(57)【要約】【課題】  リブの複数の欠陥部を簡単な手順で修正することによって、欠陥修正のタクトタイムを短縮することが可能なパターン修正方法を提供する。【解決手段】  このパターン修正方法では、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂとその両側の正常なリブトップ面３５ｃを含む範囲に修正液を積層し、正常なリブトップ面３５ｃよりも高い堆積層３６ａ，３６ｂを形成した後、堆積層３６ａ，３６ｂのうちの正常なリブトップ面３５ｃよりも高い部分をテープ研磨する。したがって、欠陥修正のタクトタイムを短縮することが可能となる。【選択図】        図８
2007066801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に格子状に形成されたリブの欠けた欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
第１の方向に形成されたリブの第１の欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして前記第１の欠陥部に噴射し、修正液を前記第１の欠陥部に積層しながら堆積させて前記第１の欠陥部を充填する第１の工程と、
前記第１の方向と直交する第２の方向に形成されたリブの第２の欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして前記第２の欠陥部に噴射し、修正液を前記第２の欠陥部に積層しながら堆積させて前記第２の欠陥部を充填する第２の工程と、
前記第１および第２の工程で生成された修正液の堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分を除去する第３の工程とを含むことを特徴とする、パターン修正方法。
【請求項２】
前記基板上に格子状に形成されたリブは、各画素を囲むように形成されており、
前記第１および第２の欠陥部は、それぞれある画素を囲む４辺のうちの隣合う２辺のリブにあり、
前記第１および第２の工程を連続して行ない、前記隣合う２辺のリブに修正液を連続して積層しながら堆積させて前記第１および第２の欠陥部を充填することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項３】
前記基板上に格子状に形成されたリブは、各画素を囲むように形成されており、
前記第１および第２の欠陥部は、それぞれある画素を囲む４辺のうちの２辺のリブにあり、
前記ある画素を囲む４辺を周回するように前記第１および第２の工程を連続して繰返し行ない、前記ある画素を囲む４辺のリブに修正液を連続して積層しながら堆積させて前記第１および第２の欠陥部を充填することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項４】
前記第１および第２の工程では、それぞれ前記第１および第２の欠陥部に修正液を積層するとき、前記第１および第２の欠陥部と、その両側の正常なリブトップ面とを含む範囲に修正液を積層し、前記第１および第２の欠陥部に充填される堆積層の高さを正常なリブトップ面よりも高くすることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項５】
前記第１および第２の工程では、それぞれ修正液を前記第１および第２の欠陥部に複数回積層するごとに積層物を焼成することを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項６】
前記第３の工程では、前記修正液の堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分をテープ研磨によって除去することを特徴とする、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正方法に関し、特に、基板上に形成されたリブの欠けた欠陥部を修正するパターン修正方法に関する。より特定的には、この発明は、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイの大型化、高精細化に伴い、背面ガラス基板上のリブに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
すなわち、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の修正方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。
【０００５】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正方法を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。この方法では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。
【０００６】
しかしながら、背面ガラス基板上のリブは、一方向に形成されたストライプ型の他、格子状（井桁状）に形成されたワッフル型などがある。特に、ワッフル型のリブは形状が複雑であるため、ストライプ型のリブよりも欠陥部の修正手順が複雑になるという問題があった。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、リブの複数の欠陥部を簡単な手順で修正することによって、欠陥修正のタクトタイムを短縮することが可能なパターン修正方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に格子状に形成されたリブの欠けた欠陥部を修正するパターン修正方法であって、第１の方向に形成されたリブの第１の欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして第１の欠陥部に噴射し、修正液を第１の欠陥部に積層しながら堆積させて第１の欠陥部を充填する第１の工程と、第１の方向と直交する第２の方向に形成されたリブの第２の欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして第２の欠陥部に噴射し、修正液を第２の欠陥部に積層しながら堆積させて第２の欠陥部を充填する第２の工程と、第１および第２の工程で生成された修正液の堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分を除去する第３の工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、基板上に格子状に形成されたリブは、各画素を囲むように形成されており、第１および第２の欠陥部は、それぞれある画素を囲む４辺のうちの隣合う２辺のリブにあり、第１および第２の工程を連続して行ない、隣合う２辺のリブに修正液を連続して積層しながら堆積させて第１および第２の欠陥部を充填する。
【００１０】
また好ましくは、基板上に格子状に形成されたリブは、各画素を囲むように形成されており、第１および第２の欠陥部は、それぞれある画素を囲む４辺のうちの２辺のリブにあり、ある画素を囲む４辺を周回するように第１および第２の工程を連続して繰返し行ない、ある画素を囲む４辺のリブに修正液を連続して積層しながら堆積させて第１および第２の欠陥部を充填する。
【００１１】
また好ましくは、第１および第２の工程では、それぞれ第１および第２の欠陥部に修正液を積層するとき、第１および第２の欠陥部と、その両側の正常なリブトップ面とを含む範囲に修正液を積層し、第１および第２の欠陥部に充填される堆積層の高さを正常なリブトップ面よりも高くする。
【００１２】
また好ましくは、第１および第２の工程では、それぞれ修正液を第１および第２の欠陥部に複数回積層するごとに積層物を焼成する。
【００１３】
また好ましくは、第３の工程では、修正液の堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分をテープ研磨によって除去する。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係るパターン修正方法では、複数の欠陥部をまとめて簡単な手順で修正することによって、欠陥修正のタクトタイムを短縮することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１６】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１７】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。欠陥部１３ａがあるリブ１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１８】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００１９】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥（リブ欠損）を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料である低融点ガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２０】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２１】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２２】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２３】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２４】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２５】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２６】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２７】
図４は、ワッフル型のリブ３５の欠陥部３５ａ，３５ｂを示す図である。図４において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に各画素を囲むように形成されたリブ３５の一部が欠落し、４つの画素領域にまたがったリブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂが存在している。欠陥部３５ａはリブ３５のＸ方向の欠陥部であり、欠陥部３５ｂはリブ３５のＹ方向の欠陥部である。ワッフル型のリブ３５は形状が複雑であり、欠陥部が複数の画素領域にまたがっていたり、１つの画素の各辺に欠陥部があったりする場合がある。ワッフル型のリブ３５の１つの画素は、約４００μｍ×２００μｍの大きさで、約１５０μｍの高さのものが一般的である。
【００２８】
図５（ａ）〜（ｄ）は、この実施の形態１によるパターン修正方法の堆積層形成工程を示す図である。まず、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されたリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａの位置を検出する。次に、図５（ａ）において、リブ欠け欠陥部３５ａの幅以上に欠陥部３５ａと微粒子堆積装置５のヘッド部１８とを相対移動させることができるように、欠陥部３５ａよりもかなり手前からＸＹステージ１０を移動させ、背面ガラス基板３４を動かし始める。このとき、シャッタ３１は塗布ノズル３０の直下に位置し、塗布ノズル３０から噴出する霧状の修正液２０を受け止める状態（シャッタ閉状態）にあり、背面ガラス基板３４には描画されない。また、基板加熱部６は、塗布ノズル３０が描画するエリアよりも広い範囲を加熱している。基板加熱部６の温度は修正液２０の溶媒が蒸発して乾燥する程度の温度でよく、基板表面の温度が１５０℃から２００℃程度になるように調整される。
【００２９】
次いで図５（ｂ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａの少し手前でシャッタ３１を開いて、リブ欠け欠陥部３５ａの手前の正常なリブトップ面に修正液２０の霧粒子を収束させて描画を開始する。この状態で背面ガラス基板３４の移動を継続し、リブ欠け欠陥部３５ａ全体に修正液２０の霧粒子を噴射する。
【００３０】
次に図５（ｃ）に示すように、リブ欠け欠陥部３５ａ全体の描画を終え、正常なリブトップ面に少し描画した位置でシャッタ３１を閉じる。シャッタ３１を閉じた後も背面ガラス基板３４は移動を続け、図５（ｄ）に示すように、描画を停止した点よりも離れた位置でＸＹステージ１０を停止し、背面ガラス基板３４の移動を停止する。図５（ａ）〜（ｄ）の動作により、リブ欠け欠陥部３５ａの幅よりも少し長めに、また、リブ欠け欠陥部３５ａの前後の正常なリブトップ面にも描画された堆積層３６＿１が形成される。
【００３１】
その後、図５（ｄ）の位置から図５（ａ）戻るようにして同様の描画を行なうことで、１回目に描画したした上に積層して、１往復の積層が完了する。この動作を複数回実施して、リブ欠け欠陥部３５ａに積層された堆積層３６ａがリブトップ面３５ｃよりも高くなった時点で積層を終了すれば、堆積層３６ａは図６および図７に示すような形状となる。図７は、図６の斜視図であり、積層された堆積層３６ａはリブ幅から崩れることなく上方に積層される。
【００３２】
続いて、同様にしてリブ欠け欠陥部３５ｂに堆積層３６ｂを積層する。積層された堆積層３６ｂがリブトップ面３５ｃよりも高くなった時点で積層を終了すれば、堆積層３６ｂは図８に示すような形状となる。積層された堆積層３６ｂはリブ幅から崩れることなく上方に積層される。このように堆積層３６ａ，３６ｂを形成した後、堆積層形成工程を終了する。
【００３３】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部３５ａ，３５ｂに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部３５ａ，３５ｂに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層３６ａ，３６ｂを欠陥部３５ａ，３５ｂに描画する。塗布針を用いていた従来は、このような大きな欠陥部３５ａ，３５ｂにリブ幅から崩れることなく堆積層３６ａ，３６ｂを積層することは困難であった。しかし、このパターン修正装置では、大きな欠陥部３５ａ，３５ｂにリブ幅から崩れることなく堆積層３６ａ，３６ｂを積層することが容易にでき、塗布針を用いていた従来に比べて修正時間の短縮化を図ることができる。さらに、２つの欠陥部３５ａ，３５ｂをまとめて簡単な手順で修正することによって、欠陥修正のタクトタイムの短縮化が図れる。
【００３４】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板３４を移動させて堆積層を描画したが、基板３４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３５】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板３４を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３６】
積層終了後、欠陥部３５ａ，３５ｂに積層した堆積層３６ａ，３６ｂを部分焼成、あるいは、背面ガラス基板３４全体を炉に入れて焼成する。その後、図９（ａ）（ｂ）に示すように、正常なリブトップ面３５ｃに等しい高さになるまでテープ研磨ユニット４０で余分なはみ出し部を研磨することで修正が完了する。
【００３７】
すなわち、テープ研磨ユニット４０は、図１０で示されるパターン修正装置５０に搭載されている。パターン修正装置５０は、図１のパターン修正装置１にテープ研磨ユニット４０、副Ｚステージ４６およびレーザ変位計４７を追加したものである。テープ研磨ユニット４０は副Ｚステージ４６に搭載され、副Ｚステージ４６はＺステージ１２の下端部に搭載され、レーザ変位計４７はテープ研磨ユニット４０に隣接してＺステージ１２に搭載される。副Ｚステージ４６は、テープ研磨ユニット４０をＺ方向（垂直方向）に移動させる。レーザ変位計４７は、対象物（たとえばリブトップ面）にレーザ光を出射するレーザ装置と、対象物で反射したレーザ光を検出する光センサと、光センサに基づいて、対象物までの距離を示す信号を出力する信号発生部とを含んでいる。
【００３８】
図９（ａ）（ｂ）に戻って、テープ研磨ユニット４０は、研磨テープ４１を供給する供給リール４２と、使用済みの研磨テープ４１を巻き取る巻き取りリール４３と、研磨テープ４１を研磨対象物に押圧する研磨ヘッドピン４４と、研磨ヘッドピン４４を保持する研磨ヘッド４５とを含み、副Ｚステージ４６に搭載される。研磨ヘッド４５は、研磨ヘッドピン４４を上下に進退可能なように支持し、弾性部材（図示せず）を介して研磨ヘッドピン４４に予圧を与える。研磨ヘッドピン４４の上下方向の位置は、図示しないセンサによって検出される。
【００３９】
図９（ａ）に示すように、副Ｚステージ４６によってテープ研磨ユニット４０を少しずつ下降させながら、ＸＹステージ１０によって背面ガラス基板３４をリブ３５の延在方向に往復移動させ、研磨テープ４１を一定速度で巻き取りながら堆積層３６ａ，３６ｂを研磨し、図９（ｂ）に示すように、リブトップ面３５ｃまで研磨した時点で研磨加工を終了する。リブトップ面３５ｃまで研磨加工ができたか否かの判断は、研磨途中でレーザ変位計４７を用いて測定して判断してもよいし、研磨加工を始める前に予め、リブトップ面３５ｃと堆積層３６ａ，３６ｂのトップ面との差をレーザ変位計４７で求めた後で研磨を始め、研磨ヘッドピン４４の位置を図示しないセンサで検出し、その検出結果に基づいて研磨終了を判断することも可能である。
【００４０】
図１１に示すように、リブトップ面３５ｃまで堆積層３６ａ，３６ｂを研磨した時点で研磨加工を終了する。ただし、一回の研磨工程で堆積層３６ａ，３６ｂの両方を研磨することができない場合は、一回目の研磨工程で堆積層３６ａを研磨し、続いて２回目の研磨工程で堆積層３６ｂを研磨する。
【００４１】
以上のように、この実施の形態１では、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂとその両側の正常なリブトップ面３５ｃを含む範囲に修正液２０を積層して堆積層３６ａ，３６ｂを形成する。したがって、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂの幅以上に霧状の修正液２０を描画するので、微小なリブ欠け欠陥３５ａ，３５ｂを修正する場合でもシャッタの高速性が要求されることはなく、また、描画する範囲もおおまかに設定すれば良いのでシャッタ３１の開閉制御が易しくなる。また、テープ研磨を併用することで、突起や凹みのないきれいな修正面を得ることができる。また、複数の画素領域にまたがる複数の欠陥部をまとめて簡単な手順で修正することによって、欠陥修正のタクトタイムの短縮化が図れる。
【００４２】
なお、研磨ヘッドピン４４の断面積よりも研磨範囲が小さい場合には、背面ガラス基板３４を往復移動させる必要はない。また、ＸＹステージ１０によって背面ガラス基板３４を移動させる代わりに、副Ｚステージ４６を図示しない副ＸＹステージに搭載し、その副ＸＹステージによってテープ研磨ユニット４０を往復移動させてもよい。
【００４３】
また上記実施の形態１では、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂに堆積層３６ａ，３６ｂを形成して焼成した後にテープ研磨したが、堆積層３６ａ，３６ｂをテープ研磨した後に焼成してもよい。この場合は、焼成前の堆積層３６ａ，３６ｂは柔らかいので、テープ研磨の時間も短時間で済み、焼成後のテープ研磨を省略することも可能となる。
【００４４】
また、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂの未焼成の堆積層３６ａ，３６ｂをリブトップ面３５ｃに合わせる手段はテープ研磨に限るものではなく、たとえば、正常なリブトップ面３５ｃ上で幅広板を滑らせて、リブトップ面３５ｃからはみ出した堆積層３６ａ，３６ｂを除去してもよい。
【００４５】
また、テープ研磨などによって堆積層３６ａ，３６ｂを削った削りカスは、図示しない吸引器によって吸引するが、焼成前の堆積層３６ａ，３６ｂは柔らかいので、あまり強く吸引しない方がよい。
【００４６】
また、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂに積層した堆積層３６ａ，３６ｂを焼成前にテープ研磨し、その後で焼成する場合、堆積層３６ａ，３６ｂが焼成により熱収縮を起こして堆積層３６ａ，３６ｂの表面が凹状になる場合がある。図１２（ａ）（ｂ）は、堆積層３６ａが焼成により熱収縮を起こして堆積層３６ａの表面が凹状になる様子を示す図である。堆積層３６ａ，３６ｂの熱収縮を抑えるため、修正液２０にアルミナなどの粉末を添加することが一般的に行なわれるが、添加量には限度があり、完全に熱収縮を抑えることは難しい。
【００４７】
そこで、堆積層３６ａ，３６ｂの焼成前にテープ研磨を行なう場合、図１３に示すように、堆積層３６ａ，３６ｂがリブトップ面３５ｃよりも所定の寸法Ｈだけ高くなるようにテープ研磨を行なう。この寸法Ｈは、堆積層３６ａ，３６ｂの熱収縮が予想される寸法よりも若干大きな寸法に設定される。図１４（ａ）は、堆積層３６ａがリブトップ面３５ｃよりも所定の寸法Ｈだけ高くなるようにテープ研磨を行なった様子を示す図である。この場合、堆積層３６ａを焼成して熱収縮が発生しても、収縮後の堆積層３６ａはリブトップ面３５ｃよりも若干高く残っており（図１４（ｂ）参照）、その後、テープ研磨を行なえば凹みのないリブ修正を行なうことが可能となる（図１４（ｃ）参照）。このように堆積層３６ａ，３６ｂが柔らかい焼成前にテープ研磨しておくことにより、焼成後のテープ研磨の時間を短縮することができる。
【００４８】
なお、堆積層３６ａ，３６ｂを焼成した際、堆積層３６ａ，３６ｂと正常なリブ３５との境界にクラックが発生することを防止するため、堆積層３６ａ，３６ｂの熱膨張係数と正常なリブ３５の熱膨張係数とがほぼ同じになるような修正液２０を使用することが望ましい。
【００４９】
また、リブ欠け欠陥部３５ａ，３５ｂの長さが数ｍｍと長い場合、堆積層３６ａ，３６ｂを基板加熱部６により焼成すると、堆積層３６ａ，３６ｂは低融点ガラスの軟化点を越えて溶融し、堆積層３６ａ，３６ｂの形状を保てなくなって崩れる場合がある。このような場合には、図１５（ａ）〜（ｄ）に示すように、数回積層するごとに基板加熱部６の出射光αで焼成を行なうことで堆積層３６を崩すことなく修正することが可能となる。
【００５０】
すなわち図１５（ａ）〜（ｄ）の例では、リブ欠け欠陥部３５ａとその両側の正常なリブトップ面３５ｃを含む範囲に修正材料をたとえば１０回積層（３６＿１〜３６＿１０）するごとに基板加熱部６により焼成を行なっている。１０回程度の積層であれば堆積層３６ａの厚さは１０μｍ前後であり、焼成により溶融しても流れて形状が崩れることはない。この例では基板加熱部６のスポット径は修正範囲よりも大きいため、一括して焼成できているが、１回の照射で全体を焼成できない場合は、基板加熱部６の出射光αを堆積層３６ａに照射させながら、ＸＹステージ１０によって基板３４を移動させるか基板加熱部６を単独で移動させて焼成してもよい。１０回積層しては焼成を繰り返すことで、最終的には堆積層３６ａはリブトップ面３５ｃよりも高く積層される。次に、同様にしてリブ欠け欠陥部３５ｂに堆積層３６ａを積層する。その後、テープ研磨を行なって堆積層３６ａ，３６ｂをリブトップ面３５ｃと同じ高さにすれば、修正が完了する。ここでは、１回の積層回数を１０回としたが、積層回数は条件により異なり、それに合う回数が選定される。
【００５１】
［実施の形態２］
図１６（ａ）〜（ｃ）は、この実施の形態２によるパターン修正方法を示す図である。図１６（ａ）において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に各画素を囲むように形成されたリブ３５の一部が欠落し、１つの画素を囲む４辺のうちの隣合う２辺のリブに２つのリブ欠け欠陥部３５ｄ，３５ｅが存在している。欠陥部３５ｄはリブ３５のＸ方向の欠陥部であり、欠陥部３５ｅはリブ３５のＹ方向の欠陥部である。
【００５２】
この場合、図１６（ｂ）に示すように、欠陥部３５ｄと欠陥部３５ｅをつなぐＬ字状の軌跡で堆積層３６を積層する。このとき、Ｌ字状の軌跡の角を丸くして途中で止まることなくＬ字状の軌跡を描き、この往復動作を連続的に複数回実施して、リブ欠け欠陥部３５ｄ，３５ｅに積層された堆積層３６がリブトップ面３５ｃよりも高くなった時点で積層を終了する。
【００５３】
なお、ＸＹステージ１０により基板３４を移動させて堆積層３６を描画してもよいし、基板３４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層３６を描画してもよい。
【００５４】
積層終了後、欠陥部３５ａ，３５ｂに積層した堆積層３６を部分焼成、あるいは、背面ガラス基板３４全体を炉に入れて焼成する。その後、図１６（ｃ）に示すように、正常なリブトップ面３５ｃに等しい高さになるまでテープ研磨ユニット４０で余分なはみ出し部を研磨することで修正が完了する。
【００５５】
以上のように、この実施の形態２では、１つの画素領域内の複数の欠陥部をまとめて簡単な手順で修正するため、各欠陥部を個別に修正する場合に比べて、欠陥修正のタクトタイムの短縮化が図れる。
【００５６】
また、堆積層３６の焼成前にテープ研磨を行なう場合、図１７に示すように、堆積層３６がリブトップ面３５ｃよりも所定の寸法Ｈだけ高くなるようにテープ研磨を行なってもよい。この場合、堆積層３６を焼成して熱収縮が発生しても、収縮後の堆積層３６はリブトップ面３５ｃよりも若干高く残っており、その後、テープ研磨を行なえば凹みのないリブ修正を行なうことが可能となる。このように堆積層３６が柔らかい焼成前にテープ研磨しておくことにより、焼成後のテープ研磨の時間を短縮することができる。
【００５７】
なお、図１６（ｂ）に示したようにＬ字状の軌跡で堆積層３６を積層する代わりに、図１８に示すように、１つの画素を囲む４辺を周回する四角形状の軌跡で堆積層３６を積層してもよい。このとき、四角形状の軌跡の角を丸くして途中で止まることなく四角形状の軌跡を描き、時計回り方向（または反時計回り方向）の軌跡動作を連続的に何周か繰り返して、リブ欠け欠陥部３５ｄ，３５ｅに積層された堆積層３６がリブトップ面３５ｃよりも高くなった時点で積層を終了する。
【００５８】
また、この実施の形態２において、図１５（ａ）〜（ｄ）に示したように複数回積層するごとに基板加熱部６の出射光αで焼成を行なうようにしてもよい。
【００５９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】ワッフル型のリブ３５の欠陥部３５ａ，３５ｂを示す図である。
【図５】この実施の形態１によるパターン修正方法の堆積層形成工程を示す図である。
【図６】図５で示した堆積層形成工程で形成された堆積層３６ａを示す正面図である。
【図７】図６で示した堆積層３６ａを示す斜視図である。
【図８】堆積層形成工程終了時における堆積層３６ａ，３６ｂを示す斜視図である。
【図９】堆積層形成工程の次のテープ研磨工程を示す図である。
【図１０】図９で示したテープ研磨ユニットが搭載されたパターン修正装置を示す図である。
【図１１】テープ研磨工程終了時における堆積層３６ａ，３６ｂを示す斜視図である。
【図１２】焼成前に堆積層をテープ研磨した場合の問題点を説明するための図である。
【図１３】この実施の形態１の変更例を示す第１の図である。
【図１４】この実施の形態１の変更例を示す第２の図である。
【図１５】この実施の形態１の他の変更例を示す図である。
【図１６】この実施の形態２によるパターン修正方法を示す図である。
【図１７】この実施の形態２の変更例を示す図である。
【図１８】この実施の形態２の他の変更例を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１，５０  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、１４，３４  背面ガラス基板、１３，３５  リブ、１３ａ，３５ａ，３５ｂ，３５ｄ，３５ｅ  リブ欠け欠陥部、３５ｃ  リブトップ面、３６，３６＿１〜３６＿ｎ，３６ａ，３６ｂ  堆積層、４０  テープ研磨ユニット、４１  研磨テープ、４２  供給リール、４３  巻き取りリール、４４  研磨ヘッドピン、４５  研磨ヘッド、４６  副Ｚステージ、４７  レーザ変位計。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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