(57)【要約】【課題】  より薄く、より軽量であると共に、外部応力が加わってもパネル面割れ等の生じる虞が少なく、搭載する機器の機能性、デザイン性等を向上させることが可能な液晶表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板本体がガラス板１０，１１で形成された第１、第２の基板２，３間に液晶４を封止した画素部５を有すると共に、第１の基板２の第２の基板３側の表面上のチップ搭載部２０に液晶４を駆動するＩＣチップ６を搭載したもので、ＩＣチップ６の上面位置と第２の基板３の上面位置とが、ＩＣチップ６をチップ搭載部２０に搭載した状態で、同時に研磨加工することによって同一位置となっている。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２の基板間に液晶を封止した画素部を有すると共に、前記第１の基板の前記第２の基板側の表面上の搭載部に前記液晶を駆動する半導体装置を搭載した液晶表示素子において、前記半導体装置の上面位置と前記第２の基板の上面位置とが、同一位置となっていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記第２の基板の基板本体がガラス板であり、該ガラス板の厚さが０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記第２の基板の搭載部及び前記半導体装置の導電部分が、保護部材で覆われていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記保護部材が、前記半導体装置の上面と前記第２の基板の上面を、同一高さとなるよう同時に加工する際に覆うように設けたものであることを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記保護部材が、耐湿性を有するものであることを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項６】
第１、第２の基板間に液晶を封止した画素部を設けると共に、前記第１の基板の前記第２の基板側の表面上の搭載部に前記液晶を駆動する半導体装置を搭載した液晶表示素子の製造方法において、前記第２の基板の搭載部に前記半導体装置を搭載した状態で、前記半導体装置の上面と前記第２の基板の上面を、同一高さとなるよう同時に加工することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置と前記第２の基板を、同一上面高さとなるよう同時に加工する際、前記第２の基板の搭載部及び前記半導体装置の導電部分を、保護部材で覆うことを特徴とする請求項６記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記保護部材を、前記同時加工終了後に少なくとも一部除去することを特徴とする請求項７記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）構造を有する液晶表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を有することから、ＯＡ機器や情報端末機、時計、テレビ受像機（ＴＶ）などの様々な分野で広く用いられている。このような液晶表示装置に用いられる液晶表示素子のうち、特に、アクティブ素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶表示素子は、応答性が良いことから携帯ＴＶの画像表示部分やパーソナルコンピュータ（ＰＣ）のデータ表示モニタ等として使用されている。
【０００３】
こうしたなか、近年、モバイルＰＣやＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｉｓｔａｎｃｅ）、携帯電話機など、特に小型で移動使用する携帯機器において、機能面での携帯性向上やデザイン性の向上の観点から、それらに用いる液晶表示素子で形成された表示パネルを、より薄く、より軽いものとすることが求められている。また表示パネルに用いているガラス基板については、その厚さが０．２ｍｍ以下になると変形し易いものとなり、外部応力が加わった際には変形によって応力を吸収し、製造工程等においてガラス板が割れ等に至るのを回避できる可能性もあり、こうした点からも、表示パネルをより薄いものとすることに期待がよせられている。
【０００４】
しかし、ＣＯＧ構造の液晶表示素子で形成された表示パネルでは、ガラス基板のみをより薄いものとしたとしても、ガラス基板上に搭載した液晶パネル駆動用半導体装置のＩＣ（集積回路）チップがガラス基板よりも厚いものとなってしまい、ＩＣチップの厚みにより機能性、デザイン性等の面で制約を受けてしまう不具合が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは、より薄く、より軽量であると共に、外部応力が加わってもパネル面割れ等の生じる虞が少なく、また搭載する機器の機能性、デザイン性等を向上させることが可能な液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶表示素子及びその製造方法は、液晶表示素子が、
第１、第２の基板間に液晶を封止した画素部を有すると共に、前記第１の基板の前記第２の基板側の表面上の搭載部に前記液晶を駆動する半導体装置を搭載した液晶表示素子において、前記半導体装置の上面位置と前記第２の基板の上面位置とが、同一位置となっていることを特徴とするものであり、
さらに、前記第２の基板の基板本体がガラス板であり、該ガラス板の厚さが０．２ｍｍ以下であることを特徴とするものであり、
さらに、前記第２の基板の搭載部及び前記半導体装置の導電部分が、保護部材で覆われていることを特徴とするものであり、
さらに、前記保護部材が、前記半導体装置の上面と前記第２の基板の上面を、同一高さとなるよう同時に加工する際に覆うように設けたものであることを特徴とするものであり、
さらに、前記保護部材が、耐湿性を有するものであることを特徴とするものである。
【０００７】
また、液晶表示素子の製造方法が、
第１、第２の基板間に液晶を封止した画素部を設けると共に、前記第１の基板の前記第２の基板側の表面上の搭載部に前記液晶を駆動する半導体装置を搭載した液晶表示素子の製造方法において、前記第２の基板の搭載部に前記半導体装置を搭載した状態で、前記半導体装置の上面と前記第２の基板の上面を、同一高さとなるよう同時に加工することを特徴とする方法であり、
さらに、前記半導体装置と前記第２の基板を、同一上面高さとなるよう同時に加工する際、前記第２の基板の搭載部及び前記半導体装置の導電部分を、保護部材で覆うことを特徴とする方法であり、
さらに、前記保護部材を、前記同時加工終了後に少なくとも一部除去することを特徴とする方法である。
【発明の効果】
【０００８】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、より薄く、より軽量とすることができ、外部応力が加わった場合でも変形により応力を吸収し、パネル面が割れてしまう虞が少なくなり、また、搭載する機器を機能性、デザイン性等の面で向上させることが可能となる等の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００１０】
先ず第１の実施形態を図１乃至図７により説明する。図１は第１の基板を示す平面図であり、図２はセル単体を示す縦断面図であり、図３は短冊状セルを示す横断面図であり、図４はＩＣチップが搭載された短冊状セルを示す縦断面図であり、図５は液晶表示素子を示す平面図であり、図６は液晶表示素子を示す縦断面図であり、図７は液晶表示素子の変形形態を示す縦断面図である。
【００１１】
本実施形態における液晶表示素子１は、携帯電話機等の表示パネルに使用する縦横数ｃｍ×数ｃｍ（例えば５ｃｍ角程度）の方形の表示面を有するもので、図５及び図６に示すように、第１の基板２の上面と第２の基板３の下面との間に液晶４を封入して画素部５を設け、さらに第１の基板２上の所定位置に液晶パネル駆動用半導体装置のＩＣ（集積回路）チップ６を搭載した構成となっている。そして、画素部５の液晶４の封入は、第１の基板２と第２の基板３の間に図示しないスぺーサを配して周囲を、例えば熱硬化型エポキシ樹脂のシール剤７で仕切り、シール剤７で仕切られた空所内に、注入口である開口部８から液晶４を充填し、その後、開口部８を、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂の封止剤９で封止するようにして行われる。
【００１２】
またシール剤７で互いが固着された第１の基板２と第２の基板３は、それぞれ基板本体が、例えば無アルカリの白板ガラスでなる可視光に透明なガラス板１０，１１で形成されており、第１の基板２上部には、画素部５に対応する部分に図示しないアクティブ素子のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び配線、表示電極、蓄積容量等が配された第１部材層１２が設けられ、ＩＣチップ６搭載部分に電極パッド１３が形成されている。一方、第２の基板３下部には、画素部５に対応する部分に図示しないカラーフィルタ、共通電極、配向膜等が配された第２部材層１４が設けられている。
【００１３】
そして、第１の基板２は、基板本体であるガラス板１０の厚さが、０．３ｍｍとなっている。これに対し、第２の基板３は、基板本体であるガラス板１１の厚さが、０．２ｍｍ以下、例えば０．１ｍｍに形成されている。なお、第１の基板２と第２の基板３の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が設けられている。
【００１４】
また、そして、搭載されたＩＣチップ６の上面の高さは、第１の基板２上にシール剤７により固着された第２の基板３の上面と同じ高さとなっている。
【００１５】
以上の通り、液晶表示素子１は、表示パネルとした際に表示面側となる第２の基板３のガラス板１１の厚さが０．１ｍｍと、０．２ｍｍ以下の厚さを有するため、剛直ではなく、柔軟性を有し変形し易いものとなり、製造工程等で外部応力が加わった際でも変形によって応力の吸収がなされ、割れ等に至るのを回避できることから、歩留の向上が図れるものとなっている。また、第１の基板２上に搭載したＩＣチップ６の高さも、その上面が第２の基板３の上面と同じ高さとなって、同一平面内にあるため、液晶表示素子１の表示面側が面一の状態となっており、液晶表示素子１が搭載される携帯電話機等の機能性、デザイン性等を検討する上で制約が少なくなり、自由度が増し、これらをそれぞれ向上させることが可能となる。
【００１６】
次に、上記構成の液晶表示素子１の製造工程を、図１乃至図６を用いて説明する。以下の各工程を進めるに際し、例えば厚さ０．７ｍｍで、縦横寸法が５５０ｍｍ×６５０ｍｍの無アルカリの白板ガラスでなる可視光に透明な２枚のガラス板１０，１１のうち、一方のガラス板１０上面の所定形状（例えば方形状）とした複数の画素部５の形成領域５ａに、予め、それぞれＴＦＴ及び配線、表示電極、蓄積容量等が配された第１部材層１２を設けて第１の基板２を形成する。また同様に、他方のガラス板１１下面の各画素部５に対応する形成領域にも、予め、カラーフィルタ、共通電極、配向膜等が配された第２部材層１４を設けて第２の基板３を形成する。
【００１７】
上記第１の基板２と第２の基板３を準備した後、第１の工程において、第１の基板２の上面上に、図１に示すように、各画素部５の形成領域５ａを区画し仕切るようスクリーン印刷法等により熱硬化型エポキシ樹脂のシール剤７を塗布する。塗布は、開口部８を形成すると共に、区画内部が気密にシールされるよう所定の幅、厚さに連続するよう行う。また同様に、第１の基板２の上面上に全外周縁に沿って閉環状に、シール幅が約２ｍｍとなるよう熱硬化型エポキシ樹脂の仮シール剤１６を所定の幅、厚さに塗布する。
【００１８】
そして、シール剤７と仮シール剤１６が塗布された第１の基板２の上面上に、例えば５μｍ〜６μｍの間隙を確保するよう酸化珪素（ＳｉＯ２）あるいは樹脂製の球状のスぺーサを間に配して、第２の基板３を載せる。その後、所定温度に加熱して、シール剤７と仮シール剤１６を熱硬化させ、第１の基板２の上面側と第２の基板３の下面側とを図２に示すように接着し、セル単体１７を形成する。
【００１９】
次に、第２の工程において、前工程で第１の基板２と第２の基板３をシール剤７と仮シール剤１６で接着してなるセル単体１７を、例えば弗化水素（ＨＦ）の水溶液（弗化水素酸）等の強酸性のエッチング液に浸し、第１の基板２と第２の基板３の外面側ガラス面を水ガラスに変化させ、また浸している間、随時第１の基板２と第２の基板３を揺動させて、両ガラス外面を均等にエッチングする。そして、基板本体のガラス板１０，１１の厚さが０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、例えば０．３ｍｍの所定厚さとなった時点でエッチング液から出し、水洗し乾燥させてエッチングを終了する。
【００２０】
次に、第３の工程において、エッチング終了後のセル単体１７を、図３に示すように、複数の画素部５の開口部８が、同一辺に沿って並び開口するように、例えばダイヤモンドソーを用いるなど公知の方法により短冊状に分離し、単個状セル１８が連なった短冊状セル１９を形成する。その後、シール剤７で区画、仕切られた短冊状セル１９の各単個状セル１８の空所内に、真空注入法等を用いて注入口の開口部８から液晶４を充填する。さらに、液晶４の充填が行われた各開口部８を閉止するように、例えばディスペンサ方式等により紫外線硬化型エポキシ樹脂の封止剤９を塗布し、さらに所定波長のＵＶ光を封止剤９に照射し、封止剤９を硬化させて封止する。
【００２１】
続く第４の工程において、図４に示すように、短冊状セル１９の各単個状セル１８の画素部５に隣接するそれぞれのチップ搭載部２０に、ＩＣチップ６を搭載する。ＩＣチップ６は、例えば高さが０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであるため、搭載したＩＣチップ６の上面は、そのままの状態では第２の基板３のガラス板１１の上面と略同じ高さ、あるいはそれよりも高いものとなる。
【００２２】
またＩＣチップ６の搭載については、第１の基板２上のチップ搭載部２０の所定位置に配置された電極パッド１３に、ＡＣＦ１５を間に介在させてＩＣチップ６の対応するバンプを載せ、所定温度で熱圧着するようにして行う。その後、搭載されたＩＣチップ６を覆うと共に、電極パッド１３やバンプ等の導電部分を覆うように、ノボラック系レイジスト材料からなる保護部材２１をチップ搭載部２０に塗布し、さらに８０℃の温度で３０秒間仮焼成して、次工程における研磨の際の汚染に対し、ＩＣチップ６や導電部分等の保護を行う。
【００２３】
次に、第５の工程において、図示しない研磨機に、研磨面が第２の基板３側の外面となるようにＩＣチップ６が搭載された短冊状セル１９をセットする。続いて所定の研磨剤を含む研磨液を研磨面に流しながらラッピング処理を行い、保護部材２１、さらに保護部材２１がラッピングされ、除去されて露出したＩＣチップ６の上面を、第２の基板３の基板本体であるガラス板１１と共に研磨する。
【００２４】
そして、第２の基板３の厚さ０．３ｍｍのガラス板１１が、０．２ｍｍ以下、例えば０．２ｍｍの厚さとなるまで、ＩＣチップ６を含め研磨する。さらに、研磨剤に酸化セリウム（ＣｅＯ２）を用い、これを含む研磨液を研磨面に流しながらポリシング処理を行い、ガラス板１１の厚さが、例えば０．１ｍｍとなるまで、同様にＩＣチップ６を含め研磨し、ガラス板１１の表面を鏡面状に仕上げる。これにより、ガラス板１１の表面とＩＣチップ６の上面は、同じ上面高さを有するものとなり、面一状態になる。
【００２５】
次に、第６の工程において、第２の基板３のガラス板１１を０．１ｍｍとした短冊状セル１９のチップ搭載部２０の保護部材２１を、アセトン等の溶剤を用いて洗浄し、除去する。続いて、保護部材２１を除去したＩＣチップ６搭載の短冊状セル１９を、スクライブ処理により、図５及び図６に示すように、個々のＩＣチップ６が搭載された単個状セル１８に分割する。その後、ＩＣチップ６搭載の単個状セル１８の画素部５の両外面に、それぞれ偏光板が設けることにより、表示パネルのガラス板１１の厚さが０．１ｍｍで、液晶パネル駆動用ＩＣチップ６の上面の高さがガラス板１１の表面と同じ高さの液晶表示素子１が形成される。
【００２６】
以上の通り、液晶パネル駆動用ＩＣチップ６を第１の基板２のチップ搭載部２０に搭載し、保護部材２１で覆った状態で、その上面を第２の基板３のガラス板１１を研磨する工程で同時に研磨することで、ガラス板１１の薄板化が行えると共に、ＩＣチップ６の上面をガラス板１１の表面と同じ高さすることが簡単に行え、また加工工程においての第１、第２の基板２，３に割れ等が生じることもなく、高い製造歩留を実現することができる。
【００２７】
なお、上記実施形態においては、短冊状セル１９の片面のみ研磨して、第２の基板３のガラス板１１を０．１ｍｍと薄板化したが、図７に示すように、さらに第１の基板２のガラス板１０の外面（下面）側も０．３ｍｍよりも薄くなるよう研磨し、要すれば０．１ｍｍの厚さにするなどして、両ガラス板１０，１１の薄板化を行うようにしてもよい。
【００２８】
次に第２の実施形態を図８乃至図１１により説明する。図８は単個状セルを示す横断面図であり、図９はＩＣチップが搭載された短冊状セルを示す縦断面図であり、図１０は液晶表示素子を示す縦断面図であり、図１１は液晶表示素子を示す平面図である。なお、第１の実施形態と同一部分は、第１の実施形態の図面を参照すると共に同一符号を付して説明を省略し、第１の実施形態と異なる本実施形態の構成について説明する。
【００２９】
本実施形態における液晶表示素子３１は、第１の実施形態と同様、携帯電話機等の表示パネルに使用する縦横数ｃｍ×数ｃｍ（例えば５ｃｍ角程度）の方形の表示面を有するもので、図１０及び図１１に示すように、第１の基板２の上面と第２の基板３の下面との間に液晶４を封入して画素部５を設け、さらに第１の基板２上のチップ搭載部２０に液晶パネル駆動用半導体装置のＩＣチップ６を搭載した構成となっている。そして、第１の基板２のチップ搭載部２０に搭載されたＩＣチップ６のバンプや、これに対応するチップ搭載部２０の電極パッド１３等の導電部分を覆うように、保護部材３２が設けられており、耐湿保護がなされている。
【００３０】
また、第１の基板２は、基板本体のガラス板１０の厚さが、０．３ｍｍであり、第２の基板３は、基板本体のガラス板１１の厚さが、０．２ｍｍ以下、例えば０．１ｍｍとなっている。さらに、チップ搭載部２０に搭載されたＩＣチップ６については、その上面の高さが第２の基板３の上面と同じ高さとなっていて、ＩＣチップ６の上面と第２の基板３の上面とは面一状態となっている。
【００３１】
以上の通り構成されている液晶表示素子３１は、第２の基板３の厚さが０．１ｍｍと、０．２ｍｍ以下の厚さを有し、またＩＣチップ６の上面が第２の基板３の上面と同じ高さとなって面一状態であり、第１の実施形態と同様の構成となっているため、同様の効果を有すると共に、チップ搭載部２０の導電部分を覆うように保護部材３２が設けられているので、耐湿性が向上したものとなっている。
【００３２】
次に、上記構成の液晶表示素子３１の製造工程を、図８乃至図１１を用い、また図１及び図２を参照して説明する。以下の各工程を進めるに際し、第１の実施形態と同様に、例えば厚さが０．７ｍｍ、縦横寸法が５５０ｍｍ×６５０ｍｍの無アルカリの白板ガラスの可視光に透明なガラス板１０上面の各画素部５形成領域５ａに、予め、ＴＦＴ及び配線、表示電極、蓄積容量等が配された第１部材層１２を設けて第１の基板２を形成する。また同様に、ガラス板１０と同厚さ、同寸法に形成された無アルカリの白板ガラスの可視光に透明なガラス板１１下面の各画素部５に対応する形成領域にも、予め、カラーフィルタ、共通電極、配向膜等が配された第２部材層１４を設けて第２の基板３を形成する。
【００３３】
上記第１の基板２と第２の基板３を準備した後、第１の工程において、第１の基板２の上面上に、図１に示すように、各画素部５の形成領域５ａを区画し仕切るよう熱硬化型エポキシ樹脂のシール剤７を、開口部８を形成すると共に、区画内部が気密にシールされるよう所定の幅、厚さに連続するよう塗布する。また同様に、第１の基板２の上面上に全外周縁に沿って、熱硬化型エポキシ樹脂の仮シール剤１６を、約２ｍｍのシール幅で所定厚さに塗布する。
【００３４】
そして、シール剤７と仮シール剤１６が塗布された第１の基板２の上面上に、例えば５μｍ〜６μｍの間隙を確保するよう酸化珪素あるいは樹脂製の球状のスぺーサを間に配して、第２の基板３を載せる。その後、所定温度に加熱して、シール剤７と仮シール剤１６を熱硬化させ、第１の基板２の上面側と第２の基板３の下面側とを図２に示すように接着し、セル単体１７を形成する。
【００３５】
次に、第２の工程において、前工程で第１の基板２と第２の基板３をシール剤７と仮シール剤１６で接着してなるセル単体１７を、例えば弗化水素の水溶液等の強酸性のエッチング液に浸し、随時セル単体１７を揺動させて両ガラス外面を均等にエッチングする。そして、基板本体のガラス板１０，１１の厚さが０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、例えば０．３ｍｍの所定厚さとなった時点でエッチング液から出し、水洗し乾燥させてエッチングを終了する。
【００３６】
次に、第３の工程において、エッチング終了後のセル単体１７を、図８に示すように、例えばダイヤモンドソーを用いるなど公知の方法により単個状に分離し、単個状セル１８を形成する。その後、シール剤７で区画、仕切られた単個状セル１８の空所内に、真空注入法等を用いて注入口の開口部８から液晶４を充填する。さらに、液晶４の充填が行われた開口部８を閉止するように、例えばディスペンサ方式等により紫外線硬化型エポキシ樹脂の封止剤９を塗布し、さらに所定波長のＵＶ光を封止剤９に照射し、封止剤９を硬化させて封止する。
【００３７】
続く第４の工程において、図９に示すように、単個状セル１８の画素部５に隣接するチップ搭載部２０に、ＩＣチップ６を搭載する。ＩＣチップ６は、例えば高さが０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであるため、搭載したＩＣチップ６の上面は、そのままの状態では第２の基板３のガラス板１１の上面と略同じ高さ、あるいはそれよりも高いものとなる。
【００３８】
またＩＣチップ６の搭載については、第１の実施形態と同様に、第１の基板２上のチップ搭載部２０の所定位置に配置された電極パッド１３に、ＡＣＦ１５を間に介在させてＩＣチップ６の対応するバンプを載せ、所定温度で熱圧着するようにして行う。その後、搭載されたＩＣチップ６を覆うと共に、電極パッド１３やバンプ等の導電部分を覆うように、パラフィン等の耐湿性を有する保護部材３２をチップ搭載部２０に塗布し、次工程における研磨の際の汚染に対し、ＩＣチップ６や導電部分等の保護を行う。
【００３９】
次に、第５の工程において、図示しない研磨機に、研磨面が第２の基板３側の外面となるようにＩＣチップ６が搭載された単個状セル１８をセットする。続いて所定の研磨剤を含む研磨液を研磨面に流しながらラッピング処理を行い、保護部材３２、さらに保護部材３２がラッピングされ、除去されて露出したＩＣチップ６の上面を、第２の基板３の基板本体であるガラス板１１と共に研磨する。
【００４０】
そして、第２の基板３の厚さ０．３ｍｍのガラス板１１が、０．２ｍｍ以下、例えば０．２ｍｍの厚さとなるまで、ＩＣチップ６を含め研磨する。さらに、研磨剤に酸化セリウムを用い、これを含む研磨液を研磨面に流しながらポリシング処理を行い、ガラス板１１の厚さが、例えば０．１ｍｍとなるまで、同様にＩＣチップ６を含め研磨し、ガラス板１１の表面を鏡面状に仕上げる。これにより、ガラス板１１の表面とＩＣチップ６の上面は、同じ上面高さを有するものとなり、面一状態になる。
【００４１】
次に、第６の工程において、第２の基板３のガラス板１１を０．１ｍｍとした単個状セル１８のチップ搭載部２０の保護部材３２を、アルコール等の溶剤を用いて洗浄し、除去する。この時、保護部材３２のパラフィンが一部残留し、チップ搭載部２０に搭載されたＩＣチップ６のバンプや、これに対応するチップ搭載部２０の電極パッド１３等の導電部分が、保護部材３２で覆われたままの状態となるようにする。続いて、保護部材３２を一部残留するように除去したＩＣチップ６搭載の単個状セル１９の画素部５の両外面に、それぞれ偏光板が設けることにより、表示パネルのガラス板１１の厚さが０．１ｍｍで、液晶パネル駆動用ＩＣチップ６の上面の高さがガラス板１１の表面と同じ高さの液晶表示素子３１が形成される。
【００４２】
以上の通り構成することで、第１の実施形態と同様に、第２の基板３のガラス板１１の薄板化が行え、またＩＣチップ６の上面とガラス板１１の表面とを同じ高さすることが簡単に行えることになり、同様の効果を得ることができる。
【００４３】
なお、上記の各実施形態においてはセル単体１７のガラス板１０，１１を化学的な処理であるケミカルエッチングによって薄板化したが、機械的な処理である切削加工やラッピング処理で行ってもよい。また、ポリシング処理においては、研磨剤に酸化セリウムを用いたが、ラッピング処理やポリシング処理に、酸化シリコン粒子や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等を研磨剤に用いてもよい。さらに、研磨時の導電部分の汚染防止として、保護部材にノボラック系レイジスト材料やパラフィンを用いたが、これに限らず他の耐水性と耐薬品性を有する材料を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施形態における第１の基板を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるセル単体を示す縦断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における短冊状セルを示す横断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態におけるＩＣチップが搭載された短冊状セルを示す縦断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の液晶表示素子を示す平面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の液晶表示素子を示す縦断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示素子の変形形態を示す縦断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における単個状セルを示す横断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態におけるＩＣチップが搭載された単個状セルを示す縦断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の液晶表示素子を示す縦断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態の液晶表示素子を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
２…第１の基板
３…第２の基板
４…液晶
５…画素部
６…ＩＣチップ
１０，１１…ガラス板
１３…電極パッド
２０…チップ搭載部
２１，３２…保護部材
【図１】
2007025200.tif 000003
【図２】
2007025200.tif 000004
【図３】
2007025200.tif 000005
【図４】
2007025200.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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