(57)【要約】【課題】  高記録密度を達成することができる、低ノイズ磁気ディスクを提供する。【解決手段】  ガラス基板１上に少なくとも下地層２と、磁性層３と、保護層４とを備える磁気ディスクであって前記磁性層がＣｏＣｒを含む合金で、且つ第１、第２の磁性層３ｃ、３ｄを含む２層以上からなる磁気ディスクの製造方法であり、第１の磁性層３ｃの成膜中に直流バイアスを印加する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスディスク基板上に少なくとも下地層とＣｏＣｒ合金を含む磁性層と保護層とを備え、ディスクの円周方向の残留磁化をＭｒｃ、ディスクの半径方向の残留磁化をＭｒｒとしたときに、ディスクの円周方向の残留磁化とディスクの半径方向の残留磁化の比である磁気異方性比Ｍｒｃ／Ｍｒｒが１を超える磁気ディスクの製造方法であって、
前記ガラスディスク基板に前記下地層を成膜し、前記下地層の成膜後に前記磁性層として第１の磁性層と第２の磁性層を前記第１の磁性層が前記下地層側となるように成膜し、
前記第１の磁性層を成膜中にバイアスを−１５０Ｖ以下印加することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記下地層と前記第１の磁性層の間に非磁性層と安定化層を形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１の磁性層、前記第２の磁性層の少なくとも一方と前記安定化層とを、前記非磁性層を介して反強磁性結合させることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記第１の磁性層を成膜中に印加するバイアス電圧が−１５０Ｖ以下、−６００Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１の磁性層のＣｒ含有量が前記第２の磁性層のＣｒ含有量よりも多いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項６】
前記第１の磁性層のＣｒ含有量が２０ａｔ％以上３５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項７】
前記第２の磁性層のＣｒ含有量が２０ａｔ％未満であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ディスクの製造方法によって製造されることを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと略称する）などの磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクは、ＨＤＤ等の磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体である。ＨＤＤは、少なくとも磁気ディスクと磁気ヘッドとを有し、磁気ヘッドにより磁気ディスクに情報が記録され、また再生される。
【０００３】
この種の磁気ディスクは、基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層等の層がこの順で成膜されて形成される。
【０００４】
下地層は、磁性層のグレインの配向性を制御するために形成される層であり、磁性層の磁化容易方向をディスクの面内方向、又はディスクの法線方向に配向するよう制御する機能を有する。
【０００５】
また、下地層は磁性層のグレインサイズを制御する機能も有する。下地層は磁性層のグレインを微細化させ、例えば、磁気記録媒体の信号雑音強度比（ＳＮ比）を向上させる効果や、静磁気特性を向上させる効果を発揮する。
【０００６】
下地層に関する技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が挙げられる。特許文献１に記載された技術では、ＮｉＡｌやＦｅＡｌ等のＢ２結晶構造を有する下地層を利用することが好ましいとされている。
【０００７】
下地層に関する別の技術として、例えば、特許文献２には、ＣｒＴｉ合金層を基板と下地層との間に介挿する技術が開示されている。
【０００８】
一方、特許文献３、特許文献４には、保護層の摺動耐久性を向上させる技術が開示されている。これらの技術においては、保護層としてＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護層が形成され、この保護層形成工程においてバイアス電圧が印加される。そして、バイアス電圧の印加を安定に行うことができるように改善することにより保護層の摺動耐久性を向上させるようにしている。これは、保護層形成時のバイアス電圧が変化すると、耐摩耗性に影響する保護層表面に含まれる水素量が変化し、保護層の摺動耐久性に悪影響を及ぼすからである。
【０００９】
また、特許文献５には、基板の機械的特性と磁気特性の改善を目的とした技術が開示されている。この技術は、珪素を基板として用い、単結晶シリコンの結晶成長に際してＩＩＩ族元素やＶ族元素をドープして電気抵抗を低下させるようにした点に特徴があり、この珪素基板上にバイアス印加を施したスパッタリング法によって磁気記録層を形成するようにしている。
【００１０】
【特許文献１】米国特許第５，８００，９３１号公報
【特許文献２】米国特許第５，７８９，０５６号公報
【特許文献３】特開２００２−３１９１２５号公報
【特許文献４】特開２００４−２７３０３０号公報
【特許文献５】特開平８−１６７１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、ＨＤＤに要求される格納情報量は飛躍的に増大している。最近では、情報記録密度は１平方インチ当り６０ギガビット或いは、６０ギガビットを超えるよう求められてきている。このような高記録密度化の要請に応えるべく上記の技術を含め様々な開発がなされているが、高記録密度化にはＳＮ比の改善が不可欠であるところ、十分なＳＮ比を達成することが困難となっている。
【００１２】
また、線記録密度として、７００ｋｆｃｉ又は、それ以上の高記録密度で情報を記録再生しても十分なＳＮ比を達成することが求められている。
【００１３】
本発明はこのような高記録密度を達成することができる、低ノイズ磁気ディスクを提供することを第１の目的とする。
【００１４】
また、本発明はこのような高記録密度を達成するに好適な磁気異方性を有する磁気ディスクを提供することを第２の目的とする。
【００１５】
本発明は、高線記録密度で記録再生されるＨＤＤに搭載するのに好適な磁気ディスクを提供することを第３の目的とする。
【００１６】
本発明は、１平方インチ当り６０ギガビット或いは、６０ギガビットを超える面記録密度で記録再生されるＨＤＤに搭載するのに好適な磁気ディスクを提供することを第４の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は以下の構成を含むことができる。
【００１８】
（構成１）
ガラスディスク基板上に少なくとも下地層とＣｏＣｒ合金を含む磁性層と保護層とを備え、ディスクの円周方向の残留磁化をＭｒｃ、ディスクの半径方向の残留磁化をＭｒｒとしたときに、ディスクの円周方向の残留磁化とディスクの半径方向の残留磁化の比である磁気異方性比Ｍｒｃ／Ｍｒｒが１を超える磁気ディスクの製造方法であって、前記ガラスディスク基板に前記下地層を成膜し、前記下地層の成膜後に前記磁性層として第１の磁性層と第２の磁性層を前記第１の磁性層が前記下地層側となるように成膜し、前記第１の磁性層を成膜中にバイアスを−１５０Ｖ以下印加することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００１９】
（構成２）
構成１による磁気ディスクの製造方法であって、前記下地層と前記第１の磁性層の間に非磁性層と安定化層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２０】
（構成３）
構成１又は構成２のいずれかによる磁気ディスクの製造方法であって、前記第１の磁性層、前記第２の磁性層の少なくとも一方と前記安定化層とを、前記非磁性層を介して反強磁性結合させることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２１】
（構成４）
構成１〜３のいずれかによる磁気ディスクの製造方法であって、前記第１の磁性層を成膜中に印加するバイアス電圧が−１５０Ｖ以下、−６００Ｖ以上であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２２】
（構成５）
構成１〜４のいずれかによる磁気ディスクの製造方法であって、前記第１の磁性層のＣｒ含有量が前記第２の磁性層のＣｒ含有量よりも多いことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２３】
（構成６）
構成１〜５のいずれかによる磁気ディスクの製造方法であって、前記第１の磁性層のＣｒ含有量が２０ａｔ％以上３５ａｔ％以下であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２４】
（構成７）
構成１〜６のいずれかによる磁気ディスクの製造方法であって、前記第２の磁性層のＣｒ含有量が２０ａｔ％未満であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００２５】
（構成８）
構成１〜７のいずれかによる磁気ディスクの製造方法によって製造されることを特徴とする磁気ディスク。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ガラス基板を用いて、高いＳＮ比を有する高記録密度用の磁気ディスクを提供することができる。これは、ガラス基板上に形成した下地層が磁気異方性の誘導に寄与するように作用する結果、第１の磁性層の成膜時に印加されるバイアスによるエネルギーと協働して磁化粒子がディスクの円周方向へ向くように成膜されることによるものと考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明による磁気ディスクにおいて、ガラス基板としては、非晶質ガラス基板、結晶化ガラス基板などを用いることができる。特に非晶質ガラス基板を用いることが好ましい。
【００２８】
ガラスの組成としては、アルミノシリケートガラスが特に好ましい。
【００２９】
本発明による磁気ディスクにおいては、ガラス基板上に円周状のテクスチャが形成される。このガラス基板上に下地層を形成し、次いで磁性層を形成する。下地層としては、ガラス基板に対する密着性の良好なＣｒＴｉなどの密着層を形成した後、ＣｏＷ、ＣｒＷなどのＷ含有合金層を形成する。このように構成することで、ガラス基板に形成されたテクスチャによる異方性を上層へ誘導することができ、高い磁気異方性を備える磁気ディスクを作成することが可能となる。なお、本発明においては、磁気異方性比Ｍｒｃ／Ｍｒｒが１を超える磁気ディスク、好ましくは１．５を超える磁気ディスクに適用されることにより、より効果が発現する。
【００３０】
本発明による磁気ディスクにおいては、磁性層はＣｏＣｒを含む材料であり、第１、第２の磁性層を含む２層以上から成ることが好ましい。
【００３１】
なお、本発明による磁気ディスクにおいては、下地層とこの下地層側に形成される第１の磁性層との間に、ＣｏＣｒＴａ系合金等からなる安定化層及びＲｕ材料からなる非磁性層が形成されるのが好ましい。
【００３２】
下地層側に形成される第１の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを用いることができる。第１の磁性層におけるＣｒ含有量は、２０ａｔ％以上３５ａｔ％以下であることが好ましいが、更に好ましくは、２２ａｔ％から３０ａｔ％である。また、下地層側に形成される第１の磁性層の成膜中にガラス基板に直流バイアスが印加される。これは、バイアスを印加することによってノイズが低減されるからである。Ｃｒ含有量が２０ａｔ％より少ない場合、バイアス印加の効果があまり見られず、３５ａｔ％より多い場合、非磁性になってしまう。また、バイアス電圧が−１５０Ｖより大きい場合、バイアス印加の効果があまり見られず、−６００Ｖより小さい場合、ガラス基板の耐衝撃性に影響を与えてしまう。
【００３３】
次に、第１の磁性層上に、第２の磁性層を形成する。第２の磁性層もＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを用いることができるが、第２の磁性層のＣｒ含有量は第１の磁性層のＣｒ含有量よりも少ないことが好ましく、特に２０ａｔ％未満であることが好ましい。これは、高記録密度での分解能を高めるためである。
【００３４】
本発明による磁気ディスクにおいては、磁性層がＡＦＣ（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）構造（反強磁性結合構造）を有する構成を使うこともできる。この場合、磁性層は前述した非磁性層を含むように構成され、非磁性層と保護層との間に第１、第２の磁性層を含む２層以上の磁性層が形成されることが好ましい。
【００３５】
また、本発明による磁気ディスクにおいては、ディスクの周方向に沿う略規則的な筋溝が形成されているガラス基板を使うこともできる。
【００３６】
次に、本発明の実施例について図１を参照して説明する。
【００３７】
図１の磁気ディスク１０は、ガラス基板１上に、下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑層５が順次接して形成されている。
【００３８】
ガラス基板１上には、磁性層３に円周方向の磁気異方性を誘導する円周状のテクスチャが形成されている。
【００３９】
下地層２は、非晶質の下地層２ａ、体心立方晶の下地層２ｂ及び２ｃが接して形成されて成る。前述したように、ガラス基板１と非晶質の下地層２ａとの間には、ガラス基板１に対して密着性の良いＣｒＴｉ等からなる密着層を形成することが好ましい。
【００４０】
磁性層３は、磁性層として機能する安定化層３ａ、スペーサ層として機能する非磁性層３ｂ、第１の磁性層３ｃ、第２の磁性層３ｄが接して形成されて成る。非磁性層３ｂを介して、安定化層３ａと第１の磁性層３ｃ及び第２の磁性層３ｄは反平行に交換結合する。なお、安定化層３ａ及び非磁性層３ｂは省略される場合もある。
【００４１】
以下、具体的に説明する。
【００４２】
（実施例１）
ガラス基板１は、非晶質アルミノシリケートガラスを溶融し、ダイレクトプレスにより得たガラスディスクに対して、形状加工、研削、研磨、化学強化を経て得た２．５インチ型の化学強化ガラス基板である。
【００４３】
なお、実施例１におけるアルミノシリケートガラスはＳｉＯ２：６３．６重量％、Ａｌ２Ｏ３：１４．２重量％、Ｎａ２Ｏ：１０．４重量％、Ｌｉ２Ｏ：５．４重量％、ＺｒＯ２：６．０重量％、ＳＢ２Ｏ３：０．４重量％の組成を有するアルミノシリケートガラスである。
【００４４】
化学強化の後、枚葉型テープ式テクスチャ装置とダイヤモンドスラリーを用いて、主表面上に、円周状のテクスチャを形成した。
【００４５】
得られたガラス基板１の主表面の微細モホロジーをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて観察した。５μｍ平方の領域を観察したところ、規則的な筋溝からなるテクスチャが、ディスクの円周方向に沿って配列していることを確認した。表面粗さは、Ｒｍａｘで４．８１ｎｍ、Ｒａで０．４２ｎｍという平滑な表面であった。なお、表面粗さはＡＦＭの観察形状を基に日本工業規格（ＪＩＳ）に従って算出した。
【００４６】
次に、枚葉静止対向成膜方法を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、Ａｒガス雰囲気中で順次成膜を行なった。
【００４７】
下地層２ａは、ＣｒＷ（Ｃｒ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）からなる非晶質Ｗ含有合金層であり、膜厚が１００オングストロームになるようにＡｒガス雰囲気中で成膜した。
【００４８】
体心立方晶の下地層２ｂは、ＣｒＭｎ（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｎ：２０ａｔ％）からなり、膜厚が１００オングストロームとなるように成膜した。体心立方晶の下地層２ｃはＣｒＭｏ（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からなり、膜厚が１００オングストロームとなるように成膜した。
【００４９】
これらの下地層により、磁性層３の成膜工程において磁化容易軸がディスク面内に配向するよう制御され、且つ粒の粗大化を防ぐことができる。
【００５０】
安定化層３ａは、ＣｏＣｒＴａ（Ｃｏ：８５ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）のｈｃｐ結晶構造を備える強磁性合金層であり、膜厚が３０オングストロームとなるよう成膜した。
【００５１】
非磁性層３ｂは、ｈｃｐ結晶構造を備える非磁性のＲｕ金属層であり、反強磁性型交換結合を誘導できるように、膜厚が７オングストロームとなるように成膜した。
【００５２】
第１の磁性層３ｃは、磁気記録の主体となるよう形成された磁性層であって、ＣｏＣｒＰｔＢ（Ｃｏ：５９ａｔ％、Ｃｒ：２４ａｔ％、Ｐｔ：１１ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）のｈｃｐ結晶構造を備える強磁性合金層であり、膜厚が１５０オングストロームとなるように成膜した。第１の磁性層３ｃを成膜している間、ガラス基板１に−３５０Ｖの直流バイアスを印加した。
【００５３】
第２の磁性層３ｄは、磁気記録の主体となるよう形成された磁性層であり、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ（Ｃｏ：５７ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｐｔ：１１ａｔ％、Ｂ：１３ａｔ％、Ｃｕ：５ａｔ％）のｈｃｐ結晶構造を備える強磁性合金層であり、膜厚が１５０オングストロームとなるように成膜した。
【００５４】
磁性層３としての膜厚は、３３７オングストロームである。
【００５５】
保護層４は、水素化炭素からなる保護層であり、膜厚が３０オングストロームとなるように、Ａｒと水素の混合雰囲気で成膜した。保護層４は、磁気ヘッドの衝撃から磁性層を保護するための層である。
【００５６】
以上の成膜を終えたディスクの表面に、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる高分子化合物をディップ法で塗布して膜厚１０オングストロームの潤滑層５を形成した。この潤滑層５は、磁気ヘッドの衝撃を緩和するための層である。
【００５７】
以上のようにして得られた磁気ディスク１０について、ＸＲＤ（Ｘ線回折）を用いてＣｏ合金の配向を調べたところ、面内方向に（１１０）面が配向していることが分かった。即ち、磁性層の磁化容易軸は面内に平行に配向していることを確認した。
【００５８】
次に、磁気ディスク１０の電磁変換特性を評価した。評価方法は以下の通りである。
【００５９】
磁気ヘッド浮上量が１２ｎｍのＧＭＲヘッドを用いて、線記録密度７００ｋｆｃｉにおける記録再生出力と媒体ノイズを測定した。このときの再生出力とノイズの比から、ＳＮ比を算出した。
【００６０】
結果は以下の表１の通りである。
【表１】
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【００６１】
表１には、第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖの実施例１に加えて、実施例２から実施例１０までの結果が示されている。実施例２から実施例１０のいずれも第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量、バイアス電圧の３つの条件以外はすべて同じである。
【００６２】
実施例２は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２６ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖであり、実施例３は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２８ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖである。
【００６３】
実施例４は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量３２ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖであり、実施例５は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量３５ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖである。
【００６４】
実施例６は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１２ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖであり、実施例７は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１６ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖである。
【００６５】
実施例８は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１８ａｔ％、バイアス電圧−３５０Ｖであり、実施例９は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−２００Ｖである。
【００６６】
実施例１０は第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量２４ａｔ％、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量１４ａｔ％、バイアス電圧−５００Ｖである。
【００６７】
さらに、磁気ディスク１０の信頼性を調査するため、ＬＵＬ（ロードアンロード）方式ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）を用いて、ＬＵＬ（ロードアンロード）耐久性試験を行なった。通常、ＬＵＬ（ロードアンロード）方式用磁気ディスクの場合、連続して４０万回以上のＬＵＬ回数に耐久することが求められる。試験の結果、実施例１から１０のいずれにおいても磁気ディスク１０は６０万回のＬＵＬを故障無く耐久できた。試験後にＨＤＤから磁気ディスク１０を取り出して観察したところ膜剥がれなどの異常は観察されなかった。
【００６８】
実施例１〜１０のいずれにおいても、後述される比較例に比べて改善されたＳＮ比を示している。つまり、第１の磁性層３ｃの成膜中に印加するバイアス電圧は−１５０Ｖ以下−６００Ｖ以上であることが好ましく、第１の磁性層３ｃのＣｒ含有量は２０ａｔ％以上３５ａｔ％以下が好ましい。また、第２の磁性層３ｄのＣｒ含有量は２０ａｔ％未満であることが好ましい。
【００６９】
上記のような結果が得られる理由は以下のように考えられる。
【００７０】
１．ガラス基板１上に形成した下地層２が磁気異方性の誘導に寄与するように作用する結果、第１の磁性層３ｃの成膜時に印加されるバイアスによるエネルギーと協働して磁化粒子がディスクの円周方向へ向くように成膜される。
【００７１】
２．磁性層３がＡＦＣ構造を有する場合、第１の磁性層３ｃは安定化層３ａとの交換結合にとって大きな影響を与える。この第１の磁性層３ｃにおいてそれぞれの磁化粒子が円周方向に向くことはＳＮ比の改善に大きく影響し、さらに安定化層３ａとのＡＦＣ構造によりＳＮ比が改善される。
【００７２】
３．第１の磁性層３ｃにおけるＣｒ含有量は２０ａｔ％以上３５ａｔ％以下の範囲内で、多く含有されるとＳＮ比が改善される傾向があるのは、Ｃｒの含有量により、ビットの磁化方向が変化する部分(磁化遷移領域)がはっきりする。
【００７３】
表１にはまた、ディスクの円周方向の残留磁化Ｍｒｃとディスクの半径方向の残留磁化Ｍｒｒの比である磁気異方性比Ｍｒｃ／Ｍｒｒとして１を超える値が示されている。
【００７４】
表１には更に比較例１から比較例８について上記実施例と同様に行った試験結果を示している。
【００７５】
（比較例１）
比較例１の磁気ディスクを製造した。比較例１は、実施例１のバイアスを印加しなかった以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００７６】
（比較例２）
次に、比較例２の磁気ディスクを製造した。比較例２は、実施例１の第１の磁性層のＣｒ含有量を１８at％とした以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００７７】
（比較例３）
次に、比較例３の磁気ディスクを製造した。比較例３は、バイアスを印加しなかった以外は比較例２と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００７８】
（比較例４）
次に、比較例４の磁気ディスクを製造した。比較例４は、実施例１の第１の磁性層のＣｒ含有量を３８at%とした以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００７９】
（比較例５）
次に、比較例５の磁気ディスクを製造した。比較例５は、バイアスを印加しなかった以外は比較例４と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００８０】
（比較例６）
次に、比較例６の磁気ディスクを製造した。比較例６は、実施例１の第２の磁性層のＣｒ含有量を２２at％とした以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００８１】
（比較例７）
次に、比較例７の磁気ディスクを製造した。比較例７は、実施例１のバイアス電圧を−１００Ｖとした以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。
【００８２】
（比較例８）
次に、比較例８の磁気ディスクを製造した。比較例８は、実施例１のバイアス電圧を−６５０Ｖとした以外は実施例１と同様の製造方法による同様の磁気ディスクである。比較例８の試験では、バイアス印加中に基板が変形し、磁気特性を測定することが出来なかった。
【００８３】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、ＳＮ比において優れた特性を有する高記録密度用の低ノイズ磁気ディスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施例による磁気ディスクの断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１    ガラス基板
２    下地層
３    磁性層
【図１】
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