(57)【要約】【課題】シールド層とＭＲ膜とを電気的に絶縁した状態で、ＥＳＤの影響を確実に防止できる薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置を提供する。シールド層をグランドから浮かせた状態で、ＥＳＤの影響を確実に防止できる薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置を提供する【解決手段】複数のＭＲ読出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子における各シールド層がグランドから絶縁されており、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子のうちの少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されている。【選択図】図５
2007265555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子における各シールド層がグランドから絶縁されており、該複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子のうちの少なくとも２つの磁気抵抗効果読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子の各シールド層がシールドギャップ層を介して磁気抵抗効果層を挟設しておりかつ前記グランドから絶縁された下部シールド層及び上部シールド層であり、前記少なくとも２つの磁気抵抗効果読出しヘッド素子における前記下部シールド層間に前記電気抵抗層が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、磁気抵抗効果層の積層面と平行の方向にセンス電流を流す構造の磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記少なくとも２つの磁気抵抗効果読出しヘッド素子における前記上部シールド層間にも前記電気抵抗層が接続されていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、前記磁気抵抗効果層の積層面と垂直の方向にセンス電流を流す構造の磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
全ての前記複数の磁気抵抗効果読出しヘッド素子における前記シールド層間に前記電気抵抗層が接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記電気抵抗層が、ジグザグにパターニングされた抵抗層からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記電気抵抗層が、β−Ｔａ層からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記電気抵抗層が、１〜１５０ｋΩの電気抵抗を有していることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドに対向する磁気媒体と、該磁気媒体及び前記薄膜磁気ヘッドを相対的に移動させる駆動システムとを備えたことを特徴とする磁気媒体装置。
【請求項１１】
前記磁気媒体が、磁気テープであることを特徴とする請求項１０に記載の磁気媒体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを備えた磁気媒体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子のシールド層とＭＲ素子のリード線とを抵抗器を介して接続することにより、ヘッド内の電気的な電位及びそれに関連した電荷蓄積をクランプすることで雑音スパイクの発生を防止する点が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、ＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子のＭＲ膜用アース及びＭＲ素子のシールド層用アースを共通のアースに接続することにより、ＭＲ素子とシールド層との静電破壊を防止する点が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特表２００２−５３１９０９号公報
【特許文献２】特開２００２−１００００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び２に開示された公知技術では、シールド層とＭＲ膜とが電気的に接続されている。しかしながら、磁気媒体装置の仕様によっては、シールド層とＭＲ膜とを完全に電気的に絶縁することが要求され、このような場合には、これら公知技術を全く適用することができない。逆に、積層面（膜面）と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子及びトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子においては、シールド層とＭＲ膜とは最初から電気的に導通しているため、公知技術のごとく接続を行っても、その効果を何ら得ることができない。
【０００６】
さらに、特許文献２に開示された公知技術では、シールド層とＭＲ膜とがグランドに接続されているが、磁気媒体装置の仕様によっては、シールド層とＭＲ膜とがグランドに接続（接地）されないことを要求され、このような場合には、この公知技術を全く適用することができない。
【０００７】
従って本発明の目的は、シールド層とＭＲ膜とを電気的に絶縁した状態で、静電気放電（ＥＳＤ）の影響を確実に防止できる薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、シールド層をグランドから浮かせた状態で、ＥＳＤの影響を確実に防止できる薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、複数のＭＲ読出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子における各シールド層がグランドから絶縁されており、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子のうちの少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
各シールド層がグランドから浮いており、その代わりに、少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されている。このため、あるＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層に帯電した電荷が電気抵抗層を介して他のＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層へ逃げ、その際にこの電気抵抗層において熱エネルギに置換されることから電気エネルギが大幅に低減される。従って、シールド層をグランドに接続することなく、ＭＲ読出しヘッド素子のＥＳＤによる破壊等の影響を確実に防止することができる。
【００１１】
複数のＭＲ読出しヘッド素子の各シールド層がシールドギャップ層を介してＭＲ層を挟設しておりかつグランドから絶縁された下部シールド層及び上部シールド層であり、少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子における下部シールド層間に電気抵抗層が接続されていることが好ましい。この場合、複数のＭＲ読出しヘッド素子が、ＭＲ層の積層面と平行の方向にセンス電流を流すＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）構造のＭＲ読出しヘッド素子、例えば異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）読出しヘッド素子やＣＩＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子であっても良い。ＣＩＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子においては、一般的に、下部シールド層及び上部シールド層が電気的に導通しているので、下部シールド層同士を電気抵抗層で接続すれば、上部シールド層も同様に接続されることとなる。
【００１２】
少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子における上部シールド層間にも電気抵抗層が接続されていることも好ましい。この場合、複数のＭＲ読出しヘッド素子が、ＭＲ層の積層面と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子、例えばＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子やＴＭＲ読出しヘッド素子であるかもしれない。ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子においては、ＧＭＲ層やＴＭＲ層を介して電流が流れるように構成されており、下部シールド層及び上部シールド層が直接的に導通していないため、下部シールド層同士のみならず、上部シールド層同士も電気抵抗層で接続する必要がある。
【００１３】
全てのＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されていることも好ましい。
【００１４】
電気抵抗層が、ジグザグにパターニングされた抵抗層からなることも好ましい。
【００１５】
電気抵抗層が、β−Ｔａ層からなることも好ましい。
【００１６】
電気抵抗層が、１〜１５０ｋΩの電気抵抗を有していることもさらに好ましい。
【００１７】
本発明によれば、さらに、上述の薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドに対向する磁気媒体と、磁気媒体及び薄膜磁気ヘッドを相対的に移動させる駆動システムとを備えた磁気媒体装置が提供される。
【００１８】
磁気媒体が、磁気テープであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、あるＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層に帯電した電荷が電気抵抗層を介して他のＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層へ逃げ、その際にこの電気抵抗層において熱エネルギに置換されて電気エネルギが大幅に低減されるので、シールド層をグランドに接続することなく、ＭＲ読出しヘッド素子のＥＳＤによる破壊等の影響を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は本発明の一実施形態として、マルチチャネル磁気テープ装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の薄膜磁気ヘッド及びその周辺部分の構成を拡大して示す拡大斜視図である。
【００２１】
本実施形態は、本発明をＬＴＯ（リニアテープオープン）のテープドライブに適用した場合である。もちろん、本発明は、ＬＴＯのテープドライブに限定されるものではなく、マルチチャネルのいかなるテープドライブ、ディスクドライブ、ドラムドライブにも適用可能である。
【００２２】
図１及び図２において、１０は単一リールのテープカートリッジ、１１はテープカートリッジ１０から引き出された磁気テープ１２を一時的に巻き取るテイクアップリール、１３は磁気テープ１２の往復走行方向１４に対して垂直の方向（トラック幅方向）１５に往復移動可能な薄膜磁気ヘッドをそれぞれ示している。
【００２３】
公知のように、ＬＴＯでは、１／２インチ幅の磁気テープ１２への書込み及び読出しが行われる。このための薄膜磁気ヘッド１３は複数個の書込み／読出し磁気ヘッド素子と２個のサーボ読出しヘッド素子とを備えている。
【００２４】
図３は本実施形態におけるこの薄膜磁気ヘッド１３の構成を概略的に示す斜視図である。ただし、同図では、理解を容易にするために、３つの書込み／読出し磁気ヘッド素子のみが図示されており、残りの書込み／読出し磁気ヘッド素子及び書込み／読出し磁気ヘッド素子の上に形成される層等の図示が省略されている。
【００２５】
同図において、１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａはテープベアリング面（ＴＢＳ）１３３に垂直な平面上にトラック幅方向に沿って一列配列された３つの書込み／読出し磁気ヘッド素子、１３０ｂ、１３１ｂ及び１３２ｂは書込み／読出し磁気ヘッド素子１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａ用の端子電極、１３０ｃ、１３１ｃ及び１３２ｃは書込み／読出し磁気ヘッド素子１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａと端子電極１３０ｂ、１３１ｂ及び１３２ｂとを電気的に接続するリード導体をそれぞれ示している。
【００２６】
図４は本実施形態における各書込み／読出し磁気ヘッド素子の構成を概略的に示す側面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【００２７】
同図に示すように、例えばＡｌ−ＴｉＣ等による基板４０上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による下地層４１が例えば１．０μｍ厚でコーティングされており、その上には例えばセンダスト、ＮｉＦｅ又はＣｏＺｒＴａ等の軟磁性材料による下部シールド層（ＳＦ）４２が例えば２．００±０．３０μｍ厚で積層されている。
【００２８】
図４には示されていないが、下部シールド層４２上及び隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子との間に積層されている例えばＡｌ２Ｏ３等による絶縁層（５５、図６）上には、隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子における下部シールド層とを電気的に接続する電気抵抗層（５４、図５及び図６）が形成されている。下部シールド層４２及びこの電気抵抗層（５４、図５及び図６）の上には例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による下部シールドギャップ層４３が例えば１００．０ｎｍ厚で積層されており、その上にはＭＲ層４４とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４５とが積層されている。
【００２９】
ＭＲ層４４は、本実施形態では、ＮｉＦｅＣｒ（１２．６ｎｍ厚）／Ｔａ（６．０ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ（２５．０ｎｍ厚）／Ｔａ（３．５ｎｍ厚）なる多層構造を有するＡＭＲ層で形成されている。リード導体層は、本実施形態では、Ｃｕ等の導電性材料を例えば２００ｎｍ厚に積層することで形成されており、ハードマグネット層は、本実施形態では、Ｔａ（３．０ｎｍ厚）／ＣｒＴｉ（５．０ｎｍ厚）／ＣｏＣｒＰｔ（６０．０ｎｍ厚）／ＣｒＴｉ（１０．０ｎｍ厚）／Ｔａ（１００．０ｎｍ厚）なる多層構造で形成されている。
【００３０】
ＭＲ層４４とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４５上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による上部シールドギャップ層４６が例えば１００．０ｎｍ厚で積層されており、その上には例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による上部シールド層（ＳＳ１）４７が例えば２．０±０．３μｍ厚で積層されており、その上には、例えばＴａ等の非磁性材料による中間非磁性層４８が例えば０．０２０±０．００２ｎｍ厚で積層されている。
【００３１】
この中間非磁性層４８上には、インダクティブ書込みヘッド素子の例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による下部磁極下側層（ＳＳ２）４９が例えば２．０±０．３μｍ厚で積層されており、その上には例えば高保磁力（ＨｉＢｓ）のＮｉＦｅ等の軟磁性材料による下部磁極上側層（ＳＳ３）５０が例えば３．５±０．３μｍ厚で積層されており、その上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による記録ギャップ層５１が例えば０．４５μｍ厚で積層されており、その上には例えば高保磁力のＮｉＦｅ等の軟磁性材料による上部磁極層（Ｐ２）５２が積層されており、その上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料によるオーバーコート層５３が例えば４１＋５／−２μｍ厚で積層されている。
【００３２】
なお、ＭＲ層４４として、ＡＭＲ層に代えてＣＩＰ−ＧＭＲ層を用いても良いことはもちろんである。
【００３３】
図５は本実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける電気抵抗層の構成を説明するための平面図である。
【００３４】
同図に示すように、本実施形態では、全ての書込み／読出し磁気ヘッド素子のうちの隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層４２間を電気的に接続するように電気抵抗層５４が形成されている。各電気抵抗層５４は、本実施形態では、準安定相である正方晶のβ−Ｔａ層を、同図に示すようなジグザグパターンにスパッタ形成することによって、１〜１５０ｋΩの高抵抗値となっている。電気抵抗層５４の抵抗値が１ｋΩ未満であると電気エネルギを熱エネルギに変換して低減させることが難しくなり、また、抵抗値が１５０ｋΩを超えた電気抵抗層は現在想定しているデバイスでは形成することが難しい。なお、ＡＭＲ読出しヘッド素子やＣＩＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子においては、通常、下部シールド層４２と上部シールド層４７とが電気的に直接導通しているので、下部シールド層４２同士を電気抵抗層で接続すれば、上部シールド層４７も同様に接続されることとなる。
【００３５】
実際に、β−Ｔａ層を、幅Ｗ＝２μｍ、厚さｔ＝０．０２μｍ、長さＬ＝９５０μｍにパターニング形成することにより、約４０ｋΩの電気抵抗層５４が得られた。
【００３６】
図５では、隣接する全ての書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に電気抵抗層が設けられているが、一部のみの書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に電気抵抗層を設けても良い。また、隣接していない書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に電気抵抗層を設けても良い。
【００３７】
図６は本実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に説明する断面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。ただし、同図には、２つの隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の上部シールド層を形成するまでのウエハ工程が示されている。
【００３８】
まず、同図（Ａ）に示すように、下地層４１がコーティングされている基板４０を用意し、この下地層４０上に下部シールド層４２を積層する。
【００３９】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に絶縁層５５用の絶縁材料を堆積する。
【００４０】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）法によって、下部シールド層４２及び絶縁層５５の表面を平坦化する。
【００４１】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、平坦化された表面上に電気抵抗層５４をスパッタによってパターニングする。
【００４２】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、その上に下部シールドギャップ層４３、ＭＲ層４４、リード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４５並びに上部シールドギャップ層４６を積層する。
【００４３】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、上部シールドギャップ層４６上に上部シールド層４７を積層する。
【００４４】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、その上に絶縁層５６用の絶縁材料を堆積する。
【００４５】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、ＣＭＰ法によって、上部シールド層４７及び絶縁層５６の表面を平坦化する。
【００４６】
その後、平坦化された上部シールド層４７及び絶縁層５６上に中間非磁性層４８を積層し、その上にインダクティブ書込みヘッド素子が形成される。
【００４７】
次いで、このようにウエハ上に形成された複数の書込み／読出し磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドをウエハから切出し、必要な機械加工を行うことによって、薄膜磁気ヘッドが製造される。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層４２間に１〜１５０ｋΩの高抵抗の電気抵抗層５４が接続されているため、１つのＭＲ読出しヘッド素子における上部シールド層４７及び／又は下部シールド層４２に帯電した電荷がこの電気抵抗層５４を介して他のＭＲ読出しヘッド素子における下部シールド層４２へ逃げ、その際にこの電気抵抗層５４において電気エネルギが熱エネルギに置換されることとなり、電荷の電気エネルギが大幅に低減される。従って、下部シールド層をグランドに接続することなく、ＭＲ読出しヘッド素子のＥＳＤによる破壊等の影響を確実に防止することができるのである。
【００４９】
本実施形態のように隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に電気抵抗層を設けた場合と、従来技術のようにこのような電気抵抗層を設けない場合とで、ＭＲ抵抗変化率がどのように異なってくるかを、実際に磁気テープを走行させてＭＲ出力を測定することによって調べた。表１は、その測定結果を示している。測定条件は、温度が８５℃、相対湿度が１０〜２０％ＲＨ、テープ走行速度が４ｍ／ｓｅｃ、走行時間が２４０時間である。サンプル数は本実施形態のもの及び従来技術のものがそれぞれ８００である。ＭＲ抵抗変化率が５％未満のものを不良品とした。
【００５０】
【表１】
2007265555.tif 000003
【００５１】
表１から、テープ走行時間が長くなると、電気抵抗層の設けられていない従来技術では、ＥＳＤによる不良が急激に増大しているが、電気抵抗層を設けた本実施形態では不良がさほど増大しておらず、電気抵抗層を設けることにより、非常に良好なＥＳＤ対策が得られることが分かる。
【００５２】
図７は本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの第２の電気抵抗層の構成を説明するための平面図である。本実施形態におけるマルチチャネル磁気テープ装置の構成は図１及び図２に示したものと同様である。また、薄膜磁気ヘッドの外部から見た構成も図３に示したものと同様である。ただし、本実施形態では、ＭＲ読出しヘッド素子がＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子又はＴＭＲ読出しヘッド素子であり、電気抵抗層が下部シールド層側のみならず上部シールド層側にも設けられている点で図１〜図６の実施形態と相違している。なお、本実施形態において、図１〜図６の実施形態の場合と同様の構成要素には同じ又はダッシュ付の参照符号を用いている。
【００５３】
本実施形態では、図５に示したように、全ての書込み／読出し磁気ヘッド素子のうちの隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層４２′間を電気的に接続するように第１の電気抵抗層５４′が形成されており、さらに、図７に示すように、全ての書込み／読出し磁気ヘッド素子のうちの隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の上部シールド層４７′間を電気的に接続するように第２の電気抵抗層５７が形成されている。これら第１及び第２の電気抵抗層５４′及び５７の各々は、本実施形態では、準安定相である正方晶のβ−Ｔａ層を、図５及び図７に示すようなジグザグパターンにスパッタ形成することによって、１〜１５０ｋΩの高抵抗値となっている。
【００５４】
実際に、β−Ｔａ層を、幅Ｗ＝２μｍ、厚さｔ＝０．０２μｍ、長さＬ＝９５０μｍにパターニング形成することにより、約４０ｋΩの第１又は第２の電気抵抗層５４′又は５７が得られた。
【００５５】
図５及び図７では、隣接する全ての書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に第１及び第２の電気抵抗層が設けられているが、一部のみの書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に第１及び第２の電気抵抗層を設けても良い。また、隣接していない書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層間に第１及び第２の電気抵抗層を設けても良い。
【００５６】
図８は図７の実施形態における薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に説明する断面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。ただし、同図には、２つの隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の上部シールド層を形成するまでのウエハ工程が示されている。
【００５７】
まず、同図（Ａ）に示すように、下地層４１がコーティングされている基板４０を用意し、この下地層４０上に下部電極兼用の下部シールド層４２′を積層する。
【００５８】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に絶縁層５５用の絶縁材料を堆積する。
【００５９】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、ＣＭＰ法によって、下部シールド層４２′及び絶縁層５５の表面を平坦化する。
【００６０】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、平坦化された表面上に第１の電気抵抗層５４′をスパッタによってパターニングする。
【００６１】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、その上に下部シールドギャップ層４３、ＭＲ層４４、磁区制御用ハードマグネット層４５′及びに上部シールドギャップ層４６を積層する。ただし、本実施形態において、ＭＲ層４４はＣＰＰ−ＧＭＲ層又はＴＭＲ層である。
【００６２】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、上部シールドギャップ層４６上に上部電極兼用の上部シールド層４７′を積層する。
【００６３】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、その上に絶縁層５６用の絶縁材料を堆積する。
【００６４】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、ＣＭＰ法によって、上部シールド層４７′及び絶縁層５６の表面を平坦化する。
【００６５】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、平坦化された表面上に第２の電気抵抗層５７をスパッタによってパターニングする。
【００６６】
次いで、同図（Ｊ）に示すように、平坦化された上部シールド層４７′及び絶縁層５６上に中間非磁性層４８を積層し、その上にインダクティブ書込みヘッド素子が形成される。
【００６７】
次いで、このようにウエハ上に形成された複数の書込み／読出し磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドをウエハから切出し、必要な機械加工を行うことによって、薄膜磁気ヘッドが製造される。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態においても、隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の下部シールド層４２′間に１〜１５０ｋΩの高抵抗の第１の電気抵抗層５４′が接続されており、隣接する書込み／読出し磁気ヘッド素子の上部シールド層４７′間に１〜１５０ｋΩの高抵抗の第２の電気抵抗層５７が接続されているため、１つのＭＲ読出しヘッド素子における下部シールド層４２′及び／又は上部シールド層４７′に帯電した電荷が第１の電気抵抗層５４′及び／又は第２の電気抵抗層５７を介して他のＭＲ読出しヘッド素子における下部シールド層４２′及び／又は上部シールド層４７′へ逃げ、その際に第１の電気抵抗層５４′及び／又は第２の電気抵抗層５７において電気エネルギが熱エネルギに置換されることとなり、電荷の電気エネルギが大幅に低減される。従って、下部シールド層及び／又は上部シールド層をグランドに接続することなく、ＭＲ読出しヘッド素子のＥＳＤによる破壊等の影響を確実に防止することができるのである。
【００６９】
なお、上述した実施形態はテープ走行時の耐ＥＳＤ性能が向上する点について述べているが、本発明の薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置はその製造過程における耐ＥＳＤ性も非常に有効に向上させることができる。
【００７０】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施形態として、マルチチャネル磁気テープ装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッド及びその周辺部分の構成を拡大して示す拡大斜視図である。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】図１の薄膜磁気ヘッドにおける各書込み／読出し磁気ヘッド素子の構成を概略的に示す側面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【図５】図１の薄膜磁気ヘッドの電気抵抗層の構成を説明するための平面図である。
【図６】図１の薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に説明する断面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【図７】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの電気抵抗層の構成を説明するための平面図である。
【図８】図７の薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に説明する断面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０  テープカートリッジ
１１  テイクアップリール
１２  磁気テープ
１３  薄膜磁気ヘッド
１４  往復走行方向
１５  垂直の方向（トラック幅方向）
４０  基板
４１  下地層
４２、４２′  下部シールド層
４３  下部シールドギャップ層
４４  ＭＲ層
４５  リード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層
４５′  磁区制御用ハードマグネット層
４６  上部シールドギャップ層
４７、４７′  上部シールド層
４８  中間非磁性層
４９  下部磁極下側層
５０  下部磁極上側層
５１  記録ギャップ層
５２  上部磁極層
５３  オーバーコート層
５４  電気抵抗層
５４′  第１の電気抵抗層
５５、５６  絶縁層
５７  第２の電気抵抗層
１３０ａ、１３１ａ、１３２ａ  書込み／読出し磁気ヘッド素子
１３０ｂ、１３１ｂ、１３２ｂ  端子電極
１３０ｃ、１３１ｃ、１３２ｃ  リード導体
１３３  ＴＢＳ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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