(57)【要約】【課題】  耐圧処理時に、電子銃の複数の電極を固定する絶縁支持体と抵抗器の絶縁被覆との間の放電を抑制する。【解決手段】  絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間の少なくとも一部に絶縁体２５が充填されている。絶縁体は、絶縁支持体の長手方向において、高電圧供給端子２２ａとサプレッサリング２６との間の３０％以上の領域に充填されている。絶縁体の軟化点は３５０℃以下である。【選択図】  図２
2007073247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグリッド電極を保持するための棒状の絶縁支持体と、
前記絶縁支持体に対して前記複数のグリッド電極とは反対側に、前記絶縁支持体と対向して配された抵抗器と、
前記抵抗器に高電圧を供給する高電圧供給端子と、
前記抵抗器及び前記絶縁支持体を跨いで前記複数のグリッド電極のうちの１つに取り付けられたサプレッサリングと
を備えた電子銃構体であって、
前記絶縁支持体と前記抵抗器との間の隙間の少なくとも一部に絶縁体が充填されており、
前記絶縁体は、前記絶縁支持体の長手方向において、前記高電圧供給端子と前記サプレッサリングとの間の３０％以上の領域に充填されており、
前記絶縁体の軟化点が３５０℃以下であることを特徴とする電子銃構体。
【請求項２】
前記絶縁体がフリットガラスを含む請求項１に記載の電子銃構体。
【請求項３】
略矩形状のフェースパネルと、前記フェースパネルに接合された漏斗状のファンネルと、前記フェースパネルの内面に形成された蛍光体スクリーンと、前記蛍光体スクリーンに向かって電子ビームを放出する電子銃構体とを少なくとも備えた陰極線管であって、
前記電子銃構体が請求項１又は２に記載の電子銃構体であることを特徴とする陰極線管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラー受像管などの陰極線管に関する。また、本発明は、この陰極線管に内蔵される、抵抗器を備えた電子銃構体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にカラー受像管は、図４に示すように、フェースパネル１と、このフェースパネル１に接合された漏斗状のファンネル２からなる真空外囲器を有する。フェースパネル１の内面には、青、緑、赤の各色に発光する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン３が形成されている。蛍光体スクリーン３に対向して、シャドウマスク４がフェースパネル１の内壁に保持されている。ファンネル２のネック５内には、３電子ビーム６を放出する電子銃７が配設されている。電子銃７から放出される３電子ビーム６は、ファンネル２の外側に装着された偏向装置８が発生する磁界により偏向され、蛍光体スクリーン３を水平方向及び垂直方向に走査することにより、カラー画像が表示される。図４において、Ｚ軸は管軸を意味する。
【０００３】
電子銃７としては、各種構造のものがあるが、その一例を図５に示す。この電子銃７は、紙面に垂直な方向に一列配置された３個のカソードＫ、３個のカソードＫをそれぞれ加熱する３個のヒータＨ、上記カソードＫ側から蛍光体スクリーン側に順に配置された第１〜第６グリッドＧ１〜Ｇ６、第５グリッドＧ５と第６グリッドＧ６との間に配置された２個の中間電極Ｇｍ１，Ｇｍ２、及び第６グリッドＧ６の蛍光体スクリーン側端に取り付けられたコンバーゼンス電極Ｃを有する。コンバーゼンス電極Ｃ以外の各電極は、互いに対向して略平行に配された一対の棒状の絶縁支持体１０に保持され一体化されている。
【０００４】
この電子銃７では、順に配されたカソードＫ及び第１〜第３グリッドＧ１〜Ｇ３が電子ビーム形成部を構成し、第５グリッドＧ５、２個の中間電極Ｇｍ１，Ｇｍ２、及び第６グリッドＧ６が、電子ビーム形成部で形成された電子ビームを最終的に蛍光体スクリーン上に集束する主レンズ部を構成する。
【０００５】
主レンズ部の最終電極である第６グリッド（最終加速電極）Ｇ６には、２５〜３０ｋＶの高電圧が印加され、集束電極である第５グリッドＧ５には、第４グリッドＧ４および電子ビーム形成部を構成する電極に印加される電圧よりは高く、第６グリッドＧ６に印加される電圧よりは低い電圧が印加される。
【０００６】
一般に陰極線管の電子銃の各電極への電圧の印加は以下のようにして行われる。最終加速電極に印加される電圧は、ファンネル２の径大部に設けられた陽極端子１２、ファンネル２の内面に塗布形成された内面導電膜１３、内面導電性膜１３に圧接されたバルブスペーサ１４、及びバルブスペーサ１４が取り付けられたコンバーゼンス電極Ｃを順に介して供給される。これ以外の電極に印加される電圧は、ネック５の端部を気密に封止するステム１５を貫通するステムピン１６を介して供給される（図４、図５参照）。
【０００７】
しかし、第５グリッドＧ５や２個の中間電極Ｇｍ１，Ｇｍ２に印加される比較的高い中電圧をステムピン１６を介して供給すると、ステム１５でのステムピン１６の間隔が狭いため、ステム１５およびステムピン１６に接続されるソケットの耐電圧が問題となる。そのため、図５に示した電子銃７では、一対の絶縁支持体１０のうちの一方の、電極とは反対側（ネック５の内面と対向する側）に抵抗器１８を配置し、第６グリッドＧ６に印加されている高電圧をこの抵抗器１８により分割して得た電圧を、第５グリッドＧ５および２個の中間電極Ｇｍ１，Ｇｍ２に供給している。
【０００８】
抵抗器１８は、図６に示すように、アルミナセラミックからなる絶縁基板２０と、絶縁基板２０の一方の面に蛇行状に形成された高抵抗の抵抗素子２１と、抵抗素子２１に接続されて絶縁基板２０の一方の面に形成された低抵抗の複数個の端子２２と、抵抗素子２１及び絶縁基板２０を覆う一定厚さのガラス絶縁被膜２３と、各端子２２に接続された金属タブ２４とを含む。絶縁支持体１０と対向する側のガラス絶縁被膜２３の厚さは、耐電圧特性を高めるために５０μｍ以上である。
【０００９】
さらに、図５に示すように、電子銃７が配設されているネック５の内壁の帯電電位を安定させる目的で、ネック５の内壁面の所定領域に導電膜２５が形成される。導電膜２５は、抵抗器１８及び絶縁支持体１０を跨いで第５グリッドＧ５に取り付けられたサプレッサリング２６の材料を蒸着することにより形成される。
【００１０】
上記のような従来のカラー受像管は以下のような問題を有していた。すなわち、一般に高電圧が印加されるカラー受像管の製造では、耐電圧特性を良好にするため、真空外囲器の排気工程の終了後に、電子銃の電極に通常の動作電圧の２〜３倍程度のピーク電圧をもつパルス状の高電圧を印加して強制的に放電を起こさせ、その放電エネルギにより耐電圧低下の原因となる電極のバリや付着物などを取り除く耐電圧処理がおこなわれる。
【００１１】
この耐電圧処理の際、上記パルス状高電圧によって、図７に示すように、絶縁支持体１０と抵抗器１８を覆うガラス絶縁被膜２３との間に電位差が生じ、これらの間に放電２８が発生する。この放電２８が発生した部分では、電子の衝突により温度が上昇し、ガス放出が起こる。このガス放出により局部的に真空度が劣化するので、さらに放電が継続される。耐電圧処理の際、サプレッサリング２６は低電圧側に接続されるため、サプレッサリング２６の近くまで抵抗器１８が高電圧に帯電するようになると、抵抗器１８の両面間に大きな電位差が生じる。この電位差が抵抗器１８の絶縁破壊電圧を越えると、ガラス絶縁被膜２３を貫通する絶縁破壊が起き、この絶縁破壊によりガラス絶縁被膜２３が欠落して生じたガラス被膜片２９の一部がシャドウマスク４の電子ビーム通過孔に付着して、画面品位を劣化させる。さらにこの異常放電によって抵抗器１８の抵抗素子２１の抵抗値が変化して、電極に抵抗器１８を介して供給される電圧が変化し、フォーカス品位を悪化させる。
【００１２】
上記のような絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の放電、抵抗器１８のガラス絶縁被膜２３の破壊、抵抗器１８の抵抗素子２１の抵抗値の変化を防止するため、各種提案がなされている。
【００１３】
特許文献１には、抵抗器の絶縁支持体に対向する側の絶縁被覆を、サプレッサリング近傍でその膜厚が厚く、かつこのサプレッサリング近傍と高電圧供給端子との間に膜厚の厚い凸部を有するように形成することが記載されている。特許文献１には、これにより、抵抗器と絶縁支持体と間の隙間が小さくなるので、放電を低減することができると記載されている。しかしながら、この構成では、抵抗器と絶縁支持体と間の隙間は小さいながらも残存しており、従って、放電路を完全に遮断することはできない。
【００１４】
特許文献２には、抵抗器の絶縁被膜の表面電位と抵抗素子の電位との間の電位差が大とされる部分で、抵抗器の絶縁被膜の厚さを他の部分に比して大きくすることが記載されている。特許文献２には、これにより、耐圧処理時の絶縁被膜の破壊を効果的に回避できると記載されている。しかしながら、上記特許文献１と同様に、この構成では、抵抗器と絶縁支持体と間の放電路を完全に遮断することはできない。
【００１５】
特許文献３には、絶縁被膜の表面を凹凸状にすることが記載されている。特許文献３には、凹凸状表面により絶縁被膜の表面距離が長くなるので、抵抗器表面の沿面放電を防止することができると記載されている。しかしながら、上記特許文献１と同様に、この構成では、抵抗器と絶縁支持体と間の放電路を完全に遮断することはできない。
【００１６】
特許文献４には、抵抗器を絶縁支持体（ビードガラス）に埋設固定することが記載されている。この構成では、抵抗器と絶縁支持体との間の隙間が完全に無くなるため、抵抗器と絶縁支持体と間の放電路は完全に遮断される。しかしながら、抵抗器を絶縁支持体に埋設するために、抵抗器を絶縁支持体の材料であるビードガラスが軟化する温度まで加熱しなければならない。この温度はビードガラスの種類により異なるが、一般的には１２００℃程度である。一方、抵抗素子の焼成温度は８５０℃であり、両者の間には大差がある。抵抗素子の材料（酸化ルテニウムなど）の抵抗値はその焼成温度に非常に敏感であり、焼成温度が１００℃変われば抵抗値は約１桁も変化する。したがって、特許文献４の構成では、抵抗器の抵抗値の公差（精度）を保証できない。
【特許文献１】特開平８−３１５７４９号公報
【特許文献２】特開昭６０−１０７２４２号公報
【特許文献３】特開昭６１−１４７４４２号公報
【特許文献４】特開昭６１−１７１０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記の従来の問題を解決するためになされたものであり、耐圧処理時の、絶縁支持体と抵抗器の絶縁被覆との間の放電、絶縁破壊による絶縁被覆の欠落、及び抵抗素子の抵抗値の変化を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の電子銃構体は、複数のグリッド電極を保持するための棒状の絶縁支持体と、前記絶縁支持体に対して前記複数のグリッド電極とは反対側に、前記絶縁支持体と対向して配された抵抗器と、前記抵抗器に高電圧を供給する高電圧供給端子と、前記抵抗器及び前記絶縁支持体を跨いで前記複数のグリッド電極のうちの１つに取り付けられたサプレッサリングとを備える。前記絶縁支持体と前記抵抗器との間の隙間の少なくとも一部に絶縁体が充填されている。前記絶縁体は、前記絶縁支持体の長手方向において、前記高電圧供給端子と前記サプレッサリングとの間の３０％以上の領域に充填されている。前記絶縁体の軟化点が３５０℃以下である。
【００１９】
本発明の陰極線管は、略矩形状のフェースパネルと、前記フェースパネルに接合された漏斗状のファンネルと、前記フェースパネルの内面に形成された蛍光体スクリーンと、前記蛍光体スクリーンに向かって電子ビームを放出する電子銃構体とを少なくとも備える。そして、前記電子銃構体が上記の本発明の電子銃構体である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、絶縁支持体と抵抗器との間の隙間の少なくとも一部に絶縁体が充填されているので、絶縁体が充填された領域では放電経路を完全に遮断することができる。従って、耐圧処理時に絶縁支持体と抵抗器との間の放電を抑制することができる。よって、絶縁被覆の絶縁破壊による欠落、及び抵抗素子の抵抗値の変化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の陰極線管を、カラー受像管を例に図面を参照して説明する。
【００２２】
図３は本発明の一実施形態に係るカラー受像管の断面図である。このカラー受像管は、フェースパネル１と、このフェースパネル１に接合された漏斗状のファンネル２からなる真空外囲器を有する。フェースパネル１の内面には、青、緑、赤の各色に発光する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン３が形成されている。蛍光体スクリーン３に対向して、シャドウマスク４がフェースパネル１の内壁に保持されている。ファンネル２のネック５内には、３電子ビーム６を放出する電子銃７及び抵抗器１８が配設されている。ファンネル２の径大部３１には陽極端子１２が設けられている。径大部３１からネック５の近傍に至るファンネル２の内面には、陽極端子１２と電気的に接続された内面導電膜１３が塗布形成されている。電子銃７から放出される３電子ビーム６は、ファンネル２の外側に装着された偏向装置８が発生する磁界により偏向され、蛍光体スクリーン３を水平方向及び垂直方向に走査することにより、カラー画像が表示される。図３において、Ｚ軸は管軸を意味する。
【００２３】
図１は、電子銃７及び抵抗器１８からなる電子銃構体の概略構成を示した斜視図である。電子銃７は、一列配置された３個のカソードＫ（図示せず）、３個のカソードＫをそれぞれ加熱する３個のヒータＨ（図示せず）、上記カソードＫ側から蛍光体スクリーン側に順に配置された第１〜第６グリッドＧ１〜Ｇ６、Ｚ軸方向に２分割された第５グリッドＧ５間に配置された第１中間電極ＧＭ１、第５グリッドＧ５と第６グリッドＧ６との間に配置された第２中間電極ＧＭ２、及び第６グリッドＧ６の蛍光体スクリーン側端に取り付けられたコンバーゼンス電極Ｃを有する。コンバーゼンス電極Ｃ以外の各電極は、互いに対向して略平行に配された一対の棒状の絶縁支持体１０（一方の絶縁支持体１０は図示せず）に保持され一体化されている。
【００２４】
後述する抵抗器１８及び絶縁支持体１０を跨いで第５グリッドＧ５にサプレッサリング２６が取り付けられている。電子銃構体をネック５内に配置して、外囲器を排気した後、電磁誘導加熱などの方法によりサプレッサリング２６を加熱してその材料をネック５の内壁面に蒸着して導電膜を形成する。これにより、ネック５の内壁の帯電電位を安定化させることができる。
【００２５】
この電子銃７では、順に配されたカソードＫ及び第１〜第３グリッドＧ１〜Ｇ３がカソードＫからの電子放出を制御し、かつ放出された電子を集束して電子ビームを形成する電子ビーム形成部を構成し、第３〜第６グリッドＧ３〜Ｇ６が、電子ビーム形成部で形成された電子ビームを蛍光体スクリーンに対して加速し収束する電子レンズを形成する。特に、第５グリッドＧ５、中間電極ＧＭ１，ＧＭ２、及び第６グリッドＧ６が、電子ビームを最終的に蛍光体スクリーン上に集束する主レンズ部を構成する。
【００２６】
主レンズ部の最終電極である第６グリッド（最終加速電極）Ｇ６には、２５〜３０ｋＶの高電圧が印加され、集束電極である第５グリッドＧ５には、第６グリッドＧ６に印加される電圧よりは低い電圧が印加される。中間電極ＧＭ１，ＧＭ２は互いに接続され、これらには、第５グリッドＧ５に印加される電圧よりは高く、第６グリッドＧ６に印加される電圧よりは低い電圧が印加される。第６グリッドＧ６に印加される電圧は、ファンネル２の径大部３１に設けられた陽極端子１２、内面導電膜１３、内面導電性膜１３に圧接されるバルブスペーサ１４、及びバルブスペーサ１４が取り付けられたコンバーゼンス電極Ｃを順に介して供給される。第５グリッドＧ５及び中間電極ＧＭ１，ＧＭ２に印加される電圧は、第６グリッドＧ６に印加されている高電圧が印加された抵抗器１８を介して供給される。
【００２７】
抵抗器１８は、一対の絶縁支持体１０うちの一方の、電極とは反対側（ネック５の内面と対向する側）に、該一方の絶縁支持体１０と対向して配置されている。抵抗器１８は、図６に示すように、アルミナセラミックからなる絶縁基板２０と、絶縁基板２０の一方の面に蛇行状に形成された酸化ルテニウム及びガラスを主成分とする相対的に高抵抗の抵抗素子２１と、抵抗素子２１に接続されて絶縁基板２０の一方の面に形成された酸化ルテニウムを主成分とする相対的に低抵抗の複数個（図示例では３個）の端子２２と、複数個の端子２２を除いて抵抗素子２１及び絶縁基板２０のほぼ全面を覆うガラス絶縁被膜２３と、各端子２２の形成部分に形成された絶縁基板２３を貫通する開孔に固定され、各端子２２に接続された金属製タブ２４とを含む。複数個の端子２２のうちの１つは抵抗素子２１の一端に高電圧を供給するための高電圧供給端子であり、他の１つは抵抗素子２１の他端をアース接続するためのアース接続端子であり、残りは抵抗素子２１により上記高電圧を分割して得られる電圧を電子銃の所定の電極に供給するための電極接続端子である。
【００２８】
図２は、抵抗器１８及び絶縁支持体１０の近傍の概略構成を示した側面図である。図では、電極に関しては、第５グリッドＧ５、中間電極ＧＭ２、第６グリッドＧ６、コンバーゼンス電極Ｃのみを示し、他を省略している。図示したように、絶縁支持体１０と抵抗器１８とは、略平行に離間して配置されている。抵抗器１８の蛍光体スクリーン側端近傍の端子（高電圧供給端子）２２ａに接続された金属製タブ２４がコンバーゼンス電極Ｃに接続されている。サプレッサリング２６が抵抗器１８及び絶縁支持体１０を跨いで第５グリッドＧ５に固定されている。
【００２９】
絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間の少なくとも一部にフリットガラス（絶縁体）３０が充填されている。絶縁支持体１０の長手方向（Ｚ軸方向）において、フリットガラス３０の充填領域の蛍光体スクリーン側端は高電圧供給端子２２ａ（位置Ａ）に達していることが好ましい。抵抗器１８と絶縁支持体１０との間の隙間の高電圧が供給される側にフリットガラス３０が充填されていることにより、絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間での放電の抑制効果が増大する。
【００３０】
上記の電子銃構体の一実施例を示す。
【００３１】
公知の方法により電子銃７及び抵抗器１８を作成した。電子銃７の絶縁支持体１０上に抵抗器７を公知の方法で取り付けた。次に、軟化点が３５０℃のＢ2Ｏ3・ＰｂＯ系フリットガラスを有機溶剤に混入させて得たペーストを絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間に塗布した。Ｚ軸方向における塗布領域は、図２に示すように、高電圧供給端子２２ａ（位置Ａ）から位置Ｃまでとした。位置Ｃは、位置Ａとサプレッサリング２６の位置Ａ側端の位置Ｂとのほぼ中間に位置する。次いで、空気中１２０℃に加熱し、有機溶剤を乾燥させた。次いで、空気中３６０℃に加熱しフリットガラス３０を焼成して、実施例に係る電子銃構体を得た。
【００３２】
次にこの電子銃構体を陰極線管に組み込み、通常の方法で真空排気およびカソードの活性化処理を行った。その後、耐電圧処理を行った。耐電圧処理は、第１〜第３グリッドＧ１〜Ｇ３、サプレッサリング２６、カソードＫ、およびヒータ電極をアース電位とし、陽極端子１２に８０ｋＶのパルス電圧（パルス幅２００μＳ、繰り返し周波数６０Ｈｚ）を５分間印加することにより行った。
【００３３】
比較例として、絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間にフリットガラス含有ペーストを塗布しない以外は上記実施例と同様にして陰極線管を作成した。
【００３４】
比較例では、耐電圧処理において、絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間内であって、サプレッサリング２６と高電圧供給端子２２ａとの間の範囲に放電が生じた。これに対して、実施例では放電は生じなかった。
【００３５】
耐電圧処理後、陰極線管を分解し抵抗器１８の抵抗素子２１の抵抗値およびガラス絶縁被膜２３の絶縁破壊の状況を調べた。その結果、比較例では抵抗値変化が−１．５％、ガラス絶縁被膜２３の絶縁破壊が３ケ所あったが、実施例では抵抗値変化が−０．０２％、ガラス絶縁被膜２３の絶縁破壊は皆無であった。
【００３６】
更に、フリットガラス３０の充填による効果を確かめるために、フリットガラス３０の軟化点及び充填領域を変えて実験を行った。
【００３７】
フリットガラス３０の軟化点は、３００℃、３５０℃および３８０℃の３通りに変えた。フリットガラスの組成は、軟化点が３００℃のものはＳｎＯ・Ｐ2Ｏ5系、３５０℃および３８０℃のものはＢ2Ｏ3・ＰｂＯ系とした。フリットガラスの焼成温度は、使用したフリットガラスの軟化点より１０℃高い温度とした。
【００３８】
フリットガラス３０の充填領域に関しては、図２に示すように、高電圧供給端子２２ａとサプレッサリング２６との間の間隔をＤ、フリットガラス３０の充填領域のＺ軸方向における長さをＬとしたとき、（Ｌ／Ｄ）×１００で定義される充填率（単位：％）を、０％、１０％、２０％、３０％、５０％、１００％の６通りに変えた。
【００３９】
上記の条件を組み合わせて得た１８種類の電子銃構体をそれぞれ陰極線管に組み込み、耐電圧処理を行った。耐電圧処理は、第１〜第３グリッドＧ１〜Ｇ３、サプレッサリング２６、カソードＫ、およびヒータ電極をアース電位とし、陽極端子１２に８０ｋＶのパルス電圧（パルス幅２００μＳ、繰り返し周波数６０Ｈｚ）を５分間印加することにより行った。
【００４０】
各組み合わせ条件ごとに１０本の陰極線管を製作し、以下の（ａ）エミッション特性、（ｂ）抵抗値の変化率、（ｃ）ガラス絶縁被膜の欠け、の３項目で評価した。結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
2007073247.tif 000003
【００４２】
（ａ）エミッション特性
ヒータ電圧を定格の６．３Ｖとし、第２〜第６グリッドＧ２〜Ｇ６及び中間電極ＧＭ１，ＧＭ２に２００Ｖを印加し、第１グリッドＧ１を０Ｖにした時のカソード電流を測定した。カソードの電子放射能力が十分であれば、電極寸法および電極間の寸法を補正すれば、ある一定値の電流となる。この電流をパービアンス電流と称する。パービアンス電流値に対する補正前の電流値の比を計算した。この比が９５％以上のものを「○」、９０％以下のものを「×」、９０％を超え９５％未満のものを「△」とした。表１に示したように、フリットガラス３０の軟化点が高くなる程（すなわち、フリットガラス３０の焼成温度が高くなる程）、電子銃の金属製電極部品の表面酸化の程度が大きくなるので、エミッション特性が悪くなる。表１によると、軟化点が３８０℃以上ではエミッション特性に悪影響が認められる。
【００４３】
（ｂ）抵抗値の変化率
耐電圧処理後の抵抗器１８の抵抗素子２１の抵抗値を測定し、耐電圧処理前の抵抗値と比較し、その変化率（絶対値）を求めた。変化率が０．１％以下のものを「○」、０．５％以上のものを「×」、０．１％を越え０．５％未満のものを「△」とした。表１によると、フリットガラスの充填領域が大きくなればなるほど抵抗値の変化率は小さい。フリットガラスの充填率が３０％以上では抵抗値の変化は問題ないレベルであること分かる。
【００４４】
（ｃ）ガラス絶縁被膜の欠け
耐電圧処理後の抵抗器１８を取り出し、抵抗器１８のガラス絶縁被膜２３の直径５０μｍ以上の欠け（絶縁破壊）の個数を数えた。欠けが無いものを「○」、１ケ所のものを「△」、２ケ所以上のものを「×」とした。表１によると、（ｂ）項の抵抗値の変化率と同一の評価結果が得られた。
【００４５】
以上の結果より総合評価すると、フリットガラスの軟化点が３５０℃以下であり、且つ、フリットガラスの充填率が３０％以上であることが好ましいことが分かる。
【００４６】
本発明の電子銃及び陰極線管の構成は、上記の実施形態及び実施例に限定されず、種々に変更可能である。
【００４７】
上記の実施形態及び実施例では、絶縁支持体１０と抵抗器１８との間の隙間に充填される絶縁体としてフリットガラスを例に説明したが、本発明の絶縁体はこれに限定されず、例えば以下の材料を使用することができ、いずれも上記と同様の効果を奏する。
（１）シリコーン樹脂
（２）ポリイミド樹脂
（３）アルミナ粉末とシリコーン樹脂との混合物
（４）ガラス粉末とシリコーン樹脂との混合物
（５）酸化シリコンとシリコーン樹脂との混合物
（６）酸化マグネシウムとシリコーン樹脂との混合物
（７）アルミナ粉末とポリイミド樹脂との混合物
（８）ガラス粉末とポリイミド樹脂との混合物
（９）酸化シリコンとポリイミド樹脂との混合物
（１０）酸化マグネシウムとポリイミド樹脂との混合物
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の利用分野は特に制限はなく、例えばテレビジョン受像機やコンピュータディスプレイ等に使用されるかラー陰極線管に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態に係る陰極線管に搭載される電子銃構体の概略構成を示した斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る陰極線管に搭載される電子銃構体において、抵抗器と絶縁支持体との間の隙間に充填された絶縁体の近傍の概略構成を示した側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る陰極線管の概略構成を示した断面図である。
【図４】従来の陰極線管の概略構成を示した断面図である。
【図５】従来の陰極線管に搭載される電子銃の概略構成を示した断面図である。
【図６】抵抗器の一般的構成を示した一部切り欠き斜視図である。
【図７】従来の陰極線管の製造において発生する放電を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  フェースパネル
２  ファンネル
３  蛍光体スクリーン
４  シャドウマスク
５  ネック
６  電子ビーム
７  電子銃
８  偏向装置
１０  絶縁支持体
１２  陽極端子
１３  内部導電膜
１４  バルブスペーサ
１５  ステム
１６  ステムピン
１８  抵抗器
２０  絶縁基板
２１  抵抗素子
２２  端子
２２ａ  高電圧供給端子
２３  ガラス絶縁被膜
２４  金属製タブ
２５  導電膜
２６  サプレッサリング
２８  放電
３０  フリットガラス（絶縁体）
【図１】
2007073247.tif 000004
【図２】
2007073247.tif 000005
【図３】
2007073247.tif 000006
【図４】
2007073247.tif 000007
【図５】
2007073247.tif 000008
【図６】
2007073247.tif 000009
【図７】
2007073247.tif 000010