(57)【要約】【課題】試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供する。【解決手段】電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入するプラズマ処理方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記２つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法
【請求項４】
前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
【請求項５】
前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
【請求項７】
請求項１〜５いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
【請求項８】
請求項６に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
【請求項９】
請求項７に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理法、銅張積層板の製造法、プリント配線基板の製造法、銅張積層板、プリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化の要求が高まり、プリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の高密度化が進んでいる。そのため、この分野で従来から用いられているウエットプロセスに加えて、半導体の分野で用いられているドライプロセスをプリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の製造方法に用いる検討が行われている。検討が行われているドライプロセスの一つとして、プラズマ処理があげられる。プラズマ処理は、有機絶縁層と配線の接着力向上のための前処理、レーザー穴あけ後のデスミア処理などに適用され始めている。例えば、有機樹脂層と配線の接着力を向上させるために、プラズマ処理を試料表面に施した後、配線層を形成する技術（特許文献１）が知られている。また配線形成後に、試料表面にプラズマ処理を施すことによって、配線とその上に形成する有機樹脂層の接着力を向上させる技術（特許文献２）も知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３３０６９４号公報
【特許文献２】特許第２７９２４１３号公報
【特許文献３】特開平７−３３５６２６号公報
【特許文献４】特開２００４−１１５７３１号公報
【特許文献５】特開２００４−２０７１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、絶縁体で覆われていない電極（金属が露出した部分）上に試料を配置して、上記のようなプラズマ処理を施した場合において、プラズマ処理によって帯電した試料表面の電位が上昇することによって、試料表面と電極間の電位差が大きくなり、試料の耐電圧を超え、試料が絶縁破壊を起こし、試料の一部が損傷する問題が発生した。しかも、プラズマ処理を施す試料（基板など）の厚さは、年々薄型化する傾向にあり、プラズマ処理の際に絶縁破壊を起こす可能性が年々高くなってきている。本発明は、試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち、本発明は以下の通りである。
１．電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
２．前記２つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする項１に記載のプラズマ処理方法。
３．前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする項１または２に記載のプラズマ処理方法
４．前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
５．前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
６．項１〜５いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
７．項１〜５いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
８．項６に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
９．項７に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のプラズマ処理法において、電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。本発明のプラズマ処理法は、電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの前記電極の一部の金属が露出し、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴としている。
【０００８】
（電極）
電極はプラズマを発生させるために、電圧を印加する金属である。形状や厚さは特に問わなく、様々な形の電極がある。例えば、平行平板型のプラズマ処理装置では、電極の形状は１対の平板である。スパッタリング法を用いた成膜の前処理として使用されている逆スパッタリング処理では、電極の形状は、一方はスパッタリング装置内の試料台であり、もう一方は真空槽外壁である。電極に使用される金属の材質は特に問わないが、ステンレス鋼、アルミニウム鋼などが使用できる。
【０００９】
（絶縁体）
プラズマ処理の際に、例えば特許文献３に示すように、主に試料に重金属が混入することを防止するために、電極をアルマイト、フッ素系樹脂やガラスなどで被覆する場合がある。本発明で言う絶縁体とは、これら電極を被覆した絶縁物をいう。逆スパッタリング処理において使用される真空槽や試料台、あるいは試料台が金属製である場合、あるいは電極の一部が露出したプラズマ処理装置などは、絶縁体によって電極のすべて、あるいは一部が被覆されていない。電極のすべてが絶縁体で覆われている場合は、絶縁体にも電圧が印加されるため、絶縁破壊が発生しにくい。しかし、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出している場合（電極のすべて、あるいは一部が絶縁体で覆われていない場合）は、絶縁体で覆われていない部分の電極と試料表面間の電圧は、試料のみに印加されるため、絶縁破壊が発生しやすい。
【００１０】
（プラズマ処理）
プラズマ処理は、電極間に電圧を印加して、電極間に存在するガスをプラズマ化し、その中のイオン、電子やラジカルを試料に当てることによって、試料表面の改質や粗化を行う処理である。プラズマ処理は試料表面を均一処理できるよう、グロー放電であることが望ましい。プラズマ処理方法には、真空プラズマと大気圧プラズマがあるが、イオンなどのエネルギーは真空中の方が大きいために、本発明は真空プラズマの方で絶縁破壊が発生しやすい。そのため、本発明は真空プラズマに適用することが好ましい。
【００１１】
真空プラズマには等方性エッチングである真空プラズマ法、異方性エッチングとして用いられる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）、スパッタリング蒸着と同室で処理を施す逆スパッタリング法などがある。逆スパッタリング法は、スパッタリング蒸着室で処理を行うため、電極が絶縁体で覆われていない場合が多い。従って、本発明を適用することが好ましい。また、ＲＩＥ法は真空プラズマ法と比較して、イオンが持っているエネルギーが高いため、長期使用によって電極の一部分が露出する場合がある。このため、ＲＩＥ法に本発明を適用することも好ましい。
【００１２】
大気圧プラズマには、例えば特許文献４のような電極間に試料を配置する「ダイレクト方式」と、電極から離れた場所に試料を配置する特許文献５のような「リモート方式」があるが、本発明は試料の絶縁破壊の対策であるため、大気圧プラズマにおいては「ダイレクト方式」に適用することが好ましい。
【００１３】
プラズマ処理に用いるガスは特に限定しないが、Ａｒ、Ｏ２、窒化系ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素系ガスなどがある。電極に印加する電圧は、プラズマがグロー放電となる電圧が好ましい。グロー放電となる電圧は、プラズマ処理方法、使用するガス、電極形状や装置などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な電圧値を求めるのが好ましい。
【００１４】
（誘電体）
誘電体とは、絶縁体と同じく電気抵抗値が大きな物質である。誘電体の材質は電気抵抗値が大きな物質であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、有機絶縁基材、セラミック基材、ガラス基材などがある。誘電体の厚さは絶縁破壊を起こさない厚さであることが好ましい。絶縁破壊を起こさない厚さは、使用する誘電体の材質、電極に印加する電圧、使用するガス、プラズマ処理方法などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により厚さを決めておくことが好ましい。
【００１５】
（電極に印加する電圧）
電極に印加する電圧は、直流、交流またはパルス状のいずれでもかまわないが、交流またはパルス状である電圧が好ましい。この理由としては、電極に印加する電圧が、直流と交流またはパルス状を比較した場合、交流またはパルス状の方が、試料表面の電位の上昇を低減できるため、絶縁破壊が発生しにくくなるためである。また、電極に印加する電圧が交流またはパルス状である場合、波形は特に問わない。電極間に印加する電圧が交流またはパルス状のプラズマ処理としては、通常の真空プラズマ、逆スパッタリング、ＲＦプラズマ、異方性プラズマがある。
【００１６】
（銅張積層板およびプリント配線基板）
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板は、以下のように製造できる。
【００１７】
（樹脂層）
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板の樹脂層としては、熱硬化性の絶縁材料、熱可塑性の絶縁材料、またはそれらの混合絶縁材料が使用できるが、絶縁層は熱硬化性の絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性の絶縁材料としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ノルボルネン樹脂等を用いることができる。熱可塑性の絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
【００１８】
（ビア）
プリント配線基板において、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。ビアは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
【００１９】
（スルーホール）
プリント配線基板において、各層を電気的に接続させるためにスルーホールを設けることができる。スルーホールは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で電気的に接続し、形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。
【００２０】
（金属層）
金属層は、配線と樹脂層の接着力を向上させる金属からなることが好ましく、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｕなどが使用でき、またこれらの金属を２種類以上組み合せて形成することもできる。また、複数層形成してもよい。
【００２１】
（金属層の形成方法）
樹脂層上に金属層を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
【００２２】
金属層と樹脂層の接着性をよくするために、金属層を形成する前に、樹脂層表面に前処理を施してもかまわない。前処理としては、プラズマ処理などのドライ系処理や、酸やアルカリ液などを用いたウエット系処理が例としてある。特にドライ系処理は本発明が有効である。金属層と樹脂層の接着力を向上させる方法としては、金属層を薄く形成した後、プラズマ処理を施す方法がある。この際の金属層の厚みは、０．１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であると金属層と樹脂層の接着力が向上するため好ましく、さらに０．１ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましく、特に、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲で金属層と樹脂層の接着力が最も向上するため好ましい。金属層の厚みが１００ｎｍを超えると金属層と樹脂層の接着力が低下する傾向がある。また、０．１ｎｍ未満の場合には、後に形成される配線間の絶縁抵抗値が下がる傾向がある。金属層の厚みは、埋め込む方法や処理条件によって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な厚みを求めるのが好ましい。
【００２３】
スパッタリングのような真空中で金属層を形成する方法は、金属層の形成速度が遅いという欠点がある。そこで、真空中で金属層を薄く堆積し、シード層を形成した後、電気めっきを用いて厚付けする方法を用いてもかまわない。
【００２４】
（銅張積層板形成方法）
本発明の銅張積層板は、先に述べたようなプラズマ処理の際に、試料と電極の間に誘電体を挿入することによって、作製することができる。
【００２５】
（配線形成方法）
本発明のプリント配線基板の製造方法は、樹脂層表面に配線を形成する工程を有しており、その配線の形成方法としては、樹脂層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、樹脂層上にシード層（薄い金属層）を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、シード層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）がある。本発明は、サブトラクト法及びセミアディティブ法による配線形成に特に有効である。
【００２６】
（エッチングによる配線形成）
樹脂層上に金属箔を形成し、さらに金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。
【００２７】
（めっきによる配線形成）
また、配線は、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、本発明の処理方法をコア基板に施した後、無電解めっき用触媒を付着させる。その後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、配線を形成する。
【００２８】
（セミアディティブ法による配線形成）
セミアディティブ法による配線形成法は、シード層を形成し、その上にめっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
【００２９】
（セミアディティブ法のシード層の形成方法）
シード層はセミアディティブ法における電気めっき工程において、電流を流すことができる厚さを必要とする。樹脂層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
【００３０】
（蒸着又はめっきによるシード層の形成）
シード層の形成法は、樹脂層上に蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）、めっき等によって、シード層を形成することができる。本発明は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、化学的気相成長でシード層を形成する場合に、特に有効な手段である。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。スパッタリングに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｕおよびそれらの合金を一層、もしくはそれ以上の層を下地金属として用い、０．１〜５０ｎｍスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして１００〜５００ｎｍスパッタリングして薄膜銅層を形成できる。また、コア基板表面または樹脂層上にシード層としてめっき銅を、０．５〜３μｍ無電解銅めっきし、形成することもできる。
【００３１】
（金属箔を貼り合わせる方法）
樹脂層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属箔を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を貼り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としては、キャリア銅／ニッケル／薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去すればよい。後者としては、アルミ、銅、絶縁フィルムなどをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、５μｍ以下のシード層を形成できる。また、厚み９〜１８μｍの銅箔を貼り付け、５μｍ以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
【００３２】
（銅張積層板の製造方法）
本発明を用いた銅張積層板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図１の（ａ）〜（ｅ）に、本発明における銅張積層板の製造方法の実施形態の一例を断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００３３】
（工程ａ）
（工程ａ）は図１（ａ）に示したように、樹脂層１００を誘電体１０１上に配置する工程である。誘電体上にすべり無く配置するために、貼り付けることが好ましい。貼り付ける方法は特に限定しないが、テープで試料の端部を誘電体に貼り付ける方法や、接着剤を用いる方法や、圧着法などを用いて誘電体１０１と樹脂層１００を貼り付ける方法がある。なお誘電体１０１は、エッチング法や、引き剥がし法などの方法によって、樹脂層１００から取り除くことができる材料を用いることが好ましい。
【００３４】
（工程ｂ）
（工程ｂ）は図１（ｂ）に示したように、樹脂層１００上に金属層１０２を形成する工程である。樹脂層１００上に金属層１０２を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。
【００３５】
（工程ｃ）
（工程ｃ）は図１（ｃ）に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極１０３上に、金属層１０２を形成した樹脂層１００および誘電体１０１を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層１０２を形成してもかまわない。金属層１０２の形成方法は（工程ｂ）で示したものと同様の方法でかまわない。また、（工程ｃ）でプラズマ処理を施した後、更に金属層（不図示）を形成してもかまわない。
【００３６】
（工程ｄ）
（工程ｄ）は図１（ｄ）に示したように、樹脂層１００から誘電体１０１を除去する工程である。除去する方法は、貼り付けた方法に影響されるため、実験等によってあらかじめ方法や条件を決めておくことが好ましい。
【００３７】
（工程ｅ）
（工程ｅ）は図１（ｅ）に示したように、金属層１０２上に銅層１０４を形成する工程である。銅層の形成方法としては、スパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層１０４が得られる。
【００３８】
（工程ｆ）
試料を１８０°回転し、（工程ａ）〜（工程ｅ）を繰り返すことによって、銅層を形成した裏面にも同様に、図１（ｆ）に示すように金属層１０２および銅層１０４を形成することによって、両面銅張積層板を形成することができる。なお、（工程ｆ）における誘電体は、試料を１８０°回転させた後、（工程ｅ）で形成した銅層１０４と電極の間に配置する。
【００３９】
（プリント配線基板の製造方法）
本発明を用いたプリント配線基板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図２の（ｇ）〜（ｌ）に、本発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施形態の一例として、片面に配線を形成したプリント配線基板を作製したときの断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【００４０】
（工程ｇ）
（工程ｇ）は図２（ｇ）に示したように、樹脂層１００を誘電体１０１上に配置する工程である。配置する方法としては、（工程ａ）で示した方法と同じでかまわない。
【００４１】
（工程ｈ）
（工程ｈ）は図２（ｈ）に示したように、樹脂層１００上に金属層１０２を形成する工程である。金属層１０２の形成方法としては、（工程ｂ）で示した方法と同じでかまわない。
【００４２】
（工程ｉ）
（工程ｉ）は図２（ｉ）に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極１０３上に、金属層１０２を形成した樹脂層１００および誘電体１０１を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層１０２を形成してもかまわない。金属層１０２の形成方法は（工程ｂ）で示したものと同様の方法でかまわない。また、（工程ｉ）でプラズマ処理を施した後、更に金属層（不図示）を形成してもかまわない。
【００４３】
（工程ｊ）
（工程ｊ）は図２（ｊ）に示したように、樹脂層１００から誘電体１０１を除去する工程である。除去する方法は、（工程ｄ）で示した方法と同じでかまわない。
【００４４】
（工程ｋ）
（工程ｋ）は図２（ｋ）に示したように、金属層１０２上に銅層１０４を形成する工程である。銅層の形成方法としては、（工程ｅ）と同じでかまわない。
【００４５】
（工程ｌ）
（工程ｌ）は図２（ｌ）に示したように、配線１０５を形成する工程である。配線の形成方法としては、まず、銅層１０４上にパターン状にレジストを形成し、エッチング法を用いて不要な部分の銅層１０４および金属層１０２を除去する。この方法によって、配線１０５が得られる。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
図１を用いて本発明の第１の実施例を説明する。
（工程ａ）
図１（ａ）に示すように、２０ｃｍ□の面積で、樹脂層１００として、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）を用意し、片面に２５ｃｍ□で、１２５μｍの厚さの誘電体１０１であるユーピレックス−１２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）に貼り付けた。貼り付け方法は、７５μｍポリイミドテープであるＮＩＴＴＯ  ＴＡＰＥ（日東電工（株）社製、商品名）を用いて、樹脂層１００である２０ｃｍ□のポリイミドフィルムの四隅を１２５μｍの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層１００を誘電体１０１に貼り付ける際には、樹脂層１００にしわが発生しないように貼り付けを行った。
【００４７】
（工程ｂ）
図１（ｂ）に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層１００であるポリイミドフィルムの表面に金属層１０２であるＣｒ層を５ｎｍ作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名）を用いて以下に示した条件１で行った。
条件１
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：３４ｎｍ／ｍｉｎ
【００４８】
（工程ｃ）
図１（ｃ）に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、（工程ｂ）において金属層１０２であるＣｒ層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極１０３上において、条件２で行った。電極１０３は絶縁体で覆われていない状態で行った。
条件２
印加電圧：８００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：３０秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ
【００４９】
さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置（ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名））内で、Ｃｒ層を５ｎｍ作製し、さらにＣｕ薄膜層を２００ｎｍ作製した。Ｃｒ層の作製は、条件１と同様の条件で行い、Ｃｕ薄膜層の形成は条件３で行った。
条件３
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：５２ｎｍ／ｍｉｎ
【００５０】
（工程ｄ）
次に、図１（ｄ）に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体１０１であるポリイミドフィルムを取り外した。
【００５１】
（工程ｅ）
その後、（工程ｂ）および（工程ｃ）において形成したＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成した。
【００５２】
（工程ｆ）
その後、試料を１８０°回転し、（工程ａ）〜（工程ｅ）を繰り返し、金属層１０２を形成した後、（工程ｃ）と同じ条件で逆スパッタリング処理を施し、さらにＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として形成し、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成することによって、両面銅張積層板を作製した。
【００５３】
（実施例２）
（実施例１）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件４
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：２９ｎｍ／ｍｉｎ
【００５４】
（実施例３）
（実施例１）の（工程ｃ）および（工程ｆ）において、逆スパッタリング処理ではなく、ＲＩＥ処理を用いた。ＲＩＥ処理はＲＩＥ  ＣＳＥ−１１１０（（株）アルバック社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件５行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件５
印加電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：１．０Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：１２０秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ
【００５５】
（実施例４）
（実施例３）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例３）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００５６】
（実施例５）
（実施例１）の（工程ｃ）および（工程ｆ）において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターＰＲ−５０１Ａ（ヤマト科学（株）社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件６で行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件５
印加電圧：４００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：１０．０Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：３００秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ
【００５７】
（実施例６）
（実施例５）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例５）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例５）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００５８】
（実施例７）
（実施例１）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）ではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００５９】
（実施例８）
（実施例２）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例２）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００６０】
（実施例９）
（実施例３）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００６１】
（実施例１０）
（実施例４）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例４）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００６２】
（実施例１１）
（実施例５）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例５）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００６３】
（実施例１２）
（実施例６）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例６）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００６４】
（実施例１３）
（工程ｇ）
図２（ｇ）に示すように、２０ｃｍ□の面積で、樹脂層１００として、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）を用意し、片面に２５ｃｍ□で、１２５μｍの厚さの誘電体１０１であるユーピレックス−１２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）に貼り付けた。貼り付け方法は、７５μｍポリイミドテープであるＮＩＴＴＯ  ＴＡＰＥ（日東電工（株）社製、商品名）を用いて、樹脂層１００である２０ｃｍ□のポリイミドフィルムの四隅を１２５μｍの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層１００を誘電体１０１に貼り付ける際には、樹脂層１００にしわが発生しないように貼り付けを行った。
【００６５】
（工程ｈ）
図２（ｈ）に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層１００であるポリイミドフィルムの表面に金属層１０２であるＣｒ層を５ｎｍ作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名）を用いて以下に示した条件１で行った。
【００６６】
（工程ｉ）
図２（ｉ）に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、（工程ｈ）において金属層１０２であるＣｒ層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極１０３上において、条件２で行った。電極１０３は絶縁体で覆われていない状態で行った。さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置（ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名））内で、Ｃｒ層を５ｎｍ作製し、さらにＣｕ薄膜層を２００ｎｍ作製した。Ｃｒ層の作製は、条件１と同様の条件で行い、Ｃｕ薄膜層の形成は条件３で行った。
【００６７】
（工程ｊ）
次に、図２（ｊ）に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体１０１であるポリイミドフィルムを取り外した。
【００６８】
（工程ｋ）
その後、（工程ｈ）および（工程ｉ）において形成したＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成した。
【００６９】
（工程ｌ）
Ｃｕ層１０４の上に、レジストを形成し、パターン状に露光を行った後、サブトラクティブ法を用いてＣｕ層、Ｃｕ薄膜層およびＣｒ層を、エッチング液を用いて除去することによって、配線１０５を形成した。Ｃｕ層およびＣｕ薄膜層のエッチング液としては、塩化第二鉄系エッチング液を用い、Ｃｒ層のエッチング液としては、フェリシアン化カリウム系エッチング液を用いた。このようにして、プリント配線基板を作製した。
【００７０】
（実施例１４）
（実施例１３）の（工程ｈ）および（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１３）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成は、条件４と同じ条件で行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７１】
（実施例１５）
（実施例１３）の（工程ｉ）において、逆スパッタリング処理ではなく、ＲＩＥ処理を用いた。ＲＩＥ処理はＲＩＥ  ＣＳＥ−１１１０（（株）アルバック社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件５行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７２】
（実施例１６）
（実施例１５）の（工程ｈ）および、（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１５）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１５）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７３】
（実施例１７）
（実施例１３）の（工程ｉ）において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターＰＲ−５０１Ａ（ヤマト科学（株）社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件６行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
【００７４】
（実施例１８）
（実施例１７）の（工程ｈ）および、（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１７）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１７）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７５】
（実施例１９）
（実施例１３）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）ではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７６】
（実施例２０）
（実施例１４）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１４）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７７】
（実施例２１）
（実施例１５）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１５）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７８】
（実施例２２）
（実施例１６）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１６）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００７９】
（実施例２３）
（実施例１７）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１７）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００８０】
（実施例２４）
（実施例１８）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１８）と同様にして、プリント配線基板を作製した。
【００８１】
（比較例１）
（実施例１）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８２】
（比較例２）
（実施例２）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例２）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８３】
（比較例３）
（実施例３）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例３）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８４】
（比較例４）
（実施例４）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例４）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８５】
（比較例５）
（実施例５）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例５）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８６】
（比較例６）
（実施例６）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例６）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８７】
（比較例７）
（実施例７）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例７）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８８】
（比較例８）
（実施例８）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例８）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００８９】
（比較例９）
（実施例９）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例９）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００９０】
（比較例１０）
（実施例１０）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１０）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００９１】
（比較例１１）
（実施例１１）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１１）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００９２】
（比較例１２）
（実施例１２）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１２）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。
【００９３】
（比較例１３）
（実施例１３）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１３）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９４】
（比較例１４）
（実施例１４）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１４）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９５】
（比較例１５）
（実施例１５）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１５）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９６】
（比較例１６）
（実施例１６）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１６）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９７】
（比較例１７）
（実施例１７）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１７）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９８】
（比較例１８）
（実施例１８）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１８）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【００９９】
（比較例１９）
（実施例１９）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１９）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１００】
（比較例２０）
（実施例２０）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２０）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１０１】
（比較例２１）
（実施例２１）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２１）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１０２】
（比較例２２）
（実施例２２）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２２）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１０３】
（比較例２３）
（実施例２３）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２３）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１０４】
（比較例２４）
（実施例２４）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２４）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。
【０１０５】
以上のように作製した実施例１〜１２および比較例１〜１２で作製した両面銅張積層板について、外観を観察した。同様に、実施例１３〜２４および比較例１３〜２４で作製したプリント配線基板について、外観を観察した。外観は、目視によって判別し、絶縁破壊による焼損の有無を調べた。試料はそれぞれ２５個作製し、焼損が見られた試料についてはＮＧとした。下記表１に、ＮＧとなった試料数を示す。
【０１０６】
【表１】
2007217778.tif 000003
【０１０７】
実施例１〜１２で作製した両面銅張積層板および実施例１３〜２４で作製したプリント配線基板に示したように、本発明の場合、絶縁破壊による試料の焼損は見られなかった。それに対して、比較例１〜１２で作製した両面銅張積層板および比較例１３〜２４で作製したプリント配線基板に示したように、本発明を用いなかった場合は、ほとんどの試料で絶縁破壊による焼損が見られた。
【０１０８】
本発明により、プラズマ処理において電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の銅張積層板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】（ｇ）〜（ｌ）は本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００  樹脂層
１０１  誘電体
１０２  金属層
１０３  プラズマを発生させる電極（絶縁体で被覆されていない）
１０４  電気めっき銅層
１０５  配線
【図１】
2007217778.tif 000004
【図２】
2007217778.tif 000005