(57)【要約】【課題】液的吐出手段を用いてシール材、封止材を基板に塗布した際、塗布後、シール材、封止材が各塗布領域から流出するのを防ぐことにより、表示不良を防止する他、シール材により規定される両基板間のギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止する液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板と、対向基板とをシール材を介して対向配置させ、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在された液晶装置の製造方法において、ＴＦＴ基板と対向基板との少なくとも一方の液晶に接する面であって、シール材の塗布領域を規定する特定領域に、シール材の漏れ防止加工を行う工程（ステップＳ１）と、漏れ防止加工が施された一方の前記基板であって、有効画素領域外のシール材の塗布領域に、液状のシール材を液滴吐出手段によって塗布する工程（ステップＳ２）とを具備することを特徴とする。【選択図】図４
2007025189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板とをシール材を介して対向配置させ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された液晶装置の製造方法において、
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記液晶に接する面であって、前記シール材の塗布領域を規定する特定領域に、前記シール材の漏れ防止加工を行う工程と、
前記漏れ防止加工が施された一方の前記基板であって、前記有効画素領域外の前記シール材の前記塗布領域に、液状の前記シール材を液滴吐出手段によって塗布する工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記漏れ防止加工は、撥液加工であり、前記特定領域は、少なくとも前記シール材の塗布領域と前記有効画素領域外との間に形成された第１の領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記特定領域は、さらに、前記シール材の塗布領域と前記撥液加工が施される一方の前記基板の外周縁との間に形成された第２の領域であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記撥液加工は、撥液プラズマの照射工程と、撥液材の塗布工程と、紫外線の照射工程と、パターニングによる隔壁層形成工程とのいずれか１つの工程であることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記特定領域は、前記シール材の塗布領域であり、前記漏れ防止加工は、親液加工であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記シール材の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記シール材を塗布する工程は、液晶注入口を形成するようシール材の一部を切り欠いて周状に塗布する工程であり、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記シール材を介して貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記シール材によって囲まれた領域に、前記液晶注入口から前記液晶を注入する工程と、
前記液晶注入口を封止する封止材の塗布領域または該塗布領域外であって前記液晶の注入側に、前記封止材の漏れ防止加工を行う工程と、
前記封止材の塗布領域に、液状の前記封止材を液滴吐出手段により塗布することにより、前記封止材により前記液晶注入口を封止する工程と、
をさらに具備していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止材の漏れ防止加工は、撥液加工であり、該撥液加工は、前記封止材の塗布領域外であって前記液晶の注入側に施されることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記封止材の漏れ防止加工は、親液加工であり、該親液加工は、前記封止材の塗布領域に施されることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記シール材を塗布する工程は、前記シール材を環状に塗布する工程であり、
前記第１の基板と前記第２の基板とのいずれか一方の前記シール材により囲まれた領域に、前記液晶を滴下する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板とをシール材を介して対向配置させ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された液晶装置において、
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記液晶に接する面であって、前記シール材の塗布領域を規定する特定領域に、前記シール材の漏れ防止加工が施されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
前記漏れ防止加工は、撥液加工であり、前記特定領域は、少なくとも前記有効画素領域の外の前記シール材の塗布領域と前記有効画素領域外との間に形成された第１の領域であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記特定領域は、さらに、前記シール材の塗布領域と前記撥液加工が施される一方の前記基板の外周縁との間に形成された第２の領域であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装置。
【請求項１４】
前記特定領域は、前記シール材の塗布領域であり、前記漏れ防止加工は、親液加工であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と第２の基板とをシール材を介して対向配置させ、第１の基板と第２の基板との間に液晶が介在された液晶装置の製造方法、液晶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持された液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置した素子基板と、この素子基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造され、その後、パネル組立工程においてシール材を介して高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。
【０００４】
この両基板間に液晶を介在させるには、両基板が規定の間隔で高精度に貼り合わされた後、周状のシール材の切欠部から両基板間に液晶が封入される液晶封入方式や、一方の基板にシール材が環状に描画され、該基板の環状のシール材で囲まれた面上に液晶が規定量滴下された後、一方の基板に他方の基板が貼り合わされる液晶滴下方式等がある。
【０００５】
ここで、このパネル組立工程を詳しく説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された素子基板と対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が施される。
【０００６】
一方、液晶封入方式により、素子基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、素子基板と対向基板との一方の基板上のシール材塗布領域に接着剤となるシール材が、一部に切り欠きを有するよう周状に塗布され、このシール材が用いられて素子基板と対向基板とが貼り合わされ、次いでアライメントが施されて圧着硬化された後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶が封入され、最後に切り欠きが封止材により封止されるといった手法が用いられている。
【０００７】
他方、液晶滴下方式により、素子基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、上述したラビング処理後の素子基板または対向基板上のシール材塗布領域に、接着剤となるシール材が規定の高さに環状に塗布され、この環状のシール材に囲まれた基板上に、規定量の液晶が滴下される。その後他方の基板が、シール材が塗布された基板に対向して貼り合わされ、アライメントが施されながら圧着硬化されることにより液晶が両基板間に介在されるといった手法が用いられている。尚、液晶滴下方式の場合は、必要な真空下で行われ、両基板間への気泡混入が防止される。
【０００８】
ここで、上述したシール材を素子基板と対向基板との一方のシール材塗布領域に塗布する工程は、液晶注入方式と液晶滴下方式とのいずれにおいても、既知のディスペンサを用いた描画や、ハンドワークによる塗布作業により行われるのが一般的である。また、このことは、液晶注入方式において、封止材を封止材塗布領域に塗布する場合も同様である。
【０００９】
しかしながら、これらの塗布方法では、シール材及び封止材の使用量が多くなってしまうばかりか、液晶装置を複数製造した際、製造された複数の液晶装置間で、シール材及び封止材の塗布量がばらつくため、具体的には、シール材のシール幅がばらつくため、シール材により規定される素子基板と対向基板とのギャップ制御が難しくなる場合があった。
【００１０】
このような事情に鑑み、例えば特許文献１では、インクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段により、液晶滴下方式の場合はシール材、液晶注入方式の場合はシール材及び封止材を素子基板と対向基板とのいずれか一方の基板の各塗布領域に、非接触で塗布することにより、製造された複数の液晶装置間で、シール材や封止材の塗布量がばらつくのを防止する技術の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００１−１８８２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に開示されたように、インクジェットによりシール材や封止材を、素子基板と対向基板とのいずれか一方の基板の各塗布領域に塗布するには、シール材及び塗布材に、インクジェットの吐出孔から吐出出来る程度の低粘度の液体材料を用いなければならないため、塗布後、液状のシール材や塗布材が、各塗布領域から周辺領域に流出してしまう場合があった。
【００１２】
具体的には、液状のシール材や塗布材が各塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、液晶中に侵入して表示不良を発生させてしまう他、各塗布領域から基板外に流れ出してしまう場合があり、シール材によって規定される素子基板と対向基板とのギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまう場合があった。
【００１３】
本発明の目的は上記事情に着目してなされたものであり、液的吐出手段を用いてシール材、封止材を素子基板または対向基板に塗布した際、塗布後、シール材、封止材が各塗布領域から流出するのを防ぐことにより、表示不良を防止する他、シール材により規定される両基板間のギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止する液晶装置の製造方法、液晶装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板とをシール材を介して対向配置させ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された液晶装置の製造方法において、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記液晶に接する面であって、前記シール材の塗布領域を規定する特定領域に、前記シール材の漏れ防止加工を行う工程と、前記漏れ防止加工が施された一方の前記基板であって、前記有効画素領域外の前記シール材の前記塗布領域に、液状の前記シール材を液滴吐出手段によって塗布する工程と、を具備することを特徴とする。また、前記漏れ防止加工は、撥液加工であり、前記特定領域は、少なくとも前記シール材の塗布領域と前記有効画素領域外との間に形成された第１の領域であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液状のシール材をシール材塗布領域に塗布した際、該シール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまうことを撥液加工により防止することができる。
【００１６】
さらに、前記特定領域は、さらに、前記シール材の塗布領域と前記撥液加工が施される一方の前記基板の外周縁との間に形成された第２の領域であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液状のシール材をシール材塗布領域に塗布した際、該シール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材が基板外に流れてしまうことを撥液加工により防止できるため、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００１８】
また、前記撥液加工は、撥液プラズマの照射工程と、撥液材の塗布工程と、紫外線の照射工程と、パターニングによる隔壁層形成工程とのいずれか１つの工程であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、確実に上述した第１の領域及び第２の領域に撥液加工を施すことができるため、シール材塗布領域から周辺へのシール材の流出を撥液加工により確実に防止することができ、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが、複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００２０】
さらに、前記特定領域は、前記シール材の塗布領域であり、前記漏れ防止加工は、親液加工であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液状のシール材をシール材塗布領域に塗布した際、該シール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材が基板外に流出してしまうことを、親液加工により防止することができるため、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００２２】
また、前記シール材の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする。
【００２３】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、確実にシール材塗布領域に、液滴吐出手段を用いてシール材を塗布することができる。
【００２４】
さらに、前記シール材を塗布する工程は、液晶注入口を形成するようシール材の一部を切り欠いて周状に塗布する工程であり、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記シール材によって囲まれた領域に、前記液晶注入口から前記液晶を注入する工程と、前記液晶注入口を封止する封止材の塗布領域または該塗布領域外であって前記液晶の注入側に、前記封止材の漏れ防止加工を行う工程と、前記封止材の塗布領域に、液状の前記封止材を液滴吐出手段により塗布することにより、前記封止材により前記液晶注入口を封止する工程と、をさらに具備していることを特徴とする。
【００２５】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液晶注入方式を用いた場合に、封止材で液晶注入口を封止する前に、液晶注入口を封止する封止材の塗布領域または該塗布領域外であって液晶の注入側に封止材の漏れ防止加工を行うことにより、液状の封止材が封止材塗布領域から周辺領域に流れてしまうことを漏れ防止加工により防止できる。
【００２６】
また、前記封止材の漏れ防止加工は、撥液加工であり、該撥液加工は、前記封止材の塗布領域外であって前記液晶の注入側に施されることを特徴とする。
【００２７】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、封止材で液晶注入口を封止する前に、液晶注入口を封止する封止材の塗布領域外であって液晶の注入側に、封止材の撥液加工を行うことにより、液状の封止材が封止材塗布領域から周辺領域に流れてしまうことを撥液加工により防止できる。
【００２８】
さらに、前記封止材の漏れ防止加工は、親液加工であり、該親液加工は、前記封止材の塗布領域に施されることを特徴とする。
【００２９】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、封止材で液晶注入口を封止する前に、液晶注入口を封止する封止材の塗布領域に、封止材の親液加工を行うことにより、液状の封止材が封止材塗布領域から周辺領域に流れてしまうことを親液加工により防止できる。
【００３０】
また、前記シール材を塗布する工程は、前記シール材を環状に塗布する工程であり、前記第１の基板と前記第２の基板とのいずれか一方の前記シール材により囲まれた領域に、前記液晶を滴下する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、をさらに具備することを特徴とする。
【００３１】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液晶滴下方式を用いた場合であっても、液状のシール材をシール材塗布領域に塗布した際、該シール材が、表示領域となる有効画素領域に流れ込み表示不良を発生させる他、シール材が基板外に流れてしまうことを漏れ防止加工により防止できるため、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００３２】
本発明に係る液晶装置は、第１の基板と、該第１の基板に対向する第２の基板とをシール材を介して対向配置させ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された液晶装置において、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記液晶に接する面であって、前記シール材の塗布領域を規定する特定領域に、前記シール材の漏れ防止加工が施されていることを特徴とする。また、前記漏れ防止加工は、撥液加工であり、前記特定領域は、少なくとも前記有効画素領域の外の前記シール材の塗布領域と前記有効画素領域外との間に形成された第１の領域であることを特徴とする。
【００３３】
本発明の液晶装置によれば、液状のシール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００３４】
また、前記特定領域は、さらに、前記シール材の塗布領域と前記撥液加工が施される一方の前記基板の外周縁との間に形成された第２の領域であることを特徴とする。
【００３５】
本発明の液晶装置によれば、液状のシール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材が基板外に流出してしまうことを施された撥液加工により防止できるため、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【００３６】
さらに、前記特定領域は、前記シール材の塗布領域であり、前記漏れ防止加工は、親液加工であることを特徴とする。
【００３７】
本発明の液晶装置によれば、液状のシール材が、シール材塗布領域から表示領域となる有効画素領域に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材が基板外に流出してしまうことを親液加工により防止することができる。よって、シール材によって規定される第１の基板と第２の基板とのギャップが複数製造された液晶装置間でばらついてしまうのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施では、液晶装置は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子が形成された第１の基板である素子基板及び該素子基板に対向配置される第２の基板である対向基板を用いた液晶装置を例に挙げて説明する。
【００３９】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の製造方法によって製造される液晶装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施の形態を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図、図３は、図１の素子基板上の画素を構成する素子の等価回路を示す図である。
【００４０】
同図に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４１】
ＴＦＴ基板１０の基板上に、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９（図２参照）等がマトリクス状に配置され、液晶５０と接する面側となる表面１０ａに、液晶装置１の表示領域となる有効画素領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域となる有効画素領域１０ｈが構成されている。
【００４２】
詳しくは、図３に示すように、有効画素領域１０ｈにおいては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に、画素電極９がマトリクス状に複数配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してＴＦＴ素子３０が設けられている。
【００４３】
ＴＦＴ素子３０は、データ線６ａに電気的に接続された図示しないソース電極と、半導体層と、画素電極９に電気的に接続された図示しないドレイン電極とを備えている。ＴＦＴ素子３０は、走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９に供給される。この際、表示画像の焼き付き等を防止するため、各画素電極９に印加される駆動電圧の極性を、例えば画像信号におけるフィールド毎に反転させる反転駆動が行われている。この画素電極９と対向基板２０に設けられた後述する対向電極２１との間の電圧が、液晶５０に印加される。
【００４４】
また、画素電極９と並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９の電圧はソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４５】
また、対向基板２０の基板上の全面に、共通電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、共通電極２１のＴＦＴ基板１０の有効画素領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側となる表面２０ａに、液晶装置１の表示領域となる有効画素領域４０を構成する対向基板２０の表示領域となる有効画素領域２０ｈが構成されている。
【００４６】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された第１の配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された共通電極２１上にも、ラビング処理が施された第２の配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４７】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の有効画素領域１０ｈ及び対向基板２０の有効画素領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。即ち、有効画素領域１０ｈ，２０ｈは、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の画素領域において遮光膜５３により遮光されていない領域となる。シール材５２は、塗布後、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａに設けられた周状のシール材塗布領域３１（図５参照）及び対向基板２０の表面２０ａに設けられた周状のシール材塗布領域６１（図７参照）に配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４８】
シール材５２は、液晶５０が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が介在される場合は、シール材５２には液晶注入口１０８が形成されず、シール材５２は、連続的な環状に塗布されている。
【００４９】
また、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａであって、少なくともシール材塗布領域３１と有効画素領域１０ｈとの間の後述する第１の領域３２、及びシール材塗布領域３１とＴＦＴ基板１０の外周縁との間の第２の領域３３（いずれも図５参照）に、漏れ防止加工である撥液加工４２，４３（図５参照）がそれぞれ施されている。さらに、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａであって、後述する封止材塗布領域３６の注入側の領域３５（いずれも図６参照）にもコの字型の撥液加工４４が施されている。尚、撥液加工４２のみが第１の領域３２に施されていてもよい。
【００５０】
また、対向基板２０の表面２０ａであって、シール材塗布領域６１と、有効画素領域２０ｈとの間の後述する第１の領域６２、及びシール材塗布領域６１と対向基板２０の外周縁との間の第２の領域６３（いずれも図７参照）にも、撥液加工７２，７３（図７参照）がそれぞれ施されていてもよい。
【００５１】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００５２】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００５３】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５４】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が共通電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５５】
次に、このように構成された液晶装置１の製造方法について、図４〜図９を用いて説明する。図４は、図１の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図５（ａ）〜（ｃ）は、液晶注入方式におけるシール材用撥液加工工程〜液晶注入工程を示す工程図、図６（ｄ）〜（ｅ）は、液晶注入方式における封止材用撥液加工工程〜封止材塗布工程を示す工程図、図７は、図５（ｃ）のＴＦＴ基板に貼り合わされる対向基板を示す正面図である。尚、図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ｄ）〜（ｅ）の工程図は、対向基板側から見たＴＦＴ基板の平面図と、該平面図のＸ−Ｘ線に沿う断面図とから構成されている。
【００５６】
また、図８（ａ）〜（ｂ）は、液晶滴下方式におけるシール材用撥液加工工程〜シール材塗布工程を示す工程図、図９（ｃ）〜（ｄ）は、液晶滴下方式における液晶滴下工程〜基板貼り合わせ工程を示す工程図である。尚、図８（ａ）〜（ｂ）、図９（ｃ）〜（ｄ）の工程図も、対向基板側から見たＴＦＴ基板の平面図と、該平面図のＸ−Ｘ線に沿う断面図とから構成されている。
【００５７】
尚、シール材５２の塗布工程及び基板貼り合わせ工程以外の組立工程は、従来と同じであるため、説明を省略する。
【００５８】
図４に示すように、先ずステップＳ１において、第１の配向膜１６が形成されたＴＦＴ基板１０の表面１０ａと、第２の配向膜２６が形成された対向基板２０の表面２０ａとの少なくとも一方の面であって、シール材塗布領域３１を規定する特定領域に、シール材５２の漏れ防止加工である撥液加工が施される。
【００５９】
具体的には、液晶注入方式であれば、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの液晶注入口１０８が形成された周状のシール材塗布領域３１と、ＴＦＴ基板１０の有効画素領域１０ｈとの間に形成された特定領域である第１の領域３２に、シール材５２の撥液加工（以下、単に撥液加工と称す）４２が少なくとも施される。
【００６０】
また、シール材５２のＴＦＴ基板１０外への流出を防止する場合には、シール材塗布領域３１と、ＴＦＴ基板１０の外周縁との間に形成された特定領域である第２の領域３３にも、撥液加工４３が施される。
【００６１】
尚、撥液加工４２，４３は、撥液プラズマの照射工程と、撥液材の塗布工程と、紫外線の照射工程とパターンニングによる隔壁形成工程とのいずれか１つの工程によって、行われる。
【００６２】
また、撥液プラズマには、例えばＣＦ４のプラズマ処理等がある。また撥液材の塗布では、例えば各基板１０，２０や、各配向膜１６，２６等のシール材５２の下地に比較して撥液性のある材料を塗布する。
【００６３】
さらに、紫外線の照射では、例えばシール材形成領域３１，６１及び撥液領域３２，３３，６２，６３以外の領域をマスクして紫外線を照射する。また、パターンニングによる隔壁層形成では、例えばＣｒ層により、シール材形成領域３１，６１を囲むように隔壁層を形成する。また、対向基板２０の表面２０ａに、撥液加工を行う場合は、図７に示すように、対向基板２０の表面２０ａの液晶注入口１０８が形成された周状のシール材塗布領域６１と、対向基板２０の有効画素領域２０ｈとの間に形成された特定領域である第１の領域６２に、撥液加工７２が少なくとも施される。
【００６４】
さらに、この場合であっても、シール材５２の対向基板２０外への流出を防止する場合には、シール材塗布領域６１と、対向基板２０の外周縁との間に形成された特定領域である第２の領域６３にも、撥液加工７３が施される。尚、撥液加工７２，７３の加工方法は、撥液加工４２，４３と同じであるため、その説明は省略する。
【００６５】
ステップＳ１において、液晶滴下方式であれば、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａに連続的に形成された環状のシール材塗布領域３１と、ＴＦＴ基板１０の有効画素領域１０ｈとの間に形成された特定領域である第１の領域３２に、撥液加工４２が少なくとも施される。尚、この場合であっても第２の領域３３に、撥液加工４３を施してもよく、また、対向基板２０の各領域６２，６３に撥液加工７２，７３を施してもよい。また、この場合、対向基板２０の各領域６２，６３及び撥液加工７２，７３は、図示しないが、液晶注入方式の場合と異なり、連続的な環状となる。
【００６６】
図４に戻って、ステップＳ２では、撥液加工が施されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのいずれか一方の基板のシール材塗布領域に、粘度１０ｍＰａ・ｓ以下の液状のシール材５２が、インクジェットと同等に手段を有する液滴吐出手段により非接触で塗布される。
【００６７】
尚、以下、撥液加工は、ＴＦＴ基板１０の第１の領域３２，３３に施されたものとし、シール材５２は、ＴＦＴ基板１０のシール材塗布領域３１に塗布されるとして説明する。
【００６８】
具体的には、液晶注入方式であれば、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８を有するよう形成されたシール材塗布領域３１に、シール材５２が塗布され、液晶滴下方式であれば、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０に連続的に形成されたシール材塗布領域３１に、シール材５２が環状に塗布される。
【００６９】
尚、シール材塗布領域３１は、ＴＦＴ基板１０の有効画素領域１０ｈの外側に位置する。また、シール材５２の塗布領域３１への塗布は、ビットマップまたは基板のＣＡＤデータを用いて指定されて行なわれる。
【００７０】
ステップＳ３では、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を注入する方法は、液晶注入方式であるか液晶滴下方式であるかが選択される。液晶注入方式であれば、ステップＳ４に移行し、該ステップＳ４において、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０に、シール材５２を介して対向基板２０が貼り合わされ、続くステップＳ５において、シール材５２の液晶注入口１０８から、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間のシール材５２により囲まれた領域、具体的には少なくとも有効画素領域４０を含む領域に液晶５０が注入される。尚、この際、第１の領域３２上の撥液加工４２上には、図５（ｃ）に示すように空間９７を有して液晶５０が充填される。
【００７１】
ステップＳ６では、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの後述する封止材１０９の封止材塗布領域３６外であって、液晶注入口１０８の注入側の特定領域である領域３５に、図６（ｄ）に示すように、漏れ防止加工である封止材の撥液加工（以下、単に撥液加工と称す）４４が施される。尚、撥液加工４４の加工方法は、撥液加工４２，４３と同じであるため、その説明は省略する。
【００７２】
また、撥液加工４４は、撥液加工４２，４３と同時に施すことも可能であるが、液晶５０注入後に撥液加工４４を施すと、液晶５０の注入を阻害することがないため、撥液加工４４は、液晶注入後に施すことが好ましい。
【００７３】
最後に、ステップＳ７では、図６（ｅ）に示すように、封止材の塗布領域３６に、液状の封止材１０９が、インクジェットと同等の液滴吐出手段により塗布され、その結果、封止材１０９により、液晶注入口１０８が封止され、本組立工程が終了する。
【００７４】
ステップＳ３に戻って、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を注入する方法が、液晶滴下方式であれば、ステップＳ８に分岐し、該ステップＳ８において、図９（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０のシール材５２により囲まれた領域、具体的には、少なくとも有効画素領域１０ｈを含む領域に、液晶５０が滴下される。尚、液晶５０は、対向基板２０の少なくとも有効画素領域２０ｈを含む領域に滴下してもよい。
【００７５】
最後に、ステップＳ９において、図９（ｄ）に示すように、液晶５０が滴下されたＴＦＴ基板１０に、対向基板２０が貼り合わされ、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が介在された後、本組立工程が終了する。尚、この場合であっても、第１の領域３２上の撥液加工４２上には、図９（ｄ）に示すように空間９７を有して液晶５０が充填される。
【００７６】
このように、本実施の形態を示す液晶装置１においては、ＴＦＴ基板１０のシール材塗布領域３１に液状のシール材を液的吐出手段で塗布する前に、少なくとも第１の領域３２に、撥液加工４２を施すと示した。
【００７７】
このことによれば、液状のシール材５２をシール材塗布領域３１に塗布した際、該シール材５２が、シール材塗布領域３１から有効画素領域４０に流れ込み、液晶装置１に表示不良を発生させる他、シール材５２によって規定されるＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのギャップが、複数製造された液晶装置１間でばらついてしまうことを撥液加工４２により防止することができる。
【００７８】
さらに、第１の領域３２のみに限らず、シール材塗布領域３１を挟む第１の領域３２及び第２の領域３３に、撥液加工４２，４３を施せば、液状のシール材５２をシール材塗布領域３１に塗布した際、有効画素領域４０のみならず、シール材５２がシール材塗布領域３１からＴＦＴ基板１０外に流れてしまうことを撥液加工４３により防止できる。尚、これらの効果は、液晶注入方式、液晶滴下方式、いずれも同じである。
【００７９】
また、液晶封止方式において、封止材塗布領域３６に液状の封止材１０９を液的吐出手段で塗布する前に、封止材塗布領域３６外であって、液晶注入口１０８の注入側の領域３５に、撥液加工４４を施すと示した。
【００８０】
このことによれば、液状の封止材１０９を封止材塗布領域３６に塗布した際、封止材１０９が、封止材塗布領域３６から周辺領域、例えばＴＦＴ基板１０外に流出してしまうことを撥液加工４４により防止することができる。
【００８１】
尚、本実施の形態においては、各撥液加工４２〜４４は、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａに施すと示したが、これに限らず、対向基板２０側に施しても本実施と同様の効果を得ることができることは勿論である。
【００８２】
（第２実施の形態）
図１０は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図１１（ａ）〜（ｃ）は、液晶注入方式におけるシール材用親液加工工程〜液晶注入工程を示す工程図、図１２（ｄ）〜（ｅ）は、液晶注入方式における封止材用親液加工工程〜封止材塗布工程を示す工程図である。尚、図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ｄ）〜（ｅ）の工程図は、対向基板側から見たＴＦＴ基板の平面図と、該平面図のＸ−Ｘ線に沿う断面図とから構成されている。
【００８３】
この第２実施の形態の液晶装置の構成は、上述した図１〜図６に示した第１実施の形態の液晶装置１と比して、シール材５２，封止材１０９の流出防止を、撥液加工に代えて親液加工により行う点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶装置１と同様の構成部材には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８４】
図１０に示すように、先ずステップＳ２１において、第１の配向膜１６が形成されたＴＦＴ基板１０の表面１０ａと、第２の配向膜２６が形成された対向基板２０の表面２０ａとの少なくとも一方の面の特定領域に、漏れ防止加工であるシール材用親液加工が施される。
【００８５】
具体的には、液晶注入方式であれば、図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの液晶注入口１０８が形成された特定領域である周状のシール材塗布領域３１に、シール材５２の親液加工（以下、単に親液加工と称す）４７が施される。
【００８６】
尚、親液加工４７は、例えば酸素プラズマ照射工程によって、シール材塗布領域３１以外をマスクすることにより行われる。また、親液加工４７は、対向基板２０の表面２０ａの特定領域であるシール材塗布領域６１（図７参照）に施されてもよい。
【００８７】
液晶滴下方式であれば、図示しないが、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａに連続的に形成された特定領域である周状のシール材塗布領域３１に、親液加工４７が施される。尚、この場合であっても、対向基板２０の特定領域であるシール材塗布領域６１に親液加工４７を施してもよい。
【００８８】
図１０に戻って、ステップＳ２２では、親液加工が施されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのいずれか一方の基板のシール材塗布領域に、粘度１０ｍＰａ・ｓ以下の液状のシール材５２が、インクジェットと同等に手段を有する液滴吐出手段により非接触で塗布される。尚、以下、親液加工は、ＴＦＴ基板１０のシール材塗布領域３１に施されたものとし、該シール材塗布領域３１に、シール材５２が塗布されるとして説明する。
【００８９】
具体的には、液晶注入方式であれば、図１１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０のシール材塗布領域３１に施された親液加工４７上に、シール材５２が塗布され、液晶滴下方式であれば、図示しないが、ＴＦＴ基板１０に連続的に環状に形成されたシール材塗布領域３１に施された親液加工４７上に、シール材５２が塗布される。
【００９０】
ステップＳ２３では、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を注入する方法は、液晶注入方式か液晶滴下方式であるかが選択される。液晶注入方式であれば、ステップＳ２４に移行し、該ステップＳ２４において、図１１（ｃ）に示すように、シール材５２が塗布されたＴＦＴ基板１０に、シール材５２を介して対向基板２０が貼り合わされ、続くステップＳ２５において、シール材５２の液晶注入口１０８から、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間のシール材５２により囲まれた領域、具体的には少なくとも有効画素領域４０を含む領域に液晶５０が注入される。
【００９１】
ステップＳ２６では、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの封止材１０９の特定領域である封止材塗布領域３６に、図１２（ｄ）に示すように、漏れ防止加工である封止材の親液加工（以下、単に親液加工と称す）４８が施される。尚、親液加工４８の加工方法は、親液加工４７の加工方法と同じであるため、その説明は省略する。
【００９２】
最後に、ステップＳ２７では、図１２（ｅ）に示すように、封止材の塗布領域３６の親液加工４８上に、液状の封止材１０９が、インクジェットと同等の液滴吐出手段により塗布され、その結果、封止材１０９により、液晶注入口１０８が封止され、本組立工程が終了する。
【００９３】
ステップＳ２３に戻って、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を注入する方法が、液晶滴下方式であれば、ステップＳ８に分岐する。ステップＳ８とステップＳ９とは、上述した第１実施の形態と同様である。
【００９４】
このように、本実施においては、液状のシール材５２、封止材１０９の塗布後の各塗布領域３１，３６からの流出防止に、シール材５２、封止材１０９を塗布する前に、各塗布領域３１，３６に親液加工４７，４８を施した。
【００９５】
このことによれば、液状のシール材５２，封止材１０９を各塗布領域３１，３６に塗布した際、シール材５２，封止材１０９が、各塗布領域３１，３６から有効画素領域４０に流れ込み、表示不良を発生させる他、シール材５２，封止材１０９が、基板１０，２０外に流出してしまうことを、親液加工４７，４８が、シール材５２になじむことで防止することができるため、シール材５２によって規定されるＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのギャップが複数製造された液晶装置１間でばらついてしまうのを防止できる他、封止材１０９の封止材塗布領域３６からの流出を防止することができる。
【００９６】
尚、上述した実施の形態においては、第１の基板はＴＦＴ基板１０とし、第２の基板は対向基板２０として示したが、第１の基板を対向基板２０とし、さらに第２の基板をＴＦＴ基板１０としても本実施と同様の効果を得ることができるということは云うまでもない。
【００９７】
また、本発明の要旨を変更しない範囲で、各実施例を組み合わせてもよい。例えばＴＦＴ基板１０に撥液加工を施し、対向基板２０に親液加工を施してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
さらに、本発明の液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【００９９】
また、本発明は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等にも適用可能である。
【０１００】
ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０１】
また、本発明は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等にも適用可能である。
【０１０２】
さらに、本発明に係る液晶装置が用いられる電子機器としては、プロジェクタ等の光投写型表示装置や、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１実施の形態を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図。
【図３】図１の素子基板上の画素を構成する素子の等価回路を示す図。
【図４】図１の液晶装置の製造方法を示すフローチャート
【図５】液晶注入方式におけるシール材用撥液加工工程〜液晶注入工程を示す工程図。
【図６】液晶注入方式における封止材用撥液加工工程〜封止材塗布工程を示す工程図。
【図７】図５（ｃ）のＴＦＴ基板に貼り合わされる対向基板を示す正面図。
【図８】液晶滴下方式におけるシール材用撥液加工工程〜シール材塗布工程を示す工程図。
【図９】液晶滴下方式における液晶滴下工程〜基板貼り合わせ工程を示す工程図。
【図１０】本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】液晶注入方式におけるシール材用親液加工工程〜液晶注入工程を示す工程図。
【図１２】液晶注入方式における封止材用親液加工工程〜封止材塗布工程を示す工程図。
【符号の説明】
【０１０４】
１…液晶装置、１０…ＴＦＴ基板、１０ａ…表面、１０ｈ…有効画素領域、２０…対向基板、２０ａ…表面、２０ｈ…有効画素領域、３１…シール材塗布領域、３２…第１の領域、３３…第２の領域、３５…液晶注入側の領域、３６…封止材塗布領域、４０…有効画素領域、４２…撥液加工、４３…撥液加工、４４…撥液加工、４７…親液加工、４８…親液加工、５０…液晶、５２…シール材、６１…シール材塗布領域、６２…第１の領域、６３…第２の領域、７２…撥液加工、７３…撥液加工、１０８…液晶注入口、１０９…封止材。
【図１】
2007025189.tif 000003
【図２】
2007025189.tif 000004
【図３】
2007025189.tif 000005
【図４】
2007025189.tif 000006
【図５】
2007025189.tif 000007
【図６】
2007025189.tif 000008
【図７】
2007025189.tif 000009
【図８】
2007025189.tif 000010
【図９】
2007025189.tif 000011
【図１０】
2007025189.tif 000012
【図１１】
2007025189.tif 000013
【図１２】
2007025189.tif 000014