(57)【要約】【課題】輝度の経時変化を抑制し、電流効率が高く表示品質の高い発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】一対の電極間に少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続された発光素子を複数備えた発光装置であって、一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には、該発光ユニット内に中間導電層が設けられている。発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。この構成により、電流密度を高めることなく、発光輝度を高めることができる。また、発光素子の隣接間リーク電流を抑えることができる。すなわち、マトリクス状に画素を配列させた表示装置において、画素間のクロストークの発生を抑制することができる。【選択図】図１
2007258163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心となる不純物元素とを含む発光層と、
前記発光層を少なくとも一層含む発光ユニットと、
前記発光ユニット内に設けられた中間導電層とを有し、
前記発光ユニットが、前記中間導電層を介して一対の電極間に複数個直列に接続されている発光素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心となる不純物元素とを含む発光層と、
前記発光層を少なくとも一層含む発光ユニットと、
前記発光ユニット内に設けられた中間導電層とを含み、
前記発光ユニットが、前記中間導電層を介して一対の電極間に複数個直列に接続されている発光素子を有し、
前記発光素子がマトリクス状に配列された画素部を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心となる不純物元素とを含む発光層と、
前記発光層を少なくとも一層含む発光ユニットと、
前記発光ユニット内に設けられた中間導電層とを含み、
前記発光ユニットが、前記中間導電層を介して一対の電極間に複数個直列に接続されている発光素子を有し、
前記発光素子で構成される画素がマトリクス状に配列された画素部を備え、
前記発光層は、隣接する画素間に連続して設けられ、前記中間導電層は、前記画素毎に分離して形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心となる不純物元素とを含む発光層と、
前記発光層を少なくとも一層含む発光ユニットと、
前記発光ユニット内に設けられた中間導電層とを含み、
前記発光ユニットが、前記中間導電層を介して一対の電極間に複数個直列に接続されている発光素子を有し、
前記発光素子で構成される画素がマトリクス状に配列された画素部を備え、
前記画素部は、前記一対の電極の一方の電極の周辺端部を覆う隔壁層を有し、
前記発光層は、前記一対の電極の一方の電極上と、前記隔壁層上を連続して形成され、前記中間導電層の端部は前記隔壁層上に位置していることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記母体材料は、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化カルシウム、硫化イットリウム、硫化ガリウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム、酸化亜鉛、酸化イットリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化カルシウム−ガリウム、硫化ストロンチウム−ガリウム、硫化バリウム−ガリウムのいずれかであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、前記不純物元素は、発光中心となる金属元素であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５において、前記不純物元素は複数種含まれており、発光中心となる金属元素と、
フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）のいずれか一と、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）のいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、前記金属元素は、母体材料に対して０．０５乃至５ａｔｏｍｉｃ％の濃度で含まれていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項５において、前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項５において、前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項５において、前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一と、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンスを利用する発光装置に係り、特に表示画面を形成する画素部の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、１０Ｖ程度の電圧を一対の電極間に印加して１００ｃｄ／ｍ２〜１０００ｃｄ／ｍ２の輝度で発光する有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が知られている。有機ＥＬ素子は、薄型化及び軽量化が可能であることから、表示装置や照明装置への応用が期待されている。しかし、実用化のためには、さらなる輝度の向上や劣化を抑制しなければならないことが指摘されている。
【０００３】
電流効率を高め、単位面積に換算したときの輝度を高める方法として、有機ＥＬ素子において複数の発光ユニットを積層し、単層の場合と同じ電流密度の電流を流すことによって、実質的に単位面積当たりの輝度が向上する発光素子が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
この発光ユニットを積層させた発光素子によれば、電流密度を半減させたとしても、発光ユニットが単層である標準的な発光素子と同等の輝度を得ることができる。例えばｎ倍の輝度を所望電流密度において得たい場合は、電極間に存在する同一の構成の発光ユニットをｎ個とすれば、電流密度を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できるとされている。このとき、駆動電圧もｎ倍、もしくはそれ以上になってしまうが、ｎ倍の輝度が寿命を犠牲にせずに実現できることの利点は大きいと言われている。
【特許文献１】特開２００３−４５６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、複数の発光ユニットを積層した発光素子で画素を形成し、数十マイクロメートルのピッチで画素をマトリクス状に配列させた表示装置では、隣接する画素間のクロストークが問題となる。すなわち、一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に設けた中間導電層により、隣接する発光素子に電流が流れてしまう。中間導電層は導電性を有するため、もし発光ユニットから中間導電層が露出している場合、その部位で短絡不良の発生頻度が高まってしまう。
【０００６】
そこで本発明は、隣接する発光素子同士のクロストークの発生を抑制した発光装置を提供することを課題とする。また、本発明は複数の発光ユニットを積層した発光素子で画素を形成した発光装置において、短絡不良の発生を抑制することを課題とする。また、本発明では、電流効率が高く表示品質の高い発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一は、一対の電極間に少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続された発光素子を複数備えた発光装置である。一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には、該発光ユニット内に中間導電層が設けられている。発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。
【０００８】
本発明の一は、一対の電極間に少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続された発光素子を各画素に設け、該画素をマトリクス状に配列させた画素部を有する発光装置である。一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には、中間導電層が設けられている。発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。発光層は、隣接する画素間で連続して形成され、前記中間導電層は、画素毎に形成されている。
【０００９】
本発明の一は、一対の電極間に少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続された発光素子を各画素に設け、該画素をマトリクス状に配列させた画素部を有する発光装置である。一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には、中間導電層が設けられている。画素部は、前記一対の電極の一方の電極の周辺端部を覆う隔壁層を有している。発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。発光層は、一対の電極の一方の電極上と隔壁層上を連続して形成されている。中間導電層は、一対の電極の一方の電極上に形成され、該中間導電層の端部が隔壁層上に位置している。
【００１０】
本発明において、発光ユニットとは、代表的には元素周期表第１２族と第１６族元素を含む母体材料と、発光中心を形成する不純物元素を含む一又は複数の層により構成される。発光ユニットは一対の電極と中間導電層を除いた要素を指す。例えば、元素周期表第１２族と第１６族元素を含む母体材料と発光中心を形成する不純物元素を含む発光層と、該発光層を挟むキャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層など）若しくはキャリア注入層（正孔注入層、電子注入層など）で構成されていても良い。
【００１１】
中間導電層とは、一の発光ユニットと他の発光ユニットの間に挟まれ、一対の電極の一方を陽極、他方を陰極とした場合に、素子の陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する機能を持った層をいう。
【００１２】
発光装置とは、発光素子と、該発光素子の発光及び非発光を制御する機能を備えた装置を含み、発光素子で画素を形成して映像等を表示する表示媒体、光源（照明装置を含む）を範疇に含む。また、本明細書中で示す発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には中間導電層を設けることにより、電流密度を高めることなく、発光輝度を高めることができる。また、中間導電層を、一の発光ユニットと他の発光ユニット内に設けることにより、発光素子の隣接間リーク電流を抑えることができる。すなわち、マトリクス状に画素を配列させた表示装置において、画素間のクロストークの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は本形態の発光装置の構成を説明する図である。図１（Ａ）は発光装置おいて画素を構成する発光素子の構造を示している。この発光素子は、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３及び中間導電層１１０を含む。中間導電層１１０は第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２との間に設けられており、その端部は第１の発光ユニット１０１若しくは第２の発光ユニット１０２に覆われて画素毎に分離されている。
【００１６】
第１の電極１００及び第２の電極１０３は金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物金属、化合物、合金を用いることができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−チタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等それらの合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の窒化物、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２ｗｔ％〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等のターゲットを用いてスパッタリング法で成膜された導電性金属酸化物等を用いることができる。なお、第１の電極１００と第２の電極１０３は一方が陽極として機能する電極、他方が陰極として機能する。
【００１７】
第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２は少なくとも発光物質を含む発光層を含んでいる。
【００１８】
発光ユニットの発光層として適した発光材料について説明する。ここで示す発光材料は、母体材料及び発光中心となる少なくとも１種類以上の不純物元素で構成される材料である。なお、これら不純物元素は母体材料を構成する元素を含まないものとする。
【００１９】
発光材料に用いる母体材料は無機材料として、硫化物、酸化物、窒化物を用いる。硫化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ２Ｓ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）などを用いることができる。酸化物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）などを用いることができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）などを用いることができる。さらに、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）なども用いることができ、硫化カルシウム−ガリウム（ＣａＧａ２Ｓ４）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ２Ｓ４）、硫化バリウム−ガリウム（ＢａＧａ２Ｓ４）、などの３元系の混晶であってもよい。
【００２０】
不純物元素としては、金属イオンの内殻電子遷移を利用した発光中心を形成するものとして、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などの金属元素を用いることができる。なお、電荷補償として、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
【００２１】
また、ドナー・アクセプタ再結合を利用した発光中心として、第一の不純物元素及び第二の不純物元素を含む発光材料を用いることができる。第一の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属元素、珪素（Ｓｉ）などを用いることができる。第二の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）などを用いることができる。
【００２２】
この発光材料は固相反応、すなわち、母体材料及び不純物元素を秤量し、乳鉢で混合、電気炉で加熱して反応させる方法により、母体材料に不純物元素を含有させる。例えば、母体材料と、第一の不純物元素又は第一の不純物元素を含む化合物と、第二の不純物元素又は第二の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を行う。焼成温度は、７００℃〜１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固体反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。
【００２３】
また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第一の不純物元素と第二の不純物元素で構成される化合物を用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されやすく固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに余分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第一の不純物元素と第二の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化銅（ＣｕＦ２）、塩化銅（ＣｕＣｌ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、リン化銅（Ｃｕ３Ｐ）、フッ化銀（ＡｇＦ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、ヨウ化銀（ＡｇＩ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）、塩化金（ＡｕＣｌ３）、臭化金（ＡｕＢｒ３）、塩化白金（ＰｔＣｌ２）などを用いることができる。また、第二の不純物元素の代わりに第三の不純物元素を含んだ発光材料を用いてもよい。
【００２４】
第三の不純物元素は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などを用いることができる。これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％であれば良く、好ましくは０．１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％の範囲である。
【００２５】
高い電気導電性を有する発光材料としては、母体材料として、上述した材料を用い、上述した第一の不純物元素及び第二の不純物元素及び第三の不純物元素を含む発光材料を用いることができる。これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％であれば良く、好ましくは０．１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％の範囲であれば良い。
【００２６】
第二の不純物元素と第三の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、ヨウ化リチウム（ＬｉＩ）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）などのハロゲン化アルカリ、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミニウムアンチモン（ＡｌＳｂ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）などを用いることができる。
【００２７】
母体材料として、上述した材料を用い、上述した第一の不純物元素及び第二の不純物元素及び第三の不純物元素を含む発光材料を用いた発光層は、高電界により加速されたホットエレクトロンを必要とすることなく発光することが可能である。つまり、発光素子に高電圧を印加する必要がなくなるため、低駆動電圧で動作可能な発光素子を得ることができる。また、低駆動電圧で発光可能であるため、消費電力も低減された発光素子を得ることができる。また、さらに他の発光中心となる元素が含まれていてもよい。
【００２８】
また、母体材料として上述した材料を用い、第二の不純物元素及び第三の不純物元素及び上述した金属イオンの内殻電子遷移を利用した発光中心を含む発光材料を用いることができる。この場合、発光中心となる金属イオンは、母体材料に対して０．０５ａｔｏｍｉｃ％〜５ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。また、第二の不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０５ａｔｏｍｉｃ％〜５ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。また、第三の不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０５ａｔｏｍｉｃ％〜５ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。このような構成の発光材料は、低電圧で発光可能である。よって、低駆動電圧で発光可能な発光素子を得ることができるため、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。また、さらに他の発光中心となる元素が含まれていてもよい。
【００２９】
例えば、特開２００５−３３６２７５号公報に開示されているものとして、母体材料としてＺｎＳ、第１の不純物としてＣｕ、第２の不純物としてＣｌ及びＧａ、第３の不純物元素してＡｓを含み、さらに他の発光中心としてＭｎを含む発光材料を用いることも可能である。このような発光材料を形成するには、以下に示す方法を用いることができる。ＺｎＳに、硫酸銅（ＣｕＳ）、硫黄、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を配合した発光体（ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｃｌ）にＭｎを加え、真空中で２〜４時間程度焼成する。焼成温度は７００℃〜１５００℃であることが好ましい。この焼成したものを粉砕して粒径５μｍ〜２０μｍにし、粒径１μｍ〜３μｍのＧａＡｓを加え撹拌する。この混合物を、硫黄ガスを含む窒素気流中で約５００℃〜８００℃で２〜４時間焼成することにより、発光材料を得ることができる。この発光材料を用いて、蒸着法などにより薄膜を形成することにより、発光素子の発光層として用いることができる。
【００３０】
また、上記の発光材料に対して、さらに、不純物元素を添加することにより、発光材料の結晶系を制御することができる。結晶系を制御できる不純物としては、立方晶系のものとして、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｓｉ、Ｇｅなどを挙げることができる。また、六方晶系のものとして、ＧａＮ、ＩｎＮを挙げることができる。他にもＡｌＰ、ＡｌＮ、ＡｌＳｂなどを用いることができる。発光材料の結晶系を制御することにより、発光効率を向上させることができる。
【００３１】
図２１（Ａ）は、第１の電極１２、第１の発光ユニット１４、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８、第２の電極２０が積層された発光素子を示している。この発光素子は、第１の電極１２と、第２の電極２０の間に電圧を印加することで発光させることができる。
【００３２】
第１の電極１２は、種々の金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。第１の電極１２を透明電極とする場合には、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム酸化スズなどを用いて形成する。これらの導電性金属酸化物膜は、スパッタリングにより作製することができる。例えば、酸化インジウム酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。第１の電極１２を金属電極とする場合には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などを用いることができる。
【００３３】
第２の電極２０は、第１の電極１２と同様にして形成することができる。第２の電極２０は第１の電極１２と対を成して形成するので、一方の電極を透明電極とする場合には、他方を金属電極で形成すれば良い。また、両方の電極を透明電極で形成しても良い。
【００３４】
第１の発光ユニット１４及び第２の発光ユニット１８は、発光層２２により形成されている。この発光層２２は、上記発光材料を用いて作製することができる。
【００３５】
中間導電層１６は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などの透明導電膜材料で形成することが好ましい。第１の発光ユニット及び第２の発光ユニットで発光した光を有効に取り出すためである。
【００３６】
中間導電層の他の構成として、正孔発生層と電子発生層を積層した構成としても良い。正孔発生層は無機化合物と有機化合物との複合材料で形成することができる。正孔発生層を形成するものとして、無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す物質であり、有機化合物は正孔輸送性に優れた物質である。無機化合物としては特に限定されないが、遷移金属酸化物が好ましく、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適である。有機化合物としては、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＢ、ＴＰＤ、ＮＰＢ、ＤＮＴＰＤ、ＴＣＴＡなどに代表される芳香族アミン化合物は、ホールを発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。
【００３７】
電子発生層としては、電子輸送性の有機化合物と、その有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有する層を含んでいればよい。電子輸送性の有機化合物としては、Ａｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＰＢＩ、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺなどを用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属、あるいはそれらの合金がある。また、酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウムなどのアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物を用いることもできる。
【００３８】
いずれにしても、第１の発光ユニット１４と第２の発光ユニット１８に挟まれる中間導電層１６は、第１の電極１２と第２の電極２０に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。
【００３９】
図２１（Ａ）では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても適用することができる。一対の電極間に複数の発光ユニットを中間導電層で連結することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光させつつ劣化を抑制することができる。
【００４０】
図２１（Ｂ）は、第１の発光ユニット１４及び第２の発光ユニット１８の構成として、発光層２２とバリア層２４を組み合わせたものである。バリア層２４は発光層２２の陰極側に配置することが好ましい。バリア層２４は膜厚を０．１ｎｍ〜２ｎｍ程度とし、トンネル電流が流れる厚さで形成する。
【００４１】
バリア層２４は、絶縁性又は半絶縁性の金属酸化物又は金属窒化物を用いることができる。例えば、アルミニウム、タングステン、クロム、モリブデン、チタンなどの酸化物又は窒化物を用いることができる。このような金属酸化物又は金属窒化物の薄膜はスパッタリング法で形成することができる。また、金属電極の表面を陽極酸化して形成することもできる。
【００４２】
バリア層２４を設けることにより、電極と発光層の界面でキャリアが再結合してしまうことを防止することができる。また、発光層に注入されたキャリアに対しバリアとなるので、キャリアが発光に寄与せずそのまま電極や中間導電層に流れ込んでしまう確率を抑制することができる。このような構成とすることで、発光効率を高めることができる。なお、図２１（Ｂ）は、第１の電極１２が陽極、第２の電極２０が陰極の場合を想定している。第１の電極１２を陰極、第２の電極２０を陽極とする場合には、バリア層２４の配置は反転する。
【００４３】
図２１（Ｃ）は、第１の発光ユニット１４及び第２の発光ユニット１８の構成として、発光層２２の両側にバリア層２４を設けたものである。バリア層２４は膜厚を０．１ｎｍ〜２ｎｍ程度とし、トンネル電流が流れる厚さで形成することで、図２１（Ｂ）と同様の効果が得られる。また、バリア層２４を１０ｎｍ〜１０００ｎｍとすると、交流駆動により発光させることもできる。
【００４４】
図２２（Ａ）、（Ｂ）は、発光素子において、無機材料で形成される発光層に、キャリア注入性を高めるために有機無機複合材料層を組み合わせる態様を示している。この場合も発光素子は、第１の電極１２、第１の発光ユニット１４、中間導電層１６、第２の発光ユニット１８、第２の電極２０で構成される。
【００４５】
図２２（Ａ）は、第１の発光ユニット１４及び第２の発光ユニット１８の構成として、発光層２２と有機無機複合材料層２６を組み合わせる構成を示している。有機無機複合材料層２６は正孔を注入するものとして、発光層２２の陽極側に設けることが好ましい。図２２（Ａ）は、第１の電極１２が陽極、第２の電極２０が陰極の場合を想定している。第１の電極１２を陰極、第２の電極２０を陽極とする場合には、有機無機複合材料層２６の配置を反転させれば良い。
【００４６】
有機無機複合材料層２６は、有機化合物と無機化合物とを複合してなる有機無機複合材料である。有機無機複合材料に用いる有機化合物として、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど）などの化合物を用いることができる。なお、有機無機複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。以下では、有機無機複合材料に用いることのできる有機化合物を例示する。
【００４７】
芳香族アミン化合物としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などを挙げることができる。
【００４８】
また、以下に示す有機化合物を用いることにより、４５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料を得ることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）などを挙げることができる。
【００４９】
カルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）などがある。
【００５０】
また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、２，３，５，６−トリフェニル−１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼンなどを用いることができる。
【００５１】
また、４５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（ナフタレン−１−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（４−フェニルフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（ナフタレン−１−イル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（ナフタレン−１−イル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（ナフタレン−１−イル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジ（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレンなどがある。また、この他、ペンタセン、コロネンなども用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【００５２】
４５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）などがある。
【００５３】
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【００５４】
有機無機複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属酸化物が好ましい。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることが好ましい。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く扱いやすいので好ましい材料である。
【００５５】
上記のような有機化合物と無機化合物を複合化して（互いに相互作用させて）、得られる有機無機複合材料は、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また導電性が高い。よって、電極からキャリアを注入しやすく、発光層へ効率良くキャリアを輸送することができる。また、有機無機複合材料は導電性金属酸化物、各種金属とオーム接触をすることが可能となる。また、４５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料を、有機無機複合材料層２６として用いることにより、発光層２２の発光を吸収することなく効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。
【００５６】
また、有機化合物と無機化合物とを複合した有機無機複合材料を含む層は導電性が高いため、有機無機複合材料を含む層を厚膜化した場合でも、駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、駆動電圧の上昇を抑制しつつ、外部への光の取り出し効率が高くなるように有機無機複合材料を含む層の膜厚を最適化することが可能となる。また、駆動電圧を上昇させることなく、光学設計による色純度の向上を実現することができる。
【００５７】
なお、有機無機複合材料を含む層の製造方法は、湿式法、乾式法を問わず、どのような手法を用いても良い。例えば、有機無機複合材料を含む層は、上述した有機化合物と無機化合物との共蒸着で作製することができる。また、上述した有機化合物と金属アルコキシドを含む溶液を塗布し、焼成することによって得ることもできる。なお、酸化モリブデンは真空中で蒸発しやすく、作製プロセスの面からも好ましい。
【００５８】
このように、第１の電極１２（陽極）と発光層２２の間、若しくは中間導電層１６と発光層２２の間に有機無機複合材料層２６を設けることで、発光層に対する正孔の注入性を向上させることができる。発光層２２を形成する母体材料は導電型がｎ型であるので、正孔注入性を向上させる有機無機複合材料層２６を組み合わせることにより、キャリアの注入性を高めることができる。それにより、照明装置において、低電圧の点灯を可能とし、発光効率を高めることができる。すなわち、低消費電力化を図ることができる。
【００５９】
図２２（Ｂ）は発光層２２の一方の面に有機無機複合材料層２６を設け、他方の面にバリア層２４を設ける構成を示している。バリア層２４は、電極と発光層の界面でキャリアが再結合してしまうことを防止することができる。また、発光層に注入されたキャリアに対しバリアとなるので、キャリアが発光に寄与せずそのまま電極や中間導電層に流れ込んでしまう確率を抑制することができる。このように、有機無機複合材料層２６とバリア層２４を組み合わせることにより、より発光効率を高めることができる。
【００６０】
中間導電層１１０を形成するのに用いることのできるのは透明性を有する透明導電膜であり、具体例としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛等の無機導電膜、透明性を有する程度に薄膜化した金属膜、導電性有機化合物などである。
【００６１】
また、中間導電層１１０は、陰極として機能する層側から正孔を発生する層と電子を発生する層との積層体であっても良い。正孔を発生する層は無機化合物と有機化合物との複合材料でなり、この層において無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す物質であり、有機化合物は正孔輸送性に優れた物質である。無機化合物としては特に限定されないが、遷移金属酸化物が好ましく、具体的には酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適である。有機化合物としては先に正孔輸送層の材料として挙げた材料を用いることができるが、特にその中でも、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＢ、ＴＰＤ、ＮＰＢ、ＤＮＴＰＤ、ＢＢＰＢ、ＴＣＴＡなどに代表される芳香族アミン化合物は、ホールを発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。電子を発生する層は電子を発生できる層であれば特に限定はされないが、具体的には、電子輸送性の有機化合物と、その有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有する層を含んでいればよい。電子輸送性の有機化合物としては、Ａｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＰＢＩ、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺなどを用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属、あるいはそれらの合金が挙げられる。また、酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム等のアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を用いることもできる。
【００６２】
なお、中間導電層１１０は可視光領域の吸収ができるだけ小さいことが望ましい。ここで、正孔を発生する層において、有機化合物に下記一般式に示したような構造を有する有機材料を用いることによって、正孔を発生する領域の可視光における吸収を低減させることができる。
【００６３】
【化１】
2007258163.tif 000003
ただし、式中Ｒ１〜Ｒ２４は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基のいずれかを表す。
【００６４】
【化２】
2007258163.tif 000004
ただし、式中、Ｘは、構造式（２−１）、構造式（２−３）〜（２−６）、一般式（２−２）に示す芳香族炭化水素基のいずれかを表し、Ｒ１〜Ｒ２０はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、Ｒ２１はアルキル基を表す。
【００６５】
【化３】
2007258163.tif 000005
ただし、式中Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。
【００６６】
また、中間導電層１１０は、陰極として機能する層側から正孔を発生する層、透明導電膜、電子を発生する層の積層体であっても良い。
【００６７】
このように、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含む発光層（無機発光層）に有機化合物を含む中間導電層を用いることで、複数の発光ユニットを連結して効率良く発光させることができる。
【００６８】
中間導電層１１０は画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層１１０が第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と中間導電層１１０が短絡する恐れも無く、第２の電極１０３と中間導電層１１０が中間導電層１１０の端部においてショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００６９】
また、中間導電層１１０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層１１０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層１１０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層１１０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層１１０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少し、表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層１１０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層１１０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００７０】
図１（Ｂ）はアクティブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８及び第２の電極２０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁層２０６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁層２０６から露出した部分に形成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、発光の制御がなされる。
【００７１】
基板２００は薄膜トランジスタや発光素子の支持体として用いられ、その材料としてはガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど）等を用いることができるが、その他薄膜トランジスタや発光素子の支持体として用いることができるものであればこれら以外の材料で形成されていても良い。
【００７２】
基板２００と半導体層２０１との間には下地絶縁膜が単層もしくは多層で設けられていても良い。下地絶縁膜は、基板２００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐために設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができる。なお、基板からの不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁膜は設ける必要がない。
【００７３】
薄膜トランジスタは本形態ではトップゲート型（順スタガ型）の薄膜トランジスタの例を示したが、ボトムゲート型（逆スタガ型）など他の形状の薄膜トランジスタでも良く、本形態は発光素子を駆動するトランジスタの種類及び駆動方法によって限定されることはない。
【００７４】
層間絶縁膜２０３は薄膜トランジスタと発光素子が不要な部分において電気的に接触することを防ぐために設けられ、単層であっても多層であっても良い。層間絶縁膜２０３は少なくとも一層が下部の薄膜トランジスタなどにより発生した凹凸を緩和できるような自己平坦性を有する材料で形成することが好ましい。層間絶縁膜２０３は、アクリル、ポリイミド、もしくは珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基として少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）、フルオロ基、又は少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ基を有する材料、いわゆるシロキサンなどの材料を用いることが望ましい。また、その他の材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒化珪素を含む酸化珪素、酸化珪素を含む窒化珪素、Ｌｏｗ−ｋ材料等を用いて形成することができる。
【００７５】
第１の電極２０５、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８、第２の電極２０９よりなる発光素子は図１（Ａ）で説明した発光素子と同じ構成を有している。発光素子の第１の電極２０５は隔壁層２０６によってその端部が覆われており、隔壁層２０６より第１の電極２０５が露出している部分が当該発光素子の発光領域となる。隔壁層２０６は層間絶縁膜２０３の材料として挙げた材料と同様の材料を使用することができる。
【００７６】
発光素子の第１の電極２０５と薄膜トランジスタとを電気的に接続する電極２０４はアルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブデンの合金等の単層や多層で形成する。多層構造の場合例えば、薄膜トランジスタ側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンやチタン、アルミニウム、チタンもしくはチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった積層構造を適用することができる。
【００７７】
図１（Ｂ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層２５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット２０７及び第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上した発光装置である。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層２５０が第１の発光ユニット２０７及び第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、第２の電極２０９と中間導電層２５０が中間導電層２５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極２０９と中間導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００７８】
また、中間導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層２５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層２５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層２５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層２５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層２５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００７９】
図１（Ｃ）はパッシブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板３００上に、第１の電極３０１、第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０、第２の発光ユニット３０４及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁層３０２によって分離されている。基板３００、第１の電極３０１、第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０、第２の発光ユニット３０４、第２の電極３０５及び隔壁層３０２はそれぞれ図１（Ｂ）における基板２００、第１の電極２０５、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８、第２の電極２０９及び隔壁層２０６に相当し、同様の材料を用いることができる。
【００８０】
図１（Ｃ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層３５０は画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット３０３及び第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層３５０が第１の発光ユニット３０３及び第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、第２の電極３０５と中間導電層３５０が中間導電層３５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極３０５と中間導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００８１】
また、中間導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層３５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層３５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層３５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層３５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層３５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけない高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００８２】
（実施の形態２）
図２は本形態の発光装置の構成を説明する図である。図２（Ａ）は発光装置内の１画素を表しており、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３、中間導電層１１０及び中間導電層１１１を含む。図２（Ａ）において、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３及び中間導電層１１０は、図１（Ａ）と全く同じ構成であるので図１（Ａ）の説明が参照される。中間導電層１１１は画素毎に分離されており、その構成、材料は中間導電層１１０と同じである。また、中間導電層１１１は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【００８３】
本形態に係る発光装置は、発光素子内に第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２の複数の発光ユニットを有する構成となっている。そのため、発光ユニットが単数の場合と比較して少ない電流密度で同じ輝度を得ることが可能となる。
【００８４】
また、中間導電層１１１はその膜厚が大きくなっても、発光ユニットと比較して抵抗が小さいことから発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため中間導電層１１１を適当な膜厚で設けることによって、発光ユニットから発した発光が第１の電極１００に達するまでの光路長を調整することが可能となる。第１の電極１００までの光路長を調整することができることから、第１の電極１００の界面で起こった反射光を利用して、マイクロキャビティー効果により発光の色純度や視野角依存性を制御するなどの光学設計ができるようになり、より表示品質を向上させることができるようになる。さらに中間導電層１１１は厚膜化が可能であることから、第１の電極１００表面に何らかの原因で凹凸が発生していたり、第１の電極上に異物が存在していたりしても、凹凸を緩和して異物を覆うことができる。これにより、第１の電極１００上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させることができるようになる。
【００８５】
中間導電層１１０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態に係る発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層１１０が第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と中間導電層１１０が中間導電層１１０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極１０３と中間導電層１１０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００８６】
中間導電層１１０の端部は、発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。本形態に係る発光装置に用いられるような発光素子は、基板側から見て中間導電層１１０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層１１０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層１１０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層１１０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層１１０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層１１０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければならないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００８７】
中間導電層１１１も同様に、その端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層１１１が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層１１１が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【００８８】
図２（Ｂ）はアクティブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、中間導電層２５１、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８及び第２の電極２０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁層２０６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁層２０６から露出した部分に形成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、発光の制御がなされる。図２（Ｂ）に示した発光装置において中間導電層２５１以外の構成は図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ずる。中間導電層２５１は画素毎に分離されており、中間導電層２５１の構成、材料は中間導電層２５０と同じである。また、中間導電層２５１は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【００８９】
中間導電層２５１はその膜厚が大きくなっても、発光ユニットと比較して抵抗が小さいことから発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため中間導電層２５１を適当な膜厚で設けることによって、発光ユニットから発した発光が第１の電極２０５に達するまでの光路長を調整することが可能となる。第１の電極２０５までの光路長を調整することができることから、第１の電極２０５の界面で起こった反射光を利用して、マイクロキャビティー効果により発光の色純度や視野角依存性を制御するなどの光学設計ができるようになり、より表示品質を向上させることができるようになる。さらに中間導電層２５１は厚膜化が可能であることから、第１の電極２０５表面に何らかの原因で凹凸が発生していたり、第１の電極２０５上に異物が存在する場合でも凹凸を緩和して異物を被覆することができる。これにより、第１の電極２０５上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させることができるようになる。
【００９０】
図２（Ｂ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層２５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット２０７と第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質を向上させることができる。また、中間導電層２５０が第１の発光ユニット２０７及び第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、第２の電極２０９と中間導電層２５０が中間導電層２５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極２０９と中間導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００９１】
中間導電層２５０の端部は、発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層２５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層２５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層２５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層２５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層２５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００９２】
中間導電層２５１もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層２５１が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層２５１が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【００９３】
図２（Ｃ）はパッシブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板３００上に、第１の電極３０１、中間導電層３５１、第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０、第２の発光ユニット３０４及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁層３０２によって分離されている。図２（Ｃ）に示した発光装置において中間導電層３５１以外の構成は図１（Ｃ）と同じ構成であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。中間導電層３５１は画素毎に分離されており中間導電層３５１の構成、材料は中間導電層３５０と同じである。また、中間導電層３５１は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【００９４】
図２（Ｃ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層３５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット３０３と第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層３５０が第１の発光ユニット３０３及び第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、第２の電極３０５と中間導電層３５０が中間導電層３５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極３０５と中間導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【００９５】
また、中間導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層３５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層３５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層３５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層３５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによって、たとえ中間導電層３５０が多少ずれて形成されてしまったとしても表示品質の低下を低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【００９６】
中間導電層３５１もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層３５１が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層２５１が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【００９７】
（実施の形態３）
図３は本形態の発光装置の模式図である。図３（Ａ）は発光装置内の１画素を表しており、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３、中間導電層１１０及び中間導電層１１２を含む。図３（Ａ）において、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３及び中間導電層１１０は図１（Ａ）と同じ構成であるので図１（Ａ）の説明が参照される。中間導電層１１２は第２の発光ユニット１０２と第２の電極１０３との間に設けられ、その端部は第２の発光ユニット１０２と第２の電極１０３に覆われており、画素毎に分離されている。中間導電層１１２の構成、材料は中間導電層１１０と同じである。中間導電層１１２は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【００９８】
本形態の発光装置では、発光素子内に第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２の複数の発光ユニットを有する構成となっている。そのため、発光ユニットが単数の場合と比較して少ない電流密度で同じ輝度を得ることが可能となる。
【００９９】
中間導電層１１２はその膜厚が大きくなっても、発光ユニットと比較して抵抗が小さいことから発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため中間導電層１１２を適当な膜厚で設けることによって、発光ユニットから発した発光が第２の電極１０３に達するまでの光路長を調整することが可能となる。さらに、第２の電極１０３までの光路長を調整することができることから、第２の電極１０３の界面で起こった反射光を利用して、マイクロキャビティー効果により発光の色純度や視野角依存性を制御するなどの光学設計ができるようになり、より表示品質を向上させることができるようになる。
【０１００】
中間導電層１１０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。中間導電層１１０が第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と中間導電層１１０が中間導電層１１０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極１０３と中間導電層１１０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１０１】
中間導電層１１０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層１１０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層１１０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層１１０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層１１０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層１１０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによって、たとえ中間導電層１１０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１０２】
中間導電層１１２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層１１２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層１１２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１０３】
図３（Ｂ）はアクティブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８、中間導電層２５２及び第２の電極２０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁層２０６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁層２０６から露出した部分に形成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、発光の制御がなされる。図３（Ｂ）に示した発光装置において中間導電層２５２以外の構成は図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ずる。中間導電層２５２は第２の発光ユニット２０８と第２の電極２０９との間に設けられ、その端部は第２の発光ユニット２０８と第２の電極２０９に覆われており、画素毎に分離されている。中間導電層２５２の構成、材料は中間導電層２５０と同じである。また、中間導電層２５２は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【０１０４】
中間導電層２５２はその膜厚が厚くなっても、発光ユニットと比較して抵抗が小さいことから発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため中間導電層２５２を適当な膜厚で設けることによって、発光ユニットから発した発光が第２の電極２０９に達するまでの光路長を調整することが可能となる。第２の電極２０９までの光路長を調整することができることから、第２の電極２０９の界面で起こった反射光を利用して、マイクロキャビティー効果により発光の色純度や視野角依存性を制御するなどの光学設計ができるようになり、より表示品質を向上させることができるようになる。
【０１０５】
図３（Ｂ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層２５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット２０７と第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。中間導電層２５０が第１の発光ユニット２０７及び第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、第２の電極２０９と中間導電層２５０が中間導電層２５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極２０９と中間導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１０６】
中間導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層２５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層２５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層２５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層２５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層２５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１０７】
中間導電層２５２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層２５２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層２５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１０８】
図３（Ｃ）はパッシブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板３００上に、第１の電極３０１、第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０、第２の発光ユニット３０４、中間導電層３５２及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁層３０２によって分離されている。図３（Ｃ）に示した発光装置において中間導電層３５２以外の構成は図１（Ｃ）と同じ構成であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。中間導電層３５２は第２の発光ユニット３０４と第２の電極３０５との間に設けられ、その端部は第２の発光ユニット３０４と第２の電極３０５に覆われており、画素毎に分離されている。中間導電層３５２の構成、材料は中間導電層３５０と同じである。また、中間導電層３５２は実施の形態１における中間導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。
【０１０９】
図２（Ｃ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層３５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット３０３と第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層３５０が第１の発光ユニット３０３及び第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、第２の電極３０５と中間導電層３５０が中間導電層３５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極３０５と中間導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１１０】
中間導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層３５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層３５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層３５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層３５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層３５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１１１】
中間導電層３５２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層３５２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層３５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１１２】
（実施の形態４）
図４は本形態の発光装置の模式図である。図４（Ａ）は発光装置内の１画素を表しており、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３、中間導電層１１０、中間導電層１１１及び中間導電層１１２を含む。図４（Ａ）において、第１の電極１００、第１の発光ユニット１０１、第２の発光ユニット１０２、第２の電極１０３及び中間導電層１１０は図１（Ａ）と全く同じ構成であるので図１（Ａ）の説明に準ずる。また、中間導電層１１１については図２（Ａ）に、中間導電層１１２については図３（Ａ）の説明に準ずる。本形態における発光装置は、第１の電極１００側と第２の電極１０３側の両方に導電層を有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため、より綿密な光学設計を行うことができる。また、第１の電極１００側に中間導電層１１１を有することから、第１の電極１００上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させることができるようになる。
【０１１３】
本形態の発光装置では、発光素子内に第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２の複数の発光ユニットを有する構成となっている。そのため、発光ユニットが単数の場合と比較して少ない電流密度で同じ輝度を得ることが可能となる。
【０１１４】
中間導電層１１０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット１０１と第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層１１０が第１の発光ユニット１０１及び第２の発光ユニット１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と中間導電層１１０が中間導電層１１０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極１０３と中間導電層１１０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１１５】
中間導電層１１０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層１１０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層１１０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層１１０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層１１０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層１１０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層１１０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１１６】
中間導電層１１１、中間導電層１１２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層１１１や中間導電層１１２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層１１１や中間導電層１１２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１１７】
図４（Ｂ）はアクティブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、中間導電層２５１、第１の発光ユニット２０７、中間導電層２５０、第２の発光ユニット２０８、中間導電層２５２及び第２の電極２０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁層２０６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁層２０６から露出した部分に形成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、発光の制御がなされる。図４（Ｂ）に示した発光装置において中間導電層２５１、中間導電層２５２以外の構成は図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ずる。中間導電層２５１については図２（Ｂ）に、中間導電層２５２については図３（Ｂ）の説明に準ずる。本形態における発光装置は、第１の電極２０５側と第２の電極２０９側の両方に導電層を有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため、より綿密な光学設計を行うことができる。また、第１の電極２０５側に中間導電層２５１を有することから、第１の電極２０５上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させることができるようになる。
【０１１８】
図４（Ｂ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層２５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット２０７と第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層２５０が第１の発光ユニット２０７及び第２の発光ユニット２０８に覆われていることから、第２の電極２０９と中間導電層２５０が中間導電層２５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極２０９と中間導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１１９】
中間導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層２５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層２５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層２５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層２５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層２５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１２０】
中間導電層２５１、中間導電層２５２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層２５１や中間導電層２５２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層２５１や中間導電層２５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１２１】
図４（Ｃ）はパッシブマトリクス型の発光装置の例を示した模式図であり、基板３００上に、第１の電極３０１、中間導電層３５１、第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０、第２の発光ユニット３０４、中間導電層３５２及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁層３０２によって分離されている。図４（Ｃ）に示した発光装置において中間導電層３５１、中間導電層３５２以外の構成は図１（Ｃ）と同じ構成であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。また、中間導電層３５１については図２（Ｃ）に、中間導電層３５２については図３（Ｃ）の説明に準ずる。本形態における発光装置は、第１の電極３０１側と第２の電極３０５側の両方に導電層を有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため、より綿密な光学設計を行うことができる。また、第１の電極３０１側に中間導電層３５１を有することから、第１の電極３０１上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させることができるようになる。
【０１２２】
図４（Ｃ）に示したような本形態の発光装置は発光素子における中間導電層３５０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光ユニット３０３と第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。このことから本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能となる。また、中間導電層３５０が第１の発光ユニット３０３及び第２の発光ユニット３０４に覆われていることから、第２の電極３０５と中間導電層３５０が中間導電層３５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極３０５と中間導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。
【０１２３】
中間導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本形態の発光装置に用いられるような発光素子は基板側から見て中間導電層３５０が形成された領域のみから所望の発光が得られ、中間導電層３５０が形成されていない領域は発光自体が得られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来ない。そのため中間導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると中間導電層３５０を形成する際、僅かなずれを生じただけで発光領域が減少して表示品質が悪化するなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、中間導電層３５０の端部を発光領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ中間導電層３５０が多少ずれて形成されてしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクあわせを非常に慎重に行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクずれなどによる表示品質の低下を抑制することができる。
【０１２４】
中間導電層３５１、中間導電層３５２もその端部を発光素子における発光領域（基板側から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、中間導電層３５１や中間導電層３５２が多少ずれて形成されてしまったとしても中間導電層３５１や中間導電層３５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１２５】
（実施の形態５）
図５は発光素子からの発光の方向が異なるアクティブマトリクス型の発光装置の例を示す。なお、図５は発光装置の発光方向を説明するために設けた図面であり、本形態の発光装置はこれに記載された構造に限定されず、薄膜トランジスタの形状などは適宜選択できる。また、各々付した番号は実施の形態１乃至実施の形態４に準ずることとする。図５（Ａ）は薄膜トランジスタが形成された方の基板側に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合第１の電極２０５を透過して光を取り出すこととなるため、第１の電極２０５を透光性を有する材料で形成する。図５（Ｂ）は薄膜トランジスタが形成された方とは逆の方向に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合、第２の電極２０９が透光性を有する材料により形成する。図５（Ｃ）は両側から発光素子の発光を取り出す構造である。この場合は第１の電極２０５、第２の電極２０９の両方を透光性を有する材料によって形成する。なお、第１の電極２０５と第２の電極２０９の材料については実施の形態１で第１の電極１００及び第２の電極１０３の材料として述べた材料のうち、ＩＴＯに代表される透光性を有する材料を選択すればよい。
【０１２６】
本形態は実施の形態１乃至実施の形態４と自由に組み合わせて用いることができる。
【０１２７】
（実施の形態６）
図６は発光素子からの発光の方向が異なるパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。なお、図６は発光装置の発光方向を説明するために設けた図面であり、本形態の発光装置はこれに記載された構造に限定されず、薄膜トランジスタの形状などは適宜選択できる。また、各々付した番号は実施の形態１乃至実施の形態４に準ずることとする。図６（Ａ）は第１の電極３０１が形成された方の基板側に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合第１の電極３０１を透過して光を取り出すこととなるため、第１の電極３０１を透光性を有する材料で形成する。図６（Ｂ）は第１の電極３０１が形成された方とは逆の方向に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合、第２の電極３０５が透光性を有する材料により形成する。図６（Ｃ）は両側から発光素子の発光を取り出す構造である。この場合は第１の電極３０１、第２の電極３０５の両方を透光性を有する材料によって形成する。なお、第１の電極３０１と第２の電極３０５の材料については実施の形態１で第１の電極３０１及び第２の電極３０５の材料として述べた材料のうち、ＩＴＯに代表される透光性を有する材料を選択すればよい。
【０１２８】
本形態は実施の形態１乃至実施の形態４と自由に組み合わせて用いることができる。
【０１２９】
（実施の形態７）
本形態では、本形態の発光装置について図７、図８を参照し、作製方法を示しながら説明する。なお、本形態ではアクティブマトリクス型の発光装置を作成する例を示した。
【０１３０】
基板５０上に第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂを形成した後、さらに半導体層を第２の下地絶縁層５１ｂ上に形成する（図７（Ａ））。
【０１３１】
基板５０の材料としてはガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど）等を用いることができる。本形態においてはガラス基板を用いる。
【０１３２】
第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂは基板５０中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐために設ける。材料としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができる。本形態では第１の下地絶縁層５１ａを窒化珪素で、第２の下地絶縁層５１ｂを酸化珪素で形成する。本形態では、下地絶縁層を第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂの２層で形成したが、単層で形成してもかまわないし、２層以上の多層であってもかまわない。
【０１３３】
続いて形成される半導体層は非晶質珪素膜をレーザ結晶化して得る。第２の下地絶縁層５１ｂ上に非晶質珪素膜を２５ｎｍ〜１００ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては、スパッタリング法、減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法などが使用できる。その後、５００℃で１時間の加熱処理を行い水素出しをする。
【０１３４】
続いてレーザ照射装置を用いて非晶質珪素膜を結晶化して結晶質珪素膜を形成する。本形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質珪素膜に照射することで結晶質珪素膜とし、半導体層として用いる。
【０１３５】
非晶質珪素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行うことによって行う方法もある。結晶化を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金などが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板５０を熱に強い石英基板などにすればよい。
【０１３６】
続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールするために微量の不純物添加、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得るためにｎ型もしくはｐ型を呈する不純物（リン、ボロンなど）をイオンドーピング法などにより添加する。
【０１３７】
その後、図７（Ａ）に示すように半導体層を所定の形状にエッチング加工し、島状の半導体層５２を得る。この加工は半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをすることにより行われる。
【０１３８】
続いて半導体層５２を覆うようにゲート絶縁層５３を形成する。ゲート絶縁層５３はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて膜厚を４０ｎｍ〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁層で形成する。本形態では酸化珪素を用いて形成する。
【０１３９】
次いで、ゲート絶縁層５３上にゲート電極５４を形成する。ゲート電極５４はタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
【０１４０】
また、本形態ではゲート電極５４は単層で形成されているが、下層にタングステン、上層にモリブデンなどの２層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わせも適宜選択すればよい。ゲート電極５４の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用し、エッチングをして行う。
【０１４１】
続いて、ゲート電極５４をマスクとして半導体層５２に高濃度の不純物を添加する。これによって半導体層５２、ゲート絶縁層５３、及びゲート電極５４を含む薄膜トランジスタ７０が形成される。
【０１４２】
なお、薄膜トランジスタの作製工程については特に限定されず、所望の構造のトランジスタを作製できるように適宜変更すればよい。
【０１４３】
本形態では、レーザ結晶化を使用して結晶化した結晶性シリコン膜を用いたトップゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１ａｔｏｍｉｃ％〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１４４】
ゲート電極５４、ゲート絶縁層５３を覆って絶縁膜５９を窒化珪素により形成する。絶縁膜５９を形成したら４８０℃で１時間程度加熱を行って、不純物元素の活性化及び半導体層５２の水素化を行う。
【０１４５】
絶縁膜５９を覆う第１の層間絶縁層６０を形成する。第１の層間絶縁層６０を形成する材料としては酸化珪素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、Ｌｏｗ−ｋ材料等をもちいるとよい。本形態では酸化珪素膜を第１の層間絶縁層として形成する（図７（Ｂ））。
【０１４６】
次に、半導体層５２に至るコンタクトホールを開口する。コンタクトホールはレジストマスクを用いて、半導体層５２が露出するまでエッチングを行うことで形成することができ、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチングの両方を用いても良い（図７（Ｃ））。
【０１４７】
そして、当該コンタクトホールや第１の層間絶縁層６０を覆う導電層を形成する。当該導電層を所望の形状に加工し、接続部６１ａ、配線６１ｂなどが形成される。この配線はアルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブデンの合金等の単層でも良いが、基板側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層構造やチタン、アルミニウム、チタンやチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった構造でも良い（図７（Ｄ））。
【０１４８】
その後、接続部６１ａ、配線６１ｂ、第１の層間絶縁層６０を覆って第２の層間絶縁層６３を形成する。第２の層間絶縁層６３の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポリイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本形態ではシロキサンを第２の層間絶縁層６３として用いる（図７（Ｅ））。
【０１４９】
続いて第２の層間絶縁層６３上に窒化珪素などで絶縁層を形成してもよい。これは後の画素電極のエッチングにおいて、第２の層間絶縁層６３が必要以上にエッチングされてしまうのを防ぐために形成する。そのため、画素電極と第２の層間絶縁層のエッチングレートの比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第２の層間絶縁層６３を貫通して接続部６１ａに至るコンタクトホールを形成する。
【０１５０】
そして当該コンタクトホールと第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）を覆って、透光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子の第１の電極６４を形成する。ここで第１の電極６４は接続部６１ａと電気的に接触している。
【０１５１】
第１の電極６４の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−チタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等それらの合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の窒化物、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の金属化合物など実施の形態１に示したような導電膜により形成することができる。
【０１５２】
また、発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有するＩＴＯ、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの金属化合物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、第２の電極の方から発光を取り出す場合は第１の電極は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。本形態ではＩＴＯを第１の電極６４として用いる（図８（Ａ））。
【０１５３】
次に第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）及び第１の電極６４を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第１の電極６４の一部が露出するように加工し、隔壁層６５を形成する。隔壁層６５の材料としては、感光性を有する有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁層６５の材料にチタンブラックやカーボンナイトライドなどの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁層６５を黒くすることでブラックマトリクスに用いても良い。隔壁層６５の第１の電極に向かう端面は曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい（図８（Ｂ））。
【０１５４】
次に、隔壁層６５から露出した第１の電極６４を覆って、有機無機複合材料層を形成する。本形態では有機化合物としてＮＰＢ、金属化合物としてモリブデン酸化物を用い、ＮＰＢに対してモリブデン酸化物が３３ｗｔ％となるように共蒸着により形成する。続いて、正孔を輸送する機能に優れた層としてＮＰＢを膜厚１０ｎｍ、発光層としてＡｌｑ３にクマリン６を重量比１：０．００５、膜厚３５ｎｍ、電子輸送層としてはＡｌｑ３を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着する。これにより第１の電極６４上に有機無機複合材料層、発光層、電子輸送層からなる発光ユニット６６が形成される。
【０１５５】
続いて発光ユニット６６を覆う第２の電極６７を形成する。これによって第１の電極６４と第２の電極６７との間に発光層を含む有機層を挟んでなる発光素子９３を作製することができ、第１の電極に第２の電極より高い電圧をかけることによって発光を得ることができる。第２の電極６７の形成に用いられる電極材料としては第１の電極の材料と同様の材料を用いることができる。本形態ではアルミニウムを第２の電極として用いる。
【０１５６】
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜を第２のパッシベーション膜として形成する。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３から作製される酸化窒化珪素膜、またはＳｉＨ４、Ｎ２Ｏから作製される酸化窒化珪素膜、あるいはＳｉＨ４、Ｎ２ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化珪素膜を形成すれば良い。
【０１５７】
また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２から作製される酸化窒化水素化珪素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他の珪素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化珪素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化珪素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。
【０１５８】
続いて発光素子を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するように貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を貼り合わせても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、発光装置が完成する。
【０１５９】
以上のように作製した発光装置の構成の１例を図９参照しながら説明する。なお、形が異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もある。本形態では、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ７０が接続部６１ａを介して発光素子９３に接続している。
【０１６０】
図９（Ａ）は第１の電極６４が透光性を有する導電膜により形成されており、基板５０側に発光ユニット６６より発せられた光が取り出される構造である。なお９４は対向基板であり、発光素子９３が形成された後、シール材などを用い、基板５０に固着される。対向基板９４と素子との間に透光性を有する樹脂８８等を充填し、封止することによって発光素子９３が水分により劣化することを防ぐことができる。また、樹脂８８が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂８８中に透光性の高い乾燥剤８９を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。
【０１６１】
図９（Ｂ）は第１の電極６４と第２の電極６７両方が透光性を有する導電膜により形成されており、基板５０及び対向基板９４の両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、この構成では基板５０と対向基板９４の外側に偏光板９０を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板９０の外側には保護フィルム９１を設けると良い。
【０１６２】
なお、表示機能を有する本形態の発光装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本形態の発光装置及びその駆動方法には、上記したどの駆動方法を用いてもよい。
【０１６３】
このような構成により発光効率が高い発光装置を得ることができる。
【０１６４】
本形態は実施の形態１乃至実施の形態６の適当な構成と組み合わせて用いることが可能である。
【０１６５】
（実施の形態８）
本形態では図１０乃至図１２を用い、本形態のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する。なお、各構成の材料等については実施の形態１乃至実施の形態７に準ずることとし、説明を省略する。
【０１６６】
図１０（Ａ）は実施の形態７において隔壁層６５まで作製した発光装置の上面図である。基板２００上に設けられた点線部は走査線駆動回路形成領域４００、信号線駆動回路形成領域４０１、外部接続部形成領域４０２、画素部４０３をそれぞれ示し、４０４は隔壁層６５の開口部に相当し下部の第１の電極２０５が露出した状態である。なお、４０４は発光領域に相当する。このように各々薄膜トランジスタと電気的に接続した第１の電極２０５の一部が露出した発光領域４０４がマトリクス状に配列される。
【０１６７】
図１０（Ｂ）は画素部４０３を覆って第１の発光ユニット２０７が形成された状態である。本形態では全画素にわたって同一の発光ユニットが形成されているが、異なる発光を呈する発光ユニットを画素毎や画素の一定の領域毎に分けて形成しても良い。なお、発光ユニットは基本的に抵抗が大きいことから隣接する画素におけるクロストークの心配は無い。
【０１６８】
図１１（Ａ）は画素毎に分離して中間導電層２５０を設けた状態である。また、中間導電層２５０の端部は発光領域４０４の端部より各々外側に設けられているため、多少のマスクずれが生じても発光領域４０４を中間導電層２５０が覆うことができるため表示品質の低下を招かず、当該マスクずれが原因で起こる不良も低減させることができる。
【０１６９】
図１１（Ｂ）は画素部４０３を覆って第２の発光ユニット２０８を形成した状態である。これにより中間導電層２５０の端部を第１の発光ユニット２０７と第２の発光ユニット２０８によって覆うことができ、中間導電層２５０が画素毎に分離していることから隣接する画素同士でクロストークを充分に低減させることができる。このことから、第１の発光ユニット２０７と第２の発光ユニット２０８からの発光により発光効率の高い発光装置でありながら隣接する画素同士のクロストークを充分に低下した表示品質の高い発光装置を得ることができる。
【０１７０】
図１２は第２の電極２０９まで形成した状態である。第２の電極２０９は全画素にまたがって形成すればよい。なお実施の形態１乃至実施の形態４に記載したアクティブマトリクス型発光装置の断面図は図１２におけるＡ−Ｂの断面に相当する。
【０１７１】
本形態は実施の形態１乃至実施の形態７と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１７２】
（実施の形態９）
本形態では、本形態の発光装置であるパネルの外観について図１３を用いて説明する。図１３（Ａ）は基板上に形成されたトランジスタ及び発光素子を対向基板４００６との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光素子の有する構造は、実施の形態４に示したような構成である。
【０１７３】
基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４の上に対向基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって充填材４００７と共に密封されている。
【０１７４】
また、基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線駆動回路４００４とは薄膜トランジスタを複数有しており、図１３（Ｂ）では信号線駆動回路４００３に含まれる薄膜トランジスタ４００８と、画素部４００２に含まれる薄膜トランジスタ４０１０とを示す。発光素子４０１１は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。
【０１７５】
引き回し配線４０１４は画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とに、信号、または電源電圧を供給するための配線に相当する。引き回し配線４０１４は、引き回し配線４０１５ａ、４０１５ｂを介して接続端子４０１６と接続されている。接続端子４０１６はフレキシブルプリント配線基板４０１８（ＦＰＣ）が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１７６】
充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテートを用いることができる。
【０１７７】
本形態の発光装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルにＩＣが実装されたモジュールとをその範疇に含む。このような構成を有する本形態の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置である。
【０１７８】
本形態は実施の形態１乃至実施の形態８と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１７９】
（実施の形態１０）
本形態では、実施の形態９で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護回路及びそれらの動作について説明する。なお、図７、図８に示してきた断面図は駆動用ＴＦＴ１４０３と発光素子１４０５の断面図となっている。
【０１８０】
図１４（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１、１４１２、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。
【０１８１】
図１４（Ｃ）に示す画素は、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置された電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１４（Ａ）に示す画素と同じ構成である。しかしながら、図１４（Ａ）で示すように行方向に電源線１４１２が配置される場合と、図１４（Ｃ）で示すように列方向に電源線１４１２が配置される場合とでは、各電源線は異なる層の導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１４（Ａ）乃至（Ｃ）として分けて記載する。
【０１８２】
図１４（Ａ）乃至（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内に駆動用ＴＦＴ１４０３と電流制御用ＴＦＴ１４０４が直列に接続されており、駆動用ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ（１４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、電流制御用ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（１４０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４０４）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。
【０１８３】
なお、駆動用ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値を制御する役目を有し、電流制御用ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましく、本形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。また駆動用ＴＦＴ１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。上記構成を有する本形態の発光装置は、電流制御用ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するために、電流制御用ＴＦＴ１４０４のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）の僅かな変動は、発光素子１４０５の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作する駆動用ＴＦＴ１４０３により決定することができる。上記構成により、ＴＦＴの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた発光装置を提供することができる。
【０１８４】
図１４（Ａ）乃至（Ｄ）に示す画素において、スイッチング用ＴＦＴ１４０１は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用ＴＦＴ１４０１がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子１４０２にそのビデオ信号の電圧が保持される。なお図１４（Ａ）乃至（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示したが、本形態はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、容量素子１４０２を設けなくてもよい。
【０１８５】
図１４（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１４を追加している以外は、図１４（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１４（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１４を追加している以外は、図１４（Ｃ）に示す画素構成と同じである。
【０１８６】
ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１４によりオン又はオフが制御される。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、電流制御用ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消去用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１４（Ｂ）乃至（Ｄ）の構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
【０１８７】
図１４（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０、電源線１４１１、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１４（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１４（Ｅ）に示す画素構成と同じである。なお、図１４（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。
【０１８８】
駆動用ＴＦＴ１４０３を強制的にオフにする場合の画素構成の例を図１５に示す。選択ＴＦＴ１４５１、駆動用ＴＦＴ１４５３、消去ダイオード１４６１、発光素子１４５４が配置されている。選択ＴＦＴ１４５１のソースとドレインは各々、信号線１４５５と駆動用ＴＦＴ１４５３のゲートに接続されている。選択ＴＦＴ１４５１のゲートは、第１ゲート線１４５７に接続されている。駆動用ＴＦＴ１４５３のソースとドレインは各々、第１電源線１４５６と発光素子１４５４に接続されている。消去ダイオード１４６１は、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲートと第２ゲート線１４６７に接続されている。
【０１８９】
容量素子１４５２は、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲートと第１電源線１４５６の間に接続されているが、これに限定されない。駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート容量などを用いて、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位を保持できる場合は容量素子１４５２を省いても良い。
【０１９０】
動作方法としては、第１ゲート線１４５７を選択して、選択ＴＦＴ１４５１をオン状態にして、信号線１４５５から信号を容量素子１４５２に入力する。すると、その信号に応じて、駆動用ＴＦＴ１４５３の電流が制御され、第１電源線１４５６から、発光素子１４５４を通って、第２電源線１４５８に電流が流れる。
【０１９１】
信号を消去したい場合は、第２ゲート線１４６７を選択（ここでは、高い電位にする）して、消去ダイオード１４６１がオンして、第２ゲート線１４６７から駆動用ＴＦＴ１４５３のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、駆動用ＴＦＴ１４５３がオフ状態になる。すると、第１電源線１４５６から、発光素子１４５４を通って、第２電源線１４５８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０１９２】
信号を保持しておきたい場合は、第２ゲート線１４６７を非選択（ここでは、低い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード１４６１がオフするので、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位は保持される。
【０１９３】
なお、消去ダイオード１４６１は、整流性がある素子であればよい。ＰＮ型ダイオード、ＰＩＮ型ダイオード、ショットキー型ダイオード、ツェナー型ダイオードなど様々な整流素子を適用することができる。
【０１９４】
以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体膜から薄膜トランジスタを形成する場合、駆動用ＴＦＴ１４０３、１４５３の半導体膜を大きくすると好ましい。そのため、上記画素回路において、発光ユニットからの光が封止基板側から射出する上面発光型とすると好ましい。
【０１９５】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき有利である。
【０１９６】
本形態では、一画素に各ＴＦＴが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置について説明したがパッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられていないため、高開口率となる。発光が発光ユニットの両側へ射出する発光装置の場合、パッシブマトリクス型の発光装置を用いると透過率が高まる。
【０１９７】
続いて、図１４（Ｅ）に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイオードを設ける場合について説明する。
【０１９８】
図１６には、画素部１５００にスイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、容量素子１４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイオード１５６１と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、スイッチング用ＴＦＴ１４０１又は駆動用ＴＦＴ１４０３と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５６１と１５６２は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させている。
【０１９９】
ダイオードと接続する共通電位線１５５４、１５５５はゲート電極と同じレイヤーで形成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。走査線１４１４に設けられるダイオードも同様な構成である。
【０２００】
このように、本形態によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。
【０２０１】
このような保護回路を有する本形態の発光装置は、当該発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置でありまた、上記構成を有することで、発光装置としての信頼性をさらに高めることが可能となる。
【０２０２】
（実施の形態１１）
本形態では図１７乃至図１９を用い、上面図を参照しながら本形態のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する。なお、各構成の材料等については実施の形態１乃至実施の形態４に準ずることとし、説明を省略する部分もある。
【０２０３】
基板３００の主表面上に、一方向に延びる第１の電極３０１及び入力端子部を形成するための端子５００を同じ材料で形成する。第１の電極３０１の組成及び作製方法については、上述したとおりである。基板３００は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。なお図１７（Ａ）では、第１の電極３０１から光を取り出す発光素子を用いているので、基板３００は透光性を有する材料で形成するが、第２の電極３０５から光を取り出す場合、上記基板に加えて、例えばステンレス基板を含む金属基板またはシリコン基板の表面に絶縁膜を形成したものや、セラミック基板なども用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【０２０４】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、第１の電極３０１の入力端子部形成領域と、第２の電極３０５の接続部兼入力端子部形成領域に、補助電極５０１ａ、５０１ｂを形成する。補助電極は、外部回路と接続する際に、ヒートシール性の良い導電性材料で形成することが好ましく、クロム、ニッケルなどを含む金属材料で形成すれば良い。次に、隔壁層３０２を形成する。隔壁層３０２は、第１の電極３０１と直交するように設け、隔壁層３０２は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アミニウム、その他の絶縁性を有する無機材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性を有する高分子材料、シロキサンで形成することができる。
【０２０５】
その後、図１８（Ａ）に示すように、隔壁層３０２から露出している第１の電極３０１上に第１の発光ユニット３０３を形成する。本形態において第１の発光ユニット３０３は異なる発光色を示す発光材料を有する３種類を列毎に塗り分けして形成する。もちろん、全ての画素に同じ発光ユニットを形成しても良い。なお、本形態における発光領域は隔壁層３０２から第１の電極３０１が露出している部分となる。
【０２０６】
続いて図１８（Ｂ）に示すように画素毎に分離して中間導電層３５０を設ける。また、中間導電層３５０の端部は発光領域端部より各々外側に設ける。これより、多少のマスクずれが生じても発光領域を中間導電層３５０が覆うことができるため表示品質の低下を招かず、当該マスクずれが原因で起こる不良も低減させることができる。
【０２０７】
次に、図１９（Ａ）に示すように、中間導電層３５０上に第２の発光ユニット３０４を形成する。第２の発光ユニット３０４は第１の発光ユニット３０３と同様に異なる発光色を示す発光材料を有する３種類を列毎に塗り分けして形成する。これにより中間導電層３５０の端部を第１の発光ユニット３０３と第２の発光ユニット３０４によって覆うことができ、中間導電層３５０が画素毎に分離していることから隣接する画素同士でクロストークを充分に低減させることができる。このことから、第１の発光ユニット３０３と第２の発光ユニット３０４からの発光により発光効率の高い発光装置でありながら隣接する画素同士のクロストークを充分に低下した表示品質の高い発光装置を得ることができる。
【０２０８】
図１９（Ｂ）に示すように、第１の電極３０１上に第１の発光ユニット３０３、中間導電層３５０及び第２の発光ユニット３０４が形成された領域に、第１の電極３０１と交差する方向延びる第２の電極３０５を形成する。
【０２０９】
以上の様にして、発光素子が形成された画素部を有するパネルが形成される。なお実施の形態１乃至実施の形態４に示したパッシブマトリクス型の発光装置の断面図は図１９（Ｂ）におけるＣ−Ｄの断面図に相当する。
【０２１０】
その後、図２０（Ａ）に示すように、水分などの侵入を防ぐ保護膜３０６を形成し、ガラス、石英、アルミナなどのセラミック材料又は合成材料などの封止基板３０８をシール用の接着剤３０７で固着する。また外部入力端子部には外部回路と接続する際に、異方性導電膜３０９を介してフレキシブルプリント配線基板３１０を用い接続をとる。保護膜３０６は、窒化珪素で形成するものの他、応力を低減しつつガスバリア性を高める構成として、窒化炭素と窒化珪素の積層体で形成しても良い。
【０２１１】
図２０（Ｂ）に、図２０（Ａ）に示すパネルに外部回路３１２を接続して形成された、モジュールの様子を示す。基板３００には画素部３２２が形成され、基板３００の端に外部回路３１２と接続する外部入力端子部３２０、３２１を備えている。モジュールは外部入力端子部３２０、３２１にフレキシブルプリント配線基板３１０を固着して、電源回路や信号処理回路が形成された外部回路基板と電気的に接続する。また、外部回路３１２の一つであるドライバＩＣ３１１の実装方法は、ＣＯＧ法、ＴＡＢ法のどちらでも良く、図２０（Ｂ）に、外部回路の一つであるドライバＩＣ３１１を、ＣＯＧ法を用いて実装している様子を示す。
【０２１２】
なおパネルとモジュールは、本形態の発光装置の一形態に相当し、共に本形態の範疇に含まれる。
【０２１３】
（実施の形態１２）
本形態のモジュールを搭載した本形態の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔＡｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図２３に示す。
【０２１４】
図２３（Ａ）は発光装置でありテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターなどがこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本形態の発光装置は表示部２００３の表示品質が高い発光装置である。画素部にはコントランスを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ１／４λ板、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
【０２１５】
図２３（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声入力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。本形態の携帯電話は表示部２１０３の表示品質が高い携帯電話である。
【０２１６】
図２３（Ｃ）はコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本形態のコンピュータは表示部２２０３の表示品質が高いコンピュータである。図２３（Ｃ）ではノート型のコンピュータを例示したが、ハードディスクと表示部が一体化したデスクトップ型のコンピュータなどにも適用することが可能である。
【０２１７】
図２３（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本形態のモバイルコンピュータは表示部２３０２の表示品質が高いモバイルコンピュータである。
【０２１８】
図２３（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本形態の携帯型ゲーム機は表示部２４０２の有する発光素の表示品質が高い携帯型ゲーム機である。
【０２１９】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】本発明の発光装置の断面図。
【図２】本発明の発光装置の断面図。
【図３】本発明の発光装置の断面図。
【図４】本発明の発光装置の断面図。
【図５】本発明の発光装置の断面図。
【図６】本発明の発光装置の断面図。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図８】本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図９】本発明の発光装置の断面図。
【図１０】本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図１１】本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図１２】本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図１３】本発明の発光装置の上面図及び断面図。
【図１４】本発明の発光装置の画素回路一例を示す図。
【図１５】本発明の発光装置の画素回路一例を示す図。
【図１６】本発明の発光装置の保護回路の一例を示す図。
【図１７】本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図１８】本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図１９】本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。
【図２０】本発明の発光装置の断面図及び平面図。
【図２１】第１の電極、第１の発光ユニット、中間導電層、第２の発光ユニット、第２の電極が積層された発光セルを示す図。
【図２２】第１の電極、第１の発光ユニット、中間導電層、第２の発光ユニット、第２の電極が積層された発光セルを示す図。
【図２３】本発明が適用可能な電子機器の例示した図。
【符号の説明】
【０２２１】
１２  第１の電極
１４  第１の発光ユニット
１６  中間導電層
１８  第２の発光ユニット
２０  第２の電極
２２  発光層
２４  バリア層
２６  有機無機複合材料層
５０  基板
５１ａ  第１の下地絶縁層
５１ｂ  第２の下地絶縁層
５２  半導体層
５３  ゲート絶縁層
５４  ゲート電極
５９  絶縁膜
６０  第１の層間絶縁層
６１ａ  接続部
６１ｂ  配線
６３  第２の層間絶縁層
６４  第１の電極
６５  隔壁層
６６  発光ユニット
６７  第２の電極
７０  薄膜トランジスタ
８８  樹脂
８９  乾燥剤
９０  偏光板
９１  保護フィルム
９３  発光素子
９４  対向基板
１００  第１の電極
１０１  第１の発光ユニット
１０２  第２の発光ユニット
１０３  第２の電極
１１０  中間導電層
１１１  中間導電層
１１２  中間導電層
２００  基板
２０１  半導体層
２０２  ゲート電極
２０３  層間絶縁膜
２０４  電極
２０５  第１の電極
２０６  隔壁層
２０７  第１の発光ユニット
２０８  第２の発光ユニット
２０９  第２の電極
２５０  中間導電層
２５１  中間導電層
２５２  中間導電層
３００  基板
３０１  第１の電極
３０２  隔壁層
３０３  第１の発光ユニット
３０４  第２の発光ユニット
３０５  第２の電極
３０６  保護膜
３０７  接着剤
３０８  封止基板
３０９  異方性導電膜
３１０  フレキシブルプリント配線基板
３１１  ドライバＩＣ
３１２  外部回路
３２０  外部入力端子部
３２１  外部入力端子部
３２２  画素部
３５０  中間導電層
３５１  中間導電層
３５２  中間導電層
４００  走査線駆動回路形成領域
４０１  信号線駆動回路形成領域
４０２  外部接続部形成領域
４０３  画素部
４０４  発光領域
５００  端子
５０１ａ  補助電極
５０１ｂ  補助電極
１４０１  スイッチング用ＴＦＴ
１４０２  容量素子
１４０３  駆動用ＴＦＴ
１４０４  電流制御用ＴＦＴ
１４０５  発光素子
１４０６  ＴＦＴ
１４１０  信号線
１４１１  電源線
１４１２  電源線
１４１４  走査線
１４１５  走査線
１４５１  選択ＴＦＴ
１４５２  容量素子
１４５３  駆動用ＴＦＴ
１４５４  発光素子
１４５５  信号線
１４５６  第１電源線
１４５７  第１ゲート線
１４５８  第２電源線
１４６１  消去ダイオード
１４６７  第２ゲート線
１５００  画素部
１５５４  共通電位線
１５５５  共通電位線
１５６１  ダイオード
１５６２  ダイオード
２００１  筐体
２００３  表示部
２００４  スピーカー部
２１０１  本体
２１０２  筐体
２１０３  表示部
２１０４  音声入力部
２１０５  音声出力部
２１０６  操作キー
２２０１  本体
２２０２  筐体
２２０３  表示部
２２０４  キーボード
２２０５  外部接続ポート
２２０６  ポインティングマウス
２３０１  本体
２３０２  表示部
２３０３  スイッチ
２３０４  操作キー
２３０５  赤外線ポート
２４０１  筐体
２４０２  表示部
２４０３  スピーカー部
２４０４  操作キー
２４０５  記録媒体挿入部
４００１  基板
４００２  画素部
４００３  信号線駆動回路
４００４  走査線駆動回路
４００５  シール材
４００６  対向基板
４００７  充填材
４００８  薄膜トランジスタ
４０１０  薄膜トランジスタ
４０１１  発光素子
４０１４  引き回し配線
４０１５  引き回し配線
４０１６  接続端子
４０１８  フレキシブルプリント配線基板
４０１９  異方性導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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