(57)【要約】【課題】  電流負荷容量を向上できると共に、半田付品質及び半田付工程における基板の反り等を改善でき、且つ、半田フロー工法と半田リフロー工法との両者に適応できる両面配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  絶縁基板２の両面の導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄをバイア５を介して電気的に接続し、表面２ａにおける導電パターン３ａ〜３ｃ上においては、外形を略矩形状に形成した半田盛部２０〜２２を、その長辺が電流の向きＡ、Ｂ、Ｃになるように複数備え、裏面２ｂの導電パターン４ａ〜４ｄ上においては、外形が略円形に形成した半田盛部２３を複数備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の両面に導電パターンが形成され、該両面の導電パターンが互いにバイア又はスルーホールを介して電気的に接続され、
前記両面の導電パターン上には、所定の間隔で複数の半田盛部が形成され、
前記半田盛部が、一方の面における導電パターン上においては、その長辺が電流の向きになるように外形が略矩形状に形成され、他方の面における導電パターン上においては、外形が略円形状に形成されている、
ことを特徴とする両面配線基板。
【請求項２】
前記一方の面における半田盛部が、
前記電流の向き及びこれに直交する向きに複数形成され、
且つ、該電流の向きにずらして千鳥状に配設されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の両面配線基板。
【請求項３】
前記バイアが、前記導電パターンの外周に沿って、所定の間隔で複数形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の両面の夫々に導電パターンを形成し、該両面の導電パターンを互いにバイア又はスルーホールを介して電気的に接続し、
前記両面の導電パターン上にレジストを被覆して、前記一方の面において該レジストから露出する第一導電部と、他方の面において該レジストから露出する第二導電部とを、所定の間隔で複数形成し、
且つ、この際、前記第一導電部の外形を、その長辺が一方の面の導電パターンを流れる電流の向きになるように略矩形状に形成すると共に、前記第二導電部の外形を略円形状に形成し、
次いで、前記第一導電部にペースト状の半田を塗布して該半田を溶融させ、前記一方の面における導電パターン上に矩形状の半田盛部を複数形成し、
次いで、前記第二導電部を溶融した半田に浸漬し、前記他方の面における導電パターン上に円形状の半田盛部を複数形成する、
ことを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路を構成するために用いられる両面配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板において、導電パターンに大電流が流れる電気回路を構成する際に、導電パターンの電流負荷容量を増やすために、例えば、導電パターン上に半田盛部をしているものがある。つまり、一般に、配線基板において、導電パターンを構成する導電箔が薄いため、これに大電流が流れるとジュール熱が発生して、電力損失が大きくなり、更には導電箔に断線が生じる虞がある。そこで、導電パターンの電気抵抗を低減すべく、導電パターン上に導箔や導電線などの導電材を積層したり半田盛りをしたりして、導電パターン（導電路）の断面積を増加しているものがある。
【０００３】
また、配線基板において、導電パターン上に半田盛りする際に、比較的広い面積を有する導電パターンを溶融した半田に浸漬すると（所謂、半田フロー工法である。）、半田つららや短絡、絶縁基板の歪等が生じたりする虞があるので、これを防止するために、導電パターンの表面をレジスト膜で覆い、導電パターン上に、複数の半田盛部をレジスト膜を介して並設したものがある（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
また、配線基板に回路部品を半田付けする際には、一般に、半田フロー工法と半田リフロー工法が用いられる。公知のように、半田フロー工法は、配線基板に回路部品を装着し、次いで、溶融した半田中に配線基板を浸漬させ、導電パターンに回路部品を半田付けする。一方、半田リフロー工法は、導電パターン上にペースト状の半田を塗布して、このペースト状の半田上に回路部品の電極部が重なるように、配線基板に回路部品を装着し、リフロー炉内に配線基板を通過させてペースト状の半田を溶融し、導電パターンに回路部品を半田付けする。
【０００５】
そして、近年、両面配線基板は、回路部品を半田付けする際に、半田フロー工法と半田リフロー工法とが併用されることが多いので、これらの半田付工法に適応した半田盛部の形状と配置が求められる。
【特許文献１】特開平９−１３００２５号公報
【特許文献２】特開平１０−３１３１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来例に記載したように、導電パターン上に導箔や導電線などの導電材を積層する方法によれば、導電パターン上に半田盛りをする方法に比べ、導箔や導電線を積層する際の手間がかかり生産性を損なう虞があった。
【０００７】
また、特許文献１、２記載の配線基板は、配線基板の片面のみに半田盛部を形成しているので、配線基板に半田盛部を形成する際の熱負荷によって、配線基板に反りが発生する虞があった。
【０００８】
さらに、特許文献１、２記載の配線基板は、半田盛部の外形が略方形状に形成されているので、半田フロー工法を用いてこの方形状部分に半田を付着させる際、半田槽に向かう配線基板の向きや形状に影響を受けて、隣接する半田盛部間に短絡が生じたり半田厚みのバラツキが生じたり半田つららが生じたりして、半田付品質を損なう虞があった。
【０００９】
そこで、本発明は、電流負荷容量の向上と共に、半田付品質の向上、半田付工程における配線基板の反りの低減等を図ることができ、且つ、半田フロー工法と半田リフロー工法との両者に適応できる両面配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、絶縁基板の両面に導電パターンが形成され、該両面の導電パターンが互いにバイア又はスルーホールを介して電気的に接続され、前記両面の導電パターン上には、所定の間隔で複数の半田盛部が形成され、前記半田盛部が、前記一方の面における導電パターン上においては、その長辺が電流の向きになるように外形が略矩形状に形成され、他方の面における導電パターン上においては、外形が略円形状に形成されている、ことを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の両面配線基板によれば、両面の導電パターン上には、所定の間隔で複数の半田盛部が形成され、その際、半田盛部が、一方の面における導電パターン内においては、その長辺が電流の向きになるように外形が略矩形状に形成され、他方の面における導電パターン内においては、外形が略円形状に形成されているので、電流負荷容量の向上と共に、半田付品質の向上、半田付工程における配線基板の反りの低減等を図ることができ、且つ、半田フロー工法と半田リフロー工法との両者に適応できる。
【００１２】
つまり、請求項１に記載の両面配線基板は、一方の面の半田付けは、リフロー工法を採用することにより、半田盛部の形状を矩形状としても、半田フロー工法に比べて半田の付着にバラツキがなく品質の良好な半田付けができ、その際、長辺が電流の向きになるように半田盛部の外形を略矩形状に形成することにより、その長辺が電流の向きと異なるものに比べ、電流が流れ易くジュール熱の発生を低減でき、電流負荷容量を向上できる。
【００１３】
一方、請求項１に記載の両面配線基板は、他方の面の半田盛部の形状が円形であるので、フロー工法を用いて半田盛部を形成する際、半田槽内の半田に向かう配線基板の向きに大きな影響を受けることなく、何れの方向から流しても、隣接する半田盛部の短絡や半田厚みのバラツキ等が少なく、品質の良好な半田付けができる。そして、本両面配線基板は、半田フロー工法と半田リフロー工法とを併用して回路部品を半田付けする際に、これらの半田付工法に適応し、半田盛部を形成できる。
【００１４】
また、請求項１に記載の両面配線基板は、両面の導電パターンがバイア又はスルーホールを介して接続され、夫々の導電パターン内に複数の半田盛部が形成されているので、導電パターンの電流負荷容量を向上できる。つまり、請求項１に記載の両面配線基板によれば、導電パターンに流れる電気抵抗を、当該両面配線基板の両面分の、導電パターンと半田盛部との断面積の和に依存して低減できる。
【００１５】
また、請求項１に記載の両面配線基板は、配線基板の両面に半田盛部を形成したので、半田付けする際に、片面のみに半田盛部を形成するよりも、当該両面配線基板の反りを低減でき、且つ、当該両面配線基板の機械的強度を向上できる。
【００１６】
次に、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の両面配線基板において、前記一方の面における半田盛部が、前記電流の向き及びこれに直交する向きに複数形成され、且つ、該電流の向きにずらして千鳥状に配設されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の両面配線基板によれば、一方の面における半田盛部が、電流の向き及びこれに直交する向きに複数形成され、且つ、電流の向きに互いにずらして千鳥状に配設されているので、導電パターンにおける局部的な電気抵抗の増減を低減できると共に、当該両面配線基板の機械的強度を向上できる。
【００１８】
次に、請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板において、前記バイアが、前記導電パターンの外周に沿って、所定の間隔で複数形成されている、ことを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の両面配線基板によれば、バイアが、導電パターンの外周に沿って、所定の間隔で複数形成されているので、絶縁基板に対する導電パターンの密着強度を向上できて、半田盛部を形成する際の熱負荷による導電パターンの剥離を防止でき、半田盛部を確実に形成できると共に高い信頼性を得ることができる。
【００２０】
次に、請求項４に記載の発明は、絶縁基板の両面の夫々に導電パターンを形成し、該両面の導電パターンを互いにバイア又はスルーホールを介し、前記両面の導電パターン上にレジストを被覆して、一方の面において該レジストから露出する第一導電部と、他方の面において該レジストから露出する第二導電部とを、所定の間隔で複数形成し、且つ、この際、前記第一導電部の外形を、その長辺が一方の面の導電パターンを流れる電流の向きになるように略矩形状に形成すると共に、前記第二導電部の外形を略円形状に形成し、次いで、前記第一導電部にペースト状の半田を塗布して該半田を溶融させ、前記一方の面における導電パターン上に矩形状の半田盛部を複数形成し、次いで、前記第二導電部を溶融した半田に浸漬し、前記他方の面における導電パターン上に円形状の半田盛部を複数形成する、ことを特徴とする。
【００２１】
請求項４に記載の両面印刷配線基板の製造方法によれば、請求項１に記載の発明と同様に、一方の面の半田付けには、リフロー工法を採用することにより、半田盛部の形状が任意であっても、フロー工法に比べて半田付着にバラツキがなく品質の良好な半田付けができ、その際、長辺が電流の向きになるように半田盛部の外形を略矩形状に形成することにより、その長辺が電流の向きと異なるものに比べ、電流が流れ易くジュール熱の発生を低減でき、電流負荷容量を向上できる。また、他方の面の半田付けには、半田盛部の形状を円形状とし、フロー工法を用いて半田盛部を形成することにより、半田槽内の半田に向かう配線基板の向きに大きな影響を受けることなく、隣接する半田盛り部の短絡や半田厚みのバラツキ等を低減できる。
【００２２】
また、請求項４に記載の両面配線基板の製造方法によれば、両面の導電パターンをバイア又はスルーホールを介して接続し、夫々の導電パター上に複数の半田盛部を形成しているので、導電パターンの電流負荷容量を向上でき、絶縁基板の両面の夫々に半田盛部を形成することにより、片面のみに半田盛部を形成するよりも、当該両面配線基板の反りを低減できると共に機械的強度を向上できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の両面配線基板及びその製造方法によれば、一方の面の半田付けには、リフロー工法を採用することにより、半田盛部の形状が任意であっても、フロー工法に比べて半田付着にバラツキがなく品質の良好な半田付けができ、その際、長辺が電流の向きになるように半田盛部の外形を略矩形状に形成することにより、その長辺が電流の向きと異なるものに比べ、電流が流れ易くジュール熱の発生を低減でき、電流負荷容量を向上できる。また、他方の面の半田付けには、半田盛部の形状を円形状とし、フロー工法を用いて半田盛部を形成することにより、半田槽内の半田に向かう配線基板の向きに大きな影響を受けることなく、隣接する半田盛り部の短絡や半田厚みのバラツキ等を低減できる。
【００２４】
また、本発明の両面配線基板及びその製造方法によれば、両面の導電パターンをバイア又はスルーホールを介して接続し、夫々の導電パターン上に複数の半田盛部を形成しているので、導電パターンの電流負荷容量を向上でき、両面の導体パターンの夫々に半田盛部を形成することにより、片面のみに半田盛部を形成するよりも、当該両面配線基板の反りを低減できると共に機械的強度を向上できる。
【００２５】
また、本発明の両面配線基板によれば、一方の面における半田盛部が、電流の向き及びこれに直交する向きに複数形成され、且つ、電流の向きに互いにずらして千鳥状に配設されているので、導電パターンにおける局部的な電気抵抗の増減を低減できると共に、当該両面配線基板の機械的強度を向上できる。
【００２６】
また、本発明の両面配線基板によれば、バイアが、導電パターンの外周に沿って、所定の間隔で複数形成されているので、絶縁基板に対する導電パターンの密着強度が向上し、延いては、半田盛部を形成する際に、熱負荷による導電パターンの剥離を防止できて半田盛部を確実に形成できる。そして、本発明の両面配線基板は、半田フロー工法と半田リフロー工法とを併用して回路部品を半田付けする際に、これらの半田付工法に適応し、半田盛部を精度良く形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明の両面配線基板及びその製造方法の一実施例を図面にもとづいて説明する。図１は、本発明の一実施例の両面配線基板の外観図であって、（ａ）が表面図、（ｂ）が裏面図である。図２は、同実施例の両面配線基板における部分詳細図であって、（ａ）が外観図、（ｂ）が（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図３は、同実施例の両面配線基板の製造手順を表す説明図である。
【００２８】
図１に表したように、両面配線基板１は、絶縁基板２の表面（所謂、本発明における一方の面である。）２ａ及び裏面（所謂、本発明における他方の面である。）２ｂに夫々導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄが形成され、表面２ａにおける導電パターン３ａ〜３ｄと裏面２ｂにおける導電パターン４ａ〜４ｄとが、絶縁基板２を介して、複数のバイア５及びスルホール９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂ、１９ａ〜１９ｄ、１３ａ〜１７ａ、１３ｂ〜１７ｂ、３２、３５、３６等によって電気的及び機械的に接続されている。
【００２９】
両面配線基板１は、厚みが１．６ｍｍであって、ガラス布基材とエポキシ樹脂とのコンポジット材を用いての絶縁基板２が形成され、絶縁基板２の両面上に厚みが３５μｍの銅箔が積層されて導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄが形成されている。
【００３０】
また、本実施例の両面配線基板１は、モータ駆動回路の一部を構成するものであって、モータの駆動の際、導電パターン３ａにはＡ方向に、導電パターン３ｂにはＢ方向に、導電パターン３ｃにはＣ方向に、導電パターン４ａにはＥ〜Ｉ方向に、導電パターン４ｂにはＪ〜Ｌ方向に、夫々電流が流れるように構成されている。
【００３１】
次に、図１（ａ）に表したように、両面配線基板１の表面２ａには、ＦＥＴ（トランジスタ）７、８、１８、電解コンデンサ９、１０、１１、チップコンデンサ１２、セメント抵抗１３〜１７、チップ抵抗２５、外部回路との接続用の端子台１９、等の回路部品が装着されている。また、両面配線基板１は、図示されない筐体に接続するための取り付け孔３０、３１、リード線を半田付けするためのスルホール３２、３５、３６等が備えられている。
【００３２】
ＦＥＴ７、８、１８、チップコンデンサ１２、チップ抵抗２５等は、これらの外面に電極を有する面実装部品であって、これらの電極が、両面配線基板１の表面２ａ側において、半田リフロー工法により半田付けされている。
【００３３】
電解コンデンサ９、１０、１１、セメント抵抗１３〜１７、端子台１９等は、リード線を備えたアキシャル部品であって、夫々のリード線（図示せず）が、スルホール９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂ、１３ａ〜１７ａ、１３ｂ〜１７ｂ、１９ａ〜１９ｄに挿入されて裏面２ｂに突出し、裏面２ｂ側において、半田フロー工法により半田付けされている。
【００３４】
次に、両面配線基板１の表面２ａにおいて、導電パターン３ａには、電流の向きＡに沿って、半田盛部２０が複数形成され、導電パターン３ｂには、電流の向きＢに沿って、半田盛部２１が複数形成され、導電パターン３ｃには、電流の向きＣに沿って、半田盛部２２が複数形成されている。
【００３５】
詳しくは、図２に表したように、両面配線基板１は、表面２ａにおいて、導電パターン３ａ上に、その長辺が電流の向きになるように配設された矩形状の半田盛部２０が、電流の向きＡ及びこれらに直交する向きに複数形成されている。また、半田盛部２０は、奇数行２０ａと偶数行２０ｂとが、電流の向きＡ方向に互いにずらして形成され、且つ、各行における半田盛部２０の間隙ｃを、隣接する行の半田盛部２０が覆うように形成されている。
【００３６】
また、半田盛部２０は、長手方向の寸法ｍが略１０ｍｍ、長手方向に直交する幅寸法ｗが１ｍｍ、長手方向の隣接する間隙ｃが０．５ｍｍ、幅方向の間隙ｄが０．５ｍｍ、厚みｔが０．５ｍｍに形成されている。また、導電パターン３ａは、各半田盛部２０の周囲及びバイア５の周囲が、ソルダーレジスト３３によって覆われている。
【００３７】
また、図１に表したように、導電パターン３ｂ、３ｃ内においても、長辺が電流の向きになるように配設された矩形状の半田盛部２１、２２が、電流の向きＢ、Ｃ及びこれらに直交する向きに間隙を介して複数形成され、且つ、千鳥状に配設されている。また、半田盛部２１、２２は、半田盛部２０と略同じ寸法で形成され、その周囲がソルダーレジスト３３によって覆われている。また、半田盛部２０〜２２は、半田盛りが滑らかに得られるように、長手方向の両端がＲ状に形成されている。
【００３８】
次に、図１に表したように、両面配線基板１は、裏面２ｂにおいて、導電パターン４ａ〜４ｄ上に外形が略円形状の半田盛部２３が複数形成されている。
【００３９】
半田盛部２３は、図２（ｂ）に表したように、外径ｐが２．５ｍｍ、隣接する間隙ｓが０．５〜１ｍｍ、厚みｖが略０．２ｍｍに形成されている。また、導電パターン４ａ〜４ｄは、半田盛部２３の周囲がソルダーレジスト３４によって覆われている。
【００４０】
また、本実施例の両面配線基板１は、半田盛部２０〜２３を設けることにより、電流負荷容量が半田盛部２０〜２３を設ける前に比べて略２倍に設定され、例えば、導電パターン３ａ及び導電パターン４ａの温度上昇が５℃以下である電流が、最大１５アンペアから最大３０アンペアになるように構成されている。
【００４１】
次に、前記の両面配線基板１の製造方法を、図３に基づいて説明する。まず、絶縁基板２の両面に３５μｍ厚みの銅箔３５ａ、３５ｂが積層された基板４１を準備した。
【００４２】
次いで、（ａ）に表したように、ドリルを用いバイア５及びスルホール１９ａを形成し、バイア５及びスルホール１９ａの内壁に公知のデスミア処理し、その後、バイア５及びスルホール１９ａの内壁と両端面に、無電解及び電解銅メッキを施して導電層３７、３８を形成し、銅箔３５ａ、３５ｂと導電層３７、３８とを一体化した。
【００４３】
次いで、銅箔３５ａ、３５ｂの不要部分をエッチング除去し所定の導電パーン（図１中の符号３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ）を形成した。
【００４４】
次いで、（ｂ）に表したように、基板４０の表面に、エポキシを主成分とする樹脂をスクリーン印刷して乾燥させ、ソルダーレジスト３３、３４を被覆した。そして、この際、後述の半田盛部２０及び半田盛部２３を形成するための第一導電部２０ａ及び第二導電部２３ａ、回路部品（例えば、チップコンデンサ１２、電解コンデンサ１９等である。）との半田付け部３９ａ、４０ａ等にはソルダーレジスト３３、３４の被覆がないものとし、且つ、図１に表したように、第一導電部２０ａの外形を、その長辺が一方の面の導電流の向きＡになるように略矩形状に形成すると共に、第二導電部２３ａの外形を略円形状に形成した。
【００４５】
次いで、（ｃ）に表したように、基板４１の表面において、第一導電部２０ａ及び半田付け部３９ａに、ペースト状の半田２０ｂ、３９ｂを塗布した。
【００４６】
次いで、（ｄ）に表したように、面実装部品（例えば、チップコンデンサ１２）を基板４１上に載置して、半田リフロー工法を用い、この基板４１をリフロー炉内に通過させてペスト状の半田を溶融させ、面実装部品を半田付け３９すると共に、矩形状の半田盛部２０を複数形成した。
【００４７】
次いで、（ｅ）に表したように、アキシャル部品（例えば、電解コンデンサ１９）を基板４１上に載置し、そのリード線部１９Ｌをスルホール１９ａを介して基板４０の裏面に突出させ、半田フロー工法を用い、この基板４１の裏面を溶融した半田に浸漬し、アキシャル部品を半田付け４０すると共に、円形状の半田盛部２３を複数形成し、その後、基板４１の洗浄を行い、両面配線基板１を完成した。また、この半田フロー工程において、バイア５に所定量の半田５ａを充填した。
【００４８】
以下に、前記実施例の両面配線基板１及びその製造方法の作用効果を記載する。
【００４９】
本実施例の両面配線基板１によれば、表面２ａにおける導電パターン３ａ〜３ｄと裏面２ｂにおける導電パターン４ａ〜４ｄを互いにバイア５を介して接続され、導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ上には、所定の間隔で複数の半田盛部２０〜２３が形成され、その際、半田盛部２０〜２３が、表面２ａにおいては、夫々の長辺が電流Ａ、Ｂ、Ｃの向きになるように外形が略矩形状に形成され、裏面２ｂにおいては、外形が略円形に形成されているので、電流負荷容量の向上と共に、半田付品質の向上、半田付工程における配線基板の反りの低減等を図ることができ、且つ、半田フロー工法と半田リフロー工法との両者に適応できる。
【００５０】
つまり、本実施例の両面配線基板１は、表面２ａにおける半田付けには、リフロー工法を採用することにより、半田盛部２０〜２２の形状を矩形状としても、半田フロー工法に比べて半田の付着にバラツキがなく品質の良好な半田付けができ、その際、半田盛部２０〜２２の外形を長辺が電流の向きになるように矩形状に形成することにより、長辺が電流の向きと異なるものに比べ、所定の向きに電流が流れ易くてジュール熱の発生を低減でき、電流負荷容量を向上できる。
【００５１】
また、本実施例の両面配線基板１は、裏面２ｂにおける半田盛部２３の形状が円形であるので、フロー工法を用いて半田付けする際、半田槽内の半田に向かう基板の向きに大きな影響を受けることなく、半田盛部２０〜２２の短絡や厚みのバラツキ等が少なく、品質の良好な半田付けができる。
【００５２】
また、本実施例の両面配線基板１は、導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄに流れる電気抵抗を、導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ、半田盛部２０〜２２等の断面積の和に依存して低減でき、電流負荷容量を向上できる。
【００５３】
また、本実施例の両面配線基板１は、両面に半田盛部２０〜２３を形成したので、片面のみに半田盛部を形成するよりも、絶縁基板２の反りを低減できると共に、両面配線基板１の機械的強度を向上できる。
【００５４】
さらに、本実施例の両面配線基板１は、表面２ａにおける半田盛部２０〜２２が、電流の向きＡ、Ｂ、Ｃ及びこれに直交する向きに複数形成され、電流の向きに沿って配設される複数行の半田盛部２０〜２２が、行毎に電流の向きに互いにずらして形成され、且つ、各行における半田盛部２０〜２２間の間隙ｃを、隣接する行の半田盛部２０〜２２が覆うように形成されているので、導電パターン２０〜２２における局部的な電気抵抗の増減を低減できると共に、両面配線基板１の機械的強度を向上できる。
【００５５】
また、本実施例の両面配線基板１は、導電パターン２０〜２３の外形に沿ってバイア５が所定の間隔で複数形成されているので、絶縁基板２に対する導電パターン２０〜２３の密着強度を向上でき、延いては、半田盛部２０〜２３を形成する際に熱負荷による導電パターン３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ等の剥離を防止でき、半田盛部を２０〜２３確実に形成できる。
【００５６】
また、本実施例の印刷配線基板１の製造方法は、表面２ａの半田付けには、リフロー工法を採用することにより、半田盛部２０〜２２の形状が任意の形状であっても、フロー工法に比べて半田付着にバラツキがなく品質の良好な半田付けを得ることができ、その際、長辺が電流の向きになるように半田盛部２０〜２２の外形を略矩形状に形成することにより、その長辺が電流の向きと異なるものに比べ、所定の向きに電流が流れ易くジュール熱の発生を低減でき、電流負荷容量を向上できる。
【００５７】
また、本実施例の両面配線基板１の製造方法は、裏面２ｂの半田付けには、半田盛部２３の形状を円形として、フロー工法を用いて半田盛部２３を形成することにより、半田槽に向かう配線基板の向きに影響を受けることなく、何れの方向から流しても、隣接する半田盛部２３同士の短絡や半田厚みのバラツキ等を低減できる。
【００５８】
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでなく、種各の態様を取ることができる。例えば、本実施例の両面配線基板１は、半田盛部２０〜２３を略同一のピッチで形成したが、導電パターン２０〜２３上の発熱が所望の分布になるように、複数の半田盛部２０〜２３を異なるピッチで配置したり異なる寸法で形成したりしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施例の両面配線基板の外観図であって、（ａ）が表面図、（ｂ）が裏面図である。
【図２】同実施例の両面配線基板における部分詳細図であって、（ａ）が外観図、（ｂ）が（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図である。
【図３】同実施例の両面配線基板の製造手順を表す説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…両面配線基板、２…絶縁基板、３ａ〜３ｄ，４ａ〜４ｄ…導電パターン、４…筐体、５…バイア、７，８，１８…ＦＥＴ（トランジスタ）、９，１０，１１…電解コンデンサ、１２…チップコンデンサ、１３〜１７…セメント抵抗、２５…チップ抵抗、１９…端子台、９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ，１３ａ〜１７ａ，１３ｂ〜１７ｂ，１９ａ〜１９ｄ，３５，３６…スルホール、２０，２３…半田盛部、２０ａ…第一導電部、２３ａ…第二導電部、２０ｂ，３９ｂ…ペースト状の半田、３３，３４…ソルダーレジスト、３５ａ，３５ｂ…銅箔、３７，３８…導電層、３９ａ，４０ａ…半田付け部、４１…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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