(57)【要約】【課題】基板表面の端子部の導通を得ながら、かつ均一な配向膜を成膜することができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材を提供する。【解決手段】真空室３０１内において、マザー基板３５を蒸着材料３０２に対向して支持し、直動ステージ３０６により平行移動させる。蒸着材料３０２とマザー基板３５との間に、スリット孔２１０が形成されたマスク２００を配設し、マザー基板３５を所定の距離間隔で間欠的に移動させて、スリット孔２１０を介してマザー基板３５を蒸着材料３０２側に露出することで、マザー基板３５上に一定間隔で配列された所定形状の斜方配向蒸着膜を形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板表面上に到達させることにより、前記基板表面上に薄膜を形成する電気光学装置の製造装置であって、
前記基板表面を前記蒸着材料に対向して支持し、かつ前記基板を前記基板表面を含む平面上において移動させる移動手段と、
前記蒸着材料と前記移動手段との間に、前記蒸着材料に対する相対的な位置を固定されて配設され、かつ前記移動手段により支持された前記基板の表面の一部を前記蒸着材料側に露出させる所定の形状を有する一つ又は複数の開口部が形成されたマスク部材と、を備え、
前記移動手段により前記基板を所定の距離間隔で間欠的に移動させて、前記マスク部材の前記開口部を介して前記基板表面の一部を前記蒸着材料側に露出することで、前記基板表面上に、１方向もしくは２方向に配列された複数の被蒸着領域上に前記薄膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記所定の距離間隔は、前記基板表面上に配列された前記複数の前記被蒸着領域の、前記基板の移動方向と平行な方向についての中心間距離の整数倍となる距離であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記マスク部材の前記開口部は一つであって、前記開口部の開口形状は、前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直行する方向を長手方向とした細長のスリット形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記マスク部材の前記開口部は複数であって、前記複数の開口部は前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直交する方向に、直線状に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記マスク部材の前記開口部は複数であって、前記複数の開口部は前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直交する方向に、千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
前記蒸着材料と前記マスク部材との間に配設され、前記蒸着材料から前記基板へ向かう前記蒸気を遮蔽する遮蔽手段を備え、
前記移動手段は、前記遮蔽手段により前記蒸気が遮蔽されている時に前記基板を移動することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板表面上に到達させることにより、前記基板表面上に薄膜を形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板へ向かう前記蒸気を遮蔽する遮蔽手段を開放する蒸気開放工程と、
前記蒸着材料と前記基板との間に配設されたマスク部材の開口部を介して、前記基板の前記蒸着材料側に露出している領域に蒸着される前記蒸着材料の膜厚を膜厚計測手段により計測する成膜工程と、
前記膜厚が所定の値に達した後に前記遮蔽手段を遮蔽する蒸気遮蔽工程と、
前記遮蔽手段を遮蔽した後に前記基板を、前記基板表面を含む平面上において、所定の方向に所定の距離だけ移動させる基板移動工程と、を備え、
前記蒸気開放工程と、前記成膜工程と、前記蒸気遮蔽工程と、前記基板移動工程とを繰り返すことにより、前記基板表面上に、１方向もしくは２方向に周期的に配列された複数の被蒸着領域上に薄膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
蒸着材料と、一定の方向に所定の間隔で間欠的に移動する基板との間に介在して固定され、前記蒸着材料からの蒸気通過させる複数の開口部を有し、前記基板上に前記所定の間隔で配列された所定の形状を有する薄膜を形成するためのマスク部材であって、
前記複数の開口部は、前記基板の移動方向に直交する方向に、千鳥状に配列されていることを特徴とするマスク部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材に関し、特に基板表面上に薄膜を形成する電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電気光学装置である液晶装置等において液晶分子を配向規制するための配向膜として、ＳｉＯ等の無機材料を基板表面に対し所定の角度をもって蒸着することにより形成する、斜方配向蒸着膜が知られている。
【０００３】
しかし、斜方配向蒸着膜は、基板上の場所によって蒸着材料からの距離、角度、及び方向が異なり、基板が大きくなると配向膜の均一性が悪化する。配向膜が不均一だと、液晶分子の配向方向及びプレチルト角に基板上でばらつきが生じる。その結果、液晶セルの電気光学的特性が場所によって変化する。配向膜の均一性を向上させるには蒸着材料と基板との距離を大きくとる必要があるが、そうすると装置が大型になり、製造コストを増大させる。
【０００４】
この問題を解決する方法として、スリットを設けた遮蔽板を蒸着源（蒸着材料）と基板との間に設け、遮蔽板の背後で移動する基板にスリットを介して蒸着する方法が、特開昭５４−４６５７６号公報に記載されている。特開昭５４−４６５７６号公報に開示の方法によれば、スリットの幅により蒸着の角度が限定されるため、均一な配向膜を得ることができる。
【特許文献１】特開昭５４−４６５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特開昭５４−４６５７６号公報に開示の方法では、基板全面に配向膜が蒸着されてしまう。液晶装置の基板上には、液晶パネルと外部との電気的導通を行う実装端子部が形成されているが、基板上に無機材料からなる配向膜を形成した場合、シリコン酸化物は電気絶縁性を有するため、実装端子部等において導通不良が生じてしまうと言う問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板表面の端子部の導通を得ながら、かつ均一な配向膜を成膜することができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置の製造装置は、蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板表面上に到達させることにより、前記基板表面上に薄膜を形成する電気光学装置の製造装置であって、前記基板表面を前記蒸着材料に対向して支持し、かつ前記基板を前記基板表面を含む平面上において移動させる移動手段と、前記蒸着材料と前記移動手段との間に、前記蒸着材料に対する相対的な位置を固定されて配設され、かつ前記移動手段により支持された前記基板の表面の一部を前記蒸着材料側に露出させる所定の形状を有する一つ又は複数の開口部が形成されたマスク部材と、を備え、前記移動手段により前記基板を所定の距離間隔で間欠的に移動させて、前記マスク部材の前記開口部を介して前記基板表面の一部を前記蒸着材料側に露出することで、前記基板表面上に、１方向もしくは２方向に配列された複数の被蒸着領域上に前記薄膜を形成することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板表面上に到達させることにより、前記基板表面上に薄膜を形成する電気光学装置の製造方法であって、前記基板へ向かう前記蒸気を遮蔽する遮蔽手段を開放する蒸気開放工程と、前記蒸着材料と前記基板との間に配設されたマスク部材の開口部を介して、前記基板の前記蒸着材料側に露出している領域に蒸着される前記蒸着材料の膜厚を膜厚計測手段により計測する成膜工程と、前記膜厚が所定の値に達した後に前記遮蔽手段を遮蔽する蒸気遮蔽工程と、前記遮蔽手段を遮蔽した後に前記基板を、前記基板表面を含む平面上において、所定の方向に所定の距離だけ移動させる基板移動工程と、を備え、前記蒸気開放工程と、前記成膜工程と、前記蒸気遮蔽工程と、前記基板移動工程とを繰り返すことにより、前記基板表面上に、１方向もしくは２方向に周期的に配列された複数の被蒸着領域上に薄膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、複数の被蒸着領域に形成される配向膜の配向方向を均一に保つことができ、また、被蒸着領域上にのみ配向膜を形成することが可能であるため、実装端子部等の導通を確実に得ることができる。
【００１０】
また、本発明は、前記所定の距離間隔は、前記基板表面上に配列された前記複数の前記被蒸着領域の、前記基板の移動方向と平行な方向についての中心間距離の整数倍となる距離であることが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、基板上に所定の間隔で配列された被蒸着領域のみを、基板の移動ごとに蒸着材料側に露出させることができるため、正確に被蒸着領域上にのみ配向膜を形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明は、前記マスク部材の前記開口部は一つであって、前記開口部の開口形状は、前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直行する方向を長手方向とした細長のスリット形状であることが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、スリット形状の開口部の短手方向について、成膜される配向膜の配向方向の変化量を抑えることができ、均一な配向方向を有する薄膜を有することが可能となる。
【００１４】
また、本発明は、前記マスク部材の前記開口部は複数であって、前記複数の開口部は前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直交する方向に、直線状に配列されていることが好ましい。
【００１５】
このような構成によれば、例えば液晶装置のシール材が接着される領域に配向膜が成膜されることを防ぐことができるため、シール材の密着性を高めることができ、水分が侵入しにくく、信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
【００１６】
また、本発明は、前記マスク部材の前記開口部は複数であって、前記複数の開口部は前記蒸着材料側から見て、前記基板の移動方向に直交する方向に、千鳥状に配列されていることが好ましい。
【００１７】
また、本発明のマスク部材は、蒸着材料と、一定の方向に所定の間隔で間欠的に移動する基板との間に介在して固定され、前記蒸着材料からの蒸気通過させる複数の開口部を有し、前記基板上に前記所定の間隔で配列された所定の形状を有する薄膜を形成するためのマスク部材であって、前記複数の開口部は、前記基板の移動方向に直交する方向に、千鳥状に配列されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明のこのような構成によれば、基板に成膜される配向膜の配向の方位角が、画像表示領域の長辺もしくは短辺に傾斜して設定される場合においても、成膜される配向膜の配向方向の変化量を抑えることができ、均一な配向方向を有する薄膜を有することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）  
以下、本発明の第１の実施形態を図１から図９を参照して説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置として液晶装置を適用したものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
本実施形態の電気光学装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。
【００２１】
電気光学装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持してなり、液晶層５０の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。
【００２２】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されている。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。
【００２３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２４】
また、本実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺に位置する非表示領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。非表示領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に露出して設けられた実装端子１０２にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、電気光学装置１００と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。
【００２５】
また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。
【００２６】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、斜方配向蒸着膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に斜方配向蒸着膜２２が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれ液晶層５０と接する面に形成された斜方配向蒸着膜１６及び２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成された無機配向膜である。本実施形態において、斜方配向蒸着膜１６及び２２とは、それぞれＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の基板表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する斜方配向蒸着法によって形成されるものである。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上において、斜方配向蒸着膜１６は、実装端子１０２上には付着しないように形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の斜方配向蒸着膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００２８】
また、対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード、ＶＡ（垂直配向）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００２９】
上述した構成を有する電気光学装置１００においては、液晶分子を配向規制するための配向膜を、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成される薄膜である斜方配向蒸着膜により形成している。無機材料によって構成される斜方配向蒸着膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、経年劣化がなく表示品位が低下することのない電気光学装置を実現できる。
【００３０】
次に、本実施形態に係る基板である、マザー基板の構成について説明する。図３は、本実施形態の電気光学装置用基板であるマザー基板３５の平面図である。図３に示すように、基板である円板形状を有するマザー基板３５の基板表面３５ｂ上には、本実施形態の電気光学装置１００を構成するための複数のＴＦＴアレイ基板１０となるパターンが、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔である中心間距離で周期的に配列されて形成されている。本実施形態では、複数のＴＦＴアレイ基板１０となるパターンは、行方向の中心間距離をピッチＰ２、列方向の中心間距離をピッチＰ１として、行列状に配列されて形成されている。
【００３１】
また、マザー基板３５には、マザー基板３５の外周を半径方向に直交する平面により切り欠いたオリフラ３５ａが形成されている。オリフラ３５ａは、オリエンテーションフラットとも称される。マザー基板３５上において、ＴＦＴアレイ基板１０は、ＴＦＴアレイ基板１０の配列の一方向が、オリフラ３５ａの切り欠き方向に対して所定の角度を成すように形成されている。本実施形態においては、図３に示すように、オリフラ３５ａとＴＦＴアレイ基板１０の配列の一方向である行方向とが略平行となるように形成されている。また、個々のＴＦＴアレイ基板１０には、画像表示領域１０ａ及び実装端子１０２がそれぞれ形成されている。
【００３２】
なお、本実施形態では、図４に示すように、マザー基板３５の基板表面３５ｂを含む平面上において、オリフラ３５ａと平行な軸をｘ軸とし、また基板表面３５ｂを含む平面上においてｘ軸に直交する軸をｙ軸と称する。すなわち、ｘ軸及びｙ軸は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０の配列の行方向及び列方向と平行である。ここで、それぞれの軸は、マザー基板３５を、マザー基板３５の基板表面３５ｂに正対し、オリフラ３５ａを下方として見た場合に（図３の状態）、右方向にｘ軸が正、上方向にｙ軸が正とする。
【００３３】
また、図４に示すように、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上の任意の観測点Ｏから見た、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上以外に存在する点Ｅの方向を表すために、方位角ψと仰角θを定義する。方位角ψは、観測点Ｏと点Ｅをｘｙ平面に投影した点Ｅ’とを結んだ線分ＯＥ’と、ｙ軸とのなす角度を示し、ｙ軸の正の方向を０°として半時計回りに正である。また、仰角θは、観測点Ｏと点Ｅとを結んだ線分ＯＥと、観測点Ｏと点Ｅをｘｙ平面に投影した点Ｅ’とを結んだ線分ＯＥ’とのなす角度を示す。
【００３４】
本実施形態においては、図４に示すように、複数のＴＦＴアレイ基板１０が個々に切り出される前の状態であるマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、斜方配向蒸着膜１６が形成される。本実施形態のマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に形成された斜方配向蒸着膜１６は、行列状に配列された複数の画像表示領域１０ａのうち、行方向（ｘ方向）に配列された１行全てを覆い、かつ実装端子１０２上には重ならない帯状の領域を一つの被蒸着領域１６ａとして、該被蒸着領域１６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０の列方向（ｙ方向）の配列ピッチＰ１と同じピッチで複数配列されて形成されている。すなわち、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上には、ｘ方向を長手方向とした短冊状の被蒸着領域１６ａが、ｙ方向にピッチＰ１で配列されて形成されている。マザー基板３５の斜方配向蒸着膜１６は、以下に説明する蒸着装置３００により形成される。
【００３５】
次に本実施形態に係る電気光学装置１００の製造装置について、図５及び図６を参照して説明する。本実施形態の電気光学装置１００の製造装置である蒸着装置３００は、電気光学装置用基板であるマザー基板３５の基板表面３５ｂ上の所定の領域上に、蒸着材料である例えばＳｉＯ２からなる斜方配向蒸着膜１６を斜方配向蒸着法により形成するものである。図５は、蒸着装置３００の構成を模式的に示す断面図である。図６は、図５のＡ矢視図である。なお、図５及び図６において、紙面に正対して上方が、蒸着装置３００の上方である。
【００３６】
蒸着装置３００は、図５に示すように、演算装置、記憶装置等からなる制御部３１０と、内部を気密に保つ真空室３０１とを有し、該真空室３０１内に、蒸着材料３０２を有する蒸着源３１１と、移動手段である基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６と、マスク部材であるマスク２００と、遮蔽手段であるシャッタ３０７とが配設されている。
【００３７】
また、蒸着装置３００は、真空室３０１の内部に連結された真空ポンプ３０８を有し、後述する蒸着工程中は、該真空ポンプ３０８により真空室３０１内の空気を排出することにより、真空室３０１内が真空（減圧状態）に保たれる。
【００３８】
蒸着源３１１は、蒸着材料３０２を収容するるつぼ３０３と、蒸着材料３０２を加熱するための電子銃３０４を有する。蒸着源３１１は、真空中において電子銃３０４が発生する電子ビームを蒸着材料３０２に照射することにより、蒸着材料３０２を加熱し、蒸発させることで蒸着材料３０２の蒸気を生成する。
【００３９】
蒸着材料３０２は、図５の紙面に正対して奥行き方向を長手方向とする線状の形状を有し、蒸着材料３０２の長手方向の幅は、マザー基板３５の直径と略同一か、マザー基板３５の直径よりも大きい。
【００４０】
一方、蒸着材料３０２の鉛直上方には、マザー基板３５を支持するための基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６が配設されている。マザー基板３５は、基板ホルダ３０５によって、蒸着が行われる側である基板表面３５ｂを蒸着材料３０２に対向させて支持される。基板ホルダ３０５は、直線的に移動可能な１軸のリニアモータ等の直動機構を有する直動ステージ３０６により、１方向に進退可能に支持されている。直動ステージ３０６は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０により直動ステージ３０６の駆動の制御がなされ、基板ホルダ３０５及び基板ホルダ３０５に支持されたマザー基板３５が位置決めされる。直動ステージ３０６の移動軸Ｍは、図５に示す断面図においては鉛直軸に対してθ０だけ傾斜しており、図６に示すＡ矢視図では鉛直軸に平行である。
【００４１】
移動手段である基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６は、蒸着材料３０２の重心位置を通る鉛直軸と、マザー基板３５の基板表面３５ｂとがなす角度が常にθ０となるように、マザー基板３５を移動可能に支持している。このため、基板ホルダ３０５に支持されたマザー基板３５は、直動ステージ３０６によって、基板表面３５ｂが基板表面３５ｂを含む平面上において移動するように、真空室３０１内で、移動軸Ｍに沿って平行移動され位置決めされる。
【００４２】
また、本実施形態においては、マザー基板３５は、図６に示すように、オリフラ３５ａを下向きとし、かつオリフラ３５ａが水平となる姿勢で基板ホルダ３０５により支持される。すなわち、マザー基板３５は、ｙ軸が、直動ステージ３０６の移動軸Ｍと平行となるように支持され、ｙ軸方向に平行移動されるのである。また、図６に模式的に示すように、Ａ矢視において蒸着材料３０２の重心位置を通る鉛直軸が、マザー基板３５の略中心と一致し、マザー基板３５のｘ軸が、線状の蒸着材料３０２の長手方向と略平行となる。
【００４３】
また、マザー基板３５と蒸着材料３０２との間には、マスク２００と、シャッタ３０７とが配設されている。  
マスク２００は、図５及び図６に示すように、矩形状平板に開口部であるスリット孔２１０が形成された部材である。マスク２００は、スリット孔２１０が蒸着材料３０２の鉛直上方に位置し、かつマスク２００の表面が、マザー基板３５の基板表面３５ｂと平行となるように、真空室３０１内に固定されている。つまり、マスク２００の表面と、蒸着材料３０２の重心位置を通る鉛直軸とがなす角度は、θ０となる。
【００４４】
言い換えれば、開口部であるスリット孔２１０を有する平板状のマスク２００が、真空室３０１内に蒸着材料３０２に対する相対的な位置を固定されて配設されている。マザー基板３５は、このマスク２００の蒸着材料３０２とは反対となる側において、基板表面３５ｂをマスク２００側（蒸着材料３０２側）に対向し、かつ基板表面３５ｂがマスク２００の表面と平行となるように、移動手段である直動ステージ３０６及び基板ホルダ３０５により支持されている。そして、マザー基板３５は、マスク２００の蒸着材料３０２とは反対となる側において、直動ステージ３０６の駆動により、基板表面３５ｂを含む平面上で図５に示す移動軸Ｍと平行に移動されるのである。
【００４５】
マスク２００に形成されている開口部であるスリット孔２１０は、図６に示すように、マザー基板３５の被蒸着領域１６ａを、蒸着材料３０２側に露出する形状を有し、マザー基板３５の移動方向である移動軸Ｍに直交する方向を長手方向とした、細長のスリット形状を有する。スリット孔２１０は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に行列状に配列された複数の画像表示領域１０ａのうち、行方向（ｘ方向）に配列された１行全てを蒸着材料３０２側に露出し、かつ実装端子１０２上を覆う形状を有している。
【００４６】
一方、遮蔽手段であるシャッタ３０７は、蒸着材料３０２とマスク２００との間に配設され、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａを遮蔽もしくは開放する装置である。シャッタ３０７の図示しない駆動部は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０からの信号によってシャッタ３０７を駆動することにより、シャッタ３０７によって通路３０７ａを遮蔽状態とするか、開放状態とするかが選択される。
【００４７】
また、マスク２００の蒸着材料３０２側には、膜厚計測手段である膜厚センサ３０９が配設されている。膜厚センサ３０９は、水晶振動子を用いた公知の形態の膜厚計であり、水晶振動子に堆積された蒸着材料の膜厚に起因する水晶振動子の固有振動数の変化から、水晶振動子に堆積された膜厚を算出する装置である。膜厚センサ３０９は、マスク２００のスリット孔２１０近傍に配設されており、スリット孔２１０を介してマザー基板３５上に堆積される蒸着材料の膜圧を計測することができる。膜厚センサ３０９は、制御部３１０に電気的に接続されており、堆積される膜厚の測定結果を制御部３１０に送信する。
【００４８】
上記の構成を有する電気光学装置１００の製造装置である蒸着装置３００を用いて、マザー基板３５表面に斜方配向蒸着膜１６を蒸着する工程について、以下に説明する。図７は、マザー基板３５表面に斜方配向蒸着膜１６を蒸着する工程のフローチャートである。
【００４９】
なお、以下に説明する工程は、蒸着装置３００の真空室３０１内が、真空ポンプ３０８により真空に保たれた状態であり、かつ、蒸着源３１１の蒸着材料３０２が加熱され、蒸着材料３０２の蒸気が発生している状態において行われる。
【００５０】
まず、マザー基板３５は、図示しない搬送装置により真空室３０１内に搬入され、基板ホルダ３０５に固定される（ステップＳ１）。
【００５１】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、マザー基板３５を初期位置に位置決めする。ここで、初期位置とは、マザー基板３５の、ｙが正方向に最も外側である被蒸着領域１６ａが、マスク２００の蒸着材料３０２側に、スリット孔２１０を介して露出する位置である（ステップＳ２）。
【００５２】
次に、制御部３１０は、シャッタ３０７を開放位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが開放される（ステップＳ３）。蒸着材料３０２の蒸気はマスク２００のスリット孔２１０を介してマザー基板３５の被蒸着領域１６ａ上に付着し、堆積し始める。
【００５３】
次に、制御部３１０は、膜厚センサ３０９により、スリット孔２１０を介してマザー基板３５の被蒸着領域１６ａ上に堆積される膜厚を計測する（ステップＳ４）。蒸着材料３０２は、マザー基板３５の被蒸着領域１６ａ上に、仰角θ０、方位角１８０°の方向から付着し堆積される。
【００５４】
次に、制御部３１０は、被蒸着領域１６ａ上に堆積された蒸着材料３０２の膜厚が所定の値となった時点で、シャッタ３０７を遮蔽位置に移動させ、蒸気の通路３０７ａを遮蔽する（ステップＳ５）。これにより、複数の被蒸着領域１６ａのうち、スリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出している被蒸着領域１６ａへの、斜方配向蒸着膜の成膜が完了する。
【００５５】
次に、制御部３１０は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上の予め記憶されている複数の被蒸着領域１６ａの全てに斜方配向蒸着膜が成膜されたかどうかを判断する（ステップＳ６）。完了していればステップＳ８へ進み、マザー基板３５を搬送装置により真空室３０１内から搬出し、蒸着工程を終了する（ステップＳ８）。
【００５６】
一方、全ての被蒸着領域１６ａについて斜方配向蒸着膜の成膜が完了していなければ、ステップＳ７に進み、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、マザー基板３５をｙ方向（移動軸Ｍ方向）に所定の距離間隔であるピッチＰ１だけ移動させる。これにより、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、ｙ方向にピッチＰ１で配列された複数の被蒸着領域１６ａのうちの、斜方配向蒸着膜が成膜されていない被蒸着領域１６ａが、新たにスリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出される（ステップＳ７）。この後、ステップＳ３に戻り、新しい被蒸着領域１６ａ上に、斜方配向蒸着膜の成膜を開始する。
【００５７】
このように、本実施形態の蒸着装置３００では、所定の距離であるピッチＰ１で間欠的にマザー基板３５を移動させ、停止している状態のマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、スリット孔２１０を介して蒸着材料３０２の蒸気を付着させることを繰り返す。これにより、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、ｙ方向にピッチＰ１で周期的に配列された複数の被蒸着領域１６ａのそれぞれに、斜方配向蒸着膜１６が成膜されるのである。
【００５８】
以上に説明した電気光学装置１００の製造装置である蒸着装置３００においては、蒸着材料３０２の蒸気は、マスク２００のスリット孔２１０を介してのみ、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に到達する。マスク２００は、蒸着材料３０２に対する相対的な位置が固定され、マザー基板３５のみが移動するため、ステップＳ４の成膜工程において成膜が行われる被蒸着領域１６ａと、蒸着材料３０２との位置関係は、常に一定となる。また、個々の被蒸着領域１６ａに成膜される斜方配向蒸着膜の膜厚は、膜厚センサ３０９により測定されており、一定である。
【００５９】
このため、マザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、本実施形態のマザー基板３５に形成される斜方配向蒸着膜１６は、均一性が高い。
【００６０】
特に、スリット孔２１０は、マザー基板３５のｘ方向を長手方向としたスリット形状であるため、一度に成膜される１箇所の被蒸着領域１６ａは、ｘ方向に比べｙ方向の幅が狭くなる。このため、該被蒸着領域１６ａ上から見た、蒸着材料３０２に対する仰角θの変化量は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ全域から見た場合に比べて、小さくなる。したがって、本実施形態によれば、マザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、斜方配向蒸着膜１６は、特に仰角θ方向の配向の均一性が高くなる。なお、本実施形態においては、蒸着材料３０２が、ｘ方向を長手方向とした線状の形状を有するため、斜方配向蒸着膜１６の方位角ψ方向の均一性も抑えることができる。
【００６１】
また、本実施形態の斜方配向蒸着膜１６は、ｙ方向に中心間距離がピッチＰ１で配列されており、電気光学装置１００と、例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続を行う実装端子１０２上には、電気絶縁性を有する斜方配向蒸着膜１６が形成されていない。このため、従来のマザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、実装端子の電気的導通を得るために実装端子上に成膜された斜方配向蒸着膜を剥離する等の作業を必要とせず、容易に実装端子１０２における電気的導通を確実に得ることができる。
【００６２】
したがって、本実施形態の電気光学装置の製造装置、製造方法及びマスク部材によれば、電気光学装置用基板の端子部の導通を得ながら、かつ均一な配向膜を成膜することができるのである。
【００６３】
なお、上述の本実施形態では、仰角θ方向の配向の均一性を高めるために、マザー基板３５を、蒸着材料３０２が存在する方位角ψ＝１８０°に平行な方向に間欠的に移動させ、マザー基板３５の移動方向に直交する方向を長手方向とした細長のスリット孔２１０を介して、斜方配向蒸着膜１６を成膜しているが、マザー基板３５の移動方向と蒸着材料３０２との位置関係は、この形態に限るものではない。
【００６４】
例えば、図６に示すように、マザー基板３５に対し、方位角ψ＝２７０°、仰角θ＝θ０の方向に蒸着材料３０２ｂを配設してもよい。この場合、従来のマザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、斜方配向蒸着膜１６の方位角ψ方向の配向の均一性が向上する。
【００６５】
また、マスク２００の開口部は、マザー基板３５の移動方向に直交する方向を長手方向とした細長のスリット孔２１０でなくともよく、例えば、図８に示すように、マザー基板３５の移動方向に直交する方向に直線状に配列された複数の開口部２１１であってもよい。この場合、開口部２１１の形状は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に形成された画像表示領域１０ａのみを露出する形状を有して形成されており、配列の中心間距離はピッチＰ２となる。
【００６６】
図８に示した、マスク２０１を用いれば、ＴＦＴアレイ基板１０の実装端子１０２となる領域上だけではなく、例えばシール材５２が接着される領域上にも斜方配向蒸着膜１６が形成されることを防ぐことができる。このように、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａ上にのみ斜方配向蒸着膜１６が形成されるようにすれば、ＴＦＴアレイ基板１０とシール材５２との密着性を高めることができるため、液晶層５０に水分が侵入しにくく、信頼性の高い電気光学装置１００を製造することができる。
【００６７】
また、図８に示したマスク２０１は、開口部２１１がマザー基板３５の移動方向に直交する方向にのみ直線状に配列されているものであるが、開口部２１１は、図９に示すマスク２０３ように、マザー基板３５の移動方向に直交する方向に直線状に配列され、かつマザー基板３５の移動方向に平行な方向にも複数配列される、いわゆる行列状に配列される形態であってもよい。この場合、複数の開口部２１１の配列の中心間距離は、マザー基板３５の移動方向に直交する方向についてはピッチＰ２であり、マザー基板３５の移動方向に平行な方向についてはピッチＰ１である。
【００６８】
図９に示す形態のマスク２０３を用いた場合、マスク２０１を用いた場合に比べ、複数の配列された開口部２１１を介してｙ方向により多くの被蒸着領域１６ａが蒸着材料３０２側に露出されるため、図７のステップＳ４において、一度により多くの被蒸着領域１６ａ上に斜方配向蒸着膜１６を成膜することができる。したがって、マザー基板３５を移動させる回数を少なくすることができ、表面に斜方配向蒸着膜１６を蒸着する工程をより短い時間で完了することが可能となる。開口部２１１が、マザー基板３５の移動方向に平行な方向に複数配列される場合、その配列数は、斜方配向蒸着膜１６の配向の仰角θ及び方位角ψの各方向についてのばらつきが許容される範囲内となるように設定される。
【００６９】
なお、図９に示すように、マスク２０３の開口部２１１が、マザー基板３５の移動方向と平行な方向に中心間距離ピッチＰ１で２列配列されている場合、図７のステップＳ７において、マザー基板３５は、ピッチＰ１の２倍の距離だけ移動する。
【００７０】
図９に示す形態以外にも、マスクの開口部が、マザー基板３５の移動方向と平行な方向に中心間距離ピッチＰ１で複数列配列されている場合、図７のステップＳ７におけるマザー基板３５の移動量は、ピッチＰ１の整数倍の距離となる。
【００７１】
また、図８に示すマスク２０１に対する図９に示すマスク２０３の変形例にと同様に、図６に示すマスク２００のスリット孔２１０を、マザー基板３５の移動方向と平行な方向に中心間距離ピッチＰ１で複数配設してもよい。
【００７２】
（第２の実施形態）  
以下、本発明の第２の実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０は、図５のＡ矢視図に対応して第２の実施形態のマスクの形状を示す平面図である。第２の実施形態の液晶装置は、第１の実施形態の構成に対し、マスクの形状と、マザー基板３５に対する蒸着材料３０２の位置関係のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
【００７３】
本実施形態では、マザー基板３５は、真空室３０１内で、図１０を正対して見た場合に、第１の実施形態に対して時計回りに４５°回転して基板ホルダ３０５により支持されている。すなわち、マザー基板３５は、方位角ψ＝４５°の方向を、直動ステージ３０６の移動軸Ｍと平行にして、移動される。
【００７４】
このため、マザー基板３５に対し、蒸着材料３０２は、仰角θ＝θ０、方位角ψ＝２２５°の方向に配設されている。マザー基板３５と、蒸着材料３０２との位置関係は、形成される斜方配向蒸着膜１６の配向の方向により決定されるものであり、本実施形態のように方位角ψが、画像表示領域１０ａの長辺もしくは短辺に傾斜して設定される場合もある。
【００７５】
本実施形態のマスク部材であるマスク２０２は、図１０に示すように、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に形成された画像表示領域１０ａを露出する形状を有する複数の開口部２１２が形成されている。複数の開口部２１２は、マザー基板３５の移動方向に直交する方向に千鳥状に形成されており、その配列は、マスク２０２に対して、マザー基板３５を方位角ψ＝４５°の方向のみに、所定の距離間隔であるピッチＰ３毎に間欠的に複数回移動させた場合に、該複数の開口部２１２のいずれかを介して、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上の複数の画像表示領域１０ａの全てが、蒸着材料３０２側に露出されるように配列されている。
【００７６】
蒸着装置３００のその他の構成は第１の実施形態と同一であり、斜方配向蒸着膜１６の成膜方法も、マザー基板３５の移動ピッチがＰ３となる点のみが異なり、他は同一である。
【００７７】
上述のような構成を有する本実施形態のマスク２０２を用いれば、マザー基板３５に成膜される斜方配向蒸着膜１６の配向の方位角ψが、画像表示領域１０ａの長辺もしくは短辺に傾斜して設定される場合においても、第１の実施形態と同様に、マザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、斜方配向蒸着膜１６の仰角θ方向の配向の均一性を高めることができる。
【００７８】
また、斜方配向蒸着膜１６は、マザー基板３５の画像表示領域１０ａ上にのみ成膜されるので、従来のマザー基板の全域に斜方配向蒸着膜を一度に成膜する場合に比べて、実装端子上に成膜された斜方配向蒸着膜を剥離する作業を必要とせず、容易に実装端子１０２における電気的導通を確実に得ることができる。さらに、シール材５２が接着される領域上にも斜方配向蒸着膜１６が成膜されないため、ＴＦＴアレイ基板１０とシール材５２との密着性を高めることができるため、液晶層５０に水分が侵入しにくく、信頼性の高い電気光学装置１００を製造することができる。
【００７９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及びマスク部材もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】マザー基板の平面図である。
【図４】マザー基板の斜視図である。
【図５】蒸着装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】図５のＡ矢視図である。
【図７】斜方配向蒸着膜を蒸着する工程のフローチャートである。
【図８】マスクの開口部の変形例を示す説明図である。
【図９】マスクの開口部の変形例を示す説明図である。
【図１０】図５のＡ矢視図に対応して第２の実施形態のマスクの形状を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
３５  マザー基板、  ３５ｂ  基板表面、  ２００  マスク、  ２１０  スリット、  ３００  蒸着装置、  ３０１  真空室、  ３０２  蒸着材料、  ３０３  るつぼ、  ３０４  電子銃、  ３０５  基板ホルダ、  ３０６  直動ステージ、  ３０７  シャッタ、  ３０７ａ  蒸気の通路、３０８  真空ポンプ、  ３１０  制御部、  ３１１  蒸着源
【図１】
2007217734.tif 000003
【図２】
2007217734.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007217734.tif 000008
【図７】
2007217734.tif 000009
【図８】
2007217734.tif 000010
【図９】
2007217734.tif 000011
【図１０】
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