(57)【要約】【課題】  半導体素子に金属板を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、放熱面と端子の一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制する。【解決手段】  半導体素子１、２と金属板３、４および端子３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅとを接続し、これらを包み込むようにモールド樹脂７にて封止するとともに、金属板の放熱面３ａ、４ａおよび端子の一部をモールド樹脂の表面から露出させる半導体装置において、モールド樹脂７の表面のうちモールド樹脂７から露出する放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の部位に、モールド樹脂７の表面における放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部１０、１１を設けた。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（１、２）と、
前記半導体素子（１、２）に接続され前記半導体素子の電極および放熱部材として機能するとともに、一面が放熱面（３ａ、４ａ）となっている金属板（３、４）と、
前記半導体素子と電気的に接続された端子（３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅ）と、
前記半導体素子、前記金属板および前記端子を包み込むように封止するモールド樹脂（７）とを備え、
前記金属板の前記放熱面および前記端子の一部が前記モールド樹脂の表面から露出している半導体装置において、
前記モールド樹脂の表面のうち前記モールド樹脂から露出する前記放熱面と前記端子の一部との間の部位には、前記モールド樹脂の表面における前記放熱面と前記端子の一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部（１０、１１、１２）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属板（３、４）は、前記半導体素子（１、２）を挟むように対向して配置された一対のものからなり、
前記一対の金属板のそれぞれにおける前記半導体素子の側とは反対側の面が、前記放熱面（３ａ、４ａ）として前記モールド樹脂（７）の表面から露出しており、
前記端子（３ｃ）として、一方の前記金属板（３）と一体であるものを有し、この端子と他方の前記金属板（４）の前記放熱面（４ａ）との間に、前記凹凸部（１１）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属板（３、４）は、前記半導体素子（１、２）を挟むように対向して配置された一対のものからなり、
前記一対の金属板のそれぞれにおける前記半導体素子の側とは反対側の面が、前記放熱面（３ａ、４ａ）として前記モールド樹脂（７）の表面から露出しており、
前記端子（８ａ〜８ｅ）の一部は、前記モールド樹脂の表面のうち前記一対の金属板のそれぞれの放熱面の間にて露出しており、
前記凹凸部（１０、１２）は、前記端子の一部に対して前記一対の金属板のそれぞれの放熱面の一方側と他方側との両方に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記端子（８ａ〜８ｅ）として、前記金属板（３、４）とは別体の導体部材（８）からなるものを有し、この端子と前記放熱面（３ａ）との間に、前記凹凸部（１０）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凹凸部（１０、１１）は、前記モールド樹脂（７）の表面のうち前記放熱面（３ａ、４ａ）が露出する面と平行な面に位置するとともに前記放熱面よりも引っ込んでいることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記凹凸部（１０）は、前記放熱面（３ａ）の全周を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に金属板を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、半導体素子と、半導体素子に接続され半導体素子の電極および放熱部材として機能するとともに、一面が放熱面となっている金属板と、半導体素子と電気的に接続された端子と、半導体素子、金属板および端子を包み込むように封止するモールド樹脂とを備え、さらに、金属板の放熱面および端子の一部をモールド樹脂の表面から露出させたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１２３２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この種の半導体装置においては、たとえば、パッケージサイズの小型化などにより、モールド樹脂の表面から露出する金属板の放熱面と端子の一部との間の沿面距離が小さくなり、当該間において、電気的な絶縁破壊すなわち沿面絶縁破壊が生じる可能性がある。
【０００４】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子に金属板を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、放熱面と端子の一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明は、モールド樹脂（７）の表面のうちモールド樹脂（７）から露出する放熱面（３ａ、４ａ）と端子（３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅ）の一部との間の部位に、モールド樹脂（７）の表面における放熱面（３ａ、４ａ）と端子（３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅ）の一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部（１０、１１、１２）を設けたことを特徴とする。
【０００６】
それによれば、モールド樹脂（７）の表面において当該表面における放熱面（３ａ、４ａ）と端子（３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅ）の一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部（１０、１１、１２）を設けているから、放熱面（３ａ、４ａ）と端子（３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅ）の一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制することができる。
【０００７】
ここで、端子（８ａ〜８ｅ）としては、金属板（３、４）とは別体の導体部材（８）からなるものであってもよい。また、金属板（３、４）が、半導体素子（１、２）を挟む一対のものであって、それぞれの放熱面（３ａ、４ａ）がモールド樹脂（７）の表面から露出している両面放熱型の半導体装置である場合、端子（３ｃ）は一方の金属板（３）と一体であってもよい。
【０００８】
また、上記両面放熱型の半導体装置である場合、凹凸部（１０、１２）は、端子（８ａ〜８ｅ）の一部に対して一対の金属板（３、４）のそれぞれの放熱面（３ａ、４ａ）の一方側と他方側との両方に設けられていてもよい。
【０００９】
また、本発明は、凹凸部（１０、１１）がモールド樹脂（７）の表面のうち放熱面（３ａ、４ａ）が露出する面と平行な面に位置する場合に、この凹凸部（１０、１１）を放熱面よりも引っ込んだものとしたことを特徴とする。
【００１０】
この種の半導体装置においては、通常、モールド樹脂（７）から露出する金属板（３、４）の放熱面（３ａ、４ａ）を切削することにより平面度を調整する。このとき、凹凸部（１０、１１）をモールド樹脂（７）の表面において放熱面（３ａ、４ａ）よりも引っ込ませることにより、切削加工時に刃具が凹凸部（１０、１１）に干渉しないため、刃具の摩耗を抑制することができる。
【００１１】
また、モールド樹脂（７）から露出する放熱面（３ａ、４ａ）には、冷却部材を密着させて放熱を促進させることが行われるが、凹凸部（１０、１１）をモールド樹脂（７）の表面において放熱面（３ａ、４ａ）よりも引っ込ませることにより、放熱面（３ａ、４ａ）と冷却部材との密着性を適切に確保することができる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上方から見た概略平面図、（ｃ）は（ａ）の下方から見た概略平面図である。また、図１において、（ａ）は、（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図であるとともに（ｃ）中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。
【００１５】
図２は、この図１中に示される半導体装置１００におけるモールド樹脂７内の各部の平面配置構成を示す図である。この半導体装置１００は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１６】
図１、図２に示されるように、本半導体装置１００は、平面的に配置された２個の半導体素子１、２を備える。
【００１７】
本例では、第１の半導体素子１はＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）１であり、第２の半導体素子２は、ＦＷＤ（フライホイールダイオード）２である。なお、図１（ａ）においては、第１の半導体素子１に沿った断面が示されているが、第２の半導体素子２に沿った断面形状も実質的に同様である。
【００１８】
そして、これら両半導体素子１、２の両面は、半導体素子１、２の電極および放熱部材として機能する一対の金属板３、４にて挟まれている。これら金属板３、４は、銅合金もしくはアルミ合金等の熱伝導性および電気伝導性の良い金属板にて構成されている。
【００１９】
ここで、一対の金属板３、４は、半導体素子１、２を挟むように対向して配置されているが、図１（ａ）において、一対の金属板３、４のうち下側に位置する金属板３を、第１の金属板３とし、上側に位置する金属板４を、第２の金属板４とする。
【００２０】
そして、両半導体素子１、２の一面と第１の金属板３の内面との間は、はんだや導電性接着剤などの導電性接合部材５によって電気的・熱的に接続されている。また、両半導体素子１、２の他面と第２の金属板４との間には、両金属板３、４と同様の材質からなるヒートシンクブロック６が介在している。
【００２１】
そして、各半導体素子１、２とヒートシンクブロック６との間、および、ヒートシンクブロック６と第２の金属板４の内面との間は、導電性接合部材５によって電気的・熱的に接続されている。
【００２２】
そして、図１、図２に示されるように、本実施形態の半導体装置１００においては、半導体素子１、２を挟み込んだ一対の金属板３、４が、モールド樹脂７にて封止されている。このモールド樹脂７はエポキシ系樹脂などからなり、型成形によって形成されたものである。
【００２３】
また、図１に示されるように、一対の金属板３、４のそれぞれにおいて、半導体素子１、２と対向する内面とは反対側の外面３ａ、４ａが、モールド樹脂７から露出している。これにより、本半導体装置１００は、第１および第２の半導体素子１、２の両面のそれぞれにて、第１の金属板３、第２の金属板４を介した放熱が行われる両面放熱型の構成となっている。
【００２４】
図示しないが、このモールド樹脂７から露出する放熱面３ａ、４ａには、それぞれ冷却部材を密着して放熱を促進できるようになっている。このような冷却部材としては、通常、内部に冷却水が流通可能なアルミや銅などの部材が使用される。
【００２５】
また、一対の金属板３、４は、導電性接合部材５やヒートシンクブロック６を介して、両半導体素子１、２の各面の図示しない電極に電気的に接続されている。
【００２６】
ここで、図１、図２に示されるように、半導体装置１００においては、半導体素子１、２と電気的に接続された複数の端子３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅが設けられており、これら各端子は、その一部がモールド樹脂７から露出するように、モールド樹脂７に封止されている。
【００２７】
ここで、本例では、一対の金属板３、４において第１の金属板３、第２の金属板４は、それぞれ、第１の半導体素子１としてのＩＧＢＴ１のコレクタ側の電極および第２の半導体素子２としてのＦＷＤ２のカソード側の電極、ＩＧＢＴ１のエミッタ側の電極およびＦＷＤのアノード側の電極となるものである。
【００２８】
そして、上記各端子のうちコレクタリード３ｂおよびコレクタセンス３ｃは、第１の金属板３と一体に成形されたものであり、第１の金属板３の端面からモールド樹脂７の外側に突出して露出している。コレクタリード３ｂは、ＩＧＢＴのコレクタ側と外部とを接続するための端子であり、コレクタセンス３ｃは、ＩＧＢＴのコレクタの検査用端子である。
【００２９】
また、エミッタリード４ｂは、第２の金属板４と一体に成形されたものであり、第２の金属板４の端面からモールド樹脂７の外側に突出して露出している。このエミッタリード４ｂは、ＩＧＢＴ１のエミッタ側と外部とを接続するための端子である。
【００３０】
また、図１、図２に示されるように、上記各端子のうち金属板３、４とは別体の導体部材としてのリードフレーム８からなる端子８ａ〜８ｅは、モールド樹脂７の内部にて、ＩＧＢＴ１の周囲に設けられている制御端子８ａ〜８ｅである。このリードフレーム８は、銅や４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなる。
【００３１】
これら制御端子８ａ〜８ｅは、モールド樹脂７からの突出先端部が図示しない回路基板に接続されるようになっている。そして、ＩＧＢＴ１は、図２に示されるように、ヒートシンクブロック６側の面にてボンディングワイヤ９を介して、制御端子８ａ〜８ｅと電気的に接続されている。
【００３２】
具体的に、本例では、制御端子８ａ〜８ｅは、温度センスカソード８ａ、温度センスアノード８ｂ、ゲート８ｃ、電流センス８ｄ、ケルビンエミッタ８ｅからなる。
【００３３】
温度センスカソード８ａ、温度センスアノード８ｂは、ＩＧＢＴ１のチップ上に設けられている図示しない温度センスダイオードのカソードおよびアノードとなるもので、ＩＧＢＴ１の温度検出を行うためのものである。
【００３４】
また、ゲート８ｃは、ＩＧＢＴ１のゲート電極と接続されるものである。また、電流センス８ｄは、ＩＧＢＴ１に流れる電流の異常を検出するもので、ケルビンエミッタ８ｅは、ＩＧＢＴ１のエミッタ側の検査用端子である。
【００３５】
このように、本実施形態の各端子は、金属板３、４とは別体のリードフレーム８からなる制御端子８ａ〜８ｅと、金属板３、４と一体の端子３ｂ、３ｃ、４ｂとを備えている。なお、これら各端子３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅの機能は、一般的なものであるが、図３に、本半導体装置１００における、ＩＧＢＴ１とＦＷＤ２による等価回路図を示しておく。
【００３６】
また、上記ヒートシンクブロック６は、このＩＧＢＴ１と制御端子８ａ〜８ｅとのワイヤボンディングを行うにあたって、ワイヤ９の高さを維持するために、ＩＧＢＴ１のワイヤボンディング面と第２の金属板４との間の高さを確保している。
【００３７】
このような半導体装置１００において、本実施形態では、図１に示されるように、モールド樹脂７の表面のうち、放熱面３ａ、４ａと当該放熱面３ａ、４ａとは電気的に独立している上記各端子の一部との間の部位には、凹凸部１０、１１が設けられている。
【００３８】
ここでは、第１の金属板３の放熱面３ａと制御端子８ａ〜８ｂとの間におけるモールド樹脂７の表面、および、第２の金属板４の放熱面４ａとコレクタセンス３ｃとの間におけるモールド樹脂７の表面に、それぞれ凹凸部１０、１１が設けられている。以下、制御端子８ａ〜８ｅ側の凹凸部１０を制御端子側凹凸部１０、コレクタセンス３ｃ側の凹凸部１１をコレクタセンス側凹凸部１１ということにする。
【００３９】
この凹凸部１０、１１は、モールド樹脂７の表面を凹凸形状とすることにより、当該凹凸部１０、１１が介在する放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間におけるモールド樹脂７の沿面距離を長くするためものである。
【００４０】
つまり、制御端子側凹凸部１０は、第１の金属板３の放熱面３ａと制御端子８ａ〜８ｂとの間におけるモールド樹脂７の沿面距離を大きくし、コレクタセンス側凹凸部１１は、第２の金属板４の放熱面４ａとコレクタセンス３ｃとの間におけるモールド樹脂７の沿面距離を大きくする。
【００４１】
本例では、凹凸部１０、１１は、それぞれ、放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間を遮るように延びる２本の凸部とその間の凹部との組合せ構造により、構成されている。たとえば、図１（ａ）において、凹部の深さｄは数百μｍ程度である。
【００４２】
また、両凹凸部１０、１１は、それぞれ、モールド樹脂７の表面のうち放熱面３ａ、４ａが露出する面と平行な面に位置している。そして、両凹凸部１０、１１は、放熱面３ａ、４ａよりも引っ込んでいる。
【００４３】
具体的に、本例では、図１（ａ）に示されるように、両凹凸部１０、１１の凸部の先端部が、放熱面３ａ、４ａよりも引っ込んでいる。たとえば、図１（ａ）において、その引っ込み寸法ｔは、数百μｍ程度である。
【００４４】
このような半導体装置１００は、従来と同様に、半導体素子１、２をヒートシンクブロック６および一対の金属板３、４で挟むとともに、ＩＧＢＴ１と制御端子８ａ〜８ｅとを接続した後、樹脂成形することにより製造される。
【００４５】
ここで、凹凸部１０、１１は、凹凸部１０、１１に対応した形状を成形金型に設けることにより作製される。また、この半導体装置１００においては、樹脂成形後は、放熱面３ａ、４ａの平面度を出すために、刃具を用いて、放熱面３ａ、４ａを、当該面に沿って切削する。
【００４６】
ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂７の表面のうちモールド樹脂７から露出する放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の部位に、モールド樹脂７の表面における放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部１０、１１が設けられている。
【００４７】
それによれば、モールド樹脂７の表面において当該表面における放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の沿面距離を長くするための凹凸部１０、１１を設けているから、放熱面３ａ、４ａと端子３ｃ、８ａ〜８ｅの一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制することができる。
【００４８】
なお、凹凸部１０、１１は、モールド樹脂７の表面のうち放熱面３ａ、４ａが露出する面と平行な面に位置している場合、放熱面３ａ、４ａよりも出っ張っていてもよいが、本例では、引っ込んでいる。
【００４９】
これは、上述したように、放熱面３ａ、４ａの切削加工時における刃具と凹凸部１０、１１との干渉を回避して刃具の摩耗を抑制したり、冷却部材と凹凸部１０、１１との干渉を防止して冷却部材と放熱面３ａ、４ａとの密着性を確保して放熱性の向上を適切に実現するためである。
【００５０】
なお、本実施形態では、制御端子側凹凸部１０とコレクタセンス側凹凸部１１との２個の凹凸部１０、１１を設けたが、凹凸部は、これら２箇所のうちのどちらか１箇所のみであってもよい。
【００５１】
たとえば、第１の金属板３の放熱面３ａと制御端子８ａ〜８ｂとの間におけるモールド樹脂７の表面と、第２の金属板４の放熱面４ａとコレクタセンス３ｃとの間におけるモールド樹脂７の表面とを比べたとき、凹凸がない場合には、図１に示される半導体装置１００では、制御端子８ａ〜８ｅ側の方が比較的沿面距離が小さい。そこで、その点を考慮して、制御端子８ａ〜８ｅ側にのみに凹凸部１０を設けてもよい。
【００５２】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。上記実施形態では、凹凸部１０、１１は、放熱面３ａ、４ａの外周において放熱面３ａ、４ａと各端子３ｃ、８ａ〜８ｅとの間の部位に設けられていたが、本実施形態のように、凹凸部１０を、放熱面３ａの全周を取り囲むように設けてもよい。
【００５３】
この場合、放熱面３ａと、その周囲に位置し当該放熱面３ａと電気的に独立であるすべての端子４ｂ、８ａ〜８ｅとの間に、凹凸部１０が介在することになり、この凹凸部１０を介した沿面絶縁破壊の防止が図れる。
【００５４】
なお、本例では、放熱面の全周を取り囲む凹凸部の構成として、制御端子側凹凸部１０について示したが、本実施形態の凹凸部の構成は、コレクタセンス側凹凸部１１に採用してもよい。
【００５５】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。上記実施形態では、凹凸部１０、１１は、モールド樹脂７の表面のうち放熱面３ａ、４ａが露出する面と平行な面に位置していた。
【００５６】
ここで、さらに図５に示されるように、凹凸部１２を、モールド樹脂７の表面のうち放熱面３ａ、４ａが露出する面と直交する面、すなわちモールド樹脂７の側面にも設けるようにしてもよい。
【００５７】
つまり、本実施形態においては、両面放熱型の半導体装置において、制御端子８ａ〜８ｅの一部は、モールド樹脂７の表面のうち一対の金属板３、４のそれぞれの放熱面３ａ、４ａの間にて露出しており、凹凸部１０、１２は、モールド樹脂７から露出する制御端子８ａ〜８ｅの一部に対して一方の放熱面３ａ側、他方の放熱面４ａ側の両方に設けられている。
【００５８】
この場合、制御端子８ａ〜８ｅは、制御端子８ａ〜８ｅに対して比較的近い第１の金属板３の放熱面３ａだけでなく、比較的遠い第２の金属板４の放熱面４ａの間との沿面距離も長くすることができる。
【００５９】
また、図５では示さないが、コレクタリード３ｂやエミッタリード４ｂと放熱面３ａ、４ａとの間の沿面絶縁破壊の防止、さらには、両放熱面３ａ、４ａ同士の間の沿面絶縁破壊の防止といった効果も期待できる。
【００６０】
（他の実施形態）
なお、凹凸部とは、上記図示例のような凹部と凸部とを組合せたもの以外にも、凹部だけのものであってもよいし、凸部だけのものであってもよい。さらには、複数の凹部および凸部からなるものであってもよい。そのような種々の凹凸部の断面形状の例を、図６に示しておく。
【００６１】
たとえば、図６（ａ）〜（ｃ）に示される凹凸部１０は、凹部のみからなるものであり、図６（ｄ）〜（ｆ）に示される凹凸部１０は、凸部のみからなるものである。これら凹部や凸部の断面形状は、四角形、三角形、半円形などさまざまな形を採用できる。また、図６（ｇ）〜（ｉ）には、凹凸の組合せや、複数個の凸部または凹部からなる凹凸部１０を示してある。
【００６２】
また、上記の図に示される例以外にも、複数の端子３ｂ、３ｃ、４ｂ、８ａ〜８ｅにおけるモールド樹脂７からの露出部と、各放熱面３ａ、４ａとの間に、上記凹凸部が設けられていてもよい。また、放熱面３ａ、４ａや上記各端子のモールド樹脂７からの露出位置については、上記図示例に限定されない。
【００６３】
また、上記実施形態では、金属板３、４は、半導体素子１、２を挟むように対向して配置された一対のものからなり、一対の金属板３、４のそれぞれにおける半導体素子１、２の側とは反対側の面が、放熱面３ａ、４ａとしてモールド樹脂７の表面から露出している両面放熱型の半導体装置の例を示した。
【００６４】
そして、このような両面放熱型の半導体装置においては、一対の金属板３、４に挟まれる半導体素子としては、両面に配置される一対の金属板３、４を電極として用いることが可能なものであれば、上記したＩＧＢＴ１やＦＷＤ２でなくてもよい。また、半導体素子は１個でもよいし、３個以上でもよい。
【００６５】
また、上述したように、ヒートシンクブロック６は、ＩＧＢＴ１と第２の金属板４との間に介在し、これら両部材１、４との間の高さを確保する役割を有するものであるが、可能であるならば、上記実施形態において、ヒートシンクブロック６は存在しないものであってもよい。
【００６６】
さらに、本発明は、半導体素子と金属板および端子とを接続し、これらを包み込むようにモールド樹脂にて封止するとともに、金属板の放熱面および端子の一部をモールド樹脂の表面から露出させる半導体装置ならば、片面放熱型でもよい。
【００６７】
図７は、この片面放熱型の半導体装置の例を示す概略断面図である。半導体素子１の片面に金属板３が電気的・熱的に接続され、さらにリードフレームなどからなる端子８がボンディングワイヤ９により半導体素子１に接続され、これらがモールド樹脂７により封止されている。
【００６８】
この場合、モールド樹脂７から露出する金属板３の放熱面３ａと、同じくモールド樹脂７から露出する端子８の一部との間にて、モールド樹脂７の表面に凹凸部１０が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上面図、（ｃ）は（ａ）の下面図である。
【図２】図１中に示される半導体装置におけるモールド樹脂内の各部の平面配置構成を示す図である。
【図３】上記実施形態の半導体装置における等価回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図６】他の実施形態として種々の凹凸部の断面形状の例を示す図である。
【図７】他の実施形態として片面放熱型の半導体装置の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１…半導体素子としてのＩＧＢＴ、２…半導体素子としてのＦＷＤ、
３…第１の金属板、３ａ…第１の金属板の放熱面、
３ｂ…コレクタリード、３ｃ…コレクタセンス、
４…第２の金属板、４ａ…第２の金属板の放熱面、
４ｂ…エミッタリード、７…モールド樹脂、
８…導体部材としてのリードフレーム、８ａ…温度センスカソード、
８ｂ…温度センスアノード、８ｃ…ゲート、８ｄ…電流センス、
８ｅ…ケルビンエミッタ、１０、１１、１２…凹凸部。
【図１】
2007073743.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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