(57)【要約】【課題】導電性液晶半導体を用いて半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスにより情報記録部を作製することができる新規なメモリ素子、これを用いたデータ記録方法及びＩＣタグを提供すること。【解決手段】本発明のメモリ素子は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第１の電極群と、前記第１の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第１の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2007324314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、
互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第１の電極群と、
前記第１の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、
前記導電性液晶半導体材料層上に前記第１の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群と、を有することを特徴とするメモリ素子。
【請求項２】
液晶分子配列を持っていない状態の前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って導電性及び光学異方性の２つの性質を同時に持つスポットを形成させ、該導電性を持つスポットと非導電性のスポット及び光学異方性の相違により情報を記憶することができ、電気的方法及び光学的方法の異なる２つの方法のいずれでも情報の読み出しが可能な請求項１記載のメモリ素子。
【請求項３】
前記液晶化合物が下記一般式（１）で表されるスチリル誘導体である請求項１又は２記載のメモリ素子。
【化１】
2007324314.tif 000014
【請求項４】
前記導電性液晶半導体材料層はアルキル鎖の長さが異なる前記一般式（１）で表されるスチリル誘導体から選ばれた化合物を２成分以上含有するものである請求項３記載のメモリ素子。
【請求項５】
前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することを特徴とする請求項１記載のメモリ素子のデータ記録方法。
【請求項６】
前記第１の電極群の前記電極と前記第２の電極群の前記透明電極との交差地点にレーザー光をスポット照射して加熱処理する請求項５記載のメモリ素子のデータ記録方法。
【請求項７】
前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って、該液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成させ、１スポットに光学的に多重記録することを特徴とする請求項１記載のメモリ素子のデータ記録方法。
【請求項８】
請求項７記載のメモリ素子のデータ記録方法により記録されたデータの読み出し方法であって、前記液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットに励起光を照射し、生じた蛍光偏光の振動方向に、偏光板の透過軸の方向を合わせることを特徴とする多重記録されたデータの読み出し方法。
【請求項９】
請求項１乃至４の何れか１項に記載のメモリ素子を用いてなることを特徴とするＩＣタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性液晶半導体を用いたメモリ素子、データ記録方法及びＩＣタグに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンや化合物半導体に替わる半導体素材として有機半導体が注目されている。従来の半導体による半導体素子は高真空下、高温下の製造プロセスが不可欠であるため製造コストの低減が困難である。これに対して、有機物が半導体素材として使用できれば、半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスによって半導体素子が形成可能になる。
【０００３】
本発明者らは、先に長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物は、スメクチック相の液晶状態で電圧を印加するか、又はスメクチック相からの相転移で生じる固体状態で電圧を印加することにより、光励起なしで優れた電荷輸送能を有することから、該液晶化合物を、例えば有機エレクトロルミネッセンス材料や薄膜トランジスター等の有機半導体素子に用いることを提案した（例えば、特許文献１〜５参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６２７１号公報
【特許文献２】国際公開第２００４／８５３６０号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２００４／８５３５９号パンフレット
【特許文献４】特開２００４−３１１１８２号公報
【特許文献５】特開２００５−１４２２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、更に導電性液晶半導体の用途について鋭意研究を進める中で、メモリ素子の情報記録部を、該導電性液晶半導体を用いて半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスにより提供することができることを見出し本発明を完成するに到った。
【０００６】
即ち、本発明は、導電性液晶半導体を用いて半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスにより情報記録部を作製することができる新規なメモリ素子、これを用いたデータ記録方法及びＩＣタグを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明が提供する第１の発明は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第１の電極群と、前記第１の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第１の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群と、を有することを特徴とするメモリ素子である。
【０００８】
また、本発明が提供する第２の発明は、前記液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することを特徴とする前記第１の発明のメモリ素子のデータ記録方法である。
【０００９】
また、本発明が提供する第３の発明は、前記第１の発明のメモリ素子を用いてなることを特徴とするＩＣタグである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のメモリ素子は、半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスによりメモリ素子の情報記録部を作製することができ、また、その情報記録手段もレーザー光をスポット照射するという単純な作業で行うことができる。このため、該メモリ素子を用いることによりメモリ素子の作製からＩＣタグの調製まで印刷法や単純なプロセスによりＩＣタグが製造可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のメモリ素子は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第１の電極群と、前記第１の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第１の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明のメモリ素子において情報記録部となる前記導電性液晶半導体材料層は、通常、液晶分子配列を持っていない状態の液晶化合物を含み、レーザー光による選択的な加熱処理により、選択的に加熱処理されたスポットのみがスメクチック相の分子配列を形成し、このスポット（スメクチック液晶状態のスポット）は室温下においても導電性を持つと同時に光学的異方性を持つ。従って本発明のメモリ素子によれば、電気的方法で情報の読み出しができると同時に光学的方法でも情報の読み出しが出来ることも特徴の一つである。このため本発明のメモリ素子は、電気的な読み出しに不具合が生じた場合においても光学的方法により情報の読み出しが出来るので、バックアップ機能に優れたものである。
【００１３】
以下、本発明のメモリ素子の実施形態を図面を用いて説明する。図１〜図２は、本発明のメモリ素子の一実施形態を示す模式図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態のメモリ素子（１）は、下部基板（６）上に、第１の電極群（５）、長い共役結合を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層（４）、第２の電極群（３）、透明基板（２）が順次設けられてなる。
【００１５】
下部基板（６）の材質は、特に制限されるものではなく、例えば合成樹脂類、天然樹脂類等が単体または混合体、共重合体或いは複合体として用いられ、具体的には、ポリエステル樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリ乳酸、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、変性ＰＰＯ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファルド樹脂等の熱可塑性樹脂、もしくはそれらの材料の複合による樹脂の混合体、共重合体等を用いることができ、さらにはガラス繊維または顔料、充填剤の添加による強化樹脂等が挙げられる。またポリ乳酸、ポリカプロラクトン、ポリ（３ヒドロキシブチレート−ヒドロキシヴァリレート）、ポリビニルアルコール樹脂などの生分解性樹脂を用いることができ、さらにはそれら樹脂単体また樹脂混合体、共重合体を用いることができる。
【００１６】
下部基板上（６）上に設けられた第１の電極群（５）は、図２に示すように、互いに平行な複数本の線状の電極から構成される。第１の電極群で使用する電極の材料は、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
【００１７】
導電性液晶半導体材料層（４）は、第１の電極群（５）を覆うように形成される。本発明に係る導電性液晶半導体材料層は、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を、好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上含む。該導電性液晶半導体材料層中の該液晶化合物の含有率が７０重量％未満では、スメクチック相の分子配列を保持させることが難しくなり、レーザー光を照射したスポットも導電性が低いものが得られ、レーザー光により情報の記録ができなくなるおそれがある。
【００１８】
前記長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物（以下、「本発明に係る液晶化合物」ともいう）としては、好ましくは下記一般式（３ａ）〜（３ｇ）の液晶化合物を挙げることができる。
【００１９】
【化２】
2007324314.tif 000003
【００２０】
前記一般式（３ａ）〜（３ｇ）中のＲ1又はＲ2の前記アルキル基としては、炭素数３〜２０のものが好ましく用いられる。アルキル基の具体例としては、例えば、ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。特に、アルキル基が一般式ＣＨ3−（ＣＨ2）x−ＣＨ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）y−ＣＨ2−（式中、ｘは０〜７の整数、ｙは０〜７の整数を示す）で表される分岐状のアルキル基の場合は、各種溶媒への溶解性を向上させることができるので好ましい。
【００２１】
前記一般式（３ａ）〜（３ｇ）中のＲ1又はＲ2の前記アルコキシ基としては、一般式ＣnＨ2n+1Ｏ−で表される式中のｎが３〜２０の整数であることが好ましい。特に、アルコキシ基が一般式ＣＨ3−（ＣＨ2）x−ＣＨ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）y−ＣＨ2−Ｏ−（式中、ｘは０〜７の整数、ｙは０〜７の整数を示す）で表される分岐状のアルコキシ基の場合は、各種溶媒への溶解性を向上させることができるので好ましい。
また、Ｒ1とＲ2の基の組合せがアルキル基とアルコキシ基の場合において特に各種溶媒への溶解性を更に向上させることができる。
【００２２】
また、前記一般式（３ａ）〜（３ｇ）中のＡとしては、下記式（４ａ）〜（４ｅ）の基が挙げられる。
【００２３】
【化３】
2007324314.tif 000004
【００２４】
本発明に係る液晶化合物（長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物）は、シス体、トランス体あるいはその混合物であってもよい。
【００２５】
本発明に係る液晶化合物は、下記一般式（１）で表されるスチリル誘導体が好ましい。
【化４】
2007324314.tif 000005
【００２６】
前記一般式（１）で表わされるスチリル誘導体は、下記反応式（１）、下記反応式（２）又は下記反応式（３）に従って容易に製造することができる。
即ち、前記反応式（１）によれば、前記一般式（１）中のＲ1とＲ2が同一の基を有し、ｎが２のスチリル誘導体を得ることができる。
また、前記反応式（２）によれば、前記一般式（１）中のＲ1とＲ2が異なる基を有し、ｎが２のスチリル誘導体を得ることができる。
また、前記反応式（３）によれば、前記一般式（１）中のｎが３のスチリル誘導体を製造することができる。
【００２７】
【化５】
2007324314.tif 000006
【００２８】
前記反応式（１）の反応は、具体的には、ｐ−キシレンビス−（トリフェニルホスホニウムブロマイド）（化合物（６））に対して、ベンズアルデヒド誘導体（化合物（５））を好ましくは２〜４倍モル、更に好ましくは２〜２．５倍モル及びアルコキシド等の塩基を好ましくは１〜５倍モル、更に好ましくは３．５〜４．５倍モル用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは２０〜５０℃で０．５〜５０時間、一層好ましくは５〜３０時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（１）で表わされるスチリル誘導体（化合物（１−１））を得ることができる（特開２００４−６２７１号公報及び国際公開第２００４／０８５３６０号公報参照）。
【００２９】
【化６】
2007324314.tif 000007
【００３０】
前記反応式（２）の反応は、具体的には、ベンズアルデヒド誘導体（化合物（７））に対して、ホスホニウム塩（化合物（８））を好ましくは１〜３倍モル、更に好ましくは１〜１．５倍モル及びアルコキシド等の塩基を好ましくは１〜４倍モル、更に好ましくは２〜３倍モル用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは−２０〜５０℃、更に好ましくは−５〜２５℃で１〜２０時間、一層好ましくは５〜１５時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（１）で表わされるスチリル誘導体（化合物（１−２））を得ることができる（国際公開第２００４／０８５３５９号公報参照。）。
【００３１】
【化７】
2007324314.tif 000008
【００３２】
前記反応式（３）の反応は、具体的には、前記ベンズアルデヒド誘導体（化合物（７））に対して、ホスホニウム塩（化合物（９））を好ましくは０．９〜１．１倍モル、更に好ましくは１倍モル程度及びアルコキシド等の塩基を好ましくは０．８〜５倍モル、更に好ましくは１倍モル程度用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは０〜１５０℃、更に好ましくは３０〜８０℃で５時間以上、一層好ましくは１０〜３０時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（１）で表わされるスチリル誘導体（化合物（１−３））を得ることができる（特願２００６−３７１４９号参照。）。
【００３３】
更に、前記反応式（１）、反応式（２）又は反応式（３）の反応において、得られたスチリル誘導体（化合物（１−１、１−２、１−３））をヨウ素の存在下に溶媒中で加熱処理することにより、該スチリル誘導体（化合物（１−１、１−２、１−３））に相当するトランス体を選択的に得ることができる。この場合、ヨウ素の添加量はスチリル誘導体（化合物（１−１、１−２、１−３））に対して０．００１〜０．１倍モル、好ましくは０．００５〜０．０１倍モルであり、加熱処理温度は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１５０℃である。また、この際、用いることができる溶媒は、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等が挙げられ、これは１種又は２種以上で用いることができる。
【００３４】
本発明に係る導電性液晶半導体材料層は、アルキル鎖の長さが異なる前記一般式（１）で表されるスチリル誘導体から選ばれた化合物を２成分以上含有するものが好ましい。斯かる導電性液晶半導体材料層を用いることにより、液晶分子のスメクチック相の分子配列の記憶が向上し室温域に戻った状態でもスメクチック相の分子配列をほぼ完全に記憶させることができ、また、特に導電性が高いものが得られる。
この場合、アルキル鎖の長さが異なる前記一般式（１）で表わされるスチリル誘導体同士の組み合わせが好ましく、アルキル鎖の長さが異なる炭素数３〜１８の任意の２成分以上の化合物の組合せが特に好ましい。
尚、本発明において、前記アルキル鎖とは、Ｒ1とＲ2がアルコキシ基の場合は、一般式；ＣnＨ2n+1Ｏ−のアルコキシ基の式中の「ＣnＨ2n+1」のアルキル基の部分を示す。また、本発明において、前記アルキル鎖の長さとは、アルキル鎖を構成する炭素の数（Ｃ数）を意味する。
【００３５】
本発明に係る導電性液晶半導体材料層に使用する液晶化合物の特に好ましい組合せは、前記一般式（１）中のＲ1とＲ2が炭素数１２〜１８のアルキル基又は一般式；ＣnＨ2n+1Ｏ−（式中、ｎは１２〜１８の整数を示す）で表わされるアルコキシ基から選ばれる基であるスチリル誘導体（Ａ）と、前記一般式（１）中のＲ1とＲ2が炭素数６〜１１のアルキル基又は一般式；ＣnＨ2n+1Ｏ−（式中、ｎは６〜１１の整数を示す）で表わされるアルコキシ基から選ばれる基であるスチリル誘導体（Ｂ）とを含有するものである。
【００３６】
本発明に係る導電性液晶半導体材料層において、前記のように２成分以上の液晶化合物（スチリル誘導体）の混合物とする場合、その各成分の配合割合は、スメクチック相の液晶相を示す温度範囲が１００〜２５０℃、特に１３０〜２５０℃となるように任意の配合割合で調製されることが好ましい。スメクチック相の液晶相を示す温度範囲が１００〜２５０℃、特に１３０〜２５０℃であると、少なくとも１００℃程度、特に１３０℃程度の実用的な温度での耐熱性を有し、更に、特に室温域での導電性が高い導電性液晶半導体材料層が得られる点で特に好ましい。
【００３７】
前記各成分の配合割合は、用いるスチリル誘導体によって大きく異なるが、例えば、本発明において好ましい組み合わせの一つである前記スチリル誘導体（Ａ）として前記一般式（１）中のＲ1とＲ2がＣ15Ｈ31Ｏ−のアルコキシ基であるスチリル誘導体を用い、前記スチリル誘導体（Ｂ）として前記一般式（１）中のＲ1とＲ2がＣ10Ｈ21Ｏ−のアルコキシ基であるスチリル誘導体を用いる場合には、前記スチリル誘導体（Ａ）に対するモル比で前記スチリル誘導体（Ｂ）が０．９０〜１．１０、好ましくは１である。
【００３８】
図２に示すように、本実施形態のメモリ素子（１）は、前記導電性液晶半導体材料層（４）上に、前記第１の電極群（５）の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群（３）を有する。使用できる透明電極の種類は、特に制限されるものではないが、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等を使用することができる。
【００３９】
前記第２の電極群（３）上には透明基板（２）が設置される。使用できる透明基板の材質は特に制限されるものでなく、例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、メタクリレート、トリアセテートセルロースなどを使用することができる。
【００４０】
このような構成を持つ本実施形態のメモリ素子（１）は、例えば下記製造例１又は製造例２によって製造することができる。
【００４１】
製造例１：下部基板（６）上に第１の電極群（５）を、透明基板（２）上に透明電極から形成された第２の電極群（３）をそれぞれ形成し、次に電極群（５）を形成した下部基板（６）に前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む層を該電極群（５）を覆うように形成させてこの層を導電性液晶半導体材料層（４）とし、該導電性液晶半導体材料層（４）を形成した下部基板（６）と電極群（３）を形成した透明基材（２）とを圧着する方法（図３の製造例１参照。）。
【００４２】
製造例２：下部基板（６）上に第１の電極群（５）を、透明基板（２）上に透明電極から形成された第２の電極群（３）をそれぞれ形成し、次に該透明電極上に前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層（４）を形成させる。一方、電極群（５）を形成した下部基板（６）上にも該電極群（５）を覆うように前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層（４）を形成させ、こうして得られた下部基板（６）と透明基板（２）とを導電性液晶半導体材料層（４）で圧着する方法（図３の製造例２参照。）
【００４３】
尚、電極の形成方法としては、前記の電極原料を蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法等がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペースト等を凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００４４】
また、導電性液晶半導体材料層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着、斜方真空蒸着、或いは液晶化合物を溶媒に溶解し、印刷法、ディップコート法、或いはスピンコーティング法による塗布方法により層形成させる方法等がある。また、前記印刷法としては、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
以下に、図１に示すメモリ素子（１）の製造方法の具体例を示す。尚、本具体例で使用するスチリル誘導体（液晶化合物）は、後述する〔実施例〕の項に示した手順（合成例１、合成例２）に従って調製することができるものである。
【００４６】
＜メモリ素子（１）の製造方法の具体例＞
ポリエチレンテレフタレートの下部基板（６）上（寸法２×２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）に市販の銀分７５重量％、バインダ樹脂１５重量％、溶剤１０重量％を含む導電性ペーストを用い、スクリーン印刷し、５０℃２０分の予備乾燥を経て、１５０℃で３０分の焼成を行うことで平行な複数本の線状の銀電極からなる第１の電極群（５）を製造する。
次に、合成例１及び合成例２（後述する〔実施例〕の項の記載参照）で得られたスチリル誘導体（Ａ）及び（Ｂ）の等モル比の混合試料４０ｍｇをサンプルボードに入れ、蒸着装置に取り付ける。基板と試料との距離を１２ｃｍとして真空計を見て気化状態を確認しながら真空蒸着を行い、蒸着終了後、窒素ガスを乾燥剤を通して導入し大気圧に戻して膜厚が例えば３００ｎｍの導電性液晶半導体材料層（４）を製造する。
一方、スパッタリング法で形成したＩＴＯ薄膜をフォトリソグラフ法を用いてポリカーボネートの透明基板（２）上（寸法２×２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）に平行な複数本の線状のＩＴＯ電極からなる第２の電極群（３）を製造する。
そして、この電極群（３）を形成した透明基板（２）に前記で形成した導電性液晶半導体材料層（４）を有する下部基板（６）を圧着してメモリ素子（１）を製造する。
【００４７】
本発明のメモリ素子は、前記液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することにより、データ記録を行う。
本実施形態のメモリ素子（１）は、液晶分子配列を持っていない状態の前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層（４）にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って導電性及び光学異方性の２つの性質を同時に持つスポットを形成させ、該導電性を持つスポットと非導電性のスポット及び光学異方性の相違により情報を記憶することができ、電気的方法及び光学的方法の異なる２つの方法のいずれでも情報の読み出しが可能なものであり、斯かるメモリ素子（１）を用いたデータ記録は、例えば次のようにして行うことができる。
【００４８】
即ち、本実施形態のメモリ素子（１）を用いたデータ記録は、図４及び図５に示すように、導電性液晶半導体材料層（４）に第２電極群（３）の透明電極を透過させたレーザー光（７）を、第１の電極群（５）の電極と第２の電極群（３）の透明電極との交差地点にスポット照射して選択的に加熱処理を行うことにより、行うことができる。該導電性液晶半導体材料層（液晶分子配列を持っていない状態の液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層）はレーザー光で処理しないものは絶縁性であるのに対して、レーザー光で処理したスポット（導電性スポット（８））だけ、スメクチック相の液晶状態となり、レーザー光の照射後、室温下においてもスメクチック相の分子配列のほぼ完全に保持された固体状態で極めて高い導電性と光学異方性を示す。このため、例えば絶縁状態で光学的異方性も示さない状態の導電性液晶半導体材料層（４）にレーザー光をスポット照射して選択的にスメクチック液晶状態のスポットを形成させることにより、このスポットは極めて高い導電性と光学異方性を示すことから非導電性部分と導電性部分或いは光学異方性の相違により同時にデータの記録を行うことができる。
また、照射するレーザー光はエネルギー密度が特に１０×１０3Ｗ／ｃｍ2以上、好ましくは１５×１０3Ｗ／ｃｍ2以上、特に好ましくは１５×１０3〜３５×１０3ｗ／ｃｍ2で鮮明にデータの記録を行うことができる。尚、波長等のその他の条件は特に制限されるものではない。
【００４９】
尚、本発明のメモリ素子おいて、データ記録前（レーザー光照射前）における、前記導電性液晶半導体材料層に含まれる全ての前記液晶化合物に占める前記「液晶分子配列を持っていない状態の液晶化合物」の割合は、好ましくは９５重量％以上、特に好ましくは９９重量％以上である。該割合が９５重量％未満では、記録されたデータの信頼性が低くなるおそれがある。
【００５０】
前記加熱処理により、図６に示すように、導電性液晶半導体材料層（４）に高導電性・高光学的異方性を示すスメクチック液晶状態のスポット[１]と、低導電性・高光学的異方性を示すスポット[０]とによる[０] [１]記載によりデータが記録される。
【００５１】
更に本発明のメモリ素子においては、導電性液晶半導体材料層をレーザー光でスポット照射して選択的に加熱処理を行ったスポットは、液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成する。このため、該液晶化合物の分子長軸方向を制御することにより、１スポットに光学的に多重記録することができる。即ち、本発明のメモリ素子のデータ記録方法は、前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って、該液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成させ、１スポットに光学的に多重記録することを特徴とする形態を含む。
【００５２】
また、前記メモリ素子のデータ記録方法により記録されたデータの読み出し（多重記録されたデータの読み出し）は、前記液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットに励起光を照射し、生じた蛍光偏光の振動方向に、偏光板の透過軸の方向を合わせることにより行うことができる。
【００５３】
本発明の[０] [１]記載のメモリ素子は、既存の読み取り回路に接続して[０] [１]を読み込むことができる。
【００５４】
また、前記導電性液晶半導体材料層のスメクチック液晶状態は可逆的であり、液体状態からの冷却時に超音波による振動などを与えて超音波等による振動を与えて分子配向を乱すことにより、スメクチック液晶状態から低導電性・高光学的異方性を示すアモルファス状態にすることができる。
【００５５】
次に、本発明のＩＣタグについて説明する。
本発明のＩＣタグは、前述した本発明のメモリ素子を用いてなることを特徴とする。以下、本発明のＩＣタグを図７を用いて説明する。図７は、本発明のＩＣタグの一実施形態を示す上面図である。
【００５６】
図７に示すように、ＩＣタグ（９）は、フィルム状のプラスチック基板（１１）と、プラスチック基板（１１）上に設けられたアンテナ部（１２）及び集積回路部（１０）とを備え、また、絶縁層（１３）が、アンテナ部（１２）を構成するアンテナ線の始点と終点との間にあるアンテナ線を覆い、その上をジャンパー線で接続され、そして、集積回路部（１０）には、前述した本発明のメモリ素子が設けられている。尚、ＩＣタグ（９）は、表面に保護膜を更に備えていてもよい。また、ＩＣタグ（９）は、裏面に粘着効果を持たせることで、菓子袋や、ドリンク缶のような曲面形状を有するものにも貼り付けて使用することができる。
【００５７】
前記フィルム状のプラスチック基板（１１）の材質は特に限定されるものではなく、一般的にＩＣカード、ＩＣタグに用いられる樹脂が用いられる。例えば、合成樹脂類、天然樹脂類等が単体または混合体、共重合体或いは複合体として用いられ、具体的には、ポリエステル樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリ乳酸、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、変性ＰＰＯ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファルド樹脂等の熱可塑性樹脂、もしくはそれらの材料の複合による樹脂の混合体、共重合体等を用いることができ、さらにはガラス繊維または顔料、充填剤の添加による強化樹脂等が挙げられる。またポリ乳酸、ポリカプロラクトン、ポリ（３ヒドロキシブチレート−ヒドロキシヴァリレート）、ポリビニルアルコール樹脂などの生分解性樹脂を用いることができ、さらにはそれら樹脂単体また樹脂混合体、共重合体を用いることができる。
【００５８】
アンテナ部（１２）は、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。
【００５９】
アンテナ部（１２）の形成方法としては、公知の方法を用いることができるが、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法が好ましい。また、印刷法を適用する場合、必要に応じて導電性ペーストにバインダ樹脂を含有させ基板への接着性を向上させることができる。
【００６０】
以上のようにしてアンテナ部（１２）を形成した後、本発明のメモリ素子の集積回路部（１０）を実装してＩＣタグを製造する。集積回路部とアンテナ部を接続する接着材料としては、公知の異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁性ペースト等を用いてよく、塗布方法としては、ディスペンス法、印刷法等が挙げられる。
【００６１】
以下に、図７に示すＩＣタグ（９）の製造方法の具体例を示す。尚、本具体例で使用するメモリ素子は、前記＜メモリ素子（１）の製造方法の具体例＞に従って製造することができるものである。
【００６２】
＜ＩＣタグ（９）の製造方法の具体例＞
ポリエチレンテレフタレート製のプラスチック基板（１１）を用い、市販の銀分７５重量％、バインダ樹脂１５重量％、溶剤１０重量％を含む導電性ペーストを用い、ループ状アンテナをスクリーン印刷し、５０℃２０分の予備乾燥を経て、１５０℃で３０分の焼成を行うことでアンテナ部（１２）を製造する。
また、ジャンパー部に市販の絶縁ペーストを２回印刷し、更にアンテナを形成したものと同じ導電性ペーストを使用してスクリーン印刷してジャンパー線を製造する。
そして、アンテナ両端に集積回路部（１０）としてメモリ素子（１）と図示しない信号回路ＩＣとを、ＡＣＦ（異方導電性フィルム（粘着テープ））で圧着して実装することでＩＣタグ（９）を製造する。
【００６３】
以上、本発明の一実施形態に係るメモリ素子及びＩＣタグについて説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、ＩＣタグにおいては、アンテナ部、集積回路部の配置や構成は任意に設定でき、また、信号処理ＩＣ等の倫理回路部を更に組み込むことも可能である。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の範囲は斯かる実施例に限定されるものでない。
【００６５】
（スチリル誘導体の調製）
＜合成例１；スチリル誘導体（Ａ）＞
１，４−ビス（４'−ペンタデカンオキシスチリル）ベンゼン−（Ｅ，Ｅ）の合成
（１）下記反応式に従って下記手順によりｐ−ペンタデカンオキシベンズアルデヒドを調製した。
【００６６】
【化８】
2007324314.tif 000009
【００６７】
１００ｍｌの四つ口フラスコを使用して８５ｗｔ％苛性カリ２．７９ｇ（４２．３ｍＭ）をジメチルホルムアミド３０ｍｌに懸濁させ、ここにヒドロキシベンズアルデヒド５．２８ｇ（４３．２ｍＭ）を含むジメチルホルムアミド溶液１０ｍｌを２０℃以下に保持しながら滴下した。その後３０℃で１時間熟成した。次に１−ブロモペンタデカン９．５８ｇ（３２．９ｍＭ）加え、７０℃で２１時間熟成した。反応液を水に分散後、トルエンで抽出し、水で洗浄後、濃縮して微着色粘ちょう液１１．０３ｇを得た。次いでヘキサンで再結晶処理してｐ−ペンタデカノキシベンズアルデヒド８．９１ｇ（純度９８．３％）を得た。
【００６８】
（２）下記反応式に従って下記手順により１，４−ビス（４'−ペンタデカンオキシスチリル）ベンゼン異性体混合物（化合物（１ａ））を調製した。
【００６９】
【化９】
2007324314.tif 000010
【００７０】
３０ｍｌの四つ口フラスコを使用して前記で合成したｐ−ペンタデカンオキシベンズアルデヒド７．８７ｇ（２３．７ｍＭ）、ｐ−キシリレンビス（トリフェニルホスホニウムブロミド）８．６５ｇ（１１．０ｍＭ）をメタノール１００ｍｌに懸濁させ、ここに室温（２５℃）で２８ｗｔ％メチラート６．８７ｇ（３５．６ｍＭ）を滴下した。その後還流温度６５℃で３時間熟成した。メタノールを留去し、残留物に水２００ｍｌを加えて攪拌の後、沈澱物を濾過した。この沈澱物をさらに水とアセトンで洗浄し、乾燥して１，４−ビス（４'−ペンタデカノキシスチリル）ベンゼン異性体混合物（化合物（１ａ））７．４９ｇを得た。同定データとして、1H-NMRの分析データを次に示す。1H-NMR；7.45ppm(4H,s), 7.42(4H,d), 7.06(2H,d), 6.94(2H,d), 6.88(4H,d), 3.96(4H,t), 1.78(4H,m), 1.2-1.5(48H,m), 0.87(6H,t).
【００７１】
（３）下記手順により１，４−ビス（４'−ペンタデカノキシスチリル）ベンゼン−（Ｅ，Ｅ）を調製した。
１００ｍｌのナスフラスコに前記で合成した１，４−ビス（４'−ペンタデカノキシスチリル）ベンゼン異性体混合物７．４９ｇ（１０．２ｍＭ）、ヨウ素２０ｍｇ（０．０８ｍＭ）をｐ−キシレン５０ｍｌに懸濁させ、１３９℃で８時間還流熟成した。反応終了後、沈澱を濾過、次いで乾燥して１，４−ビス（４'−ペンタデカノキシスチリル）ベンゼン−（Ｅ，Ｅ）７．０６ｇ（純度９９．９％）を得た。同定データとして、1H-NMRの分析データを次に示す。1H-NMR；7.45ppm(4H,s), 7.42(4H,d), 7.06(2H,d), 6.94(2H,d), 6.88(4H,d), 3.96(4H,t), 1.78(4H,m), 1.2-1.5(48H,m), 0.87(6H,t).
【００７２】
＜合成例２；スチリル誘導体（Ｂ）＞
１，４−ビス（４'−デカンオキシスチリル）ベンゼン−（Ｅ，Ｅ）の合成
前記合成例１において１−ブロモペンタデカンを１−ブロモデカンに代えた以外は合成例１と条件及び反応操作は同じにして下記一般式（１ｂ）で表わされる１，４−ビス（４'−デカンオキシスチリル）ベンゼン−（Ｅ，Ｅ）３．４３ｇ（純度９９．９％）を得た。同定データとして、1H-NMRの分析データを次に示す。1H-NMR；7.45ppm(4H,s), 7.43(4H,d), 7.06(2H,d), 6.94(2H,d), 6.87(4H,d), 3.98(4H,t), 1.77(4H,m), 1.2-1.5(28H,m), 0.88(6H,t).
【００７３】
【化１０】
2007324314.tif 000011
【００７４】
前記合成例１及び合成例２で得られたスチリル誘導体は、偏光顕微鏡による液晶相のｔｅｘｔｕｒｅの観察により、下記表１に示す相転移を示すことが明らかになった。
【００７５】
【表１】
2007324314.tif 000012
【００７６】
＜導電性液晶半導体材料層の評価＞
（１−１）
寸法２×２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのＩＴＯ電極のパターンを持つガラス基板各４枚にポリ（３,４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（以下、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳと呼ぶ）をスピンコーティングし、基板上の不要な部分をイソプロパノールを用いて除去し、次いで２００℃で３０分間熱処理し、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを硬化させてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層（膜厚０．１μｍ）を得た。
この基板を真空蒸着装置に取り付け、前記合成例１と合成例２で得られたスチリル系誘導体の等モルの混合試料４０ｍｇをサンプルボードに入れ、蒸着装置に取り付けた。基板と試料との距離を１２ｃｍとして、真空計を見て気化状態を確認しながらサンプルボードに電流を流してゆき、真空蒸着を行った。蒸着終了後、窒素ガスを乾燥剤を通して導入し、大気圧に戻し、膜厚が３００ｎｍのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層を形成した。
また、前記導電性液晶半導体（合成例１＋合成例２）を含む膜の相転移を表２に示す。
【００７７】
【表２】
2007324314.tif 000013
【００７８】
前記（１−１）で調製した４枚の基板を偏光顕微鏡観察したところ暗視野であった。このうち２枚の基板を真空蒸着装置に戻し、窒素雰囲気中に、１５０℃で３分間加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた。この基板を取り出し、室温下で偏光顕微鏡観察したところ明視野が確認された（図８参照）。
【００７９】
また、前記（１−１）で調製した４枚の基板を真空蒸着装置にもどし、膜厚が３００ｎｍのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層の上にアルミニウムを蒸着し電極を形成して図９に示す素子を作製し、この素子のＩＴＯ側に＋をアルミ電極側に−電圧を印加し、電圧毎に素子に流れる電流量を測定した。その結果、１５０℃で加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた基板は電圧６ボルトで加熱処理をしないものに対して１,０００,０００倍の高い導電性を示した（図１０参照）。
【００８０】
これらの結果から、加熱処理により形成された基板ではスメクチック液晶分子配列が室温においても固定化され導電性及び光学異方性を示すものとなった。これに対して加熱処理を行わなかった基板では分子配列がバラバラであり絶縁体で光学異方性も示さないものであった。これにより加熱処理の有無により導電性と絶縁性の状態のもの或いは光学的異方性の相違があるものが得られることが確認された。
【００８１】
（１−２）
さらに、レーザー加熱による書込みができるかどうか、以下の実験を行った。
寸法２×２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのＩＴＯ電極のパターンを持つガラス基板各４枚にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをスピンコーティングし、基板上の不要な部分をイソプロパノールを用いて除去し、次いで２００℃で３０分間熱処理し、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを硬化させてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層（膜厚０．１μｍ）を得た。
この基板を真空蒸着装置に取り付け、前記合成例１と合成例２で得られたスチリル系誘導体の等モルの混合試料４０ｍｇをサンプルボードに入れ、蒸着装置に取り付けた。基板と試料との距離を１２ｃｍとして、真空計を見て気化状態を確認しながらサンプルボードに電流を流してゆき、真空蒸着を行った。蒸着終了後、窒素ガスを乾燥剤を通して導入し、大気圧に戻し、膜厚が３００ｎｍのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層を形成した。
【００８２】
前記（１−２）で調製した４枚の基板を偏光顕微鏡観察したところ暗視野であった。この基板に炭酸ガスレーザー（最大出力３０Ｗ、波長１０５０ｎｍ）を用いて１００μｍの直径でビームを照射した。その結果１８×１０3Ｗ／ｃｍ2程度の出力でレーザー加熱処理された基板において室温で偏光顕微鏡観察したところレーザー照射部分に明視野が確認された（図１１参照）。
これにより、レーザー加熱処理で形成されたスメクチック液晶分子配列が室温においても固定化され、尚且つレーザー加熱処理を行ったスポットのみが光学的異方性を有していることが明らかになった。
【００８３】
また、前記（１−２）で調製した基板を真空蒸着装置にもどし、膜厚が３００ｎｍのスチリル系誘導体の化合物層の上にアルミニウムを蒸着し電極を形成して前記と同様な素子（図９参照）を作製し、この素子のＩＴＯ側に＋をアルミ電極側に−電圧を印加し、素子に電圧毎に流れる電流を測定した。その結果、１５０℃で加熱処理したスメクチック液晶状態を発現させた基板は電圧６ボルトで加熱処理をしないものに対して１,０００,０００倍の高い導電性を示した。
この結果よりレーザー光をスポット照射した基板ではスポット照射した部分だけスメクチック液晶分子配列が室温においても固定化された導電性スポットとなった。これに対してレーザー光処理を行わなかった基板では分子配列がバラバラであり絶縁体であった。これによりレーザー光処理の有無により導電性スポットと絶縁性スポットの状態のものが得られることが確認された。
【００８４】
（２−１）
寸法２×２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのＩＴＯ電極のパターンを持つガラス基板各４枚にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをスピンコーティングし、基板上の不要な部分をイソプロパノールを用いて除去し、次いで２００℃で３０分間熱処理し、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを硬化させてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層（膜厚０．１μｍ）を得た。
この基板を真空蒸着装置に取り付け、前記合成例１と合成例２で得られたスチリル系誘導体の等モルの混合試料４０ｍｇをサンプルボードに入れ、蒸着角４５°で基板と試料との距離を１２ｃｍとして、真空計を見て気化状態を確認しながらサンプルボードに電流を流してゆき、真空蒸着を行った。蒸着終了後、窒素ガスを乾燥剤を通して導入し、大気圧に戻し、膜厚が３００ｎｍのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層を形成した。
更に真空蒸着装置を用いて、窒素雰囲気中に、１５０℃で３分間加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた。該液晶化合物の分子長軸方向を偏光顕微鏡により確認し、その分子長軸方向に偏光板の透過軸をあわせ、非偏光紫外線を基板に照射すると偏光板を通過する青色偏光が観察された（図１２（ａ）参照）。次に、その偏光板の透過軸を９０度回転させ非偏光紫外線を基板に照射すると偏光板を青色偏光は通過しなかった（図１２（ｂ）参照）。
基板からは、図１２（ａ）の矢印方向の偏光がでていてこれをこの方向の透過軸を持つ偏光板で読み取ることができる。
従って、液晶半導体材料の分子長軸の向きの違いにより、多重記録ができ、偏光板の透過軸の角度をそれぞれ分子長軸の向きに合わせることにより、そのそれぞれの読み出しが可能である（図１３参照）。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明のメモリ素子の実施形態の一つの断面構造を示す模式図である。
【図２】本発明のメモリ素子の実施形態の一つの上面構造を示す模式図である。
【図３】本発明のメモリ素子の実施形態の一つの製造例を説明する模式図である。
【図４】本発明のメモリ素子の実施形態の一つにおいてレーザー光をスポット照射する位置を示す模式的斜視図である。
【図５】本発明のメモリ素子の実施形態の一つにレーザー光をスポット照射した後の該メモリ素子内の状態を示す模式的断面図である。
【図６】本発明のメモリ素子の実施形態の一つにレーザー光をスポット照射した後の該メモリ素子内の導電性液晶半導体材料層の[０]、[１]の書込み状態を示す模式図である。
【図７】本発明のＩＣタグの実施形態の一つの上面構造を示す模式図である。
【図８】実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を１５０℃で３分間加熱処理し、室温（２５℃）まで自然冷却して得られた固体状態のものが基板に対して分子配向として水平配向をとっていることが観察された偏光顕微鏡写真である。
【図９】実施例で調製した導電性液晶半導体材料層の導電性（電圧と電流量との関係）を評価するために使用した素子の概略構成図である。
【図１０】実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を加熱してスメクチック液晶状態とした後、自然冷却し固体状態にしたときの電圧と電流量との関係、及び加熱処理を行わなかった該導電性液晶半導体材料層についての電圧と電流量との関係を示す図である。
【図１１】実施例で調製した導電性液晶半導体材料層をレーザー光でスポット照射して加熱処理したものが、スポット的に基板に対して分子配向として水平配向をとっていることが観察された偏光顕微鏡写真である。
【図１２】実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を１５０℃で３分間加熱処理し、室温（２５℃）まで自然冷却して得られた固体状態の液晶化合物が分子長軸方向に偏光した蛍光を発光することが観察された偏光顕微鏡写真である。
【図１３】本発明のメモリ素子の実施形態の一つにおいて、液晶分子の分子長軸方向と読み取る偏光板の透過軸の方向の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１．メモリ素子
２．透明基板
３．第２の電極群（透明電極）
４．導電性液晶半導体材料層
５．第１の電極群
６．下部基板
７．レーザー光
８．導電性スポット
９．ＩＣタグ
１０．集積回路部
１１．プラスチック基板
１２．アンテナ部
１３．絶縁層
【図１】
2007324314.tif 000015
【図２】
2007324314.tif 000016
【図３】
2007324314.tif 000017
【図４】
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【図５】
2007324314.tif 000019
【図６】
2007324314.tif 000020
【図７】
2007324314.tif 000021
【図８】
2007324314.tif 000022
【図９】
2007324314.tif 000023
【図１０】
2007324314.tif 000024
【図１３】
2007324314.tif 000025
【図１１】
2007324314.tif 000026
【図１２】
2007324314.tif 000027