(57)【要約】【課題】有機金属化合物を精製する方法の提供。【解決手段】有機金属化合物をトリアルキルアルミニウム化合物および触媒の存在下で加熱することにより有機金属化合物を精製する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属化合物を精製する方法であって、
ｉ）ａ）非対称ジメチルヒドラジンおよび式Ｒ１Ｒ２ｎ−１Ｍ１の化合物（式中、Ｒ１は、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニルおよびアリールから選択され；各Ｒ２は独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニル、アリールおよびハロゲンから選択され；Ｍ１は、ＩＩＡ族〜ＶＩＡ族の金属であり；ｎはＭ１の価数である）から選択される有機金属化合物；および
ｂ）式Ｒ３ＸＲ４３−ＸＭ２のアルキル−金属化合物（式中、Ｒ３は、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルであり；各Ｒ４は独立して、水素およびハロゲンから選択され；Ｍ２は、ＩＩＩＡ族金属であり；ｘは１〜３の整数である）および触媒化合物を含む、精製組成物；
を含む混合物を提供し；並びに
ｉｉ）該混合物を加熱すること
を含む方法。
【請求項２】
触媒化合物が、ＩＡ族、ＩＩＡ族、ＩＩＩＡ族またはＶＡ族金属を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
触媒化合物がさらに、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アミノ、ジアルキルアミノ、アミノアルキル、およびジアルキルアミノアルキルから選択される基を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
触媒化合物が、リチウムジメチルアミド、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、三塩化アルミニウム、三臭化アルミニウム、三ヨウ化アルミニウム、三塩化ガリウム、三塩化インジウム、二塩化カルシウム、二フッ化バリウム、テトラメチルアンモニウムフルオリド、およびトリス（ジメチルアミノ）アルミニウムから選択される請求項１記載の方法。
【請求項５】
精製組成物が、有機金属化合物の重量基準で０．１〜１０重量％の量で存在する請求項１記載の方法。
【請求項６】
アルキル−金属化合物と触媒化合物が１０：１〜１：１０の重量比で存在する請求項１記載の方法。
【請求項７】
Ｍ２がアルミニウムである請求項１記載の方法。
【請求項８】
Ｍ１が、ＩＩＩＡ族金属、ＩＶＡ族金属およびＶＡ族金属から選択される請求項１記載の方法。
【請求項９】
アルキル−金属化合物が、ＩＩＩＡ族トリアルキル化合物である請求項１記載の方法。
【請求項１０】
精製組成物から有機金属化合物を取り除く工程をさらに含む請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機金属化合物の分野に関する。特に、本発明は、有機金属化合物、特に金属含有フィルムの気相堆積において使用されるものの精製の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属含有化合物は、金属薄膜の成長のための供給源などの様々な用途において使用される。このような化合物の利用の一つは、半導体などの電子装置の製造においてである。多くの半導体材料は、超高純度有機金属化合物を用いる、よく確立された堆積技術、例えば、有機金属気相エピタキシー（「ＭＯＶＰＥ」）、有機金属分子線エピタキシー（「ＭＯＭＢＥ」）、有機金属化学気相堆積法（「ＭＯＣＶＤ」）および原子層堆積（「ＡＬＤ」）を使用して製造される。これらのプロセスにおいて有用であるためには、有機金属化合物は、汚染物質および／または有害な不純物を含まないものでなければならない。除去されないならば、有機金属供給源中に存在するこのような不純物は、電子装置の電子および／または光電子工学特性に悪影響を及ぼし得る。
【０００３】
ケイ素および酸素は、どちらも、特にＩＩＩ族−Ｖ族（「ＩＩＩ−Ｖ」）およびＩＩ族−ＶＩ族（「ＩＩ−ＶＩ」）化合物半導体の成長において有害な不純物である。ケイ素は、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体の結晶格子においてこれが占める部位に応じて、ｎ型またはｐ型ドーパントのいずれかとして作用し得る。微量のケイ素（１ｐｐｍ程度の低いレベル）の存在は、堆積されたフィルムにおける合計キャリア濃度、そしてその後にこれらのフィルムから構成される装置の性能に関して、深刻な影響を及ぼし得る。酸素の取り込みは、製造された装置、特にＡｌＧａＡｓ化合物を含有するもののキャリア寿命および光学効率に影響を及ぼし得る。ケイ素および酸素は、一般に、典型的な有機金属合成において用いられる無機薬剤および／または有機溶媒中に存在する。これらの不純物は、その沸点および揮発度が目的の有機金属化合物のそれらと非常に近似しているので、一旦取り込まれると、有機金属化合物から分離することが非常に困難である。
【０００４】
米国特許第５，７８３，７１７号（Ｏｈｓａｋｉら）は、有機金属化合物を式Ｘ６−ｑＡｌ２Ｒｑ（式中、Ｘは塩素であり、Ｒは１〜３個の炭素を有するアルキルであり、およびｑは１〜５の整数である）の塩化アルミニウム化合物と混合することにより、酸素含有不純物を有機金属化合物から除去する方法を開示している。この方法は、有機金属化合物純度についての現在の産業界の要件を満たす十分な酸素含有不純物を有効に除去しない。
【特許文献１】米国特許第５，７８３，７１７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、酸素含有不純物のレベルが減少した有機金属化合物を提供することにより、従来の精製法の問題を解決する。加えて、本発明は、従来の精製法を用いて得られるものと比較して、ケイ素含有不純物のレベルが減少した有機金属化合物を提供する。一具体例において本発明は、酸素含有不純物を実質的に含まず、且つケイ素含有不純物を実質的に含まない有機金属化合物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
「アルキル」とは、直鎖、分岐鎖および環状アルキルを指す。同様に、「アルケニル」および「アルキニル」とは、それぞれ、直鎖、分岐鎖および環状アルケニルおよびアルキニルを指す。本明細書において用いられる場合、以下の略語は次の意味を有する：％ｗｔ＝重量％；ｇ＝グラム；ｐｐｍ＝百万分の１部；ｃｍ＝センチメートル。全てのパーセンテージは特に他に記載しない限り重量基準である。すべての数値範囲は境界値を包含し、かかる数値範囲が合計して１００％までに制限されることが明らかである場合を除いて、任意の順序で組み合わせ可能である。
【０００７】
本発明の一態様は、酸素含有不純物の量が減少した有機金属化合物を提供することであるので、本明細書に記載される全ての操作は、典型的には不活性雰囲気中、例えば窒素またはアルゴン中で行われる。
【０００８】
本発明は、有機金属化合物を精製する方法であって、ｉ）ａ）非対称ジメチルヒドラジンおよび式Ｒ１Ｒ２ｎ−１Ｍ１の化合物（式中、Ｒ１は、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニルおよびアリールから選択され；各Ｒ２は独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニル、アリールおよびハロゲンから選択され；Ｍ１は、ＩＩＡ族〜ＶＩＡ族の金属であり；ｎはＭ１の価数である）から選択される有機金属化合物；およびｂ）式Ｒ３ＸＲ４３−ＸＭ２のアルキル−金属化合物（式中、Ｒ３は、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルであり；各Ｒ４は独立して、水素およびハロゲンから選択され；Ｍ２は、ＩＩＩＡ族金属であり；ｘは１〜３の整数である）および触媒化合物を含む精製組成物、を含む混合物を提供し；並びにｉｉ）前記混合物を加熱することを、含む方法を提供する。本発明の方法は、有機金属化合物中に存在する酸素含有およびケイ素含有不純物のレベルを減少させるために有用である。
【０００９】
種々様々な有機金属化合物を本発明の方法に従って精製することができる。かかる有機金属化合物には、非対称ジメチルヒドラジンおよび式（Ｉ）Ｒ１Ｒ２ｎ−１Ｍ１の化合物（式中、Ｒ１は、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニルおよびアリールから選択され；各Ｒ２は独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１２）ジアルキルアミノ、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、ジ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニル、アリールおよびハロゲンから選択され；Ｍ１は、ＩＩＡ族〜ＶＩＡ族の金属であり；ｎはＭ１の価数である）が包含されるが、他の有機金属化合物を有利に精製することができる。Ｍ１は、ＩＩＡ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡおよびＶＩＡ族の任意の金属である。本出願において用いられる場合、「金属」なる用語には、ＶＡ族の元素、すなわち、メタロイドであるリン、ヒ素、アンチモンおよびビスマスが包含されることが意図される。一具体例において、Ｍ１は、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族およびＶＡ族金属から選択される。もう一つ別の具体例において、Ｍ１は、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素、亜鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマスおよびテルルから選択される。
【００１０】
本発明の方法に従って精製することができる有機金属化合物の例としては、これらに限定されないが、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−イソ−ブチルアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、ジ−イソ−プロピルメチルインジウム、イソプロピルジメチルインジウム、トリエチルホウ素、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジ−イソプロピルテルリド、ジエチルテルリド、ジエチルセレニド、ジ−イソ−プロピルセレニド、トリメチルヒ素、トリメチルアンチモン、トリエチルアンチモン、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム、ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、エチルアルシン、ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、ビスホスフィノエタン、トリス（ジメチルアミノ）スチビン、トリス（ジメチルアミノ）アルシン、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、テトラキス（ジメチルアミノ）ゲルマン、ジメチルアミノプロピルジメチルアルミニウム、イソブチルゲルマン、トリフェニルホスフィン、フェニル−ビス−（２−ジメチルアミノフェニル）ホスフィンおよびフェニル−ビス−（４−ジメチルアミノ）ホスフィンが挙げられる。有機金属化合物の混合物も本発明の方法に従って精製することができる。
【００１１】
本発明の方法において、精製される有機金属化合物を、アルキル−金属化合物および触媒を含む精製組成物と接触させる。ここにおいて、アルキル−金属化合物と触媒は異なる。アルキル−金属化合物と有機金属化合物は異なる。同様に、触媒と有機金属化合物は異なる。アルキル−金属化合物は、式（ＩＩ）Ｒ３ｘＲ４３−ｘＭ２の化合物であり、式中、Ｒ３は（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルであり；各Ｒ４は独立して、水素およびハロゲンから選択され；Ｍ２はＩＩＩＡ族金属であり；ｘは１〜３の整数である。種々様々なアルキル−金属化合物を好適に使用することができる。一具体例において、アルキル−金属化合物は、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル−ＩＩＩＡ族金属化合物である。もう一つ別の具体例において、アルキル−金属化合物は、トリアルキル−ＩＩＩＡ族金属化合物、典型的には、トリ（Ｃ１−Ｃ５）アルキル−ＩＩＩＡ族金属化合物である。アルキル−金属化合物の例としては、これらに限定されないが、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、ジメチルガリウムクロリド、トリメチルガリウム、トリエチルインジウムおよびトリメチルインジウムが挙げられる。アルキル−金属化合物の混合物も使用することができる。一具体例において、アルキル−金属化合物のアルキル基は、有機金属化合物中に存在するアルキル基と同じである。もう一つ別の具体例において、Ｍ１およびＭ２がどちらもアルミニウムである場合、Ｍ２上、すなわち、アルキル−金属化合物上のアルキル基は、Ｍ１、すなわち、有機金属化合物上のものよりも、より高級のアルキル基であるのが好ましい。「より高級のアルキル基」とは、比較されるアルキル基よりも少なくとも１個多い炭素原子を有するアルキル基を意味する。
【００１２】
触媒は、精製される有機金属化合物のアルコキシル交換（ｔｒａｎｓａｌｋｏｘｙｌａｔｉｏｎ）を向上させる、塩を包含する様々な化合物の任意のものであり得る。理論に拘束されることを望まないが、本発明者らは、触媒は、有機金属化合物の酸素含有不純物、すなわちＭ１も含有する酸素含有不純物、からアルキル−金属化合物へのアルコキシ基の移動を促進する働きをすると考える。好適な触媒には、これらに限定されないが、ＩＡ、ＩＩＡ、およびＶＡ族金属の化合物および塩が包含される。かかる触媒には、典型的には、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アミノ、ジアルキルアミノ、アミノアルキル、およびジアルキルアミノアルキルから選択される１以上の基が包含される。アリール基は、例えば、１以上の水素を１以上の置換基、例えば、ハロゲン、シアノ、アミノ、ジアルキルアミノ、アミノアルキルおよびジアルキルアミノアルキルで置き換えることにより置換することができる。典型的には、触媒には酸素置換がない。触媒の例には、これらに制限されることはないが、リチウムジメチルアミド、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、三塩化アルミニウム、三臭化アルミニウム、三ヨウ化アルミニウム、三塩化ガリウム、三塩化インジウム、二塩化カルシウム、二フッ化バリウム、テトラメチルアンモニウムフルオリド、およびトリス（ジメチルアミノ）アルミニウムが挙げられる。触媒の混合物を使用することができる。
【００１３】
精製組成物におけるアルキル−金属化合物と触媒の重量比は広範囲にわたって変化し得る。典型的には、アルキル−金属化合物と触媒の重量比は、１０：１〜１：１０である。さらに典型的には、該重量比は５：１〜１：５である。
【００１４】
有機金属化合物、アルキル−金属化合物および触媒を任意の順序で組み合わせることができる。一具体例において、精製組成物は、まず、アルキル−金属化合物および触媒を組み合わせることにより調製することができ、次いで組成物を有機金属化合物と組み合わせることがでる。あるいは、アルキル−金属化合物および触媒をそれぞれ別々に、連続的かまたは同時のいずれかで有機金属に添加することができる。一般に、精製組成物は、有機金属化合物の重量基準で０．１〜１０重量％の量で存在する。典型的には、精製組成物は、０．２〜８重量％の量で存在する。
【００１５】
有機金属化合物をアルキル−金属化合物および触媒と組み合わせた後、混合物を加熱する。具体的な加熱温度は、用いられる有機金属化合物、アルキル−金属化合物および触媒に依存する。典型的には、かかる温度は、有機金属化合物が分解する温度よりも低い。温度の例としては、これらに限定されないが、３０〜１７５℃の範囲が挙げられる。さらに典型的には、好適な温度は５０〜１５０℃、さらに一層典型的には、７０〜８０℃である。加熱工程の期間は、例えば５分〜５時間のように広範囲にわたって変化し得るが、さらに短い時間または長い時間を用いることもできる。さらに典型的には、加熱工程は、１５分〜５時間であり、さらに典型的には３０分〜４時間、特に１〜２時間である。かかる加熱工程は、有機金属化合物中の不純物レベルの減少を促進する。
【００１６】
加熱工程後、精製された有機金属化合物をアルキル−金属化合物および触媒から分離する。かかる分離は、任意の好適な技術、例えば、これらに限定されないが、蒸留または昇華により行うことができる。他の分離技術、例えば再結晶などを使用することができる。これらの分離技術は当業者にはよく知られている。
【００１７】
減少したレベルの酸素含有不純物および減少したレベルのケイ素含有不純物を有する有機金属化合物を本発明の方法により得ることができる。一具体例において、精製された有機金属化合物は、酸素含有不純物を実質的に含まない。「酸素含有不純物を実質的に含まない」とは、精製された有機金属化合物が０．０５ｐｐｍ以下の酸素含有不純物を含有することを意味する。もう一つ別の具体例において、精製された有機金属化合物は、ケイ素含有不純物を実質的に含まない。すなわち、精製された有機金属化合物は０．０３ｐｐｍ以下のケイ素含有不純物を含有する。典型的には、精製された有機金属化合物は、酸素含有不純物およびケイ素含有不純物のどちらも実質的含有しない。不純物のレベルは、酸素含有不純物の場合には、通常のフーリエ変換核磁気共鳴（「ＦＴ−ＮＭＲ」）分光分析により決定することができ、金属不純物の場合には、通常の誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）分析により決定することができる。本発明の方法により得られる精製された有機金属化合物は、典型的には、９９．９９９９％以上の純度である。
【００１８】
本発明の精製された有機金属化合物は、例えば音声／データ通信、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）、およびＤＶＤ用途において使用される高性能装置を製造するためのＭＯＣＶＤ用途をはじめとする、高純度の有機金属化合物の使用を必要とする様々な用途において用いることができる。さらに、これらの精製された有機金属化合物の多くは、他の有機金属化合物の製造において、アルキル化薬剤として使用することができる。例えば、精製されたトリメチルアルミニウムは、ケイ素含有および酸素含有不純物のレベルが実質的に低いトリメチルインジウムを製造するために使用することができ、精製されたトリエチルアルミニウムは、ケイ素含有および酸素含有不純物のレベルが実質的に低いトリエチルガリウムを製造するために使用することができる。本発明の利点は、有機金属薬剤に必要な精製工程の数の減少、例えば、原材料および／または最終製品の蒸留の回数の減少をもたらすことである。従って、本発明はサイクル時間を著しく減少させ、これは関連する労力および全製造コストの量の全体的な減少につながる。
【００１９】
次の実施例は、本発明の様々な態様を説明するものと期待される。
【実施例】
【００２０】
実施例１
ＡｌＣｌ３（１ｇ）およびトリエチルアルミニウム（３ｇ）を独立して、磁気撹拌棒を備えた丸底三口フラスコ中のトリエチルホウ素（２００ｇ）に添加した。トリエチルホウ素は、ＦＴ−ＮＭＲ分析に基づき、２９４ｐｐｍの酸素化不純物を含有していることがわかっていた。混合物を６０℃で１時間加熱し、次いで３０ｃｍ充填カラムおよび部分テイクオフヘッド（ｐａｒｔｉａｌ  ｔａｋｅ−ｏｆｆ  ｈｅａｄ）を通して大気圧で蒸留した。４０ｇの前留分をとり、故意に捨て、前留分の最後のヘッド温度は９５．１℃であった。その後の１３０ｇのメインフラクションが次に得られ、９５．１℃の一定のヘッド温度が観察された。テイル（ｔａｉｌ）フラクションは約３０ｇであることが判明した。ＦＴ−ＮＭＲによるメインフラクションの分析により、酸素不純物は検出不可能（すなわち、０．０５ｐｐｍ未満）であることがわかった。精製されたトリエチルホウ素のＩＣＰ技術による分析により、次の金属不純物は無いことがわかった：Ａｌ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｉ（０．０３ｐｐｍ未満）、Ｓｎ、Ｓｒ、およびＺｎ。
【００２１】
実施例２
酸素含有不純物およびケイ素含有不純物を含むトリエチルアルミニウム（Ｅｔ３Ａｌ）を蒸留フラスコに添加する。トリ−イソ−ブチルアルミニウム（Ｅｔ３Ａｌの重量基準で２〜５％）および三塩化アルミニウム（Ｅｔ３Ａｌの重量基準で１％）を連続的に撹拌しながら蒸留フラスコに添加する。混合物を３時間約１２０℃に加熱し、その後、混合物を室温に冷却する。次に、真空を適用して、減圧で分別蒸留を行う。約１５重量％の前留分をとり、少なくとも１５重量％がテイルフラクションとして残る。酸素含有不純物およびケイ素含有不純物を実質的に含まない精製されたトリエチルアルミニウムが予想される。
【００２２】
実施例３
蒸留塔および還流ヘッドを備えた５リットルのステンレス鋼製リボイラー（ｒｅｂｏｉｌｅｒ）を準備する。これに、３００ｇのトリエチルアルミニウムを添加する。トリ−ｎ−プロピルアルミニウム（１０ｇ）および三塩化インジウム（５ｇ）を次に添加し、これは約５重量％に相当する。混合物を約１２０℃に加熱し、３時間撹拌し、その後、冷却する。冷却すると、システムを完全な真空下に置き、次に徐々に加熱して、穏やかな還流をもたらす。システムを約１時間還流させる。約１５重量％の前留分（〜４０ｇ）をとる。メインフラクションを次に集める。約１５重量％の混合物がテイルフラクションとして残る。メインフラクションをＩＣＰ−発光分光分析（ＩＣＰ−ＯＥＳ）およびＦＴ−ＮＭＲにより分析する。精製されたトリエチルアルミニウムは酸素含有不純物およびケイ素含有不純物を実質的に含まないと予想される。
【００２３】
実施例４
トリエチルアルミニウムを２５０ｇのジエチル亜鉛と置き換える以外は実施例２の手順を繰り返す。添加されるトリ−イソ−ブチルアルミニウムの量は１０ｇであり、添加される三塩化アルミニウムの量は３ｇである。さらに、２ｇのフッ化カリウムを添加する。蒸留後、酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたジエチル亜鉛が得られると予想される。
【００２４】
実施例５
トリエチルアルミニウムを２００ｇのトリエチルガリウムと置き換え、１０ｇのトリイソブチルアルミニウムを使用し、三塩化インジウムを２ｇの三塩化ガリウムと置き換える以外は実施例３の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたトリエチルガリウムが得られると予想される。
【００２５】
実施例６
ジエチル亜鉛を２２０ｇの非対称ジメチルヒドラジンと置き換える以外は実施例４の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製された非対称ジメチルヒドラジンが得られると予想される。
【００２６】
実施例７
トリエチルアルミニウムを３００ｇのトリメチルヒ素と置き換え、１４ｇのトリメチルアルミニウムを使用し、三塩化インジウムを４ｇのフッ化ナトリウムおよび２ｇの三臭化アルミニウムと置き換える以外は実施例２の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたトリメチルヒ素が得られると予想される。
【００２７】
実施例８
トリエチルアルミニウムを２７５ｇのトリメチルアンチモンと置き換え、１２ｇのトリメチルアルミニウムを使用する以外は実施例３の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたトリメチルアンチモンが得られると予想される。
【００２８】
実施例９
ジエチル亜鉛を２８０ｇのトリメチルビスマスと置き換え、１３ｇのトリ−イソ−ブチルアルミニウムを添加し、三塩化アルミニウムを５ｇの塩化カリウムおよび２ｇの三ヨウ化アルミニウムと置き換える以外は実施例４の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたトリメチルビスマスが得られると予想される。
【００２９】
実施例１０
トリエチルアルミニウムを２９０ｇのトリエチルアンチモンと置き換え、１５ｇのトリ−ｎ−プロピルアルミニウムを使用し、三塩化インジウムを５ｇの三塩化アルミニウムと置き換える以外は実施例３の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたトリエチルアンチモンが得られると予想される。
【００３０】
実施例１１
トリエチルアルミニウムを２００ｇのジ−イソプロピルテルルと置き換え、１０ｇのトリメチルアルミニウムを使用し、三塩化アルミニウムを３ｇのトリス（ジメチルアミノ）アルミニウムと置き換える以外は実施例２の手順を繰り返す。酸素含有不純物およびケイ素不純物を実質的に含まない精製されたジ−イソプロピルテルルが得られると予想される。
【００３１】
実施例１２
トリエチルアルミニウムをトリメチルアルミニウムと置き換える以外は実施例２の手順を繰り返す。
【００３２】
実施例１３
次の有機金属化合物、触媒化合物およびアルキル−金属化合物を使用する以外は実施例１の手順を繰り返す。
【００３３】
【表１】
2007137883.tif 000002
【００３４】
前記表において、化合物およびリガンドについて次の略号が使用される：ＢＰＥ＝ビスホスフィノエタン、ＤＩＰＭｅＩｎ＝ジ−イソプロピルメチルインジウム、ＴＤＭＡＡｓ＝トリス（ジメチルアミノ）ヒ素、ＴＤＭＡＳｂ＝トリス（ジメチルアミノ）アンチモン、ＴＢＡ＝ターシャリーブチルアルシン、ＴＭＡｌ＝トリメチルアルミニウム、ＴＥＡｌ＝トリエチルアルミニウム、ＴＩＰＡｌ＝トリイソプロピルアルミニウム、ＴＮＰＡｌ＝トリ−ｎ−プロピルアルミニウム、ＴＭＩｎ＝トリメチルインジウム、ＴＤＭＡＧｅ＝テトラキス（ジメチルアミノ）ゲルマニウム、ＩＢＧｅ＝イソブチルゲルマン、ＴＭＧｅ＝テトラメチルゲルマニウム、ＴＤＭＡＳｉ＝テトラキス（ジメチルアミノ）ケイ素、ＤＭＡＰＤＭＡｌ＝ジメチルアミノプロピルジメチルアルミニウム、ＤＩＰＳｅ＝ジ−イソプロピルセレニド、ＴＥＭＡＨｆ＝テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム。
【外国語明細書】
2007137883000001.pdf
2007137883000002.pdf
2007137883000003.pdf