(57)【要約】【課題】  イオンビームが基板に入射する発散角度を測定すると共に設定値内に制御し、イオンの注入精度を向上させるとともに、均一なイオン注入を可能にしたステンシルマスクイオン注入装置を提供する。【解決手段】  ステンシルマスクイオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置とを備え、先ず、イオンビームの発散角度を測定する測定装置により、基板に入射するイオンビームの発散角度を測定し、次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御するように構成した。  このとき、イオンビームの発散角度を測定する測定装置は、ビーム分割スリットと可動式ファラデーカップを具備している構成とするとよい。【選択図】  図６
2007073271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、開口パターンを有するステンシルマスクを透過したイオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するステンシルマスクイオン注入装置において、
前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置と、イオンビームの発散角度を所望の設定値となるように制御する制御機能を備えたことを特徴とするステンシルマスクイオン注入装置。
【請求項２】
イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、開口パターンを有するステンシルマスクを透過したイオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するステンシルマスクイオン注入装置において、
該ステンシルマスクイオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置とを備え、
先ず、前記イオンビームの発散角度を測定する測定装置により、前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定し、
次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御するようにしたことを特徴とするステンシルマスクイオン注入装置。
【請求項３】
上記イオンビームの発散角度を測定する測定装置は、前記イオンビームの走査方向に垂直な平面の水平（Ｘ軸）方向、及び／又は、垂直（Ｙ軸）方向に取り付けられるビーム分割スリットと、このビーム分割スリットを透過したビームの電流量を計測する可動式ファラデーカップを具備していることを特徴とする請求項１又は２に記載のステンシルマスクイオン注入装置。
【請求項４】
上記イオンビームの発散角度を測定する測定位置を上記基板近傍としたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のステンシルマスクイオン注入装置。
【請求項５】
イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、開口パターンを有するステンシルマスクを透過させて処理基板に注入するステンシルマスクイオン注入方法において、
前記処理基板に前記イオン種を注入する前に、前記イオン種が前記処理基板に入射する発散角を測定し、
前記発散角が設定された範囲外であるときには、前記制御機構により発散角が設定値になるように制御し、
前記発散角が設定された範囲内であるときには、前記イオン種を前記処理基板に注入することを特徴とするステンシルマスクイオン注入方法。
【請求項６】
イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、開口パターンを有するステンシルマスクを透過させて処理基板に注入するステンシルマスクイオン注入方法において、
前記注入工程に用いられるステンシルマスクイオン注入装置は、前記基板に入射する前記イオン種の発散角を測定する測定機と、前記発散角を調整する制御機構を備え、
前記処理基板に前記イオン種を注入する前に、前記発散角を測定し、
前記処理基板と前記ステンシルマスクとの距離と前記測定された発散角から前記開口パターンと前記処理基板に形成される注入パターンの差を算出し、
前記パターン差が設定された範囲外であるときには、前記制御機構により前記発散角を制御し、
前記パターン差が設定された範囲内であるときには、前記イオン種を前記処理基板に注入することを特徴とするステンシルマスクイオン注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスクイオン注入装置に係り、特に、開口パターンを有するステンシルマスクを透過したイオンビームを、所望の発散角度で基板に注入することにより、イオン注入の精度及び均一性を向上したステンシルマスクイオン注入装置及び注入方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来技術の説明として、ステンシルマスクイオン注入装置と、エミッタンスの調整機構を有するイオン注入装置について、順次説明する。
先ず、従来のステンシルマスクイオン注入装置の一例として、特許文献１に記載されたステンシルマスクイオン注入装置について、図８を用いて説明する。
図８は、従来のステンシルマスクイオン注入装置の全体構成を示す斜視図であり、特許文献１に開示されている図１に対応するものである。
【０００３】
図８に示すように、従来のステンシルマスクイオン注入装置１００の主要構成は、イオンを生成するイオン源１１０、イオン照射光学系１２０、ステンシルマスク１３０、イオン投射光学系１４０、試料ステージ１５０、制御装置１６０、表示装置１７０である。
また、イオン源ステージ駆動装置１１２及びマスクステージ駆動装置１３２は、制御装置１６０によりコントロールされ、所定のパターンに対し、所望のイオン源を動作させるなどの制御を行う。
【０００４】
特許文献１のステンシルマスクイオン注入装置１００の特徴は、複数のステンシルマスク１３０を有し、この複数のステンシルマスク１３０から特定のステンシルマスク１３０を選択し、このステンシルマスク１３０に対応して、複数のドーパントイオン種から特定のドーパントイオン種を選択して試料に注入する工程を複数回施せるようにしたことである。
【０００５】
次に、特許文献２に記載のエミッタンスの調整機能を有する従来のイオン注入装置を図９を用いて説明する。
図９は、従来のイオン注入装置２００の全体構成を示すブロック図である。
図９に示すように、従来のイオン注入装置２００の主要構成は、イオンを生成するイオン源装置２１０、所望のイオン種を選択する質量分離器２２０、イオンビームを収束する収束装置２３０、イオンを所望のエネルギーに加速する加速器２４０、イオンを注入するウェハー等の基板が設置されているビーム照射室２５０である。
【０００６】
ところで、イオンビームの質を表す物理量として、「エミッタンス」と「輝度」がある。
これらの物理量は、イオンビームを構成するそれぞれのイオンの運動の揃いの程度を定量的に表現するものである。
また、これらの量は、適当な規格化を行えば、イオンビームの走査中において、不変量として取り扱える性質を有している。
【０００７】
特許文献２に記載のイオン注入装置２００では、イオン源２１０としては、プラズマ源２１２とエミッタンスを統制する調整する調整部２１４とを独立に構成し、イオンビームのエミッタンスを小さくし、加速器内のビーム透過率を増大させて、大電流のイオン注入を可能としたことを特徴としている。
【０００８】
【特許文献１】特開平８−２１３３３９号
【特許文献２】特許番号第２６４４９５８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以下、従来のステンシルマスクイオン注入装置の問題点を図１０を用いて説明する。
図１０は、従来のステンシルマスクイオン注入装置の問題点を説明するための、基板近傍におけるイオンビームの注入の状態を示す側面図である。
【００１０】
ところで、イオンビームは、ビームを構成する総てのイオンが設計軌道に対して平行に走査するのではなく、それぞれのイオンは、設計軌道を中心に、設計軌道に垂直な平面内において、微小振動を行いながら、即ち、設計軌道を中心にビーム径が収束、発散しながら、設計軌道を走査する。
【００１１】
従って、図１０に示すように、ウェハー等の基板１６０に対して、ある発散角度で注入されるイオンＩが存在し、平行入射部分１６０ａよりも周縁部が広がる、いわゆる「にじみ」部分１６０ｂが発生する。
従って、規定ドーズ量に達する領域が設計寸法より狭まる可能性がある。
【００１２】
従来のステンシルマスクイオン注入装置では、このイオンビームのにじみ部分１６０ｂも含んだ平均値としてのビームの平行度のみをモニターしてイオン注入を行い、にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化については管理していなかった。
従って、従来のステンシルマスクイオン注入装置では、イオン源の状態変化によりエミッタンスが変化し、注入プロファイルも連動して変化する可能性があり、安定した均一なイオン注入が困難であるという問題を抱えていた。
【００１３】
一方、特許文献２の発明は、大電流イオンビームを注入するために、イオンビームのエミッタンスを低減するように工夫されているものであり、基板へのイオンビームの発散角度を管理したり、或いは、発散角度を制御するものではなく、上記した従来のステンシルマスクイオン注入装置の問題を何ら解決するものではない。
【００１４】
本発明は、上記従来の課題を解決し、イオンビームが基板に入射する発散角度を測定すると共に設定値内に制御し、イオンの注入精度を向上させるとともに、均一なイオン注入を可能にしたステンシルマスクイオン注入装置及び注入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のステンシルマスクイオン注入装置は、請求項１に記載のものでは、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、開口パターンを有するステンシルマスクを透過したイオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するステンシルマスクイオン注入装置において、前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置と、イオンビームの発散角度を所望の設定値となるように制御する制御機能を備えた構成とした。
【００１６】
請求項２に記載のステンシルマスクイオン注入装置は、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、開口パターンを有するステンシルマスクを透過したイオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するステンシルマスクイオン注入装置において、該ステンシルマスクイオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置とを備え、先ず、前記イオンビームの発散角度を測定する測定装置により、前記基板に入射するイオンビームの発散角度を測定し、
次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御するように構成した。
【００１７】
請求項３に記載のステンシルマスクイオン注入装置は、上記イオンビームの発散角度を測定する測定装置は、前記イオンビームの走査方向に垂直な平面の水平（Ｘ軸）方向、及び／又は、垂直（Ｙ軸）方向に取り付けられるビーム分割スリットと、このビーム分割スリットを透過したビームの電流量を計測する可動式ファラデーカップを具備している構成とした。
【００１８】
請求項４に記載のステンシルマスクイオン注入装置は、上記イオンビームの発散角度を測定する測定位置を上記基板近傍とした。
【００１９】
請求項５に記載のステンシルマスクイオン注入方法は、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、開口パターンを有するステンシルマスクを透過させて処理基板に注入するステンシルマスクイオン注入方法において、前記処理基板に前記イオン種を注入する前に、前記イオン種が前記処理基板に入射する発散角を測定し、前記発散角が設定された範囲外であるときには、前記制御機構により発散角が設定値になるように制御し、前記発散角が設定された範囲内であるときには、前記イオン種を前記処理基板に注入するようにした。
【００２０】
請求項６に記載のステンシルマスクイオン注入方法は、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速し、開口パターンを有するステンシルマスクを透過させて処理基板に注入するステンシルマスクイオン注入方法において、前記注入工程に用いられるステンシルマスクイオン注入装置は、前記基板に入射する前記イオン種の発散角を測定する測定機と、前記発散角を調整する制御機構を備え、前記処理基板に前記イオン種を注入する前に、前記発散角を測定し、前記処理基板と前記ステンシルマスクとの距離と前記測定された発散角から前記開口パターンと前記処理基板に形成される注入パターンの差を算出し、前記パターン差が設定された範囲外であるときには、前記制御機構により前記発散角を制御し、前記パターン差が設定された範囲内であるときには、前記イオン種を前記処理基板に注入するようにした。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のステンシルマスクイオン注入装置は、上述のように構成したために、以下のような優れた効果を有する。
（１）請求項１に記載したように構成すると、イオンビームの基板への発散角度を管理すること、及び、制御することが可能になり、高精度で均一なイオン注入ができる。
【００２２】
（２）請求項２に記載したように構成すると、イオンビームの基板への発散角度を、常時、設定値内に制御できるので、一層、高精度で均一なイオン注入ができる。
【００２３】
（３）請求項３に記載したように構成すると、簡単な構成で、イオンビームの基板への発散角度を測定でき、迅速な制御が可能となる。
【００２４】
（４）請求項４に記載したように構成すると、基板近傍におけるイオンビームの基板への正確な発散角度を測定でき、制御の精度が向上する。
【００２５】
本発明のステンシルマスクイオン注入方法は、上述のように構成したために、以下のような優れた効果を有する。
（５）請求項５に記載したように構成すると、イオンビームの基板への発散角を、常時、設定値内に制御できるので、高精度で均一なイオン注入ができる。
【００２６】
（６）請求項６に記載したように構成すると、処理基板近傍でのビームにじみ量とウェハーとマスク間のＧＡＰから設計寸法に対して、どの程度寸法誤差が生じるのか計算することが可能になる。
（７）また、ビーム垂直度も同時に情報として入手できるので、ウェハーとマスク間のＧＡＰから設計位置に対する位置ズレ量の計算をすることが可能になる。
（８）更に、以上の２点から設計注入パターンと実注入パターンとの誤差（寸法誤差と位置ズレ量）を管理値として、ビーム光学上の調整が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明のステンシルマスクイオン注入装置の一実施の形態を図１乃至図６を用いて説明する。
先ず、本実施の形態のステンシルマスクイオン注入装置の基本構成を図１乃至図３を用いて説明する。
図１は、本発明のステンシルマスクイオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
図２は、本発明のステンシルマスクイオン注入装置の概略構成を示す側面図である。
図３は、本発明のステンシルマスクイオン注入装置のステージ付近の外観斜視図である。
【００２８】
図１及び図２に示すように、本発明ステンシルマスクイオン注入装置１０の主要構成は、イオン源２０、加速管３０、分析マグネット４０、四重極レンズ５０、静電スキャナ６０、イオンビームの平行化装置７０、イオン注入室８０、基板搬送室９０である。
【００２９】
ＨＶターミナル２２に収容されるイオン源２０で生成されたイオンは、スイッチングマグネット２４を経て、次の加速管３０に輸送され、この加速管３０により所定のエネルギーまで加速され、分析マグネット４０により、所望のエネルギーのイオンビームＩが選択される。
なお、図２において、２６はＨＶターミナルを支持するインシュレータである。
【００３０】
所望のエネルギーのイオンビームＩは、四重極レンズ５０でビーム径が収束される。
以下、四重極レンズを「収束レンズ」という場合がある。
また、静電スキャナ６０及び平行化装置７０により、イオン注入室８０中の半導体ウェハー等の基板の表面に平行かつ均一に注入される。
なお、図２において、９２は基板キャリアである。
【００３１】
イオンビームの平行化装置７０について補足説明すると、この平行化装置７０は、磁場中で荷電粒子が偏向される性質を利用して、所定の発散角度を有するイオンビームを平行に基板に入射させる装置である。
図２に示すように、外側に発散角度を有するイオンＩｏは大きく曲げられ、一方、内側に発散角度を有するイオンＩｉは、小さく曲げられ、結果として、ほぼ設計軌道に平行に基板に照射される。
【００３２】
また、図３に、ステージ付近の外観構成を示すが、８２は、ステンシルマスク用Ｘ／Ｙステージ装置、８４は、ステンシルマスク用静電チャック、８６は、ウェハー用静電チャック、ウェハー用Ｘ／Ｙステージ装置である。
なお、同図では、ステンシルマスクの図示は省略している。
【００３３】
以上の構成は、従来技術のイオン注入装置とほぼ同様のものであるが、本発明のステンシルマスクイオン注入装置１０では、ウェハー９４近傍のイオンビームの発散角度を測定する測定装置、及び、この測定値に基づいて、発散角度を設定値内に制御する機能を有し、イオン源の状態変化によりエミッタンスが変化し、注入プロファイルも連動して変化した場合でも、安定した均一なイオン注入が行えるようにしていることを特徴としている。
【００３４】
従って、以下では、ウェハー９４近傍のイオンビームの発散角度を測定する測定装置、及び、発散角度を設定値内に制御する機能について説明する。
先ず、イオンビームの発散角度を測定する測定装置について説明する。
この測定装置は、基本的に、従来のイオンビームのエミッタンスの測定装置を利用する。
【００３５】
エミッタンスについては、特許文献２で図２を用いてその定義を詳細に説明しているので説明は割愛し、また、エミッタンスの測定装置も周知技術であるので、以下、エミッタンスの測定原理について図４及び図５を用いて説明する。
図４は、エミッタンスの測定原理を説明するための斜視図である。
図５は、実際のエミッタンスを測定する測定装置の原理を示す側面図である。
【００３６】
上述したように、ビームを構成するそれぞれのイオンは、設計軌道を中心に、設計軌道に垂直な平面内において、設計軌道を中心にビーム径が収束、発散しながら、設計軌道を走査するので、この垂直な平面において、２次元的なエミッタンスの測定が必要である。
ここで、その２次元的な座標として、慣習通り、水平方向にＸ座標を、垂直方向にＹ座標を採ることにする。
【００３７】
エミッタンスは、ビーム径方向距離をｘを横軸に、ビームの発散角度αを縦軸に描いた位相図の面積をπで除したものであるから、ビーム断面のｘ軸各点におけるｘ方向の運動量分布を測定できれば算出することができる。
【００３８】
図４に示すように、イオンビームＩの走査方向に垂直に２枚の可動スリットＳ１、Ｓ２を距離Ｌ１だけ離して配置することによりエミッタンスが測定できる。
即ち、第１のスリットＳ１により位置ｘを定め、第２のスリットＳ２を動かして位置ｘにおける運動量分布Ｍを測定し、第１のスリットＳ１を動かすことにより各位置ｘにおける運動量分布Ｍを測定すれば、位置ｘと発散角度αの位相図が得られ、エミッタンスを算出することができる。
【００３９】
この原理を応用したのが、図５に示す実際のエミッタンスの測定原理である。
図５では、図４における単数のスリットを有する第１の可動スリットＳ１の代わりに、多数のスリットを有する分割スリットＳｂをイオンビームＩの走査方向に垂直に配置し、図４における第２の可動スリットＳ２の代わりに高位置分解能可動式ファラデーカップＦｃを用い、当該可動ファラデーカップＦｃに入射したイオンビームの電流量からビーム強度を測定することにより、エミッタンスを測定することができる。
【００４０】
なお、上記は、Ｘ軸方向でのエミッタンスの測定原理を説明したが、Ｙ軸方向でも、移動方向をＹ軸方向にするだけで、他は全く同様の原理であるので、説明は省略する。
【００４１】
ところで、この従来のエミッタンス測定装置を用いると、イオンビームの発散角度α、エミッタンスの他に、イオンビームのにじみ角度φも次式（１）により算出できる。
Ｔａｎφ  ＝（ｆ−ｗ）／（２Ｌ）            ・・・・・    （１）
ここで、Ｌは分割スリットＳｂと可動ファラデーカップＦｃとの距離である。
また、ｆは、ピークＰの半値幅、ｗはスリットの幅である。
【００４２】
従って、エミッタンス測定装置を利用してイオンビームを平行にスキャンすれば、イオンビームの平行度の他に、イオンビームの発散角度も測定できることがわかる。
【００４３】
次に、本実施の形態におけるイオンビームの発散角度の制御機能について説明する。
図１に示す収束レンズである四重極レンズ５０は、磁場若しくは電場或いは双方の作用により、イオンビームＩを収束し、その発散角度を制御し得る機能を有している。
従って、この収束レンズ５０の磁場若しくは電場の強度を調整することにより、イオンビームＩの発散角度を制御することができる。
また、この収束レンズ５０の前後に配置されたスリット４２、５２のアパーチャーを調整することによってもイオンビームＩの発散成分を除去できるので、イオンビームＩの発散角度を制御できる。
【００４４】
以上の構成において、次に、本実施の形態のイオン注入装置１０の基本動作について、図６を用い、図１を参照して説明する。
図６は、本実施の形態のイオン注入装置１０の基本動作を説明するためのフローチャートである。
【００４５】
先ず、従来のイオン注入装置同様に、本実施の形態のイオン注入装置１０でも、イオン源２０から所望のイオン種のイオンを所望のエネルギーに加速し、半導体ウェハー等の基板９４に注入する。
一方、本実施の形態のイオン注入装置１０では、図６に示すように、適宜、イオンビームの発散角度の測定制御を行う。
【００４６】
即ち、処理開始（ＳＴ１）後、Ｘ軸及びＹ軸方向のイオンビームの発散角度αを、上記した測定装置により測定する（ＳＴ２）。
次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内かどうかの判断を行う（ＳＴ３）。
ここで、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内にある場合は、測定データの出力を行い（ＳＴ５）、処理が終了する（ＳＴ６）。
【００４７】
一方、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内にない場合は、上述したように、ビーム収束レンズ５０の強度調整、スリットのアパーチャー４２、５２等によるビーム発散成分の除去、イオン源及びイオンの引き出し系の調整を行い（ＳＴ４）、再度、イオンビームの発散角度を測定する（ＳＴ２）。
【００４８】
この調整を繰り返すことにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まることになり、測定データを出力して（ＳＴ５）、処理を終了する（ＳＴ６）。
【００４９】
従って、本実施の形態のイオン注入装置１０によると、適宜、イオンビームの発散角度の測定、及び、発散角度の設定値内への制御を行うので、イオンビームのエミッタンスの変動等のイオンビームの状態が変化した場合でも、にじみ量が変化することによるイオン注入のプロファイル変化について管理でき、かつ、設定値内への制御が可能となり、均一で高精度のイオン注入を安定して行えることになる。
【００５０】
次に、本発明のイオン注入方法について、図７を用い、図１を参照して説明する。
図７は、本発明のイオン注入方法を説明するためのフローチャートである。
【００５１】
先ず、図１に示す本発明のイオン注入装置１０を用い、イオン源２０から所望のイオン種のイオンを所望のエネルギーに加速し、半導体ウェハー等の基板９４に注入する。
一方、本発明のイオン注入方法では、図７に示すように、適宜、イオンビームの発散角の測定制御を行う。
【００５２】
即ち、処理開始（ＳＰ１）後、Ｘ軸及びＹ軸方向のイオンビームの発散角度を、上記した測定装置により測定する（ＳＰ２）。
次に、イオンビームの発散角測定結果から算出される注入パターンとマスクパターンとのズレが設定値の範囲内かどうかの判断を行う（ＳＰ３）。
ここで、注入パターンとマスクパターンとのズレが設定値の範囲内にある場合は、測定データの出力を行い（ＳＰ５）、処理が終了する（ＳＰ６）。
【００５３】
一方、注入パターンとマスクパターンとのズレが設定値の範囲内にない場合は、ビーム収束レンズ５０の強度調整、スリットのアパーチャー４２、５２等によるビーム発散成分の除去、イオン源及びイオンの引き出し系の調整を行い（ＳＰ４）、再度、イオンビームの発散角度を測定する（ＳＰ２）。
【００５４】
この調整を繰り返すことにより、注入パターンとマスクパターンとのズレが設定値の範囲内に収まることになり、測定データを出力して（ＳＰ５）、処理を終了する（ＳＰ６）。
【００５５】
従って、本発明のイオン注入方法によると、注入パターンとマスクパターンとのズレが設定値内へ収まるように制御を行うので、均一で高精度のイオン注入を安定して行えることになる。
【００５６】
本発明のイオン注入装置は、上記実施の形態の限定されず種々の変更が可能である。
例えば、上記実施の形態では、図１及び図２に示す構成のステンシルマスクイオン注入装置で説明したが、本発明の特徴は、イオンビームの発散角度の測定及びそれらの制御であるので、これとは異なる構成のステンシルマスクイオン注入装置に適用可能であり、図１のものに限定されないのは勿論のことである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のステンシルマスクイオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明のステンシルマスクイオン注入装置の概略構成を示す側面図である。
【図３】本発明のステンシルマスクイオン注入装置のステージ付近の外観斜視図である。
【図４】エミッタンスの測定原理を説明するための斜視図である。
【図５】実際のエミッタンスを測定する測定装置の原理を示す側面図である。
【図６】本実施の形態のステンシルマスクイオン注入装置の基本動作を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明のステンシルマスクイオン注入方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】従来のステンシルマスクイオン注入装置の全体構成を示す斜視図である。
【図９】従来のイオン注入装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１０】従来のイオン注入装置の問題点を説明するための、基板近傍におけるイオンビームの注入の状態を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０：ステンシルマスクイオン注入装置
２０：イオン源
３０：加速管
４２、５２：スリット（収束装置）
５０：四重極レンズ（収束装置）
７０：平行化装置
９４：基板
Ｓｂ：ビーム分割スリット
Ｆｃ：可動式ファラデーカップ
【図１】
2007073271.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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