(57)【要約】【課題】  シャッタ上に修正液が溜まるのを防止することが可能なパターン修正装置を提供する。【解決手段】  このパターン修正装置は、霧状の修正液２０を噴射する塗布ノズル３０と、塗布ノズル３０と修正対象の基板１４との間で開閉されるシャッタ３１とを含み、シャッタ３１が閉じられたときに塗布ノズル３０から噴射された霧状の修正液２０の流れの方向を変えることなく吸引するための吸引穴３１ｂをシャッタ３１に設けた。したがって、シャッタ３１上に修正液２０が溜まって基板１４上に垂れたり飛散するのを防止することができる。【選択図】        図７
2007066802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
霧状の修正液を前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置とを備え、
前記堆積装置は、前記霧状の修正液を噴射する塗布ノズルと、該塗布ノズルと前記欠陥部の間で開閉されるシャッタとを含み、
前記シャッタが閉じられたときに前記塗布ノズルから噴射された前記霧状の修正液の流れの方向を変えることなく吸引するための吸引口が前記シャッタに設けられていることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
さらに、前記塗布ノズルのメンテナンス時に前記シャッタを前記塗布ノズルから離れた位置に退避させる駆動装置を備えることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
さらに、前記吸引口を介して吸引した前記霧状の修正液を捕集する捕集器を備えることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、霧状の修正液を塗布ノズルを介して噴射するとともに塗布ノズルと基板の間でシャッタを開閉し、霧状の修正液を欠陥部に噴射して修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、シャッタが閉じている期間に塗布ノズルから噴射された霧状の修正液がシャッタ上に溜まって液状化し、シャッタ上に溜まった修正液が基板上に垂れたり、シャッタの開閉時に飛散することも想定される。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、シャッタ上に修正液が溜まるのを防止することが可能なパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置とを備え、堆積装置は、霧状の修正液を噴射する塗布ノズルと、該塗布ノズルと欠陥部の間で開閉されるシャッタとを含み、シャッタが閉じられたときに塗布ノズルから噴射された霧状の修正液の流れの方向を変えることなく吸引するための吸引口がシャッタに設けられていることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、さらに、塗布ノズルのメンテナンス時にシャッタを塗布ノズルから離れた位置に退避させる駆動装置が設けられる。
【００１２】
また好ましくは、さらに、吸引口を介して吸引した霧状の修正液を捕集する捕集器が設けられる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るパターン修正装置では、シャッタが閉じられたときに塗布ノズルから噴射された霧状の修正液をシャッタの吸引口を介して吸引するので、シャッタ上に修正液が溜まって基板上に垂れたり飛散するのを防止することができる。また、霧状の修正液の流れの方向を変えることなく吸引するので、塗布ノズルの先端部に修正液が付着して詰まることもない。
【００１４】
好ましくは、さらに、塗布ノズルのメンテナンス時にシャッタを塗布ノズルから離れた位置に退避させる駆動装置が設けられる。この場合は、塗布ノズルのメンテナンスを容易に行なうことができる。
【００１５】
また好ましくは、さらに、吸引口を介して吸引した霧状の修正液を捕集する捕集器が設けられる。この場合は、霧状の修正液が吸引ポンプに入るのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１７】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１８】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００１９】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２０】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２１】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２２】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２３】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２４】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２５】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２６】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。
【００２７】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００２８】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００２９】
図４（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部３２は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部３２以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３０】
また、図５（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正することも可能である。すなわち図５（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながらシャッタ３１を開けて塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図５（ｃ）に示すようにリブ３５の正常高さまで積層する。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板１４を炉で再焼成しても構わない。
【００３１】
この例では、堆積層３６＿１〜３６＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３２】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３３】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３４】
また、従来技術で必要であった修正用ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３５】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３６】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３７】
次に、このパターン修正装置１の特徴となるシャッタ機構について説明する。図６（ａ）はシャッタ機構の全体構成を示す正面断面図であり、図６（ｂ）はその側面図であり、図６（ａ）は図６（ｂ）のＶＩＡ−ＶＩＡ線断面図である。また、図７はシャッタ３１の断面図である。図６（ａ）（ｂ）および図７において、閉状態のシャッタ３１は、塗布ノズル３０の先端と修正対象の基板１４の表面との間に挿入され、塗布ノズル３０の先端から噴射される霧粒子の流れを受け止めるように配置される。塗布ノズル３０の先端の直下のシャッタ３１表面には、凹部３１ａが形成され、凹部３１ａの中央部の底には霧粒子の流れの方向を変えることなく吸引するための吸引穴３１ｂが凹設されている。凹部３１ａは、シャッタ３１の開閉時に一時的に溜まった霧粒子が集まった修正液２０がシャッタ３１の開閉の衝撃で外部に飛散しないようにする働きと、仮に吸引穴３１ｂが詰まってもしばらくの間、修正液２０を保持する役目を持つ。
【００３８】
吸引穴３１ｂの側壁には横孔３１ｃの入口が開けられ、横孔３１ｃの出口はシールを巻いた止めねじ４０によって封止される。また、横孔３１ｃに連通する傾斜孔３１ｄが開けられ、斜面３１ｅにはＯリング４１用の凹み３１ｆが形成されている。シャッタ３１は、くの字型の支柱４２の一端面４２ａにボルト４３で固定される。支柱４２には２本の交差する孔４２ｂ，４２ｃが開けられている。孔４２ｂは、Ｏリング４１によってシールされた状態で、シャッタ３１の傾斜孔３１ｄに連結される。支柱４２の孔４２ｃの開口部にはワンタッチ継手４４が固定され、ワンタッチ継手４４に接続されるホース４５は、吸引ポンプ（図示せず）に接続されている。吸引ポンプを駆動すれば、塗布ノズル３０の先端から噴射される霧粒子をシャッタ３１の吸引口３１ｂから吸引することが可能となる。吸引ポンプとして、たとえば真空エジェクタを用いても良い。
【００３９】
また、支柱４２の上端部は、Ｌ型の可動部４６にボルト４７によって固定される。可動部４６は、ボールを用いたリニアスライド軸受５０のベッド５０ａに固定され、そのテーブル５０ｂは固定台５１の下端部に固定される。固定台５１の中央部には、直動電磁ソレノイド５２が固定される。直動電磁ソレノイド５２の出力軸５２ａは、可動部４６に開けられた孔４６ａに挿通され、止めねじ５３によって可動部４６に固定される。直動電磁ソレノイド５２は、コネクタ５２ｂを介して制御装置（図示せず）に接続される。このような構成を取ることで、直動電磁ソレノイド５２の駆動により、シャッタ３１は、図６（ｂ）の正面図から見て左右に移動し、霧粒子の流路を開閉する。
【００４０】
直動電磁ソレノイド５２の出力軸５２ａは可動部４６を介してリニアスライド軸受５０により支持されるので、出力軸５２ａに負荷がかからず、直動電磁ソレノイド５２の寿命を延ばすことが可能になると共に、剛性を高くして、かつ、スムーズにシャッタ３１を移動させることができる。シャッタ３１の移動距離は直動電磁ソレノイド５２のストロークで決まり、ストロークはシャッタ３１の幅と等しい約３ｍｍに設定した。なお、直動電磁ソレノイド５２として、電磁石を内蔵した２位置ラッチタイプのものを用いれば、ソレノイドに通電する時間が短くて済み、発熱を抑えることが可能となる。
【００４１】
図８（ａ）（ｂ）は図６（ａ）のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図であり、特に、図８（ａ）はシャッタ３１が閉じられた状態を示し、図８（ｂ）はシャッタ３１が開けられた状態を示している。図８（ａ）に示すようにシャッタ３１が閉じられた場合は、シャッタ３１の吸引穴３１ｂは、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子の流れの下方に対向するように配置され、収束した霧粒子の流れを乱すことなく霧粒子を吸引する。図８（ｂ）に示すようにシャッタ３１が開けられた場合は、塗布ノズル３０から噴射された霧粒子は基板１４の欠陥部に到達し堆積する。シャッタ３１を開けた状態で吸引ポンプを駆動したままの状態であっても、収束した霧粒子の流れを乱すことなく、堆積描画が可能である。また、シャッタ３１の幅を３ｍｍ、厚さ２ｍｍ程度の小さなサイズにしているため、シャッタ３１の開閉に伴う霧粒子の乱れは最小限に留まる。
【００４２】
図６に戻って、塗布ノズル３０の交換や洗浄などを行なうメンテナンス時にはシャッタ３１が邪魔になるが、このシャッタ機構には、シャッタ３１を塗布ノズル３０から退避させる機能が設けられている。
【００４３】
すなわち、固定台５１の上端部は、ボールを用いたリニアスライド軸受５４のベッド５４ａに固定され、そのテーブル５４ｂはベース板５５の下面に固定される。ベース板５５の端部は、微粒子堆積装置５にボルト５６で固定される。ベース板５５には直動アクチュエータ、たとえばエアシリンダ５７がボルト５８で固定され、その出力軸５７ａと固定台５１の端部とが連結板５９を介して結合されている。
【００４４】
シャッタ３１と一体となって移動する固定台５１は、エアシリンダ５７の出力軸５７ａの伸縮に応じて、そのストローク分だけ図６（ａ）中の左右方向に移動する。エアシリンダ５７の出力軸５７ａのストロークは、塗布ノズル３０のメンテナンスを簡単に行うことが可能な範囲に設定され、たとえば２０ｍｍ程度に設定される。連結板５９に貫通するように螺合されたボルト６０は、シャッタ３１の位置調整を行うものであり、シャッタ３１が閉状態のときに塗布ノズル３０の直下に吸引穴３１ｂが位置するように調整される。調整後、ナット６１を締めてボルト６０の緩みを防止する。
【００４５】
エアシリンダ５７の出力軸５７ａを伸ばすと、図９に示すように、シャッタ３１が図９中の右方向に移動する。これにより、塗布ノズル３０の交換や洗浄などを行なうメンテナンス時に、作業の邪魔にならない位置にシャッタ３１を退避させることができ、メンテナンスを簡単に行うことができる。
【００４６】
この実施の形態では、シャッタ３１が閉じられた場合に塗布ノズル３０から噴射された霧粒子を吸引する機構をシャッタ３１に内蔵したので、霧粒子が液状化した修正液２０がシャッタ３１上に溜まることを防止することができる。したがって、シャッタ３１上に溜まった修正液２０が基板１４上に垂れたり、シャッタ３１の開閉時に飛散することがない。
【００４７】
また、塗布ノズル３０の先端に対向する位置に吸引穴３１ｂを設けたので、収束した霧粒子の流れを乱すことなく霧粒子を吸引することができ、塗布ノズル３０の先端に霧粒子が付着することを防止することができる。仮に塗布ノズル３０の横方向から霧粒子を吸引した場合には、その吸引力によって霧粒子の流れが曲げられ、塗布ノズル３０の先端部に霧粒子が付着し、それが起点となって塗布ノズル３０の詰まりが起こり易くなる。しかし、本願発明では、塗布ノズル３０の直下から吸引するので、霧粒子の流れの方向が乱れず、塗布ノズル３０の先端部に霧粒子が付着しないので、塗布ノズル３０の詰まりを予防することができる。
【００４８】
また、メンテナンス時に塗布ノズル３０の下方からシャッタ３１を退避させるエアシリンダ５７を設けたので、メンテナンスを簡単に行うことができる。  
【００４９】
なお、この実施の形態では、吸引した霧粒子はホース４５の内面に付着し液状化して修正液２０になるが、その修正液２０は後段の図示しないフィルタやドレンセパレータによって除去され、図示しない吸引ポンプにはほとんど侵入しない。しかし、図１０に示すように、フィルタやドレンセパレータに代えてまたはそれらに加えて、ワンタッチ継手４４の後ろに修正液２０を捕集する捕集器６５を設けてもよい。捕集器６５は、容器６５ａと蓋６５ｂを含む。容器６５ａの上端部の一方側および他方側にはそれぞれ入口および出口が開口され、入口は継手６６、ホース４５およびワンタッチ継手４４を介して支柱４２に接続され、出口は継手６７およびホース６８を介して吸引ポンプなどに接続される。ホース４５の内面で生じた修正液２０は、捕集器６５の容器６５ａの底に溜まる。なお、捕集器６５を支柱４２の後に直接取り付けてもよいし、捕集器６５を支柱４２に組み込んでも構わない。
【００５０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置のシャッタ機構の構成を示す図である。
【図７】図６に示したシャッタの構成を示す断面図である。
【図８】図６に示したシャッタ機構の開閉動作を示す図である。
【図９】図６に示したシャッタ機構の退避動作を示す図である。
【図１０】この実施の形態の変更例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、３１ａ  凹部、３１ｂ  吸引穴、３１ｃ  横孔、３１ｄ  傾斜孔、３１ｅ  斜面、３１ｆ  凹み、３２  修正部、３４  背面ガラス基板、３５  リブ、３５ａ  リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層、４１  Ｏリング、４２  支柱４２、４２ａ  端面、４２ｂ，４２ｃ  孔、４３  ボルト、４４  ワンタッチ継手、４５，６８  ホース、４６  可動部、４６ａ  孔、４７，５６，５８，６０  ボルト、５０，５４  リニアスライド軸受、５０ａ，５４ａ  ベッド、５０ｂ，５４ｂ  テーブル、５１  固定台、５２  直動電磁ソレノイド、５２ａ  出力軸、５３  止めねじ、５５  ベース板、５７  エアシリンダ、５７ａ  出力軸、５９  連結板、６１  ナット、６５  捕集器、６５ａ  容器、６５ｂ  蓋、６６，６７  継手。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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