(57)【要約】 【課題】  高画質ＰＤＰにおいて、隣接する放電セル間での放電の干渉の発生を防止する。【解決手段】  隔壁１５が縦壁１５Ａと第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃを有する略格子形状に成形され、第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃの間に間隙ＳＬが形成され、第２横壁１５Ｃによって第２横壁１５Ｃの両側に位置する隙間ＳＬと放電セルＣ１との間の連通が遮断されているとともに、第１横壁１５Ｂと誘電体層１１の間に形成された隙間ｒ１によって第１横壁１５Ｂの両側に位置する隙間ＳＬと放電セルＣ１とが連通され、縦壁１５Ａによって、行方向に隣接する放電セルＣ１の間の連通が遮断されている。【選択図】      図６
2007066660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対と、この一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、一対の基板の間に列方向に延びるとともに行方向に並設されて放電空間内に行電極対とともに単位発光領域を形成する複数の列電極と、一対の基板の間に設けられて放電空間をマトリクス状に配置される単位発光領域毎に区画する隔壁とを備えているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記隔壁が、行方向に隣接する各単位発光領域のそれぞれの間に位置されて列方向に延びる縦壁と、列方向に隣接する各単位発光領域のそれぞれの間に位置されて互いに行方向に平行に延びる第１横壁および第２横壁とを有する略格子形状に成形され、
前記第１横壁と第２横壁との間に間隙が形成され、
前記隔壁の第２横壁によって、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第２横壁を挟んで列方向に隣接する単位発光領域との間の連通が遮断されているとともに、第１横壁と誘電体層との間に、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第１横壁を挟んで列方向に隣接する単位発光領域との間を連通させる連通部が形成されており、
前記隔壁の縦壁によって、縦壁を挟んで行方向に隣接する単位発光領域の間の連通が遮断されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記隔壁の第１横壁の基板の厚さ方向の高さが第２横壁の高さよりも低くなっていて、この第１横壁と誘電体層との間に隙間が形成され、前記連通部がこの隙間によって構成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１横壁と第２横壁の間の間隙が、隔壁の縦壁によって、列方向において両側に位置する単位発光領域の間に挟まれた非表示セル毎に仕切られ、
前記縦壁を挟んで行方向において隣接する非表示セルの間の部分に、それぞれ、この行方向において隣接する非表示セル間を連通させる連通部が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項４】
前記連通部が、縦壁の行方向において隣接する非表示セルの間を仕切る部分に形成された切り欠き部によって構成されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項５】
前記隔壁の第１横壁の基板の厚さ方向の高さが第２横壁の高さよりも低くなっており、
前記切り欠き部が、第１横壁と第２横壁の間の間隙内から第１横壁の先端面に対向する位置まで延びる列方向の幅を有している請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項６】
前記誘電体層の背面側に、隔壁の縦壁に対向する位置においてそれぞれ列方向に延びる縦層と列方向に隣接する単位発光領域の間の部分に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる横層とを有する略格子形状の嵩上げ誘電体層が形成され、
前記連通部が、縦壁の行方向において隣接する非表示セルの間を仕切る部分に対向する部分の嵩上げ誘電体層に形成された切り欠き部によって構成されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項７】
前記隔壁が、この隔壁のパターンに対応した凹部を有する型内に絶縁材料が充填され、この型内に充填された絶縁材料が基板に密着された状態で硬化され、この後、硬化した絶縁材料から型が剥離されることによって略格子形状に成形されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１ないし５は、従来のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の構成を示しており、図１はこの従来のＰＤＰの正面図、図２は図１のＶＡ−ＶＡ線における断面図、図３は図１のＶＢ−ＶＢ線における断面図、図４は図１のＷＡ−ＷＡ線における断面図、図５は図１のＷＢ−ＷＢ線における断面図である。
【０００３】
この図１ないし５に示される従来のＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に並設されている。
【０００４】
そして、各行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、行方向に互いに所要の間隔を開けて平行に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されるとともに互いに放電ギャップｇを介して対向される複数の透明電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００５】
前面ガラス基板１の背面には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２が形成されており、この誘電体層２の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極Ｘａ，Ｙａおよびその間の領域に対向する位置に、誘電体層２の背面から突出する嵩上げ誘電体層２Ａが行方向に延びるように形成されている。
【０００６】
そして、この誘電体層２と嵩上げ誘電体層２Ａの背面側には、ＭｇＯからなる保護層３が形成されている。
【０００７】
一方、前面ガラス基板１と平行に対向される背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるとともに行方向に所定の間隔を開けて並設されている。
【０００８】
背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上に、隔壁６が形成されている。
【０００９】
この隔壁６は、各列電極Ｄの間の位置において列方向に延びる縦壁６Ａと、嵩上げ誘電体層２Ａに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ｂとによって梯子状に成形されており、この隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する部分毎に区画されて、それぞれ方形の放電セルＣが形成されている。
【００１０】
そして、隔壁６の縦壁６Ａの先端面は保護層３に当接されておらず、その間に隙間ｒが形成されているが、横壁６Ｂの先端面が嵩上げ誘電体層２Ａを被覆している部分の封着層３に当接されていて、列方向において隣接する放電セルＣの間の連通がそれぞれ遮断されている。
【００１１】
各放電セルＣ内には、放電セルＣ毎に色分けされた赤，緑，青の蛍光体層７がそれぞれ形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
上記のような従来のＰＤＰは、隔壁６の縦壁６Ａの先端面と誘電体層２を被覆する封着層３との間に形成されている隙間ｒを介して、行方向において隣接する放電セルＣ間が互いに連通されており、このＰＤＰの製造時に、この隙間ｒを介して放電空間Ｓ内からの排気と放電空間Ｓ内への放電ガスの導入が行われる。
【００１３】
しかしながら、このような構成の従来のＰＤＰにおいては、画面の高精細化にともなって、以下のような問題が発生する。
【００１４】
すなわち、現行のＸＧＡタイプのＰＤＰの画素数は７６８×１０２８であるが、近年、高画質のハイビジョンタイプのＰＤＰが望まれてきており、例えばフルＨＤのＰＤＰの場合、画素数は1９２０×１０８０となる。
【００１５】
このため、パネルサイズが同一の場合、ＸＧＡタイプのＰＤＰに対してフルＨＤのＰＤＰは、各放電セルＣの行方向の寸法が略半分になってしまう。
【００１６】
この結果、上述した従来のＰＤＰのように、行方向において隣接する放電セルＣ間に排気および放電ガス導入のための隙間ｒが設けられている構造では、この行方向において隣接する放電セルＣ間で放電の干渉が生じるという問題が発生する。
【００１７】
【特許文献１】特開２０００−３１１６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰにおける問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記課題を達成するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対と、この一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、一対の基板の間に列方向に延びるとともに行方向に並設されて放電空間内に行電極対とともに単位発光領域を形成する複数の列電極と、一対の基板の間に設けられて放電空間をマトリクス状に配置される単位発光領域毎に区画する隔壁とを備えているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記隔壁が、行方向に隣接する各単位発光領域のそれぞれの間に位置されて列方向に延びる縦壁と、列方向に隣接する各単位発光領域のそれぞれの間に位置されて互いに行方向に平行に延びる第１横壁および第２横壁とを有する略格子形状に成形され、前記第１横壁と第２横壁との間に間隙が形成され、前記隔壁の第２横壁によって、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第２横壁を挟んで列方向に隣接する単位発光領域との間の連通が遮断されているとともに、第１横壁と誘電体層との間に、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第１横壁を挟んで列方向に隣接する単位発光領域との間を連通させる連通部が形成されており、前記隔壁の縦壁によって、縦壁を挟んで行方向に隣接する単位発光領域の間の連通が遮断されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
この発明は、放電空間を放電セル毎に区画する隔壁が、行方向に隣接する各放電セルのそれぞれの間に位置されて列方向に延びる縦壁と、列方向に隣接する各放電セルのそれぞれの間に位置されて互いに行方向に平行に延びる第１横壁および第２横壁とを有する略格子形状に成形され、第１横壁と第２横壁との間に間隙が形成され、隔壁の第２横壁によって、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第２横壁を挟んで列方向に隣接する放電セルとの間の連通が遮断されているとともに、第１横壁と誘電体層との間に、第１横壁と第２横壁の間の間隙とこの間隙に対して第１横壁を挟んで列方向に隣接する放電セルとの間を連通させる連通部が形成されており、隔壁の縦壁によって、縦壁を挟んで行方向に隣接する放電セルの間の連通が遮断されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２１】
この実施形態のＰＤＰは、隔壁の縦壁によって行方向において隣接する放電セルの間の連通が遮断されているとともに、隔壁の第２横壁によって列方向において隣接する放電セルの間の連通が遮断されていることによって、パネルの高精細化にともなって各放電セルの寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、行方向と列方向の何れの方向においても、隣接する放電セル間で放電の干渉が発生するのが防止される。
【００２２】
そして、上記ＰＤＰの構成においても、列方向に隣接する放電セルの間の部分に位置される隔壁の第１横壁と第２横壁の間の間隙と、この第１横壁と誘電体層との間に形成される連通部とによって、製造時の排気行程および放電ガス封入工程における放電空間内からの排気経路と放電空間内への放電ガスの導入経路を確保することが出来る。
【００２３】
上記ＰＤＰにおいて、隔壁の第２横壁よりも高さが低い第１横壁と誘電体層との間に連通部を構成する隙間が形成される場合には、この隙間によって、ＰＤＰ製造時の排気行程および放電ガス封入工程における放電空間内からの排気経路と放電空間内への放電ガスの導入経路が確保される。
【００２４】
さらに、上記ＰＤＰにおいて、隔壁の縦壁によって、第１横壁と第２横壁の間の間隙が列方向において両側に位置する放電セル間に挟まれた非表示セル毎に仕切られている場合に、この縦壁を挟んで行方向において隣接する非表示セルの間の部分、例えば、縦壁の隣接する非表示セルの間を仕切る部分、または、縦壁の隣接する非表示セルの間を仕切る部分に対向する部分に形成された嵩上げ誘電体層に、切り欠き等の連通部が形成されている場合には、この連通部によってＰＤＰ製造時の排気行程および放電ガス封入工程における放電空間内からの排気経路と放電空間内への放電ガスの導入経路が確保される。
【００２５】
そして、上記において、縦壁の隣接する非表示セルの間を仕切る部分に形成された切り欠き部が、間隙内から第２横壁よりも高さが低い第１横壁の先端面に対向する位置まで延びる列方向の幅を有している場合には、ＰＤＰ製造時の排気工程における排気コンダクタンスがさらに向上される。
【実施例１】
【００２６】
図６ないし１０は、この発明の実施形態における第１実施例を示しており、図６はこの第１実施例におけるＰＤＰの正面図，図７は図６のＶ１−Ｖ１線における断面図、図８は図６のＶ２−Ｖ２線における断面図，図９は図６のＷ１−Ｗ１線における断面図、図１０は図６のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【００２７】
図６ないし１０において、この第１実施例のＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１０の背面に、複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、前面ガラス基板１０の行方向（図６の左右方向）に延びるとともに列方向（図６の上下方向）に等間隔に並設されている。
【００２８】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する行電極Ｘ１は、金属製のバス電極Ｘ１ａが行方向に帯状に延び、このバス電極Ｘ１ａの等間隔位置に略Ｔ字形状の透明電極Ｘ１ｂが接続されている。
【００２９】
行電極Ｙ１も同様に、金属製のバス電極Ｙ１ａが行方向に帯状に延び、このバス電極Ｙ１ａの等間隔位置に略Ｔ字形状の透明電極Ｙ１ｂが接続されていて、各透明電極Ｙ１ｂの幅広の頭部が、それぞれ対になっている行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ｂの幅広の頭部と放電ギャップｇ１を介して対向されている。
【００３０】
前面ガラス基板１０の背面には、さらに誘電体層１１が形成されて、この誘電体層１１によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００３１】
この誘電体層１１の背面には、嵩上げ誘電体層１２が以下のような略格子形状に成形されて形成されている。
【００３２】
すなわち、この嵩上げ誘電体層１２は、行電極Ｘ１の互いに隣接する透明電極Ｘ１ｂの間の中間位置および行電極Ｙ１の互いに隣接する透明電極Ｙ１ｂの間の中間位置に対向する位置を列方向に帯状に延びる縦層１２Ａと、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせに位置している行電極Ｘ１とＹ１のバス電極Ｘ１ａとＹ１ａ、および、この背中合わせに位置しているバス電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の領域部分に対向する位置において行方向に帯状に延びる横層１２Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００３３】
この嵩上げ誘電体層１２および嵩上げ誘電体層１２が形成されていない部分の誘電体層１１の背面は、図示しないＭｇＯ等の高γ材料によって形成された保護層により被覆されている。
【００３４】
一方、前面ガラス基板１０と平行に対向される背面ガラス基板１３の内面（前面ガラス基板１０に対向される面）上には、列方向に延びる複数の列電極Ｄ１が、それぞれ、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の放電ギャップｇ１を介して対向して対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに対向する位置に形成されている。
【００３５】
この背面ガラス基板１３の内面上には、さらに列電極保護層１４が形成されて、この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００３６】
この列電極保護層１４上には、以下のような略格子形状に成形された隔壁１５が形成されている。
【００３７】
すなわち、この隔壁１５は、嵩上げ誘電体層１２の各縦層１２Ａに対向する位置においてそれぞれ列方向に延びる縦壁１５Ａと、各行電極Ｘ１のバス電極Ｘ１ａに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第１横壁１５Ｂと、各行電極Ｙ１のバス電極Ｙ１ａに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第２横壁１５Ｃとによって略格子形状に成形されている。
【００３８】
そして、第１横壁１５Ｂは、その前面ガラス基板１０の厚さ方向の高さが第２横壁１５Ｃの高さよりも低くなるように形成されている。
【００３９】
この隔壁１５は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）毎に、行電極Ｘ１のバス電極Ｘ１ａに対向する第１横壁１５Ｂおよび行電極Ｙ１のバス電極Ｙ１ａに対向する第２横壁１５Ｂと、互いに隣接する縦壁１５Ａの第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃの間に位置する部分とによって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間に形成される放電空間Ｓ１を、放電ギャップｇ１を介して対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに対向する部分毎に区画して、それぞれ方形の放電セルＣ１を形成している。
【００４０】
さらに、この隔壁１５には、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１，Ｙ１の互いに背中合わせに位置しているバス電極Ｘ１ａとＹ１ａにそれぞれ対向している第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃとの間に、間隙ＳＬが形成されていて、この間隙ＳＬが、互いに隣接する縦壁１５Ａの背中合わせに位置している第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃの間に位置する部分によって、それぞれ非表示セルＣ２毎に仕切られている。
【００４１】
そして、縦壁１５Ａの背中合わせに位置している第１横壁１５Ｂと第２横壁１５Ｃの間に位置する部分には、前面ガラス基板１０に対向する先端部側に、それぞれ、行方向の両側に位置する非表示セルＣ２間を連通する凹所１５Ａａが形成されている。
【００４２】
この隔壁１５は、縦壁１５Ａの先端面が、図９に示されるように、嵩上げ誘電体層１２の縦層１２Ａを被覆している保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ１の間の連通が遮断されており、さらに、図７に示されるように、第１横壁１５Ｂの先端面は、嵩上げ誘電体層１２の横層１２Ｂに当接されておらず、第１横壁１５Ｂと横層１２Ｂとの間に形成された隙間ｒ１を介して、この第１横壁１５Ｃを挟んで列方向に隣接する放電セルＣ１と非表示セルＣ２の間が連通されているが、第２横壁１５Ｃの先端面が嵩上げ誘電体層１２の横層１２Ｂを被覆する保護層に当接されて、この第２横壁１５Ｃを挟んで列方向に隣接する放電セルＣ１と非表示セルＣ２の間の連通が遮断されている。
【００４３】
そして、行方向に隣接する非表示セルＣ２の間は、前述したように、縦壁１５Ａによって仕切られているとともに、この縦壁１５Ａに形成された凹所１５Ａａによって互いに連通されている。
【００４４】
各放電セルＣ１内には、それぞれ、放電セルＣ１毎に色分けされた赤，緑，青の蛍光体層１６が形成されている。
【００４５】
そして、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の放電空間Ｓ１内は、この前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の周縁部に沿って形成された図示しない封着層によって封止されているとともに、この放電空間Ｓ１内にキセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００４６】
上記ＰＤＰは、隔壁１５の縦壁１５Ａと嵩上げ誘電体層１２の縦層１２Ａとによって、行方向に隣接する放電セルＣ１の間の連通が遮断されており、隔壁１５の第２横壁１５Ｃと嵩上げ誘電体層１２の横層１２Ｂとによって、列方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されているので、パネルの高精細化にともなって各放電セルＣ１の寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、アドレス放電によって選択された放電セルＣ１内において対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される際に、行方向と列方向の何れの方向においても、隣接する放電セルＣ１間で放電の干渉が発生するのが防止される。
【００４７】
そして、このＰＤＰは、上記のように行方向および列方向において隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されている場合でも、製造時の排気工程において放電空間Ｓ１内から排気を行う排気経路、および、放電ガス封入工程における放電空間Ｓ１内に放電ガスを導入する放電ガス導入経路が、図６において矢印Ｒによって示されるように、隔壁１５の第１横壁１５Ｂと嵩上げ誘電体層１２の横層１２Ｂとの間に形成された隙間ｒ１と、間隙ＳＬ内において行方向に配列されている非表示セルＣ２の間に位置する部分の縦壁１５Ａに形成された凹所１５Ａａとによって確保することが出来る。
【００４８】
なお、上記においては、列電極が背面ガラス基板側に設けられたＰＤＰの実施例について説明を行ったが、列電極を行電極とともに前面ガラス基板側に設けるようにしても良い。
【００４９】
図１１は、上記ＰＤＰの隔壁１５を形成する工程を示す工程説明図である。
【００５０】
すなわち、先ず、図１１（ａ）に示されるように、隔壁１５の外形が彫り込まれた型Ｍ内に紫外線硬化性または可視光硬化性のガラスペースト等の絶縁材料Ｒｅが充填され、次に、図１１（ｂ）に示されるように、絶縁材料Ｒｅが充填された型Ｍが背面ガラス基板１３上に重ね合わされ、この絶縁材料Ｒｅが背面ガラス基板１３上に密着された状態で光硬化された後、図１１（ｃ）に示されるように、型Ｍが剥離されて、隔壁１５が形成される。
【実施例２】
【００５１】
図１２は、この発明の実施形態の第２実施例におけるＰＤＰを、前述した第１実施例の図８と同じ位置で断面した図である。
【００５２】
前述した第１実施例においては、隔壁の背中合わせに位置する第１横壁と第２横壁の間の間隙内に位置する部分の縦壁に形成された凹所が、縦壁の間隙内にのみ対向する幅を有している。
【００５３】
これに対し、この第２実施例のＰＤＰは、隔壁２５が、列方向に延びる縦壁２５Ａとそれぞれ行方向に延びる第１横壁２５Ｂ，第２横壁２５Ｃによって、第１実施例の隔壁と同様の略格子形状に成形され、この隔壁２５の背中合わせに位置する第１横壁２５Ｂと第２横壁２５Ｃの間の部分の縦壁２５Ａに形成されて間隙ＳＬ内において行方向に並ぶ非表示セルＣ２間を連通させる凹所２５Ａａが、間隙ＳＬ内に対向する位置から第１横壁２５Ｂの先端面に対向する位置まで延びる列方向の幅ｗを有している。
【００５４】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分については図１２において図８と同一の符号が付されている。
【００５５】
このＰＤＰも、第１実施例の場合と同様に、隔壁２５の縦壁２５Ａと嵩上げ誘電体層１２とによって行方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断され、隔壁２５の第２横壁２５Ｃと嵩上げ誘電体層１２とによって列方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されていることによって、パネルの高精細化にともなって各放電セルＣ１の寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、行方向および列方向の何れの方向においても、隣接する放電セルＣ１間での放電の干渉の発生が防止されるとともに、製造時の排気経路および放電ガス導入経路が、隔壁２５の第１横壁２５Ｂと嵩上げ誘電体層１２との間に形成された隙間ｒ１と、縦壁２５Ａに形成された凹所２５Ａａとによって確保される。
【００５６】
そして、このＰＤＰは、縦壁２５Ａに形成された凹所２５Ａａが、間隙ＳＬ内に対向する位置から第１横壁２５Ｂの先端面に対向する位置まで延びる列方向の幅ｗを有していることによって、第１実施例の場合よりも、製造時の排気工程時の排気コンダクタンスをさらに向上される。
【００５７】
なお、上記においては、列電極が背面ガラス基板側に設けられているが、列電極を行電極とともに前面ガラス基板側に設けるようにしても良い。
【実施例３】
【００５８】
図１３は、この発明の実施形態の第３実施例におけるＰＤＰを、前述した第１実施例の図８と同じ位置で断面した図である。
【００５９】
前述した第１実施例においては、隔壁の背中合わせに位置する第１横壁と第２横壁の間の間隙内に位置する部分の縦壁に凹所が形成されて、この凹所によって間隙内の行方向に並ぶ非表示セル間が連通されている。
【００６０】
これに対し、この第３実施例のＰＤＰは、嵩上げ誘電体層２２が、列方向に延びる縦層２２Ａと行方向に延びる横層２２Ｂによって、第１実施例の嵩上げ誘電体層と同様の略格子形状に成形され、隔壁３５が、列方向に延びる縦壁３５Ａとそれぞれ行方向に延びる第１横壁３５Ｂ，第２横壁３５Ｃによって、第１実施例の隔壁と同様の略格子形状に成形されており、この隔壁３５の背中合わせに位置する第１横壁３５Ｂと第２横壁３５Ｃの間の間隙ＳＬに対向する部分の嵩上げ誘電体層２２の横層２２Ｂに、間隙ＳＬ内において行方向に並ぶ非表示セルＣ２間を連通する凹所２２Ｂａが形成されている。
【００６１】
この凹所２２Ｂａは、行方向に並ぶ複数の非表示セルＣ２間に掛け渡された状態で行方向に帯状に延びるように形成されていても良いし、または、それぞれ隔壁３５の縦壁３５Ａを跨ぐ短冊状に形成されて、隣接する二つの非表示セルＣ２間を連通する形状であっても良い。
【００６２】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、同一の構成部分については図１３において図８と同一の符号が付されている。
【００６３】
このＰＤＰも、第１実施例の場合と同様に、隔壁３５の縦壁３５Ａと嵩上げ誘電体層２２とによって、行方向に隣接する放電セルＣ１の間の連通が遮断されており、隔壁３５の第２横壁３５Ｃと嵩上げ誘電体層２２によって、列方向に隣接する放電セルＣ１の間の連通が遮断されていることによって、パネルの高精細化にともなって各放電セルＣ１の寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、行方向および列方向の何れの方向においても、隣接する放電セルＣ１間での放電の干渉の発生が防止されるとともに、製造時の排気経路および放電ガス導入経路が、隔壁３５の第１横壁３５Ｂと嵩上げ誘電体層２２との間に形成された隙間ｒ１と、嵩上げ誘電体層２２の横層２２Ｂに形成された凹所２２Ｂａとによって確保される。
【００６４】
なお、上記においては、列電極が背面ガラス基板側に設けられているが、列電極を行電極とともに前面ガラス基板側に設けるようにしても良い。
【実施例４】
【００６５】
図１４ないし１８は、この発明の実施形態における第４実施例を示しており、図１４はこの第４実施例におけるＰＤＰの正面図，図１５は図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図、図１６は図１４のＶ４−Ｖ４線における断面図，図１７は図１４のＷ３−Ｗ３線における断面図、図１８は図１４のＷ４−Ｗ４線における断面図である。
【００６６】
前述した第１実施例のＰＤＰが誘電体層の背面に形成された嵩上げ誘電体層を備えていてこの嵩上げ誘電体層と隔壁との間で隣接する放電セル間の連通が遮断されていたのに対し、この第４実施例のＰＤＰは、誘電体層の背面に嵩上げ誘電体層が形成されていなくて、誘電体層と隔壁との間で隣接する放電セル間の連通が遮断されているものである。
【００６７】
すなわち、前面ガラス基板１０の背面に、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層１１が形成されて、図示しないＭｇＯ等の高γ材料によって形成された保護層によって被覆されており、第１実施例のような嵩上げ誘電体層は形成されていない。
【００６８】
背面ガラス基板１３に形成されて列電極Ｄ１を被覆する列電極保護層１４上には、以下のような略格子形状に成形された隔壁４５が形成されている。
【００６９】
すなわち、この隔壁４５は、行電極Ｘ１の互いに隣接する透明電極Ｘ１ｂの間の中間位置および行電極Ｙ１の互いに隣接する透明電極Ｙ１ｂの間の中間位置に対向する位置を列方向に帯状に延びる縦壁４５Ａと、各行電極Ｘ１のバス電極Ｘ１ａに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第１横壁４５Ｂと、各行電極Ｙ１のバス電極Ｙ１ａに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる第２横壁４５Ｃとによって略格子形状に成形されている。
【００７０】
そして、第１横壁４５Ｂは、その前面ガラス基板１０の厚さ方向の高さが第２横壁４５Ｃの高さよりも低くなるように形成されている。
【００７１】
この隔壁４５は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）毎に、行電極Ｘ１のバス電極Ｘ１ａに対向する第１横壁４５Ｂおよび行電極Ｙ１のバス電極Ｙ１ａに対向する第２横壁４５Ｃと、互いに隣接する縦壁４５Ａの第１横壁４５Ｂと第２横壁４５Ｃの間に位置する部分とによって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間に形成される放電空間Ｓ２を、放電ギャップｇ１を介して対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂに対向する部分毎に区画して、それぞれ方形の放電セルＣ３を形成している。
【００７２】
さらに、この隔壁４５には、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１，Ｙ１の互いに背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ａとＹ１ａにそれぞれ対向している第１横壁４５Ｂと第２横壁４５Ｃとの間に、間隙ＳＬ１が形成されていて、この間隙ＳＬ１が、互いに隣接する縦壁４５Ａの背中合わせに位置している第１横壁４５Ｂと第２横壁４５Ｃの間に位置する部分によって、それぞれ非表示セルＣ４毎に仕切られている。
【００７３】
そして、縦壁４５Ａの背中合わせに位置している第１横壁４５Ｂと第２横壁４５Ｃの間に位置する部分には、前面ガラス基板１０に対向する先端部側に、それぞれ、行方向の両側に位置する非表示セルＣ４間を連通する凹所４５Ａａが形成されている。
【００７４】
この隔壁４５は、縦壁４５Ａの先端面が、図１７に示されるように、誘電体層１１を被覆する保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ３の間の連通が遮断されており、さらに、図１５に示されるように、第１横壁４５Ｂの先端面は、誘電体層１１を被覆する保護層に当接されておらず、第１横壁４５Ｂと誘電体層１１との間に形成された隙間ｒ２を介して、この第１横壁４５Ｃを挟んで列方向に隣接する放電セルＣ３と非表示セルＣ４の間が連通されているが、第２横壁４５Ｃの先端面が誘電体層１１を被覆する保護層に当接されて、この第２横壁４５Ｃを挟んで列方向に隣接する放電セルＣ３と非表示セルＣ４の間の連通が遮断されている。
【００７５】
そして、行方向に隣接する非表示セルＣ４の間は、前述したように、縦壁４５Ａによって仕切られているとともに、この縦壁４５Ａに形成された凹所４５Ａａによって互いに連通されている。
【００７６】
他の部分の構成は、前述した第１実施例の場合とほぼ同様であり、同一の構成部分については、図１４ないし１８において図６ないし１０と同一の符号が付されている。
【００７７】
上記ＰＤＰは、隔壁４５の縦壁４５Ａによって、行方向に隣接する放電セルＣ３の間の連通が遮断されており、隔壁４５の第２横壁４５Ｃによって、列方向に隣接する放電セルＣ３間の連通が遮断されているので、パネルの高精細化にともなって各放電セルＣ３の寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、アドレス放電によって選択された放電セルＣ３内において対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される際に、行方向と列方向の何れの方向においても、隣接する放電セルＣ３間で放電の干渉が発生するのが防止される。
【００７８】
そして、このＰＤＰは、上記のように行方向および列方向において隣接する放電セルＣ３間の連通が遮断されている場合でも、製造時の排気工程において放電空間Ｓ２内から排気を行う排気経路、および、放電ガス封入工程における放電空間Ｓ２内に放電ガスを導入する放電ガス導入経路が、図１４において矢印Ｒ１によって示されるように、隔壁４５の第１横壁４５Ｂと誘電体層１１との間に形成された隙間ｒ２と、間隙ＳＬ１内において行方向に配列されている非表示セルＣ４の間に位置する部分の縦壁４５Ａに形成された凹所４５Ａａとによって確保することが出来る。
【００７９】
なお、上記においては、列電極が背面ガラス基板側に設けられたＰＤＰの実施例について説明を行ったが、列電極を行電極とともに前面ガラス基板側に設けるようにしても良い。
【００８０】
上記各実施例のＰＤＰは、何れも、誘電体層（または、嵩上げ誘電体層の縦層）と隔壁の縦壁とによって行方向において隣接する放電セルの間の連通が遮断されているとともに、誘電体層（または、嵩上げ誘電体層の横層）と隔壁の第２横壁とによって列方向において隣接する放電セルの間の連通が遮断されていることによって、パネルの高精細化にともなって各放電セルの寸法が縮小される場合でも、ＰＤＰの駆動時に、行方向と列方向の何れの方向においても、隣接する放電セル間で放電の干渉が発生するのが防止される。
【００８１】
そして、上記構成においても、列方向に隣接する放電セルの間の部分に位置される隔壁の第１横壁と第２横壁の間の間隙と、この第１横壁と誘電体層（または、嵩上げ誘電体層の横層）との間に形成される連通部とによって、製造時の排気行程および放電ガス封入工程における放電空間内からの排気経路と放電空間内への放電ガスの導入経路を確保することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】従来のプラズマディスプレイパネルを示す正面図である。
【図２】図１のＶＡ−ＶＡ線における断面図である。
【図３】図１のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。
【図４】図１のＷＡ−ＷＡ線における断面図である。
【図５】図１のＷＢ−ＷＢ線における断面図である。
【図６】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図７】図６のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図８】図６のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図９】図６のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【図１０】図６のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【図１１】同実施例の隔壁の製造工程を示す工程説明図であり、（ａ）は絶縁材料が型内に充填されている状態、（ｂ）は型が背面ガラス基板に重ね合わされている状態、（ｃ）は隔壁が背面ガラス基板上に形成された状態をそれぞれ示している。
【図１２】この発明の実施形態の第２実施例を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施形態の第３実施例を示す断面図である。
【図１４】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１５】図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１６】図１４のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【図１７】図１４のＷ３−Ｗ３線における断面図である。
【図１８】図１４のＷ４−Ｗ４線における断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０                    …前面ガラス基板（一方の基板）
１１                    …誘電体層
１２，２２              …嵩上げ誘電体層
１２Ａ，２２Ａ          …縦層
１２Ｂ，２２Ｂ          …横層
２２Ｂａ                …凹所（連通部，切り欠き部）
１３                    …背面ガラス基板
１５，２５，３５，４５          …隔壁
１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ，４５Ａ  …縦壁
１５Ａａ，４５Ａａ              …凹所（連通部，切り欠き部）
１５Ｂ，２５Ｂ，３５Ｂ，４５Ｂ  …第１横壁
１５Ｃ，２５Ｃ，３５Ｃ，４５Ｃ  …第２横壁
Ｃ１，Ｃ３              …放電セル（単位発光領域）
Ｃ２，Ｃ４              …非発光セル
Ｄ１                    …列電極
Ｓ１，Ｓ２              …放電空間
ＳＬ，ＳＬ１            …間隙
Ｍ                      …型
Ｒｅ                    …絶縁材料
Ｘ１，Ｙ１              …行電極
ｒ１，ｒ２              …隙間（連通部）
ｗ                      …列方向の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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