(57)【要約】【課題】モールド金型を用いて回路基板を樹脂封止する際に、回路基板の裏面を確実に封止樹脂により被覆することができる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路装置の製造方法では、表面に所定の電気回路が形成された回路基板１１を、金型２２のキャビティ２３に収納させる。次に、金型２２に設けたゲート５７からキャビティ２３内部に封止樹脂１４を注入する。注入された封止樹脂１４は、回路基板１１の側面に設けた第１傾斜面１１Ａおよび第２傾斜面１１Ｂにより分岐する。結果的に、回路基板１１の下方に優先的に封止樹脂１４が行き渡り、回路基板１１の裏面が全面的に封止樹脂１４により被覆される。【選択図】図７
2007324274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面の少なくとも一部が外側に向かって傾斜する傾斜面である回路基板の上面に、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を組み込む第１工程と、
モールド金型を用いて前記回路基板の上面、側面および下面を封止樹脂により被覆する第２工程とを具備し、
前記第２工程では、前記回路基板の側方の前記モールド金型に設けたゲートから、前記モールド金型の内部に前記封止樹脂を注入し、注入された前記封止樹脂を前記回路基板の傾斜する側面に接触させて、前記回路基板の裏面に前記封止樹脂を回り込ませることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記封止樹脂は、フィラーを含む樹脂から成ることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記回路基板の側面は、前記回路基板の上面から連続して外側に向かって傾斜する第１傾斜面と、前記回路基板の下側から連続して外側に向かって傾斜する第２傾斜面とを含み、
前記第２工程では、前記第２傾斜面に接触した前記封止樹脂が、前記回路基板の下面と前記モールド金型との間に充填されることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２傾斜面は、前記第１傾斜面よりも大きく形成されることを特徴とする請求項３記載の回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記回路基板は、スポット溶接により回路基板と連結されたリードにより、前記モールド金型のキャビティ内部に於ける位置が固定されることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置の製造方法に関し、特に、上面に電気回路が組み込まれた回路基板が樹脂封止される回路装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８を参照して、従来の混成集積回路装置１００は、基板１０１の表面に電気回路が組み込まれた構成になっている（下記特許文献１を参照）。矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成されている。導電パターン１０３の所望の箇所に回路素子１０５が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子およびチップ素子が、導電パターン１０３に接続されている。リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
【０００３】
上記構成の混成集積回路装置１００の製造方法は次の通りである。先ず、基板１０１の上面に導電パターン１０３および回路素子１０５から成る電気回路を組み込む。次に、半田を介して、基板１０１の周辺部に位置するパッド１０９にリード１０４を固着する。更に、基板１０１およびリード１０４が被覆されるように封止樹脂１０８を形成する。通常、封止樹脂１０８は、モールド金型を用いたトランスファーモールドにより形成される。
【特許文献１】特開平５−１０２６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した混成集積回路装置１００の製造方法では、トランスファーモールドにより、基板１０１の下面を薄く封止樹脂１０８で被覆することが困難である問題があった。具体的には、図８を参照して、装置に内蔵される回路素子から発生する熱を良好に外部に放出させるためには、基板１０１の下面を被覆する封止樹脂１０８を薄くする必要がある。その理由は、金属から成る基板１０１と比較すると、封止樹脂１０８は熱抵抗が大きいからである。しかしながら、金型を用いたトランスファーモールドでは、基板１０１の裏面全域に渡り封止樹脂１０８を行き渡らせる必要があることから、不図示のモールド金型の内壁と、基板１０１の下面とを一定以上（例えば０．５ｍｍ程度以上）離間させる必要があった。不図示のモールド金型の内壁と基板１０１の下面とが接近しすぎると、両者の間に封止樹脂１０８が充填されずに未充填領域（ボイド）が出現して不良が発生する。上記のことから、基板１０１の裏面を被覆する封止樹脂１０８を薄くすることが困難であった。
【０００５】
さらに、熱抵抗の低減等を目的として、封止樹脂１０８には無機フィラーが充填されている。このことにより、封止樹脂１０８の流動性が低下して、上記したボイドの問題が顕著となり、基板１０１の裏面を被覆する封止樹脂１０８を薄くすることが更に困難となっていた。
【０００６】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、モールド金型を用いて回路基板を樹脂封止する際に、回路基板の下面を確実に封止樹脂により被覆することができる回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路装置の製造方法は、側面の少なくとも一部が外側に向かって傾斜する傾斜面である回路基板の上面に、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を組み込む第１工程と、モールド金型を用いて前記回路基板の上面、側面および下面を封止樹脂により被覆する第２工程とを具備し、前記第２工程では、前記回路基板の側方の前記モールド金型に設けたゲートから、前記モールド金型の内部に前記封止樹脂を注入し、注入された前記封止樹脂を前記回路基板の傾斜する側面に接触させて、前記回路基板の裏面に前記封止樹脂を回り込ませることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に依れば、金型を用いて樹脂封止を行う工程に於いて、傾斜する回路基板の側面に、注入された封止樹脂を接触させて、回路基板の下面に封止樹脂を回り込ませている。従って、回路基板の下面全域に封止樹脂を廻り込ませることが可能となり、回路基板の下面に封止樹脂が充填されないことによるボイドの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜第１の実施の形態＞
本形態では、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
【００１０】
図１を参照して、本形態の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０を斜め上方から見た斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図１（Ｃ）は拡大された断面図である。
【００１１】
本形態の混成集積回路装置１０では、回路基板１１の上面に導電パターン１３および回路素子から成る所定の混成集積回路が構築され、回路基板１１の上面、側面および下面は封止樹脂１４により覆われている構成となっている。更に、回路基板１１の上面に構成された電気回路と接続されたリード２５が外部に導出している。
【００１２】
回路基板１１は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属を主材料とする金属基板である。回路基板１１の具体的な大きさは、例えば、縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×１５ｍｍ×０．５ｍｍ程度である。回路基板１１の材料としては銅が好適である。銅を主材料とする回路基板１１は、厚みが０．５ｍｍ程度に薄くても、温度変化等による反りが小さく、且つ機械的強度も十分である。更に、アルミニウムと比較すると銅は熱伝導性に優れた材料であるので、銅を主材料とする金属を回路基板１１の材料にすることで、装置全体の放熱性を向上させることができる。また、回路基板１１としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１１の両主面はアルマイト処理される。
【００１３】
絶縁層１２は、回路基板１１の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層１２は、ＡＬ２Ｏ３等のフィラーが高充填されたエポキシ樹脂等から成る。このことにより、絶縁層１２の熱抵抗が低減され、内蔵される回路素子から発生した熱を、回路基板１１を介して積極的に外部に放出することができる。絶縁層１２の具体的な厚みは、例えば５０μｍ程度である。
【００１４】
導電パターン１３は銅等の金属から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層１２の上面に形成される。また、リード２５が導出する辺に、導電パターン１３から成るパッド２７が形成される。なお、ここでは単層の導電パターン１３が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン１３が回路基板１１の上面に形成されても良い。
【００１５】
パッド２７は、回路基板１１の周辺部に複数個が配置されて、その上面には径が３０μｍ程度の金属細線１７がワイヤボンディングされている。パッド２７は、対向する回路基板１１の２つの側辺に沿って、周縁部から若干離間されて複数個が配置されている。パッド２７の平面的な大きさは、金属細線１７がワイヤボンディング可能な大きさであれば良く、例えば２００μｍ×２００μｍ程度である。また、金（Ａｕ）から成る金属細線１７のワイヤボンディングを行うために、パッド２７の上面は金（Ａｕ）から成るメッキ膜２４により被覆されている。
【００１６】
半導体素子１５Ａおよびチップ素子１５Ｂを含む回路素子は、導電パターン１３の所定の箇所に固着されている。半導体素子１５Ａとしては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子１５Ａと導電パターン１３とは、金属細線１７を介して接続される。チップ素子１５Ｂとしては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。更に、チップ素子１５Ｂとしては、インダクタンス、サーミスタ、アンテナ、発振器など、両端に電極部を有する素子が採用される。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン１３に固着することができる。
【００１７】
リード２５は、一端が回路基板１１上のパッド２７と電気的に接続され、他端が封止樹脂１４から外部に導出している。リード２５は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはＦｅ−Ｎｉの合金等などを主成分とした金属から成る。回路基板１１の上面に形成されたパッド２７とリード２５とは、径が３０μｍ程度の金（Ａｕ）等から成る金属細線１７により接続される。また、金属細線１７が接続されるリード２５の表面は、金（Ａｕ）から成るメッキ膜１９が形成されている。ここで、図では、リード２５は金属細線１７を介してパッド２７と接続されているが、半田等の導電性接着材を介して、リード２５の下面がパッド２７の上面に面的に接合されても良い。
【００１８】
ここでは、回路基板１１の対向する２つの側辺に沿って設けたパッド２７にリード２５を接続している。しかしながら、回路基板１１の１つの側辺または４つの側辺に沿ってパッド２７を設けて、このパッド２７にリード２５を接続しても良い。
【００１９】
封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたは熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。図１（Ｂ）を参照すると、封止樹脂１４により、導電パターン１３、半導体素子１５Ａ、チップ素子１５Ｂ、金属細線１７、リード２５が封止されている。更に、回路基板１１の上面、側面および下面が封止樹脂１４により被覆されている。
【００２０】
図１（Ｂ）を参照して、リード２５の下方に対応する回路基板１１には、導電パターン１３から成る配線２８が形成されている。ここで配線２８とは、回路基板１１に配置される回路素子同士を接続するために形成された導電パターン１３である。そして、配線２８が被覆樹脂２０により被覆されることで、配線２８とリード２５とのショートが抑制されている。
【００２１】
図１（Ｃ）を参照して、回路基板１１の側面は、外側側方に突出する傾斜面となっており、具体的には第１傾斜面１１Ａおよび第２傾斜面１１Ｂから成る。第１傾斜面１１Ａは、回路基板１１の上面から連続して外側に向かって傾斜する面である。回路基板１１の上面と第１傾斜面１１Ａとが成す角（θ１）は、例えば９０度〜１２０度程度である。第２傾斜面１１Ｂは、回路基板の下面から連続して外側に向かって傾斜する面である。回路基板１１の下面と第２傾斜面１１Ｂとが成す角（θ２）は、例えば９０度〜１２０度程度である。
【００２２】
本形態では、回路基板１１の厚み方向に関して、第２傾斜面１１Ｂを、第１傾斜面１１Ａよりも長く形成している。このことにより、封止樹脂１４と強固に密着する第２傾斜面１１Ｂの面積を大きくすることができるので、回路基板１１の封止樹脂１４からの抜けを防止することができる。第１傾斜面１１Ａの厚みＴ１と第２傾斜面１１Ｂの厚みＴ２との比は、例えばＴ１：Ｔ２＝１：２程度である。従って、回路基板１１の厚みが例えば１．５ｍｍ程度の場合、第１傾斜面１１Ａの厚みＴ１は０．５ｍｍ程度となり、第２傾斜面１１Ｂの厚みＴ２は１．０ｍｍ程度となる。
【００２３】
更に、上記のように第２傾斜面１１Ｂをより大きくすることで、製造工程に於いて、回路基板１１の下面を効率良く封止樹脂１４により被覆させることができる。具体的には、モールド金型を用いて封止樹脂１４を形成する樹脂封止の工程に於いて、注入される液状の封止樹脂１４を第２傾斜面１１Ｂに当接させて、回路基板１１の裏面に封止樹脂１４を回り込ませることができる。この事項の詳細は後述する。
【００２４】
更にまた、第２傾斜面１１Ｂの紙面上に於ける横方向の幅は、第１傾斜面１１Ａよりも大きい方が好適である。即ち、第１傾斜面１１Ａの幅を狭くすることで、導電パターン１３を形成可能な回路基板１１の上面の有効面積を大きくすることができる。更に、第２傾斜面１１Ｂの幅を大きくすることで、第２傾斜面１１Ｂの傾斜する度合いが大きくなり、第２傾斜面１１Ｂと封止樹脂１４との密着強度を向上させることができる。
【００２５】
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図２から図７を参照して、混成集積回路装置の製造方法を説明する。
【００２６】
図２を参照して、先ず、所定の混成集積回路が組み込まれた回路基板１１を製造する。図２（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は本工程を示す代表的な断面図である。
【００２７】
図２（Ａ）を参照して、アルミや銅等を主材料とする金属基板５０には、多数のユニット５３がマトリックス状に形成されている。ここで、ユニット５３とは、１つの混成集積回路装置となる要素単位である。マトリックス状に規定された各ユニット５３同士の間には、上面及び下面から、第１溝５１および第２溝５２が形成されている。各ユニット５３の上面には、所定の機能が実現されるように、導電パターン１３および回路素子が組み込まれている。
【００２８】
図２（Ｂ）を参照して、第１溝５１および第２溝５２が形成された箇所から、各回路基板１１を分離する。ここで、第２溝５２の厚さＴ２は、第１溝の厚さＴ１よりも深く形成される。例えば、回路基板１１の厚みが１．５ｍｍの場合、第１溝５１の厚みは０．５ｍｍ程度であり、第２溝５２の厚みＴ２は１ｍｍ程度である。このように、第２溝５２を深くすることで、図１に示す第２傾斜面１１Ｂを大きく形成することができる。
【００２９】
上記した第１溝５１および第２溝５２は、刃先がＶ字状に形成されたダイシングソーを用いて、金属基板５０の上面及び下面を研削することで形成される。
【００３０】
回路基板１１同士の分離は、図のように丸カッター５４等を用いた切断方法、レーザーを用いた分離方法、第１溝５１等が形成された箇所に於ける曲折などにより行われる。ここでは、駆動力を有さない丸カッター５４を第１溝５１に上方から当接させ、この溝に沿って支持部５５を移動させることで、各回路基板１１を分離している。ここで、丸カッター５４は、支持部５５に回転自在に固定されている。従って、駆動力により高速で回転するダイサー等と比較すると、分離作業に伴い導電性の粉塵が殆ど発生しない利点を有する。
【００３１】
また、ここでは、回路基板１１の上面に混成集積回路を組み込んだ後に、各回路基板１１を分離しているが、導電パターンが上面に形成された回路基板１１を分離した後に、各回路基板１１の上面に回路素子を実装しても良い。
【００３２】
図３〜図５を参照して、次に、回路基板１１をリードフレーム４０に接続する工程を説明する。
【００３３】
先ず図３を参照して、本工程で用いられるリードフレーム４０の構成を説明する。リードフレーム４０には、多数のリードから成るユニット４６が複数個設けられている。図３（Ａ）は、リードフレーム４０に設けられる１つのユニット４６を示す平面図であり、図３（Ｂ）はリードフレーム４０の全体を示す平面図である。図３（Ａ）では、回路基板が載置される領域である載置領域２６を点線にて図示している。
【００３４】
図３（Ａ）を参照して、ユニット４６には、多数の第１リード２５Ａおよび第２リード２５Ｂが設けられている。第１リード２５Ａは、紙面上では、左右両方向から回路基板が載置される領域に向かって延在している。また、第１リード２５Ａは、タイバー４４により互いに連結されることで、変形が防止されている。そして、後の工程にて金属細線が接続される部分の第１リード２５Ａの上面には、メッキ膜（不図示）が形成されている。第１リード２５Ａは、本形態により製造される回路装置の外部接続手段として機能する。
【００３５】
第２リード２５Ｂは、外枠４１から載置領域２６の内部まで延在している。ここでは、上側の外枠４１から、２つの第２リード２５Ｂが載置領域２６の内部まで延在している。更に、下側の外枠４１からも２つの第２リード２５Ｂが載置領域２６の内部まで延在している。この第２リード２５Ｂは、回路基板を機械的にリードフレーム４０に固定するために用いられる。
【００３６】
図３（Ｂ）を参照して、短冊状のリードフレーム４０には、上述したような構成のユニット４６が、複数個離間して配置される。本形態では、リードフレーム４０に複数個のユニット４６を設けて混成集積回路装置を製造することにより、ワイヤボンディングおよびモールド工程等を一括して行い、生産性を向上させている。
【００３７】
図４を参照して、次に、スポット溶接により回路基板１１をリードフレーム４０に連結する。図４（Ａ）はリードフレーム４０を部分的に拡大した平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図４（Ｃ）は図４（Ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００３８】
図４（Ａ）を参照して、本工程では、各ユニット４６に１つの回路基板１１が載置されている。ここでは不図示であるが、回路基板１１の上面には導電パターンおよび回路素子から成る電気回路が構成されている。半導体素子等の回路素子の回路基板１１への実装は、本工程に先行して予め行われても良いし、回路基板１１をリードフレーム４０に固定してから行っても良い。
【００３９】
回路基板１１の表面には、パッド２９およびパッド２７が設けられている。パッド２９は、回路基板１１の短手方向の側辺（紙面上では、上下側辺）付近に設けられており、第２リード２５Ｂが固着される。パッド２９の大きさは、例えば縦×横＝１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度である。また、パッド２９は、回路素子等と電気的に接続されないダミーパッドでも良い。
【００４０】
パッド２７は、回路基板１１の長手方向の側辺（紙面上では左右側辺）に沿って設けられている。また、パッド２７は、回路基板１１の長手方向の終端部から離間して配置されており、パッド２７の外側には不図示の配線が配置されている。これらのパッド２７は、後の工程にて、細い金属細線により第１リード２５Ａと電気的に接続される。従って、第１リード２５Ａは機械的に回路基板１１を支持する機能を有さないので、本形態では第２リード２５Ｂにより回路基板１１をリードフレーム４０に機械的に固定している。
【００４１】
図４（Ｂ）を参照して、本形態では、電極３０を用いたスポット溶接により、回路基板１１上のパッド２９に、第２リード２５Ｂを固着している。具体的な方法は、先ず、パッド２９の上面に第２リード２５Ｂの下面を当接させる。次にスポット溶接機の電極３０を第２リード２５Ｂの上面に当接させて、例えば２００Ｖ程度の高い電圧を印可する。このことにより、パッド２９と第２リード２５Ｂが部分的に溶けて両者が固着される。
【００４２】
ここで、パッド２９を回路素子と接続して、第２リード２５Ｂを外部接続端子として用いることもできる。更に、第２リード２５Ｂは必ずしもパッド２９に固着される必要はない。即ち、絶縁層１２を部分的に除去して回路基板１１の一部分を露出させて、露出する部分の回路基板１１に第２リード２５Ｂをスポット溶接しても良い。この場合は、第２リード２５Ｂを介して、回路基板１１を固定電位（例えば接地電位や電源電位）に接続することもできる。更にまた、第１リード２５Ａも、上述したようにスポット溶接によりパッド２７に接合することもできる。スポット溶接は瞬間的に（例えば０．１秒程度で）終了するので、加熱による変形が殆ど生じずに、熱ストレスを排除した第１リード２５Ａの固着が行われる。
【００４３】
図４（Ｃ）の断面図を参照して、第１リード２５Ａの先端部は、回路基板１１の上方に位置している。そして、第１リード２５Ａの下方には、配線２８が回路基板１１上に設けられている。
【００４４】
ここで、全てのリードをスポット溶接により回路基板１１上のパッドと接続することも可能である。更に、スポット溶接に替えて、半田等の接合材を用いて、回路基板１１上のパッドとリードとを固着して、回路基板１１をリードフレーム４０に固定することもできる。
【００４５】
図５を参照して、次に、回路基板１１上のパッド２７と第１リード２５Ａとを、金属細線１７を用いて接続する。図５（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００４６】
図５（Ａ）を参照して、例えば径が３０μｍ程度の金から成る金属細線１７を用いて、回路基板１１の上面に配置されたパッド２７と、第１リード２５Ａとを電気的に接続する。ここで、回路基板１１の上面に配置された半導体素子１５Ａの上面の電極と第１リード２５Ａとをダイレクトに金属細線１７にて接続しても良い。
【００４７】
図５（Ｂ）を参照して、本工程では、第１リード２５Ａをクランパー３１により上方から押圧して、第１リード２５Ａの下面を回路基板１１の上面に当接させた状態で、ワイヤボンディングを行っている。回路基板１１に押しつけられることにより第１リード２５Ａの位置が固定される。従って、不図示のボンディング装置にて第１リード２５Ａに超音波エネルギーを印加しても、その超音波エネルギーは分散しない。このことから、金属細線１７を良好に第１リード２５Ａの表面に接続することができる。
【００４８】
更にここで、パッド２７上に塗布された半田等の導電性接着材を用いて、パッド２７と第１リード２５Ａとを接続しても良い。
【００４９】
図６および図７を参照して、次に、回路基板１１が被覆されるように封止樹脂を形成する。図６（Ａ）は本工程の状況を上方から見た図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。また、図７（Ａ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ’線に於ける断面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）を部分的に拡大した図である。
【００５０】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、本工程では、先ず、下金型２２Ｂに回路基板１１を収納した後に、上金型２２Ａと下金型２２Ｂとを当接させて、金型２２の内部のキャビティ２３に回路基板１１を収納させる。
【００５１】
図６（Ｂ）を参照して、本工程では、キャビティ２３の内部に於ける、回路基板１１の位置は、第２リード２５Ｂを介して固定されている。具体的には、第２リード２５Ｂは、上金型２２Ａおよび下金型２２Ｂにより厚み方向に押圧されて位置が固定されている。そして、第２リード２５Ｂの端部は回路基板１１上のパッド２９に溶接されており、第２リード２５Ｂは回路基板１１と強固に連結されている。従って、回路基板１１は、第２リード２５Ｂにより、厚み方向にも面方向にもその位置が固定されている。このことから、本工程に於いて、注入される樹脂の圧力が回路基板１１に作用しても、回路基板１１は移動せずに、所定の位置で樹脂封止される。
【００５２】
更に、第２リード２５Ｂはパッド２９にスポット溶接で固着されているので、金型２２の内部の温度が１００度〜２００度程度に高温となっても、両者の接続箇所の強度は低下しない。例えば、溶融点が低い半田を用いて第２リード２５Ｂとパッド２９とを接合すると、樹脂封止時の温度上昇により半田が軟化して、第２リード２５Ｂがパッド２９から剥離してしまう恐れがある。本形態では、スポット溶接により第２リード２５Ｂとパッド２９とが接合されているので、樹脂封止の工程に於いて両者は分離されない。
【００５３】
次に、図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、本工程の樹脂封止の詳細を説明する。先ず、図７（Ａ）を参照して、金型２２にはゲート５７とエアベント５８が設けられている。ゲート５７は封止樹脂１４が外部からキャビティ２３に供給される部位である。また、エアベント５８は、ゲート５７に対向する位置に設けられ、キャビティ２３と外部とを連通するように設けられている。ゲート５７から封止樹脂１４がキャビティ２３に注入されると、注入された封止樹脂１４の量に応じたキャビティ２３内部の空気が、エアベント５８から外部に放出される。ここで、ゲート５７は下金型２２Ｂに設けられているが、ゲート５７を上金型２２Ａに設けても良い。更に、図ではエアベント５８は上金型２２Ａに設けられているが、下金型２２Ｂにエアベント５８を設けても良い。
【００５４】
図７（Ｂ）を参照して、封止樹脂１４の注入口であるゲート５７は、キャビティ２３に収納された回路基板１１の側方に位置している。即ち、紙面上に於いて、回路基板１１の上下方向の位置は、ゲート５７の上下方向の位置と重畳している。ゲート５７の位置をこのようにすることで、ゲート５７から注入された封止樹脂１４を、回路基板１１の上方および下方の両方に行き渡らせることができる。更に本工程では、回路基板１１の側面に第１傾斜面１１Ａおよび第２傾斜面１１Ｂを設けることによっても、封止樹脂１４のキャビティ２３内に於ける流動性を向上させている。
【００５５】
具体的には、半固形状または液状の封止樹脂１４は、ゲート５７からキャビティ２３の内部に注入される。そして、ゲート５７から内部に注入された封止樹脂１４は、先ず、回路基板１１の側面に接触する。ここで、回路基板１１の側面は第１傾斜面１１Ａおよび第２傾斜面１１Ｂから成る。従って、第１傾斜面１１Ａに当接した封止樹脂１４は、キャビティ２３内部に於いて回路基板１１の上方に回り込む。図では、この封止樹脂１４の流れを符号６０が付された矢印で示している。一方、第２傾斜面１１Ｂに当接した封止樹脂１４は、回路基板１１の下面と下金型２２Ｂとの間に回り込む。図では、この封止樹脂１４の流れを、符号５９が付された矢印で示している。このように、回路基板１１の側面に設けた傾斜面を用いて、回路基板１１の上方および下方に封止樹脂１４を回り込ませることができ、封止樹脂１４が行き渡らない未充填領域の形成が防止されている。
【００５６】
更に本形態では、第２傾斜面１１Ｂを第１傾斜面１１Ａよりも大きくしている。このことにより、ゲート５７から注入された封止樹脂１４は、回路基板１１の下方に優先的に行き渡るようになり、回路基板１１の下方に於けるボイドの形成が防止される。具体的には、回路基板１１の上方に於いては、回路基板１１の上面に回路素子が固着されることもあり、比較的大きな空間が確保されているので、封止樹脂１４の流動は容易である。しかしながら、回路基板１１の下面を被覆する封止樹脂１４を薄くして放熱性を向上させるために、回路基板１１の下方の空間は微小な間隙となっている。従って、回路基板１１の下面と下金型２２Ｂの内壁との間に存在する空間は、封止樹脂１４の流動が困難な状態になっている。本形態のように、回路基板１１の側面に設けた傾斜面を用いて、回路基板１１の下方に優先的に封止樹脂１４を回り込ませることで、回路基板１１の下面を封止樹脂１４にて確実に被覆することができる。
【００５７】
また、熱抵抗の低減を目的として封止樹脂１４にアルミナ等の無機フィラーを混入させると、封止樹脂１４の流動性が低下する。更に、上記したように、回路基板１１の裏面と下金型２２Ｂとの間隙が小さくなっており、樹脂が充填され難い環境となっている（回路基板１１の裏面と、下金型２２Ｂの内壁とが離間する距離Ｌ１は、例えば０．５ｍｍ以下である）。しかしながら、上述した本形態の構成により、回路基板１１の下方には優先的に封止樹脂１４が充填されるので、回路基板１１の裏面を確実に封止することができる。
【００５８】
上記した樹脂封止の工程は、リードフレーム４０に設けた各ユニット４６に対して同時に行われる。
【００５９】
上述したモールド工程が終了した後に、樹脂封止された回路基板１１は、リードフレーム４０から分離され、図１に示すような混成集積回路装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】従来の混成集積回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０            混成集積回路装置
１１            回路基板
１１Ａ          第１傾斜面
１１Ｂ          第２傾斜面
１２            絶縁層
１３            導電パターン
１４            封止樹脂
１５Ａ          半導体素子
１５Ｂ          チップ素子
１７            金属細線
１９            メッキ膜
２０            被覆樹脂
２２            金型
２２Ａ          上金型
２２Ｂ          下金型
２３            キャビティ
２４            メッキ膜
２５Ａ          第１リード
２５Ｂ          第２リード
２６            載置領域
２７            パッド
２８            配線
２９            パッド
３０            電極
３１            クランパー
４０            リードフレーム
４１            外枠
４４            タイバー
４６            ユニット
５０            金属基板
５１            第１溝
５２            第２溝
５３            ユニット
５４            丸カッター
５５            支持部
５７            ゲート
５８            エアベント
５９、６０      封止樹脂の流れ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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