(57)【要約】【課題】回路基板の放熱性を高め、回路素子からの発熱に起因した信頼性の低下を抑制する。【解決手段】この回路基板は、金属板１の上に複数の絶縁層２，４並び導電層３，５からなる配線層２０と、この配線層２０を部分的に覆うように設けられたソルダーレジスト層７と、このソルダーレジスト層７の上に接着層８を介して設けられたＬＳＩチップ９と、このＬＳＩチップ９の下方の領域においてソルダーレジスト層７および接着層８を貫通して設けられた複数の金属突起６ａとを備える。ＬＳＩチップ９の下方の領域の配線層２０には導電層３のサーマルビア部３ａおよび導電層５のサーマルビア部５ａが設けられる。複数の金属突起６ａはサーマルビア部５ａ上にそれぞれ対応する位置に設けられる。ここで、ＬＳＩチップ９は複数の金属突起６ａとこれらサーマルビア部３ａ，５ａを介して金属板１と熱的に結合している。【選択図】図１
2007324330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内からその一端が突出して設けられた複数の金属突起と、
前記絶縁層の表面から露出して設けられたワイヤ接続用電極と、
を備え、
前記金属突起の他端は前記基板と結合している、回路基板。
【請求項２】
前記金属突起の少なくとも一部は第１の金属突起と第２の金属突起とを結合して構成され、
前記絶縁層は第１の絶縁層とこの第１の絶縁層上に設けられた第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層には前記第１の金属突起が設けられ、前記第２の絶縁層には前記第２の金属突起が設けられている請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記金属突起の一端上に設けられた回路素子をさらに備え、
前記回路素子はワイヤ線によって前記ワイヤ接続用電極と電気的に接続されている請求項１または２に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関し、特に、金属板を備えた回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit：大規模集積回路）のさらなる高性能化、高機能化にともない、その消費電力は増加の傾向にある。また、電子機器の小型化にともなって、実装基板にも小型化、高密度化、多層化が求められている。このため、基板の体積当たりの消費電力（熱密度）は上昇し、その放熱対策の必要性が高まっている。このため、回路基板として高い放熱性を有する金属板を用いるとともに、その金属板上にＬＳＩなどの回路素子を装着している（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１１は上記特許文献１に開示された従来の回路基板の構造を概略的に示した断面図である。図１１に示されるように、従来の回路基板は、金属板１０１と、金属板１０１上に設けられた複数の樹脂層（絶縁層）１０２，１０４並び導電層１０３，１０５からなる配線層１２０と、配線層１２０上に設けられたソルダーレジスト層１０６ａと、ソルダーレジスト層１０６ａ上に樹脂層（接着層）１０６を介して搭載されたＬＳＩチップ（回路素子）１０９とを備える。ここで、ＬＳＩチップ１０９の下方の領域には、ＬＳＩチップ１０９から発生した熱を導電層１０３に伝導するためのサーマルビア部１０５ａと、導電層１０５の熱を金属板１０１に伝導するためのサーマルビア部１０３ａとを有している。
【０００４】
図１１に示した従来の回路基板では、ＬＳＩチップ１０９で発生した熱はこれらサーマルビア部１０３ａ，１０５ａを有する配線層１２０を介して金属板１０１に伝導されるので、ＬＳＩチップ１０９から多量の熱が発生したとしても、その熱を金属板１０１により放熱することが可能となる。
【０００５】
さらに近年では、ＬＳＩチップからの熱をより効果的に金属板に放熱することが求められている。このため、回路素子からの熱を金属板に効率的に逃がすのに、回路素子と金属板との間の伝熱経路の熱伝導率を高めることが必要となる。この解決策の１つとして、配線層１２０上に設けられたソルダーレジスト層１０６ａや樹脂層（接着層）１０６に対して熱伝導率を高くするためのフィラーを添加する手法がある。
【特許文献１】特開２００５−３４０５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記手法では、添加するフィラーの種類、粒径（寸法）や添加量などを調整しても熱伝導率の向上には一定の限界があった。
【０００７】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、その目的は、回路基板の放熱性を高め、回路素子からの発熱に起因した信頼性の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る回路基板は、基板と、基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層内からその一端が突出して設けられた複数の金属突起と、絶縁層の表面から露出して設けられたワイヤ接続用電極と、を備え、金属突起の他端は基板と結合していることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、金属突起の一端上に回路素子を設けた場合、回路素子から発生する熱が複数の金属突起を介して基板に伝導するようになるので、従来の金属突起を設けない場合に比べ、回路素子からの熱を基板へ放熱する際の熱抵抗が減少する。このため、回路基板としての放熱性が向上する。
【００１０】
上記構成において、金属突起の少なくとも一部は第１の金属突起と第２の金属突起とを結合して構成され、絶縁層は第１の絶縁層とこの第１の絶縁層上に設けられた第２の絶縁層とを含み、第１の絶縁層には第１の金属突起が設けられ、第２の絶縁層には第２の金属突起が設けられていてもよい。この場合にも、回路素子から発生する熱が第１の金属突起および第２の金属突起を含む金属突起を介して基板に伝導するようになる。このため、従来の金属突起を設けない場合に比べ、回路基板としての放熱性が向上する。
【００１１】
上記構成において、金属突起の一端上に設けられた回路素子をさらに備え、回路素子はワイヤ線によってワイヤ接続用電極と電気的に接続されていてもよい。この場合、回路素子から発生する熱が複数の金属突起を介して基板に伝導するようになるので、回路素子からの発熱に起因する信頼性低下を抑制した回路基板が容易に提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、回路素子からの発熱に起因した信頼性低下を抑制した回路基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図である。図１に基づいて第１実施形態の回路基板について説明する。
【００１４】
第１実施形態の回路基板は、金属板１と、複数の絶縁層２，４並び導電層３，５からなる配線層２０と、金属突起６ａと、ソルダーレジスト層７と、接着層８と、ＬＳＩチップ９と、ワイヤ線１０と、及び封止樹脂層１１とを備えている。
【００１５】
金属板１は、たとえば、約１．５ｍｍの厚みを有する銅（Ｃｕ）基板を用いる。なお、この金属板１は本発明の「基板」の一例である。
【００１６】
配線層２０は、金属板１の上に形成されており、絶縁層２，４と導電層３，５とが交互に２回積層された構造を有する。具体的な配線層２０の構造は以下の通りである。
【００１７】
金属板１の上面上に１層目の絶縁層２および導電層３が順次形成されている。この絶縁層２にはエポキシ樹脂を主成分とする膜が採用され、その厚さは、たとえば、約５５μｍである。絶縁層２は回路基板の放熱性向上の観点から高熱伝導性を有することが望ましい。このため、絶縁層２は、銀、ビスマス、銅、アルミニウム、マグネシウム、錫、亜鉛およびこれらの合金などやシリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの高熱伝導性フィラーを含有することが好ましい。たとえば、アルミナやシリカなどのフィラーが添加されたエポキシ樹脂の熱伝導率は、約２Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、フィラーが添加されていないエポキシ樹脂の熱伝導率（約０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ））よりも高い。
【００１８】
絶縁層２にはＬＳＩチップ９の下方に位置する所定領域に、約７０μｍの直径（ビア径）を有するとともに、厚み方向に貫通する４つのビアホール２ａが形成されている。そして、絶縁層２上の所定領域には、サーマルビア部３ａと配線部３ｂ，３ｃとを含む１層目の銅からなる導電層３が形成されている。導電層３の膜厚は、たとえば、約２５μｍである。導電層３のサーマルビア部３ａは、ＬＳＩチップ９の下方の領域に配置されているとともに、金属板１の表面に接触するようにビアホール２ａ内に埋め込まれた部分を有する。この導電層３のサーマルビア部３ａは金属板１に熱を放熱する機能を有する。なお、ビアホール２ａ内に導電層３が埋め込まれた状態での絶縁層２の熱伝導率は約６Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜約８Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。また、導電層３の配線部３ｂ，３ｃはＬＳＩチップ９およびサーマルビア部３ａの周辺領域に配置されている。
【００１９】
次に、２層目の絶縁層４および導電層５が順次形成されている。２層目の絶縁層４は、絶縁層２と同じ組成を有する材料が採用され、導電層３を覆うように形成されている。絶縁層４の膜厚は、たとえば、約５５μｍである。絶縁層４にはＬＳＩチップ９の下方に位置する領域に、約７０μｍの直径を有するとともに、厚み方向に貫通する４つのビアホール４ａが形成されている。この４つのビアホール４ａはそれぞれ絶縁層２に形成された４つのビアホール２ａに対応する位置に形成されている。また、絶縁層４には、導電層３の配線部３ｂおよび３ｃに対応する領域に、約７０μｍの直径（ビア径）を有するとともに、絶縁層４を厚み方向に貫通するビアホール４ｂ，４ｃが形成されている。このビアホール４ｂ，４ｃは上下配線層を電気的に接続するコンタクトホールとしての機能を有する。そして、絶縁層４上の所定領域には、サーマルビア部５ａと配線部５ｂ〜５ｄとを含む２層目の導電層５が形成されている。導電層５の膜厚は、たとえば、約２０μｍである。導電層５には１層目の導電層３と同じ材料が採用されている。また、サーマルビア部５ａの４つのビアホール４ａに充填された部分は導電層３のサーマルビア部３ａの上面に接触している。この導電層５のサーマルビア部５ａはＬＳＩチップ９で発生した熱を導電層３のサーマルビア部３ａに伝導して放熱する機能を有する。また、導電層５の配線部５ｂ，５ｃのビアホール４ｂ，４ｃに充填された部分は導電層３の配線部３ｂ，３ｃの表面にそれぞれ接触している。なお、導電層５の配線部５ｂ，５ｃは本発明の「ワイヤ接続用電極」の一例である。
【００２０】
以上により、金属板１の上に２層構造の配線層２０が設けられた配線基板３０部分が構成される。なお、導電層３のサーマルビア部３ａおよび導電層５のサーマルビア部５ａからなる部分が配線層２０を貫通する伝熱部６ｂに相当する。
【００２１】
金属突起６ａはソルダーレジスト層７および接着層８を貫通するように設けられている。この金属突起６ａの一端上にはＬＳＩチップ９が直に接するように搭載されている。このようにすることで、金属突起６ａの一端とＬＳＩチップ９とは熱的に結合した状態となる。図２は図１に示した回路基板の金属突起のレイアウトを表す平面図である。金属突起６ａは約７０μｍの直径（ビア径）を有する丸型に設けられ、複数の金属突起６ａのそれぞれは正方格子状に並べられている。金属突起間のピッチは約１４０μｍとしている。複数の金属突起６ａは上記配線層２０における導電層５のサーマルビア部５ａの上にそれぞれ対応する位置に設けられている。このようにすることで、金属突起６ａの他端とサーマルビア部５ａとは熱的に結合した状態、すなわち、金属突起６ａの他端と配線層２０を貫通する伝熱部６ｂとが熱的に結合された状態となる。なお、金属突起として丸型のものを採用したが、四角形などの多角形であってもよく、またそれらを組み合わせてもよい。また、金属突起の寸法もすべて同一の寸法である必要はなく、必要に応じて複数の寸法の金属突起を組み合わせてもよい。
【００２２】
ソルダーレジスト層７は、配線層２０の表面（絶縁層４と導電層５）を覆うように、導電層５の所定の部分（ＬＳＩチップ９とのワイヤボンディング接続に対応する部分）に開口部を有するように形成されている。このソルダーレジスト層７は、配線層２０（特に導電層５）の保護膜として機能する。ソルダーレジスト層７は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が採用され、その膜厚は、たとえば、約２５μｍである。また、ソルダーレジスト層７にＳｉＯ２などのフィラーを添加してもよい。なお、配線層２０およびこのソルダーレジスト層７は本発明の「絶縁層」の一例である。
【００２３】
ＬＳＩチップ９は、複数の金属突起６ａの一端上に直に接して設けられ、このＬＳＩチップ９とソルダーレジスト層７との間に設けられた約５０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂からなる接着層８によって固定されている。なお、ＬＳＩチップ９は本発明の「回路素子」の一例である。
【００２４】
ワイヤ線１０は、金線やアルミ線などが採用され、配線層２０（金属突起６ａ）の上に搭載されたＬＳＩチップ９と導電層５（配線部５ｂ，５ｃ）とを電気的にワイヤボンディング接続している。
【００２５】
封止樹脂層１１は、配線層２０（金属突起６ａ）の上に搭載されたＬＳＩチップ９を封止し、ＬＳＩチップ９を外界からの影響から保護している。封止樹脂層１１の材料は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性の絶縁樹脂である。なお、封止樹脂層１１中には熱伝導性を高めるためのフィラーが添加されていてもよい。
（製造方法）
図３〜図６は、図１に示した本実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１、図３〜図６を参照して、本実施形態による回路基板の製造プロセスについて説明する。
【００２６】
まず、図３（Ａ）に示すように、約１．５ｍｍの厚みを有する金属板１を用意する。この金属板１上に絶縁層２と銅箔３ｚからなる積層膜を圧着することによって、約５５μｍの厚みを有する絶縁層２と約１０μｍの厚みを有する銅箔３ｚを形成する。絶縁層２には先に示したエポキシ樹脂を主成分とする膜が採用される。
【００２７】
図３（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてビアホール２ａ（図１参照）の形成領域に位置する銅箔３ｚを除去する。これにより、絶縁層２のビアホール２ａの形成領域が露出される。
【００２８】
図３（Ｃ）に示すように、銅箔３ｚの上方から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁層２の露出した表面から金属板１の表面に達するまでの領域を除去する。これにより、絶縁層２に、約７０μｍの直径を有し、絶縁層２を貫通する４つのビアホール２ａを形成する。
【００２９】
図３（Ｄ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔３ｚの表面およびビアホール２ａの内面上に銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔３ｚの表面およびビアホール２ａの内部に銅をめっきする。なお、本実施形態では、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔３ｚの表面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール２ａの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール２ａの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール２ａ内に銅を埋め込むことができる。その結果、図３（Ｄ）に示すように、絶縁層２上に約２５μｍの厚みを有する導電層３が形成されるとともに、ビアホール２ａ内に導電層３が埋め込まれる。
【００３０】
図３（Ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、導電層３をパターニングする。これにより、サーマルビア部３ａと配線部３ｂ，３ｃとを含む所定の配線パターンを有する導電層３が形成される。
【００３１】
次に、図４（Ａ）に示すように、１層目の導電層３が形成された金属板１上に、絶縁層４と銅箔５ｚからなる積層膜を圧着することによって、約５５μｍの厚みを有する絶縁層４と約１０μｍの厚みを有する銅箔５ｚを形成する。絶縁層４には、絶縁層２と同じ組成を有する材料が採用される。
【００３２】
図４（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてビアホール４ａ〜４ｃ（図１参照）の形成領域に位置する銅箔５ｚを除去する。これにより、絶縁層４のビアホール４ａ〜４ｃの形成領域が露出される。
【００３３】
図４（Ｃ）に示すように、銅箔５ｚの上方から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁層４の露出した表面から導電層３の表面に達するまでの領域を除去する。これにより、絶縁層４に、約７０μｍの直径（ビア径）を有し、絶縁層４を貫通するビアホール４ａ〜４ｃを形成する。
【００３４】
図４（Ｄ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔５ｚの表面およびビアホール４ａ〜４ｃの内面上に銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔５ｚの上面およびビアホール４ａ〜４ｃの内部にめっきする。この際、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔５ｚの表面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール４ａ〜４ｃの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール４ａ〜４ｃの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール４ａ〜４ｃ内に銅を埋め込むことができる。その結果、絶縁層４上に約２０μｍの厚みを有する導電層５が形成されるとともに、ビアホール４ａ〜４ｃ内に導電層５が埋め込まれる。
【００３５】
次に、図５（Ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて導電層５をパターニングする。これにより、複数のサーマルビア部５ａと配線部５ｂ〜５ｄとを含む所定の配線パターンを有する導電層５が形成される。この結果、金属板１上に絶縁層２，４と導電層３，５とが交互に２回積層された配線層２０が形成される。なお、この配線層２０には、導電層３のサーマルビア部３ａと導電層５のサーマルビア部５ａからなる伝熱部６ｂが形成されている。
【００３６】
図５（Ｂ）に示すように、金属突起６ａ（図１参照）の形成領域に位置する部分に開口部を有するレジストマスク（図示せず）を形成した後、電解めっき法によりこの開口部に銅からなる金属突起６ａを選択的に形成する。その後、レジストマスクを除去することにより、図５（Ｂ）に示したように、導電層５のサーマルビア部５ａの上に複数の金属突起６ａが形成される。金属突起６ａの高さは、たとえば、約７５μｍとした。これにより、
金属突起６ａの他端が導電層５のサーマルビア部５ａと直に結合した状態となる。なお、金属突起６ａの配置に関しては先に図２を参照して述べた通りである。
【００３７】
図５（Ｃ）に示すように、配線層２０の表面（絶縁層４と導電層５）を覆うように、導電層５の所定の部分（ＬＳＩチップ９とのワイヤボンディング接続に対応する部分）に開口部を有するようにソルダーレジスト層７を形成する。ソルダーレジスト層７には先に示した材料を採用している。ソルダーレジスト層７の膜厚は、たとえば、約２５μｍである。以上の工程により、ソルダーレジスト層７内から複数の金属突起６ａの一端が突出した状態となる。
【００３８】
次に、図６（Ａ）に示すように、複数の金属突起６ａ上にＬＳＩチップ９を直に接するように装着する。この際、ＬＳＩチップ９は、このＬＳＩチップ９とソルダーレジスト層７との間に約５０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂からなる接着層８を塗布形成することによって固定される。なお、ＬＳＩチップ９としてはその上面にパッド電極（図示せず）を備えている。
【００３９】
図６（Ｂ）に示すように、ワイヤ線１０を用いてＬＳＩチップ９のパッド電極と導電層５とをワイヤボンディング接続する。これにより、ＬＳＩチップ９と配線層２０（導電層５）とが電気的に接続される。
【００４０】
最後に、図１に示すように、配線層２０（金属突起６ａ）上に設けられたＬＳＩチップ９を保護するために、ＬＳＩチップ９を覆うようにエポキシ樹脂からなる封止樹脂層１１を形成する。
【００４１】
これらの工程により、第１実施形態の回路基板を得ることができる。
【００４２】
以上説明した第１実施形態の回路基板によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）ＬＳＩチップ９から発生する熱が複数の金属突起６ａを介して配線層２０（金属板１）に伝導するようになるので、従来の金属突起を設けない場合に比べ、ＬＳＩチップ９からの熱を配線層２０（金属板１）へ放熱する際の熱抵抗が減少する。このため、回路基板としての放熱性が向上する。
（２）金属突起６ａの他端が配線層２０を貫通して金属板１の表面に接触するように設けられた伝熱部６ｂと熱的に結合したことで、ＬＳＩチップ９からの熱が金属突起６ａおよび伝熱部６ｂを介して金属板１に伝導することになるので、回路基板としての放熱性が向上する。
（３）ＬＳＩチップ９から発生する熱が複数の金属突起６ａおよび伝熱部６ｂを介して金属板１に伝導するようになるので、ＬＳＩチップ９からの発熱に起因する信頼性低下を抑制した回路基板が容易に提供される。
（４）金属突起６ａとＬＳＩチップ９との接続面を配線層２０の最上層となる導電層５よりも上側に位置するようにしたことで、金属突起６ａを接地した場合には、ＬＳＩチップ９からのノイズを金属突起６ａにより吸収し、低減することができる。このため、ＬＳＩチップ９近傍に設けられた導電層５への影響（たとえば、ＬＳＩチップ９近傍の導電層５と電磁的に干渉して回路基板の動作性能に変動を生じさせる）を抑制することができる。特に、ＬＳＩチップ９の下方領域に導電層５を設ける場合には、その周囲を複数の金属突起６ａが取り囲むので、ノイズ抑制効果を顕著に享受することができる。また、これとは反対に導電層５からＬＳＩチップ９への影響も同様に抑制することができる。
（５）複数の金属突起６ａ（および伝熱部６ｂ）を正方格子状に並べて均一に配置したことにより、ＬＳＩチップ９に局所的な発熱箇所が存在する場合でも熱を効率的に配線層２０（金属板１）に放熱することが可能となる。
（６）複数の金属突起６ａを正方格子状に並べて均一に配置したことにより、ＬＳＩチップ９と金属突起６ａとの界面に接着層８の残膜が介在することが抑制されるため、ＬＳＩチップ９と金属突起６ａとをより確実に結合した状態とすることができる。
（７）ＬＳＩチップ９との熱的な結合を複数の金属突起６ａにより行い、個々の金属突起６ａの周囲に接着層８を設けたことにより、金属突起６ａとＬＳＩチップ９との密着性が向上するので、回路基板の信頼性が向上する。
（８）金属突起６ａおよび導電層５を同一の材料により構成したことで、金属突起６ａおよび導電層５を同一のプロセス（電解めっき法）を用いて形成することができるので、放熱性の向上した回路基板を容易に形成することができる。
（第２実施形態）
図７は本発明の第２実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属突起６ａ１部分が導電層５（サーマルビア部５ａ１）と一体的に形成されていることである。それ以外については、先の第１実施形態と同様である。
【００４３】
まず、先の図４（Ｃ）において絶縁層４にビアホール４ａ〜４ｃが形成された構造体を用意する。
【００４４】
次に、図８（Ａ）に示すように、先の図４（Ｄ）における導電層５の形成工程と同様の手法で絶縁層４上に約７５μｍの厚みを有する導電層５を形成する。
【００４５】
図８（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて第１回目の導電層５のエッチングを行い、金属突起６ａ１を形成する。金属突起６ａ１の高さはエッチング量により制御され、この場合には、突起電極６ａ１の高さが約５５μｍとなるようにエッチングしている。
【００４６】
図８（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて第２回目の導電層５のエッチングを行い、サーマルビア部５ａ１と配線部５ｂ１〜５ｄ１とを含む所定の配線パターンを有する導電層５をパターニング形成する。この結果、サーマルビア部５ａ１と金属突起６ａ１とが一体的に形成された導電層５が形成される。
【００４７】
これ以降の形成工程は、先に示した図５（Ｃ）以降の工程と同様である。これらの工程を経た結果、第２実施形態の回路基板を得ることができる。
【００４８】
この第２実施形態の回路基板によれば、先に示した第１実施形態での効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（９）金属突起６ａ１が導電層５のサーマルビア部５ａ１と一体的に形成されているので、ＬＳＩチップ９からの熱が金属突起６ａ１を介して伝導する際、これに伴う応力に起因した金属突起６ａ１とサーマルビア部５ａ１との界面での剥離が生じない。このため、回路基板としての信頼性が向上する。
【００４９】
なお、上記実施形態では、金属板１に対して複数の金属突起６ａをそれぞれ独立した状態での例を示したが、本発明はこれに限らず、金属突起６ａ同士が部分的に接続されていてもよい。たとえば、図９に示すように、絶縁層２および絶縁層４の上面上に設けたサーマルビア部３ａ１およびサーマルビア部５ａ２をそれぞれ一体的に設けてもよい。この場合、伝熱部６ｂ１としてもより一体化されるため、ＬＳＩチップ９と金属板１との熱的な結合がより増強されるので、回路基板としての放熱性がさらに向上する。
【００５０】
上記実施形態では、金属突起６ａはソルダーレジスト層７と接着層８とを貫通して設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、図１０に示すように、ＬＳＩチップ９の搭載領域にソルダーレジスト層７ａを設けず、金属突起６ａ２が接着層８ａのみを貫通するように設けてもよい。この場合、ＬＳＩチップ９と配線層２０（金属板１）との間隔をより短くすることができるので、両者間の熱的な結合がより増強され、回路基板としての放熱性がさらに向上する。
【００５１】
上記実施形態では、金属突起６ａとＬＳＩチップ９とがすべて接続した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、金属突起の少なくとも一部がＬＳＩチップ９と接続されていればよい。この場合、その部分において金属突起を介して熱が放熱されるので、少なくとも上記（１）〜（３）の効果を享受することができる。
【００５２】
上記実施形態では、金属突起６ａの直下に、導電層３のサーマルビア部３ａおよび導電層５のサーマルビア部５ａを設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、導電層３もしくは導電層５を引き回すことによって金属突起６ａの直下以外（たとえば、ＬＳＩチップ９の周辺近傍）に設けられていてもよい。この場合、放熱経路に関する設計レイアウトの自由度が向上するので、回路基板の低コスト化を実現できる。
【００５３】
上記実施形態では、金属板１として銅単層板を適用したが、たとえば、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成されていてもよい。この場合、下層金属層、中間金属層、上層金属層の厚みを調整することにより、これら積層金属板の熱膨張係数を制御することができる。これにより、金属板の熱膨張係数が絶縁層の熱膨張係数に近づくように、各金属層の厚みを調節すれば、金属板と絶縁層との間の熱膨張係数差に起因して、配線層（絶縁層）が金属板から剥離するのを抑制することができる。
【００５４】
上記実施形態では、２層構造の配線層２０における例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、単層構造あるいは３層以上の構造を有する配線層にも適用可能である。
【００５５】
上記実施形態では、ＬＳＩチップが装着された回路基板に本発明を適用したが、本発明はこれに限らず、ＬＳＩチップ以外の回路素子が装着された回路基板にも適用可能である。たとえば、キャパシタや抵抗などの受動素子であってもよい。
【００５６】
上記実施形態では、金属突起６ａが配線層２０内に設けられた伝熱部６ｂと結合した例を示したが、本発明はこれに限らず、金属突起６ａと金属板１とを直に結合するようにしてもよい。また、金属突起６ａが金属板１と直に結合するものと、伝熱部６ｂを介して結合するものとを組み合わせてもよい。
【００５７】
上記実施形態では、金属板１の一方の面側に金属突起６ａ（配線層２０およびＬＳＩチップ９を含む）を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、金属板１の他方の面側を含む両側に金属突起をそれぞれ設け、各金属突起の上にＬＳＩチップを搭載していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図である。
【図２】図１に示した回路基板の金属突起のレイアウトを表す平面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）図７に示した第２実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】第１実施形態の第１変形例に係る回路基板の概略断面図である。
【図１０】第１実施形態の第２変形例に係る回路基板の概略断面図である。
【図１１】従来の回路基板の構造を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・金属板、２・・・絶縁層、３・・・導電層、３ａ・・・サーマルビア部、３ｂ，３ｃ・・・配線部、４・・・絶縁層、５・・・導電層、５ａ・・・サーマルビア部、５ｂ〜５ｄ・・・配線部、６ａ・・・金属突起、６ｂ・・・伝熱部、７・・・ソルダーレジスト層、８・・・接着層、９・・・ＬＳＩチップ、１０・・・ワイヤ線、１１・・・封止樹脂層、２０・・・配線層、３０・・・配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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