱の放熱性が良好になり、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。
【００２５】
即ち、半導体チップは、駆動時にそれ自体の温度が１００℃以下であることが一般的に好ましいとされている。ここで、図２で示すような熱硬化エポキシ樹脂のソルダーレジスト８を保護層とした半導体装置用テープキャリア２０に、ＬＣＤ用ドライバーＩＣを搭載して実際に駆動させると、半導体チップ自体の到達最高温度は１２０℃となってしまう。これに対して、本実施形態の半導体装置用テープキャリア１０のように、保護層４の表面に銅箔４ｂを有したテープキャリアに前記ＬＣＤ用ドライバーＩＣを搭載した場合は、半導体チップ自体の到達最高温度を１００℃にすることが可能となった。
【００２６】
また、本実施形態の半導体装置用テープキャリア１０では、銅箔４ｂの厚さを３０μｍ以下としているので、テープキャリアが有する可撓性を損なうことがない。
【００２７】
また、本実施形態の製造方法によれば、保護層４はフィルム状の原材をプレスによって打ち抜くことによって形成されるので、打ち抜きパンチの打ち抜き動作の延長においてそのまま配線層３に貼り付けることができる。このため、製造工程の簡略化が可能になる。
【００２８】
［他の実施形態］
上記実施形態では、保護層４の表面を銅箔４ｂで構成したが、他にＡｌ等の熱伝導率の良好な金属箔を用いても良い。
【００２９】
また、上記実施形態では、絶縁性樹脂フィルムであるポリイミドテープ１の片面にのみ、配線層３を形成した例を示したが、ポリイミドテープ１の両面に配線層３を形成することもできる。この場合は、両面の配線層３に保護層４を形成することが好ましい。
【００３０】
また、上記実施形態では、半導体チップ搭載部としてデバイスホール５を形成した例を示したが、適用される半導体装置の構成に応じて、デバイスホール５を省略することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの一実施形態を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向所定面の断面図である。
【図２】従来の半導体装置用テープキャリアの構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向所定面の断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  ポリイミドテープ（絶縁性樹脂フィルム）
２  配線用接着剤
３  配線層
３ａ  インナーリード部
３ｂ  アウターリード部
３ｃ  配線部
４  保護層
４ａ  銅箔用接着剤（絶縁性接着剤）
４ｂ  銅箔（金属層）
５  デバイスホール（半導体チップ搭載部）
６  送り孔
７  半導体チップ
８  ソルダーレジスト
【図１】
2007258197.tif 000003
【図２】
2007258197.tif 000004