(57)【要約】【課題】輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを、大掛かりな装置を使用することなく効率良く製造する。【解決手段】気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、輝尽性蛍光体層を基板１１上に形成する際に、基板１１の輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面に、記輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導率が１W/m・K以上であってかつ硬度が５以上９０以下の熱伝導性シート１５を介して加熱プレート１４を接触させ、基板１１を加熱する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体層を前記基板上に形成する際に、前記基板の前記輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面に該面の前記輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、前記基板を加熱することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記熱伝導性シートが、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってかつ硬度が５以上９０以下のものであることを特徴とする請求項１記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記熱伝導性シートの前記基板側の面が非粘着性層であることを特徴とする請求項１または２記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記非粘着性層がグラファイトからなることを特徴とする請求項３記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記加熱温度が５０〜２５０℃の間であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
前記輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体がＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）からなることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネルに関し、特に、基板上に気相堆積法によって形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得る放射線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
【０００３】
放射線像変換パネルの感度および画質を高めることを目的として、蛍光体層を気相堆積法により形成する放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００４】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を与えることができる。
【０００５】
気相堆積法により形成された蛍光体層の輝尽発光特性を改良する為に、輝尽性蛍光体層の形成過程において基板(支持体)を加熱する方法が知られている（特許文献１）。
【０００６】
基板の加熱には、シースヒーターあるいはハロゲンランプヒーターなどの加熱源が用いられるが、これらは専ら輻射による加熱であるため、加熱効率が悪く所定の温度に到達するまでに時間がかかる。また、基板面の温度にバラツキが生じ、これは輝尽発光特性の面内バラツキとなり画像ムラ等の不具合の要因となる。
【０００７】
基板温度が均一になるように加熱する方法として、複数の加熱源を用意して温度測定、制御を各々の加熱源に独立に行う方法が知られている（特許文献２）。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／００８１７５０号明細書
【特許文献２】特開平１０−６２５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２に記載されている方法により製造された放射線像変換パネルは基板温度の面内バラツキが解消されるため、放射線像変換パネル面内の輝尽発光特性を均一に導くことは可能であるものの、複数の加熱源を用意して温度測定、制御を各々の加熱源に対して独立に行うものであるため、装置が大掛かりになる上、その制御も煩雑である。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、基板を均一に加熱して、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを、大掛かりな装置を使用することなく効率良く製造可能な放射線像変換パネルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体層を前記基板上に形成する際に、前記基板の前記輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面に該面の前記輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、前記基板を加熱することを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、熱伝導性シートとは、加熱(発熱)体と被加熱(発熱)体の間に位置させて両者の熱接触を向上させる為のシートを意味し、熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは３W/m・K以上であることが望ましい。ここで、熱伝導率は「ＡＳＴＭＥ１５３０」に基づいて測定した数値である。硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３（加硫ゴム及び熱可塑性ゴムの硬さ試験方法）に基づく見掛け硬さであり、５以上９０以下、より好ましくは５以上８０以下であることが望ましい。
【００１２】
前記熱伝導性シートの前記基板側の面は非粘着性層であることが好ましい。前記非粘着性層はグラファイトからなることがより好ましい。前記加熱温度は５０〜２５０℃の間であることが好ましい。前記輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体がＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、輝尽性蛍光体層を基板上に形成する際に、基板の輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面にこの面の輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、基板を加熱するので、基板を均一に加熱することができ、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラを生じない放射線像変換パネルを、大掛かりな装置を使用することなく効率良く製造することができる。
【００１４】
特に、熱伝導性シートの基板側の面を非粘着性層とすることにより、基板から熱伝導性シートを剥がすことが容易となり、熱伝導性シートを再利用することが可能となり、より経済的に放射線像変換パネルを製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、輝尽性蛍光体層を基板上に形成する際に、基板の輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面にこの面の輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、基板を加熱することを特徴とする。
【００１６】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、気相堆積法の一種である真空蒸着等の物理蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べる。蒸着によって作製される蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、バインダなどの蓄積性蛍光体以外の成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【００１７】
図１は本発明の製造方法に用いられる蒸着装置の例を示す構成概要図、図２は基板と加熱プレート部分の拡大概略図である。本発明の製造方法に用いられる蒸着装置１には、蒸着装置１内を不図示の排気手段により真空にするメインバルブ２、不図示の後段排気手段により所定真空度に維持するリークバルブ３、必要に応じてＮ2，Ａｒ，Ｎｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを雰囲気ガスとして導入するガス導入バルブ４が設けられている。
【００１８】
また、蒸着装置１内部には、蛍光体又は蛍光体構成材料からなる蒸発源体６，６’を収容する高融点の金属で成形された抵抗加熱容器５，５’、蒸発源体６，６’の上方に配置される蒸気流規制手段１０、蒸気流規制手段１０には蒸気通過開口のスリット１０ａが設けられている。さらに、蒸気流規制手段１０のすぐ上方には、被蒸着体の基板１１をその周縁部を受けることで載置する基板載置枠１２と、基板１１の下面を走査して基板１１の下面にスリット１０ａを通過した蒸気流によって蛍光体を堆積させるように基板載置枠１２を往復動させる牽引索を用いた往復動手段１３が設けられている。蒸発源体６，６’は、後述するように、抵抗加熱容器５，５’が抵抗加熱用の電源（図示省略）を通電されることによって発熱させられて蒸発し、基板１１に堆積させられる。
【００１９】
基板載置枠１２は下面が基板１１の周縁部を受ける枠になっている箱体からなり、基板１１の輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面には輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って熱伝導性シート１５を介して加熱プレート１４が接触されてなる。熱伝導性シート１５は、図３に示すように基板１１に接する側の面に非粘着性層１６を有していることが好ましい。なお、図では基板１１と加熱プレート１４が同じ大きさとなっているが、輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って基板を加熱することができればよく、例えば、加熱プレート１４が基板１１よりも大きくてもよい。
【００２０】
熱伝導性シートは、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは３Ｗ／ｍ・Ｋ以上、見掛け硬さは５以上９０以下、より好ましくは５以上８０以下であることが望ましい。なお、熱伝導性シートに非粘着性層が設けられている場合であって、非粘着層の厚みが充分薄い場合（熱伝導性シート厚みの１／１０以下、好ましくは１０μｍ以下）には、熱伝導率・硬度がこの範囲でなくても実質的には問題なく、本発明に利用できる。
【００２１】
熱伝導性シートとしては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレンプロピレン系樹脂等の樹脂に熱伝導性粒子、熱伝導性フィラー等を分散させたシート、あるいはグラファイトシート等が好ましくあげられる。非粘着性層としては、グラファイシート、電子線照射等による表面処理層、プラスチックフィルム、非粘着性樹脂のコーティング層などが挙げられるが、熱伝導率が高く耐熱性にも優れるグラファイトシートを非粘着層として用いることが特に好ましい。
【００２２】
蛍光体層形成のための基板は、通常は放射線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。
【００２３】
公知の放射線像変換パネルにおいてはパネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られているが、本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途に応じて任意に選択することができる。さらに、気相堆積膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の輝尽性蛍光体層が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００２４】
本発明に用いられる輝尽性蛍光体は、ＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）が好ましい。図１に示すような、多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成する場合には、蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の母体（ＣｓＸ）成分を含むものと付活剤（Ｅｕ）成分を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、ＣｓＸ：Ｅｕ蛍光体のように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００２５】
蛍光体の母体成分は、ＣｓＸそれ自体であってもよいし、または反応してＣｓＸとなりうる二以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分は、一般にはＥｕを含む化合物であり、例えばＥｕのハロゲン化物が用いられる。Ｅｕ化合物におけるＥｕ2+化合物のモル比は７０％以上であることが好ましい。一般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。Ｅｕ化合物はＥｕＢｒxであることが好ましく、その場合には、ｘは２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の数値であることが好ましい。中でも、Ｂｒガス雰囲気中における溶融処理によって含有酸素を除去したＥｕＢｒ2を用いることが好ましい。
【００２６】
蒸発源は、突沸防止などの点からその含水量が０．５質量％以下であることが好ましい。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上の温度で数十分〜数時間加熱することにより行うことができる。
【００２７】
蒸発源の相対密度は、８０％以上９８％以下であることが好ましく、より好ましくは９０％以上９６％以下である。蒸発源が相対密度の低い粉体状態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にする。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である必要はない。
【００２８】
また、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そしてアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。これによって、不純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとともに、そのような蒸着膜は発光量が増加する。
【００２９】
上記の蒸発源、および基板の輝尽性蛍光体層形成面とは反対側の面にこの面の輝尽性蛍光体層を形成する領域全体に亘って、熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させた基板を蒸着装置内に設置し、装置内を排気して１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスを導入してもよい。ただし、装置内の雰囲気中の酸素分圧を、１×１０-6〜１×１０-2Ｐａの範囲とする。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いることによって、７．０×１０-3Ｐａ以下にすることが好ましい。
【００３０】
次いで、基板を熱伝導性シートを介して加熱プレートにより加熱する。これによって、基板を均一に加熱することができる。加熱プレートは、基板全面に亘って接触できるような平面状のものであれば特に限定されるものではなく、例えばシースヒーターと接触させた金属プレート、マイカヒーター等を好ましくあげることができる。加熱温度は５０℃〜２５０℃、より好ましくは、１２０℃〜２４０℃の温度に加熱することが好ましい。
【００３１】
次に、抵抗加熱容器を抵抗加熱用の電源を通電して発熱させ、蒸発源をそれぞれ抵抗加熱によって加熱／蒸発させ、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させる。なお、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体（ＣｓＸ）のみからなる蒸着膜を形成してもよい。この場合にも熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させ、前記基板を加熱することが好ましい。これによって、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の熱処理によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００３２】
本発明の製造方法において、このようにして得られた蒸着膜は、柱状結晶構造の輝尽性蛍光体からなる。ここで、柱状結晶構造とは、蒸着した多数の輝尽性蛍光体の粒が互いに蒸発流方向（高さ方向）に融着して連続した形状をとるものを一本の柱とみなし、このような柱多数から構成されていることを意味する。蒸着膜は、柱状結晶性が良好であることが望ましく、特に柱状結晶の各柱は、その直径が１〜１０μｍの範囲にあり、高さが１０〜１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比（高さ／直径）が１０〜１０００の範囲にあることが好ましい。
【００３３】
蒸着終了後、加熱プレートから基板を熱伝導性シートごと取り外し、得られた蒸着膜を熱処理する。熱処理は、５０℃〜３００℃の温度で、１〜８時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気が用いられる。不活性ガスとしては、Ｎ2ガス、Ａｒガス、Ｎｅガスなどを挙げることができる。酸素ガスまたは水素ガスは、一般に２０００Ｐａ以下の分圧で含まれる。好ましくは、５０℃〜２５０℃の温度で、特には１５０℃〜２５０℃の温度で、そして１〜４時間かけて熱処理する。また、蒸着装置内で基板上に蒸着したのち続けて熱処理を行ってもよいし、あるいは装置から一度基板を取り出したのち熱処理を行ってもよい。
【００３４】
このようにして、ＣｓＸ：Ｅｕ2+（ＸはＣｌ，ＢｒまたはＩ）の輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。酸素は、蒸着過程で蒸着雰囲気より結晶中に取り込まれ、付活剤Ｅｕの電荷補償の役割を担って、Ｅｕ−Ｏ複合体を形成する。蒸着膜を熱処理することによって、酸素は結晶中に拡散し、付活剤と分離される。これにより、結晶中の電荷移動効率および付活剤の付活効率が向上し、その結果、蛍光体の輝尽発光量が増加する。
【００３５】
蛍光体層は、結合剤を含有せず、上記ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽性蛍光体の柱状結晶の各柱間には空隙（クラック）が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、気相堆積法の実施手段や条件などによって異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
【００３６】
なお、本発明において、気相堆積法は上記の抵抗加熱法に限られるものではなく、スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法を利用することもできる。これら他の蒸着法および気相堆積法の詳細は、各種公報を含む公知の各種の文献に記載されており、それらを参照することができる。
【００３７】
基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。
【００３８】
蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００３９】
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。
【００４０】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ〜２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
【００４１】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。例えば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。  
以下に、本発明の放射線像変換パネルの製造方法を実施例により説明する。
【実施例】
【００４２】
（実施例１）
蛍光体層の形成支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ洗浄を施した１０ｍｍ厚Ａｌ合金基板を用意した。熱伝導性シリコーンエラストマー（１ｍｍｔ）にグラファイトシート（０．１ｍｍｔ）を貼り付けた熱伝導性シートを、シースヒータを接触させた銅プレート（６ｍｍｔ）の基板加熱面にグラファイトシート面を向けて貼り付け、熱伝導性シリコーンエラストマーに上記基板を接触させ、蒸着装置内の基板載置枠に設置した。蒸着源として所定の抵抗加熱容器にＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ２をそれぞれ充填した。各蒸発源と基板の間の距離を０．１５ｍとした。次に、蒸着装置内を排気して１×１０−３Ｐａの真空度とした後、さらに蒸着装置内にＡｒガスを導入して１Ｐａの真空度とした。次いで、基板を加熱プレートにより１８０℃に加熱した。その後、蒸発源をそれぞれ加熱して、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を１０μｍ／分の速度で堆積させた。その際、加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。
【００４３】
蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子(株)製）で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４４】
次に、銅プレートから基板を熱伝導性シートごと取り外し、輝尽性蛍光体層が形成された基板をガス導入可能な真空加熱装置に入れ、ロータリーポンプを用いて約１Ｐａまで真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処理した。次いで、真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。このようにして、支持体と蛍光体層とからなる放射線像変換パネルを製造した。
【００４５】
（実施例２）
実施例１において、熱伝導性シートをグラファイトシート（０．３ｍｍｔ）のみとし、基板をグラファイトシートを介して、シースヒータを接触させた銅プレートに接触させた以外は同様にして放射線像変換パネルを製造した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４６】
（実施例３）
実施例１において、熱伝導性シートを熱伝導性シリコーンエラストマー（１ｍｍｔ）のみとした以外は同様にして放射線像変換パネルを製造した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４７】
（実施例４）
実施例１において、６μｍ厚ポリエステルフィルム（PET）が片面に貼り付けられた熱伝導性シリコーンエラストマー（０．５ｍｍｔ）をポリエステルフィルム側が基板面側になるようにシースヒータを接触させた銅プレート（６ｍｍｔ）に貼り付け、熱伝導性シリコーンエラストマーにＡｌ合金基板を接触させた以外は同様にして放射線像変換パネルを製造した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４８】
（比較例１）
実施例１において、熱伝導性シートを用いず、シースヒータを接触させた銅プレート（６ｍｍｔ）を直接Ａｌ合金基板に接触させて加熱した以外は同様にして放射線像変換パネルを製造した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４９】
（比較例２）
実施例１において、アルミニウム板を介してシースヒータを接触させた銅プレート（６ｍｍｔ）をＡｌ合金基板に接触させて加熱した以外は同様にして放射線像変換パネルを製造した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００５０】
（熱伝導率および硬度の測定）
見掛け硬度は、シートを複数枚積層して２±０．１ｍｍの厚みにし、株式会社テクロック製タイプＡデュロメーターＧＳＤ−７１９Ｓ及び定荷重器ＧＳ−７１０の組み合わせにより測定した。また、熱伝導率は「ＡＳＴＭＥ１５３０」に基づいて測定した。
【００５１】
（基板温度分布の測定）
各実施例において、蒸着とは別途に、基板表面の任意の９箇所に熱電対を接触させて、基板加熱時の基板表面温度を測定し、温度分布を調べた。
【００５２】
（画像ムラの判断）
各実施例で得られた放射線撮像パネルについて、画像ムラは殆ど視認できず、実使用上問題を生じないものを○、画像ムラが視認でき、実使用上問題を生じるものを×で評価した。
【００５３】
結果を表１に示す。  
【表１】
2007114134.tif 000003
【００５４】
表１に示すように、基板に熱伝導性シートを介して加熱プレートを接触させて基板を加熱した実施例では、熱伝導性シートを介さない比較例１、アルミニウム板を介して加熱プレートを接触させて基板を加熱した比較例２に比べて、基板温度分布に有意な差があり、結果、画像ムラの殆どない放射線像変換パネルが得られた。なお、比較例２では熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であったが、見掛け硬さが大きく、基板と加熱プレートの接触性が不充分であるために、基板温度分布にムラが生じ、画像ムラの問題は解決されていなかった。
【００５５】
なお、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から取り外した際に、実施例３では加熱プレートから熱伝導性シートが剥離し、また、実施例４では熱伝導性シートに変質が見られたため都度交換が必要であった。このため、熱伝導性シートを再利用する場合には、基板側の面をグラファイトシートからなる非粘着層とすることにより（実施例１および２）、より経済的に放射線像変換パネルを製造することが可能となる。
【００５６】
以上のように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法では、基板を均一に加熱することができ、輝尽発光特性が良好で且つ画像の面内ムラの生じない放射線像変換パネルを、大掛かりな装置を使用することなく効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の製造方法に用いられる蒸着装置の例を示す構成概要図
【図２】基板と加熱プレート部分の拡大概略図
【図３】基板と加熱プレート部分の別の態様を示す拡大概略図
【符号の説明】
【００５８】
１    蒸着装置
２    メインバルブ
３    リークバルブ
４    ガス導入バルブ
５，５’    抵抗加熱容器
６，６’    蒸発源体
１０    蒸気流規制手段
１１    基板
１２    基板載置枠
１３    往復動手段
１４    加熱プレート
１５    熱伝導性シート
１６    非粘着性層
【図１】
2007114134.tif 000004
【図２】
2007114134.tif 000005
【図３】
2007114134.tif 000006