(57)【要約】【課題】基板上の処理液を乾燥する際に生じる処理液のムラを防止できる減圧乾燥装置を提供する。【解決手段】減圧乾燥装置１ｂは、昇降可能な２つのリフトプレート３３と、固定配置される３つの固定プレートとを備えている。乾燥処理の際には、リフトプレート３３の上面３３ａと、固定プレートの上面２５ａの高さが一致され、基板Ｗを支持する一の支持面が形成される。乾燥処理の際には、この支持面が基板Ｗの裏側全面に面接触し基板Ｗが支持される。このため、基板Ｗの裏側に空間が形成されず気流が発生しないことから、処理液のムラを防止できる。また、基板の受け渡しの際には、リフトプレート３３が上昇され、リフトプレート３３の上面３３ａで基板Ｗの裏側に面接触して基板Ｗが支持される。このため、支持ピンの貫通孔なども形成されず、装置構成を簡単にでき、貫通孔に起因する処理液のムラも防止できる。【選択図】図６
2007073827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記基板上の処理液を乾燥する際に、少なくとも前記処理液が存在する製品領域の裏側全体に処理支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、
受渡支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、前記処理室外の搬送機構との間で前記基板の受け渡しを行う受渡手段と、
を備え、
前記受渡支持面は、前記処理支持面の少なくとも一部となることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記処理支持面と前記受渡支持面とは同一部材で構成されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項３】
請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記受渡支持面は、互いに離間して配置される複数の第１プレートで構成され、
前記処理支持面は、前記複数の第１プレートと他の第２プレートとで構成されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
請求項３に記載の減圧乾燥装置において、
前記処理支持面を形成した際に隣接する前記第１プレートと前記第２プレートとの間隔は１ｍｍ以下であることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の減圧乾燥装置において、
前記処理支持面を形成した際に隣接する前記第１プレートと前記第２プレートとの間の空間を塞ぐ閉塞手段、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記第１プレートと前記第２プレートとの間の温度差を調整する温調手段、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記処理支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記処理支持面は、絶縁物質で構成されることを特徴とする減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶用ガラス角形基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板など各種基板の製造工程においては、基板の表面にレジスト液などの処理液を塗布する処理が行われ、この基板上の処理液を乾燥するために乾燥装置が使用される。この乾燥装置として、基板を保持した処理室内の雰囲気を減圧することにより、処理液の沸点を低下させ、基板上の処理液を比較的短時間に乾燥する減圧乾燥装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４１７０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に減圧乾燥装置では、支持ピンで点接触して基板を支持（点支持）するようになっている。しかしながら、減圧乾燥中に基板を点支持すると、支持部分とその他の部分とで温度差が生じる。これは、減圧乾燥中には処理液の気化に伴い基板から気化熱が奪われるが、支持部分とその他の部分とで実質的な熱容量の相違が生じることや、支持部分以外の空間において気流が生じて熱を奪われることなどからである。
【０００５】
このように基板において部分的な温度差が生じると、基板上の処理液の状態に影響を与え、処理液にムラを生じさせることになる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理液のムラを防止できる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、前記基板上の処理液を乾燥する際に、少なくとも前記処理液が存在する製品領域の裏側全体に処理支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、受渡支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、前記処理室外の搬送機構との間で前記基板の受け渡しを行う受渡手段と、を備え、前記受渡支持面は、前記処理支持面の少なくとも一部となる。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、前記処理支持面と前記受渡支持面とは同一部材で構成される。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、前記受渡支持面は、互いに離間して配置される複数の第１プレートで構成され、前記処理支持面は、前記複数の第１プレートと他の第２プレートとで構成される。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、前記処理支持面を形成した際に隣接する前記第１プレートと前記第２プレートとの間隔は１ｍｍ以下である。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項３または４に記載の減圧乾燥装置において、前記処理支持面を形成した際に隣接する前記第１プレートと前記第２プレートとの間の空間を塞ぐ閉塞手段、をさらに備えている。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項３ないし５のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記第１プレートと前記第２プレートとの間の温度差を調整する温調手段、をさらに備えている。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記処理支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地される。
【００１４】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記処理支持面は、絶縁物質で構成される。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１ないし８の発明によれば、処理室内の減圧時に処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触して基板を支持することで、処理液のムラを防止できる。これとともに、受渡支持面が処理支持面の少なくとも一部となることから、処理支持面に支持ピンが不要である。このため、支持ピンの貫通孔も処理支持面に形成する必要がないことから、貫通孔に起因する処理液のムラを防止できる。
【００１６】
また、特に請求項２の発明によれば、処理支持面と受渡支持面とが同一部材で構成されため、装置構成を単純にできる。これとともに、基板の受け渡しを行う際にも、処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触して支持することができ、安定した基板の受け渡しを行うことができる。
【００１７】
また、特に請求項３の発明によれば、搬送機構が端部以外の位置で基板を支持する場合でも、面接触で基板の受け渡しを行うことができる。
【００１８】
また、特に請求項４の発明によれば、隣接する第１プレートと第２プレートとの間隔を１ｍｍ以下とすることで、気流の発生を防止でき、処理液のムラを防止できる。
【００１９】
また、特に請求項５の発明によれば、第１プレートと第２プレートとの間の空間における気流の発生を防止でき、処理液のムラを防止できる。
【００２０】
また、特に請求項６の発明によれば、第１プレートと第２プレートとの間の温度差を調整するため、処理液のムラを防止できる。
【００２１】
また、特に請求項７及び８の発明によれば、静電気の蓄積が防止され、剥離帯電による基板の破壊が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
＜１．第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態に係る減圧乾燥装置１ａの概略構成を示す図である。この減圧乾燥装置１ａは、処理室２０内に基板Ｗを配置した状態で処理室２０内の雰囲気を減圧することで、基板Ｗ上に塗布されたレジスト液などの処理液を乾燥させる機能を有している。
【００２４】
減圧乾燥装置１ａは、基板Ｗを処理する処理室２０を形成するチャンバ２を備えている。チャンバ２は、分離可能なベース体２１と蓋体２２とから構成されている。ベース体２１は固定配置される一方で、蓋体２２は吊下アーム２３に接続され吊下アーム２３の駆動によりベース体２１に対して上下方向に昇降可能とされている。なお、以降の説明では特に言及しない限り、処理室２０の位置を規定する固定配置のベース体２１を基準とした相対運動として、各部材の動きを説明する。
【００２５】
基板Ｗの搬入や搬出を行う際には、蓋体２２が上昇されてチャンバ２が開放される。一方、基板Ｗの乾燥を行う際には、蓋体２２が下降されベース体２１と接合され、チャンバ２が閉鎖される。蓋体２２とベース体２１とが接合する部分には、処理室２０の気密性を確保するために、シリコンゴムなどで構成されるオーリング２４が設けられている。
【００２６】
また、チャンバ２の内部には、基板Ｗを支持するためのリフトプレート３が略水平に設けられている。リフトプレート３は、チャンバ２の外部に設けられる昇降機構３２に固定され、上下方向に昇降可能とされている。このリフトプレート３には基板Ｗを支持する支持ピン等は設けられておらず、リフトプレート３はその上面３ａを支持面として、基板Ｗに面接触して基板Ｗを略水平に支持（面支持）するようになっている。
【００２７】
減圧乾燥装置１ａの処理対象となる基板Ｗは、上面に処理液の層が形成されており、その裏側の下面がリフトプレート３に支持される。基板Ｗのうち端部から例えば１０ｍｍの領域は製品とならない領域（以下、「非製品領域」という。）となっており、基板Ｗの上面ではその非製品領域を除いた領域（以下、「製品領域」という。）を含む領域に処理液が形成される。リフトプレート３は、少なくともこの処理液が存在する製品領域の裏側全体に上面３ａで面接触して、基板Ｗを支持するようになっている。
【００２８】
また、減圧乾燥装置１ａは、処理室２０の雰囲気を減圧するための減圧機構４０と、処理室２０に処理ガスを供給するための供給機構５０とを備えている。減圧機構４０は、吸引装置となる真空ポンプ４１と、吸引した雰囲気を導くための複数の吸引配管４とを有している。これらの複数の吸引配管４は、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。チャンバ２を閉鎖した状態で真空ポンプ４１を駆動させると、処理室２０の雰囲気が吸引配管４を介して吸引され、減圧乾燥装置１ａの外部へ排気される。これにより、処理室２０の雰囲気が減圧されることになる。
【００２９】
供給機構５０は、このように減圧された処理室２０の雰囲気を大気圧に戻す機構であり、処理ガスを供給するガス供給部５１と、処理室２０に処理ガスを導くための複数の供給配管５とを有している。これら複数の供給配管５も、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。処理ガスとしては窒素ガスなどの不活性ガスが採用される。
【００３０】
また、減圧乾燥装置１ａは、装置の動作を統括的に制御するためのマイクロコンピュータなどで構成されるコントローラ６を備えている。図に示すように、減圧機構４０及び供給機構５０はコントローラ６に接続され、これらの動作はコントローラ６に制御される。また、上述した吊下アーム２３や昇降機構３２などもコントローラ６に接続されており、蓋体２２の昇降や、リフトプレート３の昇降もコントローラ６により制御されるようになっている。
【００３１】
次に、以上のように構成される減圧乾燥装置１ａの動作について説明する。図２は、減圧乾燥装置１ａの動作の流れを示す図である。この動作の流れは、処理対象となる一の基板Ｗごとになされるものである。この動作の開始時点においては、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。
【００３２】
まず、図３に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるシャトル９１が、基板Ｗの端部の非製品領域を支持しつつ開放されたチャンバ２内に進入する。これにより、処理対象となる一の基板Ｗがチャンバ２内に搬入される。この基板Ｗの製品領域には、処理液の層が形成されている（ステップＳ１）。
【００３３】
次に、図４に示すように、昇降機構３２の駆動によりリフトプレート３が上昇され、シャトル９１からリフトプレート３に基板Ｗが受け渡される。この際、リフトプレート３の上面３ａが、シャトル９１に支持されていない製品領域の裏側に面接触し、基板Ｗを支持することになる（ステップＳ２）。基板Ｗがリフトプレート３に受け渡されると、シャトル９１がチャンバ２外に退出する（ステップＳ３）。
【００３４】
次に、図５に示すように、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの乾燥を行う位置まで下降される。この下降中及び下降後も、基板Ｗは、リフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される（ステップＳ４）。続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ａは図１に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ５）。
【００３５】
次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。具体的には、真空ポンプ４１が駆動され、処理室２０内の雰囲気が吸引配管４を介して吸引される。これにより、処理室２０内の雰囲気が減圧され、この雰囲気の減圧に伴って基板Ｗ上の処理液の沸点が低下し、処理液が気化していくことになる。気化された処理液は、吸引配管４を介して減圧乾燥装置１ａの外部へ排出される。乾燥処理にあたっては、処理液の急激な気化（沸騰）を防止するために、処理室２０内の雰囲気が段階的に減圧される（ステップＳ６）。この乾燥処理中においても、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されず、また、製品領域の裏側に気流が生じることもない。
【００３６】
処理室２０内の雰囲気がほぼ真空まで減圧されると乾燥処理が終了され、続いて、供給機構５０により処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻される（ステップＳ７）。次に、図５に示すように、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ８）。
【００３７】
次に、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの受け渡しを行う位置まで上昇される。この上昇中及び上昇後も、基板Ｗは、リフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される（ステップＳ９）。
【００３８】
次に、シャトル９１がチャンバ２内に進入し（ステップＳ１０）、図４に示すように、リフトプレート３からシャトル９１に基板Ｗが受け渡される。さらに、図３に示すようにリフトプレート３が下降されると（ステップＳ１１）、シャトル９１がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ａの外部に搬出されることになる（ステップＳ１２）。
【００３９】
このように第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａでは、基板Ｗ上の処理液を乾燥する際に、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に、リフトプレート３の上面３ａで面接触して基板Ｗが支持（面支持）される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されないため、製品領域全体において実質的な熱容量が均一になるとともに、基板Ｗの裏側に気流が生じることもない。このため、基板Ｗの製品領域全体の温度を均一にすることができ、処理液のムラを有効に防止できる。
【００４０】
また、減圧乾燥装置１ａでは、シャトル９１との間で基板Ｗの受け渡しを行う際にも基板Ｗを点支持とせず、リフトプレート３を単に昇降して、その上面３ａで面接触して基板Ｗが支持される。つまり、同一のリフトプレート３の上面３ａが、処理液を乾燥する際の支持面と、基板Ｗを受け渡す際の支持面との双方に兼用されることになる。このため、基板Ｗの受け渡し用の支持ピンなどを別途に設ける必要がないため、装置構成を単純にできるとともに、安定した基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００４１】
またもし、リフトプレート３に基板Ｗの受け渡し用の昇降自在な支持ピンを設ける場合は、その支持ピンを昇降させるための貫通孔をリフトプレート３に設ける必要がある。このような貫通孔をリフトプレート３に形成すると、支持ピンをリフトプレート３の上面３ａから埋没させて基板Ｗ上の処理液を乾燥する際に、基板Ｗの裏側に関してリフトプレート３と面接触する部分と、接触しない部分（貫通孔による空間と接する部分）とが生じる。これにより、これらの部分の相互間で温度差が生じて処理液のムラが発生する可能性がある。これに対して、減圧乾燥装置１ａでは、支持ピンを設ける必要がないため、このような支持ピンの貫通孔に起因する処理液のムラも有効に防止できることになる。
【００４２】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態では、基板を乾燥する際の支持面と基板を受け渡す際の支持面とが同一部材で構成され、基板を受け渡す際にも製品領域の裏側全面が支持されていた。しかしながら、近年では、基板のサイズが大型化してきており、基板の端部の非製品領域のみの支持では基板に撓みが生じるため、基板の中央部付近の製品領域の裏側を搬送機構が支持する場合もある。このような場合では、第１の実施の形態のように、搬送機構との基板の受け渡しの際に、基板の製品領域の裏側全面を支持することはできなくなる。第２の実施の形態の減圧乾燥装置は、このような搬送機構に対応するものである。
【００４３】
図６は、第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４４】
第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂでは、第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａとは、基板Ｗを支持する支持面に係る構成が異なっている。より具体的には、減圧乾燥装置１ｂでは、処理液を乾燥する際に基板Ｗを支持する支持面のうち一部のみがリフトプレート３３で構成され、その他の部分は固定的に配置される固定プレート２５で構成される。
【００４５】
図６に示すように、減圧乾燥装置１ｂは、互いに離間して配置される２つのリフトプレート３３を備えている。これら２つのリフトプレート３３は、同一高さに略水平に配置されており、上下方向に昇降可能な同一の昇降機構３４に固定されている。したがって、昇降機構３４が駆動することにより、２つのリフトプレート３３は、略水平状態を維持しつつ同一の向きに同一の移動量だけ昇降するようになっている。
【００４６】
また、減圧乾燥装置１ｂは、同一高さに略水平に配置される３つの固定プレート２５を備えている。これらの固定プレート２５は、ベース体２１に対してボルトなどの結合部材を介して固定されている。なお、説明の便宜上、図中では結合部材の図示を省略している。
【００４７】
図６においては、２つのリフトプレート３３が下端まで下降された状態を示している。このようにリフトプレート３３が下端に下降されると、これらのリフトプレート３３は固定プレート２５の相互間に配置される。そして、２つのリフトプレート３３の上面３３ａと、３つの固定プレート２５の上面２５ａとが同一高さとなり、略水平な一の面を形成する。本実施の形態では、このようにしてリフトプレート３３と固定プレート２５とで構成される面が、基板Ｗを乾燥する際の支持面として機能することになる。
【００４８】
また、２つのリフトプレート３３が上昇されると、それらの上面３３ａが、基板Ｗを乾燥する際の支持面の位置よりも突出し、略水平な一の面を形成する。本実施の形態では、このようにして２つのリフトプレート３３で構成される面が、基板Ｗを受け渡す際の支持面として機能することになる。
【００４９】
以下、このように構成される減圧乾燥装置１ｂの動作を説明する。この動作は、図２に示すものとほぼ同様であるため、この図２を利用して説明する。なお、本実施の形態においても、図２の動作の開始時点において、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。
【００５０】
まず、図７に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるロボットのハンド部９２が、基板Ｗを支持しつつ、図面に対する垂直方向に相当する方向から開放されたチャンバ２内に進入する。ロボットは、その３つのハンド部９２により、基板Ｗの端部の非製品領域の他、基板Ｗの中央部の製品領域の裏側も点支持している（ステップＳ１）。
【００５１】
次に、図８に示すように、昇降機構３４の駆動により２つのリフトプレート３３が上昇され、ハンド部９２の相互間に進入する。そして、２つのリフトプレート３３の上面３３ａが支持面となり、この支持面が基板Ｗのハンド部９２によって支持されていない部分に面接触して、基板Ｗを支持する。これにより、ハンド部９２からリフトプレート３３に基板Ｗが受け渡され、ハンド部９２は図面に対する垂直方向に相当する方向に退出する（ステップＳ２）。
【００５２】
次に、図９に示すように、昇降機構３４の駆動により、上面３３ａが固定プレート２５の上面２５ａの高さと一致するまで、２つのリフトプレート３３が下降される。この下降中においても、基板Ｗは、２つのリフトプレート３３の上面３３ａで構成される支持面に面接触して略水平に支持される。そして、２つのリフトプレート３３が下降されると、リフトプレート３３の上面３３ａと固定プレート２５の上面２５ａとが、基板Ｗを支持する一の支持面を形成する。したがって、リフトプレート３３の下降後は、この支持面３３ａ，２５ａが基板Ｗの下面全体に面接触し、基板Ｗが略水平に支持される。
【００５３】
続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ｂは図６に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ５）。次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。この乾燥処理中においても、基板Ｗは、支持面３３ａ，２５ａに面接触して支持される（ステップＳ６）。
【００５４】
乾燥処理が終了すると、処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻される（ステップＳ７）。次に、図９に示すように、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ８）。
【００５５】
次に、２つのリフトプレート３３が、基板Ｗの受け渡しを行う位置まで上昇される。この上昇中及び上昇後は、基板Ｗは、２つのリフトプレート３３の上面３３ａで形成される支持面に面接触して支持される（ステップＳ９）。続いて、ハンド部９２がチャンバ２内に進入し（ステップＳ１０）、図８に示すように、リフトプレート３３からハンド部９２に基板Ｗが受け渡される。さらに、図７に示すようにリフトプレート３３が下降され（ステップＳ１１）、ハンド部９２がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ｂの外部に搬出されることになる（ステップＳ１２）。
【００５６】
このように第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂでは、ハンド部９２との間で基板Ｗの受け渡しを行う際の支持面が、互いに離間した２つのリフトプレート３３の上面３３ａで構成される。このため、搬送機構たるロボットが基板Ｗの端部以外を支持する場合であっても、基板Ｗを面接触で支持しつつ、受け取り／受け渡しを行うことが可能となっている。そして、これらの２つのリフトプレート３３の上面３３ａは、下降されることにより、固定プレート２５の上面２５ａとともに基板Ｗを乾燥する際の支持面を構成し、基板Ｗの裏面全面を支持するようになっている。これにより、本実施の形態でも、基板Ｗ上の処理液を乾燥する際に、基板Ｗの製品領域の裏側に支持ピンの貫通孔などの空間が形成されないため、処理液のムラを有効に防止できることになる。
【００５７】
なお、基板Ｗを乾燥する際の支持面を構成した場合に、隣接するリフトプレート３３と固定プレート２５と間に隙間が存在するが、この隙間は支持ピンの貫通孔などと比較して微小であり、この隙間に起因した処理液の状態へ影響はほぼ無視することができる程度となる。特に、隣接するリフトプレート３３と固定プレート２５との間隔を０ｍｍ以上１ｍｍ以下とすれば、これらの相互間での気流の発生が抑制され、処理液の状態にほぼ影響を与えることが無くなる。なお、リフトプレート３３と固定プレート２５とを非常に近接して配置する際には、動作精度を保つため、リフトプレート３３及び固定プレート２５の双方あるいはいずれか一方に関して面取りを行ってもよい。
【００５８】
また、隣接するリフトプレート３３と固定プレート２５と間の隙間を塞ぐようにしてもよい。図１０及び図１１は、このようにした場合の減圧乾燥装置１ｂの概略構成を示す図である。図１０に示すように、この場合においては、固定プレート２５の下面に、樹脂などの弾性素材で構成された閉塞板２６が設けられている。この閉塞板２６は、固定プレート２５とリフトプレート３３とが隣接する位置に、固定プレート２５から水平に張り出して設けられている。そして、図１１に示すように、リフトプレート３３が固定プレート２５の高さまで下降すると、固定プレート２５とリフトプレート３３との間の空間を閉塞板２６が塞ぎ、この空間と処理室２０内の他の空間との間が仕切られる。このようにすることで、固定プレート２５とリフトプレート３３との間の空間における気流の発生が確実に防止されるため、基板Ｗ上の処理液のムラの発生を有効に防止できる。
【００５９】
＜３．他の実施の形態＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。以下では、このような他の実施の形態について説明する。
【００６０】
＜３−１．帯電の防止＞
上記実施の形態のように、支持面で基板Ｗを面接触しつつ支持すると、主として支持面から基板Ｗを離間させる際などに支持面と基板Ｗとに帯電が生じ、基板Ｗ上に形成された素子を破壊する可能性がある。
【００６１】
このため、基板Ｗの支持面を構成するプレート３，３３，２５の表面に、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂等で構成される絶縁物質をコーティングするようにしてもよい。これによれば、支持面が絶縁物質で構成されるため、静電気が発生しても支持面に静電気が蓄積される。そして、支持面から基板Ｗを離間させる際に接地されなければ、電気の移動は起きず静電破壊が生じることはない。
【００６２】
またこれとは逆に、基板Ｗの支持面を構成するプレート３，３３，２５の表面に導体物質をコーティングし、さらに、プレート３，３３，２５を接地するようにしてもよい。導体物質は、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂に金属微粒子を混入したものなどを採用できる。これにれば、支持面が導体物質で構成され、かつ、接地されることから、支持面で静電気が生じたとしても、その静電気を積極的に逃がすことができる。このため、この場合も、支持面における静電気の蓄積がなくなり、静電破壊が有効に防止される。しかも、樹脂で基板Ｗを支持するために、基板Ｗにキズ等がつきにくい。
【００６３】
＜３−２．温度調整＞
上記第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂでは、基板Ｗを乾燥する際の支持面がリフトプレート３３と固定プレート２５とで構成されていた。ここで、リフトプレート３３は昇降機構３４に接続される一方で、固定プレート２５はベース体２１に固定されることから、リフトプレート３３と固定プレート２５とでは実質的な熱容量の相違があるため、厳密にはこれらの相互間で温度差が生じる可能性がある。このため、これらの相互間の温度差をなくすように、温度調整器を設けてもよい。
【００６４】
図１２は、この場合の減圧乾燥装置１ｂの概略構成を示す図である。図１２に示すように、この減圧乾燥装置１ｂでは、リフトプレート３３を支える支柱３３ｂに、加熱機能を有する温度調整器２７が設けられている。この温度調整器２７は、コントローラ６に接続され、コントローラ６の制御下で動作する。
【００６５】
減圧乾燥装置１ｂでは、リフトプレート３３と固定プレート２５とでは実質的な熱容量はリフトプレート３３の方が小さいため、乾燥処理が行われる際には、リフトプレート３３の方が固定プレート２５よりも温度が若干低くなる。このため、乾燥処理が行われる際には、リフトプレート３３と固定プレート２５との温度差が無くなるように、温度調整器２７が駆動されてリフトプレート３３が加熱される。
【００６６】
このようにすれば、リフトプレート３３と固定プレート２５との温度差が無くなるため、基板Ｗ上の処理液のムラの発生をさらに防止できる。なお、リフトプレート３３と固定プレート２５との温度差が無くせばよいため、固定プレート２５側に冷却する冷却装置を設けてもよく、一定の温度に調整する温度調整器をリフトプレート３３と固定プレート２５との双方に設けてもよい。
【００６７】
＜３−３．その他の変形例＞
第１の実施の形態では、基板Ｗの乾燥処理中において、リフトプレート３は処理液が存在する製品領域の裏側に面接触していたが、少なくとも当該製品領域の裏側全体に面接触できれば、それより広い領域に面接触してもよい。例えば、リフトプレート３が基板Ｗの裏面全面に面接触して基板Ｗを支持するようにしてもよい。
【００６８】
また、リフトプレート３の上面３ａは単独で基板Ｗを処理する際の支持面として利用されていたが、この上面３ａが、基板Ｗを処理する際の支持面の一部となるようにしてもよい。例えば、第２の実施の形態と同様に、リフトプレート３の上面３ａが他の固定配置されたプレートの上面とともに、基板Ｗを処理する際の支持面を形成し、この支持面で基板Ｗの裏面全面に面接触して基板Ｗを支持するようにしてもよい。
【００６９】
また、第２の実施の形態では、基板Ｗを処理する際の支持面が、基板Ｗの裏面全体に面接触して基板Ｗを支持していたが、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触すればよい。
【００７０】
また、第２の実施の形態では、２つのリフトプレート３３が設けられていたが、基板Ｗのサイズ等に応じて３以上のリフトプレートを設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】第１の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図２】減圧乾燥装置の動作の流れを示す図である。
【図３】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図４】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図５】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図６】第２の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図７】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図８】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図９】減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。
【図１０】閉塞板を有する減圧乾燥装置を示す図である。
【図１１】閉塞板を有する減圧乾燥装置を示す図である。
【図１２】温度調整器を有する減圧乾燥装置を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
２      チャンバ
３      リフトプレート
２０      処理室
２１      ベース体
２２      蓋体
２５      固定プレート
３３      リフトプレート
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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