(57)【要約】【課題】      白表示時に色付きが生じるのを低減することが可能な液晶装置等を提供する。【解決手段】  液晶装置は、素子基板とカラーフィルタ基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶が封入されてなる。カラーフィルタ基板は、走査線やＲ、Ｇ、Ｂの各着色層などを有している一方、素子基板は、データ線、ＴＦＤ素子、画素電極等を有している。ＴＦＤ素子は、第１金属膜、その上に形成された絶縁膜、その上に形成された第２金属膜により構成され、第１及び第２のＴＦＤ素子を有する。Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するＴＦＤ素子のうち、Ｂに対応するＴＦＤ素子は、Ｒ及びＧの各ＴＦＤ素子より大きさ（面積）が大きく設定されている。その結果、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極の各透過率−電圧の特性をある程度一致させる、或いはある程度揃えることができる。これにより、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減することができ、良好な表示品位を得ることができる。【選択図】    図８
2007025318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の色に対応する複数の表示画素と、前記表示画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子とを有する基板を備え、
前記複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子は、他の色の前記スイッチング素子と大きさが異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記複数の色のうち青色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子は、前記複数の色のうち赤色の前記表示画素及び緑色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子の大きさより大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の透過率−電圧の特性曲線の最大透過率の９０％に対応する電圧値をＶｒ１、Ｖｇ１、Ｖｂ１としたときに、
前記Ｖｒ１と前記Ｖｇ１の差の絶対値及び前記Ｖｒ１と前記Ｖｂ１の差の絶対値は、各々１.５Ｖ以下に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の透過率−電圧の特性曲線の変化率が１.５％／Ｖに対応する電圧値をＶｒ２、Ｖｇ２、Ｖｂ２としたときに、
前記Ｖｒ２と前記Ｖｇ２の差の絶対値及び前記Ｖｒ２と前記Ｖｂ２の差の絶対値は、各々１.５Ｖ以下に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜上に形成された第２金属膜とを有して構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１金属膜はタンタル膜であり、前記絶縁膜は酸化タンタル膜であり、前記第２金属膜はクロム膜であり、
前記複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子の前記第２金属膜の幅は、前記他の色の前記スイッチング素子の前記第２金属膜の幅と同一に設定されていると共に、当該複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子の前記第１金属膜の幅は、当該他の色の前記スイッチング素子の前記第１金属膜の幅より大きいことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々は、光を透過させる透過領域及び光を反射させる反射領域を有し、
前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の液晶容量は１８０Ｆに設定され、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さと前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さとの比は１：２に設定され、
前記赤色の前記表示画素及び前記緑色の前記表示画素の各々に対応する前記スイッチング素子の大きさと前記青色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子の大きさとの比は１２：１３に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器等のコンパクト化に伴って、液晶装置が表示手段として用いられるようになってきた。このような液晶装置の一例としてのアクティブ・マトリクス駆動方式を有する液晶装置は、一般に、相互に対向する２枚の基板のうち、一方の基板にＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する着色層や走査線等が形成される一方、他方の基板にデータ線、ＴＦＤ(Thin Film Diode)素子などのスイッチング素子、及び画素電極等が形成され、その両基板の間に液晶が封入されて構成される。
【０００３】
かかる液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極毎に、階調に応じた電圧を印加して、各画素電極の透過率を調整することにより、複雑な中間色を表示することが可能となっている。このような液晶装置において、ある階調に対応する電圧を印加した場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての色で同一の透過率を実現できることが理想である。
【０００４】
しかしながら、現実的には色によって階調と実現される透過率とは微妙なずれを生じる。この原因は、液晶の特定のねじれに対する、光の変調の度合いが波長によって若干異なるからである。つまり、同じようにねじれた状態の液晶層を通過しても、これによって通過光が受ける変調の度合いに波長依存性があるので、与えられた一つの階調に対して色によって輝度のばらつきが生じるのである。
【０００５】
これを補正する方法として、従来より様々な方法が提案されてきた。
【０００６】
例えば、少なくとも１つの波長に係る階調を加減算して補正された階調を生成する演算回路と、補正された階調を生成する時間分、他の波長に係わる補正されない階調の出力を遅延させる遅延手段を機能させることにより、透過率／印加電圧特性の色毎の依存性を有効に補正することが可能なカラー液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。  また、その他にも、例えば、色毎に異なる液晶駆動電圧レベルを設定して、それぞれのレベルを各画素に印加する技術（例えば、特許文献２を参照）や、色毎に駆動電圧を一定電圧遷移させて透過率を均一にする技術（例えば、特許文献３を参照）や、色毎に階調制御信号を独立に入力することによって、上記同様の目的を達成する技術（例えば、特許文献４を参照）などが提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−３１９３３４号公報
【特許文献２】特開平１−１０１５８６号公報
【特許文献３】特開平３−６９８６号公報
【特許文献４】特開平３−２９０６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、白表示時に色付きが生じるのを低減することが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、複数の色に対応する複数の表示画素と、前記表示画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子とを有する基板を備え、前記複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子は、他の色の前記スイッチング素子と大きさが異なっている。
【００１０】
上記の液晶装置は、複数の色に対応して設けられた複数の表示画素と、前記表示画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子とを有する基板を備えている。なお、「表示画素」は、「画素領域」と同義である（以下同様）。
【００１１】
ここで、一般的に、スイッチング素子の大きさ（面積）が大きくなると、それに伴ってスイッチング素子の素子容量が大きくなると共に、スイッチング素子の抵抗値が小さくなる。これにより、かかるスイッチング素子に接続された表示画素の透過率−電圧の特性曲線は、急峻性がなくなってなだらかな曲線になると共に、その電圧が増加する方向にシフトする。
【００１２】
特に、この液晶装置では、複数の色に対応する表示画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子のうち、１つの色のスイッチング素子は、他の色のスイッチング素子と大きさ（面積）が異なっている。その結果、前記１つの色のスイッチング素子に対応する表示画素の透過率−電圧の特性と、前記複数の色のスイッチング素子（前記１つの色のスイッチング素子を除く）の各々に対応する表示画素の透過率−電圧の特性とをある程度一致させる、或いはある程度揃えることができる。これにより、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減することができ、良好な表示品位を得ることができる。
【００１３】
好適な例では、スイッチング素子は、ＴＦＤ素子などの二端子型非線形素子やＴＦＴ素子などの三端子型素子とすることができる。また、スイッチング素子をＴＦＤ素子などの二端子型非線形素子とした場合、当該スイッチング素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜上に形成された第２金属膜とを有して構成されているのが好ましい。また、前記第１金属膜はタンタル膜であるのが好ましく、また、前記絶縁膜は酸化タンタル膜であるのが好ましく、また、前記第２金属膜はクロム膜であるのが好ましい。また、前記複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子の前記第２金属膜の幅は、前記他の色の前記スイッチング素子の前記第２金属膜の幅と同一に設定されているのが好ましく、さらに、当該複数のスイッチング素子のうち１つの色の前記スイッチング素子の前記第１金属膜の幅は、当該他の色の前記スイッチング素子の前記第１金属膜の幅より大きいのが好ましい。これは、タンタル膜をエッチングする方がクロム膜をエッチングするよりも、形成されるパターンのリサイズ量が少ないからである。よって、これにより、複数の色に対応する表示画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子のうち１つの色のスイッチング素子の大きさと、他の色のスイッチング素子の大きさ（面積）とを相対的に高い精度で異ならせることができる。
【００１４】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記複数の色のうち青色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子は、前記複数の色のうち赤色の前記表示画素及び緑色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子の大きさより大きい。
【００１５】
一般的に、赤色、緑色、青色の各表示画素に対応するスイッチング素子の大きさ（面積）が各々同一の場合、赤色、緑色、青色の各々の表示画素の透過率−電圧の特性曲線は、赤色＜緑色＜青色の順に急峻性を有する。このため、この状態のまま何らの補正をすることなく白表示を行えば、黄色付きのある白表示となってしまう。
【００１６】
この点、この態様では、青色に対応するスイッチング素子は、赤色及び緑色の各々に対応するスイッチング素子の大きさより大きくなっている。これにより、青色に対応する表示画素の透過率−電圧の特性を、赤色及び緑色の各々に対応する表示画素の透過率−電圧の特性にある程度一致させる、或いはある程度揃えることができる。これにより、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減することができる。
【００１７】
上記の液晶装置の他の態様では、前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の透過率−電圧の特性曲線の最大透過率の９０％に対応する電圧値をＶｒ１、Ｖｇ１、Ｖｂ１としたときに、前記Ｖｒ１と前記Ｖｇ１の差の絶対値及び前記Ｖｒ１と前記Ｖｂ１の差の絶対値は、各々１.５Ｖ以下に設定されている。
【００１８】
これにより、赤色、緑色、青色の各色に対応する表示画素の各透過率−電圧の特性曲線において、赤色、緑色、青色の各色に対応する各透過率−電圧の特性曲線の少なくともピーク（最大透過率１００％）付近をある程度一致、或いはある程度揃えることができる。その結果、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減することができる。
【００１９】
上記の液晶装置の他の態様では、前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の透過率−電圧の特性曲線の変化率が１.５％／Ｖに対応する電圧値をＶｒ２、Ｖｇ２、Ｖｂ２としたときに、前記Ｖｒ２と前記Ｖｇ２の差の絶対値及び前記Ｖｒ２と前記Ｖｂ２の差の絶対値は、各々１.５Ｖ以下に設定されている。
【００２０】
これにより、赤色、緑色、青色の各色に対応する表示画素の各透過率−電圧の特性曲線において、赤色、緑色、青色の各色に対応する各透過率−電圧の特性曲線の少なくともピーク（最大透過率１００％）付近をある程度一致、或いはある程度揃えることができる。その結果、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減することができる。
【００２１】
好適な例では、前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々は、光を透過させる透過領域及び光を反射させる反射領域を有し、前記赤色の前記表示画素、前記緑色の前記表示画素及び前記青色の前記表示画素の各々の液晶容量は１８０Ｆに設定されているのが好ましい。また、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さと前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さとの比は１：２に設定されているのが好ましい。このとき、例えば、反射領域に対応する液晶層の厚さを約２μｍに設定した場合には、透過領域に対応する液晶層の厚さを約４μｍに設定することができる。また、前記赤色の前記表示画素及び前記緑色の前記表示画素の各々に対応する前記スイッチング素子の大きさと前記青色の前記表示画素に対応する前記スイッチング素子の大きさとの比は１２：１３に設定されているのが好ましい。このとき、例えば、赤色及び緑色の各色に対応する表示画素の各々に対応して設けられたスイッチング素子の大きさ（面積）を約６μｍ２に設定した場合には、青色に対応する表示画素に対応して設けられたスイッチング素子の大きさ（面積）を約６.５μｍ２に設定することができる。
【００２２】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。
【００２４】
[液晶装置の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブ・マトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶装置である。また、液晶装置１００は、ノーマリーブラックの表示モードを有する液晶装置でもある。図２は、図１における切断線Ａ−Ａ’に沿った断面図であり、特に、透過型表示が行われる透過領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面図である。一方、図３は、図１における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図であり、特に、反射型表示が行われる反射領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面図である。
【００２５】
まず、図２を参照して、透過領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面構成について説明する。
【００２６】
図２において、液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが、複数の金属粒子などの導通部材７が混入された枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内側に負の誘電率異方性を有する液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。そして、透過領域に対応する液晶層４の厚さはｄ１、好ましくは、約４μｍに設定されている。
【００２７】
まず、透過領域に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００２８】
下側基板２の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧの周囲には、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜材料により形成された反射層５が形成されている。各反射層５には、矩形状の開口８０（以下、「透過開口領域８０」とも呼ぶ。）が形成されている。透過開口領域８０は、カラーフィルタ基板９２の内面上に縦横にマトリクス状に配列されたサブ画素領域ＳＧ毎に、当該サブ画素領域ＳＧの全面積を基準として所定割合の面積を有するように形成されている。
【００２９】
反射層５及び下側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。図示のように、画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３０】
反射層５の内面上であって、各着色層６を区画する位置には、一方のサブ画素から他方のサブ画素への光の混入を防止するため、黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００３１】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの上には、透明樹脂材料等からなる保護層１８が形成されている。この保護層１８は、カラーフィルタ基板９２の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６を保護する機能を有する。保護層１８の表面上には、ストライプ状に形成され、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる走査線８が形成されている。この走査線８の一端側はシール部材３内まで延在しており、導通部材７と電気的に接続されている。下側基板２における走査線８等の内面上には、図示しない垂直配向膜が形成されている。
【００３２】
一方、透過領域に対応する素子基板９１の断面構成は次の通りである。
【００３３】
上側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、ＩＴＯなどの透明導電材料よりなる画素電極１０が形成されている。上側基板１の内面上であって、各画素電極１０の間には、クロムなどの金属材料よりなるデータ線３２が形成されている。上側基板１の内面上の左右周縁部には、引き回し配線３１が形成されており、当該引き回し配線３１の終端部は、シール部材３内まで延在しており、導通部材７と電気的に接続されている。下側基板２の走査線８と、上側基板１の引き回し配線３１とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。上側基板１における画素電極１０等の内面上には、図示しない垂直配向膜が形成されている。
【００３４】
また、下側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されており、上側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されている。また、偏光板１２の下側には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００３５】
さて、本実施形態の液晶装置１００において、透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを夫々通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを夫々透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００３６】
次に、図３を参照して、反射領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面構成について説明する。
【００３７】
図３において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の配置関係は上記同様である。但し、反射領域に対応する液晶層４の厚さはｄ２（＝ｄ１／２）、好ましくは、約２μｍに設定されている。
【００３８】
まず、反射領域に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００３９】
下側基板２の内面上には、反射層５が形成されている。反射層５上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが形成されている。反射層５上であって、各着色層６を区画する位置には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。各着色層６及び黒色遮光層ＢＭ上には、保護層１８が形成されている。保護層１８上には、走査線８が形成されている。走査線８等の内面上には、図示しない垂直配向膜が形成されている。一方、反射領域に対応する素子基板９１の断面構成は、上記した透過領域を通る位置で切断したときの素子基板９１の断面構成と同様である。
【００４０】
さて、本実施形態の液晶装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶装置１００に入射した外光は、図３に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが形成されている領域を夫々通過して、その着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの下側に位置する反射層５により反射され、再度、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを夫々通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４１】
（電極及び配線構成）
次に、図１、図４及び図５を参照して、本実施形態の素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の電極及び配線の構成について説明する。
【００４２】
図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における下方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図４は、カラーフィルタ基板９２を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときのカラーフィルタ基板９２の電極の構成を平面図として示す。図３及び図４において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００４３】
図１において、素子基板９１の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９２の走査線８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１、図３及び図４において、液晶装置１００の外形と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８となっている。
【００４４】
先ず、図４を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。なお、図４では、素子基板９１の張り出し領域３６側の一辺９１ａから反対側の一辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、一辺９１ｄから一辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００４５】
素子基板９１は、複数のデータ線３２、複数のＴＦＤ素子２１、複数の画素電極１０、複数の引き回し配線３１、ＹドライバＩＣ３４、複数のＸドライバＩＣ３３、複数の外部接続用配線３５、及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）９０を備えている。
【００４６】
各データ線３２は、Ｙ方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域Ｖにかけて形成されている。各データ線３２は、Ｘ方向に一定の間隔をおいて形成されている。また、各データ線３２は、対応する各ＴＦＤ素子２１に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、対応する各画素電極１０に接続されている。このため、各データ線３２は、各ＴＦＤ素子２１を介して各画素電極１０に電気的に接続されている。
【００４７】
各引き回し配線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる屈曲部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に延在するように形成されている。また、各本線部分３１ａは、Ｘ方向に一定の間隔をおいて形成されている。各屈曲部分３１ｂは、額縁領域３８内において、各本線部分３１ａの終端部から左右に位置するシール部材３内まで延在するように形成されている。そして、各屈曲部分３１ｂの終端部は、シール部材３内において導通部材７に電気的に接続されている。
【００４８】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３４、及び、複数のＸドライバＩＣ３３が、図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して実装されている。
【００４９】
ＹドライバＩＣ３４の入力側は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、ＹドライバＩＣ３３の出力側は、ＡＣＦを介して、複数のデータ線３２の一端側に電気的に接続されている。一方、各ＸドライバＩＣ３３の入力側は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、各ＸドライバＩＣ３４の出力側は、ＡＣＦを介して、複数の引き回し配線３１の一端側に電気的に接続されている。ＦＰＣ９０は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の他端側に電気的に接続されている。
【００５０】
以上の電極及び配線構造を有する素子基板９１では、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器からＦＰＣ９０、ＹドライバＩＣ３４及び各ＸドライバＩＣ３３を介して、それぞれデータ線３２にデータ信号が、また、引き回し配線３１に走査信号を出力される。
【００５１】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。
【００５２】
図５に示すように、カラーフィルタ基板９２は、Ｘ方向に延在する複数の走査線８を有している。各走査線８の左端部或いは右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内まで延在しており、そのシール部材３内に混入された導通部材７に電気的に接続されている。
【００５３】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９１の各走査線８は、素子基板９２の各データ線３２に対して略直交しており、且つ、Ｘ方向に列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、各走査線８と各画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素領域ＳＧを構成する。
【００５４】
また、カラーフィルタ基板９２の走査線８と、素子基板９１の引き回し配線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その走査線８と引き回し配線３１とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。つまり、カラーフィルタ基板９２の各走査線８と、素子基板９１の各引き回し配線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。このため、カラーフィルタ基板９２の各走査線８は、素子基板９１の各引き回し配線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＸドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００５５】
（ＴＦＤ素子の構成）
次に、図６及び図７等を参照して、本発明の特徴をなすＴＦＤ素子２１の構成等について説明する。図６（ａ）は、ＴＦＤ素子２１、データ線３２及び画素電極１０等の平面的なレイアウトを示す部分平面図である。
【００５６】
まず、ＴＦＤ素子２１の具体的な構成を説明するのに先立ち、図６（ａ）を参照して、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０及びデータ線３２の平面的なレイアウトについて説明する。
【００５７】
図６（ａ）において、上側基板２上には、２画素分に対応する画素電極１０がマトリクス状の配列で形成されている。Ｘ方向に相隣接する画素電極１０の間には、データ線３２がＹ方向に延在するように形成されている。各データ線３２は、対応するＴＦＤ素子２１を介して、対応する各画素電極１０に電気的に接続されている。具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する各画素電極１０は、それぞれ、対応する各ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂを介して、各データ線３２に電気的に接続されている。Ｘ方向に列をなす複数の画素電極１０は、カラーフィルタ基板９２側に形成されたストライプ状の形状を有する走査線８と対向している。
【００５８】
次に、図６（ｂ）及び図７を参照して、本発明の特徴をなすＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ及び２１ｂの各構成について説明する。
【００５９】
図６（ｂ）は、図６（ａ）における切断線Ｃ−Ｃ’に沿ったＴＦＤ素子２１ｒの断面構成を示す部分断面図である。図７（ａ）は、図６（ａ）における破線領域Ｅ１に対応するＴＦＤ素子２１ｒを拡大した平面図であり、また、図７（ｂ）は、図６（ａ）における破線領域Ｅ２に対応するＴＦＤ素子２１ｇを拡大した平面図であり、また、図７（ｃ）は、図６（ａ）における破線領域Ｅ３に対応するＴＦＤ素子２１ｂを拡大した平面図である。
【００６０】
図６（ｂ）及び図７（ａ）において、ＴＦＤ素子２１ｒは、第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒを有して構成される。第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒは、タンタル等からなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成され、酸化タンタルからなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間する第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６はデータ線３２の一部をなす一方、後者の第２金属膜３３６は画素電極１０に接続するために用いられる。また、第１金属膜３２２の線幅（Ｙ方向に対応する長さ）はｄ３に、また、第２金属膜３１６、３３６の各線幅（Ｘ方向に対応する長さ）は夫々ｄ６に設定されている。なお、線幅ｄ３と線幅ｄ６は同一の大きさであっても構わない。
【００６１】
ＴＦＤ素子２１ｒの要素のうち、第１のＴＦＤ素子２２ｒは、誘電膜たる絶縁膜３２３を介して第１金属膜３２２と第２金属膜３３６とが平面的に重なる位置に設けられる。そして、第１のＴＦＤ素子２２ｒの大きさ（面積）Ｓｒは、第１金属膜の線幅ｄ３と第２金属膜３３６の線幅ｄ６を乗算した値に設定されている。好適な例では、第１のＴＦＤ素子２２ｒの大きさ（面積）Ｓｒは、約６μｍ２に設定されているのが好ましい。また、第１のＴＦＤ素子２２ｒは、データ線３２側から画素電極１０側に向かって見ると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。
【００６２】
一方、ＴＦＤ素子２１ｒの要素のうち、第２のＴＦＤ素子２３ｒは、絶縁膜３２３を介して第１金属膜３２２と第２金属膜３１６とが平面的に重なる位置に設けられる。そして、第２のＴＦＤ素子２３ｒの大きさ（面積）は、第１のＴＦＤ素子２２ｒと同一の大きさ（面積）Ｓｒに設定されている。第２のＴＦＤ素子２３ｒは、データ線３２側から画素電極１０側に向かって見ると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、第１のＴＦＤ素子２２ｒとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２３ｒの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２２ｒの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤ素子２２ｒ及び２３ｒを互いに逆向きに直列接続した状態となるため、１つのＴＦＤ素子を用いた場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００６３】
また、図７（ａ）乃至図７（ｃ）において、Ｇに対応する画素電極１０と接続されたＴＦＤ素子２１ｇ、及び、Ｂに対応する画素電極１０と接続されたＴＦＤ素子２１ｂは、Ｒに対応する画素電極１０と接続されたＴＦＤ素子２１ｒと略同様の構成を有する。なお、ＴＦＤ素子２１ｇは、第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇを有して構成され、また、ＴＦＤ素子２１ｂは、第１のＴＦＤ素子２２ｂ及び第２のＴＦＤ素子２３ｂを有して構成されている。
【００６４】
但し、本実施形態の液晶装置１００では、後述するホワイトバランスを考慮してＲ、Ｇ、Ｂの各着色層６に対応するＴＦＤ素子２１が設計されており、ＴＦＤ素子２１ｒ、ＴＦＤ素子２１ｇ及びＴＦＤ素子２１ｂのうち、少なくとも１つのＴＦＤ素子２１は、他のＴＦＤ素子２１の大きさ（面積）と異なっている。この点については後ほど詳述する。
【００６５】
以上の構成を有する液晶装置１００では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する各画素電極１０と各走査線８との間に、各ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ及び２１ｂ等を介して所定の電圧を印加することにより、液晶層４の液晶分子の配向を制御し、光の透過率を変化させて階調表示を行う。
【００６６】
（ホワイトバランスの調整方法）
次に、図７及び図８を参照して、液晶装置１００における白色度（ホワイトバランス）の調整方法について説明する。
【００６７】
図８（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る液晶装置１００の透過率と印加電圧との関係を示すグラフ（以下、単に、「Ｖ−Ｔ特性曲線」とも称する）を示す。図８（ａ）及び（ｂ）において、縦軸には透過率（％）を、また、横軸には液晶層４に印加する印加電圧（Ｖ）を夫々示している。また、図８（ａ）及び（ｂ）において、グラフＧｒ、Ｇｇ及びＧｂは、夫々、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂにおける、第１及び第２のＴＦＤ素子の各大きさ（面積）を約６μｍ２に設定したときのグラフであると共に、グラフＧｂ’は、ＴＦＤ素子２１ｂにおける、第１及び第２のＴＦＤ素子の大きさ（面積）を約６.５μｍ２に設定したときのグラフである。また、この液晶装置１００では、上記したように、反射領域に対応する液晶層４の厚さが約２μｍに設定されていると共に、透過領域に対応する液晶層４の厚さが約４μｍに設定されており、さらに、１つの画素電極１０の容量が約１８０Ｆに設定されている。なお、これに限らず、本発明では、好適な例として、反射領域に対応する液晶層４の厚さと透過領域に対応する液晶層４の厚さとの比が、１：２に設定されていればよい。
【００６８】
一般的に、色付き（色変化）のない白表示を行うためには、透過率と印加電圧（階調）の関係、即ちＶ−Ｔ特性曲線がＲ、Ｇ、Ｂ全てにおいて同一であることが理想である。しかしながら、現実には、色によって印加電圧と実現される透過率とは微妙なずれを生じる。この原因は、液晶の特定の配向状態に対する、光の変調の度合いが波長λによって若干異なるからである。つまり、同じような配向状態にある液晶層４を入射光が通過しても、これによって通過光が受ける変調の度合いに波長依存性があるので、与えられた一つの階調に対して色によって輝度にバラツキが生じるのである。
【００６９】
図８（ａ）に示すように、印加電圧の広い範囲でＢ（グラフＧｂに相当）の透過率が、Ｒ（グラフＧｒに相当）、Ｇ（グラフＧｇに相当）の各透過率を上廻っている。換言すれば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ、Ｇｂは、Ｒ＜Ｇ＜Ｂの順に急峻性を有している。このため、この状態のまま何らの補正をすることなく白表示を行えば、黄色付きのある白表示となってしまう。
【００７０】
そこで、本実施形態に係る液晶装置１００では、このような色付き（色変化）を低減するために、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色によってＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ及び２１ｒの大きさ（面積）を夫々異ならせる。ここで、ＴＦＤ素子の大きさ（面積）が大きくなると、それに伴ってＴＦＤ素子の素子容量は大きくなり、ＴＦＤ素子の抵抗値は小さくなる。これにより、図８（ａ）において、印加電圧と透過率の特性曲線、即ちＶ−Ｔ特性曲線は、急峻性がなくなってなだらかな曲線になると共に、その印加電圧が増加する方向（右側方向）へシフトする。したがって、本実施形態では、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ及び２１ｒにおける、第１及び第２のＴＦＤ素子の大きさ（面積）を夫々異ならせて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ及びＧｂを夫々ある程度一致させる、或いはある程度揃える。
【００７１】
図７に戻り、その具体的な実現方法の一例について説明する。
【００７２】
上記の考えを踏まえれば、Ｒに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒを基準とした場合には、Ｇに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｇをその印加電圧が増加する方向（右側方向）に若干シフトさせると共に、Ｂに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｂを、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｇ以上に、その印加電圧が増加する方向（右側方向）にシフトさせるのが有効である。
【００７３】
そこで、本実施形態では、図７（ｂ）において、ＴＦＤ素子２１ｇの要素である第１金属膜３２２の線幅をｄ４（＞ｄ３）に設定して、ＴＦＤ素子２１ｇの要素である、第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇの大きさ（面積）Ｓｇを、ＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの大きさ（面積）Ｓｒより大きくするのが好ましいと共に、図７（ｃ）において、ＴＦＤ素子２１ｂの要素である第１金属膜３２２の線幅をｄ５（＞ｄ４）に設定して、ＴＦＤ素子２１ｂの要素である、第１のＴＦＤ素子２２ｂ及び第２のＴＦＤ素子２３ｂの大きさ（面積）Ｓｂを、第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの大きさ（面積）Ｓｒより大きくするのが好ましい。
【００７４】
なお、図８（ａ）を参照してわかるように、Ｇに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｇのピーク（最大透過率）を１００％としたときに、そのピークの９０％に対応する値（点Ｐ２）と、Ｒに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒのピークを１００％としたときに、そのピークの９０％に対応する値（点Ｐ３）とはそれ程差がないので、ＴＦＤ素子２１ｇにおける、第１及び第２のＴＦＤ素子の各大きさ（面積）Ｓｇと、ＴＦＤ素子２１ｒにおける、第１及び第２のＴＦＤ素子の各大きさ（面積）Ｓｒとは同一の大きさに設定しても構わない。
【００７５】
つまり、この場合、図７（ｂ）において、ＴＦＤ素子２１ｇの要素である第１金属膜３２２の線幅ｄ４を、ＴＦＤ素子２１ｒの要素である第１金属膜３２２の線幅ｄ３と同一の値に設定すればよい。即ち、本実施形態では、上記のように、ＴＦＤ素子２１ｒ、ＴＦＤ素子２１ｇ及びＴＦＤ素子２１ｂの各大きさ（面積）を全て異ならせることは必須ではなく、ＴＦＤ素子２１ｒ、ＴＦＤ素子２１ｇ及びＴＦＤ素子２１ｂのうち、少なくとも１つのＴＦＤ素子２１が、他のＴＦＤ素子２１と大きさ（面積）が異なっていればよい。
【００７６】
その後者の態様として、図８（ａ）には、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの各大きさ（面積）Ｓｒと、Ｇに対応するＴＦＤ素子２１ｇの第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇの各大きさ（面積）Ｓｇを同一の約６μｍ２に設定する一方、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの第１のＴＦＤ素子２２ｂ及び第２のＴＦＤ素子２３ｂの各大きさ（面積）ＳｂをＳｒ及びＳｇより大きい値、即ち約６.５μｍ２に設定した場合の、各Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ、Ｇｂ’が夫々示されている。
【００７７】
ここで、この態様の構成を設計値の一例として、図９（ａ）乃至図９（ｃ）に示す。図９（ａ）乃至図９（ｃ）は、それぞれ、図７（ａ）乃至（ｃ）のＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ及び２１ｂに対応する部分平面図である。
【００７８】
図９に示すように、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒ及びＧに対応するＴＦＤ素子２１ｇの各要素である第２金属膜３１６、３３６の各線幅は夫々ｄ６に設定されていると共に、それらの各要素である第１金属膜３２２の線幅は夫々ｄ３に設定されている。このため、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの要素である、第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの各大きさ（面積）Ｓｒは、Ｇに対応するＴＦＤ素子２１ｇの要素である、第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇの各大きさ（面積）Ｓｇと同一の大きさに設定されている。一方、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの要素である第２金属膜３１６、３３６の各線幅は、Ｒ及びＧの各々に対応する第２金属膜３１６、３３６の各線幅と同一のｄ６に設定されている点で共通するが、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの要素である第１金属膜３２２の線幅ｄ７は、Ｒ及びＧの各々に対応する第１金属膜３２２の各線幅ｄ３より大きく設定されている。このため、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの要素である、第１のＴＦＤ素子２２ｂ及び第２のＴＦＤ素子２３ｂの各大きさ（面積）Ｓｂは、Ｒに対応する第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの各大きさ（面積）Ｓｒ、並びに、Ｇに対応する第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇの各大きさ（面積）Ｓｇより夫々大きく設定されている。このとき、Ｒ及びＧの各々に対応するＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｇの大きさ（面積）と、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの大きさ（面積）との比は１２：１３であるのが好ましい。これを踏襲するためには、上記のように、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの第１のＴＦＤ素子２２ｒ及び第２のＴＦＤ素子２３ｒの各大きさ（面積）Ｓｒと、Ｇに対応するＴＦＤ素子２１ｇの第１のＴＦＤ素子２２ｇ及び第２のＴＦＤ素子２３ｇの各大きさ（面積）Ｓｇを夫々同一の約６μｍ２に設定した場合には、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの第１のＴＦＤ素子２２ｂ及び第２のＴＦＤ素子２３ｂの各大きさ（面積）Ｓｂは約６.５μｍ２に設定するのが好ましい。
【００７９】
かかる構成により、図８（ａ）に示すように、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂのＶ−Ｔ特性曲線Ｇｂは、その印加電圧が増加する方向（右側方向）にシフトして、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｂ’になっている。これにより、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ及びＧｂ’をある程度揃えることができる。よって、白表示時に色付き（色変化）が生じるのを低減でき、良好な表示品位を得ることができる。
【００８０】
このとき、好適な例では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ、Ｇｂ’の各最大透過率（ピーク）を１００％としたときに、そのピークの９０％に対応する各印加電圧が約１.５（Ｖ）の範囲内に設定されているのが好ましい。
【００８１】
即ち、図８（ａ）において、Ｒに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒのピークの９０％に対応する値（グラフ中では約３３％に相当）を点Ｐ３、Ｇに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｇのピークの９０％に対応する値（グラフ中では約３４％に相当）を点Ｐ２、及び、Ｂに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｂ’のピークの９０％に対応する値（グラフ中では約３６％に相当）を点Ｐ１とした場合、点Ｐ１に対応する印加電圧Ｖｂ１、点Ｐ２に対応する印加電圧Ｖｇ１、及び点Ｐ３に対応する印加電圧Ｖｒ１において、当該印加電圧Ｖｒ１を基準としたときに、印加電圧Ｖｒ１と印加電圧Ｖｇ１の差の絶対値、及び、印加電圧Ｖｒ１と印加電圧Ｖｂ１の差の絶対値が、いずれも約１．５（Ｖ）以下に設定されているのが好ましい。これにより、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ及びＧｂ’の少なくともピーク付近をある程度揃えることができる。
【００８２】
また、他の好適な例では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ、Ｇｂ１の各変化率（傾き）が約１.５（％／Ｖ）以下となるときの、対応する各印加電圧が約１.５（Ｖ）の範囲内に設定されているのが好ましい。
【００８３】
即ち、図８（ｂ）において、Ｒに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒの変化率（傾き）が約１.５（％／Ｖ）となる直線をＬｒ、Ｇに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｇの変化率（傾き）が約１.５（％／Ｖ）となる直線をＬｇ、及び、Ｂに対応するＶ−Ｔ特性曲線Ｇｂ’の変化率（傾き）が約１.５（％／Ｖ）となる直線をＬｂとし、また、直線ＬｒとＶ−Ｔ特性曲線Ｇｒの交点を点Ｐ６、直線ＬｇとＶ−Ｔ特性曲線Ｇｇの交点を点Ｐ５、及び、直線ＬｂとＶ−Ｔ特性曲線Ｇｂ’の交点を点Ｐ４とし、さらに、点Ｐ６に対応する印加電圧をＶｒ２、点Ｐ５に対応する印加電圧をＶｇ２、及び点Ｐ４に対応する印加電圧をＶｂ２としたときに、当該印加電圧Ｖｒ２を基準としたときに、印加電圧Ｖｒ２と印加電圧Ｖｇ２の差の絶対値、及び、印加電圧Ｖｒ２と印加電圧Ｖｂ２の差の絶対値が、いずれも約１．５（Ｖ）以下に設定されているのが好ましい。これにより、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｒ、Ｇｇ及びＧｂ’の少なくともピーク付近をある程度揃えることができる。
【００８４】
［変形例］
上記の実施形態では、白表示時の色付き（色変化）を低減するため、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂにおける、第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３の各大きさ（面積）を夫々変える方法として、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂの要素である、第１金属膜３２２の線幅の大きさを夫々変えるようにした。これに代えて、本発明では、同様の目的を達するために、図７において、第１金属膜３２２の線幅を変えるのではなく、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂの要素である、第２金属膜３３６及び第２金属膜３１６の各線幅（Ｘ方向に対応する長さ）ｄ６の大きさを変えるようにしても構わない。また、本発明では、同様の目的を達するために、図７において、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂの要素である、第１金属膜３２２、第２金属膜３１６及び３３６の各線幅の全てを変えるようにしても構わない。
【００８５】
また、上記の実施形態では、ノーマリーブラックの表示モードを有する液晶装置１００に本発明を適用するようにしたが、これに限らず、ノーマリーホワイトの表示モードを有する液晶装置に本発明を適用しても構わない。
【００８６】
また、上記の実施形態では、ＴＦＤ素子２１を有する液晶装置に本発明を適用することとしたが、これに代えて、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子などの三端子型素子を有する液晶装置に本発明を適用するようにしても構わない。
【００８７】
［液晶装置の製造方法］
次に、図１０乃至図１４等を参照して、上記した液晶装置１００の製造方法について説明する。図１０は、液晶装置１００の製造方法のフローチャートを示す。図１１は、図１０における素子基板の作製工程Ｓ１に対応するフローチャートを示す。図１２乃至図１４は、図１０における工程Ｐ１〜Ｐ８に対応する、ＴＦＤ素子２１等を含む各製造工程に対応する部分平面図である。なお、以下では、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するＴＦＤ素子を、必要に応じて、ＴＦＤ素子２１ｒ、２１ｇ、２１、或いは、単にＴＦＤ素子２１と表記して説明する。
【００８８】
まず、上記した素子基板９１を作製する（工程Ｓ１）。
【００８９】
具体的には、まず、図１２（ａ）に示すように、ガラスや石英などの材料よりなる上側基板１上にタンタル膜（Ｔａ膜）７０を成膜する（工程Ｐ１）。
【００９０】
次に、タンタル膜７０のパターニングを実行する（工程Ｐ２）。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、まず、タンタル膜７０上に、図示しない感光性樹脂（レジスト）を塗布し、続いて、そのタンタル膜７０が成膜された上側基板１上にマスク８０を配置して露光を実施し、その後、現像、例えばドライエッチングなどのエッチング処理などを実施する。ここで、レジストとしては、ネガ型のレジストを用いることも可能であるが、例えば、紫外線やｉ線などの光が照射された部分が除去されるポジ型レジストを用いるのが好ましい。また、マスク８０は、ＴＦＤ素子２１の要素である第１金属膜３２２が形成されるべき領域が遮光される遮光部分８０ａと、光を完全に透過させる透過部分（開口）８０ｂとを有して構成されている。遮光部分８０ａの幅（Ｙ方向に対応する長さ）はｄ１０（≒ｄ３）に設定されている。なお、ネガ型レジストを用いる場合には、マスク８０において、遮光部分８０を透過部分に変える一方、透過部分８０ｂを逆に遮光部分に変える必要がある。
【００９１】
これにより、第１金属膜３２２が形成されるべき領域に、線幅（Ｙ方向に対応する長さ）ｄ３を有する第１金属膜３２２ｘが形成される。なお、この第１金属膜３２２ｘの線幅ｄ３の大きさは、遮光部分８０ａの幅ｄ１０の大きさを変えることにより調整することができる。これにより、例えば、図７に示すように、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの要素である第１金属膜３２２の線幅をｄ３に、また、Ｇに対応するＴＦＤ素子２１ｇの要素である第１金属膜３２２の線幅をｄ４（＞ｄ３）に、また、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの要素である第１金属膜３２２の線幅をｄ５（＞ｄ４）に夫々設定することができる。
【００９２】
次に、陽極酸化法にて、第１金属膜３２２ｘを有する上側基板１に酸化タンタル膜よりなる絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術を用いて、第１金属膜３２２ｘ上に絶縁膜３２３ｘを形成する（工程Ｐ３）。続いて、第１金属膜３２２ｘを被覆している絶縁膜３２３ｘ等に対して熱処理Ａ、即ちアニ−ル処理Ａを実行する（工程Ｐ４）。このアニ−ル処理Ａを実行することにより、絶縁膜３２３ｘたる酸化タンタル膜をより緻密な膜とすることができる。
【００９３】
次に、図１３（ａ）に示すように、絶縁膜３２３ｘ及び上側基板１の上に、クロム膜（Ｃｒ膜）７１を成膜し（工程Ｐ５）、続いて、図１３（ｂ）に示すように、そのクロム膜７１のパターニングを実行する（工程Ｐ６）。
【００９４】
具体的には、まず、クロム膜７１上に、図示しない感光性樹脂（レジスト）を塗布し、続いて、そのクロム膜７１が成膜された上側基板１上にマスク８１を配置して露光を実施し、その後、現像、例えばウェットエッチングなどのエッチング処理などを実施する。ここで、レジストとしては、上記同様のものを用いることができる。また、マスク８１は、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３３６が形成されるべき領域が遮光される遮光部分８１ａと、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３１６を含むデータ線３２が形成されるべき領域が遮光される遮光部分８１ｂと、光を完全に透過させる透過部分（開口）８１ｃとを有して構成されている。遮光部分８１ａ及び８１ｂの各幅（Ｙ方向に対応する長さ）はｄ１１（≒ｄ６）に設定されている。なお、ネガ型レジストを用いる場合には、マスク８１において、遮光部分８１ａ及び８１ｂを透過部分に変える一方、透過部分８１ｃを逆に遮光部分に変える必要がある。
【００９５】
これにより、第２金属膜３３６が形成されるべき領域に、線幅（Ｙ方向に対応する長さ）ｄ６を有する第２金属膜３３６が形成されると共に、第２金属膜３１６を含むデータ線３２が形成されるべき領域に、線幅ｄ６を有する第２金属膜３１６を含むデータ線３２が形成される。なお、この第２金属膜３１６、３３６の各線幅ｄ６の大きさは、それぞれ、遮光部分８１ａ及び８１ｂの各幅ｄ１１の大きさを変えることにより調整することができる。
これにより、第２金属膜３３６と絶縁膜３２３が表面に形成された第１金属膜３２２との交差位置に第１のＴＦＤ素子２２が、また、第２金属膜３１６と絶縁膜３２３が表面に形成された第１金属膜３２２との交差位置に第２のＴＦＤ素子２３が夫々形成される。
【００９６】
ここで、ＴＦＤ素子２１の大きさ（面積）、即ち第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３の各大きさ（面積）Ｓｘは、上記した工程Ｐ２及び工程Ｐ６において、第１金属膜３２２ｘの線幅ｄ３、及び／又は、第２金属膜３３６、３１６の線幅ｄ６を夫々調整することにより、変えることができる。
【００９７】
このように、工程Ｐ２及び工程Ｐ６により、所望の大きさ（面積）を有するＴＦＤ素子を作製することができるが、一般的に、タンタル膜をエッチング（通常、ドライエッチング）する方が、クロム膜をエッチング（通常、ウェットエッチング）する方と比較して、高精度に金属膜を形成できるので、この点を考慮すると、工程Ｐ６においてＴＦＤ素子の大きさ（面積）Ｓｘを設定するのではなく、工程Ｐ２においてＴＦＤ素子の大きさ（面積）Ｓｘを設定するのが好ましい。
【００９８】
これにより、Ｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの大きさ（面積）をＳｒ１とし、また、Ｇに対応するＴＦＤ素子２１ｇの大きさ（面積）をＳｇ１とし、また、Ｂに対応するＴＦＤ素子２１ｂの大きさ（面積）をＳｂ１とした場合、このような調整を実行することで、例えば、Ｓｒ１＜Ｓｇ１＜Ｓｂ１、或いは、Ｓｒ１≦Ｓｇ１＜Ｓｂ１、或いは、Ｓｒ１≠Ｓｇ１＜Ｓｂ１の関係に設定することができ、上記した本発明の作用効果を得ることができる。
【００９９】
次に、図１４に示すように、上記の工程において陽極酸化するために使用していた余分なＴａ膜、厳密にいえば表面上に絶縁膜３２３ｘが形成された余分な第１金属膜３２２ｘを上側基板１上から分離（除去）する（工程Ｐ７）。
【０１００】
次に、アニ−ル処理Ｂを実行する（工程Ｐ８）。このアニ−ル処理Ｂは、ＴＦＤ素子２１の特性を仕様で決められた一定の特性にするために行われるものである。特に、アニ−ル処理Ｂを一定の条件下で実行することにより、絶縁膜３２３と第２金属膜３３６、３１６とを馴染ませて、画素電極１０とＴＦＤ素子２１とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。
【０１０１】
次に、図４に戻り、ＩＴＯなどの透明導電材料を用いて、矩形状の画素電極１０をマトリクス状に形成し（工程Ｐ９）、続いて、その画素電極１０、ＴＦＤ素子２１及びデータ線３２等の上に図示しない垂直配向膜を形成する（工程Ｐ１０）。
【０１０２】
次に、その他の構成要素を取り付ける（工程Ｐ１１）。具体的には、図３及び図４に示すように、上側基板１の外面上に位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４を取り付ける。こうして、素子基板９１が製造される。
【０１０３】
図１０に戻り、次に、図３及び図４に示されるカラーフィルタ基板９２を既知の方法により作製し（工程Ｓ２）、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とをシール部材３を介して貼り合せる（工程Ｓ３）。次に、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２との間に形成された開口（図示略）より液晶をその内部に注入して当該開口の封止処理をする（工程Ｓ４）。次に、その他の構成要素を実装することにより、図１等に示される本発明の液晶装置１００が製造される。
【０１０４】
［電子機器］
次に、本発明による液晶装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【０１０５】
図１５は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１０６】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１０７】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１０８】
次に、本発明に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１６を参照して説明する。
【０１０９】
まず、本発明に係る液晶装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１６（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１１０】
続いて、本発明に係る液晶装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１６（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１１１】
なお、本発明に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１６（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１１２】
また、本発明は、液晶装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の透過領域を通る断面図。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の反射領域を通る断面図。
【図４】素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】カラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図６】素子基板に設けられたＴＦＤ素子等の構成を示す平面図及び断面図。
【図７】ホワイトバランスの調整方法を説明するＴＦＤ素子の構成図。
【図８】ＲＧＢのＴＦＤ素子に対応する画素電極の透過率−電圧特性を示すグラフ。
【図９】ＲＧＢの各色に対応するＴＦＤ素子の設計値の一例を示す構成図。
【図１０】本実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】ＴＦＤ素子を含む素子基板の製造工程を示す部分平面図。
【図１３】ＴＦＤ素子を含む素子基板の製造工程を示す部分平面図。
【図１４】ＴＦＤ素子を含む素子基板の製造工程を示す部分平面図。
【図１５】本実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１６】本実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１１４】
１  上側基板、  ２  下側基板、  ４  液晶層、  ６  着色層、  ８  走査線、  １０  画素電極、  ２１、２１ｒ、２１ｇ、２１ｂ  ＴＦＤ素子、  ２２ｒ、２２ｇ、２２ｂ  第１のＴＦＤ素子、  ２３ｒ、２３ｇ、２３ｂ  第２のＴＦＤ素子、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶装置
【図１】
2007025318.tif 000003
【図２】
2007025318.tif 000004
【図３】
2007025318.tif 000005
【図４】
2007025318.tif 000006
【図５】
2007025318.tif 000007
【図６】
2007025318.tif 000008
【図７】
2007025318.tif 000009
【図８】
2007025318.tif 000010
【図９】
2007025318.tif 000011
【図１０】
2007025318.tif 000012
【図１１】
2007025318.tif 000013
【図１２】
2007025318.tif 000014
【図１３】
2007025318.tif 000015
【図１４】
2007025318.tif 000016
【図１５】
2007025318.tif 000017
【図１６】
2007025318.tif 000018