(57)【要約】【課題】配線基板を有するディスプレイ装置の、膜質の劣化を回避しながらもタクトの増加を抑制することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜をレーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を雰囲気に加えて結線膜の表面にレーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程とを含む複数の工程によって、配線基板の製造を行う。【選択図】図１
2007204818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、多数の配線が設けられた配線基板の製造方法であって、
上記配線基板を構成する多数の導電部材のうち、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜を、レーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、
少なくとも、窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を雰囲気に加えて、上記結線膜の表面に、レーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程
とを有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
上記結線保護膜が、少なくとも上記結線膜に比して高い電気抵抗を有する高抵抗膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記結線保護膜を、上記結線膜の構成元素を含んで形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記結線保護膜を、上記結線膜の酸化膜または窒化膜により形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記結線膜を、タングステン、モリブデン、クロム、アルミニウム、銅のうち、少なくとも１つを含んで形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記配線基板が、薄膜トランジスタを含む配線基板である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
上記第２工程を、オゾンガス（Ｏ３）を雰囲気に加えて行う
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
少なくとも上記第２工程を、減圧条件下で行う
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
少なくとも上記第２工程を、上記酸素ガス及び上記窒素ガスの供給管を加熱して行う
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記導電部材が、配線である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
基板上に、多数の配線が設けられた配線基板を有するディスプレイ装置の製造方法であって、
上記配線基板の製造を、少なくとも、
上記配線基板を構成する多数の導電部材のうち、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜を、レーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、
少なくとも、窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を含む雰囲気加えて、上記結線膜の表面に、レーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程
とを含む複数の工程によって行う
ことを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に多数の配線が形成された配線基板の製造方法と、この配線基板を有するディスプレイ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ(Electro Luminescence；エレクトロルミネッセンス)ディスプレイや液晶ディスプレイなどのディスプレイ装置が知られ、広く普及している。
これらのディスプレイ装置、所謂ＦＰＤ(Flat Panel Display)の製造においては、画素に対応して設けられる配線基板に欠陥が生じると、欠陥の生じた配線基板をディスプレイ装置の製造ラインから外さざるを得なくなるため、歩留まりの低下という問題を生じてしまう。
特に、所謂アクティブマトリクス型の駆動構造を有するディスプレイ装置においては、各画素に対応して多数本の配線が形成された配線基板（ＴＦＴ基板；Thin Film Transistor基板）に、信号配線や走査配線、場合によっては電位供給配線までもが存在する為、画素内の配線密度の増大化や画素構造の複雑化が著しく、欠陥修正の重要性は更に高まる傾向にある。
【０００３】
このディスプレイ装置の、画素に対応した要部の構造を、有機ＥＬディスプレイにおける場合を例として、図５Ａ及び図５Ｂに示す概略図を用いて説明する。
ディスプレイ装置１０１では、基板１０３上に、陽極１０４とその駆動素子であるＴＦＴ素子１０５を有する画素１０６が設けられ、この画素１０６を区画するように、それぞれ独立して縦方向に延在する信号配線１０７及び電流供給配線１０８と、これらとは絶縁されて横方向に延在する走査配線１０９（破線図示）とが、それぞれ画素の配列に応じて多数設けられる。
各画素１０６においては、前述した陽極１０４上に、少なくとも有機発光材料からなる有機層１１７と陰極１１８が積層形成され、これによって主たる発光構造が形成される。
【０００４】
このディスプレイ装置１０１における、各配線１０７〜１０９による画素１０６の動作について、図６に示す単位画素の等価回路を用い、信号配線１０７をＹ１、電流供給配線１０８をＹ２、走査配線１０９をＸ１及びＸ２として説明する。
この等価回路は、有機ＥＬの発光部ＥＬと、第１のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ１と、第２のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ２と、容量Ｃとを有して成る。第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２の一方の主電極（例えばソース）が信号配線Ｙ１に接続され、他方の主電極（例えばドレイン）が容量Ｃを介して電流供給配線Ｙ２に接続され、ゲート電極が走査配線Ｘ１に接続される。一方、発光部ＥＬの陽極が第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１を介して電流供給配線Ｙ２に接続され、第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１のゲート電極が第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２と容量Ｃの接続中点に接続される。
【０００５】
この等価回路の動作は次の通りである。
電流供給配線Ｙ２には常時電流が供給されている。走査配線Ｘ１に走査パルスが印加され、信号配線Ｙ１に所要の信号が供給されると、第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２がオン状態になり、容量Ｃに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１がオン状態になり、信号量に応じた電流が電流供給部Ｙ２を通して発光部ＥＬに供給されて、発光部ＥＬが発光表示される。
この単位画素が複数個、ＸＹマトリックス状に配列されてディスプレイ装置１０１が構成される。
【０００６】
近年、ディスプレイ面の大型化に伴い、各ディスプレイパネルの製造時に生じる欠陥の箇所（つまり欠陥率）も増加しており、製造工程中に前述したような欠陥修正手法による修正工程を設けることは必須とされている。
歩留まり低下を抑制するための欠陥修正手法としては、レーザ光照射（レーザリペア）によって配線基板等の導電部材における短絡箇所を切断する手法のほか、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により、導電部材の分離箇所（断線してしまっている箇所）に対し、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ）などの材料による結線膜を形成することにより結線する手法が挙げられる。
【０００７】
しかしながら、レーザＣＶＤ法により形成される結線膜については、その形成後に、通常の金属配線の形成後のように例えば塗布による酸化防止膜で表面を覆う工程を挟み込むことができないため、酸化による腐食等が原因で、結線膜の抵抗上昇を生じるなどの問題が発生する。
この問題に対し、従来は、レーザＣＶＤ法によって結線膜を形成した後、結線膜の形成時とは異なるＣＶＤ用原料ガス（例えばＴＥＯＳ；テトラエトキシシランなど）を用い、通常の酸化防止膜とは異なる絶縁膜（ＳｉＯ２等）によって結線膜の表面を被覆する手法がとられてきた。しかし、異なる原料ガスによる結線膜の形成と絶縁膜（被覆膜）の形成とを共通のチャンバー内で行った場合、各原料ガス及びその反応物がチャンバー内に残存することから、これらの残存物や残存物に含まれやすい水分などによって、結線膜の導電性や絶縁膜の絶縁性が損なわれ、膜質の劣化が発生してしまう。
【０００８】
特に、絶縁膜の絶縁性（抵抗）の低下は、新たな短絡箇所を生じる原因ともなるため、深刻な問題であり、しかも膜質の劣化は成膜速度の極端な低下を伴って生じるため、製造にかかる時間（タクトタイム）の長期化も招来されてしまう。
この問題に対し、原料ガスの密閉容器を、結線膜用と絶縁膜用とに分けて用意し、各成膜時にそれらの容器を各々別個に所定のチャンバーに搬送させることによって、ガスの残留による混合を防ぐ手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、この手法による場合、プロセスの切り替え時に、それぞれの容器を搬送させるため、タクトタイムが大幅に増加してしまう恐れがある。
【特許文献１】特開平０６−７７２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、膜質の劣化を回避しながらもタクトの増加を抑制することが可能な、配線基板の製造方法、及びディスプレイ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る配線基板の製造方法は、基板上に、多数の配線が設けられた配線基板の製造方法であって、上記配線基板を構成する多数の導電部材のうち、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜を、レーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、少なくとも、窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を雰囲気に加えて、上記結線膜の表面に、レーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程とを有することを特徴とする。
この製造方法においては、結線膜の膜質劣化を抑制する結線保護膜の形成を、タクトタイムの長大化によることなく行うことができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜をレーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を雰囲気に加えて、結線膜の表面にレーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程とを有することから、タクトの長大化によることなく、結線膜の膜質劣化を抑制する結線保護膜の形成を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図面を参照して、本発明に係る配線基板の製造方法、及びディスプレイ装置の製造方法の実施の形態及び実施例を説明する。
【００１３】
＜配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法の実施の形態＞
図１Ａに、本実施形態に係る製造方法によって最終的に得られるディスプレイ装置の、画素に対応した要部の概略斜視図を示す。
本実施形態に係る製造方法によって最終的に得られるディスプレイ装置１は、図１Ａに示すように、基板３上に、陽極４とその駆動素子であるＴＦＴ素子５とを有する画素６が、複数個２次元マトリクス状に設けられ、これらの各画素６を区画するように、縦方向に延在する信号配線７及び電流供給配線８と、これらの配線とは層間絶縁膜１４により絶縁されて横方向に延在する走査配線９（破線図示）とがそれぞれ設けられた、配線基板２を有して成る。
すなわち、この配線基板２は、前述した各配線７〜９、ＴＦＴ素子５、及びその他の部材（キャパシタなど）を含む、多数の導電部材を有して構成される。
【００１４】
そして、図１Ｂに、第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂを含む断面図を示すように、分離箇所１１を挟んで対向するのみであった第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂが、各導電膜１０ａ及び１０ｂを被覆する絶縁膜１５に設けられた開口を通じて結線膜１３により電気的に連結されていることから、第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂの電気的導通が確保され、目的とする信号配線が両導電膜１０ａ及び１０ｂによって共通に形成されることにより、各画素における発光不良、つまり１画素の滅点化や各画素列の滅線化を回避することができる。
また、結線膜１３の露出部は、少なくともこの結線膜１３に比して高い電気抵抗を有する、例えば絶縁性の結線保護膜（高抵抗膜）１６によって被覆され、酸化などによる膜質劣化の回避が図られた構成となっている。
【００１５】
図２は、この本実施形態に係る配線基板の製造方法によって得られるディスプレイ装置１の概略斜視図を示す。
ディスプレイ装置１は、前述の図１に示した、陽極４及びＴＦＴ素子５による多数の画素６が、信号配線７、電流供給配線８、走査配線９によって区画されて配線基板２上に形成された構成を有し、この配線基板２の上には、各画素に共通する有機層１７及び陰極１８が積層されている。
前述したように、本実施形態に係るディスプレイ装置１は、少なくとも第１及び第２の導電膜１０ａ及び１０ｂが、図示しない結線保護膜１６によって被覆される結線膜１３によって、絶縁膜１５の上側で電気的に連結された構成を有することから、結線膜１３が設けられる配線が両側駆動配線の場合のみならず、特に片側駆動配線である場合には、滅点や滅線の発生を大幅に抑制することが可能となる。
【００１６】
以下、本発明に係る配線基板の製造方法の一例について説明する。
なお、本実施形態においては、配線基板の製造方法を、ディスプレイ装置を構成する配線基板として、主面上に、陽極、ＴＦＴ素子、走査配線，信号配線，電流供給配線の各配線、及びこれらの各配線によって規定される薄膜トランジスタ（スイッチング素子）などの導電部材が多数形成された配線基板を製造する場合を例として説明する。
また、本実施形態は特に、複数個の画素６の配置に対応する多数の配線として、信号配線７と、電流供給配線８と、走査配線９とが設けられた配線基板の製造方法の一例として、例えば片側駆動の信号配線７において断線により分離箇所１１が生じ、この分離箇所１１を挟んで、電気的導通の上流側つまり電源に近い側の第１導電膜１０ａと、より電気的導通の下流側に位置する第２導電膜１０ｂとが対向した所謂断線を修正する場合を例とするものである。
【００１７】
図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、本発明に係る製造方法に用いて好適な製造装置の一例を示す概略構成図と、この製造装置を構成する局所排気装置の概略断面図を示す。
【００１８】
この製造装置２１は、所謂レーザリペア装置であり、液晶や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどのディスプレイ装置の製造において、断線部に対してレーザＣＶＤ法により例えばタングステン（Ｗ）膜を形成して結線を施すことや、短絡部に対してレーザ光照射により一部の除却を施すことによって、所謂欠陥となるおそれのある箇所を修正するために用いられるものである。
【００１９】
本実施形態のレーザ製造装置２１は、少なくとも図３Ａに示すように、パルスレーザ光源部２２と、ＣＷ（Continuous Wave；連続発振）レーザ光源部２３と、共通のチャンバー内に設けられる局所排気装置２４及び支持台２５とを有する。
すなわち、この構成によるレーザ製造装置２１は、最終的に前述のディスプレイ装置を構成する配線基板となる被加工基板２６に対して、例えばパルスレーザ光源部２２による光照射に基づいて前述の短絡部に対する除却を行うことが可能とされながらも、ＣＷレーザ光源部２３による光照射に基づいて前述の断線部に対する結線を行うことも可能とされた構成を有する。
パルスレーザ光源部２２及びＣＷレーザ光源部２３からのレーザ光は、それぞれミラー２７及びレンズ２８を介し、光路を規定する透過孔４０内の透明窓３８を経て、局所排気装置２４内に導入される。
【００２０】
局所排気装置２４には、圧縮した窒素を支持台２５に向けて噴射することによって局所排気装置２４を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段２９と、支持台２５に向けて噴射された圧縮ガスをリング状の排気流路（吸引溝）３６から排気する排気手段３０と、レーザ光の主たる被照射部となる局所排気部３８にパージガスを供給するパージガス供給手段３１と、少なくとも第１工程において局所排気部３８におけるレーザＣＶＤの原料ガスとして雰囲気を構成する材料ガスの供給手段３２とが設けられる。
圧縮ガス供給手段３１からの圧縮ガスは、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路３４及びその開口部に配置された多孔質通気膜３３により、局所排気装置２４に対向する支持台２５に向けて出射され、所謂静圧浮上パッド構成による浮上がなされる。
また、パージガス供給手段３１及び材料ガス供給手段３２に対応して、それぞれ局所排気部３８につながる流路３６及び３７が設けられる。
【００２１】
一方、図３Ｂに示すように、排気流路３５の端部を構成する吸引溝によって囲まれた領域内で、透明窓３９と被加工基板２６の配置部との間に局所排気部３８が形成される。この局所排気部３８は、局所排気装置２４内の透明窓３９から支持台２５上に載置された被加工基板２６までの高さを有し、かつ吸引溝３５が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
局所排気部３８には主に、材料ガス供給手段３２による原料ガスのほか、パージガス供給手段３１によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓３９の表面における付着物の発生を抑制することなどが可能となる。
【００２２】
また、局所排気装置２４は、支持台２５上の被加工基板２６に対して相対的に変位可能とされ、材料ガス供給手段３２と、パージガス供給手段３１と、排気手段３０とによって、浮上剛性の向上が図られる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置２４と被加工基板２６との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置２４の被加工基板２６に対する高さ（ギャップ）の安定性が不十分となるとか、局所排気装置２４の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
【００２３】
このような製造装置２１を用いる場合の、前述のディスプレイ装置１を構成する配線基板２を製造する一例について説明する。
まず、支持台２５上に、パルスレーザ光源部２２及びＣＷレーザ光源部２３からのレーザ光Ｌの照射対象として最終的に配線基板２を構成する、絶縁膜１５の（第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂに対応する）所定位置に移動させる。
その後、配線サイズに併せて、スリットサイズを設定し、所定のレーザエネルギーになるように、アッテネーターを設定し、パルスレーザ光源部２２より、レーザを所定回数照射し、被加工基板２６に対して、絶縁膜を除去し開口を形成し被加工基板２６を載置した後、局所排気装置２４の下へと移動させる。
このとき、予め圧縮ガス供給手段２９によって、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路３４及び多孔質通気膜３３を経て噴射するとともに、排気手段３０からの排気を開始して、局所排気装置２４を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた被加工基板２６との衝突回避を図ることが好ましい。
【００２４】
次に、パージガス供給手段３１からアルゴンガスを５０ｓｃｃｍ導入するとともに、排気手段３０と局所排気部２４の主たる圧力調整手段となる局所排気手段（図示せず）によって、最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる被加工基板２６の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３８の雰囲気を十分減圧する。同時に、局所排気部３８以外すなわち周辺部の圧力の調整を行って、局所排気装置２４と被加工基板２６との間の高さ及び剛性を確保する。高さは、例えば１０μｍの距離とすることができる。
なお、本例ではアルゴンガスをパージガスとして用いる例を説明するが、このパージガスに窒素ガスを用いることにより、後述する結線保護膜の形成を、別途ガスの供給を要することなく、特に簡潔に行うことができる。
【００２５】
次に、レーザＣＶＤ用の材料ガスである気体状態のタングステンカルボニルを、材料ガス供給源３２に、アルゴン（Ａｒ）ガス５０ｓｃｃｍと共に、例えば７×１０−３ｓｃｃｍ導入し、更にＣＷレーザ光源部２３からレーザ光Ｌを照射してレーザＣＶＤを行って結線膜１３を形成する。このレーザＣＶＤ法によって、絶縁膜１５に設けられた開口を通じて結線膜１３と第１及び第２の導電膜１０ａ及び１０ｂとを電気的に連結し、所望の信号配線を形成する第１工程を行う。
具体的には、図４Ａに示すような分離箇所１１を介して対向した第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂを有する被加工基板２６に対し、図４Ｂに示すように、全体を覆う絶縁膜１５中の第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂに対応する位置にコンタクトホール１９を設け、このコンタクトホール１９を含む形で、図４Ｃに示すように、第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂを電気的に連結する結線膜１３を形成する。
【００２６】
次に、少なくとも窒素ガス（Ｎ２）及び酸素ガス（Ｏ２）の一方を雰囲気に加えて、例えば第１工程における雰囲気に窒素ガス及び酸素ガスの一方を加えた雰囲気条件下で、先に形成した結線膜１３の表面に、レーザＣＶＤによって結線保護膜１６を形成する。
具体的には、図４Ｃに示したような、第１工程で形成した結線膜１３の露出部を含む形で、第１工程におけるＣＶＤ雰囲気に少なくとも窒素ガス及び酸素ガスの一方を雰囲気に加えて第２工程のレーザＣＶＤを行うことにより、図１Ｂで示したような配線基板２を有する表示装置１を得る。
【００２７】
ここで、第２工程におけるレーザＣＶＤの雰囲気については、第１工程で形成した結線膜１３を構成する元素、特に結線膜１３の主たる構成元素と反応して高抵抗の結線保護膜１６を形成可能なガスとして、少なくとも窒素ガス及び酸素ガスの一方を含む構成とすることが好ましい。
例えば、本実施形態におけるように、タングステンとの反応による絶縁性の結線保護膜の形成としては、窒素との反応によるＷＮ２の生成が２５００℃で、酸素との反応によるＷＯ３の生成が５００℃で、それぞれ進行することが確認できたことから、結線膜及び結線保護膜をタングステンを含んで形成する場合、結線保護膜の形成は酸素雰囲気下で行うことが、より好ましいと考えられる。
また、窒素ガス及び酸素ガスの一方を雰囲気に加える際、タングステンカルボニルなどの材料ガスを極端に除去することなく、ある程度残存させて結線保護膜の形成を行うことが好ましい。これは、タングステンカルボニルを基に窒化物や酸化物を生成する反応が数百度以下で十分に進行するのに対し、一旦形成したタングステン膜を反応させて窒化物や酸化物を生成するにはより高い反応温度が必要であり、用いるレーザエネルギーも一桁以上高いものが求められるため、周辺ＴＦＴや結線膜への熱影響によって抵抗上昇などのおそれが生じるからである。
【００２８】
一方、結線保護膜１６の少なくとも一部を酸化膜によって構成する場合、酸素ガスに代えて或いは同時に、酸素ガスに比して高い活性（反応性）を示すオゾンガス（Ｏ３）を導入することにより、より効率良く酸化膜を形成することができる。この場合、配管やチャンバーの劣化を抑制するために、窒素ガスを同時にチャンバー内に導入して雰囲気を構成することにより、結線保護膜の形成を酸素で促進しながら、配管の劣化を抑制することが可能となる。
このように、第２工程における雰囲気にオゾンを加えた場合には、酸化物生成の反応性が高くなるため、タングステンカルボニルなどの材料ガスを除去した後の雰囲気中でも、酸化物によって結線保護膜を形成することができると考えられる。
なお、第２工程後に活性の高いオゾンガスがチャンバーや配管の内部に残存していると腐食の原因となるため、第２工程終了後は、オゾンガスの供給を窒素ガス及び酸素ガスに先立って停止し、その後窒素ガスや酸素ガスの供給を停止することが好ましい。
【００２９】
なお、本実施形態において片側駆動による配線部材である第１導電膜１０ａ及び第２導電膜１０ｂと結線膜１３の抵抗値は、同程度例えば１００μΩｃｍ以下とすることが好ましい。
また、このような抵抗値を有する、前述の各導電膜及び各結線部材を構成するのに適した材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム・ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などに例示される金属を少なくとも一部含む材料を用いることが好ましく、これによって配線などを構成することができる。
【００３０】
＜実施例＞
本発明の実施例について説明する。
前述した製造装置２１を用い、まず、レーザ照射位置を局所排気装置２４の透明窓３９を通して観察しながら、支持台２５を操作して、被加工基板２６を所望のＣＶＤ結線を行う位置に移動した。
次に、スリットサイズを５μｍ□のサイズに合わせて、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒（３ｐｓ）のパルスレーザ光源部２２の加工パワーを０．３Ｊ／ｃｍ２になるようにアッテネーターを設定し、所定の条件で複数回レーザーパルスを照射・信号線絶縁膜を除去し、ＣＶＤ結線用のコンタクトホールを形成した。
【００３１】
次に、波長３５５ｎｍのＣＷレーザ光を用い、２００００Ｈｚ，０．１Ｗの条件で、第１導電膜のコンタクトホールと第２導電膜のコンタクトホールを含むように、各コンタクトホールの間をスキャン速度１０μｍ／ｓｅｃで２往復スキャン照射し、レーザＣＶＤによって膜厚約２００ｎｍ、配線幅５μｍ、結線長２０μｍの結線膜を形成する第１工程を行った。
次に、この第１工程で使用していた材料ガスの導入を止め、パージガス供給手段より窒素ガスのみを導入し、ＣＷレーザを所定の条件にて照射することにより、第１工程で形成した結線膜（タングステン膜）の表面を窒化させることにより、結線保護膜(窒化タングステン膜)を形成する第２工程を行った。
【００３２】
このような、本発明に係る手法を用いて形成した結線膜及び結線保護膜の抵抗率は、製造直後において１５０μΩｃｍであり、この値は製造した配線基板を大気中に２４０時間放置した後でも変化しないことが確認できた。
【００３３】
これに対し、比較例として、前述した実施例とは同様にレーザＣＶＤ法によって結線膜のみの形成を行った場合、結線直後の結線膜の抵抗率が１５０μΩｃｍであったのに対し、この製造した配線基板を大気中に２４０時間放置した後では抵抗率が３００μΩcmにまで上昇し、膜質が低下してしまうことが確認できた。
【００３４】
以上の実施の形態及び実施例で説明したように、本発明に係る配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法によれば、共通のチャンバー内において結線膜の形成と結線保護膜の形成を行うことによりタクトタイムの長大化を回避できるのみならず、第１工程で形成した結線膜材料の窒化物や酸化物によって結線保護膜を構成できるため、結線膜の膜質劣化を抑制することも可能となる。
【００３５】
なお、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００３６】
例えば、前述の実施形態では、信号配線に分離箇所（断線部）が生じた場合を例として説明を行ったが、本発明に係る配線基板の製造方法によれば、他の配線例えば電流供給配線及び走査配線（スキャン線；Ｍｏなどにより構成）や、キャパシタ等の素子を構成する金属膜（Ａｌなどにより構成）等、他の導電部材において短絡や断線などが生じた場合にも、同様に修正を行って配線基板を製造することが可能となる。
また、例えば、前述の実施形態では、結線膜及び結線保護膜をタングステンを含んで形成する例について説明したが、本発明はこれに限られず、配線を構成するのに好適な材料や、半導体プロセスで阻害されない材料を用いて結線膜を形成し、更にこの結線膜を構成する元素を含んで結線保護膜を形成することもできる。この材料としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム・ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）のうち、少なくとも１つを含むものが挙げられる。
【００３７】
また、前述の実施形態及び実施例では、第２工程を、第１工程で供給していたガスの供給を停止して行う例を説明したが、目的とする結線保護膜の組成に応じて、第１工程で供給していたガスも併せて供給しながら第２工程を行うことも可能である。つまりこの場合、第１工程で形成した結線膜の直接の窒化や酸化よりも、新たな窒化膜や酸化膜の形成によって結線保護膜を形成する割合がより高くなる。
また、第２工程において、窒素ガス、酸素ガス、オゾンガスを供給する配管を加熱することにより、チャンバー内における結線保護膜の形成速度を低下させることを回避することもできるなど、本発明は、種々の変形及び変更をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法によって得られるディスプレイ装置の、画素に対応した要部の概略斜視図と、要部の概略断面図である。
【図２】本発明に係る配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法によって得られるディスプレイ装置の構成の説明に供する模式図である。
【図３】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法によって得られるディスプレイ装置の一例の説明に供する、製造装置の概略構成図と、この製造装置を構成する局所排気装置の底面側からみた平面図である。
【図４】Ａ〜Ｃ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法の説明に供する工程図である。
【図５】Ａ，Ｂ  それぞれ、従来のディスプレイ装置の、画素に対応した要部の概略斜視図と、要部の概略断面図である。
【図６】ディスプレイ装置の一例の構成における回路図である。
【図７】従来のディスプレイ装置の、画素に対応した要部の概略斜視図である。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・ディスプレイ装置、２・・・配線基板、３・・・基板、４・・・陽極、５・・・ＴＦＴ素子、６・・・画素、７・・・信号配線、８・・・電流供給配線、９・・・走査配線、１０ａ・・・第１導電膜、１０ｂ・・・第２導電膜、１１・・・分離箇所、１２・・・電流供給配線、１３・・・結線膜、１４・・・層間絶縁膜、１５・・・絶縁膜、１６・・・結線保護膜、１７・・・有機層、１８・・・陰極、２１・・・製造装置、２２・・・パルスレーザ光源部、２３・・・ＣＷレーザ光源部、２４・・・局所排気装置、２５・・・支持台、２６・・・被加工基板、２７・・・ミラー、２８・・・レンズ、２９・・・圧縮ガス供給手段、３０・・・排気手段、３１・・・パージガス供給手段、３２・・・材料ガス供給手段、３３・・・多孔質通気膜、３４・・・圧縮ガス供給路、３５・・・排気流路（吸引溝）、３６・・・パージガス流路、３７・・・材料ガス流路、３８・・・局所排気部、３９・・・透明窓、４０・・・透過孔、１０１・・・従来のディスプレイ装置、１０３・・・基板、１０４・・・陽極、１０５・・・ＴＦＴ素子、１０６・・・画素、１０７・・・信号配線、１０８・・・電流供給配線、１０９・・・走査配線、１１０ａ・・・第１導電膜、１１０ｂ・・・第２導電膜、１１１・・・分離箇所、１１２・・・電流供給配線、１１７・・・有機層、１１８・・・陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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