(57)【要約】      （修正有）【課題】特に屈折率のばらつきの無い、屈折率の均一性が高く、複屈折の低い、即ち歪複屈折の低い結晶を提供する。更に、元の結晶成長からの使用済み原料、廃棄物及びトリミング屑を再使用、再生利用する方法を提供する。【解決手段】高純度で、大型、特に耐放射性であり、且つ固有複屈折率の低い単結晶を、結晶原料の溶融物を生成し、制御冷却して結晶に固化することにより製造する方法において、結晶原料として、成長結晶の破片及び／又は廃棄物を用い、破片及び／又は廃棄物が１）自然光での視覚観察下では無色であり、２）暗室内の白色光での照明下ではａ）赤及び／又は青みがかった蛍光を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、ｂ）拡散散乱を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、且つｃ）離散的散乱を全く有しないか、あってもｄｍ３当り２個の散乱中心である僅かの離散的散乱を有するものとする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度で、大型、特に耐放射性であり、且つ固有複屈折率の低い単結晶を、結晶原料の溶融物を生成し、制御冷却して結晶に固化することにより製造する方法において、
結晶原料として、既成長結晶の破片及び／又は廃棄物を用い、該破片及び／又は廃棄物が
１）自然光での視覚観察下では無色であり、
２）暗室内の白色光での照明下では
ａ）赤及び／又は青みがかった蛍光を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、
ｂ）拡散散乱を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、且つ
ｃ）離散的散乱を全く有しないか、あってもｄｍ３当り２個の散乱中心である僅かの離散的散乱を有する
ものとすることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記破片は１０進損失係数が、１９３ｎｍのエキシマレーザでの透過率測定から決定されるとき≦０．０００５／ｃｍ、又は１９３ｎｍのスペクトロメータでの透過率測定から決定されるときも≦０．０００５／ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
隣接する亜結晶粒の小傾角粒界は結晶軸相互が最大角２°で傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
破片がＣａＦ２、ＳｒＦ２又はＢａＦ２又はそれ等の混合物から成ることを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の方法。
【請求項５】
結晶に異種イオンをドープして成ることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載の方法。
【請求項６】
溶融前の破片を清浄剤で処理して成ることを特徴とする請求項１〜５の何れか１つに記載の方法。
【請求項７】
清浄剤がＣＦＨＣ、アルコール及び／又は水であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１つに記載の方法。
【請求項８】
溶剤を蒸発して残留分を残さないことを特徴とする請求項１〜７の何れか１つに記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１つに記載の方法によって作られ、続いて調質した結晶であって、ＢＳＤＦ値が＜７ｘ１０−７、３６ゼルニーク(Zernike)係数を差し引いた後のＲＭＳ均一性が＜１５ｘ１０−８、且つ１１１方向のＳＤＲ−ＲＳＭ値が＜０．２ｎｍ／ｃｍであることを特徴とする光学的利用のための結晶。
【請求項１０】
ＤＵＶリソグラフィー用のレンズ、プリズム、光ファイバロッド、光学窓及び光学部品、ステッパー、エキシマレーザ、コンピュータチップ及び集積回路並びにかかる回路やチップを含む電子装置を製造するために請求項１〜８の何れか１つに記載の方法によって作られた結晶又は請求項９に記載の結晶の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は既成長の結晶の破片から単結晶を成長させる方法、このようにして得られる結晶及びそれ等を特に光リソグラフィーに用いるそれ等の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶の製造、特に光リソグラフィー用のものが広く知られ、例えば欧州特許公開公報ＥＰ１２５９６６３Ａに記載されている。そこでは、均一な配向の大型結晶を結晶原料の溶融物から、溶融成長槽の底部の温度を結晶温度に徐冷することにより成長させる。溶融槽の底部と開口間に、垂直方向に延びる軸方向温度勾配を印加する一方、熱が側壁を通して付加されるか、そこから流出するのを回避する。結晶配向は、冷却種ポケットに位置する種結晶により予め定められる。かかる結晶を光学素子にする成長及び継続する処理において、結晶は細分され、そのとき大量の廃棄物、破損部、更には欠陥成長部としての材料（以下、細分と称する）が生成される。現在まで、これ等の破片は毒性が無くても廃棄されており、これが製造コストを高くしている。
【０００３】
弗化カルシウム単結晶の成長の際に生ずる破片を、最大５ｘ１０−４ｍｂａｒの真空内で、少なくとも１１００℃の温度にてそれらを蒸発させることにより再利用しようとする試みがなされている。そのような方法は独逸国特許公開公報ＤＥ１０２００４００８７４９Ａ１に記載されている。
【０００４】
ガラスの製造工程で生ずる破片及び破損部を溶液に包含させ、新たに用いることが知られている。これは、原料の節約に供するのみならず、再利用しない場合に要する、純化と、その後の、最終ガラス溶融物に導く化学反応を起こすためのエネルギーの節約に供する。だが、結晶の製造の場合には、そのようなエネルギー節約ができないため、現在まで用いられている高純度原料結晶粉末の溶融と破片の溶融に同じエネルギーが消費される。だが、原料の節約のため破片を用いると、汚染の危険を伴うため、複雑、高価、且つ長時間の成長工程では現在まで、かかる破片を再処理するよりは、純度９９．９９％の高純度出発材料を用いる方が優先されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、特に散乱がなく、屈折率の均一性が高く、複屈折の低い、即ち歪複屈折の低い結晶を提供することにある。本発明の更なる目的は、前の結晶成長からの使用済み原料、廃棄物及びトリミング屑を再使用及び
再生利用することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、独立請求項に記載の特徴事項によって達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明によれば使用破片では、良好な結晶が生成されるだけでなく、その溶融前に以下に記載する性質及び特性をもつ破片を用いると、従来の方法で得られるものと比較して、レーザ安定性がより良好で、優れた結晶が生成できることが分かった。
【０００８】
これ等の性質及び特性は、便宜的には原料結晶又は原料結晶の試料で決まり、便宜的には成長後、特に被覆層（成長端）、任意選択として円錐底を剥離した後の、好ましくは結晶を個々のレンズ素材に細分する前の原料結晶又は原料結晶の試料で決まる。更なる製造方法の工程中に、評価済みの原料結晶の体積が更なる破片を生ずる場合には、既決定の特性がこれ等の破片にも同様に該当するものと考える。原則として、種々の破片が十分な大きさであれば、それ等を個別的に分類、評価することも勿論可能である。
【０００９】
用語「破片」は以下の由来の結晶材料を含む：
−製品として処理可能な材料を既成長結晶の体積から切り出したとき生ずる幾何学的廃棄物
−切出し材料を製品に更に処理する際に生成される破断部分、即ち幾何学的破損結晶材料
−最早不要な試料材料
−用途によっては規格基準に合わないが、破片としての再使用の規格要求を満たす生成結晶材料
【００１０】
再使用のための破片が得られる原料結晶は単結晶であり、理想的な場合にはその体積全体に亘って単結晶である。だが、実際には、その体積は数個の単結晶主ブロックから成り、その数は最大で５個であり、その各々が原料結晶の体積の少なくとも２０％を占めるものがある。原料結晶はまた、各々の寸法が原料結晶体積の２０％下の最大２０ブロックの場合、単結晶と考えられる。ブロック数が２０より多くなると、原料結晶はもはや単結晶ではなく、多結晶と考えられる。かかる結晶は最早、本発明の意味での「原料結晶」の定義には該当しない。
【００１１】
第一回目テスト、即ち粗視覚評価は色の評価である。全側面に磨き面の与えられた成長原料結晶を、液侵液で濡らす。これには、ＧＥシリコーン社製造のシリコン液ＳＦ１２９２又はメルク社（独逸国、ダールシュタット）製造のパラフィン液試薬ＰｈＥｕｒ等の商業的利用可能な製品が用いられる。次いで、結晶に自然光を当て、肉眼で観察する。色を感知し得ない場合、後に処理工程で生ずるこの結晶の破片は再使用に適している。
【００１２】
継続する第２回目のテストでは、原料結晶を暗室内で蛍光の発生に付き試験する。このテストでは、白色灯の光が原料結晶を通して透けて見えるようにする。好ましくは、白色灯を僅かに発散性になるように調整する。ここで大きな蛍光が発生すれば、この原料結晶から後に処理工程で生じる破片は再使用には適さず、不合格となる。
【００１３】
暗室内で慣れない観測者の目にも目が順応した後、蛍光は見えず、通常の明るさの作業室ではこの観測者には感知されない赤みがかった蛍光、或いは青みがかった蛍光さえも見えないなら、この原料結晶からの破片は再使用に適している。蛍光の定量のため、被検査原料結晶の表面を通常の上記液侵液で濡らす。このテストでは、白色灯のビームを好ましくは、結晶の体積の全部が一旦光で透けて見えるようにし、従って評価できるように案内する。
【００１４】
この種の白色照明のランプとしては例えば、商品名Ｘｅｎｏｐｈｏｔ  ＨＬＸ５４５１０（１２Ｖ、５０Ｗ）としてＯｓｒａｍ社製造のハロゲン灯が用いられ、そのビームが反射鏡と集光レンズにより僅かに広がるように調整される。蛍光の測定は次のようになされる。
【００１５】
どんな蛍光も見られなければ、結晶は蛍光類０に割り当てられる。慣れた作業者のみに、且つ目を暗室内に適合させた後見られる蛍光は、弱い、即ち蛍光類１に割り当てられる。
【００１６】
暗室内で素人にも見られるが、自然光内、又は明るい部屋では見えない蛍光は、中、即ち蛍光類２に分類される。逆に、強い蛍光はたとえ暗室の外でも、誰にも直ちに見える。そのような強い蛍光を示す原料結晶の破片は、再使用用には採用できない。そのような結晶は蛍光性が高いもの、即ち蛍光類３に属するものと分類され、そのようなものからの破片は廃棄されなければなない。
【００１７】
次に、暗室内で、白色光の照射で、好ましくは蛍光が測定されたのと同じランプで、結晶の拡散した散乱が評価される。光を、原料結晶を通してその体積全体に亘って透かし、目を暗室に適合させた後、散乱は視覚で測定される。散乱は、評価者の目が個々の散乱を解像できず、照射結晶体積が均一に照射されているように見えたら、拡散していると呼ばれる。弱い拡散散乱とは、暗室内で当業者の慣れた目にのみ見えるものを意味し、逆に、もはや許容されない中度散乱は素人にも見えるものである。本発明の方法では、拡散散乱を全く示さないか、僅かにのみ示す結晶からの破片が再使用可能になる。より強い拡散散乱を示す結晶破片は廃棄されなければならない。
【００１８】
この特性が満たされたら、原料結晶は更なる、離散的散乱のテストにかけられる。離散的散乱とは、評価者の目が点状又は線状散乱中心を感知することを意味する。そのような散乱中心は例えば、小さな空胞又は結晶浸出物により形成される。本発明の方法では、ｄｍ３当り最大２個の散乱中心をもつ破片のみが用いられる。だが、ｄｍ３当り１個以下の散乱中心をもつのが好ましく、ｄｍ３当り最大０．５個の散乱中心をもつのが特に好ましい。本発明による再使用では、拡散散乱と離散的散乱の両方が、透過損失に対して生ずる寄与が無視し得る程度に僅かである場合に許容される。更に許容可能な透過測定を確認することによる破片再使用の更なる基準は、以下に述べる初期１０進損失係数の測定である。
【００１９】
上記基準の全てを満たさない原料結晶からの破片は廃棄されなければならず、本発明の製造方法には使用できない。
【００２０】
本発明の好適な実施例において、結晶は更なるテストにかけられる。第１の好適な付加テストは、小傾角粒界の測定に関する。用語「小傾角粒界」とは、１つの単結晶内で亜結晶粒の結晶軸相互の傾斜が最大約５°であるものを云うものと理解される。本発明の方法では、亜結晶粒の傾斜が最大２°の、換言すればその軸相互が最大２°で傾斜する小傾角粒界における破片が優先的に適している。だが、より好適には、１．５°以下、特に最大１°の傾斜が好ましい。本発明の更に好適な実施例では、傾斜を０．８°以下とする。小傾角粒界の測定それ自体は公知であり、偏光器により典型的になされる。被検査原料結晶を、同様に液侵液を用いて濡らし、２つの交差する偏光子間に位置付ける。本発明によれば、原料結晶は好ましくは、面を研磨して、特に全側面を研磨して偏光子間に位置付けられる。次いで、傾斜の測定を、その傾斜角度がＸ線回折計、例えばＲｏｅｎｔｅｃ社製造のＣｒｙｓｏｔａｘ等の既知の装置を用いて予め測定されている比較体を用いて行う。つまり、比較体の明暗現象の大きさは、測定された傾斜角を用いて計り、これにより被検査原料結晶の評価は明暗現象に基づいて確実に行われる。原則として、Ｘ線回折計により破片毎に傾斜を測定することも可能であるが、これには極めて大きな、不当な努力と経費が伴う。従って、本発明の方法では、明暗現象の比較は偏光器でなされる。かかる偏光器は例えば、Ｋｏｍｂｉｎａｔ  Ｃａｒｌ  Ｚｅｉｓｓ  Ｊｅｎａとして知られた会社の製造によるＳＰ３００で良く、検査方法は１９８９年１月発行のＴＧＬ２１７９２に詳細に記載されている。だが、専門的文献にも本方法は例えば、H. Jebsen-Marwedel & R. Brueckerによる“Glastechnische Fabrikationsfehler”(ガラスの製造上の欠陥)、Springer Velag, 3rd Edition, 1980に記載されている。
【００２１】
偏光器での小傾角粒界の測定において、明暗画像に、評価がなされ、次いで原料結晶が次の小傾角粒界分類に割り当てられる。
０          ：感知される小傾角粒界が無い
弱（分類１）：小傾角粒界が、交差した偏光子間に、観測者により異なる観測角度でのみ見られる
中（分類２）：小傾角粒界が夫々の部分でグレーの色合いを示す（分類２は上記検定により傾斜角度２°に対応する）
強（分類３）：小傾角粒界が交差した偏光子間に、素人にも明瞭に見える。
【００２２】
更なる、任意選択の付加的テストは、エネルギー密度０に対して１９３ｎｍでの初期１０進（ｄｅｃａｄｉｃ）損失係数に関する。この初期損失係数の測定は、独逸国特許公開公報ＤＥ１０３３５４５７Ａ１に記載されている。透過は異なるエネルギー密度でのレーザ照射で確認され、得られる測定値はエネルギー密度０に対する値に外挿される。この値は初期透過と呼ばれる。これから、特定の初期損失係数ｋを計算することができる。原則として、スペクトロメータ（例えば、PerkinElmer社製造のラムダ９００等、これは用いられるランプ励起のため、エネルギー密度が極めて低い測定ビームを用いている）で１９３における１０進損失係数ｋを決定することもできる。透過値の求め方によらず、エネルギー密度０（レーザを使用する場合）又は０近傍（スペクトロメータを使用する場合）において、１０進損失係数は次式により決定される。
【００２３】
Ｔ＝（１−Ｒ）２ｘ１０−ｋｄ
【００２４】
ここで、
Ｔは、スペクトロメータで測定した全透過率、又は異なるエネルギー密度でのレーザ測定からエネルギー密度０に外挿した透過率値であり、
では、ｃｍでの試料厚みであり、
ｋは、ｃｍ−１での初期１０進損失係数であり、
Ｒは、垂直の入射光に対する面の反射損失である。反射損失Ｒは次のように計算される。
【００２５】
【数１】
2007204358.tif 000002
【００２６】
本発明の好適は方法において、その測定試料のｋ値が＞５ｘ１０−４ｃｍ−１である原料結晶からの破片は廃棄された。
【００２７】
試料厚みｄによる測定透過率から損失係数を計算するに際し、ｋは散乱から成る一成分と吸収から成る一成分を含んでいる。前のテストでの限られた程度までのみ許容された散乱から、損失係数ｋの特性を更に用いることができることが既に保障されている。
【００２８】
破片が上記の特性に合うなら、その表面に付着している汚れや汚染物を取り除くのが好ましい。そのような汚染物には例えば、ラベル、結晶磨耗、塵埃、液侵液等が含まれる。この除去自体は、手又は機械の何れかにより行えば良い。
【００２９】
手で行う洗浄は典型的には、水を含んだ洗浄剤及び／又はアルコール、特にエタノール等の有機溶媒を含侵させた、けばの無い２次元タオル状の織物により行われる。次に、破片を純水、特に蒸留水又は脱イオン水で濯ぎ、表面になお残る溶剤及び／又は洗浄水の残留物を除去する。その後、破片を空気中、好ましくは減塵埃環境内で予備乾燥し、その後、乾燥を好ましくは５０〜９０°、特に６０〜８０°の高温の加温オーブン内で少なくとも６０分、特に少なくとも７５分の時間に亘って行う。典型的な最大乾燥時間は１５０分、特に１２０分であり、最大１００分が特に適切なことが分かった。冷却後、破片は再度成長工程のために用いることができる。
【００３０】
機械浄化は、食器洗浄機等における噴霧流又は１種又は複数の超音波浴を用いて行うことができる。噴霧流を用いる洗浄では、商業的に利用可能な食器洗濯機が一般に用いられる。破片を洗浄バスケット内に、破片同士が互いに触れないように設置する。洗浄自体は、洗浄剤を加えた超純水で行われる。非表面活性剤、特に非イオン性洗浄剤が特に適切なことが分かった。アルカリイオンを含まない洗浄剤が特に好適である。典型的な洗浄剤は例えば、独逸国インゴルシュタットのＤｒ．Ｍａｃｋ社の商品名Ｖｉｇｏｎ  Ａの下に販売されている。洗浄操作自体は、室温と約９０℃の間、特に約８０℃まで、好ましくは約７０℃までの温度で、食器洗浄機で通常設定される時間に亘って行われる。かかる時間は一般に、最大６０分である。これに続いて、超純水でのすすぎ操作を少なくとも２回、好ましくは３回行うが、４回が好適であることが分かった。少なくとも１００℃、特に少なくとも１１０℃での空気乾燥の後、手での浄化のため、破片は上記のような真空乾燥オーブン内で乾燥される。
【００３１】
超音波浄化は一般に、破片をバスケット内に破片同士が互いに触れないように設置し、先ず軟水をリンス液として流して行う。次に、破片を洗浄剤を含んだ超音波浴内に設置する。典型的な洗浄剤は例えば、食器洗浄機における噴霧流でのものと同じである。このための典型的洗浄剤はＮ−メチルピロリドンである。破片を入れたバスケットを、好ましくは超音波浴内で動かされる。典型的な洗浄時間は、室温から７０℃、特に約３０〜５０℃、好ましくは４０℃の洗浄温度で、２０〜８０分、特に３０〜６０分である。短いリンスの後、この操作を第２の超音波浴内で反復する。これに続いて、約２〜１０分、特に３〜７分、好ましくは５分の時間に亘って、超純水を絶えず流したリンス浴中でのリンスを行う。リンス中の温度は約３０〜５０℃、特に約４０℃である。このリンス操作を反復し、ついで破片を上記のように、先ず空中で、次いで真空乾燥オーブン内で乾燥する。このようにして得られた破片は、再度の成長工程のために直ちに用いることができる。破片を使用までの長期間に亘って貯蔵しなければならない場合は、破片を真空内で貯蔵するのが良いが、この場合破片を商業的に利用可能なフィルムバッグに封入して行うのが好ましい。
【００３２】
このようにして得られた破片は直ちに、結晶成長用として用いることができる。結晶成長のために破片は、通常のスカベンジャーを用いて、直接且つ単独で、又は典型的な原料を付加して用いることができる。多くの場合、所謂インゴット、即ち多結晶大型体を作ることが好都合なことが分かった。この種のインゴットは次いで、結晶成長集成装置内に設置、溶融され、この溶融物から所望の結晶を成長させる。
【００３３】
本発明の方法により、高価な原料を再使用できるだけでなく、驚くべきことに、このようにして選ばれた破片で、より良好で、よりきれいな結晶を成長させることができ、これ等結晶は動作波長が１９３ｎｍ及び１５７ｎｍ等２００ｎｍ以下のレーザの応用に適している。このようにして生成された結晶は極めて良好に調質でき、即ち調質後に結晶が拡散散乱を増大する傾向が驚くべきことに極めて僅かである。この良好な調質能力のため、複屈折及び屈折率の均一性に対する極めて良好な値が達成され、その結果、結晶はとりわけステッパーの投影光学に用途を見出している。更に、特に耐ＤＵＶレーザ放射性があり、この理由でステッパーの照明システムでの使用にも極めて適している。
【００３４】
本発明により得られる典型的な結晶は、拡散散乱の値（双方向散乱分布関数値）が＜１．３ｘ１０−６、特に＜７ｘ１０−７である。そのような値はこれまで、得られなかった。本発明の特に好ましい結晶は、ＢＳＤＦ値が＜５、特に＜３ｘ１０−７である。かかるＢＳＤＦ値の決定は当業者に知られるところであり、例えばJ. C. Stoverの“Optical Scattering−Measurement and Analysis,”MacGrow-Hill, 1990 に記載されている。更に、本発明の結晶は調質肯定の完了後に、特に屈折率の高い均一性と、特にＲＭＳ値の（国際特許公開公報ＷＯ２００５／０８０９４８に記載されているような３６Ｚｅｒｎｉｋｅ係数を差し引いた後の）均一性を示す。本発明の典型的な結晶の示すＲＭＳ均一性は、＜１５ｘ１０−８、特に＜１０ｘ１０−８、好ましくは＜２．５ｘ１０−８、特に好ましくは＜１．５ｘ１０−８である。複屈折（ＳＤＲ−ＲＭＳ）は両（１００）及び（１１０）配向方向に、好ましくは１ｎｍ／ｃｍ下、特に０．３５ｎｍ／ｃｍ下、特に好ましくは０．３ｎｍ／ｃｍである。（１１１）方向では、ＳＤＲ−ＲＭＳは一般に、０．２ｎｍ／ｃｍ下、好ましくは＜０．１５ｎｍ／ｃｍ、特に＜０．０８ｎｍ／ｃｍである。レーザ耐性の決定において、本発明により得られた結晶は波長１９３ｎｍ、エネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ２のレーザを１０ｘ１０９パルス照射されると、損失係数ｋに７ｘ１０−４ｃｍ−１と僅かな上昇を示すのみである（上記長時間照射の開始前の同一測定と比較して、独逸国特許公開公報ＤＥ１０３３５４５７Ａ１に記載された測定規則に対応する異なるエネルギー密度でこの長時間照射後に得られた測定値をエネルギー密度０に対して外挿したもの）。
【００３５】
このようにして得られた破片では、国際特許公報ＷＯ０１／０６４９７５に記載の方法により、径少なくとも３５ｃｍ、高さ少なくとも２５ｃｍの結晶が成長した。結晶のＢＳＤＦ値は＜１５、即ち１．７ｘ１０−７であり、ＲＭＳ屈折率均一性（３６Ｚｅｒｎｉｋｅ係数を差し引いた後の）は＜１３、即ち１．４ｘ１０−８であり、１１１方向のＲＳＤ−ＲＭＳ値は＜１５、即ち０．０５ｎｍ／ｃｍであった。
【００３６】
波長１９３ｎｍ及びエネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ２のレーザを１０ｘ１０９パルス照射した後、損失係数ｋをエネルギー密度Ｏに外挿して測定をもう一度行うと、照射開始前の測定と比較して、この損失係数の５ｘ１０−４ｃｍ−１の上昇が見られた。
【００３７】
本発明による方法の好適な材料は、アルカリ土類ハライド、特に弗化カルシウム、弗化バリウム及び弗化マグネシウムである。更なる好適な実施例では、破片に、単価汚染物を補償するように作用する３価金属イオンを僅かにドープする。この種のドーピングは特に、独逸国特許公開公報ＤＥ１０２００５０４４６９７Ａ１に記載されたものである。
【００３８】
本発明により得られる結晶は、ＤＵＶリソグラフィーの光学部品の製造、光レジスト被覆ウェーハの製造及び電子装置の製造に特に適している。従って、本発明はまた、ＤＵＶリソグラフィー用レンズ、プリズム、光ファイバロッド及び光学窓の製造に用いるその使用、特にステッパー及びエキシマレーザを製造に用いるその使用、光露出及び投影光学素子に用いるその使用、従って積分回路、コンピュータチップ、及びコンピュータ等の電子装置及びチップ状の集積回路を含む他の回路を製造するためのその使用に関する。
【００３９】
本発明の方法では、同一仕様の破片を溶融するのが好ましい。典型的仕様は以下の表に示されている。
【表１】
2007204358.tif 000003
【外国語明細書】
2007204358.tif 000004
2007204358.tif 000005
2007204358.tif 000006
2007204358.tif 000007
2007204358.tif 000008
2007204358.tif 000009
2007204358.tif 000010
2007204358.tif 000011
2007204358.tif 000012
2007204358.tif 000013
2007204358.tif 000014
2007204358.tif 000015
2007204358.tif 000016
2007204358.tif 000017
2007204358.tif 000018
2007204358.tif 000019
2007204358.tif 000020
2007204358.tif 000021
2007204358.tif 000022