(57)【要約】【課題】パネルギャップが狭く、電子源アレイと蛍光面の間に高電圧を印加する画像表示装置における電子源アレイを高エネルギーの放電から保護する。【解決手段】背面基板１０と前面基板１１０との間に、電子放出部に貫通孔２０７が開いた絶縁板２００を挿入し、絶縁板２００の前面基板１１０側表面に成膜した導電性膜と前面基板１１０の蛍光面に有する陽極１２４の間にスペーサ１３０を植立して電子放出部を絶縁保護する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面上に互いに平行に形成された多数の信号配線と、前記信号配線の上に当該信号配線とは層間絶縁層を介して交差し、かつ互いに平行に形成された多数の走査配線とを有し、前記信号配線と前記走査配線の前記交差部に形成されて二次元マトリクス状に配置された多数の電子放出部からなる電子源アレイを画像表示領域に含む一方の基板と、
前記一方の基板の内面に対向して設置され、その対向内面に前記電子源アレイから放出される電子による励起で発光する複数の蛍光体素子と、該複数の蛍光体素子を区画するブラックマトリクスと、前記蛍光体素子とブラックマトリクスを覆って成膜された陽極とからなる蛍光面を備えた他方の基板と、
前記一方の基板と前記他方の基板の対向周縁に介在し、当該一方の基板と他方の基板とで形成される容器の内部を真空に保持するための封止枠と、
前記画像表示領域における前記電子源アレイと蛍前記光面との間に、前記蛍光面側が導電性膜で被覆され、かつ前記電子放出部のそれぞれに対応する部分に貫通孔を設けた絶縁板と、
前記絶縁板の前記導電性膜と前記蛍光面に設けられた前記陽極との間に介在して前記一方の基板と前記他方の基板の間隔を規制するスペーサとを有し、
前記絶縁板の前記導電膜は前記スペーサにより前記陽極と高抵抗で電気的に接続され、かつ前記画像表示領域の外側で接地されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記一方の基板はガラス板であり、前記絶縁板は前記一方の基板と同一組成のガラス板であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記一方の基板はガラス板であり、前記絶縁板は前記一方の基板に用いられるガラス基板の熱膨張係数に略同じ熱膨張係数を持つセラミックス板であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記絶縁板は、前記電子源アレイを構成する走査配線上に当接して配置され、前記画像表示領域の外側かつ前記封止枠の内側で固定されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記絶縁板の前記導電性膜と前記電子源アレイとの間の静電容量と、前記電子源アレイの前記走査配線および前記信号配線との間の静電容量の比は、前記電子源アレイの駆動電圧と前記陽極に印加される加速電圧の比以下であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記絶縁板上の導電性膜は、アルミニウム、クロム、ニッケル、またはそれらの合金、もしくは導電性酸化物であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記絶縁板の前記貫通孔の内壁が高抵抗膜で被覆されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の画像表示装置であって、
前記高抵抗膜は遷移金属酸化物であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像表示装置であって、
前記遷移金属酸化物はクロム酸化物であることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置にかかり、特に電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
微少で集積可能な電子源を利用する画像表示装置（フィールド・エミッション・ディスプレイ:ＦＥＤ）が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電界放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
【０００３】
ＭＩＭ型については、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３などに、金属―絶縁体―半導体型についてはＭＯＳ型が非特許文献１に、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型が非特許文献２などに、ＥＬ型は非特許文献３などに、ポーラスシリコン型については非特許文献４などに記載がある。
【０００４】
ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層（トンネル絶縁層）を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層であるトンネル絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特願２００４−３６３０７５号公報
【非特許文献１】ｊ.Ｖａｃ.Ｓｃｉ.Ｔｅｃｈｏｎｏｌ.Ｂ１１(２)ｐ.４２９−４３２(１９９３)
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ、ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ．３６、ｐｐ.９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理 第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電子源（陰極）を複数の行（例えば水平方向）と複数の列（例えば垂直方向）に並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した多数の蛍光体を真空中に配置してパネル状の画像表示装置を構成することができる。このようなパネルでは、電子源アレイ（陰極アレイ）と蛍光面の間隔（パネルギャップ）は通常、２００μｍ〜３ｍｍ程度であり、また蛍光面に設けた陽極には通常５００Ｖ〜１０kＶの電圧を印加して画像を表示させる。
【０００６】
特に、このパネルで高い発光効率を得るためには、従来ブラウン管等で使用されてきた高電圧タイプの蛍光体が使用され、５〜１０ＫＶの蛍光面電圧（蛍光面を構成する陽極に印加する電圧、陽極電圧又は加速電圧とも言う）を用いるのが一般的である。しかしながら、ブラウン管と比べて３ｍｍ程度の狭いパネルギャップの間に高電圧を印加すると、パネル内の異物やガス放出、スペーサを介した沿面放電などにより、電子源アレイと蛍光面の間で放電が発生しやすく、電子源アレイが破壊されることがある。これが解決すべき課題の一つとなっている。
【０００７】
この課題を解決するには、電子源アレイと蛍光面間に起こる放電から電子源アレイを保護する仕組みが必要である。本発明の目的は、このような放電から電子源アレイを保護する構造を設けた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、走査配線および信号配線を有する電子源アレイを形成した背面基板（陰極基板）と蛍光面を形成した前面基板（陽極基板）との間に、蛍光面側が導電性膜で被覆されてかつ各電子放出部の位置に貫通孔が開いたガラスまたはセラミックスの絶縁板を挿入し、前記導電膜を接地することにより実現される。
【０００９】
背面基板と前面基板の間に設ける絶縁板は、当該背面基板と熱膨張係数が略一致する材料、特に背面基板と同一材料のガラス板とするか、背面基板の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有するセラミックス板を用いる。また、上記の絶縁板は電子源アレイを構成する走査配線の上に当接して配置され、画像表示領域の外側かつ封止枠の内部で固定する。
【００１０】
その絶縁板の導電性膜と電子源間の静電容量と電子源アレイの走査配線および信号配線間の静電容量の比は、電子源の駆動電圧と蛍光面を構成する陽極に印加するアノード電圧の比以下とすることにより実現される。これにより、放電が発生した場合に、陰極アレイに誘起される電圧を、陰極アレイの耐電圧以下に抑制することができ、陰極の損傷を防止することができる。
【００１１】
絶縁板の蛍光面側に設ける導電性膜は、アルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）またはニッケル（Ｎｉ）またはそれらの合金、もしくはＩＴＯなどの導電性酸化物とするのが耐酸化性の点で有効である。このような材料を用いることで、背面基板と前面基板を封止枠で一体化した容器を形成し、当該容器の内部を真空排気するパネルの封着工程の熱処理に耐えることができる。
【００１２】
さらに、電子放出部上の絶縁板の貫通孔内壁を高抵抗膜で被覆する。この高抵抗膜の材料としては、遷移金属酸化物、特にＣｒ酸化物とするのが有効である。これにより、貫通孔内部の帯電を防止し、電子線の軌道が乱れるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。先ず、本発明による画像表示装置を、ＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。しかし、本発明は、ＭＩＭ型電子源に限るものではなく、背景技術の欄で説明した各種の電子放出素子を用いた画像表示装置にも同様に適用できる。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の画像表示装置の実施例１を説明する要部平面図である。なお、図１では、電子源を有する一方の基板である背面基板１０と、スペーサ３０で所定の間隔を規制して貼り合わせ、一部に蛍光面を形成した他方の基板すなわち前面基板１１０の部分を示す。この画像表示装置は、その内面に有するブラックマトリクス１２０と３色の蛍光体素子１１１，１１２，１１３のみを部分的に示してある。背面基板１０と前面基板１１０は、両基板の貼り合わせ対向周縁に介在させた黒太線で示す封止枠１３０で一体に固定されて真空容器を構成する。また、図２は、図１の要部断面図である。
【００１５】
ここで、ＭＩＭ型電子源の原理を説明する。図３は、ＭＩＭ型電子源の電子放出原理の説明図である。ＭＩＭ型の電子源は、上部電極１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加して、トンネル絶縁層１２内の電界を１〜１０ＭＶ／ｃｍ程度にすると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層であるトンネル絶縁層１２の伝導帯へ注入されてホットエレクトロンとなり、上部電極１３の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極１３表面に達したものが真空中に放出される。
【００１６】
図１と図２に戻って本発明の画像表示装置の説明を行う。背面基板１０には上記の電子放出原理に従い、信号配線駆動回路５０に接続する信号配線（データ線）を構成する下部電極１１、走査配線駆動回路６０に接続して信号配線と交差（ここでは直交）配置された走査配線２１、電子放出部となるトンネル絶縁層１２、電子放出部以外を絶縁する保護絶縁層（フィールド絶縁層）１４が形成されている。電子放出部上には厚い走査配線２１に接続された薄い上部電極１３が形成される。
【００１７】
この実施例では、走査配線２１を３層構造としてある。すなわち、走査配線２１はクロムの下電極２１１と、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム―ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）のバス電極２１２およびクロムの上電極２１３の積層構造で構成した。走査信号は、主として走査配線駆動回路６０からバス電極２１２を通して印加される。下電極２１１は、図２に示したように、隣接する走査配線との分離のためのエッチングバック部分を図２の右側に有すると共に、図２の左側の電子放出部側に上部電極１３の段切れを防止するための突出した傾斜部を有している。上電極２１３は、所謂キャップメタルである。
【００１８】
実施例１では、走査配線２１のバス電極２１２はアルミニウム、下部電極１１は、アルミニウム―ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）を用いて形成されている。下部電極１１の表面を陽極酸化してフィールド絶縁層１４とトンネル絶縁層１２とを形成してある。このフィールド絶縁層１４と走査配線２１の間には、チッ化シリコン（ＳｉＮ）を好適とする層間絶縁層１５が形成されている。
【００１９】
電子源を構成するトンネル絶縁層１２の厚さは通常１０ｎｍ程度であり、駆動電圧は１０Ｖ程度と低い。そのため、信号配線駆動回路５０および走査配線駆動回路６０には低電圧回路を使用することができ、低消費電力、低コストを実現することが可能である。
【００２０】
一方、前面基板１１０の内面には、表示画像のコントラストを上げるための遮光層すなわちブラックマトリクス１２０、赤色蛍光体１１１、緑色蛍光体１１２、青色蛍光体１１３とからなる。なお、図２には緑色蛍光体１１２のみを示した。蛍光体としては、例えば、赤色にＹ2Ｏ2Ｓ:Ｅｕ(Ｐ２２−Ｒ)、緑色にＺｎＳ:Ｃｕ、Ａｌ(Ｐ２２−ｇ)、青色にＺｎＳ:Ａｇ、Ｃｌ(Ｐ２２−Ｂ)を用いることができる。蛍光面を構成する陽極１２４に５〜１０ＫＶの高電圧を印加することで高い発光効率を得ることができる。
【００２１】
図４は、従来の画像表示装置の要部構造を説明する断面図である。従来では、図４に示すように、背面基板１０と前面基板１１０との間にスペーサ３０を介在させて貼りあわせ、封着し、排気してパネルを作成していた。この際、ＭＩＭ電子源の駆動電圧は１０Ｖ程度と低電圧であるのに対し、蛍光面には５〜１０ＫＶの高電圧が印加されている。その間は通常状態では真空および高抵抗のスペーサ３０で半絶縁状態となっており、ＭＩＭ電子源に高電圧が印加されることはないが、異物や蛍光体への電子線照射等による局所的なガス放出、スペーサ表面の異常による沿面放電などによりＭＩＭ電子源に向かって放電が稀に発生することがある。その場合、ＭＩＭ電子源には容易に過電圧が印加され、トンネル絶縁層１２の絶縁破壊が発生して電子放出能が喪失し、致命的な不良となる。
【００２２】
そこで、本発明の実施例１では、図１および図２で示すように、背面基板１０と前面基板１１０の間の画像表示領域に、前面基板１１０の蛍光面側が導電性膜２０１で被覆されてかつ背面基板１０の電子放出部に対応した部分に貫通孔２０７が開いた絶縁板２００を設置し、放電から背面基板１０を前面基板１１０側から絶縁し、保護するようにした。
【００２３】
具体的には、画像表示領域をカバーする面積の絶縁板２００を背面基板１０形成した走査配線２１の上に載置する。絶縁板２００には、背面基板１０の電子放出部に対応した部分の位置に貫通孔２０７が開けられており、前面基板１１０側の表面には導電性膜２０１が形成されている。さらに貫通孔２０７の内壁には高抵抗膜２０２が形成されている。
【００２４】
そして、この絶縁板２００の導電性膜２０１にスペーサ３０の下端を置いて植立させ、他端を前面基板１１０の陽極１２４に当接させる。スペーサ３０は陽極１２４と絶縁板２００を高抵抗で電極に接続する。背面基板１０の一部には取り出し配線２０４が形成されている。この取り出し配線２０４の一端は封止枠１３０の外部から内部の画像表示領域の外側まで延びており、導電性ペースト２０３で絶縁板２００の導電性膜２０１に接続している。取り出し配線２０４の他端は接地回路２０５に接続される。
【００２５】
図５〜図９は、本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図である。まず、図４に示したように、背面基板１０と同一材料のガラス板あるいは熱膨張係数を合せ込んだセラミックス板を準備する。ここでは、製造が容易で安価なグリーンシート法で作成するセラミック板を用いた。
【００２６】
絶縁板２００の厚さは、絶縁板２００の導電膜２０１と電子源アレイ間の静電容量と、電子源アレイの走査配線２１および信号配線１１間の静電容量の比が、陰極の駆動電圧と陽極に印加する陽極電圧の比以下となる厚さを選ぶ。実施例１の画像表示装置では、陽極電圧は５〜１０kＶ、駆動電圧は１０Ｖ程度であり、絶縁板２００の誘電率と電子源のトンネル絶縁層１２の誘電率が同程度とすると、絶縁板２００の厚さは電子源を構成するトンネル絶縁層１２の厚さの５００〜１０００倍以上とするのがよい。絶縁層の厚さは約１０ｎｍなので、絶縁板の厚さは最低５〜１０μｍとする。実施例１では、さらに約１０倍の安全係数を見込んで５０〜１００μｍ以上の厚さの絶縁板２００を用いた。
【００２７】
これにより、放電が発生して絶縁板２００表面の導電膜２０１に高電圧が誘起されても、電子源に印加される電圧はトンネル絶縁層１２の耐電圧以下に抑えることができ、電子源の破壊を防止することが可能である。なお、本実施例はＭＩＭ電子源を例としたため、電子源アレイの耐電圧をトンネル絶縁層１２の耐電圧としたが、真空ギャップ間に電圧を印加して駆動する電子源アレイの場合は、真空ギャップの耐電圧に置き換えればよい。
【００２８】
次に、図５に示すように、スパッタ法などにより絶縁板２００上に導電性膜２０１を成膜する。導電性膜２０１の材料は、パネル封着の際の酸化に耐える必要があるため、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ−Ｎｄ、その他の耐酸化性金属または合金、あるいはＩＴＯなどの導電性酸化膜とした。ここでは、Ａｌ−Ｎｄとした。
【００２９】
次に、図６に示すように、感光性レジスト、ここではドライフィルムレジスト２０６で絶縁板２００上の導電膜２０１を被覆し、露光、現像により、各電子放出部に対応する部分に貫通孔の開口部をパターニングする。続いて、図７に示すように、サンドブラスト法で、絶縁板を貫通する貫通孔２０７を開ける。続いて、図８に示すように、ドライフィルムレジスト２０６を残したまま、スパッタ法により、クロム（Ｃｒ）酸化膜２０２を貫通孔２０７の内部まで被覆するように成膜する。
【００３０】
クロム酸化膜２０２の成膜後、図９に示すようにドライフィルムレジスト２０６を水酸化ナトリウムやメタケイ酸ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液で剥離して除去する。ここでは導電性膜２０１に用いたＡｌ−Ｎｄを溶解しにくいメタケイ酸ナトリウムを用いた。この際、絶縁板２００表面のドライフィルム２０６上に成膜されたクロム酸化膜はドライフィルムレジスト２０６と共にリフトオフされ、貫通孔２０７の内部のみに選択的に高抵抗膜２０２を形成する。
【００３１】
絶縁板２００は、背面基板１０に形成した厚い走査電極２１（通常４〜１０μｍ程度）をリブにして当接させて載置することで、電子放出部を傷つけずに絶縁板２００を配置することができる。絶縁板２００上の導電性膜２０１は、絶縁板２００周辺四隅で陰極基板１０上に形成した取り出し配線２０４に導電性ペースト２０３で接続し、封止枠１３０外部に引き出している。この電位は放電電流を散逸させるため、接地電位とする。
【００３２】
スペーサ３０は、絶縁板２００の導電性膜２０１上、かつ前面基板１１０のブラックマトリクス１２０の下に隠れるように配置されており、背面基板１０と前面基板１１０の間を所定の間隔で保持し、かつその間を高抵抗で電気的に接続するようになっている。画像表示領域の外周に封止枠１３０を介在させて封着した後、内部が真空封止される。
【００３３】
以上の構成により、背面基板１０を蛍光面を有する前面基板１１０から発生する高エネルギーの放電から絶縁して保護し、電子源の破壊を防止することが可能となる。なお、本実施例はＭＩＭ電子源を例にしたが、電子源アレイの駆動電圧は陰極の種類によらず通常１０〜１００Ｖ程度であり、ＭＩＭ電子源と同様の他の薄膜電子源のいずれも数ＫＶの耐電圧は有しないため、本発明を適用することが可能である。
【００３４】
図１０は、本発明の画像表示装置の全体構造の一例をより具体的に説明する一部破断して示す斜視図である。また、図１１は、図１０のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。繰り返しの説明になるが、背面基板１０の内面には信号配線１１と走査配線２１を有し、信号配線１１と走査配線２１の交差部近傍に電子源（電子放出部）が形成されている。信号配線１１の端部には信号配線端子１１Ｔが形成され、走査配線２１の端部には走査配線端子２１Ｔが形成されている。
【００３５】
また、前面基板１１０の内面にはブラックマトリクス１２０、陽極１２４、蛍光体層１１１、１１２、１１３が形成されている。背面基板１０と前面基板１１０とは、その周縁に封止枠１３０を介在させて貼り合わされる。背面基板１０の走査配線２１の上には前記した絶縁板２００が設置されている。そして、貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板１０の上記絶縁板２００と前面基板２０の間にスペーサ３０を植立させている。図１１はこのスペーサ３０に沿った断面を示す。図１１には、走査配線２１の上に設置された絶縁板２００上に当該走査配線に沿って３枚のスペーサを示してあるが、これはあくまで一例である。
【００３６】
なお、背面基板１０と前面基板２０および枠ガラス３００で密封された内部空間は、背面基板１０の一部に設けた排気管４００から排気して所定の真空状態に維持される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の画像表示装置の実施例１を説明する要部平面図である。
【図２】図１の要部断面図である。
【図３】ＭＩＭ型電子源の電子放出原理の説明図である。
【図４】従来の画像表示装置の要部構造を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図５に続く図である。
【図７】本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図６に続く図である。
【図８】本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図７に続く図である。
【図９】本発明の実施例１における絶縁板の製造方法を説明する図８に続く図である。
【図１０】本発明の画像表示装置の全体構造の一例をより具体的に説明する一部破断して示す斜視図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０・・・背面基板、１１・・・下部電極、１２・・・絶縁層（トンネル絶縁層）、１３・・・上部電極、１４・・・保護絶縁層、１５・・・層間絶縁膜、２１・・・走査電極、３０・・・スペーサ、５０・・・信号配線駆動回路、６０・・・走査配線駆動回路、１１０・・・前面基板、１１１・・・赤色蛍光、１１２・・・緑色蛍光体、１１３・・・青色蛍光体、１２０・・・ブラックマトリクス、１２４・・・陽極、１３０・・・封止枠、２００・・・絶縁板、２０１・・・導電性膜、２０２・・・高抵抗膜、２０３・・・導電ペースト、２０４・・・取り出し配線、２０５・・・接地回路、２０６・・・ドライフィルムレジスト、２０７・・・貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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