(57)【要約】【課題】データ配線と透明電極層間の接触構造を改善した平板表示装置を提供する。【解決手段】平板表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているデータ配線と、データ配線上にデータ配線を露出させる第１接触口を有する層間絶縁膜と、第１接触口の少なくとも一部とその周辺の層間絶縁膜上に形成されている連結部材と、連結部材上に形成されて連結部材を露出させる第２接触口を有するゲート絶縁膜及びゲート絶縁膜上に形成されている有機半導体層を含む。【選択図】図１
2007025679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているデータ配線と、
前記データ配線上に前記データ配線を露出させる第１接触口を有する層間絶縁膜と、
前記第１接触口の少なくとも一部とその周辺の前記層間絶縁膜上に形成されている連結部材と、
前記連結部材上に形成されており、前記連結部材を露出させる第２接触口を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている有機半導体層と、
を含むことを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記データ配線は、データ線とデータパッドを含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜上に形成されている透明電極層をさらに含み、
前記透明電極層は前記第２接触口を通して前記連結部材と接続され、前記有機半導体層と少なくとも一部が接するソース電極と、前記有機半導体層を間に置いて前記ソース電極と分離しているドレーン電極及び前記ドレーン電極と接続されている画素電極を含むことを特徴とする請求項２に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記透明電極層は、前記データパッドと接続されているデータパッド接触部材をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は、有機物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記第２接触口により露出する前記連結部材の高さは、前記第１接触口上に形成された前記連結部材よりさらに高いことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記連結部材と同じ層に形成されており、前記有機半導体層の下部に位置するゲート電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記データ線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されたゲートパッドをさらに含み、
前記ゲート線と前記ゲートパッドは、前記連結部材と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記ゲートパッド上のゲート絶縁膜には、前記ゲートパッドを露出させる第３接触口が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記透明電極層は、前記第３接触口を通して前記ゲートパッドと接続されているゲートパッド接触部をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記透明電極層は、ITO（インジウム錫酸化物）やIZO（インジウム亜鉛酸化物）のうち、いずれか１つで構成されることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記有機半導体層上に形成されている保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記第２接触口が形成されているゲート絶縁膜の厚さは、前記第３接触口が形成されているゲート絶縁膜の厚さと実質的に同じであることを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
【請求項１４】
絶縁基板を形成する段階と、
前記絶縁基板上にデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に前記データ配線を露出させる第１接触口を有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１接触口の少なくとも一部とその周辺の前記層間絶縁膜上に連結部材を形成する段階と、
前記連結部材上に前記連結部材を露出させる第２接触口を有するゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に有機半導体層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記連結部材形成時に前記有機半導体層に対応する位置にゲート電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２接触口を通して前記連結部材と接続される透明電極層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記有機半導体上に保護層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記連結部材は互いに高さが異なる部分連結部を有し、
前記第２接触口は、高さが高い前記部分連結部を露出するように形成されることを特徴とする請求項１４に記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平板表示装置と平板表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、データ配線と透明電極層間の接触構造を改善した平板表示装置と平板表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として薄膜トランジスター（TFT）と、外部から駆動または制御信号を受けるためのゲートパッド及びデータパッドが形成されている薄膜トランジスター基板を含む。ここで、薄膜トランジスターは、ゲート電極、ドレーン電極、ソース電極及び半導体層を含み、半導体層は非晶質シリコンやポリシリコンが用いられるが、最近有機半導体の適用が進められている。
【０００３】
有機半導体は常温、常圧で形成されるため、工程単価を下げ、かつ熱に弱いプラスチック基板に適用できる長所がある。しかし、このような有機半導体は、耐化学性及び耐プラズマ性が弱い短所がある。これを補うために、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極形成後に有機半導体層を形成して、電極と有機半導体層間に厚い有機膜であるゲート絶縁膜を介在する構造を選んでいる。そして、データ配線(データ線とデータパッド)形成過程で用いられる化学物質からゲート絶縁膜を保護するためにデータ配線をまず形成して、データ配線上に層間絶縁膜を形成する構造を選んでいる。
【０００４】
ここで、透明電極層とデータ配線を相互接続するため、ゲート絶縁膜からデータ配線までの厚さをエッチングして接触口を形成する。そして、透明電極層とゲートパッドを相互接続するために、ゲートパッドからゲート絶縁膜までの厚さをエッチングして、他の接触口を形成しなければならない。
しかし、前述のデータ配線側の被エッチング物の厚さとゲートパッド側の被エッチング物の厚さが互いに異なるため、エッチング均一性の問題が生じる。特に、被エッチング物であるゲート絶縁膜が厚い有機膜で形成されることによって、エッチング条件によりエッチングマージンの不足でデータ配線と透明電極層の接触不良が発生するおそれがあり、また、ゲートパッド側にエッチングし過ぎてゲートパッドに不良が発生するという問題が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、データ配線と透明電極層の接触構造が改善された平板表示装置を提供することである。
本発明の他の目的は、データ配線と透明電極層の接触構造が改善された平板表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、絶縁基板と絶縁基板上に形成されているデータ配線と、データ配線上にデータ配線を露出させる第１接触口を有する層間絶縁膜と、第１接触口の少なくとも一部とその周辺の層間絶縁膜上に形成されている連結部材と、連結部材上に形成されて連結部材を露出させる第２接触口を有するゲート絶縁膜及びゲート絶縁膜上に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする平板表示装置により達成される。
【０００７】
ここで、データ配線はデータ線とデータパッドを含む構成とすることができる。
そして、ゲート絶縁膜上に形成されて第２接触口を通して連結部材と接続されて有機半導体層と少なくとも一部が接するソース電極と、有機半導体層を間に置いてソース電極と分離しているドレーン電極及びドレーン電極と接続されている画素電極を含むことが望ましい。
【０００８】
また、透明電極層はデータパッドと接続しているデータパッド接触部材をさらに含むことが望ましい。
ここで、ゲート絶縁膜は有機物質で形成されることが望ましい。
そして、第２接触口により露出する連結部材の高さは第１接触口上に形成された連結部材よりさらに高いことが望ましい。
【０００９】
また、連結部材と同じ層に形成されて有機半導体層の下部に位置するゲート電極をさらに含むことができる。
ここで、データ線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するゲート線と、ゲート線の端部に形成されたゲートパッドをさらに含み、ゲート線とゲートパッドは連結部材と同じ層に形成されていることが望ましい。
【００１０】
そして、ゲートパッド上のゲート絶縁膜にはゲートパッドを露出させる第３接触口が形成されていることが望ましい。
また、透明電極層は第３接触口を通してゲートパッドと接続しているゲートパッド接触部をさらに含むことができる。
透明電極層はITO（インジウム錫酸化物）やIZO（インジウム亜鉛酸化物）のうち、いずれか１つで構成されるのが望ましい。
【００１１】
そして、有機半導体層上に形成されている保護層をさらに含むことができる。
ここで、第２接触口が形成されているゲート絶縁膜の厚さは、第３接触口が形成されているゲート絶縁膜の厚さと実質的に同じであるのが望ましい。
本発明の他の目的は、絶縁基板を形成する段階と、絶縁基板上にデータ配線を形成する段階と、データ配線上にデータ配線を露出させる第１接触口を有する層間絶縁膜を形成する段階と、第１接触口の少なくとも一部とその周辺の層間絶縁膜上に連結部材を形成する段階と、連結部材上に連結部材を露出させる第２接触口を有するゲート絶縁膜を形成する段階及びゲート絶縁膜上に有機半導体層を形成する段階を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法により達成される。
【００１２】
ここで、連結部材形成時に有機半導体層に対応する位置にゲート電極を形成する段階をさらに含むことが望ましい。
そして、第２接触口を通して連結部材と接続する透明電極層を形成する段階をさらに含むことが望ましい。
また、有機半導体上に保護膜を形成する段階をさらに含むことが望ましい。
【００１３】
ここで、連結部材は互いに高さが異なる部分連結部を有し、第２接触口は高さが高い部分連結部を露出させるように形成されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、データ配線と透明電極層間の接触構造が改善された平板表示装置が提供され、またデータ配線と透明電極層間の接触構造が改善された平板表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図を参照して、本発明をより一層詳細に説明する。以下において、ある膜(層)が他の膜(層)の'上に'形成されて(位置して)いるという場合は、この膜(層)が接している場合だけでなくこの膜(層)の間に他の膜(層)が存在する場合も含む。
図１は、本発明による薄膜トランジスター基板の配置図を概略的に示した図であり、図２は図１のII-IIに沿って切断した断面図、図３は図１のIII-IIIに沿って切断した断面図、図４は図１のIV-IVに沿って切断した断面図である。
【００１６】
本発明による平板表示装置は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として、薄膜トランジスタ（TFT）と、外部から駆動又は制御信号を受けるためのゲートパッド及びデータパッドが設けられている薄膜トランジスター基板１００を含む。
薄膜トランジスター基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板上に形成されているデータ配線１２０と、データ配線１２０上に形成されている層間絶縁膜１３０と、層間絶縁膜１３０上に形成されているゲート配線１４０と、ゲート配線１４０上に形成されているゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０上に形成されている透明電極層１６０及び透明電極層１６０の少なくとも一部分と接しながら、ゲート絶縁膜１５０上に形成されている有機半導体層１７０を含む。
【００１７】
絶縁基板１１０はガラス又はプラスチックで形成することができる。絶縁基板１１０をプラスチックで形成する場合、平板表示装置に柔軟性を与えられる長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱いという短所がある。本発明のように、有機半導体層１７０を用いると半導体層形成を常温、常圧で行うことができるため、プラスチック素材の絶縁基板１１０を使いやすい長所がある。プラスチックの種類としては、ポリカーボン(polycarbon)、ポリイミッド(polyamide)、PES、PAR、PEN、PETなどを用いることができる。
【００１８】
データ配線１２０は絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２０は絶縁基板１１０上に一方向に延びているデータ線１２１と、データ線１２１の端部に形成されて、外部から駆動または制御信号を受けるデータパッド１２３を含む。データ配線１２０の材料としては、安くて導電度が良いAl、Cr、Moまたは、相対的に高価なAu、Pt、Pd、ITO、IZOのうち、少なくとも１つを含む構成とすることができる。そして、データ配線１２０は、前述の材料の中、少なくとも１つを含む単一層または複数の層で形成することができる。
【００１９】
本発明においては、データ配線１２０形成過程で用いられる化学物質からゲート絶縁膜１５０を保護するため、データ配線１２０を先に形成し、データ配線１２０の上に層間絶縁膜１３０を形成する構造を選択している。
絶縁基板１１０上には層間絶縁膜１３０がデータ配線１２０を覆っている。層間絶縁膜１３０は、データ配線１２０上に位置するゲート配線１４０との電気的に絶縁するための層であり、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)等のような無機物質で形成されている。一方、図示されていないが、層間絶縁膜１３０は前述の無機物質で形成された層の上に、有機物質で形成された有機膜がさらに形成される。これはデータ配線１２０形成時に用いられる化学物質またはプラズマが残存して、後述する接触口１３１、１５１の隙間または界面の間に流入して、耐化学性及び耐プラズマ性が弱い後述する有機半導体層１７０を損傷する可能性があるので、厚い有機膜をさらに形成して、有機半導体層１７０を完全に保護するためである。
【００２０】
層間絶縁膜１３０上にはデータ配線１２０を露出させる第１接触口１３１、１３２が形成されている。即ち、図２及び図３に示されたように、薄膜トランジスタ（Ｔ）周辺のデータ線１２１とデータパッド１２３を露出させる第１接触口１３１、１３２が各々形成されている。
層間絶縁膜１３０上にはゲート配線１４０が形成されている。ゲート配線１４０は、詳述したデータ線１２１と電気絶縁状態で交差し、画素領域を定義するゲート線１４１とゲート線１４１の端部に形成され、外部から駆動または制御信号の印加を受けるゲートパッド１４７とゲート線１４１の分枝であり、後述する有機半導体層１７０と対応する位置に形成されているゲート電極１４５、及び第１接触口１３１、１３２の少なくとも一部とその周辺の層間絶縁膜１３０上に形成されている連結部材１４３、１４４を含む。
【００２１】
ゲート配線１４０もデータ配線１２０のように、Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pdのうち、少なくとも１つを含む構成とすることができ、単一層または複数層で形成することができる。
ゲート配線１４０上には、ゲート絶縁膜１５０が形成されている。ゲート絶縁膜１５０は耐化学性及び耐プラズマ性が弱い有機半導体層１７０に不純物が流入することを防ぐため、BCB(ベンゾクロブテン)などの厚い有機膜で形成される。他の実施形態で、ゲート絶縁膜１５０は、有機膜と無機膜の二重層でもよく、無機膜としてはシリコン窒化物層を用いることができる。
【００２２】
そして、ゲート絶縁膜１５０には、連結部材１４３、１４４を露出させる第２接触口１５１、１５２とゲートパッド１４７を露出させる第３接触口１５３が形成されている。ここで、図２に示されたように、データ線１２１の段差によってこのデータ線１２１上の連結部材１４３の高さが互いに異なる部分（部分連結部）で構成されており、第２接触口１５１は連結部材１４３の高さが高い部分に形成されている。そして、図３に示されたように、データパッド１２３と連結のため第２接触口１５２は、層間絶縁膜１３０上を覆う連結部材１４３を露出させるように形成されている。
【００２３】
従来の方法では、第２接触口１５１、１５２は、第１接触口１３１、１３２と対応する領域に形成されていたが、この場合、データ線１２１及びデータパッド１２３を露出させるために、ゲート絶縁膜１５０からデータ線１２１及びデータパッド１２３までの厚さ(ｄ１、ｄ２)をエッチングしなければならない。特に、有機半導体層１７０の保護のため、必ず厚い有機膜のゲート絶縁膜であるゲート絶縁膜１５０が用いられる場合に、エッチングマージンの不足によってエッチングが十分に進行されなかったため、透明電極層１６０とデータ配線１２０の間の接触不良が生じた。
【００２４】
また、同じエッチング工程を通して第２接触口１５１、１５２と第３接触口１５３を同時に形成するが、この場合、ゲートパッド１４７を露出させる第３接触口１５３を形成するためには、ゲートパッド１４７からゲート絶縁膜１５０までの厚さ(ｄ３)だけのエッチングを行い、第２接触口１５１、１５２を形成するためには、より厚いゲート絶縁膜１５０の厚さ(ｄ１、ｄ２)をエッチングする必要があった。
【００２５】
即ち、データ配線１２０側の被エッチング物の厚さ(ｄ１、ｄ２)とゲートパッド１４７側の被エッチング物の厚さ(ｄ３)が互いに異なることにより、エッチング均一性に問題が生じた。特に、被エッチング物であるゲート絶縁膜１５０が厚い有機膜で形成されることによって、エッチング条件によりエッチングマージンの不足でデータ配線１２０と透明電極層１６０の接触不良が発生したり、ゲートパッド１４７の側にエッチングが過度に行ってゲートパッド１４７に不良が発生する問題があった。
【００２６】
そのため、本発明では、第１接触口１３１、１３２に対応する領域に第２接触口１５１、１５２を形成せず、第３接触口１５３側のゲート絶縁膜厚さ(ｄ３)と実質的に同じ厚さ(ｄ４、ｄ５)のゲート絶縁膜１５０に第２接触口１５１、１５２を形成する。即ち、断面から眺めると、第１接触口１３１、１３２と第２接触口１５１、１５２が互いに階段形状になるように、第２接触口５１、１５２は第１接触口１３１、１３２の近接した領域に形成する。
【００２７】
これにより、データ配線１２０側の被エッチング物の厚さ(ｄ４、ｄ５)とゲートパッド１４７側の被エッチング物の厚さ(ｄ３)が実質的に同一であることにより、エッチングの均一性の問題が減少する。特に、被エッチング物であるゲート絶縁膜１５０が厚い有機膜で形成されても、ゲートパッド１４７側とデータ配線１２０側のエッチングマージンがほぼ同程度になり、データ配線１２０と透明電極層１６０の接触不良が減少して過度なエッチングによるゲートパッド１４７の不良発生が減少する。
【００２８】
また、データパッド１２３も、その断面が、第１接触口１３２と第２接触口１５２が互いに階段形状に形成されて安定した接触が可能であり、有機膜残留時にも駆動チップなどとのOLB(outer lead bonding)接触の可能性が改善される。
前述のゲート絶縁膜１５０上には透明電極層１６０が形成されている。透明電極層１６０は第２接触口１５１を通して連結部材１４３と接続されて有機半導体層１７０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１７０を間に置いてソース電極１６１と分離しているドレーン電極１６３及びドレーン電極１６３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１６９を含む。
【００２９】
そして、図２に示されたように、データパッド１２３と接続しているデータパッド接触部材１６７と第３接触口１５３を通してゲートパッド１４７と接続されているゲートパッド接触部材１６５をさらに含む。
透明電極層１６０は、ITO（インジウム錫酸化物）やIZO（インジウム亜鉛酸化物）などの透明な導電物質で形成される。ソース電極１６１は、第２接触口１５１を通して連結部材１４３によりデータ線１２１と物理的・電気的に接続されて画像信号を受ける。そして、ゲート電極１４５を間に置いてソース電極１６１と離間され、チャンネル領域（Ａ）を定義するドレーン電極１６３は、ソース電極１６１と一緒に薄膜トランジスタ（TFT）を形成し、各画素電極の動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として作動する。
【００３０】
ゲート絶縁膜１５０のゲート電極１４５上には、有機半導体層１７０が位置している。有機半導体層１７０は、チャンネル領域（Ａ）を覆っていて、露出されているソース電極１６１とドレーン電極１６３も覆っている。
このような有機半導体層１７０では、ベンゼンリングが５つ連結されているペンタセン(pentacene)、PTCDA(3,4,9,10-pelylenetetracarboxylic  dianhydride)、オリゴチオフェン(oligothiopene)、ポリチオフェン(polyiophene)、ポリチエニレンビニレン(polythienylenevinylene)等を用いることができる。この他にも一般に用いられる公知の有機半導体物質を用いることもできる。
【００３１】
これにより、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)が形成されて、公知の方法により有機薄膜トランジスタ(O-TFT)を含む液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子、または無機電界発光ディスプレイ素子などの平板表示装置が形成される。
有機半導体層１７０の上部には保護層１８０が形成されている。保護層１８０は、有機半導体層１７０の特性が劣化することを防止するため形成されている層であり、PVA(ポリビニルアルコール)のような物質が用いられる。そして、第３接触口１５３及び第２接触口１５１、１５２上に有機保護膜１９０をさらに形成できる。保護膜１９０は、有機半導体層１７０を覆っている。
【００３２】
以下、図５ａ〜７ｅを参照して、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)を備えた平板表示装置の製造方法について説明する。
図５ａ〜図５ｇは、本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図であり、図６ａ〜図６ｆは、本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図であり、図７ａ〜図７ｅは、本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順次に示した断面図である。
【００３３】
図５ａ、６ａ、７ａに示されたように、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含む絶縁基板１１０を形成する。可撓性(flexible)平板表示装置を形成するにはプラスチック基板を用いることが望ましい。
その後、図５ｂと６ｂに示されたように、絶縁基板１１０上にデータ配線物質をスパッタリング等の方法で蒸着した後、写真エッチング工程を通して、データ線１２１とデータパッド１２３を形成する。
【００３４】
次に、図５ｃ、図６ｃ、及び図７ｂに示したように、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)等の無機物質またはBCB(ベンゾシクロブテン)などの有機物質で構成される層間絶縁物質を絶縁基板１１０とデータ配線１２０上にも塗布して層間絶縁膜１３０を形成する。層間絶縁物質が有機物質の場合には、スピンコーティングまたはスリットコーティングなどの方法で形成することができ、無機物質の場合には化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着方法で形成することができる。有機膜層と無機膜層に全て適用できる。また、図５ｃと図６ｃに示したように、感光膜などを遮断壁として利用し、エッチング工程を通して第１接触口１３１、１３２を形成する。
【００３５】
図５ｄ、図６ｄ、及び図７ｃに示したように、層間絶縁膜１３０上にAl、Cr、Mo、Au、Pt、Pdのうち、少なくとも１つを含むゲート配線物質をスパッタリングなどの方法で蒸着した後、写真エッチング工程を通してゲート線１４１、連結部材１４３、１４４、ゲート電極１４５、及びゲートパッド１４７を形成する。ここで、連結部材１４３、１４４はデータ配線１２０と第１接触口１３１、１３２を通して接し、データ配線１２０の周辺上に形成された層間絶縁膜１３０上に位置している。
【００３６】
その後、ゲート配線１４０と層間絶縁膜１３０上にBCB(ベンゾシクロブテン)などのような厚い有機膜のゲート絶縁膜１５０を形成する。ゲート絶縁膜１５０は、スピンコーティングまたはスリットコーティングなどの方法で形成され、図５ｅ、図６ｅ、及び図７ｄに示したように、感光膜壁などを遮断壁として利用し、エッチング工程を通して第２接触口１５１、１５２と第３接触口１５３を形成する。
【００３７】
図５ｆ、図６ｆ、及び図７ｅに示されたように、ITO（インジウム錫酸化物）やIZO（インジウム亜鉛酸化物）のような透明導電性金属酸化物(透明導電物質)をゲート絶縁膜１５０上にスパッタリングまた蒸発を通して形成した後、写真エッチング工程または、エッチング工程を利用して透明電極層１６０を形成する。透明電極層１６０は第２接触口１５１を通して連結部材１４３と接続されて有機半導体層１７０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１７０を間においてソース電極１６１と分離されているドレーン電極１６３、及びドレーン電極１６３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１６９を含む。そして、図６ｆと図７ｅにも示したように、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１６７と第３接触口１５３を通してゲートパッド１４７と接続されているゲートパッド接触部材１６５をさらに含む。
【００３８】
その後、図５ｇに示されたように、透明電極層１６０上に有機半導体物質を、蒸着法を通して形成する。次に、有機半導体物質の上に有機物質または感光性有機物質をスピンコーティングまたはスリットコーティング方法を通して形成する。
次に、写真エッチング工程を通して図２に示したように、有機半導体層１７０と有機半導体層１７０上の保護層１８０を形成する。ここで、保護層１８０をまず写真エッチングで形成した後、有機半導体層１７０を写真エッチングで形成することもでき、１つの写真エッチング工程を通して有機半導体層１７０と保護層１８０を形成することもできる。
【００３９】
そして、図２、図３及び図４に示されたように、第３接触口１５３及び第２接触口１５１、１５２の上に有機保護膜１９０がさらに形成されている。保護膜１９０は有機半導体層１７０を覆っている。保護膜１９０が感光性有機膜で形成された場合、保護膜１９０はコーティング、露光及び現象を通して形成され、シリコン窒化物と同じ無機膜で形成された場合、蒸着と写真エッチング工程を通して形成される。
【００４０】
これにより、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)、データパッド、及びゲートパッドが形成されて、公知の方法により有機薄膜トランジスタ(O-TFT)を含む液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子または無機電界発光ディスプレイ素子などの平板表示装置が形成される。
以下、図８を参照して、本発明による第２実施形態について説明する。第２実施形態では第１実施形態と同じ構成要素について同じ参照番号を付与した。そして、第２実施形態では第１実施形態と相異する特徴的な部分だけ抜粋して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態に従う。
【００４１】
第１実施形態においての有機半導体層１７０は、蒸着と写真エッチング工程を通して形成されたが、第２実施形態ではインクジェット方式により形成される。
図８に示されたように、ソース電極１６１とドレーン電極１６３により、定義されるチャンネル領域（Ａ）を囲みながら、前記ソース電極１６１とドレーン電極１６３各々の少なくとも一部を露出させる隔壁１８５を形成する。隔壁１８５は感光性有機物質を利用して、露光、現象工程を通して形成されて、他の公知の方法でも形成可能である。
【００４２】
完成された隔壁１８５で囲まれたチャンネル領域（Ａ）に有機半導体物質をジェッティング(jetting)する。有機半導体物質は溶剤により水性または油性の場合もあり、有機半導体物質は溶剤除去過程を経て、有機半導体層１７０が形成される。
そして、完成された有機半導体層１７０上に保護層溶液をジェティングする。保護層溶液は溶剤により水性または油性の場合もあり、保護層溶液は溶剤除去過程を経て、保護層１８０として形成され、この保護層１８０の表面は平坦である。
【００４３】
本発明による平板表示装置は、液晶表示装置または有機電気発光装置等の表示装置に用いられる。
有機電気発光装置は、電気信号を受けて発光する有機物を利用した、自発光型素子である。有機電気発光装置には陰極層(画素電極)、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、両極層(対向電極)が積層されている。本発明による平板表示装置のドレーン電極は、陰極層と電気的に連結されてデータ信号を印加できる。
【００４４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を示しながら説明したが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者ならば、本発明の原則や精神に基づいて本実施形態を変形できることがわかる。本発明の範囲は請求項とその均等物により決められる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図である。
【図２】図１のII-IIに沿って切断した断面図である。
【図３】図１のIII-IIIに沿って切断した断面図である。
【図４】図１のIV-IVに沿って切断した断面図である。
【図５ａ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｂ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｃ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｄ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｅ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｆ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図５ｇ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスターの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ａ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ｂ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ｃ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ｄ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ｅ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図６ｆ】本発明の第１実施形態によるデータパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図７ａ】本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図７ｂ】本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図７ｃ】本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図７ｄ】本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図７ｅ】本発明の第１実施形態によるゲートパッドの製造方法を順に示した断面図である。
【図８】各々本発明の第２実施形態による平板表示装置の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図５ｇ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図８】
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