(57)【要約】【課題】挿入損失特性が規格からずれた場合でも、挿入損失特性の調整が容易な非可逆回路素子の提供を目的とする。【解決手段】電気的絶縁状態で交差配置された複数の中心導体の当該交差部に軟磁性基体を当接させるとともに、軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石を設けた非可逆回路素子において、永久磁石が、六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、主相を構成する金属元素の構成比率が、組成式（１）：ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚで表したとき、αはＢａ及びＳｒの１種又は２種、ｘ、ｍは、図４に示す（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値、１．１５≦ｘ／ｙｚ≦１．９５、９．２≦１２ｚ≦１１で表される組成のフェライト焼結磁石である。【選択図】図４
2007258880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的絶縁状態で交差配置された複数の中心導体の当該交差部に軟磁性基体を当接させるとともに、前記軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石を設けた非可逆回路素子において、
前記永久磁石が、
六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、前記主相を構成する金属元素の構成比率が、
組成式（１）：ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚで表したとき、
αはＢａ及びＳｒの１種又は２種、
ｘ、ｍは、図４に示される（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値、
１．１５≦ｘ／ｙｚ≦１．９５、
９．２≦１２ｚ≦１１で表される組成のフェライト焼結磁石であることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
ｍが０．２〜０．４５であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
１．２５≦ｘ／ｙｚ≦１．８５であることを特徴とする請求項１又は２に記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、例えば携帯電話等の移動体無線機器等に使用されている。この種の非可逆回路素子は、電気的絶縁状態で交差配置された複数の中心導体の当該交差部に軟磁性基体を当接させるとともに、この軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石を備えている。その他、非可逆回路素子は、整合用コンデンサ、終端抵抗等の電気部品を備えている。
この種の非可逆回路素子は、その市場性から限りなく小型又は薄型化が要求されている。この要求に対して、特許文献１は、軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石を特定のフェライト焼結磁石とすることによって、非可逆回路素子を小型・薄型化できることを開示している。このフェライト焼結磁石は、(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)２Ｏ３］（原子比率）（ＡはＳｒおよび／またはＢａ、ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる群から選ばれた少なくとも１種）、０．０１≦ｘ≦０．４、［ｘ／(２．６ｎ)]≦ｙ≦[ｘ／(１．６ｎ)]、５≦ｎ≦６で表される基本組成を有し、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有している。特許文献１に開示されたフェライト焼結磁石は磁気特性が高いため、その厚さを薄くしても軟磁性基体に所定の直流磁界を印加することができる。その結果として、非可逆回路素子を小型・薄型化できる。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２３９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非可逆回路素子を小型・薄型化することによって新たな問題が提起されてきた。それは、組み立てられた非可逆回路素子の特性、具体的には挿入損失特性が所定の規格からずれる比率が高くなったことである。非可逆回路素子を構成する各部品が小型化したために、各部品の特性ばらつきが最終製品に反映される度合いが大きくなったためと解される。
そこで本発明は、挿入損失特性が規格からずれた場合でも、規格への挿入損失特性の調整が容易な非可逆回路素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
非可逆回路素子の挿入損失を調整する場合、既に製品として完成しているために各部品を適正なものに交換することは現実的ではない。そこで本発明者等は、軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石の特性を変動させることにより、挿入損失特性を調整することについて検討した。
通常、非可逆回路素子は、各部品を組み付けた後に永久磁石を着磁（先の着磁）する。この着磁の条件は、挿入損失特性が規格に合うように設定されているが、上述した理由により、現実には規格からはずれていることがある。このとき、永久磁石の磁気特性を変えることにより、挿入損失特性を変えることができる。例えば、挿入損失のピークが所望の周波数よりも低い場合には、永久磁石の磁気特性を高くすることによって挿入損失のピークを高周波側にシフトさせることができる。永久磁石の磁気特性を高くするためには、先の着磁よりも強い磁界で着磁（増磁）を再度行えばよい。逆に、挿入損失のピークが所望の周波数よりも高い位置にある場合には、永久磁石の磁気特性を低くすることによって挿入損失のピークを低周波側にシフトさせることができる。永久磁石の磁気特性を低くするためには、先の着磁よりも弱い磁界で着磁（減磁）を再度行えばよい。このように、着磁が一度なされた後であっても、磁界強度を変えて、再度、永久磁石の着磁を行うことによって、挿入損失特性を調整することができる。
【０００６】
増磁することによって挿入損失特性を変えようとする場合、その前提として当該永久磁石には増磁ができるように先の着磁が行われていなければならない。つまり、飽和着磁よりも低い強度の磁界で先の着磁を行う必要がある。なお、飽和着磁で得られる永久磁石の飽和点と先の着磁で得られる磁気特性の差を、本願明細書において、マージンということにする。減磁することによって挿入損失特性を変えようとする場合には、先の着磁において磁気特性にマージンを設けておく必要はないが、増磁、減磁のいずれが必要かは、先の着磁では不明であるので、先の着磁で磁気特性にマージンを設けておく必要がある。
【０００７】
本発明者は、このようなマージンを設けることのできるフェライト永久磁石について検討し、特定の組成を有する場合に、より大きなマージンを得ることができることによって、非可逆回路素子として挿入損失特性が規格から相当程度ずれていても、挿入損失特性を容易に調整することができることを見出した。すなわち本発明は、電気的絶縁状態で交差配置された複数の中心導体の当該交差部に軟磁性基体を当接させるとともに、軟磁性基体に直流磁界を印加する永久磁石を設けた非可逆回路素子において、この永久磁石が、六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、主相を構成する金属元素の構成比率が、組成式（１）：ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚで表したとき、αはＢａ及びＳｒの１種又は２種、ｘ、ｍは、図４に示される（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値、１．１５≦ｘ／ｙｚ≦１．９５、９．２≦１２ｚ≦１１で表される組成のフェライト焼結磁石であることを特徴とする非可逆回路素子である。
本発明において、ｍが０．２〜０．４５であり、また、１．２５≦ｘ／ｙｚ≦１．８５であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、挿入損失特性が規格からずれた場合でも、規格への挿入損失特性の調整が容易な非可逆回路素子を提供することができる。したがって、挿入損失特性の調整を行って規格内の特性に調整できる確率が高くなり、非可逆回路素子の製品歩留まりを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は本発明に係る非可逆回路素子の一実施例を示す分解斜視図である。
図１に示される非可逆回路素子１はアイソレータであって、磁気回転子２、永久磁石７及びケース９を含んで構成される。
【００１０】
ケース９は、ケース本体９１と、ケース本体９１の開口を閉じるカバー９２とを含む。ケース本体９１は、導電性を有する磁性金属材料と、電気絶縁性樹脂材料とを含み、上部が開口した箱形に形成されている。ケース本体９１の側壁１１は電気絶縁性樹脂材料で形成され、ケース本体９１の内外に導通する外部端子１５が側壁１１に形成されている。また、ケース本体９１の底面１３は磁性金属材料で構成され、グランドＧとされる。ケース本体９１は、磁気回転子２、永久磁石７、整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３及び終端抵抗Ｒを収容する。カバー９２は、導電性を有する磁性金属材料で構成され、永久磁石７に重なり、ケース本体９１の開口を閉塞するようにケース本体９１と組み合わされ、磁気的に結合してヨークを構成する。
【００１１】
磁気回転子２は、複数の中心導体を含む中心電極３と、軟磁性基体４とを含んでいる。
軟磁性基体４は、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料が好適である。軟磁性基体４は、１辺が数ｍｍの四角形状で、厚さ０．１〜１．０ｍｍ程度の平板状に形成される。
中心電極３は、第１〜第３の中心導体３１〜３３を含み、例えば、厚さ３０〜５０μｍ程度の銅板を打ち抜いた導体板で構成される。第１〜第３の中心導体３１〜３３は、図において、軟磁性基体４の下面に接触させた略四角形状のグランド部３０の３辺から分岐されている。第１〜第３の中心導体３１〜３３は、軟磁性基体４の主面上で互いに所定の角度で交差するように、互いに絶縁して順次折り曲げられる。
【００１２】
第１〜第３の中心導体３１〜３３の先端は、軟磁性基体４の上面の側端から突出して形成され、整合用コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３及び終端抵抗Ｒ等に対する接続用端子部３３１〜３３３となる。第１は、接続用端子部３３１、３３２は、各々整合用コンデンサＣ１、Ｃ２の外部電極に当接する。接続用端子部３３１は、整合用コンデンサＣ３及び終端抵抗Ｒに当接して配置される。
【００１３】
永久磁石７は平板状に形成され、磁気回転子２に重ねて配置されて磁気回転子２に直流磁界を印加する。
ケース本体９１の底面１３に整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３、終端抵抗Ｒが配設され、それらに取り囲まれた領域に磁気回転子２が配置される。中心電極３のグランド部３０は、ケース本体９１の底面１３（グランドＧ）と導通される。さらに磁気回転子２の上に永久磁石７が配設された状態で、カバー９２がケース本体９１の開口を閉じる。
【００１４】
さて、非可逆回路素子１は、永久磁石７を、六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、主相を構成する金属元素の構成比率が、組成式（１）：ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚで表したとき、αはＢａ及びＳｒの１種又は２種、ｘ、ｍは、図４に示される（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値、１．１５≦ｘ／ｙｚ≦１．９５、９．２≦１２ｚ≦１１で表される組成のフェライト焼結磁石とする。以下、このフェライト焼結磁石について詳述する。
【００１５】
特許文献２、３に開示されたＭ型のフェライト磁性材料は、Ｓｒ１−ｘＲｘ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚＯ１９の組成式において、０．０４≦ｘ≦０．９、０．０４≦ｙ≦０．５の範囲を採りうることを開示している。なお、Ｒは典型的にはＬａである。しかるに、例えば特許文献２の図１に示されるように、高い残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）を得るためには、上記組成式において、ｘ＝ｙ＝０．２〜０．４とすることが必要である。ｘ、ｙの量を多くしてもＲ、Ｃｏが六方晶フェライト相に置換、固溶することができなくなり、例えば元素Ｒを含むオルソフェライトが生成して磁気特性を低下させてしまう。したがって、Ｒ、Ｃｏの六方晶フェライト相への置換、固溶量を多くすることによる磁気特性向上には限界があった。
【００１６】
【特許文献２】特開平１１−１５４６０４号公報
【特許文献３】特開２０００−１９５７１５号公報
【００１７】
本発明者等は、Ａサイトにおいて、Ｂａ及びＳｒの１種又は２種とＣａを並存させた場合にＲ、特にＬａの六方晶フェライト相への固溶量（又は置換量）を多くでき、しかも高い磁気特性が得られることによってマージンを大きくできることを知見した。この六方晶フェライトは、ＡサイトにおけるＬａの割合が、他のＡサイト構成元素であるＢａ及びＳｒの１種又は２種、Ｃａよりも概ね多くなることから、Ｌａ系の六方晶フェライトと称することができる。
【００１８】
本発明は、所謂ＡサイトにおけるＬａの割合が多く、Ｌａ系フェライトということができることは前述の通りである。しかし、Ａサイトの他の構成元素であるＢａ及びＳｒの１種又は２種とＣａの割合が少なすぎると、Ｌａの六方晶フェライトへの固溶量を確保することができないために本発明の効果が得られなくなってしまう。
【００１９】
本発明において、Ｌａ（ｘ）が少ないと磁気特性の向上の効果を十分に得られない。本発明のフェライト焼結磁石は、フェライト相におけるＬａの固溶量を多くできるところに特徴があるが、あまり多くなると、固溶しきれなくなり、オルソフェライト等の非磁性相の生成の要因となる。
【００２０】
本発明において、Ｃａ（ｍ）が少ないとＬａの固溶量を十分に増大することができない。しかし、Ｃａが多くなりすぎると、ＡサイトにおけるＬａとＢａ及びＳｒの１種又は２種の和の割合が低くなってしまい、Ｌａを減らせばＬａ多量置換の効果が薄れ、Ｂａ及びＳｒの１種又は２種を完全に０にするとα−Ｆｅ２Ｏ３が生成しやすくなる。
【００２１】
本発明において、Ｆｅはフェライトを構成する基本的な元素であり、Ｆｅが少なすぎると、Ａサイトが余剰となり、主相から出て非磁性粒界成分を無駄に増加させ飽和磁化が低くなる。また、Ｆｅが多すぎると、α−Ｆｅ２Ｏ３が生成してしまう。
【００２２】
本発明において、ＣｏはＭ型フェライト相のＦｅの一部を置換することにより磁気特性を向上する効果を奏する。Ｃｏの量が少ないと、Ｆｅの一部をＣｏで置換することによる磁気特性向上の効果を十分に得ることができない。一方、Ｃｏが多すぎるとＬａとの電荷バランスの最適点を超えてしまい磁気特性が劣化する。
【００２３】
以上のような各元素の作用・効果を前提に、本発明のフェライト磁性材料は、六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、主相を構成する金属元素の構成比率が、組成式（１）：ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚで表したとき、ｘ、ｍが、図４に示される（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値、１．１５≦ｘ／ｙｚ≦１．９５、９．２≦１２ｚ≦１１である。
【００２４】
上記組成式（１）は、当業者間でよく知られているＭ型フェライトの一般式に基づくものであり、所謂主相の組成を示すものである。つまり、組成式（１）を構成する元素は、通常は、主相を構成する元素である。ただし、組成式（１）を構成する元素の中で、Ｃａは副成分としても使用されうる元素である。例えば、焼結体からなるフェライト磁性材料の構成元素の量を分析する場合、主相及び副成分の両者に共通する元素であっても、分析の結果としては、主相及び副成分のいずれに含まれるのかを把握することができない。したがって、本発明において、組成式（１）におけるＣａの量は、主相及び副成分の両者を含んだ量とする。
【００２５】
本発明において、高い磁気特性によって大きなマージンを得るためにＬａとＣｏの比率（Ｌａ／Ｃｏ）も重要である。特許文献２、３によれば、Ｌａ／Ｃｏは理想的には１である。つまり、Ｓｒ２＋Ｆｅ３＋１２Ｏ１９で示されるＭ型フェライトのＳｒ２＋の一部をＬａ３＋で、またＦｅ３＋の一部をＣｏ２＋で置換するものであるから、ＬａとＣｏの比を１とするのを理想としている。ところが、本発明によるＬａ系六方晶フェライトにおいて、Ｌａ／Ｃｏが１を超える所定の範囲において残留磁束密度を損なうことなく保磁力を向上することができることを本発明者らは知見した。本発明では、Ｌａ／Ｃｏ、つまりｘ／ｙｚを１．１５〜１．９５の範囲とすることにより大きなマージンを得ることが可能となる。好ましいｘ／ｙｚは１．２５〜１．８５、さらに好ましいｘ／ｙｚは１．３５〜１．７５である。
【００２６】
上記組成式（１）において、ｚが小さすぎると、Ａサイトが余剰となり、主相から出て非磁性粒界成分を無駄に増加させ飽和磁化が低くなる。一方、ｚが大きすぎると、非磁性のα−Ｆｅ２Ｏ３相又はＣｏを含む軟磁性スピネルフェライト相が増えるため、残留磁束密度（Ｂｒ）が低くなってくる。ここで、ＦｅとＣｏの総量は、上記組成式（１）より、１２ｚで表される。後述する実施例に示されるように、本発明はＦｅとＣｏの総量である１２ｚを特定することにより、大きなマージンを得ることができる。つまり本発明は９．２≦１２ｚ≦１１とする。好ましい１２ｚの値は９．４≦１２ｚ≦１０．８、さらに好ましい１２ｚの値は９．７≦１２ｚ≦１０．５である。
【００２７】
組成式（１）は、Ｌａ、Ｃａ、α、Ｆｅ及びＣｏそれぞれの金属元素の総計の構成比率を示したものであるが、酸素Ｏも含めた場合には、ＬａｘＣａｍα１−ｘ−ｍ（Ｆｅ１２−ｙＣｏｙ）ｚＯ１９で表すことができる。本発明では、この組成式で示される六方晶Ｍ型フェライト相（Ｍ相）の比率が９５％以上であるフェライト焼結磁石を用いる。ここで、酸素Ｏの原子数は１９となっているが、これは、Ｃｏが２価、Ｆｅ、Ｌａが３価であって、かつｘ＝ｙ、ｚ＝１のときの、酸素Ｏの化学量論組成比を示したものである。ｘ、ｙ、ｚの値によって、酸素Ｏの原子数は異なってくる。また、例えば焼成雰囲気が還元性雰囲気の場合は、酸素Ｏの欠損（ベイカンシー）ができる可能性がある。さらに、ＦｅはＭ型フェライト相においては通常３価で存在するが、これが２価などに変化する可能性もある。また、Ｃｏも価数が変化する可能性があり、さらにＬａにおいても３価以外の価数をとる可能性があり、これらにより金属元素に対する酸素Ｏの比率は変化する。以上では、また後述する実施例において、ｘ、ｙ、ｚの値によらず酸素Ｏの原子数を１９と表示してあるが、実際の酸素Ｏの原子数は、これから多少偏倚した値を示すことがあり、そのような場合をも本願発明は包含することはいうまでもない。
【００２８】
本発明が用いるフェライト焼結磁石において、Ａサイトを構成するＬａが所定量含まれていることを前提として、その一部を他の希土類元素（Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）の１種又は２種以上で置換することができる。また本発明のフェライト焼結磁石において、元素αはＢａ及びＳｒの１種又は２種である。
【００２９】
本発明によるフェライト焼結磁石の組成は、蛍光Ｘ線定量分析などにより測定することができる。本発明で特定される各元素の含有量は、この分析値によって特定することができる。また、本発明のフェライト焼結磁石におけるＭ相の存在は、Ｘ線回折や電子線回折などにより確認することができる。具体的には、本発明では以下の条件によるＸ線回折により、Ｍ相の存在比率（モル％）を求めた。Ｍ相の存在比率は、Ｍ型フェライト、オルソフェライト、ヘマタイト、スピネルそれぞれの粉末試料を所定比率で混合し、それらのＸ線回折強度から比較算定することにより算出するものとする（後述する実施例でも同様）。
Ｘ線発生装置：３ｋＷ
管電圧：４５ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
サンプリング幅：０．０２ｄｅｇ
走査速度：４．００ｄｅｇ／ｍｉｎ
発散スリット：１．００ｄｅｇ
散乱スリット：１．００ｄｅｇ
受光スリット：０．３０ｍｍ
【００３０】
本発明によるフェライト焼結磁石は、副成分としてＳｉ成分及びＣａ成分を含有することができる。副成分としてのＳｉ成分及びＣａ成分は、焼結性の改善、磁気特性の制御及び焼結体の結晶粒径の調整等を目的としている。なお、前述したように、Ｃａは主相としても含まれる元素であり、ここでの説明はあくまで副成分としてのＣａ成分についてのものである。なお、副成分としてのＳｉ成分及びＣａ成分は、専ら粒界に存在する。
Ｓｉ成分としてはＳｉＯ２を、Ｃａ成分としてはＣａＣＯ３を、それぞれを添加するのが好ましい。添加量は、Ｓｉ成分について好ましくは、ＳｉＯ２換算で０(含まず)〜１．３５ｗｔ％で、より好ましくは０．０５〜０．９０ｗｔ％、さらに好ましくは０．０５〜０．７５ｗｔ％である。
【００３１】
本発明は、主相であるフェライト相を構成する主成分としてＣａを含む。したがって、副成分としてＣａ成分を含有させた場合には、例えば焼結体から分析されるＣａの量は主相（主成分ということがある）及び副成分の総量となる。したがって、上述したように、副成分としてＣａ成分を用いた場合には組成式（１）のＣａ量は副成分をも含んだ値となる。上記Ｃａの範囲は、焼結後に分析された組成に基づいて特定されたものであるから、副成分としてＣａ成分を用いない場合にも適用されることは言うまでもない。
【００３２】
本発明のフェライト磁性材料は、Ａｌ２Ｏ３及び／又はＣｒ２Ｏ３を副成分として含有することができる。Ａｌ２Ｏ３及び／又はＣｒ２Ｏ３は、保磁力を向上させる効果を有する。しかし、Ａｌ２Ｏ３及び／又はＣｒ２Ｏ３は、残留磁束密度を低下させる傾向にあるため、好ましくは３．０ｗｔ％以下とする。なお、Ａｌ２Ｏ３及び／又はＣｒ２Ｏ３添加の効果を充分に発揮させるためには、その含有量を０．１ｗｔ％以上とすることが好ましい。
【００３３】
本発明のフェライト磁性材料には、副成分としてＢ２Ｏ３が含まれていてもよい。Ｂ２Ｏ３を含むことにより仮焼温度及び焼結温度を低くすることができるので、生産上有利である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、フェライト磁性材料全体の０．５ｗｔ％以下であることが好ましい。Ｂ２Ｏ３含有量が多すぎると、飽和磁化が低くなってしまう。
【００３４】
本発明のフェライト磁性材料には、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ等のアルカリ金属元素は含まれないことが好ましいが、不純物として含有されていてもよい。これらをＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ等の酸化物に換算して含有量を求めたとき、これらの含有量の合計は、フェライト焼結体全体の１．０ｗｔ％以下であることが好ましい。これらの含有量が多すぎると、飽和磁化が低くなってしまう。
【００３５】
また、以上のほか、例えばＧａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｗ、Ｍｏ等が酸化物として含有されていてもよい。これらの含有量は、化学量論組成の酸化物に換算して、それぞれ酸化ガリウム５．０ｗｔ％以下、酸化インジウム３．０ｗｔ％以下、酸化リチウム１．０ｗｔ％以下、酸化マグネシウム３．０ｗｔ％以下、酸化チタン３．０ｗｔ％以下、酸化ジルコニウム３．０ｗｔ％以下、酸化ゲルマニウム３．０ｗｔ％以下、酸化スズ３．０ｗｔ％以下、酸化バナジウム３．０ｗｔ％以下、酸化ニオブ３．０ｗｔ％以下、酸化タンタル３．０ｗｔ％以下、酸化アンチモン３．０ｗｔ％以下、酸化砒素３．０ｗｔ％以下、酸化タングステン３．０ｗｔ％以下、酸化モリブデン３．０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【００３６】
本発明のフェライト焼結磁石は、その平均結晶粒径は、好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．２〜１．０μｍである。結晶粒径は走査型電子顕微鏡によって測定することができる。
【００３７】
次に、本発明のフェライト焼結磁石の好ましい製造方法について述べる。
本発明によるフェライト焼結磁石の製造方法は、配合工程、仮焼工程、粗粉砕工程、微粉砕工程、磁場中成形工程及び焼成工程を含む。
【００３８】
＜配合工程＞
配合工程は、原料粉末を所定の割合となるように秤量後、湿式アトライタ、ボールミル等で１〜２０時間程度混合、粉砕処理する。出発原料としては、フェライト構成元素（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｌａ、Ｆｅ、Ｃｏ）の１種を含有する化合物（例えば、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｌａ（ＯＨ）３、Ｆｅ２Ｏ３及びＣｏ３Ｏ４）又はこれらの２種以上を含有する化合物を用いればよい。化合物としては酸化物、又は焼成により酸化物となる化合物、例えば炭酸塩、水酸化物、硝酸塩等を用いる。出発原料の平均粒径は特に限定されないが、通常、０．１〜２．０μｍ程度とすることが好ましい。出発原料は、仮焼前の本工程ですべてを混合する必要はなく、各化合物の一部又は全部を仮焼の後に添加する構成にしてもよい。
【００３９】
＜仮焼工程＞
配合工程で得られた原料組成物を仮焼する。仮焼は、通常、空気中等の酸化性雰囲気中で行われる。仮焼温度は１１００〜１４５０℃の温度範囲で行うことが好ましく、１１５０〜１４００℃がより好ましく、１２００〜１３５０℃がさらに好ましい。安定時間は１秒間〜１０時間、さらには１秒間〜３時間が好ましい。仮焼後の物質は、Ｍ相を７０％以上有し、その一次粒子径は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。
【００４０】
＜粉砕工程＞
仮焼体は、一般に顆粒状、塊状等になっており、そのままでは所望の形状に成形ができないため、粉砕する。また、所望の最終組成に調整するための原料粉末、及び添加物等を混合するために、粉砕工程が必要である。本工程で主成分、副成分の原料の一部を添加することができ、それが後添加である。粉砕工程は、通常、粗粉砕工程と微粉砕工程に分かれる。なお、仮焼体を所定の粒度に粉砕することにより、ボンディッド磁石用のフェライト磁石粉末とすることもできる。
【００４１】
＜粗粉砕工程＞
前述のように、仮焼体は一般に顆粒状、塊状等であるので、これを粗粉砕することが好ましい。粗粉砕工程では、振動ミル等を使用し、平均粒径が０．５〜５．０μｍになるまで処理される。なお、ここで得られた粉末を粗粉砕粉と呼ぶことにする。
【００４２】
＜微粉砕工程＞
粗粉砕粉を湿式アトライタ、ボールミル、あるいはジェットミル等によって粉砕し、平均粒径０．０８〜２．０μｍ、好ましくは０．１〜１．０μｍ、より好ましくは０．２〜０．８μｍ程度に粉砕する。得られた微粉砕粉の比表面積（ＢＥＴ法により求められる）としては、７〜１２ｍ２／ｇ程度とすることが好ましい。粉砕時間は、粉砕方法にもよるが、例えば湿式アトライタでは３０分間〜１０時間、ボールミルによる湿式粉砕では１０〜４０時間程度、処理すればよい。
【００４３】
微粉砕を行うにあたって、副成分を添加することが好ましい。特に本発明では、Ｓｉ成分としてＳｉＯ２を、Ｃａ成分としてＣａＣＯ３を添加することが好ましい。この副成分の添加は、焼結性の改善、磁気特性の制御及び焼結体の結晶粒径の調整等を目的として添加される。
微粉砕工程は、第１の微粉砕工程と第２の微粉砕工程に分け、かつ第１の微粉砕工程と第２の微粉砕工程の間に粉末熱処理工程を行うこともできる。
【００４４】
＜磁場中成形工程＞
磁場中成形工程は、乾式成形、もしくは湿式成形のいずれの方法でも行うことができるが、磁気的配向度を高くするためには、湿式成形で行うことが好ましい。
湿式成形を行う場合、微粉砕工程を湿式で行い、得られたスラリを所定の濃度に濃縮し、湿式成形用スラリとする。濃縮は、遠心分離やフィルタープレス等によって行えば良い。この場合、微粉砕粉が、湿式成形用スラリ中の３０〜８０ｗｔ％程度を占めることが好ましい。また、分散媒としては水が好ましく、さらに、グルコン酸及び／又はグルコン酸塩、ソルビトール等の界面活性剤が添加されていることが好ましい。次いで、湿式成形用スラリを用いて磁場中成形を行う。成形圧力は０．１〜０．５ｔｏｎ／ｃｍ２程度、印加磁場は５〜１５ｋＯｅ程度とすれば良い。なお、分散媒は水に限らず、非水系溶媒を使用しても良い。非水系の分散媒を使用する場合には、トルエンやキシレン等の有機溶媒を使用することができる。この場合には、オレイン酸等の界面活性剤を添加することが好ましい。
【００４５】
＜焼成工程＞
得られた成形体を焼成し、焼結体とする。焼成は、通常、大気中等の酸化性雰囲気中で行われる。焼成温度は１０５０〜１２７０℃、好ましくは１０８０〜１２４０℃の温度範囲で行い、保持する時間は０．５〜３時間程度とすれば良い。
【００４６】
湿式成形で成形体を得た場合、成形体を充分に乾燥させないまま急激に加熱すると、成形体にクラックが発生する可能性がある。その場合、室温から１００℃程度まで、例えば１０℃／時間程度のゆっくりとした昇温速度にすることで、成形体を充分に乾燥し、クラック発生を抑制することが好ましい。また、界面活性剤（分散剤）等を添加した場合、１００〜５００℃程度の範囲で、例えば２．５℃／時間程度の昇温速度とすることで脱脂処理を行い、分散剤を充分に除去することが好ましい。
【００４７】
さて、非可逆回路素子１は、各部品が組み付けられた後に、永久磁石７が着磁される（先の着磁）。その後、非可逆回路素子１は、品質管理として、挿入損失及び逆方向損失が測定される。
図２にその１例を示す。図２は、着磁磁界を９．４ｋＯｅ、１０ｋＯｅ及び１０．８ｋＯｅと変えて得られた挿入損失及び逆方向損失の周波数特性を示している。着磁磁界を強くすることにより、挿入損失のピークを高周波側へシフトすることができる。しかし、１０．８ｋＯｅ以上の強い磁界で着磁しても、さらに高周波側、具体的には８２５ＭＨｚ以上に挿入損失のピークをシフトすることができない。
【００４８】
図３は、本発明にかかる永久磁石７を用いた非可逆回路素子１の挿入損失及び逆方向損失の周波数特性を示している。この例でも、着磁磁界を強くすることにより、挿入損失のピークを高周波側にシフトすることができる。そして、この例では、８．６ｋＯｅ又はそれ以上の着磁磁界によって、挿入損失のピークを８２５ＭＨｚ以上にシフトすることができる。
【００４９】
このように、図２の測定に用いた永久磁石７はマージンが小さいために、増磁によって挿入損失のピークを高周波側へシフトできる量が少ない。これに対して本発明によれば、増磁によって挿入損失のピークを高周波側へシフトできる量が多いため、挿入損失特性が規格からずれた場合でも、規格への挿入損失特性の調整が容易となる。このことは、製品歩留まりを向上できることを示している。
【実施例１】
【００５０】
出発原料として水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）及び酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）を用意した。これらの主成分を構成する出発原料を、酸素を除いて焼成後の主成分が下記組成式（ａ）〜（ｃ）（モル比）となるように秤量した。秤量された主成分を表１に示す。なお、表１には前述した組成式（１）のｘ、ｙ、ｚ等の値も併記している。
組成式（ａ）：Ｌａ０．６ＣａｍＳｒ０．４−ｍＦｅ１１．０Ｃｏ０．４
ｍ＝０，０．１，０．２，０．３，０．３７５，０．４
組成式（ｂ）：Ｌａ０．４５ＣａｍＢａ０．１Ｓｒ０．４５−ｍＦｅ１１．５Ｃｏ０．３
ｍ＝０，０．０５，０．１５，０．２５，０．３５
組成式（ｃ）：Ｌａ０．１２ＣａｍＳｒ０．８８−ｍＦｅ１１．９２Ｃｏ０．０８
ｍ＝０，０．０４４，０．０８８，０．１７６，０．２６４，０．３５２
【００５１】
【表１】
2007258880.tif 000003
【００５２】
以上の配合原料を湿式アトライタで混合、粉砕してスラリ状の原料組成物を得た。このスラリを乾燥後、大気中にて１３５０℃（組成式（ａ））、１２５０℃（組成式（ｂ））又は１２００℃（組成式（ｃ））で３時間保持する仮焼を行った。
得られた仮焼体をロッド振動ミルで粗粉砕した。
次の微粉砕はボールミルにより２段階で行った。第１の微粉砕工程は粗粉末に対して水を添加して８８時間処理するというものである。第１の微粉砕工程後に、微粉末を大気中、８００℃で熱処理を行った。
続いて、熱処理粉に対して、水及びソルビトールを添加し、さらに副成分としてＳｉＯ２を０．６０ｗｔ％、ＣａＣＯ３を１．４０ｗｔ％添加して湿式ボールミルにて２５時間処理する第２微粉砕を行った。
【００５３】
得られた微粉砕スラリの固形分濃度を調整し、湿式磁場成形機を使用して、１２ｋＯｅの印加磁場中で直径３０ｍｍ×厚み１５ｍｍの円柱状成形体を得た。成形体は大気中室温にて充分に乾燥し、ついで大気中１１４０℃（組成式（ａ）、（ｂ））又は１１８０℃（組成式（ｃ））で１時間保持する焼成を行った。
【００５４】
得られた焼結体の組成（Ｌａ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｆｅ，Ｃｏ）を蛍光Ｘ線定量分析により測定した。また、得られた円柱状焼結体の上下面を加工した後、最大印加磁場２５ｋＯｅのＢ−Ｈトレーサを使用して、残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）を測定した。また、得られた焼結体の相構成を上述した条件のＸ線回折によりＭ型フェライト相の比率を特定した。以上の結果を表２に示す。また、得られた焼結磁石を用いて図１に示す非可逆回路素子１を作製した。なお、永久磁石７の厚さを０．３２５ｍｍとした。この非可逆回路素子１について、８ｋＯｅで着磁した後に、増磁することにより挿入損失のピークを８２５ＭＨｚ以上のシフトできるか否かを評価した。挿入損失のピークを８２５ＭＨｚ以上にシフトができた場合には○を、できなかった場合には×を表２に付した。さらに、ｘを横軸、ｍを縦軸とする（ｘ，ｍ）座標上に試料Ｎｏ．１〜１７をプロットしたグラフを図５に示す。
【００５５】
【表２】
2007258880.tif 000004
【００５６】
図４は、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできた試料を○で、できなかった試料を×でプロットしている。図４において、○で示される試料Ｎｏ．３〜５、８〜１０を囲む領域は、（ｘ，ｍ）座標において、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）を結ぶ線分で特定される。そこで本発明では、組成式（１）のＬａ量を示すｘ、Ｃａ量を示すｍを、（ｘ，ｍ）座標の、（０．３７，０．１０）、（０．６０，０．３０）、（０．５４，０．４５）及び（０．３７，０．３７）で囲まれる領域内の値とする。
以上より、ＡサイトにＢａ、Ｓｒに加えてＣａを所定量含むことにより、Ｌａの六方晶フェライト相への固溶量の多いＬａ系の六方晶フェライトが得られた。そしてこのフェライト永久磁石は、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトすることができるように、大きなマージンを持つことができる。
【００５７】
図５及び図６に、Ｃａ量（ｍ）と残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨｃＪ）の関係を示す。図５及び図６より、高い残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）が得られ、マージンを大きくするためには、ｍ（Ｃａ）は０．２〜０．４５とすることが好ましく、０．２５〜０．４５とすることがより好ましい。
【実施例２】
【００５８】
出発原料として水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）及び酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）を用意した。これらの主成分を構成する出発原料を、酸素を除いて焼成後の主成分が下記式（ｄ）（モル比）となるように秤量した。秤量された主成分を表３に示す。なお、表３には前述した組成式（１）のｘ、ｙ、ｚ等の値も併記している。
式（ｄ）：Ｌａ０．６Ｃａ０．３Ｓｒ０．１Ｆｅ１１．４−ｙｚＣｏｙｚ
ｘ／ｙｚ：２．００、１．７１、１．５０、１．２０
【００５９】
【表３】
2007258880.tif 000005
【００６０】
以上の配合原料を湿式アトライタで混合、粉砕してスラリ状の原料組成物を得た。このスラリを乾燥後、大気中１３５０℃で３時間保持する仮焼を行った。
得られた仮焼体をロッド振動ミルで粗粉砕した。
次の微粉砕はボールミルにより２段階で行った。第１の微粉砕工程は粗粉末に対して水を添加して８８時間処理するというものである。第１の微粉砕工程後に、微粉末を大気雰囲気中、８００℃で熱処理を行った。
続いて、熱処理粉に対して、水及びソルビトールを添加し、さらに副成分としてＳｉＯ２を０．６０ｗｔ％、ＣａＣＯ３を１．４０ｗｔ％添加して湿式ボールミルにて２５時間処理する第２微粉砕を行った。
【００６１】
得られた微粉砕スラリの固形分濃度を調整し、湿式磁場成形機を使用して、１２ｋＯｅの印加磁場中で直径３０ｍｍ×厚み１５ｍｍの円柱状成形体を得た。成形体は大気中室温にて充分に乾燥し、ついで大気中１１４０℃で１時間保持する焼成を行った。
【００６２】
得られた焼結体の組成（Ｓｒ，Ｌａ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｃｏ）を蛍光Ｘ線定量分析により測定した。また、得られた円柱状焼結体の上下面を加工した後、最大印加磁場２５ｋＯｅのＢ−Ｈトレーサを使用して、残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）を測定した。得られた焼結体の相構成を上述した条件のＸ線回折によりＭ型フェライト相の比率を特定した。また、実施例１と同様にして、各試料を用いた非可逆回路素子１について、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできるか否かの評価を行った。
以上の結果を表４に示す。表４に示すように、ｘ／ｙｚが２．００では８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできなかった。そこで本発明では、ｘ／ｙｚ（Ｌａ／Ｃｏ）を１．１５〜１．９５とした。
【００６３】
【表４】
2007258880.tif 000006
【００６４】
図７及び図８に、ｘ／ｙｚと残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨｃＪ）の関係を示す。図７及び図８より、高い残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）が得られ、マージンを大きくするためには、ｘ／ｙｚは１．２５〜１．８５とすることが好ましく、１．３５〜１．７５とすることがより好ましい。
【実施例３】
【００６５】
出発原料として水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）及び酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）を用意した。これらの主成分を構成する出発原料を、酸素を除いて焼成後の主成分が下記式（ｅ）（モル比）となるように秤量した。秤量された主成分を表５に示す。なお、表５には前述した組成式（１）のｘ、ｙ、ｚ等の値も併記している。
式（ｅ）：Ｌａ０．６Ｃａ０．３Ｓｒ０．１Ｆｅ１２ｚ−０．４Ｃｏ０．４
１２ｚ：１０．２〜１２．４
【００６６】
【表５】
2007258880.tif 000007
【００６７】
以上の配合原料を湿式アトライタで２時間混合、粉砕してスラリ状の原料組成物を得た。このスラリを乾燥後、大気中１３５０℃で３時間保持する仮焼を行った。
得られた仮焼体をロッド振動ミルで粗粉砕した。
次の微粉砕はボールミルにより２段階で行った。第１の微粉砕工程は粗粉末に対して水を添加して８８時間処理するというものである。第１の微粉砕工程後に、微粉末を大気雰囲気中、８００℃で熱処理を行った。
続いて、熱処理粉に対して、水及びソルビトールを添加し、さらに副成分としてＳｉＯ２を０．６０ｗｔ％、ＣａＣＯ３を１．４０ｗｔ％添加して湿式ボールミルにて２５時間処理する第２微粉砕を行った。
【００６８】
得られた焼結体の組成（Ｓｒ，Ｌａ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｃｏ）を蛍光Ｘ線定量分析により測定した。また、得られた円柱状焼結体の上下面を加工した後、最大印加磁場２５ｋＯｅのＢ−Ｈトレーサを使用して、残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）を測定した。得られた焼結体の相構成を上述した条件のＸ線回折によりＭ型フェライト相の比率を特定した。また、実施例１と同様にして、各試料を用いた非可逆回路素子１について、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできるか否かの評価を行った。
以上の結果を表６に示す。表６に示すように、Ｆｅ＋Ｃｏ（１２ｚ）が９．１１、１１．０７では８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできないことがわかる。そこで本発明では、Ｆｅ＋Ｃｏ（１２ｚ）を９．２〜１１とする。
【００６９】
【表６】
2007258880.tif 000008
【００７０】
図９及び図１０に、Ｆｅ＋Ｃｏ（１２ｚ）と残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨｃＪ）の関係を示す。図９及び図１０より、高い残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）が得られ、マージンを大きくするためには、Ｆｅ＋Ｃｏ（１２ｚ）は９．２〜１０．９とすることが好ましく、９．４〜１０．８さらには９．７〜１０．５とすることがより好ましい。
【実施例４】
【００７１】
出発原料として水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）及び酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）を用意した。これらの主成分を構成する出発原料を、酸素を除いて焼成後の主成分が下記式（ｆ）（モル比）となるように秤量した。秤量された主成分を表７に示す。なお、表７には前述した組成式（１）のｘ、ｙ、ｚ等の値も併記している。
式（ｆ）：Ｌａ０．６Ｃａ０．３Ｂａ０．１Ｆｅ１２ｚ−０．４Ｃｏ０．４
１２ｚ：１１．４〜１１．８
【００７２】
【表７】
2007258880.tif 000009
【００７３】
以上の配合原料を湿式アトライタで２時間混合、粉砕してスラリ状の原料組成物を得た。このスラリを乾燥後、大気中にて１３００℃で３時間保持する仮焼を行った。
得られた仮焼体をロッド振動ミルで粗粉砕した。
次の微粉砕はボールミルにより２段階で行った。第１の微粉砕工程は粗粉末に対して水を添加して８８時間処理するというものである。第１の微粉砕工程後に、微粉末を大気雰囲気中、８００℃で熱処理を行った。
続いて、熱処理粉に対して、水及びソルビトールを添加し、さらに副成分としてＳｉＯ２を０．６０ｗｔ％、ＣａＣＯ３を１．４０ｗｔ％添加して湿式ボールミルにて２５時間処理する第２微粉砕を行った。
【００７４】
得られた焼結体の組成（Ｌａ，Ｃａ，Ｂａ，Ｆｅ，Ｃｏ）を蛍光Ｘ線定量分析により測定した。また、得られた円柱状焼結体の上下面を加工した後、最大印加磁場２５ｋＯｅのＢ−Ｈトレーサを使用して、残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（ＨｃＪ）を測定した。また、得られた焼結体の相構成を上述した条件のＸ線回折によりＭ型フェライト相の比率を特定した。また、実施例１と同様にして、各試料を用いた非可逆回路素子１について、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトできるか否かの評価を行った。
以上の結果を表８に示す。表８に示すように、元素αがＢａでも、８２５ＭＨｚ以上の高周波側へ挿入損失のピークをシフトすることができる。
【００７５】
【表８】
2007258880.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施の形態による非可逆回路素子の構成を示す分解斜視図である。
【図２】着磁磁界を変えて得られた挿入損失及び逆方向損失の周波数特性の１例を示すグラフである。
【図３】着磁磁界を変えて得られた挿入損失及び逆方向損失の周波数特性の他の例を示すグラフである。
【図４】実施例１において、（ｘ，ｍ）座標上に試料Ｎｏ．１〜１７をプロットしたグラフである。
【図５】実施例１におけるＣａ量（ｍ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の関係を示すグラフである。
【図６】実施例１におけるＣａ量（ｍ）と保磁力（ＨｃＪ）の関係を示すグラフである。
【図７】実施例２におけるＬａ／Ｃｏ（ｘ／ｙｚ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の関係を示すグラフである。
【図８】実施例２におけるＬａ／Ｃｏ（ｘ／ｙｚ）と保磁力（ＨｃＪ）の関係を示すグラフである。
【図９】実施例３におけるＦｅ＋Ｃｏ量（１２ｚ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の関係を示すグラフである。
【図１０】実施例３におけるＦｅ＋Ｃｏ量（１２ｚ）と保磁力（ＨｃＪ）の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７７】
１…非可逆回路素子（アイソレータ）、２…磁気回転子、３…中心電極、４…軟磁性基体、７…永久磁石、９…ケース、９１…ケース本体、９２…カバー
【図１】
2007258880.tif 000011
【図２】
2007258880.tif 000012
【図３】
2007258880.tif 000013
【図４】
2007258880.tif 000014
【図５】
2007258880.tif 000015
【図６】
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【図７】
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【図８】
2007258880.tif 000018
【図９】
2007258880.tif 000019
【図１０】
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