(57)【要約】【課題】記録コイルの絶縁性を確保しつつ、熱膨張による記録素子部の突出を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】記録媒体との対向面では所定ギャップ間隔をあけて対向し、該媒体対向面よりもハイト方向奥側で互いに接続された一対の磁性層と、この一対の磁性層間に位置し、該一対の磁性層の接続部の周囲に巻回されたスパイラル状の記録コイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、記録コイルには一対の磁性層の接続部よりも媒体対向面側にハイト方向奥側よりもピッチ間隔を狭くしたコイル密集部を設け、このコイル密集部の各コイル間を埋めるように有機絶縁層を局所的に形成し、コイル密集部以外の各コイル間は無機絶縁層によって埋める。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面では所定ギャップ間隔をあけて対向し、該媒体対向面よりもハイト方向奥側で互いに接続された一対の磁性層と、この一対の磁性層間に位置し、該一対の磁性層の接続部の周囲に巻回されたスパイラル状の記録コイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録コイルは、前記一対の磁性層の接続部よりも媒体対向面側に、ハイト方向奥側よりもピッチ間隔を狭くしたコイル密集部を有しており、
このコイル密集部の各コイル間を埋めるように有機絶縁層が局所的に形成され、コイル密集部以外の各コイル間は無機絶縁層によって埋められていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録コイルの膜厚ｔ、ピッチ間隔をｗとしたとき、前記コイル密集部のアスペクト比ｔ／ｗは１以上である薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録コイルの膜厚をｔ、ピッチ間隔をｗとしたとき、前記有機絶縁層は前記記録コイルのアスペクト比ｔ／ｗが１以上となる領域に形成され、前記無機絶縁層は前記記録コイルのアスペクト比ｔ／ｗが１未満となる領域に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記有機絶縁層は、媒体対向面側に向かってトラック幅方向の寸法が広がる扇形状に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録コイル層は、前記一対の磁性層の接続部よりもハイト方向奥側の断面積が媒体対向面側の断面積よりも大きく形成されている薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパイラル状の記録コイルを備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面では所定のギャップ間隔をあけて対向し、媒体対向面よりもハイト方向奥側で互いに接続された一対の磁性層と、この一対の磁性層の接続部の周囲に巻回され、該一対の磁性層に記録磁界を誘導する記録コイルと、媒体対向面で一対の磁性層の間に位置する磁気ギャップ層とを有する記録素子部を備え、一対の磁性層からの漏れ磁界により磁気情報を記録媒体に記録する。記録コイルは、近年の高記録密度化に伴ってヨーク長が小さくなることから該ピッチ間隔が非常に狭く設定され、また、コイル抵抗を下げるためにアスペクト比が高く設定されるようになってきた。このため、例えばアルミナ等の無機絶縁材料を用いて記録コイルを絶縁しようとすると、記録コイルの各コイル線間を無機絶縁材料で完全に埋めることができず、巣ができてしまう。そこで従来では、流動性のある有機絶縁材料（レジスト）で記録コイルを全面的に覆い、各コイル線間の絶縁を確実にしていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３０３４０５号公報
【特許文献２】特開２００１―６０３０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レジストはアルミナ等の無機絶縁材料に比べて熱膨張係数が高いため、記録コイルの発熱により大きく膨張し、記録素子部を記録媒体側へ突出させてしまうことが問題となっている。記録素子部が突出すると、該記録素子部が記録媒体に接触して記録媒体を傷つけたり、記録素子部自体を損傷する危険性も高くなる。
【０００５】
本発明は、記録コイルの絶縁性を確保しつつ、熱膨張による記録素子部の突出を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、レジストよりも熱膨張係数の低い無機絶縁材料を用いれば記録素子部の熱膨張が緩和されること、記録コイルのピッチ間隔を広く設定すれば無機絶縁材料によって記録コイルの絶縁を図れること、及び、ハイト方向奥側では記録コイルのピッチ間隔を広げても記録性能に影響がないことに着目して完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、記録媒体との対向面では所定ギャップ間隔をあけて対向し、該媒体対向面よりもハイト方向奥側で互いに接続された一対の磁性層と、この一対の磁性層間に位置し、該一対の磁性層の接続部の周囲に巻回されたスパイラル状の記録コイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、記録コイルは、一対の磁性層の接続部よりも媒体対向面側に、ハイト方向奥側よりもピッチ間隔を狭くしたコイル密集部を有しており、このコイル密集部の各コイル間を埋めるように有機絶縁層が局所的に形成され、コイル密集部以外の各コイル間は無機絶縁層によって埋められていることを特徴としている。
【０００８】
記録コイルの膜厚ｔ、ピッチ間隔をｗとしたとき、コイル密集部のアスペクト比ｔ／ｗは１以上であることが実際的である。よって、有機絶縁層は記録コイルのアスペクト比ｔ／ｗが１以上となる領域に形成され、無機絶縁層は前記記録コイルのアスペクト比ｔ／ｗが１未満となる領域に形成されることが好ましい。別言すれば、有機絶縁層は、媒体対向面側に向かってトラック幅方向の寸法が広がる扇形状に形成されていることが好ましい。
【０００９】
記録コイル層は、コイル抵抗の増大を防止すべく、一対の磁性層の接続部よりもハイト方向奥側の断面積が媒体対向面側の断面積よりも大きく形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、記録コイルの絶縁性を確保しつつ、熱膨張による記録素子部の突出を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図においてＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向及び記録媒体の移動方向で定義される。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ１の積層構造を素子中央で切断して示す部分断面図である。薄膜磁気ヘッドＨ１は、スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂに薄膜を積層してなる再生部Ｒと記録部Ｗ１を有する垂直磁気記録ヘッドである。再生部Ｒは磁気抵抗効果を利用して記録媒体Ｍからの磁気情報を読み出し、記録部Ｗ１は記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与えることで記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させて記録動作する。
【００１３】
記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１００の媒体対向面１００ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００１４】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの非磁性絶縁材料による保護層１０１が形成され、この保護層１０１の上に、再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋めるギャップ絶縁層１０４と、このギャップ絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００１５】
上部シールド層１０５の上には、アルミナやＳｉＯ2等からなる絶縁層１０６を介して、記録部Ｗ１が積層されている。記録部Ｗ１は、記録媒体との対向面（以下、単に媒体対向面Ｆという）で所定間隔をあけて対向する一対の磁性層（主磁極層１１０、補助磁極層（リターンヨーク層）１１８）と、磁気的に主磁極層１１０の一部として機能する補助ヨーク層１０９と、媒体対向面側で主磁極層１１０と補助磁極層１１８の間に介在する磁気ギャップ層１１３と、主磁極層１１０及び補助磁極層１１８に記録磁界を与える記録コイルＣとを有している。
【００１６】
補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料で該主磁極層１１０の直下に形成されている。主磁極層１１０は、この補助ヨーク層１０９と絶縁層１０６からなる平坦面上にメッキ下地層を介して形成され、媒体対向面Ｆから図示Ｙ方向に所定の長さを有し、且つ、媒体対向面Ｆに露出する先端面１１０ａの図示Ｘ方向の寸法が記録トラック幅Ｔｗに規定されている。主磁極層１１０は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料からなる。
【００１７】
磁気ギャップ層１１３は、主磁極層１１０及びその周囲（主磁極層１１０の図示Ｘ方向の両側及び図示Ｙ方向の後方）を埋める絶縁材料層１１１の上に形成されている。絶縁材料層１１１はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの非磁性絶縁材料からなり、磁気ギャップ層１１３は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｕ、Ｒｕなどの非磁性材料からなる。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１７が形成されている。媒体対向面Ｆからスロートハイト決め層１１７の前端縁までの距離により、薄膜磁気ヘッドＨ１のスロートハイトが規定される。
【００１８】
補助磁極層１１８は、パーマロイ等の強磁性材料により、磁気ギャップ層１１３及びスロートハイト決め層１１７の上からハイト方向奥側にかけて形成されている。この補助磁極層１１８は、媒体対向面Ｆに露出する先端面１１８ａで所定のギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向し、媒体対向面Ｆよりもハイト方向奥側に位置する接続部１１８ｂで主磁極層１１０に接続している。補助磁極層１１８の平面的な大きさ（ヨーク長）は、高記録密度化に対応できるように（記録電流の周波数を高くしたときにノイズ抑制できるように）、小さく設定されている。補助磁極層１１８の上面は表面保護層１２０で覆われている。
【００１９】
記録コイルＣは、主磁極層１１０と補助磁極層１１８の間に介在し、補助磁極層１１８の接続部１１８ｂの周りに巻回されたスパイラル状の平面コイルである。この記録コイルＣは、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料から形成されている。
【００２０】
上記構成を有する薄膜磁気ヘッドＨ１は、記録コイルＣとその絶縁態様に特徴を有している。以下では、図１〜図３を参照し、記録コイルＣ及びその周辺構造について詳細に説明する。
【００２１】
図２及び図３は記録コイルＣを上方から見て示す平面図である。記録コイルＣは、上述したように補助磁極層１１８の接続部１１８ｂを基点にして巻かれていて、該接続部１１８ｂよりも媒体対向面側とハイト方向奥側とでコイル間隔ｗ（ｗ１、ｗ２）が異なり、接続部１１８ｂよりも媒体対向面Ｆ側にコイル密集部Ｃ１が形成されている。コイル密集部Ｃ１となる領域の大きさは、記録コイルＣの膜厚ｔ（膜厚一定）に応じて異なり、図２及び図３に示すようにコイル膜厚ｔが大きくなるほど拡がる。図２はコイル膜厚１．５μｍのときを示し、図３はコイル膜厚２．５μｍのときを示している。コイル膜厚ｔは適宜設定可能である。
【００２２】
コイル密集部Ｃ１は、ハイト方向奥側よりもコイル間隔ｗを狭くした曲線状の複数のコイル線から構成される。複数のコイル線は、各々のアスペクト比ｔ／ｗ（ｔ；コイル膜厚、ｗ；コイル間隔）が１を超えており、接続部１１８ｂから媒体対向面Ｆ側に向かうほどトラック幅方向の寸法が広がっている。このコイル密集部Ｃ１でのコイル間隔ｗ１はヨーク長に応じて規定されるもので、記録密度を上げるためにヨーク長が小さく設定される近年では、コイル密集部Ｃ１のコイル間隔ｗ１も狭小化されている。
【００２３】
記録コイルＣはまた、図１に示されるように、コイル密集部Ｃ１のコイル線の断面積Ｓ１よりもハイト方向奥側に位置するコイル線の断面積Ｓ２が大きく形成されている。ハイト方向奥側のコイル間隔ｗ２をコイル密集部Ｃ１のコイル間隔ｗ１よりも拡げたので一定のコイル間隔ｗ１でコイル線を巻く場合よりも記録コイルＣの全長は延びるが、ハイト方向奥側の断面積Ｓ２を大きくすることで、記録コイルＣの直列電気抵抗の増大を抑えられる。記録コイルＣのコイル抵抗が抑えられれば、記録コイルＣの発熱量も抑制されるので、記録部Ｗ１の熱膨張を小さく抑制できる。
【００２４】
上記記録コイルＣにおいて、コイル密集部Ｃ１の各コイル間は、例えばレジストのような、形成時に流動性のある有機絶縁層２０で隙間なく埋められている。有機絶縁層２０はコイル密集部Ｃ１のみ局所的に形成されており、本実施形態ではコイル密集部Ｃ１の領域と有機絶縁層２０の形成領域が一致している。一方、コイル密集部Ｃ１以外での各コイル間、すなわち、記録コイルＣのアスペクト比ｔ／ｗが１以下となる領域での各コイル間は、例えばアルミナやＳｉＯ2等の無機絶縁層３０によって埋められている。無機絶縁層３０は、記録コイルＣのコイル密集部Ｃ１の各コイル間にのみ有機絶縁層２０を塗布した後、スパッタ成膜法を用いて記録コイルＣの上に全面的に形成されてなる。この無機絶縁層３０は、コイル密集部Ｃ１以外の各コイル間を埋めるだけでなく、記録コイルＣ全体の上面を覆って形成されている。無機絶縁層３０の上面は、ＣＭＰ加工によって平坦化されている。
【００２５】
ここで、記録コイルＣのアスペクト比ｔ／ｗが１以下であれば、巣を生じさせることなく、記録コイルＣのコイル間を完全に埋める無機絶縁層３０を形成できることを本発明者らは実験的に知見している。
【００２６】
図４は、異なる膜厚ｔ及びコイル間隔ｗで形成した記録コイルＣを準備し、各記録コイルＣのコイル間に、無機絶縁層を同一条件でスパッタ成膜したときの成膜状態を調べた結果を示している。図４において、▲印は成膜した無機絶縁層３０に巣が生じている場合を、■印は成膜した無機絶縁層３０に巣が生じていない場合をそれぞれ示している。図４からも明らかなように、記録コイルＣのアスペクト比ｔ／ｗが１以上の場合には無機絶縁層３０に巣が生じてコイル間の絶縁が不十分となり、同アスペクト比ｔ／ｗが１未満の場合には無機絶縁層３０でコイル間を完全に埋めることができる。なお、記録コイルＣのアスペクト比ｔ／ｗを小さくすれば無機絶縁層３０を良好に成膜可能であるが、媒体対向面Ｆ側のコイル間隔ｗ１を大きくするとヨーク長も大きくせざるを得ず、高記録密度化の妨げになる。
【００２７】
周知のように例えばレジストからなる有機絶縁層２０は、例えばアルミナからなる無機絶縁層３０に比べて熱膨張係数が大きい。よって、本実施形態のように記録コイルＣのコイル間を埋める絶縁層として有機絶縁層２０と無機絶縁層３０を使いわければ、記録コイルＣを有機絶縁材料で全面的に覆う場合よりも有機絶縁層２０で覆われる領域が減るので、記録部Ｗ１の熱膨張を減少させることができる。また、有機絶縁層２０の形成領域を上述した実験的知見に基づき記録コイルＣのアスペクト比ｔ／ｗで規定すれば、該有機絶縁層２０の形成領域を最小限に抑えることができ、もっとも効率的に記録部Ｗ１の熱膨張を減少させることができる。これにより、記録コイルＣの絶縁性を確保しつつ、記録部Ｗ１の突出を抑制可能である。また、図２及び図３に示すように、有機絶縁層２０のコイル間側端部は連続した凹凸状であり、この有機絶縁層２０の形成領域を最小限に抑えることができる。有機絶縁層２０のコイル間側端部は、図６及び図７に示すように直線状であってもよい。
【００２８】
本実施形態では記録コイルＣが単層構造で形成されているが、複数のコイル層を積層してなる多層構造の記録コイルにも本発明は適用可能である。多層構造の記録コイルに本発明を適用する場合は、記録コイルの各コイル層に対して本発明を適用しても、いずれかの層に対して本発明を適用してもよい。
【００２９】
図５〜図７は、第２実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ２を示している。第２実施形態の薄膜磁気ヘッドＨ２は、長手記録方式の記録部Ｗ２を備えている。この長手記録方式の記録部Ｗ２を備える以外の構成は第１実施形態と同一であり、図５〜図７では第１実施形態と同一の構成要素に対して図１と同一の符号を付してある。
【００３０】
記録部Ｗ２は、上部シールド層１０５の上にアルミナやＳｉＯ2等からなる絶縁層１０６を介して、積層されている。この記録部Ｗ２には、記録媒体Ｍとの対向面Ｆで所定間隔をあけて対向する一対の磁性層（下部コア層１５０及び上部コア層１５１）と、この下部コア層１５０と上部コア層１５１の間を埋める上部磁極層１５１ａ及び磁気ギャップ層１５２とが備えられている。下部コア層１５０及び上部コア層１５１はパーマロイ等の軟磁性材料で形成されている。下部コア層１５０の上には、磁気ギャップ層１５２のハイト方向後方に位置するギャップデプス層１５３と、ギャップデプス層１５３よりもさらにハイト方向後方に位置し、下部コア層１５０と上部コア層１５１を磁気的に接続する磁気接続部１５４とが形成されている。薄膜磁気ヘッドＨ２のギャップデプスは、磁気ギャップ層１５２のハイト方向の寸法に等しく、該磁気ギャップ層１５２のハイト方向の寸法はギャップデプス層１５３により規定されている。磁気ギャップ層１５２は非磁性絶縁材料で形成され、ギャップデプス層１５３はレジスト等の有機絶縁材料で形成されている。
【００３１】
また下部コア層１５０の上には、磁気接続部１５４の周りを囲んで螺旋状に巻かれた第１コイル層１５６と、該第１コイル層１５６の巻き方向とは逆向きで螺旋状に巻かれた第２コイル層１５８とで構成される二層構造の記録コイルが形成されている。第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。第１コイル層１５６はコイル絶縁下地層１５５を介して形成され、第２コイル層１５８はコイル絶縁下地層１５７を介して形成されている。第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８は、それぞれの巻き中心位置１５６ａ、１５８ａで接続されている。
【００３２】
第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８は巻き中心位置１５６ａ、１５８ａよりも媒体対向面Ｆ側とハイト方向奥側とでコイル間隔ｗ（ｗ１、ｗ２）が異なり、巻き中心位置１５６ａ、１５８ａよりも媒体対向面Ｆ側にコイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃが形成されている。コイル密集部部１５６Ｃ、１５８Ｃとなる領域の大きさは、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の膜厚ｔ（膜厚一定）に応じて異なり、コイル膜厚ｔが大きくなるほど拡がる。第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の平面形状は第１実施形態の記録コイルＣの平面形状とほぼ同様であり、図６はコイル膜厚１．５μｍのときを示し、図７はコイル膜厚２．５μｍのときを示している。コイル膜厚ｔは適宜設定可能である。
【００３３】
コイル密集部部１５６Ｃ、１５８Ｃは、ハイト方向奥側よりもコイル間隔ｗを狭くした曲線状の複数のコイル線から構成される。複数のコイル線は、各々のアスペクト比ｔ／ｗ（ｔ；コイル膜厚、ｗ；コイル間隔）が１を超えており、巻き中心位置１５６ａ、１５８ａから媒体対向面Ｆ側に向かうほどトラック幅方向の寸法が広がっている。このコイル密集部部１５６Ｃ、１５８Ｃでのコイル間隔ｗ１はヨーク長に応じて規定されるもので、記録密度を上げるためにヨーク長が小さく設定される近年では、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃのコイル間隔ｗ１も狭小化されている。
【００３４】
第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８はまた、図５に示されるように、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃのコイル線の断面積Ｓ１よりもハイト方向奥側に位置するコイル線の断面積Ｓ２が大きく形成されている。ハイト方向奥側のコイル間隔ｗ２をコイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃのコイル間隔ｗ１よりも拡げたので一定のコイル間隔ｗ１でコイル線を巻く場合よりも第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の全長は延びるが、ハイト方向奥側の断面積Ｓ２を大きくすることで、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の直列電気抵抗の増大を抑えられる。第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８のコイル抵抗が抑えられれば、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の発熱量も抑制されるので、記録部Ｗ２の熱膨張を小さく抑制できる。
【００３５】
上記第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８において、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃの各コイル間は、例えばレジストのような、形成時に流動性のある有機絶縁層２０で隙間なく埋められている。有機絶縁層２０はコイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃのみ局所的に形成されており、本実施形態ではコイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃの領域と有機絶縁層２０の形成領域が一致している。一方、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃ以外での各コイル間、すなわち、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８のアスペクト比ｔ／ｗが１以下となる領域での各コイル間は、例えばアルミナやＳｉＯ2等の無機絶縁層３０によって埋められている。無機絶縁層３０は、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃの各コイル間にのみ有機絶縁層２０を塗布した後、スパッタ成膜法を用いて第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８の上に全面的に形成されてなる。この無機絶縁層３０は、コイル密集部１５６Ｃ、１５８Ｃ以外の各コイル間を埋めるだけでなく、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８全体の上面を覆って形成されている。無機絶縁層３０の上面は、ＣＭＰ加工によって平坦化されている。記録コイルを構成する第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８のアスペクト比ｔ／ｗが１以下であれば、巣を生じさせることなく、第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８のコイル間を完全に埋める無機絶縁層３０を形成できる。
【００３６】
以上のように長手記録方式の記録部Ｗ２を備えた薄膜磁気ヘッドＨ２においても、記録コイル（第１コイル層１５６及び第２コイル層１５８）のコイル間を埋める絶縁層として有機絶縁層２０と無機絶縁層３０を使いわければ、記録コイルを有機絶縁材料で全面的に覆う場合よりも有機絶縁層２０で覆われる領域が減るので、記録部Ｗ２の熱膨張を減少させることができる。また、有機絶縁層２０の形成領域を第１実施形態と同様に記録コイルのアスペクト比ｔ／ｗで規定すれば、該有機絶縁層２０の形成領域を最小限に抑えることができ、もっとも効率的に記録部Ｗ２の熱膨張を減少させることができる。これにより、記録コイルの絶縁性を確保しつつ、記録部Ｗ２の突出を抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明を適用した垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図２】記録コイル（膜厚ｔ＝１．５μｍ）の上面図である。
【図３】記録コイル（膜厚ｔ＝２．５μｍ）の上面図である。
【図４】記録コイルの膜厚及びコイル間隔と、該記録コイルのコイル間にスパッタ成膜された無機絶縁層の成膜状態との関係を示すグラフである。
【図５】本発明を適用した長手磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図６】記録コイル（膜厚ｔ＝１．５μｍ）の上面図である。
【図７】記録コイル（膜厚ｔ＝２．５μｍ）の上面図である。
【符号の説明】
【００３８】
２０  有機絶縁層
３０  無機絶縁層
１０６  絶縁層
１１０  主磁極層
１１３  磁気ギャップ層
１１８  補助磁極層
１１８ａ  先端部
１１８ｂ  接続部
１５０  下部コア層
１５１  上部コア層
１５１ａ  上部磁極層
１５２  磁気ギャップ層
１５６  第１コイル層
１５６ａ  巻き中心位置
１５６Ｃ  コイル密集部
１５８  第２コイル層
１５８ａ  巻き中心位置
１５８Ｃ  コイル密集部
Ｃ１  コイル密集部
【図１】
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【図２】
2007265509.tif 000004
【図３】
2007265509.tif 000005
【図４】
2007265509.tif 000006
【図５】
2007265509.tif 000007
【図６】
2007265509.tif 000008
【図７】
2007265509.tif 000009