(57)【要約】【課題】耐久性（耐光性）に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供すること。【解決手段】液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１７と、ＴＦＴ基板１７の内表面に接合された無機配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２の内表面に接合された無機配向膜４と、無機配向膜３と無機配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２と、ＴＦＴ基板１７の外表面に接合された偏光膜７と、液晶パネル用対向基板１２の外表面に接合された偏光膜８とを有している。無機配向膜３、４は、それぞれ、ＴＦＴ基板１７または液晶パネル用対向基板１２の内表面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されている。【選択図】図１
2007114342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に設けられた無機配向膜とを有する電子デバイス用基板であって、
前記無機配向膜は、前記基板の一方の面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項２】
前記無機粒子のアスペクト比は、０.０３〜０．５である請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項３】
前記基板の一方の面側に配設する前記無機粒子の個数は、２×１０９〜２×１０１３個／ｃｍ２である請求項１または２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記無機粒子は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主材料として構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板を製造する方法であって、
前記樹脂材料と、前記無機粒子とを含むシートを用意する第１の工程と、
該シートを延伸して、その延伸方向に前記無機粒子を配向させる第２の工程と、
前記基板の一方の面側に、前記シートを貼着する第３の工程と、
前記樹脂材料を除去して、前記無機粒子を前記基板側に転写するとともに、前記無機粒子を前記基板側に固定することにより、前記無機配向膜を得る第４の工程とを有することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】
前記無機粒子は、斜方蒸着法により成膜された無機物膜を粉砕して得られたものである請求項５に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第４の工程において、前記無機粒子を前記基板側に固定剤により固定する固定処理を行う請求項５または６に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項８】
前記固定剤は、前記無機粒子同士を連結する機能を有するものである請求項７に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項９】
前記固定剤は、カップリング剤を主成分とするものである請求項８に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第４の工程において、前記固定処理は、加熱より行われる請求項７ないし９のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シートは、前記固定剤を含んでおり、
前記第４の工程において、前記固定処理および前記樹脂材料の除去は、加熱により一括して行われる請求項１０に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４の工程において、前記樹脂材料の除去は、分解、溶解または剥離により行われる請求項１ないし１１のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板と、
前記無機配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする液晶パネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の液晶パネルを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の液晶表示素子（液晶パネル）が液晶テレビ（直視型表示装置）、液晶プロジェクタ（投射型表示装置）等で実用化されている。
これらの液晶表示素子に用いられる垂直配向膜としては、例えば液晶テレビにはポリイミド等の有機配向膜が用いられている。また、液晶プロジェクタには、ＳｉＯ２等の斜方蒸着膜（無機配向膜）が多用されている。
【０００３】
このうちポリイミドの有機配向膜は、ポリイミド膜を形成した後、その表面をラビング処理することによって得られる。しかしながら、ラビング処理による配向処理では、比較的不均一になり易いという問題がある。
また、斜方蒸着膜は、多数の細孔を有することから、この細孔を介して液晶層へ水分等が侵入して、液晶層が変質・劣化し易いという問題がある。また、基板が大型化した場合、各部において均一かつ均質な斜方蒸着膜を形成するのが困難であるという問題もある。
【０００４】
また、この他の配向膜として、延伸させたポリマーフィルムを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この配向膜は、フィルム化された高分子強誘電性液晶を延伸することにより、その分子鎖を一方向に配向させたものである。
しかしながら、この配向膜は、有機材料により構成されていることから、耐光性が低く、液晶分子の配向状態を規制する機能が経時的に劣化するという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−８４２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性（耐光性）に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板は、基板と、該基板の一方の面側に設けられた無機配向膜とを有する電子デバイス用基板であって、
前記無機配向膜は、前記基板の一方の面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されていることを特徴とする。
これにより、耐久性（耐光性）に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向（垂直配向または水平配向）状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板が得られる。
【０００８】
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機粒子のアスペクト比は、０.０３〜０．５であることが好ましい。
このような寸法の無機粒子を用いることにより、無機粒子の角部の辺によって生ずる分子異方性を増加させることができるという理由から、例えば、液晶分子の配向状態の規制（制御）を確実に行い得る無機配向膜が得られる。
【０００９】
本発明の電子デバイス用基板では、前記基板の一方の面側に配設する前記無機粒子の個数は、２×１０９〜２×１０１３個／ｃｍ２であることが好ましい。
無機配向膜の基板と反対の面側に、十分な数の無機粒子の角部が現れるようになる。このため、このような無機配向膜には、例えば、液晶分子がより確実に配向（垂直配向）するようになる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機粒子は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主材料として構成されていることが好ましい。
ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い耐久性（光安定性）を有することから好ましい。
【００１０】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、前記の電子デバイス用基板を製造する方法であって、
前記樹脂材料と、前記無機粒子とを含むシートを用意する第１の工程と、
該シートを延伸して、その延伸方向に前記無機粒子を配向させる第２の工程と、
前記基板の一方の面側に、前記シートを貼着する第３の工程と、
前記樹脂材料を除去して、前記無機粒子を前記基板側に転写するとともに、前記無機粒子を前記基板側に固定することにより、前記無機配向膜を得る第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、耐久性（耐光性）に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向（特に垂直配向）状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板を製造することができる。
【００１１】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記無機粒子は、斜方蒸着法により成膜された無機物膜を粉砕して得られたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、容易、確実かつ収率よく、無機粒子を作製することができる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第４の工程において、前記無機粒子を前記基板側に固定剤により固定する固定処理を行うことが好ましい。
これにより、無機粒子を基板に確実に固定して、無機配向膜の基板からの剥離を防止することができる。
【００１２】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記固定剤は、前記無機粒子同士を連結する機能を有するものであることが好ましい。
これにより、無機粒子同士を確実に連結して、無機配向膜の機械的強度の向上を図ることができる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記固定剤は、カップリング剤を主成分とするものであることが好ましい。
カップリング剤は、無機粒子の基板上への固定と、無機粒子同士の連結との双方の機能を同一分子で担うことができることから好ましい。
【００１３】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第４の工程において、前記固定処理は、加熱より行われることが好ましい。
これにより、例えば、固定処理および樹脂材料の除去を一括して行うことができるようになる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記シートは、前記固定剤を含んでおり、
前記第４の工程において、前記固定処理および前記樹脂材料の除去は、加熱により一括して行われることが好ましい。
これにより、無機配向膜を形成する工程数の削減が可能となる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第４の工程において、前記樹脂材料の除去は、分解、溶解または剥離により行われることが好ましい。
これらの方法によれば、容易かつ確実に樹脂材料を除去することができる。
【００１４】
本発明の液晶パネルは、本発明の電子デバイス用基板と、
前記無機配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液晶パネルが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の液晶パネルを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図、図２は、図１に示す液晶パネルが備える無機配向膜を拡大して模式的に示す斜視図である。なお、図１では、シール材、配線等の記載は省略した。また、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１６】
図１に示す液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７の内表面（下面）に接合された無機配向膜３と、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２の内表面（上面）に接合された無機配向膜４と、無機配向膜３と無機配向膜４との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層２と、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７の外表面（上面）側に接合された偏光膜７と、液晶パネル用対向基板１２の外表面（下面）側に接合された偏光膜８とを有している。
【００１７】
液晶パネル用対向基板１２は、マイクロレンズ基板１１と、かかるマイクロレンズ基板１１の表層１１４上に設けられ、開口１３１が形成されたブラックマトリックス１３と、表層１１４上にブラックマトリックス１３を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）１４とを有している。
マイクロレンズ基板１１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）１１２が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板１１１の凹部１１２が設けられた面に樹脂層（接着剤層）１１５を介して接合された表層１１４とを有している。
【００１８】
また、樹脂層１１５では、凹部１１２内に充填された樹脂によりマイクロレンズ１１３が形成されている。
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、平板状の母材（透明基板）より製造され、その表面には、複数（多数）の凹部１１２が形成されている。
凹部１１２は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
【００１９】
このマイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、例えば、ガラス等で構成されている。
前記母材の熱膨張係数は、ガラス基板１７１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネル１では、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
【００２０】
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、ガラス基板１７１とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
特に、後述するＴＦＴ基板１７には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を石英ガラスで構成することが好ましい。これにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れた液晶パネル１を得ることができる。
【００２１】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の上面には、凹部１１２を覆う樹脂層（接着剤層）１１５が設けられている。
凹部１１２内には、樹脂層１１５の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ１１３が形成されている。
樹脂層１１５は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂（接着剤）で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
【００２２】
樹脂層１１５の上面には、平板状の表層１１４が設けられている。
表層（ガラス層）１１４は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層１１４の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【００２３】
表層１１４の平均厚さは、必要な光学特性を得る観点からは、通常、５〜１０００μｍ程度とされ、より好ましくは１０〜１５０μｍ程度とされる。
なお、表層（バリア層）１１４は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物系セラミックス、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。
【００２４】
表層１１４をセラミックスで構成する場合、表層１１４の平均厚さは、特に限定されないが、２０ｎｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層１１４は、必要に応じて省略することができる。
ブラックマトリックス１３は、遮光機能を有し、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
【００２５】
透明導電膜１４は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で構成されている。
ＴＦＴ基板１７は、液晶層２が含有する液晶分子を駆動（配向制御）する基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられ、マトリックス状（行列状）に配設された複数（多数）の画素電極１７２と、各画素電極１７２に対応する複数（多数）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。
【００２６】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
画素電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１４との間で充放電を行うことにより、液晶層２の液晶分子を駆動する。この画素電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１４と同様の材料で構成されている。
【００２７】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する画素電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極１７２の充放電が制御される。
ＴＦＴ基板１７の外表面（図１中上面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）７が配置されている。同様に、液晶パネル用対向基板１２の外表面（図１中下面）側には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）８が配置されている。
【００２８】
偏光膜７、８の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
このような偏光膜７、８を配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
【００２９】
偏光膜７、８の偏光軸の方向は、通常、無機配向膜３、４の配向方向（本実施形態では、電圧印加時）に応じて決定される。
また、ＴＦＴ基板１７には、画素電極１７２の内表面に接合して無機配向膜３が設けられ、液晶パネル用対向基板１２には、透明導電膜１４の内表面に接合して無機配向膜４が設けられている。
【００３０】
本実施形態では、ＴＦＴ基板１７と無機配向膜３とにより、また、液晶パネル用対向基板１２と無機配向膜４とにより、それぞれ、本発明の電子デバイス用基板が構成される。
そして、これらの無機配向膜３と無機配向膜４との間に液晶層２が介挿され（設けられ）ている。液晶層２は、液晶分子（液晶材料）を含有しており、画素電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子の配向が変化する。
【００３１】
液晶分子としては、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体、ビフェニル誘導体、ビフェニルシクロヘキサン誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルエーテル誘導体、フェニルエステル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、アゾメチン誘導体、アゾキシ誘導体、ピリミジン誘導体、ジオキサン誘導体、キュバン誘導体、さらに、これらの誘導体に、フルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入したもの等が挙げられる。
なお、垂直配向に適する液晶分子としては、例えば、下記化１〜化３で表される化合物等が挙げられる。
【００３２】
【化１】
2007114342.tif 000003
【００３３】
【化２】
2007114342.tif 000004
【００３４】
【化３】
2007114342.tif 000005
［式中、環Ａ〜Ｉは、それぞれ独立して、シクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはフッ素原子のいずれかを示し、Ｘ１〜Ｘ１８は、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を示す。］
【００３５】
無機配向膜（垂直配向膜または水平配向膜）３、４は、液晶層２が含有する液晶分子の（電圧無印加時における）配向状態を規制する機能を有している。
なお、これらの無機配向膜３、４の構成については、後に詳述する。
このような液晶パネル１では、通常、１個のマイクロレンズ１１３と、かかるマイクロレンズ１１３の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１３の１個の開口１３１と、１個の画素電極１７２と、かかる画素電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【００３６】
液晶パネル用対向基板１２側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を通り、マイクロレンズ１１３を通過する際に集光されつつ、樹脂層１１５、表層１１４、ブラックマトリックス１３の開口１３１、透明導電膜１４、液晶層２、画素電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。
このとき、マイクロレンズ基板１１の入射側に偏光膜８が設けられているため、入射光Ｌが液晶層２を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。
【００３７】
その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層２の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１を透過した入射光Ｌを偏光膜７に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
このように、液晶パネル１は、マイクロレンズ１１３を有しており、しかも、マイクロレンズ１１３を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス１３の開口１３１を通過する。
【００３８】
一方、ブラックマトリックス１３の開口１３１が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１は、画素部で高い光の透過率を有する。
さて、無機配向膜３、４は、それぞれ、図２に示すように、ＴＦＴ基板１７または液晶パネル用対向基板１２の内表面（無機配向膜３、４が設けられる面）にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された（一軸配向した）複数の角柱状の無機粒子５で構成されている。
【００３９】
無機配向膜３、４は、同一であるため、無機配向膜３を代表にして説明する。
ここで、無機粒子５が一軸配向しているとは、図２に示すように、大多数の無機粒子５の長軸が、ほぼ等しい方向を向いていること（無機粒子５の長軸の平均的な方向が制御されていること）を言い、複数の無機粒子５の中には、長軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた無機粒子５が含まれていてもよい。
【００４０】
このように、無機粒子５が規則的に配列していることにより、無機配向膜３は、高い構造規則性を有している。
このような構成により、液晶層２が含有する液晶分子は、その種類に応じて、垂直配向または水平配向し易くなる。したがって、このような構成の無機配向膜３は、ＶＡ（Vertical Alignment）型やＩＰＳ（In Plane Switching）型の液晶パネルの構築に有用である。
【００４１】
また、無機配向膜３が高い構造規則性を有することから、液晶分子の配向方向もより正確に一定方向（垂直方向または水平方向）に揃うようになる。その結果、液晶パネル１の性能（特性）の向上を図ることができる。
特に、液晶分子は、尖った部分（角部）が存在すると、当該部分において配向し易くなるが、本発明においては、無機粒子５の角部が無機配向膜３の上面側に現れるため、液晶分子の配向性がより向上する。
【００４２】
無機粒子５は、好ましくは無機酸化物を主材料として構成される。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性（光安定性）を有している。このため、無機粒子５の集合物で構成された無機配向膜３は、有機材料で構成された配向膜に比べ、特に優れた耐光性を有するものとなる。
また、無機粒子５を構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶パネル１において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
【００４３】
このような無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯのようなシリコン酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＷＯ３、ＣｒＯ３、ＧａＯ３、ＨｆＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主成分とするものが好ましい。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。
【００４４】
なお、無機粒子５は、無機酸化物の他、例えば、ＳｉＮのような無機窒化物、ＭｇＦ２のような無機フッ化物等を主材料として、また、無機酸化物、無機窒化物および無機フッ化物のうちの任意の２種以上を組み合わせた材料を主材料として構成することができる。
無機粒子５のアスペクト比は、特に限定されないが、０．０３〜０．５程度であるのが好ましく、０．０５〜０．４程度であるのがより好ましい。このような寸法の無機粒子５を用いることにより、無機粒子の角部の辺によって生ずる分子異方性を増加させることができるという理由から、液晶分子の配向状態の規制（制御）を確実に行い得る無機配向膜３が得られる。
【００４５】
ここで、無機粒子５のアスペクト比とは、無機粒子５の横断面における最大長さ（図示のような長方形状の場合、対角線の長さ：図２中Ｓ）を、無機粒子５の長軸方向の長さ（図２中Ｌ）で除した値のことを言う。
無機粒子５の長軸方向の平均長さＬｍ（Ｌの平均値）の具体的な値は、８０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４６】
また、ＴＦＴ基板１７の上面に配設する無機粒子５の個数、すなわち、ＴＦＴ基板１７の上面の単位面積あたりに存在する無機粒子５の個数は、２×１０９〜２×１０１３個／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５×１０９〜１×１０１３個／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。これにより、無機配向膜３の上面側に、十分な数の無機粒子５の角部が現れるようになる。このため、このような無機配向膜３には、液晶分子がより確実に配向（垂直配向または水平配向）するようになる。なお、配設する無機粒子５の個数を前記上限値を超えて多くしても、それ以上、液晶分子の配向状態を規制する効果の増大が認められない。
【００４７】
無機配向膜３の平均厚さは、特に限定されないが、１５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。無機配向膜３の厚さが薄過ぎると、ＴＦＴ基板１７の上面に配設する無機粒子５の個数等によっては、液晶分子が直接、画素電極１７２に接触し、ショートするのを十分に防止することができないおそれがあり、一方、無機配向膜３の厚さが厚過ぎると、液晶パネル１の駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる傾向を示す。
【００４８】
また、無機配向膜３（無機粒子５）が無機酸化物を主材料として構成される場合、無機配向膜３には、表面に存在する活性な水酸基を低減させる水酸基低減処理を施すようにしてもよい。これにより、無機配向膜３に、各種不純物の付着や、液晶分子との反応が経時的に生じて、アンカリング力が低下し、配向異常が生じ易くなるのを防止することができる。
【００４９】
なお、前記不純物としては、例えば、液晶層２を封止するシール材中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が挙げられる。
かかる水酸基低減処理には、例えば、無機配向膜３に対して、アルコール類やカップリング剤を化学結合させる処理が挙げられる。
このような液晶パネル（液晶セル）１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００５０】
［１］  まず、公知の方法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とを用意する。
［２］  次に、ＴＦＴ基板１７上に画素電極１７２およびＴＦＴ１７３を覆うように無機配向膜３を、一方、液晶パネル用対向基板１２の透明導電膜１４上に無機配向膜４をそれぞれ形成する。
無機配向膜３、４の形成方法（形成工程）は、同様であるので、以下、無機配向膜３を形成する場合を代表に説明する。
【００５１】
＜第１の形成方法＞
まず、無機配向膜の第１の形成方法について説明する。
図３および図４は、それぞれ、無機配向膜の第１の形成方法を説明するための図（模式図）である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
この無機配向膜の第１の形成方法は、［２Ａ−１］シート作製工程と、［２Ａ−２］シート延伸工程と、［２Ａ−３］シート貼着工程と、［２Ａ−４］樹脂材料除去工程とを有している。以下、これらの各工程について、順次説明する。
【００５２】
［２Ａ−１］  シート作製工程（第１の工程）
樹脂材料、無機粒子５および固定剤を含むシート１９１を作製する。
まず、樹脂材料、無機粒子５および固定剤を、溶剤に分散・溶解させた液体を用意する。
樹脂材料としては、次工程［２Ａ−２］において、シート１９１を延伸したときに高い配向性が得られるものが好適に使用される。このような樹脂材料としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等の芳香族高分子や、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子、塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、アクリル樹脂等のビニル系高分子、セルロースまたはその誘導体（例えば、再生セルロース（セロハン）、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース等）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
前記液体中の樹脂材料の含有量は、特に限定されないが、０．０１〜５０ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．０１〜２０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。樹脂材料の含有量が少な過ぎると、その種類等によっては、形成される薄膜１９０の厚さが薄過ぎ、次工程［２Ａ−２］における延伸処理において、引っ張る力の大きさ等によっては、シート１９１が破損してしまうおそれがあり、一方、樹脂材料の含有量が多過ぎると、液体の粘度が必要以上に高くなり、シート作製用基板１８上への液体の供給が困難となったり、形成される薄膜１９０（シート１９１）の厚さが不均一となり易い。
【００５４】
無機粒子５は、角柱状をなす粒子である。かかる粒子は、いかなる方法で作製したものであってもよいが、斜方蒸着法により成膜された無機物膜を粉砕することにより好適に得ることができる。かかる方法によれば、容易、確実かつ収率よく、無機粒子５を作製することができる。また、前述したようなアスペクト比の無機粒子５を得るのが容易である。
斜方蒸着法により無機物膜を形成して、無機粒子５を作製する場合、具体的には、次のようにして行われる。
【００５５】
斜方蒸着法では、図５に示すように、チャンバ（図示せず）内に、無機材料（原料）８００を収納した蒸着源８１０と、無機粒子作製用基板１７０とを設置し、これらの間にスリット８２１が形成されたスリット板８２０を配置する。
なお、無機粒子作製用基板１７０は、駆動装置８３０に固定され、後述する蒸着角度（図５中、角度θ２）を維持した状態で、平行移動可能になっている。また、無機粒子作製用基板１７０は、図示しない加熱手段により加熱可能となっている。
【００５６】
この状態で、蒸着源８１０に設けられた加熱手段（図示せず）により無機材料８００を加熱して蒸発（気化）させる。そして、無機材料８００の蒸発粒子を、スリット板８２０のスリット８２１を介して無機粒子作製用基板１７０の上面（無機物膜を形成する面）に到達させる。
なお、このとき、無機粒子作製用基板１７０を、前述の加熱手段により所定の温度に加熱するとともに、駆動装置８３０により所定の速度で平行移動させる。
【００５７】
これにより、無機粒子作製用基板１７０上に、斜め方向に成長した角柱状の粒子（カラム構造）が多数集合した構造を呈する無機物膜が得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機材料（蒸発粒子）８００が、無機粒子作製用基板１７０の上面に到達する蒸着角度（図５中、角度θ２）を適宜設定することにより、角柱状の粒子のＴＦＴ基板１７の上面に対する角度を調整することができる。
【００５８】
チャンバ（蒸着装置）内の真空度は、１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度であるのが好ましく、５×１０−５〜５×１０−３Ｐａ程度であるのがより好ましい。
また、蒸着時の基板温度は、２０〜１５０℃程度であるのが好ましく、５０〜１２０℃程度であるのがより好ましい。
また、蒸着レートは、２．５〜２５Å／秒程度であるのが好ましく、４〜２０Å／秒程度であるのがより好ましい。
【００５９】
また、蒸着角度θ２は、４５〜８５°程度であるのが好ましく、５０〜７５°程度であるのがより好ましい。
また、蒸着源８１０と無機粒子作製用基板１７０との方位角度（図５中、角度θ１）や、無機粒子作製用基板１７０と蒸着源８１０との離間距離（図５中Ｌ）、スリット板８２０の厚さ（図５中Ｔ）やスリット８２１の幅（図５中Ｗ）等を適宜設定することにより、得られる無機粒子５のサイズの調整を行うことができる。
【００６０】
このようにして得られた無機物膜を基板から剥離し破砕することにより無機粒子５が得られる。
剥離・粉砕方法としては、例えば、まず鋭利な刃により機械的に剥離したり、超音波振動により剥離した無機粒子の凝集固体を、ボールミル、アトライター、サンドミル、ビーズミルなどの粉砕用メディアを添加して粉砕する湿式微粉砕方法等が挙げられる。
【００６１】
また、前記液体に混合する無機粒子５の量は、樹脂材料の種類等によって異なり、特に限定されない。具体的には、前記液体に混合する無機粒子５の量は、最終的に、ＴＦＴ基板１７の上面の単位面積あたりに存在する無機粒子５の個数が前述した範囲となるように適宜設定するようにすればよい。
固定剤は、後工程［２Ａ−４］において、無機粒子５をＴＦＴ基板１７に固定する機能を有するものである。また、この固定剤は、無機粒子５同士を連結（架橋）する機能を有するものが好ましい。これにより、無機配向膜３の機械的強度を向上させることができ、また、ＴＦＴ基板１２からの剥離も確実に防止することができる。
【００６２】
また、この固定剤には、後工程［２Ａ−４］で行う樹脂材料を除去する際に、除去されないか除去され難いものが好適に選択される。
このような固定剤としては、例えば、Ｔｉ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ等を金属元素として有するカップリング剤を主成分とするものが好ましく、特に、シラン系、チタネート系の各種カップリング剤を主成分とするものが好適に用いられる。カップリング剤は、無機粒子５のＴＦＴ基板６上への固定と、無機粒子５同士の連結との双方の機能を同一分子で担うことができることから好ましい。
【００６３】
このうち、シラン系カップリング剤としては、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等のビニル基を有するもの、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のエポキシ基を有するもの、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等のメタクリロキシ基を有するもの、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリロキシ基を有するもの、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、特殊アミノシラン等のアミノ基を有するもの、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のウレイド基を有するもの、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピル基を有するもの、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有するもの、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド等のスルフィド基を有するもの、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のイソシアネート基を有するもの等が挙げられる。
【００６４】
その他、固定剤には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールのような多価アルコール類を用いることもできる。
前記液体中の固定剤の含有量は、特に限定されないが、無機粒子１ｇに対して、０．００１〜０．２ｇ程度であるのが好ましく、０．０１〜０．１ｇ程度であるのがより好ましい。固定剤の含有量を前記範囲とすることにより、シート１９１を作製する過程において無機粒子５同士が連結してしまのを防止しつつ、無機粒子５のＴＦＴ基板１７への固定や、無機粒子５同士の連結を確実に行うことができる。
【００６５】
液体の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、エチルアルコール、メチルアルコール等のアルコール、ジメチルホルムアミド、ヘキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、ピリジン、トリエチルアミン、水、アセトン等が挙げられる。
次いで、この液体を、シート作製用基板１８上に供給した後、乾燥することにより、図３（ｃ）に示すような薄膜１９０を形成する。
【００６６】
液体の供給には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。
形成するシート１９１（乾燥後の薄膜１９０）の平均厚さは、１〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、１〜５００μｍ程度であるのがより好ましい。シート１９１の厚さが薄過ぎると、次工程［２Ａ−２］における延伸処理において、樹脂材料の種類やその含有量、引っ張る力の強さ等によっては、シート１９１が破損してしまうおそれがあり、一方、シート１９１の厚さが厚過ぎると、目的とする厚さの延伸シート１９２を得るのに長時間を要するおそれがある。
そして、この薄膜１９０を、シート作製用基板１８から剥離する。これにより、図３（ｂ）に示すような樹脂材料、無機粒子５および固定剤を含むシート１９１が得られる。
【００６７】
［２Ａ−２］  シート延伸工程（第２の工程）
次に、シート１９１を一軸方向に延伸することにより、図３（ｃ）に示すような延伸シート１９２を得る。
シート１９１を延伸すると、シート１９１に含まれる樹脂材料の分子鎖が延伸方向に配向し、これに沿って無機粒子５が整列する。すなわち、シート１９１の延伸方向に無機粒子５が配向する。
延伸方法としては、例えば、引張延伸法、ロール圧延法、固相押出法、ゲル圧延法、ゾーン圧延法等が挙げられる。
【００６８】
［２Ａ−３］  シート貼着工程（第３の工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１７の上面に延伸シート１９２を固定する。
これは、ＴＦＴ基板１７上に、延伸シート１９２を画素電極１７２およびＴＦＴ１７３を覆うように載置した後、必要に応じて、延伸シート１９２をＴＦＴ基板１７に向かって押圧することにより行うことができる。
【００６９】
［２Ａ−４］  樹脂材料除去工程（第４の工程）
次に、延伸シート１９２から樹脂材料を除去して、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に転写するとともに、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に固定する。これにより、無機配向膜３を得る。
まず、本実施形態では、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に固定する固定処理を行う。この固定処理は、加熱により好適に行われる。
【００７０】
例えば、固定剤としてシラン系カップリング剤を用いた場合には、加熱により、シラン系カップリング剤の反応性基と、ＴＦＴ基板１７の表面の官能基および無機粒子５の表面の官能基が反応し、シロキサン結合が形成される。その結果、無機粒子５の少なくとも一部がＴＦＴ基板１７上に結合する。
この熱処理の温度は、９０〜２００℃程度であるのが好ましく、１１０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。
【００７１】
なお、固定処理は、加熱の他、例えば、光硬化、シラン系カップリング剤に対して水蒸気暴露等により行うことができる。
次に、延伸シート１９２に含まれる樹脂材料を除去することにより、図４（ｅ）に示すように、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に転写する。これにより、ＴＦＴ基板１７上には、ＴＦＴ基板１７の上面に対してほぼ平行をなし、かつ、長軸がほぼ一定方向に向いて配設された複数の無機粒子５で構成された無機配向膜３が得られる。
【００７２】
樹脂材料を除去する方法としては、（１）熱分解、（２）光分解、（３）溶解、（４）剥離が挙げられる。これらの方法によれば、容易かつ確実に樹脂材料を除去することができる。
このうち、（１）熱分解では、延伸シート１９２が固定されたＴＦＴ基板１７を、樹脂材料の熱分解温度以上の温度で加熱する。これにより、延伸シート１９２に含まれる樹脂材料が熱分解して除去される。その結果、ＴＦＴ基板１７上には、無機粒子５が残存して、無機配向膜３が得られる。
【００７３】
また、このとき、固定剤の作用により、さらに多くの無機粒子５がＴＦＴ基板１７上に固定されるとともに、無機粒子５同士も連結され、無機配向膜３のＴＦＴ基板１７との密着性および無機配向膜３の機械的強度が向上する。
熱処理の温度の下限値は、樹脂材料の熱分解温度以上とされ、一方、上限値は、ＴＦＴ基板１７上に形成されたＴＦＴ１７３や画素電極１７２に悪影響を及ぼさない範囲（例えば２５０℃以下）とするのが好ましい。
また、本工程［２Ａ−４］において熱分解（加熱）を用いる場合には、この樹脂材料の除去と、前記固定処理と一括して行うことができ、無機配向膜３を形成する工程数の削減が可能となる。
【００７４】
（２）光分解では、延伸シート１９２に対して光を照射する。これにより、延伸シート１９２に含まれる樹脂材料が分解する。そして、必要に応じて、分解物を除去する除去処理を行う。その結果、ＴＦＴ基板１７上には、無機粒子５が残存して、無機配向膜３が得られる。
ここで、照射する光の波長は、１５０〜３５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜３００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、照射する光の強度は、０．０１〜１０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、分解物の除去処理としては、例えば、オゾン照射、プラズマ処理、ＵＶ処理、加熱処理等が挙げられる。
【００７５】
（３）溶解では、延伸シート１９２に溶剤を接触させる。これにより、延伸シート１９２に含まれる樹脂材料が溶解して除去される。その結果、ＴＦＴ基板１７上には、無機粒子５が残存して、無機配向膜３が得られる。
溶剤としては、樹脂材料を溶解可能であり、かつ、無機粒子５に対して影響を及ぼさないものが選択され、特に限定されないが、例えば、キシレン、スチレン、トルエン、１，１，１−トリクロルメタン、ノルマルヘキサン、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレンクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、１，４−ジオキサン、１，２−ジクロロエタン、１，２-ジクロロエチレン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、クレゾール、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、ミネラルスピリット、ヘビーアロマティック、シクロヘキサン、ｎ−へブタン、ラバゾール、リグロイン、ジクロルメタン、１，２−ジクロルベンゼン、メタノール、変性エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、変性酢酸メチル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３-メトキシブチルアセテート、３-メチル-３-メトキシブチルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシン−４−メチル−２−ペンタノン、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、２，６−ジメチル−４−へブタノン、４−メチルアミノラクタム、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ビニルベンゼン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ｔ−ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、テトラメチレンオキシド、テトラヒドロフラン、ベンゼン等単独または任意の２種以上を混合して用いることができる。
また、延伸シート１９２に溶剤を接触させる方法としては、例えば、溶剤中に、延伸シート１９２が固定されたＴＦＴ基板１７を浸漬する方法（浸漬法）、延伸シート１９２に溶剤を塗布する方法（塗布法）、延伸シート１９２に溶剤をシャワー状に供給する方法（噴霧法）等が挙げられる。
【００７６】
（４）剥離では、樹脂材料のシート状物（樹脂材料で構成されたシート１９１の基部）をＴＦＴ基板１７から剥離、除去する。これにより、延伸シート１９２に含まれる樹脂材料が一塊として除去される。その結果、ＴＦＴ基板１７上には、無機粒子５が残存して、無機配向膜３が得られる。
以上のような方法によれば、樹脂材料、無機粒子５および固定剤を含むシート１９１を延伸し、この延伸シート１９２をＴＦＴ基板１７に固定した後、樹脂材料を除去することにより無機配向膜３を形成するので、均一かつ均質な無機配向膜３を効率良く形成することができる。
【００７７】
特に、かかる方法によれば、ＴＦＴ基板１７が大型化した場合でも、同様に、均一かつ均質な無機配向膜３を確実に形成することができる。すなわち、本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、大型の基板上に無機配向膜を形成する場合への適用に適する。
また、形成される無機配向膜３は、無機粒子５により構成されているので、優れた耐光性が得られ、液晶分子の配向状態を規制（制御）する機能を長期間に亘り維持することができる。
なお、本実施形態では、シート１９１中に固定剤を含む場合について説明したが、シート１９１は、固定剤を含まないものであってもよい。この場合、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に転写した後、固定剤をＴＦＴ基板１７上に供給して固定処理を施すことにより、無機粒子５をＴＦＴ基板１７上に固定して無機配向膜３を得ることができる。
【００７８】
＜第２の形成方法＞
次に、無機配向膜の第２の形成方法について説明するが、前記第１の形成方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図６は、無機配向膜の第２の形成方法を説明するための図（模式図）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
第２の形成方法は、シート作製工程が異なり、それ以外は、前記第１の形成方法と同様である。
【００７９】
［２Ｂ−１］  シート作製工程
樹脂材料、無機粒子５および固定剤を含むシート１９１を作製する。
まず、樹脂材料を溶剤に分散・溶解させた液体を用意し、シート作製用基板１８上に供給し、乾燥することにより、図６（ａ）に示すような薄膜１９３を形成する。
樹脂材料および溶剤には、それぞれ、前記第１の形成方法で挙げたものと同様のものを用いることができる。
【００８０】
また、この液体中の樹脂材料の含有量、液体の供給方法および乾燥温度等も、前記第１の形成方法と同様とすることができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、無機粒子５を薄膜１９３上にほぼ均一に撒いた後、固定剤またはその溶液（希釈液）を薄膜１９３上に供給して乾燥する。
無機粒子５および固定剤には、それぞれ、前記第１の形成方法で挙げたものと同様のものを用いることができ、用いる量も、前記第１の形成方法と同様とすることができる。
次に、無機粒子５および固定剤が供給された薄膜１９３を、シート作製用基板１８から剥離する。これにより、図６（ｃ）に示すような樹脂材料、無機粒子５および固定剤を含むシート１９１が得られる。
【００８１】
［２Ｂ−２］  シート延伸工程（第２の工程）
本工程では、前記工程［２Ａ−２］と同様の工程を行う。
［２Ｂ−３］  シート貼着工程（第３の工程）
本工程では、前記工程［２Ａ−３］と同様の工程を行う。
［２Ｂ−４］  樹脂材料除去工程（第４の工程）
本工程では、前記工程［２Ａ−４］と同様の工程を行う。
【００８２】
［３］  次に、無機配向膜３、４を対向させ、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とをシール材（図示せず）を介して接合し、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）から液晶（液晶組成物）を空隙部内に注入した後、かかる封入孔を塞ぐ。
［４］  次に、ＴＦＴ基板１７および液晶パネル用対向基板１２の外表面に、それぞれ、偏光膜７、８を接合する。
【００８３】
以上の工程を経て、図１に示す液晶パネル１が得られる。
なお、上記液晶パネル１では、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
次に、本発明の電子機器の一例として、上記液晶パネル１を用いた電子機器（液晶プロジェクタ）について説明する。
【００８４】
図７は、本発明の電子機器（投射型表示装置）の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【００８５】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【００８６】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１を備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【００８７】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。光源３０１から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン３２０上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置３００では、耐光性に優れた液晶パネル１を用いているため、光源３０１から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
【００８８】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図７中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図７中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図７中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【００８９】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図７中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【００９０】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図７中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図７中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
【００９１】
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１の各画素（薄膜トランジスタ１７３とこれに接続された画素電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【００９２】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【００９３】
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【００９４】
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【００９５】
本実施形態の投射型表示装置３００は、３個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに液晶パネル１を適用したものについて説明したが、これらのうちの少なくとも１つが、液晶パネル１であればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに液晶パネル１を適用するのが好ましい。
なお、本発明の電子機器は、図７の投射型表示装置の他にも、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機（ＰＨＳを含む）、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータなどが挙げられる。そして、これらの各種電子機器が表示部、モニタ部に備える液晶パネルに、本発明を適用可能なことは言うまでもない。
【００９６】
以上、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、任意の１または２以上の工程を追加することもできる。
【００９７】
また、本発明の電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、本発明の電子デバイス用基板は、前記実施形態で説明した構成の液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、同一基板上に、液晶層に電圧を印加する一対の電極を設けた構成の液晶パネルに適用することができる。
さらに、本発明の電子デバイス用基板は、液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、有機トランジスタ等に適用することもできる。この場合、かかる電子デバイス用基板を用いることにより、有機半導体層の配向方向を規制して、キャリア移動度の向上を図ることができる。
【実施例】
【００９８】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．無機粒子の作製
まず、直径８インチのシリコン基板（無機粒子作製用基板）を用意し、真空蒸着装置のチャンバ内に基板面が蒸着源に対して、角度θ１が５０°となるようにセットした。また、スリット板の厚さは１．５ｃｍ、スリットの幅は２．０ｃｍとし、蒸着角度θ２は６０°、蒸着距離は１．５ｍ、シリコン基板の稼動速度（移動速度）は２．５ｃｍ／分とした。
【００９９】
次に、チャンバ内を減圧（１×１０−４Ｐａ）し、シリコン基板の温度１１０℃、蒸着レート１０Å／秒で、ＳｉＯ２を斜方蒸着して、ＳｉＯ２斜方蒸着膜を形成した。
なお、得られたＳｉＯ２斜方蒸着膜は、その細孔のシリコン基板の上面に対する角度が約７０°であり、平均厚さが４０ｎｍであった。
そして、シリコン基板上から、ＳｉＯ２斜方蒸着膜を剥離、粉砕することにより、角柱状（直方体状）のＳｉＯ２粒子を得た。
なお、角柱状のＳｉＯ２粒子のサイズは、長さ１１０ｎｍ×縦２０ｎｍ×横１５ｎｍであり、アスペクト比は、約０．２３であった。
【０１００】
２．液晶パネルの作製
（実施例１）
＜１＞  まず、ＣＨ３（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３で表されるシラン系カップリング剤（信越化学工業社製、「ＫＢＭ３０６０」）０．０５ｇと、ポリエチレン１ｇとを、イソプロピルアルコール２００ｇに溶解し、この溶液にＳｉＯ２粒子１ｇを混合して液体を調製した。
【０１０１】
次に、この液体を、シート作製用基板上にキャスト法により塗布し、１５０℃×２時間乾燥することにより薄膜を形成した。そして、この薄膜をシート作製用基板から剥離することによりシートを得た。なお、得られたシートの平均厚さは、２００μｍであった。
次に、このシートを一軸延伸装置に装着し、延伸した。これにより、平均厚さ０．５μｍの延伸シートを得た。
【０１０２】
＜２＞  次に、図１に示すＴＦＴ基板および液晶パネル用対向基板を用意し、各基板にそれぞれ延伸シートを貼着した。
＜３＞  次に、各延伸シートを貼着した基板を、それぞれ、２００℃×３時間で加熱した。これにより、ポリエチレンを熱分解して除去し、ＳｉＯ２粒子同士を連結するとともに、ＳｉＯ２粒子を基板に固定し、無機配向膜を得た。
なお、得られた無機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。また、基板上の無機粒子の個数は、５×１０９個／ｃｍ２であった。
【０１０３】
＜４＞  次に、各無機配向膜が形成された基板を、それぞれ、無機配向膜を上にしてテフロン製容器（「テフロン」は登録商標）の底に配置し、この容器内に、超純水を無機配向膜が浸るまで注入した。そして、この容器を、真空チャンバ内に搬入し、真空チャンバ内を減圧（１Ｔｏｒｒ）することにより、無機粒子同士の隙間の気体を超純水で置換した。その後、この状態で、超音波洗浄を１０分間行った。続いて、真空チャンバ内を大気圧に復帰させ、超純水をドレインから排出した。再度、真空チャンバ内を減圧しながら、２００℃×９０分間加熱した後、放冷した。これにより、無機配向膜付き基板を洗浄した。
【０１０４】
＜５＞  次に、一方の無機配向膜付き基板の無機配向膜の外周部に沿って、液晶注入口に対応する部分を除いて、熱硬化型接着剤（日本化薬社製、「ＭＬ３８０４Ｐ」）を印刷した。なお、この熱硬化型接着剤は、直径約３μｍのシリカ球を混合したエポキシ樹脂を主材料とするものである。そして、無機配向膜付き基板を、８０℃で１０分間加熱することによって、熱硬化型接着剤中の溶媒を除去した。
【０１０５】
＜６＞  次に、この熱硬化型接着剤が印刷された無機配向膜付き基板と、他方の無機配向膜付き基板とを、無機配向膜側を内側にし、かつ、無機配向膜の配向方向が１８０°となるように配置した。そして、この２枚の基板を、クリップで圧着しながら１４０℃×１時間加熱することにより貼り合わせた。
＜７＞  次に、無機配向膜同士の間の空間に、液晶注入口からフッ素系の負の誘電異方性液晶（メルク社製、「ＭＬＣ−６６１０」）を真空注入法により注入した。その後、液晶注入口に、アクリル系のＵＶ接着剤（ヘンケルジャパン社製、「ＬＰＤ−２０４」）を供給し、波長３６５ｎｍのＵＶを３０００ｍＪ／ｃｍ２で照射することにより、液晶注入口を封止した。
【０１０６】
＜８＞  一軸方向に延伸したポリビニルアルコール膜（偏光膜）を、それぞれ、２つの基板の外表面に接合した。
以上の工程を経て、垂直配向タイプの液晶パネルを製造した。
【０１０７】
（実施例２）
前記工程＜１＞において、次のようにしてシートを作製した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
まず、ポリエチレン１ｇをイソプロピルアルコール２００ｇに溶解して液体を調製した。
【０１０８】
次に、この液体を、シート作製用基板上にキャスト法により塗布し、１５０℃×２時間乾燥することにより薄膜を形成した。
次に、この薄膜上にＳｉＯ２粒子１ｇを均一に撒布した後、さらに、ＣＨ３（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３で表されるシランカップリング剤（信越化学工業社製、「ＫＢＭ３０６３」）０．０５ｇをイソプロピルアルコール２００ｇに溶解した溶液を均一に塗布した。
そして、この薄膜をシート作製用基板から剥離することによりシートを得た。なお、得られたシートの平均厚さは、２００μｍであった。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。また、基板上の無機粒子の個数は、１×１０１０個／ｃｍ２であった。
【０１０９】
（実施例３）
前記工程＜３＞において、１５０℃×２時間で加熱を行った後、ポリエチレンを剥離することにより除去した以外は、前記実施例２と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。また、基板上の無機粒子の個数は、５×１０９個／ｃｍ２であった。
【０１１０】
（実施例４）
前記工程＜３＞において、１５０℃×２時間で加熱を行った後、ＵＶ／Ｏ３洗浄装置（サムコ社製  商品名ＵＶ−１）で１時間洗浄することによりポリエチレンを除去した以外は、実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。また、基板上の無機粒子の個数は、５×１０９個／ｃｍ２であった。
【０１１１】
（実施例５）
前記工程＜３＞において、１５０℃×２時間で加熱を行った後、キシレンで溶解することによりポリエチレンを除去した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。また、基板上の無機粒子の個数は、５×１０９個／ｃｍ２であった。
【０１１２】
（比較例１）
前記工程＜１＞〜＜３＞に代えて、２つの基板に、それぞれ斜方蒸着法によりＳｉＯ２を被着して、無機配向膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
なお、ＳｉＯ２斜方蒸着膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。
【０１１３】
（比較例２）
前記工程＜１＞〜＜３＞に代えて、２つの基板に、それぞれポリイミド樹脂シートを延伸した延伸シートを固定して、有機配向膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
なお、有機配向膜の平均厚さは、３０ｎｍであった。
【０１１４】
３．評価
３−１．プレチルト角の測定
各実施例および各比較例で製造した液晶パネルについて、それぞれプレチルト角を測定した。
このプレチルト角の測定は、各液晶パネルに対して、入射角度を変化させながら光を入射し、その反射光の角度変化を観測するクリスタルローテーション法により行った。
その結果、各実施例で製造された液晶パネルでは、いずれもプレチルト角が約３°であった。これに対して、各比較例で製造された液晶パネルのプレチルト角は、それぞれ約１°であった。
【０１１５】
３−２．耐光性試験
各実施例および各比較例で製造した液晶パネルについて、それぞれ耐光性試験を行った。
この耐光性試験は、各液晶パネルを、それぞれ、図７に示す投射型表示装置の青色用の液晶ライトバルブとしてセットして、液晶セルの表面温度を５５℃に保ちつつ、光源を連続点灯し、表示異常が発生するまでの時間を測定した。
【０１１６】
なお、光源には、１３０ＷＵＨＰランプ（フィリップス社製）を用いた。
この結果を、下記表１に示す。
また、表１には、比較例２で製造された液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を「１」とし、実施例１〜５および比較例１で製造された液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を、それぞれ、相対値で示した。
【０１１７】
【表１】
2007114342.tif 000006
【０１１８】
表１に示すように、各実施例で製造された液晶パネルは、いずれも、比較例２で製造された液晶パネルに対して、表示異常が発生するまでの時間が長くなることが明らかとなった。
また、ＳｉＯ２に代えて、Ａｌ２Ｏ３で無機配向膜を形成した以外は、前記と同様にして液晶パネルを製造し、前記と同様にして評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】本発明の液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示す液晶パネルが備える無機配向膜を拡大して模式的に示す斜視図である。
【図３】無機配向膜の第１の形成方法を説明するための図（模式図）である。
【図４】無機配向膜の第１の形成方法を説明するための図（模式図）である。
【図５】無機粒子の作製に用いる真空蒸着装置の構成を示す模式図である。
【図６】無機配向膜の第２の形成方法を説明するための図（模式図）である。
【図７】本発明の電子機器を適用した投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１……液晶パネル  ２……液晶層  ３、４……無機配向膜  ５……無機粒子  ７、８……偏光膜  １１……マイクロレンズ基板  １１１……マイクロレンズ用凹部付き基板  １１２……凹部  １１３……マイクロレンズ  １１４……表層  １１５……樹脂層  １２……液晶パネル用対向基板  １３……ブラックマトリックス  １３１……開口  １４……透明導電膜  １７……ＴＦＴ基板  １７１……ガラス基板  １７２……画素電極  １７３……薄膜トランジスタ  １７０……無機粒子作製用基板  １８……シート作製用基板  １９０……薄膜  １９１……シート  １９２……配向薄膜シート  １９３……薄膜  ８００……無機材料（原料）  ８１０……蒸着源  ８２０……スリット板  ８２１……スリット  ８３０……駆動装置  ３００……投射型表示装置  ３０１……光源  ３０２、３０３……インテグレータレンズ  ３０４、３０６、３０９……ミラー  ３０５、３０７、３０８……ダイクロイックミラー  ３１０〜３１４……集光レンズ  ３２０……スクリーン  ２０……光学ブロック  ２１……ダイクロイックプリズム  ２１１、２１２……ダイクロイックミラー面  ２１３〜２１５……面  ２１６……出射面  ２２……投射レンズ  ２３……表示ユニット  ２４〜２６……液晶ライトバルブ
【図１】
2007114342.tif 000007
【図２】
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【図３】
2007114342.tif 000009
【図４】
2007114342.tif 000010
【図５】
2007114342.tif 000011
【図６】
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【図７】
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