(57)【要約】【課題】  フォトダイオードの分割数を増やした場合であっても回路規模の増大を抑え、高集積化、チップの低コスト化に好適な光電流検出回路及び光電流検出モジュールを提供する。【解決手段】  フォトダイオード101-１と、非反転入力端子に前記フォトダイオードの一方の端子が接続され、反転入力端子と出力端子とが接続された演算増幅器104-１と、一方の端子が前記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、他方の端子が定電圧源107 に接続されたコンデンサ108-１と、該コンデンサの両端子間に接続された第２のスイッチ素子106-１と、前記フォトダイオードの他方の端子に一方の端子が接続され、前記演算増幅器の反転入力端子に他方の端子が接続された第１のスイッチ素子103-１とを備えて光電流検出回路を構成する。【選択図】        図  １
2007033109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードと、非反転入力端子に前記フォトダイオードの一方の端子が接続され、反転入力端子と出力端子とが接続された演算増幅器と、一方の端子が前記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、他方の端子が定電圧源に接続されたコンデンサと、前記コンデンサの両端子間に接続された第１のスイッチと、前記フォトダイオードの他方の端子に一方の端子が接続され、前記演算増幅器の反転入力端子に他方の端子が接続された第２のスイッチとを有する光電流検出回路。
【請求項２】
前記フォトダイオードの両端子間に接続された第３のスイッチを更に備えていることを特徴とする請求項１に係る光電流検出回路。
【請求項３】
フォトダイオードと、非反転入力端子に前記フォトダイオードの一方の端子が接続され、反転入力端子と出力端子とが接続された演算増幅器と、一方の端子が前記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、他方の端子が定電圧源に接続されたコンデンサと、前記コンデンサの両端子間に接続された第１のスイッチと、前記フォトダイオードの他方の端子に一方の端子が接続され、前記演算増幅器の反転入力端子に他方の端子が接続された第２のスイッチとを有する光電流検出回路が複数配列されてなる光電流検出部と、外部出力端子に前記光電流検出部を構成する複数の光電流検出回路の各演算増幅器の出力端子を選択的に接続する選択回路とを有する光電流検出モジュール。
【請求項４】
前記フォトダイオードの両端子間に接続された第３のスイッチを更に備えていることを特徴とする請求項３に係る光電流検出モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カメラ等に利用されるフォトダイオードを備えた測光装置等に用いる光電流検出回路及び光電流検出モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトダイオードからの光電流を検出する光電流検出回路として、特開２００２−１９９２９２号公報に開示されている信号転送装置で用いられている光電流検出回路がある。図４にその公報開示の光電流検出回路の一例を示す。図４に示す光電流検出回路において、401-１〜401-３は図示しないフォトダイオード等の光電変換素子が接続される入力端子であり、前記入力端子401-１〜401-３は、非反転入力端子が電圧源402 に接続された演算増幅器403-１〜403-３の反転入力端子に各々接続されている。また、前記演算増幅器403-１〜403-３の反転入力端子と出力端子間には、第１の制御装置404 より出力される積分信号で制御されるスイッチ素子405-１〜405-３，及び積分コンデンサ406-１〜406-３がそれぞれ接続されている。
【０００３】
また、前記演算増幅器403-１〜403-３の出力端子は、第２の制御装置407 より出力されるホールド信号で制御されるスイッチ素子408-１〜408-３の一方の端子に接続されている。また前記スイッチ素子408-１〜408-３の他方の端子は、一端が接地されたホールドコンデンサ409-１〜409-３の他端と、反転入力端子と出力端子が接続された、すなわちボルテージフォロワ接続された演算増幅器410-１〜410-３の非反転入力端子とに、各々接続されている。
【０００４】
前記演算増幅器410-１〜410-３の各出力端子は、シフトレジスタ411 で制御されるスイッチ素子412-１〜412-３の一方の端子に各々接続され、前記スイッチ素子412-１〜412-３の他方の端子は共通に接続されて、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器413 を介して、信号出力端子414 に接続されている。
【０００５】
そして、図４において、前記演算増幅器403-１〜403-３，前記スイッチ素子405-１〜405-３及び前記積分コンデンサ406-１〜406-３とで構成される回路が、図示しない光電変換素子からの光電流を積分し電圧信号に変換する積分回路415-１〜415-３であり、前記スイッチ素子408-１〜408-３，前記ホールドコンデンサ409-１〜409-３及び前記演算増幅器410-１〜410-３で構成される回路が、前記積分回路415-１〜415-３からの出力信号をホールドするホールド回路416-１〜416-３である。
【０００６】
次に、上記のように構成された光電流検出回路の動作について説明する。入力端子401-１〜401-３に接続された図示しない光電変換素子で受光された光信号は、各々電流信号、すなわち光電流に変換され、前記積分回路415-１〜415-３に伝達される。前記光電流は、第１の制御装置404 から出力される積分信号で制御されるスイッチ素子405-１〜405-３が開くと同時に、積分コンデンサ406-１〜406-３に各々蓄積されて電圧信号に変換され、前記電圧信号は、閉成されているスイッチ素子408-１〜408-３を介して、ホールド回路416-１〜416-３のホールドコンデンサ409-１〜409-３の各々蓄えられる。
【０００７】
前記ホールドコンデンサ409-１〜409-３に各々蓄えられた電圧信号は、第２の制御装置407 より出力されるホールド信号で制御されるスイッチ素子408-１〜408-３が開くと同時に、該ホールドコンデンサ409-１〜409-３に保持される。前記ホールドコンデンサ409-１〜409-３に保持された電圧信号は、シフトレジスタ411 により制御されるスイッチ素子412-１〜412-３の開閉により、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器413 を介して、順次信号出力端子414 に出力される。
【特許文献１】特開２００２−１９９２９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、被写界を複数の領域に分割し、それぞれの領域毎の輝度信号を用いて測光を行う、いわゆる多分割測光が多くのカメラで用いられている。多分割測光では、被写界からより多くの正確な輝度情報を得るためには、フォトダイオードの分割数が多いほど有利である。
【０００９】
ところで、上述した従来の光電流検出回路においては、フォトダイオード１個に対して、それぞれ積分回路、及びホールド回路が必要となる。そのため、フォトダイオードの分割数、すなわちフォトダイオード数の増加に伴い回路規模が大きくなり、結果としてチップ面積が増大し、高集積化、チップのコストダウンには不向きである。
【００１０】
本発明は、従来の光電流検出回路における上記課題を解決するためになされたものであり、フォトダイオードの分割数を増やした場合であっても回路規模の増大を抑え、高集積化、チップの低コスト化に好適な光電流検出回路及び光電流検出モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、フォトダイオードと、非反転入力端子に前記フォトダイオードの一方の端子が接続され、反転入力端子と出力端子とが接続された演算増幅器と、一方の端子が前記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、他方の端子が定電圧源に接続されたコンデンサと、前記コンデンサの両端子間に接続された第１のスイッチと、前記フォトダイオードの他方の端子に一方の端子が接続され、前記演算増幅器の反転入力端子に他方の端子が接続された第２のスイッチとを備えて光電流検出回路を構成するものである。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る光電流検出回路において、前記フォトダイオードの両端子間に接続された第３のスイッチを更に備えていることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項３に係る発明は、フォトダイオードと、非反転入力端子に前記フォトダイオードの一方の端子が接続され、反転入力端子と出力端子とが接続された演算増幅器と、一方の端子が前記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、他方の端子が定電圧源に接続されたコンデンサと、前記コンデンサの両端子間に接続された第１のスイッチと、前記フォトダイオードの他方の端子に一方の端子が接続され、前記演算増幅器の反転入力端子に他方の端子が接続された第２のスイッチとを有する光電流検出回路が複数配列されてなる光電流検出部と、外部出力端子に前記光電流検出部を構成する複数の光電流検出回路の各演算増幅器の出力端子を選択的に接続する選択回路とを備えて光電流検出モジュールを構成するものである。
【００１４】
請求項４に係る発明は、請求項３に係る光電流検出モジュールにおいて、前記フォトダイオードの両端子間に接続された第３のスイッチを更に備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係る発明によれば、第１及び第２のスイッチを制御することにより、コンデンサを、フォトダイオードからの光電流の積分及びホールドする兼用の素子として機能させることが可能となるので、光電流検出回路の規模を削減でき、チップの高集積、低コスト化を図ることができる。また請求項２に係る発明によれば、請求項１に係る光電流検出回路において、更に、ホールド動作時、フォトダイオードの一端をフォトダイオードの他端と接続してフォトダイオードを短絡することにより、ホールド動作時にフォトダイオードで発生している光電流の迷走を防ぐことができる。また請求項３に係る発明によれば、第１及び第２のスイッチを制御することにより、コンデンサを、フォトダイオードからの光電流の積分及びホールドする兼用の素子として機能させることが可能となるので、光電流検出部を構成する複数の各光電流検出回路の規模を削減でき、チップの高集積、低コスト化を図ることが可能な光電流検出モジュールを実現できる。また請求項４に係る発明によれば、請求項３に係る光電流検出モジュールにおいて、更に、ホールド動作時、フォトダイオードの一端をフォトダイオードの他端と接続してフォトダイオードを短絡することにより、ホールド動作時にフォトダイオードで発生している光電流の迷走を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例】
【００１７】
まず、実施例１について説明する。図１は、本発明に係る光電流検出回路及び光電流検出モジュールの実施例１の構成を示す回路構成図である。本実施例に係る光電流検出モジュール100 は、図１に示すように、光信号を電流信号に変換するフォトダイオード101-ｘ（ｘ＝１，２，・・・，ｎで、以下同じ）のカソード端子は、第１の制御装置102 により制御される第１のスイッチ素子（各請求項の第２のスイッチに対応する）103-ｘの一方の端子に接続され、前記フォトダイオード101-ｘのアノード端子は、反転入力端子が出力端子及び前記第１のスイッチ素子103-ｘの他方の端子にそれぞれ接続された、演算増幅器104-ｘの非反転入力端子に接続されている。
【００１８】
また、前記演算増幅器104-ｘの該非反転入力端子には、第２の制御装置105 により制御される第２のスイッチ素子（各請求項の第１のスイッチに対応する）106-ｘが並列に接続され、且つ一方の端子が定電圧源107 に接続されたコンデンサ108-ｘの他方の端子が接続されている。前記演算増幅器104-ｘの各々の出力端子は、シフトレジスタ109 で制御される第３のスイッチ素子110-ｘの一方の端子に接続され、前記第３のスイッチ素子110-ｘの他方の端子は共通に接続され、出力端子111 に接続されている。
【００１９】
前記第１のスイッチ素子103-ｘで構成される回路は、積分動作とホールド動作を切り替える動作切り替え回路112-ｘであり、前記演算増幅器104-ｘ，前記第２のスイッチ素子106-ｘ及びコンデンサ 108−ｘで構成される回路は、前記フォトダイオード101-ｘからの光電流を積分し、且つ積分された信号を保持する積分・ホールド兼用回路113-ｘである。なお、フォトダイオード101-ｘ，第１のスイッチ素子103-ｘ（動作切り替え回路112-ｘ）及び積分・ホールド兼用回路113-ｘで、光電流検出回路を構成している。また、前記シフトレジスタ109 及び第３のスイッチ素子110-ｘで構成される回路は、複数の前記積分・ホールド兼用回路113-ｘから１つの積分・ホールド兼用回路を選択し出力する選択回路114 を構成している。
【００２０】
次に、このように構成されている光電流検出回路及び光電流検出モジュール100 の動作について説明する。図１に示す光電流検出モジュール100 において、光電流を検出する前、つまり、初期状態においては、動作切り替え回路112-ｘ，すなわち第１のスイッチ素子103-ｘはオン状態となっており、第２のスイッチ素子106-ｘもオン状態、すなわちコンデンサ108-ｘは短絡状態となっている。また、選択回路114 の第３のスイッチ素子110-ｘはオフ状態となっている。このとき、各光電流検出回路の各演算増幅器104-ｘの出力端子から出力される電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、前記演算増幅器104-ｘがボルテージフォロワとして動作し、前記演算増幅器104-ｘの非反転入力端子には定電圧源107 が接続されているので、
Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）＝Ｅr   ・・・・・・・・・（１）
なる電圧が出力される。ここで、Ｅr は定電圧源107 の電圧値である。
【００２１】
次に、図示しない指令により第２の制御装置105 が制御され、第２のスイッチ素子106-ｘがオフすることにより、積分動作が開始される。第２のスイッチ素子106-ｘがオフすることにより、コンデンサ108-ｘの各々にフォトダイオード101-ｘで生成された光電流Ｉpxが流入し、電荷として蓄えられ、その電荷量に比例した電圧が出力される。すなわち、第２のスイッチ素子106-ｘが開かれて時刻ｔが経過したとき、各演算増幅器104-ｘの出力電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、
Ｖox＝Ｅr ＋Ｉpx×ｔ／Ｃx   ・・・・・・・・・・・・・・（２）
なる電圧信号を出力する。ここで、ｘ＝１，２，・・・，ｎであり、Ｃx はコンデンサ108-ｘの容量値である。
【００２２】
次に、時刻Ｔ経過後、図示しない指令により第１の制御装置102 が制御され、第１のスイッチ素子103-ｘがオフすることにより、ホールド動作が開始される。第１のスイッチ素子103-ｘがオフすることにより、フォトダイオード101-ｘで生成された光電流のコンデンサ108-ｘへの流入が中断される。このとき、演算増幅器104-ｘの出力端子から出力される電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、前記演算増幅器104-ｘがボルテージフォロワとして動作するので、コンデンサ108-ｘに保持された電圧が出力され、
Ｖox＝Ｅr ＋Ｉpx×Ｔ／Ｃx   ・・・・・・・・・・・・・・（３）
なる電圧信号を出力する。ここで、ｘ＝１，２，・・・，ｎである。また、このとき、フォトダイオード101-ｘのカソード端子は開放状態となっているので、フォトダイオード101-ｘの寄生容量には電荷がチャージされた状態が保持されている。
【００２３】
次に、選択回路114 を構成する第３のスイッチ素子110-ｘがシフトレジスタ109 により順次開閉され、コンデンサ108-ｘにホールドされた電圧信号が順次出力端子111 に出力される。その出力電圧をＶout とすると、
Ｖout ＝Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）  ・・・・・・・・（４）
なる出力信号が得られる。
【００２４】
このように構成された光電流検出回路及び光電流検出モジュール100 においては、積分回路とホールド回路が一体化され、これにより回路規模が削減されるので、チップの高集積、低コスト化を図ることができる。また、ホールド動作時、フォトダイオード101-ｘのカソード端子を開放することにより、フォトダイオード101-ｘの寄生容量には電荷がチャージされた状態が保持される。そのため、積分動作を再度実行する際にフォトダイオード101-ｘの寄生容量を充電する必要がないので、積分動作に直ちに移ることができる。
【００２５】
次に、実施例２について説明する。図２は、本実施例に係る光電流検出回路及び光電流検出モジュールの構成を示す回路構成図で、図１に示した実施例１における構成要素と同一又は対応する構成要素には同一の符号を付して示している。この実施例に係る光電流検出モジュール200 においては、光信号を電流信号に変換するフォトダイオード101-ｘの各々のカソード端子は、第１の制御装置102aにより制御される第１のスイッチ素子103a−ｘ及び第３の制御装置102bにより制御される第４のスイッチ素子（請求項２及び４における第３のスイッチに対応する）103b−ｘの各々の一方の端子に接続されている。また、前記フォトダイオード101-ｘのアノード端子は、反転入力端子が出力端子及び前記第１のスイッチ素子103a−ｘの他方の端子にそれぞれ接続された演算増幅器104-ｘの各々の非反転入力端子と、前記第４のスイッチ素子103b−ｘの他方のそれぞれの端子に接続されている。
【００２６】
また、前記演算増幅器104-ｘの該非反転入力端子には、第２の制御装置105 により制御される第２のスイッチ素子106-ｘが並列に接続され、且つ一方の端子が定電圧源107 に接続されたコンデンサ108-ｘの他方の端子が接続されている。前記演算増幅器104-ｘの各々の出力端子は、シフトレジスタ109 で制御される第３のスイッチ素子110-ｘの一方の端子に接続され、前記第３のスイッチ素子110-ｘの他方の端子は共通に接続され、出力端子111 に接続されている。
【００２７】
前記第１のスイッチ素子103a−ｘ及び第４のスイッチ素子103b−ｘで構成される回路は、積分動作とホールド動作を切り替える動作切り替え回路112-ｘであり、前記演算増幅器104-ｘ，前記第２のスイッチ素子106-ｘ及びコンデンサ108-ｘで構成される回路は、前記フォトダイオード101-ｘからの光電流を積分し、且つ積分信号を保持する積分・ホールド兼用回路113-ｘである。なお、フォトダイオード101-ｘ，第１のスイッチ素子103a−ｘ及び第４のスイッチ素子103b−ｘ（動作切り替え回路112-ｘ）、並びに積分・ホールド兼用回路113-ｘで、光電流検出回路を構成している。なお、前記シフトレジスタ109 及び第３のスイッチ素子110-ｘで構成される回路は、複数の前記積分・ホールド兼用回路113-ｘから１つの積分・ホールド兼用回路を選択し出力する選択回路114 を構成している。
【００２８】
次に、この様に構成されている光電流検出回路及び光電流検出モジュールの動作について説明する。図２に示す光電流検出モジュール200 において、光電流を検出する前、すなわち初期状態においては、動作切り替え回路112-ｘを構成する第１のスイッチ素子103a−ｘはオン状態、第４のスイッチ素子103b−ｘはオフ状態となっており、第２のスイッチ素子106-ｘはオン状態、すなわちコンデンサ108-ｘは短絡状態となっている。また、選択回路114 の第３のスイッチ素子110-ｘはオフ状態となっている。
【００２９】
このとき、各光電流検出回路の各演算増幅器104-ｘの出力端子から出力される電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、前記各演算増幅器104-ｘがボルテージフォロワとして動作し、前記演算増幅器104-ｘの非反転入力端子には定電圧源107 が接続されているので、
Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）＝Ｅr   ・・・・・・・・・（５）
なる電圧が出力される。ここで、Ｅr は定電圧源107 の電圧値である。
【００３０】
次に、図示しない指令により第２の制御装置105 が制御され、第２のスイッチ素子106-ｘがオフすることにより、積分動作が開始される。第２のスイッチ素子106-ｘがオフすることにより、コンデンサ108-ｘの各々にフォトダイオード101-ｘで生成された光電流Ｉpxが流入し、電荷として蓄えられ、その電荷量に比例した電圧が出力される。すなわち、第２のスイッチ素子106-ｘが開かれて時刻ｔが経過したとき、各演算増幅器104-ｘの出力電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、
Ｖox＝Ｅr ＋Ｉpx×ｔ／Ｃx   ・・・・・・・・・・・・・・（６）
なる電圧信号を出力する。ここで、ｘ＝１，２，・・・，ｎであり、Ｃx はコンデンサ108-ｘの容量値である。
【００３１】
次に、時刻Ｔ経過後、図示しない指令により第１の制御装置102a及び第３の制御装置102bが制御され、第１のスイッチ素子103a−ｘがオフ、且つ第４のスイッチ素子103b−ｘがオンすることにより、ホールド動作が開始される。このとき、第１のスイッチ素子103a−ｘがオフ、且つ第４のスイッチ素子103b−ｘがオンすることにより、フォトダイオード101-ｘで生成された光電流はコンデンサ108-ｘへの流入が中断され、且つ、フォトダイオード101-ｘへ還流する。
【００３２】
このとき、各光電流検出回路の各演算増幅器104-ｘの出力端子から出力される電圧Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）としては、前記各演算増幅器104-ｘがボルテージフォロワとして動作するので、コンデンサ108-ｘに保持された電圧が出力され、
Ｖox＝Ｅr ＋Ｉpx×Ｔ／Ｃx   ・・・・・・・・・・・・・・（７）
なる電圧信号を出力する。ここで、ｘ＝１，２，・・・，ｎである。
【００３３】
次に、選択回路114 を構成する第３のスイッチ素子110-ｘがシフトレジスタ109 により順次開閉され、コンデンサ108-ｘにホールドされた電圧信号が順次出力端子111 に出力される。その出力電圧をＶout とすると、
Ｖout ＝Ｖox（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）  ・・・・・・・・（８）
なる出力信号が得られる。
【００３４】
このように構成された光電流検出回路及び光電流検出モジュールにおいては、積分回路とホールド回路が一体化され、これにより回路規模が削減されるので、チップの高集積、低コスト化を図ることができる。また、ホールド動作時、フォトダイオード101-ｘのカソード端子をアノード端子と接続してフォトダイオードを短絡し、光電流をフォトダイオードに還流させているので、ホールド動作時にフォトダイオードで発生している光電流の迷走を防ぐことができる。
【００３５】
なお、上記実施例１及び実施例２においては、選択回路114 の出力を直接信号出力端子111 に接続して信号を出力しているが、選択回路114 と信号出力端子111 間に、ボルテージフォロワ接続した演算増幅器、すなわちバッファアンプを設置して信号を出力しても構わない。なお、上記各実施例における光電流検出回路を構成している各々のアノード端子とカソード端子とが独立したフォトダイオードは、図３の断面図に示すように構成される。
【００３６】
図３において、301 はＮ型シリコン基板で、該Ｎ型シリコン基板301 上に選択的に複数のＰウェル302-ｘが形成され、前記複数のＰウェル間には、第１のＮ型拡散層303 が形成されている。前記複数のＰウェル302-ｘの各々の内部の上方に、該Ｐウェルよりも高い不純物濃度を有するＰ型拡散層304-ｘと、第２のＮ型拡散層305-ｘが形成されている。通常、Ｎ型シリコン基板301 を最高電位にするため、第１のＮ型拡散層303 は電源（ＶＣＣ，最高電位）に接続される。
【００３７】
このような構造とすることで、Ｐウェル302-ｘがアノード（Ａ），第２のＮ型拡散層305-ｎがカソード（Ｋ）となる、各々のアノードとカソードが独立したフォトダイオードが形成される。前記第１のＮ型拡散層303 ，前記Ｐ型拡散層304-ｘ及び前記第２のＮ型拡散層305-ｘに図示しない電極を付けることによって、基板電位端子306 ，アノード端子307-ｘ及びカソード端子308-ｘを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る光電流検出回路及び光電流検出モジュールの実施例１の構成を示す回路構成図である。
【図２】本発明に係る光電流検出回路及び光電流検出モジュールの実施例２の構成を示す回路構成図である。
【図３】図１及び図２に示した各実施例における各アノード端子と各カソード端子とが独立したフォトダイオードの構成を示す断面図である。
【図４】従来の光電流検出回路の構成を示す回路構成図である。
【符号の説明】
【００３９】
100   光電流検出モジュール
101-１，101-２，・・・101-ｎ  フォトダイオード
102 ，102a  第１の制御装置
102b  第３の制御装置
103-１，103-２，・・・103-ｎ  第１のスイッチ素子
103a−１，103a−２，・・・103a−ｎ  第１のスイッチ素子
103b−１，103b−２，・・・103b−ｎ  第４のスイッチ素子
104-１，104-２，・・・104-ｎ  演算増幅器
105   第２の制御装置
106-１，106-２，・・・106-ｎ  第２のスイッチ素子
107   定電圧源
108-１，108-２，・・・108-ｎ  コンデンサ
109   シフトレジスタ
110-１，110-２，・・・110-ｎ  第３のスイッチ素子
111   出力端子
112-１，112-２，・・・112-ｎ  動作切り替え回路
113-１，113-２，・・・113-ｎ  積分・ホールド兼用回路
114   選択回路
【図１】
2007033109.tif 000003
【図２】
2007033109.tif 000004
【図３】
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【図４】
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