(57)【要約】【課題】電子部品の電極の接続信頼性を向上させることができる多層基板を提供すること。【解決手段】真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱されることによって形成されるものであり、絶縁性材料からなる絶縁基材３９に導電性組成物５１にて電気的に接続される導体パターンが多層に配置されると共に、絶縁基材３９内に電子部品４１が内蔵されてなる多層基板１００であって、電子部品４１は、導電性組成物５１及び導体パターン２２の少なくとも一方と電気的に接続するものであり、真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱する際の温度よりも溶融点が高い材料で形成された電極４２を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性材料からなる基部に加熱処理によって層間接続部と電気的に接続される導体パターンが多層に配置されると共に、当該基部内に電子部品が内蔵されてなる多層基板であって、
前記電子部品は、前記加熱処理によって前記層間接続部及び前記導体パターンの少なくとも一方と電気的に接続するものであり、当該加熱処理の温度よりも溶融点が高い材料で形成された電極を備えることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記基部は、少なくとも前記層間接続部及び前記導体パターンを備える樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムを積層してなるものであり、前記電子部品は、前記樹脂フィルムに貫通孔を設けることによって前記基部に形成された空間部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂フィルムを含むことを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記電極は、金、ニッケル、銅、銅とニッケルとの合金、銀、前記層間接続部及び前記導体パターンの少なくとも一方と合金を形成しうる第１金属と前記加熱処理時の温度よりも高い溶融点を有する第２金属とからなる導電ペーストのいずれか、又は、それらのいくつかを積層したものからなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
前記電極は、前記層間接続部及び前記導体パターンの少なくとも一方との界面に形成された金属拡散層によって電気的に接続することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が内蔵される多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を内蔵する多層基板として特許文献１に示すものがあった。
【０００３】
特許文献１に示す多層基板は、導体パターンと層間接続部の少なくとも一方が形成された複数の片面導体パターンフィルム（樹脂フィルム）の内一部の片面導体パターンフィルムに貫通孔を形成する。この貫通穴を有する片面導体パターンフィルムを複数層積層し、貫通穴が形成されていない片面導体パターンフィルムでその貫通穴を塞ぐことによって凹部を形成する。そして、この凹部に電極を備える電子部品を配置して、貫通穴が形成されていない片面導体パターンフィルムで電子部品が配置された凹部を塞ぎ、積層した片面導体パターンフィルムの両面から加熱プレスすることによって形成するものである。
【特許文献１】特開２００３−２８９５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
凹部のサイズは、電子部品の外形ばらつき、貫通孔の加工精度、電子部品の搭載位置精度を考慮して電子部品の外形より若干大きくする場合がある。したがって、電子備品と凹部との間には、クリアランスが生じることとなる。
【０００５】
一方、電子部品の電極は、電極を構成する材料の溶融点が加熱プレス時の温度よりも低い場合、加熱プレス時の過熱温度によって溶融する。
【０００６】
したがって、電極は、凹部に電子部品を配置して加熱プレスすると、溶融してクリアランスに流れ込み、電子部品の電極同士で接続してしまったりして接続信頼性が低下する可能性があった。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、電子部品の電極の接続信頼性を向上させることができる多層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の多層基板は、絶縁性材料からなる基部に加熱処理によって層間接続部と電気的に接続される導体パターンが多層に配置されると共に、その基部内に電子部品が内蔵されてなる多層基板であって、電子部品は、加熱処理によって層間接続部及び前記導体パターンの少なくとも一方と電気的に接続するものであり、加熱処理の温度よりも溶融点が高い材料で形成された電極を備えることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、電子部品の電極は、多層基板を形成する際の過熱処理の温度よりも溶融点が高い材料とすることによって、加熱処理時に溶融することがないので、電極間などの意図しない箇所と電気的に接続することを抑制することができる。
【００１０】
また、多層基板は、請求項２に示すように、基部は、少なくとも層間接続部及び導体パターンを備える樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムを積層してなるものであり、電子部品は、樹脂フィルムに貫通孔を設けることによって基部に形成された空間部に配置されるようなものであってもよい。
【００１１】
このように、電子部品を配置する空間部を樹脂フィルムに設けた貫通穴によって形成することによって、積層する樹脂フィルムの枚数を調整するだけで電子部品に対応する深さの空間部とすることができる。
【００１２】
また、樹脂フィルムは、請求項３に示すように、熱可塑性樹脂フィルムを含むようにしてもよい。樹脂フィルムに貫通穴を形成する場合、加工精度、位置精度、電子部品の外形精度などを吸収するためにクリアランスを加味した寸法で形成するものである。また、樹脂フィルムを積層して基部を形成する場合、プレス加工で加熱・加圧することがある。そこで、請求項３に示すように、樹脂フィルムとして熱可塑性樹脂フィルムを含むことによって、プレス加工時に熱可塑性樹脂フィルムが溶融し、流動することでクリアランスはなくなり、電子部品を熱可塑性樹脂によって完全に封止することができる。
【００１３】
また、電極は、請求項４に示すように、金、ニッケル、銅、銅とニッケルとの合金、銀、層間接続部及び導体パターンの少なくとも一方と合金を形成しうる第１金属と加熱処理時の温度よりも高い溶融点を有する第２金属とからなる導電ペーストのいずれか、又は、それらのいくつかを積層して組み合わせたものとすることによって、加熱処理時に溶融せず、層間接続部及び導体パターンの少なくとも一方と強固に接続することができる。
【００１４】
また、請求項５に示すように、電極は、層間接続部との界面に形成された金属拡散層によって電気的に接続することによって、より一層強固に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態における多層基板の概略構成を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態における多層基板の製造工程を示す工程別断面図である。図３は、本発明の実施形態における多層基板の電子部品を内蔵する箇所の部分的拡大斜視図である。図４は、本発明の実施形態における多層基板の電子部品を内蔵する箇所の部分的拡大断面図である。
【００１６】
図１に示すように、本実施の形態における多層基板１００は、導体パターン２２、絶縁基材３９（基部）、導電性組成物５１（層間接続部）、電子部品４１、電子部品６１などを備える。そして、多層基板１００は、内蔵された電子部品４１が、各樹脂フィルム２３相互が確実に接着された絶縁基材３９に対し位置決めされ、導体パターン２２と確実に電気的接続されるとともに、絶縁基材３９中に確実に封止される。
【００１７】
また、多層基板１００は、少なくとも一方側の面（本実施の形態では、下面）にヒートシンク４６を備えることによって、多層基板１００の上面に電子部品６１を表面実装するとともに、電子部品４１を内蔵する場合でも、良好な放熱性を有することができる。すなわち、絶縁基材３９は金属に比べて熱伝導率が低いため放熱がよくない。そこで絶縁基材３９の片面に熱伝導率のよい金属製のヒートシンク４６を備えることよって、多層基板１００の熱伝導率を実効的に上げ、放熱性を向上させることができる。
【００１８】
電子部品４１は、例えば、抵抗体、コンデンサ、フィルタ、ＩＣ等からなる。この電子部品４１は、導体パターン２２、導電ペースト５０と電気的に接続するために、片面導体パターンフィルム２１、３１の積層方向の面を含む両端部に電極４２が形成されている。
【００１９】
また、電極４２は、電子部品４１の両端部表面、すなわち、両端面と両端面からの所定範囲内のチップ表面にスパッタリング、イオンプレーティング、蒸着等によって下地電極（例えば、Ｃｕ，ＮｉＣｒ、Ｎｉなど）が形成される。そして、その下地電極の表面に、電解メッキなどによって多層基板１００を製造する際に行う加熱処理時の温度よりも溶融点が高い材料が形成される。この多層基板１００を製造する際に行う加熱処理時の温度よりも溶融点が高い材料としては、例えば、金、ニッケル、銅、銅とニッケルとの合金、銀、導電ペーストなどかならなる。なお、電極４２の材料としては、金などの空気中で酸化しない材料が好ましい。また、導電ペーストは、導電性組成物５１及び導体パターン２２の少なくとも一方と合金を形成しうる第１金属と加熱処理時の温度よりも高い溶融点を有する第２金属とからなる。具体的には、特開２００３−１１０２４３号公報に記載されている導電ペーストであり、平均粒径５μｍ、比表面積０．５ｍ２／ｇの錫粒子（本発明における第１金属）３００ｇと、平均粒径１μｍ、比表面積１．２ｍ２／ｇの銀粒子（本発明における第２金属）３００ｇとに、有機溶剤であるテルピネオール６０ｇを加え、これをミキサーによって混練しペースト化したものである。
【００２０】
ここで、本発明の実施の形態における多層基板の製造方法に関して説明する。
【００２１】
図２（ａ）において、２１は絶縁基材である樹脂フィルム２３の片面に貼着された導体箔（本例では厚さ１８μｍの銅箔）をエッチングによりパターン形成した導体パターン２２を有する片面導体パターンフィルムである。本例では、樹脂フィルム２３としてポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる厚さ７５μｍの熱可塑性樹脂フィルムを用いている。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、導体パターン２２の形成が完了すると、次に、図２（ｂ）に示すように、樹脂フィルム２３側から炭酸ガスレーザを照射して、導体パターン２２を底面とする有底ビアホールであるビアホール２４を形成する。ビアホールの形成は、炭酸ガスレーザの出力と照射時間等を調整することで、導体パターン２２に穴を開けないようにしている。
【００２３】
ビアホール２４の形成には、炭酸ガスレーザ以外にエキシマレーザ等が使用可能である。レーザ以外のドリル加工等のビアホール形成方法も可能であるが、レーザビームで穴あけ加工すると、微細な径で穴あけでき、導体パターン２２にダメージを与えることが少ないため好ましい。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、ビアホール２４の形成が完了すると、次に、図２（ｃ）に示すように、ビアホール２４内に電気的な接続材料である導電ペースト５０を充填する。導電ペースト５０は、平均粒径５μｍ、比表面積０．５ｍ２／ｇの錫粒子３００ｇと、平均粒径１μｍ、比表面積１．２ｍ２／ｇの銀粒子３００ｇとに、有機溶剤であるテルピネオール６０ｇにエチルセルロース樹脂６ｇを溶解したものを加え、これをミキサーによって混練しペースト化したものである。
【００２５】
ここで、エチルセルロース樹脂は、導電ペースト５０に保形性を付与するために添加されており、保形性付与剤としてはアクリル樹脂等を採用することもできる。
【００２６】
導電ペースト５０は、メタルマスクを用いたスクリーン印刷機により、片面導体パターンフィルム２１のビアホール２４内に印刷充填された後、１４０〜１６０℃で約３０分間テルピネオールを乾燥させる。ビアホール２４内への導電ペースト５０の充填は、本例ではスクリーン印刷機を用いたが、確実に充填ができるのであれば、ディスペンサ等を用いる他の方法も可能である。
【００２７】
ここで、ペースト化のために添加する有機溶剤として、テルピネオール以外を用いることも可能であるが、沸点が１５０〜３００℃の有機溶剤を用いることが好ましい。沸点が１５０℃未満の有機溶剤では、導電ペースト５０の粘度の経時変化が大きくなるという不具合を発生し易い。一方、沸点が３００℃を超える有機溶剤では、乾燥に要する時間が長くなり好ましくない。
【００２８】
また、本例では、導電ペースト５０を構成する金属粒子として、平均粒径５μｍ、比表面積０．５ｍ２／ｇの錫粒子と、平均粒径１μｍ、比表面積１．２ｍ２／ｇの銀粒子とを用いたが、これらの金属粒子は、平均粒径が０．５〜２０μｍであるとともに、比表面積が０．１〜１．５ｍ２／ｇであることが好ましい。
【００２９】
金属粒子の平均粒径が０．５μｍ未満であったり、比表面積が１．５ｍ2／ｇを超える場合には、ビアホール充填に適した粘度にペースト化するために多量の有機溶剤を必要とする。多量の有機溶剤を含んだ導電ペーストは乾燥に時間を要し、乾燥が不充分であると、層間接続時の加熱により多量のガスを発生するため、ビアホール２４内にボイドが発生し易く、層間接続信頼性を低下させる。
【００３０】
一方、金属粒子の平均粒径が２０μｍを超えたり、比表面積が０．１ｍ2／ｇ未満の場合には、ビアホール２４内に充填し難くなるとともに、金属粒子が偏在し易くなり、加熱しても均一な合金からなる後述する導電性組成物５１を形成し難く、層間接続信頼性を確保し難いという問題があり好ましくない。
【００３１】
また、ビアホール２４内へ導電ペースト５０を充填する前に、導体パターン２２のビアホール２４に面する部位を薄くエッチング処理したり還元処理してもよい。これによると、後述するビア接続が一層良好に行なわれる。
【００３２】
一方、図２（ｄ）において、３１は、片面導体パターンフィルム２１と同様に、図２（ａ）〜（ｃ）に示した工程により、絶縁基材である樹脂フィルム２３に導体パターン２２の形成、ビアホール２４の形成および導電ペースト５０の充填を行なった片面導体パターンフィルムである。
【００３３】
なお、片面導体パターンフィルム３１には、図２（ｂ）に示すビアホール２４の形成時に、後述する内蔵される電子部品４１の配置位置に対応した位置に、レーザ加工により電子部品４１の外形に対応する貫通孔３５を形成している。
【００３４】
また、片面導体パターンフィルム３１は、図３（ａ）に示すように、電子部品４１を貫通穴３５（空間部３６）に挿設した際に、電子部品４１を適切な位置に位置決めして固定するための突起３１１を部分的に形成している。突起の代わりに接着剤等によりフィルムに位置決めして固定してもよい。貫通孔３５の寸法は、図３（ｂ）に示すように、貫通孔３５内に電子部品４１を挿設したときに、電子部品４１と樹脂フィルム２３とのクリアランス３１２が、電子部品４１の全周に渡って２０μｍ以上でかつ樹脂フィルム２３の厚さ（本例では７５μｍ）以下となる寸法であることが好ましい。また、各片面導体パターンフィルム２１，３１間には、片面導体パターンフィルム２１，３１を積層した際に、図４の（ａ）に示すように、導体パターン２２の厚みによるクリアランスも形成される。
【００３５】
貫通孔３５の形成は、ビアホール２４形成時にレーザ加工により行なったが、ビアホール２４の形成時とは別に、パンチ加工やルータ加工等により形成することも可能である。
【００３６】
ここで、片面導体パターンフィルム３１の樹脂フィルム２３として、本例では、片面導体パターンフィルム２１の樹脂フィルム２３と同様に、ポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる厚さ７５μｍの熱可塑性樹脂フィルムを用いている。
【００３７】
片面導体パターンフィルム３１への貫通孔３５の形成、片面導体パターンフィルム２１、３１のビアホール２４内への導電ペースト５０の充填および乾燥が完了すると、図１（ｅ）に示すように、片面導体パターンフィルム２１、３１を複数枚（本例では６枚）積層する。
【００３８】
このとき、片面導体パターンフィルム２１、３１は導体パターン２２が設けられた側を上側として積層する。すなわち、片面導体パターンフィルム２１、３１は、導体パターン２２が形成された面と導体パターン２２が形成されていない面とが向かい合うように積層する。
【００３９】
ここで、図２、図３（ａ）、及び図４（ａ）に示すように、貫通孔３５により形成された空間部３６の厚さが後述する電子部品４１の厚さに対応するように、同じ位置に貫通孔３５を設けた片面導体パターンフィルム３１を複数枚（本例では２枚）隣接して積層している。本例では、電子部品４１の厚さが１６０μｍであるため、空間部３６の厚さがこれに対し略同等以下となるように、厚さ方向の寸法が７５μｍの貫通孔３５が２つ隣接するように（すなわち空間部３６の厚さが１５０μｍとなるように）片面導体パターンフィルム３１を積層した。そして、片面導体パターンフィルム２１、３１を積層するときに、貫通孔３５により形成される空間部３６内には、電子部品４１が挿設される。
【００４０】
そして、電子部品４１が挿設される空間部３６の上側に積層配置される片面導体パターンフィルム２１には、導体パターン２２と電極４２とを電気的に接続できる位置に、導電ペースト５０が充填されたビアホール２４が配置されている。
【００４１】
さらに、積層された複数層の片面導体パターンフィルム２１、３１の下方側には、アルミニウム製のヒートシンク４６を積層する。ヒートシンク４６は本実施形態における金属ベース部材である。ちなみに、ヒートシンク４６と接する最下層の樹脂フィルム２３にはビアホール２４は形成していない。このように、積層された複数層の片面導体パターンフィルム２１、３１の少なくとも一方側の面（本実施の形態では下方側）にヒートシンク４６を設けることによって、金属に比べて熱伝導率が低い絶縁基材３９を備える多層基板１００の熱伝導率を実効的に上げ、放熱性を向上させることができる。
【００４２】
図２（ｅ）に示すように片面導体パターンフィルム２１、３１およびヒートシンク４６を積層したら、これらの上下両面から真空加熱プレス機により加熱しながら加圧する。本例では、２５０〜３５０℃の温度に加熱し１〜１０ＭＰａの圧力で１０〜２０分間加圧した（加熱処理）。
【００４３】
これにより、図２（ｆ）に示すように、各片面導体パターンフィルム２１、３１およびヒートシンク４６相互が接着される。樹脂フィルム２３は全て同じ熱可塑性樹脂材料によって形成されているので、容易に熱融着して一体化した絶縁基材３９となる。
【００４４】
さらに、ビアホール２４内の導電ペースト５０が焼結して一体化した導電性組成物５１により隣接する導体パターン２２の層間接続が行なわれるとともに、電子部品４１の電極４２と導体パターン２２との接続が行なわれ、電子部品４１を内蔵した多層の多層基板１００が得られる。
【００４５】
ここで、導体パターン２２の層間接続のメカニズムを簡単に説明する。ビアホール２４内に充填され乾燥された導電ペースト５０は、錫粒子と銀粒子とが混合された状態にある。そして、このペースト５０が２５０〜３５０℃に加熱されると、錫粒子の融点は２３２℃であり、銀粒子の融点は９６１℃であるため、錫粒子は融解し、銀粒子の外周を覆うように付着する。
【００４６】
この状態で加熱が継続すると、融解した錫は、銀粒子の表面から拡散を始め、錫と銀との合金（融点４８０℃）を形成する。このとき、導電ペースト５０には１〜１０ＭＰａの圧力が加えられているため、錫と銀との合金形成に伴い、ビアホール２４内には、焼結により一体化した合金からなる導電性組成物５１が形成される。
【００４７】
ビアホール２４内で導電性組成物５１が形成されているときには、この導電性組成物５１は加圧されているため、導体パターン２２のビアホール２４の底部を構成している面に圧接される。これにより、導電性組成物５１中の錫成分と、導体パターン２２を構成する銅箔の銅成分とが相互に固相拡散し、導電性組成物５１と導体パターン２２との界面に固相拡散層を形成して電気的に接続する。
【００４８】
また、電子部品４１の電極４２は、図４（ｂ）に示すように、上述の導体パターン２２の層間接続とほぼ同様のメカニズムにより、ビアホール２４内で形成された導電性組成物５１と、導電性組成物５１と導体パターン２２との界面および導電性組成物５１と電極４２との界面に形成された金属拡散層とを介して導体パターン２２と電気的に接続する。
【００４９】
真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱されているとき、樹脂フィルム２３の弾性率は約５〜４０ＭＰａに低下している。従って、貫通孔３５の周囲の樹脂フィルム２３は貫通孔３５内に押し出されるように変形しようとする。また、貫通孔３５のフィルム積層方向に位置する樹脂フィルム２３も貫通孔３５内に押し出されるように変形しようとする。すなわち、空間部３６の周囲の樹脂フィルム２３は空間部３６方向に押し出される。
【００５０】
これにより、電子部品４１は、樹脂フィルム２３が変形しながら一体化した絶縁基材３９により封止される。なお、加熱プレス時の樹脂フィルム２３の弾性率は１〜１０００ＭＰａであることが好ましい。弾性率が１０００ＭＰａより大きいと樹脂フィルム２３間が熱融着し難いとともに、樹脂フィルム２３を変形させ難い。また、弾性率が１ＭＰａより小さいと加圧により樹脂フィルムが流れ易く多層基板１００を形成し難い。
【００５１】
また、真空加熱プレス機による加熱温度よりも溶融点の低い材料（錫など）を電子部品４１の電極４２として用いた場合、真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱されているとき、この電極４２は、溶融しているが、樹脂フィルム２３が空間部３６方向に押し出されるとき、溶融した電極４２を押し出し、図５（ａ）に示すように、クリアランス３１２に流れ込み、流れ込み部４２１を形成する可能性がある。図５は、電子部品４１を挿説する箇所の断面図（図４のＡ−Ａ断面図）であり、（ａ）は電極４２の材料として錫を用いた場合であり、（ｂ）は電極４２の材料として金を用いた場合である。
【００５２】
図５（ａ）に示すように、電子部品４１の電極４２がクリアランス３１２に流れ込み、流れ込み部４２１を形成してしまうと、導体パターン２２や電子部品４１の他の電極など意図しない箇所と流れ込み部４２１が電気的に接続してしまうこととなり接続信頼性が低下する可能性があった。
【００５３】
そこで、本実施の形態においては、電子部品４１の電極４２として、真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱されているとき（加熱処理時）の温度よりも溶融点が高い材料（金、ニッケル、銅、銅とニッケルとの合金、銀、導電ペーストなど）を用いる。このように電子部品４１の電極４２に真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱されているとき（加熱処理時）の温度よりも溶融点が高い材料を用いることによって、図５（ｂ）に示すように、真空加熱プレス機により加圧しつつ加熱した場合であっても、電極４２はクリアランス３１２に流れ込むことがない。従って、電子部品４１の電極４２の接続信頼性を向上させることができる。
【００５４】
なお、上記各例では、電子部品の電極は、電子部品のフィルム平面方向に形成されていたが、導体パターンとの電気的接続が可能であれば、電極がフィルム積層方向以外の方向に形成されているものであってもよい。
【００５５】
また、上記各実施形態において、樹脂フィルム２３としてポリエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる樹脂フィルムを用いたが、これに限らず、ポリエーテルエーテルケトン樹脂とポリエーテルイミド樹脂に非導電性フィラーを充填したフィルムであってもよいし、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を単独で使用することも可能である。
【００５６】
さらに、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、熱可塑性ポリイミド、または所謂液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。加熱プレス時の加熱温度において弾性率が１〜１０００ＭＰａであり、後工程である半田付け工程等で必要な耐熱性を有する樹脂フィルムであれば好適に用いることができる。
【００５７】
また、上記各実施形態において、ヒートシンク４６を多層基板１００の最下面の全面に設けるものであったが、一部に設けるものであってもよいし、最上面との両面に設けるものであってもよい。また、放熱性向上等の要求がなければ、ヒートシンク４６を設けない多層基板であってもよいことはもちろんである。
【００５８】
なお、ヒートシンク４６を設ける場合には、ヒートシンク４６の絶縁基材３９への接着面に、接着性や熱伝導性の向上を目的として、例えばポリエーテルイミドシート、熱伝導性フィラーを含有した熱硬化性樹脂シートもしくは熱伝導性フィラーを含有した熱可塑性樹脂シート等の所謂ボンディングシートを形成したものであってもよい。
【００５９】
また、上記各実施形態において、多層基板１００は６層基板であったが、層数が限定されるものではないことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態における多層基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における多層基板の製造工程を示す工程別断面図である。
【図３】本発明の実施形態における多層基板の電子部品を挿設する箇所の部分的拡大斜視図である。
【図４】本発明の実施形態における多層基板の電子部品を挿設する箇所の部分的拡大断面図である。
【図５】電子部品４１を挿説する箇所の図４におけるＡ−Ａに相当する断面図であり、（ａ）は電極４２の材料として錫を用いた場合であり、（ｂ）は電極４２の材料として金を用いた場合である。
【符号の説明】
【００６１】
２１  片面導体パターンフィルム、２２  導体パターン、２３  樹脂フィルム、２４  ビアホール、３１  片面導体パターンフィルム、３５  空間部、３９  絶縁基材、４１  電子部品、４２  電極、５０  導電ペースト（層間接続部）、５１  導電性組成物（層間接続部）、１００  多層基板
【図１】
2007324550.tif 000003
【図２】
2007324550.tif 000004
【図３】
2007324550.tif 000005
【図４】
2007324550.tif 000006
【図５】
2007324550.tif 000007