(57)【要約】【課題】本発明は、貯蔵キャパシター形成工程を単純化し、ＴＦＴの特性及び信頼性低下を防止することができる有機発光表示装置を開示する。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、基板、基板の一部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔てて配置されるアクティブ層とゲート電極とを含む薄膜トランジスタ、及び基板の他の部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔ててアクティブ層と同一な平面上に配置される第１電極と、ゲート電極と同一な平面上に配置される第２電極とを含む貯蔵キャパシターを含み、アクティブ層と第１電極が真性ポリシリコン膜からなる。【選択図】図２
2007323044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板の一部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔てて配置されるアクティブ層とゲート電極を含む薄膜トランジスタ；
前記基板の他の部分の上に形成され、前記ゲート絶縁膜を隔てて前記アクティブ層と同一な平面上に配置される第１電極と、前記ゲート電極と同一な平面上に配置される第２電極とを含む貯蔵キャパシター；及び
前記薄膜トランジスタの上に形成される発光素子；
を含み、
前記アクティブ層と前記第１電極が真性ポリシリコン膜からなる、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記真性ポリシリコン膜が１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記アクティブ層と前記第１電極が、各々前記ゲート電極と前記第２電極の下に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記発光素子が、第１電極、有機発光層、及び第２電極が順に積層された構造を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜が、シリコン窒化物とシリコン酸化物が順に積層された構造を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
ＰＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第１領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第２領域が定義された基板を用意する段階；
前記基板上に真性ポリシリコン膜を形成する段階；
前記真性ポリシリコン膜をパターニングして前記第１領域にアクティブ層を形成し、前記第２領域に第１電極を形成する段階；
前記アクティブ層及び前記第１電極を覆うように、前記基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成する段階；
前記アクティブ層及び前記第１電極に対応する前記ゲート絶縁膜の上に、ゲート電極と第２電極を各々形成する段階；及び
前記アクティブ層の両側にＰ＋不純物領域を形成する段階；
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記真性ポリシリコン膜が１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する、請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記真性シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着によって非晶質シリコン膜を蒸着し、アニーリングを行って形成する、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記アニーリングは、炉アニーリング又はエキシマレーザーアニーリング（ＥＬＡ）で遂行する、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層を順に蒸着して形成する、請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
第１導電型の第１ＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第１領域、前記第１導電型と反対の第２導電型の第２ＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第２領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第３領域が定義された基板を用意する段階；
前記基板上に真性ポリシリコン膜を形成する段階；
前記真性ポリシリコン膜をパターニングして、前記第１領域及び第２領域に第１及び第２アクティブ層を各々形成し、前記第３領域に第１電極を形成する段階；
前記第１及び第２アクティブ層と前記第１電極を覆うように、前記基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成する段階；
前記第１及び第２アクティブ層に対応する前記ゲート絶縁膜に第１及び第２ゲート電極を各々形成し、前記第１電極に対応する前記ゲート絶縁膜の上に第２電極を形成する段階；
前記第１アクティブ層の両側に第１導電型不純物領域を形成する段階；及び
前記第２アクティブ層の両側に第２導電型不純物領域を形成する段階；
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記真性ポリシリコン膜が１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記真性シリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着によって非晶質シリコン膜を蒸着し、アニーリングを行って形成する、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アニーリングは、炉アニーリング又はエキシマレーザーアニーリング（ＥＬＡ）で遂行する、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層を順に蒸着して形成する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１導電型がＮ型であれば前記第２導電型はＰ型であり、前記第１導電型がＰ型であれば前記第２導電型はＮ型である、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に係り、より詳しくは、貯蔵キャパシターを備えた有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置及び液晶表示装置のような表示装置は、大きな体積と高電圧を必要とする陰極線管と異なり、厚さが薄く、低電圧で動作する長所があって、次世代表示装置として幅広く使用されている。
【０００３】
特に、有機発光表示装置は、有機物質に陽極（anode）と陰極（cathode）を通して注入された電子と正孔とが再結合（recombination）して励起子（exciton）を形成し、形成された励起子からのエネルギーによって、特定の波長の光が発生する現象を利用した自体発光型表示装置である。したがって、有機発光表示装置は、バックライトのような別途の光源が要求されないため、液晶表示装置に比べて消費電力が低いだけでなく、広視野角及び速い応答速度の確保が容易であるという長所があって、次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
有機発光表示装置は、駆動方式によって受動駆動型（passive matrix type）と能動駆動型（active matrix type）とに区分されるが、最近は、低い消費電力、高精細、速い応答速度、広視野角及び薄形化実現の可能な能動駆動型が主に適用されている。
【０００５】
このような能動駆動型有機発光表示装置では、基板に、画像表現の基本単位である画素（pixel）がマトリックス形態に配列され、各々の画素ごとに赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を表す各々の有機物質からなる発光層を隔てて、陽極の第１電極と陰極の第２電極が順に形成された発光素子が配置される。そして、各画素ごとに発光素子に接続して、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）と貯蔵キャパシターが形成され、画素を独立的に制御する。
【０００６】
貯蔵キャパシターは通常、ＴＦＴの製造時に同時に形成することができ、一例として、貯蔵キャパシターの第１電極と第２電極は、各々ＴＦＴのアクティブ層とゲート電極形成時に同時に形成することができる。この時、アクティブ層は、主に基板上に非晶質シリコン膜を蒸着し、これを６００℃以下の低温で結晶化して形成されたポリシリコン膜からなり、貯蔵キャパシターの第１電極は、Ｎ＋不純物がドーピングされたポリシリコン膜からなる。
【０００７】
しかし、前述の有機発光表示装置がＰチャンネルＭＯＳ（以下、ＰＭＯＳと称する）ＴＦＴのみを備えた場合には、貯蔵キャパシターの第１電極に、Ｎ＋不純物をドーピングするための別途のドーピングマスク工程が付加されなければならないため、製造工程が複雑になり、製造費用が高くなる問題がある。
【０００８】
反面、前述の有機発光表示装置が相補型ＭＯＳ（以下、ＣＭＯＳと称する）ＴＦＴを備えた場合には、ＮチャンネルＭＯＳ（以下、ＮＭＯＳと称する）ＴＦＴのＮ＋ソース及びドレーン領域の形成時、貯蔵キャパシターの第１電極にＮ型不純物を同時にドーピングできるので、別途のドーピングマスク工程は付加されない。しかし、ＮＭＯＳＴＦＴのソース及びドレーン領域形成のためのＮ＋不純物ドーピング工程と、第１電極に対するＮ＋不純物ドーピング工程を、ゲート電極を形成する前に行わなければならないため、ゲート電極形成時、ドーピングされたＮ＋不純物の望ましくない拡散が発生する可能性が高く、ＴＦＴの特性及び信頼性低下が引き起こされる恐れがある。その結果、有機発光表示装置の表示品質が低下するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は前述のような従来技術の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、貯蔵キャパシターの工程を単純化しながら、ＴＦＴの特性及び信頼性低下を防止できる有機発光表示装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述の本発明の目的を達成するために本発明は、基板、基板の一部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔てて配置されるアクティブ層とゲート電極とを含む薄膜トランジスタ、及び基板の他の部分の上に形成され、ゲート絶縁膜を隔ててアクティブ層と同一な平面上に配置される第１電極と、ゲート電極と同一な平面上に配置される第２電極とを含む貯蔵キャパシターを含み、アクティブ層と第１電極が真性ポリシリコン膜からなる有機発光表示装置を提供する。
【００１２】
ここで、真性ポリシリコン膜は、１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有することができる。
【００１３】
また、薄膜トランジスタの上に発光素子がさらに形成されることができ、発光素子は、第１電極、有機発光層、及び第２電極が順に積層された構造を有することができる。
【００１４】
また、アクティブ層と第１電極が、各々ゲート電極と第２電極の下に位置することができる。
【００１５】
また、ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層が順に積層された構造を有することができる。
【００１６】
前記の目的を達成するために、本発明は、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第１領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第２領域が定義された基板を用意し、基板上に真性ポリシリコン膜を形成し、真性ポリシリコン膜をパターニングして、第１領域にアクティブ層を形成し、第２領域に第１電極を形成し、アクティブ層及び第１電極を覆うように、基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成し、アクティブ層上のゲート絶縁膜にゲート電極を形成し、第１電極上に第２電極を形成し、アクティブ層の両側にＰ＋不純物領域を形成する段階を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１７】
前記の目的を達成するために本発明は、第１導電型の第１ＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第１領域、第１導電型と反対の第２導電型の第２ＭＯＳ薄膜トランジスタが形成される第２領域、及び貯蔵キャパシターが形成される第３領域が定義された基板を用意し、基板上に真性ポリシリコン膜を形成し、真性ポリシリコン膜をパターニングして、第１領域及び第２領域に第１及び第２アクティブ層を各々形成し、第３領域に第１電極を形成し、第１及び第２アクティブ層と第１電極を覆うように、基板の前面の上にゲート絶縁膜を形成し、第１及び第２アクティブ層上のゲート絶縁膜に第１及び第２ゲート電極を各々形成し、第１電極上に第２電極を形成し、第１アクティブ層の両側に第１導電型の不純物領域を形成し、第２アクティブ層の両側に第２導電型の不純物領域を形成する段階を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１８】
ここで、真性ポリシリコン膜は、１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有することができる。
【００１９】
また、真性ポリシリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって非晶質シリコン膜を蒸着し、炉アニーリング又はエキシマレーザーアニーリング（ＥＬＡ）などのアニーリングを行って形成することができる。
【００２０】
また、ゲート絶縁膜は、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層を順に蒸着して形成することができる。
【００２１】
また、第１導電型がＮ型であれば前記第２導電型はＰ型であり、第１導電型がＰ型であれば第２導電型はＮ型であることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による有機発光表示装置の製造方法は、貯蔵キャパシターの第１電極を真性ポリシリコンで形成して、第１電極に対する不純物ドーピング工程を省略することができる。
【００２３】
したがって、貯蔵キャパシター形成工程を単純化することができ、ＴＦＴの特性及び信頼性低下を防止することができるので、有機発光表示装置の表示品質を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は色々な相違した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限られない。
【００２５】
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による有機発光表示装置を説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図であり、図２は、図１の画素を示す部分断面図である。
【００２７】
図１を参照すれば、基板１１０に、実際の発光及び表示が行われる画素領域（Ａ１）が形成され、画素領域（Ａ１）の周辺に非画素領域（Ａ２）が形成される。画素領域（Ａ１）に画素がマトリックス形態に配列され、非画素領域（Ａ２）に、画素のスキャンライン（ＳＬ１）を駆動するスキャンライン駆動部１３０と、データライン（ＤＬ１）を駆動するデータライン駆動部１４０が各々形成される。
【００２８】
基板１１０は、ガラスやプラスチックのような絶縁材質又はステンレススチールのような金属材質からなることができ、金属材質からなる場合、基板１１０の上に絶縁膜をさらに形成することができる。
【００２９】
一例として、画素は、ＰＭＯＳの第１及び第２ＴＦＴ（Ｔ１、Ｔ２）、１個の貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）、及び発光素子（Ｌ１）からなることができるが、画素を成すＴＦＴと貯蔵キャパシターの構成はこれに限られない。
【００３０】
画素において、第１ＴＦＴ（Ｔ１）は、スキャンライン（ＳＬ１）及びデータライン（ＤＬ１）に各々連結され、スキャンライン（ＳＬ１）から入力されるスイッチング電圧に応じて、データライン（ＤＬ１）から入力されるデータ電圧を第２ＴＦＴ（Ｔ２）に伝送し、貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）は、第１ＴＦＴ（Ｔ１）及び電源ライン（ＶＤＤ）に各々連結されて、第１ＴＦＴ（Ｔ１）から伝送される電圧と電源ライン（ＶＤＤ）に供給される電圧との差に相当する電圧（Ｖｇｓ）を貯蔵する。第２ＴＦＴ（Ｔ２）は、電源ライン（ＶＤＤ）及び貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）に各々連結されて、貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）に貯蔵された電圧（Ｖｇｓ）と敷居電圧（Ｖｔｈ）との差の自乗に比例する出力電流（Ｉｄ）を発光素子（Ｌ１）に供給し、発光素子（Ｌ１）が出力電流（Ｉｄ）によって発光する。この時、出力電流（Ｉｄ）は、下記の［数式１］に示すことができ、［数式１］においてβは比例定数を示す。
【００３１】
［数式１］
Ｉｄ＝（β/２×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２
【００３２】
図２を参照して、画素のＴＦＴ（Ｔ２）、貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）、及び発光素子（Ｌ１）の構成をより詳しく説明する。
【００３３】
基板１１０の上にバッファー層１２０が形成され、バッファー層１２０の上にソース及びドレーン領域２１１、２１２、及びこれらの間のチャンネル領域２１３を含むアクティブ層２１０と、第１電極２１５とが各々形成される。アクティブ層２１０と第１電極２１５を覆うように、基板１１０の全面の上にゲート絶縁膜２２０が形成され、アクティブ層２１０のチャンネル領域２１３に対応して、ゲート絶縁膜２２０の上にゲート電極２３０が形成される。第１電極２１５に対応して、ゲート絶縁膜２２０の上に第２電極２３５が形成されて貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）を構成する。ゲート電極２３０及び貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）を覆うように、ゲート絶縁膜２２０の上に層間絶縁膜２４０が形成される。層間絶縁膜２４０の上に、ゲート絶縁膜２２０及び層間絶縁膜２４０に備えられた第１接触孔２２１、２４１と第２接触孔２２２、２４２を介してソース及びドレーン領域２１１、２１２と電気的に連結されるソース及びドレーン電極２５１、２５２が形成されて、ＴＦＴ（Ｔ２）を構成する。ソース電極２５１は、層間絶縁膜２４０に備えられた第３接触孔２４３を介して、キャパシター（Ｃｓｔ）の第２電極２３５とも電気的に連結される。
【００３４】
ここで、バッファー層１２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）層とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層の積層構造を有することができる。
【００３５】
アクティブ層２１０と第１電極２１５は、１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する真性（intrinsic）ポリシリコン層からなることができ、アクティブ層２１０のソース及びドレーン領域２１１、２１２は、Ｐ＋不純物でドーピングされることができる。
【００３６】
前述の範囲の抵抗を有する真性ポリシリコン層は、単結晶シリコン層とは違って、シリコン内の結晶粒系及び界面に存在する多くの欠陥が浅いレベルのエネルギーを有していて、少ないエネルギーだけでもフリーキャリアとして作用できるので、貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）の第１電極２１５に適用されることができる。
【００３７】
図３は、１００ＫＨｚの高周波領域で測定される本実施例の貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）のキャパシタンス（Ｓ１）と、１ＭＨｚ以上の高周波領域で測定される比較例の貯蔵キャパシターのキャパシタンス（Ｓ２）を示したものであって、本実施例の貯蔵キャパシターが反転したキャパシタンスを有することが分かる。
【００３８】
ゲート絶縁膜２２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層が順に積層された構造を有し、この場合、シリコン窒化物層は約４００Å程度の厚さを有することができ、シリコン酸化物層は約８００Å程度の厚さを有することができる。
【００３９】
ゲート電極２３０と第２電極２３５は同一な物質からなることができ、一例として、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ/Ｃｒのような金属層からなることができる。
【００４０】
ソース電極及びドレーン電極２５１、２５２は、Ｔｉ/Ａｌ、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉのような金属からなることができる。
【００４１】
一方、ＴＦＴ（Ｔ２）を覆うように、層間絶縁膜２４０の上に平坦化膜３６０が形成され、平坦化膜３６０の上に第１電極３１０、有機発光層３３０、及び第２電極３４０が順に積層された構造を有する発光素子（Ｌ１）が形成される。第１電極３１０は、平坦化膜３６０に備えられたビアホール２６１を介してＴＦＴ（Ｔ２）のドレーン電極２５２と電気的に連結される。
【００４２】
発光素子（Ｌ１）の第１電極３１０は、画素定義膜３２０によって隣接した画素の第１電極（図示せず）と電気的に分離され、画素定義膜３２０に備えられた開口部３２１を介して有機発光層３３０と接触する。
【００４３】
第１電極３１０及び第２電極３２０は、各々ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、Ａｌ、Ｍｇ−Ａｇ、Ｃａ、Ｃａ/Ａｇ、Ｂａのうちの一つ又はそれ以上の物質からなることができる。
【００４４】
有機発光層３３０は、低分子有機物又は高分子有機物からなることができ、場合によって、正孔注入層（hole  injection  layer；ＨＩＬ）、正孔輸送層（hole transport layer；ＨＴＬ）、電子注入層（electron injection layer；ＥＩＬ）、及び電子輸送層（electron transport layer；ＥＴＬ）をさらに備えることができる。
【００４５】
また、図１に詳細に示されてはいないが、非画素領域（Ａ２）のスキャンライン駆動部１３０とデータライン駆動部１４０は、各々複数のＰＭＯＳ ＴＦＴ又はＣＭＯＳ ＴＦＴからなることができる。
【００４６】
次に、図４Ａ乃至図４Ｃを参照して、本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第１方法を説明する。第１方法は、有機発光表示装置がＰＭＯＳ ＴＦＴのみを備えた場合を示し、図４Ａ乃至図４Ｃは、画素領域（Ａ１）の貯蔵キャパシター領域とＰＭＯＳ ＴＦＴ領域のみを示す。
【００４７】
図４Ａを参照すれば、基板１１０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）層とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層の積層構造を有するバッファー層１２０を形成する。その次、バッファー層１２０の上に、１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する真性ポリシリコン膜を蒸着し、これをパターニングしてＰＭＯＳ ＴＦＴ領域にアクティブ層２１０を形成し、貯蔵キャパシター領域に第１電極２１５を形成する。
【００４８】
ここで、真性ポリシリコン膜は、プラズマ強化化学気相蒸着（plasma enhanced chemical vapor deposition；ＰＥＣＶＤ、以下、ＰＥＣＶＤと称する）によってバッファー層１２０の上に非晶質シリコン膜を蒸着し、これを炉アニーリングやエキシマレーザーアニーリング（以下、ＥＬＡと称する）などのアニーリングを行って形成することができる。この時、バッファー層１２０によって基板１１０に存在する不純物が溶出して非晶質シリコンへ拡散することが遮断できる。
【００４９】
その後、アクティブ層２１０と第１電極２１５を覆うように、基板１１０の前面の上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層を順に蒸着して形成することができ、この場合、シリコン窒化物層は約４００Å程度の厚さに蒸着し、シリコン酸化物層は約８００Å程度の厚さに蒸着することができる。
【００５０】
図４Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜２２０の上にＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ/Ｃｒのような金属膜を蒸着し、これをパターニングして、アクティブ層２１０の中央の部分、つまり、チャンネル領域２１３（図４Ｃ参照）に対応するゲート電極２３０を形成すると同時に、第１電極２１５に対応する第２電極２３５を形成する。これにより、基板１００の画素領域（Ａ１）に貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ、図２参照）が形成される。
【００５１】
図４Ｃを参照すれば、マスク工程及びイオン注入工程によって、アクティブ層２１０の両側にＰ＋不純物をドーピングして、Ｐ＋ソース及びドレーン領域２１１、２１２を形成する。
【００５２】
その後、公知の方法によって、層間絶縁膜２４０（図２参照）、ソース及びドレーン電極２５１、２５２（図２参照）、平坦化膜３６０（図２参照）、画素定義膜３２０（図２参照）、及び発光素子（Ｌ１）などを各々形成する。
【００５３】
このように貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）の第１電極２１５を真性ポリシリコン層で形成すれば、第１電極２１５に対する別途のドーピング工程を省略できるので、有機発光表示装置の製造工程を単純化することができる。
【００５４】
次に、図５Ａ乃至図５Ｄを参照して、本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第２方法を説明する。第２方法は、有機発光表示装置がＣＭＯＳ ＴＦＴを備えた場合を示し、図５Ａ乃至図５Ｄは、画素領域（Ａ１）の貯蔵キャパシター領域及びＰＭＯＳ ＴＦＴ領域と非画素領域（Ａ２）のＮＭＯＳ ＴＦＴ領域のみを示す。
【００５５】
図５Ａを参照すれば、基板１１０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）の積層構造を有するバッファー層１２０を形成する。その次、バッファー層１２０の上に、１×１０８乃至１×１０１１Ω程度の抵抗を有する真性ポリシリコン膜を形成し、これをパターニングして、ＰＭＯＳ ＴＦＴ領域とＮＭＯＳ ＴＦＴ領域にアクティブ層２１０、２１６を各々形成し、貯蔵キャパシター領域に第１電極２１５を形成する。
【００５６】
ここで、真性ポリシリコン膜は、ＰＥＣＶＤによって非晶質シリコン膜を蒸着し、これを炉アニーリングやＥＬＡなどのアニーリングを行って形成することができ、この時、バッファー層１２０によって基板１１０に存在する不純物が溶出して非晶質シリコンへ拡散することが遮断さできる。
【００５７】
その後、アクティブ層２１０、２１６と第１電極２１５を覆うように、基板１１０の前面の上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）とシリコン酸化物（ＳｉＯ２）を順に蒸着して形成することができ、この場合、シリコン窒化物は約４００Å程度の厚さに蒸着し、シリコン酸化物は約８００Å程度の厚さに蒸着することができる。
【００５８】
図５Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜２２０の上に、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ/Ｃｒのような金属膜を蒸着し、これをパターニングして、アクティブ層２１０、２１６の中央の部分、つまり、チャンネル領域２１３、２１９（図４Ｃ参照）に対応するゲート電極２３０、２３６を各々形成すると同時に、第１電極２１５に対応する第２電極２３５を形成する。これにより、基板１００の画素領域（Ａ１）に貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ、図２参照）が形成される。
【００５９】
図５Ｃを参照すれば、マスク工程及びイオン注入工程によって、ＮＭＯＳ ＴＦＴ領域のアクティブ層２１６の両側にＮ＋不純物をドーピングして、Ｎ＋ソース及びドレーン領域２１７ａ、２１７ｂを形成する。
【００６０】
図５Ｄを参照すれば、マスク工程及びイオン注入工程により、ＰＭＯＳ ＴＦＴ領域のアクティブ層２１０の両側にＰ＋不純物をドーピングして、Ｐ＋ソース及びドレーン領域２１１、２１２を形成する。その次、マスク工程及びイオン注入工程により、ＮＭＯＳ ＴＦＴ領域のＮ＋ソース及びドレーン領域２１７ａ、２１７ｂ内側にＬＤＤ領域２１８ａ、２１８ｂを形成する。
【００６１】
本実施例では、Ｎ＋ソース及びドレーン領域２１７ａ、２１７ｂを形成した後、Ｐ＋ソース及びドレーン領域２１１、２１２を形成したが、Ｐ＋ソース及びドレーン領域２１１、２１２を形成した後、Ｎ＋ソース及びドレーン領域２１７ａ、２１７ｂを形成することもできる。
【００６２】
その次、公知の方法によって、層間絶縁膜２４０（図２参照）、ソース及びドレーン電極２５１、２５２（図２参照）、平坦化膜３６０（図２参照）、画素定義膜３２０（図２参照）、及び発光素子（Ｌ１）などを各々形成する。
【００６３】
このように貯蔵キャパシター（Ｃｓｔ）の第１電極２１５を真性ポリシリコン層で形成すれば、第１電極２１５に対する別途のドーピング工程を省略することができる。したがって、有機発光表示装置がＣＭＯＳ ＴＦＴを含んでも、ゲート電極２３０、２３６を形成した後でＮ＋不純物ドーピングを行うことができる。その結果、Ｎ＋不純物の望ましくない拡散を抑制することができるので、ＴＦＴの特性及び信頼性低下を防止することができる。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施例による有機発光表示装置を概略的に示した図である。
【図２】本発明の実施例による有機発光表示装置の画素を示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施例による有機発光表示装置を成す貯蔵キャパシターのキャパシタンスと、比較例のキャパシタンスとを示すグラフである。
【図４Ａ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第１方法を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第１方法を説明するための断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第１方法を説明するための断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第２方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第２方法を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第２方法を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施例による有機発光表示装置を製造するための第２方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
Ａ１  画素領域
Ａ２  非画素領域
ＤＬ１  データライン
ＳＬ１  スキャンライン
Ｔ１、Ｔ２  ＴＦＴ
Ｃｓｔ  貯蔵キャパシター
Ｌ１  発光素子
ＶＤＤ  電源ライン
１１０  基板
１２０  バッファー層
１３０  スキャンライン駆動部
１４０  データライン駆動部
２１０、２１６  アクティブ層
２１１、２１２  Ｐ＋ソース及びドレーン領域
２１３、２１９  チャンネル領域
２１７ａ、２１７ｂ  Ｎ＋ソース及びドレーン領域
２１８ａ、２１８ｂ  ＬＤＤ領域
２１５  貯蔵キャパシターの第１電極
２２０  ゲート絶縁膜
２２１、２２２、２４１、２４２  接触孔
２３０、２３６  ゲート電極
２３５  貯蔵キャパシターの第２電極
２４０  層間絶縁膜
２５１、２５２  ソース及びドレーン電極
２６１  ビアホール
３１０  発光素子の第１電極
３２０  画素定義膜
３２１  開口部
３３０  有機発光層
３４０  発光素子の第２電極
３６０  平坦化膜
Ｃｓｔ  貯蔵キャパシター
Ｌ１  発光素子
Ｔ１、Ｔ２  ＴＦＴ
Ａ１  画素領域
Ａ２  非画素領域
ＤＬ１  データライン
ＳＬ１  スキャンライン
ＶＤＤ  電源ライン
【図１】
2007323044.tif 000003
【図２】
2007323044.tif 000004
【図３】
2007323044.tif 000005
【図４Ａ】
2007323044.tif 000006
【図４Ｂ】
2007323044.tif 000007
【図４Ｃ】
2007323044.tif 000008
【図５Ａ】
2007323044.tif 000009
【図５Ｂ】
2007323044.tif 000010
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
2007323044.tif 000012