(57)【要約】【課題】製造工程に起因する配線の損傷を防止することの可能なＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ素子の製造方法は、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様で構造体１２が形成される工程と、構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、１層又は複数層の絶縁膜の構造体上にある部分が反応性ドライエッチングにより除去されるとともに、１層又は複数層の絶縁膜の除去された部分に臨む内側壁に反応副生成物からなる層１９が形成されるウインドウ開口工程と、反応副生成物からなる層を残したまま、犠牲層が除去されて構造体がリリースされる工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図２
2007111806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた空間に配置された構造体と、前記空間に臨む端縁を備えた絶縁膜及び該絶縁膜上に配置された配線を含む積層構造と、を有するＭＥＭＳ素子の製造方法において、
少なくとも一部が犠牲層上に形成された態様で前記構造体が形成される工程と、
前記構造体上及びそれ以外の他の位置に前記絶縁膜が形成される工程と、
前記絶縁膜上に前記配線が形成される工程と、
１層又は複数層の前記絶縁膜の前記構造体上にある部分が反応性ドライエッチングにより除去されるとともに、前記１層又は複数層の絶縁膜の除去された部分に臨む内側壁に反応副生成物からなる層が形成されるウインドウ開口工程と、
前記反応副生成物からなる層が存在する状態で開始され、前記犠牲層が除去されて前記構造体がリリースされる工程と、
を具備することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項２】
前記ウインドウ開口工程では、前記１層又は複数層の絶縁体上にマスクが形成された状態で前記反応性ドライエッチングが施され、
前記構造体がリリースされる工程は、前記ウインドウ開口工程で用いられた前記マスクを除去せずに実施されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項３】
前記構造体がリリースされる工程の後に、前記マスクとともに前記反応副生成物からなる層が除去される工程をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項４】
前記ウインドウ開口工程では、フロロカーボンガスを用いてエッチングが施されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項５】
前記フロロカーボンガスは、二重結合を含む直鎖型不飽和化合物であることを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項６】
前記ウインドウ開口工程では、前記フロロカーボンガスにアルゴンガス若しくは酸素ガスを添加して用いることを特徴とする請求項４又は５に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項７】
前記ウインドウ開口工程では、前記絶縁膜の前記構造体上にある部分の厚みの一部が残されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項８】
基板上に設けられた空間に配置された構造体と、前記空間に臨む端縁を備えた絶縁膜及び該絶縁膜上に配置された配線を含む積層構造と、を有するＭＥＭＳ素子において、
前記空間に臨む１層又は複数層の前記絶縁膜の端縁のうち、前記構造体より上層にあり前記配線より下層にある部分は、前記構造体と同層に若しくは前記構造体より下層にある部分よりも前記構造体に近い位置に配置されていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳ素子に係り、特に、基板上に絶縁膜と配線の積層構造を有するＭＥＭＳ素子の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）と呼ばれる微細な加工技術を利用して形成された構造体を備えた電気機械系、例えば、共振器、フィルタ、センサ、モータ等が知られている。そして、この構造体を半導体基板、例えば、シリコン基板上に形成してなるＭＥＭＳ素子が提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。このようなＭＥＭＳ素子は、半導体基板上に形成されることにより、ＣＭＯＳ等の半導体回路と一体化することが可能になるため、例えば、携帯電話機等といった小型化及び高性能化が要求される通信機器に用いられる高周波回路などへの応用が期待されている。
【０００３】
特許文献１に記載されたＭＥＭＳ素子では、基板上に形成された櫛歯構造を有する構造体を動作するために、酸化シリコン等で構成した犠牲層上に構造体を形成し、その後、フッ酸等のエッチングによって当該犠牲層を除去することによって構造体をリリースして動作可能な状態としている。
【特許文献１】２００４−２７６２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような半導体基板上に構造体を備えたＭＥＭＳ素子を製造する方法としては、図４に示される方法（比較例）が考えられる。この製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、基板１上に、酸化シリコン等で構成される犠牲層となる絶縁層２を形成し、この絶縁層２上に構造体３を形成する。構造体３は、特許文献１で示すような櫛歯構造やその他の種々の構造とすることができるが、図示例の場合、支持部を備えた板状の電極体を備えたものを例として示してある。構造体３上には層間絶縁膜４、配線５、層間絶縁膜６、配線７、及び、保護膜８が積層される。なお、層間絶縁膜及び配線は必要に応じて任意の繰り返し数で積層される。例えば、通常のＣＭＯＳ回路を形成してなる半導体基板の場合、３周期以上の積層構造を有する。
【０００５】
その後、図４（ｂ）に示すように、構造体３上の層間絶縁膜４，６及び保護膜８を除去し、構造体３の上方に開口領域３Ｘを形成する（ウインドウ開口工程）。この工程では、基板１上にレジスト等によって図示しないマスクを形成し、このマスクの開口を通して、ドライエッチングにより保護膜８の開口８ｂ、層間絶縁膜４，６の凹部４ｂ及び開口６ｂを形成することにより、開口領域３Ｘが形成される。
【０００６】
しかる後に、フッ酸を含むエッチング液を用いたウエットエッチングにより、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４及び絶縁層２の一部を除去することによって構造体３を基板１上からリリースさせ、構造体３を空間Ｓ内において動作可能な状態とする。
【０００７】
しかしながら、前述の製造方法では、最終のリリース工程の前に、構造体３上に厚く積層された層間絶縁膜４，６及び保護膜８を除去し、構造体３の上方に開口領域３Ｘを形成する、いわゆるウインドウ開口工程において施されるウエットエッチングが等方性エッチングであることから、開口領域３Ｘに臨む層間絶縁膜４，６及び保護膜８の壁面でもエッチングが進行し、図４（ｃ）に点線で示すように、エッチング領域が配線５，７に達したり、或いは、エッチング液が層間絶縁膜や保護膜の界面から進入して配線５，７に達したりすることがあり、配線５，７に腐食その他の損傷を生じさせるといった問題点がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、製造工程に起因する配線の損傷を防止することの可能なＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
斯かる実情に鑑み、本発明のＭＥＭＳ素子の製造方法は、基板上に設けられた空間に配置された構造体と、前記空間に臨む端縁を備えた絶縁膜及び該絶縁膜上に配置された配線を含む積層構造と、を有するＭＥＭＳ素子の製造方法において、少なくとも一部が犠牲層上に形成された態様で前記構造体が形成される工程と、前記構造体上及びそれ以外の他の位置に前記絶縁膜が形成される工程と、前記絶縁膜上に前記配線が形成される工程と、１層又は複数層の前記絶縁膜の前記構造体上にある部分が反応性ドライエッチングにより除去されるとともに、前記１層又は複数層の絶縁膜の除去された部分に臨む内側壁に反応副生成物からなる層が形成されるウインドウ開口工程と、前記反応副生成物からなる層が存在する状態で開始され、前記犠牲層が除去されて前記構造体がリリースされる工程と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、ウインドウ開口工程において内側壁に形成された反応副生成物からなる層を残したままでリリース工程が開始され、犠牲層が除去されることにより、反応副生成物からなる層によってサイドエッチングが抑制されるとともに、エッチング液の侵入が阻害されるため、配線の損傷を防止することができる。
【００１１】
なお、上記のウインドウ開口工程は、１層又は複数層の絶縁膜における構造体上にある部分が除去される工程であり、典型的には当該絶縁膜に開口領域（周囲が絶縁膜で取り囲まれた部分）が形成される工程であるが、これに限らず、例えば、構造体上にある部分以外に絶縁膜の除去される領域が設けられることによって絶縁膜の除去された部分が開口状ではなく、スリット状に構成されていたり、或いは、構造体上にある部分の片側に絶縁膜が残されるが、当該部分のもう一方側には絶縁膜が全く残されないといった場合をも含むものとする。
【００１２】
本発明において、前記ウインドウ開口工程では、前記１層又は複数層の絶縁体上にマスクが形成された状態で前記反応性ドライエッチングが施され、前記構造体がリリースされる工程は、前記ウインドウ開口工程で用いられた前記マスクを除去せずに実施されることが好ましい。これによれば、マスクを除去せずにリリース工程に進むことにより、マスクの除去工程において内側壁上に形成された上記の反応副生成物からなる層も除去されてしまうことがなくなる。また、反応副生成物からなる層が除去されてしまうことを防止するために開口領域を保護する必要がなくなるため、工程数を増加させずに済む。
【００１３】
本発明において、前記構造体がリリースされる工程の後に、前記マスクとともに前記反応副生成物からなる層が除去される工程をさらに具備することが好ましい。リリース工程の後に、マスクとともに反応副生成物からなる層を除去する工程を設けることにより、ウインドウ開口工程に影響を与えずに、工程数の増加を抑制できる。
【００１４】
本発明において、前記ウインドウ開口工程では、フロロカーボンガスを用いてエッチングが施されることが好ましい。これによれば、フロロカーボンガスを用いることによって反応副生成物（ポリマー）が内側壁に付着しやすくなるので、リリース工程において内側壁のサイドエッチングを有効に抑制できる。
【００１５】
本発明において、前記フロロカーボンガスは、二重結合を含む直鎖型不飽和化合物であることが望ましい。これによれば、反応副生成物がさらに内側壁に付着しやすくなるため、リリース工程におけるサイドエッチングをさらに抑制できる。また、この種のフロロカーボンガスは大気中に放出されても寿命が短く、分解されやすいため、環境負荷が小さいという利点がある。
【００１６】
本発明において、前記ウインドウ開口工程では、前記フロロカーボンガスにアルゴンガス若しくは酸素ガスを添加して用いることが好ましい。これによれば、アルゴンガスや酸素ガスの添加により反応副生成物が付着しやすくなるので、リリース工程におけるサイドエッチングをさらに抑制できる。
【００１７】
本発明において、前記ウインドウ開口工程では、前記絶縁膜の前記構造体上にある部分の厚みの一部が残されることが好ましい。これによれば、ドライエッチングによる構造体の損傷を防止することができる。
【００１８】
次に、本発明のＭＥＭＳ素子は、基板上に設けられた空間に配置された構造体と、前記空間に臨む端縁を備えた絶縁膜及び該絶縁膜上に配置された配線を含む積層構造と、を有するＭＥＭＳ素子において、前記空間に臨む１層又は複数層の前記絶縁膜の端縁のうち、前記構造体より上層にあり前記配線より下層にある部分は、前記構造体と同層に若しくは前記構造体より下層にある部分よりも前記構造体に近い位置に配置されていることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１〜図３は、本発明に係るＭＥＭＳ素子の製造方法の概略工程を示す概略工程図である。本実施形態のＭＥＭＳ素子の製造方法においては、半導体製造プロセス、例えば、ＣＭＯＳプロセスを用いている。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコンからなる半導体基板１０上に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜、例えば、熱酸化膜）である絶縁層１１が形成され、この絶縁層１１上にポリシリコン等からなる構造体１２が形成される。絶縁層１１の一部（特に、構造体１２の下に配置される部分）は、後述するリリース工程において構造体１２をリリースする際に除去される犠牲層となる。構造体１２は、例えば、半導体基板１０の表層部に形成された下部電極１０ｎに導電接続した構造とされる。
【００２１】
この下部電極１０ｎは、例えば以下のプロセスにて形成される。まず、絶縁層１１上にフォトレジストが塗布され、このフォトレジストが所定の形状にパターニングされて一部が開口され、そのレジスト開口を通して半導体基板１０にＰ（りん）イオンが注入されることにより、半導体基板１０の表層部に例えばｎ型の下部電極１０ｎが形成される。次に、フォトレジストが除去された後、再度フォトレジストが塗布され、下部電極１０ｎの上方の絶縁層１１の一部を除去するためにパターニングが行われる。そして、絶縁層１１の一部が下部電極１０ｎまでエッチングされ、開口部１１ａが形成されてから、フォトレジストが除去される。次に、その上から、ポリシリコンからなる層がＣＶＤ法等によって形成され、これをパターニングすることによって上記の構造体１２が形成される。このとき、絶縁層１１の開口部１１ａ内にもポリシリコンが充填されることにより、構造体１２は下部電極１０ｎに導電接続される。
【００２２】
なお、上記基板１０としてＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いてもよい。また、構造体１２の構造や製造工程は様々であり、図示例や上記説明に限定されるものではない。構造体１２の構造としては、図示例のように板状体の直下に支持部を有するもの以外に、基板１０の表面に沿って延在する梁状の支持部を有するものであってもよい。
【００２３】
構造体１２上には、ＳｉＯ２等からなる層間絶縁膜１３がＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成され、さらにその上に、スパッタリング法や蒸着法等により金属材料が積層され、パターニングされることによって配線１４を形成する。配線１４はＡｌ、Ｃｕなどからなり、半導体基板１０に設けた下部電極１０ｎ、或いは、半導体基板１０に設けられた図示しない各種の半導体回路（ＣＭＯＳ構造等、図示せず。）と接続されている。
【００２４】
配線１４上にはＳｉＯ２等からなる層間絶縁膜１５が形成される。この層間絶縁膜１５は上記層間絶縁膜１３と同様の素材により同様の方法で形成することができる。その後、層間絶縁膜１５上に図示しないフォトレジストよりなるレジストマスクを形成した後、エッチング等によって層間絶縁膜１５をパターニングする。このパターニング工程では、層間絶縁膜１５に開口部１５ａを形成し、下層に配置された配線１４の一部を露出するスルーホールとする。
【００２５】
なお、このパターニング工程の後、表面上にＳＯＧ膜等を形成し、その後、このＳＯＧ膜をエッチングによって除去するといった平坦化プロセスを実施してもよい。
【００２６】
次に、上記層間絶縁膜１５上にさらに配線１６を形成する。この配線１６は、上記配線１４と同様の素材で同様の方法により形成することができる。配線１６は上記開口部１５ａ内にも形成され、これによって配線１６が開口部１５ａを通して配線１４と導電接続される。
【００２７】
その後、配線１６上に、窒化シリコンからなる保護膜（パッシベーション膜）１７を形成する。保護膜１７はＣＶＤ法やスパッタリング法等によって形成できる。シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）で構成される保護膜１７は、例えば、プラズマＣＶＤを用いて形成することが好ましい。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、保護膜１７上にノボラック系樹脂等からなるフォトレジストを塗布し、露光・現像処理を行うことによってマスク１８を形成する。このマスク１８は、上記構造体１２上に或る部分に開口１８ａを備えている。
【００２９】
その後、図２（ｃ）に示すように、上記マスク１８を介して反応性ドライエッチングにより、上記の保護膜１７、層間絶縁膜１５及び１３をエッチングし、開口部１７ｂ、１５ｂ及び凹部１３ｂからなる開口領域を形成する（ウインドウ開口工程）。例えば、ＩＣＰ（容量結合型プラズマ）装置を用いて、エッチングガスをプラズマ化し、ガスの励起種を電界によって装置内に配置された基板１０に向けて加速させ、衝突させて、物理的及び化学的にエッチングを行う。
【００３０】
エッチングガスとしては、フッ素系或いは塩素系のガスを用いることができる。ただし、本実施形態では、上記開口領域の内側壁上に反応副生成物（ポリマー）からなる層１９が形成されるようにするため、反応副生成物が内側壁に付着しやすい条件でエッチングを行うことが好ましい。このような条件は、装置の内圧、ガス流量、ＩＣＰ電力、バイアス電力等を適宜に設定することによって得られるが、特に、エッチングガスの種類及び組成を反応副生成物が付着しやすい設定とすることが望ましい。このような条件に合致するエッチングガス種としては、フロロカーボンガス、例えば、ｃ−Ｃ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８など、が挙げられる。このようなフロロカーボンガスは炭素の存在によってポリマーを生成しやすく、ポリマーがエッチングによって形成された穴の内側壁に確実に形成される。
【００３１】
上記のフロロカーボンガスとしては、特に、二重結合を含む直鎖型不飽和化合物、例えば、Ｃ３Ｈ６（ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２）、Ｃ４Ｈ６（ＣＦ２＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ２）、Ｃ４Ｈ８（ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３）、Ｃ５Ｆ８（ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ２）など、であることが好ましい。これらの化合物ガスは、エッチング時にポリマー化しやすく、厚く、強靭な反応副生成物からなる層１９を内側壁上に形成する。また、これらの化合物ガスは大気に放出されても短時間で分解するので、環境への負荷が少なく、したがって、処理コストを低減することができるという利点がある。なお、上記エッチングガスは、適宜の不活性ガス（アルゴンガス等）や酸素ガスとともに導入することができる。
【００３２】
ドライエッチング（反応性イオンエッチング）の典型的な条件として、上記ＩＣＰ型装置の場合、例えば、装置内圧を０．４Ｐａ程度、ガス流量を５〜７ｓｃｃｍ程度、ＩＣＰ電力を６００Ｗ程度、バイアス電力を２００Ｗ程度とすることができる。
【００３３】
上記のウインドウ開口工程では、層間絶縁膜１３についても開口部を形成することで、構造体１２を露出させるようにしてもよいが、本実施形態では、層間絶縁膜１３の厚みの一部を残すことにより、構造体１２が露出せず、層間絶縁膜１３の厚みの一部で覆われ、保護されるように構成している。このようにすると、最終のリリース工程に至るまでの間において、構造体１２がエッチング液や外気に曝されないため、構造体１２の損傷や汚染を防止することができる。上記のように残された絶縁膜の厚みは、後述するリリース工程が行われる前の時点で０．１〜０．５μｍ程度となるように設定することが好ましい。これは、ウインドウ開口工程におけるエッチング処理のばらつきを考慮し、確実に構造体１２が絶縁膜によって被覆された状態とするためである。
【００３４】
なお、ウインドウ開口工程の後には、反応副生成物からなる層１９をそのまま残した状態のままとし、以下のリリース工程に進む。ここで、通常の半導体プロセスと同様に、マスク１８を除去するためのレジスト剥離液で処理したり、酸素プラズマアッシング等で灰化したりすると、層１９は、完全に除去されたり、一部が剥離された状態となったり、以下のサイドエッチングの抑制効果が失われたりするので、本実施形態ではマスク１８の除去も行わない。すなわち、マスク１８を保護膜１７上に残したままで、以下のリリース工程に進む。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示すように、フッ化水素酸を含むエッチング液（ＢＨＦ）等によってウエットエッチングを行い、構造体１２の周囲に配置された層間絶縁膜１３及び構造体１２の下層に配置された絶縁層１１を除去し、構造体１２を基板１０からリリースさせる（リリース工程）。すなわち、このリリース工程では、開口部１５ｂ及び開口部１７ｂ並びに凹部１３ｂによって構成される開口領域の内部に露出した絶縁膜をエッチングして、構造体１２を基板１０の表面及び周囲から離間させ、構造体１２に本来の動作ができるように構成する。
【００３６】
上記のウエットエッチングは基本的に等方性のエッチング処理となるので、構造体１２の周囲や下層だけでなく、上記開口領域の内側壁面もサイドエッチングされる。このとき、反応副生成物からなる層１９が層間絶縁膜１３，１５及び保護膜１７の端縁１３ｅ，１５ｅ、１７ｅを内側から覆っているので、層１９によって開口領域の内側壁、特に、エッチングレートの高い層間絶縁膜１３，１５の端縁１３ｅ，１５ｅが保護されるため、サイドエッチングが抑制される。上記の層１９は、通常、上記のウエットエッチングに対してきわめて小さなエッチングレートを有するので、リリース工程において最後まで残存するが、層１９の下地面である層間絶縁膜１３，１５及び保護膜１７の端縁１３ｅ，１５ｅ，１７ｅは多少エッチングされる。ただし、上記の層１９はリリース工程の開始時に存在すればよく、リリース工程中にエッチングによって消失しても、程度の差こそあれ、サイドエッチングの抑制効果自体は得られる。
【００３７】
このリリース工程を行うことにより、構造体１２は上記開口部１５ｂ、１７ｂ及び当該工程で形成された開口部１３ｃによって形成された空間Ｓ内に配置されることとなる。この空間Ｓは、基板１０上に形成され、構造体１２を本来の動作が可能となるように構成する空間である。
【００３８】
この工程によって、空間Ｓに臨む開口領域の内側壁は、構造体１２の上層にある層間絶縁膜１３の端縁１３ｅのうちの上面側部分は構造体１２側に配置され、構造体１２と同層若しくは下層にある層間絶縁膜１３の端縁のうちの底面側部分は構造体１２から離間した側に配置され、これによって端縁１３ｅが段差状に構成されている。これは、上記の上面側部分は反応生成物からなる層１９に被覆されていたことによってサイドエッチング量が少なくなったのに対して、上記の底面側部分は層１９に被覆されていなかったため、サイドエッチング量が多かったためである。
【００３９】
この実施形態では、層間絶縁膜１３と層間絶縁膜１５の界面の近傍では、端縁１３ｅ，１５ｅは層１９によって覆われてサイドエッチングが抑制されるとともに、上記界面に沿ってエッチング液が侵入し、その奥部に配置される配線１４に到達するといった事態の発生を防止できる。すなわち、サイドエッチング自体が配線１４に到達しなくても、エッチング液による腐食などが発生すると、ＭＥＭＳ素子の信頼性が低下するなどの問題点が生じうるが、本実施形態では、そのような事態が回避される。
【００４０】
その後、図３（ｅ）に示すように、マスク１８及び反応副生成物からなる層１９を、酸素プラズマ処理やレジスト剥離液（例えば、ネガ型レジスト剥離液として、アルキルベンゼンスルホン酸などを成分とした有機酸系の薬液、アルカリ可溶樹脂を主成分としたポジ型レジスト剥離液として、エタノールアミン類を代表とした有機アミンと極性溶剤との混合物など）若しくはポリマー剥離液（例えば、フッ化アンモニウムを含む剥離液など）を用いて除去する。マスク１８と層１９は酸素プラズマアッシングや通常の市販の剥離液によって完全に除去することができる。このようにすることによって、層１９の残渣が空間Ｓ内に残存し、構造体１２の動作不良を招くといった事態の発生を回避できる。
【００４１】
なお、酸素プラズマアッシングによって灰化した後にポリマー剥離液を用いて残渣を除去することも可能である。さらには、マスク１８はレジスト剥離液等で除去し、さらに、完全を期すために、層１９をポリマー剥離液、或いは、酸素プラズマアッシングとポリマー剥離液の併用等によって除去するという具合に、２段階で処理を行っても構わない。
【００４２】
最後に、図３（ｆ）に示すように、保護膜１７の開口部１７ｂ上に封止材２０を形成することにより、上記空間Ｓを密閉する。封止材２０はアクリル樹脂やシリコーン樹脂等の合成樹脂、無機ガラス等の無機化合物等で構成される。この場合、構造体１２の動作態様が気体（空気或いは大気）の影響を受けやすいものであるときには、空間Ｓは減圧され若しくは真空とされた状態で密閉される。なお、この工程は、構造体１２の動作に支障がなければ省略することができる。
【００４３】
本実施形態のＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、ウインドウ開口工程において生成された反応副生成物からなる膜１９が開口領域の内側壁を覆うことから、リリース工程におけるサイドエッチングを抑制することができるため、絶縁膜間の界面に沿ったエッチング液の侵入を防止でき、配線１４の損傷を防止できる。
【００４４】
なお、本発明のＭＥＭＳ素子は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態ではウインドウ開口工程によって周囲を絶縁膜によって完全に取り囲まれた開口領域を設けているが、当該開口領域は、周囲全体が絶縁膜によって完全に取り囲まれていない態様で設けられていてもよい。
【００４５】
また、本実施形態では構造体１２をポリシリコンで形成したが、ＣＭＯＳトランジスタにおけるシリサイド化された他のゲート電極材料を用いるなど、他の素材で構成することができ、他の構成と同じプロセスで同時に形成することもできる。
【００４６】
また、本実施形態では半導体基板（シリコン基板）を用いているが、ガラス基板、ダイヤモンド基板、サファイア基板、セラミック基板等の他の基板を用いることも可能である。
【００４７】
さらに、本発明の実施形態において、ＭＥＭＳを構成する構造体１２を簡略化して示したが、例えば、ＭＥＭＳ共振器を構成する場合には、構造体１２と対向する電極構造を設け、構造体１２に、撓み振動、縦振動等を生じさせることができる。また、構造体１２を静電アクチュエータとなるように構成してもよい。また、構造体１２の撓み振動等の変化を検出することによるジャイロセンサ、加速度センサを構成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図（ａ）及び（ｂ）。
【図２】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図（ｃ）及び（ｄ）。
【図３】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図（ｅ）及び（ｆ）。
【図４】比較例の製造工程を示す概略工程断面図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）。
【符号の説明】
【００４９】
１０…基板、１０ｎ…下部電極、１１…絶縁層（犠牲層）、１２…構造体、１３、１５…層間絶縁膜（絶縁膜）、１４、１６…配線、１５ａ、１７ａ…開口部、１７…保護膜（絶縁膜）、１３ｃ、１５ｂ、１７ｂ…開口部、１３ｂ…凹部、１３ｅ，１５ｅ…端縁、Ｓ…空間
【図１】
2007111806.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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