(57)【要約】【課題】リードフレームに対する優れた接着性を有し、耐半田性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法を提供する。【解決手段】溶融しなる硬化剤に、下記の一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を特定の割合となるよう配合し溶融混合して溶融混合物を作製する。その後、上記溶融混合物に、エポキシ樹脂（Ａ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含む残りの配合成分を配合し混練することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する。これにより、エポキシ樹脂（Ａ成分）、上記硬化剤と一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物の溶融混合物（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。2007204679.tif 000017【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、下記の一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を、その含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう配合し溶融混合してなる溶融混合物。
（Ｃ）無機質充填剤。
【化１】
2007204679.tif 000016
【請求項２】
上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物において、式（１）中のＲ1 およびＲ2 が下記の（ｘ）または（ｙ）を満足するものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（ｘ）Ｒ1 およびＲ2 が炭素数４〜６の一価の炭化水素基であって、互いに同じであるか、もしくは異なっている。
（ｙ）Ｒ1 およびＲ2 のいずれか一方が炭素数４〜６の一価の炭化水素基であって、他方が水素原子である。
【請求項３】
リードフレーム用封止材料である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を、その含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう配合し溶融混合して溶融混合物を作製した後、この溶融混合物に残りの配合成分を配合し混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
【請求項６】
表面がニッケル／パラジウム／金メッキ処理されたリードフレームを備えている請求項５記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いて得られる半導体装置に関するものであり、詳しくはトリアジンジチオール化合物の配合によって、ニッケル／パラジウム／金（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）メッキ処理されたリードフレームとの密着性を向上させ、耐半田性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いて得られる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は、外部環境の保護の観点および半導体素子のハンドリングを簡易にする観点から、エポキシ樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物を用いたプラスチックパッケージ等により封止され半導体装置化されている。そして、上記プラスチックパッケージに用いられる封止材料としては、従来、耐半田性が要求される場合には、低吸湿材料であるビフェニル型エポキシ樹脂が用いられてきた。
【０００３】
上記ビフェニル型エポキシ樹脂を用いた封止材料は、例えば、これに硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂を用い、さらに無機質充填剤、離型剤、難燃剤、カップリング剤等を用いた配合成分から構成されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２４０９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年、鉛フリー化による環境対応技術の進展とともにリードフレームは従来の銅製フレームから、これにＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理されたリードフレームへと置き換わりつつある。そして、上記ビフェニル型エポキシ樹脂を用いた封止材料からなる封止樹脂（硬化体）は、上記Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理されたリードフレーム面に対する接着力が充分ではないことから、半田条件時におけるパッケージクラックの発生や、半導体素子，リードフレーム界面の剥離の発生等耐半田性に関して満足のいくものではなかった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、リードフレームに対する優れた接着性を有し、耐半田性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いて得られる半導体装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、下記の一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を、その含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう配合し溶融混合してなる溶融混合物。
（Ｃ）無機質充填剤。
【化１】
2007204679.tif 000002
【０００７】
そして、本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を、その含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう配合し溶融混合して溶融混合物を作製した後、この溶融混合物に残りの配合成分を配合し混練する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第２の要旨とする。
【０００８】
また、本発明は、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置を第３の要旨とする。
【０００９】
本発明者らは、リードフレーム、特に表面がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理された金属製リードフレームに対して優れた接着性を備えた封止材料を得るべく鋭意検討を行った。そして、封止材料を構成する配合成分について検討した結果、特定温度で溶融してなる硬化剤に上記特定のトリアジンジチオール化合物を特定の割合で配合し溶融混合したものを配合すると、金属製リードフレームに対する優れた接着性を示すようになり、結果、耐半田性においても優れた向上効果が得られることを見出し本発明に到達した。
【００１０】
上記特定のトリアジンジチオール化合物を硬化剤と溶融混合して用いることにより金属フレームに対する接着性が向上するのはつぎのような理由に基づくものと推測される。すなわち、樹脂骨格中に取り込まれたトリアジンチオール化合物中のチオール基が金属フレーム面と配位して接着性が向上すると考えられる。
【発明の効果】
【００１１】
このように、本発明は、特定の温度で溶融してなる硬化剤に、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を特定の割合で配合してなる溶融混合物〔（Ｂ）成分〕を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特定の温度で溶融した硬化剤に上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を特定の割合で配合し溶融混合して上記溶融混合物〔（Ｂ）成分〕を作製した後、この溶融混合物に残りの配合成分を配合し混練することにより作製される。このため、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物はリードフレームに対する優れた接着性を奏するようになり、半田時のパッケージクラックの発生や、封止樹脂部分との剥離の発生を抑制することが可能となり、優れた耐半田性が得られるとともに、作業性も向上する。したがって、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて得られる半導体装置では、金属製フレームに対する高い接着力により、高信頼性を備えたものを得ることができる。
【００１２】
そして、上記溶融混合物〔（Ｂ）成分〕が、先に述べたように、１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を、その含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう配合し溶融混合して作製するものであることから、適当量のトリアジンチオール化合物が硬化剤中に均一に混合されるため、金属フレーム面に対する接着力の向上効果が顕著となるのである。
【００１３】
そして、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、リードフレームが金属製フレームのなかでも、封止樹脂との接着性に劣る、表面がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理された金属製フレームに対して特に優れた接着性を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤とトリアジンジチオール化合物の溶融混合物（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）を用いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１５】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではなく、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂を用いることができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、これらエポキシ樹脂のなかでも、特に融点または軟化点が室温を超えていることが好ましい。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが好適に用いられる。また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、融点８０〜１２０℃のものが好適に用いられる。
【００１６】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用いられる溶融混合物（Ｂ成分）は、硬化剤と下記の一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物との溶融混合物である。
【００１７】
【化２】
2007204679.tif 000003
【００１８】
上記硬化剤としては、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）を硬化させるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、これらフェノール樹脂としては、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましい。そして、上記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との好適な組み合わせとしては、エポキシ樹脂（Ａ成分）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いる場合はフェノールノボラック樹脂を用いることが好ましく、エポキシ樹脂（Ａ成分）としてビフェニル型エポキシ樹脂を用いる場合はフェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。
【００１９】
一方、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物は、２個のメルカプト基を有することから、金属フレーム表面の金属原子と配位結合し、さらにアミノ基がエポキシ樹脂組成物中の有機成分と相互作用を生じるため、この化合物が配合されたエポキシ樹脂組成物は金属フレーム表面に対して優れた接着性を示すようになるのである。
【００２０】
そして、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物においては、より具体的には、エポキシ樹脂組成物中の有機成分とアミノ基部分との相互作用を生じ易いという観点から、上記式（１）中のＲ1 およびＲ2 が下記の（ｘ）または（ｙ）を満足するものであることが好ましい。
（ｘ）Ｒ1 およびＲ2 が炭素数４〜６の一価の炭化水素基であって、互いに同じであるか、もしくは異なっている。
（ｙ）Ｒ1 およびＲ2 のいずれか一方が炭素数４〜６の一価の炭化水素基であって、他方が水素原子である。
【００２１】
上記炭素数４〜６の一価の炭化水素基としては、例えば、炭素数４〜６のアルキル基あるいは炭素数４〜６のアリール基があげられ、具体的にはブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基等があげられる。
【００２２】
そして、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物のなかでも、硬化剤中に溶融しやすく、作業性も良好であるという点から、ジブチルアミノ−４，６−メルカプト−ｓ−トリアジン、フェニルアミノ−４，６−メルカプト−ｓ−トリアジンを用いることが好ましい。
【００２３】
上記硬化剤と上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物との溶融混合物（Ｂ成分）は、つぎのようにして作製される。すなわち、１５０〜１８５℃の範囲で溶融してなる硬化剤に、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物を特定の割合となるよう配合し、溶融混合することにより作製される。より詳しく説明すると、容器内において硬化剤を予め１５０〜１８５℃の温度に加熱し、攪拌する。これに、上記トリアジンジチオール化合物を特定の割合となるよう添加し均一になるまで攪拌する。このとき、充分かつ均一になるまで攪拌する必要があるという観点から、攪拌時間は特に限定されるものではない。そして、硬化剤とトリアジンジチオール化合物とが充分に均一状態となったことを目視により確認した後、攪拌を続けながらこの混合物の温度を１３０℃まで下げて、別の容器に移す。ついで、これを室温まで冷却した後、公知の手段により冷却物を粉砕することによって硬化剤とトリアジンジチオール化合物の溶融混合物が得られる。なお、上記室温とは、通常、２５±１０℃をいう。
【００２４】
上記硬化剤を予め１５０〜１８５℃の温度に加熱することに関しては、１５０℃より低い温度では、硬化剤の粘度が充分に下がり難く、上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物との均一な分散が達成されず、リードフレーム、特に表面がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理されたメッキ表面との充分な接着力が得られなくなるからである。一方、１８５℃より高い温度では、硬化剤が酸化してしまうからである。
【００２５】
上記攪拌条件では、攪拌時間に関しては、充分均一になるまで攪拌する必要があるという観点から、攪拌時間については特に限定されるものではない。
【００２６】
そして、上記トリアジンジチオール化合物の配合量は、このトリアジンジチオール化合物の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜２重量％の範囲となるよう設定する必要がある。特に好ましくは０．１〜１．０重量％である。すなわち、０．０５重量％未満では、リードフレーム、とりわけニッケル／パラジウム／金メッキ処理されたリードフレーム表面との充分な接着力が得られず、２重量％を超えると、上記トリアジンジチオール化合物とその他の有機成分とが反応して良好な硬化物が得られず、リードフレーム、とりわけニッケル／パラジウム／金メッキ処理されたリードフレーム表面との充分な接着力が得られなくなるからである。
【００２７】
上記溶融混合物（Ｂ成分）における硬化剤の配合割合は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）を硬化させるに充分な量に設定することが好ましい。具体的には、硬化剤としてフェノール樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、フェノール樹脂中の水酸基当量が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００２８】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤が用いられる。例えば、石英ガラス、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これら無機質充填剤は、破砕状、球状、あるいは摩砕処理したもの等いずれのものでも使用可能である。そして、これら無機質充填剤は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シリカ粉末を用いることが好ましく、さらに上記シリカ粉末のなかでも、溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性，高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。特に、平均粒径が１〜３５μｍの範囲、特に好ましくは２〜１０μｍの範囲のものを用いることが好ましい。さらに、平均粒径が０．５〜２μｍの範囲のものを併用すると、流動性の向上という観点からさらに好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。
【００２９】
そして、上記無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、５０重量％未満のように少な過ぎると、エポキシ樹脂組成物中の有機成分の占める割合が多くなり、硬化物の難燃効果に乏しくなり、９５重量％を超えて多くなると、エポキシ樹脂組成物の流動性が著しく低下する傾向がみられるからである。
【００３０】
さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、上記Ａ〜Ｃ成分に加えて、硬化促進剤、離型剤、低応力化剤、難燃剤、カーボンブラック等の顔料等の他の添加剤を適宜配合することができる。
【００３１】
上記硬化促進剤としては、特に限定するものではなく従来公知の各種硬化促進剤が用いられる。具体的には、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートやトリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾールやフェニルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、トリフェニルホスフィンや１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等を用いることが、半導体装置を構成するリードフレーム等の金属フレーム部と、封止樹脂との接着性が向上し、封止樹脂と成形時の金属フレーム部との剥離の発生が抑制される点から好ましい。
【００３２】
上記離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックス等が用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３３】
また、上記低応力化剤としては、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物等があげられる。
【００３４】
そして、上記難燃剤としては、有機リン化合物、酸化アンチモン、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等があげられる。
【００３５】
さらに、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的として、ハイドロタルサイト類や水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を適宜配合することもできる。
【００３６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、まず、先に述べた方法にて、上記硬化剤と上記一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物との溶融混合物（Ｂ成分）を作製する。ついで、この溶融混合物（Ｂ成分）とともに、残りの配合成分である、上記ＡおよびＣ成分、さらに必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜配合し、粉体ミキサーでブレンドする。ついで、ブレンドしたものをミキシングロールや押出式の混練機等を用いて加熱状態で溶融混練した後、これを室温下で冷却固化させる。その後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００３７】
このようにして得られるエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止方法は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができ、半導体装置化することができる。このようにして得られる半導体装置としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置等があげられる。
【００３８】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を封止材料として用いる場合、例えば、リードフレームに対する接着性の向上という点から、特に上記リードフレームに関して、従来の封止材料では充分な接着力が得られなかった、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理（最外層からＮｉ，Ｐｄ，Ａｕの順にメッキ処理）され、最外層にＮｉメッキ層、中間層にＰｄメッキ層、最内層にＡｕメッキ層が形成されたリードフレームを備えたパッケージの封止材料に好適である。本発明において、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキは、通常、銅あるいは銅合金製等の金属製リードフレーム素体表面に、公知の方法によりＮｉメッキ，Ｐｄメッキ，Ａｕメッキをこの順で順次施すことにより形成される。そして、上記Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理された部材は、一般に、封止樹脂硬化体との接着性に乏しいものであるが、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合、前記硬化剤と一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物との溶融混合物（Ｂ成分）を含有するため、優れた接着性を示すようになり、結果、耐半田信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００３９】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４０】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【００４１】
〔エポキシ樹脂〕
ビフェニル型エポキシ樹脂（ａ）とビフェニルノボラック型エポキシ樹脂（ｂ）との混合物〔混合重量比（ａ）／（ｂ）＝２０／８０、エポキシ当量２４１、融点９２．５℃〕
【００４２】
〔硬化剤〕
下記の構造式（ｙ）で表されるフェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１６８、軟化点６０．５℃）
【化３】
2007204679.tif 000004
【００４３】
〔硬化剤とトリアジンジチオール化合物の溶融混合物の作製〕
まず、上記構造式（ｙ）で表されるフェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１６８、軟化点６０．５℃）を準備するとともに、下記の二種類のトリアジンジチオール化合物α，βを準備した。
α：ジブチルアミノ−４，６−メルカプト−ｓ−トリアジン
β：フェニルアミノ−４，６−メルカプト−ｓ−トリアジン
【００４４】
上記フェノールアラルキル樹脂およびトリアジンジチオール化合物α，βを用い、下記の表１〜表３に示す条件、組み合わせおよび配合量に従って溶融混合物を作製した。すなわち、ビーカー内にてフェノールアラルキル樹脂を予め下記の表１〜表３に示す混合温度に加熱し攪拌した。ついで、トリアジンジチオール化合物を添加し均一になるまで上記混合温度にて攪拌した。そして、フェノールアラルキル樹脂とトリアジンジチオール化合物とが充分に均一状態となったことを目視により確認した後、攪拌を続けながらこの混合物の温度を１３０℃まで下げた後、別の容器に移した。ついで、これを室温（２５℃）まで冷却した後、公知の手段により冷却物を粉砕することによってフェノールアラルキル樹脂とトリアジンジチオール化合物の溶融混合物を作製した。
【００４５】
【表１】
2007204679.tif 000005
【００４６】
【表２】
2007204679.tif 000006
【００４７】
【表３】
2007204679.tif 000007
【００４８】
〔硬化促進剤〕
トリフェニルホスフィン
【００４９】
〔離型剤Ａ〕
酸化ポリエチレンワックス（酸価６０）
【００５０】
〔離型剤Ｂ〕
酸化ポリエチレンワックス（酸価１６）
【００５１】
〔シリカ粉末Ａ〕
平均粒径３０．４μｍの溶融球状シリカ粉末（最大粒径４５μｍ、比表面積３．１ｍ2 ／ｇ）
【００５２】
〔シリカ粉末Ｂ〕
平均粒径０．６μｍの溶融球状シリカ粉末（最大粒径１０μｍ、比表面積６．１ｍ2 ／ｇ）
【００５３】
〔シリカ粉末Ｃ〕
平均粒径３．０μｍの溶融球状シリカ粉末（最大粒径２０μｍ、比表面積３．８ｍ2 ／ｇ）
【００５４】
〔顔料〕
カーボンブラック
【００５５】
〔難燃剤〕
三酸化アンチモン（Ｓｂ2 Ｏ3 ）
【００５６】
〔実施例１〜１０、比較例１〜１１〕
下記の表４〜表７に示す各成分を同表に示す割合で配合し、８０〜１２０℃に加熱したロール混練機（５分間）にかけて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することにより目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。
【００５７】
【表４】
2007204679.tif 000008
【００５８】
【表５】
2007204679.tif 000009
【００５９】
【表６】
2007204679.tif 000010
【００６０】
【表７】
2007204679.tif 000011
【００６１】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って、接着性、耐半田性（パッケージクラックの発生数、半導体界面の剥離状況、リードフレーム界面の剥離状況）を測定・評価した。これらの結果を後記の表８〜表１１に併せて示す。
【００６２】
〔接着性〕
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、さらにＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理された銅製金属フレーム板に対する接着力をつぎのようにして測定した。すなわち、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキの施されたフレームを約８ｍｍ×８ｍｍ角に切断してチップを作製する。切断したチップを専用の金型に挟み、チップ上に底面積１０ｍｍ2 ×高さ３ｍｍの円錐台状の樹脂成形体をプレス機（東邦インターナショナル社製、ＴＦ１５）を用いて成形し接着力試験片を作製した。成形条件は、１７５℃×１２０秒、型締め圧１９６０ＭＰａ、トランスファー圧６８６ＭＰａとした。さらに、この試験片を１７５℃で５時間加熱によりキュアし、その後横型荷重測定器（Push-Pull gage、アイコーエンジニアリング社製）でチップに対する樹脂成形体の剪断接着力を測定した。一回の成形および測定に、６個の試験片を作製し、ｎ６で測定し、その平均値を接着力とした。なお、剪断接着力を測定する際、測定台の温度は２６０℃とした。
【００６３】
〔耐半田性〕
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間で後硬化することにより半導体装置を作製した。この半導体装置は、ＬＱＦＰ−１４４（ダイパッドサイズ：７．５×７．５ｍｍ、銅製のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ処理されたフレーム）である。
【００６４】
（１）パッケージクラックの発生数
上記半導体装置を用い、８５℃／８５％ＲＨ中で１６８時間吸湿させた後、２６０℃×１０秒間の赤外線（ＩＲ）リフローで耐半田性評価試験を行った。そして、クラックが発生したパッケージをカウントした。なお、パッケージのクラックの解析は超音波顕微鏡（Sonoscan Inc. 社製、C-SAM シリーズ D6000）を用いた。
【００６５】
（２）半導体素子界面の剥離状況
上記半導体装置を用い、８５℃／８５％ＲＨ中で１６８時間吸湿させた後、２６０℃×１０秒間の赤外線（ＩＲ）リフローで耐半田性評価試験を行った。そして、半導体素子と封止樹脂層（硬化体）との界面に剥離が発生したものを×、剥離が発生しなかったものを○として評価した。なお、界面剥離の解析は超音波顕微鏡（Sonoscan Inc. 社製、C-SAM シリーズ D6000）を用いた。
【００６６】
（３）リードフレーム界面の剥離状況
上記半導体装置を用い、８５℃／８５％ＲＨ中で１６８時間吸湿させた後、２６０℃×１０秒間の赤外線（ＩＲ）リフローで耐半田性評価試験を行った。そして、リードフレームと封止樹脂層（硬化体）との界面に剥離が発生したものを×、剥離が発生しなかったものを○として評価した。なお、界面剥離の解析は超音波顕微鏡（Sonoscan Inc. 社製、C-SAM シリーズ D6000）を用いた。
【００６７】
【表８】
2007204679.tif 000012
【００６８】
【表９】
2007204679.tif 000013
【００６９】
【表１０】
2007204679.tif 000014
【００７０】
【表１１】
2007204679.tif 000015
【００７１】
上記結果から、実施例品は、硬化剤と適正な使用量となるトリアジンジチオール化合物の溶融混合物が配合された実施例品は、接着力が高く、接着性が向上しており、パッケージクラックが発生せず、半導体素子の界面剥離およびリードフレームの界面剥離も発生せず、耐半田性に関しても良好な結果が得られた。このことから、信頼性の高い半導体装置を得るのに適したものであると言える。
【００７２】
これに対して、トリアジンジチオール化合物を用いず硬化剤のみ単独で用いた比較例１品は、接着力が低く、パッケージクラックが多く発生し、半導体素子の界面剥離も発生しており耐半田性に劣る結果が得られた。また、硬化剤とトリアジンジチオール化合物を溶融混合せずに各々粉体として単独で用いた比較例１０，１１品は、パッケージクラックが多く発生し、しかも半導体素子の界面剥離も発生してしまった。また、トリアジンジチオール化合物の含有量が前記所定の範囲を外れるよう用いられた比較例品は、実施例品に比べて接着力が低く、半導体素子の界面剥離およびリードフレームの界面剥離の少なくとも一方が発生しており、耐半田性に劣る結果が得られた。さらに、硬化剤とトリアジンジチオール化合物を溶融混合する際の温度条件が、所定の範囲を外れて作製された溶融混合物を用いた比較例品は、実施例品に比べて接着力が低く、半導体素子の界面剥離およびリードフレームの界面剥離の少なくとも一方が発生しており、耐半田性に劣る結果が得られた。