(57)【要約】      （修正有）【課題】表面全体的に均一に光を反射することにより焦点揺れが少ない多様な反射型フォトマスクを提供する。【解決手段】基板１１０と、基板１１０上に形成された反射層１２０と、反射層１２０上に形成された吸光パターン１３０と、吸光パターン１３０周辺に形成された補償部１４０ａとを備える。これにより、反射型フォトマスクは、パターンのピッチによって反射する光を補償することができる。したがって、焦点が揺れる現象を低減できるので、微細なパターンを形成できる。【選択図】図２Ａ
2007258720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された反射層と、
前記基板の第１部分上に形成された前記反射層上に形成された吸光パターンと、
前記基板の少なくとも第２部分上に形成された補償部と、を備え、
前記第２部分は前記第1部分に隣接し、
前記補償部は前記吸光パターンより薄い反射型フォトマスク。
【請求項２】
前記補償部は、前記吸光パターンの少なくとも一側面に隣接することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項３】
前記補償部は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン、又はその多重層、ルテニウム又はクロムを含む金属層、金属化合物層、又は金属合金層のうち何れか一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項４】
前記反射層と前記吸光パターンとの間に形成されたキャッピング層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項５】
前記キャッピング層は、前記補償部を含むことを特徴とする請求項４に記載の反射型フォトマスク。
【請求項６】
前記補償部は、前記吸光パターンの一側面に隣接し前記キャッピング層が突出する部分であることを特徴とする請求項５に記載の反射型フォトマスク。
【請求項７】
前記キャッピング層と前記吸光パターンとの間に形成されたバッファパターンをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の反射型フォトマスク。
【請求項８】
前記反射層は、前記補償部を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項９】
前記吸光パターンでカバーされていない前記反射層の露出した部分上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１０】
前記反射層と前記吸光パターンとの間に形成されたバッファパターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１１】
前記反射層と前記バッファパターンとの間に形成されたキャッピング層をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１２】
前記補償部は、前記反射層と前記吸収パターンとの間に介在していることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１３】
介在する前記補償部は、前記吸収パターンよりさらに広いことを特徴とする請求項１２に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１４】
前記吸光パターンでカバーされていない前記反射層の露出した部分及び前記吸光パターン上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１５】
前記保護層は、前記吸光パターンでカバーされていない前記補償部の露出した部分上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１６】
前記反射層と前記補償部との間に形成されたキャッピング層をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１７】
前記補償部と前記吸光パターンとの間に形成されたバッファパターンをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１８】
前記反射層は、前記補償部を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項１９】
前記吸光パターンでカバーされていない前記反射層の露出した部分上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の反射型フォトマスク。
【請求項２０】
前記反射層と前記吸光パターンとの間に形成されたバッファパターンをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の反射型フォトマスク。
【請求項２１】
前記反射層上に形成された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の反射型フォトマスク。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に形成された反射層と、
前記反射層上に形成された補償層と、
前記補償層上に形成された吸光層と、を備えることを特徴とする反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２３】
前記補償層は、前記吸光層より薄く形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２４】
前記反射層と前記吸光層との間に形成されたキャッピング層をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２５】
前記キャッピング層は、前記吸収層より薄く形成されたことを特徴とする請求項２４に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２６】
前記補償層は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン、又はそれらの多重層、ルテニウム又はクロムを含む金属、金属化合物、又は金属合金のうち何れか一つ以上であることを特徴とする請求項２４に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２７】
前記補償層と前記吸光層との間に形成されたバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２８】
前記バッファ層は、前記吸収層より薄く形成されたことを特徴とする請求項２７に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項２９】
前記バッファ層は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン、又はそれらの多重層、ルテニウム又はクロムを含む金属、金属化合物、又は金属合金のうち何れか一つ以上であることを特徴とする請求項２７に記載の反射型ブランクフォトマスク。
【請求項３０】
基板上に反射層を形成する工程と、
前記基板の第１部分上に形成された反射層上に吸光パターンを形成する工程と、
前記基板の少なくとも第２部分上に補償部を形成する工程と、を含み、
前記第２部分は前記第１部分に隣接し、前記補償部は前記吸光パターンより薄いことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法
【請求項３１】
前記補償部は、前記吸光パターンの少なくとも何れか一側面に隣接することを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３２】
前記補償部は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン、又はそれらの多重層、ルテニウム又はクロムを含む金属、金属化合物、又は金属合金のうち何れか一つ以上であることを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３３】
前記反射層上と前記吸光パターンとの間にキャッピング層をさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３４】
前記補償部を形成する工程は、前記反射層上に前記補償部を含むキャッピング層を形成するものであることを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３５】
前記補償部は、前記吸光パターンに隣接した前記キャッピング層の突出した部分であることを特徴とする請求項３４に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３６】
前記キャッピング層と前記吸光パターンとの間にバッファパターンをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３５に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３７】
前記反射層と前記吸光パターンとの間にバッファパターンをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３８】
前記反射層と前記バッファパターンとの間にキャッピング層をさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３７に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項３９】
前記補償部の所定部分が前記反射層と前記吸光パターンとの間に介在することを特徴とする請求項３０に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４０】
前記補償部は、前記吸光パターンより広いことを特徴とする請求項３９に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４１】
前記反射層の露出した部分上に保護層をさらに形成する段階を含むことを特徴とする請求項３９に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４２】
前記吸光パターンでカバーされていない補償部の露出した部分上にも保護層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４１に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４３】
前記反射層と前記補償部との間にキャッピング層をさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３９に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４４】
介在する前記補償層と前記吸光パターンとの間にバッファパターンをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項４３に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４５】
基板上に反射層を形成する工程と、
前記反射層の一部が露出され補償部が形成されるように、前記反射層上に吸光パターンを形成する工程と、
を含む反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４６】
前記補償部は、前記吸光パターンに隣接し突出した部分であることを特徴とする請求項４５に記載の反射型フォトマスクの製造方法
【請求項４７】
前記吸光パターンでカバーされていない前記反射層の露出した部分上に保護層をさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項４５に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４８】
前記反射層と前記吸光パターンとの間にバッファパターンをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項４５に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項４９】
前記反射層上に保護層をさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項４８に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型フォトマスク、その製造方法及び反射型ブランクフォトマスクに係り、特に、反射する光を補償するパターンを含む反射型フォトマスク、その製造方法及び反射型ブランクフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
高集積半導体素子の開発は、サブマイクロメートル以下の微細な線幅を有したパターンをどのくらい精巧で均一に形成できるのかという微細パターン形成能力にかかっているといえる。このような半導体素子の微細パターン形成能力は特にフォトリソグラフィ工程のパターニング能力に大きく依存しているといえる。フォトリソグラフィ工程のパターニング能力は色々な変数で向上できるが、使用する光の波長、使用するフォトリソグラフィ装備及びフォトリソグラフィ工程を進行する作業者の個人的な能力などであり、最も重要な変数は使用する光の波長といえる。
【０００３】
一般に微細パターンを形成できる能力を表現するパターン解像力は次の通りの式で示すことができる。
【０００４】
Ｒ＝ｋ（λ／ＮＡ）
Ｒ：解像力
ｋ：工程常数
λ：光の波長
ＮＡ：フォトリソグラフィ装備のレンズ口径
Ｒが低いほど微細パターン形成能力に優れることを意味する。
【０００５】
前記の式を解析すれば、パターン解像力は工程常数及び光の波長に比例し、フォトリソグラフィ装備のレンズ口径に反比例する。工程常数は、フォトリソグラフィ工程を遂行する作業者又は工程レシピなどによって工程を改善できる程度、又は能力を意味する。λは、露光源として使用する光の波長である。例えば、ｉ−ｌｉｎｅ光は３６５ｎｍ、ＫｒＦ光は２４８ｎｍ、そしてＡｒＦ光は１９３ｎｍで知られており、幅広く使用されている。そしてＮＡはフォトリソグラフィ工程を遂行する装備のレンズ口径で、パターン情報を有している光を最大な多く集積できるように口径が広いレンズを使用するほど解像力が良くなることを意味する。
【０００６】
現在使用される光の波長帯では工程常数ｋとレンズ口径ＮＡは殆ど限界に至るということが重論であり、またその改善程度も微々である。それで使用する光を波長がさらに短い光に代替しようとする研究と努力が続けられている。
【０００７】
近来に至って、商用化が可能なものと研究されたフォトリソグラフィ技術がＥＵＶ（Extremely Ultra Violet）光を使用する技術である。ＥＵＶ光は、ソフトＸ−ｒａｙとも呼ばれ、その波長が約１３．４ｎｍ程度に過ぎない程度で非常に短い極超短波の光であるので微細パターン形成能力を大きく向上させることができるものと期待されている。
【０００８】
ところで、このＥＵＶ光は空気を始めた大部分の媒質が光を吸収してしまうので既存の透過型フォトマスクとしては半導体素子製造のためのフォトリソグラフィ工程に導入できない。それで開発された技術が透過型ではない反射型フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術である。
【０００９】
反射型フォトマスクは、照射されるＥＵＶ光を９０％以上反射できエネルギー効率もよく、微細パターン形成能力も優れ、次世代フォトマスク技術として大きく脚光を浴びている。ところで、反射型フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程は反射型フォトマスク自体が構造的に有する短所なので限界性を示している。図面を参照して反射型フォトマスクをさらに詳細に説明する。
【００１０】
図１は、従来技術による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００１１】
図１を参照すれば、従来技術による反射型フォトマスクは、基板１０上に反射層２０が形成されており、反射層２０上に吸光パターン３０が形成されている。反射層２０は、基板１０全面に形成され入射される光を反射するための層であり、吸光パターン３０はウェーハ上に転写されるパターン情報を載せているパターンであって入射される光を反射せず吸収する。
【００１２】
反射型フォトマスクは、フォトマスク表面に垂直に光が入射及び反射するものではなく、若干の角度（例えば、１〜６度程度）を有して斜入射され、また反射する。それで、入射される光が吸光パターン３０のため反射層２０に到達できないこともあり（左側）、反射層２０で反射する光が吸光パターン３０の側壁部分のため反射できない現象（右側）が発生する。図示されていないが、吸光パターン３０の側壁部で望んでいない光の反射が起こることもあり、吸光パターン３０の角部分で回折される光が不要にウェーハに伝達されることがある。
【００１３】
また、反射層２０の表面及び内部から光が回折されてパターン情報を伝達するようになるので、回折された光の均衡が非常に重要である。ところで、図１の右側に示すように回折された光の一部が吸光パターン３０の段差のためにウェーハ上に伝達できなければ、フォトマスク上のパターンとウェーハ上のパターンは互いに一致せず何れか一側にパターン情報又は焦点が移動されて表れるなど歪曲されたパターン情報が伝達されることがある。
【００１４】
結論的に、このような現象は影効果を惹起してウェーハ上にパターンイメージ情報が十分には伝達できず、光の照射方向に垂直な方向のパターンと平行する方向のパターンが互いに異なる線幅として表れることがあり、一番大きい問題は特にウェーハ上に照射される光の焦点が揺れるというものである。
【００１５】
前述した短所は、反射型フォトマスク表面に形成された吸光パターン３０の材質、スローブ、高さ及びパターン間の間隔（ピッチ）などに依存性がある。この中で、吸光パターン３０の材質問題を克服するために多様な材質の吸光体が研究及び開発されており、吸光パターン３０のスローブ問題を克服するためにフォトマスク製造工程を改善しようとする多くの努力がある。
【００１６】
ところで、反射型フォトマスクが有した構造的な特徴から起因する短所は材質の開発や工程の改善で解決することができない。すなわち、吸光パターン３０が段差を有している以上、斜入射される光が吸光パターン３０の角及び側壁部分で損失する問題は解決できない問題である。
【００１７】
従来の反射型フォトマスクのうち一例によれば、吸光層の側面に吸光層の線幅を補償してやるための側面パターンを含んでいる。このような従来技術によれば、吸光層の線幅を補償してやって所望の吸光層の線幅を得ることができる。しかしながら、このような従来技術によっても、やはり反射する光量を補償してやることができない。
【特許文献１】米国公開特許第２００５−０１０６４７４Ａ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明が解決しようとする技術的課題は、表面全体的に均一に光を反射することにより焦点揺れが少ない多様な反射型フォトマスクを提供することにある。
【００１９】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、表面全体的に均一に光を反射することにより焦点揺れが少ない多様な反射型フォトマスクを製造する方法を提供することにある。
【００２０】
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、表面全体的に均一に光を反射することにより焦点揺れが少ない反射型フォトマスクを製造することに容易なブランクフォトマスクを提供することにある。
【００２１】
本発明の技術的課題は以上で言及した技術的課題で制限されないし、言及されないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができることである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記技術的課題を達成するための本発明による反射型フォトマスクは、基板と、基板上に形成された反射層と、反射層上に形成された吸光パターンと、吸光パターン周辺に形成された補償部とを備える。
【００２３】
前記他の技術的課題を達成するための本発明による反射型フォトマスク製造方法は、基板上に反射層を形成する工程と、反射層上に吸光パターンを形成する工程と、吸収パターンの周辺に補償部を形成する工程と、を含む。
【００２４】
また、前記さらに他の技術的課題を達成するための本発明による反射型ブランクフォトマスクは、基板と、基板上に形成された反射層と、反射層上に形成された補償層と、補償層上に形成された吸光層と、を備える。
【００２５】
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００２６】
上述したように本発明による反射型フォトマスクは、パターンのピッチによって反射する光を補償することができるので、焦点が揺れる現象を改善でき、微細なパターンを形成でき、その詳細な製造方法及び反射型フォトマスクを製造しやすい反射型ブランクフォトマスクが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になることである。しかし本発明は以下で開示する実施形態に限られることでなく相異なる多様な形態で具現されることであり、単に本実施形態は本発明の開示が完全なようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供することであり、本発明は請求項の範疇により定義されるだけである。明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を指称する。
【００２８】
本明細書で反射型フォトマスクというのは特に、ＥＵＶ光を使用するフォトリソグラフィ工程のための反射型フォトマスクを意味するが、これに限定されず、光を透過させてウェーハ上にパターン情報を伝達するフォトマスクではない入射された光を反射してウェーハ上にパターン情報を伝達するフォトマスクを通称である。また、フォトマスクはレチクルという用語と混用して使用し包括する。
【００２９】
本発明の反射型フォトマスクを含んだ全てのフォトマスクは一般にパターンが形成された面が下側に向かった状態で使用される。フォトマスクの下側に半導体素子製造のためのウェーハを位置させるためである。しかしながら、本明細書ではフォトマスクを製造する工程を反映してパターンが形成される面が上側に向かった状態で示されて説明される。従って本明細書で上側、上部、上面などの方向的な表現は下側、下部、下面などの意味と理解できる。また、稀にフォトマスクを側方向に向かうようにした状態で使用するアイデアが提案されているため本明細書で全体的に方向的な要素を含む表現は全ての方向を包括する意味として理解できる。すなわち、空間的な方向の表現は、相対的な方向と理解されなければならなく、絶対的な方向を意味するように限定的に理解されてはいけない。
【００３０】
以下、本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクを図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の実施形態による反射型フォトマスクの縦断面図である。
【００３２】
図２Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された吸光パターン１３０及び反射層１２０上に形成され、吸光パターン１３０の周辺に形成された補償部１４０ａを含む。
【００３３】
基板１１０は石英材質のガラス基板である。
【００３４】
反射層１２０は、モリブデン層とシリコン層とを交互に積層して形成できる。具体的には、モリブデン層とシリコン層とを数十対積層して形成される。モリブデン層の表面で反射する光とシリコン層の表面で反射する光とが互いに干渉現象を起こす。モリブデン層の表面で反射する光とシリコン層の表面で反射する光とが概ね１／４〜３／４の位相差を有する場合、相殺干渉が生じ、１／４以下、又は３／４以上の位相差を有する場合、補強干渉を生じる。通常反射型フォトマスクは、相殺干渉現象を用いる場合が多いと言える。モリブデン層は、主反射層であって光をスキャッタリングする層であり、シリコン層は副反射層であってスペーシング層として使用される。
【００３５】
二つ層を合した一対の単位反射層の厚さは、使用する光の波長の約１／４の倍数に該当するように形成される。本実施形態では、薄くなりすぎると製造が難しくなり、厚くなりすぎると全体的な反射層１２０の厚さが厚くなるため、使用する光の波長の約１／２の厚さに形成した。また、約１０％の誤差を含んでいてもよい。具体的には、６．８±０．６８ｎｍに形成される。これは本発明で実験的に使用した光が１３．４ｎｍの波長を有したＥＵＶ光であるためである。異なる波長の光を用いれば反射層１２０の厚さは変更可能である。本実施形態では、モリブデン層を約２．９ｎｍに形成し、シリコン層を約４．０ｎｍに形成する。
【００３６】
本明細書では、反射層１２０が全体的に一つの層で示されて説明される。だが、数十対の単位反射層が積層されているものと理解しなければならない。
【００３７】
吸光パターン１３０は、入射されたＥＵＶ光を吸収するパターンである。具体的にはクロム、クロム酸化物、タンタル、タンタル窒化物、タンタルボロン窒化物などを含んだ金属、金属化合物のうち何れか一つ以上で形成され、特にタンタル窒化物（ＴａＮ）又はタンタルボロン窒化物（ＴａＢＮ）が使用される。
【００３８】
吸光パターン１３０の厚さは、入射されるＥＵＶ光を安定的に吸収し、形成する工程が安定するように決定され、材質によって多様に決定できる。吸光パターン１３０が他の層をエッチングする際のマスキングとしての役割を果たしてもよい。そのため、エッチングマスクの役割を安定的に遂行できる厚さで形成するのが望ましく、発生する欠陥−例えばピンホールなど−を考慮しなくてもよい程度の厚さで形成することが望ましい。これは、工程能力からある程度の影響を受けると言えるため非常に多様な厚さとして決定される。
【００３９】
本実施形態では、タンタル窒化物材質を使用して約７０ｎｍに形成する。しかしながら、これに限定されるものではなく、さらに薄く形成されてもよく、さらに厚く形成されてもよい。ウェーハ上にパターン情報を伝達することに問題がなければできるだけ薄い厚さで形成することが有利であるが、反射型フォトマスクの耐久性及び製造上の安定性などを考慮すれば十分な厚さを確保することが安定であると言える。従って、多様な実験によりフォトマスク製造能力及びウェーハ上に伝達しようとするパターン情報の微細なことなどを同時に満足できる厚さを設定する。
【００４０】
補償部１４０ａは、入射される光を反射し、吸光パターン１３０より薄い厚さで形成される。具体的には、補償部１４０ａの厚さ及び面積は、吸光パターン１３０の厚さ及び面積、又は露出した反射層１２０の面積又は距離に依存して多様に設定される。補償部１４０ａの厚さ及び面積についてのさらに詳細な説明は実験結果及び図面を参照して後述する。
【００４１】
補償部１４０ａは、吸光パターン１３０の周辺に二つ方向又は四つ方向に形成される。例えばライン／スペースパターンのような１次元的なパターンである場合、二つ方向に形成され、コンタクト／ビアのような２次元的なパターンである場合、四つ方向に形成される。
【００４２】
また、各方向の補償部１４０ａは、それぞれ異なる高さと面積で形成される。すなわち、対称的に形成する必要がない。これは入射及び反射する光が一つの方向に向かうため、吸光パターン１３０を挟んで互いに異なる反射量を示すためである。具体的には、図１でのようにフォトマスク表面に対して光が左側に６°程度の傾きとして入射し、右側にやはり６°程度の傾きとして反射するとすれば、吸光パターン１３０を基準に左側部分と右側部分で反射する光量又は位相などが互いに異なる。従って、これを補償するための吸光パターン１３０の左側部分と右側部分の補償部１４０ａは高さと面積が互いに異なる。
【００４３】
補償部１４０ａなしに吸光パターン１３０だけを形成した反射型フォトマスクを実験した結果、吸光パターン１３０の左側と右側で反射した光の位相は正常的な位相（２π）に比べてそれぞれπ／４及びπ／６程度の位相差を示した。従って、補償部１４０ａは吸光パターン１３０の左側と右側が互いに異なる高さ又は面積を有するように形成する。それぞれ相対的な位相差が３：２の関係にあると言えるため、それに反比例するように補償部１４０ａの高さ又は面積を実験的に調節する。このような補償部１４０ａの最適化された高さ及び面積は、絶対的な数値が存在するものではなく、反射型フォトマスク上に形成された吸光パターン１３０の幅、間隔、高さ及び材質などによって多様に変化する。また、補償部１４０ａをどんな材質で形成するかによって変化する。
【００４４】
補償部１４０ａの材質は、使用する光を反射する物質を使用することが望ましい。本実施形態では、シリコン（Ｓｉ）又はシリコン酸化物（ＳｉＯ2）を使用した。本実施形態でシリコン又はシリコン酸化物を使用した理由は、通常フォトマスク製造工程で容易に適用できる物質であるためであり、本実施形態を限定したり異なる物質を排除しようとするものではない。反射層１２０は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上であり、その他異なる物質として形成してもよい。
【００４５】
図２Ａを参照して説明された基板１１０、反射層１２０、吸光パターン１３０及び補償部１４０ａについての説明は本明細書中で全体的に活用される。以後に説明される本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクは、特別にさらに付加された説明がなければ図２Ａを参照した構成要素の説明及び後述する構成要素についての説明を活用して理解される。
【００４６】
図２Ｂを参照すれば、本発明の他の一実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された吸光パターン１３０及び吸光パターン１３０の一側方向に形成された補償部１４０ａを含む。より具体的には、図２Ａに示す反射型フォトマスクと比較すれば、吸光パターン１３０の一方向にだけ補償部１４０ａが形成されている。
【００４７】
ＥＵＶ光を用いたフォトリソグラフィ工程は、一方向に所定の角度に傾いて光が入射及び反射するため、特に一側方向にパターン又は焦点が多く動くようになる。従って、両方向に補償部１４０ａを形成することがままにならない場合、一側にだけ形成してもある程度の結果を期待できる。大概は、吸光パターン１３０を基準に入射する光と近い側に形成することが望ましい。
【００４８】
以後に示されて説明される本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクにおいて、図２Ｂのように吸光パターン１３０の一方向にだけ補償部１４０ａが形成された場合を省略する。これは実施形態がないことではなく、図面及び説明が複雑になることを避けるためのものだけである。図示されず説明されなくても、以後に示されて説明される全ての反射型フォトマスクにおいて図２Ｂのように何れか一つの方向にだけ補償部１４０ａが形成される場合が含まれる。また、立体的に見たとき、三つ方向又は四つ方向に補償部１４０ａが形成される場合も含まれる。
【００４９】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００５０】
図３Ａを参照すれば、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成されたキャッピング層１５０、キャッピング層１５０上に形成された吸光パターン１３０及び吸光パターン１３０の周辺に形成された補償部１４０ａを含む。
【００５１】
キャッピング層１５０は、反射層１２０を物理的、化学的損傷から保護し、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成される。具体的には、反射層１２０は、光を反射する領域なので表面管理が非常に重要であると言える。表面が粗くならず均等で平坦であることが望ましく、製造が完了された以後にも物理的、化学的損傷から保護されることが望ましい。従って、キャッピング層１５０を全体的に形成して反射層１２０を物理的、化学的損傷から保護する。キャッピング層１５０は、反射層１２０及び吸光パターン１３０との接着力が高く、熱膨張係数が似ていて、反射層１２０が脆弱な物理的、化学的損傷に対する耐性を有することがよいと言える。また、通常半導体製造工程で容易に適用できる物質であればさらによいと言える。
【００５２】
本発明ではシリコンを適用した。しかしながら、これは本発明の一実施形態だけであり、本発明を限定するものと解釈してはならない。
【００５３】
キャッピング層１５０の厚さは、本実施形態で実験的に適用したシリコンの場合、光の波長に比べて１／４の誤差率内で決定される。具体的には、本実施形態で使用する光が約１３．４ｎｍの波長を有しているため、１３．４±３．３５＝１０．０５〜１６．７５（ｎｍ）程度の厚さで形成できる。本実施形態では、約１１ｎｍの厚さで形成して実験した。ところで、ルテニウムなどの金属でキャッピング層１５０を形成する場合、さらに薄い厚さで形成することもできる。ルテニウムなどの金属をキャッピング層１５０を形成する場合、反射層１２０を物理的、化学的損傷から保護することが異なる無機物を使用する場合よりさらに容易である。反面、厚い場合、光を吸収したりさらに反射するため数ナノメートル程度でシリコンなどを適用する場合より薄く形成できる。具体的には、本発明の追加的な実施形態でルテニウムを約３ｎｍ程度で形成して実験した。実験結果でシリコンを適用した実験結果と比較して何の特異点を発見できないので本明細書では実験結果についての説明を省略する。
【００５４】
以後に説明される本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクにおいて、キャッピング層１５０についての付加的な説明がなければ前述した説明の通りである。
【００５５】
図３Ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成されたキャッピング層１５０ａ、キャッピング層１５０ａ上に形成された吸光パターン１３０及び吸光パターン１３０の周辺にキャッピング層１５０ａのような材質の補償部１４０ｂを含む。具体的には、図３Ａと比較して、キャッピング層１５０ａと補償部１４０ｂの材質が同じ場合であり、キャッピング層１５０ａと補償部１４０ｂが一体型に形成できる。
【００５６】
図３Ｂに示すように、キャッピング層１５０ａと補償部１４０ｂの材質を同じくする場合、同種の物質なので異種の物質を使用する場合に比べて反射型フォトマスク製造工程が単純になる。また、異種の物質である場合より接着力に優れる。
【００５７】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００５８】
図４Ａを参照すれば、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された吸光パターン１３０及び吸光パターン１３０の周辺に反射層１２０のような材質の物質として形成された補償部１４０ｃを含む。具体的には、図３Ａ及び図３Ｂと比較すればキャッピング層１５０なしに反射層１２０のような材質の物質として補償部１４０ｃを形成した場合である。
【００５９】
反射層１２０の物理的、化学的損傷を考慮する必要性が少なければ、異種の物質として補償部（１４０ａ、１４０ｂ）を形成するものより反射層１２０のような材質として補償部１４０ｃを形成するものがさらによい結果をもたらす。
【００６０】
図４Ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された吸光パターン１３０、吸光パターン１３０の周辺に反射層１２０のような材質の物質として形成された補償部１４０ｃ及び反射層１２０と補償部１４０ｃの表面に形成された保護層１８０ａを含む。具体的には、図４Ａに示す反射型フォトマスクの反射層１２０及び補償部１４０ｃの表面に保護層１８０ａが形成される。
【００６１】
保護層１８０ａは、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成できる。
【００６２】
もし保護層１８０ａがパターニングしやすい物質ではないか、或いはその他の問題などで直接補償部として形成しにくく、反射層１２０を物理的、化学的損傷から保護することが望ましい場合、図４Ｂのような反射型フォトマスクを考慮できる。
【００６３】
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００６４】
図５Ａを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された補償部１４０ｄ及び補償部１４０ｄ上に形成された吸光パターン１３０を含む。
【００６５】
具体的には、補償部１４０ｄが反射層１２０と吸光パターン１３０の間に一つの層として形成される。図５Ａの反射型フォトマスクは補償部１４０ｄ形成される層を予め形成した後、パターニングして補償部１４０ｄが形成される。このような構造の反射型フォトマスクは、補償部１４０ｄを所望の形として形成する際に有利である。また、接着力が高い物質として形成する場合、反射層１２０と吸光パターン１３０の接着力を改善してもよい。
【００６６】
図５Ｂを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された補償部１４０ｄ、補償部１４０ｄ上に形成された吸光パターン１３０及び反射層１２０と補償部１４０ｄの表面に形成された保護層１８０ｂを含む。具体的には、図５Ａに示す反射型フォトマスクと比較すると、保護層１８０ｂが反射層１２０及び補償部１４０ｄ上に形成されている。保護層１８０ｂを反射層１２０及び補償部１４０ｄ上に形成することによって物理的、化学的損傷から反射層１２０及び補償部１４０ｄを保護できる。
【００６７】
図５Ｃを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成された補償部１４０ｄ、補償部１４０ｄ上に形成された吸光パターン１３０及び反射層１２０の露出した表面上に形成された保護層１８０ｃを含む。具体的には、図５Ｂに示す反射型フォトマスクと比較して、保護層１８０ｃが反射層１２０の上部にだけ形成されている。
【００６８】
保護層１８０ｃが補償部１４０ｄの光学的特性に及ぼす影響を低減、或いは反射層１２０だけを特に物理的、化学的損傷から保護しようとする場合、図５Ｃに示す反射型フォトマスクを考慮できる。
【００６９】
特に、図５Ａ〜図５Ｃに示す反射型フォトマスクは、補償部１４０ｄを反射層１２０上に一つの層を積層してパターニングすることによって形成できるので製造工程が単純化できる。
【００７０】
図６Ａ及び図６Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００７１】
図６Ａを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成され、表面に形成された補償部１４０ｅを含む反射層１２０及び補償部１４０ｅ上に形成された吸光パターン１３０を含む。具体的には、反射層１２０として補償部１４０ｅを形成した場合である。反射層１２０と吸光パターン１３０の接着力が十分に高く、反射層１２０が物理的、化学的損傷から安定的に耐性を有することができれば、図６Ａに示す反射型フォトマスクを考慮できる。
【００７２】
図６Ｂを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成され、表面に形成された補償部１４０ｅを含む反射層１２０、補償部１４０ｅ上に形成された吸光パターン１３０及び反射層１２０及び補償部１４０ｅの表面に形成された保護層１８０ｄを含む。具体的には、図６Ａに示す反射型フォトマスクと比較して、反射層１２０及び補償部１４０ｅ上に保護層１８０ｄが形成されている。図５Ｂを追加的に参照して理解される。
【００７３】
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００７４】
図７Ａを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成されたキャッピング層１５０、キャッピング層１５０上に形成された補償部１４０ｄ、補償部１４０ｄ上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、補償部１４０ｄがキャッピング層１５０と吸光パターン１３０の間に一つの層として形成される。補償部１４０ｄを一つの層として積層して形成する場合、製造工程が単純になり、キャッピング層１５０と吸光パターン１３０の接着力が改善される。また、吸光パターン１３０とキャッピング層１５０のエッチング選択比などが良くない場合、その対案として図７Ａのような構造の反射型フォトマスクを製造してもよい。
【００７５】
基板１１０下面の金属層１７０は、反射型フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で反射型フォトマスクを静電チャックなどに固定するための手段として使用される。本発明の実施形態ではクロムとして形成するが、クロムに限定される必要はない。静電チャックに固定できる材質として形成すればよいため、クロムを始め金属、金属合金、金属化合物及びその他金属性物質から形成される。
【００７６】
金属層１７０の厚さは特別に限定される必要がない。基板１１０と安定的な接着を行うことができ、十分に反射型フォトマスクとしての機能を発揮する程度の厚さを確保すればよい。本発明の実施形態では概ね数十ナノメートル程度の厚さであり、平均的に約６０〜７０ｎｍに形成した。
【００７７】
図７Ｂを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成され、補償部１４０ｂを含むキャッピング層１５０ａ、キャッピング層１５０ａ上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、図７Ａに示す反射型フォトマスクと比較すると、補償部１４０ｂがキャッピング層１５０ａのような材質の物質として形成される。図７Ｂに示す構造の反射型フォトマスクは、一つの種類の物質として補償部１４０ｂ及びキャッピング層１５０ａを形成するため製造工程が単純になる。また、同一物質なので補償部１４０ｂとして異種の物質を使用する場合に考慮しなければならないキャッピング層１５０ａとの接着力を考慮する必要がない。すなわち、補償部１４０ｂとして適用される異種の物質がキャッピング層１５０ａより物理的、化学的特性が低下してもよければキャッピング層１５０ａとして補償部１４０ｂを形成してもよい。
【００７８】
図７Ａ及び図７Ｂに示す反射型フォトマスクは全て基板１１０下面に金属層１７０が形成されている。しかしながら、金属層１７０は、必須的な構成要素ではなく、選択的な構成要素であり、使用者の意図によって形成されなくてもよい。従って、図７Ａ及び図７Ｂに示す反射型フォトマスクは基板１１０下面の金属層１７０が省略されてもよい。
【００７９】
反対に、本発明の全ての実施形態による反射型フォトマスクが金属層１７０を含む。
【００８０】
図８Ａ〜図８Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００８１】
図８Ａを参照すれば、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成されたキャッピング層１５０、キャッピング層１５０上に形成されたバッファパターン１６０、バッファパターン１６０上に形成された吸光パターン１３０、吸光パターン１３０の周辺に形成された補償部１４０ｆ及び基板１１０下面に形成された金属層１７０を含む。
【００８２】
具体的には、先ずバッファパターン１６０は、吸光パターン１３０を形成するときエッチング停止膜として活用でき、キャッピング層１５０と吸光パターン１３０の接着力強化のために適用されてもよい。また、キャッピング層１５０と吸光パターン１３０の熱膨張率が異なる場合に中間的な緩衝役割を果たしてもよい。バッファパターン１６０は、多様な物質を用いて形成できるが、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成される。吸光パターン１３０のパターニングを改善できる物質として形成してもよく、吸光パターン１３０のパターニング改善に関係なく接着力を強化するための目的にだけ形成してもよい。以外の目的にも多様な物質を導入できる。
【００８３】
図面には、補償部１４０ｆとバッファパターン１６０の厚さが同一なものと示されているが、これは図面を容易に理解できるようにするためのことだけである。補償部１４０ｆ及びバッファパターン１６０の厚さは互いに相関関係なく形成できる。すなわち、補償部１４０ｆがさらに厚くてもよく、バッファパターン１６０がさらに厚くてもよい。
【００８４】
図８Ｂを参照すれば、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成されたキャッピング層１５０、キャッピング層１５０上に形成された補償部１４０ｇ、補償部１４０ｇ上に形成されたバッファパターン１６０、バッファパターン１６０上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０の下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、図８Ａと比較すると、補償部１４０ｇが一つの層として形成されて反射層１２０とバッファパターン１６０の間に積層される。補償部１４０ｇが一つの層として積層されてパターニングされることによって形成される場合、反射層１２０とバッファパターン１４０ｇの接着力を強化させてもよく、吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０の形成時エッチング停止膜などの機能を遂行してもよい。バッファパターン１６０とキャッピング層１５０のパターニング選択比が問題になるのであれば、図８Ｂに示すような構造の反射型フォトマスクを考慮してもよい。
【００８５】
図８Ｃを参照すれば、基板１１０上に形成された反射層１２０、反射層１２０上に形成され、補償部１４０ｈを含むキャッピング層１５０ａ、キャッピング層１５０ａ上に形成されたバッファパターン１６０、バッファパターン１６０上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０の下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、図８Ｂと比較すれば、キャッピング層１５０ａと補償部１４０ｈの材質が同じである。図８Ｂの場合、複数層を積層してパターニングするようになるが、図８Ｃの場合一つの層だけを積層してパターニングしてキャッピング層１５０ａ及び補償部１４０ｈの機能を共に有するように形成できる。すなわち、製造工程を単純化できる。
【００８６】
図８Ａ〜図８Ｃに示す実施形態でも基板１１０下面に形成された金属層１７０は省略できる。
【００８７】
図９Ａ及び図９Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【００８８】
図９Ａを参照すれば、基板１１０上に形成されて補償部１４０ｉを含む反射層１２０、反射層１２０上に形成されたバッファパターン１６０、バッファパターン１６０上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、反射層１２０と補償部１４０ｉが同じ材質の物質、すなわち一体に形成できる。反射層１２０と補償部１４０ｉを同じ材質の物質として形成すれば、反射率及び屈折率など物質の光学的特性が同じであるため補償部１４０ｉの幅及び厚さなどの条件を算定しやすい。また、一つの種類の層だけをパターニングするため製造工程が単純化される。
【００８９】
図９Ｂを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクは、基板１１０上に形成されて補償部１４０ｉを含む反射層１２０、反射層１２０上に形成された保護層１８０ｅ、保護層１８０ｅ上に形成されたバッファパターン１６０、バッファパターン１６０上に形成された吸光パターン１３０及び基板１１０の下面に形成された金属層１７０を含む。具体的には、図９Ａと比較すると、補償部１４０ｉを含む反射層１２０とバッファパターン１６０の間に保護層１８０ｅが形成される。保護層１８０ｅは、補償部１４０ｉを含む反射層１２０を物理的、化学的損傷から保護でき、吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０の形成時にエッチング停止膜として活用される。また、補償部１４０ｉを含む反射層１２０とバッファパターン１６０の間の接着力を強化してもよい。
【００９０】
図９Ａ及び図９Ｂに示す実施形態でも基板１１０下面に形成された金属層１７０は省略できる。
【００９１】
以上で説明した本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクは単に図面に示す形と一致する実施形態にだけ局限されることではなく、各参照図面で提示された形を組み合わせてさらに多様な反射型フォトマスクを製造できる。
【００９２】
続いて、本発明による補償部が適用された反射型フォトマスクの性能を実験結果を参照して説明する。
【００９３】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、本発明の多様な実施形態のうち一つの反射型フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を実施し、測定した反射光のインテンシティーデータをグラフで示すものである。
【００９４】
図１０Ａは、図８Ａに示す反射型フォトマスクに補償部としてシリコン酸化物（ＳｉＯ２）を適用した場合を実験した結果をグラフで示すものである。
【００９５】
グラフのＸ軸は、多様なパターンのピッチ、すなわち吸光パターン１３０のピッチと言え、６０ｎｍから２６０ｎｍまでスプリットした。Ｙ軸は反射型フォトマスクの表面、すなわち反射型１２０で反射した光のうち−１次回折光と＋１次回折光のインテンシティー差を示し、二つ回折光のインテンシティーを加算した値と言える。理想的には、ゼロである場合と言える。各グラフは、多様な補償部１４０ｆの厚さによる結果である。補償部１４０ｆの厚さは、補償部１４０ｆを形成しない場合から５ｎｍ、１５ｎｍ、２５ｎｍ及び３５ｎｍである場合を実験した。補償部１４０ｆの線幅は同一に１６ｎｍを適用した。これは、反射光の回折された光を実験するための一実施形態だけであり、最適化された線幅と言えない。もうちょっと多様な実験を経れば、最適化された線幅を決定することに参考できる多様な傾向が分かる。
【００９６】
図１０Ａを参照すれば、吸光パターン１３０のピッチが６０〜８０ｎｍである場合、補償部１４０ｆを形成せず実験した結果が一番良く、ピッチが８０〜１００ｎｍである場合、５ｎｍの厚さで補償部１４０ｆを形成した場合の実験結果が一番良いと言え、ピッチが１００ｎｍ以上である場合、３５ｎｍの厚さで補償部１４０ｆを形成した場合の実験結果が一番良いと言える。本実験は、本発明の技術的思想を実際で具現してみる次元で実験したものであるので本実験結果が最適の結果を示すとすることには無理があると言える。本実験結果を参考してさらに多様な実験をしてみればさらに最適化された結果及び傾向を理解できるものである。
【００９７】
すなわち、補償部１４０ｆの幅を固定して厚さをスプリットして実験した結果なので、反対に厚さを固定して幅をスプリットしながら実験した結果を共に考慮すればさらに良い結果を期待できるものである。
【００９８】
図１０Ｂは、図８Ａに示す反射型フォトマスクに補償部１４０ｆとしてシリコン（Ｓｉ）を適用した場合を実験した結果をグラフで示したものである。
【００９９】
図１０ＡのようにＸ軸は、吸光パターン１３０のピッチであり、Ｙ軸は反射層１２０で反射した光を測定した−１次回折光及び＋１次回折光のインテンシティーを合した値であり、補償部１４０ｆの線幅を同一に１６ｎｍとし、補償部１４０ｆの厚さをスプリットした。
【０１００】
図１０Ｂを参照すれば、吸光パターン１３０のピッチが６０〜８０ｎｍである場合、補償部１４０ｆを形成しない結果が良く、ピッチが８０〜１２０ｎｍである場合、５ｎｍの厚さで補償部１４０ｆを形成した結果が良く、ピッチが１２０ｎｍ以上である場合、大きな差はないが、補償部１４０ｆの厚さが厚い場合、すなわち３５ｎｍである場合がよい結果を示す。
【０１０１】
図１０Ａ及び図１０Ｂの実験結果で、シリコン又はシリコン酸化物を補償部として適用する場合、吸光パターン１３０のピッチによって適切な厚さが存在することが分かり、二つ物質が大きい差を示さないことが分かる。
【０１０２】
図１０Ｃを参照すれば、異なる物質、すなわち反射層１２０と類似した構造で積層された多層補償部を適用して実験した結果である。多層補償部の総厚さは代表的にシリコン／モリブデン／シリコンで３個の層を積層して１６ｎｍに形成した。図１０Ｃは、ピッチが１４０ｎｍ以上である場合に安定した結果を示す。
【０１０３】
図１０Ａ〜図１０Ｃの実験結果を参照すれば、さらに多様な実験によって反射型フォトマスクを構成する各層及びパターンの特性と合致する補償部の最適条件を決定できると考えられる。
【０１０４】
続いて、本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクを製造する方法を説明する。
【０１０５】
本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスク製造方法は各実施形態によって非常に多様な方法で製造できる。従って、本明細書では代表的に幾つの反射型フォトマスク製造方法を説明する。本明細書で例示的に説明される反射型フォトマスク製造方法を理解すれば、説明しない本発明の他の実施形態によるフォトマスクを製造する方法を拡張して理解できるものである。
【０１０６】
図１１Ａ〜図１１Ｈは、本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【０１０７】
特に、図８Ａに示す反射型フォトマスクを製造する方法である。他の図面及び説明では図８Ａに図示して説明された構成要素が省略された場合がある。反対にさらに追加された場合もある。このような多様な反射型フォトマスクは製造方法を説明する説明で該当する構成要素に対する部分を除外することによって理解される。そして図１１Ａ〜図１１Ｈでは図８Ａとは違って、基板１１０下面に形成された金属層１７０を省略する。図８Ａの金属層１７０は、具体的な製造工程と関係なく形成できるからである。すなわち、金属層１７０は、最先に形成されてもよく、最後に形成されてもよい。金属層１７０についての説明を挿入する場合、むしろ本発明の技術的思想を理解することに複雑になるので省略する。
【０１０８】
図１１Ａを参照すれば、基板１１０上に反射層１２０を形成し、反射層１２０上にキャッピング層１５０を形成し、キャッピング層１５０上にバッファ層１６０ａを形成し、バッファ層１６０ａ上に吸光層１３０ａを形成する。
【０１０９】
反射層１２０は、第１の反射層と第２の反射層を交互に数十対積層して形成される。具体的には、第１の反射層としてモリブデンを、第２の反射層としてシリコンを数十対積層する。第１の反射層の厚さ及び第２の反射層の厚さは、一対の厚さが使用する光の波長の１／２に形成し、±１／４の誤差を許容できる。理由は、光の特性上二つの光が±１／４の位相差を有する場合、相殺干渉を起こすからである。第１の反射膜としてモリブデンを適用し、第２の反射膜としてシリコンを適用する場合、相対的な厚さは互いに屈折率によって決定されるため約２．９：４の厚さで形成される。これは互いに屈折率によって相対的に決定される数値なので物質が変われば厚さも変わる。本実施形態の場合、数十対積層されるため１対の高さは約６．９ｎｍに形成される。また、総反射層１２０の厚さは、代表的に４０対積層される。反射層１２０の総厚さは、入射される光を安定的に反射できる厚さで形成すればよく、約４０対積層した場合に安定的に光を反射する。勿論さらに厚いまたは薄い厚さで形成できる。
【０１１０】
反射層１２０を形成する方法は、スパッタリング方法と物理的又は化学的気相蒸着方法が使用される。各単位反射層の材質によって最適の形成方法が選択される。スパッタリング方法及び気相蒸着方法についての詳細な説明は、当業者によく知られた技術なので省略する。
【０１１１】
キャッピング層１５０は、シリコンが適用される。異なる物質としてシリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上を適用してもよい。本実施形態でシリコンを適用した理由は、本発明の範疇を限定するものではなく、単に実験の容易な実施を考慮して選択したものだけである。
【０１１２】
キャッピング層１５０の厚さは約１１ｎｍに形成される。キャッピング層１５０は反射型フォトマスクを製造する過程及び製造後物理的、化学的損傷から反射層１２０を保護する機能を有する。従って、安定的な厚さを確保することがよいと言えるが、過度な厚さは反射型フォトマスクの光学的特性に影響を与える。従って、反射層１２０を保護できる最小限の厚さで形成することが望ましく、本発明の実施形態では実験の容易性を考慮して１１ｎｍに形成した。しかしながら、これもまた本発明の範疇を限定するものと判断されてはならない。すなわち、薄い金属薄膜を適用する場合、数ｎｍの薄い厚さで形成してもよい。
【０１１３】
キャッピング層１５０を形成する方法は、物理的又は化学的気相蒸着方法又はスパッタリング方法を用いることができる。特に、本実施形態のようにシリコンを適用する場合、化学的気相蒸着法を一番広く活用できるが、これに限定されず、特に反射層１２０の表面がシリコン層である場合にはエピタキシャル成長方法を適用してもよい。キャッピング層１５０を形成するための多様な方法もよく知られた技術分野なのでさらに詳細な説明は省略する。
【０１１４】
バッファ層１６０ａは、バッファパターン１６０を形成するための層であり、多様な物質が適用でき、本実施形態ではクロム窒化物を適用した。バッファ層１６０ａは、これら以外にシリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成できる。
【０１１５】
バッファ層１６０ａは、吸光層１３０ａをパターニングして吸光パターン１３０を形成するときエッチング停止膜として利用でき、キャッピング層１５０と吸光層１３０ａとの接着力を改善するために適用してもよい。また二つ物質の熱膨張率が異なる場合、中間的な緩衝役割を果たしてもよい。なお、バッファ層１６０ａは、必須的な構成要素ではなく、吸光層１３０ａとキャッピング層１５０の相互特性によって省略されてもよい。すなわち、二つ層が接着力も高く、熱膨張率も似ていてパターニング時エッチング選択比を十分に確保できるのであれば、バッファ層１６０ａ又はバッファパターン１６０を省略してもよい。
【０１１６】
バッファ層１６０ａは、安定的なエッチング選択比の確保、熱膨張の緩衝役割又はキャッピング層１５０と吸光層１３０ａの接着力確保を考慮して適当な厚さに設定される。本発明の実施形態ではクロム窒化物を１０ｎｍの厚さで形成した。この厚さはバッファ層１６０ａの材質によって多様に設定され、シリコン酸化物を適用すればさらに厚く形成できる。
【０１１７】
バッファ層１６０ａもスパッタリング方法や物理的又は化学的気相蒸着方法として形成でき、よく知られた技術分野なので詳細な説明を省略する。
【０１１８】
吸光層１３０ａは、吸光パターン１３０を形成するための層としてクロム、クロム酸化物、タンタル、タンタル窒化物、タンタルボロン窒化物などを含んだ金属、金属化合物のうち何れか一つ以上で形成される。本発明の実施形態ではタンタル窒化物を約７０ｎｍの厚さで適用した。吸光層１３０ａは、材質及び厚さも多様な物質を適用して多様な厚さで形成される。本実施形態は単に実験の容易性を考慮して厚さを設定している。
【０１１９】
吸光層１３０ａもスパッタリング方法や物理的又は化学的気相蒸着方法として形成できる。
【０１２０】
図１１Ｂを参照すれば、吸光層１３０ａ上にフォトレジストパターン１９０ａを形成する。フォトレジストパターン１９０ａは吸光層及びバッファ層を吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０でパターニングするためのものとして電子ビームレジストである。具体的には、吸光層１３０ａ上に全面的にフォトレジスト層を形成し、露光又は電子ビームを照射した後、現像液でフォトレジスト層を選択的に除去してフォトレジストパターン１９０ａを形成する。フォトレジストパターン１９０ａを形成する技術はよく知られた技術なので詳細な説明を省略する。
【０１２１】
図１１Ｃを参照すれば、フォトレジストパターン１９０ａをエッチングマスクとして用いて吸光層１３０ａ及びバッファ層１６０ａをエッチングして吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０を形成する。具体的には、吸光層１３０ａ及びバッファ層１３０ｂをエッチングする方法は、炭素（Ｃ）を含み、フッ素（Ｆ-）、塩素（Ｃｌ-）又は臭素（Ｂｒ-）基を含有するガス、例えばＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8などのＣxＦy（ｘ、ｙは整数）系ガス、ＳＦ6、ＣＣｌ2及びその他ＣとＦ、Ｃｌ、Ｂｒなどのハロゲン族ガスを含有するガスを主エッチングガスとして活用し、その他ガスとしてＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性Ｏ族元素と、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2などを副エッチングガスとして混合したガス調合でプラズマエッチングされる。エッチングする方法についての詳細な説明は当業者によく知られた技術なので省略する。
【０１２２】
吸光パターン１３０とバッファパターン１６０のパターニングは二つ段階で進行する。図面に示すようにフォトレジストパターン１９０ａをエッチングマスクとして吸光層１３０ａとバッファ層１６０ａを連続的にエッチングして吸光パターン１３０とバッファパターン１６０を形成してもよいが、吸光パターン１３０を先ず形成した後、フォトレジストパターン１９０ａを除去し、吸光パターン１３０をエッチングマスクとしてバッファ層１６０ａをエッチングしてバッファパターン１６０を形成してもよい。
【０１２３】
図１１Ｄを参照すれば、フォトレジストパターン１９０ａを除去し、吸光パターン１３０、バッファパターン１６０及びキャッピング層１５０を露出させる。
【０１２４】
フォトレジストパターン１９０ａは硫酸を含有する水溶液などに湿式除去方式を使用してもよく、酸素（Ｏ2）を含有するガス調合で乾式除去方式を使用して除去してもよい。フォトレジストパターン１９０ａを除去する技術はよく知られた技術なので詳細な説明を省略する。
【０１２５】
図１１Ｅを参照すれば、露出した反射型フォトマスクの表面に全体的に補償部を形成するための補償層１４１ａを形成する。
【０１２６】
具体的には、補償層１４１ａはシリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上である。
【０１２７】
補償層１４１ａは、化学的又は物理的気相蒸着方法として形成できるが、モリブデンのような場合スパッタリング方法を使用して形成してもよい。
【０１２８】
図１１Ｆを参照すれば、キャッピング層１５０がシリコン又はシリコン酸化物であり、補償層１４１ｂがシリコン酸化物である場合、図面とは違って、キャッピング層１５０上部の補償層１４１ｂを吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０の表面と側壁に形成された補償層１４１ｂよりさらに厚く形成できる。このようにキャッピング層１５０上部の補償層１４１ｂがさらに厚い場合、安定された形の補償部を形成することに有利である。
【０１２９】
図１１Ｇを参照すれば、キャッピング層１５０がシリコンであり、補償層１４１ｃもシリコンである場合、エピタキシャル成長方法として形成してもよい。すなわち、露出したキャッピング層１５０の上部にだけ補償層が形成され、吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０の表面と側壁には補償層１４１ｃを形成しなくてもよい。このように選択的に補償層１４１ｃを形成した場合、全面的なエッチング方法を使用してもよいが、フォトレジストパターンをもう一度形成し、補償層１４１ｃを選択的にエッチングする工程によってさらに精巧な補償部を形成してもよい。この方法は、図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して後述する反射型フォトマスク製造方法についての説明を拡張して十分に理解できる。特に図１２Ｃが参照される。
【０１３０】
図１１Ｈを参照すれば、反射型フォトマスクの表面を全面的にエッチングして補償部１４１ｄを形成する。
【０１３１】
具体的には、図１１Ｅ〜図１１Ｇに示す反射型フォトマスクの表面をエッチングマスクなしに全面的にエッチングすれば、吸光パターン１３０の表面及びキャッピング層１５０表面の補償層（１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ）が先ずエッチングされ、バッファパターン１６０の側部に形成された補償層（１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ）は最後にエッチングされるため適切にエッチングすれば図１１Ｈのような形の補償部１４１ｄが形成される。
【０１３２】
図１２Ａ〜図１２Ｃは、本発明の他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。図１１Ａ〜図１１Ｈに説明された各構成要素の形成方法についての説明は追加的な説明がなければ、図１２Ａ〜図１２Ｅについての各構成要素に共通に参照できる。
【０１３３】
図１２Ａを参照すれば、基板１１０上に反射層１２０を形成し、反射層１２０上にキャッピング層１５０を形成し、キャッピング層１５０上に補償層１４２を形成し、補償層１４２上にバッファ層１６０ａを形成し、バッファ層１６０ａ上に吸光層１３０ａを形成し、吸光層１３０ａ上にフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層をパターニングして第１のフォトレジストパターン１９０ｂを形成する。第１のフォトレジストパターン１９０ｂは吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０を形成するためのものである。
【０１３４】
図１２Ｂを参照すれば、第１のフォトレジストパターン１９０ｂをエッチングマスクとして吸光層１３０ａ及びバッファ層１６０ａをエッチングして吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０を形成し、第１のフォトレジストパターン１９０ｂを除去する。
【０１３５】
図１２Ｃを参照すれば、露出した補償層１４２をパターニングするために、補償部１４２ａを形成するための第２のフォトレジストパターン１９０ｃを形成し、第２のフォトレジストパターン１９０ｃをエッチングマスクとして用いて補償層１４２をエッチングして補償部１４２ａを形成する。
【０１３６】
以後第２のフォトレジストパターン１９０ｃを除去すれば、図８Ｂに示す反射型フォトマスクが完成される。
【０１３７】
図１３Ａ及び図１３Ｂは、さらに他の方法で補償部１４２ａを形成する方法を説明するための図面である。図１１Ａ〜図１１Ｈに説明された各構成要素の形成方法についての説明を参照できる。
【０１３８】
図１３Ａを参照すれば、図１２Ａのように基板１１０上に反射層１２０を形成し、反射層１２０上にキャッピング層１５０を形成し、キャッピング層１５０上に補償層１４０を形成し、補償層１４０上にバッファ層１６０ａを形成し、バッファ層１６０ａ上に吸光層１３０ａを形成し、吸光層１３０ａ上にフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層をパターニングして第１のフォトレジストパターン１９０ｄを形成し、第１のフォトレジストパターン１９０ｄをエッチングマスクとして吸光層１３０ａ、バッファ層１３０ｂ及び補償層１４２を選択的にエッチングする。第１のフォトレジストパターン１９０ｄは補償部１４２ａを形成するためのものである。
【０１３９】
図１３Ｂを参照すれば、第１のフォトレジストパターン１９０ｄを除去した後、再びフォトレジスト層を形成してパターニングして第２のフォトレジストパターン１９０ｅを形成し、第２のフォトレジストパターン１９０ｅをエッチングマスクとして吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０を形成する。吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０が形成されれば補償部１４２ａが露出する。
【０１４０】
以後第２のフォトレジストパターン１９０ｅを除去して図８Ｂに示す本発明の実施形態による反射型フォトマスクが完成される。細部的な構成要素を形成する方法は図１１Ａ〜図１１Ｈ及び図１２Ａ〜図１２Ｃが参照される。
【０１４１】
図１４Ａ〜図１４Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【０１４２】
図１４Ａを参照すれば、基板１１０上に反射層１２０を形成し、反射層１２０上にキャッピング層１５０ｂを形成し、キャッピング層１５０ｂ上にバッファ層１６０ａを形成し、バッファ層１６０ａ上に吸光層１３０ａを形成し、吸光層１３０ａ上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層をパターニングして第１のフォトレジストパターン１９０ｆを形成する。
【０１４３】
図１４Ａに示すキャッピング層１５０ｂは予定されたキャッピング層１５０ａの厚さと補償部１４２ｂの厚さをあわせた厚さとして形成される。
【０１４４】
図１４Ｂを参照すれば、第１のフォトレジストパターン１９０ｆをエッチングマスクとして吸光層１３０ａ及びバッファ層１６０ａをエッチングして吸光パターン１３０及びバッファパターン１６０を形成した後、第１のフォトレジストパターン１９０ｆを除去してキャッピング層１５０ｂを露出させる。
【０１４５】
図１４Ｃを参照すれば、補償部１４２ｂを形成するための第２のフォトレジストパターン１９０ｇを形成し、第２のフォトレジストパターン１９０ｇをエッチングマスクとして露出したキャッピング層１５０ｂをエッチングして補償部１４２ｂを形成する。具体的には、露出したキャッピング層１５０ｂをエッチングする工程は適切にエッチング時間を調節することによって遂行される。
【０１４６】
以後、第２のフォトレジストパターン１９０ｇを除去して図８Ｃに示す本発明の実施形態による反射型フォトマスクを完成する。細部的な構成要素を形成する方法は図１１Ａ〜図１１Ｈ、図１２Ａ〜図１２Ｃ、及び図１３Ａ及び図１３Ｂが参照される。
【０１４７】
続いて、本発明の多様な実施形態を実現することに容易な反射型ブランクフォトマスクを説明する。
【０１４８】
図１５Ａ〜図１５Ｃは、本発明の実施形態による反射型フォトマスクを製造するための反射型ブランクフォトマスクを簡略に示す縦断面図である。
【０１４９】
図１５Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による反射型ブランクフォトマスクは、基板２１０上に形成された反射層２２０、反射層２２０上に形成された補償層２４０、及び補償層２４０上に形成された吸光層２３０を含む。
【０１５０】
基板１２０は石英材質のガラス基板である。
【０１５１】
反射層２２０は、複数の物質が交互に積層されて形成される。具体的には、第１の反射層と第２の反射層が対として積層され、第１の反射層はモリブデン層であり、第２の反射層はシリコン層である。
【０１５２】
補償層２４０は、シリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上である。
【０１５３】
吸光層２３０はクロム、クロム酸化物、タンタル、タンタル窒化物、タンタルボロン窒化物などを含んだ金属、金属化合物のうち何れか一つ以上である。
【０１５４】
基板２１０下面にクロムをはじめとする金属、金属合金、金属化合物及びその他金属性物質のうち何れか一つとして形成された金属層２７０をさらに含む。
【０１５５】
吸光層２３０上にパターニングのためのフォトレジスト層又は電子ビームレジスト層がさらに形成される。
【０１５６】
図１５Ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態による反射型ブランクフォトマスクは、基板２１０上に形成された反射層２２０、反射層２２０上にキャッピング層２５０、キャッピング層２５０上に形成された補償層２４０、及び補償層２４０上に形成された吸光層２３０を含む。
【０１５７】
基板２１０下面にクロムをはじめとする金属、金属合金、金属化合物及びその他金属性物質のうち何れか一つとして形成された金属層２７０をさらに含む。
【０１５８】
吸光層２３０上にパターニングのためのフォトレジスト層又は電子ビームレジスト層がさらに形成される。
【０１５９】
キャッピング層２５０はシリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成される。
【０１６０】
図１５Ｃを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による反射型ブランクフォトマスクは、基板２１０上に形成された反射層２２０、反射層２２０上に形成されたキャッピング層２５０、キャッピング層２５０上に形成された補償層２４０、補償層２４０上に形成されたバッファ層２６０、及びバッファ層上に形成された吸光層２３０を含む。
【０１６１】
基板２１０下面にクロムをはじめとする金属、金属合金、金属化合物及びその他金属性物質のうち何れか一つとして形成された金属層２７０をさらに含む。
【０１６２】
吸光層２３０上にパターニングのためのフォトレジスト層又は電子ビームレジスト層がさらに形成される。
【０１６３】
バッファ層２６０はシリコン、シリコン酸化物、モリブデン又はその多重層、ルテニウム、クロムなどの金属又は金属化合物のうち何れか一つ以上で形成される。
【０１６４】
本発明の多様な実施形態による反射型ブランクフォトマスクは、本発明の多様な実施形態による反射型フォトマスクの製造に容易に適用される。
【０１６５】
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須な特徴を変更しなくて他の具体的な形態で実施できるということを理解することができることである。それゆえ以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なことであって限定的でないものと理解しなければならない。
【０１６６】
（産業上の利用可能性）
本発明の反射型フォトマスク、その製造方法及び反射型ブランクフォトマスクはＥＵＶライトを用いる半導体素子生産工程で、半導体素子を生産するためにウェーハ上にパターンを形成するとき、鮮明なパターンを安定的に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】従来技術による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による反射型フォトマスクの縦断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による反射型フォトマスクの縦断面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図３Ｂ】本発明の他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図４Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図４Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図５Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図５Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図５Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図６Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図６Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図７Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図７Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図８Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図８Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図８Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図９Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図９Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスクを概略的に示す縦断面図である。
【図１０Ａ】本発明の多様な実施形態のうち一つの反射型フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を実施し、測定した反射光のインテンシティーデータをグラフで示す図面である。
【図１０Ｂ】本発明の多様な実施形態のうち一つの反射型フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を実施し、測定した反射光のインテンシティーデータをグラフで示す図面である。
【図１０Ｃ】本発明の多様な実施形態のうち一つの反射型フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を実施し、測定した反射光のインテンシティーデータをグラフで示す図面である。
【図１１Ａ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｄ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｅ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｆ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｇ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１１Ｈ】本発明の一実施形態による反射型フォトマスク製造方法を概略的に示す縦断面図である。
【図１２Ａ】本発明の他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１３Ａ】さらに他の方法で補償部を形成する方法を説明するための図面である。
【図１３Ｂ】さらに他の方法で補償部を形成する方法を説明するための図面である。
【図１４Ａ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１４Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１４Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による反射型フォトマスク製造方法を説明するために概略的に示す縦断面図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態による反射型フォトマスクを製造するための反射型ブランクフォトマスクを簡略に示す縦断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施形態による反射型フォトマスクを製造するための反射型ブランクフォトマスクを簡略に示す縦断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の実施形態による反射型フォトマスクを製造するための反射型ブランクフォトマスクを簡略に示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１１０：基板、１２０：反射層、１３０：吸光パターン、１４０：補償部、１５０：キャッピング層、１６０：バッファパターン、１７０：金属層、１８０：保護層、１９０：フォトレジストパターン
【図１】
2007258720.tif 000003
【図２Ａ】
2007258720.tif 000004
【図２Ｂ】
2007258720.tif 000005
【図３Ａ】
2007258720.tif 000006
【図３Ｂ】
2007258720.tif 000007
【図４Ａ】
2007258720.tif 000008
【図４Ｂ】
2007258720.tif 000009
【図５Ａ】
2007258720.tif 000010
【図５Ｂ】
2007258720.tif 000011
【図５Ｃ】
2007258720.tif 000012
【図６Ａ】
2007258720.tif 000013
【図６Ｂ】
2007258720.tif 000014
【図７Ａ】
2007258720.tif 000015
【図７Ｂ】
2007258720.tif 000016
【図８Ａ】
2007258720.tif 000017
【図８Ｂ】
2007258720.tif 000018
【図８Ｃ】
2007258720.tif 000019
【図９Ａ】
2007258720.tif 000020
【図９Ｂ】
2007258720.tif 000021
【図１０Ａ】
2007258720.tif 000022
【図１０Ｂ】
2007258720.tif 000023
【図１０Ｃ】
2007258720.tif 000024
【図１１Ａ】
2007258720.tif 000025
【図１１Ｂ】
2007258720.tif 000026
【図１１Ｃ】
2007258720.tif 000027
【図１１Ｄ】
2007258720.tif 000028
【図１１Ｅ】
2007258720.tif 000029
【図１１Ｆ】
2007258720.tif 000030
【図１１Ｇ】
2007258720.tif 000031
【図１１Ｈ】
2007258720.tif 000032
【図１２Ａ】
2007258720.tif 000033
【図１２Ｂ】
2007258720.tif 000034
【図１２Ｃ】
2007258720.tif 000035
【図１３Ａ】
2007258720.tif 000036
【図１３Ｂ】
2007258720.tif 000037
【図１４Ａ】
2007258720.tif 000038
【図１４Ｂ】
2007258720.tif 000039
【図１４Ｃ】
2007258720.tif 000040
【図１５Ａ】
2007258720.tif 000041
【図１５Ｂ】
2007258720.tif 000042
【図１５Ｃ】
2007258720.tif 000043