(57)【要約】【課題】粒子線とターゲットとの衝突点と、規定された衝突点とのずれが減じられており、ターゲットとの衝突点に関して粒子線の位置安定性も改善されているものを提供する。【解決手段】互いに垂直な２つの軸線（Ｘ軸線及びＹ軸線）に沿って粒子線を偏向するためのそれぞれの偏向ユニット（２６，３２）が、次のように形成されている、すなわち、第１の偏向点（２０）と第２の偏向点（２２）とが、粒子線（１２）とターゲットとの規定された、又は規定可能な衝突点（２４）と同軸線上に位置しているように形成されているようにした。【選択図】図３
2007073517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線又はＥＵＶ線を発生させるための装置であって、電気的に負荷された粒子の粒子線をターゲットに向けるための手段と、粒子線を偏向するための偏向手段とが設けられており、これにより、粒子線の中央軸線が、第１の偏向点と、該第１の偏向点に対して放射方向に離隔された第２の偏向点とを通過するようになっており、前記偏向手段が、粒子線の中央軸線が第１の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第１の偏向ユニットを有しており、かつ第１の偏向ユニットに対して粒子線の放射方向に離隔された、粒子線の中央軸線が第２の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第２の偏向ユニットを有しており、粒子線が、偏向ユニットにより、１つの偏向点に関して、別の偏向点に関連した偏向とは無関係に偏向可能になっている形式のものにおいて、
互いに垂直な２つの軸線（Ｘ軸線及びＹ軸線）に沿って粒子線を偏向するためのそれぞれの偏向ユニット（２６，３２）が、次のように形成されている、すなわち、第１の偏向点（２０）と第２の偏向点（２２）とが、粒子線（１２）とターゲットとの規定された、又は規定可能な衝突点（２４）と同軸線上に位置しているように形成されていることを特徴とする、Ｘ線又はＥＵＶ線を発生させるための装置。
【請求項２】
偏向手段を制御するための制御手段（３８）が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
第１の偏向ユニット（２６）と第２の偏向ユニット（３２）とが、互いに無関係に制御可能になっており、これにより、粒子線（１２）が、１つの偏向点（２０，２２）に関して、別の偏向点（２２，２０）に関する偏向とは無関係に偏向可能である、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
それぞれの偏向ユニット（２６，３２）が、少なくとも１つの偏向エレメント（２８，３４）を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
偏向エレメント（２８，３４）が、少なくとも１つのコイル又はコイル装置、特に四極子を有している、請求項４記載の装置。
【請求項６】
偏向エレメントが、少なくとも１つの静電的な偏向プレートを有している、請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
互いに垂直な２つの軸線に沿って粒子線（１２）を偏向するための偏向手段が形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの偏向ユニット（２６，３２）にカバー（３０，３６）が対応配置されており、該カバー（３０，３６）が、放射方向に見て偏向ユニット（２６，３２）の偏向エレメント（２８，３４）の後方に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
第１の偏向ユニット（２６）に第１のカバー（３０）が対応配置されており、該第１のカバー（３０）が、放射方向に見て第２の偏向ユニット（３２）の偏向エレメント（３４）の作用平面の領域内に配置されている、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
第２の偏向ユニット（３２）に、第２のカバー（３６）が対応配置されている、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
少なくとも１つのカバー（３０，３６）が、少なくとも部分的に電気伝導性の材料から成っており、カバー（３０，３６）に、粒子線（１２）がカバー（３０，３６）に衝突したことに起因する電流を測定するための測定ユニット（４２，４４）が対応配置されている、請求項８から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
測定ユニット（４２，４４）が、偏向手段を制御するための制御手段（３８）に次のように接続されている、すなわち、粒子線（１２）の偏向が、測定ユニット（４２，４４）により測定された電流に関連して得られるように接続されている、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
ターゲット（１６）に向かい合ったカバー（３６）に測定ユニット（４４）が対応配置されており、該測定ユニット（４４）が、第１の運転モードでは、カバーの、ターゲット（１６）に向いていない方の面に粒子線（１２）が衝突したことに起因する電流を測定し、かつ第２の運転モードでは、ターゲット（１６）により後方散乱せしめられた、電気的に負荷された粒子に起因する電流を測定する、請求項８から１２までにいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
測定ユニット（４４）が、制御及び／又は調整手段（３８）に結合されており、該制御及び／又は調整手段（３８）が、測定ユニット（４４）により第２の運転モードで測定された電流に関連して粒子線（１２）を発生させるための粒子源（１０）を制御することによりターゲット電流を制御又は調整する、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
ターゲット（１６）に粒子線（１２）を集束するための集束手段（４８）が設けられている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１６】
集束手段（４８）が、放射方向で見て偏向手段に後置されている、請求項１５記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線又はＥＵＶ線を発生させるための装置であって、電気的に負荷された粒子の粒子線をターゲットに向けるための手段と、粒子線を偏向するための偏向手段とが設けられており、これにより、粒子線の中央軸線が、第１の偏向点と、該第１の偏向点に対して放射方向に離隔された第２の偏向点とを通過するようになっており、前記偏向手段が、粒子線の中央軸線が第１の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第１の偏向ユニットを有しており、かつ第１の偏向ユニットに対して粒子線の放射方向に離隔された、粒子線の中央軸線が第２の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第２の偏向ユニットを有しており、粒子線が、偏向ユニットにより、１つの偏向点に関して、別の偏向点に関連した偏向とは無関係に偏向可能になっている形式の、Ｘ線又はＥＵＶ線を発生させるための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような装置は、Ｘ線を発生させるためには、例えばＸ線管の形式で、例えばアメリカ特許第３７９３５４９号明細書及びイギリス特許第１０５７２８４号明細書により公知になっており、ＥＵＶ線を発生させるためには、国際公開第２００４／０２３５１２号パフレット、アメリカ特許第３１３８７２９号明細書、ヨーロッパ特許庁特許公開第０８８７６３９号明細書及びアメリカ特許第４５２３３２７号明細書により公知である。ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet:超紫外）線とは、この場合約０．２５〜約２０ｎｍまでの間の波長領域内の放射線である。前記公知の装置は、特に画像を付与する方法において、例えば電子構成部品、特にプリント配線板の検査、並びに光学的なコンポーネントのチェック及び調整のために使用される。
【０００３】
公知の装置は、電気的に負荷された粒子の粒子線をターゲットに向けるための手段を有している。この場合にターゲットの材料は、放出される放射線の望ましい波長に対応して選択される。
【０００４】
公知の装置の欠点は、粒子線とターゲットとの衝突点とあらかじめ規定された衝突点とのずれが、構成部品の放射線透過により生ぜしめられた画像の画像質の損傷、及び測定、調整機能並びに調整任務において測定エラーをもたらすことが欠点である。
【特許文献１】アメリカ特許第３７９３５４９号明細書
【特許文献２】イギリス特許第１０５７２８４号明細書
【特許文献３】国際公開特許第２００４／０２３５１２号パフレット
【特許文献４】アメリカ特許第３１３８７２９号明細書
【特許文献５】ヨーロッパ特許庁特許公開第０８８７６３９号明細書
【特許文献６】アメリカ特許第４５２３３２７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の根底にある課題は、Ｘ線又はＥＵＶ線を発生させるための装置であって、電気的に負荷された粒子の粒子線をターゲットに向けるための手段と、粒子線を偏向するための偏向手段とが設けられており、これにより、粒子線の中央軸線が、第１の偏向点と、該第１の偏向点に対して放射方向に離隔された第２の偏向点とを通過するようになっており、前記偏向手段が、粒子線の中央軸線が第１の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第１の偏向ユニットを有しており、かつ第１の偏向ユニットに対して粒子線の放射方向に離隔された、粒子線の中央軸線が第２の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第２の偏向ユニットを有しており、粒子線が、偏向ユニットにより、１つの偏向点に関して、別の偏向点に関連した偏向とは無関係に偏向可能になっている形式の装置において、粒子線とターゲットとの衝突点と、規定された衝突点とのずれが減じられており、ターゲットとの衝突点に関して粒子線の位置安定性も改善されているものを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決した本発明の手段によれば、互いに垂直な２つの軸線（Ｘ軸線及びＹ軸線）に沿って粒子線を偏向するためのそれぞれの偏向ユニットが、次のように形成されている、すなわち、第１の偏向点と第２の偏向点とが、粒子線とターゲットとの規定された、又は規定可能な衝突点と同軸線上に位置しているように形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明による理論の基本思想は、粒子線を偏向するための偏向手段を設け、この偏向手段により、粒子線が次のように偏向される、すなわち、粒子線の中央軸線が、第１の偏向点及び第２の偏向点を通過しており、この場合に第１の偏向点と第２の偏向点とが、粒子線とターゲットとの規定された、又は規定可能な衝突点と同軸線上に位置しており、粒子線が、偏向手段により、１つの偏向点に関して、別の偏向点に関する偏向とは無関係に偏向可能になっていることである。
【０００８】
本発明によれば、粒子線が常に第１の偏向点及び第２の偏向点を通過しており、これらの偏向点が、粒子線とターゲットとの粒子線の望ましい衝突点と同軸線状に位置していることにより、粒子線とターゲットとの衝突点に関して高い位置安定性が得られる。この場合に、粒子線が偏向手段の作用下に少なくとも２つの偏向点を通過しており、これらの偏向点が、粒子線とターゲットとの望ましい衝突点と同軸線上に位置していることが本発明において重要な点である。換言すれば、粒子線とターゲットとの望ましい衝突点と同軸線上に位置する、放射方向に互いに離隔された２つの偏向点に関して粒子線が互いに無関係に偏向されるか、又は偏向可能性が付与されていることにより、粒子線の中央軸線が、第１の偏向点と第２の偏向点、並びにターゲットとの望ましい衝突点が位置している仮想直線と一致していることが確保されている。
【０００９】
この場合に、粒子線の中央軸線は、例えば特に本発明による装置の中央軸線、例えばレントゲン管の中央軸線と一致していてよい。
【００１０】
本発明によれば、偏向手段が、第１の偏向点と、放射方向にこの第１の偏向点に対して離隔された第２の偏向点とに関して粒子線を互いに無関係に偏向するために設計されていれば基本的に十分である。しかしながら、第２の偏向点の通過後の粒子線の不都合な偏向を阻止するためには、本発明によれば、偏向手段により、粒子線が第１及び第２の偏向点を通過するのみではなく、放射方向で見て第２の偏向点の後方に配置された別の偏向点の後方に延びており、この場合に全ての偏向点が、粒子線とターゲットとの望ましい衝突点と同軸線上に位置しているように粒子線を偏向することが可能である。
【００１１】
このことは、第２の偏向点とターゲットとの間により大きい間隔が生じた場合には特に有利である。例えば、特に第１及び第２の偏向点に関して第１及び第２の偏向ユニットにより粒子線の偏向が得られた場合には、本発明によれば、これらの偏向ユニットに対して付加的に別の偏向ユニットを設けることが可能である。この場合にこれらの偏向ユニットは放射方向に見て第２の偏向ユニットに後置されている。
【００１２】
この場合、粒子線の中央軸線とは、粒子線の放射横断面の幾何学的な中心点を通過する軸線である。
【００１３】
基本的には、本発明によれば、第１の偏向点と、放射方向に見てこの第１の偏向点に対して離隔された第２の偏向点とに関して粒子線の互いに無関係な偏向が可能である限りは、偏向手段は唯一の偏向ユニットを有していれば十分である。本発明による理論の有利な改良形が、偏向手段が、粒子線の中央軸線が第１の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第１の偏向ユニットを有しており、かつ第１の偏向ユニットに対して、粒子線の放射方向に離隔された、粒子線の央軸線が第２の偏向点を通過するように粒子線を偏向するための第２の偏向ユニットを有していることを規定している。これらの偏向ユニットは基本的には同一に構成されていてよいので、このようにして本発明による装置の構成手間がわずかに保持される。
【００１４】
偏向手段若しくは偏向ユニットを制御するためには、有利には制御手段が設けられている。
【００１５】
偏向ユニットを有する構成の別の改良形が、第１の偏向点と第２の偏向点とに関して粒子線を互いに無関係に偏向するために、第１の偏向ユニットと第２の偏向ユニットとが制御手段により互いに無関係に制御可能になっていることを規定している。このようにして、粒子線が特に高い正確さをもって偏向可能である。
【００１６】
偏向ユニットを有する構成では、それぞれの偏向ユニットが、有利には少なくとも１つの偏向エレメントを有している。それぞれの要請に対応して、偏向ユニット毎に１つ以上の偏向エレメントが設けられていてもよい。
【００１７】
偏向エレメントの形状、大きさ、数及び構成が広い範囲で選択可能である。有利な１改良形が、偏向エレメントが、少なくとも１つのコイル又はコイル装置、特に四極子を有していることを規定している。このようなコイルは、簡単かつ安価な標準構成部品として提供されており、対応した偏向電流の選択により粒子線の正確な偏向を可能にする。
【００１８】
本発明による理論の別の改良形が、偏向エレメントが少なくとも１つの静電的な偏向プレートを有していることを規定している。
【００１９】
本発明による理論の別の有利な改良形が、互いに垂直な２つの軸線の方向に粒子線を偏向するための偏向手段が形成されていることを規定している。粒子線の中央軸線が例えばＺ方向に延びている場合には、本実施例では例えばＸ方向又はＹ方向に沿って粒子線を偏向するための偏向手段が形成されている。
【００２０】
本発明による理論の別の有利な１改良形が、少なくとも１つの偏向ユニットにカバーが対応配置されており、このカバーが、放射方向に見て偏向ユニットの偏向エレメントの後方に配置されていることを規定している。以下にさらに詳しく説明するように、この場合にカバーは、例えば特に次のことのために使用することができる、すなわち、カバーに粒子線が衝突したことに起因する電流を測定し、粒子線の偏向を、測定されたこの電流に関連して制御するために使用することができる。
【００２１】
前記構成の１改良形が、第１の偏向ユニットに第１のカバーが対応配置されており、この第１のカバーが放射方向に第２の偏向ユニットの偏向エレメントの作用平面の領域内に対応配置されていることを規定している。このようにして、第２の偏向点の領域内で放射方向の粒子線の偏向に関して、特に好都合な状態が得られる。
【００２２】
カバーを有する構成の別の１改良形が、第２の偏向ユニットに第２のカバーが対応配置されていることを規定している。第２の偏向ユニットに対応配置された第２のカバーの機能は、第１の偏向ユニットに対応配置された第１のカバーの機能に対応している。
【００２３】
本発明による理論の特に有利な改良形が、少なくとも１つのカバーが少なくとも部分的に電気伝導性の材料から成っており、このカバーに、カバーに粒子線が衝突したことに起因する電流を測定するための測定ユニットが対応配置されていることを規定している。この構成では、測定ユニットにより、カバー若しくはカバーの電気伝導性の部分に粒子線が衝突した場合に流れる電流が測定される。電気的に負荷された粒子がカバーに衝突することなしに粒子線がカバーのカバー開口を横断した場合には、理想的には電流は流れず、粒子線がカバーに完全に衝突した場合には、比較的高い電流が流れる。すなわち、測定された電流は、粒子線の中央軸線と望ましい位置とのずれのための基準である。測定ユニットにより測定された電流に基づき、例えば粒子線がカバーに完全に衝突したことが確認された場合には、カバーに対応配置された偏向ユニットを次のように、すなわち、粒子線がもはやカバーに衝突せずに、むしろカバーのカバー開口を通過するように制御することができる。粒子線の偏向角度が小さい場合には、偏向電流と、粒子線の偏向距離との間には比例関係が生じる。
【００２４】
この場合には、本発明による理論の有利な１改良形が、測定ユニットが、偏向手段を制御するための制御手段に接続されており、これにより、測定手段により測定された電流に関連して粒子線の偏向が行われることを規定している。
【００２５】
本発明による理論の有利な改良形が、ターゲットに向かい合ったカバーに測定ユニットが対応配置されており、この測定ユニットが、第１の運転モードでは、カバーの、ターゲットに向いていない方の面に粒子線が衝突したことに起因する電流を測定し、第２の運転モードでは、ターゲットにより後方散乱せしめられた、電気的に負荷された粒子に起因する電流を測定することを規定している。この構成では、測定ユニットの出力信号が、第１の運転モードでは、例えば対応配置された偏向ユニットを制御するための偏向電流を算出するために使用され、これにより、粒子線が、望ましい偏向点を通過するように偏向される。これに対して第２の運転モードでは、測定ユニットにより測定された電流を、粒子線を発生させる粒子源を制御することにより、装置のターゲットのターゲット電流を制御又は調整するために使用することができる。
【００２６】
このためには前記構成の有利な１改良形が、測定ユニットが制御及び／又は調整手段に接続されており、これらの制御及び／又は調整手段が、測定装置により第２の運転モードで測定された電流源に関連して、粒子線を発生させるための粒子源を制御することによりターゲット電流を制御又は調整することを規定している。
【００２７】
ターゲット上で粒子線の集束の望ましい集束直径を得るためには、本発明による理論の別の有利な改良形が、ターゲット上に粒子線を集束するための集束手段を設けている。
【００２８】
前記構成では、集束手段は放射方向で見て偏向手段に後置されている。この構成では、粒子線はまず望ましい位置へ偏向され、この位置で粒子線の中央軸線が第１及び第２の偏向点を通過して望ましい衝突点でターゲットに衝突する。これに続いて電子線は集束手段により集束され、これにより、ターゲット上で望ましい集束直径が得られる。
【００２９】
次に本発明の実施の形態を著しく概略的な添付図面につき詳しく説明する。この図面には本発明による装置の実施例が示されている。この場合に記載された特徴又は図面に示した全ての特徴は、特許請求項又は従属請求項に要約されたものとは無関係に、かつ実施の形態若しくは図面の表現若しくは説明とは無関係に、それ自体又は任意の組合せで本発明の対象を形成している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１には、本発明による装置２の１実施例が示されている。この装置２は本実施例ではＥＵＶ線を発生させるために用いられる。装置２はＸ線管の形式で構成されており、ハウジング４を有している。このハウジング４の内部６は真空チャンバの形で形成されており、真空ポンプ（図示していない）によって開口８を介して排気可能である。
【００３１】
真空チャンバ６の内部には電気的に負荷された粒子の粒子線を発生させるための粒子源１０が配置されている。この場合に本実施例では電気的に負荷された粒子は陰極から放出された電子により形成されている。これらの電子は粒子線１２を形成するためにリング陽極１４により、本実施例では、層状ターゲットの形で形成されたターゲット１６の方向に加速される。
【００３２】
ターゲット１６に衝突した場合には、粒子線１２を形成する電子は制動され、この場合に制動放射線が生じる。この制動放射線のスペクトルは粒子のエネルギ及びターゲット１６の材料の化学的な特性（原子番号）に関係している。図１に示した実施例では、ターゲット１６の材料が次のように選択されている、すなわち、ＥＵＶスペクトル領域の利用可能な部分を含んだ放射線が生ぜしめられるように選択されている。
【００３３】
本発明によれば、装置２は粒子線１２を偏向するための手段を有しており、これにより、図１で一点鎖線１８により示した、粒子線１２の中央軸線は、第１の偏向点２０、及び放射方向に見て第１の偏向点２０の後方に、かつこの偏向点２０に対して離隔して配置された第２の偏向点２２を通過している。この場合に第１の偏向点２０と第２の偏向点２２とは、粒子線１２とターゲット１６との規定された衝突点２４と同軸線上に位置しており、この場合に粒子線１２の放射方向は、偏向手段により、第１の偏向点２０に関して、第２の偏向点２２に関する粒子線１２の偏向とは無関係に偏向可能である。
【００３４】
本実施例では、偏向手段は第１の偏向ユニット２６を有している。この偏向ユニット２６は偏向エレメント２８を有しており、この偏向エレメント２８は、本実施例では４極子の形のコイル装置により形成されている。本実施例では、第１の偏向ユニット２６には第１のカバー３０が対応配置されており、このカバー３０は放射方向に見て偏向エレメント２８に対して離隔されており、かつこの偏向エレメント２８の後方に配置されている。第１のカバー３０は円形の横断面を有するカバー開口を有しており、この場合に第１の偏向点２０がカバー開口の中央に位置している。
【００３５】
さらに偏向手段は第２の偏向ユニット３２を有している。この偏向ユニット３２は偏向エレメント３４を有しており、この偏向エレメント３４は、本実施例では四極子の形のコイル装置により形成されている。本実施例では、第２の偏向ユニット３２には第２のカバー３６が対応配置されており、この第２のカバー３６は、放射方向に見て第２の偏向ユニット３２の偏向エレメント３４の後方に位置している。本実施例では、第２のカバー３６は、円形のカバー開口を有しており、この場合に第２の偏向点２２がカバー開口の中央に位置している。
【００３６】
さらに前記装置２は制御手段３８を有している。この制御手段３８は、以下にさらに詳しく述べるように、偏向エレメント２８，３４を偏向電流により制御するために、かつ高圧発生器４０及び粒子源１０を制御するために働く。第１の偏向ユニット２６と第２の偏向ユニット３２とは、粒子線１２を第１の偏向点２０と第２の偏向点２２とに関して互いに無関係に偏向するために、制御手段３８により互いに無関係に制御可能である。
【００３７】
本実施例では、偏向ユニット２６，３２は粒子線１２を中央軸線１８に対して横方向に、互いに対して垂直な軸線に沿って偏向するために、すなわち、Ｚ方向に広がる粒子線１２をＸ方向並びにＹ方向に偏向するために形成されている。
【００３８】
図１から判るように、本実施例では第１のカバー３０は放射方向に見てほぼ第２の偏向ユニット３２の偏向エレメント３４の高さに配置されている。本実施例では、電気伝導性の材料から成る第１のカバー３０には、粒子線１２が第１のカバー３０に衝突したことに起因する電流を測定するための第１の測定ユニット４２が対応配置されている。この第１の測定ユニット４２の出口は制御手段３８に接続されている。
【００３９】
さらに対応して、ターゲット１６に向かい合った第２のカバー３６は同様に電気伝導性の材料から成っており、この場合にこのカバー３６には第２の測定ユニット４４が対応配置されている。この第２の測定ユニット４４は、第１の運転モードでは、粒子線１２と、カバー３６の、ターゲット１６に向いていない方の面との衝突に起因する電流を測定する。第２の運転モードでは、第２の測定ユニット４４は、ターゲット１６により後方散乱せしめられた、電気的に負荷された粒子に起因する電流を測定する。ターゲット１６による電気的に負荷された粒子の、後方散乱は図１に矢印４６により示唆されている。
【００４０】
粒子線１２を集束させるためには、装置２は集束手段を有している。この集束手段は、本実施例では電磁的なレンズ４８により形成されており、このレンズ４８は、本実施例では放射方向に見て第２の偏向ユニット３２に後置されている。
【００４１】
符号５０により示唆したように、電気的に負荷された粒子がターゲット１６に衝突したことにより生ぜしめられたＥＵＶ線が、側方にハウジング４内に形成された流出窓４９を介してハウジング４から流出する。ＥＵＶ線のスペクトルのフィルタリングのためには、流出窓４内にフィルタ５２が配置されていてよい。
【００４２】
ターゲット１６により後方散乱せしめられた電子が流出窓４９に衝突し、この流出窓を静電的に負荷することを阻止するためには、この流出窓４９は捕獲リング５４により取り囲まれている。この捕獲リング５４は正電位にあり、流出窓４９の方向に飛ぶ後方散乱せしめられた電子を捕獲する。捕獲リング５４は、この理由で電圧源５６の正極に接続されており、この電圧源５６の負極はハウジング４及びアースに接続されている。
【００４３】
本発明による装置の機能形式は次のとおりである。
【００４４】
装置２の運転時には電子が粒子源１０から流出し、リング陽極１４を介してターゲット１６の方向に加速される。この場合に、粒子線１２の中央軸線１８は第１の偏向点２０及び第２の偏向点２２を通過している。偏向点２０，２２は、粒子線１２とターゲット１６との規定された衝突点２４と同軸線上に位置しているので、電子はこの衝突点２４でターゲット１６に衝突する。この場合に、ＥＵＶ線が生ぜしめられ、このＥＵＶ線は流出窓４９を介して装置２から流出する。
【００４５】
図２は装置２の１運転状態を示している。この運転状態では粒子線１２の方向に関して妨害が生じている。このような妨害は、例えば粒子源１０のフィラメント先端が傾いており、外部の磁界が作用するか、又は熱膨張が作用したことに起因し得る。この場合には、粒子線１２はリング陽極１４の陽極孔を斜めに通過する。この関係では、図２に符号５８に示唆したように、例えばフィラメント先端を取り囲むウェーネルト円筒を使用した場合には、電極は放射方向にほぼリング陽極１４の平面で第１の集群（第１のクロスオーバ）を被る。この第１のクロスオーバ後には電子は種々異なった作用機構に基づき、例えば同様に負荷された電極の反発力であるベルシュ効果に基づき、互いに離れるように発散する。リング陽極１４に印加された高圧は、電子がリング陽極１４の平面を離れた後にはもはや作用していないので、次いで電子は、クロスオーバを離れた後に保持していた方向にさらに飛ぶ。
【００４６】
それ故、図２に符号６０で格子により示したように、電極は第１のカバー３０に衝突し、これにより、ターゲット１６には到達しない。
【００４７】
電子が第１のカバー３０に電子が衝突したことに基づき、第１の測定ユニット４２は電流を測定し、制御手段３８に対応した信号を供給する。
【００４８】
続いてこの制御手段３８は、第１の偏向ユニット２６の偏向エレメント２８を偏向電流により制御する。第１の偏向ユニット２６の作用平面は、図２に点線６２により示されている。この場合に、制御手段３８は偏向電流を次のように選択する、すなわち、中央軸線１８が第１の偏向点２０を通過するように選択する。この場合に生じる粒子線１２の方向が図２には符号６２′により示唆されている。
【００４９】
偏向エレメント２６のための偏向電流の放出を次に図面３につき詳しく説明する。この偏向電流は、粒子線１２を第１の偏向点２０を通過して偏向するために必要である。
【００５０】
本実施例では、偏向エレメント２６は四極子により形成されている。この四極子は、四角形に配置された４つの電磁コイルから成っており、これらの四極子により電子線はＸ方向並びにＹ方向に偏向可能である。電子線が第１のカバー３０のカバー孔を通過し、第１の偏向点２０を通過した場合には、第１の測定ユニット４２により測定された電流はゼロである。電流は、粒子線１２がカバー３０に衝突した場合にのみ測定ユニット４２により測定される。この場合には、制御手段３８は偏向エレメント２８を制御し、これにより、粒子線１２は、図３に符号６４，６６，６８，７０により示した位置へ次々に移動せしめられる。例としてあげるためにのみこれらの位置６４，６６，６８，７０は次のように選択されている、すなわち、ほぼ粒子線１２の半分の横断面が第１のカバー３０に衝突し、これにより、第１の測定ユニット４２により測定された電流が、粒子線１２が第１のカバー３０に完全に衝突した場合に測定される最大電流のほぼ半部に対応するように選択されている。
【００５１】
粒子線１２の中央軸線１８の、この場合に生じる小さい偏向角度では、偏向電流と、粒子線１２の変位距離との間の比例関係が生じる。この比例関係に基づき、偏向電流はＸ方向及びＹ方向に次のようにして算出することができる。この偏向電流は、粒子線を偏向し、これにより、粒子線１２の中央軸線が第１のカバー３０の中央を通過し、ひいては第１の偏向点２０を通過するようにするために必要である。
【００５２】
ＩＹｍ＝（Ｉ１＋Ｉ３）／２
ＩＸｍ＝（Ｉ２＋Ｉ４）／２
この場合に、
Ｉ１は、粒子線１２の位置６４の偏向電流であり、
Ｉ２は、粒子線１２の位置６６の偏向電流であり、
Ｉ３は、粒子線１２の位置６８の偏向電流であり、
Ｉ４は、粒子線１２の位置７０の偏向電流であり、
ＩＹｍは、粒子線１２をＹ方向にカバー孔の中央に位置決めするための偏向電流であり、
ＩＸｍは、粒子線１２をＸ方向にカバー孔の中央に位置決めするための偏向電流である。
【００５３】
このようにして、必要な偏向電流が算出された場合には、制御手段３８はこの偏向電流により偏向エレメント２８のコイルを制御し、これにより、電子放射線１２の中央軸線１８が、次いで第１のカバー３０のカバー孔の中央を通過し、ひいては第１の偏向点２０を通過する。この場合、粒子線１２は発散したままである。なぜならば、第１の偏向ユニット２６は決して集束作用を有しておらず、むしろ粒子線１２の側方の変位のみをもたらすからである。
【００５４】
このようにして得られた偏向により、粒子線は、図２に格子状に示した延在部７４を広げ、例えば第２のカバー３６及び真空チャンバ６の側方の壁に衝突し、これにより、ターゲット１６には到達しない。
【００５５】
粒子線１２を偏向し、これにより、この粒子線１２の中央軸線が第２のカバー３６の中央を通過し、ひいては第２の偏向点２２を通過するようにするためには、まず第２の測定ユニット４４により、粒子線１２が第２のカバー３６に衝突した場合に生じた電流が測定される。次いで制御手段３８は、上に第１の偏向ユニット２６による偏向に関して説明したように、粒子線１２をｘ及びｙ方向に偏向するために必要な電流を算出し、この電流により第２の偏向ユニット３２の偏向エレメント３４を制御する。これに基づき、粒子線１２は、第２の偏向点２２を通過するように偏向される。第２の偏向ユニットの作用平面は、図２に符号７２により示されている。
【００５６】
偏向が得られた後には、粒子線１２の中央軸線１８は第１の偏向点２０も第２の偏向点２２も通過し、軸線上の偏向点２０，２２はターゲット１６上の規定された衝突点２４と同軸線上に位置しており、粒子線１２は望ましい形式で、衝突点２４でターゲット１６に衝突する。ターゲット１６に衝突する前に、粒子線１２は、本実施例では電磁的なレンズを有する集束手段４８により集束される。
【００５７】
偏向電流の算出の間には、第２の測定装置４４は第１の運転モードにある。この第１の運転モードでは、第２の測定装置４４は、粒子線１２が、第２のカバー３６の、ターゲット１６に向いていない方の面に衝突したことに起因する電流を測定する。上に述べた工程の終了後には、粒子線１２はもはや第２のカバー３６には衝突せず、これにより、対応した電流はもはや測定されない。
【００５８】
第２の運転モードでは、第２の測定装置４４は、ターゲット１６により後方散乱せしめられた電子に起因する電流を測定する。
【００５９】
この電流はターゲット１６のターゲット電流のための基準なので、この電流をターゲット電流の制御又は調整のために使用することができる。このためには、制御手段３８は粒子源１０を次のように制御する、すなわち、粒子源１０が粒子線１２を発生させ、この粒子線１２がそれぞれ望ましいターゲット電流をもたらすように制御する。このようにして、ターゲット電流の正確な調整が可能である。このターゲット電流は、粒子源１０とリング陽極１４との間の高圧が一定不変の場合に光子フルエンス率のための直接の基準である。
【００６０】
本発明による装置２は、簡単な手段により粒子線１２の極めて正確な偏向と、ターゲット電流の同様に極めて正確な調整を可能にする。それ故、本発明による装置２は、特に画像を付与する方法及びＥＵＶ領域の検査及び測定法において使用するために極めて適している。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明による装置の第１実施例の概略的な断面図である。
【図２】図１による装置の機能をより明確に示す断面図である。
【図３】図２による装置内で使用されるカバーの概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
２  装置、  ４  ハウジング、  ６  真空チャンバ、  ８  開口、  １０  粒子源、  １２  粒子線、  １４  リング陽極、  １６  ターゲット、  １８  線、  ２０，２２  偏向点、  ２４  衝突点、  ２６，３２  偏向ユニット、  ２８，３４  偏向エレメント、  ３０  カバー、  ３６  カバー、  ３８  制御手段、  ４０  高圧発生器、  ４２，４４  測定ユニット、  ４６  矢印、  ４８  レンズ、  ５０  粒子線、  ５２  フィルタ、  ５４  捕獲リング、  ５６  電圧源、  ５８  集群（クロスオーバ）、  ６０  電子、  ６２  集群、  ６４，６６，６８，７０  位置
【図１】
2007073517.tif 000003
【図２】
2007073517.tif 000004
【図３】
2007073517.tif 000005