(57)【要約】【課題】より好適に水分などによる素子へのダメージを低減できる保護膜を備えた素子体の提供。【解決手段】保護膜たるバリア膜１２によって保護された有機ＥＬ素子１００を含む有機ＥＬ表示装置Ｐであって、バリア膜は有機膜１２４を備えている。この有機膜１２４は第一有機膜層１２４ａと第二有機膜層ｂとから構成されている。第一有機膜層１２４ａは、第二有機膜層ｂよりも接触角が小さく、第二有機膜層ｂは前記第一有機膜層ａよりも有機ＥＬ素子１００側に近い位置に形成されてなる。【選択図】図２
2007073504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護膜と前記保護膜によって保護された素子とを含む素子体であって、
前記保護膜は少なくとも有機膜を備え、
前記有機膜は第一有機膜層と第二有機膜層とを含み、
前記第一有機膜層は、前記第二有機膜層よりも接触角が小さく、
前記第二有機膜層は前記第一有機膜層よりも前記素子側に近い位置に形成されてなる素子体。
【請求項２】
請求項１に記載の素子体であって、
前記保護膜は、前記第一有機膜層よりも素子に遠い側と前記第二有機膜層側よりも素子に近い側とのうち少なくとも一方に無機膜が備えられる素子体。
【請求項３】
請求項２に記載の素子体であって、
前記無機膜は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯｘ、Ａｌの酸化膜のうち少なくとも一種を含んでなる素子体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の素子体であって、
前記第一有機膜層はポリビニルアルコール、セルロース、澱粉のうち少なくとも一種を含んでなる素子体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の素子体であって、
前記第一有機膜層の接触角が４０°以下である素子体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の素子体であって、
前記第二有機膜層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンのうち少なくとも一種を含んでなる素子体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の素子体であって、
前記第二有機膜層の接触角が１００°以上である素子体。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１つに記載の素子体であって、
前記素子が有機ＥＬ素子である素子体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子体、無機膜製造方法、特に保護膜によって保護された素子を含む素子体に関する。
【背景技術】
【０００２】
保護膜と前記保護膜によって保護された素子とを含む素子体が知られている。このような素子体として有機ＥＬ表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は素子として有機ＥＬ素子を備える。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、基板上に、電極及び電極間に少なくとも発光層を備えた有機固体層を備え、両側の電極から有機固体層中の発光層に電子と正孔を注入し、有機発光層で発光を起こさせる素子であり、高輝度発光が可能である。また有機化合物の発光を利用しているため発光色の選択範囲が広いなどの特徴を有し、光源や有機ＥＬ表示装置などとして期待されている。特に有機ＥＬ表示装置は、一般に、広視野、高コントラスト、高速応答性および視認性に優れ、薄型・軽量で、低消費電力のフラットパネルディスプレイなどとして期待されている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、少なくとも陽極、有機発光層、陰極を備える有機ＥＬ素子からなる画素と前記有機ＥＬ素子を点灯・制御する素子、例えばトランジスタが備えられることが通常である。有機ＥＬ表示装置の駆動方式には、マトリクス状に配置した有機ＥＬ素子を、互いに直交したストライプ状の走査電極およびデータ電極（信号電極）により外部から駆動するパッシブマトリクス方式と、画素ごとに薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴともいう）からなるスイッチング素子と駆動素子とメモリ素子を備え、有機ＥＬ素子を点灯させるアクティブマトリクス方式とがある。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置では、一般に、画素数の増大に伴い、パッシブマトリックス方式に比べ、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）により有機ＥＬ素子が駆動されるアクティブマトリクス方式のほうが優位とされている。これは、パッシブマトリクス方式は、走査電極が選択された期間のみ各画素の有機ＥＬ素子が点灯するため、画素数が多くなるに従い、有機ＥＬ素子の点灯期間が短くなって平均輝度が低下する傾向にあるのに対し、アクティブマトリクス方式は、画素ごとにＴＦＴからなるスイッチング素子とメモリ素子を備えているため有機ＥＬ素子の点灯状態が保持され、高輝度、高効率で長寿命の動作が可能であり、ディスプレイの高精細化や大型化に有利である傾向にあるなどの理由による。ここで、ＴＦＴに有機ＴＦＴを使用することにより、コスト削減、環境負荷の軽減につながる可能性がある。また、有機ＴＦＴは低いプロセス温度で作製することができるため、フィルム基板上にも作製可能であり、フレキシブルなディスプレイの実現が期待されている。
【０００６】
ところで、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴは、空気中の水分や酸素などによる浸食を受けやすく、これらの存在下では、ダークスポットが生じたり、素子が短絡する等の劣化が起こる場合がある。このような劣化を防ぐためには、素子を空気中の水分や酸素などによる浸食から保護する手段が必要であり、現在、素子全体を乾燥窒素や、アルゴンガスなどの雰囲気中でカバーガラスや缶パッケージなどで封止する手法が用いられている。
【０００７】
しかし、このようなガラス、缶などを用いた封止方法は製造コストが高く、また素子の薄型化に限界がある場合がある。そこで、ガラスや缶パッケージなどを用いず、有機ＥＬＥＬ素子、有機ＴＦＴなどの素子を防湿機能が備えられた保護膜で覆う構造が下記特許文献１に示されるように提案されている。
【０００８】
有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴなどの素子に限られず、水分や酸素などの外部からの素子にダメージを与える因子から素子を保護する保護膜は構成する膜として無機膜を含んで構成されていることが通常である。
【特許文献１】特開２００３−２５５８５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、無機膜はピンホールが部分的に生じ緻密性が十分でない場合がある。このように部分的にピンホールが生じ、この無機膜に生じたピンホールを通じて水分が外部から素子表面へ侵入し、素子にダメージを与えてしまう場合がある。
【００１０】
さらには保護膜中に有機膜を含むことで無機膜に生じるピンホールを穴埋めすることも考えられる。図１には背景技術に係る保護膜１２が無機膜１２２ａ／有機膜１２４／無機膜１２４ｂで構成され、基板１０／保護膜１２／有機ＥＬ素子１００の断面構造で示される有機ＥＬ表示装置（素子体）の保護膜１２付近の拡大図が示される。
【００１１】
しかし、図１で示される有機ＥＬ表示装置は確かに無機膜１２２で覆われているので、基板側からの矢印ａで示される水分を無機膜１２２ａによってシャットアウトすることができるが、一方、矢印ａで示される水分であって、無機膜１２２ａによってシャットアウトすることができなかった水分および矢印ｂで示されるように有機膜の側面方向から侵入する水分のうち、幾つかは矢印ｃで示されるように無機膜１２２ｂを通じて有機ＥＬ素子００へと至り、有機ＥＬ素子１００にダメージを与えてしまう場合がある。
【００１２】
なお、このような課題は、素子体が有機ＥＬ表示装置に限られず、他の素子体であっても生じるものである。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、より好適に水分などによる素子へのダメージを低減できる保護膜を備えた素子体の提供を主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、保護膜と前記保護膜によって保護された素子とを含む素子体であって、前記保護膜は少なくとも有機膜を備え、前記有機膜は第一有機膜層と第二有機膜層とを含み、前記第一有機膜層は、前記第二有機膜層よりも接触角が小さく、前記第二有機膜層は前記第一有機膜層よりも前記素子側に近い位置に形成されてなることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
「保護膜の検討」
本発明者らは、保護膜中に有機膜を含む素子体について検討した。その結果、有機膜を改良することでより好適に水分などによる素子へのダメージを低減できる保護膜を備えた素子体を提供することができることを見いだした。
【００１６】
本発明者らは、有機膜について有機膜層を２層以上、すなわち、第一有機膜層と第二有機膜層とを含み、第二有機膜層は第一有機膜層よりも前記素子側に近い位置に形成されてなる構成に着目した。鋭意検討した結果、驚くべきことに接触角を第一有機膜層と第二有機膜層とで相違させることで、水分を一定方向に移動させるように制御することができることを見いだした。この制御についてさらなる検討を行った結果、第一有機膜層の接触角を第二有機膜層の接触角よりも小さくすることで、有機膜層に侵入した水分、特に第二有機膜層の端部から侵入した水分は接触角のより小さい第一有機膜層へ向けて移動方向を制御することができる。また、第一有機膜層にＯＨ基などの親水基を含むと、親水基は水分をトラップするので好適であることも見いだした。
【００１７】
図面を用いて具体的に説明する。図２には保護膜１２が無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ、第二有機膜層１２４ｂ）／無機膜１２２ｂで構成され、基板１０／保護膜１２／有機ＥＬ素子１００の断面構造で示される有機ＥＬ表示装置（素子体）の保護膜付近が示される。第一有機膜層１２４ａの接触角は第二有機膜層１２４ｂの接触角よりも小さい。
【００１８】
図２において、有機膜に侵入した水分は矢印ｄ、ｅ、ｆで示されるように移動方向を制御される。それぞれの矢印について示される水分の移動について説明する。
【００１９】
矢印ｄ：第一有機膜層１２４ａに存在する水分（無機膜１２２ａのピンホール等から侵入した水分ａなど）は第一有機膜層１２４ａへ至る。水分は第一有機膜層１２４ａから第二有機膜層１２４ｂへ侵入しようとしても接触角の相違から第一有機膜層１２４ａと第二有機膜層１２４ｂの境界面で第一有機膜層１２４ａ側へ戻されることになる。
【００２０】
矢印ｅ：第二有機膜層１２４ｂの端部（横方向）から侵入した水分（矢印ｅ）については接触角の相違から第二有機膜層１２４ｂから第一有機膜層１２４ａ側へと移動方向を制御される。ついには第一有機膜層１２４ａと第二有機膜層１２４ｂの境界面を超え第一有機膜層１２４ａへと移動させられることになる。
【００２１】
矢印ｆ：第二有機膜層１２４ｂの水分（予め第二有機膜層１２４ｂに存在する水分など）は接触角の違いから第二有機膜層１２４ｂから第一有機膜層１２４ａの方向へ移動する。ついには第一有機膜層１２４ａと第二有機膜層１２４ｂの境界面を超え、第一有機膜層１２４ａへと移動させられることになる。
【００２２】
このようにして有機ＥＬ素子側に侵入した水分が移動しないように水分の移動方向が有機ＥＬ素子から遠い方向（第一有機膜層１２４ａ側）へ制御されるので、水分が有機ＥＬ素子へ至り、有機ＥＬ素子にダメージを与えてしまうことをより好適に防止できる。したがって、より信頼性の高い有機ＥＬ表示装置（素子体）を提供することができる。
【００２３】
また、本発明者らは、第一有機膜層の接触角が４０°以下であるか、前記第二有機膜層の接触角が１００°以上（特に好ましくは１１０°以上）であると水分の移動制御により好適であり、第一有機膜層の接触角が４０°以下かつ、前記第二有機膜層の接触角が１００°以上（特に好ましくは１１０°以上）であるとさらに水分の移動制御に好適であることも見いだした。なお、接触角は例えば理化学事典（岩波書店  第４版）などに定義される「制止液体の自由表面が固体壁に接する場所で、液面と固体面と液の内部のなす角」をいう。
【００２４】
また、本発明者らは、第一有機膜層はポリビニルアルコール、セルロース、澱粉のうち少なくとも一種を含んでなると好適であることも見いだした。
【００２５】
また、本発明者らは、第二有機膜層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンのうち少なくとも一種を含んでなると好適であり、さらに好適にはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）や、ポリトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素化合物などが好適であることを見出した。
【００２６】
図２Ａ、図２Ｂには別の実施形態として、図２と同様に保護膜１２が無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ、第二有機膜層１２４ｂ）／無機膜１２２ｂで構成される有機ＥＬ表示装置（素子体）の保護膜付近が示される。同様に第一有機膜層１２４ａの接触角は第二有機膜層１２４ｂの接触角よりも小さい。
【００２７】
図２Ａに係る構造は、図２と同様に基板１０／保護膜１２／有機ＥＬ素子１００の断面構造で示されるが、保護膜１２の有機膜１２４について第一有機膜層１２４ａが第二有機膜層１２４ｂによって端部まで覆う構造であり、第一有機膜層１２４ａが備えられた部分では第一有機膜層１２４ａ／第二有機膜層１２４ｂの二層構造であり、第一有機膜層１２４ａの端部から外部の第一有機膜層１２４ａが備えらていない領域は第二有機膜層１２４ｂの単層構造である。本実施形態における構造であっても有機ＥＬ素子側に侵入した水分が移動しないように水分の移動方向が有機ＥＬ素子から遠い方向（第一有機膜層１２４ａ側）へ制御されるので、水分が有機ＥＬ素子へ至り、有機ＥＬ素子にダメージを与えてしまうことをより好適に防止できる。
【００２８】
さらに、図２Ａに係る構造では、第一有機膜層１２４ａの端部が外気に露出していないので、図２に示した符号ｂの矢印のような、外気から第一有機膜層１２４ａへの水分の侵入はなくなくことになる。従って、相対的にＥＬ素子としての吸湿は抑制されるので、水分の影響をより低減することができる。
【００２９】
図２Ｂに係る構造は、保護膜１２として二層の保護膜１２ａ、保護膜１２ｂを備え、保護膜１２ｂ／基板１０／保護膜１２ａ／有機ＥＬ素子１００の断面構造で示される。本実施形態における構造であっても有機ＥＬ素子側に侵入した水分が移動しないように水分の移動方向が有機ＥＬ素子から遠い方向（第一有機膜層１２４ａ側）へ制御されるので、水分が有機ＥＬ素子へ至り、有機ＥＬ素子にダメージを与えてしまうことをより好適に防止できる。本実施形態に係る構造では、二層であるので単層である場合に加えてより好適に防止できる。
【００３０】
なお、図２、図２Ａ、図２Ｂに示される有機ＥＬ表示装置のように二層の無機膜を設けると無機膜の存在によって水分をシャットアウトし、素子にダメージを与えることを防止することができるが、適宜選択して無機膜を一方（前記第一有機膜層よりも素子に遠い側または前記第二有機膜層側よりも素子に近い側）または両方（前記第一有機膜層よりも素子に遠い側および前記第二有機膜層側よりも素子に近い側）を省略してもよい。無機膜は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯｘ、Ａｌの酸化膜のうち少なくとも一種を含んでなると好適である。
【００３１】
「有機ＥＬ表示装置」
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態については、本発明を実施するための一形態に過ぎず、本発明は本実施形態によって限定されるものではない。
【００３２】
図３には本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置Ｐの概略断面図が示される。有機ＥＬ表示装置Ｐは、フィルム基板１０と、基板１０上に形成されたバリア膜１２と、バリア膜１２上に形成された有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０と、有機ＴＦＴ５０を覆い、有機ＥＬ素子１００および有機ＴＦＴ５０を外部からの浸食から保護する封止膜２０とを有する。バリア膜１２、封止膜２０はいずれも保護膜である。
【００３３】
＜基板＞
基板１０は、その構成する材料は適宜選択して用いればよい。例えば、樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリサルフォン、ポリエチレンテレフタレートポリエステル、ポリプロピレン、セロファン、ポリカーボネート、酢酸セルロース、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン・酢酸ビニル共重合体けん化物、フッ素樹脂、塩化ゴム、アイオノマー、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体等として様々な基板を用いることができる。また、樹脂を主成分とする基板ではなく、ガラス基板や、ガラスとプラスティックの貼り合せ基板、金属板であってもよく、また基板表面にアルカリバリア膜や、ガスバリア膜がコートされていてもよい。また、これら透明基板に反対側から光を射出するトップエミッション型である場合などには、基板１０は必ずしも透明でなくともよい。
【００３４】
＜バリア膜＞
図３Ａには本実施形態に係るバリア膜１２の断面図が示される。バリア膜１２は本実施形態に限っては有機膜と無機膜を併用しているが無機膜のみであってもよい。バリア膜１２は保護膜の一つである。
【００３５】
バリア膜１２は、基板１０側から有機ＥＬ素子１００側へ向かって無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ／第二有機膜層１２４ｂ）／無機膜１２２ｂの構成からなる。
【００３６】
無機膜は、特に限られることなく適宜選択して用いることができる。無機膜として好適な例としてはＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯｘ、Ａｌの酸化膜のうち少なくとも一種を含んでなる無機膜である。無機膜は、適宜必要に応じて省略することができる。本実施形態のように無機膜１２２ａ、無機膜１２２ｂという二層の無機膜１２２を設けると無機膜の存在によって水分をシャットアウトし、素子にダメージを与えることを防止することができるが、適宜選択して無機膜を一方（第一有機膜層よりも素子に遠い無機膜１２２ａまたは第二有機膜層側よりも素子に近い無機膜１２２ｂ）または両方（無機膜１２２ａ、および無機膜１２２ｂ）を省略してもよい。
【００３７】
無機膜を形成させる方法は、スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００３８】
有機膜１２４は、第一有機膜層１２４ａを第二有機膜層１２４ｂよりも接触角を小さくする構成であると好適である。第一有機膜層１２４ａの接触角を小さくするために吸湿剤などを混入してもよいが、平滑性の維持などの観点から吸湿剤を混入せず第一有機膜層１２４ａ、第二有機膜層１２４ｂの材質で第一有機膜層１２４ａを第二有機膜層１２４ｂよりも接触角を小さくする構成とすると好適である。
【００３９】
第一有機膜層１２４ａの材質は特に限られることなく適宜選択して用いることができるが、例えばポリビニルアルコール、セルロース、澱粉のうち少なくとも一種を含んでなる有機膜層であると好適である。
【００４０】
第一有機膜層１２４ａの接触角は水分の移動制御の観点などから４０°以下であると好ましい。
【００４１】
第二有機膜層１２４ｂの材質は特に限られることなく適宜選択して用いることができるが、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンのうち少なくとも一種を含んでなる有機膜層であると好適であり、特に好ましくはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）や、ポリトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素化合物を含むと好適である。
【００４２】
第二有機膜層１２４ｂの接触角は水分の移動制御の観点などから１００°以上であると好ましく、特に好ましくは１１０°以上である。
【００４３】
有機膜の形成方法は、メタンやエチレンといった有機モノマーを含むガスを原材料に、プラズマを利用して分解重合させることで形成する有機膜気相成長法であるプラズマ重合法で形成したり、紫外線硬化型樹脂、熱硬化性樹脂などをスピンコート法などで塗布して、塗布後に硬化させて固体膜化するなどの方法をとることもできるが、これらに限定されず適宜適当な方法を用いることができる。
【００４４】
スピンコート法などで塗布するには、有機層材料を、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロメタン、γブチロラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、ＴＨＦ  （テトラヒドロフラン）、ＰＧＭＥ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、乳酸エチル、ＤＭＡｃ（Ｎ．Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＭＩＢＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｉｓｏｂｕｔｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＩＰＡ（ｉｓｏ  ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、エタノール、水等の溶媒から選ばれた１種または複数種、に前駆体を溶解し、スピンコートするなどの方法が採用できる。また、無溶媒のコートであればこれら溶媒を採用しなくてもよい。
【００４５】
本実施形態では、バリア膜１２の構成は基板１０側から有機ＥＬ素子１００側へ向かって無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ／第二有機膜層１２４ｂ）／無機膜１２２ｂの構成からなるが、これに限られず様々な構成をとることが可能である。
【００４６】
例えば、基板１０側から有機ＥＬ素子１００側へ向かって無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ／第二有機膜層１２４ｂ）の複数層／無機膜１２２ｂの構成としてもよい。この場合、有機膜１２４が複数層となることで水分の移動制御がより好適に行われることになる。また、基板１０側から有機ＥＬ素子１００側へ向かって無機膜１２２ａ／有機膜１２４（第一有機膜層１２４ａ／第二有機膜層１２４ｂ）と無機膜１２２ｂを複数層とする構成としてもよい。有機膜１２４の層数に加えて無機膜１２２ｂの層数が増加する分、無機膜による水分のバリア効果を得ることができる。
【００４７】
＜有機ＥＬ素子＞
図４には有機ＥＬ表示装置Ｐの有機ＥＬ素子１００付近の拡大図が示される。有機ＥＬ素子１００は、バリア膜１２側から陽極１４／有機固体層１６／陰極１８とから積層されて構成されている。
【００４８】
陽極１４は、正孔を注入しやすいエネルギレベルを持つ層を用いればよく、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム錫膜）などの透明電極を用いることができるが、有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型である場合には透明電極でなくとも一般的な電極を用いればよい。
【００４９】
ＩＴＯなどの透明導電性材料を例えば１５０ｎｍの厚さにスパッタリングなどによって形成する。ＩＴＯに限らず、代わりに酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛合金）、金、よう化銅等を採用することもできる。
【００５０】
有機固体層１６は、陽極１４側から正孔注入層１６２／正孔輸送層１６４／発光層１６６／電子輸送層１６７／電子注入層１６８とから構成されている。
【００５１】
正孔注入層１６２は、陽極１４と正孔輸送層１６４との間に設けられ、陽極１４からの正孔の注入を促進させる層である。正孔注入層１６２により、有機ＥＬ素子１００の駆動電圧は低電圧化することができる。また、正孔注入を安定化し素子を長寿命化するなどの役割を担ったり、陽極１４の表面に形成された突起などの凹凸面を被覆し素子欠陥を減少させる、などの役割を担う場合もある。
【００５２】
正孔注入層１６２の材質については、そのイオン化エネルギが陽極１４の仕事関数と正孔輸送層１６４のイオン化エネルギの間になるように適宜選択すればよい。例えば、トリフェニルアミン４量体（ＴＰＴＥ）、銅フタロシアニンなどを用いることができる。
【００５３】
正孔輸送層１６４は、正孔注入層１６２と発光層１６６の間に設けられ、正孔の輸送を促進させる層であり、正孔を発光層１６６まで適切に輸送する働きを持つ。
【００５４】
正孔輸送層１６４の材質については、そのイオン化エネルギが正孔注入層１６２と発光層１６６の間になるように適宜選択すればよい。例えば、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｅｎｅ）を採用することができる。
【００５５】
発光層１６６は、輸送された正孔と同じく輸送された後述の電子とを再結合させ、蛍光発光または燐光発光させる層のことである。発光層１６６は上記発光態様に対応できる性質を満たすものになるようにその材料を適宜選択すればよい。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）や、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）や、ポリアルキルチオフェンのようなπ共役高分子などを用いることができる。例えば緑色に発光させたければアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）を用いることができる。
【００５６】
電子輸送層１６７は、電子注入層１６８と発光層１６６との間に設けられ、発光層１６６まで電子を輸送する働きを持つ。電子輸送層１６７は、例えば、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などを用いることができる。
【００５７】
電子注入層１６８は、電子輸送層１６７と陰極１８との間に設けられ陰極１８からの電子の注入を促進する機能を有する。
【００５８】
電子輸送層１６８の材質については、陰極１８の仕事関数と発光層１６６の電子親和力の間になるように適宜選択すればよい。例えば、電子輸送層１６８はＬｉＦ（フッ化リチウム）、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）などの薄膜（例えば０．５ｎｍ）などが採用できる。
【００５９】
これら有機固体層１６を構成する各層は通常、有機物からなり、更に、低分子の有機物からなる場合、高分子の有機物からなる場合がある。有機固体層１６を形成する方法としては、例えば、低分子の有機物からなる有機固体層は一般に蒸着法等のドライプロセス（真空プロセス）によって、高分子の有機物からなる有機固体層は一般にスピンコート法、ブレードコート法、ディップ法、スプレー法そして印刷法等のウエットプロセスによって、それぞれ形成するなどすることができる。
【００６０】
有機固体層１６を構成する各層に用いる有機材料として、例えば高分子材料として、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体、などが挙げられる。
【００６１】
なお、本実施形態において、有機固体層１６は、正孔注入層１６２、正孔輸送層１６４、発光層１６６、電子輸送層１６７、電子注入層１６８から構成されるものを挙げたがこの構成に限定されることはなく、少なくとも発光層１６６を含んで構成されていればよい。
【００６２】
例えば、採用する有機材料等の特性に応じて、発光層の単層構造等の他、正孔輸送層／発光層、発光層／電子輸送層等の２層構造、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の３層構造や、更に電荷（正孔、電子）注入層などを備える多層構造などから構成することができる。
【００６３】
さらに有機固体層１６には発光層１６６と電子輸送層１６８の間に正孔ブロック層を設けてもよい。正孔は発光層１６６を通り抜け、陰極１８へ到達する可能性がある。例えば、電子輸送層１６８にＡｌｑ３等を用いている場合、電子輸送層に正孔が流れ込むことでこのＡｌｑ３が発光したり、正孔を発光層に閉じこめることができずに発光効率が低下する可能性がある。そこで、正孔ブロック層を設け、発光層１６６から電子輸送層１６８に正孔が流れ出てしまうことを防止してもよい。
【００６４】
陰極１８は、有機固体層１６への電子注入を良好にするため、仕事関数又は電子親和力の小さな材料を選定すればよい。例えば、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金などの合金型（混合金属）等を好適に用いることができる。陰極１８は、ＡｌやＭｇ、Ａｇなどの金属材料を例えば１５０ｎｍの厚さに真空蒸着などで形成することができる。
【００６５】
＜有機トランジスタ（有機ＴＦＴ）＞
本実施形態においては、有機トランジスタ（有機ＴＦＴ）を用いて駆動される有機ＥＬ表示装置Ｐにて説明しているが、これに限定されることなく適宜選択して駆動手段を選択することができる。
【００６６】
図５には、有機ＥＬ表示装置Ｐの有機ＴＦＴ５０付近の拡大図が示される。有機ＴＦＴ５０は、バリア膜１２側からバリア膜１２上に形成されたゲート電極５２と、ゲート電極５２の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜５４とを有している。
【００６７】
ゲート絶縁膜５４上には有機半導体層５６、左端縁側にソース電極５８、右端縁側にドレイン電極６０が形成されている。ここで、ドレイン電極６０は、有機ＥＬ素子１００の陽極１４に電気的に接続される。すなわち、有機ＴＦＴ５０は、ソース電極５８及びドレイン電極６０は、互いに分離して設けられ、ソース電極５８とドレイン電極６０の間に有機半導体層５６を介在させ、ゲート絶縁膜５４を介してソース電極５８、ドレイン電極６０、有機半導体層５６と対向されて配置されたゲート電極５２を有する構造である。
【００６８】
ゲート電極５２は、ゲート電極材料としては陽極酸化可能な金属であれば良く、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ等の単体もしくはそれらの合金を用いることができるがこれに限定されない。ゲート電極としては、十分な導電性があればよく、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属単体もしくは積層もしくはその化合物でも良い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料でもよい。
【００６９】
ゲート電極５２の製造方法は、基板１０上に、ゲート電極５２の配線パターンを形成する一般的な方法であればよい。スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スピンコート法、スプレー法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００７０】
ゲート絶縁膜５４は、好適には、ゲート電極５２の材料として用いた材料の表面を陽極酸化してゲート絶縁膜５４としても良い。これに限られず、無機材料、有機材料のいずれの絶縁物も使用できる。また、金属酸化物に限られず、ＦｅＳ、Ａｌ２Ｓ３、ＭｇＳ、ＺｎＳなどの硫化物、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＳｍＦ３などのフッ化物、ＨｇＣｌ、ＦｅＣｌ２、ＣｒＣｌ３などの塩化物、ＡｇＢｒ、ＣｕＢｒ、ＭｎＢｒ２などの臭化物、ＰｂＩ２、ＣｕＩ、ＦｅＩ２などのヨウ化物、またはＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化窒化物であってもよく特に限定されない。また、金属や金属化合物に限られず、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコールなどポリマー系材料などの有機材料を用いてもよい。
【００７１】
ゲート絶縁膜５４の形成方法は、特に限定されるものではなく適宜適切なものを用いればよいが。例えばスパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スピンコート法、スプレー法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。有機膜であればスピンコート法、印刷方式による方法、蒸着法などで形成してもよい。
【００７２】
ソース電極５８および／またはドレイン電極６０は、十分な導電性があれば適用でき、特に限定されることはないが、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属単体もしくは積層もしくはその化合物、あるいは、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料などを用いることができる。
【００７３】
ソース電極５８、ドレイン電極６０は一般的な方法により製造すればよい。スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、スピンコート法、ＣＶＤ、リフトオフ、等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００７４】
有機半導体５６としては、ペンタセンなど半導体特性を示す有機材料であれば良く、特に限定されないが、例えば、フタロシアニン系誘導体、ナフタロシアニン系誘導体、アゾ化合物系誘導体、ペリレン系誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、アントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シアニン系誘導体、フラーレン類誘導体、あるいはインドール、カルバゾール、オキサゾール、インオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサアジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾールなどの含窒素環式化合物誘導体、ヒドラジン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、スチルベン類、アントラキノンジフェノキノン等のキノン化合物誘導体、アントラセン、ビレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などでその構造がポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイミド鎖等の高分子の主鎖中に用いられた物あるいは側鎖としてペンダント状に結合したもの、もしくはポリパラフェニレン等の芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共役性高分子、ポリピノールやポリチオフェン率の複素環式共役性高分子、ポリアニリン類やポリフェニレンサルファイド等の含ヘテロ原子共役性高分子、ポリ（フェニレンビニレン）やポリ（アニーレンビニレン）やポリ（チェニレンビニレン）等の共役性高分子の構成単位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等の炭素系共役高分子が用いられる。また、ポリシラン類やジシラニレンアリレンポリマー類、（ジシラニレン）エテニレンポリマー類、（ジシラニレン）エチニレンポリマー類のようなジシラニレン炭素系共役性ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性構造が交互に連鎖した高分子類などが用いられる。他にもリン系、窒素系等の無機元素からなる高分子鎖でも良く、さらにフタロシアナートポリシロキサンのような高分子鎖の芳香族系配位子が配位した高分子類、ペリレンテトラカルボン酸のようなペリレン類を熱処理して縮環させた高分子類、ポリアクリロニトリルなどのシアノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理して得られるラダー型高分子類、さらにペロブスカイト類に有機化合物がインターカレートした複合材料を用いてもよい。
【００７５】
有機半導体５６の形成方法としては、蒸着法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えばイオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、スピンコート法等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００７６】
本実施形態では、有機ＴＦＴ５０を有機ＥＬ素子１００の駆動素子として用いたがこれに限られることなく、別のトランジスタを用いることも可能である。さらにはパッシブ方式などの場合にはトランジスタを用いなくてもよい場合もある。
【００７７】
＜封止膜＞
図３Ｂには本実施形態にかかる封止膜２０の断面図が示される。封止膜２０は保護膜の一つである。封止膜２０は有機ＥＬ素子１００側から外側に向かって無機膜２０２ａ／有機膜２０４（第二有機膜層２０４ｂ／第一有機膜層２０４ａ）／無機膜２０４ｂの構成からなる。
【００７８】
無機膜は、特に限られることなく適宜選択して用いることができる。無機膜として好適な例としてはＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯｘ、Ａｌの酸化膜のうち少なくとも一種を含んでなる無機膜である。無機膜は、適宜必要に応じて省略することができる。本実施形態のように無機膜２０２ａ、無機膜２０２ｂという二層の無機膜２０２を設けると無機膜の存在によって水分をシャットアウトし、素子にダメージを与えることを防止することができるが、適宜選択して無機膜を一方（第一有機膜層よりも素子に遠い無機膜２０２ａまたは第二有機膜層側よりも素子に近い無機膜２０２ｂ）または両方（無機膜２０２ａ、および無機膜２０２ｂ）を省略してもよい。
【００７９】
無機膜を形成させる方法は、スパッタリング法やＣＶＤ法等があげられるが、特に限定されることはなく、適宜適切なものを用いればよい。例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、ゾルゲル法、スプレー法、ＣＶＤ等の一般的な薄膜作成方法にても可能である。
【００８０】
有機膜２０４は、第一有機膜層２０４ａを第二有機膜層２０４ｂよりも接触角を小さくする構成であると好適である。第一有機膜層２０４ａの接触角を小さくするために吸湿剤などを混入してもよいが、平滑性の維持などの観点から吸湿剤を混入せず第一有機膜層２０４ａ、第二有機膜層２０４ｂの材質で第一有機膜層２０４ａを第二有機膜層２０４ｂよりも接触角を小さくする構成とすると好適である。
【００８１】
第一有機膜層２０４ａの材質は特に限られることなく適宜選択して用いることができるが、例えばポリビニルアルコール、セルロース、澱粉のうち少なくとも一種を含んでなる有機膜層であると好適である。
【００８２】
第一有機膜層２０４ａの接触角は水分の移動制御の観点などから４０°以下であると好ましい。
【００８３】
第二有機膜層２０４ｂの材質は特に限られることなく適宜選択して用いることができるが、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンのうち少なくとも一種を含んでなる有機膜層であると好適であり、特に好ましくはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）や、ポリトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等のフッ素化合物を含むと好適である。
【００８４】
第二有機膜層２０４ｂの接触角は水分の移動制御の観点などから１００°以上であると好ましく、特に好ましくは１１０°以上である。
【００８５】
有機膜の形成方法は、メタンやエチレンといった有機モノマーを含むガスを原材料に、プラズマを利用して分解重合させることで形成する有機膜気相成長法であるプラズマ重合法で形成したり、紫外線硬化型樹脂、熱硬化性樹脂などをスピンコート法などで塗布して、塗布後に硬化させて固体膜化するなどの方法をとることもできるが、これらに限定されず適宜適当な方法を用いることができる。
【００８６】
スピンコート法などで塗布するには、有機層材料を、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロメタン、γブチロラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、ＴＨＦ  （テトラヒドロフラン）、ＰＧＭＥ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、乳酸エチル、ＤＭＡｃ（Ｎ．Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＭＩＢＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｉｓｏｂｕｔｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＩＰＡ（ｉｓｏ  ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、エタノール等の溶媒から選ばれた１種または複数種、に前駆体を溶解し、スピンコートするなどの方法が採用できる。また、無溶媒のコートであればこれら溶媒を採用しなくてもよい。
【００８７】
本実施形態では、封止膜２０の構成は有機ＥＬ素子１００側から外側に向かって無機膜２０２ａ／有機膜２０４（第二有機膜層２０４ｂ／第一有機膜層２０４ａ）／無機膜２０２ｂの構成からなるが、これに限られず様々な構成をとることが可能である。
【００８８】
例えば、有機ＥＬ素子１００側から外側に向かって無機膜２０２ａ／有機膜２０４（第二有機膜層２０４ｂ／第一有機膜層２０４ａ）の複数層／無機膜２０２ｂの構成としてもよい。この場合、有機膜２０４が複数層となることで水分の移動制御がより好適に行われることになる。また、有機ＥＬ素子１００側から外側に向かって無機膜２０２ａ／有機膜２０４（第二有機膜層２０４ｂ／第一有機膜層２０４ａ）と無機膜２０２ｂを複数層とする構成としてもよい。有機膜２０４の層数に加えて無機膜２０２ｂの層数が増加する分、無機膜による水分のバリア効果を得ることができる。
【００８９】
本実施形態において、バリア膜１２、封止膜２０は、水分から有機ＥＬ素子１００を保護する保護膜として昨日するだけでなく、有機膜が無機膜に形成されたピンホールや表面凹凸を埋め、表面を平坦化させる。また、無機膜の膜応力を緩和させたりする役割を担う場合もある。
【００９０】
有機ＥＬ表示装置Ｐにおける有機ＥＬ素子１００、有機ＴＦＴ５０の各層の製造方法は、例えば、印刷方式としては、グラビアコート、グラビアリバースコート、コンマコート、ダイコート、リップコート、キャストコート、ロールコート、エアーナイフコート、メイヤーバーコート、押し出しコート、オフセット、紫外線硬化オフセット、フレキソ、孔版、シルク、カーテンフローコート、ワイヤーバーコート、リバースコート、グラビアコート、キスコート、ブレードコート、スムーズコート、スプレーコート、かけ流しコート、刷毛塗り等の各種印刷方式が適用できる。下層を乾燥被膜としてから、その上にコートを行う他、下層とその上層とをウェット状態で２層重ねてから乾燥させることもできる。
【００９１】
＜有機ＥＬ表示装置の発光態様＞
上述の有機ＥＬ表示装置Ｐの発光態様について説明する。
【００９２】
ゲート電極５２とソース電極５８の間に電圧が印加されると、有機半導体５６とゲート絶縁膜５４との界面（数ｎｍ程度の領域）に正孔が生成する。正孔が生成後、ソース電極５８とドレイン電極６０間に電圧をかけると正孔を輸送させることができる。一方で、ゲート電極５２とソース電極５８の間に電圧が印加されないと正孔は輸送されない。このように非導通状態（スイッチがオフの状態）と導通状態（スイッチがオン状態）を利用して、スイッチングを行うことができる。
【００９３】
ソース電極５８からホール（正孔）がゲート絶縁膜５４を通じて、ドレイン電極６０へ供給される。ドレイン電極６０を通じて正孔は、有機ＥＬ素子１００の陽極１４へ伝えられる。
【００９４】
有機ＥＬ素子１００において、陽極１４から正孔が有機固体層１６中の正孔注入層１６２へと輸送される。輸送された正孔は、正孔輸送層１６４へと注入される。正孔輸送層１６４へ注入された正孔は、発光層１６６へと輸送される。
【００９５】
また、有機ＥＬ素子１００において、陰極１８から電子が有機固体層１６中の電子注入１６８へと輸送される。輸送された電子は、電子輸送層１６７へと注入される。輸送された電子は、発光層１６６へと輸送される。
【００９６】
輸送された正孔および電子は、発光層１６６中で再結合する。再結合の際、発せられるエネルギにより、ＥＬによる発光が発生する。この発光は、順に正孔輸送層１６４、正孔注入層１６２、陽極１４、バリア膜１２、基板１０を通じて外部へと導出され、その発光を視認することができる。
【００９７】
陰極１８にＡｌが用いられている場合などは、陰極層１８と電子輸送層１６８との界面が反射面となり、この界面で反射され、陽極１４側へと進み、基板１０を透過して外部へと射出される。したがって、以上のような構成の有機ＥＬ素子をディスプレイなどに採用した場合、基板１０側が表示の観察面となる。
【００９８】
例えば、有機ＥＬ表示装置で、フルカラーディスプレイを実現しようとする場合、例えば、ＲＧＢ各色を発光する有機ＥＬ素子を塗り分けにより製造する方式（塗り分け法）、白色発光の単色発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式（カラーフィルタ法）、青色発光若しくは白色発光等の単色発光の有機ＥＬ素子と色変換層とを組み合わせた方式（色変換法）、単色の有機ＥＬ素子であって、有機発光層に電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）などが挙げられるが特に限定されない。
【００９９】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置（素子体）では、接触角を第一有機膜層と第二有機膜層とで相違させることで、水分を一定方向に移動させるように制御することができることを見いだした。この制御についてさらなる検討を行った結果、第一有機膜層の接触角を第二有機膜層の接触角よりも小さくすることで、有機膜層に侵入した水分、特に第二有機膜層の端部から侵入した水分は接触角のより小さい第一有機膜層へ向けて移動方向を制御することができる。これにより、より好適に水分などによる素子へのダメージを低減できる保護膜を備えることができる。また、第一有機膜層にＯＨ基などの親水基を含むと、親水基は水分をトラップするので好適である。
【０１００】
上記実施形態では、説明の便宜上バリア膜１２について説明したがこれに限られることなく保護膜一般に適用することができる。勿論上記実施形態における封止膜２０に用いてもよく、これに限られることなく、有機太陽電池やディスプレイに用いる素子一般を備える素子体の保護膜として使用できる。素子体たるディスプレイは、有機ＥＬ表示装置のみに限られず、半導体レーザ、ディスプレイ一般、例えば、液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、電子ペーパー、トナーディスプレイなどあってもよく、素子はこれらに含まれるトランジスタ一般（例えばＣＮＴ−ＦＥＴなど）、ダイオード、キャパシタ、化合物半導体などの回路素子一般などを含むものである。
【０１０１】
なお、上記実施形態では、保護により好適であることからバリア膜１２、封止膜２０を用いたがこれらのうちいずれか一方を省略することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】背景技術における有機ＥＬ表示装置の保護膜付近における模式的な断面説明図である。
【図２】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の保護膜付近における模式的な断面説明図である。
【図２Ａ】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の保護膜付近における模式的な断面説明図である。
【図２Ｂ】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の保護膜付近における模式的な断面説明図である。
【図３】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の模式的な断面図である。
【図３Ａ】本実施形態における保護膜の断面図である。
【図３Ｂ】本実施形態における保護膜の断面図である。
【図４】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子付近の模式的な拡大図である。
【図５】本実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＴＦＴ付近の模式的な拡大図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  基板
１２  バリア膜（保護膜）
１４  陽極
１６  有機固体層
１８  陰極
２０  封止膜（保護膜）
５０  有機ＴＦＴ
１００  有機ＥＬ素子
Ｐ  有機ＥＬ表示装置
【図１】
2007073504.tif 000003
【図２】
2007073504.tif 000004
【図２Ａ】
2007073504.tif 000005
【図２Ｂ】
2007073504.tif 000006
【図３】
2007073504.tif 000007
【図３Ａ】
2007073504.tif 000008
【図３Ｂ】
2007073504.tif 000009
【図４】
2007073504.tif 000010
【図５】
2007073504.tif 000011