(57)【要約】【課題】小型化、低背化された中でも、特性を容易に調整できる誘電体装置を提供すること。【解決手段】共振部Ｑ１〜Ｑ３の第１の孔４１〜４３は、第３の外面２３に開口し、第３の外面２３からその対向する第２の外面２２の方向に向かう。第１の孔４１〜４３は、内部に第１の内導体６１〜６３を備える。第２の孔５１〜５３は、第１の外面２１に開口し、誘電体基体１の内部で第１の孔４１〜４３に連なり、内部に第２の内導体８１〜８３を備える。回路要素９１は、第１の孔４１〜４３又は第２の孔の開口する外面のうち、外導体膜３を備えない領域である第１の外面２１に、外導体膜３、第１の内導体６１〜６３及び第２の内導体８１〜８３から絶縁して設けられ、共振部Ｑ１〜Ｑ３を相互に結合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基体と、複数の共振部と、回路要素とを含む誘電体装置であって、
前記誘電体基体は、外面に外導体膜を備えており、
前記共振部のそれぞれは、前記誘電体基体に併設され、第１の孔と、第２の孔とを含んでおり、
前記第１の孔は、
前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に第１の内導体を備えており、
前記第２の孔は、
前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向しない外に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第１の孔に連なり、内部に第２の内導体を備え、前記第２の内導体は前記誘電体基体の内部で前記第１の内導体に連なっており、
前記回路要素は、前記第１の孔又は第２の孔の開口する外面のうち、前記外導体膜を備えない領域に、前記外導体膜、前記第１の内導体及び第２の内導体から絶縁して設けられ、前記共振部を相互に結合する、
誘電体装置。
【請求項２】
請求項１に記載された誘電体装置であって、前記回路要素は、導体からなるパターンによって形成されている、誘電体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された誘電体装置であって、
前記共振部は、３つ以上であり、前記回路要素は、前記隣り合う３つの共振部に跨って配置されている、誘電体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された誘電体装置であって、前記回路要素は、不連続である、誘電体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された誘電体装置であって、前記回路要素は、折れ曲がったパターンによって形成されている、誘電体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載された誘電体装置であって、前記回路要素は、溝によって形成されている、誘電体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載された誘電体装置であって、誘電体フィルタである誘電体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れかに記載された誘電体装置であって、デュプレクサである誘電体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体フィルタまたはデュプレクサ等の誘電体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の誘電体装置は、準マイクロ波帯、マイクロ波帯、ミリ波帯またはサブミリ波帯等の高周波領域において用いられる。より具体的な適用例としては、衛星通信機器、移動体通信機器、無線通信機器、高周波通信機器またはこれらの通信機器のための基地局等を挙げることができる。
【０００３】
従来、携帯電話等に使用されている共振器や誘電体フィルタは、誘電体基体に１つの貫通孔を設けた共振器部分を、複数組み合わせて構成されており、共振器の長さは、通常、自由空間の波長λの１／４を、誘電体基体を構成する材料の比誘電率の平方根で除した長さである。
【０００４】
誘電体フィルタを構成する場合、複数の共振器を、別途に準備した結合回路で結合させたり、或いは、略直方体に形成された誘電体基体の一面から対向する外面に複数の貫通孔を設け、一面を除く外面と貫通孔内部にメタライズを施し、それぞれの貫通孔を共振器部分とする。
【０００５】
誘電体基体を用いた誘電体フィルタの場合は、共振器部分にキャパシタ等の付加素子を装荷したり、メタライズのない一面に導体パターンを形成して付加要素を構成する。更には誘電体基体そのものに溝や凹部等を設置することにより、電磁界結合分布のバランスを意図的に崩し、電界または磁界により結合させる等の構造が採られている。
【０００６】
しかし、従来の共振器及び誘電体フィルタでは、小型化のために、共振器の長さを短くしたい場合、上述のように、別途負荷容量を構成することが必要であり、また共振器に付加素子を装加する構造では、部品点数が多く、小型化に不向きである。
【０００７】
更に、共振器の一面に導体パターンによりキャパシタ等を形成する構造では、誘電体基体の一面に、複雑で精密な導体パターンを形成する必要があり、小型化及び低背化が進展するにつれて、生産のコストが嵩むとともに、歩留にも悪影響を与える。
【０００８】
上述した問題点を解決する手段として、特許文献１は、共振部において、第１の孔と、第２の孔とを含む孔構造とし、第１の孔の端部に、第２の孔を交差させた新規な誘電体装置を開示している。第１の孔に備えられた第１の内導体及び第２の孔に備えられた第２の内導体を互いに連続させる。
【０００９】
この孔構造を有する誘電体装置によれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
【特許文献１】特許第３３２９４５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、特許文献１に記載された技術に更に改良を加え、小型化、低背化された中でも、特性を容易に調整できる誘電体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明に係る誘電体装置は、誘電体基体と、複数の共振部と、回路要素とを含む。前記誘電体基体は、外面に外導体膜を備えている。前記共振部のそれぞれは、前記誘電体基体に併設され、第１の孔と、第２の孔とを含んでいる。
【００１２】
前記第１の孔は、前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に第１の内導体を備える。
【００１３】
前記第２の孔は、前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向しない外に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第１の孔に連なり、内部に第２の内導体を備え、前記第２の内導体は前記誘電体基体の内部で前記第１の内導体に連なっている。
【００１４】
前記回路要素は、前記第１の孔又は第２の孔の開口する外面のうち、前記外導体膜を備えない領域に、前記外導体膜、前記第１の内導体及び第２の内導体から絶縁して設けられ、前記共振部を相互に結合する。
【００１５】
上述したように、本発明に係る誘電体装置では、共振部は、第１の孔と、第２の孔とを含み、第１の孔に、第２の孔を交差させた孔構造が得られる。この孔構造において、第１の孔に備えられた第１の内導体及び第２の孔に備えられた第２の内導体を互いに連続させる。第１の孔の第１の内導体は、誘電体基体を介して、外導体膜と向かい合うから、第１の内導体膜と、外導体膜との間には静電容量が発生する。このため、本発明に係る誘電体装置は、第２の孔の軸方向で見た誘電体基体の長さに対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
【００１６】
上述のように、小型化及び低背化が可能であるとしても、それで、問題がなくなるわけではない。なぜなら、小型化すると、共振器相互間の結合容量が小さくなり、第１の孔や第２の孔の形成位置、孔径などの僅かな変動が、特性に大きな影響を与えるし、また、小型化されると、構造的に、調整可能幅が小さくなり、所望の特性を得ることが困難になるからである。
【００１７】
この問題を解決するため、本発明は、特許文献１にはない特徴的構成として、回路要素を備える。回路要素は、第１の孔又は第２の孔の開口する外面のうち、外導体膜を備えない領域に、外導体膜、前記第１の内導体及び第２の内導体から絶縁して設けられ、複数備えられる共振部を相互に結合する。即ち、回路要素により、共振器相互間に有極結合を生じさせる。これにより、小型化、低背化された中でも、回路要素による特性調整が可能になり、所望の特性に合わせこむことが可能になる。
【００１８】
本発明に係る装置は、共振器、発振器、誘電体フィルタまたはDuplexer（デュプレクサ、アンテナ共用器とも称される）を広くカバーする装置として用いることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上述べたように、本発明によれば、特許文献１に記載された技術に更に改良を加え、小型化及び低背化された中で、容易に特性を調整しえる誘電体装置、具体的には、誘電体フィルタまたはDuplexerを提供することができる。
【００２０】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されないことは言うまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は本発明に係る誘電体装置の斜視図、図２は図１に示した誘電体装置を背面側から見た斜視図、図３は図１の３−３線に沿った断面図である。図示された誘電体装置は、主として、誘電体フィルタとして用いられるもので、誘電体基体１と、３つの共振部Ｑ１〜Ｑ３を含む。誘電体基体１は、周知の誘電体セラミックスを用いて、第１の外面２１〜第６の外面２６を有する略六面体状に形成され、第１の外面２１を除く第２〜第６の外面２２〜２６は外導体膜３によって覆われている。外導体膜３は、一般に、銅または銀等を主成分とし、焼き付け、メッキ等の手段によって形成される。
【００２２】
共振部Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３のそれぞれは、誘電体基体１を共用して一体化されている。共振部Ｑ１は、第１の孔４１と、第２の孔５１とを含む。第１の孔４１は、誘電体基体１に設けられ、一端が第３の外面２３に開口し、第３の外面２３からその対向面となる第２の外面２２の方向に向かう。第１の孔４１は内部に第１の内導体６１を備える。第１の内導体６１は、外導体膜３と同様の材料及び手段によって、電極膜として形成される。第１の内部導体６１は、第３の外面２３に導出された端部が外導体膜３に連続する。
【００２３】
第２の孔５１も、誘電体基体１に設けられる。第２の孔５１は、一端が、外導体膜３によって覆われていない第１の外面２１に開口し、第１の外面２１からその対向面である第４の外面２４の方向に向かい、誘電体基体１の内部で第１の孔４１に連なる。
【００２４】
第２の孔５１は、内部に第２の内導体８１を備える。この第２の内導体８１は、一端が第１の外面２１に位置し、他端が第１の内導体６１に連続する。第１の外面２１は、外導体膜３によって覆われていないので、第２の内導体８１は外導体膜３には連続しない。第２の内導体８１は、第１の内導体６１と同様の材料及び手段によって形成される。
【００２５】
第２の孔５１は、内径Ｄ２の実質的な円形状であり、第１の孔４１は、横方向の内径Ｄ１１が、縦方向の内径Ｄ１２よりも大きい略長方形状の孔形を有する。横方向の内径Ｄ１１は第２の孔５１の内径Ｄ２よりも大きい。従って、第２の孔５１の他端は、第１の孔４１の横幅内で、第１の孔４１に連なることになる。第１の孔４１は、隅部が円弧状であることが好ましい。この図の場合、Ｄ１１＞Ｄ１２で示しているが、Ｄ１１≦Ｄ１２にすることも可能である。この図では、更に、第１の孔４１は、第２の孔５１との連接領域から、距離Ｘ１だけ奥行き方向に突出している（図３参照）。
【００２６】
共振部Ｑ２、共振部Ｑ３は、共振部Ｑ１と実質的に同一の構造であり、第１の孔４２、４３と、第２の孔５２、５３とを含んでいる。図示した誘電体フィルタにおいて、共振部Ｑ２、Ｑ３は、共振部Ｑ１と同じ構造であるから、その作用、利点については、共振部Ｑ１に関する説明を、共振部Ｑ２、Ｑ３についても採用できる。誘電体フィルタ全体としての作用は、更に、共振部Ｑ１、共振部Ｑ２及びＱ３の間の結合を考慮すればよい。
【００２７】
更に、第２の外面２２には、外導体膜３との間にギャップｇ１１、ｇ１２を隔てて、端子１１、１２が備えられている。端子１１は誘電体層を介して、第１の内導体６１と静電容量ＣＯ２によって結合している。端子１２も、同様に、第１の内導体６３と静電容量によって結合している。
【００２８】
共振部Ｑ１と共振部Ｑ２、共振部Ｑ２と共振部Ｑ３との間の結合が、容量性結合になるか、誘導性結合になるかは、共振部Ｑ１〜Ｑ３を構成する第１の孔４１〜４３に設けられた第１の内導体６１−６２−６２−６３の間に形成される容量と、第１の内導体６１〜６３と外導体膜３の間に形成される容量の相対関係に依る。前者が強い場合、容量性結合が支配的に、後者が強い場合は誘導性結合が支配的になる。
【００２９】
更に、本発明では、共振部Ｑ１〜Ｑ３との間の結合を調整する手段として、第１の外面２１において外導体膜３の存在しない領域に、回路要素９１を有する。図示された回路要素９１は、第１の外面２１に延長された第２の内導体８１、８２、８３の延長部８１１、８２１、８３１に対して、間隔を隔てて設けられた導体パターン９１によって構成されている。図の導体パターン９１は、図示の簡略化のみを目的として、もっとも単純な条状パターンとして形成されているが、そのパターンは任意である。
【００３０】
上述したように、共振部Ｑ１において、第１の孔４１は、一端が第３の外面２３に開口し、外導体膜３に連続するとともに、第３の外面２３からその対向する第２の外面２２に向かう。第２の孔５１は、一端が、外導体膜３によって覆われていない第１の外面２１に開口し、第１の外面２１からその対向する第４の外面２４の方向に向かい、他端が誘電体基体１の内部で第１の孔４１に連なる。この孔構造において、第１の内導体６１及び第２の内導体８１を互いに連続させてあるから、第１の孔４１及び第２の孔５１は、１つの電気回路を構成する。
【００３１】
同様に、共振部Ｑ２において、第１の孔４２は、一端が第３の外面２３に開口し、外導体膜３に連続するとともに、第３の外面２３からその対向する第２の外面２２に向かう。第２の孔５２は、一端が、外導体膜３によって覆われていない第１の外面２１に開口し、第１の外面２１からその対向する第４の外面２４の方向に向かい、他端が誘電体基体１の内部で第１の孔４２に連なる。この孔構造において、第１の内導体６２及び第２の内導体８２を互いに連続させてあるから、第１の孔４２及び第２の孔５２は、１つの電気回路を構成する。
【００３２】
更に、共振部Ｑ３においても、第１の孔４３は、一端が第３の外面２３に開口し、外導体膜３に連続するとともに、第３の外面２３からその対向する第２の外面２２に向かう。第２の孔５３は、一端が、外導体膜３によって覆われていない第１の外面２１に開口し、第１の外面２１からその対向する第４の外面２４の方向に向かい、他端が誘電体基体１の内部で第１の孔４３に連なる。この孔構造において、第１の内導体６３及び第２の内導体８３を互いに連続させてあるから、第１の孔４３及び第２の孔５３は、１つの電気回路を構成する。
【００３３】
上述した構造によれば、外導体膜３と第２の孔５１〜５３に備えられた第２の内導体６１〜６３との間に静電容量が発生し、第２の孔５１〜５３の軸方向で見た誘電体基体１の長さＬ１に対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体１の長さＬ１を短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
【００３４】
実施例に示した誘電体装置の小型化及び低背化について、具体例を挙げて説明する。図１〜図４に示した構造において、誘電体基体１は、比誘電率εｒ＝９２の誘電体材料を用い、略直方体の形状とした。誘電体基体１の寸法は、第３の外面２３で見た平面積が（２ｍｍ×２ｍｍ）、長さＬ１は２．５ｍｍとした。孔第２の孔５１〜５３の孔径Ｄ２は０．５ｍｍとし、第１の孔４１〜４３の孔径Ｄ１１は１ｍｍとした。
【００３５】
この共振器をルーズカップリングさせて測定した共振周波数は２．０２ＧＨｚであった。長さＬ１について、従来、共振周波数２．０２ＧＨｚの（１／４）波長共振器では、３．５〜４ｍｍ程度必要であったので、本実施例の場合、３０％程度短縮することができたことになる。
【００３６】
更に、本発明に係る誘電体装置の構造的特徴として、第１の外面２１において外導体膜３の存在しない領域に、導体パターンでなる回路要素９１を備える。このように、第１の外面２１を、回路要素９１を構成する導体パターンの形成領域として使用するため、小型化、低背化された中で、導体パターンによる共振部Ｑ１〜Ｑ３の容量結合を調整し、所望のフィルタ特性を確保し得る。
【００３７】
図４は、誘電体フィルタの特性の一例を示す図である。曲線Ｌ１１は、図１〜図３に示した誘電体フィルタにおいて、回路要素９１を持たない誘電体フィルタの減衰特性を示し、曲線Ｌ２１は図１〜図３に示した誘電体フィルタの減衰特性を示している。
【００３８】
図示するように、図１〜図３に示した誘電体フィルタの場合、１９８０MHｚに減衰極（Ｐ１）を生じる減衰特性（Ｌ２１）を示す。これに対して、回路要素がない場合の減衰特性（Ｌ１１）では、帯域近傍には減衰極が発生していないことがわかる。従って、通過帯域幅や、減衰極などは、回路要素９１である導体パターンの有無、幅、長さ形状などを調整することによって、容易に調整できる。
【００３９】
図５は本発明に係る誘電体装置の別の実施例を示す斜視図、図６は図５に示した誘電体装置を背面側から見た斜視図、図７は図５の７−７線断面図である。図において、図１〜図４に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。これらの図を参照すると、誘電体基体１の第２の外面２２には、第１の外面２１と隣り合う位置に、入出力端子となる第１の端子１１及び第２の端子１２が備えられている。第１の端子１１は、第２の孔５１に設けられた第２の内導体８１と、誘電体層を介して対向する位置に設けられ、外導体膜３から絶縁ギャップｇ１１によって電気的に絶縁されている。第１の端子１１と第２の内導体８１との間には、静電容量Ｃ０２が発生する。
【００４０】
第２の端子１２は、共振部Ｑ３の第２の孔５３に備えられた第２の内導体８３と、誘電体層を介して対向する位置に設けられ、外導体膜３から絶縁ギャップｇ１２によって電気的に絶縁されている。
【００４１】
第１及び第２の端子１１、１２と、第２の孔５１、５３の内導体８１、８２との間には、その間の誘電体層の厚さ、その誘電率及び面積によって定まる結合容量が発生する。第１及び第２の端子１１、１２は、第２の孔５１、５３に設けたられた第２の内導体８１、８３と重なることは必須ではない。部分的に対向し、または、対向しない位置に設けてあってもよい。また、絶縁ギャップｇ１１、ｇ１２は一つのギャップとして連続させてもよい。
【００４２】
図８は誘電体装置の別の実施例を示す斜視図、図９は図８に示した誘電体装置を上下逆転させた斜視図である。図において、図１〜図７に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
【００４３】
これらの図を参照すると、第２の孔５１〜５３の開口する第１の外面２１は、外導体膜３によって覆われており、第２の孔５１〜５３の内部に付着された第２の内導体膜８１〜８３は外導体膜３に連続している。第１の端子１１は、第１の外面２１と対向する第４の外面２４と隣接する位置において、第２の外面２２と第５の外面２５とに跨って備えられている。第２の端子１２は、第１の外面２１と対向する第４の外面２４と隣接する位置において、第２の外面２２と第６の外面２６とに跨って備えられている。
【００４４】
更に特徴的な構成として、図９に示すように、第１の孔４１〜４３の開口する第３の外面２３に、その開口領域を共通に含むように、外導体膜３の存在しない領域ｇ３１を設け、この領域ｇ３１の面内に、導体パターンでなる回路要素９１を設けてある。第１の孔４１〜４３に設けられた第１の内導体６１〜６３は、第３の外面２３において、外導体膜３との接続が遮断されている。この実施例によっても、先に述べた実施例と同等の作用効果を得ることができる。
【００４５】
図１０は本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第１の孔４１〜４３の開口する第３の外面２３に、外導体膜３の存在しない領域ｇ３１を設け、この領域ｇ３１の内部に、回路要素９１、９２を構成する２つの導体パターンを、隣接する２つの共振器Ｑ１と共振器Ｑ２との間、及び、共振器Ｑ２と共振器Ｑ３との間に、分割して設けてある。回路要素９１、９２は、端部が互いに重なるように配置されている。
【００４６】
図１１は本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第２の孔５１〜５３の開口する第１の外面２１において、外導体膜３の存在しない領域内に、回路要素９１、９２を構成する２つの導体パターンを、隣接する２つの共振器Ｑ１と共振器Ｑ２との間、及び、共振器Ｑ２と共振器Ｑ３との間に、分割して設けてある。図１０、図１１の実施例によっても、先に述べた実施例と同等の作用効果を得ることができる。
【００４７】
図１２は本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第２の孔５１〜５３の開口する第１の外面２１の外導体膜３の存在しない領域内に、不連続な溝を設け、この溝内に電極を塗布して、回路要素９１、９２を形成してある。回路要素９１、９２は、隣接する２つの共振器Q１と共振器Ｑ２との間、及び、共振器Ｑ２と共振器Ｑ３との間に、分割して設けてある。
【００４８】
この構成によれば、第１の外面２１に延長された第２の内導体８１、８２、８３の延長部８１１、８２１、８３１に対して、回路要素９１、９２との間で静電容量が発生し、更に、回路要素９１、９２の間にも静電容量が発生する。これらの容量を調整することにより、図４に示した通過帯域近傍の減衰極を所望の周波数位置に設定することができる。
【００４９】
不連続な回路要素としての溝は、例えば、金型成形方法を用いて形成することができる。金型成形方法を用いると、回路要素としての溝と孔の相対位置を一定にすることができる。
【００５０】
図１３は本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第２の孔５１〜５３の開口する第１の外面２１の外導体膜３の存在しない領域内に、不連続な回路要素９１、９２、９３、及び９４を構成する４つの導体パターンを、隣接する３つの共振器Ｑ１、Ｑ２、及びＱ３に跨って、分割して設けてある。この構成でも、第２の内導体８１の延長部８１１と回路要素９１との間、回路要素９１と９２との間、回路要素９２と第２の内導体８２の延長部８１２との間、回路要素９２と９３との間、回路要素９３と第２の内導体８２の延長部８１２との間、回路要素９３と９４との間、及び回路要素９４と第２の内導体８３の延長部８１３との間それぞれに、静電容量が発生する。これらの容量を調整することにより、図４に示したように、通過帯域近傍の減衰極を所望の周波数位置に形成することができる。
【００５１】
次に、本発明に係る誘電体装置のもう一つの重要な適用例であるデュプレクサについて説明する。図１４は本発明に係るデュプレクサの斜視図、図１５は図１４に示したデュプレクサを背面側からみた斜視図である。図示されたデュプレクサは６つの共振部Ｑ１〜Ｑ６を有する。共振部Ｑ１〜Ｑ６のそれぞれは、誘電体基体１を共用して一体化されている。誘電体基体１は、第１の外面２１となる一面を除いて、面の大部分が外導体膜３によって覆われている。
【００５２】
共振部Ｑ１〜Ｑ６の内、共振部Ｑ１は、第１の孔４１と第２の孔５１との組み合わせ、共振部Ｑ２は第１の孔４２と第２の孔５２との組み合わせ、共振部Ｑ３は第１の孔４３と第２の孔５３との組み合わせを、それぞれ含む。共振部Ｑ４は第１の孔４４と第２の孔５４との組み合わせ、共振部Ｑ５は第１の孔４５と第２の孔５５との組み合わせ、共振部Ｑ６は第１の孔４６と第２の孔５６との組み合わせを、それぞれ含む。
【００５３】
第１の孔（４１〜４６）と第２の孔（５１〜５６）の個別的構造、及び、相対関係の詳細は、図１〜図１１を参照して説明した通りである。第１の孔（４１〜４６）は、第１の内導体（６１〜６６）を有し、第２の孔（５１〜５６）は第２の内導体（８１〜８６）を有する。
【００５４】
デュプレクサは、アンテナ共用器として用いられるので、共振部Ｑ１〜Ｑ３、及び、共振部Ｑ４〜Ｑ６の何れか一方が送信用、他方が受信用となる。送信周波数と受信周波数は互いに異なるので、共振部Ｑ１〜Ｑ３の共振特性と、共振部Ｑ４〜Ｑ６の共振特性とは、互いに異ならせる。
【００５５】
送信側の共振部Ｑ１〜Ｑ３は、導体パターンでなる回路要素９１による結合されている。また、共振部Ｑ１に含まれる第１の孔４１には、面２２に設けられた第１の端子１１が、誘電体基体１による誘電体層を介して、結合されている。
【００５６】
受信側の共振部Ｑ４〜Ｑ６は導体パターンでなる回路要素９２による結合されている。また、共振部Ｑ６に含まれる第１の孔４６には、誘電体基体１の面２２に設けられた第３の端子１３が、誘電体基体１による誘電体層を介して、結合されている。この場合の容量結合の詳細も、既に説明した通りである。
【００５７】
更に、中間の共振部Ｑ３、Ｑ４の第１の孔４３、４４に対しては、面２２の側において、アンテナ接続用の第２の端子１２が接続される。
【００５８】
第１乃至第３の端子１１〜１３は、第２の外面２２において、絶縁ギャップｇ１１〜ｇ１３によって外導体膜３から電気絶縁した状態で、配置されている。第１乃至第３の端子１１〜１３は実装基板上に面付けするために用いることができる。
【００５９】
図１６は本発明に係るデュプレクサの別の実施例を示す斜視図、図１７は図１６に示したデュプレクサを、上下逆転させたうえで、背面側からみた斜視図である。図示されたデュプレクサは７つの共振部Ｑ１〜Ｑ７を有する。共振部Ｑ１〜Ｑ７のそれぞれは、誘電体基体１を共用して一体化されている。共振部Ｑ１〜Ｑ７の内、共振部Ｑ１〜Ｑ３が送信側の誘電体フィルタを構成し、共振部Ｑ４〜Ｑ６が受信側の誘電体フィルタを構成する。共振部Q7は、送信側の共振部Ｑ１〜Ｑ３と、受信側の共振部Ｑ４〜Ｑ６との間に介在し、両者間で共用されている。
【００６０】
送信側の共振部Ｑ１〜Ｑ３において、第１の孔４１〜４３は、第３の外面２３に開口しており、第１の孔４１〜４３の開口する領域を含む第３の外面２３の位置に、外導体膜３の存在しない領域ｇ３１を設け、この領域ｇ３１の内部に、回路要素９１を構成する導体パターンを、共振器Ｑ１〜Ｑ３に跨って設けてある。回路要素９１を構成する導体パターンは、その端部が、第１の孔４３に対して近接している。
【００６１】
受信側の共振部Ｑ４〜Ｑ６においては、第１の孔４４〜４６を第３の第３の外面２３に開口させ、その開口端と外導体膜３との間に、両者を隔てる絶縁ギャップｇ６１〜ｇ６３を設けてある。
【００６２】
更に、第１の外面２１は、第２の孔５４〜５６を共通に含む凹部５８が設けられており、この凹部５８の底部で、第２の孔５４〜５６が開口している。外導体膜３は、第１の外面２１の表面から、凹部５８の内面に連続し、更に、第２の孔５４〜５６の内面に設けられた第２の内導体に連続する。
【００６３】
図示は省略するが、デュプレクサについても、誘電体装置または誘電体フィルタで例示した各種の構造を適用することができることは勿論である。
【００６４】
本発明は以上の具体例に限定されるものではない。複数の共振部Ｑ１〜Ｑ６を形成する誘電体基体１では、第１の外面２１以外の面から形成する第１の孔４１〜４６は必ずしも同一の側面から形成されている必要はない。入出力端子や調整の都合に合わせて適当な側面に設置してもよい。また、第１の外面２１と対向する第４の外面２４を、外導体膜３によって覆わない構造とすることにより、λ／２型の誘電体共振装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る誘電体装置の斜視図である。
【図２】図１に示した誘電体装置を背面側から見た斜視図である。
【図３】図１の３−３線に沿った断面図である。
【図４】図１〜図３に示した誘電体フィルタの特性の一例を示す図である。
【図５】本発明に係る誘電体装置の別の実施例を示す斜視図である。
【図６】図５に示した誘電体装置を背面側から見た斜視図である。
【図７】図５の７−７線断面図である。
【図８】誘電体装置の別の実施例を示す斜視図である。
【図９】図８に示した誘電体装置を上下逆転させた斜視図である。
【図１０】本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る誘電体装置の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係るデュプレクサの斜視図である。
【図１５】図１４に示したデュプレクサを背面側からみた斜視図である。
【図１６】本発明に係るデュプレクサの別の実施例を示す斜視図である。
【図１７】図１６に示したデュプレクサを、上下逆転させたうえで、背面側からみた斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１        誘電体基体
２１〜２６        外面
３        外導体膜
４１〜４６        第１の孔
５１〜５６        第２の孔
９１、９２        回路要素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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