(57)【要約】【課題】構造体が設けられた基板を冷却しつつ処理する際に、構造体を確実に保護するとともに、基板に温度ムラが生じるのを防止または抑制することができる保護板を提供すること。【解決手段】本発明の保護板１は、基板２１の一方の面に複数の構造体２２が設けられた被処理体２に対して、基板２１の一方の面側に冷却ガスを供給して基板２１を冷却しつつ、基板２１の他方の面側に基板２１の温度上昇を伴う処理を施す際に、冷却ガスを噴出するステージ３と被処理体２との間に介在させ、各構造体２２を保護するのに用いられるものであり、その厚さ方向に貫通して形成され、ステージ３から噴出される冷却ガスが通過する複数の貫通孔１０を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に複数の構造体が設けられた被処理体に対して、前記基板の一方の面側に冷却ガスを供給して前記基板を冷却しつつ、前記基板の他方の面側に前記基板の温度上昇を伴う所定の処理を施す際に、前記冷却ガスを噴出する支持台と前記被処理体との間に介在させ、前記各構造体を保護する保護板であって、
当該保護板は、その厚さ方向に貫通して形成され、前記支持台から噴出される前記冷却ガスが通過する複数の貫通孔を有することを特徴とする保護板。
【請求項２】
当該保護板は、前記被処理体と前記支持台との間に介在させるのに先立って、前記被処理体に装着して使用される請求項１に記載の保護板。
【請求項３】
前記支持台は、当該保護板を支持する支持面と、該支持面に対してほぼ垂直な方向に移動可能に設けられ、前記被処理体が装着された当該保護板を支持する支持ピンを備え、
当該保護板は、前記支持ピンが当接する支持ピン当接部を有する請求項２に記載の保護板。
【請求項４】
前記支持ピン当接部は、前記被処理体が装着された当該保護板の重心またはその近傍に対応する位置に設けられている請求項３に記載の保護板。
【請求項５】
当該保護板は、導電性を有する材料で構成され、前記被処理体を装着した状態で、静電引力発生手段が発生する静電引力により前記支持面に保持されるように構成されている請求項３または４に記載の保護板。
【請求項６】
当該保護板は、前記被処理体を装着した状態で、前記支持台に向かって搬送手段により搬送されるものであり、前記搬送手段が備える腕部に当接する腕部当接部を有する請求項２ないし５のいずれかに記載の保護板。
【請求項７】
前記支持台は、前記冷却ガスを噴出する噴出口を備え、
当該保護板は、前記各貫通孔が前記噴出口と重ならない状態で、前記支持台と前記被処理体との間に介在するように使用される請求項１ないし５のいずれかに記載の保護板。
【請求項８】
前記各貫通孔は、当該保護板の縁部を除く部分に配設されている請求項１ないし７のいずれかに記載の保護板。
【請求項９】
前記各貫通孔は、規則的に配設されている請求項１ないし８のいずれかに記載の保護板。
【請求項１０】
当該保護板の平面視において、前記貫通孔の占める合計の面積割合は、３０〜８０％である請求項１ないし９のいずれかに記載の保護板。
【請求項１１】
当該保護板の平均厚さをＡ［μｍ］とし、前記被処理体の前記基板の平均厚さをＢ［μｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．０５〜３なる関係を満足する請求項１ないし１０のいずれかに記載の保護板。
【請求項１２】
当該保護板は、その平面視形状が前記基板の平面視形状とほぼ等しい請求項１ないし１１のいずれかに記載の保護板。
【請求項１３】
前記所定の処理は、ドライエッチングまたは気相成膜である請求項１ないし１２のいずれかに記載の保護板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化、低消費電力化および高性能化等に伴って、基板に所定パターンの凹部を形成する方法として、ドライエッチング法が注目されている。
このドライエッチング法では、平板状の基板上に、形成すべく凹部のパターンに対応するパターンのレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いてエッチング（処理）することにより、基板に所定パターンの凹部を形成することが行われている。
【０００３】
このようなドライエッチング法を用いて、基板に比較的深い凹部を形成する場合には、エッチングの進行により基板の温度が上昇することに伴って、エッチングレートに変化が生じ、その結果、凹部の内面（サイドウォール）に異常エッチングが生じるという問題がある。
かかる問題を解決すべく、ドライエッチング法では、エッチングを行う面と反対側から基板に冷却ガスを吹付け、基板を冷却することが行われる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、基板の冷却ガスを吹付ける面に、構造体が設けられている場合には、通常、この構造体を保護することを目的に、構造体を覆うように保護板を装着することが行われる。
ところが、この場合、構造体が設けられていない領域では、基板と保護板との間に空間が形成されることとなる。その結果、この空間が存在する部分においては、基板の冷却効率が低下して、基板に温度ムラが生じ、基板の各部において均一なエッチングを行えないという問題がある。
また、処理として気相成膜を行う場合には、基板の温度ムラにより、基板の各部において均一かつ均質な膜を形成することが困難であるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３７０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、構造体が設けられた基板を冷却しつつ処理する際に、構造体を確実に保護するとともに、基板に温度ムラが生じるのを防止または抑制することができる保護板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の保護板は、基板の一方の面に複数の構造体が設けられた被処理体に対して、前記基板の一方の面側に冷却ガスを供給して前記基板を冷却しつつ、前記基板の他方の面側に前記基板の温度上昇を伴う所定の処理を施す際に、前記冷却ガスを噴出する支持台と前記被処理体との間に介在させ、前記各構造体を保護する保護板であって、
当該保護板は、その厚さ方向に貫通して形成され、前記支持台から噴出される前記冷却ガスが通過する複数の貫通孔を有することを特徴とする。
これにより、構造体が設けられた基板を冷却しつつ処理する際に、構造体を確実に保護するとともに、基板に温度ムラが生じるのを防止または抑制することができる。
【０００８】
本発明の保護板では、当該保護板は、前記被処理体と前記支持台との間に介在させるのに先立って、前記被処理体に装着して使用されることが好ましい。
これにより、被処理体を支持台に移送する際等の構造体の傷つきを確実に防止することができる。
本発明の保護板では、前記支持台は、当該保護板を支持する支持面と、該支持面に対してほぼ垂直な方向に移動可能に設けられ、前記被処理体が装着された当該保護板を支持する支持ピンを備え、
当該保護板は、前記支持ピンが当接する支持ピン当接部を有することが好ましい。
これにより、被処理体が装着された保護板の支持台への載置を確実に行うことができる。
【０００９】
本発明の保護板では、前記支持ピン当接部は、前記被処理体が装着された当該保護板の重心またはその近傍に対応する位置に設けられていることが好ましい。
これにより、支持ピンにより、被処理体が装着された保護板を確実に支持（保持）することができる。
本発明の保護板では、当該保護板は、導電性を有する材料で構成され、前記被処理体を装着した状態で、静電引力発生手段が発生する静電引力により前記支持面に保持されるように構成されていることが好ましい。
これにより、基板の他方の面に所定の処理を施す際に、基板が支持台からズレるのを、より確実かつ簡便に防止することができる。
【００１０】
本発明の保護板では、当該保護板は、前記被処理体を装着した状態で、前記支持台に向かって搬送手段により搬送されるものであり、前記搬送手段が備える腕部に当接する腕部当接部を有することが好ましい。
これにより、被処理体が装着された保護板の搬送を確実に行うことができる。
本発明の保護板では、前記支持台は、前記冷却ガスを噴出する噴出口を備え、
当該保護板は、前記各貫通孔が前記噴出口と重ならない状態で、前記支持台と前記被処理体との間に介在するように使用されることが好ましい。
これにより、冷却ガスを基板により円滑に到達させることができる。
【００１１】
本発明の保護板では、前記各貫通孔は、当該保護板の縁部を除く部分に配設されていることが好ましい。
これにより、保護板自体の機械的強度を十分に確保することができる。
本発明の保護板では、前記各貫通孔は、規則的に配設されていることが好ましい。
これにより、被処理体により効率よく冷却ガスを供給することができ、基板に温度ムラが生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
【００１２】
本発明の保護板では、当該保護板の平面視において、前記貫通孔の占める合計の面積割合は、３０〜８０％であることが好ましい。
これにより、保護板の機械的強度が低下するのをより確実に防止しつつ、冷却ガスの円滑な通過を可能にして、基板に温度ムラが生じるのを確実に防止または抑制することができる。
【００１３】
本発明の保護板では、当該保護板の平均厚さをＡ［μｍ］とし、前記被処理体の前記基板の平均厚さをＢ［μｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．０５〜３なる関係を満足することが好ましい。
これにより、基板の他方の面に所定の処理を施す際に、基板に反りや撓み等が生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
【００１４】
本発明の保護板では、当該保護板は、その平面視形状が前記基板の平面視形状とほぼ等しいことが好ましい。
これにより、保持体により被処理体の各部において均一かつ確実に保持することができる。その結果、基板の他方の面に所定の処理を施す際に、基板に反りや撓み等が生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
【００１５】
本発明の保護板では、前記所定の処理は、ドライエッチングまたは気相成膜であることが好ましい。
ドライエッチングや気相成膜では、特に、基板の温度上昇に伴って、形成する凹部の寸法精度や、形成する膜の膜厚、膜質にバラツキが生じ易い。このため、これらの処理を行う際に、本発明の保護板が好適に使用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の保護板を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の保護板の実施形態を示す平面図、図２は、被処理体の構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）、図３は、処理装置の一部の概略を示す図、図４は、図３に示す処理装置が備えるステージの構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）、図５は、被処理体が装着された保護板をステージに載置した状態を示す断面図である。
【００１７】
なお、以下では、図２（ｂ）、図３、図４（ｂ）および図５中、上側を「上」、下側を「下」として、図２（ａ）中、紙面奥側を「上」、紙面手前側を「下」として、また、図４（ａ）中、紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」として説明する。
本発明の保護板１は、図２に示すように、ほぼ円盤状の基板２１の一方の面（下面）に複数の構造体２２が設けられた被処理体２に対して、基板２１の他方の面（上面）側に、基板２１の温度上昇を伴う所定の処理を施す際に用いられるものである。
【００１８】
ここで、この所定の処理としては、ドライエッチングまたは気相成膜（化学的気相成膜、物理的気相成膜）が挙げられる。ドライエッチングや気相成膜では、特に、基板２１の温度上昇に伴って、形成する凹部の寸法精度や、形成する膜の膜厚、膜質にバラツキが生じ易いが、本発明の保護板１を用いることにより、後述するような理由から、かかる問題を回避することができる。
【００１９】
基板２１としては、例えば、シリコン基板、ガリウムヒ素基板、ガリウムリン基板、インジウムリン基板、炭化シリコン基板のような各種半導体基板、各種ガラス基板、各種金属基板や、これらの基板に酸化物膜、窒化物膜、酸窒化物膜のうちの少なくとも１つの膜を形成した積層基板等が挙げられる。
また、構造体としては、例えば、配線、圧電素子、弾性表面波素子、光電変換素子、光学素子またはこれらを含む積層構造体等が挙げられる。
【００２０】
まず、被処理体２の基板２１に処理を施す処理装置の概略について説明する。
処理装置は、図示しないプロセスチャンバを備え、このプロセスチャンバ内に、図３に示すようなステージ（支持台）３が設けられている。
また、この処理装置は、プロセスチャンバの側方に、プロセスチャンバと連通するロードロックチャンバを備えており、ロードロックチャンバ内には、被処理体２が装着された保護板１を載置するアーム（腕部）４１を備える搬送手段４が収納されている。
この搬送手段４は、プロセスチャンバ内に進退自在に設けられており、被処理体２が装着された保護板１をアーム４１に載置した状態で、これをステージ３の上方に搬送可能となっている。
【００２１】
本実施形態の保護板１は、その平面視形状が基板２１の平面視形状とほぼ等しく形成されており、アーム４１は、この保護板１の外形形状にほぼ対応した形状（本実施形態では、ほぼＣ字状）をなしている。
また、ステージ３も、保護板１の形状に対応して、平面視においてほぼ円形をなしており、その上側周縁部に沿ってリング状の凸部３１が形成されている。換言すれば、ステージ３の上面には、ほぼ円柱状の凹部が形成されている。
【００２２】
この凹部の底面には、複数の突起３３が立設されている。各突起３３の高さは、凸部３１の高さとほぼ等しく設定されており、ステージ３に被処理体２が装着された保護板１を載置した状態で、凸部３１の上面および各突起３３の上面が保護板１の下面に当接するようになっている。
具体的には、凸部３１の上面が後述する保護板１の外周部１１の下面に当接し、各突起３３の上面がそれぞれ梁部１３の下面に当接する。
【００２３】
すなわち、本実施形態では、凸部３１の上面および各突起３３の上面が、保護板１を保持する支持面を構成する。
また、凹部の底面には、冷却ガスを噴出する噴出口３２が複数開口している。各噴出口３２から、後述するようにステージ３に載置された被処理体２に向かって、保護板１を介して冷却ガスが噴出され、供給される。
【００２４】
このようなステージ３には、複数（本実施形態では、３本）の円柱状のリフターピン（支持ピン）３４が設けられている。各リフターピン３４は、それぞれ、被処理体２が装着された保護板１を支持する機能を有するものであり、前述の支持面に対してほぼ垂直な方向、かつ、支持面と交差するように移動可能に設けられている。
このような処理装置では、被処理体２が装着された保護板１を搬送手段４によりステージ３の上方に搬送する。そして、被処理体２が装着された保護板１がステージ３の上方に搬送されると、リフターピン３４が上昇し、その上面が保護板１の下面に当接し、被処理体２が装着された保護板１を若干上方に持ち上げ、支持する。この状態で、搬送手段４（アーム４１）がステージ３の上方から退避する。次いで、リフターピン３４が下降し、ステージ３内に収納され、被処理体２が装着された保護板１がステージ３に載置される。すなわち、保護板１が被処理体２とステージ３との間に介在した状態となる。そして、この状態で、基板２１の上面側に所定の処理が施される。
【００２５】
基板２１に対して、ドライエッチングを施す処理装置の場合、プロセスチャンバには、その内部を減圧する減圧手段、プロセスガスを供給するガス供給手段、プロセスガスを活性化させる活性化手段や、その内部を加熱する加熱手段等が設けられる。また、気相成膜（例えば、ＣＶＤ）を施す処理装置の場合、プロセスチャンバには、その内部を減圧する減圧手段、膜原料を供給する原料供給手段や、膜原料を反応させる反応手段等が設けられる。
また、この処理装置には、保護板１をステージ３に載置した状態で、保護板１をステージ３に固定する固定手段を設けるようにしてもよい。この固定手段としては、例えば、静電引力により保護板１をステージ３（支持面）に吸着する静電引力発生手段や、クリップ等の機械的手段等が挙げられる。
【００２６】
次に、本発明の保護板１について説明する。
本発明の保護板１は、被処理体２の構造体２２側に装着して使用されるものであり、前述したように、被処理体２をステージ３に保持する機能に加えて、構造体２２が傷つく（損傷や破損等）するのを防止する機能（構造体２２を保護する機能）を有するものである。
【００２７】
特に、本実施形態のように、保護板１が被処理体２とステージ３との間に介在する状態となるのに先立って、すなわち、被処理体２を処理装置のチャンバ内に搬入するのに先立って、被処理体２に保護板１を装着することにより、プロセスチャンバ内に搬入する際等の構造体２２の傷つきを確実に防止することができる。
図１に示す保護板１は、被処理体２の基板２１とほぼ等しい平面視形状（すなわち、全体形状として、ほぼ円盤状）をなしている。
【００２８】
このように、保護板１の平面視形状を、被処理体２の基板２１の平面視形状とほぼ等しく設定することにより、保護板１により被処理体２の各部において均一かつ確実に保持することができる。その結果、基板２１の上面に処理を施す際に、基板２１に反りや撓み等が生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
また、保護板１は、その厚さ方向に貫通して形成され、ほぼ扇状をなす貫通孔１０を複数有している。各貫通孔１０は、それぞれ、ほぼ等角度（ほぼ９０°）間隔で、保護板１の外周部を除く部分に配設されている。
【００２９】
換言すれば、本実施形態の保護板１は、外周部（縁部）１１と、ほぼ中心に位置し、ほぼ円盤状をなす中心部１２と、外周部１１と中心部１２とを連結し、ほぼ等角度間隔で設けられた４本の梁部１３とで構成されている。
このうち、外周部１１は、被処理体２が装着された保護板１を搬送する際に、搬送手段４のアーム４１が当接するアーム当接部（腕部当接部）を構成する。
【００３０】
また、中心部１２は、図４に示すように、リフターピン３４が当接するリフターピン当接部（支持ピン当接部）を構成する。
このような構成により、保護板１自体の機械的強度を十分に確保することができるとともに、構造体２２の傷つきを確実に防止しつつ、被処理体２が装着された保護板１の搬送、ステージ３への載置等を確実に行うことができる。
【００３１】
また、リフターピン当接部が、保護板１の中心部、すなわち、被処理体２が装着された保護板１の重心またはその近傍に対応する位置に設けられているので、リフターピン３４により、被処理体２が装着された保護板１を確実に支持（保持）することができる。
また、図５に示すように、被処理体２が装着された保護板１を、ステージ３に載置した状態、すなわち、被処理体２とステージ３との間に保護板１を介在させた状態で、ステージ３の噴出口３２から噴出される冷却ガスを各貫通孔１０を通過させ、被処理体２に供給して基板２１を冷却することができる。これにより、基板２１の上面に所定の処理を施す際に、基板２１に温度ムラが生じるのを防止して、基板２１の上面の各部において、均一な処理を施すことができる。
【００３２】
なお、このような冷却ガスが通過可能な貫通孔が保護板に形成されていない場合、基板２１の構造体２２が形成されていない領域と、保護板との間に空間（例えば、空気層）が形成される。このため、保護板１に冷却ガスを供給して、基板２１を冷却しようとしても、この空間が存在する部分と存在しない部分とにおいて冷却効率が異なり、基板２１に温度ムラが生じる。そして、この基板２１に温度ムラが生じることが原因となり、基板２１の上面に均一な処理を施すのが困難となる。
【００３３】
また、本実施形態では、各貫通孔１０は、その平面視での大きさが構造体２２の平面視での大きさより大きくなっている。これにより、冷却ガスを被処理体２に効率よく供給することができる。
この保護板１では、その平面視において、貫通孔１０の占める合計の面積割合は、３０〜８０％程度であるのが好ましく、６０〜７０％程度であるのがより好ましい。このような範囲で、保護板１の機械的強度が低下するのをより確実に防止しつつ、冷却ガスの円滑な通過を可能にして、基板２１に温度ムラが生じるのを確実に防止または抑制することができる。
【００３４】
また、保護板１の平均厚さは、被処理体２において構造体２２の占める割合や、保護板１において貫通孔１０の占める面積割合等に応じて、若干異なり、特に限定されないが、例えば、次のように設定される。
すなわち、保護板１の平均厚さをＡ［μｍ］とし、被処理体２の基板２１の平均厚さをＢ［μｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．０５〜３程度なる関係を満足するのが好ましく、Ｂ／Ａが０．５〜１程度なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、基板２１の上面に所定の処理を施す際に、基板２１に反りや撓み等が生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
【００３５】
なお、保護板１の平均厚さの具体的な値は、２００〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、５００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
このような保護板１は、適度な剛性を有するものであればよく、導電性を有する材料または有さない材料のいずれで構成されるものであってもよいが、導電性を有する材料で構成されるものが好ましい。この場合、処理装置に静電引力発生手段を設けることにより、保護板１を静電引力によりステージ３に固定することができ、基板２１の上面に所定の処理を施す際に、基板２１がステージ３からズレるのを、より確実かつ簡便に防止することができる。
【００３６】
導電性を有する材料としては、例えば、鉄、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｉのような金属材料、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＭｏＳｉ２のようなセラミックス材料挙げられる。さらに、ポリイミド系樹脂、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂のような芳香族系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのようなポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられ、これらに、金属粒子を添加することで導電性を得られる。これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
次に、保護板１の使用方法について説明する。
［１］  まず、被処理体２を用意する。
構造体２２が配線の場合、この配線は、例えば、基板２１の一方の面に金属層を形成した後、この金属層の不要部分を除去することにより形成することができる。
金属層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いることができる。
また、金属層の除去には、例えば、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
［２］  次に、被処理体２の所定の処理を施す面（上面）に、例えば、フォトリソグラフィー法により、所定のパターンのレジスト層を形成する。
［３］  次に、被処理体２の構造体２２（下面）側に、粘着剤等により保護板１を装着する。
この粘着剤としては、例えば、加熱、溶剤等により容易に除去し得るものが好適に選択される。
【００３９】
［４］  次に、ロードロックチャンバ内に収納された搬送手段４のアーム４１上に、保護板１の外周部（縁部）１１が接触するように、被処理体２が装着された保護板１を載置する。
［５］  次に、搬送手段４のアーム４１をプロセスチャンバ内に移動して、被処理体２が装着された保護板１をステージ３の上方に搬送（移動）する。
【００４０】
［６］  次に、リフターピン３４を上昇させ、その上面を保護板１（中心部１２）の下面に当接させる。
この状態から、さらに、リフターピン３４を若干上昇させると、被処理体２が装着された保護板１がリフターピン３４に支持されて上方に移動して、アーム４１から離間（離脱）する。
【００４１】
［７］  次に、この状態で、搬送手段４（アーム４１）をステージ３の上方から退避させる。
［８］  次に、リフターピン３４を下降させると、これに伴って、被処理体２が装着された保護板１がステージに向かって下降する。
そして、リフターピン３４がステージ３内に収納されると、被処理体２が装着された保護板１がステージ３に載置される。
【００４２】
このとき、各貫通孔１０が噴出口３２と重ならない状態となるように配置される。これにより、冷却ガスを基板２１により円滑に到達させることができる。各貫通孔１０が噴出口３２と重なる状態であってもよい。
また、固定手段が設けられている場合には、この固定手段により、保護板１をステージ３に固定する。
【００４３】
［９］  次に、冷却ガスを噴出口３２から噴出する。
このとき、保護板１には、貫通孔１０が形成されているため、冷却ガスが貫通孔１０を通過して、基板２１の下面側から効率よく被処理体２に供給される。これにより、基板２１を均一に（温度ムラが生じるのを防止しつつ）冷却することができる。
冷却ガスとしては、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素のような不活性ガス等が挙げられ、これらの中でも、ヘリウムを主成分とするのが好ましい。ヘリウムは、特に冷却効果に優れるものであることから好ましい。
また、冷却ガスの温度は、−２０〜６０℃程度であるのが好ましく、−１０〜１０℃程度であるのがより好ましい。これにより、次工程［１０］において、基板２１の上面側に所定の処理を施す際に、基板２１を適切な温度を維持することができるようになる。
【００４４】
［１０］  次に、この状態で、前記工程［２］で形成したレジスト層をマスクとして、基板２１の上面側に所定の処理を施す。
このとき、基板２１は、冷却ガスの冷却により均一に冷却されているため、基板２１の上面に均一な処理を施すことができる。
所定の処理として、例えば、基板２１に対してドライエッチングを施す場合には、寸法精度の高い凹部を形成することができ、また、気相成膜を施す場合には、均一かつ均質な膜を形成することができる。
【００４５】
次に、保護板１の他の構成例について説明する。
図６は、保護板の他の構成例を示す平面図である。
以下、図６に示す保護板１について、図１に示す保護板１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図６に示す保護板１は、複数の微小な貫通孔１０が、保護板１の外周部（縁部）１１を除く部分に、規則的（マトリクス状）に配設されている。これにより、保護板１は、その外周部１１を除く部分が網状をなしている。
【００４６】
このような構成により、被処理体２により効率よく冷却ガスを供給することができ、基板２１に温度ムラが生じるのをより確実に防止または抑制することができる。
また、本実施形態では、各貫通孔１０は、その平面視での大きさが構造体２２の平面視での大きさより小さくなっている。これにより、冷却ガスを被処理体２の各部に均一に供給することができる。
【００４７】
また、この場合、貫通孔１０の開口面積を、リフターピン３４の上面の面積より小さく設定することにより、リフターピン３４により被処理体２が装着された保護板１を確実に支持することが可能となる。
なお、図６に示す保護板１において、その平面視における貫通孔１０の占める全体の面積割合、平均厚さや構成材料等は、図１に示す保護板１と同様とされる。
【００４８】
また、図６に示す保護板１では、網状をなす部分において十分な剛性（機械的強度）が得られる場合には、外周部１１を省略して、その全体を網状とすることもできる。
以上のような処理方法は、例えば、液滴吐出ヘッドが備えるキャビティ基板の製造の他、各種振動子、各種センサ、各種ジャイロ等が備える基板の製造に適用することができる。
以上、本発明の保護板を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の保護板の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
＜１＞  まず、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用意し、純水を用いて洗浄した。
なお、シリコン単結晶基板の平均厚さＢは、６２５μｍであった。
【００５０】
＜２＞  次に、このシリコン単結晶基板の一方の面に、真空蒸着法により、平均厚さ５００ｎｍのＡｌ膜を形成した。
＜３＞  次に、フォトリソグラフィー法により、所定パターンのレジスト層を形成した。
＜４＞  次に、前記工程＜３＞で形成したレジスト層をマスクとして、Ａｌ膜をウエットエッチングした後、レジスト層を除去した。
これにより、一方の面に、図２に示すような配置で、複数の立方体（寸法：縦５００×横５００×高さ５００ｎｍ）が形成されたシリコン単結晶基板を得た。
【００５１】
＜５＞  次に、シリコン単結晶基板の他方の面に、フォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成した。
なお、このレジスト層は、アルファベット大文字「Ｅ」形状の開口部を、マトリクス状に複数有する形状とした。
＜６＞  次に、このシリコン単結晶基板の一方の面側に、アクリル系樹脂（接着剤）により、図１に示す保護板を装着した。
なお、保護板の仕様は、次の通りである。
・構成材料                    ：Ｆｅ
・平均厚さＡ                  ：１０００μｍ（Ｂ／Ａ：０.６３）
・貫通孔の占める全体の面積割合：７０％
【００５２】
＜７＞  次に、図４に示す処理装置を用い、冷却ガスによりシリコン単結晶基板を冷却しつつ、前記工程＜５＞で形成したレジスト層をマスクとしてドライエッチングした。これにより、シリコン単結晶基板の他方の面に溝（凹部）を形成した。
なお、ドライエッチングの条件は、次の通りである。
・エッチング時のチャンバ内の圧力：４Ｐａ
・冷却ガス                      ：ヘリウム
・冷却ガスの温度                ：１０℃
・プロセスガス                  ：ＳＦ６とＣ４Ｆ８との混合ガス
・電極間に印加した高周波電圧    ：３ｋＶ
・高周波電圧の周波数            ：１３．５６ＭＨｚ
・エッチング時間                ：１０分
【００５３】
＜８＞  次に、シリコン単結晶基板の他方の面から、レジスト層を除去した。
得られたシリコン単結晶基板の他方の面を、走査電子顕微鏡で観察したところ、「Ｅ」形状の溝が形成されていることが確認された。
また、いずれの溝も、深さ５０μｍ程度であり、側面が底面に対してほぼ垂直に形成されていた。
【００５４】
（実施例２）
図６に示す保護板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、シリコン単結晶基板の他方の面に溝を形成した。
なお、保護板の仕様は、次の通りである。
・構成材料                    ：Ｓｉ
・平均厚さＡ                  ：８００μｍ（Ｂ／Ａ：０.７８）
・貫通孔の占める全体の面積割合：６０％
得られたシリコン単結晶基板の他方の面を、走査電子顕微鏡で観察したところ、「Ｅ」形状の溝が形成されていることが確認された。
また、いずれの溝も、深さ５０μｍ程度であり、側面が底面に対してほぼ垂直に形成されていた。
【００５５】
（比較例）
貫通孔が形成されていない保護板を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、シリコン単結晶基板の他方の面に溝を形成した。
なお、保護板の仕様は、次の通りである。
・構成材料                    ：Ｓｉ
・平均厚さＡ                  ：８００μｍ（Ｂ／Ａ：０.８７）
得られたシリコン単結晶基板の他方の面を、走査電子顕微鏡で観察したところ、「Ｅ」形状の溝が形成されていることが確認された。
しかしながら、溝の中には、深さの異なるものや、側面が底面に対して傾斜するものが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の保護板の実施形態を示す平面図である。
【図２】被処理体の構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図３】処理装置の一部の概略を示す図である。
【図４】図３に示す処理装置が備えるステージの構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図５】被処理体が装着された保護板をステージに載置した状態を示す断面図である。
【図６】保護板の他の構成例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１……保護板  １０……貫通孔  １１……外周部  １２……中心部  １３……梁部  ２……被処理体  ２１……基板  ２２……構造体  ３……ステージ  ３１……凸部  ３２……噴出口  ３３……突起  ３４……リフターピン  ４……搬送手段  ４１……アーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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