(57)【要約】【課題】極短紫外光に対応する露光用マスクについて、マスクパターンを形成するパターン側壁に傾斜が生じている場合であっても、傾斜の影響に適切に対応し得るマスクパターンの補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。【解決手段】マスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク補正方法において、斜め入射光をマスク面に射影した射影ベクトルとマスクパターン構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する吸収膜側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係を予め特定しておき、前記吸収膜の側壁の傾斜角を認識して（Ｓ１０２）、その認識結果と前記対応関係とから、前記マスクパターンに対する補正量を決定すし、決定した補正量での前記マスクパターンに対する補正処理を行う（Ｓ１０３）。【選択図】図６
2007073666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク補正方法であって、
マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係を予め特定しておき、
前記吸収膜の側壁の傾斜角を認識して、その認識結果と前記対応関係とから、前記マスクパターンに対する補正量を決定する
ことを特徴とするマスク補正方法。
【請求項２】
前記吸収膜の側壁の傾斜角を、前記マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク面上で反射して得られる回折光の強度を基にして認識する
ことを特徴とする請求項１記載のマスク補正方法。
【請求項３】
極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク製造方法であって、
マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係を予め特定しておき、
製造すべき露光用マスクにおける前記吸収膜の側壁の傾斜角を認識して、その認識結果と前記対応関係とから、前記マスクパターンに対する補正量を決定し、
決定した補正量での前記マスクパターンに対する補正処理を経た後に、当該マスクパターンを構成する前記吸収膜のパターニングを行う
ことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項４】
極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクであって、
マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度別に、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角の違いによって補正量が異なる補正処理が施されて、前記マスクパターンが形成されてなる
ことを特徴とする露光用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の回路パターンを形成するためのリソグラフィ工程にて用いられる露光用マスク、特にいわゆる極短紫外光に対応した反射型の露光用マスクについて、そのマスク補正方法およびマスク製造方法に関する。さらには、その露光用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、ウエハ上に塗布された光感光材料であるレジストを露光および現像して形成されるレジストパターン、および該レジストパターンをエッチングマスクとしてエッチング加工して得られる回路パターンの線幅は、益々極小化が要求されている。また、線幅のみならず、パターン間ピッチ等についても、更なる極小化が要求されている。このような極小化の要求についてはレジストの露光に用いる光の波長をより短波長にすることで対応が可能となるが、光の波長と解像度との関係は、以下に示すレイリーの式で表わされることが知られている。
【０００３】
ｗ＝ｋ１×（λ／ＮＡ）・・・（１）
【０００４】
この（１）式において、ｗは解像される最小のパターン幅、ＮＡは投影光学系のレンズの開口数、λは露光光の波長である。また、ｋ１は、主にレジストの性能および超解像技術の選択等により決定されるプロセス定数であって、最適なレジストおよび超解像技術を用いればｋ１＝0.35程度まで選択できることが知られている。なお、超解像技術とは、マスクを透過若しくは反射し、マスク上遮光パターンで回折された光の±１次回折光を選択的に用いることにより、波長よりも小さなパターンを得ようとするものである。
【０００５】
レイリーの式によれば、例えば157nmの波長を用いた場合に対応が可能な最小のパターン幅は、ＮＡ＝0.9のレンズを用いるとすれば、ｗ＝61nmとなることがわかる。すなわち、61nmよりも小さなパターン幅を得るためには、さらに短い波長の露光光、あるいは液浸レンズを用いなければならない。例えば、157nmの波長を用いて液浸レンズを用いると、ＮＡ＝1.2のレンズを用いた場合における最小のパターン幅は46nmとなる。
このため、45nmの世代からは、極短紫外光（ＥＵＶ；Extreme Ultra Violet）と呼ばれる13.5nmを中心とした0.6nm程度の波長帯域を具備する露光光を用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照）。極短紫外光を用いれば、例えばＮＡ＝0.25の露光装置においては、レイリーの式からｋ１≧0.6の条件下でｗ≧32.4nmの線幅を形成することができ、従前には達成できなかったパターン幅やパターンピッチ等の極小化にも対応可能となるからである。
【０００６】
ただし、13.5nmの波長の極短紫外光を用いる場合には、光透過型のマスクおよび光学系ではなく、光を反射する反射型マスクおよび反射型光学系によって、露光用マスクおよび光学系を構成する必要がある。これは、157nmの波長の紫外光までは、例えばＣａＦ2（フッ化カルシウム）やＳｉＯ2（二酸化ケイ素）といった光透過性のある材料が存在するため、当該紫外光を透過させる構成のマスクおよび光学系を作製することができるが、13.5nmの波長の極短紫外光については、当該極短紫外光を所望の厚さでもって透過させる材料が存在していないからである。
また、反射型マスクを用いた場合には、マスク面で反射された光が、そのマスクに入射される光と相互に干渉することなく、投影光学系に導かれねばならない。そのため、反射型マスクに入射される光は、必然的にマスク面の法線に対して角度θを持った斜め入射となる。つまり、極短紫外光を用いて露光する場合には、露光用マスクのマスク面に入射される光が、そのマスク面の法線に対して角度を持った斜め入射となる（例えば、特許文献２参照）。この角度は、投影光学系のレンズの開口数ＮＡ、マスク倍率ｍ、照明光源の大きさσから決まる。具体的には、例えばウエハ上に４倍の縮小倍率を持つマスクを用いた場合、ＮＡ＝0.3の露光装置においては、光がマスク面の法線に対して4.30°よりも大きな入射角を持ってマスク上に入射しなければならない。また、これと同様に、ＮＡ＝0.25の露光装置においては、光が3.58°よりも大きな入射角を持ってマスク上に入射しなければならない。ただし、実際の露光装置では、ミラーから構成される光学系の空間配置の制約および設計残存収差低減の理由から、上述した入射角よりも大きくなるように設計され、例えばＮＡ＝0.25であれば入射角が６°以上、ＮＡ＝0.30であれば入射角が７°以上とすることが一般的である。
【０００７】
このような斜め入射に対応する反射型の露光用マスクとしては、基板上に極短紫外光を反射する多層膜を有し、その多層膜上に極短紫外光を吸収する吸収膜を有して構成されたものが知られている（例えば、特許文献３参照）。詳しくは、例えば図５８に示すように、極短紫外光に対応する反射型の露光用マスクでは、基板１１上に、Ｓｉ（ケイ素）層とＭｏ（モリブデン）層とが交互に積層された多層膜構造のマスクブランクス膜１２が成膜され、さらにそのマスクブランクス膜１２上に吸収膜１３がパターニングされて成膜された構造となっている。そして、斜め入射する極短紫外光が、マスクブランクス膜１２では反射され、吸収膜１３のパターンが形成された部分では反射されずに吸収される。その結果、極短紫外光の反射部分と吸収部分とで高いコントラストが得られ、これによりウエハ等の被露光体上に対するパターン転写が行えるのである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３６５７８５号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７８１０号公報
【特許文献３】特開２００２−２２２７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、極短紫外光を用いる場合においては、露光用マスクのマスク面に入射される光が、そのマスク面の法線に対して角度を持った斜め入射となることから、必ずしも良好なパターン転写像が得られるとは限らない。
【００１０】
例えば図５８に示したように、露光用マスクのマスク面上に露光光が斜めに入射すると、その入射光をマスク表面に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とが直交する場合（以下、この場合を「直交入射」という）には、マスクブランクス膜１２上にパターニングされた吸収膜１３によって影が生じ、マスクからウエハ上に伝達される光量に損失が生じる。あるいはまた、マスク面上に露光光が斜めに入射すると、吸収膜１３のパターン側壁によって入射光が吸収および反射され、マスクからウエハ上に伝達される光量に損失が生じる。あるいはまた、露光光が斜めにマスクブランクス膜１２に入射し、そのマスクブランクス膜１２で反射された後、吸収膜１３のパターン側壁によって当該反射光が吸収および反射され、マスクからウエハ上に伝達される光量に損失が生じる。これら光量の損失に伴い、直交入射の場合には、ウエハ上転写パターンにおけるコントラストの劣化が生じ、解像性能の低下、レジストパターン断面形状の矩形性の劣化、レジストパターン側壁の粗さの増加等を引き起こす。
【００１１】
その一方で、マスク面上に露光光が斜めに入射しても、例えば図５９に示すように、その入射光をマスク表面に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とが平行である場合（以下、この場合を「平行入射」という）には、マスクブランクス膜１２上にパターニングされた吸収膜１３の影による露光光の遮蔽が生じない。また、吸収膜１３のパターン側壁によって入射光が吸収および反射されることもない。あるいはまた、露光光が斜めにマスクブランクス膜１２に入射し、そのマスクブランクス膜１２で反射された後、吸収膜１３のパターン側壁によって当該反射光が吸収および反射されることもない。つまり、平行入射の場合には、直交入射の場合のようなウエハ上転写パターンにおけるコントラスト劣化が生じることはない。
【００１２】
ところが、平行入射の場合であっても、吸収膜１３のパターン側壁に傾斜があると、その傾斜角の影響がウエハ上転写パターンに現れてしまう。また、直交入射の場合には、吸収膜１３のパターン側壁に傾斜があると、その傾斜角に依存して、コントラスト劣化を招く光量の損失量が異なったものとなる。つまり、マスク吸収パターン側壁に傾斜があると、直交入射の場合は勿論、平行入射の場合であっても、その傾斜角の影響で、ウエハ上のパターン転写像が所望形状とは異なるものとなる。
しかも、一般的な透過型の露光用マスクを用いたフォトリソグラフィであれば、マスク面上に垂直に露光光が照射されるため、マスクパターンを形成するパターン側壁に傾斜があっても、その傾斜角と転写像の変形量とが一義的なものとなるが、極短紫外光に対応する反射型の露光用マスクにおいては、吸収膜１３のパターン側壁における傾斜角が一様なものであっても、平行入射の場合と直交入射の場合とでは、それぞれの場合における転写像の変形量とが異なったものとなる。このことは、マスク表面上での射影ベクトルとマスクパターンの構成辺がなす角度が互いに任意に異なる場合についても、全く同様のことが言える。
【００１３】
そこで、本発明は、斜め入射する露光光を用いたリソグラフィ工程における露光用マスクについて、マスクパターンを形成するパターン側壁に傾斜が生じている場合であっても、傾斜の影響に適切に対応し得るマスクパターンの補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避できるようにし、これにより当該リソグラフィ工程を経て得られる半導体装置の性能向上を図ることを可能にする、マスク補正方法、マスク製造方法および露光用マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク補正方法である。すなわち、極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク補正方法であって、マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係を予め特定しておき、前記吸収膜の側壁の傾斜角を認識して、その認識結果と前記対応関係とから、前記マスクパターンに対する補正量を決定することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク製造方法である。すなわち、極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク製造方法であって、マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係を予め特定しておき、製造すべき露光用マスクにおける前記吸収膜の側壁の傾斜角を認識して、その認識結果と前記対応関係とから、前記マスクパターンに対する補正量を決定し、決定した補正量での前記マスクパターンに対する補正処理を経た後に、当該マスクパターンを構成する前記吸収膜のパターニングを行うことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出された露光用マスクである。すなわち、極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクであって、マスク表面へ斜め入射する前記極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルと前記マスクパターンの構成辺とがなす角度別に、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角の違いによって補正量が異なる補正処理が施されて、前記マスクパターンが形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
上記手順のマスク補正方法およびマスク製造方法、並びに上記構成の露光用マスクでは、吸収膜の側壁の傾斜角を認識し、その認識結果からマスクパターンに対する補正量を決定する。このとき、補正量の決定は、マスク表面へ斜め入射する極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とがなす角度と、当該構成辺を形成する前記吸収膜の側壁の傾斜角と、前記転写像の変形量または当該転写像を得るための瞳通過光量との間の対応関係に基づいて行われる。つまり、極短紫外光をマスク表面に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とがなす角度別に、その構成辺を形成する吸収膜の側壁の傾斜角の違いによって、補正量が異なるものとなる。
したがって、その決定された補正量での補正処理を経て得られる露光用マスクは、露光光が斜め入射する場合において、パターン側壁に傾斜が生じていても、その傾斜の影響に適切に対応した補正処理が行われたものとなるので、これによりウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避し得るようになる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のマスク補正方法、マスク製造方法および露光用マスクによれば、露光光がマスク面上に斜め入射する場合に、そのマスク面上でマスクパターンを構成するパターン側壁に傾斜が生じていても、ウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避し得るので、被露光体上におけるパターン転写像を所望通り（設計通り）のものとすることが可能となる。つまり、本発明を用いることで、斜め入射する露光光を用いたリソグラフィ工程を経て得られる半導体装置の性能向上を図れるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づき本発明に係るマスク補正方法および露光用マスクについて説明する。なお、当然のことではあるが、本発明は、以下に述べる実施の形態に限定されるものではない。
【００２０】
〔露光用マスクの概要〕
はじめに、露光用マスクの概略構成について簡単に説明する。ここで説明する露光用マスクは、半導体装置の製造方法における一工程であるリソグラフィ工程にて、極短紫外光を反射してウエハ上に所望パターン（例えば回路パターン）を転写するために用いられるものである。なお、ここで言う「極短紫外光」には、例えば波長が13.5nmのものに代表されるように、従前のリソグラフィ工程で用いられていた紫外光よりも短波長（例えば、１nm以上100nm以下）のものが該当する。
【００２１】
このような極短紫外光の反射によりウエハ上に所望パターンの転写像を露光転写すべく、露光用マスクは、図１に示すように、ＳｉＯ2（二酸化ケイ素）ガラスや低膨張ガラス等の基板１上に、極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜２と、そのマスクブランクス膜２上にパターニングされて極短紫外光を吸収する吸収膜３とが形成されて、構成されている。
マスクブランクス膜２は、例えばＳｉ（ケイ素）層とＭｏ（モリブデン）層とを交互に積層した構造で構成されるが、その積層の繰り返し数が４０層以上であるものが一般的である。
また、吸収膜３は、極短紫外光を吸収する材料からなるもので、例えばＴａＮ（タンタルナイトライド）層によって構成される。ただし、吸収膜３は、極短紫外光のマスク用材料として用いることのできるものであれば、他の材料からなるものであってもよい。具体的には、ＴａＮ以外にＴａ（タンタル）またはＴａ化合物、Ｃｒ（クロム）またはＣｒ化合物、Ｗ（タングステン）またはＷ化合物等が考えられる。
なお、マスクブランクス膜２と吸収膜３との間には、吸収膜３を形成する際のエッチングストッパとして、あるいは吸収膜３形成後の欠陥除去時のダメージ回避を目的として、例えばＲｕ（ルテニウム）層やＳｉＯ2（二酸化ケイ素）またはＣｒ（クロム）によって構成されるバッファ膜４を設けておくことが考えられる。
【００２２】
以上のような構成の露光用マスクを製造する場合には、基板１上にマスクブランクス膜２を成膜し、そのマスクブランクス膜２上に、必要に応じてバッファ膜４を成膜した後、さらに吸収膜３を成膜し、周知のリソグラフィ技術を用いて、その吸収膜３を所望パターンに対応する形状にパターニングすればよい。
ここで、パターニングとは、ウエハ上に転写すべき所望パターンに対応するパターン形状、すなわち当該所望パターンと略同一または略相似なパターン形状で形成されていることをいう。このようなパターン形状としては、その代表的なものとして、いわゆるライン・アンド・スペース・パターンが知られている。
パターニングの際には、マスクブランクス膜２と吸収膜３との間にバッファ膜４が形成されていれば、そのバッファ膜４がエッチングストッパとして機能することになる。なお、マスクブランクス膜２と吸収膜３とのエッチング選択比を十分に確保でき、かつ、欠陥除去時のダメージが無ければ、バッファ膜４は無くても構わない。
このようなパターニングを行うことで、上述したような構成の、所望パターンを露光転写するためのマスクパターンを有した、極短紫外光用の反射型露光用マスクが得られることになる。
【００２３】
ただし、露光用マスクの製造にあたっては、パターニングを行うのに先立ち、そのパターニングによって形成するパターンに対する補正処理が施されているものとする。すなわち、マスクパターンに対する補正処理を経た後に、当該マスクパターンを構成する吸収膜３のパターニングが行われる。これは、例えば吸収膜３のパターン側壁に傾斜が生じていても、その傾斜による影響を排除して、ウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避するためである。
【００２４】
〔パターン側壁の傾斜による影響の説明〕
ここで、パターン側壁に傾斜が生じている場合に、その傾斜がウエハ上転写像に及ぼす影響について説明する。
【００２５】
上述したように、露光用マスクについては、周知のリソグラフィ技術を用いて吸収膜３のパターニングを行うことから、そのリソグラフィ技術の手法や手順等によっては、吸収膜３の側壁部分がマスクブランクス膜２の上面と垂直（90°）であるべきなのに対し、多ければ70°程度、一般的には80〜90°程度に傾斜してしまうことがあり得る。
【００２６】
このような傾斜がマスクパターン側壁に生じている場合、一般的なフォトリソグラフィで用いられる透過型の露光用マスクでは、その傾斜角が異なると、ウエハ上転写像も異なったものとなることが良く知られている。ただし、透過型の露光用マスクでは、露光光がマスク表面に対して垂直に入射するため、ウエハ上転写像に生じる違いが、マスクパターンの配置に依存することはない。
【００２７】
これに対して、図１に示した構成の極短紫外光を反射する反射型の露光用マスクにおいても、吸収膜３のパターン側壁に傾斜が生じている場合、その側壁角が異なると、ウエハ上転写像が異なったものになる。ところが、反射型の露光用マスクでは、極短紫外光がマスク表面に対して斜め入射するため、その入射光をマスク表面に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とがなす角度によっては、ウエハ上転写像の異なり方に相違が生じる。つまり、反射型の露光用マスクでは、マスクパターンの側壁角が異なる場合、マスクパターンの配置に依存して、ウエハ上転写像が異なったものとなる。
【００２８】
これは、例えば図２および図３に示すように、吸収膜３のパターン側壁に、その吸収膜３の断面が順テーパ形状（マスク吸収パターン底面から表面に向かって吸収パターン幅が狭小となる形状）となる傾斜が生じている場合を例に挙げて考えると、入射光がマスクパターン構成辺に対して直交入射（図５８参照）する場合（図２参照）と平行入射（図５９参照）する場合（図３参照）とでは、入射光とパターン側壁との角度の関係が異なるからであり、これに応じて光の反射の仕方が異なるからである。また、例えば図４および図５に示すように、吸収膜３のパターン側壁に、その吸収膜３の断面が逆テーパ形状（マスク吸収パターン底面から表面に向かって吸収パターン幅が拡大する形状）となる傾斜が生じている場合についても、全く同様であり、入射光がマスクパターン構成辺に対して直交入射する場合（図４参照）と平行入射する場合（図５参照）とでは、入射光とパターン側壁との角度の関係が異なるからであり、これに応じて光の反射の仕方が異なるからである。
【００２９】
このように、反射型の露光用マスクでは、斜め入射光のマスク上への射影ベクトルとマスクパターン構成辺とがなす角度によっては、そのマスクパターンの側壁に生じている傾斜の影響が、異なる態様（具体的には、異なる変形量）でウエハ上転写像に現れるのである。したがって、マスクパターンの側壁角がマスク表面に対して垂直、すなわち90°の角度を具備しているとして、入射光がマスクパターン構成辺に対して直交入射する場合と平行入射する場合とで得られるウエハ上転写像が略同一になるように、公知技術を用いた補正処理を行っても、マスクパターンの側壁に傾斜が生じていると、その傾斜による影響を排除することができず、その傾斜による影響でウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのである。
【００３０】
〔マスク補正方法の概要〕
上述したように、マスクパターンの側壁に生じている傾斜の影響でウエハ上転写像の忠実性が低下すると、所望の形状とは異なる転写像が得られることになる。そこで、図１に示した露光用マスクを製造する場合には、吸収膜３の側壁に傾斜が生じた場合であっても、所望形状の転写像を得るべく、吸収膜３をパターニングするのに先立って、マスクパターンに対する補正を行うようにする。
【００３１】
ここで、本発明に係るマスク補正方法について説明する。ここで説明するマスク補正方法は、上述したマスクパターン側壁の傾斜の影響によるウエハ上転写像の変形を補正するためのものである。
【００３２】
ここで説明するマスク補正方法では、図６に示すように、先ず、直交入射の場合と平行入射の場合とで、ウエハ上転写パターン幅が略同一になるように、マスク上図形形状を補正する（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す）。具体的には、瞳を通過する光量を直交入射と平行入射の場合で略同一にすべく、４倍マスク上での直交入射に対するラインパターン幅を細らせることで瞳通過光量を増大させ、マスク上直交入射による光量損失を補償すればよい。すなわち、平行入射の場合での瞳通過光量Ｑparallelに対して斜め入射の場合での瞳通過光量Ｑoff-axisの比Ｑrを、以下の（２）式を用いて求め、その瞳通過光量比Ｑrが「１」に等しくなるように、直交入射に対するラインパターン幅を細らせればよい。このとき、Ｑrは、マスクパターン側壁角90°の場合で求めるものとする。
【００３３】
Ｑr＝Ｑoff-axis／Ｑparallel・・・（２）
【００３４】
これは、平行入射での瞳通過光量を基準にしたことに相当する。瞳通過光量比Ｑrが「１」に等しくなるように直交入射に対するラインパターン幅を細らせる補正を行うと、例えば吸収膜３がＴａによって形成され、その厚さが108nmで、かつ、マスク上法線に対する斜め入射角度が6.6°の場合であれば、瞳通過光量の補正前では４倍マスク上でウエハ上22nmのラインに対応する線幅が88nmであるのに対し、補正後ではマスク上線幅が70nmである。すなわち、負のバイアス量として18nmの補正を行うことになる。したがって、マスク上ラインパターンを形成するための吸収膜３のパターン幅は78nmとすればよい。あるいは、平行入射と直交入射とで、ウエハ上転写パターン幅が略同一になるように、マスク上パターン幅を適宜設定してもよい。
【００３５】
そして、平行入射と直交入射の場合でウエハ上転写パターン幅を略同一にする補正を行った後は、次いで、マスクパターン側壁の傾斜の影響に対する補正を行う。そのために、先ず、補正処理後に形成されるであろう吸収膜３の側壁の傾斜角を認識する（Ｓ１０２）。傾斜角が一様でない場合には、側壁形状も併せて認識する。側壁傾斜角乃至側壁形状を認識する手法としては、大別して、以下の３種類が挙げられる。
【００３６】
第１の手法では、補正処理後に形成されるであろう吸収膜３についての形成条件と同条件で露光用マスクのテストモデルを形成し、そのテストモデルにおけるマスク断面形状から、マスクパターン側壁角を直接検出することで、その側壁角を認識する。側壁角の検出は、例えばマスク断面を走査型電子顕微鏡で観察することで行えばよい。
【００３７】
また、第２の手法では、第１の手法の場合と同様にテストモデルを形成し、そのテストモデルにおけるパターン側壁角を直接原子間力顕微鏡のような探針法で検出することで、その側壁角を認識する。原子間力顕微鏡以外の非破壊検査を利用して行ってもよい。
【００３８】
また、第３の手法では、第１または第２の手法の場合と同様にテストモデルを形成してそのテストモデルを用い、またはテストモデルを用いずに公知のシミュレーション技術を用いて、入射光を反射して得られるマスクパターンからの回折光の強度を検出することで、そのマスクパターンにおける側壁角を認識する。これは、瞳通過光量比Ｑrが「１」に等しくなるように直交入射に対するラインパターン幅を細らせた場合でも、マスク上パターン側壁に傾斜があると、その側壁角により瞳通過光量比Ｑrが変化することに基づくものである。すなわち、ウエハ上の結像に寄与する低次の回折光の強度と、結像に寄与しない高次の回折光の強度とが、側壁角によってそれぞれ異なる現象を利用したものである。なお、この第３の手法による側壁角の認識については、その詳細を後述する。
【００３９】
以上のような第１〜第３のいずれかの手法により吸収膜３の側壁における傾斜、すなわちマスクパターン側壁角乃至側壁形状を認識した後は、続いて、そのマスクパターン側壁角乃至側壁形状の認識結果を基に、当該マスクパターンに対する補正量を決定し、その決定した補正量でのマスクパターンに対する補正処理を行う（Ｓ１０３）。
【００４０】
補正量の決定は、斜め入射光をマスク面上に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とがなす角度と、その構成辺を形成する吸収膜３の側壁の傾斜角と、傾斜角の違いによる転写像の変形量との間の対応関係を予め特定して、例えばテーブル形式等で対応関係情報として記憶保持しておき、側壁角を認識したら、その認識結果と記憶保持している対応関係情報とを基にして行えばよい。その際に基にする対応関係については、その詳細を後述する。
【００４１】
またマスクパターンに対する補正処理については、例えば、マスクパターンに対する場合であれば、当該マスクパターンの図形補正によって行えばよい。図形補正としては、パターン線幅の可変が挙げられる。また、図形補正ではなく、形成する吸収膜３の形成膜厚の補正を行ってもよい。さらには、マスクパターンに対してではなく、光学系に対して行ってもよく、具体的には当該光学系に生じる波面の補正を行うことも考えられる。なお、これらの補正処理については、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。
【００４２】
この補正処理によって、当該補正後のマスクパターンでは、露光光が斜め入射する場合において、そのマスクパターン側壁に傾斜が生じていても、その傾斜の影響に適切に対応した補正量での補正が行われたものとなる。つまり、その補正処理後のマスクパターンによれば所望の線幅および形状の転写像をウエハ上へ露光転写し得るようになる。
【００４３】
したがって、上述した各工程を含むマスク補正方法およびそのマスク補正方法を経て得られる露光用マスクによれば、露光光がマスク面上に斜め入射する場合に、マスクパターンを構成する吸収膜３の側壁が傾斜を有していても、マスクパターンの補正によって、所望線幅および所望形状の転写像をウエハ上へ露光転写し得るので、パターン側壁の傾斜による影響を排除することが可能となる。したがって、パターン側壁の傾斜による影響でウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避できるようになり、当該転写像を所望通り（設計通り）のものとすることが可能となる。つまり、上述した各工程を含む補正を行うことで、極短紫外光を用いたリソグラフィ工程を経て得られる半導体装置の性能向上を図れるようになる。
【００４４】
〔側壁角認識の具体例〕
次に、上述した一連のマスク補正処理のうち、マスクパターン側壁角乃至側壁形状の認識について、特に第３の手法を用いて認識を行う場合について、具体例を挙げて説明する。
【００４５】
はじめに、ウエハ上の結像に寄与する低次の回折光の強度が側壁角によって変化する様子について説明する。
ここで、平行入射でのマスクパターン側壁角90°に対する瞳通過光量Ｑparallelを基準とした、マスクパターン側壁に傾斜がある場合の瞳通過光量Ｑsidewallの比Ｑrsを、改めて以下の（３）式のように定義する。
【００４６】
Ｑrs＝Ｑsidewall／Ｑparallel・・・（３）
【００４７】
この（３）式において、瞳通過光量Ｑsidewallは、平行入射および直交入射の両方に対して定義される。
図７〜図１０は、瞳通過光量Ｑsidewallの具体例を示す説明図である。図７はウエハ上で所望のラインパターン幅22nmをピッチ44nmで得るための、マスクパターン側壁が順テーパ形状の傾斜の場合に対するＱrs、図８はウエハ上で所望のラインパターン幅44nmをピッチ88nmで得るための、マスクパターン側壁が順テーパ形状の傾斜の場合に対するＱrsである。また、図９はウエハ上で所望のラインパターン幅22nmをピッチ88nmで得るための、マスクパターン側壁が逆テーパ形状の傾斜の場合に対するＱrs、図１０はウエハ上で所望のラインパターン幅44nmをピッチ88nmで得るための、マスクパターン側壁が逆テーパ形状の傾斜の場合に対するＱrsである。なお、ラインパターンとは、マスク面上における吸収膜３で遮光されてウエハ上に転写されるパターンのことであり、また所望のウエハ上のラインパターン幅とは、マスクパターン側壁角90°で得られるラインパターン幅のことである。
【００４８】
これら図７および図８に示した順テーパ形状の場合に対するＱrsからも明らかなように、マスクパターン側壁角に対する瞳通過光量は、平行入射と直交入射とで異なっている。同様に、図９および図１０に示した逆テーパ形状の場合についても、マスクパターン側壁角に対する瞳通過光量は、平行入射と直交入射とで異なっている。つまり、マスク上に露光光が斜め入射する場合には、マスクパターン側壁角に対する瞳通過光量が平行入射と直交入射で異なるため、ウエハ上に転写するパターン幅も平行入射と直交入射で異なるものとなるのである。
【００４９】
続いて、結像に寄与しない高次の回折光の強度と側壁角との関係について説明する。図１１は、高次回折光の強度を検出してマスクパターン側壁角を認識する場合の概要を模式的に示す説明図である。図例のように、吸収膜３によって形成されるマスクパターンは、ライン・アンド・スペース・パターンで構成されることが望ましい。ただし、ライン・アンド・スペースパターンに限定されることはなく、他のパターン、例えば密集配置したホールパターンであってもよい。また、ここでは、反射光軸に沿って０次回折光が伝搬していくので、図中に示したように回折光の次数のマイナスとプラスを定義している。
【００５０】
回折光の強度を測定するには、例えばマイナス次数の高次回折光の強度を検出することが考えられる。
【００５１】
図１２は、ウエハ上でライン幅44nmのパターンをピッチ88nmで得るためのマスク上ライン・アンド・スペース・パターンから得られる高次回折光強度を、マスクパターン側壁角の関係として示した図である。ここでは、マスク上斜め入射角を6.6°に設定したため、−６次回折光の伝搬方向がマスク上露光光の入射方向に一致する。そこで、−７次以上の高次回折光の強度を検出するために、これらの回折光の強度を示している。−７次回折光から−１０次回折光の強度は、順テーパ形状および逆テーパ形状のいずれの場合も、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）減少する傾向を示している。順テーパ形状と逆テーパ形状の場合の違いは、−９次回折光と−１０次回折光を比較することで区別できる。順テーパ形状の場合は、図１２（ａ）に示すように、−９次回折光と−１０次回折光の強度が、側壁角が80°から70°の間で異なっている。一方、逆テーパ形状の場合では、図１２（ｂ）に示すように、−９次回折光と−１０次回折光の強度が、側壁角が80°以下で略等しくなっている。さらに、順テーパ形状と逆テーパ形状の場合の違いは、−７次回折光と−８回折光を比較することでも区別できる。順テーパ形状の場合は、図１２（ａ）に示すように、−７次回折光と−８回折光の強度が、側壁角が70°以下で略等しくなっている。一方、逆テーパ形状の場合には、図１２（ｂ）に示すように、−７次回折光と−８回折光の強度が、側壁角によらず異なっている。
【００５２】
図１３は、ウエハ上でライン幅22nmのパターンをピッチ44nmで得るためのマスク上ライン・アンド・スペース・パターンから得られる高次回折光強度を、マスクパターン側壁角の関係として示した図である。ここでは、マスク上斜め入射角を6.6°に設定したため、−３次回折光の伝搬方向がマスク上露光光の入射方向に一致する。そこで、−４次以上の高次回折光の強度を示している。−４次回折光の強度は、順テーパ形状および逆テーパ形状のいずれの場合も、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）減少する傾向を示している。順テーパ形状と逆テーパ形状の場合の違いは、−５次回折光の強度と−６次回折光以上の高次回折光の強度を比較することで区別できる。順テーパ形状の場合は、図１３（ａ）に示すように、−６次回折光の強度が、側壁角によらずほとんど検出されない。一方、逆テーパ形状の場合は、図１３（ｂ）に示すように、−６次以上の回折光の強度が、側壁が垂直形状から乖離するに従って（90°から傾斜角が小さくなるに従って）増大する。
【００５３】
このように、マスクパターン側壁が順テーパ形状または逆テーパ形状の傾斜を有している場合には、高次回折光を検出することで、側壁角を特定し、かつ、順テーパ形状と逆テーパ形状を区別できる。つまり、高次回折光を検出すれば、その検出結果を基にして、マスクパターン側壁角乃至側壁形状の認識を行うことができるのである。
【００５４】
〔補正量決定の際に基にする対応関係の具体例〕
次に、側壁角乃至側壁形状の認識から補正量の決定を行う際に基にする対応関係、すなわち斜め入射光をマスク面上に射影した射影ベクトルとマスクパターンの構成辺とがなす角度と、その構成辺を形成するマスクパターン側壁の傾斜角と、転写像の変形量との間の対応関係について、具体例を挙げて説明する。
【００５５】
先ず、対応関係の具体例として、平行入射と直交入射でのパターン側壁角と転写像の線幅との関係の特徴を、パターン側壁が順テーパ形状であり、かつ、ウエハ上所望のパターン線幅が44nmの場合を例に挙げて説明する。なお、以下の説明では、マスク上法線に対する露光光の斜め入射角を6.6°、投影光学系のレンズの開口数（ＮＡ）を0.25、有効光源径（σ）を0.8とする。
【００５６】
図１４は、パターン線幅とパターンピッチの関係を、順テーパ形状におけるパターン側壁角をパラメータとして、平行入射と直交入射の場合のそれぞれについて示した図である。図例によれば、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）、平行入射と直交入射の線幅差が増加することがわかる。
図１５〜図１７は、平行入射と直交入射の線幅差の増加を所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターンピッチをパラメータとして示した図である。図１５はＴａからなる吸収膜３の膜厚が64nmの場合の例示であり、図１６はＴａからなる吸収膜３の膜厚が86nmの場合の例示であり、図１７はＴａからなる吸収膜３の膜厚が108nmの場合の例示である。これらによれば、いずれのパターンピッチでも、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）、線幅差が大きくなることがわかる。さらには、吸収膜３の膜厚が大きくなるのに伴って線幅差も大きくなっている。
【００５７】
図１８は、パターン側壁が垂直形状から乖離する許容度（90°からの許容乖離角）の具体例を示した図である。図例には、所望の線幅に対して許容線幅差を0.5％、1.0％および2.0％に設定した場合を示している。
図例のように、パターン側壁の許容乖離角は、そのパターン側壁を形成する吸収膜３のＴａ膜厚が小さいと大きくなる。特に、許容線幅差を2.0％に設定した場合は、許容乖離角は10°よりも大きくなる。Ｔａ膜厚が64nmの場合は、さらに許容乖離角は30°よりも大きくなる。また、許容線幅差を1.0％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が大きくても、許容乖離角は５°に確保できる。
ここで、平行入射と直交入射の線幅差は、マスク上に露光光が斜めに入射することで生じる現象であって、従来のフォトリソグラフィのようにマスク上に露光光が垂直に入射する場合は生じないものであるから、許容線幅差はできるだけ小さいことが望ましい。
しかしながら、許容線幅差を0.5％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が大きいと許容乖離角が５°以下になり、マスクパターンの形成加工が困難になるおそれがある。したがって、その場合には、Ｔａ膜厚を例えば64nmに小さくするか、あるいはマスクパターンの補正を行えばよい。
【００５８】
続いて、平行入射と直交入射でのパターン側壁角と転写像の線幅との関係の特徴を、パターン側壁が順テーパ形状であり、かつ、ウエハ上所望のパターン線幅が22nmの場合を例に挙げて説明する。
図１９は、パターン線幅とパターンピッチの関係を、順テーパ形状におけるパターン側壁角をパラメータとして、平行入射と直交入射の場合のそれぞれについて示した図である。図例によれば、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）、平行入射と直交入射の線幅差が増加することがわかる。
図２０〜図２２は、平行入射と直交入射の線幅差の増加を所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターンピッチをパラメータとして示した図である。図２０はＴａからなる吸収膜３の膜厚が64nmの場合の例示であり、図２１はＴａからなる吸収膜３の膜厚が86nmの場合の例示であり、図２２はＴａからなる吸収膜３の膜厚が108nmの場合の例示である。これらによれば、いずれのパターンピッチでも、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるのに伴って）、線幅差が大きくなることがわかる。さらには、吸収膜３の膜厚が大きくなるのに伴って線幅差も大きくなっている。特に、パターンピッチが44nmの密集パターン配置において顕著である。これは、密集パターンでは、ウエハ上での光強度コントラストが低下して、側壁角の影響が大きくなるためである。
【００５９】
図２３は、パターン側壁が垂直形状から乖離する許容度（90°からの許容乖離角）の具体例を示した図である。図例では、パターンピッチが44nmの密集パターンでの線幅差を考慮していない。また、図例には、所望の線幅に対して許容線幅差を1.0％および2.0％に設定した場合を示している。
図例のように、パターン側壁の許容乖離角は、そのパターン側壁を形成する吸収膜３のＴａ膜厚が小さいと大きくなる。例えば、許容線幅差を1.0％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が64nmで、許容乖離角を５°に確保できる。また、許容線幅差を2.0％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が90nm以下で、許容乖離角を５°以上に確保できる。その一方で、許容線幅差が0.5％の場合には、許容乖離角を得ることができない。さらに、パターンピッチが44nmの密集パターンを考慮すると、許容線幅差を大きく設定したとしても許容乖離角は得ることができない。したがって、これらの場合には、マスクパターンの補正を行う必要が生じる。
【００６０】
次いで、平行入射と直交入射でのパターン側壁角と転写像の線幅との関係の特徴を、パターン側壁が逆テーパ形状であり、かつ、ウエハ上所望のパターン線幅が44nmの場合を例に挙げて説明する。
図２４は、パターン線幅とパターンピッチの関係を、逆テーパ形状におけるパターン側壁角をパラメータとして、平行入射と直交入射の場合のそれぞれについて示した図である。図例によれば、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）、平行入射と直交入射の線幅差が増加することがわかる。
図２５〜図２７は、平行入射と直交入射の線幅差の増加を所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターンピッチをパラメータとして示した図である。図２５はＴａからなる吸収膜３の膜厚が64nmの場合の例示であり、図２６はＴａからなる吸収膜３の膜厚が86nmの場合の例示であり、図２７はＴａからなる吸収膜３の膜厚が108nmの場合の例示である。これらによれば、いずれのパターンピッチでも、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるのに伴って）、線幅差が大きくなることがわかる。さらには、吸収膜３の膜厚が大きくなるのに伴って線幅差も大きくなっている。
【００６１】
図２８は、パターン側壁が垂直形状から乖離する許容度（90°からの許容乖離角）の具体例を示した図である。図例には、所望の線幅に対して許容線幅差を0.5％、1.0％および2.0％に設定した場合を示している。
図例のように、パターン側壁の許容乖離角は、そのパターン側壁を形成する吸収膜３のＴａ膜厚が小さいと大きくなる。特に、許容線幅差を2.0％以上に設定した場合は、許容乖離角が10°よりも大きくなる。Ｔａ膜厚が64nmの場合は、許容線幅差を2.0％にすると、許容乖離角が30°よりもさらに大きくなる。また、許容線幅差を1.0％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が94nm以下であれば、大きくても許容乖離角は５°に確保できる。
ここで、平行入射と直交入射の線幅差は、マスク上に露光光が斜めに入射することで生じる現象であって、従来のフォトリソグラフィのようにマスク上に露光光が垂直に入射する場合は生じないものであるから、許容線幅差はできるだけ小さいことが望ましい。
しかしながら、許容線幅差を0.5％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が大きいと許容乖離角は５°以下になり、マスクパターンの形成加工が困難になるおそれがある。したがって、その場合には、Ｔａ膜厚を例えば77nmに小さくするか、あるいはマスクパターンの補正を行えばよい。
【００６２】
続いて、平行入射と直交入射でのパターン側壁角と転写像の線幅との関係の特徴を、パターン側壁が逆テーパ形状であり、かつ、ウエハ上所望のパターン線幅が22nmの場合を例に挙げて説明する。
図２９は、パターン線幅とパターンピッチの関係を、逆テーパ形状におけるパターン側壁角をパラメータとして、平行入射と直交入射の場合のそれぞれについて示した図である。図例によれば、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるに伴って）、平行入射と直交入射の線幅差が増加することがわかる。
図３０〜図３２は、平行入射と直交入射の線幅差の増加を所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターンピッチをパラメータとして示した図である。図３０はＴａからなる吸収膜３の膜厚が64nmの場合の例示であり、図３１はＴａからなる吸収膜３の膜厚が86nmの場合の例示であり、図３２はＴａからなる吸収膜３の膜厚が108nmの場合の例示である。これらによれば、いずれのパターンピッチでも、側壁が垂直形状から乖離するのに伴って（90°から傾斜角が小さくなるのに伴って）、線幅差が大きくなることがわかる。さらには、吸収膜３の膜厚が大きくなるのに伴って線幅差も大きくなっている。
【００６３】
図３３は、パターン側壁が垂直形状から乖離する許容度（90°からの許容乖離角）の具体例を示した図である。図例には、所望の線幅に対して許容線幅差を0.5％、1.0％および2.0％に設定した場合を示している。なお、図例では、パターンピッチが44nmの場合を除いた結果を示している。
図例のように、パターン側壁の許容乖離角は、そのパターン側壁を形成する吸収膜３のＴａ膜厚が小さいと大きくなる。例えば、許容線幅差を2.0％に設定した場合は、Ｔａ膜厚が小さいとに許容乖離角を５°以上に確保できる。その一方で、許容線幅差が0.5％の場合は、許容乖離角を得ることができない。さらに、パターンピッチが44nmの密集パターンを考慮すると、許容線幅差を大きく設定したとしても許容乖離角は得ることができない。したがって、これらの場合には、マスクパターンの補正を行う必要が生じる。
【００６４】
以上のようなパターン側壁角と転写像の線幅との関係の特徴から、斜め入射光のマスク面上への射影ベクトルとパターン構成辺とがなす角度（すなわち、平行入射と直交入射との別）と、パターン側壁角と、転写像の線幅の変形量との間については、以下に述べるような対応関係を特定することが可能となる。
なお、ここでは、ウエハ上での光強度コントラストが低下する条件としてウエハ上でのパターン線幅22nmをピッチ44nmで形成する場合を例示するとともに、比較のためにパターン線幅22nmをピッチ88nmで形成する場合およびパターン線幅44nmをピッチ88nmで形成する場合を例示する。
【００６５】
図３４〜図３６は、マスクパターン補正前のマスクを用いて得たウエハ上でのパターン線幅を、順テーパ形状でのマスクパターン側壁角に対してプロットした結果の具体例を示した図である。図３４はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ44 nmで得るための順テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅、図３５はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ88nmで得るための順テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅、図３６はウエハ上で所望のパターン線幅44nmをピッチ88nmで得るための順テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅を示している。
これらの図例によれば、順テーパ形状でのマスクパターン側壁角に対して、平行入射の場合にはウエハ上パターン線幅は単調に増加するが、直交入射の場合にはウエハ上パターン線幅は一旦細くなった後に単調増加に転じることがわかる。このように、パターン側壁角と転写像の線幅変形量との対応関係は、所望するウエハ上パターン幅によって異なるものとなり、また平行入射と直交入射との別によっても異なるものとなる。
【００６６】
図３７〜図３９は、マスクパターン補正前のマスクを用いて得たウエハ上でのパターン線幅を、逆テーパ形状でのマスクパターン側壁角に対してプロットした結果の具体例を示した図である。図３７はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ44 nmで得るための逆テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅、図３８はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ88nmで得るための逆テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅、図３９はウエハ上で所望のパターン線幅44nmをピッチ88nmで得るための逆テーパ形状に対するウエハ上パターン線幅を示している。
これらの図例によれば、逆テーパ形状でのマスクパターン側壁角に対して、
逆テーパーでのマスク吸収パターン側壁角に対して、平行入射の場合および直交入射の場合ともに、ウエハ上パターン線幅は単調に減少することがわかる。ただし、平行入射と直交入射とでは、ウエハ上パターン線幅が異なる。
【００６７】
なお、ここでは、平行入射と直交入射との別と、パターン側壁角と、転写像の線幅の変形量との間の対応関係を例示したが、その対応関係は、転写像の線幅についてのものではなく、瞳通過光量についてのものであってもよい。瞳通過光量は、転写像の線幅を特定するパラメータの一つであり、瞳通過光量が定まれば転写像の線幅も定まるからである。
【００６８】
〔補正量決定の具体例〕
ところで、上述したように、反射型の露光用マスクの場合には、マスク面に斜めに露光光が入射するので、平行入射と直交入射とでもウエハ上における転写像の線幅が異なる。そのために、マスクパターン側壁角の許容範囲を拡げるべく、あるいは平行入射と直交入射とでウエハ上パターン線幅を略同一にすべく、マスク上におけるパターンの図形幅を補正する必要がある。また、マスク上の図形を、所望の忠実性でもってウエハ上に転写するために、マスク上におけるパターン図形を変形させる必要がある。
そのためには、転写像の線幅が所望の値になるように、マスク上図形を補正すればよい。あるいは、瞳通過光量比Ｑrsが「１」に等しくなるように、マスク上図形を補正すればよい。どちらの手法を用いても略同一の補正量を得ることができる。
【００６９】
マスク上図形に対する補正量は、吸収膜３によるパターン側壁の傾斜角についての認識結果と、平行入射と直交入射の別、パターン側壁角および転写像の線幅の変形量（または瞳通過光量）の間の対応関係とを基に決定すればよい。
【００７０】
ここで、マスクパターン側壁が順テーパ形状の場合に、平行入射と直交入射での線幅差を小さくするために、マスク上図形の線幅補正を行う際の補正量について、具体例を挙げて説明する。なお、ここでは、マスクパターン側壁角に対する補正に加えて、斜め入射効果に対する補正および光近接効果補正に対する補正をも同時に行うものとするが、斜め入射効果に対する補正および光近接効果補正に対する補正については公知技術を利用して行えばよいため、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
図４０〜図４２は、順テーパ形状を持つマスクパターン側壁角に対する４倍マスク上パターン線幅の補正量の具体例を示した図である。図例は、マスク上法線に対する露光光の斜め入射角が6.6°、投影光学系のレンズの開口数（ＮＡ）が0.25、有効光源径（σ）が0.8である場合を示している。Ｔａからなる吸収膜３の膜厚は108nmである。また、図４０はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ44nmで得るための順テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量、図４１はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ88nmで得るための順テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量、図４２はウエハ上で所望のパターン線幅44nmをピッチ88nmで得るための順テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量である。
【００７２】
これらの補正量を与えたマスクパターンで得たウエハ上転写像のパターン線幅の具体例を、図４３〜図４５に示す。図４３は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅22nmをピッチ44nmで得たものである。図４４は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅22nmをピッチ88nmで得たものである。また、図４５は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅44nmをピッチ88nmで得たものである。
【００７３】
これらの補正量によって補正を行った後のマスクパターンで得たウエハ上転写像での平行入射と直交入射の線幅差について、所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターン線幅に対して図４６から図４８に示す。図４６は、パターン線幅22nmをピッチ44nmで得たときの線幅差である。図４７は、パターン線幅22nmをピッチ88nmで得たときの線幅差である。図４８は、パターン線幅44nmをピッチ88nmで得た時の線幅差である。
これらの結果から、吸収膜３の膜厚が108nmと大きくても、許容線幅差を絶対値で1.0％以下にできることがわかる。
【００７４】
続いて、マスクパターン側壁が逆テーパ形状の場合に、平行入射と直交入射での線幅差を小さくするために、マスク上図形の線幅補正を行う際の補正量について、具体例を挙げて説明する。ここでも、マスクパターン側壁角に対する補正に加えて、斜め入射効果に対する補正および光近接効果補正に対する補正を同時に行っているものとする。
【００７５】
図４９〜図５１は、逆テーパ形状を持つマスクパターン側壁角に対する４倍マスク上パターン線幅の補正量の具体例を示した図である。図例は、マスク上法線に対する露光光の斜め入射角が6.6°、投影光学系のレンズの開口数（ＮＡ）が0.25、有効光源径（σ）が0.8である場合を示している。Ｔａからなる吸収膜３の膜厚は108nmである。また、図４９はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ44nmで得るための逆テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量、図５０はウエハ上で所望のパターン線幅22nmをピッチ88nmで得るための逆テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量、図５１はウエハ上で所望のパターン線幅44nmをピッチ88nmで得るための逆テーパ形状を持つマスクパターンに対する補正量である。
【００７６】
これらの補正量を与えたマスクパターンで得たウエハ上転写像のパターン線幅の具体例を、図５２〜図５４に示す。図５２は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅22nmをピッチ44nmで得たものである。図５３は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅22nmをピッチ88nmで得たものである。また、図５４は、ウエハ上で実際に得たパターン線幅であり、パターン線幅44nmをピッチ88nmで得たものである。
【００７７】
これらの補正量によって補正を行った後のマスクパターンで得たウエハ上転写像での平行入射と直交入射の線幅差について、所望の線幅で規格化して百分率で示した結果を、パターン線幅に対して図５５から図５７に示す。図５５は、パターン線幅22nmをピッチ44nmで得たときの線幅差である。図５６は、パターン線幅22nmをピッチ88nmで得たときの線幅差である。図５７は、パターン線幅44nmをピッチ88nmで得た時の線幅差である。
これらの結果から、パターン線幅22nmの場合は、吸収膜３の膜厚が108nmと大きく、その側壁角が73°であっても、許容線幅差を絶対値で1.0％以下にできることがわかる。また、パターン線幅44nmの場合では、吸収膜３の膜厚が108nmと大きく、その側壁角が60°であっても、許容線幅差を絶対値で1.0％以下にできることがわかる。
【００７８】
以上詳細に説明したように、本実施形態におけるマスク補正方法およびマスク製造方法並びに露光用マスクでは、マスクパターン側壁の傾斜角を認識し、その認識結果をパラメータの一つとして用いてマスクパターンに対する補正処理を行うので、その補正処理後には、露光光がマスク面上に斜め入射する場合においてマスクパターン側壁に傾斜が生じていても、平行入射と直交入射とでウエハ上での転写像の図形形状（例えば、パターン線幅）を略同一にすることができる。具体的には、本実施形態で説明したマスクパターン補正を行えば、パターン線幅22nmでピッチ44nmの密集パターンであっても、あるいはマスクパターンを構成する吸収膜３の膜厚が厚い場合であっても、従来技術では不可能であった良好な許容線幅差を得ることができる。
【００７９】
このことは、露光用マスクとして使用可能なマスクパターン側壁の傾斜角の許容範囲を拡げ得ることを意味する。すなわち、従来では許容されなかったパターン側壁角であっても、その傾斜角をパラメータとした補正処理によって当該傾斜角による影響を排除し得るようになるので、露光用マスクとしての使用が可能となる。したがって、本実施形態で説明したマスクパターン補正を行えば、露光用マスクの製造歩留まりの向上にも寄与し得るようになる。
【００８０】
つまり、本実施形態で説明したマスク補正方法およびマスク製造方法並びに露光用マスクによれば、マスクパターンを形成するパターン側壁に傾斜が生じている場合であっても、傾斜の影響に適切に対応し得るマスクパターンの補正を行えるので、ウエハ上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避することができ、結果として露光用マスクを用いたリソグラフィ工程を経て得られる半導体装置の性能向上を図ることが可能となる。しかも、マスクパターン側壁角の許容範囲を拡げることも可能となり、露光用マスクの製造歩留まりの向上も期待できる。
【００８１】
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、パターン側壁に傾斜が生じている場合として、その断面形状が順テーパ形状の場合と逆テーパ形状の場合を例示したが、これらの他にも、順テーパと逆テーパが組み合わされた三角形状の側壁や、波型形状の側壁等についても、全く同様に本発明を適用することができる。すなわち、任意の形状の側壁に対しても、マスク上図形補正を行うことで、所望のウエハ上線幅および所望のウエハ上転写形状を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る露光用マスクの構成例を示す模式図である。
【図２】順テーパ形状の傾斜を持つパターン側壁に対し、斜め入射光のマスク上への射影ベクトルがパターン構成辺に直交入射する場合の関係を示す説明図であり、図中においてＷはパターン側壁傾斜の中点で定義したパターン幅、Ｐはパターン側壁傾斜の中点で定義したパターンピッチの幅である。
【図３】順テーパ形状の傾斜を持つパターン側壁に対し、斜め入射光のマスク上への射影ベクトルがパターン構成辺に平行入射する場合の関係を示す説明図であり、図中においてＷはパターン側壁傾斜の中点で定義したパターン幅、Ｐはパターン側壁傾斜の中点で定義したパターンピッチの幅である。
【図４】逆テーパ形状の傾斜を持つパターン側壁に対し、斜め入射光のマスク上への射影ベクトルがパターン構成辺に直交入射する場合の関係を示す説明図であり、図中においてＷはパターン側壁傾斜の上面で定義したパターン幅、Ｐはパターン側壁傾斜の上面で定義したパターンピッチの幅である。
【図５】逆テーパ形状の傾斜を持つパターン側壁に対し、斜め入射光のマスク上への射影ベクトルがパターン構成辺に平行入射する場合の関係を示す説明図であり、図中においてＷはパターン側壁傾斜の上面で定義したパターン幅、Ｐはパターン側壁傾斜の上面で定義したパターンピッチの幅である。
【図６】本発明に係るマスク補正方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】ウエハ上で所望ラインパターン幅22nmをピッチ44nmで得るための、マスクパターン側壁が順テーパ形状の傾斜の場合に対する瞳通過光量比Ｑrsの具体例を示す説明図である。
【図８】ウエハ上で所望のラインパターン幅44nmをピッチ88nmで得るための、マスクパターン側壁が順テーパ形状の傾斜の場合に対する瞳通過光量比Ｑrsの具体例を示す説明図である。
【図９】ウエハ上で所望ラインパターン幅22nmをピッチ44nmで得るための、マスクパターン側壁が逆テーパ形状の傾斜の場合に対する瞳通過光量比Ｑrsの具体例を示す説明図である。
【図１０】ウエハ上で所望のラインパターン幅44nmをピッチ88nmで得るための、マスクパターン側壁が逆テーパ形状の傾斜の場合に対する瞳通過光量比Ｑrsの具体例を示す説明図である。
【図１１】パターン側壁角をウエハ上像形成に寄与しない回折光強度を検出することで認識する場合の概要を模式的に示す説明図である。
【図１２】ウエハ上でライン幅44nmのパターンをピッチ88nmで得るためのマスク上ライン・アンド・スペース・パターンから得られるマイナス次数の高次回折光強度を、マスクパターン側壁角の関係として示した説明図である。
【図１３】ウエハ上でライン幅22nmのパターンをピッチ44nmで得るためのマスク上ライン・アンド・スペース・パターンから得られるマイナス次数の高次回折光強度を、マスクパターン側壁角の関係として示した説明図である。
【図１４】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、順テーパ形状のマスクパターン側壁角をパラメータとした場合のライン幅のピッチ依存性の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図１５】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が64nmの場合を例示した図である。
【図１６】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が86nmの場合を例示した図である。
【図１７】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図１８】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、順テーパ形状での平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差の44nmに対する比の許容値をパラメータとした場合の、Ｔａ膜厚とパターン側壁許容傾斜角との関係の具体例を示す説明図である。
【図１９】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、順テーパ形状のマスクパターン側壁角をパラメータとした場合のライン幅のピッチ依存性の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図２０】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が64nmの場合を例示した図である。
【図２１】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が86nmの場合を例示した図である。
【図２２】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、順テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図２３】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22mを得る露光量において、順テーパ形状での平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差の22nmに対する比の許容値をパラメータとした場合の、Ｔａ膜厚とパターン側壁許容傾斜角との関係の具体例を示す説明図である。
【図２４】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、逆テーパ形状のマスクパターン側壁角をパラメータとした場合のライン幅のピッチ依存性の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図２５】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が64nmの場合を例示した図である。
【図２６】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す説明図であり、Ｔａ膜厚が86nmの場合を例示した図である。
【図２７】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図２８】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅44nmを得る露光量において、逆テーパ形状での平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を44nmに対する比の許容値をパラメータとした場合の、Ｔａ膜厚とパターン側壁許容傾斜角との関係の具体例を示す説明図である。
【図２９】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、逆テーパ形状のマスクパターン側壁角をパラメータとした場合のライン幅のピッチ依存性を示す図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図３０】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す図であり、Ｔａ膜厚が64nmの場合を例示した図である。
【図３１】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す図であり、Ｔａ膜厚が86nmの場合を例示した図である。
【図３２】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、逆テーパ形状でのパターンピッチをパラメータとした場合の、平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角との関係の具体例を示す図であり、Ｔａ膜厚が108nmの場合を例示した図である。
【図３３】孤立ラインパターンに相当するパターンピッチでライン幅22nmを得る露光量において、逆テーパ形状での平行入射と直交入射の間のライン幅の線幅差を22nmに対する比の許容値をパラメータとした場合の、Ｔａ膜厚とパターン側壁許容傾斜角との関係の具体例を示す説明図である。
【図３４】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得られる場合における、順テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図３５】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得られる場合における、順テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図３６】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得られる場合における、順テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図３７】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得られる場合における、逆テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図３８】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得られる場合における、逆テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図３９】パターン側壁角が90°であればウエハ上にて所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得られる場合における、逆テーパ形状のパターン側壁角とウエハ上ライン幅との対応関係の具体例を示す説明図である。
【図４０】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るための、順テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図４１】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るための、順テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図４２】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るための、順テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図４３】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、順テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図４４】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、順テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図４５】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、順テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図４６】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、順テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図４７】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、順テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図４８】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、順テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を44nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図４９】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るための、逆テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図５０】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るための、逆テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図５１】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るための、逆テーパ形状のパターン側壁角に対する４倍マスク上ライン幅の補正量の具体例を示す説明図である。
【図５２】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、逆テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図５３】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、逆テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図５４】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るために、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後での、逆テーパ形状のパターン側壁角に対するウエハ上ライン幅の具体例を示す説明図である。
【図５５】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ44nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、逆テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図５６】ウエハ上で所望のライン幅22nmをピッチ88nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、順テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図５７】ウエハ上で所望のライン幅44nmをピッチ88nmで得るときの、４倍マスク上ライン幅の補正を行った後で、順テーパ形状での平行入射と直交入射との間のライン幅の線幅差を22nmに対する比として得た値とパターン側壁角の関係の具体例を示す説明図である。
【図５８】マスク上斜め入射光のマスク上への射影ベクトルが、マスクパターン構成辺に対して直交する直交入射の場合の概要を示す説明図である。
【図５９】マスク上斜め入射光のマスク上への射影ベクトルが、マスクパターン構成辺に対して平行な平行入射の場合の概要を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８３】
１…基板、２…マスクブランクス膜、３…吸収膜
【図１】
2007073666.tif 000003
【図２】
2007073666.tif 000004
【図３】
2007073666.tif 000005
【図４】
2007073666.tif 000006
【図５】
2007073666.tif 000007
【図６】
2007073666.tif 000008
【図７】
2007073666.tif 000009
【図８】
2007073666.tif 000010
【図９】
2007073666.tif 000011
【図１０】
2007073666.tif 000012
【図１１】
2007073666.tif 000013
【図１２】
2007073666.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2007073666.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2007073666.tif 000018
【図１７】
2007073666.tif 000019
【図１８】
2007073666.tif 000020
【図１９】
2007073666.tif 000021
【図２０】
2007073666.tif 000022
【図２１】
2007073666.tif 000023
【図２２】
2007073666.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2007073666.tif 000026
【図２５】
2007073666.tif 000027
【図２６】
2007073666.tif 000028
【図２７】
2007073666.tif 000029
【図２８】
2007073666.tif 000030
【図２９】
2007073666.tif 000031
【図３０】
2007073666.tif 000032
【図３１】
2007073666.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
2007073666.tif 000036
【図３５】
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【図３６】
2007073666.tif 000038
【図３７】
2007073666.tif 000039
【図３８】
2007073666.tif 000040
【図３９】
2007073666.tif 000041
【図４０】
2007073666.tif 000042
【図４１】
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【図４２】
2007073666.tif 000044
【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
2007073666.tif 000051
【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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