(57)【要約】【課題】液晶層に生成される電場の水平成分をさらに強化することにより、画素の開口率と画面の側面視認性とをいずれも向上させる液晶表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配列された複数の画素がそれぞれ、第１副画素及び第２副画素を有する。各画素では第１副画素と第２副画素との間で、同じ一つの映像情報に基づいて印加されるデータ電圧が互いに逆極性である。好ましくは、第１副画素と第２副画素とが異なるゲート線に接続され、同じデータ電圧に接続されている。特に、画素のマトリクスの各列で隣接する二つの画素の一方に含まれる第１副画素と、他方に含まれる第２副画素と、に対して逆極性のデータ電圧を印加し、画素のマトリクスの各行の第２副画素に接続されているゲート線と、その次の行の第１副画素に接続されているゲート線とのそれぞれに対するゲート信号のアクティブ期間の一部を重複させる。【選択図】図4
2007025698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが第１副画素と第２副画素とを有し、マトリクス状に配列された複数の画素、
を備え、前記画素の一つに対する一つの映像情報に基づき、その画素に含まれる第１副画素と第２副画素とのそれぞれに対して逆極性のデータ電圧を印加する、液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素のマトリクスの各行に含まれる前記第１副画素に一本ずつ接続され、前記画素にゲート信号を伝達する、複数の第１ゲート線、
前記画素のマトリクスの各行に含まれる前記第２副画素に一本ずつ接続され、前記画素にゲート信号を伝達する複数の第２ゲート線、及び、
前記画素のマトリクスの各列に含まれる前記第１副画素と前記第２副画素とに一本ずつ接続され、前記画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、
をさらに備え、
前記画素のマトリクスの各列で隣接する二つの前記画素、の一方に含まれる前記第１副画素と、他方に含まれる前記第２副画素と、に対して逆極性のデータ電圧を印加し、
前記画素のマトリクスの各行に接続されている前記第２ゲート線と、その次の行に接続されている前記第１ゲート線と、のそれぞれに対するゲート信号のアクティブ期間の一部を重複させる、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶表示装置が、
前記画素のマトリクスの行方向に延びている複数のゲート線、及び、
前記画素のマトリクスの列方向に延び、前記画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、
をさらに備え、
前記第１副画素が、前記ゲート線の一つと前記データ線の一つとに接続された第１スイッチング素子、及び前記第１スイッチング素子に接続された第１副画素電極、を有し、
前記第２副画素が、前記ゲート線の一つと前記データ線の一つとに接続された第２スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子に接続された第２副画素電極、を有する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
隣接する前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との対では、互いに対向する二つの辺がそれぞれ１回以上屈曲し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との対の外周が長方形を成す、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とのそれぞれが、少なくとも１回以上屈曲した一対の平行な辺、を有する、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶表示装置が、
第１方向に並んでいる前記第１副画素または前記第２副画素に接続され、前記画素にゲート信号を伝達する複数のゲート線、及び、
前記第１方向と交差する第２方向に並んでいる前記第１副画素または前記第２副画素に接続され、前記画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、
をさらに備え、
前記第１副画素が、前記ゲート線の一つと前記データ線の一つとに接続された第１スイッチング素子、及び前記第１スイッチング素子に接続された第１副画素電極、を有し、前記第１副画素電極が、互いに平行でかつ屈曲した一対の辺、を含み、
前記第２副画素が、前記ゲート線の一つと前記データ線の一つとに接続された第２スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子に接続された第２副画素電極、を有し、前記第２副画素電極が、互いに平行でかつ屈曲した一対の辺、を含む、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素のそれぞれでは、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とが前記第１方向に並んでいる、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２方向で隣接する二つの前記画素、の一方に含まれる前記第１副画素と、他方に含まれる前記第２副画素と、に対して逆極性のデータ電圧を印加し、
前記第１方向に並んでいる前記第２副画素の各行に接続されている前記ゲート線の一つと、その次の行に接続されている前記ゲート線の別の一つと、のそれぞれに対するゲート信号のアクティブ期間の一部を重複させる、
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２副画素電極の面積が前記第１副画素電極の面積と異なる、請求項３または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１方向では前記第１副画素電極の長さが前記第２副画素電極の長さと異なる、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１方向では前記第２副画素電極の長さが前記第１副画素電極の長さより大きく、かつ３倍以下である、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極に対向する共通電極、をさらに備える、請求項３または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記共通電極が傾斜方向決定部材を含む、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とのそれぞれの屈曲した辺と実質的に平行な屈曲部、を含む切開部、を前記傾斜方向決定部材が有する、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とのそれぞれに切開部が形成されている、
請求項３または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極の面積より大きく、かつ３倍以下である、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記画素の一つに対する一つの映像情報に基づき、その画素に含まれる前記第１副画素電極に対して印加されるデータ電圧の絶対値が、同じ画素に含まれる前記第２副画素電極に対して印加されるデータ電圧の絶対値より大きい、請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
第１画素に対する一つの映像情報に基づいて第１データ電圧を生成してデータ線に対して印加するステップ、
前記第１画素に含まれる第１副画素に前記第１データ電圧を伝達するステップ、
前記映像情報に基づき、前記第１データ電圧とは逆極性でかつ前記第１データ電圧とは絶対値の異なる第２データ電圧を生成し、前記データ線に対して印加するステップ、及び、
前記第１画素に含まれる第２副画素に前記第２データ電圧を伝達するステップ、
を有する、液晶表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記第１画素と同じデータ線に接続された第２画素、に含まれる第１副画素に前記第２データ電圧を伝達するステップ、
前記第２画素に対する一つの映像情報に基づき、前記第２データ電圧と同じ極性の第３データ電圧を生成し、前記データ線に対して印加するステップ、及び、
前記第２画素の第１副画素に前記第３データ電圧を伝達するステップ、
をさらに有する、請求項１８に記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記第２データ電圧を伝達するステップにかかる時間が、前記第１データ電圧を伝達するステップにかかる時間より長い、請求項１８に記載の液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く用いられている平板表示装置の一つである。液晶表示装置では、互いに対向する２枚の表示パネルが電場生成電極（画素電極や共通電極）を含み、それらの表示パネルの間に液晶層が挟まれている。画素電極に対してデータ電圧が印加され、共通電極に対して共通電圧が印加されるとき、液晶層には電場が生成され、その電場の強さに応じて液晶分子の配向状態が変化し、液晶層を透過する偏光の回転角度が変化する。従って、データ電圧と共通電圧との間の差を調節することにより、液晶層を透過する光の偏光状態が制御され、その結果、各画素の透過率または反射率が調節される。こうして、液晶表示装置は画面に映像を表示する。
【０００３】
特に垂直配向方式の液晶表示装置では、液晶層に対して電場が印加されていないとき、液晶分子の長軸が表示パネルの表面に対して垂直である。垂直配向方式の液晶表示装置はコントラスト比が高く、基準視野角が広い。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が1：10である視野角、あるいは階調反転を生じない限界の角度を意味する。
【０００４】
垂直配向方式の液晶表示装置でさらに広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法（ＰＶＡ（patterned vertically aligned）方式）や、電場生成電極を覆う部材またはその下地に突起を形成する方法などが知られている。切開部及び突起により液晶層内の電場の方向（特に、表示パネルの表面に対して平行な電場の成分（水平成分））が調節され、液晶分子の傾斜方向が複数に分散される。それにより、基準視野角がさらに拡大する。
【０００５】
従来のＰＶＡ方式の液晶表示装置ではさらに、次のような方法で側面視認性の改善が図られている。まず、一つの画素を二つの副画素に分割し、それら二つの副画素を容量性結合で接続する。次に、一方の副画素だけに対し、データ電圧を直接印加する。そのとき、もう一方の副画素に対してはデータ電圧が容量性結合を通して印加されるので、実際に印加される電圧がデータ電圧より降下する。こうして、同じ画素に含まれる二つの副画素間では印加電圧が異なるので、同じ映像情報に基づいて実現される透過率（すなわち輝度）が異なる。その透過率の差を調節することにより、側面視認性を正面視認性に接近させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の液晶表示装置では、各画素で二つの副画素の間を容量性結合で接続する場合、それらの副画素の各透過率を所望のレベルにさらに高精度で調整することが困難である。特に、色相によって副画素間での所望のレベルの比が変化するので、色相ごとに副画素間での印加電圧の比が高精度に変化しなければならない。しかし、副画素間を容量性結合で接続する場合は、副画素間での印加電圧の比をさらに高精度に変化させることが難しい。また、容量性結合のために追加された導電体により、画素の開口率のさらなる向上が困難である。その上、容量性結合に伴う電圧降下が透過率のさらなる向上を阻む。
本発明の目的は、液晶層に生成される電場の水平成分をさらに強化することにより、画素の開口率と画面の側面視認性とをいずれもさらに向上させる液晶表示装置、を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による液晶表示装置は、
それぞれが第１副画素と第２副画素とを有し、マトリクス状に配列された複数の画素、
を備え、画素の一つに対する一つの映像情報に基づき、その画素に含まれる第１副画素と第２副画素とのそれぞれに対して逆極性のデータ電圧を印加する。その液晶表示装置は好ましくは、
画素のマトリクスの各行に含まれる第１副画素に一本ずつ接続され、画素に第１ゲート信号を伝達する複数の第１ゲート線、
画素のマトリクスの各行に含まれる第２副画素に一本ずつ接続され、画素に第２ゲート信号を伝達する複数の第２ゲート線、及び、
画素のマトリクスの各列に含まれる第１副画素と第２副画素とに一本ずつ接続され、画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、をさらに備える。この液晶表示装置は特に、画素のマトリクスの各列で隣接する二つの画素の一方に含まれる第１副画素と、他方に含まれる第２副画素と、に対して逆極性のデータ電圧を印加し、画素のマトリクスの各行に接続されている第２ゲート線と、その次の行に接続されている第１ゲート線と、のそれぞれに対するゲート信号のアクティブ期間（すなわち、ゲートオン電圧の持続期間）の一部を重複させる。
【０００８】
本発明による上記の液晶表示装置が、
画素のマトリクスの行方向に延びている複数のゲート線、及び、
画素のマトリクスの列方向に延び、画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、
をさらに備えていても良い。その場合、好ましくは、第１副画素が、ゲート線の一つとデータ線の一つとに接続された第１スイッチング素子、及び第１スイッチング素子に接続された第１副画素電極、を有し、第２副画素が、ゲート線の一つとデータ線の一つとに接続された第２スイッチング素子、及び第２スイッチング素子に接続された第２副画素電極、を有する。さらに好ましくは、隣接する第１副画素電極と第２副画素電極との対では、互いに対向する二つの辺がそれぞれ１回以上屈曲し、第１副画素電極と第２副画素電極との対の外周が長方形を成す。その他に、第１副画素電極と第２副画素電極とのそれぞれが、少なくとも１回以上屈曲した一対の平行な辺、を有する。
【０００９】
本発明による上記の液晶表示装置が、
第１方向に並んでいる第１副画素または第２副画素に接続され、画素にゲート信号を伝達する複数のゲート線、及び、
第１方向と交差する第２方向に並んでいる第１副画素または第２副画素に接続され、画素にデータ電圧を伝達する複数のデータ線、をさらに備えていても良い。その場合、好ましくは、第１副画素が、ゲート線の一つとデータ線の一つとに接続された第１スイッチング素子、及び第１スイッチング素子に接続された第１副画素電極、を有し、第１副画素電極が、互いに平行でかつ屈曲した一対の辺、を含む。さらに、第２副画素が、ゲート線の一つとデータ線の一つとに接続された第２スイッチング素子、及び第２スイッチング素子に接続された第２副画素電極、を有し、第２副画素電極が、互いに平行でかつ屈曲した一対の辺、を含む。さらに好ましくは、各画素では、第１副画素電極と第２副画素電極とが第１方向に並んでいる。一方、第２方向で隣接する二つの画素の一方に含まれる第１副画素と、他方に含まれる第２副画素と、に対して逆極性のデータ電圧が印加され、第１方向に並んでいる第２副画素の各行に接続されているゲート線の一つと、その次の行に接続されているゲート線の別の一つと、のそれぞれに対するゲート信号のアクティブ期間の一部が重複する。
【００１０】
本発明による液晶表示装置の駆動方法は、
第１画素に対する一つの映像情報に基づいて第１データ電圧を生成してデータ線に対して印加するステップ、
第１画素に含まれる第１副画素に第１データ電圧を伝達するステップ、
同じ映像情報に基づき、第１データ電圧とは逆極性でかつ第１データ電圧とは絶対値の異なる第２データ電圧を生成し、同じデータ線に対して印加するステップ、及び、
第１画素に含まれる第２副画素に第２データ電圧を伝達するステップ、を有する。好ましくは、この駆動方法が、
第１画素と同じデータ線に接続された第２画素、に含まれる第１副画素に上記の第２データ電圧を伝達するステップ、
第２画素に対する一つの映像情報に基づき、第２データ電圧と同じ極性の第３データ電圧を生成し、同じデータ線に対して印加するステップ、及び、
第２画素の第１副画素に第３データ電圧を伝達するステップ、をさらに有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による液晶表示装置は、同じ画素に含まれる二つの副画素のそれぞれに対し、逆極性のデータ電圧を印加する。それにより、隣接する二つの副画素の間では、液晶層に生成される電場の水平成分が強化されるので、液晶分子の応答が速くなる。その結果、高画質を維持したまま、画素電極を拡大し、かつ画素の開口率を向上できる。従って、本発明による上記液晶表示装置は特に大画面化に有利である。さらに、同じデータ線に接続された二つの画素ではゲート信号のアクティブ期間の一部が重複するので、特に一方の画素の第２副画素に対するデータ電圧が他方の画素の第１副画素に対しても印加される。それにより、少なくとも第１副画素では、データ電圧が同じ極性に維持される時間が長いので、その副画素電圧が目標値まで確実に到達できる。その上、副画素単位でのデータ電圧の極性反転はフリッカーの抑制効果をさらに向上させるので、さらなる高画質化を達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態による液晶表示装置及びその駆動方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
まず、図1A〜3を参照しながら、本発明の一実施形態による液晶表示装置の基本的な構成について詳細に説明する。図1Aに示されているように、この液晶表示装置は、液晶表示パネルアセンブリ300、信号制御部600、階調電圧生成部800、ゲート駆動部400、及びデータ駆動部500を備えている。
【００１３】
液晶表示パネルアセンブリ300は、図3に示されているように、互いに対向する下部表示パネル100と上部表示パネル200、及びそれらの間に挟まれた液晶層3を有する。液晶表示パネルアセンブリ300はさらに、図1Aに示されているように、マトリクス状に配列された複数の画素PXを有する。
【００１４】
下部表示パネル100では、複数の信号線G11−Gn2、D1−Dmが各画素PXの間に設置されている（図1A参照）。それらの信号線のうち、n本（n＝1、2、…）のゲート線G11−Gn2は画素PXのマトリクスの行方向に延び、各行の画素PXに一対ずつ接続され、各画素PXにゲート信号（走査信号ともいう）を伝達する（以下、その対に含まれるゲート線の一方を第１ゲート線Gi1といい、他方を第２ゲート線Gi2という（i＝1、2、…、n））。m本（m＝1、2、…）のデータ線D1−Dmは画素PXのマトリクスの列方向に延び、各列の画素PXに一本ずつ接続され、各画素PXにデータ電圧を伝達する。好ましくは、上記の信号線にはさらに、複数の維持電極線SLが含まれている（図2参照）。各維持電極線SLは第１ゲート線Gi1と第２ゲート線Gi2との各対の間を画素PXのマトリクスの行方向に延び、各画素PXに接続されている。維持電極線SLに対しては外部から所定の電圧（共通電圧）Vcomが印加される。
【００１５】
各画素PXでは、下部表示パネル100の表面が画素電極PEで覆われている（図3参照）。画素電極PEは一対の副画素電極PE1、PE2から成る。後述のように、各副画素電極PE1、PE2が異なるゲート線に接続されている。一方、上部表示パネル200の表面全体が一つの共通電極CEで覆われている。共通電極CEに対しては外部から所定の電圧（共通電圧）Vcomが印加される。各副画素電極PE1、PE2が液晶層3を隔てて共通電極CEと対向し、異なる液晶キャパシタClc1、Clc2を構成している。すなわち、各画素PXが一対の副画素に分かれ、各副画素が液晶キャパシタClc1、Clc2を一つずつ含む。各液晶キャパシタClc1、Clc2では、副画素電極PE1、PE2と共通電極CEとの間に挟まれた液晶層3の部分が誘電体として機能する。
【００１６】
図2に、マトリクスのi行目（i＝1、2、…、n）でかつj列目（j＝1、2、…、m）に位置する画素PXの等価回路を示す。図2に示されているように、その画素PXは一対の副画素PX1、PX2に分かれている。各副画素PX1、PX2は、スイッチング素子Q1、Q2、液晶キャパシタClc1、Clc2、及びストレージキャパシタCst1、Cst2を備えている。尚、ストレージキャパシタCst1、Cst2は省略されても良い。スイッチング素子Q1、Q2は好ましくは薄膜トランジスタであり、下部表示パネル100に形成されている。一方の副画素PX1では、スイッチング素子Q1の制御端子がi番目の第１ゲート線Gi1に接続され、入力端子がj番目のデータ線Djに接続され、出力端子が液晶キャパシタClc1の一端とストレージキャパシタCst1の一端とに接続されている。他方の副画素PX2では、スイッチング素子Q2の制御端子がi番目の第２ゲート線Gi2に接続され、入力端子がj番目のデータ線Djに接続され、出力端子が液晶キャパシタClc2の一端とストレージキャパシタCst2の一端とに接続されている。液晶キャパシタClc1、Clc2の各他端は共通電極CE（図3参照）に接続され、ストレージキャパシタCst1、Cst2の各他端は維持電極線SLに接続されている。特に、二つの副画素PX1、PX2のスイッチング素子Q1、Q2の制御端子が異なるゲート線Gi1、Gi2に接続されていることに注意すべきである。
【００１７】
ストレージキャパシタCst1、Cst2はそれぞれ、液晶キャパシタClc1、Clc2に並列に接続され、それぞれの容量を補っている（図2参照）。ストレージキャパシタCst1、Cst2は好ましくは、絶縁体を隔てて重なっている維持電極線SLと副画素電極PE1、PE2とから構成されている。尚、ストレージキャパシタCst1、Cst2が、絶縁体を隔てて重なっている副画素電極PE1、PE2とゲート線とから構成されていても良い。
【００１８】
図3に示されている液晶層3は誘電率異方性を示す。すなわち、液晶層3では一般に透過光の偏光状態が変化し、特に偏光方向が回転する。その偏光状態の変化（特に偏光方向の回転角）は、液晶層3に含まれる液晶分子の配向状態で決まる。従って、液晶キャパシタClc1、Clc2の各両端電圧（各副画素電極PE1、PE2と共通電極CEとの間の電圧に相当する。副画素電圧ともいう）を用いて上記の偏光状態の変化（特に偏光方向の回転角）を調節できる。好ましくは、液晶層3が負の誘電率異方性を示す。すなわち、液晶層3に対して電場が印加されていない状態では、液晶分子の長軸が二枚の表示パネル100、200の表面に対して垂直を成す（垂直配向方式）。その場合、液晶層3では透過光の偏光状態が変化しない。
【００１９】
二枚の表示パネル100、200の各外面には偏光子12、22が備えられている（図１１等参照）。二つの偏光子12、22の偏光軸は交差し、好ましくは直交する。液晶層3では各副画素電圧に応じて透過光の偏光状態が変化するので、二つの偏光子12、22を同時に透過可能な光の割合（すなわち、各副画素PX1、PX2の透過率）が各副画素電圧に応じて変化する。特に垂直配向方式では、液晶層3に対して電場が印加されていないとき、一方の偏光子12から液晶層3を透過した光が他方の偏光子22により遮断される。尚、液晶表示装置が反射型である場合、二つの偏光子12、22のいずれかが省略されても良い。
【００２０】
液晶表示装置による色表示方式には、各画素PXが基本色の特定の一つのみを表示する空間分割方式や、一つの画素PXが各基本色を交互に異なる時間ずつ表示する時間分割方式がある。基本色間の空間的分布の差又は表示時間の差により所望の色相が表現される。基本色としては例えば三原色（赤色、緑色、青色）がある。図3は空間分割方式の一例であり、各画素PXが、好ましくは上部表示パネル200の表面にカラーフィルタCFを備えている。尚、図3とは異なり、カラーフィルタCFが下部表示パネル100の副画素電極PE1、PE2を覆っていても、それらの下地に形成されていても良い。
【００２１】
信号制御部600（図1A参照）は、好ましくは外部のグラフィックコントローラ（図示せず）から入力映像信号R、G、B及び入力制御信号を受信する。入力映像信号R、G、Bは各画素PXの映像情報（特に輝度情報）を含む。ここで、その輝度情報は所定数（例えば、1024（＝210）、256（＝28）、または64（＝26）個）の階調で表されている。入力制御信号は好ましくは、垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、メインクロックMCLK、及びデータイネーブル信号DEを含む。信号制御部600は、液晶表示パネルアセンブリ300及びデータ駆動部500の動作条件に合わせて入力映像信号R、G、Bを適切に処理し、出力映像信号DATに変換する。出力映像信号DATはデジタル信号であり、好ましくは各画素PXの映像情報（特に輝度の階調を表す数）を含む。その他に、出力映像信号DATが、各副画素PX1、PX2の映像情報を含んでいても良い。信号制御部600は更に、垂直同期信号Vsyncと水平同期信号Hsyncとに基づいてゲート制御信号CONT1及びデータ制御信号CONT2を生成する。ゲート制御信号CONT1は好ましくは走査開始信号とクロック信号とを含む。ゲート制御信号CONT1はその他に、出力イネーブル信号をさらに含んでいても良い。データ制御信号CONT2は好ましくは、水平同期開始信号、ロード信号、及びデータクロック信号を含む。データ制御信号CONT2はその他に、反転信号を含んでいても良い。信号制御部600はゲート制御信号CONT1をゲート駆動部400に出力し、データ制御信号CONT2と出力映像信号DATとをデータ駆動部500に出力する。
【００２２】
階調電圧生成部800（図1A参照）は好ましくは二種類の階調電圧群を生成する。各階調電圧群が、同じ画素PXに含まれる二つの副画素PX1、PX2のそれぞれに対応づけられている。各階調電圧群に含まれる個々の階調電圧が、画素PXの輝度の各階調に対応するデータ電圧の（共通電圧Vcomに対する）レベルを定める。それらの階調電圧には特に、共通電圧Vcomに対して正であるものと負であるものとが両方含まれている。尚、階調電圧生成部800が、全ての階調に対応する階調電圧を全て生成するのではなく、それらの階調電圧の基準とされるべき電圧（基準階調電圧）のみを生成して出力しても良い。
【００２３】
ゲート駆動部400は液晶表示パネルアセンブリ300のゲート線G11−Gn2に接続されている（図1A、1B参照）。好ましくは図1Aに示されているように、ゲート駆動部400が下部表示パネル100の片側に設置されている。さらに好ましくは、図1Bに示されているように、ゲート駆動部400が二つの駆動回路401、402を内蔵している。駆動回路401、402はそれぞれ、第１ゲート線G11−Gn1と第２ゲート線G12−Gn2とに接続されている。ゲート駆動部400は信号制御部600からのゲート制御信号CONT1に従ってゲート信号を各ゲート線G11−Gn2に対して印加する。ここで、ゲート信号はゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせから成る。各副画素PX1、PX2ではゲートオン電圧Vonの印加によりスイッチング素子Q1、Q2が導通し、ゲートオフ電圧Voffの印加によりスイッチング素子Q1、Q2が遮断される（図2参照）。ゲート駆動部400は特に、ゲート制御信号CONT1に含まれる走査開始信号に応じて先頭のゲート線G11からゲートオン電圧Vonの印加を開始する。ゲート駆動部400は続いて、クロック信号に応じ、各ゲート線に順次ゲートオン電圧Vonを印加し、所定時間後にゲートオン電圧Vonをゲートオフ電圧Voffに切り換える。
【００２４】
データ駆動部500は液晶表示パネルアセンブリ300のデータ線D1−Dmに接続されている（図1A参照）。データ駆動部500はまず、信号制御部600からのデータ制御信号CONT2に含まれる水平同期開始信号に従い、画素PXのマトリクスの行ごとに出力映像信号DATを信号制御部600から受信する。データ駆動部500は次に、出力映像信号DATに基づいて階調電圧生成部800からの階調電圧を選択する。特に、データ制御信号CONT2が反転信号を含む場合、データ駆動部500は反転信号に応じ、選択されるべき階調電圧の（共通電圧に対する）極性を反転させる。尚、階調電圧生成部800が基準階調電圧のみを提供する場合、データ駆動部500は予め、基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧群を生成し、それらの中から出力映像信号DAT（特にその輝度情報）に対応する階調電圧を選択する。データ駆動部500は続いて、選択された階調電圧をデータ電圧Vdとしてデータ線に対し、信号制御部600からのロード信号とデータクロック信号との示すタイミングで印加する。
【００２５】
ゲート駆動部400、データ駆動部500、信号制御部600、及び階調電圧生成部800のそれぞれは好ましくは、少なくとも一つの集積回路チップであり、好ましくは下部表示パネル100に直接実装されている。その他に、フレキシブル印刷回路膜に実装され、ＴＣＰ（tape carrier package）の形態で下部表示パネル100に接着され、または別の印刷回路基板に実装され、下部表示パネル100に外付けされていても良い。それらとは異なり、ゲート駆動部400、データ駆動部500、信号制御部600、及び階調電圧生成部800のうち、少なくとも一つ（好ましくはゲート駆動部400）が、信号線G11−Gn2、D1−Dm、SL、及びスイッチング素子Q1、Q2と共に、下部表示パネル100に集積化されていても良い。また、ゲート駆動部400、データ駆動部500、信号制御部600、及び階調電圧生成部800が全て、単一のチップに集積化されていても良い。尚、そのうちの少なくとも一つ、あるいはそれぞれに含まれる回路素子の少なくとも一つが、上記の単一チップに外付けされていても良い。
【００２６】
図1A〜3に示されている液晶表示装置は次のように動作する。
まず、信号制御部600が外部のグラフィックコントローラから入力映像信号R、G、B、及び入力制御信号を受信する（図1A参照）。信号制御部600は入力映像信号R、G、Bを出力映像信号DATに変換すると共に、入力制御信号に基づいてゲート制御信号CONT1及びデータ制御信号CONT2を生成する。次に、データ制御信号CONT2に従い、データ駆動部500が画素PXのマトリクスの行ごとに、各副画素PX1、PX2に対する出力映像信号DATを受信する。データ駆動部500はさらに、受信された各出力映像信号DATに対応する階調電圧をデータ電圧として選択する。こうして、出力映像信号DATがデータ電圧に変換される。データ駆動部500はそのデータ電圧を目標のデータ線D1−Dmに対して印加する。一方、ゲート駆動部400はゲート制御信号CONT1に従い、ゲートオン電圧Vonをゲート線G11−Gn2に対して順番に印加する。そのとき、各ゲート線G11−Gn2に接続されたスイッチング素子Q1、Q2（図2参照）が順番に導通し、各データ線D1−Dmに対して印加されたデータ信号が、導通したスイッチング素子Q1、Q2を介して目標の副画素電極PX1、PX2に対して印加される。
【００２７】
各画素PXでは各副画素電極PE1、PE2（図3参照）と共通電極CEとの間の電圧により、それらの間に挟まれた液晶層3の各部分に電場が生成される。その電場の強さは各液晶キャパシタClc1、Clc2の両端電圧で決まる。更にその電場の方向は、下部表示パネル100と上部表示パネル200との各表面に対してほとんど垂直である。従って、特に垂直配向方式の液晶層3では液晶分子の長軸が電場の方向から傾斜している。その傾斜角度は電場の強さで決まる。更に、その傾斜角度に応じ、液晶層3を透過する偏光の回転角が変わる。その結果、二枚の偏光子12、22（図１１等参照）を同時に透過可能な光量の割合が変化し、すなわち各副画素PX1、PX2の透過率が変化する。その結果、液晶表示装置の画面には、出力映像信号DATの示す映像の一行が表示される。
【００２８】
図2に示されている画素PXでは、二つの副画素PX1、PX2の各スイッチング素子Q1、Q2が異なるタイミングで導通するので、同じデータ線Djから各液晶キャパシタClc1、Clc2に対し、別個のデータ電圧が印加される。特に、第１液晶キャパシタClc1の両端電圧と第２液晶キャパシタClc2の両端電圧とでは一般に高さが異なる。液晶分子の傾斜角度は電場の強さによって異なるので、二つの副画素PX1、PX2では液晶分子の傾斜角度が異なる。その結果、二つの副画素PX1、PX2では輝度が異なる。特に、第１液晶キャパシタClc1の両端電圧と第２液晶キャパシタClc2の両端電圧とを適切に調節することにより、画面の側方でのガンマ曲線を正面方向でのガンマ曲線に最大限に接近させることができる。こうして、側面視認性が向上するので、画面の側方から見える映像を正面から見える映像に最大限に接近させることができる。
【００２９】
以上の動作が水平走査期間（その周期1Hが水平同期信号Hsync及びデータイネーブル信号DEの周期と等しい）ごとに反復されることにより、全ての画素PXに１回ずつデータ電圧が印加される。こうして、１フレームの映像が画面に表示される。１フレームの表示が終了すれば次のフレームの表示が開始される。好ましくは、信号制御部600からデータ駆動部500に伝達される反転信号の状態が制御されることにより、次のフレームではデータ電圧が直前のフレームでのデータ電圧とは逆極性になる（フレーム反転）。さらに好ましくは、同じフレーム内でも反転信号の状態が制御され、データ線D1−Dmごとにデータ電圧の極性が反転し（列反転、ドット反転）、または、画素PXのマトリクスの行ごとにデータ信号の極性が反転しても良い（例：行反転、ドット反転）。特に、列反転とドット反転とでは、隣接する二つのデータ線に対し、逆極性のデータ電圧が同時に印加される。
【００３０】
本発明の実施形態による液晶表示装置では特に、副画素電極の形状が図4または図5のいずれかに示されているように屈曲し、一部の辺が画素PXのマトリクスの列方向から傾斜している。
図4では、各画素電極PEに含まれる一対の副画素電極PEa、PEbが、画素PXのマトリクスの行方向では隣接し、列方向では同様に屈曲している。各副画素電極PEa、PEbは好ましくは同じＶ字形（chevron）である。列方向に延びている一対の平行な辺（以下、屈曲辺という）P1、P2はそれぞれ、１回ずつ屈曲している。各屈曲辺P1、P2は、ほぼ直角に交わる一対の斜線から成る。行方向に平行に延びている一対の横辺Ptは一対の屈曲辺P1、P2の間をつないでいる。好ましくは、一対の屈曲辺の一方（以下、凸辺という）P1が横辺Ptと鈍角（好ましくは約135゜）を成し、屈曲辺の他方（以下、凹辺という）P2が横辺Ptと鋭角（好ましくは約45゜）を成す。好ましくは、凸辺の頂点V1と凹辺の頂点V2との間をつなぐ仮想的な直線（以下、横中心線という）が行方向に平行であり、その横中心線に対して各副画素電極PEa、PEbがほぼ対称である。各画素電極PEでは、第１副画素電極PEaの凹辺P2と横辺Pt、及び第２副画素電極PEbの凸辺P1と横辺Ptがその画素電極PEの外周を定めている。それにより、各画素電極PEの外周が列方向で屈曲している。一方、第１副画素電極PEaの凸辺P1と第２副画素電極PEbの凹辺P2とが一定の間隔を隔てて対向している。各副画素電極PEa、PEbの各横辺Ptの近傍にはゲート線Gia、Gib（i＝1、2、…、n）が一本ずつ延びている。
【００３１】
図4ではさらに、各副画素電極PEa、PEbと対向する共通電極CEの領域に傾斜方向決定部材として切開部70a、70bが形成されている。各切開部70a、70bは好ましくは、各副画素電極PEa、PEbに比べて幅の狭いスリットであり、画素PXのマトリクスの列方向で連続して屈曲しながら延びている。各切開部70a、70bは各副画素電極PEa、PEbの屈曲辺P1、P2とほぼ平行であり、特にほぼ直角に屈曲している。各切開部70a、70bはさらに、各副画素電極PEa、PEbの横中心線に対してほぼ対称である。各切開部70a、70bと横中心線とを通る、各表示パネル100、200の表面に対して垂直な断面を境に、各副画素電極PEa、PEbに面した液晶層3の領域は四つの副領域に分けられている。各切開部70a、70bは好ましくは、図4に示されているように、列方向に延びている各副画素電極PEa、PEbの屈曲した中心線に対向しているので、四つの副領域の平面形状が互いに等しい。
【００３２】
各副画素電極PEa、PEbと共通電極CEとの間の電圧により液晶層3に生成される電場は、共通電極CEの切開部70a、70bと副画素電極PEa、PEbの辺とにより歪曲され、各表示パネル100、200の表面に平行な成分（以下、水平成分という）を持つ（図4に示されている矢印Fa参照）。この電場の水平成分Faは特に、切開部70a、70b、及び副画素電極PEa、PEbの凸辺P1と凹辺P2とに対してほぼ垂直である。この電場の水平成分Faが、液晶層3に含まれる液晶分子の傾斜方向を決定する。すなわち、各副領域では液晶分子のほとんどが、副画素電極PEa、PEbの凸辺P1と凹辺P2とに対して垂直方向に傾斜する。従って、各副画素電極PEa、PEbに面した液晶層3の領域では副領域ごとに液晶分子の傾斜方向が異なり、全体でほぼ四つの異なる方向に分散される。その結果、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００３３】
図4では一対の副画素電極PEa、PEbの横辺Ptの長さが互いに等しい。その他に、図9Aに示されているように、第２副画素電極PEbの横辺Ptbの長さLbが、第１副画素電極PEaの横辺Ptaの長さLaより大きくても良い。好ましくは、前者Lbが後者Laの３倍以下である。従って、第２副画素電極PEbの面積は好ましくは、第１副画素電極PEaの面積のほぼ１倍〜３倍である。その場合、さらに好ましくは、同じ映像情報に基づいて印加されるデータ電圧（の絶対値）が、第２副画素電極PEbに対しては第１副画素電極PEaより高い。一対の副画素電極PEa、PEb間でのデータ電圧の比に加え、それらの面積の比を調節することにより、画面の側方でのガンマ曲線を正面方向でのガンマ曲線にさらに接近させることができる。特に、一対の副画素電極PEa、PEbの面積比がほぼ1：2であるとき、側方でのガンマ曲線が正面方向でのガンマ曲線に最も接近させやすいので、側面視認性が最も良好である。
【００３４】
図5では図4とは異なり、各画素電極PEの外周がほぼ長方形であり、その長方形の縦辺が画素PXのマトリクスの列方向に平行であり、横辺が行方向に平行である。さらに、各画素電極PEを成す一対の副画素電極PEe、PEfの間では、同様に屈曲した二つの辺P3、P4がギャップ92を隔てて互いに対向している。第１副画素電極PEeは好ましくは、画素PXのマトリクスの行方向に対して対称なＶ字状である。第１副画素電極PEeは第２副画素電極PEfに囲まれている。第２副画素電極PEfは、上側台形部PE1、下側台形部PE2、及び中央台形部PE3から成る。上側台形部PE1と下側台形部PE2とは画素PXのマトリクスの列方向に並び、第１副画素電極PEeを間に挟んでいる。上側台形部PE1と下側台形部PE2とはさらに行方向に対して互いに対称であり、それぞれが90°の内角（画素電極PEの外周の内角に相当する）を二つずつ含む。上側台形部PE1と下側台形部PE2とではゲート線Gia、Gib（i＝1、2、…、n）が一本ずつ横断している。中央台形部PE3の形状は等脚台形であり、特に行方向に対して対称である。中央台形部PE3は第１副画素電極PEeの凹んでいる部分に挟まれている。上側台形部PE1、下側台形部PE2、及び中央台形部PE3では、行方向の端の一方が、列方向に対して平行な一直線の上に並び、それらの端が互いに接続されている。第１副画素電極PEeと第２副画素電極PEfとの間のギャップ92は、一対の上部斜線部92A、一対の下部斜線部92B、及び三つの縦部92Cを含む。上部斜線部92Aと下部斜線部92Bとは行方向に対して互いに対称であり、列方向から傾斜している。縦部92Cは列方向に対して平行である。ギャップ92の斜線部92A、92Bを通る、各表示パネル100、200の表面に対して垂直な断面を境に、各副画素電極PEe、PEfに面した液晶層3の領域は六つの副領域に分けられている。
【００３５】
各副画素電極PEe、PEfと共通電極CE（図3参照）との間の電圧により液晶層3に生成される電場はギャップ92の斜線部92A、92Bにより歪曲され、水平成分を持つ（図5に示されている矢印Fl参照）。この電場の水平成分Flは特に、ギャップ92の斜線部92A、92Bに対してほぼ垂直である。この電場の水平成分Flが、液晶層3に含まれる液晶分子の傾斜方向を決定する。すなわち、各副領域では液晶分子のほとんどが、ギャップ92の斜線部92A、92Bに対して垂直方向に傾斜する。従って、各副画素電極PEe、PEfに面した液晶層3の領域では副領域ごとに液晶分子の傾斜方向が異なり、ほぼ六つの異なる方向に分散される。その結果、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００３６】
好ましくは、第２副画素電極PEfの面積が第１副画素電極PEeの面積より大きく、かつ３倍以下である。その場合、さらに好ましくは、同じ映像情報に基づいて印加されるデータ電圧（の絶対値）が、第２副画素電極PEfに対しては第１副画素電極PEfより高い。一対の副画素電極PEe、PEf間でのデータ電圧の比に加え、それらの面積の比を調節することにより、画面の側方でのガンマ曲線を正面方向でのガンマ曲線にさらに接近させることができる。特に、一対の副画素電極PEa、PEbの面積比がほぼ1：2であるとき、側方でのガンマ曲線が正面方向でのガンマ曲線に最も接近させやすいので、側面視認性が最も良好である。
【００３７】
本発明の実施形態による液晶表示装置はさらに、各画素電極PEに含まれる一対の副画素電極PEa、PEb（またはPEe、PEf）に対し、逆極性のデータ電圧を印加する（図4、5参照）。データ電圧の極性が（副画素単位で）1×1ドット反転で変化するとき、あるフレームではデータ電圧の極性が図4、5のように分布する。図4では、第i行（i＝1、2、…）の各画素電極PEの第１副画素電極PEaに対して正のデータ電圧が印加され、第２副画素電極PEbに対して負のデータ電圧が印加される。次の第（i＋1）行の各画素電極PEでは、第１副画素電極PEaに対して負のデータ電圧が印加され、第２副画素電極PEbに対して正のデータ電圧が印加される。次のフレームでは、図4に示されているデータ電圧の極性が全て反転する。図5に示されている第１副画素電極PEeと第２副画素電極PEfとについても同様である。このように、画素のマトリクスの行方向及び列方向に隣接する第１副画素電極と第２副画素電極とに対して印加されるデータ電圧は常に、互いに逆極性である。
【００３８】
図4では、上記のように、一対の副画素電極PEa、PEbに対して逆極性のデータ電圧を印加することにより、各画素電極PEに面した液晶層3では、切開部70a、70bに対してほぼ垂直な電場の水平成分Faが強化される。図5でも同様に、一対の副画素電極PEe、PEfに対して逆極性のデータ電圧を印加することにより、ギャップ92の斜線部92A、92Bに対してほぼ垂直な電場の水平成分Flが強化される。
【００３９】
図4ではさらに、隣接する画素電極PEの間でも、互いに対向する副画素電極PEa、PEbに対するデータ電圧が逆極性である。従って、隣接する画素電極PEの間の境界に面した液晶層3では電場に水平成分Fbが生じ、特にそれらが副画素電極PEa、PEbの凸辺P1と凹辺P2（すなわち、各副領域の斜辺）に対してほぼ垂直である。すなわち、それらの水平成分Fbは、各画素電極PEに面した液晶層3での電場の水平成分Faと方向が一致する。その結果、隣接する画素電極PEの間での電場の水平成分Fbは、各副領域での液晶分子の傾斜方向を維持する。尚、図5では、各画素電極PEの間では、第１副画素電極PEeと第２副画素電極PEfとが直接対向する部分がわずかである。従って、それらの間に面した液晶層3では電場が十分に弱い水平成分しか持たない。
【００４０】
本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では上記の通り、従来の液晶表示装置とは異なり、一つの画素電極PEに含まれる二つの副画素電極PEa、PEb（PEe、PEf）の間で、電場の強い水平成分Fa（Fl）が生じる。それにより、各副領域では液晶分子の傾斜方向がさらに強く決定されるので、液晶分子の応答がさらに速くなる。従って、各副領域の幅をさらに（好ましくは30μm以上まで）拡大できるので、画素の開口率が向上する。図5に示されている画素電極ではさらに、ギャップ92の幅を低減できるので、画素の開口率がさらに向上する。こうして、本発明の上記の実施形態による液晶表示装置は、例えば40インチ以上の大画面を持つ場合でも、十分に高い透過率を実現できる。また、副画素単位でデータ電圧の極性を反転させることにより、従来の画素単位でのドット反転より、フリッカーの抑制効果が高い。
【００４１】
図4に示されている副画素単位でのデータ電圧の極性反転は好ましくは図6に示されているようなデータ電圧とゲート信号とのタイミングにより実現される（図5でも同様である）。ここで、副画素とデータ線との間の接続形態により、データ駆動部500がデータ電圧の極性を反転させる周期が一般に、各副画素電圧の極性が反転する周期とは異なる。以下、データ駆動部500によるデータ電圧の極性反転を駆動部反転（またはデータ線反転）といい、副画素電圧の極性の反転を見かけ上の反転という。
【００４２】
図6では、駆動部反転が次のように、副画素を単位とする2×1ドット反転または2行反転で行われる。
ゲート信号Vgは、好ましくは各水平走査期間の中間点で、隣接する二本のゲート線Gib、Gi+1,a（i＝1、2、…）（図1A、2参照）ごとに同時にアクティブにされ、ゲートオン電圧Vonに維持される。それら二本のゲート線の一方Gibは、画素のマトリクスの一つの行に含まれる第２副画素電極PEbに接続され、他方Gi+1,aは、次の行に含まれる第１副画素電極PEaに接続されている。好ましくは、第２ゲート線Gibに対するゲート信号Vgibは、水平走査期間の周期1Hの半分1／2Hに等しい時間、ゲートオン電圧Vonに維持され、第１ゲート線Giaに対するゲート信号Vgiaは、水平走査期間の周期1Hと等しい時間、ゲートオン電圧Vonに維持される。
【００４３】
各データ線Djではデータ電圧Vdが各フレームの最初の水平走査期間の開始時点から、好ましくは水平走査期間の半分の周期1／2Hで切り換えられている（図6参照）。特に、ゲート信号Vgがアクティブにされるのと同時に、データ制御信号CONT2（図1A参照）に含まれる反転信号が切り換えられる。それにより、データ電圧Vdの極性が各水平走査期間の中間点で反転する。従って、データ電圧Vdの極性反転の周期は水平走査期間の周期1Hと等しい。さらに、同時に印加されるデータ電圧Vdの極性（すなわち、同じ行に含まれる第１副画素PXa（または第２副画素PXb）に対して印加されるデータ電圧Vdの極性）が、2×1ドット反転ではデータ線Djごとに反転し、2行反転では等しい。
【００４４】
図6では特に、第１ゲート線Gi+1,aでのゲートオン電圧Vonの持続期間が、直前の行の第２ゲート線Gibでのゲートオン電圧Vonの持続期間とオーバーラップしている。従って、その期間では、第２ゲート線Gi,bに接続された第２副画素PXbに対するデータ電圧Vdが、第１ゲート線Gi+1,aに接続された第１副画素PXaに対しても印加される。ここで、次の水平走査期間に第１副画素PXaに対して印加されるべきデータ電圧Vdの極性が、直前の水平走査期間に直前の行の第２副画素PXbに対して印加されるデータ電圧Vdの極性と等しい。こうして、第１副画素PXaに含まれる液晶キャパシタClc1（図2、3参照）が直前の水平走査期間中に予め、次の水平走査期間で印加されるべきデータ電圧Vdと同じ極性の電圧で充電される。それ故、次の水平走査期間では液晶キャパシタClc1の両端電圧が目標のデータ電圧Vdまで確実にかつ迅速に到達できる。
尚、駆動部反転が上記のものの他に、行反転、1×1ドット反転、または列反転であっても良い。それらは、副画素電極PEa、PEb（PEe、PEf）とデータ線Djとの間の接続関係を変更するだけで容易に実現可能である。
【００４５】
図6では、各水平走査期間の中間点で、ゲート信号Vgがアクティブにされ、反転信号が切り換えられている。その他に、図7に示されているように、各水平走査期間の中間点より早い時点で、ゲート信号Vgがアクティブにされ、反転信号が切り換えられても良い。それにより、第２ゲート線Gibでのゲートオン電圧Vonの持続時間Tonが水平走査期間の周期の半分1／2Hより長いので、第２副画素PXbに含まれる液晶キャパシタClc2が、水平走査期間の周期の半分1／2Hより長い時間、同じデータ電圧で充電される。一方、第１ゲート線Gi+1,aでのゲートオン電圧Vonの持続期間は図6に示されているものと同様に、第２ゲート線Gibでのゲートオン電圧Vonの持続期間Tonとのオーバーラップにより、水平走査期間の1周期と等しい。こうして、第１副画素PXaの液晶キャパシタClc1の充電時間と第２副画素PXbの液晶キャパシタClc2の充電時間とが両方とも長いので、各液晶キャパシタClc1、Clc2の両端電圧がいずれも目標のデータ電圧に確実に到達できる。
【００４６】
本発明の実施形態による液晶表示装置では、画素電極の形状が、図4、5に示されているものの他に、図8に示されているものであっても良い。
図8では、各画素電極PEに含まれる副画素電極PEc、PEdが同じＷ字形である他は、図4に示されている副画素電極PEa、PEbと同様である。さらに、共通電極CEには、図4に示されている切開部70a、70bと同様に、副画素電極PEc、PEdの屈曲した辺に対して平行な（Ｗ字形の）切開部70c、70dがそれぞれ、副画素電極PEc、PEdと対向する領域に形成されている。各切開部70c、70dと横中心線とを通る、各表示パネル100、200の表面に対して垂直な断面を境に、各副画素電極PEc、PEdに面した液晶層3の領域は八つの、平面形状の等しい副領域に分けられている。
【００４７】
図8では図4と同様に、各画素電極PEに含まれる第１副画素電極PEcと第２副画素電極PEdとの間でデータ電圧の極性が逆である。従って、各副画素電極PEc、PEdと共通電極CEとの間の電圧により液晶層3に生成される電場では、切開部70c、70d、及び副画素電極PEc、PEdの屈曲した辺に対してほぼ垂直な水平成分Fcが強い。従って、各副画素電極PEc、PEdに面した液晶層3の領域では副領域ごとに液晶分子の傾斜方向が異なり、全体でほぼ八つの異なる方向に分散される。その結果、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００４８】
図8では図4、5とは異なり、画素PXのマトリクスの一つの列に配置された第１副画素電極PEcと第２副画素電極PEdとに対して印加されるデータ電圧Vdの極性が2−1方式で反転する。すなわち、各データ線に対して印加されるデータ電圧Vdには、二つの連続した同じ極性のパルスと、一つの逆極性のパルスとが交互に配置されている。このような反転を副画素電極PEc、PEd単位の2：1×1ドット反転または2：1行反転という。尚、両者の間では、異なるデータ線に対して同時に印加されるデータ電圧の極性の分布が異なる。前者ではデータ線ごとにデータ電圧の極性が反転し、後者ではいずれのデータ線でもデータ電圧の極性が等しい。
【００４９】
図8では図4と同様に、隣接する画素電極PEの間でも、互いに対向する副画素電極PEc、PEdに対するデータ電圧が逆極性である。従って、隣接する画素電極PEの間の境界に面した液晶層3では電場に水平成分Fdが生じ、特にそれらが副画素電極PEc、PEdの屈曲した辺（すなわち、各副領域の斜辺）に対してほぼ垂直である。すなわち、それらの水平成分Fdは、各画素電極PEに面した液晶層3での電場の水平成分Fcと方向が一致する。その結果、隣接する画素電極PEの間での電場の水平成分Fdは、各副領域での液晶分子の傾斜方向を維持する。
【００５０】
図8でも図4と同様に、一つの画素電極PEに含まれる二つの副画素電極PEc、PEdの間で電場の強い水平成分Fcが生じ、各副領域では液晶分子の傾斜方向がさらに強く決定されるので、液晶分子の応答がさらに速くなる。従って、各副領域の幅をさらに拡大できるので、画素の開口率が向上する。また、副画素単位でデータ電圧の極性を反転させることにより、従来の画素単位でのドット反転より、フリッカーの抑制効果が高い。
【００５１】
図8では一対の副画素電極PEc、PEdの横辺の長さが互いに等しい。その他に、図9Bに示されているように、第２副画素電極PEdの横辺の長さLdが、第１副画素電極PEcの横辺の長さLcより大きくても良い。好ましくは、前者Ldが後者Lcの３倍以下である。従って、第２副画素電極PEdの面積は好ましくは、第１副画素電極PEcの面積のほぼ１倍〜３倍である。その場合、さらに好ましくは、同じ映像情報に基づいて印加されるデータ電圧（の絶対値）が、第２副画素電極PEdに対しては第１副画素電極PEcより高い。一対の副画素電極PEc、PEd間でのデータ電圧の比に加え、それらの面積の比を調節することにより、画面の側方でのガンマ曲線を正面方向でのガンマ曲線にさらに接近させることができる。特に、一対の副画素電極PEc、PEdの面積比がほぼ1：2であるとき、側方でのガンマ曲線が正面方向でのガンマ曲線に最も接近させやすいので、側面視認性が最も良好である。
【００５２】
図4に示されている画素電極PEを含む液晶表示パネルアセンブリ300は好ましくは、図10、11に示されている積層構造を持つ。
下部表示パネル100の基板100は透明な絶縁物であり、好ましくはガラスまたはプラスチックから成る。基板110の上には、複数対の第１ゲート線121aと第２ゲート線121b、及び複数の維持電極線131が形成されている。ゲート線121a、121bは下部表示パネル100の横方向に延び、縦方向で交互に配置されている。維持電極線131は、下部表示パネル100の縦方向では各対のゲート線121a、121bの間に挟まれ、下部表示パネル100の横方向に延びている。第１ゲート線121aは複数の第１ゲート電極124aと広い端部129aとを含む。第１ゲート電極124aは維持電極線131に向かって突出している。第１ゲート線121aの端部129aは他の層またはゲート駆動部400に接続されている。第２ゲート線121bは複数の第２ゲート電極124bと広い端部129bとを含む。第２ゲート電極124bは維持電極線131に向かって突出している。第１ゲート線121bの端部129bは他の層または外部の回路（特にゲート駆動部400）に接続されている。ゲート駆動部400が基板110の上に集積化されている場合、ゲート線121a、121bがそれと直結されていても良い。維持電極線131に対しては外部から所定の電圧（好ましくは共通電圧Vcom）が印加される。維持電極線131と、隣接する各ゲート線121a、121bとの間の距離はほぼ等しい。各維持電極線131は、下部表示パネル100の縦方向に拡がる維持電極137a、137bの対を複数備えている。尚、維持電極線131の形状及び配置はその他に様々に変更可能である。
【００５３】
ゲート線121a、121b、及び維持電極線131は好ましくは、アルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀や銀合金などの銀系金属、銅や銅合金などの銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウムから成る。それらが、物理的性質の異なる二つの導電膜を含む多重膜であっても良い。一つの導電膜は比抵抗の低い金属（好ましくは、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属）から成り、信号遅延や電圧降下を減らす。もう一つの導電膜は、特にＩＴＯ（indium tin oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）との物理的、化学的、及び電気的な接触特性に優れた物質（好ましくは、モリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウム）から成る。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との組み合わせ、及び、アルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜との組み合わせが知られている。尚、ゲート線121a、121b、及び維持電極線131がその他の様々な金属または導電体から形成されても良い。ゲート線121a、121b、及び維持電極線131の各側面は好ましくは基板110の表面に対し、約30゜〜約80゜の角度で傾斜している。
【００５４】
ゲート線121a、121b、維持電極線131、及び基板110の表面はゲート絶縁膜140で覆われている（図11参照）。ゲート絶縁膜140は好ましくは、窒化シリコン（SiNx）または酸化シリコン（SiOx）から成る。ゲート絶縁膜140の上には島状の半導体154a、154bが複数形成されている。各半導体154a、154bは好ましくは、水素化非晶質シリコン（a−Si：H）または多結晶シリコンから成る。第１半導体154aは第１ゲート電極124aの上に配置され、第２半導体154bは第２ゲート電極124bの上に配置されている。各半導体154a、154bの上には島状のオーミック接触部材163a、163b、165bが形成されている。オーミック接触部材163a、163b、165bは好ましくはn＋水素化非晶質シリコン（リンなどのn型不純物が高濃度にドーピングされている水素化非晶質シリコン）から成る。その他に、シリサイドから形成されても良い。一対のオーミック接触部材163b、165bが第２半導体154bの上に配置されている。第１半導体154aの上には、オーミック接触部材163aと別の島状オーミック接触部材（図示せず）との対が配置されている。半導体154a、154bとオーミック接触部材163a、163b、165bとの各側面は好ましくは基板110の表面に対し、30゜〜80゜程度傾斜している。
【００５５】
オーミック接触部材163a、163b、165b及びゲート絶縁膜140の上には、複数のデータ線171と複数対のドレイン電極175a、175bとが形成されている（図10、11参照）。データ線171は下部表示パネル100の縦方向に延び、ゲート線121a、121b及び維持電極線131と交差している。各データ線171は複数対のソース電極173a、173bと広い端部179とを含む。第１ソース電極173aは第１ゲート線121aとの各交差点に一つずつ設けられ、第１ゲート電極124aに向かって延び、その上にＵ字状に屈曲した端部を持つ。第２ソース電極173bは第２ゲート線121bとの各交差点に一つずつ設けられ、第２ゲート電極124bに向かって延び、その上にＵ字状に屈曲した端部を持つ。データ線171の端部179は、他の層またはデータ駆動部500に接続されている。データ駆動部500が基板110の上に集積化されている場合、データ線171がそれと直結されていても良い。第１ドレイン電極175aの一端は棒状であり、第１ゲート電極124aの上方で第１ソース電極173aのＵ字状の端部に所定距離を隔てて囲まれている。第１ドレイン電極175aの他端には第１拡張部177aが設けられ、第１維持電極137aの上に配置されている。第１拡張部177aはほぼ長方形であり、一つの角が面取りされている。第２ドレイン電極175bの一端は棒状であり、第２ゲート電極124bの上方で第２ソース電極173bのＵ字状の端部に、所定距離を隔てて囲まれている。第２ドレイン電極175bの他端には拡張部177bが設けられ、第２維持電極137bの上に配置されている。第２拡張部177bはほぼ長方形であり、一つの角が面取りされている。第１ドレイン電極175aと第２ドレイン電極175bとは互いに分離され、データ線171からも分離されている。
【００５６】
第１ゲート電極124a、第１ソース電極173a、並びに第１ドレイン電極175aは、それらの間に挟まれた第１半導体154aとゲート絶縁膜140と共に、第１薄膜トランジスタQaを構成している。第１薄膜トランジスタQaのチャンネルは、第１ソース電極173aと第１ドレイン電極175aとの間から露出した第１半導体154aに形成される。第２ゲート電極124b、第２ソース電極173b、並びに第２ドレイン電極175bは、それらの間に挟まれた第２半導体154bとゲート絶縁膜140と共に、第２薄膜トランジスタQbを構成している。第２薄膜トランジスタQbのチャンネルは、第２ソース電極173bと第２ドレイン電極175bとの間から露出した第２半導体154bに形成される。ここで、オーミック接触部材163a、163b、165bが、その下地に含まれる半導体154a、154bと、その上を覆うデータ線171やドレイン電極175a、175bとの間に存在するので、それらの間の接触抵抗が低い。
【００５７】
データ線171とドレイン電極175a、175bとは耐熱性金属（好ましくは、モリブデン、クロム、タンタル、若しくはチタニウム、またはそれらの合金）から成る。さらに、耐熱性金属膜と低抵抗導電膜とを含む多重膜であっても良い。その多重膜の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との二重膜、またはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜との三重膜が知られている。データ線171とドレイン電極175a、175bとはその他にも様々な金属または導電体から形成されても良い。データ線171とドレイン電極175a、175bとの各側面が好ましくは基板110の表面に対して30゜〜80゜程度の角度で傾斜している。
【００５８】
データ線171、ドレイン電極175a、175b、及び半導体154a、154bの露出部分は保護膜180でも覆われている（図11参照）。保護膜180は好ましくは無機絶縁物または有機絶縁物から成り、特に表面の平坦性が高い。有機絶縁物は好ましくは、4.0以下の誘電定数を有し、かつ感光性を有する。さらに好ましくは、保護膜180が下部無機膜と上部有機膜との二重膜であり、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、無機膜で半導体154a、154bの露出部分を外部から確実に保護する。保護膜180とゲート絶縁膜140とには複数の第１コンタクトホール181a、181bが形成され、そこから第１ゲート線121aの端部129aと第２ゲート線121bの端部129bとをそれぞれ露出させている。保護膜180には、複数の第２コンタクトホール182、複数の第３コンタクトホール185a、及び複数の第４コンタクトホール185bが形成されている。第２コンタクトホール182からはデータ線171の端部179が露出し、第３コンタクトホール185aからは第１ドレイン電極175aの拡張部177aが露出し、第４コンタクトホール185bからは第２ドレイン電極175bの拡張部177bが露出している。
【００５９】
保護膜180の上には複数の画素電極191が形成されている。液晶表示装置が透過型である場合、画素電極191は透明な導電物質（好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯ）から成る。液晶表示装置が反射型である場合、画素電極191は反射率の高い金属（好ましくは、アルミニウム、銀、クロム、またはそれらの合金）から成る。各画素電極191は、一対の副画素電極191a、191bを含む。副画素電極191a、191bの形状及び配置は、図4に示されている副画素電極PEa、PEbの形状及び配置と等しい。各副画素電極191a、191bにはさらに好ましくは、切開部91a、91bが形成されている。第１副画素電極191aの切開部91aは、第１副画素電極191aの凹辺の頂点から凸辺の頂点に向け、第１副画素電極191aのほぼ中心まで延びている。第２副画素電極191bの切開部91bは、第２副画素電極191bの凹辺の頂点から凸辺の頂点に向け、第２副画素電極191bのほぼ中心まで延びている。
【００６０】
第１副画素電極191aは第３コンタクトホール185aを介して第１ドレイン電極175aと電気的に接続されている。第２副画素電極191bは第４コンタクトホール185bを介して第２ドレイン電極175bと電気的に接続されている。第１副画素電極191aと上部表示パネル200の共通電極270とは、それらの間に挟まれた液晶層3の部分と共に第１液晶キャパシタClc1（図2、3参照）を構成している。第２副画素電極191bと共通電極270とは、それらの間に挟まれた液晶層3の部分と共に第２液晶キャパシタClc2を構成している。第１副画素電極191aと第１ドレイン電極175aとはゲート絶縁膜140を隔てて第１維持電極137aと重なり、第１ストレージキャパシタCst1（図2参照）を構成する。第２副画素電極191bと第２ドレイン電極175bとはゲート絶縁膜140を隔てて第２維持電極137bと重なり、第２ストレージキャパシタCst2を構成する。
【００６１】
保護膜180の上には複数の接触補助部材81a、81b、82が形成されている。これらの素材は画素電極191の素材と同様に、透明な導電物質や反射率の高い金属である。接触補助部材81a、81b、82はそれぞれ、コンタクトホール181a、181b、182を介し、ゲート線121a、121bの端部129a、129b、及びデータ線171の端部179と接続されている。接触補助部材81a、81b、82は、ゲート線121a、121bの端部129a、129bやデータ線171の端部179と外部装置との間の接着を補完し、それらの接着部を保護する。
【００６２】
上部表示パネル200の基板210は透明な絶縁物（好ましくはガラスまたはプラスチック）から成る。基板210の上には遮光部材220が形成されている。遮光部材220は、画素電極191の屈曲辺と薄膜トランジスタとに対向し、画素電極191の間の境界と薄膜トランジスタとの近傍からの光漏れを防止する。基板210及び遮光部材220の上には複数のカラーフィルタ230が形成されている。各カラーフィルタ230は遮光部材230の開口部を覆い、特に画素電極191の列に沿って長く延びている。各カラーフィルタ230の色は好ましくは、三原色（赤色、緑色、及び青色）の一つである。カラーフィルタ230及び遮光部材220の上にはオーバーコート膜250が形成されている。オーバーコート膜250は好ましくは有機絶縁物から成り、カラーフィルタ230の露出を防止し、その表面を平坦化させる。尚、オーバーコート膜250は省略可能である。
【００６３】
オーバーコート膜250は共通電極270で覆われている。共通電極270は透明な導電体（好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯ）から成る。共通電極270の表面には複数の切開部71a、71bが形成されている。切開部71a、71bは図4に示されている切開部70a、70bの屈曲形状に加え、中央横部と一対の横部とを含む。中央横部は各切開部71a、71bの屈曲点から上部表示パネル200の横方向に延び、その先端が副画素電極191a、191bの各凸点に対向している。一対の横部はそれぞれ、副画素電極191a、191bの横辺（図4に示されている横辺Pt参照）と重なっている。共通電極270の切開部71a、71bと副画素電極191a、191bの切開部91a、91bとを通る、各表示パネル100、200の表面に対して垂直な断面を境に、各副画素電極191a、191bに面した液晶層3の領域は四つの副領域に分けられている。尚、切開部71a、71bの数は設計条件に応じて変更可能である。さらに、遮光部材220が切開部71a、71bと重なり、切開部71a、71bの近傍からの光漏れを遮断しても良い。
【００６４】
表示パネル100、200の内面には配向膜11、21が形成されている。それらは好ましくは垂直配向膜である。表示パネル100、200の外面には偏光子12、22が備えられている。二つの偏光子12、22の各偏光軸は好ましくは直交し、副画素電極191a、191bの屈曲辺とほぼ45゜を成す。尚、反射型液晶表示装置の場合、二つの偏光子12、22のいずれかが省略されても良い。
共通電極270には切開部71a、71bに代え、突起や陥没部が形成されていても良い。ここで、突起は好ましくは有機物または無機物から成り、共通電極270を覆い、またはその下地に配置されていても良い。
【００６５】
図8に示されている画素電極PEを含む液晶表示パネルアセンブリ300は好ましくは、図12、13に示されている積層構造を持つ。この積層構造は、図10、11に示されている積層構造とほぼ等しい。従って、以下では特に異なる部分のみを説明し、同様な構造については上記の説明を援用する。
【００６６】
下部表示パネル100では、画素電極191が一対の副画素電極191c、191dから成る。副画素電極191c、191dの形状及び配置は図8に示されているものPEc、PEdと同様である。但し、図8に示されているものとは異なり、副画素電極191c、191dにはそれぞれ、切開部91c−93c、91d−93dが形成されている。第１副画素電極191cの各切開部91c−93cは、第１副画素電極191cの凹辺の頂点から凸辺の頂点に向け、第１副画素電極191cのほぼ中心まで延びている。第２副画素電極191dの各切開部91d−93dは、第２副画素電極191dの凹辺の頂点から凸辺の頂点に向け、第２副画素電極191dのほぼ中心まで延びている。
【００６７】
上部表示パネル200では、共通電極270の各切開部71c、71dが、図8に示されている切開部70c、70dの屈曲形状に加え、三つの中間横部、及び一対の横部を有する。各中間横部は各切開部71c、71dの屈曲点から上部表示パネル200の横方向に延び、その先端が副画素電極191c、191dの各凸点に対向している。一対の横部はそれぞれ、副画素電極191c、191dの横辺と重なっている。共通電極270の切開部71c、71dと副画素電極191c、191dの切開部91c−93c、91d−93dとを通る、各表示パネル100、200の表面に対して垂直な断面を境に、各副画素電極191c、191dに面した液晶層3の領域は八つの副領域に分けられている。
【００６８】
尚、上記の積層構造では好ましくは、データ線171、ドレイン電極175c、175d、半導体151、及びオーミック接触部材161、165dが以下のように、1回のフォトエッチングで形成される。まず、データ線171、ドレイン電極175c、175d、半導体151、及びオーミック接触部材161、165dの各素材の膜が下部表示パネル100の基板110の上に順番に形成され、その表面を感光膜で覆う。次に、その感光膜の厚さを場所に応じて変化させる。感光膜の厚い部分はデータ線171とドレイン電極175c、175dとの領域に配置され、薄い部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に配置される。ここで、場所に応じて感光膜の厚さを変化させる方法は様々である。例えば、光マスクに、透光領域と遮光領域との他に半透明領域を設ける。半透明領域には、露光器の分解能より細かいスリットパターンや格子パターンが形成されていても良い。その他に、透過率が透光領域と遮光領域との中間である薄膜、または、透光領域より厚く、若しくは遮光領域より薄い薄膜が備えられていも良い。別の方法としては、上記の感光膜をリフロー可能な感光膜で形成し、透光領域と遮光領域とのみを有する通常の光マスクを用いて一旦、パターニングする。その後、その感光膜をリフローし、パターンの外に感光膜を流し、薄い部分を形成する。こうして、液晶表示装置の製造工程に含まれるフォトエッチング工程の数が削減されるので、全体の製造工程が簡単になる。
【００６９】
図5に示されている画素電極PEを含む液晶表示パネルアセンブリ300は好ましくは、図14〜17Bに示されている積層構造を持つ。この積層構造は、図10、11に示されている積層構造と同様である。従って、以下では特に異なる部分のみを説明し、同様な構造については上記の説明を援用する。
【００７０】
下部表示パネル100では維持電極線131が画素電極191の横中心線に沿って延びている。保護膜180の上には複数の画素電極191が形成されている。画素電極191は一対の副画素電極191e、191fを含む。それらの形状及び配置は、図5に示されている副画素電極PEe、PEfの形状及び配置とほぼ等しい。図14ではさらに、各画素電極191の四つの角が面取りされ、面取りにより形成された斜辺がゲート線121e、121fに対して約45°を成す。また、第２副画素電極191fの上側台形部には四つの切開部93a、93b、94a、94bが形成され、下側台形部には二つの切開部93c、94cが形成されている。上側台形部では、切開部93aと93bとが第２ゲート線121fを挟んで一直線に並び、切開部94aと94bとが第２ゲート線121fを挟んで一直線に並んでいる。さらに、第２副画素電極191fの中央台形部には中央切開部91が形成されている。中央切開部91は横部と一対の斜線部とから成る。一対の斜線部は、下部表示パネル100の縦方向に延びている中央台形部の辺の近傍から第２副画素電極191fの横中心線に対して約45°の角度で斜めに延び、中央台形部のほぼ中心で交わる。横部は一対の斜線部のその交差点から第２副画素電極191fの横中心線に沿って短く延びている。画素電極191は維持電極線131を境に上半部と下半部とに分かれ、さらに、それぞれが切開部91−94cによって六つの副領域に分割されている。ここで、副領域の数または切開部の数は、画素電極191の大きさ、画素電極191の横辺と縦辺との間の長さの比、液晶層3の種類や特性などの設計要素によって変化する。
【００７１】
保護膜180の上にはさらに複数の遮蔽電極88が形成されている。遮蔽電極88は、データ線171に沿って延びている縦部と、第１ゲート線121eに沿って延びている横部とを含む。縦部はデータ線171を完全に覆い、横部は隣接する二つの縦部の間を連結している。遮蔽電極88に対しては外部から共通電圧Vcomが印加される。それにより、データ線171と画素電極191との間、及びデータ線171と共通電極270との間で形成される電界が遮断されるので、画素電極191の電圧の歪みが抑えられ、データ線171により伝達されるデータ電圧の遅延が減少する。尚、遮蔽電極88は省略されても良い。
【００７２】
上部表示パネル200では、図15に示されているように、画素電極191と対向する共通電極270の領域に、複数の切開部71、72、73、74a、74b、75a、75b、76a、76bの一群が形成されている。切開部の一群71−76bは、中央切開部71、72、73、上側切開部74a、75a、76a、及び下側切開部74b、75b、76bを含む。上側切開部74a、75a、76aは、斜線部、横部、及び縦部を含む。各斜線部は、画素電極191のギャップ92、切開部93aと93b、切開部94aと94b、及び画素電極191の面取りされた角の間に対向する各領域に一つずつ配置されている。各斜線部は、画素電極191のギャップ92の斜線部と切開部93a、93b、94a、94bとに対して平行である。各斜線部の中央部にはノッチNが形成されている。ノッチNは斜線部に設けられた切り込みであり、その形状は、四角形、台形、または半円形である。尚、ノッチNに代え、凸部が形成されていても良い。横部と縦部とは各斜線部の端部から画素電極191の辺に沿って延びている。下側切開部74b、75b、76bは、斜線部、横部、及び縦部を含む。各斜線部は、画素電極191のギャップ92、切開部93c、切開部94c、及び画素電極191の面取りされた角の間に対向する各領域に一つずつ配置されている。各斜線部は、画素電極191のギャップ92の斜線部と切開部93c、94cとに対して平行である。各斜線部の中央部にはノッチNが形成されている。横部と縦部とは各斜線部の端部から画素電極191の辺に沿って延びている。中央切開部71、72は、中央横部、一対の斜線部、及び一対の縦部を含む。一対の斜線部は、画素電極191の中央台形部の縦辺、中央切開部91、及びギャップ92の間に対向する各領域に一つずつ配置されている。各斜線部はギャップ92の斜線部と中央切開部91の斜辺とに対して平行に延び、画素電極191の横中心線上で交わる。各斜線部の中央部にはノッチNが形成されている。縦部は、各斜線部の端部から画素電極191の辺に沿って延びている。中央横部は一対の斜線部の交点から画素電極191の横中心線に沿って短く延びている。
【００７３】
共通電極270の切開部の一群71−76bが、各画素電極191に面した液晶層3の各副領域をさらに細分する。それにより、各副領域で液晶分子の傾斜方向がさらに分散される。その上、切開部72−76bのノッチNが、各切開部71−76bに面した液晶層3の部分で、液晶分子の配向方向を安定化させる。切開部71−76bの数及び方向は設計要素によって変化する。また、遮光部材220が切開部71〜76bと重なり、各切開部71−76bの近傍からの光漏れを遮断しても良い。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明した。しかし、本発明の技術的範囲はこれらの実施形態には限定されない。当業者は、特許請求の範囲に定義されている本発明の基本概念を利用し、上記の実施形態を多様に変形し、または改良できるであろう。それらの変形や改良も当然に、本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１Ａ】本発明の実施形態による液晶表示装置のブロック図
【図１Ｂ】図1Aに示されているゲート駆動部の内部構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施形態による液晶表示装置の一つの画素の等価回路図
【図３】図2に示されている画素の模式図
【図４】本発明の実施形態による画素電極の形状と配置とを示す平面図
【図５】本発明の別の実施形態による画素電極の形状と配置とを示す平面図
【図６】本発明の実施形態によるデータ電圧及びゲート信号の波形図
【図７】本発明の別の実施形態によるデータ電圧及びゲート信号の波形図
【図８】本発明のさらに別の実施形態による画素電極の形状と配置とを示す平面図
【図９Ａ】図4に示されている画素電極の変形例を示す平面図
【図９Ｂ】図8に示されている画素電極の変形例を示す平面図
【図１０】図4に示されている画素電極を含む液晶表示パネルアセンブリの平面図
【図１１】図10に示されている折線XI−XIに沿った断面の展開図
【図１２】図8に示されている画素電極を含む液晶表示パネルアセンブリの平面図
【図１３】図12に示されている折線XIII−XIIIに沿った断面の展開図
【図１４】図5に示されている画素電極を含む下部表示パネルの平面図
【図１５】図14に示されている下部表示パネルに対向する上部表示パネルの平面図
【図１６】図14に示されている下部表示パネル及び図15に示されている上部表示パネルを重ねたときの平面図
【図１７Ａ】図16に示されている折線XVIIA−XVIIAに沿った断面の展開図
【図１７Ｂ】図16に示されている折線XVIIB−XVIIB’、XVIIB’−XVIIB”に沿った断面の展開図
【符号の説明】
【００７６】
3…液晶層
12、22…偏光子
11、21…配向膜
70a−70d、71a−71d、71−73、74a、74b、75a、75b、76a、76b…共通電極の切開部
91、91a−91d、92c、92d、93a−93d、94a−94c…画素電極の切開部
92…ギャップ
81a−81f、82…接触補助部材
100、200…表示パネル
110、210…基板
121a−121f、129a−129f…ゲート線
124a−124f…ゲート電極
131…維持電極線
137、137a−137d…維持電極
140…ゲート絶縁膜
154a−154f、156、157…半導体
161、163a、163b、163d−163f、165b、165d−165f、166…オーミック接触部材
171、179…データ線
173a−173f…ソース電極
175a−175f、177a−177f…ドレイン電極
180…保護膜
181a−181f、182、185a−185f…コンタクトホール
191…画素電極
191a−191f…副画素電極
220…遮光部材
230…カラーフィルタ
250…オーバーコート膜
270…共通電極
300…液晶表示パネルアセンブリ
400…ゲート駆動部
401、402…ゲート駆動部の駆動回路
500…データ駆動部
600…信号制御部
800…階調電圧生成部
CE…共通電極
CF…カラーフィルタ
Clc1、Clc2…液晶キャパシタ
Cst1、Cst2…ストレージキャパシタ
D1−Dm…データ線
G11−Gn2、Gia−Gi+2、b、Gic−Gi+4、d…ゲート線
Fa、Fc、Fl…副画素電極間の電場の水平成分
Fb、Fd…画素電極間の電場の水平成分
La−Ld…副画素電極の横辺の長さ
PE…画素電極
PE1、PE2、PEa−PEf…副画素電極
PX…画素
PX1、PX2…副画素
Q1、Q2、Qa−Qf…スイッチング素子
SL…維持電極線
CONT1、CONT2…制御信号
DE…データイネーブル信号
Hsync…水平同期信号
Vsync…垂直同期信号
R、G、B…入力映像信号
DAT…出力映像信号
Vcom…共通電圧
Vd…データ信号
Vgia、Vgib、Vgi+1、a、Vgi+1、b、Vgi+2、a…ゲート信号
Von…ゲートオン電圧
Voff…ゲートオフ電圧
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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