(57)【要約】【課題】  薄型化、軽量化を実現する両面有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】  ガラス基板ＳＵＢの主面に薄膜トランジスタＴＦＴを用いたアクティブな画素回路が作り込まれ、この画素回路の上層には層間絶縁膜ＩＬが成膜されている。層間絶縁膜ＩＬの上に、ボトムエミッション方の赤（Ｒ）の有機ＥＬ素子ＲＵ１、緑（Ｇ）の有機ＥＬ素子ＧＵ１、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子ＢＵ１が基板の面に平行な面内で、一つのカラーピクセルの領域内に配置される。この上に、トップエミッション型の赤（Ｒ）の有機ＥＬ素子ＲＵ２、緑（Ｇ）の有機ＥＬ素子ＧＵ２、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子ＢＵ２が積層される。【選択図】  図１
2007073249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、該絶縁基板の上に形成された第１の有機ＥＬ素子と、該第１の有機ＥＬ素子の上に形成された第２の有機ＥＬ素子とを有し、前記第１の有機ＥＬ素子の発光は前記絶縁基板側に出射され、前記第２の有機ＥＬ素子の発光は前記絶縁基板側とは反対側に出射される両面有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１の有機ＥＬ素子は、前記絶縁基板に近い側から、第１の透明電極、第１の有機発光層、第１の反射電極の順で積層された構造を有し、
前記第２の有機ＥＬ素子は、前記絶縁基板に近い側から、第２の反射電極、第２の有機発光層、第２の透明電極の順で積層された構造を有し、
前記絶縁基板と前記第１の有機ＥＬ素子との間に、前記第１の有機ＥＬ素子および前記第２の有機ＥＬ素子を駆動するアクティブ素子を備えていることを特徴とする両面有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２の有機ＥＬ素子の第２の透明電極と該第２の有機ＥＬ素子を駆動するアクティブ素子とが、前記第１の有機ＥＬ素子の端部に設けた絶縁膜を貫通して配置されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の両面有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１の有機ＥＬ素子の前記第１の反射電極と前記第２の有機ＥＬ素子の前記第２の反射電極とが、該二つの反射電極を兼ねた一つの両面反射電極で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の両面有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたアクティブ素子と、第１の透明電極と、第１の発光層と、両面反射電極と、該アクティブ素子に接続されてカラーのサブピクセル毎に分離した第１の透明電極と、カラーのサブピクセル毎に分離した第１の発光層と、カラーのサブピクセル毎に分離した両面反射電極と、カラーのサブピクセル毎に分離した第２の発光層と、カラーのサブピクセル毎に分離した第２の透明電極とがこの順で積層され、
前記両面反射電極はカラーのサブピクセル毎に開口部を有し、
前記アクティブ素子と前記第２の透明電極とが、前記両面反射電極の前記開口部をとおるコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする両面有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１の有機ＥＬ素子又は前記第２の有機ＥＬ素子はカラーピクセルを構成するサブピクセルの一つであり、前記絶縁基板上で該絶縁基板の面と平行な方向で隣接する複数の前記第１の有機ＥＬ素子又は前記第２の有機ＥＬ素子が前記両面反射電極の上下層で、それぞれ前記一つのカラーピクセルを構成することを特徴とする請求項４に記載の両面有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記両面反射電極は、前記第１の有機ＥＬ素子を構成する第１の透明電極と前記第２の有機ＥＬ素子を構成する第２の透明電極に重なり合う如く配置され、前記コンタクトホールが通過する前記開口部を前記第１の有機ＥＬ素子と前記第２の有機ＥＬ素子で構成される前記各サブピクセル毎に有することを特徴とする請求項４又は５に記載の両面有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に絶縁基板上に複数の有機ＥＬ素子を積層したアクティブマトリクス方式の有機ＥＬパネルで構成した両面有機ＥＬ表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、基板側に表示光を出射する、所謂、ボトムエミッション型と基板と反対側に表示光を出射する、所謂、トップエミッション型とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁基板上に、第１の電極または一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する有機多層膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断して有機ＥＬパネルとしている。そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００４】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記した一方の電極として反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで有機多層膜が発光し、この発光を上記他方の電極側から出射する構成を特徴としている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶に相当する部材としてガラス板を好適とする透明板が使用される。
【０００５】
特許文献１には、パッシブ駆動型の有機ＥＬ素子が搭載された二つの絶縁基板（有機ＥＬパネル）を、それらパネルの有機ＥＬ素子の搭載面が対向する向きに貼り合わせて構成した有機ＥＬ表示装置が開示されている。この有機ＥＬ表示装置では、一方の有機ＥＬパネルに形成した赤（Ｒ）と緑（Ｇ）の二つの単位画素（サブピクセル）と、他方の有機ＥＬパネルに形成した青（Ｂ）の単位画素が空間を介して重なり合うように形成されている。また、特許文献２には、一つの単位画素内において、絶縁基板上に複数の有機ＥＬ素子を積層したパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【特許文献１】特開平０９−８２４７２号公報
【特許文献２】特許第３４９６６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、携帯電話機の急速な普及により、携帯電話機市場において主（メイン）画面と副（サブ）画面の表裏両面表示を可能とした表示装置の需要が大きく、表示装置の更なる高性能化、軽量化が望まれている。また、携帯電話機に限らず、マルチメディアプレーヤなどのモバイル機器に搭載する表示装置（モバイルビウーア）においてもこの種の薄型両面表示装置の需要は増加する傾向にあり、その薄型化、軽量化の要求もますます強くなると考えられる。
【０００７】
現行の両面表示装置は２枚の表示パネルを背中合わせに配置したものが大勢であるため、各表示パネル自体の薄型化に限界があることから、両面表示装置全体の薄型化、軽量化は困難である。
【０００８】
本発明の目的は、有機ＥＬ表示装置の特徴的な構造を利用することによって、薄型化、軽量化を実現する両面有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、絶縁基板上に構成したボトムエミッション型有機ＥＬ素子の上にトップエミッション型有機ＥＬ素子を直接積層することで、絶縁基板を共通にして薄型、かつ軽量の両面有機ＥＬ表示装置を構築する。また、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子の上層電極を構成する反射電極とトップエミッション型有機ＥＬ素子の下層電極を構成する反射電極とを兼用させることで、更なる薄型化、軽量化を実現する。本発明の代表的な構成を記述すれば、以下のとおりである。
【００１０】
本発明の両面有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板と、該絶縁基板の上に形成された第１の有機ＥＬ素子と、該第１の有機ＥＬ素子の上に形成された第２の有機ＥＬ素子とで構成する。そして、前記第１の有機ＥＬ素子から出射された光（発光光）は前記絶縁基板側に出射され、前記第２の有機ＥＬ素子から出射された光（発光光）は前記絶縁基板側とは反対側に出射される。
【００１１】
前記第１の有機ＥＬ素子は、前記絶縁基板に近い側から、第１の透明電極、第１の有機発光層、第１の反射電極の順で積層された構造を有し、
前記第２の有機ＥＬ素子は、前記絶縁基板に近い側から、第２の反射電極、第２の有機発光層、第２の透明電極の順で積層された構造を有し、
前記絶縁基板と前記第１の有機ＥＬ素子との間に、前記第１の有機ＥＬ素子および前記第２の有機ＥＬ素子を駆動するアクティブ素子を備えている。
【００１２】
また、本発明の両面有機ＥＬ表示装置では、前記第２の有機ＥＬ素子の第２の透明電極と該第２の有機ＥＬ素子を駆動するアクティブ素子とを、前記第１の有機ＥＬ素子の端部に設けた絶縁膜を貫通して配置されたコンタクトホールを介して接続する。
【００１３】
また、本発明の両面有機ＥＬ表示装置では、前記第１の有機ＥＬ素子の前記第１の反射電極と前記第２の有機ＥＬ素子の前記第２の反射電極とを、該二つの反射電極を兼ねた一つの両面反射電極で構成する。
【００１４】
また、本発明の両面有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたアクティブ素子と、第１の透明電極と、第１の発光層と、両面反射電極と、該アクティブ素子に接続されてカラーのサブピクセル毎に分離した第１の透明電極と、カラーのサブピクセル毎に分離した第１の発光層と、カラーのサブピクセル毎に分離した両面反射電極と、カラーのサブピクセル毎に分離した第２の発光層と、カラーのサブピクセル毎に分離した第２の透明電極とをこの順で積層している。
【００１５】
そして、前記両面反射電極はカラーのサブピクセル毎に開口部を有し、
前記アクティブ素子と前記第２の透明電極とが、前記両面反射電極の前記開口部をとおるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００１６】
また、本発明の両面有機ＥＬ表示装置では、前記第１の有機ＥＬ素子又は前記第２の有機ＥＬ素子はカラーピクセルを構成するサブピクセルの一つであり、前記絶縁基板上で該絶縁基板の面と平行な方向で隣接する複数の前記第１の有機ＥＬ素子又は前記第２の有機ＥＬ素子が前記両面反射電極の上下層で、それぞれ前記一つのカラーピクセルを構成する。
【００１７】
また、本発明の両面有機ＥＬ表示装置では、前記両面反射電極は、前記第１の有機ＥＬ素子を構成する第１の透明電極と前記第２の有機ＥＬ素子を構成する第２の透明電極に重なり合う如く配置され、前記コンタクトホールが通過する前記開口部を前記第１の有機ＥＬ素子と前記第２の有機ＥＬ素子で構成される前記各サブピクセル毎に有する。
【００１８】
なお、本発明は、上記の構成および後述の実施の形態に開示される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、薄型化、軽量化を実現し、アクティブ駆動方式の両面有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の実施形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明の実施例１を説明する概念図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線にそれぞれ沿って切断した断面図である。実施例１は絶縁基板としてのガラス基板ＳＵＢ側に表示光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ表示素子上に該ガラスＳＵＢとは反対側から表示光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示素子を積層した両面有機ＥＬ表示装置である。
【００２２】
この両面有機ＥＬ表示装置では、ガラス基板ＳＵＢの主面に成膜された層間絶縁膜ＩＬの上に、一層目の赤（Ｒ）の有機ＥＬ素子ユニットＲＵ１、同じく一層目の緑（Ｇ）の有機ＥＬ素子ユニットＧＵ１、同じく一層目の青（Ｂ）の有機ＥＬ素子ユニットＢＵ１が該ガラス基板ＳＵＢの主面に平行な面上に並置されている。そして、これら一層目の有機ＥＬ素子ユニットＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１の上に、それぞれの二層目の有機ＥＬ素子ユニットＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２が積層されている。
【００２３】
すなわち、一つの色の画素（カラーピクセル）の領域に各色２層の副画素（カラーサブピクセル）の有機ＥＬ素子ユニットが形成されている。ガラス基板ＳＵＢに近い側（一層目）の有機ＥＬ素子ユニットＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１はボトムエミッション型の有機ＥＬ表示素子であり、その上に積層された二層目の有機ＥＬ素子ユニットＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２がトップエミッション型の有機ＥＬ表示素子である。
【００２４】
図１において、紙面の奥に図２に示したガラス基板ＳＵＢがある。このガラス基板ＳＵＢの主面にアクティブ素子として薄膜トランジスタＴＦＴを用いたアクティブな画素回路が作り込まれている。この画素回路の上層に前記した層間絶縁膜ＩＬが成膜されている。
【００２５】
層間絶縁膜ＩＬの上に、二層構造の赤（Ｒ）の、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子ＲＵ１,ＲＵ２、ＧＵ１,ＧＵ２、ＢＵ１、ＢＵ２が基板の面に平行な面内に配置されている。すなわち、一つのカラーピクセルの領域内に二層構造のカラーサブピクセルが配置されることになる。そして、本実施例では、二層の各色有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路を備えている。
【００２６】
図１と図２にはフルカラーの１カラー画素を構成する３つのサブピクセルを示してある。各サブピクセルの間にはバンクと称する堤を有する。このバンクＢＮＫは各有機ＥＬ素子の有機膜の形成プロセスで、特にその発光層の形成プロセスで領域制限のために利用される。バンクＢＮＫの領域は表示に利用されない。上記した画素回路を構成する薄膜トランジスタＴＦＴなどはこのバンクＢＮＫで隠される部分に形成されている。
【００２７】
薄膜トランジスタＴＦＴは、信号配線ＤＬ、電源配線ＰＬ、走査配線（図示せず）に接続している。薄膜トランジスタＴＦＴは、図１では各有機ＥＬ素子に一個、図２では同じく二個ずつ図示したが、詳細は後述する。なお、各層の有機ＥＬ素子の一方の電極である陽極ＡＤは陽極コンタクトＡＤＣで各薄膜トランジスタＴＦＴに接続している。
【００２８】
図２において、層間絶縁膜ＩＬの上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の一層目のサブピクセルである有機ＥＬ素子ＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１が、その画素部の層間絶縁膜ＩＬの一部を除去した陽極ＡＤの直上に形成された有機膜からなる一層目の発光層Ｌ（Ｒ）、Ｌ（Ｇ）、Ｌ（Ｂ）、および反射陰極ＲＣＤで構成される。
【００２９】
この一層目の有機ＥＬ素子ＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１を構成する反射陰極ＲＣＤの上層に二層目の有機ＥＬ素子ＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２の発光層Ｌ（Ｒ）、Ｌ（Ｇ）、Ｌ（Ｂ）、および透明な陽極ＡＤが積層され、最上層に透明絶縁膜ＴＬが成膜されている。
【００３０】
本実施例では、一層目の有機ＥＬ素子ＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１を構成する反射陰極ＲＣＤは二層目の有機ＥＬ素子ＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２の反射陰極を兼用することで、全体の薄型化を実現している。しかし、本発明は、一層目の反射陰極と二層目の反射陰極とを別個の電極とすることを排除するものではない。
【００３１】
図１に示した各有機ＥＬ素子のユニットＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２の陽極ＡＤは次のようにしてそれぞれの薄膜トランジスタＴＦＴに接続されている。すなわち、最も絶縁基板ＳＵＢに近い一層目の陽極ＡＤは図２のＡ−Ａ’断面に示されたように、薄膜トランジスタ形成層の保護膜（パッシベーション膜）ＰＡＳに開けたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴの出力電極に電気的に接続されている。
【００３２】
同様に、二層目の有機ＥＬ表示素子の陽極ＡＤは、図２のＢ−Ｂ’断面に示されたように、パッシべーション膜ＰＡＳ、層間絶縁膜ＩＬ、一層目の発光層、絶縁膜ＴＬに開けたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴの出力電極に電気的に接続されている。
【００３３】
図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の画素の等価回路例の説明図である。図３において、ＰＸはカラー１画素（カラーピクセル）を示す。各カラーピクセルＰＸは図３の左右（ｘ）方向に並んだ３つの副画素（サブピクセル）ＳＰＸ（Ｒ）、ＳＰＸ（Ｇ）、ＳＰＸ（Ｂ）で構成される。赤のサブピクセルＳＰＸ（Ｒ）は図３の紙面に垂直な方向（ｚ方向）に積層されたユニットＲＵ１、ＲＵ２から構成される。同様に、緑のサブピクセルＳＰＸ（Ｇ）はｚ方向に積層されたユニットＧＵ１、ＧＵ２から、青のサブピクセルＳＰＸ（Ｂ）はｚ方向に積層されたユニットＢＵ１、ＢＵ２から構成される。ユニットＲＵ１、ＧＵ１、ＢＵ１はボトムエミッション型の有機ＥＬ表示素子であり、ユニットＲＵ２、ＧＵ２、ＢＵ２はトップエミッション型の有機ＥＬ表示素子である。
【００３４】
各色のユニットは二個の薄膜トランジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ２、コンデンサＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥからなる等価回路で表記される。また、図３において、同図の左右方向（ｘ）方向に延びる２本の配線は走査信号線（ゲート線）ＧＬ、上下（ｙ）方向に延びる２本の配線は表示信号線（データ線）ＤＬ、同じく上下方向に延びる２本の配線は電源線（電流供給線）ＰＬであり、それぞれ各色のサブピクセルを構成するそれぞれのユニットごとに設けられている。
【００３５】
なお、図１には、図３の第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のみをＴＦＴと表示してある。また、図３は基本的な回路構成であり、本発明の有機ＥＬ表示装置の駆動回路としては、このほかに種々の構成がある。
【００３６】
また、本実施例では、ゲート線ＧＬに一層目と二層目の有機ＥＬ表示素子を切替えるスイッチ回路ＳＷが設けられている。一層目と二層目の有機ＥＬ表示素子は、それぞれ異なる表示データが供給されて、両面それぞれに別々の表示が可能である。なお、２本のデータ線ＤＬに同じ表示データを供給することで、両面それぞれに同じ表示を行わせることもできる。
【００３７】
スイッチ回路ＳＷにより、一層目と二層目の有機ＥＬ素子を選択することができ、可能とされ、２層の有機ＥＬ表示素子の一方のみを選択して点灯させることができる。
【００３８】
本実施例により、表裏両面に異なるデータ、あるいは同じデータを表示できる薄型、軽量の有機ＥＬ表示装置を提供できる。表裏両面に同じデータを表示させる場合は、２本のデータ線ＤＬ、２本の電流供給線ＰＬはそれらの給電点で共通に接続する。二層の有機ＥＬ表示素子の切替えはゲート線ＧＬの切替によるものに限らず、データ線ＤＬ、電流供給線ＰＬで行うようにしてもよく、あるいはゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、電流供給線ＰＬを組み合わせて切替えるようにすることもできる。
【００３９】
図４乃至図６は、図１と図２で説明した両面有機ＥＬ表示装置の製造プロセスを説明するための図２のＡ−Ａ’線に対応した断面図である。この製造プロセスは図４乃至図６を通して（ａ）〜（ｊ）を付した順序で処理される。図４の（a）は、図２に示したガラス基板ＳＵＢに薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、保護膜ＰＡＳの上に陽極ＡＤをパターニングし、陽極コンタクトＡＤＣを形成した状態を示す。こその上に層間絶縁膜ＩＬを成膜し（図４の（ｂ））、ホトリソグラフィー法で層間絶縁膜ＩＬの陽極ＡＤの部分（サブピクセルの開口部分）を除去すると共に陽極コンタクトＡＤＣ用のコンタクトホールを加工する（図４の（ｃ））。
【００４０】
加工したコンタクトホールに、ＩＴＯを好適とする導電性部材を埋設して陽極コンタクトＡＤＣを形成する（図５の（ｄ））。この陽極コンタクトＡＤＣは上層に形成される二層目の有機ＥＬ素子の陽極にそれぞれの薄膜トランジスタを接続するための電極となる。次に、一層目の有機ＥＬ膜Ｌ（Ｒ１）、Ｌ（Ｇ１）、Ｌ(Ｂ１)を形成する（図５の（ｅ））。この有機膜Ｌ（Ｒ１）、Ｌ（Ｇ１）、Ｌ(Ｂ１)は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層をこの順で蒸着して得られる。図５の（ｆ）では、有機膜Ｌ（Ｒ１）、Ｌ（Ｇ１）、Ｌ(Ｂ１)の上に反射陰極ＲＣＤを形成する。その後、反射陰極ＲＣＤにコンタクトホールＣＨを形成する（図５の（ｇ））。
【００４１】
このコンタクトホールＣＨの部分に、反射陰極ＲＣＤと後述の陽極との絶縁を行う絶縁層ＩＮＳを形成し（図６の（h））、第二層目の有機膜Ｌ（Ｒ２）、Ｌ（Ｇ２）、Ｌ(Ｂ２)を上記の第一層目の有機膜と同様の手順で形成する。そして、第二層目の有機膜Ｌ（Ｒ２）、Ｌ（Ｇ２）、Ｌ(Ｂ２)の上の、当該各有機膜で構成されるサブピクセルの開口部とコンタクトホールＣＨで薄膜トランジスタと接続した透明な陽極ＡＤを形成する（図６の（ｉ））。
【００４２】
最後に、透明な絶縁膜ＴＬを形成する（図６の（ｊ））。このような一連のプロセスで前記した実施例１の両面有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００４３】
上記した実施例１の構成において、青用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡ（４,４’,４”−トリス[−Ｎ−（−３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ]トリフェニルアミン）を７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、トリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニゥム（Ａｌｑ）/アントラセンの共蒸着膜を６０ｎｍ（５％）、Ａｌｑを６０ｎｍ蒸着した。緑用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡを７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑを６０ｎｍ蒸着した。赤用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡを７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑ/ＤＣＪＴを６０ｎｍ（２％）、Ａｌｑを６０ｎｍ、反射陰極材料としてＡｌを７０ｎｍ蒸着した。その後、上記と逆順序に有機膜を形成し、透明陽極としてＩＴＯを形成し、最後に、透明絶縁膜ＴＬとして、窒化シリコンＳｉＮを５０ｎｍ厚に形成した。なお、窒化シリコンＳｉＮを覆って透明ガラス基板等の封止板を配置することができる。
【００４４】
こうして製作した有機ＥＬパネルを用いた構成した両面有機ＥＬ表示装置において、各陰極と各陽極の間に直流６Ｖを印加したところ、各面ともに８００ｃｄ/ｍ2以上の白色輝度が得られた。
【００４５】
また、上記した実施例１の構成において、青用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡを７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、トリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニゥム（Ａｌｑ）/アントラセンの共蒸着膜を６０ｎｍ（５％）、Ａｌｑを６０ｎｍ蒸着した。緑用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡを７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑ/Ｉｒ(ｐｐｙ)を６０ｎｍ（５％）蒸着した。赤用の有機ＥＬ発光層としてＭＴＤＡＴＡを７０ｎｍ、α‐ＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑ/ＤＣＭ２/Ｉｒ(ｐｐｙ)を６０ｎｍ（２％）、Ａｌｑを６０ｎｍ蒸着した。反射陰極材料にはＡｌを７０ｎｍ形成した。透明絶縁膜ＴＬには、窒化シリコンＳｉＮを５０ｎｍ厚に形成した。なお、窒化シリコンＳｉＮを覆って透明ガラス基板等の封止板を配置することができる。
【００４６】
こうして製作した有機ＥＬパネルを用いた構成した両面有機ＥＬ表示装置において、各陰極と各陽極の間に直流６Ｖを印加したところ、８００ｃｄ/ｍ2以上の白色輝度が得られた。
【００４７】
上記実施例の構成により、薄型化、軽量化を実現する両面有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の両面有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する概念図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線にそれぞれ沿って切断した断面図である。
【図３】本発明の両面有機ＥＬ表示装置の等価回路例の説明図である。
【図４】本発明の実施例１で説明した両面有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を説明する流れ図である。
【図５】本発明の実施例１で説明した有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を説明する図４に続く流れ図である。
【図６】本発明の実施例１で説明した有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を説明する図５に続く流れ図である。
【符号の説明】
【００４９】
ＳＵＢ・・・絶縁基板、ＩＬ・・・層間絶縁膜、ＢＵ１、ＢＵ２・・・青の有機ＥＬ素子のユニット、ＧＵ１、ＧＵ２・・・緑の有機ＥＬ素子のユニット、ＲＵ１、ＲＵ２・・・赤の有機ＥＬ素子のユニット、ＤＬ・・・データ信号配線、ＧＬ・・・走査信号配線、ＰＬ・・・電源配線、ＳＷ・・・スィッチ回路。
【図１】
2007073249.tif 000003
【図２】
2007073249.tif 000004
【図３】
2007073249.tif 000005
【図４】
2007073249.tif 000006
【図５】
2007073249.tif 000007
【図６】
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