(57)【要約】【課題】複数の露光装置間でフレアの状態が異なっている場合に、そのフレアの影響を抑制して、複数の露光装置間のパターンの形成状態のマッチング等を効率的に行う。【解決手段】複数の露光装置３２Ａ，３２Ｂを用いて、レチクルＲ１，Ｒ２のパターンをウエハＷ１上に露光する露光方法において、露光装置３２Ａ，３２Ｂそれぞれのフレア量を計測する工程と、そのフレア量を比較する工程と、そのフレア量に基づいて露光装置３２Ａ，３２Ｂそれぞれの光学的近接効果特性を予測する工程と、最もフレア量が少ない露光装置の光学的近接効果特性に対して、他の露光装置の光学的近接効果特性を調整する工程とを含む。【選択図】図１
2007324342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の露光装置を用いて、所定のパターンを物体上に露光する露光方法において、
前記複数の露光装置のそれぞれのフレアに関する情報を計測する第１工程と、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報に基づいて、前記複数の露光装置のそれぞれにおける前記所定のパターンの形成状態を調整する第２工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記第２工程は、前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報のうち、フレア量に基づいて、当該フレア量が最も少ない露光装置を選び、前記最もフレア量が少ない露光装置の前記所定のパターンの形成状態に対して、他の露光装置における前記所定のパターンの形成状態を調整する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２工程は、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報のうち、フレア量を比較する比較工程と、
前記比較工程で比較された前記フレア量に基づいて、前記複数の露光装置のそれぞれの光学的近接効果特性を予測する予測工程と、
前記比較工程で比較した結果、最もフレア量が少ない露光装置を選択する選択工程と、
前記最もフレア量が少ない露光装置に関する前記予測工程で予測された光学的近接効果特性に対して、他の露光装置の光学的近接効果特性を調整する調整工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第２工程は、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報のうち、フレア量に基づいて、当該フレア量が所定範囲を超えた露光装置に関して、フレア量を低減する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項５】
前記露光装置は、前記所定のパターンを物体上に投影する投影光学系を有し、
前記フレアを低減する工程は、前記投影光学系が備える複数の光学部材のうち、特定の光学部材に付着した付着物を除去するためのクリーニング工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第１工程は、前記複数の露光装置において、それぞれ所定の評価用パターンの像を計測用パターンを介して受光し、前記評価用パターンの像と前記計測用パターンとを相対走査して光強度分布を計測する工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
前記複数の露光装置のうちの一の露光装置を用いて露光した基板を、前記複数の露光装置のうちの他の露光装置を用いて露光する第３工程をさらに有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項８】
複数の露光装置を用いて所定のパターンを物体上に露光する露光システムの管理方法であって、
前記複数の露光装置のそれぞれのフレアに関する情報を計測する第１工程と、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報に基づいて、前記複数の露光装置の露光性能の管理を行う第２工程とを有することを特徴とする露光システムの管理方法。
【請求項９】
前記第２工程は、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報のうち、フレア量に基づいて、当該フレア量が最も少ない露光装置を選び、前記最もフレア量が少ない露光装置の露光性能に対して、他の露光装置の露光性能を調整する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の露光システムの管理方法。
【請求項１０】
前記第２工程は、
前記第１工程で計測された前記フレアに関する情報のうち、フレア量を比較する比較工程と、
前記比較工程で比較された前記フレア量に基づいて、前記複数の露光装置のそれぞれの光学的近接効果特性を予測する予測工程と、
前記比較工程で比較した結果、最もフレア量が少ない露光装置を選択する選択工程と、
前記最もフレア量が少ない露光装置に関する前記予測工程で予測された光学的近接効果特性に対して、他の露光装置の光学的近接効果特性を調整する調整工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の露光システムの管理方法。
【請求項１１】
所定のパターンを物体上に露光する複数の露光装置を備える露光システムにおいて、
前記複数の露光装置のそれぞれに備えられ、投影光学系のフレアに関する情報を計測するフレア計測装置と、
前記フレア計測装置の計測結果から、前記複数の露光装置における前記所定のパターンの形成状態をそれぞれ予測するとともに、予測された前記所定のパターンの形成状態に関する情報を前記複数の露光装置のそれぞれに通知可能なシステム制御装置と、
前記複数の露光装置のそれぞれに備えられ、前記システム制御装置から通知される情報に基づいて、前記所定のパターンの形成状態を補正する補正装置とを備えることを特徴とする露光システム。
【請求項１２】
前記フレア計測装置は、所定の評価用パターンの像を計測用パターンを介して受光する受光装置と、前記評価用パターンの像と前記受光装置とを相対走査する移動機構とを含むことを特徴とする請求項１１に記載の露光システム。
【請求項１３】
前記システム制御装置は、前記複数の露光装置のうち、前記フレア計測装置の計測結果が許容範囲を超える露光装置に対して、その旨を通知することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の露光システム。
【請求項１４】
前記システム制御装置は、前記複数の露光装置における前記所定のパターンの形成状態をそれぞれ予測するとともに、予測された前記所定のパターンの形成状態を比較し、
前記補正装置は、前記所定のパターンの形成状態の比較結果に基づいて、前記複数の露光装置における前記所定のパターンの形成状態がそれぞれ所定範囲に入るように、前記複数の露光装置をそれぞれ調整することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の露光システム。
【請求項１５】
請求項１から７のいずれか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の露光装置を用いる場合の露光技術、複数の露光装置を有する露光システム、及びこのような露光システムの管理技術に関し、例えば半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、及び液晶表示素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパターンをウエハ等の物体上に転写する際に適用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子等を製造するためのリソグラフィ工程中で、レチクル（又はフォトマスク等）のパターンを投影光学系を介して感光性の基板としてのレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の各ショット領域に転写するために、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置及びスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置が使用されている。近年の集積回路の一層の微細化に伴い、露光装置に要求される転写後のパターンに対する線幅均一性も高まっている。
【０００３】
レチクルには、同じ線幅のラインパターンが互いに異なるピッチで配列された複数のライン・アンド・スペースパターン（以下、Ｌ＆Ｓパターンという。）が形成されている。このレチクルに形成されたＬ＆Ｓパターンを、投影光学系を介してウエハ上に転写する場合、その投影光学系がたとえ無収差であったとしても、投影像の光学的近接効果であるＯＰＥ（Optical Proximity Effect）によって、現像後にウエハ上に形成されるレジストパターンの線幅は、ピッチによって変化する。このような転写されるパターン（又は投影像）の線幅のピッチ依存性は、ＯＰＥ特性と呼ばれている。通常、露光装置の投影光学系には或る程度の収差が残存しており、その残存している収差によって露光装置のＯＰＥ特性は変化する。
【０００４】
また、線幅均一性の劣化の要因の一つに投影光学系のフレアがある。光学系で発生するフレアには大きく分けて、光学系を構成する光学部材（レンズ等）の表面やコーティング膜で小さい角度範囲に発生する前方散乱光に起因する迷光（又はかぶり光）であるいわゆるローカルフレア(loca1 flare）と、光学部材のコーティング膜における反射に起因する迷光であるいわゆるグローバルフレア（ロングレンジフレア）とがある。パターンの線幅均一性の劣化に寄与するのは主にローカルフレアである。ローカルフレアは、ウエハ上の本来のパターン像の周辺の例えば２０μｍ程度の幅の範囲内に発生する「かぶり光」である。通常、ローカルフレアの強度は、本来のパターン像を形成する結像光束の強度に対してほぼ１％程度以下であり、グローバルフレアの強度はそれよりも小さい。
【０００５】
従来、投影光学系のフレアを計測する方法としては、例えばテストレチクルの照明領域の全面にほぼ均一な分布で複数のほぼ同一形状の矩形の遮光パターンを形成しておき、そのテストレチクルのパターンを投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ上に投影露光する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、露光量を変えて複数回の露光を行ってそれぞれ現像によって得られるレジスト像の形状を計測することによって、それらの遮光パターンに対応する部分が感光されないとき（レジスト像が形成されないとき）の露光量と、それらの遮光パターンに対応する部分が感光されるとき（レジスト像が形成されるとき）の露光量との関係からフレア量が求められる。
【特許文献１】国際公開第０２／０９１６３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常、半導体素子はウエハ上に多層の回路パターンを積み重ねて形成されるとともに、露光工程のスループットを高めるために、半導体素子の製造ライン中には複数の露光装置が設置され、例えばレイヤ毎に異なる露光装置でまとめて露光が行われる。この場合、１つのウエハ上の異なるレイヤの回路パターンが異なる露光装置によって露光されるため、重ね合わせ精度を高めるためには、その複数の露光装置によるパターンの形成状態、例えば上記の線幅均一性の特性をできるだけマッチングさせる必要がある。
【０００７】
また、上述のように、その線幅均一性に影響を与える要因の一つは投影光学系のフレアであるが、フレアの発生要因を考慮すると投影光学系のフレア自体の修正を高頻度に行うことは困難である。
本発明はこのような事情に鑑み、複数の露光装置を用いて露光を行う場合に、複数の露光装置のそれぞれのフレアの影響を抑制して、露光装置間のパターンの形成状態等の調整、例えばマッチングを効率的に行うことができる露光技術及び管理技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による露光方法は、複数の露光装置（３２Ａ，３２Ｂ）を用いて、所定のパターンを物体上に露光する露光方法において、その複数の露光装置のそれぞれのフレアに関する情報を計測する第１工程（ステップ１０１）と、その第１工程で計測されたそのフレアに関する情報に基づいて、その複数の露光装置のそれぞれにおけるその所定のパターンの形成状態を調整する第２工程（ステップ１０３〜１０６）とを有するものである。
【０００９】
また、本発明による露光システムの管理方法は、複数の露光装置（３２Ａ，３２Ｂ）を用いて所定のパターンを物体上に露光する露光システムの管理方法であって、その複数の露光装置のそれぞれのフレアに関する情報を計測する第１工程（ステップ１０１）と、その第１工程で計測されたそのフレアに関する情報に基づいて、その複数の露光装置の露光性能の管理を行う第２工程（ステップ１０３〜１０６）とを有するものである。
【００１０】
また、本発明による露光システムは、所定のパターンを物体上に露光する複数の露光装置（３２Ａ，３２Ｂ）を備える露光システムにおいて、その複数の露光装置のそれぞれに備えられ、投影光学系のフレアに関する情報を計測するフレア計測装置（５９Ａ，５９Ｂ）と、そのフレア計測装置の計測結果から、その複数の露光装置におけるその所定のパターンの形成状態をそれぞれ予測するとともに、予測されたその所定のパターンの形成状態に関する情報をその複数の露光装置のそれぞれに通知可能なシステム制御装置（３３）と、その複数の露光装置のそれぞれに備えられ、そのシステム制御装置から通知される情報に基づいて、その所定のパターンの形成状態を補正する補正装置（３９Ａ，３９Ｂ）とを備えるものである。
【００１１】
これらの本発明によれば、例えば複数の露光装置間でフレアの状態が異なっている場合に、フレア自体を修正することなく、そのフレアの状態が異なることに起因するパターンの形成状態の相違を低減させるように、複数の露光装置のパターンの形成状態（又は露光性能）を調整（又は補正）することによって、そのフレアの影響を抑制して、複数の露光装置間のパターンの形成状態の調整等を効率的に行うことができる。
【００１２】
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、半導体デバイス製造用の複数の露光装置を備える露光システムに本発明を適用したものである。
図１は、本例の露光システムの概略構成を示し、この図１において、本例の露光システムは、ウエハ上の第１のレイヤへの露光用の第１の露光装置３２Ａと、その第１のレイヤとは異なる第２のレイヤへの露光用の第２の露光装置３２Ｂと、これらを制御するホストコンピュータ３３（システム制御装置）とを含んで構成され、第１及び第２の露光装置３２Ａ，３２Ｂは共にステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投影露光装置（スキャニング・ステッパー）である。また、不図示であるが、その露光システムには、ウエハに対してレジストの塗布や現像を行うコータ・デベロッパも含まれている。
【００１４】
なお、その第１のレイヤと第２のレイヤとは互いに同程度の解像度が要求されるレイヤでもよい。また、その第１のレイヤがミドルレイヤで、その第２のレイヤがクリティカルレイヤというように、それらのレイヤは要求される解像度及び／又は１つのショット領域（投影光学系の露光フィールド）の大きさが異なっていてもよい。
［第１の露光装置３２Ａの説明］
図１に示すように、第１の露光装置３２Ａは、露光光源（不図示）と、この露光光源からの露光光ＩＬＡを用いてレチクルＲ１のパターン面上の矩形の照明領域４９Ａを照明する照明光学系３１Ａと、レチクルＲ１を駆動するレチクルステージ１３Ａと、レチクルＲ１のパターンの像をウエハＷ１上に投影する投影光学系１８Ａと、ウエハＷ１を駆動するウエハステージ１９Ａと、空間像計測系５９Ａと、これらの光学系及びステージ系等を統括的に制御するコンピュータよりなる制御装置３０Ａとを備えている。本例では、空間像計測系５９Ａがフレア計測装置としても使用される（詳細後述）。制御装置３０Ａは、ホストコンピュータ３３から露光条件（レチクルの種類、フォトレジストの感度等）の情報を受け取るとともに、後述のように、ホストコンピュータ３３に投影光学系１８Ａのフレア情報を送出し、ホストコンピュータ３３はそのフレア情報に応じて露光装置３２Ａが実行すべき動作等を示す情報を制御装置３０Ａに通知する。以下、露光装置３２Ａに関しては、投影光学系１８Ａの光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ１及びウエハＷ１の走査方向５２Ａに平行にＸ軸を取り、その走査方向に直交する非走査方向にＹ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に平行な方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向と呼び、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転角又は傾斜角をそれぞれ回転角θＸ，θＹ，θＺと呼ぶ。
【００１５】
その露光光源としては、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられているが、その他にＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）、固体レーザ（ＹＡＧレーザ又は半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用できる。照明光学系３１Ａは、その露光光源からの露光光の偏光状態を制御する偏光制御部、その露光光の照明光学系３１Ａの瞳面における光量分布を円形領域、輪帯領域、２極領域、及び４極領域等に設定するための交換可能な複数の回折光学素子、この回折光学素子からの光束の断面形状を伸縮するための少なくとも一方が移動可能な１対の円錐プリズム（アキシコン）、その瞳面における光量分布を半径方向に制御するためのズームレンズ系、その露光光の照度分布を均一化するためのオプティカル・インテグレータ、リレーレンズ系、レチクルブラインド（固定及び可動ブラインド）、光路折り曲げ用のミラー、及びコンデンサレンズ系等を備えている。
【００１６】
この場合、制御装置３０Ａが、その複数の回折光学素子の切り換えを行うことによって照明条件（通常照明、コヒーレンスファクタ（σ値）の小さい小σ照明、輪帯照明、２極照明、４極照明等）を設定できる。また、制御装置３０Ａが、例えばその１対の円錐プリズムとそのズームレンズ系とを含む調整光学系４３Ａ（照明光学系３１Ａ内に配置されている。）を制御することで、露光光ＩＬＡのσ値、又は輪帯照明時の輪帯状の光量分布の外径と内径との比の値（照明輪帯比）等を調整することができる。
【００１７】
露光光ＩＬＡにより照明されたレチクルＲ１の非走査方向（Ｙ方向）に細長い照明領域４９Ａ内のパターンは、例えば両側テレセントリックな投影光学系１８Ａを介して所定の投影倍率（例えば１／４，１／５等）で、フォトレジスト（感光材料）が塗布されたウエハＷ１（物体）上の一つのショット領域５１Ａ上の露光領域５０Ａに投影される。投影光学系１８Ａとしては、屈折系の他に反射屈折系又は反射系も使用できる。投影光学系１８Ａの瞳面近傍には、可変開口絞り３９Ａが設置され、制御装置３０Ａは可変開口絞り３９Ａを駆動することで、投影光学系１８Ａの開口数ＮＡを粗調整及び微調整することができる。調整光学系４３Ａ及び可変開口絞り３９Ａは、パターンの形成状態（露光性能）の補正装置としても使用できる（詳細後述）。また、露光領域５０Ａは、投影光学系１８Ａに関して照明領域４９Ａと光学的に共役であり、ウエハＷ１上の露光面は、ショット領域５１Ａと同じ大きさの多数のショット領域（区画領域）に区分されている。
【００１８】
レチクルＲ１はレチクルステージ１３Ａ上に保持され、レチクルステージ１３Ａはレチクルベース１６Ａ上に例えばリニアモータを含む駆動機構（不図示）によってＸ方向に連続移動できるように載置されている。さらに、その駆動機構は、必要に応じて、レチクルステージ１３ＡのＸ方向、Ｙ方向の位置、及び回転角θＺ等を微調整する。このため、レチクルステージ１３Ａに固定された２つのＸ軸の移動鏡１４ＸＡ１，１４ＸＡ２と、Ｙ軸の移動鏡１４ＹＡと、これらの移動鏡に対向するように配置されたレーザ干渉計１５ＸＡ１，１５ＸＡ２，１５ＹＡとを含むレチクル干渉計システムによって、レチクルステージ１３Ａ（レチクルＲ１）のＸ方向、Ｙ方向の位置、及び回転角θＺ等の位置が計測されている。これらの計測結果に基づいて、制御装置３０Ａは、その駆動機構を介してレチクルステージ１３Ａの位置及び速度を制御する。
【００１９】
一方、図２に示すように、ウエハＷ１はウエハホルダ３６を介してウエハステージ１９Ａ上に吸着保持され、ウエハステージ１９Ａは、ウエハＷ１のフォーカス位置（Ｚ方向の位置）及び回転角θＸ，θＹを制御するＺチルトステージ３５と、ウエハベース２２Ａ上をリニアモータ等を含む駆動機構（不図示）によってＸ方向、Ｙ方向に駆動されるＸＹステージ３４とを備えている。そのＺチルトステージ３５をオートフォーカス方式で駆動して、ウエハＷ１の露光面を投影光学系１８Ａの像面に合わせ込むために、投影光学系１８Ａの側面には、ウエハＷ１の露光面の複数の計測点のフォーカス位置を計測するための光学式で斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（不図示）が備えられている。図１に戻り、ウエハステージ１９Ａに固定されたＸ軸の移動鏡２０ＸＡ及びＹ軸の移動鏡２０ＹＡと、これらに対向するように配置されたレーザ干渉計２１ＸＡ及び２１ＹＡとを含むウエハ干渉計システムによって、ウエハステージ１９Ａ（ウエハＷ１）のＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＺ軸、Ｘ軸、Ｙ軸の周りの回転量（ヨーイング量、ピッチング量、及びローリング量）も計測されている。これらの計測結果に基づいて、制御装置３０Ａは、その駆動機構を介してウエハステージ１９Ａの位置及び速度を制御する。
【００２０】
また、投影光学系１８Ａの側面には、ウエハＷ１上の各ショット領域に付設されたアライメントマークの位置を検出するためのアライメントセンサ２５Ａが設置され、レチクルステージ１３Ａの上方にはレチクルＲ１に形成されたアライメントマークの位置を検出するためのレチクルアライメント顕微鏡（不図示）が設置され、これらの検出結果は制御装置３０Ａに供給されている。これらの検出結果に基づいて、制御装置３０Ａがレチクルステージ１３Ａ及びウエハステージ１９Ａを駆動することによって、重ね合わせ露光を行う際にレチクルＲ１のパターン像とウエハＷ上の各ショット領域に既に形成されている回路パターンとを高精度に重ね合わせることができる。
【００２１】
露光時には、露光光ＩＬＡでレチクルＲ１を照明した状態で、レチクルステージ１３Ａを介して照明領域４９Ａに対してレチクルＲ１をＸ方向に移動するのに同期して、ウエハステージ１９Ａを介して露光領域５０Ａに対してウエハＷ１を対応する方向に移動する走査露光動作と、露光光ＩＬＡの照射を停止して、ウエハステージ１９Ａを介してウエハＷ１をＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作とを繰り返すことによって、ウエハＷ１の各ショット領域にレチクルＲ１のパターンの像が露光される。
【００２２】
この露光を継続すると、露光光の照射熱等の影響で投影光学系１８Ａの歪曲収差及び球面収差等の結像特性が僅かではあるが次第に変化する。そこで、本例の露光装置３２Ａには、投影光学系１８Ａの結像特性の補正機構、及び例えば定期的にその結像特性等の計測を行うための空間像計測計５９Ａが備えられている。
図２は、図１の投影光学系１８Ａの結像特性の補正機構及び空間像計測計５９Ａの構成をも示し、この図２において、投影光学系１８Ａを構成する複数の光学部材のうちの所定の複数枚（ここでは２枚とする。）のレンズエレメントＬ１及びＬ２が、それぞれＺ方向に伸縮可能な駆動素子４２Ａ及び４２Ｂを介して鏡筒に支持されている。駆動素子４２Ａ，４２Ｂは、例えば圧電素子（ピエゾ素子等）又は磁歪素子等から構成され、実際には光軸の周りに等角度間隔で３箇所に配置されている。従って、制御装置３０Ａの制御のもとで、結像特性制御系４０Ａが、３箇所の駆動素子４２Ａ及び４２Ｂを独立にＺ方向に駆動して、レンズエレメントＬ１及びＬ２のＺ方向の位置及び回転角θＸ，θＹを制御することで、例えば露光光の照射熱によって変動した投影光学系１８Ａの所定の結像特性を基準となる状態に回復することができる。
【００２３】
また、空間像計測系５９Ａは、ウエハステージ１９Ａ中のＺチルトステージ３５に設けられたステージ側構成部分、即ちスリット板９０Ａ、レンズ８４，８６から成るリレー光学系、光路折り曲げ用のミラー８８、送光レンズ８７と、ウエハステージ１９Ａの外部に設けられたステージ外構成部分、即ちミラー９６、受光レンズ８９、例えばフォトマルチプライア等の光電センサ９４等とを備えている。
【００２４】
これを更に詳述すると、ＸＹ平面に平行な矩形の平板状のスリット板９０Ａは、Ｚチルトステージ３５の上面に設けられた開口を持つ突設部３７に対し、その開口を覆う状態で上方から嵌め込まれている。このスリット板９０Ａは、ガラス基板８２の上面に遮光膜を兼ねる反射膜８３を形成して構成され、その反射膜８３の一部に所定幅Ｄのスリット状の開口パターン（以下、スリットと呼ぶ。）２９が形成されている。なお、図２（及び図７（Ｂ））のスリット２９は、スリット板９０Ａに設けられた複数のスリット（図３参照）のうちの一つを代表的に示している。
【００２５】
また、図２の状態では、露光光ＩＬＡの照明領域に、評価用のテストレチクルＲＴに形成されたマークＰＭｘ及びＰＭｙが位置しており、そのマークの像が投影光学系１８Ａによってスリット板９０Ａ上に投影されている。そして、露光光ＩＬＡよりなる結像光束の一部がスリット２９を通過して、レンズ８４、ミラー８８、レンズ８６及び送光レンズ８７を介してほぼ＋Ｘ方向に向けてウエハステージ１９Ａ外に射出される。
【００２６】
ウエハステージ１９Ａの外部に送出された露光光ＩＬＡは、ミラー９６によってほぼ＋Ｚ方向（鉛直上方）に向けて折り曲げられた後、送光レンズ８７に比べて大きい受光レンズ８９によって光電センサ９４上に集光される。受光レンズ８９及び光電センサ９４はケース９２内に収納され、ケース９２は、取付け部材９３を介してウエハベース２２Ａ上に植設された支柱９７に固定されている。ミラー９６も不図示の支持部材を介してケース９２に固定されている。
【００２７】
光電センサ９４からの光電変換信号ＰＳは、信号処理装置３８Ａを介して制御装置３０Ａに送られる。信号処理装置３８Ａは、例えば増幅器、サンプルホールド回路、Ａ／Ｄコンバータ、及びマイクロプロセッサなどを含んで構成することができる。信号処理装置３８Ａには、図１のレーザ干渉計２１ＸＡ及び２１ＹＡによって計測されるウエハステージ１９ＡのＸ座標、Ｙ座標の情報も供給されており、信号処理装置３８Ａでは、光電変換信号ＰＳからマーク像の位置及びコントラスト等の情報を求め、これらの情報を制御装置３０Ａに送出する。
【００２８】
図３は、スリット板９０Ａに形成されている複数のスリットの配置の一例を示し、この図３において、スリット板９０Ａの上面の遮光膜中に直交するように、かつＸ方向及びＹ方向の間隔がＬとなるように、Ｘ方向の幅ＤでＹ方向の長さＬのＸ軸のスリット２９ｘと、Ｙ方向の幅ＤでＸ方向の長さＬのＹ軸のスリット２９ｙとが形成されている。この場合、一例として、幅Ｄは１００ｎｍ、長さ（間隔）Ｌは２０μｍである。
【００２９】
図３において、スリット板９０Ａ上に図２のＹ軸のマークＰＭｙの像ＰＭｙ’が投影されているものとして、像ＰＭｙ’（空間像）のＹ方向の光量分布を計測するためには、図２のウエハステージ１９Ａを駆動して、図３のスリット板９０Ａ上のＹ軸のスリット２９ｙで像ＰＭｙ’をＹ軸に平行な方向Ｆｙに相対走査し、そのときの図２の光電センサ９４の光電変換信号ＰＳを信号処理装置３８Ａにおいて、ウエハステージ１９ＡのＹ座標に沿ってサンプリングすればよい。この結果、図４に示すように、図３の像ＰＭｙ’の光強度分布に応じた光電変換信号ＰＳを得ることができる。同様に、Ｘ軸のマーク像の光量分布を計測するためには、図３において、その像に対してＸ軸のスリット２９ｘをＸ軸に平行な方向Ｆｘに相対走査し、光電センサ９４の光電変換信号ＰＳをウエハステージ１９ＡのＸ座標に沿ってサンプリングすればよい。
【００３０】
例えばＹ軸のマーク像の位置又はコントラストを計測する場合には、信号処理装置３８Ａでは、その光電変換信号ＰＳを所定のスライスレベルで２値化してＹ方向の位置を求めるか、又は光電変換信号ＰＳの振幅と直流信号との比の値を求めればよい。
［第２の露光装置３２Ｂの説明］
図１に戻り、第２の露光装置３２Ｂは、第１の露光装置３２Ａと同様に、露光光源（不図示）と、この露光光源からの露光光ＩＬＢを用いてレチクルＲ２のパターン面上の矩形の照明領域４９Ｂを照明する照明光学系３１Ｂと、レチクルＲ２をレチクルベース１６Ｂ上で駆動するレチクルステージ１３Ｂと、レチクルステージ１３Ｂの位置を計測するレチクル干渉計システム（移動鏡１４ＸＢ１，１４ＸＢ２，１４ＹＢ及びレーザ干渉計１５ＸＢ１，１５ＸＢ２，１５ＹＢ）と、レチクルＲ２のパターンの像をフォトレジストが塗布されたウエハＷ２（物体）の一つのショット領域５１Ｂ上の露光領域５０Ｂに投影する投影光学系１８Ｂと、ウエハＷ２をウエハベース２２Ｂ上で駆動するウエハステージ１９Ｂと、ウエハステージ１９Ｂの位置を計測するウエハ干渉計システム（移動鏡２０ＸＢ，２０ＹＢ及びレーザ干渉計２１ＸＢ，２１ＹＢ）と、スリット２９ｘ，２９ｙが形成されたスリット板９０Ｂを含む空間像計測系５９Ｂと、アライメントセンサ２５Ｂ及びレチクルアライメント顕微鏡（不図示）と、これらの光学系及びステージ系等を統括的に制御するコンピュータよりなる制御装置３０Ｂとを備えている。露光装置３２Ｂにおいても、空間像計測系５９Ｂがフレア計測装置としても使用される（詳細後述）。
【００３１】
また、露光装置３２Ｂの制御装置３０Ｂも、ホストコンピュータ３３から露光条件（レチクルの種類、フォトレジストの感度等）の情報を受け取るとともに、後述のように、ホストコンピュータ３３に投影光学系１８Ｂのフレア情報を送出し、ホストコンピュータ３３はそのフレア情報に応じて露光装置３２Ｂが実行すべき動作等を示す情報を制御装置３０Ｂに通知する。以下、露光装置３２Ｂに関しては、投影光学系１８Ｂの光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ２及びウエハＷ２の走査方向５２Ｂに平行にＸ軸を取り、その走査方向に直交する非走査方向にＹ軸を取って説明する。
【００３２】
第１の露光装置３２Ａと同様に、この第２の露光装置３２Ｂにおいても、制御装置３０Ｂが、照明光学系３１Ｂ内に配置されている調整光学系４３Ｂ（例えば１対の円錐プリズムとズームレンズ系とを含む光学系）を制御することで、露光光ＩＬＢのσ値及び輪帯照明時の照明輪帯比等を調整することができる。また、制御装置３０Ｂが投影光学系１８Ｂ中の可変開口絞り３９Ｂを駆動することで、投影光学系１８Ｂの開口数ＮＡを粗調整及び微調整することができる。調整光学系４３Ｂ及び可変開口絞り３９Ｂは、パターンの形成状態（又は露光性能）の補正装置としても使用できる（詳細後述）。なお、投影光学系１８Ａと投影光学系１８Ｂとは倍率が異なっていてもよい。
【００３３】
一例として、第１の露光装置３２ＡによってウエハＷ１上の第１のレイヤへの露光が行われ、そのウエハＷ１上のフォトレジストの現像及びパターン形成（エッチング等）等の工程を経て、その第１のレイヤの回路パターンが形成される。その後、ウエハＷ１上の第２のレイヤに回路パターンを形成する場合には、第２レイヤ用の薄膜が形成されその上にフォトレジストが塗布されたウエハＷ１を第２の露光装置３２Ｂのウエハステージ１９Ｂ上にロードする。そして、露光装置３２Ｂにおいて、アライメントが完了した後、露光光ＩＬＢでレチクルＲ２を照明した状態で、レチクルステージ１３Ｂを介して照明領域４９Ｂに対してレチクルＲ２をＸ方向に移動するのに同期して、ウエハステージ１９Ｂを介して露光領域５０Ｂに対してウエハＷ１を対応する方向に移動する走査露光動作と、露光光ＩＬＢの照射を停止して、ウエハステージ１９Ｂを介してウエハＷ１をＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作とを繰り返すことによって、ウエハＷ１の各ショット領域の第２レイヤにレチクルＲ２のパターンの像が露光される。その後、ウエハＷ１のフォトレジストの現像及びパターン形成工程等を経ることで、ウエハＷ１の第２レイヤに所望の回路パターンが形成される。
【００３４】
また、露光装置３２Ｂにおいても、露光を継続すると、露光光の照射熱等の影響で投影光学系１８Ｂの歪曲収差及び球面収差等の結像特性が僅かではあるが次第に変化する。そこで、投影光学系１８Ｂについても、図２の投影光学系１８Ａと同様に、駆動素子４２Ａ及び結像特性制御系４０Ａに対応する部材からなり、制御装置３０Ｂによって制御される結像特性の補正機構が設けられている。また、例えば定期的に投影光学系１８Ｂの結像特性等を計測するための空間像計測系５９Ｂの構成は、図２に示す空間像計測系５９Ａと同様である。空間像計測系５９Ｂ内の光電センサ（光電センサ９４に対応する部材）からの光電変換信号は、図２の信号処理装置３８Ａと同様の信号処理装置に供給され、この信号処理装置で求められる計測用マークの位置及びコントラスト等の情報は制御装置３０Ｂに送出される。
【００３５】
この場合、第１の露光装置３２Ａの空間像計測系５９Ａの図２の光電センサ９４の検出感度と、第２の露光装置３２Ｂの空間像計測系５９Ｂの対応する光電センサの検出感度とは同じになるように調整されている。ただし、そのように検出感度を調整する代わりに、例えば空間像計測系５９Ａ側の検出感度に対して空間像計測系５９Ｂ側の検出感度に所定の補正値を乗じた感度が等しくなるような補正値を記憶しておき、空間像計測系５９Ｂの光電変換信号にはその補正値を乗ずるようにしてもよい。
【００３６】
［フレアの計測方法の説明］
次に、図１の第１の露光装置３２Ａにおいて図２の空間像計測系５９Ａを用いて投影光学系１８Ａのフレア（フレアに関する情報）を計測する方法の一例につき説明する。
第１の露光装置３２Ａにおいて、投影光学系１８Ａのフレアを計測する場合には、図１のレチクルステージ１３Ａ上に図５（Ａ）に示すテストレチクルＲＴ１をロードする。なお、テストレチクルＲＴ１と同じパターン配置のテストレチクルＲＴ２を第２の露光装置３２Ｂのレチクルステージ１３Ｂ上にロードして、以下の方法を適用することによって、露光装置３２Ｂにおいても空間像計測系５９Ｂを用いて投影光学系１８Ｂのフレアを計測できる。
【００３７】
図５（Ａ）は、レチクルステージ１３Ａ上にロードした状態のテストレチクルＲＴ１を示す平面図であり、この図５（Ａ）において、テストレチクルＲＴ１のガラス基板７０のパターン領域ＰＡをＹ方向に挟むように１対のアライメントマークＲＭ1，ＲＭ2が形成され、パターン領域ＰＡ内にはそれぞれ図１の照明領域４９Ａとほぼ同じ大きさの２つの矩形のマーク形成領域が設けられている。そのうちの第１のマーク形成領域には、光透過部を背景として、クロム等の遮光膜によってＮ個（Ｎは２以上の整数）の互いに同一のフレア評価マーク群ＭＰn（ｎ＝１〜Ｎ）がＩ行×Ｊ列（図５（Ａ）では２行×５列）のマトリックス状に形成されている。
【００３８】
フレア評価マーク群ＭＰnは、図５（Ｂ）に示すように、複数（ここでは３つ）の互いに同一の略Ｌ字状のフレア評価マークＭＰn,1，ＭＰn,2，ＭＰn,3から構成されている。このうち、フレア評価マークＭＰn,1は、図６に示すように、Ｙ方向に伸びる長さＭで第１の線幅ｄのライン状の遮光パターンからなる第１マーク部ｍｐｘと、この第１マーク部ｍｐｘの一端に接する状態で配置され、この第１マーク部ｍｐｘを９０°回転した状態のＸ方向に伸びる第２マーク部ｍｐｙとを有している。長さＭは、像面上に換算して図３のスリット２９ｘの長さＬの３倍（Ｌが２０μｍであれば、６０μｍ）程度に設定されている。
【００３９】
また、図５（Ｂ）のフレア評価マークＭＰn,2，ＭＰn,3のそれぞれは、フレア評価マークＭＰn,1と同様に第１マーク部ｍｐｘと第２マーク部ｍｐｙとからなるが、各マーク部の線幅はｄ１及びｄ２である。そして、これらの線幅ｄ，ｄ１，ｄ２が、一例としてｄ＞ｄ１＞ｄ２のように相互に異なるように設定されている。また、フレア評価マークＭＰn,1，ＭＰn,2，ＭＰn,3は、隣り合うマーク部同士がＸ方向及びＹ方向に、像面上に換算して１００μｍの間隔をあけた状態で配置されている。このように間隔を１００μｍとしているのは、ローカルフレアの広がり範囲が最大でもパターンエッジから１００μｍ程度であることを考慮したためである。
【００４０】
ここで、図３のスリット２９ｘ，２９ｙと図５（Ｂ）のフレア評価マーク群ＭＰnとを上述の形状とした理由につき説明する。
図７（Ａ）には、計測結果の一例として、図７（Ｂ）に示される横方向の長さが像面上でＦの矩形の遮光パターンの空間像を図２のスリット２９（２９ｘ又は２９ｙ）でＸ方向又はＹ方向に走査したときに、空間像計測系５９Ａの光電センサ９４を介して検出される空間像強度（光強度）が、スリット２９の中心位置に対して示されている。図７（Ａ）に示すように、像のエッジ部分Ｅから約２０μｍの領域までは、ローカルフレアの影響によって空間像強度は一定にならないこと、即ちエッジ部分Ｅから約２０μｍ程度まではエッジの外側方向へのローカルフレアの影響を受けること、及びそれよりも外側の領域ではグローバルフレアの影響によって僅かに空間像強度が検出されることが分かる。
【００４１】
また、本例では、フレア情報の計測に際しては、図８中の矢印で示すように、スリット２９ｘ及び２９ｙが、フレア評価マークＭＰn,1の像ＭＰn,1’に対してＸ軸及びＹ軸に４５°をなす方向に相対走査されるようにして空間像計測が行われる。なお、説明の便宜上、投影像は正立像であるとしている。また、遮光パターンの空間像とスリットとの関係は、誇張して示している。この計測の際に、図８に示すように、フレア評価マークＭＰn,1の第１マーク部ｍｐｘの像ｍｐｘ’及び第２マーク部ｍｐｙの像ｍｐｙ’のそれぞれの長手方向のエッジから間隔Ｌ（ここでは２０μｍ）だけ離れた位置をスリット２９ｘ及び２９ｙが通過するため、スリット２９ｘ及び２９ｙではそれぞれ第２マーク部の像ｍｐｙ’及び第１マーク部の像ｍｐｘ’からのローカルフレアの影響を実質的に受けない。また、グローバルフレアは像ｍｐｘ’及びｍｐｙ’でほぼ同じであるため、図３に示す配置のスリット２９ｘ，２９ｙを用いて、図５（Ｂ）のフレア評価マーク群ＭＰnの像を斜めに１回相対走査するだけで、ローカルフレア及びグローバルフレアの量を計測できる。また、図５（Ａ）のフレア評価マーク群ＭＰnのそれぞれについてフレア量を計測することで、投影光学系１８Ａの視野内の複数の位置でのフレア量、即ちフレアの範囲をも計測できる。
【００４２】
さらに、図５（Ａ）において、テストレチクルＲＴ１のパターン領域ＰＡ内の第２のマーク形成領域には、フレア評価マーク群ＭＰnに対応する配置で、遮光膜を背景として透過パターンよりなる十字型のフォーカス評価マークＦＲＭi,j（ｉ＝１〜Ｉ，ｊ＝１〜Ｊ，ここではＩ＝２，Ｊ＝５）が形成されている。フォーカス評価マークＦＲＭi,jとしては、配列方向がＸ方向及びＹ方向の２つのＬ＆Ｓパターン（ライン・アンド・スペースパターン）を組み合わせたマーク等を用いることもできる。一例として、図１の露光光ＩＬＡの照明領域４９Ａ内にその第２のマーク形成領域を移動して、図２のＺチルトステージ３５を駆動してスリット板９０Ａのフォーカス位置を所定量ずつ変化させながら、図５（Ａ）のフォーカス評価マークＦＲＭi,jの像をそれぞれ図３のスリット２９ｘ及び２９ｙでＸ方向及びＹ方向に走査して、図２の光電センサ９４から得られる光電変換信号ＰＳのコントラストが最大になるときのフォーカス位置を特定することで、各フォーカス評価マークＦＲＭi,jの像の位置での投影光学系１８Ａのベストフォーカス位置を求めることができる。そして、図５（Ａ）のフレア評価マーク群ＭＰn（ｎ＝１〜Ｎ）の像を走査してフレアを計測する際には、その像を上記のベストフォーカス位置に設定しておく。これによって、デフォーカスによる計測誤差が生じない状態で、フレアのみを高精度に計測できる。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）のｎ番目のフレア評価マーク群ＭＰn中の最も幅広なフレア評価マークＭＰn,1を用いてフレア計測を行う場合には、一例として次のステップＡ〜Ｃのようにする。
ステップＡ）図２の制御装置３０Ａはウエハステージ１９Ａを駆動して、図８に示すように、フレア評価マークＭＰn,1の像ＭＰn,1’が投影される位置に対してＸ軸及びＹ軸に４５°で交差する方向の手前の位置Ａ１に、スリット板９０Ａのスリット２９ｘ及び２９ｙを移動する。
【００４４】
ステップＢ）この状態から、制御装置３０Ａは、図１の照明光学系３１Ａ中のレチクルブラインドを駆動して図５（Ａ）の計測対象のフレア評価マーク群ＭＰnを含む部分領域を露光光ＩＬＡで照明する。そして、ウエハステージ１９Ａを駆動して、図８に示すように、像ＭＰn,1’の第１マーク部及び第２マーク部の像ｍｐｘ’及びｍｐｙ’をそれぞれスリット２９ｘ及び２９ｙでＸ軸及びＹ軸に４５°で交差する位置Ａ２の方向に相対走査して、図２の光電センサ９４の光電変換信号ＰＳを信号処理装置３８Ａにおいてサンプリングする。これにより、信号処理装置３８Ａは、図９に示すような光強度分布（光電変換信号ＰＳ）を得る。図９において、横軸は図８のスリット２９ｘのＸ方向（計測方向）の位置（又はスリット２９ｙのＹ方向の位置でもよい。）であり、縦軸はその位置で計測される光強度である。図８から分かるように、本例では像ｍｐｘ’の光強度分布と像ｍｐｙ’の光強度分布とを加算した光強度分布が得られる。従って、像ｍｐｘ’又はｍｐｙ’について単独にフレアを計測する場合に比べてＳＮ比の良好な光電変換信号を得ることができる。
【００４５】
ステップＣ）次に、信号処理装置３８Ａは、得られた光電変換信号に基づいて、次式（１）を用いてｎ番目（ｎ＝１〜Ｎ）のフレア評価マーク群に関するフレア量Ｃｎ１を算出する。
Ｃｎ１＝ｎＩ０／ｎＩ１    …（１）
ここで、ｎＩ１は図９の検出された光強度の最大値（基準値）に対応する光電変換信号、ｎＩ０はフレア量を計測したい点の光強度に対応する光電変換信号である。線幅ｄの部分の代表的なフレア量Ｃｎ１は、式（１）のｎＩ０に計測された光強度の最小値に対応する光電変換信号ｎＩ３を代入して、Ｃｎ１（基準値）＝ｎＩ３／ｎＩ１を算出すればよい。このフレア量はローカルフレアとグローバルフレアとを合わせたフレア量とも考えられる。
【００４６】
また、図９の投影像の段階での線幅ｄが４０μｍ程度以下であるときには、そのフレア量Ｃｎ１（基準値）は、ほぼローカルフレア量とみなすことが可能である。
一方、その線幅ｄが例えば５０μｍ程度以上であるときに、その光強度が最小になる点が図７（Ａ）のグローバルフレアの領域である場合には、そのフレア量Ｃｎ１（基準値）をグローバルフレア量とみなすこともできる。この場合には、例えば図７（Ａ）のローカルフレアの領域において遮光マークの像側に所定間隔（例えば１０μｍ）だけ入った位置における光強度に対応する図９の光電変換信号ｎＩ２を求め、この光電変換信号ｎＩ２と上記の光電変換信号ｎＩ３との差分ΔｎＩ（＝ｎＩ２−ｎＩ３）を式（１）に代入して、次式からローカルフレア量Ｃｎ１（ローカル）を算出してもよい。
【００４７】
Ｃｎ１（ローカル）＝ΔｎＩ／ｎＩ１    …（２）
これによって、ローカルフレア量とグローバルフレア量とを個別に求めることができる。このためには、図５（Ｂ）のフレア評価マークＭＰn,1の像面上での線幅ｄを５０μｍ程度以上として、別のフレア評価マークＭＰn,2の像面上での線幅ｄ１を４０μｍ程度以下で２０μｍ程度以上としておけばよい。
【００４８】
図２の制御装置３０Ａは、図５（Ａ）のＮ個のフレア評価マーク群ＭＰnについてそれぞれ上記のフレア計測を繰り返す。この計測終了後に、信号処理装置３８Ａは、Ｎ個のフレア量Ｃｎ１（基準値）（ｎ＝１〜Ｎ）、又はＮ組のローカルフレア量Ｃｎ１（ローカル）及びグローバルフレア量Ｃｎ１（基準値）をフレア情報として制御装置３０Ａに供給する。この場合、Ｎ個又はＮ組のフレア量から投影光学系１８Ａの視野内において例えばフレアが許容範囲を超えている範囲（フレアの範囲）を検出することも可能となる。
【００４９】
なお、投影光学系１８Ａのフレア計測を行うためには、図１０に示すように、像面上での１辺の幅ｄが異なる複数の正方形のフレア評価マークの像ＭＰ’を投影し、この像ＭＰ’に対してピンホール２９ｐを相対走査して、ピンホール２９ｐを通過した光量を図２の光電センサ９４で検出してもよい。この場合にも、式（１）及び／又は式（２）を用いることによってフレア量を算出することができる。
【００５０】
［ＯＰＥ特性の計測方法の説明］
次に、図１の露光装置３２Ａ及び３２Ｂにおける投影像の線幅均一性を劣化させる一つの要因であるＯＰＥ（Optical Proximity Effect）特性（光学的近接効果特性）の計測方法の一例につき説明する。そのＯＰＥ特性は、パターンの形成状態又は露光装置の露光性能の一例であり、以下のように空間像のシミュレーション又は実測によって求めることができる。以下では露光装置３２ＡにおけるＯＰＥ特性の計測（又は計算）及び調整について説明するが、同様に露光装置３２ＢにおいてもＯＰＥ特性の計測（又は計算）及び調整を行うことができる。
【００５１】
図１１は、ＯＰＥ特性を評価するためのＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲのパターンの一部を示し、この図１１において、ＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲには、同一ライン線幅で、ピッチが異なる複数（例えば１０個）のＬ＆Ｓパターン５１，５３等が形成されている。なお、図１１のＸ軸及びＹ軸は、図１１のＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲを図１のレチクルステージ１３Ａ上にロードした場合の座標系である。
【００５２】
そして、Ｌ＆Ｓパターン５１及び５３は、それぞれＸ方向の幅ＤのＹ方向に伸びた透過率６％のクロム膜よりなるハーフトーンの１１個のラインパターン５２及び５４をピッチＰ１及びＰ２（＞Ｐ１＞Ｄ）でＸ方向に配列して形成されている。そして、ピッチが実質上無限大（像面上に換算した長さで１．５〜２μｍ程度）のＬ＆Ｓパターンとしての孤立パターン５５は、Ｘ方向の幅ＤのＹ方向に伸びた透過率６％のハーフトーンのラインパターンである。
【００５３】
この場合、Ｌ＆Ｓパターン５１のピッチＰ１は線幅Ｄの２倍、第２のＬ＆Ｓパターン５３のピッチＰ２は線幅Ｄの３倍である。実際には、第２のＬ＆Ｓパターン５３と孤立パターン５５との間には、ラインパターン５４（５２）と同じ線幅のラインパターンを次第に大きくなるピッチでＸ方向に配列した複数のＬ＆Ｓパターン（不図示）も形成されている。
【００５４】
次に、図１のレチクルステージ１３Ａ上に、レチクルＲ１の代わりに図１１のＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲをロードして、同一線幅で異なるピッチのＬ＆Ｓパターン５１，５３等の像を投影光学系１８Ａを介してウエハＷ１上に投影する場合の、投影像の線幅のピッチ依存性（ＯＰＥ特性）を求める。投影像の線幅を求めるには、（Ａ）実際に未露光のウエハＷ１上にそのＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲの各パターンの像を投影し、現像によって得られるレジストパターンの線幅を計測するテストプリント法、（Ｂ）その像を図１の空間像計測系５９Ａのスリット２９ｘでＸ方向に走査して、各パターン像の線幅を計測する空間像計測法、及び（Ｃ）コンピュータによる空間像のシミュレーションによって求める方法がある。ここでは、露光装置３２ＡのＯＰＥ特性を、図１のホストコンピュータ３３において空間像のシミュレーションによって求めるものとする。そのために、ホストコンピュータ３３には光学シミュレーション用のソフトウェアが登録されている。なお、露光装置３２ＡのＯＰＥ特性を制御装置３０Ａにおいて光学シミュレーションによって求めても良い。
【００５５】
このシミュレーションのための露光条件を、露光波長が１９３ｎｍ、投影光学系１８Ａの開口数ＮＡが０．６０、照明光学系３１Ａのコヒーレンスファクタ（σ値）が０．７５、輪帯照明を行うものとして照明輪帯比が０．６７とした。また、図１１の各ラインパターン５２，５４及び孤立パターン５５の線幅Ｄを、像面上に換算した値で１４０ｎｍとした。更に、簡単のために、投影光学系１８Ａは無収差であるとして、像面上での各ピッチ毎のＬ＆Ｓパターンの中央のラインパターンの投影像（空間像）の線幅を計算した。
【００５６】
図１２は、図１１のＯＰＥ特性計測用レチクルＴＲの空間像ＴＲＷを示し、この図１２において、図１１のＬ＆Ｓパターン５１，５３及び孤立パターン５５の投影像５１Ｗ，５３Ｗ，５５Ｗの光量分布を計算し、これらの中で中央のラインパターンに対応する像５２Ｗ，５４Ｗ，５５Ｗの線幅ｅ１，ｅ２，ｅ３を計算によって求めた。なお、図１２では、説明の便宜上、投影光学系１８Ａが正立像を形成するものとしてしている。実際には、例えば異なる１０個のピッチのＬ＆Ｓパターンの投影像に対して、それぞれ中央のラインパターンの像の線幅を計算した。
【００５７】
図１３は、その空間像シミュレーションの結果を示し、この図１３において、折れ線Ｃ７は、最も小さいピッチの計算結果６１から最も大きいピッチ（実質的に孤立パターン）の計算結果６２を含む１０個のピッチに関して、実際に計算された線幅を結んでいる。また、図１３において、横軸は投影されるＬ＆Ｓパターンのピッチｐを像面上での長さに換算した値（ｎｍ）であり、縦軸はそのピッチｐのＬ＆Ｓパターンの中央のラインパターンの像の線幅ｅ（ｎｍ）である。これは、以下の図１５、図１６でも共通である。
【００５８】
図１３の線幅のピッチ依存性（ＯＰＥ特性）より、投影光学系１８Ａがたとえ無収差であっても、Ｌ＆Ｓパターンのピッチｐが変わると、レチクル上で同じ線幅のラインパターンであっても、像面上では違う線幅の像になることが分かる。更に実際には、図１の投影光学系１８Ａには僅かな収差が残存しているため、予め投影光学系１８Ａの波面収差を実測によって求めておき、その波面収差のデータをも用いて上記のシミュレーションを行うことで、図１の露光装置３２Ａに固有のＯＰＥ特性を求めることができる。
【００５９】
また、投影光学系１８Ａのフレア量が多くなると、ポジ型のレジスト上に遮光パターンの像を投影した場合に、その像に対応するレジストパターンの線幅は細くなる。即ち、投影光学系１８ＡのフレアによってもＯＰＥ特性は変化するため、図１のホストコンピュータ３３には、投影光学系１８Ａのフレア量に応じて変化するＯＰＥ特性を求める（予測する）ためのソフトウェアも備えられている。
【００６０】
この場合、予め投影光学系１８Ａのフレア量が種々の場合につきＯＰＥ特性をシミュレーション又は実測によって求め、このようにして求めたＯＰＥ特性を複数のフレア量に対応させて記憶しておき、フレア計測を行ったときには、フレア量の計測値に基づいて例えば補間計算によってＯＰＥ特性を求めるようにしてもよい。同様にして、露光装置３２Ｂについても、ホストコンピュータ３３においてそのフレア量を考慮した場合のＯＰＥ特性を求めることができる。
【００６１】
［ＯＰＥ特性の調整方法の説明］
次に、図１の露光装置３２Ａ，３２Ａの設定可能な露光条件には、投影光学系１８Ａ，１８Ｂの開口数ＮＡ（以下、「投影ＮＡ」と言う。）、照明光学系３１Ａ，３１Ｂによる照明条件（通常、２極、４極、輪帯、小σ等）、照明光学系３１Ａ，３１Ｂのσ値（以下、「照明シグマ」と言う。）、輪帯照明時の照明輪帯比、露光波長λ、露光波長の半値幅、露光光ＩＬＡ，ＩＬＢの露光量、デフォーカス量、像面に対してウエハの上面（ウエハ面）を傾けて走査露光する場合におけるウエハ面の傾き量、ウエハＷ上のフォトレジスト（感光材料）の種類、及びフォトレジストの厚さ等がある。本例では、これらの露光条件のいずれかを変えることによって図１の露光装置３２Ａ，３２Ｂの投影像の線幅のピッチ依存性（ＯＰＥ特性）を所定範囲で、即ち両者のＯＰＥ特性をマッチングさせるように調整する。
【００６２】
一例として、本例では、フレア量がより少ない露光装置を基準となる露光装置として、別の露光装置のＯＰＥ特性がその基準となる露光装置のＯＰＥ特性に近付くように、その別の露光装置のＯＰＥ特性を調整する。
図１４は、投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比を変化させたときの露光装置３２ＡのＯＰＥ特性の変化率の一例を示し、図１４において、折れ線Ｃ１４，Ｃ１５及びＣ１６はそれぞれ投影ＮＡの変化（０．０１）に対する空間像の線幅の変化量（変化率）（ｎｍ）、照明シグマの変化（０．０１）に対する空間像の線幅の変化量（変化率）（ｎｍ）、及び照明輪帯比の変化（０．０１）に対する空間像の線幅の変化量（変化率）（ｎｍ）である。図１４の横軸はＬ＆Ｓパターンの像面上に換算したピッチ（ｎｍ）であり、その縦軸は空間像の線幅の変化率（ｎｍ）である。図１４より、投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比を変化させたときのＯＰＥ特性の変化率は互いに違うことが分かる。同様に、他の露光条件を変化させた場合のＯＰＥ特性の変化率も求められ、これらのＯＰＥ特性の変化率の情報は、図１の制御装置３０Ａ内の記憶装置に記憶されている。
【００６３】
このように、投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比等の露光条件の変化によってそれぞれＯＰＥ特性が変化するということは、それらの露光条件によってパターンの形成状態又は露光装置の露光性能が変化することを意味する。従って、それらの露光条件自体をもそれぞれパターンの形成状態又は露光性能とみなすこともできる。
次に、図１５の点線の折れ線で示すＯＰＥ特性Ｃ１８は、図１の露光装置３２Ａの投影光学系１８Ａに所定のフレアがある場合のＯＰＥ特性の評価（予測）結果を示す。この場合の露光条件（露光波長：１９３ｎｍ、投影ＮＡ：０．６０、照明シグマ：０．７５、照明輪帯比：０．６７、ラインパターンの線幅：１４０ｎｍ）は、図１３の場合と同じである。これに対して、図１５の実線の折れ線で示すＯＰＥ特性Ｃ１７は、図１の基準となる第２の露光装置３２Ｂについて、フレアの計測結果を考慮して求められたＯＰＥ特性であるとする。図１の投影光学系１８Ａと投影光学系１８Ｂとはフレア量等が異なっているため、対応する２つのＯＰＥ特性Ｃ１７，Ｃ１８も異なっている。
【００６４】
なお、図１５において、パターンピッチの最小値ｐ１（＝２８０ｎｍ）ではＯＰＥ特性Ｃ１７，Ｃ１８は合致しているが、これは最小ピッチｐ１においてレジストパターンの線幅が等しくなるように、露光量を制御するためである。これとは異なり、例えばパターンピッチの最大値ｐ３（＝１５４０ｎｍ）において、ＯＰＥ特性Ｃ１７，Ｃ１８が合致するように露光量を制御することも可能である。
【００６５】
本例では、露光装置３２Ａの投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比を変化させることで、露光装置３２ＡのＯＰＥ特性Ｃ１８を、その基準となる露光装置３２ＢのＯＰＥ特性Ｃ１７に近づけることを考える。その投影ＮＡは可変開口絞り３９Ａによって調整でき、照明シグマ及び照明輪帯比は上述の調整光学系４３Ａによって調整できる。
なお、本例では、投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比等の露光条件の変化量は、ＯＰＥ特性以外の特性、例えば投影光学系１８Ａの歪曲収差及び解像度等の所定の結像特性には実質的に影響を与えない範囲で設定される。そのように投影光学系１８Ａの所定の結像特性に実質的に影響を与えない範囲の投影ＮＡ、及び照明シグマの変化量は、一例としてそれぞれ±０．０５以内程度、その所定の結像特性に実質的に影響を与えない範囲の照明輪帯比の変化量は、一例として±０．２以内程度である。
【００６６】
ここでは、図１の露光装置３２Ａの投影ＮＡ及び照明シグマを同時に調整して、パターンピッチｐ３でのＯＰＥ特性Ｃ１８とパターンピッチｐ２（＝４９０ｎｍ）でのＯＰＥ特性Ｃ１８とを、同時に基準となる露光装置３２ＢのＯＰＥ特性Ｃ１７と一致させることを考える。このためには、制御装置３０Ａは、図１５の状態を開始点として、図１４の折れ線Ｃ１４及びＣ１５のＯＰＥ特性の変化率を用いて、パターンピッチｐ２及びｐ３でＯＰＥ特性Ｃ１８をＯＰＥ特性Ｃ１７に一致させるための投影ＮＡ及び照明シグマの変化量を計算する。この結果、投影ＮＡの変化量は０．０１、照明シグマの変化量は０．０３となる。
【００６７】
図１６のＯＰＥ特性Ｃ２４は、そのように図１５の状態から投影ＮＡを０．６０から０．６１に、照明シグマを０．７５から０．７８に調整した場合の露光装置３２ＡのＯＰＥ特性を示す。また、図１６のＯＰＥ特性Ｃ１７は、図１５の基準となるＯＰＥ特性Ｃ１７と同じである。
図１６の領域Ｃ２６，Ｃ２７から分かるように、露光装置３２Ａの投影ＮＡ、照明シグマ、及び露光量を同時に調整することで、３つのパターンピッチｐ１，ｐ２及びｐ３において、露光装置３２ＡのＯＰＥ特性Ｃ２４と、基準となる露光装置３２ＢのＯＰＥ特性Ｃ１７とを一致させることができる。また、調整すべきパターンピッチが４つ以上ある場合には、ＯＰＥ特性全体の標準偏差が最小になるような投影ＮＡ、照明シグマ、照明輪帯比の組み合わせを、自乗平均法等などにより最適化して導くことができる。更に、露光条件として、上記の全部の露光条件を変化させることによって、更に多くのピッチでＯＰＥ特性を合わせることができる。そして、図１の制御装置３０Ａは、そのようにして調整された露光条件を実際に設定して、その後のウエハＷ１に対する露光を行う。
【００６８】
［複数の露光装置の結像特性等の調整方法の説明］
次に、図１の２台の露光装置３２Ａ及び３２Ｂの結像特性等の調整方法の一例につき図１７のフローチャートを参照して説明する。この調整は、例えば１週間又は１箇月に１回程度で定期的に実行される。
先ず図１７のステップ１０１において、その２台の露光装置３２Ａ，３２Ｂのそれぞれのフレア量を計測する。このためには、上述のように図５（Ａ）のテストレチクルＲＴ１及びＲＴ２をそれぞれ図１のレチクルステージ１３Ａ及び１３Ｂ上にロードして、フレア評価マーク群ＭＰnの像を空間像計測系５９Ａ及び５９Ｂのスリットで相対走査して光電変換信号を検出し、式（１）又は式（２）から投影光学系１８Ａ及び１８Ｂの視野内の複数箇所又は特定の代表的な１箇所のフレア量を求めればよい。計測された露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレア量の情報は、それぞれ制御装置３０Ａ及び３０Ｂを介してホストコンピュータ３３に通知される。
【００６９】
次のステップ１０２において、ホストコンピュータ３３では、供給された露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレア量がそれぞれ予め定められている許容範囲内か否かを判定する。露光装置３２Ａ，３２Ｂのうち少なくとも一方の露光装置（仮に露光装置３２Ａとする。）のフレア量がその許容範囲を超えている場合には、動作はステップ１１０に移行して、ホストコンピュータ３３はその露光装置３２Ａの制御装置３０Ａにフレア量がその許容範囲を超えている旨の情報を通知する。これに応じて、制御装置３０Ａでは例えばオペレータに投影光学系１８Ａのフレア量が許容範囲を超えた旨の警告を発する。そして、オペレータは、投影光学系１８Ａのフレア発生の要因になる恐れのある特定の光学部材、例えばレチクル側及び／又はウエハ側の特定のレンズ（平行平面板等でもよい）に付着している異物を除去するためのクリーニングを行う。そのクリーニングは、一例としてそのレンズ表面を所定の溶剤で拭き取ることによって行われる。
【００７０】
また、図１の露光装置３２Ａの露光光ＩＬＡがパルス紫外光である場合には、そのクリーニングの別の例として、レチクルを介することなく露光光ＩＬＡを投影光学系１８Ａに直接照射する光洗浄を行ってもよい。
投影光学系１８Ａのレンズのクリーニングが終了した後、動作は再びステップ１０１に戻り、クリーニングが終了した露光装置３２Ａにおいてフレア量を計測する。露光装置３２Ａについては、フレア量の計測結果がその許容範囲内になるまでステップ１０２，１１０，１０１が繰り返される。そして、ステップ１０２において、２台の露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレア量がともに許容範囲内であるときに、動作はステップ１０３に移行して、ホストコンピュータ３３は２台の露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレア量を比較する。なお、例えば投影光学系１８Ａ及び１８Ｂがともにクリーニングされてからそれ程期間が経過しておらず、投影光学系１８Ａ及び１８Ｂのフレア量が少ないと予測されるような場合には、ステップ１０２及び１１０の動作、即ちフレア量が許容範囲を超えたか否かの判定、及び露光装置の投影光学系のレンズのクリーニングは省略することが可能である。
【００７１】
次のステップ１０４において、図１のホストコンピュータ３３は、制御装置３０Ａ及び３０Ｂから通知されたフレア量の計測結果の情報を用いて、上述のように光学シミュレーションによって露光装置３２Ａ及び３２ＢのＯＰＥ特性を計算（予測）する。この結果、露光装置３２Ａ及び３２Ｂの予測されるＯＰＥ特性は、一例としてそれぞれ図１５のＯＰＥ特性Ｃ１８及びＣ１７となる。そして、露光装置３２Ａ及び３２ＢのＯＰＥ特性の予測結果はそれぞれホストコンピュータ３３から露光装置３２Ａ及び３２Ｂの制御装置３０Ａ及び３０Ｂに通知される。なお、ステップ１０３及び１０４の動作は順序が逆でもよく、それらの動作を異なるコンピュータを用いて少なくとも部分的に並行して実行してもよい。
【００７２】
次のステップ１０５において、ホストコンピュータ３３は、露光装置３２Ａ及び３２Ｂのうちから、基準となる露光装置として、フレア量の計測値が最も少ない露光装置（ここでは露光装置３２Ｂとする。）を選択する。なお、例えば図５（Ａ）のＮ個のフレア評価マーク群ＭＰnについてフレア量を計測した場合には、それらのフレア量の平均値を比較してもよい。また、露光装置３２Ａ及び３２Ｂのフレア量の平均値がほぼ等しい場合には、例えばフレア量のばらつき（標準偏差）が小さい方の露光装置を基準としてもよい。ただし、例えば解像度がより高い投影光学系を持つ露光装置等を基準とすることも可能である。
【００７３】
次のステップ１０６において、ホストコンピュータ３３は、露光装置３２Ａ及び３２Ｂの制御装置３０Ａ，３０Ｂに対して、基準となる露光装置のＯＰＥ特性の情報及びＯＰＥ特性をマッチングさせるための指令を通知する。具体的に、ここでは第２の露光装置３２Ｂが基準となる露光装置であるため、ホストコンピュータ３３はその第２の露光装置３２Ｂの制御装置３０Ｂに対しては、単にこの露光装置３２Ｂが基準となる露光装置に選択された旨の情報を通知し、これに応じて制御装置３０ＢはＯＰＥ特性をそれまでの状態に維持して露光を行う。
【００７４】
一方、ホストコンピュータ３３は第１の露光装置３２Ａの制御装置３０Ａに対しては、第２の露光装置３２ＢのＯＰＥ特性の予測結果の情報を通知し、かつ露光装置３２ＡのＯＰＥ特性をその露光装置３２ＢのＯＰＥ特性に対して所定の複数のパターンピッチ（本例では図１６に示す３つのピッチｐ１，ｐ２，ｐ３）で、それぞれ所定の許容範囲内で合致させるように指令を通知する。これに応じて、制御装置３０Ａは、上述のように図１の調整光学系４３Ａ及び可変開口絞り３９Ａを介して投影ＮＡ、照明シグマ、及び照明輪帯比（照明条件）のいずれかを調整し、必要に応じて露光量をも調整することによって、図１６に示すように、露光装置３２ＡのＯＰＥ特性Ｃ２４を３つのピッチｐ１，ｐ２，ｐ３においてその許容範囲内で露光装置３２ＢのＯＰＥ特性Ｃ１７に合致させる。
【００７５】
この後は、図１の露光システムの２つの露光装置３２Ａ及び３２ＢのＯＰＥ特性、ひいては線幅均一性は互いにほぼ等しくなる。この調整工程の完了後、第１の露光装置３２Ａによってウエハ上の第１のレイヤにレチクルＲ１のパターン像を投影して回路パターンを形成した後、第２の露光装置３２Ｂによってそのウエハ上の第２のレイヤにレチクルＲ２のパターン像を投影して回路パターンを形成するというミックス・アンド・マッチ方式のデバイス製造工程が実行される。
【００７６】
このように本例の露光システムにおいては、２台の露光装置３２Ａ，３２Ｂ間でフレア量が所定の許容範囲内で異なっている場合に、露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレア自体を修正することなく、そのフレア量が異なることに起因するＯＰＥ特性（パターンの形成状態又は露光性能の一例）の相違を低減させるように、露光装置３２Ａ，３２ＢのＯＰＥ特性を調整又は管理している。従って、フレアの影響を抑制して、露光装置３２Ａ，３２Ｂ間のＯＰＥ特性のマッチングを効率的に行うことができる。
【００７７】
また、本例の露光システムによれば、ウエハ上の第１のレイヤに露光装置３２Ａを用いて第１の回路パターンを形成した後、そのウエハ上の第２のレイヤに露光装置３２Ｂを用いて第２の回路パターンを形成した場合に、その第１及び第２の回路パターンの重ね合わせ精度を高く維持できる。従って、例えばミックス・アンド・マッチ方式を用いて高いスループットで、かつ高精度に半導体デバイスを製造できる。
【００７８】
なお、本例では、パターンの形成状態又は露光性能の一例としてＯＰＥ特性（パターンの線幅均一性）を用いているが、パターンの形成状態又は露光性能として、照明条件（照明シグマ、照明輪帯比等）、投影光学系の結像特性（投影ＮＡ等）、又は露光量等を用いてもよい。
また、本例では露光装置３２Ａ，３２Ｂのフレアに関する情報として投影光学系１８Ａ，１８Ｂの視野内の複数の位置でのフレア量（ローカルフレアとグローバルフレアとを合わせたフレアの量）、又はローカルフレア量及びグローバルフレア量を用いているが、フレアに関する情報として、ローカルフレア量又はグローバルフレア量のいずれか一方を用いてもよい。
【００７９】
なお、本例の図１の露光システムは、３台以上の露光装置を備えてもよいと共に、これら複数の露光装置の少なくとも１台の露光装置は、一括露光型の投影露光装置（ステッパー）であってもよい。この場合でも、例えばフレア量が少ない露光装置のパターンの形成状態に合わせて他の露光装置のパターンの形成状態を調整することによって、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、例えば半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいてレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。
【００８１】
また、本発明は、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されている液浸型露光装置で露光を行う場合にも適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）、有機ＥＬ、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、ＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明によれば、複数の露光装置間のパターンの形成状態又は露光性能のマッチング等を効率的に行うことができるため、例えばミックス・アンド・マッチ方式で各種デバイスを効率的に、かつ高精度に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施形態の一例の露光システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１の投影光学系１８Ａの結像特性補正機構及び空間像計測系を示す一部を切り欠いた図である。
【図３】図２のスリット板９０Ａのスリットの配置の一例を示す拡大図である。
【図４】空間像計測の際に得られる光電変換信号の一例を示す図である。
【図５】（Ａ）はフレア計測用テストレチクルのマーク配置の一例を示す平面図、（Ｂ）は図５（Ａ）のフレア評価マーク群ＭＰnの拡大図である。
【図６】図５（Ｂ）のフレア評価マークＭＰn,1を示す拡大図である。
【図７】（Ａ）は遮光パターンの像の内部のフレアによる光強度分布の一例を示す図、（Ｂ）は図７（Ａ）の光強度分布に対応する遮光パターンの像を示す図である。
【図８】図６のフレア評価マークの像ＭＰn,1’と図３のスリット２９ｘ，２９ｙとの相対移動の一例を示す拡大図である。
【図９】遮光パターンの像の光強度分布の一例を示す図である。
【図１０】フレア評価マークの像の別の例を示す拡大図である。
【図１１】ＯＰＥ特性の評価用パターンの一例を示す拡大図である。
【図１２】図１１のパターンの投影光学系を介した投影像を示す拡大図である。
【図１３】投影光学系１８Ａが無収差であるとした場合の露光装置３２ＡのＯＰＥ特性のシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図１４】投影ＮＡ、照明シグマ、照明輪帯比をそれぞれ０．０１変化させたときの、ＯＰＥ特性の変化を示す図である。
【図１５】フレアがある場合の露光装置３２Ａ及び３２ＢのＯＰＥ特性のシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態において、投影ＮＡと照明シグマとの両方を使ってＯＰＥ特性を調整した例を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態の露光システムにおける結像特性等の調整動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８４】
Ｒ１，Ｒ２…レチクル、Ｗ１，Ｗ２…ウエハ、１８Ａ，１８Ｂ…投影光学系、１９Ａ，１９Ｂ…ウエハステージ、２９ｘ，２９ｙ…スリット、３０Ａ，３０Ｂ…制御装置、３１Ａ，３１Ｂ…照明光学系、３２Ａ，３２Ｂ…露光装置、３３…ホストコンピュータ、３８Ａ…信号処理装置、３９Ａ，３９Ｂ…可変開口絞り、４３Ａ，４３Ｂ…調整光学系、５９Ａ，５９Ｂ…空間像計測系、９０Ａ，９０Ｂ…スリット板、９４…光電センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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