(57)【要約】【課題】  全階調領域にて液晶分子の配向状態を充分に制御し、表示品位を改善することができるＶＡモードの液晶表示装置を提供する。【解決手段】  共通電極を有する第１基板と、画素電極、ゲート配線及びソース配線を有する第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示装置であって、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、かつ、上記液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向し、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、液晶配向制御用の突起物及び電極非形成領域の少なくとも一方を有し、上記第２基板のゲート配線は、画素電極と重畳するように配置されている液晶表示装置である。【選択図】    図１
2007033893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極を有する第１基板と、画素電極、ゲート配線及びソース配線を有する第２基板と、該基板間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示装置であって、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、かつ、該液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向し、
該第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、液晶配向制御用の突起物及び電極非形成領域の少なくとも一方を有し、
該第２基板のゲート配線は、画素電極と重畳するように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ソース配線は、画素電極間領域の縦横どちらか一方に隙間なく配置されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記突起物は、基板側を底面とした略円錐状であることを特徴する請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記電極非形成領域の平面形状は、略円状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記突起物の平面形状は、線状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記電極非形成領域の平面形状は、線状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１基板及び第２基板は、一方が液晶配向制御用の突起物を有し、他方が液晶配向制御用の電極非形成領域を有し、
該電極非形成領域は、突起物間に対応する領域に設けられたことを特徴とする請求項５又は６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、コントラスト比に優れた垂直配向モードの液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、近年、パーソナルコンピュータ、テレビジョン、カーナビゲーション、携帯電話等の携帯情報端末のディスブレイ等に薄型軽量の利点から幅広く利用され、種々の表示手段において欠くことのできないものとなっている。中でも、液晶分子が、電圧無印加時（しきい値電圧未満）には、略垂直配向し、電圧印加時（しきい値電圧以上）には、基板に対して水平となる垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；ＶＡ）モードの液晶表示装置は、高いコントラスト比を得ることができることから注目されている。
【０００３】
しかし、この高コントラスト比が得られるのは、液晶パネルを正面から眺めた場合に限られ、中間調表示において、斜め方向から液晶パネルを見る場合は、画像が不鮮明になる、正面から見る場合と色が異なる等の視野角依存性の問題がある。これは、見る方向により液晶分子の傾斜角が異なって見えるために生じる。
【０００４】
この視野角依存性の問題に対しては、マルチドメイン技術が用いられることが多い。これは、１画素内の液晶分子の配向方向が２以上となるように制御する技術である。これは、ＶＡモードとともに用いられることが多く、この場合は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードと呼ばれ、誘電率異方性が負の液晶分子を用い、かつ、基板上であって、画素領域の中央部に突起物を設ける方法が知られている。
【０００５】
ＭＶＡモードによれば、電圧無印加時には、基板の液晶層側に形成された垂直配向膜の配向規制力により、液晶分子が基板に対して垂直に配向する。しかしながら、突起物表面にも垂直配向膜が形成されているため、突起物の斜面付近の液晶分子は、基板面に対してわずかに傾斜する。そして、突起物から離れた液晶分子も、突起物近傍の液晶分子の影響を受けて、順次同じ方向へと配向する。こうして、画素領域全体の液晶分子が突起物を中心として軸対称に配向するため、見かけ上は、液晶分子の傾斜角が平均化され、どの方向から見ても均一な表示が得られる。更に、より厳密に液晶分子の配向軸を制御するために、画素領域を高分子壁により分割する方法も提案されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【０００６】
一方、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）基板に突起物を形成せず、代わりにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）画素電極上に電極非形成領域（電極スリット）を設けた場合も、ＴＦＴ基板上に突起物を設けた場合と同等の効果を有する。この場合は、電圧を印加すると、電極スリット近傍には、電界の歪み（斜め電界）が発生し、突起物を設けた場合と同様の電界分布となり、液晶分子の配向を制御することができる。
【０００７】
しかしながら、このようなマルチドメイン技術を用いても、完全に液晶分子の配向を制御することはできず、配向不良が生ずる領域が発生してしまうことがあった。配向制御用の突起物等を形成することによって得られる高視野角特性が効果的に発揮されつつ、液晶分子の配向不良を改善し、優れた表示品位を得るためには、未だ改善の余地があった。
【０００８】
なお、特許文献４には、複数の走査配線（ゲート配線）及び複数のデータ配線（ソース配線）間の各交差部近傍に位置する走査配線の少なくとも一部が画素電極と絶縁層を介して重なるように設けられた構成が記載されているが、垂直配向モードにおいて、ゲート配線の電界による液晶分子の配向の乱れが表示品位に影響することについては何ら触れられていない。
【特許文献１】特開平８−２９２４２３号公報
【特許文献２】特開平１０−１８６３３０号公報
【特許文献３】特開２００１−３３７８６号公報
【特許文献４】特開２００４−１１８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、全階調領域にて液晶分子の配向状態を充分に制御し、表示品位を改善することができるＶＡモードの液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、垂直配向モードの液晶表示装置、すなわち、共通電極を有する第１基板と、画素電極、ゲート配線及びソース配線を有する第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層とを備え、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、かつ、上記液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向し、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、液晶配向制御用の突起物及び電極非形成領域の少なくとも一方を有した液晶表示装置の表示品位について種々検討したところ、例えば白画面に黒い四角等の画面から灰色全面の画面に切り換えた場合、白から灰色と黒から灰色の領域で、残像が発生すること、及び、液晶パネル全体として表示のざらつきが生じることに着目した。
【００１１】
発明者は、残像やざらつきの原因が液晶分子の配向の乱れにあると考え、従来の液晶表示装置の液晶分子の配向が、理想的な液晶分子の配向と異なる点について比較検討した。図５は、液晶分子が理想的な配向状態を示している場合に、画素領域及び画素電極間領域をクロスニコルの偏光顕微鏡で観察したときの液晶分子の消光パターンである。ソース配線４及びゲート配線３は、画素電極１の周囲を取り囲むようにそれぞれ縦横に配置されている。消光パターン３１は、液晶分子２１の配向ベクトルの方向が偏光子と垂直又は平行のときは、その液晶分子２１を通過した光は検光子に吸収され、暗視野となるために観察される。すなわち、消光パターン３１は、液晶分子２１の配向方向を可視化したものといえる。図５の消光パターン３１が示すように、理想的な液晶分子２１の配向は、画素電極１の中央部に設けられた突起物５を中心とした完全な放射状となる。
【００１２】
図６は、突起物５による傾斜と画素電極１のパターンによる等電位線４１の曲がりとを組み合わせた場合のＶＡモードの理想的な配向制御模式図である。電圧無印加（しきい値電圧未満）時には、液晶分子２１は、基板表面に形成された垂直配向膜７の配向規制力により、基板２２、２３に対して垂直に配向する。突起物５の斜面にも垂直配向膜７は形成されているため、突起物５近傍の液晶分子２１は、基板２２、２３に対してわずかに傾く。電圧を印加すると、図６に示すように、画素電極領域では、液晶分子２１が、画素電極１及び共通電極２が作り出した電界により、等電位線４１に液晶分子２１の長軸が平行になるように傾いていく。その際、突起物５から離れた液晶分子２１は、矢印で示すように、基板に対してわずかに傾いた液晶分子２１と同じ方向に順次傾き始める。また、画素電極間領域５１には、電圧が印加されていないため、図６に示すような等電位線４１を描く。すると、図６において、右側の画素電極間領域５１の液晶分子２１は、電圧を印加すると、突起物５近傍の右領域の液晶分子と同じように配向する（傾斜する）。そのため、画素電極間領域５１の等電位線４１が、液晶分子２１の配向を不安定にすることはなく、液晶分子２１は、液晶層全体で安定な配向を示し、残像やざらつきの発生を抑制することができると考えられる。
【００１３】
一方、図７は、従来の液晶表示装置の画素領域及び画素電極間領域の一部を示す平面模式図である。図８は、図７の液晶表示装置を線分Ａ−Ｂにて切断したときの断面模式図である（電圧印加時）。図９は、中間調表示状態において、従来の液晶表示装置における画素領域及び画素電極間領域を偏光顕微鏡で観察したときの液晶分子の消光パターンを示す模式図である。図９に示す消光パターン３１から、従来の液晶表示装置においては、液晶分子２１の配向は、完全な放射状ではなく、画素領域の縁部へ行くほど乱れていることがわかる。これは、図８に示すように、画素電極間領域５１における液晶分子２１の配向が乱れ、その影響を画素電極間領域５１から離れた液晶分子２１も受けるためであると考えられる。なお、この液晶分子２１は、画素電極１と共通電極２との間の電圧を印加していない（しきい値電圧未満）時には、更に配向が乱れていた。
【００１４】
ここで、本発明者は、図８に示すように、画素電極間領域５１の等電位線４１が、図６に示す理想的な等電位線４１とは異なることを見出した。すなわち、通常、共通電極２には−１Ｖ程度、ソース配線４には０〜±５．０Ｖの電圧が印加されているのに対し、ＴＦＴが有する特性により、ゲート配線３には−１０．０〜−１５．０Ｖの電圧が印加されているため、共通電極２と画素電極５とが作り出す液晶層２４の電界に対して、ゲート配線３が作る電界が大きな影響を与えること、及び、領域１１において、ゲート配線３の影響による等電位線４１の湾曲方向が、突起物５による配向方向（液晶の倒れる向き）と逆となることを見出した。更に、本発明者は、このゲート配線３の影響により、領域１１において液晶分子２１の配向が乱れ、突起物５による配向とゲート配線３の影響による配向とで配向方向が２以上発生してしまうことにより、電圧印加時、特に中間調表示において、液晶分子２１の配向方向が確定せず、液晶分子２１の配向方向が不規則となるため、残像やざらつきが生じることを見出した。
【００１５】
以上から、本発明者は、ゲート配線を画素電極と重畳するように配置することにより、ゲート配線により作られる電界を画素電極により遮蔽することにより、液晶分子の配向不良を改善することができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１６】
すなわち、本発明は、共通電極を有する第１基板と、画素電極、ゲート配線及びソース配線を有する第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示装置であって、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、かつ、上記液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向し、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、液晶配向制御用の突起物及び電極非形成領域の少なくとも一方を有し、上記第２基板のゲート配線は、画素電極と重畳するように配置されている液晶表示装置である。
以下に本発明を詳述する。
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、共通電極を有する第１基板と、画素電極、ゲート配線及びソース配線を有する第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層とを備えたものである。上記第１基板は、いわゆるカラーフィルタ基板であることが好ましく、この場合には、通常、共通電極以外にも、支持基板、偏光膜、カラーフィルタ（着色層）、配向膜等を有する。なお、共通電極は、第２基板上にマトリクス状に形成された画素電極に対し、第１基板上に連続して形成された電極をいう。
【００１８】
上記第２基板は、いわゆるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；薄膜トランジスタ）基板であることが好ましく、この場合には、通常、画素電極、ゲート配線、及び、ソース配線、ＴＦＴ等を有する。上記第２基板のゲート配線は、画素電極と重畳するように配置されている。これにより、ゲート配線により作られる電界が画素電極により遮蔽されるため、画素電極間領域において、ゲート配線による影響を受けて、液晶分子の配向が乱れることを防止することができる。本発明において、ゲート配線が画素電極と重畳しているとは、ゲート配線の一部が画素電極と重畳してればよい。すなわち、ゲート配線による液晶の配向乱れへの影響を低減する効果を得ることができる程度に重複していればよい。また、本発明において、ゲート配線は、画素電極と実質的に完全に重畳するように配置されていることが好ましく、例えば、第２基板に画素電極が碁盤目状（マトリクス状）に配置され、横方向（行方向）に延びる複数のゲート配線が平行に配置されている場合、ゲート配線は、横方向に並ぶ画素電極同士の間隙（画素電極間領域）においては画素電極と重畳することはできないものの、横方向に並ぶ各画素電極とは完全に重畳していることが好ましい。なお、ゲート配線が画素電極と重畳しているとは、通常、ゲート配線が絶縁膜等を介して画素電極と重畳しているということであり、ゲート配線と画素電極との間には通常、絶縁膜等が介在し、ゲート配線と画素電極とは絶縁されている。
【００１９】
上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、かつ、上記液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向するものである。誘電率異方性（Δε）は、Δε＝ε１−ε２により求められる。ε１とは、液晶分子の長軸方向の誘電率であり、ε２とは、液晶分子の短軸方向の誘電率である。第１基板及び第２基板に設けられた偏光板がクロスニコルに配置されているとき、上記液晶層の構成する液晶分子は、電圧無印加時に基板に対して略垂直に配向するため、光を通さない。しかし、電圧印加時には、誘電率異方性が負の液晶分子を用いていることから、液晶分子が、基板に対して平行に配向し、光を通すこととなる。これは、垂直配向（ＶＡ）モードと呼ばれ、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対して略垂直に配向するため、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等と比較して、黒表示が優れ、高コントラスト比が得られる。なお、本明細書において、電圧無印加とは、しきい値電圧未満を意味し、電圧印加とは、しきい値電圧以上を意味する。
【００２０】
本発明の液晶表示装置は、上記第１基板と第２基板とがシール剤により貼り合わされ、その基板間に液晶層を備えたものであることが好ましい。上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方には、液晶配向制御用の突起物及び電極非形成領域の少なくとも一方が設けられる。ここで、液晶配向制御用の電極非形成領域は、電極の領域内に設けられた電極非形成領域、又は、画素電極の切り欠き部のことである。これにより、本発明の液晶表示装置は、１画素内の液晶分子の配向を２以上となるように制御することができるため、広視野角特性を有するＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードとすることができる。
【００２１】
本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。
本発明の液晶表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
【００２２】
上記ソース配線は、画素電極間領域の縦横どちらか一方に隙間なく配置されていることが好ましい。ここで、本明細書中において、画素電極間領域とは、画素電極と画素電極との間の領域のことであって、上記液晶配向制御用の電極非形成領域とは区別して用いることとする。ソース配線が隙間なく配置されているとは、画素電極間領域を上から観察したとき、画素電極間領域においてソース配線の縁部が観察されないことをいう。すなわち、ソース配線の幅は、画素電極間領域の幅以上であればよい。仮に、ソース配線が、画素電極間領域の縦横どちらかに隙間なく配置されていない場合は、ゲート配線が画素電極と重畳するように配置されていても、画素領域外（画素電極間領域）には、遮蔽されていないゲート配線が存在する。そのため、ゲート配線の影響を受けて画素電極間領域の電界が歪み、液晶分子の配向が乱れることになってしまう。しかし、ソース配線が、画素電極間領域のどちらか一方に隙間なく配置されていることにより、画素領域以外に配置されたゲート配線の電界をソース配線により遮蔽することができ、画素領域内の液晶分子は、ゲート配線の電界から完全に遮蔽されることとなる。そのため、画素電極間領域における液晶分子の配向が乱れることを防止し、画素電極間領域以外の液晶分子の配向が乱れるのを防止することができる。その結果、残像やざらつきが発生することをより効果的に抑えることができる。
【００２３】
上記突起物は、基板側を底面とした略円錐状であることが好ましい。これにより、１画素内の液晶分子を突起物を中心とした放射状に配向させることができるため、広視野角の液晶表示装置を得ることができる。このような形態の突起物は、リベット状突起物ともいい、比較的小さな画素が設けられる液晶表示装置において利用されることが多い。リベット状突起物により液晶の配向制御が行われる場合、突起物による配向制御力が比較的小さいため、画素電極間領域にゲート配線が配置されることで、液晶の配向が特に乱されやすい。したがって、ゲート配線を画素電極と重畳するように配置する本発明の構成により、液晶の配向乱れを抑制する効果を特に充分に得ることができる。
上記電極非形成領域の平面形状は、略円状であることが好ましい。これにより、基板側を底面とした略円錐状の配向制御用の突起物を設けた場合と同様の効果を得ることができる。
【００２４】
上記突起物の平面形状は、線状であることが好ましい。ここで、線状とは、特に限定されず、例えば「Ｖ字」形状等が挙げられる。これにより、突起物を境界として液晶分子のダイレクタ方向が１８０°異なるドメインを１つの画素領域内に複数形成することができるため、広視野角の液晶表示装置を得ることができる。このような形態の突起物は、平行に多数配置される場合、リブ状突起物ともいい、比較的大きな画素が設けられる液晶表示装置において利用されることが多い。
上記電極非形成領域の平面形状は、線状であることが好ましい。これにより、線状の突起物を設けた場合と同様の効果を得ることができる。
【００２５】
前記第１基板及び第２基板は、一方が、液晶配向制御用の突起物を有し、他方が、液晶配向制御用の電極非形成領域を有し、上記電極非形成領域は、線状の突起物間に対応する領域に設けられたことが好ましい。これにより、突起物やスリットを境界としてダイレクタ方向が１８０°異なるドメインを１つの画素領域内に複数形成することができるため、広視野角の液晶表示装置を得ることができる。
【００２６】
上記突起物又は電極非形成領域の位置は特に限定されるものではない。また、突起物の数も特に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の液晶表示装置によれば、ＭＶＡモードにおいて、画素電極間領域の液晶分子の配向を充分に制御することができるため、残像やざらつきのない優れた表示品位を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に実施例を掲げ、図面を参照して、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１における液晶表示装置の画素領域及び画素電極間領域の一部を示す平面模式図である。図２は、液晶表示装置を線分Ａ−Ｂにて切断したときの断面模式図（電圧印加時）である。
【００３０】
本実施例における液晶表示装置の作製方法について説明する。まず、カラーフィルタ基板である第１基板２２の作製方法について説明する。ガラス基板上に、ブラックマトリクス（図示せず）を遮光性材料によりパターン形成した。ブラックマトリクス非形成領域に、インクジェット法により赤色、青色、及び緑色の各着色層（図示せず）を形成した。次に、着色層の保護膜（図示せず）を形成した。これは、着色層とブラックマトリクスとの段差を埋める平坦化の役割も果している。次に、その上層に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる共通電極２を形成した。その後、共通電極２の上層に、ブラックマトリクス形成材料により、突起物５を形成した。この突起物５の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、突起物を形成でき、かつ、絶縁体である材料等が挙げられる。最上層に、スピンコート等により垂直配向膜７を形成し、第１基板２２を作製した。
【００３１】
次に、ＴＦＴアレイ基板である第２基板２３の作製方法について説明する。ガラス基板上にアルミニウム等のゲート電極（図示せず）及びゲート配線３をスパッタリング法等により形成し、パターニングした。次に、プラズマＣＶＤ法等により、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜（図示せず）をその上層に形成した。ゲート絶縁膜の上層にプラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコンとエッチンク保護膜となるＳｉＮｘを連続して積層させ、エッチング保護膜をパターン形成した。その後、ｎ＋アモルファスシリコンの島を形成した。次に、ＩＴＯからなる画素電極１、ドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示せず）、ソース配線４を成膜した。最後に、スピンコート等により垂直配向膜７を形成し、第２基板２３を作製した。
【００３２】
次に、第２基板２３の垂直配向膜７の上に、シール剤を塗布した。このシール剤には、スペーサを添加した。その後、第１基板２２及び第２基板２３を貼り合わせた。最後に、貼り合わせた両基板２２、２３の間に液晶分子２１を含む液晶材料を封入し、液晶表示装置を作製した。
【００３３】
液晶層２４を構成する液晶分子２１は、垂直配向膜７の配向規制力によって、電圧無印加時（しきい値電圧未満の時）に、基板２２、２３に対して略垂直に配向する。液晶層２４を構成する液晶分子２１は、負の誘電率異方性を有しているため、電圧を印加する（しきい値電圧以上にする）と、液晶分子２１の長軸を電界の方向に対して垂直に配向させる力が働く。すなわち、図２に示すように、等電位線４１に対して液晶分子２１の長軸が平行になるように動く。その結果、中間調表示状態の画素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、図３に示すように、偏光軸に沿った方向に消光パターン３１が観察される。
【００３４】
ゲート配線３は、図１及び図２に示すように、画素電極１と重畳するように配置されている。ゲート配線３の位置は、画素電極１と重畳するように配置されていれば、特に限定されるものではない。なお、ゲート配線３は、絶縁膜を介して画素電極１と重畳し、ゲート配線３と画素電極１は絶縁されている。これにより、ゲート配線３により作られる電界が画素電極１１により遮蔽されるため、画素電極間領域５１において、電界がゲート配線３の電界による影響を受けることを防止することができる。その結果、領域１１の液晶分子２１の配向が乱れることを防止することができ、画素ごとに液晶分子２１がランダムに配向することを防止することができる。
【００３５】
なお、液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板においては、ＴＦＴによって、画素電極へのソース信号の書き込みを制御するために、通常、オン時にはゲート電極３には充分に高い電圧が印加され、オフ時にはゲート電極３には充分に低い電圧が印加される。そして、特定のゲート配線３に充分に高い正の電圧（ゲート電圧）が極めて短時間に印加されている間に、ゲート電圧よりも小さいソース電圧（ソース信号）がソース配線４から画素電極１に書き込まれ、ゲート配線３に充分に低い負の電圧（ゲート電圧）が印加されている間は、ソース信号が画素電極に書き込まれない。従って、ゲート配線（ゲート電極）３の電位は、殆ど常に負の大きな電位（−１０．０〜−１５．０Ｖ）を有するのに対し、ソース配線（ソース電極）４の電位は、画素電極１と同程度の大きさの電位（０〜±５．０Ｖ）となる。また、ソース配線４が液晶層２４における電界に与える影響は、ソース電圧の極性のため、ゲート配線３が与える影響と逆となることから、ソース配線４が、画素電極間領域５１の電界を歪めたとしても、突起物５の影響による配向の向きとソース配線４の影響による配向の向きは同じとなる。そのため、画素電極間領域、ひいては、液晶層全体における液晶分子２１の配向が乱れる原因とはならないと考えられる。
【００３６】
また、図１及び２に示すように、第１基板２２の液晶層２４側の面には、配向制御用の突起物５が設けられている。この突起物５は、共通電極２側を底面とした略円錐状である。この配向制御用の突起物５によって、電圧無印加時に突起物５の斜面に介して垂直に傾いた液晶分子２１の影響を受け、突起物５から離れた液晶分子２１も順次同じ方向へ傾いていくこととなる。これによれば、１画素内の液晶分子２１を突起物５を中心とした放射状に配向させることができるため、広視野角の液晶表示装置を得ることができる。なお、このように、液晶分子２１の配向を制御するためには、突起物に限定されるものではなく、例えば、突起物に代えて、円状の電極非形成領域等であってもよい。また、図４に示すように、第１基板２２及び第２基板２３は、一方が、液晶配向制御用の突起物５を有し、他方が、液晶配向制御用の電極非形成領域８を有し、電極非形成領域８は、線状の突起物５間に対応する領域に設けられた場合においても、同様の効果を得ることができる。
【００３７】
図１に示すように、画素電極１は、１画素を複数の領域に分割され、次の分割された画素領域とは、接続部６を介して接続されている。図２には、その分割された領域の１つが示されている。ソース配線４は、画素電極間領域５１の縦方向に隙間なく配置され、その幅は、画素電極間領域５１よりも大きい。これにより、縦方向の画素電極間領域５１におけるゲート配線３の電界をソース配線４により遮蔽することができ、ゲート配線３の電界が完全に遮蔽されることとなる。そのため、領域１１における液晶分子２１の配向が乱れることを防止することができる。
【００３８】
図８に示すように、従来においては、画素電極間領域５１において、等電位線４１がゲート配線３の影響を受け、図６に示す理想的な等電位線４１とは異なるものとなっていた。しかしながら、本発明の構成によれば、図２に示すように、画素電極間領域５１において、図６に示す理想的な等電位線４１と同じ等電位線４１を描くこととなる。そのため、領域１１においても、図８に示すような従来の液晶分子２１の配向の乱れを抑制することができる。なお、領域１１は、図２示す領域だけでなく、画素電極１を囲んでいる画素電極間領域５１全てにおける液晶層２４を意味する。その結果、白表示から灰色表示（中間調表示）にした場合や、黒表示から灰色表示にした場合に、残像が生じること防止することができる。また、中間調表示をしたときに、ざらつきが生じることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の液晶表示装置の画素領域及び画素電極間領域の一部を示す平面模式図である。
【図２】図１の液晶表示装置を線分Ａ−Ｂにて切断したときの本発明におけるＶＡモードの液晶分子の配向制御状態を示す断面模式図である（電圧印加時）。
【図３】中間調表示状態において、図１をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察したときの消光パターンを示す模式図である。
【図４】本発明の別の一例である液晶表示装置の画素領域及び画素電極間領域の一部を示す平面模式図である。
【図５】液晶分子が理想的な配向状態を示している場合に、液晶表示装置をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察したときの液晶分子の消光パターンを示す模式図である。
【図６】図５の液晶表示装置を線分Ａ−Ｂにて切断したときのＶＡモードの理想的な液晶分子の配向制御状態を示す断面模式図である（電圧印加時）。
【図７】従来の液晶表示装置の画素領域及び画素電極間領域の一部を示す平面模式図である。
【図８】図７の液晶表示装置を線分Ａ−Ｂにて切断したときの従来におけるＶＡモードの液晶分子の配向制御状態を示す断面模式図である（電圧印加時）。
【図９】中間調表示状態において、図７をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察したときの消光パターンを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４０】
１：画素電極
２：共通電極
３：ゲート配線
４：ソース配線
５：液晶配向制御用の突起物
６：接続部
７：垂直配向膜
８：電極スリット
１１：乱れた液晶分子の配向を制御した領域（画素電極間領域５１全てにおける液晶層２４のこと）
２１：液晶分子
２２：第１基板
２３：第２基板
２４：液晶層
３１：消光パターン
４１：等電位線
５１：画素電極間領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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