(57)【要約】【課題】露光装置のスループットの低下を抑制する。【解決手段】ウエハＷ上の複数のショット領域のうちの所定のショット領域ＳＡ（ｋ−１）に対してパターンを形成している間に（露光している間に）、ウエハのＺ軸方向に関する位置を計測する測長ビームを、測長ビームＷＸ3と測長ビームＷＸＦ3との間で切り替えることから、測長ビームの切り替えと露光とを並行して行うことで、測長ビームの切り替えに要する時間を露光に要する時間に隠すことができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体上の複数の区画領域にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体を保持して所定面内で少なくとも第１軸方向に移動可能な移動体と；
前記移動体が前記所定面内の第１領域内に存在するときに、前記移動体の前記第１軸方向に交差する第２軸方向の位置を計測することが可能な第１の計測装置と；
前記第１領域と一部重複する前記所定面内の第２領域内に前記移動体が存在するときに、前記移動体の前記第２軸方向の位置を計測することが可能な第２の計測装置と；
前記移動体が前記第１領域と第２領域とが重複する領域に存在し、かつ、前記物体上の所定の区画領域に対してパターンが形成されているタイミングで、前記移動体の前記第２軸方向の位置を計測する計測装置を、前記第１の計測装置と前記第２の計測装置のいずれか一方の計測装置から他方の計測装置に切り替える切り替え装置と；を備える露光装置。
【請求項２】
前記第１の計測装置及び前記第２の計測装置は、レーザ干渉計であり、
前記移動体には、前記レーザ干渉計から照射されるレーザ光を反射する反射面が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１領域と前記第２領域とが重複する領域に前記移動体が存在するときには、前記反射面に、前記第１、第２の計測装置のそれぞれからのレーザ光が照射されていることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記切り替え装置による切り替え動作に要する時間と、前記所定の区画領域に対してパターンを形成する時間とでは、前記切り替え動作に要する時間の方が短いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２軸方向は、前記所定面に垂直な方向及び前記所定面内で前記第１軸方向に直交する方向のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
物体上の複数の区画領域にパターンを形成する露光方法であって、
前記物体の所定方向に関する位置を第１計測装置及び第２計測装置のいずれかを用いて計測しつつ、前記物体上の複数の区画領域に対して前記パターンを順次形成する露光工程と；
前記複数の区画領域のうちの所定の区画領域に対して前記パターンを形成している間に、前記物体の前記所定方向に関する位置を計測する計測装置を、前記第１計測装置と前記第２計測装置のいずれか一方から他方に切り替える切り替え工程と；を含む露光方法。
【請求項７】
前記第１計測装置は、前記物体の移動する移動面内の第１領域内に存在するときに、前記物体の第１軸方向に関する位置を計測し、前記第２計測装置は、前記第１領域と一部重複する前記移動面内の第２領域内に前記物体が存在するときに、前記物体の前記第１軸方向に関する位置を計測し、
前記切り替え工程は、前記物体が前記第１領域と前記第２領域とが重複する領域内に存在するときに実行することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記露光工程は、
前記２つの計測装置のいずれかを用いて前記物体の前記第１軸方向に関する位置を計測しつつ、所定経路に沿って前記物体を順次位置決めする位置決め工程と、
前記物体が位置決めされた状態で、前記移動面内の所定位置に位置する区画領域に対して前記パターンを形成するパターン形成工程と、を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記位置決め工程における前記所定経路は、
前記切り替え工程に要する時間、及び前記所定の区画領域に対して前記パターンを形成するのに要する時間に応じて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記位置決め工程における前記所定経路は、
前記物体が前記所定経路に沿って移動する間に必要な前記切り替え工程の回数に応じて決定されることを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記位置決め工程における前記所定経路は、
前記物体の移動速度及び前記物体の移動距離に応じて決定されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記露光工程におけるパターン形成条件を変更する変更工程を更に含み、
前記位置決め工程における前記所定経路は、同一のパターン形成条件でパターンが形成される区画領域の配置に応じて決定されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記切り替え工程に要する時間と、前記所定の区画領域に対して前記パターンを形成するのに要する時間とでは、前記切り替え工程に要する時間の方が長いことを特徴とする請求項７〜１２のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記物体は、前記移動面内を移動する移動体に保持され、
前記第１、第２計測装置は、レーザ干渉計であることを特徴とする請求項６〜１３のいずれか一項に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法に係り、更に詳しくは、物体上の複数の区画領域にパターンを形成する露光装置及び露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスを製造するため、パターンをウエハ又はガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられ、近年においては、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（ステッパ）やステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（スキャニングステッパ）等が用いられることが多くなっている。
【０００３】
これらの露光装置、例えば、ステッパでは、基板を保持して二次元面内で移動する基板ステージを用いて、基板を所定位置に移動（ステッピング）させて、マスクに形成されたパターンを基板上の所定のショット領域に一括露光する動作を順次繰り返すが、露光装置のスループット向上の観点からは、基板ステージの移動速度を向上する必要があり、そのためには、基板ステージの小型・軽量化を図ることが望ましい。
【０００４】
この種の基板ステージでは、その位置情報を検出する装置として、レーザ干渉計が用いられることが多い。この場合、基板ステージにはレーザ干渉計からのレーザ光が照射され、かつ該レーザ光を反射するための反射面を設けておく必要があるが、基板ステージが小型化すると、該反射面も必然的に小さくなる。そのため、一つのレーザ干渉計によって基板ステージの位置を計測できる領域が狭くなることから、基板ステージを一つのレーザ干渉計の計測可能領域よりも広い範囲で駆動したい場合には、同一機能を有するレーザ干渉計を更に１つ設け、２つのレーザ干渉計によって基板ステージの位置情報を計測できるときに、一方のレーザ干渉計による計測から他方のレーザ干渉計による計測に切り替える必要がある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記切り替えにおいて、精度を確保しつつ切り替えを行うためには、基板ステージの動作に制限がかかることが一般的であり、通常の場合は、基板ステージを一旦ほぼ停止させた状態で行う必要があることから、例えば投影光学系の光学特性の計測動作などの露光動作以外の動作と並行して行うことにより、切り替えのための時間が露光装置のスループットに対してほとんど影響を与えないようにすることが望ましい。
【０００６】
しかるに、上記のように基板ステージを小型化すると、１枚の基板を露光している間にレーザ干渉計の切り替え動作を行わなければならなくなることが想定される。しかしながら、１枚の基板の露光を開始してから終了するまでは、計測動作などの露光動作以外の動作が行われないのが通常であることから、干渉計の切り替えのための時間が、直接、露光装置のスループットに影響を与えることが懸念される。
【０００７】
本発明は、上述した事情の下になされたもので、第１の観点からすると、物体上の複数の区画領域にパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して所定面内で少なくとも第１軸方向に移動可能な移動体と；前記移動体が前記所定面内の第１領域内に存在するときに、前記移動体の前記第１軸方向に交差する第２軸方向の位置を計測することが可能な第１の計測装置と；前記第１領域と一部重複する前記所定面内の第２領域内に前記移動体が存在するときに、前記移動体の前記第２軸方向の位置を計測することが可能な第２の計測装置と；前記移動体が前記第１領域と第２領域とが重複する領域に存在し、かつ、前記物体上の所定の区画領域に対してパターンが形成されているタイミングで、前記移動体の前記第２軸方向の位置を計測する計測装置を、前記第１の計測装置と前記第２の計測装置のいずれか一方の計測装置から他方の計測装置に切り替える切り替え装置と；を備える露光装置である。
【０００８】
これによれば、切り替え装置が、物体を保持する移動体が所定面内の第１領域と第２領域とが重複する領域に存在し、かつ、物体上の所定の区画領域に対してパターンが形成されているタイミングで、移動体の第２軸方向の位置を計測する計測装置を、第１領域で移動体の位置を計測可能な第１の計測装置と、第２領域で移動体の位置を計測可能な第２の計測装置と、の間で切り替えるため、計測装置の切り替えに要する時間を物体上の所定の区画領域へのパターン形成と並行して行うことが可能である。したがって、計測装置の切り替え時間が露光装置全体のスループットを低下させるのを抑制することが可能である。ここで、移動体を小型化すると、計測装置の切り替え回数が多くなる可能性があるが、本発明では、計測装置の切り替えを頻繁に行ったとしても、スループットへの影響が小さいことから、移動体を小さくすることができる。これにより、移動体の高加速度化及び高精度な位置決めを実現することができ、ひいては、露光装置のスループットの向上及び高精度な露光を実現することが可能となる。
【０００９】
本発明は、第２の観点からすると、物体上の複数の区画領域にパターンを形成する露光方法であって、前記物体の所定方向に関する位置を第１計測装置及び第２計測装置のいずれかを用いて計測しつつ、前記物体上の複数の区画領域に対して前記パターンを順次形成する露光工程と；前記複数の区画領域のうちの所定の区画領域に対して前記パターンを形成している間に、前記物体の前記所定方向に関する位置を計測する計測装置を、前記第１計測装置と前記第２計測装置のいずれか一方から他方に切り替える切り替え工程と；を含む露光方法である。
【００１０】
これによれば、切り替え工程では、物体上の複数の区画領域のうちの所定の区画領域に対してパターンを形成している間に、物体の前記所定方向に関する位置を計測する計測装置を、第１計測装置と第２計測装置のいずれか一方から他方に切り替えることから、切り替え工程と露光工程とを並行して行うことで、計測装置の切り替えに要する時間が露光工程を含む全工程のスループットを低下させるのを抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。
【００１２】
図１には、第１の実施形態に係る露光装置１００の概略的な構成が示されている。この露光装置１００は、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置である。
【００１３】
この露光装置１００は、照明ユニット１０、レチクルＲを保持するレチクルホルダＲＨ、投影光学系ＰＬ、基板としてのウエハＷを保持してＸＹ平面内でＸＹ２次元方向に移動するウエハステージＷＳＴを含むステージ装置５０、及びこれらの制御系等を含んでいる。
【００１４】
前記照明ユニット１０は、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り（マスクキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる）で規定される矩形（例えば、正方形）の照明領域にエネルギビームとしての照明光ＩＬを照射し、回路パターンが形成されたレチクルＲを均一な照度で照明する。ここでは、照明光ＩＬとしては、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（波長４３６ｎｍのｇ線、波長３６５ｎｍのｉ線等）が用いられるものとする。ただし、それらに代えて、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光を用いることとしても良い。
【００１５】
前記レチクルホルダＲＨは、照明ユニット１０の下方に配置されている。レチクルホルダＲＨは、実際には、投影光学系ＰＬの上面に載置されている（ただし、図１では図示の便宜上、レチクルホルダＲＨと投影光学系ＰＬとが離間して示されている）。具体的には、レチクルホルダＲＨは、投影光学系ＰＬの上面に固定されたベース上で、レチクルＲを保持してＸ軸方向、Ｙ軸方向、θｚ方向に微小駆動可能とされている。なお、レチクルホルダＲＨは、単にレチクルＲを保持するだけの機能を有するように構成し、レチクルＲの駆動は行わないようにしても良い。
【００１６】
レチクルＲの一部には、一対のアライメントマーク（不図示）が設けられている。本第１の実施形態では、露光前に、この一対のアライメントマークを不図示のレチクルアライメント系を用いて計測し、計測結果を用いて、例えばレチクルホルダＲＨを微小駆動してレチクルＲの位置決めを行う。
【００１７】
前記投影光学系ＰＬとしては、例えば、Ｚ軸方向の共通の光軸ＡＸを有する複数のレンズ（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられている。この投影光学系ＰＬは、例えば、両側テレセントリックで所定の投影倍率（例えば１／４あるいは１／５）を有する。このため、照明ユニット１０からの照明光ＩＬによって照明領域が照明されると、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルの回路パターンの縮小像が、その第２面（像面）側に配置され、表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上の前記照明領域に共役な領域（露光領域）に形成される。
【００１８】
投影光学系ＰＬの近傍には、アライメント系ＡＬＧが設けられている。このアライメント系ＡＬＧとしては、画像処理方式のセンサを用いることができ、画像処理方式のセンサは、例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されている。このアライメント系ＡＬＧの検出中心ＳＸは、図３に示されるように、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸから−Ｙ側に所定距離Ｓだけ離れている。
【００１９】
前記ステージ装置５０は、ウエハＷをウエハホルダＷＨを介して保持するウエハステージＷＳＴ、及びウエハステージＷＳＴを駆動するウエハステージ駆動系２４等を備えている。ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における下方に配置され、その底面に設けられた気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって、不図示のベースの上面の上方に非接触で支持されている。このウエハステージＷＳＴは、リニアモータ及びボイスコイルモータなどを含むウエハステージ駆動系２４によってＸ軸方向及びＹ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、ＸＹ面に直交するＺ軸方向及び回転方向（Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）、Ｙ軸回りの回転方向（θｙ方向）及びＺ軸回りの回転方向（θｚ方向））に微小駆動される。
【００２０】
ウエハステージＷＳＴは、平面視（上方から見て）、ウエハＷよりも一回り大きい略正方形状の形状を有している。
【００２１】
上記のように、本第１の実施形態では、ウエハステージＷＳＴが６自由度で駆動可能な単一のステージであるものとしたが、これに限らず、ＸＹ面内で自在に移動可能なＸＹステージと、該ＸＹステージ上でＺ，θｘ，θｙの３自由度方向で駆動されるテーブルとによってウエハステージＷＳＴを構成しても勿論良い。
【００２２】
ウエハステージＷＳＴの位置情報は、ウエハステージＷＳＴの側面に形成された反射面に測長ビームを照射するウエハ干渉計システム５８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。
【００２３】
これを更に詳述すると、ウエハ干渉計システム５８は、図２に示されるように、３つのダブルパス方式の干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2を含んで構成され、各干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2内部に設けられた固定鏡の反射面を基準とするウエハステージＷＳＴの反射面の位置の情報、すなわち、各干渉計ユニット内で分岐された測長ビームと参照ビームとの分岐点からの光路長の差の情報を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）の位置情報を計測する。各干渉計ユニット５８Ｙ、５８Ｘ1，５８Ｘ2は、例えば、投影光学系ＰＬに固定された不図示の計測マウントにて吊り下げ状態で支持されている。
【００２４】
干渉計ユニット５８Ｘ1，５８Ｘ2に対向するウエハステージＷＳＴの側面（−Ｘ側の側面）は、図２に示されるように、Ｚ軸方向（上下方向）に関して３つの反射領域に分割され、その最上部の反射領域（第１反射領域）と最下部の反射領域（第２反射領域）はＹＺ面に平行な平面とされ、その表面が鏡面加工されている（以下、それぞれの平面を第１反射面５４ａ、第２反射面５４ｂと呼ぶものとする）。また、中央部の反射領域（第３反射領域）は、計測ビームＷＸＦ3、ＷＸ3（これについては後述する）に対して所定角度α°（０＜α＜９０）だけ傾いた平面とされ、その表面が鏡面加工されている（以下、第３反射領域の鏡面加工された面を、第３反射面５４ｃと呼ぶものとする）。
【００２５】
干渉計ユニット５８Ｘ1は、第１反射面５４ａに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸＦ1を照射し、第２反射面５４ｂに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸＦ2を照射し、第３反射面５４ｃに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸＦ3を照射する。この干渉計ユニット５８Ｘ1は、ダブルパス干渉計である。このうちの測長ビームＷＸＦ1は、アライメント系ＡＬＧの検出中心ＳＸを挟んで＋Ｙ側及び−Ｙ側に同一距離離れた、Ｘ軸に平行な経路を通るように設定され（図３参照）、測長ビームＷＸＦ2も、アライメント系ＡＬＧの検出中心ＳＸを挟んで＋Ｙ側及び−Ｙ側に同一距離離れた、Ｘ軸に平行な経路を通るように設定されている（図３参照）。
【００２６】
また、干渉計ユニット５８Ｘ1には、図２に示されるように、固定鏡５６ａが設けられており、その反射面（＋Ｘ側の面）は、第３反射面５４ｃで反射した測長ビームＷＸＦ3がほぼ垂直に入射するような角度に設定されている。
【００２７】
干渉計ユニット５８Ｘ2は、第１反射面５４ａに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸ1を照射し、第２反射面５４ｂに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸ2を照射し、第３反射面５４ｃに対してＸ軸に平行な測長ビームＷＸ3を照射する。この干渉計ユニット５８Ｘ2も、前述した干渉計ユニット５８Ｘ1と同様、ダブルパス干渉計である。このうちの測長ビームＷＸ1は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（投影中心）を挟んで＋Ｙ側及び−Ｙ側に同一距離離れた、Ｘ軸に平行な経路を通るように設定され（図３参照）、測長ビームＷＸ2も、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（投影中心）を挟んで＋Ｙ側及び−Ｙ側に同一距離離れた、Ｘ軸に平行な経路を通るように設定されている（図３参照）。
【００２８】
また、干渉計ユニット５８Ｘ2には、図２に示されるように、固定鏡５６ｂが設けられており、その反射面（＋Ｘ側の面）は、第３反射面５４ｃで反射した測長ビームＷＸ3がほぼ垂直に入射するような角度に設定されている。
【００２９】
一方、干渉計ユニット５８Ｙに対向するウエハステージＷＳＴの側面（＋Ｙ側の側面）は、不図示ではあるが、上端部近傍の第１反射領域と下端部近傍の第２反射領域と第１、第２反射領域に挟まれた第３領域とに分けられ、そのうちの第１反射領域と第２反射領域とが鏡面加工されている。干渉計ユニット５８Ｙは、その第１反射領域側の反射面に対してＹ軸に平行な測長ビームＷＹ1、ＷＹ3を照射し、第２反射領域側の反射面に対してＹ軸に平行な測長ビームＷＹ2を照射する。
【００３０】
この干渉計ユニット５８Ｙも、前述した干渉計ユニット５８Ｘ1，５８Ｘ2と同様、ダブルパス干渉計である。この干渉計ユニット５８Ｙから出射される測長ビームＷＹ1は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（投影中心）及びアライメント系ＡＬＧの検出中心ＳＸを挟んで＋Ｘ側及び−Ｘ側に同一距離離れた、Ｙ軸に平行な経路を通るように設定され（図３参照）、測長ビームＷＹ2も、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（投影中心）及びアライメント系ＡＬＧの検出中心ＳＸを挟んで＋Ｘ側及び−Ｘ側に同一距離離れた、Ｙ軸に平行な経路を通るように設定されている（図３参照）。
【００３１】
なお、ウエハステージＷＳＴの＋Ｙ側の側面については、その全面を鏡面加工して反射面を形成しても良い。
【００３２】
上記のように構成されるウエハ干渉計システム５８では、ウエハステージＷＳＴが図３に示される第１領域内に位置するときには、干渉計５８Ｘ2からの測長ビームがウエハステージＷＳＴの−Ｘ側の端面（第１反射面５４ａ〜第３反射面５４ｃ）に当たるようになっており、図３に示される第２領域内にウエハステージＷＳＴが位置するときには、干渉計５８Ｘ1からの測長ビームがウエハステージＷＳＴの−Ｘ側の端面（第１反射面５４ａ〜第３反射面５４ｃ）に当たるようになっている。
【００３３】
したがって、本第１の実施形態では、アライメント中においては、ウエハステージＷＳＴはそのほぼ大半の時間、第２領域内に存在しているので、原則、干渉計ユニット５８Ｘ1の測長ビームＷＸＦ1、ＷＸＦ2を用いて、ウエハステージＷＳＴのＸ軸方向の位置、及びθｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の位置を計測するとともに、測長ビームＷＸＦ3を用いて、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向の位置を計測する。また、干渉計ユニット５８Ｙの測長ビームＷＹ1，ＷＹ2を用いて、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の位置及びθｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）の位置を計測することができるとともに、測長ビームＷＹ1、ＷＹ3によりθｚ方向の位置を計測することができる。
【００３４】
一方、露光中においては、ウエハステージＷＳＴはそのほぼ大半の時間、第１領域内に存在しているので、原則、干渉計ユニット５８Ｘ2の測長ビームＷＸ1、ＷＸ2を用いて、ウエハステージＷＳＴのＸ軸方向の位置、及びθｙ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の位置を計測するとともに、測長ビームＷＸ3を用いて、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向の位置を計測する。また、アライメント中と同様に、干渉計ユニット５８Ｙの測長ビームＷＹ1，ＷＹ2を用いて、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の位置及びθｘ方向（Ｘ軸回りの回転方向）の位置を計測することができるとともに、測長ビームＷＹ1、ＷＹ3によりθｚ方向の位置を計測することができる。
【００３５】
なお、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置計測方法については、特開２０００−４９０６６号公報に開示されているので、詳細な説明は省略する。
【００３６】
以上のように構成される本第１の実施形態の露光装置１００では、通常のステッパと同様に、レチクルアライメント及びウエハアライメント系ＡＬＧのベースライン計測、並びにＥＧＡ等のウエハアライメント計測の後、ウエハアライメント計測結果に基づいて、ウエハ上のショット領域を投影光学系ＰＬの投影領域に位置決めし露光することを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光が行われ、レチクルＲのパターンがウエハＷ上の複数のショット領域に順次転写される。
【００３７】
ここで、本実施形態の露光装置では、ウエハＷ上の全ショット領域ＳＡ１〜ＳＡｎ（図４（Ｂ）参照）に対する露光を行う際に、ウエハステージＷＳＴがＹ軸方向に関して、図４（Ａ）に破線で示されるＹ位置（符号ＷＳＴ’で示されるＹ位置）から図４（Ａ）に実線で示されるＹ位置（符号ＷＳＴで示されるＹ位置）まで移動することとなる。
【００３８】
ここで、本実施形態のウエハステージＷＳＴは、前述したように、その大きさがウエハＷよりも一回り大きい程度の大きさである。したがって、露光中は、前述したように、原則的に、干渉計５８Ｘ2の測長ビームＷＸ1〜ＷＸ3を用いるべきところ、図４（Ａ）に実線で示される位置で、ウエハＷの＋Ｙ側端部近傍のショット領域を露光するときに、干渉計ユニット５８Ｘ2の測長ビームＷＸ3がウエハステージＷＳＴの−Ｘ側の側面（第３反射面５４ｃ）に当たらなくなることがある。
【００３９】
このため、本実施形態では、このようなウエハＷの＋Ｙ側端部のショット領域を露光する以前に、ウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）のＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り換えて置く必要がある。
【００４０】
これについて、更に詳述する。
【００４１】
前提として、ウエハＷ上のマトリクス状に配置されたショット領域（ＳＡ１〜ＳＡｎ）に対し、図４（Ｂ）に示される順（ショット領域ＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３…の順）で（すなわち、−Ｙ側端部の列から＋Ｙ側の列に向けて）順次露光を行うとする。なお、実際には、露光領域（照射領域）が固定で、ウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）が移動するのであるが、図４（Ｂ）においては、図示の便宜上、露光領域（照射領域）が太線上を移動するかのように示している。
【００４２】
この場合、図４（Ｂ）においてハッチングを付して示すショット領域ＳＡ（ｋ−１）に対する露光が終了するまでは、測長ビームＷＸ3が切れることはない。このため、ショット領域ＳＡ１〜ＳＡ（ｋ−１）を露光する間にはウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）のＺ軸方向に関する位置は、測長ビームＷＸ3により計測することができる。
【００４３】
しかしながら、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）の露光が終了し、図４（Ｂ）にダブルハッチングを付した状態で示すショット領域ＳＡｋを露光するためのステッピング動作を行っている間には、測長ビームＷＸ3がウエハステージＷＳＴの−Ｘ側面（第３反射面５４ｃ）に当たらなくなる。このため、例えば、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）の露光後、ショット領域ＳＡｋの露光開始までのステッピングの途中に、測長ビームの切り替えを行うこととすると、ウエハステージＷＳＴをステッピング中に一旦ほぼ停止させてからウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報の計測に用いる測長ビームを測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り替えなければならず、当該一旦停止によって、１枚のウエハを露光するのに要する時間が長くなるおそれがある。これは、干渉計の測長ビームの切り替えについて、精度を確保しつつ、測長ビームを切り替えるにはウエハステージＷＳＴをほぼ停止させて切り替えを行うことが望ましいためである。
【００４４】
そこで、本実施形態においては、主制御装置２０は、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）に対する露光を行っている間（この場合、ウエハステージＷＳＴは図３に実線で示される位置にあり、第１領域と第２領域とが重複する領域内に存在している）に、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを、測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り替えることとしている。
【００４５】
このようなシーケンスを採用しても、本実施形態の露光装置は、ウエハステージＷＳＴをほぼ停止した状態で露光を行う静止露光タイプの露光装置（ステッパ）であることから、測長ビームの切り替えにおける精度の低下はほとんどない。なお、ほぼ停止した状態で露光を行うとは、所定の位置決め許容範囲内でウエハステージＷＳＴが動いている場合も含まれるものとする。
【００４６】
また、露光動作と並行して干渉計の切り替えを行うこととしているので、測長ビームの切り替えに要する時間の少なくとも一部を１つのショット領域を露光するのに要する時間に隠すことができるので、露光装置のスループットの低下を防止することが可能である。特に、１つのショット領域を露光するのに要する時間の方が切り替え時間よりも長い場合には、切り替え時間を露光時間に完全に隠すことができるので、測長ビームの切り替えが露光装置のスループットに与える影響はない。
【００４７】
なお、露光動作を、上記とは逆に、図４（Ｂ）に示されるショット領域ＳＡｎ〜ＳＡ１の順に行なう場合には、主制御装置２０は、ショット領域ＳＡｎ〜ＳＡ（ｋ＋１）までの間は、測長ビームＷＸ1、ＷＸ2、及びＷＸＦ3を用いてウエハステージＷＳＴの位置計測を行い、ショット領域ＳＡｋの露光動作を行っている間に、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸＦ3から測長ビームＷＸ3に切り替え、その後のショット領域ＳＡ（ｋ−１）〜ＳＡ１までの間は、測長ビームＷＸ1、ＷＸ2、ＷＸ3を用いてウエハステージＷＳＴの位置計測を行うこととすることができる。
【００４８】
一方、上記のようにして、露光が終了すると、例えば、図５において破線で示される位置（符号ＷＳＴ”’で示される位置）において、ウエハ交換が行なわれる。したがって、当該ウエハ交換位置までウエハステージＷＳＴを移動する必要がある。この移動中に、露光中に用いていた干渉計５８Ｘ2の測長ビームが切れることから、主制御装置２０は、ウエハ交換位置まで移動するまでの間の適宜なとき（干渉計５８Ｘ1，５８Ｘ2の測長ビームがすべてウエハステージＷＳＴの−Ｘ側の側面にあたるとき（ウエハステージＷＳＴが図３の第１領域と第２領域とが重複する領域にあるとき））に、ウエハステージＷＳＴの位置を計測する干渉計を干渉計５８Ｘ2から干渉計５８Ｘ1に切り換えておく。
【００４９】
そして、ウエハ交換位置ＷＳＴ”’において、新たなウエハに交換された後は、その新たなウエハのウエハアライメント（ＥＧＡ）を行う。
【００５０】
ここで、アライメント系ＡＬＧを用いた、ウエハアライメント（ＥＧＡ）を行なう場合には、Ｙ軸方向に関しては、図５において破線で示されるＹ位置（符号ＷＳＴ”’で示されるＹ位置）から実線で示されるＹ位置（符号ＷＳＴ”で示されるＹ位置）まで移動しつつ、ウエハ上に設けられた複数（例えば８点）のアライメントマークの位置情報を計測する必要がある。
【００５１】
ここで、前述したように、ウエハアライメント中においては、原則、ウエハ干渉計５８Ｘ1（測長ビームＷＸＦ1〜ＷＳＸＦ3）を用いた計測を行うべきところ、符号ＷＳＴ”で示される位置では、図５に示されるように、測長ビームＷＸＦ3がウエハステージの−Ｘ側面（第３反射面５４ｃ）に当たらなくなることが分かる。そこで、本実施形態においては、主制御装置２０は、測長ビームＷＸＦ3と測長ビームＷＸ3の両方がウエハステージＷＳＴに当たっているとき（ウエハステージＷＳＴが、図３の第１領域と第２領域とが重複する領域に存在するとき）で、かつウエハ上の所定のマークを計測しているとき（ウエハステージＷＳＴがほぼ停止しているとき）に、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向の位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸＦ3から測長ビームＷＸ3に切り換えておくこととしている。
【００５２】
これにより、アライメント動作と並行して干渉計の切り替えを行うことができるので、干渉計の切り替えに要する時間をアライメント時間に隠すことができ、露光装置のスループットの低下を防止することが可能である。
【００５３】
なお、アライメント動作を上記とは逆に行う（すなわち、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向から−Ｙ方向に移動させながら、順次ウエハＷ上に形成されたアライメントマークを計測する）場合には、図５の位置ＷＳＴ”にウエハステージがあるときに、測長ビームＷＸＦ1、ＷＸＦ2、ＷＸ3によりウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測し、測長ビームＷＸ3、ＷＸＦ3が同時にウエハステージＷＳＴの−Ｘ側の側面に当たっているときに、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り替え、その後のアライメント中は、測長ビームＷＸ1、ＷＸ2、ＷＸ3を用いてウエハステージＷＳＴの位置計測を行うこととすることができる。
【００５４】
なお、アライメント（ＥＧＡ）終了後は、前述と同様に、新たなウエハに対して、ステップ・アンド・リピート方式の露光が行われ、レチクルＲのパターンがウエハＷ上の複数のショット領域に順次転写される。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態の露光装置によると、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴが第１領域と第２領域とが重複する領域に存在し、かつ、ウエハ上の所定のショット領域（ＳＡ（ｋ−１））を露光しているタイミングで、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向の位置を計測する測長ビームを測長ビームＷＸ3（ＷＸＦ3）と測長ビームＷＸＦ3（ＷＸ3）の間で切り替えるため、測長ビームの切り替えと露光動作とを並行して行うことが可能である。したがって、切り替え時間が露光装置全体のスループットを低下させるのを抑制することが可能である。
【００５６】
また、本実施形態では、上記切り替え回数が多くなったとしても、露光装置のスループットへの影響がほとんどないことから、ウエハステージＷＳＴを小型化しても問題がない。これにより、ウエハステージＷＳＴの高加速度化及び高精度な位置決めを実現することができ、ひいては、露光装置のスループットの向上及び高精度な露光を実現することが可能となる。
【００５７】
なお、上記実施形態では、干渉計ユニット５８Ｘ2からの測長ビームＷＸ3が切れる直前のショット領域に対する露光動作を行っている間に、干渉計ユニットの切り替えを行うこととしたが、これに限らず、図３の第１領域と第２領域とが重複する領域にウエハステージＷＳＴが存在する間で、かついずれかのショット領域に対して露光を行っている間において行うことができる。
【００５８】
なお、上記実施形態では、ウエハステージＷＳＴの位置を計測する干渉計ユニットの測長軸のうち、Ｚ軸方向の位置を計測するための測長ビームが切れる場合について説明したが、これに限らず、Ｘ軸方向に関する測長ビームが切れる場合についても同様に、本発明を適用することが可能である。
【００５９】
《第２の実施形態》
以下、本発明の第２の実施形態について、図６（Ａ）〜図８に基づいて説明する。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用いるとともに、その説明を省略する。なお、図６（Ｂ）〜図８において、太線で示される経路は、ウエハ上を露光領域の中心が通過する経路を示すものである。ただし、実際には、露光領域が固定で、ウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）が移動するのであるが、説明の便宜上、図６（Ｂ）〜図８のように示している。
【００６０】
本第２の実施形態は、１つのショット領域に対する露光時間の方が、上記第１の実施形態で説明した、干渉計の切り替え時間よりも短い場合に特に有効なものである。したがって、本実施形態では、１つのショット領域に対する露光時間が切り替え時間よりも短いものとして説明する。
【００６１】
本第２の実施形態では、露光に先立って、プロセスプログラム作成のため露光条件が設定されている。この場合、ブラインドＩＤ（本実施形態では、ブラインドＩＤは、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３まであるものとする）毎に、オペレータによって、照明ユニット１０内の視野絞り（レチクルブラインド）の位置（状態）、ショットオフセット、スケーリング、ローテーション、直交度、露光時間、フォーカスオフセット、及びレベリングオフセットなどが決定されている。そして、各ブラインドＩＤは、ウエハＷ上の各ショット領域に割り振られている。
【００６２】
上記割り振りによって作成されたショットマップが図６（Ａ）に例示されている。本実施形態では、ウエハＷ上に、異なるブラインドＩＤのショット領域があるため、主制御装置２０では、ブラインドＮｏ．１→ブラインドＮｏ，２→ブラインドＮｏ．３の順に露光を行うものとする。ここで、本第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様、ウエハＷの＋Ｙ側端部近傍のショット領域（図６（Ａ）に示される境界線ＢＬよりも＋Ｙ側のショット領域）を露光する際には、干渉計の測長ビームＷＸ1、ＷＸ2、ＷＸＦ3を用いてウエハステージＷＳＴの位置情報を計測し、ウエハＷの境界線ＢＬよりも−Ｙ側のショット領域を露光する際には、干渉計の測長ビームＷＸ1、ＷＸ2、ＷＸ3を用いて、ウエハステージＷＳＴの位置情報を計測することとしている。
【００６３】
本第２の実施形態では、ウエハＷの露光に際して、まず、ブラインドＮｏ．１の露光を行うために、ブラインドを変更するなど露光条件を変更した後で、図６（Ｂ）に示されるような順番で、ブラインドＮｏ．１のショット領域を順次露光する。この露光も、前述した第１の実施形態と同様、ステップ・アンド・リピート方式の露光が行われている。
【００６４】
そして、ブラインドＮｏ．１の全ショット領域の露光終了後、ブラインドＮｏ．２の露光を行うために、ブラインドを変更するなどの露光条件を変更した後で、図７（Ａ）に示されるような順番で、ブラインドＮｏ．２のショット領域を順次露光する。
【００６５】
この場合において、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）の露光を行ってからショット領域ＳＡｋの露光を開始するまでのステッピング動作中に、干渉計の測長ビームＷＸ3がウエハステージＷＳＴの−Ｘ端面（第３反射面５４ｃ）に当たらなくなることから、上記第１の実施形態と同様に、主制御装置２０は、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）を露光している間（ウエハステージＷＳＴがほぼ停止している間）にウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り替えておくこととする。なお、上述したように、本実施形態では、１つのショット領域の露光動作に要する時間の方が測長ビームの切り替え動作に要する時間よりも短いため、露光終了後も測長ビームの切り替え動作が終了するまでは、ウエハステージＷＳＴを１つのショット領域ＳＡ（ｋ−１）にほぼ停止させておく必要がある。
【００６６】
このようにして、ブラインドＮｏ．２の全ショット領域の露光が終了すると、測長ビームＷＸ3がウエハステージＷＳＴの第３反射面５４ｃにあたるような位置で、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを測長ビームＷＸＦ3から測長ビームＷＸ3に切り替えるとともに、ブラインドＮｏ．３の露光を行うためにブラインドを変更するなどの露光条件を変更し、図７（Ｂ）に示されるように、ブラインドＮｏ．３のショット領域の露光を実行する。
【００６７】
ここで、本実施形態とは異なる手順、例えば、ブラインドＮｏ．２のショット領域を図８に示されるような露光手順で露光する場合と比較すると、図８に示される手順では、ショット領域ＳＡ（ｋ−１）の露光中に、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを、測長ビームＷＸ3から測長ビームＷＸＦ3に切り替えを行う必要があるとともに、ショット領域ＳＡｎの露光後、次のショット領域の露光を開始するまでの間の移動中（ステッピング中）において、所定位置ＳＰでウエハステージＷＳＴを一旦停止させて、ウエハステージＷＳＴのＺ軸方向に関する位置情報を計測する測長ビームを、測長ビームＷＸＦ3から測長ビームＷＸ3に切り替える必要がある。このため、測長ビームの切り替えを行う回数が図７（Ａ）の場合と比べて多くなり、これに伴って測長ビームの切り替えに要する時間がスループットの低下を引き起こすおそれがある。
【００６８】
したがって、本第２の実施形態のシーケンスを採用することにより、測長ビームの切り替えの回数を減らすことができるので、スループットの低下を抑制することが可能である。
【００６９】
なお、本実施形態では、説明の便宜上、ブラインドＮｏ．１からＮｏ．３まで順番に露光し、かつ測長ビームの切り替え回数が少なくなるようにウエハステージを移動して露光するという観点から、図６（Ｂ）〜図７（Ｂ）に示されるような手順で露光を行うこととしたが、これに限られるものではない。すなわち、本実施形態では、（１）ステッピングに要する全移動時間（ステッピング時の平均速度及び全移動距離）、（２）切り替えに要する全時間、及び（３）ブラインドＩＤ毎に露光条件を変更するのに要する全時間、を考慮して、移動経路を決定することができる。
【００７０】
したがって、図６（Ｂ）〜図７（Ｂ）に示した順番に限らず、例えば、ブラインドＮｏ．２の露光の際に、図９に示されるようなウエハステージＷＳＴの移動経路を採用することで、切り替え回数が多くなっても最短経路をウエハステージＷＳＴが通ることにより、スループットの低下が抑制される場合には、このような移動経路を採用することとしても良い。また、例えば（３）のブラインドＩＤ毎に露光条件を変更するのに要する時間が比較的短い場合には、ブラインドＮｏ．１からＮｏ．３の順に露光をするのではなく、例えば、ブラインドＮｏ．１の全ショット領域の露光を行った後に、ウエハＷの−Ｙ端部近傍に位置するブラインドＮｏ．２のショット領域の露光を行い、次いで、ブラインドＮｏ．３の全ショット領域の露光を行い、最後に、ウエハＷの＋Ｙ端部近傍に位置するブラインドＮｏ．２のショット領域の露光を行うこととしても良いし、例えば、ウエハＷの−Ｙ側端部から＋Ｙ側端部に向けて、順に露光を行うこととし、その間に適宜露光条件を変えるなどすることとしても良い。
【００７１】
以上説明したように、本第２の実施形態によると、複数の条件下で一枚のウエハを露光する場合に、干渉計の測長ビームの切り替え時間、ブラインドＩＤ毎の露光条件の切り替えに要する時間、ステッピング時のウエハステージの移動時間などを考慮することにより、シーケンス（経路）を決定するので、高スループットでの露光を実現することができる。
【００７２】
なお、上記実施形態では、１つのショット領域を露光するのに要する時間が測長ビームの切り替えに要する時間よりも短い場合を前提にして説明したが、これに限らず、１つのショット領域を露光するのに要する時間の方が測長ビームの切り替えに要する時間よりも長い場合にも適用することが可能である。この場合、測長ビームの切り替え時間は露光時間に隠すことができるので、ステッピングに要する時間や、ブラインドＩＤ毎の露光条件の切り替えに要する時間等を考慮して、ウエハステージの移動経路（露光順）を決定することとすることができる。
【００７３】
また、上記各実施形態では、投影光学系とアライメント系とがＹ軸方向に所定距離離れて配置され、Ｘ軸干渉計がＹ軸方向に所定距離離れた状態で２つ設けられた場合について説明したが、これに限られるものではなく、例えば投影光学系とアライメント系とをＸ軸方向に所定距離離れた位置に配置し、Ｙ軸干渉計をＸ軸方向に所定距離離れた状態で２つ設けることとしても良い。更には、Ｘ軸及びＹ軸に交差する方向に投影光学系とアライメント系とが所定距離離れて配置され、Ｘ軸干渉計とＹ軸干渉計の両方を２つずつ設けることとしても良い。このように、Ｙ軸干渉計ユニットを２つ設ける場合で、露光中に一方の干渉計ユニットから他方の干渉計ユニットを切り替えなければならない場合においても、本発明を適用することも可能である。
【００７４】
なお、上記各実施形態ではウエハ干渉計システム５８を構成する干渉計ユニット５８Ｘ1，５８Ｘ2のそれぞれが３本の測長ビームを有する場合について説明したが、これに限らず、測長ビームＷＸ1，ＷＸ2を照射する干渉計とは別に、測長ビームＷＸ3を照射する干渉計を設け、測長ビームＷＸＦ1，ＷＸＦ2を照射する干渉計とは別に、測長ビームＷＸＦ3を照射する干渉計を設けることとしても良い。
【００７５】
なお、上記各実施形態では、計測装置として干渉計ユニットを採用した場合について、説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、例えば、干渉計ユニット５８Ｘ1、５８Ｘ2に代えて、エンコーダなどの他の計測装置を用いてもよい。また、干渉計ユニット５８Ｘ1、５８Ｘ2のいずれか一方をレーザ干渉計とし、他方をエンコーダなどの他の計測装置とすることも可能である。
【００７６】
なお、上記各実施形態では、ウエハステージＷＳＴの側面を鏡面加工して反射面を形成することとしたが、これに限らず、例えば、上記反射面に代えて、ウエハステージＷＳＴの上面の−Ｘ側端部にＹ軸方向を長手方向とする移動鏡を設け、＋Ｙ側端部にＸ軸方向を長手方向とする移動鏡を設けることとしても良い。
【００７７】
なお、上記各実施形態では、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びこれら軸回りの回転方向の位置情報を、干渉計ユニットを用いて計測するものとしたが、これに限らず、干渉計ユニットによって、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸それぞれに交差する方向の位置情報を計測することとしても良い。
【００７８】
なお、上記各実施形態において、照明光ＩＬとして、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【００７９】
また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。投影光学系は屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
【００８０】
なお、上記各実施形態では、本発明がステップ・アンド・リピート方式の露光装置（いわゆるステッパ）に適用された場合について説明したが、これに限らず、本発明は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置は勿論、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも好適に適用することができる。
【００８１】
この他、例えば国際公開第２００４／０５３９５５号パンフレットなどに開示される、投影光学系とウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用しても良い。また、遠紫外域又は真空紫外域などの露光用照明光を用いる露光装置だけでなく、例えばＥＵＶ光又はＸ線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置などであっても、本発明を適用することは可能である。
【００８２】
なお、上記各実施形態の露光装置は、例えば特開平１０−２１４７８３号公報や国際公開第９８／４０７９１号パンフレットなどに開示されているように、２つのウエハステージを用いて露光動作と計測動作（例えば、アライメント系によるマーク検出など）とをほぼ並行して実行可能なツイン・ウエハステージタイプでも良い。さらに、上記実施形態の露光装置は、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレットなどに開示されているように、ウエハステージとは別に計測ステージを備えるものでも良い。
【００８３】
なお、上記各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（又は可変成形マスク、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いても良い。また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハＷ上に形成することによって、ウエハＷ上にデバイスパターンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００８４】
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をリソグフィ工程を用いて製造する露光装置にも適用することができる。以上のように、上記各実施形態でエネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
【００８５】
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、エッチング等の回路パターンを形成するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
以上説明したように、本発明の露光装置及び露光方法は、物体をほぼ静止した状態で、該物体上の複数の区画領域にパターンを形成するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置を示す概略図である。
【図２】ウエハ干渉計システムを説明するための斜視図である。
【図３】ウエハステージが第１領域と第２領域とが重複する領域内に存在する状態を示す平面図である。
【図４】図４（Ａ）は、ウエハステージの−Ｘ端面に測長ビームＷＸ3が当たらない状態を示す平面図であり、図４（Ｂ）は、ウエハ上の多数のショット領域に対する露光手順を示す図である。
【図５】ウエハ交換時及びウエハアライメント時のウエハ干渉計システムの切り替えを説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）は、第２の実施形態に係るウエハのショットマップであり、図６（Ｂ）は、ブラインドＮｏ．１のショット領域を露光する際の手順を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）は、ブラインドＮｏ．２のショット領域を露光する際の手順を説明するための図であり、図７（Ｃ）は、ブラインドＮｏ．３のショット領域を露光する際の手順を説明するための図である。
【図８】図７（Ａ）との比較例を示す図である。
【図９】図７（Ａ）の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１０…露光装置、２０…主制御装置（切り替え装置）、５４ａ〜５４ｃ…第１〜第３の反射面（反射面）、５８Ｘ2…干渉計ユニット（第１の計測装置、レーザ干渉計）、５８Ｘ1…干渉計ユニット（第２の計測装置、レーザ干渉計）、ＳＡ１〜ＳＡｎ…ショット領域（区画領域）、Ｗ…ウエハ（物体）、ＷＳＴ…ウエハステージ（移動体）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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