(57)【要約】【課題】  ボンディングワイヤを接続する工程において損傷を与えることを抑制する電子装置、発光装置およびこれを備える画像形成装置を提供する。【解決手段】  発光素子３は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。台座部４は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上で、発光素子３が形成される領域とは異なる領域に形成される。台座部４には、発光素子３の第１〜第３電極１２，１３，１４に配線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８が形成される。ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの厚み方向Ｚにおける位置は、発光素子３の厚み方向Ｚの一方Ｚ１の表面と等しい。【選択図】      図１
2007299955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の厚み方向の一表面上に形成され、電極を有する電子素子と、
前記一表面上で、前記電子素子が形成される領域とは異なる領域に形成される台座部と、
前記台座部に設けられ、前記電極に電気的に接続されるボンディング用配線とを含み、
前記ボンディング用配線の前記厚み方向における前記基板とは反対側の表面は、前記電子素子の前記基板とは反対側の表面を含む前記厚み方向に垂直な仮想一平面上、または前記仮想一平面よりも基板から離間して形成されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置を含む発光装置であって、
前記電子素子は、複数の層が積層されて構成される発光素子から成り、
前記台座部は、前記発光素子の各層とそれぞれ同じ厚みを有する複数の層を積層して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数の前記発光素子を有し、
前記仮想一平面よりも基板に近接して形成され、前記電極と前記ボンディング用配線とを電気的に接続する配線を含むことを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の発光装置と、
画像情報に基づいて前記発光装置を駆動する駆動手段と、
感光体ドラムに前記発光装置の発光素子からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって前記感光体ドラムに集光されて露光された感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、
記録シートに転写された現像剤を定着させる定着手段とを含むことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、発光装置およびこの発光装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置として電子写真プリンタがある。この電子写真プリンタの露光装置の１つである光プリンタヘッドとして、ｐｎｐｎ構造を有する複数の発光サイリスタを含んで構成される発光素子アレイがある（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
画像の解像度を向上するためには、発光サイリスタの配置間隔を小さくする必要がある。発光サイリスタを密に配置すると、電子写真プリンタの使用中に発光素子アレイの温度が上昇し、光量が低下する。従来の技術では、ボンディングパッドの形状を配置位置に応じて異ならせることによって、発光素子アレイの放熱性を向上し、光量が低下することを防いでいる（たとえば特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平３−１９４９７８号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７４５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
装置の小形化を図るためには、基板に形成される複数の電子素子も小形にする必要があり、これに伴ってボンディングパッドの形状も小さくなる傾向にある。このようにボンディングパッドの形状が小さくなると、ボンディングワイヤを供給するキャピラリがボンディングパッドよりも大きく、ボンディングパッドの厚み方向の一方から見て、ボンディングパッドからはみ出すこともある。発光サイリスタなどの電子素子が基板の厚み方向の一表面上に凸状に形成されている場合、たとえば基板上に形成されたボンディングパッドにボンディングワイヤを接続するときに、ボンディングワイヤを供給するキャピラリが凸状の電子素子に衝突し、電子素子が破損することがある。また電子素子を密に配置するために、各電子素子を電気的に接続する配線が、基板上に縦横に複雑に配置される場合がある。この配線によって凸部が形成されるので、前述したようにこの配線にキャピラリが衝突し、配線に損傷が生じる場合があり、製品の歩留りが低下するという問題が生じる。
【０００６】
したがって本発明の目的は、ボンディングワイヤを接続する工程において損傷を与えることを抑制する電子装置、発光装置およびこれを備える画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、
前記基板の厚み方向の一表面上に形成され、電極を有する電子素子と、
前記一表面上で、前記電子素子が形成される領域とは異なる領域に形成される台座部と、
前記台座部に設けられ、前記電極に電気的に接続されるボンディング用配線とを含み、
前記ボンディング用配線の前記厚み方向における前記基板とは反対側の表面は、前記電子素子の前記基板とは反対側の表面を含む前記厚み方向に垂直な仮想一平面上、または前記仮想一平面よりも基板から離間して形成されることを特徴とする電子装置である。
【０００８】
また本発明は、前記電子装置を含む発光装置であって、
前記電子素子は、複数の層が積層されて構成される発光素子から成り、
前記台座部は、前記発光素子の各層とそれぞれ同じ厚みを有する複数の層を積層して形成されることを特徴とする発光装置である。
【０００９】
また本発明は、複数の前記発光素子を有し、
前記仮想一平面よりも基板に近接して形成され、前記電極と前記ボンディング用配線とを電気的に接続する配線を含むことを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、前記発光装置と、
画像情報に基づいて前記発光装置を駆動する駆動手段と、
感光体ドラムに前記発光装置の発光素子からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって前記感光体ドラムに集光されて露光された感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、
記録シートに転写された現像剤を定着させる定着手段とを含むことを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ボンディング用配線の基板とは反対側の表面は、基板の厚み方向において、電子素子の基板とは反対側の表面を含む仮想一平面上、またはこの仮想一表面よりも基板から離間する。ボンディング用配線は、このように基板から離間した位置に形成されるので、たとえばボンディングワイヤを供給するキャピラリを基板の厚み方向の一方から基板に向かって近接させたとすると、キャピラリはボンディング用配線に最初に衝突する。ボンディングワイヤをボンディング用配線に接続するときには、キャピラリがボンディング用配線に衝突しないように位置制御されているので、キャピラリが電子装置に衝突することがなくなる。またボンディング用配線が電子素子とは異なる位置に形成された台座部に設けられるので、ボンディングワイヤを接続するときに生じる衝撃が、電子素子に直接的に伝わることを防ぐことができる。これによって電子装置にボンディングワイヤを接続する工程において電子装置に損傷を与えることを防ぐことができ、電子装置の長寿命化を図ることができるとともに、電子装置を備える機器の歩留りを向上することができる。
【００１２】
また本発明によれば、台座部は、発光素子の各層とそれぞれ同じ厚みを有する複数の層を積層して形成されるので、発光素子を形成する工程と同じ工程において形成される。これによって台座部を形成するための工程を新たに設ける必要がなくなり、発光装置を容易かつ低コストで作製することができる。
【００１３】
また本発明によれば、配線は、基板の厚み方向に関してボンディング用配線の基板とは反対側の表面を含む仮想一平面よりも基板に近接し、すなわち前記仮想一平面よりも基板側に形成される。発光素子を密に配置すると、配線の密度も高くなるので、配線の重なり合う部分では凸部が形成される。配線によって形成される凸部は、基板の厚み方向に関してボンディング用配線の基板とは反対側の表面よりも基板側に形成されるので、ボンディングワイヤをボンディング用配線に接続するとき、キャピラリが配線によって形成される凸部に衝突しない。これによって発光装置にボンディングワイヤを接続する工程において発光装置に損傷を与えることを防ぐことができ、発光装置の長寿命化を図ることができるとともに、発光装置を備える機器の歩留りを向上することができる。
【００１４】
また本発明によれば、画像情報に基づいて前記発光装置を駆動手段によって駆動して、発光装置からの光を集光手段によって、帯電した感光体ドラムに集光することによって、感光体ドラムは露光され、その表面に静電潜像が形成される。静電潜像が形成された感光体ドラムに、現像剤供給手段によって現像剤を供給すると、感光体ドラムに現像剤が付着して画像が形成される。転写手段によって、感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写して、定着手段によって記録シートに転写された現像剤を定着させることによって、記録シートに画像が形成される。
【００１５】
また画像形成装置は、長寿命かつ実装するときに生じる損傷を抑制した発光装置を備えるので、長寿命かつ高歩留りの画像形成装置が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態の発光装置１を示す断面図である。図２は、発光装置１を示す断面図である。発光装置１は、基板２と、発光素子３と、台座部４と、ゲート用配線５と、アノード用配線６と、カソード用配線７と、ボンディング用配線に相当するボンディングパッド８とを含んで構成される。
【００１７】
基板２は、板状であって、ｎ型半導体から成る。電子素子に相当する発光素子３は、基板２の厚み方向Ｚ（以下、厚み方向Ｚという）の一表面２ａ上の、基板２の幅方向Ｘ（以下、幅方向Ｘという）の一方Ｘ１の端部寄りに形成される。発光素子３は、本実施の形態ではｐｎｐｎ構造を有する発光サイリスタから成り、発光素子本体１１と、第１電極１２と、第２電極１３と、絶縁層１５の発光素子本体１１に重なって形成される部分とを含んで構成される。発光素子３は、しきい電圧を超える電位差をアノードとカソードとの間に与えることによって発光する。しきい電圧は、ゲートに印加する電圧に応じて変化する。
【００１８】
発光素子本体１１は、第１のｎ型半導体層１６と、第１のｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１８と、第２のｐ型半導体層１９と、オーミックコンタクト層２０とがそれぞれこの順に積層されて、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。発光素子本体１１は、基板２から厚み方向Ｚの一方Ｚ１に離間するほど先細状に形成される。
【００１９】
具体的には、基板２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体およびＩＶ族半導体などの結晶成長が可能な半導体基板であり、たとえば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、シリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）などの半導体材料によって形成される。
【００２０】
第１のｎ型半導体層１６は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される。第１のｎ型半導体層１６のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００２１】
第１のｐ型半導体層１７は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第１のｐ型半導体層１７を形成する半導体材料には、第１のｎ型半導体層１６を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１のｎ型半導体層１６を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第１のｐ型半導体層１７のキャリア密度は１×１０１７ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００２２】
第２のｎ型半導体層１８は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２のｎ型半導体層１８を形成する半導体材料には、第１のｐ型半導体層１７を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１のｐ型半導体層１７を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第２のｎ型半導体層１８のキャリア密度は、第１のｎ型半導体層１６、第１のｐ型半導体層１７、第２のｎ型半導体層１８および第２のｐ型半導体層１９の全層の中で最も小さく１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１７ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。第２のｎ型半導体層１８は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成することによって、高い内部量子効率を得ることができる。
【００２３】
第２のｐ型半導体層１９は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２のｐ型半導体層１９を形成する半導体材料には、第１のｐ型半導体層１７および第２のｎ型半導体層１８を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１のｐ型半導体層１７および第２のｎ型半導体層１８を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが大きいものが選ばれる。第２のｐ型半導体層１９のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。
【００２４】
オーミックコンタクト層２０は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成されるｐ型半導体層であり、第１電極１２とのオーミック接合を行うためのものである。オーミックコンタクト層２０のキャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３以上のものが望ましい。
【００２５】
発光素子本体１１は、第２電極１３と接続される第２電極接続部２１を有する。第２電極接続部２１は、第１のｎ型半導体層１６と、第１のｐ型半導体層１７の厚み方向Ｚの基板２寄りの一部とが、第１のｎ型半導体層１６と、第１のｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１８と、第２のｐ型半導体層１９と、オーミックコンタクト層２０とが積層された部位から幅方向Ｘの他方Ｘ２に突出して形成される。
【００２６】
台座部４は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の発光素子３が形成される領域とは異なる領域に形成される。台座部４は、基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部寄りに形成される。台座部４は、本実施の形態では厚み方向Ｚおよび幅方向Ｘに垂直な配列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置されるアノード用台座部と、ゲート用台座部３４と、カソード用台座部３５と、第３電極１４とを含む。アノード用台座部と、ゲート用台座部３４と、カソード用台座部３５とを総称する場合、または不特定のものを指定する場合には、単に台座部４という場合がある。台座部４は、台座部本体２２と、絶縁層１５の台座部本体２２に重なって形成される部分とを含んで構成される。
【００２７】
台座部本体２２は、本実施の形態では発光素子本体１１の各半導体層とそれぞれ同じ厚みを有する半導体層を積層して形成される。台座部本体２２は、発光素子本体１１と同じ材料を用いた層構成を成すので、対応する層については発光素子本体１１の各半導体層と同一の名称を付す。
【００２８】
台座部本体２２は、第１のｎ型半導体層２４と、第１のｐ型半導体層２５と、第２のｎ型半導体層２６と、第２のｐ型半導体層２７と、オーミックコンタクト層２８とがそれぞれこの順に積層されて、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。台座部本体２２は、四角錘台状に形成される。
【００２９】
絶縁層１５は、発光素子本体１１の表面と、台座部本体２２の表面と、基板２の表面とを厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。絶縁層１５は、電気絶縁性および透光性ならびに平坦性を有する樹脂材料によって形成される。絶縁層１５は、ポリイミドおよびベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などによって形成される。
【００３０】
発光素子３と台座部４とは、発光装置１の小形化を実現するために可能な限り近接して配置される。発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００３１】
発光素子本体１１のオーミックコンタクト層２０の厚み方向Ｚの一表面２０ａ上に積層された絶縁層１５の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第１貫通孔３１が形成される。また第２電極接続部２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に積層された絶縁層１５の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第２貫通孔３２が形成される。またカソード用台座部３５と基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部との間に形成される絶縁層１５の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第３貫通孔３３が形成される。
【００３２】
第１電極１２は、第１貫通孔３１内およびこの第１貫通孔３１を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第１電極１２は、発光素子３のアノードに相当する。第２電極１３は、第２貫通孔３２内およびこの第２貫通孔３２を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第２電極１３は、発光素子３のゲートに相当する。第３電極１４は、第３貫通孔３３内およびこの第３貫通孔３３を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第３電極１４は、基板２を介して第１のｎ型半導体層１６に電気的に接続されるので、発光素子３のカソードに相当する。第１〜第３電極１２，１３，１４は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。
【００３３】
台座部４の厚み方向Ｚの一表面４ａ上には、ボンディングワイヤの一端が接続されるボンディングパッド８が形成される。発光装置１は、ボンディングワイヤを介して、他の装置と電気的に接続される。ボンディングパッド８は、アノード用台座部の厚み方向Ｚの一表面上の全面にわたって形成されるアノード用ボンディングパッドと、ゲート用台座部３４の厚み方向Ｚの一表面４ａ上の全面にわたって形成されるゲート用ボンディングパッドＧと、カソード用台座部３５の厚み方向Ｚの一表面４ａ上に形成されるカソード用ボンディングパッドＣとを含む。以後ゲート用ボンディングパッドＧと、カソード用台座部３５の厚み方向Ｚの一表面４ａ上に形成されるカソード用ボンディングパッドＣとを総称する場合、および不特定のものを示す場合には、単にボンディングパッド８という場合がある。
【００３４】
ゲート用配線５は、第２電極１３とゲート用ボンディングパッドＧとの間を、絶縁層１５の表面に沿って延びる。ゲート用配線５は、伝導性を有する材料によって形成される。ゲート用ボンディングパッドＧは、ゲート用配線５を介して第２電極１３と電気的に接続される。すなわちゲート用ボンディングパッドＧは、発光素子３のゲートに相当する。
【００３５】
アノード用配線６は、第１電極１２とアノード用ボンディングパッドとの間を、絶縁層１５の表面に沿って延びる。アノード用配線６は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。アノード用ボンディングパッドは、アノード用配線６を介して第１電極１２と電気的に接続される。すなわちアノード用ボンディングパッドは、発光素子３のアノードに相当する。このアノード用配線６は、ゲート用配線５と短絡しないように、ゲート用配線５と所定の間隔をあけて配置される。
【００３６】
カソード用配線７は、第３電極１４とカソード用ボンディングパッドＣとの間を、絶縁層１５の表面に沿って延びる。カソード用配線７は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。カソード用ボンディングパッドＣは、カソード用配線７を介して第３電極１４と電気的に接続される。すなわちカソード用ボンディングパッドＣは、発光素子３のカソードに相当する。発光素子３のカソードをグランドに接続する場合には、このカソード用ボンディングパッドＣとグランドとの間をボンディングワイヤによって接続すればよい。
【００３７】
第１電極１２、第２電極１３、第３電極１４、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッド、ゲート用ボンディングパッドＧ、およびカソード用ボンディングパッドＣは、それぞれ金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）および金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）などによって形成される。
【００３８】
発光素子本体１１および台座部本体２２は、基板２の一表面２ａ上に第１のｎ型半導体層１６，２４、第１のｐ型半導体層１７，２５、第２のｎ型半導体層１８，２６、第２のｐ型半導体層１９，２７、オーミックコンタクト層２０，２８をそれぞれ形成するための半導体材料を、エピタキシャル成長および化学気相成長（ＣＶＤ）法などによって順次積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。したがって、一連の製造プロセスにおいて、発光素子本体１１および台座部本体２２を同時に形成することができるので、製造工程を増加させないで台座部本体２２を形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００３９】
絶縁層１５は、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、第１〜第３貫通孔３１，３２，３３をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。
【００４０】
第１〜第３電極１２，１３，１４、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッド、ゲート用ボンディングパッドＧ、およびカソード用ボンディングパッドＣは、絶縁層１５を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を絶縁層１５の表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。したがって、第１〜第３電極１２，１３，１４と、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、アノード用ボンディングパッド、ゲート用ボンディングパッドＧ、およびカソード用ボンディングパッドＣの厚みは、ほぼ等しく形成される。
【００４１】
本実施の形態では、発光素子３と台座部４とは同じ工程において作製されるので、発光素子３とアノード用ボンディングパッドとカソード用ボンディングパッドＣと、ゲート用ボンディングパッドＧとの厚みはほぼ同じである。またアノード用配線６、ゲート用配線５およびカソード用配線７は、それぞれ絶縁層１５の表面に沿って形成されるので、アノード用ボンディングパッドとカソード用ボンディングパッドＣと、ゲート用ボンディングパッドＧの厚み方向Ｚの一表面に関して基板２寄りに形成される。したがってアノード用ボンディングパッドとカソード用ボンディングパッドＣと、ゲート用ボンディングパッドＧの厚み方向Ｚの一表面は、発光装置１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成される。すなわちボンディングパッド８の厚み方向Ｚの基板２とは反対側の一表面８ａは、発光素子３の厚み方向Ｚの基板２とは反対側の表面を含む厚み方向Ｚに垂直な仮想一平面１０上、または前記仮想一平面１０に関して基板２とは反対側に、すなわち前記仮想一平面１０よりも基板２から離間して形成される。またアノード用配線６、ゲート用配線５およびカソード用配線７は、前記仮想一平面１０に関して基板２寄りに、すなわち前記仮想一平面１０よりも基板２に近接して形成される。発光素子３の厚み方向Ｚの一表面３ａとボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａとの基板２の一表面２ａからの高さＨは、たとえば２μｍ〜１０μｍに選ばれる。
【００４２】
以上説明したように、ボンディングパッド８は、厚み方向Ｚの一表面８ａが発光装置１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成されるので、発光素子３と台座部４とが近接して配置されているとしても、ボンディングワイヤを接続する工程においてキャピラリが厚み方向Ｚの一方Ｚ１から基板２に向けて台座部４に近接するときに、発光素子３と衝突することがなくなる。またボンディングパッド８は、発光素子３から離間した位置に形成される台座部４に設けられるので、ボンディングワイヤを接続するときに発光素子３に直接的に衝撃が伝わらず、発光素子３に与える衝撃を抑制することができる。これによってボンディングワイヤを接続する工程において発光素子３に損傷を与えることを防ぐことができ、発光装置１の長寿命化を図ることができるとともに発光装置１を備える機器の歩留りを向上することができる。
【００４３】
本実施の形態では、発光素子本体１１は、ｎ型半導体層から成る基板２の一表面２ａ上にｎ型半導体層、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層がこの順に順次積層されて形成されるとしたけれども、ｎ型半導体層をｐ型半導体層に置換し、ｐ型半導体層をｎ型半導体層に置換した構成であってもよい。
【００４４】
また本実施の形態では、発光素子３は、発光サイリスタから成るとしたけれども、発光ダイオードによって構成されてもよい。この場合には、発光装置１における発光素子本体１１の第１のｎ型半導体層１６と第１のｐ型半導体層１７とをｎ型半導体層に置換し、第２のｎ型半導体層１８と第２のｐ型半導体層１９とをｐ型半導体層に置換するとともに、基板２を絶縁性を有する半導体層に置換すればよく、カソード用台座部３５が必要なくなる。この場合に、発光素子本体と同じ層構造の台座部本体を形成すると、前述したように発光素子本体と台座部本体とを一連の工程において同時に作製することができる。
【００４５】
また本実施の形態では、ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの基板２からの間隔は、発光素子３の厚みと等しくなるが、ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの基板２からの間隔を、発光素子３の厚みよりも大きくなるように台座部４またはボンディングパッド８を形成してもよい。この場合であっても、ボンディングワイヤを接続する工程においてキャピラリが発光素子３に衝突することを防ぐことができる。
【００４６】
また本実施の形態では、発光素子３と台座部４とを近接して配置するとしたけれども、ボンディングワイヤを接続するときに発光素子３に加わる衝撃を緩和するために、発光素子３と台座部４とを離間して配置するようにしてもよい。ただし発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１が大きすぎると、電気信号が劣化したり、装置が大形になるので、発光素子３と台座部４との間隔Ｗ１は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００４７】
図３は、本発明の第２の実施の形態の発光装置４１の平面図である。図４は、図３の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置４１の断面図である。図５は、図３の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置４１の断面図である。発光装置４１は、発光素子アレイ４２と、複数の台座部Ｄと、複数の制御信号伝送配線ＧＨと、アノード用配線６と、ゲート用配線５と、カソード用配線７と、第１絶縁層４３と、第２絶縁層４４と、ボンディング用配線に相当する複数のボンディングパッド８とを含んで構成される。本実施の形態の発光装置４１の構成において、前述の第１の実施の形態の発光装置１の構成と対応する構成については、同一の符号を付す。
【００４８】
発光素子アレイ４２は、ｎ（記号ｎは、２以上の整数）個の発光素子ブロックＢを含んで構成される。各発光素子ブロックＢは、それぞれｍ（記号ｍは、２以上の整数）個の発光素子Ｔを含んで構成される。すなわち発光素子アレイ４２は、ｎ×ｍ個の発光素子Ｔを含んで構成される。本実施の形態では、ｍ＝４である。各発光素子Ｔは、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部寄りに、相互に間隔をあけて配列方向Ｙに沿って直線状に配列される。各発光素子ブロックＢは、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｍ個ずつの発光素子Ｔによってそれぞれ構成される。ｎ個の発光素子ブロックＢのうちの、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｉ（記号ｉは、１以上かつｎ以下の整数）番目に配置される発光素子ブロックＢを、発光素子ブロックＢｉという場合がある。また発光素子ブロックＢｉを構成する発光素子Ｔのうちの、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順にｊ（記号ｊは、１以上かつｍ以下の整数）番目に配置される発光素子Ｔを発光素子Ｔｊという場合がある。以後、複数の発光素子Ｔを総称する場合、および不特定の発光素子Ｔを示す場合には、単に発光素子Ｔという場合がある。また複数の発光素子ブロックＢを総称する場合、および不特定の発光素子ブロックＢを示す場合には、単に発光素子ブロックＢという場合がある。発光素子Ｔは、６００〜８００ｎｍの波長の光を発光可能に形成される。
【００４９】
発光素子Ｔは、前述した第１の実施の形態の発光装置１における発光素子３と同様の構成であるので、対応する構成については同様の符号を付す。発光素子Ｔは、発光素子本体１１と、第１絶縁層４３の一部と、第２絶縁層４４の一部と、第１電極１２と、第２電極１３とを含んで構成される。特に発光素子本体１１は、前述した第１の実施の形態の発光装置１における発光素子本体１１と同じ構造を有している。
【００５０】
各発光素子ブロックＢを構成する発光素子Ｔは、発光素子ブロックＢ毎に第１電極１２が互いにアノード用配線６を介して電気的に接続される。
【００５１】
発光装置４１は、本実施の形態では３×ｎ個の台座部Ｄを含む。台座部Ｄは、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上の幅方向Ｘの一方Ｘ１の端部寄りに、相互に間隔をあけて配列方向Ｙに直線状に配列される。台座部Ｄは、前述した第１の実施の形態の発光装置１における台座部４と同様の構成であるので、対応する構成については同じ符号を付す。台座部Ｄは、台座部本体２２と、第１絶縁層４３の一部と、第２絶縁層４４の一部と、第３電極１４とを含んで構成される。特に台座部本体２２は、前述した第１の実施の形態の発光装置１における台座部本体２２と同じ構造を有している。
【００５２】
発光素子Ｔと台座部Ｄとは、発光装置４１の小形化を実現するために、後述する制御信号伝送配線ＧＨを形成することが可能な間隔をあけて近接して配置される。発光素子Ｔと台座部Ｄとの間隔Ｗ２は、たとえば１０μｍ〜２００μｍに選ばれる。
【００５３】
ボンディングパッド８は、それぞれ各台座部Ｄの厚み方向Ｚの一表面４ａ上の全面にわたって形成される。ボンディングパッド８は、ボンディングワイヤの一端を接続可能な大きさに形成される。ボンディングパッド８の幅方向Ｘの寸法Ｗ３は、たとえば３０μｍ〜１２０μｍに選ばれ、配列方向Ｙの寸法Ｗ４は、たとえば３０μｍ〜１２０μｍに選ばれる。
【００５４】
複数のボンディングパッド８のうち、配列方向Ｙの一方Ｙ１から順に３×ｉ−１番目に配置されるボンディングパッド８を、アノード用ボンディングパッドＡｉという場合がある。以後複数のアノード用ボンディングパッドＡを総称する場合、および不特定のアノード用ボンディングパッドＡを示す場合には、単にアノード用ボンディングパッドＡという場合がある。
【００５５】
発光装置４１は、本実施の形態では発光素子ブロックＢを構成する発光素子Ｔの数（ｍ個）と同数のｍ本の制御信号伝送配線ＧＨを含む。本実施の形態ではｍ＝４なので、発光装置４１は、４本の第１〜第４制御信号伝送配線ＧＨ１，ＧＨ２，ＧＨ３，ＧＨ４を含む。以後複数の制御信号伝送配線ＧＨを総称する場合、および不特定の制御信号伝送配線ＧＨを示す場合には、単に制御信号伝送配線ＧＨという場合がある。
【００５６】
制御信号伝送配線ＧＨは、発光素子アレイ４２と台座部Ｄとの間に形成され、前述した第１の実施の形態の発光装置１の絶縁層１５に相当する第１絶縁層４３の厚み方向Ｚの一表面上に配列方向Ｙに沿って延びる。第１〜第４制御信号伝送配線ＧＨ１，ＧＨ２，ＧＨ３，ＧＨ４は、各発光素子Ｔの第２電極１３にそれぞれ順次１つずつゲート用配線５を介して接続され、配列される発光素子Ｔに沿って、それぞれが４つおきに発光素子Ｔの第２電極１３に接続される。すなわち第１制御信号伝送配線ＧＨ１は、発光素子Ｔ１の第２電極１３に電気的に接続され、第２制御信号伝送配線ＧＨ２は、発光素子Ｔ２の第２電極１３に電気的に接続され、第３制御信号伝送配線ＧＨ３は、発光素子Ｔ３の第２電極１３に電気的に接続され、第４制御信号伝送配線ＧＨ４は、発光素子Ｔ４の第２電極１３に電気的に接続される。
【００５７】
第１制御信号伝送配線ＧＨ１は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第２制御信号伝送配線ＧＨ２は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第３制御信号伝送配線ＧＨ３は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。また第４制御信号伝送配線ＧＨ４は、複数のボンディングパッド８のうちのいずれか１つにゲート用配線５を介して電気的に接続される。以後第１制御信号伝送配線ＧＨ１に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第１ゲート用ボンディングパッドＧ１といい、第２制御信号伝送配線ＧＨ２に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第２ゲート用ボンディングパッドＧ２といい、第３制御信号伝送配線ＧＨ３に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第３ゲート用ボンディングパッドＧ３といい、第４制御信号伝送配線ＧＨ４に電気的に接続されるボンディングパッド８を、第４ゲート用ボンディングパッドＧ４という場合がある。
【００５８】
また複数の台座部Ｄのうちの１つは、前述の第１の実施の形態の発光装置１のカソード用台座部３５に相当し、この台座部Ｄに設けられるボンディングパッド８は、カソード用配線７を介して第３電極１４に電気的に接続される。以後カソード用配線７を介して第３電極１４に電気的に接続されるボンディングパッド８を、カソード用ボンディングパッドＣという場合がある。
【００５９】
第１絶縁層４３は、前述した第１の実施の形態の発光装置１における絶縁層１５に相当し、基板２、台座部本体２２および発光素子本体１１の表面を、厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。また前述したように第１絶縁層４３の厚み方向Ｚの一表面上に、配列方向Ｙに沿って制御信号伝送配線ＧＨが形成される。
【００６０】
第２絶縁層４４は、第１絶縁層４３および制御信号伝送配線ＧＨの表面を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆って形成される。前述したゲート用配線５は、第２絶縁層４４の表面に沿って幅方向Ｘに延び、所定の制御信号伝送配線ＧＨに接続される。第２絶縁層４４のうち、制御信号伝送配線ＧＨのゲート用配線５が接続されるべき表面上に形成される部分には、貫通孔４５が形成され、この貫通孔４５にゲート用配線５の一部が形成される。
【００６１】
アノード用配線６は、第２絶縁層４４の表面に沿って形成され、第１電極１２から第２電極接続部２１の厚み方向Ｚの一方Ｚ１まで延びる第１延在部６ａと、配列方向Ｙに延び、第１延在部６ａの第１電極１２とは反対側の端部をそれぞれ接続する第２延在部６ｂと、第２延在部６ｂの配列方向Ｙの中央から幅方向Ｘに延び、アノード用ボンディングパッドＡに接続される第３延在部６ｃとを含んで構成される。
【００６２】
発光素子本体１１のオーミックコンタクト層２０の厚み方向Ｚの一表面２０ａ上に積層された第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第１貫通孔３１が形成される。また第２電極接続部２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に積層された第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第２貫通孔３２が形成される。またカソード用ボンディングパッドＣが設けられる台座部Ｄと基板２の幅方向Ｘの他方Ｘ２の端部との間に形成される第１絶縁層４３および第２絶縁層４４の一部には、厚み方向Ｚに貫通する第３貫通孔３３が形成される。
【００６３】
第１電極１２は、第１貫通孔３１内およびこの第１貫通孔３１を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第１電極１２は、アノードに相当する。第２電極１３は、第２貫通孔３２内およびこの第２貫通孔３２を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第２電極１３は、ゲートに相当する。第３電極１４は、第３貫通孔３３内およびこの第３貫通孔３３を厚み方向Ｚの一方Ｚ１から覆う部分に形成される。第３電極１４は、カソードに相当する。第１〜第３電極１２，１３，１４は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。
【００６４】
発光素子本体１１および台座部本体２２は、前述の第１の実施の形態と同様の工程を経ることによって形成される。
【００６５】
第１絶縁層４３および第２絶縁層４４は、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、第１〜第３貫通孔３１，３２，３３をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。
【００６６】
制御信号伝送配線ＧＨは、第１絶縁層４３を形成した後、第１〜第３電極１２，１３，１４、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、ボンディングパッド８は、第２絶縁層４４を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を絶縁層の表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。したがって、第１〜第３電極１２，１３，１４、アノード用配線６、ゲート用配線５、カソード用配線７、ボンディングパッド８、および制御信号伝送配線ＧＨの厚みは、ほぼ等しく形成される。
【００６７】
図６は、図３に示される発光装置４１の等価回路を示す回路図である。発光装置４１は、駆動手段４６をさらに含む。駆動手段４６は、各アノード用ボンディングパッドＡおよび各ゲート用ボンディングパッドＧにそれぞれボンディングワイヤを介して電気的に接続される。本実施の形態では、各発光素子Ｔのカソードに相当するカソード用ボンディングパッドＣを接地電位とする。
【００６８】
駆動手段４６は、アノード用ボンディングパッドＡｉにセレクト信号φｉを、ゲート用ボンディングパッドＧｊに制御信号ψｊをそれぞれ与える。セレクト信号φｉは、アノード用配線６を介して発光素子ブロックＢｊに含まれる各発光素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のアノードに与えられる。制御信号ψｊは、制御信号伝送配線ＧＨｊを介して各発光素子Ｔｊのゲートに与えられる。駆動手段４６は、駆動用ドライバーＩＣ（Integrated
Circuit）によって実現される。
【００６９】
発光素子Ｔは、カソードが接地しているときには、アノードにハイレベルの高電圧が印加され、ゲートにローレベルが印加されているときに発光し、アノードおよびゲートが共にハイレベル、または、アノードおよびゲートが共にローレベルのときには、消灯している。ハイレベルは、たとえば３ボルト〜１０ボルトであり、ローレベルは、たとえば０（零）ボルトである。したがってたとえば発光素子ブロックＢｉの発光素子Ｔ２を発光させる場合には、駆動手段４６は、ハイレベルのセレクト信号φｉを与えるとともに、ローレベルの制御信号ψ２、ハイレベルの制御信号ψ１、ψ３、ψ４を与える。このようにセレクト信号φｉおよび制御信号ψｊを制御することによって選択的に発光素子Ｔを発光させることができる。たとえば各発光素子Ｔのゲートおよびアノード毎にボンディングパッド８を形成する場合には、発光素子Ｔの数の２倍のボンディングパッドが必要になるが、ｍ個の発光素子Ｔをまとめて発光素子ブロックＢとすることによって、駆動手段４６に接続される端子の数をｎ＋ｍ個にすることができる。これによって駆動手段４６の端子数を抑制することができる。
【００７０】
駆動手段４６は、外部から基準となるクロックパルス信号が入力されて、このクロックパルス信号に基づいて、制御信号ψ１〜φ４を同期して出力する。前記クロックパルス信号は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６から与えられる。クロックパルス信号のクロック周期は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６における制御周期よりも長く選ばれる。また駆動手段４６は、クロックパルス信号とともに与えられる画像情報に基づいて、セレクト信号φｉを出力する。
【００７１】
図７は、発光装置４１を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。画像形成装置８７は、電子写真方式の画像形成装置であり、発光装置４１を、感光体ドラム９０への露光装置に使用している。発光装置４１は、回路基板に実装される。
【００７２】
画像形成装置８７は、Ｙ（イエロ）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ（ブラック）の４色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、４つの発光装置４１Ｙ，４１Ｍ，４１Ｃ，４１Ｋ、集光手段であるレンズアレイ８８Ｙ，８８Ｍ，８８Ｃ，８８Ｋが実装された回路基板およびレンズアレイ８８を保持する第１ホルダ８９Ｙ，８９Ｍ，８９Ｃ，８９Ｋ、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０ｃ，９０Ｋ、４つの現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段である転写ベルト９２、４つのクリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、４つの帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋ、定着手段９５および制御手段９６を含んで構成される。
【００７３】
各発光装置４１は、駆動手段４６によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。
【００７４】
各発光素子Ｔからの光は、レンズアレイ８８を介して各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに集光して照射される。レンズアレイ８８は、たとえば発光素子Ｔの光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に形成して構成される。
【００７５】
発光装置４１が実装される回路基板およびレンズアレイ８８は、第１ホルダ８９によって保持される。第１ホルダ８９によって、発光素子Ｔの光照射方向と、レンズアレイ８８のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
【００７６】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着して成り、その外周面には各発光装置４１Ｙ，４１Ｍ，４１Ｃ，４１Ｋからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。
【００７７】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに現像剤を供給する現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写ベルト９２、クリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、および帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋがそれぞれ配置される。感光体ドラム９０に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト９２は、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに対して共通に設けられる。
【００７８】
前記感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、第２ホルダによって保持され、この第２ホルダと第１ホルダ８９とは、相対的に固定される。各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの回転軸方向と、前記配列方向Ｙとがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
【００７９】
転写ベルト９２によって、記録シートを搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段９５に搬送される。定着手段９５は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、回転駆動手段によって回転される。
【００８０】
制御手段９６は、前述した駆動手段４６にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段９２、帯電手段９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋおよび定着手段９５の各部を制御する。
【００８１】
以上説明した本実施の形態の発光装置４１によれば、前述の第１の実施の形態の発光装置１と同様に、ボンディングパッド８は、厚み方向Ｚの一表面が発光装置４１において基板２の一表面２ａから最も離間した位置に形成される。これによって前述したようにボンディングワイヤを接続するときにキャピラリが、発光素子Ｔおよび各配線に衝突することを防ぐことができるとともに、発光素子Ｔに直接的に衝撃が伝わらず、発光素子Ｔに与える衝撃を抑制することができる。これによってボンディングワイヤを接続する工程において発光素子Ｔに損傷を与えることを防ぐことができ、発光装置１を備える機器の歩留りを向上することができる。特に配線の密度が高くなって厚み方向Ｚに複数層の配線を積層する場合、配線によって厚さの厚い凸部が形成されるが、台座部Ｄを設けることによってキャピラリが、各配線に衝突することを防ぐことができる。これによって発光素子Ｔを密に配置することが可能となり、発光装置４１の小形化を図ることができる。また配線の密度が高くなり、配線によって形成される凸部の厚みが発光素子Ｔよりも厚くなったとしても、この凸部の厚みよりも厚い台座部Ｄを形成することによって、キャピラリが、各配線に衝突することを防ぐことができる。
【００８２】
また発光装置４１は、各発光素子Ｔとは異なる部位にボンディングパッド８を備えるので、ボンディングパッド８の大きさに依存せずに各発光素子Ｔを配列方向Ｙに密に配置することができる。これによって解像度の高い画像形成装置８７を実現することができる。
【００８３】
また画像形成装置８７は、長寿命かつ実装するときに生じる損傷を抑制した発光装置４１を備えるので、長寿命かつ高歩留りの画像形成装置８７が実現される。
【００８４】
図８は、本発明の第３の実施の形態の発光装置５１を示す断面図である。本発明の実施の形態の発光装置５１は、第２の実施の形態の発光装置４１の構成から、カソード用配線７、第３電極１４を除くとともに、発光素子Ｔを発光サイリスタから発光ダイオードに置換した構成である。具体的には、第１のｎ型半導体層１６と第１のｐ型半導体層１７とをｎ型半導体層５２に置換し、第２のｎ型半導体層１８と第２のｐ型半導体層１９とをｐ型半導体層５３に置換する。また台座部本体も発光素子本体と同様の層構成を成し、第１のｎ型半導体層２４と第１のｐ型半導体層２５とをｎ型半導体層５４に置換し、第２のｎ型半導体層２６と第２のｐ型半導体層２７とをｐ型半導体層５５に置換する。このように発光素子Ｔを発光ダイオードによって構成したとしても、駆動手段４６は、制御信号φおよびセレクト信号ψを与えることによって選択的に発光素子Ｔを発光させることができる。
【００８５】
前述の各実施の形態の発光装置において、電子素子として発光素子について説明したが、電子素子は、発光素子に限られない。電子素子は、たとえば基板２の一表面２ａ上、またはベアチップの一表面上に形成されるダイオード、トランジスタ、サイリスタおよび抵抗器などであってもよい。この場合であっても、ボンディングパッドが設けられる台座部を形成することによって、ボンディングワイヤを接続する工程において電子素子に損傷を与えることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の発光装置１を示す断面図である。
【図２】発光装置１を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の発光装置４１の平面図である。
【図４】図３の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置４１の断面図である。
【図５】図３の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置４１の断面図である。
【図６】図３に示される発光装置４１の等価回路を示す回路図である。
【図７】発光装置４１を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の発光装置５１を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１，４１，５１  発光装置
２  基板
３  発光素子
４  台座部
５  ゲート用配線
６  アノード用配線
７  カソード用配線
８  ボンディングパッド
１２  第１電極
１３  第２電極
１４  第３電極
３４  ゲート用台座部
３５  カソード用台座部
４２  発光素子アレイ
８７  画像形成装置
８８  レンズアレイ
８９  ホルダ
９０  感光体ドラム
９１  現像剤供給手段
９２  転写ベルト
９３  クリーナ
９４  帯電器
９５  定着手段
９６  制御手段
Ａ  アノード用ボンディングパッド
Ｃ  カソード用ボンディングパッド
Ｇ  ゲート用ボンディングパッド
Ｄ  台座部
ＧＨ  制御信号伝送配線
【図１】
2007299955.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007299955.tif 000010