(57)【要約】【課題】  基板の一部に空隙部があっても分割することが可能な積層体の加工方法、積層体、及びデバイス、インクジェット記録装置を提供する。【解決手段】  積層体Ｐの加工方法は、複数の基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３とからなる積層体Ｐの加工方法であって、積層体Ｐは、複数の基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のうち、空隙部１１ａを備えた基板Ｐ１を有しており、空隙部１１ａに液滴吐出法で機能液Ｌ１を配置する工程と、機能液Ｌ１を固化させて、充填部材１１を形成する工程と、充填部材１１を通過するようにレーザ光５を照射して、積層体Ｐに材料変質部７を形成するレーザ光照射工程と、を備えている。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板からなる積層体の加工方法であって、
前記積層体は、前記複数の基板のうち、空隙部を備えた基板を有しており、前記空隙部に液滴吐出法で機能液を配置する工程と、
前記機能液を固化させて、充填部材を形成する工程と、
前記充填部材を通過するようにレーザ光を照射して、前記積層体に材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、
を備えていることを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載の積層体の加工方法において、
前記充填部材を形成する工程では、
前記充填部材の屈折率が、前記基板の屈折率と同等以上であることを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項３】
複数の基板からなる積層体の加工方法であって、
前記積層体は、前記複数の基板のうち、空隙部を備えた基板を有しており、前記空隙部に液滴吐出法で液滴を配置する工程と、
前記液滴を通過するようにレーザ光を照射して、前記積層体に材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、
を備えていることを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項４】
請求項３に記載の積層体の加工方法において、
前記液滴を配置する工程では、
前記液滴の屈折率が１．３以上であることを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の積層体の加工方法において、
前記基板は、シリコン単結晶からなる材料で構成されており、
前記レーザ光照射工程では、
前記積層体にレーザ光を集光素子で集光して照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の積層体の加工方法において、
前記レーザ光照射工程では、
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザであり、前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の積層体の加工方法において、
前記レーザ光照射工程では、
前記レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させ、前記複数のビームを照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする積層体の加工方法。
【請求項８】
複数の基板が積層されている積層体であって、
前記複数の基板のうち、空隙部を有する基板と、
前記空隙部に液滴吐出法により機能液を配置させ、前記機能液を固化させて形成された充填部材と、
前記充填部材を通過するようにレーザ光を照射させて、前記積層体を構成する材料を変質させて形成された材料変質部と、
を備えていることを特徴とする積層体。
【請求項９】
複数の基板が積層されている積層体であって、
前記複数の基板のうち、空隙部を有する基板と、
前記空隙部に液滴吐出法により配置された液滴と、
前記液滴を通過するようにレーザ光を照射させて、前記積層体を構成する材料を変質させて形成された材料変質部と、
を備えていることを特徴とする積層体。
【請求項１０】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の積層体の加工方法でデバイスを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスの製造方法で形成されたことを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスとしてのインクジェットヘッドを搭載したことを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の加工方法、積層体、デバイスの製造方法、デバイス、インクジェット記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶基板を分割する場合、基板にレーザ光を照射させて、基板内部に多光子吸収による改質領域部を形成し、基板に外部から応力を加えて、基板を切断・分割する方法があった。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、表面に電子デバイスまたは電極パターンが形成されていて、裏面に粘着シートが貼り付けられている基板の場合、粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を基板の裏面から入射させて、基板の切断予定ラインに沿って、基板の内部に多光子吸収による改質領域部を形成する方法が提案されていた。また、特許文献２に開示されているように、基板（加工対象物）の切断予定ラインに沿って、基板の内部に多光子吸収による改質領域部を形成し、かつ、レーザ光の集光点の位置を変えることにより、多光子吸収による改質領域部を入射方向に沿って並ぶように形成する方法も提案されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３６７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、これらの方法では、複数の基板を積層させた積層体の場合、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があると、空隙部に照射されたレーザ光は、空気の影響で所定の方向とは別な方向に屈折してしまうことになるから、レーザ光は積層体の所定の領域に集光することができなくなってしまう。積層体の所定の領域にレーザ光を集光させることができないと、積層体に改質領域部を形成することが困難となる。積層体に改質領域部が形成できないと、外部応力を加えても積層体を切断・分割することができない。つまり、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板が存在すると、積層体を切断・分割することは困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、基板の一部に空隙部があっても簡単に分割することが可能な積層体の加工方法、積層体、及びデバイス、インクジェット記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層体の加工方法は、複数の基板からなる積層体の加工方法であって、前記積層体は、前記複数の基板のうち、空隙部を備えた基板を有しており、前記空隙部に液滴吐出法で機能液を配置する工程と、前記機能液を固化させて、充填部材を形成する工程と、前記充填部材を通過するようにレーザ光を照射して、前記積層体に材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、空隙部に充填部材を充填してから積層体を形成して、この充填部材を通過するようにレーザ光を照射させるから、積層体の深さ方向全域に材料変質部を形成することができる。積層体に材料変質部を形成できれば、外部から応力を加えることによって、材料変質部に沿って、積層体を簡単に切断・分割することができる。
【０００９】
本発明の積層体の加工方法は、前記充填部材を形成する工程では、前記充填部材の屈折率が、前記基板の屈折率と同等以上であることが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、充填部材の屈折率が基板と同等以上であるから、レーザ光を照射させるときに、レーザ光が散乱することなく積層体の内部に集光しやすくなるので、積層体の深さ方向全域に材料変質部を簡単に形成することができる。
【００１１】
本発明の積層体の加工方法は、複数の基板からなる積層体の加工方法であって、前記積層体は、前記複数の基板のうち、空隙部を備えた基板を有しており、前記空隙部に液滴吐出法で液滴を配置する工程と、前記液滴を通過するようにレーザ光を照射して、前記積層体に材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、基板の空隙部に液滴を充填してから積層体を形成して、この液滴を通過するようにレーザ光を照射させるから、積層体に材料変質部を形成することができる。積層体に材料変質部を形成できれば、外部から応力を加えることによって、材料変質部に沿って積層体を簡単に切断・分割することができる。
【００１３】
本発明の積層体の加工方法は、前記液滴を配置する工程では、前記液滴の屈折率が１．３以上であることが望ましい。
【００１４】
この発明によれば、液滴の屈折率が１．３以上であると、空気より屈折率が高いから、より深い位置まで加工ができるので、積層体にレーザ光を照射させれば、積層体の深さ方向全域に材料変質部を形成することができる。
【００１５】
本発明の積層体の加工方法は、前記基板は、シリコン単結晶からなる材料で構成されており、前記レーザ光照射工程では、前記積層体にレーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、レーザ光を集光素子で集光して積層体に照射させるから、積層体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１７】
本発明の積層体の加工方法は、前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光は、ＹＡＧレーザであり、前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１８】
この発明によれば、ＹＡＧレーザの基本波を積層体に照射させることで、積層体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１９】
本発明の積層体の加工方法は、前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させ、前記複数のビームを照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００２０】
この発明によれば、レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させることで、ビームが分割されるから、分割されたビームを積層体に照射することによって、積層体に材料変質部を複数形成できる。
【００２１】
本発明の積層体は、複数の基板が積層されている積層体であって、前記複数の基板のうち、空隙部を有する基板と、前記空隙部に液滴吐出法により機能液を配置させ、前記機能液を固化させて形成された充填部材と、前記充填部材を通過するようにレーザ光を照射させて、前記積層体を構成する材料を変質させて形成された材料変質部と、を備えていることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、空隙部に充填部材を充填してから積層体を形成して、この充填部材を通過するようにレーザ光を照射させるから、積層体に材料変質部を形成することができる。簡単に切断・分割できる積層体を提供できる。しかも、液滴吐出法により機能液を配置する方法だから、空隙部の体積が変更になっても、機能液の量を変えるだけでよいので、簡単である。
【００２３】
本発明の積層体は、複数の基板が積層されている積層体であって、前記複数の基板のうち、空隙部を有する基板と、前記空隙部に液滴吐出法により配置された液滴と、前記液滴を通過するようにレーザ光を照射させて、前記積層体を構成する材料を変質させて形成された材料変質部と、を備えていることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、空隙部に液体を注入してから積層体を形成して、この液体を通過するようにレーザ光を照射させるから、積層体に材料変質部を形成することができる。簡単に切断・分割できる積層体を提供できる。しかも、空隙部に配置された液滴は、積層体を分割した後に、積層体の外部に流れ出してしまうから、除去する必要がない。さらに、液滴吐出法により液滴を配置する方法だから、空隙部の体積が変更になっても、液滴の量を変えるだけでよいので、簡単である。
【００２５】
本発明のデバイスの製造方法は、前述に記載の積層体の加工方法でデバイスを形成することを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、前述の加工方法でデバイスを形成するので、例えばデバイスとしてのインクジェットヘッドのように、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、積層体内部にレーザ光を照射して材料変質部を形成するから、積層体を簡単に切断・分割することができる。しかも、インクジェットヘッドは、レーザ光を積層体に照射して積層体を切断・分割して得られたものであるから、切断時の切りくずが発生することがないので、切りくずがノズル孔等に詰まることがない。レーザ光を集光させて積層体を分割する方法なので、分割に必要な切断幅を狭くすることができるから、分割性が向上する。つまり、インクジェットヘッドの取り個数を増加できるから、インクジェットヘッドの生産性を向上することができる。
【００２７】
本発明のデバイスは、前述に記載のデバイスの製造方法で形成されたことを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、積層体を構成する基板の一部に空隙部を有する基板があっても、例えばインクジェットヘッドような、デバイスを提供できる。また、その他のデバイスとしては、半導体素子、液晶表示装置、圧電素子などのような、基板の高精度接合が必要な積層体の切断・分割ができる。
【００２９】
本発明のインクジェット記録装置は、前述に記載のデバイスとしてのインクジェットヘッドを搭載したことを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、ノズル孔に切りくず詰まりのない品質が向上したインクジェットヘッドを搭載しているから、吐出性能が向上したインクジェット記録装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の積層体の加工方法、及び積層体について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出方法で用いられる基体、機能液、液滴吐出法、液滴吐出装置、について順次説明する。
＜基体＞
【００３２】
本発明に用いうる基体として、シリコンウエハー、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも、基体として用いてもよい。ここでは基体材料としてシリコンを用いた。
＜機能液＞
【００３３】
まず、機能液について説明する。液体材料である機能液は、微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、基板材料のシリコンより屈折率の高いゲルマニウムを微粒子として使用する。なお、シリコンの屈折率は、３．６であり、ゲルマニウムの屈折率は４．０である。微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。微粒子の粒径は、１ｎｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。１．０μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッド３１の吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３４】
分散媒としては、上記の微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３５】
上記微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により液滴を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなる。０．０７Ｎ／ｍを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板Ｐとの接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、基板Ｐへの配線用機能液の濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３６】
上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて充填用機能液を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合は、ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
＜液滴吐出法＞
【００３７】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。ここで、帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３８】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
＜液滴吐出装置＞
【００３９】
次に、上述の液滴吐出法を用いて液体材料を吐出する液滴吐出装置の一例について説明する。なお、本実施形態においては、液滴吐出法を用いて液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによる液滴吐出装置を挙げて説明する。
【００４０】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３１と、Ｘ軸方向駆動軸３４と、Ｙ軸方向ガイド軸３５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３７と、クリーニング機構３８と、基台３９と、ヒータ４５とを備えている。
ステージ３７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料を配置するための貼り合せ基板Ｑを支持するものであって、貼り合せ基板Ｑを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００４１】
液滴吐出ヘッド３１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３１の吐出ノズルからは、ステージ３７上の貼り合せ基板Ｑに対して、液体材料が吐出される。
【００４２】
Ｘ軸方向駆動軸３４には、Ｘ軸方向駆動モータ３２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ３２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸３４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸３４が回転すると、液滴吐出ヘッド３１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸３５は、基台３９に対して動かないように固定されている。ステージ３７は、Ｙ軸方向駆動モータ３３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ３７をＹ軸方向に移動する。
【００４３】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ３２に液滴吐出ヘッド３１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３３にステージ３７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３８は、液滴吐出ヘッド３１をクリーニングするものである。クリーニング機構３８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構３８は、Ｙ軸方向ガイド軸３５に沿って移動する。クリーニング機構３８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ４５は、ここではランプアニールにより貼り合せ基板Ｑを熱処理する手段であり、貼り合せ基板Ｑ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発、乾燥を行う。このヒータ４５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３１と貼り合せ基板Ｑを支持するステージ３７とを相対的に走査しつつ貼り合せ基板Ｑに対して、液滴吐出ヘッド３１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出する。
【００４５】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
【００４６】
図２において、液体材料を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加して、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形する。液体室２１が元の状態に復元するときに、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は液体材料に熱を加えないため、液体材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４７】
以上説明した液滴吐出装置ＩＪは、本発明に係る配置方法や製造方法において用いることができるものであるが、本発明はこれに限られることはなく、液体材料を吐出し、所定の着弾予定位置に着弾させることができるものであれば、如何なる装置を用いることも可能である。
【００４８】
（第１実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法によって配置された充填部材を有する積層体について説明する。
【００４９】
図３は、本実施形態における積層体Ｐを示す概略図である。
【００５０】
図３において、積層体Ｐは、基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３とで構成されている。基板Ｐ１は、空隙部１１ａを有しており、この空隙部１１ａに充填部材１１が充填されている。基板Ｐ２の下側には、配線１２が形成されている。貼り合せ基板Ｑは、基板Ｐ１と基板Ｐ２とで構成されている。なお、これら基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の貼り付けには接着剤が使用されている。
【００５１】
レーザ光５は集光素子としてのレンズ６で集光され、レンズ６で集光されたレーザ光５は、積層体Ｐの下面側に照射される。照射されたレーザ光５は、積層体Ｐの深さ方向全域で焦点位置が合うように配置されている。レーザ光５が照射された基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３の箇所には、多光子吸収という現象を利用することにより、材料変質部７を形成している。なお、外部から応力を加えると、材料変質部７の部分は改質されているから、材料変質部７に沿って積層体Ｐを切断・分割することができる。
【００５２】
図４（ａ）は、本実施形態におけるインクジェットヘッド５０の千鳥配列を示す積層体Ｐの平面図であり、図４（ｂ）は、積層体Ｐの断面図である。図４を参照して、インクジェットヘッド５０の配列方法について説明する。
【００５３】
図４（ａ）に示すように、インクジェットヘッド５０が千鳥状（段違い）に配列されている。インクジェットヘッド５０を千鳥状に配列することによって、取り個数が増え、積層体Ｐの材料を無駄にしないで済む。ただし、インクジェットヘッド５０が千鳥状に配列されていると、従来から採用されている回転砥石を用いたダイシングや、スライシングなどによる切断方法では、回転砥石が直線的に進行する加工方法なので、所定の形状に切断・分割することが困難であった。
【００５４】
このように、インクジェットヘッド５０が千鳥状に配列されていても、レーザ光５を利用したレーザ加工方法であれば、レーザ光５の照射位置を自由に変えることができるから、容易に積層体Ｐを切断・分割することができる。しかも、材料を無駄にすることがない。
【００５５】
図４（ｂ）に示すように、積層体Ｐは、基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３とが積層した三層構造である。これら基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３の材料は、シリコンであり、ＹＡＧレーザの基本波が透過可能である。
【００５６】
次に、レーザ光を照射して材料変質部を形成する方法について説明する。
【００５７】
図５は、レーザ光５による材料変質部７の形成方法を説明するための図である。
【００５８】
図５において、基板４の内部にレーザ光５を集光させて、スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光５をスキャンする。レーザ光５はレンズ６で集光されているから、基板４の内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光５をスキャンさせると、基板４の内部に材料変質部７を形成できる。なお、レーザ光５は、ＹＡＧレーザの基本波であって、その波長が１０６４ｎｍである。スキャン方向Ｘにおけるスキャン速度は、１００ｍｍ／ｓｅｃである。基板４の材料は、シリコンであって、その厚さは約１００μｍである。
【００５９】
また、レーザ光５を１回スキャンさせるだけでは、材料変質部７のできる量が数十μｍである。そこで、基板４の深さ方向全域に材料変質部７を形成するためには、レーザ光５を何回かスキャンさせる必要がある。レーザ光５をスキャンさせるごとに、レンズ６の焦点位置を基板４の下面から上面に向かって上昇させて、スキャンする。
【００６０】
次に、本実施形態における積層体の切断・分割方法について以下に示す。
【００６１】
図６（ａ）〜（ｈ）は、積層体の分割工程を示す図であり、図７は、積層体の分割工程の手順を示す概略フローチャートである。
【００６２】
図６、図７を参照して、本発明の積層体Ｐの切断・分割方法について説明する。なお、本実施形態の積層体Ｐの切断・分割方法は、貼り合せ工程１、機能液配置工程、乾燥工程、固化処理工程、貼り合せ工程２、改質層形成工程、分割工程から概略構成される。以下、各工程について詳細に説明する。なお、積層体Ｐを切断・分割して形成される分割後の小片は、インクジェットヘッド５０である。
（貼り合せ工程１）
【００６３】
図７のステップＳ１では、図６（ａ）に示すように、空隙部１１ａを有する基板Ｐ１の下側に、配線１２が形成されている基板Ｐ２を貼り合せて、貼り合せ基板Ｑを形成する。基板Ｐ１と基板Ｐ２との貼り合せ方法は、例えば接着剤などを使用して貼り合せることができる。なお、基板Ｐ１、Ｐ２の材料は、シリコンである。基板Ｐ１、Ｐ２の厚さは、各々１００μｍである。
（機能液配置工程）
【００６４】
図７のステップＳ２では、図６（ｂ）に示すように、液滴吐出装置ＩＪを用いて、空隙部１１ａに機能液Ｌ１を液滴吐出ヘッド３１から吐出して配置する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば機能液Ｌ１の重量が４ｎｇ／ｄｏｔ、機能液Ｌ１の速度（吐出速度）が５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことでできる。また、機能液Ｌ１を吐出するときの雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド３１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。なお、機能液Ｌ１は、微粒子としてゲルマニウムを含んでいる。
（乾燥工程）
【００６５】
次に、図７のステップＳ３では、図６（ｃ）に示すように、乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば熱を加える通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、空隙部１１ａに配置された機能液Ｌ１を乾燥させると、ゲルマニウムの微粒子を含む液状部材１０ができる。
（固化処理工程）
【００６６】
次に、図７のステップＳ４では、図６（ｄ）に示すように、空隙部１１ａに配置されたゲルマニウムの微粒子を含む液状部材１０を固化する。液状部材１０は、強度を確保するために熱処理を行い、固化させる必要がある。そのため、液状部材１０には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００６７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、ゲルマニウムの微粒子を含む機能液Ｌ１に対して、固化処理が行われる。処理温度が１００℃以上で、処理時間が３０分以上行うことが好ましい。以上により、ゲルマニウムの微粒子間の強度が確保され、充填部材１１が形成される。シリコンの屈折率は３．６であって、ゲルマニウムの屈折率は４．０であるから、屈折率は、基板Ｐ１、Ｐ２より充填部材１１の方が高い。
（貼り合せ工程２）
【００６８】
次に、図７のステップＳ５では、図６（ｅ）に示すように、充填部材１１を有する貼り合せ基板Ｑに基板Ｐ３を接着剤などで貼り合せて、積層体Ｐを形成する。なお、基板Ｐ３の材料は、シリコンである。基板Ｐ３の厚さは、１００μｍである。したがって、基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３を積層して形成された積層体Ｐの厚さは、約３００μｍとなる。
（改質層形成工程）
【００６９】
次に、図７のステップＳ６では、図６（ｆ）に示すように、積層体Ｐにレーザ光５を照射して、改質層としての材料変質部７を形成する。使用するレーザ光源は、半導体レーザを励起するものである。なお、詳細な条件は以下のとおりである。Ｎｄ：ＹＡＧ。レーザ波長：１０６４ｎｍ。レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2。発振形態：Ｑスイッチパルス。繰り返し周波数：１００ＫＨｚ。パルス幅：３０ｎｓ。出力：２０μＪ／パルス。レーザ光品質：ＴＥＭ00。偏光特性：直線偏光（Ｃ）。集光用レンズ倍率：５０倍。ＮＡ：０．５５。レーザ光波長に対する透過率：６０％（Ｄ）。移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ。最初に、基板Ｐ２の下側にレーザ光５の集光点を合わせて照射する。そして、集光点を徐々に基板Ｐ２の上側に移動させながらレーザ光５を照射する。次に、基板Ｐ１の空隙部１１ａに形成された充填部材１１の下側にレーザ光５の集光点を合わせて照射する。そして、集光点を徐々に充填部材１１の上側に移動させながらレーザ光５を照射する。最後に、基板Ｐ３の下側にレーザ光５の集光点を合わせて照射する。そして、集光点を徐々に基板Ｐ３の上側に移動させながらレーザ光５を照射する。そして、図６（ｇ）に示すように、積層体Ｐの深さ方向全域に改質層としての材料変質部７を形成する。
（分割工程）
【００７０】
次に、図７のステップＳ７では、図６（ｈ）に示すように、積層体Ｐを切断・分割する。積層体Ｐの分割方法は、外部から応力を加えることによりできる。外部から応力を加える方法は、例えば切断予定ラインに沿って積層体Ｐに曲げや、せん断応力を加えることや、積層体Ｐに温度差を与えることによって熱応力を発生させることである。そして、改質層としての材料変質部７に沿って、積層体Ｐを簡単に切断・分割できる。なお、積層体Ｐの厚さがより薄いような場合は、材料変質部７を形成することにより、積層体Ｐは、材料変質部７に沿って自然に割れることがある。そして、積層体Ｐを切断・分割することによって、図１１に示すインクジェットヘッド５０を形成することができる。
【００７１】
このインクジェットヘッド５０は、レーザ光５を積層体Ｐに照射して積層体Ｐを切断・分割して得られたものであるから、切断時の切りくずが発生することがないので、切りくずが、ノズル孔６１等に詰まることがない（図１１参照）。しかも、空隙部１１ａに充填部材１１を充填してから集光させたレーザ光５を照射させて、積層体Ｐを切断・分割する方法なので、分割に必要な切断幅をより狭くすることができるから、分割性が向上する。つまり、インクジェットヘッド５０の取り個数を増加させることができるから、インクジェットヘッド５０の生産性を向上することができる。
【００７２】
第１実施形態では、以下の効果が得られる。
【００７３】
（１）積層体Ｐを構成する基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の一部に空隙部１１ａを有する基板Ｐ１があっても、空隙部１１ａに充填部材１１を充填してから積層体Ｐを形成して、この充填部材１１を通過するようにレーザ光５を照射させるから、積層体Ｐに材料変質部７を形成することができる。積層体Ｐに材料変質部７を形成できれば、外部から応力を加えることによって、材料変質部７に沿って簡単に切断・分割できる。しかも、空隙部１１ａに配置される機能液Ｌ１が、液滴吐出法により配置されているから、空隙部１１ａの体積が変更になっても、機能液Ｌ１の量を変えるだけでよいので、簡単である。そして、簡単に分割できる積層体Ｐを提供できる。
（２）充填部材１１の屈折率が、基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と同等以上であるから、レーザ光５を照射させるときに、レーザ光５が散乱することなく積層体Ｐの内部に集光しやすくなるので、積層体Ｐに材料変質部７を簡単に形成することができる。
（３）レーザ光５を集光素子としてのレンズ６で集光させて積層体Ｐに照射させるから、積層体Ｐの所定の位置に材料変質部７を形成することができる。
（４）ＹＡＧレーザの基本波を積層体Ｐに照射させることで、積層体Ｐの所定の位置に材料変質部７を形成することができる。
【００７４】
（第２実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法によって配置された液滴を有する積層体について説明する。
【００７５】
図８は、本実施形態における積層体Ｐを示す概略図である。
【００７６】
図８を参照して、本発明の積層体Ｐについて説明する。第１実施形態と異なる点は、機能液Ｌ１に変えて液滴Ｌ２を空隙部１５ａに配置した点である。液滴Ｌ２は液状である。なお、基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の材料や、これら基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の貼り合せ方法などは、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。
【００７７】
図８において、積層体Ｐは、基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３とで構成されている。基板Ｐ１は、空隙部１５ａを有しており、この空隙部１５ａに液体１５が充填されている。なお、これら基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の貼り付けには接着剤が使用されている。
【００７８】
レーザ光５は集光素子としてのレンズ６で集光され、レンズ６で集光されたレーザ光５は積層体Ｐの下面側に照射される。照射されたレーザ光５は、積層体Ｐの深さ方向全域で焦点位置が合うように配置されている。レーザ光５が積層体Ｐの内部に照射されると、多光子吸収という現象を利用することにより、基板Ｐ２とＰ３とに材料変質部７を形成できる。なお、基板Ｐ１の空隙部１５ａには液体１５が満たされているから、液体１５にはレーザ光５が集光しないので、基板Ｐ１には材料変質部７が形成されない。そして、材料変質部７の部分は改質されているため、外部から応力を加えると、積層体Ｐを切断・分割することができる。
【００７９】
次に、本実施形態における積層体Ｐの分割方法について以下に示す。
【００８０】
図９（ａ）〜（ｆ）は、積層体の分割工程を示す図であり、図１０は、積層体の分割工程の手順を示す概略フローチャートである。
【００８１】
図９、図１０を参照して、本発明の積層体Ｐの切断・分割方法について説明する。積層体Ｐを形成するために使用する材料や、液滴吐出法、液滴吐出装置などは、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。本実施形態の積層体Ｐの切断・分割方法は、貼り合せ工程１、液体注入工程、貼り合せ工程２、改質層形成工程、分割工程から概略構成される。なお、第１実施形態と同様な、貼り合せ工程１、貼り合せ工程２、分割工程については、簡単に説明する。第１実施形態と異なる液体注入工程と、改質層形成工程については、詳細に説明する。積層体Ｐを切断・分割して形成される分割後の小片は、インクジェットヘッド５０である。
（貼り合せ工程１）
【００８２】
図１０のステップＳ１１では、図９（ｂ）に示すように、空隙部１５ａを有する基板Ｐ１の下側に、配線１２が形成されている基板Ｐ２を貼り合せて、貼り合せ基板Ｑを形成する。なお、基板Ｐ１と基板Ｐ２との貼り合せ方法、材料、厚さについては、実施形態１と同じであるので、説明を省略する。
（液体注入工程）
【００８３】
次に、図１０のステップＳ１２では、液滴吐出方法で空隙部１５ａに液滴Ｌ２を注入して、空隙部１５ａを液体１５で満たす。液体１５は、例えば水である。水以外では、エタノール、アセトン、メタノール、ＩＰＡなどでもよい。なお、これら、水、エタノール、アセトン、メタノール、ＩＰＡなどは、空気より屈折率が高い物質であって、その屈折率は１．３〜１．４程度である。液体１５は、積層体Ｐを切断・分割した後には空隙部１５ａから流れ出してしまう。なお、空隙部１５ａに液滴Ｌ２を注入するときに、液滴吐出方法を採用したが、これにこだわることはなく、その他の方法を採用してもよい。例えば基板自体を液体１５の中にディッピングして空隙部１５ａに液体１５を配置してもよいし、液体１５の入ったディスペンサを使用して、空隙部１５ａに液体１５を配置してもよい。
（貼り合せ工程２）
【００８４】
図１０のステップＳ１３では、図９（ｃ）に示すように、基板Ｐ３を接着剤などで貼り合せて、積層体Ｐを形成する。なお、基板Ｐ３の貼り合せ方法、材料、厚さについては、実施形態１と同じであるので、説明を省略する。基板Ｐ１、基板Ｐ２、基板Ｐ３を積層して形成された積層体Ｐの厚さは、約３００μｍとなる。
（改質層形成工程）
【００８５】
図１０のステップＳ１４では、図９（ｄ）に示すように、レーザ光５を照射して、積層体Ｐに改質層としての材料変質部７を形成する。使用するレーザ光源は、第１実施形態で使用したレーザと同じであり、半導体レーザを励起するものである。なお、レーザ光５を照射するための詳細な条件も、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。レーザ光５を積層体Ｐの内部に照射して、図９（ｅ）に示す、基板Ｐ２、Ｐ３の内部に改質層としての材料変質部７を形成する。ただし、空隙部１５ａには液体１５が満たされているから、液体１５にレーザ光５を照射しても、基板Ｐ１には改質層としての材料変質部７が形成されない。
（分割工程）
【００８６】
次に、図１０のステップＳ１５では、図９（ｆ）に示すように、積層体Ｐを分割する。積層体Ｐの分割方法は、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。そして、積層体Ｐを分割することによって、図１１に示すインクジェットヘッド５０を形成することができる。
【００８７】
第２実施形態では、以下の効果が得られる。
【００８８】
（５）積層体Ｐを構成する基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の一部に空隙部１５ａを有する基板Ｐ１があっても、空隙部１５ａに液体１５を満たしてから積層体Ｐを形成して、液体１５を通過するようにレーザ光５を照射させるから、基板Ｐ２とＰ３との内部に材料変質部７を形成することができる。積層体Ｐの深さ方向全域に材料変質部７を形成できれば、外部から応力を加えることによって、材料変質部７に沿って積層体Ｐを簡単に切断・分割できる。しかも、液体１５が、空隙部１５ａに配置されていると、積層体Ｐを分割した後に空隙部１５ａに配置された液体１５が、積層体Ｐの外部に流れ出してしまうから、除去する必要がない。空隙部１５ａに液体１５が、液滴吐出法により配置されているから、空隙部１５ａの体積が変更になっても、注入する液滴Ｌ２の量を変えるだけでよいので、簡単である。そして、簡単に分割できる積層体Ｐを提供できる。
（６）液滴Ｌ２の屈折率が１．３以上であると、空気より屈折率が高いから、より深い位置まで加工ができるので、積層体Ｐにレーザ光を照射させれば、積層体Ｐの深さ方向全域に材料変質部７を形成することができる。
【００８９】
図１１は、本発明の実施形態１および実施形態２の形成方法に係るインクジェットヘッドを示す説明図である。
【００９０】
図１１に示すように、インクジェットヘッド５０は外形が、下側からノズルプレート５１、アクチュエータ基板５２、駆動膜５３、封止板５４、コンプライアンス基板５５から構成されており、これらは互いに接着剤６６等で接合されている。駆動膜５３の一部である駆動部５３ａには電圧を印加するための配線５６が接続されている。また、アクチュエータ基板５２、駆動膜５３、封止板５４には貫通穴が形成されており、この貫通穴の底部がノズルプレート５１によって塞がれることによりリザーバ５７が形成されている。また、コンプライアンス基板５５のリザーバ５７に対応する部分には、外部からリザーバ５７にインク等の液体を供給するための液体供給穴５８が形成されている。
【００９１】
アクチュエータ基板５２の上面の駆動膜５３に接する部分には、弾性膜５９が形成されており、この弾性膜５９は酸化シリコン層５９ａと酸化ジルコニウム層５９ｂで構成されている。なお、弾性膜５９は必ずしも酸化シリコン層５９ａと酸化ジルコニウム層５９ｂで構成する必要はない。アクチュエータ基板５２のノズルプレート５１側には複数の圧力室６０となる凹部が形成されており、またノズルプレート５１には、各圧力室６０に対応して液滴を吐出するためのノズル孔６１が形成されている。さらに、封止板５４の駆動膜５３側には、駆動部５３ａ及び配線５６を保護するための封止部６２となる凹部が形成されている。
【００９２】
アクチュエータ基板５２には、リザーバ５７と各圧力室６０とを連結するオリフィス６３が形成されており、駆動膜５３の一部である駆動部５３ａは各圧力室６０の上部に個別に設けられている。
【００９３】
また、インクジェットヘッド５０では、弾性膜５９におけるリザーバ５７に面する位置に押さえ部６４が形成されている。この押さえ部６４は、単結晶シリコンからなるアクチュエータ基板５２にボロンを高濃度にドープして形成されており、アクチュエータ基板５２の一部として形成されている。押さえ部６４は、弾性膜５９のオリフィス６３の部分に凸状に形成されているが、少なくとも弾性膜５９におけるリザーバ５７に面する位置に形成してあれば、リザーバ５７側や圧力室６０側にはみ出る形で形成してもよい。
【００９４】
ここで、インクジェットヘッド５０の動作について説明する。なお、インクジェットヘッド５０は、駆動部５３ａが圧電方式で駆動するものである。
【００９５】
駆動膜５３は、下面側（アクチュエータ基板５２側）から、チタン、イリジウム、白金等を積層した下電極、チタン酸ジルコン酸鉛等からなる圧電素子（ＰＺＴ、Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｔｒａｎｃｅｄｕｃｅｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、及びイリジウム等からなる上電極から構成されている。駆動部５３ａの上電極及び下電極に配線５６を介して電圧を印加すると、圧電素子が例えば上側（封止板５４側）にたわみ変形を起こす。圧電素子がたわみ変形するのに伴って、圧電素子と接合されている下電極及び弾性膜５９もたわむようになっている。このとき、インク等の液体が外部から液体供給穴５８からリザーバ５７に供給されており、この液体は圧電素子がたわむとオリフィス６３を通って圧力室６０に流れ込む。そして、上電極及び下電極に印加された電圧を除去すると、圧電素子が元の状態に戻り圧力室の圧力が高まる。これにより、液体がノズル孔６１から液滴として吐出される。なお、圧電素子は下側にたわむものであっても、同様にインク等の液体を液滴として吐出させることができる。
【００９６】
図１２は、電子機器としてのインクジェット記録装置の例を示す図である。
【００９７】
図１２に示すように、インクジェット記録装置１００は、インクジェットプリンタであり、実施形態１又は実施形態２で得られたインクジェットヘッド５０を搭載している。このインクジェットヘッド５０は、切りくず詰まりのない品質の良好なノズル孔６１を有しているものであるから、インクジェット記録装置１００は、吐出性能に優れているものである。
【００９８】
また、レーザ光５による積層体Ｐの切断・分割方法は、インクジェットヘッド５０の他に、半導体素子、液晶表示装置、圧電素子などのような、基板の高精度接合が必要な積層体の切断・分割ができる。また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、ＤＮＡデバイス等にも応用することができる。
【００９９】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【０１００】
（変形例１）前述の第１実施形態および第２実施形態で、レーザ光照射工程におけるレーザ光の集光方法として、積層体Ｐの厚さ方向に集光点を移動させながら集光したが、これに限らない。例えば図１３に示すように、発散角の異なる複数のレーザ光を集光素子により集光して照射してもかまわない。このようにすれば、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる他に、レーザ光照射工程での材料変質部７の形成にかかる時間を短縮することができるから、加工効率を向上することが可能となる。
【０１０１】
（変形例２）前述の第１実施形態および第２実施形態で、レーザ光照射工程におけるレーザ光の集光方法として、積層体Ｐの厚さ方向に集光点を移動させながら集光したが、これに限らない。例えば図１４に示すように、レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐して多点同時に照射してもかまわない。このようにすれば、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる他に、レーザ光照射工程での材料変質部７の形成にかかる時間を短縮することができるから、加工効率を向上することが可能となる。
【０１０２】
（変形例３）前述の第１実施形態および第２実施形態で、基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の材料にシリコンを採用したが、これに限らない。例えばシリコン以外の材料であってもかまわない。このようにしても、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる上に、インクジェットヘッド５０以外のその他のデバイスを提供することが可能となる。
【０１０３】
（変形例４）前述の第１実施形態および第２実施形態で、積層体Ｐは、基板Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の３枚構成としたが、これに限らない。例えば積層体Ｐを４枚以上の構成にしてもよい。このようにすれば、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる上に、インクジェットヘッド５０以外のその他のデバイスを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】液滴吐出装置の全体構成を示す概略斜視図。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図。
【図３】第１実施形態における積層体を示す概略図。
【図４】（ａ）は、インクジェットヘッドの千鳥配列を示す積層体の平面図。（ｂ）は、積層体の断面図。
【図５】レーザ光による材料変質部形成方法を説明するための図。
【図６】（ａ）〜（ｈ）は、積層体の分割工程を示す図。
【図７】積層体の分割工程の手順を示す概略フローチャート。
【図８】第２実施形態における積層体を示す概略図。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、積層体の分割工程を示す図。
【図１０】積層体の分割工程の手順を示す概略フローチャート。
【図１１】インクジェットヘッドを説明するための図。
【図１２】電子機器としてのインクジェット記録装置の例を示す図。
【図１３】変形例１における発散角の異なる複数のレーザ光を集光素子により集光して照射する例を示す図。
【図１４】変形例２におけるレーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐して多点同時に照射する例を示す図。
【符号の説明】
【０１０５】
５…レーザ光、６…集光素子としてのレンズ、７…材料変質部、１０…液状部材、１１…充填部材、１１ａ…空隙部、１５…液体、１５ａ…空隙部、３１…液滴吐出ヘッド、５０…デバイスとしてのインクジェットヘッド、１００…電子機器としてのプリンタ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３…基板、Ｐ…積層体、Ｑ…貼り合せ基板、Ｌ１…機能液、Ｌ２…液滴。
【図１】
2007066951.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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