(57)【要約】    【課題】  静電チャックを用いて有機ＥＬ素子基板を保持し、封止基板と貼り合わせる有機ＥＬ素子の製造方法において、有機ＥＬ素子基板に組み込まれた駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止する。    【解決手段】  基板１の第２主面１ｂ上に、または、第１主面１ａと駆動回路２との間に、駆動回路２が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための導電層１１を設けることを特徴としている有機ＥＬ素子の製造方法。【選択図】      図１
2007066775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面上にアクティブマトリクス駆動回路を設け、その上に有機ＥＬ素子構造を設けて有機ＥＬ素子基板を作製する工程と、
減圧チャンバー内で、前記有機ＥＬ素子基板の前記第１主面と反対側の第２主面を静電チャックで保持し、接着剤が塗布された封止基板に前記有機ＥＬ素子基板を押し当てて、前記有機ＥＬ素子構造の上に接着剤層を介して前記封止基板を貼り合わせる工程とを備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子基板として、前記基板の第２主面上に、または前記第１主面と前記駆動回路の間に、前記駆動回路が前記静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための導電層が設けられた有機ＥＬ素子基板を用いることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記導電層の上に絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記封止基板を貼り合わせる際、前記封止基板も前記静電チャックとは別の第２の静電チャックにより保持されており、前記封止基板の第２の静電チャックによる保持側または前記有機ＥＬ素子基板側に、前記有機ＥＬ素子基板の前記駆動回路が前記第２の静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための第２の導電層が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の導電層の上に第２の絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記導電層及び／または前記第２の導電層が、透明導電性金属酸化物から形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記導電層及び／または前記第２の導電層が、金属膜から形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜が低反射金属膜であることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記有機ＥＬ素子基板の画素領域に対応して、前記有機ＥＬ素子基板または前記封止基板にカラーフィルタ層が設けられ、かつ該カラーフィルタ層の間の境界領域にブラックマトリクスが設けられており、該ブラックマトリクスが前記導電層または前記第２の導電層から形成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
前記導電層及び／または前記第２の導電層が前記有機ＥＬ素子基板の第２主面及び／または前記封止基板の前記保持側に形成されている場合において、
前記有機ＥＬ素子基板の上に前記封止基板を貼り合わせた後、前記導電層及び／または前記第２の導電層を取り除く工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記導電層及び／または前記第２の導電層の上に前記絶縁層及び／または前記第２の絶縁層が設けられている場合において、前記導電層及び／または前記第２の導電層とともに前記絶縁層及び／または前記第２の絶縁層を取り除くことを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項の方法で製造されたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
基板の第１主面上にアクティブマトリクス駆動回路を設け、その上に有機ＥＬ素子構造を設け、その上に接着剤層を介して封止基板を貼り合わせた有機ＥＬ素子であって、
前記基板の前記第１主面と反対側の第２主面上に、または前記第１主面と前記駆動回路の間に、導電層が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記導電層の上に絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１４】
前記封止基板の外側または前記接着剤層側に第２の導電層が設けられていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１５】
前記第２の導電層の上に第２の絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子の製造方法及び有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の発光素子として有機ＥＬ素子が注目され、この有機ＥＬ素子を用いたディスプレイの開発が進められている。有機ＥＬ素子は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を有しているため、次世代の携帯電話や携帯端末（ＰＤＡ）をはじめ、次世代のディスプレイとして期待されている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、画像表示のため複数の画素を有する有機ＥＬパネルを備えている。有機ＥＬパネルにおける有機ＥＬ素子の構造は、パネル基板上で有機ＥＬ膜を２つの電極で挟んだ構造になっている。有機ＥＬ膜は、主に電子輸送層、発光層、正孔輸送層によって構成され、２つの電極の一方が陽極、他方が陰極になっている。
【０００４】
このような有機ＥＬパネルを備えた有機ＥＬディスプレイにおいては、陽極に正の電圧、陰極に負の電圧を印加することにより、陽極から有機ＥＬ膜中に注入された正孔が正孔輸送層を経て発光層に到達し、一方陰極から有機ＥＬ膜に注入された電子が電子輸送層を経て発光層に到達し、発光層内で電子と正孔が再結合することにより発光を得る仕組みになっている。
【０００５】
従来の有機ＥＬ素子においては、有機ＥＬ膜を形成した基板の上にキャップガラス板などを貼り合わせることにより封止されている。有機ＥＬ膜は水分に極めて弱いため、乾燥剤を塗布したキャップガラス板などが用いられている。
【０００６】
特許文献１においては、上記のようなキャップガラス板を貼り付ける中空構造による封止に代えて、封止ガラス基板を光硬化性樹脂で貼り合わせて封止する構造が提案されている。このような封止方法によれば、中空構造をとらないため薄膜化が可能であり、また陰極／空気界面及び空気／キャップ界面における光の干渉の問題がなく、また乾燥剤を用いる必要がないので低コスト化が可能である。
【０００７】
しかしながら、光硬化性樹脂を接着剤に用いて封止ガラス基板を貼り合わせる際、接着剤層に気泡が入るという問題があった。
【０００８】
このような問題を解消するため、特許文献２においては、減圧雰囲気下で接着剤を塗布した封止基板を貼り合わせる方法が提案されている。このような方法によれば、減圧雰囲気中で貼り合わされた際に生じた気泡は、貼り合わせ後大気中に放置すると消失するので、接着剤層中に気泡が取り込まれるのを防止することができる。
【０００９】
しかしながら、減圧雰囲気下で貼り合わせるため、基板を保持するのに真空チャックを用いることができない。また、メカニカルチャックにより基板を保持する場合、ツメやリングなどを用いて基板の外周部を機械的に保持するため、その機構が複雑になる。従って、減圧雰囲気下で基板を保持する場合、静電チャックを用いて保持する必要がある。本発明者らは、静電チャックを用いて基板を保持した場合、有機ＥＬ素子中の駆動回路である薄膜トランジスタの特性が変化してしまうという問題を生じることを見出した。
【００１０】
特許文献３においては、駆動回路が静電気によって破壊されることを抑制するため、駆動回路を誘電体層を介して電極層で被覆する構造が提案されている。しかしながら、このような構造を採用しても、薄膜トランジスタの特性が変化し、有機ＥＬ素子の発光面の均一性が低下し、いわゆる輝度むらを生じた。
【特許文献１】特開平５−１８２７５９号公報
【特許文献２】特許第３６５０１０１号公報
【特許文献３】特開２００３−２７１０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、静電チャックを用いて有機ＥＬ素子基板を保持し、封止基板と貼り合わせる有機ＥＬ素子の製造方法において、有機ＥＬ素子基板に組み込まれた駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止することができる有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板の第１主面上にアクティブマトリクス駆動回路を設け、その上に有機ＥＬ素子構造を設けて有機ＥＬ素子基板を作製する工程と、減圧チャンバー内で、有機ＥＬ素子基板の第１主面と反対側の第２主面を静電チャックで保持し、接着剤の塗布された封止基板に有機ＥＬ素子基板を押し当てて、有機ＥＬ素子構造の上に接着剤層を介して封止基板を貼り合わせる工程とを備え、有機ＥＬ素子基板として、基板の第２主面上に、または第１主面と駆動回路の間に、駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための導電層が設けられた有機ＥＬ素子基板を用いることを特徴としている。
【００１３】
本発明の製造方法によれば、有機ＥＬ素子基板の第２主面上、または第１主面と駆動回路の間に、駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための導電層が設けられている。このため、有機ＥＬ素子基板の第２主面を静電チャックで保持して、封止基板を貼り合わせる際、有機ＥＬ素子基板に組み込まれた駆動回路が、静電チャックからの静電気により劣化するのを防止することができる。
【００１４】
本発明においては、導電層の上に絶縁層が設けられていてもよい。すなわち、静電チャックと有機ＥＬ素子基板の導電層との間に絶縁層が設けられていてもよい。このような絶縁層を設けることにより、静電チャックを構成する配線を覆う絶縁膜などが破損し、配線が露出した場合に、配線と導電層とが接触することによる短絡を防ぐことができる。
【００１５】
また、封止基板を貼り合わせる際、封止基板も別の第２の静電チャックにより保持する場合には、封止基板の第２の静電チャックによる保持側または有機ＥＬ素子基板側に、有機ＥＬ素子基板の駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止するための第２の導電層が設けられていることが好ましい。これにより、封止基板を保持する第２の静電チャックからの静電気による駆動回路の劣化を防止することができる。
【００１６】
また、第２の導電層の上に、第２の絶縁層が設けられていてもよい。
【００１７】
本発明において、導電層及び／または第２の導電層は、例えば、透明導電性金属酸化物から形成することができる。透明導電性金属酸化物としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられる。トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、封止基板側から光が取り出されるので、封止基板に設けられる第２の導電層を、透明導電性金属酸化物から形成することが好ましい。また、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、有機ＥＬ素子が設けられた基板側から光が取り出されるので、有機ＥＬ素子基板に設けられる導電層（第１の導電層）が、透明導電性金属酸化物から形成されることが好ましい。
【００１８】
また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の光が取り出される封止基板の外側、またはボトムエミッション型有機ＥＬ素子の光が取り出される基板の外側に、第２の導電層または第１の導電層を設ける場合、透過率が低い金属膜を設け、基板を貼り合わせて接着剤を硬化させた後に、導電層をエッチングや研磨などの方法により除去することも可能である。
【００１９】
導電層及び／または第２の導電層が透明導電性金属酸化物から形成される場合、その厚みは１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明における導電層及び／または第２の導電層は、金属膜から形成することができる。金属膜としては、特に限定されるものではないが、例えば、有機ＥＬ素子において電極として用いられている金属材料を挙げることかでき、アルミニウム、銀、モリブデン、タングステンまたはこれらの合金などを用いることができる。
【００２１】
透光性が必要とされる場合には、厚みを薄くした透光性の金属薄膜として形成してもよい。この場合、透明導電性金属酸化物膜との積層構造としてもよい。
【００２２】
導電層及び第２の導電層を金属膜から形成する場合の膜厚は、好ましくは、１００〜１０００ｎｍの範囲内である。透光性の金属膜として形成する場合には、その膜厚は１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２３】
本発明において、有機ＥＬ素子基板の画素領域に対応して、有機ＥＬ素子基板または封止基板にカラーフィルタ層が設けられ、かつ該カラーフィルタ層の間の境界領域にブラックマトリクスが設けられている場合、該ブラックマトリクスを導電層または第２の導電層から形成してもよい。この場合、導電層及び第２の導電層は、低反射金属膜から形成されていることが好ましい。低反射金属膜としては、クロムと酸化クロムを積層した構造を有する金属膜が挙げられる。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記本発明の方法で製造されたことを特徴としている。
【００２５】
また、本発明の他の局面に従う有機ＥＬ素子は、基板の第１主面上にアクティブマトリクス駆動回路を設け、その上に有機ＥＬ素子構造を設け、その上に接着剤層を介して封止基板を貼り合わせた有機ＥＬ素子であり、基板の第１主面と反対側の第２主面上に、または第１主面と駆動回路の間に、導電層が設けられていることを特徴としている。
【００２６】
本発明の有機ＥＬ素子においては、導電層の上に絶縁層が設けられていてもよい。
【００２７】
また、本発明の有機ＥＬ素子においては、封止基板の外側または接着剤層側に第２の導電層が設けられていてもよい。また、この第２の導電層の上に、第２の絶縁層が設けられていてもよい。
【００２８】
本発明における有機ＥＬ素子基板においては、有機層から構成される画素を駆動するためのアクティブマトリクス駆動回路が設けられている。このような駆動回路としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた駆動回路が挙げられる。このような駆動回路の上に、通常は平坦化膜などの絶縁膜を設け、その上に有機ＥＬ素子構造が形成される。本発明における有機ＥＬ素子構造としては、以下のような層構成のものが挙げられる。
（１）陽極／有機ＥＬ発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機ＥＬ発光層／陰極
（３）陽極／有機ＥＬ発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機ＥＬ発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【００２９】
上記の陽極から陰極までの電極を含む各層は、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ素子を構成し得るものであればよく、例えば、従来から有機ＥＬ素子に用いられている材料から構成することができる。また、各層の形成方法は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など使用する材料に応じて種々の薄膜形成方法で形成することができる。
【００３０】
また、基板側を陽極とし封止基板側を陰極としてもよいし、基板側を陰極とし封止基板側を陽極とする逆構造の有機ＥＬ素子としてもよい。
【００３１】
また、有機ＥＬ素子構造の上に、保護膜を形成してもよい。保護膜としては、有機ＥＬ素子のパッシベーション層として機能するものを用いることができ、電気絶縁性を有し、水分や低分子成分に対するバリア性を有するものが好ましく用いられる。また、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子の場合には、可視光域における透明性が高い（４００〜８００ｎｍの波長範囲での透過率が５０％以上）材料が好ましく用いられる。このような材料としては、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等を用いることができる。保護膜の形成方法としては、有機ＥＬ素子に悪影響を与えない方法であれば特に制約はなく、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディッピング法等で形成することができる。
【００３２】
保護膜の厚みは、０．１〜１０μｍ程度であることが好ましい。
【００３３】
本発明においては、有機ＥＬ素子基板を静電チャックで保持し、接着剤が塗布された封止基板にこれを押し当てて、有機ＥＬ素子構造の上に接着剤層を介して封止基板を貼り合わせる。
【００３４】
本発明における接着剤としては、光硬化樹脂または熱硬化樹脂などの液体硬化樹脂を用いることが好ましい。樹脂の硬化タイプとしては、ＵＶ硬化型、可視光硬化型、ＵＶ＋熱硬化型、熱硬化型、後硬化型ＵＶ接着剤などが挙げられる。封止基板に、カラーフィルタまたはＣＣＭ（色変換層）などを有する基板を用いる場合には、紫外光がフィルタ等を透過できない場合があるので、熱硬化型、可視光硬化型、後硬化型ＵＶ接着剤などが好ましく用いられる。
【００３５】
接着剤として用いる具体的な樹脂としては、ユレア樹脂系、メラミン樹脂系、フェノール樹脂系、レゾルシノール樹脂系、エポキシ樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリウレタン樹脂系、アクリル樹脂系などの熱硬化性樹脂系；酢酸ビニル樹脂系、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂系、アクリル樹脂系、シアノアクリレート樹脂系、ポリビニルアルコール樹脂系、ポリアミド樹脂系、ポリオレフィン樹脂系、熱硬化性ポリウレタン樹脂系、飽和ポリエステル樹脂系、セルロース系などの熱可塑性樹脂系；エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレートなどの各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系光硬化型接着剤；エポキシ、ビニルエーテルなどの樹脂を用いたカチオン系光硬化型接着剤；チオール・エン付加型樹脂系接着剤；クロロプレンゴム系、ニトリルゴム系、スチレン・ブタジエンゴム系、天然ゴム系、ブチルゴム系、シリコーン系などのゴム系；ビニル−フェノリック、クロロプレン−フェノリック、ニトリル−フェノリック、ナイロン−フェノリック、エポキシ−フェノリック、ニトリル−フェノリックなどの複合系の合成高分子接着剤が挙げられる。
【００３６】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、硬化後、４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率が７０％以上である無色透明の材料となる接着剤を用いることが好ましい。
【００３７】
有機ＥＬ素子基板と封止基板の貼り合わせは、一般に静電チャックで有機ＥＬ素子基板を保持した状態で、ＣＣＤカメラ等を用いて有機ＥＬ素子基板の位置決めをした後、有機ＥＬ素子基板と封止基板を相対的に近づけて押し当て互いに貼り合わせる。この状態で、例えば、再度ＣＣＤカメラ等を用いて位置合わせを行い接着剤層を硬化させる。このとき仮硬化しておき、減圧チャンバー内から取り出した時に再度接着剤層を硬化させてもよい。用いる接着剤の種類に応じて、熱硬化、ＵＶ硬化などの光硬化、ＵＶ＋熱硬化などを行う。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、静電チャックを用いて有機ＥＬ素子基板を保持し、封止基板と貼り合わせる有機ＥＬ素子の製造方法において、有機ＥＬ素子基板に組み込まれた駆動回路が静電チャックから静電気により劣化するのを防止することができる。
【００３９】
本発明の有機ＥＬ素子は、静電チャックを用いて有機ＥＬ素子基板を保持し、封止基板と貼り合わせる有機ＥＬ素子の製造工程において、有機ＥＬ素子基板に組み込まれた駆動回路が静電チャックからの静電気により劣化するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１〜３）
図１に示す有機ＥＬ素子を作製した。図１の断面図に示すように、ガラス基板からなる基板１の第１主面１ａ上には、ゲート電極を含むポリシリコン型ＴＦＴ回路２が形成されている。第１主面１ａと反対側の第２主面１ｂの上には、導電層１１が形成されている。導電層１１は、透明導電膜であるＩＴＯから形成されており、その膜厚は１００ｎｍである。導電層１１は、スパッタリング法により形成されている。
【００４２】
ＴＦＴ回路２の上には、各画素領域に対応して、赤色カラーフィルタ２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２０Ｇ、及び青色カラーフィルタ２０Ｂが設けられている。ＴＦＴ回路２の上には、ＳｉＯ2からなる絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３の上には、各画素領域に対応してＩＴＯからなる陽極４（膜厚１００ｎｍ）が形成されている。陽極４は、絶縁膜３のスルーホールを通り、ＴＦＴ回路２の電極に接続されている。
【００４３】
絶縁膜３上の各画素領域の画素間には、画素分離膜５が形成されている。画素分離膜５は、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）から形成されている。画素分離膜５は、陽極４上の画素領域以外の画素間の領域にのみ形成されている。
【００４４】
陽極４及び画素分離膜５を覆うようにホール注入層が全体の領域上に形成されている。ホール注入層は、例えば厚さ１ｎｍのフッ化炭素（ＣＦｘ）からなる。
【００４５】
ホール注入層上に、ホール輸送層、オレンジ色発光層を順に形成する。ホール輸送層は、例えばトリアリールアミン誘導体から形成されており、ここでは厚さ６０ｎｍの式（１）に示されるＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）からなる。
【００４６】
【化１】
2007066775.tif 000003
【００４７】
オレンジ発光層は、ホスト材料に第１のドーパント及び第２のドーパントがドープされた構成を有する。なお、オレンジ発光層は、例えば厚さ３０ｎｍを有する。
【００４８】
オレンジ発光層のホスト材料としては、例えば、ホール輸送層の材料と同じＮＰＢを用いることができる。
【００４９】
オレンジ発光層の第１のドーパントとしては、例えば、式（２）に示されるｔＢｕＤＰＮ（５，１２−Ｂｉｓ（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）を用いることができる。この第１のドーパントをオレンジ発光層に対して２０重量％となるようにドープする。
【００５０】
【化２】
2007066775.tif 000004
【００５１】
オレンジ発光層の第２のドーパントとしては、例えば、式（３）に示されるＤＢｚＲ（５，１２−Ｂｉｓ（４−（６−ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−６，１１−ｄｉｐｈｅｎｙｌｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）を用いることができる。この第２のドーパントをオレンジ発光層に対して３重量％となるようにドープする。
【００５２】
【化３】
2007066775.tif 000005
【００５３】
オレンジ発光層の第２のドーパントは発光し、第１のドーパントは、その最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）レベルと最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）レベルが共に、ホスト材料と第２のドーパントの中間値を持つため、ホスト材料から第２のドーパントへのエネルギー移動を促進することにより第２のドーパントの発光を補助する役割を担う。それにより、オレンジ発光層は、５００ｎｍよりも大きく６５０ｎｍよりも小さいピーク波長を有するオレンジ色光を発生する。
【００５４】
次に、オレンジ発光層上に青色発光層を形成する。青色発光層は、ホスト材料に第１のドーパント及び第２のドーパントがドープされた構成を有する。なお、青色発光層は、例えば厚さ４０ｎｍを有する。
【００５５】
青色発光層のホスト材料としては、例えば、式（４）に示されるＴＢＡＤＮ（２−ｔｅｒｔ  Ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（２−ｎａｐｈｔｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）を用いることができる。
【００５６】
【化４】
2007066775.tif 000006
【００５７】
青色発光層の第１のドーパントとしては、例えば、ホール輸送層の材料と同じＮＰＢを用いることができる。この第１のドーパントを青色発光層に対して１０重量％となるようにドープする。
【００５８】
青色発光層の第２のドーパントとしては、例えば、式（５）に示されるＴＢＰ（１，４，７，１０−Ｔｅｔｒａ-ｔｅｒｔ  ｂｕｔｙｌ  ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を用いることができる。この第２のドーパントを青色発光層に対して２．５重量％となるようにドープする。
【００５９】
【化５】
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【００６０】
青色発光層の第２のドーパントは発光し、第１のドーパントは、ホール輸送性材料からなり、ホールの輸送を促進することにより青色発光層内でのキャリアの再結合を促進することで、第２のドーパントの発光を補助する役割を担う。それにより、青色発光層は、４００ｎｍよりも大きく５００ｎｍよりも小さいピーク波長を有する青色光を発生する。
【００６１】
次に、青色発光層の上に、電子輸送層、電子注入層及び陰極７を形成する。
【００６２】
電子輸送層は、例えば厚さ１０ｎｍの式（６）に示されるＡｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）からなる。
【００６３】
【化６】
2007066775.tif 000008
【００６４】
電子注入層は、例えば厚さ１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなり、陰極７は、例えば厚さ２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）からなる。陰極７の上には、ＳｉＮｘからなる保護膜８が形成されている。
【００６５】
以上のようにして作製された有機ＥＬ素子基板の上に、接着剤層９ａを介してガラス基板からなる封止基板１０が貼り合わされている。接着剤層９ａの外周部には、接着剤層９ｂが基板面に対して垂直方向に形成されている。
【００６６】
上記実施例においては、オレンジ色発光層と青色発光層を積層した白色発光素子とし、画素領域に対応してカラーフィルタを設けているが、ＲＧＢの各画素に対応して、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を設けた塗り分け方式による有機ＥＬ素子としてもよい。また、塗り分け方式の有機ＥＬ素子においてそれぞれの画素に対応してカラーフィルタを設けてもよい。
【００６７】
上記の有機ＥＬ素子基板と封止基板の貼り合わせは、図１６に示す貼り合わせ装置を用いて行った。図１６に示す貼り合わせ装置においては、上チャンバー１６と下チャンバー１７が組み合わされることにより減圧チャンバーとなる。上チャンバー１６には、上部基板保持板１４が取り付けられており、上部基板保持板１４に静電チャック１３が取り付けられている。下チャンバー１７には下部基板保持板１５が取り付けられている。上部基板保持基板１４は静電チャック１３により有機ＥＬ素子基板を保持する。下部基板保持板１５はメカニカルチャックであり、直接封止基板を保持する。
【００６８】
図１８は、図１６に示す貼り合わせ装置を用いて、図１に示す実施例の有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせる工程を説明するための断面図である。なお、図１８においては、有機ＥＬ素子基板の１画素分のみを図示している。図１９〜図２２においても同様である。
【００６９】
図１８に示すように、有機ＥＬ素子基板の基板１を導電層１１を介して静電チャック１３により保持する。封止基板１０は、接着剤層９を塗布した状態で、接着剤層９を上に向けた状態で下部基板保持板１５に保持する。封止基板１０は、ＵＶオゾン処理によりその表面を洗浄した後、スクリーン印刷などの印刷法またはディスペンサーを用いて、接着剤を所定のパターンに塗布した。なお、封止基板の洗浄及び接着剤の塗布は、ドライ窒素雰囲気下で行った。接着剤９ａは、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂（商品名「ＴＢ３１１２」スリーボンド社製）を用いた。外周部に用いた接着剤９ｂは、上記のＵＶ硬化型エポキシ樹脂に、フィラーとしてＳｉＯｘを１０重量％添加し、増粘させたものを用いた。
【００７０】
以上のようしにて有機ＥＬ素子基板及び封止基板を保持して装置内にセットし、上チャンバー１６と下チャンバー１７を閉じてチャンバー内を密閉し、排気バルブを開いてチャンバー内を１〜１０Ｐａの気圧に減圧する。ＣＣＤカメラを用いて有機ＥＬ素子基板の位置を位置決めした後、上部基板保持板１４を下降させ、有機ＥＬ素子基板を封止基板に貼り合わせる。再度ＣＣＤカメラを用いて位置合わせをしてから、ＵＶランプを用いて接着剤９に紫外線を照射し仮硬化を行った。貼り合わせ終了後、チャンバー内の真空を破壊し、チャンバーを開けて貼り合わせた基板を取り出し、ドライ雰囲気下でＵＶランプで再度紫外線を照射し、接着剤層を完全に硬化させた。
【００７１】
上記の有機ＥＬ素子構造を形成する際の真空プロセスでは、有機ＥＬ素子基板を機械的に保持している。従って、静電チャックで保持した場合のようなＴＦＴ回路の静電気による劣化は生じない。また、上記の有機層形成時においては、蒸着源が下になるので、有機ＥＬ素子基板の第１主面が下に向くように配置されている。有機ＥＬ素子基板を作製した後、基板を反転させずにそのまま貼り合わせ装置にセッティングすることができるように、貼り合わせ装置の上部保持基板に静電チャックを取り付け、この静電チャックに有機ＥＬ素子基板を保持させるようにしている。
【００７２】
図８は、実施例１の導電層１１のパターン形状を示す平面図である。なお、図８においては、導電層１１を形成している位置が把握しやすいように、画素部分及びＴＦＴ回路部分を図示している。実際には、これらは基板１の反対側に形成されているので、見えない部分である。図９〜図１５においても同様である。
【００７３】
図８に示すように、実施例１においては、導電層１１は、各画素領域の画素部及び周辺の駆動回路を覆う領域に形成されている。
【００７４】
図９は、実施例２の導電層１１のパターン形状を示す平面図である。図９に示すように、実施例２においては、各画素領域の画素及び周辺駆動部を覆うように横方向に延びるパターン形状で導電層１１を形成している。
【００７５】
図１０は、実施例３の導電層１１のパターン形状を示す平面図である。図１０に示すように、実施例３においては、基板１の裏面全体を覆うように導電層１１を形成している。
【００７６】
（実施例４〜８）
図２の断面図に示す有機ＥＬ素子を作製した。図２に示すように、本実施例では、導電層１１の上に絶縁層１２を形成している。導電層１１は、実施例１〜３と同様に、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成した。絶縁層１２は、ＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜（膜厚５００ｎｍ）から形成した。
【００７７】
図１１は、実施例４の導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状を示す平面図である。導電層１１の領域は、図８〜図１０と同様にドットで示している。絶縁層１２は、太線でその領域を示している。実施例４においては、図１１に示すように、画素部及びその周辺の駆動回路を覆うように導電層１１及び絶縁層１２をそれぞれ形成している。
【００７８】
図１２は、実施例５の導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状を示す平面図である。図１２に示すように、実施例５においては、導電層１１を実施例４と同様に画素部及びその周辺の駆動回路を覆うように形成し、絶縁層１２は基板１の全面を覆うように形成している。
【００７９】
図１３は、実施例６における導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状を示す平面図である。図１３に示すように、実施例６においては、図９に示す導電層１１と同様に横方向に延びるように導電層１１を形成し、絶縁層１２も同様に横方向に延びるように形成している。
【００８０】
図１４は、実施例７の導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状を示す図である。図１４に示すように、実施例７の導電層１１は、実施例６と同様に横方向に延びるように形成し、絶縁層１２は基板１の第２主面の全面上に形成している。
【００８１】
図１５は、実施例８の導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状を示す平面図である。図１５に示すように、実施例８においては、導電層１１及び絶縁層１２を基板１の第２主面全面を覆うようにそれぞれ形成している。
【００８２】
実施例４〜８においては、実施例１〜３と同様に、図１６に示す貼り合わせ装置を用いて有機ＥＬ素子基板と封止基板とを貼り合わせた。
【００８３】
（実施例９）
本実施例では、導電層１１を、ＩＴＯに代えてＩＴＯよりも導電率が高いアルミニウムを用いて形成する以外は、実施例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。従って、導電層１１及び絶縁層１２のパターン形状は、図１５に示すパターン形状である。なお、アルミニウムからなる導電層１１は、真空蒸着法により膜厚１００ｎｍとなるように形成した。
【００８４】
本実施例はボトムエミッション型の発光素子であり、アルミニウムからなる導電層１１が設けられていると、有機層で発光した光が基板１から外部に透過しにくくなるので、有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせた後、基板１上の導電層１１及び絶縁層１２を研磨により取り除いている。
【００８５】
また、本発明における導電層１１は、例えばアルミニウム箔などの金属箔を貼り付けることにより形成してもよい。粘着テープのように粘着性を有する金属箔の場合には、有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせた後、容易に取り除くことができる。
【００８６】
（実施例１０〜１３）
上記の実施例１〜９は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、実施例１０〜１３においては、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を作製した。
【００８７】
図３は、実施例１０の有機ＥＬ素子を示す断面図である。ＴＦＴ回路２の上にカラーフィルタが設けられていないこと及び電極材料以外は、実施例９と同様の有機ＥＬ素子基板を作製した。実施例９と同様であるので、基板１の第２主面１ｂ上には、アルミニウムからなる導電層１１（膜厚１００ｎｍ）及びＳｉＮからなる絶縁層１２（膜厚５００ｎｍ）が形成されている。なお、本実施例における陽極は、アルミニウム膜とＩＴＯ膜を積層した構造であり、それぞれ厚み１００ｎｍである。また、陰極は、Ｌｉ（膜厚１ｎｍ）／Ａｇ（膜厚１０ｎｍ）／ＩＺＯ（膜厚１００ｎｍ）を積層した構造から形成されている。
【００８８】
また、封止基板１０の上には、各画素領域に対応して、赤色カラーフィルタ２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２０Ｇ、及び青色カラーフィルタ２０Ｂが設けられており、各カラーフィルタの間には、樹脂からなるブラックマトリクス１９が設けられている。
【００８９】
また、ブラックマトリクス１９及び各カラーフィルタの上を覆うように、アクリル樹脂からなるオーバーコート１８が形成されている。
【００９０】
後述するように、本実施例では、封止基板１０を静電チャックにより保持するので、封止基板１０側に第２の導電層１１が設けられている。本実施例では、オーバーコート１８の上に第２の導電層１１が形成されている。第２の導電層１１は、ＩＴＯから形成されており、その膜厚は１００ｎｍである。
【００９１】
本実施例においては、図１７に示す貼り合わせ装置を用いて有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせた。図１７に示す貼り合わせ装置は、有機ＥＬ素子基板及び封止基板ともに静電チャックで保持する装置である。従って、下部基板保持板１５の上にも静電チャック１３が設けられている。
【００９２】
図２０は、図１７に示す貼り合わせ装置を用いて、実施例１０の有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせる状態を示す断面図である。図２０に示すように、有機ＥＬ素子基板は、導電層１１及び絶縁層１２を介して上方の静電チャック１３により保持されている。また、封止基板１０は、下方の静電チャック１３により保持されている。封止基板１０の上に第２の導電層１１が設けられているので、下方の静電チャック１３からの静電気によるＴＦＴ回路２の劣化をこの第２の導電層１１で防止することができる。また、上方の静電チャック１３からの静電気による劣化は、基板１上に設けられている導電層１１により防止することができる。
【００９３】
図４は、実施例１１の有機ＥＬ素子を示す断面図である。実施例１１においては、樹脂からなるブラックマトリクスに代えて、クロムと酸化クロムを積層した構造を有する低反射金属製のブラックマトリクスを用いている。そして、このブラックマトリクス１９を、本発明における第２の導電層として用いている。すなわち、本実施例においては、封止基板１０の上に、第２の導電層として機能する金属製のブラックマトリクス１９が設けられている。ブラックマトリクスであるので、画素領域には形成されず、画素開口部には導電層が存在しない状態となっている。従って、画素のない領域すなわち非表示部のみに第２の導電層が設けられている。
【００９４】
図４に示す実施例１１の場合においても、上記実施例１０と同様にして、図１５に示す貼り合わせ装置を用いて、有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせることができる。
【００９５】
図５は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子において、実施例１１と同様にブラックマトリクスをクロムと酸化クロムを積層した構造を有する金属製ブラックマトリクスを用いた実施例を示す断面図である。本実施例では、基板１の外側にも導電層１１及び絶縁層１２が設けられている。
【００９６】
図６は、実施例１２の有機ＥＬ素子を示す断面図である。実施例１２においては、封止基板１０の上方面、すなわち静電チャックで保持される保持側に第２の導電層１１が設けられている。それ以外は、図３に示す実施例１０と同様である。
【００９７】
図２１は、図１７に示す貼り合わせ装置を用いて実施例１２の有機ＥＬ素子基板と封止基板とを貼り合わせる状態を示す断面図である。図２１に示すように、下方の静電チャック１３は、第２の導電層１１を介して封止基板１０を保持しており、下方の静電チャック１３からの静電気によるＴＦＴ回路２の劣化を、この第２の導電層１１により防止している。
【００９８】
図７は、実施例１３の有機ＥＬ素子を示す断面図である。図７に示すように、本実施例では、封止基板１０の保持側に設けられた第２の導電層１１の上に、第２の絶縁層１２が形成されている以外は、実施例１２と同様である。第２の絶縁層１２は、ＣＶＤ法により、ＳｉＮから形成されており、その膜厚は５００ｎｍである。
【００９９】
図２２は、図１７の装置を用い、図７に示す実施例１３の有機ＥＬ素子基板と封止基板を貼り合わせる状態を示す図である。図２２に示すように、封止基板１０は、第２の導電層１１及び第２の絶縁層１２を介して下方の静電チャック１３に保持されている。
【０１００】
上方の静電チャック１３からの静電気による劣化は、基板１上の導電層１１により防止されており、下方の静電チャック１３からの静電気による劣化は、封止基板１０の上に設けられた第２の導電層１１により防止されている。
【０１０１】
なお、実施例１０〜１３における封止基板側の第２の導電層及び第２の絶縁層は、封止基板の全面上に設けられている。
【０１０２】
（実施例１４）
本実施例においては、実施例１０において、封止基板１０側に第２の導電層１１を設けない以外は、実施例１０と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。従って、下方の静電チャックからの静電気による影響がある状態で作製した。
【０１０３】
（比較例１）
実施例１において、導電層１１を形成しない以外、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１０４】
（比較例２）
上記比較例１において、有機ＥＬ素子基板の基板ガラスの厚みを０．７ｍｍから２倍の１．４ｍｍにした以外は比較例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１０５】
以上のようにして作製した実施例１〜１４及び比較例１〜２の有機ＥＬ素子の構造を表１にまとめて示す。また、表１に示す構造１〜５の具体的な構成を表２に示す。なお、表１及び表２においては、有機ＥＬ素子基板を「ＴＦＴ基板」として示す。
【０１０６】
【表１】
2007066775.tif 000009
【０１０７】
【表２】
2007066775.tif 000010
【０１０８】
〔ＴＦＴ特性の評価〕
実施例１〜１４及び比較例１〜２で作製した有機ＥＬ素子のゲート−ソース間の電圧シフト量（ΔＶ）を測定した。具体的には、有機ＥＬ素子基板の状態でＴＦＴ回路のＴＦＴ特性を測定しておき、静電チャックを使って封止基板を貼り合わせて有機ＥＬ素子を作製した後のＴＦＴ特性と比較した。
【０１０９】
図２３は、この時の評価方法を説明するための図である。図２３に示すように、静電チャックで保持する前のしきい値電圧と、静電チャックで保持した後のしきい値電圧の変化量を電圧シフト量ΔＶとして求めた。なお、静電チャックで保持する際に静電チャックに印加する電圧を、各実施例及び比較例において、１．５ｋＶ、２．５ｋＶ、及び３．５ｋＶと変化させ、それぞれにおいて３種類の有機ＥＬ素子を作製し、その時の印加電圧と電圧シフト量の関係を図２４に示した。
【０１１０】
図２４から明らかなように、実施例１〜８において、電圧シフト量は、例えば、３．５ｋＶで０．２Ｖであった。実施例９においては、導電層として導電率の高いアルミニウムを用いているので、電圧シフト量は３．５ｋＶで、０．０５Ｖとなっており、実施例１〜８よりも電圧シフト量が少なくなっていた。
【０１１１】
実施例１０〜１３では、有機ＥＬ素子基板側の導電層にはアルミニウムを用いているが、封止基板側の第２の導電層はＩＴＯから形成したものであるので、実施例１〜８と同程度の電圧シフト量であった。
【０１１２】
実施例１４では、封止基板側に第２の導電層を設けていないので、他の実施例に比べて電圧シフト量が大きくなっていることがわかる。比較例１〜２においては、導電層を全く設けていないので、実施例１〜１４に比べ電圧シフト量が大きくなっていることがわかる。
【０１１３】
以上のことから、本発明に従い、静電チャックからの静電気により劣化を防止するための導電層を設けることにより、静電チャックで保持して有機ＥＬ素子を作製する際、ＴＦＴ回路が劣化するのを防止できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明に従う実施例１〜３の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図２】本発明に従う実施例４〜９の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図３】本発明に従う実施例１０の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図４】本発明に従う実施例１１の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図５】実施例１１と同様に、ブラックマトリクスを導電層として用いた本発明に従う実施例の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図６】本発明に従う実施例１２の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図７】本発明に従う実施例１３の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図８】本発明に従う実施例１における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図９】本発明に従う実施例２における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１０】本発明に従う実施例３における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１１】本発明に従う実施例４における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１２】本発明に従う実施例５における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１３】本発明に従う実施例６における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１４】本発明に従う実施例７における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１５】本発明に従う実施例８及び９における導電層のパターン形状を示す平面図。
【図１６】本発明に従う実施例１〜９の有機ＥＬ素子を作製する際に用いた貼り合わせ装置を示す断面図。
【図１７】本発明に従う実施例１０〜１４の有機ＥＬ素子を作製する際に用いた貼り合わせ装置を示す断面図。
【図１８】本発明に従う実施例１〜３の有機ＥＬ素子を作製する際の静電チャックによる保持状態を示す断面図。
【図１９】本発明に従う実施例４〜９の有機ＥＬ素子を作製する際の静電チャックによる保持状態を示す断面図。
【図２０】本発明に従う実施例１０の有機ＥＬ素子を作製する際の静電チャックによる保持状態を示す断面図。
【図２１】本発明に従う実施例１２の有機ＥＬ素子を作製する際の静電チャックによる保持状態を示す断面図。
【図２２】本発明に従う実施例１３の有機ＥＬ素子を作製する際の静電チャックによる保持状態を示す断面図。
【図２３】ＴＦＴのＶ−Ｉ特性曲線における電圧シフト量（ΔＶ）を示す図。
【図２４】各実施例及び各比較例における静電チャック保持の際の印加電圧と電圧シフト量の関係を示す図。
【符号の説明】
【０１１５】
１…基板
１ａ…基板の第１主面
１ｂ…基板の第２主面
２…ＴＦＴ回路
３…絶縁膜
４…陽極
５…画素分離膜
６…有機層
７…陰極
８…保護膜
９ａ，９ｂ…接着剤層
１０…封止基板
１１…導電層
１２…絶縁層
１３…静電チャック
１４…上部基板保持板
１５…下部基板保持板
１６…上チャンバー
１７…下チャンバー
１８…オーバーコート
１９…ブラックマトリクス
２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…カラーフィルタ
【図１】
2007066775.tif 000011
【図２】
2007066775.tif 000012
【図３】
2007066775.tif 000013
【図４】
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【図５】
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【図６】
2007066775.tif 000016
【図７】
2007066775.tif 000017
【図８】
2007066775.tif 000018
【図９】
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【図１０】
2007066775.tif 000020
【図１１】
2007066775.tif 000021
【図１２】
2007066775.tif 000022
【図１３】
2007066775.tif 000023
【図１４】
2007066775.tif 000024
【図１５】
2007066775.tif 000025
【図１６】
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【図１７】
2007066775.tif 000027
【図１８】
2007066775.tif 000028
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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