(57)【要約】【課題】キャリアの逆流防止及び／又は暗電流発生の抑圧を行うことを課題とする。【解決手段】光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、電荷を検出するための検出部と、光電変換部の電荷を検出部に転送するための転送トランジスタと、転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有し、駆動手段は、転送トランジスタのゲート電圧（Ｐｉｘ−Ｔｘ）をオンレベル（ＶｔｘＨ）から中間レベル及び中間レベルからオンレベルに遷移させる間に、ゲート電圧をオフレベル（ＶｔｘＬＬ）にする固体撮像装置が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、
前記電荷を検出するための検出部と、
前記光電変換部の電荷を前記検出部に転送するための転送トランジスタと、
前記転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有し、
前記駆動手段は、前記転送トランジスタのゲート電圧を前記オンレベルから前記中間レベル及び前記中間レベルから前記オンレベルに遷移させる間に、前記ゲート電圧をオフレベルにすることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
さらに、前記検出部をリセットするためのリセット手段を有し、
前記駆動手段は、前記リセット手段がリセットする時に、前記転送トランジスタのゲート電圧を中間レベルにすることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記駆動手段は、前記リセット手段のリセット開始と同時に、前記転送トランジスタのゲート電圧をオフレベルから中間レベルに変化させることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記リセット手段のリセット開始後に、前記転送トランジスタのゲート電圧をオフレベルから中間レベルに変化させることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項５】
さらに、前記検出部が入力部となる増幅手段と、
前記増幅手段の出力を出力線に選択的に接続するための選択スイッチとを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記駆動手段は、
ドレインが前記転送トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記オンレベルの電位に接続される第１のＰチャネル電界効果トランジスタと、
前記転送トランジスタのゲート及び前記オフレベルの電位間に直列に接続される第１及び第２のＮチャネル電界効果トランジスタと、
ドレインが前記転送トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記中間レベルの電位に接続される第３のＮチャネル電界効果トランジスタと
を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１のＰチャネル電界効果トランジスタ及び前記第２のＮチャネル電界効果トランジスタのゲートには転送信号の反転信号が入力され、
前記第１のＮチャネル電界効果トランジスタ及び前記第３のＮチャネル電界効果トランジスタのゲートにはそれぞれ中間レベル供給信号の反転信号及び正転信号が入力されることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記駆動手段は、
ドレインが前記転送トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記オンレベルの電位に接続される第１のＰチャネル電界効果トランジスタと、
ドレインが前記転送トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記オフレベルの電位に接続される第１のＮチャネル電界効果トランジスタと、
ドレインが前記転送トランジスタのゲートに接続され、ソースが前記中間レベルの電位に接続される第２のＮチャネル電界効果トランジスタと
を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路と
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１０】
光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、
前記電荷を検出するための検出部と、
前記光電変換部の電荷を前記検出部に転送するための転送トランジスタと、
前記転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記転送トランジスタのゲート電圧を前記オンレベルから前記中間レベル及び前記中間レベルから前記オンレベルに遷移させる間に、前記ゲート電圧をオフレベルにするステップを有することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳセンサにおけるオーバーフロー制御は通常ＬＯＤ（ラテラルオーバフロードレイン）の機能を用い行い、ＣＣＤなどで多用されているＶＯＤ（バーティカルオーバーフロードレイン）とは異なる。それは、ＣＭＯＳセンサ特有の構造に起因し、動作、作成方法によってはラッチアップなどを誘発する故である。しかしながら、ＬＯＤ構造においてゲートを用いる手法では画素面積を抑圧し、他の接合を用いた構造ではその閾値制御が非常に不安定である。そのため面積を抑圧せず、その閾値制御が可能な転送ゲートをコントロールする手法がある。
【０００３】
下記の特許文献１は、画素に含まれるフォトダイオード（以下、ＰＤと略す）、ＰＤと繋がるフローティングディフージョン（以下、ＦＤと略す）部、およびＦＤ部への転送手段であるところのＭＯＳＦＥＴ（以下、転送ＭＯＳと略す）などから構成されている。
【０００４】
その動作は、ＰＤにおいて、その飽和によるブルーミングを防止するため、ＦＤ部へ転送する転送ＭＯＳのオフレベルを制御し、ＰＤが飽和に近づいた際、ＰＤから隣接画素ＰＤへ漏れ出す以前にＦＤ部へ過剰キャリアを掃き出す、というものである。具体的には、転送ＭＯＳのゲートをわずかにオンさせる事であり、これをアンチブルーミング動作と呼ぶ。
【０００５】
図７は特許文献１を最もよく表す図である。図７中、９９３はＰＤ部ポテンシャル、９９５はＦＤ部ポテンシャル、９９４は転送ＭＯＳ、９９６は増幅型トランジスタであり、９９７はＦＤをリセットするためのリセットトランジスタである。図７はアンチブルーミング動作時のポテンシャルを表しており、ＰＤ−ＦＤのバリアがやや低く、かつ、リセットトランジスタによるＦＤ−ＶＤＤのバリアもやや低くなっており、飽和付近のＰＤキャリア９９３がＦＤ９９５を介してＶＤＤに掃き出されている。
【０００６】
図８は、特許文献１の画素動作を示すタイミングチャートである。ＣＬＫは垂直線駆動クロック、ＣＳＬは垂直線選択パルス、ＣＲＳは画素リセット制御信号、ＣＴＲは画素転送制御信号、ＳＬｉは内部垂直線選択パルス、ＲＳｉは内部画素リセットパルス、ＴＲｉは内部転送パルス、VDD１は垂直線駆動部電源である。図８のタイミングチャート中ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，ｔ５はそれぞれ、蓄積状態、リセット状態、転送状態、蓄積状態、アンチブルーミング状態である。
【０００７】
蓄積状態（ｔ１）：  画素は非選択状態でありすべてのパルスはオフしている。ＴＲｉはローレベルでありＰＤ−ＦＤは完全に分離されている。この時、ＰＤは受光した光を蓄積している。
【０００８】
リセット状態（ｔ２）：ＣＳＬがハイレベルになり該当した画素（水平方向）が選択される。さらに、ＣＲＳがハイレベルになり、リセットＭＯＳ９９６がオンすることにより、該水平方向の画素部ＦＤをリセットする。この際、ＦＤはＶＤＤと同電位もしくは、リセットＭＯＳ９９６の閾値程度低下した電圧がＦＤに供給される。
【０００９】
転送状態（ｔ３）：ＦＤに画素リセット電位が書込まれた後、ＴＲｉをオンレベルにして転送ＭＯＳ９９４を導通させ、画素情報をＦＤに転送する。その際、ＰＤの空乏化電位以上であると完全空乏転送となり、ノイズの少ない良好な特性がえられる。
【００１０】
蓄積状態（ｔ４）：ｔ１と同様のため説明を省略する。
アンチブルーミング状態（ｔ５）：水平選択線ＳＬｉはローレベルで、非選択状態であるが、ＲＳｉ、ＴＲｉとも中間レベルである。このポテンシャルの状態が図７の下側の図である。ＰＤ部９９３、ＦＤ部９９５それぞれを仕切るＭＯＳトランジスタ９９４、９９７ともに完全にオフしないため、ＰＤにて発生した過剰キャリアは矢印のように電源に流れてゆき、オーバーフロー動作となる。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３５５６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１は、以下のような課題（問題点）がある。
（１）図８中、ｔ３の前後のＲＳｉ、ＴＲｉとも中間レベルであり、ｔ５と同様アンチブルーミング状態である。すなわち、過剰キャリアを掃き出すタイミングとＦＤへ転送するタイミングが重なっている。これは、ＦＤ部分へ過剰キャリアと正常なキャリアが混合して転送された事となり正確な情報が伝わっていない。
【００１３】
（２）加えて、正常な転送後にも転送ＭＯＳのオフレベルが完全にオフではないため、場合によってはＦＤからＰＤへキャリアの逆流も起こりえる。
【００１４】
（３）ｔ５のように垂直線選択時にアンチブルーミング動作が起こるが、転送ＭＯＳのオフレベルを制御することは、該転送ＭＯＳのチャネルをわずかに導通状態にすることであり、その際、チャネル部分が空乏化し暗電流が発生し易くなる。すなわち、アンチブルーミング動作をあまり長く行うと、暗電流が画素、ＦＤに漏れ込み、画質の劣化を招く、などの課題が挙げられる。
【００１５】
本発明の目的は、キャリアの逆流防止及び／又は暗電流発生の抑圧を行うことである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の固体撮像装置は、光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、前記電荷を検出するための検出部と、前記光電変換部の電荷を前記検出部に転送するための転送トランジスタと、前記転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有し、前記駆動手段は、前記転送トランジスタのゲート電圧を前記オンレベルから前記中間レベル及び前記中間レベルから前記オンレベルに遷移させる間に、前記ゲート電圧をオフレベルにすることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、前記電荷を検出するための検出部と、前記光電変換部の電荷を前記検出部に転送するための転送トランジスタと、前記転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記転送トランジスタのゲート電圧を前記オンレベルから前記中間レベル及び前記中間レベルから前記オンレベルに遷移させる間に、前記ゲート電圧をオフレベルにするステップを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
光電変換部から検出部への転送の前後に、アンチブルーミング動作を行わないので、良好な暗電流特性を実現することができ、電荷（キャリア）の逆流を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、実施形態を用いて本発明を説明する。
（第１の実施形態）
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態による固体撮像装置の構成例を示す回路図である。図１中は本実施形態の画素部分であり、一般的に２次元もしくは１次元配列から成る。図中、１は光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部のＰＤ（フォトダイオード）である。２はＰＤ１の電荷をＦＤ部７に転送するための転送ＭＯＳ（ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ））である。３はＦＤ部７の信号（電圧）を増幅するためのＭＯＳＦＥＴである。４はＦＤ部７をリセットするためのリセットＭＯＳ（ＭＯＳＦＥＴ）、５は出力線、６は正の電源電圧、７は電荷を蓄積するためのＦＤ（フローティングディフージョン）部、１０は転送ＭＯＳ制御信号Ｐｉｘ−Ｔｘ１、１１はリセットＭＯＳ制御信号ＦＤ−ｒｅｓ１である。ＦＤ部７は、ＰＤ１の電荷を検出する検出部である。
【００２０】
ＰＤ１は、光電変換により、受光した光量に応じて電荷を生成し、蓄積する。転送ＭＯＳ２がオンになると、ＰＤ１の電荷は、ＦＤ部７に転送される。トランジスタ３は、ＦＤ部７の電圧を増幅して、出力線５に画素信号を示す電圧を出力する。出力線５をリセットレベルにした後、トランジスタ４がオンになると、ＦＤ部７がリセットされる。さらに転送ＭＯＳ２がオンになると、ＰＤ１がリセットされる。
【００２１】
図２は制御信号生成部であり、図１の制御信号１０（Ｐｉｘ−Ｔｘ１）などを駆動する。制御信号Ｐｉｘ−Ｔｘは、図１の制御信号Ｐｉｘ−Ｔｘ１又はＰｉｘ−Ｔｘ２である。図中、Ｔｘは転送信号、ＴｘＬはアンチブルーミング動作信号、ＶｔｘＨは転送ＭＯＳ２の画素転送信号のハイレベル（オンレベル）、ＶｔｘＬは転送ＭＯＳ２をアンチブルーミング動作にするためのＶｔｘＬＬとＶｔｘＨの中間レベルである。ＶｔｘＬＬは転送ＭＯＳ２のローレベル（オフレベル）であり、これを供給されることで該転送ＭＯＳ２はオフ状態となる。１５はＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＰＭ１、１６はＮチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭＮ２、１７はＮチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭＮ１、１８はＮチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭＮ３である。ｉｎｖ１はインバータ回路である。ｎａｎｄ１は否定論理積（ＮＡＮＤ）回路である。実施の際には、図１のＰｉｘ−Ｔｘ１及び図２のＰｉｘ−Ｔｘが繋がることになる。
【００２２】
Ｐチャネルトランジスタ１５は、ドレインが転送ＭＯＳ２のゲートに接続され、ソースがオンレベルの電位ＶｔｘＨに接続される。Ｎチャネルトランジスタ１６及び１７は、転送ＭＯＳ２のゲート及びオフレベルの電位ＶｔｘＬＬ間に直列に接続される。Ｎチャネルトランジスタ１８は、ドレインが転送ＭＯＳ２のゲートに接続され、ソースが中間レベルの電位ＶｔｘＬに接続される。Ｐチャネルトランジスタ１５及びＮチャネルトランジスタ１７のゲートには転送信号Ｔｘの反転信号が入力される。Ｎチャネルトランジスタ１６及びＮチャネルトランジスタ１８のゲートにはそれぞれ中間レベル供給信号ＴｘＬの反転信号及び正転信号が入力される。
【００２３】
実際の動作の説明を図３のタイミングチャートを用いて説明する。図３中、ＴｘＬ，Ｔｘ，Ｐｉｘ−Ｔｘは図２と同一であり説明を割愛する。行選択は任意の１行を選択する信号であり、選択された行のみリセット、転送など特定の動作を行う事が出来る。
【００２４】
図２において、トランジスタ１５は転送信号Ｔｘと行選択によりオンし、ハイレベル電位ＶｔｘＨを転送ＭＯＳ２に供給する。それ以外のときは、トランジスタ１６，１７によりローレベル電位ＶｔｘＬＬを転送ＭＯＳ２に供給し、信号Ｐｉｘ−Ｔｘがオフレベルになるようになっている。また、アンチブルーミング動作信号ＴｘＬが供給された際、アンチブルーミングレベルの電位ＶｔｘＬを転送ＭＯＳ２に供給する。
【００２５】
ＦＤ−ｒｅｓ（ＦＤ−ｒｅｓ１，ＦＤ−ｒｅｓ２）はＦＤ部７をリセットするために用いられ、Ｎチャネルトランジスタ４（ＭＲ１）等を駆動する。本実施形態は画素選択スイッチのない形式であるため、出力線５をリセット電圧にし、制御信号ＦＤ−ｒｅｓをオンレベルにする事で、トランジスタ４をオンさせ、ＦＤ部７のリセットを行う。すなわち、制御信号ＦＤ−ｒｅｓと同一位相で垂直線５を強制的にリセットレベルにしている。
【００２６】
本実施形態によれば、図２の制御信号生成部（駆動手段）は、転送ＭＯＳ２のゲート電圧がオンレベルＶｔｘＨの際、その前後の時間において該ゲート電圧をオフレベルＶｔｘＬＬにする。これにより、特許文献１で問題となっていた、ＰＤからＦＤへの転送前後にアンチブルーミング動作がないことから、良好な暗電流特性を実現でき、電荷（キャリア）の逆流を防止することができる。
【００２７】
また、リセット信号ＦＤ−ｒｅｓによりリセットトランジスタ４がオンしてリセットする時に、転送ＭＯＳ２のゲート電圧を中間レベルＶｔｘＬにする。例えば、リセットトランジスタ４のリセット開始と同時に、転送ＭＯＳ２のゲート電圧をオフレベルＶｔｘＬＬから中間レベルＶｔｘＬに変化させる。また、リセットトランジスタ４のリセット開始後に、転送ＭＯＳ２のゲート電圧をオフレベルＶｔｘＬＬから中間レベルＶｔｘＬに変化させてもよい。結果として、図３の制御信号Ｐｉｘ−Ｔｘのようなパルスを画素へ供給し、垂直駆動が１行進むたびにアンチブルーミング動作を発生させる事でブルーミングのない良好な画像を得ることができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
図４は本発明の第２の実施形態による固体撮像装置を示す図であり、図５はその動作タイミングチャートである。Ｐｉｘ−Ｔｘ生成回路は図２と同一であるが、画素部は行選択スイッチ３０８が付加してある。行選択スイッチ３０８は、増幅トランジスタ３の出力を出力線５に選択的に接続する。スイッチ３０８は駆動線３１２（Ｃｓｅｌ）にて駆動され、ＰＤからＦＤへ転送するのとほぼ同時に選択が行われ、その後、読出し等の動作を行う。
【００２９】
本画素はいわゆるＣＭＯＳセンサと呼ばれる構成であり、個々の画素が行選択スイッチ３０８により分離されている。これにより、アンチブルーミング動作、リセット動作などを共通出力線５より絶縁した状態で行う事が出来、第１の実施形態に対し高速動作が可能である。
【００３０】
また、アンチブルーミング動作時のリセット電位が電源電圧（ＶＤＤ）６である。該電源電圧６を用いてリセット、アンチブルーミング動作を行うため、容易な転送、リセットが可能である。
【００３１】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態による固体撮像装置を示す図である。本実施形態が図２と異なる点を説明する。Ｎチャネルトランジスタ６１は、図２のトランジスタ１６及び１７の直列接続の代わりに設けられる。トランジスタ１８のゲートには、ＮＡＮＤ回路ｎａｎｄ１の出力信号がインバータで反転された信号と、制御信号ＴｘＬがインバータで反転された信号とを否定論理和（ＮＯＲ）回路で否定論理和された信号が入力される。トランジスタ６１のゲートには、ＮＡＮＤ回路ｎａｎｄ１の出力信号がインバータで反転された信号と制御信号ＴｘＬとをＮＯＲ回路で否定論理和された信号が入力される。本実施形態は、第１の実施形態に対しその駆動回路が異なる。但し、結果として図３のタイミングチャートと同一になる。第３の実施形態の方が使用ゲート数が多いが、制御信号Ｐｉｘ−Ｔｘを駆動する際の、電位ＶｔｘＬＬを供給するＮチャネルＭＯＳトランジスタ６１が他のＮチャネルＭＯＳトランジスタと直列になっていない。１個のＮチャネルＭＯＳトランジスタ６１で駆動するため、駆動インピーダンスを低くする事が容易である。
【００３２】
Ｐチャネルトランジスタ１５は、ドレインが転送ＭＯＳ２のゲートに接続され、ソースがオンレベルの電位ＶｔｘＨに接続される。Ｎチャネルトランジスタ６１は、ドレインが転送ＭＯＳ２のゲートに接続され、ソースがオフレベルの電位ＶｔｘＬＬに接続される。Ｎチャネルトランジスタ１８は、ドレインが転送ＭＯＳ２のゲートに接続され、ソースが中間レベルの電位ＶｔｘＬに接続される。
【００３３】
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態によるカメラ（撮像システム）の構成例を示す回路ブロック図である。本実施形態は、上記実施形態の固体撮像装置をカメラに応用する場合の例を示したものである。上記実施形態の固体撮像装置は、固体撮像素子５４に対応する。撮影レンズ（光学系）５２の手前にはシャッター５１があり、露出を制御する。絞り５３により必要に応じ光量を制御し、撮影レンズ５２は固体撮像素子５４に光を結像させる。固体撮像素子５４から出力された撮像信号は信号処理回路５５で処理され、Ａ／Ｄ変換部５６によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。出力されるディジタル信号はさらに信号処理部５７で演算処理される。処理されたディジタル信号はメモリ部６０に蓄えられたり、外部Ｉ／Ｆ部６３を通して外部の機器に送られる。固体撮像素子５４、撮像信号処理回路５５、Ａ／Ｄ変換部５６、信号処理部５７はタイミング発生部５８により制御される他、システム全体は全体制御部・演算部５９で制御される。記録媒体６２に画像を記録するために、出力ディジタル信号は全体制御部・演算部５９で制御される記録媒体制御Ｉ／Ｆ部６１を通して、記録される。
【００３４】
以上のように、第１〜第４の実施形態によれば、前記課題（１）〜（３）に対して、以下のように対策している。課題（１）について、本実施形態では、アンチブルーミング動作と転送動作を分離する。すなわち、転送動作の前後にオフ状態を形成する。そのため、課題（２）の懸念であるキャリアの逆流も生じない。
【００３５】
課題（３）について、アンチブルーミング動作を垂直線の選択期間より短く設定する。概ね、画素転送時間と同程度でそのアンチブルーミングの効果があり、それ以上、長くすると、前記問題である、暗電流の発生を促すこととなる。
【００３６】
このように、画素転送のローレベルを制御し、オーバーフローを制御する際にアンチブルーミング動作と転送動作を分離する。すなわち、転送動作の前後にオフ状態を形成する事でキャリアの逆流の解消、暗電流発生の抑圧、を行う事が出来る。
【００３７】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態による固体撮像装置の画素部分の構成例を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による固体撮像装置のトライバー部分の回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の動作タイミングチャートである。
【図４】本発明の第２の実施形態による固体撮像装置の画素部分及びドライバー部分の回路図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の動作タイミングチャートである。
【図６】本発明の第３の実施形態によるドライバー部分の回路図である。
【図７】従来技術の画素部分の回路図及びそのポテンシャル図である。
【図８】従来技術の駆動タイミングチャートである。
【図９】本発明の第４の実施形態によるカメラ（撮像システム）の構成例を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  フォトダイオード
２〜５  ＭＯＳＦＥＴ
６  電源電圧
７  ＦＤ部
１０  制御信号
１１  リセット信号
１５〜１８  ＭＯＳＦＥＴ
【図１】
2007124372.tif 000003
【図２】
2007124372.tif 000004
【図３】
2007124372.tif 000005
【図４】
2007124372.tif 000006
【図５】
2007124372.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007124372.tif 000009
【図８】
2007124372.tif 000010
【図９】
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