(57)【要約】【課題】電気光学装置を小型化する。【解決手段】電気光学物質を挟持する一対の第１基板及び第２基板と、第１基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、一部が、第１基板における第２基板と対向する側に、画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、第２基板に形成されており、複数の画素部に信号を供給する周辺回路部とを備える。【選択図】図１
2007114343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
一部が、前記第１基板における前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、前記第２基板に形成されており、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路部と
を備えること特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一部は、前記第１基板における前記第２基板と対向する側に形成されており、
前記他の一部は、前記第１基板における前記第２基板と対向する側に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板は、前記画素部毎にスイッチング素子が形成された素子基板であり、前記第２基板は、前記素子基板に対向する対向基板であって、
前記素子基板上において、前記画素領域に互いに交差して形成された複数の走査線及び複数のデータ線を更に備えており、
前記周辺回路部は、前記複数の走査線に夫々走査信号を前記信号として供給する走査線駆動部と、前記複数のデータ線に夫々画像信号を前記信号として供給する画像信号供給部とを含み、前記走査線駆動部及び前記画像信号供給部のうち少なくとも一方について、一部が前記素子基板上に形成されると共に他の一部が前記対向基板上に形成されており、
前記複数の画素部は夫々、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画像信号供給部は、
前記複数のデータ線をＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ系統のシリアル−パラレル変換された前記画像信号が供給されるＮ本の画像信号線と、
前記複数のデータ線に対応して形成されると共に、前記画像信号線より供給される前記画像信号をサンプリング回路駆動信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、
前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング回路信号を順番に供給するデータ線駆動回路とを含み、
前記Ｎ本の画像信号線及び前記サンプリング回路と、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部とが、互いに分離して前記素子基板と前記対向基板とに形成されていること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記Ｎ本の画像信号線及び前記サンプリング回路は前記素子基板上に形成されており、
前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部は、前記対向基板上に形成されていること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記データ線駆動回路は、
転送信号を順次生成するシフトレジスタと、
該シフトレジスタから順次出力される前記転送信号を夫々バッファリングして前記サンプリング回路駆動信号として出力するバッファ回路と
を含み、
前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも一方が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記Ｎ本の画像信号線と異なる基板上に形成されていること
を特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記データ線駆動回路において、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも前記バッファ回路が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記Ｎ本の画像信号線と異なる基板上に形成されていること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、特許文献１に開示されているように、一対の素子基板及び対向基板間に、電気光学物質として例えば液晶が挟持されてなる。素子基板上における複数の画素が配列されてなる画素領域或いは画素アレイ領域には、走査線及びデータ線の交差に対応して画素電極を含む画素部が形成されることにより、複数の画素部がマトリクス状に平面配列される。
【０００３】
また、素子基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域には、各走査線を駆動するための走査線駆動回路や、各データ線に画像信号をサンプリングして供給するサンプリング回路、このサンプリング回路を駆動するためのデータ線駆動回路を含む周辺回路部が内蔵されて形成される。
【０００４】
他方、対向基板側には、典型的には、その主要部として、例えば各画素部に共通に、画素電極と対向するようにベタ一面に形成された対向電極が含まれる。よって、電気光学装置のサイズは、主に平面的に見た素子基板のサイズに依存する。この素子基板のサイズは、素子基板上に平面的に見た、周辺領域における周辺回路部の設置面積に依存する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１３９１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような電気光学装置では、周辺回路部における配線や回路素子のレイアウトパターンに変更を加えて、素子基板上に平面的に見た周辺回路部の設置面積を変化させたとしても、基本的にデータ線ピッチに等しいピッチが要求されると共に、複数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）を通常含んでなるサンプリング回路等の周辺回路における微細化には限界がある。このため、素子基板のサイズの大幅な縮小は困難である。その結果、電気光学装置のサイズを縮小して小型化するのが困難となる問題点が生じている。
【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、小型化に適する電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備えてなる電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、一部が、前記第１基板における前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、前記第２基板に形成されており、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路部とを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば素子基板である、第１基板上の画素領域において、各画素部は、周辺回路部から供給される駆動信号に基づいて駆動され、画像表示を行う。例えば、電気光学物質を挟持する一対の第１基板及び第２基板間に、電気光学物質として液晶が挟持される場合には、液晶に画素部毎に駆動信号に基づいて、各画素に対して、駆動信号に対応する画像データに応じた値の印加電圧が印加されることにより、画素領域全体で画像表示が行われる。
【００１０】
ここで、周辺回路部の一部は、この周辺回路の他の一部から分離して、第１基板上の周辺領域に形成されると共に、周辺回路の他の一部は、例えば対向基板である、第２基板上の周辺領域に形成される。このように分離した一部及び他の一部を含む周辺回路は、例えば、これら一部及び他の一部間で、例えば上下導通によって、電気的に接続されており、周辺回路として存在している。
【００１１】
よって、本発明の電気光学装置では、第１基板及び第２基板のいずれか一方側に、周辺回路部の全てが周辺領域に作り込まれる構成と比較して、第１基板及び第２基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、平面的に見て周辺回路部の設置面積を大なり、或いは小なりでも縮小することが可能となる。よって、平面的に見た、第１基板及び第２基板のうち少なくとも一方のサイズを、縮小することができる。これにより、第１基板及び第２基板が対向配置された状態で、これらの基板を平面的に見たサイズを総合的に縮小することが可能となる。この際、第１基板及び第２基板の各々の基板上の周辺領域において、平面的に見た周辺回路部の設置面積を調整することで、容易に第１基板及び第２基板のうち少なくとも一方のサイズを調整することができる。その結果、電気光学装置のサイズを容易に縮小して小型化することが可能となる。
【００１２】
ここで、本発明の電気光学装置は、その製造時には、例えば、第１基板を複数含むマザー基板上で、このマザー基板とは別の大型基板を分断することにより形成された第２基板を、各第１基板に対して貼り合せた後、マザー基板を一対の第１基板及び第２基板毎に個別に分断することで形成される。本発明の電気光学装置は容易に小型化することができるため、１枚のマザー基板から製造される電気光学装置の数も増やすことが可能となる。よって、本発明の電気光学装置は、製造コストを低く抑えて、製造することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記一部は、前記第１基板における前記第２基板と対向する側に形成されており、前記他の一部は、前記第２基板における前記第１基板と対向する側に形成されている。
【００１４】
この態様によれば、第１基板上に形成されている周辺回路の一部と、第２基板上に形成されている周辺回路の他の一部とを、相互に向かい合わせて貼り合わせることで、周辺回路を構成すればよい。従って、例えば二枚の基板間における上下導通によってこれらの一部及び他の一部を電気的に接続することで、比較的容易にして周辺回路を二枚の基板に跨がって形成された一個の回路として構築できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板は、前記画素部毎にスイッチング素子が形成された素子基板であり、前記第２基板は、前記素子基板に対向する対向基板であって、前記素子基板上において、前記画素領域に互いに交差して形成された複数の走査線及び複数のデータ線を更に備えており、前記周辺回路部は、前記複数の走査線に夫々走査信号を前記信号として供給する走査線駆動部と、前記複数のデータ線に夫々画像信号を前記信号として供給する画像信号供給部とを含み、前記走査線駆動部及び前記画像信号供給部のうち少なくとも一方について、一部が前記素子基板上に形成されると共に他の一部が前記対向基板上に形成されており、前記複数の画素部は夫々、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成されている。
【００１６】
この態様によれば、素子基板上の画素領域において、各画素部は、例えば縦横に配線された走査線及びデータ線の交差に対応して配置され、マトリクス状に配列される。各走査線は、走査線毎に、走査線駆動部より供給される走査信号に基づいて駆動されると共に、各データ線には、データ線毎に、画像信号供給部より画像信号が供給される。そして、各画素部は、走査線より供給される走査信号に基づいて選択された状態で、データ線より画像信号が供給されることにより駆動され、画像信号に基づいて画像表示を行う。即ち、所謂アクティブマトリクス駆動が行われる。
【００１７】
この態様では、走査線駆動部及び画像信号供給部のうち少なくとも一方について、その一部が他の一部と分離して、素子基板上の周辺領域に形成されると共に、他の一部が対向基板上の周辺領域に形成される。よって、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、平面的に見て走査線駆動部及び画像信号供給部のうち少なくとも一方の設置面積を、大なり、或いは小なりでも縮小することが可能となる。これにより、平面的に見た、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方のサイズを縮小することができる。
【００１８】
この、周辺回路部に画像信号供給部が含まれる態様では、前記画像信号供給部は、前記複数のデータ線をＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ系統のシリアル−パラレル変換された前記画像信号が供給されるＮ本の画像信号線と、前記複数のデータ線に対応して形成されると共に、前記画像信号線より供給される前記画像信号をサンプリング回路駆動信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング回路信号を順番に供給するデータ線駆動回路とを含み、前記Ｎ本の画像信号線及び前記サンプリング回路と、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部とが、互いに分離して前記素子基板と前記対向基板とに形成されているように構成してもよい。
【００１９】
このように構成すれば、シリアルな画像信号を複数系列にシリアル−パラレル変換して得られた、パラレルなＮ系統の画像信号を、データ線群毎に、データ線群に属するＮ本のデータ線に夫々同時に供給することが可能となる。
【００２０】
より具体的には、この態様では、電気光学装置の駆動時、シリアル−パラレル変換されたＮ系統の画像信号が、Ｎ本の画像信号線に供給され、更に、これらの画像信号線よりサンプリング回路へと供給される。ここで、シリアル−パラレル変換は、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、典型的には、電気光学装置の外部に設けられた外部回路によって行われる。この場合、外部回路にシリアルな画像信号が入力されると共に、外部回路によって、このシリアルな画像信号は、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換される。このような「シリアル−パラレル変換」とは、「シリアル−パラレル展開」或いは「相展開」とも呼ばれる。
【００２１】
そして、Ｎ系統の画像信号のサンプリング回路への供給と並行して、データ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号（即ち、サンプリング回路駆動信号）が順次供給される。すると、サンプリング回路における各サンプリングスイッチによって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ系統の画像信号が順次供給される。これにより、同一のデータ線群に属するＮ本のデータ線に対しては、パラレルとされた複数の画像信号が一挙に供給されることとなる。
【００２２】
本態様では、Ｎ本の画像信号線及びサンプリング回路と、データ線駆動回路のうち少なくとも一部とは互いに分離して、素子基板と対向基板とに夫々形成される。
【００２３】
ここで、本態様では、サンプリング回路において、データ線群に対応するＮ個のサンプリングスイッチ毎に、これらＮ個のサンプリングスイッチは、共通のサンプリング信号が入力される信号線に共通に電気的に接続される。そして、サンプリング回路において、画像信号が出力される各サンプリングスイッチの信号線の数は、複数のデータ線の数に一致するのに対して、データ線群に対応するＮ個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、これらＮ個のサンプリングスイッチが共通に電気的に接続される信号線の数を、データ線の数をＮで割った値に、少なくすることができる。言い換えれば、データ線駆動回路から出力されるサンプリング信号の数を、データ線数と比較して、データ線の数をＮで割った値に、少なくすることができる。
【００２４】
そして、例えば、画像信号供給部内では、サンプリング回路における、データ線群に対応するＮ個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、サンプリング信号が入力される信号線と、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路と異なる基板上に設けられたデータ線駆動回路の全部若しくはその一部において、サンプリング信号が出力される信号線とが、素子基板及び対向基板との間で上下導通を行うことにより、電気的に接続される。
【００２５】
このように、サンプリング回路におけるサンプリング信号が入力される信号線に対して上下導通を行うための接続点の、各々の相隣接する接続点との間隔、即ち接続点のピッチは、複数のデータ線の各々の相隣接するデータ線との間隔、即ちデータ線のピッチと比較して、このデータ線のピッチにＮを乗じた値に、広くすることができる。
【００２６】
或いは、例えば、素子基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に分離して夫々設けられたデータ線駆動回路の一部と他の一部とは、素子基板及び対向基板との間で上下導通を行うことにより、電気的に接続される。
【００２７】
この場合も、上述したように、データ線駆動回路より出力されるサンプリング信号の数はデータ線の数をＮで割った値に少なくすることができるため、データ線駆動回路の一部と他の一部とを電気的に接続させるための接続点のピッチは、データ線のピッチと比較して、このデータ線のピッチにＮを乗じた値に、広くすることができる。
【００２８】
よって、本態様では、画像信号供給部内で、サンプリング回路におけるサンプリング信号の入力のために上下導通を図る接続点及びデータ線駆動回路内で上下導通を図る接続点に、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂を配置することにより、容易に電気的接続を行うことが可能となる。
【００２９】
この、画像信号線及びサンプリング回路と、データ線駆動回路の少なくとも一部とが互いに分離して形成される態様では、前記Ｎ本の画像信号線及び前記サンプリング回路は前記素子基板上に形成されており、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部は、前記対向基板上に形成されているように構成してもよい。
【００３０】
このように構成すれば、画像信号供給部内では、素子基板及び対向基板間において、サンプリング回路における、データ線群に対応するＮ個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、サンプリング信号が入力される信号線に対応する接続点、更にこれに加えて若しくは代えて、素子基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に分離して夫々設けられたデータ線駆動回路の一部と他の一部とを電気的に接続するための接続点において、上下導通が行われる。よって、このような上下導通を、各接続点にバンプ等を配置することにより、容易に行うことが可能となる。
【００３１】
上述した画像信号供給部がデータ線駆動回路を含む態様では、前記データ線駆動回路は、転送信号を順次生成するシフトレジスタと、該シフトレジスタから順次出力される前記転送信号を夫々バッファリングして前記サンプリング回路駆動信号として出力するバッファ回路とを含み、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも一方が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記Ｎ本の画像信号線と異なる基板上に形成されているように構成してもよい。
【００３２】
このように構成すれば、転送信号がシフトレジスタから出力されるタイミングに基づいて、バッファ回路において生成されたサンプリング信号が、データ線駆動回路より順次出力される。
【００３３】
ここで、データ線駆動回路では、素子基板及び対向基板のうち、素子基板上に平面的に見て、シフトレジスタよりバッファ回路の設置面積のほうが大きい。また、画像信号供給部内では、素子基板上に平面的に見て、サンプリング回路の設置面積はシフトレジスタよりも大きい。よって、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路とバッファ回路とは互いに分離して、異なる基板上に形成されるのが好ましい。
【００３４】
このように、サンプリング回路とバッファ回路とを互いに分離して異なる基板上に設けるようにすれば、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。
【００３５】
他方、データ線駆動回路において、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路と同一の基板上にバッファ回路を配置すると共に、バッファ回路と異なる他方の基板上にシフトレジスタを配置するようにしても、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を小なりとも縮小することは可能である。
【００３６】
このデータ線駆動回路が、シフトレジスタ及びバッファ回路を含む態様では、前記データ線駆動回路において、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも前記バッファ回路が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記Ｎ本の画像信号線と異なる基板上に形成されているように構成してもよい。
【００３７】
このように構成すれば、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。
【００３８】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備する。
【００３９】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、小型化するのに適した、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）を用いた表示装置等を実現することも可能である。
【００４０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４２】
（液晶装置）
先ず、本発明の電気光学装置の一例たる液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１（ａ）は、本発明に係る「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板をその対向面上に形成された各構成要素と共に、本発明に係る「第２基板」の一例である対向基板の側から見た、概略的な平面図であり、説明の便宜上、対向基板及び対向基板上に形成された構成要素を除外して図示してある。図１（ｂ）は、対向基板をその対向面上に形成された各構成要素と共に、ＴＦＴアレイ基板の側から見た概略的な平面図であり、説明の便宜上、ＴＦＴアレイ基板及びＴＦＴアレイ基板上に形成された構成要素を除外して図示してある。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図であり、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の両者を図示してある。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。尚、図１（ａ）及び図１（ｂ）、並びに図２において、各種構成要素は、図面上で認識可能な程度の大きさとするため、実際の液晶装置１００における構成とは、その配置等について厳密に同一とせず、異ならせて図示してあるものもあり、これら構成要素で夫々縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図３以降の各図についても同様である。
【００４３】
図２によく示されるように、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されている。図１（ａ）又は図１（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の画像表示領域１０ａにおいて、シール材５２によって囲まれた領域に液晶層５０が封入される。
【００４４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（図１及び図２中には図示を省略）が散布されている。
【００４５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４６】
図１（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０側の対向基板２０に対する対向面上には、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域より内側に、シール領域の一辺に沿ってサンプリング回路２００が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、このシール領域の一辺に沿って、シール領域より外側に第１上下導通端子１０３ａが設けられている。更に、シール領域より外側に位置する領域において、第１上下導通端子１０３ａの配列に沿って、並列に、外部回路接続端子１０２ａ及び１０２ｂａが設けられている。外部回路接続端子１０２ａのうち一部の端子１０２ｂａに、外部回路より入力される信号は対向基板２０側に供給される。加えて、ＴＦＴアレイ基板１０の４つのコーナー部には、第２上下導通端子１０６ａが配置されている。
【００４７】
また、走査線駆動回路１０４は、外部回路接続端子１０２ａ及び１０２ｂａが設けられた、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。そして、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた２つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続させるため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。尚、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられてもよい。
【００４８】
他方、図１（ｂ）において、対向基板２０側のＴＦＴアレイ基板１０に対する対向面上には、周辺領域のうちシール領域より内側に、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたサンプリング回路２００の配置に対応させて、シール領域の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、このシール領域の一辺に沿って、シール領域より外側に第１上下導通端子１０３ａとの間で上下導通を行うための第１上下導通材１０３ｂが設けられている。更に、対向基板２０のコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０側の第２上下導通端子１０６ａに対応させて、これら第２上下導通端子１０６ａとの間で上下導通を行うための第２上下導通材１０６ｂが設けられている。加えて、第１上下導通材１０３ｂの配列の端に、第３上下導通材１０２ｂｂが配列されており、第３上下導通材１０２ｂｂを介してデータ線駆動回路１０１には、外部回路接続端子１０２ａのうち一部の端子１０２ｂａより、このデータ線駆動回１０１を駆動するための各種信号が供給される。
【００４９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向面上には、図１及び図２中には図示しない画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜（図１及び図２において図示を省略）が形成されている。他方、対向基板２０の対向面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜（図１及び図２において図示を省略）が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５０】
なお、図１及び図２には図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５１】
次に、液晶装置１００の構成を図３から図６を参照して更に詳細に説明する。ここに、図３は、液晶装置に各種信号を供給する外部回路の構成を示すブロック図であり、図４は、ＴＦＴアレイ基板側のより詳細な構成を示すブロック図であり、図５は、対向基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。更に、図６は、データ線駆動回路の詳細な構成示す回路図である。
【００５２】
図３に示すように、例えば、液晶装置１００には、外部回路が外部回路接続端子１０２ａ及び１０２ｂａに電気的に接続されて実装される。外部回路は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）として、フレキシブル基板を含む配線基材に実装されて形成される。外部回路には、画像信号供給回路３００、タイミング制御回路４００、及び電源回路７００が含まれる。
【００５３】
タイミング制御回路４００は、液晶装置１００を駆動するための各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ、及び２種のＸスタートパルスＤＸＲ及びＤＸＬが生成される。更に、タイミング制御回路４００は、第１イネーブル信号ＥＮＢ１及び第２イネーブル信号ＥＮＢ２を生成して出力する。
【００５４】
画像信号供給回路３００には、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換（即ち、相展開或いはシリアル−パラレル展開）して、Ｎ相、本実施形態では１２相（Ｎ＝１２）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２を生成する。更に、画像信号供給回路３００において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が出力されるようにしてもよい。
【００５５】
また、電源回路７００は、図２に示す対向電極２１に供給される所定の共通電位ＬＣＣの共通電源を生成すると共に、データ線駆動回路１０１を駆動するための２種の電源ＶＳＳＸ及びＶＤＤＸを生成する。
【００５６】
図４及び図５に示すように、液晶装置１００には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の対向面上において、周辺領域には、本発明に係る「走査線駆動部」の一例たる走査線駆動回路１０４が形成されると共に、本発明に係る「画像信号供給部」に含まれるデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００、及び画像信号線１７１が形成される。そして、本発明に係る「周辺回路部」には、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００、及び画像信号線１７１が含まれる。
【００５７】
尚、図３を参照して説明した画像信号供給回路３００、タイミング制御回路４００、及び電源回路７００の少なくとも一部が、本発明に係る「周辺回路部」の一部として、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等と共に、作り込まれるようにしてもよい。
【００５８】
図４には、ＴＦＴアレイ基板１０側の、対向基板２０に対する対向面における構成を示してある。
【００５９】
図４において、走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００６０】
また、サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ２０２を複数備える。
【００６１】
更に、本実施形態では、１２相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２をサンプリング回路２００に供給する、１２本の画像信号線１７１が、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に配線されている。
【００６２】
加えて、ＴＦＴアレイ基板１０上の中央を占める画像表示領域１０ａには、縦横にデータ線１１４及び走査線１１２が配線され、それらの交点に対応する各画素部７０に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ１１６を備える。画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。尚、本実施形態では特に、走査線１１２の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線１１４の総本数をｎ×１２本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００６３】
また、図５には、対向基板２０側の、ＴＦＴアレイ基板１０に対する対向面における構成を示してある。
【００６４】
図５において、対向基板２０上の画像表示領域１０ａには、例えば、この画像表示領域１０ａの概ね全体にベタ一面に、即ちベタ状に対向電極２１が形成される。この対向電極２１には、第２上下導通端子１０６ａ及び第２上下導通材１０６ｂを介して共通電源ＬＣＣが供給される。
【００６５】
また、データ線駆動回路１０１には、シフトレジスタ７０及びバッファ回路８０が含まれる。
【００６６】
シフトレジスタ７０には、２種の電源ＶＳＳＸ及びＶＤＤＸに加えて、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及び２種のＸスタートパルスＤＸＲ及びＤＸＬの４種の信号が供給される。ここで、図６に示すように、これら４種の信号に基づいて駆動される４つのクロックドインバータ７１が、シフトレジスタ７０の第１段〜第ｎ段までの各段に含まれている。
【００６７】
シフトレジスタ７０は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されたデータ線１１４を、その配列方向（図４中、走査線１１２の延在する方向、或いは行方向、Ｘ方向）に沿う双方向から順次駆動可能なように構成されている。シフトレジスタ７０において、２種のＸスタートパルスＤＸＲ及びＤＸＬのうち一方のＸスタートパルスＤＸＲが入力される場合には、反転方向指示信号Ｄｉｎｖがハイレベルとなり、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、図６中右から左へ（即ち同図中、Ｘ方向と同一方向に）順次シフトされて、各段から転送信号ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、・・・、ＳＲｎが出力される。以下では、このように、シフトレジスタ７０の各段から転送信号ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、・・・、ＳＲｎが、図６中右から左へ順次出力されるものとする。
【００６８】
尚、シフトレジスタ７０において、２種のＸスタートパルスＤＸＲ及びＤＸＬのうち他方のＸスタートパルスＤＸＬが入力される場合には、方向指示信号Ｄがハイレベルとなり、一方のＸスタートパルスＤＸＲが入力される場合と同様に、図６中右から左へ（即ち同図中、Ｘ方向と逆方向に）順次シフトされることになる。
【００６９】
また、図６において、バッファ回路８０の各段には、シフトレジスタ７０の各段に対応して形成されたＮＡＮＤ回路８１及びインバータ８２が含まれる。また、各段のＮＡＮＤ回路８１及びインバータ８２を駆動するために、第１イネーブル信号ＥＮＢ１及び第２イネーブル信号ＥＮＢ２がバッファ回路８０に供給される。
【００７０】
そして、バッファ回路８０の各段では、シフトレジスタ７０から出力された転送信号ＳＲｉ（ｉ＝１、２、・・・・、ｎ）と、第１及び第２イネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２のいずれかとの論理積がＮＡＮＤ回路８１によってとられた後、その結果がインバータ８２により反転されることによりバッファリングが行われる。このようなバッファリングにより、転送信号ＳＲｉのパルス幅は、第１及び第２イネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２のいずれかのパルス幅に制限されて、サンプリング信号Ｓｉとして順次出力される。
【００７１】
尚、データ線駆動回路１０１は、図５及び図６に示す構成に限定されず、例えばシフトレジスタ７０、バッファ回路８０に加えてレベルシフタ回路等が設けられてもよい。また、バッファ回路８０には、２種のイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２を供給する例について説明したが、１種或いは３種以上のイネーブル信号ＥＮＢ信号に基づいてサンプリング信号を出力するようにしてもよい。
【００７２】
図５又は図６において、対向基板２０側で、データ線駆動回路１０１から順次出力されたサンプリング信号Ｓｉは、第１上下導通材１０３ｂを介して第１上下導通端子１０３ａに供給される。そして、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａに配線されたデータ線１１４は、以下に説明するように、サンプリング信号Ｓｉに基づいて、１２本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に順次駆動される。
【００７３】
サンプリング回路２００において、データ線群に対応するサンプリングスイッチ２０２毎に、サンプリング信号Ｓｉが、第１上下導通端子１０３ａより順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ２０２はオン状態となる。そして、１２本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が、オン状態となったサンプリングスイッチ２０２を介して、データ線群に属するデータ線１１４に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線１１４は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、各データ線１１４をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００７４】
図４中、一つの画素部７０の構成に着目すれば、ＴＦＴ１１６のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、１２）が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている一方、ＴＦＴ１１６のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１２が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ１１６のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７０において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７０は、走査線１１２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００７５】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍによって、各走査線１１２は線順次に選択される。選択された走査線１１２に対応する画素部７０において、ＴＦＴ１１６に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ１１６はオン状態となり、当該画素部７０は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ１１６を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線１１４より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７６】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量１１９が、液晶素子１１８と並列に付加されている。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量１１９により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００７７】
よって、本実施形態では、液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０側のサンプリング回路２００と、対向基板２０側のデータ線駆動回路１０１との間は、第１上下導通端子１０３ａ及び第１上下導通材１０３ｂとの間の上下導通により、電気的に接続されている。ここで、サンプリング回路２００において、データ線群に対応する１２個のサンプリングスイッチ２０２毎に、これら１２個のサンプリングスイッチ２０２は、共通の信号線を介して第１上下導通端子１０３ａよりサンプリング信号Ｓｉが入力される。そして、サンプリング回路２００において、画像信号ＶＩＤｋが出力される各サンプリングスイッチ２０２の信号線の数は、データ線１１４の数と同一のｎ×１２本であるのに対して、第１上下導通端子１０３ａよりサンプリング信号Ｓｉが入力される信号線の数は、ｎ本に少なくなっている。即ち、第１上下導通端子１０３ａの数は、データ線１１４の数と比較して、ｎ個に少なくなっている。
【００７８】
また、この第１上下導通端子１０３ａの数に対応して、対向基板２０側では、データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ７０の、転送信号ＳＲｉが出力される信号線の数、及びバッファ回路８０の、サンプリング信号Ｓｉが出力される信号線の数も、データ線１１４の数より少ないｎ本となっている。よって、バッファ回路８０の、サンプリング信号Ｓｉが出力される信号線に電気的に接続された第１上下導通材１０３ｂの数も、データ線１１４の数と比較して、ｎ個に少なくなっている。
【００７９】
従って、対向基板２０側において、第１上下導通材１０３ｂのピッチｄｓは、ＴＦＴアレイ基板１０側におけるデータ線１１４のピッチｄｐと比較して、このピッチｄｐの値にＮ＝１２を乗じた値に広くすることができる。また、第１上下導通材１０３ｂのピッチｄｓに対応させて、ＴＦＴアレイ基板１０側の第１上下導通端子１０３ａのピッチも、データ線１１４のピッチｄｐを１２倍した値に広くすることができる。
【００８０】
よって、本実施形態では、第１上下導通端子１０３ａ又は第１上下導通材１０３ｂを、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂により形成することが可能となり、その結果容易にこれら第１上下導通端子１０３ａ及び第１上下導通材１０３ｂ間で上下導通を行うことが可能となる。
【００８１】
以上説明したような液晶装置１００は、その製造時、例えば以下のようにマザー基板上で形成される。図７は、本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。
【００８２】
図７において、マザー基板Ｓの上において、液晶装置１００が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置１００においては、それぞれ、図１から図６を参照して説明したような各種の構成要素（ＴＦＴや走査線１１２、データ線１１４等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成されることになるのである。
【００８３】
ちなみに、図７において示されるマザー基板Ｓは、図１（ａ）及び図２、図４に示されるＴＦＴアレイ基板１０を複数含んでなる。即ち、図７に示すマザー基板Ｓ上には、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成され、これとは別に、図７には図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜等々が形成されて、対向基板２０が複数形成され、各対向基板２０は個別に分断される。そして、マザー基板Ｓに形成されたＴＦＴアレイ基板１０の各々に、対向基板２０を個別に対向させて、一対のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０について、個別に、シール材５２によって貼り合せた後、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、マザー基板Ｓを分断することによって、例えば図１及び図２に示したような各個別の液晶装置１００が製造されることになる。
【００８４】
次に、図８を参照して、液晶装置１００の比較例について、本実施形態と異なる点についてのみ説明する。図８は、比較例における、ＴＦＴアレイ基板側の構成を示すブロック図である。
【００８５】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、走査線駆動回路１０４やサンプリング回路２００等に加えて、シフトレジスタ７０及びバッファ回路８０が作り込まれることによりデータ線駆動回路１０１が形成されている。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上に平面的に見て、シフトレジスタ７０の設置面積に比較して、バッファ回路８０やサンプリング回路２００の各々の設置面積は、例えば４倍程度の大きさを要することがある。よって、比較例では、サンプリング回路２００や画像信号線１７１に加えて、データ線駆動回路１０１を設置するための面積を確保するために、これら各種の回路を含む画像信号供給部の設置面積を縮小するのには限界があり、ＴＦＴアレイ基板１０の平面的なサイズを大幅に縮小するのは困難となる。その結果、液晶装置１００のサイズも縮小するのが困難である。
【００８６】
これに対して本実施形態では、サンプリング回路２００及び画像信号線１７１と、データ線駆動回路１０１とを互いに分離して、データ線駆動回路１０１は対向基板２０側に配置される。よって、比較的大きい設置面積を要するサンプリング回路２００とバッファ回路８０とは互いに分離して、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のうち異なる基板に夫々形成されるため、比較例の構成と比較して、効果的にＴＦＴアレイ基板１０側、又はＴＦＴアレイ基板１０側に加えて対向基板２０側においても、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。よって、平面的に見た、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のうち少なくとも一方のサイズを、縮小することができる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置された状態で、これらの基板を平面的に見たサイズを総合的に縮小することが可能となる。その結果、液晶装置１００のサイズを縮小して小型化することができる。
【００８７】
これにより、液晶装置１００の製造時、図７において説明したような１枚のマザー基板Ｓから製造される液晶装置１００の数も増やすことが可能となる。よって、本実施形態では、製造コストを低く抑えて、液晶装置１００を製造することができる。
【００８８】
本実施形態の液晶装置１００は、以上説明したような構成に限られず、例えば以下に説明するように構成してもよい。
【００８９】
図９は、変形例に係るＴＦＴアレイ基板側の構成を示すブロック図であり、図１０は、変形例に係る対向基板側の構成を示すブロック図である。
【００９０】
図９及び図１０において、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、走査線駆動回路１０４やサンプリング回路２００等に加えて、バッファ回路８０が形成されると共に、対向基板２０側の周辺領域に、シフトレジスタ７０が形成される。そして、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成されたバッファ回路８０、及び対向基板２０側に形成されたシフトレジスタ７０を含み、データ線駆動回路が形成される。
【００９１】
この場合、シフトレジスタ７０から出力された転送信号ＳＲｉは、第１上下導通材１０３ｂを介して第１上下導通端子１０３ａに供給される。シフトレジスタ７０の転送信号ＳＲｉが出力される第１上下導通材１０３ｂの数、及びバッファ回路８０に対して転送信号ＳＲｉが入力される第１上下導通端子１０３ａの数は、夫々ｎ個とすることができる。よって、第１上下導通端子１０３ａ又は第１上下導通材１０３ｂを、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂により形成することが可能となり、容易にこれら第１上下導通端子１０３ａ及び第１上下導通材１０３ｂ間で上下導通を行うことが可能となる。
【００９２】
尚、この場合にも、ＴＦＴアレイ基板１０側、又はＴＦＴアレイ基板１０側に加えて対向基板２０側においても、画像信号供給部の設置面積を、例えば図４及び図５を参照して説明した構成と比較してその程度は小さくなると考えられるが、縮小することは可能である。
【００９３】
また、図４及び図５、或いは図９及び図１０を参照して説明した構成に加えて、若しくは代えて、走査線駆動回路１０４についても、画像信号供給部と同様に、その一部を他の一部より分離して、互いにＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のうち異なる基板上に夫々形成されるようにしてもよい。更に、例えば各データ線とサンプリング回路との電気的接続を容易に行うことが可能ならば、画像信号供給部において、サンプリング回路及び画像信号線を対向基板側に配置して、データ線駆動回路の少なくとも一部をＴＦＴアレイ基板側に配置する、というように、サンプリング回路及び画像信号線と、データ線駆動回路の少なくとも一部とを分離して、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に形成する構成としてもよい。
【００９４】
このように、液晶装置１００においては、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の基板上の周辺領域において、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等の各々の設置面積を調整することで、容易にＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のうち少なくとも一方のサイズを調整することができる。
【００９５】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置１００を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００９６】
まず、この液晶装置１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面配置図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。これら３つのライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇは夫々液晶装置１００を含む液晶モジュールを用いて構成されている。
【００９７】
ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇにおいて液晶装置１００は、画像信号供給回路３００から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置１００によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９８】
ここで、各ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、ライトバルブ１１１０Ｇによる表示像は、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９９】
なお、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１００】
次に、液晶装置１００を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１２は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１０１】
さらに、液晶装置１００を、携帯電話に適用した例について説明する。図１３は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１０２】
尚、図１１から図１３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図１（ａ）は、ＴＦＴアレイ基板側の構成を、対向基板の側から見た概略的な平面図であり、図１（ｂ）は、対向基板側の構成を、ＴＦＴアレイ基板の側から見た概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】液晶装置に各種信号を供給する外部回路の構成を示すブロック図である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。
【図５】対向基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。
【図６】データ線駆動回路の詳細な構成示す回路図である。
【図７】本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。
【図８】比較例における、ＴＦＴアレイ基板側の構成を示すブロック図である。
【図９】変形例に係るＴＦＴアレイ基板側の構成を示すブロック図である。
【図１０】変形例に係る対向基板側の構成を示すブロック図である。
【図１１】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１２】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、７０…画素部、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１７１…画像信号線、２００…サンプリング回路
【図１】
2007114343.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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