(57)【要約】  【課題】リード部品搭載基板のスルーホール内に内圧をかけながらはんだ付けをする場合の過剰の溶融はんだによるはんだ付け不良を解決できるはんだ付け方法を提供する。  【解決手段】（ａ）１次はんだ付け工程では、リード部品搭載基板２を下降させ、その裏面をノズル52の上端開口縁に近接または密着させる。同時に、ノズル52に供給する溶融はんだＳaのはんだ面を上昇させることで、リード部品搭載基板２のスルーホール４内に、ノズル52より供給した溶融はんだの供給圧を作用させる。（ｂ）２次はんだ付け工程では、溶融はんだＳbのはんだ面を下降させることで、このはんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に離間させ、かつリード５のみをノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面中に一定時間以上浸漬させる。（ｃ）リード離脱工程では、リード部品搭載基板２を傾斜させつつ上昇させることで、ノズル52の溶融はんだ面から離脱させる。  【選択図】図１
2007073786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側にリード部品を搭載したリード部品搭載基板の裏面側からリード挿通用のスルーホール内に、ノズルより供給された溶融はんだの供給圧を作用させる１次はんだ付け工程と、
ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に離間させ、かつリード部品搭載基板のスルーホールから突出したリードのみをノズルのはんだ面中に一定時間以上浸漬させる２次はんだ付け工程と、
ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板のリードを相対的に離脱させるリード離脱工程と
を具備したことを特徴とするはんだ付け方法。
【請求項２】
２次はんだ付け工程は、
ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に徐々に離間させることでリード部品搭載基板の裏面とリードとの間にはんだフィレットを作成するフィレット作成工程と、
ノズルのはんだ面とリード部品搭載基板の裏面との離間位置を固定してリードのみを溶融はんだ中に浸漬させる仕上げ工程と
を具備したことを特徴とする請求項１記載のはんだ付け方法。
【請求項３】
リード離脱工程は、
リード部品搭載基板のリードを傾けながら、ノズルのはんだ面からリードを相対的に離脱させる
ことを特徴とする請求項１または２記載のはんだ付け方法。
【請求項４】
１次はんだ付け工程の直前にノズルから溶融はんだをオーバフローさせるオーバフロー工程
を具備したことを特徴とする請求項１記載のはんだ付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズルから供給された溶融はんだによりリード部品搭載基板をはんだ付けするはんだ付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面側にリード部品を搭載したリード部品搭載基板を移送する基板移送手段がリード部品搭載基板の移送を停止する位置に、溶融はんだを収容した槽体を設け、この槽体に設けられたポンプにより、槽体に取付けられた局所的なノズルに槽体内の溶融はんだを供給し、このノズルの上面開口より噴流する溶融はんだのはんだ面により、リード部品搭載基板のスルーホールから基板裏面側に突出したリード部品のリードを基板面のランドにはんだ付けする局所はんだ付け装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような局所はんだ付け装置では、ノズルより噴流する溶融はんだのはんだ面を図９に実線Ａsで示されるように上昇させるとともに、リード部品搭載基板を図９に２点鎖線Ａpで示されるように下降させ、そして、実線Ｂsと２点鎖線Ｂpで示されるようにはんだ面レベルと基板面レベルとを一定に保ちながら、基板裏面に突出されたリードを基板面ランドにはんだ付けし、はんだ付け後は、ノズルのはんだ面を図９に実線Ｃsで示されるように下降させるとともに、リード部品搭載基板を図９に２点鎖線Ｃpで示されるように上昇させる。
【０００４】
このような局所はんだ付けが適切になされると、図６に示されるようにリード部品１を搭載したプリント配線基板すなわちリード部品搭載基板２の裏面ランド３から、リード部品搭載基板２に穿設されたスルーホール４に挿入されたリード５を経てリード部品搭載基板２の表面ランド６まで溶融はんだが濡れ上がり、リード５と裏面ランド３との間に適切量のはんだフィレット７が形成されるとともに、リード５と表面ランド６との間に適切量のはんだフィレット８が形成される。
【０００５】
しかしながら、局所はんだ付け前のフラックス塗布において、スプレーフラクサは、リード部品搭載基板２の裏面側からフラックスを塗布するため、フラックスは、リード部品搭載基板２の裏面ランド３、スルーホール４内、このスルーホール４内に挿入されたリード５には塗布されるが、上記基板２の表面ランド６には殆ど塗布されない。
【０００６】
このため、図７に示されるように、溶融はんだがリード部品搭載基板２の表面ランド６まで十分に供給されず、表面ランド６に濡れ広がることがないため、図６に示された表面側のはんだフィレット８が形成され難いはんだ付け不良、すなわちスルーホール未上がり現象が発生する。特に、リード部品１が熱引き性の高い場合や、はんだ材が鉛フリーはんだなどの融点が高い場合は、その傾向が顕著である。
【０００７】
一方、ノズルをリード部品搭載基板２の裏面に密着させて、溶融はんだ面を十分に上昇させることで、リード部品搭載基板２のスルーホール４に内圧をかけると、図８に示されるようにリード５の濡れ上がりによりリード部品搭載基板２の表面ランド６にも、はんだフィレット８を形成させることができる。
【０００８】
このように、リード部品搭載基板２のスルーホール４内に内圧をかけることで、例えば、熱引き性の高い製品でも、リード部品搭載基板２の表面ランド６まで溶融はんだを上げることができ、また、鉛フリーはんだなどの融点が高いはんだ材でも比較的低い温度域で、リード部品搭載基板２の表面ランド６まで溶融はんだを上げることができ、リード部品搭載基板２の表面ランド６にも、はんだフィレット８を形成させることができる。
【特許文献１】特開平１１−２８５６４号公報（第３−４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、溶融はんだ面を上昇させてリード部品搭載基板２のスルーホール４内に内圧をかける場合は、裏面ランド３側に過剰の溶融はんだによる問題が発生する。
【００１０】
例えば、溶融はんだ面から基板搭載部品のリード５を離脱させるリリース動作時に、裏面ランド３側でのはんだ切れが悪くなり、複数のリード間にわたってはんだフィレットが形成される、所謂ブリッジが発生しやすい。また、フラックスの塗布具合によっては、図９に実線Ｂsで示されるように上昇された高いはんだ面のまま、はんだ浸漬時間が長い場合は、図８に示されるようにリード部品搭載基板２の裏面ランド３に、所謂いもはんだフィレット7aが形成されやすいという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、リード部品搭載基板のスルーホール内に内圧をかけながらはんだ付けをする場合の過剰の溶融はんだによるはんだ付け不良を解決できるはんだ付け方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１記載の発明は、表面側にリード部品を搭載したリード部品搭載基板の裏面側からリード挿通用のスルーホール内に、ノズルより供給された溶融はんだの供給圧を作用させる１次はんだ付け工程と、ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に離間させ、かつリード部品搭載基板のスルーホールから突出したリードのみをノズルのはんだ面中に一定時間以上浸漬させる２次はんだ付け工程と、ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板のリードを相対的に離脱させるリード離脱工程とを具備したはんだ付け方法である。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のはんだ付け方法における２次はんだ付け工程が、ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に徐々に離間させることでリード部品搭載基板の裏面とリードとの間にはんだフィレットを作成するフィレット作成工程と、ノズルのはんだ面とリード部品搭載基板の裏面との離間位置を固定してリードのみを溶融はんだ中に浸漬させる仕上げ工程とを具備したはんだ付け方法である。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載のはんだ付け方法におけるリード離脱工程が、リード部品搭載基板のリードを傾けながら、ノズルのはんだ面からリードを相対的に離脱させるはんだ付け方法である。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のはんだ付け方法における１次はんだ付け工程の直前に、ノズルから溶融はんだをオーバフローさせるオーバフロー工程を具備したはんだ付け方法である。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、１次はんだ付け工程では、ノズルからの溶融はんだの供給圧により、リード部品搭載基板のスルーホールに内圧をかけることで、リードの濡れ上がりによる基板の表面側へのはんだ上がりにより、基板表面側のはんだフィレットを確実に形成できるとともに、２次はんだ付け工程では、ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に離間させた状態で、リード部品搭載基板のリードのみをノズルのはんだ面中に一定時間以上浸漬させることで、基板裏面側のはんだフィレットを適切な溶融はんだ量により形成でき、複数リード間のはんだブリッジ、基板裏面側のいもはんだフィレットなどのはんだ付け不良を抑制できる。
【００１７】
請求項２記載の発明によれば、フィレット作成工程では、ノズルのはんだ面からリード部品搭載基板の裏面を相対的に徐々に離間させることで、適切な形状のはんだフィレットを形成できるとともに、仕上げ工程では、ノズルのはんだ面とリード部品搭載基板の裏面との離間位置を固定することで、リードのみに適量の溶融はんだを浸透させて、リード先端からはんだが垂れ下がるツララなどのはんだ付け不良を効果的に抑制できる。
【００１８】
請求項３記載の発明によれば、リード離脱工程では、リードを傾けながらノズルのはんだ面から相対的に離脱させるので、リード先端面のはんだ面からの離脱を円滑に行なうことができ、リード間のはんだブリッジ、いもはんだフィレット、リード先端のツララなどのはんだ付け不良を抑制できる。
【００１９】
請求項４記載の発明によれば、オーバフロー工程によりノズルから溶融はんだをオーバフローさせて、ノズルのはんだ面より酸化物を取り除いてから、１次はんだ付け工程に入るので、酸化物によるはんだ付け不良を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を、図１および図２に示された一実施の形態、図３および図４に示された他の実施の形態、図５に示されたさらに別の実施の形態を参照しながら詳細に説明する。なお、図２に示された局所はんだ付け装置は、図３または図５に示された実施の形態にも用いることとする。
【００２１】
図２に示されるように、局所のはんだ付け装置は、表面側にリード部品１を搭載したリード部品搭載基板２を保持して傾動および昇降する基板昇降機構13と、溶融はんだを局所的に供給可能なはんだ槽14とを備えている。
【００２２】
基板昇降機構13は、本体フレーム15に取付板16を介してモータおよび減速器などのモータユニット17が取付けられ、取付板16上には、昇降フレーム支持体18が立設され、モータユニット17により回転されるボールねじなどの送りねじ19が回転自在に設けられ、この送りねじ19と平行に昇降フレーム支持体18にガイドレール21が設けられている。
【００２３】
ガイドレール21には昇降フレーム22のスライド部23が昇降自在に嵌合され、昇降フレーム22に取付板24を介して取付けられた雌ねじ部25が、上記送りねじ19に螺合され、この送りねじ19をモータユニット17で正逆いずれかの方向に回転させることで、昇降フレーム22を上昇または下降させるように構成されている。昇降フレーム22の上面および下面に対向して上下部のストッパ26，27が配置されている。
【００２４】
昇降フレーム22の基端部上には、モータおよび減速器などのモータユニット31が取付けられ、このモータユニット31により正逆いずれかの方向に回転されるボールねじなどの送りねじ32が回転自在に設けられ、この送りねじ32に雌ねじ部33を螺合して昇降可能とした係止板34が設けられ、この係止板34により傾動枠35の一側部に設けられた被係止部36が係止されている。傾動枠35の他側部は、昇降フレーム22の先端部によりヒンジなどを介して回動自在に支持されている。
【００２５】
傾動枠35には、一側部に固定支持板37が取付けられ、また、この固定支持板37に対し基板幅に応じて送りねじ38により進退可能に設けられた可動支持板39が取付けられ、これらの固定支持板37および可動支持板39によりリード部品搭載基板２が把持されている。
【００２６】
局所はんだ付け用のはんだ槽14は、リード部品搭載基板２に供給される溶融はんだＳを収容するはんだ槽本体41内に、はんだ溶解ヒータ42が設置され、はんだ槽本体41の一側および他側に電磁誘導ポンプ43がそれぞれ設置されている。
【００２７】
各電磁誘導ポンプ43は、はんだ槽本体41の外部に、１次鉄心に巻回された誘導コイル44が上下方向に設置され、一方、はんだ槽本体41の内部に、はんだ上昇通路45を介して２次鉄心46が上下方向に設置され、はんだ上昇通路45の下端部に吸込口47が、上端部に吐出口48がそれぞれ開口されている。
【００２８】
各電磁誘導ポンプ43の吐出口48には箱形のノズル基体51が嵌着され、このノズル基体51上には、リード部品１の配列などに対応する複数のノズル52が上方に突出されている。複数のノズル52は、複数の電磁誘導ポンプ43に対応して設けられ、これらのポンプ43により個別に設定された波高のはんだ面をそれぞれ得ることができる。
【００２９】
ノズル基体51およびノズル52は、吐出口48に対して着脱自在に設けられ、押え板53を介してクランプ機構54により固定されるので、リード部品搭載基板２のリード部品１に応じて交換することができる。
【００３０】
そして、電磁誘導ポンプ43は、その誘導コイル44に３相交流などの位相のずれた電流を供給することにより、はんだ上昇通路45内に移動磁界を生じさせ、はんだ上昇通路45内にある導電性の溶融はんだに電磁誘導による上方への推力を発生させ、吐出口48より溶融はんだを吐出させ、ノズル52の上端開口に溶融はんだを供給し、ノズル52上で溶融はんだのはんだ面を上昇させたり、オーバフロー噴流させる。このノズル52のはんだ面または噴流はんだ面の高さは、電磁誘導ポンプ43の誘導コイル44に供給される電源周波数を制御することで調整する。
【００３１】
次に、この図２に示された局所はんだ付け装置を用いた局所はんだ付け方法を、図１を参照しながら説明する。
【００３２】
図１（ａ）に示された１次はんだ付け工程と、図１（ｂ）に示された２次はんだ付け工程と、図１（ｃ）に示されたリード離脱工程とを、同一のノズル52と同一のリード部品搭載基板２との相対的動作により、連続的に行なう。
【００３３】
図１（ａ）に示された１次はんだ付け工程では、モータユニット31により送りねじ32を回転させて係止板34を下降させることで、表面側にリード部品１を搭載したリード部品搭載基板２を水平にしつつ、モータユニット17により送りねじ19を回転させて昇降フレーム22を下降させて、リード部品搭載基板２を水平に下降させることで、このリード部品搭載基板２の裏面をノズル52の上端開口縁に近接または密着させる。
【００３４】
同時に、電磁誘導ポンプ43の電源周波数を制御して、ノズル52の上端開口に供給される溶融はんだＳaのはんだ面を上昇させることで、リード部品搭載基板２の裏面側からリード挿通用のスルーホール４内に、ノズル52より供給された溶融はんだの供給圧を作用させる。この状態は、数秒間、維持する。
【００３５】
これにより、図６に示されるようにスルーホール４を経てリード部品搭載基板２の表面ランド６まで溶融はんだが濡れ上がり、リード５と表面ランド６との間に適切量のはんだフィレット８が形成される。
【００３６】
図１（ｂ）に示された２次はんだ付け工程では、電磁誘導ポンプ43の電源周波数を制御して、ノズル52の上端開口に供給される溶融はんだＳbのはんだ面を下降させることで、このはんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に離間させ、かつリード部品搭載基板２のスルーホール４から突出したリード５のみをノズル52の溶融はんだＳb中に一定時間以上浸漬させる。このリード浸漬状態は、数秒間、維持する。
【００３７】
これにより、図６に示されるようにリード部品搭載基板２の裏面ランド３とリード５との間に適切はんだ量のはんだフィレット７が形成される。
【００３８】
図１（ｃ）に示されたリード離脱工程では、モータユニット31により送りねじ32を（ａ）の場合とは逆方向に回転させて係止板34を上昇させることで、リード部品搭載基板２を傾斜させつつ、モータユニット17により送りねじ19を（ａ）の場合とは逆方向に回転させて昇降フレーム22を上昇させることで、リード部品搭載基板２を傾斜状態で上昇させる。これにより、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ波高を維持したまま、リード部品搭載基板２を傾斜させながら、そのリード５をノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面から離脱させる。
【００３９】
次に、この図１に示された実施の形態の効果を説明する。
【００４０】
図１（ａ）に示された１次はんだ付け工程では、ノズル52からの溶融はんだＳaの供給圧により、リード部品搭載基板２のスルーホール４に内圧をかけることで、リード５の濡れ上がりによる基板表面側へのはんだ上がりを促進させて、基板表面側のはんだフィレット８を確実に形成できる。
【００４１】
図１（ｂ）に示された２次はんだ付け工程では、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に離間させた状態で、リード部品搭載基板２のリード５のみをノズル52の溶融はんだＳb中に一定時間以上浸漬させることで、リード部品搭載基板２の裏面に付着した余分なはんだ量を溶融はんだＳbのはんだ面に戻し、基板裏面側のはんだフィレット７を適切な溶融はんだ量により形成できるため、複数リード５間のはんだブリッジ、基板裏面側のいもはんだフィレット7a（図８）などのはんだ付け不良を抑制できる。
【００４２】
図１（ｃ）に示されたリード離脱工程では、リード５を傾けながらノズル52のはんだ面から相対的に離脱させるので、リード先端面をはんだ面から円滑に離脱させることができ、リード間のはんだブリッジ、いもはんだフィレット7a、リード先端のツララなどのはんだ付け不良を抑制できる。
【００４３】
このように、１次はんだ付け工程でリード部品搭載基板２のスルーホール４に内圧をかけることで基板表面側のはんだフィレット８を形成してしまえば、高いはんだ波は、基板裏面側のはんだフィレット７の形成時に不具合をもたらすので、低いはんだ波による２次はんだ付け工程を設けることで、１次はんだ付け工程のデメリットを改善し、基板裏面側に正常なはんだフィレット７を形成できる。
【００４４】
特に、スムーズなリード離脱動作を実現するために、リード部品搭載基板２を傾斜状態にして溶融はんだ面から離脱させるとき、離脱速度が遅い設定の場合は、高位置にあるリードの離脱開始と低位置にあるリードの離脱終了との時間差が大きくなるので、離脱終了までのはんだ浸漬時間が長い低位置のリードでは、はんだの上がりすぎにより、いもはんだフィレット7a（図８）などのはんだ付け不良が発生しやすいが、低いはんだ波による２次はんだ付け工程を設けることで、はんだの上がりすぎを防止して、このようなはんだ付け不良を抑えることができる。
【００４５】
同様に、リード部品搭載基板２の傾斜角が小さくリードピッチが狭い場合も、はんだブリッジを大幅に低減でき、正常なはんだフィレット７を形成できる。
【００４６】
次に、図３は、局所はんだ付け方法の他の実施の形態を、基板面およびノズルはんだ面の高さ位置の経時的変化を示すグラフで表わしたもので、１次はんだ付け工程ａまでは、図１（ａ）に示された１次はんだ付け工程と同様であるから、その説明は省略する。
【００４７】
図３に示された２次はんだ付け工程ｂは、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に徐々に離間させることでリード部品搭載基板２の裏面とリード５との間にはんだフィレット７を作成するフィレット作成工程ｂ1と、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面とリード部品搭載基板２の裏面との離間位置を固定してリード５のみを溶融はんだＳb中に浸漬させる仕上げ工程ｂ2とを具備している。
【００４８】
また、リード離脱工程ｃでは、リード部品搭載基板２を上昇させると同時に、ノズル52内の溶融はんだ面を下降させて、そのリード５をノズル52内の溶融はんだ面から離脱させる。
【００４９】
図４は、図３に示された局所はんだ付け方法を示すフローチャートである。なお、このフローチャート中の丸数字は、ステップ番号を示す。
【００５０】
（ステップ１）
基板昇降機構13により、リード部品搭載基板２を水平に下降させると同時に、電磁誘導ポンプ43の周波数制御によりノズル52内の溶融はんだ面を上昇させる。
【００５１】
（ステップ２）
リード部品搭載基板２の裏面をノズル52の上端開口縁に近接または密着させ、ノズル52から噴出した溶融はんだＳaをリード部品搭載基板２の裏面に接触させ、はんだ付けを開始する。このはんだ付けでは、溶融はんだＳaのはんだ面を上昇させることで、リード挿通用のスルーホール４内に、ノズル52より加圧供給された溶融はんだＳaの供給圧を作用させ、スルーホール４内でのリード５の濡れ上がりによる基板表面側へのはんだ上がりにより、表面のはんだフィレット８を確実に形成する。
【００５２】
（ステップ３）
電磁誘導ポンプ43の周波数制御によりノズル52から噴出した溶融はんだ面を徐々に下げることで、リード部品搭載基板２の裏面から溶融はんだＳbのはんだ面をゆっくり離すことで、裏面のはんだフィレット７を確実に形成する。
【００５３】
（ステップ４）
電磁誘導ポンプ43の電源周波数を一定に保って、リード部品搭載基板２の裏面から溶融はんだＳbのはんだ面を数mm離して固定し、リード５の先端部のみが溶融はんだＳbに接触している状態を数秒間維持する。
【００５４】
（ステップ５）
基板昇降機構13により、リード部品搭載基板２を傾斜させながら上昇させると同時に、電磁誘導ポンプ43の電源周波数を０Hzまで下げて、ノズル52内の溶融はんだ面をはんだ槽内はんだ面レベルまで下降させ、この動作中に、リード５をノズル52内の溶融はんだ面から離脱させる。
【００５５】
そして、この図３および図４に示された実施の形態によれば、図１に示された実施の形態の効果に加えて、２次はんだ付け工程ｂにおけるフィレット作成工程ｂ1では、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に徐々に離間させることで、適切な形状のはんだフィレット７を形成できるとともに、仕上げ工程ｂ2では、ノズル52の溶融はんだＳbのはんだ面とリード部品搭載基板２の裏面との離間位置を固定することで、リード５のみに適量の溶融はんだを浸透させて、リード先端からはんだが垂れ下がるツララなどのはんだ付け不良を効果的に抑制できる。
【００５６】
次に、図５に基づいて局所はんだ付け方法のさらに別の実施の形態を説明する。
【００５７】
図５に示された局所はんだ付け方法は、最初は、複数の電磁誘導ポンプ43を一括設定して、待機状態のポンプ運転であるジョグ運転をしており、ノズル52から溶融はんだが噴出しない程度に溶融はんだを加圧供給して、ノズル52や溶融はんだの温度を維持する。
【００５８】
そして、はんだ付けを開始するに当って、複数の電磁誘導ポンプ43を一括制御してノズル52の上端開口より噴出する溶融はんだの高さを最大に制御して、ノズル52の上端開口より溶融はんだをオーバフロー噴流させるオーバフロー工程の運転すなわちオーバフロー運転をする。このオーバフロー運転は、ノズル52内の酸化物を取り除くための噴流運転である。
【００５９】
このオーバフロー運転の後に、リード部品搭載基板２の裏面側からスルーホール４内に、ノズル52より供給された溶融はんだの供給圧を作用させる１次はんだ付け工程の運転すなわち１次はんだ付け運転をする。要するに、この１次はんだ付け運転は、リード部品搭載基板２のスルーホール４内に内圧をかけるための高い１次はんだ面を得るポンプ運転であり、ノズル52毎に複数の電磁誘導ポンプ43を個別に設定する。
【００６０】
この１次はんだ付け運転に続いて、ノズル52から噴出される溶融はんだのはんだ面を下げることで、１次はんだ面より低い２次はんだ面からリード部品搭載基板２の裏面を相対的に離間させ、かつリード部品搭載基板２のスルーホール４から突出したリード５のみをノズル52内の２次はんだ面中に一定時間以上浸漬させる２次はんだ付け工程の運転すなわち２次はんだ付け運転をする。要するに、この２次はんだ付け運転は、はんだ離脱時に１次はんだ面より低い２次はんだ面を得られるようにするポンプ運転であり、複数の電磁誘導ポンプ43を一括で制御する。
【００６１】
この２次はんだ付け運転を一定時間継続した後は、ノズル52の２次はんだ面からリード部品搭載基板２のリード５を相対的に離脱させるリード離脱工程に移り、電磁誘導ポンプ43の電源周波数を制御して、はんだ波高を下げ、最後は、０Hzに制御して、電磁誘導ポンプ43のポンプ作動を停止させることで、ノズル内溶融はんだ面を、はんだ槽本体41内のはんだ面レベルまで下げて、噴流サイクルを終了させる。
【００６２】
このように、１次はんだ付け工程の直前に、ノズル52から溶融はんだをオーバフローさせるオーバフロー工程を設け、このオーバフロー工程により、ノズル52から流出する溶融はんだと共にノズル52のはんだ面より酸化物を取り除いてから、１次はんだ付け工程に入るので、酸化物によるはんだ付け不良を抑制できる。
【００６３】
そして、２次はんだ付け運転を採用した場合と、採用しない場合とを比較すると、ブリッジ不良率が、２次はんだ付け運転を採用しない場合は１０%〜２０%であるのに対して、２次はんだ付け運転を採用した場合は０．５%〜０．７%まで低下する実績値が得られた。
【００６４】
なお、図示された実施の形態では、リード部品搭載基板２を昇降させるようにしているが、リード部品搭載基板２を定レベルに維持したまま、はんだ槽14またはノズル52の方を昇降駆動しても良い。
【００６５】
また、２次はんだ付け工程ｂでは、要するにリード５のみをノズル52内のはんだ面中に一定時間以上浸漬させることができれば、仕上げ工程ｂ2で、あるいは２次はんだ付け運転で、はんだ面または基板面の高さが変化しても良い。
【００６６】
さらに、本発明は、局所はんだ付けに用いると特に効果的であるが、局所はんだ付けに限定されるものではなく、通常の噴流式はんだ付けにも利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係るはんだ付け方法の一実施の形態を示す工程図であり、（ａ）は１次はんだ付け工程を示すノズルおよび基板の正面図、（ｂ）は２次はんだ付け工程を示すノズルおよび基板の正面図、（ｃ）はリード離脱工程を示すノズルおよび基板の正面図である。
【図２】同上はんだ付け方法を実施するためのはんだ付け装置の一例を示す一部切欠の正面図である。
【図３】本発明に係るはんだ付け方法の他の実施の形態を基板面およびノズルはんだ面の高さ位置の経時的変化で表わしたグラフである。
【図４】同上はんだ付け方法における基板面およびノズルはんだ面の高さ位置制御を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係るはんだ付け方法のさらに別の実施の形態をはんだ波高の変化で表わしたグラフである。
【図６】リード部品搭載基板の正常なはんだフィレット形成状態を示す基板断面図である。
【図７】リード部品搭載基板のスルーホール未上がり現象によるはんだ付け不良を示す基板断面図である。
【図８】リード部品搭載基板のいもはんだフィレットが形成されたはんだ付け不良を示す基板断面図である。
【図９】従来のはんだ付け方法を基板面およびノズルはんだ面の高さ位置の経時的変化で表わしたグラフである。
【符号の説明】
【００６８】
１    リード部品
２    リード部品搭載基板
４    スルーホール
５    リード
52    ノズル
Ｓa，Ｓb  溶融はんだ
ａ    １次はんだ付け工程
ｂ    ２次はんだ付け工程
ｂ1   フィレット作成工程
ｂ2   仕上げ工程
ｃ    リード離脱工程
【図１】
2007073786.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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