(57)【要約】【課題】面接触で基板を支持した場合でも、基板と支持面とに生じる帯電を防止できる減圧乾燥装置を提供する。【解決手段】減圧乾燥装置では、処理液のムラを有効に防止するために、基板上の処理液を乾燥する際に、処理液が存在する製品領域の裏側全体に、リフトプレートの上面で面接触して基板が支持される（ステップＳ４）。そして、乾燥処理の後においては、処理室の雰囲気の減圧状態を維持しつつ、リフトプレートの上面から支持ピンが突出する。これにより、基板が支持面から離間された状態で支持ピンで点支持される（ステップＳ５）。このように雰囲気の減圧状態で基板を支持面から離間させると、基板と支持面とにおける摩擦がほぼ生じないため、帯電を有効に防止することができる。【選択図】図４
2007073833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記基板上の処理液を乾燥する際に、その裏側に支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、
乾燥した後の前記基板を、前記処理室内の雰囲気の減圧状態で前記支持面から離間させる離間手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記離間手段は、前記支持面から突出して前記基板を支持する支持ピン、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項３】
請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記離間手段は、前記支持面の昇降の運動を前記支持ピンに伝達し、前記支持面の昇降に連動して前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる連動部材、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記支持ピンは、前記処理室に相対的に固定され、
前記離間手段は、前記支持面を前記処理室に相対的に昇降することにより、前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる昇降機構、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記支持面は、絶縁物質で構成されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項７】
基板上の処理液を乾燥する基板乾燥方法であって、
支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、雰囲気を減圧して前記基板上の処理液を乾燥する乾燥工程と、
前記乾燥工程の後、前記雰囲気の減圧状態を維持しつつ、前記基板を前記支持面から離間する離間工程と、
を備えることを特徴とする基板乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶用ガラス角形基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板など各種基板の製造工程においては、基板の表面にレジスト液などの処理液を塗布する処理が行われ、この基板上の処理液を乾燥するために乾燥装置が使用される。この乾燥装置として、基板を保持した処理室内の雰囲気を減圧することにより、処理液の沸点を低下させ、基板上の処理液を比較的短時間に乾燥する減圧乾燥装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１８６４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に減圧乾燥装置では、支持ピンで点接触して基板を支持（点支持）するようになっている。しかしながら、減圧乾燥中に基板を点支持すると、支持部分とその他の部分とで温度差が生じる。これは、減圧乾燥中には処理液の気化に伴い基板から気化熱が奪われるが、支持部分とその他の部分とで実質的な熱容量の相違が生じることや、支持部分以外の空間において気流が生じて熱を奪われることなどからである。
【０００５】
このように基板において部分的な温度差が生じると、基板上の処理液の状態に影響を与え、処理液にムラを生じさせることになる。これに対応するため、減圧乾燥中に、基板の裏側の略全面に面接触して基板を支持（面支持）することが考えられる。しかしながら、このように面支持を行った場合、支持面から基板を離間させる際に支持面と基板との摩擦に起因して帯電が生じる。この帯電量が大きくなると、基板上に形成された素子を破壊する可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、面接触で基板を支持した場合でも、支持面から基板を離間させる際の帯電を防止できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、前記基板上の処理液を乾燥する際に、その裏側に支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、乾燥した後の前記基板を、前記処理室内の雰囲気の減圧状態で前記支持面から離間させる離間手段と、を備えている。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、前記離間手段は、前記支持面から突出して前記基板を支持する支持ピン、を備えている。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、前記離間手段は、前記支持面の昇降の運動を前記支持ピンに伝達し、前記支持面の昇降に連動して前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる連動部材、をさらに備えている。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、前記支持ピンは、前記処理室に相対的に固定され、前記離間手段は、前記支持面を前記処理室に相対的に昇降することにより、前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる昇降機構、をさらに備えている。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地される。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記支持面は、絶縁物質で構成される。
【００１３】
また、請求項７の発明は、基板上の処理液を乾燥する基板乾燥方法であって、支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、雰囲気を減圧して前記基板上の処理液を乾燥する乾燥工程と、前記乾燥工程の後、前記雰囲気の減圧状態を維持しつつ、前記基板を前記支持面から離間する離間工程と、を備えている。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１ないし７の発明によれば、乾燥した後の基板を支持面から減圧状態で離間させるため、基板を支持面に押さえつける力が小さくなることから、支持面と基板との摩擦が無くなり、支持面から基板を離間させる際の帯電が有効に防止される。
【００１５】
また、特に請求項２の発明によれば、支持面から離間させた基板を支持ピンにより点接触で支持することから、基板の受け渡しの際に帯電が生じることが防止される。
【００１６】
また、特に請求項３の発明によれば、支持面の昇降に連動して支持ピンを出没させることから、支持ピンのための専用の昇降機構が必要とならず、装置構成を単純にできる。
【００１７】
また、特に請求項４の発明によれば、支持ピンは固定され、支持面の昇降により支持面に対して支持ピンを出没させるため、支持ピンのための専用の昇降機構が必要とならず、装置構成を単純にできる。
【００１８】
また、特に請求項５及び６の発明によれば、接触帯電による素子破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
＜１．第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態に係る減圧乾燥装置１ａの概略構成を示す図である。この減圧乾燥装置１ａは、処理室２０内に基板Ｗを配置した状態で処理室２０内の雰囲気を減圧することで、基板Ｗ上に塗布されたレジスト液などの処理液を乾燥させる機能を有している。
【００２１】
減圧乾燥装置１ａは、基板Ｗを処理する処理室２０を形成するチャンバ２を備えている。チャンバ２は、分離可能なベース体２１と蓋体２２とから構成されている。ベース体２１は固定配置される一方で、蓋体２２は吊下アーム２３に接続され吊下アーム２３の駆動によりベース体２１に対して上下方向に昇降可能とされている。なお、以降の説明では特に言及しない限り、処理室２０の位置を規定する固定配置のベース体２１を基準とした相対運動として、各部材の動きを説明する。
【００２２】
基板Ｗの搬入や搬出を行う際には、蓋体２２が上昇されてチャンバ２が開放される。一方、基板Ｗの乾燥を行う際には、蓋体２２が下降されベース体２１と接合され、チャンバ２が閉鎖される。蓋体２２とベース体２１とが接合する部分には、処理室２０の気密性を確保するために、シリコンゴムなどで構成されるオーリング２４が設けられている。
【００２３】
また、チャンバ２の内部には、基板Ｗを支持するためのリフトプレート３が略水平に設けられている。リフトプレート３は、チャンバ２の外部に設けられる昇降機構３２に固定され、上下方向に昇降可能とされている。減圧乾燥装置１ａの処理対象となる基板Ｗは、上面に処理液の層が形成されており、その裏側の下面がリフトプレート３に支持される。基板Ｗのうち端部から例えば１０ｍｍの領域は製品とならない領域（以下、「非製品領域」という。）となっており、基板Ｗの上面ではその非製品領域を除いた領域（以下、「製品領域」という。）を含む領域に処理液が形成されている。
【００２４】
また、リフトプレート３には複数の貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはそれぞれ支持ピン７が挿通される。これらの支持ピン７の上端部は、減圧乾燥装置１ａの動作状況に応じて、リフトプレート３の上面３ａから突出して基板Ｗを点接触して支持することになる。リフトプレート３の下面には、これらの支持ピン７のそれぞれに対応してリンク部材７０が設けられている。リンク部材７０は、リフトプレート３の昇降の運動を支持ピン７に伝達し、リフトプレート３の昇降に連動して支持ピン７を上面３ａから出没させる連動部材となっている。
【００２５】
図２及び図３は、リンク部材７０の周辺の構成を示す拡大図である。これらの図に示すように、リンク部材７０は、支点部７１と、伸縮部７２と、回動部７３とで構成される。支点部７１は、棒状部材で構成され、長手方向が上下方向に沿うようにリフトプレート３の下面側に固設される。
【００２６】
伸縮部７２は、上下方向に沿ってその長さを伸縮可能な部材であり、上部にピストン部７２ａ、下部にシリンダ部７２ｂを備えて構成される。シリンダ部７２ｂは円筒部材で構成され、その内部にピストン部７２ａが往復運動可能に挿通される。このピストン部７２ａとシリンダ部７２ｂとの相対位置関係を変更するにより、伸縮部７２の長さが変更される。
【００２７】
ピストン部７２ａは、その上部がリフトプレート３の下面側に固設されるとともに、その周囲にはコイルバネ７２ｃが設けられている。コイルバネ７２ｃは、上部がリフトプレート３の下面に、下部がシリンダ部７２ｂの上部にそれぞれ接触して配置される。これにより、シリンダ部７２ｂは、リフトプレート３から相対的に離間する下向きに付勢される。なお、ピストン部７２ａの下端部には爪部が形成されており、ピストン部７２ａとシリンダ部７２ｂとを外れる方向（伸縮部７２を伸ばす方向）に相対移動させても、これらは外れないようになっている。
【００２８】
また、回動部７３は、棒状部材であり、一の端部７３ａが伸縮部７２のシリンダ部７２ｂに、他の端部７３ｂが支持ピン７の下端部に、中心部７３ｃが支点部７１に、それぞれ回転可能に支持されている。
【００２９】
図２に示すように、伸縮部７２がベース体２１と接触しない状態であれば、コイルバネ７２ｃの付勢力により伸縮部７２が最大に伸びることになる。この状態においては、シリンダ部７２ｂに接続された回動部７３の端部７３ａは、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に低くなる。また、これとは反対側となる支持ピン７に接続された回動部７３の端部７３ｂが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に高くなり、支持ピン７の上端部がリフトプレート３の上面３ａから突出する状態となる。
【００３０】
この図２に示す状態からリフトプレート３が下降すると、図３に示すように、伸縮部７２の下部がベース体２１と接触する。これにより、コイルバネ７２ｃの付勢力に逆らってシリンダ部７２ｂがリフトプレート３の側に相対移動し、伸縮部７２の長さが短くなる。そして、シリンダ部７２ｂに接続された回動部７３の端部７３ａが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に高くなる。したがって、これとは反対側となる支持ピン７に接続された回動部７３の端部７３ｂが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に低くなり、支持ピン７の上端部がリフトプレート３の上面３ａから埋没する状態となる。
【００３１】
このように、リンク部材７０がベース体２１に接触するまでリフトプレート３が下降すると、その運動がリンク部材７０を介して支持ピン７に伝達され、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから埋没する（図３）。また逆に、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３が上昇すれば、その運動がリンク部材７０を介して支持ピン７に伝達され、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出することになる（図２）。したがって、リフトプレート３が下降された状態では、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持されるが、リフトプレート３が上昇された状態では、基板Ｗは支持ピン７に点接触で支持されて、リフトプレート３の上面３ａから離間した状態とされることになる。
【００３２】
図１に戻り、減圧乾燥装置１ａは、処理室２０の雰囲気を減圧するための減圧機構４０と、処理室２０に処理ガスを供給するための供給機構５０とを備えている。減圧機構４０は、吸引装置となる真空ポンプ４１と、吸引した雰囲気を導くための複数の吸引配管４とを有している。これらの複数の吸引配管４は、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。チャンバ２を閉鎖した状態で真空ポンプ４１を駆動させると、処理室２０の雰囲気が吸引配管４を介して吸引され、減圧乾燥装置１ａの外部へ排気される。これにより、処理室２０の雰囲気が減圧されることになる。
【００３３】
供給機構５０は、このように減圧された処理室２０の雰囲気を大気圧に戻す機構であり、処理ガスを供給するガス供給部５１と、処理室２０に処理ガスを導くための複数の供給配管５とを有している。これら複数の供給配管５も、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。処理ガスとしては窒素ガスなどの不活性ガスが採用される。
【００３４】
また、減圧乾燥装置１ａは、装置の動作を統括的に制御するためのマイクロコンピュータなどで構成されるコントローラ６を備えている。図に示すように、減圧機構４０及び供給機構５０はコントローラ６に接続され、これらの動作はコントローラ６に制御される。また、上述した吊下アーム２３や昇降機構３２などもコントローラ６に接続されており、蓋体２２の昇降や、リフトプレート３の昇降もコントローラ６により制御されるようになっている。
【００３５】
次に、以上のように構成される減圧乾燥装置１ａの動作について説明する。図４は、減圧乾燥装置１ａの動作の流れを示す図である。この動作の流れは、処理対象となる一の基板Ｗごとになされるものである。この動作の開始時点においては、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。
【００３６】
まず、処理対象となる一の基板Ｗがチャンバ２内に搬入される。すなわち、図５に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるシャトル９１が、基板Ｗの端部の非製品領域を支持しつつ開放されたチャンバ２内に進入する。この基板Ｗの製品領域を含む領域には、処理液の層が形成されている。
【００３７】
そして、図６に示すように、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が上昇され、シャトル９１からリフトプレート３に基板Ｗが受け渡される。このとき、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出した状態となるため、基板Ｗは支持ピン７に点接触して支持されることになる。基板Ｗがリフトプレート３に受け渡されると、シャトル９１がチャンバ２外に退出する（ステップＳ１）。
【００３８】
次に、図７に示すように、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの乾燥を行う位置まで下降される。このようにしてリフトプレート３が下降すると、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから埋没した状態となる。このため、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される。この際、リフトプレート３の上面３ａが、基板Ｗのうち少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触する（ステップＳ２）。
【００３９】
続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ａは図１に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ３）。
【００４０】
次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。具体的には、真空ポンプ４１が駆動され、処理室２０内の雰囲気が吸引配管４を介して吸引される。これにより、処理室２０内の雰囲気が減圧され、この雰囲気の減圧に伴って基板Ｗ上の処理液の沸点が低下し、処理液が気化していくことになる。気化された処理液は、吸引配管４を介して減圧乾燥装置１ａの外部へ排出される。乾燥処理にあたっては、処理液の急激な気化（沸騰）を防止するために、処理室２０内の雰囲気が段階的に減圧される（ステップＳ４）。この乾燥処理中においても、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されず、また、製品領域の裏側に気流が生じることもない。
【００４１】
処理室２０内の雰囲気がほぼ真空まで減圧されると乾燥処理が終了される。そして、その処理室２０内の雰囲気の減圧状態を維持したままで、図８に示すように、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３が僅かに上昇される。これにより、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出するため、基板Ｗが上面３ａから離間される。つまり、乾燥後の基板Ｗが、処理室２０内の雰囲気の減圧状態で、乾燥処理を行う際に支持面となった上面３ａから引き離されることになる（ステップＳ５）。
【００４２】
次に、供給機構５０により処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻されるとともに（ステップＳ６）、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ７）。
【００４３】
次に、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの受け渡しを行う位置までさらに上昇される。この上昇中及び上昇後においても、基板Ｗは支持ピン７によってリフトプレート３の上面３ａから離間した状態で点支持される（ステップＳ８）。
【００４４】
次に、シャトル９１がチャンバ２内に進入し、リフトプレート３からシャトル９１に基板Ｗが受け渡される。さらに、リフトプレート３が下降された後、シャトル９１がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ａの外部に搬出されることになる（ステップＳ９）。
【００４５】
このように第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａでは、基板Ｗ上の処理液を乾燥する際に、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に、リフトプレート３の上面３ａで面接触して基板Ｗが支持（面支持）される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されないため、製品領域全体において実質的な熱容量が均一になるとともに、基板Ｗの裏側に気流が生じることもない。このため、基板Ｗの製品領域全体の温度を均一にすることができ、処理液のムラを有効に防止できる。
【００４６】
そして、乾燥処理の後においては、処理室２０の雰囲気の減圧状態を維持しつつ、支持面たるリフトプレート３の上面３ａから基板Ｗが離間される。通常、基板Ｗと支持面とを面接触させると、基板Ｗの上面側の雰囲気による気圧と、基板Ｗと支持面との間の気圧（実質０）との気圧差により、基板Ｗを支持面に押さえつける力が生じる。このため、基板Ｗの上面側の雰囲気を減圧せずに、面接触した基板Ｗと支持面とを離間させると、基板Ｗと支持面とに摩擦が生じ、その摩擦に起因して摩擦帯電が発生する。これに対して、本実施の形態の減圧乾燥装置１ａのように、処理室２０の雰囲気の減圧状態で基板Ｗを支持面から離間させると、基板Ｗの上面側の雰囲気による圧力がなくなるため、基板Ｗと支持面とにおける摩擦の発生が防止される。このことから、支持面から基板Ｗを離間させる際の摩擦に起因した摩擦帯電を有効に防止することが可能となる。なお、基板Ｗと支持面との離間により剥離帯電も発生するが、この剥離帯電は異なる２つの物質に依存するため不変である。
【００４７】
また、支持面から離間された基板Ｗは支持ピン７により点接触で支持され、この点支持の状態で搬送機構との間での基板Ｗの受け渡しがなされる。すなわち、基板Ｗの受け渡しにおいては、面支持状態から基板Ｗを離間させる動作が無いため、帯電が生じることはない。
【００４８】
またところで、基板Ｗと支持面とに生じる帯電には、上記の摩擦帯電の他に、基板Ｗ及び支持面の材質に起因して接触のみで発生する静電気である接触帯電もある。このような接触帯電での素子破壊を防止するために、基板Ｗの支持面を構成するリフトプレート３の表面に、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂等で構成される絶縁物質をコーティングするようにしてもよい。これによれば、支持面が絶縁物質で構成されるため、接触帯電としての静電気が発生しても支持面に蓄積される。この支持面が接地される前に、イオナイザなどの除電装置で除電できれば、素子破壊を防止できることになる。またこれとは逆に、リフトプレート３の表面に導体物質をコーティングし、さらに、リフトプレート３を接地するようにしてもよい。導体物質は、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂に金属微粒子を混入したものなどを採用できる。これにれば、支持面が導体物質で構成され、かつ、接地されることから、支持面で静電気が生じたとしても、その静電気を積極的に逃がすことができる。このため、この場合も、支持面における静電気の蓄積がなくなり、素子破壊を有効に防止できる。
【００４９】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態について説明する。図９は、第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。第１の実施の形態では、支持ピン７をリフトプレート３の上面３ａから出没させるためにリンク部材７０が採用されていた。これに対して、第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂでは、支持ピン７４を昇降させるための専用の昇降機構７５が設けられている。
【００５０】
図９に示すように、減圧乾燥装置１ｂは、リフトプレート３及びベース体２１の双方を貫通するように複数の支持ピン７４を備えている。そして、この支持ピン７４のそれぞれに対応して専用の昇降機構７５がチャンバ２の外部に設けられており、それぞれ独立して昇降可能とされている。
【００５１】
この減圧乾燥装置１ｂの動作においては、支持ピン７４は、リフトプレート３の上面３ａとの相対的な位置関係が第１の実施の形態と同様となるように、その昇降動作が制御される。したがって、この減圧乾燥装置１ｂにおいても、基板Ｗの乾燥の際には、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７４が埋没し、支持面たる上面３ａで面接触して基板Ｗが支持される。そして、その乾燥処理の後、減圧状態を維持しつつ、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７４が突出するように上昇されて、支持面から基板Ｗが離間される。このため、この第２の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。
【００５２】
ただし、この第２の実施の形態では、専用の昇降機構７５が必要であることや、これらの昇降機構７５の周辺におけるエア漏れを防止するための気密部材７６などを設ける必要があるため、第１の実施の形態と比較して装置構造が複雑となる。また、昇降機構７５に関して独自の動作制御を行う必要もある。このため、第１の実施の形態のようなリンク部材７０を設ける方が、装置構成や動作制御を単純にできる点で望ましい。
【００５３】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態について説明する。図１０は、第３の実施の形態の減圧乾燥装置１ｃの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。第３の実施の形態の減圧乾燥装置１ｃでは、支持ピン７７が固定配置され、リフトプレート３の上下によって、支持ピン７７の上端部をリフトプレート３の上面３ａから出没させるようになっている。
【００５４】
図１０に示すように、減圧乾燥装置１ｃは、リフトプレート３の貫通孔にそれぞれ支持ピン７７が挿通されており、これらの支持ピン７７はチャンバ２のベース体２１に固定されている。ベース体２１は、処理室２０の位置を規定するものであるため、支持ピン７７は処理室２０に相対的に固定されているともいえる。また、リフトプレート３は、第１の実施の形態と同様に、ベース体２１（処理室２０）に対して相対的に昇降可能となっている。
【００５５】
図１０に示す状態では、支持ピン７７の上端部はリフトプレート３の上面３ａから埋没している。そして、この状態からリフトプレート３を下降させると、図１１に示すように、支持ピン７７の上端部がリフトプレート３に対して相対的に上昇され、リフトプレート３の上面３ａから突出することになる。これにより、リフトプレート３が上昇された状態では、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持されるが、リフトプレート３が下降された状態では、基板Ｗは支持ピン７に点接触で支持されて、リフトプレート３の上面３ａから離間した状態とされることになる。
【００５６】
この減圧乾燥装置１ｃにおいては、図１０に示す状態で、基板Ｗの乾燥処理が行われる。このため、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７７が埋没し、支持面たる上面３ａで面接触して基板Ｗが支持される。そして、その乾燥処理の後、減圧状態を維持しつつ、図１１に示すようにリフトプレート３が下降される。これにより、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７７が突出して、支持面から基板Ｗが離間される。このため、この第３の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。
【００５７】
この第３の実施の形態では、支持ピン７７が固定配置され、リフトプレート３の昇降により支持面に対して支持ピン７７を出没させるため、支持ピン７７のための専用の昇降機構などが必要とならず、装置構成を非常に単純にできる。
【００５８】
＜４．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態について説明する。上記の実施の形態では、搬送機構との間で基板を受け渡す際に、一つのリフトプレートで基板が支持されていた。しかしながら、近年では、基板のサイズが大型化してきており、基板の端部の非製品領域のみの支持では基板に撓みが生じるため、基板の中央部付近の製品領域の裏側を搬送機構が支持する場合もある。このような場合では、搬送機構との間で基板を受け渡す際に、一つのリフトプレートで基板を支持することはできなくなる。第４の実施の形態の減圧乾燥装置は、このような搬送機構に対応するものである。
【００５９】
図１２は、第４の実施の形態の減圧乾燥装置１ｄの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６０】
第４の実施の形態の減圧乾燥装置１ｄでは、第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａとは、基板Ｗを支持する支持面に係る構成が異なっている。より具体的には、減圧乾燥装置１ｄでは、処理液を乾燥する際に基板Ｗを支持する支持面のうち一部のみがリフトプレート３３で構成され、その他の部分は固定的に配置される固定プレート２５で構成される。
【００６１】
図１２に示すように、減圧乾燥装置１ｄは、互いに離間して配置される２つのリフトプレート３３を備えている。これら２つのリフトプレート３３は、同一高さに略水平に配置されており、上下方向に昇降可能な同一の昇降機構３４に固定されている。したがって、昇降機構３４が駆動することにより、２つのリフトプレート３３は、略水平状態を維持しつつ同一の向きに同一の移動量だけ昇降するようになっている。
【００６２】
また、減圧乾燥装置１ｄは、同一高さに略水平に配置される３つの固定プレート２５を備えている。これらの固定プレート２５は、ベース体２１に対してボルトなどの結合部材を介して固定されている。なお、説明の便宜上、図中では結合部材の図示を省略している。
【００６３】
図１２においては、２つのリフトプレート３３が下端まで下降された状態を示している。このようにリフトプレート３３が下端に下降されると、これらのリフトプレート３３は固定プレート２５の相互間に配置される。そして、２つのリフトプレート３３の上面３３ａと、３つの固定プレート２５の上面２５ａとが同一高さとなり、略水平な一の面を形成する。本実施の形態では、このようにしてリフトプレート３３と固定プレート２５とで構成される面が、基板Ｗを乾燥する際の支持面として機能することになる。
【００６４】
また、２つのリフトプレート３３には、それぞれ貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはそれぞれ支持ピン７が挿通される。そして、リフトプレート３３の下面には、これらの支持ピン７ごとにリンク部材７０が設けられている。このリンク部材７０の構造は、第１の実施の形態と同様である。このため、図１２に示すようにリフトプレート３３が下降された状態では、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから埋没するが、リフトプレート３３が上昇されると、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出することになる。
【００６５】
以下、このように構成される減圧乾燥装置１ｄの動作を説明する。この動作は、図４に示すものとほぼ同様であるため、この図４を利用して説明する。なお、本実施の形態においても、図４の動作の開始時点において、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。
【００６６】
まず、処理対象となる一の基板Ｗがチャンバ２内に搬入される。すなわち、図１３に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるロボットのハンド部９２が、基板Ｗを支持しつつ、図面に対する垂直方向に相当する方向から開放されたチャンバ２内に進入する。ロボットは、その３つのハンド部９２により、基板Ｗの端部の非製品領域の他、基板Ｗの中央部の製品領域の裏側も点支持している。
【００６７】
次に、図１４に示すように、昇降機構３４の駆動により２つのリフトプレート３３が上昇され、ハンド部９２の相互間に進入する。このとき、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出した状態となる。このため支持ピン７が、基板Ｗのハンド部９２によって支持されていない部分に点接触して基板Ｗを支持する。これにより、ハンド部９２からリフトプレート３３に基板Ｗが受け渡され、ハンド部９２は図面に対する垂直方向に相当する方向に退出する（ステップＳ１）。
【００６８】
次に、昇降機構３４の駆動により、上面３３ａが固定プレート２５の上面２５ａの高さと一致するまで、２つのリフトプレート３３が下降される。このようにしてリフトプレート３３が下降すると、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから埋没した状態となる。そして、リフトプレート３３の上面３３ａと固定プレート２５の上面２５ａとが、基板Ｗを支持する一の支持面を形成する。したがって、リフトプレート３３の下降後は、この支持面３３ａ，２５ａが基板Ｗの下面全体に面接触し、基板Ｗが略水平に支持される。
【００６９】
続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ｄは図１２に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ３）。次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。この乾燥処理中においても、基板Ｗは、支持面３３ａ，２５ａに面接触して支持される（ステップＳ４）。
【００７０】
乾燥処理が終了すると、処理室２０内の雰囲気の減圧状態を維持したままで、図１５に示すように、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３３が僅かに上昇される。これにより、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出するため、基板Ｗが上面３３ａから離間される（ステップＳ５）。これにより、この第４の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。
【００７１】
次に、処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻されるとともに（ステップＳ６）、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ７）。
【００７２】
次に、２つのリフトプレート３３が、基板Ｗの受け渡しを行う位置まで上昇される。この上昇中及び上昇後においても、基板Ｗは支持ピン７によってリフトプレート３３の上面３３ａから離間した状態で点支持される（ステップＳ８）。
【００７３】
次に、ハンド部９２がチャンバ２内に進入し、リフトプレート３３からハンド部９２に基板Ｗが受け渡される。さらに、リフトプレート３３が下降された後、ハンド部９２がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ｄの外部に搬出される（ステップＳ９）。
【００７４】
このように第４の実施の形態においても、点支持の状態で搬送機構との間での基板Ｗの受け渡しがなされることから、基板Ｗの受け渡しにおいて帯電が生じることはない。なお、この第４の実施の形態においても、接触帯電による素子破壊を防止するため、基板Ｗの支持面を構成するリフトプレート３３及び固定プレート２５の表面に絶縁物質をコーティングするか、あるいは、導体物質をコーティングして接地するようにしてもよい。
【００７５】
＜５．他の実施の形態＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００７６】
第１の実施の形態では、基板Ｗの乾燥処理中において、リフトプレート３は処理液が存在する製品領域の裏側に面接触していたが、少なくとも当該製品領域の裏側全体に面接触できれば、それより広い領域に面接触してもよい。例えば、リフトプレート３が基板Ｗの裏面全面に面接触して基板Ｗを支持するようにしてもよい。
【００７７】
また、第４の実施の形態では、基板Ｗを処理する際の支持面が、基板Ｗの裏面全体に面接触して基板Ｗを支持していたが、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触すればよい。
【００７８】
また、第４の実施の形態では、２つのリフトプレート３３が設けられていたが、基板Ｗのサイズ等に応じて３以上のリフトプレートを設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第１の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図２】リンク部材の周辺の構成を示す拡大図である。
【図３】リンク部材の周辺の構成を示す拡大図である。
【図４】減圧乾燥装置の動作の流れを示す図である。
【図５】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図６】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図７】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図８】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図９】第２の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図１０】第３の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図１１】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図１２】第４の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図１３】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図１４】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図１５】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
２      チャンバ
３      リフトプレート
７      支持ピン
２０      処理室
２１      ベース体
２２      蓋体
７０      リンク部材
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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