(57)【要約】【課題】低抵抗、大電流化、高速化に対応できる優れたソケット及びこれを用いた半導体装置の提供。【解決手段】金属端子配置領域の周囲に溝又は貫通穴が設けられ、且つ金属端子配置領域の周縁の一部に端子取付用貫通穴が設けられたエラストマーと、前記端子取付用貫通穴の内面に主柱部を接し、該主柱部の両端からエラストマーの表裏両面に沿って前記金属端子配置領域に延出したアーム部とを持つコ字状の金属端子とを有してなることを特徴とするソケット。【選択図】図１
2007324030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属端子配置領域の周囲に溝又は貫通穴が設けられ、且つ金属端子配置領域の周縁の一部に端子取付用貫通穴が設けられたエラストマーと、前記端子取付用貫通穴の内面に主柱部を接し、該主柱部の両端からエラストマーの表裏両面に沿って前記金属端子配置領域に延出したアーム部とを持つコ字状の金属端子とを有してなることを特徴とするソケット。
【請求項２】
前記エラストマーがフッ素系エラストマーであることを特徴とする請求項１記載のソケット。
【請求項３】
前記エラストマーは、その表裏いずれかの面側の金属端子配置領域の周囲に、前記エラストマーを貫通しない深さの溝が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のソケット。
【請求項４】
前記エラストマーは、金属端子配置領域の周囲に、表裏を貫通する貫通穴が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のソケット。
【請求項５】
前記金属端子のアーム部の外面に凸部を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のソケット。
【請求項６】
板状のエラストマーに複数の金属端子を設けてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のソケット。
【請求項７】
（１）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、コ字状をなす金属端子とを用意し、
（２）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に金属端子の一部を通し、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、請求項１に記載のソケットを得ることを特徴とするソケットの製造方法。
【請求項８】
（Ａ）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、Ｌ字状又は直線状の金属部材とを用意し、
（Ｂ）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に前記金属部材を挿入し、
（Ｃ）次いで、前記金属部材の一端側又は両端側を折り曲げてコ字状の金属端子とすると共に、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、請求項１に記載のソケットを得ることを特徴とするソケットの製造方法。
【請求項９】
前記エラストマーがフッ素系エラストマーであることを特徴とする請求項７又は８に記載のソケットの製造方法。
【請求項１０】
前記エラストマーは、その表裏いずれかの面側の金属端子配置領域の周囲に、前記エラストマーを貫通しない深さの溝が設けられていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のソケットの製造方法。
【請求項１１】
前記エラストマーは、金属端子配置領域の周囲に、表裏を貫通する貫通穴が設けられていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のソケットの製造方法。
【請求項１２】
前記金属端子のアーム部の外面に凸部を設けたことを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載のソケットの製造方法。
【請求項１３】
板状のエラストマーに複数の金属端子を設けてなることを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載のソケットの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれかに記載のソケットと、該ソケットを介して電気的に接続されたプリント基板及びＩＣパッケージとを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＰＵやＬＳＩ等のＩＣパッケージをプリント基板に実装する際に使用するソケットに関し、特に、ＬＧＡパッケージやＢＧＡパッケージのＩＣパッケージをプリント基板上に実装する際などに好適に用いられるソケットとその製造方法及びこれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＰＵやＬＳＩ等のＩＣパッケージを、ソケットを介してプリント基板に実装する技術が検討されており、各種半導体装置、例えばパーソナルコンピュータやサーバーのマザーボードの多くには、ＬＧＡパッケージやＢＧＡパッケージのＣＰＵを装着するためのソケットが実装されている。
ＣＰＵは、その機能、性能の向上のため、年々多ピン化、高速化が進んでおり、パッケージのサイズアップや、ファインピッチによって対応がなされている。
これに伴い、ソケットも多ピン化への対応が必要になるとともに、パッケージのサイズアップに伴うたわみ量増大への対応や、パッケージの接触ランドやボールの高さばらつきへの対応が必要となるため、ソケットコンタクトのストロークを確保することができる構造が求められている。
また、ファインピッチ化に対する対応としては、ソケットコンタクトの小型化が重要であり、ＩＣのピンとソケットのコンタクトの適切な接圧での接触を確保できることが望まれる。
更に高速化においては、コンタクトが低インダクタンスであることが重要であり、高速化による消費電流増大に対応して接触抵抗が低く、許容電流も高いことが求められる。
【０００３】
現在のＬＧＡパッケージ用ソケットの主流は、約１ｍｍピッチの４００〜８００ピンのものであり、金属板を複雑に折り曲げて所定形状のコンタクト端子を作り、ソケットハウジングにコンタクト端子を挿入して製造する方法が用いられている。これらの従来技術は、例えば特許文献１〜２に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１５８４３０号公報
【特許文献２】特開２００５−１９２８４号公報
【特許文献３】米国特許第６６６９４９０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１，２に開示された従来技術は、コンタクト端子が板バネ方式であるため、コンタクトのストロークを大きくするためにバネを長くすると、隣接するピンに接触してしまうため、ファインピッチになるとストロークを大きくできないといった問題がある。
【０００５】
また、この問題を解決するべく、コンタクトに導電性エラストマーからなるコラムを用いた構造として、例えば、特許文献３に開示された技術が提案されている。この場合、ソケットの反発性は導電性エラストマーの特性や構造で決まるため、適切な反発力の導電性エラストマーがあれば、要求にあった荷重において十分なストロークを確保することが可能なソケットを実現可能である。
【０００６】
しかし、特許文献３に開示されているような導電性エラストマーを用いると、
・コンタクトが金属でなくエラストマーであるため、金属接触に比較して接触抵抗が高く、高電流化に対して発熱や電圧降下が増大する恐れがある、
・パッケージ挿入時に、コンタクトが金属ランドをワイピングしないため、ランドの酸化膜除去が期待できない、等の新たな課題が発生する。
【０００７】
本発明は、前記事情に鑑みてなされ、低抵抗、大電流化、高速化に対応できる優れたソケット及びこれを用いた半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明は、金属端子配置領域の周囲に溝又は貫通穴が設けられ、且つ金属端子配置領域の周縁の一部に端子取付用貫通穴が設けられたエラストマーと、前記端子取付用貫通穴の内面に主柱部を接し、該主柱部の両端からエラストマーの表裏両面に沿って前記金属端子配置領域に延出したアーム部とを持つコ字状の金属端子とを有してなることを特徴とするソケットを提供する。
【０００９】
本発明のソケットにおいて、前記エラストマーがフッ素系エラストマーであることが好ましい。
【００１０】
本発明のソケットにおいて、前記エラストマーは、その表裏いずれかの面側の金属端子配置領域の周囲に、前記エラストマーを貫通しない深さの溝が設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明のソケットにおいて、前記エラストマーは、金属端子配置領域の周囲に、表裏を貫通する貫通穴が設けられた構成としてもよい。
【００１２】
本発明のソケットにおいて、前記金属端子のアーム部の外面に凸部を設けたことが好ましい。
【００１３】
本発明のソケットにおいて、板状のエラストマーに複数の金属端子を設けてなる構成とすることが好ましい。
【００１４】
また本発明は、
（１）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、コ字状をなす金属端子とを用意し、
（２）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に金属端子の一部を通し、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、前述した本発明に係るソケットを得ることを特徴とするソケットの製造方法を提供する。
【００１５】
また本発明は、
（Ａ）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、Ｌ字状又は直線状の金属部材とを用意し、
（Ｂ）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に前記金属部材を挿入し、
（Ｃ）次いで、前記金属部材の一端側又は両端側を折り曲げてコ字状の金属端子とすると共に、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、前述した本発明に係るソケットを得ることを特徴とするソケットの製造方法を提供する。
【００１６】
また本発明は、前述した本発明に係るソケットと、該ソケットを介して電気的に接続されたプリント基板及びＩＣパッケージとを有することを特徴とする半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のソケットは、コンタクト端子としてコ字状の金属端子を使用し、その反発力は金属端子で挟み込むエラストマーによって確保するソケット端子構造を有し、該エラストマーの金属端子配置領域の周囲に溝又は貫通穴を設け、且つ金属端子配置領域の周縁の一部に端子取付用貫通穴を設けたものなので、部品点数の少ないソケットが実現可能となり、低コストのソケットを提供できる。
また、金属端子配置領域の周囲に設けた溝の寸法を調整することにより、ある程度の荷重−変位特性の制御が可能となり、荷重−変位特性の異なる各種のソケットを容易に製造できるので、荷重−変位特性の異なる各種のソケットの要求にも対応できる。
また、接触部分が金属であるため、接続端子と同金属のメッキ処理が可能であり、低接触抵抗での接続が可能となる。
また、コ字状の金属端子に電流が流れ、低インダクタンスで接続可能となる。
また、荷重を印加した際には、コ字状をなす金属端子の主柱部を支点にアーム部が沈み込むため、相対する接触面とこすれ合いながら位置をずらして接触するワイピング機能を実現でき、これにより金属表面の酸化膜や異物を除去して新鮮な金属面同士で接続が可能となり、接続抵抗をより低くすることができる。
また、上下の接触は荷重による接続で実現可能なため、交換可能なソケットを設計でき、サーバー用途で求められるメンテナンス性にも優れている。
また、接続対象の基板に反りがあっても、エラストマーがその反り形状に追従するので、基板の反りの影響を軽減できる。
【００１８】
また、エラストマーをフッ素ゴムで形成したことで、耐熱性が高くなり、このソケット用コンタクト端子を基板やパッケージと接合する際に、半田のリフロー処理が可能になり、接合工程が容易となり、生産コストを低減することが可能となる。
【００１９】
また、エラストマーの金属端子配置領域の周囲に、エラストマーを貫通しない深さの溝を設けた構成とすれば、１枚のエラストマーに多数の金属端子が配置された構造とした場合に、溝によって隣合う金属端子にエラストマーの変形が影響を及ぼすことがなくなるとともに、溝が貫通していないことで金属端子への荷重印加時に安定性を持たせることができる。
【００２０】
また、エラストマーの金属端子配置領域の周囲に、表裏を貫通する貫通穴を設けた構成とすれば、凹部の深さ方向の制御に注意を払う必要がなくなり、ソケットの製造が容易となる。
【００２１】
また、金属端子のアーム部の外面に凸部を設けた構成とすれば、プリント基板やＬＧＡパッケージのような平坦な電極に対しても、所定の荷重−変位特性での使用が可能となり、ソケットの適用範囲を拡げることができる。
【００２２】
また、本発明のソケットにおいて、板状のエラストマーに複数の金属端子を設けた構成とすることで、複数の金属端子を備えたソケットを安価に提供でき、また金属端子の配置密度を高めることができる。
【００２３】
また、本発明のソケットの製造方法によれば、前述した本発明に係るソケットを、簡単に、効率よく製造することができるので、高性能なソケットを安価に製造することができる。
【００２４】
また本発明の半導体装置は、前述した本発明に係るソケットと、該ソケットを介して電気的に接続されたプリント基板及びＩＣパッケージとを有するものなので、低抵抗、大電流化、高速化に対応できる高性能な装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１及び図２は、本発明のソケットの第１実施形態を示す図であり、図１は本実施形態のソケット１０の平面図、図２は図１中のＡ−Ａ’部断面図である。これらの図中、符号１０はソケット、１１はエラストマー、１２は溝、１３は端子取付用貫通穴、１４は金属端子、１４Ａは主柱部、１４Ｂはアーム部、１５は凸部である。
【００２６】
本実施形態のソケット１０は、金属端子配置領域の周囲に溝１２が設けられ、且つ金属端子配置領域の周縁の一部に端子取付用貫通穴１３が設けられたエラストマー１１と、端子取付用貫通穴１３の内面に主柱部を接し、該主柱部の両端からエラストマー１１の表裏両面に沿って前記金属端子配置領域に延出したアーム部とを持つコ字状の金属端子１４とを有している。図１の例示では、板状をなすエラストマー１１に多数の金属端子１４を配列した構成になっている。
【００２７】
この基本構造は、エラストマー１１に、金属端子１４を通すための端子取付用貫通穴１３を設け、その穴にコ字状の金属端子１４を設け、エラストマー１１を金属端子１４で挟み込む構造であり、且つエラストマー１１表裏面で金属端子１４と接しているエラストマー１１の周りを少なくとも一部除去することにより、荷重を印加した状態で、隣接端子間同士に生じるエラストマーの引っ張り、圧縮による力の伝達を軽減したことを特徴とするソケット構造である。
【００２８】
本実施形態のソケット１０は、前述した構造をとることにより、金属接触によるコンタクトでありながら、荷重−ストローク特性はエラストマー１１の特性で設計することが可能であり、接触部がコ字状の金属端子１４の付け根を支点に沈み込むため、ワイピング効果も期待できる。
また、コ字状の金属端子１４に電流が流れるため、電気的な導通経路を短距離にすることで低インダクタンス化を実現でき、低抵抗、大電流化、高速化に対応するソケットを提供できる。
また、反発力を得るためのコ字状の金属端子１４に狭まれたエラストマー部分と端子間を接続して位置決めするための支持板とが同一のエラストマー１１で実現できるため、所定の穴加工を行ったエラストマー板にコ字状の金属端子１４を挟み込むだけで製造が可能となり、低コストでソケットを提供できる。
【００２９】
図１及び図２に示すコ字状の金属端子１４は、銅や黄銅などの導電性の良い材料が適しており、接触抵抗低減のために、その外面には金メッキを施すことが望ましい。また、銅に金メッキを施す場合は、拡散に対するブロック層として、下地にニッケルメッキを施すことが一般的である。
【００３０】
前記コ字状の金属端子１４に挟み込むエラストマー１１の高さは、金属端子１４の内側の高さ寸法と同じであることが望ましい。
【００３１】
また、金属端子１４で挟み込むエラストマー１４の周りに設ける溝１２の幅は、狭すぎると金属端子１４に荷重をかけた時に、押しつぶされたエラストマー１１が、溝１３の側壁と干渉してしまい、ある程度以上の変位量で必要荷重が高くなってしまうとともに、隣り合う金属端子１４にエラストマー１１の引っ張り、圧縮による力の伝達を軽減できなくなってしまう。一方、金属端子１４で挟み込むエラストマー１１の周りに設ける溝１２の幅を、金属端子１４の外側に広げすぎると、各金属端子間距離が長くなってしまい、ファインピッチのソケットが実現できなくなる。
【００３２】
また、金属端子１４で挟み込むエラストマー１１の周りに設ける溝１２の幅を、金属端子１４の内側に広げすぎると、換言すると金属端子１４で挟み込むエラストマー１１部分の体積を小さくすると、エラストマー１１の反発力が十分に得られなくなってしまう。
【００３３】
前記理由により、金属端子１４で挟み込む部分（溝１２の内側）のエラストマー１１の幅は、金属端子１４の面積と同じかやや大きいことが望ましい。また、言い換えれば、この溝１２の寸法を調整することにより、各端子の荷重−変位特性を制御できるようになる。
【００３４】
また、この溝１２は、エラストマー１１を貫通させても良いが、貫通させない場合には、金属端子１４で挟まれるエラストマー１１が固定されることになるので、金属端子１４に荷重を加えたときに、エラストマー１１が不安定になってしまい、エラストマー１１表面で金属端子１４が滑って、エラストマー１１表面から金属端子１４が脱落することを抑制する効果も得られる。
【００３５】
次に、本実施形態のソケット１０におけるコンタクト動作を説明する。
図３は、本実施形態のソケット１０を用いた半導体装置の一例として、ＩＣ側の端子がランドである場合や、サーバー用ソケットのように、コンタクト部分をメンテナンス時に交換するため、プリント基板側も半田付けせず、ランドのまま接続したい場合などに使用されるＬＧＡパッケージのＩＣのためのソケットとして前記第１実施形態のソケット１０を用いた場合の動作を示す図である。図３（ａ）は半導体装置２０の押圧力付与前の状態（又は押圧力付与後の復元状態）を示す側面図、（ｂ）は、半導体装置２０に押圧力を付与した時の状態を示す側面図である。図３中、符号２０は半導体装置、２１はプリント基板、２２はＬＧＡパッケージ（ＩＣパッケージ）、２３は回路導体、２４はＬＧＡランドである。
【００３６】
この半導体装置２０は、プリント基板２１の回路導体２３上に、ソケット１０の一方のアーム部を載せ、ソケット１０の他方のアーム部にＬＧＡパッケージ２２のＬＧＡランド２４を当接させた構造になっている。図３に示すように、本実施形態のソケット１０は、コ字状の金属端子１４に凸部１５を設けることにより、この凸部１５の高さによってストロークを発生する構造となっている。
【００３７】
この状態で荷重を加えた状態が図３（ｂ）である。荷重を加えると、エラストマー１１が圧縮され、それに応じて反発力を発生しながら沈み込み、このときの荷重と発生する沈みが、荷重−ストローク特性となる。また、金属端子１４のアーム部は主柱部を支点にして沈み込むため、荷重を加えると接触点が主柱部側に移動し、これによってワイピング効果をもたらし、酸化膜を除去してフレッシュな金属面同士を接触させることが出来るため、低抵抗で接触を実現できる。尚、当然のことながら、エラストマー１１の高さや幅寸法は、必要な荷重−ストローク特性を満たす反発性を有するように設計すべきであり、特にエラストマー１１の高さ寸法は、少なくともストローク分より大きな寸法とする必要がある。
【００３８】
図４は、本発明のソケットの第２実施形態、及び該ソケットを用いた半導体装置の一例としてＢＧＡパッケージのＩＣのためのソケットとして第２実施形態によるソケット１６を用いた場合のコンタクト動作を示す図である。図４（ａ）は、半導体装置３０の押圧力付与前の状態（又は押圧力付与後の復元状態）を示す側面図、（ｂ）は、半導体装置３０に押圧力を付与した時の状態を示す側面図である。図４中、符号１１はエラストマー、１６はソケット、１７は金属端子、３０は半導体装置、３１はプリント基板、３２はＢＧＡパッケージ（ＩＣパッケージ）、３３は回路導体、３４はアルミパッド、３５は半田、３６はＢＧＡ端子半田ボールである。
【００３９】
この半導体装置３０は、プリント基板３１の回路導体３３上にソケット１６の一方のアーム部を半田３５で接合し、このソケット１６の他方のアーム部にＢＧＡパッケージ３２のＢＧＡ端子半田ボール３６を当接させて構成されている。本実施形態のソケット１６は、前述した第１実施形態のソケットとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、金属端子外面に凸部が設けられていない金属端子１７を用いて構成された点で異なっている。
【００４０】
図４に示す半導体装置３０において、ソケット１６をプリント基板３１上の回路導体３３（端子）に接続する場合、プリント基板３１側に予め必要な箇所だけにペースト半田を塗布し、その上にソケット１６の一方のアーム部外面を接して実装し、リフロー炉を通して半田付けすることで、電気的接続を実現できる。この場合、エラストマー１１はリフローに耐える耐熱性を有する物が望ましいが、例えば、フッ素エラストマーはリフローに耐えるものが市場にあるので、これを用いれば可能である。
【００４１】
ソケット１６をプリント基板３１上に実装した状態で、ＢＧＡパッケージ３２のＩＣを上に乗せた状態が図４（ａ）である。さらに、この状態で荷重を加えた状態が図４（ｂ）である。荷重を加えると、エラストマー１１が圧縮され、それに応じて反発力を発生しながら沈み込み、この時の荷重と発生する沈みが、荷重−ストローク特性となる。この場合もアーム部は主柱部を支点にして沈み込む為、荷重を加えると接触点が主柱部側に移動し、これによって、ワイピング効果をもたらし、金属表面の酸化膜を除去してフレッシュな金属面同士を接触させることが出来るため、低抵抗で接触を実現できる。
【００４２】
以上のように、本発明のソケット１０，１６は、ＢＧＡパッケージのように端子部が凸状の場合でも、ＬＧＡパッケージやプリント基板のランドのように平坦な端子の場合でも、低接触抵抗にて低荷重で大きなストロークを実現することができる。
さらに、本発明のソケット１０，１６は、コ字状の金属端子１４を固定する部分とモールド部分とが一体的に構成されており、柔らかいエラストマー１１で構成されている為、ソケット１０，１６を設置する基板に、反りが生じていたとしても、エラストマー１１がその反りに追従するので、基板の反りの影響を軽減できるという効果も併せ持つ。
【００４３】
図５は、本発明のソケットの第３実施形態を示す平面図である。図５中、符号４０はソケット、４１はエラストマー、４２は貫通穴、４３は端子取付用貫通穴、４４は金属端子、４５は凸部である。
【００４４】
前述した第１実施形態及び第２実施形態におけるソケット１０，１６は、金属端子の周りに溝１２を入れるだけだったが、その金属端子１２の周りに入れる溝１２に代えて、本実施形態でのソケット４０のようにエラストマー４１を貫通する貫通穴４２であっても良い。このような構造をとることにより、溝１２の深さ方向の制御に注意を払う必要が無く、目視にて、最適な加工がされているかどうか確認出来るといったメリットがある。また、このような構造でも、基本的特性は前述した第１実施形態及び第２実施形態におけるソケット１０，１６と同じである。
【００４５】
本発明のソケットは、以下の製造方法により製造することが好ましい。
（１）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、コ字状をなす金属端子とを用意する工程、
（２）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に金属端子の一部を通し、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、本発明のソケットを得る工程。
【００４６】
本発明のソケットの製造方法において用いる金属端子の材料は、銅や黄銅などの金属を、既存のプレスや金型成型による金属部品加工技術を適用して容易に作製することができる。また、メッキ処理も、通常のニッケルメッキや金メッキ技術が適用可能であり、これら技術で可能な範囲のファインピッチ化に対応できる。
【００４７】
一方、エラストマーは、液状の原材料を板状に押し出して裁断する方法や、射出成型によって必要な形状を実現する方法が適用でき、これについても既存の製造方法が適用できる。エラストマーに形成する溝又は貫通穴、及び端子取付用貫通穴は、エラストマーを板状に成形する際に、同時に形成することの望ましいが、板状に成形後、これらの溝や貫通穴を形成することもできる。
【００４８】
また本発明のソケットの製造方法において、金属端子となる金具は、最初からコ字状でなくても良く、Ｌ字状又は直線状の金属部材をエラストマーに挿入後、折り曲げ加工してコ字状の金属端子を形成しても良い。このような金属部材を用いる場合には、以下の各工程（Ａ）〜（Ｃ）を経てソケット製造を行うことが望ましい。
（Ａ）金属端子形成位置周縁の一部に端子取付用貫通穴を穿設すると共に、金属端子形成位置の周囲に溝又は貫通穴を設けたエラストマーと、Ｌ字状又は直線状の金属部材とを用意し、
（Ｂ）次いで、前記エラストマーの端子取付用貫通穴に前記金属部材を挿入し、
（Ｃ）次いで、前記金属部材の一端側又は両端側を折り曲げてコ字状の金属端子とすると共に、金属端子形成位置のエラストマーを金属端子の両方のアーム部で挟み、ソケットを得る工程。
【００４９】
本発明のソケットの製造方法によれば、前述した本発明に係るソケット１０，１６，４０を、簡単に、効率よく製造することができるので、高性能なソケットを安価に製造することができる。
【実施例】
【００５０】
図１に示す構成のソケットを作製し、これを図３に示すようにプリント基板とＬＧＡパッケージとを接続するソケットとし、実験を行った。
図３に示す半導体装置において、ＬＧＡパッケージ側から所定の荷重をかけ、その時の変位（ｍｍ）を測定した。実験の結果、ＩＣソケットの分野で求められる荷重５０ｇｆにおいて、０．３ｍｍの変位特性を満たす結果が得られた。
【００５１】
また、図３（ｂ）に示す状態において、プリント基板の回路導体とＬＧＡランドとの間に電圧を印加し、その電流と電圧を測定してソケットの電気的特性を調べた。この電気的特性の測定結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2007324030.tif 000003
【００５３】
この結果から、本発明のソケットを用いることで、低抵抗、低インダクタンスのソケットが実現可能なことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のソケットの第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ’部断面図である。
【図３】第１実施形態のソケットを用いた半導体装置の一例として、ＬＧＡパッケージのＩＣのためのソケットとして用いた場合のコンタクト動作を示す図であり、（ａ）は半導体装置の押圧力付与前の状態（又は押圧力付与後の復元状態）を示す側面図、（ｂ）は半導体装置に押圧力を付与した時の状態を示す側面図である。
【図４】本発明のソケットの第２実施形態、及び該ソケットを用いた半導体装置の一例として、ＢＧＡパッケージのＩＣのためのソケットとして用いた場合のコンタクト動作を示す図であり、（ａ）は半導体装置の押圧力付与前の状態（又は押圧力付与後の復元状態）を示す側面図、（ｂ）は半導体装置の構造体に押圧力を付与した時の状態を示す側面図である。
【図５】本発明のソケットの第２実施形態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１６，４０…ソケット、１１、４１…エラストマー、１２…溝、１３，４３…端子取付用貫通穴、１４，１７，４４…金属端子、１４Ａ…主柱部、１４Ｂ…アーム部、１５，４５…凸部、２０，３０…半導体装置、２１，３１…プリント基板、２２…ＬＧＡパッケージ（ＩＣパッケージ）、２３，３３…回路導体、２４…ＬＧＡランド、３２…ＢＧＡパッケージ（ＩＣパッケージ）、３４…アルミパッド、３５…半田、３６…ＢＧＡ端子半田ボール、４２…貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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