(57)【要約】 【課題】製造工程を単純化させるためのアレイ基板及びその製造方法並びにそれを有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上の表示領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子が形成される前記基板上に形成され、前記基板の上部から提供される第１光を反射させる複数の反射粒子を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上部に形成され、前記スイッチング素子に電気的に連結される画素電極とを有する。【選択図】      図１
2007114770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域に形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子が形成される前記基板上に形成され、前記基板の上部から提供される第１光を反射させる複数の反射粒子を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上部に形成され、前記スイッチング素子に電気的に連結される画素電極とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記絶縁膜は、感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記絶縁膜は、非感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記反射粒子は、珪酸塩粒子と、該珪酸塩粒子表面にコーティングされた金属酸化物のコーティング層とから形成されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記金属酸化物は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化錫（ＳｎＯ２）のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記反射粒子の直径は、０．１μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記反射粒子の表面屈折率は、１〜２であることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記絶縁膜は、一部が除去され前記基板の下部から提供される第２光を透過させる透過窓を有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項９】
基板上の表示領域にスイッチング素子を形成する段階と、
前記基板の上部から提供される第１光を反射させる複数の反射粒子を有する絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階と、
前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極を前記絶縁膜上部に形成する段階とを有することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階は、感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物を前記スイッチング素子上部にコーティングする段階と、
所定のマスクによってコーティングされた前記混合物を露光する段階と、
前記混合物を現象して前記スイッチング素子を部分的に露出させるコンタクトホールを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項９記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階は、前記コンタクトホールを形成すると同時に、前記基板の下部から提供される第２光を透過させる透過窓を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階は、非感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物を前記スイッチング素子上部にコーティングする段階と、
前記コーティングされた前記混合物上部にフォトレジストフィルムをコーティングする段階と、
所定のマスクによって前記フォトレジストフィルムをパターニングする段階と、
前記パターニングされたフォトレジストフィルムを用いて前記混合物をエッチングして前記スイッチング素子を部分的に露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記パターニングされたフォトレジストフィルムを除去する段階とを含むことを特徴とする請求項９記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階は、前記コンタクトホール形成と同時に前記基板の下部から提供される第２光を透過させる透過窓を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記反射粒子は、珪酸塩粒子と、該珪酸塩粒子表面にコーティングされた金属酸化物のコーティング層とから形成されることを特徴とする請求項９記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記金属酸化物は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化錫（ＳｎＯ２）のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１４記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
カラーフィルタ基板と、
前記カラーフィルタ基板に対向し、スイッチング素子と、該スイッチング素子上部に形成されスイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間に形成され、下部から提供される第１光を透過させる透過窓と前記カラーフィルタ基板を通じて提供される第２光を反射させる複数の反射粒子とを有する絶縁膜とからなるアレイ基板と、
前記アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に介在される液晶層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記絶縁膜は、感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、非感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記反射粒子は、珪酸塩粒子と、該珪酸塩粒子表面にコーティングされた金属酸化物のコーティング層とから形成されることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記金属酸化物は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化錫（ＳｎＯ２）のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアレイ基板及びその製造方法並びにそれを有する液晶表示装置に関し、より詳細には製造工程を単純化させるためのアレイ基板及びその製造方法並びにそれを有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、開発されている多様な平板表示装置のうち液晶表示装置は他の表示装置に比べて薄くて軽く、低消費電力及び低駆動電圧を有し、同時に陰極線管に近い画像表示が可能であるので多様な電子装置に幅広く使用されている。また、液晶表示装置は製造が容易であるのでさらにその適用範囲が拡大されつつある。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶セルの背面に位置したバックライトアセンブリから提供される光を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置、外部からの自然光を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置、そして室内や外部光源が存在しない暗いところではバックライトアセンブリからの光を用いて表示する透過表示モードで作動し、室外の高照度環境では外部の自然光を反射させ表示する反射表示モードで作動する半透過型液晶表示装置とに区分される。
【０００４】
反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置は自然光の反射量を増加させ、視野角を向上させるための複数のエンボシング（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）パターンを含む。エンボシングパターンは有機膜の堆積、露光及び現象と反射金属膜蒸着などの複数の工程を通じて形成される。
【０００５】
上記複数の工程を経ることによって反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置の製造工程が複雑化するという問題があった。従って、反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置の製造工程を単純化させる必要性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、製造工程を単純化させるためのアレイ基板を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、前記アレイ基板を製造するための製造方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、前記アレイ基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、基板と、前記基板上の表示領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子が形成される前記基板上に形成され、前記基板の上部から提供される第１光を反射させる複数の反射粒子を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上部に形成され、前記スイッチング素子に電気的に連結される画素電極とを有することを特徴とする。
【０００９】
前記絶縁膜は、感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることが好ましい。
前記絶縁膜は、非感光性有機物質に前記反射粒子が混合された混合物からなることが好ましい。
前記反射粒子は、珪酸塩粒子と、該珪酸塩粒子表面にコーティングされた金属酸化物のコーティング層とから形成されることが好ましい。
前記金属酸化物は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化錫（ＳｎＯ２）のうちのいずれか一つを含むことが好ましい。
前記反射粒子の直径は、０．１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
前記反射粒子の表面屈折率は、１〜２であることが好ましい。
前記絶縁膜は、一部が除去され前記基板の下部から提供される第２光を透過させる透過窓を有することが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板の製造方法は、基板上の表示領域にスイッチング素子を形成する段階と、前記基板の上部から提供される第１光を反射させる複数の反射粒子を有する絶縁膜を前記スイッチング素子上部に形成する段階と、前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極を前記絶縁膜上部に形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、カラーフィルタ基板と、前記カラーフィルタ基板に対向し、スイッチング素子と、該スイッチング素子上部に形成されスイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極との間に形成され、下部から提供される第１光を透過させる透過窓と前記カラーフィルタ基板を通じて提供される第２光を反射させる複数の反射粒子とを有する絶縁膜とからなるアレイ基板と、前記アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に介在される液晶層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るアレイ基板及びその製造方法並びにそれを有する液晶表示装置は有機物質内に反射球が混合された混合物によって有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜は透過窓を有する。
従って、有機絶縁膜は透過窓を通じて内部光である第１光を透過させ、反射球によって外部光である第２光を反射させる。
従って、本発明では第２光を反射させるための既存の反射電極が不必要である。また、本発明では有機絶縁膜内の反射球によって第２光の反射量を増加させ、視野角が向上されることにより既存のエンボシングパターンが不必要である。それにより、反射電極及びエンボシングパターン形成のための製造工程が不必要であるので、製造工程を単純化させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明に係るアレイ基板及びその製造方法並びにそれを有する液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す断面図であり、図２は図１に示したアレイ基板を示す平面図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、画像を表示する液晶表示パネル１００及び液晶表示パネル１００に光を提供するバックライトアセンブリ（図示せず）を含む。
【００１６】
ここで、液晶表示パネル１００はアレイ基板２００、アレイ基板２００と対向して配置されたカラーフィルタ基板３００及びアレイ基板２００とカラーフィルタ基板３００との間に形成される液晶層４００で構成される。
【００１７】
液晶表示パネル１００は画像が表示される表示領域（ＤＡ）、表示領域（ＤＡ）の第１辺に位置する第１周辺領域（ＰＡ１）及び表示領域（ＤＡ）の第２辺に位置する第２周辺領域（ＰＡ２）で区分される。
【００１８】
表示領域（ＤＡ）には第１方向（Ｄ１）に延長された複数のゲートライン（ＧＬ）と第１方向（Ｄ１）に直交する第２方向（Ｄ２）に延長された複数のデータライン（ＤＬ）によって複数の画素領域が画定される。
【００１９】
アレイ基板２００は第１絶縁基板２１０上の画素領域に対応して形成された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）２２０、ゲート絶縁膜２２２、保護膜２３０、有機絶縁膜２４０及び画素電極２５０を含む。
【００２０】
ＴＦＴ２２０はゲート電極２２１、半導体層２２３、オーミックコンタクト層２２４、ソース電極２２５、及びドレイン電極２２６を含む。ゲート電極２２１はゲートライン（ＧＬ）と電気的に連結され、ソース電極２２５はデータライン（ＤＬ）と電気的に連結され、ドレイン電極２２６は画素電極２５０と電気的に連結される。
【００２１】
ゲート絶縁膜２２２はゲート電極２２１が形成された第１絶縁基板２１０全面に形成される。ゲート絶縁膜２２２は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなる。半導体層２２３及びオーミックコンタクト層２２４はゲート絶縁膜２２２上に順次に形成される。半導体層２２３は非晶質シリコンからなり、オーミックコンタクト層２２４はｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコン（ｎ＋）からなる。例えば、半導体層２２３の上部に燐（Ｐ）をインプラントすることでオーミックコンタクト層２２４を形成することができる。オーミックコンタクト層２２４は一部が除去され半導体層２２３を部分的に露出させる。
【００２２】
保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０はＴＦＴ２２０が形成された第１絶縁基板２１０全面に順次に形成される。保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０はＴＦＴ２２０のドレイン電極２２６を部分的に露出させるコンタクトホール２４５を有する。即ち、ドレイン電極２２６を露出させるために保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０が部分的に除去される。
【００２３】
画素電極２５０は有機絶縁膜２４０上に形成され、バックライトアセンブリから発生して第１絶縁基板２１０を通じて入射する第１光（Ｌ１）を透過する。また、画素電極２５０はコンタクトホール２４５を通じてＴＦＴ２２０のドレイン電極２２６と電気的に連結される。
【００２４】
有機絶縁膜２４０は有機物質２４２及び反射球２４４で構成される。即ち、有機絶縁膜２４０は有機物質２４２内に反射球２４４が混合された混合物から形成される。
【００２５】
有機物質２４２は光によって性質が変わる感光性有機物質からなるか、または光によって性質が変わらない非感光性有機物質からなる。また、反射球２４４は被着色媒体を有し、真珠光沢の虹彩色顔料、または金属性の感じを与えるために使用される特殊の光学的効果のある材料が用いられる。
【００２６】
図３は図１に示した反射球の断面図である。
【００２７】
図１及び図３に示すように、反射球２４４は珪酸塩（ＭＩＣＡ）２４４ａ及び金属酸化物のコーティング層２４４ｃからなる。この際、反射球２４４の直径ｄは約０．１〜５μｍである。また、反射球２４４の表面屈折率は約１〜２である。
【００２８】
金属酸化物のコーティング層２４４ｂは酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化錫（ＳｎＯ２）のうちのいずれか一つの物質が珪酸塩２４４ａの表面にコーティングされ形成される。
【００２９】
上記した構造の反射球２４４は珪酸塩２４４ａと金属酸化物のコーティング層２４４ｂの屈折率差異によって光を反射させる。この際、反射球２４４の直径が小さいほど、表面屈折率が大きいほど光の反射率が増加される。
【００３０】
さらに、図１及び図２に示すように、有機絶縁２４０は反射球２４４によってカラーフィルタ基板３００を通じて外部から入射される第２光Ｌ２を反射する。有機絶縁膜２４０は部分的に除去され形成された透過窓５００を有する。透過窓５００はコンタクトホール２４５形成の際、同一工程で形成される。また、透過窓５００には画素電極２５０が形成される。
【００３１】
ここで、透過窓５００によって有機絶縁膜２４０が除去され保護膜２３０が部分的に露出された領域は透過領域であり、画素電極２５０の下、有機絶縁膜２４０が存在する領域は反射領域である。透過領域は透過窓５００を通じてバックライトアセンブリから発生した第１光Ｌ１を透過することにより画像を表示する領域であり、反射領域は有機絶縁膜２４０の反射球２４４によってカラーフィルタ基板３００を通じて外部から入射された第２光Ｌ２を反射させることにより画像を表示する領域である。
【００３２】
このように、透過窓５００を通じて第１光Ｌ１が透過され、反射球２４４によって第２光Ｌ２が反射されることにより有機絶縁膜２４０は光の透過及び反射機能を実施するので、半透過膜として称することができる。
【００３３】
第１周辺領域ＰＡ１にはゲートラインＧＬから延長され、ゲートラインＧＬより広い幅を有するゲート電極パッド２６０が形成される。また、第１周辺領域ＰＡ１にはゲート電極パッド２６０を部分的に露出させる第１バイアホール２６５が形成される。第１バイアホール２６５はゲート電極パッド２６０上部のゲート絶縁膜２２１、保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０が除去され形成される。
【００３４】
ゲート電極パッド２６０上部には第１バイアホール２６５を通じてゲート電極パッド２６０と電気的に連結される第１透明電極２７０が形成される。第１透明電極２７０は画素電極２５０の形成の際、同一工程で同一物質から形成される。
【００３５】
第２周辺領域ＰＡ２にはデータラインＤＬから延長され、データラインＤＬより広い幅を有するデータ電極パッド２８０が形成される。また、第２周辺領域ＰＡ２にはデータ電極パッド２８０を部分的に露出させる第２バイアホール２８５が形成され、第２バイアホール２８５はデータ電極パッド２８０上部の保護膜２３０及び有機絶縁膜２４０が除去され形成される。
【００３６】
データ電極パッド２８０上部には第２バイアホール２８５を通じてデータ電極パッド２８０と電気的に連結される第２透明電極２９０が形成される。第２透明電極２９０は画素電極２５０形成の際、同一工程で同一物質から形成される。
【００３７】
上記した構成のゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０は異方性導電フィルム（ＡＣＦ）（図示せず）を通じて可撓性印刷回路基板（図示せず）と電気的に連結される。従って、ゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０は可撓性印刷回路基板から入力されたゲート信号及びデータ信号をゲートライン（ＧＬ）及びデータライン（ＤＬ）にそれぞれ出力する。
【００３８】
一方、カラーフィルタ基板３００は第２絶縁基板３１０上に（図１の表示では下に、）形成された遮光膜３２０、カラーフィルタ３３０及び共通電極３４０を含む。カラーフィルタ３３０はＲ、Ｇ、Ｂ色画素からなり、遮光膜３２０はＲ、Ｇ、Ｂ色画素の間に形成されＲ、Ｇ、Ｂ色画素の間に光が漏洩されることを遮断する。また、共通電極３４０はアレイ基板２００上に形成された画素電極２５０に対向する電極である。
【００３９】
上記した構成を有する本実施形態では有機絶縁膜２４０内の反射球２４４によって第２光Ｌ２の反射が行われるので、既存の反射電極が不必要である。また、本実施形態は反射球２４４で光の散乱及び干渉現象によって第２光Ｌ２の反射量が増加し、視野角が向上される。従って、上記した機能を遂行するためのエンボシングパターンが不必要である。
【００４０】
図４乃至図８は図１に示したアレイ基板の一実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【００４１】
図４に示すように、第１絶縁基板２１０上に第１金属膜（図示せず）を蒸着した後、パターニングしてゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０を形成する。ゲート電極２２１は表示領域ＤＡに対応するように形成し、ゲート電極パッド２６０は第１周辺領域ＰＡ１に対応するように形成される。
【００４２】
続いて、ゲート電極２２１及びゲート電極パッド２６０が形成された第１絶縁基板２１０の全面にシリコン窒化膜を蒸着してゲート絶縁膜２２２を形成する。ゲート絶縁膜２２２上に非晶質シリコン及びｎ型非晶質シリコンを順次に蒸着して半導体層２２３及びオーミックコンタクト層２２４を順次に形成する。
【００４３】
前記結果物の全面に第２金属膜（図示せず）を蒸着した後、パターニングして表示領域ＤＡに対応するようにソース電極２２５及びドレイン電極２２６を形成する。この際、第２周辺領域ＰＡ１に対応するようにデータ電極パッド２８０も形成する。
【００４４】
これにより、第１絶縁基板２１０上の表示領域ＤＡにはゲート電極２２１、半導体層２２３、オーミックコンタクト層２２４、ソース電極２２５及びドレイン電極２２６を含むＴＦＴ２２０が形成される。また、第１周辺領域ＰＡ１にはゲート電極パッド２６０が形成され、第２周辺領域ＰＡ２にはデータ電極パッド２８０が形成される。
【００４５】
次に、図５に示すように、ＴＦＴ２２０、ゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０が形成された第１絶縁基板２１０全面に保護膜２３０を形成する。続いて、保護膜２３０が形成された第１絶縁基板２１０全面に感光性を有する有機物質２４２内に反射球２４４が混合された混合物質をスピンコーティング方法やスリットコーティング方法を通じて塗布することにより有機絶縁膜２４０を形成する。この際、有機絶縁膜２４０は表示領域ＤＡ、第１及び第２周辺領域ＰＡ１、ＰＡ２に形成される。
【００４６】
次に、図６に示すように、有機絶縁膜２４０上には所定のパターンが形成されているマスク６００が形成される。この際、マスク６００はコンタクトホール２４５を形成するための第１開口部６１０、透過窓５００を形成するための第２開口部６２０、第１バイアホール２６５を形成するための第３開口部６３０及び第２バイアホール２８５を形成するための第４開口部６４０を有する。
【００４７】
続いて、有機絶縁膜２４０をマスク６００によって露光した後、所定の現象液を用いて現象される。この際、有機絶縁膜２４０は感光性を有するので、露光された領域が現象される。従って、第１開口部６１０に対応する領域で有機絶縁膜２４０と保護膜２３０の一部が除去されドレイン電極２２６を露出させるコンタクトホール２４５が形成される。第２開口部６２０に対応する領域で有機絶縁膜２４０が部分的に除去され保護膜２３０を露出させる透過窓５００が形成される。第３開口部６３０に対応する領域で有機膜２４０、保護膜２３０及びゲート絶縁膜２２２の一部が除去されゲート電極パッド２６０を露出させる第１バイアホール２６５が形成される。第４開口部６４０に対応する領域で有機絶縁膜２４０及び保護膜２３０の一部が除去されデータ電極パッド２８０を露出させる第２バイアホール２８５が形成される。
【００４８】
次に、図７に示すように、コンタクトホール２４５、透過窓５００、第１及び第２バイアホール２６５、２８５が形成された第１絶縁基板２１０上にＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜を均一な厚さに蒸着した後パターニングされる。それにより表示領域ＤＡに画素電極２５０が形成され、第１周辺領域ＤＡに第１透明電極２７０が形成され、第２周辺領域ＰＡ２に第２透明電極２９０が形成される。それにより、アレイ基板１００が完成される。
【００４９】
ここで、画素電極２５０はコンタクトホール２４５を通じてドレイン電極２２５と接続される。この際、透過窓５００にも画素電極２５０が形成される。第１透明電極２７０は第１バイアホール２６５を通じてゲート電極パッド２６０と接続され、第２透明電極２９０は第２バイアホール２８５を通じてデータ電極パッド２８０と接続される。
【００５０】
このような製造工程を通じて完成されたアレイ基板２００は有機絶縁膜２４０の反射球２４４によって外部光である第２光Ｌ２を反射させる。従って、既存の反射電極形成のための工程が不必要である。また、反射球２４４は光の散乱及び干渉現象によって第２光Ｌ２を反射させることにより光の反射量が増加し、視野角が向上されるので、既存のエンボシングパターン形成のための工程が不必要である。それにより、アレイ基板の製造工程が単純化される。
【００５１】
図８〜図１０は図１に示したアレイ基板の他の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【００５２】
図８に示すように、第１絶縁基板２１０上の表示領域ＤＡにスイッチング素子２２０を形成し、第１及び第２周辺領域ＰＡ１、ＰＡ２にゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０をそれぞれ形成する。
【００５３】
ＴＦＴ２２０、ゲート電極パッド２６０及びデータ電極パッド２８０が形成された第１絶縁基板２１０全面に保護膜２３０を形成する。保護膜２３０が形成された第１絶縁基板２１０全面に非感光性を有する有機物質２４２内に反射球２４４が混合された混合物質をスピンコーティング方法やスリットコーティング方法を通じて塗布することにより有機絶縁膜２４０を形成する。この際、有機絶縁膜２４０は表示領域ＤＡ、第１及び第２周辺領域ＰＡ１、ＰＡ２に形成される。
【００５４】
続いて、有機絶縁膜２４０が形成された第１絶縁基板２１０全面に感光性を有するフォトレジストフィルム７００を形成する。
【００５５】
次に、図９に示すように、フォトレジストフィルム７００上には、所定のパターンが形成されているマスク８００が形成される。この際、マスク８００はコンタクトホール２４５を形成するための第１開口部８１０、透過窓５００を形成するための第２開口部８２０、第１バイアホール２６５を形成するための第３開口部８３０、及び第２バイアホール２８５を形成するための第４開口部８４０を有する。
【００５６】
続いて、フォトレジストフィルム７００をマスク８００に露光した後、所定の現象液を用いて現象する。従って、第１乃至第４開口部８１０に対応する領域でフォトレジストフィルム７００が部分的に除去されることによりパターニングされる。
【００５７】
次に、図１０に示すように、パターニングされたフォトレジストフィルム７００をマスクとして用いて所定のエッチングガスによる乾式エッチングを実施する。この際、エッチングガスはフッ化硫黄ＳＦ６、酸素Ｏ２ガス及び窒素Ｎ２ガスからなる。
【００５８】
乾式エッチングによって第１開口部８１０に対応する領域で有機絶縁膜２４０及び保護膜２３０が除去されコンタクトホール２４５が形成され、第２開口部８２０に対応する領域で有機絶縁膜２４０が除去され透過窓５００が形成される。また、乾式エッチングによって第３開口部８３０に対応する領域で有機絶縁膜２４０、保護膜２３０及びゲート絶縁膜２２２が除去され第１バイアホール２６５が形成される。第４開口部８４０に対応する領域で有機絶縁膜２４０及び保護膜２３０が除去され第２バイアホール２８５が形成される。
【００５９】
続いて、パターニングされたフォトレジストフィルム７００を除去した後、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電膜を均一な厚さに蒸着した後、パターニングする。
後続工程として、図７のように、表示領域ＤＡに画素電極２５０が形成され、第１周辺領域ＤＡに第１透明電極２７０が形成され、第２周辺領域ＰＡ２に第２透明電極２９０が形成される。これにより、アレイ基板１００が完成される。
【００６０】
上記の本実施形態においては第１光Ｌ１を透過させる透過領域を有する半透過型液晶表示装置を例えにして説明したが、反射型液晶表示装置にも適用されることができる。即ち、反射型液晶表示装置は有機絶縁膜２４０に透過窓５００が形成されなく、有機絶縁膜２４０内の反射球２４４によって第２光Ｌ２を反射させる反射領域のみを有する。
【００６１】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】図１に示したアレイ基板を示した平面図である。
【図３】図１に示した反射球の断面図である。
【図４】図１に示したアレイ基板の一実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図５】図１に示したアレイ基板の一実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図６】図１に示したアレイ基板の一実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図７】図１に示したアレイ基板の一実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図８】図１に示したアレイ基板の他の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図９】図１に示したアレイ基板の他の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１０】図１に示したアレイ基板の他の実施形態による製造工程を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００      液晶表示パネル
２００      アレイ基板
２１０      第１絶縁基板
２２０      薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２２２      ゲート絶縁膜
２３０      保護膜
２４０      有機絶縁膜
２４２      有機物質
２４４      反射球
２５０      画素電極
２６０      ゲート電極パッド
２８０      データ電極パッド
３００      カラーフィルタ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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