(57)【要約】【課題】補償信号を発生する補償回路と、補償回路からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部とを有する発振回路に関し、高速に所望の周波数に安定されることができる発振回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、補償信号を発生する補償回路（１２２）と、補償回路（１２２）からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部（１２１）とを有する発振回路において、抵抗（Ｒ１）及びキャパシタ（Ｃ２）を含み、補償信号の積分波形を発振部（１２１）に供給する積分回路（Ｒ１、Ｃ２）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれるキャパシタ（Ｃ２）を充電する充電回路（１２３）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）の両端を短絡させるスイッチ回路（１２４）と、キャパシタ（Ｃ２）の充電が終了した後、スイッチ回路（１２４）により積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）を短絡させる制御回路（１２５）とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
補償信号を発生する補償回路と、前記補償回路からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部とを有する発振回路であって、
抵抗及びキャパシタを含み、前記補償信号の積分波形を前記発振部に供給する積分回路と、
前記積分回路に含まれるキャパシタを充電する充電回路と、
前記積分回路に含まれる抵抗の両端を短絡させるスイッチ回路と、
前記キャパシタの充電が終了した後、前記スイッチ回路により前記積分回路に含まれる抵抗を短絡させる制御回路とを有することを特徴とする発振回路。
【請求項２】
前記充電回路は、前記キャパシタの充電電圧と前記補償信号とを比較し、前記キャパシタの充電電圧が前記補償信号のレベルになったときに前記キャパシタの充電を終了することを特徴とする請求項１記載の発振回路。
【請求項３】
前記制御回路は、前記充電回路によりキャパシタの充電が完了した後、所定時間、前記スイッチ回路により前記抵抗を短絡させることを特徴とする請求項１記載の発振回路。
【請求項４】
前記制御回路は、前記充電回路による前記キャパシタの充電期間と、前記スイッチ回路による前記抵抗の短絡期間とが重複しないように前記充電回路及び前記スイッチ回路を制御することを特徴とする請求項１記載の発振回路。
【請求項５】
前記制御回路は、発振動作開始時に前記キャパシタを充電し、前記充電回路によりキャパシタの充電が完了した後、所定時間、前記スイッチ回路により前記抵抗を短絡させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発振回路に係り、特に、補償信号を発生する補償回路と、補償回路からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部とを有する発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの基準発振源には、高精度な発振が要求されている。このため、基準発振源として、温度補償発振器が用いられている（特許文献１参照）。また、携帯電話機などではこの温度補償発振器を間欠的に動作させることにより、低消費電力化、高効率化を行なっている。なお、このように間欠的に動作を行なう発振器には、高速に所望の周波数に安定させることが望まれている。
【０００３】
温度補償発振器は積分回路を通して補償信号を発振部に供給することにより、補償動作を安定化させていた。このとき、発振回路の起動特性及び位相特性を向上させるために、積分回路の抵抗を短絡して補償信号をキャパシタンスに直接供給する発振回路が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−１９６３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、従来の温度補償発振回路では、起動を十分に高速化することはできなかった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、高速に所望の周波数に安定されることができる発振回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、補償信号を発生する補償回路（１２２）と、補償回路（１２２）からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部（１２１）とを有する発振回路であって、抵抗（Ｒ１）及びキャパシタ（Ｃ２）を含み、補償信号の積分波形を発振部（１２１）に供給する積分回路（Ｒ１、Ｃ２）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれるキャパシタ（Ｃ２）を充電する充電回路（１２３）と、積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）の両端を短絡させるスイッチ回路（１２４）と、キャパシタ（Ｃ２）の充電が終了した後、スイッチ回路（１２４）により積分回路（Ｒ１、Ｃ２）に含まれる抵抗（Ｒ１）を短絡させる制御回路（１２５）とを有することを特徴とする。
【０００７】
また、充電回路（１２３）は、キャパシタ（Ｃ２）の充電電圧と補償信号とを比較し、キャパシタ（Ｃ２）の充電電圧が補償信号のレベルになったときにキャパシタ（Ｃ２）の充電を終了することを特徴とする。
【０００８】
制御回路（１２５）は、充電回路（１２３）によりキャパシタ（Ｃ２）の充電が完了した後、所定時間、スイッチ回路（１２４）により抵抗（Ｒ１）を短絡させることを特徴とする。
【０００９】
制御回路（１２５）は、充電回路（１２３）によるキャパシタ（Ｃ２）の充電期間と、スイッチ回路（１２４）による抵抗の短絡期間とが重複しないように充電回路（１２３）及びスイッチ回路（１２４）を制御することを特徴とする。
【００１０】
制御回路（１２５）は、発振動作開始時にキャパシタ（Ｃ２）を充電し、充電回路（１２３）によりキャパシタ（Ｃ２）の充電が完了した後、所定時間、スイッチ回路（１２４）により抵抗（Ｒ１）を短絡させることを特徴とする。
【００１１】
なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって特許請求の範囲の記載が限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、補償信号を発生する補償回路と、補償回路からの補償信号に応じて発振周波数を制御可能とされた発振部と、抵抗及びキャパシタを含み、補償信号の積分波形を発振部に供給する積分回路と、積分回路に含まれるキャパシタを充電する充電回路と、積分回路に含まれる抵抗の両端を短絡させるスイッチ回路と、キャパシタの充電が終了した後、スイッチ回路により積分回路に含まれる抵抗を短絡させる制御回路とを有する構成とすることにより、発振部の発振出力を高速に、安定化させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
〔発振回路〕
図１は本発明の一実施例のブロック構成図を示す。
【００１４】
本実施例の発振回路１００は、発振ＩＣ１１１、電源１１２、発振子１１３、キャパシタＣ１、Ｃ２から構成されている。
【００１５】
発振ＩＣ１１１は、温度補償機能付き発振ＩＣであり、周囲温度に応じてキャパシタンスを制御することにより、温度によらずに所望の周波数の発振出力が得られ構成とされている。発振ＩＣ１１１の端子Ｔ１に電源１１２が接続される。電源１１２は、直流電圧Ｖccを発振ＩＣ１１１の端子Ｔ１に供給する。
【００１６】
キャパシタンスＣ１は、電源１１２に並列に接続されており、電源１１２から供給される直流電圧Ｖccの変動を吸収する。
【００１７】
発振ＩＣ１１１の端子Ｔ２と端子Ｔ３との間には発振子１１３が接続される。発振子１１３は、セラミック発振子、水晶振動子などから構成されており、端子Ｔ２、Ｔ３に印加される電圧に応じて振動する。
【００１８】
発振ＩＣ１１１は、発振子１１３の振動に応じた発振出力を端子Ｔ６から出力する。発振ＩＣ１１１の端子Ｔ４は、キャパシタＣ２を介して接地される。キャパシタＣ２は、外付けのキャパシタであり、内蔵された抵抗とともに積分回路を構成している。発振ＩＣ１１１の端子Ｔ５は接地端子であり、接地されている。
【００１９】
〔発振ＩＣ１１１〕
発振ＩＣ１１１は、例えば、１チップの半導体装置であり、発振部１２１、温度補償回路１２２、充電回路１２３、スイッチ回路１２４、タイミング制御回路１２５、抵抗Ｒ１を含む構成とされている。
【００２０】
〔発振部１２１〕
発振部１２１は、インバータ１３１、バッファアンプ１３２、抵抗Ｒ11〜Ｒ14、キャパシタＣ11、Ｃ12、可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2から構成されおり、いわゆる、インバータ式の電圧制御発振回路を構成している。インバータ１３１は入力がキャパシタＣ11を介して端子Ｔ２に接続され、出力が抵抗Ｒ14、及び、キャパシタＣ12を介して端子Ｔ３に接続されている。
【００２１】
端子Ｔ２と端子Ｔ３とで互いに反転した電圧となるようにしている。インバータ１３１の出力が発振出力としてバッファアンプ１３２を介して端子Ｔ６より出力される。
【００２２】
可変容量ダイオードＣav1は、端子Ｔ２と端子Ｔ５との間に設けられている。可変容量ダイオードＣav2は、端子Ｔ３と端子Ｔ５との間に設けられている。
【００２３】
可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2は、バイアス電圧によってその容量成分が変化する。可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2の容量成分が変化することにより発振子１１３を含む回路による共振周波数が変化し、発振周波数が変化する。
【００２４】
可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2には、抵抗Ｒ11、Ｒ12を介して補償回路１２２から出力された補償信号に応じた電圧が印加される。可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2は、補償信号に応じて容量が変化する。これによって、発振部１２１の発振出力が所望の周波数に制御される。
【００２５】
なお、抵抗Ｒ13は、フィードバック抵抗を構成している。また、抵抗Ｒ14は、ゲインをコントロールするための抵抗である。さらに、キャパシタＣ11、Ｃ12は、インバータ１３１への可変容量ダイオードＣav1、Ｃav2のバイアス用直流電圧の流入を防止している。
【００２６】
〔温度補償回路１２２〕
温度補償回路１２２は、温度に応じてレベルが変化する補償信号を出力する。温度補償回路１２２から出力された補償信号は抵抗Ｒ１の一端に供給される。抵抗Ｒ１の他端は、端子Ｔ４及び発振部１２１に接続されている。
【００２７】
〔充電回路１２３〕
充電回路１２３は、コンパレータ１４１、インバータ１４２、トランジスタＭ11、Ｍ12から構成されている。
【００２８】
コンパレータ１４１の非反転入力端子は端子Ｔ４に接続されており、キャパシタＣ２の充電電圧が供給される。コンパレータ１４１の反転入力端子は温度補償回路１２２と抵抗Ｒ１との接続点に接続されており、温度補償回路１２２から出力される補償信号が供給される。
【００２９】
コンパレータ１４１はキャパシタＣ２の充電電圧が補償信号より小さければ出力をハイレベルとし、キャパシタＣ２の充電電圧が補償信号より大きければ出力をローレベルとする。コンパレータ１４１の出力は、インバータ１４２及びタイミング制御回路１２４の端子Ｔ13に供給される。インバータ１４２は、コンパレータ１４１の出力を反転させる。
【００３０】
インバータ１４２の出力は、トランジスタＭ12のゲートに供給される。トランジスタＭ12は、ｐチャネルＭＯＳトランジスタから構成されており、ソース−ドレインが端子Ｔ１と端子Ｔ４との間に接続されている。トランジスタＭ12は、インバータ１４２の出力がローレベルのときにオンして、端子Ｔ１から端子Ｔ４に電流を供給して、キャパシタＣ２を充電する。また、トランジスタＭ11は、ソース−ドレインがコンパレータ１４１の出力と接地との間に接続されており、ゲートがタイミング制御回路１２４の端子Ｔ12に接続されている。
【００３１】
〔スイッチ回路１２４〕
スイッチ回路１２４は、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ21及びｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ22により、いわゆる、トランスファゲートと呼ばれるＣＭＯＳスイッチ回路を構成しており、オンのとき抵抗Ｒ１の両端を短絡する。ｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ21のゲートはタイミング制御回路１２５の端子Ｔ14に接続され、ｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ22のゲートはタイミング制御回路１２５の端子Ｔ15に接続されている。
【００３２】
〔タイミング制御回路１２５〕
図２はタイミング制御回路１２５のブロック構成図を示す。
【００３３】
タイミング制御回路１２５は、基準電源回路１５１、インバータ１５２〜１５５、遅延回路１５６、１５７、ＮＯＲ回路１５８、１５９から構成されている。
【００３４】
基準電源回路１５１は、端子Ｔ11と接地との間に接続されている。端子Ｔ11は、端子Ｔ１に接続されており、電源１１２から直流電圧Ｖccが供給される。基準電源回路１５１は、直流電圧Ｖccから基準電圧を生成する。基準電源回路１５１で生成された基準電圧は、インバータ１５２にハイレベルの信号として供給される。
【００３５】
インバータ１５２は、基準電源回路１５１から供給されるハイレベルの信号を反転してローレベルの信号を出力する。なお、直流電圧Ｖccが端子Ｔ１に供給されていない状態では基準電源回路１５１の出力はローレベルであり、インバータ１５２の出力はハイレベルとなる。インバータ１５２の出力は、遅延回路１５６に供給されている。
【００３６】
遅延回路１５６は、電流源１６１、トランジスタＭ31、キャパシタＣ11から構成されている。電流源１６１は、端子Ｔ11に接続されており、直流電圧Ｖccから定電流を生成する。トランジスタＭ31はｎチャネルＭＯＳトランジスタから構成されており、ソース−ドレインが電流源１６１と接地との間に接続され、ゲートにインバータ１５２の出力が供給されている。キャパシタＣ11はトランジスタＭ31のソース−ドレイン間に並列に接続されている。
【００３７】
遅延回路１５６は、インバータ１５２の出力がハイレベルのときにトランジスタＭ31がオンして、キャパシタＣ11を放電する。端子Ｔ１に直流電圧Ｖccが印加され、インバータ１５２の出力がローレベルになると、トランジスタＭ31がオフして、キャパシタＣ11の充電が開始される。
【００３８】
キャパシタＣ11の充電電圧は、インバータ１５３に供給されている。インバータ１５３はキャパシタＣ11の充電電圧が所定レベル以下のときには出力がハイレベルとしており、キャパシタＣ11の充電電圧が所定レベルを超えると出力をローレベルとする。
【００３９】
インバータ１５３の出力は、端子Ｔ12及びＮＯＲ回路１５８に供給される。ＮＯＲ回路１５８は、インバータ１５３の出力と端子Ｔ13の入力とのＮＯＲ論理を出力する。ＮＯＲ回路１５８の出力はインバータ１５４に供給される。インバータ１５４はＮＯＲ回路１５８の出力を反転して出力する。インバータ１５４の出力は、遅延回路１５７及びＮＯＲ回路１５９に供給される。
【００４０】
遅延回路１５７は、遅延回路１５６と同じ構成であり、インバータ１５４の出力を遅延して出力する。遅延回路１５７の出力は、ＮＯＲ回路１５９に供給される。ＮＯＲ回路１５９はインバータ１５４の出力と遅延回路１５７の出力とのＮＯＲ論理を出力する。
【００４１】
ＮＯＲ回路１５９の出力は、端子Ｔ14及びインバータ１５５に供給される。インバータ１５５は、ＮＯＲ回路１５９の出力を反転して端子Ｔ15に供給する。
【００４２】
〔動作〕
図３はタイミング制御回路１２５の動作波形図を示す。図３（Ａ）は端子Ｔ１、Ｔ11、図３（Ｂ）は基準電源回路１５１の出力、図３（Ｃ）はインバータ１５２の出力、図３（Ｄ）は遅延回路１５６の出力、図３（Ｅ）はインバータ１５３の出力、図３（Ｆ）は端子Ｔ13、図３（Ｇ）はＮＯＲ回路１５８の出力、図３（Ｈ）はインバータ１５４の出力、図３（Ｉ）は遅延回路１５７の出力、図３（Ｊ）はＮＯＲ回路１５９の出力波形を示している。
【００４３】
時刻ｔ１で、図３（Ａ）に示すように電源１１２から電源電圧Ｖccが印加されると、図３（Ｂ）に示すように基準電源回路１５１の出力が徐々に立ち上がる。このとき、インバータ１５２の出力は図３（Ｃ）に示すようにハイレベルとなる。
【００４４】
このとき、遅延回路１５６はトランジスタＭ31がオンするので、その出力は図３（Ｄ）に示すようにローレベルとなる。遅延回路１５６の出力はローレベルであるので、インバータ１５３の出力は図３（Ｅ）に示すようにハイレベルとなる。このとき、インバータ１５３の出力は、端子Ｔ12を介してトランジスタＭ11のゲートに供給される。トランジスタＭ11はｎチャネルＭＯＳトランジスタから構成されているので、端子Ｔ12がハイレベルになることによりオンする。
【００４５】
トランジスタＭ11がオンすることにより、インバータ１４２の入力がローレベルとなるため、インバータ１４２の出力はハイレベルとなる。インバータ142の出力がハイレベルとなることによりトランジスタＭ12はオフする。これによってキャパシタＣ２の充電は抑制される。なお、このとき、コンパレータ１４１は非反転入力端子に温度補償回路１２２から補償信号が供給されており、反転入力端子は接地レベルとなるので、その出力はハイレベルとなっている。
【００４６】
また、トランジスタＭ11がオンすることにより、端子Ｔ13がローレベルとされる。端子Ｔ13がローレベルとされると、ＮＯＲ回路１５８は入力がともにローレベルとなるので、その出力はハイレベルとされる。これによって、インバータ１５４の出力は図３（Ｈ）に示すようにハイレベルとなる。インバータ１５４の出力がハイレベルとなると、遅延回路１５７のトランジスタＭ31がオンするので、遅延回路１５７の出力は図３（Ｉ）に示すようにローレベルとされる。ＮＯＲ回路１５９は一方入力がハイレベル、他方入力がローレベルとなるので、その出力は図３（Ｊ）に示すようにローレベルとされる。ＮＯＲ回路１５９の出力がローレベルの状態では、端子Ｔ14がローレベル、端子Ｔ15がハイレベルとなるので、スイッチ回路１２４はオフ状態とされる。
【００４７】
時刻ｔ２で図３（Ａ）に示すように基準電源回路１５１の出力が所定電圧Ｖ1に達すると、図３（Ｃ）に示すようにインバータ１５３の出力がローレベルとなる。インバータ１５３の出力がローレベルになると、遅延回路１５６のトランジスタＭ31がオフし、キャパシタＣ11の充電が開始される。なお、このとき、スイッチ回路１２４はオフ状態に維持され、キャパシタＣ２は効率よく充電される。
【００４８】
時刻ｔ３で図３（Ｄ）に示すようにキャパシタＣ11の充電電圧がＶ2に達すると、インバータ１５３の出力がローレベルに反転する。インバータ１５３の出力がローレベルに反転すると、充電回路１２３のトランジスタＭ11がオフする。
【００４９】
充電回路１２３はトランジスタＭ11がオフすると、コンパレータ１４１の出力がインバータ１４２に供給される。このとき、コンパレータ１４１の出力はハイレベルであるため、インバータ１４２の出力はローレベルとなり、トランジスタＭ12がオンし、キャパシタＣ２の充電が略電源電圧Ｖccにより充電される。また、このとき、トランジスタＭ11がオフすることにより図３（Ｆ）に示すように端子Ｔ13がハイレベルとなる。
【００５０】
時刻ｔ４でキャパシタＣ２の充電電圧が温度補償回路１２２の補償信号レベルに達すると、コンパレータ１２３の出力がローレベルに反転する。コンパレータ１２３の出力がローレベルに反転すると、トランジスタＭ12がオフし、キャパシタＣ２の充電が停止される。
【００５１】
また、コンパレータ１２３の出力がローレベルに反転すると、端子Ｔ13がローレベルに反転する。端子ｔ13がローレベルに反転すると、ＮＯＲ回路１５８の入力が両方ともローレベルとなるので、その出力は図３（Ｇ）に示すようにハイレベルに反転する。ＮＯＲ回路１５８の出力がハイレベルになると、ＮＯＲ回路１５９の出力は図３（Ｊ）に示すようにハイレベルに反転する。ＮＯＲ回路１５９の出力がハイレベルに反転すると、端子Ｔ14がハイレベル、端子Ｔ15がローレベルとなるのでスイッチ回路１２４はオンする。スイッチ回路１２４がオンすることにより、温度補償回路１２２とキャパシタＣ２とが直結される。これによってキャパシタＣ２の充電電圧が温度補償回路１２２の補償信号レベルに一致するように急速に調整される。これによって、発振部１２１のキャパシタンスが急速に温度補償回路１２２の出力補償信号に応じた周波数に調整され、発振周波数を高速に安定化させることが可能となる。
【００５２】
時刻ｔ５で、図３（Ｉ）に示すように遅延回路１５７のキャパシタＣ11の充電電圧がＶ3に達すると、図３（Ｊ）に示すようにＮＯＲ回路１５９の出力はローレベルに反転する。
【００５３】
ＮＯＲ回路１５９の出力がローレベルになることによって、スイッチ回路１２４はオフする。スイッチ回路１２４がオフすることによって抵抗Ｒ１とキャパシタＣ２により積分回路が構成され、温度補償回路１２２の出力補償信号を安定して発振部１２１に供給することが可能となる。
【００５４】
図４は本発明の一実施例のシミュレーション波形図を示す。図４（Ａ）はキャパシタＣ２の充電電圧、図４（Ｂ）はキャパシタＣ２の充電期間、抵抗Ｒ１の短絡期間を示す図である。
【００５５】
本実施例によれば、図４（Ｂ）に示すように期間Ｔ１でキャパシタＣ２を充電した後、期間Ｔ２で抵抗Ｒ１を短絡することにより図４（Ａ）に示すようにキャパシタＣ２の充電電圧が抵抗Ｒ１を短絡した後、急速に補償信号レベルＶＴＣに達していることがわかる。これによって、発振部１２１を高速に補償信号ＶＴＣによって補償することができるようになる。
【００５６】
〔効果〕
本実施例によれば、電源電圧Ｖccの投入時に、充電回路１２３により温度補償信号を安定化させるための積分回路を構成するキャパシタＣ２を温度補償信号まで高速に充電することができる。また、キャパシタＣ２の充電完了後、積分回路を構成する抵抗Ｒ１の両端を短絡させ、温度補償回路１２２とキャパシタＣ２とを直結することにより、キャパシタＣ２の充電電圧と温度補償信号とのずれ、例えば、充電回路１２３のオフセットなどにより、キャパシタＣ２と温度補償信号との間に発生するずれなどを高速で調整することができる。これによって、キャパシタＣ２の充電電圧を高速に温度補償信号に一致させることができる。これによって、電源電圧Ｖccの起動時に発振部１２１の発振周波数を高速で所望の周波数に安定化させることが可能となる。
【００５７】
〔適用例〕
本実施例の発振回路１００は電池駆動の機器などに搭載して好適である。電池駆動の機器において省電力化のために待ち受け時などに発振回路１００の電源を間欠的に供給して、間欠的発振出力を与える場合に発振回路１００の発振周波数を高速で所望の発振周波数に安定させることが可能となる。よって、処理を迅速に行なえ、さらに、省電力化が可能となる。
【００５８】
〔その他〕
なお、本実施例では、発振部１２１の構成を発振子１１３及びインバータ１３１を用いた構成としたが、発振部１２１の構成はこれに限定されるものではなく、要は電圧制御型の発振回路構成であればこれに限定されるものではない。
【００５９】
また、本実施例では、温度補償信号により発振を安定化させる場合を例に説明を行なったが、温度補償信号を高速で安定化させるものに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。
【図２】タイミング制御回路１２５のブロック構成図である。
【図３】タイミング制御回路１２５の動作波形図である。
【図４】本発明の一実施例のシミュレーション波形図である。
【符号の説明】
【００６１】
１００  発振回路
１１１  発振ＩＣ、１１２  電源、１１３  発振子
１２１  発振部、１２２  温度補償回路、１２３  充電回路、１２４  スイッチ回路
１２５  タイミング制御回路
【図１】
2007124043.tif 000003
【図２】
2007124043.tif 000004
【図３】
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【図４】
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