(57)【要約】【課題】ホトリソグラフィ技術を用いずに、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライン配線、ドット配線を、導電性粒子の凝集体として形成し、良好な導電性を示す導体配線パターンとその形成方法を提供する。【解決手段】本発明の導体配線パターン形成方法では、平板固体基板に凹形状を形成した凹版を用いて、凹形状が寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のパターン形状であり、平均粒径が１ｎｍ以上、１０ｎｍ未満の導電性粒子を含有する導体材料を用いて、凹版に導体材料を充填した後に、オフセット印刷方法を用いて、被転写基板に導体材料を転写した後、加熱工程を経て導体配線パターンを形成する。【選択図】図１
2007324426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体配線パターン形成方法において、
平板固体基板に凹形状を形成した凹版を用い、
凹形状が寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のパターン形状であり、
平均粒径が１ｎｍ以上、１０ｎｍ未満の導電性粒子を含有する導体材料を用い、
凹版に導体材料を充填した後に、オフセット印刷方法を用いて、
被転写基板に導体材料を転写した後、
加熱工程を経て導体配線パターンを形成することを特徴とする導体配線パターン形成方
法。
【請求項２】
該凹版において、平板固体基板が、金属、ガラス、石英から選ばれた固体基板であるこ
とを特徴とする請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項３】
該凹パターン形状において、パターン形状が、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライン
配線パターン形状であることを特徴とする導請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項４】
該凹パターン形状において、パターン形状が、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のドット
配線パターン形状であることを特徴とする導請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項５】
該凹パターン形状において、凹部深さが１μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とす
る導請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項６】
該導電性粒子を含有する導体材料において、その導電性粒子含有率が７０ｗｔ％以上、
９５ｗｔ％以下である導体材料を用いることを特徴とする導請求項１記載の導体配線パタ
ーン形成方法。
【請求項７】
該導電性粒子が、銀、銅、インジウム、スズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズイ
ンジウム、酸化スズカドミウム、亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、白金、パラジウ
ム、アルミニウム、チタン、酸化チタン、タングステンから選ばれた導電性粒子であるこ
とを特徴とする導請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項８】
該凹版において、平板固体基板に用いるガラスが、ソーダライムガラス、低アルカリガ
ラス、無アルカリガラス、シリカガラスから選ばれた固体基板であることを特徴とする請
求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項９】
該加熱工程において、加熱温度が２００℃以上、５００℃以下であることを特徴とする
請求項１記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項１０】
該加熱工程において、加熱雰囲気が不活性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項８
記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項１１】
該加熱工程において、該導電性粒子が銅粒子である場合に、加熱雰囲気が還元ガスを含
む雰囲気であることを特徴とする請求項８記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項１２】
該加熱工程において、該導電性粒子が酸化物粒子である場合に、加熱雰囲気が酸化ガス
雰囲気であることを特徴とする請求項８記載の導体配線パターン形成方法。
【請求項１３】
導体配線パターンにおいて、
平板固体基板に凹形状を形成した凹版を用い、
凹形状が寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のパターン形状であり、
平均粒径が１ｎｍ以上、１０ｎｍ未満の導電性粒子を含有する導体材料を用い、
凹版に導体材料を充填した後に、オフセット印刷方法を用いて、
被転写基板に導体材料を転写した後、
加熱工程を経て形成されたことを特徴とする導体配線パターン。
【請求項１４】
該導体配線パターンにおいて、パターン形状が、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライ
ン配線パターン形状であることを特徴とする導請求項１３記載の導体配線パターン。
【請求項１５】
該導体配線パターンにおいて、パターン形状が、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のドッ
ト配線パターン形状であることを特徴とする導請求項１３記載の導体配線パターン。
【請求項１６】
該導体配線パターンにおいて、該導電性粒子が、銀、銅、インジウム、スズ、酸化スズ
、酸化インジウム、酸化スズインジウム、酸化スズカドミウム、亜鉛、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム亜鉛、白金、パラジウム、アルミニウム、チタン、酸化チタン、タングステンか
ら選ばれた導電性粒子の凝集体からなることを特徴とする導請求項１３記載の導体配線パ
ターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体配線パターン形成方法と、それにより形成された導体配線パターンに係
り、特に、凹版オフセット印刷方法を用いて、微小径粒子からなる導体配線パターンを形
成する方法と導体配線パターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の高度情報化社会においては、様々な電子デバイス製品が生産され、不可欠な存在
となっている。これらの製品は、薄型、小型、軽量化などの高性能化が急速に進んでいる
が、その市場価格もまた年率で急激に低下している状況にある。これらの製品を生産し、
広く社会に提供するためには、製品価格に関わる製造コストの低減が重要課題となってい
る。
【０００３】
従来、電子デバイス製品にある導体配線パターンは、その形成方法として、一般的にホ
トリソグラフィ技術を用いるため、微細なパターンまで形成できる特徴を有するが、その
反面、プロセスが長い、ホトレジストや現像液などパターン形成後に残らない薬液を使用
する、露光、現像プロセスの設備使用によりコスト負担が大きいなどの問題がある。また
、これら薬液使用や設備稼働によるエネルギー消費といった環境負荷も問題となる。
【０００４】
そこで、ホトリソグラフィ技術代替となる導体配線パターン形成方法が重要となってい
る。上述のような課題を解決する手段として、下記特許文献１、２に記載のように、スク
リーン印刷、インクジェット印刷、転写印刷法を用いて、配線パターンを形成する方法が
記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１９６８６号公報
【特許文献２】特開２００５−９３８１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記背景技術は、以下の問題がある。
【０００７】
スクリーン印刷は、印刷版や装置が安価であるために、この技術を用いて導体配線パタ
ーン形成技術を開発すれば、低コスト化できると直感的に判断されがちである。しかし、
本技術は本質的に高精細と高精度の導体配線形成を達成することは困難である。すなわち
、印刷版や装置自体を製造する設備の精度が低いので、そこから出来上がる印刷版や装置
も精度も甘く、それ故に形成した導体配線パターンは精度に限界がある。また、スクリー
ン印刷は、印刷時にスクリーン版が伸びることを前提としており、パターン精度や位置精
度も高くするには限界がある。
【０００８】
インクジェット印刷もまた本質的に高精細と高精度を達成することは困難である。すな
わち、インクジェット装置の吐出ヘッドから基板上に材料インクを飛ばすには、そのイン
ク液滴の粘度を小さくする必要がある。粘度が高いと液滴が吐出できず、ヘッド内部で詰
まることになる。液滴を吐出するに適した低粘度のインクでは、基板上で飛散して、パタ
ーン精度や位置精度を上げることに限界がある。
【０００９】
転写印刷法については、これによって配線パターンが形成できたか否かは上記特許に記
載がない。
【００１０】
本発明の目的は、前記背景技術の諸問題を解決し、ホトリソグラフィ技術代替となる導
体配線パターン形成方法と形成された導体配線パターンを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の導体配線パターン形成方法では、平板固体基板に凹形状を形成した凹版を用い
て、凹形状が寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のパターン形状であり、平均粒径が１ｎｍ以上、１０ｎｍ未満の導電性粒子を含有する導体材料を用いて、凹版に導体材料を充填した後に、オフセット印刷方法を用いて、被転写基板に導体材料を転写した後、加熱工程を経て導体配線パターンを形成する。
【００１２】
本導体配線パターンの形成方法は、以下の特徴を有する。
【００１３】
凹版平板固体基板は、金属、ガラス、石英から選ばれる。金属としては、鉄、銅、ニッ
ケル、ステンレス、モリブデン、鋳物などが挙げられる。ガラスが、ソーダライムガラス
、低アルカリガラス、無アルカリガラス、シリカガラスから選ばれる。凹版基板表面を合
金メッキしてもよい。
【００１４】
本発明では凹版平板固体基板の凹パターン形状は、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のラ
インパターンである。また、凹版平板固体基板の凹パターン形状は、寸法１μｍ以上、３
０μｍ以下のドットパターンである。寸法が３０μｍを超える場合は、スクリーン印刷や
インクジェット印刷でパターンを形成した方が安価である。また、１μｍを下回る場合は
、平板固体基板凹版を作製が難しく、できたとして高価になり、実用的でない。
【００１５】
凹パターンの凹部深さが１μｍ以上、８μｍ以下である。
【００１６】
凹部深さが１μｍを下回る場合や８μｍを超える場合は、凹部に充填した材料パターン
を転写できない。
【００１７】
本発明の凹版では、例えばガラス基板を用い、通常のホトマスクの製造と全く同じ手法
で凹パターンを形成することで、高精度な凹版を得ている。すなわち、ガラス基板上にＣ
ｒ膜を形成し、その上にホトレジストを形成して、これを電子ビーム露光装置にて直描パ
ターン露光を行う。次いで、ホトレジストを現像して開口パターンを形成し、ホトレジス
トをマスクにＣｒ膜をエッチングしてＣｒパターンを形成する。ここまでが通常のホトマ
スクの製造方法である。その後、Ｃｒパターンをマスクにガラスをエッチングし、Ｃｒ膜
を除去すると、ガラス基板に凹パターンを形成した凹版が出来上がる。
【００１８】
導電性粒子を含有する導体材料において、導電性粒子含有率が７０ｗｔ％以上、９５ｗ
ｔ％以下である。含有率が７０ｗｔ％を下回る場合は、加熱工程で導電性粒子が凝集でき
ず、良好な導電性を示す導体配線パターンが形成できない。含有率が９５ｗｔ％を超える
場合は、凹部に充填した材料パターンを良好に転写できない。
【００１９】
導電性粒子が、銀、銅、インジウム、スズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズイン
ジウム、酸化スズカドミウム、亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、白金、パラジウム
、アルミニウム、チタン、酸化チタン、タングステンから選ばれた導電性粒子である。
【００２０】
加熱工程において、加熱温度が２００℃以上、５００℃以下である。２００℃未満では良好な導電性を示す導体配線パターンが形成できない。５００℃を超える温度に対しては設備の点で有益なパターン形成方法とは言えない。
【００２１】
加熱工程において、加熱雰囲気が一般的に不活性ガス雰囲気が有効である。また、導電
性粒子が銅粒子である場合に、酸化を防ぐために加熱雰囲気が還元ガスを含む雰囲気であ
る必要があり、銅粒子が酸化されると良好な導電性を示す導体配線パターンが形成できな
い場合がある。導電性粒子が酸化物粒子である場合に、加熱雰囲気が酸化ガス雰囲気であ
る必要があり、酸化物粒子が還元させると導電性を示す導体配線パターンが形成できない
場合がある。
【００２２】
本発明の導体配線パターンは、平板固体基板に凹形状を形成した凹版を用いて、凹形状
が寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のパターン形状であり、平均粒径が１ｎｍ以上、１０ｎ
ｍ未満の導電性粒子を含有する導体材料を用いて、凹版に導体材料を充填した後に、オフ
セット印刷方法を用いて、被転写基板に導体材料を転写した後、加熱工程を経て形成され
た導体配線パターンである。
【００２３】
本導体配線パターンは、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライン配線形状、あるいはド
ット配線形状である。
【００２４】
本導体配線パターンは、銀、銅、インジウム、スズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化
スズインジウム、酸化スズカドミウム、亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、白金、パ
ラジウム、アルミニウム、チタン、酸化チタン、タングステンから選ばれた導電性粒子の
凝集体からなる。
【発明の効果】
【００２５】
上述の特徴を有する導体配線パターン形成方法と形成された導体配線パターンにより、
寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライン配線、ドット配線を、導電性粒子の凝集体として
形成し、良好な導電性を示す導体配線パターン形成が、ホトリソグラフィ技術を用いずに
可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図１ないし１０を用いて説明する。
【００２７】
本発明の導体配線パターン形成方法では、平板固体基板に凹形状１０２を形成した凹版
１０１を用いて、導電性粒子を含有する導体材料１０３をドクターブレード１０４用いて
、凹版表面を図示する矢印方向に移動させる（図１参照）。
【００２８】
次に、ドクターブレードで導体材料を掻き取りながら、凹版２０１の凹部に充填した導
体材料２０２を形成する（図２参照）。
【００２９】
次に、表面にブランケット３０２を巻いたローラ３０１を回転させながら、凹部に導体
材料を充填した凹版表面を移動させる（図３参照）。
【００３０】
このとき、凹部に充填された導体材料は、凹形状を維持して、ブランケット表面に導体
材料パターン４０１が転写される（図４参照）。
【００３１】
次に、ブランケット表面に導体材料パターン５０１があるローラを回転させながら、所
望の基板表面５０２上を移動させる（図５参照）。
【００３２】
このとき、ブランケット表面から導体材料が基板６０１に転写されて、基板表面上に導
体材料パターン６０１が形成される（図６参照）。
【００３３】
次に、被転写基板７０１を加熱して導体配線パターン７０２を形成する（図７参照）。
【００３４】
凹版平板固体基板の素材は、金属、ガラス、石英から選ばれる。金属としては、鉄、銅
、ニッケル、ステンレス、モリブデン、鋳物などが挙げられる。ガラスが、ソーダライム
ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、シリカガラスから選ばれる。凹版基板表
面を合金メッキしてもよい。
【００３５】
熱膨張率の小さい素材を用いることで、使用する凹版として歪みを抑制し、高精度なパ
ターン転写が可能となる。
【００３６】
凹版平板固体基板の凹パターン形状は、寸法１μｍ以上、３０μｍ以下のライン、ある
いはドットパターンである。凹パターンの深さは、１μｍ以上、８μｍ以下である。
【００３７】
凹パターンは、ウエットエッチング法、あるいはドライエッチング方式で形成する。例
えばガラス基板を用いた場合に、ウエットエッチング法では、ガラス基板にＣｒ膜を成膜
し、通常のホトリソグラフィ技術を用いて、Ｃｒ膜上にホトレジストのパターンを形成し
、これをマスクにＣｒ膜をエッチングしてＣｒパターンを形成、次にＣｒパターンをマス
クにガラスをエッチングし、Ｃｒ膜を除去すると、ガラス基板に凹パターンを形成した凹
版が出来上がる。ウエットエッチング法を使うと等方性エッチングとなるので、凹パター
ンの開口に対する凹の深さはアスペクト比として１以下しか出来ない。ガラス基板上にホ
トレジストのパターンを形成し、これをマスクにドライエッチング方式で凹パターンを形
成する場合は、凹部を深くできるので、凹パターンの開口に対する凹の深さはアスペクト
比として１を超えるものができる。最近、ナノプリント技術が活発に開発されつつあるの
で、この技術を応用することで、アスペクト比１以上の大きい微細パターンの凹版を安価
に製造することが可能となろう。
【００３８】
ドクターブレードは、スチール製、セラミック製などの材質から作製することができる
。ドクターブレードの先端は、平行刃、三角刃などの刃先形状から選択できる。
【００３９】
ブランケットとしては、他の分子に比べて表面張力が低いシリコーン系ゴムを使用する
ことでパターンの転写性を上げることができる。凹版オフセット印刷用のブランケット部
材は、住友ゴム工業、藤倉ゴム工業株式会社、株式会社金陽社などから入手できる
凹版オフセット印刷において、凹版とパターンを転写する基板とを同じ定盤上に設置、
固定することで、凹版と被転写基板との相対的な位置精度を高めることができ、またパタ
ーン転写ローラの機械的な駆動精度を高めることで、被転写基板への高精度パターン転写
形成が可能となる。
【００４０】
本導体配線パターンは、銀、銅、インジウム、スズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化
スズインジウム、酸化スズカドミウム、亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、白金、パ
ラジウム、アルミニウム、チタン、酸化チタン、タングステンから選ばれた導電性粒子の
凝集体からなる。
【００４１】
導電性粒子を含有する導体材料は、導電性粒子を樹脂材料と有機溶媒からなる溶液媒体
中に混合、分散した材料からなる。導体材料は、パターン印刷後の加熱工程で、溶媒が揮
発し、樹脂材料が熱分解することで、導電性粒子は凝集、焼結し、導体配線パターンとな
る。
【００４２】
樹脂材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミノ樹脂、アクリロニトリル樹脂
、スチレン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂などが挙げられ、単
独でも複数混合でも用いることができる。
【００４３】
溶媒としては、単独、あるいは複数を混合して用いることができるが、沸点１５０℃以
上の有機溶媒が主成分であり、それ以下の沸点を有する溶媒を混合しても良い。
（実施例１）
無アルカリガラス基板にライン幅１２μｍ、深さ５μｍパターンを基本とした凹ライン
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＡｇ粒子を含有量８０ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００４４】
これらを用いて、図１〜７に示す凹版オフセット印刷法により、基板上にＡｇ配線ライ
ンパターンを形成した。その後、窒素ガスを流しながら炉外に排気する炉体加熱炉を用い
て３５０℃で６０分加熱し、溶媒成分を揮発させ、樹脂成分を分解除去し、図８に示すよ
うなＡｇ粒子凝集体の導体配線ラインパターン（ライン幅１０μｍ、厚み２μｍ）を形成
した。
【００４５】
このように、導電性粒子の凝集体として形成した導体配線パターン形成が、ホトリソグ
ラフィ技術を用いずに可能とした。
（実施例２）
無アルカリガラス基板にライン幅１２μｍ、深さ５μｍパターンを基本とした凹ドット
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＡｇ粒子を含有量８０ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００４６】
これらを用いて、図１〜７に示す凹版オフセット印刷法により、基板上にＡｇ配線ドッ
トパターンを形成した。その後、窒素ガスを流しながら炉外に排気する炉体加熱炉を用い
て３５０℃で６０分加熱し、溶媒成分を揮発させ、樹脂成分を分解除去し、図９に示すよ
うなＡｇ粒子凝集体の導体配線ドットパターン（ドット幅１０μｍ、厚み２μｍ）を形成
した。
【００４７】
このように、導電性粒子の凝集体として形成した導体配線パターン形成が、ホトリソグ
ラフィ技術を用いずに可能とした。
（比較例１）
スクリーン印刷法を用いて、上述の実施例で形成したパターンの形成を試したが、ライ
ン幅１２μｍパターンやドット幅１２μｍパターンを有するスクリーン印刷版をそもそも
作製することができなかった。
（比較例２）
インクジェット法を用いて、上述の実施例で形成したパターンの形成を試したが、基板
上に液滴が飛散してしまい、ライン幅１２μｍパターンやドット幅１２μｍパターンは作
製することができなかった。
（比較例３）
感光性のＡｇペースト材料を用い、ホトリソグラフィ技術を用いて、ペースト材料を塗
布、露光、現像、加熱焼成を行い、上述の実施例で形成したパターンの形成を試した。ラ
イン幅１２μｍパターンやドット幅１２μｍパターンを作製することは可能であった、露
光、現像工程や現像液使用など、本発明に比べて、工程数が長く、薬液の処理により環境
負荷などの問題がある。
（実施例３）
無アルカリガラス基板にライン幅１２μｍ、深さ５μｍパターンを基本とした凹ライン
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＣｕ粒子を含有量７５ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００４８】
これらを用いて、図１〜７に示す凹版オフセット印刷法により、基板上にＣｕ配線ライ
ンパターンを形成した。その後、還元ガス雰囲気中で炉体加熱炉を用いて３５０℃で６０
分加熱し、溶媒成分を揮発させ、樹脂成分を分解除去し、Ｃｕ粒子を還元しながら凝集体
をして図８に示すようなＣｕ粒子凝集体の導体配線ラインパターン（ライン幅１０μｍ、
厚み２μｍ）を形成した。
【００４９】
このように、導電性粒子の凝集体として形成した導体配線パターン形成が、ホトリソグ
ラフィ技術を用いずに可能とした。
（実施例４）
無アルカリガラス基板にライン幅１２μｍ、深さ５μｍパターンを基本とした凹ライン
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＣｕ粒子を含有量７５ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００５０】
これらを用いて、図１〜７に示す凹版オフセット印刷法により、基板上にＣｕ配線ドッ
トパターンを形成した。その後、還元ガス雰囲気中で炉体加熱炉を用いて３５０℃で６０
分加熱し、溶媒成分を揮発させ、樹脂成分を分解除去し、Ｃｕ粒子を還元しながら凝集体
をして図８に示すようなＣｕ粒子凝集体の導体配線ドットパターン（ライン幅１０μｍ、
厚み２μｍ）を形成した。
【００５１】
このように、導電性粒子の凝集体として形成した導体配線パターン形成が、ホトリソグ
ラフィ技術を用いずに可能とした。
（実施例５）
本実施例では、凹版オフセット印刷法を用いて、薄膜多層配線基板の配線を作製した。
図１０に示す薄膜多層配線基板にて説明する。
【００５２】
まず、ＳｉＣセラミックの内部にタングステン配線１００２を備えるセラミック基板１
００１(１００ｍｍ角、１ｍｍ厚)を用意し、このタングステン配線の上部および下部
に化学ニッケルめっきを行い、ニッケルの下部電極１００３（３０μｍ径、厚み０．５μ
ｍ）と上部電極１００５（１８μｍ径、厚み０．５μｍ）を形成する。次に、下部電極１
００３に化学金めっきを行い、金電極１００４（５０μｍ径、厚み３μｍ）を形成した。
【００５３】
次に、無アルカリガラス基板に３０μｍ径、深さ５μｍパターンを基本とした凹ドット
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＣｕ粒子を含有量７５ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００５４】
これらを用いて、凹版オフセット印刷法により、基板１００１表面にある上部電極１０
０５を被覆するＣｕ粒子含有導体材料のドットパターンを形成した。その後、還元ガス雰
囲気で炉体加熱炉を用いて３５０℃で６０分加熱し、溶媒成分を揮発させ、樹脂成分を分
解除去し、Ｃｕ粒子を還元しながら凝集体として、Ｃｕ配線ドットパターン（２５μｍ径
、厚み２μｍ）を形成した。
【００５５】
次に、市販の有機溶剤現像性のネガ型感光性ポリイミド前駆体溶液を塗布し、露光し、
未露光部を有機溶媒で現像、除去し、その後に窒素雰囲気中で３５０℃で６０分加熱して
、先のＣｕ配線ドットパターンを露出した貫通孔を有するポリイミド絶縁膜１００７（５
μｍ厚）を形成した。
【００５６】
次に、ポリイミド絶縁膜１００７上に真空成膜法によりクロム（厚み０．０５μｍ）、
ニッケルー銅合金（厚み０．５μｍ）を順次堆積させ、ホトリソグラフィでレジストのパ
ターンを形成し、エッチング技術により不要部分を除去して、先の貫通孔部分に、クロム
/ニッケルー銅電極１００８を形成し、この上にさらにめっきによりニッケル層および金
層を順次形成して、ニッケル/金電極１００９からなる上部電極を形成した。
【００５７】
本実施例により得られた薄膜多層配線基板は、凹版オフセット印刷法により形成したＣ
ｕ配線を備えている。
（実施例６）
本実施例では、凹版オフセット印刷法を用いて、半導体素子をウエハレベルチップサイ
ズパッケージ構造の製品を製造した場合について、図１１に示す断面図にて説明する。
【００５８】
半導体素子基板１１０１の最上層シリコン窒化パッシベーション膜１１０３にアルミボ
ンディングパッド部１１０２が露出されている。
【００５９】
次に、無アルカリガラス基板に２０μｍ幅、深さ５μｍパターンを基本とした凹ライン
パターンを複数形成したガラス凹版と平均粒子径５ｎｍのＣｕ粒子を含有量７５ｗｔ％で
樹脂材料溶液に分散させた導体材料を用意する。
【００６０】
これらを用いて、凹版オフセット印刷法により、半導体素子基板１１０１表面にアルミ
ボンディングパッド部１１０２にまで被覆するＣｕ粒子含有導体材料のラインパターンを
形成した。その後、還元ガス雰囲気で炉体加熱炉を用いて３５０℃で６０分加熱し、溶媒
成分を揮発させ、樹脂成分を分解除去し、Ｃｕ粒子を還元しながら凝集体として、Ｃｕ配
線ラインパターン（２５μｍ径、厚み２μｍ）１１０４を形成した。
【００６１】
次に、市販の有機溶剤現像性のネガ型感光性ポリイミド前駆体溶液を塗布し、露光し、
未露光部を有機溶媒で現像、除去し、その後に窒素雰囲気中で３５０℃で６０分加熱して
、先のＣｕ配線ラインパターンを露出した貫通孔を有するポリイミド絶縁膜１１０５（５
μｍ厚）を形成した。
【００６２】
次に、電気的な接続を行うためのアンダーバンプメタル層１１０６を設けた。アンダー
バンプメタル層はCr、Ni、Auの3層からなる。このアンダーバンプメタル層１１０６の上
に半田ボールバンプ１１０７が形成されている。
【００６３】
本実施例によってウエハの状態でハンダバンプを有する半導体パッケージ装置が実現す
る。本実施例により得られた半導体パッケージ装置は、凹版オフセット印刷法により形成
したＣｕ配線を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図２】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図３】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図４】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図５】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図６】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図７】本発明に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図８】本発明に係る導体ライン配線パターンを説明するための図である。
【図９】本発明に係る導体ドット配線パターンを説明するための図である。
【図１０】本発明に係る薄膜多層配線基板を説明するための断面図である。
【図１１】本発明に係るウエハレベルチップサイズパッケージ構造半導体装置を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０１…平板固体基板凹版、１０２…凹パターン、１０３…導体材料、１０４…ドクタ
ーブレード、２０１…平板固体基板凹版、２０２…凹版充填導体材料、３０１…ローラ、
３０２…ブランケット、４０１…導体材料パターン、５０１…導体材料パターン、５０２
…基板、６０１…基板、６０２…導体材料パターン、７０１…基板、７０２…導体配線パ
ターン、８０１…基板、８０２…導体ライン配線パターン、９０１…基板、９０２…導体
ドット配線パターン、１００１…セラミック基板、１００２…タングステン内蔵配線、１
００３…ニッケル下部電極、１００４…金電極、１００５…ニッケル上部電極、１００６
…銅配線、１００７…ポリイミド絶縁膜、１００８…クロム／ニッケル／銅電極、１００
９…ニッケル/金電極、１１０１…半導体基板、１１０２…ＡＬパッド、１１０３…Ｓｉ
Ｎパッシベーション膜、１１０４…Ｃｕ再配線層、１１０５…ポリイミド絶縁膜、１１０
６…アンダーバンプメタル層、１００７…半田ボール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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