(57)【要約】【課題】半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を得ることを目的とする。【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の主発光面側を覆っている蛍光体層１１と、半導体発光素子１０を収容しているハウジング１２と、半導体発光素子１０を搭載し、内部にスルーホール１３を有するサブマウント１４と、サブマウント１４と各々電気的に接続されている２つのリードフレーム１５と、放熱部材１７と、封止樹脂１８とを備えており、半導体発光素子１０から放出された熱の一部は、サブマウント１４、リードフレーム１５を介して放熱部材１７に伝達され、外部に放散される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、前記半導体発光素子の主発光面側を覆っている蛍光体層と、前記半導体発光素子を収容しているハウジングと、前記半導体発光素子の前記主発光面側と反対側に配置されており、前記半導体発光素子とそれぞれ電気的に接続されている複数のリードフレームとを備え、前記リードフレームの少なくとも一つは、ハウジングから露出している露出面を有する厚肉部と、前記厚肉部の前記露出面の反対の面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第１の薄肉部とを有している半導体発光装置。
【請求項２】
前記複数のリードフレームは、互いに極性の異なる電流が流れる２つのリードフレームである請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記他の一つのリードフレームは、前記一つのリードフレームの形状と左右対称の形状である請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記他の一つのリードフレームは、厚さが前記厚肉部よりも薄い請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記少なくとも一つのリードフレームは、前記厚肉部の露出面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記薄肉部より厚さの薄い第２の薄肉部を有している請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記少なくとも一つのリードフレームは、前記露出面において、放熱部材と接触している請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子と前記複数のリードフレームとの間にサブマウントを備え、前記半導体発光素子と前記リードフレームとが、前記サブマウントを貫通するスルーホールを介して各々電気的に接続されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記サブマウントは、前記少なくとも一つのリードフレームの露出面と反対側の面で、前記リードフレームと接触している請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記サブマウントと前記少なくとも一つのリードフレームとが、Ａｇペーストを介して接続されている請求項７または請求項８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記放熱部材と接触しているリードフレームは、前記放熱部材と接触していないリードフレームに比べて、前記サブマウントとの接触面積が大きい請求項８または請求項９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記半導体発光素子の２つの電極と前記複数のリードフレームとが、バンプを介して各々電気的に接続されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記バンプは、前記少なくとも一つのリードフレームの露出面と反対側の面で、前記リードフレームと接触している請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記蛍光体層の側面は、前記サブマウントの側面と略同一平面上にある請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記少なくとも一つのリードフレームは、前記厚肉部からハウジングの外部に向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第３の薄肉部を有している請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子をリードフレームに実装した半導体発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の高輝度化、高出力化に伴い、半導体発光素子で発生する多量の熱を効率よく放散することが問題となっている。このような半導体発光装置において、半導体発光素子を載置する載置部材の一部の面をハウジングから露出させ、ヒートシンクを、その載置部材の露出させた面と接触させ、熱を効率よく放散する技術的思想が、一般的に知られている（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特表２００４−５２１５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、２つのリードフレーム上に半導体発光素子を載置する半導体発光装置において、２つのリードフレームをハウジングから露出させる為に、それぞれのリードフレームの厚さを厚くした場合、プレスによってリードフレームとリードフレームの隙間を設ける際に精密加工ができず、この隙間が広くなってしまう。その結果、導通ができなくなることや、サブマウントまたはバンプとの接触面積が著しく減少し、放熱性が下がるという課題があった。
【０００４】
本発明は、このような課題を解決したもので、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子の主発光面側を覆っている蛍光体層と、前記半導体発光素子を収容しているハウジングと、前記半導体発光素子の前記主発光面側と反対側に配置されており、前記半導体発光素子とそれぞれ電気的に接続されている複数のリードフレームとを備え、前記リードフレームの少なくとも一つは、ハウジングから露出している露出面を有する厚肉部と、前記厚肉部の前記露出面の反対の面から他の一つのリードフレームに向かって延出し、前記厚肉部より厚さの薄い第１の薄肉部とを有している。これにより、他の一つのリードフレームを、厚さの薄い第１の薄肉部を有する一つのリードフレームに近接して設けることができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の以下に示す実施の形態及び各図面は、例示を目的とし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、各図面においては、説明の便宜のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示すこととする。
【０００８】
（実施の形態１）
１．（全体の構成）
図１は、本発明の実装後の半導体発光装置１の断面図（半導体発光装置を主発光面に垂直な面で切った面を表す図）である。なお、主発光面側とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の正の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。また、主発光面側と反対側とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の負の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。
【０００９】
半導体発光装置１の各部の詳細な説明に先立ち、この半導体発光装置１の概要を示す。
半導体発光装置１は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の主発光面側を覆っている蛍光体層１１と、半導体発光素子１０を収容しているハウジング１２と、半導体発光素子１０を搭載し、内部にスルーホール１３を有するサブマウント１４と、サブマウント１４と各々電気的に接続されている２つのリードフレーム１５と、放熱部材１７と、封止樹脂１８とを備えている。この構成により、半導体発光素子１０から放出された熱の一部は、サブマウント１４、リードフレーム１５を介して放熱部材１７に伝達され、外部に放散される。
【００１０】
ここで、リードフレーム１５は、図２に示すように構成されている。すなわち、厚肉部１５０より厚さの薄い第１の薄肉部１５１が、厚肉部１５０の内側に配置され、他の一方のリードフレーム１５と対向するように配置されている。この構成により、厚肉部１５０をリードフレーム１５のハウジング１２の下面から露出できる厚さにしながらも、２つのリードフレーム１５間の隙間部１６を狭くすることができ、２つのリードフレーム１５を近接して設けることができる。
【００１１】
なお、上とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の正の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。また、下とは、半導体発光素子１０に対して、図１におけるＸ軸の負の方向をいう（以下、本明細書中同じ）。
【００１２】
したがって、サブマウント１４が小型化された場合（スルーホール１３の間の距離が狭くなった場合）でも、半導体発光素子１０と２つのリードフレーム１５とをそれぞれ電気的に接続することが可能となる。その結果、本実施の形態の半導体発光装置１を小型化することができる。また、リードフレーム１５とサブマウント１４との接触面積を著しく増加させることができ、本実施の形態の半導体発光装置１の放熱性を向上することができる。
【００１３】
２．（各部の構成）
以下、半導体発光装置１の各構成について、より具体的に説明する。
【００１４】
（半導体発光素子１０）
半導体発光素子１０は、窒化ガリウム系化合物からなる半導体を利用した青色ＬＥＤである。この半導体発光素子１０は、図３に示すように、例えば、ＧａＮを素材とした素子基板１００の一方の面上に、ＧａＮのｎ型窒化物半導体層１０１、ＩｎＧａＮの活性層１０２及びＧａＮのｐ型窒化物半導体層１０３をこの順で積層したものである。
【００１５】
そして、ｐ型窒化物半導体層１０３の一部を、例えばエッチングによりｎ型窒化物半導体層１０１を露出させる。この露出したｎ型窒化物半導体層１０１の表面にｎ型電極１０４を形成している。ｐ型窒化物半導体層１０３の表面にはｐ型電極１０５が形成されている。この半導体発光素子１０は、ｐ型電極とｎ型電極の双方を一方の面に有する、いわゆる、片面電極タイプである。
【００１６】
さらに、これらのｎ型電極１０４及びｐ型電極１０５は、それぞれバンプ１０６を介し、内部にスルーホール１３を有するサブマウント１４と電気的に接続されている。バンプ１０６の材料は、例えばＡｕを用いることができるが、導電性の材料であればよい。バンプ１０６を用いて接続する方法は、発光光源の照射方向に光出力を遮るものがないので好ましいが、半導体発光素子１０とスルーホール１３を有するサブマウント１４との接続は他の方法を用いても良い。
【００１７】
素子基板１００が、主発光面側に配置され、半導体発光素子１０は、スルーホール１３を有するサブマウント１４に対して、フリップチップ接続される。この構成により、ボンディングワイヤーが不要となる。
【００１８】
なお、青色ＬＥＤの構成としては、ここで挙げた例に限定されるものではない。例えば、素子基板１００としては、ＳｉＣを用いても良いし、絶縁性のサファイアを用いても良い。また例えば、ｎ型窒化物半導体層１０１やｐ型窒化物半導体層１０３としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型窒化物半導体層１０１と、素子基板１００との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また例えば、活性層１０２は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００１９】
（蛍光体層１１）
図１に戻り、蛍光体層１１について詳述する。蛍光体層１１は、半導体発光素子１０の少なくとも上に配置されている。なお、光の変換効率の観点から、半導体発光素子１０の側面にも配置されていればさらによい。この構成により、上述した青色ＬＥＤから発せられた青色光の一部を、内部に含む蛍光体１１０により、黄色光（５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピークを持つ光）に変換している。青色光と黄色光との混色により、半導体発光装置１全体としては、白色光を得ている。
【００２０】
ここで蛍光体層１１は、半導体発光素子１０の対角線長よりも長い直径をもち、半導体発光素子１０の高さよりも大きな高さを有する。そして、蛍光体層１１の中心軸は略一致している。蛍光体層１１は、図１に示すように、半導体発光素子１０の側面を取り囲んで構成されている。蛍光体層１１の側面は、ハウジング１２から離間している。すなわち、蛍光体層１１は、その側面形状がハウジング１２の反射面などの形状によって拘束されない。これにより、この側面を自由に設計することができる。
【００２１】
本実施の形態の蛍光体層１１の側面は、サブマウント１４の側面と略同一平面上にある。この構成により、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面との距離が一定に保てるため、蛍光体層１１の形状ムラが存在しない。これにより、本発明の発光装置は、取り出される光の色むらを抑えることができる。
【００２２】
蛍光体層１１の内部に分散して配置されている蛍光体１１０の平均粒形は、例えば、３μｍから１５μｍであり、略球状である。この蛍光体１１０は、半導体発光素子１０から放射された青色光を吸収し、励起された後、黄色光を発する黄色蛍光体である。このような黄色蛍光体としては、（Ｙ・Ｓｍ）3（Ａｌ・Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ0.39Ｇｄ0.57Ｃｅ0.03Ｓｍ0.01）3Ａｌ5Ｏ12やアルカリ土類金属オルト珪酸塩等を好適に用いることができる。
【００２３】
（ハウジング１２）
半導体発光素子１０およびこの半導体発光素子１０を搭載したサブマウント１４が、ハウジング１２に内包されている。また、ハウジング１２は、蛍光体層１１を離間して囲んでいる。すなわち、蛍光体層１１とハウジング１２は接していない。蛍光体層１１とハウジング１２は、中心軸は半導体発光素子１０と一致し、かつハウジング１２の最小径は、蛍光体層１１の最大径よりも大きい。これにより、ハウジング１２は、半導体発光素子１０、蛍光体層１１およびサブマウント１４を収容するようになっている。
【００２４】
また、ハウジング１２は、リードフレーム１５と一体形成されている。なお、リードフレーム１５の厚肉部１５０は、ハウジング１２の下面から露出している。また、リードフレーム１５の第３の薄肉部１５３は、厚肉部１５０からハウジング１２の側面に向かって延出している。
【００２５】
このハウジング１２の部材としては、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリフタルアシド樹脂等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いることができる。また、ハウジング１２は、上記の樹脂の表面をメッキすることで蛍光体層１１から出た光を反射する「反射板」としての役割も有する。
【００２６】
（サブマウント１４）
サブマウント１４は、上面に半導体発光素子１０と蛍光体層１１を載置し、内部にスルーホール１３を有する構成をとる。そして、半導体発光素子１０とリードフレーム１５とは、スルーホール１３を介して電気的に接続される。この構成により、半導体発光素子１０の上方には光を遮るものがないため、輝度を向上させることができる。また、半導体発光素子１０の電極を大きくすることができるので、光の反射量が大きくなると同時に、接合の信頼性を向上することができる作用を有する。
【００２７】
なお、サブマウント１４に、ツェナーダイオード、Ｓｉダイオード、セラミック等を用いることもできる。スルーホール１３は、内部に、例えば銅、アルミニウム、金等からなる導電材料を含む。
【００２８】
また、スルーホール１３は、サブマウント１４の内部であればどのように形成されていてもよい。たとえば、サブマウント１４の端面に沿って形成されていてもよい。この場合、対になるスルーホール１３間の距離を大きくとることができるため、サブマウント１４を小型化した場合であっても、リードフレーム１５との導通を確保することができる。
【００２９】
上述のように半導体発光素子１０は、ボンディングワイヤーを使用しないので、サブマウント１４上にボンディングワイヤー配置するための領域を省くことができる。したがって、ボンディングワイヤーを使用して導通を行っていた従来タイプのサブマウントと比べ、サブマウント１４の図１に示すＹ軸方向の幅Ｗを小さくできる。
【００３０】
（リードフレーム１５）
リードフレーム１５は、図２に示すように各々厚肉部１５０、第１の薄肉部１５１、第３の薄肉部１５３とから構成され、一方と他方のリードフレームは左右対称の形状をとる。このリードフレーム１５の部材としては、放熱性に優れた金属、例えば、銅合金からできている。
【００３１】
厚肉部１５０は、ハウジング１２（ハウジング１２は、所定の容積が規定されている。）の外部に配置される放熱部材１７に、半導体発光素子１０から放出された熱を伝えるために十分な厚みを有している。
【００３２】
なお、本明細書でいう厚さとは、図１におけるＸ軸の負の方向の厚みをいう。したがって、厚肉部１５０は、ハウジング１２の内側からハウジング１２の外側に向かって配置されている。このとき、厚肉部１５０の下面（厚肉部１５０が半導体発光素子に対向している面を上面とした場合、その上面の反対側の面をいう、以下本明細書において同じ。）は、ハウジング１２から露出している（この下面を本明細書においては、以下「露出面」ともいう）。
【００３３】
第１の薄肉部１５１とは、厚肉部１５０より厚さが薄く、厚肉部１５０の露出面の反対の面から他の一方のリードフレーム１５に向かって延出している部分をいう。なお、厚肉部１５０と第１の薄肉部１５１は異なる材料であってもかまわない。ただし、下記に示すリードフレーム１５の製造上の理由により、同じ材料であることが望ましい。
【００３４】
第３の薄肉部１５３は、厚肉部１５０より厚さが薄く、厚肉部１５０からハウジング１２の外部に向かって延出している。
【００３５】
なお、リードフレーム１５の各部分は、半導体発光装置１の内側から、第１の薄肉部１５１、厚肉部１５０、第３の薄肉部１５３の順に配置されている。
【００３６】
以下、本発明の効果を説明する為に、図４（ａ）もしくは図４（ｂ）に示す第１の薄肉部１５１を設けない形状のリードフレーム４５ａもしくは４５ｂを用いた半導体発光素子４と本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた半導体発光素子１とを比較する。
【００３７】
図４（ａ）に示す第１の薄肉部１５１形状を設けないリードフレーム４５ａを用いた場合、後述の製造方法上の理由により、２つのリードフレーム４５ａの隙間部４６ａが格段に広がってしまう。したがって、リードフレーム４５ａの端部でしか、サブマウント４４と接触できない。その結果、リードフレーム４５ａ上面とサブマウント４４下面との接触面積が著しく小さくなる。
【００３８】
一方、本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた場合、後述の製造方法上の理由により、２つのリードフレーム１５の隙間部１６を狭くすることができる。したがって、他の一方のリードフレーム１５を、一方のリードフレーム１５に近接して設けることができ、リードフレーム１５上面とサブマウント１４下面との接触面積が著しく増大する。その結果、サブマウント１４からリードフレーム１５へ伝熱される量が増え、放熱性が著しく向上する。
【００３９】
また、図４（ｂ）に示すように、隙間部４６ｂが更に広くなってしまうと、例えば図１に示すＹ軸方向の幅Ｗが小さいサブマウント４４を搭載する場合では、リードフレーム４５ｂとの電気的な接続が不可能となる。
【００４０】
一方、本発明の実施の形態１に係るリードフレーム１５を用いた場合、隙間部１６を狭くすることができ、他の一方のリードフレーム１５を、一方のリードフレーム１５に近接して設けることができる。したがって、半導体発光素子１０と蛍光体層１１とを搭載する、図１に示すＹ軸方向の幅Ｗが小さいサブマウント１４と接続する場合でも、サブマウント１４とリードフレーム１５との導通が可能となる。その結果、従来の半導体発光装置と比べて、半導体発光装置１の小型化が可能となる。
【００４１】
また、半導体発光装置１は、特に、水によって電気的に劣化しやすいという性質を有しているが、リードフレーム１５を上記の構成とすることで、外部から半導体発光素子１０への水の浸入を抑制できる。図４（ａ）、図４（ｂ）に示す第１の薄肉部１５１が無いリードフレームを用いた場合と比較して、外部から半導体発光装置１内部への浸入に要する経路が長くなるからである。なお、ハウジングに熱硬化性樹脂を用いた場合、さらに水の浸入を抑制する効果が向上される。
【００４２】
なお、隙間部１６には、熱可塑性樹脂等が充填されている。
【００４３】
（放熱部材１７）
放熱部材１７は、リードフレーム１５の露出面と接触しており、リードフレーム１５から伝達された熱を外部に放散する。この放熱部材１７は、放熱性に優れた部材からなることが好ましく、例えば、ヒートシンク、冷却体、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｄ、プリント配線板）等が該当する。
【００４４】
（封止樹脂１８）
封止樹脂１８は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂から選択される１種または２種以上の組み合わせからできている。特に、シリコーン樹脂は、弾性が大きく、半導体発光素子を外力から保護でき、また耐熱性及び耐光性に優れているので、より好ましい。また製造時においても、シリコーン樹脂は、熱硬化時の粘土低下が小さく、熱硬化時に蛍光体層１１が沈降を防止するために好ましい。したがって、２種以上の樹脂を組み合わせる場合でもシリコーン樹脂を主成分として選択することが好ましい。
【００４５】
３．（使用状態）
以上のように構成した本実施の形態に係る半導体発光装置１の使用状態を説明する。はじめに、リードフレーム１５に電力を供給する。すると、リードフレーム１５から、サブマウント１４のスルーホール１３を介して、半導体発光素子１０のｎ型電極とｐ型電極間とが導通し、活性層１０２から青色光が放射される。特に素子基板１００面を主発光面として外部に放出される。この青色光の一部は、蛍光体層１１中の蛍光体１１０により黄色光に変換される。青色光と黄色光との混色により、白色光として、外部から認知される。
【００４６】
半導体発光素子１０において、白色光を発光する際に放出される熱の一部は、サブマウント１４を通じて、リードフレーム１５に伝達される。リードフレーム１５に伝達された熱の一部は、第１の薄肉部、厚肉部を通じて、放熱部材１７に伝達され、放熱される。また、リードフレーム１５に伝達された熱の一部は、第１の薄肉部、厚肉部、第３の薄肉部に移動し、ハウジング１２外部に伝達され、放熱される。
【００４７】
上述したように、蛍光体層１１の側面は、サブマウント１４の側面と同一平面上にあるので、半導体発光装置１全体として色ムラが抑制される。
【００４８】
また、上述したように、半導体発光素子１０と蛍光体層１１とを搭載し、横方向の幅Ｗが小さいサブマウント１４と接続する場合でも、サブマウント１４とリードフレーム１５との導通が可能となる。その結果、従来の半導体発光装置と比べて、半導体発光装置１の小型化が可能となる。さらに、サブマウント１４とリードフレーム１５との接触面積が、著しく増大し、放熱性が向上する。
【００４９】
４．（製造方法）
次に、上述した半導体発光装置１の製造方法について述べる。
【００５０】
（リードフレーム１５）
リードフレーム１５を次のように作製する。図５（ａ）はフラットなリードフレーム１５を示している。次に、図５（ｂ）に示すようにリードフレーム１５の厚肉部１５０以外の領域を薄くする。薄くする方法として、金型でプレスする方法や部材をエッチングする方法あるいは部材を削る方法がある。どの方法にしても精度よくリードフレーム１５を薄くできる。次に、図５（ｃ）に示すように隙間部１６を設けるために、薄くした部分を精密プレス等で打ち抜く。このようにして、図１に示す、リードフレーム１５が得られる。
【００５１】
一般的に、精密プレス等で打ち抜く場合、隙間部１６の広さは、打ち抜く箇所の厚さに比例する。厚さが薄いと、プレスする際に必要な負荷を小さくすることができるため、隙間部１６を狭くするための精密加工が可能になるからである。すなわち、薄肉部１５１を設けることで、この薄肉部１５１がない従来のリードフレーム（例えば、図４のリードフレーム４５）に比べて、隙間部１６の幅を狭くすることができる。また、打ち抜く箇所の周辺部分への負荷も軽減できるため、リードフレーム１５の変形を防止できる。
【００５２】
（ハウジング１２）
ハウジング１２をリードフレーム１５と次のように一体形成する。リードフレーム１５に金型を挟み込み、その金型に、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）を流し込む。なお、ハウジング１２は、隙間部１６にも充填されることにより、半導体発光素子１０を搭載したサブマウント１４、リードフレーム１５がパッケージされる。このようにして、図１に示すハウジング１２が得られる。
【００５３】
（半導体発光素子１０、蛍光体層１１、サブマウント１４）
蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面とを次のような手順で略同一平面状にする。サブマウント１４の電極パターン上に、例えば金からなるバンプを形成し、半導体発光素子１０を実装する。
【００５４】
次に、サブマウント１４上に、半導体発光素子１０を覆うようにして、蛍光体層１１をスクリーン印刷法にて形成する。そして、蛍光体層１１の上面を回転式研磨機等によって研磨する。その後、蛍光体層１１とサブマウント１４とを、例えば回転式ブレード等によって同時に切り抜く。このようにして、図１に示すように、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面とを略同一平面状にする。
【００５５】
（半導体発光装置１）
半導体発光装置１を次のように作製する。リードフレーム１５上にＡｇペーストを塗布し、蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面が略同一平面状にある発光体をリードフレーム１５上に実装する。次に、このＡｇペーストを硬化させる。そして、封止樹脂を流し込み、樹脂パッケージによって蛍光体層１１の側面とサブマウント１４の側面が略同一平面状にある発光体を包み込む。そして、リードフレーム１５の足を切断することによって、個体の半導体発光装置１が分離される。そして、リードフレームの足を曲げる。このようにして、図１に示す、半導体発光装置１が得られる。
【００５６】
（変形例１）
以上、本発明を好適な実施形態により説明したが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。例えば、以下、本実施の形態にかかる半導体発光装置１の変形例１について述べる。
【００５７】
図６は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置１ａを示す概略図である。半導体発光装置１ａは、リードフレーム１５ａが、厚肉部１５０の露出面から他の一方のリードフレーム１５ａに向かって延出し、厚肉部１５０より厚さの薄い第２の薄肉部１５２をさらに有している点で、第２の薄肉部１５２が存在しない半導体発光装置１とは異なる。この点以外は、半導体発光装置１ａは、図１に示した半導体発光装置１と同様の構成であり、同様の効果を有する（半導体発光装置１と同様の構成は、同一の符号を付して、説明は省略する。以下、本明細書中で同じ）。
【００５８】
以下、半導体発光装置１と異なる部分について詳述する。リードフレーム１５ａは、厚肉部１５０の露出面から他の一方のリードフレーム１５ａに向かって延出し、厚肉部１５０より厚さの薄い第２の薄肉部１５２をさらに有している。なお、厚肉部１５０と第２の薄肉部１５２は異なる材料であってもかまわない。
【００５９】
したがって、リードフレーム１５ａと放熱部材１７との接触面積が、実施の形態１の場合と比較して増大し、さらに放熱性を向上することができる。
【００６０】
なお、第２の薄肉部１５２のＹ軸方向の長さは、第１の薄肉部のＹ軸方向の長さと比べて、長くても、短くてもよい。ただし、他の一つのリードフレーム１５ａとさえ接触しなければ、放熱部材１７との接触面積との観点から、できるだけ長い方が好ましい。
【００６１】
（変形例２）
以下、本実施の形態にかかる半導体発光装置１の変形例２について述べる。図７は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光装置１ｂを示す概略図である。半導体発光装置１ｂは、一方のリードフレーム１５ｂの厚さが、他の一方のリードフレーム１５ｂの厚肉部１５０よりも薄い点で、２つのリードフレームが左右対称である半導体発光装置１とは異なる。この点以外は、半導体発光装置１ｂは、図１に示した半導体発光装置１と同様の構成であり、同様の効果を有する。
【００６２】
以下、半導体発光装置１と異なる部分について詳述する。リードフレーム１５ｂは、一方のリードフレーム１５ｂの厚さが、他の一方のリードフレーム１５ｂの厚肉部１５０よりも薄く、対向するリードフレーム１５ｂ同士の形状が非対称である。なお、一方のリードフレーム１５ｂの厚さは、他の一方の厚肉部の厚さよりも薄ければ、どの厚さでも構わない。
【００６３】
また、一方のリードフレーム１５ｂの下面は、ハウジング１２から露出しておらず、放熱部材１７と接触していなくてもよい。このとき、放熱部材１７と接触しているリードフレーム１５ｂは、放熱部材と接触していないリードフレーム１５ｂに比べて、サブマウント１４との接触面積を大きくするように、サブマウント１４の中心をずらして配置することが、放熱性の観点から好ましい。
【００６４】
上記の構成より、図４（ａ）に示す第１の薄肉部１５１形状を設けないリードフレーム４５ａを用いた場合と比較して、隙間部１６を狭く設けることができる。したがって、他の一方のリードフレーム１５ｂを、一方のリードフレーム１５ｂに近接して設けることができ、リードフレーム１５ｂ上面とサブマウント１４下面との接触面積が著しく増大する。その結果、サブマウント１４からリードフレーム１５ｂへ伝熱される量が増え、放熱性が著しく向上する。
【００６５】
（製造方法）
以下、本発明の変形例２に係るリードフレーム１５ｂの製造方法について簡潔に説明する。基本的には、前述のリードフレーム１５の製造方法と同じであるが、図５（ｃ）のリードフレーム１５の厚肉部１５０以外の領域を薄くする際に、本変形例における所望する形状（厚み）に応じて、薄くする箇所を設ければよい。
【００６６】
（変形例３）
図８は、本発明の変形例３に係る本発明の実装後の半導体発光装置の断面図（半導体発光装置を主発光面に垂直な面で切った面を表す図）である。変形例３に係る半導体発光装置１ｃは、実施の形態１に係る半導体発光素子１をリードフレーム１５に基板側が主発光面になるように直接実装したものである。
【００６７】
（各部の構成）
以下、半導体発光装置１ｃの各構成について、より具体的に説明する。実施の形態１で説明した構成については、説明を省略する。半導体発光素子１０は、リードフレーム１５ｃとバンプ１９を介して機械的・電気的に接続されている。なお、バンプ１９はＡｕバンプが好ましい。
【００６８】
（製造方法）
以下、本発明の変形例３に係る半導体発光装置１ｃの製造方法について簡潔に説明する。実施の形態１で示した基板側が主発光面にある半導体発光素子１をリードフレーム１５ｃにバンプ１９により接着させ、半導体発光装置１ｃとした。
【００６９】
なお、実施の形態１は、リードフレームが２つの場合であるが、異なる極性さえ持てばよく、リードフレームは複数の場合であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上のように、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子から発した熱をリードフレームを用いて、効率良く放散する半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明における実施の形態１の半導体発光装置の断面図
【図２】本発明における実施の形態１のリードフレームの断面図
【図３】本発明における実施の形態１の半導体発光素子の断面図
【図４】本発明における実施の形態１の半導体発光装置と比較例に係る半導体発光装置の断面図で（ａ）は薄肉部を設けない図、（ｂ）は隙間が広くなった図
【図５】本発明における実施の形態１のリードフレームの製造工程を表す概略図
【図６】本発明における実施の形態１の変形例１の半導体発光装置の断面図
【図７】本発明における実施の形態１の変形例２の半導体発光装置の断面図
【図８】本発明における実施の形態１の変形例３の半導体発光装置の断面図
【符号の説明】
【００７２】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ  半導体発光装置
１０  半導体発光素子
１１  蛍光体層
１２  ハウジング
１３  スルーホール
１４、４４  サブマウント
１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  リードフレーム
１６、４６ａ、４６ｂ  隙間部
１７  放熱部材
１８  封止樹脂
１９  バンプ
４５ａ、４５ｂ  リードフレーム
１００  素子基板
１０１  ｎ型窒化物半導体層
１０２  活性層
１０３  ｐ型窒化物半導体層
１０４  ｎ型電極
１０５  ｐ型電極
１０６  バンプ
１１０  蛍光体
１５０  厚肉部
１５１  第１の薄肉部
１５２  第２の薄肉部
１５３  第３の薄肉部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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