(57)【要約】【課題】量産性を極大化させるとともに、垂直対水平比が非常に高い柱構造を形成するとともに、この柱構造を用いた半導体素子を形成すること。  【解決手段】基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;
前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;
前記第２物質が成長させられた基板を湿式エッチングする段階と；
を含んで構成されることを特徴とする柱構造の形成方法。
【請求項２】
前記単位パターンの形成は、
前記基板上に第１物質層を形成する段階と;
前記第１物質層をエッチングして単位パターンを形成する段階と；を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の柱構造の形成方法。
【請求項３】
前記第２物質を成長させる段階では、
少なくとも前記隣接単位パターン上で成長しはじめた第１物質が互い接触し、界面を形成する時まで成長させることを特徴とする請求項１に記載の柱構造の形成方法。
【請求項４】
前記基板を湿式エッチングする段階では、基板が露出される時までエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の柱構造の形成方法。
【請求項５】
基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;
前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;
前記第２物質が成長させられた基板を湿式エッチングして柱構造を形成する段階と;
前記柱構造上に第３物質層を形成する段階と;
前記第３物質層が形成された面をエッチングする段階と;
前記柱構造の少なくとも一部を除去する段階と；を含んで構成されることを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項６】
前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項７】
前記柱構造は、酸化物によって形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項８】
前記第３物質層は、多結晶シリコンによって形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項９】
前記第３物質層が形成された面をエッチングする段階では、前記柱構造が露出される時までエッチングすることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１０】
基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;
前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;
前記第２物質が成長させられた基板を湿式エッチングして柱構造を形成する段階と;
前記柱構造が形成された基板上に複数の半導体層を形成する段階と;
前記半導体層上に第１電極を形成する段階と;
前記基板を除去する段階と;
前記基板が除去されて露出された半導体層上に第２電極を形成する段階と；を含んで構成されることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１電極を形成する段階後には、前記第１電極上に金属またはＳｉを含む支持層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１２】
基板と;
前記基板上に第１物質によって形成された単位パターンと;
前記単位パターン上に連結され、第２物質によって形成された多角柱状の複数の柱と；を含んで構成されることを特徴とする柱構造。
【請求項１３】
前記柱構造の下端には、前記柱構造より直径の小さい部分が形成されたことを特徴とする請求項１２に記載の柱構造。
【請求項１４】
前記直径の小さい部分は、前記単位パターンと柱との間にあることを特徴とする請求項１３に記載の柱構造。
【請求項１５】
前記第１物質は、基板をなす物質と同一の物質であることを特徴とする請求項１２に記載の柱構造。
【請求項１６】
前記単位パターンの垂直断面は、円弧状、部分的な楕円状、台形状のうち何れか一つであることを特徴とする請求項１２に記載の柱構造。
【請求項１７】
前記第２物質は、酸化物または窒化物であることを特徴とする請求項１２に記載の柱構造。
【請求項１８】
第１面及び第２面を有する複数の半導体層と;
前記半導体層の第１面に周期的に配列され、前記第１面上に突出した突出部を有する多数の柱と;
前記半導体層の第２面に位置する第１電極と;
前記半導体層の第１面上に位置する第２電極と；を含んで構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
前記柱構造の突出部の垂直断面は、円弧状、部分的な楕円状、台形状のうち何れか一つであることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記突出部は、傾斜面を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１電極は、
オーミック電極と;
前記オーミック電極上に位置する反射電極と；を含んで構成されることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記第１電極上には、金属またはＳｉを含む支持層が形成されたことを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記半導体層は、
第１伝導性半導体層と;
前記第１伝導性半導体層上に位置する発光層と;
前記発光層上に位置する第２伝導性半導体層と；を含んで構成されることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記多数の柱は、前記柱の少なくとも一部が前記半導体層の内側に位置することを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記多数の柱は、誘電物質によって形成されたことを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２６】
前記柱の下部には、前記柱より直径の小さい部分が形成されたことを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柱構造、これを用いた半導体素子及び発光素子、並びにその形成方法に関するもので、特に、エッチングを用いて反復的な構造を有する微細な柱構造を形成できる柱構造、これを用いた半導体素子及び発光素子、並びにその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体製造技術は、多様な物理的限界を克服しながら、新しい水準に発展しつつある。このような発展が可能であった理由の一つとして、３次元設計を通して空間上の制約を克服した点が挙げられる。
【０００３】
上記のような最近の半導体素子の３次元設計技術は、同一に反復される２次元構造を単純に積層する水準を越えて、単位構造自体を３次元に拡張することで、より大きい容量及び表面積を得るのに成功している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、３次元設計技術には、一層微細なフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏ-ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工法が必要となり、多くの費用及び工程の精密性が要求されるという問題点があった。
【０００５】
さらに、各単位パターンに多角形の形状を与える場合、一層高い精密度が要求されるので、上記の技術が具現可能であっても、生産性の低下を避けられず、量産工程に適用できないという問題点があった。
【０００６】
一方、発光素子及びこれを用いるディスプレイ素子においては、光抽出効率を増加させるために表面を粗くするか、光結晶などの微細な表面構造を形成する技術が適用されている。
【０００７】
上記のような微細な表面構造を形成するためには、主に乾式エッチング方法が用いられている。特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いる半導体ダイオードなどの素子は、窒化ガリウムの硬度が非常に大きいので、湿式エッチングを用いるのに多くの困難さが伴う。
【０００８】
しかしながら、上記のような乾式エッチング過程は、エッチングされる部分をカバーするためのマスクがエッチング過程で一緒に消滅されるので、マスクの厚さによってエッチング高さに制約をもたらす。さらに、エッチング過程でマスクが消滅されることで、エッチングされる構造が直角構造でなく傾斜面をなすという問題点が発生する。
【０００９】
したがって、高さ及びエッチング時間に制限のない湿式エッチング過程を通して、量産に適した柱構造を形成できる方法の必要性が台頭しつつある。
【００１０】
本発明は上述した観点を鑑みてなされたもので、その目的は、乾式エッチング工程を最小化し、ほとんどの工程を湿式エッチング工程に取り替えることで、量産性を極大化するとともに、垂直対水平比が非常に高い柱構造及びその形成方法を提供すること、および、この柱構造を用いた半導体素子を形成する方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、高輝度・高効率の発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための第１観点として、本発明は、基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させられた段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで構成されることが好ましい。
【００１３】
上記目的を達成するための第２観点として、本発明は、基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長させられた基板を湿式エッチングして柱構造を形成する段階と;前記柱構造上に第３物質層を形成する段階と;前記第３物質層が形成された面をエッチングする段階と;前記柱構造の少なくとも一部を除去する段階と；を含んで構成されることが好ましい。
【００１４】
上記目的を達成するための第３観点として、本発明は、基板上に第１物質を用いて単位パターンを形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に、湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長させられた基板を湿式エッチングして柱構造を形成する段階と;前記柱構造が形成された基板上に複数の半導体層を形成する段階と;前記半導体層上に第１電極を形成する段階と;前記基板を除去する段階と;前記基板が除去されて露出された半導体層上に第２電極を形成する段階と；を含んで構成されることが好ましい。
【００１５】
上記目的を達成するための第４観点として、本発明は、基板と;前記基板上に第１物質によって形成された単位パターンと;前記単位パターン上に連結され、第２物質によって形成された多角柱状の複数の柱と；を含んで構成されることが好ましい。
【００１６】
上記目的を達成するための第５観点として、本発明は、第１面及び第２面を有する複数の半導体層と;前記半導体層の第１面に周期的に配列され、前記第１面上に突出した突出部を有する多数の柱と;前記半導体層の第２面に位置する第１電極と;前記半導体層の第１面上に位置する第２電極と；を含んで構成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、乾式エッチング工程を最小化し、ほとんどの工程を湿式エッチング工程に取り替えているため、量産性を極大化できるとともに、垂直対水平比が非常に高い柱構造を形成できる。
【００１８】
本発明によれば、光抽出効率を改善できる光結晶構造が得られるため、高輝度・高効率の発光素子を具現できる。さらに、本発明によれば、誘電物質の柱上に薄膜が成長することで、薄膜の結晶性を向上でき、薄膜内の応力制御を通して発光素子の効率を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施例を、図面に基づいて詳しく説明する。
【００２０】
本発明は、多様な修正及び変形が可能であり、以下、その特定の実施例が添付の図面に基づいて詳細に説明される。しかし、本発明は、開示された特別な形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定義された本発明の思想と合致する全ての修正、均等及び代用を含んでいる。
【００２１】
図中、同一の図面符号は、同一の要素を示している。各図面において、各層及び領域の寸法は、明瞭性のために誇張されている。また、ここで説明される各実施例は、相補的な導電型の実施例を含む。
【００２２】
層、領域または基板などの要素が他の構成要素“上（ｏｎ）”に存在すると表現される場合、層、領域または基板などの要素が直接的に他の要素上に存在したり、または、その間に中間要素が存在するものとして理解できる。また、表面などの構成要素の一部が‘内部（ｉｎｎｅｒ）'と表現される場合、表面などの構成要素の一部が、その要素の他の部分よりも素子の外側から一層遠くにあることを意味するものと理解できる。
【００２３】
さらに、‘下（ｂｅｎｅａｔｈ）'または‘重畳（ｏｖｅｒｌｉｅｓ）’などの相対的な用語は、図面に示すように、基板または基準層と関連した一つの層または領域と、他の層または領域に対する一つの層または領域の関係を説明するために用いられる。
【００２４】
上記のような用語は、図面によって描写された方向に加えて、素子の他の方向も含む意図を持つものとして理解できる。最後に、‘直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）'という用語は、中間に介入する要素が全くないことを意味する。ここで用いられる‘及び／または'という用語は、記録された関連項目の一つまたはそれ以上の何れかの組み合わせ、及び全ての組み合わせを含んでいる。
【００２５】
第１及び第２などの用語は、多様な要素、成分、領域、層及び／または地域を説明するために用いられるが、これら要素、成分、領域、層及び／または地域は、これら用語によって限定されてはならない。
【００２６】
これら用語は、他の領域、層または地域から何れか一つの要素、成分、領域、層または地域を区分するために用いられるものに過ぎない。したがって、以下で論議された第１領域、層または地域は、第２領域、層または地域という名称にもなり得る。
【００２７】
図１は、基板１０に形成された基本的な単位パターン２０配列を示している（平面図）。このような初期の単位パターン２０配列は、以後の段階で形成される柱構造（図１０を参考）の断面を決定し、単位パターン２０と基板１０との垂直段差（高さ差）は、柱構造の側面成長速度を決定する。
【００２８】
前記基板１０には、サファイアや窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体などの硬度の大きい物質や、ＳｉＣ、Ｓｉなどのシリコン系列物質が用いられるが、これらの物質に限定されることはない。
【００２９】
前記単位パターン２０は、基板１０をなす物質と異なる物質または基板１０と同一の物質によって形成される。
【００３０】
好ましくは、適正な垂直段差をなす厚さで、基板１０と同一の物質または異なる物質からなる層を基板１０上に形成した後、この層をエッチングして前記単位パターン２０を形成する。このときのエッチングには、乾式エッチングが用いられる。
【００３１】
このとき、単位パターン２０の垂直断面形状は、柱構造の成長に大きな影響を及ぼす因子ではないが、図２に示した半円状または図３に示した台形状の形状が、多角形柱の垂直成長に一層効率的である。
【００３２】
しかしながら、これら半円状、台形状の他にも、単位パターン２０の垂直断面形状として、円弧状、部分的な楕円状などが全て可能である。
【００３３】
以下、単位パターン２０の垂直断面形状が図２に示した半円状である場合を例に挙げて説明する。
【００３４】
上記のように単位パターン２０が形成されると、図４及び図５に示すように、単位パターン２０が形成された面上に湿式エッチング可能な物質３０を成長させる。
【００３５】
前記湿式エッチング可能な物質３０が、以後、柱を形成する物質になる。湿式エッチング可能な物質３０の成長には、蒸着法を用いることができ、側面成長または全方向成長が活発であるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方式を用いることが好ましい。
【００３６】
上記のような単位パターン２０を形成する物質（第１物質）と、湿式エッチング可能な物質３０（第２物質）は、必ずしも異なる物質である必要はないが、選択的なエッチングのためには、湿式エッチング液に対する選択比がやや高い互いに異なる物質を用いることが好ましい。
【００３７】
前記第２物質３０には、酸化物または窒化物を用いることができ、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などが用いられる。
【００３８】
前記第２物質３０が継続して成長すると、図６及び図７に示すように、それぞれの単位パターン２０上に形成された第２物質３０の境界が互いに接するようになる。
【００３９】
図６のＡ部分に示すように、それぞれの第２物質３０の境界が互いに接すると、これらが新しい界面３１を形成し、本来の単位パターン２０とは異なった新しい形状のパターンを形成するようになる。
【００４０】
このとき、蒸着される第２物質３０の水平方向の成長が全方向に均一であると仮定すると、新しいパターンは、初期単位パターン２０配列の形状にしたがう。
【００４１】
図４の場合を例に挙げると、図４の初期パターンは、断面が半球状であり、平面上で交互に配列されたパターンであった。しかし、図６に示すように、新しい界面が六角配列に沿って形成されるため、最終的に、図８に示すように、正六角形の断面（水平断面）を有するパターンが形成される。図８は、新しい界面が形成された部分を示す電子顕微鏡写真である。
【００４２】
また、初期パターンが互いに所定間隔を有して直角に配列されるパターンであれば、四角形または八角形の断面を有するパターンが形成される。
【００４３】
図９は、図８のように形成された構造を、１分間湿式エッチングした結果を示している。図８のように形成された構造を湿式エッチングすると、図９の右側拡大図に示すように、各パターン間に形成された界面に沿ってエッチングが活発に起きる。これは、反対方向に成長する各物質が接して形成された界面が、他の部分に比べてエッチングに対して不安定であるためである。
【００４４】
図１０は、図８のように形成された界面を、基板１０が露出される時まで湿式エッチングして得た構造物を示す電子顕微鏡写真である。
【００４５】
前記湿式エッチングの速度は、乾式エッチングの速度に比べて非常に速い。したがって、図１０に示すように、柱構造は、傾斜面がほとんどない垂直構造をなし、六角柱状のエッジ形状も維持される。
【００４６】
図１１は、湿式エッチングを行って形成された柱構造４０を示している。この柱構造４０の高さ及び直径は、湿式エッチングの時間によって調節することができる。また、最初の単位パターン２０の間隔及び配列と第２物質３０の蒸着高さによって、柱構造４０の高さ及び直径を調節することができる。
【００４７】
図１１には、湿式エッチングを行うときの高さ及び直径の減少比率を示している。高さがｄだけエッチングされると、直径は、両方向エッチングによって２ｄだけ減少する。したがって、上記のような原理を用いると、ナノメータスケールを有する柱構造４０を形成することも可能になる。
【００４８】
すなわち、最初に形成される単位パターン２０または第２物質３０の直径がマイクロメータスケールであっても、適切にエッチング時間を調節することでナノメータスケールのパターンを形成することができる。
【００４９】
上記のように、湿式エッチングを基板１０が露出される時まで行うと、最初に形成した単位パターン２０が露出されることもある。このとき、柱構造４０と単位パターン２０との間には、これら柱構造４０の外径より直径の小さい部分４１が表れるが、これは、アンダーカット現象の一種として解釈される。
【００５０】
通常、界面構造が不安定な部分でエッチングが多く起きるが、単位パターン２０と、柱構造４０が開始される第２物質３０との隣接面で、エッチングが一層活発に起きる。
【００５１】
上記の方法は、乾式エッチング工程を最小化し、ほとんどの工程を湿式エッチング工程に取り替えたので、量産性を極大化することができる。
【００５２】
一方、前記基板１０上に形成された柱構造４０は、ナノインプリントフォトリソグラフィ（ｎａｎｏ  ｉｍｐｒｉｎｔ  ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）過程で用いられる。この過程では、柱構造４０がナノロッドとして用いられるが、これは、フォトリソグラフィのためのシャドウマスクに適したスリットまたはホールを形成するのに用いられる。
【００５３】
すなわち、マスクにナノロッドを用いて機械的な方法でホールを形成し、このマスクを硬化させて最終マスクを形成する。
【００５４】
図１２は、上記のような柱構造４０を垂直型発光素子に用いた実施例を示している。
【００５５】
前記垂直型発光素子の製作時、まず、基板１０上に、上記のような方法を用いて柱構造４０を形成する。
【００５６】
すなわち、上記の場合と同様に、基板１０上に単位パターンを形成し、この単位パターン上に、第２物質の界面が互いに接して所定厚さになる時まで第２物質を形成した後、湿式エッチングして柱構造４０を形成する。
【００５７】
このとき、基板１０には、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯなどが用いられ、単位パターンを形成する前に窒化ガリウム（ＧａＮ）系列の半導体層を形成した後、単位パターンを形成することもある。
【００５８】
その後、前記柱構造４０を覆う複数の半導体層５１，５２，５３を形成するが、このとき、ｎ-型半導体層５１、発光層（活性層）５２及びｐ-型半導体層５３を形成することが好ましい。図示したように、ｎ-型半導体層５１は、前記柱構造４０の外側を含んで形成される。
【００５９】
前記半導体層５１，５２，５３は、ＧａＮ系列の半導体層（ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、ｙ≦１）を用いて形成される。
【００６０】
次の過程では、前記半導体層５１，５２，５３上に第１電極６１を形成し、場合によって、金属またはＳｉ基板からなる支持層６０を形成する（図１３を参考）。
【００６１】
この場合、前記第１電極６１は、ｐ-型電極（オーミック電極）であり、このｐ-型電極上には、反射電極がさらに形成される。また、前記支持層６０の外側面には、金属パッド６３が形成される。
【００６２】
その後、基板１０が除去されるが、この基板１０が除去された面は、化学的または物理的に処理される。その後、この基板１０が除去されて露出された面には、第２電極としてｎ-型電極６２を形成する。
【００６３】
上記の過程を経ることで、発光素子は、図１３に示した構造となる。このとき、上記のように基板１０が除去された面には柱構造４０が露出されるが、この柱構造４０によって発光素子の光抽出効率を向上でき、柱構造４０が適当な大きさ及び間隔を有して配列されることで、光結晶構造を形成することができる。
【００６４】
また、図示したように、ｎ-型ＧａＮ層５１の表面において、柱構造４０の端部には、一部突出される突出部４１が位置し、この突出部４１の垂直断面は、円弧状、部分的な楕円状、台形状などである。
【００６５】
図１３に示すように、上記の過程を通して形成された柱構造４０の突出部４１の断面縁部には、斜面４２が形成される。
【００６６】
前記突出部４１が発光素子の表面を粗くし、多面構造を形成することで、発光効率を一層向上させることができる。
【００６７】
一方、上記のような柱構造４０は、半導体メモリ素子などで蓄電器構造を形成するのにも用いられる。すなわち、図１４に示すように、シリコン基板１０に単位パターン２０を形成し、酸化物を用いて柱構造４０を形成した後、この柱構造４０上に、図１５に示すように、多結晶シリコン７０を蒸着して形成する。
【００６８】
その後、この多結晶シリコン７０が形成された面を、蒸着された多結晶シリコンの厚さだけ乾式エッチングすると、酸化物からなる柱構造４０の上側表面が露出されるが、相対的に厚い厚さを有する側壁部分のほとんどは、乾式エッチング後にも残存するようになる。
【００６９】
上記の状態で、ＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈａｎｔ）またはＨＦ（フッ化水素）などのエッチング液を用いて前記酸化物からなる柱構造４０の一部または全体を除去すると、図１６に示すように、多結晶シリコンによって形成されたパイプ構造７０が露出することで、半導体メモリ素子の蓄電器構造が形成される。
【００７０】
上記のような蓄電器構造は、図１６に示すように、安定的な構造をなしており、通常のメモリ素子の蓄電器構造において、下端の直径が小さくて損傷されやすいという短所を克服することができる。
【００７１】
本発明は、上記のようなメモリの蓄電器構造のみならず、ナノインデンター（ｎａｎｏ−ｉｎｄｅｎｔｏｒ）、ナノインプリント（ｎａｎｏ  ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）用鋳型、ＰＢＣの表面パターンなどに多様に適用することができる。
【００７２】
上記の実施例は、本発明の技術的思想を具体的に説明するための一例であり、本発明は、上記の実施例に限定されることなく、多様な形態に変形可能である。このような技術的思想の多様な実施例は、全て本発明の保護範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、基板上に形成される単位パターンを示す平面図である。
【図２】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、基板上に単位パターンを形成する一例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、基板上に単位パターンを形成する他の例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、単位パターン上に形成される第２物質を示す平面図である。
【図５】図４の断面図である。
【図６】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、第２物質が界面をなす段階を示す平面図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、第２物質が界面をなす段階を示す電子顕微鏡写真である。
【図９】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、エッチングの初期段階を示す電子顕微鏡写真である。
【図１０】本発明に係る柱構造の形成方法の一実施例において、柱構造が形成された段階を示す電子顕微鏡写真である。
【図１１】本発明に係る柱構造の一実施例を示す側面図である。
【図１２】本発明に係る柱構造を含む発光素子の製造段階を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る柱構造を含む発光素子の一実施例を示す断面図である。
【図１４】本発明の柱構造を用いてメモリの蓄電器を製造する段階において、酸化物柱構造を形成した段階を示す断面図である。
【図１５】本発明の柱構造を用いてメモリの蓄電器を製造する段階において、柱構造上にポリシリコンを形成した段階を示す断面図である。
【図１６】本発明の柱構造を用いてメモリの蓄電器を製造する段階において、形成されたメモリ素子の蓄電器構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０  基板
２０  単位パターン  
【図１】
2007258687.tif 000003
【図２】
2007258687.tif 000004
【図３】
2007258687.tif 000005
【図４】
2007258687.tif 000006
【図５】
2007258687.tif 000007
【図６】
2007258687.tif 000008
【図７】
2007258687.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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