(57)【要約】【課題】不良発生を防止して表示品質を向上させることができるアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を提供する。【解決手段】表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有する。【選択図】      図１
2007025703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、
前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなり、前記第２金属膜はクロム（Ｃｒ）からなり、前記第３金属膜は窒化クロム（ＣｒＮｘ）からなることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記ゲート電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第１金属膜と、前記第１金属膜上に積層される前記第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層される前記第３金属膜とを有する第１電極パッドと、
前記第１電極パッド上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１絶縁膜及び前記第３金属膜を貫通して形成される第１ビアホールを介して前記第１電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される第１透明電極とを更に有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記第１電極パッドは、前記スイッチング素子にゲート信号を提供するゲート電極パッドであることを特徴とする請求項３記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記ゲート電極は、少なくとも一断面がテーパー形状を有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第４金属膜と、該第４金属膜上に積層される第５金属膜と、該第５金属膜上に積層される第６金属膜からなり、前記第４乃至第６金属膜は、前記第１乃至第３金属膜とそれぞれ同一の部材で形成されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記第４金属膜は、アルミニウムネオジウムからなり、前記第５金属膜はクロムからなり、前記第６金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項６記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記スイッチング素子上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成され、前記第２絶縁膜及び前記第６金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極とを更に有することを特徴とする請求項６記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記ソース電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第４金属膜と、前記第４金属膜上に積層される前記第５金属膜と、前記第５金属膜上に積層される前記第６金属膜を有する第２電極パッドと、
前記第２電極パッド上に形成される第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に形成され、前記第３絶縁膜及び前記第６絶縁膜を貫通して形成される第２ビアホールを介して前記第２電極パッドの前記第５金属膜と電気的に連結される第２透明電極とを更に有することを特徴とする請求項６記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記第２電極パッドは、前記スイッチング素子にデータ信号を提供するデータ電極パッドであることを特徴とする請求項９記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、少なくとも一つの切断面がデーパー形状を有することを特徴とする請求項６記載のアレイ基板。
【請求項１２】
表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、
前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有するスイッチング素子と、
前記第１乃至第３電極のいずれか一つから延長されて前記周辺領域に形成され、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有する電極パッドと、
前記電極パッド上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜及び前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記第２金属膜と電気的に連結される透明電極とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項１３】
前記スイッチング素子の第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは順次に積層された前記第１乃至第３金属膜からなることを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記第１金属膜は、アルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなり、前記第３金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記電極パッドの切断面がデーパー形状を有することを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板。
【請求項１６】
表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、
前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子と、
前記第１乃至第３電極のいずれか一つの電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第１金属膜と、前記第１金属膜上に積層される前記第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層される第３金属膜とを有する電極パッドと、
前記スイッチング素子及び前記電極パッドが形成された前記基板上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜の上部に形成され、前記絶縁膜及び前記第１乃至第３電極のいずれか一つの前記第３金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の第２金属膜と電気的に連結される第１透明電極と、
前記絶縁膜の上部に形成され、前記絶縁膜及び前記電極パッドの第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの第２金属膜と電気的に連結される第２透明電極とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項１７】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなり、前記第３金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成され、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層され、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とで構成される第１信号ラインと、
前記第１信号ラインの上部に形成される絶縁膜と、
前記第１信号ラインと交差するように前記絶縁膜上に形成される第２信号ラインとを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項１９】
前記第２信号ラインは、第４金属膜と、該第４金属膜上に積層される第５金属膜と、該第５金属膜上に形成される第６金属膜とで構成され、前記第４乃至第６金属膜は、前記第１乃至第３金属膜とそれぞれ同一の部材で形成されることを特徴とする請求項１８記載のアレイ基板。
【請求項２０】
前記第１及び第２信号ラインと電気的に連結され、第１電極と、第２電極と、第３電極とで構成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に連結された画素電極とを更に有し、
前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは順次に積層された前記第１乃至第３金属膜で構成され、
前記画素電極は、前記絶縁膜及び前記第３金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の第２金属膜と電気的に連結されることを特徴とする請求項１８記載のアレイ基板。
【請求項２１】
前記第１及び第２信号ラインのいずれか一つから延長され、順次積層された前記第１乃至第３金属膜で構成される電極パッドと、
前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜及び前記電極パッドの前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される透明電極とを更に有することを特徴とする請求項１８記載のアレイ基板。
【請求項２２】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなり、前記第３金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項１８記載のアレイ基板。
【請求項２３】
表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、
前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層され、上部領域に窒素イオンが含まれるように窒化処理された第２金属膜とで構成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記第１乃至第３電極のいずれか一つと電気的に連結される画素電極とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２４】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなることを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板。
【請求項２５】
前記第１乃至第３電極のいずれか一つの電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第１金属膜と前記第１金属膜上に積層される前記第２金属膜とからなる電極パッドと、
前記電極パッド上に形成され、前記電極パッドと電気的に連結される透明電極とを更に有することを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板。
【請求項２６】
基板上の表示領域に第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つが第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜で構成されるスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子が形成された前記基板上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜の上部に前記絶縁膜及び前記スイッチング素子の前記第３電極の一部を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の前記第２金属膜と電気的に連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項２７】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなり、前記第３金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項２６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２８】
前記スイッチング素子を形成する段階は、第１チャンバ内で前記第１金属膜を前記基板上に形成する段階と、
第２チャンバ内で前記第１金属膜が形成された前記基板上に前記第２金属膜を形成する段階と、
前記第２チャンバ内に窒素ガスを注入して、前記第２金属膜上に前記第３金属膜を形成する段階と、
前記第１乃至第３金属膜をパターニングして前記第１乃至第３電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２９】
前記第１乃至第３電極を形成する段階は、前記第２金属膜及び前記第３金属膜を同時にパターニングする段階と、
前記第１金属膜をパターニングする段階とを含むことを特徴とする請求項２８記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３０】
前記第２チャンバは、真空プラズマ状態であることを特徴とする請求項２８記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３１】
前記絶縁膜及び前記第３金属膜を同時に除去して前記第２金属膜の一部を露出させる前記コンタクトホールを形成する段階を更に有することを特徴とする請求項２６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３２】
前記第３金属膜は、前記絶縁膜と同一のエッチング液によってエッチングされることを特徴とする請求項３１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３３】
前記表示領域を囲む周辺領域に前記第１乃至第３電極のいずれか一つから延長されて順次に積層された前記第１乃至第３金属膜からなる電極パッドを形成する段階と、
前記絶縁膜及び前記電極パッドの前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される透明電極を形成する段階とを更に有することを特徴とする請求項２６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３４】
前記絶縁膜及び前記電極パッドの前記第３金属膜を同時に部分エッチングして前記電極パッドの前記第２金属膜の一部を露出させる前記ビアホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項３３記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３５】
基板上にアルミニウム合金からなる第１金属膜を形成する段階と、
前記第１金属膜上にクロムからなる第２金属膜を形成する段階と、
前記第１金属膜をエッチングするための第１エッチング液及び前記第２金属膜をエッチングするための第２エッチング液が混合された混合エッチング液によって第１次エッチングする段階と、
前記第１次エッチングの後、残留する第２金属膜を第３エッチング液によって２次エッチングする段階とを有することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項３６】
前記第１エッチング液はフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を含み、前記第２エッチングは硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）、及び硝酸（ＨＮＯ３）を含むことを特徴とする請求項３５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３７】
前記フッ化アンモニウムは、２〜３０重量％の割合で混合され、前記硝酸セリウムアンモニウムは、５〜３０重量％の割合で混合され、前記硝酸は２〜２０重量％の割合で混合されることを特徴とする請求項３６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３８】
前記第３エッチング液は、硝酸を含むことを特徴とする請求項３５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３９】
前記混合エッチング液は、ギ酸または酢酸を更に含むことを特徴とする請求項３５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項４０】
前記ギ酸又は酢酸は、１〜５重量％の割合で混合されることを特徴とする請求項３９記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項４１】
前記第１及び第２金属膜を形成する段階の後に、前記第２金属膜上に窒化クロムからなる第３金属膜を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項３５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項４２】
前記アルミニウム合金は、アルミニウムネオジウムであることを特徴とする請求項３５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項４３】
第１透明電極を有する第１基板と、
前記第１基板に対向し、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは、第１金属膜と、第２金属膜と、第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成された第３金属膜を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上部に形成される絶縁膜と、前記第１透明電極に対向し、前記絶縁膜及び前記スイッチング素子の第３金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の前記第２金属膜と電気的に連結される第２透明電極と、前記第１乃至第３電極のいずれか一つの電極から延長されて形成され、前記第１金属膜と、前記第２金属膜と、前記第３金属膜とを有する電極パッドと、前記絶縁膜及び前記電極パッドの前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される第３透明電極とを有するアレイ基板である第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に介在して形成される液晶層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４４】
前記第１金属膜はアルミニウムネオジウムからなり、前記第２金属膜はクロムからなり、前記第３金属膜は窒化クロムからなることを特徴とする請求項４３記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置に係り、より詳細には表示品質を向上させることができるアレイ基板及びその製造方法並びにこのアレイ基板を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は、アレイ基板、アレイ基板と向い合うカラーフィルタ基板、及びアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に介在された液晶層で構成される。
アレイ基板は、画像を示す最小の単位である複数の画素で構成される。画素のそれぞれは、ゲート信号が提供されるゲートライン、データ信号が提供されるデータライン、ゲートラインとデータラインに連結された薄膜トランジスタ、及びデータ信号を受信して液晶層に電圧を印加する画素電極を含む。
【０００３】
薄膜トランジスタの電極、ゲートライン及びデータラインは、画素電極との接触抵抗及び配線抵抗を減少させるために二重膜構造で構成される。ここで、電極、ゲートライン及びデータラインは、アルミニウムネオジウムを含む第１膜、及び第１膜上に積層され、クロムで形成された第２膜で構成される。
【０００４】
電極、ゲートラインまたはデータラインを形成するために第１膜及び第２膜をパターニングする場合、下部領域でより多いエッチングが行われるアンダーカット現象が発生する。
【０００５】
アンダーカット現象が発生した領域に電子が集中するローカルチャージトラッピング現象が発生する。これによって、上部に形成される絶縁膜のキャパシタンスが増加し、キャパシタンスが増加することによって画素領域の画素電圧が変化する。したがって、画素電圧の変化によって輝度が変化して横線形態の不良が発生するという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来のアレイ基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、不良発生を防止して表示品質を向上させるためのアレイ基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記のアレイ基板を製造する方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記アレイ基板を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有することを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記第１金属膜はアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなり、前記第２金属膜はクロム（Ｃｒ）からなり、前記第３金属膜は窒化クロム（ＣｒＮｘ）からなることが好ましい。
前記ゲート電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第１金属膜と、前記第１金属膜上に積層される前記第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層される前記第３金属膜とを有する第１電極パッドと、前記第１電極パッド上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１絶縁膜及び前記第３金属膜を貫通して形成される第１ビアホールを介して前記第１電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される第１透明電極とを更に有することが好ましい。
前記第１電極パッドは、前記スイッチング素子にゲート信号を提供するゲート電極パッドであることが好ましい。
前記ゲート電極は、少なくとも一断面がテーパー形状を有することが好ましい。
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第４金属膜と、該第４金属膜上に積層される第５金属膜と、該第５金属膜上に積層される第６金属膜からなり、前記第４乃至第６金属膜は、前記第１乃至第３金属膜とそれぞれ同一の部材で形成されることが好ましい。
前記第４金属膜は、アルミニウムネオジウムからなり、前記第５金属膜はクロムからなり、前記第６金属膜は窒化クロムからなることが好ましい。
前記スイッチング素子上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成され、前記第２絶縁膜及び前記第６金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極とを更に有することが好ましい。
前記ソース電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第４金属膜と、前記第４金属膜上に積層される前記第５金属膜と、前記第５金属膜上に積層される前記第６金属膜を有する第２電極パッドと、前記第２電極パッド上に形成される第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に形成され、前記第３絶縁膜及び前記第６絶縁膜を貫通して形成される第２ビアホールを介して前記第２電極パッドの前記第５金属膜と電気的に連結される第２透明電極とを更に有することが好ましい。
前記第２電極パッドは、前記スイッチング素子にデータ信号を提供するデータ電極パッドであることが好ましい。
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、少なくとも一つの切断面がデーパー形状を有することが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有するスイッチング素子と、前記第１乃至第３電極のいずれか一つから延長されて前記周辺領域に形成され、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有する電極パッドと、前記電極パッド上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜及び前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記第２金属膜と電気的に連結される透明電極とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子と、前記第１乃至第３電極のいずれか一つの電極から延長されて前記周辺領域に形成され、前記第１金属膜と、前記第１金属膜上に積層される前記第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層される第３金属膜とを有する電極パッドと、前記スイッチング素子及び前記電極パッドが形成された前記基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成され、前記絶縁膜及び前記第１乃至第３電極のいずれか一つの前記第３金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の第２金属膜と電気的に連結される第１透明電極と、前記絶縁膜の上部に形成され、前記絶縁膜及び前記電極パッドの第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの第２金属膜と電気的に連結される第２透明電極とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成され、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、前記第２金属膜上に積層され、前記第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とで構成される第１信号ラインと、前記第１信号ラインの上部に形成される絶縁膜と、前記第１信号ラインと交差するように前記絶縁膜上に形成される第２信号ラインとを有することを特徴とする。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層され、上部領域に窒素イオンが含まれるように窒化処理された第２金属膜とで構成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記第１乃至第３電極のいずれか一つと電気的に連結される画素電極とを有することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板の製造方法は、基板上の表示領域に第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つが第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜で構成されるスイッチング素子を形成する段階と、前記スイッチング素子が形成された前記基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜の上部に前記絶縁膜及び前記スイッチング素子の前記第３電極の一部を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の前記第２金属膜と電気的に連結される画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板の製造方法は、基板上にアルミニウム合金からなる第１金属膜を形成する段階と、前記第１金属膜上にクロムからなる第２金属膜を形成する段階と、前記第１金属膜をエッチングするための第１エッチング液及び前記第２金属膜をエッチングするための第２エッチング液が混合された混合エッチング液によって第１次エッチングする段階と、前記第１次エッチングの後、残留する第２金属膜を第３エッチング液によって２次エッチングする段階とを有することを特徴とする。
【００１５】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１透明電極を有する第１基板と、前記第１基板に対向し、第１電極と、第２電極と、第３電極とを有し、前記第１乃至第３電極のうち、少なくとも一つは、第１金属膜と、第２金属膜と、第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成された第３金属膜を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上部に形成される絶縁膜と、前記第１透明電極に対向し、前記絶縁膜及び前記スイッチング素子の第３金属膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して前記スイッチング素子の前記第２金属膜と電気的に連結される第２透明電極と、前記第１乃至第３電極のいずれか一つの電極から延長されて形成され、前記第１金属膜と、前記第２金属膜と、前記第３金属膜とを有する電極パッドと、前記絶縁膜及び前記電極パッドの前記第３金属膜を貫通して形成されるビアホールを介して前記電極パッドの前記第２金属膜と電気的に連結される第３透明電極とを有するアレイ基板である第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に介在して形成される液晶層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るアレイ基板は、アルミニウムネオジウム、クロム、及び窒化クロムからなる金属膜が順次に積層された三重膜の構造を有するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極パッド、及びデータ電極パッドを有する。したがって、電極及びパッドの形成時、アルミニウムネオジウムからなる金属膜が先に形成された後、クロム及び窒化クロムが形成されることによってパターニング時にアンダーカットが発生しない。
【００１７】
したがって、アンダーカット発生が防止されることによってローカルチャージトラッピング現象を防止することができるため、横線形態の不良が防止される。これによって、液晶表示装置の表示品質を向上させることができるという効果がある。
また、画素電極とドレイン電極の接触時、透明電極とゲート電極パッドまたはデータ電極パッドの接触時、純粋なクロム膜と接触されるので、接触抵抗が減少する。したがって、接触抵抗による表示品質の低下を防止することができるという効果がある。
【００１８】
また、アルミニウムネオジウムをエッチングするためのエッチング液、クロム、及び窒化クロムをエッチングするためのエッチング液が混合された混合エッチング液によって三重層構造の金属膜を一つのエッチング工程でエッチングすることができる。その結果、三重層構造を有する電極及び電極パッドの形成のためのエッチング工程を減少させることができるので、全体的な製造工程を単純化することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明に係るアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
（表示パネルの実施形態）
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示パネルを示す断面図であり、図２は、図１に示したアレイ基板を示す平面図であり、図３は、ゲート電極の断面を示す概略断面図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本発明による液晶表示パネル１００は、アレイ基板２００、カラーフィルタ基板３００、アレイ基板２００とカラーフィルタ基板３００との間に形成された液晶層４００で構成されて画像を表示する。
液晶表示パネル１００は、画像が表示される表示領域（ＤＡ）、表示領域（ＤＡ）の第１辺に位置する第１周辺領域（ＰＡ１）及び表示領域（ＤＡ）の第２辺に位置する第２周辺領域（ＰＡ２）に区分される。
【００２１】
表示領域（ＤＡ）には、第１方向（Ｄ１）に延びた複数のゲートライン（ＧＬ）と第１方向（Ｄ１）と直交する第２方向（Ｄ２）に延びた複数のデータライン（ＤＬ）によって複数の画素領域が定義される。
アレイ基板２００は、第１絶縁基板２１０上の画素領域に対応して形成された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴ）２２０、保護膜２３０、有機絶縁膜２４０、及び画素電極２５０を含む。
【００２２】
ＴＦＴ２２０は、ゲートライン（ＧＬ）から分岐したゲート電極２２１、データライン（ＤＬ）から分岐したソース電極２２５、及び画素電極２５０と電気的に連結されたドレイン電極２２６を含む。また、ＴＦＴ２２０は、ゲート電極２２１の上部に形成されたゲート絶縁膜２２３及び活性層２２４を含む。
ここで、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、及びドレイン電極２２６は、三重層の構造を有する。
【００２３】
即ち、ゲート電極２２１は、第１ゲート電極層２２１ａ、第２ゲート電極層２２１ｂ、及び第３ゲート電極層２２１ｃで構成される。ここで、第２ゲート電極層２２１ｂは、第１ゲート電極層２２１ａ上に積層され、第３ゲート電極層２２１ｃは、第２ゲート電極層２２１ｂ上に積層される。第１ゲート電極層２２１ａはアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなり、第２ゲート電極層２２１ｂはクロム（Ｃｒ）からなる。第３ゲート電極層２２１ｃは、第２ゲート電極層２２１ｂを構成するクロムが窒化処理された窒化クロム（ＣｒＮｘ）からなる。
【００２４】
ソース電極２２５は、第１ソース電極層２２５ａ、第２ソース電極層２２５ｂ、及び第３ソース電極層２２５ｃで構成される。第２ソース電極層２２５ｂは、第１ソース電極層２２５ａ上に積層され、第３ソース電極層２２５ｃは、第２ソース電極層２２５ｂ上に積層される。ここで、第１ソース電極層２２５ａはアルミニウムネオジウムからなり、第２ソース電極層２２５ｂはクロムからなる。第３ソース電極層２２５ｃは窒化クロムからなる。
【００２５】
また、ドレイン電極は２２６は、第１ドレイン電極層２２６ａ、第２ドレイン電極層２２６ｂ、及び第３ドレイン電極層２２６ｃで構成される。ここで、第２ドレイン電極層２２６ｂは、第１ドレイン電極層２２６ａ上に積層され、第３ドレイン電極層２２６ｃは第２ドレイン電極層２２６ｂ上に積層される。第１ドレイン電極層２２６ａはアルミニウムネオジウム（ＡｌＮｄ）からなり、第２ドレイン電極層２２６ｂはクロム（Ｃｒ）からなる。第３ドレイン電極層２２６ｃは、窒化クロム（ＣｒＮｘ）からなる。
【００２６】
ここで、ＴＦＴ２２０のゲート電極２２１、ソース電極２２５、及びドレイン電極２２６は、第１絶縁基板２１０に垂直する方向に切断した切断面の両端部がテーパー形状を有する（図３参照）。即ち、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、及びドレイン電極２２６はアンダーカット（Ｕｎｄｅｒ−Ｃｕｔ）が発生しない。
【００２７】
図３に示すように、ゲート電極２２１の第１絶縁基板２１０に垂直する方向に切断した切断面は、下部領域が上部領域に比べて相対的に広い形成幅を有する。したがって、ゲート電極２２１の切断面の両端部は、テーパー形状を有する。上記では、ゲート電極２２１を例として説明したが、ソース電極２２５及びドレイン電極２２６もゲート電極２２１のように両端部がテーパー形状を有する切断面を有する。
【００２８】
このように、ゲート電極２２１の第１ゲート電極層２２１ａ、ソース電極２２５の第１ソース電極層２２５ａ及びドレイン電極２２６の第１ドレイン電極層２６６ａがアルミニウムネオジウムからなることによって、上記のアンダーカットが発生しない。したがって、アンダーカットが発生した部分に電子が集中するローカルチャージトラップピングが発生しないため、キャパシタンスの増加が発生しない。これによって、ピクセル電圧が発生しないため、輝度変化による横線形態の不良発生が防止される。
【００２９】
ゲート絶縁膜２２３は、ゲート電極２２１が形成された第１絶縁基板２１０上に形成される。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなる。
【００３０】
活性層２２４は、ゲート絶縁膜２２３上に形成される。ここで、活性層２２４は、半導体層２２４ａ及び半導体層２２４ａ上に積層されたオーミックコンタクト層２２４ｂを含む。例えば、半導体層２２４ａは、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）からなり、オーミックコンタクト層２２４ｂはｎ型不純物が高濃度でドープされた非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）からなる。オーミックコンタクト層２２４ｂは、一部が除去されて半導体層２２４ａを部分的に露出させる。
【００３１】
保護膜２３０、及び有機絶縁膜２４０は、ＴＦＴ２２０が形成された第１絶縁基板２１０上に順次に形成される。即ち、保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０は、第１絶縁基板２１０上の表示領域（ＤＡ）、第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に形成される。保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０は、シリコン窒化膜を含む。
【００３２】
また、保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０は、ＴＦＴ２２０のドレイン電極２２６を部分的に露出させるコンタクトホール２４５を有する。即ち、ドレイン電極２２６を露出させるために保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０が部分的に除去される。ここで、ドレイン電極２２６の第３ドレイン電極層２２６ｃも同時に除去される。保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０をエッチングする所定のエッチング液によって第３ドレイン電極層２２６ｃが同時にエッチングされる。したがって、コンタクトホール２４５によってドレイン電極２２６の第２ドレイン電極層２２６ｂが部分的に露出される。
【００３３】
画素電極２５０は、有機絶縁膜２４０上に形成される。画素電極２５０は、光が透過しうる透明な導電性物質からなる。例えば、画素電極２５０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる。ここで、画素電極２５０は、コンタクトホール２４５を介してＴＦＴ２２０のドレイン電極２２６と電気的に連結される。具体的には、画素電極２５０はドレイン電極２２６の第２ドレイン電極層２２６ｂと直接的に接触される。ここで、第２ドレイン電極層２２６ｂは、純粋なクロムからなるので、画素電極２５０との接触時、接触抵抗が減少する。
【００３４】
また、ゲートライン（ＧＬ）及びデータライン（ＤＬ）も三重膜構造を有する。即ち、ゲートライン（ＧＬ）及びデータライン（ＤＬ）は、アルミニウムネオジウム、クロム及び窒化クロムからなる。
【００３５】
第１周辺領域（ＰＡ１）には、ゲートライン（ＧＬ）から延長され、ゲートライン（ＧＬ）より広い幅を有するゲート電極パッド２６０が形成される。ゲート電極パッド２６０は、第１ゲート電極パッド層２６０ａ、第２ゲート電極パッド層２６０ｂ、及び第３ゲート電極パッド層２６０ｃで構成される。第２ゲート電極パッド層２６０ｂは、第１ゲート電極パッド層２６０ａ上に積層され、第３ゲート電極パッド層２６０ｃは、第２ゲート電極パッド層２６０ｂ上に積層される。
【００３６】
ここで、ゲート電極パッド２６０は、ゲート電極２２１の形成時、同一工程で同一物質によって形成される。したがって、第１ゲート電極パッド層２６０ａはアルミニウムネオジウムからなり、第２ゲート電極パッド層２６０ｂはクロムからなり、第３ゲート電極パッド層２６０ｃは窒化クロムからなる。
【００３７】
また、第１周辺領域（ＰＡ１）には、ゲート電極パッド２６０を部分的に露出させる第１ビアホール２６５が形成される。第１ビアホール２６５は、ゲート電極パッド２６０上部のゲート絶縁膜２２３、保護膜２３０、及び有機絶縁膜２４０と第３ゲート電極パッド層２６０ｃが部分的に除去されて形成される。
【００３８】
ゲート電極パッド２６０の上部には、第１ビアホール２６５を介してゲート電極パッド２６０と電気的に連結される第１透明電極２７０が形成される。第１透明電極２７０は、画素電極２５０の形成時、同一工程で同一物質で形成される。即ち、第１透明電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる。
【００３９】
上記で第１透明電極２７０は、第１ビアホールを介してゲート電極パッド２６０の第２ゲート電極パッド層２６０ｂと直接的に接触される。ここで、第２ゲート電極パッド層２６０ｂは、純粋なクロムからなるため、第１透明電極２７０と第２ゲート電極パッド層２６０ｂとの接触抵抗が減少する。
【００４０】
第２周辺領域（ＰＡ２）には、データライン（ＤＬ）から延長され、データライン（ＤＬ）より広い幅を有するデータ電極パッド２８０が形成される。データ電極パッド２８０は、第１データ電極パッド層２８０ａ、第２データ電極パッド層２８０ｂ、及び第３データ電極パッド層２８０ｃで構成される。第２データ電極パッド層２８０ｂは、第１データ電極パッド層２８０ａ上に積層され、第３データ電極パッド層２８０ｃは、第２データ電極パッド層２８０ｂ上に積層される。
【００４１】
ここで、データ電極パッド２８０は、ソース電極２２５及びドレイン電極２２６の形成時、同一工程で同一物質によって形成される。したがって、第１データ電極パッド層２８０ａは、アルミニウムネオジウムからなり、第２データ電極層２８０ｂはクロムからなり、第３データ電極パッド層２８０ｃは窒化クロムからなる。
【００４２】
また、第２周辺領域（ＰＡ２）には、データ電極パッド２８０を部分的に露出させる第２ビアホール２８５が形成される。第２ビアホール２８５は、データ電極パッド２８０上部の保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０と第３データ電極パッド層２８０ｃが部分的に除去されて形成される。
【００４３】
データ電極パッド２８０の上部には、第２ビアホール２８５を介してデータ電極パッド２８０と電気的に連結される第２透明電極２９０が形成される。第２透明電極２９０は、画素電極２５０の形成時、同一工程で同一物質で形成される。即ち、第２透明電極２９０は、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる。
【００４４】
上記で、第２透明電極２９０は、第２ビアホール２８５を介してデータ電極パッド２８０の第２データ電極パッド層２８０ｂと直接的に接触される。ここで、第２データ電極パッド層２８０ｂは、純粋なクロムからなるため、第２透明電極２９０と第２データ電極パッド層２８０ｂとの接触抵抗が減少する。
【００４５】
上記構成のゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）（図示せず）を通じて可撓性印刷回路基板（図示せず）と電気的に連結される。したがって、ゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０は、可撓性印刷回路基板から入力されたゲート信号及びデータ信号をゲートライン（ＧＬ）及びデータライン（ＤＬ）にそれぞれ出力する。
【００４６】
一方、カラーフィルタ基板３００は、第２絶縁基板３１０上（図１上では下に）に形成された遮光膜３２０、カラーフィルタ３３０、及び共通電極３４０を含む。カラーフィルタ３３０は、ＲＧＢ色画素で構成され、遮光膜３２０は、ＲＧＢ色画素の間でマトリクス形態で形成され、ＲＧＢ色画素の間に前記光が漏洩することを遮断する。また、共通電極３４０は、アレイ基板２００上に形成された画素電極２５０に対向する電極である。
【００４７】
本発明において、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、ゲート電極パッド２６０、及びデータ電極パッド２８０は、リアクティブスパッタリング方法によって三重膜構造で形成することができる。また、本発明は、プラズマ化学気相蒸着方法を用いた窒化処理によってゲート電極２２１、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、ゲート電極パッド２６０、及びデータ電極パッド２８０を三重膜構造で形成することができる。
【００４８】
一方、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、ゲート電極パッド２６０、及びデータ電極パッド２８０は、全てアルミニウムネオジウム、クロム、及び窒化クロムからなる三重層がエッチングされて形成される。ここで、三重層構造のエッチングは一般的に複数のエッチング工程によって行うことができるが、同一のエッチング工程によって行われることが望ましい。即ち、クロム及び窒化クロムをエッチングするためのエッチング液と、アルミニウムネオジウムをエッチングするためのエッチング液が混合された混合エッチング液によって三重層が同一のエッチング工程でエッチングされることが望ましい。
【００４９】
混合エッチング液は、クロムをエッチングするための硝酸セリウムアンモニウム（Ｃｅｒｉｃ  Ａｍｍｏｎｉｕｍ  Ｎｉｔｒａｔｅ：Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）とアルミニウムネオジウムをエッチングするためのフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を含む。ここで、硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）は、約５〜３０重量％の割合で混合され、硝酸は、約２〜２０重量％の割合で混合され、フッ化アンモニウムは、約２〜３０重量％の割合で混合される。硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）は互いに反応性がない。
【００５０】
また、混合エッチング液は、ギ酸（Ｆｏｒｍｉｃ  Ａｃｉｄ）または酢酸（Ａｃｅｔｉｃ  Ａｃｉｄ）を更に含むことができる。ギ酸または酢酸は約１〜５重量％の割合で混合される。
混合エッチング液のうち、硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）によって窒化クロム及びクロムからなる金属層がエッチングされる。その後、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）によってアルミニウムネオジウムからなる金属層がエッチングされる。これによって、三重層で構成されたゲート電極２２１、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、ゲート電極２６０、及びデータ電極パッド２８０が形成される。
【００５１】
上記の工程のうち、ガルバニック効果によってクロム及び窒化クロムからなる金属層がアルミニウムネオジウムからなる金属層より相対的に少なくエッチングされる現象が発生する。即ち、電極の上部領域が突出した形状を有するオーバーハング（Ｏｖｅｒ  ｈａｎｇ）現象が発生する。ここで、ガルバニック効果とは、互いに異なる金属を互いに接触させた状態でエッチングをする場合、電位が低い方の金属がアノードになって比較的速く腐食される現象をいう。
【００５２】
したがって、硝酸（ＮＨＯ３）によるエッチング工程をもう一度行って相対的に突出したクロム及び窒化クロムからなる金属層をエッチングする。これによって、ＴＦＴ２２０のゲート電極２２１、ソース電極２２５、及びドレイン電極２２６は、第１絶縁基板２１０に垂直な方向に切断した切断面の両端部がテーパー形状を有する。
【００５３】
このように、混合エッチング液によって三重層をエッチングしてパターニングすることによって製造工程を減少することができる。即ち、既存工程では、三重層をパターニングするためには、窒化クロム及びクロムからなる金属層をエッチングするためのフォトレジスト蒸着、現像、露光、及びエッチングのための工程が行われる。その後、アルミニウムネオジウムからなる金属層をエッチングするための露光、現像、及びエッチング工程が行われる。これによって、既存工程では製造工程が複雑であった。しかし、本実施例によると、三重層を混合エッチング液による同一のエッチング工程でエッチングすることによって工程を減少させることができる。
【００５４】
（アレイ基板の製造方法の第１の実施形態）
図４乃至図１１は、図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。図１２は、図５に示した第３金属膜を形成するためのリアクティブスパッタリング装置を示す概略図であり、図１３は図５に示した第３金属膜を形成するためのプラズマ化学気層蒸着装置を示す概略図である。
【００５５】
図４を参照すると、アルミニウムネオジウムをターゲットとするスパッタリング方法または化学気層蒸着方法によって第１絶縁基板２１０上に第１金属膜５００を形成する。第１金属膜５００は、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）、第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に形成される。
【００５６】
次に、図５に示すように、第１金属膜５００が形成された第１絶縁基板２１０上にクロムからなる第２金属膜５１０を形成する。第２金属膜２１０はクロムをターゲットとするスパッタリング方法によって形成される。また、第２金属膜５１０は、第１絶縁基板２１０上の表示領域（ＤＡ）、第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に形成される。
【００５７】
その後、第２金属膜５１０が形成された第１絶縁基板２１０上に窒化クロムからなる第３金属膜５２０を形成する。第３金属膜５２０は、窒素ガス（Ｎ２）を用いたリアクティブスパッタリング方法によって形成するか、或いは窒素ガス及びアンモニアガス（ＮＨ３）を用いたプラズマ化学気相蒸着法によって形成する。ここで、第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０は、同一のチャンバ内で形成される。
【００５８】
図１２に示すように、リアクティブスパッタリング装置６００は、スパッタリングのためのアルゴン（Ａｒ）ガスと窒化処理のための窒素（Ｎ２）ガスを用いて第１絶縁基板２１０を処理するための第１チャンバ６１０を含む。第１チャンバ６１０には、第１絶縁基板２１０が置かれる第１チャック６２０とクロムからなる第１金属ターゲット６３０が設置される。一般的に、第１金属ターゲット６３０には、第１電源供給部６４０を通じて提供される負電圧が印加される。
【００５９】
リアクティブスパッタリング装置６００は、第１絶縁基板２１０を処理するためのガスを第１チャンバ６１０内に均一に提供するための第１ガス供給部６５０を更に具備する。第１ガス供給部６５０を通じて第１チャンバ６１０内には、アルゴンガスが注入される。ここで、第１チャンバ６１０は、真空状態である。
【００６０】
その後、第１金属ターゲット６３０に負電圧が印加されると、第１金属ターゲット６３０に印加された電圧と同一のエネルギーを有する二次電子が第１金属ターゲット６３０の表面に出るようになる。二次電子が第１チャンバ６１０内のアルゴンガスを叩き、これによってアルゴンガスは第１金属ターゲット６３０に衝突する。
【００６１】
第１金属ターゲット６３０に加えられた衝撃エネルギーが金属原子間の結合エネルギーより大きい場合、第１金属ターゲット６３０の表面にある原子が取れてしまう。取れてしまった原子は、第１絶縁基板２１０上の第１金属膜５００上にスパッタリングされ、スパッタリングされた原子は相互結合して薄膜形態に形成される。これによって、第１金属膜５００上にクロムからなる第２金属膜５１０が形成される。
【００６２】
その後、第１ガス供給部６５０を通じてアルゴンガスと窒素ガスが第１チャンバ６１０内に注入され、第１金属ターゲット６３０に負電圧を印加すると、第１金属ターゲット６３０に印加された電圧と同一のエネルギーを有する二次電子が第１金属ターゲット６３０の表面に出るようになる。二次電子が第１チャンバー６１０内のアルゴンガスを叩き、それによってアルゴンガスは第１金属ターゲット６３０に衝突する。
【００６３】
第１金属ターゲット６３０に加えられた衝撃エネルギーによって第１金属ターゲット６３０の表面にある原子が取られてしまい、取られてしまった原子が窒素ガスと結合して第１絶縁基板２１０上の第２金属膜５１０上にスパッタリングされる。第２金属膜５１０上にスパッタリングされた原子は、相互結合して薄膜形態に形成される。これによって、第１絶縁基板２１０の第２金属膜５１０上に窒化クロムからなる第３金属膜５２０が形成される。
【００６４】
ここで、第１チャンバ６１０内に注入される窒素ガスの量と注入時間を調節することによって第２金属膜５１０上の上部領域にのみ窒素イオンが含まれた状態の窒化クロムを形成することができる。
【００６５】
また、図１３に示すように、プラズマ化学気相蒸着装置７００は、プラズマを用いて第１絶縁基板２１０を処理するための第２チャンバ７１０を含む。第２チャンバ７１０には、第１絶縁基板２１０が置かれる第２チャック７２０及び第２金属ターゲット７３０が設置される。そして、第２金属ターゲット７３０は、注入されたガスをプラズマに形成するためのパワーが印加される電極として作用する。一般的に、第２金属ターゲット７３０には、第２電源供給部７４０を通じて提供される高電圧の直流電圧が印加される。
【００６６】
プラズマ化学気相蒸着装置７００は、第２チャンバ７１０内に第１絶縁基板２１０を処理するためのガスを均一に提供するための第１ガス供給部７５０を更に具備する。第２ガス供給部７５０を通じて第２チャンバ７１０内に窒素ガスまたはアンモニアガスが注入されるか、または窒素ガス及びアンモニアガスが同時に注入される。
まず、第２ガス供給部７５０を通じて第２チャンバ７１０内にアンモニアガスを注入し、放電空間７６０で行われるプラズマ放電を通じて第１絶縁基板２１０上に形成された第１金属膜５００上に第２金属膜５１０を形成する。
【００６７】
その後、第２ガス供給部７５０を通じて第２チャンバ７１０内に窒素ガスを更に注入し、放電空間７６０で行われるプラズマ放電を通じて窒素ガス及びアンモニアガスをプラズマ状態に活性化すると、第１絶縁基板２１０上の第２金属膜５１０に窒素イオンが浸透する窒化処理が行われる。これによって、第２金属膜５１０の上部には、窒化クロムからなる第３金属膜５２０が形成される。
【００６８】
上記のように、第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０は、同一のチャンバ（６１０、７１０）内で形成されるので、第２金属膜５１０が空気と接触されない状態で第３金属膜５２０が蒸着される。したがって、第２金属膜５１０は、純粋なクロムからなる。
【００６９】
次に、図６に示すように、第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）が形成された第１絶縁基板２１０上にフォトレジスト５３５を蒸着した後、所定のマスクを用いて露光する。その後、第１エッチャントによって第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０を同時にエッチングする。したがって、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）に第３ゲート電極層２２１ｃ及び第２ゲート電極層２２１ｂが形成され、第１周辺領域（ＰＡ１）に第３ゲート電極パッド層２６０ｃ及び第２ゲート電極パッド層２６０ｂが形成される。
ここで、露光工程後、フォトレジスト５３５を硬化するためのベーク工程が実施される。
【００７０】
次に、図７を参照すると、第２エッチャントを用いて第１金属膜５００をエッチングした後、フォトレジスト５３５を除去する。これによって、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）には、第１乃至第３ゲート電極層（２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ）で構成されたゲート電極２２１が形成される。また、第１絶縁基板２１０の第１周辺領域（ＰＡ１）には、第１乃至第３ゲート電極パッド層（２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃ）で構成されたゲート電極パッド２６０が形成される。
【００７１】
ここで、第１ゲート電極層２２１ａ及び第１ゲート電極パッド層２６０ａを構成する第１金属膜５００は、第１絶縁基板２１０に接する下部領域が相対的にエッチングが更に行われるアンダーカットが発生しない。したがって、ゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０は、第１絶縁基板２１０に垂直な方向に切断した切断面の両端部がデーパー形状を有する。
【００７２】
次に、図８を参照すると、ゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０が形成された第１絶縁基板２１０上にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜２２３を形成する。
【００７３】
その後、ゲート電極２２１が形成されたゲート絶縁膜２２３上には、活性層２２４が形成する。即ち、ゲート絶縁膜２２３上に半導体層２２４ａ、及びオーミックコンタクト層２２４ｂが順次に形成される。
【００７４】
活性層２２４が形成された第１絶縁基板２１０上に、第４金属膜５５０、第５金属膜５６０、及び第６金属膜５７０を順次に形成する。第４金属膜５５０及び第５金属膜５６０は、スパッタリング方法または化学気層蒸着方法によって形成する。また、第６金属膜５７０は、図１２に示したリアクティブスパッタリング装置６００によって形成するか、図１３に示したプラズマ化学気相蒸着装置７００によって形成する。第５金属膜５６０及び第６金属膜５７０は、同一のチャンバ内で形成される。第４金属膜５５０はアルミニウムネオジウムからなり、第５金属膜５６０はクロムからなり、第６金属膜５７０は窒化クロムからなる。
【００７５】
次に、図９に示すように、第４乃至第６金属膜（５５０、５６０、５７０）が形成された第１絶縁基板２１０を所定のマスクを用いて露光した後、第１エッチャントを用いて第５金属膜５６０及び第６金属膜５７０を同時にエッチングする。その後、第２エッチャントを用いて第４金属膜５５０をエッチングする。これによって、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）にソース電極２２５及びドレイン電極２２６が形成され、第２周辺領域（ＰＡ２）にデータ電極パッド２８０が形成される。
【００７６】
ソース電極２２５は、第１ソース電極層２２５ａ、第２ソース電極層２２５ｂ、及び第３ソース電極層２２５ｃを含み、ドレイン電極２２６は、第１ドレイン電極層２２６ａ、第２ドレイン電極層２２６ｂ、及び第３ドレイン電極層２２６ｃを含む。また、データ電極パッド２８０は、第１データ電極パッド層２８０ａ、第２データ電極パッド層２８０ｂ、及び第３データ電極パッド層２８０ｃを含む。
【００７７】
ここで、第１ソース電極層２２５ａ、第１ドレイン電極層２２６ａ、及び第１データ電極パッド層２８０ａを構成する第４金属膜５３０は、下部領域が相対的にエッチングが更に多く行われるアンダーカットが発生しない。したがって、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、及びデータ電極パッド２８０は、第１絶縁基板２１０に垂直する方向に切断した切断面の両端部がテーパーの形状を有する。
【００７８】
その後、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、及びデータ電極パッド２８０が形成された第１絶縁基板２１０上に保護膜２３０を形成する。ここで、保護膜２３０は、シリコン窒化膜からなる。また、保護膜２３０が形成された第１絶縁基板２１０上に有機絶縁膜２４０を形成する。
【００７９】
次に、図１０を参照すると、表示領域（ＤＡ）に対応する第１絶縁基板２１０上にコンタクトホール２４５、第１周辺領域（ＰＡ１）に対応する第１絶縁基板２１０上に第１ビアホール２６５を形成し、第２周辺領域（ＰＡ２）に対応する第１絶縁基板２１０上に第２ビアホール２８５を形成する。
【００８０】
即ち、表示領域（ＤＡ）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、及び第３ドレイン電極層２２６ｃの一部を除去して第２ドレイン電極層２２６ｂの一部を露出させるコンタクトホール２４５を形成する。また、第１周辺領域（ＰＡ１）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、ゲート絶縁膜２２３、及び第３ゲート電極パッド層２６０ｃの一部を除去して第２ゲート電極パッド層２６０ｂの一部を露出させる第１ビアホール２６５を形成する。第２周辺領域（ＰＡ２）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、及び第３データ電極パッド層２８０ｃの一部を除去して第２データ電極パッド層２８０ｂの一部を露出させる第２ビアホール２８５を形成する。
【００８１】
次に、図１１を参照すると、有機絶縁膜２４０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる画素電極２５０、第１透明電極２７０及び第２透明電極２９０を形成する。画素電極２５０は、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）に対応するように形成され、コンタクトホール２４５を通じてドレイン電極２２６と電気的に連結される。
【００８２】
ここで、画素電極２５０は、クロムからなる第２ドレイン電極層２２６ｂと直接接触される。したがって、画素電極２５０が第２ドレイン電極層２２６ｂと接触されることによって画素電極２５０とドレイン電極２２６との接触抵抗が減少する。
【００８３】
また、第１透明電極２７０は、第１絶縁基板２１０の第１周辺領域（ＰＡ１）に対応するように形成され、第１ビアホール２６５を介してゲート電極パッド２６０と電気的に連結される。ここで、第１透明電極２７０は、純粋なクロムからなる第２ゲート電極パッド層２６０ｂと直接接触される。したがって、第１透明電極２７０が第２ゲート電極パッド層２６０ｂと接触されることによって、第１透明電極２７０とゲート電極パッド２６０との接触抵抗が減少する。
【００８４】
第２透明電極２９０は、第１絶縁基板２１０の第２周辺領域（ＰＡ２）が対応するように形成され、第２ビアホール２８５を介してデータ電極パッド２８０と電気的に連結される。ここで、第２透明電極２９０は、純粋なクロムからなる第２データ電極パッド層２８０ｂと直接接触される。したがって、第２透明電極２９０が第２データ電極パッド層２８０ｂと接触されることによって、第２透明電極２９０とデータ電極パッド２８０との接触抵抗が減少する。
【００８５】
（アレイ基板の製造方法の第２の実施形態）
図１４乃至図２０は、図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
図１４を参照すると、アルミニウムネオジウムをターゲットとするスパッタリング方法または化学気相蒸着方法によって第１絶縁基板２１０上に第１金属膜５００を形成する。その後、第１金属膜５００が形成された第１絶縁基板２１０上にクロムからなる第２金属膜５１０を形成する。第２金属膜２１０は、クロムをターゲットとするスパッタリング方法によって形成される。また、第２金属膜５１０が形成された第１絶縁基板２１０上に窒化クロムからなる第３金属膜５２０を形成する。
【００８６】
第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）は、第１絶縁基板２１０上の表示領域（ＤＡ）、第１周辺領域（ＰＡ１）及び第２周辺領域（ＰＡ２）に形成される。
次に、図１５に示すように、第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）が形成された第１絶縁基板２１０上にフォトレジスト（図示せず）を形成する。
【００８７】
その後、フォトレジストが形成された第１絶縁基板２１０の上部に所定パターンを有するマスク５３０を配置する。マスク５３０は、ゲート電極２２１に対応する第１領域（Ａ１）に形成された第１閉鎖部５３２及びゲート電極パッド２６０に対応する第２領域（Ａ２）に形成された第２閉鎖部５３４を有する。
【００８８】
上記のマスク５３０による露光工程を行う。したがって、第１閉鎖部５３２及び第２閉鎖部５３４に対応する第１領域（Ａ１）及び第２領域（Ａ２）にのみ露光光が遮断される。その後、所定のエッチング液を用いてフォトレジストをエッチングすることによって第１領域（Ａ１）に対応する第１フォトレジストパターン５４２及び第２領域（Ａ２）に対応する第２フォトレジストパターン５４４を形成する。
【００８９】
次に、図１６に示すように、第１フォトレジストパターン５４２及び第２フォトレジストパターン５４４を用いて第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）をエッチングしてゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０を形成する。ゲート電極２２１は、第１ゲート電極層２２１ａ、第２ゲート電極層２２１ｂ、及び第３ゲート電極層２２１ｃで構成され、ゲート電極パッド２６０は、第１ゲート電極パッド層２６０ａ、第２ゲート電極パッド層２６０ｂ、及び第３ゲート電極パッド層２６０ｃで構成される。第１ゲート電極層２２１ａおよび第１ゲート電極パッド層２６０ａはアルミニウムネオジウムからなり、第２ゲート電極層２２１ｂ及び第２ゲート電極パッド層２６０ｂはクロムからなる。第３ゲート電極層２２１ｃ及び第３ゲート電極パッド層２６０ｃは、窒化クロムからなる。
【００９０】
ここで、第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）は、所定のエッチング液によって同時にエッチングされる。即ち、第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０であるクロムと窒化クロムをエッチングするための硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）と第１金属膜５００であるアルミニウムネオジウムをエッチングするためのフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）が混合されたエッチング液によってエッチングされる。
【００９１】
ここで、硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）は、約５〜３０重量％の割合で混合され、硝酸は約２〜２０重量％の割合で混合され、フッ化アンモニウムは約２〜３０重量％の割合で混合される。また、混合エッチング液は、ギ酸（Ｆｏｒｍｉｃ  Ａｃｉｄ；ＦＡ）または酢酸（Ａｃｅｔｉｃ  Ａｃｉｄ；ＡＡ）をさらに含むことができる。ギ酸（ＦＡ）及び酢酸（ＡＡ）は、約１〜５重量％の割合で混合される。
【００９２】
これは、図２１を参照して説明すると下記のようである。
図２１は、図１６のエッチング工程を説明するための概略図である。
図２１を参照すると、混合エッチング液６１０が満たされた第１エッチングバス６００内に第１乃至第３金属膜（５００、５１０、５２０）が形成された第１絶縁基板２１０を浸漬して１次エッチング工程を行う。混合エッチング液６１０は、硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）とフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）で構成される。ここで、混合エッチング液６１０内にギ酸（ＦＡ）または酢酸（ＡＡ）が更に含まれる。
【００９３】
混合エッチング液６１０のうち、硝酸セリウムアンモニウム（Ｃ．Ａ．Ｎ）及び硝酸（ＨＮＯ３）によってクロム及び窒化クロムからなる第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０が第１フォトレジストパターン５４２に対応する形状でエッチングされる。
【００９４】
その後、第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０のエッチングが中止され、アルミニウムネオジウムからなる第１金属膜５００のエッチングが行われる。ここで、ガルバニック効果によって第１金属膜５００のエッチングが相対的に多く行われる。したがって、図中‘Ａ’でのように第１フォトレジストパターン５４２に接する領域で第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０の一部が残留して突出した形状を有するオーバーハング現象が発生する。
【００９５】
その後、硝酸（ＨＮＯ３）７１０が満たされた第２エッチングバス７００に１次エッチング工程が完了した第１絶縁基板２１０を浸漬する。硝酸（ＨＮＯ３）７１０によって第１フォトレジスト５４２に接する領域で残留する第２金属膜５１０及び第３金属膜５２０がエッチングされる。したがって、第１絶縁基板２１０上にゲート電極２２１が形成される。ゲート電極２２１は、第１絶縁基板２１０に垂直する方向に切断した切断面の両端部がテーパー形状を有する。
ここでは、ゲート電極２２１を形成するためのエッチング工程のみを例として説明したが、ゲート電極パッド２６０も同一の工程を通じて形成する。
【００９６】
次に、図１７に示すように、第１フォトレジストパターン５４２及び第２フォトレジストパターン５４４を除去する。その後、ゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０が形成された第１絶縁基板２１０上にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜２２３を形成する。
【００９７】
その後、ゲート電極２２１が形成されたゲート絶縁膜２２３上に活性層２２４を形成する。活性層２２４は、半導体層２２４ａ及び半導体層２２４ａ上に形成されたオーミックコンタクト層２２４ｂで構成される。
【００９８】
活性層２２４が形成された第１絶縁基板２１０上には、第４金属膜５５０、第５金属膜５６０、及び第６金属膜５７０を順次に形成する。第４金属膜５５０、第５金属膜５６０、及び第６金属膜５７０はスパッタリング方法、化学気相蒸着方法またはプラズマ化学気相蒸着方法によって形成する。第４金属膜５５０はアルミニウムネオジウムからなり、第５金属膜５６０はクロムからなり、第６金属膜５７０は窒化クロムからなる。
【００９９】
次に、図１８を参照すると、第４乃至第６金属膜（５５０、５６０、５７０）が形成された第１絶縁基板２１０を所定のマスクを用いて露光し現像した後、混合エッチング液６１０を用いて第４乃至第６金属膜（５５０、５６０、５７０）をエッチングする。これによって、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）にソース電極２２５及びドレイン電極２２６が形成され、第２周辺領域（ＰＡ２）にデータ電極パッド２８０が形成される。
その後、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、及びデータ電極パッド２８０が形成された第１絶縁基板２１０上に保護膜２３０を形成する。ここで、保護膜２３０は、シリコン窒化膜からなる。また、保護膜２３０が形成された第１絶縁基板２１０上に有機絶縁膜２４０を形成する。
【０１００】
次に、図１９に示すように、表示領域（ＤＡ）に対応する第１絶縁基板２１０上にコンタクトホール２４５、第１周辺領域（ＰＡ１）に対応する第１絶縁基板２１０上に第１ビアホール２６５を形成し、第２周辺領域（ＰＡ２）に対応する第１絶縁基板２１０上に第２ビアホール２８５を形成する。
【０１０１】
即ち、表示領域（ＤＡ）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、及び第３ドレイン電極層２２６ｃの一部を除去して第２ドレイン電極層２２６ｂの一部を露出させるコンタクトホール２４５を形成する。また、第１周辺領域（ＰＡ１）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、ゲート絶縁膜２２３、及び第３ゲート電極パッド層２６０ｃの一部を除去して第２ゲート電極パッド層２６０ｂの一部を露出させる第１ビアホール２６５を形成する。第２周辺領域（ＰＡ２）の有機絶縁膜２４０、保護膜２３０、及び第３データ電極パッド層２８０ｃの一部を除去して第２データ電極パッド層２８０ｂの一部を露出させる第２ビアホール２８５を形成する。
【０１０２】
次に、図２０を参照すると、有機絶縁膜２４０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる画素電極２５０、第１透明電極２７０及び第２透明電極２９０が形成される。画素電極２５０は、第１絶縁基板２１０の表示領域（ＤＡ）に対応するように形成され、コンタクトホール２４５を介してドレイン電極２２６と電気的に連結される。
【０１０３】
また、第１透明電極２７０は、第１絶縁基板２１０の第１周辺領域（ＰＡ１）に対応するように形成され、第１ビアホール２６５を介してゲート電極パッド２６０と電気的に連結される。第２透明電極２９０は、第１絶縁基板２１０の第２周辺領域（ＰＡ２）に対応するように形成され、第２ビアホール２８５を介してデータ電極パッド２８０と電気的に連結される。
【０１０４】
上記したように、三重層構造を有するゲート電極２２１、ソース電極２２５及びドレイン電極２２６とゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０の形成のために混合エッチング液を用いて三重層が一つの工程でエッチングされる。これによって製造工程が単純化する。
【０１０５】
また、本発明では、アルミニウムネオジウム及びアルミニウムネオジウム上に形成されるクロム及び窒化クロムからなる三重層構造を例として説明したが、クロム及び窒化クロムを先に形成した後、アルミニウムネオジウムを形成する場合にも本発明を適用することができる。
【０１０６】
また、本発明は、三重層構造を有する場合を例として説明したが、アルミニウムネオジウム及びアルミニウムネオジウム上に積層されたクロムで形成される二重膜構造にも適用することができる。
【０１０７】
（液晶表示装置の実施形態）
図２２は、本発明の実施形態による液晶表示パネルを有する液晶表示装置を示す分解斜視図である。
図２２に示すように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、ディスプレイユニット８００及びディスプレイユニット８００の下部に形成されたバックライトアセンブリ９００を含む。
【０１０８】
ここで、ディスプレイユニット８００は、画像を表示する液晶表示パネル１００、液晶表示パネル１００を駆動するための駆動信号を提供するソース印刷回路基板８１０及びゲート印刷回路基板８２０を含む。
【０１０９】
ソース印刷回路基板８１０及びゲート印刷回路基板８２０から提供される駆動信号は、データ可撓性回路フィルム８３０及びゲート可撓性回路フィルム８４０を通じて液晶表示パネル１００に印加される。データ可撓性回路フィルム８３０及びゲート可撓性回路フィルム８４０は、一例として、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＴＣＰ）またはチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）で構成される。ここで、データ可撓性回路フィルム８３０及びゲート可撓性回路フィルム８４０はそれぞれソース印刷回路基板８１０及びゲート印刷回路基板８２０から提供される駆動信号を適切なタイミングに液晶表示パネル１００に印加するために駆動信号のタイミングを制御するデータ駆動チップ８５０及びゲート駆動チップ８６０を更に含む。
【０１１０】
液晶表示パネル１００は、図１及び図２に示した液晶表示パネルと同一であるので、同一の図面符号を付与し重複される説明は省略する。
一方、バックライトアセンブリ９００は、光を発生するランプユニット９１０、光の経路を調節して液晶表示パネル１００にガイドする導光板９２０、及びランプユニット９１０と導光板９２０を収納するための収納容器９３０を具備する。
【０１１１】
また、バックライトアセンブリ９００は、導光板９２０の上部に形成され、導光板９２０から提供された光の光学特性を向上させる光学シート９４０及び導光板９２０の下部に形成され、導光板９２０から漏洩された光をディスプレイユニット８００側に反射させる反射板９５０を更に含む。
【０１１２】
収納容器９３０に反射板９５０が収納されると、その上に導光板９２０及びランプユニット９１０が収納される。その後、導光板９２０上には、光学シート類９４０が収納され、その上に液晶表示パネル１００が装着される。ソース印刷回路基板８１０が収納容器９３０の外部に折曲がって背面に固定される。
【０１１３】
液晶表示パネル１００の上部には、収納容器９３０と対向結合して液晶表示パネル１００を収納容器９３０に固定するシャーシ１５００が提供される。
本発明の実施形態による液晶表示装置によれば、ゲート電極２２１、ソース電極２２５、ドレイン電極２２６、ゲート電極パッド２６０、及びデータ電極パッド２８０の形成時、アンダーカットが発生することを防止することができる。また、純粋なクロムと画素電極または透明電極が直接的に接触されることによって接触抵抗を減少させることができる。
【０１１４】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示パネルを示した断面図である。
【図２】図１に示したアレイ基板を示す平面図である。
【図３】ゲート電極の断面を示す概略断面図である。
【図４】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図５】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図６】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図７】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図８】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図９】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１０】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１１】図１に示したアレイ基板の第１の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１２】図５に示した第３金属膜を形成するためのリアクティブスパッタリング装置を示す概略図である。
【図１３】図５に示した第３金属膜を形成するためのプラズマ化学気相蒸着装置を示す概略図である。
【図１４】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１５】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１６】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１７】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１８】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１９】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図２０】図１に示したアレイ基板の第２の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図２１】図１６のエッチングを説明するための概略図である。
【図２２】本発明の実施形態による液晶表示パネルを有する液晶表示装置を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１００        液晶表示パネル
２００        アレイ基板
２１０        第１絶縁基板
２２０        薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２２１        ゲート電極
２２１ａ      第１ゲート電極層
２２１ｂ      第２ゲート電極層
２２１ｃ      第３ゲート電極層
２２３        ゲート絶縁膜
２２４        活性層
２２４ａ      半導体層
２２４ｂ      オーミックコンタクト層
２２５        ソース電極
２２５ａ      第１ソース電極層
２２５ｂ      第２ソース電極層
２２５ｃ      第３ソース電極層
２２６        ドレイン電極
２２６ａ      第１ドレイン電極層
２２６ｂ      第２ドレイン電極層
２２６ｃ      第３ドレイン電極層
２３０        保護膜
２４０        有機絶縁膜
２４５        コンタクトホール
２５０        画素電極
２６０        ゲート電極パッド
２６０ａ      第１ゲート電極パッド層
２６０ｂ      第２ゲート電極パッド層
２６０ｃ      第３ゲート電極パッド層
２６５        第１ビアホール
２７０        第１透明電極
２８０        データ電極パッド
２８０ａ      第１データ電極パッド層
２８０ｂ      第２データ電極パッド層
２８０ｃ      第３データ電極パッド層
２８５        第２ビアホール
２９０        第２透明電極
３００        カラーフィルタ基板
３１０        第２絶縁基板
３２０        遮光膜
３３０        カラーフィルタ
３４０        共通電極
４００        液晶層
６００        リアクティブスパッタリング装置
７００        プラズマ化学気相蒸着装置
８００        ディスプレイユニット
９００        バックライトアセンブリ
【図１】
2007025703.tif 000003
【図２】
2007025703.tif 000004
【図３】
2007025703.tif 000005
【図４】
2007025703.tif 000006
【図５】
2007025703.tif 000007
【図６】
2007025703.tif 000008
【図７】
2007025703.tif 000009
【図８】
2007025703.tif 000010
【図９】
2007025703.tif 000011
【図１０】
2007025703.tif 000012
【図１１】
2007025703.tif 000013
【図１２】
2007025703.tif 000014
【図１３】
2007025703.tif 000015
【図１４】
2007025703.tif 000016
【図１５】
2007025703.tif 000017
【図１６】
2007025703.tif 000018
【図１７】
2007025703.tif 000019
【図１８】
2007025703.tif 000020
【図１９】
2007025703.tif 000021
【図２０】
2007025703.tif 000022
【図２１】
2007025703.tif 000023
【図２２】
2007025703.tif 000024