(57)【要約】【課題】  配向膜の製造における生産性を向上し、また、配向膜の膜性能の低下をも防止した配向膜の製造装置と、液晶装置、電子機器を提供する。【解決手段】  対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の配向膜の製造装置１である。成膜室２と、成膜室２内にて基板Ｗに配向膜材料を蒸着し、配向膜を形成する蒸着手段７と、配向膜材料を選択的に蒸着させるためのスリット状の開口部１２を有し、蒸着手段７と基板Ｗとの間に設けられて基板Ｗの非配向膜形成領域を覆う遮蔽板１０と、を備えてなる。成膜室２にゲートバルブ１４を介して連通する真空チャンバーからなる給除材室３と、給除材室３に連通し、遮蔽板１０の予備を収容する遮蔽板収容室４と、給除材室３に設けられて、成膜室２内の遮蔽板１０と遮蔽板収容室４内の予備の遮蔽板１０とを交換する交換装置１８と、が設けられている。【選択図】      図１
2007025118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の配向膜の製造装置であって、
真空チャンバーからなる成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料を物理的蒸着法で蒸着し、配向膜を形成するための蒸着手段と、配向膜材料を選択的に蒸着させるためのスリット状の開口部を有し、前記蒸着手段と前記基板との間に設けられて該基板の非配向膜形成領域を覆う遮蔽板と、を備えてなり、
前記成膜室にゲートバルブを介して連通する真空チャンバーからなる給除材室と、該給除材室に連通し、前記遮蔽板の予備を収容する遮蔽板収容室と、前記給除材室に設けられて、前記成膜室内の遮蔽板と前記遮蔽板収容室内の予備の遮蔽板とを交換する交換装置と、が設けられていることを特徴とする配向膜の製造装置。
【請求項２】
前記遮蔽板収容室は、前記給除材室にゲートバルブを介して連通していることを特徴とする請求項１記載の配向膜の製造装置。
【請求項３】
前記交換装置は、前記成膜室内の遮蔽板を前記遮蔽板収容室内に排出する排出アームと、前記遮蔽板収容室内の予備の遮蔽板を前記成膜室内に供給する供給アームとを備えてなることを特徴とする請求項１又は２記載の配向膜の製造装置。
【請求項４】
前記給除材室と遮蔽板収容室とがそれぞれ複数ずつ設けられ、前記給除材室に前記交換装置が少なくとも一つ設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配向膜の製造装置。
【請求項５】
前記成膜室に、前記遮蔽板が複数設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配向膜の製造装置。
【請求項６】
前記成膜室には前記遮蔽板を保持する保持部が設けられ、該保持部と前記遮蔽板との間には、前記遮蔽板の開口部が所定の位置となるように遮蔽板の位置決めをするための位置決め部が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配向膜の製造装置。
【請求項７】
前記蒸着手段には、その蒸着源を開閉可能に覆うシャッターが備えられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配向膜の製造装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の配向膜の製造装置で製造された配向膜を有してなることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜の製造装置、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、画像光を作製するようになっている。
【０００３】
ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。ラビング処理とは、柔らかい布からなるローラで、高分子膜の表面を所定方向に擦ることにより、高分子を所定方向に配向させるものである。その配向性高分子と液晶分子との分子間相互作用により、配向性高分子に沿って液晶分子が配置されるので、非選択電圧印加時の液晶分子を所定方向に配向させることができるようになっている。また、側鎖アルキル基により、液晶分子にプレティルトを与えることができるようになっている。
【０００４】
しかしながら、このような有機配向膜を備えた液晶装置をプロジェクタの光変調手段として採用した場合、光源から照射される強い光や熱によって配向膜が次第に分解されるおそれがある。そして、長期間の使用後には、液晶分子を所望のプレティルト角に配列することができなくなるなど液晶分子の配向制御機能が低下し、液晶プロジェクタの表示品質が低下してしまうおそれがある。
【０００５】
そこで、耐光性および耐熱性に優れた無機材料からなる配向膜の使用が提案されており、このような無機配向膜の製造方法としては、例えば斜方蒸着法による酸化珪素（ＳｉＯ２）膜の成膜が知られている。斜方蒸着法により無機配向膜を製造する場合、配向膜を所望の配向状態に形成するためには、配向膜材料の入射角度を制御する必要がある。このような制御を行うため、従来、配向膜材料と基板との間にスリットを形成した遮蔽板を配設し、このスリットを通して所定の入射角度で選択的に蒸着をなさせることにより、所望の配向膜を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３６５６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記の技術では、配向膜材料であるＳｉＯ２が基板だけでなく遮蔽板にも蒸着することから、長時間処理を行うと、例えば遮蔽板のスリット幅が狭くなってしまう。すると、スリットで規定された入射角度などについての成膜条件が成膜初期に比べて変わってしまい、蒸着むらなどによって所望の配向膜が得られなくなってしまうことがある。さらに、遮蔽板のスリット近傍にも配向膜材料が付着するが、そのような状態で処理を続けると、この付着物がパーティクルとなって配向膜上に付着し、膜性能を低下させるおそれもある。
【０００７】
また、このような不都合を回避するためには、遮蔽板の交換など装置内のメンテナンスを頻繁に行う必要があるが、その場合には、生産性が著しく低下してしまうといった新たな不都合を生じてしまう。なぜなら、蒸着による成膜は、通常、装置内を真空雰囲気にして行うが、装置内のメンテナンス時には当然真空雰囲気から大気圧に戻す必要がある。したがって、メンテナンス後再度成膜を行うためには、装置内を再度真空引きし、所望の真空度にする必要がある。しかしながら、装置内を真空引きするには時間がかかり、例えば被成膜物である基板が多数個取りの大型基板である場合などでは、装置が大型となるため、真空引きに例えば１０数時間から１日程度要することもあるからである。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、配向膜の製造における生産性を向上し、また、配向膜の膜性能の低下をも防止した配向膜の製造装置、この製造装置で製造された配向膜を有した液晶装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため本発明の配向膜の製造装置は、対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の配向膜の製造装置であって、
真空チャンバーからなる成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料を物理的蒸着法で蒸着し、配向膜を形成するための蒸着手段と、配向膜材料を選択的に蒸着させるためのスリット状の開口部を有し、前記蒸着手段と前記基板との間に設けられて該基板の非配向膜形成領域を覆う遮蔽板と、を備えてなり、
前記成膜室にゲートバルブを介して連通する真空チャンバーからなる給除材室と、該給除材室に連通し、前記遮蔽板の予備を収容する遮蔽板収容室と、前記給除材室に設けられて、前記成膜室内の遮蔽板と前記遮蔽板収容室内の予備の遮蔽板とを交換する交換装置と、が設けられていることを特徴としている。
【００１０】
この配向膜の製造装置によれば、給除材室を真空状態にしておくことで、例えば蒸着による成膜処理を所定時間行った後のメンテナンス時に、成膜室内の真空状態を維持したままで、交換装置によって遮蔽板を予備の新しい遮蔽板に交換することが可能になる。したがって、新しい遮蔽板によって成膜条件を成膜初期における条件に戻すことができ、これにより製造する配向膜の膜性能の低下を防止することができる。また、遮蔽板に付着した配向膜材料の影響で、製造した配向膜にすじが形成されてしまうなどの成膜むらが生じてしまうのを防止することができ、さらに、遮蔽板に付着した配向膜材料がパーティクルとなって配向膜上に付着することも防止することができる。よって、製造する配向膜の膜性能の低下を防止することができる。
また、このメンテナンス時に、真空状態を維持したままで遮蔽板の交換を行うことができるので、従来のごとく一旦真空状態から大気圧にし、再度真空引きするといった操作が不要になり、したがって真空引き操作に要する時間の無駄をなくして生産性を格段に向上することができる。
【００１１】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記遮蔽板収容室が、前記給除材室にゲートバルブを介して連通しているのが好ましい。
このようにすれば、遮蔽板収容室に収容した予備の遮蔽板が全て使用済みとなった際、前記ゲートバルブを閉じて前記給除材室の真空状態を維持したまま、遮蔽板収容室内の遮蔽板の交換を行うことができる。そして、このように給除材室の真空状態を維持しておくことで、前記のメンテナンス時に成膜室と給除材室とを連通させた際、成膜室の真空状態が低下してしまうことを防止することができる。
【００１２】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記交換装置が、前記成膜室内の遮蔽板を前記遮蔽板収容室内に排出する排出アームと、前記遮蔽板収容室内の予備の遮蔽板を前記成膜室内に供給する供給アームとを備えてなるのが好ましい。
このようにすれば、使用済みの遮蔽板の排出と、予備の遮蔽板の供給とを並行して行うことができるので、遮蔽板の交換に要する時間を短縮することができ、生産性をより一層高めることができる。
【００１３】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記給除材室と遮蔽板収容室とがそれぞれ複数ずつ設けられ、前記給除材室に前記交換装置が少なくとも一つ設けられているのが望ましい。
このようにすれば、一つの給除材室によって成膜室内から使用済みの遮蔽板を排出するとともに、これと並行して、他の給除材室によって遮蔽板収容室から予備の遮蔽板を供給することができる。したがって、遮蔽板の交換に要する時間を短縮することができ、生産性をより一層高めることができる。また、例えば成膜室内にて複数の遮蔽板を用いて処理を行う場合に、給除材室と遮蔽板収容室とがそれぞれ複数ずつ設けられてことにより、これら複数の遮蔽板を同時に交換することも可能になる。
【００１４】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記成膜室に、前記遮蔽板が複数設けられるようにしてもよい。
このようにすれば、それぞれの遮蔽板に対応させることで複数の基板を同時にあるいは断続的に成膜処理することが可能になり、これによって生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記成膜室には前記遮蔽板を保持する保持部が設けられ、該保持部と前記遮蔽板との間には、前記遮蔽板の開口部が所定の位置となるように遮蔽板の位置決めをするための位置決め部が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、遮蔽板を交換した際に、その開口部の位置が所定の位置となるように容易に位置決めしセットすることが可能になる。
【００１６】
また、前記配向膜の製造装置においては、前記蒸着手段には、その蒸着源を開閉可能に覆うシャッターが備えられているのが好ましい。
蒸着手段により配向膜材料を昇華させた際、昇華開始初期においては昇華速度が安定せず、したがってその状態で成膜を行った場合に、得られる配向膜にむらが生じてしまうおそれがある。そこで、蒸着源を開閉可能に覆うシャッターを設け、昇華開始初期においては蒸着源を覆っておくことで、昇華速度が安定するまで成膜を待つことができる。また、このように蒸着源を覆っておくことで、成膜室内に配向膜材料が付着してしまうのを防止することができる。
【００１７】
なお、このようなシャッターについても、長時間使用すると配向膜材料の付着量が多くなり、この付着物がパーティクルとなって配向膜上に付着し、膜性能を低下させるおそれもある。そこで、このシャッターについても、前記遮蔽板と同様に、給除材室とシャッター収容室と交換装置とを備えることで、成膜室内の真空状態を大きく変えることなく、自動交換を行えるように構成しておくのが好ましい。
【００１８】
本発明の液晶装置は、前記の配向膜の製造装置で製造された配向膜を有してなることを特徴としている。
この液晶装置によれば、前述したように配向膜の膜性能の低下が防止されていることから、この液晶装置自体も良好な品質を有するものとなる。また、配向膜の製造についての生産性が向上していることから、この液晶装置自体の生産性も向上したものとなる。
【００１９】
本発明の電子機器は、前記の液晶装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、良好な品質を有し、生産性が向上した液晶装置を備えているので、この電子機器自体も良好な品質を有し、生産性が向上したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
図１は本発明における配向膜の製造装置の一実施形態の概略構成を示す図であり、図１中符号１は配向膜の製造装置（以下、製造装置と記す）である。この製造装置１は、液晶装置の構成部材となる基板Ｗの表面に無機材料からなる配向膜を形成するためのもので、真空チャンバーからなる成膜室２と、該成膜室２に連通する真空チャンバーからなる給除材室３と、該給除材室３に連通する遮蔽板収容室４とを備えて構成されたものである。
【００２１】
成膜室２は、配向膜形成の前処理（例えば基板の加熱処理）を行うための前処理室（図示せず）と、配向膜形成後の後処理（例えば基板の冷却処理）を行うための後処理室（図示せず）とにそれぞれ連通したもので、これら処理室との間の連通を気密に閉塞するゲートバルブ（図示せず）が備えられ、これによって前処理室からの基板Ｗの搬入、及び後処理室への基板Ｗの搬出が、室内の真空度を大きく低下させることなく行えるように構成されたものである。なお、この成膜室２内には、前処理室から搬入された基板Ｗを、連続的または断続的に搬送し、さらに後処理室に搬出するための搬送手段（図示せず）が設けられている。
【００２２】
この成膜室２には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ５が配管６を介して接続されている。また、この成膜室２内には、一方の側壁側に蒸着手段７が配設されている。蒸着手段７は、前記基板Ｗに対して配向膜材料を物理的蒸着法、すなわち、蒸着法やイオンビームスパッタ法等のスパッタ法によって蒸着し、配向膜を形成するためのものである。本実施形態では、配向膜材料からなる蒸着源７ａと、この蒸着源７ａに電子ビームを照射して加熱昇華させる電子ビーム銃ユニット（図示せず）とにより、蒸着手段７が構成されている。ここで、配向膜材料としては、二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の酸化珪素（ＳｉＯｘ）や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物が用いられる。この蒸着手段７では、蒸着源７ａを保持するルツボ（図示せず）の開口が、後述する遮蔽板の開口部に向くように配設されており、これによって蒸着手段７は、配向膜材料の昇華物（蒸着物）を、図１中の二点鎖線で示す方向、すなわち遮蔽板の開口部近傍に効率良く出射するようになっている。
【００２３】
また、この蒸着手段７には、その蒸着源７ａを開閉可能に覆うシャッター８が備えられている。このシャッター８は、本実施形態では図示しない進退機構に接続されて、蒸着源７ａを開放した状態（図１中に実線で示す状態）と、蒸着源７ａを覆った状態（図１中に破線で示す状態）との間を、移動できるように構成されたものである。このような構成のもとにシャッター８は、後述するように特に配向材料の昇華開始初期において、蒸着源７ａを覆うことで、蒸着源７ａの昇華速度が安定するまで、基板Ｗに対する成膜を停止させることができるようになっている。
【００２４】
前記蒸着手段７と前記基板Ｗとの間には保持板９が設けられている。この保持板９は、その上面側に基板Ｗを保持し、かつ、前記搬送手段（図示せず）によってこれを移動可能にしたものである。この保持板９には、成膜室２内において前記蒸着手段７と反対の側壁側に、遮蔽板１０を保持固定するための保持部１１が形成されている。保持部１１は、遮蔽板１０に対応した形状の開口１１ａと、この開口１１ａの内縁部下側にて、内側に延出して形成された支持部１１ｂとからなるものである。このような構成によって遮蔽板１０は、前記開口１１ａ内に嵌め込まれ、支持部１１ｂ上に載置されることにより、保持板９に着脱可能に保持固定されるようになっている。
【００２５】
遮蔽板１０は、金属やセラミックス、樹脂等によって形成されたもので、前記保持板９の保持部１１に保持固定されることより、後述するように前記基板Ｗの非配向膜形成領域を覆うようになっている。この遮蔽板１０には、図２に示すように適宜な幅のスリット状の開口部（スリット）１２が形成されている。この開口部１２は、遮蔽板１０が所定の状態に配置されたことにより、前記基板Ｗの搬送方向と直交するように位置させられたもので、前記蒸着手段７からの配向膜材料（蒸着物）を、基板Ｗに選択的に蒸着させるためのものである。また、この開口部１２は、その内部に臨む基板Ｗの面を、前記蒸着源７ａに対して所定の角度範囲にするように形成配置されている。これによって配向膜材料の昇華物（蒸着物）は、基板Ｗの成膜面に対して、所定の角度で斜方蒸着するようになっている。
【００２６】
ここで、本実施形態では、遮蔽板１０が前記基板Ｗに対して所定の状態に配置されるように、すなわち、その開口部１２が前記蒸着源７ａに対して所定の位置となるように、遮蔽板１０と保持部１１との間に位置決め部が設けられている。遮蔽板１０は、図２に示したようにその平面形状が略円形状で、その周縁部に直線部１０ａが、開口部１２と平行に形成されている。一方、この遮蔽板１０を保持する保持板９の保持部１１には、その開口１１ａの内縁に、前記直線部１０ａに対応する直線部１１ｃが形成されている。このような構成のもとに遮蔽板１０は、図２に示したようにその直線部１０ａが、保持部１１における直線部１１ｃに対向する状態でのみ、該保持部１１に保持固定されるようになっている。すなわち、本実施形態では、遮蔽板１０の直線部１０ａと、保持部１１の直線部１１ｃとにより、遮蔽板１０の位置決めをなすための位置決め部が形成されているのである。
【００２７】
なお、このような直線部１０ａ、１１ｃによる構成以外にも、これら直線部１０ａ、１１ｃ以外の形状による係合や、ピンと孔とによる係合など、従来公知の係合等による位置決めの手段を、本発明における位置決め部として採用するようにしてもよい。
【００２８】
また、遮蔽板１０自体は、基板Ｗの底面側を覆うことで、開口部１２によって規定された成膜領域以外の、非配向膜形成領域を覆い、この領域への配向膜材料の蒸着を阻むようになっている。ただし、基板Ｗは開口部１２に対して移動することから、基板Ｗの成膜領域（配向膜形成領域）を、時間をずらしつつ全て開口部１２内に臨ませることで、この成膜領域の全面に配向膜材料を斜方蒸着させることができるようになっている。
なお、成膜室２内には、その内壁面に配向膜材料が付着することを防止するため、防着板１３が成膜室２に対して着脱可能に配設されている。
【００２９】
この成膜室２には、前記給除材室３が、ゲートバルブ１４を介して連通して接続されている。給除材室３は、真空チャンバーによって形成されたもので、成膜室２と同様に、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ（図示せず）を備えたものである。ゲートバルブ１４は、開閉可能に構成されて、給除材室３と成膜室２との間の連通を気密に閉塞し、あるいはこれを開放するためのものである。
【００３０】
この給除材室３には、前記遮蔽板収容室４が、ゲートバルブ１５を介して連通して接続されている。遮蔽板収容室４は、前記遮蔽板１０の予備を複数収容するもので、真空チャンバーによって形成されたものであり、成膜室２や給除材室３と同様に、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための真空ポンプ（図示せず）を備えたものである。ゲートバルブ１５は、前記ゲートバルブ１４と同様に開閉可能に構成されたもので、遮蔽板収容室４と給除材室３との間の連通を気密に閉塞し、あるいはこれを開放するためのものである。
【００３１】
遮蔽板収容室４にはカセット昇降装置１６が設けられており、カセット昇降装置１６には収納カセット１７が設けられている。カセット昇降装置１６は、エアーシリンダや油圧シリンダなどによる公知の昇降装置であって、昇降ロッド１６ａ上に支持板（図示せず）を備え、この支持板上に収納カセット１７を着脱可能に保持したものである。
収納カセット１７は、遮蔽板１０の予備、すなわち、未使用あるいはクリーニング後のもので、配向膜材料の付着がない遮蔽板１０を、複数枚収納したものである。ここで、遮蔽板収容室４には、前記ゲートバルブ１５とは別に、外部に連通するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。そして、収納カセット１７は、収納した遮蔽板１０の予備の全てが使用済みの遮蔽板１０に交換させられた際、このゲートバルブを開くことで、別に用意された収納カセット１７と交換させられるようになっている。
【００３２】
また、前記給除材室３には、前記成膜室２内の遮蔽板１０と、前記遮蔽板収容室４内の予備の遮蔽板１０とを交換する交換装置１８が設けられている。この交換装置１８は、給除材室３内において、成膜室２と遮蔽板収容室４との間、すなわちゲートバルブ１４、１５間を走行する走行部１８ａと、この走行部１８ａに回動可能かつ昇降可能に設けられたアーム１８ｂとを備えて形成されたものである。アーム１８ｂは伸縮可能に形成されたもので、その先端部には、遮蔽板１０を保持するための保持部（図示せず）が、磁石や静電チャックなどによって設けられている。
このような構成のもとに交換装置１８は、その走行部１８ａを一方のゲートバルブ側に移動させ、アーム１８ｂを動作させることにより、遮蔽板１０を保持し、さらにこれを移送するようになっている。
【００３３】
次に、このような構成の製造装置１による配向膜の製造方法と、この製造装置１のメンテナンスについて説明する。
まず、ゲートバルブ１４を閉じておき、その状態で真空ポンプ５を作動させ、成膜室２内を所望の真空度に調整しておくとともに、図示しない加熱手段によって成膜室２内を所定の温度に調整する。
また、これとは別に、シャッター８によって蒸着源７ａを覆い、その状態で蒸着手段７を作動させ、配向膜材料を昇華させる。そして、配向膜材料の昇華速度が安定したら、シャッター８を移動させ、蒸着源７ａを開放する。このように蒸着源７ａを開放することで、図１中の二点鎖線で示す範囲に配向膜材料を昇華させ、出射させることができる。
【００３４】
続いて、前処理室で加熱等の前処理がなされた基板Ｗを成膜室２内に搬入する。そして、この基板Ｗを搬送手段で連続的あるいは断続的に移動させ、遮蔽板１０上に到達させてその成膜面を開口部１２に臨ませる。
すると、開口部１２が蒸着源７ａに対して所定の角度範囲となるように形成配置されていることにより、蒸着源７ａから昇華してきた配向膜材料は、基板Ｗの成膜面に対して所定の角度で斜方蒸着する。そして、このような斜方蒸着を、開口部１２に対して基板Ｗを連続的あるいは断続的に移動させつつ行うことで、最終的に、基板Ｗの成膜領域（配向膜形成領域）の全面に配向膜材料を斜方蒸着させ、これにより所望の配向膜を形成することができる。
【００３５】
ところで、このような蒸着による成膜では、蒸着手段７による配向膜材料からの昇華物（蒸着物）を、開口部１２内にのみ選択的に出射するのはほとんど不可能であり、通常は、図３に示すように遮光板４の下面の、開口部１２の近傍、さらには開口部１２の内縁部に配向膜材料１９が蒸着し付着してしまう。そして、成膜処理の時間が長くなるに連れ、配向膜材料１９の付着量が多くなり、この付着した配向膜材料１９によって、前述したように得られる配向膜の膜性能が低下してしまうおそれが生じる。
【００３６】
そこで、本発明においてもこのような膜性能の低下を防止するため、メンテナンスとして遮蔽板１０の交換を行う。ただし、本発明では、従来と異なり、成膜室２内を大気圧に戻すことなく、交換装置１８によって自動的に遮蔽板１０を交換する。
すなわち、本発明の実施形態では、基板Ｗに配向膜を形成した後、成膜室２内を大気圧に戻すことなく、この基板Ｗを後処理室に搬出するとともに、蒸着手段７による配向膜材料の昇華を停止する。また、このメンテナンス（交換）に先立ち、給除材室３内及び遮蔽板収容室４内を、それぞれ所望の真空状態にしておく。なお、このメンテナンス（交換）のタイミングについては、特に限定されることなく、１枚の基板Ｗに成膜処理する毎に行ってもよく、予め設定した枚数の基板Ｗを成膜処理した後に行うようにしてもよい。
【００３７】
続いて、ゲートバルブ１４を開き、交換装置１８の走行部１８ａをゲートバルブ１４側に移動させる。そして、アーム１８ｂを動作させることにより、成膜室２内の遮蔽板１０を保持部１１から外し、そのまま保持してこれを給除材室３内に引き入れる。さらに、アーム１８ｂを回動させて保持した遮蔽板１０を遮蔽板収容室４側に向け、走行部１８ａをゲートバルブ１５側に移動させる。次いで、ゲートバルブ１５を開き、保持していた使用済みの遮蔽板１０を収容カセット１７内に入れ、さらにこの収容カセット１７から予備の遮蔽板１０を取り出し、これを保持する。そして、再度アーム１８ｂをゲートバルブ１４側に向け、走行部１８ａを移動させ、保持した遮蔽板１０の予備を、成膜室２内の保持部１１にセットする。このとき、保持部１１と遮蔽板１０との間には、前述した直線部１０ａ、１１ｃによる位置決め部が形成されているので、この位置決め部に規制される状態で遮蔽板１０を保持部１１にセットすることにより、遮蔽板１０の開口部１２を所定の位置に位置合わせることができる。
【００３８】
このようにして遮蔽板１０の交換を行ったら、成膜室２と給除材室３との間のゲートバルブ１４を閉じ、交換後の新たな遮蔽板１０を用いて再度基板Ｗに対する成膜を行う。
また、このような遮蔽板１０の交換が進み、収納カセット１７内の遮蔽板１０が全て使用済みの遮蔽板１０に交換させられたら、ゲートバルブ１５を閉じ、遮蔽板収容室４内を大気圧に戻す。そして、前記ゲートバルブ１５とは別の、外部に連通するゲートバルブ（図示せず）を開き、収納カセット１７を、別に用意しておいた、新たな（予備の）遮蔽板１０を収納した収納カセット１７と交換する。その後、ゲートバルブを閉じ、遮蔽板収容室４内を所定の真空状態に戻し、その状態で待機する。
【００３９】
なお、給除材室３と遮蔽板収容室４とについては、これらの間にゲートバルブ１５を設けて、それぞれを独立した真空チャンバとして構成したが、これらを単に連通させただけで、一つの真空チャンバとして構成してもよい。このように構成しても、成膜室２と給除材室３との間のゲートバルブ１４の開閉で成膜室２内の真空状態を制御することで、成膜室２内の真空度を著しく低下させることなく、遮蔽板１０の交換を行うことができる。
【００４０】
このような構成の製造装置１にあっては、給除材室３を真空状態にしておくことで、例えば蒸着による成膜処理を所定時間行った後のメンテナンス時に、成膜室２内の真空状態を維持したままで、交換装置１８によって遮蔽板１０を予備の新しい遮蔽板１０に交換することができる。したがって、新しい遮蔽板１０によって成膜条件を成膜初期における条件に戻すことができ、これにより製造する配向膜の膜性能の低下を防止することができる。また、遮蔽板１０に付着した配向膜材料の影響で、製造した配向膜にすじが形成されてしまうなどの成膜むらが生じてしまうのを防止することができ、さらに、遮蔽板１０に付着した配向膜材料がパーティクルとなって配向膜上に付着することも防止することができる。よって、製造する配向膜の膜性能の低下を防止することができる。
また、このメンテナンス時に、真空状態を維持したままで遮蔽板１０の交換を行うことができるので、従来のごとく一旦真空状態から大気圧にし、再度真空引きするといった操作が不要になり、したがって真空引き操作に要する時間の無駄をなくして生産性を格段に向上することができる。
【００４１】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では給除材室３に一台の交換装置１８を設けたが、これを複数台設けるようにしてもよい。すなわち、給除材室３に例えば二台の交換装置１８を設け、一方の交換装置１８を、成膜室２内の遮蔽板１０を遮蔽板収容室４内に排出する専用の交換装置とし、そのアーム１８ｂを排出アームとする。また、他方の交換装置１８を、遮蔽板収容室４内の予備の遮蔽板１０を成膜室２内に供給する専用の交換装置とし、そのアーム１８ｂを供給アームとする。
【００４２】
このように構成することで、使用済みの遮蔽板１０の排出と、予備の遮蔽板１０の供給とを並行して行うことができ、したがって遮蔽板１０の交換に要する時間を短縮し、生産性をより一層高めることができる。
なお、一台の交換装置１８に二つのアーム１８ｂを設け、これら二つのアームのうちの一方を排出アームとし、他方を供給アームとしてもよい。
【００４３】
また、一つの成膜室２に対して、給除材室３と遮蔽板収容室４とをそれぞれ複数ずつ設けてもよい。その場合に、複数の給除材室３のそれぞれに、前記実施形態で示した交換装置１８を設けてもよく、また、複数の給除材室３において、一つの交換装置を設けるようにしてもよい。すなわち、一つの給除材室３には、成膜室２内の遮蔽板１０を遮蔽板収容室４内に排出する専用の排出アームを設け、他の給除材室３には、遮蔽板収容室４内の予備の遮蔽板１０を成膜室２内に供給する専用の供給アームを設ける。このように構成することで、排出アームと供給アームとを有した交換装置を、実質的に一台のみ設けることができる。
【００４４】
このように構成すれば、一つの給除材室３によって成膜室２内から使用済みの遮蔽板１０を排出するとともに、これと並行して、他の給除材室３によって遮蔽板収容室４から予備の遮蔽板１０を供給することができる。したがって、遮蔽板１０の交換に要する時間を短縮することができ、生産性をより一層高めることができる。また、例えば成膜室２内にて複数の遮蔽板１０を用いて処理を行う場合に、給除材室３と遮蔽板収容室４とがそれぞれ複数ずつ設けられてことにより、これら複数の遮蔽板１０を同時に交換することもできる。
【００４５】
図４は、前述したように成膜室２内にて複数の遮蔽板１０を用いて処理を行う場合の例を示す図であって、遮蔽板１０を複数設けた配向膜の製造装置の、平面視した状態を示す模式図である。この製造装置では、平面視円形の成膜室２の中心に蒸着源７ａ（蒸着手段７）が配設され、この蒸着源７ａに対して複数の遮蔽板１０が放射状に配設されている。すなわち、蒸着源７ａの上方に配設された保持板９には、その外周側に四つの保持部１１が等間隔に形成配置されており、これら四つの保持部１１にそれぞれ遮蔽板１０がセットされている。
また、前記各保持部９の外側には、前記四つの保持部１１にそれぞれ対応して給除材室３と遮蔽板収容室４とが設けられており、四つの給除材室３には、交換装置１８がそれぞれに設けられている。
【００４６】
このように複数（四つ）の遮蔽板１０を設けることで、各遮蔽板１０毎で異なる基板Ｗに対して配向膜の斜方蒸着による成膜を行うことができる。すなわち、一つの蒸着源７ａ（蒸着手段７）からそれぞれ同じ角度で各遮蔽板１０の開口部１２が位置させられることにより、前記蒸着手段７（蒸着源７ａ）によって四つの基板Ｗを同時に、あるいは時間をずらして断続的に成膜処理を行うことができる。したがって、生産性の向上を図ることができる。
また、メンテナンス時に、各保持部１１に対応する給除材室３及び遮蔽板収容室４と交換装置１８とにより、それぞれの遮蔽板１０を同時に交換することもできる。したがって、遮蔽板１０の交換に要する時間を短縮し、生産性をより一層高めることができる。
【００４７】
また、前記配向膜の製造装置においては、特に蒸着源７ａを開閉可能に覆うシャッター８についても、所定時間成膜処理に供した後には、新しいものと交換するのが好ましい。これは、シャッター８の内面側に付着した配向膜材料の量が多くなると、その付着物の一部がパーティクルとなり、形成する配向膜に異物となって付着してしまうおそれがあるからである。
【００４８】
そこで、このシャッター８を交換する機構についても、例えば図１中二点鎖線で示すように、前記給除材室３と同様の構成からなる給除材室２０と、前記遮蔽板収容室４と同様の構成からなるシャッター収容室２１と、交換装置１８とを備えることで、成膜室２内の真空状態を大きく変えることなく、自動交換を行えるように構成しておくのが好ましい。
【００４９】
次に、このような製造装置１によって形成された配向膜を備えた、本発明の液晶装置について説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図５は、本発明の液晶装置の一実施形態の概略構成を示すＴＦＴアレイ基板の平面図であり、図５中符号８０はＴＦＴアレイ基板（基板）である。このＴＦＴアレイ基板８０の中央には画像作製領域１０１が形成されている。その画像作製領域１０１の周縁部に前記シール材８９が配設されて、画像作製領域１０１に液晶層（不図示）が封止されている。この液晶層は、ＴＦＴアレイ基板８０上に液晶が直接塗布されて形成されたもので、シール材８９には液晶の注入口が設けられていない、いわゆる封口レス構造となっている。そのシール材８９の外側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動素子１１０と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動素子１２０とが実装されている。その駆動素子１１０、１２０から、ＴＦＴアレイ基板８０の端部の接続端子７９にかけて、配線７６が引き廻されている。
【００５０】
一方、ＴＦＴアレイ基板８０に貼り合わされる対向基板９０（図８参照）には、共通電極６１（図８参照）が形成されている。この共通電極６１は、画像作製領域１０１のほぼ全域に形成されたもので、その四隅には基板間導通部７０が設けられている。この基板間導通部７０からは、接続端子７９にかけて配線７８が引き廻されている。
そして、外部から入力された各種信号が、接続端子７９を介して画像作製領域１０１に供給されることにより、液晶装置が駆動されるようになっている。
【００５１】
図６は、液晶装置の等価回路図である。透過型液晶装置の画像作製領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数のドットには、それぞれ画素電極４９が形成されている。また、その画素電極４９の側方には、該画素電極４９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。このＴＦＴ素子３０のソースにはデータ線４６ａが接続されている。各データ線４６ａには、前述したデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００５２】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには走査線４３ａが接続されている。走査線４３ａには、前述した走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ素子３０のドレインには画素電極４９が接続されている。そして、走査線４３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンにすると、データ線４６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極４９を介して各ドットの液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００５３】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極４９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極４９と容量線４３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。
【００５４】
図７は、液晶装置の平面構造の説明図である。本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極４９（破線４９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。また、画素電極４９の縦横の境界に沿って、データ線４６ａ、走査線４３ａおよび容量線４３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極４９の形成された矩形領域がドットであり、マトリクス状に配置されたドットごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００５５】
ＴＦＴ素子３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層４１ａを中心として形成されている。半導体層１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール４５を介して、データ線４６ａが接続されている。また、半導体層４１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール４８を介して、画素電極４９が接続されている。一方、半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分には、チャネル領域４１ａ’が形成されている。
【００５６】
図８は、液晶装置の断面構造の説明図であり、図６のＡ−Ａ’線における矢視側断面図である。図８に示すように、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＦＴアレイ基板８０と、これに対向配置された対向基板９０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。ＴＦＴアレイ基板８０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体８０Ａ、およびその内側に形成されたＴＦＴ素子３０や画素電極４９、無機配向膜８６などを主体として構成されている。一方の対向基板９０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体９０Ａ、およびその内側に形成された共通電極６１や無機配向膜９２などを主体として構成されている。
【００５７】
ＴＦＴアレイ基板８０の表面には、後述する第１遮光膜５１ａおよび第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜５２の表面に半導体層４１ａが形成され、この半導体層４１ａを中心としてＴＦＴ素子３０が形成されている。半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分にはチャネル領域４１ａ’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しているため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域４１ｂと高濃度ソース領域４１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域４１ｃと高濃度ドレイン領域４１ｅとが形成されている。
【００５８】
半導体層４１ａの表面には、ゲート絶縁膜４２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜４２の表面に走査線４３ａが形成されて、チャネル領域４１ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜４２および走査線４３ａの表面には、第２層間絶縁膜４４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４４の表面にデータ線４６ａが形成され、第２層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール４５を介して、そのデータ線４６ａが高濃度ソース領域４１ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４４およびデータ線４６ａの表面には、第３層間絶縁膜４７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜４７の表面に画素電極４９が形成され、第２層間絶縁膜４４および第３層間絶縁膜４７に形成されたコンタクトホール４８を介して、その画素電極４９が高濃度ドレイン領域４１ｅに接続されている。さらに、画素電極４９を覆って、前記製造装置１で形成された無機配向膜８６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００５９】
なお、本実施形態では、半導体層４１ａを延設して第１蓄積容量電極４１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜４２を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線４３ｂが配置されて第２蓄積容量電極が形成されている。これらにより、前述した蓄積容量５７が構成されている。
また、ＴＦＴ素子３０の形成領域に対応する基板本体８０Ａの表面に、第１遮光膜５１ａが形成されている。第１遮光膜５１ａは、液晶装置に入射した光が、半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’、低濃度ソース領域４１ｂおよび低濃度ドレイン領域４１ｃに侵入することを防止するものである。
【００６０】
一方、対向基板９０における基板本体９０Ａの表面には、第２遮光膜６３が形成されている。第２遮光膜６３は、液晶装置に入射した光が半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’や低濃度ソース領域４１ｂ、低濃度ドレイン領域４１ｃ等に侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層４１ａと重なる領域に設けられている。また対向基板９０の表面には、ほぼ全面にわたってＩＴＯ等の導電体からなる共通電極６１が形成されている。さらに、共通電極６１の表面には、前記製造装置１で形成された無機配向膜９２が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００６１】
そして、ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層５０が挟持されている。このネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。なお、ＴＦＴアレイ基板８０の配向膜８６による配向規制方向と、対向基板９０の配向膜９２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。これにより、本実施形態の液晶装置６０は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。
【００６２】
また両基板８０、９０の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板５８、６８が配置されている。なお、各偏光板５８、６８は、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置６０から離間配置することが望ましい。各偏光板５８、６８は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。ＴＦＴアレイ基板８０側の偏光板５８は、その透過軸が配向膜８６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板９０側の偏光板６８は、その透過軸が配向膜９２の配向規制方向と略一致するように配置されている。
【００６３】
液晶装置６０は、対向基板９０を光源側に向けて配置される。その光源光のうち偏光板６８の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板６８を透過して液晶装置６０に入射する。
非選択電圧印加時の液晶装置６０では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層５０の厚さ方向に約９０°ねじれたらせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板６８の透過軸と一致するため、偏光板６８を透過する。したがって、非選択電圧印加時の液晶装置６０では白表示が行われるようになっている（ノーマリーホワイトモード）。
【００６４】
また、選択電圧印加時の液晶装置６０では、液晶分子が基板に対して垂直配向している。そのため、液晶装置６０に入射した直線偏光は、旋光されることなく液晶装置６０から出射する。この直線偏光は、偏光板５８の透過軸と直交するため、偏光板５８を透過しない。したがって、選択電圧印加時の液晶装置６０では黒表示が行われるようになっている。
【００６５】
ここで、前述したように両基板８０、９０の内側には、前記製造装置１で形成された無機配向膜８６、９２が形成されている。これら無機配向膜８６、９２は、前述したようにＳｉＯ２やＳｉＯ等の酸化珪素によって好適に形成されるが、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯやＩＴＯ等の金属酸化物等によって形成することもできる。
【００６６】
このような無機配向膜８６、９２を形成してなる液晶装置６０にあっては、前述したように製造装置１で形成されたことによってこれら無機配向膜８６、９２の膜性能の低下が防止されていることから、この液晶装置６０自体も良好な品質を有するものとなる。また、無機配向膜８６、９２の製造についての生産性が向上していることから、この液晶装置６０自体の生産性も向上したものとなる。
【００６７】
（プロジェクタ）
次に、本発明の電子機器としてプロジェクタの一実施形態について、図９を用いて説明する。図９は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００６８】
図９において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００６９】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００７０】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００７１】
前述したプロジェクタは、前記の液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、前述したように耐光性および耐熱性に優れた無機配向膜を備えているので、光源から照射される強い光や熱により配向膜が劣化することはない。また、この液晶装置は、良好な品質を有し、生産性が向上しているので、このプロジェクタ（電子機器）自体も良好な品質を有し、生産性が向上したものとなる。
【００７２】
なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、前記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００７３】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の製造装置の一実施形態の概略構成図である。
【図２】遮蔽板及び保持部の構成を説明するための要部平面図である。
【図３】遮蔽板の開口部近傍の状態を説明するための要部側断面図である。
【図４】遮蔽板を複数設けた製造装置の模式図である。
【図５】液晶装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図６】液晶装置の等価回路図である。
【図７】液晶装置の平面構造の説明図である。
【図８】液晶装置の断面構造の説明図である。
【図９】プロジェクタの要部を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…配向膜の製造装置、２…成膜室、３…給除材室、４…遮蔽板収容室、７…蒸着手段、７ａ樹着源、８…シャッター、９…保持板、１０…遮蔽板、１０ａ…直線部、１１…保持部、１１ｃ…直接部、１２…開口部、１４…ゲートバルブ、１５…ゲートバルブ、１８…交換装置、１９…配向膜材料、５０…液晶層、６０…液晶装置、８０…基板（ＴＦＴアレイ基板）、８０Ａ…基板本体、８６…無機配向膜、９０…基板（対向基板）、９０Ａ…基板本体、９２…無機配向膜、Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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