(57)【要約】【課題】  多層構造を有する被加工体において、ＦＩＢ像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な位置に対しても、精度よく位置合わせを行うことができ、短時間で加工を行うことができるＦＩＢ加工の位置合わせ方法及びＦＩＢ装置を提供する。【解決手段】  被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をＦＩＢ加工によって除去し、ＦＩＢ像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。当該露出パターンの形状を認識した後、被加工体のレイアウトデータ上で露出パターンを特定する。このようにして特定されたレイアウトデータ上における露出パターンの座標、及び予め指示されているレイアウトデータ上における目的位置の座標から、現実の被加工体上の目的位置を加工位置に位置させるために必要な移動量が演算される。そして、当該移動量に基づいて、現実の被加工体の位置合わせを行う。【選択図】  図１
2007066670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工体に収束イオンビームを照射してエッチングを行うＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工の際の被加工体の位置合わせ方法であって、
ＦＩＢ加工を行う目的位置と異なる位置に、ＦＩＢの照射により得られる像において識別可能な被加工体内のパターンを、ＦＩＢ加工により露出させるステップと、
前記露出したパターンの形状を認識するステップと、
前記被加工体のレイアウトデータにおいて、前記認識したパターンの位置を特定するステップと、
前記レイアウトデータにおける前記認識したパターンの座標及び前記レイアウトデータにおける前記目的位置の座標に基づいて、現実の被加工体の前記目的位置を加工位置に位置させるための移動量を演算するステップと、
前記演算された移動量に基づいて、現実の被加工体の位置合わせを行うステップと、
を含むＦＩＢ加工の位置合わせ方法。
【請求項２】
前記パターンを露出させるＦＩＢ加工の加工位置が、前記目的位置近傍の被加工体の表面に形成された凹部に基づいて位置合わせされる請求項１記載のＦＩＢ加工の位置合わせ方法。
【請求項３】
前記凹部が、前記被加工体の表面にレーザビームを照射することにより形成される請求項２記載のＦＩＢ加工の位置合わせ方法。
【請求項４】
前記被加工体の表面が平坦面である請求項１から３のいずれかに記載のＦＩＢ加工の位置合わせ方法。
【請求項５】
前記被加工体が、前記目的位置に、当該目的位置を被覆する遮光体を備えた請求項１から３のいずれかに記載のＦＩＢ加工の位置合わせ方法。
【請求項６】
被加工体に収束イオンビームを照射し、エッチング加工を行うＦＩＢ装置において、
ＦＩＢの照射により得られる像からレイアウトパターン形状を認識する手段と、
被加工体のレイアウトデータから、前記認識されたレイアウトパターンを特定する手段と、
前記レイアウトデータにおける前記形状が認識されたレイアウトパターンの座標及び前記レイアウトデータにおけるＦＩＢ加工を行うべき目的位置の座標に基づいて、現実の被加工体の前記目的位置を加工位置に位置させるための移動量を演算する手段と、
前記演算された移動量に基づいて、現実の被加工体を移動させる手段と、
を備えたことを特徴とするＦＩＢ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、収束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）加工の位置合わせ方法及びＦＩＢ装置に関し、特に、ＦＩＢ像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な位置に対して位置合わせを行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の故障解析や形状評価に、ＦＩＢエッチング加工（以下、ＦＩＢ加工という。）により目的部位の断面を露出させ、断面を観察する手法が用いられている。
【０００３】
このようなＦＩＢ装置では、ＦＩＢの加工中心に被加工体の加工位置を位置させる位置合わせは、ＦＩＢを被加工体がエッチングされることのない低いエネルギーで入射させ、このときに被加工体から放出される２次電子や２次イオン等により得られる像（以下、ＦＩＢ像という。）に基づいて行われている。しかしながら、近年の半導体装置は、微細な配線パターンと層間絶縁膜とが多数積層された構造を備えているため、ＦＩＢ加工を行うべき目的部位が絶縁膜や金属膜等に被覆されていることが多く、最表面の形状や最表面に露出している部分の材質の差異が画像化されるＦＩＢ像では目的部位の特定ができないことが多い。このため、目的部位をＦＩＢ像において特定可能とするために、ＦＩＢ加工前に、被加工体の最表面にＦＩＢ像で識別可能（画像化が可能）なマークが光学顕微鏡やレーザ顕微鏡等での観察下で形成され、当該マークに基づいて位置合わせが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、従来技術によるＦＩＢ加工位置の位置合わせ方法を説明する。図１２は、半導体ウェハや半導体チップ等のサンプル２００において、断面観察を行う目的部位２０１の光学像２を示す平面図である。ここでは、図中のＡ−Ａ線における断面を観察するものとする。また、サンプル２００の表面は、平坦な絶縁膜で被覆されているものとする。
【０００５】
上記サンプル２００のＦＩＢ加工を行う場合、まず、図１２に示した光学像２に基づいて、目的部位２０１がＦＩＢの照射範囲内に位置するように、ＦＩＢ装置内にサンプル２００が配置される。
【０００６】
上記状態で、カーボン膜やシリコン酸化膜等の膜を選択的に堆積させるＦＩＢ装置の機能を利用して、図１３に示すように、目的部位２０１の直上に光を透過する程度の膜厚（例えば、０．０３μｍ程度）の堆積膜２０２により縞状のパターン（ライン・アンド・スペースパターン）を形成する。なお、図１３において、ＦＩＢ像１に破線で示す目的部位２０１は、説明のために示したものである。現実のＦＩＢ像１では、最表面の平坦面が観測されるだけであり目的部位２０１を識別することができない。
【０００７】
次に、ＦＩＢ装置からサンプル２００を取出し、光学顕微鏡により目的部位２０１を堆積膜２０２とともに観測する。このとき、堆積膜２０２は光を透過するため、図１４に示すように、光学像２では、縞状の堆積膜２０２を通じて目的部位２０１が観察される。また、このとき、目的部位２０１が縞状の堆積膜２０２のいずれのライン、若しくはスペースの下層に位置しているかが確認される。図１４の例では、図１２に示したＡ−Ａ線が中央のスペースに位置している。
【０００８】
この後、サンプル２００は、再度ＦＩＢ装置に搬入され、ＦＩＢ像１上で、光学像２で確認した堆積膜２０２のラインあるいはスペースを目印としてＦＩＢ加工が行われる。これにより、図１５に示すように、目的部位２０１に断面加工部２０３が形成される。この後、ＦＩＢ加工によって露出された断面が、例えば、ＦＩＢ像により観察される。
【特許文献１】特開２００１−１５５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）技術にて表面を平坦化しながら配線を何層にも重ねて形成している、多層配線構造を有する半導体装置では、光を透過しない銅等からなる配線が複数の層に渡って複雑なレイアウトで形成されている。このため、断面を観察すべき目的部位が下層にある場合、当該目的部位は上層配線の直下に位置していることも多い。また、一般に、半導体装置では、上層の構造に比べて下層の構造が微細になっているため、最上層の配線の下層には、非常に多数の微細なパターンが隠されている。このような状況下では、光学像では、上層の配線しか認識できず、当該配線の下層に位置している目的部位の位置を正確に特定することは困難である。このため、光学像において、目的部位が特定可能であることを前提とした上記従来技術では、目的部位の断面を正確に露出させることはできない。
【００１０】
また、上述の従来技術では、目的部位の断面を露出させるために、（１）光学顕微鏡による目的部位の確認、（２）目的部位に対応する領域へのＦＩＢ装置によるマーキング、（３）光学顕微鏡にて目的位置とマークとの相対位置の確認、（４）ＦＩＢ装置による断面加工、の一連の作業を行う必要がある。このため、光学顕微鏡とＦＩＢ装置との間で、サンプルの搬入出を繰り返す必要があり、作業効率が悪いという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題を鑑みて提案されたものであって、光学像により位置特定が不可能な目的部位に対しても、精度よく位置合わせを行うことができるとともに、サンプルの搬入出回数が少なく、効率よく断面加工を行うことができるＦＩＢ加工位置の位置決め方法及びＦＩＢ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のＦＩＢ加工の位置決め方法は、まず、ＦＩＢ加工を行う目的位置と異なる位置に、ＦＩＢの照射により得られる像において識別可能な被加工体内のパターンをＦＩＢ加工により露出させ、当該パターンの形状を認識する。次いで、被加工体のレイアウトデータにおいて認識したパターンの位置を特定し、当該レイアウトデータにおける認識したパターンの座標及び前記目的位置の座標に基づいて、現実の被加工体の前記目的位置を加工位置に位置させるための移動量を演算する。そして、求められた移動量に基づいて、現実の被加工体の位置合わせを行う。
【００１３】
以上の構成によれば、ＦＩＢ加工前にＦＩＢ像さらには光学像により、ＦＩＢ加工すべき目的位置が特定できない状況下であっても、目的位置を容易にかつ精度よく加工位置として位置決めすることができる。
【００１４】
また、パターンを露出させるＦＩＢ加工の加工位置は、目的位置近傍の被加工体の表面に形成された凹部に基づいて位置合わせを行うことができる。当該凹部は、例えば、被加工体の表面にレーザビームを照射することにより形成することができる。
【００１５】
本方法は、特に、被加工体の表面が平坦面である場合や、被加工体の目的位置が遮光体に被覆されている場合等に好適である。
【００１６】
一方、他の観点では、本発明は、上記方法が適用されるＦＩＢ装置を提供することができる。すなわち、本発明に係るＦＩＢ装置は、ＦＩＢの照射により得られる像からパターン形状を認識する手段と、被加工体のレイアウトデータから、前記形状が認識されたパターンを特定する手段と、前記レイアウトデータにおける前記形状が認識されたレイアウトパターンの座標及び前記レイアウトデータにおけるＦＩＢ加工を行うべき目的位置の座標に基づいて、現実の被加工体の前記目的位置を加工位置に位置させるための移動量を演算する手段と、前記演算された移動量に基づいて、現実の被加工体を移動させる手段とを備えた構成である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＦＩＢ像においても、さらには光学像においても、ＦＩＢ加工を行う目的位置が特定できない状況下であっても、目的位置をＦＩＢ加工位置に容易にかつ確実に、正確に位置合わせすることができる。さらに、従来に比べて、１つのサンプルの加工を行う際に、ＦＩＢ装置へのサンプルの搬入出回数が少ないため、作業効率よくＦＩＢ加工を行うことができるという優れた効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ここで、図１は本発明による加工位置の位置合わせの手順を示すフロー図である。また、図２〜図１０は、図１に示すフローにおける各処理を説明するための平面図である。なお、以下では、半導体素子が形成された半導体基板上に、絶縁膜形成、ＣＭＰ平坦化、及び銅配線形成を繰り返すことにより、６層の多層配線構造が形成された半導体装置をサンプル（被加工体）とし、当該サンプルの故障解析のために断面を露出させる事例に基づいて説明を行う。また、以下では、各配線層を下層から、第１層配線、第２層配線、・・・、第６層配線と呼称する。
【００１９】
図２は、ＦＩＢ加工を行うサンプル１００の第３層配線１０２と第４層配線１０３の配置を示すレイアウトデータ１０４である。ここで、断面観察を行う目的位置１０１は第３層配線と第４層配線とを電気的に接続するコンタクトプラグであるとする。なお、図２において、当該コンタクトプラグは、点線で示す円内に位置している。また、当該目的位置１０１が故障位置であることは、ＬＳＩテスタ等により測定された電気特性等に基づいて推定されるものである。
【００２０】
図３は、レイアウトデータに基づいて特定された現実のサンプル１００における目的位置１０１の近傍を光学顕微鏡等により観察した光学像２を示す平面図である。本実施形態のサンプル１００は、第５層配線１０５と第６層配線１０６とが格子状に配置されており、光学像２において、下層にある目的位置１０１を識別することが困難である。
【００２１】
さて、本実施形態では、まず、レーザマーキング装置により、目的位置１０１の近傍にマーキングを行う。公知のように、レーザマーキング装置は、微細なステップ（例えば、ミクロン単位）で水平方向への移動位置を制御可能なステージを備えている。当該ステージ上に載置されたサンプル１００は、各配線層を形成する際のフォトリソグラフィに使用されるフォトマスクのレイアウトデータ（設計データ）から取得される座標に基づいて、上記目的位置１０１の近傍で、かつ目的位置１０１と異なる部位がレーザビーム照射位置に位置するように移動される。そして、レーザビームの照射が行われ、目的位置１０１の近傍にレーザマーキング部１０７が形成される（図１  Ｓ１）。図４は、レーザマーキング部１０７が形成されたサンプル１００の光学像２を示す平面図である。上述のように、目的位置１０１の近傍で、かつ目的位置１０１とは異なる位置にレーザマーキング部１０７が形成されている。
【００２２】
次いで、ＦＩＢ装置が備えるステージにサンプル１００を設置し、目的位置１０１がＦＩＢの照射範囲内に位置するように、ＦＩＢ装置内にサンプル１００を搬入する。図５は、レーザマーキング部１０７が形成されたサンプル１００のＦＩＢ像１を示す平面図である。上述のように、ＦＩＢ像１は最表面の形状、あるいは最表面に露出している部位の材質の差異が画像化されるため、サンプル１００の最上層に形成されている絶縁膜（パッシべーション膜）の形状のみが画像として表示され、その下層の構造を識別することができない。したがって、ＦＩＢ像１において目的位置１０１を識別することは不可能であるが、図５では説明のため、目的位置１０１を点線の円で示している。なお、レーザマーキング部１０７は、サンプル１００の表面に凹部として形成されているため、ＦＩＢ像１に画像として識別可能な状態で表示されている。すなわち、ここでは、レーザマーキング部１０７がＦＩＢ像１内に表示される状態することで、目的位置１０１の近傍に容易に位置合わせすることができる（図１  Ｓ２）。
【００２３】
続いて、図６に示すように、レーザマーキング部１０７近傍の適切な領域の上層膜をＦＩＢ加工により除去することにより、ＦＩＢ像１中で画像として識別可能な配線パターンを露出させた露出部１０８を形成する（図１  Ｓ３）。ここで、適切な領域とは、例えば、特徴的なレイアウトパターンを含む領域等である。また、本実施形態では、目的位置１０１が、第３層配線と第４層配線とを接続するコンタクトプラグであるので、本実施形態では、露出部１０８を形成する際に、サンプル１００の表面から第３層配線１０２が露出する深さまでの部分をＦＩＢエッチングにより除去している。なお、当該ＦＩＢエッチングでは、例えば、微小量のＦＩＢエッチングとＦＩＢ像観察とを繰返し実行し、第３層配線が露出した時点でエッチングを完了する、あるいは、ＦＩＢのエネルギーを調節してＦＩＢエッチングの加工深さを調整することにより行えばよい。
【００２４】
このようにして形成された露出部１０８は、銅等からなる配線と絶縁膜とが表面に露出しているため、ＦＩＢ像１において画像として表示されるため当該配線パターンの形状を認識することができる（図１  Ｓ４）。そして、当該配線層（ここでは、第３層配線）のレイアウトデータ上で、当該露出した配線パターンの位置が特定される（図１  Ｓ５）。これにより、レイアウトデータ上における前記特定した配線パターンの座標を取得することができる。また、上述のように、レイアウトデータ上において目的位置１０１は特定されているため、レイアウトデータ上における目的位置１０１の座標も取得することが可能である。そして、レイアウトデータ上における前記特定されたパターンの座標、及びレイアウトデータ上における目的位置１０１の座標から、現実のサンプル１００上の目的位置１０１をＦＩＢ加工位置に位置させるための移動量が演算される（図１  Ｓ６）。
【００２５】
このような移動量の演算は、以下のようにして行うことができる。例えば、露出部１０８に露出させた第３層配線１０２の端部や角部等、座標の特定が容易な２点以上の箇所が基準点として設定される。ここでは、図６に示すように、露出させた第３層配線１０２の角部のうちの２箇所をそれぞれ第１基準点１０９、第２基準点１１０としている。ここで、ＦＩＢ像１上におけるＸＹ座標系により特定される各基準点１０９、１１０の座標は、第１基準点１０９が（１、１）、第２基準点１１０が（２、３）であるとする。
【００２６】
一方、図７は、図６に示すＦＩＢ像１に対応する領域の第３層配線１０２のみのレイアウトデータ１０４を示している。図７において、破線で示す領域１１３が図６の露出部１０８に対応し、第３基準点１１１と第４基準点１１２がそれぞれ図６の各基準点１０９、１１０に対応する。ここで、レイアウトデータ１０４上におけるＸＹ座標系により特定される各基準点１１１、１１２の座標は、第３基準点が（１０、１０）、第４基準点が（２００、３００）である。また、レイアウトデータ１０４における座標系では、目的位置１０１の座標は、（３００、４００）になっている。
【００２７】
以上のような、各基準点の座標の関係、及びレイアウトデータ１０４上における目的位置１０１の座標から、ＦＩＢ像１における目的位置１０１の座標を求めることができる。この事例の場合、ＦＩＢ像１上の座標系において目的位置１０１の座標は、（２．５７、３．６８）として求められる。なお、このように２箇所以上の基準点を設定することにより、レイアウトデータ上のＸＹ座標軸とＦＩＢ像上でのＸＹ座標軸とが同一の向きになっていない場合であっても、ＦＩＢ像１上における目的位置１０１の座標を演算することができる。
【００２８】
また、上記座標演算は、例えば、以下のようにして行うことができる。まず、ＦＩＢ像上の座標系で第１基準点が原点となるように平行移動した第２基準点の座標と、レイアウトデータ上の座標系で第３基準点が原点となるように平行移動した第４基準点の座標とから、両座標間で成立する変換行列（回転移動及び拡大縮小の関係を示す行列）を求める。そして、当該変換行列にレイアウトデータ上の座標系で第３基準点が原点となるように平行移動した目的位置の座標を適用すれば、ＦＩＢ像上の座標系で第１基準点が原点とした目的位置の座標を得ることができる。
【００２９】
図８のＦＩＢ像１に示すように、ＦＩＢ装置の現在の加工中心が第１基準点１０９にあるとすると、サンプル１００が設置されているステージを、ＦＩＢ像１におけるＸＹ座標系でＸ方向に２．９、Ｙ方向に１．９に対応して移動させることにより、図９示すように、目的位置１０１がＦＩＢ装置の加工中心に位置する（図１  Ｓ７）。当該状態で、例えば、平面視において矩形状の加工範囲が、矩形を構成するいずれかの辺上に位置合わせされた目的位置１０１が位置する状態で設定され、ＦＩＢ加工が行われる（図１  Ｓ８）。これにより、図１０に示すように断面加工部１１４が形成される。このとき、断面加工部１１４の深さは、第３層配線１０２よりも深い位置まで加工される。この後、ＦＩＢ装置のステージのティルト機能により、断面加工部１１４に露出した断面にＦＩＢが入射可能な状態にサンプル１００を傾斜させ、例えば、ＦＩＢ像により断面の観察が行われる（図１  Ｓ９）。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態によれば、ＦＩＢ像においても、さらには光学像においても、ＦＩＢ加工を行う目的位置を特定することができない状況下において、目的位置をＦＩＢ加工中心に容易にかつ正確に位置合わせすることができる。また、上述のように、本実施形態では、レーザマーキング装置にてマーキングを行った後の処理は、全てＦＩＢ装置内で行うことができる。すなわち、１つのサンプルのＦＩＢ加工を行う際に、ＦＩＢ装置へのサンプルの搬入出回数が従来に比べて少ないため、作業効率よくＦＩＢ加工を行うことができる。
【００３１】
なお、上記位置合わせは、例えば、図１１に示すようなＦＩＢ装置により、自動的に実施することが可能である。図１１は、本実施形態のＦＩＢ装置の要部を示す機能ブロック図である。
【００３２】
図１１に示すように、本実施形態のＦＩＢ装置は、ＦＩＢ像１を表示するＦＩＢ像表示手段１１と、ＦＩＢ像１の形状認識を行う画像認識手段１２、及び画像認識手段１２が認識した形状をレイアウトデータ入力手段１４から入力されたレイアウトデータ上で特定するレイアウト特定手段１３を有している。また、目的位置設定手段１５は、例えば、作業者がレイアウトデータ上における座標を入力する等により、レイアウトデータ上における目的位置１０１の位置をレイアウト特定手段１３に指示するための手段である。
【００３３】
例えば、ＦＩＢ像表示手段１１に表示されたＦＩＢ像１において、画像認識手段１２が露出部１０８に対応する領域のＦＩＢ像１のエッジ検出等を行うことにより、露出させた配線パターン（ここでは、第３層配線）の形状を認識する（図１  Ｓ４）。そして、レイアウト特定手段１３が、画像認識手段１２が認識した形状を、パターンマッチング等によりレイアウトデータ上で特定する（図１  Ｓ５）。また、レイアウト特定手段１３は、このようにしてレイアウトデータ上で特定した前記パターンの座標、及び、目的位置設定手段１５により、当該レイアウトデータ上に指定された目的位置１０１の座標から、例えば、上述した手順により、現実の被加工体の前記目的位置を加工位置に位置させるための移動量を演算する（図１  Ｓ６）。このようにして演算された移動量が、被加工体が搭載されたステージの移動制御を行うステージ制御手段１７に入力されるとともに、当該ステージ制御手段１７が入力された移動量に基づいてステージを移動する。これにより、サンプル１００上の目的位置１０１が、ＦＩＢ加工位置として位置合わせされる（図１  Ｓ７）。なお、本構成のＦＩＢ装置において、前記画像認識手段１２がレーザマーキング部１０７を認識する構成とし、露出部１０８の形成位置をも自動的に位置合わせする構成としてもよい。なお、本構成のＦＩＢ装置において、前記画像認識手段１２がレーザマーキング部１０７を認識する構成とし、露出部１０８の形成位置をも自動的に位置合わせする構成としてもよい。なお、画像認識手段１２及びレイアウト特定手段１３は、例えば、専用の演算回路や、プロセッサとＲＡＭやＲＯＭ等のメモリとを備えたハードウェア、及び当該メモリに格納され、プロセッサ上で動作するソフトウェア等として実現することができる。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、ＦＩＢ像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な目的位置に対しても、当該目的位置をＦＩＢ加工中心に容易にかつ確実に位置合わせすることができる。さらに、従来に比べて、１つのサンプルの加工を行う際に、ＦＩＢ装置へのサンプルの搬入出回数が少ないため、作業効率よくＦＩＢ加工を行うことができる。
【００３５】
なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記では、露出部１０８を１箇所とした事例を説明したが、２箇所以上の露出部を形成し、各露出部に露出させた配線パターンに基づいて上記移動量を演算してもよい。これにより、上記移動量を演算する基準点の距離を大きくすることができ、加工位置の位置合わせ精度をさらに高めることができる。また、サンプル表面へのマークの形成にレーザマーキング装置を用いることは必須ではなく、ＦＩＢ像において認識可能なマークを形成可能な手法であれば任意の手法を採用することができる。さらに、このようなマーキングは被加工体の表面が平坦である場合等、被加工体の表面に被加工体上での位置の特定が可能な凹凸が存在しない場合のみに行えばよい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、多層構造を有する被加工体の加工目的位置が、光学像やＦＩＢ像により特定できない状況下であっても、精度よく短時間で加工を行うことができるという効果を有し、ＦＩＢ加工位置の位置合わせ方法、及びＦＩＢ装置として有用である。
【００３７】
半導体サンプルの不良解析
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態の位置合わせ手順を示すフロー図
【図２】サンプルのレイアウトデータ例を示す平面図
【図３】本発明の一実施形態の光学像の一例を示す平面図
【図４】本発明の一実施形態の光学像の一例を示す平面図
【図５】本発明の一実施形態のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図６】本発明の一実施形態のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図７】サンプルのレイアウトデータの一例を示す平面図
【図８】本発明の一実施形態のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図９】本発明の一実施形態のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図１０】本発明の一実施形態のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図１１】本発明の一実施形態のＦＩＢ装置の要部機能ブロック図
【図１２】従来法の光学像の一例を示す平面図
【図１３】従来法のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【図１４】従来法の光学像の一例を示す平面図
【図１５】従来法のＦＩＢ像の一例を示す平面図
【符号の説明】
【００３９】
１  ＦＩＢ像
２  光学像
１００  サンプル
１０１  目的部位
１０２  第３層配線
１０３  第４層配線
１０４  レイアウトデータ
１０５  第５層配線
１０６  第６層配線
１０７  レーザマーキング
１０８  露出部
１０９  基準点Ａ
１１０  基準点Ｂ
１１１  基準点Ｃ
１１２  基準点Ｄ
１１３  露出部に対応する領域
１１４  断面加工部
２００  サンプル
２０１  目的部位
２０２  堆積膜
２０３  断面加工部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2007066670.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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