(57)【要約】【課題】材料・面方位によらずいかなる場合にも粗面化手法を用いることができ、特性の不具合が発生するのを防止できる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。ｐ型ＧａＰ基板１２の側面の全部がダイシングブレードで粗面状に加工されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層からなる発光層と、
この発光層上に設けた半導体層からなる中間層と、
上記中間層上に設けられると共に、上記発光層の出射光に対して透過性を有する透明層と
を備え、
上記透明層の表面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工されている表面は、上記透明層の側面であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工されている表面は、上記透明層の天面であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記発光層の側面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記透明層は、上記中間層に貼り付けられた基板であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項６】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記透明層はエピタキシャル成長層またはエピタキシャル成長用基板であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項７】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記発光層は、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ、Ｎ、Ｏ及びＳの中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項８】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記透明層は、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ、Ｎ、Ｏ及びＳの中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項９】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記発光層はＡｌＧａＩｎＰからなり、
上記透明層はＧａＰからなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１０】
半導体層からなる発光層と、この発光層上に設けた半導体層からなる中間層と、上記中間層上に設けられると共に、上記発光層の出射光に対して透過性を有する透明層とを含むウエハを作製する工程と、
上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工する工程と
を備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工する表面は、上記透明層の側面であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工する表面は、上記透明層の天面であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記ウエハを素子形状に分割する前に、上記ダイシングブレードによるハーフダイシングまたはプレダイシングによって、上記透明層の側面の一部または全部を粗面状にすることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の発光ダイオードの製造方法であって、
上記ウエハを素子形状に分割した後、上記透明層の側面の一部または全部を上記ダイシングブレードで粗面状に加工することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記ダイシングブレードの砥粒の粒径が２μｍ以上であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば照明、表示装置、バックライト光源等に広く用いられている発光ダイオード及びその製造方法に関し、より詳しくは、透明層等を備えた高輝度発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードには様々な種類があり広い波長域の発光が可能で可視光の表示用素子や紫外線、赤外線の発光素子として用いられている。また、発光ダイオードの利用分野は近年急速に広がり、蛍光灯に変わる光源やディスプレイのバックライト等が注目されてきており、より輝度の高い、より発光効率のよい発光ダイオードの要求が増えている。
【０００３】
こうした要求に対して現在までに、発光ダイオードの発光層の設計最適化や、発光ダイオードに反射層を追加するなどの手法が実施されている。
【０００４】
また、最近では、発光ダイオードの基板を透明基板にしたり、発光ダイオードの結晶面を粗面状に加工したりして、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させて高輝度化を図る手法もとられている。
【０００５】
上記手法の中でも、結晶面の粗面化は比較的容易に実施できることから広く用いられている手法である。
【０００６】
図７に、従来の発光ダイオードの構造の模式図を示す。
【０００７】
上記発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板３２と、このｐ型ＧａＰ基板３２上に形成されたｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層３６、透明電極用ｎ型コンタクト層３７及び透明電極３９とを備えている（例えば特開平０４−３５４３８２号公報参照）。
【０００８】
上記ｐ型ＧａＰ基板３２はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５の出射光に対して透過性を有する。つまり、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５から出射された光はｐ型ＧａＰ基板３２を透過するようになっている。
【０００９】
以下、上記発光ダイオードの製造方法について説明する。
【００１０】
まず、上記ｐ型ＧａＰ基板３２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層３６、透明電極用ｎ型コンタクト層３７及び透明電極３９を含むウエハを作製する。
【００１１】
次に、上記ウエハの一方の表面にｐ側ダイボンド用電極３１を形成し、ウエハの他方の表面にｎ側ワイヤボンド用パッド電極３８を形成して、スクライブ及びブレーキングを行うことにより、ウエハを複数のチップに分割する。
【００１２】
最後に、上記チップの側面（ウエハを分割することにより得られる表面）を化学処理で粗面化すると、発光ダイオードが出来上がる。ここでは、上記化学処理は塩酸などを用いて行われる。
【００１３】
このようにして作製された発光ダイオードは、活性層３５をクラッド層３４，３６で挟むダブルヘテロ構造が採用されているので、活性層３５の発光効率を向上させることができる。
【００１４】
また、上記ｐ型ＧａＰ基板３２は活性層３５の出射光に対して透過性を有するので、ＧａＰ基板３２から光を取り出すことができる。
【００１５】
さらに、上記発光ダイオードの側面には粗面化処理が施されているから、発光ダイオードの側面から光を取り出すことができる。
【００１６】
また、他の従来の発光ダイオードとしては、側面および天面が化学処理で粗面化されたものがある（例えば特開２００４−３５６２７９号公報、特開２００５−３２７９７９号公報及び特開２００３−２０９２８３号公報参照）。
【００１７】
図１４に、上記他の従来の発光ダイオードの構造の模式図を示す。
【００１８】
この発光ダイオードでは、図１４に示すように、ｐ型ＧａＰ基板２３２と、このｐ型ＧａＰ基板２３２下に形成されたｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層２３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２３５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層２３６、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２３７を備えている。このｐ型ＧａＰ基板２３２の図中上側の表面が発光ダイオードの天面である。
【００１９】
なお、図１４において、２３１はｐ側ワイヤボンド用パッド電極であり、２３８はｎ側ダイボンド用電極である。
【００２０】
ところで、上記従来の発光ダイオードの側面を粗面化する処理や、上記他の従来の発光ダイオードの側面及び天面を粗面化する処理は、化学処理であるが、この化学処理は、結晶のエッチングレートが面方位によって異なることを利用したり、エッチング面が意図的に荒れるような反応性の強い薬品を利用したりする。
【００２１】
しかしながら、上記結晶のエッチングレートが面方位によって異なることを利用する場合、粗面化できる結晶の種類や面方位が制限されてしまうという問題が発生する。
【００２２】
また、上記反応性の強い薬品を利用する場合、チップを構成する半導体層の一部が内部までエッチングされて、特性的に不具合を起こすなどの問題が発生する。
【００２３】
特に、上記ｐ型ＧａＰ基板３２のような透明層を備える発光ダイオードでは、光取り出し部となる透明層の表面が鏡面であると、発光層の出射光がその表面で反射され、多重反射するなかで光の損失が増加し、発光層の出射光を外部へ取り出す効果が低くなるため、粗面化する手法は高輝度化の為の重要な手法である。
【特許文献１】特開平０４−３５４３８２号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６２７９号公報
【特許文献３】特開２００５−３２７９７９号公報
【特許文献４】特開２００３−２０９２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
そこで、本発明の課題は、材料・面方位によらずいかなる場合にも粗面化手法を用いることができ、特性の不具合が発生するのを防止できる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するため、本発明の発光ダイオードは、
半導体層からなる発光層と、
この発光層上に設けた半導体層からなる中間層と、
上記中間層上に設けられると共に、上記発光層の出射光に対して透過性を有する透明層と
を備え、
上記透明層の表面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されていることを特徴としている。
【００２６】
上記構成の発光ダイオードによれば、上記透明層の表面の一部または全部が粗面状に加工されているから、透明層の表面の一部または全部から、発光層の出射光を外部に効率よく取り出すことができ、高輝度化を達成できる。
【００２７】
また、上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料はどのようなものでもよい。
【００２８】
また、上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００２９】
なお、上記透明層の形成方法、構成材料、面方位はどのようなものであってもよい。
【００３０】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工されている表面は、上記透明層の側面である。
【００３１】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記透明層の側面の一部または全部が粗面状に加工されているから、透明層の側面の一部または全部から、発光層の出射光を外部に効率よく取り出すことができ、高輝度化を達成できる。
【００３２】
また、上記透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料や面方位はどのようなものでもよい。
【００３３】
また、上記透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００３４】
なお、上記透明層の形成方法、構成材料、面方位はどのようなものであってもよい。もちろん、上記発光層についても同様である。
【００３５】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工されている表面は、上記透明層の天面である。
【００３６】
ここで、上記透明層の天面とは、透明層において中間層側とは反対側の表面のことである。
【００３７】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記透明層の天面の一部または全部が粗面状に加工されているから、透明層の天面の一部または全部から、発光層の出射光を外部に効率よく取り出すことができ、高輝度化を達成できる。
【００３８】
また、上記透明層の天面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料はどのようなものでもよい。
【００３９】
また、上記透明層の天面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００４０】
なお、上記透明層の形成方法、構成材料、面方位はどのようなものであってもよい。
【００４１】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記発光層の側面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されている。
【００４２】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記発光層の側面の一部または全部がダイシングブレードで粗面状に加工されているから、発光層の側面の一部または全部からも、発光層の出射光を外部に効率よく取り出すことができ、さらなる高輝度化を達成できる。
【００４３】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記透明層は、上記中間層に貼り付けられた基板である。
【００４４】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記透明層はエピタキシャル成長層またはエピタキシャル成長用基板である。
【００４５】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記発光層は、Ａｌ（アルミ）、Ｇａ（ガリウム）、Ａｓ（砒素）、Ｉｎ（インジウム）、Ｐ（リン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｎ（スズ）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｔｉ（チタン）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｄ（カドミウム）、Ｂ（ホウ素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）の中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなる。
【００４６】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記透明層は、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ、Ｎ、Ｏ及びＳの中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなる。
【００４７】
一実施形態の発光ダイオードでは、
上記発光層はＡｌＧａＩｎＰからなり、
上記透明層はＧａＰからなる。
【００４８】
本発明の発光ダイオードの製造方法は、
半導体層からなる発光層と、この発光層上に設けた半導体層からなる中間層と、上記中間層上に設けられると共に、上記発光層の出射光に対して透過性を有する透明層とを含むウエハを作製する工程と、
上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工する工程と
を備えたことを特徴としている。
【００４９】
上記構成の発光ダイオードの製造方法によれば、上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状にするので、透明層の材料や面方位などを気にすることなく、透明層の表面の一部または全部を容易かつ低コストで粗面状にすることができる。
【００５０】
したがって、上記発光ダイオードの高輝度化を容易かつ低コストで実現することができる。
【００５１】
また、上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料や面方位はどのようなものでもよい。
【００５２】
また、上記透明層の表面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００５３】
また、上記透明層の粗面化処理はダイシングブレードで行うから、化学薬品処理による粗面化処理で必要とされていた化学処理工程、保護膜形成などの工程を省略することができる。
【００５４】
上記ダイシングブレードは、半導体結晶のみならず、例えばガラス、石英およびサファイヤなどの非晶質なものに対しても粗面化処理を施すことができるし、薬品に対して耐性のある材料に対しても粗面化処理を施すことができる。
【００５５】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工する表面は、上記透明層の側面である。
【００５６】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状にするので、透明層の材料や面方位などを気にすることなく、透明層の側面の一部または全部を容易かつ低コストで粗面状にすることができる。
【００５７】
したがって、上記発光ダイオードの高輝度化を容易かつ低コストで実現することとができる。
【００５８】
また、上記透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料や面方位はどのようなものでもよい。
【００５９】
また、上記透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００６０】
また、上記透明層の粗面化処理はダイシングブレードで行うから、化学薬品処理による粗面化処理で必要とされていた化学処理工程、保護膜形成などの工程を省略することができる。
【００６１】
上記ダイシングブレードは、半導体結晶のみならず、例えばガラス、石英およびサファイヤなどの非晶質なものに対しても粗面化処理を施すことができるし、薬品に対して耐性のある材料に対しても粗面化処理を施すことができる。
【００６２】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、
上記ダイシングブレードで粗面状に加工する表面は、上記透明層の天面である。
【００６３】
ここで、上記透明層の天面とは、透明層において中間層側とは反対側の表面のことである。
【００６４】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記透明層の天面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状にするので、透明層の材料や面方位などを気にすることなく、透明層の天面の一部または全部を容易かつ低コストで粗面状にすることができる。
【００６５】
したがって、上記発光ダイオードの高輝度化を容易かつ低コストで実現することができる。
【００６６】
また、上記透明層の天面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層の材料や面方位はどのようなものでもよい。
【００６７】
また、上記透明層の天面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、透明層が反応性の強い薬品で過剰にエッチングされることもなく、特性の不具合が発生するのを防止できる。
【００６８】
また、上記透明層の粗面化処理はダイシングブレードで行うから、化学薬品処理による粗面化処理で必要とされていた化学処理工程、保護膜形成などの工程を省略することができる。
【００６９】
上記ダイシングブレードは、半導体結晶のみならず、例えばガラス、石英およびサファイヤなどの非晶質なものに対しても粗面化処理を施すことができるし、薬品に対して耐性のある材料に対しても粗面化処理を施すことができる。
【００７０】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、
上記ウエハを素子形状に分割する前に、上記ダイシングブレードによるハーフダイシングまたはプレダイシングによって、上記透明層の側面の一部または全部を粗面状にする。
【００７１】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記ウエハを素子形状に分割する前に、ダイシングブレードによるハーフダイシングまたはプレダイシングによって、透明層の側面の一部または全部を粗面状にするので、ウエハに含まれた状態であって粗面化処理された発光ダイオードに対して電気的光学的測定検査を行える。つまり、素子形状に非常に近い状態の発光ダイオードの光学的な検査を行える。
【００７２】
なお、上記光学的な検査を行った後、発光ダイオードの粗面化処理を行うと、その検査で検出される輝度と、素子形状（完成状態）の発光ダイオードチップの輝度との相関が悪くなる。
【００７３】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法は、
上記ウエハを素子形状に分割した後、上記透明層の側面の一部または全部を上記ダイシングブレードで粗面状に加工する。
【００７４】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記ウエハを素子形状に分割した後、透明層の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状に加工するから、ウエハを素子形状に分割するときに、ダイシングブレードによる粗面化処理を行わなくてもよく、製造工程の自由度を大きくすることができる。
【００７５】
一実施形態の発光ダイオードの製造方法では、
上記ダイシングブレードの砥粒の粒径が２μｍ以上である。
【００７６】
上記実施形態の発光ダイオードの製造方法によれば、上記ダイシングブレードの砥粒の粒径とチップの出力との間に相関関係があり、その粒径を２μｍ以上とすることにより、発光層の出射光を外部へ取り出する効率が良好な粗面を確実に得ることができる。
【００７７】
また、上記ダイシングブレードによって形成される機械的ダメージ層を除去する場合、ダイシングブレードの砥粒の粒径が４μｍ以上であると、そのダメージ層を除去した後においても、上記ダメージ層を除去する前と同様の粗面状態を維持することができる。
【００７８】
一般に、ダイシングブレードの砥粒はダイヤモンドのような非常に硬度の高いものが使用されており、機械的に粗面状態を形成することになるため、粗面状態の可否、面方位依存性などの影響を受けることなくあらゆる材料に対して粗面状態を容易に形成することができる。
【００７９】
例えばＧａＰ基板であってもダイシングブレードで粗面状態を形成することができる。このＧａＰ基板を透明基板として用い、かつ、ＡｌＧａＩｎＰ層を発光層として用いて、透明基板の側面の一部または全部をダイシングブレードで粗面状にすると、高出力の赤色発光素子が得られる。
【００８０】
当然、上記ダイシングブレードを用いる手法は、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層にＧａＰ基板を設置した場合に限るものではなく、あらゆる透明層を有する発光ダイオード、例えば、サファイア基板上にＧａＮ／ＩｎＧａＮ層を設置した場合、ガラス基板やＳｉＣ基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ層、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ層を設置した場合、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ層（赤色に対して透明な組成を有する）をエピタキシャル成長し、発光層を順次積層した場合等に適用することが可能である。
【発明の効果】
【００８１】
本発明の発光ダイオードは、光放出面を粗面化することで高輝度化を図ることができ、特に透明層が設置された発光ダイオードにおいては材料によらず粗面状態を形成できるため素子の高輝度化を図ることができる。
【００８２】
また、チップ分割後の化学処理を省略することができ、製造工程が簡略化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８３】
以下、本発明の発光ダイオードを図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００８４】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の発光ダイオードのチップの構造の模式図を示す。
【００８５】
上記発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。なお、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５は発光層の一例である。また、上記ｐ型ＧａＰ基板１２は透明層の一例である。また、上記ｐ型ＧａＰコンタクト層１３およびｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４のそれぞれは中間層の一例である。
【００８６】
上記ｐ型ＧａＰ基板１２、ｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７の側面の全部は粗面状に加工されている。
【００８７】
上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７上には、図示しないが、ＡｕＳｉ／Ａｕからなるオーミックコンタクト層が形成されており、そして、このオーミックコンタクト層上にはｎ側ワイヤボンド用パッド電極（ｎ側電極）１８が形成されている。ここでは、上記ｎ側ワイヤボンド用パッド電極１８は略円板形状に形成した。
【００８８】
一方、上記ｐ型ＧａＰ基板１２下には、ＡｕＢｅからなるｐ側オーミックコンタクト層電極１１が形成されている。ここでは、上記ｐ側オーミックコンタクト電極１１はｐ型ＧａＰ基板１２の裏面（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５側の表面とは反対側の表面）にドット状に形成した。
【００８９】
上記構成の発光ダイオードは以下のようにして製造する。
【００９０】
まず、図２Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１９上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０、層厚３μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７、層厚１μｍのｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６、層厚０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、層厚１μｍのｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、層厚３μｍのｐ型ＧａＰコンタクト層１３をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により順次積層する。
【００９１】
次に、図２Ｂに示すように、別に用意したｐ型ＧａＰ基板１２をｐ型ＧａＰコンタクト層１３に接触させて、ｐ型ＧａＰ基板１２に荷重をかけた後、その状態で、ｐ型ＧａＰ基板１２とｐ型ＧａＰコンタクト層１３を水素雰囲気、高温下に置き、接合する。
【００９２】
次に、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１９、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０をアンモニア系のエッチャントで除去する。
【００９３】
次に、図１に示すように、上記ｐ型ＧａＰ基板１２の裏面に、ＡｕＢｅを蒸着法にて堆積して水玉状にパターニングした後、アロイを行う。これにより、上記ＡｕＢｅからなるｐ側オーミック電極１１が得られる。
【００９４】
次に、上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７の表面に、ＡｕＳｉ／Ａｕと、ｎ側ワイヤボンド用パッド電極１８の材料とを蒸着法にて堆積する。このＡｕＳｉ／Ａｕおよび上記材料を略円板形状にパターニングした後、アロイを行う。これにより、上記オーミックコンタクト層及びｎ側ワイヤボント用電極１８が得られる。
【００９５】
次に、上記ｐ型ＧａＰ基板１２、ｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７を含むウエハをダイシングで分割すると、発光ダイオードのチップが得られる。このダイシングは、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードを用いた。
【００９６】
次に、上記ダイシングによる機械的ダメージ層を除去するため、硫酸、過酸化水素、水の混合液でダイシング面をエッチングする。このとき、上記ダメージ層の除去は極薄い層をエッチング除去するだけで十分である。上記ダメージ層の一部である極薄い層をエッチング除去しても、粗面状態は無くならない。このような粗面状態を容易かつ確実に維持する場合は、砥粒の粒径が４μｍよりも大きいダイシングブレードを用いて、ダイシングを行えばよい。この場合は、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードを用いるよりも、光取り出し効果を高くすることができる。
【００９７】
従来は、砥粒の粒径が１μｍ以下のダイシングブレードでダイシングを行うことにより、ダイシングブレードによる研削面を鏡面に近い状態にした後、ＨＣｌ処理またはその希釈溶液によって粗面化処理をしていた。
【００９８】
ダイシングブレードは円板状の基台にダイヤモンド粒等の砥粒を電着等で付けたもので、これを高速回転させて半導体材料をダイシングする。ダイシングブレードの砥粒の粒径が小さいほど、研削面が滑らかに仕上がり材料の欠け（チッピング）が少ない。逆に、砥粒が大きいと、チッピングが起こって、ダイシングブレードで形成したチップの上面の辺部分が欠けてしまう。
【００９９】
図３Ａに、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板１２をダイシングした場合の研削面の状態を示す。また、図３Ｂに、砥粒の粒径が１μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板１２をダイシングした場合の研削面の状態を示す。
【０１００】
図３Ａ，図３Ｂから判るように、ダイシングブレードの粒径によってそのダイシング面（研削面）の状態は大きく変わる。
【０１０１】
こうした粗面化処理は光の取り出し効率を向上するために行われるが、チップ側面に粗面化処理を施していない場合、図４Ａに示すように、チップ内部の発光層からの発光の一部はチップ側面で反射されてチップ内部に閉じ込められ、多重反射を繰り返すうちに結晶内で吸収あるいは減衰するか、または、発光層に再び突入し、そこで吸収される。
【０１０２】
一方、チップの側面を粗面化すると、図４Ｂに示すように、チップ内部の発光層からの発光のチップ側面に対する入射角度が変わり、その光はチップ内部へ反射されずにチップ外部へ出てくる割合が増加し、光の取り出し効率が向上する。
【０１０３】
ＧａＰにおいて（１１１）面と等価な面はＨＣｌ処理における反応速度が遅いため、その等価な面が表面に現れて巨視的に粗面状態になり、微視的には数ｎｍの凹凸が処理面に形成される性質がある。しかも、上記反応速度は極めて遅く、ＨＣｌ処理を長時間行う必要がある。また、発光層はＨＣｌ処理によりエッチングされるので、発光層を保護してからＨＣｌ処理を行う必要が生ずる。また、チップの面方位次第では良好な粗面状態を得ることができない。
【０１０４】
本第１実施形態の場合、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードを使っているので、ダイシングブレードによる研削面に数μｍの凹凸が形成され、その研削面は粗面状態となる。
【０１０５】
砥粒の粒径が４μｍより大きなダイシングブレードを使用した場合、チッピングは少し増加するが、ＨＣｌ処理やチップ表面保護工程の簡略化ができ、生産効率を向上させることができる。
【０１０６】
また、本第１実施形態の発光ダイオードの出力は、化学処理による粗面化チップと同等以上であり問題ない。具体的には、砥粒の粒径が小さいダイシングブレードでダイシングされた後、ダイシングによる機械的ダメージ層の除去が行われなかった発光ダイオードの出力は、６．５ｍＷであった。また、砥粒の粒径が小さいダイシングブレードでダイシングされた後、ダイシングによる機械的ダメージ層の除去が行われた発光ダイオードの出力は、８．０ｍＷであった。そして、本第１実施形態のように、砥粒の粒径が大きいダイシングブレードでダイシングされた後、ダイシングによる機械的ダメージ層の除去が行われなかった発光ダイオードの出力は、８．８ｍＷであった。
【０１０７】
図５Ａに、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでダイシングが行われた発光ダイオードの配向特性のグラフを示す。また、図５Ｂに、砥粒の粒径が１μｍのダイシングブレードでダイシングが行われた発光ダイオードの配向特性のグラフを示す。
【０１０８】
図５Ａ，図５Ｂから判るように、砥粒の粒径が１μｍのダイシングブレードでダイシングが行われた発光ダイオードに比べて、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでダイシングが行われた発光ダイオードの方は、側面から出射される光の成分が増加している。
【０１０９】
そこで、ダイシングブレードの砥粒の粒径と光出力の関係を確認するため、砥粒の粒径が０．５μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍのダイシングブレードを用いて、各ダイシングブレードでダイシングされた発光ダイオードの光出力を確認する実験を行った。
【０１１０】
図６に、上記実験の結果を示す。
【０１１１】
図６から判るように、ダイシングブレードの砥粒の粒径と発光ダイオードの光出力とは相関があり、特に、砥粒の粒径が５μｍ、７μｍのダイシングブレードでダイシングされた発光ダイオードの光出力が向上している。
【０１１２】
以上より、砥粒の粒径がより大きなダイシングブレードを使用すると、発光ダイオードの光出力が向上することが判ったが、砥粒の粒径が８μｍ以上のダイシングブレードを使用した場合、ダイシングブレードの寿命が極端に縮む現象が確認されるため、コスト、生産性を含めると、発光ダイオードの製造時に使用するダイシングブレードの砥粒の粒径は望ましくは２μｍ以上８μｍ以下である。
【０１１３】
上記第１実施形態では、発光ダイオードの側面の全部を粗面状に加工していたが、ｐ型ＧａＰ基板１２の一方の側面の一部だけを粗面状に加工してもよいし、ｐ型ＧａＰ基板１２の側面の一部だけを粗面状に加工してもよい。
【０１１４】
上記第１実施形態では、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５を発光層の一例として用いていたが、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、炭素、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、ホウ素、窒素、酸素及び硫黄の中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなる発光層を用いてもよい。
【０１１５】
上記第１実施形態では、透明層の一例としてｐ型ＧａＰ基板１２を用いていたが、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ、Ｎ、Ｏ及びＳの中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物から透明層を用いてもよい。
【０１１６】
上記第１実施形態の発光ダイオードは、ＡｌＧａＩｎＰ発光層とＧａＰ基板と有する構造であったが、本発明の発光ダイオードはその構造に限定されず、例えば、ＡｌＧａＡｓ発光層とＧａＡｓ基板とを有する構造であってもよい。この構造であっても、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。なお、上記構造の場合、ＧａＡｓ基板はＡｌＧａＡｓ発光層による発光を透過する。
【０１１７】
上記第１実施形態では、ダイシングブレードのみでウエハを複数のチップ（発光ダイオード）に分割していたが、ウエハをダイシングブレードでハーフダイシングまたはプレダイシングした後、ウエハを複数のチップに分割してもよい。
【０１１８】
上記第１実施形態では、ウエハを複数のチップに分割するダイシング工程においてチップの側面を粗面状に加工していたが、ダイシング工程ではチップの側面を粗面状に加工せずに、ダイシング工程後にチップの側面をダイシングブレードで粗面状に加工してもよい。
【０１１９】
（第２実施形態）
図８に、本発明の第２実施形態の発光ダイオードのチップの構造の模式図を示す。
【０１２０】
上記発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１１２、ｐ型ＧａＰコンタクト層１１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７を備えている。なお、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１１５は発光層の一例である。また、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２は透明層の一例である。また、上記ｐ型ＧａＰコンタクト層１１３およびｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１１４のそれぞれは中間層の一例である。
【０１２１】
上記ｐ型ＧａＰ基板１１２において、ｐ型ＧａＰコンタクト層１１３側とは反対側の表面の全部は、粗面状に加工されている。また、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２において、上記表面と略垂直な表面の全部も、粗面状に加工されている。すなわち、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２の天面及び側面の全部は粗面状に加工されている。
【０１２２】
上記ｐ型ＧａＰ基板１１２上にはｐ側ワイヤボンド用パッド電極（ｐ側電極）１１１が形成されている。ここでは、上記ｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１は略円板形状に形成した。また、上記ｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１とｐ型ＧａＰ基板１１２との間には、図示しないが、ＡｕＢｅからなるｐ側オーミックコンタクト層が形成されている。上記ｐ側オーミックコンタクト層はｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１と略同形状となっている。つまり、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２の天面（ｐ型ＧａＰ基板１１２においてｐ型ＧａＰコンタクト層１１３側とは反対側の表面）の一部が、ｐ側オーミックコンタクト層及びｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１で覆われていなくて露出している。
【０１２３】
一方、上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７下には、ＡｕＳｉ／Ａｕからなるｎ側ダイボンド用電極１１８が形成されている。ここでは、上記ｎ側ダイボンド用電極１１８はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７の裏面（ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７においてｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１１６側とは反対側の表面）にドット状に形成した。
【０１２４】
上記構成の発光ダイオードは以下のようにして製造する。
【０１２５】
まず、図９Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１９上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１２０、層厚２０μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７、層厚１μｍのｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１１６、層厚０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１１５、層厚１μｍのｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１１４、層厚３μｍのｐ型ＧａＰコンタクト層１１３をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により順次積層する。
【０１２６】
次に、図９Ｂに示すように、別に用意したｐ型ＧａＰ基板１１２をｐ型ＧａＰコンタクト層１１３に接触させて荷重をかけた後、その状態で水素雰囲気、高温下に置き、ｐ型ＧａＰ基板１１２とｐ型ＧａＰコンタクト層１１３を接合する。
【０１２７】
次に、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１１９、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１２０をアンモニア系のエッチャントで除去する。
【０１２８】
次に、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２の天面（ｐ型ＧａＰ基板１１２においてｐ型ＧａＰコンタクト層１１３側とは反対側の表面）から５μｍ程度の深さまでの部分を削るように、ダイシングブレードを走査する。これにより、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２の天面の全部を粗面化する。ここでは、ブレード幅が５０μｍ、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードを用いた。
【０１２９】
次に、図８に示すように、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２の粗面化された天面に、ＡｕＢｅと、ｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１の材料とを蒸着法にて堆積して、そのＡｕＢｅおよび上記材料を略円板形状にパターニングした後、アロイを行う。これにより、上記ｐ側オーミックコンタクト層及びｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１が得られる。
【０１３０】
次に、上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７の底面（ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７においてｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１１６側とは反対側の表面）にＡｕＳｉ／Ａｕを蒸着法にて堆積する。このＡｕＳｉ／Ａｕを水玉状にパターニングした後、アロイを行う。これにより、上記ｎ側ダイボンド用電極１１８が得られる。
【０１３１】
次に、上記ｐ型ＧａＰ基板１１２、ｐ型ＧａＰコンタクト層１１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１１７を含むウエハをダイシングで分割すると、発光ダイオードのチップが得られる。
【０１３２】
次に、上記ダイシングによる機械的ダメージ層を除去するため、硫酸、過酸化水素、水の混合液によって、発光ダイオードの天面及び側面のダイシング面をエッチングする。このとき、上記ダメージ層の除去は極薄い層をエッチング除去するだけで十分である。
【０１３３】
上記ダイシングブレードは円板状の基台にダイヤモンド粒等の砥粒を電着等で付けたものである。このようなダイシングブレードを高速回転させて半導体材料をダイシングする。上記ダイシングブレードの砥粒の粒径が小さいほど、研削面が滑らかに仕上がり材料の欠け（チッピング）が少ない。逆に、上記ダイシングブレードの砥粒が大きいと、チッピングが起こってしまう。
【０１３４】
図１０Ａに、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す。また、図１０Ｂに、砥粒の粒径が１μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す。
【０１３５】
図１０Ａ，図１０Ｂから判るように、ダイシングブレードの粒径によってそのダイシング面（研削面）の状態は大きく変わる。
【０１３６】
こうした粗面化処理は光の取り出し効率を向上するために行われるが、チップ天面に粗面化処理を施していない場合、図１１Ａに示すように、チップ内部の発光層からの発光の一部はチップ天面で反射されてチップ内部に閉じ込められ、多重反射を繰り返すうちに発光層に再び突入し、そこで減衰される。
【０１３７】
一方、チップの天面を粗面化すると、図１１Ｂに示すように、チップ内部の発光層からの発光のチップ天面に対する入射角度が変わり、その光はチップ内部へ反射されずにチップ外部へ出てくる割合が増加し、光の取り出し効率が向上する。
【０１３８】
本第２実施形態の場合、砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードを使っているので、ダイシングブレードによる研削面に数μｍの凹凸が形成され、その研削面は粗面状態となる。
【０１３９】
また、本第２実施形態の発光ダイオードの出力は、粗面化を行わない場合と比べて向上している。具体的には、発光ダイオードの天面及び側面が鏡面の発光ダイオードの出力は、８．０ｍＷであった。そして、本第２実施形態のように、砥粒の粒径が大きいダイシングブレードによって、天面及び側面が粗面化された発光ダイオードの出力は、８．５ｍＷであった。
【０１４０】
ダイシングブレードの砥粒の粒径と光出力の関係を確認するため、砥粒の粒径が０．５μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍのダイシングブレードを用いて、各ダイシングブレードでダイシングされた発光ダイオードの光出力を確認する実験を行った。
【０１４１】
図１２に、上記実験の結果を示す。
【０１４２】
図１２から判るように、ダイシングブレードの砥粒の粒径と発光ダイオードの光出力とは相関があり、特に、砥粒の粒径が５μｍ、７μｍのダイシングブレードでダイシングされた発光ダイオードの光出力が向上している。
【０１４３】
以上より、砥粒の粒径がより大きなダイシングブレードを使用すると、発光ダイオードの光出力が向上することが判ったが、砥粒の粒径が８μｍ以上のダイシングブレードを使用した場合、ダイシングブレードの寿命が極端に縮む現象が確認されるため、コスト、生産性を含めると、発光ダイオードの製造時に使用するダイシングブレードの砥粒の粒径は望ましくは２μｍ以上８μｍ以下である。
【０１４４】
上記第２実施形態では、発光ダイオードの天面の全部を粗面状に加工していたが、ｐ型ＧａＰ基板１１２の天面の一部だけを粗面状に加工してもよい。具体的には、図１３に示すように、ｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１の形成領域を避けて、ｐ型ＧａＰ基板の天面に粗面領域１２１をダイシングで形成してもよい。この粗面領域１２１を形成した場合、ｐ側ワイヤボンド用パッド電極１１１の平坦性が向上して、良好なワイヤボンド強度を得ることができる。なお、図１３の１２２は鏡面領域である。
【０１４５】
上記第２実施形態では、発光ダイオードの側面及び天面を粗面状に加工していたが、発光ダイオードの天面のみを粗面状にしてもよい。この発光ダイオードの天面のみを粗面状にする場合も、天面の全部を粗面状にしてもよいし、または、天面の一部だけを粗面状してもよい。
【０１４６】
上記第２実施形態では、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１１５を発光層の一例として用いていたが、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、炭素、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、ホウ素、窒素、酸素及び硫黄の中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物からなる発光層を用いてもよい。
【０１４７】
上記第２実施形態では、透明層の一例としてｐ型ＧａＰ基板１１２を用いていたが、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ、Ｎ、Ｏ及びＳの中の少なくとも２つ以上の元素を含む化合物から透明層を用いてもよい。
【０１４８】
上記第２実施形態の発光ダイオードは、ＡｌＧａＩｎＰ発光層とＧａＰ基板と有する構造であったが、本発明の発光ダイオードはその構造に限定されず、例えば、ＡｌＧａＡｓ発光層とＧａＡｓ基板とを有する構造であってもよい。この構造であっても、上記第２実施形態と同様の効果を奏する。なお、上記構造の場合、ＧａＡｓ基板はＡｌＧａＡｓ発光層による発光を透過する。
【０１４９】
上記第２実施形態では、ダイシングブレードのみでウエハを複数のチップ（発光ダイオード）に分割していたが、ウエハをダイシングブレードでハーフダイシングまたはプレダイシングした後、ウエハを複数のチップに分割してもよい。
【０１５０】
上記第２実施形態では、ウエハを複数のチップに分割するダイシング工程においてチップの側面を粗面状に加工していたが、ダイシング工程ではチップの側面を粗面状に加工せずに、ダイシング工程後にチップの側面をダイシングブレードで粗面状に加工してもよい。
【０１５１】
本発明は、上記第１実施形態の記載事項と上記第２実施形態の記載事項とを適宜組み合わせたものであってもよい。
【０１５２】
また、本発明の発光ダイオードは、発光層の側面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されたものであってもよい。
【０１５３】
また、本発明の発光ダイオードは、ガラスやその他の光透過性基板を備えるものであってもよい。
【０１５４】
また、本発明の発光ダイオードは、結晶成長させた光透過性層を備えてもよいし、サファイヤ基板上にエピタキシャル成長させたＩｎＧａＮなどを備えてもよい。
【０１５５】
つまり、本発明は、発光層と、この発光層が出射する光を透過する透明層とを備えるあらゆる構造の発光ダイオードに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の発光ダイオードのチップの構造の模式図である。
【図２Ａ】図２Ａは図１の発光ダイオードのＭＯＣＶＤ結晶成長を説明するための模式図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは図１の発光ダイオードのＧａＰ接合構造の形成を説明するための模式図である。
【図３Ａ】図３Ａは砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは砥粒の粒径が１μｍのブダイシングレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは側面鏡面の発光ダイオード内の光路のイメージ図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは側面粗面の発光ダイオード内の光路のイメージ図である。
【図５Ａ】図５Ａは側面粗面の発光ダイオードの配向特性のグラフである。
【図５Ｂ】図５Ｂは側面鏡面の発光ダイオードの配向特性のグラフである。
【図６】図６はブレード砥粒の粒径の違いによる発光ダイオードの出力の違いを表すグラフである。
【図７】図７は従来の発光ダイオードの構造の模式図である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の発光ダイオードのチップの構造の模式図である。
【図９Ａ】図９Ａは図８の発光ダイオードのＭＯＣＶＤ結晶成長を説明するための模式図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは図８の発光ダイオードのＧａＰ接合構造の形成を説明するための模式図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは砥粒の粒径が４μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは砥粒の粒径が１μｍのダイシングブレードでｐ型ＧａＰ基板をダイシングした場合の研削面の状態を示す図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは天面鏡面の発光ダイオード内の光路のイメージ図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは天面粗面の発光ダイオード内の光路のイメージ図である。
【図１２】図１２はブレード砥粒の粒径の違いによる発光ダイオードの出力の違いを表すグラフである。
【図１３】図１３は天面の一部をダイシングする場合の一形態を示す模式図である。
【図１４】図１４は他の従来の発光ダイオードの構造の模式図である。
【符号の説明】
【０１５７】
１１，３１  ｐ側ダイボンド用電極
１２，３２  ｐ型ＧａＰ基板
１３  ｐ型ＧａＰコンタクト層
１４，３４  ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層
１５，３５  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層
１６，３６  ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層
１７  ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層
１９  ｎ型ＧａＡｓ基板
２０  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１８，３８  ｎ側ワイヤボンド用パッド電極
３７  透明電極用ｎ型ＧａＡｓコンタクト層
３９  透明電極
１１１，２３１  ｐ側ワイヤボンド用パッド電極
１１２，２３２  ｐ型ＧａＰ基板
１１３  ｐ型ＧａＰコンタクト層
１１４，２３４  ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層
１１５，２３５  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層
１１６，２３６  ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層
１１７，２３７  ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層
１１８，２３８  ｎ側ダイボンド用電極
１１９  ｎ型ＧａＡｓ基板
１２０  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
【図１】
2007258672.tif 000003
【図２Ａ】
2007258672.tif 000004
【図２Ｂ】
2007258672.tif 000005
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2007258672.tif 000007
【図４Ａ】
2007258672.tif 000008
【図４Ｂ】
2007258672.tif 000009
【図５Ａ】
2007258672.tif 000010
【図５Ｂ】
2007258672.tif 000011
【図６】
2007258672.tif 000012
【図７】
2007258672.tif 000013
【図８】
2007258672.tif 000014
【図９Ａ】
2007258672.tif 000015
【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
2007258672.tif 000017
【図１０Ｂ】
2007258672.tif 000018
【図１１Ａ】
2007258672.tif 000019
【図１１Ｂ】
2007258672.tif 000020
【図１２】
2007258672.tif 000021
【図１３】
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【図１４】
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