(57)【要約】【課題】個体識別パターンの認識率を高めてヘッド信頼性を向上させ、歩留まりを改善可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。【解決手段】再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部と、ヘッド表面に露出する電極パッドと素子部の間を電気的に接続する素子配線部とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、素子配線部よりも上層に、素子部及び素子配線部の少なくとも一部を覆う遮光性の下地膜を設け、この下地膜よりもさらに上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部と、ヘッド表面に露出する電極パッドと前記素子部の間を電気的に接続する素子配線部とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記素子配線部よりも上層に、前記素子部及び前記素子配線部の少なくとも一部を覆う遮光性の下地膜を設け、この下地膜よりもさらに上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜は、前記識別パターン層に対向する上面を粗面とするメタル膜で形成され、この下地膜と前記素子配線部の間に、絶縁材料からなる配線保護層が介在している薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜は、前記識別パターン層に対向する上面を粗面とするレジストにより形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記識別パターン層は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｒｕのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜と前記識別パターン層の間に、絶縁材料からなる下地保護膜が介在している薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記識別パターン層は、絶縁材料からなる透明な表面保護層によって覆われている薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部に電気的に接続する素子配線部を形成する工程と、
前記素子配線部を覆う配線保護膜を絶縁材料で形成する工程と、
前記配線保護膜の上に金属膜を形成する工程と、
反応性イオンエッチングまたはエッチングにより前記金属膜の上面を粗面とし、前記素子部及び前記素子配線部の少なくとも一部を遮光する下地膜を形成する工程と、
前記下地膜よりも上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を金属材料により形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下地膜となる金属膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部に電気的に接続する素子配線部を形成する工程と、
前記素子配線部を覆う配線保護膜を絶縁材料で形成する工程と、
前記配線保護膜の上にレジストを形成する工程と、
ベークまたは反応性イオンエッチングにより前記レジストの上面を粗面とし、前記素子部及び前記素子配線部の少なくとも一部を遮光する下地膜を形成する工程と、
前記下地膜よりも上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を金属材料により形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記識別パターン層は前記下地膜の上に直接形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下地膜の形成後であって前記識別パターン層の形成前に、前記下地膜を覆う下地保護膜を絶縁材料で形成する工程を有し、この下地保護層の上面に前記識別パターン層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下地保護層の形成後に、該下地保護層の上面を平坦化する工程を有し、この平坦化された下地保護層の上面に前記識別パターン層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記識別パターン層の形成後、該識別パターン層を覆う透明な表面保護層を絶縁材料で形成する工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
請求項８ないし１４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記識別パターン層は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｒｕのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個体識別パターンを有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドは、周知のように、アルミナ・チタンカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材からなるスライダのトレーリング側端面に、薄膜素子を有している。薄膜素子には、磁気抵抗効果を利用して記録媒体から磁気記録情報を読み出す再生素子と、コイル等がパターン形成され、記録媒体に記録磁界を与えて記録動作する記録素子との少なくとも一方が含まれる。薄膜磁気ヘッドは、ウエハ基板上に多数の薄膜素子を一括形成した後に各薄膜素子毎にウエハ基板を切断し、個々の基板に対して、記録媒体との対向面となる端面に機械加工を施すことにより、完成する。このように薄膜磁気ヘッドが一度に多数製造されると、ウエハ単位またはウエハ内において電気特性に差があらわれたり、不良品が紛れ込んだりする虞がある。これらを防止及び管理してヘッドの性能及び信頼性を向上するために従来では、各薄膜磁気ヘッドに対して識別情報（個体識別パターン）を付与し、ヘッド完成後に、ヘッド製造時のプロセス情報や製品種情報、ロット情報、初期性能及び信頼性情報などを迅速に且つ正確に把握することが望まれている。通常、個体識別パターンは、数字や文字、記号などで構成され、薄膜素子と同一の層位置に形成される。このような個体識別パターンが付与された薄膜磁気ヘッドは、例えば特許文献１に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８５３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年では、軽量化及びヘッド特性改善などの観点からスライダのダウンサイズ化が進められていること、また、スライダ端面に設ける電極パッドの数が増大していることから、個体識別パターンを設けるスペースが狭くなってきており、個体識別パターン自体も小さく形成せざるを得ない。個体識別パターンは画像処理により読み出されることが一般的であるが、個体識別パターンが小さくなると認識率が低下し、誤検出を招いたり認識エラーになってしまう。個体識別パターンの誤検出や認識エラーが発生すれば、当該磁気ヘッドのプロセス情報や製品種情報、ロット情報等を把握することができず、信頼性が低下する。また、個体識別パターンを認識できないヘッドは不良品と判断される場合があり、歩留まりが課題となっている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、個体識別パターンの認識率を高めてヘッド信頼性を向上させ、歩留まりを改善可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、素子部及び素子配線部とは異なる層位置に識別パターン層を設ければスペース確保できること、識別パターン層の視認性を上げるには素子配線部よりも上層位置が適していること、及び、識別パターン層と素子配線部との間に遮光性の下地膜を介在させればさらに視認性が向上することに着目してなされたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部と、ヘッド表面に露出する電極パッドと素子部の間を電気的に接続する素子配線部とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、素子配線部よりも上層に、素子部及び素子配線部の少なくとも一部を覆う遮光性の下地膜を設け、この下地膜よりもさらに上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を設けたことを特徴としている。
【０００８】
下地膜は、識別パターン層に対向する上面を粗面とするメタル膜で形成することができ、この場合には、下地膜と素子配線部の間に、絶縁材料からなる配線保護層を介在させる。具体的に下地膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成されていることが好ましい。
【０００９】
下地膜は、識別パターン層に対向する上面を粗面とするレジストによっても形成することができる。レジストには、具体的にフォトレジストやポリミドレジストを用いることができる。
【００１０】
識別パターン層は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｒｕのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成することが実際的である。
【００１１】
下地膜と識別パターン層の間には、絶縁材料からなる下地保護膜を介在させることができる。下地膜と識別パターン層は直に積層されていてもよい。
【００１２】
識別パターン層は、絶縁材料からなる透明な表面保護層によって覆われていることが実際的であるが、ヘッド最表面に露出していてもよい。
【００１３】
本発明は、製造方法の態様によれば、再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部に電気的に接続する素子配線部を形成する工程と、素子配線部を覆う配線保護膜を絶縁材料で形成する工程と、配線保護膜の上に金属膜を形成する工程と、反応性イオンエッチングまたはエッチングにより金属膜の上面を粗面とし、素子部及び素子配線部の少なくとも一部を遮光する下地膜を形成する工程と、下地膜よりも上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を金属材料により形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１４】
下地膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料により形成することが実際的である。
【００１５】
また本発明は、製造方法の別態様によれば、再生素子と記録素子の少なくとも一方を含む素子部に電気的に接続する素子配線部を形成する工程と、素子配線部を覆う配線保護膜を絶縁材料で形成する工程と、配線保護膜の上にレジストを形成する工程と、ベークまたは反応性イオンエッチングによりレジストの上面を粗面とし、素子部及び素子配線部の少なくとも一部を遮光する下地膜を形成する工程と、下地膜よりも上層に、ヘッド個体識別用の識別パターン層を金属材料により形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１６】
識別パターン層は、下地膜の上に、直接形成しても間隔をあけて形成してもよい。識別パターン層を下地膜の上に間隔をあけて形成する場合は、具体的に、下地膜の形成後であって識別パターン層の形成前に、下地膜を覆う下地保護膜を絶縁材料で形成する工程を有し、この下地保護層の上面に識別パターン層を形成することが好ましい。より好ましくは、下地保護層の形成後に、該下地保護層の上面を平坦化する工程を有し、この平坦化された下地保護層の上面に識別パターン層を形成する。
【００１７】
識別パターン層の形成後は、該識別パターン層を覆う透明な表面保護層を絶縁材料で形成する工程を有することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、個体識別パターンの認識率を高めてヘッド信頼性を向上させ、歩留まりを改善可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向とそれぞれ定義する。
【００２０】
図１〜図９は、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドＨ１の第１実施形態を示している。図１は薄膜磁気ヘッドＨ１を電極パッド面から見て示す部分透視図であり、図２は薄膜磁気ヘッドＨ１を上方から見て示す平面図であり、図３は図２のIII−III線に沿う断面図である。
【００２１】
薄膜磁気ヘッドＨ１は、Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性セラミック材料からなるスライダ１のトレーリング端面１ａ上に、薄膜素子２と、外部接続用の複数の電極パッド３と、この薄膜素子２と対応する電極パッド３を電気的に接続する素子配線部４とを有している。薄膜素子２は、磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの漏れ磁界を検出し、磁気記録情報を読み取る再生ヘッドと、平面螺旋状または垂直螺旋状のコイル等がパターン形成されたインダクティブヘッドとを積層してなる、いわゆる複合型の薄膜磁気ヘッド素子である。薄膜素子２の再生ヘッドには一対の電極パッド３ａ、３ａ（もしくは３ｂ、３ｂ）を介して読取用の電流（センス電流）が供給され、インダクティブヘッドには一対の電極パッド３ｂ、３ｂ（もしくは３ａ、３ａ）を介して書込用の信号電流が供給される。電極パッド３（３ａ、３ｂ）は、本実施形態では４つ備えられ、図示Ｘ方向に沿って一列に並べられている。素子配線部４は、ＮｉやＣｕ、Ａｕなどの低抵抗導電材料で形成された複数の配線パターンで構成されており、各配線パターンは薄膜素子２からそれぞれハイト方向奥側に延出して対応する電極パッド３に接続されている。
【００２２】
上記概略構成を有する薄膜磁気ヘッドＨ１には、複数桁の数字や文字、記号などで構成される識別パターン層２０が設けられている。識別パターン層２０は、各薄膜磁気ヘッドに対して固有に付与されるものである。薄膜磁気ヘッドの完成後は、例えば画像処理で識別パターン層２０を読み出すことにより、ヘッド製造時のプロセス情報や製品種情報、ロット情報、初期性能及び信頼性情報等の各種情報を把握することができるようになっている。本実施形態の薄膜磁気ヘッドＨ１は、識別パターン層２０の認識率を向上させるための構造に特徴を有するものであり、以下では、識別パターン層２０周辺の構造及びその製造方法について、詳細に説明する。
【００２３】
識別パターン層２０は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｒｕのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料からなり、図１〜図３に示されるように、薄膜素子２及び素子配線部４よりも上層に設けられている。薄膜素子２や素子配線部４とは異なる層位置に識別パターン層２０を設けることで、薄膜素子２や素子配線部４によって識別パターン層２０の配置スペースが規制されずに済み、識別パターン層２０を配置可能なスペースが広がる。これにより、識別パターン層２０を構成する文字や数字、記号の大きさを拡大して、認識率の向上を図れる。識別パターン層２０は、電極パッド３以外の領域に形成可能である。また、よりヘッド最表面に近い位置に識別パターン層２０を設けることで、識別パターン層２０を画像処理で読み取る際の合焦動作が容易になるから、読取精度を高めることができる。本実施形態の識別パターン層２０は、英数字を組み合わせた任意の文字列により構成されている。
【００２４】
この識別パターン層２０と素子配線層４との間には、素子配線層４を覆う配線保護層５と、この配線保護層５の上に形成され、識別パターン層２０の視認性を高める下地膜１０と、この下地膜１０を覆う下地保護層６とが介在している。
【００２５】
下地膜１０は、識別パターン層２０と対向する上面１０ａを粗面とした、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料からなるメタル膜１０’からなり、図１〜図３に示されるように、薄膜素子２及び素子配線部４の少なくとも一部を覆って形成されている。ここで「粗面」とは、入射光を乱反射させる表面粗さＲａ＝７００ｎｍ程度の表面粗さを有する面を意味している。この下地膜１０が存在する領域では、ヘッド最表面からの入射光（可視光）が下地膜１０の粗面である上面１０ａで乱反射されることにより、該下地膜１０よりも下層に光が透過せず（非透光性）、下地膜１０よりも下層からの反射光も生じない（非反射性）。すなわち、下地膜１０は、該下地膜１０よりも下層のパターンを見えなくする遮光膜として機能する。この下地膜１０を素子配線部４と識別パターン層２０の間に設けることで、識別パターン層２０を薄膜素子２や素子配線部４の上方に配置しても該薄膜素子２や素子配線部４のパターンからの影響を受けることなく、識別パターン層２０の視認性を高められる。
【００２６】
配線保護層５及び下地保護層６は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣ等の絶縁材料により形成されている。下地保護層６の表面６ａは平坦化処理されており、この平坦面上に、上記識別パターン層２０が形成されている。
【００２７】
識別パターン層２０の上には、該識別パターン層２０を覆う表面保護層７が形成されている。表面保護層７は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣ等の絶縁材料により形成される透明膜であり、識別パターン層２０の視認性を妨げない。
【００２８】
次に、図４〜図９を参照し、上記薄膜磁気ヘッドＨ１の製造方法について説明する。図４は薄膜磁気ヘッドＨ１の製造工程の流れを示す工程フロー図であり、図５〜図９は、薄膜磁気ヘッドＨ１の各製造工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【００２９】
素子配線部４は薄膜素子２の形成工程中で同時に形成されるが、薄膜素子２及び素子配線部４の形成工程は本発明の特徴部分とは直接的には関わりがないことから省略し、以下では素子配線部４を形成した段階から、識別パターン層２０を形成する工程について説明する。
【００３０】
素子配線部４を形成したら（Ｓ１）、図５に示すように、該素子配線部４をすべて覆う配線保護層５を形成する（Ｓ２）。配線保護層５は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣ等の絶縁材料により形成する。
【００３１】
次に、図６に示すように、配線保護層５の上に、所定形状の下地膜１０をエッチングまたはリフトオフにより形成する（Ｓ３）。下地膜１０をエッチングにより形成する場合は、配線保護層５の上にＣｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料からなるメタル膜１０’を全面的に形成し、このメタル膜１０’の表面をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）またはエッチング液により粗面１０ａとした後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定形状にパターニングすることで完成する。パターニングにはウエットエッチング及びドライエッチングのいずれを用いてもよく、パターニング後にＲＩＥまたはエッチング液による表面処理を実施してもよい。ＲＩＥによる表面処理では、ＲＩＥガスとしてＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、Ｏ2を用いることができ、エッチング液による表面処理においてエッチング液は酸でもアルカリでもよい。一方、下地膜１０をリフトオフで形成する場合には、先ず、配線保護層５の上にリフトオフ用レジストを形成してからメタル膜１０’を成膜し、このメタル膜１０’にＲＩＥまたはエッチング液による表面処理を施し、レジストをリフトオフすることで完成する。ＲＩＥまたはエッチング液による表面処理はリフトオフ後に実施してもよい。
【００３２】
下地膜１０を形成したら、図７に示すように、下地膜１０及び配線保護層５の上に、下地膜１０をすべて覆う下地保護層６を形成する（Ｓ４）。下地保護層６は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣ等の絶縁材料により形成する。続いて、下地保護層６の上面に平坦化処理を施し、図８に示すような平坦面６ａを形成する（Ｓ５）。この平坦化処理により、次工程で形成する識別パターン層２０のパターニング精度及び読取精度を高めることができる。識別パターン層２０の形成領域に段差がなければ、この平坦化処理は省略可能である。
【００３３】
続いて、図９に示すように、下地保護層６の平坦面６ａの上に、複数桁の文字や数字、記号等から構成される識別パターン層２０を形成する（Ｓ６）。識別パターン層２０は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｒｕのいずれかまたは少なくとも２種以上の金属材料からなるメタル膜を下地保護層６の上に全面的に形成した後、所定形状にパターニングすることで形成できる。または、リフトオフにより形成できる。
【００３４】
識別パターン層２０を形成したら、識別パターン層２０及び下地保護層６の上に、識別パターン層２０をすべて覆う表面保護層７を形成する（Ｓ７）。表面保護層７は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮまたはＳｉＣ等の絶縁材料により形成する。以上により、図１〜図３に示す薄膜磁気ヘッドＨ１が完成する。表面保護層７の形成後は該表面保護層７に平坦化処理を施し、識別パターン層２０をヘッド最表面に露出させてもよい。
【００３５】
図１０は、本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ２を示す断面図である。薄膜磁気ヘッドＨ２は、第１実施形態のメタル膜１０’からなる下地膜１０の替わりに、レジストＲからなる下地膜１１０を備えている。この下地膜１１０以外の構成は第１実施形態と同一であり、図１０では第１実施形態と同一の構成要素に対して図１と同一符号を付してある。
【００３６】
下地膜１１０は識別パターン層２０と対向する上面１１０ａがベークまたはＲＩＥにより粗面とされていて、この下地膜１１０が存在している領域では、下地膜１１０よりも下層のパターンが見えることがなく、識別パターン層２０の視認性を向上させる。下地膜１１０を形成する際には、配線保護層５の上に所定形状のレジストＲを形成した後、ベークまたはＲＩＥによりレジストＲの上面１１０ａを粗面とし、レジストＲをキュアさせることで完成する。ベークまたはＲＩＥによる表面処理は、レジストキュア後に実施しても良い。
【００３７】
この第２実施形態では、下地膜１１０自体が絶縁性を有しているので、素子配線部４の上に下地膜１１０を直接形成することもできる。
【００３８】
以上のように各実施形態では、素子配線部４よりも上層に識別パターン層２０が設けられているので、識別パターン層２０を配置可能なスペースが広がり、識別パターン層２０を拡大して形成することで該識別パターン層２０の認識率を向上させることができる。これにより、スライダの小型化及び電極パッド数の増大化にも容易に適応可能である。そして、素子配線部４と識別パターン層２０の間にはさらに、薄膜素子２及び素子配線部４の少なくとも一部を覆う遮光性の下地膜１０（１１０）が設けられているので、識別パターン層２０を読取るときに下地膜１０（１１０）よりも下層のパターンが見えることなく、識別パターン層２０の視認性を向上させることができる。このように識別パターン層２０の認識率が上がれば、高いヘッド信頼性が得られ、歩留まりも改善される。
【００３９】
本実施形態では、下地膜１０（１１０）と識別パターン層２０の間に下地保護層６が設けられているが、下地膜の上に識別パターン層を直接形成してもよい。この態様によれば、識別パターン層と下地層の間に他の層が何も介在しないので、下地層による視認性向上効果を最も効率的に得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドを、電極パッド面から見て示す部分透視図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドを上方から見て示す平面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの製造工程の流れを示す工程フロー図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの各製造工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【図６】図５の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【図７】図６の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【図８】図７の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【図９】図８の次工程を示す（ａ）断面図、（ｂ）上面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の薄膜磁気ヘッドを示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
２   薄膜素子
３   電極パッド
４   素子配線部
５   配線保護層
６   下地保護層
７   表面保護層
１０   下地膜
１０’ メタル膜
２０   識別パターン層
１１０ 下地膜
【図１】
2007265510.tif 000003
【図２】
2007265510.tif 000004
【図３】
2007265510.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007265510.tif 000007
【図６】
2007265510.tif 000008
【図７】
2007265510.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007265510.tif 000011
【図１０】
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