(57)【要約】【課題】はんだバンプが装着される導体同士の間隔を近接させることが困難である。【解決手段】基材３と、この基材３の上面に凹版転写によって形成された上側導体パターンと、この上側導体パターン上に設けられた絶縁膜８と、この絶縁膜８の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子１８がはんだバンプ２０を介してフリップチップ実装される表側転写突起導体１２とを備え、前記表側転写突起導体１２は凹版転写によって、天面が前記絶縁膜８より突出するように形成されるとともに、前記天面には周縁部から中央に向かって窪み１５ａが設けられたものである。これにより、凹版転写を用いているので、精度が良好である。【選択図】図１
2007066937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、この基材の上面に凹版転写によって形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子が導体バンプを介してフリップチップ実装される転写突起導体とを備え、前記転写突起導体は凹版転写によって、天面が前記絶縁膜より突出するように形成されるとともに、前記天面には周縁部から中央に向かって窪みが設けられた配線基板。
【請求項２】
窪みは、導体バンプが挿入可能な球面形状とした請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
転写突起導体の側面は、下方に向かって広がる方向に傾斜した請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
転写突起導体の高さは、導体パターンの厚み高さよりも高くした請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
基材と、この基材に形成された導体パターンとこの導体パターン上に設けられた絶縁膜とを有した回路基板と、この回路基板上に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子が導体バンプを介してフリップチップ実装される転写突起導体とを備え、前記転写突起導体は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂表面に形成された導電膜とからなり、前記転写突起樹脂の天面には周縁部から中央に向かって窪みが設けられた配線基板。
【請求項６】
請求項１あるいは５に記載の配線基板と、この配線基板の転写突起導体に導体バンプでフリップチップ実装された半導体素子と、この半導体素子と前記配線基板との間に注入された樹脂とを有したモジュール。
【請求項７】
基材と、この基材の一方の面に形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続された転写突起導体とを備え、前記転写突起導体の天面部は、前記絶縁膜より突出して形成されるとともに、前記天面部には周縁部から中央に向かって窪みが設けられ、前記窪みに導電性球体が固定されたモジュール。
【請求項８】
フィルムに凹部を加工し、その後で前記凹部に導体ペーストを充填し、その後で予め接着剤が塗布された基材上に前記凹部に充填された前記導体ペーストを転写し、前記導体ペーストが転写された基材を焼成あるいは硬化させて導体パターンを前記基材上に形成させ、その後で前記導体パターン上に絶縁膜を形成する請求項１に記載の配線基板の製造方法において、前記凹部は、前記導体パターンと転写突起導体との形状に対応した形状とし、前記焼成あるいは硬化によって前記導体パターンと前記転写突起導体とを同時に前記基材上に形成する配線基板の製造法。
【請求項９】
フィルムに凹部を加工し、その後で前記凹部に樹脂ペーストを充填し、その後で回路基板上に前記凹部に充填された前記樹脂ペーストを転写し、この転写された前記樹脂ペーストを硬化して転写突起樹脂を形成し、その後で前記回路基板上に導電膜を形成する請求項５に記載の配線基板の製造法において、前記凹部は、前記転写突起樹脂の形状に対応した形状とした配線基板の製造法。
【請求項１０】
フィルムへの凹部の加工は、エキシマレーザによって一括に加工される請求項８または９に記載の配線基板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体バンプなどが実装される配線基板と、その製造法およびそれを用いたモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の配線基板について説明する。従来の配線基板は、基材上に配線パターンが配線され、この配線パターン上にはんだレジスト膜が形成される。そして、このはんだレジスト膜には、複数のはんだレジスト不形成部が設けられている。これによって、はんだレジスト不形成部において配線パターンの一部が露出されることとなり、接続ランドが形成される。
【０００３】
なお、このような従来の配線基板において、配線パターンやはんだレジスト膜はスクリーン印刷によって形成され、はんだレジスト不形成部はこのスクリーンをマスクすることで形成される。そしてこの接続ランド上に、はんだバンプなどを介して半導体素子がフリップチップ実装される。なおこの半導体素子における半導体回路の端子間同士の間隔は非常に短く、この間隔のままでは配線基板上に実装することができない。そこで一般的には、半導体素子のパッシベーション上に導体を配線（いわゆる再配線）して、接続ランドと対応する位置にまで端子を引き出している。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２２９２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながらこのような従来の配線基板では、配線パターンやはんだレジスト膜はスクリーン印刷で形成される。従って、スクリーンの位置ずれや、印刷にじみや印刷かすれなどにより、接続ランドの位置精度や形状の寸法精度が悪く、隣接する接続ランド同士の間隔を小さくすることができないという課題があった。
【０００６】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、隣接する接続ランド同士を近接させることができる配線基板を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明の配線基板は、基材の上面に凹版転写によって形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子が導体バンプを介してフリップチップ実装される転写突起導体とを備え、前記転写突起導体は凹版転写によって、天面が前記絶縁膜より突出するように形成されるとともに、前記天面には周縁部から中央に向かって窪みが設けられたものである。これにより所期の目的を達成することができる。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように本発明によれば、基材と、基材の上面に凹版転写によって形成された導体パターンと、この導体パターン上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の不形成部に前記導体パターンと接続されて設けられるとともに、半導体素子が導体バンプを介してフリップチップ実装される転写突起導体とを備え、前記転写突起導体は凹版転写によって、天面が前記絶縁膜より突出するように形成されるとともに、前記天面には周縁部から中央に向かって窪みが設けられた配線基板であり、これにより転写突起導体は凹版転写によって形成されるので、転写突起導体の形状の寸法精度が良く、隣接した転写突起導体同士の間隔を小さくすることができる。
【０００９】
また、導体パターンと転写突起導体とを同時に形成することも可能であり、生産性が良く、低価格な配線基板が実現できる。
【００１０】
更に、天面部には周縁部から中央に向かって窪みを設けているので、この転写突起導体上に半導体素子を装着すれば、半導体素子のバンプが窪みによって所定の位置に補正されるので、半導体素子を精度良く実装することができる。
【００１１】
更にまた、転写突起導体と半導体素子との間をはんだバンプで接続する場合、窪みによって、はんだバンプが転写突起導体外へ溢れ難くなるので、隣接するはんだバンプ同士でのショートなどが発生し難くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態における配線基板１とモジュール２について図面を用いて説明する。図１は、本実施の形態における配線基板１を用いたモジュール２の断面図であり、図２は、同要部拡大断面図である。最初に図１、図２を用いて配線基板１について説明する。本実施の形態における配線基板１の基材３は、アルミナ基板であり、この基材３の表面４側には、表側導体パターン５が形成され、裏面６側には裏側導体パターン７が形成される。これらの表側導体パターン５と裏側導体パターン７とは、共に後述する凹版転写によって形成されており、それらの厚み高さは共に、約３０マイクロメータである。なお、基材３の両面と、表側導体パターン５および裏側導体パターン７上には、約２０マイクロメータの厚みの絶縁膜８が形成される。
【００１３】
さらに絶縁膜８の表面４には、絶縁膜不形成部９ａと絶縁膜不形成部９ｂとが形成され、裏面６には絶縁膜不形成部９ｃが形成される。そして、この絶縁膜不形成部９ａには、チップ部品１０を搭載するための接続ランド１１が設けられる。また、絶縁膜不形成部９ｂには、表側転写突起導体１２が３個形成され、絶縁膜不形成部９ｃには裏側転写突起導体１３が形成される。そしてこれらの接続ランド１１と表側転写突起導体１２の夫々は、表側導体パターン５に接続され、裏側転写突起導体１３は裏側導体パターン７に接続される。なお、表側導体パターン５と裏側導体パターン７とは、接続導体１４（いわゆるスルーホール）によって接続されている。
【００１４】
これらの表側転写突起導体１２は、天面部分の直径が０．１５ｍｍで、高さが約７０マイクロメータの略円柱状の形状であり、これが約０．２ｍｍのピッチで並んでいる。つまり、隣接した表側転写突起導体１２同士の側面間の距離は、約５０マイクロメータしかなく、非常に近接させて形成している。一方、裏側転写突起導体１３は、天面部分の直径が０．３ｍｍであり、高さが約８０マイクロメータの略円柱状の形状をしている。なおこれらも、凹版転写によって形成されており、表側転写突起導体１２と裏側転写突起導体１３の天面には、夫々の周縁部から中央に向かって窪み１５ａ、窪み１５ｂを有している。なお、本実施の形態における窪み１５ａは半径が約０．１ｍｍの球面形状であり、窪み１５ｂは半径が約０．３ｍｍの球面形状である。
【００１５】
ここで、表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３は、天面側から基材３側に向かって徐々に直径を大きくしている。つまりこれらの側面は、天面側から基材３側に向かって広がる方向の傾斜２４を有しているわけである。これにより凹版転写において、凹版の版抜け性が良好となるので、表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３に導体欠損などが発生し難くなる。さらに本実施の形態では、表側転写突起導体１２における天面の周縁部には平坦部１６を設け、一方裏側転写突起導体１３における天面の周縁部には、丸み（以下フィレット１７）を設けている。このように、表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３の周縁部には、平坦部１６やフィレット１７を設ければ良く、これによって周縁部での強度が大きくなるので、周縁部の導体が欠損し難くなる。なお、本実施の形態における平坦部１６の幅は、約１０マイクロメータとし、フィレット１７の半径は約２０マイクロメータとしている。
【００１６】
次に、以上のような配線基板１を用いたモジュール２について説明する。このモジュール２では、配線基板１の表面４にチップ部品１０や半導体素子１８が実装される。チップ部品１０はクリームはんだ１９によって接続ランド１１上に接続され、半導体素子１８は、はんだバンプ２０（導体バンプの一例として用いた）を介して、表側転写突起導体１２に接続される。そして半導体素子１８と配線基板１間での機械的接続強度を維持するために、半導体素子１８と配線基板１との間の隙間２１に樹脂２２が注入されている。なお本実施の形態における樹脂は、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いている。これは、モジュール２が親基板（図示せず）へ実装されるときのリフロー熱などが加わっても樹脂２２が再溶融しないので、信頼性が良好であるためである。一方、配線基板１の裏面６の裏側転写突起導体１３には、はんだボール２３（導電性球体の一例として用いた）が装着される。そしてモジュール２は、このはんだボール２３を介して親基板へ接続される。なお、本実施の形態におけるはんだボール２３の大きさは、約０．２５ｍｍとしている。
【００１７】
以上のような構成により表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３は、凹版転写によって形成されるので、形状の寸法精度が良い。これにより、隣接した表側転写突起導体１２同士あるいは裏側転写突起導体１３同士の間隔を小さくすることができる。従って、小型の半導体素子１８を実装できるので、小型のモジュール２を実現できることになる。さらに、半導体素子１８のパッドの直下にはんだバンプ２０を装着することも可能となるので、半導体素子１８の再配線の箇所を少なくできる。従って、モジュール２に装着される半導体素子１８が低価格となる。
【００１８】
また、表側導体パターン５、裏側導体パターン７と表側転写突起導体１２および裏側転写突起導体１３とは、凹版転写によって形成されるので、これらを同時に形成することも可能である。従って、配線基板１の生産性が良好であり、低価格な配線基板１が実現できる。
【００１９】
更に、天面には周縁部から中央に向かった窪み１５ａを設けているので、このような表側転写突起導体１２に半導体素子１８を装着すれば、半導体素子１８のはんだバンプ２０が窪み１５ａによって所定の位置に補正される。仮に窪み１５ａの半径分だけずれて装着されても、はんだバンプ２０と表側転写突起導体１２との接続が可能となる。一方、裏側転写突起導体１３にはんだボール２３を装着すれば、はんだボール２３は窪み１５ｂによって中央側に移動する。従って、半導体素子１８やはんだボール２３を精度良く実装することができる。また、窪み１５ａによって、はんだバンプ２０と表側転写突起導体１２との接触角が小さくなるので、はんだバンプ２０の表側転写突起導体１２へのヌレ性が良くなる。一方、窪み１５ｂによってはんだボール２３と裏側転写突起導体１３との接触角も小さくなるので、はんだボール２３の裏側転写突起導体１３へのヌレ性が良くなる。さらに本実施の形態では窪み１５を球面形状としているので、球形であるはんだバンプ２０やはんだボール２３のヌレ性はさらに良くなる。
【００２０】
更にまた、はんだバンプ２０が溶けた状態においても、窪み１５ａによってはんだバンプ２０は、窪み１５ａ内に収まることとなる。これにより、はんだバンプ２０は表側転写突起導体１２外へ溢れ難くなるので、隣接するはんだバンプ２０同士でのショートなどが発生し難くなる。
【００２１】
さらに加えて凹版転写を用いれば、表側転写突起導体１２の高さを高くすることは容易である。そこで、表側転写突起導体１２の天面を絶縁膜８の高さより高くなるようにすることで、半導体素子１８と基材３との間の隙間２１を大きくできる。これにより、樹脂２２の注入性が良く、隙間２１にボイドなどが残り難くなる。さらに、半導体素子１８の線膨張係数と基材３の線膨張係数との差によって発生する熱ストレスを緩和させることができるので、信頼性も良好である。
【００２２】
以上のように本実施の形態の配線基板１における表側導体パターン５、裏側導体パターン７や表側転写突起導体１２そして裏側転写突起導体１３とは、全て凹版転写によって形成される。そこで次に、配線基板１とモジュール２の製造方法（凹版転写）について図面を用いて説明する。図３は、本実施の形態における配線基板１の製造フローチャートであり、図４は本実施の形態における凹部４１の要部拡大断面図である。図３において図１や図２と同じものは同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
【００２３】
図３、図４において表側凹版製造工程３１では、表側導体パターン５に対応する形状の溝と、表側転写突起導体１２に対応する形状の凹部４１とをフィルム４２に加工する。一方裏側凹版製造工程３２では、裏側導体パターン７に対応する形状の溝と、裏側転写突起導体１３に対応する形状の凹部４１とをフィルム４２に加工する。表側導体充填工程３３や裏側導体充填工程３４では、表側凹版製造工程３１や裏側凹版製造工程３２で製造された夫々の凹版に対し、溝や凹部４１に銀ペースト３５（導体ペーストの一例として用いた）を充填した状態で、溶剤を蒸発させて銀ペースト３５を硬化させる。なお、本実施の形態におけるフィルム４２の材料にはポリイミドを用い、このフィルム４２にエキシマレーザ（図示矢印）を照射することで、溝や凹部４１を加工している。そしてこれらの溝や凹部４１は開口側に向かって幅や径などが広くなる方向の傾斜４３を設けている。
【００２４】
ここで発明者らの検討によれば、フィルム４２にエキシマレーザで穴を加工した場合、加工穴の縁では穴の中央部４５に比べて加工が進み、穴深さが深くなる傾向が有ることと、その加工面が球面形状に近く成り易いこととを確認した。そこで発明者らは、このエキシマレーザのこの特性を利用し、露光時間などを調整することで、図４に示すように周縁部分４４の深さが中央部４５に比べて深く、かつ加工面が略球面形状となる凹部４１を加工できることを確認した。
【００２５】
一方、基材３は接続導体形成工程３６において、予め基材３の所定の位置に加工された孔に銀ペースト３５を埋め込む。そして、孔に銀ペースト３５を埋め込んだ後に、銀ペースト３５を焼成し、接続導体１４を形成する。そして接着剤塗布工程３７では、接続導体形成工程３６の後で基材３の両面に熱可塑性の接着剤層を塗布する。
【００２６】
次に導体転写工程３８では、両面に接着層が形成された基材３と、銀ペースト３５が充填された凹版とを、凹部４１が基材３と対向する方向で貼り合わせる。そして、この状態で熱プレスなどによって、圧力と熱とを加えて接着剤層を溶融させる。これは、溶融させた接着剤を導体ペースト内に含浸させるために行う。そしてこのようにして含浸させた接着剤を冷却することで、銀ペースト３５を固めるとともに、銀ペースト３５と基材３とを確りと接着させる。次にこの状態で凹版を基材３から剥離すれば、基材３上には溝や凹部４１の形状が略忠実に再生された導体ペーストが転写されることとなる。
【００２７】
なおこのときに重要な点は、銀ペースト３５と凹部４１に対するヌケ性である。このヌケ性が悪いと、凹版を基材３からはがすときに導体ペーストが凹部４１に残留し、基材３上の銀ペースト３５に欠損が生じてしまう。そこで、本実施の形態では、溝には約４度のテーパを設けることで、ヌケ性を改善している。一方、凹部４１は溝よりも深さが深く、かつ周縁部分４４が最も深いので、溝以上にヌケ性が悪い。そこで、凹部４１には溝よりも大きな傾斜４３を設けることが必要であり、本実施の形態において傾斜４３は、６度とすることで、ヌケ性を改善している。このようにすることで、凹部４１や溝の側面に基材側に向かって広がる方向の傾きが形成される。
【００２８】
焼成工程３９では、銀ペースト３５が凹版転写された基材３を約９００℃の高温で焼成する。これにより、銀ペースト３５内に含浸された接着剤が焼失するとともに、銀ペースト３５が焼結されて、基材３上に表側導体パターン５、裏側導体パターン７や表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３が完成する（なお、本願ではこのようにして導体を形成することを凹版転写という）。
【００２９】
そして絶縁膜形成工程４０では、焼成工程３９の後に基材３へスクリーン印刷などでガラスペーストを印刷し、焼成する。これによって基材３や表側導体パターン５、裏側導体パターン７の上に絶縁膜８が形成される。ただし、表側転写突起導体１２や接続ランド１１、そして裏側転写突起導体１３にはガラスペーストが塗布されないようにスクリーンにマスクが施される。これによって、表側転写突起導体１２、接続ランド１１や、裏側転写突起導体１３に対応する位置に、絶縁膜不形成部９ａ、絶縁膜不形成部９ｂや絶縁膜不形成部９ｃが形成され、配線基板１が完成する。
【００３０】
次に、この配線基板１を用いてモジュール２を製造する方法について、図面を用いて説明する。図５は、本実施の形態におけるモジュール２の製造フローチャートであり、図６は、半導体実装工程５１におけるモジュール２の要部拡大断面図である。図５において、接続部材塗布工程５２では、配線基板１の接続ランド１１上にクリームはんだ１９（接続部材の一例として用いた）を印刷する。一方表側転写突起導体１２にはフラックスが塗布される。
【００３１】
クリームはんだ１９やフラックスが塗布された配線基板１上にチップ部品実装工程５３ではチップ部品１０を実装し、半導体実装工程５１では表側転写突起導体１２に半導体素子１８を実装する。このとき、表側転写突起導体１２には球面状の窪み１５を有しているので、図６に示すように例えばはんだバンプ２０が中心からズレて装着された場合においても、はんだバンプ２０がこの窪み１５に沿って中央方向（図示矢印方向）へと移動し易くなる。これによって、半導体素子１８は精度良く配線基板１へ実装されることとなる。本実施の形態における平坦部１６は約１０マイクロメータとしているので、はんだバンプ２０の実装ズレが、約６５ミクロンまでであれば、良好に接続可能である。
【００３２】
チップ部品１０や半導体素子１８が実装された後に接続基板は、リフロー工程５５で加熱されることで、チップ部品１０や半導体素子１８が接続基板の所定の位置に精度良く接続される。これは、溶融したクリームはんだ１９やハンダボールの表面張力によって発生するセルフアライメント効果によるものである。一般的に半導体素子１８は自重が重く、セルフアライメントによる効果は小さい。ところが、表側転写突起導体１２に窪み１５を設けることで、はんだバンプ２０とのヌレ性が良くなり、セルフアライメント作用が発生し易くなる。従って、半導体素子１８を精度良く実装することができるので、半導体素子１８を小型化できる。そしてその結果、小型の配線基板１やモジュール２を実現できることとなる。
【００３３】
図７は樹脂注入工程５６におけるモジュール２の断面図である。樹脂注入工程５６では、図７に示すように、熱硬化性の樹脂２２を半導体素子１８と配線基板１との間の隙間２１へ注入し、約１５０℃の温度で加熱することで樹脂を硬化させる。なおこのとき、チップ部品１０や半導体素子１８と配線基板１間のはんだが溶融しないようにすることが望ましい。従って、本実施の形態では、クリームはんだ１９やはんだバンプ２０には融点が２３０℃の高融点はんだを用いている。
【００３４】
そして最後に裏側転写突起導体１３にクリームはんだを印刷し、はんだボール装着工程５７ではんだボール２３を装着し、その後加熱工程５８で加熱する。なお加熱工程５８では、裏面６を上向けた状態ではんだボール２３の近傍のみを局所的に加熱するものである（いわゆるスポットリフローである。）。このように加熱工程５８では、はんだボール２３のみを局所的に加熱するので、表面４のクリームはんだ１９が溶融することは少ない。これにより、表面４を下向けた状態で加熱しても、チップ部品１０などが落下することを少なくできる。さらに、本実施の形態でははんだボール２３の融点は約２００℃の低融点はんだを用いているので、さらに加熱工程５８でのチップ部品１０の落下などを少なくできる。
【００３５】
以上のように表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３は、凹版転写を用いて形成されるので、にじみなどがなく隣接する表側転写突起導体１２間同士の間隔を小さくできる。従って、小型の半導体素子１８を用いることができるので、小型のモジュール２を実現できる。
【００３６】
なお、凹版転写ではスクリーン印刷などに比べて表側転写突起導体１２や裏側転写突起導体１３の高さを高くできる。これにより半導体素子１８と配線基板１との間の隙間２１を大きくできるので、樹脂２２が注入され易くなる。従って、樹脂２２中にボイドなどが発生し難くなり、信頼性が良好となる。
【００３７】
また、凹版転写によって形成するので、表側導体パターン５と表側転写突起導体１２や、裏側導体パターン７と裏側転写突起導体１３とを夫々同時に形成できる。従って生産性が良好であり、低価格な配線基板１やモジュール２を実現できる。
【００３８】
さらに、表側転写突起導体１２の高さや窪み１５形状の精度が良い。これにより、半導体実装工程５１で装着された半導体素子１８のはんだバンプ２０と、配線基板１の表側転写突起導体１２との間は、安定して接触するので、半導体素子１８と配線基板１との間を確実に接続することができる。
【００３９】
本実施の形態では、銀ペースト３５を用いたが、これに代えて導電性樹脂ペーストを用いても良い。またこの場合絶縁膜としてはガラスペーストに代えてエポキシ樹脂などを用いる。そしてこの場合には、焼成工程３９に代えて硬化工程が行われる。この場合、硬化工程は約２００℃程度であるので、いわゆる樹脂基板を用いることができる。したがって、高価なアルミナ基板を用いなくても良く、低価格なモジュールが実現できる。
【００４０】
（実施の形態２）
以下実施の形態２における配線基板６１を用いたモジュール６２について図面を用いて説明する。図８は実施の形態２におけるモジュール６２の要部拡大断面図である。なお本実施の形態で実施の形態１と同じものは同じ番号を使用している。また、図８において図１や図２と同じものは、同じ番号を用いている。そしてそれら同じ番号を用いたものに関しては、その説明は簡略化している。
【００４１】
本実施の形態では、実施の形態１における表側転写突起導体１２に代えて、転写突起樹脂６３の表面に金属膜６４を形成したものを用い、この金属膜６４が表側導体パターン５に接続される。なお本実施の形態における転写突起樹脂６３はエポキシ樹脂であり、凹版転写によって形成される。また、金属膜６４は転写突起樹脂６３上に無電解メッキによって形成される。
【００４２】
なお本実施の形態における凹版製造工程においては、表側導体パターン５あるいは裏側導体パターン７に対応する溝のみが形成される。そして、絶縁膜形成工程４０が完了した配線基板１（回路基板の一例として用いた）に対して、転写突起樹脂６３が形成される。具体的には、転写突起樹脂６３に対応する凹部（図示なし）が形成された凹版を用いて、配線基板１上に転写突起樹脂６３を転写する。なお、凹部４１にはエポキシ樹脂を充填し、これを基板に貼りあわせて、加熱する。これによって樹脂を硬化させ、配線基板１上に転写突起樹脂６３を形成する。
【００４３】
次に、転写突起樹脂６３が形成された配線基板１を無電解メッキし、その後で不必要な箇所をエッチングなどによって除去することで、転写突起樹脂６３の表面４に金属膜６４が形成されるとともに、表側導体パターン５との接続が行われ、配線基板６１が完成する。そして本実施の形態においても、実施の形態１と同じく、所期の目的を達成できる。
【００４４】
そして本実施の形態では、転写突起樹脂６３を絶縁膜８上に形成することも可能となる。つまり実施の形態１のように転写突起樹脂６３を形成する箇所に絶縁膜不形成部９を設ける必要がない。従って、転写突起樹脂６３の下側にも表側導体パターン５を配線することも可能となり、さらに小型の配線基板やモジュールを実現し易くなる。
【００４５】
また、本実施の形態では、アルミナ基板の配線基板１に代えて、樹脂製の回路基板（図示せず）を用いることができる。つまり、転写突起樹脂６３は樹脂であるので、加熱温度が低くできる。これにより、一般的な樹脂基板上に表側転写突起導体１２を形成することができるので、低価格なモジュールを実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明にかかる配線基板は、隣接する接続ランド同士を近接させることができるという効果を有し、特に半導体素子をフリップチップ実装するための配線基板等として用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態１におけるモジュールの断面図
【図２】同、モジュールの要部拡大断面図
【図３】同、配線基板の製造フローチャート
【図４】同、凹版の拡大断面図
【図５】同、モジュールの製造フローチャート
【図６】同、実装工程におけるモジュール要部拡大断面図
【図７】同、樹脂注入工程におけるモジュールの断面図
【図８】本発明の実施の形態２におけるモジュールの要部拡大断面図
【符号の説明】
【００４８】
３  基材
５  表側導体パターン
８  絶縁膜
１２  表側転写突起導体
１５ａ  窪み
１８  半導体素子
２０  はんだバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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