(57)【要約】【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うようにする。【解決手段】プラズマ発生ノズル３１から放出されたプラズマ化された処理ガスを回収する回収装置１６０を設ける。したがって、前記処理ガスとして、窒素や酸素を含む空気などを使用した場合に発生する有害なＮＯｘの放散を抑え、アルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、再利用によってコストを抑制することができる。【選択図】図１
2007265838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発生手段から入力されるマイクロ波のエネルギーに基づいて、ガス供給手段から供給される処理ガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズルを有するプラズマ発生装置において、
前記プラズマ発生ノズルから放出された処理ガスを回収する回収装置を備えることを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記回収装置で回収された処理ガスを前記ガス供給手段からの処理ガスの供給経路に注入して再循環させる再循環装置をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
プラズマ照射の終了後に、前記再循環装置を流れる処理ガスを貯留し、前記供給経路への再循環を休止させる貯留装置をさらに備えることを特徴とする請求項２記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
前記ガス供給手段はアルゴン、ヘリウム、または窒素ガスを供給し、
プラズマ点火時には前記ガス供給手段からの処理ガスを前記供給経路に供給させ、定常点灯に切換わると、前記ガス供給手段からの処理ガス供給を減少させるガス供給制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項２または３記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
前記回収装置は、前記プラズマ発生ノズルから放出されたプラズマ化されたガスにより吹き飛ばされた塵埃を収集するフィルタを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ発生装置。
【請求項６】
前記請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与することを特徴とするワーク処理装置。
【請求項７】
前記回収装置における回収ダクトを、ワークの搬送方向下流側に設けることを特徴とする請求項６記載のワーク処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被処理ワークなどに対してプラズマを照射することで、前記ワークの表面の清浄化や改質などを図ることが可能なプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば半導体基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射し、その表面の有機汚染物の除去、表面改質、エッチング、薄膜形成または薄膜除去等を行うワーク処理装置が知られている。たとえば特許文献１には、同心状の内側導電体と外側導電体とを有するプラズマ発生ノズルを用い、両導電体間に高周波のパルス電界を印加することで、アーク放電ではなく、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、ガス供給源からの処理ガスを両導電体間で旋回させながら基端側から遊端側へ向かわせることで高密度なプラズマを生成し、前記遊端に取付けられたノズルから被処理ワークに照射することで、常圧下で高密度なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の従来技術では、単体のプラズマ発生ノズルが示されているだけで、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの処理については何ら考慮されていない。前記処理ガスとして、たとえば窒素や酸素を含む空気などを使用した場合には、ＮＯｘが発生し、有害であるとともに、環境面でも好ましくない。また、前記処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、コストが嵩むという問題がある。
【０００４】
本発明の目的は、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うことができるプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプラズマ発生装置は、マイクロ波発生手段から入力されるマイクロ波のエネルギーに基づいて、ガス供給手段から供給される処理ガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズルを有するプラズマ発生装置において、前記プラズマ発生ノズルから放出された処理ガスを回収する回収装置を備えることを特徴とする。
【０００６】
上記の構成によれば、基板の改質等、ワークの処理などに使用することができるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルから放出された処理ガスを回収する回収装置を設ける。
【０００７】
したがって、前記処理ガスとして、窒素や酸素を含む空気などを使用した場合に発生する有害なＮＯｘの放散を抑え、アルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、再利用によってコストを抑制することができる。こうして、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うことができる。
【０００８】
また、本発明のプラズマ発生装置は、前記回収装置で回収された処理ガスを前記ガス供給手段からの処理ガスの供給経路に注入して再循環させる再循環装置をさらに備えることを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、前記有害なＮＯｘであっても、プラズマ発生には再使用することができるので、前記ＮＯｘの無害化などの処理負担を抑えることができるとともに、前記高価なガスの場合にも再利用によって処理ガスのコストを抑制することができる。
【００１０】
さらにまた、本発明のプラズマ発生装置は、プラズマ照射の終了後に、前記再循環装置を流れる処理ガスを貯留し、前記供給経路への再循環を休止させる貯留装置をさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、回収装置で回収された処理ガスを再循環装置によって再循環させるにあたって、貯留装置を設け、プラズマ照射の終了後に、再循環されても利用されなくなる処理ガスを貯留する。貯留した処理ガスは、次のプラズマ照射の際に前記供給経路に注入して再利用するなど、適宜選択されればよい。
【００１２】
したがって、処理ガスの再循環を伴う運転を停止するにあたって、有害なガスや高価なガスなどの漏出を抑えることができる。
【００１３】
また、本発明のプラズマ発生装置では、前記ガス供給手段はアルゴン、ヘリウム、または窒素ガスを供給し、プラズマ点火時には前記ガス供給手段からの処理ガスを前記供給経路に供給させ、定常点灯に切換わると、前記ガス供給手段からの処理ガス供給を減少させるガス供給制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、ガス供給制御手段は、プラズマ点火時には、点火性の良好なアルゴン、ヘリウム、または窒素ガスを使用し、定常点灯に切換わると、前記ガス供給手段からの処理ガス供給を減少させるとともに、前記回収装置で回収され、再循環装置で再循環されたガスを使用する。
【００１５】
したがって、定常点灯時には、回収装置で回収される空気による成分が処理ガスとなり、点火性を損なうことなく、処理ガスのコストを抑えることができるとともに、発生したＮＯｘの多くも再循環され、ＮＯｘの放散も抑えることができる。
【００１６】
さらにまた、本発明のプラズマ発生装置では、前記回収装置は、前記プラズマ発生ノズルから放出されたプラズマ化されたガスにより吹き飛ばされた塵埃を収集するフィルタを有することを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、前記回収装置は、前記プラズマ発生ノズルから放出されたプラズマ化されたガスにより吹き飛ばされた塵埃を収集する集塵装置としての機能を有することができる。
【００１８】
また、本発明のワーク処理装置は、前記のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与することを特徴とする。
【００１９】
上記の構成によれば、有害な処理ガスの放散を抑え、また高価な処理ガスの使用を抑制することができるワーク処理装置を実現することができる。
【００２０】
さらにまた、本発明のワーク処理装置は、前記回収装置における回収ダクトを、ワークの搬送方向下流側に設けることを特徴とする。
【００２１】
上記の構成によれば、ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスを回収するにあたって、前記回収装置における回収ダクトを、プラズマ発生ノズルの全周に亘って外囲するように設けると、漏れが最も少なくなるものの、構成が大型化し、またメンテナンスなどにも影響が生じるのに対して、前記回収ダクトを、ワークの搬送方向下流側に設けることで、ワークの搬送と伴に、処理ガスの多くは回収ダクトに流れ込むことになり、効率的である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のプラズマ発生装置は、以上のように、基板の改質等、ワークの処理などに使用することができるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルから放出された処理ガスを回収する回収装置を設ける。
【００２３】
それゆえ、前記処理ガスとして、窒素や酸素を含む空気などを使用した場合に発生する有害なＮＯｘの放散を抑え、アルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、再利用によってコストを抑制することができる。こうして、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うことができる。
【００２４】
また、本発明のワーク処理装置は、以上のように、前記のプラズマ発生装置に、そのプラズマ照射方向とは交差する面上で前記ワークとプラズマ発生ノズルとを相対的に移動させる移動手段を備え、相対的な移動を行いつつ、前記ワークにプラズマを照射して所定の処理を施与する。
【００２５】
それゆえ、有害な処理ガスの放散を抑え、また高価な処理ガスの使用を抑制することができるワーク処理装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係るワーク処理装置Ｓの全体構成を示す斜視図であり、図２は、ワーク処理装置Ｓの全体構成を示す断面図である。なお、図１において、Ｘ−Ｘ方向を前後方向、Ｙ−Ｙ方向を左右方向、Ｚ−Ｚ方向を上下方向というものとし、−Ｘ方向を前方向、＋Ｘ方向を後方向、−Ｙを左方向、＋Ｙ方向を右方向、−Ｚ方向を下方向、＋Ｚ方向を上方向として説明する。
【００２７】
図１および図２に示すように、本発明の実施形態に係るワーク処理装置Ｓは、ワークＷを所定のルートで搬送するワーク搬送手段Ｃと、このワーク搬送手段Ｃにより搬送される被処理物であるワークＷに、プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスであるプルームＰを照射するプラズマ発生ユニットＰＵと、前記プラズマ発生ノズル３１にブラズマ化するための処理ガスを供給するガス供給手段１５０と、前記ワークＷに照射された処理ガスを回収する回収装置１６０とを備えて構成される。
【００２８】
プラズマ発生装置であるプラズマ発生ユニットＰＵは、マイクロ波を利用し、常温常圧でのプラズマ発生が可能なユニットであって、大略的に、マイクロ波を伝搬させる導波管１０、この導波管１０の一端側（左側）に配置され所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０、導波管１０に設けられたプラズマ発生部３０、導波管１０の他端側（右側）に配置されマイクロ波を反射させるスライディングショート４０、導波管１０に放出されたマイクロ波のうち反射マイクロ波がマイクロ波発生装置２０に戻らないよう分離するサーキュレータ５０、サーキュレータ５０で分離された反射マイクロ波を吸収するダミーロード６０および導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るスタブチューナ７０を備えて構成されている。
【００２９】
導波管１０は、アルミニウム等の非磁性金属から成り、断面矩形の長尺管状を呈し、マイクロ波発生手段であるマイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波をプラズマ発生部３０へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。導波管１０は、分割された複数の導波管ピースが互いのフランジ部同士で連結された連結体で構成されており、一端側から順に、マイクロ波発生装置２０が搭載される第１導波管ピース１１、スタブチューナ７０が組付けられる第２導波管ピース１２およびプラズマ発生部３０が設けられている第３導波管ピース１３が連結されて成る。なお、第１導波管ピース１１と第２導波管ピース１２との間にはサーキュレータ５０が介在され、第３導波管ピース１３の他端側にはスライディングショート４０が連結されている。
【００３０】
また、第１導波管ピース１１、第２導波管ピース１２および第３導波管ピース１３は、それぞれ金属平板からなる上面板、下面板および２枚の側面板を用いて角筒状に組立てられ、その両端にフランジ板が取付けられて構成されている。なお、このような平板の組み立てによらず、押出し成形や板状部材の折り曲げ加工等により形成された矩形導波管ピースもしくは非分割型の導波管を用いるようにしてもよい。また、断面矩形の導波管に限らず、たとえば断面楕円の導波管を用いることも可能である。さらに、非磁性金属に限らず、導波作用を有する各種の部材で導波管を構成することができる。
【００３１】
マイクロ波発生装置２０は、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン等のマイクロ波発生源を具備する装置本体部２１と、装置本体部２１で発生されたマイクロ波を導波管１０の内部へ放出するマイクロ波送信アンテナ２２とを備えて構成されている。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、たとえば１Ｗ〜３ｋＷのマイクロ波エネルギーを出力できる連続可変型のマイクロ波発生装置２０が好適に用いられる。
【００３２】
図２に示すように、マイクロ波発生装置２０は、装置本体部２１からマイクロ波送信アンテナ２２が突設された形態のものであり、第１導波管ピース１１に載置される態様で固定されている。詳しくは、装置本体部２１が第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに載置され、マイクロ波送信アンテナ２２が上面板１１Ｕに穿設された貫通孔１１１を通して第１導波管ピース１１内部の導波空間１１０に突出する態様で固定されている。このように構成されることで、マイクロ波送信アンテナ２２から放出された、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管１０により、その一端側（左側）から他端側（右側）に向けて伝搬される。
【００３３】
プラズマ発生部３０は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂ（処理対象ワークとの対向面）に、左右方向へ一列に整列して突設された８個のプラズマ発生ノズル３１を具備して構成されている。このプラズマ発生部３０の幅員、つまり８個のプラズマ発生ノズル３１の左右方向の配列幅は、平板状ワークＷの搬送方向と直交する幅方向のサイズｔと略合致する幅員とされている。これにより、ワークＷを搬送ローラ８０で搬送しながら、ワークＷの全表面（下面板１３Ｂと対向する面）に対してプラズマ処理が行えるようになっている。なお、８個のプラズマ発生ノズル３１の配列間隔は、導波管１０内を伝搬させるマイクロ波の波長λＧに応じて定めることが望ましい。たとえば、波長λＧの１／２ピッチ、１／４ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列することが望ましく、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合は、λＧ＝２３０ｍｍであるので、１１５ｍｍ（λＧ／２）ピッチ、或いは５７．５ｍｍ（λＧ／４）ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列すればよい。
【００３４】
図３は、２つのプラズマ発生ノズル３１を拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズル３１は分解図として描いている）、図４は、図３のＡ−Ａ線側断面図である。プラズマ発生ノズル３１は、中心導電体３２、ノズル本体３３、ノズルホルダ３４、シール部材３５および保護管３６を含んで構成されている。
【００３５】
中心導電体３２は、銅、アルミ、真鍮などの良導電性の金属から構成され、φ１〜５ｍｍ程度の棒状部材から成り、その上端部３２１の側が第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂを貫通して導波空間１３０に所定長さだけ突出（この突出部分を受信アンテナ部３２０という）する一方で、下端部３２２がノズル本体３３の下端縁３３１と略面一になるように、上下方向に配置されている。この中心導電体３２には、受信アンテナ部３２０が導波管１０内を伝搬するマイクロ波を受信することで、マイクロ波エネルギー（マイクロ波電力）が与えられるようになっている。当該中心導電体３２は、長さ方向略中間部において、シール部材３５により保持されている。
【００３６】
ノズル本体３３は、良導電性の金属から構成され、中心導電体３２を収納する筒状空間３３２を有する筒状体である。また、ノズルホルダ３４も良導電性の金属から構成され、ノズル本体３３を保持する比較的大径の下部保持空間３４１と、シール部材３５を保持する比較的小径の上部保持空間３４２とを有する筒状体である。一方、シール部材３５は、テフロン（登録商標）等の耐熱性樹脂材料やセラミック等の絶縁性部材から成り、前記中心導電体３２を固定的に保持する保持孔３５１をその中心軸上に備える筒状体から成る。
【００３７】
ノズル本体３３は、上方から順に、ノズルホルダ３４の下部保持空間３４１に嵌合される上側胴部３３Ｕと、後述するガスシールリング３７を保持するための環状凹部３３Ｓと、環状に突設されたフランジ部３３Ｆと、ノズルホルダ３４から突出する下側胴部３３Ｂとを具備している。また、上側胴部３３Ｕには、所定の処理ガスを前記筒状空間３３２へ供給させるための連通孔３３３が穿孔されている。
【００３８】
このノズル本体３３は、中心導電体３２の周囲に配置された外部導電体として機能するもので、中心導電体３２は所定の環状空間Ｈ（絶縁間隔）が周囲に確保された状態で筒状空間３３２の中心軸上に挿通されている。ノズル本体３３は、上側胴部３３Ｕの外周部がノズルホルダ３４の下部保持空間３４１の内周壁と接触し、またフランジ部３３Ｆの上端面がノズルホルダ３４の下端縁３４３と接触するようにノズルホルダ３４に嵌合されている。なお、ノズル本体３３は、たとえばプランジャやセットビス等を用いて、ノズルホルダ３４に対して着脱自在な固定構造で装着されることが望ましい。
【００３９】
ノズルホルダ３４は、第３導波管ピース１３の下面板１３Ｂに穿孔された貫通孔１３１に密嵌合される上側胴部３４Ｕ（上部保持空間３４２の位置に略対応する）と、下面板１３Ｂから下方向に延出する下側胴部３４Ｂ（下部保持空間３４１の位置に略対応する）とを備えている。下側胴部３４Ｂの外周には、処理ガスを前記環状空間Ｈに供給するためのガス供給孔３４４が穿孔されている。図示は省略しているが、このガス供給孔３４４には、所定の処理ガスを供給するガス供給管１５１の終端部が接続するための管継手等が取り付けられる。かかるガス供給孔３４４と、ノズル本体３３の連通孔３３３とは、ノズル本体３３がノズルホルダ３４への定位置嵌合された場合に互いに連通状態となるように、各々位置設定されている。なお、ガス供給孔３４４と連通孔３３３との突き合わせ部からのガス漏洩を抑止するために、ノズル本体３３とノズルホルダ３４との間にはガスシールリング３７が介在されている。
【００４０】
これらガス供給孔３４４および連通孔３３３は、周方向に等間隔に複数穿孔されていてもよく、また中心へ向けて半径方向に穿孔されるのではなく、前述の特許文献１のように、処理ガスを旋回させるように、前記筒状空間３３２の外周面の接線方向に穿孔されてもよい。また、ガス供給孔３４４および連通孔３３３は、中心導電体３２に対して垂直ではなく、処理ガスの流れを良くするために、上端部３２１側から下端部３２２側へ斜めに穿設されてもよい。
【００４１】
シール部材３５は、その下端縁３５２がノズル本体３３の上端縁３３４と当接し、その上端縁３５３がノズルホルダ３４の上端係止部３４５と当接する態様で、ノズルホルダ３４の上部保持空間３４２に保持されている。すなわち、上部保持空間３４２に中心導電体３２を支持した状態のシール部材３５が嵌合され、ノズル本体３３の上端縁３３４でその下端縁３５２が押圧されるようにして組付けられているものである。
【００４２】
保護管３６（図４では図示省略している）は、所定長さの石英ガラスパイプ等から成り、ノズル本体３３の筒状空間３３２の内径に略等しい外径を有する。この保護管３６は、ノズル本体３３の下端縁３３１での異常放電（アーキング）を防止して、後述するプルームＰを正常に放射させる機能を有しており、その一部がノズル本体３３の下端縁３３１から突出するように、前記筒状空間３３２に内挿されている。なお、保護管３６は、その先端部が下端縁３３１と一致するように、或いは下端縁３３１よりも内側へ入り込むように、その全体が筒状空間３３２に収納されていてもよい。
【００４３】
プラズマ発生ノズル３１は上記のように構成されている結果、ノズル本体３３、ノズルホルダ３４および第３導波管ピース１３（導波管１０）は導通状態（同電位）とされている一方で、中心導電体３２は絶縁性のシール部材３５で支持されていることから、これらの部材とは電気的に絶縁されている。したがって、図５に示すように、導波管１０がアース電位とされた状態で、中心導電体３２の受信アンテナ部３２０でマイクロ波が受信され中心導電体３２にマイクロ波電力が給電されると、その下端部３２２およびノズル本体３３の下端縁３３１の近傍に電界集中部が形成されるようになる。
【００４４】
かかる状態で、ガス供給孔３４４から、たとえば酸素ガスや空気のような酸素系の処理ガスが環状空間Ｈへ供給されると、前記マイクロ波電力により処理ガスが励起されて中心導電体３２の下端部３２２付近においてプラズマ（電離気体）が発生する。このプラズマは、電子温度が数万度であるものの、ガス温度は外界温度に近い反応性プラズマ（中性分子が示すガス温度に比較して、電子が示す電子温度が極めて高い状態のプラズマ）であって、常圧下で発生するプラズマである。
【００４５】
このようにしてプラズマ化された処理ガスは、ガス供給孔３４４から与えられるガス流により前記プルームＰとしてノズル本体３３の下端縁３３１から放射される。このプルームＰにはラジカルが含まれ、たとえば処理ガスとして酸素系ガスを使用すると酸素ラジカルが生成されることとなり、有機物の分解・除去作用、レジスト除去作用等を有するプルームＰとすることができる。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、プラズマ発生ノズル３１が複数個配列されていることから、左右方向に延びるライン状のプルームＰを発生させることが可能となる。
【００４６】
因みに、処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスや窒素ガスを用いれば、各種基板の表面クリーニングや表面改質を行うことができる。また、フッ素を含有する化合物ガスを用いれば基板表面を撥水性表面に改質することができ、親水基を含む化合物ガスを用いることで基板表面を親水性表面に改質することができる。さらに、金属元素を含む化合物ガスを用いれば、基板上に金属薄膜層を形成することができる。
【００４７】
スライディングショート４０は、各々のプラズマ発生ノズル３１に備えられている中心導電体３２と、導波管１０の内部を伝搬されるマイクロ波との結合状態を最適化するために備えられているもので、マイクロ波の反射位置を変化させて定在波パターンを調整可能とするべく第３導波管ピース１３の右側端部に連結されている。したがって、定在波を利用しない場合は、当該スライディングショート４０に代えて、電波吸収作用を有するダミーロードが取付けられる。
【００４８】
図６は、スライディングショート４０の内部構造を示す透視斜視図である。図６に示すように、スライディングショート４０は、導波管１０と同様な断面矩形の筐体構造を備えており、導波管１０と同じ材料で構成された中空空間４１０を有する筐体部４１と、前記中空空間４１０内に収納された円柱状の反射ブロック４２と、反射ブロック４２の基端部に一体的に取り付けられ前記中空空間４１０内を左右方向に摺動する矩形ブロック４３と、この矩形ブロック４３に組付けられた移動機構４４と、反射ブロック４２にシャフト４５を介して直結されている調整ノブ４６とを備えている。
【００４９】
反射ブロック４２は、マイクロ波の反射面となる先端面４２１が第３導波管ピース１３の導波空間１３０に対向するよう左右方向に延在する円柱体である。この反射ブロック４２は、矩形ブロック４３と同様な角柱状を呈していてもよい。前記移動機構４４は、調整ノブ４６の回転操作により、矩形ブロック４３およびこれと一体化された反射ブロック４２を左右方向に推進若しくは後退させる機構であって、調整ノブ４６を回転させることで反射ブロック４２が中空空間４１０内において矩形ブロック４３にてガイドされつつ左右方向に移動可能とされている。かかる反射ブロック４２の移動による先端面４２１の位置調整によって、定在波パターンが最適化される。なお、調整ノブ４６の回転操作を、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００５０】
サーキュレータ５０は、たとえばフェライト柱を内蔵する導波管型の３ポートサーキュレータからなり、一旦はプラズマ発生部３０へ向けて伝搬されたマイクロ波のうち、プラズマ発生部３０で電力消費されずに戻って来る反射マイクロ波を、マイクロ波発生装置２０に戻さずダミーロード６０へ向かわせるものである。このようなサーキュレータ５０を配置することで、マイクロ波発生装置２０が反射マイクロ波によって過熱状態となることが防止される。
【００５１】
図７は、サーキュレータ５０の作用を説明するためのプラズマ発生ユニットＰＵの上面図である。図示するように、サーキュレータ５０の第１ポート５１には第１導波管ピース１１が、第２ポート５２には第２導波管ピース１２が、さらに第３ポート５３にはダミーロード６０がそれぞれ接続されている。そして、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から発生されたマイクロ波は、矢印ａで示すように第１ポート５１から第２ポート５２を経由して第２導波管ピース１２へ向かう。これに対して、第２導波管ピース１２側から入射する反射マイクロ波は、矢印ｂで示すように、第２ポート５２から第３ポート５３へ向かうよう偏向され、ダミーロード６０へ入射される。
【００５２】
ダミーロード６０は、上述の反射マイクロ波を吸収して熱に変換する水冷型（空冷型でも良い）の電波吸収体である。このダミーロード６０には、冷却水を内部に流通させるための冷却水流通口６１が設けられており、反射マイクロ波を熱変換することにより発生した熱が前記冷却水に熱交換されるようになっている。
【００５３】
スタブチューナ７０は、導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るためのもので、第２導波管ピース１２の上面板１２Ｕに所定間隔を置いて直列配置された３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃを備えている。図８は、スタブチューナ７０の設置状況を示す透視側面図である。図示するように、３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃは同一構造を備えており、第２導波管ピース１２の導波空間１２０に突出するスタブ７１と、該スタブ７１に直結された操作棒７２と、スタブ７１を上下方向に出没動作させるための移動機構７３と、これら機構を保持する外套７４とから構成されている。
【００５４】
スタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃに各々備えられているスタブ７１は、その導波空間１２０への突出長が各操作棒７２により独立して調整可能とされている。これらスタブ７１の突出長は、たとえばマイクロ波電力パワーをモニタしつつ、中心導電体３２による消費電力が最大となるポイント（反射マイクロ波が最小になるポイント）を探索することで決定される。なお、このようなインピーダンス整合は、必要に応じてスライディングショート４０と連動させて実行される。このスタブチューナ７０の操作も、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００５５】
搬送手段Ｃは、所定の搬送路に沿って配置された複数の搬送ローラ８０を備え、図略の駆動手段により搬送ローラ８０が駆動されることで、処理対象となるワークＷを、前記プラズマ発生部３０を経由して搬送させるものである。ここで、処理対象となるワークＷとしては、プラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラに代えてベルトコンベア等を採用すればよい。
【００５６】
上述のように構成されるプラズマ発生ユニットＰＵは、懸架装置１４０によって図示しない該ワーク処理装置Ｓの筐体やフレームに懸架されている。この懸架装置１４０は、前記導波管１０と平行な軸線回りにプルームＰの照射角度を変更可能であるとともに、プラズマ発生ノズル３１とワークＷとの距離を変更可能となっている。
【００５７】
図９および図１０は、前記懸架装置１４０の機能を説明するための図である。この懸架装置１４０は、図１で示すように、導波管１０の左右の端部位置（フランジ部４０Ｆとフランジ部５０Ｆとの位置）に設けられている。これら一対の懸架装置１４０は、相互に等しい構造を備えているので、ここでは、フランジ部４０Ｆ側で説明する。図９および図１０は、図１のＩ−Ｉ線断面図であり、図９は、プラズマ発生ノズル３１の指向角度がワークＷの法線ｎと一致する方向になった状態を、また、図１０は、プラズマ発生ノズル３１の指向角度が、ワークＷの法線ｎから角度θだけ前方向に傾斜した状態をそれぞれ示している。
【００５８】
懸架装置１４０は、大略的に、姿勢調整板１４１と、支持フレーム１４２とを備えて構成される。ここで、一方の姿勢調整板１４１は、第３導波管１０ピース１３のフランジ部１３Ｆと接合されるスライディングショート４０のフランジ部４０Ｆの上端縁にその下端部が固定された部材であり、前後方向に配列された上下方向に長い３つの長孔１４３Ｆ，１４３Ｃ，１４３Ｂを有している。
【００５９】
そして、これら姿勢調整板１４１に備えられている長孔１４３Ｆ，１４３Ｃ，１４３Ｂのうち、中央側の長孔１４３Ｃは、単純に上下方向に長い長孔であり、これに対し、前方側の長孔１４３Ｆは、その上端と下端とに中央側の長孔１４３Ｃの方向に向けて幅員が拡張された拡張部Ｆ１，Ｆ２を有している。同様に、後方側の長孔１４３Ｂは、その上端と下端とに中央側の長孔１４３Ｃの方向に向けて幅員が拡張された拡張部Ｂ１，Ｂ２を有している。
【００６０】
支持フレーム１４２は、ワーク処理装置Ｓの本体に固定されたフレーム部材であり、姿勢調整板１４１の３つの長孔１４３Ｆ，１４３Ｃ，１４３Ｂに対応させて係合ピン１４４Ｆ，１４４Ｃ，１４４Ｂを備えている。
【００６１】
そして、姿勢調整板１４１の３つの長孔１４３Ｆ，１４３Ｃ，１４３Ｂに対して、支持フレーム１４２の各々係合ピン１４４Ｆ，１４４Ｃ，１４４Ｂが挿通されて図略のナットで相互に固定されることで、プラズマ発生ユニットＰＵが姿勢調整板１４１を介して支持フレーム１４２に固定される。したがって、姿勢調整板１４１の３つの長孔１４３Ｆ，１４３Ｃ，１４３Ｂと、係合ピン１４４Ｆ，１４４Ｃ，１４４Ｂとの係合位置を調整することで、姿勢調整板１４１を矢印Ｖの上下方向に移動させて位置（高さｄ１）調整を行うことができるとともに、矢印Ｒ１，Ｒ２の回転方向に移動させて位置（角度θ）調整を行うことができるようになっている。
【００６２】
このように、懸架装置１４０は、プラズマ発生ノズル３１が設けられた導波管１０の長手方向中心軸回りに導波管１０を回動させることにより、断面矩形の導波管１０のワークＷに対する対向面が水平面に対して傾斜させることが可能となっている。その結果、プルームＰの方向を、図１０で示すように、基準照射面Ｆに対して傾斜させることができるようになっている。
【００６３】
前記回収装置１６０は、プラズマ発生ノズル３１から放出されるプラズマ化されたガスを回収するための装置であり、図１や前記図９および図１０で示すように、プラズマ発生ノズル３１のワーク搬送方向Ｄの下流側近傍（図１においてＸ方向後ろ側）に配置され、前記基準照射面Ｆ付近に吸引口１６３を有するダクト１６１に、そのダクト１６１内を負圧に引くことで、前記吸引口１６３付近の空気Ａを吸引するコンプレッサ１６２を備えて構成される。前記ダクト１６１内には、プラズマ照射によってその照射箇所から飛散した塵埃を吸着する集塵フィルタ１６４が設けられている。
【００６４】
そして、前記回収装置１６０によって回収された処理ガスは、再循環装置である前記コンプレッサ１６２および管路１６５によって前記ガス供給手段１５０からの処理ガスの供給経路１５２に注入されて再循環される。前記ガス供給手段１５０は、ガスボンベなどの処理ガス供給源１５３に、前記管路１５２およびそれに介在される流量制御弁１５４，１５５、ならびに前記各プラズマ発生ノズル３１のガス供給孔３４４へのガス供給管１５１を備えて構成される。
【００６５】
また、前記供給経路１５２には、流量制御弁１２１を介して貯留タンク１２２が接続されている。これらの流量制御弁１２１および貯留タンク１２２は、貯留装置を構成し、前記回収装置１６０からコンプレッサ１６２および管路１６５ならびに供給経路１５２から前記ガス供給管１５１を介して再循環される処理ガスを、プラズマ照射の終了後に、前記流量制御弁１５５を閉止し、流量制御弁１２１を開放することで、前記プラズマ照射の終了によって利用されなくなる処理ガスを貯留するものである。貯留された処理ガスは、次のプラズマ照射の際に、定常点灯状態に移行すると、前記流量制御弁１２１が徐々に開放されて前記供給経路１５２に注入されて再利用される。
【００６６】
次に、本実施形態に係るワーク処理装置Ｓの電気的構成について説明する。図１１は、ワーク処理装置Ｓの制御系を示すブロック図である。この制御系は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）９０１およびその周辺回路等から成る全体制御部９０と、出力インタフェイスや駆動回路等から成るマイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２、搬送制御部９３およびコンプレッサ制御部９４と、表示手段や操作パネル等から成り、前記全体制御部９０に対して所定の操作信号を与える操作部９５と、入力インタフェイスやアナログ／デジタル変換器等から成るセンサ入力部９６，９７，９８と、センサ１５６，１６６，９７１ならびに駆動モータ９３１および流量制御弁１５４，１５５，１５７，１２１とを備えて構成される。
【００６７】
マイクロ波出力制御部９１は、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のＯＮ−ＯＦＦ制御、出力強度制御を行うもので、前記２．４５ＧＨｚのパルス信号を生成してマイクロ波発生装置２０の装置本体部２１によるマイクロ波発生の動作制御を行う。
【００６８】
ガス流量制御部９２は、後述するように、前記流量制御弁１５４，１５５，１２１を制御し、処理ガスの流路の切換え制御を行うとともに、流量制御弁１５７によって前記ガス供給管１５１から各プラズマ発生ノズル３１へ供給する処理ガスの流量制御を行うものである。
【００６９】
搬送制御部９３は、搬送ローラ８０を回転駆動させる駆動モータ９３１の動作制御を行うもので、ワークＷの搬送開始／停止、および搬送速度の制御等を行うものである。
【００７０】
全体制御部９０は、当該ワーク処理装置Ｓの全体的な動作制御を司るもので、操作部９５から与えられる操作信号に応じて、センサ入力部９６から入力される流量センサ１５６の測定結果、センサ入力部９８から入力される圧力センサ１６６によるコンプレッサ１６２の吐出圧の測定結果、センサ入力部９７から入力される速度センサ９７１によるワークＷの搬送速度の測定結果等をモニタし、上記マイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２、搬送制御部９３およびコンプレッサ制御部９４を、所定のシーケンスに基づいて動作制御する。
【００７１】
具体的には、前記ＣＰＵ９０１は、メモリ９０２に予め格納されている制御プログラムに基づいて、ワークＷの搬送を開始させてワークＷをプラズマ発生部３０へ導き、所定流量の処理ガスを各プラズマ発生ノズル３１へ供給させつつマイクロ波電力を与えてプラズマ（プルームＰ）を発生させ、ワークＷを搬送しながらその表面にプルームＰを放射させるものである。これにより、複数のワークＷを連続的に処理する。
【００７２】
このとき、前記ＣＰＵ９０１は、複数のプラズマ発生ノズル３１のそれぞれに対して設けられる流量センサ１５６の測定結果をモニタしており、メモリ９０３において、メーカ側で予め測定されて格納されている流量に対応したプルームの大きさや形状、プラズマの温度などのプラズマ出力特性を読出し、所望の特性となるように、前記メモリ９０２に格納されている制御プログラムに基づいて、前記流量制御弁１５７の開度調整をそれぞれ行う。たとえば、プルームＰを大きくする場合には流量を上げ、プラズマ温度を上げる場合には流量を下げるなどである。また、ワークＷに電子部品が実装されているなどして高さが異なる場合など、各プラズマ発生ノズル３１からのプルームＰの高さを変化させることなども可能である。
【００７３】
さらにまた、前記ＣＰＵ９０１は、処理ガスとしてアルゴンガスと空気とを用いるときには、前記メモリ９０２に格納されている制御プログラムに基づいて、先ずプラズマ点火時には、コンプレッサ１６２を停止させて処理ガスの再循環を停止するとともに、流量制御弁１２１を閉止して貯留タンク１２２の貯留ガスの流入も阻止した状態で、流量制御弁１５５を開放するとともに、流量制御弁１５４の開度制御を行い、所定の圧力で、処理ガス供給源１５３に貯留されているアルゴンガスを供給経路１５２から各プラズマ発生ノズル３１へのガス供給管１５１に供給させる。この状態で、マイクロ波発生装置２０を起動させてマイクロ波を発生させるとともに、各プラズマ発生ノズル３１の流量制御弁１５７を順次或いは一斉に開放し、プラズマ点灯を行わせる。
【００７４】
点灯すべき総てのプラズマ発生ノズル３１についてプラズマ点灯が確認され、定常点灯へ移行したと判定される所定時間が経過すると、前記ＣＰＵ９０１は、コンプレッサ１６２を起動させて処理ガスの再循環を開始するとともに、流量制御弁１５４の開度を徐々に小さくしてゆき、処理ガスを再循環ガスへと切換える。その際、前記ＣＰＵ９０１は、適宜流量制御弁１２１を開放して、貯留タンク１２２の貯留ガスを消費させてゆく。
【００７５】
一方、消灯する際には、ＣＰＵ９０１は、マイクロ波発生装置２０を停止させるとともに、流量制御弁１５５を閉止して各プラズマ発生ノズルへの処理ガスの供給を絞ってゆき、流量制御弁１２１を開放して、コンプレッサ１６２からの再循環ガスを貯留タンク１２２に貯留させ、所定時間が経過すると、コンプレッサ１６２を停止させる。
【００７６】
なお、処理ガスとして他のガスが用いられる場合には、上記に限らず、マイクロ波発生装置２０、駆動モータ９３１、コンプレッサ１６２および各流量制御弁１５４，１５５，１５７，１２１が適宜制御される。
【００７７】
以上説明したワーク処理装置Ｓによれば、ワーク搬送手段ＣでワークＷを搬送しつつ、導波管１０に複数個配列して取付けられたプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスをワークＷに対して放射することが可能であるので、複数の被処理ワークに対して連続的にプラズマ処理を行うことができ、また大面積のワークに対しても効率良くプラズマ処理を行うことができる。したがって、バッチ処理タイプのワーク処理装置に比較して、各種の被処理ワークに対するプラズマ処理作業性に優れるワーク処理装置Ｓ若しくはプラズマ発生装置ＰＵを提供することができる。しかも、外界の温度および圧力でプラズマを発生させることができるので、真空チャンバー等を必要とせず、設備構成を簡素化することができる。
【００７８】
また、マイクロ波発生装置２０から発生されたマイクロ波を、各々のプラズマ発生ノズル３１が備える中心導電体３２で受信させ、そのマイクロ波のエネルギーに基づきそれぞれのプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスを放出させることができるので、マイクロ波が保有するエネルギーの各プラズマ発生ノズル３１への伝達系を簡素化することができる。したがって、装置構成のシンプル化、コストダウン等を図ることができる。
【００７９】
さらに、複数のプラズマ発生ノズル３１が一列に整列配置されて成るプラズマ発生部３０が、平板状のワークＷの搬送方向と直交する幅方向のサイズｔに略合致した幅員を有しているので、当該ワークＷを、搬送手段Ｃにより一度だけプラズマ発生部３０を通過させるだけで、その全面の処理を完了させることができ、平板状のワークに対するプラズマ処理効率を格段に向上させることができる。また、搬送されて来るワークＷに対して同じタイミングでプラズマ化されたガスを放射できるようになり、均質的な表面処理等を行うことができる。
【００８０】
さらにまた、回収装置１６０が前記プラズマ発生ノズル３１から放出されたプラズマ化された処理ガスを回収するので、前記処理ガスとして、窒素や酸素を含む空気などを使用した場合に発生する有害なＮＯｘの放散を抑え、アルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、再利用によってコストを抑制することができる。こうして、被処理ワークＷに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うことができる。また、回収装置１６０からコンプレッサ１６２によってプルームＰを吸引することで、トーチ状（先細状）のプルームＰの幅が広がり、均一な照射を行うことができる。
【００８１】
また、前記回収装置１６０で回収された処理ガスを、コンプレッサ１６２から管路１６５を介して前記ガス供給手段１５０からの処理ガスの供給経路１５２に注入して再循環させるので、前記有害なＮＯｘであっても、プラズマ発生には再使用することができるので、前記ＮＯｘの無害化などの処理負担を抑えることができるとともに、前記高価なガスの場合にも再利用によって処理ガスのコストを抑制することができる。
【００８２】
さらにまた、前記コンプレッサ１６２から管路１６５を流れる処理ガスを、プラズマ照射の終了後は、再循環されても利用されなくなるので、貯留タンク１２２で貯留することで、処理ガスの再循環にあたって、有害なガスや高価なガスなどの漏出を抑えることができる。
【００８３】
また、前記ガス供給手段１５０がアルゴンガスを供給する場合、プラズマ点火時には、点火性の良好なそのアルゴンガスを使用し、定常点灯に切換わると、そのアルゴンガスを減少させるとともに、前記回収装置１６０で回収される空気による成分を処理ガスとすることで、点火性を損なうことなく、処理ガスのコストを抑えることができるとともに、発生したＮＯｘの多くも再循環され、ＮＯｘの放散も抑えることができる。なお、前記点火性の良好なガスとしては、ヘリウムまたは窒素ガスも用いることができる。
【００８４】
さらにまた、前記回収装置１６０に、前記プラズマ発生ノズル３１から放出されたプラズマ化されたガスにより吹き飛ばされた塵埃を収集する集塵フィルタ１６４を設けることで、前記回収装置１６０は集塵装置としての機能を有することができる。
【００８５】
また、ワークＷに照射されたプラズマ化した処理ガスを回収するにあたって、前記回収装置１６０における回収ダクトをプラズマ発生ノズル３１の全周に亘って外囲するように設けると、漏れが最も少なくなるものの、構成が大型化し、またメンテナンスなどにも影響が生じるのに対して、前記ダクト１６１を、ワークＷの搬送方向Ｄの下流側に設けることで、ワークＷの搬送と伴に、処理ガスの多くはダクト１６１に流れ込むことになり、効率的である。特に、懸架装置１４０によって図１０で示すようにプラズマ発生ノズル３１の指向角度が前方向に傾斜した場合に、ダクト１６１による集塵性能が向上するとともに、処理ガスの回収性能も向上する。
【００８６】
以上、本発明の一実施形態に係るワーク処理装置Ｓについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば下記の実施形態を取ることができる。
（１）上記実施形態では、複数のプラズマ発生ノズル３１を一列に整列配置した例を示したが、ノズル配列はワークＷの形状やマイクロ波電力のパワー等に応じて適宜決定すればよく、たとえばワークＷの搬送方向に複数列プラズマ発生ノズル３１をマトリクス整列したり、千鳥配列したりしてもよい。
（２）上記実施形態では、移動手段としてワークＷを搬送する搬送手段Ｃが用いられ、その搬送手段Ｃとしては搬送ローラ８０の上面にワークＷを載置して搬送する形態を例示したが、この他に、たとえば上下の搬送ローラ間にワークＷをニップさせて搬送させる形態、搬送ローラを用いず所定のバスケット等にワークを収納し前記バスケット等をラインコンベア等で搬送させる形態、或いはロボットハンド等でワークＷを把持してプラズマ発生部３０へ搬送させる形態であってもよい。或いは、移動手段としてはプラズマ発生ノズル３１側を移動させる構成であってもよい。すなわち、ワークＷとプラズマ発生ノズル３１とは、プラズマ照射方向（Ｚ方向）とは交差する面（Ｘ，Ｙ面）上で相対的に移動すればよい。
（３）上記実施形態では、マイクロ波発生源として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを例示したが、マグネトロン以外の各種高周波電源も使用可能であり、また２．４５ＧＨｚとは異なる波長のマイクロ波を用いるようにしてもよい。
（４）導波管１０内におけるマイクロ波電力を測定するために、パワーメータを導波管１０の適所に設置することが望ましい。たとえば、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から放出されたマイクロ波電力に対する反射マイクロ波電力の比を知見するために、サーキュレータ５０と第２導波管ピース１２との間に、パワーメータを内蔵する導波管を介在させるようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明に係るワーク処理装置およびプラズマ発生装置は、半導体ウェハ等の半導体基板に対するエッチング処理装置や成膜装置、プラズマディスプレイパネル等のガラス基板やプリント基板の清浄化処理装置、医療機器等に対する滅菌処理装置、タンパク質の分解装置等に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係るワーク処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】ワーク処理装置の一部透視側面図である。
【図３】２つのプラズマ発生ノズルを拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズルは分解図として描いている）である。
【図４】図３のＡ−Ａ線側断面図である。
【図５】プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの発生状態を説明するための透視側面図である。
【図６】スライディングショートの内部構造を示す透視斜視図である。
【図７】サーキュレータの作用を説明するためのプラズマ発生ユニットの上面図である。
【図８】スタブチューナの設置状況を示す透視側面図である。
【図９】プラズマ発生ユニットの懸架装置の機能を説明するための図である。
【図１０】プラズマ発生ユニットの懸架装置の機能を説明するための図である。
【図１１】ワーク処理装置の制御系を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０    導波管
２０    マイクロ波発生装置
３０    プラズマ発生部
３１    プラズマ発生ノズル
３２    中心導電体
３３    ノズル本体
３４    ノズルホルダ
３４４  ガス供給孔
４０    スライディングショート
５０    サーキュレータ
６０    ダミーロード
７０    スタブチューナ
８０    搬送ローラ
９０    全体制御部
９０１  ＣＰＵ
９０２，９０３    メモリ
９１    マイクロ波出力制御部
９２    ガス流量制御部
９３    搬送制御部
９３１  駆動モータ
９４    コンプレッサ制御部
９５    操作部
９６，９７，９８    センサ入力部
１２２  貯留タンク
１４０  懸架装置
１５０  ガス供給手段
１５１  ガス供給管
１５２  供給経路
１５３  処理ガス供給源
１６０  回収装置
１６１  ダクト
１６２  コンプレッサ
１６３  吸引口
１６４  集塵フィルタ
Ｓ    ワーク処理装置
ＰＵ    プラズマ発生ユニット
Ｃ    搬送手段
Ｗ    ワーク
【図１】
2007265838.tif 000003
【図２】
2007265838.tif 000004
【図３】
2007265838.tif 000005
【図４】
2007265838.tif 000006
【図５】
2007265838.tif 000007
【図６】
2007265838.tif 000008
【図７】
2007265838.tif 000009
【図８】
2007265838.tif 000010
【図９】
2007265838.tif 000011
【図１０】
2007265838.tif 000012
【図１１】
2007265838.tif 000013