(57)【要約】【課題】小型で、簡単にコイルと端子とを接続することができる磁性素子を提供することである。【解決手段】巻軸の端部に鍔面２ｄを有する鍔部２ｂを設けたドラムコア２と、前記巻軸に巻回されたコイル３と、前記コイル３の端部を接続するための端子と、前記鍔部の外周の一部に沿うような形状を有する嵌合部４ａを設けたシールドコア４と、を備えるように磁性素子１を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻軸の端部に鍔面を有する鍔部を設けたドラムコアと、
前記巻軸に巻回されたコイルと、
前記コイルの端部を接続するための端子と、
前記鍔部の外周の一部に沿うような形状を有する嵌合部を設けたシールドコアと、を備えたこと
を特徴とする磁性素子。
【請求項２】
前記シールドコアは、平面状の壁部と、この壁部に沿って連接するように形成された複数の前記嵌合部とを備え、
前記複数の嵌合部に、複数の前記ドラムコアを嵌合させたこと
を特徴とする請求項１に記載の磁性素子。
【請求項３】
前記巻軸の前記鍔面と平行方向の断面積をＳ１とし、前記シールドコアの前記鍔面と平行方向の断面積をＳ２としたときに、
０．５×Ｓ１≦Ｓ２≦５×Ｓ１
の関係であること
を特徴とする請求項１に記載の磁性素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性素子に関連し、特に電源用途に用いられるインダクタンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、巻軸にコイルを巻回した円形のドラムコアの周囲に、矩形あるいは円筒形状のリングコアを配置する構造の磁性素子が、多数知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の構造の磁性素子では、円形のドラムコアの周囲に、矩形あるいは円筒形状のドラムコアを配置しているため、磁性素子の大きさは、ドラムコアの外径寸法とリングコアの半径方向の寸法とを加えたものとなるので、磁性素子が大型になる。さらには、基板に実装した際の磁性素子の配置面積が大きくなるという問題がある。
【０００５】
また、ドラムコアの周囲をリングコアで囲んでいるため、端子とコイルとを接続させる際に、ドラムコアの巻軸に巻回されているコイルの端部を端子側に引き出しにくいという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、上記のような問題点を考慮し、小型で、簡単にコイルと端子とを接続することができる磁性素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記のような目的を達成するためになされたものであり、この目的は、下記（１）〜（３）の発明によって達成される。
【０００８】
（１）巻軸の端部に鍔面を有する鍔部を設けたドラムコアと、
前記巻軸に巻回されたコイルと、
前記コイルの端部を接続するための端子と、
前記鍔部の外周の一部に沿うような形状を有する嵌合部を設けたシールドコアと、を備えたこと
を特徴とする磁性素子。
【０００９】
（２）前記シールドコアは、平面状の壁部と、この壁部に沿って連接するように形成された複数の前記嵌合部とを備え、
前記複数の嵌合部に、複数の前記ドラムコアを嵌合させたこと
を特徴とする上記（１）に記載の磁性素子。
【００１０】
（３）前記巻軸の前記鍔面と平行方向の断面積をＳ１とし、前記シールドコアの前記鍔面と平行方向の断面積をＳ２としたときに、
０．５×Ｓ１≦Ｓ２≦５×Ｓ１
の関係であること
を特徴とする上記（１）に記載の磁性素子。
【００１１】
本発明の磁性素子では、ドラムコアの鍔部の一部とシールドコアを嵌合させて、磁性素子を組み立てる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る磁性素子によれば、ドラムコアの鍔部の一部とシールドコアとを嵌合させて磁性素子を構成するので、磁性素子を小型にすることができる。また、ドラムコアに巻回されているコイルの端部が引き出しやすくなるので、コイルと端子を接続する作業を容易にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の形態に限定されるものではない。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る磁性素子の分解斜視図である。
図１に示すように、磁性素子としてのインダクタンス素子１は、ドラムコア２と、コイル３と、シールドコア４とから構成されている。
【００１５】
ドラムコア２は、巻軸と、平面状の鍔面２ｄを有する鍔部２ｂとを備えている。ドラムコア２は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁性材料で構成されている。また、鍔部２ｂに連接する図示しない巻軸には、コイル３が巻回されている。
【００１６】
また、ドラムコア２には、コイル３の端部を接続するための端子（図示せず）が設けられている。端子は、金属性の端子部材をドラムコアに取り付けることにより形成してもよいし、Ａｇペーストを用いて端子電極をドラムコアに印刷することにより形成してもよい。また、端子電極は、シールドコア４に設けるようにしてもよい。
【００１７】
シールドコア４は、ドラムコア２の高さと略一致するように形成されており、ドラムコア２に対向する面には、鍔部２ｂの外周の形状２ａと合致するような形状を有する嵌合部４ａが形成されている。本実施形態では、鍔部２ｂの外周の形状２ａは円形であるので、嵌合部４ａは、半円柱状の凹部を有するように形成されている。また、嵌合部４ａは、半円柱状の凹部が有する曲面の長さが、鍔部２ｂの外周の全長の１／４〜１／２となるように形成されている。なお、シールドコア４は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた材料で構成され、例えば、金型プレス法によって、所定形状に成型される。
【００１８】
図２は、本実施形態による磁性素子の斜視図である。
図２に示すように、ドラムコア２の鍔部２ｂの外周２ａの一部と、シールドコア４の嵌合部４ａとを嵌合させることにより、インダクタンス素子１が組み立てられている。なお、鍔面２ｄとシールドコア４の上下面とが、一つの平面を形成するように組み立てられている。また、ドラムコア２とシールドコア４とを組み付ける際は、鍔部２ｂの側面と、その側面に対応するシールドコア４の所望の部位に接着剤を塗布することにより固定する。
【００１９】
このように、ドラムコア２とシールドコア４とを組み立てることにより、インダクタンス素子１の内部に閉磁路回路が形成される。なお、シールドコア４は、ドラムコア２からの磁束を通過させているので、磁束の漏れを防止する磁器シールドコアとしての機能を有している。
【００２０】
なお、このインダクタンス素子１を電源用途として、即ち大電流対応とするためには、磁路中にギャップを設ける必要がある。ここでギャップを設ける方法としては、ドラムコア２の少なくとも一方の鍔部２ｂの外周径を、他方の鍔部２ｂの外周径よりも小さくすることにより、シールドコア４との間に空隙を形成する方法が考えられる。また、別の方法として、シールドコア４の実効透磁率を、ドラムコア２の実効透磁率よりも低く設定し、実質的にギャップの作用を奏させることも可能である。そのような方法を用いる場合は、透磁率の低い磁性材料や、樹脂と磁性粉を混合したものをコア材として用いる等の種々変更が可能である。
【００２１】
図３は、図２に示した磁性素子のＡ−Ａ線上の断面図である。
図３に示すように、ドラムコア２の巻軸２ｃには、コイル３が巻回されている。また、このコイル３からは、図に示した矢印の方向に、巻軸２ｃ、鍔部２ｂ、シールドコア４を貫く磁束Φ１が発生する。なお、素子に流れる磁束の向きは、コイル３に流れる電流の向きによって変化する。
【００２２】
ここでは、鍔面２ｄに平行な巻軸２ｃの断面積をＳ１とし、鍔面２ｄに平行であって、図に示すようなシールドコア４の最も狭い部分（本実施形態では、シールドコア４の１／２の高さにおける断面積）の断面積をＳ２と定義する。なお、本実施形態のインダクタンス素子１においては、シールドコア４の断面は同一形状であるため、上記Ｓ２の値は常に一定である。
本実施形態のインダクタンス素子１では、断面積Ｓ１と断面積Ｓ２との関係が、０．５×Ｓ１≦Ｓ２≦５×Ｓ１の関係となるように設定されている。
【００２３】
図４は、図３に示した磁性素子のＢ−Ｂ線上の断面図である。
断面積Ｓ１の巻軸２ｃには、コイル３が巻回されている。鍔部２ｂは、巻回されたコイル３の外周径よりも大きな外周径を有するように構成されている。
【００２４】
また、シールドコア４に設けられた嵌合部４ａが、ドラムコア２の鍔部２ｂの外周の一部と嵌合し、ドラムコア２とシールドコア４とは互いに接触している。上述したように、鍔部２ｂとシールドコア４とが接触する部分の長さは、鍔部２ｂの外周の全長の１／４〜１／２の長さの範囲となる。接触部分の長さをこのような範囲に設定することにより、シールドコア４がドラムコア２を保持する強度を維持できるとともに、基板に実装した際のインダクタンス素子１の配置面積を小さくすることができる。
【００２５】
ここで、鍔部２ｂとシールドコア４との接触面積が小さい場合、例えば点接触しているような場合には、インダクタンス素子に電流を流すとすぐに磁気飽和状態となってしまう。しかし、本実施形態のインダクタンス素子１では、シールドコア４の嵌合部４ａの形状を、ドラムコア２の鍔部２ｂの形状と合致するように形成しているので、シールドコア４に生じる磁気飽和と、ドラムコア２に生じる磁気飽和との割合を等しくすることができ、インダクタンス素子の内部で局所的な磁気飽和状態が発生することを遅らせることができる。
【００２６】
また、本実施形態のインダクタンス素子１によれば、ドラムコア２及びシールドコア４とも簡素な構成であるため、素子の製造が容易であり、製造コストを低くすることができる。
【００２７】
また、本実施形態のインダクタンス素子１によれば、ドラムコア２の巻軸２ｃの断面積をＳ１とし、シールドコア４の断面積をＳ２とした時に、断面積Ｓ１と断面積Ｓ２との関係が、０．５×Ｓ１≦Ｓ２≦５×Ｓ１となるように設定されているので、インダクタンス素子１を種々の用途に用いたとしても、ドラムコア２及びシールドコア４の内部で発生する磁気飽和の発生を遅らせて、インダクタンス素子の電気特性の変動を抑えることができる。なお、本実施形態では、基板の実装面積を抑えるため、断面積Ｓ２を断面積Ｓ１の５倍以下になるように設定しているが、コアの構造上の強度を向上させるため、断面積Ｓ２を断面積Ｓ１の５倍以上となるように設定してもよい。
【００２８】
図５は、本発明の実施形態による磁性素子を実装基板に装着する際の斜視図である。
図５において、図２と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２９】
図５に示すように、ドラムコア２の鍔面２ｄに設けられた実装面２ｅには、端子電極５が形成されている。この端子電極５には、巻軸２ｃに巻回されたコイル３の端部（図示せず）が接続されている。また、インダクタンス素子１は、半田付けによって、端子電極５と実装基板６との接触が保たれている状態で、実装基板６に実装される。これにより、実装基板６から供給される電流は、端子電極５を介して、インダクタンス素子１に供給される。
【００３０】
本実施形態のインダクタンス素子１によれば、鍔部２ｂとシールドコア４とが接触する部分の長さが、鍔部２ｂの外周の全長の１／４〜１／２の長さとなるように設定されているので、ドラムコア２のすべてがシールドコア４に囲まれているわけではない。そのため、シールドコア４が存在しない部分から、巻芯２ｃに巻回されているコイル３の端部を視認することができるので、コイル３の端部を引き出して端子電極５に接続する作業を容易に行うことができる。
【００３１】
また、図に一点鎖線で示されたＸ−Ｘ線は、ドラムコア２の図示されない巻軸２ｃの長軸方向を示す。また、図に一点鎖線で示されたＹ−Ｙ線は、実装面２ｅに平行な方向を示す。すなわち、本実施形態では、ドラムコア２の巻軸２ｃの長軸が、実装面２ｅに対して垂直となるような状態で、インダクタンス素子１が基板６に実装される。このため、鍔面２ｄによって、インダクタンス素子１の上下方向における磁束漏洩を少なくすることができるので、例えば、電源基板の上下方向に信号基板が配置されるような多層回路構成等に素子を使用する場合に、上下方向に漏洩する磁束により生じる信号処理用途の電子部品の誤作動を少なくすることができる。
【００３２】
図６は、本発明の他の実施形態による磁性素子を実装基板に装着した際の斜視図である。
図６において、図２と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３３】
図６に示すように、本実施形態におけるシールドコア４′は、ドラムコア２の高さと略一致するように形成されており、ドラムコア２に対向する面には、鍔部２ｂの外周の形状２ａと合致するような形状を有する嵌合部４′ａが形成されている。本実施形態では、鍔部２ｂの外周の形状２ａは円形であるので、嵌合部４′ａは、半円柱状の凹部を有するように形成されている。
【００３４】
また、シールドコア４′は、鍔部２ｂの半径方向の幅が、鍔部２ｂの外周に沿って略等しくなるような大きさで形成されている。これにより、シールドコア４′を小型にすることができるので、基板上におけるインダクタンス素子１の配置面積を小さくすることができる。
【００３５】
また、嵌合部４′ａは、半円柱状の凹部が有する曲面の長さが、鍔部２ｂの外周の全長の略１／２となるように形成されている。なお、シールドコア４′は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた材料で構成され、例えば、金型プレス法によって、所定形状に成型される。
【００３６】
図７は、本発明による別の実施形態の磁性素子の断面図である。
図７において、図３と対応する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
図７に示すように、インダクタンス素子１１は、いわゆるＴ字型のドラムコア１２と、ドラムコアの巻芯１２ｃに巻回されたコイル３と、シールドコア１４とから構成されている。
【００３７】
ドラムコア１２は、巻軸１２ｃと、巻軸１２ｃの一端のみに連接された鍔部１２ｂとから構成される。
【００３８】
シールドコア１４は、ドラムコア１２に対向する本体部１４ａと、本体部１４ａの下端側に連接された平板状の台座部１４ｂとから構成されており、図に示すように、シールドコア１４の断面は、いわゆるＬ字状になるように形成されている。インダクタンス素子１１は、鍔部１２ｂが形成されていない側の巻軸１２ｃの端部１２ｆを、シールドコア１４の台座部１４ｂに載せることによって組み立てられる。
【００３９】
図８は、本発明による別の実施形態の磁性素子の斜視図である。
図８に示すように、ドラムコア１３は、図示しない巻軸と、この巻軸に連接された略正方形状の鍔面１３ｄを有する鍔部１３ｂと、から構成されている。また、巻軸には、コイル３が巻回されている。なお、ドラムコア１３は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁性粉末材料で構成されている。
【００４０】
シールドコア１４′は、ドラムコア１３と巻軸方向で高さが略一致するように形成され、ドラムコア１３に対向する面には、鍔部１３ｂの外周形状に合致するような形状を有する嵌合部１４′ａが形成されている。本実施形態では、鍔部１３ｂの外周形状は正方形であるので、嵌合部１４′ａには、直方体状の凹部が形成される。シールドコア１４′は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた材料で構成され、例えば、金型プレス法によって所定形状に成型される。なお、シールドコア１４′は、磁性体入り接着剤で構成してもよい。
【００４１】
インダクタンス素子２１は、鍔部１３ｂの外周１３ａの一部と、シールドコア１４′の嵌合部１４′ａとを嵌合して、組み立てられている。鍔部１３ｂとシールドコア１４′とが接触する部分の長さは、鍔部１３ｂの外周の全長の１／４〜１／２の長さとなるように設定されている。このような範囲に接触部分の長さを設定することにより、ドラムコア１３とシールドコア１４′との保持強度を維持できるとともに、基板に実装した際のインダクタンス素子２１の配置面積を小さくすることができる。
【００４２】
なお、ドラムコア１３とシールドコア１４′とを組み付ける際は、鍔部１３ｂの側面と、その側面に対応するシールドコア１４′の所望の部位に接着剤を塗布して固定する。これにより、インダクタンス素子２１には、ドラムコア１３とシールドコア１４′によって、閉磁路回路が形成されている。
【００４３】
また、インダクタンス素子２１は、鍔面１３ｄに平行な巻軸の断面積をＳ１とし，鍔面１３ｄに平行であって、シールドコア１４′の最も狭い部分の断面積をＳ２とすると、断面積Ｓ１と断面積Ｓ２との関係が０．５×Ｓ１≦Ｓ２≦５×Ｓ１の関係となるように設定されている。
【００４４】
鍔部１３ｂの実装面１３ｅには、端子電極１５が設けられている。端子電極１５は、実装面１３ｅにＡｇペーストを塗布し、焼成することにより形成される。このように、端子となる部位にＡｇペーストを塗布し、焼成した電極タイプのコアとすることで、生産性、基板への実装性を向上させることができる。また、インダクタンス素子２１は、端子電極１５と実装基板とを半田付けで固定することにより、実装基板６に実装されており、基板から供給される電流は、端子電極１５を介して、インダクタンス素子２１に供給される。
【００４５】
本実施形態のインダクタンス素子２１によれば、鍔部１３ｂが略正方形状を有しているので、基板に実装する際の実装性・安定性を向上させることができる。また、基板に取り付けた際のインダクタンス素子２１の高さを低くすることができ、全体的に小型化を図ることができる。
【００４６】
図９は、本発明の別の実施形態の磁性素子の斜視図である。
図９に示すように、本実施形態のインダクタンス素子４１は、コイル３が巻回された複数のドラムコア２Ａ，２Ｂ、２Ｃと、シールドコア４２と、から構成されている。ドラムコア２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、互いに同一の形状を有するように構成されている。また、ドラムコア２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた磁性材料で構成されている。
【００４７】
シールドコア４２は、ドラムコア２と高さが略一致するように形成され、ドラムコア２Ａ，２Ｂ，２Ｃと対向する側には、平面を有する壁部４２ｂが形成されている。この壁部４２ｂには、ドラムコアの鍔部２ｂの外周形状２ａの一部に合致するような形状を有する嵌合部４２ａが、複数個所に形成されている。本実施形態では、鍔部２ｂの外周形状２ａは円形であるので、嵌合部４２ａには、半円柱状の凹部が形成されている。また、シールドコア４２には、３個のドラムコア２Ａ、２Ｂ、２Ｃを嵌合する必要があるため、壁部４２ｂに沿って連接するように３箇所の嵌合部４２ａが形成されている。なお、シールドコア４２は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを用いた材料で構成され、例えば、金型プレス法によって所定形状に成型される。なお、シールドコア４２は、磁性体入り接着剤で構成してもよい。
【００４８】
インダクタンス素子４１は、各ドラムコア２Ａ，２Ｂ，２Ｃの鍔部２ｂの外周２ａの一部と、シールドコア４２の嵌合部４２ａとを嵌合することによって組み立てられる。鍔部２ｂとシールドコア４１とが接触する部分の長さは、それぞれ鍔部２ｂの外周の全長の１／４〜１／２の長さとなるように設定されている。このような範囲に接触部分の長さを設定することにより、シールドコア４２が、ドラムコア２Ａ、２Ｂ、２Ｃを保持する強度を維持できるとともに、基板に実装した際のインダクタンス素子４１の配置面積を小さくすることができる。なお、各ドラムコア２Ａ，２Ｂ、２Ｃとシールドコア４２とを組み付ける際は、鍔部２ｂの側面と、その側面に対応するシールドコア４２の所望の部位に接着剤を塗布して固定する。
【００４９】
コイルを接続させるための端子は、金属性の端子部材を各ドラムコアに取り付けることによって形成してもよい。また、Ａｇペーストを用いて端子電極をドラムコアの実装面に印刷するようにして形成してもよい。なお、端子電極は、シールドコア４２に設けてもよい。
【００５０】
本実施形態のインダクタンス素子４１は、１個のシールドコア４２と、３個のドラムコア２Ａ、２Ｂ、２Ｃとを組み合わせることにより構成されているので、１個のインダクタンス素子４１に３箇所の閉磁路回路が形成されており、巻軸２ｃ、鍔部２ｂ、シールドコア４２を貫く磁束経路ΦＡ、ΦＢ，ΦＣが、それぞれ独立に発生している。これらの磁束経路ΦＡ、ΦＢ，ΦＣは、図に示すように、シールドコア４２のドラムコアの巻軸の長軸に沿うような方向に存在する。なお、素子に流れる磁束の向きは、各ドラムコアに巻回されているコイル３に流れる電流の向きによって変化する。
【００５１】
このように、本実施形態のインダクタンス素子４１によれば、各ドラムコア２Ａ，２Ｂ、２Ｃについて、それぞれ独立した磁束経路を形成することができるので、各磁束が混ざり合うことが少なく、複数のドラムコアを使用したとしても、安定したインダクタンス素子４１の電気特性を維持することができる。
【００５２】
なお、シールドコアに嵌合させるドラムコアの数は、本実施形態のように３個にかぎることなく、２個若しくは４個以上であってもよい。この場合、シールドコアには、ドラムコアと同数の嵌合部が形成される。また、ドラムコアとして、略正方形状の鍔部を有するドラムコアを用いるようにしてもよい。
【００５３】
また、複数のドラムコアをいわゆるＴ字型のドラムコアとし、さらに、壁部４２ｂの下端側に平板状の台座部１４ｂを設けて、シールドコアの断面がＬ字状になるように形成し、台座部にＴ字型のドラムコアを載置して、インダクタンス素子を完成させるようにしてもよい。
【００５４】
図１０は、図９に示した磁性素子の上平面図である。
図１０において、図９と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００５５】
図１０に示すように、各ドラムコア２Ａ，２Ｂ、２Ｃの巻軸２ｃには、コイル３が巻回されており、鍔部２ｂは、巻回されたコイル３の外周径よりも大きな外周径を有している。
また、各ドラムコアの下方には、ユーザー端子若しくは絡げ端子である端子７が接続されている。端子７は、ドラムコアが載置される基板に一体に形成されるものであってもよいし、別個に成型された端子部材であってもよい。
【００５６】
ここで、各ドラムコアの鍔面２ｄに平行な巻軸の断面積Ｓ１を足し合わせた面積をＳ′１とし，鍔面２ｄに平行であって、シールドコア４２の最も狭い部分の断面積をＳ′２とすると、インダクタンス素子４１は、断面積Ｓ′１と断面積Ｓ′２との関係が０．５×Ｓ′１≦Ｓ′２≦５×Ｓ′１の関係となるように構成されている。
【００５７】
このように、本形態のインダクタンス素子４１によれば、複数のドラムコア２の巻軸２ｃの断面積Ｓ１を足した面積をＳ′１とし、シールドコア４２の断面積をＳ′２とした時に、断面積Ｓ′１と断面積Ｓ′２との関係が、０．５×Ｓ′１≦Ｓ′２≦５×Ｓ′１となるように設定されているので、インダクタンス素子４１を種々の用途に用いたとしても、各ドラムコア２Ａ，２Ｂ、２Ｃ及びシールドコア４２の内部で発生する磁気飽和の発生を遅らせて、インダクタンス素子の電気特性の変動を抑えることができる。また、同時に、素子の強度を維持しつつ、基板上におけるインダクタンス素子４１の配置面積を小さくすることができる。なお、シールドコア４２は、磁性体入り接着剤で構成してもよい。
【００５８】
なお、本発明の磁性素子は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、その他材料、構成等において本発明の構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。特に、上述したドラムコア及びシールドコアの形成に用いる磁性材料は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに限られるものではなくＭｎ−Ｚｎ系フェライトや、金属系磁性材料、アモルファス系磁性材料等を用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る磁性素子の分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る磁性素子の斜視図である。
【図３】図２に示した磁性素子のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図４】図３に示した磁性素子のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図５】本発明の実施形態による磁性素子を実装基板に装着する際の斜視図である。
【図６】本発明の他の実施形態による磁性素子を実装基板に装着した際の斜視図である。
【図７】本発明による別の実施形態の磁性素子の断面図である。
【図８】本発明による別の実施形態の磁性素子の斜視図である。
【図９】本発明による別の形態例の磁性素子の斜視図である。
【図１０】図９に示した磁性素子の上平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，１１，２１、４１・・インダクタンス素子、２，１２・・ドラムコア、３・・コイル、２ｂ、１２ｂ、１３ｂ・・鍔部、２ｃ、１２ｃ・・巻軸、２ｄ、１２ｄ、１３ｄ・・鍔面、２ｅ、１３ｅ・・実装面、４、４′、１４，１４′、４２・・シールドコア、４ａ、４′ａ、１４ａ、１４′ａ、４２ａ・・嵌合部、５・・端子電極、６・・実装基板、７・・接続端子、１４ａ・・本体部、１４ｂ・・台座部、Ｓ１・・ドラムコアの巻軸の断面積、Ｓ２・・シールドコアの断面積、Φ１・・磁束線、Ｘ・・巻軸の長軸線、Ｙ・・実装面軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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