(57)【要約】【課題】基板の層間導電部同士を接合する場合にあって、製造工程を追加することなく、各層の配線回路部の接続に関して高い接続信頼性を確保する。【解決手段】絶縁性基材に配線回路部を形成した第１〜第３基板１０，２０，３０が積層され、各基板の各ビアホール内の層間導電部１７，２７，３５を介して各層の第１〜第４配線回路部１３，２３，３７，３３間が接続される多層配線基板１であって、第２基板２０は、ビアホール２６内の導電性ペーストによって層間導電部２７が形成され、層間導電部２７は第３基板３０側に突出する突出部２７ａを有し、第３基板３０は、ビアホール３４内の金属メッキによって層間導電部３５が形成され、層間導電部３５は第２基板２０側の面に窪み部３５ａを有し、第２及び第３基板２０，３０同士は、第２基板２０側の層間導電部２７の突出部２７ａが第３基板３０側の層間導電部３５の窪み部３５ａに挿入されている。【選択図】図１
2007299943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材に配線回路部を形成した、複数の基板が積層され、前記各基板の各ビアホール内に配置された層間導電部を介して各層の前記配線回路部間が接続される多層配線基板であって、
複数の前記基板のうちで互いに密着される一方の前記基板は、前記ビアホール内に充填された導電性基材によって前記層間導電部が形成され、且つ、層間導電部は他方の基板側に突出する突出部を有し、
複数の前記基板のうちで互いに密着される他方の前記基板は、前記ビアホール内にビアフィル金属メッキで析出された金属メッキによって前記層間導電部が形成され、層間導電部は一方の前記基板側の面に窪み部を有し、
双方の基板同士は、一方の前記層間導電部の前記突出部が他方の前記層間導電部の窪み部に挿入されることによって積層されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の多層配線基板であって、
前記層間導電部を形成するビアフィル金属メッキは、｛（ビアホールの底面からビアホール内の金属メッキの最下端表面までの深さ）／（ビアホールの底面から絶縁性基材上の金属メッキの表面までの深さ）｝×１００から導かれるフィリング率Ｘが、５０＜Ｘ＜１００の範囲であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
請求項２記載の多層配線基板であって、
ビアフィル金属メッキのフィリング率Ｘは、８０≦Ｘ≦９５の範囲であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項４】
請求項２又は請求項３記載の多層配線基板であって、
｛（突出部の体積）／（窪み部の体積）｝×１００から求められる体積比率Ｙは、５０≦Ｘ≦１００の範囲であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項５】
一方の基板の絶縁性基材にビアホールを形成し、次に、このビアホール内に導電性基材を充填して層間導電部を形成し、次に、前記層間導電部の他方の基板側を突出させる処理を行うことによって一方の基板を作製し、
他方の基板の絶縁性基材にビアホールを形成し、次に、このビアホール内にフィリング率１００％未満でビアフィル金属メッキを施して、一方の基板側の面に窪み部を有する金属メッキによる層間導電部を形成することによって他方の基板を作製し、
基板の積層過程では、一方の前記基板と他方の前記基板同士を所定の位置で互いに突き合わせ、一方の前記層間導電部の前記突出部が他方の前記層間導電部の前記窪み部に挿入された状態で積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の多層配線基板の製造方法であって、
ビアフィル金属メッキ工程は、｛（ビアホールの底面からビアホール内の金属メッキの最下端表面までの深さ）／（ビアホールの底面から絶縁性基材上の金属メッキの表面までの深さ）｝×１００から導かれるビアフィル金属メッキのフィリング率Ｘが、５０＜Ｘ＜１００の範囲で行ったことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の多層配線基板の製造方法であって、
ビアフィル金属メッキ工程は、フィル金属メッキのフィリング率Ｘが、８０≦Ｘ≦９５の範囲で行ったことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載の多層配線基板の製造方法であって、
突出部の形成工程及びビアフィル金属メッキ工程は、｛（突出部の体積）／（窪み部の体積）｝×１００から求められる体積比率Ｙが、５０≦Ｘ≦１００の範囲となるにしたことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、この各層の配線回路部間が各ビアホール内の層間導電部を介して接続された多層配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やノートブック型パソコンに代表される電子機器の小型・軽量化、多機能化が急速に進展している。これら電子機器において、各種電気部品間の配線距離はできる限り短くすることが望まれている。そのため、電気部品を実装するプリント配線基板は、高密度配線、高多層化の方向に進んでいる。
【０００３】
多層配線基板１００は、図１３に示すように、絶縁性基材１０１ａに第１配線回路部１０１ｂが形成された第１基板１０１と、絶縁基材１０２ａに第２及び第３配線回路部１０２ｂ，１０３ｂが形成された第２基板１０２と、絶縁基板１０３ａに配線回路部１０３ｃが形成された第３基板１０３とを備え、これら第１、第２及び第３基板１０１，１０２，１０３が積層されている。各基板１０１，１０２，１０３の絶縁性基材１０１ａ，１０２ａ，１０３ａの適所にはビアホール１０１ｃ，１０２ｃ，１０３ｄが形成されている。この各ビアホール１０１ｃ，１０２ｃ，１０３ｄ内に充填された導電性基材である導電性ペーストによって層間導電部１０１ｄ，１０２ｄ，１０３ｅが形成されている。これら層間導電部１０１ｄ，１０２ｄ，１０３ｅを介して各層の配線回路部１０１ｂ，１０２ｂ，１０３ｂ，１０３ｃ間が接続されている。
【０００４】
このような構造の多層配線基板１００にあっては、各基板の層間導電部１０１ｄ，１０２ｄ，１０３ｅが適正な位置に位置合わせた状態で積層されていれば、各層の配線回路部１０１ｂ，１０２ｂ，１０３ｂ，１０３ｃの接続に関して高い接続信頼性が確保できる。
【０００５】
そこで、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、一方の基板１１０の層間導電部１１１に突出部１１１ａを設け、他方の基板１２０のランド部１２１に凹部１２１ａを設けたものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
この基板の積層過程にあって、一方の基板１１０と他方の基板１２０同士を所定の位置で互いに突き合わせ、一方の層間導電部１１１の突出部１１１ａが他方のランド部１２１の凹部１２１ａに挿入されなかったものを排除し、一方の層間導電部１１１の突出部１１１ａが他方のランド部１２１の凹部１２１ａに挿入されたもののみを積層する。これによって、各層の配線回路部の接続に関して高い接続信頼性を確保できる多層配線基板を作製できる。そして、一方の層間導電部１１１の突出部１１１ａは、マスキング層（図示せず）の剥離によって自動的に作製できるから製造工程の追加をもたらすものではない。ランド部１２１の凹部１２１ａは、配線回路部をエッチング処理によって作製する際に同時にエッチングで作製することができるため、凹部１２１ａを作製するための製造工程を別途追加する必要もない。
【特許文献１】特開２００３−３３８６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前記従来例では、層間導電部１１１の接合相手が配線回路部のランド部１２１であるため、凹部１２１ａを追加工程なしに形成することができた。
【０００８】
しかしながら、任意の位置での層間接続による配線パターンの自由度拡大、これによる配線回路部の高密度化を図るため、双方の基板の層間導電部同士を接合したい場合があり、このような層間接続構造とする場合には層間導電部の凹部の追加加工が必要となる。
【０００９】
そこで、本発明は、双方の基板の層間導電部同士を接合する場合にあって、製造工程を追加することなく、各層の配線回路部の接続に関して高い接続信頼性を確保できる多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明の多層配線基板は、絶縁性基材に配線回路部を形成した、複数の基板が積層され、前記各基板の各ビアホール内に配置された層間導電部を介して各層の前記配線回路部間が接続される多層配線基板であって、複数の前記基板の内で互いに密着される一方の基板は、前記ビアホール内に充填された導電性基材によって前記層間導電部が形成され、この層間導電部は他方の基板側に突出する突出部を有し、複数の前記基板のうちで互いに密着される他方の基板は、前記ビアホール内にビアフィル金属メッキで析出された金属メッキによって前記層間導電部が形成され、この層間導電部は一方の前記基板側の面に窪み部を有し、双方の基板同士は、一方の前記層間導電部の前記突出部が他方の前記層間導電部の窪み部に挿入されることによって積層されている。
【００１１】
他の本発明の多層配線基板の製造方法は、一方の基板の絶縁性基材にビアホールを形成し、次に、このビアホール内に導電性基材を充填して層間導電部を形成し、次に、この層間導電部の他方の基板側に突出部を形成する処理を行うことによって一方の基板を作製し、他方の基板の絶縁性基材にビアホールを形成し、次に、このビアホール内にフィリング率１００％未満でビアフィル金属メッキを施して金属メッキによって形成され、且つ、一方の基板側の面に窪み部を有する層間導電部を形成することによって他方の基板を作製し、基板の積層過程では、一方の前記基板と他方の前記基板同士を所定の位置で互いに突き合わせ、一方の前記層間導電部の前記突出部が他方の前記層間導電部の前記窪み部に挿入されたもののみを積層する。
【００１２】
また、（ビアホールの底面からビアホール内の金属メッキの最下端表面までの深さ）／（ビアホールの底面から絶縁性基材上の金属メッキの表面までの深さ）×１００から導かれるビアフィル金属メッキのフィリング率Ｘは、５０＜Ｘ＜１００の範囲とする。特に、ビアフィル金属メッキのフィリング率Ｘは、８０≦Ｘ≦９５の範囲が更に好ましい。
【００１３】
さらに、（突出部の体積）／（窪み部の体積）×１００から求められる体積比率Ｙは、５０≦Ｘ≦１００の範囲とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の多層配線基板及びその製造方法によれば、ビアホール内にビアフィル金属メッキ処理を施す際にそのフィリング率を１００％未満でメッキ処理すれば良く、このビアフィル金属メッキ過程によって一方の基板側の面に窪み部を有する金属メッキによる層間導電部を形成できる。以上より、双方の基板の層間導電部同士を接合する場合にあって、製造工程を追加することなく、各層の配線回路部の接続に関して高い接続信頼性を確保できる。
【００１５】
また、絶縁性基材の表面に金属メッキ層を同時に形成する場合には、ビアフィル金属メッキをフィリング率１００％未満で施すため、絶縁性基材の表面に形成される金属メッキ層は、その厚みがフィリング率１００％の場合に較べて薄くなる。そのため、金属メッキ層のエッチングによって微細な配線回路部を形成できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態に係る多層配線基板及びその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１７】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態に係る多層配線基板の断面図である。図１に示すように、多層配線基板１は、第１基板１０と第２基板２０と第３基板３０から構成され、これらがこの順序で積層されている。
【００１８】
第１基板１０は、絶縁性基材１１とこの表面に形成された第１配線回路部１３と絶縁性基材１１の裏面に形成された接着層１４とから大略構成されている。第２基板２０は、絶縁性基材２１とこの表面に形成された第２配線回路部２３と絶縁性基材２１の裏面に形成された接着層２４とから大略構成されている。第３基板は、絶縁性基材とこの表面に形成された第３配線回路部と絶縁性基材の裏面に形成された第４配線回路部とから大略構成されている。
【００１９】
第１〜第３基板１０，２０，３０の各絶縁性基材１１，２１，３１の同一位置を含む適所にはビアホール１６，２６，３４がそれぞれ形成されている。第１及び第２基板１０，２０の各ビアホール１６，２６内には、充填された導電性基材である導電性ペーストによって層間導電部１７，２７が形成されている。第２基板２０の層間導電部２７は、第３基板３０側に突出する突出部２７ａを有する。
【００２０】
第３基板３０の各ビアホール３４内には、金属メッキによって層間導電部３５が形成されている。第３基板３０の層間導電部３５は、第２基板２０側の面に窪み部３５ａが形成されている。この窪み部３５ａに第２基板２０の層間導電部２７の突出部２７ａが挿入されている。
【００２１】
次に、前記多層配線基板１の製造方法を説明する。先ず、第１基板１０の製造方法を説明する。図２（ａ）に示すように、ポリイミドから成る絶縁性基材１１の片面に銅箔１２を設けた基材を出発材料とする。先ず、図２（ｂ）に示すように、出発基材の銅箔１２をサブトラクティブ法でエッチングして第１配線回路部１３を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、第１配線回路部１３を形成した絶縁性基材１１の反対側に、ポリイミド系接着剤を真空下で加熱プレスすることにより接着層１４を形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、接着層１４の表面にポリイミドフィルムを真空下で加熱プレスすることによりマスキング層１５を形成する。次に、図２（ｅ）に示すように、マスキング層１５側から第１配線回路部１３まで達する直径１００μｍのビアホール１６をＵＶ−ＹＡＧレーザで形成する。次に、図２（ｆ）に示すように、デスミア処理を施したビアホール１６内に導電性素材である導電性ペーストを印刷法により充填する。これによって、ビアホール１６内に導電性ペーストによる層間導電部１７を形成する。最後に、図２（ｇ）に示すように、接着層１４からマスキング層１５を剥離する。これによって、層間導電部１７には、接着層１４側にマスキング層１５の厚み分の突出部１７ａが形成される。以上によって、第１基板１０の製造が完了する。
【００２２】
第２基板２０は、この第１基板１０と同様の製造工程によって作製する。尚、図１及び図４の第２基板２０の各部には第１基板１０の各部に対応する類似番号を付して明確化を図る。
【００２３】
次に、第３基板３０の製造方法を説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、ポリイミドから成る絶縁性基材３１の片面に銅箔３２を設けた基材を出発材料とする。先ず、図３（ｂ）に示すように、出発基材の銅箔３２をサブトラクティブ法でエッチングして第４配線回路部３３を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、第４配線回路部３３を形成した絶縁性基材３１の反対側に、第４配線回路部３３まで達する直径１００μｍのビアホール３４をＵＶ−ＹＡＧレーザで形成する。次に、図３（ｄ）に示すように、デスミア処理を施したビアホール３４内と絶縁性基材３１の表面に、ビアフィル金属（銅）メッキをフィリング率１００％未満（本実施の形態では９０％）で施す。これによって、ビアホール３４内には、表面に窪み部３５ａを有する金属（銅）メッキによる層間導電部３５が形成される。又、絶縁性基材３１の表面には、金属メッキによる銅箔層（金属メッキ層）３６が形成される。
【００２４】
最後に、図３（ｅ）に示すように、銅箔層３６をサブトラクティブ法でエッチングして第３配線回路部３７を形成する。以上によって、第３基板３０の製造が完了する。
【００２５】
各基板１０，２０，３０の製造工程を終了すると、次に基板積層工程に移る。図４に示すように、第１基板１０、第２基板２０、第３基板３０を互いに位置合わせして積層状態とする。ここで、第２基板２０と第３基板３０同士を所定の位置で互いに突き合わせた際に、第２基板２０の層間導電部２７の突出部２７ａが第３基板３０の層間導電部３５の窪み部３５ａに挿入されなかったものを排除し、第２基板２０の層間導電部２７の突出部２７ａが第３基板３０の層間導電部３５の窪み部３５ａに挿入されたもののみを積層する。そして、適正に位置合わせされた第１、第２及び第３基板１０，２０，３０の積層体を、真空下で加熱プレスする。これによって、第１及び第２基板１０，２０の各接着層１４，２４が相手側の第２及び第３基板２０，３０に接着されると共に、各基板１０，２０，３０の層間導電部１７，２７，３５間の接触箇所が溶融して互いに接合される。以上によって、第１、第２及び第３基板１０，２０，３０が一括積層された多層配線基板１が製造される。
【００２６】
以上、説明したように、第３基板３０のビアホール３４内にビアフィル金属メッキを施す際に、そのフィリング率を１００％未満でメッキ処理すれば、第２基板２０側の面に窪み部３５ａを有する金属メッキによる層間導電部３５を形成できる。そして、第３基板３０の層間導電部３５の窪み部３５ａと第２基板２０の導電性ペーストによる層間導電部２７の突出部２７ａとによって第２及び第３基板２０，３０間が正確な位置合わせされたもののみを積層する。以上より、第２及び第３基板２０，３０の層間導電部２７，３５同士を接合するものにあって、製造工程を追加することなく、各層の配線回路部１３，２３，３７，３３の接続に関して高い接続信頼性を確保できる。
【００２７】
本実施の形態では、第３基板３０のビアホール３４内にビアフィル金属メッキ処理を施す際に、絶縁性基材３１の表面に銅箔層（金属メッキ層）３６を同時に形成する。この銅箔層（金属メッキ層）３６の厚みは、フィリング率１００％の場合に較べて薄くなる。そのため、銅箔層３６のエッチングによって微細な第３配線回路部３７を形成できるという利点がある。
【００２８】
例えば、ビアホール３４の直径を５０μｍ、絶縁性基材３１の厚みが２５μｍの基材にビアフィル金属メッキを施す場合、フィリング率９０％としたときに、銅箔層（金属メッキ層）３６の厚みは１２μｍとなる。これに対し、フィリング率１００％としたときには、銅箔層（金属メッキ層）３６の厚みは１５μｍとなる。銅箔層３６の厚みが１５μｍでは、ライン／スペース＝２５／２５μｍの微細な配線回路部３７を形成することが困難であるが、銅箔層３６の厚みが１２μｍでは、上記した微細な配線回路部３７を形成することが可能である。
【００２９】
次に、ビアフィル金属メッキのフィリング率と位置合わせ効果について説明する。図５に示すように、ビアフィル金属メッキのフィリング率Ｘは、ビアホール３４の底面から絶縁性基材３１上の金属メッキの表面までの深さをＨ１、ビアホール３４の底面からビアホール３４内の金属メッキの最下端表面までの深さをＨ２とすると、Ｘ＝｛（Ｈ２／Ｈ１）｝×１００によって求められる。
【００３０】
フィリング率Ｘに対する位置合わせ効果を実験した結果、図６に示す結果が得られた。Ｘ≦５０の範囲では、図７に示すように、位置合わせ効果があるが、双方の層間導電部２７，３５の突出部２７ａと窪み部３５ａとの間に空隙ａが発生して熱衝撃で膨脹する恐れがあった。５０＜Ｘ≦８０の範囲では、位置合わせの効果が期待できた。８０≦Ｘ≦９５の範囲では、十分な位置合わせの効果が期待できた。９５＜Ｘ＜１００の範囲では、位置合わせの効果が期待できた。Ｘ≧１００の範囲では、図８に示すように、積層時に位置ズレし、位置合わせが期待できなかった。以上より、フィリング率Ｘは、５０＜Ｘ＜１００の範囲とする必要があり、特に８０≦Ｘ≦９５の範囲が好ましい。
【００３１】
次に、層間導電部２７の突出部２７ａと層間導電部３５の窪み部３５ａの体積比率と、位置合わせ効果について説明する。図９に示すように、双方の体積比率Ｙは、層間導電部２７の突出部２７ａの体積をＶ１、層間導電部３５の窪み部３５ａの体積をＶ２とすると、Ｙ＝｛（Ｖ１）／（Ｖ２）｝×１００によって求められる。
【００３２】
体積比率Ｙによる位置合わせ効果を実験した結果、図１０に示す結果が得られた。Ｙ＜５０の範囲では、図１１に示すように、位置合わせ効果があるが、双方の層間導電部２７，３５の突出部２７ａと窪み部３５ａとの間に空隙ａが存在して熱衝撃で膨脹する恐れがあった。５０≦Ｙ≦１００の範囲では、十分な位置合わせの効果が期待できた。Ｙ＞１００の範囲では、図１２に示すように、導電性ペーストがはみ出してはみ出し部ｂが形成され、短絡不具合の恐れが発生する。以上より、体積比率Ｙは、５０≦Ｙ≦１００の範囲とする必要がある。
【００３３】
（具体例）
以下、多層配線基板１の具体的な材料、寸法例等を以下に説明する。絶縁性素材１１，２１，３１としては、ポリイミドの他に、液晶ポリマーやガラスエポキシ樹脂などを使用可能である。フレキシブル基板を作製する場合には液晶ポリマーを、リジット基板を作製する場合にはガラスエポキシ樹脂などのプリプレグを使用すると良い。絶縁性基材１１，２１，、３１の厚みは、１０〜５０μｍ、銅箔の厚さは、５〜２０μｍが好ましい。接着層１４，２４としては、ポリイミド系の他に、エポキシ系、オレフィン系などの各種接着剤が使用可能である。尚、接着層１４，２４として接着機能が付与された絶縁性基材１１，２１を用いる場合には接着剤塗布工程は省略できる。接着層１４，２４の厚さは、１０〜５０μｍが好ましい。
【００３４】
マスキング層１５，（図示せず）としては、ポリイミドフィルムの他に、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどの各種樹脂フィルムが使用可能である。マスキング層１５，（図示せず）の厚さは、１０〜３０μｍが好ましい。層間導電部２７の突出部２７ａの体積Ｖ１は、このマスキング層１５，（図示せず）の厚みによって調整できる。
【００３５】
ビアホール１６，２６，３４の形成工程では、絶縁性基材１１，２１，３１の種類に応じてＣＯ２レーザやエキシマレーザやＮＣドリルが使用可能である。ビアホール１６，２６，３４の直径は、ビアホール１６，２６，３４の深さよりも大きいことが好ましい。
【００３６】
第１及び第２基板１０，２０の層間導電部１７，２７の導電性基材としては、導電性ペーストの樹脂中に銅、銀等の各種金属が含有されたものや低融点金属が含有されたもの等が使用可能である。
【００３７】
尚、前記実施の形態では、多層配線基板１は、第１、第２及び第３基板１０，２０，３０の三層であったが、二層でも、四層以上でも良いことはもちろんである。又、前記実施の形態では、第１、第２及び第３基板１０，２０，３０を一括積層方式によって積層したが、基板を一枚ずつ同様な手法で多層化する逐次積層方式によって製造しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施の形態にかかる多層配線基板の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は多層配線基板を構成する第１及び第２基板の各製造工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は多層配線基板を構成する第３基板の各製造工程を示す断面図である。
【図４】第１基板、第２基板及び第３基板を積層する工程を示す断面図である。
【図５】ビアフィル金属メッキのフィリング率を説明するための断面図である。
【図６】フィリング率と位置合わせ効果の関係を実験し、その実験結果を示す図である。
【図７】フィリング率が５０％以下の場合にあって、空隙が発生した状態を示す断面図である。
【図８】フィリング率が１００％以上の場合にあって、位置ずれが発生した状態を示す断面図である。
【図９】層間導電部の突出部と層間導電部の窪み部の体積比率を説明するための断面図である。
【図１０】体積比率と位置合わせ効果の関係を実験し、その実験結果を示す図である。
【図１１】体積比率が５０％未満の場合にあって、空隙が発生した状態を示す断面図である。
【図１２】体積比率が１００を超える場合にあって、導電性ペーストのはみ出しが発生した状態を示す断面図である。
【図１３】従来の多層配線基板の断面図である。
【図１４】従来例の位置合わせ構造の積層前の断面図である。
【図１５】従来例の位置合わせ構造の積層後の断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  多層配線基板
１０  第１基板
１１，２１，３１  絶縁性基材
１２，２２，３２  銅箔
１３  第１配線回路部
１４  接着層
１５  マスキング層
１６，２６，３４  ビアホール
１７，２７，３５  層間導電部
１７ａ，２７ａ  突出部
２０  第２基板
３３  第４配線回路部
３６  銅箔層（金属メッキ層）
３７  第３配線回路部
３０  第３基板
３５ａ  窪み部
【図１】
2007299943.tif 000003
【図２】
2007299943.tif 000004
【図３】
2007299943.tif 000005
【図４】
2007299943.tif 000006
【図５】
2007299943.tif 000007
【図６】
2007299943.tif 000008
【図７】
2007299943.tif 000009
【図８】
2007299943.tif 000010
【図９】
2007299943.tif 000011
【図１０】
2007299943.tif 000012
【図１１】
2007299943.tif 000013
【図１２】
2007299943.tif 000014
【図１３】
2007299943.tif 000015
【図１４】
2007299943.tif 000016
【図１５】
2007299943.tif 000017