(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージに関し、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子に対する放熱性を高めた積層型半導体パッケージを提供する。【解決手段】２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１は、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、中空の熱流路１６が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａ、および第１半導体パッケージ１２の上部に積層された第２半導体パッケージ１３の外面の一部分１３ａの双方に接するとともに、上方に延在して外部につながるように形成されている。【選択図】        図１
2007324544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
前記複数の半導体パッケージが、該複数の半導体パッケージのうちの下層半導体パッケージに外面の一部分が露出した状態に埋設された半導体素子の露出した部分、および該下層半導体パッケージの上部に積層された半導体パッケージの外面の一部分の双方に接するとともに、上方に延在して外部につながる熱流路を有することを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記熱流路が中空の熱流路であって、該熱流路内に冷媒が還流されるものであることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記熱流路が、熱伝導性部材で形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記複数の半導体パッケージのうちの一部の半導体パッケージの上部に積層された中間基板を備え、
前記複数の半導体パッケージのうちの、前記一部の半導体パッケージを除く半導体パッケージが、前記中間基板の上部に更に積層されたものであることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、部品点数の削減及び部品の小型化が要求されている。
【０００３】
このような要求を満たす技術として、各種の機能を実現するＣＰＵやメモリなどといったＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路）に代表される半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージに関するパッケージオンパッケージが知られており、電子機器の中には、この積層型半導体パッケージを内蔵した電子機器がある。
【０００４】
積層型半導体パッケージは、一般に、互いに異なる機能を有する独立した半導体パッケージを積層したものであるため、半導体パッケージを積層するに当たって組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。また、各半導体素子の動作テストに当たっては、半導体パッケージ毎のテストが可能であるため、異常の検証が容易であるとともに、歩留まりロスの軽減に寄与するといった利点も有する。
【０００５】
近年、半導体素子の製造技術が向上し、より集積度の高い半導体素子が製造されている。集積度の高い半導体素子が電子機器に実装されることによって、情報処理能力の拡大や記憶容量の拡大や装置の小型化・軽量化などが図られる反面、半導体素子の高集積化に伴って消費電力が増加し、電子機器を駆動した際に半導体素子が強く発熱する。半導体素子が強く発熱すると電子機器の筐体内の温度が上昇して半導体素子の動作が不安定になったり、その筐体内の温度がさらに上昇すると半導体素子自体が熱によって損傷を受けて電子機器が使用不可能となるおそれがある。そのため、半導体素子の安定した動作を保証する上では、放熱性を高めるための冷却手段が必要不可欠である。
【０００６】
特に、積層型半導体パッケージにおいては、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子が発熱すると、その熱が積層型半導体パッケージの内部にこもってしまう。そのため、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子は、この半導体素子自体の発熱のみならず、積層型半導体パッケージの内部にこもった熱によっても温度上昇することとなるため、平面的に実装された半導体素子よりも熱による損傷を受けやすいといった問題があり、放熱性を高めることが重要課題となっている。
【０００７】
ここで、従来より、発熱した半導体素子を冷却する技術として、種々の技術が提案されている。
【０００８】
例えば、配線基板上に積み重ねられた複数の半導体チップのうちの、少なくとも一つの半導体チップの少なくとも一方の表面に複数の溝を設けることにより、その半導体チップを冷却する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
また、半導体層が積層された支持基板に溝を形成し、この溝内に支持基板より熱伝導率の大きな高熱伝導材料を埋め込み形成して、その支持基板上に半導体層が積層されてなる半導体装置の放熱性能を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
また、基板上に実装される半導体部品の、基板に実装されているのと反対側の主表面を被冷却側主表面として、この被冷却側主表面上に、内部に冷却流体の流路が形成された、セラミック材料製の冷却部本体を配置する技術が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１１】
また、内部に冷却用流体の還流通路が形成された冷却ブロックを、半導体素子の外表面に接触あるいは近接するよう取り付け、冷却ブロックの還流通路を還流する流体によってその半導体素子を冷却する技術が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【特許文献１】特開２００２−３４３９３３号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７４８８号公報
【特許文献３】特開２００５−１６６７５１号公報
【特許文献４】特開２００６−１９５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述した特許文献１〜特許文献４に提案された技術のように、積層された半導体パッケージに埋設された半導体素子を除く半導体素子を冷却する技術は従来より知られているものの、積層型半導体パッケージにおける、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子を冷却する技術が提案されるまでには至っていない。
【００１３】
また、上述した特許文献１〜特許文献４に提案された技術は、積層型半導体パッケージにおける半導体パッケージに埋設された半導体素子について考慮された技術ではないため、この特許文献１〜特許文献４に提案された技術を、積層型半導体パッケージにおける、特に積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子に対して適用することは困難であり、たとえ適用したとしても、コストが嵩むこととなる。
【００１４】
本発明は、上記事情に鑑み、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子に対する放熱性を高めた積層型半導体パッケージを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成する本発明の積層型半導体パッケージは、
半導体素子がそれぞれに埋設された複数の半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
上記複数の半導体パッケージが、これら複数の半導体パッケージのうちの下層半導体パッケージに外面の一部分が露出した状態に埋設された半導体素子の露出した部分、およびその下層半導体パッケージの上部に積層された半導体パッケージの外面の一部分の双方に接するとともに、上方に延在して外部につながる熱流路を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の積層型半導体パッケージは、上記熱流路によって、上記複数の半導体パッケージのうちの下層半導体パッケージに埋設された半導体素子を直接冷却するものであるため、放熱効率が高い。従って、本発明の積層型半導体パッケージによれば、その下層半導体パッケージに埋設された半導体素子であっても所定の動作温度内に温度制御することが容易となるため、熱による誤動作や損傷が回避され、安定した動作が保証される。
【００１７】
ここで、積層型半導体パッケージの内部の熱を側方に放熱する構成とすると、熱流路が配備されるスペース分、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数を減少させる必要が生じるが、本発明の積層型半導体パッケージは、この積層型半導体パッケージの内部の熱を上方に放熱する構成であるため、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数が上記熱流路によって減少することが回避される。
【００１８】
また、上記本発明の積層型半導体パッケージは、上記熱流路が中空の熱流路であって、この熱流路内に冷媒が還流されるものであってもよく、あるいは、上記本発明の積層型半導体パッケージは、上記熱流路が、熱伝導性部材で形成されたものであってもよい。
【００１９】
さらに、上記本発明の積層型半導体パッケージは、
「上記複数の半導体パッケージのうちの一部の半導体パッケージの上部に積層された中間基板を備え、
上記複数の半導体パッケージのうちの、上記一部の半導体パッケージを除く半導体パッケージが、上記中間基板の上部に更に積層されたもの」
であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、積層された半導体パッケージのうちの下層の半導体パッケージに埋設された半導体素子に対する放熱性を高めた積層型半導体パッケージが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第１実施形態を示す概略構成図である。
【００２３】
図１に示す積層型半導体パッケージ１０は、半導体素子１２１が埋設された第１半導体パッケージ１２と、半導体素子１３１が埋設された第２半導体パッケージ１３とから構成されている。尚、半導体素子１２１，１３１としては、例えば、ロジックＩＣやメモリが一般的に多く使われるが、これに限らず、放熱が要求される、例えば受発光素子、ドライバ、アンプ等データ伝送機能を持つものを搭載する場合にも適用できる。
【００２４】
この積層型半導体パッケージ１０は、第１半導体パッケージ１２の上部に第２半導体パッケージ１３が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ１０が基板１１上に実装されている。また、基板１１と第１半導体パッケージ１２とが、基板１１上に配備された電極１４１および半田１５を介して電気的に半田接続され、第１半導体パッケージ１２と第２半導体パッケージ１３とが、第１半導体パッケージ１２上に配備された電極１４２および半田１５を介して電気的に半田接続されている。
【００２５】
また、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１は、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、中空の熱流路１６が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａ、および第１半導体パッケージ１２の上部に積層された第２半導体パッケージ１３の外面の一部分１３ａの双方に接するとともに、上方に延在して外部につながるように形成されている。また、熱流路１６の端部には、この熱流路に後述するパイプが接続された際に接続部分をシールするためのシーリングキャップ１６１が配備されている。この熱流路１６は、本発明にいう熱流路の一例に相当する。
【００２６】
図２は、図１に示す積層型半導体パッケージ１０とラジエータ２０とを接続した状態を上面から見た上面図である。
【００２７】
図２には、図１にも示す積層型半導体パッケージ１０と、熱交換器としてのラジエータ２０と、積層型半導体パッケージ１０に形成された熱流路１６の端部にシーリングキャップ１６１を介して接続された中空のパイプ３０と、ポンプ４０が示されている。
【００２８】
熱流路１６およびパイプ３０の内部は、冷媒で満たされており、この冷媒はポンプ４０によって、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１の直近とラジエータ２０とを経由する経路を還流する。
【００２９】
以上説明したように、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０は、熱流路１６およびパイプ３０の内部に満たされた冷媒が、積層型半導体パッケージ１０の内部とラジエータ２０を経由する経路を還流することによって、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１を直接冷却するものであるため、放熱効率が高い。従って、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０によれば、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１であっても所定の動作温度内に温度制御することが容易となるため、熱による誤動作や損傷が回避され、安定した動作が保証される。
【００３０】
ここで、積層型半導体パッケージ１０の内部の熱を側方に放熱する構成とすると、熱流路が配備されるスペース分、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数を減少させる必要が生じるが、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０は、この積層型半導体パッケージ１０の内部の熱を上方に放熱する構成であるため、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数が熱流路１６によって減少することが回避される。
【００３１】
次に、図１に示す積層型半導体パッケージ１０の製造方法の一例を説明する。
【００３２】
図３は、図１に示す積層型半導体パッケージ１０の製造方法を説明する図である。
【００３３】
尚、ここでは、積層型半導体パッケージ１０を製造すると共にこの積層型半導体パッケージ１０を基板１１上に実装する例を挙げて説明する。
【００３４】
上面に複数の電極１４１が配備された基板１１上に、下面に半田ボール１５１が配設され、半導体素子１２１が埋設された第１半導体パッケージ１２を配置する。
【００３５】
図４は、下面に半田ボール１５１が配設された第１半導体パッケージ１２の斜視図である。
【００３６】
図３，図４に示すように、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａには、この第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出する溝１２ｂが形成されている。
【００３７】
尚、ここでは、溝１２ｂが形成されている例を挙げたが、図示しない中空のパイプが埋め込まれていてもよい。
【００３８】
図３に戻って、積層型半導体パッケージ１０の製造方法の説明を続ける。
【００３９】
第１半導体パッケージ１２の上面には電極１４２も配備されていて、この第１半導体パッケージ１２上に、下面に半田ボール１５１が配設され、半導体素子１３１が埋設された第２半導体パッケージ１３を配置する。この第２半導体パッケージ１３を第１半導体パッケージ１２上に配置すると、第２半導体パッケージ１３の外面の一部分１３ａが、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａに形成された溝１２ｂを被覆して、図１に示す熱流路１６の壁面の一部を形成することとなる。また、この第２半導体パッケージ１３には、外面の一部分１３ａ側から上方に延在して外部につながる２つの貫通孔１３ｂが形成されていて、この第２半導体パッケージ１３を第１半導体パッケージ１２上に配置すると、２つの貫通孔１３ｂの下端が、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａに形成された溝１２ｂと連結され、図１に示す熱流路１６を形成することとなる。
【００４０】
このようにして、半田ボール１５１を介して基板１１上に第１半導体パッケージ１２および第２半導体パッケージ１３を積層したものを、図示しないリフロー炉に搬入することにより、半田ボール１５１が溶融され、半田接続される。
【００４１】
以上、図３，図４を参照して説明したようにして、図１に示す積層型半導体パッケージ１０を製造することができる。
【００４２】
以上説明したように、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０は、半導体パッケージの積層によって熱流路が同時に形成されるものであるため、熱流路を形成するため新たな工程が不要であり、低コスト化に寄与する。
【００４３】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００４４】
尚、以下説明する第２実施形態では、上述した第１実施形態で説明した構成とほぼ同じ構成を有するため、上述した第１実施形態との相違点に注目し、同じ要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００４５】
図５は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第２実施形態を示す概略構成図である。
【００４６】
図５に示す積層型半導体パッケージ５０は、半導体素子１２１が埋設された第１半導体パッケージ１２と、半導体素子１３１が埋設された第２半導体パッケージ１３とから構成されている。
【００４７】
この積層型半導体パッケージ５０は、第１半導体パッケージ１２の上部に第２半導体パッケージ１３が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ５０が基板１１上に実装されている。
【００４８】
また、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１は、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、熱伝導性部材で形成された熱流路１７が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａ、および第１半導体パッケージ１２の上部に積層された第２半導体パッケージ１３の外面の一部分１３ａの双方に接するとともに、上方に延在して外部につながるように配備されている。この熱流路１７は、本発明にいう熱流路の一例に相当する。尚、熱流路１７としては、例えばアルミや銅などといった熱伝導率の高い熱伝導性部材を用いる。
【００４９】
図６は、図５に示す積層型半導体パッケージ５０とヒートシンク６０とを接合した状態を示す図である
積層型半導体パッケージ５０に配備された熱流路１７の端部は、熱交換器としてのヒートシンク６０に接合されている。
【００５０】
以上説明したように、第２実施形態の積層型半導体パッケージ５０は、積層型半導体パッケージ５０の内部を経由する熱流路１７がヒートシンク６０に接合されていて、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１を直接冷却するものであるため、放熱効率が高い。従って、第２実施形態の積層型半導体パッケージ５０によれば、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０と同様に、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１であっても所定の動作温度内に温度制御することが容易となるため、熱による誤動作や損傷が回避され、安定した動作が保証される。
【００５１】
次に、図５に示す積層型半導体パッケージ５０の製造方法の一例を説明する。
【００５２】
図７は、図５に示す積層型半導体パッケージ５０の製造方法を説明する図であり、図８は、下面に半田ボール１５１が配設された第１半導体パッケージ１２の斜視図である。
【００５３】
尚、ここでは、積層型半導体パッケージ５０を製造すると共にこの積層型半導体パッケージ５０を基板１１上に実装する例を挙げて説明する。
【００５４】
図７，図８に示すように、２つの半導体パッケージのうちの下層に配備される半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２には、半導体素子１２１が、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、熱伝導性部材１７１が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａと接するように埋設されている。
【００５５】
尚、ここでは、熱伝導性部材１７１が埋設されている例を挙げたが、外面の一部分が露出した状態に埋設された半導体素子上に熱伝導性部材を載置して、後述する、第２半導体パッケージ１３を第１半導体パッケージ１２上に配置する工程で、載置した熱伝導性部材を挟み込むようにしてもよい。
【００５６】
また、第２半導体パッケージ１３には、外面の一部分１３ａ側から上方に延在して外部につながるように、２つの熱伝導性部材１７２が埋設されている。
【００５７】
この第２半導体パッケージ１３を第１半導体パッケージ１２上に配置すると、２つの熱伝導性部材１７２の下端が、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａに埋設された熱伝導性部材１７１に連結され、図５に示す熱流路１７を形成することとなる。
【００５８】
このようにして、半田ボール１５１を介して基板１１上に第１半導体パッケージ１２および第２半導体パッケージ１３を積層したものを、図示しないリフロー炉に搬入することにより、半田ボール１５１が溶融され、半田接続される。
【００５９】
以上、図７，図８を参照して説明したようにして、図５に示す積層型半導体パッケージ５０を製造することができる。
【００６０】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００６１】
尚、以下説明する第３実施形態では、上述した第１実施形態で説明した構成とほぼ同じ構成を有するため、上述した第１実施形態との相違点に注目し、同じ要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００６２】
図９は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第３実施形態を示す概略構成図である。
【００６３】
図９に示す積層型半導体パッケージ７０は、半導体素子１２１が埋設された第１半導体パッケージ１２と、中間基板１８と、半導体素子１９１１が埋設された第３半導体パッケージ１９１と、半導体素子１９２１が埋設された第４半導体パッケージ１９２と、半導体素子１９３１が埋設された第５半導体パッケージ１９３とから構成されている。
【００６４】
この積層型半導体パッケージ７０は、第１半導体パッケージ１２の上部に中間基板１８が積層され、中間基板１８を挟んで、第３半導体パッケージ１９１、第４半導体パッケージ１９２、および第５半導体パッケージ１９３が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ７０が基板１１上に実装されている。また、基板１１と第１半導体パッケージ１２とが、基板１１上に配備された電極１４１および半田１５を介して電気的に半田接続され、第１半導体パッケージ１２と中間基板１８とが、第１半導体パッケージ１２上に配備された電極１４２および半田１５を介して電気的に半田接続され、中間基板１８と、第３半導体パッケージ１９１、第４半導体パッケージ１９２、および第５半導体パッケージ１９３とが、中間基板１８上に配備された電極１４３および半田１５を介して電気的に半田接続されている。
【００６５】
また、４つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１は、この半導体素子１２１の外面の一部分１２１ａが露出した状態に埋設されていて、中空の熱流路１６が、その半導体素子１２１の露出した部分１２１ａ、および第１半導体パッケージ１２の上部に積層された中間基板１８の外面の一部分１８ａの双方に接するとともに、上方に延在して外部につながるように形成されている。また、熱流路１６の端部には、この熱流路に後述するパイプが接続された際に接続部分をシールするためのシーリングキャップ１６１が配備されている。
【００６６】
ここでは図示を省略するが、この図９に示す積層型半導体パッケージ７０は、図２に示す熱交換器としてのラジエータ２０と、ポンプ４０を有するパイプ３０を介して接続され、熱流路１６およびパイプ３０の内部に満たされた冷媒が、ポンプ４０によって、４つの半導体パッケージのうちの下層に配備された半導体パッケージである第１半導体パッケージ１２に埋設された半導体素子１２１の直近とラジエータ２０とを経由する経路を還流する。
【００６７】
次に、図９に示す積層型半導体パッケージ７０の製造方法の一例を説明する。
【００６８】
図１０は、図９に示す積層型半導体パッケージ７０の製造方法を説明する図である。
【００６９】
尚、ここでは、積層型半導体パッケージ７０を製造すると共にこの積層型半導体パッケージ７０を基板１１上に実装する例を挙げて説明する。
【００７０】
第１半導体パッケージ１２の上面には電極１４２が配備されていて、この第１半導体パッケージ１２上に、下面に半田ボール１５１が配設された中間基板１８を配置する。この中間基板１８を第１半導体パッケージ１２上に配置すると、中間基板１８の外面の一部分１８ａが、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａに形成された溝１２ｂを被覆して、図９に示す熱流路１６の壁面の一部を形成することとなる。また、この中間基板１８には、外面の一部分１８ａ側から上方に延在して外部につながる２つの貫通孔１８ｂが形成されていて、この中間基板１８を第１半導体パッケージ１２上に配置すると、２つの貫通孔１８ｂの下端が、第１半導体パッケージ１２の上面１２ａに形成された溝１２ｂと連結され、図９に示す熱流路１６を形成することとなる。
【００７１】
また、中間基板１８の上面には電極１４３が配備されていて、この中間基板１８上に、下面に半田ボール１５１が配設された第３半導体パッケージ１９１、第４半導体パッケージ１９２、および第５半導体パッケージ１９３を配置する。
【００７２】
このようにして、半田ボール１５１を介して基板１１上に第１半導体パッケージ１２を積層し、半田ボール１５１を介して第１半導体パッケージ１２上に中間基板１８を積層し、半田ボール１５１を介して中間基板１８上に第３半導体パッケージ１９１、第４半導体パッケージ１９２、および第５半導体パッケージ１９３を積層したものを、図示しないリフロー炉に搬入することにより、半田ボール１５１が溶融され、半田接続される。
【００７３】
以上、図１０を参照して説明したようにして、図９に示す積層型半導体パッケージ７０を製造することができる。
【００７４】
尚、上述した各実施形態では、２つの半導体パッケージを積層した例について説明したが、本発明の積層型半導体パッケージは、これに限られるものではなく、３つ以上の半導体パッケージを積層したものにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す積層型半導体パッケージとラジエータとを接続した状態を上面から見た上面図である。
【図３】図１に示す積層型半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【図４】下面に半田ボールが配設された第１半導体パッケージの斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第２実施形態を示す概略構成図である。
【図６】図５に示す積層型半導体パッケージとヒートシンクとを接合した状態を示す図である。
【図７】図５に示す積層型半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【図８】下面に半田ボールが配設された第１半導体パッケージの斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第３実施形態を示す概略構成図である。
【図１０】図９に示す積層型半導体パッケージの製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０，５０，７０    積層型半導体パッケージ
１１    基板
１２    第１半導体パッケージ
１２ａ    上面
１２ｂ    溝
１３    第２半導体パッケージ
１３ａ    半導体パッケージ外面の一部分
１３ｂ    貫通孔
１２１，１３１，１９１１，１９２１，１９３１    半導体素子
１２１ａ    半導体素子の外面の一部分
１４１，１４２，１４３    電極
１５    半田
１６    熱流路
１６１    シーリングキャップ
１７    熱流路
１７１，１７２    熱伝導性部材
１８    中間基板
１８ａ    中間基板の外面の一部分
１８ｂ    貫通孔
１９１    第３半導体パッケージ
１９２    第４半導体パッケージ
１９３    第５半導体パッケージ
２０    ラジエータ
３０    パイプ
４０    ポンプ
６０    ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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