(57)【要約】【課題】  逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破すること。【解決手段】  ダイオード１０は、カソード電極２２と、カソード電極２２上に形成されているカソード領域２４と、カソード領域２４上に形成されている中間半導体領域２６と、中間半導体領域２６上に形成されているアノード領域３０と、アノード電極４４を備えている。アノード領域３０は、アノード領域３０内に分散して配置されている複数個の高濃度部分領域３４と、低濃度部分領域３２を備えている。アノード電極２２は、高濃度部分領域３４に直接的に接しておらず、低濃度部分領域３２を介して高濃度部分領域３４に電気的に接続している。【選択図】  図１
2007324428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第１電極上に形成されており、第１導電型の不純物を高濃度に含む第１半導体領域と、
第１半導体領域上に形成されており、第１導電型の不純物を低濃度に含むか又は不純物を実質的に含まない第２半導体領域と、
第２半導体領域上に形成されており、第２導電型の不純物を含む第３半導体領域と、
第２電極を備えており、
第３半導体領域は、第２導電型の不純物を高濃度に含むとともに第３半導体領域内に分散して配置されている複数個の高濃度部分領域と、第２導電型の不純物を低濃度に含む低濃度部分領域を備えており、
第２電極は、高濃度部分領域に直接的に接しておらず、低濃度部分領域を介して高濃度部分領域に電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
高濃度部分領域が、低濃度部分領域によって第２半導体領域から隔てられていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
高濃度部分領域と第２電極の間に第１導電型の不純物を含む第４半導体領域が介在しており、低濃度部分領域と第２電極が直接的に接していることを特徴とする請求項１又は２の半導体装置。
【請求項４】
第３半導体領域の周囲を一巡する終端耐圧確保領域の外周縁に沿って形成されており、第１導電型の不純物を含む第５半導体領域をさらに備えており、
その第５半導体領域の不純物濃度及び深さが、第４半導体領域と同一であることを特徴とする請求項３の半導体装置。
【請求項５】
第４半導体領域と第５半導体領域を同時に形成することを特徴とする請求項４の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。本発明は特に、ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３に、ＰＩＮ型のダイオード１０１の要部断面図を模式的に示す。ダイオード１０１は、カソード電極１２２と、そのカソード電極１２２上に形成されているｎ＋型のカソード領域１２４と、そのカソード領域１２４上に形成されているｎ−型の中間半導体領域１２６と、その中間半導体領域１２６上に形成されているｐ＋型のアノード領域１３４と、そのアノード領域１３４上に形成されているアノード電極１４４を備えている。
【０００３】
この種のダイオード１０１では、逆回復時の損失やサージ電圧を改善するための技術が望まれている。逆回復特性を改善するためには、順バイアスが印加されている間にダイオード１０１内に蓄積される正孔量を減少させることが有効である。アノード領域１３４の不純物濃度を薄く形成すれば、順バイアス時にアノード領域１３４から供給される正孔量が抑制され、蓄積される正孔量が減少する。しかしながら、アノード領域１３４の不純物濃度が薄く形成されると、逆バイアスが印加されたときに、中間半導体領域１２６からアノード領域１３４内に向けて空乏層が広く伸展する。このため、空乏層がアノード電極１４４まで達し、ダイオード１０１がブレークダウンしてしまう。
【０００４】
図１４に、ダイオード１０２の要部断面図を模式的に示す。ダイオード１０２では、アノード領域２３４が中間半導体領域１２６上に分散して形成されている。アノード領域２３４を分散させることによって、アノード領域２３４から供給される正孔量が抑制され、蓄積される正孔量が減少する。
しかしながら、ダイオード１０２では、中間半導体領域１２６とアノード電極１４４が、隣接するアノード領域２３４間の領域を介してショットキー接合している。このため、逆バイアス時にそのショットキー接合を介してリーク電流が発生するという問題がある。
【０００５】
図１５に、特許文献１に開示されているダイオード１０３の要部断面図を模式的に示す。ダイオード１０３は、アノード領域２３４よりも不純物濃度が薄いｐ型半導体領域３３２を備えている。ｐ型半導体領域３３２は、隣接するアノード領域２３４間の領域に形成されている。なお、アノード領域２３４とｐ型半導体領域３３２は、一つの領域と観念することができる。即ち、その領域が、不純物濃度の濃い部分領域と不純物濃度の薄い部分領域を備えていると観念することができる。ｐ型半導体領域３３２は、中間半導体領域１２６とアノード電極１４４がショットキー接合するのを防止する。このため、逆バイアス時のリーク電流を低減することができる。
【特許文献１】特開２００４−８８０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ダイオード１０３の構造の逆回復特性をさらに改善する技術が望まれている。仮に、アノード領域２３４の不純物濃度を薄くするか、アノード領域２３４間の間隔を広くすれば、アノード領域２３４からの正孔の供給が抑制され、正孔の蓄積量を減少させることができる。しかしながら、アノード領域２３４の不純物濃度を薄くすると、逆バイアス時の空乏層がアノード電極１４４まで達し、ダイオード１０３がブレークダウンしてしまう。アノード領域２３４間の間隔を広くした場合も、逆バイアス時の空乏層がアノード電極１４４まで達し、ダイオード１０３がブレークダウンしてしまう。また、ｐ型半導体領域３３２の不純物濃度を薄くすれば、ｐ型半導体領域３３２からの正孔の供給が抑制され、正孔の蓄積量を減少させることができる。しかしながら、ｐ型半導体領域３３２の不純物濃度を薄くし過ぎると、逆バイアス時にアノード電極３３４からリーク電流が発生してしまう。
即ち、ダイオード１０３の構造では、アノード領域２３４の不純物濃度及び隣接する間隔、ｐ型半導体領域３３２の不純物濃度を工夫するだけでは、逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破することができない。
本発明は、上記の課題を解決するために創作された。本発明は、逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、第１電極を備えている。本発明の半導体装置は、その第１電極上に形成されており、第１導電型の不純物を高濃度に含む第１半導体領域を備えている。本発明の半導体装置は、第１半導体領域上に形成されており、第１導電型の不純物を低濃度に含むか又は不純物を実質的に含まない第２半導体領域を備えている。本発明の半導体装置は、第２半導体領域上に形成されており、第２導電型の不純物を含む第３半導体領域を備えている。本発明の半導体装置はさらに、第２電極を備えている。本発明の半導体装置では、第３半導体領域が、第２導電型の不純物を高濃度に含む複数個の高濃度部分領域と第２導電型の不純物を低濃度に含む低濃度部分領域を備えている。複数個の高濃度部分領域は、第３半導体領域内に分散して配置されている。本発明の半導体装置では、第２電極が、高濃度部分領域に直接的に接しておらず、低濃度部分領域を介して高濃度部分領域に電気的に接続している。
上記の半導体装置では、高濃度部分領域と第２電極が低濃度部分領域を介して電気的に接続している。したがって、順バイアス時の高濃度部分領域の電位は、第２電極に印加される電位から低濃度部分領域の電圧降下分を減じた大きさになる。低濃度部分領域の不純物濃度は薄いので、その電圧降下分は大きい。したがって、順バイアス時の高濃度部分領域の電位は、第２電極の電位よりも小さくなる。このため、高濃度部分領域からのキャリアの供給が抑制され、キャリアの蓄積量を減少させることができる。
換言すると、上記の半導体装置では、高濃度部分領域の不純物濃度を濃くしても、キャリアの供給を抑制することができる。高濃度部分領域の不純物濃度が濃く形成されていると、高濃度部分領域が、逆バイアス時に第２半導体領域から伸展してくる空乏層を停止させ、ブレークダウンが発生するのを抑制することができる。また、上記の半導体装置では、高濃度部分領域及び低濃度部分領域が、第２電極からのリーク電流も低減することができる。
上記の半導体装置によると、逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破することができる。
【０００８】
本発明の半導体装置では、高濃度部分領域が、低濃度部分領域によって第２半導体領域から隔てられていることが好ましい。
この形態の半導体装置では、高濃度部分領域が低濃度部分領域内に分散して配置されていると観念することができる。この形態によると、第２電極と第２半導体領域は、高濃度部分領域及び低濃度部分領域によって完全に分離されている。この形態の半導体装置によると、リーク電流の発生が低減されるとともに、ブレークダウンも抑制される。
【０００９】
本発明の半導体装置では、高濃度部分領域と第２電極の間に第１導電型の不純物を含む第４半導体領域が介在しており、低濃度部分領域と第２電極が直接的に接していることが好ましい。
この形態の半導体装置では、高濃度部分領域と第４半導体領域によってｐｎ接合が構成されている。このｐｎ接合が、高濃度部分領域と第２電極の間の一部を電気的に絶縁している。即ち、第４半導体領域は、高濃度部分領域と第２電極の間の一部を絶縁している。
さらに、第４半導体領域は、順バイアスが印加されているときに、電流に対して抵抗値の小さな通過経路を提供することができる。したがって、第４半導体領域が設けられていると、半導体装置のオン抵抗を低減することができる。
【００１０】
第４半導体領域が形成されている半導体装置では、第３半導体領域の周囲を一巡する終端耐圧確保領域の外周縁に沿って形成されており、第１導電型の不純物を含む第５半導体領域をさらに備えていてもよい。この半導体装置では、第５半導体領域の不純物濃度及び深さが、第４半導体領域と同一であることを特徴としている。
終端耐圧確保領域の外周縁に沿って形成されている第５半導体領域は、第３半導体領域が存在する範囲から終端耐圧確保領域内に向けて伸展する空乏層が、終端耐圧確保領域よりもさらに側方に向けて伸展するのを防止するためのものである。即ち、高濃度部分領域と第２電極の間に介在する第４半導体領域と、終端耐圧確保領域の外周縁に沿って形成されている第５半導体領域の役割は異なっている。異なる役割を有する第４半導体領域と第５半導体領域が同一の不純物濃度及び深さを有しているので、第４半導体領域と第５半導体領域は、同一の製造工程を用いて同時に作製することができる。
【００１１】
本発明では、第４半導体領域が形成されている半導体装置を製造する方法を提供することができる。本発明の製造方法は、第４半導体領域と第５半導体領域を同時に形成することを特徴としている。
本発明の製造方法によると、役割の異なる第４半導体領域と第５半導体領域を同一工程で作製することができる。本発明の製造方法によると、製造工程数を増加させることなく、役割の異なる第４半導体領域と第５半導体領域を同一工程で作製することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によると、逆回復特性の改善とリーク電流の低減とブレークダウンの抑制の間に存在するトレードオフ関係を打破することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の好ましい形態を列記する。
（第１形態）
ダイオードは、ｎ型の不純物を高濃度に含むｎ型半導体領域と、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域の間に設けられている中間半導体領域を備えている。ｐ型半導体領域は、不純物濃度が濃い高濃度部分領域と不純物濃度が薄い低濃度部分領域を備えている。高濃度部分領域は、ｐ型半導体領域内に分散して形成されている。ダイオードはさらに、ｎ型半導体領域に接する第１電極と、ｐ型半導体領域の低濃度部分領域に接する第２電極を備えている。第２電極は、ｐ型半導体領域の高濃度部分領域に接していない。
（第２形態）
第１形態において、高濃度部分領域と第２電極の間に、ｎ型の不純物を含む半導体介在領域が形成されている。低濃度部分領域と第２電極は、半導体介在領域とそれに隣接する半導体介在領域の間の間隔を介して接している。
【実施例】
【００１４】
以下に図面を参照して実施例を説明する。以下の実施例のダイオードには、シリコン系の半導体材料が用いられているが、それ以外の半導体材料が用いられていてもよい。他の半導体材料としては、ガリウムヒ素系の半導体材料、炭化シリコン系の半導体材料、窒化ガリウム系の半導体材料等が挙げられる。
【００１５】
図１に、ＰＩＮ型のダイオード１０の要部断面図を模式的に示す。
ダイオード１０は、アルミニウムとチタンとニッケルが積層したカソード電極２２（第１電極の一例）を備えている。ダイオード１０は、カソード電極２２上に形成されているｎ＋型のカソード領域２４（第１半導体領域の一例）を備えている。カソード領域２４の不純物濃度は、約１×１０２０cm-3である。ダイオード１０は、カソード領域２４上に形成されているｎ−型の中間半導体領域２６（第２半導体領域の一例）を備えている。中間半導体領域２６の不純物濃度は、約８×１０１３cm-3であり、その厚みは７０μｍである。中間半導体領域２６には、比抵抗６０Ωcmの単結晶シリコン基板が用いられている。ダイオード１０はさらに、中間半導体領域２６上に形成されているｐ型のアノード領域３０を備えている。カソード領域２４とアノード領域３０は、中間半導体領域２６によって隔てられている。
【００１６】
アノード領域３０は、複数個のｐ＋型の高濃度部分領域３４とｐ−型の低濃度部分領域３２を備えている。高濃度部分領域３４は、アノード領域３０内に分散して配置されている。高濃度部分領域３４は、平面視したときに、ストライプ状、格子状、又はドット状に形成されている。低濃度部分領域３２は、高濃度部分領域３４とそれに隣接する高濃度部分領域３４の間に形成されている。低濃度部分領域３２は、アノード領域２４を取り囲んで形成されている。低濃度部分領域３２は、高濃度部分領域３４と中間半導体領域２６を分離している。高濃度部分領域３４は、低濃度部分領域３２内に形成されていると観念することができる。即ち、高濃度部分領域３４は、低濃度部分領域３２の表面部分に分散して配置され、第２半導体領域２６に接していないと観念することができる。高濃度部分領域３４の表面不純物濃度は、１×１０１９cm-3である。高濃度部分領域３４の深さは、０．８μmである。低濃度部分領域３２の表面不純物濃度は、１×１０１７cm-3である。低濃度部分領域３２の深さは、１．５μmである。
【００１７】
ダイオード１０は、低濃度部分領域３２に直接的に接しているアノード電極４４（第２電極の一例）を備えている。アノード電極４４の材料には、アルミニウムが用いられている。ダイオード１０は、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間に介在している絶縁膜４２を備えている。絶縁膜４２には、シリコン酸化膜が用いられている。絶縁膜４２は、カソード領域２４、中間半導体領域２６、アノード領域３２及び低濃度部分領域３２を含むシリコン基板の表面に形成されている。
平面視したときに、高濃度部分領域３４が形成されている範囲は、絶縁膜４２が形成されている範囲に重複している。高濃度部分領域３４の表面は、絶縁膜４２によって完全に被覆されている。例えば、平面視したときに、高濃度部分領域３４がストライプ状に形成されていれば、絶縁膜４２もストライプ状に形成されており、絶縁膜４２の幅は高濃度部分領域３４の幅よりも大きく形成されている。したがって、絶縁膜４２は、高濃度部分領域３４とアノード電極４４が直接的に接するのを完全に防止している。絶縁膜４２とそれに隣接する絶縁膜４２の間には、低濃度部分領域３２が露出している。アノード電極４４は、その露出している低濃度部分領域３２に直接的に接している。
【００１８】
次に、ダイオード１０の動作を説明する。
図２に、ダイオード１０の高濃度部分領域３４近傍の拡大要部断面図を模式的に示す。図２は、ダイオード１０の高濃度部分領域３４近傍において、順バイアスが印加されているときの状態を模式的に表している。比較のために、図１６に、従来のダイオード１０３（図１５の要部拡大図）のアノード領域２３４近傍の拡大要部断面図を模式的に示す。図１６は、従来のダイオード１０３のアノード領域２３４近傍において、順バイアスが印加されているときの状態を模式的に表している。
図１６に示すように、従来のダイオード１０３では、アノード領域２３４とアノード電極１４４が直接的に接している。このため、順バイアス時のアノード領域２３４の電位は、アノード電極１４４の電位まで上昇する。このため、多量の正孔がアノード領域２３３４から供給され、多量の正孔がダイオード１０３内に蓄積される。したがって、順バイアスから逆バイアスに切り替わる過渡的な期間において、蓄積していた多量の正孔に起因する逆回復電流が流れ、損失の増大やサージ電圧の上昇を引き起こす。
一方、図２に示すように、本実施例のダイオード１０では、高濃度部分領域３４とアノード電極４４が直接的に接していない。高濃度部分領域３４とアノード電極４４は、低濃度部分領域３２を介して接している。このため、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間には、低濃度部分領域３２の抵抗成分が等価的に設けられていると評価できる。これにより、順バイアス時の高濃度部分領域３４の電位は、アノード電極４４に印加される電位から低濃度部分領域３２の電圧降下分を減じた大きさになる。したがって、高濃度部分領域３４からの正孔の供給が減少し、ダイオード１０内に蓄積する正孔の蓄積量が減少する。正孔の蓄積量が減少すると、順バイアスから逆バイアスに切り替わる過渡的な期間において、逆回復電流が流れる時間が短くなり、損失が低減される。さらに、逆回復電流が緩慢に流れるので、ソフトリカバリー効果も得られ、サージ電圧の増加も抑制される。
【００１９】
図３に、変形例のダイオード１２の要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１２では、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間にｎ＋型のｎ型半導体領域４６（第４半導体領域の一例）が形成されている。ｎ型半導体領域４６には、リンが高濃度に導入された多結晶シリコンが用いられている。ｎ型半導体領域４６は、図１の絶縁膜４２に置換して形成されている。
ダイオード１２では、高濃度部分領域３４とｎ型半導体領域４６によってｐｎ接合が構成されている。このｐｎ接合は、順バイアスが印加されているときに、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間の一部を電気的に絶縁している。即ち、ｎ型半導体領域４６は、高濃度部分領域３４とアノード電極４６の間の一部を絶縁している。
さらに、図３に示すように、ｎ型半導体領域４６は、順バイアスが印加されているときに、電流に対して抵抗値の小さい通過経路を提供することもできる。ｎ型半導体領域４６はｎ型の不純物を高濃度に含んでおり、アノード電極４４との間の接触抵抗が小さい。したがって、ｎ型半導体領域４６が設けられていると、ダイオード１２のオン抵抗を低減することができる。
ｎ型半導体領域４６は、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間の一部を電気的に絶縁する役割に加えて、ダイオード１２のオン抵抗を小さくする役割も備えている。
【００２０】
図４に、変形例のダイオード１４の要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１４では、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間にｎ＋型のｎ型拡散半導体領域４８（第４半導体領域の一例）が形成されている。ｎ型拡散半導体領域４８は、ｎ型の不純物をイオン注入することによって形成される。後の製造方法で説明するが、ｎ型拡散半導体領域４８は、他の半導体領域を形成する工程と共通化することができる。したがって、ｎ型拡散半導体領域４８を形成するための専用の工程を追加することなく形成できるという利点を有する。ｎ型拡散半導体領域４８の作用効果は、図３のｎ型半導体領域４６と実質的に同一である。即ち、ｎ型拡散半導体領域４８は、高濃度部分領域３４とアノード電極４４の間の一部を電気的に絶縁する役割に加えて、ダイオード１３のオン抵抗を小さくする役割も備えている。
【００２１】
図５に、変形例のダイオード１６の要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１６では、埋設高濃度部分領域４９が低濃度部分領域３２内に形成されている。埋設高濃度部分領域４９とアノード電極４４は、低濃度部分領域３２によって隔てられている。
埋設高濃度部分領域４９とアノード電極４４は、直接的には接していない。埋設高濃度部分領域４９とアノード電極４４は、低濃度部分領域３２を介して電気的に接続している。このため、埋設高濃度部分領域４９とアノード電極４４の間には、低濃度部分領域３２の抵抗成分が等価的に設けられていると評価できる。これにより、順バイアス時の埋設高濃度部分領域４９の電位は、アノード電極４４に印加される電位から低濃度部分領域３２の電圧降下分を減じた大きさになる。したがって、埋設高濃度部分領域４９からの正孔の供給が減少し、ダイオード１６内に蓄積する正孔の蓄積量が減少する。正孔の蓄積量が減少すると、順バイアスから逆バイアスに切り替わる過渡的な期間において、逆回復電流が流れる時間が短くなり、損失が低減される。さらに、逆回復電流が緩慢に流れるので、ソフトリカバリー効果も得られ、サージ電圧の増加も抑制される。
【００２２】
（ダイオード１０の製造方法）
図６〜１１を参照して、図１に示すダイオード１０の製造方法を説明する。以下に説明する製造方法では、終端耐圧確保領域を含めたダイオード１０の製造方法を説明する。終端耐圧確保領域とは、図１に示すダイオード１０の高濃度部分領域３４群及び低濃度部分領域３２が存在するアノード領域３０の範囲（アクティブ領域ともいう）の周囲を一巡して形成されている領域である。終端耐圧確保領域は、アクティブ領域から側方に向けて空乏層を伸展させ、ダイオード１０の耐圧を向上させるための領域である。以下の例の終端耐圧確保領域は、複数のガードリング３６と等電位半導体領域３８（第５半導体領域の一例）を備えている。ガードリング３６は、アクティブ領域から伸展してくる空乏層をさらに側方に向けて伸展させる役割を担っている。等電位半導体領域３８は、その空乏層が終端耐圧確保領域よりもさらに側方に伸展するのを防止するための役割を担っている。終端耐圧確保領域には、これらの構造以外の半導体領域が形成されていることもある。
【００２３】
まず、図６に示すように、ｎ＋型のカソード領域２４とｎ−型の中間半導体領域２６が積層した構造を有するウェーハ（ＦＺ、ＣＺ、ＭＣＺ）を用意する。中間半導体領域２６の比抵抗は６０Ωｃｍであり、その厚みは７０μｍである。
【００２４】
次に、そのウェーハの表面にフィールド酸化膜６２を形成した後に、ガードリング領域（後に、ガードリング３６が形成される範囲）、アクティブ領域（後に、高濃度部分領域３４群及び低濃度部分領域３２が形成される範囲）及び等電位領域（後に、等電位半導体領域３８が形成される範囲）に対応する部分に開孔を形成する。その開孔には、インプラ時のチャネリングを防止するために、厚みが５０ｎｍ程度の酸化膜が形成される（図示しない）。
次に、ガードリング領域に対応する部分に開孔を有するレジスト膜５２を形成する。イオン注入技術を利用して、そのレジスト膜５２の開孔からウェーハの表面に向けてボロンを導入する。このときの注入深さは４μｍであり、表面濃度は１×１０１８ｃｍ-3に調整されている。ボロンを導入した後に熱処理を実施し、導入したボロンを活性化させ、複数のガードリング３６を形成する。平面視したときに、ガードリング３６は、アクティブ領域の周囲を一巡している。ガードリング３６を形成した後に、レジスト膜５２は除去される。
【００２５】
次に、図７に示すように、低濃度部分領域３２に対応する部分に開孔を有するレジスト膜５４を形成する。次に、イオン注入技術を利用して、そのレジスト膜５４の開孔からウェーハの表面に向けてボロンを導入する。このときの注入深さは１．５μｍであり、表面濃度は１×１０１７ｃｍ-3に調整されている。ボロンを導入した後に熱処理を実施し、導入したボロンを活性化させ、低濃度部分領域３２を形成する。低濃度部分領域３２を形成した後に、レジスト膜５４は除去される。
【００２６】
次に、図８に示すように、高濃度部分領域３４に対応する部分に開孔を有するレジスト膜５７を形成する。次に、イオン注入技術を利用して、そのレジスト膜５７の開孔からウェーハの表面に向けてボロンを導入する。このときの注入深さは０．８μｍであり、表面濃度は１×１０１９ｃｍ-3に調整されている。ボロンを導入した後に熱処理を実施し、導入したボロンを活性化させ、複数の高濃度部分領域３４を形成する。複数の高濃度部分領域３４を形成した後に、レジスト膜５７は除去される。
【００２７】
次に、図９に示すように、等電位半導体領域３８に対応する部分に開孔を有するレジスト膜５８を形成する。次に、イオン注入技術を利用して、そのレジスト膜５８の開孔からウェーハの表面に向けてリンを導入する。このときの注入深さは０．５μｍであり、表面濃度は１×１０１７ｃｍ-3に調整されている。リンを導入した後に熱処理を実施し、導入したリンを活性化させ、等電位半導体領域３８を形成する。同電位半導体領域３８を形成した後に、レジスト膜５８は除去される。
【００２８】
次に、図１０に示すように、ウェーハの表面にシリコン酸化膜を形成した後に、高濃度部分領域３４の表面を覆う範囲のシリコン酸化膜を残すようにパターニングし、絶縁膜４２を形成する。
次に、必要に応じて荷電粒子の照射及び熱処理を利用して、ライフタイムを制御するための欠陥を所望の位置に形成してもよい。
次に、図１１に示すように、ウェーハの表面にアルミニウムを蒸着し、アノード電極４４を形成する。ウェーハの裏面にアルミニウムとチタンとニッケルを蒸着し、カソード電極２２を形成する。これらの工程を経て、図１に示すダイオード１０を製造することができる。
【００２９】
なお、図３に示すダイオード１２を製造する場合は、図１０に示すシリコン酸化膜を形成する工程に代えて、リンを高濃度にドープした多結晶シリコン膜を形成する工程を実施する。他は同一の工程を利用することによって、図３に示すダイオード１２を製造することができる。
【００３０】
図４に示すダイオード１４を製造する場合は、等電位半導体領域３８とｎ型半導体領域４８を同時に作成することができる。その製造過程を図１２に示す。図１２に示す製造過程は、図９に示す製造過程に対応している。
図１２に示すように、等電位半導体領域５９とｎ型半導体領域４８に対応する部分に開孔を有するレジスト膜１５８を形成する。次に、イオン注入技術を利用して、そのレジスト膜１５８の開孔からウェーハの表面に向けてボロンを導入する。ボロンを導入した後に熱処理を実施し、導入したボロンを活性化させ、等電位半導体領域５９とｎ型半導体領域４８を同時に形成する。
等電位半導体領域５９とｎ型半導体領域４８を同時に形成することによって、別個に製造する場合に比して工程数を削減することができる。上記の製造方法を利用すれば、ダイオード１４を低コストで製造することができる。
【００３１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施例のダイオードの要部断面図を模式的に示す。
【図２】実施例のダイオードの拡大要部断面図を模式的に示す。
【図３】変形例のダイオードの拡大要部断面図を模式的に示す。
【図４】変形例のダイオードの拡大要部断面図を模式的に示す。
【図５】変形例のダイオードの拡大要部断面図を模式的に示す。
【図６】実施例のダイオードの製造過程を示す（１）。
【図７】実施例のダイオードの製造過程を示す（２）。
【図８】実施例のダイオードの製造過程を示す（３）。
【図９】実施例のダイオードの製造過程を示す（４）。
【図１０】実施例のダイオードの製造過程を示す（５）。
【図１１】実施例のダイオードの製造過程を示す（６）。
【図１２】変形例のダイオードの製造過程を示す。
【図１３】従来のダイオードの一例の要部断面図を模式的に示す。
【図１４】従来のダイオードの一例の要部断面図を模式的に示す。
【図１５】従来のダイオードの一例の要部断面図を模式的に示す。
【図１６】従来のダイオードの一例の拡大要部断面図を模式的に示す。
【符号の説明】
【００３３】
２２：カソード電極
２４：カソード領域
２６：中間半導体領域
３０：アノード領域
３２：低濃度部分領域
３４：高濃度部分領域
３６：ガードリング
３８：等電位半導体領域
４２：絶縁膜
４４：アノード電極
４６：ｎ型半導体領域
４８：ｎ型拡散半導体領域
４９：埋設高濃度部分領域
【図１】
2007324428.tif 000003
【図２】
2007324428.tif 000004
【図３】
2007324428.tif 000005
【図４】
2007324428.tif 000006
【図５】
2007324428.tif 000007
【図６】
2007324428.tif 000008
【図７】
2007324428.tif 000009
【図８】
2007324428.tif 000010
【図９】
2007324428.tif 000011
【図１０】
2007324428.tif 000012
【図１１】
2007324428.tif 000013
【図１２】
2007324428.tif 000014
【図１３】
2007324428.tif 000015
【図１４】
2007324428.tif 000016
【図１５】
2007324428.tif 000017
【図１６】
2007324428.tif 000018