(57)【要約】【課題】半導体センサチップを囲む電磁シールドを簡便に形成することができる半導体装置を提供する。【解決手段】上面３ａに半導体センサチップ５を固定する基板３と、基板３の上方を覆って中空空間Ｓ２を形成する導電性の上部蓋体９と、半導体センサチップ５の下方に配される導電性の下部シールド部１１とを備え、上部蓋体９が前記上面３ａに対向して配される天板部９ａと、天板部９ａの周縁略全体から前記基板３の厚さ方向に延出すると共に基板３の側面３ｃに隣り合って配される側壁部９ｃとを備え、該側壁部９ｃと前記下部シールド部１１とが基板３の側面３ｃにおいて接触し、下部シールド部１１が基板３の外側に突出するシールド用接続端子に接続されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加えられた圧力によって変形し、該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムを備えた半導体センサチップを有する半導体装置であって、
上面に前記半導体センサチップを固定する基板と、該基板の上方を覆って中空空間を形成する導電性の上部蓋体と、前記半導体センサチップの下方に配される導電性の下部シールド部とを備え、
前記上部蓋体と前記下部シールド部とが相互に電気接続され、
前記上部蓋体及び前記下部シールド部の少なくとも一方が、前記基板の外側に露出するシールド用接続端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上部蓋体が、前記上面に対向して配される天板部と、該天板部の周縁略全体から前記基板の厚さ方向に延出すると共に前記基板の側面に隣り合って配される側壁部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上部蓋体の側壁部と前記下部シールド部とが、前記基板の側面において相互に接触していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記側壁部が、接着剤を介して前記基板の側面に接着されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記下部シールド部が、前記基板の下面に配される下部蓋体を備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記下部シールド部が、前記基板を構成する樹脂層に封止される略板状のステージ部を備え、
該ステージ部が、前記樹脂層の側面から外方に突出する延出部を備え、
該延出部が、前記側壁部と接触していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ステージ部の一部が、前記基板の上面をなすことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記シールド用接続端子が、前記上部蓋体若しくは前記下部シールド部と一体に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの両側に、前記半導体チップと電気的に接続されると共に前記基板の側面から突出する複数のリードが一列ずつ並べて配されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記下部シールド部が、前記基板の略全面にわたって形成されていることを特徴とする請求項１から請求項９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音圧センサチップ等の半導体センサチップを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン半導体を用いて製造される、例えばシリコンマイクなどの半導体装置には、略矩形板状に形成されその表面から裏面に向けて窪む凹状部を備えた半導体センサチップをプリント基板上に実装して構成したものがある。この半導体装置において、半導体センサチップは、凹状部により薄肉化された部分が例えばブリッジ抵抗回路を備えたダイヤフラム（可動電極）とされ、音圧などの圧力が加わるとダイヤフラムに変位やひずみ（以下、変位という）が生じ、ブリッジ抵抗回路がこの変位を電気抵抗の変化として捉え、変位の大きさに応じた電気抵抗の変化に基づいて圧力を検出することが可能とされている。
【０００３】
また、この種の半導体装置は、プリント基板の表面（上面）にカバー（蓋体）が設置され、このカバーで画成された空間内に半導体センサチップを収容するように構成されている。このカバーには、空間内と外部とを連通させる開口部が設けられ、開口部を通じて外部で生じた音圧等の変動する圧力を空間内に導き半導体センサチップに到達させることが可能とされている。さらに、カバーには、内面に導電性層が設けられ、開口部以外の部分を通じて空間内に侵入しようとする電磁気的なノイズをこの導電性層の電磁シールドで遮断することが可能とされている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。したがって、半導体センサチップが導電性層によって覆われない部分、すなわち、上記空間内へのノイズ侵入を許す領域は、小さくすることが好ましい。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【特許文献２】米国特許第６７８１２３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の半導体装置においては、半導体装置を例えば携帯電話機などの回路基板に実装する際に、カバーの導電性層と回路基板とを電気的に接続するための工夫が必要であった。
【０００５】
本発明は、上記事情を鑑み、簡便に電磁シールドを形成することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、加えられた圧力によって変形し、該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムを備えた半導体センサチップを有する半導体装置であって、上面に前記半導体センサチップを固定する基板と、該基板の上方を覆って中空空間を形成する導電性の上部蓋体と、前記半導体センサチップの下方に配される導電性の下部シールド部とを備え、前記上部蓋体と前記下部シールド部とが相互に電気接続され、前記上部蓋体及び前記下部シールド部の少なくとも一方が、前記基板の外側に露出するシールド用接続端子に接続されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
【０００７】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記上部蓋体が、前記上面に対向して配される天板部と、該天板部の周縁略全体から前記基板の厚さ方向に延出すると共に前記基板の側面に隣り合って配される側壁部とを備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
【０００８】
これらの発明に係る半導体装置を回路基板に実装する際には、基板の外側に突出したシールド用接続端子を回路基板の接続端子に電気接続するだけで、導電性を有する上部蓋体及び下部シールド部を回路基板のグランドパターンと電気的に接続することができるため、中空空間内に侵入しようとする電磁気的なノイズを遮断する電磁シールドを形成することができる。
特に、半導体センサチップは、天板部及び下部シールド部によって基板の厚さ方向から覆われると共に側壁部によって基板の側方から囲まれることになるため、上部蓋体及び下部シールド部によって覆われない部分、すなわち、中空空間内へのノイズの侵入を許す領域を小さくすることが可能となる。したがって、上記電磁シールドのシールド性の向上を簡便に図ることができる。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の半導体装置において、前記上部蓋体の側壁部と前記下部シールド部とが、前記基板の側面において相互に接触していることを特徴とする半導体装置を提案している。
【００１０】
請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記側壁部が接着剤を介して前記基板の側面に接着されることを特徴とする半導体装置を提案している。
この発明に係る半導体装置によれば、上部蓋体を基板に固定するための接着剤が基板の上面側に塗布されることはないため、接着剤が中空空間の内部に漏れ出すことを防止できる。
【００１１】
請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記下部シールド部が前記基板の下面に配される下部蓋体を備えることを特徴とする半導体装置を提案している。
この発明に係る半導体装置によれば、基板の下面に下部蓋体を取り付けるだけで、半導体センサチップの下方を覆う電磁シールドをより簡便に形成することができる。
【００１２】
また、この種の半導体装置においては、ダイヤフラムが基板の上面に対向するように半導体センサチップが配置されるため、ダイヤフラムと基板の上面との間に空洞部が形成されることになる。ここで、空洞部の容積が小さい場合には、上記空洞部の空気バネ定数が大きくなってダイヤフラムが振動しにくくなるため、ダイヤフラムの変位量が小さくなって圧力変動を精度良く検出することができなくなる。したがって、ダイヤフラムに対向する基板の上面から窪む穴部を樹脂層に形成して、上記空洞部の容積拡大を図ることが好ましい。なお、この空洞部は半導体装置の外方空間に対して密閉されている必要がある。
ここで、上記構成の半導体装置では、基板の下面が下部蓋体により覆われているため、上述した穴部を基板の上面から下面まで貫通させても、穴部が半導体装置の外方空間に連通することはない、すなわち、上記空洞部を容易に拡大することができる。
【００１３】
請求項６に係る発明は、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記下部シールド部が、前記基板を構成する樹脂層に封止される略板状のステージ部を備え、該ステージ部が、前記樹脂層の側面から外方に突出する延出部を備え、該延出部が、前記側壁部と接触していることを特徴とする半導体装置を提案している。
【００１４】
請求項７に係る発明は、請求項６に記載の半導体装置において、前記ステージ部の一部が、前記基板の上面をなすことを特徴とする半導体装置を提案している。
【００１５】
請求項８に係る発明は、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記シールド用接続端子が前記上部蓋体若しくは前記下部シールド部と一体に形成されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
【００１６】
請求項９に係る発明は、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記半導体チップの両側に、前記半導体チップと電気的に接続されると共に前記基板の側面から突出する複数のリードが一列ずつ並べて配されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
【００１７】
請求項１０に係る発明は、請求項１から請求項９に記載の半導体装置において、前記下部シールド部が、前記基板の略全面にわたって形成されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１及び請求項２に係る発明によれば、上部蓋体の側壁部が基板の側面の略全体に隣り合って配されるため、上部蓋体を基板に取り付ける際に、基板に対する上部蓋体の位置決めを容易に行うことができる。また、上部蓋体を取り付けた状態で上部蓋体及び下部シールド部が相互に電気接続されるため、手間をかけずに上述した電磁シールドを容易に構成することが可能となる。
【００１９】
請求項３に係る発明によれば、上部蓋体及び下部シールド部を基板の側面において相互に接触させる構成となっているため、上部蓋体及び下部シールド部を基板に取り付けるだけで、上述した電磁シールドをさらに容易に構成することが可能となる。
【００２０】
また、請求項４に係る発明によれば、接着剤が中空空間内に漏れ出すことを防止できるため、上記接着剤に基づいて中空空間の容積や中空空間の形状が変化することを防ぎ、上記変化に伴って半導体センサチップのダイヤフラムの音響特性に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００２１】
また、請求項５に係る発明によれば、導電性を有する下部蓋体を基板の下面に配置することで、半導体センサチップの下方を覆う電磁シールドをより簡便に形成することができると共に、半導体センサチップの下方側に形成される空洞部の容積拡大を容易に図ることができる。
【００２２】
また、請求項６及び請求項７に係る発明によれば、上部蓋体の側壁部をステージ部の延出部と接触させるだけで、半導体センサチップの上方、下方並びに側方を覆う電磁シールドをさらに簡便に形成することができる。
【００２３】
また、請求項７に係る発明によれば、半導体センサチップを設置する基板の上面を容易に平坦に形成することができるため、半導体センサチップを容易に基板の上面に設置することが可能となる。
また、下部シールド部が半導体センサチップを配するステージ部及び下部蓋体の両方を備える場合には、樹脂層に形成される上記穴部を半導体センサチップの大きさよりも大きく形成することができる。すなわち、ステージ部には、ダイヤフラムに対向すると共に半導体センサチップよりも小さく樹脂層の穴部に連通する貫通孔を形成しておくことで、半導体センサチップの設置面を確保することができると共に、樹脂層の穴部をステージ部の貫通孔よりも大きく形成することができる。したがって、空洞部の容積拡大をさらに図ることができる。
【００２４】
また、請求項８に係る発明によれば、上部蓋体若しくは下記シールド部とシールド用接続端子とを一体的に形成しておくことにより、電磁シールドをさらに容易に形成することができる。
【００２５】
また、請求項９に係る発明によれば、複数のリードの配列方向の両端に位置する基板の側面にはリードが配されないため、リードを配さない基板の側面において、上部蓋体と下部シールド部とを相互に接触させることができる。すなわち、上部蓋体の側壁部と下部シールド部との接触領域を、リードを配さない基板の側面全体に拡大することができる。
以上のことから、上部蓋体と下部シールド部とにより半導体センサチップを包み込む領域をさらに拡大させて、中空空間内へのノイズ侵入を許す領域をさらに小さくすることができるため、電磁シールドのシールド性をさらに向上させることができる。
【００２６】
また、請求項１０に係る発明によれば、中空空間の下方側の略全体が下部シールド部によって覆われることになり、中空空間内へのノイズの侵入を許す領域をさらに小さくすることができるため、電磁シールドのシールド性のさらなる向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図１から図３を参照し、本発明の第１実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、特にここではリードフレームを用いて製造される表面実装型の半導体装置のうちＳＯＰ（Small Outline package）タイプの半導体装置で実施例を説明する。
本実施形態の半導体装置１は、図１から図３に示すように、平面視略矩形の板状に形成された基板３と、基板３の上面３ａに配された半導体センサチップ５及び増幅器７と、半導体センサチップ５及び増幅器７のさらに上方から基板３に重ねて配された上部蓋体９と、半導体センサチップ５及び増幅器７の下方に配されて基板３の上面３ａをなす略板状のステージ部（下部シールド部）１１とを備えている。
【００２８】
基板３は、上記ステージ部１１の両側に、配される複数のリード１３，１５と、ステージ部１１及びリード１３，１５を一体的に固定して封止する樹脂モールド部（樹脂層）１９とを備えている。
複数のリード１３，１５は、それぞれ略平板状の帯状に形成されており、半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向に沿って複数（図示例では３つ）ずつ等間隔に並べて配されている。各リード１３，１５の一端部１３ａ，１５ａは、樹脂モールド部１９と共に平坦な基板３の上面３ａをなすようにステージ部１１に隣り合って配されている。また、各リード１３，１５の他端部１３ｂ，１５ｂは、複数のリード１３，１５の配列方向に延びる基板３の側面３ｂから基板３の外方に突出して配されている。
これらリード１３，１５は、半導体装置１を回路基板（不図示）に実装する際に、回路基板の接続端子に半田付けする外部接続端子としての役割を果たすものである。
【００２９】
上述した複数のリード１３，１５は、ステージ部１１から切り離されたチップ接続用リード１３と、ステージ部１１と一体に形成されるグランド接続用リード（シールド用接続端子）１５とに分けられている。
チップ接続用リード１３は、半導体センサチップ５や増幅器７と電気的に接続するためのものであり、本実施形態においては複数（図示例では５つ）形成されている。また、グランド接続用リード１５は、半導体装置１を実装する回路基板のグランドパターンと接続されるものであり、上述した複数のチップ接続用リード１３に隣り合う位置に１つ配されている。
【００３０】
ステージ部１１は、例えば銅材などの導電性材料により形成されており、半導体センサチップ５や増幅器７の下方側において基板３の略全面にわたって形成されている。ここで、基板３の略全面とは、図示例のように少なくとも半導体センサチップ５、増幅器７及びこれらを相互に電気接続するワイヤー２１を含めた領域であればよいが、例えば基板３の上面３ａの全体を含む領域であっても良い。
また、ステージ部１１のうちリード１３，１５の配列方向に延びる両端が、リード１３，１５の配列方向に直交する基板３の側面３ｃから外方に突出している。この突出部分はステージ部１１の延出部１１ａ，１１ｂをなしている。なお、延出部１１ａ，１１ｂが突出する基板３の側面３ｃには上述したリード１３，１５が配されていない。また、基板３の側面３ｃから突出する延出部１１ａ，１１ｂの突出長さは、１ｍｍ以下程度となっている。
以上のように構成されたステージ部１１、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５は、同一のリードフレームによって形成されるものである。
【００３１】
樹脂モールド部１９は、基板３の上面３ａ及び下面３ｄをなすように、平面視略矩形の板状に形成されている。また、樹脂モールド部１９には、基板３の上面３ａの周縁に該上面３ａから上方に突出する略環状の突部１９ａが形成されている。
突部１９ａは、その突出方向先端側に向かうに従いその幅が漸次小となるように形成されており、この突部１９ａによって樹脂モールド部１９の上面３ａ側に、凹部１９ｂが画成されることになる。また、突部１９ａには、ステージ部１１、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５の中途部１１ｃ，１３ｃ，１５ｃが封止されている。なお、ステージ部１１の中途部１１ｃとは、半導体センサチップ５及び増幅器７の配置部分と延出部１１ａ，１１ｂとの間に位置する部分を示している。
【００３２】
半導体センサチップ５は、音響を電気信号に変換する所謂音圧センサチップである。すなわち、この半導体センサチップ５は、半導体装置１の外側に位置する外方空間からの音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム５ａを備えている。ダイヤフラム５ａは、半導体センサチップ５の厚さ方向に振動するように構成されている。
そして、この半導体センサチップ５は、音圧を受けてダイヤフラム５ａが振動した際にダイヤフラム５ａの変形を静電容量の変化若しくは電気抵抗の変化として捉え、これら容量や抵抗の変化を電気信号として取り出すように構成されている。
【００３３】
例えば、静電容量変化を電気信号として取り出す場合、半導体センサチップ５はダイヤフラム５ａに対向配置される固定電極（不図示）を備えるコンデンサマイクロフォンとして構成される。そして、ダイヤフラム５ａと固定電極との間隔変化を静電容量変化として捉え、この変化に応じた電気信号を出力することができる。
また、例えば、抵抗変化を電気信号として取り出す場合、ダイヤフラム５ａ自体の変形を電気抵抗の変化として捉え、この変化に応じた電気信号を出力することができる。
【００３４】
この半導体センサチップ５は、ダイヤフラム５ａが基板３の上面３ａに対向するように、絶縁材料からなる接着ペーストＣ１を介して基板３の上面３ａをなすステージ部１１に接着固定されている。これにより、半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａと基板３の上面３ａとの間に空洞部Ｓ１が形成される。なお、上記のように半導体センサチップ５を固定した状態において、空洞部Ｓ１は外方に対して密閉されている。
この半導体センサチップ５は、後述する増幅器７やチップ接続用リード１３の一端部１３ａとワイヤー２１，２３により電気的に接続されている。
【００３５】
増幅器７は、半導体センサチップ５から出力された電気信号を増幅する等の役割を果たすものであり、半導体センサチップ５と同様に接着ペーストＣ２を介して樹脂モールド部１９の上面３ａに固定されている。また、この増幅器７は、チップ接続用リード１３の一端部１３ａとワイヤー２５により電気的に接続されている。
【００３６】
上部蓋体９は、例えば銅材などの導電性材料により形成されており、基板３の上面３ａに対向して配置される略矩形平板状の天板部９ａと、天板部９ａの側端と繋がりつつ垂下した側壁部９ｂ，９ｃとを備えており、開口側を下方に向けた略皿状に形成されている。
天板部９ａは、樹脂モールド部１９に形成された略環状の突部１９ａの上端面に当接するように形成されており、樹脂モールド部１９の凹部１９ｂの開口を覆って半導体センサチップ５及び増幅器７を含む中空空間Ｓ２を形成するようになっている。この天板部９ａには、その厚さ方向に貫通する開口部９ｄが形成されており、この開口部９ｄを介して上記中空空間Ｓ２が半導体装置１の外側に位置する外方空間に連通することになる。
【００３７】
側壁部９ｂ，９ｃは、天板部９ａの周縁略全体にわたって形成されており、樹脂モールド部１９の側面３ｂ，３ｃ側から突部１９ａを覆うように構成されている。ステージ部１１の両側に配される一対の第１の側壁部９ｂは、リード１３，１５が突出する樹脂モールド部１９の側面３ｂに接着剤（不図示）を介して接着されている。
また、半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向の両端部に位置する一対の第２の側壁部９ｃは、ステージ部１１の延出部１１ａ，１１ｂが突出する樹脂モールド部１９の側面３ｃ側に配されており、延出部１１ａ，１１ｂに係合している。すなわち、第２の側壁部９ｃの先端は内側に屈曲されており、これら一対の第２の側壁部９ｃの屈曲部においてステージ部１１の延出部１１ａ，１１ｂが挟み込まれている。これにより、第２の側壁部９ｃと延出部１１ａ，１１ｂとが接触して上部蓋体９のとステージ部１１とが電気接続されることになる。
【００３８】
以上のように構成された半導体装置１の製造方法について、以下に説明する。
本実施形態の半導体装置１を製造する際には、はじめに、銅材等からなる金属製薄板にプレス加工やエッチング加工を施して、ステージ部１１、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５を一体的に連結したリードフレーム（不図示）を形成する。具体的には、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５が、これらの他端部１３ｂ，１５ｂにおいて連結されている。
次いで、樹脂モールド部形成用の金型（不図示）を用いて上記リードフレームを樹脂モールド部１９により封止し、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５を個々に切り分けることで、基板３が形成されることになる。
【００３９】
この基板３の形成完了後には、基板３の上面３ａをなすステージ部１１に接着ペーストＣ１，Ｃ２を介して半導体センサチップ５及び増幅器７を固定し、ワイヤーボンディングにより半導体センサチップ５と増幅器７をワイヤー２１で電気接続すると共に、半導体センサチップ５及び増幅器７とチップ接続用リード１３の一端部１３ａとをワイヤー２３、２５で電気接続する。
最後に、天板部９ａが樹脂モールド部１９の凹部１９ｂの開口を覆うように、上部蓋体９を基板３に固定することで、半導体装置１の製造が完了する。なお、この上部蓋体９の固定は、一対の第１の側壁部９ｂと樹脂モールド部１９の一方の側面３ｂとの接着、及び、一対の第２の側壁部９ｃと樹脂モールド部１９の他方の側面３ｃとの係合により行われる。
【００４０】
以上のように製造された半導体装置１を回路基板（不図示）に実装する際には、半田付け等により、チップ接続用リード１３及びグランド接続用リード１５の一端部１３ａ，１５ａを回路基板の接続端子と電気接続すればよい。
【００４１】
上述したように、半導体センサチップ５及び増幅器７は、上部蓋体９の天板部９ａ及びステージ部１１によって基板３の厚さ方向から覆われると共に上部蓋体９の側壁部９ｂ，９ｃによって基板３の側方から囲まれることになる。また、上部蓋体９がステージ部１１と接触して電気接続されると共に、ステージ部１１がグランド接続用リード１５と一体に形成されている。
したがって、上記半導体装置１を回路基板（不図示）に実装する際には、半田付け等により、グランド接続用リード１５を回路基板のグランドパターンと電気接続するだけで、半導体センサチップ５及び増幅器７を包み込む上部蓋体９及びステージ部１１を回路基板のグランドパターンと電気的に接続することができるため、中空空間Ｓ２内に侵入しようとする電磁気的なノイズを遮断する電磁シールドを形成することができる。
【００４２】
そして、この電磁シールドは、上述したように上部蓋体９及びステージ部１１によって半導体センサチップ５及び増幅器７を包み込んでいるため、上部蓋体９及びステージ部１１によって中空空間Ｓ２が覆われない部分、すなわち、中空空間Ｓ２内へのノイズの侵入を許す領域を小さくすることが可能となる。したがって、上記電磁シールドのシールド性の向上を簡便に図ることができる。
具体的には、上部蓋体９とステージ部１１とを相互に接触させる基板３の側面３ｃには複数のリード１３，１５が配されていないため、上部蓋体９の側壁部９ｃとステージ部１１との接触領域を、リード１３，１５を配さない基板３の側面３ｃ全体に拡大することができる。したがって、上部蓋体９とステージ部１１とにより半導体センサチップ５及び増幅器７を包み込む領域をさらに拡大させて、中空空間Ｓ２内へのノイズ侵入を許す領域を特に小さくすることができるため、電磁シールドのシールド性を飛躍的に向上させることができる。
上述した電磁シールドのシールド性向上は、インピーダンスが高く電磁誘導を受けやすいコンデンサマイクロフォンにより半導体センサチップ５を構成する場合に、特に有効となる。
【００４３】
また、上部蓋体９の側壁部９ｂ，９ｃは、基板３の側面３ｂ，３ｃの略全体に隣り合って配されるため、上部蓋体９を基板３に取り付ける際に、基板３に対する上部蓋体９の位置決めを容易に行うことができる。
さらに、上部蓋体９の第２の側壁部９ｃ及びステージ部１１の延出部１１ａ，１１ｂを基板３の側面３ｃにおいて相互に接触させる構成となっているため、上部蓋体９を基板３に取り付けるだけで、手間をかけずに電磁シールドを容易に構成することが可能となる。
【００４４】
また、上部蓋体９を基板３に固定するための接着剤は、基板３の側面３ｂに塗布すればよい。すなわち、上記接着剤は基板３の上面側に塗布されることがないため、上記接着剤が中空空間Ｓ２の内部に漏れ出すことを確実に防止できる。したがって、この接着剤に基づいて中空空間Ｓ２の容積や中空空間Ｓ２の形状が変化することを防ぎ、上記変化に伴って半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａの音響特性に悪影響を及ぼすことを防止できる。
さらに、半導体センサチップ５及び増幅器７を設置する基板３の上面３ａが、ステージ部１１により形成されているため、この上面３ａを容易に平坦に形成でき、半導体センサチップ５及び増幅器７を容易に基板３の上面３ａに設置することが可能となる。
【００４５】
なお、上述した第１実施形態においては、基板３への上部蓋体９の固定が、一対の第１の側壁部９ｂと樹脂モールド部１９の一方の側面３ｂとの接着、及び、一対の第２の側壁部９ｃと樹脂モールド部１９の他方の側面３ｃとの係合により行われるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも上記接着若しくは上記係合のいずれか一方により行われればよい。
さらに、ステージ部１１は、基板３の上面３ａをなすように配置されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体センサチップ５及び増幅器７の下方側に配されていればよい。すなわち、ステージ部１１は、例えば、樹脂モールド部１９の内部に埋め込まれるとしても構わない。
また、複数のリード１３，１５は、基板３の側面３ｂから外側に突出するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも基板３の外側に露出していればよく、例えば基板３の下面３ｄから外側に露出するとしてもよい。
【００４６】
次に、本発明による第２実施形態について図４から図６を参照して説明する。なお、この第２実施形態の半導体装置は、主として第１実施形態と半導体センサチップ５がステージ部１１とは別のものにより覆われている点についてのみ異なっている。ここでは、主に上記相違点についてのみ説明し、第１実施形態の半導体装置１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４７】
図４から図６に示すように、この実施形態に係る半導体装置３１は、第１実施形態のステージ部１１の代わりに、半導体センサチップ５及び増幅器７の下方側に下部蓋体（下部シールド部）３３を配して構成されている。この下部蓋体３３は、例えば銅材などの導電性材料により形成されており、基板３の下面３ｄ全体に配される平面視略平板状の平板部３３ａと、平板部３３ａの側端と繋がりつつ基板３の上方に突出する側壁部３３ｂ，３３ｃとを備えている。すなわち、下部蓋体３３は、その開口側を上方に向けた略皿状に形成されている。
下部蓋体３３の平板部３３ａは、半導体センサチップ５や増幅器７の下方側において基板３の略全面にわたって形成されている。ここで、基板３の略全面とは、少なくとも半導体センサチップ５、増幅器７及びこれらを相互に電気接続するワイヤー２１を含めた領域であればよいが、図示例のように基板３の上面３ａの全体を含む領域であっても良い。
【００４８】
下部蓋体３３の側壁部３３ｂ，３３ｃは、接着剤（不図示）を介して基板３の側面３ｂ，３ｃに接着されており、これによって下部蓋体３３が基板３に固定されることになる。また、リード１３，１５が配されない基板３の側面３ｃに配される一対の側壁部３３ｃの先端は、上部蓋体９の第２の側壁部９ｃの先端と接触しており、これにより上部蓋体９と下部蓋体３３とが電気接続されることになる。
【００４９】
また、上部蓋体９を構成する第１の側壁部９ｂの先端の一部には、基板３の外側に屈曲する屈曲端子９ｅが形成されている。この屈曲端子９ｅは、上部蓋体９を基板３に取り付けた状態において、グランド接続用リード１５と基板３の厚さ方向に重ねて配されるようになっている。これにより、上部蓋体９とグランド接続用リード１５とが電気接続されることになる。なお、この屈曲端子９ｅは、グランド接続用リード１５に半田付け等により接合されるとしてもよい。
【００５０】
さらに、樹脂モールド部１９には、上面３ａから窪んで下面３ｄまで貫通する穴部１９ｃが形成されており、半導体センサチップ５は上記穴部１９ｃを覆うように基板３の上面３ａに接着固定されている。この状態においては、上記穴部１９ｃを介して半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａと下部蓋体３３の平板部３３ａとが相互に対向して配置されることになる。したがって、半導体センサチップ５、穴部１９ｃ及び平板部３３ａによって空洞部Ｓ１が画定されることになる。この空洞部Ｓ１は外方に対して密閉されている。
なお、この構成の半導体装置３１においては、半導体センサチップ５及び増幅器７が基板３の上面３ａをなす樹脂モールド部１９に固定されるため、接着ペーストＣ１，Ｃ２は導電性を有していても構わない。
【００５１】
この半導体装置３１によれば、第１実施形態と同様に、半導体センサチップ５及び増幅器７は、上部蓋体９及び下部蓋体３３によって基板３の厚さ方向から覆われると共に基板３の側方から囲まれることになるため、上部蓋体９及び下部蓋体３３によって中空空間Ｓ２が覆われない部分、すなわち、中空空間Ｓ２内へのノイズの侵入を許す領域を小さくすることが可能となる。したがって、上記電磁シールドのシールド性の向上を簡便に図ることができる。
具体的には、上部蓋体９と下部蓋体３３とを相互に接触させる基板３の側面３ｃには複数のリード１３，１５が配されていないため、上部蓋体９と下部蓋体３３との接触領域を、リード１３，１５を配さない基板３の側面３ｃ全体に拡大することができる。したがって、上部蓋体９とステージ部１１とにより半導体センサチップ５及び増幅器７を包み込む領域をさらに拡大させて、中空空間Ｓ２内へのノイズ侵入を許す領域を特に小さくすることができる。
【００５２】
さらに、下部蓋体３３の側壁部３３ｂ，３３ｃも、基板３の側面３ｂ，３ｃの略全体に隣り合って配されるため、上部蓋体９を基板３に取り付ける際に、基板３に対する下部蓋体３３の位置決めを容易に行うことができる。
また、上部蓋体９及び下部蓋体３３を基板３に取り付けるだけで、上部蓋体９の第２の側壁部９ｃ及び下部蓋体３３の第２の側壁部３３ｃを基板３の側面３ｃにおいて相互に接触させることができるため、手間をかけずに電磁シールドを容易に構成することも可能となる。
【００５３】
さらに、基板３の下面３ｄに下部蓋体３３を配置することにより、基板３の上面３ａから窪む穴部１９ｃを基板３の下面３ｄまで貫通させることができるため、空洞部Ｓ１の容積拡大を容易に図ることができる。すなわち、空洞部Ｓ１の容積が小さい場合には、上記空洞部Ｓ１の空気バネ定数が大きくなって半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａが振動しにくくなるため、ダイヤフラム５ａの変位量が小さくなって圧力変動を精度良く検出することができなくなるが、下部蓋体３３を設けることでこの空洞部Ｓ１の容積拡大を図ることができる。
なお、この空洞部Ｓ１は半導体装置３１の外方空間に対して密閉されている必要があるが、上記構成の半導体装置３１では、基板３の下面３ｄが下部蓋体３３により覆われているため、穴部１９ｃを基板３の上面３ａから下面３ｄまで貫通させても、穴部１９ｃが半導体装置３１の外方空間に連通することはない。
【００５４】
なお、上述した第２実施形態において、下部蓋体３３は、側壁部３３ｂを基板３の側面３ｂ，３ｃに接着させることで固定されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、側壁部３３ｂにより基板３を挟み込むことで固定されるとしてもよいし、平板部３３ａを基板３の下面３ｄに接着させることで固定されるとしても構わない。
ここで、下部蓋体３３を接着により固定する場合には、基板３の下面３ｄと下部蓋体３３との間に接着剤が配されるため、接着剤の量や塗布領域を適宜設定することで基板３の下面３ｄと下部蓋体３３との間に微小な隙間を形成することができる。これにより、空洞部Ｓ１の気密性を低下させて空洞部Ｓ１の内部圧力を大気圧と略同等に設定することが可能となる。すなわち、半導体装置３１周囲の気圧変化や温度変化に応じて空洞部Ｓ１の内部圧力が増減するため、上記気圧変化や温度変化に基づいてダイヤフラム５ａが変形しなくなる。
【００５５】
ただし、上述した微小な隙間は、空洞部Ｓ１と半導体装置３１の外側の外方空間との間の静圧差に基づく気体の流動を許容し、ダイヤフラム５ａに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止する程度の大きさとする必要がある。
ここで、静圧とは、気体が流動せずに静止した状態における空洞部Ｓ１や外方空間の圧力のことを示している。また、静圧の変化は、単位時間あたりの圧力変化が比較的小さいものであり、例えば、空洞部Ｓ１の加熱・冷却や、半導体センサチップ５を基板３に接着するリフロー時におけるアウトガスの発生等に伴う空洞部Ｓ１の静的な圧力変化や、標高差等に基づく外方空間の静的な気圧変化が、上記静圧変化に含まれる。
また、圧力変動とは、音響等による動的な圧力変化のことを示し、上述した静圧変化よりも単位時間あたりの圧力変化が大きいものが含まれる。すなわち、前述した空洞部Ｓ１の静的な圧力変化や外方空間の静的な気圧変化は、この圧力変動に含まれない。
【００５６】
さらに、上記実施形態においては、上部蓋体９の屈曲端子９ｅがグランド接続用リード１５に接触するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも上部蓋体９若しくは下部蓋体３３のいずれか一方が電気的に接続されていればよい。すなわち、例えば下部蓋体３３に上部蓋体９と同様の屈曲端子を形成してグランド接続用リード１５に接触させるとしても構わない。
【００５７】
次に、本発明による第３実施形態について図７から図９を参照して説明する。なお、この第３実施形態の半導体装置は、主として第２実施形態の半導体装置３１に第１実施形態のステージ部１１を加えた構成となっている。したがって、上述した２つの実施形態の半導体装置１，３１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５８】
図７から図９に示すように、この実施形態に係る半導体装置４１は、第１実施形態と同様に基板３の上面３ａをなすステージ部１１、及び、第２実施形態と同様の下部蓋体３３を備えている。これらステージ部１１及び下部蓋体３３により、半導体センサチップ５及び増幅器７の下方側を覆う下部シールド部が構成されている。
この構成の半導体装置４１においては、上部蓋体９及び下部蓋体３３の第２の側壁部９ｃ，３３ｃの先端が、基板３の側面３ｃから突出するステージ部１１の延出部１１ａ，１１ｂにそれぞれ接触している。これにより、上部蓋体９及び下部蓋体３３がステージ部１１と電気的に接続されることになる。
また、ステージ部１１には、第２実施形態と同様の穴部１９ｃに連通する貫通孔１１ｄが形成されている。すなわち、半導体センサチップ５、ステージ部１１の貫通孔１１ｄ、樹脂モールド部１９の穴部１９ｃ及び下部蓋体３３の平板部３３ａによって空洞部Ｓ１が画定されることになる。
【００５９】
この半導体装置４１によれば、上述した２つの実施形態と同様の効果を奏する。
また、樹脂モールド部１９に形成される穴部１９ｃを半導体センサチップ５の大きさよりも大きく形成することができる。すなわち、ステージ部１１に穴部１９ｃに連通する貫通孔１１ｄを形成しておくことで、半導体センサチップ５の設置面を確保することができると共に、樹脂モールド部１９の穴部１９ｃをステージ部１１の貫通孔１１ｄよりも大きく形成することができる。したがって、空洞部Ｓ１のさらなる容積拡大を図ることが可能となる。
【００６０】
次に、本発明による第４実施形態について図１０から図１２を参照して説明する。なお、この第４実施形態の半導体装置は、第２実施形態の半導体装置３１と上部蓋体の構成について異なっている。ここでは、上部蓋体の構成のみについて説明し、第２実施形態の半導体装置３１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６１】
図１０から図１２に示すように、この実施形態に係る半導体装置５１の上部蓋体５３は、第２実施形態の上部蓋体９と同様に、例えば銅材などの導電性材料により形成されており、基板３の上面３ａに対向して配置される略矩形平板状の天板部５３ａと、天板部５３ａの周縁の略全体から垂下した側壁部５３ｂ，５３ｃとを備えており、開口側を下方に向けた略皿状に形成されている。
そして、天板部５３ａには、中空空間Ｓ２を半導体装置５１の外方空間に連通させる開口部５３ｄが形成されている。さらに、相互に対向する一対の第１の側壁部５３ｂはリード１３を配した基板３の一方の側面３ｂに配され、また、相互に対向する一対の第２の側壁部５３ｃは、リード１３を配さない基板３の他方の側面３ｃに配される。
【００６２】
上述した第１の側壁部５３ｂの先端の一部には、基板３の側面３ｂから外側に屈曲して延びるグランド接続用リード（シールド用接続端子）５５が一体に形成されている。このグランド接続用リード５５は、上述した他の実施形態のグランド接続用リード１５と同様に、半導体装置５１を実装する回路基板のグランドパターンと接続されるものであり、上部蓋体５３を基板３に取り付けた状態においてチップ接続用リード１３に隣り合う位置に配される。
なお、第２の側壁部５３ｃの先端は、第２実施形態の上部蓋体９と同様に、下部蓋体３３の一対の側壁部３３ｃの先端と接触しており、これにより上部蓋体５３と下部蓋体３３とが電気接続されることになる。
【００６３】
この半導体装置５１によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。また、上部蓋体５３とグランド接続用リード５５とが一体に形成されているため、基板３の外側に配置される上部蓋体５３及び下部蓋体３３のみにより電磁シールドをさらに容易に形成することができる。
【００６４】
次に、本発明による第５実施形態について図１３から図１６を参照して説明する。なお、この実施形態において、上記実施形態の半導体装置の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
図１３〜１６に示すように、この実施形態に係る半導体装置７１は、略板状に形成された基板７３と、基板７３の表面７３ａ側に重ねて配された半導体センサチップ５及び増幅器７と、半導体センサチップ５及び増幅器７のさらに上方から重ねて配された上部蓋体７９とを備えている。
【００６５】
基板７３は、平面視略矩形の板状に形成されており、その側面７３ｂには、基板７３の表面７３ａ及び裏面７３ｃに開口する複数の溝８１，８１，・・・が上記側面７３ｂから窪んで形成されている。また、基板７３には、その表面７３ａから窪む凹部８３が形成されている。
凹部８３の底面（上面）８３ａには、半導体センサチップ５及び増幅器７が配置されるようになっており、凹部８３のうち半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向の片側には、底面８３ａから突出する段差部８５が上記配列方向にわたって形成されている。この段差部８５によって基板７３の表面７３ａと凹部８３の底面８３ａとの間が階段状に形成されている。
【００６６】
この基板７３は、セラミックによって構成される所謂多層配線基板をなしており、半導体装置７１を実装する実装基板に半導体センサチップ５や増幅器７を電気接続するための複数の外部接続配線部８７，８７，・・・を備えている。
各外部接続配線部８７は、段差部８５の上面８５ａに露出して形成されて増幅器７に電気接続される内部端子８９、基板７３の裏面７３ｃに露出して形成されて実装基板に電気接続するための外部端子９１、及び、基板７３内部に形成されてこれら内部端子８９と外部端子９１とを個々に電気接続する導電配線部９３を備えている。
【００６７】
５つの内部端子８９，８９，・・・は、段差部８５の上面８５ａのうち増幅器７側に寄せた状態で、半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向に一列に並べて配置されている。また、複数の外部端子９１は、半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向に沿って基板７３の両側に並べて配されている。
なお、この実施形態においては、グランド接続用内部端子８９Ａが、段差部８５の上面８５ａのうち半導体センサチップ５側に寄せて配置されたグランド接続用導電配線部９３Ａに電気接続されている。このグランド接続用導電配線部９３Ａは段差部８５の上面８５ａから基板７３の裏面７３ｃまで貫通してグランド接続用外部端子（シールド用接続端子）９１Ａに電気接続されている。
【００６８】
また、基板７３の内部には、半導体センサチップ５及び増幅器７の下方側に配される導電性の下部シールド層（下部シールド部）９４が設けられている。この下部シールド層９４は、基板７３の略全面にわたって形成されている。ここで、基板７３の略全面とは、少なくとも半導体センサチップ５、増幅器７及びこれらを相互に電気接続するワイヤー９７を含めた領域であればよいが、図示例のように基板７３の底面８３ａの全体を含む領域であっても良い。また、この下部シールド層９４は、図示例のように導電配線部９３と基板７３の厚さ方向に重ねて配されるとしても良いし、導電配線部９３と同一の層に形成されるとしても構わない。なお、導電配線部９３及び下部シールド層９４を同一の層に形成する場合には、下部シールド層９４の周囲に導電配線部９３を配置すればよい。
この下部シールド層９４は、基板７３の厚さ方向に延びる導線部９６，９６を介して、基板７３の表面７３ａに形成された略環状の接続パッド９５、グランド接続用導電配線部９３Ａ、及び、前述したグランド接続用外部端子９１Ａに電気接続されている。すなわち、この実施形態においては、下部シールド層９４とグランド接続用外部端子９１Ａが一体に形成されることになる。
【００６９】
ここで、接続パッド９５の一部は基板７３の側面７３ｂに形成された複数の溝８１，８１，・・・の１つ（溝８１Ａ）に到達している。この溝８１Ａの内面には導線部１０１が形成されており、グランド接続用外部端子９１Ａに到達するようになっている。したがって、接続パッド９５は導線部９６に加えて上記導線部１０１も介してグランド接続用外部端子９１Ａに電気接続されるようになっている。
これら外部接続配線部８７、接続パッド９５、下部シールド層９４及び溝８１Ａに形成された導線部１０１は、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペースト（銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末にバインダー（例えばアクリル樹脂）を混合したもの）を用いてスクリーン印刷等により形成されている。さらに、段差部８５の上面８５ａや基板７３の裏面７３ｃに露出する内部端子８９や外部端子９１には、上述した材料にニッケル及び金のめっきが施されている。
【００７０】
半導体センサチップ５及び増幅器７は、基板７３の底面８３ａに固定されており、複数（図示例では４つ）のワイヤー９７によって相互に電気的に接続されている。また、増幅器７は、内部端子８９と複数（図示例では５つ）のワイヤー９９により電気的に接続されている。これにより、半導体センサチップ５が増幅器７を介して内部端子８９と電気的に接続されることになる。
【００７１】
上部蓋体７９は、銅材等の導電性を有する平板状の板材にニッケルのめっきを施したものから形成されており、基板７３の表面７３ａに固定することで、凹部８３の開口を覆って基板７３と共に半導体センサチップ５や増幅器７を含む中空空間Ｓ２を形成するようになっている。また、上部蓋体７９には、その厚さ方向に貫通する開口部７９ａが形成されており、この開口部７９ａを介して中空空間Ｓ２が外方に連通することになる。
さらに、上部蓋体７９は、導電性を有する接続パッド９５に当接して電気接続されるようになっている。すなわち、この上部蓋体７９は接続パッド９５、導線部９６及び溝８１Ａの導線部１０１を介してグランド接続用外部端子９１Ａに電気接続されることになる。
【００７２】
以上のように構成された半導体装置７１を製造する際には、はじめに、基板７３を製造しておく。なお、この基板７３は個々に製造されるとしても良いが、例えば、基板７３を多数連ねた状態で製造した後に個々に分割するとしても構わない。この場合には、相互に隣り合う基板７３同士の間にその厚さ方向に貫通する貫通孔を複数形成しておき、これら貫通孔を分断するように個々の基板７３に分割することで、容易に基板７３の溝８１を形成したり、接続パッド９５をグランド接続用外部端子９１Ａに電気接続させる導線部１０１も容易に溝８１Ａの内面に形成することができる。
また、上述した貫通孔を形成しておくことで、連ねて形成された基板７３の間の強度を弱めておくことができるため、分割部分において折り曲げるだけで容易に個々の基板に分割することができる。
【００７３】
次に、この基板７３の底面８３ａに導電性材料若しくは絶縁材料からなる接着ペースト（不図示）を介して半導体センサチップ５及び増幅器７を固定し、ワイヤーボンディングにより半導体センサチップ５と増幅器７とをワイヤー９７で電気接続すると共に増幅器７と内部端子８９とをワイヤー９９で電気接続する。最後に、上部蓋体７９を基板７３の表面７３ａに固定することで半導体装置７１の製造が完了する。なお、上部蓋体７９の固定には、例えば導電性を有する接着剤を使用すればよい。
以上のように製造された半導体装置７１を回路基板に実装する際には、半田付け等により、複数の外部端子９１を回路基板の接続端子と電気接続すればよい。
【００７４】
上記半導体装置７１によれば、上述した実施形態と同様の効果を奏する。すなわち、上部蓋体７９を基板７３に取り付けた状態で上部蓋体７９及び下部シールド層９４が相互に電気接続されるため、グランド接続用外部端子を回路基板のグランドパターンと電気接続するだけで、手間をかけずに電磁シールドを容易に構成することができる。
また、中空空間Ｓ２の下方側の略全面を下部シールド層９４で覆うことにより、中空空間Ｓ２内へのノイズの侵入を許す領域をさらに小さくすることができるため、電磁シールドのシールド性のさらなる向上を図ることができる。
【００７５】
なお、この第５実施形態においては、上部蓋体７９及び下部シールド層９４のみによって電磁シールドが形成されているが、基板７３の厚さ方向に関する上部蓋体７９と下部シールド層９４との隙間寸法が、半導体センサチップ５や増幅器７の妨害となる電磁波の波長よりも十分に小さければ、第１実施形態で記載した上部蓋体９の側壁部９ｂ，９ｃに相当する構成が無くても、基板７３の側面７３ｂ側から中空空間Ｓ２内に侵入しようとするノイズも確実に遮断することができる。
【００７６】
また、この実施形態においては、複数の内部端子８９が半導体センサチップ５及び増幅器７の配列方向に一列に並べて配置されるとしたが、これに限ることはなく、半導体センサチップ５及び増幅器７の両側や周囲に並べて配置されるとしても構わない。この場合、複数の内部端子８９は、半導体センサチップ５及び増幅器７の両側や周囲に上記実施形態と同様の段差部８５を形成し、その上面８５ａに配置されるとしてもよいし、段差部８５を形成せずに凹部８３の底面８３ａに直接形成されるとしても構わない。
さらに、基板７３の裏面７３ｃには内部端子８９や下部シールド層９４に電気接続される外部端子９１が形成されるとしたが、例えば内部端子８９や下部シールド層９４に電気接続されない外部端子が別途形成されるとしても構わない。
【００７７】
また、基板７３は、セラミックによって構成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂によって構成されるとしてもよい。
さらに、下部シールド層９４は、基板７３の内部に配されるとしたが、これに限ることはなく、例えば凹部８３の底面８３ａをなすように配されるとしても構わない。
【００７８】
また、上部蓋体７９は、平板状に形成されることに限らず、例えば第１実施形態と同様に、基板７３の表面７３ａに配される平板状の天板部と、この周縁略全体から基板７３の厚さ方向に延出すると共に基板７３の側面７３ｂに隣り合って配される側壁部とを備えた構成としても構わない。この場合には、第１実施形態と同様に、上部蓋体７９を基板７３に取り付ける際に、基板７３に対する上部蓋体７９の位置決めを容易に行うことができる。
さらに、この構成の場合には、基板７３の厚さ方向に関する上部蓋体７９と下部シールド層９４との隙間寸法が妨害となる電磁波の波長よりも大きくても、上部蓋体７９の側壁部により基板７３の側面７３ｂ側から中空空間Ｓ２内に侵入しようとするノイズを遮断することができる。
【００７９】
また、上部蓋体７９が天板部及び側壁部を備える場合には、例えば下部シールド層９４を基板７３の側面７３ｂに露出させ、上部蓋体７９の側壁部と下部シールド層９４とを基板７３の側面７３ｂにおいて相互に接触させるとしてもよいし、上部蓋体７９の側壁部が接着剤を介して基板７３の側面７３ｂに接着されるとしても構わない。
【００８０】
なお、上述した全ての実施形態においては、基板３の上面３ａに半導体センサチップ５及び増幅器７を配置した構成について述べたが、これに限ることはなく、例えば、半導体センサチップ５のみを配置した構成に適用することもできる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図５】図４のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図６】図４のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図８】図７のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図９】図７のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ矢視断面図である。
【図１２】図１０のＩ−Ｉ矢視断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図１４】図１３のＪ−Ｊ矢視断面図である。
【図１５】図１３のＫ−Ｋ矢視断面図である。
【図１６】図１３のＬ−Ｌ矢視断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１，３１，４１，５１，７１・・・半導体装置、３，７３・・・基板、３ａ・・・上面、３ｂ，３ｃ，７３ｂ・・・側面、３ｄ・・・下面、５・・・半導体センサチップ、５ａ・・・ダイヤフラム、９，５３，７９・・・上部蓋体、９ａ，５３ａ・・・天板部、９ｂ，９ｃ，５３ｂ，５３ｃ・・・側壁部、１１・・・ステージ部（下部シールド部）、１１ａ，１１ｂ・・・延出部、１３・・・チップ接続用リード、１５，５５・・・グランド接続用リード（シールド用接続端子）、３３・・・下部蓋体（下部シールド部）、１９・・・樹脂モールド部（樹脂層）、８３ａ・・・底面（上面）、９１Ａ・・・グランド接続用外部端子（シールド用接続端子）、９４・・・下部シールド層（下部シールド部）、Ｓ２・・・中空空間
【図１】
2007258670.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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