(57)【要約】【課題】基板が熱膨張した状態で欠陥検査を行っても正確な欠陥位置を得ることができ、生産効率を向上させることができるＰＤＰ用基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。【解決手段】基板上に誘電体層が形成されてなるＰＤＰ用基板２０を載せる検査台２１と、ＰＤＰ用基板２０に光を照射する照明手段（同軸落斜照明手段２９）と、この照明手段によってＰＤＰ用基板２０に光を照射したときの反射光を検出する受光手段２８と、受光手段２８で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出する欠陥検出手段（３４、３５）と、ＰＤＰ用基板２０の温度を検出する温度検出手段（光量−基板温度変換手段３１）と、この温度検出手段で検出した温度を用いて前記位置を補正して欠陥の補正位置を得る補正位置検出手段（３２、３３）と、欠陥のサイズと補正位置を用いて欠陥の良否判定を行う欠陥良否判定手段３６とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に誘電体層が形成されてなるＰＤＰ用基板を載せる検査台と、前記ＰＤＰ用基板に光を照射する照明手段と、前記照明手段によって前記ＰＤＰ用基板に光を照射したときの反射光を検出する受光手段と、前記受光手段で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出する欠陥検出手段と、前記ＰＤＰ用基板の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段で検出した温度を用いて前記位置を補正して前記欠陥の補正位置を得る補正位置検出手段と、前記欠陥のサイズと前記補正位置を用いて前記欠陥の良否判定を行う欠陥良否判定手段とを有することを特徴とするＰＤＰ用基板の欠陥検査装置。
【請求項２】
前記温度検出手段は、前記受光手段で検出したデータを用いて前記欠陥の周辺の正常な表面形状を有する領域からの反射光量を求め、その反射光量から前記ＰＤＰ用基板の温度を求める手段であることを特徴とする請求項１に記載のＰＤＰ用基板の欠陥検査装置。
【請求項３】
前記照明手段は、同軸落射照明手段または斜方照明手段のうち少なくとも一方を用いたものであることを特徴とする請求項１に記載のＰＤＰ用基板の欠陥検査装置。
【請求項４】
基板上に誘電体層が形成されてなるＰＤＰ用基板に光を照射し、そのときの反射光を受光手段で検出するステップと、前記受光手段で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出するステップと、前記ＰＤＰ用基板の温度を検出するステップと、前記温度を用いて前記位置を補正して前記欠陥の補正位置を得るステップと、前記欠陥のサイズと前記補正位置を用いて前記欠陥の良否判定を行うステップとを有することを特徴とするＰＤＰ用基板の欠陥検査方法。
【請求項５】
前記ＰＤＰ用基板の温度を検出するステップにおいて、前記受光手段で検出したデータを用いて前記欠陥の周辺の正常な表面形状を有する領域からの反射光量を求め、その反射光量から前記ＰＤＰ用基板の温度を求めることを特徴とする請求項４に記載のＰＤＰ用基板の欠陥検査方法。
【請求項６】
前記ＰＤＰ用基板への光の照射は、同軸落射照明または斜方照明のうち少なくとも一方を用いて行うことを特徴とする請求項４に記載のＰＤＰ用基板の欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の製造工程におけるＰＤＰ用基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＰＤＰは２枚のガラス基板（前面基板と背面基板）を貼りあわせた構造になっており、ガラス基板間に形成される放電空間にネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）等の希ガスを主体とする放電ガスを封入している。
【０００３】
前面基板上には、２つの表示電極からなる表示電極対が複数形成されており、表示電極を覆うように誘電体層が形成され、誘電体層上に保護層が形成されている。また、背面基板上には、アドレス電極が表示電極と直交するように複数形成され、アドレス電極を覆うように誘電体層が形成されている。さらに誘電体層上には隔壁および蛍光体層が形成されている。ＰＤＰは、各電極に所定の電圧を印加して放電空間で放電させ、放電に伴って発生する紫外線で蛍光体層を発光させて表示を行うものである。
【０００４】
ここで、前面基板上の表示電極を被覆する誘電体層は、通常、低融点鉛ガラスなどの粉末、バインダーおよび溶剤を含有するガラスペーストを調製し、これをスクリーン印刷またはダイコート塗布等によって、表示電極が形成された前面基板上に成膜し、その後、乾燥および焼成を行うことにより形成される。この誘電体層を形成するための誘電体層形成工程において、異物付着、誘電体層の一部欠落、誘電体層中に気泡が残留した欠陥が生じることがある。ここで異物付着は洗浄により、誘電体層の一部欠落はリペア処理により修正することが可能であるが、誘電体層中に存在する気泡により誘電体層の一部が突起になった場合には、修正は容易ではない。誘電体層中に存在する気泡の発生原因としては、ガラスペーストの印刷時あるいは塗布時に巻き込んで残留した気泡、ガラスペーストに予め巻き込まれ焼成時に発生した気泡、電極あるいはブラックストライプからの脱ガス等が考えられる。
【０００５】
このような誘電体層に発生する欠陥の検査方法が、特許文献１に記載されている。この検査方法では、表示電極および誘電体層を形成した前面基板を検査する際に、前面基板にほぼ垂直な方向から光束を照射するとともに、その照射光による検査領域からの散乱光を光学センサーで受け、この光学センサーからの検出信号に基づいて前面基板上に形成された誘電体層の欠陥を検出するものであり、前面基板の検査領域に照射する光束は、欠陥部分以外は反射により画像として白色として表示される強度としている。
【特許文献１】特開２００３−８６１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、誘電体層の欠陥検査を行う工程は熱処理工程（誘電体層形成工程における焼成工程）後であり、従来の検査方法では前面基板の温度が十分に低下してから欠陥検査を行う必要があった。すなわち、焼成工程において、前面基板の温度が常温よりも高い状態で前面基板を焼成炉から取り出すことが可能だが、その場合、前面基板を焼成炉から取り出してすぐに欠陥検査を行うと、前面基板が熱膨張した状態で欠陥検査を行うことになり、正確な欠陥位置が得られない。このため、従来の検査方法では、欠陥検査を行う前に、前面基板を放置して前面基板の温度が常温になるまで必要な時間（一例として１時間程度）をおく、あるいは、前面基板の温度が一定となるまで冷却するなどの対策が必要であり、製造ラインの稼働率を著しく低下させるという課題を有していた。
【０００７】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、基板が熱膨張した状態で欠陥検査を行っても正確な欠陥位置を得ることができ、生産効率を向上させることができるＰＤＰ用基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明は、基板上に誘電体層が形成されてなるＰＤＰ用基板を載せる検査台と、前記ＰＤＰ用基板に光を照射する照明手段と、前記照明手段によって前記ＰＤＰ用基板に光を照射したときの反射光を検出する受光手段と、前記受光手段で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出する欠陥検出手段と、前記ＰＤＰ用基板の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段で検出した温度を用いて前記位置を補正して前記欠陥の補正位置を得る補正位置検出手段と、前記欠陥のサイズと前記補正位置を用いて前記欠陥の良否判定を行う欠陥良否判定手段とを有することを特徴とするＰＤＰ用基板の欠陥検査装置である。
【０００９】
また、本発明は、基板上に誘電体層が形成されてなるＰＤＰ用基板に光を照射し、そのときの反射光を受光手段で検出するステップと、前記受光手段で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出するステップと、前記ＰＤＰ用基板の温度を検出するステップと、前記温度を用いて前記位置を補正して前記欠陥の補正位置を得るステップと、前記欠陥のサイズと前記補正位置を用いて前記欠陥の良否判定を行うステップとを有することを特徴とするＰＤＰ用基板の欠陥検査方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、熱による基板の伸縮が発生した状態で検査しても正確な欠陥位置を得ることができ、ガラス基板温度が一定となるまで冷却する、時間が経過するまで待つなどの対策を行うことなく、検査設備のコストアップや製造ラインの稼働率を著しく低下させずに、欠陥検査の高精度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。まず、ＰＤＰの構造について説明する。
【００１２】
図１にはＡＣ（交流）型カラーＰＤＰの一例を断面図で示しており、図１（ｂ）は図１（ａ）の断面と直交する面で切った断面図である。ガラス基板である前面基板１上には、透明電極２とバス電極３とからなる表示電極４が複数形成されており、２つの表示電極４が表示電極対を構成する。そして、表示電極４を覆うように誘電体層５が形成され、誘電体層５上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層６が形成されている。また、ガラス基板である背面基板７上には、ストライプ状のアドレス電極８が表示電極４と直交するように複数形成され、アドレス電極８を覆うように誘電体層９が形成されている。さらに誘電体層９上には、アドレス電極８に平行な隔壁１０と表示電極４に平行な隔壁１１とが形成され、誘電体層９上の隔壁１０と隔壁１１とで囲まれた空間には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層１２が形成されている。アドレス電極８は隔壁１０間に位置しており、隔壁１１は表示電極対間に位置している。
【００１３】
そして、前面基板１と背面基板７とを対向配置して周囲を封着し、前面基板１と背面基板７との間に形成される放電空間にネオン、キセノンなどの希ガスを主体とする放電ガスを封入してＰＤＰを構成している。
【００１４】
表示を行う最小単位である放電セルは、表示電極対を構成する２本の表示電極４と１本のアドレス電極８の立体交差部であって、隔壁１０および隔壁１１で囲まれた領域に形成される。この放電セルの２本の表示電極４のうち、一方の表示電極４に走査パルスを印加すると同時にアドレス電極８にアドレスパルスを印加して表示させる放電セルを選択した後、２本の表示電極４間に交流電圧を印加し、放電によって生じる紫外線により蛍光体層１２を発光させ、前面基板１を透過する光で画像表示を行うものである。
【００１５】
ＰＤＰの製造手順は、前面基板１、背面基板７ともに一般的には各基板に近い層である下層から順番に積層していく。例えば前面基板１では、透明電極２、バス電極３、誘電体層５、保護層６の順に形成する。電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、スクリーン印刷法、コーティング法、フィルムラミネート法等によってガラス基板上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングする方法と、スクリーン印刷あるいはオフセット印刷によりパターニングする方法とがある。また隔壁１０、１１の形成方法としてサンドブラスト法、あるいは感光性ペースト成膜後にリソグラフィーによりパターニングする方法等がある。蛍光体層１２の形成方法としては、スクリーン印刷等により隔壁の間にＲ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体ペーストを選択的に充填する方法等がある。
【００１６】
ここで、表示電極４を被覆する誘電体層５は、通常低融点鉛ガラスなどの粉末、バインダーおよび溶剤を含有するガラスペースト組成物を調製し、これをスクリーン印刷またはダイコート塗布等によって、表示電極４が形成された前面基板１上に成膜し、その後、乾燥および焼成を行うことにより形成される。この誘電体層５を形成した後、誘電体層５の表面状態について欠陥検査を行うが、その方法について以下に説明する。
【００１７】
図２は本発明の実施の形態１による欠陥検査装置の概略構成図である。図２に示すように欠陥検査装置は、検査対象の基板（ＰＤＰ用基板）２０を載せるための検査台２１と、基板２０の表面の状態を検出する表面状態検出部２２と、検出部走査手段２３と、欠陥良否判定部２４とを有している。ここで、基板２０は、前面基板１上に表示電極４および誘電体層５を形成した基板であり、誘電体層５を形成するための熱処理工程を行った後の基板である。
【００１８】
表面状態検出部２２は対物レンズ２５、光源２６、ハーフミラー２７およびラインセンサー（受光手段）２８により構成されている。光源２６から放射された光をハーフミラー２７で反射して基板２０に光を当て、そのときの反射光を、対物レンズ２５を介してハーフミラー２７を通過させてラインセンサー２８で検出する。光源２６およびハーフミラー２７は、検査対象の基板２０に光を照射するための照明手段であり、ラインセンサー２８と同じ方向から基板２０に光を照射している。すなわち、光源２６およびハーフミラー２７は、基板２０に対していわゆる同軸落射照明を行っており、同軸落射照明手段２９を構成している。
【００１９】
欠陥良否判定部２４は、データ記憶手段３０、光量−基板温度変換手段３１、基板温度−欠陥位置補正手段３２、欠陥位置検出手段３３、光量−欠陥検出手段３４、光量−欠陥サイズ変換手段３５および欠陥良否判定手段３６により構成されている。
【００２０】
次に、本発明の実施の形態１に係る欠陥検査方法について図面を参照して説明する。
【００２１】
まず、検査対象の基板２０を検査台２１上にセットする。この基板２０は、前面基板１上に表示電極４および誘電体層５を形成した基板であり、誘電体層５を形成するための熱処理工程を行い焼成炉から取り出した後、直ぐに、あるいは長時間が経過することなく基板２０を検査台２１上にセットする。このとき、基板２０の温度は常温よりも高い温度となっており、基板２０は熱膨張した状態である。
【００２２】
次に、基板２０の外観について表面状態検出部２２と欠陥良否判定部２４により検査を行う（外観検査）。ラインセンサー２８を用いて基板２０の誘電体層５の表面状態を光学的に検査する方法は、基板２０の表面に存在する突起部分の反射光量とその他の平坦な部分の反射光量との差が生じることを利用した方法である。
【００２３】
まず同軸落射照明手段２９により基板２０を照明し、基板２０の照明された面からの反射光を、対物レンズ２５を介してラインセンサー２８に検出する。このとき、図３（ａ）に示すように誘電体層５の表面に突起部４０があれば、その突起部４０の部分では光束が乱反射するのに対し、正常部４１では光束が正反射する。ここで正常部４１は、誘電体層５の表面が平坦に形成されており望ましい形状となっている領域である。そのため突起部４０は正常部４１よりも相対的に低い階調の画像が得られる。なお、この突起部４０は誘電体層５内に気泡４２が存在することによって形成されたものである。
【００２４】
次に、ラインセンサー２８で検出した画像に対し、光量−欠陥検出手段３４により画像処理用ＰＣノイズ除去フィルター等の画像処理および２値化処理を行うと、図３（ｂ）に示すような画像が得られる。すなわち、正常部４１に対応する第１画像領域４３では明るく、突起部４０の部分に対応する第２画像領域４４では第１画像領域４３に比べて暗い画像が得られ、第２画像領域４４の部分に欠陥である突起部４０が存在することが特定される。
【００２５】
このようにしてラインセンサー２８で検出した光学像または光量に基づいて光量−欠陥検出手段３４により欠陥（突起部４０）を特定し、光量−欠陥サイズ変換手段３５により突起部４０のサイズ（例えば直径と面積）を計算する。特定された突起部４０の位置（欠陥位置）は、前面基板１上の所定の位置、例えば背面基板７との組み合わせ時に使用するアライメントマークを原点にした座標系における位置データとしてデータ記憶手段３０に保存される。欠陥位置は突起部４０を特定したときのラインセンサー２８の位置情報から得ることが可能であり、表面状態検出部２２の位置を制御している検出部走査手段２３から前記位置データが得られる。このように、光量−欠陥検出手段３４および光量−欠陥サイズ変換手段３５は、ラインセンサー２８で検出したデータを用いて欠陥のサイズと位置を検出する欠陥検出手段である。
【００２６】
次に、欠陥位置の補正を行う。欠陥が検出されたとき、その欠陥の周辺部の領域における基板２０の温度（基板温度）を光量−基板温度変換手段（温度検出手段）３１により検出し、検出した基板温度から基板温度−欠陥位置補正手段３２により欠陥位置の補正を行う。そして、欠陥位置検出手段３３で検査時の基板温度を考慮した欠陥位置を検出することにより、基板温度が常温のときの欠陥位置が得られる。このように、基板温度−欠陥位置補正手段３２および欠陥位置検出手段３３は、光量−基板温度変換手段３１で検出した温度を用いて欠陥の位置を補正して欠陥の補正位置を得る補正位置検出手段である。
【００２７】
ここで、光量−基板温度変換手段３１による基板温度の検出は、例えば次の方法により行う。この方法は、誘電体層５の屈折率の温度特性による反射光量の変化を利用するものである。
【００２８】
まず、検査対象の基板２０と同じ構成の基板を用い、その基板に光を照射したときの基板上の所定面積を有する領域からの反射光量を測定する。この反射光量の測定を、基板の温度を変えて行い、反射光量のリファレンスデータとして蓄積する。そのリファレンスデータを用いて、基板の温度と基板の反射光量との関係を変換テーブルあるいは演算式にして取得する。このようにして、基板の温度と基板の反射光量との関係をあらかじめ求めておく。
【００２９】
そして、ラインセンサー２８で検出した画像に対し、光量−欠陥検出手段３４により画像処理用ＰＣノイズ除去フィルター等の画像処理を行った画像を用いて、欠陥周辺の正常部の領域（リファレンスデータを取得したときの領域と同じ面積を有する領域）の反射光量を求める。この反射光量に対応する基板の温度を、前述の変換テーブルあるいは演算式を用いて求めることにより、検査対象の基板２０の基板温度を検出する。
【００３０】
また、基板温度−欠陥位置補正手段３２による欠陥位置の補正は、例えば次の方法により行う。まず、検査対象の基板２０と同じ構成の基板を用い、その基板の温度を変化させて各温度における基板の膨張量を求め、リファレンスデータとして蓄積する。そのリファレンスデータを用いて、基板の温度と基板の膨張量との関係を変換テーブルあるいは演算式にして取得する。このようにして、基板の温度と基板の膨張量との関係をあらかじめ求めておく。そして、基板温度−欠陥位置補正手段３２により、検出された基板２０の基板温度に対応する膨張量を、前述の変換テーブルあるいは演算式を用いて求め、欠陥位置を補正して欠陥の補正位置を得る。
【００３１】
以上のようにして検出した欠陥のサイズと補正位置を用いて、欠陥良否判定手段３６により、検出した欠陥が許容できるものであるか否かの判定を行う。ここで、欠陥が同じサイズであっても、欠陥が存在する位置によって良否判定が分かれる場合がある。例えば、隔壁１０、１１と接触する位置に存在する欠陥が問題になる場合であっても、その欠陥と同じサイズの欠陥が隔壁１０、１１と接触しない位置（例えば放電セルの中央部）に存在すれば問題にならないことがある。このように、ＰＤＰの誘電体層５の欠陥の良否判定においては、欠陥のサイズだけでなく欠陥位置も重要な判定基準であり、欠陥位置を正確に検出することが必要である。
【００３２】
本実施の形態では、基板温度を検出して欠陥位置を補正しているので、熱処理工程後の基板が熱膨張した状態で欠陥検査を行っても、基板温度が常温での正確な欠陥位置を検出することができる。このため、高精度の検査を行うことができ、また基板温度が常温になるまで待つことなく検査を行うことができるので、検査時間を短縮することができる。したがって、製造ラインの稼働率を著しく低下させることなく、効率よくＰＤＰを製造することができる。
【００３３】
図４は本発明の実施の形態２による欠陥検査装置の概略構成図であり、図２に示した構成と同じものは同じ符号で示している。図４に示すように欠陥検査装置は、検査対象の基板２０を載せるための検査台２１と、基板２０の表面の状態を検出する表面状態検出部４５と、検出部走査手段２３と、欠陥良否判定部２４とを有しており、図２に示した欠陥検査装置と異なる点は表面状態検出部４５の構成である。
【００３４】
表面状態検出部４５は対物レンズ２５、ラインセンサー２８および光源４６ａ、４６ｂにより構成されている。光源４６ａ、４６ｂは基板２０に光を照射するための照明手段であり、基板２０に対して斜め方向から光を照射する斜方照明手段４７を構成している。光源４６ａ、４６ｂを用いて基板２０の法線方向に対して角度（照射角度）４５°の方向から基板２０に光を照射し、そのときの反射光を、対物レンズ２５を介してラインセンサー２８で検出する。
【００３５】
ラインセンサー２８で検出した光学像または光量を用いて、実施の形態１で説明したのと同様の方法により欠陥のサイズと補正位置を検出し、これらを所定の判定基準と比較して、その欠陥が許容できるものであるか否かを判定する。ここで、実施の形態２では斜方照明手段４７を用いており、ラインセンサー２８で検出したデータを画像処理することにより、図３（ａ）に示した気泡４２のエッジ部分を顕在化させ、気泡４２が画像として抽出される。
【００３６】
図５は本発明の実施の形態３による欠陥検査装置の概略構成図であり、図２に示した構成と同じものは同じ符号で示している。図５に示すように欠陥検査装置は、検査対象の基板２０を載せるための検査台２１と、基板２０の表面の状態を検出する表面状態検出部４８と、検出部走査手段２３と、欠陥良否判定部２４とを有しており、図２に示した欠陥検査装置と異なる点は表面状態検出部４８の構成である。
【００３７】
表面状態検出部４８は対物レンズ２５、光源２６、ハーフミラー２７、ラインセンサー２８および光源４６ａ、４６ｂにより構成されている。光源２６およびハーフミラー２７は、ラインセンサー２８と同じ方向から基板２０に光を照射する同軸落射照明手段２９を構成しており、光源２６から放射された光をハーフミラー２７で反射して基板２０に光を照射し、そのときの反射光を、対物レンズ２５を介してラインセンサー２８で検出する。また光源４６ａ、４６ｂは、基板２０に対して斜め方向から光を照射する斜方照明手段４７を構成しており、光源４６ａ、４６ｂを用いて、基板２０の法線方向に対して角度（照射角度）４５°の方向から基板２０に光を照射し、そのときの反射光を、対物レンズ２５を介してラインセンサー２８で検出する。
【００３８】
そして、ラインセンサー２８で検出した光学像または光量を用いて、実施の形態１で説明したのと同様の方法により欠陥のサイズと補正位置を検出し、これらを所定の判定基準と比較して、その欠陥が許容できるものであるか否かを判定する。
【００３９】
上記の実施の形態２または実施の形態３においても、実施の形態１と同様に基板温度を検出して欠陥位置を補正しているので、熱処理工程後の基板が熱膨張した状態で欠陥検査を行っても、基板温度が常温での正確な欠陥位置を検出することができる。このため、高精度の検査を行うことができ、また基板温度が常温になるまで待つことなく検査を行うことができるので、検査時間を短縮することができる。したがって、製造ラインの稼働率を著しく低下させることなく、効率よくＰＤＰを製造することができる。
【００４０】
なお、上記の各実施の形態では、検査装置の反射光受光手段としてラインセンサー２８を用いているが、他のセンサー、例えば通常のＣＣＤカメラやＴＤＩ（時間遅延積分）カメラなどを使用してもよいし、ラインセンサー２８においても１個あるいは複数用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上のように本発明によれば、ＰＤＰの製造工程においてＰＤＰ用基板の欠陥検査に要する時間を短縮することができるので、特にＰＤＰの大量生産を行う際のＰＤＰ用基板の欠陥検査として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（ａ）、（ｂ）はＰＤＰの一部を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における欠陥検査装置の概略構成図
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態１における検査を説明するための図
【図４】本発明の実施の形態２における欠陥検査装置の概略構成図
【図５】本発明の実施の形態３における欠陥検査装置の概略構成図
【符号の説明】
【００４３】
２０  基板（ＰＤＰ用基板）
２１  検査台
２２  表面状態検出部
２３  検出部走査手段
２４  欠陥良否判定部
２８  ラインセンサー（受光手段）
２９  同軸落斜照明手段
３０  データ記憶手段
３１  光量−基板温度変換手段（温度検出手段）
３２  基板温度−欠陥位置補正手段
３３  欠陥位置検出手段
３４  光量−欠陥検出手段
３５  光量−欠陥サイズ変換手段
３６  欠陥良否判定手段
４７  斜方照明手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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