(57)【要約】【課題】光ディスクの記録戦略データ補正方法及びこれを適用する光ディスク駆動装置。【解決手段】初期値の設定段階、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階、及びオフセットの補正値を保存する段階を含む。初期値の設定段階は、光記録装置が適用しようとするデータ記録速度、記録戦略データの種類別の数、記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数、及び該最大数の範囲内でタイムパラメータの値を変更させるステップの間隔を設定し、ＥＦＭパターンを発生させる。前記測定して保存する段階は、タイムパラメータの値をステップほど変化させる度に記録イネーブル信号を生成させ、該信号の幅を測定して保存する。補正値を保存する段階は、保存された記録イネーブル信号の幅とイネーブル信号の理想値または設定値との差に対応するオフセット値を補正するオフセット補正値を算出し、オフセットの補正値を保存する。【選択図】図３
2007073175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録装置が適用しようとするデータ記録速度、記録戦略データの種類別の数、前記記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数、及び前記タイムパラメータの最大数の範囲内で前記タイムパラメータの値を変更させるステップの間隔を設定し、ＥＦＭパターンを発生させる初期値の設定段階と、
前記タイムパラメータの値を前記ステップほど変化させる度に、記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階と、
保存された前記記録イネーブル信号の幅と、イネーブル信号の理想値または設定値との差に対応するオフセット値を補正するオフセット補正値を算出し、前記オフセットの補正値を保存する段階とを含み、
前記記録戦略データは、前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との差に関する情報を有し、
前記タイムパラメータは、前記記録戦略データに含まれた情報を変更させるデータであることを特徴とする光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項２】
前記記録戦略データは、
前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との時間差に関する情報であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項３】
前記初期値の設定段階は、
前記データ記録速度を設定する段階と、
ＥＦＭパターンを発生させる段階と、
前記記録戦略データの種類別の数Ｍ(Ｍは整数)を設定する段階と、
前記タイムパラメータの値を変更させるステップの最大数Ｎ(Ｎは整数)を設定する段階と、
前記Ｍ個の記録戦略データのそれぞれに適用される前記タイムパラメータの値を変更させるＭ個のステップの間隔Ｓ１〜ＳＭを設定する段階と、を含み、
レーザーダイオード駆動ＩＣに所定の電流を供給するＤＡＣの出力をオフさせる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項４】
前記ＥＦＭパターンは、
ＣＤの場合は、３Ｔ〜１１Ｔの間でイネーブルされ、ＤＶＤの場合は、３Ｔ〜１１Ｔの間、または１４Ｔでイネーブルされ、
ここで、Ｔは、システムクロックの１周期の時間であることを特徴とする請求項３に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項５】
前記ステップの間隔は、
第１記録戦略データに割当てられたステップの間隔をＳ１としたとき、Ｍ番目の記録戦略データに割当てられたステップの間隔はＳＭとなり、
Ｓ１〜ＳＭの値は、互いに等しいかまたは異なりうることを特徴とする請求項３に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項６】
前記記録イネーブル信号の幅を測定及び保存する段階は、
第１変数Ｉの値を１に設定する段階と、
第２変数Ｊの値を１に設定する段階と、
Ｉ番目のタイムパラメータのＪ番目のステップであるＭＴＤ(Ｉ，Ｊ）の値を０に設定する段階と、
前記ＥＦＭパターン及び前記ＭＴＤ(Ｉ，Ｊ)値を利用して記録イネーブル信号を生成する段階と、
前記生成された記録イネーブル信号の幅を測定する段階と、
前記測定された記録イネーブル信号の幅を保存する段階と、
第２変数Ｊの値をＪ＋１に設定する段階と、
前記第２変数Ｊの値が前記タイムパラメータの最大値Ｎより大きいかどうかを判断する第１判断段階と、
前記第１判断段階の判断結果、前記第２変数Ｊの値が前記Ｎより小さな場合には、タイムパラメータのステップＭＴＤ(Ｉ，Ｊ）の値をＭＴＤ(Ｉ，Ｊ＋１)＋Ｓ(Ｉ）に設定した後、前記記録イネーブル信号を生成する段階に進む段階と、
前記第２変数Ｊの値が前記Ｎより大きな場合には、前記第１変数Ｉの値をＩ＋１に設定する段階と、
前記Ｉの値が前記記録戦略データの数Ｍより大きいかどうかを判断して、大きな場合には、前記オフセットの補正値を保存する段階に進み、小さな場合には、前記第２変数Ｊの値を１に設定する段階に進む段階と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項７】
前記オフセットの補正値を保存する段階は、
保存された記録イネーブル信号の幅に補間法を適用する段階と、
前記補間法が適用された記録イネーブル信号の幅と記録イネーブル信号の理想的な幅との差であるオフセット値を算出する段階と、
前記オフセット値を利用して、前記オフセット値を補正できるオフセット補正値を算出し、前記オフセット補正値を保存する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の光ディスクの記録戦略データ補正方法。
【請求項８】
ＥＦＭパターンを出力するエンコーダと、
記録戦略データと記録イネーブル信号の理想値または設定値とを保存したメモリ装置と、
受信した複数個の制御データと前記メモリ装置から受信した記録戦略データとを利用して、前記ＥＦＭ信号に対応する記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅と前記メモリ装置から受信した記録イネーブル信号の理想値または設定値とを利用して、オフセット値を算出し、これを補償した記録戦略データを前記メモリ装置に保存させ、少なくとも２個の記録イネーブル信号を生成させる記録戦略ブロックと、を備え、
前記記録戦略データは、前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との差に関する情報を有し、
前記記録イネーブル信号は、前記ＥＦＭパターン及び前記記録戦略データを利用して生成させたことを特徴とする光ディスク駆動装置。
【請求項９】
前記オフセット値は、
生成された前記記録イネーブル信号の幅と前記メモリ装置から受信した記録イネーブル信号の理想的な幅との差値であることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク駆動装置。
【請求項１０】
前記複数個の制御データは、
前記光ディスク駆動装置が使われる光記録装置において適用しようとするデータ記録速度に関するデータと、
前記記録戦略データの種類別の数に関するデータと、
前記記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数に関するデータと、
前記タイムパラメータの最大数の範囲内で前記タイムパラメータの値を変更させるステップの間隔に関するデータと、を含み、
前記タイムパラメータは、前記記録戦略データに含まれた情報を変更させるデータであることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク駆動装置。
【請求項１１】
前記記録戦略ブロックは、
前記複数個の制御データ及び前記記録戦略データを利用して、前記ＥＦＭ信号に対応する記録イネーブル信号を生成させ、補間器から受信した補間された記録イネーブル信号の幅と、前記記録イネーブル信号の理想的な幅とに関する情報を利用してオフセット値を算出し、前記オフセット値を補償した補正された記録戦略データを前記メモリ装置に保存させるプロセッサと、
前記プロセッサから受信した前記記録イネーブル信号に補間法を適用して、前記補間された記録イネーブル信号を出力する補間器とを備えることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク駆動装置。
【請求項１２】
前記エンコーダに前記光ディスク駆動装置が光ディスクに記録するデータと、前記複数個の制御データとを出力するホストをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクにデータを記録することに係り、特に、それぞれの光ディスク駆動装置が有する固有の電気的特性を反映して、記録戦略データを補正する方法及び前記記録戦略データを補正する方法を実行する光ディスク駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクにデータを記録するためには、光ディスクがどの会社で製造されたかをまず知らなければならない。光ディスクにデータを記録する最適の条件は、製造メーカーによって異なるが、このような点を勘案して光ディスク製造メーカーは、光ディスクトラックの一部に前記最適の条件を記録しておいたためである。光ディスクにデータを記録する最適の条件を記述するデータを記録戦略データ(Ｗｒｉｔｅ  Ｓｔｒａｔｅｇｙ  Ｄａｔａ)という。したがって、光ディスクにデータを記録しようという光記録装置は、各ディスクに対応する最適の記録戦略データを全て保存しており、該当最適の記録戦略データを利用して光ディスクにデータを記録する。
ここで、光ディスクは、ＣＤ(Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ)及びＤＶＤ(Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ)のいずれも指す。
【０００３】
図１は、光記録装置の一部を構成する光ディスク駆動装置の概略図である。
図１を参照すれば、前記光ディスク駆動装置１００は、エンコーダ１３０、記録戦略ブロック１４０、メモリ１５０、レーザーダイオード駆動ＩＣ１６０、及びＡＦＥ(Ａｎａｌｏｇ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ)１７０を備える。説明のために、光ディスク１１０及びホスト１２０も図面に追加された。
【０００４】
エンコーダ１３０は、個人用コンピュータのようなホスト１２０から光ディスク１１０に記録するデータＤＡＴＡを受信し、受信した前記データにＥＦＭ(Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ)を適用して得られた変調されたデータＥＦＭを出力する。記録戦略ブロック１４０は、前記変調されたデータＥＦＭと、メモリ１５０に保存された該当光ディスクに関する記録戦略データＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３とを利用して、２個の記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２を出力する。ここで、記録戦略データＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３は、２個の記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２を生成するのに使われるタイムパラメータであり、図面には３個のデータのみ表示されたが、さらに多くのデータを使用して２つ以上の記録イネーブル信号を生成して使用することも可能である。前記タイムパラメータは、２個のイネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２がいつ論理ハイまたは論理ロー状態に遷移するかに関する情報を意味し、前記変調されたデータＥＦＭと前記２個のイネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２との関係を表す時間情報である。これについては、図２を参照すればよい。レーザーダイオード駆動ＩＣ(Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ)１６０は、ＡＦＥ１７０から提供される２個の電流源ＤＡＣ１、ＤＡＣ２と２個の記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２とを利用して、レーザーダイオード(図示せず)を制御する。
【０００５】
図２は、図１に示された記録戦略ブロック、レーザーダイオード駆動ＩＣ、及びレーザーダイオード間の関係を示す。
記録戦略ブロック１４０は、４Ｔの時間有効データが存在するという情報を持つＥＦＭ信号ＥＦＭと、メモリ１５０から受信した記録戦略データＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３とを利用して、２個の記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２を生成する。ここで、Ｔはシステムクロックの一周期に該当する時間を意味し、説明の便宜上、４Ｔを任意に選択した。
【０００６】
第１記録イネーブル信号ＷＥ１は、２個の記録戦略データＴＤ１、ＴＤ２を利用して生成される。ここで、第１記録戦略データＴＤ１は、ＥＦＭ信号が有効データの開始を指示する瞬間、すなわちＥＦＭ信号が論理ロー状態から論理ハイ状態に遷移する瞬間から経過した一定の時間を意味する。第２記録戦略データＴＤ２は、ＥＦＭ信号の有効データが消滅される最後の時間区間である４Ｔ番目の時間区間が始まる時間から、第１記録イネーブル信号ＷＥ１が論理ハイ状態から論理ロー状態に遷移する瞬間までの時間情報を有する。すなわち、第１記録イネーブル信号ＷＥ１は、ＥＦＭ信号がイネーブルされる時間からＴＤ１時間以後に論理ロー状態から論理ハイ状態に遷移し、ＥＦＭ信号の４Ｔ番目の時間区間が始まる時間からＴＤ２の時間が経過した後に論理ハイ状態から論理ロー状態に遷移する。
【０００７】
第２記録イネーブル信号ＷＥ２は、第１記録イネーブル信号ＷＥ１がイネーブルされる時間区間でイネーブルされ、ここでは第１記録イネーブル信号ＷＥ１が論理ハイ状態が維持される区間を意味する。第３記録戦略データＴＤ３は、第２記録イネーブル信号ＷＥ２がイネーブルされる時間幅を意味する。図２では、第２記録イネーブル信号ＷＥ２が第１記録イネーブル信号ＷＥ１の前に位置したものと示されているが、他の記録戦略データ(図示せず)を利用してその位置を変更させうるというのは言うまでもない。
【０００８】
レーザー駆動ＩＣ１６０は、第１スイッチＳＷ１、第１抵抗Ｒ１、第２スイッチＳＷ２、及び第２抵抗Ｒ２を備える。
【０００９】
第１スイッチＳＷ１は、第１記録イネーブル信号ＷＥ１に応答して、第１電流源ＤＡＣ１から供給される電流を第１抵抗Ｒ１の一端子に供給する。第１抵抗Ｒ１は、第１電流源ＤＡＣ１から供給された電流の大きさを減衰させて、他の一端子に連結されたレーザーダイオード２１０に供給する。第２スイッチＳＷ２は、第２記録イネーブル信号ＷＥ２に応答して、第２電流源ＤＡＣ２から供給される電流を第２抵抗Ｒ２の一端子に供給する。第２抵抗Ｒ２は、第２電流源ＤＡＣ２から供給された電流の大きさを減衰させて、他の一端子に連結されたレーザーダイオード２１０に供給する。第１抵抗Ｒ１及び第２抵抗Ｒ２は、除外されてもよい。
【００１０】
第１記録イネーブル信号ＷＥ１と第２記録イネーブル信号ＷＥ２とが同時にイネーブルされる区間では、レーザーダイオード２１０を正常より過度に駆動するようになる。この場合、光ディスクに生成されるピットの長さ及び幅に変化が生じてジッター(Ｊｉｔｔｅｒ)が発生する。
【００１１】
前述したように、製造メーカーが異なるあらゆる光ディスクに対する記録戦略データを保存し、これを適切に選択して使用しても、適正なピット(Ｐｉｔ)を生成させるときに発生しうる問題が全て解決されるものではない。
【００１２】
図１に示された複数個の機能ブロック１３０、１４０、１５０、１６０、１７０は、単一チップまたはＳＯＣ(Ｓｙｓｔｅｍ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）の形態に製造された半導体装置の一部分となる。前記複数個の機能ブロックを具現した半導体装置は、同じ条件下で生産されても、それぞれの電気的特性に差が発生し、ひいては、同じウェーハから生産されたチップであっても、該当チップが位置した所に電気的特性の差が存在する。したがって、一定の電気的特性の範囲内に含まれたチップは、正常であると判断して生産するしかない。
【００１３】
前記の理由により、前記のような半導体装置を利用して生産した光ディスク駆動装置には、一定の範囲内でその電気的特性差が発生する。したがって、各光ディスク駆動装置に含まれた固有の電気的特性差によって、同じ記録戦略データを同じ製造メーカーの光ディスクに使用しても、記録されたピットに差が発生しうる。これは、光ディスク駆動装置の固有の電気的特性の差を考慮せず、光ディスクの区別だけをそのまま反映した結果である。
【００１４】
要約すれば、従来の技術を利用した光記録装置の場合、各光ディスク製造メーカーに対応する記録戦略データ及びＥＦＭパターンを利用して記録イネーブル信号を生成させる時、光記録装置によって、生成される前記記録イネーブル信号は変化する。前述したように、光記録装置によって異なって生成される記録イネーブル信号に起因して、同じ製造メーカーで生産された光ディスク駆動装置を備える複数個の光記録装置を利用して、同じ製造メーカーで生産された複数個の光ディスクに同じデータを記録する時にもデータの記録に偏差が発生する。ここで、光記録装置は、光ディスクにデータを記録する全体装置を意味し、光ディスク駆動装置は、前記光記録装置に備えられて光ディスクにデータを記録するのに使われる最小限の装置を意味する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明が達成しようとする技術的課題は、光ディスク駆動装置の固有の電気的特性を記録戦略データに反映する光ディスクの記録戦略データ補正方法を提供するところにある。
【００１６】
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、光ディスク駆動装置の固有の電気的特性を記録戦略データに反映する光ディスク駆動装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記技術的課題を達成するための本発明による光ディスクの記録戦略データ補正方法は、初期値の設定段階、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階、及びオフセットの補正値を保存する段階を含む。
【００１８】
前記初期値の設定段階は、光記録装置が適用しようとするデータ記録速度、記録戦略データの種類別の数、前記記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数、及び前記タイムパラメータの最大数の範囲内で前記タイムパラメータの値を変更させるステップの間隔を設定し、ＥＦＭパターンを発生させる。前記生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階は、前記タイムパラメータの値を前記ステップほど変化させる度に記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する。前記オフセットの補正値を保存する段階は、保存された前記記録イネーブル信号の幅とイネーブル信号の理想値または設定値との差に対応するオフセット値を補正するオフセット補正値を算出し、前記オフセットの補正値を保存する。
【００１９】
前記他の技術的課題を達成するための本発明による光ディスク駆動装置は、エンコーダ、メモリ装置、及び記録戦略ブロックを備える。
前記エンコーダは、ＥＦＭパターンを出力する。前記メモリ装置は、記録戦略データと記録イネーブル信号の理想値または設定値に関する情報とを保存する。前記記録戦略ブロックは、受信した複数個の制御データと前記メモリ装置から受信した記録戦略データとを利用して、前記ＥＦＭ信号に対応する記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅と前記メモリ装置から受信した記録イネーブル信号の理想的な幅とに関する情報を利用して、オフセット値を算出し、これを補償した記録戦略データを前記メモリ装置に保存させ、少なくとも２個の記録イネーブル信号を生成させる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による光ディスクの記録戦略データ補正方法及び前記補正方法を適用する光ディスク駆動装置は、光ディスク駆動装置の固有の電気的特性を記録戦略データに反映することで、任意の製造メーカーで生産された光ディスク駆動装置を備える複数個の光記録装置を利用して、他の任意の製造メーカーで生産された複数個の光ディスクに同じデータを記録する際、ほぼ同じ条件下でデータが記録されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明とその動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照しなければならない
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は、同じ部材を示す。
【００２２】
図３は、本発明の一実施形態による光ディスクの記録戦略データ補正方法を示すフローチャートである。
図３を参照すれば、前記光ディスクの記録戦略データ補正方法は、初期値の設定段階Ｓ１０、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階Ｓ３０、及びオフセットの補正値を保存する段階Ｓ５０を含む。
【００２３】
初期値の設定段階Ｓ１０は、光記録装置が適用しようとするデータ記録速度、記録戦略データの種類別の数、前記記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数、及び前記タイムパラメータの最大数の範囲内で前記タイムパラメータの値を変更させるステップの間隔を設定し、ＥＦＭパターンを発生させる。
【００２４】
初期値の設定段階Ｓ１０は、前記データ記録速度を設定する段階３１１、レーザーダイオード駆動ＩＣに所定の電流を供給するＤＡＣの出力をオフさせる段階３１２、ＥＦＭパターンを発生させる段階３１３、前記記録戦略データの種類別の数Ｍ(Ｍは整数)を設定する段階３１４、前記タイムパラメータの値を変更させるステップの最大数Ｎ(Ｎは整数)を設定する段階３１５、及び前記Ｍ個の記録戦略データのそれぞれに適用される前記タイムパラメータの値を変更させるＭ個のステップの間隔Ｓ１〜ＳＭを設定する段階３１６を備える。
【００２５】
生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階Ｓ３０は、前記タイムパラメータの値を前記ステップほど変化させる度に記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する。
【００２６】
図４は、図３に示された生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階Ｓ３０を示すフローチャートである。
図４を参照すれば、生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階Ｓ３０は、第１変数Ｉの値を１に設定する段階３３１、第２変数Ｊの値を１に設定する段階３３２、Ｉ番目のタイムパラメータのＪ番目のステップであるＭＴＤ(Ｉ，Ｊ）の値を０に設定する段階３３３、前記ＥＦＭパターン及び前記ＭＴＤ(Ｉ，Ｊ)の値を利用して記録イネーブル信号を生成する段階３３４、前記生成された記録イネーブル信号の幅を測定する段階３３５、前記測定された記録イネーブル信号の幅を保存する段階３３６、第２変数Ｊの値をＪ＋１に設定する段階３３７、前記第２変数Ｊの値が前記タイムパラメータの最大値Ｎより大きいかどうかを判断する第１判断段階３３８、前記第１判断段階の判断結果、前記第２変数Ｊの値が前記Ｎより小さな場合には、タイムパラメータのステップＭＴＤ(Ｉ，Ｊ）の値をＭＴＤ(Ｉ，Ｊ＋１)＋Ｓ(Ｉ）に設定した後、前記記録イネーブル信号を生成する段階３３４に進む段階３３９、前記第２変数Ｊの値が前記Ｎより大きな場合には、前記第１変数Ｉの値をＩ＋１に設定する段階３４０、及び前記Ｉの値が前記記録戦略データの数Ｍより大きいかどうかを判断して、大きな場合には、前記オフセットの補正値を保存する段階に進み、小さな場合には、前記第２変数Ｊの値を１に設定する段階に進む段階３４１を含む。
【００２７】
オフセットの補正値を保存する段階Ｓ５０(図３参照)は、保存された前記記録イネーブル信号の幅とイネーブル信号の理想的な幅との差に対応するオフセット値を補正するオフセット補正値を算出し、前記オフセットの補正値を保存する。
【００２８】
オフセットの補正値を保存する段階Ｓ５０は、保存された記録イネーブル信号の幅に補間法を適用する段階３５１、前記補間法が適用された記録イネーブル信号の幅と記録イネーブル信号の理想的な幅との差であるオフセット値を算出する段階３５２、及び前記オフセット値を利用して、前記オフセット値を補正できるオフセット補正値を算出し、前記オフセット補正値を保存する段階３５３を含む。
【００２９】
前記ＥＦＭパターンは、Ｔをシステムクロックの１周期の時間とした時、ＣＤの場合は、３Ｔ〜１１Ｔの間でイネーブルされ、ＤＶＤの場合は、３Ｔ〜１１Ｔの間または１４Ｔでイネーブルされる。前記記録戦略データは、前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との差に関する情報を有し、特に、前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との時間差に関する情報を有する。前記タイムパラメータは、前記記録戦略データに含まれた情報を変更させるデータである。
【００３０】
前記ステップの間隔は、第１記録戦略データに割当てられたステップの間隔をＳ１とした時、Ｍ番目の記録戦略データに割当てられたステップの間隔はＳＭとなり、Ｓ１〜ＳＭの値は、互いに等しいかまたは異なりうる。
【００３１】
以下では、図３及び図４に示された本発明による光ディスクの記録戦略データ補正方法について説明する。
まず、光記録装置が光ディスクにデータを記録する記録速度が設定され、これによってＥＦＭパターンの速度も決定される。記録速度は、例えば、ＣＤの場合には４倍速Ｘ４から５２倍速Ｘ５２、ＤＶＤの場合には、２倍速Ｘ２から１６倍速Ｘ１６などがある。
【００３２】
ＡＦＥ１７０(図１参照)からレーザーダイオード駆動ＩＣ１６０に印加される電流源ＤＡＣ１、ＤＡＣ２を遮断して、光ディスクの記録戦略データ補正方法が行われている間には、ピックアップによる影響を排除させ、セットの補正時間を短縮させる。
【００３３】
光ディスクの記録戦略データ補正方法を行うための一定のＥＦＭパターンを生成させる。
前記ＥＦＭパターンを利用して記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２を生成するためには、前記ＥＦＭパターンと生成された記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２との時間関係を定義した記録戦略データをメモリ１５０から受信しなければならない。
【００３４】
まず、記録戦略データの種類を知らなければならない。ここで、記録戦略データの種類とは、前記ＥＦＭパターンと生成された記録イネーブル信号ＷＥ１、ＷＥ２との時間関係を定義した記録戦略データの数を意味し、ここではＭ(Ｍは整数)と仮定する。図１を参照すれば、記録戦略データの種類をＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３に区分して使用し、Ｍが１である場合にＴＤ１、Ｍが２である場合にＴＤ２、及びＭが３である場合にＴＤ３となり、ＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３のそれぞれは、セット製造メーカーで提供した時間値に設定されている。記録戦略データの数は、固定されたものではなく、必要に応じて追加できる可変的な値である。
【００３５】
ＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３に記録された時間値をそのまま使用して記録イネーブル信号を生成せず、ＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３のそれぞれに一定のタイムパラメータのステップを適用して、変更されたＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３によって生成される記録イネーブル信号を比較して、最適のＴＤ１、ＴＤ２、及びＴＤ３を再設定する作業を行うことが本発明の核心技術思想である。
【００３６】
このような作業を行うために、タイムパラメータステップの最大値Ｎ(Ｎは整数)を設定し、最大値Ｎの範囲内で変更させるステップの間隔ＳＭを設定する。ステップの間隔ＳＭは、記録戦略データの種類Ｍ別に異にすることができる。例えば、Ｍが１である場合、ＴＤ１に適用されるタイムパラメータステップ値はＳ１となり、Ｍが２であるＴＤ２に適用されるタイムパラメータステップの値は、Ｓ２となる。ステップの間隔は、１であるか２以上であってもよく、Ｓ１及びＳ２が互いに同じ値を有してもよい。
【００３７】
前述したように、記録戦略データの種類Ｍ、タイムパラメータステップの最大値Ｎ、及びステップの間隔ＳＭが設定されれば、一番目の記録戦略データＴＤ１に対して先に補正値を算出し保存し、次いで、Ｍ番目の記録戦略データＴＤＭに対して補正値を算出し保存する。このような作業が２つのステップＳ３０及びＳ５０で行われる。
【００３８】
ステップＳ３０で使われる変数Ｉは、記録戦略データの種類Ｍに対応し、変数Ｊは、タイムパラメータステップの最大値Ｎに対応する。
【００３９】
まず、変数Ｉが１である場合、すなわちＴＤ１である時について説明する。
変数Ｊが１である場合、ＴＤ１(１，１)には０が割当てられる(図４の３３３)。したがって、ＥＦＭ及びＴＤ１(１，１)に割当てられた時間値０を利用して記録イネーブル信号を生成させ(３３４)、生成された記録イネーブル信号の幅を測定し(３３５)、この値をメモリに保存させる(３３６)。
【００４０】
変数Ｊが２である場合、ＴＤ１(１，２)は、ＴＤ１(１，１)にＳ１の値を加えた値が設定される(図４の３３９)。例えば、Ｓ１の値が１である場合、ＴＤ１(１，２)には１が割当てられる。ここで、１に対応する時間値は、ＥＦＭの周波数によって決定されるが、例えば、数ナノ秒から数十ナノ秒までに変化されうる。変数Ｊが２である場合には、変数Ｊが１である場合に１ステップ増加させたＴＤ１(１，２)値を利用して、記録イネーブル信号を生成させ(３３４)、生成された記録イネーブル信号の幅を測定し(３３５)、この値をメモリに保存させる(３３６)。変数Ｊがタイムパラメータステップの最大値Ｎを超えない場合には、前記過程を繰り返す。
【００４１】
このようにすることで、ＴＤ１(１，１)に割当てられた値ないしＴＤ１(１，Ｎ)に割当てられた値を利用して生成させた記録イネーブル信号の幅に対する最大Ｎ個の値を算出し、かつ保存する。
【００４２】
変数Ｊがタイムパラメータステップの最大値Ｎを超える場合には、変数Ｉの値を１増加させたＴＤ２に対して前記の過程を繰り返す。この過程で、ＴＤ２(２，１)に割当てられた値ないしＴＤ２(２，Ｎ)に割当てられた値を利用して生成させた記録イネーブル信号の幅に対する最大Ｎ個の値を算出し、かつ保存する。
【００４３】
変数ＩがＭ値に至るまで前記の過程を繰り返す。
変数ＩがＭを超える場合、保存された前記記録イネーブル信号の幅とイネーブル信号の理想的な幅との差に対応するオフセット値を補正するオフセット補正値を算出し、前記オフセットの補正値を保存する(Ｓ５０)。
【００４４】
まず、メモリに保存された記録戦略データの種類別に生成された複数個の記録イネーブル信号の幅に対して補間法を行う(図３の３５１)。これは、タイムパラメータステップによって得られ、保存された前記記録イネーブル信号の幅の値が不均一であるためである。もちろん、補間法を行わずに一般的な平均値を得ることも可能であり、そのまま使用することも可能である。
【００４５】
補間法を行った結果値を、タイムパラメータステップによる記録イネーブル信号の理想的な幅と比較して、その差値であるオフセット値を算出する(３５２)。算出されたオフセット値を利用して各記録戦略データの種類別に補正値を算出し、これをメモリ装置に再度保存させる(３５３)。
【００４６】
前記の過程を経て補正された記録戦略データを使用すれば、各光記録装置に含まれた固有の電気的差異点がデータを記録することに及ぼす悪影響を最小限に減少させることができる。
【００４７】
図５は、本発明の他の一実施形態による光ディスク駆動装置のブロック図である。
図５を参照すれば、光ディスク駆動装置５００は、エンコーダ５２０、記録戦略ブロック５３０、及びメモリ装置５４０を備える。
【００４８】
エンコーダ５２０は、個人用コンピュータのようなホスト５１０から受信した光ディスクに記録するデータＤＡＴＡにＥＦＭを適用させて生成させた、変調されたＥＦＭパターンを出力する。
【００４９】
記録戦略ブロック５３０は、ホスト５１０から受信した複数個の制御データＣＯＮ_ＤＡＴＡと前記メモリ装置から受信した記録戦略データとを利用して、前記ＥＦＭ信号に対応する記録イネーブル信号を生成させ、生成された記録イネーブル信号の幅及び前記メモリ装置から受信した記録イネーブル信号の理想的な幅に関する情報を利用して、オフセット値を算出し、これを補償した記録戦略データを前記メモリ装置５４０に保存させ、少なくとも２個の記録イネーブル信号を生成する。
【００５０】
メモリ装置５４０は、記録戦略データと記録イネーブル信号の理想的な幅に関する情報とを保存する。
前記記録戦略データは、前記ＥＦＭパターンと前記記録イネーブル信号との差に関する情報を有し、前記記録イネーブル信号は、前記ＥＦＭパターンと前記記録戦略データとを利用して生成する。前記オフセット値は、生成された前記記録イネーブル信号の幅と前記メモリ装置から受信した記録イネーブル信号の理想的な幅との差値である。
【００５１】
前記複数個の制御データＣＯＮ_ＤＡＴＡは、前記光ディスク駆動装置が使われる光記録装置において適用しようとするデータ記録速度に関するデータ、前記記録戦略データの種類別の数に関するデータ、前記記録戦略データに適用されるタイムパラメータのステップの最大数に関するデータ、及び前記タイムパラメータの最大数の範囲内で前記タイムパラメータの値を変更させるステップの間隔に関するデータを含む。
【００５２】
前記タイムパラメータは、前記記録戦略データに含まれた情報を変更させるデータである。
前記記録戦略ブロック５３０は、プロセッサ５３１と補間器５３２とを備える。
【００５３】
プロセッサ５３１は、前記複数個の制御データと前記記録戦略データとを利用して、前記ＥＦＭ信号に対応する記録イネーブル信号を生成させ、補間器から受信した補間された記録イネーブル信号の幅と前記記録イネーブル信号の理想的な幅とに関する情報を利用して、オフセット値を算出し、前記オフセット値を補償した補正された記録戦略データを前記メモリ装置に保存させる。
【００５４】
補間器５３２は、前記プロセッサ５３１から受信した前記記録イネーブル信号に補間法を適用して、前記補間された記録イネーブル信号を出力する。
図５に示された光ディスク駆動装置は、図３及び図４に示された光ディスクの記録戦略データ補正方法を具現するシステムであるので、動作に関する説明は省略する。
【００５５】
図６は、一番目の記録戦略データＴＤ１の値を変更させながら得られた複数個のチップでの記録イネーブル信号の幅を示すグラフである。
図６を参照すれば、中間に表示された理想的な記録イネーブル信号の幅に対する直線グラフの上下側に、チップ別に測定された記録イネーブル信号の幅についてのグラフが表示されている。ｘ軸はステップを示し、ｙ軸は記録イネーブル信号の幅を示す。ここでは、ステップが２である場合であり、ステップが増加してＴＤ１の値が増加するほど記録イネーブル信号の幅が減少する。
【００５６】
本発明で使用するオフセットは、一定のステップ値に対して直線に表示された前記理想的なグラフと７個のチップに対して測定されたグラフとの差として定義する。例えば、ステップが４である場合、理想的なグラフの値が約７８．５に近似し、第１チップｃｈｉｐ１のグラフが７８．８に近似するので、オフセットの絶対値は、０．３となる。なお、ステップが８である場合、理想的なグラフの値が約７７．５に近似し、第１チップｃｈｉｐ１のグラフが７７．７に近似するので、オフセットの絶対値は、０．２となる。
【００５７】
第１チップｃｈｉｐ１と理想的な場合とのグラフの差がステップの値によって違うため、いかなるステップの値を利用して前記オフセットを補正するかを決定することも容易でない。
【００５８】
図７は、図６に示された第２チップｃｈｉｐ２、第６チップｃｈｉｐ６に対して補間法を適用した結果を示すグラフである。
図７を参照すれば、理想的なグラフの方程式、第２チップｃｈｉｐ２に対するグラフの方程式、及び第６チップｃｈｉｐ６に対するグラフの方程式は数式１ないし数式３で表示できる。
【００５９】
［数式１］
ｙ＝−０．４５１ｘ＋７９．８５７
［数式２］
ｙ＝−０．４３８４ｘ＋８０．４５７
［数式３］
ｙ＝−０．４３３ｘ＋７８．６５
【００６０】
数式１及び数式２を参照すれば、２式の勾配及び切片値を比較して、２式のオフセットを最小とする所定の補正値を得ることができる。同様に、数式１及び数式３を参照すれば、２式の勾配及び切片値を比較して、２式のオフセットを最小とする所定の補正値を得ることができる。
【００６１】
図７に示すように、補間法を適用した記録イネーブル信号の幅を利用すれば、補正値を容易に得られる。
【００６２】
図８は、二番目の記録戦略データＴＤ２の値を変更させながら得られた複数個のチップでの記録イネーブル信号の幅を示すグラフである。
【００６３】
図９は、図８に示された第２チップｃｈｉｐ２、第６チップｃｈｉｐ６に対して補間法を適用した結果を示すグラフである。
【００６４】
図８及び図９は、二番目の記録戦略データＴＤ２に関するものであって、図６及び図７について説明したところと同じ論理で説明できるので、ここでは説明を省略する。
【００６５】
以上、図面及び明細書で最適の実施形態が開示された。ここで、特定の用語が使われたが、これは、単に本発明を説明するための目的として使われたものに過ぎず、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、本技術分野で当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、光ディスクへのデータ記録関連の技術分野に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】光記録装置の一部を構成する光ディスク駆動装置の概略図である。
【図２】図１に示された記録戦略ブロック、レーザーダイオード駆動ＩＣ、及びレーザーダイオードの間の関係を示す。
【図３】本発明の一実施形態による光ディスクの記録戦略データ補正方法を示すフローチャートである。
【図４】図３に示された生成された記録イネーブル信号の幅を測定して保存する段階を示すフローチャートである。
【図５】本発明の他の一実施形態による光ディスク駆動装置のブロック図である。
【図６】一番目の記録戦略データＴＤ１の値を変更させながら得られた複数個のチップでの記録イネーブル信号の幅を示すグラフである。
【図７】図６に示された第２チップ、第６チップに対して補間法を適用した結果を示すグラフである。
【図８】二番目の記録戦略データＴＤ２の値を変更させながら得られた複数個のチップでの記録イネーブル信号の幅を示すグラフである。
【図９】図８に示された第２チップ、第６チップに対して補間法を適用した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６８】
５１０  ホスト
５２０  エンコーダ
５３０   記録戦略ブロック
５３１  プロセッサ
５３２  補間器
５４０  メモリ装置
【図１】
2007073175.tif 000003
【図２】
2007073175.tif 000004
【図３】
2007073175.tif 000005
【図４】
2007073175.tif 000006
【図５】
2007073175.tif 000007
【図６】
2007073175.tif 000008
【図７】
2007073175.tif 000009
【図８】
2007073175.tif 000010
【図９】
2007073175.tif 000011