(57)【要約】【課題】垂直磁気記録媒体の耐食性を有する軟磁性下地層、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜を成膜する。【解決手段】基板１０１と、該基板１０１上に成膜される下地層１０４と、該下地層１０４上に成膜される磁気データ記録層１０６とを有する磁気記録媒体であって、前記下地層１０４は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるものである。【選択図】図１
2007299505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に成膜される下地層と、該下地層上に成膜される磁気データ記録層とを具有して成る磁気記録媒体であって、
前記下地層は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）から成る元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）から成る元素群から選択した少なくとも二つの元素を組み合わせたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）であり、また前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）から成る元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が25%、タングステン（Ｗ）が15%、モリブデン（Ｍｏ）が10%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が2%、ニッケル（Ｎｉ）が20%であることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、鉄（Ｆｅ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）から成る元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、タングステン（Ｗ）が5%、モリブデン（Ｍｏ）が5%、炭素（Ｃ）が0.3%、ニッケル（Ｎｉ）が30%、マンガン（Ｍｎ）15%、窒素（Ｎ）が0.4%、チタン（Ｔｉ）が2%、ニオブ（Ｎｂ）が2%、ケイ素（Ｓｉ）が1%であることを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、ニッケル（Ｎｉ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、モリブデン（Ｍｏ）が28%、タングステン（Ｗ）が4%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が3%、ケイ素（Ｓｉ）が11%、ニオブ（Ｎｂ）が10%、タンタル（Ｔａ）が10%、アルミニウム（Ａｌ）が2%、チタン（Ｔｉ）が2%であることを特徴とする請求項８記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記軟磁性合金は、0.5テスラを超える高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記軟磁性合金はまた、1KHzで10.0を超える高透磁率（μｅ）と、8000エルステッド未満の低保磁力とを有することを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
基板上に軟磁性薄膜を成膜して形成された書込み磁極及び読出しセンサーを備えた磁気記録ヘッドであって、
前記軟磁性薄膜は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択した少なくとも二つの元素を組み合わせたものであることを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が25%、タングステン（Ｗ）が15%、モリブデン（Ｍｏ）が10%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が2%、ニッケル（Ｎｉ）が20%であることを特徴とする請求項１５記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、鉄（Ｆｅ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１８】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、タングステン（Ｗ）が5%、モリブデン（Ｍｏ）が5%、炭素（Ｃ）が0.3%、ニッケル（Ｎｉ）が30%、マンガン（Ｍｎ）15%、窒素（Ｎ）が0.4%、チタン（Ｔｉ）が2%、ニオブ（Ｎｂ）が2%、ケイ素（Ｓｉ）が1%であることを特徴とする請求項１７記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１９】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、ニッケル（Ｎｉ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２０】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、モリブデン（Ｍｏ）が28%、タングステン（Ｗ）が4%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が3%、ケイ素（Ｓｉ）が11%、ニオブ（Ｎｂ）が10%、タンタル（Ｔａ）が10%、アルミニウム（Ａｌ）が2%、チタン（Ｔｉ）が2%であることを特徴とする請求項１９記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２１】
前記軟磁性合金は、0.5テスラを超える高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有することを特徴とする請求項１２記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２２】
前記軟磁性合金は、1KHzで10.0をこえる高透磁率（μｅ）と、8000エルステッド未満の低保磁力（Ｈｃ）とを有することを特徴とする請求項２１記載の磁気記録ヘッド。
【請求項２３】
少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、カーボン（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金から成る第１のスパッタターゲットを用いてスパッタして基板上に下地層を成膜する第１のスパッタリングステップと、
第２のスパッタターゲットを用いてスパッタして前記下地層上に磁気データ記録層を成膜する第２のスパッタリングステップと、
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が25%、タングステン（Ｗ）が15%、モリブデン（Ｍｏ）が10%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が2%、及びニッケル（Ｎｉ）が20%であることを特徴とする請求項２５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、鉄（Ｆｅ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、タングステン（Ｗ）が5%、モリブデン（Ｍｏ）が5%、炭素（Ｃ）が0.3%、ニッケル（Ｎｉ）が30%、マンガン（Ｍｎ）15%、窒素（Ｎ）が0.4%、チタン（Ｔｉ）が2%、ニオブ（Ｎｂ）が2%、及びケイ素（Ｓｉ）が1%であることを特徴とする請求項２７記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、ニッケル（Ｎｉ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３０】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、モリブデン（Ｍｏ）が28%、タングステン（Ｗ）が4%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が3%、ケイ素（Ｓｉ）が11%、ニオブ（Ｎｂ）が10%、タンタル（Ｔａ）が10%、アルミニウム（Ａｌ）が2%、及びチタン（Ｔｉ）が2%であることを特徴とする請求項２９記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３１】
少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項３２】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項３１記載のスパッタターゲット。
【請求項３３】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選選択したものであることを特徴とする請求項３１記載のスパッタターゲット。
【請求項３４】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が25%、タングステン（Ｗ）が15%、モリブデン（Ｍｏ）が10%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が2%、ニッケル（Ｎｉ）が20%であることを特徴とする請求項３３記載のスパッタターゲット。
【請求項３５】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、鉄（Ｆｅ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びケイ素（Ｓｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項３１記載のスパッタターゲット。
【請求項３６】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、タングステン（Ｗ）が5%、モリブデン（Ｍｏ）が5%、炭素（Ｃ）が0.3%、ニッケル（Ｎｉ）が30%、マンガン（Ｍｎ）15%、窒素（Ｎ）が0.4%、チタン（Ｔｉ）が2%、ニオブ（Ｎｂ）が2%、ケイ素（Ｓｉ）が1%であることを特徴とする請求項３５記載のスパッタターゲット。
【請求項３７】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、ニッケル（Ｎｉ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項３１記載のスパッタターゲット。
【請求項３８】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、モリブデン（Ｍｏ）が28%、タングステン（Ｗ）が4%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が3%、ケイ素（Ｓｉ）が11%、ニオブ（Ｎｂ）が10%、タンタル（Ｔａ）が10%、アルミニウム（Ａｌ）が2%、チタン（Ｔｉ）が2%であることを特徴とする請求項３７記載のスパッタターゲット。
【請求項３９】
前記軟磁性合金は、0.5テスラを超える高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有することを特徴とする請求項３１記載のスパッタターゲット。
【請求項４０】
前記軟磁性合金は、1KHzで10.0を超える高透磁率（μｅ）を有すると共に、8000エルステッド未満の低保磁力（Ｈｃ）を有することを特徴とする請求項３９記載のスパッタターゲット。
【請求項４１】
書込み磁極及び読出しセンサーを有する磁気記録ヘッドの製造方法であって、
少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるスパッタターゲットを使用して書込み磁極及び読出しセンサーのうち少なくとも一方に被覆した基板上にスパッタして軟磁性薄膜を成膜するスパッタリングステップを含むことを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４２】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）ニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項４１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４３】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、コバルト（Ｃｏ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項４１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４４】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が25%、タングステン（Ｗ）が15%、モリブデン（Ｍｏ）が10%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が2%、ニッケル（Ｎｉ）が20%であることを特徴とする請求項４３記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４５】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、鉄（Ｆｅ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びケイ素（Ｓｉ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項４１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４６】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、タングステン（Ｗ）が5%、モリブデン（Ｍｏ）が5%、炭素（Ｃ）が0.3%、ニッケル（Ｎｉ）が30%、マンガン（Ｍｎ）15%、窒素（Ｎ）が0.4%、チタン（Ｔｉ）が2%、ニオブ（Ｎｂ）が2%、ケイ素（Ｓｉ）が1%であることを特徴とする請求項４５記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４７】
前記少なくとも一つの軟強磁性元素は、ニッケル（Ｎｉ）であり、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択したものであることを特徴とする請求項４１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４８】
前記軟磁性合金に含まれる前記選択された腐食防止元素の原子数比の上限は、クロム（Ｃｒ）が30%、モリブデン（Ｍｏ）が28%、タングステン（Ｗ）が4%、炭素（Ｃ）が2%、銅（Ｃｕ）が3%、ケイ素（Ｓｉ）が11%、ニオブ（Ｎｂ）が10%、タンタル（Ｔａ）が10%、アルミニウム（Ａｌ）が2%、チタン（Ｔｉ）が2%であることを特徴とする請求項４７記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にスパッタターゲット及び磁気記録媒体に関し、特に、耐食性に優れた軟磁性合金を主成分とするスパッタターゲット、及びそのようなターゲットを使用して行う垂直磁気記録媒体や磁気記録ヘッド用の軟磁性薄膜の成膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
より大きなデータ記憶容量の継続的な要求を満たすために、高密度磁気記録媒体が必要とされている。磁気記録媒体におけるこのような高いデータ記録密度を達成するためには、垂直磁気記録（perpendicular magnetic recording：ＰＭＲ）が最も有望なものである。垂直磁気記録媒体の磁気データ記録層の磁力線は、長手磁気記録とは対照的に、記録媒体の面に対して垂直方向に向いている。さらに、垂直磁気記録においては、磁気データ記録層のすぐ下に軟磁性下地層（soft magnetic under-layer：ＳＵＬ）を設けることにより、より高い書込み磁界を得ることができる。
【０００３】
例えば、単磁極磁気記録ヘッドと、軟磁性下地層を有する垂直磁気記録媒体とを組み合わせたものは、従来の長手記録法で得られるものの２倍を超える書込み磁界を得ることができる。この場合、軟磁性下地層は磁気ミラーとして働き、記録層厚が実質的に２倍となって、より強い読出し信号が得られる。ここで、上記軟磁性下地層は、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）の合金のような磁束密度（Ｂｓ）が高く、透磁率（μe）が高く、保磁力（Ｈｃ）が低い軟磁性合金からなっている。これらの合金からなる同様の軟磁性層はまた、磁気記録ヘッドの設計に含まれる書込み磁極及び読出しセンサーの構成要素としても使用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような軟磁性合金を使用することにより、垂直磁気記録装置において、より高い書込み磁界及び書込み性能を得ることができる。しかしながら、上記合金は、腐食し易い傾向を有し、そのため、ハードディスクドライブの動作中に磁気記録媒体及び磁気記録ヘッドの両者において、厳しい信頼性問題を引き起こす可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、信頼が高く高性能な垂直磁気記録用として使用され、磁気記録媒体の耐食性を有する軟磁性下地層、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜を成膜するために使用される耐食性を有する軟磁性合金を主成分としたスパッタターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、耐食性を有した軟磁性下地層を備えた磁気記録媒体が提供される。特に、上記磁気記録媒体は、基板と、基板上に成膜された下地層と、下地層上に成膜された磁気データ記録層とを有し、上記下地層は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなっている。
【０００７】
別の実施形態によれば、本発明は、書込み磁極及び読出しセンサーを含む磁気記録ヘッドであって、上記書込み磁極及び読出しセンサーは、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも１つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなる軟磁性薄膜を基板上に成膜したものである。
【０００８】
さらに別の実施形態によれば、本発明は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなる第１のスパッタターゲットを用いてスパッタして基板上に下地層を成膜する第１のスパッタリングステップと、第２のスパッタターゲットを用いてスパッタして下地層上に磁気データ記録層を成膜する第２のスパッタリングステップとを含む磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【０００９】
さらに別の実施形態によれば、本発明は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるスパッタターゲットを提供するものである。
【００１０】
さらに別の実施形態によれば、本発明は、書込み磁極及び読出しセンサーを有する磁気記録ヘッドの製造方法を提供するものであって、該方法は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるスパッタターゲットを使用して書込み磁極及び読出しセンサーのうち少なくとも一方に被覆された基板上に軟磁性薄膜をスパッタして同基板上に成膜するスパッタリングステップを含んで成るものである。
【００１１】
上記実施形態においては、前記少なくとも１つの軟強磁性元素は、好ましくは、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の元素群から選択され、又、前記少なくとも一つの腐食防止元素は、上記に羅列された腐食防止元素群のうちから上記に選択された軟強磁性元素に対応した一組から選択される。さらに、軟磁性合金に含まれる腐食防止元素の量は、予め定められた原子数比の限界までに制限される。ここで、上記予め定められた原子数比の限界は、先ずどの軟強磁性元素が選択されかに従って、次にどの腐食防止元素が選択されたかによって決定される。
【００１２】
このようにして、0.5テスラを超える高飽和磁束密度（Ｂｓ）、1KHzで10.0を超える高透磁率（μｅ）、8000エルステッド未満の低保磁力（Ｈｃ）等を有した軟磁性合金が提供される。
【００１３】
本発明の更なる特徴及び利点は、以下の記載中に説明されており、一部はその説明から明白になるであろうし、また本発明を実施することによって教示されるであろう。本発明の諸目的及び他の利点は、添付図面並びに記載されている詳細な説明及び請求項で特に指摘された構成によって実現、達成されるであろう。
【００１４】
なお、上記発明の全体的記載及び以下の詳細な説明の両方は共に、代表例示的かつ解説的なものであり、請求項に記載された発明を具体的に説明することを意図していることを理解すべきである。なお、添付図面は、本発明の理解を容易にすべく本明細書の一部を成すものとして組み入れられるもので、詳細な説明、記載と共に本発明の根本原理を説明するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に述べる詳細な説明において、多数の具体的な詳細内容は、本発明について十分な理解が得られるように記載するものである。しかしながら、本発明がこれらの実施形態の詳細な説明内容のうちの一部によっても実行し得ることは、当業者なら自明であろう。その他、周知の構造及び技術は、本発明を不必要に不明瞭にしないように、詳細には示されていない点を留意すべきである。
【００１６】
本発明は、耐食性を有する軟磁性合金を主成分としたスパッタターゲットを提供するものである。そして、このスパッタターゲットは、信頼性の高い高密度磁気記録用の垂直磁気記録媒体に形成される積層膜における下地層として、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜層として耐食性を有する軟磁性薄膜層を成膜するために使用される。このように、耐食性を有する軟磁性下地層を備えて製造される磁気記録媒体及び磁気記録ヘッド要素は、より高い書込み磁界を得ることができ、また信頼度の高い耐食性を得ることができる。
【００１７】
図１は、本発明の磁気記録媒体１００を示しており、本発明によるスパッタターゲットを使用し、スパッタ工程を経て形成される耐食性を有する軟磁性下地層１０４を含んだ積層膜を示している。図１に示されているように、磁気記録媒体１００は、基板１０１及び耐食性を有する軟磁性下地層１０４を含んで構成されている。任意の層１０２は、一つ以上の下地層、反強磁性層、又は基板１０１と下地層１０４との間に成膜された他のタイプの層を含んでいる。なお、本発明の積層膜の別の実施態様では、上記層１０２は省略することができる。同様に、任意の層１０５は、下地層１０４と磁気データ記録層１０６との間にシード層や他の下地層のような付加層を形成するために積層膜中に適宜に設けられる。また、本発明の積層膜の別の態様では、この任意の層１０５は、省略することもできる。
【００１８】
上述のように、下地層１０４は、基板１０１、或はその上に形成された任意の低位の層１０２上に成膜される。より詳細には、下地層１０４は、耐食性を有する軟磁性合金からなる。図１に示されているように、磁気記録媒体１００は、下地層１０４上に成膜された磁気データ記録層１０６を含んでいる。さらに、磁気記録媒体１００は、任意の保護膜１０７を含んでいる。この保護膜１０７は、任意のものであり、炭素（Ｃ）のオーバーコート層（被覆層）或は潤滑層のような一層以上の層を含む。なお、本発明の積層膜の別の態様では、保護膜１０７は、省略することができる。磁気データ記録層１０６においては、磁力線は基板１０１の面に垂直である。一方、下地層１０４内では、磁力線は基板１０１の面に平行である。したがって、磁気データ記録層１０６と下地層１０４とによって、磁気ループが形成される。
【００１９】
このような本発明の下地層１０４を備えた磁気記録媒体１００を使用することによって、磁気記録媒体１００の動作中ずっと、信頼性を維持できる高性能な垂直磁気記録を実現することができる。この下地層１０４は、磁気ミラーの役割をし、磁気データ記録層１０６の厚さを実質的に２倍にして、磁気記録媒体１００からより強い読出し信号を生じさせることができる。具体的には、下地層１０４は、少なくとも一つ以上の軟強磁性元素、及び少なくとも一つの腐食防止剤元素を含んだ耐食性を有する軟磁性合金からなる。この点においては、軟磁性合金中の軟強磁性元素は、望ましくは一つ、又はコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうちのいくつかを組み合わせたものである。なお、上記軟磁性合金に他の軟強磁性元素を含有させてもよい。さらに、本発明においては、軟磁性合金は、一つ以上の腐食防止元素を含んでいる。この腐食防止元素は、上記軟磁性合金のうちから選択される軟強磁性元素に基づいて選択されたものである。これは、いくつかの腐食防止元素が他の任意のものではなく選択された特定の軟強磁性元素を成分とする合金の耐食性に有効であるからである。
【００２０】
表１は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち一つ以上の軟強磁性元素と共に使用される耐食性を有する軟磁性合金を形成するために本発明において使用することができる腐食防止元素の一覧を示している。上記のように、各軟強磁性元素と共に効果的に使用できる腐食防止元素の組み合わせは異なっている。それは、一部の腐食防止元素が一部の軟強磁性元素と一緒の場合にのみ有効に働くためである。
【００２１】
【表１】
2007299505.tif 000003
【００２２】
表１に示されているように、軟強磁性元素であるコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の各々一つに対応させて腐食防止元素の一覧が示されている。本発明においては、耐食性を有する軟磁性合金は、軟強磁性元素であるコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうちの一つ以上、及び上記合金に含まれる各強磁性元素に対応して表１に羅列された腐食防止元素のうちの一つ以上を含んでいる。
【００２３】
例えば、合金にコバルト（Ｃｏ）が含まれる場合に、合金中のコバルト（Ｃｏ）に対して耐食性を備えさせるために合金中に添加される腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）及びニッケル（Ｎｉ） のうちから選択される一つ以上の元素である。表１に示されているように、羅列された腐食防止元素は、それぞれ原子数比のパーセンテージの上限を示している。これは、合金に含まれる特定の腐食防止元素の含有量に対応する強磁性元素に対する原子数比の上限を表わしている。例えば、コバルト（Ｃｏ）と共に腐食防止元素として選択されたタングステン（Ｗ）を含有する合金は、合金中のコバルト（Ｃｏ）の量に対して原子数比で15%以下のタングステン（Ｗ）を有している。換言すれば、合金中に100万個のコバルト（Ｃｏ）原子が含まれている場合、150,000個以下のタングステン（Ｗ）原子が合金に含まれ得るということである。上記上限は、各々の軟強磁性元素に関係する腐食防止元素に対して示されている。なぜなら、腐食防止元素がその上限を超えて合金に添加されても、腐食防止元素の有効性が増すわけではないからである。また、上限を超えた腐食防止元素の添加は、合金の軟磁気特性に影響を及ぼすおそれがあるからである。
【００２４】
表１に示されているように、羅列された腐食防止元素は、対応する軟強磁性元素のコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）でそれぞれ異なる。このように、本発明は、磁気記録媒体１００の下地層１０４に使用され、また下層１０４を形成するために使用されるスパッタターゲット用の軟磁性合金の組み合せを提供する。表１の他の欄から分かるように、合金に鉄（Ｆｅ）が含まれる場合には、合金中の鉄（Ｆｅ）に耐食性を備えさせるために合金中に添加される腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、窒素（Ｎ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）及びケイ素（Ｓｉ）のうちから選択される一つ以上の元素である。
【００２５】
同様に、合金がニッケル（Ｎｉ）を含んでいる場合は、合金中のニッケル（Ｎｉ）に耐食性を備えさせるために合金中に添加される腐食防止元素は、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）及びケイ素（Ｓｉ）のうちから選択される一つ以上の元素である。上述したように、本発明の耐食性の軟磁性合金は、軟強磁性元素のコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうち二つ以上で構成することもできる。例えば、耐食性の軟磁性合金は、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金、又はＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金、或は軟強磁性元素のコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の上記以外に可能なあらゆる組み合わせの合金である。この場合、腐食防止元素としては、合金に含まれる軟強磁性元素の各々に対応して表１の各欄に記載されている腐食防止元素のうちから一つ以上を選択することができる。選択された腐食防止元素は、合金に含まれる強磁性元素に対応してその欄に示されている上記選択された腐食防止元素の原子数比の上限まで含有させることができる。
【００２６】
表１から明らかなように、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金の場合には、タングステン（Ｗ）のような同じ腐食防止元素がコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の三つの強磁性元素の全てに使用することができる。例えば、合金に含まれるタングステン（Ｗ）は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の各々について表１に個別に示されているタングステン（Ｗ）の原子数比の上限まで含有することができる。このようにして、軟磁性合金の所望の軟磁気特性が維持され、腐食防止元素の適正量が合金に含まれることになる。本発明の下地層１０４用として適用される耐食性を有する軟磁性合金は、0.5テスラを超える高飽和磁束密度（Ｂｓ）、1KHzで10.0を超える高透磁率（μｅ）と、8000エルステッド未満の低保磁力（Ｈｃ）とを有するものである。
【００２７】
下地層１０４の耐食性を有する軟磁性合金は、さらに、軟強磁性元素のコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）のうちの一つ以上の元素、及び表１に羅列されている防蝕剤元素のうちの一つ以上の元素に加えて、さらに他の元素を含有することができる。本発明の下地層１０４は、ナノ結晶の形態、又はアモルファスの形態のいずれかである。したがって、下地層１０４の軟磁性合金薄膜がナノ結晶の形態をとるためには、耐食性軟磁性合金に対して一つ以上の成核剤を添加することが望ましい。この場合、そのような成核剤として、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）のような貴金属のうち一つ以上の元素を選択することができる。
【００２８】
また別の実施形態のものとして、下地層１０４の軟磁性合金膜がアモルファスの形態をとるためには、耐食性軟磁性合金に対して一つ以上のガラス形成添加物を含めることが望ましい。このようにして、下地層１０４を単一の磁区で構成することが可能である。上記ガラス形成添加物には、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）及びニオブ（Ｎｂ）のような遷移元素の前半の元素のうちから一つ以上、及び例えばホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）などの半金属がある。合金中にそのような成核剤、又はガラス形成添加物を１つ以上含有させることは周知である。
【００２９】
磁気記録媒体１００の下地層１０４に関して上述した耐食性軟磁性合金は、垂直磁気記録ヘッドの性能を向上させるために、磁気記録ヘッドの要素である軟磁性薄膜層を形成するためにも使用することができる。
【００３０】
上記に関連して、図２は、本発明による書込み磁極２１０を含む垂直磁気記録ヘッド２００の一実施形態を示している。図２に示されているように、書込み磁極２１０は、複数の層２１１〜２１４を含んでいる。具体的には、書込み磁極２１０は、好適に焼成されたフォトレジスト層からなる基板２１１を有している。本発明によれば、軟磁性薄膜層２１３は、基板２１１上に成膜される。さらに、書込み磁極２１０は、銅の要素及び層２１２、並びに合金層２１４を含んでいる。合金層２１４としては、酸化アルミニウム層が好適である。ここに、書込み磁極用として示された各層は一例であり、層２１１，２１２及び２１４は、他の元素及び／又は合金で構成することができる。
【００３１】
上述したように、軟磁性薄膜層２１３は、基板２１１上に成膜され、図１中に示されている磁気記録媒体１００の下地層１０４用の耐食性軟磁性合金と同様の耐食性軟磁性合金で構成される。したがって、書込み磁極２１０の軟磁性薄膜層２１３に使用される耐食性軟磁性合金は、図１及び表１を参照することができる。
【００３２】
図３（ａ）は、垂直磁気記録ヘッド２００の要素である読出しセンサー２２０を示している。なお、その実施例形態においては、読出しセンサー２２０は書込みヘッドと別に設けてもよい。図３（ａ）に示されているように、読出しセンサー２２０は、垂直磁気記録媒体２３０の磁気記録部分の読出し動作中に通電されるセンサーユニット２２１を有している。図３（ｂ）は、図３（ａ）中に示されているセンサーユニット２２１の積層膜を示している。この場合、センサーユニット２２１は、反強磁性層２２２、磁化方向がフリーな強磁性層２２３、スペーサー層２２４及び軟磁性体の隣接層２２５を含む。ここで、本発明のこの実施形態によれば、磁化方向がフリーな強磁性層２２３及び軟磁性体の隣接層２２５は、図１中に示されている磁気記録媒体１００の下地層１０４用の耐食性軟磁性合金と同様の耐食性軟磁性合金で構成された軟磁性薄膜層である。このように、センサーユニット２２１は、動作時に効率的な耐食性を呈する。
【００３３】
図３（ｃ）は垂直磁気記録ヘッド２００の要素である読出しセンサー２２０の別の実施形態を示している。なお、その他の実施形態においては、読出しセンサー２２０は書込みヘッドと別に設けてもよい。図３（ｃ）中に示されているように、読出しセンサー２２０は、垂直磁気記録媒体２３０の磁気記録部分の読出し動作中に通電されるセンサーユニット２２１を有している。図３（ｄ）は、図３（ｃ）中に示されているセンサーユニット２２１の積層膜を示している。この場合、センサーユニット２２１は、反強磁性層２２２、磁化方向がフリーな強磁性層２２３、スペーサー層２２４、及び磁化方向が固定された強磁性層２２５を含む。ここで、本発明のこの実施形態によれば、磁化方向がフリーな強磁性層２２３及び磁化方向が固定された強磁性層２２５は、図１中に示されている磁気記録媒体１００の下地層１０４用の耐食性軟磁性合金と同様の耐食性軟磁性合金で構成された軟磁性薄膜層である。このように、センサーユニット２２１は、動作時に効率的な耐食性を呈する。さらに、図３（ａ）〜（ｄ）に示された上記の読出しセンサー２２０の実施形態において、センサーユニット２２１は、図示省略された保護層を任意に含むことが可能であり、そのような層は、一層以上の層であり、炭素（Ｃ）のオーバーコート層（被覆層）や潤滑層等の層である。
【００３４】
図４は本発明による磁気記録媒体、又は垂直磁気記録ヘッドの要素上への耐食性軟磁性膜のスパッタリング形成について示す説明図である。図４において、基板３００は、磁気記録媒体１００のような磁気記録媒体の基板、又は垂直磁気記録ヘッド２００の書込み磁極２１０や読出しセンサー２２０のような磁気記録ヘッド要素の基板である。この場合、スパッタリング工程により、磁気記録媒体の基板３００上に下地層３０１として耐食性の軟磁性合金薄膜が成膜される。下地層３０１として本発明の耐食性軟磁性合金薄膜を適用するために、周知のスパッタリング工程やスパッタリング装置を使用することができることは明らかである。なお、図４は、スパッタリング工程を説明することを目的に単純化して示したものであり、本発明の範囲を逸脱せず、その範囲内で本発明を実施するために他のスパッタリング工程及び装置を使用してもよい。
【００３５】
図４に示すスパッタターゲット３１０は、図１に示す磁気記録媒体１００の下地層１０４である耐食性軟磁性合金に関して上述したように、耐食性の軟磁性合金からできている。したがって、耐食性軟磁性合金からなるスパッタターゲット３１０を製造するために、図１及び表１の記載事項を参照することができる。スパッタターゲット３１０は、柱状、筒状、あるいは何か別の形状のようなものであって、円形、正方形、長方形、或は他の任意の多角形状のものであってもよい。スパッタターゲット３１０は、例えば、誘導融解、インゴットガス融解及び粉末冶金のような様々な既知の製造方法により製造された本発明の耐食性軟磁性合金から作られる。
【００３６】
図４に例示されているように、図１及び表１に関して上述された耐食性軟磁性合金からなるスパッタターゲット３１０は、電気的に接地されている。一方、基板３００には、正の電荷が供給される。図４に示すように、イオン化されたアルゴンガス３０５の雲は、スパッタターゲット３１０と基板３００との間に発生する。正の電荷を有するイオン化されたアルゴンガス３０５は、スパッタターゲット３１０が電気的に接地されているため、スパッタターゲット３１０の表面に向かって飛んでいく。イオン化気体は、スパッタターゲット３１０の表面に衝突し、スパッタターゲット３１０から耐食性の軟磁性合金の粒子を遊離させ、又はスパッタする。スパッタされた耐食性軟磁性合金のこれらの粒子は、基板３００に供給された正の電荷により、スパッタターゲット３１０から離れて基板３００の表面上に付着する。所定の厚さの耐食性軟磁性合金薄膜が基板３００の表面上に成膜されるまでスパッタプロセスは継続され、基板３００上に軟磁性薄膜層である下地層３０１が形成される。当然ながら、図１に示すように、他の層を基板３００と下地層３０１との間に介在させてもよい。また、磁気記録媒体の場合には、他の周知のスパッタターゲットを使用して、磁気記録層のような他の層を基板３００上にスパッタすることができる。
【００３７】
図５は耐食性軟磁性合金からなる下地層を有する磁気記録媒体の製造方法に関し、本発明の一実施形態を説明するフローチャートである。なお、本発明は、磁気記録ヘッド要素の耐食性軟磁性薄膜を形成する場合にも適用することができる。ステップ４０１において、製造工程を開始する。そして、ステップ４０２において、反強磁性層や他の下地層のような低位層が１以上のスパッタターゲットを用いて基板上にスパッタされる。本発明の積層膜の別の実施態様においては、ステップ４０２は省略することができる。
【００３８】
次に、ステップ４０３においては、耐食性軟磁性合金の下地層が基板、又は低位層がある場合にはその上に耐食性軟磁性合金のスパッタターゲットを使用してスパッタされる。耐食性軟磁性合金のスパッタターゲットは、図１及び表１に示されているような耐食性軟磁性合金からなる。上記下地層は、図４に示すスパッタリングプロセスによって形成されてもよく、又は他の周知のスパッタリングプロセスによって形成されてもよい。
【００３９】
ステップ４０３で耐食性軟磁性合金の下地層が形成された後、ステップ４０４においては、耐食性軟磁性合金の下地層上に他の下地層、又はシード層がスパッタされる。ステップ４０５においては、少なくとも一つの磁気データ記録層が耐食性軟磁性合金の下地層上、又は別の下地層やシード層が介在する場合にはその上に異なるスパッタターゲットを使用してスパッタされる。さらに、ステップ４０６においては、炭素（Ｃ）のオーバーコート層及び／又は潤滑層のような保護層が磁気データ記録層上にスパッタされる。そして、ステップ４０７において工程が終了する。本発明の積層膜の別の態様においては、ステップ４０６を省略して、保護層が磁気データ記録層上にスパッタされなくてもよい。もちろん、他のステップを追加してもよく、あるいは本発明の範囲を逸脱しなければ、磁気記録媒体を製造するための前述の代表的な製造工程からその一部を省略することができる。
【００４０】
本発明は様々な図及び実施形態を参照して説明されているが、これらは説明を目的とするだけであり、発明の範囲を制限するものとして受け止めるべきでないことは理解されよう。例えば、本発明を実施するスパッタターゲットは、柱状、筒状、あるいは何か別の形状のようなものであって、円形、正方形、長方形、或は他の任意の多角形状のものであってもよい。本発明の技術的思想及び範囲から逸脱することなく、当業者によって本発明に変更や修正を加えることができることは認識できよう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態による軟磁性下地層を有する磁気記録媒体の積層膜を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による軟磁性薄膜層を有する書込み磁極を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による軟磁性薄膜層を有する読出しセンサーを示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態による磁気記録媒体又は磁気記録ヘッド要素上にスパッタリング形成された軟磁性薄膜層を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による軟磁性薄膜層を有する磁気記録媒体、又は磁気記録ヘッドの要素を製造する方法について説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００４２】
１００…磁気記録媒体
１０１，３００…基板
１０４，３０１…下地層（軟磁性薄膜層）
１０６…磁気データ記録層
２１０…書込み磁極
２２０…読出しセンサー
【図１】
2007299505.tif 000004
【図４】
2007299505.tif 000005
【図５】
2007299505.tif 000006
【図２】
2007299505.tif 000007
【図３】
2007299505.tif 000008