(57)【要約】【課題】カラーフィルタを備えないアクティブマトリックス型の液晶表示素子として、表示むらを発生させること無く画素部の液晶層厚を小さくして応答速度を速くし、しかもクロス電極と対向電極との接続抵抗を十分に小さくすることができるものを提供する。【解決手段】枠状シール材３を介して接合された一対の基板１，２のうち、複数の画素電極とＴＦＴとゲート配線及びデータ配線が設けられたＴＦＴ基板１のシール部の外側に、基板面にゲート配線と同じ金属膜により形成された下層膜２７ａとその上にデータ配線と同じ金属膜により形成された上層膜２７ｂとからなる対向電極接続部を有し、且つ基板縁部に形成された対向電極端子と接続されたクロス電極２７を設け、このクロス電極２７の対向電極接続部と対向基板２に設けられた対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとを、導電性粒子３５が混入されたクロス材３４により接続した。【選択図】図６
2007025151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状シール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に、マトリックス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数のゲート配線と、前記複数の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ配線と、基板縁部に形成された複数のゲート配線端子及びデータ配線端子と、前記基板縁部に形成された対向電極端子と、前記シール材によるシール部の外側の予め定めた領域に形成され、前記基板面に前記ゲート配線と同じ金属膜により形成された下層膜とその上に前記データ配線と同じ金属膜により形成された上層膜とからなる対向電極接続部を有し、且つ前記対向電極端子と接続されたクロス電極とが設けられ、他方の基板の内面に、前記シール部の外側に突出するクロス電極接続部を有する対向電極が設けられ、前記クロス電極の対向電極接続部と前記対向電極のクロス電極接続部とが、導電性粒子が混入されたクロス材により接続されていることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）を能動素子とするアクティブマトリックス型の液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴを能動素子とするアクティブマトリックス液晶表示素子は、枠状シール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に、マトリックス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴにゲート信号を供給する複数のゲート配線と、前記複数のＴＦＴにデータ信号を供給する複数のデータ配線が設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の画素電極に対向する対向電極が設けられた構成となっている。
【０００３】
このアクティブマトリックス液晶表示素子においては、前記画素電極及びＴＦＴが設けられた一方の基板の縁部に、複数のゲート配線端子及びデータ配線端子と対向電極端子とを設け、この一方の基板の内面の前記シール材によるシール部の外側の予め定めた領域に、前記対向電極端子に接続されたクロス電極を設けるとともに、前記対向電極に前記シール部の外側に突出するクロス電極接続部を形成し、前記クロス電極と前記対向電極のクロス電極接続部とを、導電性粒子が混入されたクロス材により接続している。
【０００４】
ところで、液晶表示素子は、表示むらの無い良好な表示品質を得るために、全ての画素部の液晶層厚を均一にし、且つ応答速度を速くするために、液晶層厚をできるだけ小さくすることが望まれている。
【０００５】
一方、アクティブマトリックス液晶表示素子は、枠状シール材によるシール部の外側において、一方の基板の内面に設けられたクロス電極と他方の基板の内面に設けられた対向電極のクロス電極接続部とを導電性粒子が混入されたクロス材により接続しているため、前記クロス材の導電性粒子として、前記一対の基板の間隔に対応した径の導電性粒子を選定しなければならない。
【０００６】
しかし、一対の基板のいずれかの内面に複数の画素部に対応させてカラーフィルタを設けている液晶表示素子の場合は、画素部の基板間ギャップをある程度小さくしても、前記クロス電極と対向電極との間隔を十分に確保し、比較的大きな径の導電性粒子を混入したクロス材により前記基板間ギャップを保って前記クロス電極と対向電極とを接続することができるが、例えばフィールドシーケンシャル液晶表示装置に用いられるカラーフィルタを備えない液晶表示素子の場合は、画素部の基板間ギャップを小さくしようとしても、前記クロス電極と対向電極との間隔が狭いため、導電性粒子の径を極めて小さくしなければならず、このような小さい径の導電性粒子を得ることは極めて困難である。
【０００７】
なお、無理に画素部の基板間ギャップを小さくしようとすると、一対の基板が前記クロス電極と対向電極とを前記クロス材により接続したクロス接続部付近において外側に反るように変形して前記クロス接続部付近の画素部の基板間ギャップが他の領域の画素部の基板間ギャップよりも大きくなり、前記クロス接続部付近の画素部の液晶層厚が他の領域の画素部の液晶層厚よりも大きくなって表示むらを発生する。
【０００８】
したがって、カラーフィルタを備えないアクティブマトリックス液晶表示素子は、表示むらを発生させること無く画素部の液晶層厚を小さくすることが難しい。
【０００９】
そのため、前記クロス電極を、前記ゲート配線とデータ配線とのうちの膜厚の薄いゲート配線と同じ金属膜により形成したアクティブマトリックス液晶表示素子が提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
この液晶表示素子は、前記クロス電極をゲート配線と同じ金属膜により形成した単層膜としているため、前記クロス電極と対向電極のクロス電極接続部との間隔を広くし、前記クロス電極と対向電極のクロス電極接続部とを、比較的大きい径の導電性粒子を混入したクロス材を用いて接続することができ、したがって、クロス接続部付近の画素部と他の領域の画素部の基板間ギャップに差を生じさせること無く、前記画素部の基板間ギャップを小さくすることができる。
【特許文献１】特開２００２−２７７８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、クロス電極を、ゲート配線とデータ配線とのうちの膜厚の薄いゲート配線と同じ金属膜により形成した液晶表示素子は、前記クロス電極の抵抗値が高く、そのために前記クロス電極と対向電極のクロス電極接続部との接続抵抗が大きくなるという問題をもっている。
【００１２】
この発明は、カラーフィルタを備えないアクティブマトリックス型の液晶表示素子として、表示むらを発生させること無く画素部の液晶層厚を小さくして応答速度を速くし、しかもクロス電極と対向電極との接続抵抗を十分に小さくすることができるものを提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の液晶表示素子は、枠状シール材を介して接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層が設けられ、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に、前記シール材により囲まれた領域に対応させてマトリックス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴにゲート信号を供給する複数のゲート配線と、前記複数のＴＦＴにデータ信号を供給する複数のデータ配線と、基板縁部に形成された複数のゲート配線端子及びデータ配線端子と、前記基板縁部に形成された対向電極端子と、前記シール材によるシール部の外側の予め定めた領域に形成され、前記基板面に前記ゲート配線と同じ金属膜により形成された下層膜とその上に前記データ配線と同じ金属膜により形成された上層膜とからなる対向電極接続部を有し、且つ前記対向電極端子と接続されたクロス電極とが設けられ、他方の基板の内面に、前記シール部の外側に突出するクロス電極接続部を有する対向電極が設けられ、前記クロス電極の対向電極接続部と前記対向電極のクロス電極接続部とが、導電性粒子が混入されたクロス材により接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明の液晶表示素子は、前記クロス電極の対向電極接続部を、前記一方の基板面に前記ゲート配線と同じ金属膜により形成された下層膜とその上に前記データ配線と同じ金属膜により形成された上層膜とからなる２層膜としているため、前記クロス電極の対向電極接続部と前記対向電極のクロス電極接続部との間隔を十分に広くすることができ、したがって、前記クロス電極の対向電極接続部と前記対向電極のクロス電極接続部とを、比較的大きい径の導電性粒子を混入したクロス材を用いて接続し、クロス接続部付近の画素部と他の領域の画素部の基板間ギャップに差を生じさせること無く、前記画素部の基板間ギャップを小さくすることができる。
【００１５】
しかも、この液晶表示素子は、前記クロス電極の対向電極接続部を、前記ゲート配線と同じ金属膜により形成された下層膜の上に前記データ配線と同じ金属膜により形成された上層膜を積層した２層膜としているため、この対向電極接続部の抵抗値を小さくすることができる。
【００１６】
したがって、この液晶表示素子は、カラーフィルタを備えないアクティブマトリックス型のものでありながら、表示むらを発生させること無く画素部の液晶層厚を小さくして応答速度を速くし、しかも前記クロス電極と対向電極との接続抵抗を十分に小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１〜図６はこの発明の一実施例を示しており、図１は液晶表示素子の平面図、図２は前記液晶表示素子の一方の基板に設けられた画素電極及びＴＦＴと各種配線の等価回路的平面図、図３は前記液晶表示素子の表示エリアの一部分の拡大平面図、図４は図３のIV−IV線に沿う液晶表示素子の拡大断面図、図５は前記一方の基板のクロス電極形成部の拡大平面図、図６は図５のVI−VI線に沿う液晶表示素子の拡大断面図である。
【００１８】
この液晶表示素子は、フィールドシーケンシャル液晶表示装置に用いられるアクティブマトリックス液晶表示素子であり、基本的には、図１〜図４に示したように、枠状シール材３を介して接合された一対の透明基板１，２間の前記シール材３により囲まれた領域に液晶層３６が設けられ、前記一対の基板１，２の互いに対向する内面のうち、一方の基板１の内面に、前記シール材３により囲まれた領域内の予め定めた表示エリアＡに対応させて行方向（液晶表示素子の画面の左右方向）及び列方向（前記画面の上下方向）にマトリックス状に配列された複数の透明な画素電極４と、前記複数の画素電極４にそれぞれ接続された複数の書込み用ＴＦＴ５と、前記複数の書込み用ＴＦＴ５にゲート信号を供給する複数の書込み用ゲート配線１３と、前記複数の書込み用ＴＦＴ５に画像データに対応するデータ信号を供給する複数の書込み用データ配線１４と、基板縁部に形成された複数の書込み用ゲート配線端子１３ａ及び書込み用データ配線端子１４ａと、前記基板縁部に形成された対向電極端子２５とが設けられ、他方の基板２の内面に、前記複数の画素電極４と対向する一枚膜状の透明な対向電極３１が設けられた構成となっている。
【００１９】
以下、前記画素電極４とＴＦＴ５とゲート配線１３及びデータ配線１４が設けられた一方の基板１をＴＦＴ基板といい、対向電極３１が設けられた他方の基板２を対向基板という。
【００２０】
なお、前記ＴＦＴ基板１は、液晶表示素子の画面の左右方向に対応する横方向の一端側の縁部と、前記画面の上下方向に対応する縦方向の一端側の縁部とに、前側他方の基板２の外側に張出す端子配列部１ａ，１ｂを有しており、前記枠状シール材３には、前記端子配列部１ａ，１ｂのいずれか一方、例えば横方向の端子配列部１ａの反対側の辺部を欠落させて形成された液晶注入口３ａが設けられている。
【００２１】
そして、前記複数の書込み用ゲート配線端子１３ａは前記横方向の端子配列部１ａに配列され、前記複数の書込み用データ配線端子１４ａは前記縦方向の端子配列部１ｂに配列され、前記対向電極端子２５は、前記横方向と縦方向の端子配列部１ａ，１ｂのいずれか、例えば横方向の端子配列部１ａに形成されている。
【００２２】
さらに、前記ＴＦＴ基板１の内面には、図２に示したように、前記複数の画素電極４にそれぞれ接続された複数のリセット用ＴＦＴ５Ｒと、前記複数のリセット用ＴＦＴ５Ｒにゲート信号を供給する複数のリセット用ゲート配線１３Ｒと、前記複数のリセット用ＴＦＴ５Ｒにリセット信号を供給する複数のリセット用データ配線１４Ｒとが設けられている。
【００２３】
このリセット用ＴＦＴ５Ｒとリセット用ゲート配線１３Ｒ及びデータ配線１４Ｒは、１フィールド毎に、前記複数の画素電極４と対向電極３１との対向領域からなる複数の画素の書込み状態を一括してリセットするために設けられており、前記複数のリセット用ゲート配線１３Ｒは、前記書込み用ゲート配線端子１３ａの配列側とは反対側に、複数の画素電極４をマトリックス状に配列した表示エリアＡの外側に沿わせて設けられたリセット用ゲート信号供給配線１５に接続され、前記複数のリセット用データ配線１４Ｒは、前記書込み用データ配線端子１４ａの配列側とは反対側に前記表示エリアＡの外側に沿わせて設けられたリセット信号供給配線１６に接続されている。
【００２４】
また、前記ＴＦＴ基板１の縦方向の端子配列部１ｂにはリセット用ゲート信号入力端子１５ａが形成され、横方向の端子配列部１ａにはリセット信号入力端子１６ａが形成されており、前記リセット用ゲート信号供給配線１５は、前記リセット用ゲート信号入力端子１５ａに接続され、前記リセット信号供給配線１６は、前記リセット信号入力端子１６ａに接続されている。
【００２５】
前記書込み用ゲート配線１３とリセット用ゲート配線１３Ｒは、前記ＴＦＴ基板１の基板面に同じ金属膜により形成されており、前記書込み用ゲート配線１３は、各画素電極行の一側（図２及び図３において下側）にそれぞれ沿わせて設けられ、前記リセット用ゲート配線１３Ｒは、各画素電極行の他側（図２及び図３において上側）にそれぞれ沿わせて設けられている。
【００２６】
そして、前記書込み用ＴＦＴ５は、前記各画素電極行の前記書込み用ゲート配線１３が設けられた側に、各行の複数の画素電極４にそれぞれ対応させて設けられ、前記リセット用ＴＦＴ５Ｒは、前記各画素電極行の前記リセット用ゲート配線１３Ｒが設けられた側に、各行の複数の画素電極４にそれぞれ対応させて設けられている。
【００２７】
前記書込み用ＴＦＴ５とリセット用ＴＦＴ５Ｒは、平面形状が対称形な同じ積層構造を有している。
【００２８】
すなわち、前記書込み用ＴＦＴ５とリセット用ＴＦＴ５Ｒは、図３及び図４に示したように、前記ＴＦＴ基板１の基板面に形成されたゲート電極６と、このゲート電極６を覆って基板全体に形成されたゲート絶縁膜７と、前記ゲート絶縁膜７の上に前記ゲート電極６と対向させて形成されたｉ型半導体膜８と、このｉ型半導体膜８のチャンネル領域となる中央部の上に設けられたブロッキング絶縁膜９と、前記ｉ型半導体膜８の両側部の上にｎ型半導体膜１０を介して形成されたソース電極１１及びドレイン電極１２とからなっている。
【００２９】
この実施例では、前記書込み用ゲート配線１３及びリセット用ゲート配線１３Ｒの画素電極４に隣接する部分をゲート電極６とし、前記ｉ型半導体膜８とブロッキング絶縁膜９とｎ型半導体膜１０とソース電極１１及びドレイン電極１２を前記ゲート配線１３，１３Ｒの長さ方向に沿った横長形状に形成することにより、前記書込み用ゲート配線１３及びリセット用ゲート配線１３Ｒの上に、チャンネル長の長い大電流の書込み用ＴＦＴ５及びリセット用ＴＦＴ５Ｒを形成している。
【００３０】
なお、前記書込み用ＴＦＴ５及びリセット用ＴＦＴ５Ｒは、前記画素電極４の左右方向の幅よりもある程度短い長さに形成されており、これらのＴＦＴ５，５Ｒの端部の側方に、前記ゲート配線１３，１３Ｒと、前記ゲート絶縁膜７と、前記ドレイン電極１２を前記ゲート配線１３，１３Ｒの上に張出させた張出し部１２ａとの積層膜からなるスペーサ受け部が形成されている。
【００３１】
また、前記書込み用データ配線１４とリセット用データ配線１４Ｒは、前記ゲート絶縁膜７の上に形成されており、前記書込み用データ配線１４は、各画素電極列の一側（図２及び図３において右側）にそれぞれ沿わせて設けられ、前記リセット用データ配線１４Ｒは、各画素電極列の他側（図２及び図３において左側）にそれぞれ沿わせて設けられている。
【００３２】
この書込み用データ配線１４とリセット用データ配線１４Ｒは、前記書込み用及びリセット用ＴＦＴ５，５Ｒのソース，ドレイン電極１１，１２と同じ金属膜により形成されており、前記書込み用ＴＦＴ５のドレイン電極１２は、前記書込み用データ配線１４に一体に形成され、前記リセット用ＴＦＴ５Ｒのドレイン電極１２は、前記リセット用データ配線１４Ｒに一体に形成されている。
【００３３】
なお、前記書込み用及びリセット用データ配線１４，１４Ｒは、その抵抗によるデータ信号及びリセット信号の電位降下をできるだけ小さくするため、前記書込み用及びリセット用ゲート配線１３，１３Ｒよりも厚く形成されている。
【００３４】
また、前記リセット用ゲート信号供給配線１５は、前記ゲート絶縁膜７の上に、前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により前記データ配線１４，１４Ｒと平行に形成されており、前記ゲート絶縁膜７に設けられたコンタクト孔において前記複数のリセット用ゲート配線１３Ｒに接続されている。
【００３５】
一方、前記リセット信号供給配線１６は、ＴＦＴ基板１の基板面に、前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により前記ゲート配線１３，１３Ｒと平行に形成されており、前記複数のリセット用データ配線１４Ｒは、前記ゲート絶縁膜７に設けられたコンタクト孔において前記リセット信号供給配線１６に接続されている。
【００３６】
そして、前記画素電極４は、前記ゲート絶縁膜７の上に形成されており、この画素電極４の書込み用ＴＦＴ５に隣接する縁部に前記書込み用ＴＦＴ４のソース電極１１が接続され、リセット用ＴＦＴ５Ｒに隣接する縁部に前記リセット用ＴＦＴ５Ｒのソース電極１１が接続されている。
【００３７】
さらに、前記ＴＦＴ基板１の内面には、静電気による書込み用及びリセット用ＴＦＴ５，５Ｒのゲート−ドレイン間の絶縁破壊や短絡を防ぐためのリング状配線１７と２端子の非線型抵抗素子からなる保護素子１８が設けられている。
【００３８】
前記リング状配線１７は、前記表示エリアＡを囲んで設けられており、前記保護素子１８は、前記表示エリアＡの外側に、複数の書込み用及びリセット用ゲート配線１３，１３Ｒと複数の書込み用及びリセット用データ配線１４，１４Ｒの各配線毎に、これらの配線１３，１３Ｒ，１４，１４Ｒと前記リング状配線１７の間に介在させて設けられている。
【００３９】
なお、前記リング状配線１７のうち、行方向に沿う配線、つまり書込み用及びリセット用ゲート配線１３，１３Ｒと平行な配線部１７ａは、ＴＦＴ基板１の基板面に前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成されており、列方向に沿う配線、つまり書込み用及びリセット用データ配線１４，１４Ｒと平行な配線部１７ｂは、前記ゲート絶縁膜７の上に前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成され、前記ゲート絶縁膜７に設けられたコンタクト孔において前記行方向に沿う配線部１７ａと接続されている。
【００４０】
また、前記保護素子１８は、その構造は図示しないが、例えば前記ゲート絶縁膜７の上に形成されたｉ型半導体膜と、このｉ型半導体膜の中央部の上に設けられたブロッキング絶縁膜と、前記ｉ型半導体膜の両側部の上にｎ型半導体膜を介して形成された一対の電極とからなる薄膜ダイオードであり、その一方の電極が前記リング状配線１７に接続され、他方の電極が、前記複数の書込み用及びリセット用ゲート配線１３，１３Ｒと前記複数の書込み用及びリセット用データ配線１４，１４Ｒのいずれかに接続されている。
【００４１】
また、前記ＴＦＴ基板１の内面の外周部には、前記枠状シール材３によるシール部に沿わせて、前記リング状配線１７と対向基板２の内面に設けられた対向電極３１とを基準電位に接続するための基準電位配線２４が設けられている。
【００４２】
この基準電位配線２４は、図２に示したように、横方向の端子配列部１ａに沿うシール部の書込み用ゲート配線１３及びリセット信号供給配線１６の導出領域よりも基板上縁側（縦方向の端子配列部１ｂとは反対側）の部分から前記基板上縁に沿うシール部の全長及び基板左縁（横方向の端子配列部１ａとは反対側）に沿うシール部の液晶注入口３ａよりも前記基板上縁側の部分にわたる部分と、前記横方向の端子配列部１ａ及び縦方向の端子配列部１ｂに沿うシール部の書込み用ゲート配線１３及びリセット信号供給配線１６の導出領域と書込み用データ配線１４の導出領域との間の部分との２つの部分にそれぞれ対応させて設けられている。
【００４３】
前記基準電位配線２４は、図５及び図６に示したように、前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により、外周縁が前記枠状シール材３によるシール部の外周縁付近に対応し、内周縁が前記シール部よりも内側に張出す幅に形成されており、その内周縁から延長されたリード部２４ａを介して前記リング状配線１７に接続され、外周縁から延長されたリード部２４ｂを介して前記横方向の端子配列部１ａに設けられた対向電極端子２５に接続されている。
【００４４】
また、前記ＴＦＴ基板１の内面には、図２に示したように、前記横方向の端子配列部１ａに沿うシール部の書込み用ゲート配線１３の導出領域とリセット信号供給配線１６の導出領域との間の部分と、前記縦方向の端子配列部１ｂに沿うシール部の書込み用データ配線１４の導出領域とリセット用ゲート信号供給配線１５の導出領域との間の部分と、前記縦方向の端子配列部１ｂ及び前記基板左縁に沿うシール部の書込み用データ配線１４の導出領域と前記液晶注入口３ａとの間の部分とにそれぞれ対応させて、前記基準電位配線２４のダミー配線２４´が設けられており、このダミー配線２４´も、前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により、前記基準電位配線２４と同じ幅に形成されている。
【００４５】
さらに、この液晶表示素子では、前記ＴＦＴ基板１の前記シール部の内面高さを一定レベルにし、前記枠状シール材３の基板接合時の潰れ量を全周にわたって均一にするために、前記ゲート絶縁膜７の上に、複数の書込み用ゲート配線１３及びリセット信号供給配線（ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜）１６の前記シール部と交差する部分にそれぞれ対応させて、前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成された高さ調整膜（図示せず）を設け、前記ＴＦＴ基板１の基板面に、複数の書込み用データ配線１４及びリセット用ゲート信号供給配線（データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜からなる配線）１５の前記シール部と交差する部分にそれぞれ対応させて、前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された高さ調整膜（図示せず）を設けるとともに、前記ＴＦＴ基板１の基板面に、前記基準電位配線２４とダミー配線２４´（データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜からなる配線）にそれぞれ対応させて、前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された高さ調整膜２６（図６参照）を設けている。
【００４６】
そして、この液晶表示素子では、前記基準電位配線２４及びダミー配線２４´の前記シール部よりも内側に張出す部分により、前記高さ調整膜２６と、前記ゲート絶縁膜７と、前記基準電位配線２４またはダミー配線２４´とからなる、前記書込み用及びリセット用ＴＦＴ５，５Ｒの側方の各スペーサ受け部と同じ高さのスペーサ受け部を形成している。
【００４７】
また、前記ＴＦＴ基板１の内面には、図２、図５及び図６に示したように、枠状シール材３によるシール部の外側の予め定めた領域、例えば基板上縁の端子配列部１ｂとは反対側の角部と、前記横方向と縦方向の端子配列部１ａ，１ｂ側の角部とに対応する２つの領域に、前記横方向の端子配列部１ａに設けられた対向電極端子２５に対向基板２の内面に設けられた対向電極３１を接続するためのクロス電極２７が設けられている。
【００４８】
このクロス電極２７は、前記ＴＦＴ基板１の基板面に前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された下層膜２７ａと、その上に前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成された上層膜２７ｂとからなる対向電極接続部を有している。
【００４９】
この実施例では、前記クロス電極２７の下層膜２７ａを、前記ＴＦＴ基板１の基板面に前記基準電位配線２４に対応させて設けた高さ調整膜２６と一体に形成するとともに、前記クロス電極２７の上層膜２７ｂを、前記基準電位配線２４と一体に形成し、このクロス電極２７を、前記基準電位配線２４及びその外周縁から延長された前記リード部２４ｂを介して前記対向電極端子２５に接続している。
【００５０】
前記クロス電極２７は、前記対向電極接続部よりもある程度大きい面積に形成されており、対向電極接続部は、前記下層膜２７ａ上のゲート絶縁膜７に開口を設け、その開口部において前記下層膜２７ａの上に前記下層膜２７ａを積層して形成されている。
【００５１】
そして、前記ＴＦＴ基板１の内面には、その全体に、前記複数の画素電極４及び前記クロス電極２７の対向電極接続部（下層膜２７ａと上層膜２７ｂの２層膜部）に対応する開口を設けたオーバーコート絶縁膜２８が形成され、その上に、枠状シール材３により囲まれた領域の略全体にわたって配向膜２９が形成されている。
【００５２】
なお、前記ＴＦＴ基板１の端子配列部１ａ，１ｂに設けられた各端子１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａ，２５は、前記クロス電極２７の対向電極接続部と同様に、ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された下層膜上にデータ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成された上層膜を積層した２層膜からなっており、前記オーバーコート絶縁膜２８に、これらの端子１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａ，２５に対応する開口を設けることにより露出されている。
【００５３】
一方、前記対向基板２の内面には、図３〜図６に示したように、枠状シール材３により囲まれた領域の略全体にわたって、前記ＴＦＴ基板１の複数の画素電極４にそれぞれ対応する複数の開口が設けられた金属膜（基板面に形成された酸化クロム膜とその上に形成されたクロム膜との積層膜）からなる遮光膜３０が形成されており、その上に、前記シール材３により囲まれた領域と略同じ外形を有し、前記ＴＦＴ基板１のクロス電極２７が設けられた角部に対応する２つの角部に、前記シール材３によるシール部の外側に突出するクロス電極接続部３１ａが一体に形成された対向電極３１が設けられている。
【００５４】
さらに、この対向基板２の内面には、前記遮光膜３０と対向電極３１との積層膜の上に、前記ＴＦＴ基板１の各ＴＦＴ５，５Ｒの側方のスペーサ受け部（ゲート配線１３，１３Ｒとゲート絶縁膜７とドレイン電極１２の張出し部１２ａの積層部）にそれぞれ対応させて形成された複数の表示エリア内スペーサ３２と、前記ＴＦＴ基板１の外周部に設けられた基準電位配線２４及びダミー配線２４´のシール部よりも内側に張出す部分に対応するスペーサ受け部（高さ調整膜２６とゲート絶縁膜７と基準電位配線２４またはダミー配線２４´の積層部）に対応させて前記表示エリア内スペーサ３２のピッチと同程度のピッチで形成された複数の表示エリア外スペーサ（図示せず）が設けられており、その上に、前記シール材３により囲まれた領域の略全体にわたって配向膜３３が形成されている。
【００５５】
なお、前記表示エリア内スペーサ３２と表示エリア外スペーサは、感光性樹脂からなる柱状スペーサであり、同じ厚さに形成されている。
【００５６】
そして、前記ＴＦＴ基板１と対向基板２は、対向基板２の表示エリア内スペーサ３２及び表示エリア外スペーサを、ＴＦＴ基板１の各ＴＦＴ５，５Ｒの側方のスペーサ受け部及び前記基準電位配線２４及びダミー配線２４´のシール部よりも内側に張出す部分に対応するスペーサ受け部の上のオーバーコート絶縁膜２８に、両基板１，２の内面の配向膜２９，３３を介して当接させることにより、各画素部の基板間ギャップ（配向膜２９，３３間の間隙）ｄを規定され、且つ、前記ＴＦＴ基板１のクロス電極２７の対向電極接続部と前記対向基板２の対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとを、導電性粒子３５が混入された樹脂からなるクロス材３４により接続されて、枠状シール材３を介して接合されており、これらの基板１，２間の前記枠状シール材３により囲まれた領域に液晶が封入されている。なお、図１において、３７は液晶注入口３ａの封止樹脂である。
【００５７】
この液晶表示素子は、例えば非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示素子であり、前記液晶層３６の液晶分子は、一方向に分子長軸を揃えて基板１，２面と実質的に平行に配向している。
【００５８】
この液晶表示素子は、ＴＦＴ基板１の内面のクロス電極２７の対向電極接続部を、前記ＴＦＴ基板１の基板面に前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された下層膜２７ａと、その上に前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成された上層膜２７ｂとからなる２層膜としているため、前記クロス電極２７の対向電極接続部と対向基板２の内面に設けられた対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとの間隔を十分に広くすることができ、したがって、前記クロス電極２７の対向電極接続部と前記対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとを、比較的大きい径の導電性粒子３５を混入したクロス材３４を用いて接続することができる。
【００５９】
この実施例の液晶表示素子は、画素部の基板間ギャップｄを１．５０μｍとしたものであり、前記ゲート配線１３，１３Ｒは０．２３μｍ、ゲート絶縁膜７は０．２５μｍ、データ配線１４，１４Ｒは０．４２５μｍ、画素電極４は０．０５μｍ、オーバーコート絶縁膜２８は０．２０μｍ、遮光膜３０は０．１７μｍ、対向電極３１は０．１４μｍ、配向膜２９，３３はそれぞれ０．０５μｍの膜厚に形成されている。
【００６０】
そして、この実施例では、前記表示エリア内スペーサ３２及び表示エリア外スペーサをそれぞれ０．５２５μｍの厚さに形成し、これらのスペーサをＴＦＴ基板１のスペーサ受け部上のオーバーコート絶縁膜２８に当接させることにより、前記画素部の基板間ギャップｄを１．５０μｍに規定している。
【００６１】
この液晶表示素子のＴＦＴ基板１と対向基板２の基板面間の間隔ｄ０は２．０４μｍ、前記クロス電極２７の対向電極接続部と前記対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとの間隔は、１．２４５μｍであり、したがって、前記クロス電極２７の対向電極接続部と前記対向電極３１のクロス電極接続部３１ａとを、直径が１．２４５μｍの導電性粒子３５を混入したクロス材３４を用いて接続することができる。
【００６２】
そのため、この液晶表示素子は、クロス接続部付近の画素部と他の領域の画素部の基板間ギャップｄに差を生じさせること無く、前記画素部の基板間ギャップｄを小さくすることができ、したがって、カラーフィルタを備えないアクティブマトリックス型のものでありながら、表示むらを発生させること無く画素部の液晶層厚を小さくし、応答速度を速くすることができる。
【００６３】
しかも、この液晶表示素子は、前記クロス電極２７の対向電極接続部を、前記ゲート配線１３，１３Ｒと同じ金属膜により形成された下層膜２７ａの上に前記データ配線１４，１４Ｒと同じ金属膜により形成された上層膜２７ｂを積層した２層膜としているため、この対向電極接続部の抵抗値を小さくすることができ、したがって、前記クロス電極２７と対向電極３１との接続抵抗を十分に小さくすることができる。
【００６４】
なお、上記実施例では、対向基板２の内面の遮光膜３０を、枠状シール材３により囲まれた領域の略全体にわたって設けているが、この遮光膜３０に対向電極３１のクロス電極接続部３１ａに重なる延長部を形成し、前記クロス電極接続部３１ａを二層膜としてもよい。
【００６５】
また、上記実施例の液晶表示素子は、書込み用とリセット用のＴＦＴ５，５Ｒを備えたものであるが、この発明は、リセット用ＴＦＴを備えないアクティブマトリックス型液晶表示素子にも適用することができ、また、非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示素子に限らず、例えばＴＮまたはＳＴＮ型液晶表示素子、強誘電性または反強誘電性液晶表示素子等のアクティブマトリックス液晶表示素子にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示素子の平面図。
【図２】前記液晶表示素子の一方の基板に設けられた画素電極及びＴＦＴと各種配線の等価回路的平面図。
【図３】前記液晶表示素子の表示エリアの一部分の拡大平面図。
【図４】図３のIV−IV線に沿う液晶表示素子の拡大断面図。
【図５】前記一方の基板のクロス電極形成部の拡大平面図。
【図６】図５のVI−VI線に沿う液晶表示素子の拡大断面図。
【符号の説明】
【００６７】
１，２…基板、３…枠状シール材、４…画素電極、５…書込み用ＴＦＴ、５Ｒ…リセット用ＴＦＴ、１３…書込み用ゲート配線、１３ａ…書込み用ゲート配線端子、１３Ｒ…リセット用ゲート配線、１４…書込み用データ配線、１４ａ…書込み用データ配線端子、１４Ｒ…リセット用ゲート配線、２５…対向電極端子、２７…クロス電極、２７ａ…下層膜、２７ｂ…上層膜、２８…オーバーコート絶縁膜、３０…遮光膜、３１…対向電極、３１ａ…クロス電極接続部、３２…スペーサ、３４…クロス材、３５…導電性粒子。
【図１】
2007025151.tif 000003
【図２】
2007025151.tif 000004
【図３】
2007025151.tif 000005
【図４】
2007025151.tif 000006
【図５】
2007025151.tif 000007
【図６】
2007025151.tif 000008