(57)【要約】【課題】六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子は、ＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させた構造となっている。Ｍ面（１０−１０）を露出させたＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２を成長させ、ＳｉＣ基板１のｍ軸方向と、窒化物半導体結晶２のｍ軸方向とがオフ角を生じるように形成される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系の結晶構造を有するＳｉＣ基板の露出したＭ面上に窒化物半導体を結晶成長させた窒化物半導体素子において、
前記ＳｉＣ基板のｍ軸＜１０−１０＞と前記窒化物半導体のｍ軸＜１０−１０＞との間にオフ角が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記オフ角は、ａ軸方向への傾斜角度よりもｃ軸方向への傾斜角度の方が大きいことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記オフ角は、０．１度以上、４度以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記ＳｉＣ基板の露出したＭ面上に結晶成長させた窒化物半導体側のＭ面が前記オフ角を有することを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物半導体側のＭ面のオフ角は、０．１度以上、１０度以下であることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体のうち、前記ＳｉＣ基板に接して形成される半導体は、Ａｌを含む窒化物であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物半導体のうち、前記ＳｉＣ基板に接して形成される半導体は、不純物としてＳｉがドーピングされていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、六方晶系の結晶構造を有するＳｉＣ基板を用いた窒化物半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色、又は紫色の光を発する半導体レーザ素子、発光ダイオード等の半導体発光素子として、窒化物半導体発光素子がある。窒化物半導体発光素子の製造の際には、ＧａＮからなる基板の製造が困難であるため、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ等からなる基板上にＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させている。
【０００３】
例えば、特許文献１に示されるように、６Ｈ−ＳｉＣ基板上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）を用いて、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ノンドープＧａＮ光閉じ込め層、ＭＱＷ活性層、ノンドープＧａＮ光閉じ込め層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層が順に形成される。
【０００４】
ＳｉＣの種類には、その結晶構造によって、立方晶、六方晶、菱面体晶等があるが、６Ｈ−ＳｉＣ基板は、六方晶の結晶構造を有する。６Ｈ−ＳｉＣ基板の上にＧａＮ系半導体層を積層する場合には、ＳｉＣ基板のＣ面（０００１）が用いられ、（０００１）方位のＳｉＣ基板上に積層したＧａＮ系半導体は、（０００１）方位のウルツ鉱型の結晶構造を持ち、Ｇａのカチオン元素が成長表面方向になる結晶極性を有している。すなわち、ＳｉＣ基板の垂直方向がｃ軸＜０００１＞で積層されている。
【特許文献１】特開平１０−２６１８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来技術のように、ＳｉＣ基板のＣ面（０００１）に積層されたＧａＮ系半導体層は、Ｇａ極性面が成長表面方向となるが、成長したＧａＮ系半導体層のＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ結合界面等では、格子定数が異なるために界面において応力が発生する。また、ｃ軸方向に対称性がなく、Ｃ面成長のエピタキシャル膜には表裏が生じるというウルツ鉱構造のため、上記界面における応力と自発分極に起因するピエゾ分極が起こり、分極電荷が発生し、ヘテロ結合界面に電界が発生する。
【０００６】
この電界は、例えば、ノンドープＧａＮ光閉じ込め層からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層に向かって発生するので、発生した電界によって、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層からノンドープＧａＮ光閉じ込め層に流れ込む正孔が電気的な反発を受けてＭＱＷ活性層に流れ込めなくなり、キャリア空乏化が発生して駆動電圧が上昇する。また、電界の発生方向が逆になった場合には、ｎ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮ界面で同様な現象が発生する。駆動電圧の上昇は、窒化物半導体素子の寿命を短くすることになる。また、発光素子の場合には、量子井戸に生じた電界により、キャリアの分極が起きるため、発光効率の低下、発光波長のシフトを招く。
【０００７】
そこで、窒化物半導体の成長方向が、ＧａＮのＮ（窒素）極性やＧａ極性とは異なる無極性面になるようにするために、ＳｉＣ基板の成長面として、Ｓｉ極性面（＋Ｃ面）やＣ（炭素）極性面（−Ｃ面）ではない無極性のＭ面（１０−１０）を用いることが考えられる。しかし、ＳｉＣ基板としてＭ面（１０−１０）ジャスト基板を用い、このＭ面上に、ＳｉＣ基板のｍ軸と窒化物半導体のｍ軸とが一致するように窒化物半導体層が形成された場合、平坦な成長面を得ることが困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、六方晶系の結晶構造を有するＳｉＣ基板の露出したＭ面上に窒化物半導体を結晶成長させた窒化物半導体素子において、前記ＳｉＣ基板のｍ軸＜１０−１０＞と前記窒化物半導体のｍ軸＜１０−１０＞との間にオフ角が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子半導体発光素子である。
【００１０】
また、請求項２記載の発明は、前記オフ角は、ａ軸方向への傾斜角度よりもｃ軸方向への傾斜角度の方が大きいことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体素子である。
【００１１】
また、請求項３記載の発明は、前記オフ角は、０．１度以上、４度以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子である
【００１２】
また、請求項４記載の発明は、前記ＳｉＣ基板の露出したＭ面上に結晶成長させた窒化物半導体側のＭ面が前記オフ角を有することを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子である。
【００１３】
また、請求項５記載の発明は、前記窒化物半導体側のＭ面のオフ角は、０．１度以上、１０度以下であることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体素子である。
【００１４】
また、請求項６記載の発明は、前記窒化物半導体のうち、前記ＳｉＣ基板に接して形成される半導体は、Ａｌを含む窒化物であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子である。
【００１５】
また、請求項７記載の発明は、前記窒化物半導体のうち、前記ＳｉＣ基板に接して形成される半導体は、不純物としてＳｉがドーピングされていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＳｉＣ基板の露出したＭ面上に窒化物半導体を積層しているので、窒化物半導体の成長面は、ＧａＮのＮ（窒素）極性やＧａ極性とは異なる無極性面で形成され、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。また、ＳｉＣ基板のｍ軸＜１０−１０＞と前記窒化物半導体のｍ軸＜１０−１０＞との間にオフ角が形成されているので、ＳｉＣ基板上に積層された窒化物半導体の成膜の平坦性が良くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明の窒化物半導体素子の概略構成を示す。窒化物半導体素子は、ＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させた構造となっている。ＳｉＣの種類には、その結晶構造によって、立方晶、六方晶、菱面体晶などがあるが、ＳｉＣ基板１には、六方晶（頭文字の表記はＨ）の結晶構造を有するものを用いる。例えば、４Ｈ−ＳｉＣ基板、６Ｈ−ＳｉＣ基板等を用いる。
【００１８】
図５は、六方晶系の結晶構造の模式図を示す。六方晶系の結晶構造は、ウルツ鉱型の結晶構造とも言われ、図５に示す結晶の面や方位はいわゆるミラー指数で表され、例えば、Ｃ面は（０００１）、ｃ軸は＜０００１＞、ａ軸は＜１１−２０＞、ｍ軸は＜１−１００＞と表示する。なお、物理学上の慣用の約束として、（ｈｋｌｍ）はある特定面を指すのではなく、その結晶が持つ空間群において（ｈｋｌｍ）と等価な面全体を表す。同じく＜ｈｋｌｍ＞は、ある特定軸方向と等価な軸方向全体を表す。
【００１９】
ところで、図１に示すように、Ｍ面（１０−１０）を露出させたＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２を成長させるが、そのときにＳｉＣ基板１のｍ軸（このｍ軸をｍ軸１とする）方向と、窒化物半導体結晶２のｍ軸（このｍ軸をｍ軸２とする）方向とが一致していなくて、ずれが生じるように形成している。例えば、ＳｉＣ基板１として、その表面がＭ面（１０−１０）ジャスト基板を用いるとして、ＳｉＣ基板１の露出したＭ面上に座標軸Ｘ、Ｙ、Ｚをとり、各々ａ軸、ｃ軸、ｍ軸１に一致させ、ｍ軸１とｍ軸２とのなす角度、すなわちオフ角をθとする。ここで、ａ軸、ｃ軸、ｍ軸１の各軸は各々直交している。
【００２０】
ＳｉＣ基板１上に成長させた窒化物半導体結晶２の表面は、窒化物半導体結晶２におけるＭ面（１０−１０）の面方位から、ＳｉＣ基板１のｍ軸方向にθ度傾斜していることになる。また、オフ角θの成分のうち、ＳｉＣ基板１におけるａ軸とのなす角をθａ、ｃ軸とのなす角をθｃとすると、ｍ軸２は、ａ軸方向にθａ度傾斜し、ｃ軸方向にはθｃ度傾斜していることになる。
【００２１】
図１を正面から見た図を図３に示す。Ｍ面（１０−１０）ジャスト基板のＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２が形成されており、ＳｉＣ基板１のｍ軸１と窒化物半導体結晶２のｍ軸２とのオフ角がθとなっており、窒化物半導体結晶２の表面とＭ面とのオフ角がθとなるように形成される。
【００２２】
一方、ＳｉＣ基板１のｍ軸１と、窒化物半導体結晶２のｍ軸２との間にθのオフ角が生じるように構成する方法としては、図３の他に、図４のように構成することもできる。図４の場合は、結晶成長の基礎となるＳｉＣ基板１側をＭ面（１０−１０）ジャスト基板とせずに、傾斜基板を用いるものである。ＳｉＣ基板１として傾斜基板を用いる場合には、ＳｉＣ基板１の面方位が、＜１０−１０＞軸方向とθのオフ角が生じるように、研磨しておく。そして、ＳｉＣ基板１の面方位と同方向に窒化物半導体結晶２の＜１０−１０＞軸が揃うように窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させる。このようにして、ＳｉＣ基板１のｍ軸１と窒化物半導体結晶２のｍ軸２との間にθのオフ角を形成することができる。
【００２３】
図４でＳｉＣ基板１の面方位が、＜１０−１０＞軸方向とθのオフ角が生じるように、研磨して、傾斜基板とした場合の結晶構造を模式的に表したのが図２である。説明を簡単にするために、θのオフ角が＜１０−１０＞軸からａ軸方向のみに傾斜していると仮定する。Ａ−Ｂは基板表面であり、階段状になっているのは、原子ステップである。この基板は、（１０−１０）面の面方位からθ度、＜１０−１０＞軸方向に傾斜していることがわかる。また、基板表面上では、Ｍ面（１０−１０）だけではなく、ステップ面となっているＡ面（１１−２０）も現われていることがわかる。また、この結晶構造は、図３に示す窒化物半導体結晶２の表面でも同じように発生する。
【００２４】
以上のように、まず、成長面としてＳｉＣ基板１のＭ面を用いることで、その上に結晶成長させた窒化物半導体結晶２の結晶構造も、成長方向面がＧａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極の発生がほとんどなく、キャリア空乏化等を防止できる。
【００２５】
また、ＳｉＣ基板１のｍ軸＜１０−１０＞と窒化物半導体結晶２のｍ軸＜１０−１０＞との間にオフ角が形成されるように構成しているので、ＳｉＣ基板１に成長した窒化物半導体結晶２の成長表面の平坦性を良くすることができ、良質な窒化物半導体素子を構成することができる。
【００２６】
ところで、ｍ軸１とｍ軸２とのオフ角θが形成されていると、ＳｉＣ基板１に成長した窒化物半導体結晶２の平坦性は向上するが、特に０．１度以上、４度以下（０．１≦θ≦４）の範囲で平坦性が保たれる。なお、図４の場合のように、ＳｉＣ基板１として傾斜基板を用いる場合には、オフ角θは、０．１度以上、１０度以下（０．１≦θ≦１０）の範囲で平坦性が保たれる。さらに、オフ角θは、ａ軸方向への傾斜角度θａよりも、ｃ軸方向への傾斜角度θｃ度の方が大きい方が（θａ＜θｃ）、平坦性は向上する。
【００２７】
次に、図３のようにＳｉＣ基板１を（１０−１０）ジャスト基板とし、この上にオフ角を有するように窒化物半導体結晶２を成長させた場合の一例を図６に示す。図６は、レーザ素子構造の例を示すものである。
【００２８】
ＳｉＣ基板１上にＭＯＣＶＤ法により各層を作製する。ＳｉＣ基板１は、窒素ドープのｎ型ＳｉＣ基板を用いて導電性の基板とすれば、基板裏面に電極を形成できる。ＳｉＣ基板１上に、例えば、ｎ型バッファ層３２はＳｉをドープしたＡｌＮ又はＡｌＧａＮを３μｍ成長させ、ｎ型クラッド層３３はＳｉをドープしたＡｌＧａＮを０．５μｍ、ｎ型光ガイド層３４はＳｉをドープしたＧａＮを０．１μｍ成長させ、ＭＱＷ活性層８は、ＧａＮからなる障壁層と、Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなる井戸層との多重量子井戸構造とし、ｐ型光ガイド層３６はＭｇをドープしたＧａＮを０．１μｍ、ｐ型クラッド層３７はＭｇをドープしたＡｌＧａＮを０．５μｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層３８を成長させる。その後、ｐ型コンタクト層３８にはＰｄ／Ａｕからなるｐ電極３９、ＳｉＣ基板１の裏面にはＡｌ／Ａｕからなるｎ電極３１が形成される。
【００２９】
活性層にはＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）、クラッド層にはＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を用いたが、一般にIII族（三族）窒化物半導体として、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を用いることができる。ここで、ｎ型バッファ層３２〜ｐ型コンタクト層３８までが、図３の窒化物半導体結晶２に相当する。
【００３０】
その製造方法であるが、ＳｉＣ基板１上にＡｌＮ又はＡｌＧａＮ等で構成されるｎ型バッファ層３２の結晶成長部分をまず説明する。ＳｉＣ基板１のＭ面とｎ型バッファ層３２のＭ面との間にオフ角が形成されるようにｎ型バッファ層３２が積層されれば、その後の窒化物半導体層は、すべて成長面の面方位がｎ型バッファ層３２と同様になる。
【００３１】
最初に、六方晶の結晶構造を有する４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ等からなる基板１をＭＯＣＶＤ装置内に搬送する。次に基板温度を１０００℃〜１１００℃（望ましくは１０４０℃〜１０６０℃）の範囲にし、圧力を１０〜５０ＫＰａ（望ましくは２０〜４０ＫＰａ）にした後、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１０μモル／分、アンモニア（ＮＨ３）を２０Ｌ／分、水素ベース５０ｐｐｍのシラン（ＳｉＨ4）を１０ｃｃ／分、キャリア水素（Ｈ２）を２０Ｌ／分それぞれ流して、ｎ型ＡｌＮバッファ層３２を例えば３μｍ堆積する。ここで、アンモニアとＴＭＡ等の有機金属とのモル比は、装置によっても異なるが、およそ１００〜１００００（望ましくは３００〜１０００）の範囲で設定される。また、アンモニアの流量についても、装置によるが、通常１〜１００ｓｌｍの範囲に設定される。
【００３２】
また、ｎ型バッファ層３２としてｎ型ＡｌＧａＮとする場合は、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に加えて、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を加えるようにする。その後のｎ型クラッド層３３〜ｐ型コンタクト層３８までの各半導体層については、キャリアガスの水素／窒素とともに、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、ＴＭＧ、ＮＨ３、ＴＭＡ、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などの各半導体層の成分に対応する反応ガス、ｎ型、ｐ型にする場合のドーパントガスを供給して、７００℃〜１２００℃程度の範囲内で成長温度を変化させて順次結晶成長させることにより、所定の組成で、所定の導電型の半導体層を、必要な厚さに形成した。
【００３３】
例えば、ＧａＮの成長には、Ｇａ原子の原料ガスであるトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、および、窒素原子の原料ガスであるアンモニア（ＮＨ３）を用いた。また、ＩｎＧａＮの成長にはＩｎ原子の原料ガスであるトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、Ｇａ原子の原料ガスであるトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、窒素原子の原料ガスであるアンモニア（ＮＨ３）を用いた。
【００３４】
ｎ型不純物およびｐ型不純物には、それぞれ、Ｓｉ不純物およびＭｇ不純物を用いた。これらの不純物をドーピングするためには、Ｓｉ原子の原料ガスであるシラン（ＳｉＨ4）およびＭｇ原子の原料ガスであるシクロペンタジエチルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を他の成長用ガスと同時に供給した。不純物のドーピング濃度は、それぞれの原料ガスの流量によって制御した。
【００３５】
最後に、ＳｉＣ基板１の裏面にＡｌ／Ａｕ等からなるｎ電極３１を、ｐ型コンタクト層３８の上にＰｄ／Ａｕ等からなるｐ電極３９を蒸着又はスパッタにより形成して図６の窒化物半導体素子が完成する。
【００３６】
次に、図４に示すように、ＳｉＣ基板１として傾斜基板を用い、その表面上に、ＳｉＣ基板１のｍ軸と窒化物半導体結晶２のｍ軸との間にオフ角が形成されるように、窒化物半導体結晶２を成長させて、成長表面がＭ面となった窒化物半導体素子としてＬＥＤの例を図７に示す。ＳｉＣ基板１は、六方晶の結晶構造を有する４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ等からなる基板を用いた。なお、窒素ドープのｎ型ＳｉＣ基板を用いて導電性の基板とすれば、基板裏面に電極を形成でき、ｐ電極とｎ電極が対向した形の窒化物半導体素子を作製できる。
【００３７】
図２、４に示すように、まず、ＳｉＣ基板１の成長面にＭ面が露出するようにし、研磨等で、成長面の面方位が＜１０−１０＞軸とオフ角を有するように、基板に傾斜を形成する。次に、ＭＯＣＶＤ法で、ＳｉＣ基板１上にｎ型窒化物半導体層２１、活性層２２、ｐ型窒化物半導体２３を順に形成する。ここで、ｎ型窒化物半導体層２１〜ｐ型窒化物半導体２３までが、図４の窒化物半導体結晶２に相当する。
【００３８】
ｎ型窒化物半導体層２１は、例えば、ｎ型不純物ＳｉドープのＧａＮコンタクト層とｎ型不純物ＳｉドープのＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層とで構成される。発光領域としての活性層２２は、一例として、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ又はＩｎＧａＮバリア層を交互に積層した多重量子井戸構造が用いられる。ｐ型窒化物半導体２３は、例えば、ｐ型不純物ＭｇドープのＡｌＧａＮ電子バリア層とｐ型不純物ＭｇドープのＧａＮコンタクト層との積層により構成される。最後にｐ電極４、ｎ電極３を蒸着又はスパッタにより形成する。
【００３９】
ｎ電極３については、Ａｌ／Ａｕの多層金属膜等が、ｐ電極４には、Ｐｄ／Ａｕの多層金属膜等が用いられる。
【００４０】
各半導体層の製造については、上記図６の場合と同様、キャリアガスの水素／窒素とともに、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ３）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などの各半導体層の成分に対応する反応ガス、ｎ型にする場合のドーパントガスとしてのシラン（ＳｉＨ４）、ｐ型にする場合のドーパントガスとしてのＣＰ２Ｍｇ（シクロペンタジエチルマグネシウム）等の必要なガスを供給して、７００℃〜１２００℃程度の範囲で順次成長させることにより、所望の組成で、所望の導電型の半導体層を、必要な厚さに形成する。
【００４１】
以上のようにすると、ｎ型窒化物半導体層２１、活性層２２、ｐ型窒化物半導体２３の各層におけるｍ軸は同一方向に揃った状態で積層され、このｍ軸とＳｉＣ基板１のｍ軸とは、オフ角θを形成した状態で堆積される。
【００４２】
なお、上記図６及び図７の構成ともに、ＧａＮ層やＡｌＧａＮ層は、１１００℃程度の温度まで昇温して成長させるが、ＭＱＷ活性層中のＩｎＧａＮ井戸層やＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層のＩｎＧａＮ層については、７００℃〜８００℃の低温で成長させる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の窒化物半導体素子の全体構成を示す図である。
【図２】傾斜基板の結晶構造を表す模式図を示す図である。
【図３】ＳｉＣ基板のｍ軸と窒化物半導体結晶のｍ軸とがオフ角を形成する場合の構造図である。
【図４】ＳｉＣ基板のｍ軸と窒化物半導体結晶のｍ軸とがオフ角を形成する場合の構造図である。
【図５】六方晶系の結晶構造の概念図である。
【図６】本発明の窒化物半導体素子の構造の一例を示す図である。
【図７】本発明の窒化物半導体素子の構造の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    ＳｉＣ基板
２    窒化物半導体結晶
【図１】
2007324421.tif 000003
【図２】
2007324421.tif 000004
【図３】
2007324421.tif 000005
【図４】
2007324421.tif 000006
【図５】
2007324421.tif 000007
【図６】
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【図７】
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